Brevet FR3155598A1 — publié le 20250523

Sonde ultrasonore à transducteurs MUT et méthode de fabrication d’une telle sonde La présente description concerne une sonde ultrasonore (100) comportant : - une puce électronique (110) présentant une face avant (110A) et comprenant un substrat (111) et au moins un transducteur (210) ultrasonore micro-usiné dans et sur le substrat en face avant ; - une couche de protection (130) électriquement isolante recouvrant le au moins un transducteur ; et - une couche écran (140) métallique sur la couche de protection, la couche écran formant un blindage électromagnétique dudit au moins un transducteur. Figure pour l'abrégé : Fig. 2 Sonde ultrasonore à transducteurs MUT et méthode de fabrication d’une telle sonde La présente description concerne de façon générale le domaine des sondes ultrasonores comprenant des transducteurs ultrasonores et, plus particulièrement des transducteurs ultrasonores micro-usinés, encore appelés transducteurs du type MUT, de l’anglais "micromachined ultrasonic transducers". Un exemple d’application d’une telle sonde ultrasonore concerne le diagnostic ou le traitement ultrasonore intravasculaire, la sonde ultrasonore étant par exemple intégrée à un cathéter ou dans un boîtier externe. Un transducteur MUT comprend typiquement une membrane et deux électrodes, par exemple une électrode supérieure et une électrode inférieure, par exemple de part et d’autre de la membrane. Les électrodes inférieure et supérieure sont généralement adaptées à appliquer au transducteur un signal électrique d’excitation et/ou à récupérer du transducteur un signal pour être transformé en signal électrique. Une des électrodes inférieure et supérieure peut être reliée à la terre, et l’autre peut être dédiée au signal électrique. Un transducteur MUT est par exemple un transducteur capacitif micro-usiné à ultrasons, encore appelé transducteur CMUT, de l’anglais "capacitive micromachined ultrasonic transducer", ou un transducteur piézoélectrique micro-usiné à ultrasons, encore appelé transducteur PMUT, de l’anglais "piezoelectric micromachined ultrasonic transducer". Un transducteur CMUT présente généralement une structure proche de celle d’un condensateur plan, avec deux électrodes inférieure et supérieure disposées en vis-à-vis, une des électrodes étant solidaire d’une membrane qui est suspendue au-dessus d’une cavité. Un transducteur PMUT comprend généralement une membrane suspendue au-dessus d’une cavité, la membrane comprenant une couche piézoélectrique recouverte de part et d’autre par une électrode inférieure et une électrode supérieure. Une sonde ultrasonore peut comprendre plusieurs éléments pouvant être pilotés électriquement de manière indépendante et disposés en barrette (en ligne, sur une seule colonne), ou en matrice (sur plusieurs lignes et colonnes). Chaque élément de la sonde ultrasonore comprend un ou plusieurs transducteurs MUT. En fonctionnement, l'ensemble des transducteurs de la sonde est disposé en vis-à-vis d'un corps à analyser. Cette face de la sonde en vis à vis du corps à analyser peut être désignée face avant. Des ondes ultrasonores émises par les transducteurs sont réfléchies par le corps à analyser, puis reviennent vers les transducteurs qui les convertissent à nouveau en signaux électriques. Les transducteurs MUT peuvent être fabriqués, comme les microsystèmes électromécaniques (MEMS, de l’anglais "microelectromechanical systems"), selon des procédés de la microélectronique, qui permettent des fabrications de transducteurs MUT par lots. Parmi les procédés de fabrication, on peut citer la technique de micro-usinage de surface, c’est-à-dire en surface d’une plaquette (wafer), ou la technique de collage de plaquettes (connu en anglais sous le terme de "wafer bonding"), qui consiste à préparer l’électrode inférieure et les cavités des transducteurs sur un premier wafer, puis de venir coller un second wafer incorporant les membranes des transducteurs en surface de ce second wafer ainsi que l’électrode supérieure. Une fois fabriqués, les transducteurs MUT peuvent être intégrés dans des étapes ultérieures pour former la sonde ultrasonore. Or, il existe un risque que les transducteurs MUT soient détériorés lors de ces étapes. Il serait souhaitable de pouvoir disposer d’une sonde ultrasonore à transducteurs MUT, ainsi que d’une méthode de fabrication d’une sonde ultrasonore à transducteurs MUT, palliant au moins en partie certains des inconvénients des sondes ultrasonores, et des méthodes de fabrication de sondes ultrasonores, connues, en particulier permettant de protéger les transducteurs MUT lors de la fabrication de la sonde ultrasonore et en fonctionnement. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des sondes ultrasonores à transducteurs MUT connues, et des méthodes de fabrication connues de telles sondes ultrasonores. Un mode de réalisation prévoit une sonde ultrasonore comportant : - une puce électronique présentant une face avant et comprenant un substrat et au moins un transducteur ultrasonore micro-usiné dans et sur le substrat en face avant ; - une couche de protection électriquement isolante recouvrant le au moins un transducteur ; et - une couche écran métallique sur la couche de protection, la couche écran formant un blindage électromagnétique dudit au moins un transducteur. Selon un mode de réalisation, la sonde ultrasonore comprend en outre un substrat d’interconnexion assemblé à une face arrière de la puce électronique opposée à la face avant, le substrat d’interconnexion étant adapté à relier la couche écran à la terre, par exemple par des plots de connexion à la terre dédiés à la mise à la terre de la couche écran . Selon un mode de réalisation, la sonde ultrasonore comprend en outre une couche en un matériau acoustiquement transparent aux ultrasons sur la couche écran, ladite couche en le matériau acoustiquement transparent étant par exemple moulée au-dessus de ladite couche écran. Un mode de réalisation prévoit une méthode de fabrication d’une sonde ultrasonore, la méthode comprenant le dépôt, sur une puce électronique présentant une face avant et comprenant un substrat et au moins un transducteur ultrasonore micro-usiné formé dans et sur le substrat en face avant : - d’une couche de protection recouvrant le au moins un transducteur ; puis - d’une couche écran métallique sur la couche de protection, la couche écran formant un blindage électromagnétique dudit au moins un transducteur. Selon un mode de réalisation, la méthode comprend en outre l’assemblage d’un substrat d’interconnexion à une face arrière de la puce électronique opposée à la face avant, le substrat d’interconnexion étant adapté à relier la couche écran à la terre. Selon un mode de réalisation, la méthode comprend en outre la formation d’une couche en un matériau acoustiquement transparent aux ultrasons sur la couche écran, ladite formation étant réalisée par exemple par moulage du matériau acoustiquement transparent au-dessus de ladite couche écran. Les modes de réalisation suivants peuvent s’appliquer à la sonde et/ou à la méthode. Selon des modes de réalisation : - le matériau acoustiquement transparent est un élastomère et/ou est biocompatible ; et/ou - l’épaisseur de la couche en le matériau acoustiquement transparent est comprise entre 300 micromètres et 1 millimètre ; et/ou - la couche en le matériau acoustiquement transparent est une lentille acoustique. Selon des modes de réalisation : - la couche de protection est en un matériau acoustiquement transparent aux ultrasons, par exemple un élastomère, tel qu’un silicone, un polyuréthane thermoplastique, un polyéther bloc amide, un élastomère fluorocarboné, un polybutadiène, ou une combinaison de plusieurs de ces matériaux ; et/ou - la couche de protection est en un matériau biocompatible ; et/ou - l’épaisseur de la couche de protection est comprise entre 10 micromètres et 1 millimètre, par exemple entre 10 et 500 micromètres ou entre 10 et 100 micromètres. Selon des modes de réalisation : - la couche écran est en or, en argent, en aluminium, en cuivre, ou une combinaison de plusieurs de ces matériaux ; et/ou - la couche écran est en un matériau biocompatible ; et/ou - l’épaisseur de la couche écran est adaptée à la propagation des ondes ultrasonores dans ladite couche écran ; et/ou - l’épaisseur de la couche écran est inférieure à 10 micromètres, par exemple inférieure à 5 micromètres. Selon un mode de réalisation, la connexion électrique du au moins un transducteur est en face arrière de la puce électronique, par exemple par l’intermédiaire de vias conducteurs traversant le substrat. Selon un mode de réalisation, la connexion électrique du au moins un transducteur est en face avant de la puce électronique, par exemple par l’intermédiaire de fils conducteurs. Selon un mode de réalisation, la connexion électrique du au moins un transducteur est réalisée par l’intermédiaire de fils conducteurs, lesdits fils conducteurs étant isolés électriquement par des gouttes de scellement, et la couche écran s’étendant sur les gouttes de scellement. Selon des modes de réalisation, le substrat d’interconnexion est : - un substrat d’interconnexion flexible ; et/ou - un circuit imprimé ; et/ou - un circuit intégré propre à une application. Selon un mode de réalisation, la sonde ultrasonore comprend un circuit intégré propre à une application entre le substrat d’interconnexion et la puce électronique. Selon des modes de réalisation : - chaque transducteur ultrasonore micro-usiné est un transducteur capacitif micro-usiné à ultrasons ou un transducteur piézoélectrique micro-usiné à ultrasons ; et/ou - la puce électronique comprend plusieurs transducteurs ultrasonores micro-usinés recouverts par la couche de protection et la couche écran ; et/ou - la sonde ultrasonore comprend plusieurs puces électroniques comprenant chacune une ou plusieurs transducteurs ultrasonores micro-usinés recouverts par la couche de protection et la couche écran, les puces électroniques étant disposées en ligne ou selon un réseau matriciel, par exemple les différentes puces électroniques, en particulier les transducteurs ultrasonores des différentes puces électroniques, étant connectables individuellement à un signal électrique. Selon un mode de réalisation, la sonde ultrasonore est disposée dans un boîtier. Selon un mode de réalisation, la sonde ultrasonore est adaptée à être insérée dans un cathéter. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 , la FIG. 1 , la FIG. 1 et la FIG. 1 sont des vues en coupe illustrant des étapes successives d’une méthode de fabrication d’une sonde ultrasonore selon un mode de réalisation ; La FIG. 2 est une vue en coupe représentant des détails de la sonde ultrasonore de la FIG. 1 ; la FIG. 3 , la FIG. 3 , la FIG. 3 et la FIG. 3 sont des vues en coupe illustrant des étapes successives d’une méthode de fabrication d’une sonde ultrasonore selon un autre mode de réalisation ; la FIG. 4 est une vue en coupe représentant des détails de la sonde ultrasonore de la FIG. 3 ; la FIG. 5 est une vue en coupe représentant une sonde ultrasonore selon un autre mode de réalisation ; et la FIG. 6 , la FIG. 6 et la FIG. 6 sont des vues de dessus représentant plusieurs modes de connexion de la sonde ultrasonore de la FIG. 5 à la masse. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, la réalisation des transducteurs MUT des sondes ultrasonores décrites n’a pas été détaillée, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec toutes ou la plupart des structures connues de transducteurs MUT, et la fabrication des transducteurs MUT étant à la portée de la personne du métier. En outre, la réalisation des circuits de commande des transducteurs MUT n’a pas été détaillée, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec les circuits de commande usuels de transducteurs MUT, et la réalisation des circuits de commande étant à la portée de la personne du métier. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à une sonde, il est fait référence sauf précision contraire à une sonde ultrasonore à transducteurs ultrasonores micro-usinés, ou transducteurs MUT. En outre, lorsque l'on fait référence à un transducteur, il est fait référence sauf précision contraire à un transducteur ultrasonore micro-usiné, ou transducteur MUT. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à un élément conducteur, il est fait référence sauf précision contraire à un élément électriquement conducteur. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à un plot, ou à une piste, de connexion, il est fait référence sauf précision contraire à un plot, ou à une piste, de connexion électrique. De plus, lorsque l'on fait référence à un plot, ou à une piste, de terre, il est fait référence sauf précision contraire à un plot, ou à une piste, de connexion (de raccordement) à la terre (ou à la masse). Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. La description qui suit concerne des sondes ultrasonores à transducteurs ultrasonores micro-usinés, ou transducteurs MUT. Comme indiqué plus avant, une fois fabriqués, les transducteurs MUT sont intégrés dans des étapes ultérieures pour former une sonde ultrasonore. En fonctionnement, l'ensemble des transducteurs de la sonde est disposé en vis-à-vis d'un corps à analyser. Cette face de la sonde ultrasonore en vis à vis du corps à analyser peut être désignée face avant. Généralement, plusieurs transducteurs MUT sont fabriqués en lot, sur un même support, par exemple une même plaquette, et ce support est ensuite découpé soit pour séparer les transducteurs MUT entre eux, soit pour diviser le support en plusieurs éléments, par exemple en plusieurs puces électroniques, chaque puce électronique comprenant plusieurs transducteurs MUT. De plus, une fois fabriqués et séparés, les transducteurs MUT sont généralement assemblés à un substrat d’interconnexion, par exemple un circuit imprimé rigide ou flexible, ou un interposeur (en anglais "interposer"), afin de connecter électriquement les transducteurs de la sonde ultrasonore. Le substrat d’interconnexion est généralement disposé côté face arrière de la sonde, opposée à la face avant. Plus généralement, dans la fabrication d’une sonde ultrasonore à transducteurs MUT, les transducteurs MUT une fois fabriqués sur un même support peuvent encore être intégrés dans des étapes ultérieures de fabrication de la sonde ultrasonore, qui peut inclure l’étape de découpe décrite ci-dessus. Il peut être nécessaire de protéger ces transducteurs MUT lors de ces étapes ultérieures de fabrication de la sonde. Une solution pour protéger ces transducteurs MUT est de déposer une couche, dite couche de passivation, ou couche de protection, recouvrant les transducteurs MUT, côté face avant de la future sonde ultrasonore. L’épaisseur de cette couche de protection peut être comprise entre une dizaine et une centaine de micromètres, voire entre une dizaine et quelques centaines de micromètres. La couche de protection peut être déposée sur les transducteurs MUT non encore divisés en puces électroniques, ou bien sur les transducteurs MUT déjà divisés en puces électroniques. Différentes techniques peuvent être utilisées pour déposer la couche de protection, et notamment une ou plusieurs des techniques suivantes : - le revêtement par centrifugation (en anglais "spin coating"), à privilégier pour un dépôt pleine plaque, non localisé ; - l’impression au stencil (en anglais "stencil printing"), ou par sérigraphie (en anglais "screen printing"), qui peuvent être utilisées pour un dépôt pleine plaque ou pour des dépôts localisés; - l’impression par jet d’encre sol-gel (en anglais "sol-gel inkjet deposition"), qui peut être utilisée pour un dépôt pleine plaque ou pour des dépôts localisés ; - le revêtement par pulvérisation (en anglais "spray coating"), qui peut être utilisé pour un dépôt pleine plaque ou pour des dépôts localisés ; - une technique de photolithographie ; - le dépôt d’une résine photopolymérisable. La couche de protection peut être conservée une fois la sonde ultrasonore fabriquée, par exemple au lieu de la supprimer et de la remplacer par une couche d’encapsulation. Dans ce cas, le matériau de la couche de protection est de préférence choisi pour permettre la propagation des ondes ultrasonores, par exemple similairement à un liquide. La couche de protection peut être une couche en polymère, par exemple en un élastomère, par exemple en silicone. Cependant, la couche de protection ne protège généralement pas les transducteurs MUT des interférences électromagnétiques (EMI, de l’anglais "electro-magnetic interference"). Il existe donc un besoin de protéger les transducteurs MUT d’une sonde ultrasonore des interférences électromagnétiques. La FIG. 1 , la FIG. 1 , la FIG. 1 et la FIG. 1 sont des vues en coupe illustrant des étapes successives d’une méthode de fabrication d’une sonde ultrasonore selon un mode de réalisation. La FIG. 1 illustre une structure de départ comprenant une puce électronique 110 comportant un ensemble 112 de transducteurs ultrasonores sur un substrat 111, qui peut être en silicium (Si). La puce électronique 110 peut provenir de la découpe d’une plaquette sur laquelle plusieurs transducteurs MUT sont formés. La puce électronique 110 est par exemple une puce d’émission/réception d’ondes ultrasonores, aussi appelée "barrette ultrasonore", ou "barrette". Chaque barrette peut comprendre plusieurs transducteurs MUT. Alternativement à une barrette, il peut s’agir d’une matrice de transducteurs MUT. La structure de départ peut aussi comprendre plusieurs puces électroniques. Les transducteurs (non détaillés sur les figures 1A à 1D) sont des transducteurs MUT. Ils sont plus détaillés en FIG. 2 décrite plus après. La puce électronique 110 comprend une face avant 110A correspondant à la face d’émission/réception des ondes ultrasonores, et une face arrière 110B opposée à sa face avant. L'ensemble 112 des transducteurs MUT de la sonde ultrasonore est disposé côté face avant 110A. Une couche de protection 130 est disposée sur la face avant 110A de la puce électronique 110, de manière à protéger les transducteurs MUT. La couche de protection est de préférence électriquement isolante. La couche de protection 130 est en un matériau permettant la propagation des ondes ultrasonores, par exemple similairement à un liquide. La couche de protection 130 peut être une couche en polymère, de préférence souple, par exemple un élastomère, par exemple un silicone, un polyuréthane thermoplastique, un polyéther bloc amide (PEBA, de l’anglais "polyether block amide"), un élastomère fluorocarboné (FKM), un polybutadiène. Le matériau de la couche de protection 130 est par exemple choisi pour être compatible avec des applications médicales (biocompatible). L’épaisseur de la couche de protection 130 peut être comprise entre une dizaine et une centaine de micromètres, voire entre une dizaine et quelques centaines de micromètres. La précision de positionnement de la couche de protection 130 sur la puce électronique 110 est par exemple de l’ordre de 10 µm. La couche de protection 130 peut être formée par une ou plusieurs des techniques décrites plus avant. Dans l’exemple représenté, la connexion électrique des transducteurs ultrasonores est prévue en face arrière 110B de la puce électronique 110. L’ensemble 112 de transducteurs ultrasonores est relié électriquement à la face arrière 110B de la puce électronique 110 par des vias conducteurs 102 communément nommés "TSV" (de l'anglais "Through-Silicon Vias"), les vias conducteurs pouvant être reliés à des plots de connexion 104 positionnées en face arrière 110B de la puce électronique 110. La FIG. 1 illustre une structure obtenue à l’issue de l’assemblage de la puce électronique 110, du côté de sa face arrière 110B, sur une face de connexion d’un substrat d’interconnexion 120. Le substrat d’interconnexion 120 est, par exemple, un circuit imprimé, rigide ou flexible, un circuit intégré propre à une application (ASIC, de l’anglais "Application-Specific Integrated Circuit"), ou un interposeur. Le substrat d’interconnexion 120 peut être relié à des circuits électroniques externes à la sonde ultrasonore, par exemple pour contrôler les transducteurs. Bien que ceci n’apparaisse pas sur les figures 1B à 1D, les dimensions latérales du substrat d'interconnexion 120 peuvent être plus grandes que celles de la puce électronique 110. Ceci est par exemple représenté dans l’exemple de la FIG. 2 . Le substrat d’interconnexion 120 peut être assemblé à la puce électronique 110 en utilisant un film adhésif 101. Le film adhésif peut être isolant ou conducteur, par exemple un film conducteur anisotropique. Si le film adhésif est isolant, la connexion électrique peut être réalisée par bille de soudure 106 (en anglais "solder ball") entre les plots de connexion 104 de la puce électronique 110 et le substrat d’interconnexion 120, ou par une technique de collage par formation de protrusions conductrices (en anglais "stud-bump bonding"). La FIG. 1 illustre une structure obtenue à l’issue du dépôt d’une couche écran 140 métallique sur la structure de la FIG. 1 , et plus précisément sur la couche de protection 130. La couche écran 140 est adaptée à former un écran de protection des transducteurs MUT contre les interférences électromagnétiques (EMI), plus généralement un écran de protection électromagnétique. La couche écran 140 peut être adaptée à bloquer des faisceaux lumineux, par exemple des faisceaux laser qui peuvent se propager dans un milieu, tel qu’un tissu humain, en direction de la sonde ultrasonore et peuvent perturber le fonctionnement des transducteurs MUT par effet photo-acoustique. La couche écran 140 peut également être adaptée à former une couche barrière chimique. Le matériau de la couche écran 140 est par exemple choisi pour être compatible avec des applications médicales (biocompatible). La couche écran 140 peut être en or. Alternativement, la couche écran peut être en cuivre, en argent, en aluminium, ou en un mélange or, cuivre, argent et/ou aluminium. En outre, la couche écran 140 ne doit pas bloquer la propagation des ondes ultrasonores. L’épaisseur de la couche écran est donc de préférence inférieure à 10 µm, voire inférieure à 5 µm. L’épaisseur de la couche écran est par exemple comprise entre 100 nm et 10 µm, voire comprise entre 100 nm et 5 µm, par exemple égale à environ 1 µm. On a représenté la couche écran 140 déposée après l’assemblage de la puce électronique 110 avec le substrat d’interconnexion 120. En variante, la couche écran peut être déposée avant l’assemblage de la puce électronique avec le substrat d’interconnexion, voire avant la découpe de la plaquette pour former la puce électronique. La couche écran 140 est par exemple déposée en utilisant une technique de dépôt physique en phase vapeur (PVD, de l’anglais "physical vapor deposition"). Alternativement, la couche écran peut être déposée en utilisant une technique de dépôt de couche atomique (ALD de l’anglais "atomic layer deposition"), ou encore une technique de dépôt par jet d’encre. De préférence, la couche écran 140 est reliée à la terre. La structure de la FIG. 1 forme tout ou partie de la sonde ultrasonore 100, qui peut comprendre d’autres composants, tels que ceux décrits plus après. La FIG. 1 illustre une structure obtenue à l’issue de l’assemblage d’une couche d’encapsulation 150 sur la couche écran 140, et de la mise en place de la sonde ultrasonore dans un boîtier 160. Il peut être considéré dans ce cas que la couche d’encapsulation 150 et le boîtier 160 font partie de la sonde ultrasonore 100. La couche d'encapsulation 150 forme avec le boîtier 160 une barrière étanche à des éventuelles pollutions et/ou à des fluides extérieurs à la sonde. La surface externe de la couche d'encapsulation 150 peut être courbe, par exemple de forme concave ou convexe de manière à former une lentille acoustique pour les ondes acoustiques qui la traversent. En variante, la sonde ultrasonore 100 n’est pas disposée dans un boîtier, par exemple si la sonde ultrasonore est destinée à être utilisée dans un cathéter. L’assemblage de la couche d'encapsulation 150 peut être réalisé par moulage du matériau de la couche d'encapsulation sur la couche écran, voire autour de la puce électronique et du substrat d’interconnexion. La couche d’encapsulation est de préférence acoustiquement transparente. Le matériau de la couche d'encapsulation permet la propagation des ondes acoustiques, et est par exemple un matériau élastomère, par exemple un polymère contenant des charges, par exemple du silicone. L’épaisseur moyenne de la couche d'encapsulation 150 est par exemple de quelques centaines de micromètres, par exemple comprise entre 100 et 800 µm, et peut attendre quelques millimètres. La couche d’encapsulation peut être avantageusement biocompatible. Si la sonde ultrasonore est destinée à être utilisée dans un cathéter, la couche d’encapsulation peut être remplacée par la gaine du cathéter qui est alors de préférence transparente acoustiquement. La FIG. 2 est une vue en coupe représentant des détails de la sonde ultrasonore 100 de la FIG. 1 . La sonde ultrasonore 100 représentée comprend au moins une puce électronique 110, la puce électronique comprenant plusieurs transducteurs MUT 210 formés dans et sur un substrat 111, par exemple un substrat de silicium. La pluralité de transducteurs MUT 210 correspond par exemple à l’ensemble 112 de transducteurs MUT décrit en lien avec la FIG. 1 . Ceci n’est pas limitatif et une puce électronique pourrait ne comprendre qu’un transducteur. La puce électronique 110 est assemblée du côté de sa face arrière 110B sur une face de connexion d’un substrat d’interconnexion 120. Les transducteurs MUT représentés dans la FIG. 2 sont des transducteurs de type CMUT. Chaque transducteur CMUT 210 comprend une cavité à membrane 211, une première électrode 212, ou électrode supérieure, surmontant la cavité 211, et une deuxième électrode 213, ou électrode inférieure, disposée sous la cavité 211. Une couche d’isolant 214, par exemple en dioxyde de silicium SiO 2 , formant la membrane des transducteurs 210, est positionnée entre les cavités 211 et les électrodes supérieures 212. Les électrodes supérieures 212 des transducteurs de la puce électronique 110 sont reliées entre elles par une piste conductrice 201. Dans l’exemple représenté, les électrodes supérieures 212 sont dédiées au signal électrique, et l’électrode inférieure 213 est reliée à la masse. Chaque électrode supérieure 212 est reliée, par l’intermédiaire de la piste conductrice 201, à une piste de connexion 222 du substrat d’interconnexion 120 par un via conducteur 202 traversant la couche d’isolant 214 et le substrat 111 jusqu’au substrat d’interconnexion 120. Dans l’exemple représenté, l’électrode inférieure 213 est formée par une métallisation d’une portion du substrat 111 située sous les cavités 211 de la puce électronique 110. L’électrode inférieure 213 est reliée à une piste de terre 223 du substrat d’interconnexion 120 par un via conducteur 203 traversant le substrat 111 depuis l’électrode inférieure 213 jusqu’au substrat d’interconnexion 120. Cet exemple peut être appliqué pour un substrat en silicium non dopé, c’est-à-dire peu ou non conducteur. Cet exemple n’est pas limitatif et d’autres variantes apparaitront à la personne du métier. Selon une variante, lorsque le substrat est conducteur, par exemple lorsqu’il est en silicium dopé, la métallisation peut être omise, et l’électrode inférieure peut être formée par une portion du substrat conducteur, la reprise de contact de l’électrode inférieure avec la piste de terre étant assurée par un via conducteur traversant le substrat jusqu’au substrat d’interconnexion. Les pistes de connexion 222 et de terre 223 du substrat d’interconnexion 120 sont localisées au niveau de la face de connexion du substrat d’interconnexion. Lorsqu’il y a plusieurs puces électroniques de transducteurs MUT à connecter au substrat d’interconnexion, par exemple dans une barrette ou une matrice, le substrat d’interconnexion peut comprendre plusieurs pistes de connexion isolées entre elles, voire également plusieurs pistes de terre isolées ou non entre elles. Les différents transducteurs MUT d’un même élément, par exemple d’une même puce électronique, dans la barrette ou la matrice sont généralement reliés entre eux. Dans la barrette ou la matrice, il peut y avoir autant de vias conducteurs que d'éléments reliés à des électrodes supérieures, pour les signaux électriques (adressage individuel pour chaque élément). Par contre, les électrodes inférieures, reliées à la masse, des différents éléments peuvent être toutes reliées entre elles avec un seul via conducteur. Cependant, on peut prévoir plusieurs vias conducteurs de liaison à la masse pour une meilleure conductivité. Dans la FIG. 1 , la couche de protection 130 et la couche écran 140 couvrent entièrement le substrat 111. La FIG. 2 montre une variante où la couche de protection 130 et la couche écran 140 couvrent bien les transducteurs 210 mais ne couvrent pas nécessairement toute la surface du substrat 111. Dans d’autres variantes, telles que celles décrites plus après, la couche écran peut déborder de part et d’autre de la couche de protection, par exemple entourer la couche de protection, voire déborder jusque sur des portions du substrat. Dans les modes de réalisation décrits en relation avec les figures 1A à 1D et 2, on a décrit la connexion électrique par la face arrière de la puce électronique, celle-ci comprenant des vias conducteurs traversant le substrat, mais ce mode de connexion n’est pas limitatif. La connexion électrique peut par exemple être réalisée par la face avant de la puce électronique comme décrit en relation avec les figures 3A à 3D et 4, la puce électronique ne comprenant alors pas nécessairement de vias conducteurs. Il est également envisageable de réaliser des connexions électriques à la fois par la face avant et par la face arrière, par exemple la connexion de la terre par la face avant et la connexion du signal par la face arrière, voire inversement la connexion de la terre par la face arrière et la connexion du signal par la face avant. La FIG. 3 , la FIG. 3 , la FIG. 3 et la FIG. 3 sont des vues en coupe illustrant des étapes successives d’une méthode de fabrication d’une sonde ultrasonore 300 selon un autre mode de réalisation. La FIG. 3 illustre une structure de départ comprenant une puce électronique 310 comportant un ensemble 312 de transducteurs ultrasonores sur un substrat 311, qui peut être en silicium (Si). La puce électronique 310 peut provenir de la découpe d’une plaquette sur laquelle plusieurs transducteurs MUT sont formés. La puce électronique 310 est par exemple une puce d’émission/réception d’ondes ultrasonores, aussi appelée "barrette ultrasonore", ou "barrette". Chaque barrette peut comprendre plusieurs transducteurs MUT. Alternativement à une barrette, il peut s’agir d’une matrice de transducteurs MUT. La structure de départ peut aussi comprendre plusieurs puces électroniques. Les transducteurs (non détaillés sur les figures 3A à 3D) sont des transducteurs MUT. Ils sont plus détaillés en FIG. 4 décrite plus après. La puce électronique 310 comprend une face avant 310A correspondant à la face d’émission/réception des ondes ultrasonores, et une face arrière 310B opposée à sa face avant. L'ensemble des transducteurs de la sonde est disposé côté face avant. Une couche de protection 330 est disposée sur la face avant 310A de la puce électronique 310, de manière à protéger les transducteurs. Les caractéristiques et variantes de la couche de protection de la FIG. 1 peuvent s’appliquer à la couche de protection de la FIG. 3 , à ceci près que la couche de protection 330 ne couvre pas toute la surface du substrat 311. Sur des portions non couvertes du substrat 311, la puce électronique 310 comporte des plots de connexion 302. La FIG. 3 illustre une structure obtenue à l’issue de l’assemblage de la puce électronique 310, du côté de sa face arrière 310B, sur une face de connexion d’un substrat d’interconnexion 320, en utilisant une colle ou un film adhésif 301. Les caractéristiques et variantes du substrat d’interconnexion de la FIG. 1 peuvent s’appliquer au substrat d’interconnexion de la FIG. 3 . En outre, une liaison par fil conducteur 304, par la technique connue sous le terme de "wire-bonding" en anglais, est réalisée entre chaque plot de connexion 302 de la puce électronique 310 et une piste de connexion 322 du substrat d’interconnexion 320. Une goutte de scellement 306 (en anglais "glob-top") en résine électriquement isolante encapsule chaque fil conducteur 304, ainsi que les plots de connexion 302 et les pistes de connexion 322, afin d’éviter des courts-circuits. Le diamètre des fils conducteurs 304 est par exemple égal à environ 15 µm, 20 µm ou 25 µm. La longueur des fils conducteurs est par exemple égale à quelques millimètres, selon la distance de connexion à réaliser. La FIG. 3 illustre une structure obtenue à l’issue du dépôt d’une couche écran 340 métallique sur la structure de la FIG. 3 , plus précisément sur la couche de protection 330, la couche écran 340 s’étendant sur des portions du substrat 311 non couvertes par la couche de protection 330 pour venir recouvrir le glob-top 306. Les caractéristiques, modes de fabrication et variantes de la couche écran de la FIG. 1 peuvent s’appliquer à la couche écran de la FIG. 3 , à ceci près que, dans ce mode de réalisation, le dépôt de la couche écran 340 est de préférence réalisé après l’assemblage de la puce électronique 310 avec le substrat d’interconnexion 320, et après la liaison par fil conducteur et l’encapsulation par le glop-top 306, afin d’éviter un court-circuit entre la couche écran 340 et les fils conducteurs 304. De préférence, la couche écran 340 est reliée à la terre. Des modes de réalisation de liaison à la terre de la couche écran sont décrits plus après. Par exemple, un espace est maintenu sur le substrat 311 entre la couche de protection 330, et donc la couche écran 340, et les gouttes de scellement 306 encapsulant les fils conducteurs 304, de manière à prévoir un plot de connexion à la terre de la couche écran sur le substrat 311. La structure de la FIG. 3 forme tout ou partie de la sonde ultrasonore 300, qui peut comprendre d’autres composants, tels que ceux décrits plus après. La FIG. 3 illustre une structure obtenue à l’issue de l’assemblage d’une couche d’encapsulation 350, par exemple une lentille, sur la couche écran 340, et de la mise en place de la sonde ultrasonore 300 dans un boîtier 360. Il peut être considéré dans ce cas que la couche d’encapsulation 350 et le boîtier 360 font partie de la sonde ultrasonore 300. La couche d’encapsulation 350 est de préférence une couche acoustiquement transparente. Les caractéristiques, modes de réalisation et variantes de la lentille ou de la couche transparente décrites en lien avec la FIG. 1 peuvent s’appliquer à la structure de la FIG. 3 . Il en est de même pour le boîtier. La FIG. 4 est une vue en coupe représentant des détails de la sonde ultrasonore 300 de la FIG. 3 . La sonde ultrasonore 300 représentée comprend au moins une puce électronique 310, la puce électronique comprenant plusieurs transducteurs MUT 410 formés dans et sur un substrat 311. La pluralité de transducteurs MUT 410 correspond par exemple à l’ensemble 312 de transducteurs MUT décrit en lien avec la FIG. 3 . Ceci n’est pas limitatif et une puce électronique pourrait ne comprendre qu’un transducteur. La puce électrique 310 est assemblée du côté de sa face arrière 310B sur une face de connexion d’un substrat d’interconnexion 320. Les transducteurs MUT représentés dans la FIG. 4 sont des transducteurs de type CMUT. Chaque transducteur CMUT 410 comprend une cavité à membrane 411, une première électrode 412, ou électrode supérieure, surmontant la cavité 411, et une deuxième électrode 413, ou électrode inférieure, disposée sous la cavité 411. Une couche d’isolant 414, par exemple en dioxyde de silicium SiO 2 , formant la membrane des transducteurs 410, est positionnée entre les cavités 411 et les électrodes supérieures 412. Les électrodes supérieures 412 des transducteurs de la puce électronique 310 sont reliées entre elles par une piste conductrice 401. Dans l’exemple représenté, les électrodes supérieures 412 sont dédiées au signal électrique, et l’électrode inférieure 413 est reliée à la masse. La puce électronique 310 comprend en outre un plot de connexion 402 relié à la piste conductrice 401. Le plot de connexion 402 peut être relié à une piste de connexion 422 du substrat d’interconnexion 320 par un premier fil conducteur 404. Un glob-top 306 similaire à celui de la FIG. 3 recouvre le plot de connexion 402, la piste de connexion 422, et le premier fil conducteur 404. La puce électronique 310 comprend en outre un plot de terre 403 relié à l’électrode inférieure 413 par un via conducteur 406 traversant la couche d’isolant 414, ainsi que le substrat 311 sur une épaisseur partielle. Dans l’exemple représenté, l’électrode inférieure 413 est formée par une métallisation d’une portion du substrat 311 située sous les cavités 411 de la puce électronique 310. L’électrode inférieure 413 est reliée à une piste de terre 423 du substrat d’interconnexion 320 par un deuxième fil conducteur 405, par l’intermédiaire du plot de terre 403 de la puce électronique et du via conducteur 406. Un glob-top 306 similaire à celui de la FIG. 3 recouvre le plot de terre 403, la piste de terre 423, et le deuxième fil conducteur 405. Cet exemple peut être appliqué pour un substrat en silicium non dopé, c’est-à-dire peu ou non conducteur. Cet exemple n’est pas limitatif et d’autres variantes apparaitront à la personne du métier. Selon une variante, lorsque le substrat est conducteur, par exemple lorsqu’il est en silicium dopé, la métallisation peut être omise, et l’électrode inférieure peut être formée par une portion du substrat conducteur, la reprise de contact de l’électrode inférieure avec le plot de terre de la puce électronique pouvant être assurée par un via conducteur traversant la couche d’isolant et le substrat sur une épaisseur partielle. Les transducteurs des figures 1A à 1D, 2, 3A à 3D et 4 peuvent être adaptés par une personne du métier pour des transducteurs PMUT, au lieu de transducteurs CMUT. La couche écran des figures 1A à 1D, 2, 3A à 3D et 4 peut être reliée à la terre via une piste de mise à la terre du substrat d’interconnexion qui soit de préférence différente des pistes de terre prévues pour relier les électrodes inférieures de la puce électronique à la terre. La FIG. 5 est une vue en coupe représentant une sonde ultrasonore 500 selon un autre mode de réalisation. La sonde ultrasonore 500 est une variante de la sonde ultrasonore 300 de la FIG. 3 qui diffère de celle-ci principalement en ce que les glob-top 506 s’étendent au-dessus de portions de la couche de protection 330, et que la couche écran 540 s’étend au-dessus des glob-top 506 sans descendre sur le substrat 311 de la puce électronique 310, et recouvrent les glob-top jusqu’au substrat d’interconnexion 320. La FIG. 6 , la FIG. 6 et la FIG. 6 sont des vues de dessus représentant plusieurs modes de connexion de la sonde ultrasonore 500 de la FIG. 5 à la masse. La couche écran est mise en transparence dans les figures 6A à 6C pour mieux visualiser les connexions. La vue en coupe de la FIG. 5 correspond à une coupe prise dans le plan AA repéré dans les figures 6A à 6C. Dans le mode de connexion de la FIG. 6 , des plots de connexion à la terre 601 (plots de masse) de la couche écran 540 sont positionnés sur des bords du substrat d’interconnexion 320 non recouverts par les glob-top 506. La couche écran 540 est reliée à ces plots de masse 601, par exemple par wire-bonding. Dans le mode de connexion de la FIG. 6 , des plots de connexion à la terre 602 (plots de masse) de la couche écran 540 sont positionnés sur des bords de la puce 310 non recouverts par les glob-top 506. Ces plots de masse 602 sont reliés au substrat d’interconnexion 320 par des vias dans la puce. La couche écran 540 est reliée à ces plots de masse 602, par exemple par wire-bonding. Dans le mode de connexion de la FIG. 6 , des plots de connexion à la terre 603 (plots de masse) de la couche écran 540 sont également positionnés sur des bords de la puce 310, qui sont non entièrement recouverts par les glob-top 606. Mais les plots de masse 603 comprennent chacun une première partie 603A non recouverte par les glob-top 606 et adaptée à être connectée à la couche écran 540, par exemple par wire-bonding, ainsi qu’une deuxième partie 603B recouverte par les glob-top 606 et reliée par wire-bonding à un autre plot de connexion à la terre 604 du substrat d’interconnexion 320, différente des pistes de terre 322 prévues pour relier la puce électronique à la terre. Ces autres plots de connexion à la terre sont recouverts par les glob-top 606 qui présentent une forme sensiblement différence des glob-top 506 des figures 5, 6A et 6B. En variante au mode de connexion de la FIG. 6 , au lieu de plots de masse 603 en deux parties, il peut s’agir de paires de plots, les deux plots de chaque paire étant isolés entre eux mais reliés par exemple par wire-bonding, un premier plot de chaque paire étant adapté à être connecté à la couche écran, et un deuxième plot de la paire étant recouvert par un des glob-top et relié par wire-bonding à un plot de connexion à la terre du substrat d’interconnexion. Dans les modes de réalisation décrits en référence aux figures 6A, 6B et 6C, la protection par glob-top 506 est localisée à l'endroit où sont mis en place les fils 304 de wire-bonding pour protéger ceux-ci. A titre de variante, la protection par glob-top peut avantageusement s'étendre sur l'ensemble du pourtour de la puce électronique 310 et de la couche de protection 330 pour éviter que les faces latérales de la puce électronique 310 ne soient en contact avec la couche écran 540. Les sondes ultrasonores précédemment décrites, plus généralement les sondes ultrasonores selon les modes de réalisation, peuvent être destinées à des applications de diagnostic ou de traitement ultrasonore utilisant des sondes ultrasonores externes au corps, ou bien des sondes internes pouvant s'insérer dans le corps, dans des cavités ou des vaisseaux sanguins, par exemple intégrées à un cathéter. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Par exemple, la personne du métier comprendra qu'un circuit intégré propre à une application (ou ASIC, de l'anglais Application-Specific Integrated Circuit) peut-être intercalé entre la puce électronique et le substrat d'interconnexion, ou bien en remplacement de ce dernier. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Sonde ultrasonore (100 ; 300 ; 500) comportant : - une puce électronique (110 ; 310) présentant une face avant (110A ; 310A) et comprenant un substrat (111 ; 311) et au moins un transducteur (210 ; 410) ultrasonore micro-usiné dans et sur le substrat en face avant ; - une couche de protection (130 ; 330) électriquement isolante recouvrant le au moins un transducteur ; et - une couche écran (140 ; 340 ; 540) métallique sur la couche de protection, la couche écran formant un blindage électromagnétique dudit au moins un transducteur. Sonde ultrasonore (100 ; 300 ; 500) selon la revendication 1, comprenant en outre un substrat d’interconnexion (120 ; 320) assemblé à une face arrière (110B ; 310B) de la puce électronique opposée à la face avant, le substrat d’interconnexion étant adapté à relier la couche écran (140 ; 340 ; 540) à la terre, par exemple par des plots de connexion à la terre (601, 602, 603) dédiés à la mise à la terre de la couche écran . Sonde ultrasonore (100 ; 300) selon la revendication 1 ou 2, comprenant en outre une couche (150 ; 350) en un matériau acoustiquement transparent aux ultrasons sur la couche écran (140 ; 340), ladite couche en le matériau acoustiquement transparent étant par exemple moulée au-dessus de ladite couche écran. Méthode de fabrication d’une sonde ultrasonore (100 ; 300 ; 500), la méthode comprenant le dépôt, sur une puce électronique (110 ; 310) présentant une face avant (110A ; 310A) et comprenant un substrat (111 ; 311) et au moins un transducteur (210 ; 410) ultrasonore micro-usiné formé dans et sur le substrat en face avant : - d’une couche de protection (130 ; 330) recouvrant le au moins un transducteur ; puis - d’une couche écran (140 ; 340 ; 540) métallique sur la couche de protection, la couche écran formant un blindage électromagnétique dudit au moins un transducteur. Méthode selon la revendication 4, comprenant en outre l’assemblage d’un substrat d’interconnexion (120 ; 320) à une face arrière (110B ; 310B) de la puce électronique opposée à la face avant, le substrat d’interconnexion étant adapté à relier la couche écran (140 ; 340 ; 540) à la terre. Méthode selon la revendication 4 ou 5, comprenant en outre la formation d’une couche (150 ; 350) en un matériau acoustiquement transparent aux ultrasons sur la couche écran (140 ; 340), ladite formation étant réalisée par exemple par moulage du matériau acoustiquement transparent au-dessus de ladite couche écran. Sonde ultrasonore selon la revendication 3, ou méthode selon la revendication 6, dans laquelle : - le matériau acoustiquement transparent est un élastomère et/ou est biocompatible ; et/ou - l’épaisseur de la couche en le matériau acoustiquement transparent est comprise entre 300 micromètres et 1 millimètre ; et/ou - la couche en le matériau acoustiquement transparent est une lentille acoustique. Sonde ultrasonore selon l’une quelconque des revendications 1 à 3 et 7, ou méthode selon l’une quelconque des revendications 4 à 7, dans laquelle : - la couche de protection est en un matériau acoustiquement transparent aux ultrasons, par exemple un élastomère, tel qu’un silicone, un polyuréthane thermoplastique, un polyéther bloc amide, un élastomère fluorocarboné, un polybutadiène, ou une combinaison de plusieurs de ces matériaux ; et/ou - la couche de protection est en un matériau biocompatible ; et/ou - l’épaisseur de la couche de protection est comprise entre 10 micromètres et 1 millimètre, par exemple entre 10 et 500 micromètres ou entre 10 et 100 micromètres. Sonde ultrasonore selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, 7 et 8, ou méthode selon l’une quelconque des revendications 4 à 8, dans laquelle : - la couche écran est en or, en argent, en aluminium, en cuivre, ou une combinaison de plusieurs de ces matériaux ; et/ou - la couche écran est en un matériau biocompatible ; et/ou - l’épaisseur de la couche écran est adaptée à la propagation des ondes ultrasonores dans ladite couche écran ; et/ou - l’épaisseur de la couche écran est inférieure à 10 micromètres, par exemple inférieure à 5 micromètres. Sonde ultrasonore (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, 7 à 9, ou méthode selon l’une quelconque des revendications 4 à 9, dans laquelle la connexion électrique du au moins un transducteur (210) est en face arrière (110B) de la puce électronique (110), par exemple par l’intermédiaire de vias conducteurs (102 ; 202, 203) traversant le substrat (111). Sonde ultrasonore (300 ; 500) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, 7 à 9, ou méthode selon l’une quelconque des revendications 4 à 9, dans laquelle la connexion électrique du au moins un transducteur (410) est en face avant (310A) de la puce électronique (310), par exemple par l’intermédiaire de fils conducteurs (304 ; 404, 405). Sonde ultrasonore (300 ; 500) selon la revendication 11, ou méthode selon la revendication 11, dans laquelle la connexion électrique du au moins un transducteur (410) est réalisée par l’intermédiaire de fils conducteurs (304 ; 404, 405), lesdits fils conducteurs étant isolés électriquement par des gouttes de scellement (306 ; 506 ; 606), et la couche écran (340 ; 540) s’étendant sur les gouttes de scellement. Sonde ultrasonore selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, 7 à 12 en combinaison avec la revendication 2, ou méthode selon l’une quelconque des revendications 4 à 12 en combinaison avec la revendication 5, dans laquelle le substrat d’interconnexion est : - un substrat d’interconnexion flexible ; et/ou - un circuit imprimé ; et/ou - un circuit intégré propre à une application. Sonde ultrasonore selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, 7 à 13 en combinaison avec la revendication 2, ou méthode selon l’une quelconque des revendications 4 à 13 en combinaison avec la revendication 5, comprenant un circuit intégré propre à une application entre le substrat d’interconnexion et la puce électronique. Sonde ultrasonore selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, 7 à 14, ou méthode selon l’une quelconque des revendications 4 à 14, dans laquelle : - chaque transducteur ultrasonore micro-usiné est un transducteur capacitif micro-usiné à ultrasons ou un transducteur piézoélectrique micro-usiné à ultrasons ; et/ou - la puce électronique comprend plusieurs transducteurs ultrasonores micro-usinés recouverts par la couche de protection et la couche écran ; et/ou - la sonde ultrasonore comprend plusieurs puces électroniques comprenant chacune une ou plusieurs transducteurs ultrasonores micro-usinés recouverts par la couche de protection et la couche écran, les puces électroniques étant disposées en ligne ou selon un réseau matriciel, par exemple les différentes puces électroniques, en particulier les transducteurs ultrasonores des différentes puces électroniques, étant connectables individuellement à un signal électrique. Sonde ultrasonore (100 ; 300) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, 7 à 15, ou méthode selon l’une quelconque des revendications 4 à 15, la sonde ultrasonore étant disposée dans un boîtier (160 ; 360). Sonde ultrasonore selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, 7 à 15, ou méthode selon l’une quelconque des revendications 4 à 15, la sonde ultrasonore étant adaptée à être insérée dans un cathéter.