Brevet FR3164327A1 — publié le 20260109

La présente invention concerne un circuit photonique de génération de lumière comprimée, comprenant : une source de pompage électronique à débit constant d’électrons (SPS), un composant laser à boîtes quantiques (QDL) à rétroaction optique répartie, le composant laser étant électriquement couplé à la pompe silencieuse et intégré à un substrat semi-conducteur, le composant laser ayant un courant seuil prédéfini. La pompe silencieuse est configurée pour injecter, dans le composant laser, un courant d’alimentation d’intensité proportionnelle à l’intensité du courant seuil prédéfini d’un facteur compris entre 1 et 5, de sorte à amener le composant laser à générer un faisceau de lumière comprimée en phase ou en amplitude. Figure pour l’abrégé : Figure 1 Circuit photonique de génération de lumière comprimée et procédé de fabrication correspondante L’invention s’inscrit dans le domaine des technologies de photonique quantique. L’invention porte, plus particulièrement, sur un circuit photonique conçu pour générer des états comprimés de la lumière (appelés « squeezed states » en anglais). De tels états de la lumière présentent des caractéristiques de bruit quantique optimal, c’est-à-dire un niveau de bruit quantique inferieur à la limite classique établie par la lumière laser. L’invention trouve de nombreuses applications, parmi lesquelles on peut citer par exemple - mais non exclusivement - la métrologie haute précision, les technologies de l’information et des communications. Arrière-plan technologique Les technologies quantiques sont en passe de révolutionner l’avenir de nombreuses technologies, en particulier dans le domaine de l’Internet en permettant des transmissions de données considérablement plus rapides et plus sûres grâce à de nouveaux protocoles de cryptage quantique, ou encore dans le domaine de la métrologie où la recherche d’états comprimés de la lumière est motivée par la possibilité de réaliser des mesures dépassant les limites standard de précision. Ces limites sont intimement liées aux fluctuations quantiques de l’intensité de la lumière laser. Toutes ces applications requièrent néanmoins l’utilisation de sources lasers de plus en plus performantes afin d’effectuer des opérations toujours plus complexes et permettre des communications haut-débit, sécurisées et peu gourmandes en énergie. Comme pour tous les détecteurs, la sensibilité des détecteurs d’ondes gravitationnelles est fortement impactée par le rapport signal-à-bruit. La réduction du bruit est donc un sujet central pour améliorer le rapport signal-à-bruit et donc les performances des détecteurs d’ondes gravitationnelles. Alors que les concepteurs déploient de grands efforts pour réduire le bruit, les méthodes de mesure optique conventionnelles sont finalement soumises à une sensibilité limitée en raison du bruit de grenaille intrinsèque véhiculé par la lumière laser. La limite quantique est donc généralement traitée comme une contrainte fondamentale et de multiples expériences scientifiques ont été menées pour démontrer que les états comprimés peuvent être exploités pour mesurer des signaux inférieurs au niveau de bruit de grenaille, en particulier pour la détection d’ondes gravitationnelles afin d’étendre la plage de détection des détecteurs interférométriques laser. Les états comprimés sont essentiels pour la technologie 6G offrant un potentiel énorme pour des communications plus rapides, plus sécurisées et plus précises, ainsi que pour des avancées significatives dans les capteurs et la détection. Ces états trouvent aussi de nombreuses applications dans la téléportation quantique, le calcul quantique, le codage pour la correction des erreurs quantiques, et les capteurs inertiels (gyroscopes, accéléromètre, magnétomètre). Récemment, les sources de lumière comprimée sont devenues cruciales pour l'ingénierie des états quantiques, en particulier pour la génération et l’amplification d'états non gaussiens utilisant la méthode de soustraction de photons, nécessaire pour divers protocoles de traitement quantique. Un exemple de répéteur quantique connu de l’art antérieur est présenté dans l’article « Quantum repeater using two-mode squeezed states and atomic noiseless amplifiers » Anders J. E. Bjerrum et Al., Phys. Rev. A 107, 042606 –12 April 2023. Plus récemment encore, de nouvelles plateformes photonique LNOI ( « Lithium Niobate On Insulators » ) ont été conçues et suscitent un vif intérêt dans la communauté scientifique en raison de leurs propriétés électro-optiques et non-linéaires sans précédent. Les technologies de nanofabrication récentes ont de plus élargi le spectre des applications, permettant la production de structures modulaires intégrant des circuits photoniques et/ou des guides d’ondes LiNbO 3 pour la génération d’états comprimés. La lumière comprimée présente enfin un grand potentiel en biologie pour améliorer la résolution de l'imagerie, augmenter la sensibilité de la détection des biomolécules et améliorer la microscopie de fluorescence en temps réel. Il est connu que le niveau de bruit dépend des paramètres du laser, notamment le niveau d’incertitude en amplitude et le niveau d’incertitude en phase. Un état comprimé (ou état « squeezé ») est un état particulier de la lumière laser où au moins l’un des niveaux d’incertitude (en amplitude ou en phase) peut être réduit de façon à réduire le bruit quantique sur une longueur d’onde ou une plage de longueurs d’onde donnée. Il est connu de l’état de la technique de produire des états comprimés avec de la lumière laser au moyen de dispositifs optiques fonctionnant sur des processus d’interaction non linéaires (conversion paramétriques). Un exemple d’un tel dispositif optique est illustré dans la publication de T. Kashiwazaki et al. intitulée « Over-8-dB squeezed light generation by a broadband waveguide optical parametric amplifier toward fault-tolerant ultra-fast quantum computers” Appl. Phys. Lett. 122, 234003 (2023). Même si le niveau de compression des états peut atteindre plusieurs dizaines de décibels, ces dispositifs sont relativement complexes à mettre en œuvre et nécessitent une optique encombrante qui n’est pas compatible avec une intégration sur circuit photonique. Il est également connu d’utiliser les effets de couplage non linéaire au moyen de lasers atomiques pour produire des états comprimés. Toutefois, l’effet de compression semble présenter peu de stabilité et est complexe à mettre en œuvre en pratique. Il existe donc un vrai besoin de fournir un dispositif compact et performant capable d’atteindre un régime de fonctionnement quantique caractérisé par la production d’au moins un état comprimé de lumière. Dans un mode de réalisation particulier de l’invention, il est proposé un circuit photonique de génération de lumière comprimée, comprenant une source de pompage électronique à débit constant d’électrons, dite pompe silencieuse un composant laser à boîtes quantiques, le composant laser étant électriquement couplé à ladite pompe silencieuse et intégré à un substrat semi-conducteur, le composant laser ayant un courant seuil prédéfini. Un tel circuit est caractérisé par le fait que la pompe silencieuse est configurée pour injecter, dans le composant laser, un courant d’alimentation d’intensité proportionnelle à l’intensité du courant seuil prédéfini d’un facteur compris entre 1 et 5, de sorte à amener le composant laser à générer un faisceau lumineux dans au moins un état comprimé de la lumière. Le principe général de l’invention repose sur l’utilisation de composants laser à boîtes quantiques intégrés sur puce et d’un pompage électronique à débit constant d’électrons pour générer des états comprimés de la lumière. Une telle approche permet d’offrir une source photonique intégrée sur puce fonctionnant en dessous de la limite quantique standard. Plus particulièrement, ledit composant laser comprend un empilement de couches à base de matériaux semi-conducteurs, ledit empilement comprenant : une couche de confinement optique inférieure s’étendant sur le substrat semi-conducteur ; une couche active s’étendant sur la première couche de confinement, ladite couche active intégrant au moins un plan de boîtes quantiques ; une couche structurée s’étendant sur la couche active ; une couche de confinement optique supérieure s’étendant sur la couche structurée. L’utilisation de matériaux semi-conducteurs, en particulier parmi les composés III-V du tableau périodique des éléments, confère au circuit photonique des propriétés d’insensibilité aux rétroactions optiques parasites, une stabilité thermique accrue, ainsi que des meilleures bandes passantes à température ambiante. Selon une mise en œuvre particulière, la couche active a une longueur d’au moins 500 μm. Une telle caractéristique garantie un niveau de bruit quantique inferieur à la limite classique établie par la lumière laser. Selon une mise en œuvre particulière, le nombre de plans de boîtes quantiques contenus dans la couche active est compris entre 1 et 2. Un tel nombre de plans est particulièrement bien adapté à une utilisation à très basse température (températures cryogéniques typiquement). Selon une variante de mise en œuvre, le nombre de plans de boîtes quantiques contenus dans la couche active est compris entre 3 à 8, et plus particulièrement entre 3 et 5. Un tel nombre de plans est particulièrement bien adapté à une utilisation à température ambiante. Selon une mise en œuvre particulière, ledit au moins un plan de boîtes quantiques présente une densité de boîtes quantiques comprise entre 100 boîtes/μm 2 et 1000 boîtes/μm 2 . Une telle densité de boîtes quantiques permet au composant laser d’atteindre un régime de fonctionnement quantique. Selon une mise en œuvre particulière, ledit empilement de couches comprend : - en face arrière, un miroir à haute réflectivité dont le coefficient de réflexion est supérieur à 95 % à la longueur d’onde d’émission laser, et - en face avant, un miroir à réflectivité partielle dont le coefficient de réflexion est supérieur à 32% à la longueur d’onde d’émission laser et inférieur ou égal à la valeur du coefficient de réflexion du miroir à haute réflectivité. Un tel profil de réflectivité assure la génération d’un nombre réduit de photons, ce qui permet au composant laser d’atteindre le régime de fonctionnement quantique souhaité. Ceci est d’autant plus marquant que la longueur de la couche active est grande (supérieure 500 μm). Selon une configuration particulière, la couche structurée forme un réflecteur de Bragg distribué dimensionné pour amener ledit au moins un composant laser à délivrer un faisceau lumineux monomode et dans lequel un premier contact métallique s’étend sur la couche de confinement optique supérieure et un deuxième contact métallique s’étend en surface du substrat semi-conducteur. Cette première configuration d’empilement amène le composant laser à générer un faisceau lumineux monomode dans au moins un état comprimé de la lumière, sur la base d’un fonctionnement à rétroaction optique répartie. Le réflecteur de Bragg distribué est formé par un réseau périodique de corrugations latérales de période prédéfinie, s’étendant le long de l’axe de propagation de l’émission laser. Selon une autre configuration particulière, la couche structurée forme une cavité Fabry-Perot dimensionnée pour amener ledit au moins un composant laser à délivrer un faisceau lumineux multimode et dans lequel un premier contact métallique s’étend sur la couche de confinement optique supérieure, un deuxième contact métallique s’étend en surface du substrat semi-conducteur et un troisième contact, dit contact absorbant saturable, s’étend sur la couche de confinement optique supérieure, ledit contact absorbant saturable étant destiné à recevoir une tension électrique négative. Cette deuxième configuration d’empilement amène le composant laser à générer un faisceau lumineux multimode dont chaque mode (ou longueur d’onde) présente au moins un état comprimé de la lumière. Dans un autre mode de réalisation de l’invention, il est proposé un procédé de génération d’une lumière comprimée au moyen d’un circuit photonique comprenant une source de pompage électronique à débit constant d’électrons, dite pompe silencieuse, et un composant laser à boîtes quantiques, de type à rétroaction répartie, électriquement couplé à ladite pompe silencieuse, le composant laser ayant un courant seuil laser prédéfini. Un tel procédé est caractérisé en ce qu’il comprend une étape d’injection, dans le composant laser, d’un courant d’alimentation d’intensité proportionnelle à l’intensité du courant seuil laser, d’un facteur compris entre 1 et 5, de sorte à amener le composant laser à générer un faisceau lumineux dans au moins un état comprimé de la lumière. Dans un autre mode de réalisation de l’invention, il est proposé un dispositif photonique implémentant un circuit phonique de génération de lumière comprimée tel que décrit ci-dessus dans l’un quelconque de ses mises en œuvre. Diverses utilisations du dispositif précité sont possibles, et notamment (mais non exclusivement) : - pour la réalisation de capteurs/détecteurs quantiques (gyroscopes, accéléromètres, interféromètres, etc.) ; - pour la réalisation d’équipements de télécommunication quantique (calculateurs optiques, circuits et composants de communication quantique sur puce, codeurs quantiques, répéteurs quantiques, puces LNOI, etc.) - pour la réalisation d’instruments/dispositifs médicaux (dispositifs d’imagerie médicale, biocapteurs, etc.) Liste des figures D’autres caractéristiques et avantages de l’invention apparaîtront à la lecture de la description suivante, donnée à titre d’exemple indicatif et non limitatif, et des dessins annexés, dans lesquels : FIG. 1 illustre un schéma de principe d’un circuit photonique de génération de lumière compressée selon un premier mode de réalisation de l’invention ; FIG. 2 représente une vue en perspective d’un composant laser à boîtes quantiques intégré dans le circuit de photonique conforme au premier mode de réalisation ; FIG. 3 illustre un schéma de principe d’un circuit photonique de génération de lumière compressée selon un deuxième mode de réalisation de l’invention ; FIG. 4 représente une vue en perspective d’un composant laser à boîtes quantiques intégré dans le circuit de photonique conforme au deuxième mode de réalisation. Description détaillée de l’invention Sur toutes les figures du présent document, les éléments et étapes identiques sont désignés par une même référence numérique. Le principe général de l’invention repose sur l’utilisation de composants laser à boîtes quantiques intégrés sur puce et d’un pompage électronique à débit constant d’électrons pour produire des états comprimés de la lumière laser. Une telle approche permet d’offrir une source photonique intégrée sur puce présentant un régime de fonctionnement quantique. On présente ci-après deux mises en œuvre particulières de circuit photonique permettant de générer de la lumière laser comprimée : une source de lumière laser monomode à boîtes quantiques et une source de lumière laser à verrouillage de modes à boîtes quantiques. La première mise en œuvre est décrite ci-dessous en relation avec les figures 1 et 2, et la deuxième est décrite postérieurement en relation avec les figures 3 et 4. La FIG. 1 présente, sous forme de blocs schématiques, un circuit photonique SLG selon un mode de réalisation particulier de l’invention. Dans ce mode de réalisation particulier, le circuit photonique SLG est un circuit configuré pour permettre la génération d’une lumière comprimée. Un tel circuit comprend une source de pompage électronique à débit constant d’électrons SPS, un composant laser à boîtes quantiques QDL électriquement couplé à la source de pompage SPS (par exemple au moyen d’un câble électrique EG) et un composant atténuateur ATT optiquement relié à la sortie du composant laser QDL (par exemple au moyen d’un guide d’onde optique WG). Le composant laser à boîtes quantiques QDL, le guide d’onde WG et le composant atténuateur ATT sont intégrés sur une puce P, par exemple faite à partir d’un substrat Silicium ou en GaAs. L’atténuateur ATT a pour fonction de contrôler la puissance de sortie du composant laser QDL en fonction de l’application retenue. La source de pompage SPS, aussi appelée couramment « pompe calme » ou « pompe silencieuse » (« quiet pump » en anglais), est une source de pompage électronique à impédance de sortie élevée qui permet une injection périodique d'électrons à débit constant dans le composant laser QDL. Cette injection périodique d’électrons est illustrée par des points noirs sur la figure. La source de pompage SPS est également caractérisée par son courant d’alimentation dont l’intensité est choisie en fonction du seuil de courant laser du composant QDL. On rappelle ici que tout composant laser présente un courant seuil ou un seuil de courant caractéristique au-delà duquel il émet une lumière laser. Les inventeurs de la présente ont découvert de manière surprenante que l’utilisation d’un composant laser à boîtes quantiques, du type à rétroaction répartie, alimenté par une pompe silencieuse avec un courant d’alimentation d’intensité proportionnelle à l’intensité du courant seuil du composant laser d’un facteur compris entre 1 et 5, permet d’amener le composant laser à générer un faisceau lumineux dans au moins un état comprimé de la lumière, faisant du circuit photonique SLG une source de lumière quantique. Par exemple, pour un courant seuil laser de 10 mA et une plage de fonctionnement opérationnel de la pompe silencieuse comprise entre 10 et 100 mA, une valeur de courant d’alimentation comprise entre 10 et 50 mA peut être appliquée au composant laser QDL par la pompe SPS pour générer de la lumière comprimée (pour une utilisation de la puce laser à température ambiante). La lumière ainsi comprimée présente un état quantique particulier où le niveau d’incertitude en amplitude ou le niveau d’incertitude en phase est réduit de sorte à se trouver en dessous du niveau de bruit quantique standard : on parle alors d’état comprimé en amplitude (ou en intensité) ou d’état comprimé en phase. D’autres valeurs de courant seuil laser et de plage de fonctionnement peuvent être bien sûr envisagées sans sortir du cadre de l’invention, en fonction du profil opto-géométrique choisi pour le composant laser. La FIG. 2 illustre un exemple de composant laser à boîtes quantiques utilisé dans le circuit photonique SLG. Dans ce mode de réalisation particulier, le composant laser QDL comprend un empilement de couches à base de matériaux semi-conducteurs : - une couche de confinement optique inférieure 110, par exemple à base d’AlGaAs dopé n sur GaAs, s’étendant sur le substrat silicium 100 ; - une couche active 120 s’étendant sur la première couche de confinement 110, ladite couche active intégrant plusieurs plans de boîtes quantiques (« quantum dots » en anglais) ; - une couche structurée 130 s’étendant sur la couche active ; - une couche de confinement optique supérieure 140, par exemple à base d’AlGaAs dopé p sur GaAs, s’étendant sur la couche structurée 130 ; - un premier contact métallique 150 s’étendant sur la couche de confinement optique 140 et un deuxième contact métallique 160 s’étendant en surface du substrat silicium 100 et à distance des couches 110, 120, 130 et 140. La couche active 120 du composant laser QDL est caractérisée notamment par ses dimensions structurelles, le nombre de plans et la densité des boîtes quantiques qu’elle comprend, ainsi que les matériaux qui la composent. Il est apparu qu’une couche active de longueur L d’au moins 500 μm, typiquement 1000 μm ou 2000 μm), permet de garantir un niveau de bruit quantique inférieur à la limite classique établie par la lumière laser. Un nombre de plans de boîtes quantiques compris entre 3 et 5, et plus généralement entre 3 à 8, est particulièrement bien adapté à une utilisation du composant à température ambiante. A noter qu’un nombre plus réduit, typiquement 1 à 2 plans de boîtes quantiques est suffisant pour une utilisation du composant à très basse température (températures cryogéniques). On rappelle ici que les boîtes quantiques sont des nanocristaux semiconducteurs dont le confinement quantique est tridimensionnel. Ils peuvent être ici de type InAs/InGaAs, c’est-à-dire qu’ils sont des nanocristaux d’InAs disposés dans une matrice d’InGaAs. La couche active peut donc présenter un empilement de plusieurs couches minces d’InGaAs, chacune comportant plusieurs nanocristaux d’InAs. La taille moyenne des boîtes quantiques est comprise entre 0,5 nm et 50 nm, par exemple entre 1 nm et 20 nm. La densité moyenne de boîtes quantiques par plan est comprise entre 100 boîtes/μm 2 et 1000 boîtes/μm 2 , ce qui permet au composant laser QDL d’atteindre son régime de fonctionnement quantique. Les boîtes quantiques InAs/GaAs constituent une classe de nanostructures intéressante pour la réalisation de générateurs d’états comprimés de lumière haute performance, et intégrables sur puce silicium. Grâce à leurs niveaux d’énergie discrets, de tels composants présentent une stabilité thermique, ainsi qu’une insensibilité aux rétroactions optiques, ce qui permet une intégration dans un environnement silicium dépourvu d’isolateur optique. Les plans de boîtes quantiques sont obtenus à l’aide d’une technique de croissante par épitaxie par jets moléculaires (ou MBE pour « Molecular Beam Epitaxy » ) ou par épitaxie en phase vapeur MOCVD ( « Metal-Organic Chemical Vapour Deposition » ), compatible avec les technologies classiques du domaine de la photonique intégrée. Les extrémités de l’empilement de couches sont constituées par des miroirs HR et AR qui définissent la cavité optique du laser : - en face arrière, un miroir à haute réflectivité (HR) dont le coefficient de réflexion est supérieur à 95 % à la longueur d’onde d’émission laser, et - en face avant, un miroir à réflectivité partielle (AR) dont le coefficient de réflexion est supérieur à 32% à la longueur d’onde d’émission laser et inférieur ou égal à la valeur du coefficient de réflexion du miroir à haute réflectivité. Un tel profil de réflectivité assure la génération d’un nombre réduit de photons, ce qui permet au composant laser d’atteindre le régime de fonctionnement quantique souhaité. Ceci est d’autant plus marquant que la longueur L de la couche active est grande supérieure à 500 μm. Les faces arrière et avant de l’empilement peuvent être obtenues par clivage. Les autres faces latérales sont non actives. Les réflectivités des miroirs sont principalement déterminées par l’indice optique de la structure. On peut éventuellement jouer sur le coefficient de réflexion en réalisant un dépôt monocouche ou multicouches diélectriques et/ou métalliques sur au moins l’une de ces faces actives de l’empilement. Ce dépôt apporte en outre une fonction de protection de la face ou des faces traitées. La couche structurée 130 est conformée pour former un réflecteur de Bragg distribué, dimensionné pour amener le composant laser QDL à délivrer un faisceau lumineux monomode à 1,55 µm, sur la base d’un fonctionnement laser à rétroaction répartie. Le réflecteur de Bragg est formé par un réseau périodique de corrugations latérales de période prédéfinie, s’étendant le long de l’axe de propagation de l’émission laser. Le rôle du réseau est d’assurer une modulation périodique de la partie réelle ou imaginaire de l’indice effectif de la couche active de l’empilement et ainsi d’obtenir la condition de rétroaction sélective autour de la condition de Bragg assurant le fonctionnement monomode du laser. Le premier contact 150 est relié électriquement à la source SPS et destiné à recevoir un courant d’alimentation de quelques dizaines de mA et le deuxième contact 160 est relié électriquement à la masse. La FIG. 3 présente, sous forme de blocs schématiques, un circuit photonique SLG2 selon un autre mode de réalisation particulier de l’invention. Dans ce deuxième mode de réalisation, comme pour le circuit SLG, le circuit photonique SLG2 est un circuit configuré pour permettre la génération d’une lumière comprimée mais sur la base d’un fonctionnement à verrouillage de mode. La principale différence avec le circuit SLG réside dans la nature de la couche structurée dont est composé le composant laser et l’ajout d’un contact électrique absorbant saturable sur celui-ci. Le circuit photonique SLG2 comprend plus particulièrement une source de pompage électronique à débit constant d’électrons SPS2, un composant laser à boîtes quantiques QDL2 électriquement couplé à la source de pompage SPS2, un composant atténuateur ATT2 optiquement relié à la sortie du composant laser QDL (par exemple au moyen d’un guide d’onde optique WG2), un composant modulateur d’amplitude AM optiquement relié à la sortie de l’atténuateur ATT2 et un composant modulateur de phase PM optiquement relié à la sortie du modulateur de phase PM. Les composant QDL2, ATT, AM et PM, ainsi que les guides optiques les reliant les uns aux autres, sont intégrés sur une puce en silicium P2. Le fonctionnement de la pompe calme SPS2 est identique à la pompe calme SPS du premier mode de réalisation (dont le fonctionnement est détaillé plus haut en relation avec la FIG. 1 ). Elle est configurée pour réaliser une injection périodique d’électrons à débit constant dans le composant laser QDL2 avec un courant d’alimentation dont l’intensité est choisie en fonction du seuil de courant laser du composant QDL2. Pour permettre la génération d’une lumière comprimée en phase ou en amplitude, la pompe calme SPS2 alimente le composant QDL2 avec un signal de pompe dont le courant d’alimentation est fixé pour être d’intensité proportionnelle à l’intensité du courant seuil du composant laser d’un facteur compris entre 1 et 5. La FIG. 4 illustre un exemple de composant laser à boîtes quantiques utilisé dans le circuit photonique SLG2. Dans ce mode de réalisation particulier, le composant laser QDL2 comprend un empilement de couches à base de matériaux semi-conducteurs : - une couche de confinement optique inférieure 210, par exemple à base d’AlGaAs dopé n sur GaAs, s’étendant sur le substrat silicium 200 ; - une couche active 220 s’étendant sur la première couche de confinement 210, ladite couche active intégrant plusieurs plans de boîtes quantiques à base d’InAs/InGaAs ; - une couche structurée 230 s’étendant sur la couche active 220 ; - une couche de confinement optique supérieure 240, par exemple à base d’AlGaAs dopé n sur GaAs, s’étendant sur la couche structurée 230 ; - un premier contact métallique 250 s’étendant partiellement sur la couche de confinement optique 240 en partie arrière du composant (destiné à recevoir une tension positive) et un deuxième contact métallique 270 s’étendant partiellement sur la couche de confinement optique 240 en partie avant du composant et à distance du premier contact 250 ; - un troisième contact métallique 260 s’étendant en surface du substrat 200 et à distance des couches 110, 120, 130 et 140. La couche active 120 du composant laser QDL2 est caractérisée notamment par ses dimensions structurelles, le nombre de plans et la densité des boîtes quantiques qu’elle comprend, ainsi que les matériaux qui la composent, comme discuté plus haut en relation avec la FIG. 2 . La couche active 120 est formée par exemple d’ilots quantiques InAs déposés dans des puits quantiques InGaAs. Les extrémités de l’empilement de couches sont constituées par des miroirs HR2 et AR2 qui définissent la cavité optique du laser : - en face arrière, un miroir à haute réflectivité (HR2) dont le coefficient de réflexion est supérieur à 95 % à la longueur d’onde d’émission laser, et - en face avant, un miroir à réflectivité partielle (AR2) dont le coefficient de réflexion est supérieur à 32% à la longueur d’onde d’émission laser et inférieur ou égal à la valeur du coefficient de réflexion du miroir à haute réflectivité. La couche structurée 230 est conformée pour former une cavité Fabry-Perot dimensionnée pour amener ledit au moins un composant laser à délivrer un faisceau lumineux multimode. Le premier contact 250 est relié électriquement à la source SPS et destiné à recevoir un courant d’alimentation de quelques dizaines de mA. Le deuxième contact 260 est relié électriquement à la masse. Le deuxième contact 270 est un contact absorbant saturable destiné à recevoir une tension électrique continu négative, typiquement entre 0 et 8 V. L’utilisation combinée de la cavité Fabry-Perot et du jeu d’électrodes dont le contact absorbant saturable 270 a pour effet de permettre la génération d’un peigne de fréquences optiques (comportement multimode) à forte cohérence avec, pour chaque ligne du peigne, un état comprimé. En d’autres termes, cette configuration particulière permet d’amener le composant laser QDL2 à générer un faisceau lumineux multimode dont chaque mode (ou longueur d’onde) présente un état comprimé (en phase ou en amplitude) de la lumière. Les composants laser QDL et QDL2 décrits ci-dessus en relation respectivement avec les figures 2 et 4 présentent chacun une structure ayant la forme générale d’un barreau parallélépipédique. Bien entendu, les matériaux utilisés, la géométrie ainsi que les dimensions structurelles du composant laser selon l’invention peuvent être adaptés au cas par cas, en particulier en fonction des applications et des performances optiques visées. D’autres modes de réalisation de l’invention peuvent ainsi être envisagés, sans sortir du cadre de l’invention. On peut notamment prévoir, par exemple, l’intégration sur circuit photonique d’un composant laser à boîtes quantiques dont la structure guidante se présente sous une forme annulaire, afin de gagner en compacité (sans pour autant faire de concession sur les performances optiques de la source de lumière comprimée). Circuit photonique de génération de lumière comprimée, caractérisé en ce qu’il comprend une source de pompage électronique à débit constant d’électrons (SPS), dite pompe silencieuse, un composant laser à boîtes quantiques (QDL), le composant laser étant électriquement couplé à ladite pompe silencieuse et intégré à un substrat semi-conducteur, le composant laser ayant un courant seuil prédéfini, ladite pompe silencieuse étant configurée pour injecter, dans le composant laser, un courant d’alimentation d’intensité proportionnelle à l’intensité du courant seuil prédéfini d’un facteur compris entre 1 et 5, de sorte à amener le composant laser à générer un faisceau lumineux dans au moins un état comprimé de la lumière. Circuit photonique selon la revendication 1, dans lequel ledit composant laser (QDL) comprend un empilement de couches à base de matériaux semi-conducteurs, ledit empilement comprenant : une couche de confinement optique inférieure (110) s’étendant sur le substrat semi-conducteur ; une couche active (120) s’étendant sur la première couche de confinement, ladite couche active intégrant au moins un plan de boîtes quantiques ; une couche structurée (130) s’étendant sur la couche active ; une couche de confinement optique supérieure (140) s’étendant sur la couche structurée. Circuit photonique selon la revendication 2, dans lequel la couche active a une longueur (L) d’au moins 500 μm. Circuit photonique selon l’une quelconque des revendications 2 et 3, dans lequel le nombre de plans de boîtes quantiques contenus dans la couche active est compris entre 1 et 2. Circuit photonique selon l’une quelconque des revendications 2 à 4, dans lequel le nombre de plans de boîtes quantiques contenus dans la couche active est compris entre 3 à 8, et plus particulièrement entre 3 et 5. Circuit photonique selon l’une quelconque des revendications 2 à 5, dans lequel ledit au moins un plan de boîtes quantiques présente une densité de boîtes quantiques comprise entre 100 boîtes/μm 2 et 1000 boîtes/μm 2 . Circuit photonique selon l’une quelconque des revendications 2 à 6, dans lequel ledit empilement de couches comprend : - en face arrière, un miroir à haute réflectivité (HR) dont le coefficient de réflexion est supérieur à 95 % à la longueur d’onde d’émission laser, et - en face avant, un miroir à réflectivité partielle (AR) dont le coefficient de réflexion est supérieur à 32% à la longueur d’onde d’émission laser et inférieur ou égal à la valeur du coefficient de réflexion du miroir à haute réflectivité. Circuit photonique selon l’une quelconque des revendications 2 à 7, dans lequel la couche structurée forme un réflecteur de Bragg distribué dimensionné pour amener ledit au moins un composant laser à délivrer un faisceau lumineux monomode et dans lequel un premier contact métallique (150) s’étend sur la couche de confinement optique supérieure et un deuxième contact métallique (160) s’étend en surface du substrat semi-conducteur. Circuit photonique selon l’une quelconque des revendications 2 à 7, dans lequel la couche structurée forme une cavité Fabry-Perot dimensionnée pour amener ledit au moins un composant laser à délivrer un faisceau lumineux multimode et dans lequel un premier contact métallique (250) s’étend sur la couche de confinement optique supérieure, un deuxième contact métallique (260) s’étend en surface du substrat semi-conducteur et un troisième contact (270), dit contact absorbant saturable, s’étend sur la couche de confinement optique supérieure, ledit contact absorbant saturable étant destiné à recevoir une tension électrique négative. Procédé de génération d’une lumière comprimée au moyen d’un circuit photonique comprenant une source de pompage électronique à débit constant d’électrons (QPS), dite pompe silencieuse, et un composant laser à boîtes quantiques (QDL), de type à rétroaction répartie, électriquement couplé à ladite pompe silencieuse, le composant laser ayant un courant seuil laser prédéfini, le procédé étant caractérisé en ce qu’il comprend une étape d’injection, dans le composant laser, d’un courant d’alimentation d’intensité proportionnelle à l’intensité du courant seuil laser, d’un facteur compris entre 1 et 5, de sorte à amener le composant laser à générer un faisceau lumineux dans au moins un état comprimé de la lumière.