Brevet FR3155407A1 — publié le 20250516

Dispositif électronique La présente description concerne un procédé de fabrication d'une mémoire comprenant au moins une première cellule mémoire (12a) à changement de phase, chaque première cellule (12a) comprenant un élément résistif (24), une première couche métallique (25) et une deuxième couche (26) en un matériau à changement de phase, la première couche (25) étant située entre l'élément résistif (24) et la deuxième couche (26), le procédé comprenant : a. la formation d'un niveau (20) comprenant l'élément résistif (24) ; b. la formation d'une troisième couche métallique sur le niveau (20) ; c. la gravure de la troisième couche ; puis d. la formation de la deuxième couche (26). Figure pour l'abrégé : Fig. 1 Dispositif électronique La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques et plus précisément les dispositifs électroniques comprenant des mémoires à changement de phase et leurs procédés de fabrication. Un matériau à changement de phase est un matériau ayant la capacité de changer d'état cristallin sous l'effet de la chaleur et plus particulièrement de commuter entre un état cristallin et un état amorphe, plus fortement résistif que l'état cristallin. Ce phénomène est utilisé pour définir deux états mémoires, par exemple 0 et 1, différenciés par la résistance mesurée à travers le matériau à changement de phase. Il existe un besoin d'amélioration des puces électroniques comportant un circuit mémoire comportant des cellules mémoires à base d'un matériau à changement de phase, et de leurs procédés de fabrication. Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'une mémoire comprenant au moins une première cellule mémoire à changement de phase, chaque première cellule comprenant un élément résistif, une première couche métallique et une deuxième couche en un matériau à changement de phase, la première couche étant située entre l'élément résistif et la deuxième couche, le procédé comprenant : a. la formation d'un niveau comprenant l'élément résistif ; b. la formation d'une troisième couche métallique sur le niveau ; c. la gravure de la troisième couche ; puis d. la formation de la deuxième couche. Selon un mode de réalisation, la première couche métallique est en TiSiN, en TiN, ou en TaN, la troisième couche métallique étant en le même matériau que la première couche. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend au moins deux premières cellules, les premières couches métalliques de différentes premières cellules étant séparées les unes des autres. Selon un mode de réalisation, la première couche métallique est en contact avec l'élément résistif et avec la deuxième couche en un matériau à changement de phase. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend au moins une deuxième cellule mémoire à changement de phase comprenant un élément résistif et une deuxième couche en un matériau à changement de phase, la deuxième couche est en contact avec l'élément résistif, le procédé comprenant la gravure de la première couche aux emplacements des deuxièmes cellules. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend des lignes de cellules mémoire, les cellules d'une même ligne comprennent une deuxième couche en un matériau à changement de phase commune. Selon un mode de réalisation, les cellules mémoires comprennent chacune une portion de la deuxième couche en un matériau à changement de phase, les portions de la deuxième couche en un matériau à changement de phase des différentes cellules étant séparées les unes des autres. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape e., postérieure à l'étape d. dans laquelle les portions du premier niveau et de la deuxième couche en un matériau à changement de phase situées autour des cellules mémoire sont gravées. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend au moins deux lignes de cellules mémoire, le procédé comprenant une étape e., postérieure à l'étape d., dans laquelle les portions du premier niveau et de la deuxième couche en un matériau à changement de phase situées entre les deux lignes de cellules mémoire sont gravées. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend au moins deux colonnes de cellules mémoire, le procédé comprenant une étape f. postérieure à l'étape e., dans laquelle les portions du premier niveau et de la deuxième couche en un matériau à changement de phase situées entre les deux colonnes de cellule mémoire sont gravées. Selon un mode de réalisation, l'étape c. comprend la gravure de la troisième couche métallique de manière à former la première couche métallique. Selon un mode de réalisation, l'étape c. comprend la gravure de la troisième couche métallique de manière à former des bandes comprenant chacune les premières couches de premières cellules d'une même colonne de cellules mémoire. Selon un mode de réalisation, l'étape e. comprend la gravure des bandes de manière à former les premières couches métalliques. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 représente un mode de réalisation d'un dispositif électronique ; la FIG. 2 illustre le fonctionnement du dispositif de la FIG. 1 ; la FIG. 3 représente un dispositif résultant d'une étape d'un procédé de fabrication du dispositif de la FIG. 1 ; la FIG. 4 représente un dispositif résultant d'une étape d'un procédé de fabrication du dispositif de la FIG. 1 ; la FIG. 5 représente un dispositif résultant d'une étape d'un procédé de fabrication du dispositif de la FIG. 1 ; la FIG. 6 représente un dispositif résultant d'une étape d'un procédé de fabrication du dispositif de la FIG. 1 ; la FIG. 7 représente un dispositif résultant d'une étape d'un procédé de fabrication du dispositif de la FIG. 1 ; la FIG. 8 illustre plusieurs cas possibles d'alignement ; la FIG. 9 représente un dispositif résultant d'une étape d'un procédé de fabrication du dispositif de la FIG. 1 ; la FIG. 10 représente un dispositif résultant d'une étape d'un autre procédé de fabrication d'un autre dispositif de la FIG. 1 ; la FIG. 11 représente un dispositif résultant d'une étape d'un autre procédé de fabrication du dispositif de la FIG. 1 ; et la FIG. 12 représente un autre mode de réalisation d'un dispositif électronique. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. La FIG. 1 représente un mode de réalisation d'un dispositif électronique 10. Plus précisément, la FIG. 1 représente deux vues en coupe 1A et 1B. La vue 1A correspond à une vue en coupe selon le plan A-A de la vue 1B et la vue 1B correspond à une vue en coupe selon un plan B-B de la vue 1A. Les plans A-A et B-B sont de préférence sensiblement perpendiculaires. Le dispositif 10 comprend une région de mémoire. Ladite région de mémoire comprend au moins une cellule mémoire 12a, 12b, de préférence plusieurs cellules mémoire 12a, 12b. Les cellules mémoire 12a, 12b sont des cellules mémoire à changement de phase. Le dispositif 10 comprend un premier type de cellules mémoire 12a. Le dispositif 10 comprend au moins une cellule 12a. La FIG. 1 représente trois cellules 12a en vue 1A et trois cellules 12a en vue 1B. Le dispositif 10 comprend par exemple un deuxième type de cellules mémoire 12b. La FIG. 1 comprend une cellule 12b, en vue 1A. Les cellules mémoire 12a, 12b sont agencées en une matrice mémoire. La vue 1A représente des cellules mémoire d'une même ligne de la matrice mémoire. Similairement, la vue 1B représente des cellules mémoire d'une même colonne de de la matrice mémoire. La ligne de cellules 12a, 12b de la vue 1A s'étend ainsi dans une première direction X. La colonne de cellules 12a, 12b de la vue 1B s'étend ainsi dans une deuxième direction Y, par exemple sensiblement orthogonale à la direction X. La matrice mémoire est une structure de type "mur", c'est-à-dire que les cellules de mêmes lignes sont situées dans un même mur. Le dispositif 10 comprend un niveau 14. Le niveau 14 comprend une couche isolante 16. La couche isolante 16 est par exemple en oxyde de silicium ou en nitrure de silicium. Le niveau 14 comprend en outre des contacts conducteurs 18, par exemple en métal, par exemple en tungstène. Les contacts conducteurs s'étendent par exemple sur toute la hauteur de la couche 16. Une extrémité de chaque contact conducteur 18 affleure une face supérieure de la couche 16. Le dispositif 10 comprend au moins autant de contacts 18 que de cellule mémoire 12. Chaque cellule mémoire 12a, 12b est située sur un contact 18. Chaque ligne de cellules mémoire comprend un niveau 20. Les niveaux 20 des différentes lignes sont séparés les uns des autres. Les niveaux 20 des différentes lignes ne sont ainsi pas en contact. Chaque niveau 20 comprend une couche isolante 22, par exemple en oxyde de silicium. Chaque couche isolante 22 s'étend sur la face supérieure de la couche 16 et sur les extrémités supérieures de contacts 18, en particulier des contacts 18 correspondant aux cellules mémoire de la ligne. Chaque niveau 20 comprend en outre des éléments conducteurs 24. Chaque niveau 20 comprend de préférence autant d'éléments 24 que de cellules 12. Chaque cellule 12a, 12b comprend un élément 24. Les éléments 24 correspondent à des éléments résistifs. Les éléments 24 correspondent à des éléments chauffants. Les éléments 24 ont par exemple une forme de L dans le plan de la vue 1A. Les éléments 24 comprennent une partie verticale s'étendant de l'extrémité du contact 18 correspondant à la cellule mémoire de l'élément 24 à la face supérieure de la couche 22. Ainsi, l'extrémité supérieure de la partie verticale affleure la face supérieure de la couche 22 et l'extrémité inférieure de la partie verticale est en contact avec le contact 18. L'élément 24 comprend par exemple une partie horizontale en contact avec l'extrémité inférieure de la partie horizontale et s'étendant au moins partiellement, de préférence entièrement, sur l'extrémité supérieure du contact 18. Chaque cellule 12a comprend une couche 25. Chaque couche 25 est située sur la face supérieure du niveau 20. Plus précisément, la couche 25 de chaque cellule 12a est située de manière à être en contact avec l'extrémité supérieure de l'élément 24 de la cellule mémoire correspondante et avec la couche 22. Chaque couche 25 est en contact avec uniquement un élément 24, c'est-à-dire l'élément 24 de la cellule mémoire comprenant la couche 25. Les couches 25 sont séparées les unes des autres. La couche 25 a, de préférence, une dimension dans la direction Y sensiblement égale à la dimension de la face supérieure de la couche 22. La couche 25 est en un matériau conducteur, de préférence en un métal fortement résistif, par exemple en TiSiN, en TiN, ou en TaN. Chaque ligne de cellules mémoire comprend en outre une couche 26 en un matériau à changement de phase. La couche 26 est par exemple en un alliage de germanium, d'antimoine et de tellure. La couche 26 est par exemple en un alliage de germanium, d'antimoine, de tellure et de sélénium. La couche 26 peut par exemple comprendre des dopants, par exemple de l'arsenic, de l'indium, du carbone ou de l'azote. Chaque couche 26 s'étend dans la direction des lignes de la matrice de mémoire correspondante. Chaque couche 26 s'étend sur les couches 25 et le niveau 20 de la ligne correspondante. Ainsi, chaque couche 26 recouvre, et de préférence est en contact avec, les couches 25 et le niveau 20. Plus précisément, chaque couche 26 recouvre, par exemple entièrement, et de préférence est en contact avec, les couches 25 des cellules mémoire 12a de la ligne correspondante et les extrémités des éléments 24 des cellules mémoire 12b de la ligne correspondante. Chaque couche 26 recouvre, de préférence entièrement, la face supérieure de la couche 22. Les couches 25 d'une même ligne de cellules sont séparées les unes des autres par des portions de la couche 26. Chaque ligne de cellules mémoire comprend en outre une couche 28 conductrice. La couche 28 est de préférence en un métal. La couche 28 correspond à une électrode de la cellule mémoire. La couche 28 s'étend sur la face supérieure de la couche 26. La couche 28 recouvre, de préférence entièrement, la face supérieure de la couche 26. La couche 28 est de préférence en contact avec la couche 26, de préférence en tous points. Chaque ligne de cellules mémoire comprend en outre une couche 30 isolante. La couche 30 correspond à une couche de passivation. La couche 30 s'étend sur la face supérieure de la couche 28. La couche 30 recouvre, de préférence entièrement, la face supérieure de la couche 28. La couche 30 est de préférence en contact avec la couche 28, de préférence en tous points. Le dispositif 10 comprend en outre une couche 32. La couche 30 est en un matériau isolant, par exemple en nitrure de silicium. La couche 32 recouvre de manière conforme la structure décrite précédemment. Autrement dit, la couche 32 recouvre les empilements de couches des lignes de la matrice. Autrement dit, chaque empilement, comprenant un niveau 20, des couches 25, et des couches 26, 28, 30, est recouvert de manière conforme par la couche 32. La couche 32 recouvre ainsi la face supérieure de la couche 30 et les faces latérales des couches 22, 26, 28, 30 et des éléments 24. La couche 32 peut aussi recouvrir les faces latérales d'au moins certaines couches 25. La couche 32 recouvre en outre les portions de la face supérieure du niveau 14 situées entre les empilements. La FIG. 2 illustre le fonctionnement du dispositif de la FIG. 1 . Plus précisément, la FIG. 2 est une vue en coupe dans le plan de la vue 1A, illustrant quatre cellules mémoire, une cellule 12b et trois cellules 12a, dans différents états de programmation. Les cellules 12b sont des cellules mémoire binaires. Autrement dit, les cellules 12b peuvent être programmées pour contenir une parmi des première et deuxième valeurs. Autrement dit, la portion de la couche 26 correspondant à chaque cellule 12b peut être dans un état fortement résistif, l'état amorphe, et dans un état plus faiblement résistif, l'état cristallin, illustré en FIG. 2 par la formation d'une zone 34 cristalline délimitée par des pointillés. La programmation de chaque cellule 12b correspond donc au passage d'un des deux états à l'autre ou inversement. Il n'est pas possible de programmer une troisième valeur, différentes des première et deuxième valeurs. Les cellules 12a sont des cellules pouvant être programmées pour contenir une parmi au moins trois valeurs. Ainsi, selon le courant traversant chaque cellule, c’est-à-dire selon la température appliquée à la couche 26, la région cristalline obtenue peut avoir des tailles différentes, correspondant à des résistivités différentes. Ainsi, dans l'exemple de la FIG. 2 , les cellules 12a peuvent correspondre à quatre valeurs différentes, dont trois valeurs correspondant à la formation d'une région cristalline, les trois régions cristallines étant délimitées par des pointillés. Les figures 3 à 7 et 9 illustrent des étapes de préférence successives d'un procédé de fabrication du dispositif de la FIG. 1 . La FIG. 3 représente un dispositif résultant d'une étape d'un procédé de fabrication du dispositif de la FIG. 1 . Plus précisément, la FIG. 3 représente deux vues en coupe 3A et 3B. La vue 3A correspond à une vue en coupe selon le plan A-A de la vue 3B et la vue 3B correspond à une vue en coupe selon un plan B-B de la vue 3A. Les plans A-A et B-B sont de préférence sensiblement perpendiculaires. Au cours de cette étape, le niveau 14 est formé. Autrement dit, la couche 16 est formée, par exemple sur une face supérieure d'un substrat non représenté. Les contacts 18 sont ensuite formés dans la couche 16. Par exemple, les contacts 18 traversent la couche 16 de manière à affleurer à face supérieure de la couche 16 et à atteindre le substrat non représenté. L'étape de la FIG. 3 comprend en outre la formation du niveau 20. La formation du niveau 20 comprend par exemple la formation d'une couche isolante d'épaisseur sensiblement égale à l'épaisseur de la couche 22 et par exemple en le matériau de la couche 22, la formation d'une cavité dont une paroi latérale s'étend sur les contacts 18 d'une colonne de la matrice mémoire et dont une paroi latérale opposée s'étend sur les contacts 18 d'une autre colonne de la matrice mémoire. Une couche conductrice en le matériau des éléments 24 est formée de manière conforme sur la structure. Des espaceurs en un matériau isolant, par exemple le matériau que la couche 22, sont formés sur les parois de la couche de manière à couvrir les emplacements des éléments 24. Les portions de la couche conductrice non protégées par les espaceurs sont ensuite retirées, formant les éléments 24. La cavité est ensuite remplie, par exemple avec le matériau de la couche 22, de manière à former la couche 22. La FIG. 4 représente un dispositif résultant d'une étape d'un procédé de fabrication du dispositif de la FIG. 1 . Plus précisément, la FIG. 4 représente deux vues en coupe 4A et 4B. La vue 4A correspond à une vue en coupe selon le plan A-A de la vue 4B et la vue 4B correspond à une vue en coupe selon un plan B-B de la vue 4A. Les plans A-A et B-B sont de préférence sensiblement perpendiculaires. Au cours de cette étape, une couche 42 est formée sur la structure. Plus précisément, la couche 42 est formée sur le niveau 20. Ainsi, la couche 42 recouvre, de préférence entièrement, la face supérieure de la couche 22 et les extrémités supérieures des éléments 24. La couche 42 recouvre au moins les extrémités supérieures des éléments 24 correspondant aux cellules 12a. La couche 42 est en le matériau des couches 25. L'épaisseur de la couche 42 est sensiblement égale à l'épaisseur des couches 25. La FIG. 5 représente un dispositif résultant d'une étape d'un procédé de fabrication du dispositif de la FIG. 1 . Plus précisément, la FIG. 5 représente deux vues en coupe 5A et 5B. La vue 5A correspond à une vue en coupe selon le plan A-A de la vue 5B et la vue 5B correspond à une vue en coupe selon un plan B-B de la vue 5A. Les plans A-A et B-B sont de préférence sensiblement perpendiculaires. L'étape de la FIG. 5 comprend la gravure de la couche 42 de manière à former les couches 25. La formation des couches 25 comprend de préférence la gravure uniquement de la couche 42. La gravure de la couche 42 est effectuée avant la formation de la couche 26 de matériau à changement de phase. La gravure de la couche 42 comprend par exemple la formation de masques de gravure non représentés aux emplacements des couches 25, de manière à protéger les portions de la couche 42 constituant les couches 25, et la gravure de la couche 42 autour des masques de gravure. Alternativement, la gravure de la couche 42 peut comprendre la formation de premiers masques de gravure s'étendant dans la direction des lignes de la matrice mémoire et recouvrant chacune les portions de la couche 42 correspondant aux couches 25 de la ligne. L'étape de gravure comprend ensuite la gravure de la couche 42 autour des premiers masques. L'étape comprend de plus la formation de deuxièmes masques de gravure s'étendant dans la direction des colonnes de la matrice mémoire et recouvrant chacune les portions de la couche 42 correspondant aux couches 25 de la colonne. L'étape de gravure comprend ensuite la gravure de la couche 42 autour des deuxièmes masques. La FIG. 6 représente un dispositif résultant d'une étape d'un procédé de fabrication du dispositif de la FIG. 1 . Plus précisément, la FIG. 6 représente deux vues en coupe 6A et 6B. La vue 6A correspond à une vue en coupe selon le plan A-A de la vue 6B et la vue 6B correspond à une vue en coupe selon un plan B-B de la vue 6A. Les plans A-A et B-B sont de préférence sensiblement perpendiculaires. Au cours de cette étape, des couches 44, 46, 48 sont formées sur la structure. La couche 44 est en le matériau des couches 26. L'épaisseur de la couche 44 est de préférence sensiblement égale à l'épaisseur des couches 26. La couche 44 recouvre de préférence toute la structure. Plus précisément, la couche 44 recouvre de préférence tout le niveau 20 et les couches 25. Ainsi, toutes les couches 25 et les extrémités supérieures des éléments 24 des cellules 12b sont recouverts, et de préférence en contact avec la couche 44. La couche 44 est commune à l'ensemble des lignes. La couche 46 est en le matériau des couches 28. L'épaisseur de la couche 46 est de préférence sensiblement égale à l'épaisseur des couches 28. La couche 46 recouvre, de préférence entièrement, la couche 44. La couche 46 est de préférence en contact avec la couche 44. La couche 48 est en le matériau des couches 30. L'épaisseur de la couche 48 est de préférence sensiblement égale à l'épaisseur des couches 30. La couche 48 recouvre, de préférence entièrement, la couche 46. La couche 48 est de préférence en contact avec la couche 46. La FIG. 7 représente un dispositif résultant d'une étape d'un procédé de fabrication du dispositif de la FIG. 1 . Plus précisément, la FIG. 7 représente deux vues en coupe 7A et 7B. La vue 7A correspond à une vue en coupe selon le plan A-A de la vue 7B et la vue 7B correspond à une vue en coupe selon un plan B-B de la vue 7A. Les plans A-A et B-B sont de préférence sensiblement perpendiculaires. L'étape de la FIG. 7 comprend la formation des lignes de cellules mémoire. Plus précisément, la FIG. 7 comprend la gravure du niveau 20, et des couches 44, 46, 48 entre les lignes de cellules mémoire de manière à former les niveaux 20 et les couches 26, 28, 30 des lignes de cellules mémoire. La formation des lignes comprend par exemple la formation de masques de gravure, chaque masque de gravure étant situé en regard des portions du niveau 20 et des couches 44, 46, 48 correspondant à une ligne de la matrice mémoire. Une étape de gravure, ou plusieurs étapes de gravure successives, est ensuite effectuée de manière à former les lignes. La gravure est de préférence configurée pour atteindre la face supérieure du niveau 14. L'étape de gravure de la FIG. 7 ne comprend de préférence pas la gravure, même partielle, des couches 25. On aurait pu choisir de ne pas graver la couche 42 de la FIG. 4 avant la formation de la couche 26. La couche 42 serait alors gravée lors de l'étape de la FIG. 7 . Cependant, le procédé de gravure du matériau de la couche permet aussi la gravure du matériau de la couche 26, la vitesse de gravure de la couche 26 étant bien plus élevée que la vitesse de gravure de la couche 42. Avant que le niveau 20 puisse être gravé, la gravure de la couche 42 devrait être effectuée. Cependant, durant la gravure de la couche 42, le procédé de gravure entrainerait la gravure latérale de la couche 26, ce qui diminuerait l'efficacité des cellules mémoire et augmenterait la variabilité entre cellules. La FIG. 8 illustre plusieurs cas possibles d'alignement. La FIG. 8 comprend quatre vues représentant chacune une ligne d'une matrice mémoire dans le plan B-B des figures 3 à 7 à l'étape de fabrication de la FIG. 7 . Les différentes vues représentent plus précisément différents agencements possibles des couches 25 dans la ligne de cellule mémoire. La vue 8A correspond à un cas dans lequel le masque de gravure de l'étape de la FIG. 7 est située en regard de la couche 25. Le masque est aligné avec la couche 25. Ainsi, lors de la gravure de la ligne de la matrice mémoire, la couche 26 est gravées de manière à découvrir les parois latérales de la couche 25. La dimension de la ligne dans la direction Y est alors sensiblement égale, par exemple égale, à la dimension de la couche 25. La vue 8B correspond à un cas dans lequel la dimension du masque de gravure dans la direction Y est supérieure à la dimension de la couche 25 dans la direction Y et dans lequel le masque est situé en regard de toute la couche 25 et des portions de la couche 22 et de l'élément 24 entourant la couche 25. Ainsi, les parois latérales et la face supérieure de la couche 25 sont recouverts par la couche 26. Dans le cas des vues 8A et 8B, la gravure des lignes n'atteint pas la couche 25. Ainsi, bien que le procédé de gravure des couches 26 et 22 grave plus lentement le matériau de la couche 25, la présence des couches 25 n'a pas d'impact sur la gravure des lignes. La vue 8C correspond à un cas dans lequel le masque de gravure est décalé par rapport à la couche 25. Ainsi, le masque n'est pas situé en regard d'une portion de la couche 25. La vue 8D correspond à un cas dans lequel la dimension du masque de gravure dans la direction Y est inférieure à la dimension de la couche 25 dans la direction Y et dans lequel le masque est situé en regard d'une portion centrale de la couche 25. Dans le cas des vues 8C et 8D, la gravure de la ligne, et plus précisément de la couche 26, entraine la découverte de la couche 25. Cependant, la gravure du niveau 20 peut être effectuée autour de la couche 25. Ainsi, l'étape de gravure n'est pas maintenue pour graver la couche 25, ce qui évite la gravure involontaire de la couche 26 et la formation de cavités latérales dans la couche 26. Ainsi, bien qu'il n'y ait pas d'auto alignement entre la gravure de la ligne et la gravure de la couche 25, cela n'impacte pas les avantages du mode de réalisation décrit. La FIG. 9 représente un dispositif résultant d'une étape d'un procédé de fabrication du dispositif de la FIG. 1 . Plus précisément, la FIG. 9 représente deux vues en coupe 9A et 9B. La vue 9A correspond à une vue en coupe selon le plan A-A de la vue 9B et la vue 9B correspond à une vue en coupe selon un plan B-B de la vue 9A. Les plans A-A et B-B sont de préférence sensiblement perpendiculaires. Au cours de cette étape, la couche 32 de passivation est formée. Autrement dit, la couche 32 est formée de manière conforme sur la structure résultant de l'étape de la FIG. 7 . La couche 32 recouvre ainsi de préférence les faces supérieures des couches 30, les portions des faces supérieures du niveau 14 et les parois latérales des lignes, c'est-à-dire les parois latérales des couches 22, 25, 26, 28, 30 et des éléments 24. Le procédé peut par exemple comprendre des étapes supplémentaires, postérieures à l'étape de la FIG. 9 . Au cours de ces étapes, les espaces séparant les lignes peuvent être remplis par une ou plusieurs couches isolantes non représentées. Les figures 10 et 11 illustrent un autre procédé de fabrication du dispositif de la FIG. 1 . La FIG. 10 représente un dispositif résultant d'une étape d'un autre procédé de fabrication d'un autre dispositif de la FIG. 1 . Plus précisément, la FIG. 10 représente deux vues en coupe 10A et 10B. La vue 10A correspond à une vue en coupe selon le plan A-A de la vue 10B et la vue 10B correspond à une vue en coupe selon un plan B-B de la vue 10A. Les plans A-A et B-B sont de préférence sensiblement perpendiculaires. L'étape de la FIG. 10 est configurée pour remplacer l'étape de la FIG. 5 . Autrement dit, le procédé des figures 10 et 11 comprend, avant l'étape de la FIG. 10 , les étapes des figures 3 et 4, telles que décrites précédemment. L'étape de la FIG. 10 diffère de celle de la FIG. 5 en ce que la couche 42 est gravée de manière à former des bandes 50. Les bandes s'étendent dans la direction Y, c’est-à-dire la direction dans laquelle s'étendent les colonnes de cellules mémoire. Chaque bande 50 comprend les portions de la couche 42 correspondant aux couches 25 d'une même colonne de cellules mémoire. Chaque bande 50 comprend en outre les portions de la couche 42 situées entre les couches 25 de la colonne. La dimension de chaque bande 50 dans la direction X est de préférence sensiblement égale à la dimension des couches 25 dans la direction X. Dans le mode de réalisation des figures 10 et 11. La mémoire comprend de préférence des colonnes de cellules 12a, c’est-à-dire des colonnes de la matrice mémoire ne comprenant que des cellules 12a, et des colonnes de cellules 12b, c’est-à-dire des colonnes de la matrice mémoire ne comprenant que des cellules 12b. Ainsi, des bandes 50 sont formées dans les emplacements des cellules 12a et ne sont pas formées sur les emplacements des cellules 12b. La FIG. 11 représente un dispositif résultant d'une étape d'un autre procédé de fabrication du dispositif de la FIG. 1 . Plus précisément, la FIG. 11 représente deux vues en coupe 11A et 11B. La vue 11A correspond à une vue en coupe selon le plan A-A de la vue 11B et la vue 11B correspond à une vue en coupe selon un plan B-B de la vue 11A. Les plans A-A et B-B sont de préférence sensiblement perpendiculaires. L'étape de la FIG. 11 comprend l'étape de la FIG. 6 telle qu'elle est décrite en relation avec la FIG. 6 . L'étape de la FIG. 11 comprend en outre une étape remplaçant l'étape de la FIG. 7 . Plus précisément, l'étape de la FIG. 11 comprend les étapes de la FIG. 7 et comprend en outre, durant la gravure des lignes de cellules mémoire, la gravure des bandes 50. Le procédé des figures 10 et 11 comprend en outre des étapes non représentées. En particulier, le procédé des figures 10 et 11 comprend l'étape de la FIG. 9 . Bien que le procédé des figures 10 et 11 ne permettent pas d'empêcher la gravure involontaire de la couche 26 durant la gravure des bandes 50, le procédé des figures 10 et 11 permet de former des cellules 12a dans une matrice mémoire de type "mur". La FIG. 12 représente un autre mode de réalisation d'un dispositif électronique 52. Plus précisément, la FIG. 12 représente deux vues en coupe 12A et 12B. La vue 12A correspond à une vue en coupe selon le plan A-A de la vue 12B et la vue 12B correspond à une vue en coupe selon un plan B-B de la vue 12A. Les plans A-A et B-B sont de préférence sensiblement perpendiculaires. Le dispositif 52 comprend les éléments du dispositif 10, agencés de manière identique. Ces éléments ne seront pas détaillés de nouveau. Ainsi, le dispositif 52 comprend : - le niveau 14, comprenant la couche 16 et les contacts 18 ; - le niveau 20, comprenant les couches 22 et les éléments 24 ; - les couches 25 en matériau conducteur ; - les couches 26 en matériau à changement de phase ; - les couches 28 en matériau conducteur ; - les couches 30 en matériau isolant ; et - la couche 32 de passivation en matériau isolant. Le dispositif 52 comprend des cellules 120a, similaires aux cellules 12a décrites en relation avec la FIG. 1 , c’est-à-dire des cellules configurées pour contenir une valeur parmi au moins trois valeurs. Le dispositif 52 comprend par exemple des cellules 120b similaires aux cellules 12b décrites en relation avec la FIG. 1 , c'est-à-dire des cellules configurées pour contenir une valeur parmi au moins deux valeurs. Le dispositif 52 diffère du dispositif 10 de la FIG. 1 en ce que les cellules mémoire sont individualisées. Autrement dit, les lignes de cellules mémoire sont séparées en portions correspondant à chaque cellule mémoire. Plus précisément, chaque cellule mémoire 120a comprend une portion de la couche 22, un élément 24, une couche 25, une portion de la couche 26, une portion de la couche 28, et une portion de la couche 30. Chaque cellule mémoire 12b comprend une portion de la couche 22, un élément 24, une portion de la couche 26, une portion de la couche 28, et une portion de la couche 30. Les cellules mémoire, et plus précisément les empilements de chaque cellule mémoire comprenant le niveau 20, les couches 26, 28, 30 et éventuellement la couche 25, sont séparés les uns des autres. Ainsi, les différents niveaux et les différentes couches desdits empilements ne sont pas en contact avec les empilements des autres cellules. La couche 32 de la FIG. 12 diffère de la couche 32 de la FIG. 1 en ce que la couche 32 recouvre, en FIG. 12 , toutes les parois latérales de chaque cellule. Ainsi, la couche 32 sépare les cellules les unes des autres. Autrement dit, les parois latérales, par exemple les quatre parois latérales, des couches 22, 26, 28, 30, la face supérieure de la couche 30 et éventuellement les parois latérales de la couche 25 et de l'élément 24, sont recouvertes par la couche 32. Un procédé de fabrication du dispositif 52 comprend les étapes du procédé des figures 3 à 9 ou les étapes du procédé des figures 10 et 11. Le procédé de fabrication du dispositif 52 comprend, par exemple après l'étape de la FIG. 9 ou après l'étape de la FIG. 11 , une étape de formation d'une couche isolante non représentée recouvrant la structure résultant de la FIG. 9 de manière à remplir les espaces entre les lignes et de manière à obtenir une face supérieure plane. Le procédé comprend ensuite la formation d'un masque de gravure comprenant des bandes non représentées s'étendant dans la direction Y de manière à recouvrir les emplacements des cellules mémoire. Plus précisément, chaque bande non représentée recouvre les emplacements des cellules mémoire d'une colonne. Chaque bande recouvre en outre les régions séparant les cellules de ladite colonne. Le procédé comprend ensuite la gravure de l'empilement, la couche 32 et la couche isolante non représentée. Le procédé comprend par exemple ensuite la formation d'une couche non représentée de manière conforme sur la structure, la couche non représentée étant par exemple en le matériau de la couche 32. Un autre procédé de fabrication comprend les étapes du procédé des figures 3 à 9 ou les étapes du procédé des figures 10 et 11. Le procédé de fabrication du dispositif 52 diffère du procédé des figures 3 à 9 ou du procédé des figures 10 et 11 en ce que, dans l'étape 7, ou dans l'étape 11, les masques de gravure, formés avant la gravure de l'empilement du niveau 20 et des couches 25, 26, 28, 30, n'ont pas une forme de bande mais une forme telle que chaque masque recouvre sensiblement, de préférence uniquement, l'emplacement d'une cellule mémoire. Ainsi, la gravure permet d'obtenir des cellules individualisées. Un avantage des modes de réalisation est qu'ils permettent d'obtenir des couches 26 en matériau à changement de phase ayant des profils droits et plans. En particulier, les parois latérales des couches 26 ne sont pas gravées lors de la gravure de la couche 25. Un autre avantage des modes de réalisation est qu'ils permettent d'améliorer l'alignement de la couche 26 et des couches 25. Un autre avantage des modes de réalisation est qu'ils permettent de former des cellules mémoire de type mur ou de type point. Un autre avantage des modes de réalisation est qu'ils permettent de diminuer les dimensions des cellules mémoire, ce qui permet de diminuer le courant nécessaire à la programmation. Un autre avantage des modes de réalisation est qu'ils permettent de former, sur un même circuit, et éventuellement dans une même mémoire, des cellules comprenant une couche 25 et des cellule ne comprenant pas une couche 25. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Procédé de fabrication d'une mémoire comprenant au moins une première cellule mémoire (12a, 120a) à changement de phase, chaque première cellule (12a, 120a) comprenant un élément résistif (24), une première couche métallique (25) et une deuxième couche (26) en un matériau à changement de phase, la première couche (25) étant située entre l'élément résistif (24) et la deuxième couche (26), le procédé comprenant : a. la formation d'un niveau (20) comprenant l'élément résistif (24) ; b. la formation d'une troisième couche (42) métallique sur le niveau (20) ; c. la gravure de la troisième couche (42) ; puis d. la formation de la deuxième couche (26). Procédé selon la revendication 1, dans lequel la première couche métallique (25) est en TiSiN, en TiN, ou en TaN, la troisième couche métallique (42) étant en le même matériau que la première couche (25). Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le dispositif comprend au moins deux premières cellules (12a, 120a), les premières couches métalliques (25) de différentes premières cellules étant séparées les unes des autres. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la première couche métallique (25) est en contact avec l'élément résistif (24) et avec la deuxième couche (26) en un matériau à changement de phase. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le dispositif comprend au moins une deuxième cellule (12b, 120b) mémoire à changement de phase comprenant un élément résistif (24) et une deuxième couche (26) en un matériau à changement de phase, la deuxième couche (26) est en contact avec l'élément résistif (24), le procédé comprenant la gravure de la première couche aux emplacements des deuxièmes cellules (12b, 120b). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le dispositif comprend des lignes de cellules mémoire (12a, 12b, 120a, 120b), les cellules d'une même ligne comprennent une deuxième couche (26) en un matériau à changement de phase commune. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel les cellules mémoires (12a, 12b, 120a, 120b) comprennent chacune une portion de la deuxième couche (26) en un matériau à changement de phase, les portions de la deuxième couche (26) en un matériau à changement de phase des différentes cellules étant séparées les unes des autres. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel le procédé comprend une étape e., postérieure à l'étape d. dans laquelle les portions du premier niveau (20) et de la deuxième couche (26) en un matériau à changement de phase situées autour des cellules mémoire sont gravées. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel le dispositif comprend au moins deux lignes de cellules mémoire (12a, 12b, 120a, 120b), le procédé comprenant une étape e., postérieure à l'étape d., dans laquelle les portions du premier niveau (20) et de la deuxième couche (26) en un matériau à changement de phase situées entre les deux lignes de cellules mémoire sont gravées. Procédé selon les revendications 7 et 9, dans lequel le dispositif comprend au moins deux colonnes de cellules mémoire, le procédé comprenant une étape f. postérieure à l'étape e., dans laquelle les portions du premier niveau (20) et de la deuxième couche (26) en un matériau à changement de phase situées entre les deux colonnes de cellule mémoire sont gravées. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel l'étape c. comprend la gravure de la troisième couche métallique (42) de manière à former la première couche métallique (25). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel l'étape c. comprend la gravure de la troisième couche métallique (42) de manière à former des bandes (50) comprenant chacune les premières couches (25) de premières cellules (12a) d'une même colonne de cellules mémoire. Procédé selon les revendications 8 et 12, dans lequel l'étape e. comprend la gravure des bandes (50) de manière à former les premières couches métalliques (25).