Brevet FR3156583A1 — publié le 20250613

L’invention concerne un dispositif (1) de génération de particules chargées, comprenant : un module d’émission comprenant une électrode d’émission (11) et un liquide conducteur (17), une électrode d’extraction (12), un générateur électrique (20, 22) pour appliquer un potentiel d’émission à l’électrode d’émission, pour appliquer un champ électrique au liquide conducteur, un modulateur haute fréquence pour moduler le champ électrique, le dispositif pouvant fonctionner en un mode purement ionique, dans lequel le potentiel d’émission est égal ou supérieur à un seuil de formation d’un cône de Taylor et inférieur à un potentiel d’émission limite, le modulateur est déconnecté et le module d’émission émet des ions purs, et un mode gouttelettes, dans lequel le potentiel d’émission est supérieur au potentiel d’émission limite, le modulateur est connecté et le module d’émission émet des amas chargés. Figure pour abrégé : Fig. 1 Dispositif et procédé de génération d’un faisceau de particules chargées La présente invention concerne un dispositif de génération de particules chargées. Elle concerne également un procédé de génération de particules chargées. Le domaine de l'invention est, de manière non limitative, celui des générateurs de faisceaux ioniques. État de la technique Les générateurs de particules chargées, et plus particulièrement les générateurs d’ions, sont basés sur le principe de l’émission électro-hydro-dynamique (EHD), dans lequel un champ électrique constant intense (l’ordre du milliard de Volts par mètre) est appliqué à la surface d’un liquide conducteur, tel qu’un métal en fusion ou un liquide ionique. Les générateurs ioniques consistent essentiellement en une électrode d’émission comprenant un émetteur ou un ensemble d’émetteurs, une électrode d'extraction, un réservoir d'un liquide conducteur et, dans certains cas, une électrode d'accélération. Un émetteur est typiquement constitué d’une pointe sur laquelle le liquide conducteur est appliqué. Pour appliquer le champ électrique à la surface du liquide conducteur, une différence de potentiel de l'ordre de 1-10 kV est appliquée entre l’électrode d’émission et l’électrode d’extraction. Lorsque le champ électrique est appliqué à la surface du liquide conducteur recouvrant une pointe, il en déforme l'extrémité sous forme d'une structure conique dite "cône de Taylor". Sous l'effet du champ électrique local intense présent au sommet du cône de Taylor, son excroissance terminale, appelé apex ou jet terminal, émet un jet, ou faisceau, d'ions libres. Les particules chargées sont ensuite accélérées à des vitesses élevées de l'ordre de quelques dizaines de kilomètres par seconde par le champ électrique appliqué. Les générateurs ioniques peuvent notamment être mis en œuvre en tant que propulseurs ioniques dans des engins spatiaux, tels que des satellites. Le faisceau ionique, ou la plume, permet de procurer une poussée au propulseur. La propulsion produite par le faisceau peut être caractérisée par un vecteur poussée. Le faisceau de particules chargées émis peut être caractérisé par le flux, ou courant d’émission I , et la vitesse des ions éjectés. Le fonctionnement d’un propulseur ionique notamment peut alors être caractérisé par une fonction I / V . Un exemple d’un système de propulsion ionique est décrit dans P. C. Lozano, « Less in Spac e » , American Scientist, Volume 104, Page 270 (2016). L’électrode d’émission présente une pluralité d’émetteurs alignés en forme de pointes poreuses infusées de liquide ionique, ainsi qu’une électrode d’extraction et une électrode d’accélération dont les ouvertures respectives sont alignées avec les pointes. Un autre exemple d’un système de propulsion ionique est décrit dans S. Dandavino et al., « Microfabricated electrospray emitter arrays with integrated extractor and accelerator electrodes for the propulsion of small spacecraft » , J. Micromech. Microeng., 24, 075011 (2014), dans lequel les émetteurs comprennent un micro-tube capillaire pour amener le liquide propulseur à son extrémité d’où il est ionisé. Dans une gamme de faible courant émis, le flux d'ions arraché de l'apex du cône de Taylor est relativement stable. Lorsque l'on augmente le courant en appliquant un champ électrique proportionnellement augmenté, des instabilités dans le faisceau émis apparaissent. Au-delà d'un flux d'émission de l'ordre d’une dizaine de µA, la force exercée par le champ électrique induit des instabilités turbulentes dans le liquide conducteur et le jet terminal du cône de Taylor, conduisant à des effets de rupture dans l’extrémité de l’apex du cône. Cette limite de stabilité correspond au potentiel d’émission à partir duquel le faisceau émis ne contient plus uniquement des ions, mais également des amas chargés ou gouttelettes chargées. Les dimensions géométriques des gouttelettes sont similaires au diamètre du jet, soit des tailles de quelques nanomètres. Le régime à fort courant peut dégrader les performances du générateur ionique, et notamment les performances propulsives d’un propulseur ionique. Premièrement, les apex des pointes émettrices peuvent être endommagés. En effet, les pointes ne sont plus recouvertes de liquide conducteur suite aux instabilités produites. Dès lors, le champ électrique, de plusieurs Volts/nm, peut éroder la pointe support solide généralement choisie dans un matériau réfractaire et provoquer des arrachements de matière, de fortes décharges électriques et une importante libération d'énergie sur un temps très court (µs). Deuxièmement, la cohabitation dans un même faisceau ou une même plume propulsive d'ions et de gouttelettes produit des perturbations dans celui-ci. En effet, les gouttes émises contenant plusieurs centaines à plusieurs milliers d’atomes sont beaucoup plus lentes que les ions simples ou moléculaires rapides qui les accompagnent avec une vitesse v = (2eU/m) 1/2 . Du fait de ce différentiel de vitesse, les gouttelettes sont alors pulvérisées en vol par les ions rapides, créant ainsi des centres de diffusion pour les ions qui les percutent. Par conséquent, l’angle d’ouverture de la plume est élargi. En conséquence, la directivité et l'amplitude du vecteur de poussée se trouvent réduites, conduisant à une perte d’efficacité du propulseur et à un gaspillage du liquide conducteur en tant que carburant. Enfin, la pulvérisation en vol des gouttelettes est par ailleurs une importante source de pollution pour le moteur du générateur et son environnement, du fait de la redéposition de matière ionisée, communément dénommé sous le terme de « backsputtering », qui peut conduire à une défaillance par la métallisation de surface d’isolants électriques. Le mode de fonctionnement à très fort courant (> 100 µA par émetteur), appelé mode "dégradé", permet d'atteindre des valeurs de poussée maximale. Cependant, le fonctionnement avec l’apparition de gouttelettes est un régime à éviter pour des raisons détaillées ci-dessus. Un but de la présente invention est de proposer un dispositif et un procédé pour l’émission stimulée, sélective et réversible de particules chargées. Il est notamment un but de la présente invention de proposer un dispositif et un procédé pour l’émission stimulée, sélective et réversible d’ions simples ou moléculaires rapides ou de gouttelettes chargées, encore appelé amas chargés, de masse variable, tout en interdisant le mélange des deux types de particules chargées. Au moins un de ces buts est atteint avec un dispositif de génération de particules chargées, le dispositif comprenant : au moins un module d’émission comprenant une électrode d’émission et un liquide conducteur déposé sur l’électrode d’émission, une électrode d’extraction agencée en vis-à-vis de l’au moins un module d’émission, et au moins un générateur électrique haute tension configuré pour appliquer un potentiel d’émission à l’électrode d’émission adapté pour appliquer un champ électrique au liquide conducteur, le dispositif étant caractérisé en ce qu’il comprend un modulateur haute fréquence pouvant être connecté au circuit d’alimentation du dispositif et configuré pour moduler à haute fréquence le champ électrique lorsqu’il est connecté, chaque module d’émission étant configuré pour émettre un faisceau de particules chargées lorsqu’un champ électrique est appliqué au liquide conducteur, le dispositif étant configuré pour fonctionner en un premier mode, dit mode purement ionique, dans lequel le potentiel d’émission est égal ou supérieur à un potentiel d’émission seuil nécessaire pour la formation d’un cône de Taylor et inférieur à un potentiel d’émission limite, le modulateur haute fréquence est déconnecté du circuit d’alimentation du dispositif et l’au moins un module d’émission émet un faisceau d’ions purs, et en un deuxième mode, dit mode gouttelettes, dans lequel le potentiel d’émission est égal ou supérieur à un potentiel d’émission limite, le modulateur haute fréquence est connecté au circuit d’alimentation du dispositif et l’au moins un module d’émission émet un faisceau d’amas chargés, le potentiel d’émission limite étant défini en fonction de la tension de surface du liquide conducteur de sorte que l’apex du cône de Taylor est soumis à une rupture pour le potentiel d’émission limite. Le dispositif de génération de particules chargées selon la présente invention propose une configuration permettant d’opérer le dispositif dans un premier mode de fonctionnement et un deuxième mode de fonctionnement. Plus particulièrement, l'architecture de génération du potentiel électrique appliqué au module d’émission, comprenant une pointe unique ou un ensemble de pointes sur lesquelles le liquide conducteur est déposé, permet de basculer du premier mode de fonctionnement au deuxième mode de fonctionnement, et vice versa. Le basculement est réalisé grâce à la connexion ou la déconnexion d’un circuit électrique supplémentaire comprenant un modulateur haute fréquence, et l’adaptation de la valeur du courant d’émission. Le deuxième mode de fonctionnement est en conséquence activable et désactivable à la demande. Dans le premier mode de fonctionnement, correspondant à l’opération classique des générateurs d’ions, un champ électrique constant est appliqué à la surface du liquide conducteur, permettant la formation du cône de Taylor. Pour la formation du cône de Taylor, le potentiel d’émission appliqué doit être égal ou supérieur au potentiel d’émission seuil. Sous l'effet du champ électrique intense présent à l’apex du cône de Taylor, l’apex émet un jet d'ions libres. Il s’agit d’un faisceau d’ions purs. Pour obtenir ce régime, le potentiel d’émission assurant la formation du cône de Taylor est inférieur à un potentiel limite, le courant d’émission étant également inférieur à un courant d’émission limite. Dans le deuxième mode de fonctionnement, selon l’invention, la valeur du champ électrique créant la structure conique est modulée à haute fréquence (> MHz). Pour cela, grâce au modulateur haute fréquence, le potentiel d’émission est modulé périodiquement autour de sa limite de stabilité. Cette modulation entraine des ruptures et reconstructions de l'apex ou jet terminal du cône de Taylor. Une fois une gouttelette émise, celle-ci fait écran au champ électrique appliqué à l’émetteur, cet effet d’écran diminuant lorsque la gouttelette s’éloigne de l’émetteur. L’apex du cône de Taylor se reforme après la rupture, et sera complétement reformé lorsque la valeur du champ électrique aura retrouvée celle d’avant la rupture. Une nouvelle rupture a alors lieu ainsi qu’une nouvelle reconstruction, et ainsi de suite. L’apex du cône de Taylor est donc soumis à une série de ruptures et de reconstructions à haute fréquence lorsque le potentiel d’émission est égal ou supérieur au potentiel d’émission limite et le champ électrique appliqué au liquide conducteur modulé. Pendant les phases de reconstruction de l’apex, aucune émission d’ions simples ou moléculaires ne peut être établie. La formation de gouttelettes ou d'amas ou d’agrégats chargés est alors stimulée. Les dimensions de ces gouttelettes correspondent à celle de l’apex du cône. Les gouttelettes sont constituées, en fonction de la tension appliquée et donc du courant d’émission, de plusieurs dizaines à plusieurs milliers d’atomes ou de molécules. Dans le faisceau émis se trouvent uniquement des gouttelettes ou amas chargés, également dénommés « clusters », mais pas d’ions. Pour obtenir ce régime, le potentiel d’émission est supérieur à un potentiel limite, le courant d’émission étant également supérieur à un courant d’émission limite. Le potentiel d’émission limite est défini en fonction de la tension de surface du liquide conducteur utilisé dans le dispositif. Le potentiel d’émission limite correspond au potentiel d’émission pour lequel l’apex du cône de Taylor est soumis à une rupture. A partir de ce potentiel limite, une émission stable d’ions purs n’est plus possible. En conséquence, le dispositif selon l’invention permet la génération soit d’un faisceau d’ions purs, soit d’un faisceau d’amas chargés. Ces deux types de particules chargées ne sont pas mélangés dans un même faisceau. Les problèmes de directivité réduite d’un faisceau mélangeant les ceux types de particules chargées peuvent être évités. Le générateur selon la présente invention peut permettre de disposer, dans un même dispositif, d’un émetteur d'ions rapides ayant un régime de forte impulsion spécifique (ISP), et d’un émetteur de gouttelettes chargées ayant un régime d’ISP plus faible mais avec une quantité de mouvement éjectée plus forte. Le générateur de particules chargées de l’invention peut être avantageusement mis en œuvre en tant que propulseur ionique, ou spatial, par exemple dans un satellite. Le mode de forte ISP est un mode de faible consommation en carburant (liquide conducteur) conduisant à une autonomie maximale, par exemple pour le maintien à poste d'un satellite. Dans ce mode ou régime purement ionique, la valeur de l'ISP peut être très grande (par exemple, > 8000s), favorisant l'efficacité propulsive. La poussée dans ce mode est faible. Aussi, la divergence du faisceau d’ions est réduite par rapport à un faisceau mélangeant ions purs et amas chargés, ce qui améliore l’efficacité propulsive ainsi que la directivité du vecteur poussée. Le mode de faible ISP, la valeur de l'ISP est réduite par rapport au mode purement ionique. La valeur de l’ISP peut être optimisée pour ne pas descendre en dessous d’une certaine valeur (par exemple, 3000s). La poussée augmente très fortement par rapport au mode purement ionique, dû au fait que la masse de matière éjectée est plus importante dans les amas chargés. Si les gouttelettes chargées dans un faisceau d’ions sont un régime de fonctionnement à éviter, le dispositif selon l’invention permet une émission stimulée et sélective de l’un ou de l’autre type de particules chargées. Dans le présent document, le terme « dispositif de génération de particules chargées » désigne un dispositif de génération d’ions simples, d’ions moléculaires, d’amas chargés, appelés aussi gouttelettes chargées. Le terme « circuit d’alimentation du dispositif » désigne tout composant permettant la mise sous tension, ou l’alimentation, du dispositif. Il comprend notamment l’au moins générateur électrique haute tension ainsi que les électrodes d’émission et d’extraction. On doit comprendre au sens large l’expression « un liquide conducteur déposé sur l’électrode d’émission ». En particulier, le liquide conducteur ne couvre pas seulement l’électrode d’émission comme une nappe. Le liquide conducteur peut également être fourni ou acheminé par l’intérieur de l’électrode, par exemple, par un capillaire dans des pointes d’émission ou par une structure poreuse de pointes. Le liquide conducteur est dans tous les cas déposé sur un ou plusieurs sites d’émission depuis lesquels le faisceau d’ions simples, d’ions moléculaires ou de gouttelettes est émis. Avantageusement, le dispositif selon l’invention peut comprendre un générateur électrique haute tension lié à l’électrode d’émission fonctionnant en tant que générateur de courant. Un générateur haute tension opéré en mode « source de courant » est particulièrement adapté pour délivrer rapidement un flux de particules chargées souhaité. Selon un mode de réalisation, le dispositif peut comprendre en outre un deuxième générateur électrique haute tension lié à l’électrode d’extraction. Un générateur haute tension opéré en mode « source de tension » est adapté pour délivrer une tension de sortie stable et d’en minimiser les variations. Préférentiellement, le modulateur haute fréquence peut comprendre une diode à avalanche, la diode à avalanche étant déconnectée dans le mode purement ionique et connectée dans le mode gouttelettes. L’orientation de la diode dépend de la polarisation entre les électrodes et du type de particules chargées. Une diode à avalanche est configurée pour écrêter un signal très rapidement et permet ainsi d’éviter la propagation de parasites et de surtensions destructrices. Une diode à avalanche est typiquement constituée d’une pastille de silicium et d’une jonction PIN. Ces diodes sont conçues pour fonctionner en régime d’avalanche avec un temps d’écrêtage très faible, de l’ordre de la picoseconde. Les diodes à avalanche ont également une très faible résistance dynamique entraînant un très bon facteur d’écrêtage. La diode à avalanche peut être montée en série avec le générateur de courant ou avec l’électrode d’extraction. Alternativement, le modulateur haute fréquence peut comprendre deux diodes à avalanche, l’une des diodes à avalanche étant montée en série avec le générateur de courant et l’autre des diodes à avalanche étant montée en série avec le deuxième générateur électrique haute tension. Deux diodes à avalanche permettent d’assurer une redondance pour le modulateur haute fréquence. Selon un mode de réalisation, le dispositif peut comprendre en outre au moins une résistance montée en série avec la ou les diodes à avalanche et configurée pour limiter le courant circulant dans la ou les diodes à avalanche. Le liquide conducteur peut comprendre l’un d’un liquide ionique, d’un liquide rendu conducteur et d’un métal liquide ou fondu. Le liquide ionique peut comprendre l’un parmi un sel d’onium, de phosphate, d’ammonium, de sulfate, de chlorure, de bromure, de tétrafluoroborate, d’hexafluorophosphate. Les liquides ioniques sont particulièrement aptes à générer des ions moléculaires chargés positivement ou négativement selon le signe de la tension appliquée aux électrodes. Le métal liquide ou fondu peut comprendre l’un parmi le gallium, l’indium, l’or, un métal alcalin, un alliage alcalin. Le liquide rendu conducteur peut comprendre un liquide de type glycérol rendu conducteur. Selon un autre aspect de la même invention, il est proposé un procédé de génération d’ions mis en œuvre dans un dispositif de génération de particules chargées, le dispositif comprenant au moins un module d’émission comprenant une électrode d’émission et un liquide conducteur déposé sur l’électrode d’émission, une électrode d’extraction agencée en vis-à-vis de l’au moins un module d’émission, au moins un générateur électrique haute tension configuré pour appliquer un potentiel d’émission à l’électrode d’émission adapté pour appliquer un champ électrique au liquide conducteur, et au moins un modulateur haute fréquence pouvant être connecté au circuit d’alimentation du dispositif, chaque module d’émission étant configuré pour émettre un faisceau de particules chargées lorsqu’un champ électrique est appliqué au liquide conducteur, le procédé comprenant les étapes suivantes : réglage d’un courant d’émission d’ions à une première valeur de consigne I c par l’application d’un potentiel d’émission seuil V seuil à l’électrode d’émission au moyen de l’au moins un générateur électrique haute tension, le potentiel d’émission seuil étant nécessaire pour la formation d’un cône de Taylor ; dans un premier mode de fonctionnement, dit mode purement ionique, dans lequel le potentiel d’émission est inférieur à un potentiel d’émission limite, le modulateur haute fréquence est déconnecté au circuit d’alimentation du dispositif et l’au moins un module d’émission émet un faisceau d’ions purs, ajustement du potentiel d’émission pour garder la première valeur de consigne I c constante, dans un deuxième mode de fonctionnement, dit mode gouttelettes, dans lequel le potentiel d’émission est égal ou supérieur à un potentiel d’émission limite, le modulateur haute fréquence est connecté au circuit d’alimentation du dispositif et l’au moins un module d’émission émet un faisceau d’amas chargés, réglage du courant d’émission à une deuxième valeur de consigne I limit à partir de la première valeur de consigne I c , où I c I limit , par l’application d’un potentiel d’émission limite V limit à l’électrode d’émission, le potentiel d’émission limite étant défini en fonction de la tension de surface du liquide conducteur de sorte que le cône de Taylor est soumis à une rupture pour le potentiel d’émission limite, modulation à haute fréquence, au moyen du modulateur haute fréquence, du champ électrique appliqué au liquide conducteur, dans le premier mode, l’au moins un module d’émission émettant un faisceau d’ions purs, et dans le deuxième mode, l’au moins un module d’émission émettant un faisceau d’amas chargés. Pour entrer dans le deuxième mode de fonctionnement, les étapes de réglage du courant d’émission à la deuxième valeur de consigne I limit et de modulation du champ électrique peuvent être amorcées en même temps ou l’une après l’autre. Dans le dernier cas, l’étape de réglage du courant peut être réalisée avant ou après la mise en marche de la modulation. Pour rebasculer du deuxième mode de fonctionnement dans le premier mode de fonctionnement, le courant d’émission est réglé à une valeur inférieure à la deuxième valeur de consigne I limit , tout en restant supérieure ou égale à la première valeur de consigne I c , et la modulation du champ électrique est arrêtée. Il est possible de réaliser ces étapes simultanément ou l’une après l’autre. Dans le dernier cas, on peut soit réduire le courant d’émission en dessous de la valeur limite I limit et puis désactiver le modulateur haute fréquence, soit désactiver le modulateur et puis réduire le courant. Selon un mode de réalisation de l’invention, le procédé peut comprendre en outre, dans le deuxième mode de fonctionnement, une étape de réglage du courant d’émission à une troisième valeur de consigne I c3 , où I limit I c3 , par l’application d’un potentiel d’émission dit gouttelettes V seuil2 à l’électrode d’émission, où V seuil2 > V limit . Selon un exemple, l’étape de réglage du courant d’émission à la première valeur de consigne I c peut être réalisée par l’augmentation progressive de la valeur du potentiel appliqué à l’électrode d’émission de 0 à la valeur de seuil V seuil pour laquelle le courant d’émission I em atteint la première valeur de consigne I c . L’étape de réglage du courant d’émission à la deuxième valeur de consigne I limit peut être réalisée par l’augmentation progressive de la valeur du potentiel appliqué à l’électrode d’émission de V seuil à la valeur limite V limit pour laquelle le courant d’émission atteint la deuxième valeur de consigne I limit . L’étape de réglage du courant d’émission à la troisième valeur de consigne I c3 peut être réalisée par l’augmentation progressive de la valeur du potentiel appliqué à l’électrode d’émission de V limit à la valeur gouttelettes V seuil2 pour laquelle le courant d’émission atteint la troisième valeur de consigne I c3 . Selon un mode de réalisation, le procédé peut comprendre en outre une étape de réglage d’une vitesse d’émission d’ions purs par l’application d’un potentiel d’extraction V ext au liquide conducteur une fois la valeur de consigne I c du courant d’émission atteinte, de sorte à porter le potentiel d’émission V em à une valeur prédéterminée V empr = V seuil + V ext . De manière avantageuse, le dispositif et le procédé selon l’invention peuvent être mis en œuvre dans un satellite, notamment du type CubeSat, dans lequel le faisceau de particules chargées émis par le dispositif est adapté pour procurer une poussée au satellite. Le dispositif et le procédé selon l’invention peuvent également être mis en œuvre dans un système de nanofabrication, configuré pour le transfert et le dépôt de gouttelettes sur une surface d’un objet. Des amas de particules conducteurs peuvent par exemple être déposés à la surface d’un substrat pour fabriquer des structures conductrices. Selon un autre exemple, des espèces chimiques réactives ou non peuvent être créées, transportées et déposées hors équilibre sur une surface d’un échantillon. Aussi, le dispositif et le procédé selon l’invention peuvent être mis en œuvre dans un spectromètre de masse, configuré pour l’accélération de particules chargées. Des gouttelettes chargées de tailles choisies peuvent être produites par ionisation par électrospray (electrospray ionization, ESI, en terminologie anglaise), permettant d’accéder à la masse et à certains éléments de structure de molécules lourdes et polaires par des analyses spectrométriques. Description des figures et modes de réalisation D’autres avantages et caractéristiques apparaîtront à l’examen de la description détaillée d’exemples nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels : FIG. 1 la FIG. 1 est une représentation schématique d’un dispositif de génération de particules chargées selon un mode de réalisation de l’invention, FIG. 2 la FIG. 2 est une représentation schématique d’exemples d’émetteurs pouvant être mis en œuvre dans un dispositif selon l’invention, FIG. 3 la FIG. 3 est une représentation schématique d’un dispositif de génération de particules chargées selon un autre mode de réalisation de l’invention, FIG. 4 la FIG. 4 est une représentation schématique d’un dispositif de génération de particules chargées selon un autre mode de réalisation de l’invention, FIG. 5 la FIG. 5 est une représentation schématique d’un dispositif de génération de particules chargées selon un autre mode de réalisation de l’invention, FIG. 6 la FIG. 6 est une représentation schématique d’un dispositif de génération de particules chargées selon un autre mode de réalisation de l’invention, FIG. 7 la FIG. 7 est un schéma de principe avec une diode à avalanche, FIG. 8 la FIG. 8 est une représentation schématique d’un exemple non-limitatif d’un procédé de génération de particules chargées selon la présente invention, et FIG. 9 la FIG. 9 montre un chronogramme du procédé de génération de particules chargées selon un mode de réalisation de l’invention. Il est bien entendu que les modes de réalisation qui seront décrits dans la suite ne sont nullement limitatifs. On pourra notamment imaginer des variantes de l’invention ne comprenant qu’une sélection de caractéristiques décrites par la suite isolées des autres caractéristiques décrites, si cette sélection de caractéristiques est suffisante pour conférer un avantage technique ou pour différencier l’invention par rapport à l’état de la technique antérieure. Cette sélection comprend au moins une caractéristique de préférence fonctionnelle sans détails structurels, ou avec seulement une partie des détails structurels si cette partie uniquement est suffisante pour conférer un avantage technique ou pour différencier l’invention par rapport à l’état de la technique antérieure. En particulier toutes les variantes et tous les modes de réalisation décrits sont combinables entre eux si rien ne s’oppose à cette combinaison sur le plan technique. Sur les figures, les éléments communs à plusieurs figures conservent la même référence. La FIG. 1 est une représentation schématique d’un exemple de réalisation non-limitatif d’un dispositif de génération de particules chargées pouvant être mis en œuvre dans le cadre de la présente invention. Le dispositif peut notamment être utilisé pour mettre en œuvre le procédé de l’invention. Le dispositif 1, représenté sur la FIG. 1 , est agencé pour produire un faisceau de particules chargées. Le dispositif 1 comprend une unité d’émission 10, comprenant une électrode d’émission 11 et une électrode d’extraction 12. L’électrode d’émission 11 comprend un ou plusieurs émetteurs 14, par exemple en forme de pointes. L’extrémité de l’émetteur 14 est recouvert par un liquide conducteur. Ce liquide conducteur peut être, par exemple, un liquide ionique, un liquide rendu conducteur ou un métal liquide ou fondu. Le liquide ionique peut comprendre, par exemple, un sel d’onium, de phosphate, d’ammonium, de sulfate, de chlorure, de bromure, de tétrafluoroborate, ou d’hexafluorophosphate. Le métal liquide ou fondu peut comprendre, par exemple, du gallium, de l’indium, de l’or, un métal alcalin ou un alliage alcalin. Le liquide rendu conducteur peut comprendre, par exemple, un liquide de type glycérol rendu conducteur. Lorsqu’un champ électrique est généré entre les deux électrodes 11, 12, un champ électrique local très fort (de l’ordre de 10 9 V/m) est généré au niveau de la pointe ou des pointes, ce qui entraîne le liquide conducteur à former un cône de Taylor situé à l’extrémité de la pointe 14. Des ions sont alors émis au sommet de chaque cône. Les particules chargées sont ensuite accélérées à des vitesses élevées de l'ordre de quelques dizaines de kilomètres par seconde par le champ électrique appliqué. Chaque ensemble électrode d’émission 11 – liquide conducteur peut être considéré comme un module d’émission. L’émetteur 14 de l’électrode d’émission 11 et la mise à disposition du liquide conducteur sur ou dans l’émetteur 14 peuvent se présenter sous différentes formes. Des exemples de différents types de pointes d’émission et de dépôt d’un liquide conducteur sur ladite pointe sont représentés sur la FIG. 2 . La FIG. 2 (a) montre une pointe pleine 14 sur laquelle est déposé le liquide conducteur 17. Le liquide conducteur 17 peut être diffusé sur l’électrode d’émission 11 de manière passive à partir d’un réservoir de liquide conducteur. Celui-ci forme alors une nappe de liquide 17 sur la surface supérieure de l’électrode d’émission 11 et notamment la pointe 14 ou l’ensemble des pointes 14. La FIG. 2 (a) montre également, en agrandissement, le cône de Taylor formé à l’extrémité de la pointe 14 par le liquide conducteur 17. L’apex, ou jet, du cône de Taylor est également visible. La FIG. 2 (b) montre une pointe creuse 14’ dotée d’un capillaire 15 à l’intérieur. Le liquide conducteur 17 peut monter à l’extrémité de la pointe 14’ par capillarité à partir d’un réservoir de liquide conducteur. La FIG. 2 (c) montre une pointe 14’’ ayant une structure poreuse. Le matériau poreux est imbibé de liquide conducteur 17. Le matériau poreux peut être un métal poreux tel que du nickel, tungstène, etc. En référence à la FIG. 1 , l’électrode d’extraction 12 peut consister, par exemple, en une plaque métallique agencée en face de l’électrode d’émission 11 et ayant des ouvertures 16 pour laisser passer le flux d’ions ou des particules chargées. Le dispositif 1 tel que représenté sur la FIG. 1 comprend également une première alimentation 20 haute tension pour alimenter l’électrode d’émission 11. La première alimentation 20 est un générateur haute tension fonctionnant en mode source de courant. Ceci signifie que le générateur 20 est adapté pour délivrer un courant constant correspondant à une valeur de consigne et d’en minimiser les variations. Le dispositif 1 comprend également un modulateur haute fréquence (HF) M. Le modulateur HF M peut être connecté à la source de courant 20 ou déconnecté de la source de courant 20. Tel que représenté sur la FIG. 1 , le modulateur M est connecté entre la source de courant 20 et la terre. Le modulateur M est adapté pour moduler à haute fréquence le champ électrique appliqué au liquide conducteur. Lorsque le modulateur HF M est déconnecté de l’alimentation 20, le dispositif 1 peut fonctionner en un premier mode, dit mode purement ionique, dans lequel le potentiel d’émission est inférieur à un potentiel d’émission limite. Le dispositif 1 émet alors un faisceau d’ions purs. Lorsque le modulateur HF M est connecté à l’alimentation 20, le dispositif peut fonctionner en un deuxième mode, dit mode gouttelettes, dans lequel le potentiel d’émission est supérieur à un potentiel d’émission limite. Le dispositif 1 émet alors un faisceau de gouttelettes chargées ou d’amas chargés. Le fonctionnement du dispositif selon l’invention dans le premier et le deuxième mode sera décrit plus en détails ultérieurement. La FIG. 3 est une représentation schématique d’un autre exemple de réalisation non-limitatif d’un dispositif de génération de particules chargées pouvant être mis en œuvre dans le cadre de la présente invention. Le dispositif 2, tel que représenté sur la FIG. 3 , comprend les mêmes éléments que le dispositif 1 selon le mode de réalisation illustré sur la FIG. 1 . Dans le mode de réalisation de la FIG. 3 , le modulateur HF M peut être connecté entre l’électrode d’émission 11 et la première alimentation haute tension 20. En particulier, le modulateur HF M est connecté sur la sortie haute tension du générateur de courant 20. Le modulateur M peut être commandé depuis le contrôleur 24 par un transformateur d’isolement. Le transformateur d’isolement permet d’obtenir une isolation galvanique entre un circuit de commande primaire avec une référence au potentiel de la « terre » et un circuit secondaire référencé à la tension de sortie haute tension du générateur de courant 20. Cette isolation galvanique peut être de plusieurs dizaines de kilovolts. La FIG. 4 est une représentation schématique d’un autre exemple de réalisation non-limitatif d’un dispositif de génération de particules chargées pouvant être mis en œuvre dans le cadre de la présente invention. Le dispositif 3, tel que représenté sur la FIG. 4 , comprend les mêmes éléments que les dispositifs 1 selon les modes de réalisation illustrés sur les Figures 1 et 3. Dans le mode de réalisation de la FIG. 4 , le modulateur HF M peut être connecté entre l’électrode d’extraction 12 et la terre. Les Figures 5 et 6 sont des représentations schématiques d’autres exemples de réalisation non-limitatif d’un dispositif de génération de particules chargées pouvant être mis en œuvre dans le cadre de la présente invention. Le dispositif 4, 5, tel que représenté respectivement sur les Figures 5 et 6, comprend les mêmes éléments que les dispositifs 1, 2, 3 décrits en relation avec les Figures 1, 3 et 4. Le dispositif 4, 5 des Figures 5 et 6 comprend en outre une deuxième alimentation 22 haute tension, pour alimenter l’électrode d’extraction 12. La deuxième alimentation 22 est un générateur haute tension fonctionnant en mode source de tension. Ceci signifie que le générateur 22 est adapté pour délivrer une tension de sortie stable et d’en minimiser les variations. Dans le mode de réalisation de la FIG. 5 , le modulateur HF M peut être connecté entre le générateur haute tension 22 et la terre. Dans le mode de réalisation de la FIG. 6 , le dispositif 5 comprend deux modulateurs HF M1, M2. Le premier modulateur M1 peut être connecté entre l’électrode d’émission 11 et la terre. Le deuxième modulateur M2 peut être connecté entre l’électrode d’extraction 12 et la terre. Dans le dispositif selon les modes de réalisation montrés sur les Figures 1 et 3 à 5, le modulateur haute fréquence comprend de préférence une diode à avalanche. La diode à avalanche M peut être montée en série soit avec le générateur de courant 20, soit avec l’électrode d’extraction 12. Elle peut aussi être montée en série avec le générateur haute tension 22 lorsqu’il est présent. Dans le dispositif selon les modes de réalisation montrés sur la FIG. 6 , le modulateur haute fréquence comprend deux diodes à avalanche. L’une des diodes à avalanche, M1, est montée en série avec le générateur de courant 20, et l’autre des diodes à avalanche, M2, est montée en série avec le deuxième générateur électrique haute tension 22. Bien entendu, d’autres configurations d’une ou deux diodes à avalanche dans le dispositif selon l’invention sont possibles et envisageables. Plus de deux diodes à avalanche peuvent également être prévues. Plusieurs diodes peuvent par exemple être montées en parallèle. La ou les diodes à avalanche peuvent être connectées ou déconnectées à l’aide d’un interrupteur. Le sens de la diode est choisi en fonction de la polarité des électrodes afin de permettre l’émission de particules chargées positivement ou négativement selon le cas. La ou les diodes à avalanche peuvent être montées en série avec au moins une résistance. Cette résistance permet de protéger la ou les diodes à avalanche en limitant le courant circulant dans ces diodes. La FIG. 7 représente un schéma de principe d’une diode à avalanche 40, connectée en série avec une résistance 41 et un interrupteur 42. La diode à avalanche peut être une diode Transil (anciennement marque de la société Thomson) ou diode de suppression de tensions transitoires. Telle que mise en œuvre dans la présente invention, et représentée sur la FIG. 7 , la diode à avalanche 40 est une diode unidirectionnelle, c’est-à-dire, passante dans un sens et écrêteuse dans l'autre sens. Dans l’exemple représenté, la diode 41 est connectée entre un point « bas » qui est le potentiel de référence ou « terre », ou encore « masse », et un point haut qui est le potentiel « 0 Volts » ou référentiel de l’alimentation. Du fait de la présence du circuit, ce potentiel référentiel de l’alimentation est continûment modulé à la valeur d’écrêtage de la diode. Sur la FIG. 7 , la diode 40’ est représentée afin d’illustrer l’autre sens de la diode par rapport à celui de la diode 40. Enfin, le dispositif selon les modes de réalisation représentés sur les Figures 1 et 3 à 6 comprend un contrôleur 24 lié à l’alimentation 20 ou aux alimentations haute tension 20, 22. Le contrôleur 24 permet de contrôler l’alimentation 20 ou les alimentations 20, 22, par exemple, selon un procédé de génération de particules chargées avec ce dispositif dans le cadre de la présente invention. Le contrôleur 24 est configuré pour contrôler l’émission d’ions ou d’amas chargés, comme le flux et la vitesse des particules émises, ainsi que pour surveiller les caractéristiques chimiques du liquide conducteur. Le contrôleur 24 peut comprendre, par exemple, une plateforme embarquée, telle qu’un micro-ordinateur, un circuit électronique numérique et/ou des moyens logiciels. Le contrôleur 24 peut également comprendre un moyen de communication afin de communiquer avec une station de base 30 (par exemple, lorsque le dispositif est mis en œuvre dans un satellite comme propulseur ionique). Les données échangées entre le contrôleur 24 et la station de base 30 peuvent comprendre, par exemple, des consignes (de courant et de potentiel par exemple) ainsi que des mesures. Dans les Figures 1 et 3 à 6, les flèches entre les différents composants désignent la communication de consignes ou mesures entre ces composants. Le dispositif selon l’invention, tel que par exemple représenté sur les Figures 1 et 3 à 6, peut être opéré dans un premier mode de fonctionnement et un deuxième mode de fonctionnement. Dans le premier mode de fonctionnement du dispositif selon l’invention, dit mode purement ionique, le modulateur haute fréquence est déconnecté du circuit d’alimentation du dispositif. Un faisceau d’ions purs est émis, et le potentiel d’émission est inférieur à un potentiel d’émission limite. Dans le deuxième mode de fonctionnement du dispositif selon l’invention, dit mode gouttelettes, le modulateur haute fréquence est connecté au circuit d’alimentation. Un faisceau de gouttelettes, ou d’amas chargés, est émis, et le potentiel d’émission est supérieur au potentiel d’émission limite. Le potentiel d’émission limite V limit est défini en fonction de la tension de surface du liquide conducteur utilisé dans le dispositif. Il s’agit du potentiel d’émission pour lequel l’apex du cône de Taylor est soumis à une rupture. Pour un potentiel d’émission inférieur au potentiel limite V limit , le dispositif émet de manière stable un faisceau d’ions purs, alors que pour un potentiel d’émission supérieur au potentiel limite V limit , le fonctionnement du dispositif devient instable et le faisceau de particules contient non seulement des ions purs, mais également des amas chargés, ou des gouttelettes, ces dernières étant de tailles variables et beaucoup plus lentes que les ions purs. Pour éviter ces instabilités, la valeur du champ électrique appliqué au liquide conducteur et formant le cône de Taylor est modulée à haute fréquence (> MHz). Pour cela, le potentiel d’émission est modulé périodiquement de quelques centaines de volts autour de sa limite de stabilité, donc autour de la valeur limite V limit . Cette modulation entraine des ruptures et reconstructions de l'apex du cône de Taylor, formant ainsi des gouttelettes ou des amas chargés. Ces gouttelettes ou amas émis gardent les dimensions de l’apex, ou jet, du cône de Taylor (de l’ordre de quelques nanomètres par exemple). La FIG. 8 est une représentation schématique d’un exemple de réalisation non-limitatif d’un procédé de génération de particules chargées selon l’invention. Le dispositif selon l’invention, et notamment selon l’un des modes de réalisation représentées sur les Figures 1 et 3 à 6 peut être mis en œuvre dans le procédé selon l’invention. Lors de la mise en fonctionnement du dispositif selon l’invention, à partir de l’arrêt, le dispositif est dans le premier mode de fonctionnement 120, c’est-à-dire, le modulateur haute fréquence est déconnecté et le champ électrique appliqué au liquide conducteur n’est pas modulé. Le procédé, représenté sur la FIG. 8 , comprend une étape 102 de réglage du courant d’émission d’ions à une première valeur de consigne I c . Le courant d’émission correspond aux flux d’ions émis par le ou les émetteurs 14. La valeur de consigne peut être, par exemple, de l’ordre de 50 à 80 µA par pointe ou site émissif. Le réglage du courant d’émission est réalisé par l’application d’une tension d’émission seuil V seuil à l’électrode d’émission 11 au moyen du générateur de courant 20. Grâce au générateur de courant 20, le courant d’ions émis peut être régulé précisément. Cette étape 102 de réglage peut être considérée comme une phase d’activation durant laquelle l’éjection d’ions est amorcée. En appliquant le potentiel d’émission seuil sur l’électrode d’émission, le cône de Taylor nécessaire à l’éjection d’ions est formé. Le flux, ou le nombre d’ions éjectés, est déterminé par la valeur de consigne du courant d’émission, cette valeur de consigne du courant d’émission étant atteinte avec le potentiel d’émission seuil. Pour réaliser l’étape 102 de réglage du courant d’émission, la tension appliquée à l’électrode d’émission V em est augmentée progressivement à partir de 0 V jusqu’à ce que le courant émis par le générateur de courant 20 atteigne sa valeur de consigne I c . Lors d’une étape 104, dans le mode purement ionique, le potentiel d’émission V em est ajusté pour garder la première valeur de consigne I c constante. L’étape 104 d’ajustement peut être réalisée automatiquement grâce à l’asservissement du courant d’émission. Pour ce faire, le dispositif selon l’invention peut comprendre un moyen de mesure du courant d’émission afin de réaliser un asservissement de cette valeur de courant. Le moyen de mesure peut comprendre, par exemple, un micro-ampèremètre placé dans le générateur de courant 20, ou un ampèremètre placé au niveau de l’électrode d’extraction 12. La valeur de V em correspond à la valeur seuil V seuil du potentiel pour lequel une émission stable d’ions purs est obtenue, cette valeur étant caractéristique de chaque dispositif de génération de particules chargées. Cette valeur peut être, par exemple, de l’ordre de 5000 V. A la fin de l’étape 102 de réglage du courant d’émission, ou de l’étape 104 d’ajustement du courant d’émission, le dispositif émet un flux d’ions correspondant à une certaine masse de matière éjectée. Le procédé 100 selon le mode de réalisation représenté sur la FIG. 8 comprend en outre une étape 106 de réglage de la vitesse d’émission. Lors de cette étape 106, une tension d’extraction V ext est appliquée à l’électrode d’extraction 12. La tension d’extraction peut être appliquée, par exemple, au moyen d’un générateur de tension 22 pour des modes de réalisation du dispositif ayant deux alimentations tels que représentés sur les Figures 5 et 6. Ainsi, le potentiel d’émission entre les électrodes 11, 12 est porté à une valeur programmée V empr , de sorte à ce que V empr = V seuil + V ext . Le potentiel programmé V empr peut, par exemple, correspondre à un potentiel faisceau prédéterminé pour lequel la poussée procurée par le faisceau d’ions atteint une valeur demandée. La valeur V empr peut être prédéterminée, par exemple, par calcul du contrôleur 24 embarqué ou par une station de base 30 distante et envoyée au contrôleur 24. Selon un exemple de réalisation, la tension V ext appliquée à l’électrode d’extraction 12 peut être augmentée progressivement à partir de 0V, par exemple, par pas de 50 V. Le signe de la tension V ext est le même que celui de la tension V seuil . L’augmentation de la valeur de la tension V ext à l’électrode d’extraction est régie par une loi variable en fonction du temps, de type asymptotique, ce qui permet de polariser progressivement les surfaces conductrices et d’éviter des phénomènes de décharges ou de claquages électriques. V ext est augmentée jusqu’à ce que le potentiel d’émission atteigne la valeur programmée V empr . Selon d’autres exemples de réalisation, la tension V ext peut être 0, ou encore de signe opposé par rapport à celui de la tension d’émission V em . A la fin de l’étape 106 de réglage de la vitesse d’émission, la valeur du courant d’émission correspond toujours à la valeur de consigne I c . Le dispositif selon l’invention peut être basculé dans le deuxième mode de fonctionnement 121 après l’étape 102 du réglage de la première valeur de consigne I c , après l’étape 104 d’ajustement du potentiel d’émission ou après l’étape 106 du réglage de la vitesse d’émission. Le dispositif ne peut être directement opéré dans le deuxième mode de fonctionnement, c’est-à-dire, directement à partir de l’arrêt, car le premier mode de fonctionnement est nécessaire pour la formation du cône de Taylor. Le basculement du dispositif dans le deuxième mode de fonctionnement est réalisé en connectant le modulateur haute fréquence au circuit d’alimentation, ou de mise sous tension. Comme détaillé ci-dessus, plusieurs endroits pour placer le modulateur sont possibles. Dans le deuxième mode de fonctionnement, le procédé selon l’invention comprend une étape 108 de réglage du courant d’émission à une deuxième valeur de consigne I limit à partir de la première valeur de consigne I c , où I c I limit . Cette deuxième étape 108 de réglage du courant d’émission est réalisée par l’application du potentiel d’émission limite V limit à l’électrode d’émission 11 au moyen du générateur de courant 20. Pour réaliser la deuxième étape 108 de réglage du courant d’émission, la tension appliquée à l’électrode d’émission V em est augmentée progressivement de sa valeur de seuil V seuil à la valeur limite V limit pour laquelle le courant émis par le générateur de courant 20 atteigne sa deuxième valeur de consigne I limit . Le faisceau de particules émises devient alors instable et atteint un régime mixte, dans lequel le faisceau ne contient plus uniquement des ions, mais également des gouttelettes chargées. Une fois la deuxième valeur de consigne du courant d’émission atteinte, lors d’une étape 110 de modulation du procédé 100, le champ électrique appliqué au liquide conducteur est modulé à haute fréquence au moyen du modulateur haute fréquence. Il est également possible d’activer en premier le modulateur et ensuite augmenter le courant d’émission comme décrit. Grâce à la modulation du champ électrique autour de la limite de stabilité du cône de Taylor, la rupture et la reconstruction de l’apex du cône de Taylor est provoquée de manière contrôlée, permettant l’émission d’amas ou de gouttelettes chargées, sans l’émission d’ions. La FIG. 9 illustre un chronogramme du procédé selon un mode de réalisation de l’invention. Le diagramme de la FIG. 9 montre l’évolution du potentiel d’émission (« potentiel pointe ») en fonction du temps (en unités arbitraires). Au départ (temps = 0), le modulateur haute fréquence est désactivé. Les différentes phases du procédé sont les suivantes : (a) polarisation de l'émetteur pour atteindre le potentiel d’émission seuil (temps de 0 à 250), (b) émission d'ions purs pour le potentiel d’émission seuil (temps de 250 à 450), (c) augmentation du potentiel d’émission au potentiel limite V limit pour atteindre le régime mixte d’émission d’ions purs et d’amas chargés (temps de 450 à 500), (d) émission mixte d’ions et d’amas chargés (temps de 500 à 750), (e) modulateur activé : émission d’amas chargés uniquement (temps de 750 à 1050), (f) arrêt du modulateur et diminution du potentiel d’émission à la valeur seuil (temps de 1050 à 1100), (g) émission d’ions purs (temps 1100 à 1300), (h) arrêt du dispositif. Le procédé 100 selon le mode de réalisation représenté sur la FIG. 8 comprend en outre, dans le deuxième mode de fonctionnement, une étape 112 de réglage du courant d’émission à une troisième valeur de consigne I c3 , où I limit I c3 . Cette troisième étape 112 de réglage du courant d’émission est réalisée par l’application d’un potentiel d’émission dit gouttelettes, V seuil2 à l’électrode d’émission, avec V seuil2 > V limit . Le potentiel d’émission est augmenté progressivement de V limit à la valeur « gouttelettes » V seuil2 pour laquelle le courant d’émission atteint sa troisième valeur de consigne I c3 . Cette étape 112 permet d’augmenter le courant d’émission de gouttelettes ou d’amas chargés et de le stabiliser, pour que le dispositif émette un faisceau de gouttelettes stable et régulier. Pour rebasculer du deuxième mode de fonctionnement dans le premier mode de fonctionnement, le courant d’émission est réglé à une valeur inférieure à la deuxième valeur de consigne I limit , et la modulation du champ électrique est arrêtée. Il est possible de réaliser ces étapes simultanément ou l’une après l’autre. Dans le dernier cas, on peut soit réduire le courant d’émission en dessous de la valeur limite I limit (par exemple, Des exemples de mise en œuvre du dispositif et du procédé selon l’invention seront décrites par la suite. Selon un premier exemple, le dispositif et le procédé selon l’invention peuvent être mis en œuvre dans un satellite, notamment du type CubeSat, pour la propulsion ionique. Le faisceau émis par le dispositif est adapté pour procurer une poussée plus ou moins forte au satellite, en fonction du type de faisceau émis (ions purs ou amas chargés). De tel satellites miniaturisés sont notamment utilisés pour la transmission d'informations et l'exploration spatiale. Le dispositif et le procédé selon l’invention peuvent être mis en œuvre pour contrôler la mise en place, l’orientation et la position des satellites. Selon un deuxième exemple, le dispositif et le procédé selon l’invention peuvent être mis en œuvre dans un système de nanofabrication. Avec un tel système, des amas chargés peuvent être transférés et déposés sur une surface d’un objet. Il peut s’agir, par exemple, d’un substrat, sur lequel sont déposés des particules chargées pour fabriquer des structures conductrices. Aussi, des espèces chimiques réactives ou non peuvent être créées, transportées et déposées hors équilibre sur une surface d’un échantillon. A titre d’exemple, un cation moléculaire complexe peut être émis, transporté et déposé hors équilibre électrique, transportant une fonction chimique fluor ou chlore, ou tout autre fonction chimique requise, et déposé localement à une échelle inférieure au micromètre dans un montage miniaturisé de type laboratoire sur puce (« lab -on-chip »). Selon un troisième exemple, le dispositif et le procédé selon l’invention peuvent être mis en œuvre dans un spectromètre de masse. Dans un spectromètre de masse, des gouttelettes ionisées de tailles choisies peuvent être produites par ionisation par électrospray ( electrospray ionization , ESI, en terminologie anglaise) selon le procédé de l’invention et accélérées, permettant d’accéder à la masse et à certains éléments de structure de molécules lourdes et polaires par des analyses spectrométriques. Bien sûr, l’invention n’est pas limitée aux exemples qui viennent d’être décrits et de nombreux aménagements peuvent être apportés à ces exemples sans sortir du cadre de l’invention. Dispositif (1) de génération de particules chargées, le dispositif (1) comprenant : - au moins un module d’émission comprenant une électrode d’émission (11) et un liquide conducteur (17) déposé sur l’électrode d’émission (11), - une électrode d’extraction (12) agencée en vis-à-vis de l’au moins un module d’émission, et - au moins un générateur électrique haute tension (20, 22) configuré pour appliquer un potentiel d’émission à l’électrode d’émission (11) adapté pour appliquer un champ électrique au liquide conducteur (17), le dispositif (1) étant caractérisé en ce qu’il comprend un modulateur haute fréquence (M, M1, M2) pouvant être connecté au circuit d’alimentation du dispositif (1) et configuré pour moduler à haute fréquence le champ électrique lorsqu’il est connecté, chaque module d’émission étant configuré pour émettre un faisceau de particules chargées lorsqu’un champ électrique est appliqué au liquide conducteur (17), le dispositif (1) étant configuré pour fonctionner en un premier mode, dit mode purement ionique, dans lequel le potentiel d’émission est égal ou supérieur à un potentiel d’émission seuil nécessaire pour la formation d’un cône de Taylor et inférieur à un potentiel d’émission limite, le modulateur haute fréquence (M, M1, M2) est déconnecté du circuit d’alimentation du dispositif (1) et l’au moins un module d’émission émet un faisceau d’ions purs, et en un deuxième mode, dit mode gouttelettes, dans lequel le potentiel d’émission est supérieur à un potentiel d’émission limite, le modulateur haute fréquence est connecté au circuit d’alimentation du dispositif (1) et l’au moins un module d’émission émet un faisceau d’amas chargés, le potentiel d’émission limite étant défini en fonction de la tension de surface du liquide conducteur (17) de sorte que l’apex du cône de Taylor est soumis à une rupture pour le potentiel d’émission limite. Dispositif (1) selon la revendication 1, caractérisé en ce qu’il comprend un générateur électrique haute tension lié à l’électrode d’émission fonctionnant en tant que générateur de courant (20). Dispositif (1) selon la revendication 2, caractérisé en ce qu’il comprend en outre un deuxième générateur électrique haute tension (22) lié à l’électrode d’extraction (12). Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 2 et 3, caractérisé en ce que le modulateur haute fréquence (M, M1, M2) comprend une diode à avalanche (40), la diode à avalanche (40) étant déconnectée dans le mode purement ionique et connectée dans le mode gouttelettes. Dispositif (1) selon la revendication 4, caractérisé en ce que la diode à avalanche (40) est montée en série avec le générateur de courant (20) ou avec l’électrode d’extraction (12). Dispositif (1) selon la revendication 3, caractérisé en ce que le modulateur haute fréquence (M, M1, M2) comprend deux diodes à avalanche (40), l’une des diodes à avalanche étant montée en série avec le générateur de courant (20) et l’autre des diodes à avalanche étant montée en série avec le deuxième générateur électrique haute tension (22). Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 4 à 6, caractérisé en ce qu’il comprend en outre au moins une résistance (41) montée en série avec la ou les diodes à avalanche (40) et configurée pour limiter le courant circulant dans la ou les diodes à avalanche (40). Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le liquide conducteur (17) comprend l’un d’un liquide ionique, d’un liquide rendu conducteur et d’un métal liquide ou fondu. Dispositif (1) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le liquide ionique comprend l’un parmi un sel d’onium, de phosphate, d’ammonium, de sulfate, de chlorure, de bromure, de tétrafluoroborate, d’hexafluorophosphate. Dispositif (1) selon la revendication 9, caractérisé en ce que le métal liquide ou fondu comprend l’un parmi le gallium, l’indium, l’or, un métal alcalin, un alliage alcalin. Dispositif (1) selon la revendication 9, caractérisé en ce que le liquide rendu conducteur comprend un liquide de type glycérol rendu conducteur. Procédé (100) de génération de particules chargées mis en œuvre dans un dispositif (1) de génération de particules chargées, le dispositif (1) comprenant au moins un module d’émission comprenant une électrode d’émission (11) et un liquide conducteur (17) déposé sur l’électrode d’émission (11), une électrode d’extraction (12) agencée en vis-à-vis de l’au moins un module d’émission, au moins un générateur électrique haute tension (20, 22) configuré pour appliquer un potentiel d’émission à l’électrode d’émission (11) adapté pour appliquer un champ électrique au liquide conducteur (17), et au moins un modulateur haute fréquence (M, M1, M2) pouvant être connecté au circuit d’alimentation du dispositif (1), chaque module d’émission étant configuré pour émettre un faisceau de particules chargées lorsqu’un champ électrique est appliqué au liquide conducteur (17), le procédé (100) comprenant les étapes suivantes : - réglage (102) d’un courant d’émission d’ions à une première valeur de consigne I c par l’application d’un potentiel d’émission seuil V seuil à l’électrode d’émission (11) au moyen de l’au moins un générateur électrique haute tension (20, 22), le potentiel d’émission seuil étant nécessaire pour la formation d’un cône de Taylor ; - dans un premier mode de fonctionnement (120), dit mode purement ionique, dans lequel le potentiel d’émission est inférieur à un potentiel d’émission limite, le modulateur haute fréquence (M, M1, M2) est déconnecté du circuit d’alimentation du dispositif (1) et l’au moins un module d’émission émet un faisceau d’ions purs, ~ ajustement (104) du potentiel d’émission pour garder la première valeur de consigne I c constante, - dans un deuxième mode de fonctionnement (121), dit mode gouttelettes, dans lequel le potentiel d’émission est supérieur à un potentiel d’émission limite, le modulateur haute fréquence (M, M1, M2) est connecté au circuit d’alimentation du dispositif (1) et l’au moins un module d’émission émet un faisceau d’amas chargés, ~ réglage (108) du courant d’émission à une deuxième valeur de consigne I limit à partir de la première valeur de consigne I c , où I c I limit , par l’application d’un potentiel d’émission limite V limit à l’électrode d’émission (11), le potentiel d’émission limite étant défini en fonction de la tension de surface du liquide conducteur (11) de sorte que le cône de Taylor est soumis à une rupture pour le potentiel d’émission limite, ~ modulation (110) à haute fréquence, au moyen du modulateur haute fréquence (M, M1, M2), du champ électrique appliqué au liquide conducteur (17), dans le premier mode (120), l’au moins un module d’émission émettant un faisceau d’ions purs, et dans le deuxième mode (121), l’au moins un module d’émission émettant un faisceau d’amas chargés. Procédé (100) selon la revendication 12, caractérisé en ce qu’il comprend en outre, dans le deuxième mode de fonctionnement (121), une étape (112) de réglage du courant d’émission à une troisième valeur de consigne I c3 , où I limit I c3 , par l’application d’un potentiel d’émission dit gouttelettes V seuil2 à l’électrode d’émission (11), où V seuil2 > V limit . Procédé (100) selon la revendication 12 ou 13, caractérisé en ce que l’étape (102) de réglage du courant d’émission à la première valeur de consigne I c est réalisée par l’augmentation progressive de la valeur du potentiel appliqué à l’électrode d’émission (11) de 0 à la valeur de seuil V seuil pour laquelle le courant d’émission I em atteint la première valeur de consigne I c . Procédé (100) selon l’une quelconque des revendications 12 à 14, caractérisé en ce que l’étape de réglage (108) du courant d’émission à la deuxième valeur de consigne I limit est réalisée par l’augmentation progressive de la valeur du potentiel appliqué à l’électrode d’émission (11) de V seuil à la valeur limite V limit pour laquelle le courant d’émission atteint la deuxième valeur de consigne I limit . Procédé (100) selon l’une quelconque des revendications 12 à 15, caractérisé en ce que l’étape de réglage (112) du courant d’émission à la troisième valeur de consigne I c3 est réalisée par l’augmentation progressive de la valeur du potentiel appliqué à l’électrode d’émission (11) de V limit à la valeur gouttelettes V seuil2 pour laquelle le courant d’émission atteint la troisième valeur de consigne I c3 . Procédé (100) selon l’une quelconque des revendications 12 à 16, comprenant en outre une étape (106) de réglage d’une vitesse d’émission d’ions purs par l’application d’un potentiel d’extraction V ext au liquide conducteur (17) une fois la valeur de consigne I c du courant d’émission atteinte, de sorte à porter le potentiel d’émission V em à une valeur prédéterminée V empr = V seuil + V ext . Satellite, notamment du type CubeSat, comprenant un dispositif (1) de génération de particules chargées selon l’une quelconque des revendications 1 à 11 et mettant en œuvre un procédé (100) selon l’une quelconque des revendications 12 à 17, le faisceau de particules chargées émis par le dispositif (1) étant adapté pour procurer une poussée au satellite. Système de nanofabrication, comprenant un dispositif (1) de génération de particules chargées selon l’une quelconque des revendications 1 à 11 et mettant en œuvre un procédé (100) selon l’une quelconque des revendications 12 à 17, configuré pour le transfert et le dépôt de particules chargées sur une surface d’un objet. Spectromètre de masse, comprenant un dispositif (1) de génération de particules chargées selon l’une quelconque des revendications 1 à 11 et mettant en œuvre un procédé (100) selon l’une quelconque des revendications 12 à 17, configuré pour l’accélération de particules chargées.