Brevet FR3159867A1 — publié le 20250905

Contrôleur NFC La présente description concerne un contrôleur NFC (140) configuré pour passer d’une modulation de charge active à une modulation de charge passive au moins lorsqu'un indicateur de puissance du signal reçu (RSSI) devient supérieur à un premier seuil de RSSI. Figure pour l'abrégé : Fig. 2 Contrôleur NFC La présente description concerne de façon générale les contrôleurs NFC (de l’anglais « Near Field Communication », communications en champ proche) et leurs procédés de fonctionnement. Les dispositifs NFC sont utilisés dans le monde entier. Ils doivent donc se conformer à diverses normes et situations d'utilisation. Il existe un besoin de proposer des dispositifs NFC comprenant des contrôleurs NFC conformes à un maximum de normes internationales et de situations d'utilisation. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des contrôleurs NFC connus. Un mode de réalisation prévoit un contrôleur NFC configuré pour passer d’une modulation de charge active à une modulation de charge passive au moins lorsqu'un indicateur de puissance du signal reçu devient supérieur à un premier seuil de RSSI. Un mode de réalisation prévoit un contrôleur NFC configuré pour passer d’une modulation de charge active à une modulation de charge passive au moins lorsqu'un niveau de puissance de la batterie est inférieur à un premier seuil de puissance ou lorsqu'une session de charge NFC commence. Un mode de réalisation prévoit un procédé de fonctionnement d'un contrôleur NFC, comprenant l'étape de passage d’une modulation de charge active à une modulation de charge passive au moins lorsqu'un niveau de puissance de la batterie est inférieur à un premier seuil de puissance ou lorsqu'une session de charge NFC commence. Selon un mode de réalisation, le contrôleur passe de la modulation de charge passive à la modulation de charge active lorsqu'un indicateur de puissance du signal reçu devient supérieur à un premier seuil de RSSI. Selon un mode de réalisation, le contrôleur passe de la modulation de charge active à la modulation de charge passive lorsque l'indicateur de puissance du signal reçu devient inférieur à un deuxième seuil de RSSI, le premier seuil de RSSI étant supérieur au deuxième seuil. Selon un mode de réalisation, le contrôleur passe de la modulation de charge passive à la modulation de charge active lorsque le niveau de puissance de la batterie est supérieur à un deuxième seuil de puissance. Selon un mode de réalisation, les premier et deuxième seuils de RSSI sont basés sur le type de modulation. Selon un mode de réalisation, le passage est effectué lorsque le contrôleur est en mode d'émulation de carte. Selon un mode de réalisation, l'indicateur de puissance du signal reçu est filtré ou moyenné. Selon un mode de réalisation, le contrôleur comprend au moins un circuit résistif et, pendant la modulation passive de la charge, ledit circuit résistif est configuré pour adopter une première ou une deuxième valeur de résistance sur la base d’un niveau d’un signal de modulation de charge. Selon un mode de réalisation, le contrôleur comprend au moins un pilote radiofréquence et, pendant la modulation passive de la charge, ledit pilote radiofréquence est configuré pour adopter une troisième ou une quatrième valeur de résistance sur la base du niveau du signal de modulation de charge. Selon un mode de réalisation, ledit au moins un circuit résistif a une pluralité de premières branches en parallèle, reliant chacune une masse à un même premier nœud, chacune des premières branche comprenant un premier commutateur et une résistance ; et - ledit au moins un pilote radiofréquence comprenant une pluralité de deuxièmes branches reliant la masse à un rail de tension de référence, chacune des deuxièmes branches comprenant : un transistor NMOS et un transistor PMOS en série, un nœud de conduction dudit transistor NMOS étant relié à la masse et un nœud de conduction dudit transistor PMOS étant relié au rail de tension de référence, un nœud de conduction commun audit transistor NMOS et audit transistor PMOS étant relié à un deuxième nœud ; un deuxième commutateur configuré pour relier, dans un premier état, un nœud de commande dudit transistor PMOS au rail de tension de référence et, dans un deuxième état, le nœud de commande desdits transistors PMOS et NMOS à un même troisième nœud ; et un troisième commutateur configuré pour relier, dans un premier état, un nœud de commande dudit transistor NMOS à la masse et, dans un deuxième état, le nœud de commande desdits transistors PMOS et NMOS au troisième nœud, le premier état des deuxième et troisième commutateurs se produisant simultanément, et le deuxième état des deuxième et troisième commutateurs se produisant simultanément. Selon un mode de réalisation, les première et deuxième valeurs de résistance correspondent respectivement à un premier nombre de premiers commutateurs des premières branches se trouvant dans un état conducteur et à un deuxième nombre de premiers commutateurs des premières branches se trouvant dans un état conducteur ; les premiers commutateurs du circuit résistif étant commandés sur la base du niveau du signal de modulation de charge, un premier niveau du signal de modulation de charge correspondant audit premier nombre et un deuxième niveau du signal de modulation de charge correspondant audit deuxième nombre. Selon un mode de réalisation, les troisième et quatrième valeurs de résistance correspondent respectivement à des troisième et quatrième nombres des deuxième ou troisième commutateurs des deuxièmes branches qui sont dans le premier état, le premier niveau du signal de modulation de charge correspondant audit troisième nombre et le deuxième niveau du signal de modulation de charge correspondant audit quatrième nombre. Selon un mode de réalisation, pendant la modulation de charge active, le circuit résistif est configuré pour adopter, sur la base d'un niveau d’un signal d'amortissement : une cinquième valeur de résistance adaptée pour abaisser un facteur de qualité d'une antenne couplée au contrôleur : et une sixième valeur de résistance adaptée pour augmenter ledit facteur de qualité ; lesdites cinquième et sixième valeurs de résistance correspondant à un cinquième et un sixième nombre respectif de premiers commutateurs des premières branches qui sont dans un état conducteur. Selon un mode de réalisation, le contrôleur comprend une première unité logique configurée pour exécuter, pendant la modulation active de la charge, une fonction logique ET à partir d'un signal porteur NFC et du signal de modulation de charge, pour générer un signal de commande sur le troisième nœud. Selon un mode de réalisation, le signal de modulation de charge est une sous-porteuse codée par Manchester du signal porteur NFC. Selon un mode de réalisation, les transistors NMOS ou PMOS des deuxièmes branches sont pondérés de façon binaire d'une deuxième branche à l'autre et les résistances des premières branches sont pondérées de façon binaire d'une première branche à l'autre. Selon un mode de réalisation, les premier, deuxième, troisième, quatrième, cinquième et sixième nombres sont codés dans un ou plusieurs registres d'une mémoire non volatile. Selon un mode de réalisation, le contrôleur comprend un premier et un deuxième desdits au moins un circuit résistif, et un premier et un deuxième desdits au moins un pilote radiofréquence ; le contrôleur comprenant une deuxième unité logique configurée pour exécuter, pendant la modulation de charge active, une fonction logique ET à partir du signal porteur NFC inversé et du signal de modulation de charge, pour générer un signal de commande inversé sur le troisième nœud relié au deuxième pilote radiofréquence. Un mode de réalisation prévoit un dispositif NFC comprenant : - le contrôleur NFC tel que décrit ci-dessus ; - une antenne ; et - un circuit d'adaptation couplant le contrôleur à l'antenne. Selon un mode de réalisation, le circuit d'adaptation comprend : - un premier et un deuxième nœud d'entrée reliés respectivement aux premier et deuxième circuits résistifs du contrôleur ; - un troisième et un quatrième nœud d'entrée reliés respectivement au premier et au deuxième circuit radiofréquence du contrôleur ; - un premier et un deuxième nœud de sortie reliés à l'antenne ; - une première et une deuxième capacité couplant respectivement le premier nœud d'entrée au premier nœud de sortie et le deuxième nœud d'entrée au deuxième nœud de sortie ; - une troisième capacité couplant le premier nœud de sortie au deuxième nœud de sortie ; - une résistance reliant le premier nœud de sortie au deuxième nœud de sortie ; - une première et une deuxième inductance couplant respectivement le premier pilote radiofréquence à un quatrième nœud et le deuxième pilote radiofréquence à un cinquième nœud ; - une quatrième et une cinquième capacité couplant respectivement le quatrième nœud et le cinquième nœud à la masse ; - une sixième et une septième capacité couplant respectivement le quatrième nœud au premier nœud de sortie et le cinquième nœud au deuxième nœud de sortie. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 représente une vue très schématique d'un système NFC auquel s'appliquent les modes de réalisation ; la FIG. 2 représente schématiquement des circuits du système NFC selon un mode de réalisation ; la FIG. 3 représente schématiquement des circuits du système NFC selon un mode de réalisation ; la FIG. 4 représente schématiquement un circuit de la FIG. 2 selon un mode de réalisation ; la FIG. 5 représente schématiquement un circuit de la FIG. 3 selon un mode de réalisation ; la FIG. 6 est un chronogramme du fonctionnement des circuits de la FIG. 3 ; la FIG. 7 est un autre chronogramme de fonctionnement d'un circuit de la FIG. 3 ; et la FIG. 8 est un autre chronogramme de fonctionnement d'un circuit de la FIG. 3 . De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. La FIG. 1 représente une vue très schématique d'un système NFC 100. Le système NFC 100 comprend un premier dispositif NFC 110 qui peut communiquer avec un deuxième dispositif NFC 160. Les systèmes NFC ou, en d'autres termes, les systèmes de communication en champ proche utilisent un champ électromagnétique radiofréquence généré par le deuxième dispositif (terminal ou lecteur) 160 pour communiquer avec l'autre dispositif (carte) 110. Le même dispositif peut, notamment s’agissant de téléphones mobiles, fonctionner en mode lecteur en générant un champ destiné à un autre dispositif, ou en mode carte en captant un champ généré par un autre dispositif. Cette technologie concerne l'établissement de communications à très courte distance (moins de dix centimètres) entre deux dispositifs. Cette technologie NFC permet également à un dispositif NFC de recharger un ou plusieurs autres dispositifs NFC placés à proximité. Dans la présente description, on considère le cas d'un système dans lequel les dispositifs NFC sont compatibles avec la technologie NFC conformément au Forum NFC. Dans l'exemple de la FIG. 1 , le dispositif NFC 110 comprend un circuit d'adaptation 130 (MATCHING CIRCUIT) couplant une antenne 120 (ANTENNA) à un contrôleur NFC 140 (NFC CONTROLLER). Le contrôleur NFC 140 est par exemple relié en outre à une mémoire 150 (MEM), par exemple une mémoire non volatile, par l’intermédiaire d’un bus de communication 142. La mémoire comprend par exemple des registres pour stocker les configurations du contrôleur NFC 140. Le dispositif NFC 110 est par exemple un téléphone ou un téléphone intelligent, smartphone, émulé en mode carte ou une carte avec une batterie 170 reliée au contrôleur NFC 140. Dans un exemple, le dispositif NFC 110 est compatible avec la norme ISO 14443A/B et/ou FeliCA également connue sous le nom JIS.X.6319-4. Cela permet d'échanger des informations entre le lecteur sans contact et des éléments sécurisés situés dans le dispositif NFC 110 par exemple. De nombreuses applications sont ainsi possibles, telles que la billetterie mobile pour les transports publics (le téléphone mobile servant de titre de transport) ou le paiement mobile (le téléphone mobile servant de carte de paiement). Pendant une transmission d'informations entre un lecteur 160 et un objet en mode d'émulation de carte - ou d'étiquette -, le lecteur génère un champ magnétique par l’intermédiaire de son antenne, qui est généralement une onde sinusoïdale à 13,56 MHz dans les normes utilisées classiquement. Deux modes de fonctionnement sont possibles, un mode de modulation passive ou un mode de modulation active. Dans le mode passif, seul le lecteur génère le champ magnétique et l'objet 110, en mode d'émulation de carte (ou d’étiquette), est alors passif et sert de cible. Plus précisément, l'antenne 120 émulant le ticket ou la carte module le champ généré par le lecteur 160. Cette modulation est réalisée en modifiant la charge connectée aux bornes de l'antenne 120 du premier dispositif NFC 110. En modifiant la charge aux bornes de l'antenne 120, l'impédance de sortie de l'antenne du lecteur 160 change à cause du couplage magnétique entre les deux antennes. Il en résulte une modification des amplitudes et/ou des phases des tensions et courants présents dans les antennes du lecteur et de l'objet. Ainsi, de cette façon, les informations à transmettre de l'objet au lecteur sont transmises, par modulation de charge, aux courants d'antenne du lecteur. La variation de charge effectuée dans la modulation de charge se reflète dans une modulation d'amplitude et/ou une modulation de phase du signal (tension ou courant) au niveau de l'antenne du lecteur. Une copie du courant de l'antenne est générée et injectée dans la chaîne de réception du lecteur, où ce courant est démodulé et traité pour extraire les informations transmises. Dans le mode de fonctionnement en modulation active, le lecteur 160 et le premier dispositif NFC 110 en mode d'émulation de carte génèrent tous deux un champ électromagnétique. En général, ce mode de fonctionnement est utilisé lorsque le dispositif NFC 110 dispose de sa propre source d'énergie, par exemple la batterie 170, comme c'est le cas pour un téléphone mobile cellulaire, qui est alors en mode d'émulation de carte. Chacun des dispositifs NFC transmet des données à l'aide d'un schéma de modulation, par exemple un schéma de modulation d'amplitude OOK (de l’anglais « On-Off-keying », par tout ou rien). Dans ce cas, la modulation se traduit par une modification de la charge, et il est alors fait référence à la communication par modulation de charge active. Par rapport à une modulation de charge passive, on obtient de plus grandes distances de fonctionnement, qui peuvent aller jusqu'à 10 cm en fonction du protocole utilisé. De plus, l'utilisation de la modulation de charge active permet d'utiliser de petites antennes. Cependant, ce type de communication par modulation de charge active présente d'autres inconvénients. Il est souhaitable, pendant la communication par modulation de charge active, que le signal émis par le dispositif en mode d’émulation de carte soit en phase, ou en opposition de phase, avec le signal reçu en provenance du lecteur et qu'il ait, au niveau du lecteur et donc également au niveau du dispositif en mode d’émulation de carte, une amplitude de modulation aussi grande que possible en termes de valeur absolue. Un ajustement de phase est généralement nécessaire sur le dispositif en mode d’émulation de carte pendant le développement du dispositif dans un environnement connu, ce qui n'est pas toujours faisable. De plus, en modulation de charge active, un étalonnage est nécessaire pour synchroniser l'oscillateur local de l'émulateur de carte avec le signal du lecteur. Ce processus nécessite plusieurs millisecondes pour être suffisamment précis pour satisfaire aux exigences de dérive de phase de la norme ISO144443, par exemple. Cependant, dans le domaine des transports, l'objet en mode d’émulation de carte doit pouvoir fonctionner avec d'anciens lecteurs aux performances limitées, tels que ceux dont l'architecture de réception n'est qu'à détection d'enveloppe, différente des architectures à deux canaux. De plus, de nombreux lecteurs utilisés pour le contrôle d'accès dans plusieurs pays ne sont pas conformes à toutes les spécifications de la norme ISO144443 et le temps de démarrage dans ces cas peut être réduit jusqu'à 30 µs et permettre les premières commandes par exemple 177 µs après le démarrage de leur champ magnétique radiofréquence. Un exemple de lecteurs à détecteur d'enveloppe sont des lecteurs qui peuvent mettre en œuvre le protocole Felica. Il a été constaté que la distance entre de tels lecteurs à détecteur d'enveloppe et l'objet en mode d'émulation de carte influence l'effet de couplage, en particulier lorsque cette distance est faible, par exemple inférieure à 50 mm, ce qui entraîne un décalage dans le système lecteur-objet et introduit donc un déphasage entre le signal reçu par le lecteur et le signal transmis par l'objet ou vice-versa. Ce déphasage peut être dans l'une ou l'autre direction en fonction de la situation d'utilisation et devient suffisamment important pour être incompatible avec certaines normes. Il est donc nécessaire de trouver une solution pour pallier ce déphasage lorsque les distances entre le lecteur 160 et le dispositif en mode carte émulée 110 deviennent inférieures à 50 mm. En outre, la modulation active a besoin de l'alimentation fournie par la batterie 170, ce qui peut entraîner des problèmes de fonctionnement en cas de faible niveau de la batterie. Les modes de réalisation décrits prévoient un contrôleur NFC 140 configuré pour passer d’une modulation de charge active à une modulation de charge passive au moins lorsque le niveau de puissance de la batterie est inférieur à un premier seuil de puissance ou lorsqu'une session de charge NFC commence. Dans un exemple, le contrôleur NFC passe de la modulation de charge passive à la modulation de charge active lorsque le niveau de puissance de la batterie est supérieur à un deuxième seuil de puissance. Ces modes de réalisation permettent de maintenir un état de fonctionnement de base du dispositif 110 même si la batterie est faible. En outre, ils permettent de charger une batterie épuisée en forçant la modulation de charge passive à un niveau de batterie faible et en déclenchant une session de charge sans fil NFC. D'autres modes de réalisation prévoient que le contrôleur passe de la modulation de charge passive à la modulation de charge active lorsque l'indicateur de puissance du signal reçu (RSSI) devient supérieur à un premier seuil de RSSI ou que le contrôleur passe de la modulation de charge active à la modulation de charge passive lorsque l'indicateur de puissance du signal reçu devient inférieur à un deuxième seuil de RSSI, le premier seuil de RSSI étant plus élevé que le deuxième seuil. L'indicateur de puissance du signal reçu est ici utilisé pour évaluer approximativement la distance entre le lecteur et le dispositif NFC 110, et déterminer à quel moment un déphasage pourrait se produire en raison d'un couplage étroit. La modulation de charge passive ayant un temps de réponse beaucoup plus court que la modulation de charge active, elle améliore l'interopérabilité et les performances en raccourcissant le temps de réponse et en empêchant la dégradation de la phase en cas de couplage étroit. Cela crée également une hystérésis pour empêcher un passage parasite entre la modulation de charge passive et le mode de modulation active à cause de variations de l'indicateur de puissance du signal reçu autour du premier ou du deuxième seuil de RSSI. Dans un exemple, les premier et deuxième seuils de RSSI sont basés sur le type de modulation. Dans un autre exemple, le passage est effectué lorsque le contrôleur est en mode d'émulation de carte. Dans un autre cas, l'indicateur de puissance du signal reçu est filtré ou moyenné. Cela permet d'éviter une commutation parasite entre la modulation de charge passive et le mode de modulation active en raison des variations de l'indicateur de puissance du signal reçu. La FIG. 2 représente schématiquement des circuits du système NFC 100 selon un mode de réalisation. Plus précisément, la FIG. 2 représente le contrôleur NFC 140, le circuit d'adaptation 130 et l'antenne 120 du dispositif NFC 110. Le contrôleur NFC 140 représenté permet d’alterner entre la modulation de charge passive et la modulation de charge active. Dans l'antenne représentée, l'antenne 120 couple un nœud Ant1 à un nœud Ant2. Dans l'exemple représenté, le circuit d'adaptation 130 comprend deux nœuds d'entrée NRF01, NRF02, une première capacité Cp couplant le premier nœud de sortie Ant1 au deuxième nœud de sortie Ant2 ; et une résistance Rp reliant le premier nœud de sortie Ant1 au deuxième nœud de sortie Ant2. Dans le circuit d'adaptation 130 représenté, une première et une deuxième inductance Lemi1, Lemi2 couplent respectivement le nœud NRF01 à un nœud Nm4 et le nœud NRF02 à un nœud Nm5 ; une deuxième et une troisième capacité Cemi1, Cemi2 couplent respectivement les nœuds Nm4 et Nm5 à la masse. En outre, une quatrième et une cinquième capacité Cs1, Cs2 couplent respectivement le nœud Nm4 au premier nœud de sortie Ant1 et le nœud Nm5 au deuxième nœud de sortie Ant2. En outre, une capacité Crfi1 et une résistance Rrfi1 sont connectées en série entre un nœud RFI1 et le premier nœud de sortie Ant1. Une autre capacité Crfi2 et une autre résistance Rrfi2 sont connectées en série entre un nœud RFI2 et le deuxième nœud de sortie Ant2. Les nœuds RFI1 et RFI2 sont configurés pour recevoir, en mode d’émulation de carte, le signal envoyé par le lecteur par l’intermédiaire de l'antenne 120 et, en mode lecteur, le signal de modulation de charge généré par l'étiquette ou la carte sans contact couplée à l'antenne 120. Le contrôleur NFC 140 comprend également deux pilotes radiofréquence 220,222. Le signal de modulation de charge est par exemple une sous-porteuse codée par Manchester de la fréquence NFC 13,56 MHz. Dans l'exemple représenté, le pilote radiofréquence 220 relie un nœud NCTRL_SEL1 au nœud NRF01 du circuit d'adaptation 130 et le pilote radiofréquence 222 relie un nœud NCTRL_SEL2 au nœud NRF02 du circuit d'adaptation 130. Les pilotes radiofréquence 220,222 sont en outre configurés pour recevoir n signaux de réglage ENn, le signal de modulation de charge, un signal de sélection SEL, et respectivement un premier et un deuxième signal de commande CTRL, CTRL/. Les premier et deuxième signaux de commande CTRL, CTRL/ sont configurés pour être envoyés respectivement sur le nœud NCTRL_SEL1 et sur le nœud NCTRL_SEL2. Le signal de sélection SEL est également configuré pour être envoyé sur le nœud NCTRL_SEL1 et sur le nœud NCTRL_SEL2. Le signal de sélection SEL et les n signaux de réglage ENn sont par exemple émis par une unité de commande 260 (Control Unit) du contrôleur NFC. Dans l'exemple représenté, le contrôleur NFC comprend une première et une deuxième unité logique 250, 252 configurées pour exécuter, pendant la modulation de charge active, respectivement : une fonction logique ET à partir d'un signal porteur NFC et du signal de modulation de charge pour générer le premier signal de commande CTRL sur le nœud NCTRL_SEL1 ; et une fonction logique ET à partir du signal porteur NFC inversé (c'est-à-dire décalé de 180°) et du signal de modulation de charge, pour générer le deuxième signal de commande CTRL/ sur le nœud NCTRL_SEL2. Pendant la modulation de charge passive, les pilotes radiofréquence 220,222 sont configurés pour adopter une troisième ou une quatrième valeur de résistance sur la base du niveau du signal de modulation de charge. Les n signaux de réglage ENn ainsi que le signal de sélection SEL fixent les troisième et quatrième valeurs. Les n signaux de réglage ENn et le signal de sélection sont par exemple basés sur des bits d'instructions qui sont stockés, au moyen de registres, dans la mémoire 150. Lorsque le signal de modulation de charge correspond à un état non chargé, les pilotes radiofréquence 220,222 sont réglés sur la troisième valeur de résistance et, lorsque le signal de modulation de charge correspond à un état chargé, les pilotes radiofréquence 220,222 sont réglés sur la quatrième valeur de résistance. La quatrième valeur de résistance est par exemple inférieure à un Ohm et la troisième valeur est réglée sur une impédance élevée. Pendant la modulation de charge active, les pilotes radiofréquence 220,222 présentent une valeur de résistance à l’état passant qui est basée sur les signaux ENn. Le signal sur les nœuds NRF01 ou NRF02 est alternativement élevé à une tension de référence VDD, également appelée VDDRF, puis abaissé à la masse en fonction des signaux de commande respectifs CTRL ou CTRL/. La FIG. 3 représente schématiquement des circuits du système NFC 100 selon un mode de réalisation L'exemple de la FIG. 3 comprend le circuit de la FIG. 2 auquel des composants sont ajoutés. Dans l'exemple représenté, le circuit d'adaptation 130 comprend d'autres nœuds d'entrée CDMP1, CDMP2 et une première et une deuxième capacité Ccdmp1, Ccdmp2 couplant respectivement le nœud CDMP1 au premier nœud de sortie Ant1 et le nœud d'entrée CDMP2 au deuxième nœud de sortie Ant2. Le contrôleur NFC 140 comprend également deux circuits résistifs 210,212 (RCDMP1, RCDMP2) reliant la masse respectivement au nœud CDMP1 et au nœud CDMP2. Les circuits résistifs 210,212 sont configurés pour recevoir chacun des signaux de configuration de la résistance (EN_CDMP), un signal de modulation de charge (Load_modulation_signal) et un signal de commande d'amortissement (Damping_control). Des première et deuxième valeurs de résistance des circuits résistifs 210,212 sont par exemple définies par les signaux de configuration de la résistance (EN_CDMP). Les première et deuxième valeurs de résistance sont par exemple codées et stockées, au moyen de registres, dans la mémoire 150. Dans un exemple, pendant la modulation de charge passive, la valeur de résistance des circuits résistifs 210,212 bascule entre la première et la deuxième valeur de résistance en fonction du niveau du signal de modulation de charge. La deuxième valeur de résistance est par exemple inférieure à un Ohm et la première valeur est réglée sur une impédance élevée. Dans un exemple, lorsque le signal de modulation de charge correspond à un état non chargé, les circuits résistifs 210,212 sont réglés sur la première valeur de résistance et, lorsque le signal de modulation de charge correspond à un état chargé, les circuits résistifs 210,212 sont réglés sur la deuxième valeur de résistance. Dans un autre exemple, pendant la modulation de charge active, la valeur de résistance des circuits résistifs 210,212 bascule entre une cinquième et une sixième valeur de résistance (égale ou différente des première et deuxième valeurs de résistance) en fonction du signal de commande d'amortissement. Dans cet exemple, la cinquième valeur de résistance est par exemple fixée suffisamment élevée pour diminuer le facteur de qualité de l'antenne 120 et donc amortir un signal de modulation de charge active permettant la resynchronisation d'une boucle à verrouillage de phase interne avec le signal du lecteur 160. La sixième valeur de résistance est par exemple suffisamment faible pour garantir un facteur de haute qualité de l'antenne 120 pendant la resynchronisation avec le signal du lecteur et la transmission de la modulation de charge active. L'exemple de la FIG. 3 offre un moyen supplémentaire de réaliser une modulation de charge passive soit en commutant entre deux valeurs de résistance prédéfinies des pilotes 220,222, comme dans la FIG. 2 , et/ou en commutant entre deux valeurs de résistance prédéfinies des circuits résistifs 210,212. La FIG. 4 représente schématiquement un circuit de la FIG. 2 ou 3 selon un mode de réalisation. Plus précisément, la FIG. 4 représente des exemples de pilotes radiofréquence 220,222. Les pilotes radiofréquence 220,222 de la FIG. 3 comprennent par exemple N (N étant un nombre entier) branches 312...312n reliant la masse à un rail de tension de référence VDD. Chacune des branches 312...312n comprend un transistor NMOS N1...Nn et un transistor PMOS P1...Pn en série. Un nœud de conduction du transistor NMOS est relié à la masse et un nœud de conduction du transistor PMOS est relié au rail de tension VDD. Un nœud de conduction NC1...NCn, qui est commun au transistor NMOS et au transistor PMOS de la branche respective, est relié au nœud NRFO1 (respectivement NRF02 pour le deuxième pilote radiofréquence 222). Dans un exemple, les transistors PMOS et NMOS ont une taille différente d'une branche à l'autre. Par exemple, leur résistance à l’état passant est pondérée de façon binaire, c'est-à-dire qu'elle est deux fois plus élevée que celle de la branche précédente. Chacune des branches 312...312n comprend en outre un commutateur 302...302n et un autre commutateur 304...304n. Le commutateur 302...302n, de chaque branche respective, relie, dans un premier état, le nœud de commande du transistor PMOS P1...Pn au rail de tension VDD et, dans un deuxième état, le nœud de commande des transistors PMOS et NMOS N1...Nn au nœud NCTRL_SEL1 (respectivement NCTRL_SEL2 pour le pilote radiofréquence 222). Le commutateur 304...304n, de chaque branche respective, relie, dans un premier état, le nœud de commande du transistor NMOS à la masse et, dans un deuxième état, le nœud de commande des transistors PMOS et NMOS au nœud NCTRL_SEL1 (respectivement NCTRL_SEL2). Dans un exemple, le premier état des commutateurs 302...302n et des commutateurs 304...304n se produit simultanément et le deuxième état des commutateurs 302...302n et d'un autre commutateur 304...304n se produit simultanément. Les premier et deuxième états sont commandés par les signaux respectifs EN1...ENn. Pendant la modulation de charge passive, le signal de sélection SEL est connecté aux nœuds de commande des transistors NMOS et PMOS de toutes les branches 312...312n. Si le signal SEL est similaire à VDD (ou VDDRF), l'impédance des transistors PMOS est alors élevée et les transistors NMOS sont rendus passants, c'est-à-dire qu'ils sont dans un état conducteur. Les transistors NMOS sont donc sélectionnés. Si le signal SEL est similaire à la masse, les transistors PMOS sont sélectionnés. En d'autres termes, le signal SEL sélectionne soit les lignes NMOS, soit les lignes PMOS. Le signal SEL dépend par exemple d'un bit stocké dans la mémoire 150. D'autre part, lorsque les signaux En1...ENn placent les commutateurs 302...302n et 304...304n dans leur premier état, ils bloquent les transistors P1...P1n et N1...N1n, c'est-à-dire qu'ils désactivent la branche respective qui devient non conductrice. Les signaux En1...ENn sélectionnent quelles branches parmi les branches 312...312n sont sélectionnées. En fonction du nombre de branches sélectionnées, la résistance des pilotes radiofréquence 220,222 peut être modifiée. Les première et deuxième résistances peuvent être ainsi prédéfinies et codées sur N bits (par exemple N=8 bits). Dans un exemple, le code 0xFF signifie que les branches sont passantes ce qui correspondrait à l'état chargé et le code 0x00 signifie que toutes les branches sont déconnectées ce qui place les pilotes radiofréquence 220,222 dans un état de haute impédance ce qui correspondrait à l'état déchargé. Les bits de configuration correspondant aux résistances données sont par exemple stockés dans la mémoire 150. La personne du métier peut choisir d'autres codes pour mettre en œuvre d'autres valeurs de résistance pour les états chargé et non chargé du signal de modulation de charge. Pendant la modulation de charge active, les branches des pilotes 220,222 sont constituées d'étages push-pull (par exemple huit étages si N=8). Chaque étage push-pull est la paire de transistors PMOS et NMOS P1...Pn, N1...N1n de la même branche qui élèvent alternativement la sortie sur le nœud NRF01 (respectivement NRF02) au potentiel VDD (VDDRF) et l’abaissent au potentiel de masse. Les signaux EN1...ENn activent l'étage push-pull qui est éventuellement commandé par le signal CTRL (respectivement CTRL/). Les étages push-pull désactivés sont à haute impédance. L'état de repos des signaux CTRL et CTRL/ peut adopter trois configurations configurables. Ils peuvent être tous les deux à l'état haut, tous les deux à l'état bas ou l'un à l'état haut et l'autre à l'état bas. La FIG. 5 représente schématiquement un circuit de la FIG. 3 selon un mode de réalisation. Plus précisément, la FIG. 5 représente un mode de réalisation des circuits résistifs 210, 212. Dans l'exemple représenté, les circuits résistifs 210, 212 ont N branches 412...412n en parallèle, chacune reliant la masse au nœud CDMP1 (respectivement CDMP2). Chaque branche 412...412n comprend un commutateur 424...424n et une résistance 404...404n qui a par exemple une valeur de résistance pondérée binaire différente d'une branche à l'autre. Les commutateurs 424...424n sont par exemple des transistors. En modulation active, les commutateurs 424...424n sont activés sélectivement, suite à un signal d'amortissement (Damping_control), pour définir au moins deux valeurs de résistances par exemple codées sur N bits. Selon lesquels des commutateurs 424...424n sont à l'état passant (en fonction de la valeur du Nième bit), la résistance du circuit résistif est faible ou, au contraire, à haute impédance. La résistance obtenue est appelée résistance d'amortissement et est utilisée pour diminuer le facteur de qualité de l'antenne 120 et donc amortir un signal de modulation de charge active permettant la resynchronisation d'une boucle à verrouillage de phase interne avec le signal du lecteur 160. Pendant la modulation de charge passive, au moins deux résistances sont par exemple prédéfinies par les signaux de configuration de résistance EN_CDMP. Le signal de modulation de charge permet de basculer entre au moins deux des valeurs de résistance prédéfinies codées sur N bits. Par exemple, si le code est 0x3FF, toutes les branches 412...412n sont dans un état conducteur, ce qui conduit à une valeur de résistance du circuit résistif par exemple aussi basse que 0,3 Ohms utilisée pendant l'état chargé (autrement dit modulé) du signal de modulation de charge. Si le code est 0x000, toutes les branches 412...412n sont dans un état non conducteur, ce qui conduit à une impédance élevée utilisée pendant l'état non chargé (autrement dit non modulé) du signal de modulation de charge. La personne du métier peut choisir quels commutateurs sélectionner pour obtenir différentes valeurs de résistance. La FIG. 6 est un chronogramme du fonctionnement des circuits de la FIG. 3 . Plus précisément, la FIG. 6 représente le signal de modulation de charge en fonction du temps pendant l'émulation d'une carte sans contact conforme au protocole ISO14443-A au débit de base de 106 kbps. Dans l'exemple représenté, entre un instant t1 et un instant t2, puis entre un instant t3 et un instant t4, le signal de modulation de charge, qui est une sous-porteuse codée par Manchester du signal NFC, présente deux fois quatre impulsions entre un état bas et un état haut. L'état haut correspond à un état chargé (ou état modulé) et l'état bas correspond à un état non chargé (ou état non modulé). Pendant cet état chargé, une résistance prédéfinie des circuits résistifs 210,212 ou des pilotes radiofréquence 220,222 est réglée et, pendant l'état non chargé, une autre valeur de résistance prédéfinie est réglée. Cela permet d'effectuer une modulation de charge passive en utilisant les mêmes circuits résistifs et pilotes radiofréquence que pour la modulation de charge active. La FIG. 7 est un autre chronogramme de fonctionnement d'un circuit de la FIG. 3 . Plus précisément, la FIG. 7 représente le signal de modulation de charge en fonction du temps ainsi que le signal CTRL. Dans l'exemple représenté, le signal de modulation de charge est similaire à celui de la FIG. 6 . Le signal CTRL est pulsé à la fréquence porteuse de 13,56 MHz (représentée dans la zone ombrée) pendant les impulsions du signal de modulation de charge, et est désactivé sinon. Les étages push-pull des pilotes radiofréquence 220,222 sont activés lorsque le signal CTRL est à l'état haut afin d'obtenir une modulation de charge active. La FIG. 8 est un autre chronogramme de fonctionnement d'un circuit de la FIG. 3 . Plus précisément, l'exemple de la FIG. 7 représente, pendant la modulation de charge active, le signal du lecteur 160 (ligne 1), l'enveloppe du signal du lecteur de la ligne 1 (ligne 2), le signal entre les nœuds NRF01 et NRF02 (ligne 3), le signal entre les nœuds Ant1 et Ant2 (ligne 4), le signal d'amortissement (ligne 5) et un signal de boucle à verrouillage de phase. Avant un instant t'1, le signal du lecteur commence à être détecté et les signaux des lignes 3, 4, 5 sont à un niveau bas, seul le signal de la boucle à verrouillage de phase est à un niveau haut. A un instant t'1, le signal entre les nœuds NRF01 et NRF02 oscille à la fréquence porteuse pendant la durée d'une impulsion du signal de modulation de charge afin d'obtenir une modulation sur le signal du lecteur jusqu'à un instant t'2. Ce signal de modulation est présent sur les nœuds de sortie d'antenne Ant1, Ant2 avec une forme d'amplitude croissante jusqu'à l'instant t'2. Lorsque le signal entre les nœuds NRF01 et NRF02 est arrêté à l'instant t'2, l'impulsion du signal de commande d'amortissement est activée, ce qui permet d'augmenter la vitesse de décroissance du signal de sortie aux sorties de l'antenne. Sans l'utilisation du signal de commande d'amortissement, la décroissance prendrait plus de temps, comme le montrent les lignes en traits pointillés. Dès que l'impulsion du signal de commande d'amortissement est terminée, le signal de la boucle à verrouillage de phase est ramené à un niveau élevé jusqu'à ce qu'un signal de modulation soit à nouveau activé à un niveau élevé à un instant t'3. Le processus décrit de l'instant t'1 à l'instant t'3 est ensuite répété pour chaque modulation. Dans l'exemple représenté, sept périodes de modulation de sous-porteuse sont appliquées. D'autres aspects de la présente description sont résumés ci-dessous. Selon un exemple 1 d'un premier aspect, un contrôleur NFC 140 est configuré pour passer de la modulation de charge active à la modulation de charge passive lorsqu'un niveau de puissance de la batterie est inférieur à un premier seuil de puissance ou lorsqu'une session de charge NFC commence. Selon un exemple 2 du premier aspect, un procédé de fonctionnement d'un contrôleur NFC (140) comprend l'étape consistant à passer de la modulation de charge active à la modulation de charge passive au moins lorsqu'un niveau de puissance de la batterie est inférieur à un premier seuil de puissance ou lorsqu'une session de charge NFC commence. Exemple 3 : Le contrôleur NFC de l'exemple 1 ou le procédé selon l'exemple 2, dans lequel le contrôleur (140) passe de la modulation de charge passive à la modulation de charge active lorsqu'un indicateur de puissance du signal reçu (RSSI) devient supérieur à un premier seuil de RSSI. Exemple 4 : Le contrôleur NFC ou le procédé selon l'exemple 3, dans lequel le contrôleur passe de la modulation de charge active à la modulation de charge passive lorsque l'indicateur de puissance du signal reçu devient inférieur à un deuxième seuil de RSSI, le premier seuil de RSSI étant supérieur au deuxième seuil. Exemple 5 : Le contrôleur NFC selon l'un quelconque des exemples 1, 3 ou 4, ou le procédé selon l'un quelconque des exemples 2 à 4, dans lequel le contrôleur passe de la modulation de charge passive à la modulation de charge active lorsque le niveau de puissance de la batterie est supérieur à un deuxième seuil de puissance. Exemple 6 : Le contrôleur NFC ou le procédé selon l'un quelconque des exemples 4 ou 5, dans lequel les premier et deuxième seuils de RSSI sont basés sur le type de modulation. Exemple 7 : le contrôleur NFC selon l'un quelconque des exemples 1 ou 3 à 6, ou le procédé selon l'un quelconque des exemples 2 à 6, dans lequel le passage est effectué lorsque le contrôleur est en mode d'émulation de carte. Exemple 8 : Le contrôleur ou le procédé selon l'un quelconque des exemples 3, ou 4 à 7 dans leur dépendance à l'exemple 3, dans lequel l'indicateur d'intensité du signal reçu est filtré ou moyenné. Exemple 9 : Le contrôleur selon l'un quelconque des exemples 1 ou 3 à 8, ou le procédé selon l'un quelconque des exemples 2 à 8, dans lequel le contrôleur (140) comprend au moins un pilote radiofréquence (220,222) et, pendant la modulation de charge passive, ledit pilote radiofréquence est configuré pour adopter une troisième ou une quatrième valeur de résistance sur la base d'un niveau du signal de modulation de charge. Exemple 10 : Le contrôleur ou le procédé selon l'exemple 9, dans lequel le contrôleur (140) comprend au moins un circuit résistif (210,212) et, pendant la modulation de charge passive, ledit circuit résistif est configuré pour adopter une première ou une deuxième valeur de résistance sur la base du niveau du signal de modulation de charge (Load_modulation_signal). Exemple 11 : Le contrôleur ou le procédé selon l'exemple 10, dans lequel ledit au moins un circuit résistif (210) a une pluralité de premières branches (412...412n) en parallèle, reliant chacune la masse (GND) à un même premier nœud (CDMP1), chacune des premières branches comprenant un premier commutateur (424...424n) et une résistance (404...404n) ; et - ledit au moins un pilote radiofréquence (220,222) comprenant une pluralité de deuxièmes branches (312...312n) reliant la masse à un rail de tension de référence (VDD,VDDRF), chacune des deuxièmes branches comprenant : un transistor NMOS et un transistor PMOS (P1...Pn,N1...Nn) en série, un nœud de conduction dudit transistor NMOS étant relié à la masse et un nœud de conduction dudit transistor PMOS étant relié au rail de tension de référence, un nœud de conduction commun audit transistor NMOS et audit transistor PMOS étant relié à un deuxième nœud (NRF01,NRF02) ; un deuxième commutateur (302...302n) configuré pour relier, dans un premier état, un nœud de commande dudit transistor PMOS au rail de tension de référence (VDD) et, dans un deuxième état, le nœud de commande desdits transistors PMOS et NMOS à un même troisième nœud (NCTRL_SEL1) ; et un troisième commutateur (304...304n) configuré pour relier, dans un premier état, un nœud de commande dudit transistor NMOS à la masse et, dans un deuxième état, le nœud de commande desdits transistors PMOS et NMOS au troisième nœud (NCTRL_SEL1), le premier état des deuxième et troisième commutateurs se produisant simultanément, et le deuxième état des deuxième et troisième commutateurs se produisant simultanément. Exemple 12 : Le contrôleur ou le procédé selon l'exemple 11, dans lequel les première et deuxième valeurs de résistance correspondent respectivement à un premier nombre de premiers commutateurs (424...424n) des premières branches (412...412n) se trouvant dans un état conducteur et à un deuxième nombre de premiers commutateurs des premières branches se trouvant dans un état conducteur ; les premiers commutateurs du circuit résistif étant commandés sur la base du niveau du signal de modulation de charge, un premier niveau du signal de modulation de charge correspondant audit premier nombre et un deuxième niveau du signal de modulation de charge correspondant audit deuxième nombre. Exemple 13 : Le contrôleur ou le procédé selon l'un quelconque des exemples 10 à 12, dans lequel les troisième et quatrième valeurs de résistance correspondent respectivement aux troisième et quatrième nombres des deuxièmes ou troisièmes commutateurs des deuxièmes branches qui sont dans le premier état, le premier niveau du signal de modulation de charge correspondant audit troisième nombre et le deuxième niveau du signal de modulation de charge correspondant audit quatrième nombre. Exemple 14 : Le contrôleur ou le procédé selon l'un quelconque des exemples 9 à 13, dans lequel, pendant la modulation de charge active, le circuit résistif est configuré pour adopter, sur la base d'un niveau d’un signal d'amortissement (Damping_control) : une cinquième valeur de résistance adaptée pour abaisser le facteur de qualité d'une antenne (120) couplée au contrôleur ; et une sixième valeur de résistance adaptée pour augmenter ledit facteur de qualité ; lesdites cinquième et sixième valeurs de résistance correspondant à un cinquième et sixième nombre respectif de premiers commutateurs (424...424n) des premières branches qui sont dans un état conducteur. Exemple 15 : Le contrôleur ou le procédé selon l'un quelconque des exemples 10 à 14, dans lequel le contrôleur comprend une première unité logique (250) configurée pour exécuter, pendant la modulation de charge active, une fonction logique ET à partir d'un signal porteur NFC et du signal de modulation de charge, afin de générer un signal de commande (CTRL) sur le troisième nœud (NCTRL_SEL1). Exemple 16 : Le contrôleur ou le procédé selon l'exemple 15, dans lequel le signal de modulation de charge (Load_modulation_signal) est une sous-porteuse codée par Manchester du signal porteur NFC. Exemple 17 : Le contrôleur ou le procédé selon l'un quelconque des exemples 10 à 16, dans lequel les transistors NMOS ou PMOS des deuxièmes branches sont pondérés de façon binaire d'une deuxième branche à l'autre et dans lequel les résistances (404...404n) des premières branches sont pondérées de façon binaire d'une première branche (412...412n) à l'autre. Exemple 18 : Le contrôleur ou le procédé selon l'un quelconque des exemples 14 à 17, dans lequel les premier, deuxième, troisième, quatrième, cinquième et sixième nombres sont codés dans un ou plusieurs registres d'une mémoire non volatile (150). Exemple 19 : Le contrôleur ou le procédé selon l'un quelconque des exemples 10 à 18, dans lequel le contrôleur comprend un premier et un deuxième desdits au moins un circuit résistif (RCDMP1,RCDMP2), et un premier et un deuxième desdits au moins un pilote radiofréquence (220,222) ; le contrôleur comprenant une deuxième unité logique (252) configurée pour exécuter, pendant la modulation de charge active, une fonction logique ET à partir du signal porteur NFC inversé et du signal de modulation de charge, afin de générer un signal de commande inversé (CTRL/) sur le troisième nœud (NCTRL_SEL2) relié au deuxième circuit pilote radiofréquence. Selon un exemple 20, un dispositif NFC (100) comprend : - le contrôleur NFC (140) selon l'un quelconque des exemples 1 ou 3 à 19 ; - une antenne (120) ; et - un circuit d'adaptation (130) reliant le contrôleur (140) à l'antenne (120). Exemple 21 : Le dispositif selon l'exemple 20 dans lequel le circuit d'adaptation comprend : - un premier et un deuxième nœud d'entrée (CDMP1, CDMP2) reliés respectivement au premier et au deuxième circuits résistifs (210, 212) du contrôleur ; - un troisième et un quatrième nœud d'entrée (NRF01, NRF02) reliés respectivement au premier et au deuxième pilote radiofréquence (220,222) du contrôleur ; - un premier et un deuxième nœud de sortie (Ant1,Ant2) reliés à l'antenne (120) ; - une première et une deuxième capacité couplant respectivement le premier nœud d'entrée (CDMP1) au premier nœud de sortie (Ant1) et le deuxième nœud d'entrée (CDMP2) au deuxième nœud de sortie (Ant2) ; - une troisième capacité (Cp) couplant le premier nœud de sortie au deuxième nœud de sortie ; - une résistance (Rp) reliant le premier nœud de sortie (Ant1) au deuxième nœud de sortie (Ant2) ; - une première et une deuxième inductance (Lemi1, Lemi2) couplant respectivement le premier pilote radiofréquence (220) à un quatrième nœud (Nm4) et le deuxième pilote radiofréquence (222) à un cinquième nœud (Nm5) ; - une quatrième et une cinquième capacité (Cemi1,Cemi2) couplant respectivement le quatrième nœud (Nm4) et le cinquième nœud (Nm5) à la masse ; - une sixième et une septième capacité (Cs1,Cs2) couplant respectivement le quatrième nœud (Nm4) au premier nœud de sortie (Ant1) et le cinquième nœud (Nm5) au deuxième nœud de sortie (Ant2). Selon un exemple 22 d'un deuxième aspect, un dispositif NFC (100) comprend : un contrôleur NFC (140) comprenant un premier et un deuxième circuit résistif (210, 212) ; et un circuit d'adaptation (130) reliant le contrôleur (140) à l'antenne (120) et comprenant : - un premier et un deuxième nœud d'entrée (CDMP1,CDMP2) reliés respectivement au premier et au deuxième circuit résistif (210,212) du contrôleur ; - un premier et un deuxième nœud de sortie (Ant1, Ant2) configurés pour être reliés à une antenne ; - une première et une deuxième capacité (Ccdmp1,Ccdmp2) couplant respectivement le premier nœud d'entrée (CDMP1) au premier nœud de sortie (Ant1) et le deuxième nœud d'entrée (CDMP2) au deuxième nœud de sortie (Ant2). Exemple 23 : Le dispositif NFC selon l'exemple 22, dans lequel le contrôleur NFC (140) est configuré pour passer de la modulation de charge active à la modulation de charge passive au moins lorsqu'un niveau de puissance de la batterie est inférieur à un premier seuil de puissance ou lorsqu'une session de charge NFC commence. Exemple 24 : Le dispositif NFC selon l'exemple 22 ou 23, dans lequel le contrôleur (140) passe de la modulation de charge passive à la modulation de charge active lorsqu'un indicateur de puissance du signal reçu (RSSI) devient supérieur à un premier seuil de RSSI. Exemple 25 : Le dispositif NFC selon l'exemple 23 ou 24, dans lequel le contrôleur passe de la modulation de charge active à la modulation de charge passive lorsque l'indicateur de puissance du signal reçu devient inférieur à un deuxième seuil de RSSI, le premier seuil de RSSI étant supérieur au deuxième seuil. Exemple 26 : Le dispositif NFC selon l'un quelconque des exemples 23, 24 ou 25 dans leur dépendance à l'exemple 23, dans lequel le contrôleur passe de la modulation de charge passive à la modulation de charge active lorsque le niveau de puissance de la batterie est supérieur à un deuxième seuil de puissance. Exemple 26 : Le dispositif NFC selon l'exemple 25, dans lequel les premier et deuxième seuils de RSSI sont basés sur le type de modulation. Exemple 27 : Le dispositif NFC selon l'un quelconque des exemples 23 à 26, dans lequel le passage est effectué lorsque le contrôleur est en mode d'émulation de carte. Exemple 28 : Le dispositif NFC selon l'un quelconque des exemples 24 ou 25 à 27 dans leur dépendance à l'exemple 24, dans lequel l'indicateur d'intensité du signal reçu est filtré ou moyenné. Exemple 29 : Le dispositif NFC selon l'un quelconque des exemples 23 à 28, dans lequel, pendant la modulation de charge passive, ledit circuit résistif est configuré pour adopter une première ou une deuxième valeur de résistance sur la base d'un niveau du signal de modulation de charge (Load_modulation_signal). Exemple 30 : Le dispositif NFC selon l'un quelconque des exemples 23 à 29, dans lequel le contrôleur (140) comprend au moins un pilote radiofréquence (220, 222) et, pendant la modulation de charge passive, ledit pilote radiofréquence est configuré pour adopter une troisième ou une quatrième valeur de résistance sur la base du signal de modulation de charge. Exemple 31 : Le dispositif NFC selon l'exemple 30 dans sa dépendance de l'exemple 29, dans lequel ledit circuit résistif (210) a une pluralité de premières branches (412...412n) en parallèle, reliant chacune la masse (GND) au même premier nœud (CDMP1), chacune des premières branches comprenant un premier commutateur (424...424n) et une résistance (404...404n) ; et - ledit au moins un pilote radiofréquence (220,222) comprenant une pluralité de deuxièmes branches (312...312n) reliant la masse à un rail de tension de référence (VDD,VDDRF), chacune des deuxièmes branches comprenant : un transistor NMOS et un transistor PMOS (P1...Pn,N1...Nn) en série, un nœud de conduction dudit transistor NMOS étant relié à la masse et un nœud de conduction dudit transistor PMOS étant relié au rail de tension de référence, un nœud de conduction commun audit transistor NMOS et audit transistor PMOS étant relié à un deuxième nœud (NRF01,NRF02) ; un deuxième commutateur (302...302n) configuré pour relier, dans un premier état, un nœud de commande dudit transistor PMOS au rail de tension de référence (VDD) et, dans un deuxième état, le nœud de commande desdits transistors PMOS et NMOS à un même troisième nœud (NCTRL_SEL1) ; et un troisième commutateur (304...304n) configuré pour relier, dans un premier état, un nœud de commande dudit transistor NMOS à la masse et, dans un deuxième état, le nœud de commande desdits transistors PMOS et NMOS au troisième nœud (NCTRL_SEL1), le premier état des deuxième et troisième commutateurs se produisant simultanément, et le deuxième état des deuxième et troisième commutateurs se produisant simultanément. Exemple 32 : Le dispositif NFC selon l'un quelconque des exemples 29 à 31, dans lequel les première et deuxième valeurs de résistance correspondent respectivement à un premier nombre de premiers commutateurs (424...424n) des premières branches (412...412n) qui sont dans un état conducteur et à un deuxième nombre de premiers commutateurs des premières branches qui sont dans un état conducteur ; les premiers commutateurs du circuit résistif étant commandés sur la base du niveau du signal de modulation de charge, un premier niveau du signal de modulation de charge correspondant audit premier nombre et un deuxième niveau du signal de modulation de charge correspondant audit deuxième nombre. Exemple 33 : Le dispositif NFC selon l'un quelconque des exemples 29 à 32, dans lequel les troisième et quatrième valeurs de résistance correspondent respectivement aux troisième et quatrième nombres des deuxièmes ou troisièmes commutateurs des deuxièmes branches qui sont dans le premier état, le premier niveau du signal de modulation de charge correspondant audit troisième nombre et le deuxième niveau du signal de modulation de charge correspondant audit quatrième nombre. Exemple 34 : Le dispositif NFC selon l'un quelconque des exemples 29 à 33, dans lequel, pendant la modulation de charge active, le circuit résistif est configuré pour adopter, sur la base d'un niveau du signal d'amortissement (Damping_control) : une cinquième valeur de résistance adaptée pour abaisser un facteur de qualité d'une antenne (120) couplée au contrôleur ; et une sixième valeur de résistance adaptée pour augmenter ledit facteur de qualité ; lesdites cinquième et sixième valeurs de résistance correspondant à un cinquième et sixième nombre respectif de premiers commutateurs (424...424n) des premières branches qui sont dans un état conducteur. Exemple 35 : Le dispositif NFC selon l'un quelconque des exemples 29 à 34, dans lequel le contrôleur comprend une première unité logique (250) configurée pour exécuter, pendant la modulation de charge active, une fonction logique ET à partir d'un signal porteur NFC et du signal de modulation de charge, afin de générer un signal de commande (CTRL) sur le troisième nœud (NCTRL_SEL1). Exemple 36 : Le dispositif NFC selon l'exemple 35, dans lequel le signal de modulation de charge (Load_modulation_signal) est une sous-porteuse codée par Manchester du signal porteur NFC. Exemple 37 : Le dispositif NFC selon l'un quelconque des exemples 29 à 36, dans lequel les transistors NMOS ou PMOS des deuxièmes branches sont pondérés de façon binaire d'une deuxième branche à l'autre et dans lequel les résistances (404...404n) des premières branches sont pondérées de façon binaire d'une première branche (412...412n) à l'autre. Exemple 38 : Le dispositif NFC selon l'un quelconque des exemples 33 à 37, dans lequel les premier, deuxième, troisième, quatrième, cinquième et sixième nombres sont codés dans un ou plusieurs registres d'une mémoire non volatile (150). Exemple 39 : Le dispositif NFC selon l'un quelconque des exemples 29 à 38, dans lequel le contrôleur (140) comprend un premier et un deuxième pilote radiofréquence (220,222), et le circuit d'adaptation comprend : - un troisième et un quatrième nœud d'entrée (NRF01,NRF02) reliés respectivement au premier et au deuxième pilote radiofréquence (220,222) du contrôleur ; - une troisième capacité (Cp) couplant le premier nœud de sortie au deuxième nœud de sortie, une résistance (Rp) reliant le premier nœud de sortie (Ant1) au deuxième nœud de sortie (Ant2) ; - une première et une deuxième inductance (Lemi1, Lemi2) couplant respectivement le premier pilote radiofréquence (220) à un quatrième nœud (Nm4) et le deuxième pilote radiofréquence (222) à un cinquième nœud (Nm5) ; - une quatrième et une cinquième capacité (Cemi1, Cemi2) couplant respectivement le quatrième nœud (Nm4) et le cinquième nœud (Nm5) à la masse ; et - une sixième et une septième capacité (Cs1, Cs2) couplant respectivement le quatrième nœud (Nm4) au premier nœud de sortie (Ant1) et le cinquième nœud (Nm5) au deuxième nœud de sortie (Ant2). Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, même si l'exemple de la FIG. 2 décrit deux circuits résistifs et deux pilotes radiofréquence, un contrôleur 140 ayant un circuit résistif et un pilote radiofréquence peut être envisagé. Dans ce cas, les nœuds NRF01 et NRF02 peuvent être connectés ensemble et sont en phase. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. En particulier, pour ce qui est du nombre de valeurs de résistance, la personne du métier peut utiliser ses connaissances pour prédéfinir plus de deux valeurs de résistance différentes possibles pour les circuits résistifs ou pour les pilotes radiofréquence en fonction des besoins de modulations de charge passive ou active. Contrôleur NFC (140) configuré pour passer d’une modulation de charge active à une modulation de charge passive au moins lorsqu'un indicateur de puissance du signal reçu (RSSI) devient supérieur à un premier seuil de RSSI. Procédé de fonctionnement d'un contrôleur NFC (140), comprenant une étape de passage d’une modulation de charge active à une modulation de charge passive au moins lorsqu'un indicateur de puissance du signal reçu (RSSI) devient supérieur à un premier seuil de RSSI. Contrôleur selon la revendication 1 ou procédé selon la revendication 2, dans lequel le contrôleur NFC (140) passe de la modulation de charge active à la modulation de charge passive lorsqu'un niveau de puissance d’une batterie est inférieur à un premier seuil de puissance ou lorsqu'une session de charge NFC commence. Contrôleur selon la revendication 1 ou 3 ou procédé selon la revendication 2 ou 3, dans lequel le contrôleur passe de la modulation de charge active à la modulation de charge passive lorsque l'indicateur de puissance du signal reçu devient inférieur à un deuxième seuil de RSSI, le premier seuil de RSSI étant supérieur au deuxième seuil. Contrôleur ou procédé selon la revendication 3 ou 4 dans sa dépendance à la revendication 3, dans lequel le contrôleur passe de la modulation de charge passive à la modulation de charge active lorsque le niveau de puissance de la batterie est supérieur à un deuxième seuil de puissance. Contrôleur ou procédé selon la revendication 4 ou 5, dans lequel les premier et deuxième seuils de RSSI sont basés sur le type de modulation. Contrôleur selon l’une quelconque des revendication 1 ou 3 à 6 ou procédé selon l’une quelconque des revendication 2 à 6, dans lequel le passage est effectué lorsque le contrôleur est en mode d'émulation de carte. Contrôleur selon l’une quelconque des revendication 1 ou 3 à 7 ou procédé selon l’une quelconque des revendication 2 à 7, dans lequel l'indicateur de puissance du signal reçu est filtré ou moyenné. Contrôleur selon l’une quelconque des revendication 1 ou 3 à 8 ou procédé selon l’une quelconque des revendication 2 à 8, dans lequel le contrôleur (140) comprend au moins un pilote radiofréquence (220,222) et, pendant la modulation passive de la charge, ledit pilote radiofréquence est configuré pour adopter une troisième ou une quatrième valeur de résistance sur la base d’un niveau du signal de modulation de charge. Contrôleur ou procédé selon la revendication 9, dans lequel le contrôleur (140) comprend au moins un circuit résistif (210,212) et, pendant la modulation passive de la charge, ledit circuit résistif est configuré pour adopter une première ou une deuxième valeur de résistance sur la base du niveau du signal de modulation de charge (Load_modulation_signal). Contrôleur ou procédé selon la revendication 10, dans lequel l’au moins un circuit résistif (210) a une pluralité de premières branches (412…412n) en parallèle, reliant chacune la masse (GND) à un même premier nœud (CDMP1), chacune des premières branches comprenant un premier commutateur (424…424n) et une résistance (404…404n) ; et ledit au moins un pilote radiofréquence (220,222) comprenant une pluralité de deuxièmes branches (312…312n) reliant la masse à un rail de tension de référence (VDD,VDDRF), chacune des deuxièmes branches comprenant : un transistor NMOS et un transistor PMOS (P1…Pn,N1…Nn) en série, un nœud de conduction dudit transistor NMOS étant relié à la masse et un nœud de conduction dudit transistor PMOS étant relié au rail de tension de référence, un nœud de conduction commun audit transistor NMOS et audit transistor PMOS étant relié à un deuxième nœud (NRF01,NRF02) ; un deuxième commutateur (302…302n) configuré pour relier, dans un premier état, un nœud de commande dudit transistor PMOS au rail de tension de référence (VDD) et, dans un deuxième état, le nœud de commande desdits transistors PMOS et NMOS à un même troisième nœud (NCTRL_SEL1) ; et un troisième commutateur (304…304n) configuré pour relier, dans un premier état, un nœud de commande dudit transistor NMOS à la masse et, dans un deuxième état, le nœud de commande desdits transistors PMOS et NMOS au troisième nœud (NCTRL_SEL1), le premier état des deuxième et troisième commutateurs se produisant simultanément, et le deuxième état des deuxième et troisième commutateurs se produisant simultanément. Contrôleur ou procédé selon la revendication 11, dans lequel les première et deuxième valeurs de résistance correspondent respectivement à un premier nombre de premiers commutateurs (424…424n) des premières branches (412…412n) se trouvant dans un état conducteur et à un deuxième nombre de premiers commutateurs des premières branches se trouvant dans un état conducteur ; les premiers commutateurs du circuit résistif étant commandés sur la base du niveau du signal de modulation de charge, un premier niveau du signal de modulation de charge correspondant audit premier nombre et un deuxième niveau du signal de modulation de charge correspondant audit deuxième nombre. Contrôleur ou procédé selon l’une quelconque des revendications 11 ou 12, dans lequel les troisième et quatrième valeurs de résistance correspondent respectivement aux troisième et quatrième nombres des deuxième ou troisième commutateurs des deuxièmes branches qui sont dans le premier état, le premier niveau du signal de modulation de charge correspondant audit troisième nombre et le deuxième niveau du signal de modulation de charge correspondant audit quatrième nombre. Contrôleur ou procédé selon l’une quelconque des revendications 11 à 13, dans lequel, pendant la modulation de charge active, le circuit résistif est configuré pour adopter, sur la base d'un niveau d’un signal d'amortissement (Damping_control) : une cinquième valeur de résistance adaptée pour abaisser un facteur de qualité d'une antenne (120) couplée au contrôleur : et une sixième valeur de résistance adaptée pour augmenter ledit facteur de qualité ; lesdites cinquième et sixième valeurs de résistance correspondant à un cinquième et sixième nombre respectif de premiers commutateurs (424…424n) des premières branches qui sont dans un état conducteur. Contrôleur ou procédé selon l’une quelconque des revendications 11 à 14, dans lequel le contrôleur comprend une première unité logique (250) configurée pour exécuter, pendant la modulation active de la charge, une fonction logique ET à partir d'un signal porteur NFC et du signal de modulation de charge, pour générer un signal de commande (CTRL) sur le troisième nœud (NCTRL_SEL1). Contrôleur ou procédé selon la revendication 15, dans lequel le signal de modulation de charge (Load_modulation_signal) est une sous-porteuse du signal porteur NFC codée en Manchester. Contrôleur ou procédé selon l’une quelconque des revendications 11 à 16, dans lequel les transistors NMOS ou PMOS des deuxièmes branches sont pondérés de façon binaire d'une deuxième branche à l'autre et dans lequel les résistances (404…404n) des premières branches sont pondérées de façon binaire d'une première branche (412…412n) à l'autre. Contrôleur ou procédé selon l’une quelconque des revendications 14 à 17, dans lequel les premier, deuxième, troisième, quatrième, cinquième et sixième nombres sont codés dans un ou plusieurs registres d'une mémoire non volatile (150). Contrôleur ou procédé selon l’une quelconque des revendications 11 à 18, dans lequel le contrôleur comprend un premier et un deuxième desdits au moins un circuit résistif (RCDMP1,RCDMP2), et un premier et un deuxième desdits au moins un pilote radiofréquence (220,222) ; le contrôleur comprenant une deuxième unité logique (252) configurée pour exécuter, pendant la modulation de charge active, une fonction logique ET à partir du signal porteur NFC inversé et du signal de modulation de charge, pour générer un signal de commande inversé (CTRL/) sur le troisième nœud (NCTRL_SEL2) relié au deuxième pilote radiofréquence. Dispositif NFC (100) comprenant : - le contrôleur NFC (140) selon l’une quelconque des revendications 1 ou 3 à 19 ; - une antenne (120) ; et - un circuit d'adaptation (130) couplant le contrôleur (140) à l'antenne (120). Dispositif selon la revendication 20 dans sa dépendance à la revendication 19, dans lequel le circuit d'adaptation comprend : - un premier et un deuxième nœud d'entrée (CDMP1,CDMP2) reliés respectivement aux premier et deuxième circuits résistifs (210,212) du contrôleur ; - un troisième et un quatrième nœud d'entrée (NRF01,NRF02) reliés respectivement au premier et au deuxième circuits radiofréquence (220,222) du contrôleur ; - un premier et un deuxième nœud de sortie (Ant1,Ant2) reliés à l'antenne (120) ; - une première et une deuxième capacité (Ccdmp1,Ccdmp2) couplant respectivement le premier nœud d'entrée (CDMP1) au premier nœud de sortie (Ant1) et le deuxième nœud d'entrée (CDMP2) au deuxième nœud de sortie (Ant2) ; - une troisième capacité (Cp) couplant le premier nœud de sortie au deuxième nœud de sortie ; - une résistance (Rp) reliant le premier nœud de sortie (Ant1) au deuxième nœud de sortie (Ant2) ; - une première et une deuxième inductance (Lemi1, Lemi2) couplant respectivement le premier pilote radiofréquence (220) à un quatrième nœud (Nm4) et le deuxième pilote radiofréquence (222) à un cinquième nœud (Nm5) ; - une quatrième et une cinquième capacité (Cemi1,Cemi2) couplant respectivement le quatrième nœud (Nm4) et le cinquième nœud (Nm5) à la masse ; - une sixième et une septième capacités (Cs1,Cs2) couplant respectivement le quatrième nœud (Nm4) au premier nœud de sortie (Ant1) et le cinquième nœud (Nm5) au deuxième nœud de sortie (Ant2).