Brevet FR3159866A1 — publié le 20250905

L’invention concerne un modulateur Delta-Sigma (10a) d’un courant électrique (Idet) reçu sur un nœud de transfert de charges (NT) pendant une durée d’intégration, dans lequel un générateur de phases (12a) est configuré de sorte à obtenir, à chaque activation d’un comparateur (13a), plusieurs cycles d’au moins deux phases : – une première phase de charge d’une charge élémentaire dans un condensateur d’injection (Ci) ; et – une seconde phase de transfert de ladite charge élémentaire depuis le condensateur d’injection (Ci) vers un condensateur de stockage (Cint) ; l’ensemble des charges élémentaires transférées dans le condensateur de stockage (Cint) à chaque cycle formant une quantité de charges prédéterminée. Figure pour l’abrégé : Fig 4 MODULATEUR DELTA-SIGMA ET SYSTEME DE DETECTION DE RAYONNEMENT ELECTROMAGNETIQUE ASSOCIES L’invention concerne un modulateur Delta-Sigma, c’est-à-dire un système configuré pour convertir un signal analogique en signal numérique en utilisant un circuit de transfert de charges basé sur une capacité d’injection. La structure d’un modulateur Delta-Sigma est classiquement conçue pour être intégrée dans une faible surface de silicium, typiquement un pixel d’une matrice. Ainsi, l’invention peut être utilisée pour former un système de détection de rayonnement électromagnétique, permettant par exemple de mesurer l’intensité du courant reçu sur un nœud de transfert de charges. Etat de la technique Pour lire les pixels d’une matrice, il est classique d’intégrer un courant mesuré sur chaque pixel et de stocker le résultat de cette intégration dans une source de stockage analogique, typiquement un condensateur de stockage. Cependant, en raison de la limitation du pas pixel des détecteurs, il peut être difficile, pour certaines applications, d'intégrer un condensateur de stockage permettant de stocker toutes les charges intégrées dans chaque pixel. Pour répondre à ce problème technique, une solution consiste à convertir la charge intégrée en une valeur numérique. Typiquement, cette valeur numérique peut être construite en comptant plusieurs charges prédéterminées dans un condensateur de stockage de sorte que la somme des charges prédéterminées accumulées représente le courant intégré. Pour ce faire, tel qu’illustré sur la FIG. 1 de l’état de la technique, les charges prédéterminées peuvent être accumulées dans un condensateur d’injection Ci et transférées à chaque activation d’un comparateur 13 dans le condensateur de stockage Cint . Par exemple, dans le modulateur Delta-Sigma 100 illustré sur la FIG. 1 de l'état de la technique, le courant Idet reçu sur le nœud de transfert de charges NT est intégré dans le condensateur de stockage Cint . Lorsque le condensateur de stockage Cint n’est pas capable d’intégrer toutes les charges venant du courant Idet , le condensateur de stockage Cint doit être chargé par des charges prédéterminées pour éviter son débordement. Pour ce faire, la tension Vint aux bornes du condensateur de stockage est comparée à une valeur de référence Vth dans le comparateur 13 et, lorsque la tension Vint dépasse la valeur de référence Vth , un transfert de charges prédéterminées est réalisé dans le condensateur de stockage Cint . Pour ce faire, la sortie s du comparateur 13 alimente un générateur de phases 12 , configuré pour générer deux phases PHI1 et PHI2 . Les deux phases alimentent un circuit de charge 14 du condensateur d’injection Ci et un circuit de transfert de charges 15 entre le condensateur d’injection Ci et le condensateur de stockage Cint . Le générateur de phases 12 commande le circuit de charge 14 et le circuit de transfert de charges 15 de sorte à réaliser au moins deux phases à chaque activation, c’est-à-dire lorsque le courant Idet dépasse la valeur seuil : une phase de charge du condensateur d’injection Ci et une phase de transfert des charges du condensateur d’injection Ci dans le condensateur de stockage Cint . Tel qu’illustré sur la FIG. 2 , le condensateur d’injection Ci peut être réalisé à partir d’un transistor de type MOS T2 de la technologie CMOS. En effet, pour obtenir une implantation d’un circuit électronique avec une surface limitée, il est connu d’utiliser la technologie CMOS, pour « Complementary metal-oxide-semiconductor » dans la littérature anglo-saxonne. Ce condensateur d’injection T2 comprend une grille alimentée par une tension de polarisation VBIAS . En outre, le circuit de charge 14 comporte également un transistor T1 dont la grille est alimentée par une tension de polarisation VBIAS1 tandis que les autres bornes, la source et le drain, sont connectées à la phase PHI1 et au condensateur d’injection Ci . Un transistor T3 réalise le circuit de transfert de charges 15 . Ainsi, la grille du transistor T3 est alimentée par la phase PHI2 tandis que les autres bornes, la source et le drain, sont connectées au condensateur d’injection Ci et au nœud de transfert de charges NT . Dans l’exemple de la FIG. 2 , le modulateur Delta-Sigma 101 intègre un générateur de phases 12a configuré pour réaliser un cycle de trois phases à chaque activation, c’est-à-dire lorsque le courant Idet dépasse la valeur seuil. Dans une première phase de précharge, le condensateur d’injection Ci est chargé en plaçant à l’état haut les phases PHI1 et PHI2 . Dans cette première phase, le transistor T1 est passant et le transistor T3 est bloqué, si bien que le condensateur d’injection Ci se charge donc à l’état haut de la phase PHI1 . Dans une deuxième phase de décharge, la phase PHI1 est placée à l’état bas et le condensateur d’injection Ci se décharge jusqu’à ce que la tension aux bornes du condensateur d’injection Ci soit sensiblement égale à VBIAS1 additionné de la tension de seuil du transistor T1 . Dans une troisième phase de transfert, la phase PHI2 est placée à l’état bas et le transistor T3 devient passant, de sorte qu’une charge prédéterminée stockée dans le condensateur d’injection Ci soit transférée dans le condensateur de stockage Cint . Ces trois phases peuvent être renouvelées plusieurs fois au cours de la phase d’intégration, durant laquelle le courant Idet continue à être intégré sur le nœud de transfert de charges NT . À la fin de ce processus d'intégration et des multiples charges prédéterminées transférées, la charge résiduelle sur le nœud de transfert de charges NT peut également être mesurée et associée au nombre de charges prédéterminées transférées dans le condensateur de stockage Cint . Dans l’exemple des figures 1 et 2, le condensateur de stockage Cint est connecté entre le nœud de transfert de charges NT et la masse GND alors que le condensateur d’injection Ci est connecté entre les circuit de charge et de transfert de charges 14 , 15 et une tension de polarisation VBIAS . Ainsi, dans ces exemples, le nœud de transfert de charges NT reçoit également le courant à intégrer et réalise donc la fonction d’un nœud d’intégration. En variante, tel qu’illustré sur la FIG. 3 et décrit dans le brevet US 9,628,105, il est possible de placer le condensateur de stockage Cint entre la tension de polarisation VBIAS et un nœud de transfert de charges NT , recevant également le courant Idet à intégrer. Dans cet exemple, le signal PHI1 commande un interrupteur commandé placé en parallèle du condensateur d’injection Ci de sorte à former le circuit de charge 14 alors que le circuit de transfert de charges 15 est réalisé par un interrupteur commandé par le signal PHI2 , associé à une résistance dynamique 16 . Avec le modulateur Delta-Sigma 102 de la FIG. 3 , le générateur de phase 12 réalise un cycle de deux phases à chaque activation : une phase de charge et une phase de transfert de charges. Ces deux phases permettent également de transférer des charges prédéterminées dans le condensateur de stockage Cint , à chaque activation du comparateur 13 . Ces modes de réalisation des figures 1 à 3 de l’état de la technique permettent effectivement de limiter la capacité du condensateur de stockage Cint pour intégrer des forts niveaux de courant sur le nœud de transfert de charges NT . Cependant, pour transmettre des charges prédéterminées suffisamment importantes, il est nécessaire d’utiliser une surface importante pour réaliser le condensateur d’injection Ci . En cumulant la surface nécessaire pour réaliser le condensateur d’injection Ci et le condensateur de stockage Cint , il peut être difficile d’intégrer le circuit de transfert de charges 100-102 dans les pixels d’une matrice. Le problème technique de l’invention est de proposer un circuit de transfert de charges avec une surface d’implantation réduite. Pour répondre à ce problème technique, l’invention propose de réaliser plusieurs cycles d’au moins deux phases à chaque activation du comparateur. Ainsi, les charges prédéterminées transmises à chaque activation du comparateur correspondent à la somme de plusieurs charges élémentaires transmises à chaque cycle d’au moins deux phases du modulateur Delta-Sigma. Ces charges élémentaires étant réduites, il devient possible de limiter la surface d’implantation du condensateur d’injection et, ainsi, du modulateur Delta-Sigma. A cet effet, selon un premier aspect, l’invention concerne un modulateur Delta-Sigma d’un courant électrique reçu sur un nœud de transfert de charges pendant une durée d’intégration, ledit modulateur Delta-Sigma comprenant : – un condensateur de stockage connecté audit nœud de transfert de charges ; – un comparateur dont une tension de sortie est dépendante de la différence de tension entre la tension du nœud de transfert de charges et une tension de seuil constante ; – un condensateur d’injection ; – un circuit de charge configuré pour charger des charges élémentaires dans le condensateur d’injection ; – un circuit de transfert de charges configuré pour transférer les charges élémentaires depuis le condensateur d’injection vers le condensateur de stockage ; et – un générateur de phases connecté à la tension de sortie du comparateur et configuré pour générer des signaux de charge et de transfert qui contrôlent le circuit de charge et le circuit de transfert de charges. L’invention se caractérise en ce que le générateur de phases est configuré de sorte à obtenir, à chaque activation du comparateur, plusieurs cycles d’au moins deux phases : – une première phase de charge d’une charge élémentaire dans le condensateur d’injection ; et – une seconde phase de transfert de ladite charge élémentaire depuis le condensateur d’injection vers le condensateur de stockage ; l’ensemble des charges élémentaires transférées dans le condensateur de stockage à chaque cycle formant une quantité de charges prédéterminée. L’invention propose donc de transférer consécutivement plusieurs charges élémentaires à chaque activation du comparateur pour obtenir un transfert global d’une quantité de charges prédéterminée. Cette stratégie permet de réduire la taille et donc la surface d’implantation du condensateur d’injection. En outre, pour réduire la surface d’implantation, le condensateur de stockage et/ou le condensateur d’injection sont préférentiellement constitués d’un transistor MOS. Pour réaliser les différents cycles du générateur de phases, il est possible d’utiliser un générateur de phases spécifique ou de réutiliser un générateur de phases de l’état de la technique en utilisant un circuit de multiplication du signal d’activation transmis par le comparateur, par exemple un circuit de mémorisation de l’état actif du signal d’activation avec une horloge configurée pour que le générateur de phases produise plusieurs cycles à chaque activation du comparateur. Dans ce mode de réalisation, le modulateur Delta-Sigma intègre également un circuit de mémorisation de l’état de la tension de sortie connecté entre le comparateur et le générateur de phases, la durée de mémorisation du circuit de mémorisation étant adaptée pour que le générateur de phases génère plusieurs cycles. Par ailleurs, le comparateur peut également correspondre à un comparateur de l’état de la technique, typiquement un comparateur présentant deux entrées et une sortie ; une première entrée étant connectée audit nœud de transfert de charges et une seconde entrée étant portée à ladite tension de seuil constante ; la tension de sortie étant dépendante du signe de la différence de tension entre la tension du nœud de transfert de charges et ladite tension de seuil constante. Par ailleurs, le comparateur peut également correspondre à un comparateur commandé par une ou plusieurs horloges ; la ou les horloges définissant le moment de l’évaluation des entrées, et la durée du maintien du résultat en sortie. La durée du maintien du résultat en sortie permettant au générateur de phases de générer plusieurs cycles. En ce qui concerne les circuits de charge et de transfert de charges, ils peuvent correspondre à tous les circuits connus. Par exemple, selon le mode de réalisation de la FIG. 2 de l’état de la technique, le circuit de charge est constitué d’un unique transistor MOS dont la grille est alimentée par une tension de polarisation et les autres bornes, la source et le drain, sont connectées au signal de charge et au condensateur d’injection. Dans ce même mode de réalisation, le circuit de transfert de charges est constitué d’un unique transistor MOS dont la grille est alimentée par le signal de transfert et les autres bornes, la source et le drain, sont connectées au condensateur d’injection et au nœud de transfert de charges. Avec ce mode de réalisation, le générateur de phases est configuré de sorte à obtenir, à chaque activation du comparateur, plusieurs cycles de trois phases : – une première phase de charge du condensateur d’injection à un premier niveau de charge commandé par le signal de charge ; – une deuxième phase de décharge du condensateur d’injection à un second niveau de charge commandé par le signal de charge ; et – une troisième phase de transfert des charges du condensateur d’injection contrôlé par le signal de transfert. Au sens de l’invention, le signal de charge « commande » la première et la seconde phase alors que la tension de polarisation et le signal de transfert « contrôlent » la troisième phase car la quantité de charge élémentaire transférée dépend du niveau de tension de la tension de polarisation et du signal de transfert. Cette dénomination est appliquée pour les différents aspects de l’invention. En variante, selon le mode de réalisation de la FIG. 3 de l’état de la technique, le circuit de charge est constitué d’un interrupteur commandé par le signal de charge, ledit interrupteur étant monté en court-circuit aux bornes du condensateur d’injection, l’une de ces bornes étant connectée à une tension de polarisation ; le condensateur de stockage étant connecté entre ladite tension de polarisation et ledit nœud de transfert de charges. Avec ce mode de réalisation, le circuit de transfert de charges est constitué d’une résistance dynamique montée en série avec un interrupteur commandé par le signal de transfert, la résistance dynamique et l’interrupteur commandé par le signal de transfert étant connectés entre le nœud de transfert de charges et la borne du condensateur d’injection qui n’est pas connectée à ladite tension de polarisation. Ce mode de réalisation permet notamment de n’utiliser que deux phases, de charge et de transfert, dans chaque cycle de transfert de charges élémentaires. Selon un second aspect, l’invention concerne un système de détection de rayonnement électromagnétique comprenant : – une matrice d’éléments de détection produisant un courant électrique en fonction du rayonnement électromagnétique ; et – un modulateur Delta-Sigma selon le premier aspect de l’invention, associé à chaque élément de détection, le courant électrique généré par ledit élément de détection étant collecté sur ledit nœud de transfert de charges. Description sommaire des figures La manière de réaliser l’invention ainsi que les avantages qui en découlent, ressortiront bien des modes de réalisation qui suivent, donnés à titre indicatif mais non limitatif, à l’appui dans figures 1 à 7 dans lesquelles : La FIG. 1 est une représentation schématique d’un modulateur Delta-Sigma de l’état de la technique ; La FIG. 2 est une représentation schématique d’une première implémentation du modulateur Delta-Sigma de la FIG. 1 de l’état de la technique ; La FIG. 3 est une représentation schématique d’une seconde implémentation du modulateur Delta-Sigma de la FIG. 1 de l’état de la technique ; La FIG. 4 est une représentation schématique d’un modulateur Delta-Sigma selon un premier mode de réalisation de l’invention ; La FIG. 5 est une représentation schématique d’un modulateur Delta-Sigma selon un second mode de réalisation de l’invention ; La FIG. 6 est une représentation schématique des signaux du modulateur Delta-Sigma de la FIG. 4 selon une première échelle de temps ; et La FIG. 7 est une représentation schématique des signaux du modulateur Delta-Sigma de la FIG. 4 selon une seconde échelle de temps. Description détaillée de l’invention La FIG. 4 illustre un mode de réalisation d’un modulateur Delta-Sigma 10a selon l’invention. Ce modulateur Delta-Sigma 10a permet d’accumuler et de transférer des charges prédéterminées entre un condensateur d’injection Ci et un condensateur de stockage Cint , à chaque activation d’un comparateur 13a . Tel qu’illustré sur la FIG. 1 de l’état de la technique, le courant Idet reçu sur le nœud de transfert de charges NT est intégré dans le condensateur de stockage Cint . Lorsque le condensateur de stockage Cint n’est pas capable d’intégrer toutes les charges venant du courant Idet , le condensateur de stockage Cint doit être chargé par des charges prédéterminées pour éviter son débordement. Pour ce faire, la tension Vint aux bornes du condensateur de stockage est comparée à une valeur de référence Vth dans le comparateur 13a et, lorsque la tension Vint dépasse la valeur de référence Vth , un transfert de charges prédéterminées est réalisé dans le condensateur de stockage Cint . Selon l’invention, pour réaliser ce transfert de charges prédéterminées, un générateur de phases 12a est mis en œuvre de sorte à obtenir, à chaque fois que la tension Vint dépasse la valeur de référence Vth , plusieurs cycles d’au moins deux phases. Dans une première phase de charge, une charge élémentaire est chargée dans le condensateur d’injection Ci . Dans une seconde phase de transfert, la charge élémentaire stockée dans le condensateur d’injection Ci est transférée dans le condensateur de stockage Cint . L’ensemble des charges élémentaires transférées dans le condensateur de stockage Cint à chaque cycle forme la quantité de charges prédéterminée. Pour ce faire, la sortie s du comparateur 13a alimente le générateur de phases 12a , configuré pour générer deux phases PHI1 et PHI2 . Les deux phases alimentent un circuit de charge 14 du condensateur d’injection Ci et un circuit de transfert de charges 15 entre le condensateur d’injection Ci et le condensateur de stockage Cint . Le générateur de phases 12 commande le circuit de charge 14 et le circuit de transfert de charges 15 de sorte à réaliser au moins deux phases à chaque activation du comparateur 13a , c’est-à-dire lorsque le courant Idet dépasse la valeur seuil : une phase de charge du condensateur d’injection Ci et une phase de transfert des charges du condensateur d’injection Ci dans le condensateur de stockage Cint . Tel qu’illustré sur la FIG. 2 , le condensateur d’injection Ci peut être réalisé à partir d’un transistor de type MOS T2 de la technologie CMOS. En effet, pour obtenir une implantation d’un circuit électronique avec une surface limitée, il est connu d’utiliser la technologie CMOS, pour « Complementary metal-oxide-semiconductor » dans la littérature anglo-saxonne. Ce condensateur d’injection T2 comprend une grille alimentée par une tension de polarisation VBIAS . En outre, le circuit de charge 14 et le circuit de transfert de charges 15 de la FIG. 4 peuvent également être réalisés tel qu’illustré sur la FIG. 2 . Dans ce mode de réalisation, le circuit de charge 14 comporte également un transistor T1 dont la grille est alimentée par une tension de polarisation VBIAS1 tandis que les autres bornes, la source et le drain, sont connectées à la phase PHI1 et au condensateur d’injection Ci . Un transistor T3 réalise le circuit de transfert de charges 15 . Ainsi, la grille du transistor T3 est alimentée par la phase PHI2 tandis que les autres bornes, la source et le drain, sont connectées au condensateur d’injection Ci et au nœud de transfert de charges NT . Dans cet exemple, le modulateur Delta-Sigma 10a peut intégrer un générateur de phases 12a configuré pour réaliser plusieurs cycles de trois phases à chaque activation du comparateur 13a , c’est-à-dire lorsque le courant Idet dépasse la valeur seuil. Dans une première phase de précharge, le condensateur d’injection Ci est chargé en plaçant à l’état haut les phases PHI1 et PHI2 . Dans cette première phase, le transistor T1 est passant et le transistor T3 est bloqué, si bien que le condensateur d’injection Ci se charge donc à l’état haut de la phase PHI1 . Dans une deuxième phase de décharge, la phase PHI1 est placée à l’état bas et le condensateur d’injection Ci se décharge jusqu’à ce que la tension aux bornes du condensateur d’injection Ci soit sensiblement égale à VBIAS1 additionné de la tension de seuil du transistor T1 . Dans une troisième phase de transfert, la phase PHI2 est placée à l’état bas, le transistor T3 devient passant et le condensateur d’injection Ci se décharge jusqu’à ce que la tension aux bornes du condensateur d’injection Ci soit sensiblement égale à la tension de l’état bas de la phase PHI2 additionné de la tension de seuil du transistor T3 , de sorte qu’une charge élémentaire stockée dans le condensateur d’injection Ci soit transférée dans le condensateur de stockage Cint . La tension Vout en sortie du comparateur 13a , les phases PHI1 et PHI2 , ainsi que la tension sur le nœud de transfert de charges NT sont représentées sur les figures 6 et 7 avec deux échelles de temps différentes. Ces figures permettent d’observer que plusieurs transferts de charges élémentaires consécutifs sont réalisés à chaque activation du comparateur 13a , lorsque la tension Vout en sortie du comparateur 13a passe à l’état bas. Dans le mode de réalisation des figures 6 et 7, quel que soit l’état de la tension Vout en sortie du comparateur 13a , la phase PHI1 présente un cycle constant permettant de réaliser les phases de précharge et de décharge du condensateur d’injection Ci . En variante, la phase PHI1 peut être activée uniquement lorsque la comparateur 13a est activé. Les charges élémentaires stockées dans le condensateur d’injection Ci à l’issue de la phase de décharge ne sont transférées dans le condensateur de stockage Cint que lorsque la tension Vout en sortie du comparateur 13a est à l’état bas, en plaçant le signal PHI2 à l’état bas. Cette tension Vout reste à l’état bas sur plusieurs cycles, entrainant plusieurs cycles du signal PHI2 , typiquement quatre cycles sur l’exemple des figures 6 et 7. Ainsi, pour former la charge prédéterminée, quatre charges élémentaires sont transférées à chaque activation du comparateur 13a , lorsque la tension Vout en sortie du comparateur 13a passe à l’état bas. Tel qu’illustré sur la FIG. 6 , ces quatre cycles de trois phases peuvent être renouvelés plusieurs fois au cours de la phase d’intégration, durant laquelle le courant Idet continue à être intégré sur le nœud de transfert de charges NT . À la fin de ce processus d'intégration et des multiples charges prédéterminées transférées, la charge résiduelle sur le nœud de transfert de charges NT peut également être mesurée et associée au nombre de charges prédéterminées transférées dans le condensateur de stockage Cint . Pour maintenir l’activation du générateur de phases 12a sur plusieurs cycles, il est possible d’utiliser un comparateur 13a commandé par une ou plusieurs horloges H1 , tel qu’illustré sur la FIG. 4 . Dans ce mode de réalisation, la période H1 est déterminée de sorte que le moment de l’évaluation des entrées e+ , e- , et la durée du maintien du résultat sur ladite sortie s permettent au générateur de phases 12a de générer plusieurs cycles. En variante, tel qu’illustré sur la FIG. 5 , il est possible d’utiliser un comparateur 13 asynchrone en mémorisant l’état de la tension de sortie Vout . Pour ce faire, ce circuit de mémorisation 17 peut correspondre à une simple bascule D. Comme dans l’exemple de la FIG. 4 , ce circuit de mémorisation 17 est commandé par une horloge H2 déterminée de sorte à générer plusieurs cycles à chaque activation du comparateur 13 . Outre la modification des moyens d’activation du générateur de phases 12 sur plusieurs cycles, le mode de réalisation de la FIG. 5 diffère également du mode de réalisation de la FIG. 4 par la réalisation des circuits de charge et de transfert et la connexion du condensateur de stockage Cint . Dans l’exemple de la FIG. 4 , le condensateur de stockage Cint est connecté entre le nœud de transfert de charges NT et la masse GND alors que le condensateur d’injection Ci est connecté entre les circuit de charge et de transfert de charges 14 , 15 et une tension de polarisation VBIAS . En variante, tel qu’illustré sur la FIG. 5 , il est possible de placer le condensateur de stockage Cint entre la tension de polarisation VBIAS et un nœud de transfert de charges NT , recevant également le courant Idet à intégrer. En effet, il est possible de connecter le condensateur de stockage Cint et le condensateur d’injection Ci à différentes sources de tension VBIAS , GND sans changer l’invention. Il est même possible d’utiliser des sources de tension variables. Dans l’exemple de la FIG. 5 , tel qu’illustré dans le mode de réalisation de la FIG. 3 de l’état de la technique, le signal PHI1 peut commander un interrupteur commandé placé en parallèle du condensateur d’injection Ci de sorte à former le circuit de charge 14 alors que le circuit de transfert de charges 15 peut être réalisé par un interrupteur commandé par le signal PHI2 , associé à une résistance dynamique 16 . Avec le modulateur Delta-Sigma 10b de la FIG. 5 , le générateur de phase 12 réalise plusieurs cycle de deux phases à chaque activation du comparateur 13 : une phase de charge et une phase de transfert de charges. Ces multiples cycles de deux phases permettent également de transférer des charges prédéterminées dans le condensateur de stockage Cint , à chaque activation du comparateur 13 . Ces modes de réalisation des figures 4 et 5 permettent de réduire la capacité et donc la surface d’implantation du condensateur d’injection Ci , et ainsi de réduire la taille du pixel intégrant le modulateur Delta-Sigma 10a - 10b . De même, le gain en surface d’implantation du condensateur d’injection Ci peut être utilisé dans une même taille de pixel pour améliorer les performances du modulateur Delta-Sigma 10a - 10b en allouant plus de surface au condensateur de stockage Cint , ce qui permet d’augmenter la charge stockable et de réduire la consommation. Ce faisant, le modulateur Delta-Sigma 10a - 10b peut plus facilement être intégré dans les pixels d’une matrice, par exemple pour former un système de détection de rayonnement électromagnétique. Ce système de détection de rayonnement électromagnétique peut classiquement comporter une matrice d’éléments de détection produisant un courant électrique Idet en fonction du rayonnement électromagnétique. Un modulateur Delta-Sigma 10a - 10b selon l’invention est alors associé à chaque élément de détection, le courant électrique généré par chaque élément de détection Idet étant collecté sur le nœud de transfert de charges NT . L’invention permet donc également de réaliser plus simplement un circuit de lecture intégré dans la surface de chaque pixel d’un système de détection de rayonnement électromagnétique. Modulateur Delta-Sigma (10a-10b) d’un courant électrique (Idet) reçu sur un nœud de transfert de charges (NT) pendant une durée d’intégration, ledit modulateur Delta-Sigma (10a-10b) comprenant : – un condensateur de stockage (Cint) connecté audit nœud de transfert de charges (NT) ; – un comparateur (13, 13a) dont une tension de sortie (Vout) est dépendante de la différence de tension entre la tension du nœud de transfert de charges (NT) et une tension de seuil constante (Vth) ; – un condensateur d’injection (Ci) ; – un circuit de charge (14) configuré pour charger des charges élémentaires dans le condensateur d’injection (Ci) ; – un circuit de transfert de charges (15) configuré pour transférer les charges élémentaires depuis le condensateur d’injection (Ci) vers le condensateur de stockage (Cint) ; et – un générateur de phases (12, 12a) connecté à la tension de sortie (Vout) du comparateur (13, 13a) et configuré pour générer des signaux de charge (PHI1) et de transfert (PHI2) qui contrôlent le circuit de charge (14) et le circuit de transfert de charges (15) ; caractérisé en ce que le générateur de phases (12, 12a) est configuré de sorte à obtenir, à chaque activation du comparateur (13, 13a), plusieurs cycles d’au moins deux phases : . une première phase de charge d’une charge élémentaire dans le condensateur d’injection (Ci) ; et . une seconde phase de transfert de ladite charge élémentaire depuis le condensateur d’injection (Ci) vers le condensateur de stockage (Cint) ; l’ensemble des charges élémentaires transférées dans le condensateur de stockage (Cint) à chaque cycle formant une quantité de charges prédéterminée. Modulateur Delta-Sigma selon la revendication 1, dans lequel le modulateur Delta-Sigma (10a-10b) intègre également un circuit de mémorisation (17) de l’état de la tension de sortie (Vout) connecté entre le comparateur (13, 13a) et le générateur de phases (12, 12a), la durée de mémorisation (H2) du circuit de mémorisation (17) étant adaptée pour que le générateur de phases (12, 12a) génère plusieurs cycles. Modulateur Delta-Sigma selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le condensateur de stockage (Cint) et/ou le condensateur d’injection (Ci) sont constitués d’un transistor MOS. Modulateur Delta-Sigma selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel le comparateur (13, 13a) présente deux entrées (e+, e-) et une sortie (s) ; une première entrée (e+, e-) étant connectée audit nœud de transfert de charges (NT) et une seconde entrée (e+, e-) étant portée à ladite tension de seuil constante (Vth) ; la tension de sortie (Vout) étant dépendante du signe de la différence de tension entre la tension du nœud de transfert de charges (NT) et ladite tension de seuil constante (Vth). Modulateur Delta-Sigma selon la revendication 4, dans lequel le comparateur (13a) correspond à un comparateur commandé par une ou plusieurs horloges (H1) ; la ou les horloges (H1) définissant le moment de l’évaluation des entrées (e+, e-), et la durée du maintien du résultat sur ladite sortie (s) de sorte que la durée du maintien du résultat sur ladite sortie (s) permettant au générateur de phases (12, 12a) de générer plusieurs cycles. Modulateur Delta-Sigma selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel le circuit de charge (14) est constitué d’un unique transistor MOS (T1) dont la grille est alimentée par une tension de polarisation (VBIAS1) et les autres bornes, la source et le drain, sont connectées au signal de charge (PHI1) et au condensateur d’injection (Ci). Modulateur Delta-Sigma selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel le circuit de transfert de charges (15) est constitué d’un unique transistor MOS (T3) dont la grille est alimentée par le signal de transfert (PHI2) et les autres bornes, la source et le drain, sont connectées au condensateur d’injection (Ci) et au nœud de transfert de charges (NT). Modulateur Delta-Sigma selon les revendications 6 et 7, dans lequel le générateur de phases (12, 12a) est configuré de sorte à obtenir, à chaque activation du comparateur (13, 13a), plusieurs cycles de trois phases : – une première phase de charge du condensateur d’injection (Ci) à un premier niveau de charge commandé par le signal de charge (PHI1) ; – une deuxième phase de décharge du condensateur d’injection (Ci) à un second niveau de charge commandé par le signal de charge (PHI1) ; et – une troisième phase de transfert des charges du condensateur d’injection (Ci) contrôlé par le signal de transfert (PHI2). Modulateur Delta-Sigma selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel le circuit de charge (14) est constitué d’un interrupteur commandé par le signal de charge (PHI1), ledit interrupteur étant monté en court-circuit aux bornes du condensateur d’injection (Ci), l’une des bornes étant connectée à une tension de polarisation (VBIAS) ; le condensateur de stockage (Cint) étant connecté entre ladite tension de polarisation (VBIAS) et ledit nœud de transfert de charges (NT). Modulateur Delta-Sigma selon la revendication 9, dans lequel le circuit de transfert de charges (15) est constitué d’une résistance dynamique (16) montée en série avec un interrupteur commandé par le signal de transfert (PHI2), la résistance dynamique (16) et l’interrupteur commandé par le signal de transfert (PHI2) étant connectés entre le nœud de transfert de charges (NT) et la borne du condensateur d’injection (Ci) qui n’est pas connectée à ladite tension de polarisation (VBIAS). Système de détection de rayonnement électromagnétique comprenant : – une matrice d’éléments de détection produisant un courant électrique (Idet) en fonction du rayonnement électromagnétique ; et – un modulateur Delta-Sigma (10a-10b) selon l’une des revendications 1 à 10, associé à chaque élément de détection, le courant électrique généré par ledit élément de détection (Idet) étant collecté sur ledit nœud de transfert de charges (NT).