Brevet FR3160599A1 — publié le 20251003

Dispositif de formation de gouttelettes La présente description concerne un dispositif (30) de formation de gouttelettes (20) d'un matériau liquide comprenant une conduite (31) s'étendant selon un axe, la conduite (31) étant remplie d'un gaz ou d'un mélange gazeux et ayant une ouverture d'entrée (32) destinée à recevoir un bloc ou une gouttelette du matériau liquide, le dispositif (30) de formation de gouttelettes (20) comprenant en outre au moins un transducteur électro-acoustique (40) configuré pour émettre des premières ondes ultrasonores dans le gaz ou le mélange gazeux contenu dans la conduite (31) jusqu'au bloc ou la gouttelette du matériau liquide, d'où il résulte la formation ou le déplacement de la gouttelette (20) du matériau liquide. Figure pour l'abrégé : Fig. 1A Dispositif de formation de gouttelettes La présente description concerne de façon générale un dispositif de formation de gouttelettes. Un exemple de dispositif de formation de gouttelettes correspond à une buse d'impression pour imprimante, par exemple pour imprimante 3D ou pour imprimante jet d’encre, qui permet de délivrer une gouttelette d'un matériau liquide à imprimer sur un support. La buse d'impression est remplie du matériau liquide à imprimer et une gouttelette du matériau liquide est éjectée par un orifice de sortie de la buse d'impression. Les têtes d’impression actuelles regroupent de plusieurs dizaines a plusieurs milliers de ces buses qui peuvent être pilotées, et donc générer des gouttelettes, indépendamment les unes des autres au sein d’une même tête d’impression. Certaines têtes d’impression permettent la création de gouttelettes de matériaux différent. Un inconvénient d'un tel dispositif de formation de gouttelettes est que les propriétés de la gouttelette, notamment la viscosité du matériau à imprimer, les dimensions de la gouttelette et la direction d'expulsion de la gouttelette, dépendent notamment de la forme de l'orifice de sortie de buse d'impression et de la forme de la buse d'impression à proximité de l'orifice de sortie. La conception de la buse d'impression peut ainsi être complexe. Un autre inconvénient est que, une fois la buse d'impression conçue, il peut être difficile de faire varier certaines propriétés de la gouttelette, notamment la direction d'expulsion de la gouttelette, au cours de l'utilisation de la buse d'impression. Un autre inconvénient est que, une fois la buse d’impression conçue, il peut être difficile de faire varier la viscosité du matériau au-delà d’une certaine gamme prédéfinie lors de la conception de la buse d’impression. Un autre inconvénient, réside dans le fait que les têtes d’impression sont fortement contraintes dimensionnellement car elles doivent pouvoir accueillir un grand nombre de ces buses d’expulsions électromécaniques et de génération de gouttelettes. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs de formation de gouttelettes connus. Un mode de réalisation prévoit un dispositif de formation de gouttelettes d'un matériau liquide comprenant une conduite s'étendant selon un axe, la conduite étant remplie d'un gaz ou d'un mélange gazeux et ayant une ouverture d'entrée destinée à recevoir un bloc ou une gouttelette du matériau liquide, le dispositif de formation de gouttelettes comprenant en outre au moins un transducteur électro-acoustique configuré pour émettre des premières ondes ultrasonores dans le gaz ou le mélange gazeux contenu dans la conduite jusqu'au bloc ou la gouttelette du matériau liquide, d'où il résulte la formation ou le déplacement de la gouttelette du matériau liquide. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend des transducteurs électro-acoustiques reposant sur un premier plan incliné par rapport audit axe et configurés pour émettre les premières ondes ultrasonores dans le gaz ou le mélange gazeux contenu dans la conduite jusqu'au bloc ou la goutte du matériau liquide. Selon un mode de réalisation, le premier plan est orthogonal audit axe. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend au moins une première paire de transducteurs électro-acoustiques symétriques par rapport audit axe. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre une deuxième paire de transducteurs électro-acoustiques symétriques par rapport audit axe. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre un circuit électronique de commande dudit au moins un transducteur électro-acoustique. Selon un mode de réalisation, le circuit électronique est configuré pour commander les transducteurs électro-acoustiques pour que la superposition des premières ondes ultrasonores forme une onde acoustique stationnaire dans la conduite. Selon un mode de réalisation, le circuit électronique de commande est configuré pour commander ledit au moins un transducteur électro-acoustique pour déformer le bloc du matériau liquide sous l'action de forces de radiation acoustique. Selon un mode de réalisation, le circuit électronique de commande est configuré pour commander ledit au moins un transducteur électro-acoustique pour fournir les premières ondes ultrasonores dans une première phase et pour commander ledit au moins un transducteur électro-acoustique pour capter des deuxièmes ondes ultrasonores dans une deuxième phase. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend des transducteurs électro-acoustiques supplémentaires reposant sur un deuxième plan parallèle au premier plan. Selon un mode de réalisation, le transducteur électro-acoustique est un transducteur ultrasonore micro-usiné capacitif, ou un transducteur ultrasonore micro-usiné piézoélectrique, ou un transducteur comprenant au moins une couche d'un matériau piézoélectrique. Un mode de réalisation prévoit une imprimante 3D comprenant un dispositif de formation de gouttelettes tel que défini précédemment, un réservoir du matériau liquide à imprimer, et un dispositif de transfert du bloc du matériau liquide depuis le réservoir vers le dispositif de formation de gouttelettes. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 , la FIG. 1 , et la FIG. 1 sont des vues de côté schématiques avec coupe partielle de modes de réalisation d'un système 10 de fourniture de gouttelettes d'un matériau liquide ; la FIG. 2 , la FIG. 2 et la FIG. 3 sont des vues en perspective, partielles et schématiques, de modes de réalisation d'un dispositif de formation de gouttelettes du système de la FIG. 1 ; la FIG. 4 , la FIG. 5 et la FIG. 6 sont chacune une vue en perspective, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un transducteur électro-acoustique du dispositif de formation de gouttelettes de la FIG. 2 , 2B ou 3 ; la FIG. 7 représente une courbe d'évolution en fonction du temps d'un signal de commande d'un transducteur électro-acoustique du dispositif de formation de gouttelettes de la FIG. 2 , 2B ou 3 ; la FIG. 8 , la FIG. 9 , la FIG. 10 , et la FIG. 11 représentent chacune, en partie gauche, une courbe d'évolution en fonction du temps d'un signal de commande d'un transducteur électro-acoustique du dispositif de formation de gouttelettes de la FIG. 2 , 2B ou 3 et, en partie droite, le spectre du signal de commande représenté en partie gauche pour différents modes de réalisation de commande du transducteur électro-acoustique ; la FIG. 12 représente une courbe d'évolution de la pression d'une onde ultrasonore fournie par un transducteur électro-acoustique ; la FIG. 13 , la FIG. 14 , la FIG. 15 , et la FIG. 16 illustrent des exemples d'ondes acoustiques stationnaires ; la FIG. 17 et la FIG. 19 sont des vues en coupe de dessus, partielles et schématiques, du dispositif de formation de gouttelettes de la FIG. 2 ou 2B illustrant les emplacements de noeuds d'ondes acoustiques stationnaires et les figures 18 et 20 sont des vues en perspective de courbes d'évolution de pression dans des plans perpendiculaires pour les ondes acoustiques stationnaires des dispositifs des figures 17 et 19 respectivement ; la FIG. 21 et la FIG. 22 illustrent d'autres exemples d'ondes acoustiques stationnaires ; la FIG. 23 est une vue en coupe de dessus, partielle et schématique, du dispositif de formation de gouttelettes de la FIG. 2 ou 2B illustrant les emplacements de noeuds d'une onde acoustique stationnaire ; la FIG. 24 , la FIG. 24 , la FIG. 24 , et la FIG. 24 sont des vues en coupe, partielle et schématique, du dispositif de formation de gouttelettes de la FIG. 2 , 2B ou 3 à des étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fonctionnement du dispositif de formation de gouttelettes ; la FIG. 25 , la FIG. 25 , la FIG. 25 , et la FIG. 25 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, du dispositif de formation de gouttelettes de la FIG. 2 , 2B ou 3 à des étapes successives d'un autre mode de réalisation d'un procédé de fonctionnement du dispositif de formation de gouttelettes ; la FIG. 26 est une vue en coupe, partielle et schématique, du dispositif de formation de gouttelettes de la FIG. 2 , 2B ou 3 à des étapes successives d'une variante du procédé de fonctionnement du dispositif de formation de gouttelettes ; la FIG. 27 est une vue en perspective, partielle et schématique, d'un autre mode de réalisation du dispositif de formation de gouttelettes du système de la FIG. 1 ; la FIG. 28 est une vue en coupe, partielle et schématique du dispositif de formation de gouttelettes de la FIG. 27 illustrant les emplacements de noeuds d'une onde acoustique stationnaire ; la FIG. 29 est une vue en coupe, partielle et schématique, du dispositif de formation de gouttelettes de la FIG. 2 , 2B ou 3 à une étape d'un autre mode de réalisation d'un procédé de fonctionnement du dispositif de formation de gouttelettes ; et la FIG. 30 est une vue en coupe, partielle et schématique, du dispositif de formation de gouttelettes de la FIG. 2 , 2B ou 3 à une étape d'un autre mode de réalisation d'un procédé de fonctionnement du dispositif de formation de gouttelettes. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les circuits de commande de transducteurs électro-acoustiques sont bien connus de l'homme du métier et ne sont pas décrits en détail. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures dans une position normale d'utilisation. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. En outre, on considère ici que les termes "isolant" et "conducteur" signifient respectivement "isolant électriquement" et "conducteur électriquement". De plus, on appelle "diamètre moyen" d'une surface le diamètre d'un disque ayant la même aire que la surface. La FIG. 1 est une vue de côté, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un système 10 de fourniture de gouttelettes 20 d'un matériau liquide à déposer sur un support 22 ou sur une portion de pièce déjà imprimée. Le système 10 correspond par exemple à une imprimante 3D. Le système 10 comprend un réservoir 12 du matériau liquide, un dispositif 30 de formation des gouttelettes 20, et un dispositif de transfert 14 du matériau liquide du réservoir 12 vers le dispositif 30 de formation des gouttelettes 20. Le dispositif de transfert 14 peut être de tout type. Le dispositif de transfert 14 peut comprendre un actionneur, par exemple piézoélectrique. Le dispositif 30 de formation des gouttelettes 20 a une ouverture d'entrée 32 à une extrémité et une ouverture de sortie 33 à l'extrémité opposée. La conduite 31 délimite un volume interne 34 ouvert sur l'ouverture d'entrée 32 et sur l'ouverture de sortie 33. La conduite 31 comprend une paroi interne 35 du côté du volume interne 34 et une paroi externe 36 du côté opposé à la paroi interne 35. Selon un mode de réalisation, le volume interne 34 est rempli d'air. A titre de variante, un gaz ou un mélange de gaz, différent de l'air, est prévu dans le volume interne 34. Le dispositif 30 comprend en outre des transducteurs électro-acoustiques 40 configurés pour la génération d'ondes ultrasonores dans le volume interne 34 de la conduite 31, deux transducteurs électro-acoustiques 40 étant représentés à titre d'exemple en FIG. 1 . Le dispositif 30 comprend en outre un circuit de commande 41 des transducteurs électro-acoustiques 40. Le circuit de commande 41 peut correspondre à un circuit intégré spécifique à une application. Le circuit de commande 41 est configuré pour transmettre un signal de commande S à chaque transducteur électro-acoustique 40. Le circuit de commande 41 peut être situé à proximité des transducteurs électro-acoustiques 40 ou peut être déporté par rapport aux transducteurs électro-acoustiques 40. Selon un mode de réalisation, le système 10 comprend un dispositif 60 de récupération de matériau liquide situé du côté de l'ouverture de sortie 33. Le dispositif 60 comprend un réceptacle 61 traversé par une ouverture traversante 62 située dans le prolongement de l'ouverture de sortie 33 mais de dimensions inférieures aux dimensions de l'ouverture de sortie 33. L'ouverture de sortie 33 permet le passage des gouttelettes 20 tandis que le matériau liquide qui s'écoule le long de la paroi interne 35 de la conduite 31 et s'échappe par l'ouverture de sortie 33 est récupéré sur le réceptacle 61. Le dispositif 60 peut en outre comprendre un mécanisme, non représenté, de renvoi du matériau liquide récupéré vers le réservoir 12. La FIG. 1 est une vue de côté, partielle et schématique, d'une variante du système 10 de la FIG. 1 dans laquelle le réservoir 12 comprend un premier sous-réservoir 12A d'un premier matériau liquide et un deuxième sous-réservoir 12B d'un deuxième matériau liquide. Le dispositif de transfert 14 est alors adapté à transférer du premier matériau liquide du sous-réservoir 12A et du deuxième matériau liquide du sous-réservoir 12B vers le dispositif 30 de formation des gouttelettes 20. La FIG. 1 est une vue de côté, partielle et schématique, d'une variante du système 10 de la FIG. 1 dans laquelle le système 10 comprend plusieurs dispositif 30 de formation des gouttelettes 20 reliés au réservoir 12. Selon un mode de réalisation, le matériau liquide est une solution (qui est un mélange homogène résultant de la dissolution d'un ou plusieurs solutés dans un solvant) ou une dispersion (qui est un mélange hétérogène dans lequel une ou plusieurs phases sont finement mêlées à une autre sans y être dissoutes). Selon un mode de réalisation, le matériau liquide est une encre, c’est-à-dire un liquide chargé de particules ou nanoparticules permettant de le fonctionnaliser (pigmentation, propriétés électriques, mécaniques, rhéologiques, piézoélectriques, ferroélectriques, pyroélectriques, thermoélectriques, photorésistives, etc.). Selon un mode de réalisation, le matériau liquide est adapté à la réalisation par impression 3D d'une région semiconductrice, conductrice, ou isolante. Selon un mode de réalisation, le matériau fluide est utilisé pour la fabrication d'un dispositif électronique. Selon un mode de réalisation, le matériau fluide comprend un ou des composés semiconducteurs de type p, notamment un ou des composés semiconducteurs organiques de type p, un ou des composés semiconducteurs de type n, notamment des composés semiconducteurs organiques de type n, un ou des matériaux conducteurs, et/ou un ou des matériaux isolants, et/ou un ou des matériaux diélectriques. Selon un mode de réalisation, le matériau fluide contient des charges conductrices ou fonctionnalisantes. Les figures 2A, 2B et 3 sont des vues en perspective, partielles et schématiques, de modes de réalisation du dispositif 30 de formation de gouttelettes du système 10 de fourniture de gouttelettes de la FIG. 1 . Dans les modes de réalisation illustrés sur les figures 1, 2 et 3, chaque transducteur électro-acoustique 40 repose sur la paroi externe 36 de la conduite 31. Selon un autre mode de réalisation non représenté, chaque transducteur électro-acoustique 40 repose sur la paroi interne 35 de la conduite 31 dans le volume interne 34 de la conduite 31 et au contact physique direct du gaz ou du mélange de gaz présent dans le volume interne 34. Selon un autre mode de réalisation non représenté, chaque transducteur électro-acoustique 40 est intégré dans la conduite 31, au contact physique direct du gaz ou du mélange de gaz présent dans le volume interne 34, ou sans contact physique direct avec le gaz ou le mélange de gaz présent dans le volume interne 34. La conduite 31 a par exemple en vue de dessus une forme circulaire, ovale, ou polygonale, par exemple carrée, rectangulaire, ou hexagonale. Les dimensions de la conduite 31 dépendent de l'application visée. Selon un mode de réalisation, le diamètre moyen de la conduite 31 est compris entre 1 mm et 45 mm. Selon un mode de réalisation, la conduite 31 s'étend au moins localement selon un axe Δ et les transducteurs électro-acoustiques 40 reposent sur un plan perpendiculaire à l'axe Δ. Selon un mode de réalisation, le dispositif 30 comprend une première paire de transducteurs électro-acoustiques 40 disposés de façon symétrique par rapport à l'axe Δ et une deuxième paire de transducteurs électro-acoustiques 40 disposés de façon symétrique par rapport à l'axe Δ. Dans le mode de réalisation illustré en FIG. 2 , la conduite 31 a en vue de dessus une forme carrée, la paroi externe 36 de la conduite comprenant quatre faces 37 sensiblement planes opposées deux à deux, et le dispositif 30 comprend un transducteur électro-acoustique 40 ayant la forme générale d'un parallélépipède rectangle sur chaque face 37 de la conduite 31. Dans le mode de réalisation illustré en FIG. 2 , deux des parois 37 sont utilisées comme réflecteurs et il ne faut alors que un seul dispositif 40 par direction pour assurer le fonctionnement du système par la création de l’onde stationnaire. Dans le mode de réalisation illustré en FIG. 3 , la conduite 31 a en vue de dessus une forme circulaire d'axe Δ, et le dispositif 30 comprend quatre transducteurs électro-acoustiques 40 répartis régulièrement autour de l'axe Δ sur la paroi externe 36 de la conduite 31, chaque transducteur électro-acoustiques 40 ayant la forme générale d'un secteur annulaire. Chaque transducteur électro-acoustique 40 convertit le signal électrique S en ultrasons. Le transducteur électro-acoustique 40 est par exemple constitué d'une plaque de matériau piézoélectrique monocristallin ou polycristallin, par exemple du PZT (Titanate de Plomb-Zircone) dont l'épaisseur varie lorsqu'une tension lui est appliquée. Le transducteur électro-acoustique 40 est par exemple un microsystème électromécanique (ou MEMS de l'anglais Micro-electro-mechanical System), qui utilise les technologies de production de la micro-électronique. Ce microsystème électromécanique est par exemple constitué d'une membrane déformable suspendue au-dessus d'une cavité. La membrane déformable est par exemple mue par effet capacitif à l'aide d'une électrode fixée à la membrane et d'une électrode séparée par la cavité. Ce type de transducteur est connu sous l'acronyme CMUT de l'anglais Capacitive Micro-machined Ultrasonic Transducer. La membrane déformable est par exemple mue par effet piézoélectrique à l'aide d'une couche de matériau piézoélectrique munie de deux électrodes attachée à la membrane. Ce type de transducteur est connu sous l'acronyme PMUT, de l'anglais Piezoelectric Micro-machined Ultrasonic Transducer. Le transducteur électro-acoustique 40 est par exemple un transducteur à magnétostriction constitué d'un matériau qui change légèrement de taille lorsqu’il est exposé à un champ magnétique. Selon le type du transducteur acoustique 40, le signal de commande S transmis par le circuit de commande 41 au transducteur électro-acoustique 40 peut correspondre à une tension, un courant, ou une charge électrique. La FIG. 4 est une vue en perspective, partielle et schématique, d'un mode de réalisation du transducteur électro-acoustique 40 de type piézoélectrique. Le transducteur électro-acoustique 40 comprend une pastille 43 d'un matériau piézoélectrique entre deux électrodes 44 et 45. La pastille 43 et chaque électrode 44, 45 a par exemple en vue de dessus une forme circulaire, ovale, ou polygonale, par exemple carrée, rectangulaire, ou hexagonale. Le diamètre moyen de la pastille 43 en vue de dessus est par exemple compris entre 1 µm et 10 mm. L'épaisseur de la pastille 43 est par exemple comprise entre 1 µm et 1 mm. Le signal S peut correspondre à une tension variable appliquée entre les deux électrodes 44 et 45, qui entraîne la déformation de la pastille 43, notamment une variation de son épaisseur, et la génération des ondes ultrasonores. La FIG. 5 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation du transducteur électro-acoustique 40 de type CMUT. Le transducteur électro-acoustique 40 comprend une électrode 46 fixe par rapport à la conduite 31 et une électrode 47 mobile par rapport à l'électrode fixe 46, et par exemple séparée de l'électrode 46 par un interstice 48 rempli d'air, ou de vide, ou de tout autre gaz. Bien que ce ne soit pas représenté sur la FIG. 5 , l'électrode 47 peut être constituée de plusieurs couches, par exemple une première couche isolante, par exemple en oxyde de silicium, et une seconde couche conductrice, par exemple en or. Chaque électrode 46, 47 a par exemple en vue de dessus une forme circulaire, ovale, ou polygonale, par exemple carrée, rectangulaire, ou hexagonale. Le diamètre moyen de chaque électrode 46, 47 en vue de dessus est par exemple compris entre 0,1 µm et 40 mm, de préférence entre 1 µm et 200 µm. L’épaisseur de l'interstice 48 est par exemple compris entre 5 nm et 2 mm. Le signal S peut correspondre à une tension variable appliquée entre les deux électrodes 46 et 47, qui entraîne le déplacement de l'électrode mobile 47 par rapport à l'électrode fixe 46 et la génération des ondes ultrasonores. La FIG. 6 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation du transducteur électro-acoustique 40 de type PMUT. Le transducteur électro-acoustique 40 comprend une membrane 49 déformable montée sur la conduite 31 et formant, avec la conduite 31, un interstice 48 par exemple rempli d'air, de vide, ou de tout autre gaz. Une pastille 43 d'un matériau piézoélectrique entre deux électrodes 44 et 45 est fixée à la membrane 49. Le signal S peut correspondre à une tension variable appliquée entre les deux électrodes 44 et 45, qui entraîne la déformation de la pastille 43, ce qui à son tour entraîne le déplacement de la membrane 49 et la génération des ondes ultrasonores. Selon un mode de réalisation, le dispositif 30 comprend des transducteurs électro-acoustiques 40 de types différents, c’est-à-dire pour lesquels la générations d'ondes ultrasonores est obtenus selon des technologies différentes, par exemple au moins un transducteur électro-acoustique 40 de type PMUT et un transducteur électro-acoustique 40 de type CMUT. Chaque transducteur électro-acoustique 40 est commandé pour émettre et recevoir des ondes ultrasonores. Comme cela est décrit plus en détail par la suite, les transducteurs électro-acoustiques 40 peuvent être commandées pour que les ondes ultrasonores émises par les transducteurs électro-acoustiques 40 conduisent à la formation d'une onde acoustique stationnaire dans la cavité 34 et/ou à l'application d'une force de radiation acoustique sur la gouttelette 20. Selon un mode de réalisation, la fréquence des ondes ultrasonores émises par chaque transducteur électro-acoustique 40 est comprise entre 25 kHz et 1 GHz. Selon un mode de réalisation, le dispositif 30 comprend au moins deux transducteurs électro-acoustiques 40 qui, en fonctionnement, émettent des ondes ultrasonores dans des plages de fréquences différentes. Selon un mode de réalisation, chaque transducteur électro-acoustique 40 est commandé par le circuit de commande 41 pour émettre une ou des salves d'ondes ultrasonores. La durée de chaque salve d'ondes ultrasonores peut être comprise entre 1 ns et 100 ms. Dans chaque salve d'ondes ultrasonores, la longueur d'onde des ondes ultrasonores peut être sensiblement constante ou peut être variable. Selon un mode de réalisation, le transducteur électro-acoustique 40 est adapté à fournir des ondes ultrasonores dans des bandes de fréquences différentes. Selon un mode de réalisation, les fréquences des ondes ultrasonores dans une première salve (Burst en anglais) d'ondes ultrasonores peuvent être dans une première bande de fréquence et les fréquences des ondes ultrasonores dans une deuxième salve d'ondes ultrasonores peuvent être dans une deuxième bande de fréquences différente de la première bande de fréquences. Selon un mode de réalisation, le transducteur électro-acoustique 40 est adapté à fournir simultanément dans une même salve des ondes ultrasonores dans une première bande de fréquences et dans une deuxième bande de fréquences différente de la première bande de fréquences. Selon un mode de réalisation, une salve d’ondes ultrasonores peut être composée de multiples fréquences qui évoluent de manière continue ou discontinue, régulière ou irrégulière pendant le temps d’une salve d’excitation. La FIG. 7 représente une courbe d'évolution en fonction du temps t du signal de commande S du transducteur électro-acoustique 40 permettant d'obtenir une salve d'ondes ultrasonores correspondant à un signal pseudopériodique modulé en fréquence autour d'une fréquence porteuse et également modulé en amplitude par une enveloppe dont les variations sont lentes par rapport aux oscillations de la phase, un tel signal étant également appelé Chirp. Selon un mode de réalisation, le signal de commande S correspond à une forme d'onde périodique, par exemple un signal sinusoïdal, un signal oscillant de fréquence croissante ou décroissante, un signal à fréquences multiples, etc. La FIG. 8 , la FIG. 9 , la FIG. 10 , et la FIG. 11 représentent chacune, en partie gauche, une courbe d'évolution en fonction du temps t du signal de commande S du transducteur électro-acoustique 40 et, en partie droite, l'amplitude M du spectre en fonction de la fréquence F du signal de commande S représenté en partie gauche pour différents modes de réalisation de commande du transducteur électro-acoustique 40. Un signal de commande S avec une variation lente de son amplitude tel que celui représenté en FIG. 7 et en FIG. 10 présente un spectre dont les harmoniques à la fréquence centrale sont fortement atténuées en comparaison avec un signal de commande S dont l'enveloppe présenterait des variations rapides comme c'est le cas des signaux représentés dans les figures 8 et 9. La FIG. 12 représente une courbe d'évolution en fonction du temps de la pression P d'une onde ultrasonore fournie par le transducteur électro-acoustique 40 selon un mode de réalisation dans lequel le transducteur électro-acoustique 40 est commandé pour fournir des salves successives d'ondes ultrasonores d'amplitudes différentes. En fonctionnement, les transducteurs électro-acoustiques 40 émettent des ondes acoustiques ultrasonores dans le volume interne 34 qui se superposent. Selon un mode de réalisation, les transducteurs électro-acoustiques 40 sont commandés par le circuit de commande 41 pour que les ondes acoustiques ultrasonores qu'ils émettent et qui se superposent dans le volume interne 34 forment une onde acoustique stationnaire dans le volume interne 34. La FIG. 13 , la FIG. 14 , la FIG. 15 , et la FIG. 16 illustrent des exemples d'ondes acoustiques stationnaires 50 et représentent chacune des courbes d'évolution de la pression P, en unité arbitraire, dans le volume interne 34 le long d'une droite reliant des points A et B situés sur la paroi interne 35 de la conduite 31. On appelle D la distance entre les points A et B. On appelle λ la longueur d'onde de l'onde acoustique stationnaire, qui est également égale à la longueur d'onde des ondes ultrasonores émises par les transducteurs électro-acoustiques 40. Sur la FIG. 13 , plusieurs courbes d'évolution de la pression P sont représentées à des instants différents tandis que sur les figures 14 à 16, seule les deux courbes d'évolution correspondant à la pression P maximale et minimale sont représentées. En FIG. 13 , la longueur d'onde λ de l'onde acoustique stationnaire est égale au double de la distance D. En FIG. 14 , la longueur d'onde λ de l'onde acoustique stationnaire est égale 3/2 fois la distance D. En FIG. 15 , la longueur d'onde λ de l'onde acoustique stationnaire est égale à 5/2 fois la distance D. En FIG. 16 , la longueur d'onde λ de l'onde acoustique stationnaire est égale à 9/2 fois la distance D. Sur la droite reliant les points A et B, on peut observer des emplacements, appelés noeuds N, auxquels la pression P est sensiblement constante dans le temps, et des emplacements, appelés ventres V, auxquels la variation de pression P dans le temps est maximale. Chaque noeud N est situé entre deux ventres V adjacents. En particulier, en FIG. 13 , on observe deux ventres V et un noeud N. En FIG. 14 , on observe trois noeuds N et quatre ventres V. En FIG. 15 , on observe cinq noeuds N et six ventres V. En FIG. 16 , on observe neuf noeuds N et dix ventres V. La position du noeud N ou des noeuds N peut être maîtrisée avec précision. Selon un mode de réalisation, la fréquence des ondes ultrasonores émises par chaque transducteur électro-acoustique 40 est comprise entre 17 KHz et 510 MHz lorsque la dimension D est comprise entre 1 µm et 10 cm. A titre d'exemple, la fréquence des ondes ultrasonores est de l'ordre de 0,17 MHz lorsque la dimension D est de l'ordre de 1 mm pour obtenir une onde acoustique stationnaire 50 ayant un seul noeud N comme cela est représenté en FIG. 13 . Le tableau suivant indique des exemples de la fréquence F des ondes ultrasonores émises par chaque transducteur électro-acoustique 40 en fonction du nombre de noeuds N souhaités de l'onde stationnaire et de la distance D [Table 1] Nombre de noeuds N 1 3 5 9 Nombre de demi longueur d'onde L/2 3L/2 5L/2 9L/2 D (m) F (kHz) 10 -6 1,7*10 5 5,1*10 5 1,53*10 6 4,59*10 6 10 - 5 1,7*10 4 5,1*10 4 1,53*10 5 4,59*10 5 10 - 4 1,7*10 3 5,1*10 3 1,53*10 4 4,59*10 4 10 - 3 1,7*10 2 5,1*10 2 1,53*10 3 4,59*10 3 10 - 2 1,7*10 5,1*10 1,53*10 2 4,59*10 2 10 - 1 1,7 5,1 1,53*10 4,59*10 Selon un mode de réalisation, les transducteurs électro-acoustiques 40 sont commandés par le circuit de commande 41 pour que les ondes acoustiques ultrasonores qu'ils émettent et qui se superposent dans le volume interne 34 forment une onde acoustique stationnaire dans le volume interne 34 comprenant des noeuds répartis sensiblement selon un plan. La FIG. 17 et la FIG. 19 sont des vues en coupe de dessus, partielles et schématiques, du dispositif 30 de formation de gouttelettes de la FIG. 2 ou 2B illustrant les emplacements de noeuds d'ondes acoustiques stationnaires 50 dans deux configurations. La FIG. 18 est une vue en perspective représentant des courbes d'évolution de la pression d'une onde stationnaire dans deux plans perpendiculaires pour la configuration de la FIG. 17 et la FIG. 20 est une vue en perspective représentant des ondes stationnaires dans différents plans pour la configuration de la FIG. 19 dans un premier ensemble de neuf plans parallèles et un deuxième ensemble de neuf plan parallèles et perpendiculaires aux plans du premier ensemble. Sur les figures 17 et 18, l'onde acoustique stationnaire comprend un seul noeud N situé sensiblement au centre de la conduite 31. Sur les figures 19 et 20, l'onde acoustique stationnaire comprend 81 noeuds N répartis sensiblement en rangées et en colonnes selon un plan. Dans les exemples d'ondes stationnaires décrits précédemment en relation avec les figures 13 à 22, les amplitudes maximales des ondes ultrasonores fournies par les transducteurs électro-acoustiques 40 sont sensiblement égales. Selon un mode de réalisation, les positions des noeuds N peuvent être modifiées lorsque les amplitudes maximales des ondes ultrasonores émises par les deux transducteurs électro-acoustiques 40 sur deux faces 37 opposées ne sont pas égales et ou lorsqu'un terme de phase différent est appliqué aux transducteurs électro-acoustiques 40. Dans les modes de réalisation décrits précédemment en relation avec les figures 13 à 20, les noeuds N de l'onde stationnaire sont répartis de façon régulière dans un plan du volume interne 34. A titre variante, les ondes stationnaires peuvent être générées avec une répartition des noeuds N différente d'une répartition régulière. La FIG. 21 est une figure analogue à la FIG. 13 et illustre deux ondes stationnaires 50_1 et 50_2 présentant toutes deux un seul noeud N1 et N_2. Les ondes stationnaires 50_1 et 50_1 ont la même fréquence. Pour l'onde stationnaire 50_1, qui correspond à l'onde stationnaire 50 de la FIG. 13 , les amplitudes maximales de la pression P aux points A et B sont sensiblement égales de sorte que le noeud N1 est sensiblement à mi-distance des points A et B. Pour l'onde stationnaire 50_2, l'amplitude maximale de la pression P au point A est supérieure à l'amplitude maximale de la pression P au point B de sorte que le noeud N2 est plus proche du point B que du point A. La FIG. 22 est une figure analogue à la FIG. 14 et illustre un onde stationnaire 50 présentant trois noeuds N. L'onde stationnaire 50 est obtenue par la fourniture d'ondes ultrasonores au point A et au point B de même fréquence mais déphasées l'une par rapport à l'autre. Dans les modes de réalisation décrits précédents, un seul transducteur électro-acoustique 40 est présent sur chaque face 37 de la conduite 31. A titre de variante, le dispositif 30 de formation de gouttelettes 20 du système 10 de fourniture de gouttelettes de la FIG. 1 peut comprendre deux ou plus de deux transducteurs électro-acoustiques 40 sur au moins une face 37 de la conduite 31. Selon un mode de réalisation, les transducteurs électro-acoustiques 40 peuvent être situés dans un même plan perpendiculaire à l'axe de la conduite 31. De façon avantageuse, lorsque les transducteurs électro-acoustiques 40 sont commandés pour la formation d'une onde acoustique stationnaire, le plus grand nombre de transducteurs électro-acoustiques 40 permet d'avoir une plus grande flexibilité dans le positionnement des noeuds N de l'onde acoustique stationnaire. La FIG. 23 est une figure analogue à la FIG. 19 d'un autre mode de réalisation du dispositif 30 de formation de gouttelettes 20 du système 10 de fourniture de gouttelettes de la FIG. 1 . Le dispositif 30 illustré en FIG. 23 comprend l'ensemble des éléments du dispositif 30 de formation de gouttelettes illustré en FIG. 19 à la différence qu'il comprend plusieurs transducteurs électro-acoustiques 40 sur chaque face 37 de la conduite 31. Chacun des transducteurs 40 peut être pilotés par un signal différent en amplitude, en phase ou en fréquence. La FIG. 23 illustre une onde stationnaire comprenant 81 noeuds N qui ne sont pas répartis de façon régulière dans un plan. La FIG. 24 , la FIG. 24 , la FIG. 24 , et la FIG. 24 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, du dispositif 30 de formation de gouttelettes de la FIG. 2 , 2B ou 3 à des étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fonctionnement du dispositif 30. La FIG. 24 est une vue en coupe du dispositif 30 après l'introduction d'un bloc 21 du matériau liquide par l'ouverture d'entrée 32 du dispositif 30. Le bloc 21 est fourni au dispositif 30 de formation de gouttelettes par le dispositif de transfert 14, non représenté en FIG. 24 . Le dispositif de transfert 14 peut projeter le bloc 21 dans l'ouverture d'entrée 32 du dispositif 30 avec une vitesse initiale donnée. Les transducteurs électro-acoustiques 40 sont commandés par le circuit de commande 41 pour fournir une onde acoustique stationnaire 50 dans le volume interne 34 comprenant un noeud N, par exemple sensiblement au centre de la conduite 31, et des ventres V autour du noeud N. La FIG. 24 est une vue en coupe du dispositif 30 lorsque le bloc 21 arrive sur l'onde acoustique stationnaire 50. Les variations de pression aux ventres V de l'onde acoustique stationnaire 50 tendent à chasser le matériau liquide hors des emplacements des ventres V vers le noeud N de l'onde acoustique stationnaire 50. La FIG. 24 est une vue en coupe du dispositif 30 après la formation d'une gouttelette 20 au noeud N de l'onde acoustique stationnaire 50. La FIG. 24 est une vue en coupe du dispositif 30 après que la gouttelette 20 a continué son parcours dans la conduite 31 jusqu'à l'ouverture de sortie 33 sous l'action de la gravité. En FIG. 24 , on a en outre représenté partiellement le dispositif 60 de récupération de matériau liquide situé du côté de l'ouverture de sortie 33. Le dispositif 60 permet de récupérer les excédents de matériau liquide ou les éventuelles gouttelettes 20 qui se seraient mal formées. La position de la gouttelette 20 par rapport à l'orifice de sortie 33 peut de façon avantageuse être contrôlée avec précision. En outre, cette position peut de façon avantageuse être modifiée au cours de l'utilisation du dispositif 30 en modifiant l'onde acoustique stationnaire 50. En outre, la gouttelette 20 peut de façon avantageuse ne pas être en contact mécanique avec les parois de la conduite 31 lorsqu'elle sort par l'orifice de sortie 33. Selon un mode de réalisation, le bloc 21 correspond déjà à une gouttelette du matériau fluide. Dans ce cas, le dispositif 30 de formation de gouttelettes 20 permet de déplacer la gouttelette 21 incidente à une position donnée. Les modes de réalisation décrits précédemment en relation avec les figures 24A à 24D concernent le traitement d'une seule gouttelette 20. Toutefois, le dispositif 30 de formation de gouttelettes peut être utilisé pour le traitement simultané de plusieurs gouttelettes par la génération d'une onde acoustique stationnaire et/ou de forces de radiation acoustique. La FIG. 25 , la FIG. 25 , la FIG. 25 , et la FIG. 25 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, du dispositif 30 de formation de gouttelettes de la FIG. 2 , 2B ou 3 à des étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fonctionnement du dispositif 30. La FIG. 25 est une vue en coupe du dispositif 30 après l'introduction d'un bloc 21 du matériau liquide par l'ouverture d'entrée 32 du dispositif 30. Le bloc 21 est fourni au dispositif 30 de formation de gouttelettes par le dispositif de transfert 14, non représenté en FIG. 15 . Le dispositif de transfert 14 peut projeter le bloc 21 dans l'ouverture d'entrée 32 du dispositif 30 avec une vitesse initiale donnée. Les transducteurs électro-acoustiques 40 sont commandés par le circuit de commande 41 pour fournir une onde acoustique stationnaire 50 dans le volume interne 34 comprenant des noeuds N, par exemple sensiblement répartis selon un plan, et des ventres V entre les noeuds N. La FIG. 25 est une vue en coupe du dispositif 30 lorsque le bloc 21 arrive dans l'onde acoustique stationnaire 50. Les variations de pression aux ventres V de l'onde acoustique stationnaire 50 tend à chasser le matériau liquide aux emplacements des ventres V. Le bloc 21 tend ainsi à se diviser en gouttelettes situées sensiblement aux emplacements des noeuds N de l'onde acoustique stationnaire 50. La FIG. 25 est une vue en coupe du dispositif 30 après la division du bloc 21 en gouttelettes 20 aux noeuds N de l'onde acoustique stationnaire 50. La FIG. 25 est une vue en coupe du dispositif 30 après que les gouttelettes 20 continuent leurs parcours dans la conduite 31 jusqu'à l'ouverture de sortie 33 sous l'action de la gravité Plusieurs gouttelettes 20 peuvent de façon avantageuse être fournies simultanément par le dispositif 30 de formation de gouttelettes. Les positions des gouttelettes 20 par rapport à l'orifice de sortie 33 peuvent de façon avantageuse être contrôlées avec précision. En outre, les gouttelettes 20 peuvent de façon avantageuse ne pas être en contact mécanique avec les parois de la conduite 31 lorsqu'elles sortent par l'orifice de sortie 33. En outre, le nombre de gouttelettes 20 fournies simultanément peut de façon avantageuse être modifié au cours de l'utilisation du dispositif 30 en modifiant l'onde acoustique stationnaire 50. Les figures 24A à 24D, 25A à 25D, et 26 sont des vues en coupe schématiques illustrant des modes de réalisation de procédés de fonctionnement du dispositif 30 de formation de gouttelettes qui peuvent être mis en oeuvre avec un dispositif 30 de formation de gouttelettes ayant une structure à symétrie de révolution axiale comme pour le dispositif illustré en FIG. 3 ou avec un dispositif 30 de formation de gouttelettes ayant une structure à symétrie plane comme pour le dispositif illustré en FIG. 2 ou 2B, et de façon plus générale avec un dispositif 30 de formation de gouttelettes ne présentant pas de symétrie. Les figures 24A à 24D, 25A à 25D, et 26 sont des vues en coupe schématiques illustrant des modes de réalisation de procédés de fonctionnement du dispositif 30 de formation de gouttelettes qui peuvent être mis en oeuvre avec un dispositif 30 de formation de gouttelettes ayant une structure à symétrie de révolution axiale comme pour le dispositif illustré en FIG. 3 ou avec un dispositif 30 de formation de gouttelettes ayant une structure à symétrie plane comme pour le dispositif illustré en FIG. 2 ou 2B, et de façon plus générale avec un dispositif 30 de formation de gouttelettes ne présentant pas de symétrie. Dans les modes de réalisation décrits précédents, tous les transducteurs électro-acoustique 40 du dispositif 30 de formation de gouttelettes 20 sont situés dans un même plan perpendiculaire à l'axe Δ de la conduite 31. Toutefois, le dispositif 30 de formation de gouttelettes 20 peut comprendre des transducteurs électro-acoustiques 40 qui sont situés dans différents plans perpendiculaires à l'axe Δ. Ceci permet notamment la formation dans la cavité d'une onde ultrasonore stationnaire ayant des noeuds dans des différents plans perpendiculaires à l'axe Δ. Cela permet en outre l’application d'une force de radiation acoustique sur la gouttelette, éventuellement variable tout au long du déplacement de la gouttelette 20 sur au moins une partie de son parcours dans la cavité 34. La FIG. 27 est une vue en perspective, partielle et schématique, d'un autre mode de réalisation du dispositif 30 de formation de gouttelettes 20 du système 10 de fourniture de gouttelettes de la FIG. 1 . Le dispositif 30 illustré en FIG. 27 comprend l'ensemble des éléments du dispositif 30 de formation de gouttelettes illustré en FIG. 2 ou 2B à la différence qu'il comprend plusieurs transducteurs électro-acoustiques 40 sur chaque face 37 de la conduite 31 situés dans différents plans perpendiculaires à l'axe Δ. Selon un mode de réalisation, le circuit de commande relié aux transducteurs électro-acoustiques 40 reposant sur une même face 37 permet d'appliquer un signal de commande spécifique à chaque transducteur électro-acoustique 40 reposant sur la même face 37. Selon un mode de réalisation, les mêmes signaux de commande peuvent être transmis à un groupe de transducteurs électro-acoustiques 40 reposant sur une même face 37 ou sur plusieurs faces 37 différentes. En FIG. 27 sur chaque face 37, les transducteurs électro-acoustiques 40 sont disposés en rangées et en colonnes pour former une matrice de transducteurs électro-acoustiques 40. Selon un mode de réalisation, le dispositif 30 de formation de gouttelettes 20 de la FIG. 27 est utilisé pour former des ondes acoustiques stationnaires dont les noeuds sont situés sur plusieurs plans sensiblement perpendiculaires à l'axe Δ. Selon un autre mode de réalisation, les transducteurs 40 reposant sur une face 37 du dispositif sont pilotés individuellement par des signaux de commande déphasés entre eux et peuvent fournir des ondes acoustiques ayant des amplitudes qui sont utilisés conjointement pour former une onde acoustique stationnaire avec une répartition des nœuds non rectilignes dans la cavité 34. La FIG. 28 est une vue en coupe partielle et schématique d'un mode de réalisation de formation de gouttelettes 20 comprenant des transducteurs électro-acoustiques 40 situés dans différents plans perpendiculaires à l'axe Δ et illustre un onde stationnaire comprenant des noeuds N qui ne sont pas répartis de façon régulière le long de l'axe Δ de la conduite 31. Cela peut permettre par exemple de conduire les gouttes selon une direction non parallèle à l’axe Δ, ou encore de faire des sortes d’entonnoirs. Selon un mode de réalisation, les transducteurs électro-acoustique 40 sont commandés pour que l'onde acoustique stationnaire évolue en fonction du temps. Selon un mode de réalisation, les transducteurs électro-acoustique 40 sont commandés pour obtenir des ondes acoustiques stationnaires successives différentes ou similaires le long de l’axe delta. Selon un mode de réalisation, les transducteurs électro-acoustique 40 sont commandés pour l'application d'une force de radiation sur la gouttelette ayant une composante perpendiculaire à l'axe Δ, dans différents plans perpendiculaires à l'axe Δ. Selon un mode de réalisation, les signaux de commande fournis aux transducteurs 40 peuvent être adaptés de façon à focaliser des ondes ultrasonores vers la gouttelette 20 au cours de son déplacement dans la cavité 34. Selon un mode de réalisation, la commande des transducteurs électro-acoustiques 40 peut être modifiée dans le temps en fonction d'au moins un signal de mesure. En amplitude, en phase et en fréquence. En particulier, l’amplitude, la fréquence et/ou la phase des ondes ultrasonores émises par les transducteurs électro-acoustiques 40 peuvent être modifiées dans le temps en fonction d'au moins un signal de mesure. Le signal de mesure peut être fourni par un système de détection temps réel du positionnement de la gouttelette 20. Selon un mode de réalisation, le système de détection peut être un système optique ou un système acoustique. Selon un mode de réalisation, les transducteurs électro-acoustiques 40 peuvent faire partie du système de détection. La FIG. 29 est une vue en coupe, partielle et schématique, du dispositif 30 de formation de gouttelettes 20 de la FIG. 2 , 2B ou 3 à une étape d'un autre mode de réalisation d'un procédé de fonctionnement du dispositif de formation de gouttelettes. Selon un mode de réalisation, les transducteurs électro-acoustiques 40 sont commandés par le circuit de commande 41 pour émettre des ondes ultrasonores 51 qui se propagent dans le volume interne 34 de la conduite 31 jusqu'à la gouttelette 20 sans toutefois former d'ondes stationnaires dans le volume interne. Les ondes ultrasonores 51 exercent des forces de radiation acoustique qui agissent sur la gouttelette 20 de matériau liquide au cours du parcours de la gouttelette 20 dans la conduite 31. Les forces de radiation acoustique sont des forces mécaniques dont l'amplitude dépend notamment de la capacité d'absorption acoustique du matériau liquide de la gouttelette 20 et de la différence d'impédance acoustique entre le matériau liquide et l'air à l'interface. En particulier, les forces de radiation acoustique qui agissent sur la gouttelette 20 de matériau liquide peuvent entraîner la division de la gouttelette 20 en plusieurs gouttelettes 20, et peuvent le cas échéant dévier la gouttelette 20 de sa trajectoire selon l'axe Δ en appliquant à la gouttelette une force orientée selon un axe perpendiculaire à l'axe Δ, ou appliquer une rotation à la gouttelette 20, ce qui a pour effet de changer la trajectoire de la gouttelette 20 et/ou de mieux contenir sa forme jusqu’au substrat 22, non représenté en FIG. 29 . Dans le mode de réalisation illustré en FIG. 29 , deux transducteurs électro-acoustiques 40 sont représentés. Toutefois, lorsque les forces exercées sur le bloc 21 sont essentiellement des forces de radiation acoustique, le dispositif 30 de formation de gouttelettes 20 comprenant un seul transducteur électro-acoustique 40 peut être utilisé, notamment en prévoyant que la paroi 33 opposée au seul transducteur électro-acoustique 40 est absorbante pour les ondes ultrasonores. La FIG. 30 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'une variante de réalisation de dispositif 30 de formation de gouttelettes 20 représenté en FIG. 29 . Selon cette variante, au moins l'un des transducteurs électro-acoustiques 40 est en outre adapté à fonctionner comme capteur d'ondes ultrasonores 52, et est adapté à fournir au circuit de commande 41 un signal S' représentatif des ondes ultrasonores 52 captées. Le circuit de commande 41 est alors en outre adapté à réaliser un traitement du signal S'. Les ondes ultrasonores 52 captées par le transducteur électro-acoustique 40 peuvent être issues de réflexions des ondes ultrasonores 51 émises par l'un des transducteurs électro-acoustiques 40 vers la gouttelette 20 ou peuvent correspondre des ondes ultrasonores 51 émises par l'un des transducteurs électro-acoustiques 40 ayant traversé la gouttelette 20. Selon un mode de réalisation, au moins l'un des transducteurs électro-acoustiques 40 est utilisé alternativement comme un générateur d'ondes ultrasonores et comme un capteur d'ondes ultrasonores. Pendant une phase de commande dans laquelle le transducteur électro-acoustique 40 est utilisé comme un générateur d'ondes ultrasonores, le circuit de commande 41 transmet le signal de commande S au transducteur électro-acoustique 40 pour l'émission des ondes ultrasonores 51 et, pendant une phase de mesure pendant laquelle le transducteur électro-acoustique 40 est utilisé comme un capteur d'ondes ultrasonores, le circuit de commande 41 reçoit le signal S' transmis par le transducteur électro-acoustique 40 suite à la réception des ondes ultrasonores 52 par le transducteur électro-acoustique 40. Selon un mode de réalisation, le circuit de commande 41 est adapté à analyser le signal S' fourni par le transducteur électro-acoustique 40 pendant une phase de mesure pour modifier le signal S fourni pendant une phase de commande ultérieure fourni à au moins l'un des transducteurs électro-acoustiques 40. Selon un mode de réalisation, le circuit de commande 41 est adapté à déterminer l'évolution de propriétés de la gouttelette 20, par exemple la position de la gouttelette 20, en mettant en oeuvre un procédé de temps de vol en déterminant la durée de propagation des ondes ultrasonores 51 du transducteur électro-acoustique 40 jusqu'à la gouttelette 20 et la durée de propagation des ondes ultrasonores réfléchies 52 sur la gouttelette 20 jusqu'au transducteur électro-acoustique 40. Selon un mode de réalisation, le circuit de commande 41 est adapté à déterminer l'évolution de propriétés de la gouttelette 20, par exemple la position de la gouttelette 20 et/ou son volume, par une analyse de la résonance du volume intérieur 34 ou par une analyse de la résonance de la gouttelette 20 en déterminant le spectre des ondes ultrasonores réfléchies 52 sur la gouttelette 20 et/ou des ondes ultrasonores réfléchies 52 ayant traversé la gouttelette 20. La modification du signal S comprend par exemple l'augmentation de l'intensité des ondes ultrasonores 51 émises, la diminution de l'intensité des ondes ultrasonores 51 émises, ou l'arrêt de l'émission des ondes ultrasonores 51. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Dispositif (30) de formation de gouttelettes (20) d'un matériau liquide comprenant une conduite (31) s'étendant selon un axe (Δ), la conduite (31) étant remplie d'un gaz ou d'un mélange gazeux et ayant une ouverture d'entrée (32) destinée à recevoir un bloc (21) ou une gouttelette du matériau liquide, le dispositif (30) de formation de gouttelettes (20) comprenant en outre au moins un transducteur électro-acoustique (40) configuré pour émettre des premières ondes ultrasonores (51) dans le gaz ou le mélange gazeux contenu dans la conduite (31) jusqu'au bloc (21) ou la gouttelette du matériau liquide, d'où il résulte la formation ou le déplacement de la gouttelette (20) du matériau liquide. Dispositif selon la revendication 1, comprenant des transducteurs électro-acoustiques (40) reposant sur un premier plan incliné par rapport audit axe (Δ) et configurés pour émettre les premières ondes ultrasonores (51) dans le gaz ou le mélange gazeux contenu dans la conduite (31) jusqu'au bloc (21) ou la goutte (20) du matériau liquide. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le premier plan est orthogonal audit axe (Δ). Dispositif selon la revendication 2 ou 3, comprenant au moins une première paire de transducteurs électro-acoustiques (40) symétriques par rapport audit axe (Δ). Dispositif selon la revendication 4, comprenant en outre une deuxième paire de transducteurs électro-acoustiques (40) symétriques par rapport audit axe (Δ). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, comprenant en outre un circuit électronique (41) de commande dudit au moins un transducteur électro-acoustique (40). Dispositif selon la revendication 6 dans son rattachement à la revendication 2, dans lequel le circuit électronique (41) est configuré pour commander les transducteurs électro-acoustiques (40) pour que la superposition des premières ondes ultrasonores (50) forme une onde acoustique stationnaire (50) dans la conduite (31). Dispositif selon la revendication 6, dans lequel le circuit électronique de commande (41) est configuré pour commander ledit au moins un transducteur électro-acoustique (40) pour déformer le bloc (21) du matériau liquide sous l'action de forces de radiation acoustique. Dispositif selon la revendication 6, dans lequel le circuit électronique de commande (41) est configuré pour commander ledit au moins un transducteur électro-acoustique (40) pour fournir les premières ondes ultrasonores (51) dans une première phase et pour commander ledit au moins un transducteur électro-acoustique (40) pour capter des deuxièmes ondes ultrasonores (51, 52) dans une deuxième phase. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 5, comprenant des transducteurs électro-acoustiques (40) supplémentaires reposant sur un deuxième plan parallèle au premier plan. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le transducteur électro-acoustique (40) est un transducteur ultrasonore micro-usiné capacitif, ou un transducteur ultrasonore micro-usiné piézoélectrique, ou un transducteur comprenant au moins une couche d'un matériau piézoélectrique (43). Imprimante 3D comprenant un dispositif (30) de formation de gouttelettes (20) selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, un réservoir (12) du matériau liquide à imprimer (30), et un dispositif (14) de transfert du bloc (21) du matériau liquide depuis le réservoir (12) vers le dispositif (30) de formation de gouttelettes.