Brevet FR3163463A1 — publié le 20251219

L’invention a pour objet une structure de détection de rayonnement (SPD) formée par un empilement de couches comprenant : une couche d’absorption (CA), en un matériau de structure pérovskite, une électrode supérieure (EL1) et une électrode inférieure (EL2). La couche d’absorption (CA) est disposée entre l’électrode inférieure et l’électrode supérieure. Ledit empilement comprend en outre une couche de blocage (CB), en un matériau diélectrique, confinée entre : d’une part la couche d’absorption (CA), et d’autre part une électrode choisie parmi l’électrode supérieure (EL1) ou l’électrode inférieure (EL2). La couche de blocage (CB) comprend au moins une discontinuité (11, V1) remplie par ledit matériau de structure pérovskite ou par un troisième matériau conducteur de manière à former une zone de contact électrique direct (ZCD) entre la couche d’absorption (CA) et ladite électrode (EL1, EL2). Figure pour l’abrégé : Fig. 1a Dispositif détecteur à faible courant d’obscurité pour la détection des rayonnements ionisants La présente invention concerne le domaine des dispositifs électroniques et optoélectroniques pour la détection de rayonnements ionisants tels que les rayons X, gamma, particules chargées alpha, béta et neutrons. Plus particulièrement, l’invention concerne les structures planaires multicouches d’absorption de rayonnements à base de matériaux de type pérovskite. Le domaine technique concerné est la réalisation de systèmes hybrides, comprenant : une partie de conversion basée sur au moins un élément sensible permettant de générer des porteurs de charge électriques à partir de photons ou particules incidents; et une partie électronique consistant en un circuit de lecture monté totalement ou partiellement sur un substrat et permettant de lire individuellement le signal de chaque pixel de la partie de conversion. D’une manière générale, la partie de conversion comprend une couche d’absorption confinée entre deux électrodes. La couche d’absorption semi-conductrice convertit le rayonnement incident en porteurs de charge négatifs « électrons » dans la bande de conduction et de charges positives « trous » dans la bande de valence. Les matériaux utilisés pour réaliser la couche d’absorption et l’épaisseur de la couche d’absorption déterminent la proportion de rayonnement absorbé selon son énergie. Dans le contexte de l’invention, on entend par structure de détection de rayonnement une structure apte à convertir des rayonnements ionisants en un signal électronique lisible par un circuit de lecture. Le terme rayonnements ionisants couvre à titre d’exemple des rayons X, des rayons gamma, des particules chargées alpha, béta et neutrons. Les dispositifs destinés à la détection directe de rayonnements ionisants (rayons X) nécessitent des couches d’absorption avec des dimensions latérales (largeur, longueur) supérieures par rapport à la plupart des autres dispositifs de détection optiques. Les matériaux conventionnels utilisés pour réaliser des couches d’absorption dans ce domaine ne sont soit pas compatibles avec ces larges dimensions et à des coûts de fabrication raisonnables (Cd x Zn 1-x Te ou CdTe monocristallins par exemple), soit limités en absorption pour les hautes énergies nécessaires pour la radiographie générale (Selenium amorphe par exemple). Dans ce contexte, les matériaux semiconducteurs ayant une structure cristalline de type pérovskite présentent des solutions émergentes pour la réalisation des structures d’absorption et de conversion dans des dispositifs optoélectroniques. Ce type de matériau permet de réaliser des couches d’absorption ayant des dimensions latérales supérieures à 10cm tout en gardant des performances de conversion comparables à celles des matériaux conventionnels. Dans le cadre de la description de l’invention, on entend par « couche en pérovskite » une couche réalisée en un matériau semi-conducteur ayant une structure cristalline de type pérovskite ou s’apparentant aux pérovskites. Dans le contexte de l’invention, les pérovskites utilisées peuvent être des pérovskites 0D, des pérovskites 1D, pérovskites 2D, pérovskites 3D, ou un mélange de ces différentes pérovskites. Une pérovskite 0D est un matériau cristallin à base de pérovskite de structure nanométrique de dimension zéro. Cela signifie que les atomes dans la structure cristalline sont disposés de manière uniforme dans une configuration à échelle nanométrique. Un pérovskite 1D est un matériau cristallin à base de pérovskite de structure linéaire de dimension une. Cela signifie que les atomes dans la structure cristalline sont disposés de manière uniforme le long d'une seule direction. Les pérovskites 1D peuvent prendre la forme de nanofils, de nanotubes ou de nanofibres. Un pérovskite 2D est un matériau cristallin à base de pérovskite de structure plane de dimension deux. Cela signifie que les atomes dans la structure cristalline sont disposés de manière uniforme sur une surface plane. Les pérovskites 2D peuvent prendre la forme de feuilles ultra-minces ou de feuillets. A titre d’exemple, on peut citer les structures pérovskite de type Ruddlesden-popper ou Dion-Jacobson. Un pérovskite 3D est un matériau cristallin à base de pérovskite de structure tridimensionnelle de dimension trois. Cela signifie que les atomes dans la structure cristalline sont disposés de manière uniforme dans un espace tridimensionnel. Les pérovskites 3D peuvent prendre la forme de cristaux massifs ou de poudres cristallines. La pérovskite a avantageusement une composition de type ABX 3, avec: A sélectionné dans un premier ensemble d’éléments parmi: des cations inorganiques tels que le césium Cs, le rubidium Rb, le potassium K, le sodium Na, ou le lithium Li; des cations organiques tels que MA (méthylammonium)= CH 3 -NH 3 + , FA (formamidinium)=CH 5 N 2 + , GA (guanidinium)=CH 6 N 3 + ; EA (éthylammonium)=CH 3 CH 2 NH 3 + ; DMA (diméthylammonium)=C 2 H 6 NH 2 + ; AC (acetamidinium)= C 2 H 3 N 2 H 4 + ; AZ (azetidinium)=C 3 H 6 NH 2 + ; TBA (tetrabutylammonium)= C 4 H 9 NH 3 + ; PYRI (pyridium)= C 5 H 5 NH + ; PYRO (pyrrolidium)= C 4 H 8 NH 2 + ; isoP (iso-propylammonium)=C 3 H 7 NH 3 + ; PIP (piperidium)= C 5 H 10 NH 2 + ou un alliage desdits éléments du premier ensemble d’éléments ; B sélectionné dans un second groupe d’éléments parmi : des cations inorganiques tels que le plomb Pb, l’étain Sn, le germanium Ge , le silicium Si, le Sr, le Ba, l’Eu, le Tm, l’Yb, l’Hg ; des cations organiques tels que MDABCO=N-methyl-1,4-diazabicyclo[2.2.2]octane, ODABC=N-hydroxy-N′-diazabicyclo[2.2.2]octonium ; ou un alliage desdits éléments du second ensemble d’éléments ; X sélectionné dans un troisième ensemble d’éléments parmi des halogènes tels que le brome Br, l’iode I, le chlore Cl, le fluor F ou un alliage desdits éléments du troisième ensemble d’éléments. Alternativement, la pérovskite a pour formule A 2 C 1+ D 3+ X 6, avec: A, X sélectionnés respectivement dans le premier ensemble d’éléments et le troisième ensemble d’éléments ; C sélectionné dans un quatrième groupe d’éléments parmi : des cations inorganiques tels que l’or Au, l’argent Ag, le cuivre Cu, le thallium Tl , le lithium Li ; le césium Cs, le sodium Na, le rubidium Rb, le potassium K ; ou un alliage desdits éléments du quatrième ensemble d’éléments ; D sélectionné dans un cinquième groupe d’éléments parmi : des cations inorganiques tels que l’or Au, l’aluminium Al, le galium Ga, l’indium In, l’étain Sn, le bismuth Bi, l’antimoine Sb ; ou un alliage desdits éléments du quatrième ensemble d’éléments ; Alternativement, la pérovskite a pour formule A 2 B 4+ X 6 ou A 3 B 2 3+ X 9 avec A, B, X sélectionnés respectivement dans le premier ensemble d’éléments, le deuxième ensemble d’éléments et le troisième ensemble d’éléments. On parle couramment de pérovskite hybride organique-inorganique si la composition de la pérovskite contient des éléments carbonés, et de pérovskite inorganique si la composition de la pérovskite ne contient pas d’éléments carbonés. Un problème à résoudre dans les dispositifs de détection de rayonnements, et plus particulièrement les détecteurs d’images, concerne la minimisation des courants d'obscurité. Le courant d’obscurité représente le flux électrique résiduel traversant le dispositif de détection en l'absence de radiations et dans l'obscurité. Les forts courants d'obscurité génèrent un bruit de fond de signal qui entrave la détection des flux de rayonnement en dessous d'un certain seuil, tout en limitant la dynamique du capteur. Les détecteurs à base de pérovskite présentent typiquement des courants d’obscurité de l’ordre du µA/cm². Pour certaines applications telles que les panneaux plats utilisés en radiographie médicale, les spécifications techniques exigent des courants d’obscurités de l’ordre du nA/cm², soit trois décades plus faibles que les valeurs obtenues par les solutions de l’état de l’art. Ainsi, il est nécessaire de trouver des solutions pour minimiser le courant d’obscurité dans les détecteurs à pérovskites afin de répondre aux exigences croissantes de performance et d'exactitude dans divers domaines d'application. La valeur du courant d’obscurité dans les dispositifs optoélectroniques dépend de plusieurs facteurs, notamment des effets volumiques et surfaciques de la couche semi-conductrice utilisée pour la conversion. Les effets volumiques incluent la bande interdite du matériau semi-conducteur ainsi que les défauts ponctuels et les impuretés chimiques de la couche semiconductrice. Ces défauts peuvent, entre autre, engendrer des niveaux de pièges dans la bande interdite susceptibles de générer des porteurs de charge sous l'effet de l'agitation thermique. Ces paramètres influent sur la densité de charges libres en volume sans irradiations, ce qui augmente le courant d’obscurité du détecteur. Les effets surfaciques comprennent les effets de conduction de surface et l’injection parasite de charges électroniques via les électrodes de contact. Pour un fonctionnement correct du détecteur, une polarisation est nécessaire pour créer un champ électrique entre les deux électrodes et transporter les charges générées lors de l’exposition au rayonnement. Cependant, en l’absence de rayonnement, cette polarisation peut entraîner l’injection de charges des électrodes vers la couche de conversion, ce qui peut générerer du courant d’obscurité. Un problème technique à résoudre consiste donc à réduire le courant d’obscurité des dispositifs optoélectroniques à pérovskites pour atteindre des valeurs de courant d’obscurité de l’ordre du nA/cm². Un premier moyen connu pour limiter les courants d’obscurité dans une structure détectrice consiste à utiliser des électrodes avec des travaux de sortie différents, une à fort travail de sortie (anode) et une à faible travail de sortie (cathode). Cela crée des contacts rectifiants, appelé contact Schottky, pour l’injection des charges des électrodes vers le semi-conducteur dans l’obscurité, tout en permettant la collecte des charges générées du semi-conducteur vers les électrodes lors de l'illumination. Cependant, obtenir de bons contacts rectifiants nécessite des états de surface de la couche de conversion difficiles à atteindre expérimentalement, surtout dans le cas d’une couche absorbante en pérovskite. Les défauts de surface génèrent des pièges électroniques qui modifient la barrière énergétique entre le semi-conducteur et les électrodes, empêchant ainsi la formation du contact rectifiant et limitant l'efficacité de blocage du courant d’obscurité. Le brevet américain US200201955662A1 décrit une structure détectrice de rayon X dans laquelle une couche de diélectrique est insérée entre l’électrode supérieure et la couche d’absorption en selenium amorphe. L’inconvénient de la solution décrite par ce document est que le courant généré suite à une illumination est réduit à cause de la couche diélectrique réduisant ainsi la sensibilité du détecteur. De plus, la solution décrite présente un autre inconvénient résultant du fait que l'interface du diélectrique peut se charger électriquement, provoquant des effets temporels parasites lors d'acquisitions successives d'images. Pour pallier les limitations des solutions existantes en ce qui concerne la réduction du courant d’obscurité d’une structure détectrice en pérovskite, l’invention propose plusieurs modes de réalisation d’une structure détectrice formée par un empilement de couches dans lequel une couche de blocage diélectrique non continue est disposée entre la couche d’absorption en pérovskites et au moins une électrode de collecte de charge. Les discontinuités dans la couche de blocage permettent d’établir des zones localisées de contact électrique direct entre la couche d’absorption et l’électrode de collection de charges. L’invention permet alors de minimiser le courant d’obscurité sans compromettre les performances globales du détecteur. Plus spécifiquement, l’invention propose des solutions permettant d’obtenir des courants d’obscurité inférieurs à 5nA/cm² sans dégrader la sensibilité du détecteur grâce à la structure de la couche de blocage selon l’invention. Dans le contexte de l’invention, la sensibilité est caractérisée par le nombre de charges électriques générées pour une dose de rayonnement et pour une surface de détecteur données. La structure détectrice selon l’invention permet de concevoir des dispositifs optoélectroniques répondant aux contraintes de courant d’obscurité et de performances dans des applications diverses telles que l’imagerie pour le médical (radiologie, mammographie, tomographie…), l’inspection industrielle non-destructive, la sécurité, les instruments scientifiques. L’invention propose en outre un procédé de fabrication de la structure détectrice selon l’invention basé sur la technique de « dépôt par sublimation dans l’espace proche » CSS (acronyme de l’expression en anglais Close-Space Sublimation). L’utilisation de la technique de « dépôt par sublimation dans l’espace proche » est bien maitrisée pour réaliser des couches en pérovskite. Dans le contexte de l’invention, dans un empilement de couche, le terme « couche confinée » s’interprète de la manière suivante : lorsqu’une couche est dite « confinée » entre une première couche et une seconde couche, cela veut dire que ladite couche est disposée entre d’une part la première couche et d’autre part la seconde couche et que ladite couche confinée est en contact physique avec la première couche et avec la seconde couche. Dans le contexte de l’invention, dans un empilement de couches, lorsqu’une couche est dite « disposée » entre une première couche et une seconde couche, cela veut dire que ladite couche est placée entre d’une part la première couche et d’autre part la seconde couche de manière directe avec un contact avec la première et la seconde couche ou de manière indirecte avec la présence d’une ou plusieurs couches intermédiaires qui séparent ladite couche de la première couche et/ou de la seconde couche. L’invention a pour objet une structure de détection de rayonnement formée par un empilement de couches comprenant : une couche d’absorption, en un matériau de structure pérovskite, destinée à convertir un rayon incident en charges électriques ; une électrode supérieure comprenant au moins une couche en un premier matériau conducteur, destinée à collecter les charges électriques; et une électrode inférieure comprenant au moins une couche en un second matériau conducteur, destinée à collecter les charges électriques ; la couche d’absorption étant disposée entre l’électrode inférieure et l’électrode supérieure. Ledit empilement comprenant en outre une couche de blocage, en un matériau diélectrique, confinée entre : d’une part la couche d’absorption, et d’autre part une électrode choisie parmi l’électrode supérieure ou l’électrode inférieure. La couche de blocage comprenant au moins une discontinuité remplie par ledit matériau de structure pérovskite ou par un troisième matériau conducteur de manière à former une zone de contact électrique direct entre la couche d’absorption et ladite électrode. Selon un aspect particulier de l’invention, la couche de blocage est confinée entre la couche d’absorption et l’électrode supérieure. La couche d’absorption présente des protubérances surfaciques. Chaque discontinuité de la couche d’absorption est remplie par une protubérance et débouche vers l’électrode supérieure de manière à former au moins une zone de contact électrique direct. Selon un aspect particulier de l’invention, les protubérances sont sous forme pyramidale ou granulaire ou colonnaire ou de mésas. Selon un aspect particulier de l’invention, la hauteur d’une protubérance est comprise entre 1µm et 100µm. Selon un aspect particulier de l’invention, les protubérances sont séparées par des fentes ; les fentes étant remplies par un matériau semi-conducteur ou conducteur de manière à créer un pont transporteur des charges entre deux protubérances adjacentes. Selon un aspect particulier de l’invention, une zone de contact électrique direct est formée par au moins un via débouchant traversant la couche de blocage et rempli par le troisième matériau conducteur ou par le matériau de structure pérovskite. Selon un aspect particulier de l’invention, la somme des surfaces de contact entre les zones de contact électrique direct et l’électrode choisie, est inférieure à 10% de la surface globale de ladite structure de détection de rayonnement. Selon un aspect particulier de l’invention, la structure de détection de rayonnement comprend en outre une couche de protection disposée entre l’électrode inférieure et la couche d’absorption. La couche de protection est en un matériau diélectrique inerte chimiquement par rapport à la couche d’absorption. La couche de blocage est confinée entre la couche d’absorption et l’électrode supérieure. Selon un aspect particulier de l’invention, la résistivité de la couche de blocage est supérieure à 10 8 ohm.cm. Selon un aspect particulier de l’invention, la couche de blocage est en oxyde de zircone stabilisé à l'oxyde d'yttrium (ZrO2 :Y2O3). Selon un aspect particulier de l’invention, le matériau diélectrique de la couche de blocage comprend l’azote et/ou l’oxygène et/ou le carbone. Selon un aspect particulier de l’invention, le matériau de structure pérovskite est un matériau composé ABX 3 ; A étant choisi parmi un premier groupe de cations inorganiques comprenant le césium , le rubidium , le potassium ou un alliage desdits éléments du premier groupe de cations inorganiques ; B étant choisi parmi un second groupe de cations inorganiques comprenant le plomb , l’étain , le germanium , le silicium ou un alliage desdits éléments du second groupe de cations inorganiques ; X étant choisi parmi un groupe d’halogènes comprenant le brome , l’iode , le chlore ou un alliage desdits éléments du groupe de cations. L’invention a également pour objet un dispositif de détection de rayonnements comprenant une matrice de pixels comprenant au moins un pixel formé au moyen de la structure de détection de rayonnement selon l’invention. L’invention a également pour objet un procédé de fabrication d’une structure de détection de rayonnement comprenant les étapes suivantes : déposer une couche d’absorption en un matériau de structure pérovskite par la technique de sublimation dans l’espace proche sur un support pour obtenir une surface supérieure rugueuse présentant une pluralité de protubérances déposer une couche de blocage, en un matériau diélectrique, sur ladite surface supérieure avec une épaisseur choisie de manière à obtenir au moins une protubérance qui débouche à partir de la surface supérieure de la couche de blocage ; déposer une couche en un matériau conducteur, sur la couche de blocage faisant office d’électrode supérieure couvrant toutes les protubérances qui débouchent de la couche de blocage. L’invention a également pour objet un procédé de fabrication d’une structure de détection de rayonnement comprenant les étapes suivantes : déposer une couche d’absorption en un matériau de structure pérovskite sur un support ; former des protubérances sur la surface supérieure de la couche d’absorption ; déposer une couche de blocage, en un matériau diélectrique, sur la surface supérieure avec une épaisseur choisie de manière à obtenir au moins une protubérance qui débouche à partir de la surface supérieure de la couche de blocage ; déposer l’électrode supérieure, en un matériau conducteur, sur la couche de blocage de manière couvrir toutes les protubérances débouchant de la couche de blocage. L’invention a également pour objet un procédé de fabrication d’une structure de détection de rayonnement comprenant les étapes suivantes : déposer une couche d’absorption en un matériau de structure pérovskite sur un support ; déposer une couche de blocage, en un matériau diélectrique, sur la surface supérieure ; former au moins un via débouchant à travers la couche de blocage déposer une couche en un matériau conducteur, sur la couche de blocage faisant office d’électrode supérieure de manière à remplir les vias par le matériau conducteur et obtenir une couche de blocage comprenant au moins une discontinuité correspondant au dit via. L’invention a également pour objet un procédé de fabrication d’une structure de détection de rayonnement comprenant les étapes suivantes : déposer une couche de blocage, en un matériau diélectrique, sur la surface supérieure d’un support comprenant au moins une électrode inférieure ; former au moins un via débouchant à travers la couche de blocage ; déposer une couche d’absorption en un matériau de structure pérovskite sur la couche de blocage ; déposer une couche en un matériau conducteur, sur la couche d’absorption faisant office d’électrode supérieure. D’autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront mieux à la lecture de la description qui suit en relation aux dessins annexés suivants. FIG. 1 illustre une vue en coupe d’une structure de détection de rayonnements selon un premier mode de réalisation de l’invention. FIG. 1 illustre une vue en coupe d’une variante de la structure de détection de rayonnements selon le premier mode de réalisation de l’invention. FIG. 2 illustre une vue microscopique en coupe de la surface supérieure de la couche d’absorption de la structure de détection de rayonnements selon le premier mode de réalisation de l’invention. FIG. 2 illustre une vue microscopique de dessus de la surface supérieure de la couche d’absorption de la structure de détection de rayonnements selon le premier mode de réalisation de l’invention. FIG. 2 illustre une vue microscopique zoomée en coupe de la surface supérieure de la couche d’absorption de la structure de détection de rayonnements selon le premier mode de réalisation de l’invention. FIG. 3 illustre une vue en coupe d’une structure de détection de rayonnements selon un deuxième mode de réalisation de l’invention. FIG. 3 illustre une vue en coupe zoomée d’une structure de détection de rayonnements selon le deuxième mode de réalisation de l’invention. FIG. 3 illustre une vue microscopique de dessus de la surface supérieure de la couche d’absorption de la structure de détection de rayonnements selon le deuxième mode de réalisation de l’invention. FIG. 4 illustre une vue en coupe d’une structure de détection de rayonnements selon un troisième mode de réalisation de l’invention. FIG. 5 illustre une vue en coupe d’une structure de détection de rayonnements selon un quatrième mode de réalisation de l’invention. FIG. 6 illustre une vue en coupe d’une structure de détection de rayonnements selon un cinquième mode de réalisation de l’invention. FIG. 7 illustre une vue en coupe d’un dispositif optoélectronique D1 comprenant une structure de détection de rayonnements selon l’invention. FIG. 8 illustre un procédé de fabrication d’une structure de détection de rayonnements selon un premier mode de réalisation de l’invention. FIG. 8 illustre un procédé de fabrication d’une structure de détection de rayonnements selon un deuxième mode de réalisation de l’invention. FIG. 8 illustre un procédé de fabrication d’une structure de détection de rayonnements selon un troisième mode de réalisation de l’invention. FIG. 8 illustre un procédé de fabrication d’une structure de détection de rayonnements selon un quatrième mode de réalisation de l’invention. la FIG. 1 illustre une vue en coupe illustre une vue en coupe d’une structure de détection de rayonnements SPD selon un premier mode de réalisation de l’invention. La structure de détection de rayonnements SPD est formée par un empilement de couches selon une direction d’empilement Z. L’empilement de couches comprend une couche d’absorption CA, une électrode supérieure EL1, une électrode inférieure EL2 et une couche de blocage CB. La couche d’absorption CA est réalisée en un matériau de structure pérovskite, et destinée à convertir un rayon incident en charges électriques positives et négatives. L’électrode supérieure EL1 en un matériau conducteur est destinée à collecter les charges électriques d’un signe prédéterminé dans ce cas des trous. L’électrode inférieure EL2 en un matériau conducteur est destinée à collecter les charges électriques de signe opposé dans ce cas des électrons. La couche de blocage CB en un matériau diélectrique est conçue pour limiter le courant d’obscurité dans la structure de détection de rayonnements SPD. La couche d’absorption CA est disposée entre l’électrode supérieure EL1 et l’électrode inférieure EL2. La couche de blocage est confinée entre l’électrode supérieure EL1 et la couche d’absorption CA. Dans le cas d’une matrice de pixels réalisée par l’agencement de plusieurs structures détectrices selon l’invention, la couche d’absorption CA , la couche de blocage CB et l’électrode supérieure EL1 peuvent être communs entre les pixels. La pixellisation est réalisée par les électrodes inférieures EL2 distinctes et formant la matrice. La couche d’absorption est réalisée en un matériau à structure pérovskite par exemple en CsPbBr3. Pour un dispositif de détection D1 de rayonnements X ou γ, l’épaisseur de la couche d’absorption CA en CsPbBr 3 est comprise entre 100nm et 5000µm. L’Homme du métier adapte le dimensionnement de l’épaisseur de la couche d’absorption CA selon l’application visée. Plus particulièrement, lorsque le dispositif de détection D1 est destiné à la mammographie, la valeur moyenne du spectre d’énergie absorbée est de 20keV. Ainsi, la couche d’absorption CA présente une épaisseur comprise entre 50µm et 300µm, de préférence égale à 200µm. Alternativement, lorsque le dispositif de détection D1 est destiné à la radiologie médicale avec une valeur moyenne du spectre d’énergie absorbée de 50keV, la couche d’absorption CA présente une épaisseur comprise entre 300µm et 1500µm, de préférence égale à 1000µm. Alternativement, lorsque le dispositif de détection D1 est destiné à la radiologie médicale avec une valeur centrale du spectre d’énergie absorbée de 90keV, la couche d’absorption CA présente une épaisseur comprise entre 800µm et 2500µm, de préférence égale à 2000µm. L’électrode inférieure EL2 est réalisée en un matériau conducteur électriquement. À titre d’exemple, l’électrode inférieure EL2 est réalisée en oxyde d’indium-étain (ITO pour l’anglais indium tin oxyde). À titre d’exemple, l’électrode inférieure EL2 présente une épaisseur comprise entre 50 nm et 1000 nm, préférentiellement de 200 nm. Alternativement, l’électrode inférieure EL2 est formée par un empilement de couches comprenant une couche électriquement conductrice et une couche intermédiaire semi-conductrice faisant partie de l’électrode inférieure EL2. La couche intermédiaire semi-conductrice peut être intercalée entre la couche électriquement conductrice et la couche de blocage CB. L’électrode supérieure EL1 est réalisée en un métal (chrome par exemple) ou un oxyde conducteur (ITO par exemple) à une épaisseur comprise entre 50 nm et 1000 nm (préférentiellement 200 nm). Alternativement, l’électrode supérieure EL1 est composée d’un empilement de couches métalliques, d’oxyde conducteur. Alternativement, l’électrode supérieure EL1 est formée par un empilement de couches comprenant une couche électriquement conductrice et une couche intermédiaire semi-conductrice faisant partie de l’électrode supérieure EL1. La couche intermédiaire semi-conductrice peut être intercalée entre la couche électriquement conductrice et la couche de blocage CB. Il est également possible d'utiliser d'autres types de couches conductrices. Ces alternatives comprennent les métaux, les polymères conducteurs, les encres à base de carbone, les nanotubes de carbone et les nanofils métalliques. Nous rappelons qu’une tension électrique VDD est appliquée entre l’électrode supérieure EL1 et l’électrode inférieure EL2 pour collecter les charges générées vers les deux électrodes. La couche de blocage CB en un matériau diélectrique est confinée entre la surface supérieure de la couche d’absorption CA et l’électrode supérieure EL1. La couche de blocage CB, d'épaisseur comprise entre 1nm et 100µm, est composée d'un matériau diélectrique isolant. Elle présente une résistivité élevée supérieure à 10 8 ohm.cm, de préférence supérieure à 10 12 Ohm.cm. La résistivité obtenue permet de réduire les courants d’obscurité mesurée à des valeurs inférieures à 5nA/cm 2 . De manière non exhaustive, les matériaux diélectriques possibles incluent une gamme de polymères organiques et/ou siliconés, des résines thermodurcissables, des oxydes, ou des résines de photolithographie. Dans l’exemple illustré sur la FIG. 1 , la couche de blocage CB présente une épaisseur e1 uniforme sur toute la surface de la structure de détection. L’épaisseur e1 de la couche de blocage CB est définie par la distance séparant d’une part la surface supérieure de la couche de blocage CB et d’autre part le niveau de la base des protubérances. Plus particulièrement, la couche bloquante CB peut être constituée d'une variété de matériaux, notamment des polymères organiques tels que les dérivés de cellulose, les polyoléfines, des polymères styréniques, des polymères vinyliques chlorés, des polymères acryliques , des polymères fluorés , des polyéthers, des polyamides, des polyesters, des polymères contenant du soufre, des polyuréthanes, et des poly(p-xylylène) (parylène C, parylène N, parylène D, parylène F-VT4, parylène F-AF4). Alternativement, la couche bloquante peut être composée de polymères thermodurcissables tels que les phénoplastes, les aminoplastes, les polyesters insaturés, les époxydes, les polyuréthanes, les polyimides, et les silicones. Elle peut également être une résine de photolithographie durcie, comme une résine en époxy. De plus, elle peut être un oxyde tel que Al₂O₃, SiO 2 , Si 3 N 4 , ZnO, ZTO, ZrO 2 , SnO₂, ZrO₂: Y₂O₃, TiO₂, SrTiO₃, CaTiO₃, BaTiO₃, CaSiO₃. Il est également envisageable de combiner ces matériaux sous forme de mélange et/ou d’empilements des matériaux précités selon l’une quelconque des directions de l’espace. De manière avantageuse, la composition et le mode de dépôt de la couche de blocage CB comme décrits permettent de limiter le piégeage de charges à l'interface pérovskite/diélectrique et réduire l’accumulation des charges en l’absence d’illumination. La présence de groupements chimiques à base d’azote, oxygène, soufre, phosphore présentant un caractère de type base de Lewis est par exemple bien approprié. La surface supérieure de la couche d’absorption CB en pérovskite présente une pluralité de protubérances 11,11’. Les protubérances peuvent être obtenues de manière spontanée suite à la croissance de la couche d’absorption CA en pérovskite par la technique de « dépôt par sublimation dans l’espace proche » CSS (acronyme de l’expression en anglais Close-Space Sublimation). Dans ce cas, les protubérances 11, 11’ présentent des hauteurs h1 non-uniformes ; le nombre et la distribution spatiale des protubérances est aléatoire. Dans l’exemple illustré, les protubérances 11 présentent une hauteur supérieure aux protubérances 11’. Alternativement, les protubérances sont microstructurées sur la surface supérieure de la couche d’absorption CA via des techniques de fabrication de microstructures par gravure mécanique, moulage, gravure laser, par lithographie, photolithographie suivie de gravure chimique et/ou sèche, chimique et/ou physique. Dans ce cas, les dimensions et le nombre de protubérances sont mieux contrôlés et la hauteur h1 peut être uniforme. Les protubérances 11,11’ peuvent être sous forme pyramidale ou granulaire ou colonnaire ou de mésas. On entend par « mésa » toute structure fabriquée en saillie à partir de la surface supérieure de la couche d’absorption CA. Dans le cas où les protubérances 11 résultent spontanément d’un procédé de dépôt par sublimation dans l’espace proche CSS, la forme majoritaire est pyramidale. A titre d’exemple non limitatif, la hauteur des protubérances est comprise entre 1µm et 100µm. Alternativement, les protubérances peuvent présenter des formes en saillie aléatoires et non contrôlées. La couche de blocage CB déposée sur la surface irrégulière de la couche d’absorption CA, présente ainsi des discontinuités remplies par les protubérances en pérovskite. L’épaisseur e1 de la couche de blocage CB est inférieure à un ensemble de protubérances 11, de sorte que lesdites protubérances débouchent vers l’électrode supérieure EL1 à travers toute l’épaisseur de la couche de blocage CB. Une protubérance 11 traversante qui débouche sur l’électrode, forme ainsi une zone de contact électrique direct ZCD localisée entre la couche d’absorption CA et l’électrode supérieure EL1. Les zones de contact électrique direct ZCD permettent d’éviter la dégradation de la sensibilité du détecteur et de diminuer le signal résiduel qui correspond à la rémanence du signal d’une première acquisition d’image sur l’image suivante par rapport aux solutions connues. Avantageusement, pour chaque zone de contact électrique direct ZCD, la hauteur h1 d’une protubérance 11 est supérieure à deux fois l’épaisseur e1 de la couche de blocage CB. Ceci permet de maximiser la surface de contact entre la protubérance 11 et l’électrode supérieure EL1. Avantageusement, la surface d’une zone de contact direct ZCD est comprise entre 1µm² à 100µm² et de préférence entre 1µm² et 10µm². Avantageusement, la somme des surfaces de contact entre les zones de contact électrique direct ZCD et l’électrode supérieure EL1 est inférieure à 10% de la surface globale de la structure de détection de rayonnements SPD, formant un pixel, selon le plan X,Y orthogonal à l’axe d’empilement Z. Cela permet d’obtenir un bon compromis entre d’une part la limitation des courants d’obscurité et d’autre part la sensibilité de la structure de détection de rayonnements SPD. Sur la FIG. 1 , illustrant le premier mode de réalisation, la couche de blocage CB présente une épaisseur e1 uniforme sur toute la surface de la structure de détection. Cependant, l’uniformité de l’épaisseur e1 dépend de la technique de dépôt utilisée pour fabriquer la couche de blocage CB. La FIG. 1 montre une vue en coupe d’une variante de la structure de détection SPD selon le premier mode de réalisation de l’invention, dans laquelle l’épaisseur e1 de la couche de blocage CB présente des variations dues aux contraintes des procédés de dépôt utilisés. Dans ce cas, une zone de contact électrique direct ZCD est obtenue lorsque l’épaisseur de la couche de blocage CB est inférieure à la hauteur de la protubérance localement au niveau de ladite protubérance 11, 11’’. On parle alors d’une inégalité e1 local local de manière localisée au niveau de la protubérance. D’une part on définit la hauteur h1 local par la distance selon l’axe Z séparant le sommet de la protubérance de la base de ladite protubérance. D’autre part, on définit l’épaisseur e1 local par la distance selon l’axe Z séparant d’une part le point le plus haut de la couche de blocage CB aux alentours de la protubérance associée et d’autre part la base de ladite protubérance. Ainsi, dans ce cas, le critère d’inégalité e1 local local n’est pas évalué de manière absolue mais de manière locale, relative à chaque protubérance 11,11’’. La FIG. 2 illustre une vue microscopique en coupe de la surface supérieure de la couche d’absorption de la structure de détection de rayonnements SPD selon le premier mode de réalisation de l’invention. Il est illustré des protubérances 11 qui s’étendent selon la direction de l’empilement Z sur la surface supérieure d’une couche d’absorption CA en pérovskite déposé par CSS. La FIG. 2 illustre une vue microscopique de dessus de la surface supérieure de la couche d’absorption CA en pérovskite déposée par CSS. La FIG. 2 illustre une vue microscopique zoomée en coupe des protubérances 11 qui s’étendent selon la direction de l’empilement Z sur la surface supérieure d’une couche d’absorption CA en pérovskite déposé par CSS. La FIG. 3 illustre une vue en coupe d’une structure de détection de rayonnements SPD selon un deuxième mode de réalisation de l’invention. La structure de détection de rayonnements SPD selon le deuxième mode de réalisation reprend les caractéristiques et les avantages du premier mode de réalisation. Lorsque les protubérances 11,11’ sont obtenues spontanément suite à un dépôt par CSS de la couche d’absorption CA, des fentes 12 (ou crevasses) apparaissent entre les protubérances 11,11’. Les fentes 12 se propagent dans le volume de la couche d’absorption CA et limitent la sensibilité du détecteur en réduisant le nombre de charges collectées par l’électrode supérieure EL1. La protubérance 11 présente une hauteur supérieure à l’épaisseur de la couche de blocage CB créant ainsi une zone de contact électrique direct ZCD. Les charges générées dans le volume de la protubérance 11 peuvent migrer vers l’électrode supérieure EL1 à travers la zone de contact électrique direct ZCD. La protubérance 11’ présente une hauteur inférieure à l’épaisseur de la couche de blocage CB et se trouve totalement recouverte par la couche de blocage CA. Les charges générées dans le volume de la protubérance 11’ sont coincées et ne peuvent pas être collectées car l’électrode supérieure EL1 est isolée latéralement par les fentes 12 et en haut par la couche de blocage CB. Ceci induit une réduction du nombre de charges collectées par le détecteur en réponse à un rayon incident. Afin de résoudre ce problème, la structure de détection de rayonnements SPD selon le deuxième mode de réalisation, comprend en outre une couche conductrice ou semi-conductrice 13 confinée entre la couche de blocage CB et la couche d’absorption CA. Le matériau conducteur ou semi-conducteur de la couche 13 remplit les fentes 2 et l’espace séparant les protubérances adjacentes 11 et 11’ créant ainsi un pont transporteur des charges générées dans la protubérance recouverte 11’. Cela permet d’améliorer la sensibilité de la structure de détection de rayonnements SPD. Le matériau de la couche 13 peut être un semi-conducteur polymère (comme le PTAA, le PBDTTT-C, le MEH-PPV, le PVD4650, le TFB, le F8BT) ou des molécules d'oligomères semi-conducteurs (tels que le pentacène, le TIPS-pentacène, des dérivés d'anthradithiophène, d'acène diimide ou de perylène diimide) ou tout autre semi-conducteur inorganique ou hybride organique-inorganique. La FIG. 3 illustre une vue en coupe zoomée de la zone comprenant les protubérances 11 et 11’ dans la structure de détection de rayonnements SPD selon le deuxième mode de réalisation. La zone zoomée a été encerclée sur la FIG. 3 . Les charges générées dans la protubérance recouverte 11’ peuvent migrer vers la protubérance non-recouverte 11 à travers le pont transporteur des charges 13 pour être collectées par l’électrode supérieure EL1 via la zone de contact électrique direct ZCD. La FIG. 3 illustre une vue microscopique de dessus de la surface supérieure de la couche d’absorption CA mettant en évidence les fentes 12 avant leur remplissage par le matériau semi-conducteur. Les fentes présentent une profondeur comprise entre 1µm et 100µm et une largeur inférieure à 50µm et typiquement inférieure à 20µm. La FIG. 4 illustre une vue en coupe de la structure de détection de rayonnements SPD selon un troisième mode de réalisation de l’invention. La structure de détection de rayonnements SPD selon le troisième mode de réalisation reprend les caractéristiques et les avantages du premier mode de réalisation mais diffère de celui-ci par la structure des discontinuités dans la couche de blocage CB. Dans le troisième mode de réalisation, la couche de blocage comprend des discontinuités consistant en des vias V1 remplies par le matériau conducteur de l’électrode supérieure EL1. Les vias V1 forment ainsi des zones de contact électrique direct ZCD permettant de trouver un compromis entre la réduction des courants d’obscurité et le maintien d’une bonne sensibilité du détecteur. L’ajustement du diamètre et le nombre de vias V1 par structure de détection de rayonnements permet de mieux contrôler la surface globale de contact entre la couche d’absorption CA et l’électrode supérieure EL1. Cela permet d’obtenir une somme des surfaces de contact inférieure à 10% de la surface de la structure de détection de rayonnements selon le plan (X,Y). La FIG. 5 illustre une vue en coupe d’une structure de détection de rayonnement SPD selon un quatrième mode de réalisation de l’invention. La structure de détection de rayonnements SPD selon le quatrième mode de réalisation reprend les caractéristiques et les avantages du troisième mode de réalisation et comprend en outre une seconde couche de blocage CB2 disposée entre la couche d’absorption CA et l’électrode inférieure EL2. Ceci permet de favoriser la réduction des courants d’obscurité si l’application visée le nécessite. Dans l’exemple illustré, la première couche de blocage CB1 comprend des zones de contact formées par des vias V1, de même la seconde couche de blocage CB2 comprend des zones de contact formées par des vias V1 remplies par le matériau conducteur de l’électrode inférieure EL2 ou par le matériau semi-conducteur de la couche d’absorption CA . Selon un aspect particulier de ce mode de réalisation, la première couche de blocage CB1 comprend des zones de contact formées par des protubérances de la couche d’absorption CA (comme décrit dans le premier ou le second mode de réalisation) , et la seconde couche de blocage CB2 comprend des zones de contact formées par des vias V1 remplies par le matériau conducteur de l’électrode inférieure EL2 ou par le matériau semi-conducteur de la couche d’absorption CA. Selon un aspect particulier de ce mode de réalisation, la structure de détection de rayonnements SPD comprend une seconde couche de blocage CB2 disposée entre la couche d’absorption CA et l’électrode inférieure EL2 telle qu’illustré sur la FIG. 5 sans la première couche de blocage CB1. La FIG. 6 illustre une vue en coupe d’une structure de détection de rayonnements SPD selon un cinquième mode de réalisation de l’invention. La structure de détection de rayonnements SPD selon le cinquième mode de réalisation reprend les caractéristiques et les avantages du premier mode de réalisation, et comprend en outre une couche de protection CP disposée entre l’électrode inférieure EL2 et la couche d’absorption CA. La couche de protection CP est réalisée en un matériau inerte chimiquement par rapport à au pérovskite de la couche d’absorption CA. L’insertion de la couche de protection CP permet d’empêcher les réactions chimiques induisant une dégradation de l’électrode inférieure EL2 par des atomes provenant de la couche d’absorption CA et inversement. Dans le cas d’un dispositif optoélectronique qui comprend une matrice de pixels formée par un arrangement des structures de détection selon l’invention, il est envisageable d’utiliser une couche de protection CP commune à tous les pixels de ladite matrice. La mise en commune de la couche de protection CP permet de simplifier le procédé de fabrication. Dans ce cas, la couche de protection CP est réalisée en un matériau inerte chimiquement mais aussi isolant électriquement pour éviter de court-circuiter les pixels entre eux. Par exemple, la couche de protection CP est réalisée en oxyde de zircone stabilisé à l'oxyde d'yttrium (ZrO2 :Y2O3) qui est un oxyde inerte chimiquement par rapport au CsPbBr3 et isolant électriquement (ou peu conducteur) selon le plan (X,Y) parallèle à la surface sur substrat sub1. On note que la couche de protection CP n’empêche pas le transfert des porteurs de charges (électrons et/ou trous) de la couche d’absorption CA vers l’électrode inférieure EL2 selon l’axe d’empilement Z. À titre d’exemple, la couche de protection CP présente une épaisseur comprise entre 10 nm et 1000nm, de préférence 200nm. La FIG. 7 illustre une vue en coupe d’un dispositif optoélectronique D1 comprenant une structure de détection de rayonnements selon l’invention. Le dispositif optoélectronique D1 est un système hybride optoélectronique, comprenant : d’une part, une partie de conversion formée par une pluralité de structures de détection SPD arrangées en lignes et en colonnes pour former une matrice de pixels Pxl et d’autre part une partie électronique consistant en un circuit de lecture intégré ROIC. Le circuit de lecture ROIC peut constituer le substrat du dispositif D1 ou être lui-même réalisé sur un substrat sub1. Chaque pixel Pxl est délimité par une électrode inférieure dédiée EL2 connectée au circuit de lecture ROIC pour permettre une lecture individualisée de chaque pixel Pxl. La partie conversion est configurée pour convertir un rayon incident en une quantité de porteurs de charges. La partie électronique est configurée pour stocker les charges générées puis les transmettre à un circuit qui va convertir ces charges en une valeur numérique. Le circuit intégré de lecture ROIC est réalisé au moyen d’une pluralité de transistors comme par exemple selon la technologie TFT (Thin Film Transistor à base de silicium amorphe) et de couches en matériau conducteurs, semi-conducteurs ou diélectriques déposés sur le substrat sub1. Il existe aussi des circuits intégrés de lecture ROIC fabriqués à partir d’autres technologies (CMOS, IGZO, LTPS, OTFT, etc...). Le circuit intégré de lecture ROIC peut comprendre également une capacité qui va permettre d’intégrer le courant délivré par le dispositif détecteur au niveau du pixel Pxl, le stocker, puis le délivrer au circuit extérieur lors de la séquence de lecture de l’image. L’assemblage entre la partie conversion et la partie électronique peut être réalisé par couplage direct ou par couplage indirect. Le couplage direct consiste à un dépôt direct des couches constituant la structure de détection de rayonnements SPD sur le circuit de lecture ROIC. Le couplage indirect consiste à un assemblage de la partie conversion déjà fabriquée à la partie électronique déjà fabriquée par des techniques d’hybridations telles que le collage hybride, la puce retournée (flip-chip en anglais), le câblage par fil (wire-bond) ou toute autre technique spécifique pour coupler électriquement et optiquement deux parties ayant des fonctions différentes. À titre d’exemple, le substrat sub1 est réalisé en verre, ou en plastique, ou en polymide, ou en un semi-conducteur ou en métal ou en un empilement de plusieurs couches des matériaux précités. Avantageusement, le dispositif D1 comprend au moins une zone de contact électrique direct ZCD par pixel Pxl pour assurer une optimisation entre sensibilité et courant d’obscurité sur toute la matrice. La FIG. 8 illustre un procédé P1 de fabrication d’une structure de détection de rayonnements selon un premier mode de réalisation de l’invention. La première étape i) consiste à déposer une couche d’absorption CA en pérovskite sur la face supérieure d’un support formé par le circuit de lecture ROIC disposé sur le substrat sub1 ou formé par un substrat distinct sub2. Lorsque le support est formé par le circuit de lecture ROIC et le substrat sub1, la surface de dépôt comprend une matrice de plusieurs électrodes inférieures EL2 distinctes préalablement fabriquées. Dans le procédé P1, le dépôt de la couche de pérovskite est réalisé par la technique de sublimation dans l’espace rapproché CSS à partir d’une source du matériau pérovskite sur le support. Le support est placé au regard d’une source à une distance comprise entre 1mm et 20mm de préférence égale à 5mm. La source est préchauffée à une première température T1 comprise entre 350°C et 500°C via un thermostat Th1. Le support est préchauffé à une seconde température T2. L’ensemble est placé dans une chambre fermée à une pression inférieure à 100 Pa et de préférence inférieure à 1Pa. D’une manière générale, afin de déposer une couche en un matériau prédéterminé par la technique de sublimation dans l’espace rapproché CSS, on utilise une source dudit matériau prédéterminé. La source peut être obtenue par mécano-synthèse. Les deux températures T1 et T2 sont maintenues à des valeurs proches avec une différence comprise entre 50°C et 300°C. La distance entre la source et le support étant faible, le matériau transporté en phase vapeur n’a pas le temps de refroidir et donc refroidit lentement sur la surface du support. L’utilisation de cette technique permet d’obtenir une surface supérieure rugueuse et irrégulière présentant les protubérances 11, majoritairement sous forme pyramidale comme illustré sur les figures 2a, 2b et 2c. Lorsque la couche d’absorption CA est déposée sur un substrat séparé sub2. Le procédé comprend une étape d’assemblage (hybridation) de la couche d’absorption avec l’ensemble formé par le circuit de lecture ROIC et son substrat sub1. De manière optionnelle, le procédé P1 comprend une étape de dépôt de la couche en semi-conducteur sur la surface rugueuse pour remplir les fentes 12 et créer des ponts conducteurs entre les protubérances 11,11’ adjacentes. La deuxième étape ii) consiste à déposer la couche de blocage CB, en un matériau diélectrique, sur ladite surface supérieure de la couche d’absorption CA. L’épaisseur de la couche de blocage CB doit être inférieure à la hauteur d’au moins une protubérance 11. Il suffit que cette inégalité soit valable localement au niveau de l’au moins une protubérance 11. Il n’est pas nécessaire que l’inégalité e 1 1 soit générale sur toute la surface de la couche d’absorption. Cela permet d’obtenir un sommet de ladite protubérance qui reste apparent au niveau de la surface supérieure de la couche de blocage CB. Le dépôt de la couche de blocage CB est réalisable par des techniques de dépôt usuelles dans le domaine des micro/nanotechnologies, par exemple les techniques de dépôt par voie liquide ou sous vide. La troisième étape iii) consiste à déposer l’électrode supérieure EL1 sur la couche de blocage CB de manière à couvrir toutes les protubérances 11 débouchant de la couche de blocage CB. L'électrode supérieure EL1 est généralement une couche métallique d'une épaisseur variant de 10nm à 1µm. Ce matériau peut être du chrome, du cuivre, de l'or, du platine, du tungstène, du titane. La technique de dépôt sous vide, comme l'évaporation ou la pulvérisation cathodique, est préférée pour son dépôt. Cependant, il est également possible d'utiliser d'autres types de couches conductrices et d’autres épaisseurs. Ces alternatives comprennent les métaux, les polymères conducteurs, les encres à base de carbone, les nanotubes de carbone et les nanofils métalliques. Ces couches peuvent être déposées soit par des techniques sous vide similaires, soit par des techniques d'impression telles que le spray, l'enduction, le dépôt par rotation (spin-coating en anglais) ou le slot-die. L’avantage du procédé P1 est de permettre la fabrication des protubérances surfaciques en même temps que l’étape de dépôt de la couche d’absorption ce qui constitue une simplification du procédé de fabrication et un gain de temps considérable. La FIG. 8 illustre un procédé P2 de fabrication d’une structure de détection de rayonnements selon un deuxième mode de réalisation de l’invention. La première étape i)’ consiste à déposer une couche d’absorption CA en pérovskite sur la face supérieure d’un support formé par le circuit de lecture ROIC disposé sur le substrat sub1 ou formé par un substrat distinct sub2. La technique de dépôt dans le deuxième procédé peut être n’importe quelle technique de dépôt de couches et non nécessairement le dépôt par CSS. La deuxième étape ii)’ consiste à structurer la surface supérieure de la couche d’absorption CA pour former des protubérances 11 qui s’étendent à partir de ladite surface. La forme et les dimensions des protubérances sont mieux contrôlées par rapport au premier procédé P1 ce qui engendre un contrôle plus maitrisé de la surface globale des zones de contact direct. Les protubérances usinées peuvent être sous forme pyramidale ou granulaire ou colonnaire ou de mésas. Les protubérances sont microstructurées sur la surface supérieure de la couche d’absorption CA via des techniques de fabrication de microstructures par gravure mécanique ou chimique, moulage, gravure laser, par lithographie, photolithographie suivie de gravure chimique et/ou sèche, chimique et/ou physique. L’étape suivante iii)’ consiste à déposer la couche de blocage CB de manière similaire à l’étape décrite pour le procédé P1. L’étape suivante iv)’ consiste à déposer l’électrode supérieure EL1 de manière identique à l’étape décrite pour le procédé P1. La FIG. 8 illustre un procédé P3 de fabrication d’une structure de détection de rayonnements selon un troisième mode de réalisation de l’invention. La première étape i)’’ consiste à déposer une couche d’absorption CA en pérovskite sur la face supérieure d’un support formé de manière identique au deuxième procédé P2. La deuxième étape ii)’’ consiste à déposer la couche de blocage CB de manière identique à l’étape décrite pour le procédé P1 ou P2. La troisième étape iii)’’ à fabriquer des vias traversant V1 débouchants à travers la couche de blocage CB. La forme et les dimensions des vias sont mieux contrôlées par rapport au premier procédé P1 ce qui engendre un contrôle plus maitrisé de la surface globale des zones de contact direct. Les vias V1 sont percés à travers la couche de blocage CB par gravure mécanique, gravure laser, par lithographie, photolithographie suivie de gravure chimique et/ou sèche, chimique et/ou physique. L’étape suivante iv)’ consiste à déposer l’électrode supérieure EL1 de manière similaire à l’étape décrite pour le procédé P1 mais aussi à remplir les vias V1 en même temps par le matériau qui constitue l’électrode supérieure EL1. Alternativement, il est possible de remplir les vias par un matériau conducteur différent de celui utilisé pour l’électrode supérieure EL1 dans une étape séparée. Ceci permet de moduler la conductivité des vias V1 fabriqués et ainsi de contrôler la conductivité des zones de contact direct. La FIG. 8 illustre un procédé P4 de fabrication d’une structure de détection de rayonnements SPD selon un quatrième mode de réalisation de l’invention. La première étape i)’’’ consiste à déposer une couche de blocage CB, en un matériau diélectrique, sur la face supérieure d’un support formé, de manière identique au deuxième procédé P2. La deuxième étape ii)’’’ consiste à fabriquer des vias traversant V1 débouchants à travers la couche de blocage CB de manière identique à l’étape décrite pour le procédé P3 et les remplir par un matériau conducteur pour obtenir une couche de blocage CB comprenant au moins une discontinuité correspondant aux vias V1. La troisième étape iii)’’’ consiste à déposer une couche d’absorption CA en un matériau de structure pérovskite sur la couche de blocage CB de manière similaire au procédé P2. Alternativement au remplissage des vias par un matériau conducteur lors de l’étape ii)’’’, les vias traversants V1 peuvent être remplis directement par le matériau pérovskite de la couche d’absorption CA simultanément à l’exécution de la troisième étape iii)’’’. L’étape suivante iv)’’’ consiste à déposer l’électrode supérieure EL1 de manière similaire à l’étape décrite pour le procédé P1 ou P2. La FIG. 8 illustre un procédé P5 de fabrication d’une structure de détection de rayonnements SPD selon le troisième mode de réalisation de l’invention. Le procédé P5 est compatible avec l’assemblage entre la partie conversion et la partie électronique par couplage indirect. La première étape a) consiste à déposer l’électrode supérieure EL1 sur un substrat transparent. La deuxième étape b) consiste à déposer une couche de blocage CB, en un matériau diélectrique, sur la face supérieure de l’électrode supérieure EL1. L’étape suivante c) consiste à fabriquer des vias traversant V1 débouchants à travers la couche de blocage CB de manière identique à l’étape décrite pour le procédé P3 et les remplir par un matériau conducteur. L’étape suivante d) consiste à déposer une couche d’absorption CA en un matériau de structure pérovskite sur la couche de blocage CB structurée. Le remplissage des vias lors de l’étape c) par un matériau conducteur peut être remplacé par un remplissage des vias par le matériau de structure pérovskite simultanément à l’étape d). L’étape suivante e) consiste à renverser l’empilement obtenu et l’assembler par couplage indirect à un circuit de lecture ROIC pixellisé comprenant les électrodes inférieures EL2. Structure de détection de rayonnement (SPD) formée par un empilement de couches comprenant : une couche d’absorption (CA), en un matériau de structure pérovskite, destinée à convertir un rayon incident en charges électriques ; une électrode supérieure (EL1) comprenant au moins une couche en un premier matériau conducteur, destinée à collecter les charges électriques; et une électrode inférieure (EL2) comprenant au moins une couche en un second matériau conducteur, destinée à collecter les charges électriques ; la couche d’absorption (CA) étant disposée entre l’électrode inférieure et l’électrode supérieure ; ledit empilement comprenant en outre une couche de blocage (CB), en un matériau diélectrique, confinée entre : d’une part la couche d’absorption (CA), et d’autre part une électrode choisie parmi l’électrode supérieure (EL1) ou l’électrode inférieure (EL2) ; la couche de blocage (CB) comprenant au moins une discontinuité (11, V1) remplie par ledit matériau de structure pérovskite ou par un troisième matériau conducteur de manière à former une zone de contact électrique direct (ZCD) entre la couche d’absorption (CA) et ladite électrode (EL1, EL2). Structure de détection de rayonnement (SPD) selon la revendication 1 dans lequel la couche de blocage (CB) est confinée entre la couche d’absorption (CA) et l’électrode supérieure (EL1) ; la couche d’absorption (CA) présentant des protubérances surfaciques (11) ; l’au moins une discontinuité de la couche d’absorption (CA) étant remplie par une protubérance (11) et débouchant vers l’électrode supérieure de manière à former au moins une zone de contact électrique direct (ZCD). Structure de détection de rayonnement (SPD) selon la revendication 2 dans lequel les protubérances sont sous forme pyramidale ou granulaire ou colonnaire ou de mésas. Structure de détection de rayonnement (SPD) selon l’une quelconque des revendications 2 à 3 dans lequel la hauteur (h1) d’une protubérance (11) est comprise entre 1µm et 100µm. Structure de détection de rayonnement (SPD) selon l’une quelconque des revendications 2 à 4 dans lequel les protubérances (11) sont séparées par des fentes (12) ; les fentes étant remplies par un matériau semi-conducteur (13) ou conducteur de manière à créer un pont transporteur des charges (SC) entre deux protubérances adjacentes (11, 11’). Structure de détection de rayonnement (SPD) selon la revendication 1 dans lequel une zone de contact électrique direct (ZCD) est formée par au moins un via (V1) débouchant traversant la couche de blocage (CB) et rempli par le troisième matériau conducteur ou par le matériau de structure pérovskite. Structure de détection de rayonnement (SPD) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6 dans lequel la somme des surfaces de contact entre les zones de contact électrique direct (ZCD) et l’électrode choisie (EL1, EL2), est inférieure à 10% de la surface globale de ladite structure de détection de rayonnement (SPD). Structure de détection de rayonnement (SPD) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7 comprenant en outre une couche de protection (CP) disposée entre l’électrode inférieure (EL2) et la couche d’absorption (CA) , la couche de protection (CP) étant en un matériau diélectrique inerte chimiquement par rapport à la couche d’absorption (CA) ; la couche de blocage (CB) étant confinée entre la couche d’absorption (CA) et l’électrode supérieure (EL1). Structure de détection de rayonnement (SPD) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8 dans lequel la résistivité de la couche de blocage (CB) est supérieure à 10 8 ohm.cm Structure de détection de rayonnement (SPD) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9 dans lequel le matériau diélectrique de la couche de blocage (CB) comprend l’azote et/ou l’oxygène et/ou le carbone. Structure de détection de rayonnement (SPD) selon l’une quelconque des revendications 1 à 10 dans lequel le matériau de structure pérovskite est un matériau composé ABX 3 ; A étant choisi parmi un premier groupe de cations inorganiques constitué des éléments suivants : le césium (Cs), le rubidium (Rb), le potassium (K) ou un alliage desdits éléments du premier groupe de cations inorganiques ; B étant choisi parmi un second groupe de cations inorganiques constitué des éléments suivants : le plomb (Pb), l’étain (Sn), le germanium (Ge) , le silicium (Si) ou un alliage desdits éléments du second groupe de cations inorganiques ; X étant choisi parmi un groupe d’halogènes constitué des éléments suivants : le brome (Br), l’iode (I), le chlore (Cl) ou un alliage desdits éléments du groupe de cations. Dispositif optoélectronique (D1) comprenant une matrice de pixels comprenant au moins un pixel (Pxl) formé au moyen de la structure de détection de rayonnement (SPD) selon l’une quelconque des revendications 1 à 11. Procédé de fabrication (P1) d’une structure de détection de rayonnement (SPD) comprenant les étapes suivantes : déposer une couche d’absorption (CA) en un matériau de structure pérovskite par la technique de sublimation dans l’espace proche (CSS) sur un support (sub2, ROIC, sub1) pour obtenir une surface supérieure rugueuse présentant une pluralité de protubérances (11) déposer une couche de blocage (CB), en un matériau diélectrique, sur ladite surface supérieure avec une épaisseur choisie de manière à obtenir au moins une protubérance qui débouche à partir de la surface supérieure de la couche de blocage (CB) ; déposer une couche en un matériau conducteur, sur la couche de blocage (CB) faisant office d’électrode supérieure (EL1) couvrant toutes les protubérances (11) qui débouchent de la couche de blocage (CB). Procédé de fabrication (P2) d’une structure de détection de rayonnement (SPD) comprenant les étapes suivantes : déposer une couche d’absorption (CA) en un matériau de structure pérovskite sur un support (sub2, ROIC, sub1) ; former des protubérances (11) sur la surface supérieure de la couche d’absorption (CA); déposer une couche de blocage (CB), en un matériau diélectrique, sur la surface supérieure avec une épaisseur (e1) choisie de manière à obtenir au moins une protubérance qui débouche à partir de la surface supérieure de la couche de blocage (CB); déposer l’électrode supérieure (EL1), en un matériau conducteur, sur la couche de blocage (CB) de manière couvrir toutes les protubérances (11) débouchant de la couche de blocage (CB). Procédé de fabrication (P3) d’une structure de détection de rayonnement (SPD) comprenant les étapes suivantes : déposer une couche d’absorption (CA) en un matériau de structure pérovskite sur un support (sub2, ROIC, sub1) ; déposer une couche de blocage (CB), en un matériau diélectrique, sur la surface supérieure de la couche d’absorption (CA); former au moins un via débouchant à travers la couche de blocage (CB) déposer une couche en un matériau conducteur, sur la couche de blocage (CB) faisant office d’électrode supérieure (EL1) de manière à remplir les vias par le matériau conducteur et obtenir une couche de blocage (CB) comprenant au moins une discontinuité (V1) correspondant au dit via (V1). Procédé de fabrication (P4) d’une structure de détection de rayonnement (SPD) comprenant les étapes suivantes : déposer une couche de blocage (CB), en un matériau diélectrique, sur la surface supérieure d’un support (ROIC, sub1) comprenant au moins une électrode inférieure (EL2); former au moins un via débouchant à travers la couche de blocage (CB) ; déposer une couche d’absorption (CA) en un matériau de structure pérovskite sur la couche de blocage (CB) ; - déposer une couche en un matériau conducteur, sur la couche d’absorption (CA) faisant office d’électrode supérieure (EL1).