Brevet FR3157572A1 — publié le 20250627

Titre : Dispositif optoélectronique et procédé de fabrication L’invention a pour objet un procédé de fabrication d’une structure passive (20, 21) pour un dispositif optoélectronique, le procédé comprenant : • Une formation d’une couche photosensible, • Une insolation de la couche photosensible au travers d’un masque de lithographie comprenant au moins un motif de masque (11, 12), ladite insolation étant configurée pour former dans la couche photosensible un motif de diffraction (C) généré par le motif de masque (11, 12), • Une formation, à partir du motif de diffraction (C), de la structure passive (20, 21), la structure passive (20, 21) étant disposée autour d’une partie active (31, 32) du dispositif optoélectronique. L’invention a également pour objet un dispositif optoélectronique comprenant une structure passive obtenue par un tel procédé. Figure pour l’abrégé : Fig. 3. Dispositif optoélectronique et procédé de fabrication La présente invention concerne le domaine des technologies pour la microélectronique et l’optoélectronique. Elle trouve pour application particulièrement avantageuse la fabrication de dispositifs optoélectroniques comprenant notamment des diodes électroluminescentes (LED) disposées dans des cavités, permettant l’amélioration des performances de ces dispositifs. ETAT DE LA TECHNIQUE L’intégration de LED sur un écran ou un panneau, ou encore sur un substrat de circuit imprimé de type PCB (acronyme de « Printed Circuit Board »), doit respecter certaines contraintes de positionnement et d’espacement entre les différentes LED. Ces contraintes peuvent être dues à des phénomènes physiques, pour éviter un couplage optique entre pixels par exemple, ou à des limitations techniques, par exemple la résolution des équipements de fabrication. Cela impacte directement la résolution finale d’un écran émissif à base de LED. Une solution consiste à utiliser des équipements de lithographie présentant des résolutions élevées, permettant de définir et délimiter précisément le positionnement des différentes LED. L’espacement entre les différentes LED peut ainsi être réduit. Les coûts liés à ces équipements de lithographie de haute résolution sont cependant extrêmement élevés. Par ailleurs, l’utilisation de ce type d’équipement de lithographie, qui impose des contraintes sévères sur le niveau de contamination métallique des plaques, n’est pas adaptée pour la réalisation d’étapes de fin de procédé telles que la formation de réflecteurs à base d’argent. Ce type d’équipement n’est généralement pas non plus adapté à la prise en charge de substrats non conventionnels, c’est-à-dire autres que des substrats à base de silicium. Les procédés liés à l’utilisation de ce type d’équipement de lithographie peuvent en outre endommager certains éléments sensibles des LED, par exemple les modules de conversion de couleur (CCM). Il existe donc un besoin pour un procédé permettant de fabriquer des systèmes à base de LED avec une résolution améliorée tout en limitant le coût de fabrication. Un tel procédé est également de préférence versatile et peut être mis en œuvre sur différents types de substrats, et/ou avec différents matériaux contaminants ou sensibles thermiquement. Un objet de la présente invention est de répondre à ces besoins en palliant au moins en partie les inconvénients des solutions connues. En particulier, un objet de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication d’une structure passive, notamment pour un dispositif optoélectronique, qui puisse être mis en œuvre à bas coût, notamment pour la fabrication d’écrans dits haute résolution. Un autre objet de la présente invention est de proposer un dispositif optoélectronique obtenu par un tel procédé de fabrication. Les autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à l'examen de la description suivante et des dessins d'accompagnement. Il est entendu que d'autres avantages peuvent être incorporés. En particulier, certaines caractéristiques et certains avantages du dispositif peuvent s’appliquer mutatis mutandis au procédé, et réciproquement. RESUME Pour atteindre les objectifs mentionnés ci-dessus, un aspect concerne un procédé de fabrication d’une structure passive sur un substrat, le procédé comprenant : Une formation d’une couche photosensible à base d’une résine photosensible sur le substrat, Une insolation de la couche photosensible au travers d’un masque de lithographie comprenant au moins un motif de masque, l’ insolation étant configurée pour former dans la couche photosensible un motif de diffraction généré par le motif de masque, Une formation, à partir du motif de diffraction, de la structure passive dans la couche photosensible sur le substrat. Ainsi, le procédé selon la présente invention tire parti des phénomènes de diffraction au travers du masque de lithographie pour former la structure passive sur le substrat. Le motif de diffraction est naturellement bien défini, sans qu’il soit nécessaire de recourir à un équipement de lithographie de haute résolution. Le motif de diffraction est exploité pour former la structure passive, par exemple directement à base de résine. La structure passive, issue d’un motif de diffraction, présente typiquement un contour courbe, sans angle ou discontinuité. Elle présente par exemple une forme annulaire de faible largeur. Pour une résine photosensible positive, la structure passive est typiquement en saillie du substrat. Elle se présente par exemple sous forme d’une enceinte circulaire à base de résine photosensible, ceignant un espace vide. Pour une résine photosensible négative, la structure passive correspond typiquement à une empreinte en creux dans la couche photosensible. Elle se présente par exemple sous forme d’une tranchée circulaire entourant un promontoire à base de résine photosensible. Pour des raisons de clarté et de concision, les exemples décrits et illustrés dans la suite sont relatifs à une structure passive en saillie du substrat. L’utilisation d’une polarité de résine inverse pour former des structures en creux est naturellement envisageable. Selon un exemple, le substrat comprend ou porte un dispositif électronique ou optoélectronique. Selon une possibilité, la structure passive est disposée, en projection selon une direction perpendiculaire au substrat, autour d’une partie active du dispositif électronique ou optoélectronique. La structure passive issue du motif de diffraction est par nature très bien définie. Cette structure passive permet ainsi de délimiter précisément un emplacement de la partie active du dispositif électronique ou optoélectronique. Une telle délimitation permet d’envisager un rapprochement des dispositifs les uns des autres. Le pas séparant deux dispositifs optoélectroniques, tels que deux LED adjacentes, peut typiquement être diminué. Les structures passives entourant chacune de ces LED, avantageusement formées par l’intermédiaire de motifs de diffraction bien résolus, sont bien distinctes les unes des autres. Elles permettent en outre d’individualiser chaque LED efficacement. La densité d’intégration de LED sur un écran peut ainsi être augmentée. La mise en œuvre du procédé requiert typiquement un équipement de lithographie standard et une ou des résines de photolithographie standard. La structure passive est ainsi peu coûteuse à fabriquer. Un tel procédé peut donc avantageusement être utilisé pour améliorer la résolution de systèmes à base de LED avec un coût limité. Un autre aspect concerne une structure passive sur un substrat, la structure passive étant formée par le procédé selon l’invention. Un autre aspect concerne un dispositif optoélectronique comprenant une partie active configurée pour émettre ou recevoir un rayonnement lumineux, et une structure passive en saillie du substrat, la structure passive étant formée par le procédé selon l’invention, la structure passive étant disposée autour de la partie active, en projection selon une direction perpendiculaire aux couches de l’empilement. Un autre aspect concerne un système comprenant une pluralité de dispositifs optoélectroniques disposés sur ou dans un substrat, chaque dispositif optoélectronique comprenant une partie active configurée pour émettre ou recevoir un rayonnement lumineux, et une pluralité de structures passives en saillie du substrat, les structures passives étant formées par le procédé selon l’invention, de façon à ce que chaque dispositif optoélectronique soit entouré par une structure passive, en projection selon une direction perpendiculaire au substrat. Les avantages décrits ci-dessus pour le procédé peuvent s’appliquer mutatis mutandis au dispositif ou au système. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront mieux de la description détaillée de modes de réalisation de cette dernière qui sont illustrés par les dessins d’accompagnement suivants dans lesquels : FIG. 1 FIG. 1 Les figures 1A, 1B illustrent schématiquement différents motifs de masque selon des modes de réalisation de la présente invention. FIG. 1 FIG. 1 Les figures 1C, 1D illustrent schématiquement les phénomènes de diffraction associés aux différents motifs de masque illustrés aux figures 1A, 1B selon des modes de réalisation de la présente invention. FIG. 2 La FIG. 2 illustre différents motifs de diffraction obtenus par simulation pour différentes dimensions de motifs de masque et pour différentes distances de défocalisation, selon des modes de réalisation de la présente invention. FIG. 3 La FIG. 3 est une image de microscopie électronique à balayage montrant des structures passives obtenues selon un mode de réalisation de la présente invention. FIG. 4 FIG. 4 Les figures 4A et 4B illustrent schématiquement deux variantes de dispositifs optoélectroniques comprenant une structure passive selon des modes de réalisation de la présente invention. FIG. 5 FIG. 5 FIG. 5 Les figures 5A, 5B et 5C illustrent schématiquement des variantes de dispositifs optoélectroniques comprenant une structure passive et un réflecteur selon des modes de réalisation de la présente invention. FIG. 6 FIG. 6 Les figures 6A et 6B illustrent schématiquement un dispositif optoélectronique et son procédé de réalisation, respectivement en vue de dessus et en vue en coupe, selon un mode de réalisation de la présente invention. FIG. 7 FIG. 7 Les figures 7A et 7B illustrent schématiquement un dispositif optoélectronique et son procédé de réalisation, respectivement en vue de dessus et en vue en coupe, selon un autre mode de réalisation de la présente invention. Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l’invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l’invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier, les dimensions des différents éléments constitutifs des structures passives et des dispositifs optoélectroniques ne sont pas forcément représentatives de la réalité. DESCRIPTION DÉTAILLÉE Avant d’entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l’invention, il est rappelé que l’invention peut notamment comprendre les caractéristiques optionnelles ci-après pouvant être utilisées en association ou alternativement : Selon un exemple, le procédé est un procédé de fabrication d’une structure passive pour un dispositif optoélectronique, le procédé comprenant : Une formation d’une couche photosensible à base d’une résine photosensible sur un empilement de couches comprenant au moins en partie le dispositif optoélectronique, Une insolation de la couche photosensible au travers d’un masque de lithographie comprenant au moins un motif de masque, l’ insolation étant configurée pour former dans la couche photosensible un motif de diffraction généré par le motif de masque, Une formation, à partir du motif de diffraction, de la structure passive en saillie de l’empilement de couches, de sorte que la structure passive soit disposée, en projection selon une direction perpendiculaire aux couches de l’empilement, autour d’une partie active du dispositif optoélectronique configurée pour émettre ou recevoir un rayonnement lumineux. Selon un exemple, le motif de diffraction comporte une première portion insolée au droit du motif de masque, une portion non insolée sensiblement au droit des bords du motif de masque et au droit du motif de masque jusqu’à la première portion insolée, et une deuxième portion insolée s’étendant au droit d’une région du masque exempt de motif de masque de l’autre côté de la première portion insolée par rapport à la région non insolée. Selon un exemple, l’étape de formation de ladite structure passive comporte une étape de révélation permettant de former un mur en saillie à partir de la couche photosensible à l’endroit de la portion non insolée. C'est la réalisation du mur à partir d'une portion non insolée sensiblement sous le bord du motif de masque et entre une zone extérieure insolée et une insolation par un rayonnement diffracté sous le motif de masque qui permet la réalisation de murs de petite taille. La réalisation d’un tel mur, qui résulte d'une portion non insolée très fine entre deux portions insolées, n’est pas obtenue directement par un motif de masque de très petite taille. Un motif de masque de très petite taille ne peut pas être utilisé avec des dispositifs de précision limitée (du fait notamment de la diffraction). Plutôt que d’éviter les phénomènes de diffraction comme c’est habituellement le cas en photolithographie, le procédé selon l’invention tire parti de ces phénomènes de diffraction pour dépasser les limitations en taille des masques utilisables. Selon un exemple, le motif de masque comprend un disque ou un anneau ou une bande. D’autres formes sont également envisageables. Selon un exemple, le disque a un diamètre d inférieur ou égal à 20 µm, l’anneau a une largeur l inférieure ou égale à 20 µm, ou la bande à une largeur inférieure ou égale à 20 µm. Selon un exemple, le motif de masque comprend un disque de diamètre d inférieur ou égal à 20 µm ou un anneau de largeur l inférieure ou égale à 20 µm. Selon un exemple, le diamètre d du disque est compris entre 2 µm et 20 µm. Selon un exemple, la largeur l de l’anneau est comprise entre 2 µm et 20 µm. Il n’est pas nécessaire d’utiliser des motifs de masque présentant des dimensions submicroniques. Cela permet d’utiliser des équipements standards de photolithographie. De façon générale, le motif de masque peut présenter différentes formes respectant les règles de dimensionnement préconisées pour bénéficier du principe de la présente invention. Typiquement, la forme du motif de masque peut être pleine et/ou continue, occultante et de petite taille. La notion de petite taille est avantageuse lorsque l'on souhaite que les premières portions insolées depuis au moins deux bords opposés, dans le cas de la bande ou de l'anneau, ou depuis tous les bords dans le cas du disque, se rejoignent. La notion de petite taille est avantageuse pour la formation d'un unique creux entouré de deux murs très fins correspondant sensiblement à chacun des bords. Selon un exemple, le masque de lithographie est éloigné de la couche photosensible d’une distance dite de défocalisation comprise entre 5 µm et 200 µm, par exemple entre 10 µm et 200 µm. Cela permet de moduler le grandissement du motif de diffraction projeté sur la couche photosensible. Il est ainsi possible d’ajuster la forme et/ou les dimensions du motif de diffraction. Selon un exemple, la source lumineuse est éloignée du masque de lithographie de façon à obtenir le motif de diffraction par défocalisation. Selon un exemple, l’insolation de la couche photosensible est réalisée par un rayonnement lumineux d’insolation de longueur d’onde comprise entre 200 nm et 450 nm, par exemple pour une longueur d’onde de 248 nm (UV profond) ou pour une longueur d’onde de 365 nm (UV proche). Selon un exemple, le motif de diffraction est une tâche d’Airy comprenant un disque central et au moins un anneau concentrique entourant le disque central. Le disque central est illuminé et entouré par un premier anneau sombre. Le premier anneau sombre est lui-même entouré par un premier anneau clair (illuminé). Le premier anneau clair est lui-même entouré par un deuxième anneau sombre, etc. Ces anneaux correspondent typiquement à des franges de diffraction. L’intensité d’illumination varie radialement en s’éloignant du centre du disque central. Le disque central clair et le premier anneau clair, lorsqu’ils insolent une résine photosensible positive, donnent des motifs en creux après révélateur. La structure passive ainsi obtenue s’apparente à un anneau de résine correspondant au premier anneau sombre. Si le deuxième anneau sombre et le deuxième anneau clair sont suffisamment contrastés, la structure passive peut se présenter sous forme de deux anneaux concentriques de résine correspondant respectivement au premier anneau sombre et au deuxième anneau sombre. Selon un exemple, la résine photosensible est de type positive. Selon un exemple, le procédé comprend en outre un dépôt de métal sur une paroi de la structure passive. La structure passive se présente ainsi typiquement sous forme d’un anneau métallisé. Elle peut servir de réflecteur pour le rayonnement lumineux émis ou reçu par le dispositif optoélectronique. Selon un exemple, le substrat comprend ou porte un dispositif optoélectronique. Selon un exemple, la structure passive présente au moins un contour fermé entourant le dispositif optoélectronique et définissant une cavité. Selon un exemple, le procédé comprend en outre un remplissage de la cavité par au moins un convertisseur de couleur (CCM). Selon un exemple, l’au moins un convertisseur de couleur comprend des boîtes quantiques (QD). Les boîtes quantiques permettent typiquement de convertir ou de filtrer une longueur d’onde d’un rayonnement lumineux émis ou reçu par le dispositif optoélectronique. La longueur d’onde de la lumière réémise par les boîtes quantiques dépend de la taille et de la composition de ces boîtes quantiques. Selon un autre exemple, l’au moins un convertisseur de couleur se présente sous forme d’un matériau organique. Selon un autre exemple, l’au moins un convertisseur de couleur comprend des phosphores. Selon un exemple, la structure passive comprend au moins un premier anneau et un deuxième anneau concentriques. Selon un exemple, le procédé comprend en outre un dépôt localisé d’encre métallique entre les premier et deuxième anneaux. Cela permet de former un anneau métallique entre les premier et deuxième anneaux de la structure passive. Cet anneau métallique peut typiquement agir comme réflecteur pour le dispositif optoélectronique. Selon un exemple, le procédé comprend en outre un dépôt de résine chargée en particules diffusantes autour de la structure passive. Cette résine chargée, typiquement par des particules diffusantes par exemple à base de SiO2, TiO2, Al2O3 peut être opaque ou réfléchissante. Cela permet de localiser l’émission ou la réception de lumière au travers de la structure passive. Selon un exemple, le procédé comprend en outre, préalablement à la formation de la couche photosensible, une formation ou un report d’une pluralité de dispositifs optoélectroniques sur le substrat, Selon un exemple, les structures passives sont formées de façon à ce que chaque dispositif optoélectronique soit entouré par une structure passive, en projection selon une direction perpendiculaire au substrat. Selon un exemple, la structure passive ou chaque structure passive est configurée pour contenir et/ou supporter au moins un matériau destiné à interagir avec le rayonnement lumineux. Ce matériau peut présenter des propriétés optiques de diffusion, de conversion ou de réflexion par exemple. Selon un exemple, la structure passive ou chaque structure passive présente au moins un contour fermé définissant une cavité autour de la partie active du dispositif optoélectronique correspondant, de préférence centrée sur la partie active, en projection selon la direction perpendiculaire au substrat. Selon un exemple, la cavité comprend au moins un convertisseur de couleur destiné à modifier une longueur d’onde du rayonnement lumineux. Selon un exemple, la structure passive ou chaque structure passive comprend une paroi métallisée de sorte à former un réflecteur pour le rayonnement lumineux. Cette paroi métallisée peut se trouver sur différentes parties de la structure passive. Elle peut être située sur un pourtour extérieur de la structure passive, ou sur un pourtour intérieur, ou encore être interne à la structure passive. Selon un exemple, la structure passive ou chaque structure passive comprend un premier anneau et un deuxième anneau concentriques, le premier anneau présentant un diamètre inférieur au deuxième anneau et définissant une première cavité de préférence centrée sur la partie active du dispositif optoélectronique correspondant, en projection selon la direction perpendiculaire au substrat, le deuxième anneau définissant une deuxième cavité autour de la première cavité, la deuxième cavité étant située entre les premier et deuxième anneaux. La deuxième cavité se présente typiquement sous forme d’un canal entourant le premier anneau, et entouré par le deuxième anneau. Selon un exemple, la première cavité comprend au moins un convertisseur de couleur destiné à modifier ou convertir la longueur d’onde du rayonnement lumineux. Selon un exemple, la deuxième cavité comprend un matériau métallique formant un réflecteur pour le rayonnement lumineux et/ou pour le rayonnement lumineux converti. Selon un exemple, les dispositifs optoélectroniques sont des diodes électroluminescentes et le substrat porte les diodes électroluminescentes et comprend une connectique électrique configurée pour alimenter et/ou commander électriquement les diodes électroluminescentes. Les diodes électroluminescentes (LED) peuvent ainsi être fixées et/ou connectées au substrat avant réalisation des structures passives par photolithographie. Les structures passives sont avantageusement formées après report des LED sur le substrat. Un tel substrat peut être dénommé « backplane ». Les technologies de lithographie permettant de prendre en charge ce type de substrat sont typiquement moins précises que les technologies de lithographie permettant de fabriquer les LED. Le substrat est typiquement un backplane comportant des pistes et sur lequel sont déposées des milliers de LEDs. Un substrat de type backplane n’est pas un substrat de type wafer à base de silicium. Selon un exemple, la connexion électrique entre le substrat et les LED se fait directement par en dessous des LED, sur des pistes du substrat ou par l’intermédiaire de plots de connexion entre le substrat et les LED, ou encore au moyen de microfils reliant les LED et le substrat. Cette connexion peut être réalisée avant le procédé de réalisation de la ou des structures passives. Avantageusement, après formation des structures passives, les étapes restantes de fin de procédé sont relatives au dépôt des convertisseurs de couleur (CCM). Selon un exemple, la structure passive présente des dimensions latérales comprises entre 2 µm et 20 µm. Sauf incompatibilité, des caractéristiques techniques décrites en détail pour un mode de réalisation donné peuvent être combinées aux caractéristiques techniques décrites dans le contexte d’autres modes de réalisation décrits à titre exemplaire et non limitatif, de manière à former un autre mode de réalisation qui n’est pas nécessairement illustré ou décrit. Un tel mode de réalisation n’est évidemment pas exclu de l’invention. On entend par « dispositif optoélectronique » un dispositif apte à émettre, véhiculer, ou recevoir de la lumière. Selon une application particulière, un tel dispositif optoélectronique comprend des diodes électroluminescentes (LED), en particulier des LEDs formant les sous-pixels d’un pixel d’écran émissif. L’invention peut être mise en œuvre plus largement pour différents dispositifs optoélectroniques. L’invention peut par exemple être mise en œuvre dans le cadre de dispositifs laser ou photovoltaïque. Les LEDs ou dispositifs optoélectroniques présentent typiquement dans le cadre de la présente invention des dimensions, en projection dans un plan de base xy, inférieures à 100 µm X 100 µm, de préférence inférieures à 10 µm X 10 µm. Sauf mention explicite, il est précisé que, dans le cadre de la présente invention, la disposition relative d’une deuxième couche intercalée entre une première couche et une troisième couche, ne signifie pas obligatoirement que les couches sont directement au contact les unes des autres, mais signifie que la deuxième couche est soit directement au contact des première et troisième couches, soit séparée de celles-ci par au moins une autre couche ou au moins un autre élément. Ainsi, les termes et locutions « prendre appui », « surmonter », « couvrir » ou « recouvrir » ne signifient pas nécessairement « au contact de ». Les étapes du procédé telles que revendiquées s’entendent au sens large et peuvent éventuellement être réalisées en plusieurs sous-étapes. Plusieurs modes de réalisation de l’invention mettant en œuvre des étapes successives du procédé de fabrication sont décrits ci-après. Sauf mention explicite, l’adjectif « successif » n’implique pas nécessairement, même si cela est généralement préféré, que les étapes se suivent immédiatement, des étapes intermédiaires pouvant les séparer. Par ailleurs, le terme « étape » ne signifie pas obligatoirement que les actions menées durant une étape soient simultanées ou immédiatement successives. Certaines actions d’une première étape peuvent notamment être suivies d’actions liées à une étape différente, et d’autres actions de la première étape peuvent être reprises ensuite. Ainsi, le terme étape ne s’entend pas forcément d’actions unitaires et inséparables dans le temps et dans l’enchaînement des phases du procédé. Dans la présente demande de brevet, les termes « diode électroluminescente », « LED » ou simplement « diode » sont employés en synonymes. Une « LED » peut également s’entendre d’une « micro-LED » ou d’une « smart LED ». On entend par « smart LED » une LED associée à une électronique de commande propre, par exemple à base de transistors CMOS, permettant de piloter la LED à partir de données reçues notamment par exemple d’une connexion à un backplane. Dans la présente demande de brevet, le dispositif électronique peut être simplement la LED, ou peut comprendre la LED et la structure passive qui lui est associée. On entend par un substrat, une couche, un dispositif, « à base » d’un matériau M, un substrat, une couche, un dispositif comprenant ce matériau M uniquement ou ce matériau M et éventuellement d’autres matériaux, par exemple des éléments d’alliage, des impuretés ou des éléments dopants. Ainsi, une diode à base de GaN comprend typiquement du GaN et des alliages d’AlGaN ou d’InGaN. Dans le cadre de la présente invention, on qualifie de façon classique de résine un matériau organique ou organo-minéral pouvant être mis en forme par une exposition à un faisceau d’électrons, de photons ou de rayons X ou mécaniquement. On peut citer à titre d’exemple des résines classiquement employées en microélectronique, des résines à base de polystyrène (PS), de méthacrylate (par exemple le Polymethyl methacrylate PMMA), d’Hydrosilsesquioxane (HSQ), de polyhydroxystyrène (PHS) etc. L’intérêt d’utiliser une résine est qu’il est facile d’en déposer une épaisseur importante, de plusieurs centaines de nanomètres à plusieurs microns. Des couches et/ou des revêtements antireflets peuvent être associés aux résines. Cela permet notamment d’améliorer la résolution de lithographie. Dans la suite, les différents masques à base de résine sont de préférence associés à de telles couches antireflets. Dans le cadre de la présente invention, un objet ou un matériau « transparent » signifie que l’objet ou le matériau laisse passer au moins 90% de l’intensité lumineuse du faisceau lumineux qui le traverse. A contrario, un matériau ou une surface est considérée comme « opaque » dès lors qu’elle absorbe ou stoppe au moins 85% de l’intensité d’un faisceau lumineux incident. Un repère, de préférence orthonormé, comprenant les axes x, y, z est représenté sur certaines figures annexées. Ce repère est applicable par extension aux autres figures d’une même planche de figures. Dans la présente demande de brevet, on parlera préférentiellement d’épaisseur pour une couche et de hauteur pour une structure ou un dispositif. L’épaisseur est prise selon une direction normale au plan d’extension principal de la couche, et la hauteur est prise perpendiculairement au plan de base xy. Ainsi, une couche présente typiquement une épaisseur selon z, lorsqu’elle s’étend principalement le long d’un plan xy, et un élément en saillie, par exemple un module de conversion de couleur, présente une hauteur selon z. Les termes relatifs « sur », « sous », « sous-jacent » se réfèrent préférentiellement à des positions prises selon la direction z. Dans la présente demande, « vertical », « verticalement » signifient « dirigé selon la direction z » et « latéral », « latéralement » signifient « dirigé selon une direction du plan xy ». Un élément situé « à l’aplomb » ou « au droit d’» un autre élément signifie que ces deux éléments sont situés tous deux sur une même ligne perpendiculaire à un plan dans lequel s’étend principalement une face inférieure ou supérieure d’un substrat ou d’une couche, c’est-à-dire sur une même ligne orientée verticalement sur les figures en coupe transverse. Les valeurs dimensionnelles s'entendent aux tolérances de fabrication et de mesure près. Les termes « sensiblement », « environ », « de l'ordre de » signifient, lorsqu’ils se rapportent à une valeur, « à 10% près » de cette valeur ou, lorsqu'ils se rapportent à une orientation angulaire, « à 10° près » de cette orientation. Ainsi, une direction sensiblement normale à un plan signifie une direction présentant un angle de 90±10° par rapport au plan. Dans la suite, différents modes de réalisation de l’invention sont détaillés en regard des figures correspondantes. Un principe de l’invention est de générer un motif de diffraction lors de la photolithographie pour former des structures passives bien résolues et à bas coût en fin de procédé d’intégration des dispositifs optoélectroniques. Selon ce principe, les structures passives obtenues par diffraction présentent typiquement des dimensions ou au moins certaines dimensions inférieures aux dimensions du motif de masque qui a permis de les générer. Ce principe peut ainsi être avantageusement appliqué à des équipements de photolithographie standards, qui sont notamment utilisés après report des LED sur un backplane, ou un écran ou un panneau d’affichage, pour former des structures passives de petites dimensions, bien résolues. La photolithographie utilise typiquement un masque au travers duquel un rayonnement lumineux est transmis pour insoler une couche de résine photosensible sous-jacente. Un tel masque comprend une matrice transparente, par exemple en quartz, et des motifs de masque opaques, par exemple à base de chrome. Les figures 1A et 1B illustrent respectivement un premier motif de masque 11 et un deuxième motif de masque 12 pouvant être utilisés pour mettre en œuvre le procédé selon l’invention. Le premier motif de masque 11 se présente typiquement sous forme d’un disque, par exemple à base de chrome, de diamètre d compris entre 2 µm et 20 µm, par exemple de l’ordre de 5 µm. Le deuxième motif de masque 12 se présente typiquement sous forme d’un anneau, par exemple à base de chrome, de largeur l comprise entre 2 µm et 20 µm, par exemple de l’ordre de 5 µm. Ces premier et deuxième motifs de masque 11, 12 permettent typiquement de générer des figures ou motifs de diffraction du type tâche d’Airy lorsqu’ils sont éclairés par un rayonnement proche UV de longueur d’onde comprise entre 350 nm et 450 nm. Pour que les motifs de diffraction soient formés et projetés sur la couche photosensible après avoir traversé le masque de lithographie, le masque de lithographie est éloigné de la couche photosensible d’une distance df dite de défocalisation typiquement comprise entre 10 µm et 200 µm. Les figures 1C et 1D illustrent une étape d’insolation d’une couche de résine photosensible C20 sur un substrat S au travers d’un masque éloigné de la couche de résine photosensible d’une distance de défocalisation df, le masque comprenant respectivement le premier motif de masque 11 ( FIG. 1 ) et le deuxième motif de masque 12 (figures 1D). Le rayonnement d’insolation R est dévié par diffraction sur les bords des motifs de masque 11, 12 pour se répartir selon un profil PI de franges d’interférences dans la couche C20. Pour un motif de masque présentant une symétrie de révolution comme un disque ou un anneau, le profil PI de franges d’interférences présente également une symétrie de révolution. Le phénomène de diffraction est ici mis à profit pour insoler certaines parties de la couche C20 situées directement sous le motif de masque 11, 12. Cela permet de réduire la ou les dimensions dans le plan xy de la structure passive obtenue après insolation. Il est ainsi possible d’obtenir des structures passives de forme et de taille différentes de celles du motif de masque, avantageusement plus petites et/ou mieux résolues que le motif de masque. Les structures obtenues à l’issue de l’insolation et de la révélation sont également illustrées aux figures 1C et 1D. Le premier motif de masque 11 permet de former la structure passive 20 annulaire. Le deuxième motif de masque 12 permet de former la structure passive 21 comprenant deux anneaux 21a, 21b concentriques. La FIG. 2 illustre des motifs de diffraction obtenus par simulation pour différents diamètres d’un motif de masque 11 en forme de disque et pour différentes distances de défocalisation. Les simulations ont ici été effectuées pour un rayonnement lumineux d’insolation de longueur d’onde 365 nm et pour une puissance d’insolation de 0,1 W/m². Sur la FIG. 2 , la première ligne de motifs de diffraction correspond à un diamètre de motif de masque de 5 µm. La deuxième ligne de motifs de diffraction correspond à un diamètre de motif de masque de 10 µm. La première colonne de motifs de diffraction correspond à une distance de défocalisation de 150 µm. La deuxième colonne de motifs de diffraction correspond à une distance de défocalisation de 200 µm. En éloignant le masque de lithographie de la couche photosensible, les motifs de diffraction présentent une tâche centrale claire C (tâche d’Airy) à l’intérieur du motif de masque M projeté, puis une succession d’anneaux concentriques sombres et clairs plus ou moins contrastés, à l’extérieur du motif de masque M projeté, qui correspondent à des franges de diffraction. La taille et/ou la forme du motif de masque M n'est pas directement reproduite sur la couche photosensible : le motif de masque M génère un motif de diffraction qui est projeté sur la couche photosensible. La taille et/ou la forme du motif de diffraction diffèrent de la forme du motif de masque M. Dans la suite, ces motifs de diffraction particuliers sont mis à profit pour former une structure passive dans une résine photosensible. Lorsque la résine photosensible est positive, les zones de résine insolées deviennent solubles au révélateur. Les zones claires du motif de diffraction correspondent ainsi à des zones d’enlèvement de la résine, et les zones sombres du motif de diffraction correspondent à des zones où la résine est conservée. L’utilisation d’un motif de masque 11 tel qu’illustré à la FIG. 1 permet typiquement de former une structure passive sous forme d’enceinte circulaire entourant une cavité. L’utilisation d’un motif de masque 12 tel qu’illustré à la FIG. 1 permet typiquement de former une structure passive sous forme d’une double enceinte circulaire concentrique. Les structures passives peuvent être formées directement dans une résine adaptée, par exemple dans une résine présentant un indice de réfraction de l’ordre de 1,1 à 1,2. Les structures passives peuvent être formées indirectement à partir d’une résine standard, par transfert des motifs depuis la résine standard vers une autre résine à basse réflectivité ou vers une couche d’oxyde. L’homme du métier sait transférer des motifs formés dans des résines standard vers d’autres couches, par exemple par gravure. La FIG. 3 illustre des structures passives 20 à base de résine photosensible positive, obtenues ici après insolation d’une couche de résine au travers d’un masque de lithographie comprenant des motifs de masque 11 sous forme de disque de 5 µm de diamètre, pour une distance de défocalisation entre le masque et la couche de résine de 5 µm. L’équipement de lithographie utilisé ici est un aligneur de masque standard MA8 de Süss Microtec fonctionnant avec une lampe UV à 365 nm. Les structures passives 20 obtenues résultent des motifs de diffraction illustrés à la FIG. 2 . Les structures passives 20 conservent ici un seul anneau de résine après insolation. Les structures passives 20 se présentent ici sous forme d’un creuset à contour fermé de l’ordre de 5 µm de diamètre pour environ 2 µm de hauteur. Les formes et les dimensions finales des structures passives obtenues par photolithographie via des motifs de diffraction dépendent notamment de la taille des motifs de masque, de la distance de défocalisation, de la dose d’insolation et de la longueur d’onde d’insolation, du type de résine et de l’épaisseur de la résine. Il est ainsi possible d’obtenir des structures passives plus hautes et/ou plus larges par exemple, selon les besoins. Il est également possible d’obtenir des structures passives comprenant deux anneaux concentriques ou plus. Un motif de masque sous forme d’anneau génère typiquement une structure passive comprenant deux anneaux concentriques. Un motif de masque comprenant deux anneaux concentriques génère typiquement une structure passive comprenant quatre anneaux concentriques. Les structures passives sont destinées à être intégrées dans des dispositifs optoélectroniques comprenant une partie active configurée pour émettre ou recevoir un rayonnement lumineux. Les figures 4A et 4B illustrent deux exemples de structures passives 20 obtenues à partir de motifs de masque 11 sous forme de disques tel qu’illustré sur la FIG. 1 . Ces structures passives 20 sont ici formées autour d’une partie active du dispositif optoélectronique, typiquement une diode électroluminescente LED 31, 32. Les dimensions des structures passives 20 sont adaptées en fonction des dimensions des LED. Comme illustré à la FIG. 4 , la structure passive 20 peut présenter un diamètre d 20 de 6 µm environ et une hauteur h 20 de 5 µm environ pour une LED 31 de 2 µm de large selon x et de 1 µm de haut selon z. Le pas d’un réseau de LED 31 entourées par de telles structures passives 20 peut ici être avantageusement diminué entre 10 µm et 20 µm. Comme illustré à la FIG. 4 , la structure passive 20 peut présenter un diamètre d 20 de 8 µm environ et une hauteur h 20 de 8 µm environ pour une LED 32 sous forme de fil de 1 µm de large selon x et de 5 µm de haut selon z. Cela permet d’avoir une distance de dégagement d 23 entre le fil 32 et la structure passive 20 d’environ 3 µm, à mi-hauteur h 20 /2. Le pas d’un réseau de LED 32 entourées par de telles structures passives 20 peut ici être de l’ordre de 40 µm. Les structures passives peuvent avantageusement être fonctionnalisées pour améliorer ou optimiser le fonctionnement des dispositifs optoélectroniques. Les structures passives peuvent par exemple contenir et/ou supporter un ou plusieurs matériaux configurés pour absorber, modifier, ou réfléchir le rayonnement lumineux de longueur d’onde λ émis ou reçu par le dispositif optoélectronique. Les figures 5A, 5B, 5C illustrent différents modes de réalisation d’un diffuseur ou d’un réflecteur associé à une structure passive selon l’invention. En particulier, la FIG. 5 illustre un mode de réalisation dans lequel une couche 40 de résine chargée en particules diffusantes (WPR pour « white photoresist »), typiquement des particules à base de TiO2, est formée sur le pourtour externe 201 de la structure passive 20. L’espace interne 200 délimité par la structure passive 20 est dépourvu de couche 40 de résine chargée. L’espace interne 200 forme un dégagement pour la LED 31. La couche 40 de résine chargée permet typiquement de diffuser et/ou réfléchir une partie du rayonnement lumineux émis par la LED 31. Une couche 40 de type WPR présente typiquement une réflectivité de l'ordre de 80% à 95 %. Cela permet de réfléchir la lumière émise par la LED 31. Les pertes optiques et/ou le couplage parasite (« cross talk ») sont réduits. L’extraction de lumière et/ou la directivité de la LED sont améliorées. La FIG. 5 illustre un mode de réalisation dans lequel une couche 50 métallique, par exemple à base d’aluminium, est déposée sur le pourtour externe 201 de la structure passive 20. Cette couche 50 métallique permet typiquement de réfléchir une partie du rayonnement lumineux émis par la LED 31. L’extraction de lumière et/ou la directivité de la LED sont améliorées. La FIG. 5 illustre un mode de réalisation dans lequel la structure passive 21 est obtenue à partir d’un motif de masque 12 sous forme d’anneau tel qu’illustré sur la FIG. 1 . La structure passive 21 comprend ici deux anneaux 21a, 21b concentriques. Le canal situé entre ces deux anneaux 21a, 21b est ici rempli par une couche 60 de résine chargée en particules d’argent. Cette couche 60 forme typiquement un réflecteur pour la LED 31. L’extraction de lumière et/ou la directivité de la LED sont améliorées. Il est entendu que les dispositifs comprenant les structures passives 20, 21 fonctionnalisées illustrés aux figures 5A, 5B, 5C peuvent parfaitement comprendre une partie active de type LED 32 sous forme de fil telle qu’illustrée en FIG. 4 , ou d’autres parties actives de type laser ou cellule photovoltaïque par exemple. Les formes et les dimensions des structures passives 20, 21, et le type de fonctionnalisation de ces structures passives, peuvent notamment dépendre du type de partie active abritée dans l’espace 200 du dispositif optoélectronique. Les figures 6A, 6B illustre un autre mode de réalisation d’un dispositif optoélectronique comprenant une LED 31 et structure passive 20, dans lequel la structure passive 20 supporte sur son pourtour externe 201 une couche 40 de résine chargée en particules diffusantes, et dans lequel l’espace interne de la structure passive 20 est rempli par une couche 70 de résine chargée en convertisseurs de couleur (CCM). Les convertisseurs de couleur peuvent typiquement se présenter sous forme de boîtes quantiques (QD), de phosphores ou de matériau organique. Comme illustré à la FIG. 6 , l’espace interne de la structure passive 20 peut être rempli 700 de façon localisée par jet d’encre. La formulation de l’encre est choisie de façon à conférer les propriétés optiques souhaitées pour la couche 70. La structure passive 20 est ainsi doublement fonctionnalisée. Elle permet à la fois d’assurer une fonction de diffusion / réflexion sur son pourtour externe, via la couche 40, et une fonction de conversion de longueur d’onde ou de filtre en longueur d’onde via les convertisseurs de couleur de la couche 70. Les figures 7A, 7B illustre un autre mode de réalisation d’un dispositif optoélectronique comprenant une LED 31 et une structure passive 21, dans lequel le canal de la structure passive 21 est ici rempli par une couche 60 de résine chargée en particules d’argent, et dans lequel l’espace interne de la structure passive 21 est ici rempli par une couche 70 de résine chargée en convertisseurs de couleur. Comme illustré à la FIG. 7 , le remplissage 600 du canal situé entre les anneaux 21a, 21b de la structure passive 21 peut être effectué de façon localisée par jet d’encre. L’espace interne de la structure passive 21 peut être rempli de façon localisée par jet d’encre, comme précédemment. Les différents remplissages 600, 700 sont typiquement effectués en fin de procédé. Cela permet d’éviter une contamination croisée entre différents équipements utilisés dans les technologies de la microélectronique. La formulation des encres est choisie de façon à conférer les propriétés optiques souhaitées pour les couches 60, 70. La structure passive 21 est ainsi doublement fonctionnalisée. Elle permet à la fois d’assurer une fonction de réflexion via la couche 60, et une fonction de conversion de longueur d’onde ou de filtre en longueur d’onde via les QD de la couche 70. Il apparaît clairement au travers des exemples de réalisation précédents que le procédé selon l’invention permet de former une structure passive bien définie, à bas coût, et avantageusement fonctionnalisable. La formation de ces structures passives est avantageusement compatible avec les étapes de fabrication en fin de procédé au niveau de l’écran ou du panneau d’affichage après transfert de LED, ou au niveau de l’intégration sur un substrat type PCB. La formation des structures passives peut avantageusement se faire directement sur un backplane. A ce stade, l’utilisation de matériaux pour former des réflecteurs sur les structures passives, par exemple de type argent, n’est pas problématique vis-à-vis des équipements de fabrication, contrairement aux étapes de formation des LED impliquant des équipements de fabrication sensibles aux contaminations métalliques. L’invention n’est pas limitée aux modes de réalisations précédemment décrits. D’autres motifs de diffraction peuvent être mis en œuvre, par exemple pour d’autres applications des structures passives. Les structures passives peuvent contenir ou supporter des matériaux présentant des propriétés variées, en fonction des besoins et des applications. L’homme du métier saura adapter sans difficultés le principe de l’invention à différentes applications. Procédé de fabrication d’une structure passive (20, 21) sur un substrat, le procédé comprenant : Une formation d’une couche photosensible à base d’une résine photosensible sur ledit substrat, Une insolation de ladite couche photosensible au travers d’un masque de lithographie comprenant au moins un motif de masque (11, 12), ladite insolation étant configurée pour former dans ladite couche photosensible un motif de diffraction) généré par ledit motif de masque (11, 12), Une formation, à partir dudit motif de diffraction, de ladite structure passive (20, 21) dans ladite couche photosensible sur ledit substrat. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le motif de diffraction comporte une première portion insolée au droit du motif de masque, une portion non insolée sensiblement au droit des bords du motif de masque et au droit du motif de masque jusqu’à la première portion insolée, et une deuxième portion insolée s’étendant au droit d’une région du masque exempt de motif de masque de l’autre côté de la première portion insolée par rapport à la région non insolée. Procédé selon la revendication 2, dans lequel l’étape de formation de ladite structure passive (20, 21) comporte une étape de révélation permettant de former un mur en saillie à partir de la couche photosensible à l’endroit de la portion non insolée. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel ledit motif de masque (11, 12) comprend un disque, un anneau ou une bande. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel le disque a un diamètre d inférieur ou égal à 20 µm, l’anneau a une largeur l inférieure ou égale à 20 µm, ou la bande à une largeur inférieure ou égale à 20 µm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ledit masque de lithographie est éloigné de ladite couche photosensible d’une distance dite de défocalisation comprise entre 5 µm et 200 µm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ledit motif de diffraction (C, A1) est une tâche d’Airy comprenant un disque central (C) et au moins un anneau (A1) concentrique entourant ledit disque central (C). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite résine photosensible est de type positive. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre un dépôt de métal sur une paroi de ladite structure passive (20, 21). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel ledit substrat comprend ou porte un dispositif optoélectronique, et dans lequel ladite structure passive (20, 21) présente au moins un contour fermé entourant ledit dispositif optoélectronique et définissant une cavité (200), ledit procédé comprenant en outre un remplissage (700) de ladite cavité (200) par au moins un convertisseur de couleur. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel ladite structure passive (21) comprend au moins un premier anneau (21a) et un deuxième anneau (21b) concentriques. Procédé selon la revendication précédente comprenant en outre un dépôt localisé (600) d’encre métallique entre lesdits premier et deuxième anneaux (21a, 21b). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre un dépôt de résine chargée en particules diffusantes, typiquement des particules à base de TiO2, autour de ladite structure passive (20, 21). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre, préalablement à la formation de ladite couche photosensible, une formation ou un report d’une pluralité de dispositifs optoélectroniques sur ledit substrat, et dans lequel lesdites structures passives (20, 21) sont formées de façon à ce que chaque dispositif optoélectronique soit entouré par une structure passive (20, 21), en projection selon une direction perpendiculaire audit substrat. Système comprenant une pluralité de dispositifs optoélectroniques disposés sur ou dans un substrat, chaque dispositif optoélectronique comprenant une partie active (31, 32) configurée pour émettre ou recevoir un rayonnement lumineux, et une pluralité de structures passives (20, 21) en saillie du substrat, les structures passives (20, 21) étant formées par le procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes de façon à ce que chaque dispositif optoélectronique soit entouré par une structure passive (20, 21), en projection selon une direction perpendiculaire audit substrat. Système selon la revendication précédente, dans lequel chaque structure passive (20, 21) est configurée pour contenir et/ou supporter au moins un matériau destiné à interagir avec le rayonnement lumineux. Système selon l’une quelconque des revendications 15 à 16, dans lequel chaque structure passive (20, 21) présente au moins un contour fermé définissant une cavité (200) centrée sur la partie active (31, 32) dudit dispositif optoélectronique correspondant, en projection selon la direction perpendiculaire audit substrat. Système selon la revendication précédente, dans lequel ladite cavité (200) comprend au moins un convertisseur de couleur destiné à modifier une longueur d’onde du rayonnement lumineux. Système selon l’une quelconque des revendications 15 à 18, dans lequel chaque structure passive (20, 21) comprend une paroi métallisée de sorte à former un réflecteur pour ledit rayonnement lumineux. Système selon l’une quelconque des revendications 15 à 19, dans lequel chaque structure passive (21) comprend un premier anneau (21a) et un deuxième anneau (21b) concentriques, ledit premier anneau (21a) présentant un diamètre inférieur au deuxième anneau (21b) et définissant une première cavité (200) centrée sur ladite partie active (31, 32) dudit dispositif optoélectronique correspondant, en projection selon la direction perpendiculaire audit substrat, ledit deuxième anneau (21b) définissant une deuxième cavité autour de ladite première cavité (200) et située entre lesdits premier et deuxième anneaux (21a, 21b). Système selon la revendication précédente, dans lequel ladite première cavité (200) comprend au moins un convertisseur de couleur destiné à modifier une longueur d’onde du rayonnement lumineux, et dans lequel ladite deuxième cavité comprend un matériau métallique (60) formant un réflecteur pour le rayonnement lumineux. Système selon l’une quelconque des revendications 15 à 21, dans lequel lesdits dispositifs optoélectroniques sont des diodes électroluminescentes et dans lequel ledit substrat porte lesdites diodes électroluminescentes et comprend une connectique électrique configurée pour alimenter et/ou commander électriquement lesdites diodes électroluminescentes.