Brevet FR3163770A1 — publié le 20251226

Dispositif électronique La présente description concerne un dispositif (200) électronique comprenant : au moins un premier pixel (231, 232, 233, 234) ayant une monojonction ; au moins un deuxième pixel (235) comprenant une hétérojonction, à base de boîtes quantiques ; au moins un premier filtre (122, 124, 126, 128) d’une première couleur, ne laissant passer que les longueurs d’ondes de ladite première couleur et infrarouge, agencé à l’aplomb, du premier pixel (231, 232, 233, 234), et au moins partiellement du deuxième pixel (235) ; et un élément optique (210) intercalé entre le premier filtre et le deuxième pixel ; le premier filtre (122, 124, 126, 128) et l’élément optique (210) étant configurés pour que le premier pixel (231, 232, 233, 234) reçoive des longueurs d’onde de ladite première couleur et que le deuxième pixel (235) ne reçoive que des longueurs d’onde infrarouge. Figure pour l'abrégé : Fig. 4 Dispositif électronique ayant des pixels à base de boîtes quantiques La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques et plus précisément les dispositif optoélectroniques comprenant des photodiodes ainsi que les procédés associés. Une photodiode est un composant semi-conducteur ayant la capacité de capter un rayonnement du domaine optique et de le transformer en signal électrique. Dans un type de photodiodes commun, la zone de charge d'espace est située dans un matériau semiconducteur, généralement du silicium. Cependant, le silicium est peu réactif aux longueurs d'onde de l'infrarouge proche (NIR – Near Infra Red) et l'infrarouge court (SWIR - Short-Wave Infrared). Il existe un besoin de fournir des dispositifs à la fois sensibles à des longueurs d’onde du domaine visible et des longueurs d’onde de l’infrarouge. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs connus. Un mode de réalisation prévoit un dispositif électronique comprenant : au moins un premier pixel ayant une monojonction ; au moins un deuxième pixel comprenant une hétérojonction, à base de boîtes quantiques ; au moins un premier filtre d’une première couleur, ne laissant passer que les longueurs d’ondes de ladite première couleur et infrarouge, agencé à l’aplomb, du premier pixel, et au moins partiellement du deuxième pixel ; et un élément optique intercalé entre le premier filtre et le deuxième pixel ; le premier filtre et l’élément optique étant configurés pour que le premier pixel reçoive des longueurs d’onde de ladite première couleur et que le deuxième pixel ne reçoive que des longueurs d’onde infrarouge. Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d’un dispositif comprenant : obtenir un premier filtre d’une première couleur ne laissant passer que les longueurs d’ondes de ladite première couleur et infrarouge, et agencé à l’aplomb, d’au moins un premier pixel, et au moins partiellement d’un deuxième pixel, le premier pixel ayant une monojonction et le deuxième pixel comprenant une hétérojonction à base de boîtes quantiques ; intercaler un élément optique entre le premier filtre et le deuxième pixel (235) ; le premier filtre et l’élément optique étant configurés pour que le premier pixel reçoive des longueurs d’onde de ladite première couleur et que le deuxième pixel ne reçoive que des longueurs d’onde infrarouge. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend : au moins un troisième pixel ayant une monojonction ; au moins un deuxième filtre d’une deuxième couleur, ne laissant passer que les longueurs d’ondes de ladite deuxième couleur et infrarouge, agencé à l’aplomb, du troisième pixel et au moins partiellement du deuxième pixel (235) ; l’élément optique étant intercalé entre le deuxième filtre et le deuxième pixel (235) ; le deuxième filtre et l’élément optique étant configurés pour que le troisième pixel reçoive des longueurs d’onde de ladite deuxième couleur et que le deuxième pixel ne reçoive que des longueurs d’onde infrarouge. Selon un mode de réalisation, l’hétérojonction est sensible à des longueurs d’onde infrarouge. Selon un mode de réalisation la ou lesdites monojonctions sont sensibles à des longueurs d’onde du domaine visible. Selon un mode de réalisation, l’élément optique comprend un miroir interférentiel configuré pour laisser passer vers le deuxième pixel des longueurs d’onde infrarouge, et réfléchir des longueurs d’onde visibles. Selon un mode de réalisation, l’élément optique comprend un élément d’aiguillage optique configuré pour diriger des longueurs d’onde infrarouge vers le deuxième pixel, et des longueurs d’onde visibles vers un pixel différent du deuxième pixel. Selon un mode de réalisation, ledit miroir interférentiel est intercalé entre le deuxième pixel et l’élément d’aiguillage optique. Selon un mode de réalisation, l’élément d’aiguillage optique comprend une méta surface. Selon un mode de réalisation, ladite méta surface comprend des piliers en oxyde métallique dans une matrice comprenant un nitrure. Selon un mode de réalisation, au moins deux des pixels sont isolés entre eux électriquement par un mur conducteur isolé configuré pour être relié à un rail de tension recevant une tension négative. Selon un mode de réalisation, le deuxième pixel comprend une première région dopée d'un premier type de conductivité, la première région comprenant une première couche et une deuxième couche formant ladite hétérojonction, la première couche étant en un matériau semiconducteur et la deuxième couche comprenant lesdites boites quantiques. Selon un mode de réalisation, le deuxième pixel comprend une deuxième région dopée d'un deuxième type de conductivité, la deuxième région étant en contact avec la deuxième couche. Selon un mode de réalisation, la première couche est latéralement entourée par ledit mur conducteur isolé, la concentration de dopants de la première couche étant supérieure à celle de la deuxième couche. Selon un mode de réalisation, le premier pixel et/ou le troisième pixel comprend une première région avec une première couche dopée du premier type de conductivité, et une deuxième région dopée du deuxième type de conductivité. Selon un mode de réalisation, la première couche de la première région du deuxième pixel comprend une encoche, la deuxième couche étant au moins en partie formée dans ladite encoche. Un mode de réalisation prévoit un procédé d’utilisation du dispositif décrit ci-dessus, comprenant l’acquisition d’images dans le visible à partir d’au moins le premier pixel et dans l’infrarouge à partir du deuxième pixel. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 représente schématiquement un exemple de dispositif électronique ; la FIG. 2 représente schématiquement un mode de réalisation d’un dispositif électronique ; la FIG. 3 représente une vue en coupe selon un plan A-A d’un mode de réalisation du dispositif de la FIG. 2 ; la FIG. 4 représente une vue en coupe selon le plan A-A d’un autre mode de réalisation du dispositif de la FIG. 2 ; et la FIG. 5 représente une vue en coupe selon le plan A-A d’un autre mode de réalisation du dispositif de la FIG. 2 . De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % ou à 10° près, de préférence à 5 % ou à 5° près. La FIG. 1 représente schématiquement un exemple de dispositif électronique 100. Dans l’exemple représenté, le dispositif 100 comprend par exemple plusieurs filtres de couleur 122 (G), 124 (B), 126 (R), 128 (G). Dans un exemple, chacun de ces filtres 122, 124, 126, 128 ne laisse passer que les longueurs d’onde visibles associées à cette couleur. Par exemple, le filtre 122 ne laisse passer que des longueurs d’onde de la couleur verte, le filtre 124 que des longueurs d’onde de la couleur bleue, le filtre 126 que des longueurs d’onde de la couleur rouge et le filtre 128 que des longueurs d’onde de la couleur verte. Autrement dit, les longueurs d’onde qui sont issues d’un filtre d’une couleur donnée, sont comprises, par exemple à plus de 50%, préférentiellement à plus de 80%, et encore plus préférentiellement à plus de 90%, dans le spectre associé à cette couleur. Dans un exemple, même si les filtres 122, 124, 126, 128 permettent de sélectionner, dans le domaine visible, les longueurs d’onde associées à leur couleur du domaine visible, ils laissent passer une majorité du rayonnement infrarouge incident. Ces filtres 122, 124, 126, 128 sont par exemple agencés selon une matrice de Bayer. Dans un exemple, le dispositif 100 comprend plusieurs, voire dizaines, ou centaines, ou préférentiellement milliers d’ensembles 120 formés par les quatre filtres. Dans un autre exemple, chaque ensemble 120 ne comprend qu’un des filtres ou seulement deux filtres de couleur différente ou encore trois filtres de couleurs différentes ou non. Dans le texte, la couleur verte comprend les longueurs d’onde comprises entre 520 et 565 nm environ, la couleur rouge comprend les longueurs d’onde comprises entre 625 et 740 nm environ, et la couleur bleue comprend les longueurs d’onde comprises entre 450 et 500 nm environ. D’autres filtres associés à d’autres couleurs visibles sont également possibles comme des filtres de couleur jaune, orange, cyan, indigo ou encore violet. Dans le texte, le domaine infrarouge comprend par exemple les longueurs d’onde infrarouge court (SWIR). En d’autres termes, dans le texte, l’infrarouge comprend par exemple des longueurs d’onde supérieures ou égales à 1 µm, par exemple 1,1 µm ou 1,130 µm. L’infrarouge proche (NIR) dont les longueurs d’onde s’étendent entre 780 et 1 µm pourra également être considéré dans les exemples suivants, par exemple en modifiant la taille ou la nature de boîtes quantiques. Dans l’exemple représenté, le dispositif 100 comprend en outre, une matrice 130 de quatre pixels 131 (G), 132 (B), 133 (R), 134 (G) agencés à l’aplomb de l’ensemble 120. Chacun de ces pixels 131 (G), 132 (B), 133 (R), 134 (G) comprend par exemple une monojonction formée par exemple dans un substrat 135 semiconducteur tel que du silicium et est configuré pour transformer les longueurs d’onde visibles qu’il reçoit en charges électriques. Le traitement de ces charges, par un circuit non illustré, donne naissance à un signal qui est ensuite traité pour former des images par exemple. Dans l’exemple représenté, chaque pixel 131, 132, 133, 134 est agencé à l’aplomb d’un des filtres de l’ensemble 120. Par exemple, le pixel 131 est agencé à l’aplomb du filtre 122, le pixel 132 à l’aplomb du filtre 124, le pixel 133 à l’aplomb du filtre 126 et le pixel 134 à l’aplomb du filtre 128. Dans un exemple, le dispositif 100 comprend plusieurs, voire dizaines, ou centaines, ou préférentiellement milliers de matrices de pixels 130 formées par les quatre pixels 131, 132, 133, 134. Dans un autre exemple, chaque matrice 130 ne comprend qu’un des pixels ou seulement deux pixels ou encore trois pixels. Le fait d’utiliser des monojonctions silicium pour les pixels ne permet cependant pas de capter des informations du spectre infrarouge pour les mêmes images. De telles informations peuvent être intéressantes par exemple pour de la détermination de temps de vol ou le calcul de distances. Il est possible d’utiliser des pixels utilisant des boîtes quantiques sensibles à l’infrarouge et au visible pour à la fois capter les longueurs d’ondes visibles et infrarouges d’une même image. Cependant, l’efficacité de ces dispositifs est limitée dans le domaine visible de par la faible valeur de bande interdite et une densité de défauts élevée. D’autres solutions, dites au-dessus des interconnexions (Above Interconnects en anglais, ABIC), sont complexes à mettre en oeuvre avec les résolutions de plus en plus élevées demandées et elles souffrent également d’une perte de performances liées au courant d’obscurité (Dark current en anglais) et au bruit. Afin de pallier ces inconvénients, les modes de réalisation décrits prévoient un dispositif comprenant : au moins un premier pixel ayant une monojonction ; au moins un deuxième pixel comprenant une hétérojonction, à base de boîtes quantiques ; au moins un premier filtre d’une première couleur, ne laissant passer que les longueurs d’ondes de ladite première couleur et infrarouge, agencé à l’aplomb, du premier pixel, et au moins partiellement du deuxième pixel ; et un élément optique intercalé entre le premier filtre et le deuxième pixel ; le premier filtre et l’élément optique étant configurés pour que le premier pixel reçoive des longueurs d’onde de ladite première couleur et que le deuxième pixel ne reçoive que des longueurs d’onde infrarouge. Cette solution permet d’utiliser une grille de Bayer standard et donc ne nécessite pas de développement complexe sur la reconstruction d’image. Le fait de séparer les longueurs d’onde visibles des longueurs infrarouge est plus simple à mettre en oeuvre que le fait de séparer des longueurs d’onde du domaine visible entre elles. Cette solution permet en outre d’améliorer l’efficacité quantique externe (External quantum efficiency, EQE, en anglais) pour chaque canal de longueur d’onde. La réjection en longueurs d’onde est également améliorée par la séparation des longueurs d’onde visibles et infrarouge. Le fait que les boites quantiques ne soient pas utilisées dans tous les pixels permet de ne pas avoir d’absorption d’infrarouge dans les pixels ayant une monojonction, ce qui permet in fine d’améliorer la réjection entre longueurs d’onde visibles et infrarouge dans chaque canal. Cette architecture permet en outre de limiter les courants d’obscurité car il n’y a pas d’injection de charges par des électrodes. Le bruit est également réduit tout en permettant une fabrication simple. Cette solution permet également de limiter la diaphotie entre pixels de par la séparation physique entre pixels visibles avec les pixels infrarouge. La FIG. 2 représente schématiquement un mode de réalisation d’un dispositif électronique 200. Dans l’exemple représenté, le dispositif 200 comprend un ensemble optique similaire à l’ensemble 120. Dans l’exemple représenté, le dispositif 200 comprend en outre, une matrice 230 de cinq pixels 231 (G), 232 (B), 233 (R), 234 (G), et 235 (Ir) agencés à l’aplomb de l’ensemble 120. Chacun des pixels 231 (G), 232 (B), 233 (R), 234 (G) de la matrice 230 comprend par exemple une monojonction formée dans un substrat 245 semiconducteur, tel que du silicium, et est configuré pour transformer les longueurs d’onde visibles qu’elle reçoit en charges électriques. Le pixel 235, lui, comprend par exemple une hétérojonction formée à partir d’une couche 260, ayant des boîtes quantiques, agencée en contact d’une structure semiconductrice, par exemple à base de silicium. Cette structure semiconductrice est par exemple également présente dans les pixels 231, 232, 233, 234 ce qui limite les coûts de conception. La couche 260 est par exemple agencée uniquement au niveau du pixel 235 et ne dépasse pas au-dessus des pixels du domaine visible 231, 232, 233 et 234. Cela permet d’améliorer la réjection optique entre les pixels 231, 232, 233 et 234 et le pixel 235. La localisation de la couche 260 est par exemple réalisée par gravure d’une couche contenant les boites quantiques ou par dépôt localisé. Une boîte quantique ou nanoparticule semiconductrice est une structure à matériau nanoscopique qui produit des paires électron-trou en présence de l'incidence de photons sur la structure à matériau nanoscopique. Une boîte quantique comprend un cœur semiconducteur. Une boîte quantique peut également comprendre une enveloppe, de préférence en un matériau semiconducteur, entourant le cœur afin de protéger et de passiver le cœur. Une boîte quantique comprend en outre des ligands, des composés aliphatiques organiques, des molécules organométalliques ou inorganiques qui s'étendent depuis l'enveloppe et passivent, protègent, et fonctionnalisent la surface semiconductrice. La composition d'une boîte quantique peut être choisie parmi les matériaux suivants. Le cœur est, par exemple, constitué d'un matériau parmi les matériaux suivants ou parmi un alliage des matériaux suivants : CdSe, CdS, CdTe, CdSeS, CdTeSe, AgS, ZnO, ZnS, ZnSe, CuInS, CuInSe, CuInGaS, CuInGaSe, PbS, PbSe, PbSeS, PbTe, InAsSb, InAs, InSb, InGaAs, InP, InGaP, InAlP, InGaAlP, InZnS, InZnSe, InZnSeS, HgTe, HgSe, HgSeTe, Ge, Si. L'enveloppe est, par exemple, constituée d'un matériau parmi les matériaux suivants ou parmi un alliage des matériaux suivants : CdSe, CdS, CdTe, CdSeS, CdTeSe, AgS, ZnO, ZnS, ZnSe, CuInS, CuInSe, CuInGaS, CuInGaSe, PbS, PbSe, PbSeS, PbTe, InAsSb, InAs, InSb, InGaAs, InP, InGaP, InAlP, InGaAlP, InZnS, InZnSe, InZnSeS, HgTe, HgSe, HgSeTe, Ge, Si. De préférence, toutes les dimensions du cœur sont inférieures à 20 nm, par exemple dans la plage allant de 2 à 15 nm. En particulier, le diamètre de chaque boîte quantique est de préférence dans la plage allant de 2 à 15 nm. Par diamètre, on entend le diamètre de la plus petite sphère dans laquelle la boîte quantique peut être inscrite. Il est possible de choisir une taille et une dimension de boîtes quantiques capables d'absorber, avec une absorption significative, une quelconque longueur d'onde dans une large plage de longueurs d'onde. Par exemple, il est possible de trouver une taille et une dimension des boîtes quantiques ayant une longueur d'onde de fonctionnement supérieure à 1 µm, comprise par exemple entre 1 µm et 3 µm, qui inclut l'infrarouge proche et l'infrarouge court. Par exemple, la couche 260 comprend des boites quantiques en InAs, en PbS, en HgTe, ou en PbSe, avec par exemple un rayon inférieur à 10 nm, pour obtenir un pic d'absorption lié au confinement quantique dans l'infrarouge court, par exemple 1130 nm ou 1360 nm. La couche 260 a par exemple une épaisseur comprise entre 100 nm et 500 nm. Dans l’exemple représenté, le pixel 235 est agencé au centre de la matrice 230 de sorte qu’il est entouré par les pixels 231, 232, 233, 234. Par rapport à la matrice 130 de la FIG. 1 , la surface de réception de la lumière incidente sur chacun des pixels 231, 232, 233 et 234 est diminuée par une partie de l’emprise du pixel 235 central. Dans l’exemple représenté, le pixel 233 est séparé du pixel 232 par l’intermédiaire du pixel 235, et le pixel 231 est séparé du pixel 234 par l’intermédiaire du pixel 235. Cela permet d’améliorer les performances de diaphotie. Dans un exemple, l’étendue surfacique de la matrice 230 est similaire à celle de la matrice 130. Dans l’exemple représenté, le filtre 122 est agencé à l’aplomb du pixel 231 et au moins partiellement à l’aplomb du pixel 235 ; le filtre 126 est agencé à l’aplomb du pixel 233 et au moins partiellement à l’aplomb du pixel 235 ; le filtre 128 est agencé à l’aplomb du pixel 234 et au moins partiellement à l’aplomb du pixel 235 ; et le filtre 124 est agencé à l’aplomb du pixel 232 et au moins partiellement à l’aplomb du pixel 235. Dans un exemple, le dispositif 200 comprend plusieurs, voire dizaines, ou centaines, ou préférentiellement milliers de matrices de pixels 230. Dans un exemple non illustré, chaque matrice 230 ne comprend qu’un des pixels 231, 232, 233 ou 234 et le pixel 235. Dans ce cas, seul un des filtres 122, 124, 126, ou 128 est présent dans l’ensemble 120 associé. Dans un exemple non illustré, chaque matrice 230 ne comprend que deux des pixels 231, 232, 233 ou 234 et le pixel 235. Dans ce cas, seul deux des filtres 122, 124, 126, ou 128 sont présents dans l’ensemble 120 associé. Dans un exemple non illustré, chaque matrice 230 ne comprend que trois des pixels 231, 232, 233 ou 234 et le pixel 235. Dans ce cas, seul trois des filtres 122, 124, 126, ou 128 sont présents dans l’ensemble 120 associé. Dans l’exemple représenté, un élément optique 210 (OPT) est intercalé entre au moins un des filtres 122, 124, 126, 128 de l’ensemble 120 et au moins un des pixels 231, 232, 233, 234, 235 de la matrice 230. Dit autrement, l’élément optique 210 est agencé à l’aplomb d’au moins une région d’un des filtres 122, 124, 126, 128 de l’ensemble 120, et entre un plan dans lequel sont formés les filtres et un plan de la couche 260, de sorte à recouvrir au moins le pixel 235. Le ou les filtres de l’ensemble 120 et l’élément optique 210 sont configurés pour que le ou les pixels 231, 232, 233, 234 reçoivent des longueurs d’onde de la couleur du filtre associé mais également de l’infrarouge, et que le pixel 235 ne reçoive que des longueurs d’onde infrarouge. Dans un exemple, l’élément optique 210 comprend un miroir interférentiel, ou un miroir de Bragg, configuré pour, laisser passer vers le pixel 235 des longueurs d’onde infrarouge, et réfléchir des longueurs d’onde visibles. Dans un exemple, le miroir interférentiel est constitué d’un empilement de couches de SiON et de silicium amorphe a-Si, ayant par exemple des épaisseurs respectives de 125 nm et 50 nm. Le miroir interférentiel, ou miroir de Bragg, permet d’améliorer la réjection des longueurs d’onde visibles qui pourraient polluer le signal généré par le pixel dédié à l’infrarouge. Dans un autre exemple, l’élément optique 210 comprend un élément d’aiguillage optique configuré pour diriger des longueurs d’onde infrarouge vers le pixel 235, et des longueurs d’onde visibles vers un des pixels 231, 232, 233, 234. En d’autres termes, l’élément d’aiguillage optique est configuré pour, par exemple, dévier avec un certain angle des longueurs d’onde du domaine visible issues des filtres 122, 124, 126 ou 128 et dévier avec un autre angle des longueurs d’onde du domaine infrarouge issues des filtres 122, 124, 126 ou 128. De cette façon, les longueurs d’onde infrarouge sont dirigées vers le pixel 235, alors que les longueurs d’onde visibles le sont vers au moins un des pixels 231, 232, 233, 234. Dans un exemple, l’élément d’aiguillage optique 210 comprend une méta surface. Cette méta surface comprend par exemple des piliers ou des reliefs formés dans un matériau d’indice optique (ou de réfraction) élevé, par exemple au-dessus de 2, par exemple en oxyde métallique, par exemple en TiO2. Dans un exemple, ces piliers sont agencés dans une matrice d’indice optique plus faible, par exemple un nitrure, par exemple un nitrure de silicium. L’agencement et la forme des piliers ou des reliefs d’indice optique élevé pourra être simulé pour obtenir les déviations différentes selon les longueurs d’onde voulues. La mise en oeuvre de l’élément d’aiguillage optique permet d’améliorer le rendement quantique externe de chaque canal puisque cela compense la réduction de la taille des pixels 231, 232, 233, 234 pour l’intégration du pixel 235. Dans un exemple, l’élément optique 210 comprend un miroir interférentiel, ou un miroir de Bragg, et l’élément d’aiguillage optique où le miroir interférentiel est intercalé entre le pixel 235 et l’élément d’aiguillage optique. Dans l’exemple représenté, un plan de coupe A-A traverse verticalement les filtres 124 et 126, l’élément optique 210, la couche 260, ainsi que les pixels 232, 233 et 235. La FIG. 3 représente une vue en coupe selon le plan A-A d’un mode de réalisation du dispositif 200 de la FIG. 2 . Dans l’exemple représenté, les pixels 232, 235 et 233 sont agencés respectivement les uns à côté des autres. Le pixel 235 est agencé entre le pixel 232 et le pixel 233 cela permet d’éviter le phénomène de diaphotie. Dans cet exemple, le pixel 232 est agencé à l’aplomb du filtre 124, le pixel 235 est agencé à l’aplomb d’une partie du filtre 124 et à l’aplomb d’une partie du filtre 126, et le pixel 233 est agencé à l’aplomb du filtre 126. Dans l’exemple représenté, l’élément optique 210 est intercalé entre le plan formé par les filtres 124 et 126 et le plan formé par une face des pixels 232, 233 et 235 orientée vers les filtres. Dans l’exemple représenté, l’élément optique 210 comprend l’élément d’aiguillage optique 309 ainsi que le miroir interférentiel 330. Dans cet exemple, l’élément d’aiguillage optique 309 s’étend sous les filtres 124 et 126 de sorte à pouvoir dévier de façon différente les longueurs d’onde visibles λvis1, λvis2 par rapport aux longueurs d’onde infrarouges λswir. Ainsi, le pixel 232 reçoit les longueurs d’onde visibles λvis1 de la couleur du filtre 124, le pixel 233 reçoit des longueurs d’onde visibles λvis2 de la couleur du filtre 126, et le pixel 235 reçoit des longueurs d’onde infrarouge λswir issues de l’élément optique 210. L’élément d’aiguillage optique 309 comprend des piliers 321 d’indice optique élevé agencés dans une matrice 322 d’indice optique plus faible. Il est également possible que l’indice optique des piliers 321 et de leur matrice 322 soient inversés. Dans l’exemple représenté, l’élément optique 210 comprend en outre le miroir interférentiel 330. Dans cet exemple, le miroir interférentiel comprend un double empilement de deux couches 332 et 333. Les couches 332 sont par exemple des couches de 125 nm environ d’épaisseur de SiON et les couches 333 sont par exemple des couches d’environ 50 nm d’épaisseur en silicium amorphe. Le but de ce miroir interférentiel est de permettre le passage des longueurs d’onde infrarouge tout en rejetant, c’est-à-dire par exemple en réfléchissant, les longueurs d’onde visibles λvis1 ou λvis2. Le nombre de couches 332 et 333 peut être supérieur à 2, par exemple de l’ordre de la dizaine. Le miroir interférentiel est par exemple agencé de sorte à ne recouvrir horizontalement que le pixel 235 et ne pas recouvrir les pixels 232 et 233. Dans l’exemple représenté, le miroir interférentiel est entouré latéralement par exemple par un isolant 354 qui est par exemple différent d’un isolant 322 entourant les piliers 321. Cet isolant est par exemple un oxyde de silicium. Dans l’exemple de la FIG. 3 , la couche 260 qui comprend les boites quantiques (QF-N) est localisée verticalement entre le miroir interférentiel 330 et une structure 301 du pixel 235 et horizontalement de façon à déborder légèrement de la structure 301. La couche 260 est entourée latéralement par exemple par l’isolant 354. Dans l’exemple représenté, les pixels dédiés au visible 232 et 233 comprennent une structure 301 similaire à celle du pixel 235. La structure 301 est formée dans un substrat semiconducteur, par exemple du silicium. La structure 301 comprend une première couche 352 (Si-N) d’un premier type de conductivité, par exemple de type N. Dans un exemple, l’épaisseur de la couche 352 est d’environ 5 à 10 µm. Dans un exemple, la première couche 352 du pixel 232 reçoit les longueurs d’onde visibles λvis1 de la couleur du filtre 124, et la première couche 352 du pixel 233 reçoit les longueurs d’onde visibles λvis2 de la couleur du filtre 126. Une face de la première région 352 de la structure 301 du pixel 235, orientée vers les filtres optiques, est en contact avec la couche à boîtes quantiques 260. Cela forme l’hétérojonction du pixel 235. La couche 260 comprend par exemple des boites quantiques du même type de conductivité que la couche 352, par exemple de type N. La couche 260 constitue la couche photosensible de la photodiode créée. Dans le pixel 235, l’hétérojonction reçoit des longueurs d’onde infrarouge λswir issues des filtres 124, 126 et de l’élément optique 210 et les transforment en paires électrons-trous. Dans un exemple, les pixels 232, 233, 235 adjacents sont isolés entre eux électriquement par un mur conducteur 357 isolé avec un isolant électrique 358 et configuré pour être relié à un rail de tension recevant une tension négative par exemple -1V. Cela permet en outre de dépléter la première couche 352 des différents pixels et créer des diodes pincées absorbant les électrons photogénérés. Dans l’exemple présenté, le pixel 235 comprend une région 356 (P++ Si) dopée selon un deuxième type de conductivité, par exemple P, qui est en contact au moins partiellement avec la première couche 352. Cette région 356 est en outre agencée entre les murs 357, 358 et la première couche 352. Dans un exemple, la concentration en dopants de la région 356 est élevée (P++), par exemple 1 18 at.cm -3 . La région 356, dans le cas du pixel 235, permet avantageusement d’adapter la différence de bande interdite entre la couche 260 et la première couche 352 de ce pixel afin de permettre l’évacuation des trous photogénérés dans la couche 260. Les murs polarisés en négatifs et la région 356 fortement dopées avec le deuxième type de conductivité créent un champ électrique permettant d’améliorer l’effet de champ. La région 356 ainsi agencée permet en outre d’éviter l’influence de courants d’obscurité. Dans un exemple, la région 356 est facultative ou de concentration en dopants plus faible. Dans l’exemple représenté, les pixels dédiés au visible 232 et 233 comprennent également la région 356 agencée de façon similaire au pixel 235 sauf qu’elle n’est pas en contact avec une couche à boîtes quantiques mais avec l’isolant recouvrant la face de la première couche 352 du pixel respectif. Pour ces pixels dédiés au visible, la région 356 est facultative même si elle est avantageuse pour amplifier la déplétion du silicium et limiter le courant d’obscurité. Dans l’exemple représenté, chaque pixel 232, 233, 235 comprend un nœud de détection 361 relié, préférablement connecté, à une structure formant un transistor de type MOS vertical par exemple cylindrique. Ce transistor est formé par une zone 368, du premier type de conductivité, par exemple de type N, avec une concentration en dopants élevée, en contact avec le nœud de détection 361, et configuré pour former un canal. Cette zone 368 est entourée par une grille de commande, par exemple cylindrique verticalement, formée d’un noyau conducteur 359, par exemple en polysilicium, qui est isolé de la zone 368 par un isolant 365, par exemple un oxyde de silicium. Une zone 363, qui est une partie de la couche 352, est agencée en contact de la zone 368 tout en étant entourée par l’isolant 365. Une zone 362, dopée selon le deuxième type de conductivité, relie par exemple la région 356 de chaque pixel à la grille de commande 359, 365. Cette zone 362 permet de d’isoler électrostatiquement les transistors du pixel, par exemple les amplificateurs, transistors de transfert, et contrôler le potentiel de la couche 356 afin d’évacuer les photogénérés. En polarisant la grille de commande négativement, le canal est fermé pour stocker les électrons photogénérés et en la polarisant positivement, les électrons sont évacués pour former le signal du pixel respectif. Les pixels 232, 233 génèrent ainsi un signal issu de photons visibles liés à la couleur de leur filtre respectif et le pixel 235 génère un signal issu des photons infrarouge passant à travers les filtres 124 et 126. Dans l’exemple représenté, les filtres de couleur 124 et 126 sont surmontés de microlentilles respectivement 302 et 304. Ces microlentilles permettent de focaliser la lumière incidente (matérialisée par une flèche dans la FIG. 3 ) vers les filtres et pixels associés. La FIG. 4 représente une vue en coupe d’un autre mode de réalisation du dispositif 200 de la FIG. 2 . L’exemple de la FIG. 4 est similaire à celui de la FIG. 3 sauf que la couche 352 du pixel 235 comprend une encoche 452 dans laquelle est agencée une partie de la couche 260. Cela permet d’augmenter l’effet de champ. Cette encoche 452 est par exemple obtenue par gravure de la couche 352. La FIG. 5 représente une vue en coupe selon le plan A-A d’un autre mode de réalisation du dispositif de la FIG. 2 . L’exemple représenté est similaire à celui de la FIG. 4 sauf qu’un élément de guidage et de réflexion optique 530 est facultativement agencé entre les structures 301 des photodiodes et une couche d’interconnexions métalliques 520 qui est reliée par exemple aux différents pixels. L’élément de guidage et de réflexion optique 530 est agencé de sorte à permettre de rediriger les longueurs d’ondes infrarouge traversant les pixels 232 et 233 vers le pixel 235 afin qu’elles soient absorbées par la couche photosensible 260 et ainsi augmenter l’efficacité quantique du pixel 235. Dans l’exemple représenté, les longueurs d’ondes infrarouge non absorbées par les pixels dédiés au visible se réfléchissent sur les interconnexions (illustration par des flèches sur la figure), pour être redirigées vers le pixel 235 dédié à l’absorption des infrarouges. Dans un exemple, l’élément de guidage et de réflexion optique 530 comprend par exemple une ou des méta surfaces réflectives. Le dispositif 200 pourra être utilisé par exemple dans des téléphones intelligents (smartphone en anglais), dans des systèmes utilisant des caméras, dans des capteurs sensibles à la lumière visible et pour la mesure de distances, pour la détection faciale ou de formes, ou bien encore dans le milieu automobile. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, même si les figures 3 et 4 présentent l’élément optique 210 comme comprenant à la fois l’élément d’aiguillage optique 309 et le miroir interférentiel 330, il est aussi possible que l’élément optique 210 ne comprennent que l’élément d’aiguillage optique 309 ou que le miroir interférentiel 330. Dans le cas où l’élément optique 210 ne comprend que le miroir interférentiel 330, les pixels dédiés au visible pourront recevoir des longueurs d’onde infrarouge. Néanmoins, ces pixels étant à base d’une monojonction en silicium par exemple, celle-ci n’est quasiment pas sensible à ces longueurs d’onde infrarouge. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. En particulier, pour ce qui est des exemples des figures 3 et 4, la personne du métier pourra également mettre en oeuvre leurs enseignements avec des matrices 230 de pixels uniquement composés d’un seul pixel dédié aux longueurs d’onde du visible et d’un pixel dédié à l’infrarouge. Dans ce cas, un seul filtre de couleur visible pourra être envisagé par ensemble 120. La personne du métier pourra également mettre en oeuvre des matrices 230 de pixels uniquement composées de deux pixels dédiés aux longueurs d’onde du visible et d’un pixel dédié à l’infrarouge. Dans ce cas, deux filtres de couleur visibles différentes pourront être envisagés par ensemble 120. La personne du métier pourra en outre mettre en oeuvre des matrices 230 de pixels uniquement composées de trois pixels dédiés aux longueurs d’onde du visible et d’un pixel dédié à l’infrarouge. Dans ce cas, deux ou trois filtres de couleur visibles différentes pourront être envisagés par ensemble 120. Dispositif (200) électronique comprenant : au moins un premier pixel (231, 232, 233, 234) ayant une monojonction ; au moins un deuxième pixel (235) comprenant une hétérojonction, à base de boîtes quantiques ; au moins un premier filtre (122, 124, 126, 128) d’une première couleur, ne laissant passer que les longueurs d’ondes de ladite première couleur et infrarouge, agencé à l’aplomb, du premier pixel (231, 232, 233, 234), et au moins partiellement du deuxième pixel (235) ; et un élément optique (210) intercalé entre le premier filtre et le deuxième pixel ; le premier filtre (122, 124, 126, 128) et l’élément optique (210) étant configurés pour que le premier pixel (231, 232, 233, 234) reçoive des longueurs d’onde de ladite première couleur et que le deuxième pixel (235) ne reçoive que des longueurs d’onde infrarouge. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le dispositif (200) comprend : au moins un troisième pixel (231, 232, 233, 234) ayant une monojonction ; au moins un deuxième filtre (122, 124, 126, 128) d’une deuxième couleur, ne laissant passer que les longueurs d’ondes de ladite deuxième couleur et infrarouge, agencé à l’aplomb, du troisième pixel (231, 232, 233, 234) et au moins partiellement du deuxième pixel (235) ; l’élément optique (210) étant intercalé entre le deuxième filtre (122, 124, 126, 128) et le deuxième pixel (235) ; le deuxième filtre (122, 124, 126, 128) et l’élément optique (210) étant configurés pour que le troisième pixel reçoive des longueurs d’onde de ladite deuxième couleur et que le deuxième pixel (235) ne reçoive que des longueurs d’onde infrarouge. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l’hétérojonction est sensible à des longueurs d’onde infrarouge. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la ou lesdites monojonctions sont sensibles à des longueurs d’onde du domaine visible. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel l’élément optique (210) comprend un miroir interférentiel (330) configuré pour laisser passer vers le deuxième pixel (235) des longueurs d’onde infrarouge, et réfléchir des longueurs d’onde visibles. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel l’élément optique (210) comprend un élément d’aiguillage optique (309) configuré pour diriger des longueurs d’onde infrarouge vers le deuxième pixel (235), et des longueurs d’onde visibles vers un pixel différent du deuxième pixel. Dispositif selon la revendication 5 ou 6 dans sa dépendance à la revendication 5, dans lequel ledit miroir interférentiel est intercalé entre le deuxième pixel et l’élément d’aiguillage optique. Dispositif selon la revendication 6 ou 7 dans sa dépendance à la revendication 6, dans lequel l’élément d’aiguillage optique comprend une méta surface. Dispositif selon la revendication 8, dans lequel ladite méta surface comprend des piliers en oxyde métallique dans une matrice comprenant un nitrure. Dispositif ou procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel au moins deux des pixels (231, 232, 233, 234, 235) sont isolés entre eux électriquement par un mur conducteur isolé (357, 358) configuré pour être relié à un rail de tension recevant une tension négative. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le deuxième pixel (235) comprend une première région dopée d'un premier type de conductivité, la première région comprenant une première couche (352) et une deuxième couche (260) formant ladite hétérojonction, la première couche (352) étant en un matériau semiconducteur et la deuxième couche (260) comprenant lesdites boites quantiques. Dispositif selon la revendication 11, dans lequel le deuxième pixel (235) comprend une deuxième région (356) dopée d'un deuxième type de conductivité, la deuxième région (356) étant en contact avec la deuxième couche (260). Dispositif selon la revendication 11 dans sa dépendance à la revendication 10 ou selon la revendication 12 dans sa dépendance aux revendications 10 et 11, dans lequel la première couche (352) est latéralement entourée par ledit mur conducteur isolé (357, 358), la concentration de dopants de la première couche (352) étant supérieure à celle de la deuxième couche (260). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 4 ou 5 à 13 dans leur dépendance à la revendication 4, dans lequel le premier pixel (231, 232, 233, 234) et/ou le troisième pixel (231, 232, 233, 234) comprend une première région avec une première couche (352) dopée du premier type de conductivité, et une deuxième région (356) dopée du deuxième type de conductivité. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 11 ou 12 à 14 dans leur dépendance à la revendication 11, dans lequel la première couche (352) de la première région du deuxième pixel (235) comprend une encoche (452), la deuxième couche (260) étant au moins en partie formée dans ladite encoche (452). Procédé de fabrication du dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 15 comprenant : - obtenir le premier filtre ; et - intercaler l’élément optique (210) entre le premier filtre et le deuxième pixel (235) ; le premier filtre (122, 124, 126, 128) et l’élément optique (210) étant configurés pour que le premier pixel (231, 232, 233, 234) reçoive des longueurs d’onde de ladite première couleur et que le deuxième pixel (235) ne reçoive que des longueurs d’onde infrarouge.