Brevet FR3155443A1 — publié le 20250523

Ce procédé comporte les étapes : a) utiliser un empilement comprenant successivement un premier substrat (1), une interface de collage (IC) sensible à un milieu humide et/ou à des vibrations mécaniques, un deuxième substrat (2) ; b) former des cavités (3) au sein du deuxième substrat (2) délimitant des cellules élémentaires (CE), les cavités (3) possédant chacune un fond s’étendant à une distance de l’interface de collage (IC), le deuxième substrat (2) conservant une zone intercalaire entre le fond et l’interface de collage (IC) ; c) appliquer un rayonnement laser au fond de chaque cavité (3) de manière à : - obtenir localement une ablation (A) de la zone intercalaire, de l’interface de collage (IC), et d’une première partie du premier substrat (1) ; - conserver une seconde partie (11) du premier substrat (1) dans le prolongement de l’ablation (A), et adaptée pour conserver une tenue mécanique des cellules élémentaires (CE) ; d) supprimer la seconde partie (11) du premier substrat (1). Figure 4 Procédé de fabrication de cellules élémentaires à caractériser L’invention se rapporte au domaine technique des procédés de fabrication de cellules élémentaires à caractériser pour la microélectronique. Chaque cellule élémentaire est issue de divisions (généralement verticales) d’un empilement, l’empilement comportant successivement un premier substrat, une interface de collage, un deuxième substrat. Chaque cellule élémentaire est donc une division d’un empilement, la division comportant successivement une partie du premier substrat, une partie de l’interface de collage, une partie du deuxième substrat. L’invention trouve notamment son application dans la mesure de l’énergie d’adhérence de l’interface de collage d’une cellule élémentaire, c'est-à-dire l’énergie nécessaire pour séparer les parties des premier et deuxième substrats de l’interface de collage. État de l’art Un procédé de fabrication de cellules élémentaires à caractériser, connu de l’état de la technique, comporte les étapes : A) utiliser un empilement comprenant successivement un premier substrat, une interface de collage, un deuxième substrat ; l’interface de collage étant sensible à un milieu humide et/ou à des vibrations mécaniques ; B) découper l’empilement suivant une direction perpendiculaire à l’interface de collage avec une scie de manière à obtenir des cellules élémentaires. Un tel procédé de l’état de la technique n’est pas entièrement satisfaisant dans la mesure où l’exécution de l’étape B) est susceptible de conduire à une dégradation de l’interface de collage en raison de : (i) l’exposition de l’interface de collage à une humidité provenant des eaux de refroidissement de la scie lorsque la scie atteint l’interface de collage ; (ii) la soumission de l’interface de collage à des vibrations mécaniques importantes liées au fonctionnement de la scie (avec une lame généralement réalisée en diamant) lorsque la scie atteint l’interface de collage. Une telle dégradation de l’interface de collage peut conduire localement à des décollements du deuxième substrat, qui vont impacter la fiabilité de la caractérisation des cellules élémentaires, tout particulièrement lorsqu’il s’agit de mesurer l’énergie d’adhérence de l’interface de collage. L’invention vise à remédier en tout ou partie aux inconvénients précités. A cet effet, l’invention a pour objet un procédé de fabrication de cellules élémentaires à caractériser, comportant les étapes : a) utiliser un empilement comprenant successivement un premier substrat, une interface de collage, un deuxième substrat ; l’interface de collage étant sensible à un milieu humide et/ou à des vibrations mécaniques ; b) former des cavités au sein du deuxième substrat délimitant des cellules élémentaires, les cavités possédant chacune un fond s’étendant à une distance de l’interface de collage, le deuxième substrat conservant une zone intercalaire s’étendant entre le fond de chaque cavité et l’interface de collage ; c) appliquer un rayonnement laser au fond de chaque cavité de manière à : - obtenir localement une ablation de la zone intercalaire, de l’interface de collage, et d’une première partie du premier substrat ; - conserver une seconde partie du premier substrat, s’étendant dans le prolongement de l’ablation, et adaptée pour conserver une tenue mécanique des cellules élémentaires délimitées lors de l’étape b) ; d) supprimer la seconde partie du premier substrat de manière à séparer les cellules élémentaires délimitées lors de l’étape b). Ainsi, un tel procédé selon l’invention permet, grâce à l’étape c) ne nécessitant pas d’eaux de refroidissement, d’éviter une exposition de l’interface de collage à un milieu humide comme dans l’étape B) de l’état de la technique lorsque la scie atteint l’interface de collage. De plus, l’étape c) ne conduit pas à une soumission de l’interface de collage à des vibrations mécaniques comme dans l’étape B) de l’état de la technique lorsque la scie atteint l’interface de collage. Un tel procédé selon l’invention permet donc une meilleure préservation de l’interface de collage par rapport à l’état de la technique, de sorte que la fiabilité de la caractérisation des cellules élémentaires est accrue. La fabrication de cellules élémentaires s’effectue en trois temps pour diviser l’empilement et obtenir des cellules élémentaires. Dans un premier temps, les cavités sont formées lors de l’étape b) de manière à conserver une zone intercalaire entre le fond de chaque cavité et l’interface de collage. La zone intercalaire permet de protéger l’interface de collage, par exemple des eaux de refroidissement ou des vibrations mécaniques lorsque l’étape b) est exécutée par une découpe avec une scie pour former les cavités. Dans un deuxième temps, l’interface de collage est ablatée lors de l’étape c) par une ablation laser ne nécessitant pas d’eaux de refroidissement et n’engendrant pas de fortes vibrations mécaniques. Une telle ablation laser permet de mieux préserver les propriétés de l’interface de collage par rapport à l’état de la technique. Dans un troisième temps, la suppression de la seconde partie du premier substrat à l’issue de l’étape d) permet l’obtention des cellules élémentaires. Le procédé selon l’invention peut comporter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes. Selon une caractéristique de l’invention, l’étape c) est exécutée dans une atmosphère sèche. Ainsi, un avantage procuré est d’éviter une exposition de l’interface de collage à des molécules d’eau lorsque l’ablation laser de l’étape c) atteint l’interface de collage. Selon une caractéristique de l’invention, le rayonnement laser est appliqué lors de l’étape c) suivant une direction perpendiculaire à l’interface de collage. Ainsi, un avantage procuré est d’optimiser le volume utile des cellules élémentaires fabriquées. Selon une caractéristique de l’invention, le rayonnement laser appliqué lors de l’étape c) est un rayonnement impulsionnel possédant une fluence et une durée d’impulsion adaptées pour obtenir une ablation de la zone intercalaire, de l’interface de collage, et de la première partie du premier substrat. Ainsi, un avantage procuré par la nature impulsionnelle du rayonnement laser est de limiter le transfert de chaleur au voisinage de l’ablation afin de notamment préserver l’interface de collage. Selon une caractéristique de l’invention, l’étape c) est exécutée de sorte que la première partie du premier substrat est ablatée sur une épaisseur comprise entre 5 µm et 30 µm, de préférence comprise entre 10 µm et 20 µm. Selon une caractéristique de l’invention, les cavités sont formées lors de l’étape b) par une technique choisie parmi : - une découpe du deuxième substrat avec une scie ; - une gravure physique du deuxième substrat avec un plasma ; - une gravure chimique du deuxième substrat avec un agent de gravure. Le choix de la technique pourra dépendre des caractéristiques du matériau du deuxième substrat et du temps d’opération nécessaire pour exécuter l’étape b). Selon une caractéristique de l’invention, les cavités formées lors de l’étape b) s’étendent suivant une direction perpendiculaire à l’interface de collage. Ainsi, un avantage procuré est d’optimiser le volume utile des cellules élémentaires fabriquées. Selon une caractéristique de l’invention, l’étape b) est exécutée de sorte que la distance entre le fond de chaque cavité et l’interface de collage est comprise entre 5 µm et 30 µm, de préférence comprise entre 10 µm et 20 µm. Ainsi, un avantage procuré est de protéger efficacement l’interface de collage, par exemple des eaux de refroidissement ou des vibrations mécaniques lorsque l’étape b) est exécutée par une découpe avec une scie pour obtenir les cavités. Selon une caractéristique de l’invention, chaque cavité formée lors de l’étape b) possède une largeur supérieure ou égale à 50 µm. Ainsi, un avantage procuré est de faciliter l’exécution ultérieure de l’étape c). Selon une caractéristique de l’invention, la seconde partie du premier substrat est supprimée lors de l’étape d) par une technique choisie parmi : - un clivage propageant une fissure issue de l’ablation de la première partie du premier substrat lors de l’étape c) ; - une découpe avec une scie ou avec un laser ; - une gravure physique avec un plasma ; - une gravure chimique avec un agent de gravure. Le choix de la technique pourra dépendre des caractéristiques du matériau du premier substrat et du temps d’opération nécessaire pour exécuter l’étape d). Définitions - Par « cellule élémentaire », on entend une structure unitaire, partiellement représentative d’une structure d’une puce électronique, et issue de divisions d’un empilement comprenant successivement un premier substrat, une interface de collage, un deuxième substrat. La cellule élémentaire est partiellement représentative d’une structure d’une puce électronique au sens où une couche mince remplace généralement le deuxième substrat dans le cas d’une puce électronique. - Par « comprenant successivement », on entend que les éléments de l’empilement sont disposés les uns sur les autres selon un ordre défini de bas en haut dans des conditions normales d’utilisation, c'est-à-dire suivant la normale à la surface des premier et deuxième substrats. L’expression « comprenant successivement » n’exclut pas la présence d’éléments additionnels (e.g. une couche diélectrique, une structure d’interconnexions) intercalés entre le premier substrat et l’interface de collage et/ou entre l’interface de collage et le deuxième substrat. Une structure d’interconnexions est un empilement de niveaux d’interconnexions, comprenant des pistes métalliques noyées dans un matériau diélectrique. - Par « substrat », on entend un support physique autoporté, réalisé dans un matériau de base à partir duquel peut être formé un dispositif pour la microélectronique (électronique, optique, mécanique etc.). Un substrat peut être une tranche (également dénommée « plaquette », « wafer » en langue anglaise) qui se présente généralement sous la forme d’un disque issu d’une découpe dans un lingot d’un matériau cristallin. - Par « interface de collage », on entend la zone de contact entre les premier et deuxième substrats autorisant leur collage. Le collage peut être un collage direct. Un collage direct est un collage spontané issue de la mise en contact direct de deux surfaces, c'est-à-dire en l’absence d’un élément additionnel tel qu’une colle, une cire ou une brasure. L’adhésion provient principalement des forces de van der Waals issues de l’interaction électronique entre les atomes ou les molécules de deux surfaces, des liaisons hydrogène du fait des préparations des surfaces ou des liaisons covalentes établies entre les deux surfaces. Le collage peut être direct entre les premier et deuxième substrats. Lorsque le premier substrat et/ou le deuxième substrat sont revêtus d’une couche diélectrique (e.g. une couche d’oxyde) avant collage, la zone de contact peut être formée par une couche diélectrique ou deux couches diélectriques s’étendant entre les premier et deuxième substrats. Le collage peut être direct entre une couche diélectrique et un substrat, ou entre deux couches diélectriques. Le collage peut être un collage hybride. Un collage hybride est un collage métal/métal et un collage diélectrique/diélectrique. L’interface de collage hybride peut être la surface de contact entre deux structures d’interconnexions. Le collage peut être un collage métallique (e.g. collage eutectique) ou un collage par un polymère (e.g. époxy). - Par « sensible », on entend que l’interface de collage peut réagir chimiquement avec le milieu humide et/ou peut être endommagée par des vibrations mécaniques (adhérence altérée). - Par « milieu humide », on entend un milieu contenant des molécules d’eau sous forme gazeuse ou liquide. - Par « ablation », on entend une éjection de matière à partir d’un matériau traversé par le rayonnement laser selon une fluence donnée. - Par « épaisseur », on entend une dimension suivant la normale à la surface des premier et deuxième substrats, ou encore selon une direction perpendiculaire à l’interface de collage. - Par « tenue mécanique », on entend que les cellules élémentaires délimitées lors de l’étape b) résistent à la rupture à l’issue de l’étape c), en réponse à une sollicitation mécanique. - Par « atmosphère sèche », on entend une atmosphère dépourvue de molécules d’eau sous forme gazeuse ou liquide. - Les valeurs X et Y exprimées à l’aide des expressions « entre X et Y » ou « compris entre X et Y » sont incluses dans la plage de valeurs définie. D’autres caractéristiques et avantages apparaîtront dans l’exposé détaillé de différents modes de réalisation de l’invention, l’exposé étant assorti d’exemples et de références aux dessins joints. FIG. 1 est une vue schématique en coupe, illustrant une étape a) d’un procédé selon l’invention. FIG. 2 est une vue schématique en coupe, illustrant une étape b) d’un procédé selon l’invention. FIG. 3 est une vue schématique en coupe, illustrant le début de l’exécution d’une étape c) d’un procédé selon l’invention. FIG. 4 est une vue schématique en coupe, illustrant la fin de l’exécution d’une étape c) d’un procédé selon l’invention. FIG. 5 est une vue schématique en coupe, illustrant une étape d) d’un procédé selon l’invention. Il est à noter que les dessins décrits ci-avant sont schématiques, et ne sont pas nécessairement à l’échelle par souci de lisibilité et pour en simplifier leur compréhension. Les coupes sont effectuées selon la perpendiculaire à l’interface de collage (autrement dit selon la normale à la surface des premier et deuxième substrats). Exposé détaillé des modes de réalisation Les éléments identiques ou assurant la même fonction porteront les mêmes références pour les différents modes de réalisation, par souci de simplification. Un objet de l’invention est un procédé de fabrication de cellules élémentaires CE à caractériser, comportant les étapes : a) utiliser un empilement comprenant successivement un premier substrat 1, une interface de collage IC, un deuxième substrat 2 ; l’interface de collage IC étant sensible à un milieu humide et/ou à des vibrations mécaniques ; b) former des cavités 3 au sein du deuxième substrat 2 délimitant des cellules élémentaires CE, les cavités 3 possédant chacune un fond 30 s’étendant à une distance d de l’interface de collage IC, le deuxième substrat 2 conservant une zone intercalaire ZI s’étendant entre le fond 30 de chaque cavité 3 et l’interface de collage IC ; c) appliquer un rayonnement laser L au fond 30 de chaque cavité 3 de manière à : - obtenir localement une ablation A de la zone intercalaire ZI, de l’interface de collage IC, et d’une première partie 10 du premier substrat 1 ; - conserver une seconde partie 11 du premier substrat 1, s’étendant dans le prolongement de l’ablation A, et adaptée pour conserver une tenue mécanique des cellules élémentaires CE délimitées lors de l’étape b) ; d) supprimer la seconde partie 11 du premier substrat 1 de manière à séparer les cellules élémentaires CE délimitées lors de l’étape b). Etape a) L’étape a) consiste à utiliser un empilement comprenant successivement un premier substrat 1, une interface de collage IC, un deuxième substrat 2. L’empilement provient d’un assemblage des premier et deuxième substrats 1, 2. L’assemblage entre les premier et deuxième substrats 1, 2 peut être un collage direct entre deux surfaces des premier et deuxième substrats 1, 2. Le premier substrat 1 et/ou le deuxième substrat 2 peuvent être revêtus d’une couche diélectrique, telle qu’une couche d’oxyde, avant assemblage. Le cas échéant, l’assemblage entre les premier et deuxième substrats 1, 2 peut être un collage direct par l’intermédiaire de la ou des couches diélectriques. A titre de variante, le premier substrat 1 et/ou le deuxième substrat 2 peuvent être revêtus d’une couche métallique avant assemblage. L’assemblage entre les premier et deuxième substrats 1, 2 peut être un collage métallique tel qu’un collage eutectique par l’intermédiaire de la ou des couches métalliques. Selon une autre variante, le premier substrat 1 et/ou le deuxième substrat 2 peuvent être revêtus d’une structure d’interconnexions, avant assemblage. L’assemblage entre les premier et deuxième substrats 1, 2 peut être un collage hybride (collage métal/métal et collage diélectrique/diélectrique) par l’intermédiaire de la ou des structures d’interconnexions. Selon une autre variante, le premier substrat 1 et/ou le deuxième substrat 2 peuvent être revêtus d’une couche de polymère (e.g. époxy), avant assemblage. L’assemblage entre les premier et deuxième substrats 1, 2 peut être un collage par l’intermédiaire de la ou des couches de polymère. L’interface de collage IC peut être sensible à un milieu humide. L’interface de collage IC peut donc réagir chimiquement avec les molécules d’eau (généralement sous forme liquide ou gazeuse) du milieu humide, par exemple par oxydation lorsque l’interface de collage IC comporte des matériaux métalliques. L’interface de collage IC peut être sensible à des vibrations mécaniques. Autrement dit, l’interface de collage IC peut être endommagée par des vibrations mécaniques, conduisant à une adhérence altérée. Les premier et deuxième substrats 1, 2 sont chacun réalisé dans un matériau à partir duquel peut être formé un dispositif pour la microélectronique. A titre d'exemples non limitatifs, le matériau peut être choisi parmi le silicium, le carbure de silicium, le diamant, le saphir, un matériau III-V. A titre d'exemple non limitatif, les premier et deuxième substrats 1, 2 peuvent posséder chacun un diamètre de 200 mm et une épaisseur de 725 µm. Etape b) L’étape b) consiste à former des cavités 3 au sein du deuxième substrat 2 de manière à délimiter des cellules élémentaires CE. Les cavités 3 possèdent chacune un fond 30 s’étendant à une distance d de l’interface de collage IC. L’étape b) est exécutée de sorte que le deuxième substrat 2 conserve une zone intercalaire ZI s’étendant entre le fond 30 de chaque cavité 3 et l’interface de collage IC. Les cavités 3 sont avantageusement formées lors de l’étape b) par une technique choisie parmi : - une découpe du deuxième substrat 2 avec une scie ; - une gravure physique du deuxième substrat 2 avec un plasma ; - une gravure chimique du deuxième substrat 2 avec un agent de gravure. Les cavités 3 formées lors de l’étape b) s’étendent avantageusement suivant une direction perpendiculaire à l’interface de collage IC. L’étape b) est avantageusement exécutée de sorte que la distance d entre le fond 30 de chaque cavité 3 et l’interface de collage IC est comprise entre 5 µm et 30 µm, de préférence comprise entre 10 µm et 20 µm. En d’autres termes, la zone intercalaire ZI présente une épaisseur comprise entre 5 µm et 30 µm, de préférence comprise entre 10 µm et 20 µm. Chaque cavité 3 formée lors de l’étape b) possède avantageusement une largeur l supérieure ou égale à 50 µm. A titre d'exemple non limitatif, la largeur l peut être comprise entre 80 µm et 120 µm. A titre d'exemple non limitatif, l’étape b) peut être exécutée par une découpe du deuxième substrat 2 avec une scie équipée d’une lame en diamant. La lame peut présenter une largeur de 100 µm. La découpe peut s’effectuer dans le deuxième substrat 2 sur une profondeur de l’ordre de 710 µm. Les conditions de découpe peuvent être conventionnelles : vitesse de rotation de la lame réglée à 20000 tours par minute avec une vitesse d’avancement de 13 mm/s. Etape c) Le rayonnement laser L est appliqué au fond 30 de chaque cavité 3 lors de l’étape c) de manière à obtenir localement une ablation A de la zone intercalaire ZI, de l’interface de collage IC, et d’une première partie 10 du premier substrat 1. Le rayonnement laser L est appliqué au fond 30 de chaque cavité 3 lors de l’étape c) de manière à conserver une seconde partie 11 du premier substrat 1, s’étendant dans le prolongement de l’ablation A. La seconde partie 11 du premier substrat 1 est adaptée pour conserver une tenue mécanique des cellules élémentaires CE délimitées lors de l’étape b). L’étape c) est avantageusement exécutée dans une atmosphère sèche. Le rayonnement laser L est avantageusement appliqué lors de l’étape c) suivant une direction perpendiculaire à l’interface de collage IC. Le rayonnement laser L appliqué lors de l’étape c) est avantageusement un rayonnement impulsionnel possédant une fluence et une durée d’impulsion adaptées pour obtenir une ablation A de la zone intercalaire ZI, de l’interface de collage IC, et de la première partie 10 du premier substrat 1. A titre d'exemple non limitatif, il est possible d’utiliser un rayonnement laser L dont la durée d’impulsion est de l’ordre de la nanoseconde (e.g. fréquence de 15 kHz) avec une puissance de 3 W. La vitesse de balayage (d’avancement) du rayonnement laser L appliqué lors de l’étape c) est ajustée pour obtenir la profondeur d’ablation souhaitée, par exemple 50 mm/s pour une profondeur d’ablation de l’ordre de 30 µm. L’étape c) est avantageusement exécutée de sorte que la première partie 10 du premier substrat 1 est ablatée sur une épaisseur comprise entre 5 µm et 30 µm, de préférence comprise entre 10 µm et 20 µm. L’épaisseur totale ablatée de la zone intercalaire ZI et de la première partie 10 du premier substrat 1 est comprise entre 10 µm et 60 µm, de préférence comprise entre 20 µm et 40 µm. Etape d) L’étape d) consiste à supprimer la seconde partie 11 du premier substrat 1 de manière à séparer les cellules élémentaires CE délimitées lors de l’étape b). La seconde partie 11 du premier substrat 1 est avantageusement supprimée lors de l’étape d) par une technique choisie parmi : - un clivage propageant une fissure issue de l’ablation A de la première partie 10 du premier substrat 1 lors de l’étape c) ; - une découpe avec une scie ou avec un laser (« laser dicing » en langue anglaise) ; - une gravure physique avec un plasma ; - une gravure chimique avec un agent de gravure. A titre d'exemples non limitatifs, l’étape d) peut être exécutée par clivage avec une pince de clivage de type 3 points, ou avec un extenseur de plaquette (« wafer expander » en langue anglaise) étirant un ruban adhésif appliqué sur la surface inférieure du premier substrat 1. L’invention ne se limite pas aux modes de réalisation exposés. L’homme du métier est mis à même de considérer leurs combinaisons techniquement opérantes, et de leur substituer des équivalents. Procédé de fabrication de cellules élémentaires (CE) à caractériser, comportant les étapes : a) utiliser un empilement comprenant successivement un premier substrat (1), une interface de collage (IC), un deuxième substrat (2) ; l’interface de collage (IC) étant sensible à un milieu humide et/ou à des vibrations mécaniques ; b) former des cavités (3) au sein du deuxième substrat (2) délimitant des cellules élémentaires (CE), les cavités (3) possédant chacune un fond (30) s’étendant à une distance (d) de l’interface de collage (IC), le deuxième substrat (2) conservant une zone intercalaire (ZI) s’étendant entre le fond (30) de chaque cavité (3) et l’interface de collage (IC) ; c) appliquer un rayonnement laser (L) au fond (30) de chaque cavité (3) de manière à : - obtenir localement une ablation (A) de la zone intercalaire (ZI), de l’interface de collage (IC), et d’une première partie (10) du premier substrat (1) ; - conserver une seconde partie (11) du premier substrat (1), s’étendant dans le prolongement de l’ablation (A), et adaptée pour conserver une tenue mécanique des cellules élémentaires (CE) délimitées lors de l’étape b) ; d) supprimer la seconde partie (11) du premier substrat (1) de manière à séparer les cellules élémentaires (CE) délimitées lors de l’étape b). Procédé selon la revendication 1, dans lequel l’étape c) est exécutée dans une atmosphère sèche. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le rayonnement laser (L) est appliqué lors de l’étape c) suivant une direction perpendiculaire à l’interface de collage (IC). Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel le rayonnement laser (L) appliqué lors de l’étape c) est un rayonnement impulsionnel possédant une fluence et une durée d’impulsion adaptées pour obtenir une ablation (A) de la zone intercalaire (ZI), de l’interface de collage (IC), et de la première partie (10) du premier substrat (1). Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel l’étape c) est exécutée de sorte que la première partie (10) du premier substrat (1) est ablatée sur une épaisseur comprise entre 5 µm et 30 µm, de préférence comprise entre 10 µm et 20 µm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel les cavités (3) sont formées lors de l’étape b) par une technique choisie parmi : - une découpe du deuxième substrat (2) avec une scie ; - une gravure physique du deuxième substrat (2) avec un plasma ; - une gravure chimique du deuxième substrat (2) avec un agent de gravure. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel les cavités (3) formées lors de l’étape b) s’étendent suivant une direction perpendiculaire à l’interface de collage (IC). Procédé selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel l’étape b) est exécutée de sorte que la distance (d) entre le fond (30) de chaque cavité (3) et l’interface de collage (IC) est comprise entre 5 µm et 30 µm, de préférence comprise entre 10 µm et 20 µm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel chaque cavité (3) formée lors de l’étape b) possède une largeur (l) supérieure ou égale à 50 µm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel la seconde partie (11) du premier substrat (1) est supprimée lors de l’étape d) par une technique choisie parmi : - un clivage propageant une fissure issue de l’ablation (A) de la première partie (10) du premier substrat (1) lors de l’étape c) ; - une découpe avec une scie ou avec un laser ; - une gravure physique avec un plasma ; - une gravure chimique avec un agent de gravure.