Brevet FR3152638A1 — publié le 20250307

Dispositif de protection ESD pour circuit intégré La présente description concerne un dispositif de protection ESD (100) comprenant au moins un interrupteur électronique semi-conducteur (102) couplé électriquement en parallèle à une diode (104), dans lequel l’interrupteur électronique semi-conducteur (102) et la diode (104) comportent chacun au moins un doigt (112.1 – 112.7 ; 113.1 – 113.7) s’étendant sensiblement parallèlement à une première direction, les doigts de l’interrupteur électronique semi-conducteur (102) et de la diode (104) étant alignés l’un avec l’autre selon cette première direction. Figure pour l'abrégé : Fig. 2 Dispositif de protection ESD pour circuit intégré La présente description concerne de façon générale le domaine de la protection ESD (« ElectroStatic Discharges » en anglais), ou protection contre les décharges électrostatiques. Les entrées / sorties des circuits intégrés comportent des circuits de protection ESD. Par exemple, au niveau du boîtier d’un circuit intégré, le circuit de protection ESD au niveau de chacune des broches du boîtier peut être telle qu’elle supporte une décharge électrostatique d’une tension de 2 kV HBM (c’est-à-dire selon le modèle HBM ou « Human Body Model » en anglais). Par contre, au niveau du substrat, ou wafer, du circuit intégré, le niveau de protection ESD des entrées / sorties requis est généralement plus faible, par exemple tel que les entrées / sorties supportent une décharge électrostatique d’une tension de 200 V HBM. Lorsque des broches du boîtier du circuit intégré sont couplées électriquement entre elles (comme cela peut être par exemple le cas de broches destinées à recevoir la tension d’alimentation du circuit intégré), les seuils de protection ESD des circuits de chacune des entrées / sorties couplées à ces broches se cumulent. Afin de garantir que ce cumul atteigne le niveau de protection ESD requit pour les broches du boîtier, les circuits de protection ESD des entrées / sorties du circuit intégré peuvent être dimensionnés tels que chacun d’eux puisse supporter le niveau de décharge électrostatique de tension requis pour les broches du boîtier. Bien que cette solution garantisse un niveau de protection ESD suffisant pour les broches du boîtier (même pour les entrées / sorties du circuit intégré chacune couplée à une seule broche du boîtier), ce surdimensionnement des circuits de protection ESD des entrées / sorties du circuit intégré entraine une surface d’occupation de semi-conducteur importante pour la réalisation de ces circuits de protection, augmentant inutilement la surface totale de semi-conducteur requise pour le circuit intégré. Alternativement à la solution ci-dessus, les circuits de protection ESD des entrées / sorties du circuit intégré peuvent être dimensionnés individuellement en fonction du câblage prévu avec les broches du boîtier. Cette solution alternative est toutefois très consommatrice de temps en raison de la conception particulière requise pour chacun des circuits de protection ESD des entrées / sorties du circuit intégré. Il existe un besoin de proposer une solution permettant de répondre aux problèmes rencontrés avec les solutions existantes. Un mode de réalisation particulier répond à au moins une partie de ces problèmes et propose un dispositif de protection ESD comprenant au moins un interrupteur électronique semi-conducteur couplé électriquement en parallèle à une diode, dans lequel l’interrupteur électronique semi-conducteur et la diode comportent chacun au moins un doigt s’étendant sensiblement parallèlement à une première direction, les doigts de l’interrupteur électronique semi-conducteur et de la diode étant alignés l’un avec l’autre selon cette première direction. Selon un mode de réalisation particulier, l’interrupteur électronique semi-conducteur et la diode comportent chacun plusieurs doigts, chaque doigt de l’interrupteur électronique semi-conducteur étant aligné avec un des doigts de la diode selon la première direction en formant ensemble une paire de doigts, les paires de doigts étant alignées les unes avec les autres selon une deuxième direction sensiblement perpendiculaire à la première direction. Selon un mode de réalisation particulier, le dispositif de protection ESD comporte au moins une résistance ayant une plus grande dimension sensiblement parallèle à la première direction. Selon un mode de réalisation particulier, l’interrupteur électronique semi-conducteur comporte un transistor de type GGNMOS ou GCPMOS ou BiCMOS, ou comporte un thyristor. Selon un mode de réalisation particulier, le dispositif de protection ESD comprend en outre deux bornes de connexion auxquelles des électrodes de l’interrupteur électronique semi-conducteur et de la diode sont couplées. Selon un mode de réalisation particulier, l’interrupteur électronique semi-conducteur et la diode, ou chaque paire de doigts de l’interrupteur électronique semi-conducteur et de la diode lorsque l’interrupteur électronique semi-conducteur et la diode comportent chacun plusieurs doigts, sont configurés pour supporter une tension de décharge électrostatique de valeur égale à une valeur cible de protection ESD au niveau substrat. Un autre mode de réalisation particulier propose un circuit intégré comprenant plusieurs entrées / sorties chacune couplée électriquement à au moins un dispositif de protection ESD tel que décrit ci-dessus. Selon un mode de réalisation particulier, les dispositifs de protection ESD font partie d’un circuit d’entrées / sorties disposé en périphérie d’une région de cœur du circuit intégré. Selon un mode de réalisation particulier, le circuit intégré comporte en outre un boîtier doté de plusieurs broches chacune couplée électriquement à au moins une des entrées / sorties, au moins un groupe de broches étant couplées électriquement entre elles, les dispositifs de protection ESD couplés au groupe de broches ou à chacun des groupes de broches étant configurés pour supporter ensemble une tension de décharge électrostatique de valeur égale à une valeur cible de protection ESD au niveau boîtier. Selon un mode de réalisation particulier, au moins une des broches du boîtier n’est couplée électriquement à aucune des autres broches, le dispositif de protection ESD couplé à ladite au moins une des broches étant configuré pour supporter seul une tension de décharge électrostatique de valeur égale à la valeur cible de protection ESD au niveau boîtier. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : - la FIG. 1 représente schématiquement un exemple de réalisation d’un dispositif de protection ESD ; - la FIG. 2 représente un exemple d’une topologie d’un dispositif de protection ESD ; - la FIG. 3 représente, sous la forme d’un schéma fonctionnel, un exemple de dispositif de protection ESD ; - la FIG. 4 représente schématiquement un exemple de réalisation d’un circuit intégré comprenant des dispositifs de protection ESD. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents exemples de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des exemples de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, différents éléments (transistor, thyristor, diode, etc.) du dispositif de protection ESD, ainsi que les différentes parties du circuit intégré (cœur, circuit d’entrées / sorties, boîtier) ne sont pas détaillés. L’homme du métier sera à même de réaliser de manière détaillée ces éléments à partir de la description fonctionnelle donnée ici. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures dans une position normale d'utilisation. De même, les termes "parallèle" et "perpendiculaire" sont interprétés en considérant des différences d’angle correspondant aux tolérances de fabrication normalement admises dans le domaine. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Un exemple de réalisation d’un dispositif de protection ESD 100 est décrit ci-dessous en lien avec la FIG. 1 . Le dispositif 100 comporte au moins un interrupteur électronique semi-conducteur 102 correspondant à un transistor ou un thyristor. Sur l’exemple de la FIG. 1 , l’interrupteur 102 est formé par, ou comporte, un transistor pouvant être de type GGNMOS, ou GCPMOS (Gate Coupled PMOS), ou BiCMOS (un transistor de type NMOS est représenté sur la FIG. 1 ). En variante, il est possible que l’interrupteur 102 soit formé par, ou comporte, un triac ou un transistor bipolaire, ou plus généralement tout composant configuré pour évacuer une décharge électrostatique. Selon une autre variante, il est possible que l’interrupteur électronique semi-conducteur 102 soit formé par, ou comporte, une diode, ou plusieurs diodes couplées en série lorsque des tensions supérieures au seuil de déclenchement d’une seule diode (par exemple 0,6 V) doivent être tenues. Dans l’ensemble du document, l’expression « interrupteur électronique semi-conducteur » désigne un ou plusieurs composants électroniques semi-conducteurs permettant ou non le passage d’un courant par exemple en fonction de la valeur d’un signal de commande appliqué sur ce ou ces composants et/ou en fonction d’un sens de circulation du courant. L’interrupteur 102 est couplé en parallèle à une diode 104. Sur l’exemple de la FIG. 1 , l’anode de la diode 104 est couplée électriquement à la source du transistor formant l’interrupteur 102, et la cathode de la diode 104 est couplée électriquement au drain de ce transistor. Selon un exemple de réalisation, la diode 104 peut être de type « Gated Diode », c’est-à-dire comportant une grille pour séparer l’anode et la cathode de la diode 104, ou STI (« Silicon Trench Isolation »), c’est-à-dire comportant une tranchée d’isolation pour séparer l’anode et la cathode de la diode 104. Le dispositif 100 représenté sur la FIG. 1 comporte en outre une première borne de connexion 106 à laquelle la cathode de la diode 104 et une première électrode d’entrée / sortie de courant de l’interrupteur 102 (cette première électrode correspondant au drain du transistor sur l’exemple de la FIG. 1 ) sont couplées électriquement. Une tension d’alimentation d’un circuit intégré comprenant le dispositif 100 est par exemple destinée à être appliquée sur cette première borne de connexion 106. Le dispositif 100 représenté sur la FIG. 1 comporte en outre une deuxième borne de connexion 108 à laquelle l’anode de la diode 104 et une deuxième électrode d’entrée / sortie de courant de l’interrupteur 102 (cette deuxième électrode correspondant à la source du transistor sur l’exemple de la FIG. 1 ) sont couplées électriquement. Cette deuxième borne de connexion 108 est par exemple destinée à être couplée à un potentiel électrique de référence, c’est-à-dire la masse, du circuit intégré comprenant le dispositif 100. Lorsque l’interrupteur électronique semi-conducteur 102 est formé par, ou comporte, une diode, ou plusieurs diodes couplées en série, l’anode de cette diode (ou de chacune de ces diodes dans le cas de plusieurs diodes couplées en série) peut être couplée à la première borne de connexion 106, et la cathode de cette diode (ou de chacun de ces diodes dans le cas de plusieurs diodes couplées en série) peut être couplée à la deuxième borne de connexion 108. Sur l’exemple de la FIG. 1 , le dispositif 100 comporte en outre une résistance 110. Dans la configuration particulière décrite, une première électrode de la résistance 110 est couplée électriquement à la grille et à l’électrode de substrat, ou électrode de « bulk », du transistor formant l’interrupteur 102, et une deuxième électrode de la résistance 110 est couplée électriquement à la deuxième électrode d’entrée / sortie de courant de l’interrupteur 102, c’est-à-dire la source du transistor sur l’exemple de la FIG. 1 , et donc également à l’anode de la diode 104 et à la deuxième borne de connexion 108. Selon un exemple de réalisation, la valeur de la résistance 110 peut être comprise entre 500 Ohms et 10 kOhms. La résistance 110 peut permettre d'ajuster la tension de déclenchement du transistor bipolaire parasite du transistor MOS formant l’interrupteur 102. En effet, c'est ce transistor bipolaire parasite qui fera passer toute la décharge pour une décharge ESD positive entre les bornes 106 et 108. Pour une décharge ESD négative entre les bornes 106 et 108, le courant sera évacué à travers la diode 104. Bien que non représentés, le dispositif 100 peut comporter d’autres composants couplés à l’interrupteur 102 et à la diode 104, comme par exemple une bascule ou d’autres résistances. L’interrupteur 102 et la diode 104 comportent chacun au moins un doigt s’étendant sensiblement parallèlement à une première direction et qui sont alignés l’un avec l’autre selon cette première direction. Ces caractéristiques sont visibles sur la FIG. 2 qui représente un exemple de topologie, ou « layout » en anglais, du dispositif 100. Sur l’exemple de la FIG. 2 , l’interrupteur 102 et la diode 104 comportent chacun plusieurs doigts. Les doigts de l’interrupteur 102 sont référencés 112.1 – 112.7, et ceux de la diode 104 sont référencés 113.1 – 113.7. Chaque doigt 112.1 – 112.7 de l’interrupteur 102 est aligné avec un des doigts 113.1 – 113.7 de la diode 104 selon la première direction en formant ensemble une paire de doigts. Les paires de doigts 112.1 – 112.7, 113.1 – 113.7 sont alignées les unes avec les autres selon une deuxième direction sensiblement perpendiculaire à la première direction. Sur la FIG. 2 , la première direction est parallèle à l’axe Y, et la deuxième direction est parallèle à l’axe X. Pour l’interrupteur 102, chaque doigt 112.1 – 112.7 peut correspondre à une partie active de l’interrupteur 102. Plus particulièrement, lorsque l’interrupteur 102 est formé par, ou comporte, un transistor, chaque doigt 112.1 – 112.7 peut comporter une région de semi-conducteur dans laquelle sont formées des parties des régions de source, de canal et de drain du transistor, avec une portion de la grille du transistor s’étendant au-dessus de cette partie de la région de canal. La largeur de cette portion de la grille, qui correspond à la dimension de la grille qui est sensiblement perpendiculaire à la direction d’alignement des régions de source, drain et canal du transistor (c’est-à-dire la direction de circulation du courant dans la partie active du transistor), peut être sensiblement parallèle à la première direction, et la longueur de cette portion de la grille peut être sensiblement perpendiculaire à la première direction. Pour la diode 104, chaque doigt 113.1 – 113.7 peut correspondre à une partie active de la diode 104 incluant des parties des régions d’anode et de cathode de la diode 104 s’étendant sensiblement parallèlement l’une à côté de l’autre et sensiblement parallèlement à la première direction. Sur l’exemple de la FIG. 2 , la résistance 110 est agencée telle qu’elle comporte sa plus grande dimension qui soit sensiblement parallèle à la première direction. Cette configuration en paires de doigts 112.1 – 112.7 ; 113.1 – 113.7 de l’interrupteur 102 et de la diode 104 peut permettre une conception modulaire du dispositif 100. Selon cette conception modulaire, le dispositif 100 peut comporter une première partie fixe (le terme « fixe » pouvant être entendu ici au sens de « toujours présente ») incluant une paire de doigts de l’interrupteur 102 et de la diode 104. Sur la FIG. 2 , cette première partie fixe est délimitée par un rectangle désigné par la référence 114 et comporte la paire de doigts 112.1, 113.1. Le dispositif 100 peut également comporter une deuxième partie fixe incluant notamment le ou les composants du dispositif 100 autres que les doigts de l’interrupteur 102 et de la diode 104, c’est-à-dire la résistance 110 dans l’exemple décrit. Sur la FIG. 2 , cette deuxième partie fixe est délimitée par un rectangle désigné par la référence 116. Entre les deux parties fixes 114, 116, une ou plusieurs paires de doigts de l’interrupteur 102 et de la diode 104 peuvent être présentes (les paires 112.2 – 112.7, 113.2 – 113.7 sur la FIG. 2 ). Le nombre de paires de doigts de l’interrupteur 102 et de la diode 104 présentes entre les parties fixes 114, 116 est choisi, lors de la conception du dispositif 100, en fonction de la valeur de la décharge électrostatique d’une tension destinée à être supportée par le dispositif 100 à la fois pour les décharges électrostatiques de tension au niveau substrat (avant mise en boîtier) et celles au niveau boîtier. La FIG. 3 représente, sous la forme d’un schéma fonctionnel, la structure modulaire du dispositif 100. Sur cette figure, le dispositif 100 comporte les deux parties fixes 114, 116 (la partie fixe 114 incluant la première paire de doigts 112.1, 113.1 de l’interrupteur 102 et de la diode 104) et les éventuelles n -1 paires de doigts supplémentaires 112.2 – 112.n de l’interrupteur 102 et 113.2 – 113.n de la diode 104, interposées entre les parties fixes 114, 116, n étant un nombre entier supérieur ou égal à 1. Par exemple, chaque paire de doigts 112.1 – 112.n, 113.1 – 113.n de l’interrupteur 102 et de la diode 104 peut être dimensionnée pour supporter, à elle seule, une décharge électrostatique de valeur de tension au moins égale à une valeur cible de protection ESD au niveau substrat, par exemple égale à environ 100 V ou 200 V HBM. Ainsi, même sans paire de doigts de l’interrupteur 102 et de la diode 104 présente entre les parties fixes 114, 116, la paire de doigts de l’interrupteur 102 et de la diode 104 (référencée 112.1, 113.1 sur la FIG. 2 ) présente dans la partie fixe 114 assure que le dispositif 100 puisse supporter une décharge électrostatique de valeur de tension égale à la valeur cible de protection ESD au niveau substrat. Sur l’exemple de la FIG. 2 , en considérant que chacune des paires de doigts 112.1 – 112.7, 113.1 – 113.7 permette de supporter une décharge électrostatique de tension égale à environ 100 V HBM, le dispositif 100 représenté est configuré pour supporter une tension de décharge électrostatique égale à environ 700 V HBM. Dans une configuration particulière, le dispositif 100 peut comporter un nombre de paires de doigts de l’interrupteur 102 et de la diode 104 lui permettant de supporter une décharge électrostatique de valeur de tension comprise entre environ 100 V HBM et 2000 V HBM. La FIG. 4 représente schématiquement un circuit intégré 1000 comprenant plusieurs dispositifs de protection ESD 100. Le circuit intégré 1000 comporte une région de cœur 1002 comprenant par exemple des circuits de calculs, des circuits mémoires, des contrôleurs, etc. Le circuit intégré 1000 comporte également un circuit d’entrées / sorties 1004, également appelé « I/O ring » en anglais, disposé en périphérie de la région de cœur 1002 et comprenant les dispositifs de protection ESD 100 (non visibles sur la FIG. 4 ). Chacun des dispositifs de protection ESD 100 est couplé électriquement à une des entrées / sorties du circuit intégré 1000. En réalisant les dispositifs 100 tels que chacun comporte au moins une paire de doigts de l’interrupteur 102 et de la diode 104 dimensionnée pour supporter une décharge électrostatique de valeur de tension au moins égale à la valeur cible de protection ESD au niveau substrat, par exemple égale à environ 100 V ou 200 V HBM, chacune des entrées / sorties du circuit intégré 1000 est bien protégée des décharges électrostatiques au niveau substrat par l’un des dispositifs 100. Le circuit intégré 1000 comporte en outre un boîtier 1006 doté de plusieurs broches (non visibles sur la FIG. 4 ) chacune couplée électriquement à au moins une des entrées / sorties du circuit intégré 1000. Certaines de ces broches, par exemple celles sur lesquelles la tension d’alimentation du circuit intégré 1000 est destinée à être appliquée, peuvent être couplées électriquement entre elles en formant un groupe de broches. Les dispositifs 100 qui se retrouvent couplés électriquement aux broches reliées électriquement entre elles de ce groupe peuvent être configurés, ou dimensionnés, pour supporter ensemble une décharge électrostatique de valeur de tension égale à une valeur cible de protection ESD au niveau boîtier, par exemple égale à environ 2000 V HBM. Ainsi, le circuit intégré 1000 est bien protégé au niveau de chacune des broches du boîtier 1006 du circuit intégré 1000. Ainsi, en utilisant les dispositifs 100 au sein du circuit intégré 1000, il est possible de réduire la surface occupée dédiée à la protection ESD des entrées / sorties du circuit intégré 1000 au niveau substrat tout en maintenant le niveau de protection ESD requis au niveau boîtier du fait qu’il est possible de configurer, ou dimensionner, individuellement et aisément chacun des dispositifs 100, en choisissant le nombre de paires de doigts de l’interrupteur 102 et de la diode 104 présentes dans chacun des dispositif 100 (caractère modulaire des dispositifs 100). Le caractère modulaire des dispositifs 100 permet d’éviter un temps de développement important de ces dispositifs 100. Plusieurs exemples de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Enfin, la mise en œuvre pratique des exemples de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Dispositif de protection ESD (100) comprenant au moins un interrupteur électronique semi-conducteur (102) couplé électriquement en parallèle à une diode (104), dans lequel l’interrupteur électronique semi-conducteur (102) et la diode (104) comportent chacun au moins un doigt (112.1 – 112.7 ; 113.1 – 113.7) s’étendant sensiblement parallèlement à une première direction, les doigts (112.1 – 112.7 ; 113.1 – 113.7) de l’interrupteur électronique semi-conducteur (102) et de la diode (104) étant alignés l’un avec l’autre selon cette première direction. Dispositif de protection ESD (100) selon la revendication 1, dans lequel l’interrupteur électronique semi-conducteur (102) et la diode (104) comportent chacun plusieurs doigts (112.1 – 112.7 ; 113.1 – 113.7), chaque doigt (112.1 – 112.7) de l’interrupteur électronique semi-conducteur (102) étant aligné avec un des doigts (113.1 – 113.7) de la diode (104) selon la première direction en formant ensemble une paire de doigts (112.1 – 112.7 ; 113.1 – 113.7), les paires de doigts (112.1 – 112.7 ; 113.1 – 113.7) étant alignées les unes avec les autres selon une deuxième direction sensiblement perpendiculaire à la première direction. Dispositif de protection ESD (100) selon la revendication 2, comportant au moins une résistance (110) ayant une plus grande dimension sensiblement parallèle à la première direction. Dispositif de protection ESD (100) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’interrupteur électronique semi-conducteur (102) comporte un transistor de type GGNMOS ou GCPMOS ou BiCMOS, ou comporte un thyristor. Dispositif de protection ESD (100) selon l’une des revendications précédentes, comprenant en outre deux bornes de connexion (106, 108) auxquelles des électrodes de l’interrupteur électronique semi-conducteur (102) et de la diode (104) sont couplées. Dispositif de protection ESD (100) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’interrupteur électronique semi-conducteur (102) et la diode (104), ou chaque paire de doigts (112.1 – 112.7 ; 113.1 – 113.7) de l’interrupteur électronique semi-conducteur (102) et de la diode (104) lorsque l’interrupteur électronique semi-conducteur (102) et la diode (104) comportent chacun plusieurs doigts (112.1 – 112.7 ; 113.1 – 113.7), sont configurés pour supporter une tension de décharge électrostatique de valeur égale à une valeur cible de protection ESD au niveau substrat. Circuit intégré (1000) comprenant plusieurs entrées / sorties chacune couplée électriquement à au moins un dispositif de protection ESD (100) selon l’une des revendications précédentes. Circuit intégré (1000) selon la revendication 7, dans lequel les dispositifs de protection ESD (100) font partie d’un circuit d’entrées / sorties (1004) disposé en périphérie d’une région de cœur (1002) du circuit intégré (1000). Circuit intégré (1000) selon l’une des revendications 7 ou 8, comportant en outre un boîtier (1006) doté de plusieurs broches chacune couplée électriquement à au moins une des entrées / sorties, au moins un groupe de broches étant couplées électriquement entre elles, les dispositifs de protection ESD (100) couplés au groupe de broches ou à chacun des groupes de broches étant configurés pour supporter ensemble une tension de décharge électrostatique de valeur égale à une valeur cible de protection ESD au niveau boîtier. Circuit intégré (1000) selon la revendication 9, dans lequel au moins une des broches du boîtier n’est couplée électriquement à aucune des autres broches, le dispositif de protection ESD (100) couplé à ladite au moins une des broches étant configuré pour supporter seul une tension de décharge électrostatique de valeur égale à la valeur cible de protection ESD au niveau boîtier.