Brevet FR3160537A1 — publié le 20250926

Conformément à un mode de réalisation, un procédé de fabrication d'un condensateur comprend la fourniture d'un substrat (1) devant être traité ; la fourniture d'une première portion en matériau conducteur (8) sur la surface principale (2a) d'un substrat semi-conducteur (12) situé dans une ouverture (6) ; le traitement de la couche conductrice (4) sous la forme d'un motif par gravure sèche ; la fourniture d'une première électrode de contact (11), d'une deuxième électrode de contact (12), et d'une deuxième portion en matériau conducteur (13) ; la mise en œuvre d'une gravure sèche de la première portion en matériau conducteur (8) pour déconnecter la connexion électrique entre une portion de connexion (10) et le substrat semi-conducteur (2) ; et la mise en œuvre d'une gravure humide de la deuxième portion en matériau conducteur (13) pour déconnecter la connexion électrique entre la première électrode de contact (11) et la deuxième électrode de contact (12). Figure 17 CONDENSATEUR ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN CONDENSATEUR Domaine Des modes de réalisation de la présente invention concernent un condensateur et un procédé de fabrication d'un condensateur. Arrière-plan Dans un procédé de production d'un condensateur en Si, après formation d'une tranchée dans un substrat en Si, un film diélectrique et un film en poly-Si sont formés, et ensuite un film en poly-Si est doté d'un motif. Le film en poly-Si peut être doté d'un motif par exemple par gravure chimique sèche (CDE). La CDE est effectuée dans un état où le substrat en Si servant de substrat cible de traitement est bloqué au moyen d'un mandrin électrostatique. Dans le cas où le film en poly-Si est doté d'un motif, le contact entre le film en poly-Si et le substrat en Si est perdu. En résultat, il reste des charges électriques dans le film en poly-Si. Ainsi, le substrat en Si n'est pas séparé de l'étage même suite à son déblocage, et un dommage tel que des fissures survient dans le substrat en Si dans le cas où le substrat en Si est poussé vers le haut depuis l'étage au moyen d'une goupille de levage conductrice. FIG. 1 La FIG. 1 est une vue de dessus d'un substrat cible de traitement auquel une première étape d'un procédé d'un mode de réalisation est appliquée. FIG. 2 La FIG. 2 est une vue en coupe transversale du substrat cible de traitement illustré sur la FIG. 1 , prise le long de la ligne II-II. FIG. 3 La FIG. 3 est un schéma de circuits illustrant l'état de connexion d'une portion devant être une première portion fusible (portion fusible en poly-Si). FIG. 4 La FIG. 4 est une vue de dessus d'un substrat cible de traitement auquel une deuxième étape du procédé du mode de réalisation est appliquée. FIG. 5 La FIG. 5 est une vue en coupe transversale du substrat cible de traitement illustré sur la FIG. 4 , prise le long de la ligne V-V. FIG. 6 La FIG. 6 est une vue de dessus d'un substrat cible de traitement auquel une troisième étape du procédé du mode de réalisation est appliquée. FIG. 7 La FIG. 7 est une vue en coupe transversale du substrat cible de traitement illustré sur la FIG. 6 , prise le long de la ligne VII-VII. FIG. 8 La FIG. 8 est un schéma de circuits illustrant l'état de connexion de la première portion fusible (portion fusible en poly-Si). FIG. 9 La FIG. 9 est une vue de dessus d'un substrat cible de traitement auquel une quatrième étape du procédé du mode de réalisation est appliquée. FIG. 10 La FIG. 10 est une vue en coupe transversale du substrat cible de traitement illustré sur la FIG. 9 , prise le long de la ligne X-X. FIG. 11 La FIG. 11 est une vue de dessus d'un substrat cible de traitement auquel une cinquième étape du procédé du mode de réalisation est appliquée. FIG. 12 La FIG. 12 est une vue en coupe transversale du substrat cible de traitement illustré sur la FIG. 11 , prise le long de la ligne XII-XII. FIG. 13 La FIG. 13 est une vue de dessus d'un substrat cible de traitement auquel une sixième étape du procédé du mode de réalisation est appliquée. FIG. 14 La FIG. 14 est une vue en coupe transversale du substrat cible de traitement illustré sur la FIG. 13 , prise le long de la ligne XIV-XIV. FIG. 15 La FIG. 15 est un schéma de circuits illustrant l'état de connexion de la première portion fusible (portion fusible en poly-Si) et d'une deuxième portion fusible (portion fusible en Al). FIG. 16 La FIG. 16 est une vue de dessus d'un substrat cible de traitement auquel une septième étape du procédé du mode de réalisation est appliquée. FIG. 17 La FIG. 17 est une vue en coupe transversale du substrat cible de traitement illustré sur la FIG. 16 , prise le long de la ligne XVII-XVII. FIG. 18 La FIG. 18 est une vue de dessus d'un substrat cible de traitement auquel une huitième étape du procédé du mode de réalisation est appliquée. FIG. 19 La FIG. 19 est une vue en coupe transversale du substrat cible de traitement illustré sur la FIG. 18 , prise le long de la ligne XIX-XIX. FIG. 20 La FIG. 20 est un schéma de circuits illustrant l'état de connexion de la première portion fusible (portion fusible en poly-Si) et de la deuxième portion fusible (portion fusible en Al). FIG. 21 La FIG. 21 est une vue de dessus d'un substrat cible de traitement auquel une neuvième étape du procédé du mode de réalisation est appliquée. FIG. 22 La FIG. 22 est une vue en coupe transversale du substrat cible de traitement illustré sur la FIG. 21 , prise le long de la ligne XXII-XXII. FIG. 23 La FIG. 23 est un schéma de circuits illustrant l'état de connexion de la deuxième portion fusible (portion fusible en Al) et d'une troisième portion fusible (portion fusible en Al). FIG. 24 La FIG. 24 est une vue de dessus d'un substrat cible de traitement auquel une dixième étape du procédé du mode de réalisation est appliquée. FIG. 25 La FIG. 25 est une vue en coupe transversale du substrat cible de traitement illustré sur la FIG. 24 , prise le long de la ligne XXV-XXV. FIG. 26 La FIG. 26 est un schéma de circuits illustrant l'état de connexion de la deuxième portion fusible (portion fusible en Al) et de la troisième portion fusible (portion fusible en Al). FIG. 27 La FIG. 27 est une vue en coupe transversale d'un substrat cible de traitement auquel une onzième étape du procédé de mode de réalisation est appliquée, prise le long de la direction de l'axe x. FIG. 28 La FIG. 28 est une vue de dessus illustrant un condensateur fabriqué par le procédé du mode de réalisation. FIG. 29 La FIG. 29 est une vue en coupe transversale du condensateur illustré sur la FIG. 28 , prise le long de la ligne XXVIIII-XXVIIII. FIG. 30 La FIG. 30 est une vue schématique illustrant une étape d'attachement d'un substrat cible de traitement auquel une gravure sèche est appliquée à un étage d'un mandrin électrostatique. FIG. 31 La FIG. 31 est une vue schématique illustrant l'état du substrat cible de traitement attaché à l'étage du mandrin électrostatique. FIG. 32 La FIG. 32 est une vue schématique illustrant un état dans lequel le substrat cible de traitement est bloqué sur l'étage du mandrin électrostatique. FIG. 33 La FIG. 33 est une vue schématique illustrant un état après gravure sèche du substrat cible de traitement attaché à l'étage du mandrin électrostatique. FIG. 34 La FIG. 34 est une vue schématique illustrant l'état du substrat cible de traitement dans le cas où le substrat cible de traitement illustré sur la FIG. 33 est débloqué de l'étage du mandrin électrostatique. FIG. 35 La FIG. 35 est une vue schématique illustrant un état dans lequel un dommage survient dans le substrat cible de traitement dans le cas où le substrat cible de traitement est débloqué de l'étage du mandrin électrostatique. Description détaillée Conformément à un mode de réalisation, il est mis à disposition un procédé de fabrication d'un condensateur. Le procédé comprend : la fourniture d'un substrat devant être traité, le substrat comprenant : un substrat semi-conducteur comprenant une surface principale ayant un ou plusieurs évidements ; une couche conductrice disposée sur la surface principale et dans le ou les évidements du substrat semi-conducteur ; et une couche diélectrique disposée entre la couche conductrice et le substrat semi-conducteur, une ouverture pénétrant la couche diélectrique et la couche conductrice qui sont situées sur la surface principale du substrat semi-conducteur ; la fourniture d'une première portion en matériau conducteur sur la surface principale du substrat semi-conducteur se trouvant dans l'ouverture ; le traitement de la couche conductrice sous la forme d'un motif par gravure sèche, la forme de motif comprenant une portion de connexion s'étendant à partir de la couche conductrice et connectée à l'ouverture ; la fourniture d'une première électrode de contact électriquement connectée à la couche conductrice, d'une deuxième électrode de contact électriquement connectée au substrat semi-conducteur, et d'une deuxième portion en matériau conducteur connectant électriquement la première électrode de contact et la deuxième électrode de contact ; la mise en œuvre d'une gravure sèche de la première portion en matériau conducteur pour déconnecter la connexion électrique entre la portion de connexion et le substrat semi-conducteur ; et la mise en œuvre d'une gravure humide de la deuxième portion en matériau conducteur pour déconnecter la connexion électrique entre la première électrode de contact et la deuxième électrode de contact. Dans un mode de réalisation du procédé susmentionné, le substrat semi-conducteur contient du silicium, et la couche conductrice et la première partie de matériau conducteur contiennent chacune du poly-Si. Dans un mode de réalisation du procédé susmentionné, la première électrode de contact, la seconde électrode de contact et la seconde partie de matériau conducteur contiennent chacune de l'aluminium. Conformément à un autre mode de réalisation, un condensateur comprend : un substrat semi-conducteur comprenant une surface principale ayant un ou plusieurs évidements ; une couche conductrice disposée dans le ou les évidements et sur la surface principale du substrat semi-conducteur ; une couche diélectrique disposée entre la couche conductrice et le substrat semi-conducteur ; une portion de connexion à partir de laquelle s'étend la couche conductrice située sur la surface principale du substrat semi-conducteur ; une ouverture connectée à la portion de connexion et comprenant une paroi de fond se trouvant dans la surface principale du substrat semi-conducteur ; une première électrode de contact électriquement connectée à la couche conductrice ; une deuxième électrode de contact électriquement connectée au substrat semi-conducteur ; un trou situé entre la première électrode de contact et la deuxième électrode de contact et comprenant une paroi de fond se trouvant dans la surface principale du substrat semi-conducteur ; et une couche isolante disposée dans l'ouverture et le trou. Des modes de réalisation seront ci-après décrits en détail en référence aux dessins joints. Des constituants qui réalisent des fonctions identiques ou similaires sont désignés par les mêmes références numériques sur tous les dessins, et les descriptions répétitives seront omises. La gravure sèche est effectuée dans un état où le substrat devant être traité, servant de substrat cible de traitement, est bloqué sur un étage d'un mandrin électrostatique (ESC) dans une chambre de réaction. Le mandrin électrostatique utilisé dans le traitement de gravure sèche sera décrit en référence aux Figures 30 à 35. Le substrat devant être traité peut être appelé substrat cible de traitement. La FIG. 30 est une vue schématique illustrant une étape d'attachement d'un substrat cible de traitement auquel une gravure sèche est appliquée à un étage d'un mandrin électrostatique. En premier lieu, un substrat cible de traitement 100, avant application de la gravure sèche, est pressé contre un étage 200 d'un mandrin électrostatique au moyen d'une goupille de levage conductrice 201. Comme l'illustre la FIG. 31 , le substrat cible de traitement 100 comprend un substrat semi-conducteur 101, une couche diélectrique 102, et une couche conductrice 103. Le substrat semi-conducteur 101 est une galette en Si ayant une couche dopée 101b dopée avec des impuretés sur une seule surface principale 101a. Plusieurs évidements (tranchées) 104 sont disposés dans une seule surface principale 101a du substrat semi-conducteur 101. La direction de la profondeur de chaque évidement (tranchée) 104 est le long de la direction de l'axe z. De plus, les évidements (tranchées) 104 sont disposés le long de la direction de l'axe x à intervalles les uns des autres. Chaque évidement (tranchée) 104 s'étend le long de la direction de l'axe y. La couche diélectrique 102 est disposée sur la surface principale 101a du substrat semi-conducteur 101 et une surface intérieure de chaque évidement 104. La couche conductrice 103 est encastrée dans chaque évidement 104. La couche conductrice 103 couvre la couche diélectrique 102 dans l'évidement 104 et la couche diélectrique 102 située sur la surface principale 101a du substrat semi-conducteur 101. De plus, la couche conductrice 103 couvre une surface principale 101c sur le côté opposé et une surface d'extrémité 101d connectant les deux surfaces principales 101a et 101c. La couche conductrice 103 est formée par exemple de poly-Si dopé avec des impuretés. Par conséquent, comme l'illustre la FIG. 30 , suite au contact de la goupille de levage conductrice 201 du mandrin électrostatique avec le substrat cible de traitement 100, des charges 202 provenant du mandrin électrostatique peuvent être stockées dans la couche conductrice 103. En résultat, comme l'illustre la FIG. 32 , le substrat semi-conducteur 101 du substrat cible de traitement 100 est attiré de manière électrostatique vers l'étage 200 du mandrin électrostatique. En résultat, la couche conductrice 103 est en conduction électrique avec l'étage 200 du mandrin électrostatique. Dans cet état, dans le cas où le substrat cible de traitement 100 est détaché du mandrin électrostatique par poussée vers le haut du substrat cible de traitement au moyen de la goupille de levage conductrice 201, les charges résiduelles 202 dans la couche conductrice 103 peuvent être déchargées sur l'étage depuis la couche conductrice 103. Toutefois, la formation d'un motif sur la couche conductrice 103 par gravure sèche déconnecte la conduction électrique entre la couche conductrice 103 et l'étage 200 du mandrin électrostatique, comme l'illustre la FIG. 33 . En résultat, comme l'illustre la FIG. 34 , les charges résiduelles 202 restent dans la couche conductrice 103. Une région 203 dans laquelle restent les charges résiduelles 202 est indiquée par un cadre de tirets. Par conséquent, comme l'illustre la FIG. 35 , même la poussée vers le haut du substrat cible de traitement 100 par la goupille de levage conductrice 201 ne permet pas une décharge des charges résiduelles, et l'état dans lequel le substrat cible de traitement 100 est attiré de manière électrostatique vers l'étage 200 n'est pas libéré. Par conséquent, un dommage 204 tel que des fissures survient dans le substrat semi-conducteur 101 du substrat cible de traitement 100. Dans le cas où le substrat cible de traitement 100 ne comprend pas la couche diélectrique 102, les charges 202 stockées dans la couche conductrice 103 fuient vers l'étage 200 à travers le substrat semi-conducteur 101 même après que la couche conductrice 103 a été traitée sous une forme de motif par gravure sèche. Par conséquent, le problème d'un échec de déblocage ne survient pas. Un procédé de fabrication d'un condenseur conformément à un mode de réalisation va être décrit en référence aux Figures 1 à 29. Sur chaque dessin, la direction de l'axe z est une direction parallèle à la direction de l'épaisseur du substrat semi-conducteur, la direction de l'axe x est une direction parallèle à la surface principale du substrat semi-conducteur, et la direction de l'axe y est une direction parallèle à la surface principale du substrat semi-conducteur et perpendiculaire à la direction de l'axe x. (Première étape) La première étape comprend la fourniture d'une couche diélectrique et d'une première couche conductrice sur un substrat semi-conducteur ayant un ou plusieurs évidements dans une seule surface principale. La première étape sera ci-après décrite en référence aux Figures 1 à 3. La FIG. 1 est une vue de dessus d'un substrat devant être traité. Le substrat devant être traité peut être appelé substrat cible de traitement. La FIG. 2 montre une vue en coupe transversale du substrat cible de traitement représenté sur la FIG. 1 , prise le long de la ligne II-II. La FIG. 3 est un schéma de circuits illustrant l'état de connexion d'une portion devant être une première portion fusible (portion fusible en poly-Si). Un substrat cible de traitement 1 comprend un substrat semi-conducteur 2, une couche diélectrique 3, et une couche conductrice 4. Le semi-conducteur est par exemple le silicium (Si) ; le germanium (Ge) ; un semi-conducteur formé d'un composé d'un élément du Groupe III et d'un élément du Groupe V, tel que l'arséniure de gallium (GaAs) ou le nitrure de gallium (GaN) ; et le carbure de silicium (SiC). Le terme "Groupe" utilisé ici est un "Groupe" de la forme courte du Tableau Périodique. Le substrat semi-conducteur est par exemple une galette semi-conductrice. La galette semi-conductrice peut être dopée avec une impureté, et peut comprendre un élément semi-conducteur tel qu'un transistor ou une diode. En outre, la surface principale de la galette semi-conductrice peut être parallèle à n'importe quel plan cristallin du semi-conducteur. Une galette semi-conductrice utilisable est par exemple une galette en Si (galette en silicium) dont la surface principale est un plan (100), ou une galette en Si (galette en silicium) dont la surface principale est un plan (110). Le substrat semi-conducteur 2 illustré sur la FIG. 2 est une galette en Si ayant une couche dopée 2b dopée avec des impuretés de type P ou de type N sur une seule surface principale 2a. Plusieurs évidements (tranchées) 5 sont disposés dans une seule surface principale 2a du substrat semi-conducteur 2. Les évidements (tranchées) 5 peuvent être traités par exemple par gravure chimique assistée par un métal (MacEtch). La direction de la profondeur de chaque évidement (tranchée) 5 est le long de la direction de l'axe z. Parmi les évidements 5, certains évidements 5 sont agencés le long de la direction de l'axe x à intervalles les uns des autres, et d'autres évidements 5 sont agencés le long de la direction de l'axe y à intervalles les uns des autres. Un motif dans lequel les évidements 5 sont agencés le long de la direction de l'axe x et un motif dans lequel les évidements sont agencés le long de la direction de l'axe y sont disposés en alternance le long de chacune parmi la direction de l'axe x et la direction de l'axe y. La FIG. 2 illustre un motif dans lequel les évidements 5 sont agencés le long de la direction de l'axe x, et n'illustre pas un motif dans lequel les évidements sont agencés le long de la direction de l'axe y. La couche diélectrique 3 est disposée sur la surface principale 2a du substrat semi-conducteur 2 et une surface intérieure de chaque évidement 5. La couche diélectrique est faite par exemple en un diélectrique organique ou un diélectrique inorganique. En tant que diélectrique organique, on peut utiliser par exemple un polyimide. En tant que diélectrique inorganique, on peut aussi utiliser un ferroélectrique, et des exemples de la couche diélectrique inorganique peuvent comprendre un film d'oxyde et un film de nitrure. Les paraélectriques tels que le nitrure de silicium, l'oxyde de silicium, l'oxynitrure de silicium, l'oxyde de titane, et l'oxyde de tantale sont préférables. Ces paraélectriques ont un petit changement de constante diélectrique dû à la température. Par conséquent, la couche diélectrique comprenant le paraélectrique peut amplifier la résistance à la chaleur du condensateur. La première couche conductrice 4 est encastrée dans chaque évidement 5. La première couche conductrice 4 est en contact avec la couche diélectrique 3 dans l'évidement 5. La première couche conductrice 4 couvre la couche diélectrique 3 située sur la surface principale 2a du substrat semi-conducteur 2. La première couche conductrice 4 encastrée dans chaque évidement 5 est connectée à la première couche conductrice 4 disposée au-dessus de la surface principale 2a du substrat semi-conducteur 2. La première couche conductrice 4 est disposée sur la couche diélectrique 3 située sur la surface principale 2a du substrat semi-conducteur 2. Par conséquent, les premières couches conductrices 4 encastrées dans les évidements 5 respectifs sont électriquement connectées les unes aux autres. La première couche conductrice 4 est formée par exemple en poly-Si (polysilicium) dopé avec des impuretés. Le poly-Si dopé avec des impuretés a une faible résistance. Des exemples des impuretés peuvent comprendre les impuretés de type P et les impuretés de type N. La première couche conductrice 4 n'est pas limitée au poly-Si, et peut être formée par exemple en un métal tel que le molybdène, l'aluminium, l'or, le tungstène, le platine, le nickel, ou le cuivre, ou un alliage comprenant le métal. La première couche conductrice 4 peut avoir une structure monocouche ou une structure multicouche. La couche diélectrique 3 et la première couche conductrice 4 peuvent être formées non seulement sur la surface principale 2a du substrat semi-conducteur 2 mais aussi sur l'autre surface principale 2c et une surface d'extrémité connectant les surfaces principales 2a et 2c. Une portion fusible n'est pas encore disposée sur le substrat cible de traitement 1. Par conséquent, comme l'illustre la FIG. 3 , une portion devant être une portion fusible est dans un état E1 dans lequel un condensateur ayant une structure de métal-isolant-métal (MIM) est formé par la première couche conductrice 4, la couche diélectrique 3, et le substrat semi-conducteur 2. (Deuxième étape) La deuxième étape comprend la fourniture d'une ou plusieurs ouvertures dans la couche diélectrique et la première couche conductrice se trouvant sur la surface principale du substrat semi-conducteur. La deuxième étape sera ci-après décrite en référence aux Figures 4 et 5. La FIG. 4 est une vue de dessus d'un substrat cible de traitement. La FIG. 5 est une vue en coupe transversale du substrat cible de traitement illustré sur la FIG. 4 , prise le long de la ligne V-V. Une ou plusieurs ouvertures 6 pénétrant la couche diélectrique 3 et la première couche conductrice 4 se trouvant sur la surface principale 2a du substrat semi-conducteur sont ici prévues. L'ouverture 6 est de façon souhaitable disposée au niveau d'une portion éloignée d'une région où le motif des évidements 5 est formé. Dans l'exemple illustré sur la FIG. 4 , l'ouverture 6 est disposée près du centre d'une portion latérale parallèle à la direction de l'axe y de la surface principale 2a du substrat semi-conducteur 2. L'ouverture 6 est une cavité cylindrique ayant une partie de la couche diélectrique 3 et une partie de la première couche conductrice 4 en tant que parois intérieures et une partie de la surface principale 2a du substrat semi-conducteur 2 en tant que paroi de fond. L'ouverture 6 est définie par la partie de la couche diélectrique 3, la partie de la première couche conductrice 4 et la partie de la surface principale 2a du substrat semi-conducteur 2. L'ouverture 6 constitue la première portion fusible, mais la première portion fusible n'a pas encore été terminée au stade où la deuxième étape est achevée. Par conséquent, la portion devant être la première portion fusible est dans un état E1 dans lequel le condensateur ayant la structure MIM, similaire à celui dans la première étape, est formé. Sur les Figures 4 et 5, le nombre d'ouvertures 6 est d'un, mais n'y est pas limité, et plusieurs ouvertures peuvent être présentes. L'ouverture 6 peut être traitée par gravure sèche telle qu'une gravure chimique sèche (CDE). En tant qu'exemple de CDE, on indique une gravure par ions réactifs (RIE). La gravure sèche est effectuée dans un état où le substrat cible de traitement 1 est maintenu par un mandrin électrostatique (mandrin ESC). La première couche conductrice 4 est formée par exemple de poly-Si dopé avec des impuretés, et donc peut stocker des charges provenant du mandrin électrostatique. En résultat, le substrat semi-conducteur 2 du substrat cible de traitement 1 est attiré de manière électrostatique vers un étage du mandrin électrostatique. Bien que ceci ne soit pas illustré, la première couche conductrice 4 est disposée non seulement sur la surface principale 2a du substrat semi-conducteur 2, mais aussi sur l'autre surface principale 2c et une surface d'extrémité connectant les surfaces principales 2a et 2c. En résultat, la première couche conductrice 4 est en conduction électrique avec l'étage du mandrin électrostatique. Dans le cas où le substrat cible de traitement 1 est détaché du mandrin électrostatique par poussée vers le haut du substrat cible de traitement au moyen de la goupille de levage conductrice après le traitement de gravure sèche, des charges résiduelles dans la première couche conductrice 4 peuvent s'échapper de la première couche conductrice 4 vers l'étage, et ainsi le substrat cible de traitement 1 peut être détaché du mandrin électrostatique sans être endommagé. (Troisième étape) La troisième étape comprend la fourniture d'une première portion en matériau conducteur dans l'ouverture. La première portion en matériau conducteur constitue une première portion fusible (par exemple une portion fusible en poly-Si). La troisième étape sera ci-après décrite en référence aux Figures 6 à 8. La FIG. 6 est une vue de dessus d'un substrat cible de traitement. La FIG. 7 est une vue en coupe transversale du substrat cible de traitement illustré sur la FIG. 6 , prise le long de la ligne VII-VII. La FIG. 8 est un schéma de circuits illustrant l'état de connexion de la première portion fusible (portion fusible en poly-Si). Une deuxième couche conductrice 7 est disposée sur la première couche conductrice 4 située sur toute la surface de la surface principale 2a du substrat semi-conducteur 2 du substrat cible de traitement 1. A ce moment, une première portion en matériau conducteur 8 faite en le même matériau que celui pour la deuxième couche conductrice 7 est encastrée dans l'ouverture 6. La première portion en matériau conducteur 8 est en contact direct avec la surface principale 2a du substrat semi-conducteur 2 se trouvant dans l'ouverture 6. La première portion en matériau conducteur 8 est aussi en contact avec la première couche conductrice 4. Par conséquent, la première couche conductrice 4 est en conduction électrique avec le substrat semi-conducteur 2 via la première portion en matériau conducteur 8. La première portion en matériau conducteur 8 est aussi appelée première portion fusible (portion fusible en poly-Si). Comme l'illustre la FIG. 8 , l'état de connexion électrique dans la première portion fusible (portion fusible en poly-Si) a un état E2 dans lequel la première couche conductrice 4 est directement connectée électriquement au substrat semi-conducteur 2. La deuxième couche conductrice 7 peut être formée par exemple en le même matériau que celui pour la première couche conductrice 4. La FIG. 7 illustre la frontière entre la première couche conductrice 4 et la deuxième couche conductrice 7 pour une compréhension aisée, mais la frontière (interface) entre la première couche conductrice 4 et la deuxième couche conductrice 7 n'est pas nette dans certains cas. (Quatrième étape) La quatrième étape comprend la formation d'un motif sur la première couche conductrice et la deuxième couche conductrice par gravure sèche. La quatrième étape sera ci-après décrite en référence aux Figures 9 et 10. La FIG. 9 est une vue de dessus d'un substrat cible de traitement. La FIG. 10 est une vue en coupe transversale du substrat cible de traitement illustré sur la FIG. 9 , prise le long de la ligne X-X. La première couche conductrice 4 et la deuxième couche conductrice 7 du substrat cible de traitement 1 sont traitées sous une forme de motif au moyen d'une gravure sèche. La gravure sèche peut être effectuée après formation d'un masque par photolithographie. La formation d'un motif est réalisée pour séparer la première couche conductrice 4 et la deuxième couche conductrice 7 pour chaque puce, ce qui donne ainsi la première couche conductrice 4 et la deuxième couche conductrice 7 ayant chacune une zone cible pour une puce donnée. Toutefois, si la première couche conductrice 4 et la deuxième couche conductrice 7 sont traitées de façon à avoir une zone cible, la conduction électrique entre la première couche conductrice 4 et une première portion fusible 8 est déconnectée. Par conséquent, la formation de motif est réalisée de façon qu'une portion de connexion (portion de câblage) 10 qui est en conduction électrique avec la première couche conductrice 4 et la première portion fusible 8 soit formée. De façon spécifique, la première couche conductrice 4 et la deuxième couche conductrice 7 se trouvant à l'extérieur de la région où le motif des évidements 5 est formé, en d'autres termes au niveau d'une portion de bord de la surface principale 2a du substrat semi-conducteur 2, sont éliminées par gravure sèche à l'exception d'une portion devant être la portion de connexion 10. La portion de connexion 10 formée par extension directe à partir de chacune parmi la première couche conductrice 4 et la deuxième couche conductrice 7 est connectée à l'ouverture 6. Par conséquent, la portion de connexion 10 est située sur la paroi intérieure de l'ouverture 6. La première portion fusible 8 encastrée dans l'ouverture 6 est en contact avec la portion de connexion 10 située sur la paroi intérieure de l'ouverture 6. La première portion fusible 8 est aussi en contact avec la surface principale 2a du substrat semi-conducteur se trouvant sur la paroi de fond de l'ouverture 6. En résultat, la première couche conductrice 4 et la deuxième couche conductrice 7 sont électriquement connectées au substrat semi-conducteur 2 par la portion de connexion 10 et la première portion fusible 8. L'état de connexion électrique dans la première portion fusible (portion fusible en poly-Si) 8 est dans un état E2 similaire à celui dans la troisième étape. Des exemples de la gravure sèche peuvent comprendre les mêmes types que ceux décrits à propos de la troisième étape. La gravure sèche est réalisée dans un état où le substrat cible de traitement 1 est maintenu par un mandrin électrostatique (mandrin ESC). Dans le cas où le substrat cible de traitement 1 est détaché du mandrin électrostatique par poussée vers le haut du substrat cible de traitement au moyen de la goupille de levage conductrice après le traitement de gravure sèche, les charges résiduelles dans la première couche conductrice 4 et la deuxième couche conductrice 7 peuvent circuler de la première portion fusible 8 au substrat semi-conducteur 2 et s'échapper du substrat semi-conducteur 2 vers l'étage, et donc le substrat cible de traitement 1 peut être détaché du mandrin électrostatique sans être endommagé. (Cinquième étape) La cinquième étape comprend la formation d'un motif sur la couche diélectrique 3 par gravure sèche. La cinquième étape sera ci-après décrite en référence aux Figures 11 et 12. La FIG. 11 est une vue de dessus d'un substrat cible de traitement. La FIG. 12 est une vue en coupe transversale du substrat cible de traitement illustré sur la FIG. 11 , prise le long de la ligne XII-XII. La couche diélectrique 3 du substrat cible de traitement 1 est traitée sous une forme de motif par gravure sèche. La gravure sèche peut être effectuée après formation d'un masque par photolithographie. La formation de motif est réalisée pour séparer la couche diélectrique 3 formée sur toute la surface principale 2a du substrat semi-conducteur 2 pour chaque puce, ce qui donne ainsi la couche diélectrique 3 ayant une zone cible pour une puce donnée. L'état de connexion électrique dans la première portion fusible 8 (portion fusible en poly-Si) est un état E2 similaire à celui dans la troisième étape. Des exemples de la gravure sèche peuvent comprendre les mêmes types que ceux décrits à propos de la troisième étape. La gravure sèche est réalisée dans un état où le substrat cible de traitement 1 est maintenu par un mandrin électrostatique (mandrin ESC). Dans le cas où le substrat cible de traitement 1 est détaché du mandrin électrostatique par poussée vers le haut du substrat cible de traitement au moyen de la goupille de levage conductrice après le traitement de gravure sèche, les charges résiduelles dans la première couche conductrice 4 et la deuxième couche conductrice 7 peuvent circuler de la première portion fusible 8 au substrat semi-conducteur 2 et s'échapper du substrat semi-conducteur 2 vers l'étage, et donc le substrat cible de traitement 1 peut être détaché du mandrin électrostatique sans être endommagé. (Sixième étape) La sixième étape comprend la fourniture d'une première électrode de contact sur la couche conductrice, la fourniture d'une deuxième électrode de contact sur le substrat semi-conducteur, et la fourniture d'une deuxième portion en matériau conducteur connectant électriquement la première électrode de contact et la deuxième électrode de contact. La formation de la première électrode de contact, la formation de la deuxième électrode de contact, et la formation de la deuxième portion en matériau conducteur peuvent être effectuées dans cet ordre, ou bien la deuxième portion en matériau conducteur peut être formée après la formation de la première électrode de contact et de la deuxième électrode de contact, ou bien toutes peuvent être effectuées en un seul lot. La sixième étape sera ci-après décrite en référence aux Figures 13 à 15. La FIG. 13 est une vue de dessus d'un substrat cible de traitement. La FIG. 14 est une vue en coupe transversale du substrat cible de traitement illustré sur la FIG. 13 , prise le long de la ligne XIV-XIV. La FIG. 15 est un schéma de circuits illustrant l'état de connexion de la première portion fusible (portion fusible en poly-Si). La couche conductrice comprend la première couche conductrice 4 et la deuxième couche conductrice 7. Une première électrode de contact 11 est disposée sur le plan xy de la deuxième couche conductrice 7. D'autre part, une deuxième électrode de contact 12 est disposée sur la surface principale 2a du substrat semi-conducteur 2. La deuxième portion en matériau conducteur 13 est disposée par exemple entre la première électrode de contact 11 et la deuxième électrode de contact 12 à une position faisant face à la première portion fusible 8, avec la première électrode de contact 11 interposée entre la deuxième portion en matériau conducteur 13 et la première portion fusible 8. La deuxième portion en matériau conducteur 13 est en contact avec à la fois la première électrode de contact 11 et la deuxième électrode de contact 12. La deuxième portion en matériau conducteur 13 connecte électriquement la première électrode de contact 11 et la deuxième électrode de contact 12. Ainsi, la première électrode de contact 11 et la deuxième électrode de contact 12 sont court-circuitées par la deuxième portion en matériau conducteur 13. Par conséquent, la deuxième portion en matériau conducteur 13 agit comme une deuxième portion fusible (portion fusible en Al) qui porte la couche conductrice en conduction électrique avec le substrat semi-conducteur 2. Par conséquent, comme l'illustre la FIG. 15 , il est établi un état E3 dans lequel la couche conductrice est en conduction électrique avec le substrat semi-conducteur 2 par chacune parmi la première portion fusible 8 et la deuxième portion fusible 13. Chacune parmi la première électrode de contact 11, la deuxième électrode de contact 12, et la deuxième portion en matériau conducteur 13 est formée par exemple en un métal tel que l'aluminium. Chacune parmi la première électrode de contact 11, la deuxième électrode de contact 12, et la deuxième portion en matériau conducteur 13 est obtenue par formation d'un film par exemple par pulvérisation cathodique. La pulvérisation cathodique peut former la première électrode de contact 11, la deuxième électrode de contact 12, et la deuxième portion en matériau conducteur 13 en un seul lot, et ainsi le nombre d'étapes requises pour la fabrication peut être réduit. Avant la pulvérisation cathodique d'Al, une couche de barrière peut être disposée sur la deuxième couche conductrice 7 et le substrat semi-conducteur 2. La couche de barrière peut être formée par exemple en Ti ou TiN. La couche de barrière peut être formée par exemple par pulvérisation cathodique. (Septième étape) La septième étape comprend la formation d'une couche isolante (première couche isolante). La septième étape sera ci-après décrite en référence aux Figures 16 et 17. La FIG. 16 est une vue de dessus d'un substrat cible de traitement. La FIG. 17 est une vue en coupe transversale du substrat cible de traitement illustré sur la FIG. 16 , prise le long de la ligne XVII-XVII. Pour l'isolation de chacune parmi la première électrode de contact 11, la deuxième électrode de contact 12, la première portion fusible 8 et la deuxième portion fusible 13, une première couche isolante 14 est disposée au niveau de la position de cible du substrat cible de traitement 1. La première couche isolante 14 est également appelée film isolant intercalaire. La première couche isolante 14 est formée d'un matériau isolant tel que le tétraéthoxysilane (TEOS) ou la polyéthylène-imine (PI). Les états de la première portion fusible 8 et de la deuxième portion fusible 13 sont un état E3 similaire à celui dans la sixième étape. (Huitième étape) La huitième étape comprend l'élimination de la première portion fusible 8 par gravure sèche. La huitième étape sera ci-après décrite en référence aux Figures 18 à 20. La FIG. 18 est une vue de dessus d'un substrat cible de traitement. La FIG. 19 est une vue en coupe transversale du substrat cible de traitement illustré sur la FIG. 18 , prise le long de la ligne XIX-XIX. La FIG. 20 est un schéma de circuits illustrant l'état de connexion de la première portion fusible (portion fusible en poly-Si) et de la deuxième portion fusible (portion fusible en Al). La première portion fusible 8 encastrée dans l'ouverture 6 est éliminée par gravure sèche. La gravure sèche peut être effectuée après formation d'un masque par photolithographie. En résultat, la conduction électrique (état E2) entre la couche conductrice (comprenant dans ce cas la première couche conductrice 4 et la deuxième couche conductrice 7) et le substrat semi-conducteur 2 est connectée. L'état déconnecté est indiqué par la référence numérique E4 sur la FIG. 20 . Des exemples de la gravure sèche peuvent comprendre les mêmes types que ceux décrits à propos de la troisième étape. La gravure sèche est réalisée dans un état où le substrat cible de traitement 1 est maintenu par un mandrin électrostatique (mandrin ESC). Bien que la conduction électrique à travers la première portion fusible 8 soit déconnectée par la gravure sèche, une conduction électrique (état E3) entre la couche conductrice et le substrat semi-conducteur 2 peut être assurée par la deuxième portion fusible 13. Dans le cas où le substrat cible de traitement 1 est détaché du mandrin électrostatique par poussée vers le haut du substrat cible de traitement au moyen de la goupille de levage conductrice, les charges résiduelles dans la couche conductrice peuvent circuler de la deuxième portion fusible 13 au substrat semi-conducteur 2 et s'échapper du substrat semi-conducteur 2 vers l'étage, et donc le substrat cible de traitement 1 peut être détaché du mandrin électrostatique sans être endommagé. (Neuvième étape) La neuvième étape comprend la fourniture d'une première électrode en pastille sur la première électrode de contact et la fourniture d'une deuxième électrode en pastille sur la deuxième électrode de contact. La formation de la première électrode en pastille et la formation de la deuxième électrode en pastille peuvent être effectuées dans cet ordre, l'ordre peut être inversé, ou bien la première électrode en pastille et la deuxième électrode en pastille peuvent être formées en un seul lot. La neuvième étape sera ci-après décrite en référence aux Figures 21 à 23. La FIG. 21 est une vue de dessus d'un substrat cible de traitement. La FIG. 22 est une vue en coupe transversale du substrat cible de traitement illustré sur la FIG. 21 , prise le long de la ligne XXII-XXII. La FIG. 23 est un schéma de circuits illustrant l'état de connexion de la deuxième portion fusible (portion fusible en Al) et d'une troisième portion fusible (portion fusible en Al). La couche d'électrode 17 devant être la première électrode en pastille 15 et la deuxième électrode en pastille 16 est disposée sur le plan xy comprenant la première électrode de contact 11 et la deuxième électrode de contact 12. Une troisième portion en matériau conducteur 18 peut être encastrée dans l'ouverture 6. La troisième portion en matériau conducteur 18 est en contact avec la surface principale 2a du substrat semi-conducteur 2 se trouvant dans l'ouverture 6 et est en contact avec la portion de connexion 10 se trouvant sur la paroi intérieure de l'ouverture 6. Par conséquent, la troisième portion en matériau conducteur 18 connecte électriquement la couche conductrice constituant la portion de connexion 10 et le substrat semi-conducteur 2, et donc fonctionne comme une troisième portion fusible 18. Par conséquent, le substrat cible de traitement 1 a un état de conduction électrique E5 par la deuxième portion fusible 13 et la troisième portion fusible 18. Chacune parmi la couche d'électrode 17 (incluant la première électrode en pastille 15 et la deuxième électrode en pastille 16) et la troisième portion fusible 18 est faite en un métal tel que l'aluminium. Chacune parmi la couche d'électrode 17 et la troisième portion fusible 18 est obtenue par formation d'un film par exemple par pulvérisation cathodique. (Dixième étape) La dixième étape comprend la formation d'un motif sur la couche d'électrode sous forme de cible par gravure humide. La dixième étape sera ci-après décrite en référence aux Figures 24 à 26. La FIG. 24 est une vue de dessus d'un substrat cible de traitement. La FIG. 25 est une vue en coupe transversale du substrat cible de traitement illustré sur la FIG. 24 , prise le long de la ligne XXV-XXV. La FIG. 26 est un schéma de circuits illustrant l'état de connexion de la deuxième portion fusible (portion fusible en Al) et de la troisième portion fusible (portion fusible en Al). La couche d'électrode 17 est dotée d'un motif sous forme de cible par gravure humide. La gravure humide peut être effectuée après formation d'un masque par photolithographie. Par conséquent, la première électrode en pastille 15 et la deuxième électrode en pastille 16 sont séparées l'une de l'autre. La première électrode en pastille 15 est électriquement connectée à la première électrode de contact 11 en contact avec le plan xy de la première électrode de contact 11. La deuxième électrode en pastille 16 est électriquement connectée à la deuxième électrode de contact 12 en contact avec le plan xy de la deuxième électrode de contact 12. La deuxième portion fusible 13 et la troisième portion fusible 18 encastrées dans l'ouverture 6 sont éliminées par gravure humide. Après l'élimination de la deuxième portion fusible 13, un trou 19 comprenant une partie de la surface principale 2a du substrat semi-conducteur 2 en tant que paroi de fond est formé entre la première électrode de contact 11 et la deuxième électrode de contact 12. La paroi de fond du trou 19 est définie par la partie de la surface principale 2a du substrat semi-conducteur 2. En résultat, la conduction électrique entre la première électrode de contact 11 et la deuxième électrode de contact 12 et la conduction électrique entre le substrat semi-conducteur 2 situé dans l'ouverture 6 et la portion de connexion 10 sont déconnectées. Par conséquent, comme l'illustre la FIG. 26 , le substrat cible de traitement 1 a un état E6 dans lequel la conduction électrique par la deuxième portion fusible 13 et la conduction électrique par la troisième portion fusible 18 sont déconnectées. Des exemples d'un agent de gravure humide peuvent comprendre une solution aqueuse contenant du HF et une solution aqueuse contenant un acide mixte (par exemple contenant de l'acide acétique, de l'acide phosphorique et de l'acide nitrique). Dans le cas où la première électrode en pastille 15, la deuxième électrode en pastille 16 et la troisième portion en matériau conducteur 18 sont formées en aluminium, une solution aqueuse contenant un acide mixte peut être utilisée en tant qu'agent de gravure humide. Dans le cas où la couche de barrière est présente, une solution aqueuse contenant du HF peut être utilisée en tant qu'agent de gravure humide. Pour une compréhension aisée, la FIG. 25 illustre qu'il y a une frontière entre la première électrode de contact 11 et la première électrode en pastille 15 et entre la deuxième électrode de contact 12 et la deuxième électrode en pastille 16, mais il n'y a pas nécessairement de frontière (interface). (Onzième étape) L'onzième étape comprend la fourniture d'une couche isolante (deuxième couche isolante) et la fourniture d'une couche de masque. L'onzième étape sera ci-après décrite en référence à la FIG. 27 . La FIG. 27 est une vue en coupe transversale du substrat cible de traitement prise le long de la direction de l'axe x. La totalité de la surface supérieure du substrat cible de traitement 1 le long du plan xy est recouverte d'une deuxième couche isolante 20. Par conséquent, la deuxième couche isolante 20 est encastrée dans le trou 19 formé après élimination de la deuxième portion fusible 13 et l'ouverture 6 d'où la troisième portion fusible 18 a été éliminée. La portion de connexion 10 est aussi recouverte de la deuxième couche isolante 20. La deuxième couche isolante 20 est formée en un matériau isolant tel que le tétraéthoxysilane (TEOS) ou la polyéthylène-imine (PI). Une couche de masque 21 est disposée sur la deuxième couche isolante 20. La couche de masque 21 a une forme de motif ayant une ouverture 22. La forme de motif n'est pas particulièrement limitée du moment qu'elle a une forme de cible, et elle peut par exemple être prévue de façon que la première électrode en pastille 15 et la deuxième électrode en pastille 16 soient situées sur la surface supérieure le long du plan xy du condensateur. La couche de masque 21 peut être formée par exemple en un matériau organique tel qu'un polyimide, une résine fluorée, une résine phénolique, une résine acrylique, ou une résine novolaque, ou en un matériau inorganique tel que l'oxyde de silicium ou le nitrure de silicium. La couche de masque 21 peut être formée par exemple par un procédé à semi-conducteur existant. Pour une compréhension aisée, la FIG. 27 illustre qu'il y a une frontière entre la première couche isolante 14 et la deuxième couche isolante 20, mais il n'y a pas nécessairement de frontière (interface). (Douzième étape) La douzième étape comprend la formation d'un motif sur la deuxième couche isolante sous forme de cible. La douzième étape sera ci-après décrite en référence aux Figures 28 et 29. La FIG. 28 est une vue de dessus d'un condensateur. La FIG. 29 est une vue en coupe transversale du condensateur illustré sur la FIG. 28 , prise le long de la ligne XXVIIII-XXVIIII. La deuxième couche isolante 20 est dotée d'un motif sous forme de cible. La formation de motif peut être réalisée par exemple par gravure humide, formation d'un motif par exposition et développement, ou analogue. En résultat de la formation de motif, comme l'illustre la FIG. 29 , la première électrode en pastille 15 et la deuxième électrode en pastille 16 sont situées dans une ouverture 23 de la deuxième couche isolante 20 sur la surface supérieure le long du plan xy du condensateur 31. La première électrode en pastille 15 et la deuxième électrode en pastille 16 sont électriquement isolées par la deuxième couche isolante 20 interposée entre elles. La deuxième couche isolante 20 également entoure une paroi extérieure de la deuxième électrode en pastille 16. Pour une compréhension aisée, la FIG. 29 illustre qu'il y a une frontière entre la première couche isolante 14 et la deuxième couche isolante 20, mais il n'y a pas nécessairement de frontière (interface). Le condensateur 31 illustré sur les Figures 28 et 29 est obtenu par le procédé comprenant les première à douzième étapes ci-dessus. Le condensateur 31 illustré sur les Figures 28 et 29 comprend un substrat semi-conducteur 2 comprenant une surface principale 2a ayant un ou plusieurs évidements 5, des couches conductrices 4 et 7 disposées dans chaque évidement 5 et sur la surface principale 2a du substrat semi-conducteur, une couche diélectrique 3 disposée entre les couches conductrices 4 et 7 et le substrat semi-conducteur 2, une portion de connexion 10 s'étendant directement depuis une ou plusieurs portions des couches conductrices 4 et 7, et une ouverture 6 connectée à la portion de connexion 10 et comprenant une paroi de fond se trouvant dans la surface principale 2a du substrat semi-conducteur 2. Le condensateur 31 a un trou 19 formé par élimination de la deuxième portion fusible 13. Une couche isolante 20 (matériau isolant) peut être encastrée dans l'ouverture 6 et le trou 19. Une opération de détachement du substrat cible de traitement 1 d'avec un mandrin électrostatique après traitement de la forme de motif dans la couche conductrice par gravure par ions réactifs dans un état où le substrat cible de traitement 1, sur lequel la première portion fusible 8 a été formée, a été bloqué sur le mandrin électrostatique, a été répétée 10 fois. Le substrat cible de traitement 1 a pu à chaque fois être détaché du mandrin électrostatique sans que cela provoquât un dommage, tel que des fissures, au substrat cible de traitement 1. De plus, une opération de détachement du substrat cible de traitement 1 d'avec un mandrin électrostatique après élimination de la première portion fusible 8 par gravure par ions réactifs a été répétée 10 fois. Le substrat cible de traitement 1 a pu à chaque fois être détaché du mandrin électrostatique sans que cela provoquât un dommage, tel que des fissures, au substrat cible de traitement 1. On note que le mode de réalisation peut comprendre toutes de la première étape à la douzième étape, mais certaines étapes peuvent être omises. De plus, d'autres étapes, telles que la formation d'une couche de masque, la formation d'une couche de barrière, et un lavage, peuvent être effectuées entre n'importe lesquelles de la première étape à la douzième étape. Le procédé et le condensateur des modes de réalisation peuvent être appliqués par exemple à un condensateur comprenant une galette en Si ayant un diamètre de 20,32 cm (8 pouces) ou plus en tant que substrat semi-conducteur, des exemples d'un tel condensateur comprenant un condensateur utilisé dans une mémoire telle qu'une DRAM. Conformément au procédé de gravure d'au moins un mode de réalisation décrit ci-dessus, après traitement de la forme de motif dans la couche conductrice utilisant une gravure sèche, le substrat semi-conducteur est mis en conduction électrique avec la couche conductrice par la première portion en matériau conducteur et la portion de connexion. Par conséquent, après la gravure sèche, le substrat cible de traitement peut être détaché du mandrin électrostatique sans que cela provoque un dommage, tel que des fissures, au substrat traité. De plus, l'élimination de la première portion en matériau conducteur par gravure sèche déconnecte la connexion électrique entre la couche conductrice et le substrat semi-conducteur par la première portion en matériau conducteur. Ensuite, comme la connexion électrique entre la couche conductrice et le substrat semi-conducteur est assurée par la deuxième portion en matériau conducteur, le substrat cible de traitement peut être détaché du mandrin électrostatique sans que cela provoque un dommage, tel que des fissures, au substrat cible de traitement après l'élimination de la première portion en matériau conducteur éliminée par gravure sèche. Par conséquent, le procédé et le condensateur des modes de réalisation peuvent réduire un dommage tel que des fissures au substrat cible de traitement. Bien que certains modes de réalisation aient été décrits, ces modes de réalisation ont été présentés à titre d'exemple uniquement, et ne sont pas destinés à limiter la portée de l'invention. D'ailleurs, les nouveaux modes de réalisation décrits ici peuvent être mis en œuvre sous diverses autres formes ; en outre, divers changements, substitutions et omissions dans la forme des modes réalisation décrits ici peuvent être effectués sans que l'on s'écarte de l'esprit de l'invention. Les dessins joints et leurs équivalents sont destinés à couvrir ces formes ou modifications relevant de la portée et de l'esprit de l'invention. Procédé de fabrication d'un condensateur, le procédé comprenant : la fourniture d'un substrat (1) devant être traité, le substrat comprenant : un substrat semi-conducteur (2) comprenant une surface principale ayant un ou plusieurs évidements (5) ; une couche conductrice (4) disposée sur la surface principale et dans le ou les évidements du substrat semi-conducteur ; et une couche diélectrique (3) disposée entre la couche conductrice (4) et le substrat semi-conducteur (2) , une ouverture (6) pénétrant la couche diélectrique et la couche conductrice qui sont situées sur la surface principale du substrat semi-conducteur ; la fourniture d'une première portion en matériau conducteur (8) sur la surface principale (2a) du substrat semi-conducteur (2) se trouvant dans l'ouverture ; le traitement de la couche conductrice (4) sous la forme d'un motif par gravure sèche, la forme de motif comprenant une portion de connexion (10) s'étendant à partir de la couche conductrice et connectée à l'ouverture ; la fourniture d'une première électrode de contact (11) électriquement connectée à la couche conductrice, d'une deuxième électrode de contact (12) électriquement connectée au substrat semi-conducteur, et d'une deuxième portion en matériau conducteur (13) connectant électriquement la première électrode de contact et la deuxième électrode de contact ; la mise en œuvre d'une gravure sèche de la première portion en matériau conducteur (8) pour déconnecter la connexion électrique entre la portion de connexion (10) et le substrat semi-conducteur (2) ; et la mise en œuvre d'une gravure humide de la deuxième portion en matériau conducteur (13) pour déconnecter la connexion électrique entre la première électrode de contact (11) et la deuxième électrode de contact (12). Procédé de fabrication d'un condensateur selon la revendication 1, dans lequel le substrat semi-conducteur (2) est un substrat contenant du Si, et chacune parmi la couche conductrice (4) et la première portion en matériau conducteur (8) contient du poly-Si. Procédé de fabrication d'un condensateur selon la revendication 1 ou la revendication 2, dans lequel chacune parmi la première électrode de contact (11), la deuxième électrode de contact (12), et la deuxième portion en matériau conducteur (13), contient de l'Al. Procédé de fabrication d'un condensateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la gravure sèche est effectuée dans un état où le substrat est maintenu par un mandrin électrostatique. Procédé de fabrication d'un condensateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant en outre : après la gravure sèche de la première portion en matériau conducteur (8), la fourniture d'une première électrode en pastille (15) électriquement connectée à la première électrode de contact (11), d'une deuxième électrode en pastille (16) électriquement connectée à la deuxième électrode de contact (12), et d'une troisième portion en matériau conducteur (18) pour connecter électriquement la surface principale (2a) du substrat semi-conducteur (2) se trouvant dans l'ouverture (6) et la portion de connexion. Condensateur comprenant : un substrat semi-conducteur (2) comprenant une surface principale (2a) ayant un ou plusieurs évidements (5) ; une couche conductrice (4) disposée dans le ou les évidements (5) et sur la surface principale (2a) du substrat semi-conducteur (2) ; une couche diélectrique (3) disposée entre la couche conductrice (4) et le substrat semi-conducteur (2) ; une portion de connexion (10) à partir de laquelle s'étend la couche conductrice située sur la surface principale du substrat semi-conducteur ; une ouverture (6) connectée à la portion de connexion (10) et comprenant une paroi de fond se trouvant dans la surface principale du substrat semi-conducteur ; une première électrode de contact (11) électriquement connectée à la couche conductrice ; une deuxième électrode de contact (12) électriquement connectée au substrat semi-conducteur ; un trou (19) situé entre la première électrode de contact et la deuxième électrode de contact et comprenant une paroi de fond se trouvant dans la surface principale du substrat semi-conducteur ; et une couche isolante disposée dans l'ouverture et le trou.