Brevet FR3152883A1 — publié le 20250314

« Capteur à Ondes Elastiques de Surface et procédé de fabrication d’un tel capteur » Capteur à Ondes Elastiques de Surface (1) ou Surface Acoustic Wave (SAW) comprenant, depuis une face inférieure (2) vers une surface supérieure (3) dudit capteur SAW : un substrat piézoélectrique (4), au moins un transducteur interdigité (5) ou InterDigital Transducer (IDT), une couche (6) de dont une face supérieure forme, au moins en partie, la surface supérieure du capteur SAW ; ladite couche de téflon présente une épaisseur comprise entre 50 nm et 4 µm. Figure pour l’abrégé : Figure 2 Capteur à Ondes Elastiques de Surface et procédé de fabrication d’un tel capteur La présente invention concerne le domaine des capteurs à Ondes Elastiques de Surface ou Surface Acoustic Wave (SAW). L’invention porte, en particulier, sur l’utilisation du capteur SAW pour la détection d’espèces sous flux en milieu gazeux pour des applications dans le domaine de la chimie analytique. Un domaine d’application privilégié selon l’invention est celui de la détection de particules en milieux gazeux et particulièrement celui de la détection de particules polluantes présentes dans l'atmosphère. L’invention porte également sur un dispositif de mesure de la concentration en particules contenues dans un gaz. Une application privilégiée est celle de la détection de la concentration en particules fines dans l’atmosphère. Etat de la technique antérieure Parmi les particules en suspension dans l'air, que ce soit sous forme solide ou en aérosol, ont trouvent les particules fines ou matières particulaires, connues sous l’acronyme PM pour « particulate matter ». Générées majoritairement par l’activité humaine, les particules fines constituent un problème majeur, en particulier dans les villes, agglomérations et aires urbaines. Un taux élevé de particules fines dans l'air est un facteur de risque sanitaire important entrainant maladies cardiovasculaires, altération des fonctions pulmonaires et provoquant une diminution de l'espérance de vie. La surveillance de la qualité de l'air ambiant est donc un enjeu contemporain essentiel. Des organismes sont responsables du suivi de la qualité de l’air et il existe plusieurs méthodes pour mesurer la quantité de particules fines dans l’air. On connaît dans l’état la technique de gravimétrie par filtration consistant à accumuler les particules dans un filtre puis à quantifier les particules en pesant le filtre. C’est une technique de référence mais qui présente le désavantage principal de ne pas permettre le suivi en continu de la quantité de particules. On connait également les méthodes de pesée dynamique telles que la microbalance oscillante à éléments coniques ou TEOM pour l’acronyme « Tapered Element Oscillating Microbalance » et la jauge béta. Ces techniques permettent toutes deux un suivi en continu. Toutefois, elles présentent toutes les deux un coût élevé ; la TEOM ne présentant pas une bonne sélectivité et la jauge béta nécessitant une source radioactive. Enfin, on connaît dans l’état de la technique les détecteurs de particules fines optiques, par exemple par télédétection laser ou LIDAR pour l’acronyme « Light Detection And Ranging », qui sont basés sur la quantification de la lumière diffusée par les particules ou aérosols. Un but de l’invention est, en outre, de proposer un capteur à Ondes Elastiques de Surface pour la mesure de la concentration en particules ou molécules contenue dans un gaz : - permettant de mesurer, en continu, la quantité de particules contenue dans un gaz, et/ou - permettant de mesurer, en temps réel, la quantité de particules contenue dans un gaz, et/ou - permettant de mesurer, sous un flux de gaz, la quantité de particules contenue dans le gaz, et/ou - permettant de mesurer, avec précision, la quantité de particules contenue dans le gaz, et/ou - permettant de conserver une sensibilité, en terme de détection, constante au cours du temps. Un autre but de l’invention est, en outre, de proposer un dispositif de mesure de la concentration en particules contenue dans un gaz : - permettant de mesurer, sélectivement, la quantité de particules, d’une taille donnée, contenue dans un gaz, et/ou, et/ou - permettant de mesurer, en temps réel, la quantité de particules, d’une taille donnée, contenue dans un gaz, et/ou - permettant de mesurer, sous un flux de gaz, la quantité de particules, d’une taille donnée, contenue dans le gaz, et/ou - permettant de mesurer, avec précision, la quantité de particules, d’une taille donnée, contenue dans le gaz. Présentation de l’invention A cet effet, il est proposé un Capteur à Ondes Elastiques de Surface ou Surface Acoustic Wave (SAW) comprenant, depuis une face inférieure vers une surface supérieure dudit capteur SAW : un substrat piézoélectrique, au moins un transducteur interdigité ou InterDigital Transducer (IDT), une couche de tétrafluoroéthylène (TFE) et/ou de polytétrafluoroéthylène (PTFE) dont une face supérieure forme, au moins en partie, la surface supérieure du capteur SAW ; ladite couche de TFE et/ou PTFE présente une épaisseur comprise entre 50 nm et 4 µm. De préférence, la couche de TFE et/ou PTFE présente une épaisseur : supérieure ou égale à 50 nm, de préférence à 100, de préférence encore à 150, de manière avantageuse à 200, de manière encore plus avantageuse à 250, de manière particulièrement avantageuse à 300, de manière préférée à 350, de manière davantage préférée à 400, de manière encore davantage préférée à 450 et de manière préférée entre toutes supérieure ou égale à 500 nm, et/ou inférieure ou égale à 4 µm, de préférence à 3,75, de préférence encore à 3,5, de manière avantageuse à 3,25, de manière encore plus avantageuse à 3, de manière particulièrement avantageuse à 2,75,de manière davantage préférée à 2,5, de manière encore davantage préférée à 2,25, de manière encore davantage préférée à 2, de manière particulièrement avantageuse à 1,75 et de manière préférée entre toutes inférieure ou égale à 1,5 µm. De préférence, le capteur SAW comprend, en outre, une couche intermédiaire, sur laquelle repose, au moins en partie, la couche de TFE et/ou PTFE, recouvrant, au moins en partie, l’au moins un IDT et recouvrant, au moins en partie, le substrat piézoélectrique ; ladite couche intermédiaire présente une épaisseur comprise entre 10 et 300 nm. De préférence, selon la présente description, les termes « inférieur » et « supérieur » sont définis relativement à la face inférieure et à la face supérieure du capteur SAW. De préférence, le capteur SAW convient pour, de préférence encore est destiné à, mesurer la concentration en particules ou molécules contenu dans un gaz destiné à être porté en contact avec le capteur SAW. De préférence, la face supérieure de la couche de TFE et/ou PTFE forme en totalité la face supérieure du capteur SAW. De préférence, la face supérieure de la couche de TFE et/ou PTFE constitue la surface de détection du capteur SAW. Autrement dit, de préférence, les particules ou molécules ou espèces dont la concentration est déterminée et/ou mesurée sont destinées à interagir avec la face supérieure de la couche de TFE et/ou PTFE. De préférence, la couche intermédiaire recouvrant la totalité de l’au moins un IDT et recouvrant la totalité du substrat piézoélectrique. De préférence, la couche de TFE et/ou PTFE repose uniquement et/ou intégralement sur la couche intermédiaire. De préférence, la couche intermédiaire présente une épaisseur : supérieure ou égale à 10 nm, de préférence à 20, de préférence encore à 30, de manière davantage préférée à 40, de manière encore davantage préférée à 50, de manière particulièrement avantageuse à 75 et de manière préférée entre toutes supérieure ou égale à 100 nm, et/ou inférieure ou égale à 300 nm, de préférence à 250, de préférence encore à 200, de manière davantage préférée à 175, de manière encore davantage préférée à 150, de manière particulièrement avantageuse à 125 et de manière préférée entre toutes inférieure ou égale à 100 nm. De préférence, la couche intermédiaire est une couche de silice. De préférence, l’au moins un IDT consiste en une bicouche Titane/Platine. L’au moins un IDT peut être réalisé en aluminium. De préférence, le capteur SAW comprend au moins deux IDTs (5), un des IDTs, dit IDT émetteur, est agencé pour générer une onde élastique destinée à se propager à la surface supérieure du substrat piézoélectrique (4) et au moins un des autres IDTs, dit IDT récepteur, est agencé pour détecter l’onde élastique se propageant à la surface du substrat piézoélectrique. Le capteur SAW peut comprendre au moins un, de préférence un unique, IDT et un ou des réflecteurs ; l’IDT est agencé pour générer une onde élastique destinée à se propager à la surface supérieure du substrat piézoélectrique et pour détecter l’onde élastique réfléchie par ou les réflecteurs. De préférence, la surface supérieure du substrat piézoélectrique comprend une zone, dite zone sensible, autour de laquelle sont disposés les au moins deux IDTs. De préférence, la surface supérieure du substrat piézoélectrique comprend une zone, dite zone sensible, autour de laquelle sont disposés l’au moins un, de préférence l’unique, IDT et le ou les réflecteurs. Selon l’invention, il est également proposé un dispositif de mesure de la concentration en particules contenues dans un gaz, ledit dispositif de mesure comprend : une entrée de gaz destinée à recevoir un flux de gaz contenant des particules, au moins deux étages montés en série ou en cascade, un des étages communique avec l’entrée de gaz et deux étages consécutifs communiquent l’un avec l’autre ; au moins deux des étages sont agencés pour retenir des particules dont une taille est supérieure à une valeur donnée, la taille des particules retenues par les au moins deux étages étant décroissante selon la direction du flux de gaz, au moins deux des étages comprennent chacun un capteur SAW selon l’invention. De préférence, chacun des étages est agencé pour retenir des particules dont une taille est supérieure à une valeur donnée. Les au moins deux étages agencés pour retenir des particules et les au moins deux étages comprenant chacun un capteur SAW peuvent être des étages identiques ou différents. De préférence, il est entendu par taille d’une particule le diamètre, le diamètre moyen ou le diamètre aérodynamique d’une particule. Il peut être entendu par diamètre aérodynamique le diamètre d’une particule sphérique ayant la même densité que l’eau et possédant la même vitesse de chute terminale que la particule considérée. De préférence, chacun des étages comprend un capteur SAW selon l’invention. De préférence, le dispositif de mesure comprend des moyens de contrôle du flux de gaz à travers les étages. De préférence, le dispositif de mesure comprend trois étages. De préférence, le dispositif de mesure comprend un premier étage communicant avec l’entrée est agencé pour retenir les particules dont la taille est supérieure à 10 µm. De préférence, le dispositif de mesure comprend un deuxième étage, consécutif au premier selon long de la direction du flux de gaz, est agencé pour retenir les particules dont la taille est supérieure à 2,5 µm. De préférence, chacun des trois étages comprend une plaque de filtrage. De préférence, chaque plaque de filtrage comprend au moins un orifice. De préférence, un diamètre de l’au moins un orifice est décroissant d’un étage à l’autre selon la direction du flux de gaz. De préférence, les moyens de contrôle du flux de gaz à travers les étages sont agencés pour qu’un débit de gaz soit compris entre 0,45 et 5,5 l/min. De préférence, l’au moins un orifice de la plaque de filtrage du premier étage présente un diamètre compris entre 3 mm et 8 mm. De préférence, l’au moins un orifice de la plaque de filtrage du deuxième étage présente un diamètre compris entre 1 mm et 3 mm. De préférence, l’au moins un orifice de la plaque de filtrage du troisième étage, consécutif au deuxième étage selon la direction du flux de gaz, présente un diamètre compris entre 0,7 et 0,9 mm. De préférence, le capteur SAW selon l’invention convient, de préférence encore est particulièrement adaptée, de manière davantage préférée est conçue et de manière particulièrement avantageuse est spécialement conçue, pour coopérer avec et/ou pour être monté dans et/ou pour faire partie du dispositif de mesure de la concentration en particules contenues dans un gaz selon l’invention. Selon l’invention, il est également proposé un procédé de fabrication d’un capteur à Ondes Elastiques de Surface selon l’invention. Le procédé de fabrication comprend les étapes consistant à : déposer au moins une couche métallique sur un substrat piézoélectrique, réaliser une succession d’étapes de microfabrication pour former au moins un transducteur interdigité (IDT) sur le substrat piézoélectrique, déposer une couche de tétrafluoroéthylène (TFE) et/ou de polytétrafluoroéthylène (PTFE) formant, au moins en partie, la surface supérieure du capteur SAW ; ladite couche de TFE et/ou PTFE présente une épaisseur comprise entre 50 et 4 micromètres. De préférence, le procédé de fabrication comprend, en outre, préalablement à l’étape de dépôt de la couche de TFE et/ou PTFE, l’étape consistant à déposer une couche intermédiaire présentant une épaisseur comprise entre 10 et 200 nm ; ladite couche intermédiaire recouvre, au moins en partie, l’au moins un IDT et recouvre, au moins en partie, le substrat piézoélectrique. De préférence, la couche de TFE et/ou PTFE est déposée par plasma en présence d’un réactif gazeux fluorocarboné. De préférence, le procédé de fabrication selon l’invention convient, de préférence encore est particulièrement adaptée, de manière davantage préférée est conçue et de manière particulièrement avantageuse est spécialement conçue, pour mettre en œuvre le capteur SAW selon l’invention. Aussi toute caractéristique du capteur SAW selon l’invention est directement transposable au procédé de fabrication et inversement. Selon l’invention, il est également proposé un procédé de nettoyage d’un Capteur à Ondes Elastiques de Surface ou Surface Acoustic Wave (SAW). De préférence, le procédé de nettoyage est mis en œuvre par un capteur SAW comprenant un substrat piézoélectrique apte à générer et/ou apte à propager sur sa surface des ondes de Rayleigh. De préférence, le procédé de nettoyage est mis en œuvre par un capteur SAW selon l’invention. De préférence encore, le procédé de nettoyage est mis en œuvre par un capteur SAW selon l’invention comprenant un substrat piézoélectrique apte à générer et/ou apte à propager sur sa surface des ondes de Rayleigh. De manière particulièrement avantageuse, le procédé de nettoyage est mis en œuvre par un capteur SAW comprenant un substrat piézoélectrique en Niobate de Lithium selon l’invention. De préférence, le procédé de nettoyage du capteur SAW comprend les étapes consistant à : déposer une ou des gouttelettes de liquide sur la surface du capteur SAW, déplacer le ou les gouttelettes de liquide sur la surface du capteur SAW au moyen d’ondes élastiques se propageant à la surface supérieure du substrat piézoélectrique ; de préférence, les ondes élastiques se propageant à la surface supérieure du substrat piézoélectrique sont générées par une source Radio Fréquence de forte puissance. Description des figures D’autres avantages et particularités de l’invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée de mises en œuvre et de modes de réalisation nullement limitatifs, et des dessins annexés suivants : FIG. 1 la FIG. 1 est une représentation schématique en vue de biais d’un mode de réalisation du capteur SAW selon l’invention, FIG. 2 la FIG. 2 est une représentation schématique d’une coupe en vue de côté du capteur SAW illustré sur la FIG. 1 , FIG. 3 la FIG. 3 est une représentation schématique d’une coupe en vue de côté d’un mode de réalisation du dispositif de mesure de la concentration en particules contenues dans un gaz comprenant le capteur SAW selon l’invention, FIG. 4 la FIG. 4 est une représentation schématique du principe de fonctionnement d’un dispositif d’impaction pour le tri en taille des particules contenues dans un flux gaz, FIG. 5 la FIG. 5 est un graphique représentant l’évolution, pour plusieurs épaisseurs de la couche de TFE et/ou PTFE, de la sensibilité gravimétrique du capteur SAW en fonction de l’épaisseur d’une couche d’or déposée sur la surface de détection du capteur. Les modes de réalisation décrits ci-après étant nullement limitatifs, on pourra notamment considérer des variantes de l'invention ne comprenant qu'une sélection de caractéristiques décrites, isolées des autres caractéristiques décrites (même si cette sélection est isolée au sein d'une phrase comprenant ces autres caractéristiques), si cette sélection de caractéristiques est suffisante pour conférer un avantage technique ou pour différencier l'invention par rapport à l'état de la technique antérieure. Cette sélection comprend au moins une caractéristique, de préférence fonctionnelle sans détails structurels, ou avec seulement une partie des détails structurels si cette partie uniquement est suffisante pour conférer un avantage technique ou pour différencier l'invention par rapport à l'état de la technique antérieure. En référence aux FIGURES 1 et 2, il est présenté un mode de réalisation du capteur à Ondes Elastiques de Surface 1 ou capteur SAW 1 selon l’invention. Le capteur SAW 1 comprend une face inférieure 2 et une surface supérieure 3. Le capteur SAW comprend un substrat piézoélectrique 4 dont la face ou la surface inférieure 2 constitue la face ou la surface inférieure 2 du capteur SAW 1. Selon le mode de réalisation non limitatif, le substrat piézoélectrique 4 est en Niobate de Lithium Y128 et présente une taille de 1 cm x 1 cm x 500 µm. L’homme du métier connait les matériaux piézoélectriques utilisables comme substrat piézoélectrique 4. A titre d’exemple non limitatif, le substrat piézoélectrique est en quartz, en Lithium Tantalate (LiTaO 3 ), en Lanthanum Gallium Silicate, en Nitrure d'Aluminium-Gallium (AlGaN), en Arséniure de Gallium (GaAs), en Nitrure d'Aluminium (AlN), en Nitrure d'Aluminium-Scandium (AlScN) ou en Titano-Zarconate de Plomb (PZT). Le capteur SAW 1 comprend au moins un transducteur interdigité (5) ou IDT 5. Les IDT 5 sont connus de l’homme du métier, il s’agit de deux peignes métalliques entrelacés. Selon le mode de réalisation non limitatif, le capteur SAW 1 comprend deux IDTs 5. Un des IDTs 5 est dit émetteur et il est agencé pour générer, sous l’effet d’un signal électrique alternatif, des ondes élastiques périodiques se propager à la surface supérieure du substrat piézoélectrique 4. L’autre des IDTs 5 est dit récepteur et il est agencé pour détecter l’onde élastique, émise par l’IDT 5 émetteur, s’étant propagé à la surface du substrat piézoélectrique 4. Selon le mode de réalisation non limitatif, les IDTs 5 consistent en une bicouche Titane/Platine mais peut également être en aluminium. Le capteur SAW 1 comprend, en outre, une couche 6 de TFE et/ou PTFE, du téflon TM selon le mode de réalisation non limitatif présenté, dont une face supérieure forme la surface supérieure du capteur SAW 1. La couche 6 de TFE et/ou PTFE présente une épaisseur typiquement comprise entre 50 et 4 µm. L’épaisseur est d’environ 600 nm selon le mode de réalisation. La surface supérieure 3 de la couche 6 de TFE et/ou PTFE constitue donc la surface supérieure 3 du capteur SAW 1. La surface supérieure 3 du capteur SAW 1 est la surface de détection 3 sur laquelle les particules, dont la concentration dans un gaz est à déterminer, vont se déposer. Les capteurs SAW de l’état de la technique ne comprennent pas de couche 6 en TFE et/ou PTFE recouvrant la surface du substrat piézoélectrique et les IDTs. Les inventeurs ont observé que les capteurs SAW de l’état de la technique, en particulier lorsque les espèces à détecter sont dans un flux gazeux porté en contact avec la surface de détection du capteur, rebondissait sur la surface supérieure du capteur SAW. Ainsi, la concentration en particules mesurées par le capteur SAW était faussée. Les inventeurs ont constaté que, de manière surprenante, la couche 6 de TFE et/ou PTFE selon l’invention permettait d’atténuer, voire de supprimer, cet effet de rebond des particules sur la surface du capteur SAW 1. Les résultats illustrant cet effet sont présentés plus bas, en particulier dans le tableau 1. Ils ont également remarqué que la présence de la couche 6 de TFE et/ou PTFE sur la zone sensible 8 de la surface supérieure du substrat piézoélectrique 4 n’engendre pas une perte notable de la sensibilité intrinsèque du capteur SAW 1 mais procure, au contraire, un gain de sensibilité du fait de l’effet « anti-rebond » procuré par la couche 6 de TFE et/ou PTFE. La sensibilité, en terme de détection, du capteur SAW 1 varie en fonction de l’épaisseur de la couche 6 de TFE et/ou PTFE. La sensibilité du capteur SAW 1 varie selon l’épaisseur de la couche 6 de TFE et/ou PTFE selon une fonction de type parabole. L’optimum de sensibilité du capteur SAW 1 est fonction de plusieurs paramètres dont, en particulier, le type de matériau constituant le substrat piézoélectrique 4. Typiquement, l’optimum de sensibilité du capteur SAW 1 sera compris entre 400 nm et 4 µm. Cet optimum est compris entre 600 et 2 µm selon le mode de réalisation. La limite basse de 50 nm constitue une limite technique en terme de contrôle du dépôt et de reproductibilité. Les effets recherchés, à savoir obtenir l’effet anti-rebond et/ou obtenir un gain de sensibilité, sont obtenus à cette limite basse. Cet effet anti-rebond augmente avec l’épaisseur de la couche 6 de TFE et/ou PTFE. En effet, il a été observé que cet effet anti-rebond est meilleur pour une épaisseur de couche 6 de TFE et/ou PTFE de 10 µm que pour une épaisseur de couche 6 de TFE et/ou PTFE de 4 µm. Aussi, l’optimum de sensibilité du capteurs SAW 1, en fonction de l’épaisseur de la couche 6 de TFE et/ou PTFE, est un compromis entre la diminution de la sensibilité du capteur SAW 1 du fait de l’atténuation/amortissement de l’amplitude des ondes élastiques dans la couche 6 de TFE et/ou PTFE lorsque l’épaisseur de cette dernière est trop importante, typiquement au-delà de 4 µm, et l’augmentation de l’effet anti-rebond avec l’augmentation de l’épaisseur de la couche 6 de TFE et/ou PTFE. Les inventeurs ont remarqué que, dans le cas particulier d’un substrat piézoélectrique 4 est en Niobate de Lithium, la couche 6 de TFE et/ou PTFE n’adhère pas, peu ou trop peu sur le substrat piézoélectrique 4. En outre, il a été remarqué que, dans le cas particulier d’un substrat piézoélectrique 4 est en Niobate de Lithium, la couche 6 de TFE et/ou PTFE n’adhère pas, peu ou trop peu sur le substrat piézoélectrique 4, et ce, quel que soit le procédé de dépôt de la couche 6 en TFE et/ou PTFE. Cette faible adhérence ou absence d’adhérence n’est pas observée sur tous les substrats piézoélectriques 4. Par exemple, la couche 6 de TFE et/ou PTFE adhère directement sur un substrat piézoélectrique 4 en quartz. Aussi, dans le cas d’un substrat piézoélectrique 4 en TFE et/ou PTFE, le capteur SAW 1 selon l’invention comprend, avantageusement, une couche intermédiaire 7 sur laquelle repose la couche 6 de TFE et/ou PTFE. La couche intermédiaire 7 recouvre l’au moins un IDT 5 et recouvre le substrat piézoélectrique 4. La couche intermédiaire 7 présente une épaisseur comprise entre 10 et 200 nm. Selon le mode de réalisation non limitatif, la couche intermédiaire 7 est en silice. Les inventeurs ont observé que la présence de la couche intermédiaire 7 augmentait significativement l’adhérence de la couche 6 de TFE et/ou PTFE sur le substrat piézoélectrique 4 en Niobate de Lithium et donc sur le capteur SAW 1. Il est également décrit un mode de réalisation du procédé de fabrication du capteur SAW 1 selon l’invention. Le procédé de fabrication du capteur SAW 1 comprend l’étape consistant à déposer au moins une couche métallique sur un substrat piézoélectrique 4. L’épaisseur de la couche métallique déposée est comprise entre 30 et 300 nm. L’épaisseur de la couche métallique dépendra du type de métal utilisé pour la fabrication des IDTs 5. Selon le mode de réalisation non limitatif, la couche métallique est une bicouche Titane/Platine consistant en une couche de Titane de quelques nanomètres et d’une couche de Platine de 130 nm. Le procédé comprend, ensuite, l’étape consistant à réaliser une succession d’étapes de microfabrication pour former l’au moins un IDT 5 sur le substrat piézoélectrique 4. Pour la fabrication de l’au moins un IDT 5, une technique de photolithographie est utilisée pour définir la géométrie des IDTs 5. Il s'agit ici d'une méthode de structuration par décollage ou « lift-off » faisant appel à une résine négative (AZnLof) d'une épaisseur de 1,3 µm adaptée à l'épaisseur de métal choisi pour les IDTs 5. Le métal constituant les IDTS 5 est ensuite déposé en surface du substrat piézoélectrique 4 par une technique d'évaporation sous vide assisté par canon à électrons. Il s'agit dans le cas de la présente invention d'un empilement de deux couches métalliques. La première couche métallique est une couche de titane de l'ordre de quelques nanomètre d'épaisseur visant à promouvoir l'adhérence de la seconde couche en platine de 130 nm d'épaisseur qui constitue l’IDT 5 à proprement parler. L’au moins un IDT 5 est donc réalisé à partir de la couche métallique précédemment déposée. Autrement dit, la couche métallique est structurée, par microfabrication, pour former l’au moins IDT 5. Enfin, le procédé comprend, ensuite, l’étape consistant à déposer une couche 6 de TFE et/ou PTFE formant la surface supérieure 3 du capteur SAW 1. La couche de TFE et/ou PTFE présente une épaisseur comprise entre 50 nm et 4 µm. La couche de TFE et/ou PTFE présente une épaisseur d’environ 600 nm selon le mode de réalisation non limitatif. Selon le mode de réalisation non limitatif, la couche 6 de TFE et/ou PTFE est déposée par plasma. Les précurseurs gazeux utilisés lors du dépôt plasma de la couche 6 de TFE et/ou PTFE sont des espèces fluorocarbonées. Le précurseur gazeux utilisé selon le mode de réalisation est du tétrafluorométhane C 4 F 8 . Selon un mode de réalisation avantageux mais non limitatif, la couche 6 de TFE et/ou PTFE est déposée par gravure ionique réactive profonde ou Deep Reactive Ion Etching (DRIE). L’utilisation de la technique de dépôt DRIE permet, de manière astucieuse, de réaliser l’étape de dépôt de la couche 6 de TFE et/ou PTFE dans la continuité des étapes de micro fabrication usuelles du capteur SAW 1. Selon le mode de réalisation non limitatif présenté, l’étape de dépôt de la couche 6 en TFE et/ou PTFE par DRIE est réalisée sous une pression de 40 mTorrs, une puissance de 2700 Watts et un débit massique de 300 centimètres cube standard par minute ou Standard Cubic Centimeters per Minute (sccm) d’octafluorocyclobutane (C 4 F 8 ). Les IDTs 5 de l’état de la technique sont en Aluminium. Toutefois, le dépôt de la couche 6 de TFE et/ou PTFE par plasma peut, selon le mode de réalisation, occasionner une gravure des IDTs 5 précédemment microfabriqués lorsqu’ils sont en Aluminium. L’épaisseur des IDTs 5 d’aluminium peut être comprise entre 100 et 400 nm. L’utilisation d’IDTs 5 en Titane/Platine permet d’éviter ce phénomène. En outre, lors de l’étape de nettoyage, une forte puissance Radio-Fréquence (RF) est utilisée pour permettre le déplacement des particules. Celle-ci a pour effet dans certaines conditions d’entrainer la migration des atomes d’aluminium qui se traduit par la dégradation des IDTs 5. L’absence ou la faible adhérence de la couche 6 de TFE et/ou PTFE sur le substrat piézoélectrique 4 en Niobate de Lithium a été astucieusement résolue au moyen d’une couche intermédiaire 7 disposée entre le substrat piézoélectrique 4 et la couche 6 de TFE et/ou PTFE anti-rebond. Avantageusement, afin d’augmenter l’adhésion de la couche 6 de TFE et/ou PTFE sur le capteur SAW, le procédé comprend, préalablement à l’étape de dépôt de la couche 6 de TFE et/ou PTFE, l’étape consistant à déposer une couche intermédiaire 7 présentant une épaisseur comprise entre 10 et 200 nm. Ainsi, la couche intermédiaire 7 recouvre l’au moins un IDT 5 et recouvre le substrat piézoélectrique 4. Selon le mode de réalisation, la couche intermédiaire 7 présente une épaisseur de 50 nm. Selon le mode de réalisation, la couche intermédiaire 7 est une couche de silice 7. Selon le mode de réalisation, la couche de silice 7 est déposée par évaporation. Il est également décrit un mode de réalisation du procédé de nettoyage de capteur SAW comprenant un substrat piézoélectrique 4 apte à propager des ondes de Rayleigh à sa surface. Selon le mode de réalisation non limitatif, le procédé de nettoyage est mis en œuvre sur un capteur SAW 1 en Niobate de Lithium selon l’invention. L’exposition aux particules et gaz du capteur SAW 1, et en particulier de sa surface supérieure 3, engendre un effet de saturation, d’encrassement ou de passivation de la surface supérieure 3 du capteur SAW 1 par les particules et/ou gaz auxquels il est exposé. Avec le temps, cet effet occasionne une diminution de la sensibilité du capteur SAW 1. Il est donc requis de nettoyer la surface supérieure 3 pour en retirer les particules et/ou gaz qui s’y sont déposés. Dans l’état de l’art, des nettoyages « classiques » consistant à laver la surface supérieure 3 du capteur SAW 1 avec un liquide sont utilisés. Le procédé de nettoyage du capteur SAW 1 selon l’invention comprend une étape consistant à déposer une ou des gouttelettes de liquide sur la surface du capteur SAW 1. L’homme du métier saura choisir le type de liquide à utiliser selon l’utilisation du capteur SAW 1 qui en est faite. A titre d’exemple, un solvant organique peut être utilisé. De préférence, de l’eau est utilisée. A titre d’exemple, selon le mode de réalisation non limitatif, une seule gouttelette est déposée selon le mode de réalisation non limitatif. Les gouttelettes de liquide sont déposées au moyen de capillaires ou micro-canaux. De préférence, les gouttelettes de liquide peuvent être déposées au moyen d’un dispositif microfluidique. Le ou les gouttelettes présentent, avantageusement, un volume déposé inférieur à 15 microlitres. De préférence, le ou les gouttelettes présentent, avantageusement, un volume moyen compris entre 1 et 15 microlitres. Le procédé de nettoyage comprend également une étape consistant à déplacer les gouttelettes de liquide sur la surface du capteur SAW 1 au moyen d’ondes élastiques se propageant à la surface supérieure du substrat piézoélectrique. En pratique, des ondes élastiques similaires ou identiques à celles générées par le ou les IDTs 5 lors du fonctionnement, c’est-à-dire lors de la détection, du capteur SAW 1 sont utilisées. Les ondes élastiques se propageant à la surface supérieure 3 du capteur SAW 1 sont couplées au liquide présent sur la surface supérieure 3. Cela a pour effet de déplacer les gouttelettes sur la surface supérieure 3. Les effets combinés des ondes élastiques et du déplacement des gouttelettes vont permettre de retirer efficacement les particules et/ou molécules de gaz adsorbées sur la surface de détection 3 du capteur SAW 1. Les particules et/ou molécules de gaz se retrouvent alors piégées dans les gouttelettes. Le déplacement des gouttelettes sur la surface supérieure 3 du capteur SAW 1 est possible grâce au caractère hydrophobe de la surface supérieure 3 conférées par la couche 6 de TFE et/ou PTFE. Il a été observé que le procédé de nettoyage est particulièrement efficace dans le cas d’un substrat piézoélectrique 4 en Niobate de Lithium. Dans ce cas, le déplacement des gouttelettes à la surface supérieure 3 du capteur SAW 1 est provoqué par les ondes de Rayleigh générées à la surface supérieure 3 du capteur SAW 1. Afin d’augmenter l’amplitude des ondes de Rayleigh, une source de forte puissance est utilisée. Celle-ci peut atteindre des valeurs de puissance supérieure à 35 dBm où dBm, pour décibel-milliwatts, est la valeur de puissance émise par la source en échelle logarithmique. En outre, il a également été observé que lors les IDTs 5 sont réalisés en Aluminium, lors de l’étape de nettoyage, réalisée à forte puissance RF, a pour effet, dans certaines conditions, d’entrainer la migration des atomes d’aluminium hors des IDTS 5, ce qui se traduit par la dégradation des IDTs 5. En référence à la FIG. 5 , il est illustré l’évolution de l’efficacité gravimétrique du capteur SAW 1 en fonction de l’épaisseur d’une couche d’or déposée, progressivement, sur la surface de détection 3 du capteur SAW 1. L’efficacité gravimétrique a été évaluée pour plusieurs épaisseurs de la couche 6 de TFE et/ou PTFE. Sur la FIG. 5 sont représentées quatre courbes : des courbes 14, 15, 16 et 17 représentant des capteurs SAW 1 ayant, respectivement, une couche 6 de téflon TM de 100, 150, 300 et 400 nm. L’épaisseur de la couche d’or sert à simuler la masse des particules se déposant sur le capteur. On remarque qu’au plus l’épaisseur de la couche 6 de TFE et/ou PTFE est faible au plus la sensibilité est constante au cours du dépôt des particules. C’est-à-dire que la sensibilité du capteur SAW 1 évolue peu en fonction de l’épaisseur de la couche d’or (et donc de l’épaisseur de la couche de particules) déposée sur la surface de détection 3 du capteur SAW 1. Une forte épaisseur de la couche 6 de TFE et/ou PTFE), c’est-à-dire une épaisseur inférieure ou égale à 300 nm, de préférence à 200 nm, aura pour effet de permettre l’obtention d’une forte sensibilité en début de mesure mais celle-ci diminuera lorsque l’épaisseur des particules déposées augmentera. Au contraire, une faible épaisseur de la couche 6 de TFE et/ou PTFE), c’est-à-dire une épaisseur supérieure ou égale à 400 nm, de préférence à 300 nm, aura pour effet, de conférer au capteur SAW 1 une sensibilité ne variant pas ou peu lorsque l’épaisseur des particules déposées augmentera. L’efficacité du procédé de nettoyage ne dépend pas de l’épaisseur de la couche 6 de TFE et/ou PTFE. A titre d’exemple non limitatif, l’épaisseur de la couche 6 de TFE et/ou PTFE, du capteur SAW 1 agencée pour mettre en œuvre le procédé de nettoyage, est comprise entre 50 nm et 4 micromètres La gamme de valeurs optimales de l’épaisseur de la couche 6 de TFE et/ou PTFE dépend du substrat piézoélectrique 4. Toutefois, tel que détaillé plus haut, l’épaisseur de la couche 6 de TFE et/ou PTFE a des effets sur la sensibilité des capteurs lors de la détection des particules. Aussi, pour obtenir un bon compromis entre sensibilité de détection et efficacité de nettoyage, l’épaisseur de la couche 6 de TFE et/ou PTFE est comprise entre 50 nm et 4 µm. De préférence, l’épaisseur de la couche 6 de TFE et/ou PTFE est comprise entre 600 nm et 1,5 µm pour le capteur SAW 1 comprenant un substrat piézoélectrique 4 en Niobate de Lithium selon l’invention. En référence aux FIGURES 3 et 4, il est également décrit un dispositif de mesure 100 de la concentration en particules contenues dans un gaz. La détection et la mesure de la concentration en particules est opérée par le capteur SAW 1 selon l’invention. Le capteur SAW 1 selon l’invention fait partie du dispositif de mesure 100 selon l’invention. Le dispositif de mesure 100 comprend une entrée de gaz 9 destinée à recevoir un flux de gaz contenant des particules dont la concentration est à mesurer. Le dispositif de mesure 100 comprend au moins deux étages 10, 20, 30 montés en série. Un des étages, l’étage 10, communique avec l’entrée de gaz 9. Deux étages 10, 20, 30 consécutifs communiquent l’un avec l’autre. Au moins deux des étages 10, 20, 30, chacun des étages 10, 20, 30 selon le mode de réalisation, sont agencés pour retenir des particules dont une taille est supérieure à une valeur donnée. La taille des particules retenues par les étages 10, 20, 30 est décroissante selon la direction 11 du flux de gaz. Au moins deux des étages 10, 20, 30, chacun des étages 10, 20, 30 selon le mode de réalisation, comprennent un capteur SAW 1 selon l’invention. Le dispositif de mesure 100 selon l’invention permet de retenir à chaque étage des particules présentant une taille supérieure à une valeur donnée. Ce type de dispositif peut être qualifié de dispositif de pesée inertielle ou dispositif d’impaction. Le mode de fonctionnement de ces dispositifs, qui est illustré sur la FIG. 4 , est connu de l’homme du métier. Le mode de « tri » des particules dans ce type de dispositif est basé sur les propriétés d’inertie des aérosols. Certaines particules ayant une inertie supérieure à une certaine valeur limite ne suivent pas les lignes de courant du flux de gaz 13 dans le dispositif de mesure. Ainsi, les particules ayant une taille supérieure au diamètre de coupure vont entrer en collision avec le capteur SAW 1 alors que les autres, de diamètre plus petit et de vitesse plus élevée, vont continuer leur trajectoire jusqu’aux étages suivants (inférieurs). Aussi, le mode de réalisation non limitatif présenté porte sur la détection des particules fines contenus dans de l’air. Plus précisément, l’objectif de ce mode de réalisation est de déterminer la concentration en particules présentant un diamètre supérieur à 10 µm, la concentration en particules présentant un diamètre compris entre 10 et 2,5 µm et la concentration en particules présentant un diamètre inférieur à 2,5 µm. Aussi, les étage 10 et 20 ont pour fonction de retenir les particules présentant un diamètre supérieur ou égal à une valeur donnée ; selon le mode de réalisation non limitatif : l’étage 10 retient les particules ayant un diamètre supérieur ou égal à 10 µm et le deuxième étage 20 retient les particules ayant un diamètre supérieur à 2,5 µm, sur le troisième étage 30 c’est la concentration de l’ensemble des particules présentant un diamètre inférieur à 2,5 µm qui est mesurée par le capteur SAW 1. L'entrée d'air 9 ramène l'air dont l'on veut mesurer la concentration de particules à l'intérieur du dispositif de mesure 100. Selon le mode de réalisation, le dispositif de mesure 100 comporte donc trois étages 10, 20, 30 en série. L'étage 10, connecté à l'arrivée d'air 9, comporte la plaque 102 d'accélération du flux d'air. Cette plaque 102 permet d'arrêter les particules de diamètre supérieur à 10 μm. L'étage 10 comporte également la plaque d'impaction 101, sur laquelle est monté un capteur SAW 1, destinée à accueillir les particules de diamètre supérieur à 10 μm. Un avantage de ce mode de réalisation est de permettre la mesure en temps réel de la concentration de particules ayant un diamètre supérieur à 10 μm. L'étage 20 comporte la plaque 203 d'accélération du flux d'air et d'arrêt des particules de diamètre compris entre 10 μm et 2,5 μm (PM10). Ces particules sont mesurées au niveau de l'étage 20 par le capteur SAW 1. L'étage 20 comporte également l'élément 202 liant l'élément 203 et la plaque 201 de support du capteur SAW 1. Un avantage de ce mode de réalisation est de permettre la mesure en temps réel de la concentration de particules ayant un diamètre compris entre 10 μm et 2,5 μm. Ces particules PM10 sont particulièrement importantes pour la vérification de la qualité de l'air. L'étage 30 comporte une plaque d'accélération 303 du flux d'air et d'arrêt des particules de diamètre inférieur à 2,5 μm. L'étage 30 comporte également un élément 302 de liaison entre l'élément 303 et la plaque 301 de support du capteur SAW 1. Un avantage de ce mode de réalisation est de permettre la mesure en temps réel de la concentration de particules ayant un diamètre inférieur à 2,5 μm (PM2.5). Les particules PM2.5 sont particulièrement importantes pour la vérification de la qualité de l'air. Chaque étage comprend de la connectique (non représentée) permettant de connecter les capteurs SAW 1 à une unité de traitement et de commande (non représentée) des capteurs SAW 1. L'élément 12 est la sortie de l'air dont la concentration de particules a été mesurée. Cet élément permet de raccorder le dispositif de mesure 100 à la pompe qui assure la circulation du flux d'air à l'intérieur du dispositif de mesure 100. Selon un mode de réalisation particulier présenté, le flux d'air à l'intérieur des étages en série est réglé pour avoir un débit compris entre 0,45 et 5.5 l/min. La gamme de flux d’air n’est pas limitative et est à adapter en fonction des dimensions du dispositif de mesure 100 ou encore de la concentration en particules à mesurer contenus dans le gaz. Selon le mode de réalisation particulier présenté, le flux d'air est réglé pour avoir un débit de 3 l/min. Un avantage de ce mode de réalisation est de comporter une faible consommation énergétique, le débit étant relativement faible. Pour que la sélection en taille des particules soit vraiment efficace, les ouvertures 105, 205, 305 ménagées dans les plaques d'accélération 102, 203 et 303 doivent être dimensionnés correctement par rapport au débit d'air choisi. Selon un mode de réalisation de l'invention la première plaque d'accélération 102 comporte au moins une ouverture 105 de diamètre compris entre 3 mm et 8 mm, la deuxième plaque d'accélération 203 au moins une ouverture 205 de diamètre compris entre 1 mm et 3 mm et la troisième plaque d'accélération 303 au moins une ouverture 305 de diamètre compris entre 0,7 et 0,9 mm. Un avantage de ce mode de réalisation est de dimensionner le nombre et la taille des ouvertures 105, 205, 305 à chaque étage pour que la filtration et la sélection en taille des particules soit efficace pour un débit d'air donné. La plaque 102 comporte une ouverture centrale 105. L’ouverture centrale 105 permet d'accélérer le flux d'air quand il passe à travers cet élément. Les particules de plus grande inertie sont déviées de la trajectoire du flux d'air. Plus particulièrement, les particules de diamètre supérieur à 10 μm sont arrêtées à niveau de la plaque d'impaction 101. Le capteur SAW 1 est fixé sur la plaque 101. Selon un mode de réalisation préféré, pour un flux d'air de (3 ± 0,3) l/min, l’ouverture 105 sur la plaque 102 possède un diamètre de (7 ± 1) mm. Par exemple, pour des flux de (0,50 ± 0,05) et (5,0 ± 0,5) l/min l’ouverture 105 possède un diamètre respectivement de (3,0 ± 0,3) et (8 ± 1) mm. La deuxième partie de l'étage 10 est composée par une plaque d'impaction 101. La plaque 101 comprend des orifices 108. Les orifice 108 permettent au flux d'air contenant les particules de diamètre inférieur à 10 μm de s'écouler vers l'étage 20. La plaque d'accélération 203 du flux d'air à niveau de l'étage 20 comporte une ouverture centrale 205. L’ouverture centrale 205 permet d'accélérer le flux d'air quand il passe à travers cet élément. Les particules de plus grande inertie sont déviées de la trajectoire du flux d'air. Plus particulièrement, les particules de diamètre supérieur à 2,5 μm sont arrêtées à niveau de la plaque 201 sur laquelle est montée le capteur SAW 1. Cet élément permet d'arrêter les particules de diamètre compris entre 10 μm et 2.5 μm à niveau de l'étage 20. La plaque d’impaction 201 comprend des orifices 208. Les orifice 208 permettent au flux d'air contenant les particules de diamètre inférieur à 2,5 μm de s'écouler vers l'étage 30. Comme pour l'élément 102, dans ce cas aussi la taille des ouvertures 205 dans la plaque 203 doit être choisie en fonction du débit d'air pour que le filtrage des particules suivant leur taille soit efficace. Selon un mode de réalisation préféré, pour un débit d'air égal à (3 ± 0,3) l/min l’ouverture 205 sur la plaque 203 possède un diamètre de (3,0 ± 0,5) mm. Si un débit de l'ordre de (0,50 ± 0,05) l/min est choisi l’ouverture 205 doit posséder un diamètre de (1,0 ± 0,3) mm. En revanche pour un débit plus élevé de l'ordre de (5,0 ± 0,5) l/min la plaque 203 doit posséder deux ouvertures 205 chacune de diamètre égal à (2,0 ± 0,3) mm. La plaque 303 d'accélération du flux d'air comporte deux ouvertures centrales 305. Les deux ouvertures centrales 305 permettent d'accélérer le flux d'air quand il passe à travers cet élément. Les particules de plus grande inertie sont déviées de la trajectoire du flux d'air. Plus particulièrement, les particules de diamètre compris 15 entre 2,5 et 0.3 μm sont arrêtées à niveau de la plaque 301 sur laquelle le capteur SAW 1 est fixé. La plaque d’impaction 301 comprend des orifices 308. Les orifices 308 permettent au flux d'air contenant les particules de diamètre inférieur à 0,3 μm de s'écouler vers la sortie 12. Si un débit d'air de (3,0 ± 0,3) l/min est choisi, selon un mode de réalisation préféré, la plaque 303 possède deux ouvertures 305, chacun de diamètre égal à (0,8 ± 0, 1) mm. Pour un débit d'air de (0,50 ± 0,05) l/min la plaque 303 comporte une seule ouverture 305 de diamètre égal à (0,7 ± 0, 1) mm. Pour un débit d'air égal à (5,0 ± 0,5) l/min la plaque 303 comprend deux ouvertures 305 chacune de diamètre égal à (0,9 ± 0, 1) mm. Afin d’illustrer l’effet et la contribution liée à l’utilisation du capteur SAW 1 selon l’invention dans le dispositif de mesure 100 plutôt qu’à l’utilisation des capteurs SAW de l’état de l’état, il est présenté les résultats obtenus par un dispositif de mesure 100 selon l’invention. Des particules de SiC présentant différents diamètres dans de l’air ont été injectées dans le dispositif de mesure 100. Les concentrations en particules mesurées avec un dispositif de mesure 100 comprenant des capteurs SAW 1 selon l’invention (qui sont notés « SAW avec téflon TM ») et des capteurs SAW identiques mais ne comprenant pas de couche 6 de TFE et/ou PTFE (qui sont notés « SAW nu ») sont présentés sur le Tableau 1. Une solution de SiC à 0,0125 % en pourcentage massique a été préparée avec des particules ayant un diamètre aérodynamique de 5 et 7 μm. Aussi, sur le tableau 1 est présenté les concentrations mesurées par le capteur SAW situé à l’étage 20 et par le capteur SAW situé à l’étage 30. Le flux de gaz ne comprenant pas de particules ayant un diamètre supérieur à 10 µm, rien n’est mesuré sur le capteur SAW situé à l’étage 10. Dans l’essai numéro 1 les capteurs SAW situés aux étages 20 et 30 ne comprennent pas de couche 6 de TFE et/ou PTFE. Dans l’essai numéro 2, le capteur SAW 1 situé à l’étage 20 comprend une couche 6 de TFE et/ou PTFE et le capteur SAW situé à l’étage 30 ne comprend pas de couche 6 de TFE et/ou PTFE. Dans l’essai numéro 3, le capteur SAW 1 situé à l’étage 20 comprend une couche 6 de TFE et/ou PTFE et le capteur SAW 1 situé à l’étage 30 comprend une couche 6 de TFE et/ou PTFE. Dans la dernière colonne du tableau 1 est calculé le pourcentage de PM10 (particules avec un diamètre inférieur à 10 µm et supérieur à 2,5 µm) qui est mesuré à l’étage 30 alors qu’en principe toutes les PM10 devraient être retenues à l’étage 20. Essai Dispositif de mesure Nombre de particules mesurées % PM10 mesuré à l’étage 30 1 2 eme étage SAW nu 462 53 3 eme étage SAW nu 513 2 2 eme étage SAW avec téflon TM 754 39 3 eme étage SAW nu 485 3 2 eme étage SAW avec téflon TM 857 27 3 eme étage SAW avec téflon TM 313 La comparaison des essais 1 et 2 illustre le problème de rebond des particules sur les capteurs SAW. On remarque que la couche 6 de TFE et/ou PTFE permet d’augmenter le nombre de particules mesurées à l’étage 20 et de diminuer le nombre de particules mesurées à l’étage 30. Cela illustre parfaitement le fait qu’une partie des particules impactant le capteur SAW 1 a un étage donné rebondissent sur la surface supérieure 3 et ne sont donc pas mesurées. En l’absence de couche 6 de TFE et/ou PTFE, la concentration mesurée à un étage donné est donc sous-évaluée du fait du rebond de certaines particules sur le capteur SAW 1. De plus, ce phénomène de rebond des particules a également, dans une moindre mesure, augmenté la quantité de particules mesurées à l’étage inférieur car une partie des particules qui ont rebondies se retrouvent entrainées à l’étage inférieur par le flux de gaz. La concentration mesurée à un étage inférieur est donc surévaluée en l’absence de couche 6 de TFE et/ou PTFE. Le capteur SAW 1 selon l’invention permet donc d’améliorer la précision de la mesure de la concentration en particules dans un gaz, en particulier lorsque la mesure est effectuée sous flux de gaz. Le capteur SAW 1 selon l’invention permet donc d’obtenir des mesures plus fiables et plus précises. Bien sûr, l’invention n’est pas limitée aux exemples qui viennent d’être décrits et de nombreux aménagements peuvent être apportés à ces exemples sans sortir du cadre de l’invention. Ainsi, dans des variantes combinables entre elles des modes de réalisation précédemment décrits: la couche de TFE et/ou PTFE présente une épaisseur supérieure ou égale à 50 nm, de préférence à 100, de préférence encore à 150, de manière avantageuse à 200, de manière encore plus avantageuse à 250, de manière particulièrement avantageuse à 300, de manière préférée à 350, de manière davantage préférée à 400, de manière encore davantage préférée à 450 et de manière préférée entre toutes supérieure ou égale à 500 nm, et/ou la couche de TFE et/ou PTFE présente une épaisseur inférieure ou égale à 4 µm, de préférence à 3,75, de préférence encore à 3,5, de manière avantageuse à 3,25, de manière encore plus avantageuse à 3, de manière particulièrement avantageuse à 2,75,de manière davantage préférée à 2,5, de manière encore davantage préférée à 2,25, de manière encore davantage préférée à 2, de manière particulièrement avantageuse à 1,75 et de manière préférée entre toutes inférieure ou égale à 1,5 µm. De plus, les différentes caractéristiques, formes, variantes et modes de réalisation de l’invention peuvent être associés les uns avec les autres selon diverses combinaisons dans la mesure où ils ne sont pas incompatibles ou exclusifs les uns des autres. Capteur à Ondes Elastiques de Surface (1) ou Surface Acoustic Wave (SAW) comprenant, depuis une face inférieure (2) vers une surface supérieure (3) dudit capteur SAW : un substrat piézoélectrique (4), au moins un transducteur interdigité (5) ou InterDigital Transducer (IDT), une couche (6) de tétrafluoroéthylène (TFE) et/ou de polytétrafluoroéthylène (PTFE) dont une face supérieure forme, au moins en partie, la surface supérieure du capteur SAW ; ladite couche de TFE et/ou PTFE présente une épaisseur comprise entre 50 nm et 4 µm. Capteur SAW (1) selon la revendication 1, comprenant une couche intermédiaire (7), sur laquelle repose, au moins en partie, la couche (6) de TFE et/ou PTFE, recouvrant, au moins en partie, l’au moins un IDT et recouvrant, au moins en partie, le substrat piézoélectrique ; ladite couche intermédiaire présente une épaisseur comprise entre 10 et 300 nm. Capteur SAW (1) selon la revendication précédente, dans lequel la couche intermédiaire (7) est une couche de silice. Capteur SAW (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’au moins un IDT (5) consiste en une bicouche Titane/Platine. Capteur SAW (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant au moins deux IDTs (5), un des IDTs, dit IDT émetteur, est agencé pour générer une onde élastique destinée à se propager à la surface supérieure du substrat piézoélectrique (4) et au moins un des autres IDTs, dit IDT récepteur, est agencé pour détecter l’onde élastique se propageant à la surface du substrat piézoélectrique. Capteur SAW (1) selon la revendication précédente, dans lequel la surface supérieure du substrat piézoélectrique (4) comprend une zone (8), dite zone sensible, autour de laquelle sont disposés les au moins deux IDTs (5). Dispositif de mesure (100) de la concentration en particules contenues dans un gaz, ledit dispositif de mesure comprend : une entrée de gaz (9) destinée à recevoir un flux de gaz contenant des particules, au moins deux étages (10, 20, 30) montés en série, un des étages communique avec l’entrée de gaz et deux étages consécutifs communiquent l’un avec l’autre ; au moins deux des étages sont agencés pour retenir des particules dont une taille est supérieure à une valeur donnée, la taille des particules retenues par les au moins deux étages étant décroissante selon la direction (11) du flux de gaz, au moins deux des étages comprennent chacun un capteur SAW (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6. Dispositif de mesure (100) selon la revendication précédente, comprenant des moyens de contrôle du flux de gaz à travers les étages. Dispositif de mesure (100) selon la revendication précédente, comprenant trois étages (10, 20, 30), un premier étage (10) communicant avec l’entrée est agencé pour retenir les particules dont la taille est supérieure à 10 µm et un deuxième étage (20), consécutif au premier selon long de la direction (11) du flux de gaz, est agencé pour retenir les particules dont la taille est supérieure à 2,5 µm. Dispositif de mesure (100) selon la revendication précédente, dans lequel chacun des trois étages (10, 20, 30) comprend une plaque de filtrage (102, 203, 303), chaque plaque de filtrage comprend au moins un orifice (105, 205, 305), un diamètre de l’au moins un orifice étant décroissant d’un étage à l’autre selon la direction (11) du flux de gaz. Dispositif de mesure (100) selon la revendication précédente, dans lequel : les moyens de contrôle du flux de gaz à travers les étages sont agencés pour qu’un débit de gaz soit compris entre 0,45 et 5,5 l/min, l’au moins un orifice (105) de la plaque de filtrage (102) du premier étage (10) présente un diamètre compris entre 3 mm et 8 mm, l’au moins un orifice (205) de la plaque de filtrage (203) du deuxième étage (20) présente un diamètre compris entre 1 mm et 3 mm et l’au moins un orifice (305) de la plaque de filtrage (303) du troisième étage (30), consécutif au deuxième étage selon la direction (11) du flux de gaz, présente un diamètre compris entre 0,7 et 0,9 mm. Procédé de fabrication d’un capteur à Ondes Elastiques de Surface (1) ou Surface Acoustic Wave (SAW) comprenant les étapes consistant à : déposer au moins une couche métallique sur un substrat piézoélectrique (4), réaliser une succession d’étapes de microfabrication pour former au moins un transducteur interdigité (5) ou InterDigital Transducer (IDT) sur le substrat piézoélectrique, déposer une couche (6) de tétrafluoroéthylène (TFE) et/ou de polytétrafluoroéthylène (PTFE) formant, au moins en partie, la surface supérieure du capteur SAW ; ladite couche de TFE et/ou PTFE présente une épaisseur comprise entre 50 nm et 4 µm. Procédé selon la revendication précédente, comprenant, préalablement à l’étape de dépôt de la couche (6) de TFE et/ou PTFE, l’étape consistant à déposer une couche intermédiaire (7) présentant une épaisseur comprise entre 10 et 300 nm ; ladite couche intermédiaire recouvre, au moins en partie, l’au moins un IDT et recouvre, au moins en partie, le substrat piézoélectrique. Procédé selon la revendication 12 ou 13, dans lequel la couche (6) de TFE et/ou PTFE est déposée par plasma en présence d’un réactif gazeux fluorocarboné.