Brevet FR3153463A1 — publié le 20250328

L’invention concerne un procédé comprenant les étapes suivantes : fabrication d’une structure temporaire comprenant la formation d’une couche support de carbure de silicium, SiC, polycristallin (3) sur un substrat temporaire de SiC monocristallin (1), la structure temporaire présentant une face avant (FF) du côté de la couche support de SiC polycristallin et une face arrière (BF) du côté du substrat temporaire de SiC monocristallin ; report d’une couche mince de SiC monocristallin (4) sur la face avant (FF) de la structure temporaire ; retrait du substrat temporaire de SiC monocristallin (1) de la structure temporaire de manière à obtenir une structure composite comprenant la couche mince de SiC monocristallin (4) disposée sur la couche support de SiC polycristallin (3). Figure pour l’abrégé : Figure 1 ProcÉdÉ de transfert d’un couche de SiC monocristallin sur un support en SiC polycristallin utilisant un substrat temporaire de SiC monocristallin Le domaine de l’invention est celui des matériaux semi-conducteurs pour composants microélectroniques. L’invention concerne plus particulièrement un procédé de fabrication d'une structure composite comprenant une couche mince en carbure de silicium monocristallin sur un substrat support en carbure de silicium polycristallin. Le carbure de silicium (SiC) est de plus en plus largement utilisé dans des applications d’électronique de puissance, notamment pour répondre aux besoins de domaines montants de l'électronique comme par exemple les véhicules électriques. Les dispositifs de puissance et les systèmes intégrés d'alimentation basés sur du SiC monocristallin peuvent effectivement gérer une densité de puissance beaucoup plus élevée que leurs homologues traditionnels en silicium, et ce avec des dimensions de zone active inférieures. Les substrats en SiC monocristallin destinés à l'industrie microélectronique restent néanmoins chers et difficiles à approvisionner en grande taille. Il est donc avantageux de recourir à des solutions de transfert de couches pour élaborer des structures composites comprenant typiquement une couche mince en SiC monocristallin sur un substrat support à plus bas coût. Une solution de transfert de couche mince bien connue est le procédé Smart Cut™. Un tel procédé permet par exemple de fabriquer une structure composite comprenant une couche mince en SiC monocristallin, prélevée d'un substrat donneur en SiC monocristallin (mSiC), en contact avec un substrat receveur en SiC polycristallin (pSiC). Ce substrat receveur en pSiC est une plaquette obtenue à partir d’une plaque de pSiC (généralement désignée par le terme anglais de slab ) relativement épaisse (par exemple de 0,6 à 3 mm d’épaisseur). Un dépôt de pSiC sur un substrat de croissance (par exemple un substrat de graphite), typiquement un dépôt chimique en phase vapeur à une température comprise entre 1100°C et 1400°C, permet de former la plaque de pSiC. À la suite du retrait du substrat de croissance, la plaque de pSiC est soumise à un processus de formation d’une ou plusieurs plaquettes (processus dit de wafering en anglais) qui comprend différentes étapes de nettoyage, gravure, meulage et polissage et permet d’obtenir une ou plusieurs plaquettes de pSiC ayant une forme voulue (notamment un pourtour en biseau) et une épaisseur désirée. Un sciage peut également être réalisé au cours de ce processus notamment lorsque plusieurs plaquettes doivent être fabriquées à partir d’une même plaque. L’épaisseur cible de la plaquette de SiC polycristallin ainsi fabriquée est, selon la norme SEMI, de 350 µm pour une plaquette de 150 mm de diamètre et de 500 µm pour une plaquette de 200 mm de diamètre. Réduire l’épaisseur du dépôt de pSiC s’avère compliqué à réaliser car une épaisseur réduite est source de déformation ( warp en anglais). Cette déformation est non rattrapable par la suite, sauf mise en œuvre de techniques particulières qui viennent nécessairement complexifier le processus. Il est donc nécessaire de procéder à un dépôt de pSiC relativement épais puis à un amincissement de la plaque de pSiC par meulage pour atteindre l’épaisseur cible. Cet amincissement est cependant coûteux et chronophage. L’invention a pour objectif de proposer un procédé de fabrication d'une structure composite comprenant une couche mince de mSiC sur un substrat support en pSiC qui s’affranchisse des inconvénients susmentionnés en permettant de réduire l’épaisseur de pSiC à déposer et donc l’épaisseur de pSiC à amincir par meulage. A cet effet, l’invention propose un procédé comprenant les étapes suivantes : fabrication d’une structure temporaire comprenant la formation d’une couche support de carbure de silicium, SiC, polycristallin sur un substrat temporaire de SiC monocristallin, la structure temporaire présentant une face avant du côté de la couche support de SiC polycristallin et une face arrière du côté du substrat temporaire de SiC monocristallin ; report d’une couche mince de SiC monocristallin sur la face avant de la structure temporaire ; retrait du substrat temporaire de SiC monocristallin de la structure temporaire de manière à obtenir une structure composite comprenant la couche mince de SiC monocristallin disposée sur la couche support de SiC polycristallin. Certains aspects préférés mais non limitatifs de ce procédé sont les suivants : le substrat temporaire de SiC monocristallin est recouvert d’une couche intermédiaire sur laquelle la couche support de SiC polycristallin est formée lors de la fabrication de la structure temporaire ; le retrait du substrat temporaire de SiC monocristallin de la structure temporaire comprend un détachement laser au niveau de la couche intermédiaire ; le retrait du substrat temporaire de SiC monocristallin de la structure temporaire comprend la formation d’un plan de détachement dans le substrat temporaire par irradiation laser ; le retrait du substrat temporaire de SiC monocristallin de la structure temporaire comprend en outre l’application de contraintes thermomécaniques au plan de détachement ; le plan de détachement est situé dans la couche support de SiC polycristallin ; le substrat temporaire de SiC monocristallin présente une résistivité supérieure à 5 mΩ.cm ; il comprend, avant le retrait du substrat temporaire de SiC monocristallin de la structure temporaire, le collage d’un substrat poignée sur la couche mince de SiC monocristallin et, après le retrait du substrat temporaire de SiC monocristallin de la structure temporaire, le retrait du substrat poignée ; il comprend en outre, après le retrait du substrat temporaire de SiC monocristallin de la structure temporaire, un amincissement de la couche support de SiC polycristallin ; il comprend en outre, après le retrait du substrat temporaire de SiC monocristallin de la structure temporaire, une métallisation d’une face arrière de la couche support de SiC polycristallin ; il comprend en outre la fabrication d’éléments de composants électroniques sur la couche mince de SiC monocristallin ; la fabrication des éléments de composants électroniques comprend une épitaxie d’une couche de migration sur la couche mince de SiC monocristallin ; la formation de la couche support de SiC polycristallin sur le substrat temporaire de SiC monocristallin comprend un dépôt chimique en phase vapeur, un dépôt physique en phase vapeur, un dépôt par croissance épitaxiale ou un frittage ; la couche support de SiC polycristallin formée sur le substrat temporaire de SiC monocristallin présente une épaisseur comprise entre 50 µm et 200 µm, de préférence comprise entre 80 µm et 180 µm ; la couche support de SiC polycristallin formée sur le substrat temporaire de SiC monocristallin présente une épaisseur comprise dans une gamme d’épaisseur cible incluant pour valeur centrale une épaisseur de 350 µm ou une épaisseur de 500 µm lorsque la couche support de SiC polycristallin présente respectivement un diamètre de 150 mm ou un diamètre de 200 mm ; le report de la couche mince de SiC monocristallin sur la face avant de la structure temporaire comprend le collage sur la face avant de la structure temporaire d’un substrat donneur de SiC monocristallin préalablement soumis à une implantation d’espèces ioniques pour y former un plan de fragilisation et l’apport d’énergie thermique et/ou mécanique pour séparer le substrat donneur de SiC monocristallin préalablement soumis à une implantation d’espèces ioniques au niveau du plan de fragilisation. D'autres aspects, buts, avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée suivante de formes de réalisation préférées de celle-ci, donnée à titre d'exemple non limitatif, et faite en référence à la FIG. 1 annexée laquelle est un schéma représentant différentes étapes d’un procédé conforme à l’invention. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS L’invention propose un procédé de fabrication d'une structure composite comprenant une couche mince de mSiC sur un substrat support de pSiC. En référence à l’étape (A) représentée sur la FIG. 1 , ce procédé débute par la fourniture d’un substrat temporaire de mSiC 1. En référence à l’étape (B) représentée sur la FIG. 1 , ce procédé peut comprendre la formation d’une ou plusieurs couches intermédiaires 2 sur le substrat temporaire de mSiC. En référence à l’étape (C) représentée sur la FIG. 1 , ce procédé comprend ensuite la fabrication d’une structure temporaire au moyen de la formation d’une couche support de pSiC 3 sur le substrat temporaire de mSiC 1, avec le cas échéant la ou les couches intermédiaires 2 présentes à l’interface entre la couche support de pSiC 3 et le substrat temporaire de mSiC 1. La formation de la couche support de pSiC 3 peut notamment comprendre un dépôt chimique en phase vapeur, un dépôt physique en phase vapeur, un dépôt par croissance épitaxiale ou un frittage. Le substrat temporaire de mSiC 1 a pour avantage de présenter un coefficient de dilatation thermique proche de celui de la couche support de pSiC 3. Il est en outre à même de supporter les hautes températures pouvant être associées à la formation de la couche support de pSiC 3. Dans un mode de réalisation possible, la couche support de pSiC 3 formée à l’étape (C) présente une épaisseur comprise entre 50 µm et 200 µm, de préférence comprise entre 80 µm et 180 µm. Une telle épaisseur est typiquement conforme aux exigences d’un processus de fabrication finale, dit de « Back-End », d’éléments de composants électroniques. Dans un autre mode de réalisation possible, la couche support de pSiC 3 formée à l’étape (C) présente une épaisseur de pSiC comprise dans une gamme d’épaisseur cible incluant pour valeur centrale une épaisseur de 350 µm ou une épaisseur de 500 µm, par exemple une gamme d’épaisseur cible de 350 µm +/- 25 µm pour une couche de pSiC 3 de 150 mm de diamètre ou de 500 µm +/- 25 µm pour une couche de pSiC de 200 mm diamètre. Comme représenté sur la FIG. 1 , la structure temporaire présente une face avant FF du côté de la couche support de pSiC 3 et une face arrière BF du côté du substrat temporaire de mSiC monocristallin 1. La couche support de pSiC 3 formée à l’étape (C) est susceptible de présenter une non-uniformité d’épaisseur (dite TTV pour « Total Thickness Variation » en anglais). Dans un mode de réalisation possible, la couche support de pSiC 3 formée à l’étape (C) peut être soumise à un processus de wafering afin de corriger cette TTV. Ce processus peut notamment comprendre un meulage grossier suivi d’un meulage fin. Le procédé se poursuit comme représenté par l’étape (D) sur la FIG. 1 par le report d’une couche mince de mSiC 4 sur la face avant FF de la structure temporaire. Cette couche mince de mSiC 4 présente de préférence une qualité compatible avec des applications d’électronique de puissance ou d’électronique radiofréquence. Le report de la couche mince de mSiC 4 peut s’effectuer conformément au procédé Smart Cut™ en venant procéder au collage, sur la face avant de la structure temporaire, d’un substrat donneur de mSiC préalablement soumis à une implantation d’espèces ioniques pour y former un plan de fragilisation et à un apport d’énergie thermique et/ou mécanique pour séparer le substrat donneur de mSiC au niveau du plan de fragilisation et ainsi réaliser le transfert de la couche mince 4 du substrat donneur vers la structure temporaire. Préalablement à l’étape (D), la couche support de pSiC 3 formée à l’étape (C) peut être soumise à une étape de préparation de surface visant à rendre la face avant FF compatible avec le report de la couche mince de mSiC 4, par exemple avec le collage du procédé Smart Cut TM . Cette étape de préparation de surface peut comprendre un polissage et/ou un meulage fin de la face avant FF. Dans un mode de réalisation possible (non représenté), le procédé peut par ailleurs comprendre le collage, par exemple réalisé au moyen d’une résine ou d’une couche de collage en oxyde, d’un substrat poignée sur la couche mince de mSiC 4. Le substrat poignée permet de rigidifier mécaniquement et ainsi permettre la manipulation de ce à quoi il est attaché. Dans un premier cas de figure, la couche support de pSiC 3 étant fine (d’épaisseur typiquement comprise entre 50 µm et 200 µm) afin de passer outre la nécessité de procéder à un amincissement ultérieur de celle-ci ou à tout le moins de limiter l’épaisseur de matière devant être retirée par un tel amincissement, il est possible de réaliser des éléments de composants électroniques sur la couche mince de mSiC 4 avant de procéder au retrait du substrat temporaire de mSiC 1 lors de l’étape (E) décrite ci-après. Le substrat poignée permet alors de maintenir l’ensemble constitué par la couche support de pSiC 3 et la couche mince de mSiC 4 avant, pendant et après ce retrait du substrat temporaire de mSiC 1. Dans un autre cas de figure, les premiers microns (1 - 5µm jusqu'à 50µm selon les textures et microstructures) de formation de la couche support de pSiC 3 présentent une microstructure pouvant être qualifiée de non-mature / changeante, dans le sens où la taille des grains / la microstructure / la texture n'a pas atteint la stabilité ensuite présente dans le "cœur" de matériau. La couche support de pSiC 3 peut alors présenter un gradient de contraintes qui est susceptible de provoquer une déformation de l'ensemble constitué par la couche support de pSiC 3 et la couche mince de mSiC 4 une fois le substrat temporaire de mSiC 1 retiré. Le recours au substrat poignée permet de limiter cette déformation. Dans ces deux cas de figure, il est possible de réaliser tout ou partie d’une étape de fabrication d’éléments de composants électroniques sur la couche mince de mSiC 4 (dont par exemple une épitaxie d’une couche de migration dite drift layer en anglais) avant la mise en place du substrat poignée. Le substrat poignée est de préférence en un matériau présentant un coefficient de dilatation thermique similaire à celui du carbure de silicium. Ce matériau peut être choisi de manière à supporter les hautes températures (pouvant atteindre jusqu’à 1850°C) d'un éventuel traitement thermique, tel qu'un recuit de relaxation des contraintes dans la couche support de pSiC 3, un recuit permettant d'activer la conduction à l'interface entre la couche support de pSiC 3 et la couche mince de mSiC 4 ou encore un recuit d’activation de dopants dans une couche de migration épitaxiée sur la couche mince de mSiC 4. Ce matériau peut être du mSiC, du pSiC, du graphite ou encore du tungstène. Lorsqu’un tel traitement thermique n’est pas mis en œuvre, ou lorsqu’il est réalisé avant la mise en place du substrat poignée, ce dernier peut être un substrat de silicium ou un substrat de polymère. En référence à l’étape (E) représentée sur la FIG. 1 , le procédé comprend le retrait du substrat temporaire de mSiC 1 de la structure temporaire de manière à obtenir une structure composite comprenant la couche mince de mSiC 4 disposée sur la couche support de pSiC 3. Ce retrait du substrat temporaire de mSiC est, le cas échéant, suivi du retrait du substrat poignée. Le retrait du substrat poignée est par exemple réalisé au moyen d’un apport d’énergie thermique ou mécanique. Le retrait du substrat temporaire de mSiC 1 peut être précédée ou suivie d’une étape de formation d’éléments de composants électroniques dans la couche mince mSiC 4 disposée sur la couche support de pSiC 3. Cette étape comprend typiquement une combinaison d’opérations de dépôt ou d’épitaxie de film semi-conducteur, de lithographie, de gravure, de dopage, de dépôt métallique et de passivation. Cette étape peut notamment être mise en œuvre lorsque la formation de la couche support de pSiC 3 a consisté à former une couche présentant une épaisseur comprise dans une gamme d’épaisseur cible incluant par exemple pour valeur centrale une épaisseur de 350 µm ou une épaisseur de 500 µm. Elle peut également être mise en œuvre lorsque la couche support de pSiC 3 formée sur le substrat temporaire de mSiC 1 présente une fine épaisseur comprise par exemple entre 50 et 200 µm, en ayant alors de préférence recours à un substrat poignée. Cette étape de formation d’éléments de composants électroniques peut en particulier comprendre, avant ou après le retrait du substrat temporaire de mSiC 1 de la structure temporaire, une opération de formation, typiquement par épitaxie, d’une couche de migration sur la couche mince de SiC monocristallin (4). Une fois ces éléments de composants électroniques formés, il est procédé (au retrait du substrat temporaire de mSiC 1 lorsque celui-ci n’a pas été préalablement retiré et) au conditionnement de la structure composite. Ce conditionnement peut comprendre un amincissement de la couche support de pSiC 3. Cet amincissement a par exemple pour objectif d’amener la couche support de pSiC à une épaisseur cible conforme aux exigences du processus de fabrication finale, dit de « Back-End », des éléments de composants électroniques. Cette épaisseur cible est par exemple comprise entre 50 µm et 200 µm, de préférence comprise entre 80 µm et 180 µm. Cet amincissement peut également avoir pour objectif de venir retirer une zone endommagée ou de microstructure différente de celle du "cœur" de la couche pSiC 3 qui correspond à l’initiation de la formation de la couche de pSiC 3 sur le substrat temporaire de mSiC 1. Cet amincissement peut être réalisé de manière à venir retirer une épaisseur de matière comprise entre quelques microns et une cinquantaine de microns. Le conditionnement de la structure composite peut également comprendre une métallisation de la face arrière (i.e. du côté opposé à la couche mince de msiC 4) de la couche support de pSiC 3. L’éventuel substrat poignée peut être retiré après tout ou partie de ce conditionnement. Suite au retrait du substrat temporaire de mSiC 1, celui-ci peut être soumis à différentes opérations de recyclage, notamment à un nettoyage, visant à permettre sa réutilisation en particulier dans un procédé conforme à l’invention. On décrit dans ce qui suit différents modes de réalisation possible du retrait du substrat temporaire de mSiC 1 de la structure temporaire. Dans un premier mode de réalisation possible, ce retrait exploite la ou les couches intermédiaires 2 préalablement formées pour se retrouver à l’interface entre le substrat temporaire de mSiC 1 et la couche support de pSiC 4. Dans ce mode de réalisation, le retrait du substrat temporaire de mSiC 1 comprend un détachement laser au niveau de la ou les couche intermédiaire 2. Ce détachement laser, dit laser lift-off (LLO) en anglais, consiste à venir irradier la ou les couches intermédiaires, typiquement au travers le substrat temporaire de mSiC 1, au moyen d’un laser dont la longueur d’onde est absorbée par la ou les couches intermédiaires et pour laquelle le substrat temporaire de mSiC est transparent. Dans une réalisation possible, on exploite pour couches intermédiaires une couche de pSiC 3C venant absorber à 404nm et deux couches de Si3N4 qui prennent en sandwich la couche de pSiC 3C. Les couches Si3N4 qui servent de couches sacrificielles en ce sens qu’elles vont être pulvérisées du fait de l’augmentation de température générée dans celles-ci par diffusion depuis la couche de pSiC 3C. Le sandwich constitué par la couche de pSiC 3C et les couches de Si3N4 peut lui-même être pris en sandwich entre des couches formant barrière thermique, par exemple de couches de silicium amorphe. Dans d’autres modes de réalisation ne nécessitant pas la présence de couche(s) intermédiaire(s), le retrait du substrat temporaire de mSiC 1 de la structure temporaire comprend la formation d’un plan de détachement dans le substrat temporaire par irradiation laser puis l’application de contraintes thermomécaniques au plan de détachement. Cette application va conduire à la propagation d’une ligne de fissuration le long du plan de détachement et à la séparation du substrat temporaire de mSiC de la couche support de pSiC. Un tel retrait peut ainsi être réalisé suivant le procédé dénommé « Cold Split » dans lequel l’application de contraintes thermomécaniques comprend un refroidissement ou encore selon le procédé dénommé « Kabra » dans lequel l’irradiation laser conduit à l’amorphisation du plan de détachement. Dans une réalisation préférentielle, le plan de détachement est situé dans la couche support de pSiC 3 afin de pas endommager le substrat temporaire de mSiC. Dans ces modes de réalisation, afin de ne pas venir impacter négativement le processus de retrait du substrat temporaire de mSiC, ce substrat est de préférence choisi en un matériau ne présentant pas un dopage trop important et ainsi avec une résistivité supérieure à 5 mΩ.cm. Ainsi une résistivité comprise entre 15 et 25 mΩ.cm, voire entre 10 2 et 10 3 Ω.cm, voire même entre 10 4 et 10 5 Ω.cm peut être privilégiée. Procédé comprenant les étapes suivantes : fabrication d’une structure temporaire comprenant la formation d’une couche support de carbure de silicium, SiC, polycristallin (3) sur un substrat temporaire de SiC monocristallin (1), la structure temporaire présentant une face avant (FF) du côté de la couche support de SiC polycristallin et une face arrière (BF) du côté du substrat temporaire de SiC monocristallin ; report d’une couche mince de SiC monocristallin (4) sur la face avant (FF) de la structure temporaire ; retrait du substrat temporaire de SiC monocristallin (1) de la structure temporaire de manière à obtenir une structure composite comprenant la couche mince de SiC monocristallin (4) disposée sur la couche support de SiC polycristallin (3). Procédé selon la revendication 1, dans lequel le substrat temporaire de SiC monocristallin est recouvert d’une couche intermédiaire (2) sur laquelle la couche support de SiC polycristallin est formée lors de la fabrication de la structure temporaire. Procédé selon la revendication 2, dans lequel le retrait du substrat temporaire de SiC monocristallin (1) de la structure temporaire comprend un détachement laser au niveau de la couche intermédiaire (2). Procédé selon la revendication 1, dans lequel le retrait du substrat temporaire de SiC monocristallin (1) de la structure temporaire comprend la formation d’un plan de détachement dans le substrat temporaire par irradiation laser. Procédé selon la revendication 4, dans lequel le retrait du substrat temporaire de SiC monocristallin de la structure temporaire comprend en outre l’application de contraintes thermomécaniques au plan de détachement. Procédé selon l’une des revendications 4 et 5, dans lequel le plan de détachement est situé dans la couche support de SiC polycristallin (3). Procédé selon l’une des revendications 4 à 6, dans lequel le substrat temporaire de SiC monocristallin (1) présente une résistivité supérieure à 5 mΩ.cm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 7, comprenant, avant le retrait du substrat temporaire de SiC monocristallin (1) de la structure temporaire, le collage d’un substrat poignée sur la couche mince de SiC monocristallin (4) et, après le retrait du substrat temporaire de SiC monocristallin (1) de la structure temporaire, le retrait du substrat poignée. Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, comprenant en outre, après le retrait du substrat temporaire de SiC monocristallin (1) de la structure temporaire, un amincissement de la couche support de SiC polycristallin (3). Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, comprenant en outre, après le retrait du substrat temporaire de SiC monocristallin (1) de la structure temporaire, une métallisation d’une face arrière de la couche support de SiC polycristallin (3). Procédé selon l’une des revendications 1 à 10, comprenant en outre la fabrication d’éléments de composants électroniques sur la couche mince de SiC monocristallin (4). Procédé selon la revendication 11, dans lequel la fabrication des éléments de composants électroniques comprend une épitaxie d’une couche de migration sur la couche mince de SiC monocristallin (4). Procédé selon l’une des revendications 1 à 12, dans lequel la formation de la couche support de SiC polycristallin (3) sur le substrat temporaire de SiC monocristallin (1) comprend un dépôt chimique en phase vapeur, un dépôt physique en phase vapeur, un dépôt par croissance épitaxiale ou un frittage. Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, dans lequel la couche support de SiC polycristallin (3) formée sur le substrat temporaire de SiC monocristallin (1) présente une épaisseur comprise entre 50 µm et 200 µm, de préférence comprise entre 80 µm et 180 µm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, dans lequel la couche support de SiC polycristallin (3) formée sur le substrat temporaire de SiC monocristallin (1) présente une épaisseur comprise dans une gamme d’épaisseur cible incluant pour valeur centrale une épaisseur de 350 µm ou une épaisseur de 500 µm lorsque la couche support de SiC polycristallin présente respectivement un diamètre de 150 mm ou un diamètre de 200 mm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 15, dans lequel le report de la couche mince de SiC monocristallin (4) sur la face avant de la structure temporaire comprend le collage sur la face avant de la structure temporaire d’un substrat donneur de SiC monocristallin préalablement soumis à une implantation d’espèces ioniques pour y former un plan de fragilisation et l’apport d’énergie thermique et/ou mécanique pour séparer le substrat donneur de SiC monocristallin préalablement soumis à une implantation d’espèces ioniques au niveau du plan de fragilisation.