Brevet FR3154229A1 — publié le 20250418

Titre : Procédé de croissance d’un matériau III-N L’invention concerne un procédé de croissance d’un matériau III-N. Une première étape consiste à fournir une couche d’amorce (100) à base d’un premier matériau III-N. Un couche tampon (200) est ensuite crue par épitaxie à partir de la couche d’amorce, puis une couche de germination (300) est cru par épitaxie à partir de la couche tampon. La couche de germination est ensuite collée sur un substrat receveur (2000). Après l’étape de collage, la couche tampon est soumise à un rayonnement laser présentant une longueur d’onde principale appartenant à une gamme d’émission dans laquelle la couche d’amorce est configurée pour transmettre une partie du rayonnement laser, le rayonnement laser étant configuré pour altérer la couche tampon pour désolidariser la couche d’amorce et la couche de germination. Une couche d’intérêt (400) est ensuite crue par épitaxie à partir de la couche de germination. Figure pour l’abrégé : Fig. 1F Procédé de croissance d’un matériau III-N La présente invention concerne la croissance de matériaux III-N, tels que le GaN. Elle permet avantageusement la croissance de matériaux III-N pour réaliser des dispositifs micro-électroniques dits verticaux. Elle trouve par exemple pour applications particulièrement avantageuses le domaine de l’électronique de puissance et le domaine du micro-affichage. ETAT DE LA TECHNIQUE Les composants électroniques de puissance à base d’un matériau III-N sont souvent réalisés par épitaxie de ce matériau, notamment en épitaxie organométallique en phase vapeur, à partir de substrats cristallins. Les substrats les plus utilisés sont les substrats GaN et les substrats silicium. Les substrats GaN sont les mieux adaptés à l’épitaxie de GaN. La réalisation de couches de GaN par homoépitaxie permet d’obtenir de très faibles densités de dislocations. Il n’y a pas de problème de désaccord de maille ou de coefficient d’expansion thermique, les couches épitaxiées sont donc de qualité cristalline proche de celle du substrat et sont peu contraintes. Le document Hu, J. et al. Materials and processing issues in vertical GaN power electronics, Materials Science in Semiconductor Processing 78, 75–84 (2018) présente les avantages de ce type de substrats. En revanche, les substrats GaN sont de petites dimensions et très coûteux. Les dispositifs réalisés sur ces substrats sont donc généralement performants mais très coûteux, ce qui est un frein très important à l’utilisation de ces substrats à grande échelle. A l’inverse, les substrats de silicium sont disponibles à bas coût et en grandes dimensions, ce qui le rend très courants en microélectronique. Il est possible de réaliser la croissance hétéroépitaxiale de GaN sur des substrats silicium car la maille du silicium orienté (111) est compatible avec la maille cristalline du GaN orienté (001). Cependant, il existe un désaccord de maille de -17% entre le GaN et le silicium. Les couches de GaN réalisées par épitaxie de GaN sur silicium présentent donc des densités importantes de défauts cristallins tels que des dislocations. De plus, le coefficient d’expansion thermique (CTE) à température ambiante du Si est de 2,59.10 -6 tandis que celui du GaN est de 5,59 .10 -6 . L’épitaxie de GaN étant réalisée à haute température (de l’ordre de 1000°C), de fortes contraintes sont générées lors de la redescente en température qui a lieu après l’épitaxie de GaN. Pour les épaisseurs visées pour les composants de puissance verticaux à base de GaN, de l’ordre de plusieurs micromètres voire dizaines de micromètres, les contraintes sont telles que la couche de GaN peut craquer lors de la redescente en température. Il peut être envisagé de structurer les couches obtenues et notamment de facetter leur surface (voir notamment Tanaka, A., Choi, W., Chen, R. & Dayeh, S. A. Si Complies with GaN to Overcome Thermal Mismatches for the Heteroepitaxy of Thick GaN on Si. Advanced Materials 29, 1702557 (2017)) afin de limiter la quantité de défauts structurels, mais cela est difficile à mettre en œuvre et très couteux. Par ailleurs, il est courant de faire croître une couche de GaN à partir d’un substrat saphir, puis de la détacher de ce substrat à l’aide d’une étape de lift-off laser (voir notamment Wong, W. S., Sands, T. & Cheung, N. W. Damage-free separation of GaN thin films from sapphire substrates. Appl. Phys. Lett. 72, 599–601 (1998)). Cependant, le laser étant absorbé par le GaN, une partie de la couche GaN est volatilisée par le rayonnement et l’endommage, ce qui n’est pas satisfaisant dans une optique d’amélioration de la qualité des dispositifs. Par ailleurs, il existe, comme entre le GaN et le silicium, un désaccord de maille et un désaccord de CTE entre le GaN et le saphir. La couche crue présente donc des densités de défauts importants. Il également à noter que les substrats saphir sont plus coûteux. En outre, il a été investigué d’utiliser une technique de découpage ionique pour séparer une couche de GaN de son substrat monocristallin. Cependant ce procédé a pour inconvénient d’endommager la couche de GaN lors de son implantation ionique. La couche de GaN présente une forte rugosité après le recuit utilisé pour le détachement de la couche de GaN, ce qui n’est pas satisfaisant. Par ailleurs, l’étape de détachement suivant l’étape d’implantation ionique nécessite un recuit à haute température, ce qui limite les substrats sur lesquels le transfert peut être réalisé. Par exemple, avec cette technique il est impossible de transférer une couche de GaN sur un dispositif CMOS (de l’anglais « Complementary Metal Oxide Semiconductor », en français « semiconducteur d'oxyde de métal complémentaire »). La présente invention vise donc à proposer une solution permettant de limiter, voire de supprimer certains au moins des inconvénients des solutions connues. Un autre objet de la présente invention vise à proposer une solution pour faire croitre un matériau III-N, de préférence de façon moins coûteuse qu’une homoépitaxie, et de préférence d’une façon permettant d’obtenir une quantité de défauts structurels inférieure aux méthodes d’hétéroépitaxie existantes. RESUME Pour atteindre cet objectif, selon un mode de réalisation on prévoit un procédé de croissance d’un matériau III-N, tel que le GaN, comprenant les étapes suivantes : Fournir une couche d’amorce à base d’un premier matériau III-N, la couche d’amorce présentant une face supérieure s’étendant principalement dans un plan horizontal défini par une première direction et une deuxième direction, Faire croître par épitaxie d’un matériau tampon une couche tampon à partir de la face supérieure de la couche d’amorce, la couche tampon présentant une face supérieure et une face inférieure opposées l’une à l’autre, la face inférieure de la couche tampon étant en regard, et de préférence au contact, de la face supérieure de la couche d’amorce, Faire croître par épitaxie une couche de germination, en un deuxième matériau III-N, de préférence identique au premier matériau III-N, à partir de la face supérieure de la couche tampon, la couche de germination présentant une face supérieure et une face inférieure opposées l’une à l’autre, la face inférieure de la couche de germination étant en regard, et de préférence au contact, de la face supérieure de la couche tampon, Coller la face supérieure de la couche de germination sur un substrat receveur, Soumettre la couche tampon à un rayonnement laser présentant une longueur d’onde principale λ laser , la couche d’amorce étant configurée pour transmettre une partie au moins du rayonnement laser, la couche d’amorce présentant de préférence une absorption inférieure ou égale à 10%, de préférence inférieure ou égale à 5%, de préférence inférieure ou égale à 2% pour la longueur d’onde principale λ laser , le rayonnement laser étant configuré pour altérer la couche tampon de sorte à désolidariser la couche d’amorce et la couche de germination, Faire croître par épitaxie d’un troisième matériau III-N, de préférence identique au deuxième matériau III-N, une couche d’intérêt à partir de la face inférieure de la couche de germination. Dans ce procédé, la séparation de la couche d’amorce et de la couche de germination est permise par l’altération de la couche tampon du fait de sa soumission au rayonnement laser. Le procédé implique peu de dommages collatéraux sur la couche d’amorce et la couche de germination, ce qui permet notamment de faire croître une couche d’intérêt présentant une faible densité de défauts structurels. Par ailleurs, une fois la couche de germination et la couche d’amorce désolidarisées par altération de la couche tampon, la couche d’amorce peut être réutilisée pour de nouvelles itérations du procédé. On peut donc opter pour une couche d’amorce d’excellente qualité car son coût sera amorti du fait de sa réutilisation. En faisant en sorte que la couche d’amorce soit transparente au rayonnement laser, on pourra s’assurer qu’elle ne soit pas altérée lors de l’étape de soumission de la couche tampon au rayonnement. Sa qualité sera ainsi préservée pour ses futures utilisations lors de nouvelles mises en œuvre du procédé. La solution proposée constitue ainsi une alternative aux procédés existants de croissance d’un matériau III-N présentant de nombreux avantages, notamment le fait que la couche d’intérêt obtenue présente une très bonne qualité cristalline sans pour autant que le procédé soit aussi onéreux qu’une homoépitaxie de ce même matériau III-N. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront mieux de la description détaillée d’un mode de réalisation de cette dernière qui est illustré par les dessins d’accompagnement suivants dans lesquels : FIG. 1 Les figures 1A à 1I illustrent un premier mode de réalisation du procédé selon l’invention, dans lequel la couche d’amorce forme une pluralité d’îlots disjoints. FIG. 1 FIG. 1 FIG. 1 FIG. 1 FIG. 1 FIG. 1 FIG. 1 FIG. 1 FIG. 2 Les figures 2A à 2D illustrent un deuxième mode de réalisation du procédé selon l’invention, dans lequel la couche d’amorce forme une unique couche continue. FIG. 2 FIG. 2 FIG. 2 FIG. 3 Les figures 3A à 3C illustrent des étapes d’un troisième mode de réalisation du procédé selon l’invention, dans lequel une couche d’adhésion entoure la couche d’amorce, la couche tampon et la couche de germination. FIG. 3 FIG. 3 FIG. 4 Les figures 4A à 4G illustrent un mode de réalisation dans lequel des contacts électriques sont déposés sur la couche de germination et sur le substrat receveur avant le collage de ces deux éléments. FIG. 4 FIG. 4 FIG. 4 FIG. 4 FIG. 4 FIG. 4 FIG. 5 Les figures 5A à 5E illustrent un mode de réalisation dans lequel le substrat receveur est retiré et la couche d’intérêt est reportée sur un substrat receveur secondaire. FIG. 5 FIG. 5 FIG. 5 FIG. 5 FIG. 6 Les figures 6A à 6G illustrent un mode de réalisation dans lequel le substrat receveur est conducteur électrique. FIG. 6 FIG. 6 FIG. 6 FIG. 6 FIG. 6 FIG. 6 Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l’invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l’invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier les dimensions, notamment les épaisseurs, ne sont pas représentatives de la réalité. DESCRIPTION DÉTAILLÉE Avant d’entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l’invention, sont énoncées ci-après des caractéristiques optionnelles qui peuvent éventuellement être utilisées en association ou alternativement : Selon un exemple avantageux, dans le plan horizontal, le premier matériau III-N présente une première longueur de maille a III-N,1 et le matériau tampon présente une longueur de maille tampon a tampon , avec │(a III-N,1 - a tampon )│/ a III-N,1 ≤ 0,02. Cette condition permet de limiter de désaccord de maille entre le premier matériau III-N et le matériau tampon. Cela permet d’améliorer la qualité de l’épitaxie du matériau tampon à partir du premier matériau III-N, de réduire la quantité de défauts dans la couche tampon et ainsi d’améliorer sa qualité cristalline. De cette façon, on améliore également la qualité cristalline de la couche de germination qui est crue par épitaxie à partir de la couche tampon, ainsi que la couche d’intérêt qui est crue par épitaxie à partir de la couche de germination. Dans le cas où le deuxième matériau III-N est distinct du premier matériau III-N, de préférence, dans le plan horizontal, le deuxième matériau III-N présente une deuxième longueur de maille a III-N,2 et le matériau tampon présente une longueur de maille tampon a tampon , avec │(a III-N,2 - a tampon )│/ a III-N,2 ≤ 0,02. Cette condition permet de limiter de désaccord de maille entre le matériau tampon et le deuxième matériau III-N. Cela limite voire évite la génération de défauts pendant la croissance. Cela permet d’améliorer la qualité de l’épitaxie du deuxième matériau III-N à partir du matériau tampon, de réduire la quantité de défauts dans la couche de germination et ainsi d’améliorer sa qualité cristalline par rapport à si cette précaution n’était pas prise. De cette façon, on améliore également la qualité cristalline de la couche d’intérêt qui est crue par épitaxie à partir de la couche de germination. Selon un exemple avantageux, dans le plan horizontal, la maille du premier matériau III-N présente un premier angle α III-N,1 et la maille du matériau tampon présente un angle α tampon , avec │α III-N,1 -α tampon │≤ 5°. De cette façon, on limite le désaccord de maille entre le premier matériau III-N et le matériau tampon. Là encore, cela permet de limiter la quantité de défauts dans la couche tampon, et par voie de conséquence dans la couche de germination et dans la couche d’intérêt. Dans le cas où le deuxième matériau III-N est distinct du premier matériau III-N, de préférence, dans le plan horizontal, la maille du deuxième matériau III-N présente un deuxième angle α III-N,2 et la maille du matériau tampon présente un angle α tampon , avec │α III-N,2 -α tampon │≤ 5°. De cette façon, on limite le désaccord de maille entre le matériau tampon et le deuxième matériau III-N. Là encore, cela permet de limiter la quantité de défauts dans la couche de germination, et par voie de conséquence dans la couche d’intérêt. Selon un mode de réalisation, la couche d’amorce forme un substrat support. Dans ce cas, elle ne repose pas sur un substrat support différent de la couche d’amorce. Selon un exemple avantageux, la couche tampon présente, selon une troisième direction perpendiculaire au plan horizontal, une épaisseur e 200 configurée de sorte que la couche tampon présente une densité de dislocation ρ inférieure à 10 10 cm -2 , de préférence inférieure à 10 8 cm -2 , de préférence inférieure à 10 7 cm -2 . Si la couche tampon est trop épaisse, elle se relaxe et des dislocations apparaissent. Limiter l’épaisseur de la couche tampon permet qu’elle soit cohérente au substrat et qu’elle présente une bonne qualité cristalline, ce qui aura également pour effet de garantir une bonne qualité cristalline de la couche d’intérêt. Il est à noter que la qualité cristalline de la couche tampon s’évalue au regard de celle du substrat. Ainsi, limiter l’épaisseur de la couche tampon permet plus exactement de limiter la quantité de défauts ajoutés par rapport aux défauts initialement présents dans le substrat et transmis à la couche tampon. De préférence, lorsque la couche d’amorce repose sur un substrat support, on note ρ substrat la densité de dislocation de ce substrat support, et l’épaisseur e 200 est configurée pour que la différence entre la densité de dislocation ρ de la couche tampon et la densité de dislocation ρ substrat du substrat support, ρ-ρ substrat , soit inférieure ou égale à 10 10 cm -2 , de préférence 10 9 cm -2 , de préférence 10 8 cm -2 . De préférence, lorsque la couche d’amorce est une unique couche continue et ne repose pas sur un substrat support, et qu’elle constitue ainsi un substrat, on note ρ substrat la densité de dislocation de la couche d’amorce, et l’épaisseur e 200 est configurée pour que la différence entre la densité de dislocation ρ de la couche tampon et la densité de dislocation ρ substrat de la couche d’amorce, ρ-ρ substrat , soit inférieure ou égale à 10 6 cm -2 . De manière générale, l’épaisseur e 200 est configurée pour que la densité de dislocation ρ de la couche tampon soit inférieure ou égale à 1,5 fois la densité de dislocation ρ substrat du substrat support. Pour un substrat GaN, ρ substrat est typiquement inférieure à 10 7 cm -2 , par exemple comprise entre 10 6 cm -2 et 10 7 cm -2 , voire de l’ordre de 10 4 cm -2 (par exemple si le substrat est formé par une méthode ammonothermale ou par une épitaxie oxyde en phase vapeur (couramment désignée OVPE, de l’anglais Oxide Vapor Phase Epitaxy)). Avantageusement, e 200 ≤100 nm, de préférence e 200 ≤20 nm. De préférence, e 200 ≥2 nm et avantageusement e 200 ≥5 nm. Cela permet de garantir une bonne absorption du rayonnement laser par la couche tampon. L’épaisseur minimale de la couche tampon permettant de garantir son altération dépend cependant du matériau tampon et pourra être établie au cas par cas. De préférence, le premier matériau III-N présente une température de fusion T fusion,III -N,1 , l’épitaxie du matériau tampon étant réalisée à une température de croissance T croissance,tampon , avec T croissance,tampon fusion,III- N,1 . Cela permet de garantir que la couche d’amorce n’est pas altérée lors de l’épitaxie du matériau tampon. De façon générale, la croissance est réalisée dans des conditions permettant de limiter voire empêcher la dégradation de la couche d’amorce. Préserver une couche d’amorce de bonne qualité tout au long du procédé permet entre autres de pouvoir la réutiliser lors de nouvelles mises en œuvre du procédé. De préférence, le matériau tampon présente une température de fusion T fusion,tampon , l’épitaxie du deuxième matériau III-N étant réalisée à une température de croissance T croissance,III-N,2 , avec T croissance,III-N,2 fusion,tampon . Cela permet de garantir que la couche tampon n’est pas altérée lors de l’épitaxie du deuxième matériau III-N. Selon un exemple avantageux, selon une troisième direction perpendiculaire au plan horizontal, la couche d’amorce présente une épaisseur e 100 et la couche d’intérêt présente une épaisseur e 400 , avec e 400 ≥2*e 100 , de préférence e 400 ≥3*e 100 , de préférence e 400 ≥5*e 100 . Cela est notamment recherché lorsque la couche d’amorce est une couche reposant sur un substrat support. Selon un exemple avantageux, selon une troisième direction perpendiculaire au plan horizontal, la couche tampon présente une épaisseur e 200 et la couche d’intérêt présente une épaisseur e 400 , avec e 400 ≥2*e 200 , de préférence e 400 ≥3*e 200 , de préférence e 400 ≥5*e 200 . Selon un mode de réalisation préféré, le rayonnement laser est configuré pour passer au travers de la couche d’amorce avant d’altérer la couche tampon. Selon un exemple avantageux, après la désolidarisation de la couche d’amorce et de la couche de germination, une partie au moins de la couche tampon reste sur la couche de germination, et le procédé comprend en outre, après l’étape de soumission de la couche tampon au rayonnement laser et avant l’étape de croissance de la couche d’intérêt, une étape de retrait de ladite partie au moins de la couche tampon. Selon un mode de réalisation, la couche d’amorce forme une unique couche continue. Selon un mode de réalisation, la couche d’amorce forme des substrats de germination disjoints. Selon un exemple préféré, chacun des substrats de germination disjoints présente, dans le plan horizontal, une dimension maximale inférieure à 150 mm, typiquement inférieure à 100 mm. Dans le cas typique de substrats de germination présentant, en projection dans le plan horizontal, une forme circulaire, leur dimension maximale correspond à leur diamètre. Selon un mode de réalisation, au cours de l’étape de fourniture de la couche d’amorce, les substrats de germination sont reportés sur le substrat support. Selon un exemple avantageux, le procédé comprend en outre, après l’étape d’épitaxie du deuxième matériau III-N et avant l’étape de collage de la face supérieure de la couche de germination sur le substrat receveur, la formation d’une couche d’adhésion sur la face supérieure de la couche de germination. Dans ce cas, le collage de la couche de germination au substrat receveur se fait par l’intermédiaire de la couche d’adhésion. La présence de la couche d’adhésion permet d’assurer la qualité du collage. La formation de cette couche d’adhésion comprend typiquement une étape de planarisation de cette même couche. Ainsi, on garantit que le collage au substrat receveur se fait au niveau d’une couche plane, ce qui améliore la qualité du collage. Selon un exemple, la couche d’adhésion peut par exemple être à base de SiO2, SiN, Si, ou tout autre matériau identifié par l’homme du métier en fonction de l’application visée. De façon générale, il peut s’agir entre autres d’un métal, d’une diélectrique, d’un semiconducteur ou encore d’un polymère. Si l’on souhaite réaliser une nouvelle épitaxie à partir de l’empilement obtenu au procédé selon l’invention, on choisira typiquement un diélectrique pour sa bonne tenue en température. Un matériau polymère peut lui servir à réaliser un collage adhésif. Lorsque la couche d’amorce forme une pluralité de substrats de germination à partir desquels sont crus des îlots de la couche tampon et des îlots de la couche de germination, on prévoit avantageusement que, en projection dans le plan horizontal, la couche d’adhésion d’étende autour de chacun des substrats de germination, de chacun des îlots de la couche tampon et de chacun des îlots de la couche de germination, de préférence en étant au contact des flancs substrats de germination, des flancs des îlots de la couche tampon et des flancs des îlots de la couche de germination. Cela permet d’assurer un bon maintien mécanique de l’ensemble. Selon un exemple, le matériau III-N est à base d’au moins l’un parmi le GaN, l’AlN, l’InN et toute combinaison de ces matériaux. Selon un exemple, le matériau tampon est l’un parmi les matériaux suivants : HfN, ZrN, NbN, TiN. De façon générale, le matériau tampon peut être un matériau nitrure. Dans le contexte d’une croissance de GaN, le HfN est un matériau particulièrement avantageux car il présente un désaccord de mail de seulement 0,2% avec le GaN. En outre, il peut être déposé sur une épaisseur allant jusqu’à 100 nm sans qu’il se relaxe et donc sans présenter un taux de dislocations préjudiciable. Par ailleurs, une couche d’environ 100 nm de HfN présente un taux d’absorption de 99% dans l’infra-rouge, ce qui très largement suffisant pour assurer une bonne altération de la couche tampon lors de sa soumission au rayonnement laser. Typiquement, si le matériau tampon est du HfN, on prévoit une épaisseur e 200 de la couche tampon sensiblement comprise entre 5 et 20 mm. Le ZrN est un autre nitrure dont les propriétés lui permettent d’être un bon matériau tampon dans le contexte de l’invention. Il présente en effet un désaccord de maille très faible (1,3%) avec le GaN, peut être déposé jusqu’à une épaisseur critique de 10 nm et présente, pour cette épaisseur critique, un taux d’absorption de 45% dans l’infra-rouge. Il est à noter qu’en ce qui concerne la condition de dégradation de la couche tampon pour permettre la désolidarisation de la couche d’amorce et de la couche de germination, un matériau présentant un taux d’absorption aussi faible que 10% voire 2% peut parfaitement convenir pour la couche tampon. Une dégradation suffisante peut tout à fait être obtenue pour ces valeurs d’absorption. Selon un exemple avantageux, le procédé comprend en outre la formation de contacts électriques sur la face supérieure de la couche de germination et de contacts électriques secondaires sur la face supérieure de la couche d’intérêt. Selon un exemple avantageux, le substrat receveur est conducteur électrique. Selon un mode de réalisation, le substrat receveur comprend au moins un circuit électronique intégré. Selon un exemple avantageux, le matériau tampon est choisi de sorte à ce que la couche tampon induise une polarité au sein de la couche de germination. Il est précisé que, dans le cadre de la présente invention, les termes « sur », « surmonte », « recouvre », « sous-jacent », en « vis-à-vis » et leurs équivalents ne signifient pas forcément « au contact de ». Ainsi par exemple, le dépôt, le report, le collage, l’assemblage ou l’application d’une première couche sur une deuxième couche, ne signifie pas obligatoirement que les deux couches sont directement au contact l’une de l’autre, mais signifie que la première couche recouvre au moins partiellement la deuxième couche en étant, soit directement à son contact, soit en étant séparée d’elle par au moins une autre couche ou au moins un autre élément. Une couche peut par ailleurs être composée de plusieurs sous-couches d’un même matériau ou de matériaux différents. On entend par un substrat, une couche, un dispositif, « à base » d’un matériau M, un substrat, une couche, un dispositif comprenant ce matériau M uniquement ou ce matériau M et éventuellement d’autres matériaux, par exemple des éléments d’alliage, des impuretés ou des éléments dopants. Ainsi un matériau à base d’un matériau III-N peut comprendre un matériau III-N additionné de dopants. Un repère, de préférence orthonormé, comprenant les axes X, Y, Z est représenté en figures 1A, 2A, 3A, 4A et 5A. Ce repère est applicable par extension aux autres figures. Dans la présente demande de brevet, on parlera préférentiellement d’épaisseur pour une couche et de hauteur pour une structure ou un dispositif. La hauteur est prise perpendiculairement au plan horizontal XY. L’épaisseur est prise selon une direction normale au plan d’extension principal de la couche. Ainsi, une couche présente typiquement une épaisseur selon Z, lorsqu’elle s’étend principalement le long du plan horizontal XY, et un élément en saillie, par exemple une tranchée d’isolation, présente une hauteur selon Z. Les termes relatifs « sur », « sous », « sous-jacent » se réfèrent préférentiellement à des positions prises selon la direction Z. Les termes « sensiblement », « environ », « de l'ordre de » signifient « à 10% près, de préférence à 5% près ». Un premier mode de réalisation du procédé selon l’invention va être décrit en référence aux figures 1A à 1I. La FIG. 1 illustre la fourniture d’un substrat support 1000 pouvant être utilisé dans le procédé selon l’invention. Ce substrat support 1000 peut par exemple être un substrat SiC, un substrat saphir, un substrat silicium, un substrat GaN monocristallin ou tout autre substrat à base d’un matériau III-N. Il présente une face supérieure 1001 s’étendant principalement dans un plan horizontal XY défini par une première direction X et une deuxième direction Y. La FIG. 1 représente la formation d’une couche d’amorce 100 sur la face supérieure 1001 du substrat support 1000. La couche d’amorce 100 est à base d’un premier matériau III-N tel que le GaN. La couche d’amorce est cristalline. La couche d’amorce 100 peut être discontinue, comme illustré sur la FIG. 1 , ou bien continue, comme il sera présenté dans le cadre du deuxième mode de réalisation illustré en figures 2A à 2D. Dans l’hypothèse d’une couche d’amorce 100 discontinue, cette dernière peut par exemple être constituée d’une pluralité de substrats de germination 100a, 100b, 100c disjoints. Ces substrats de germination disjoints 100a, 100b, 100c pourront également être désignés îlots disjoints 100a, 100b, 100c de la couche d’amorce 100. Cet ensemble de substrats de germination disjoints 100a, 100b, 100c peut être qualifié de pavage. Par exemple, selon un mode de réalisation avantageux, l’ensemble illustré à la FIG. 1 est obtenu par collage sur le substrat support 1000 d’une pluralité de substrats de dimensions inférieures à celles du substrat support 1000. Il s’agit typiquement de substrats à base de GaN monocristallin, dont le diamètre est actuellement le plus souvent compris entre 50 mm et 150 mm, collés sur un substrat support 1000 dont les dimensions permettent d’en porter une pluralité. Un tel substrat support 1000 peut par exemple être un substrat silicium d’un diamètre de 200 ou 300 mm. La couche d’amorce 100 présente une face inférieure 102 en regard de, et de préférence au contact de, la face supérieure 1001 du substrat support 1000, et une face supérieure 101 opposée à sa face inférieure 102. Comme illustré à la FIG. 1 , une couche tampon 200 est crue à partir de la face supérieure 101 de la couche d’amorce 100. La couche tampon 200 est à base d’un matériau dit matériau tampon dont les propriétés structurelles doivent permettre son épitaxie à partir de la couche d’amorce 100. On prévoit notamment que les paramètres cristallins du matériau tampon et du premier matériau III-N soient proches. La couche tampon 200 peut être crue par différentes techniques, notamment par dépôt physique en phase vapeur (PVD, «Physical Vapor Deposition » ) tel qu’un dépôt par ablation laser pulsée (couramment désigné par l’acronyme anglais PLD, « Pulsed Laser Deposition »), un dépôt par pulvérisation cathodique (réactive ou non) ou une épitaxie par jets moléculaires (MBE, « Molecular beam epitaxy ») ou encore par dépôt chimique en phase vapeur (CVD, « Chemical Vapor Deposition ») telle qu’une épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD, « Metal Organic Chemical Vapor Deposition »). La couche tampon 200 présente une face inférieure 202 en regard de, et de préférence au contact de, la face supérieure 101 de la couche d’amorce 100, et une face supérieure 201 opposée à sa face inférieure 202. Dans le cas d’une couche d’amorce 100 constituée de substrats de germination 100a, 100b, 100c disjoints, la couche tampon 200 est constituée d’îlots 200a, 200b, 200c eux aussi disjoints. Afin de ne pas altérer la couche d’amorce 100, l’épitaxie de la couche tampon 200 est réalisée à une température T croissance ,tampon inférieure à la température de fusion T fusion ,III-N ,1 du premier matériau III-N. On garantit ainsi la stabilité du premier matériau III-N lors de la croissance de la couche tampon 200. Par ailleurs, l’épaisseur e 200 de la couche tampon 200 dans la direction verticale Z est avantageusement choisie de sorte à éviter l’apparition de défauts structurels au sein de la couche tampon 200 qui pourraient ensuite se propager dans la couche de germination et la couche d’intérêt qui seront décrites plus avant. Pour ce faire, il est possible d’établir, pour tout matériau choisi pour faire office de matériau tampon, une épaisseur critique e critique à partir de laquelle la densité de dislocation ρ au sein de la couche tampon 200 est supérieure à un seuil ρ limite donné lorsque la couche tampon 200 est crue à partir de la couche d’amorce. Typiquement, ρ limite ≤ 10 10 cm -2 . On pourra par exemple fixer ρ limite = 10 8 cm -2 , de préférence ρ limite = 10 7 cm -2 . Pour garantir une densité de dislocation inférieure à ρ limite , on fixera donc une épaisseur e 200 inférieure à e critique pour la couche tampon 200. Ces précautions permettent de garantir une excellente qualité cristalline de la couche d’intérêt 400. Par exemple, si la différence de paramètre de maille entre le substrat et la couche tampon est de l’ordre de 1%, e critique est de l’ordre de 10 nm, si en revanche elle est de l’ordre de 0,1%, e critique est de l’ordre de 100 nm. La FIG. 1 illustre ensuite la croissance par épitaxie d’une couche de germination 300 à partir de la face supérieure 201 de la couche tampon 200. Avantageusement, pour supporter les conditions imposées par les techniques de croissance de la couche de germination 300, la couche tampon 200 est réfractaire et inerte. Notamment, elle présente préférentiellement une température de fusion supérieure à 2000°C. Elle présente de préférence une composition chimique stable à l’air. Ainsi, on choisira de préférence pour la couche tampon un matériau stable sous l’atmosphère de travail et à la température de travail (typiquement autour de 1000°C). Le matériau constituant la couche tampon peut être minoritairement modifié lors du procédé, c’est-à-dire que sa stœchiométrie peut évoluer. Il ne doit cependant pas se décomposer durant l’épitaxie de la couche de germination. La couche de germination 300 est à base d’un deuxième matériau III-N étant de préférence identique au premier matériau III-N. La couche de germination 300 est par ailleurs cristalline. Le premier matériau III-N de la couche d’amorce 100 cristalline est choisi, notamment en termes de paramètres de maille, pour que la couche de germination 300 soit également cristalline, sans qu’il y ait besoin que les matériaux de la couche d’amorce et de la couche de germination soient identiques. Si le premier matériau III-N et le deuxième matériau III-N sont identiques, les précautions prises en ce qui concerne la faisabilité d’une épitaxie de la couche tampon 200 à partir de la couche d’amorce 100 (similarité des paramètres cristallins) garantissent la faisabilité d’une épitaxie de la couche de germination 300 à partir de la couche tampon 200. Si le premier matériau III-N et le deuxième matériau III-N sont distincts, on pourra prendre des précautions similaires sur la similarité des paramètres cristallins du matériau tampon et du deuxième matériau III-N. La couche de germination 300 présente une face inférieure 302 en regard de, et de préférence au contact de, la face supérieure 201 de la couche tampon 200, et une face supérieure 301 opposée à sa face inférieure 302. Dans le cas où la couche d’amorce 100 et la couche tampon 200 sont constitués d’îlots disjoints 100a, 100b, 100c, 200a, 200b, 200c, la couche de germination 300 est elle aussi constituée d’îlots 300a, 300b, 300c disjoints. Comme illustré à la FIG. 1 , la couche de germination 300 est ensuite collée au niveau de sa face supérieure 301 sur la face supérieure 2001 d’un substrat receveur 2000. On peut avoir préalablement retourné l’ensemble constitué du substrat support 1000, de la couche d’amorce 100, de la couche tampon 200 et de la couche de germination 300 afin de procéder à ce collage. Il n’est cependant pas exclu de coller le substrat receveur 2000 à la couche de germination 300 puis seulement de retourner l’ensemble. La notion de collage couvre ici tous les types de reports avec adhésion. Ce terme n’est pas limité à l’utilisation de colle ou d’une couche d’adhésion. Il peut par exemple s’agir d’un collage direct, habituellement qualifié de « direct bonding » en anglais, ou encore d’un collage à surface activée, désigné « surface activated bonding » (SAB) en anglais. La couche tampon 200 est ensuite soumise à un rayonnement laser ( FIG. 1 ). Cette étape peut être qualifiée d’étape de « laser lift-off », expression pouvant être traduite en français par « décollement au laser ». L’exposition de la couche tampon 200 à ce rayonnement laser a pour but de l’altérer afin de provoquer la désolidarisation de la couche d’amorce 100 et de la couche de germination 300. Plus précisément, l’énergie du rayonnement laser est absorbée par la couche tampon 200, ce qui a pour effet de la chauffer. Sous l’effet de cet échauffement, la couche tampon 200 se décompose au moins partiellement sous formes liquide et gazeuse. La partie gazeuse se dissipe tandis qu’au moins une partie de la partie liquide peut rester au contact de la face supérieure 101 de la couche d’amorce 100 et/ou de la face inférieure 302 de la couche de germination 300. De potentiels résidus, notamment liquides, de la couche tampon 200, peuvent être nettoyés lors d’une étape subséquente non représentée sur les figures. Par exemple ce nettoyage pourra comprendre au moins l’un parmi : un nettoyage chimique tel qu’un trempage en solution de nettoyage ou un nettoyage chimique par spray, un polissage, typiquement un polissage mécano-chimique (CMP), une gravure sèche. Cela permet de retirer entièrement les résidus de couche tampon 200 à la surface des couches d’amorce 100 et de germination 300, sans pour autant altérer la surface ou la structure de ces dernières. Il est également envisageable de retirer une très fine portion de la couche de germination 300 depuis sa face inférieure 302, par exemple quelques dizaines de nanomètres. Cette portion peut en effet avoir été endommagée par les étapes précédentes ; la retirer permet de garantir une bonne qualité de la couche de germination 300. Le rayonnement laser présente une longueur d’onde principale λ laser . Dans la pratique, le rayonnement laser ne correspond pas à une unique longueur d’onde mais s’étale sur une gamme d’émission d’émission Δ λ . Typiquement, la gamme d’émission Δ λ est comprise entre 0,8 * λ laser et 1,2 * λ laser . De préférence Δ λ est comprise entre 0,9 * λ laser et 1,1 * λ laser . λ laser est défini par l’équipement qui génère le rayonnement laser. Pour un même équipement, λ laser peut prendre plusieurs valeurs. L’utilisateur sélectionne l’une de ces valeurs. Typiquement, la longueur d’onde principale λ laser se trouve dans l’infra-rouge (d’environ 780 nm à environ 1 mm) et/ou le domaine visible (d’environ 380 nm à environ 780 nm). Afin de garantir la désolidarisation de la couche d’amorce 100 et de la couche de germination 300, comme expliqué précédemment, la couche tampon 200 doit absorber le rayonnement laser. La gamme d’émission Δ λ peut donc être définie notamment par le fait que la couche tampon 200 y présente une absorption supérieure ou égale à 5%, de préférence supérieure ou égale à 20%. Comme illustré à la FIG. 1 , le rayonnement laser traverse typiquement la couche d’amorce 100 avant d’atteindre la couche tampon 200. Afin de limiter la dégradation de la couche d’amorce 100, on choisit de préférence une gamme d’émission Δ λ dans laquelle la couche d’amorce 100 présente une absorption inférieure ou égale à 50%, de préférence inférieure ou égale à 20%, de préférence inférieure ou égale à 5%. De cette manière, la qualité de la couche d’amorce 100 est peu impactée voire n’est pas impactée par le passage du rayonnement laser, et elle peut être réutilisée pour une nouvelle mise en œuvre du procédé selon l’invention. Le rayonnement laser traverse également le plus souvent un substrat support 1000 tel que décrit précédemment. On choisira alors également de préférence une gamme d’émission Δ λ dans laquelle le substrat support 1000 présente une absorption inférieure ou égale à 90%, de préférence inférieure ou égale à 50%. Comme illustré à la FIG. 1 , on obtient, après soumission de la couche tampon 200 au rayonnement laser, d’un côté un empilement comprenant le substrat support 1000 et la couche d’amorce 100, et de l’autre un empilement comprenant le substrat receveur 2000 et la couche de germination 300. La FIG. 1 illustre une étape de croissance par épitaxie à partir de la face inférieure 302 de la couche de germination 300 d’une couche d’intérêt 400. Cette couche d’intérêt 400 présente typiquement une dimension selon la direction verticale supérieure à ses dimensions en projection dans le plan horizontal XY afin d’être utilisée dans des dispositifs dits verticaux, par exemple pour des composants de puissance. Dans l’exemple illustré à la FIG. 1 , chaque îlot 300a, 300b, 300c de la couche de germination 300 sert de base à l’épitaxie d’un îlot 400a, 400b, 400c de la couche d’intérêt 400, les îlots 400a, 400b, 400c de la couche d’intérêt 400 étant disjoints. La FIG. 1 illustre une variante de cette même étape de croissance de la couche d’intérêt 400. Dans ce mode de réalisation, les îlots 400a, 400b, 400c de la couche d’intérêt 400 crus à partir des îlots 300a, 300b, 300c de la couche de germination sont coalescés de façon à ce que la couche d’intérêt 400 forme une unique couche continue. Il est à noter que le procédé peut comprendre, en fonction des applications visées, une ou plusieurs étapes de dopage de la couche de germination 300 et/ou de la couche d’intérêt 400. Le procédé peut également comprendre le dépôt d’une ou plusieurs couches, éventuellement dopées, sur la face supérieure 301 de la couche de germination 300 avant son report sur le substrat receveur 2000. Ces différentes étapes optionnelles peuvent notamment permettent la réalisation de dispositifs électroniques ou microélectroniques. Une jonction P/N peut notamment être formée en sein de la couche de germination 300 et de la couche d’intérêt 400. Le substrat receveur 2000 est avantageusement à base d’un matériau présentant un coefficient d’expansion thermique (CTE) proche de celui du deuxième matériau III-N et, si le troisième matériau III-N est distinct du deuxième matériau III-N, proche de celui du troisième matériau III-N. Avantageusement, la différence entre les CTE n’excède pas 20%. De cette façon, on limite l’apparition de fissures due aux différences de CTE notamment lors de la redescente en température de l’ensemble après l’épitaxie de la couche d’intérêt 400. Dans cette optique, et notamment lorsque le deuxième matériau III-N et/ou le troisième matériau III-N est du GaN, on choisit avantageusement un substrat receveur 2000 poly-AlN, poly-SiC ou encore silicium. Le substrat receveur 2000 peut par exemple être un substrat silicium intégrant un circuit intégré tel un circuit CMOS. Cela est notamment le cas lorsque la couche de germination 300 et/ou la couche d’intérêt 400 sont dopées au cours du procédé. Par ailleurs, on remarque que l’empilement comprenant le substrat support 1000 et la couche d’amorce 100 ( FIG. 1 ) est identique à celui présenté en FIG. 1 . Il peut être réutilisé pour une nouvelle mise en œuvre du procédé venant d’être décrit en référence aux figures 1B à 1F. Un même substrat donneur 1000 et une même couche d’amorce 100 peuvent être utilisés une dizaine de fois voire plus pour la croissance d’un matériau III-N. Ainsi, le présente procédé permet une rationalisation des coûts de fabrication et s’en trouve beaucoup moins onéreux que certaines techniques actuelles de croissance de matériaux III-N. Un deuxième mode de réalisation du procédé selon l’invention va maintenant être décrit en référence aux figures 2A à 2D. Il reprend en tout point les étapes du premier mode de réalisation mais s’en différentie en ce que la couche d’amorce 100 forme une unique couche continue, comme illustré à la FIG. 2 , et non des îlots disjoints. Dans ce mode de réalisation, la couche d’amorce 100 peut, comme cela est représenté sur les figures, reposer sur le substrat support 1000. Selon un autre exemple, la couche d’amorce 100 est un substrat à base du premier matériau III-N, typiquement un substrat GaN. Ainsi, la couche d’amorce 100 forme elle-même le substrat support. Dans ce cas, elle ne repose typiquement pas sur un substrat support 1000 distinct (cas non représenté). Dans ce mode de réalisation, la couche d’amorce 100 peut par exemple présenter un diamètre de 200 ou 300 mm. Comme illustré à la FIG. 2 , la croissance par épitaxie du matériau tampon puis du deuxième matériau III-N permet de former une couche tampon et une couche de germination formant chacune une unique couche continue. La FIG. 2 illustre l’étape de collage de la face supérieure 301 de la couche de germination 300 au substrat receveur 2000 et l’étape de soumission de la couche tampon 200 au rayonnement laser. Les caractéristiques de ces étapes présentées dans le cadre du premier mode de réalisation s’appliquent mutatis mutandis à ce deuxième mode de réalisation. Le choix d’une couche d’amorce 100 continue ou discontinue (et, par voie de conséquence, d’une couche tampon 200 et d’une couche de germination 300 continues ou discontinues) dépend des applications visées et notamment des dimensions des dispositifs dans lesquels la couche d’intérêt 400 sera utilisée. Selon un exemple illustré aux figures 3A à 3C, une couche d’adhésion 500 est déposée autour de la couche d’amorce 100, de la couche tampon 200 et de la couche de germination 300. Cet exemple est avantageusement mis en œuvre en combinaison avec le premier mode de réalisation car il permet un bon maintien mécanique entre les différents îlots. Comme illustré sur la FIG. 3 , la couche d’adhésion 500 est de préférence au contact de la face supérieure 1001 du substrat support 1000, du flanc 103A, 103B, 103C de chacun des îlots 100a, 100b, 100c de la couche d’amorce 100, du flanc 203a, 203b, 203c de chacun des îlots 200a, 200b, 200c de la couche tampon 200 et du flanc 303a, 303b, 303c de chacun des îlots 300a, 300b, 300c de la couche de germination 300. Elle peut également s’étendre au-dessus, et de préférence au contact, de la face supérieure 301 de la couche de germination 300. Dans ce dernier cas, c’est la face supérieure 501 de la couche d’adhésion 501 qui se trouve directement au contact de la face supérieure 2001 du substrat receveur 2000. L’étape d’exposition de la couche tampon 200 au rayonnement laser ( FIG. 3 ) est réalisée de la même façon que dans les précédents modes de réalisation. La désolidarisation de la couche d’amorce 100 et de la couche de germination 300 du fait de l’altération de la couche tampon 200 provoque un affaiblissement de la couche d’adhésion 500 de niveau avec la couche tampon 200 altérée. La couche d’adhésion 500 finit elle-même par être scindée en deux parties, l’une entourant la couche de germination 300 et l’autre entourant la couche d’amorce 100. Comme illustré à la FIG. 3 , on obtient, comme en FIG. 1 , un ensemble réutilisable pour d’autres itérations du procédé selon l’invention, et un ensemble permettant de faire croitre un troisième matériau III-N à partir de la couche de germination 300. Selon un exemple avantageux illustré aux figures 4A à 4C, avant le collage de la couche de germination 300 au substrat receveur 2000, des contacts électriques supérieurs 610 sont déposés sur la face supérieure 301 de la couche de germination 300 et/ou des contacts électriques inférieurs 620 sont déposés sur la face supérieure 2001 du substrat receveur 2000. Les figures 4A à 4C illustrent le cas où des contacts ont été déposés à la fois sur la face supérieure 301 de la couche de germination 300 et sur la face supérieure 2001 du substrat, et sont ensuite mis en contact lors du collage ( FIG. 4 ). L’ensemble formé par un contact électrique supérieur 610 et un contact électrique inférieur 620 sera ensuite désigné contact électrique 600. Il est cependant parfaitement envisageable que seuls des contacts électriques supérieurs 610 soient déposés et qu’ils soient mis en contact avec la face supérieure 2001 du substrat receveur 2000 lors de l’étape de collage, ou bien que seuls des contacts électriques inférieurs 620 soient déposés et qu’ils soient mis en contact avec la face supérieure 301 de la couche de germination 300 lors de l’étape de collage. La continuité électrique entre la couche de germination 300 et le substrat receveur 2000 sera assurée dans chacun de ces cas. Dans le cas où des contacts 620 sont déposés sur la face supérieure 2001 du substrat receveur 2000, on peut prévoir la présence d’une couche d’adhésion secondaire 550 permettant d’assurer un collage efficace des deux empilements représentés en FIG. 4 ainsi qu’un bon maintien mécanique de l’ensemble. Dans cet exemple, le collage de la couche de germination 300 au substrat receveur 200 se fait indirectement, plus exactement au niveau des contacts électriques et éventuellement de la face supérieure 501 de la couche d’adhésion 500. Il est également possible de prévoir la présence, entre le substrat receveur 2000 et les contacts électriques 610, 620, d’une couche 700 comprenant des contacts électriques structurés et configurés pour répondre aux besoins en alimentation électrique des dispositifs qui seront fabriqués à l’aide du procédé. Les figures 4D à 4G illustrent un exemple de successions d’étapes pouvant être réalisées à partir de l’ensemble comprenant la couche de germination obtenu en FIG. 4 . Comme dans les modes de réalisation précédemment décrits, une étape consiste à faire croître par épitaxie à partir de la face inférieure 302 de la couche de germination une couche d’intérêt 400. Des contacts électriques secondaires 650 peuvent ensuite être formés sur la face supérieure 401 de la couche d’intérêt 400. Une nouvelle couche d’adhésion peut être déposée sur la couche d’adhésion 500, autour de la couche d’intérêt 400 et des contacts électriques secondaires 650, afin de finir d’encapsuler l’ensemble. La couche de germination 300 et la couche d’intérêt 400 peuvent ensuite être découpées selon les formes souhaitées et le substrat receveur 2000 peut être retiré ( FIG. 4 ), formant ainsi une pluralité de dispositifs, chacun formé par un contact électrique 600, une portion de la couche de germination 300, une portion de la couche d’intérêt 400, et un contact électrique secondaire 650. Selon un autre mode de réalisation illustré aux figures 5A à 5E, après l’étape de croissance de la couche d’intérêt 400 ( FIG. 5 ), la couche d’intérêt 400 est reportée sur un substrat receveur secondaire 3000 et le substrat receveur 2000 est retiré (passage de la FIG. 5 à la FIG. 5 ). Plus précisément, selon ce mode de réalisation particulier, la couche de germination 300 a été collée directement au substrat receveur 2000 ( FIG. 5 ) avant l’altération de la couche tampon 200. Comme illustré à la FIG. 5 , de la même manière que dans les modes de réalisation précédents, la couche d’intérêt 400 est crue depuis la couche de germination 300. Des contacts électriques secondaires 650 sont ensuite formés sur la face supérieure 401 de la couche d’intérêt 400, et l’ensemble est ensuite reporté sur le substrat receveur secondaire 3000 au niveau des contacts électriques secondaires 650 ( FIG. 5 ). Le substrat receveur secondaire 3000 peut par exemple être un substrat silicium. De préférence, une couche d’adhésion supplémentaire est déposée sur la couche d’adhésion 500 afin d’entourer la couche d’intérêt 400 et les contacts électriques secondaires 650. Après le retrait du substrat receveur 2000, des contacts électriques 600 sont formés sur la face inférieure 302 de la couche de germination 300. La couche de germination 300 et la couche d’intérêt 400 peuvent ensuite être découpées selon les formes souhaitées et le substrat receveur secondaire 3000 peut être retiré ( FIG. 5 ), formant ainsi une pluralité de dispositifs, chacun formé par un contact électrique 600, une portion de la couche de germination 300, une portion de la couche d’intérêt 400, et un contact électrique secondaire 650. Selon un autre mode de réalisation, le substrat receveur 2000 est conducteur électrique. Il peut par exemple s’agir d’un substrat en poly-SiC, éventuellement dopé. Avantageusement, des contacts électriques 2010 ont été formés, typiquement par gravure, à partir de la face supérieure 2001 du substrat receveur 2000. Il est également envisageable de former des contacts électriques sur la face supérieure 2001 du substrat receveur 2000. Les figures 6B à 6F illustrent des étapes similaires à celles décrites en références aux figures 4B à 4F, l’unique différence résidant en ce que le substrat receveur 2000 est cette fois conducteur électrique. Par ailleurs, avantageusement, tel que cela est illustré à la FIG. 6 , le substrat receveur 2000 est découpé lui aussi lors de l’étape de découpe des dispositifs et n’est pas retiré. L’utilisation d’un substrat conducteur permet d’injecter plus facilement le courant dans le dispositif, ce qui est intéressant notamment dans le cas d’un dispositif vertical. Il est possible de conserver le substrat receveur 2000 dans le dispositif final, comme illustré en FIG. 6 , ce qui économise l’étape de son retrait. Il est à noter que la présence de la couche tampon 200 peut avoir pour effet d’entraîner une croissance de la couche de germination 300 sous polarité azote. Cet effet est par exemple obtenu lorsque le matériau tampon est le HfN ou le TiN. La polarisation de la couche de germination 300 lors de sa formation par épitaxie est un très grand avantage car elle lui confère une orientation de la polarisation permettant une nouvelle croissance sous polarité azote par épitaxie après un unique report. Plus précisément, la couche d’intérêt 400 peut être crue à partir de la face inférieure 302 de la couche de germination 300 et être elle-même polarisée métal. Dans la plupart des approches actuelles, il est nécessaire de réaliser un double report de la couche que l’on souhaite polariser afin d’orienter la polarisation dans le sens requis, or un tel double report a un coût élevé. Le procédé permet donc de réduire les coûts de production d’une couche III-N polarisée. A travers les différents modes de réalisation décrits ci-dessus, il apparaît clairement que l’invention propose une solution permettant d’obtenir des couches de matériaux III-N de bonne qualité tout en limitant les coûts de fabrication, répondant ainsi aux besoins actuels de l’industrie. Comme exprimé en introduction, un des principaux écueils de la croissance de GaN sur silicium réside en la différence de CTE très importante entre le GaN et le silicium. A cause de cette différence, l’épaisseur de GaN qu’on peut faire croitre sur silicium est limitée car plus les couches sont épaisses, plus les plaques deviennent fragiles. Il est donc difficile d’obtenir de couches, notamment des couches épaisses, de bonne qualité. En réalisant la croissance de la couche d’intérêt 400 sur un substrat receveur 2000 présentant un CTE adapté, comme un substrat poly-AlN, on peut obtenir des couches avec un faible taux de dislocations. En mettant en œuvre la présente invention, on peut transférer ces couches de bonne qualité sur une plaque silicium, et ensuite épitaxier les couches actives d’une diode électroluminescente (LED) par exemple (puits quantiques, pGaN), sans passer par l’épitaxie sur silicium de couches épaisses. Ces couches seront alors disponibles pour la fabrication de dispositifs de micro-affichage ou d’autres composants comprenant des LED. L’invention n’est pas limitée aux modes de réalisations précédemment décrits et s’étend à tous les modes de réalisation couverts par l’invention. Procédé de croissance d’un matériau III-N, tel que le GaN, comprenant les étapes suivantes : Fournir une couche d’amorce (100) à base d’un premier matériau III-N, la couche d’amorce (100) présentant une face supérieure (101) s’étendant principalement dans un plan horizontal (XY) défini par une première direction (X) et une deuxième direction (Y), Faire croître par épitaxie d’un matériau tampon une couche tampon (200) à partir de la face supérieure (101) de la couche d’amorce (100), la couche tampon (200) présentant une face supérieure (201) et une face inférieure (202) opposées l’une à l’autre, la face inférieure (202) de la couche tampon (200) étant en regard, et de préférence au contact, de la face supérieure (101) de la couche d’amorce (100), Faire croître par épitaxie une couche de germination (300), en un deuxième matériau III-N, de préférence identique au premier matériau III-N, à partir de la face supérieure (201) de la couche tampon (200), la couche de germination (300) présentant une face supérieure (301) et une face inférieure (302) opposées l’une à l’autre, la face inférieure (302) de la couche de germination (300) étant en regard, et de préférence au contact, de la face supérieure (201) de la couche tampon (200), Coller la face supérieure (301) de la couche de germination (300) sur un substrat receveur (2000), Soumettre la couche tampon (200) à un rayonnement laser présentant une longueur d’onde principale λ laser , la couche d’amorce (100) étant configurée pour transmettre une partie au moins du rayonnement laser, la couche d’amorce (100) présentant de préférence une absorption inférieure ou égale à 10% pour la longueur d’onde principale λ laser , le rayonnement laser étant configuré pour altérer la couche tampon (200) de sorte à désolidariser la couche d’amorce (100) et la couche de germination (300), Faire croître par épitaxie d’un troisième matériau III-N, de préférence identique au deuxième matériau III-N, une couche d’intérêt (400) à partir de la face inférieure (302) de la couche de germination (300). Procédé selon la revendication précédente dans lequel, dans le plan horizontal (XY), le premier matériau III-N présente une première longueur de maille a III-N ,1 et le matériau tampon présente une longueur de maille tampon a tampon , avec │(a III-N ,1 - a tampon )│/ a III-N ,1 ≤ 0,02. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel, dans le plan horizontal (XY), la maille du premier matériau III-N présente un premier angle α III-N,1 et la maille du matériau tampon présente un angle α tampon , avec │α III-N,1 -α tampon │≤ 5°. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la couche tampon (200) présente, selon une troisième direction (Z) perpendiculaire au plan horizontal (XY), une épaisseur e 200 configurée de sorte que la couche tampon (200) présente une densité de dislocation ρ inférieure à 10 10 cm -2 , de préférence inférieure à 10 8 cm -2 , de préférence inférieure à 10 7 cm -2 . Procédé selon la revendication précédente dans lequel e 200 ≤100 nm, de préférence e 200 ≤20 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le premier matériau III-N présente une température de fusion T fusion ,III -N,1 , l’épitaxie du matériau tampon étant réalisée à une température de croissance T croissance ,tampon , avec T croissance ,tampon fusion ,III-N,1 . Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel, selon une troisième direction (Z) perpendiculaire au plan horizontal (XY), la couche d’amorce (100) présente une épaisseur e 100 et la couche d’intérêt (400) présente une épaisseur e 400 , avec e 400 ≥2*e 100 , de préférence e 400 ≥3*e 100 , de préférence e 400 ≥5*e 100 . Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel, selon une troisième direction (Z) perpendiculaire au plan horizontal (XY), la couche tampon (200) présente une épaisseur e 200 et la couche d’intérêt (400) présente une épaisseur e 400 , avec e 400 ≥2*e 200 , de préférence e 400 ≥3*e 200 , de préférence e 400 ≥5*e 200 . Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le rayonnement laser est configuré pour passer au travers de la couche d’amorce (100) avant d’altérer la couche tampon (200). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans laquelle, après la désolidarisation de la couche d’amorce (100) et de la couche de germination (300), une partie au moins de la couche tampon (200) reste sur la couche de germination (300), et comprenant en outre, après l’étape de soumission de la couche tampon (200) au rayonnement laser et avant l’étape de croissance de la couche d’intérêt (400), une étape de retrait de ladite partie au moins de la couche tampon (200). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la couche d’amorce (100) forme une unique couche continue. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 9 dans lequel la couche d’amorce (100) forme des substrats de germination (100a, 100b, 100c) disjoints. Procédé selon la revendication précédente dans lequel chacun des substrats de germination (100a, 100b, 100c) disjoints présente, en projection dans le plan horizontal (XY), une dimension maximale inférieure à 150 mm, de préférence inférieure à 100 mm. Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel, au cours de l’étape de fourniture de la couche d’amorce (100), les substrats de germination (100a, 100b, 100c) sont reportés sur un substrat support (1000). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre, après l’étape d’épitaxie du deuxième matériau III-N et avant l’étape de collage de la face supérieure (301) de la couche de germination (300) sur le substrat receveur (2000), la formation d’une couche d’adhésion (500) sur la face supérieure (301) de la couche de germination (300). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le matériau III-N est à base d’au moins l’un parmi le GaN, l’AlN, l’InN et toute combinaison de ces matériaux. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le matériau tampon est l’un parmi les matériaux suivants : HfN, ZrN, NbN, TiN. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre la formation de contacts électriques (610) sur la face supérieure (301) de la couche de germination (300) et de contacts électriques secondaires (650) sur la face supérieure (401) de la couche d’intérêt (400). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le substrat receveur (2000) est conducteur électrique. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le substrat receveur (2000) comprend au moins un circuit électronique intégré. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le matériau tampon est choisi de sorte à ce que la couche tampon (200) induise une polarité azote au sein de la couche de germination (300).