Brevet FR3152670A1 — publié le 20250307

La divulgation se rapporte à un procédé de conditionnement laser (2) pour un cristal optique non linéaire dans lequel le cristal optique non linéaire est irradié par un laser doté d'une énergie photon d'Eg/2 à Eg, Eg étant une largeur de bande interdite du cristal. Les résultats comparatifs montrent que lorsque le laser (2) de 266 nm, qui est beaucoup plus faible que le laser de 355 nm, est utilisé, et à condition qu'une densité de puissance laser soit seulement de 0,13 GW/cm 2 , un seuil d'endommagement en volume à probabilité nulle est 120 % supérieur à celui avant le conditionnement. Le conditionnement laser pour un cristal de dihydrogénophosphate de potassium (KDP) basé sur une absorption à deux photons selon la divulgation a une efficacité de conditionnement supérieure et un potentiel plus important pour améliorer un seuil d'endommagement en volume de cristal que le conditionnement laser d'absorption à trois photons. Procédé de conditionnement laser pour un cristal optique non linéaire La présente divulgation appartient au domaine technique du conditionnement laser, et concerne en particulier un procédé de conditionnement laser pour un cristal optique non linéaire. ARRIÈRE-PLAN Le cristal artificiel non linéaire est un élément optique clé essentiel à la fois dans les lasers et les dispositifs lasers intenses à grande échelle. Le cristal optique non linéaire de dihydrogénophosphate de potassium (KDP) et d'autres cristaux similaires dotés de structures de maille similaires, tels que le dihydrogénophosphate de potassium deutéré (DKDP) avec différents rapports deutérés et le dihydrogénophosphate d'ammonium (ADP), sont des cristaux artificiels non linéaires importants qui sont largement utilisés actuellement. Ces cristaux sont habituellement utilisés comme des éléments de doublage de fréquence ou des éléments de commutation électro-optique dans des dispositifs lasers et sont fréquemment exposés à un rayonnement laser intense. Lorsque l'intensité laser I (en unité de W/cm 2 ) irradiée sur la surface cristalline est supérieure à un certain seuil (seuil d'endommagement en volume I th ), le laser provoque un endommagement irréversible à l'intérieur du cristal, de sorte que le cristal artificiel non linéaire perd sa fonction de base, le laser perdant ainsi sa fonction. Par conséquent, la capacité du KDP et de ses cristaux similaires à résister à un endommagement laser intense, c'est-à-dire, l'ampleur du seuil d'endommagement en volume I th , est un de ses indicateurs de performance très importants. Afin d'améliorer la capacité du KDP et de ses cristaux similaires à résister à un endommagement laser intense, une technologie dite de conditionnement laser a été développée au cours des 40 dernières années. Le procédé de base d'une telle technologie est le fait que le seuil d'endommagement en volume du KDP non conditionné et de ses cristaux similaires est supposé être I th_i et si le cristal est irradié directement par le laser avec une intensité laser supérieure à I th_i , un endommagement en volume irréversible se produira dans le cristal. Toutefois, le cristal pourrait être irradié avec un certain nombre d'impulsions à l'aide d'un laser avec une intensité laser inférieure à I th_i , tel qu'un laser avec une intensité de 0,5 fois I th_i , le cristal ne sera alors pas endommagé lorsque le cristal est irradié ultérieurement à l'aide d'un laser avec d'une intensité de I th_i . Un tel procédé d'augmentation du seuil d'endommagement en volume du laser I th est nommé technologie de conditionnement laser du KDP et de ses cristaux similaires. En prenant le cristal DKDP à titre d'exemple, l' I th_i du cristal cultivé à l'aide de la technologie de croissance cristalline la plus avancée à l'heure actuelle est d'environ 4 J/cm 2 /3 ns. Après le conditionnement à l'aide du laser de longueur d'onde de 355 nm, l' I th du cristal pourrait augmenter d'environ 8 J/cm 2 /3 ns. En pratique, afin d'obtenir un effet de conditionnement optimal, par l'optimisation des paramètres du laser, on constate que l'effet de conditionnement dépend fortement de l'intensité du laser conditionné pour le laser de longueur d'onde de 355 nm. Plus le laser est puissant, meilleur sera l'effet de conditionnement. Toutefois, le laser ne doit pas être trop puissant, sinon il endommagerait directement le cristal. L'intensité laser dotée de l'effet de conditionnement optimal est d'environ 5 GW/cm 2 . « Off-Line Sub-Nanosecond Laser Conditioning Technology On Large-Aperture Deuterated Potassium Dihydrogen Phosphate Crystals » (Liu Zhoho et al., Acta Phys. Sin., Vol. 70, No. 7 (2021), 074208) divulgue la technologie de conditionnement laser pour des cristaux KDP/DKDP à l'aide d'une sortie laser à triple fréquence (de longueur d'onde de 355 nm) par le dispositif laser Nd : YAG. Les paramètres expérimentaux de conditionnement sont les suivants : un laser pulsé appliqué au cristal DKDP devant être conditionné a une largeur d'impulsion de 0,5 nanosecondes, un diamètre de point de 0,68 mm, une longueur d'onde de 355 nm, une fluence laser conditionnée maximale de 2 J/cm 2 et une densité de puissance laser maximale de 4 GW/cm 2 . Un conditionnement laser sous-nanoseconde pourrait augmenter le seuil d'endommagement en volume à probabilité nulle du cristal DKDP d'environ une fois. Toutefois, du fait de la sortie d'énergie laser limitée par le laser pulsé, afin d'atteindre l'intensité laser de 4 GW/cm 2 à 5 GW/cm 2 requise pour la technologie de conditionnement, le point laser ne pourrait être réduit qu'à un diamètre inférieur à 1 mm (0,68 mm comme indiqué dans le document ci-dessus). En considérant une fréquence de répétition maximale de l'énergie délivrée en sortie par le laser pulsé, la surface du cristal qui pourrait être conditionnée par le conditionnement laser par heure est seulement de l'ordre de 20 cm 2 actuellement en termes d'efficacité de conditionnement. En résumé, la technologie de conditionnement laser actuelle pour le KDP et ses cristaux similaires présente des défauts de faible efficacité de conditionnement et de coût du conditionnement élevé. EXPOSÉ La présente divulgation vise à fournir un procédé de conditionnement laser pour un cristal optique non linéaire basé sur une absorption à deux photons. Le procédé de conditionnement laser selon la présente divulgation pourrait améliorer grandement et efficacement un seuil d'endommagement en volume laser de cristal optique non linéaire et réduire un coût du conditionnement. Pour atteindre l'objectif susmentionné, la présente divulgation propose les solutions technologiques suivantes. La présente divulgation propose un procédé de conditionnement laser pour un cristal optique non linéaire basé sur une absorption à deux photons, comportant les étapes suivantes : l’irradiation du cristal optique non linéaire par un laser, où le laser a une énergie photon d'Eg/2 à Eg, Eg étant une largeur de bande interdite du cristal optique non linéaire. Dans certains modes de réalisation, le laser a une longueur d'onde de 165 nm à 305 nm. Dans certains modes de réalisation, le laser a la longueur d'onde de 266 nm. Dans certains modes de réalisation, le laser est généré par un dispositif laser, et le dispositif laser est choisi dans le groupe constitué d'un dispositif laser à état solide et d'un dispositif laser excimère. Dans certains modes de réalisation, le cristal optique non linéaire comporte l'un choisi dans le groupe constitué de dihydrogénophosphate de potassium, dihydrogénophosphate de potassium deutéré ou dihydrogénophosphate d'ammonium. Dans certains modes de réalisation, le laser a une largeur d'impulsion de 0,3 ns à 40 ns ou 100 fs à 100 ps. Dans certains modes de réalisation, le laser a un diamètre de point de 0,05 mm à 5 mm. Dans certains modes de réalisation, une densité de puissance du laser est de 0,2 fois à 1,5 fois un seuil d'endommagement en volume du cristal optique non linéaire, et le seuil d'endommagement en volume du cristal optique non linéaire est un seuil d'endommagement en volume correspondant à une longueur d'onde d'un laser conditionné. Dans certains modes de réalisation, un nombre d'impulsions du laser est de 90 % à 95 % d'un nombre d'impulsions saturées. Dans certains modes de réalisation, le cristal optique non linéaire est du dihydrogénophosphate de potassium deutéré ; le laser a une longueur d'onde de 266 nm, une largeur d'impulsion de 10 ns, un diamètre de point de 1 mm, et une densité de puissance de 0,13 GW/cm 2 . La présente divulgation propose un procédé de conditionnement laser pour un cristal optique non linéaire basé sur une absorption à deux photons, comportant les étapes suivantes : l’irradiation d'un cristal optique non linéaire par un laser, où le laser a une énergie photon d'Eg/2 à Eg, Eg étant une largeur de bande interdite du cristal optique non linéaire. Comme un laser de longueur d'onde de 355 nm est utilisé pour le conditionnement laser dans la technique antérieure, des électrons de bande de valence du cristal optique non linéaire doivent absorber trois photons en même temps avant d'être ionisés sur une bande de conduction, qui est un processus non linéaire de troisième ordre. Dans la présente divulgation, le laser avec une énergie photon d'Eg/2 à Eg est utilisé pour le conditionnement, et des électrons de bande de valence du cristal optique non linéaire ne doivent absorber que deux photons en même temps avant d'être ionisé sur une bande de conduction, qui est un processus non linéaire de deuxième ordre. Du fait que la probabilité d'absorption à deux photons est de mille fois à des dizaines de milliers de fois supérieure à celle d'une absorption à trois photons, comparativement à un conditionnement laser basé sur une absorption à trois photons actuellement, dans la présente divulgation le procédé de conditionnement laser à l'aide du laser avec une énergie photon d'Eg/2 à Eg, c'est-à-dire, basée sur l'absorption à deux photons, a une efficacité fortement améliorée. Comme on peut le voir à partir des résultats d'exemples et d'exemples comparatifs, dans la présente divulgation, le laser de longueur d'onde de 266 nm, qui est beaucoup plus faible (plus de 10 fois) que celui de longueur d'onde de 355 nm, est utilisé pour le conditionnement, et à condition qu'une densité de puissance laser ne soit que de 0,13 GW/cm 2 , le seuil d'endommagement en volume à probabilité nulle du cristal DKDP est de 4,7 J/cm 2 après le conditionnement, qui est de 120 % supérieur au seuil d'endommagement en volume à probabilité nulle de 2,3 J/cm 2 avant le conditionnement. Par rapport au fait que l'intensité laser de 4 GW/cm 2 à 5 GW/cm 2 est requise dans la technique antérieure pour obtenir le même effet de conditionnement (le seuil d'endommagement en volume est amélioré d'environ une fois), la densité de puissance laser dans la présente divulgation est bien entendu réduite, améliorant ainsi l'efficacité de conditionnement et réduisant le coût du conditionnement. Par ailleurs, par rapport à un conditionnement laser d'absorption à trois photons, le conditionnement laser du cristal KDP basé sur une absorption à deux photons selon la présente divulgation n'a pas seulement une efficacité de conditionnement plus élevée, mais a également un potentiel plus important d'amélioration d'un seuil d'endommagement en volume de cristal. La FIG. 1 est un organigramme schématique de conditionnement laser d'un cristal DKDP basé sur une absorption à deux photons selon un mode de réalisation de la présente divulgation. La FIG. 2 est un schéma de principe d'un système de chemin optique expérimental de conditionnement laser à quadruple fréquence d'un cristal DKDP basé sur une absorption à deux photons selon un mode de réalisation de la présente divulgation. La FIG. 3 est un schéma de principe d'une courbe de probabilité d'endommagement en volume d'un cristal mesuré par un laser à petite ouverture et un système de chemin optique de conditionnement laser à triple fréquence. La FIG. 4 est un spectrogramme de résonance paramagnétique électronique d'un cristal DKDP avant et après le conditionnement laser dans le mode de réalisation 1. La FIG. 5 est un diagramme de résultat de mesure d'une courbe de probabilité d'endommagement d'un cristal DKDP avant et après le conditionnement laser dans l'exemple 1 et l'exemple comparatif 1. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DES MODES DE RÉALISATION La présente divulgation propose un procédé de conditionnement laser pour un cristal optique non linéaire basé sur une absorption à deux photons, comportant les (ou étant constitué des) étapes suivantes : l’irradiation d'un cristal optique non linéaire par un laser, où le laser a une énergie photon d'Eg/2 à Eg, Eg étant une largeur de bande interdite du cristal optique non linéaire. Dans la présente divulgation, sauf indication contraire, toutes les matières premières/composants de préparation sont des produits disponibles dans le commerce bien connus des professionnels du métier. Selon la présente divulgation, sur la base du phénomène physique d'une absorption à deux photons du cristal, le cristal optique non linéaire est soumis à un conditionnement laser, augmentant fortement et efficacement le seuil d'endommagement en volume du laser de ces cristaux, où le cristal optique non linéaire comporte l'un choisi dans le groupe constitué de cristaux optiques non linéaires de dihydrogénophosphate de potassium (KDP) et de cristaux similaires dotés de structures de maille similaires au KDP. Dans certains modes de réalisation, les cristaux similaires comportent (ou sont) l'un choisi dans le groupe constitué de dihydrogénophosphate de potassium deutéré (DKDP) et de dihydrogénophosphate d'ammonium (ADP) et similaires. Il n'existe pas d'exigence particulière sur le procédé de préparation du cristal optique non linéaire, et la lentille intraoculaire optique non linéaire qui est bien connue des professionnels du métier et qui est obtenue par croissance artificielle et traitement de recuit peut être utilisée. Dans certains modes de réalisation, préalablement à l’irradiation, le cristal optique non linéaire est soumis à une découpe et à un polissage de surface en séquence. Il n'existe pas d'exigence particulière sur la mise en œuvre spécifique de la découpe et du polissage de surface. Dans certains modes de réalisation, la découpe est réalisée selon la direction et la taille requises lorsque le cristal optique non linéaire est utilisé. Dans certains modes de réalisation, la surface du cristal optique non linéaire obtenue après un polissage de surface atteint l'uniformité de qualité optique. Dans certains modes de réalisation, le cristal optique non linéaire comporte l'un choisi dans le groupe constitué de dihydrogénophosphate de potassium (KDP), dihydrogénophosphate de potassium deutéré (DKDP) ou dihydrogénophosphate d'ammonium (ADP). Dans certains modes de réalisation, le rapport deutéré du DKDP se trouve dans une plage allant de 5 % à 98 %. Dans un mode de réalisation spécifique de la présente divulgation, le DKDP est pris comme exemple pour illustrer le procédé de conditionnement laser selon la présente divulgation en détail. Le rapport deutéré du cristal DKDP 4 est de 70 %. Le cristal DKDP 4 est un isolant doté d'une large largeur de bande interdite (Eg). La largeur de bande interdite du cristal DKDP 4 se trouve dans une plage allant de 7,5 ev à 9 ev. Dans certains modes de réalisation, le laser est généré par un dispositif laser. Le dispositif laser est choisi dans le groupe constitué d'un dispositif laser à état solide et d'un dispositif laser excimère. Dans d'autres modes de réalisation, le dispositif laser est un dispositif laser à état solide. Par rapport au dispositif laser excimère, le dispositif laser à état solide est plus respectueux de l'environnement. Dans la présente divulgation, le dispositif laser à état solide est de préférence utilisé pour le conditionnement laser du cristal optique non linéaire. Le processus de conditionnement est écologique et respectueux de l'environnement, et adapté à une application industrielle large. Dans un mode de réalisation spécifique de la présente divulgation, le dispositif laser utilisé dans le conditionnement laser est un dispositif laser Nd : YAG 1. La largeur d'impulsion du dispositif laser Nd : YAG 1 est de nanoseconde à sous-nanoseconde, qui pourrait délivrer en sortie un laser à quadruple fréquence à haute efficacité. Dans certains modes de réalisation, l'énergie photon (hv) du laser se trouve dans une plage allant de Eg/2 à Eg. Les photons laser avec l'énergie photon d'Eg/2 à Eg pourraient ioniser des électrons de bande de valence dans le cristal optique non linéaire sur la bande de conduction du cristal à travers le processus d'absorption à deux photons du cristal optique non linéaire. Le cristal optique non linéaire est irradié par un laser avec un certain nombre d'impulsions à une intensité laser inférieure à son seuil d'endommagement en volume, et le seuil d'endommagement en volume du cristal optique non linéaire est grandement et efficacement amélioré. Dans certains modes de réalisation, la longueur d'onde du laser se trouve dans une plage allant de 165 nm à 305 nm, de préférence 175 nm à 295 nm, et plus préférablement 205 nm à 275 nm. Dans un mode de réalisation spécifique de la présente divulgation, le laser a une longueur d'onde de 266 nm. Dans certains modes de réalisation, le laser à quadruple fréquence utilisé ici a une longueur d'onde de 266 nm, une énergie photon de 4,66 eV, et une énergie photon entre 3,75 ev et 7,5 ev, satisfaisant ainsi l'exigence d'énergie photon pour le conditionnement laser du cristal DKDP 4 basé sur une absorption à deux photons. Dans certains modes de réalisation, la largeur d'impulsion du laser se trouve dans une plage allant de 0,3 ns à 40 ns ou 100 fs à 100 ps, de préférence 5 ns à 40 ns ou 150 fs à 80 ps, et plus préférablement 15 ns à 30 ns ou 500 fs à 50 ps. Dans certains modes de réalisation, le diamètre de point du laser se trouve dans une plage allant de 0,05 mm à 5 mm, de préférence de 0,1 mm à 5 mm, et plus préférablement de 1 mm à 5 mm. Dans certains modes de réalisation, la densité de puissance du laser est de 0,2 fois à 1,5 fois le seuil d'endommagement en volume du cristal optique non linéaire, de préférence 0,3 fois à 1,5 fois le seuil d'endommagement en volume du cristal optique non linéaire, plus préférablement 0,4 à 1,5 fois le seuil d'endommagement en volume du cristal optique non linéaire, et le plus préférablement 0,5 à 1,5 fois le seuil d'endommagement en volume du cristal optique non linéaire. Le seuil d'endommagement en volume du cristal optique non linéaire est un seuil d'endommagement en volume correspondant à la longueur d'onde du laser conditionné. Dans certains modes de réalisation, le seuil d'endommagement en volume du cristal optique non linéaire devant être conditionné varie avec la longueur d'onde du laser conditionné. Dans certains modes de réalisation, la densité de puissance du laser est de 0,2 fois à 1,5 fois le seuil d'endommagement en volume du cristal optique non linéaire. Le seuil d'endommagement en volume est le seuil d'endommagement en volume du cristal optique non linéaire correspondant à la longueur d'onde du laser conditionné. Dans un mode de réalisation spécifique de la présente divulgation, la densité de puissance du laser est de 0,565 fois le seuil d'endommagement en volume du cristal optique non linéaire. Dans certains modes de réalisation, le seuil d'endommagement en volume du cristal optique non linéaire est la densité de puissance laser maximale (en unité de W/cm2) lorsque le cristal optique non linéaire est endommagé de manière irréversible par rayonnement laser avant le conditionnement. Dans certains modes de réalisation, avant le conditionnement laser, le cristal optique non linéaire devant être conditionné est évalué et calculé pour obtenir son seuil d'endommagement en volume. Dans certains modes de réalisation, le nombre d'impulsions du laser se trouve dans une plage allant de 90 % à 95 % du nombre d'impulsions saturées, et de préférence 95 % du nombre d'impulsions saturées. Dans la présente divulgation, dans le processus de conditionnement laser, le seuil d'endommagement en volume du cristal optique non linéaire augmente progressivement avec l'augmentation du nombre d'impulsions laser, mais après l'atteinte d'une certaine valeur par le nombre d'impulsions laser, le seuil d'endommagement en volume du cristal optique non linéaire n'augmente plus pour être saturé lorsque le nombre d'impulsions laser augmente à nouveau. Dans la présente divulgation, le nombre d'impulsions saturées est défini comme un nombre d'impulsions laser que le seuil d'endommagement en volume du cristal optique non linéaire n'augmente plus avec l'augmentation du nombre d'impulsions laser dans le processus de conditionnement laser. Dans un mode de réalisation spécifique de la présente divulgation, le cristal optique non linéaire est du dihydrogénophosphate de potassium deutéré ; le laser a une longueur d'onde de 266 nm, une largeur d'impulsion de 10 ns, un diamètre de point de 1 mm, une densité de puissance de 0,13 GW/cm2 et un nombre d'impulsions de 5. Le nombre d'impulsions est le nombre d'impulsions laser à partir duquel le cristal optique non linéaire reçoit le rayonnement d'impulsion laser à la même position. Le nombre d'impulsions est de 5, ce qui signifie que le nombre d'impulsions laser à partir duquel le cristal optique non linéaire reçoit le rayonnement d'impulsion laser à la même position est de 5. Dans un mode de réalisation spécifique de la présente divulgation, un organigramme schématique du processus de conditionnement laser pour le cristal optique non linéaire est montré sur la FIG. 1 , et un schéma de principe du système de chemin optique est montré sur la FIG. 2 . La FIG. 1 illustre le dispositif laser Nd : YAG 1, le laser 266 nm 2, la lentille de focalisation 3 et le cristal DKDP à conditionner 4 . Comme montré sur la FIG. 2 , le système de chemin optique utilisé dans le système de conditionnement laser selon la présente divulgation est constitué d'un dispositif laser et d'un système de réglage et de transmission de chemin optique, dans lequel : le dispositif laser est un dispositif laser Nd : YAG 1 ; le système de réglage et de transmission de chemin optique est constitué d'un miroir d’élévation 6 , d’un compteur d'énergie (29:1) 7 , d'un spectroscope 8 , d'un miroir à haute réflectivité 532 nm 9 , d’une lentille convexe 10 , d’une lentille concave 11 , d'un système de réduction à triple faisceau 12 , d'un cristal à quadruple-fréquence 13 , d'un prisme 14 , d'une lentille convexe (f:1000 mm) 1 5 et d'un réflecteur en séquence 16 . Le diamètre du spot à 532 nm est d'environ 12 mm et l'énergie du spot à 532 nm est de 664 mJ, le diamètre du spot focal à 266 nm est d'environ 1 mm et l'énergie du spot focal à 266 nm est de 10 mJ. La largeur de l'impulsion laser est de 10 ns et la densité de puissance du laser à 266 nm est de 0,13 GW/cm2. Dans un mode de réalisation spécifique de la présente divulgation, comme montré sur la FIG. 2 , le laser ultraviolet de 266 nm délivré en sortie par le dispositif laser Nd : YAG 1 est focalisé par une lentille de focalisation 3 à longueur focale longue et est incident sur le cristal optique non linéaire devant être conditionné. Habituellement, la zone du cristal devant être conditionné est beaucoup plus grande que celle du point laser. Dans certains modes de réalisation, le cristal entier est soumis à un conditionnement pour être uniforme par un procédé de balayage par point laser. Dans la présente divulgation, la sélection de l'énergie photon du laser est la clé pour améliorer le seuil d'endommagement en volume laser du cristal optique non linéaire de manière significative et efficace. Dans la technique antérieure lorsqu'un laser à triple fréquence de longueur d'onde de 355 nm est utilisé pour le conditionnement laser, des électrons de bande de valence du cristal optique non linéaire doivent absorber trois photons en même temps avant d'être ionisés sur une bande de conduction, qui est un processus non linéaire de troisième ordre. Dans la présente divulgation, un laser à quadruple fréquence de longueur d'onde de 266 nm est utilisé pour le conditionnement laser ; des électrons de bande de valence du cristal optique non linéaire ne doivent absorber que deux photons en même temps avant d'être ionisés sur une bande de conduction, qui est un processus non linéaire de deuxième ordre. Du fait que la probabilité d'absorption à deux photons est de mille fois à des dizaines de milliers de fois supérieure à celle d'une absorption à trois photons, par rapport au conditionnement laser basé sur une absorption à trois photons actuellement, la technologie de conditionnement laser basée sur une absorption à deux photons selon la présente divulgation pourrait grandement améliorer l'efficacité du conditionnement laser. Afin d'illustrer davantage la présente divulgation, les solutions techniques de la présente divulgation sont décrites en détail conjointement avec des exemples ci-dessous, mais ces exemples ne doivent pas être compris comme limitant la portée de la présente divulgation. Exemple 1 Le cristal DKDP 4 (avec un rapport deutéré de 70 %) a été soumis à un conditionnement laser selon l'organigramme de conditionnement laser montré sur la FIG. 1 et le diagramme de chemin optique montré sur la FIG. 2 , où le conditionnement laser a été mené comme suit. Un cristal DKDP 4 cultivé artificiellement qui avait été traité par un processus de recuit thermique a été sélectionné, puis découpé selon la direction et la taille requises à l'application du cristal. Après cela, un cristal découpé a été soumis à un polissage de surface afin que la surface atteigne un lissage de qualité optique. Le laser ultraviolet de 266 nm délivré en sortie par le dispositif laser Nd : YAG 1 est focalisé par une lentille de focalisation 3 à longueur focale longue, et est incident sur le cristal DKDP 4 devant être conditionné. Le cristal entier a été soumis à un conditionnement pour être uniforme par une méthode de balayage par point laser. Au cours du conditionnement, les paramètres laser sont comme suit : la longueur d'onde de 266 nm, le diamètre de point de 1 mm, la densité de puissance de 0,13 GW/cm2, le nombre d'impulsions de 5 (le cristal DKDP est irradié par cinq impulsions laser à la même position), la largeur d'impulsion de 10 ns, et la fluence de 1,3 J/cm2. Dans l'exemple 1, le nombre de « défauts ponctuels » intrinsèques du cristal DKDP 4 avant et après le conditionnement laser a été mesuré par rapport à un spectromètre à résonance paramagnétique électronique avec une hyperfréquence de 9,4 GHz à une température d'échantillon de 30 K. Le spectre paramagnétique électronique obtenu est montré sur la FIG. 4 . Sur la FIG. 4 , la courbe en traits pleins représente le spectre du cristal sans conditionnement laser, et la courbe en traits interrompus représente le spectre du cristal après conditionnement laser. Comme on peut le voir sur la FIG. 4 , le nombre de « défauts ponctuels » de type trou [H2PO4]0 directement lié au seuil d'endommagement en volume du laser après le conditionnement laser est réduit à seulement 60 % des défauts ponctuels avant le conditionnement laser. Exemple comparatif 1 Le cristal DKDP 4 a été soumis à un conditionnement laser selon l'organigramme du conditionnement laser montré sur la FIG. 1 et le diagramme de chemin optique montré sur la FIG. 3 ; où le diagramme de chemin optique montré sur la FIG. 3 est non seulement adapté pour la mesure de la courbe de probabilité d'endommagement, mais aussi adapté pour le conditionnement laser à l'aide d'un laser de 355 nm. La FIG. 3 illustre plus spécifiquement un le dispositif laser 18, un laser à semi-conducteur CW 19, un compteur d'énergie (29:1) 7, un spectroscope 8, une lentille convexe (f:1000 mm) 15, une longueur focale de 1000 mm, observation 24 de la diffusion d'un point de dommage en vrac, et un échantillon DKDP 4 à mesurer ; l'échantillon DKDP 4 est placé au point focal, et le diamètre de la tache focale du laser à 355 nm est de 0,470 mm. Le conditionnement laser a été mené comme suit. Un cristal DKDP 4 cultivé artificiellement qui avait été traité par un processus de recuit thermique a été sélectionné, puis découpé selon la direction et la taille requises à l'application du cristal. Après cela, un cristal découpé a été soumis à un polissage de surface afin que la surface atteigne un lissage de qualité optique. Le laser ultraviolet de 355 nm délivré en sortie par le dispositif laser Nd : YAG 1 est focalisé par une lentille de focalisation à longueur focale longue, et est incident sur le cristal DKDP 4 devant être conditionné. Le cristal entier a été soumis à un conditionnement pour être uniforme par une méthode de balayage par point laser. Lors du conditionnement, les paramètres du laser étaient comme suit : la longueur d'onde de 355 nm, le diamètre de point de 1 mm, la densité de puissance de 0,1 GW/cm2, le nombre d'impulsions de 5 (le cristal DKDP 4 est irradié par cinq impulsions laser à la même position), la largeur d'impulsion de 10 ns, et la fluence de 1,0 J/cm2. Dans l'exemple 1 et l'exemple comparatif 1, les cristaux DKDP 4 avant et après le conditionnement laser ont été testés selon le diagramme de chemin optique de la courbe de probabilité d'endommagement en volume du cristal mesuré par le laser à petite ouverture comme montré sur la FIG. 3 . Les résultats sont montrés dans la FIG. 5 . La FIG. 5 montre les courbes de probabilité d'endommagement des cristaux DKDP 4 avant et après le conditionnement laser dans l'exemple 1 et l'exemple comparatif 1. On peut conclure à la FIG. 5 que le seuil d'endommagement en volume à probabilité nulle du cristal DKDP 4 avant le conditionnement laser est de 2,3 J/cm2, le seuil d'endommagement en volume à probabilité nulle du cristal DKDP 4 après le conditionnement à fréquence quadruple dans l'exemple 1 est de 4,7 J/cm2 et le seuil d'endommagement en volume à probabilité nulle du cristal DKDP 4 après le conditionnement à triple fréquence dans l'exemple comparatif 1 est de 2,7 J/cm2. Après la comparaison des résultats de l'exemple 1 et de l'exemple comparatif 1, on peut voir que lorsque la largeur d'impulsion laser est la même, et que la puissance laser (intensité) est presque la même, mais que la longueur d'onde du laser est différente, le seuil d'endommagement en volume à probabilité nulle du cristal conditionné par un laser de 266 nm 2 basé sur une absorption à deux photons dans l'exemple 1 augmente de 120 %, tandis que le seuil d'endommagement en volume à probabilité nulle du cristal conditionné par un laser à 355 nm basé sur une absorption à trois photons dans l'exemple comparatif 1 augmente seulement de 20 %. La FIG. 5 prouve l'efficacité d'un procédé de conditionnement de laser efficace pour un cristal optique non linéaire basé sur une absorption à deux photons selon la présente divulgation. En outre, dans cet exemple, le laser de longueur d'onde de 266 nm, qui est beaucoup plus faible (plus de 10 fois) que 355 nm, est utilisé pour le conditionnement, et à condition qu'une densité de puissance laser soit seulement de 0,13 GW/cm2, on constate que le seuil d'endommagement en volume à probabilité nulle du cristal DKDP 4 est de 4,7 J/cm2 après le conditionnement, qui est de 120 % supérieur au seuil d'endommagement en volume à probabilité nulle de 2,3 J/cm2 avant le conditionnement. Par rapport à l'exemple comparatif 1, le procédé de conditionnement selon l'exemple 1 de la présente divulgation a un effet remarquable d'amélioration du seuil d'endommagement en volume du cristal, et atteint le même effet de conditionnement que celui de la technique antérieure (le seuil d'endommagement en volume est amélioré d'environ une fois). Selon la présente divulgation, la densité de puissance laser (0,13 GW/cm2) du laser de longueur d'onde de 266 nm n'est qu'un quelques dixièmes de celle (4 GW/cm2 à 5 GW/cm2) du laser de longueur d'onde de 355 nm, améliorant ainsi l'efficacité de conditionnement laser et réduisant le coût du conditionnement. Enfin, le conditionnement laser du cristal KDP basé sur une absorption à deux photons selon la présente divulgation n'a pas seulement une efficacité de conditionnement supérieure à celle du conditionnement laser d'absorption à trois photons, mais a également un potentiel plus important d'amélioration d'un seuil d'endommagement en volume du cristal que celui de conditionnement laser d'absorption à trois photons. Un tel potentiel réside dans la capacité à obtenir une densité électronique de bande de conduction plus élevée lorsque le conditionnement laser basé sur une absorption à deux photons est utilisé. Bien que la présente divulgation soit décrite en détail selon les exemples susmentionnés, les exemples ne sont que certains des modes de réalisation de la présente divulgation, plutôt que tous les modes de réalisation. D'autres modes de réalisation pourraient être obtenus sans effort créatif selon ces modes de réalisation, qui appartiennent tous à la portée de la présente divulgation. 1 Procédé de conditionnement laser d'un cristal optique non linéaire, comprenant les étapes suivantes : l’irradiation du cristal optique non linéaire par un laser (2), dans lequel le laser (2) a une énergie photon d'Eg/2 à Eg, Eg étant une largeur de bande interdite du cristal optique non linéaire. 2 Procédé de conditionnement laser selon la revendication 1, dans lequel le laser (2) a une longueur d'onde de 165 nm à 305 nm. 3 Procédé de conditionnement laser selon la revendication 2, dans lequel le laser (2) a la longueur d'onde de 266 nm. 4 Procédé de conditionnement laser selon l’une quelconque des revendications 1 to 3, dans lequel le laser (2) est généré par un dispositif laser (1), et le dispositif laser (1) est choisi dans le groupe constitué d'un dispositif laser à état solide et d'un dispositif laser excimère. 5 Procédé de conditionnement laser selon l’une quelconque des revendication 1 à 4, dans lequel le cristal optique non linéaire comprend l'un choisi dans le groupe constitué de dihydrogénophosphate de potassium, dihydrogénophosphate de potassium deutéré et dihydrogénophosphate d'ammonium. 6 Procédé de conditionnement laser selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le laser (2) a une largeur d’impulsion de 0,3 ns à 40 ns ou 100 fs à 100 ps. 7 Procédé de conditionnement laser selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le laser (2) a un diamètre de point de 0,05 mm à 5 mm. 8 Procédé de conditionnement laser selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel une densité de puissance du laser (2) est de 0,2 fois à 1,5 fois un seuil d'endommagement en volume du cristal optique non linéaire, et le seuil d'endommagement en volume du cristal optique non linéaire est un seuil d'endommagement en volume correspondant à une longueur d'onde d'un laser conditionné. 9 Procédé de conditionnement laser selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel un nombre d'impulsions du laser (2) est de 90 % à 95 % d'un nombre d'impulsions saturées. 10 Procédé de conditionnement laser selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le cristal optique non linéaire est du dihydrogénophosphate de potassium deutéré (4) ; le laser (2) a une longueur d'onde de 266 nm, une largeur d'impulsion de 10 ns, un diamètre de point de 1 mm, et une densité de puissance de 0,13 GW/cm 2 .