Brevet FR3157059A1 — publié le 20250620

La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat donneur pour la fabrication d'une structure piézoélectrique sur isolant, POI, comprenant la fourniture d'un substrat de support, la formation d'un bloc de matériau piézoélectrique sur ou au-dessus du substrat de support, dans lequel le matériau piézoélectrique comprend ou est constitué d’un parmi le tantalate de lithium et le niobate de lithium, le polissage chimico-mécanique, CMP, du bloc de matériau piézoélectrique pour obtenir un substrat piézoélectrique et l'implantation d'une espèce dans le substrat piézoélectrique pour obtenir une couche affaiblie dans le substrat piézoélectrique. Le CMP est réalisé au moyen d'un tampon de CMP comprenant un tampon secondaire d'une dureté de plus de 45 shore A. Figure pour l’abrégé : Fig. 2 Fabrication d'un substrat donneur pour la fabrication d'une structure POI La présente invention concerne le procédé de fabrication de substrats donneurs pour la fabrication de structures du type piézoélectrique sur isolant, POI, en particulier de structures POI utilisables pour la fabrication de dispositifs microélectroniques, micromécaniques et photoniques. En outre, l'invention concerne le procédé de fabrication de structures POI au moyen de substrats donneurs ainsi fabriqués. Dans le domaine de la microélectronique, de la micromécanique et de la photonique, les structures POI sont d'une importance croissante par exemple en raison de propriétés supérieures en termes de sensibilité et de propagation d’informations. Par exemple, des capteurs tels que des capteurs à ondes acoustiques de surface (SAW), ou des capteurs à ondes acoustiques en volume (BAW) utilisant l'effet piézoélectrique pour convertir un signal électrique en une onde mécanique/acoustique offrent des options particulièrement avantageuses en raison d'une grande variété de paramètres ambiants mesurables, notamment par exemple une température, une pression, une contrainte et un couple. Une structure POI typique comprend une couche de matériau piézoélectrique, en particulier un matériau monocristallin tel que, par exemple, le niobate de lithium (LiNbO 3 ) ou le tantalate de lithium (LiTaO 3 ), sur un substrat de support réalisé par exemple en silicium. Divers procédé de formation d'une couche mince de matériau piézoélectrique sur le substrat de support sont connus dans la technique. L'application de la technologie Smart Cut™ s'est avérée particulièrement avantageuse. Selon cette technologie (voir, par exemple, WO 2020/200986 A1), des espèces légères sont implantées dans un substrat piézoélectrique formé sur un substrat de support pour former une région affaiblie dans le substrat piézoélectrique, puis le substrat piézoélectrique est collé à un substrat cible. Par l’intermédiaire d’une fracturation au niveau de la région affaiblie, la couche mince de matériau piézoélectrique peut être obtenue sur le substrat de support. La couche de matériau piézoélectrique transférée est soumise à un procédé de recuit et, par la suite, à un procédé de polissage, en particulier par l’intermédiaire d’un polissage chimico-mécanique, CMP, dans le but d'améliorer la qualité cristalline et d'obtenir l'uniformité d'épaisseur souhaitée d'une couche monodomaine de matériau piézoélectrique avec sensiblement tous les moments dipolaires alignés parallèlement les uns par rapport aux autres dans une direction donnée. Cependant, la qualité de la couche piézoélectrique à transformer à partir d'un substrat donneur comprenant le substrat piézoélectrique vers un substrat cible n'est pas satisfaisante dans la technique. Afin d'obtenir le substrat piézoélectrique, un bloc massif d'un matériau piézoélectrique est formé sur le substrat de support et meulé et/ou gravé. Il a été observé que la partie supérieure du substrat piézoélectrique obtenu, et par conséquent la couche piézoélectrique à transformer, présente un certain enroulement de bord, ce qui entraîne un niveau d'épaisseur plus élevé au niveau du bord de la couche par comparaison à la région centrale. Lors du collage et de l'expansion de l'onde de collage à travers l'interface de collage, des zones de gaz qui pourraient normalement s'échapper de la structure collée en étant poussées vers l'extérieur pendant la fermeture de l'interface de collage apparaissent en raison de l'enroulement de bord et entraînent des vides de collage de bord formés dans la structure POI finale. Par conséquent, un but de la présente invention est de fournir une technique de fabrication d'un substrat donneur comprenant une couche piézoélectrique pour la fabrication d'une structure POI (sur la base de la technologie Smart Cut™) avec une couche hautement uniforme de matériau piézoélectrique à transférer du substrat donneur à un substrat cible. La présente invention atteint de but en fournissant un procédé de fabrication d'un substrat donneur (pseudo-donneur, PSD) pour la fabrication d'une structure piézoélectrique sur isolant, POI, comprenant les étapes consistant à fournir un substrat de support (manipulateur) ; former un bloc de matériau piézoélectrique sur ou au-dessus du substrat de support, dans lequel le matériau piézoélectrique comprend ou est constitué d’un parmi le tantalate de lithium et le niobate de lithium ; effectuer un polissage chimico-mécanique, CMP, du bloc de matériau piézoélectrique pour obtenir un substrat piézoélectrique ; et implanter une espèce (par exemple de l'hydrogène, facultativement complété par de l'hélium) dans le substrat piézoélectrique pour obtenir une couche affaiblie dans le substrat piézoélectrique ; et dans lequel le CMP est effectué au moyen d'un tampon de CMP comprenant un tampon secondaire d'une dureté supérieure à 45 shore A. Le niveau shore A peut être défini/mesuré selon la norme DIN ISO 48-4:2018. La formation du bloc de matériau piézoélectrique sur ou au-dessus du substrat de support peut comprendre un collage du bloc de matériau piézoélectrique au substrat de support au moyen d'une couche de collage diélectrique, par exemple, une couche de photo (UV) polymère ou une couche constituée ou comprenant de l'oxyde de silicium et/ou du nitrure de silicium. Le meulage du bloc de matériau piézoélectrique peut être effectué avant le CMP. Contrairement à la technique antérieure, le CMP du piézoélectrique et, par conséquent, de la couche piézoélectrique supérieure de celui-ci à transférer à un substrat cible dans le procédé de fabrication d'une structure POI est réalisé par un tampon de CMP entièrement dur comprenant un tampon secondaire avec une dureté supérieure à 45 shore A, tandis qu'un tampon supérieur (destiné à venir en contact avec la couche piézoélectrique) du tampon de CMP est utilisé de manière habituelle (par exemple, un tampon supérieur rigide réalisé en polyuréthane). Dans la technique antérieure, des tampons secondaires d'une dureté de seulement environ 35 shore A sont couramment utilisés. En fonction de l'application réelle, selon un mode de réalisation, un tampon de CMP comprenant un tampon secondaire avec une dureté de plus de 45 shore A, en particulier de plus de 50 shore A, ou avec une dureté dans la plage de 45 shore A à 55 shore A, en particulier dans une plage de 50 shore A à 55 shore A, peut être utilisé. L'utilisation de tels tampons secondaires durs est quelque peu contre-intuitive compte tenu du risque de générer des rayures à la surface de la couche piézoélectrique à transférer. Cependant, il s'est avéré qu'une épaisseur uniforme de la couche piézoélectrique à transférer en réduisant de manière significative l'enroulement de bord par CMP au moyen de tampons de CMP entièrement durs peut être obtenue sans provoquer de rayures à la surface de la couche piézoélectrique à transférer. Par conséquent, un collage plus fiable de la couche piézoélectrique transférée au substrat cible sans vide de collage peut être obtenu de manière fiable. D'autres paramètres de l'ensemble du procédé de fabrication du substrat donneur peuvent être choisis comme cela se fait d'une manière habituelle et connue de l'homme du métier. Selon un mode de réalisation, le tampon secondaire présente une densité supérieure à 0,35 g/cm 3 , en particulier supérieure à 0,4 g/cm 3 , ou dans la plage de 0,35 g/cm 3 à 0,45 g/cm 3 . Ces plages de paramètre peuvent s'avérer avantageuses en termes d'uniformité d'épaisseur de la couche piézoélectrique polie résultante du substrat donneur, en particulier en combinaison avec les plages de paramètre mentionnées ci-dessus. Selon un autre mode de réalisation, le tampon secondaire présente une déflexion de force de compression dans la plage de 600 kPa à 670 kPa, en particulier d'environ 641,212 kPa. La déflexion de la force de compression peut être définie/mesurée selon la norme DIN ISO 48-4:2018. Ces plages de paramètre peuvent s'avérer avantageuses en termes d'uniformité d'épaisseur de la couche piézoélectrique polie résultante du substrat donneur, en particulier en combinaison avec les plages de paramètre mentionnées ci-dessus. Selon un autre mode de réalisation, le CMP est réalisé au moyen d'une suspension de CMP constituée d'une suspension aqueuse de silicium amorphe avec un pourcentage en poids du silicium amorphe inférieur à 20, en particulier dans la plage de 10 à 18 ou de 12,5 à 17,5, contrairement à la plage de paramètre d'une suspension de CMP utilisée de manière classique donné par 25 à 35 % en poids. Les plages de paramètre selon le mode de réalisation peuvent s'avérer avantageuses en termes d'uniformité d'épaisseur de la couche piézoélectrique polie résultante du substrat donneur, en particulier en combinaison avec les plages de paramètre mentionnées ci-dessus. Le silicium amorphe utilisé pour la suspension de CMP peut comprendre ou consister en des particules de silicium amorphe précipitées avec des diamètres dans la plage de 40 à 60 nm. En outre, un procédé de fabrication d'une structure piézoélectrique sur isolant, POI, est prévu, comprenant la réalisation des étapes du procédé de fabrication d'un substrat donneur selon l'un des exemples décrits ci-dessus et le transfert d'une couche piézoélectrique du substrat piézoélectrique à un substrat cible, comprenant un collage du substrat donneur au substrat cible sur le côté du substrat piézoélectrique et une fracturation du substrat piézoélectrique au niveau de la couche affaiblie dans un procédé de recuit. Ainsi, la couche piézoélectrique peut être transférée de manière fiable au substrat cible sans défauts trop lourds. Un post-traitement supplémentaire (recuit et polissage) peut cependant encore être nécessaire pour fournir une couche piézoélectrique adaptée à des applications particulières. Il convient de noter que de l'oxyde de silicium d’origine naturelle peut être présent entre la couche piézoélectrique transférée et le substrat cible. En outre, une couche d'assemblage diélectrique peut être formée sur ou au-dessus d’une surface du substrat cible avant un transfert de la couche piézoélectrique vers cette surface. Cette couche d'assemblage diélectrique peut être réalisée en ou comprendre de l'oxyde de silicium et/ou du nitrure de silicium, ou un empilement de couches composées de ces matériaux. En outre, en fonction de l'application réelle, une couche de piégeage de charge peut être formée sur ou au-dessus d’une surface du substrat cible avant un transfert de la couche piézoélectrique à cette surface. La couche de piégeage de charge peut être réalisée en ou comprendre du silicium polycristallin. Comme mentionné ci-dessus, un post-traitement de la couche piézoélectrique transférée au substrat cible peut être effectué. Le post-traitement peut comprendre une étape de recuit thermique pour augmenter la qualité cristalline de la couche piézoélectrique transférée et consolider le collage de la couche piézoélectrique transférée au substrat cible. Le post-traitement peut en outre comprendre un CMP de la couche piézoélectrique transférée après le recuit thermique afin d'augmenter l'uniformité d'épaisseur et la qualité de surface et afin d'éliminer des régions multi-domaines avec des polarités différentes causées par le recuit. Il convient de noter que d'autres paramètres de l'ensemble du procédé de fabrication de la structure POI, tels que ceux décrits ci-dessus en ce qui concerne la fabrication du substrat donneur, peuvent être choisis comme cela se fait d’une manière habituelle et connue de l'homme du métier. En outre, une structure POI est prévue, comprenant une couche piézoélectrique formée sur ou au-dessus d'un substrat cible et pouvant être obtenue par le procédé selon un certain des exemples décrits ci-dessus, dans laquelle la couche piézoélectrique peut présenter une uniformité d'épaisseur (plage d'épaisseur à travers le diamètre de la couche) inférieure à 50 nm, en particulier inférieure à 20 nm. En outre, un dispositif microélectronique, micromécanique ou photonique est prévu, ou un système microélectromécanique (MEMS) comprenant une telle structure POI. Des caractéristiques et avantages supplémentaires de la présente invention vont être décrits en se reportant aux dessins. Dans la description, référence est faite aux dessins annexés, qui sont censés illustrer des modes de réalisation préférés de l'invention. Il convient de comprendre que de tels modes de réalisation ne représentent pas la portée complète de l'invention. FIG. 1 illustre des étapes d’un procédé de fabrication d’une structure POI selon un mode de réalisation de la présente invention. FIG. 2 illustre l'effet technique d'une couche piézoélectrique hautement uniforme à transférer à un substrat cible résultant d'un procédé de fabrication d'une structure donneuse pour la fabrication d'une structure POI selon un mode de réalisation de la présente invention. Un procédé de fabrication d'un substrat donneur est fourni ici, comprenant une couche piézoélectrique pour la fabrication d'une structure POI. La couche piézoélectrique à transformer en un substrat cible présente une uniformité d'épaisseur élevée résultant d'un polissage effectué avec un tampon secondaire de polissage CMP relativement dur. Le procédé peut comprendre un procédé de fabrication d'une structure POI selon la technologie Smart Cut™. FIG. 1 illustre des étapes d’un procédé de fabrication d’une structure POI selon un mode de réalisation de la présente invention. Le procédé est similaire à un procédé décrit dans WO 2020/200986 A1, mais diffère de ce dernier par le procédé inventif de polissage de la couche piézoélectrique du substrat donneur à transférer à un substrat cible. Comme le montre l'étape i) de la FIG. 1 , un substrat donneur 1 est fourni, qui comprend un substrat piézoélectrique 1a formé sur un substrat de support (manipulateur) 1b. Le substrat piézoélectrique 1a est réalisé en tantalate de lithium (LiTaO 3 ) ou en niobate de lithium (LiNbO 3 ). Le substrat de support 1b peut être réalisé en un matériau (ou une pluralité de matériaux) présentant un coefficient de dilatation thermique proche de celui présenté par un substrat cible 7, c'est-à-dire que le coefficient de dilatation thermique du substrat de support 1b diffère de celui du substrat cible 7 de moins de la différence du coefficient de dilatation thermique du substrat piézoélectrique 1a et de celui du substrat cible 7. Le substrat de support 1b et le substrat cible 7 peuvent avoir des coefficients de dilatation thermique identiques et les deux substrats peuvent, par exemple, être constitués de ou comprendre du silicium. De plus, les deux substrats peuvent avoir des épaisseurs similaires. Afin d'obtenir le substrat donneur 1, un bloc massif de matériau piézoélectrique peut être fixé au substrat de support 1b, par exemple, en utilisant une technique de collage par adhérence moléculaire. Le collage peut être favorisé par une couche de collage (adhérence) diélectrique (non représentée sur la FIG. 1 ), par exemple, une couche de photo (UV) polymère ou une couche réalise en ou comprenant de l'oxyde de silicium et/ou du nitrure de silicium. Le procédé de collage peut comprendre l'application d'un traitement thermique à basse température (par exemple, à une température comprise entre 50 et 300°C, typiquement de 100°C) permettant de renforcer suffisamment l'énergie de collage afin de permettre l'étape d'amincissement suivante. Ensuite, le substrat piézoélectrique 1a est formé par amincissement. L'étape d'amincissement est réalisée de telle sorte que le substrat piézoélectrique 1a présente une épaisseur suffisamment faible pour que les contraintes générées pendant le traitement thermique appliqué dans une étape de traitement ultérieure soient réduites. D'autre part, l'épaisseur doit être suffisamment élevée pour fournir la couche piézoélectrique 3 qui doit être transférée au substrat cible 7 ou pour fournir une pluralité de telles couches qui doivent être transférées les unes après les autres dans de multiples étapes de transfert (après régénération respective du substrat donneur 1) à des substrats cibles respectifs. L'épaisseur du substrat piézoélectrique 1a peut par exemple, être comprise entre 5 et 400 µm, par exemple de 20 µm, ou de 100 µm, ou de 200 µm. L'amincissement comprend un polissage chimico-mécanique (CMP). Selon l'invention, le CMP est réalisé à l'aide d'un tampon de polissage secondaire relativement dur. Un tampon de polissage comprend un tampon supérieur destiné à venir en contact avec la surface du matériau à polir et un tampon secondaire. Tandis que le tampon supérieur est choisi de manière habituelle (par exemple sous la forme d’un tampon supérieur rigide réalisé en polyuréthane), selon l'invention, le tampon secondaire du tampon de CMP utilisé pour polir la partie supérieure du substrat piézoélectrique, et par conséquent la couche piézoélectrique à transférer à un substrat cible dans le procédé de fabrication d'une structure POI, présente une dureté de plus de 45 shore A. En fonction de l'application réelle, un matériau avec une dureté de plus de 45 shore A, en particulier de plus de 50 shore A, ou une dureté dans la plage de 45 shore A à 55 shore A, en particulier dans une plage de 50 shore A à 55 shore A, peut être choisi pour le tampon secondaire du tampon de CMP. En utilisant un tel tampon secondaire relativement dur, un enroulement de bord de la couche piézoélectrique à transférer, résultant classiquement en des vides de collage de bord formés dans la structure POI finale, peut être supprimé de manière significative. Par conséquent, un collage plus fiable de la couche piézoélectrique transférée au substrat cible 7 peut être obtenu. Selon différents modes de réalisation, le tampon secondaire utilisé pour le CMP de la couche piézoélectrique 3 du substrat donneur 1 présente une densité supérieure à 0,35 g/cm 3 , en particulier supérieure à 0,4 g/cm 3 , ou dans la plage de 0,35 g/cm 3 à 0,45 g/cm 3 , et le tampon secondaire peut présenter une déflexion de force de compression dans la plage de 600 kPa à 670 kPa, en particulier d'environ 641,212 kPa. Par exemple, le tampon secondaire d'un CMP utilisé pour le CMP de la couche piézoélectrique 3 du substrat donneur 1 peut être réalisé en polyuréthane thermoplastique et présenter une dureté de 53 shore A, une densité de 0,4 g/cm 3 , une déflexion de force de compression de 641,212 kPA (93 psi) et une épaisseur de 0,79 mm (35 mil) par comparaison à un tampon secondaire classique typique utilisé pour le CMP d'une couche piézoélectrique d'un substrat donneur utilisé dans un procédé Smart Cut™ pour obtenir une structure POI réalisée en polyuréthane et présentant une dureté de 35 shore A. Selon un mode de réalisation, le CMP est réalisé au moyen d'une suspension de CMP constituée d'une suspension aqueuse de silicium amorphe avec un pourcentage en poids du silicium amorphe inférieur à 20, en particulier dans la plage de 10 à 18 ou de 12,5 à 17,5. Le silicium amorphe utilisé pour la suspension de CMP peut comprendre ou consister en des particules de silicium amorphe précipitées avec des diamètres dans la plage de 40 à 60 nm. Par exemple, du Klebosol 30HB50 présentant du silicium amorphe pour 25 à 35 % en poids et un diamètre moyen des particules de silicium amorphe précipitées de 50 nm peut être dilué de manière appropriée avec de l'eau, par exemple avec une dilution de 1:1, afin d'obtenir la suspension de CMP utilisée pour le CMP de la couche piézoélectrique 3 du substrat donneur 1. D'autres paramètres de l’ensemble du procédé de CMP ainsi que de l’ensemble du procédé de fabrication de la structure POI illustré sur la FIG. 1 peuvent être choisis de manière habituelle. FIG. 2 illustre une réduction d’enroulement de bord par l'utilisation d'un tampon de CMP comprenant un tampon secondaire dur selon un mode de réalisation. Pour les résultats présentés, un tampon secondaire réalisé en polyuréthane thermoplastique et présentant une dureté de 53 shore A, une densité de 0,4 g/cm 3 , une déflexion de force de compression de 641,212 kPA (93 psi) et une épaisseur de 0,79 mm (31 mil), a été utilisé avec une suspension de CMP dans la plage de concentration en silicium mentionnée ci-dessus. L'abscisse de la FIG. 2 2 montre la distance depuis le bord de la couche piézoélectrique 3 en même, et l'ordonnée montre l'écart d'épaisseur de bord par rapport à l'épaisseur centrale en Å. Les trois profils de bord obtenus pour un tampon de CMP (POR) habituel pour différentes plaquettes montrent l'enroulement de bord désavantageux (voir maxima des courbes). Au contraire, par l’intermédiaire de deux tampons secondaires inventifs différents utilisés pour le CMP, un tel enroulement de bord peut clairement être supprimé. Pour les résultats présentés, un tampon secondaire réalisé en polyuréthane thermoplastique et présentant une dureté de 53 shore A, une densité de 0,4 g/cm 3 , une déflexion de force de compression de 641,212 kPA (93 psi) et une épaisseur de 0,79 mm (31 mil) a été utilisé, avec une suspension de CMP dans la plage de concentration en silicium mentionnée ci-dessus. Dans l'étape ii) du procédé illustré dans la FIG. 1 , de l'hydrogène (facultativement complété par de l'hélium) est implanté dans le substrat piézoélectrique 1a à travers la surface exposée 4 pour générer une couche affaiblie 2 qui marque la séparation de la couche piézoélectrique 3 par rapport à la partie restante 5 du substrat donneur 1. La nature et la dose des espèces implantées et l'énergie d'implantation peuvent être choisies en fonction de l'épaisseur de la couche piézoélectrique 3 qui doit être transférée au substrat cible 7 et des propriétés physico-chimiques du substrat piézoélectrique 1a. Par exemple, pour un substrat en tantalate de lithium, une dose d'ions hydrogène comprise entre 10 16 et 5∙10 17 at/cm 2 avec une énergie comprise entre 30 keV et 300 keV peut être implantée pour délimiter la couche piézoélectrique 3 avec une épaisseur de 200 nm à 2000 nm, par exemple. Selon le procédé illustré sur la FIG. 1 , l'étape d'implantation ii) est suivie de l'étape consistant à fixer iii) le substrat donneur 1 au substrat de support 7 sur le côté du substrat piézoélectrique 1a par adhérence moléculaire et/ou collage électrostatique. Une couche d'assemblage diélectrique 7b peut être prévue entre le substrat piézoélectrique 1a du substrat donneur 1 et le substrat cible 7. La couche d'assemblage diélectrique 7b peut comprendre un oxyde et peut être réalisé en ou comprendre de l'oxyde de silicium et/ou du nitrure de silicium, ou un empilement de couches composées de ces matériaux. En outre, une couche de piégeage de charge réalisée en ou comprenant du silicium polycristallin peut par exemple être formée sur ou au-dessus du substrat cible 7 afin d'améliorer la résistivité électrique de celui-ci si cela est souhaité par une application réelle. La couche piézoélectrique 3 est ensuite détachée de la partie restante 5 du substrat donneur 1 pour obtenir iv) une structure POI 9 comprenant le substrat cible 7, la couche d'assemblage diélectrique 7b (le cas échéant) et la couche piézoélectrique 3. Un détachement au niveau de la couche affaiblie 2 est facilité par un traitement thermique dans une plage de température d'environ 100°C à 600°C, pour permettre un transfert de la couche piézoélectrique 3 au substrat cible 7. En variante ou de plus, le détachement au niveau de la couche affaiblie 2 peut être facilité par l'application d'une lame ou d'un jet de fluide gazeux ou liquide, ou de toute autre force mécanique appliquée à la couche affaiblie 2. Le post-traitement de la couche piézoélectrique transférée 3 est nécessaire pour obtenir une couche piézoélectrique transférée 3 présentant une qualité cristalline et de surface monodomaine satisfaisante (rugosité réduite) et une uniformité d'épaisseur telle que requise par des applications réelles. Le post-traitement comprend un traitement thermique v) de la couche piézoélectrique 3, par exemple à environ 500°C dans une atmosphère neutre ou une atmosphère comprenant de l'oxygène. Ce traitement thermique permet de traiter les défauts cristallins présents dans la couche piézoélectrique, et consolide le collage entre la couche piézoélectrique 3 et le substrat cible 7. Cependant, le traitement thermique provoque une diffusion de l'hydrogène contenu dans la couche piézoélectrique 3, en particulier dans sa partie supérieure (d'une épaisseur d'environ 50 nm ou moins, par exemple), et par conséquent la génération d'une pluralité de domaines ferroélectriques conférant à la partie supérieure un caractère multi-domaine. En effet, l'hydrogène implanté dans le substrat piézoélectrique 1a lors de l'étape de définition de la couche piézoélectrique 3 au-dessus de la couche fragilisée 2 est distribué dans ce substrat selon un profil présentant un pic de concentration au niveau du plan d’affaiblissement 2. Après fracturation au niveau de la couche affaiblie 2, la couche piézoélectrique 3 transférée au substrat cible 7 présente donc une concentration importante d'hydrogène, et le traitement thermique conduit à la génération de multiples domaines, c'est-à-dire une pluralité de régions présentant des polarités différentes. Les performances de dispositifs qui sont destinés à être formés sur/dans la couche piézoélectrique 3 seraient fortement affectées par de tels multiples domaines. Afin d'éliminer les multiples domaines supérieurs et d'augmenter la qualité de surface et l'uniformité d'épaisseur de la couche piézoélectrique transférée 3, le post-traitement comprend un polissage de la surface exposée de la couche piézoélectrique 3 (voir étape vi) sur la FIG. 1 ). Par exemple, 100 à 300 nm de la partie supérieure de la couche piézoélectrique 3 peuvent être éliminés par le procédé de polissage pour atteindre une épaisseur cible prédéterminée par exemple d'environ 600 nm. Procédé de fabrication d'un substrat donneur (1) pour la fabrication d'une structure piézoélectrique sur isolant, POI, (9), comprenant les étapes consistant à fournir un substrat de support (1b) ; former un bloc de matériau piézoélectrique sur ou au-dessus du substrat de support (1b), dans lequel le matériau piézoélectrique comprend ou est constitué d’un parmi le tantalate de lithium et de niobate de lithium ; effectuer un polissage chimico-mécanique, CMP, du bloc de matériau piézoélectrique pour obtenir un substrat piézoélectrique (1a) ; et implanter une espèce dans le substrat piézoélectrique (1a) pour obtenir une couche affaiblie (2) dans le substrat piézoélectrique (1a) ; et dans lequel le CMP est effectué au moyen d'un tampon de CMP comprenant un tampon secondaire d'une dureté supérieure à 45 shore A. Le procédé selon la revendication 1, dans lequel le CMP est effectué au moyen d'un tampon de CMP comprenant un tampon secondaire avec une dureté de plus de 50 shore A, ou avec une dureté dans la plage de 45 shore A à 55 shore A, en particulier dans une plage de 50 shore A à 55 shore A. Le procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le tampon secondaire présente une densité supérieure à 0,35 g/cm 3 , en particulier supérieure à 0,4 g/cm 3 , ou dans la plage de 0,35 g/cm 3 à 0,45 g/cm 3 . Le procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le tampon secondaire présente une déflexion de force de compression dans la plage de 600 kPa à 670 kPa. Le procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le CMP est réalisé au moyen d'une suspension de CMP constituée d'une suspension aqueuse de silicium amorphe avec un pourcentage en poids du silicium amorphe inférieur à 20, en particulier dans la plage de 10 à 18 ou de 12,5 à 17,5. Le procédé selon la revendication 5, dans lequel le silicium amorphe comprend ou est constitué de particules de silicium amorphe précipitées avec des diamètres dans la plage de 40 à 60 nm. Le procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre le meulage du bloc de matériau piézoélectrique avant le CMP. Procédé de fabrication d'une structure piézoélectrique sur isolant, POI, (9), comprenant les étapes consistant à exécuter les étapes de l'une quelconque des revendications précédentes ; et transférer une couche piézoélectrique (3) du substrat piézoélectrique à un substrat cible (7), comprenant un collage du substrat donneur (1) au substrat cible (7) sur le côté du substrat piézoélectrique (1a), et une fracturation du substrat piézoélectrique (1a) au niveau de la couche affaiblie (2). Le procédé selon la revendication 8, comprenant en outre la réalisation d'un traitement thermique suivi d'un CMP de la couche piézoélectrique (3) transférée au substrat cible (7). Structure piézoélectrique sur isolant, POI (9) comprenant une couche piézoélectrique (3) formée sur ou au-dessus d'un substrat cible (7) et pouvant être obtenue par le procédé selon l’une quelconque des revendications 8 et 9. Dispositif microélectronique, micromécanique ou photonique, ou système microélectromécanique comprenant la structure POI (9) selon la revendication 10.