Brevet FR3158853A1 — publié le 20250801

L'invention porte sur un module électronique de puissance (10) comportant: - un substrat céramique (11), - au moins une piste électrique de connexion (12) disposée sur une face du substrat céramique (12), - au moins un composant électronique (13) connecté électriquement à la piste électrique de connexion (12), et - un limiteur de courant (14) constitué par une piste électrique supraconductrice (23) réalisée dans un matériau ayant des propriétés supraconductrices dans une plage de très basse température comprise entre 0K et 200K, et de préférence entre 0K et 90K, et plus préférentiellement entre 20K et 90K, - ladite piste électrique supraconductrice (23) étant disposée sur le substrat céramique (11) de manière à définir une pluralité de spires (24.1-24.4) dans lesquelles le courant d'une spire donnée circule dans un sens opposé à celui dans lequel circule un courant d'une spire adjacente pour obtenir un limiteur de courant (14) non inductif. Figure pour abrégé : Figure 1 MODULE ÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE À LIMITEUR DE COURANT EN MATERIAU SUPRACONDUCTEUR La présente invention porte sur un module électronique de puissance à limiteur de courant en matériau supraconducteur. L'invention trouve une application particulièrement avantageuse, mais non exclusive, dans le domaine de l’électronique de puissance, notamment avec les modules électroniques de puissance pour les systèmes de conversion électrique, tels que les onduleurs ou les redresseurs pour les machines électriques tournantes associées à l’électrification des avions. Le changement climatique est une préoccupation majeure pour de nombreux organes législatifs et de régulation à travers le monde. En effet, diverses restrictions sur les émissions de carbone ont été, sont ou seront adoptées par divers états. En particulier, une norme ambitieuse s’applique à la fois aux nouveaux types d’avions mais aussi ceux actuellement en circulation nécessitant de devoir mettre en œuvre des solutions technologiques afin de les rendre conformes aux réglementations en vigueur. L’aviation civile se mobilise depuis maintenant plusieurs années pour apporter une contribution à la lutte contre le changement climatique. Les efforts de recherche technologique ont déjà permis d’améliorer de manière très significative les performances environnementales des avions. La Déposante prend en considération les facteurs impactant dans toutes les phases de conception et de développement pour obtenir des composants et des produits aéronautiques moins énergivores, plus respectueux de l’environnement et dont l’intégration et l’utilisation dans l’aviation civile ont des impacts environnementaux modérés dans un but d’amélioration de l'efficacité énergétique des avions. Par voie de conséquence, la Déposante travaille en permanence à la réduction de son impact climatique par l’emploi de méthodes et l’exploitation de procédés de développement et de fabrication vertueux minimisant les émissions de gaz à effet de serre pour réduire l'empreinte environnementale de son activité. Ces travaux de recherche et de développement soutenus portent à la fois sur les nouvelles générations de moteurs d’avions, l’allègement des appareils, notamment par les matériaux employés et les équipements embarqués allégés, le développement de l’emploi des technologies électriques pour assurer la propulsion, et, indispensables compléments aux progrès technologiques, les biocarburants aéronautiques. L’électrification et l’hybridation de la chaîne propulsive des aéronefs de future génération nécessitent de fortes puissances électriques pour générer la poussée nécessaire au décollage de l’appareil et à son maintien en condition de vol. Tous les types d’aéronefs peuvent être concernés, à savoir les aéronefs à décollage et atterrissage vertical (VTOL pour "Vertical TakeOff-Landing" selon la terminologie anglosaxonne), les aéronefs à décollage et atterrissage sur distance courte (STOL pour "Short TakeOff-Landing" selon la terminologie anglosaxonne) ou les aéronefs à décollage et atterrissage conventionnel (CTOL pour "Conventional TakeOff-Landing" selon la terminologie anglosaxonne), des avions commerciaux ou militaires, des hélicoptères ou des drones. Le développement de systèmes électriques de plus en plus puissants (de l’ordre du mégawatt) pour la propulsion électrique ou hybride nécessite de concevoir des électroniques de puissance ayant une puissance spécifique la plus importante possible. Par ailleurs, le développement de nombreux dispositifs de propulsion et de stockage basés sur l’utilisation d’hydrogène liquide (à une température de l’ordre de 20K) implique la disponibilité d’une importante source de refroidissement cryogénique pouvant être utilisée pour le refroidissement des composants électroniques de puissance. Dans ce contexte, l’utilisation de matériaux supraconducteurs est une voie potentielle intéressante pour atteindre des densités de puissances et des rendements élevés tout en tirant profit de l'environnement cryogénique disponible. Les études récentes sur le développement de modules électroniques de puissance adaptés aux systèmes supraconducteurs ont mis en évidence qu’un certain nombre de composants semi-conducteurs voyaient leurs performances électriques améliorées à température cryogénique par rapport à la température ambiante. Par exemple, un transistor de type MOSFET-Si présente une résistance à l’état passant minimale à 77 K réduite d’un facteur 5 par rapport à sa valeur à température ambiante. Dans ce contexte, un fonctionnement à très basse température est envisagé pour la réalisation de convertisseurs électriques ayant des performances améliorées dans un environnement cryogénique. La protection en courant dans un module électronique de puissance nécessite l’ajout de nombreux composants spécifiquement dédiés, tels que des dispositifs de mesure de courant (shunt, boucle Rogowski, ou autre) associés à un système de traitement de contrôle des paramètres électriques d'un composant de commutation. Cet ajout de composants impacte le volume, le coût et la fiabilité du module électronique de puissance. L'invention vise à remédier efficacement aux inconvénients précités en proposant un module électronique de puissance comportant: - un substrat céramique réalisé dans un matériau céramique, - au moins une piste électrique de connexion disposée sur une face du substrat céramique, - au moins un composant électronique connecté électriquement à la piste électrique de connexion, - ledit module électronique de puissance comporte en outre un limiteur de courant constitué par une piste électrique supraconductrice réalisée dans un matériau ayant des propriétés supraconductrices dans une plage de très basse température comprise entre 0K et 200K, et de préférence entre 0K et 90K, et plus préférentiellement entre 20K et 90K, - ladite piste électrique supraconductrice étant disposée sur une face du substrat de façon à adhérer sur ladite face du substrat céramique, ladite piste électrique supraconductrice étant disposée sur le substrat céramique de manière à définir une pluralité de spires dans lesquelles le courant d'une spire donnée circule dans un sens opposé à celui dans lequel circule un courant d'une spire adjacente pour obtenir un limiteur de courant non inductif. L'invention permet ainsi d’intégrer de manière intrinsèque une fonction de limiteur de courant au module électrique de puissance afin de le protéger en limitant l’amplitude des courants apparaissant notamment en cas de court-circuit. En effet, en fonctionnement normal, la piste supraconductrice du limiteur de courant présente une inductance et une résistance quasi nulles, de sorte que le limiteur de courant n’a pas d’impact sur les performances électriques du module de puissance. En revanche, lorsque le courant dépasse un niveau admissible, le limiteur de courant devient actif de sorte que la piste supraconductrice du limiteur de courant présente une résistance importante limitant ainsi l’ampleur du courant. La fonctionnalité intrinsèque de limiteur de couple permet en outre de se passer d’un composant dédié à la limitation de courant et ainsi de réduire la masse, le coût, et l'encombrement du module électronique de puissance tout en améliorant sa fiabilité. Par ailleurs, dans les applications aux puissances trop faibles pour envisager l’intégration d’un limiteur de courant dédié, le fait de disposer d’un module électrique intégrant cette fonction de manière intrinsèque permet de conférer une protection électrique supplémentaire qui n’aurait pas été présente autrement. Selon une réalisation de l'invention, le limiteur de courant est disposé en amont du composant électronique. Selon une réalisation de l'invention, le limiteur de courant est disposé en aval du composant électronique. Selon une réalisation de l'invention, une largeur de la piste électrique supraconductrice du limiteur de courant est fixée de façon à définir à partir de quel courant critique, une limitation de courant s’enclenche. Selon une réalisation de l'invention, une longueur de la piste électrique supraconductrice du limiteur de courant est fixée de façon à définir une résistance du limiteur de courant souhaitée lors d’un court-circuit. Selon une réalisation de l'invention, la piste électrique supraconductrice du limiteur de courant réalisée dans au moins un matériau appartenant à la famille des "Terres rares-Baryum-Cuivre-Oxygène". Selon une réalisation de l'invention, au moins une couche d'interface est disposée entre le substrat et la piste électrique supraconductrice du limiteur de courant pour améliorer l’adhésion de la piste supraconductrice sur le substrat. Selon une réalisation de l'invention, la piste électrique de connexion est une piste électrique supraconductrice réalisée dans un matériau ayant des propriétés supraconductrices dans une plage de très basse température comprise entre 0K et 200K, et de préférence entre 0K et 90K, et plus préférentiellement entre 20K et 90K. Selon une réalisation de l'invention, la piste électrique de connexion est recouverte par une couche de métallisation sur laquelle est assemblé le composant électronique. Selon une réalisation de l'invention, une couche isolante recouvre en partie le composant électronique et la piste électrique de connexion pour permettre une connexion entre au moins une électrode supérieure du composant électronique à une autre piste électrique de connexion déposée au moins en partie sur la couche isolante et une face supérieure du composant électronique. Selon une réalisation de l'invention, le substrat est réalisé dans un matériau céramique contenant au moins un matériau choisi parmi les matériaux suivants: saphir, oxyde d'aluminium (AlO), magnésie (MgO), carbure de silicium (SiC), ou monoxyde de silicium (SiO). Selon une réalisation de l'invention, le substrat comporte des ailettes disposées sur une face inférieure destinées à venir en contact avec un fluide de refroidissement. Selon une réalisation de l'invention, le substrat comporte intérieurement au moins un canal de circulation d'un fluide de refroidissement ayant une entrée et une sortie de fluide de refroidissement. Selon une réalisation de l'invention, le fluide de refroidissement est choisi parmi le dihydrogène (H2) gazeux, le dihydrogène (H2) liquide, l'hélium (He) gazeux, ou l'azote (N2) liquide. La présente invention sera mieux comprise et d’autres caractéristiques et avantages apparaîtront encore à la lecture de la description détaillée qui suit comprenant des modes de réalisation donnés à titre illustratif en référence avec les figures annexées, présentées à titre d’exemples non limitatifs, qui pourront servir à compléter la compréhension de la présente invention et l’exposé de sa réalisation et, le cas échéant, contribuer à sa définition, sur lesquelles: FIG. 1 La FIG. 1 est une vue en perspective schématique d'un module électronique de puissance muni d'un limiteur de courant selon la présente invention; FIG. 2 La FIG. 2 est une vue en coupe transversale du module électronique de puissance de la FIG. 1 ; FIG. 3 La FIG. 3 est une représentation graphique de l'évolution, en fonction de la température, d'une conductivité thermique de différents matériaux pouvant constituer le substrat d'un module électronique de puissance selon l'invention; FIG. 4 La FIG. 4 est une représentation graphique de l'évolution, en fonction de la température, d'une densité de courant critique d'un matériau supraconducteur constituant des pistes électriques d'un module électronique de puissance selon l'invention; FIG. 5 La FIG. 5 est une vue de dessus de la piste électrique supraconductrice d'un limiteur de courant selon la présente invention décrivant une pluralité de spires; FIG. 6 La FIG. 6 est une représentation graphique d'une évolution en fonction du temps d'un courant circulant dans le module électronique de puissance respectivement sans et avec un limiteur de courant selon la présente invention; FIG. 7 FIG. 7 Les figures 7a et 7b sont des vues en coupe schématiques de différents modes de réalisation d'un circuit de refroidissement d'un module électronique de puissance selon l'invention. Il est à noter que les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation présentent les mêmes références. Ainsi, sauf mention contraire, de tels éléments disposent de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Les FIG. 1 et 2 sont des vues schématiques en perspective et en coupe d’un module électronique de puissance 10 comportant un substrat céramique 11 réalisé dans un matériau céramique. Le substrat 11 a une fonction de support mécanique pour au moins un composant électronique 13 ainsi que pour des pistes électriques de connexion 12.1-12.4. Le substrat 11 a également une fonction de transfert thermique vers un système de refroidissement. Le substrat 11 peut également avoir une fonction d'accueil d’un capot de protection et/ou une fonction d’accueil d'une solution d’encapsulation. Le substrat 11 est réalisé dans un matériau céramique contenant au moins un matériau choisi par exemple parmi les matériaux suivants: saphir, oxyde d'aluminium (AlO), magnésie (MgO), carbure de silicium (SiC), ou monoxyde de silicium (SiO). Cette liste est non-exhaustive, il s'agit seulement d'exemples de matériaux potentiels. Comme cela est illustré sur la FIG. 3 , ces matériaux présentent des propriétés de conductivité thermique λ (exprimée en W.m -1 .K -1 ) décuplées dans une plage de très basse température Temp comprise entre 20K et 90K. Les pistes électriques de connexion 12.1-12.4 sont disposées sur une face du substrat 11. Les pistes électriques de connexion 12.1-12.4 sont réalisées dans un matériau ayant des propriétés supraconductrices dans une plage de très basse température comprise entre 0K et 200K, et de préférence entre 0K et 90K, et plus préférentiellement entre 20K et 90K. Les propriétés supraconductrices sont caractérisées par l'absence ou la quasi-absence de résistance électrique à très basse température. Une piste électrique 12.1-12.4 est réalisée de préférence dans au moins un matériau appartenant à la famille des Terres Rares (TR)-Baryum (Ba)-Cuivre (Cu)-Oxygène (O). La FIG. 4 illustre le fait que la densité de courant critique Dcc (exprimée en A/mm2) d'une piste électrique 12.1-12.4 réalisée en Gd (gadolinium)-Ba-Cu-O augmente lorsque la température Temp est inférieure à 90K. Une piste électrique supraconductrice 12 peut être constituée de plusieurs matériaux choisis dans la famille des TR-Ba-Cu-O. Les pistes électriques supraconductrices 12.1-12.4 sont sérigraphiées sur le substrat 11. A cette fin, un masquage peut être réalisé avant dépôt pour s'assurer d'une localisation correcte des pistes électriques supraconductrices 12.1-12.4 sur le substrat 11. Les pistes électriques supraconductrices 12.1-12.4 peuvent être réalisées par dépôt par ablation laser pulsé dit "PLD" (Pulsed Laser Deposition) ou toute autre technique adaptée à la dépose de pistes électriques supraconductrices sur le substrat 11 réalisé en céramique. Une piste électrique supraconductrice 12.1-12.4 présente de préférence une épaisseur de quelques microns. Comme cela est visible sur la FIG. 2 , au moins une couche d'interface 19 peut être disposée entre le substrat 11 et une piste électrique supraconductrice 12.1-12.4 pour améliorer l’adhésion de la piste supraconductrice sur le substrat 11. La couche d'interface 19 est par exemple réalisée en magnésie (MgO). Le composant électronique 13 est connecté électriquement à une piste électrique supraconductrice 12.1. Le composant électronique 13 peut par exemple prendre la forme d'un composant semi-conducteur de puissance, tel qu'une diode de puissance ou un élément de commutation pouvant par exemple être constitué par un transistor (IGBT pour "Insulated Gate Bipolar Transistor", HEMT pour "High Electron Mobility Transistor", MOSFET pour "Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor" ou autre) avec ou sans une diode de roue libre en parallèle. La piste électrique supraconductrice 12.1 est recouverte par une couche de métallisation 15 sur laquelle est assemblé le composant électronique 13. Afin de limiter la résistance électrique de l'ensemble, la couche de métallisation 15 est une couche recouvrant partiellement la piste électrique supraconductrice 12.1 uniquement à l'endroit où est assemblé le composant électronique 13. La connexion entre le composant électronique 13 et la couche de métallisation 15 peut être effectuée par brasage, frittage, collage ou toute autre technique adaptée à l'application. Sur la FIG. 2 , une zone de brasure 16 obtenue avec un métal d'apport est disposée entre le composant électronique 13 et la couche de métallisation 15 déposée sur la piste électrique supraconductrice 12.1. Une couche isolante 18 recouvre en partie le composant électronique 13 et la piste électrique supraconductrice 12.1 pour permettre une connexion entre au moins une électrode supérieure du composant électronique 13 à une autre piste électrique supraconductrice 12.3 déposée au moins en partie sur la couche isolante 18 et une face supérieure du composant électronique 13. La couche isolante 18 s'étendant au moins en partie entre les pistes supraconductrices 12.1 et 12.3 permet ainsi d'éviter les courts-circuits entre deux pistes électriques supraconductrices 12.1 et 12.3 connectées à des potentiels électriques différents. Comme on peut le voir sur la FIG. 1 , un limiteur de courant 14 est constitué par une piste électrique supraconductrice 23 réalisée dans un matériau ayant des propriétés supraconductrices dans une plage de très basse température comprise entre 0K et 200K, et de préférence entre 0K et 90K, et plus préférentiellement entre 20K et 90K. La piste électrique supraconductrice 23 est disposée sur une face du substrat de façon à adhérer sur ladite face du substrat céramique 11. La piste électrique supraconductrice 23 du limiteur de courant 14 est réalisée dans au moins un matériau appartenant à la famille des "Terres rares-Baryum-Cuivre-Oxygène". Comme cela est illustré sur la FIG. 5 , la piste électrique supraconductrice 23 est disposée sur le substrat céramique 11 de manière à définir une pluralité de spires 24.1-24.4 dans lesquelles le courant d'une spire donnée circule dans un sens opposé à celui dans lequel circule un courant d'une spire adjacente pour obtenir un limiteur de courant 14 non inductif. Sur la FIG. 5 , le sens du courant à l'intérieur des spires 24.1-24.4 est indiqué par les flèches F. Le nombre de spires du limiteur de courant 14 peut varier en fonction de l'application. Afin d'obtenir la forme circulaire des spires 24.1-24.4, la piste électrique supraconductrice 23 peut être sérigraphiée sur le substrat 11. Un masquage peut être réalisé avant dépôt pour s'assurer d'une localisation correcte de la piste électrique supraconductrice 23 sur le substrat 11. Comme les pistes de connexion 12.1-12.4, la piste électrique supraconductrice 23 peut être réalisée par dépôt par ablation laser pulsé dit "PLD" ("Pulsed Laser Deposition") ou toute autre technique adaptée à la dépose d'une piste électrique supraconductrice sur un substrat 11 réalisé en céramique. La piste électrique supraconductrice 23 présente de préférence une épaisseur de quelques microns. Une couche d'interface peut être disposée entre le substrat 11 et la piste électrique supraconductrice 23 pour améliorer l’adhésion de la piste supraconductrice 23 sur le substrat 11. La couche d'interface est par exemple réalisée en magnésie (MgO). La piste électrique supraconductrice 23 du limiteur de courant 14 peut être déposée en même temps que certaines ou que l'ensemble des pistes électriques supraconductrices 12.1-12.4. Le limiteur de courant 14 peut être disposé en amont ou en aval du composant électronique 13. Ainsi, le limiteur de courant 14 peut être disposé entre la piste électrique 12.2 et la piste électrique 12.4 comme cela est représenté sur la FIG. 1 ou alternativement entre la piste électrique 12.4 et la piste électrique 12.1. En fonctionnement normal, le courant dans la piste électrique 23 du limiteur de courant 14 est inférieur à un courant critique du limiteur de courant 14 qui n’a donc ni inductance ni résistance et est donc invisible sur le réseau électrique. Lors d’un court-circuit, le courant dans le limiteur de courant 14 dépasse le courant critique, de sorte que la résistance du limiteur de courant 14 augmente, ce qui limite l’amplitude du court-circuit le rendant plus facile à éteindre rapidement par un organe de coupure, tel qu'un contacteur électrique de puissance ou un fusible. La FIG. 6 met ainsi en évidence qu'à partir de l'instant t1 d'apparition d'un court-circuit dans le module de puissance 10, le courant I observable à l'intérieur du module de puissance 10 équipé du limiteur de courant 14 (cf. courbe C1) est très inférieur au courant observable à l'intérieur d'un module de puissance analogue dépourvu de limiteur de courant (cf. courbe C2). Une largeur de la piste électrique supraconductrice 23 du limiteur de courant 14 est fixée de façon à définir à partir de quel courant critique, une limitation de courant s’enclenche. Une longueur de la piste électrique supraconductrice 23 du limiteur de courant 14 est fixée de façon à définir une résistance du limiteur de courant 14 souhaitée lors de l'apparition d’un court-circuit. La résistance du limiteur de courant 14 lors d'un court-circuit est proportionnelle à la longueur de la piste électrique 23. Le module électronique de puissance 10 peut comporter un système de refroidissement 20 pouvant présenter différentes formes. Dans le mode de réalisation de la FIG. 7 , le substrat 11 comporte des ailettes 21 disposées sur une face inférieure destinées à venir en contact avec un fluide de refroidissement 22. Les ailettes 21 sont disposées sur la face opposée à la face portant le ou les composants électroniques 13. Les ailettes 21 peuvent être réalisées d'un seul tenant avec le reste du substrat 11 ou rapportées et fixées sur le substrat 11. Dans le mode de réalisation de la FIG. 7 , le substrat 11 comporte intérieurement, c’est-à-dire dans la masse du substrat 11, au moins un canal 25 de circulation d'un fluide de refroidissement ayant une entrée 26 dans laquelle le fluide de refroidissement 22 entre suivant la flèche F1 et une sortie 27 de laquelle le fluide de refroidissement 22 sort suivant la flèche F2. Les formes du substrat 11, telles que les ailettes 21 ou le ou les canaux 25 de circulation de fluide de refroidissement peuvent être obtenues par un procédé de fabrication additive ou par usinage Le fluide de refroidissement 22 est choisi parmi le dihydrogène (H2) gazeux, le dihydrogène (H2) liquide, l'hélium (He) gazeux, ou l'azote (N2) liquide. Suivant un mode de réalisation particulier, le module électronique 10 peut être muni des deux systèmes de refroidissement (à ailettes et à canal de circulation interne d'un fluide de refroidissement). L'ensemble ainsi constitué peut être noyé dans un matériau d'encapsulation permettant de protéger les composants électroniques contre des agressions provoquées par un environnement dans lequel se situe le module de puissance. Classiquement, le matériau d'encapsulation peut prendre la forme d'un gel, d'une résine époxy et/ou d'un enrobage d'un matériau isolant adapté à être appliqué sur les composants électroniques. Le matériau d'encapsulation est également connu sous la dénomination anglo-saxonne de "coating". Un capot de protection (non représenté) peut venir fermer l’ensemble ainsi constitué. Le capot de protection peut porter une partie des bornes de puissance et/ou des bornes de commande du circuit électronique de puissance. En variante, les pistes électriques 12.1-12.4 sont réalisées dans un matériau métallique, tel que du cuivre ou de l'aluminium. Bien entendu, les différentes caractéristiques, variantes et/ou formes de réalisation de la présente invention peuvent être associées les unes avec les autres selon diverses combinaisons dans la mesure où elles ne sont pas incompatibles ou exclusives les unes des autres. En outre, l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits précédemment et fournis uniquement à titre d'exemple. Elle englobe diverses modifications, formes alternatives et autres variantes que pourra envisager l'homme du métier dans le cadre de la présente invention et notamment toutes combinaisons des différents modes de fonctionnement décrits précédemment, pouvant être pris séparément ou en association. Module électronique de puissance (10) comportant: - un substrat céramique (11) réalisé dans un matériau céramique, - au moins une piste électrique de connexion (12.1-12.4) disposée sur une face du substrat céramique (11), - au moins un composant électronique (13) connecté électriquement à la piste électrique de connexion (12.1-12.4), caractérisé en ce que ledit module électronique de puissance (10) comporte en outre un limiteur de courant (14) constitué par une piste électrique supraconductrice (23) réalisée dans un matériau ayant des propriétés supraconductrices dans une plage de très basse température comprise entre 0K et 200K, et de préférence entre 0K et 90K, et plus préférentiellement entre 20K et 90K, - ladite piste électrique supraconductrice (23) étant disposée sur une face du substrat de façon à adhérer sur ladite face du substrat céramique (11), ladite piste électrique supraconductrice (23) étant disposée sur le substrat céramique (11) de manière à définir une pluralité de spires (24.1-24.4) dans lesquelles le courant d'une spire donnée circule dans un sens opposé à celui dans lequel circule un courant d'une spire adjacente pour obtenir un limiteur de courant (14) non inductif. Module électronique de puissance selon la revendication 1, caractérisé en ce que le limiteur de courant (14) est disposé en amont du composant électronique (13). Module électronique de puissance selon la revendication 1, caractérisé en ce que le limiteur de courant (14) est disposé en aval du composant électronique (13). Module électronique de puissance selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'une largeur de la piste électrique supraconductrice (23) du limiteur de courant (14) est fixée de façon à définir à partir de quel courant critique, une limitation de courant s’enclenche. Module électronique de puissance selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'une longueur de la piste électrique supraconductrice (23) du limiteur de courant (14) est fixée de façon à définir une résistance du limiteur de courant (14) souhaitée lors d’un court-circuit. Module électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que la piste électrique supraconductrice (23) du limiteur de courant (14) réalisée dans au moins un matériau appartenant à la famille des "Terres rares-Baryum-Cuivre-Oxygène". Module électronique de puissance selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu’au moins une couche d'interface est disposée entre le substrat (11) et la piste électrique supraconductrice (23) du limiteur de courant (14) pour améliorer l’adhésion de la piste supraconductrice sur le substrat (11). Module électronique de puissance selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la piste électrique de connexion (12.1-12.4) est une piste électrique supraconductrice réalisée dans un matériau ayant des propriétés supraconductrices dans une plage de très basse température comprise entre 0K et 200K, et de préférence entre 0K et 90K, et plus préférentiellement entre 20K et 90K. Module électronique de puissance selon la revendication 8, caractérisé en ce que la piste électrique de connexion (12.1-12.4) est recouverte par une couche de métallisation (15) sur laquelle est assemblé le composant électronique (13). Module électronique de puissance selon la revendication 8 ou 9, caractérisé en ce qu'une couche isolante (18) recouvre en partie le composant électronique (13) et la piste électrique de connexion (12.1) pour permettre une connexion entre au moins une électrode supérieure du composant électronique (13) à une autre piste électrique de connexion (12.3) déposée au moins en partie sur la couche isolante (18) et une face supérieure du composant électronique (13). Module électronique de puissance selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que le substrat (11) est réalisé dans un matériau céramique contenant au moins un matériau choisi parmi les matériaux suivants: saphir, oxyde d'aluminium (AlO), magnésie (MgO), carbure de silicium (SiC), ou monoxyde de silicium (SiO). Module électronique de puissance selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que l e substrat (11) comporte des ailettes (21) disposées sur une face inférieure destinées à venir en contact avec un fluide de refroidissement (22). Module électronique de puissance selon l’une quelconque des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que le substrat (11) comporte intérieurement au moins un canal (25) de circulation d'un fluide de refroidissement ayant une entrée (26) et une sortie (27) de fluide de refroidissement. Module électronique de puissance selon la revendication 12 ou 13, caractérisé en ce que le fluide de refroidissement (22) est choisi parmi le dihydrogène (H2) gazeux, le dihydrogène (H2) liquide, l'hélium (He) gazeux, ou l'azote (N2) liquide.