Brevet FR3159256A1 — publié le 20250815

Dispositif optique La présente description concerne un dispositif optique, tel qu’un imageur, comprenant successivement un support (10) dans lequel sont formés des vias (12), une première électrode (32), une couche active (20) apte à absorber des photons et à les transformer en paires électrons-trous, une deuxième électrode (34), une couche conductrice (35) reliant la deuxième électrode (34) à l’un des vias (12), une matrice de microlentilles (70), le dispositif comprenant en outre une couche d’encapsulation (50, 55), disposée entre la matrice de microlentilles (70) et la couche active (20), la couche d’encapsulation (50, 55) comprenant une première partie ayant une première densité et une deuxième partie ayant une deuxième densité, la première partie de la couche d’encapsulation (50, 55) étant disposée entre la couche active (20) et la deuxième partie de la couche d’encapsulation (50, 55), la première densité étant inférieure à la deuxième densité. Figure pour l'abrégé : Fig. 1A Dispositif optique La présente description concerne de façon générale les dispositifs optiques, tels que les dispositifs d’acquisition d’images ou capteurs d’image. Plus particulièrement, la présente description concerne un dispositif optique comprenant des pixels et des microlentilles. Un dispositif optique, tel qu’un imageur, comprend des microlentilles qui focalisent le rayonnement lumineux sur une couche active (aussi appelée film quantique, ou notée QF pour ‘quantum film’) apte à transformer des photons en paires électron-trou. Une couche antireflet est disposée entre les microlentilles et la couche active. La couche antireflet joue également le rôle de couche de protection pour la couche active. Une électrode supérieure, pour collecter les trous, et une électrode inférieure, pour collecter les électrons, sont disposées de part et d’autre de la couche active. L’électrode supérieure prend contact sur la partie supérieure de la couche active et est déportée jusqu’à des vias positionnés dans le substrat (BIP pour ‘Build in Pad’) au moyen d’une couche conductrice, par exemple en aluminium. Pour pouvoir réaliser une reprise de contact sur la deuxième électrode (CTPD ou ‘Contact on PhotoDiode’), une ouverture est formée dans la couche antireflet. Ainsi, lorsque le dispositif d’acquisition d’images est soumis à un rayonnement de longueur d'onde appropriée (par exemple à une longueur d’onde de l’infra-rouge court (SWIR ou ‘Short-Wave InfraRed’)), les photons, après avoir traversés les microlentilles et la couche antireflet, pénètrent dans la couche active. Des électrons et des trous sont alors générés. Les électrons sont dirigés et guidés par des vias jusqu’aux nœuds du dispositif (c'est-à-dire jusque dans les zones actives du circuit). Les trous sont collectés par l’électrode supérieure et dirigés jusqu’aux vias (BIP) par l’intermédiaire de la couche conductrice. Afin de garantir la fiabilité des composants électroniques et avoir une efficacité quantique (QE) de la couche active supérieure à 50 %, le dispositif optique doit respecter différents critères : tenue en température, en humidité, etc. Or, dans les dispositifs optiques actuels, on observe une oxydation de la couche active pouvant provenir de procédés de fabrication du circuit ou de tests de fiabilité (exposition à l’humidité). En effet, il a été observé, d’une part, que les couches antireflets actuelles ne sont pas suffisamment efficaces pour empêcher l'oxydation de la couche active. D’autre part, la couche conductrice en aluminium permettant la reprise de contact peut présenter des défauts, notamment des piqures (‘pitting’) résultant de son procédé de fabrication. Ces défauts sont responsables de la création d'une certaine perméabilité de la couche d'aluminium, pouvant engendrer des problèmes lors de sa structuration, par gravure humide notamment. En effet, les produits chimiques utilisés pour le nettoyage de la résine de photolithographie peuvent traverser la couche d'aluminium et contaminer la couche active, en particulier au niveau de la région de reprise de contact de la deuxième électrode (CTPD ou ‘Contact on PhotoDiode’). La mise en contact de la couche active avec l'air, l'eau et/ou d'autres agents oxydants, conduit à une diminution de ses performances, et il peut être difficile voire impossible d’obtenir une efficacité quantique de la couche active supérieure à 50 %. Il existe un besoin d’améliorer les performances des dispositifs optiques, et notamment d’empêcher l’oxydation de la couche active. Ce but est atteint par un dispositif optique, tel qu’un imageur, comprenant successivement un support dans lequel sont formés des vias, une première électrode, une couche active apte à absorber des photons et à les transformer en paires électrons-trous, une deuxième électrode, une couche conductrice reliant la deuxième électrode à l’un des vias, une matrice de microlentilles, le dispositif comprenant en outre une couche d’encapsulation, disposée entre la matrice de microlentilles et la couche active, la couche d’encapsulation comprenant une première partie ayant une première densité et une deuxième partie ayant une deuxième densité, la première partie de la couche d’encapsulation étant disposée entre la couche active et la deuxième partie de la couche d’encapsulation, la première densité étant inférieure à la deuxième densité. Selon un mode de réalisation particulier, la couche d’encapsulation est à base d’oxyde de silicium. Selon un mode de réalisation particulier, la couche d’encapsulation est disposée entre la couche active et la couche conductrice. Selon un mode de réalisation particulier, la couche d’encapsulation recouvre les flancs et une partie d’une face supérieure de la couche active. Selon un mode de réalisation particulier, la couche d’encapsulation est disposée entre et en contact avec deux couches en nitrure métallique, de préférence en nitrure de silicium. Selon un mode de réalisation particulier, la couche d’encapsulation est disposée entre la couche conductrice et la matrice de microlentilles. Selon un mode de réalisation particulier, la couche d’encapsulation est recouverte par une couche en nitrure métallique, de préférence en nitrure de silicium. Selon un mode de réalisation particulier, le dispositif comprend deux couches d’encapsulation, l’une des couches d’encapsulation étant disposée entre la couche active et la couche conductrice et l’autre des couches d’encapsulation étant disposée entre la couche conductrice et la matrice de microlentilles. Selon un mode de réalisation particulier, la couche conductrice est en aluminium. Selon un mode de réalisation particulier, la première densité est comprise entre 2.05 g/cm 3 and 2.13 g/cm 3 , par exemple 2.09 g/cm 3 , et/ou la deuxième densité est comprise entre 2.20 g/cm 3 et 2.28 g/cm 3 , par exemple 2.24 g/cm 3 . Selon un mode de réalisation particulier, la première partie de la couche d’encapsulation a une épaisseur comprise entre 50 et 250 nm et/ou la deuxième partie de la couche d’encapsulation a une épaisseur comprise entre 3 et 50 nm. Ce but est également atteint par un procédé de fabrication d’un dispositif optique selon l’une quelconque des revendications précédentes, le procédé comprenant la formation d’une couche d’encapsulation selon les étapes suivantes : - dépôt d’un premier précurseur, à une première vitesse de dépôt, pour former une première partie de la couche d’encapsulation, la première partie ayant une première densité, - dépôt d’un deuxième précurseur, à une deuxième vitesse de dépôt, pour former une deuxième partie de la couche d’encapsulation, la deuxième partie ayant une deuxième densité, la première vitesse de dépôt étant supérieure à la deuxième vitesse de dépôt, moyennant quoi la première densité est inférieure à la deuxième densité. Selon un mode de réalisation particulier, la première partie de la couche d’encapsulation et la deuxième partie de la couche d’encapsulation sont déposées par PECVD à une température inférieure ou égale à 150°C. Selon un mode de réalisation particulier, le premier précurseur et le deuxième précurseur sont des précurseurs d’oxyde de silicium, le premier précurseur et le deuxième précurseur étant de préférence des alcoxydes de silicium, encore plus préférentiellement du TEOS. Selon un mode de réalisation particulier, la première vitesse de dépôt est au moins 5 fois supérieure à la deuxième vitesse de dépôt. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 représente, de manière schématique, en coupe, un dispositif optique selon un mode de réalisation particulier ; la FIG. 1 représente, de manière schématique, en coupe, un dispositif optique selon un mode de réalisation particulier ; la FIG. 1 représente, de manière schématique, en coupe, un dispositif optique selon un mode de réalisation particulier ; la FIG. 2 est un graphique représentant la variation d’eau (en mg) en fonction du temps de différentes couches : une couche de SiON recuite à 300°C, une couche de SiON recuite à 400°C, une couche de SiO 2 de 100 nm d’épaisseur déposée à faible vitesse à partir de TEOS (‘TEOS LDR’ : ‘TEOS Low Deposition Rate’)) et recuite à 400°C, une couche de SiO 2 de 142 nm et une couche de SiO 2 de 200 nm déposées par PECVD ; la FIG. 3 est un graphique représentant la contrainte en traction (‘tensile stress’) en fonction du temps pour une couche de SiO 2 selon un mode de réalisation particulier ; la FIG. 4 est un graphique représentant la variation de la contrainte en compression (‘compressive stress’) en fonction du temps pour une couche de SiON ; la FIG. 5 est un cliché obtenu au microscope électronique à balayage (MEB) d’une partie d’une couche active dont un flanc est recouvert successivement par une couche de SiN puis par une couche de SiO 2 selon un mode de réalisation particulier ; et la FIG. 6 est un cliché obtenu au microscope électronique à transmission (MET-EDX) de la région BIP d’un dispositif optique selon un mode de réalisation particulier. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "sur", "sous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 %, de préférence à 5 %. Sauf précision contraire, par compris entre X et Y, on entend que les bornes X et Y sont incluses dans la gamme. Dans la suite de la description, sauf précision contraire, une couche ou un film est dit opaque à un rayonnement lorsque la transmittance du rayonnement au travers de la couche ou du film est inférieure à 30 %, et de préférence inférieure à 10%. Dans la suite de la description, une couche ou un film est dit transparent à un rayonnement lorsque la transmittance du rayonnement au travers de la couche ou du film est supérieure à 50 %, et de préférence supérieure à 70 %. Des modes de réalisation de dispositifs optiques vont maintenant être décrits pour des dispositifs optiques comprenant une matrice d'éléments optiques de taille micrométrique dans le cas où chaque élément optique de taille micrométrique correspond à une lentille de taille micrométrique, ou microlentille, composée de deux dioptres. Toutefois, il est clair que ces modes de réalisation peuvent également être mis en œuvre avec d'autres types d'éléments optiques de taille micrométrique, chaque élément optique de taille micrométrique pouvant correspondre, par exemple, à une lentille de Fresnel de taille micrométrique, à une lentille à gradient d'indice de taille micrométrique ou à un réseau de diffraction de taille micrométrique. Le dispositif optique peut être un dispositif d’acquisition d’images fonctionnant dans l’infra-rouge proche (NIR pour ‘Near InfraRed’), c’est-à-dire pour un rayonnement électromagnétique dont la longueur d'onde est comprise entre 800 nm et 2500 nm, et plus particulièrement, dans l’infra-rouge court (SWIR ou ‘Short-Wave InfraRed’), c’est-à-dire pour un rayonnement électromagnétique dont la longueur d'onde est comprise entre 800 nm et 2000 nm, de préférence entre 900 nm et 1700 nm, typiquement 1,4 µm. Le dispositif optique peut être un capteur optique, notamment un capteur de proximité. Il s’agit d’un dispositif ayant des photodiodes disposées au-dessus du circuit intégré (‘Photodiode Above IC’). Le dispositif optique est intéressant pour de nombreuses applications, et notamment pour le marché automobile (capteurs de brouillard, par exemple) ou dans le domaine de la téléphonie (‘smartphones’). Nous allons maintenant décrire plus détail le dispositif d’acquisition d’images en faisant référence à la FIG. 1 , à la FIG. 1 et à la FIG. 1 . Le dispositif comprend un support 10 dans lequel sont formés des vias 12. Les vias 12 sont remplis par un matériau conducteur, tel que de cuivre. Le support 10 peut comprendre un empilement de couches isolantes (non représentés) ainsi que des pistes conductrices (non représentés) entre les couches isolantes. L'empilement a, de préférence, une épaisseur de l'ordre de 2 µm. Les vias 12 peuvent faire 3,2µm de profondeur. Le support 10 est recouvert par une couche active 20. La couche active 20 est une couche permettant de transformer les photons, provenant de la face supérieure du dispositif, en paire électrons/trous. La couche active 20 comprend une première face (face inférieure), partiellement en contact avec le substrat 10, une deuxième face (face supérieure) et des flancs. La couche active 20 est, de préférence, en un matériau semiconducteur, par exemple, en silicium. Des composants électroniques sont formés sous les vias (‘Viatop’). Il peut s’agir de transistors à effet de champ à grille isolée, ou transistors MOS (‘Metal Oxide Semiconductor’), notamment fabriqués en technologie CMOS (‘Complementary Metal Oxide Semiconductor’, semiconducteur complémentaire métal oxyde) et/ou des photodétecteurs. La couche active 20 a par exemple une épaisseur de l'ordre de 0.4 µm à 1 µm. La couche active 20 est disposée entre une première électrode 32 et une deuxième électrode 34. La première électrode 32 permet par exemple de collecter les électrons. La deuxième électrode 34 permet par exemple de collecter les trous. La première électrode 32 (ou électrode inférieure) est en contact avec la première face de la couche active 20 et avec le substrat 10. La première électrode 32 est, par exemple, métallique. La première électrode 32 est, par exemple, sous forme de plots conducteurs. La première électrode 32 est connectée aux vias 12 du substrat 10. La deuxième électrode 34 (ou électrode supérieure) recouvre, de préférence, complètement la deuxième face de la couche active 20. La deuxième électrode 34 est, par exemple, un bicouche ou un tricouche (i.e la deuxième électrode comprend trois couches). La deuxième électrode 34 a, par exemple, une épaisseur comprise entre 40 et 60nm. La deuxième électrode 34 est connectée à l’un des vias 12 positionnés dans le substrat 10 (BIP pour ‘Built in Pad’) par l’intermédiaire d’une couche conductrice 35 qui permet de déporter le contact. La couche conductrice prend contact sur la deuxième électrode 34 au niveau de la région nommée CTPD (‘Contact on PhotoDiode’). Pour pouvoir réaliser une reprise de contact sur la deuxième électrode (CTPD ou ‘Contact on PhotoDiode’), une ouverture est formée dans un revêtement antireflet qui recouvre la deuxième électrode 34. Comme nous le verrons par la suite, le revêtement antireflet peut également jouer le rôle de protection de la couche active 20. Le dispositif comprend également une couche de planarisation 60 (‘planar layer’) recouvrant le revêtement antireflet. De préférence, il s’agit d’une couche de résine. Un réseau de lentilles 70 (ou matrice de microlentilles), de taille micrométrique recouvre la couche de planarisation 60. Les lentilles sont, par exemple, formée d’éléments ayant un plan convexe et une face plane. La face plane des microlentilles repose, de préférence, sur la face supérieure de la couche de résine et en contact avec la couche de résine. Le réseau de microlentilles 70 focalisent le rayonnement sur les pixels. Le réseau de microlentilles 70 est, de préférence, arrangé sous forme matricielle, l'axe optique de chaque microlentille étant confondu avec le centre d'un bloc de résine. Les microlentilles sont, par exemple, composées d'une résine organique. Les microlentilles sont, de préférence, transparentes dans les longueurs d'onde considérées. Selon un mode de réalisation, les microlentilles sont toutes les mêmes, c'est-à-dire qu'elles ont la même composition chimique et les mêmes dimensions. En variante, les microlentilles peuvent ne pas avoir toutes les mêmes dimensions. Le dispositif peut comprendre une couche de protection 71 recouvrant les microlentilles 70. La couche de protection 71 peut être en un matériau inorganique, par exemple en oxyde de silicium (SiO 2 ) ou en oxynitrure de silicium (SiON). Selon un mode de réalisation, la couche de protection est sensiblement étanche à l'humidité. La couche de protection a, par exemple, une épaisseur comprise entre 100 nm et 600 nm. Le dispositif peut comprendre une couche de résine 80, dite résine noire, qui absorbe fortement la lumière incidente dans les longueurs d’ondes d’intérêts. La résine noire 80 est aussi appelée résine LOBO (‘LOgical light BlOcking’). La résine noire 80 recouvre une partie des microlentilles, l’autre partie n’étant pas recouverte par la résine noire. La couche de résine 80 peut être protégée par une couche de protection 81. La couche de protection 81 peut être en un matériau inorganique, par exemple en oxyde de silicium (SiO 2 ) ou en oxynitrure de silicium (SiON). Selon un mode de réalisation, la couche de protection est sensiblement étanche à l'humidité. La couche de protection a, par exemple, une épaisseur comprise entre 100 nm et 600 nm. Le dispositif comprend en outre au moins une couche d’encapsulation 50, 55 disposée entre la couche active 20 et la matrice de microlentilles 70. La couche d’encapsulation 50, 55 peut être une couche en SiON ou SiO 2 . De préférence, elle est en SiO 2 . La couche d’encapsulation 50, 55 est formée de deux parties : une première partie (partie inférieure) ayant une première densité et une deuxième partie (partie supérieure) ayant une deuxième densité. La première partie est disposée entre la couche active et la deuxième partie. Autrement dit, la première partie est disposée du côté inférieur du dispositif, en regard de la couche active 20, et la deuxième partie du côté supérieur du dispositif, en regard de la matrice de microlentilles 70. La première densité est inférieure à la deuxième densité. Par exemple, la première densité (i.e. la densité de la couche inférieure) est comprise entre 2.05 g/cm 3 et 2.13 g/cm 3 et/ou la seconde densité (i.e. la densité de la couche supérieure) est comprise entre 2.20 g/cm 3 et 2.28 g/cm 3 . Par exemple pour une couche d’encapsulation en SiO 2 , la première densité est de 2.09 g/cm 3 et/ou la deuxième densité est de 2.24 g/cm 3 . La partie supérieure forme une couche dense (ou croûte) encapsulant la partie inférieure de la couche. La deuxième partie a une épaisseur, par exemple, comprise entre 3 et 50 nm, de préférence entre 10 et 50 nm, et de manière encore plus préférentielle entre 10 et 30 nm, par exemple de l’ordre de 20nm. La première partie a une épaisseur supérieure à l’épaisseur de la deuxième partie. L’épaisseur de la première partie est, par exemple, comprise entre 50 et 250 nm, de préférence entre 150 et 250 nm, de manière encore plus préférentielle entre 180 et 230 nm, par exemple de l’ordre de 210 nm. La première partie présente, par exemple, un indice de réfraction compris entre 1,43 et 1,45 (pour une longueur d’onde de 633 nm). La seconde partie présente, par exemple, un indice de réfraction compris entre 1,47 et 1,48 (pour une longueur d’onde de 633nm). Selon un premier mode de réalisation, la couche d’encapsulation 50 est positionnée entre la couche active 20 et la couche conductrice 35 de reprise de contact ( FIG. 1 ). La couche d’encapsulation 50 recouvre l’électrode supérieure 34 et la couche active 20. Elle protège également les flancs de la couche active 20. Elle peut également recouvrir une partie du support 10. Dans ce premier mode de réalisation, la couche d’encapsulation 50 joue également le rôle de couche antireflet. Selon un deuxième mode de réalisation, la couche d’encapsulation 55 est positionnée entre la couche conductrice 35 de reprise de contact et la matrice de microlentilles 70 ( FIG. 1 ). Plus particulièrement, elle est en contact avec la couche conductrice 35. De préférence, elle recouvre complètement la couche conductrice 35. Ceci permet de protéger non seulement la zone CTPD et la zone BIP. Selon un troisième mode de réalisation ( FIG. 1 ), le dispositif peut comprend deux couches d’encapsulation 50, 55 : - une première couche d’encapsulation 50 est positionnée entre la couche active 20 et la couche conductrice 35, et - une deuxième couche d’encapsulation 55 est positionnée entre la couche conductrice 35 et la matrice de microlentilles 70. Le dispositif peut en outre comprendre une ou plusieurs couches en nitrure métallique 51, 52, 56. Par exemple, la couche d’encapsulation 50 peut être interposée entre deux couches 50, 55 en nitrure métallique (i.e. les couches 51 et 52 comme sur les figures 1A et 1C) et la couche d’encapsulation 55 peut être recouverte par une couche en nitrure métallique (i.e. la couche 56 comme sur les figures 1B et 1C). La couche d’encapsulation et la ou les couches en nitrure métallique forment un élément d’encapsulation. Le nitrure est, de préférence, un nitrure de silicium. Chaque couche de nitrure 51, 52, 56 a, par exemple, une épaisseur comprise entre 300 et 400 nm, de préférence entre 350 nm et 380 nm. L’élément d’encapsulation peut être, en particulier, un bicouche (SiO 2 /SiN par exemple) ou un tricouche (SiN/SiO 2 /SiN). Un bicouche sera, avantageusement, utilisé quand la couche d’encapsulation est entre la couche conductrice 35 et la matrice de microlentilles 70. Un tricouche sera avantageusement utilisé quand la couche d’encapsulation est entre la couche active 20 et la couche conductrice 35. Le tricouche peut jouer non seulement le rôle d’élément d’encapsulation mais également le rôle d’élément antireflet. L’élément d’encapsulation a, par exemple, une épaisseur totale comprise entre 30 nm et 200 nm, de préférence comprise entre 40 nm et 130 nm, plus préférentiellement, égale à environ 40 nm. L’épaisseur de l’élément d’encapsulation obtenu (bicouche ou tricouche) dépendra notamment de sa position. L'épaisseur de l’élément d’encapsulation est, avantageusement, adaptée à ce que la couche soit transparente dans le domaine du visible. Nous allons décrire plus particulièrement le procédé de fabrication de la couche d’encapsulation 50, 55 du dispositif. La couche d’encapsulation est formée selon les étapes suivantes : - dépôt de la première portion de la couche d’encapsulation 50, 55, - dépôt de la deuxième portion de la couche d’encapsulation 50, 55 sur la première portion de la couche d’encapsulation 50,55. Le dépôt de la première partie et de la deuxième partie de la couche d’encapsulation 50, 55 est réalisé par une technique de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD pour ‘Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition’). Pour former chacune des couches d’encapsulation 50, 55 présentant différentes densités, la première partie et la deuxième partie des couches sont formées à des vitesses de dépôts différentes. La première partie est formée à une première vitesse de dépôt et la deuxième partie est formée à une deuxième vitesse de dépôt. La première vitesse de dépôt est supérieure à la deuxième vitesse de dépôt. La première vitesse de de dépôt est au moins 5 fois supérieure à la deuxième vitesse de dépôt. Elle est, par exemple, environ 10 fois supérieure à la deuxième vitesse de dépôt. Dans un dépôt par PECVD, il est, par exemple, possible de modifier la vitesse de dépôt en jouant sur un ou plusieurs des paramètres suivants : la puissance de la haute fréquence, l’utilisation d’une basse fréquence (en plus de la haute fréquence) et/ou la température de chauffage. Un premier précurseur peut être utilisé pour former la première partie de la ou des couches d’encapsulation et un deuxième précurseur peut être utilisé pour former la deuxième partie de la ou des couches d’encapsulation. De préférence, le même précurseur est utilisé pour former la première partie et la deuxième partie de la ou des couches d’encapsulation. Le dépôt de la couche d’encapsulation 50, 55 est, de préférence, réalisé à une température inférieure ou égale à 150°C. Il est, avantageusement, réalisé à une température supérieure à 100°C. Encore plus préférentiellement, il est réalisé à une température comprise entre 120°C et 150°C. La couche 50, 55 ainsi déposée présente une très bonne conformabilité, ce qui assure une meilleure protection du pixel sous-jacent, notamment en termes d’étanchéité. Les phénomènes d’oxydation sont ainsi évités. De préférence, la couche d'encapsulation est en oxyde de silicium 50, 55 et les précurseurs sont des précurseurs d’oxyde de silicium, notamment des alcoxydes de silicium. La première partie de la couche d'encapsulation en oxyde de silicium 50, 55 peut être déposée à partir d'un plasma comprenant un premier alcoxyde de silicium. De préférence, elle est déposée à partir d'un plasma formé du premier alcoxyde de silicium, d'oxygène et d'hélium. La deuxième partie de la couche d'encapsulation en oxyde de silicium 50, 55 peut être déposée à partir d'un plasma comprenant un deuxième alcoxyde de silicium. De préférence, elle est déposée à partir d'un plasma formé du deuxième alcoxyde de silicium, d'oxygène et d'hélium. Le premier et le deuxième alcoxydes de silicium sont, de préférence, un alcoxyde de silicium dont toutes les fonctions sont hydrolysables. L’utilisation d’un composé avec des fonctions hydrolysables conduit à la formation d’une couche en oxyde de silicium. L’alcoxyde de silicium a en particulier pour formule (R 1 O)(R 2 O)Si(OR 3 )(OR 4 ) avec R 1 , R 2 , R 3 et R 4 des chaines alkyles linéaires, de préférence des chaines alkyles linéaires en C1 à C5. De préférence, R 1 , R 2 , R 3 et R 4 sont identiques. Le premier et deuxième alcoxydes de silicium sont de préférence identiques. Le premier et deuxième alcoxydes de silicium sont, de préférence, l’orthosilicate de tétraéthyle (TEOS pour ‘tetraethyl orthosilicate’). Les autres couches de l’élément d’encapsulation peuvent être déposées par une technique de dépôt chimique en phase vapeur (CVD pour ‘Chemical Vapor Deposition’), comme le dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD pour ‘Low-Pressure Chemical Vapor Deposition’), ou encore par une technique de dépôt physique en phase vapeur (PVD pour ‘Physical Vapor Deposition’), par une technique de dépôt de couche atomique (ALD pour ‘Atomic Layer Deposition’) ou encore par PECVD. Le dépôt des différentes couches de l’élément d’encapsulation est réalisé, de préférence, à une température inférieure ou égale à 150°C. Les couches sont formées pleine plaque, c'est-à-dire sur l'ensemble de la structure. Exemples illustratifs et non limitatifs de modes de réalisation Afin de mettre en évidence l'amélioration de performances résultant de la présence de la couche d’encapsulation 50, 55 au sein d'un dispositif optique, Des essais comparatifs de tenue à l'humidité et/ou en température de différents dispositifs ou structures ont été réalisés. Dans un premier essai, l'herméticité à l'eau de différentes couches ont été testées : des couches de SiON recuites à 300 °C et 400 °C, une couche de SiO 2 obtenue à partir de TEOS déposé à faible vitesse (TEOS LDR : ‘TEOS Low Deposition Rate’) et ayant été soumise à un recuit à 400 °C, deux couches de SiO 2 de 142 nm et 200 nm, obtenues à partir de TEOS déposé par PECVD. Dans chaque cas, la couche est formée sur un substrat de silicium. Les courbes montrent clairement que les couches de SiON sont perméables à l’eau alors que les couches de SiO 2 sont hermétiques ( FIG. 3 ). Il n’y a pas de prise d'eau significative pour les couches de SiO 2 , même après 600 heures, contrairement aux couches de SiON. Des tests mécaniques ont également été réalisés sur des couches de SiO 2 , obtenues par dépôt de TEOS par PECVD ( FIG. 3 ), et sur des couches de SiON recuites à 150 °C ( FIG. 4 ). Les valeurs ont été obtenues à partir de la formule de Stoney qui établit une relation entre le rayon de courbure, la contrainte et les épaisseurs de couche et de substrat. Comme l’étanchéité des couches de SiO 2 est totale, il n'y a pas d'absorption d'eau et donc pas de variation de contrainte significative au bout de 600h, contrairement à la couche de SiON. La FIG. 5 est un cliché MEB d’un dispositif sur lequel les premières couches de l’élément antireflet ont été déposées : une couche de SiN et une couche de SiO 2 obtenue par dépôt de TEOS par PECVD à 150°C. Le dépôt est conforme : l’épaisseur sur les flancs et sur l’électrode varie de moins de 10%. Ainsi, la couche de SiO 2 confère une protection uniforme en tout point : non seulement le haut de la structure est protégé mais également les flancs. Afin de tester leurs tenues à la chaleur et à l'humidité, deux dispositifs ont subi le test de contraintes très accélérées (HAST pour ‘Highly Accelerated Stress Test’). Un des dispositifs a un élément antireflet SiN/SiON/SiN et l’autre dispositif a un élément antireflet SiN/SiO 2 /SiN selon un mode de réalisation particulier. Le test HAST a consisté à exposer les dispositifs à une température de l'ordre de 110 °C et à un pourcentage d'humidité relative de 85 % pendant 60 heures et 144 heures dans une enceinte pressurisée à 2 atm. Les dispositifs ont ensuite été soumis à plusieurs caractérisations. Le dispositif ayant un élément antireflet SiN/SiO 2 /SiN présente une meilleure résistance BIP, une meilleure définition du BIP post-étape de lithographie, un meilleur courant d’obscurité et une meilleure stabilité mécanique. Finalement, la région BIP d’un dispositif obtenu selon un mode de réalisation particulier a été observée au MET-EDX. La couche métallique 35 en aluminium est recouverte successivement par une couche d’encapsulation 55 en SiO 2 , telle que décrite précédemment, et par une couche 56 de SiN. La couche de SiO 2 est bien visible et conforme ( FIG. 6 ). Un avantage des modes de réalisation et des modes de mise en œuvre décrits est qu'ils permettent d'améliorer la tenue des dispositifs d'acquisition d'images en température et en humidité. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Enfin, la mise en œuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Dispositif optique comprenant successivement un support (10) dans lequel sont formés des vias (12), une première électrode (32), une couche active (20) apte à absorber des photons et à les transformer en paires électrons-trous, une deuxième électrode (34), une couche conductrice (35) reliant la deuxième électrode (34) à l’un des vias (12), une matrice de microlentilles (70), le dispositif comprenant en outre une couche d’encapsulation (50, 55), disposée entre la matrice de microlentilles (70) et la couche active (20), la couche d’encapsulation (50, 55) comprenant une première partie ayant une première densité et une deuxième partie ayant une deuxième densité, la première partie de la couche d’encapsulation (50, 55) étant disposée entre la couche active (20) et la deuxième partie de la couche d’encapsulation (50, 55), la première densité étant inférieure à la deuxième densité. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel la couche d’encapsulation (50, 55) est à base de SiO 2 . Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la couche d’encapsulation (50) est disposée entre la couche active (20) et la couche conductrice (35). Dispositif selon la revendication 3, dans lequel la couche d’encapsulation (50) recouvre les flancs et une partie d’une face supérieure de la couche active (20). Dispositif selon l’une des revendications 3 ou 4, dans lequel la couche d’encapsulation (50) est disposée entre et en contact avec deux couches en nitrure métallique (51, 52). Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la couche d’encapsulation (55) est disposée entre la couche conductrice (35) et la matrice de microlentilles (70). Dispositif selon la revendication précédente, dans lequel la couche d’encapsulation (55) est recouverte par une couche en nitrure métallique (56). Dispositif selon l’une quelconques des revendications précédentes, comprenant deux couches d’encapsulation (50, 55), l’une des couches d’encapsulation (50) étant disposée entre la couche active (20) et la couche conductrice (35) et l’autre des couches d’encapsulation (55) étant disposée entre la couche conductrice (35) et la matrice de microlentilles (70). Dispositif selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couche conductrice (35) est en aluminium. Dispositif selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la première densité est entre 2.05 g/cm 3 et 2.13 g/cm 3 et/ou la deuxième densité est entre 2.20 g/cm 3 et 2.28 g/cm 3 . Dispositif selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la première partie de la couche d’encapsulation (50, 55) a une épaisseur comprise entre 50 et 250 nm et/ou dans lequel la deuxième partie de la couche d’encapsulation (50, 55) a une épaisseur comprise entre 3 et 50 nm. Procédé de fabrication d’un dispositif optique selon l’une quelconque des revendications précédentes, le procédé comprenant la formation d’une couche d’encapsulation (50, 55) selon les étapes suivantes : - dépôt d’un premier précurseur, à une première vitesse de dépôt, pour former une première partie de la couche d’encapsulation (50, 55), la première partie ayant une première densité, - dépôt d’un deuxième précurseur, à une deuxième vitesse de dépôt, pour former une deuxième partie de la couche d’encapsulation (50, 55), la deuxième partie ayant une deuxième densité, la première vitesse de dépôt étant supérieure à la deuxième vitesse de dépôt, moyennant quoi la première densité est inférieure à la deuxième densité. Procédé selon la revendication 12, dans lequel la première partie de la couche d’encapsulation (50, 55) et la deuxième partie de la couche d’encapsulation sont déposées par PECVD à une température inférieure ou égale à 150 °C. Procédé selon l’une des revendications 12 et 13, dans lequel le premier précurseur et le deuxième précurseur sont des précurseurs d’oxyde de silicium, le premier précurseur et le deuxième précurseur étant, de préférence, du TEOS. Procédé selon l’une quelconque des revendications 12 à 14, dans lequel la première vitesse de dépôt est au moins 5 fois supérieure à la deuxième vitesse de dépôt.