Brevet FR3162308A1 — publié le 20251121

Procédé de fabrication d’un dispositif photonique ou optoélectronique La présente description concerne un procédé de fabrication d’un dispositif photonique ou optique comprenant les étapes suivantes : a) fournir un substrat semiconducteur (100), ayant une première zone (Z1) et une deuxième zone (Z2), recouvert par un empilement, une partie supérieure de l’empilement recouvrant la première zone (Z1) étant une couche diélectrique (210) dans laquelle est formé un élément d’interconnexion (220) recouvert par un plot métallique (230), b) former une couche de protection (300) au moins sur le plot (230), c) former un élément de passivation (400) sur les première et deuxième zones (Z1, Z2), d) former une première ouverture (601) s'étendant jusqu’à la couche de protection (300) en regard du plot métallique (230), e) former une deuxième ouverture (602) allant jusqu’au substrat (100), au niveau de la deuxième zone (Z2), f) rendre accessible le plot métallique (230) en retirant la couche de protection (300) dans la première ouverture (601). Figure pour l'abrégé : Fig. 11 Procédé de fabrication d’un dispositif photonique ou optoélectronique La présente description concerne de façon générale les dispositifs photoniques ou optoélectroniques, tels que les dispositifs d’acquisition d’images ou capteurs d’image, et leur procédé de fabrication. Le procédé de fabrication des dispositifs photoniques ou optoélectroniques comprend plusieurs phases. Dans une première phase (FEOL ou ‘front end of line’,), des composants tels que, entre autres, des transistors, des diodes, des résistances et/ou des condensateurs, sont formés dans et/ou sur un substrat semiconducteur. Dans une seconde phase (BEOL ou ‘back end of line’) du processus, les composants sont interconnectés par une structure d’interconnexion électrique. Une structure d'interconnexion comprend typiquement des pistes (ou lignes) métalliques conductrices, généralement plusieurs pistes métalliques empilées sur plusieurs niveaux et isolées électriquement les unes des autres par des couches isolantes. Des vias traversent une ou plusieurs couches isolantes de la structure d'interconnexion de manière à relier électriquement entre elles les pistes métalliques. L’extrémité de structure d’interconnexion est le niveau le plus éloigné du substrat. Elle peut comprendre au moins une piste métallique supplémentaire et/ou au moins un plot métallique pour relier des composants du circuit intégré à d'autres emplacements dudit circuit intégré ou pour relier le circuit intégré à un autre circuit électronique, par exemple un circuit imprimé. Les vias, les pistes métalliques, ainsi que la piste métallique supplémentaire peuvent être en cuivre. Dans le cas des dispositifs optiques et/ou des dispositifs photoniques, le plot (‘pad’) métallique est souvent en aluminium afin de pouvoir réaliser un câblage par fil (‘wire-bonding’). De tels dispositifs sont aussi généralement dotés d'une tranchée allant de la face supérieure du dispositif jusqu’au substrat. La profondeur de la tranchée peut aller jusqu’à plusieurs dizaines de micromètres, notamment dans le cas de dispositifs photoniques. Etant donné la profondeur de la tranchée, celle-ci doit être formée à la fin du procédé. La tranchée est, par exemple, formée selon les étapes suivantes : - formation d’un masque de résine, les ouvertures du masque étant disposée en regard de la position de la tranchée, le masque de résine recouvrant le plot, - gravure de la tranchée, - retrait de la résine. Cependant, ces étapes peuvent entraîner la contamination ou l'endommagement du plot en aluminium car, d’une part, un contact prolongé entre le matériau polymère de la résine et le plot en aluminium entraîne une contamination de la surface du plot en aluminium, et d’autre part, le retrait de la résine peut endommager la surface du plot. Il existe un besoin d’obtenir un procédé de fabrication d’un dispositif photonique ou optoélectronique permettant de former des tranchées profondes tout en préservant les plots métalliques du dispositif. Ce but est atteint par un procédé de fabrication d’un dispositif photonique ou optique comprenant les étapes suivantes : a) fournir un substrat semiconducteur ayant une première zone et une deuxième zone, le substrat semiconducteur étant recouvert par un empilement, une partie supérieure de l’empilement recouvrant la première zone étant une couche diélectrique dans laquelle est formé un élément d’interconnexion, un plot métallique étant formé sur l’élément d’interconnexion, b) former une couche de protection au moins sur la première zone pour recouvrir au moins le plot métallique, c) former un élément de passivation sur la première zone et la deuxième zone, l'élément de passivation comprenant une couche inférieure en un matériau différent du matériau de la couche de protection, d) former une première ouverture dans l’élément de passivation au-dessus du plot métallique, la première ouverture s'étendant d’une face supérieure de l’élément de passivation à la couche de protection, e) former une deuxième ouverture au niveau de la deuxième zone, la deuxième ouverture s’étendant d'une face supérieure de l’élément de passivation jusqu'au substrat semiconducteur, f) retirer la couche de protection positionnée dans la première ouverture pour rendre accessible le plot métallique. Selon un mode de réalisation, le plot métallique est en aluminium. Selon un mode de réalisation, la couche de protection est une couche d’alumine. Selon un mode de réalisation, la couche de protection est retirée par gravure humide. Selon un mode de réalisation, la couche de protection est une couche de nitrure. Selon un mode de réalisation, une couche additionnelle en oxyde est formée au moins sur le plot métallique entre l’étape a) et l’étape b). Selon un mode de réalisation, la couche de protection est retirée par gravure sèche. Selon un mode de réalisation, la couche inférieure de l’élément de passivation est en oxyde. Selon un mode de réalisation, l’élément de passivation comprend (au moins) une autre couche d’oxyde et/ou une couche de nitrure. Selon un mode de réalisation, l’élément de passivation comprend successivement une couche inférieure de verre de silicate non dopé, une couche intermédiaire d'oxyde de silicium dopée au phosphore et une couche supérieure de nitrure. Selon un mode de réalisation, l’étape d) est réalisée par gravure à travers une première couche de résine présentant un trou traversant en regard de la première ouverture à former. Selon un mode de réalisation, l’étape e) est réalisée par gravure à travers une deuxième couche de résine présentant un autre trou traversant en regard de la deuxième ouverture à former, la deuxième couche de résine remplissant la première ouverture et dans lequel le procédé comprend, avant l’étape f), une étape au cours de laquelle la résine remplissant la première ouverture est retirée. Ce but est également atteint par un dispositif photonique ou optique comprenant un substrat support ayant une première zone et une deuxième zone, le substrat semiconducteur étant recouvert par un empilement, une partie supérieure de l’empilement recouvrant la première zone étant une couche diélectrique dans laquelle est formé un élément d’interconnexion, un plot métallique étant formé sur l’élément d’interconnexion, un élément de passivation recouvrant l’empilement au niveau de la première zone et de la deuxième zone, l’élément de passivation comprenant une couche inférieure, une couche de protection étant disposée entre l’empilement et l’élément de passivation, la couche inférieure étant en un matériau différent du matériau de la couche de protection, une première ouverture allant d’une face supérieure de l’élément de passivation jusqu’à une face supérieure du plot métallique, une deuxième ouverture, s’étendant de la face supérieure de l’élément de passivation jusqu'au substrat semiconducteur, au niveau de la deuxième zone. Selon un mode de réalisation particulier, la deuxième ouverture pénètre dans le substrat semiconducteur sur une profondeur d’au moins 10 µm. Selon un mode de réalisation particulier, la couche de protection est en alumine. Selon un mode de réalisation particulier, la couche de protection est en nitrure et dans lequel une couche additionnelle en oxyde est disposée sous la couche de protection. Selon un mode de réalisation particulier, une partie de l’empilement recouvrant la deuxième zone est un guide d’onde. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 , la FIG. 2 , la FIG. 3 , la FIG. 4 , la FIG. 5 , la FIG. 6 , la FIG. 7 , la FIG. 8 , la FIG. 9 et la FIG. 10 représentent, de manière schématique, différentes étapes d’un procédé de fabrication, d’un dispositif photonique ou optoélectronique, selon un mode de réalisation particulier de l’invention ; la FIG. 11 représente, de manière schématique, en vue de côté et en coupe, un dispositif photonique ou optoélectronique, selon un autre mode de réalisation particulier de l’invention ; et la FIG. 12 représente, de manière schématique, en vue de côté et en coupe, un dispositif photonique selon un autre mode de réalisation particulier de l’invention. Sur les différentes figures, les différents éléments ne sont pas représentés à une échelle uniforme afin de rendre les figures plus lisibles. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les figures 1 à 11 représentent le substrat semiconducteur et le niveau supérieur (ou extrémité) de la structure d’interconnexion, c’est-à-dire le niveau le plus éloigné du substrat. En outre, ces figures représentent uniquement dans ce niveau supérieur une couche isolante dans laquelle est formé un élément d’interconnexion recouvert par un plot conducteur. Cependant, ce niveau supérieur peut comprendre plusieurs éléments d’interconnexion (vias et/ou plots), plusieurs pistes conductrices et/ou d’autres couches isolantes. La structure d'interconnexion comprend en outre généralement au moins un autre niveau sous le niveau supérieur dans lesquelles sont disposés, notamment, d’autres éléments d'interconnexion. Entre le niveau supérieur et le substrat, le dispositif comprend un niveau intermédiaire. A titre illustratif, ce niveau intermédiaire (noté ‘Zi’) est représenté sur la FIG. 12 . Sur les figures 1 à 11, la partie supérieure de la structure d’interconnexion et le substrat sont représentés, mais pas le niveau intermédiaire pour rendre les figures plus lisibles. Les vias et les plots de la structure d’interconnexion peuvent être désignés de manière générale par « éléments d’interconnexion », les éléments d’interconnexion pouvant comprendre également des pistes conductrices. Également par souci de clarté, les composants électroniques formées dans ou sur le substrat ne sont pas représentés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Par souci de clarté, les expressions "matériaux différents", "matériaux chimiquement différents", etc., désignant deux matériaux signifient que les deux matériaux diffèrent en termes d'éléments présents, de leurs proportions et/ou de la manière dont les atomes sont disposés dans leurs structures. Par exemple, ils peuvent avoir une nature chimique différente (par exemple, un oxyde et un nitrure) ou ils appartiennent à la même classe de matériaux (par exemple, il s’agit de deux matériaux oxydes) mais ils comprennent au moins un élément structurel (c'est-à-dire un élément avec un pourcentage stœchiométrique d'au moins 20 %) différent l'un de l'autre. Par exemple, l'oxyde d'aluminium (Al 2 O 3 ) et l'oxyde de silicium (SiO 2 ) sont considérés comme deux matériaux différents. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Lorsqu’on fait référence à une couche, un niveau ou une face ou surface supérieur(e), il est fait référence à la couche, le niveau ou la face ou surface le/la plus éloigné(e) du substrat, comparativement à une autre couche, niveau, face ou surface plus proche du substrat. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % ou à 10° près, de préférence à 5 % ou à 5° près. Sauf précision contraire, par compris entre X et Y, on entend que les bornes X et Y sont incluses dans la gamme. Dans la suite de la description, une couche ou un film est dit transparent à un rayonnement lorsque la transmittance du rayonnement au travers de la couche ou du film est supérieure à 50 %, et de préférence supérieure à 70 %. Le dispositif peut être un dispositif photonique. Il peut également s’agir d’un dispositif optoélectronique. Nous allons maintenant décrire plus en détail le procédé de fabrication d’un dispositif photonique ou optoélectronique en faisant référence aux figures 1 à 11. Le procédé comprend les étapes suivantes : a) fournir une structure de base comprenant un substrat semiconducteur 100, ayant une première zone Z1 et une deuxième zone Z2, le substrat étant recouvert par un empilement, une partie supérieure de l’empilement recouvrant la première zone Z1 étant une couche diélectrique 210 dans laquelle est formé un élément d’interconnexion 220, un plot métallique 230 étant formé sur l’élément d’interconnexion 220 ( FIG. 1 ), b) former une couche de protection 300 au moins sur le plot métallique 230 ( FIG. 2 ), c) former un élément de passivation 400 recouvrant la première zone Z1 et sur la deuxième zone Z2 ( FIG. 3 ), d) former une première ouverture 601 dans l’élément de passivation 400 au-dessus du plot métallique 230, la première ouverture 601 s'étendant d’une surface supérieure de l’élément de passivation 400 à la couche de protection 300 (figures 4 à 6), e) former une deuxième ouverture 602 dans l’élément de passivation 400 au niveau de la deuxième zone Z2, la deuxième ouverture 602 s’étendant d'une surface supérieure de l’élément de passivation 400 jusqu'à pénétrer dans le substrat 100 (figures 7 à 9), f) retirer la couche de protection 300 positionnée dans la première ouverture 601 pour rendre accessible le plot métallique 230 ( FIG. 10 ). La structure de base fournie à l’étape a) (dont une partie seulement est représentée sur les figures 1 à 11) comprend un substrat semiconducteur 100 recouvert par un empilement. Le substrat 100 est en un matériau semiconducteur. De préférence, il s’agit de silicium. Le substrat a, par exemple, une épaisseur comprise entre 775 µm et 850 µm. Le substrat 100 est recouvert par un empilement comprenant différentes couches et différents éléments. L’empilement peut avoir une épaisseur comprise entre 10 et 20µm. Une première partie de l’empilement est positionnée au-dessus de la première zone Z1 et une deuxième partie de l’empilement est positionnée au-dessus de la deuxième zone Z2. La première partie de l’empilement et la deuxième partie de l’empilement sont adjacentes. Chaque partie peut avoir une fonction propre. Par exemple, dans le cas d’un dispositif photonique, la première partie peut comprendre des composants recouverts par une structure d’interconnexion et la deuxième partie de l’empilement peut être, par exemple, un guide d’onde. Les composants sont, par exemple, des transistors, des diodes, des résistances et/ou des condensateurs, formés dans et/ou sur le substrat 100. La structure d’interconnexion comprend des couches isolantes traversées par des lignes et/ou des vias et/ou des plots métalliques. Les lignes, les vias et les plots s’étendent en profondeur dans les couches isolantes. Les lignes, les vias et les plots sont, par exemple, en cuivre. Les couches isolantes sont par exemple en dioxyde de silicium (SiO 2 ). Les éléments en cuivre peuvent être formés par un procédé dit "Damascène" connu de la personne du métier. Plus particulièrement, la couche supérieure d’interconnexion 200 comprend une couche isolante 210 dans laquelle est formé un élément d’interconnexion 220. L’élément d’interconnexion 220 est un élément électriquement conducteur. Il est, de préférence, en cuivre. Il peut s’agir d’un plot. Sur les figures, l’élément d’interconnexion 220 est représenté en retrait par rapport à la face supérieure de la couche isolante 210 de la structure d’interconnexion. L’élément d’interconnexion 220 est recouvert par un plot 230 en métal. Le plot conducteur est, de préférence, en aluminium. Il est par exemple formé par dépôt physique en phase vapeur (PVD pour ‘Plasma Vapor Deposition’). Lors de l’étape b), une couche de protection 300 est formée ( FIG. 2 ). Il s’agit d’une couche destinée à protéger le plot 230, notamment lors de la formation de la deuxième ouverture 602. Le plot conducteur 230 ne sera pas en contact avec la résine ni avec les produits nécessaires au retrait de la résine. La couche de protection 300 est déposée au moins sur la face supérieure du plot métallique 230. De préférence, elle est déposée au moins sur la première zone Z1. Elle peut être déposée sur la première zone Z1 et sur la deuxième zone Z2. Elle peut être déposée pleine plaque. La couche de protection 300 peut être formée par une technique de dépôt de couche atomique (ALD pour « Atomic Layer Deposition » en anglais) ou par une technique de dépôt chimique en phase vapeur (CVD pour « Chemical Vapor Deposition » en anglais), par exemple une technique de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD pour « Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition » en anglais). La couche de protection 300 peut être en un matériau choisi parmi les nitrures, les carbures, les carbonitrures et les oxydes (ou un de leurs mélanges). En particulier, le matériau est choisi parmi les nitrures de silicium, les carbures de silicium, les carbonitrures de silicium et les oxydes d’aluminium (aussi appelés alumine). Dans un mode de réalisation non représenté, la couche de protection peut être intégrée dans un élément de protection multicouche (e.g. un bicouche). Les matériaux formant chacune des sous-couches peuvent être choisis parmi les matériaux précités. L’élément de protection multicouche est par exemple un bicouche nitrure de silicium/alumine. Selon un premier mode de réalisation (figures 1-10), la couche de protection 300 est de préférence en nitrure de silicium. La couche de protection 300 a une épaisseur comprise entre 30 et 80 nm, de préférence entre 40 et 60 nm. Une couche additionnelle 310 en oxyde peut être disposée sous la couche de protection 300. Autrement dit, la couche additionnelle 310 est positionnée entre, d’une part, la couche de protection 300 et, d’autre part, le plot 230 et la couche supérieure d’interconnexion 200. La couche additionnelle 310 peut être une couche servant à simplifier le dépôt de la couche de protection 300. La couche additionnelle 310 est, par exemple, en oxyde de silicium. La couche additionnelle 310 a, par exemple, une épaisseur comprise entre 10 et 30 nm, par exemple 20 nm. Une telle couche additionnelle 310 est par exemple représentée sur les figures 1 à 10. Selon une deuxième variante de réalisation, comme représenté sur les figures 11 et 12, la couche de protection 300 peut être directement en contact avec le plot 230 et la couche supérieure d’interconnexion 200. Dans cette deuxième variante de réalisation, il n’y a pas de couche intermédiaire entre ces éléments et la couche de protection 300. La couche de protection 300 peut être une couche en oxyde, notamment en alumine. La couche d’alumine a, par exemple, une épaisseur comprise entre 20 et 40 nm, par exemple 30 nm. La couche d’alumine peut être formée par ALD (‘Atomic Layer Deposition’). Lors de l’étape c), un élément de passivation 400 est formé ( FIG. 3 ). L’élément de passivation 400 peut être une monocouche ou un empilement de plusieurs couches (multicouche), notamment un bicouche ou un tricouche. La couche de protection 400 comprend au moins une couche sensiblement étanche à l'humidité permettant de protéger les éléments sous-jacents de l’humidité. Il s’agit notamment d’une couche de nitrure. Encore plus préférentiellement, elle comprend une couche de nitrure 430 disposée sur une ou plusieurs (de préférence deux) couches d’oxydes 410, 420. Les couches d’oxyde 410, 420 sont notamment choisies parmi du verre de silicate non dopé (USG pour ‘undoped silicate glass’) ou du verre phosphosilicaté (PSG pour ‘Phosphorus Silicate Glass’). L’élément de passivation 400 comprend, par exemple, successivement depuis la couche de protection 300 : - une première couche d’oxyde 410 (couche inférieure), de préférence en USG, - une deuxième couche d’oxyde 420 (couche intermédiaire), de préférence en PSG, - une couche de nitrure 430 (couche supérieure), de préférence en nitrure de silicium. L’épaisseur de la ou des couches d’oxydes 410, 420 peut être comprise entre 500 et 2000 nm, par exemple égale à 1500 nm, ou comprise entre 500 et 1500 nm. La première couche d’oxyde 410 et la deuxième couche d’oxyde 420 forment un bicouche dont l’épaisseur est comprise entre 500 nm et 2 µm. L’épaisseur de la couche de nitrure 430 peut être comprise entre environ 300 et 700 nm, par exemple égale à environ 500 nm. L’élément de passivation 400 est adaptée à protéger certains éléments du dispositif, et en particulier la structure d’interconnexion. Les différentes couches de l’élément de passivation peuvent être formées par CVD, notamment par PECVD. Lors de l’étape d), une première ouverture 601 est formée dans la première zone Z1, au-dessus du plot 230. L’ouverture 601 s’étend d’une face supérieure de l’élément de passivation 400 jusqu’à la couche de protection 300. L'ouverture peut s'étendre jusqu'à la surface supérieure de la couche de protection 300 ou s'arrêter dans l'épaisseur de la couche de protection 300. En particulier, la première ouverture 601 est formée par photolithographie. Afin de réaliser une gravure sélective, le matériau de la couche de protection 300 est (chimiquement) différent du matériau de la couche inférieure 410 de l'élément de passivation 400 (i.e. la couche de l’élément de passivation 400 la plus proche de la couche de protection 300 selon une direction verticale). De préférence, la couche inférieure 410 est en contact avec la couche de protection 300. Dans le cas d’un élément de protection multicouche, le matériau d'au moins la couche de protection 300 est (chimiquement) différent du matériau de la couche inférieure 410, tandis que l'autre sous-couche peut être constituée de n'importe quel matériau parmi ceux décrits ci-dessus. La première ouverture 601 est, par exemple, formée selon les étapes suivantes : - former une couche de résine 500 sur la couche de protection 400, la couche de résine comprenant au moins un trou traversant 501 disposé en regard du plot 230 ( FIG. 4 ), - graver l’élément de passivation 400 à travers le motif ( FIG. 5 ), - retirer la résine 500 ( FIG. 6 ). La FIG. 6 illustre la structure obtenue à l’issue d’une étape de photolithographie réalisée sur la face supérieure de l’élément de passivation 400. Le motif peut être obtenu par des étapes classiques de photolithographie, à savoir : - le dépôt d’une couche de résine photosensible 500 ; - l'exposition de la couche de résine photosensible 500 à un rayonnement au travers d'un masque formé de zones opaques et transparentes définies pour obtenir dans la résine un motif souhaité ; et - la dissolution dans une solution aqueuse ou organique spécifique, appelée solution de développement, d'une partie de la couche de résine pour développer le motif et former une ouverture traversante 501 au-dessus du plot 230. Le motif représenté est par exemple obtenu en utilisant une résine photosensible positive. La partie de la résine exposée au rayonnement (à travers les zones transparentes du masque) devient soluble dans la solution de développement, et la partie de la résine non exposée (à travers les zones opaques du masque) reste insoluble dans la solution de développement. Alternativement, la résine photosensible peut être négative. La partie de la résine exposée au rayonnement devient alors insoluble dans la solution de développement et la partie de la résine non exposée reste soluble dans la solution de développement. La gravure de l’élément de passivation 400 est réalisée à travers le motif en résine formant un masque de gravure, de sorte que la gravure a lieu dans les ouvertures 501 du motif et dans les zones non recouvertes par ledit motif. La gravure forme une cavité 601 (première ouverture) au-dessus du plot 230 dans l’élément de passivation 400. La couche de protection 300 peut ne pas être gravée ou substantiellement pas gravée. Le fond de la cavité 601 est situé sur la face supérieure de la couche de protection 300 ou dans l'épaisseur de la couche de protection 300. Dans ce cas, le fond de la cavité 601 est (sensiblement) situé sur la face supérieure de la couche de protection 300. Alternativement, la couche de protection 300 peut être partiellement gravée, par exemple en raison d'une sur-gravure partielle lors de l'étape de gravure. Dans ce cas, le fond de la cavité 601 se trouve dans l'épaisseur de la couche de protection 300. La gravure peut être une gravure sèche, par exemple mettant en œuvre un plasma à base de fluor, ou une gravure humide, notamment à l'aide d'une solution d’acide fluoré, par exemple de l’acide fluorhydrique. La concentration d’acide dans la solution et/ou le temps de gravure peuvent être ajustés pour graver sur une profondeur donnée. Ensuite, une étape de retrait de la couche de résine 500 est réalisée, par exemple par gravure sèche, notamment en mettant en œuvre un plasma à base d’oxygène. La première ouverture 601 forme une cavité. La largeur de la cavité 601 est définie par la largeur de l’ouverture 501 dans le motif en résine. La hauteur de la cavité 601 est définie par la profondeur de gravure. Par exemple, la première ouverture 601 a une section circulaire. Le diamètre de la section peut être compris entre 40 et 50 µm. La hauteur de la cavité dépend de l’épaisseur de l’élément de passivation 400. A l’issue de l’étape d), la couche de protection 300 est toujours présente. Elle joue le rôle de couche d’arrêt de gravure. Lors de l’étape e), une deuxième ouverture 602 est formée au niveau de la deuxième zone Z2. La deuxième ouverture 602 est une tranchée profonde (‘deep trench’). Par profonde, on entend une profondeur d’au moins 10 µm. La deuxième ouverture a, par exemple, une profondeur comprise entre 10 et 100µm. La deuxième ouverture 602 va au moins jusqu’à la face supérieure du substrat 100 et, de préférence, se prolonge jusque dans le substrat 100. Une partie du substrat 100 est gravée. Le substrat 100 peut être gravé sur une profondeur de 5 à 60 µm. La deuxième ouverture 602 a, par exemple, une section supérieure à 1 mm 2 . La deuxième ouverture 602 est, par exemple, formée selon les étapes suivantes : - former une couche de résine 510 sur la couche de protection 400, la couche de résine 510 ayant un trou traversant 511 positionné au-dessus de la deuxième zone Z2, la couche résine 510 remplissant la première ouverture 601 ( FIG. 7 ), - réaliser une deuxième ouverture 602 dans le dispositif, la deuxième ouverture 602 étant réalisée par gravure depuis la face supérieure de l’élément de passivation 400, la deuxième ouverture 602 se prolongeant dans le substrat 100 ( FIG. 8 ), - retirer la couche de résine 510 ( FIG. 9 ). La gravure peut être une gravure sèche, par exemple mettant en œuvre un plasma à base de fluor, ou une gravure humide, notamment à l'aide d'une solution d’acide fluoré, par exemple de l’acide fluorhydrique. La concentration d’acide dans la solution et/ou le temps de gravure peuvent être ajustés pour graver sur une profondeur donnée. La couche de protection 300 forme une couche intermédiaire entre le plot conducteur 230 et la résine 510 mais également entre les plots 230 et les produits nécessaires au retrait de la résine. La couche de protection 300 forme une couche barrière de diffusion. Lors de l’étape f), la couche de protection 300 (et, dans ce cas, toute autre sous-couche de l’élément de protection multicouche), et éventuellement la couche additionnelle 310, sont retirées pour rendre le plot 230 accessible. Lorsque la couche de protection 300 comprend une couche de nitrure, la gravure est, par exemple, une gravure plasma. Lorsque la couche de protection 300 est une couche d’alumine, la gravure est, par exemple, une gravure humide. A l’issue du procédé, on obtient un dispositif présentant, au niveau de la première zone, une nouvelle cavité 601’ au fond desquelles le plot métallique 230 est accessible, et, au niveau de la deuxième zone, une tranchée profonde 602 (figures 10 à 12). La surface du plot 230 n’est pas contaminée ni détériorée. Le volume de la cavité 601' correspond au volume total englobant le volume de la cavité 601 et le volume préalablement occupé par la couche de protection 300, et éventuellement par la couche d'oxyde additionnelle 310. La FIG. 12 représente, à titre illustratif et non limitatif, un dispositif photonique obtenu avec un tel procédé. Au niveau de la première zone, il y a au moins une cavité 601. Un plot 230 est disposé dans la cavité 601. Il peut être utilisé pour connecter le dispositif à un élément extérieur. Au niveau de la deuxième zone Z2, une tranchée profonde 602 est formée. Elle s’étend de la surface supérieure de l’élément de passivation 400 jusque dans le substrat 100. Elle traverse toute l’épaisseur de la première partie de l’empilement. La tranchée profonde 602 peut être utilisée pour un laser par exemple. La couche de nitrure 430 formant la couche supérieure de l’élément de passivation 400 peut être structurée afin de laisser passer la lumière. L’utilisation d’une couche de protection 300 formée d’un monocouche d’alumine est particulièrement intéressante puisqu’elle est transparente. Elle peut être utilisée même pour des guides d’onde à base de nitrure. Le dispositif optique peut être utilisé comme dispositif d’acquisition d’images fonctionnant dans l’infra-rouge proche (NIR pour ‘Near InfraRed’), c’est-à-dire pour un rayonnement électromagnétique dont la longueur d'onde est comprise entre 800 nm et 2500 nm, et plus particulièrement, dans l’infra-rouge court (SWIR ou ‘Short-Wave InfraRed’), c’est-à-dire pour un rayonnement électromagnétique dont la longueur d'onde est comprise entre 800 nm et 2000 nm, de préférence entre 900 nm et 1700 nm, typiquement 1,4 µm. Le dispositif peut également être utilisé dans la mise en œuvre de réseaux 5G, de centres de données et de serveurs. Le dispositif est, par exemple, destiné à être utilisé dans des équipements de communication, ou dans des ordinateurs et des périphériques. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Enfin, la mise en œuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Procédé de fabrication d’un dispositif photonique ou optique comprenant les étapes suivantes : a) fournir un substrat semiconducteur (100) ayant une première zone (Z1) et une deuxième zone (Z2), le substrat semiconducteur (100) étant recouvert par un empilement, une partie supérieure de l’empilement recouvrant la première zone (Z1) étant une couche diélectrique (210) dans laquelle est formé un élément d’interconnexion (220), un plot métallique (230) étant formé sur l’élément d’interconnexion (220), b) former une couche de protection (300) au moins sur la première zone (Z1) pour recouvrir au moins le plot métallique (230), c) former un élément de passivation (400) sur la première zone (Z1) et la deuxième zone (Z2), l'élément de passivation (400) comprenant une couche inférieure (410) en un matériau différent du matériau de la couche de protection (300), d) former une première ouverture (601) dans l’élément de passivation (400) au-dessus du plot métallique (230), la première ouverture (601) s'étendant d’une face supérieure de l’élément de passivation (400) à la couche de protection (300), e) former une deuxième ouverture (602) au niveau de la deuxième zone (Z2), la deuxième ouverture (602) s’étendant d'une face supérieure de l’élément de passivation (400) jusqu'au substrat semiconducteur (100), f) retirer la couche de protection (300) positionnée dans la première ouverture (601) pour rendre accessible le plot métallique (230). Procédé selon la revendication 1, dans lequel le plot métallique (230) est en aluminium. Procédé selon l’une des revendications 1 et 2, dans lequel la couche de protection (300) est une couche d’alumine. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la couche de protection (300) est retirée par gravure humide. Procédé selon l’une des revendications 1 et 2, dans lequel la couche de protection (300) est une couche de nitrure. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel une couche additionnelle (310) en oxyde est formée au moins sur le plot métallique (230) entre l’étape a) et l’étape b). Procédé selon l’une des revendications 5 et 6, dans lequel la couche de protection (300) est retirée par gravure sèche. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la couche inférieure (410) est en oxyde, l’élément de passivation comprenant en outre une autre couche d’oxyde (420) et/ou une couche de nitrure (430). Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’élément de passivation (400) comprend successivement une couche inférieure de verre de silicate non dopé (410), une couche intermédiaire d'oxyde de silicium dopée au phosphore (420) et une couche supérieure de nitrure (430). Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’étape d) est réalisée par gravure à travers une première couche de résine (500) présentant un trou traversant (501) en regard de la première ouverture (601) à former et dans lequel l’étape e) est réalisée par gravure à travers une deuxième couche de résine (510) présentant un autre trou traversant (511) en regard de la deuxième ouverture à former (602), la deuxième couche de résine (510) remplissant la première ouverture (601) et dans lequel le procédé comprend, avant l’étape f), une étape au cours de laquelle la résine remplissant la première ouverture (601) est retirée. Dispositif photonique ou optique comprenant un substrat support ayant une première zone (Z1) et une deuxième zone (Z2), le substrat semiconducteur (100) étant recouvert par un empilement, une partie supérieure de l’empilement recouvrant la première zone (Z1) étant une couche diélectrique (210) dans laquelle est formé un élément d’interconnexion (220), un plot métallique (230) étant formé sur l’élément d’interconnexion (220), un élément de passivation (400) recouvrant l’empilement au niveau de la première zone (Z1) et de la deuxième zone (Z2), l’élément (400) de passivation comprenant une couche inférieure (410), une couche de protection (300) étant disposée entre l’empilement et l’élément de passivation (400), la couche inférieure (410) étant en un matériau différent du matériau de la couche de protection (300), une première ouverture (601’) allant d’une face supérieure de l’élément de passivation (400) jusqu’à une face supérieure du plot métallique (230), une deuxième ouverture (602), s’étendant de la face supérieure de l’élément de passivation (400) jusqu'au substrat semiconducteur (100), au niveau de la deuxième zone (Z2). Dispositif selon la revendication précédente, dans lequel la deuxième ouverture (602) pénètre dans le substrat semiconducteur (100) sur une profondeur d’au moins 10 µm. Dispositif selon l’une des revendications 11 et 12, dans lequel la couche de protection (300) est en alumine. Dispositif selon l’une des revendications 11 et 12, dans lequel la couche de protection (300) est en nitrure et dans lequel une couche additionnelle (310) en oxyde est disposée sous la couche de protection (300) . Dispositif selon l’une des revendications 11 à 14, dans lequel une partie de l’empilement recouvrant la deuxième zone (Z2) est un guide d’onde.