Brevet FR3161825A1 — publié le 20251031

Selon un aspect, il est proposé un module électronique de commutation comprenant : - un transistor (M1) de commutation d’entrée connectée à une entrée (IPT), le transistor (M1) de commutation d’entrée présentant un canal ayant ledit premier type de conductivité, - un transistor (M5) de commutation principal, le transistor (M5) de commutation principal étant disposé entre le transistor (M1) de commutation d’entrée et une sortie (OPT), le transistor (M5) de commutation principal présentant un canal ayant ledit premier type de conductivité, - un transistor (M6) de compensation de sortie disposé entre le transistor (M5) de commutation principal et ladite sortie (OPT), le transistor (M6) de compensation de sortie présentant un canal ayant un deuxième type de conductivité, le transistor (M6) de compensation de sortie étant configuré pour réduire un courant de fuite vers ou provenant de la borne de sortie. Figure pour l’abrégé : Figure 2 MODULE ÉLECTRONIQUE DE COMMUTATION ET PROCÉDÉ DE COMMANDE D’UN TEL MODULE Des modes de mise en œuvre et de réalisation de l'invention concernent un module électronique de commutation, en particulier mais non exclusivement pour des applications d'échantillonnage/blocage (sample and hold) de signaux analogiques. Dans une application d'échantillonnage/blocage, un module électronique de commutation reçoit en entrée une tension de référence et, pendant une phase d'échantillonnage (« sample »), délivre cette tension à un condensateur connecté sur sa borne de sortie. Pendant une phase de blocage (« hold »), le module électronique de commutation est bloqué et la tension de sortie est maintenue par la décharge du condensateur. Par exemple, un tel module électronique de commutation peut être utilisé dans un oscillateur radiofréquence ou dans un convertisseur analogique-numérique, ou encore un convertisseur numérique-analogique. Plus particulièrement, un module électronique de commutation comprend généralement un transistor de commutation d’entrée et un transistor de commutation principal entre l’entrée et la sortie de ce module électronique de commutation. Le transistor de commutation d’entrée et le transistor de commutation principal sont configurés pour transférer la tension de référence en entrée jusqu’à la sortie du module électronique de commutation. Dans un module électronique de commutation, il est important d’éviter que la tension échantillonnée (c’est-à-dire la tension de sortie du module de commutation) soit modifiée par rapport à la tension de référence en entrée du fait de charges pouvant être injectées par le transistor de commutation principal durant sa phase d’échantillonnage. Ces charges injectées peuvent causer des erreurs, par exemple lors d’une conversion numérique-analogique ou d’une conversion analogique-numérique utilisant ladite tension échantillonnée. Les charges injectées peuvent également causer des variations de fréquence et de gigue (en anglais « jitter »). On connaît des circuits de commutation utilisant un transistor de compensation comportant un canal ayant le même type de conductivité que le canal du transistor de commutation principal. Ce transistor de compensation est disposé entre le transistor de commutation principal et la sortie du module de commutation. Un tel transistor de compensation permet de compenser les charges injectées par une capacité parasite du transistor de commutation principale vers la sortie du module de commutation. Néanmoins, un tel transistor de compensation peut ne pas compenser suffisamment les charges injectées ou bien présenter des jonctions connectées à la sortie du module de commutation qui peuvent entraîner une fuite de courant (en anglais « leakage »). Une telle fuite de courant peut entraîner une dérive de la tension échantillonnée dans le temps. Cette dérive induit une perte de précision dans la tension échantillonnée. Il existe donc un besoin de proposer une solution permettant d’améliorer la précision d’un transfert d’une tension de référence par l’intermédiaire d’un module de commutation. Selon un aspect, il est proposé un module électronique de commutation comprenant : - une entrée configurée pour recevoir une tension de référence et une sortie configurée pour délivrer une tension échantillonnée, - un transistor de commutation principal connecté à l’entrée et à la sortie, le transistor de commutation principal présentant un canal ayant ledit premier type de conductivité, - un transistor de compensation de sortie disposé entre le transistor de commutation principal et ladite sortie, le transistor de compensation de sortie présentant un canal ayant un deuxième type de conductivité, le transistor de compensation de sortie étant configuré pour réduire un courant de fuite vers ou provenant de la borne de sortie, - des signaux de commande configurés pour commander le transistor de commutation principal et le transistor de compensation de sortie afin de transférer la tension de référence en entrée vers la sortie pour obtenir la tension échantillonnée. Le transistor de compensation de sortie permet de compenser les charges injectées dans une région triode du transistor de commutation principal lors des transitions du transistor de commutation principal. Cette compensation est possible du fait que le transistor présente un canal ayant un type de conductivité différent de celui du canal du transistor de commutation principal. Un tel transistor de compensation de sortie permet d’éviter d’ajouter des fuites additionnelles du fait de la compensation. Un tel transistor de compensation de sortie permet de réduire une altération de la tension à la sortie du transistor de commutation principal. De la sorte, le transistor de compensation de sortie permet d’obtenir une tension échantillonnée relativement constante. En particulier, le transistor de compensation de sortie permet de réduire une erreur sur la tension échantillonnée indépendamment du procédé de fabrication, de la tension de seuil et de la température, et indépendamment de la tension des signaux de commande configurés pour commander le transistor de commutation principal et le transistor de compensation de sortie -la tension des signaux de commande correspondant notamment à une tension d’alimentation du module électronique de commutation. Dans un mode de réalisation avantageux, le transistor de commutation principal présente un drain/source connecté à l’entrée, une source/drain connectée à ladite sortie et une grille configurée pour recevoir un signal de commande C. Le transistor de compensation de sortie présente un drain et une source configurés pour recevoir un signal de commande inversé par rapport au signal de commande C, et une grille connectée à ladite sortie. De préférence, le transistor de commutation principal est connecté à l’entrée par l’intermédiaire d’un transistor de commutation d’entrée, le transistor de commutation d’entrée présentant un canal ayant ledit premier type de conductivité. Avantageusement, le transistor de commutation d’entrée présente un drain/source connecté à ladite entrée, une source/drain connectée au drain/source du transistor de commutation principal et une grille configurée pour recevoir un signal de commande A. De préférence, le module électronique de commutation comprend en outre un transistor auxiliaire ayant ledit deuxième type de conductivité, le transistor auxiliaire étant configuré pour minimiser un courant de fuite au travers du transistor de commutation d’entrée Avantageusement, le transistor auxiliaire présente un drain configuré pour recevoir une tension d’alimentation une source connectée à la source du transistor de commutation d’entrée, et une grille commandée par le signal de commande A. Dans un mode de réalisation avantageux, le module électronique de commutation comprend en outre un transistor de compensation intermédiaire présentant un canal ayant le deuxième type de conductivité entre l’entrée –notamment par l’intermédiaire du transistor de commutation d’entrée– et le transistor de commutation principal, le transistor de compensation intermédiaire étant configuré pour compenser des courants de fuite vers ou provenant du transistor de commutation principal. Le transistor de compensation intermédiaire permet des compenser des charges injectées par une capacité parasite entre la grille et le drain du transistor de commutation principal. Le transistor de compensation intermédiaire permet ainsi de réduire une erreur au début d’une phase d’échantillonnage pour maintenir la tension échantillonnée relativement stable. De préférence, le transistor de compensation intermédiaire comprend un drain et une source configurés pour recevoir un signal de commande , et une grille connectée au drain du transistor de commutation principal. Avantageusement, le module électronique de commutation comprend en outre au moins une paire de transistors entre ladite entrée et un point froid, les transistors de cette paire étant connectés par l’intermédiaire d’un nœud entre ces transistors à au moins un caisson dans lequel sont disposés le transistor de commutation d’entrée et le transistor de commutation principal, ladite au moins une paire de transistors étant configuré pour réduire un courant de fuite entre ladite entrée et ledit nœud. De préférence, le transistor de ladite au moins une paire de transistors qui est connecté à ladite entrée présente une grille configurée pour recevoir un signal de commande B, et le transistor de ladite au moins une paire de transistors qui est connecté audit point froid présente une grille configurée pour recevoir un signal de commande inversé par rapport au signal de commande B. Dans un mode de réalisation avantageux le module électronique de commutation comprend en outre un élément capacitif intermédiaire présentant une première borne connectée à un nœud entre le transistor de commutation d’entrée et le transistor de commutation principal, et une deuxième borne connectée à un point froid. L’élément capacitif intermédiaire permet de stabiliser la tension et d’établir une faible impédance sur le nœud entre le transistor de commutation d’entrée et le transistor de commutation principal. Ainsi, l’élément capacitif intermédiaire permet de créer un chemin à faible impédance pour les charges parasites injectées par le transistor de commutation d’entrée et pour le transistor de commutation principal lors de leurs commutations respectives. De préférence, le module électronique de commutation comprend en outre un élément capacitif de sortie présentant une première borne connectée à ladite sortie, et une deuxième borne connectée à un point froid. Avantageusement, le transistor de commutation d’entrée, le transistor de commutation principal, le transistor de compensation de sortie, le transistor auxiliaire, le transistor de compensation intermédiaire et les transistors de ladite au moins une paire de transistors sont des transistors à effet de champ à grille métal-oxyde. Dans un mode de réalisation avantageux, le transistor de commutation d’entrée, le transistor de commutation principal, et les transistors de ladite au moins une paire de transistors sont de type « NMOS », et le transistor de compensation de sortie, le transistor auxiliaire et le transistor de compensation intermédiaire sont de type « PMOS ». En variante, le transistor de commutation d’entrée, le transistor de commutation principal, et les transistors de ladite au moins une paire de transistors sont de type « PMOS », et le transistor de compensation de sortie, le transistor auxiliaire et le transistor de compensation intermédiaire sont de type « NMOS ». Selon un autre aspect, il est proposé un circuit intégré comprenant un module électronique de commutation tel que décrit précédemment. Selon un autre aspect, il est proposé un procédé de commande d’un module électronique de commutation intermédiaire tel que décrit précédemment, le procédé comprenant une commande des transistors du module électronique par l’intermédiaire desdits signaux de commande afin de transférer la tension de référence en entrée vers la sortie pour obtenir la tension échantillonnée. Avantageusement, les transistors du module électronique de commutation sont commandés de manière simultanée pour transférer la tension de référence en entrée vers la sortie du module électronique de commutation pour obtenir la tension échantillonnée. De préférence, les transistors du module électronique sont commandés en décalé –notamment successivement depuis l’entrée jusqu’à la sortie du module électronique de commutation– pour transférer la tension de référence en entrée vers la sortie du module électronique de commutation pour obtenir la tension échantillonnée. D’autres avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront à l’examen de la description détaillée de mode de réalisation et de mise en œuvre, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels : FIG. 1 ; FIG. 2 ; FIG. 3 ; FIG. 4 ; FIG. 5 ; et FIG. 6 illustrent schématiquement des modes de mise en œuvre et de réalisation de l’invention La FIG. 1 illustre un mode de réalisation d’un circuit intégré IC. Le circuit intégré IC peut être un microcontrôleur par exemple. Le circuit intégré IC comprend un module électronique de commutation SWC. Le module de commutation SWC peut être un module d’échantillonnage et de maintien (en anglais « sample and hold »). Le module de commutation SWC peut également être utilisé dans un convertisseur analogique-numérique ou bien dans un convertisseur numérique analogique par exemple. Le module de commutation SWC est configuré pour échantillonner la tension de référence VREF et pour délivrer une tension échantillonnée VECH correspondant à la tension échantillonnée. Par exemple, la tension de référence VREF est une tension analogique pouvant être générée par un circuit de génération de tension de référence (non représenté) du circuit intégré IC. La tension échantillonnée VECH peut être utilisée comme tension de référence pour des circuits analogiques (tels que des régulateurs, oscillateurs, convertisseurs analogiques/numériques ou numériques/analogiques) La génération de la tension de référence VREF peut être arrêtée lorsque la tension échantillonnée VECH est utilisée. La FIG. 2 illustre un premier mode de réalisation d’un module de commutation SWC. Le module de commutation SWC comprend un transistor M1 de commutation d’entrée, un transistor M2 auxiliaire, une paire de transistors M3 et M4, un transistor M5 de commutation principal, un transistor M6 de compensation de sortie et un transistor M7 de compensation intermédiaire. Ces transistors M1, M2, M3, M4, M5, M6 et M7 sont des transistors à effet de champ à grille métal-oxyde (désigné également par l’abréviation « MOSFET » de l’anglais « metal-oxide-semiconductor field-effect transistor »). Le module de commutation SWC comprend également un élément capacitif de sortie COUT et un élément capacitif intermédiaire CMID. Le transistor M1 de commutation d’entrée est configuré pour recevoir en entrée la tension de référence VREF et pour délivrer en sortie une tension VMID. La tension VMID correspond à la tension de référence VREF lorsque le transistor M1 de commutation d’entrée est passant. Le transistor M1 de commutation d’entrée présente un canal ayant un premier type de conductivité. Par exemple, dans le mode de réalisation illustré, le canal du transistor M1 de commutation d’entrée est de type n. Le transistor M1 de commutation d’entrée est alors un transistor de type « NMOS ». En variante non représentée, le canal du transistor M1 de commutation d’entrée est de type p. Le transistor M1 de commutation d’entrée est alors un transistor de type « PMOS ». Plus particulièrement, dans le mode de réalisation illustré, le transistor M1 de commutation d’entrée présente un drain connecté à l’entrée du module SWC de commutation de manière à recevoir la tension de référence VREF. Le transistor M1 de commutation d’entrée présente également une source connectée à un premier nœud N1 et configurée pour délivrer la tension VMID sur ce nœud N1. Le transistor M1 de commutation d’entrée présente également une grille configurée pour recevoir un premier signal A de commande. Ce premier signal A de commande permet de commander le transistor M1 de commutation d’entrée de manière à rendre le transistor M1 de commutation d’entrée passant ou bloquant. Le transistor M2 auxiliaire est configuré pour minimiser un courant de fuite entre l’entrée du module de commutation SWC et le nœud N1. En particulier, le transistor M2 auxiliaire présente un canal ayant un deuxième type de conductivité. Par exemple, dans le mode de réalisation illustré, le canal du transistor M2 auxiliaire est de type p. Le transistor M2 auxiliaire est alors un transistor de type « PMOS ». En variante non représentée, le canal du transistor M2 auxiliaire est de type n. Le transistor M2 auxiliaire est alors un transistor de type « NMOS ». Plus particulièrement, le transistor M2 auxiliaire présente un drain configuré pour recevoir une tension d’alimentation VDD. Le transistor M2 auxiliaire présente également une source configurée pour délivrer une tension VMID. Le transistor M2 auxiliaire présente également une grille configurée pour recevoir ledit premier signal A de commande. Ce premier signal A de commande permet de commander le transistor M2 auxiliaire de manière à rendre le transistor M2 auxiliaire passant ou bloquant. Les transistors M3 et M4 présentent chacun un canal ayant ledit premier type de conductivité. Par exemple, dans le mode de réalisation illustré, les canaux des transistors M3 et M4 sont de type n. Les transistors M3 et M4 sont alors des transistors de type « NMOS ». En variante non représentée, les canaux des transistors M3 et M4 sont de type p. Les transistors M3 et M4 sont alors des transistors de type « PMOS ». En particulier, les deux transistors M3 et M4 sont disposés entre l’entrée du module de commutation et un point froid, notamment une masse GND. Les deux transistors M3 et M4 sont connectés par l’intermédiaire d’un deuxième nœud N2 à un caisson du transistor M1 de commutation d’entrée et à un caisson du transistor M5 de commutation principal. Plus particulièrement, un premier transistor M3 comprend un drain connecté à l’entrée du module de commutation de manière à recevoir la tension VREF. Le premier transistor M3 comprend également une source et un caisson connectés au deuxième nœud N2. Le premier transistor M3 comprend également une grille configurée pour recevoir un deuxième signal de commande B. Le deuxième transistor M4 comprend un drain connecté au deuxième nœud N2. Le deuxième transistor M4 comprend également une source et un caisson connectés à un point froid, notamment à la masse GND.Le premier transistor M4 comprend également une grille configurée pour recevoir le deuxième signal de commande inversé . Les transistors M3 et M4 permettent, à résistance équivalente, de réduire la largeur du transistor M1 de commutation d’entrée et du transistor M5 de commutation principal et de réduire les fuites de ces transistors M1 et M5. Cela permet d’améliorer un rapport I on sur I off de ces transistors M1 et M5, où I on est le courant de drain du transistor M1, respectivement M5, lorsque le transistor M1, respectivement M5, est passant et I off est le courant de fuite du transistor M1, respectivement M5, lorsque le transistor M1, respectivement M5, est bloquant. Le transistor M5 de commutation principal est configuré pour recevoir en entrée la tension VMID et pour délivrer en sortie une tension VECH. Le transistor M5 de commutation principal présente un canal ayant ledit premier type de conductivité. Par exemple, dans le mode de réalisation illustré, le canal du transistor M5 de commutation principal est de type n. Le transistor M5 de commutation principal est alors un transistor de type « NMOS ». En variante non représentée, le canal du transistor M5 de commutation principal est de type p. Le transistor M5 de commutation principal est alors un transistor de type « PMOS ». Plus particulièrement, le transistor M5 de commutation principal présente un drain connecté au premier nœud N1 de manière à recevoir la tension VMID. Le transistor M5 de commutation principal présente également une source configurée pour délivrer la tension d’échantillonnage. Le transistor M5 de commutation principal présente également une grille configurée pour recevoir un troisième signal de commande C. Ce troisième signal de commande C permet de commander le transistor M5 de commutation principal de manière à rendre le transistor M5 de commutation principal passant ou non. Le transistor de compensation de sortie M6 présente un canal ayant ledit deuxième type de conductivité. Par exemple, dans le mode de réalisation illustré, le canal du transistor M6 est de type p. Le transistor de compensation de sortie M6 est alors un transistor de type « PMOS ». En variante non représentée, le canal du transistor M6 de compensation de sortie est de type n. Le transistor M6 de compensation de sortie est alors un transistor de type « NMOS ». Le transistor de compensation de sortie M6 présente une taille inférieure au transistor M5 de commutation principal. Par exemple, le transistor M6 présente une taille deux fois plus petite que le transistor M5 de commutation principal. Plus particulièrement, le transistor de compensation de sortie M6 présente un drain et une source configuré pour recevoir le troisième signal de commande inversé . Le transistor de compensation de sortie M6 présente également une grille connectée à la sortie du circuit échantillonnage/blocage. Le transistor de compensation de sortie M6 permet de compenser les charges injectées dans la région triode du transistor M5 de commutation principal lors des transitions du transistor M5 de commutation principal (notamment lorsque la tension grille-source du transistor M5 est supérieure à la tension de seuil de ce transistor M5, lorsque le transistor M5 est un transistor « NMOS »). Cette compensation est possible du fait que le transistor M6 présente un canal ayant un type de conductivité différent de celui du canal du transistor M5. Cette compensation est réalisée sans ajouter de jonctions connectées aux tensions VMID et VECH. Un tel transistor de compensation de sortie M6 permet d’éviter d’ajouter des fuites additionnelles du fait de la compensation. Un tel transistor de compensation de sortie M6 permet de réduire une altération de la tension à la sortie du transistor de commutation principal. De la sorte, le transistor de compensation de sortie M6 permet d’obtenir une tension échantillonnée VECH relativement constante, notamment sur une large plage de tensions des signaux de commande C et , par exemple entre 1,6 Volt et 3,6 Volts. En particulier, le transistor de compensation de sortie M6 permet de réduire une erreur sur la tension échantillonnée VECH indépendamment du procédé de fabrication, de la tension de seuil et de la température, et indépendamment de la tension des signaux de commande C et . La tension des signaux de commande C et correspond notamment à une tension d’alimentation du module électronique de commutation. Le transistor de compensation intermédiaire M7 présente un canal ayant ledit deuxième type de conductivité. Par exemple, dans le mode de réalisation illustré, le canal du transistor de compensation intermédiaire M7 est de type p. Le transistor de compensation intermédiaire M7 est alors un transistor de type « PMOS ». En variante non représentée, le canal du transistor M7 de compensation intermédiaire est de type n. Le transistor M7 de compensation intermédiaire est alors un transistor de type « NMOS ». Le transistor de compensation intermédiaire M7 présente une taille inférieure au transistor M5 de commutation principal. Par exemple, le transistor M7 présente une taille deux fois plus petite que le transistor M5 de commutation principal. Plus particulièrement, le transistor de compensation intermédiaire M7 présente un drain et une source configurés pour recevoir le troisième signal de commande inversé . Le transistor de compensation intermédiaire M7 présente également une grille connectée au premier nœud N1. Le transistor de compensation intermédiaire M7 permet des compenser des charges injectées par la capacité parasite entre la grille et le drain du transistor M5 de commutation principal. Le transistor de compensation intermédiaire M7 permet ainsi de réduire une erreur au début d’une phase d’échantillonnage pour maintenir la tension échantillonnée VECH relativement stable. L’élément capacitif de sortie COUT présente une première borne connectée à la sortie du module de commutation et une deuxième borne connectée à un point froid, notamment à la masse GND. Par exemple, L’élément capacitif de sortie COUT présente une capacité supérieure à 1pF, notamment comprise entre 5pF et 10pF. L’élément capacitif de sortie COUT est ainsi configuré pour maintenir la tension échantillonnée VECH lorsque les transistors de commutation M1 et M5 sont bloquants. L’élément capacitif intermédiaire CMID présente une première borne connectée au premier nœud N1 et une deuxième borne connectée à un point froid, notamment à la masse GND. L’élément capacitif intermédiaire CMID permet de stabiliser la tension VMID et d’établir une faible impédance sur le nœud N1, par exemple inférieure à 1kΩ pour un signal alternatif d’une fréquence de 10GHz, cette fréquence correspondant à une fréquence à laquelle le transistor M5 de commutation principal est rendu passant ou bloquant. L’élément capacitif intermédiaire CMID présente une capacité supérieure aux capacités parasites du transistor M5 de commutation principal. Par exemple, la capacité de l’élément capacitif intermédiaire CMID est cinq à dix fois plus grande que celle desdites capacités parasites, notamment de l’ordre de 100fF. Plus particulièrement, une capacité de l’ordre de 100 fF (femtofarads) est suffisante pour permettre à l’élément capacitif intermédiaire CMID d’assurer que les charges injectées par le transistor M5 de commutation principal, notamment par sa capacité parasite grille-drain (de l’ordre de 1fF) et par une partie des charges du canal, n’impactent pas significativement la tension intermédiaire VMID. En variante du mode de réalisation de la FIG. 2 , il est possible de prévoir un module de commutation ne comprenant pas de transistor M7 de compensation intermédiaire. Dans ce cas, seuls le transistor M6 de compensation de sortie et l’élément capacitif intermédiaire CMID permettent de compenser au moins une partie des charges injectées par le transistor M5 principal. La FIG. 3 illustre un deuxième mode de réalisation d’un module de commutation. Dans ce mode de réalisation, le module de commutation comprend les transistors M1, M2, M5, M6 et M7 décrits précédemment, ainsi que l’élément capacitif de sortie COUT et l’élément capacitif intermédiaire. Le module de commutation se distingue du circuit d’échantillonnage précédemment décrit en ce qu’il comprend deux paires de transistors M31, M41 et M32, M42. La première paire de transistor comprend deux transistors M31 et M41 disposés entre l’entrée du module de commutation et un point froid, notamment une masse GND. Les deux transistors M31 et M41 sont connectés par l’intermédiaire d’un deuxième nœud N21 à un caisson du transistor M1 de commutation d’entrée. Les transistors M31 et M41 présentent chacun un canal ayant ledit premier type de conductivité. Par exemple, dans le mode de réalisation illustré, les canaux des transistors M31 et M41 sont de type n. Les transistors M31 et M41 sont alors des transistors de type « NMOS ». En variante non représentée, les canaux des transistors M31 et M41 sont de type p. Les transistors M31 et M41 sont alors des transistors de type « PMOS ». Plus particulièrement, un premier transistor M31 comprend un drain connecté à l’entrée du module de commutation de manière à recevoir la tension VREF. Le premier transistor M31 comprend également une source et un caisson connectés au deuxième nœud N21. Le premier transistor M31 comprend également une grille configurée pour recevoir un deuxième signal de commande B. Un deuxième transistor M41 comprend un drain connecté au deuxième nœud N21. Le deuxième transistor M41 comprend également une source et un caisson connectés à un point froid, notamment à la masse GND. Le premier transistor M41 comprend également une grille configurée pour recevoir le deuxième signal de commande inversé . Les transistors M31 et M41 permettent, à résistance équivalente, de réduire la largeur du transistor M1 de commutation d’entrée et de réduire les fuites de ce transistor M1. Cela permet d’améliorer un rapport I on sur I off du transistor M1 de commutation d’entrée, où I on est le courant de drain de ce transistor M1 lorsque ce transistor M1 est passant et I off est le courant de fuite du transistor M1 lorsque ce transistor M1 est bloquant. En particulier, la deuxième paire de transistor comprend deux transistors M32 et M42 disposés entre l’entrée du module de commutation et un point froid, notamment une masse GND. Les deux transistors M32 et M42 sont connectés par l’intermédiaire d’un deuxième nœud N22 à un caisson du transistor de commutation principal M5. Les transistors M32 et M42 présentent chacun un canal ayant ledit premier type de conductivité. Par exemple, dans le mode de réalisation illustré, les canaux des transistors M32 et M42 sont de type n. Les transistors M32 et M42 sont alors des transistors de type « NMOS ». En variante non représentée, les canaux des transistors M32 et M42 sont de type p. Les transistors M32 et M42 sont alors des transistors de type « PMOS ». Plus particulièrement, un premier transistor M32 comprend un drain connecté à l’entrée du module de commutation de manière à recevoir la tension VREF. Le premier transistor M32 comprend également une source et un caisson connectés au deuxième nœud N22. Le premier transistor M32 comprend également une grille configurée pour recevoir un deuxième signal de commande B. Un deuxième transistor M42 comprend un drain connecté au deuxième nœud N22. Le deuxième transistor M42 comprend également une source et un caisson connectés à un point froid, notamment à la masse GND. Le premier transistor M42 comprend également une grille configurée pour recevoir le deuxième signal de commande inversé . Les transistors M32 et M42 permettent de réduire la résistance à l’état passant du transistor M5 de commutation principal. Les transistors M32 et M42 permettent, à résistance équivalente, de réduire la largeur du transistor M5 de commutation principal et de réduire les fuites de ce transistor M5. Cela permet d’améliorer un rapport I on sur I off du transistor M5 de commutation principal, où I on est le courant de drain du transistor M5 lorsque ce transistor M5 est passant et I off est le courant de fuite du transistor M5 lorsque ce transistor M5 est bloquant. Dans un tel module électronique de commutation SWC, les transistors de commutation M1 et M5 peuvent être disposés dans des caissons séparés. Cela permet d’utiliser un caisson de taille réduite pour le transistor M5 de commutation principal de sorte que ce transistor de commutation principal injecte moins de charges. La FIG. 4 illustre un troisième mode de réalisation d’un module de commutation. Dans ce mode de réalisation, le module de commutation comprend les transistors M1, M2, M3, M4, M5, M6 et M7 décrits précédemment, ainsi que l’élément capacitif de sortie COUT. Le module de commutation se distingue de ceux décrits précédemment en ce qu’il ne comporte pas d’élément capacitif intermédiaire CMID. En outre, le transistor M1 de commutation d’entrée présente un rapport W/L entre sa largeur de canal et sa longueur de canal élevé par rapport à celui du transistor M5 de commutation principal. En particulier, le rapport W/L du transistor M1 de commutation d’entrée peut être plus de deux fois supérieur au rapport W/L du transistor M5 de commutation principal, par exemple entre deux fois et cent fois supérieur au rapport W/L du transistor M5, notamment de l’ordre de dix fois supérieur au transistor M5. Par exemple, le rapport W/L du transistor M1 de commutation d’entrée est supérieur à 5, par exemple compris entre 5 et 100, notamment de l’ordre de 20. Le module de commutation peut éventuellement présenter un élément capacitif d’entrée CIN. L’élément capacitif d’entrée CIN présente une capacité supérieure à 1fF, notamment inférieure à 100pF, par exemple de l’ordre de 200fF. L’élément capacitif d’entrée CIN permet de créer un chemin basse impédance, par exemple inférieure à 1kΩ, pour les charges injectées par le transistor de commutation M5 vers le nœud N1 et par le transistor M1 de commutation d’entrée lors de leur commutation. Cela permet de réduire, voire d’éviter, des perturbations sur la tension de référence en entrée VREF. Dans ce mode de réalisation, le module de commutation comprend une unique paire de transistors M3, M4. Néanmoins, il est possible de prévoir deux paires de transistors M31 et MM41, M32 et M42 tel que décrit précédemment en relation avec la FIG. 3 . La FIG. 5 illustre un premier mode de mise en œuvre d’un procédé de commande d’un module de commutation tel que ceux décrits en relation avec les figures 1 à 4. Dans ce mode de mise en œuvre, le premier signal de commande A, le deuxième signal de commande B et le troisième signal de commande C fonctionnent de manière simultanée. En particulier, ces signaux de commande A, B, C sont configurés pour rendre passants les transistors M1, M3 et M5 simultanément, à l’étape 50, et pour les bloquer simultanément également, à l’étape 51. La FIG. 6 illustre un deuxième mode de mise en œuvre d’un procédé de commande d’un module de commutation tel que ceux décrits en relation avec les figures 1 à 4. Dans ce mode de mise en œuvre, le premier signal de commande A, le deuxième signal de commande B et le troisième signal de commande C sont configurés pour rendre passants les transistors M1, M3, M4 et M5 en décalé et pour les bloquer simultanément également. En particulier, le premier signal de commande est adapté pour rendre passant le transistor de commutation d’entrée dans un premier temps, à l’étape 60. Le deuxième signal de commande B est adapté pour rendre passant le transistor M3 après le transistor M1 de commutation d’entrée, à l’étape 61, notamment après une durée comprise entre 1 nanoseconde et 100 microsecondes, et avant le transistor M5 de commutation principal. Le troisième signal de commande C est adapté pour rendre passant le transistor de commutation principal M5 après le transistor M3, à l’étape 62, notamment après une durée comprise entre 1 nanoseconde et 100 microsecondes. Les transistors M1, M3, M4 et M5 sont ensuite maintenus passants le temps de charger l’élément capacitif COUT. Ensuite, les signaux de commande A, B, C sont configurés pour bloquer les transistors M1, M3 et M5 simultanément également, à l’étape 63. Un tel procédé de commande permet d’éviter une altération de la tension VREF lors de son transfert jusqu’à la sortie du module de commutation pour obtenir la tension VECH. Module électronique de commutation comprenant : - une entrée (IPT) configurée pour recevoir une tension de référence et une sortie (OPT) configurée pour délivrer une tension échantillonnée, - un transistor (M5) de commutation principal connecté à l’entrée (IPT) et à la sortie (OPT), le transistor (M5) de commutation principal présentant un canal ayant ledit premier type de conductivité, - un transistor (M6) de compensation de sortie disposé entre le transistor (M5) de commutation principal et ladite sortie (OPT), le transistor (M6) de compensation de sortie présentant un canal ayant un deuxième type de conductivité, le transistor (M6) de compensation de sortie étant configuré pour réduire un courant de fuite vers ou provenant de la borne de sortie, - des signaux (C, ) de commande configurés pour commander le transistor (M5) de commutation principal et le transistor (M6) de compensation de sortie afin de transférer la tension de référence en entrée (IPT) vers la sortie (OPT) pour obtenir la tension échantillonnée (VECH). Module selon la revendication 1, dans lequel : - le transistor (M5) de commutation principal présente un drain/source connecté à l’entrée, une source/drain connectée à ladite sortie et une grille configurée pour recevoir un signal de commande C, - le transistor (M6) de compensation de sortie présente un drain et une source configurés pour recevoir un signal de commande inversé par rapport au signal de commande C, et une grille connectée à ladite sortie. Module selon la revendication 1, dans lequel le transistor de commutation principal est connecté à l’entrée (IPT) par l’intermédiaire d’un transistor (M1) de commutation d’entrée, le transistor (M1) de commutation d’entrée présentant un canal ayant ledit premier type de conductivité. Module selon les revendications 2 et 3, dans lequel le transistor (M1) de commutation d’entrée présente un drain/source connecté à ladite entrée, une source/drain connectée au drain/source du transistor de commutation principal et une grille configurée pour recevoir un signal de commande A. Module selon l’une quelconque des revendications 3 ou 4, comprenant en outre un transistor auxiliaire (M2) ayant ledit deuxième type de conductivité, le transistor auxiliaire étant configuré pour minimiser un courant de fuite au travers du transistor de commutation d’entrée. Module selon les revendications 4 et 5, dans lequel le transistor auxiliaire (M2) présente un drain configuré pour recevoir une tension d’alimentation une source connectée à la source du transistor (M1) de commutation d’entrée, et une grille commandée par le signal de commande A. Module selon l’une des revendications 1 à 6, comprenant en outre un transistor de compensation intermédiaire (M7) présentant un canal ayant le deuxième type de conductivité entre l’entrée (IPT) et le transistor de commutation principal (M5), le transistor de compensation intermédiaire (M7) étant configuré pour compenser des courants de fuite vers ou provenant du transistor de commutation principal (M5). Module selon les revendications 2 et 7, dans laquelle le transistor de compensation intermédiaire (M7) comprend un drain et une source configurés pour recevoir le signal de commande , et une grille connectée au drain/source du transistor de commutation principal (M7). Module selon l’une des revendications 1 à 8, comprenant en outre au moins une paire de transistors (M3, M4) entre ladite entrée (IPT) et un point froid (GND), les transistors de cette paire étant connectés par l’intermédiaire d’un nœud (N2) entre ces transistors à au moins un caisson dans lequel sont disposés le transistor (M1) de commutation d’entrée et le transistor (M5) de commutation principal, ladite au moins une paire de transistors étant configuré pour réduire un courant de fuite entre ladite entrée (IPT) et ledit nœud (N2). Module selon les revendications 2 et 9, dans lequel le transistor de ladite au moins une paire de transistors qui est connecté à ladite entrée (IPT) présente une grille configurée pour recevoir un signal de commande B, et le transistor de ladite au moins une paire de transistors qui est connecté audit point froid présente une grille configurée pour recevoir un signal de commande inversé par rapport au signal de commande B. Module selon l’une des revendications 3 à 10, comprenant en outre un élément capacitif intermédiaire (CMID) présentant une première borne connectée à un nœud (N1) entre le transistor (M1) de commutation d’entrée et le transistor (M5) de commutation principal, et une deuxième borne connectée à un point froid (GND). Module selon la revendication 1 à 12, comprenant en outre un élément capacitif de sortie (COUT) présentant une première borne connectée à ladite sortie, et une deuxième borne connectée à un point froid (GND). Module selon la revendication 9 à 12, dans lequel le transistor (M1) de commutation d’entrée, le transistor (M5) de commutation principal, le transistor (M6) de compensation de sortie, le transistor (M2) auxiliaire, le transistor (M7) de compensation intermédiaire et les transistors (M3, M4) de ladite au moins une paire de transistors sont des transistors à effet de champ à grille métal-oxyde. Module selon la revendication 13, dans lequel le transistor (M1) de commutation d’entrée, le transistor (M5) de commutation principal, et les transistors (M3, M4) de ladite au moins une paire de transistors (M3, M4) sont de type « NMOS », et le transistor (M6) de compensation de sortie, le transistor (M2) auxiliaire et le transistor (M7) de compensation intermédiaire sont de type « PMOS ». Module selon la revendication 13, dans lequel le transistor (M1) de commutation d’entrée, le transistor (M5) de commutation principal, et les transistors (M3, M4) de ladite au moins une paire de transistors (M3, M4) sont de type « PMOS », et le transistor (M6) de compensation de sortie, le transistor (M2) auxiliaire et le transistor (M7) de compensation intermédiaire sont de type « NMOS ». Circuit intégré comprenant un module électronique de commutation (SWC) selon l’une des revendications 1 à 15. Procédé de commande d’un module électronique de commutation intermédiaire selon l’une des revendications 1 à 15, le procédé comprenant une commande des transistors du module électronique par l’intermédiaire desdits signaux (C, ) de commande afin de transférer la tension de référence en entrée (IPT) vers la sortie (OPT) pour obtenir la tension échantillonnée (VECH). Procédé selon la revendication 17, dans lequel les transistors du module électronique de commutation sont commandés de manière simultanée pour transférer la tension de référence en entrée (IPT) vers la sortie (OPT) du module électronique de commutation pour obtenir la tension échantillonnée (VECH). Procédé selon la revendication 17, dans lequel les transistors du module électronique de commutation sont commandées en décalé pour transférer la tension de référence en entrée (IPT) vers la sortie (OPT) du module électronique de commutation pour obtenir la tension échantillonnée (VECH).