Brevet FR3156997A1 — publié le 20250620

Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique à nanostructures verticales, comportant une zone active (ZA) conçue pour émettre des photons ultraviolets à partir de recombinaisons radiatives de paires électron-trou, ou conçue pour générer des paires électron-trou à partir de photons ultraviolets absorbés ; les nanostructures verticales étant réalisées en nitrure de gallium GaN dopé de type n, et formées sur des zones d’épitaxie sélective (SAG) par une croissance épitaxiale ; le procédé comportant une étape de gravure sélective des nanostructures verticales conservant une partie restante (30) de chaque nanostructure verticale, adaptée pour conserver une tenue mécanique de zones latérales (41) d’une couche de transport d’électrons réalisée dans un alliage de type III-N comportant de l’aluminium Al. Figure 5 Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique L’invention se rapporte au domaine technique de la fabrication d’un dispositif optoélectronique. Plus précisément, le dispositif optoélectronique peut être un dispositif électroluminescent ou un photodétecteur. Le dispositif électroluminescent est conçu pour émettre des photons ultraviolets (UV) à partir de recombinaisons radiatives de paires électron-trou. Le photodétecteur est conçu pour générer des paires électron-trou à partir de photons ultraviolets absorbés. L’invention trouve notamment son application dans la fabrication de sources lumineuses, d’afficheurs, de détecteurs pour l’imagerie (e.g. biologie) etc. État de l’art Classiquement, une diode électroluminescente (LED) planaire pour l’émission UV comporte successivement un substrat de saphir Al 2 O 3 , une couche épaisse de nitrure d’aluminium AlN, un empilement de couches minces réalisé dans un alliage de type III-N. L’empilement comporte successivement une couche de transport d’électrons, une zone active, une couche de transport de trous. La zone active, comportant classiquement des puits quantiques, est conçue pour émettre des photons ultraviolets à partir de recombinaisons radiatives de paires électron-trou. Une telle LED planaire possède un faible rendement (de l’ordre de 10%) en raison de la technologie en couches minces. En particulier, la présence de défauts structuraux et ponctuels réduit l’efficacité quantique interne. A cet égard, une LED à nanofils pour l’émission UV constitue une alternative intéressante à une LED planaire. En effet, l’absence de défauts structuraux (du type dislocations) permet d’envisager une augmentation significative du rendement. La croissance de nanofils en nitrure d’aluminium AlN (ou en nitrure d’aluminium-gallium AlGaN) à l’échelle industrielle par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (MOVPE pour « Metalorganic Vapor Phase Epitaxy » en langue anglaise) n’est pas encore parfaitement maîtrisée, en raison de la faible diffusion des atomes d’aluminium Al. En revanche, la croissance organisée de nanofils de nitrure de gallium GaN par MOVPE est parfaitement maîtrisée. Ainsi, il est connu de l’état de la technique, notamment du document V. Grenier et al., « UV-A to UV-B electroluminescence of core-shell GaN / AlGaN wire heterostructures », Appl. Phys. Lett., 121, 131102, 2022, de fabriquer une LED à nanofils pour l’émission UV en effectuant une croissance épitaxiale de l’empilement LED (couche de transport d’électrons, zone active, couche de transport de trous) autour de nanofils de nitrure de gallium GaN. On parle d’une croissance épitaxiale de type cœur-coquille, où le cœur est formé par un nanofil et la coquille est formée par l’empilement s’étendant autour du nanofil. Toutefois, un tel procédé de l’état de la technique n’est pas entièrement satisfaisant dans la mesure où : (i) le cœur en nitrure de gallium GaN absorbe une grande partie des photons UV émis par la zone active, la bande interdite du nitrure de gallium étant plus petite que l’énergie des photons UV émis ; (ii) la croissance épitaxiale de l’empilement LED (à base de nitrure d’aluminium-gallium AlGaN) engendre des contraintes élastiques le long du nanofil en traction qui favorise la formation de fissures s’étendant perpendiculairement au nanofil. L’invention vise à remédier en tout ou partie aux inconvénients précités. A cet effet, l’invention a pour objet un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique, comportant les étapes : a) utiliser : - un substrat, réalisé dans un matériau autorisant une croissance épitaxiale de nitrure de gallium GaN ; - une couche diélectrique, formée sur le substrat, et délimitant des zones d’épitaxie sélective ; - des nanostructures verticales, réalisées en nitrure de gallium GaN dopé de type n, formées sur les zones d’épitaxie sélective par une croissance épitaxiale ; b) former une couche de transport d’électrons, réalisée dans un alliage de type III-N comportant de l’aluminium Al, autour de chaque nanostructure verticale par une épitaxie ; la couche de transport d’électrons présentant une zone supérieure et des zones latérales ; c) exposer les nanostructures verticales par une suppression de la zone supérieure de la couche de transport d’électrons ; d) effectuer une gravure sélective des nanostructures verticales exposées de manière à : - graver une partie de chaque nanostructure verticale exposée ; - conserver une partie restante de chaque nanostructure verticale exposée, adaptée pour conserver une tenue mécanique des zones latérales de la couche de transport d’électrons ; l’étape d) étant exécutée avec un agent de gravure autorisant une gravure sélective du nitrure de gallium GaN par rapport à l’alliage de type III-N comportant de l’aluminium Al ; e) former un empilement, réalisé dans un alliage de type III-N comportant de l’aluminium Al, sur les zones latérales de la couche de transport d’électrons par une épitaxie ; l’empilement comportant successivement une zone active et une couche de transport de trous ; la zone active étant conçue pour émettre des photons ultraviolets à partir de recombinaisons radiatives de paires électron-trou, ou conçue pour générer des paires électron-trou à partir de photons ultraviolets absorbés. Ainsi, un tel procédé selon l’invention permet de réduire l’absorption des photons UV émis par la zone active par rapport à l’état de la technique, grâce aux étapes c) et d) qui conduisent à une gravure partielle des nanostructures verticales (cœur). La sélectivité de la gravure partielle du cœur en nitrure de gallium GaN par rapport à la coquille (couche de transport d’électrons) est obtenue grâce à la présence de l’aluminium Al dans l’alliage de type III-N de la couche de transport d’électrons. De plus, un tel procédé selon l’invention permet de réduire les contraintes élastiques le long des nanostructures verticales par rapport à l’état de la technique, car l’étape e) de formation de l’empilement par épitaxie est exécutée avec un cœur gravé partiellement, et non avec le cœur initial, ce qui limite la formation de fissures s’étendant perpendiculairement aux nanostructures verticales. Les fissures peuvent être évitées lors de la formation de l’empilement si l’énergie élastique des zones latérales de la couche de transport d’électrons sont limitées à 4 J/m 2 . L’invention a également pour objet un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique, comportant les étapes : a) utiliser : - un substrat, réalisé dans un matériau autorisant une croissance épitaxiale de nitrure de gallium GaN ; - une couche diélectrique, formée sur le substrat, et délimitant des zones d’épitaxie sélective ; - des nanostructures verticales, réalisées en nitrure de gallium GaN dopé de type n, formées sur les zone d’épitaxie sélective par une croissance épitaxiale ; b’) former un empilement, réalisé dans un alliage de type III-N comportant de l’aluminium Al, autour de chaque nanostructure verticale par une épitaxie ; l’empilement comportant successivement : - une couche de transport d’électrons ; - une zone active, conçue pour émettre des photons ultraviolets à partir de recombinaisons radiatives de paires électron-trou, ou conçue pour générer des paires électron-trou à partir de photons ultraviolets absorbés ; - une couche de transport de trous ; l’empilement présentant une zone supérieure et des zones latérales ; c’) exposer les nanostructures verticales : - par une suppression de la zone supérieure de l’empilement ; ou - par une formation, intentionnelle ou non-intentionnelle, d’au moins un orifice traversant l’empilement ; d) effectuer une gravure sélective des nanostructures verticales exposées de manière à : - graver une partie de chaque nanostructure verticale exposée ; - conserver une partie restante de chaque nanostructure verticale exposée, adaptée pour conserver une tenue mécanique des zones latérales de l’empilement ; l’étape d) étant exécutée avec un agent de gravure autorisant une gravure sélective du nitrure de gallium GaN par rapport à l’alliage de type III-N comportant de l’aluminium Al. Ainsi, un tel procédé selon l’invention permet de réduire l’absorption des photons UV émis par la zone active par rapport à l’état de la technique, grâce aux étapes c’) et d) qui conduisent à une gravure partielle des nanostructures verticales (cœur). La sélectivité de la gravure partielle du cœur en nitrure de gallium GaN par rapport à la coquille (empilement) est obtenue grâce à la présence de l’aluminium Al dans l’alliage de type III-N de l’empilement. Le procédé selon l’invention peut comporter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes. Selon une caractéristique de l’invention, l’étape c) est exécutée de sorte que la suppression de la zone supérieure de la couche de transport d’électrons est obtenue par une gravure ionique réactive. Ainsi, un avantage procuré par une telle technique est d’autoriser à la fois une anisotropie et une sélectivité de la gravure. Selon une caractéristique de l’invention, l’étape c’) est exécutée de sorte que la suppression de la zone supérieure de l’empilement est obtenue par une gravure ionique réactive. Ainsi, un avantage procuré par une telle technique est d’autoriser à la fois une anisotropie et une sélectivité de la gravure. Selon une caractéristique de l’invention, l’étape c’) est exécutée de sorte que : - la formation intentionnelle dudit au moins un orifice traversant l’empilement est obtenue par une photolithographie suivie d’une gravure ; - la formation non-intentionnelle dudit au moins un orifice traversant l’empilement est obtenue par des fissures générées lors de l’épitaxie de l’étape b’). Selon une caractéristique de l’invention, l’alliage de type III-N est choisi parmi un alliage ternaire de nitrure d’aluminium-gallium AlGaN, un alliage quaternaire de nitrure d’aluminium-indium-gallium AlInGaN, un alliage quinaire de nitrure d’aluminium-bore-indium-gallium AlBInGaN. Selon une caractéristique de l’invention, l’alliage de type III-N comporte de l’aluminium Al dans une proportion atomique supérieure ou égale à 5%. Ainsi, un avantage procuré est d’améliorer la sélectivité de la gravure partielle des nanostructures verticales. Selon une caractéristique de l’invention, la gravure sélective est effectuée lors de l’étape d) : - par un recuit thermique sous une atmosphère comportant du dihydrogène H 2 et de l’ammoniac NH 3 ; ou - par une gravure par un plasma ; ou - par une gravure chimique. Selon une caractéristique de l’invention, l’étape a) est exécutée de sorte que les nanostructures verticales sont choisies parmi des nanofils, des nanotubes, des nanorubans, des nano-piliers, des nano-aiguilles, des nano-cônes, des nano-pailles, des nanomurs. Selon une caractéristique de l’invention, l’étape a) est exécutée de sorte que le substrat est réalisé dans un matériau choisi parmi le silicium Si, la carbure de silicium SiC, le nitrure de gallium GaN, le nitrure d’aluminium AlN, le saphir Al 2 O 3 . Ainsi, un avantage procuré par de tels substrats est d’autoriser une croissance épitaxiale de nitrure de gallium GaN. Selon une caractéristique de l’invention, l’étape a) est exécutée de sorte que la couche diélectrique est réalisée dans un matériau choisi parmi le dioxyde de silicium SiO 2 et le nitrure de silicium Si 3 N 4 . Selon une caractéristique de l’invention, la couche de transport d’électrons comporte des dopants de type n, de préférence des atomes de silicium Si ou des atomes de germanium Ge. Ainsi, un avantage procuré est d’augmenter la conductivité électrique de la couche de transport d’électrons. Selon une caractéristique de l’invention, la couche de transport de trous comporte des dopants de type p, de préférence des atomes de magnésium Mg. Ainsi, un avantage procuré est d’augmenter la conductivité électrique de la couche de transport de trous. Selon une caractéristique de l’invention, la zone active comporte au moins un puits quantique comprenant successivement : - une première couche barrière, réalisée dans un alliage ternaire de nitrure d’aluminium-gallium Al x Ga 1-x N ; - une couche active, réalisée dans un alliage ternaire de nitrure d’aluminium-gallium Al y Ga 1-y N avec « y » strictement supérieur à « x », conçue pour émettre des photons ultraviolets à partir de recombinaisons radiatives de paires électron-trou, ou conçue pour générer des paires électron-trou à partir de photons ultraviolets absorbés ; - une deuxième couche barrière, réalisée dans un alliage ternaire de nitrure d’aluminium-gallium Al x Ga 1-x N ; ledit au moins un puits quantique pouvant être monodimensionnel, bidimensionnel ou tridimensionnel. Selon une caractéristique de l’invention, la zone active comporte au moins un puits quantique comprenant successivement : - une première couche barrière, réalisée dans un alliage de nitrure d’aluminium-gallium AlGaN ; - une couche active, réalisée dans un alliage quaternaire de nitrure d’aluminium-indium-gallium AlInGaN ou dans un alliage quinaire de nitrure d’aluminium-bore-indium-gallium AlBInGaN, conçue pour émettre des photons ultraviolets à partir de recombinaisons radiatives de paires électron-trou, ou conçue pour générer des paires électron-trou à partir de photons ultraviolets absorbés ; - une deuxième couche barrière, réalisée dans un alliage de nitrure d’aluminium-gallium AlGaN ; ledit au moins un puits quantique pouvant être monodimensionnel, bidimensionnel ou tridimensionnel. Définitions - Par « substrat », on entend un support physique autoporté, réalisé dans un matériau de base à partir duquel peut être formé un dispositif optoélectronique. Un substrat peut être une « tranche », également dénommée « plaquette » (« wafer » en langue anglaise) qui se présente généralement sous la forme d’un disque issu d’une découpe dans un lingot d’un matériau cristallin. - Par « diélectrique », on entend que la couche est réalisée dans un matériau présentant une conductivité électrique à 300 K inférieure ou égale à 10 -6 S/cm. - Par « zone d’épitaxie sélective » (SAG pour « Selective Area Growth » en langue anglaise), on entend des zones localisées de la surface du substrat, délimitées par la couche diélectrique, qui ont subi une croissance épitaxiale, tandis que le reste de la surface du substrat n’a pas subi de croissance épitaxiale, la couche diélectrique formant un masque de croissance. On parle également d’épitaxie à zone sélective. Chaque zone localisée de la surface du substrat ayant subi une croissance épitaxiale forme un germe cristallin de croissance, à partir duquel peut croître une nanostructure verticale. On parle d’homoépitaxie lorsque le germe cristallin de croissance et la nanostructure verticale sont réalisés dans le même matériau. On parle d’hétéroépitaxie lorsque le germe cristallin de croissance et la nanostructure verticale sont réalisés dans des matériaux différents. - Par « exposer les nanostructures verticales », on entend une action de mettre à nu partiellement les nanostructures verticales de sorte que les nanostructures verticales présentent au moins une surface libre. - Par « nanostructure », on entend une structure dont au moins une de ses dimensions est à l'échelle nanométrique, c'est-à-dire comprise entre 0,1 nm et 10000 nm. - Par « nanostructure verticale », on entend une nanostructure s’étendant suivant une direction correspondant à la normale à la surface du substrat sur laquelle est formée la couche diélectrique, c'est-à-dire la direction verticale en condition normale d’utilisation du dispositif optoélectronique. A titre d'exemple non limitatif, la nanostructure verticale peut être de forme colonnaire, c'est-à-dire que la nanostructure verticale peut présenter un facteur de forme (« aspect ratio » en langue anglaise) strictement supérieur à 1. Le facteur de forme est le ratio entre la hauteur (épaisseur) et la largeur de la nanostructure verticale. La hauteur (épaisseur) est la dimension suivant la normale à la surface du substrat sur laquelle est formée la couche diélectrique. - Par « alliage de type III-N », on entend un alliage entre au moins un élément de la colonne III du tableau périodique des éléments (TPE) et l’azote N. L’alliage peut être binaire en présence d’un seul élément de la colonne III du TPE et de l’azote N. L’alliage peut être ternaire en présence de deux éléments de la colonne III du TPE et de l’azote N. L’alliage peut être quaternaire en présence de trois éléments de la colonne III du TPE et de l’azote N etc. - Par « zone supérieure », on entend la zone la plus élevée de la couche de transport d’électrons suivant la normale à la surface du substrat sur laquelle est formée la couche diélectrique. De la même façon, on entend la zone la plus élevée de l’empilement formé lors de l’étape b’) suivant la normale à la surface du substrat sur laquelle est formée la couche diélectrique. - Par « zone latérale », on entend une zone bordant un côté de la couche de transport d’électrons. De la même façon, on entend une zone bordant un côté de l’empilement formé lors de l’étape b’). Les zones latérales de la couche de transport d’électrons sont reliées entre elles par la zone supérieure de la couche de transport d’électrons. De la même façon, les zones latérales de l’empilement formé lors de l’étape b’) sont reliées entre elles par la zone supérieure de l’empilement. - Par « gravure sélective d’un matériau A par rapport à un matériau B », on entend que le matériau A peut être gravé sans attaquer le matériau B. En pratique, l’agent de gravure est généralement choisi de sorte que la vitesse de gravure du matériau A est au moins 3 fois supérieure (de préférence au moins 5 fois supérieure, plus préférentiellement au moins 10 fois supérieure) à la vitesse de gravure du matériau B. - Par « conserver une tenue mécanique », on entend que les zones latérales de la couche de transport d’électrons résistent à la rupture à l’issue de l’étape d) en réponse à une sollicitation mécanique. De la même façon, on entend que les zones latérales de l’empilement formé lors de l’étape b’) résistent à la rupture à l’issue de l’étape d) en réponse à une sollicitation mécanique. - Par « comportant successivement un élément A, un élément B etc. », on entend que les éléments A et B sont disposés de manière consécutive selon un ordre défini suivant la normale à une surface recevant les éléments A et B. Par exemple, les surfaces recevant l’empilement formé lors de l’étape e) sont les surfaces des zones latérales de la couche de transport d’électrons. Les surfaces recevant l’empilement formé lors de l’étape b’) sont les surfaces (supérieure, latérales) de chacune des nanostructures verticales autour de laquelle s’étend l’empilement. - Par « ultraviolets » (UV), on entend des photons émis ou absorbés dans au moins une des gammes spectrales suivantes : (i) UV-A : [315 nm ; 400 nm] (ii) UV-B : [280 nm ; 315 nm] (iii) UV-C : [100 nm ; 280 nm] - Par « recuit thermique », on entend un traitement thermique comportant : (i) une phase de montée graduelle en température (rampe de montée) jusqu’à atteindre une température dite température de recuit ; (ii) une phase de maintien (plateau) à la température de recuit, pendant une durée dite durée de recuit ; (iii) une phase de refroidissement. Un budget thermique est un apport d’énergie de nature thermique, déterminé par le choix d’une valeur de la température de recuit et le choix d’une valeur de la durée de recuit. - Par « dopants de type n », on entend des espèces (e.g. impuretés) qui, introduites dans la matrice de l’alliage de type III-N, donnent un électron à la bande de conduction. - Par « dopants de type p », on entend des espèces (e.g. impuretés) qui, introduites dans la matrice de l’alliage de type III-N, acceptent un électron de la bande de valence (i.e. donnent un trou à la bande de valence). - L’expression « puits quantique » peut désigner un puits quantique monodimensionnel, un puits quantique bidimensionnel (appelé également fil quantique), un puits quantique tridimensionnel (appelé également boîte quantique). D’autres caractéristiques et avantages apparaîtront dans l’exposé détaillé de différents modes de réalisation de l’invention, l’exposé étant assorti d’exemples et de références aux dessins joints. FIG. 1 est une vue schématique en coupe, illustrant une étape a) d’un procédé selon l’invention. FIG. 2 est une vue schématique en coupe, illustrant une étape b) d’un procédé selon l’invention. FIG. 3 est une vue schématique en coupe, illustrant une étape c) d’un procédé selon l’invention. FIG. 4 est une vue schématique en coupe, illustrant une étape d) d’un procédé selon l’invention exécutée après l’étape c) illustrée à la FIG. 3 . FIG. 5 est une vue schématique en coupe, illustrant une étape e) d’un procédé selon l’invention. FIG. 6 est une vue schématique en coupe, illustrant une étape b’) d’un procédé selon l’invention. FIG. 7 est une vue schématique en coupe, illustrant un premier mode de mise en œuvre d’une étape c’) d’un procédé selon l’invention, avec une suppression de la zone supérieure de l’empilement. FIG. 8 est une vue schématique en coupe, illustrant une étape d) d’un procédé selon l’invention exécutée après l’étape c’) illustrée à la FIG. 7 . FIG. 9 est une vue schématique en coupe, illustrant un deuxième mode de mise en œuvre d’une étape c’) d’un procédé selon l’invention, avec une formation intentionnelle d’au moins un orifice traversant l’empilement. FIG. 10 est une vue schématique en coupe, illustrant une étape d) d’un procédé selon l’invention exécutée après l’étape c’) illustrée à la FIG. 9 . FIG. 11 est une vue schématique en coupe, illustrant un troisième mode de mise en œuvre d’une étape c’) d’un procédé selon l’invention, avec une formation non-intentionnelle d’orifices traversant l’empilement. FIG. 12 est une vue schématique en coupe, illustrant une étape d) d’un procédé selon l’invention exécutée après l’étape c’) illustrée à la FIG. 11 . FIG. 13 est une vue schématique partielle en coupe, illustrant un dispositif optoélectronique obtenu par un procédé selon l’invention, la zone active de l’empilement étant notamment détaillée. Il est à noter que les dessins décrits ci-avant sont schématiques, et ne sont pas nécessairement à l’échelle par souci de lisibilité et pour en simplifier leur compréhension. En particulier, une seule nanostructure est représentée et les vues sont à l’échelle agrandie pour les raisons mentionnées ci-avant. Les coupes sont effectuées selon la normale à la surface du substrat sur laquelle est formée la couche diélectrique. Exposé détaillé des modes de réalisation Les éléments identiques ou assurant la même fonction porteront les mêmes références pour les différents modes de réalisation, par souci de simplification. 1 er objet : zone active formée après gravure partielle des nanostructures Un objet de l’invention est un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique, comportant les étapes : a) utiliser : - un substrat 1, réalisé dans un matériau autorisant une croissance épitaxiale de nitrure de gallium GaN ; - une couche diélectrique 2, formée sur le substrat 1, et délimitant des zones d’épitaxie sélective SAG ; - des nanostructures 3 verticales, réalisées en nitrure de gallium GaN dopé de type n, formées sur les zones d’épitaxie sélective SAG par une croissance épitaxiale ; b) former une couche de transport d’électrons 4, réalisée dans un alliage de type III-N comportant de l’aluminium Al, autour de chaque nanostructure 3 verticale par une épitaxie ; la couche de transport d’électrons 4 présentant une zone supérieure 40 et des zones latérales 41 ; c) exposer les nanostructures 3 verticales par une suppression de la zone supérieure 40 de la couche de transport d’électrons 4 ; d) effectuer une gravure sélective des nanostructures 3 verticales exposées de manière à : - graver une partie de chaque nanostructure 3 verticale exposée ; - conserver une partie restante 30 de chaque nanostructure 3 verticale exposée, adaptée pour conserver une tenue mécanique des zones latérales 41 de la couche de transport d’électrons 4 ; l’étape d) étant exécutée avec un agent de gravure autorisant une gravure sélective du nitrure de gallium GaN par rapport à l’alliage de type III-N comportant de l’aluminium Al ; e) former un empilement, réalisé dans un alliage de type III-N comportant de l’aluminium Al, sur les zones latérales 41 de la couche de transport d’électrons 4 par une épitaxie ; l’empilement comportant successivement une zone active ZA et une couche de transport de trous 5 ; la zone active ZA étant conçue pour émettre des photons ultraviolets à partir de recombinaisons radiatives de paires électron-trou, ou conçue pour générer des paires électron-trou à partir de photons ultraviolets absorbés. Etape a) Le substrat 1 utilisé lors de l’étape a) est réalisé dans un matériau autorisant une croissance épitaxiale de nitrure de gallium GaN. L’étape a) est avantageusement exécutée de sorte que le substrat 1 est réalisé dans un matériau choisi parmi le silicium Si, la carbure de silicium SiC, le nitrure de gallium GaN, le nitrure d’aluminium AlN, le saphir Al 2 O 3 . La couche diélectrique 2, formée sur le substrat 1, délimite des zones d’épitaxie sélective SAG. L’étape a) est avantageusement exécutée de sorte que la couche diélectrique 2 est réalisée dans un matériau choisi parmi le dioxyde de silicium SiO 2 et le nitrure de silicium Si 3 N 4 . Les nanostructures 3 verticales sont réalisées en nitrure de gallium GaN dopé de type n. Les dopants de type n sont de préférence des atomes de silicium Si ou des atomes de germanium Ge. Les nanostructures 3 verticales sont formées sur les zones d’épitaxie sélective SAG par une croissance épitaxiale, de préférence par une épitaxie en phase vapeur aux organométalliques. L’étape a) est avantageusement exécutée de sorte que les nanostructures 3 verticales sont choisies parmi des nanofils, des nanotubes, des nanorubans, des nano-piliers, des nano-aiguilles, des nano-cônes, des nano-pailles, des nanomurs. Etape b) La couche de transport d’électrons 4 formée lors de l’étape b) est réalisée dans un alliage de type III-N comportant de l’aluminium Al. L’alliage de type III-N est avantageusement choisi parmi un alliage ternaire de nitrure d’aluminium-gallium AlGaN, un alliage quaternaire de nitrure d’aluminium-indium-gallium AlInGaN, un alliage quinaire de nitrure d’aluminium-bore-indium-gallium AlBInGaN. L’alliage de type III-N comporte avantageusement de l’aluminium Al dans une proportion atomique supérieure ou égale à 5%. La couche de transport d’électrons 4 est formée lors de l’étape b) autour de chaque nanostructure 3 verticale par une épitaxie, de préférence par une épitaxie en phase vapeur aux organométalliques. La couche de transport d’électrons 4 formée lors de l’étape b) présente une zone supérieure 40 et des zones latérales 41. La couche de transport d’électrons 4 formée lors de l’étape b) comporte avantageusement des dopants de type n, de préférence des atomes de silicium Si ou des atomes de germanium Ge. Etape c) L’étape c) consiste à exposer les nanostructures 3 verticales par une suppression de la zone supérieure 40 de la couche de transport d’électrons 4 formée lors de l’étape b). L’étape c) est avantageusement exécutée de sorte que la suppression de la zone supérieure 40 de la couche de transport d’électrons 4 est obtenue par une gravure ionique réactive. Etape d) L’étape d) consiste à effectuer une gravure sélective adaptée pour graver partiellement les nanostructures 3 verticales exposées à l’issue de l’étape c). La partie non-gravée 30 de chaque nanostructure 3 verticale possède un volume adapté pour conserver une tenue mécanique des zones latérales 41 de la couche de transport d’électrons 4 formée lors de l’étape b). En d’autres termes, la partie restante 30 (i.e. non-gravée) de chaque nanostructure 3 verticale exposée forme un piédestal permettant de conserver une tenue mécanique des zones latérales 41 de la couche de transport d’électrons 4. L’étape d) est exécutée avec un agent de gravure autorisant une gravure sélective du nitrure de gallium GaN (i.e. le matériau des nanostructures 3 verticales) par rapport à l’alliage de type III-N comportant de l’aluminium Al (i.e. le matériau de la couche de transport d’électrons 4). La gravure sélective est avantageusement effectuée lors de l’étape d) : - par un recuit thermique (e.g. à une température de 1000°C) sous une atmosphère comportant du dihydrogène H 2 et de l’ammoniac NH 3 ; ou - par une gravure par un plasma (e.g. sous un gaz à base de dichlore Cl 2 ) ; ou - par une gravure chimique (e.g. avec de l’hydroxyde de potassium KOH ou avec de l’acide phosphorique H 3 PO 4 ). Etape e) L’empilement formé lors de l’étape e) est réalisé dans un alliage de type III-N comportant de l’aluminium Al. L’alliage de type III-N est avantageusement choisi parmi un alliage ternaire de nitrure d’aluminium-gallium AlGaN, un alliage quaternaire de nitrure d’aluminium-indium-gallium AlInGaN, un alliage quinaire de nitrure d’aluminium-bore-indium-gallium AlBInGaN. L’empilement est formé lors de l’étape e) sur les zones latérales 41 de la couche de transport d’électrons 4 par une épitaxie, de préférence par une épitaxie en phase vapeur aux organométalliques. L’empilement formé lors de l’étape e) comporte successivement une zone active ZA et une couche de transport de trous 5. La zone active ZA peut être conçue pour émettre des photons ultraviolets à partir de recombinaisons radiatives de paires électron-trou. A titre d’alternative, la zone active ZA peut être conçue pour générer des paires électron-trou à partir de photons ultraviolets absorbés. Selon un premier mode de mise en œuvre, la zone active ZA comporte au moins un puits quantique comprenant successivement : - une première couche barrière B1, réalisée dans un alliage ternaire de nitrure d’aluminium-gallium Al x Ga 1-x N ; - une couche active CA, réalisée dans un alliage ternaire de nitrure d’aluminium-gallium Al y Ga 1-y N avec « y » strictement supérieur à « x », conçue pour émettre des photons ultraviolets à partir de recombinaisons radiatives de paires électron-trou, ou conçue pour générer des paires électron-trou à partir de photons ultraviolets absorbés ; - une deuxième couche barrière B2, réalisée dans un alliage ternaire de nitrure d’aluminium-gallium Al x Ga 1-x N. Ledit au moins un puits quantique peut être monodimensionnel, bidimensionnel ou tridimensionnel. Selon un deuxième mode de mise en œuvre, la zone active ZA comporte au moins un puits quantique comprenant successivement : - une première couche barrière B1, réalisée dans un alliage de nitrure d’aluminium-gallium AlGaN ; - une couche active CA, réalisée dans un alliage quaternaire de nitrure d’aluminium-indium-gallium AlInGaN ou dans un alliage quinaire de nitrure d’aluminium-bore-indium-gallium AlBInGaN, conçue pour émettre des photons ultraviolets à partir de recombinaisons radiatives de paires électron-trou, ou conçue pour générer des paires électron-trou à partir de photons ultraviolets absorbés ; - une deuxième couche barrière B2, réalisée dans un alliage de nitrure d’aluminium-gallium AlGaN. Ledit au moins un puits quantique peut être monodimensionnel, bidimensionnel ou tridimensionnel. La couche de transport de trous 5 comporte avantageusement des dopants de type p, de préférence des atomes de magnésium Mg. 2 ème objet : zone active formée avant gravure partielle des nanostructures L’invention a également pour objet un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique, comportant les étapes : a) utiliser : - un substrat 1, réalisé dans un matériau autorisant une croissance épitaxiale de nitrure de gallium GaN ; - une couche diélectrique 2, formée sur le substrat 1, et délimitant des zones d’épitaxie sélective SAG ; - des nanostructures 3 verticales, réalisées en nitrure de gallium GaN dopé de type n, formées sur les zone d’épitaxie sélective SAG par une croissance épitaxiale ; b’) former un empilement, réalisé dans un alliage de type III-N comportant de l’aluminium Al, autour de chaque nanostructure 3 verticale par une épitaxie ; l’empilement comportant successivement : - une couche de transport d’électrons 4 ; - une zone active ZA, conçue pour émettre des photons ultraviolets à partir de recombinaisons radiatives de paires électron-trou, ou conçue pour générer des paires électron-trou à partir de photons ultraviolets absorbés ; - une couche de transport de trous 5 ; l’empilement présentant une zone supérieure ZS et des zones latérales ZL ; c’) exposer les nanostructures 3 verticales : - par une suppression de la zone supérieure ZS de l’empilement ; ou - par une formation, intentionnelle ou non-intentionnelle, d’au moins un orifice O traversant l’empilement ; d) effectuer une gravure sélective des nanostructures 3 verticales exposées de manière à : - graver une partie de chaque nanostructure 3 verticale exposée ; - conserver une partie restante 30 de chaque nanostructure 3 verticale exposée, adaptée pour conserver une tenue mécanique des zones latérales ZL de l’empilement ; l’étape d) étant exécutée avec un agent de gravure autorisant une gravure sélective du nitrure de gallium GaN par rapport à l’alliage de type III-N comportant de l’aluminium Al. Etape a) Le substrat 1 utilisé lors de l’étape a) est réalisé dans un matériau autorisant une croissance épitaxiale de nitrure de gallium GaN. L’étape a) est avantageusement exécutée de sorte que le substrat 1 est réalisé dans un matériau choisi parmi le silicium Si, la carbure de silicium SiC, le nitrure de gallium GaN, le nitrure d’aluminium AlN, le saphir Al 2 O 3 . La couche diélectrique 2, formée sur le substrat 1, délimite des zones d’épitaxie sélective SAG. L’étape a) est avantageusement exécutée de sorte que la couche diélectrique 2 est réalisée dans un matériau choisi parmi le dioxyde de silicium SiO 2 et le nitrure de silicium Si 3 N 4 . Les nanostructures 3 verticales sont réalisées en nitrure de gallium GaN dopé de type n. Les dopants de type n sont de préférence des atomes de silicium Si ou des atomes de germanium Ge. Les nanostructures 3 verticales sont formées sur les zones d’épitaxie sélective SAG par une croissance épitaxiale, de préférence par une épitaxie en phase vapeur aux organométalliques. L’étape a) est avantageusement exécutée de sorte que les nanostructures 3 verticales sont choisies parmi des nanofils, des nanotubes, des nanorubans, des nano-piliers, des nano-aiguilles, des nano-cônes, des nano-pailles, des nanomurs. Etape b’) L’empilement formé lors de l’étape b’) est réalisé dans un alliage de type III-N comportant de l’aluminium Al. L’alliage de type III-N est avantageusement choisi parmi un alliage ternaire de nitrure d’aluminium-gallium AlGaN, un alliage quaternaire de nitrure d’aluminium-indium-gallium AlInGaN, un alliage quinaire de nitrure d’aluminium-bore-indium-gallium AlBInGaN. L’alliage de type III-N comporte avantageusement de l’aluminium Al dans une proportion atomique supérieure ou égale à 5%. L’empilement est formé lors de l’étape b’) autour de chaque nanostructure 3 verticale par une épitaxie, de préférence par une épitaxie en phase vapeur aux organométalliques. L’empilement formé lors de l’étape b’) présente une zone supérieure ZS et des zones latérales ZL. L’empilement formé lors de l’étape b’) comporte successivement une couche de transport d’électrons 4, une zone active ZA, une couche de transport de trous 5. La couche de transport d’électrons 4 comporte avantageusement des dopants de type n, de préférence des atomes de silicium Si ou des atomes de germanium Ge. La zone active ZA peut être conçue pour émettre des photons ultraviolets à partir de recombinaisons radiatives de paires électron-trou. A titre d’alternative, la zone active ZA peut être conçue pour générer des paires électron-trou à partir de photons ultraviolets absorbés. Selon un premier mode de mise en œuvre, la zone active ZA comporte au moins un puits quantique comprenant successivement : - une première couche barrière B1, réalisée dans un alliage ternaire de nitrure d’aluminium-gallium Al x Ga 1-x N ; - une couche active CA, réalisée dans un alliage ternaire de nitrure d’aluminium-gallium Al y Ga 1-y N avec « y » strictement supérieur à « x », conçue pour émettre des photons ultraviolets à partir de recombinaisons radiatives de paires électron-trou, ou conçue pour générer des paires électron-trou à partir de photons ultraviolets absorbés ; - une deuxième couche barrière B2, réalisée dans un alliage ternaire de nitrure d’aluminium-gallium Al x Ga 1-x N. Ledit au moins un puits quantique peut être monodimensionnel, bidimensionnel ou tridimensionnel. Selon un deuxième mode de mise en œuvre, la zone active ZA comporte au moins un puits quantique comprenant successivement : - une première couche barrière B1, réalisée dans un alliage de nitrure d’aluminium-gallium AlGaN ; - une couche active CA, réalisée dans un alliage quaternaire de nitrure d’aluminium-indium-gallium AlInGaN ou dans un alliage quinaire de nitrure d’aluminium-bore-indium-gallium AlBInGaN, conçue pour émettre des photons ultraviolets à partir de recombinaisons radiatives de paires électron-trou, ou conçue pour générer des paires électron-trou à partir de photons ultraviolets absorbés ; - une deuxième couche barrière B2, réalisée dans un alliage de nitrure d’aluminium-gallium AlGaN. Ledit au moins un puits quantique peut être monodimensionnel, bidimensionnel ou tridimensionnel. La couche de transport de trous 5 comporte avantageusement des dopants de type p, de préférence des atomes de magnésium Mg. Etape c’) L’étape c’) consiste à exposer les nanostructures 3 verticales. Selon un premier mode de mise en œuvre, l’étape c’) est exécutée par une suppression de la zone supérieure ZS de l’empilement formé lors de l’étape b’). L’étape c’) est avantageusement exécutée de sorte que la suppression de la zone supérieure ZS de l’empilement est obtenue par une gravure ionique réactive. Selon un deuxième mode de mise en œuvre, l’étape c’) est exécutée par une formation, intentionnelle ou non-intentionnelle, d’au moins un orifice O traversant l’empilement formé lors de l’étape b’). L’étape c’) est avantageusement exécutée de sorte que la formation intentionnelle dudit au moins un orifice O traversant l’empilement est obtenue par une photolithographie suivie d’une gravure (e.g. du type gravure ionique réactive). L’étape c’) est avantageusement exécutée de sorte que la formation non-intentionnelle dudit au moins un orifice O traversant l’empilement est obtenue par des fissures F générées lors de l’épitaxie de l’étape b’). Etape d) L’étape d) consiste à effectuer une gravure sélective adaptée pour graver partiellement les nanostructures 3 verticales exposées à l’issue de l’étape c’). La partie non-gravée 30 de chaque nanostructure 3 verticale possède un volume adapté pour conserver une tenue mécanique des zones latérales ZL de l’empilement formé lors de l’étape b’). En d’autres termes, la partie restante 30 (i.e. non-gravée) de chaque nanostructure 3 verticale exposée forme un piédestal permettant de conserver une tenue mécanique des zones latérales ZL de l’empilement. L’étape d) est exécutée avec un agent de gravure autorisant une gravure sélective du nitrure de gallium GaN (i.e. le matériau des nanostructures 3 verticales) par rapport à l’alliage de type III-N comportant de l’aluminium Al (i.e. les matériaux de l’empilement). La gravure sélective est avantageusement effectuée lors de l’étape d) : - par un recuit thermique (e.g. à une température de 1000°C) sous une atmosphère comportant du dihydrogène H 2 et de l’ammoniac NH 3 ; ou - par une gravure par un plasma (e.g. sous un gaz à base de dichlore Cl 2 ) ; ou - par une gravure chimique (e.g. avec de l’hydroxyde de potassium KOH ou avec de l’acide phosphorique H 3 PO 4 ). L’invention ne se limite pas aux modes de réalisation exposés. L’homme du métier est mis à même de considérer leurs combinaisons techniquement opérantes, et de leur substituer des équivalents. Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique, comportant les étapes : a) utiliser : - un substrat (1), réalisé dans un matériau autorisant une croissance épitaxiale de nitrure de gallium GaN ; - une couche diélectrique (2), formée sur le substrat (1), et délimitant des zones d’épitaxie sélective (SAG) ; - des nanostructures (3) verticales, réalisées en nitrure de gallium GaN dopé de type n, formées sur les zones d’épitaxie sélective (SAG) par une croissance épitaxiale ; b) former une couche de transport d’électrons (4), réalisée dans un alliage de type III-N comportant de l’aluminium Al, autour de chaque nanostructure (3) verticale par une épitaxie ; la couche de transport d’électrons (4) présentant une zone supérieure (40) et des zones latérales (41) ; c) exposer les nanostructures (3) verticales par une suppression de la zone supérieure (40) de la couche de transport d’électrons (4) ; d) effectuer une gravure sélective des nanostructures (3) verticales exposées de manière à : - graver une partie de chaque nanostructure (3) verticale exposée ; - conserver une partie restante (30) de chaque nanostructure (3) verticale exposée, adaptée pour conserver une tenue mécanique des zones latérales (41) de la couche de transport d’électrons (4) ; l’étape d) étant exécutée avec un agent de gravure autorisant une gravure sélective du nitrure de gallium GaN par rapport à l’alliage de type III-N comportant de l’aluminium Al ; e) former un empilement, réalisé dans un alliage de type III-N comportant de l’aluminium Al, sur les zones latérales (41) de la couche de transport d’électrons (4) par une épitaxie ; l’empilement comportant successivement une zone active (ZA) et une couche de transport de trous (5) ; la zone active (ZA) étant conçue pour émettre des photons ultraviolets à partir de recombinaisons radiatives de paires électron-trou, ou conçue pour générer des paires électron-trou à partir de photons ultraviolets absorbés. Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique, comportant les étapes : a) utiliser : - un substrat (1), réalisé dans un matériau autorisant une croissance épitaxiale de nitrure de gallium GaN ; - une couche diélectrique (2), formée sur le substrat (1), et délimitant des zones d’épitaxie sélective (SAG) ; - des nanostructures (3) verticales, réalisées en nitrure de gallium GaN dopé de type n, formées sur les zone d’épitaxie sélective (SAG) par une croissance épitaxiale ; b’) former un empilement, réalisé dans un alliage de type III-N comportant de l’aluminium Al, autour de chaque nanostructure (3) verticale par une épitaxie ; l’empilement comportant successivement : - une couche de transport d’électrons (4) ; - une zone active (ZA), conçue pour émettre des photons ultraviolets à partir de recombinaisons radiatives de paires électron-trou, ou conçue pour générer des paires électron-trou à partir de photons ultraviolets absorbés ; - une couche de transport de trous (5) ; l’empilement présentant une zone supérieure (ZS) et des zones latérales (ZL) ; c’) exposer les nanostructures (3) verticales : - par une suppression de la zone supérieure (ZS) de l’empilement ; ou - par une formation, intentionnelle ou non-intentionnelle, d’au moins un orifice (O) traversant l’empilement ; d) effectuer une gravure sélective des nanostructures (3) verticales exposées de manière à : - graver une partie de chaque nanostructure (3) verticale exposée ; - conserver une partie restante (30) de chaque nanostructure (3) verticale exposée, adaptée pour conserver une tenue mécanique des zones latérales (ZL) de l’empilement ; l’étape d) étant exécutée avec un agent de gravure autorisant une gravure sélective du nitrure de gallium GaN par rapport à l’alliage de type III-N comportant de l’aluminium Al. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l’étape c) est exécutée de sorte que la suppression de la zone supérieure (40) de la couche de transport d’électrons (4) est obtenue par une gravure ionique réactive. Procédé selon la revendication 2, dans lequel l’étape c’) est exécutée de sorte que la suppression de la zone supérieure (ZS) de l’empilement est obtenue par une gravure ionique réactive. Procédé selon la revendication 2, dans lequel l’étape c’) est exécutée de sorte que : - la formation intentionnelle dudit au moins un orifice (O) traversant l’empilement est obtenue par une photolithographie suivie d’une gravure ; - la formation non-intentionnelle dudit au moins un orifice (O) traversant l’empilement est obtenue par des fissures (F) générées lors de l’épitaxie de l’étape b’). Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel l’alliage de type III-N est choisi parmi un alliage ternaire de nitrure d’aluminium-gallium AlGaN, un alliage quaternaire de nitrure d’aluminium-indium-gallium AlInGaN, un alliage quinaire de nitrure d’aluminium-bore-indium-gallium AlBInGaN. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel l’alliage de type III-N comporte de l’aluminium Al dans une proportion atomique supérieure ou égale à 5%. Procédé selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel la gravure sélective est effectuée lors de l’étape d) : - par un recuit thermique sous une atmosphère comportant du dihydrogène H 2 et de l’ammoniac NH 3 ; ou - par une gravure par un plasma ; ou - par une gravure chimique. Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel l’étape a) est exécutée de sorte que les nanostructures (3) verticales sont choisies parmi des nanofils, des nanotubes, des nanorubans, des nano-piliers, des nano-aiguilles, des nano-cônes, des nano-pailles, des nanomurs. Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel l’étape a) est exécutée de sorte que le substrat (1) est réalisé dans un matériau choisi parmi le silicium Si, la carbure de silicium SiC, le nitrure de gallium GaN, le nitrure d’aluminium AlN, le saphir Al 2 O 3 . Procédé selon l’une des revendications 1 à 10, dans lequel l’étape a) est exécutée de sorte que la couche diélectrique (2) est réalisée dans un matériau choisi parmi le dioxyde de silicium SiO 2 et le nitrure de silicium Si 3 N 4 . Procédé selon l’une des revendications 1 à 11, dans lequel la couche de transport d’électrons (4) comporte des dopants de type n, de préférence des atomes de silicium Si ou des atomes de germanium Ge. Procédé selon l’une des revendications 1 à 12, dans lequel la couche de transport de trous (5) comporte des dopants de type p, de préférence des atomes de magnésium Mg. Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, dans lequel la zone active (ZA) comporte au moins un puits quantique comprenant successivement : - une première couche barrière (B1), réalisée dans un alliage ternaire de nitrure d’aluminium-gallium Al x Ga 1-x N ; - une couche active (CA), réalisée dans un alliage ternaire de nitrure d’aluminium-gallium Al y Ga 1-y N avec « y » strictement supérieur à « x », conçue pour émettre des photons ultraviolets à partir de recombinaisons radiatives de paires électron-trou, ou conçue pour générer des paires électron-trou à partir de photons ultraviolets absorbés ; - une deuxième couche barrière (B2), réalisée dans un alliage ternaire de nitrure d’aluminium-gallium Al x Ga 1-x N ; ledit au moins un puits quantique pouvant être monodimensionnel, bidimensionnel ou tridimensionnel. Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, dans lequel la zone active (ZA) comporte au moins un puits quantique comprenant successivement : - une première couche barrière (B1), réalisée dans un alliage de nitrure d’aluminium-gallium AlGaN ; - une couche active (CA), réalisée dans un alliage quaternaire de nitrure d’aluminium-indium-gallium AlInGaN ou dans un alliage quinaire de nitrure d’aluminium-bore-indium-gallium AlBInGaN, conçue pour émettre des photons ultraviolets à partir de recombinaisons radiatives de paires électron-trou, ou conçue pour générer des paires électron-trou à partir de photons ultraviolets absorbés ; - une deuxième couche barrière (B2), réalisée dans un alliage de nitrure d’aluminium-gallium AlGaN ; ledit au moins un puits quantique pouvant être monodimensionnel, bidimensionnel ou tridimensionnel.