Brevet FR3156985A1 — publié le 20250620

L’invention concerne un procédé de fabrication d’un substrat (100), dit pseudo-substrat donneur, comprenant une pluralité de premiers pavés (1) agencés à distance les uns des autres sur un substrat support (3), comprenant : - la disposition, sur le substrat support (3), desdits premiers pavés (1) et d’une pluralité de seconds pavés (2) agencés entre les premiers pavés (1) de sorte que chaque bord de chaque premier pavé (1) soit en regard d’au moins un second pavé (2), les premiers pavés (1) comprenant un premier matériau et les seconds pavés (2) comprenant un second matériau différent du premier matériau, et - un polissage mécano-chimique des premiers et seconds pavés (1, 2). Figure pour l’abrégé : Fig 1 PROCEDE DE FABRICATION D’UN SUBSTRAT COMPRENANT UNE PLURALITE DE PAVES L’invention concerne un procédé de fabrication d’un substrat, dit pseudo-substrat donneur, comprenant une pluralité de pavés, ainsi qu’un procédé de transfert de puces issues desdits pavés sur un substrat receveur. ETAT DE LA TECHNIQUE Dans le domaine de la microélectronique, de l’optique ou de l’optoélectronique, la conception de structures multicouches nécessite parfois de transférer des pavés se présentant sous forme de portions d’une couche d’un substrat donneur sur un substrat support ou substrat receveur. Ce type de procédé est généralement appelé procédé de pavage, et met en jeu un transfert partiel d’une couche prélevée dans le substrat donneur pour former un ou plusieurs pavés agencés selon un motif ou à un emplacement prédéterminé sur le substrat support. Un tel pavage peut être rendu nécessaire par une différence de taille entre le substrat donneur et le substrat support. En effet, du fait de cette différence de taille, il n’est pas possible de transférer une couche du substrat donneur recouvrant la totalité de la surface du substrat support. Un procédé de transfert de couche bien connu est le procédé Smart Cut™, dans lequel on forme par implantation d’espèces atomiques dans le substrat donneur une zone de fragilisation délimitant la couche à transférer, on colle le substrat donneur sur le substrat support et on détache le substrat donneur le long de la zone de fragilisation pour transférer la couche du substrat donneur sur le substrat support. Cependant, ce procédé suppose que le substrat donneur et le substrat support présentent une taille identique. Or, si des substrats de silicium sont disponibles avec une taille relativement grande, typiquement un diamètre de 300 mm, d’autres matériaux d’intérêt n’existent actuellement que sous la forme de substrats massifs de plus petite taille, par exemple de 10 ou 15 cm de diamètre. Par ailleurs, ces matériaux d’intérêt sont parfois particulièrement onéreux, de sorte qu’il est souhaitable de minimiser les éventuels déchets formés lors du transfert. Tel est le cas en particulier des matériaux semi-conducteurs III-V, comprenant les nitrures (par exemple pour ce qui est des composés binaires, le nitrure d'indium (InN), le nitrure de gallium (GaN) et le nitrure d’aluminium (AlN)), les arséniures (par exemple pour ce qui est des composés binaires, l’arséniure d'indium (InAs), l’arséniure de gallium (GaAs) et l’arséniure d’aluminium (AlAs)), et les phosphures (par exemple pour ce qui est des composés binaires, le phosphure d'indium (InP), le phosphure de gallium (GaP) et le phosphure d’aluminium (AlP)). Au lieu de transférer une couche entière du substrat donneur, une solution basée sur le procédé Smart Cut™ consiste à prélever d’au moins un substrat donneur un ou plusieurs pavés et de reporter lesdits pavés sur un support intermédiaire, pour former un substrat dit pseudo-substrat donneur, former par implantation d’espèces atomiques une zone de fragilisation dans chaque pavé, coller le pseudo-substrat donneur sur un substrat receveur par l’intermédiaire des pavés, et détacher chaque pavé le long de la zone de fragilisation de sorte à transférer une portion de chaque pavé sur le substrat receveur. Pour permettre le collage du pseudo-substrat donneur sur le substrat receveur, la surface libre de l’ensemble des pavés doit s’étendre dans un même plan. A cet effet, avant le collage, on pourrait mettre en œuvre un polissage mécano-chimique (CMP, acronyme du terme anglo-saxon « Chemical Mechanical Polishing ») précédé préférentiellement d’une abrasion mécanique (appelée « grinding » en anglais) du pseudo-substrat donneur. Le polissage mécano-chimique combine une action mécanique d’un patin de polissage et une action chimique d’une solution de polissage pour planariser la surface de l’ensemble des pavés. Or, si la distance entre les pavés est grande, typiquement supérieure ou égale à 250 µm, le patin de polissage, qui présente une certaine souplesse, s’insère partiellement dans l’intervalle entre les pavés et érode ainsi les bords des pavés. Cet arrondissement des bords, qui est appelé « edge rounding » en anglais, réduit la surface utile des puces transférées sur le substrat receveur. Inversement, les arêtes des pavés dégradent très rapidement le patin de polissage, qui doit donc être renouvelé fréquemment. Un but de l’invention est donc de concevoir un procédé permettant de fabriquer un pseudo-substrat donneur sans arrondir les bords des pavés, même lorsque les pavés sont éloignés les uns des autres. A cet effet, l’invention propose un procédé de fabrication d’un substrat, dit pseudo-substrat donneur, comprenant une pluralité de premiers pavés agencés à distance les uns des autres sur un substrat support, comprenant : - la disposition, sur le substrat support, desdits premiers pavés et d’une pluralité de seconds pavés agencés entre les premiers pavés de sorte que chaque bord de chaque premier pavé soit en regard d’au moins un second pavé, les premiers pavés comprenant un premier matériau et les seconds pavés comprenant un second matériau différent du premier matériau, et - un polissage mécano-chimique des premiers et seconds pavés. Par « matériau différent », on entend dans le présent texte un matériau présentant une composition différente et/ou une qualité cristalline différente. L’utilisation des seconds pavés, qui sont avantageusement formés d’un matériau moins onéreux que celui des premiers pavés, permet de protéger les bords des premiers pavés lors du polissage mécano-chimique. Ils permettent donc d’éviter l’arrondissement des bords des premiers pavés. Selon d’autres caractéristiques avantageuses mais optionnelles, éventuellement combinées lorsque cela est techniquement possible : - une distance entre deux premiers pavés adjacents est supérieure ou égale à 1 mm, préférentiellement supérieure ou égale à 2 mm, - une distance entre chaque premier pavé et un second pavé adjacent audit premier pavé est inférieure ou égale à 250 µm, de préférence inférieure ou égale à 100 µm, - le premier matériau est un matériau semi-conducteur, tel qu’un matériau III-V, - le second matériau est un matériau semi-conducteur, tel que du silicium, ledit second matériau étant choisi pour présenter une différence de coefficient de dilatation thermique nulle ou inférieure à 40% en valeur absolue avec le coefficient de dilatation thermique du substrat support, - le procédé comprend optionnellement avant le polissage mécano-chimique, un dépôt d’une couche de résine ou de polymère entre les premiers pavés et les seconds pavés, - le procédé comprend la formation d’une zone de fragilisation dans les premiers pavés, de sorte à délimiter dans chaque premier pavé une puce respective du premier matériau. Selon un autre aspect, l’invention propose un pseudo-substrat donneur susceptible d’être obtenu par le procédé décrit plus haut. Ledit substrat comprend un substrat support, une pluralité de premiers pavés agencés à distance les uns des autres sur le substrat support, et une pluralité de seconds pavés agencés sur le substrat support entre les premiers pavés de sorte que chaque bord de chaque premier pavé soit en regard d’au moins un second pavé, les premiers pavés comprenant un premier matériau et les seconds pavés comprenant un second matériau différent du premier matériau, la surface libre de chaque premier pavé affleurant avec la surface libre de chaque second pavé. Par « affleurant » on entend que la surface libre de chaque premier ou second pavé, qui est plane, s’étend dans un même plan. La surface libre d’un pavé est la surface opposée au substrat support. Selon d’autres caractéristiques avantageuses mais optionnelles, éventuellement combinées lorsque cela est techniquement possible : - une distance entre deux premiers pavés adjacents est supérieure ou égale à 1 mm, préférentiellement supérieure ou égale à 2 mm, - une distance entre chaque premier pavé et un second pavé adjacent audit premier pavé est inférieure ou égale à 250 µm, de préférence inférieure ou égale à 100 µm, - le premier matériau est un matériau semi-conducteur, tel qu’un matériau III-V, - le second matériau est un matériau semi-conducteur, tel que du silicium, ledit second matériau présentant une différence de coefficient de dilatation thermique nulle ou inférieure à 40% en valeur absolue avec le coefficient de dilatation thermique du substrat support, - le substrat comprend en outre une couche de résine ou de polymère entre les premiers pavés et les seconds pavés, - chaque premier pavé comprend une zone de fragilisation délimitant une puce respective du premier matériau. Selon un autre aspect, l’invention propose un procédé de transfert de puces sur un substrat receveur. Ledit procédé comprend : - la formation d’un pseudo-substrat donneur par le procédé décrit ci-dessus, dans lequel une zone de fragilisation a été formée dans les premiers pavés afin d’y délimiter une puce respective, - le collage dudit pseudo-substrat donneur sur un substrat receveur par l’intermédiaire des premiers pavés, et - le détachement de chaque premier pavé le long de la zone de fragilisation de sorte à transférer chaque puce sur le substrat receveur. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée qui va suivre, en référence aux dessins annexés, sur lesquels : - la FIG. 1 illustre une vue de dessus et une vue en coupe d’un pseudo-substrat donneur selon un premier mode de réalisation de l’invention ; - les figures 2A à 2E illustrent différentes étapes de la fabrication d’un pseudo-substrat donneur selon l’invention, comprenant respectivement la disposition des premiers et seconds pavés sur un support temporaire, la fourniture du substrat support, le report des premiers et seconds pavés du support temporaire sur le substrat support, la mise en œuvre d’un polissage mécano-chimique des premiers et seconds pavés, et la formation d’une zone de fragilisation dans les premiers pavés pour délimiter des puces du premier matériau ; - la FIG. 3 illustre le collage du pseudo-substrat donneur sur un substrat receveur ; - la FIG. 4 illustre la structure formée du substrat receveur et des puces résultant du détachement des pavés le long de la zone de fragilisation ; - la FIG. 5 illustre une vue de dessus et une vue en coupe d’un pseudo-substrat donneur selon un deuxième mode de réalisation de l’invention ; - la FIG. 6 illustre une vue de dessus et une vue en coupe d’un pseudo-substrat donneur selon un troisième mode de réalisation de l’invention ; - la FIG. 7 illustre une vue de dessus et une vue en coupe d’un pseudo-substrat donneur selon un quatrième mode de réalisation de l’invention. Pour des raisons de lisibilité des figures, les différents éléments n’ont pas nécessairement été représentés à l’échelle. DESCRIPTION DETAILLEE DE MODES DE REALISATION Le pseudo-substrat donneur comprend deux types de pavés agencés sur un substrat support : - des pavés d’intérêt comprenant un premier matériau, - des pavés factices (dit « dummies » en anglais) comprenant un second matériau différent du premier matériau ou de qualité cristalline inférieure lui permettant d’être moins onéreux. L’ensemble desdits pavés présentent une surface libre s’étendant dans un même plan parallèle à la surface principale du substrat support. En d’autres termes, la surface des pavés factices est affleurante avec la surface des pavés d’intérêt. Les pavés factices ne sont pas destinés à produire des composants électroniques, optiques ou opto-électroniques, mais à combler au moins en partie les intervalles entre les pavés d’intérêt. Ainsi, en augmentant le taux de recouvrement du substrat support par les pavés, on peut maintenir le patin de polissage dans le plan de la surface libre des pavés et éviter qu’il ne s’insère entre des pavés. L’arrondissement du bord des pavés peut donc être évité ou tout au moins minimisé. L’utilisation de tels pavés factices est particulièrement intéressante lorsque la distance entre deux pavés d’intérêt adjacents est supérieure ou égale à 1 mm, et de manière encore préférée supérieure ou égale à 2 mm. De manière particulièrement avantageuse, la distance entre un pavé d’intérêt et un pavé factice adjacent est inférieure ou égale à 250 µm, de préférence inférieure ou égale à 100 µm. En effet, le patin de polissage, même souple, ne peut s’introduire de manière significative entre le pavé d’intérêt et le pavé factice. L’action de polissage est donc limitée à la surface libre des pavés et n’engendre pas d’arrondissement des bords des pavés. Les pavés d’intérêt sont généralement constitués d’un matériau onéreux et disponible uniquement dans de petites dimensions. Éventuellement, les pavés d’intérêt peuvent être constitués d’un empilement de tels matériaux. Les pavés d’intérêt peuvent avantageusement comprendre au moins un desdits matériaux : - un matériau semi-conducteur, tel qu’un matériau III-V, notamment le nitrure d'indium (InN), le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d’aluminium (AlN), l’arséniure d'indium (InAs), l’arséniure de gallium (GaAs), l’arséniure d’aluminium (AlAs), le phosphure d'indium (InP), le phosphure de gallium (GaP) ou le phosphure d’aluminium (AlP), ou un matériau IV ou IV-IV, notamment le germanium ou le carbure de silicium (SiC), - un matériau piézoélectrique, tel que le tantalate de lithium (LiTaO 3 ), le niobate de lithium (LiNbO 3 ), le niobate de potassium-sodium (K x Na 1-x NbO 3 ou KNN), le titanate de baryum (BaTiO 3 ), le quartz, le titano-zirconate de plomb (PZT), un composé de niobate de plomb-magnésium et de titanate de plomb (PMN-PT), l’oxide de zinc (ZnO), le nitrure d’aluminium (AlN) ou le nitrure d’aluminium et de scandium (AlScN), et/ou - un matériau électriquement isolant, tel que le diamant, le titanate de strontium, la zircone yttriée ou le saphir. Les pavés factices étant uniquement destinés à combler les intervalles entre les pavés d’intérêt, ils sont constitués d’un matériau différent de celui des pavés d’intérêt ou de qualité cristalline moindre, qui est avantageusement moins onéreux que celui des pavés d’intérêt, et aisément disponible. De préférence, le matériau des pavés factices est en outre choisi pour présenter un comportement compatible avec celui des pavés d’intérêt pendant le polissage mécano-chimique et/ou pendant l’utilisation du pseudo-substrat donneur. Ainsi, par exemple, le matériau des pavés factices présente avantageusement un comportement vis-à-vis du polissage mécano-chimique (c’est-à-dire notamment en termes de vitesse de polissage) comparable à celle du matériau des pavés d’intérêt, afin de ne pas engendrer de décalage entre la surface libre des pavés d’intérêt et des pavés factices au cours du polissage. Par ailleurs, le matériau des pavés factices présente avantageusement un coefficient de dilatation thermique proche de celui des pavés d’intérêt, afin de ne pas engendrer de déformation du substrat support au cours de traitements thermiques subis par le pseudo-substrat donneur. Par coefficients de dilatation thermique proches, on entend des coefficients de dilatation thermique égaux ou présentant une différence inférieure à 40% en valeur absolue. Par exemple, les pavés factices peuvent être en silicium. Dans d’autres exemples, les pavés factices peuvent présenter une composition similaire à celle des pavés d’intérêt, mais une qualité inférieure. Par exemple, les pavés d’intérêt peuvent être constitués d’un matériau III-V monocristallin et les pavés factices d’un matériau III-V polycristallin ou de moindre qualité cristalline. La FIG. 1 illustre une vue de dessus et une vue en coupe d’un pseudo-substrat donneur selon un premier mode de réalisation. Le pseudo-substrat donneur comprend un substrat support 3 sur lequel sont agencés des pavés d’intérêt 1 et des pavés factices 2. Les pavés d’intérêt 1 sont agencés à intervalles réguliers, avec une distance d1 entre les bords les plus proches de deux pavés adjacents. On notera toutefois que cet agencement des pavés d’intérêt n’est donné qu’à titre d’illustration ; ainsi, les pavés d’intérêt pourront éventuellement présenter des formes différentes, ou être agencés à des distances différentes les uns des autres. Par ailleurs, les pavés d’intérêt ne sont pas nécessairement carrés comme illustré sur la FIG. 1 , mais peuvent présenter toute autre forme adaptée à l’utilisation visée, présentant ou non un bord rectiligne. Par exemple, les pavés d’intérêt peuvent présenter une forme rectangulaire, circulaire, ou toute autre forme composée de lignes et/ou de courbes. La distance d1 est avantageusement supérieure ou égale à 1 mm, préférentiellement supérieure ou égale à 2 mm. Des pavés factices 2 sont agencés entre les pavés d’intérêt 1, de sorte que le bord de chaque pavé d’intérêt soit en regard du bord d’un pavé factice. On a ainsi une distance d2 entre le bord d’un pavé d’intérêt et le bord le plus proche d’un pavé factice, qui est bien inférieure à la distance d1. Par exemple, la distance d2 est inférieure ou égale à 250 µm, de préférence inférieure ou égale à 100 µm. Dans le mode de réalisation de la FIG. 1 , les pavés d’intérêt présentant quatre bords rectilignes, quatre pavés factices à bords rectilignes sont agencés autour d’un pavé d’intérêt. Le bord de chaque pavé factice est agencé en regard d’un bord respectif du pavé d’intérêt, parallèlement à celui-ci afin d’avoir une distance d2 constante entre le pavé d’intérêt et le pavé factice respectif. Ainsi, en tout point du périmètre du pavé d’intérêt, la distance avec chaque pavé adjacent est au plus égale à d2. L’espace libre restant entre les pavés est alors suffisamment restreint pour éviter que le patin de polissage ne s’insère entre les pavés et ne vienne éroder les bords des pavés. Par exemple, les pavés d’intérêt peuvent présenter une taille de 3x3 mm 2 et être espacés d’une distance d1 égale à 7 mm. Les pavés factices présentent alors avantageusement une taille de 6,5x3 mm 2 , de sorte que la distance d2 entre un pavé d’intérêt et un pavé factice est égale à 0,25 mm. Les figures 2A à 2E illustrent des étapes de la fabrication du pseudo-substrat donneur de la FIG. 1 . Pour faciliter l’alignement des pavés d’intérêt et des pavés factices, il est avantageux d’assembler d’abord les pavés d’intérêt et les pavés factices sur un support temporaire puis de reporter lesdits pavés du support temporaire sur le substrat support. En référence à la FIG. 2 , les pavés d’intérêt 1 et les pavés factices 2 sont tout d’abord placés sur un support temporaire. Le support temporaire est par exemple formé de l’un des matériaux suivants : ruban adhésif maintenu par un cadre, substrat de silicium, substrat de verre (liste non limitative). Les pavés d’intérêt et les pavés factices peuvent être découpés à partir d’un ou plusieurs substrats donneurs respectifs, et placés sur le support temporaire à l’aide d’un robot (technique connue sous le terme « Pick and Place »). De manière avantageuse, les pavés présentent la même épaisseur que le substrat donneur respectif. En référence à la FIG. 2 , on fournit le substrat support 3. En référence à la FIG. 2 , on colle les pavés 1, 2 sur le substrat support 3 par l’intermédiaire de leur surface libre, puis on retire le support temporaire de sorte à exposer la surface opposée des pavés. De manière avantageuse, le collage des pavés sur le substrat support est direct, mais il est possible d’utiliser une couche de collage entre les pavés et le substrat support. De manière alternative, il est possible d’assembler directement les pavés sur le substrat support avec une précision suffisante à l’aide du robot en utilisant des marques d'alignements disposées sur le substrat support. On évite ainsi l’utilisation du support temporaire et le transfert des pavés du support temporaire sur le support. En référence à la FIG. 2 , on met en œuvre un polissage mécano-chimique de la surface libre des pavés d’intérêt et des pavés factices. Comme schématisé, du fait de la faible distance entre les pavés, le patin de polissage 5 agit essentiellement dans le plan de la surface libre des pavés, sans s’insérer entre les pavés. Par conséquent, les bords des pavés, notamment les pavés d’intérêt, restent droits (non arrondis). Eventuellement, ce polissage mécano-chimique peut être précédé d’une étape de planarisation des pavés par abrasion mécanique (« grinding »). Une telle planarisation peut notamment être avantageuse lorsque les pavés présentent des épaisseurs différentes, afin de ramener leur surface libre sensiblement dans un même plan, ou pour réduire l’épaisseur des pavés. Cependant, si les pavés présentent des surfaces libres coplanaires, il est possible de se dispenser d’une telle planarisation et de mettre en œuvre directement le polissage mécano-chimique. De manière optionnelle, avant le polissage mécano-chimique, une couche de résine ou de polymère (non représentée) peut être déposée entre les pavés d’intérêt et les pavés factices, de sorte à combler les interstices entre lesdits pavés. En référence à la FIG. 2 , on forme dans les pavés d’intérêt 1 (et éventuellement dans les pavés factices 2) une zone de fragilisation 10 délimitant une puce superficielle 11 dans chaque pavé. Ladite zone de fragilisation est avantageusement obtenue par implantation d’espèces ioniques (par exemple de l’hydrogène et/ou de l’hélium), schématisée par les flèches, dans les pavés. La formation de la zone de fragilisation est de préférence réalisée après le polissage mécano-chimique, mais elle peut éventuellement être réalisée avant. On obtient ainsi un pseudo-substrat donneur 100 qui pourra par la suite être collé sur un substrat receveur pour y transférer les puces. Le substrat receveur est typiquement un substrat semiconducteur, par exemple un substrat de silicium, massif ou comportant des dispositifs microélectronique ou optoélectronique. En référence à la FIG. 3 , on colle la surface libre des pavés sur le substrat receveur 6. De manière avantageuse, le collage des pavés sur le substrat receveur est direct, mais il est possible d’utiliser une couche de collage entre les pavés et le substrat receveur. En référence à la FIG. 4 , on détache les pavés d’intérêt 1 le long de la zone de fragilisation 10, de sorte à transférer les puces 11 sur le substrat receveur 6 par le procédé Smart Cut™. Le détachement peut être initié par un traitement thermique, une action mécanique et/ou chimique au niveau de la zone de fragilisation. Les figures 5 à 7 illustrent d’autres formes d’exécution du pseudo-substrat donneur. Dans le cas de la FIG. 5 , les pavés d’intérêt présentent un espacement très important (typiquement supérieur à 10 mm) et le nombre et la taille des pavés factices a été minimisé par rapport au mode de réalisation de la FIG. 1 . Chaque pavé d’intérêt est entouré de quatre pavés factices qui protègent chacun de ses bords lors du polissage mécano-chimique, mais l’intervalle entre deux pavés d’intérêt n’est pas entièrement comblé par les pavés factices. Il subsiste donc un intervalle entre deux pavés factices adjacents, entre lesquels le patin de polissage peut éventuellement s’insérer, mais l’effet d’arrondissement des bords ne s’appliquera qu’aux pavés factices et ne sera donc pas dommageable vis-à-vis des pavés d’intérêt. Pour protéger efficacement les pavés d’intérêt, les pavés factices présentent avantageusement une largeur (dans le sens perpendiculaire au bord du pavé d’intérêt en vis-à-vis duquel ils sont agencés) supérieure ou égale à 10 mm. L’autre dimension des pavés factices (dans le sens parallèle au bord du pavé d’intérêt en vis-à-vis duquel ils sont agencés) est avantageusement égale à celle des pavés d’intérêt. Par exemple, si les pavés d’intérêt présentent une taille de 3x3 mm 2 et sont espacés de 20 mm, on pourra les entourer de pavés factices de 10x3 mm 2 . Selon un autre exemple, si les pavés d’intérêt présentent une taille de 10x10 mm 2 et sont espacés de 50 mm, on pourra les entourer de pavés factices de 10 jusqu’à 25 x10 mm 2 . On notera que les coins des pavés sont moins sujets à un arrondissement lors du polissage mécano-chimique. Par conséquent, il suffit de protéger les bords des pavés d’intérêt par les pavés factices pour éviter leur arrondissement et ainsi la réduction de la surface utile des puces. La FIG. 6 illustre un autre mode de réalisation, dans lequel les pavés factices présentent des formes et des tailles différentes. En particulier, dans ce mode de réalisation, les pavés factices présentent une dimension plus grande que celle des pavés d’intérêt, afin de mieux protéger le coin des pavés d’intérêt contre l’action du patin de polissage. La FIG. 7 illustre un autre mode de réalisation, dans lequel un même pavé factice sous la forme d’une bande unique est agencé entre deux rangées parallèles de pavés d’intérêt. Ce mode de réalisation permet de réduire le nombre de pavés factices nécessaires, puisqu’un même pavé factice sous forme de bande protège simultanément le bord de plusieurs pavés d’intérêt. On peut ainsi réduire le temps d’assemblage des pavés factices par rapport au mode de réalisation de la FIG. 1 . Ces différentes figures ne visent qu’à illustrer différentes manières d’agencer les pavés factices autour des pavés d’intérêt afin de protéger les bords des pavés d’intérêt d’une érosion provoquée par le patin de polissage, mais l’homme du métier pourra choisir d’autres agencements des pavés factices en fonction de la forme et de la disposition des pavés d’intérêt, dès lors qu’il prévoit que chaque bord des pavés d’intérêt soit en regard d’un pavé factice suffisamment proche. Ce choix peut notamment dépendre d’un compromis entre la quantité de matière consommée pour former les pavés factices et le temps nécessaire pour le positionnement des pavés factices entre les pavés d’intérêt. Procédé de fabrication d’un substrat (100), dit pseudo-substrat donneur, comprenant une pluralité de premiers pavés (1) agencés à distance les uns des autres sur un substrat support (3), comprenant : - la disposition, sur le substrat support (3), desdits premiers pavés (1) et d’une pluralité de seconds pavés (2) agencés entre les premiers pavés (1) de sorte que chaque bord de chaque premier pavé (1) soit en regard d’au moins un second pavé (2), les premiers pavés (1) comprenant un premier matériau et les seconds pavés (2) comprenant un second matériau différent du premier matériau, et - un polissage mécano-chimique des premiers et seconds pavés (1, 2). Procédé selon la revendication 1, dans lequel une distance (d1) entre deux premiers pavés adjacents est supérieure ou égale à 1 mm, préférentiellement supérieure ou égale à 2 mm. Procédé selon l’une des revendications 1 ou 2, dans lequel une distance (d2) entre chaque premier pavé (1) et un second pavé (2) adjacent audit premier pavé est inférieure ou égale à 250 µm, de préférence inférieure ou égale à 100 µm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel le premier matériau est un matériau semi-conducteur, tel qu’un matériau III-V. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel le second matériau est un matériau semi-conducteur, tel que du silicium, ledit second matériau étant choisi pour présenter une différence de coefficient de dilatation thermique nulle ou inférieure à 40% en valeur absolue avec le coefficient de dilatation thermique du substrat support. Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, comprenant, avant la planarisation, un dépôt d’une couche de résine ou de polymère entre les premiers pavés (1) et les seconds pavés (2). Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, comprenant la formation d’une zone de fragilisation (10) dans les premiers pavés, de sorte à délimiter dans chaque premier pavé une puce (11) respective du premier matériau. Substrat (100), dit pseudo-substrat donneur, comprenant un substrat support (3), une pluralité de premiers pavés (1) agencés à distance les uns des autres sur le substrat support (3), et une pluralité de seconds pavés (2) agencés sur le substrat support (3) entre les premiers pavés (1) de sorte que chaque bord de chaque premier pavé (1) soit en regard d’au moins un second pavé (2), les premiers pavés (1) comprenant un premier matériau et les seconds pavés (2) comprenant un second matériau différent du premier matériau, la surface libre de chaque premier pavé affleurant avec la surface libre de chaque second pavé. Substrat selon la revendication 8, dans lequel une distance (d1) entre deux premiers pavés adjacents est supérieure ou égale à 1 mm, préférentiellement supérieure ou égale à 2 mm. Substrat selon l’une des revendications 8 ou 9, dans lequel une distance (d2) entre chaque premier pavé et un second pavé adjacent audit premier pavé est inférieure ou égale à 250 µm, de préférence inférieure ou égale à 100 µm. Substrat selon l’une des revendications 8 à 10, dans lequel le premier matériau est un matériau semi-conducteur, tel qu’un matériau III-V. Substrat selon l’une des revendications 8 à 11, dans lequel le second matériau est un matériau semi-conducteur, tel que du silicium, ledit second matériau présentant une différence de coefficient de dilatation thermique nulle ou inférieure à 40% en valeur absolue avec le coefficient de dilatation thermique du substrat support. Substrat selon l’une des revendications 8 à 12, comprenant en outre une couche de résine ou de polymère entre les premiers pavés (1) et les seconds pavés (2). Substrat selon l’une des revendications 8 à 13, dans lequel chaque premier pavé (1) comprend une zone de fragilisation (10) délimitant une puce (11) respective du premier matériau. Procédé de transfert de puces (11) d’un premier matériau sur un substrat receveur (6), comprenant : - la formation d’un pseudo-substrat donneur (100) par le procédé selon la revendication 7, - le collage dudit pseudo-substrat donneur (100) sur un substrat receveur (6) par l’intermédiaire des premiers pavés (1), et - le détachement de chaque premier pavé (1) le long de la zone de fragilisation (10) de sorte à transférer chaque puce (11) sur le substrat receveur (6).