Brevet FR3161761A1 — publié le 20251031

La présente invention utilisant une alimentation électrique pour brancher un cristal artificiel non linéaire sur une source électrique dans certaines conditions atmosphériques, peut baisser efficacement la densité des dégâts ponctuels dans le cristal artificiel non linéaire au moyen de la «méthode de branchement électrique», ainsi optimisant la résistance du cristal artificiel non linéaire contre les dégâts causés par un laser puissant, en particulier l’effet plus évident pour les défauts avec un seuil de dégât plus élevé. Le traitement de branchement électrique s’attend à réduire plus avant la probabilité des dégâts causés par le flux laser de la largeur d’impulsion nanoseconde ultraviolette avec une longueur d’onde de 355 nm ou 351 nm qui a été supérieur à 8J/cm 2 et améliorer la résistance de cristal contre des dégâts. Sur la base du prétraitement laser, une nouvelle méthode pour améliorer la résistance de cristal contre des dégâts présente un énorme avantage économique. PROCEDE D’AMELIORATION DE LA RESISTANCE D’UN CRISTAL ARTIFICIEL NON LINEAIRE CONTRE LES DEGATS CAUSES PAR UN LASER PUISSANT DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention appartient au domaine technique des cristal artificiel non linéaire, en particulier concerne un procédé d’amélioration de la résistance d’un cristal artificiel non linéaire contre les dégâts causés par un laser puissant. ARRIERE-PLAN TECHNIQUE Les cristaux artificiels non linéaires sont indispensables en tant que matériaux optiques clés dans des lasers et des grands dispositifs de lasers puissants. Le cristal artificiel non linéaire en dihydrogénophosphate de potassium (KDP) et d’autres même classes de cristaux avec des structures de maille cristalline similaires, tels que le dihydrogénophosphate de potassium deutéré (DKDP) et le dihydrogénophosphate d’ammoniac (ADP) qui ont des taux de deutération différents, sont un cristal artificiel non linéaire important qui ont été largement utilisés dans des applications commerciales. Ces cristaux souvent utilisés dans les dispositifs laser comme une multiplication des fréquences ou un commutateur électro-optique, sont toujours exposés à l’irradiation d’un laser puissant. Lorsque l’intensité du rayon laser I (en W/cm 2 ) projeté au cristal est supérieure à un certain seuil (I th ), le rayon laser forme des dégâts irréversibles à l’intérieur du cristal, sous la forme plus importante des dégâts ponctuels répartis discrètement dans un espace. Une grandeur physique importante pour décrire les dégâts ponctuels est la probabilité de dégât (P) mesurée au moyen de la méthode de 1on1 par un laser à petite ouverture (la surface de faisceau est environ 1 mm 2 ), qui est définie comme la probabilité des dégâts ponctuels détectés en projetant un rayon laser pulsé de même intensité sur un cristal à différentes positions. La probabilité de dégât est positivement corrélée avec le nombre de dégâts ponctuels (c’est-à-dire la densité du nombre de dégâts ρ) par unité de volume dans le cristal. Afin d’assurer un fonctionnement correct du laser, plus le ρ est bas, mieux c’est. Plus la valeur ρ est élevée, plus la dissipation de l’énergie laser est forte, plus l’impact du rayon laser diffusé sur les composants du laser est grave, et cela fait produire une modulation plus évidente aux faisceau transmis. Par conséquent, il est très important de réduire la probabilité de dégâts ponctuels à une certaine intensité laser dans le cadre de la recherche visant à améliorer les performances des cristaux. Afin d’améliorer la capacité de résistance du KDP et de ses équivalents contre les dégâts causés par le laser puissant, on a développé deux types de technologies au cours des 40 dernières années, à savoir le recuit thermique et le prétraitement laser. Le recuit thermique consiste à augmenter lentement une température du cristal à plus de 100 °C et à maintenir une température d’échantillon pendant un certain temps, puis à réduire lentement la température du cristal à température ambiante. Le prétraitement laser consiste que : à supposer que le seuil de dégât du KDP non traité et de ses équivalents est I th_i , si le laser avec une intensité laser supérieure à I th_i est utilisé pour irradier le cristal, cela causera des dégâts irréversibles dans le cristal, mais un laser avec une intensité laser légèrement inférieure à I th_i , comme un laser avec une intensité de 0.5 fois I th_i , irradie le cristal au moyen d’un certain nombre d’impulsions, puis irradie le cristal avec un laser d’une intensité de I th_i , à ce moment-là le cristal ne sera plus endommagé, ainsi cela augmente le seuil de dégât du cristal. Bien que ces deux technologies de traitement des cristaux puissent améliorer la capacité de résistance des cristaux contre les dégâts causés par le laser puissant dans une certaine mesure en réduisant les défauts internes des cristaux, des goulots d’étranglement existent par rapport à l’amélioration des performances. Après l’optimisation complète de ces deux méthodes, l’indice de performance de résistance actuelle des cristaux équivalent au KDP contre les dégâts ne peut atteindre qu’un certain niveau, cela nécessite une nouvelle méthode pour améliorer la performance de résistance continuellement. De plus, le coût économique du prétraitement laser est également élevé et des méthodes plus économiques sont nécessaires. SOMMAIRE DE L'INVENTION L’objectif de la présente invention consiste à fournir un procédé d’amélioration de la résistance d’un cristal artificiel non linéaire contre les dégâts causés par un laser puissant. La présente invention peut baisser efficacement la densité des dégâts ponctuels dans le cristal artificiel non linéaire et réduire la probabilité de dégâts des cristaux au moyen de la « méthode de branchement électrique », ainsi optimisant la résistance du cristal artificiel non linéaire contre les dégâts causés par un laser puissant, en particulier contre les défauts avec un seuil de dégât plus élevé, et l’effet d’amélioration est plus évident. Afin d’atteindre l’objectif ci-dessus, la présente invention fournit la solution technique comme suit. Un procédé d’amélioration de la résistance d’un cristal artificiel non linéaire contre les dégâts causés par un laser puissant selon la présente invention inclut un ’étape d’utiliser un ’alimentation DC régulée pour brancher un cristal artificiel non linéaire sur une source électrique. De préférence, une tension du branchement électrique est de 0.5~100 kV. De préférence, un temps du branchement électrique est de 3 ~48h. De préférence, une température du cristal artificiel non linéaire est de 20~25 °C au cours du branchement électrique. De préférence, le cristal artificiel non linéaire inclut un dihydrogénophosphate de potassium deutéré ou un cristal optique non linéaire équivalent à la structure cristalline du dihydrogénophosphate de potassium deutéré. De préférence, le cristal artificiel non linéaire inclut un dihydrogénophosphate de potassium，un dihydrogénophosphate de potassium deutéré ou un dihydrogénophosphate d’ammoniac. De préférence, le branchement électrique s’effectue sous des conditions de pression atmosphérique ou de vide. De préférence, le cristal artificiel non linéaire est un cristal artificiel non linéaire traité au cours d’un recuit thermique. La présente invention concerne un procédé d’amélioration de la résistance d’un cristal artificiel non linéaire contre les dégâts causés par un laser puissant qui inclut un ’étape d’utiliser un ’alimentation DC régulée pour brancher un cristal artificiel non linéaire sur une source électrique. Sous l’action d’un laser puissant, le cristal artificiel non linéaire formera des dégâts à l’intérieur du cristal. La morphologie de dégâts la plus courante est une fosse creuse de micro-explosion qui varie en dimension de quelques microns à des dizaines de microns, souvent appelée un dégât ponctuel (pinpoint damage en anglais). Après que l’intensité de laser a dépassé le seuil de dégât du cristal, la densité des dégâts ponctuels (ρp) à l’intérieur du cristal varie de 10^-2 à 10^6/mm 3 en raison de la différence de densité des précurseurs de dégât à l’intérieur de chaque cristal. Plus la densité des dégâts ponctuelles est élevée, plus la dangerosité causée au laser employant des cristaux est grave. Le développement de la technologie visant à améliorer les performances de la résistance du cristal artificiel non linéaire contre les dégâts nécessite des recherches approfondies sur le mécanisme de dégât des cristaux. Il existe une certaine connaissance du mécanisme physique des dégâts ponctuelles causés dans les cristaux de KDP sous l’action d’un laser puissant, mais elle n’est pas complète. On pense généralement que la formation des dégâts ponctuelles dans les cristaux de KDP sous l’action d’un laser puissant attribue à l’existence de précurseurs de dégât d’une taille de 100 nanomètres dans le cristal. La taille de précurseurs est d’environ 100 nm, et le précurseur contient défauts ponctuels avec une concentration d’environ 10^19/cm 3 . Quant à un précurseur spécifique, plus la concentration des défauts ponctuels est élevée, plus le seuil de dégât est bas. Au cours de l’étude du mécanisme de dégât des cristaux de KDP, on s’encombre des types spécifiques des dégâts ponctuelles dans les précurseurs d’une taille de 100 nanomètres trop longtemps. La présente invention adopte un moyen paramagnétique électronique pour étudier les défauts ponctuels du DKDP et les cristaux équivalents à lui, et obtient une connaissance nouvelle et approfondie du mécanisme physique des dégâts de cristal causés par une forte irradiation laser. Le développement le plus significatif consiste à déduire que la forme spécifique de défauts ponctuels est un interstice de l’hydrogène (deutérium) et un espace libre de l’hydrogène (deutérium) en fonction des résultats des expériences de résonance paramagnétique électronique. Selon cette connaissance, la présente invention propose et vérifie par des expériences une nouvelle méthode pour réduire la concentration des dégâts ponctuelles dans les précurseurs d’une taille de 100 nanomètres et améliorer la performance de résistance de cristal contre les dégâts. La présente invention propose un nouveau procédé de traitement des cristaux « méthode de branchement électrique », les interstices de l’hydrogène (deutérium) et les espaces libres de l’hydrogène (deutérium) dans les précurseurs d’une taille de 100 nanomètres sont toutes deux des défauts ponctuels ayant des propriétés électriques. Si un champ électrique constant avec une certaine intensité leur est appliqué sur les interstices de l’hydrogène (deutérium) et les espaces libres de l’hydrogène (deutérium), sous l’action d’une force de champ électrique suffisamment forte, les interstices de l’hydrogène (deutérium) ayant des propriétés électriques positives se déplacera du précurseur de dégât dans la direction le long du champ électrique, et les espaces libres de l’hydrogène (deutérium) ayant des propriétés électriques négatives se déplacera du précurseur de dégât dans la direction à l'encontre du champ électrique. Une fois que leurs distances de marche ont dépassés de manière significative la taille du précurseur, la concentration de défauts dans le précurseur diminue, afin d’augmenter un seuil de dégât d’un seul précurseur de dégât, ainsi réduisant efficacement la densité des dégâts ponctuels formés à une certaine intensité laser. La méthode de la présente invention visant à améliorer la résistance d’un cristal contre les dégâts causés par un laser puissant au moyen du branchement électrique au cristal est complètement différent de la méthode de recuit thermique et de prétraitement laser traditionnelle. Le procédé fourni par la présente invention montre la capacité de réduire considérablement la probabilité de dégâts ponctuelles, ainsi optimisant la résistance du cristal artificiel non linéaire contre les dégâts causés par un laser puissant, en particulier contre les défauts avec un seuil de dégât plus élevé, et l’effet d’amélioration est plus évident. BREVE DESCRIPTIONS DES FIGURES FIG. 1 est une illustration schématique de la taille de position de l’échantillon cristallin utilisé pour l’expérience du branchement électrique au cristal de DKDP dans le mode de réalisation de la présente invention. FIG. 2 est une illustration schématique de la structure du récipient de branchement électrique utilisé pour le branchement électrique au cristal de DKDP dans le mode de réalisation de la présente invention. Sur la FIG. 2 , 1- corps de récipient ; 2- feuille de céramique ; 3- pince ;4- cristal artificiel non linéaire ;5-première électrode métallique ;6-deuxième électrode métallique ;7- deuxième poste de liaison ;8- premier poste de liaison ;9- capteur de température. FIG. 3 est un diagramme de chemin optique utilisé pour mesurer la courbe de probabilité de dégâts du cristal de DKDP causés par un laser de triple fréquence à petite ouverture. Sur la FIG. 3 , 10- laser ; 11- laser à diode CW ;15-compteur d’énergie ; 16- spectroscope ; 17-lentille convexe; 18-échantillon du DKDP à observer . FIG. 4 montre des résultats expérimentaux comparatifs entre les courbes de probabilité de dégâts du cristal de DKDP qui fait un branchement électrique et qui ne fait pas un branchement électrique dans l’exemple 1. Un procédé d’amélioration de la résistance d’un cristal artificiel non linéaire contre les dégâts causés par un laser puissant selon la présente invention inclut un ’étape d’utiliser un ’alimentation DC régulée pour brancher un cristal artificiel non linéaire sur une source électrique. Dans la présente invention, sauf indication contraire, toutes les matières premières/composants destinés à la préparation sont des produits disponibles dans le commerce bien connus de l’homme de l’art. Dans la présente invention, le cristal artificiel non linéaire inclut de préférence un dihydrogénophosphate de potassium deutéré ou un cristal optique non linéaire équivalent à la structure cristalline du dihydrogénophosphate de potassium deutéré, et inclut de plus préférence un dihydrogénophosphate de potassium (KDP), un dihydrogénophosphate de potassium deutéré (DKDP) ou un dihydrogénophosphate d’ammoniac (ADP). Dans la présente invention, le taux de deutération du DKDP est de préférence de 5~98%. Dans les modes de réalisation spécifiques de la présente invention, le DKDP est pris en exemple pour décrire la « méthode de branchement électrique » de la présente invention en détail. Le taux de deutération du cristal du DKDP est de 70%. Le cristal du DKDP est un isolant avec une grande bande interdite (Eg). La bande interdite du cristal du DKDP est 7.5~9eV. Dans la présente invention, le cristal artificiel non linéaire est de préférence un cristal artificiel non linéaire traité au cours d’un recuit thermique. Dans les modes de réalisation spécifiques de la présente invention, la dimension du cristal artificiel non linéaire est de 1 cm×1 cm×5 cm. Dans la présente invention, avant le branchement électrique, l’ébauche du cristal artificiel non linéaire crûe artificiellement et traitée par le procédé de recuit thermique est de préférence découpée selon les besoins d’application du cristal et d'après une direction et une taille spécifique. Dans les modes de réalisation spécifiques de la présente invention, l’ébauche du cristal artificiel non linéaire crûe artificiellement et traitée par le procédé de recuit thermique est découpée par deux fois sous forme de deux classes d’appairage, c'est-à-dire un cristal d’une taille de 5 cm×5 cm×1 cm est d’abord obtenu, puis il est découpé plus approfondie. Dans la présente invention, la surface du cristal artificiel non linéaire a de préférence une planéité de qualité optique. Dans la présente invention, avant d’effectuer le branchement électrique, le cristal artificiel non linéaire se polit de préférence, et dans les modes de réalisation spécifiques de la présente invention, le traitement de polissage s’effectue de préférence sous forme de découpage des mouches. Dans la présente invention, le branchement électrique s’effectue de préférence dans le récipient de branchement électrique à cristal. FIG. 2 est une illustration schématique de la structure du récipient de branchement électrique à cristal utilisé dans le mode de réalisation de la présente invention. Le récipient de branchement électrique à cristal comprend : un corps de récipient, une feuille de céramique disposée sur la surface de base à l’intérieur du corps de récipient, une pince à cristal et une électrode métallique à plaque parallèle disposée dans le corps de récipient, et un couvercle d’étanchéité. Le couvercle d’étanchéité inclut un capteur de température et une pièce de fixation d’électrode métallique. Le récipient de branchement électrique à cristal est fabriqué en acier inoxydable. Dans la présente invention, le cristal artificiel non linéaire est de préférence serrée entre une paire d’électrodes métalliques branchées sur une source électrique, et le cristal serré est placé dans le récipient de branchement électrique en acier inoxydable. Dans la présente invention, l’air dans le récipient de branchement électrique à cristal est d’abord pompé par une pompe à vide avant le branchement électrique, de sorte que le degré de vide à l’intérieur du corps de récipient atteigne 10^-3Pa, puis de l’ azote sec est infusé à l’intérieur du corps de récipient, et par la suite, le récipient de branchement électrique à cristal est placé dans une boîte thermostatique, et la température de la boîte thermostatique est contrôlée précisément à 0.1 °C lors du branchement électrique. Dans la présente invention, de l’azote sec est infusé à l’intérieur du corps de récipient pour assurer que le corps de récipient est rempli d’une atmosphère isolante, de manière à exercer une intensité de champ électrique suffisamment élevée sur le cristal. Dans la présente invention, la source électrique emploie un ’alimentation DC régulée. Dans la présente invention, une source électrique de haute tension DC est utilisée pour fournir en continu une tension DC stable au cristal. Dans la présente invention, la tension du branchement électrique est de préférence de 0.5 ~ 100 kV, et est plus de préférence de 0,8 kV, 0,95 kV ou 10 kV. Le temps du branchement électrique est de préférence de 3 ~ 48h, et plus de préférence est de 3h, 8h ou 48h. Dans le mode de réalisation spécifique de la présente invention, la tension du branchement électrique et le temps du branchement électrique ont rapport aux paramètres de défaut du cristal artificiel non linéaire. De plus, plus la tension du branchement électrique est élevée, plus le temps du traitement qui nécessite le branchement électrique est court. Cependant, sous une tension du branchement électrique spécifique, à mesure que le temps du branchement électrique augmente, un effet de saturation apparaît, c’est-à-dire que la résistance contre les dégâts ne s’améliore pas. Dans le mode de réalisation spécifique de la présente invention, lorsque le cristal artificiel non linéaire fait de préférence 1 cm d’épaisseur, la tension du branchement électrique est de préférence de 0.5×10^3 V ~ 10^5 V. Dans la présente invention, la température du cristal artificiel non linéaire est de préférence de 20 ~ 25 °C au cours du branchement électrique. Le gaz de protection est de préférence de l’azote. La pression du gaz de protection est de préférence une pression atmosphérique. Dans la présente invention, la formation des dégâts ponctuelles dans le cristal artificiel non linéaire incluant les cristaux de KDP (DKDP) sous l’action d’un laser puissant attribue à l’existence des défauts répartis discrètement et contenus à l’intérieur du cristal crû artificiellement, ils sont aussi communément appelé précurseur de dégât. Le précurseur de défaut fait environ 100 nm de taille, et il contient un défaut ponctuel avec une concentration d’environ 10^19/cm 3 qui a rapport à l’élément hydrogène à l’intérieur. La forme spécifique de défauts ponctuels est un interstice de l’hydrogène (deutérium) et un espace libre de l’hydrogène (deutérium). Les interstices de l’hydrogène (deutérium) et les espaces libres de l’hydrogène (deutérium) sont toutes deux des défauts ponctuels ayant des propriétés électriques. Si un champ électrique constant avec une certaine intensité leur est appliqué sur les interstices de l’hydrogène (deutérium) et les espaces libres de l’hydrogène (deutérium), sous l’action d’une force de champ électrique suffisamment forte, les interstices de l’hydrogène (deutérium) ayant des propriétés électriques positives se déplacera du précurseur de dégât dans la direction le long du champ électrique, et les espaces libres de l’hydrogène (deutérium) ayant des propriétés électriques négatives se déplacera du précurseur de dégât dans la direction à l'encontre du champ électrique. Une fois que leurs distances de marche ont dépassés de manière significative la taille du précurseur, la concentration de défauts dans le précurseur diminue, afin d’augmenter un seuil de dégât d’un seul précurseur de dégât, ainsi réduisant efficacement la densité des dégâts ponctuels formés à une certaine intensité laser. L’interstice de l’hydrogène (deutérium) et l’espace libre de l’hydrogène (deutérium) sont électriquement opposés, il y a une attraction entre eux, et pour qu’ils se séparent, le champ électrique moteur doit atteindre une certaine intensité. Plus la concentration de défauts ponctuels d’hydrogène dans le précurseur est basse, plus le seuil de dégât correspondant est élevé, et plus l’intensité du champ électrique requis par le précurseur qui a une concentration plus basse de défauts ponctuels est basse pour déplacer les défauts ponctuels. Cela peut expliquer pourquoi le traitement du branchement électrique est plus efficace pour les défauts avec des seuils de dégât élevés. La présente invention adopte la « méthode de branchement électrique » comme nouveau procédé de traitement du KDP et les cristaux équivalents à lui, qui réduit considérablement la probabilité de dégâts des cristaux dans l'espoir de produire de meilleurs résultats expérimentaux. Actuellement, la technologie de prétraitement laser est le plus largement appliquée au cristal du KDP/DKDP en utilisant un rayon laser de triple fréquence (la longueur d’onde est de 355 nm) émis par un laser de Nd :YAG sub-nanoseconde. Les derniers résultats de l’expérience de prétraitement ont été publiés dans le Journal de physique (2021) (Zhichao Liu, et al., Technologie de prétraitement laser sub-nanoseconde hors ligne pour les cristaux de dihydrogénophosphate de potassium deutéré à gros calibre. Journal de physique, 2021.). Les paramètres expérimentaux décrits par les auteurs sont les suivants : la largeur d’impulsion du laser pulsé agissant sur le cristal du DKDP à prétraiter est d’environ 0.5 nanoseconde, le diamètre de spot est de 0.68 mm, la longueur d’onde est de 355 nm, le flux laser maximal de prétraitement est de 2 J/cm2 et la densité de puissance laser maximale est de 4 GW/cm 2 . Le prétraitement de laser sub-nanoseconde peut augmenter d’environ 1 fois le seuil de dégât à probabilité nulle du cristal de DKDP (Shaotao Sun, Zhengping Wang, Xinguang Xu, Effet du recuit sur les dommages des cristaux DKDP. Recueil de résumés d’articles académiques de la conférence académique, à savoir le quatrième congrès national de la Société chinoise de cristallographie, 2008), atteignant environ 8 J/cm 2 . Le traitement de branchement électrique fourni par la présente invention s’attend à réduire plus avant la probabilité des dégâts causés par le flux laser qui a été supérieur à 8J/cm 2 et améliorer la résistance de cristal contre des dégâts. Par conséquent, sur la base du prétraitement laser, Une progression plus poussée au traitement de branchement électrique fourni par la présente invention est une nouvelle méthode pour améliorer la résistance de cristal contre des dégâts. D’autre part, l’équipement de prétraitement laser fait actuellement environ 3 millions yuans, alors que l’équipement de traitement du branchement électrique fourni par la présente invention fait environ 100 000 yuans, présentant un énorme avantage économique. Afin d’illustrer plus avant la présente invention, les solutions techniques fournies par la présente invention sont décrites en détail ci-dessous en combinaison avec des modes de réalisation, mais elles ne peuvent pas être comprises comme une limitation sur l’étendue de la protection de la présente invention. EXEMPLE 1 Dans ce mode de réalisation, un cristal du DKDP est pris comme exemple, la bande interdite du cristal DKDP est de (7.5-9) eV, la concentration d’électrons et de trous est très basse à température ambiante, la capacité de conduire l’électricité à travers les électrons et les trous est très faible, il appartient à un isolant et la conductivité DC est très petit. D’autre part, le cristal du DKDP contient des liaisons hydrogène avec l’énergies de liaison inférieure à 1eV, qui peuvent produire une certaine concentration des espaces libres de l’hydrogène monovalents négativement et des interstice de l’hydrogène monovalents positivement à température ambiante et à des températures plus élevées, et ces deux défauts ponctuels deviennent des porteurs sous l’action d’un champ électrique externe, de sorte que les caractéristiques conductrices des cristaux du DKDP appartiennent à la conductivité ionique. Ce mode de réalisation fournit un procédé pour améliorer la résistance du cristal du DKDP contre les dégâts causés par un laser, qui comprend spécifiquement les étapes suivantes: S1: Prendre un morceau de l’ébauche du cristal du DKDP crûe artificiellement et traitée par le procédé de recuit thermique, comme indiqué à la FIG. 1 , le cristal est découpé selon la direction et la taille spécifiques en fonction des besoins d’application du cristal (le cristal est découpé par deux fois sous forme de deux classes d’appairage dans ce mode de réalisation), afin de obtenir un cristal d’une taille de 5 cm×5 cm×1 cm. S2: Découper plus profondément le cristal en quatre morceaux de cristal adjacents les uns aux autres à la position initiale, qui mesuraient tous 5cm×1cm×1cm, et leur résistances initiales contre les dégâts causés par un laser puissant sont identiques dans l'ensemble. Le cristal découpé est poli en fonction d’un certain processus (par exemple, découpage des mouches) de manière que la surface atteint une planéité de qualité optique. S3: Dans ce mode de réalisation, le traitement de branchement électrique au cristal s’ effectue dans le récipient de branchement électrique à cristal indiqué sur la FIG. 2 . Le cristal du DKDP d’une taille de 1 cm× 1 cm× 5 cm traités à l’étape 2 est serré de manière stable entre une paire d’électrodes métalliques branchées sur une source électrique, et le cristal serré est placé dans le récipient de branchement électrique en acier inoxydable. Avant le branchement électrique, l’air dans le récipient de branchement électrique est pompé par une pompe à vide pour que le degré de vide à l’intérieur du récipient atteigne 10^-3Pa, puis le récipient se remplit d’azote sec à une pression atmosphérique, par la suite, le récipient de branchement électrique est placé dans une boîte thermostatique, et la précision de la température de la boîte thermostatique est contrôlée à 0.1 °C pendant le branchement électrique, et la température de l’échantillon cristallin est de 25 °C pendant le branchement électrique. Une source électrique de haute tension DC est utilisée pour fournir en continu une tension DC stable au cristal. Le cristal numéroté de DKDP-1 a une tension de branchement électrique de 0.95 kV et le temps de branchement électrique est de 48 heures. Le cristal numéroté de DKDP-2 a une tension de branchement électrique de 10 kV et le temps de branchement électrique est de 3 heures. Le cristal numéroté de DKDP-3 est utilisé comme échantillon de comparaison sans le branchement électrique. Le cristal numéroté de DKDP-4 a une tension de branchement électrique de 0.8 kV et le temps de branchement électrique est de 8 heures. S4: La résistance du cristal du DKDP traité par le branchement électrique contre les dégâts causés par un laser est mesurée par un dispositif laser à petite ouverture (la surface de faisceau est environ 1 mm 2 ) avec une longueur d’onde de 355 nm pour obtenir la courbe de probabilité de dégâts du laser. La largeur d’impulsion laser est de 5 ns et la profondeur de modulation au champ proche du faisceau est de 2.4. La méthode de mesure est 1on1 et chacun flux laser est mesuré par 10 coups. Le schéma du chemin optique du dispositif est illustré à la FIG. 3 . Le laser de test arrive à l’échantillon du DKDP à observer 18 à travers le groupe de lentilles, il donc possible de tracer les courbes de probabilité de dégâts au moyen l’observation de l’échantillon du DKDP à observer 18. Les résultats des courbes de probabilité de dégâts des quatre échantillons de cristaux obtenus de l’expérience du branchement électrique dans l’exemple 1 sont présentés à la FIG. 4 . L’ordonnée horizontale dans la FIG. 4 représente le flux laser moyen du laser de test avec une largeur d’impulsion de 5 ns et une longueur d’onde de 355 nm, et l’coordonnée longitudinale dans la FIG. 4 représente la probabilité de dégâts qui se présente au cristal du DKDP à un certain flux laser. Dans l’ensemble, la probabilité de dégâts du cristal traité au cours du branchement électrique est significativement inférieure à celle de l’échantillon cristallin non traité à la même intensité laser, montrant que l’application d’un champ DC régulée avec une certaine intensité au cristal du DKDP pendant une certaine période de temps peut réduire considérablement la probabilité de dégâts. Le tableau 1 résume les données expérimentales des quatre échantillons de l’exemple 1. On peut voir dans le tableau 1 que, quant au premier ensemble de données, lorsque le flux laser est d’environ 9.6 J/cm 2 , la probabilité de dégâts est de 90 % pour l’échantillon numéroté DKDP-3 qui n’est traité pas au cours du branchement électrique, tandis que la probabilité de dégâts pour les trois autres cristaux traités au cours du branchement électrique varie de 20 % à 30 %. Quant au deuxième ensemble de données, lorsque le flux laser est d’environ 11.7 J/cm 2 , la probabilité de dégâts est de 100 % pour l’échantillon numéroté DKDP-3 qui n’est traité pas au cours du branchement électrique, tandis que la probabilité de dégâts pour les trois autres cristaux traités au cours du branchement électrique varie de 40 % à 50 %. Les deux ensembles de données montrent que la probabilité de dégâts du cristal branché sur une source électrique diminue de plus de 50 %. Tableau 1 Résultats expérimentaux du changement de la probabilité de dégâts du cristal du DKDP avant et après le traitement du branchement électrique Numéro d’échantillon Paramètres de branchement électrique Premier ensemble Deuxième ensemble Flux laser (J/cm 2 ) Probabilité de dégâts（%） Flux laser (J/cm 2 ) Probabilité de dégâts（%） DKDP-3 sans branchement électrique 9.7 90 11.8 100 DKDP-1 0.95kV，branchement électrique pour 48h 9.4 30 11.9 40 DKDP-2 10kV，branchement électrique pour 3h 9.4 30 11.3 50 DKDP-4 0.8kV，branchement électrique pour 8h 9.6 20 11.3 50 Les résultats ci-dessus montrent que le branchement électrique au cristal du DKDP a l’effet de réduire la probabilité de dégâts du cristal et d’optimiser sa résistance contre les dégâts causés par un laser puissant, en particulier pour les défauts avec un seuil de dégâts plus élevé, l’effet est encore plus remarquable. Depuis les modes de réalisation ci-dessus, on peut voir que la présente invention fournit un procédé d’amélioration de la résistance d’un cristal artificiel non linéaire contre les dégâts causés par un laser puissant selon la présente invention inclut un ’étape d’utiliser une alimentation électrique pour brancher un cristal artificiel non linéaire sur une source électrique dans une atmosphère de gaz de protection. La présente invention peut baisser efficacement la densité des dégâts ponctuels dans le cristal artificiel non linéaire et réduire la probabilité de dégâts des cristaux au moyen de la «méthode de branchement électrique», ainsi optimisant la résistance du cristal artificiel non linéaire contre les dégâts causés par un laser puissant, en particulier contre les défauts avec un seuil de dégât plus élevé, et l’effet d’amélioration est plus évident. Le traitement de branchement électrique fourni par la présente invention s’attend à réduire plus avant la probabilité des dégâts causés par le flux laser qui a été supérieur à 8J/cm 2 et améliorer la résistance de cristal contre des dégâts. Par conséquent, sur la base du prétraitement laser, une progression plus poussée au traitement de branchement électrique fourni par la présente invention est une nouvelle méthode pour améliorer la résistance de cristal contre des dégâts. Bien que le mode de réalisation ci-dessus montre la présente invention en détail, il ne s’agit que d’une partie des modes de réalisation de la présente invention, au lieu de tous les modes de réalisation, et d’autres modes de réalisation peuvent également être obtenus sans activité inventive selon le mode de réalisation, et ces modes de réalisation appartiennent à l’étendue de la protection de la présente invention. Procédé d’amélioration de la résistance d’un cristal artificiel non linéaire contre les dégâts causés par un laser puissant, caractérisé en ce qu’il inclut un ’étape d’utiliser un ’alimentation DC régulée pour brancher un cristal artificiel non linéaire sur une source électrique. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu’une tension dudit branchement électrique est de 0.5~100 kV. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu’un temps dudit branchement électrique est de 3~48h. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu’une température dudit cristal artificiel non linéaire est de 20~25 °C au cours dudit branchement électrique. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit cristal artificiel non linéaire inclut un dihydrogénophosphate de potassium deutéré ou un cristal optique non linéaire équivalent à la structure cristalline du dihydrogénophosphate de potassium deutéré. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que ledit cristal artificiel non linéaire inclut un dihydrogénophosphate de potassium，un dihydrogénophosphate de potassium deutéré ou un dihydrogénophosphate d’ammoniac. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit branchement électrique s’effectue sous des conditions de pression atmosphérique ou de vide. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit cristal artificiel non linéaire est un cristal artificiel non linéaire traité au cours d’un recuit thermique.