Brevet FR3155827A1 — publié le 20250530

Substrat en verre, destiné à une utilisation dans le domaine microélectronique Substrat en verre (100), destiné à une utilisation dans le domaine microélectronique, le substrat en verre (100) comprenant une première face principale (110) et une deuxième face principale (120). La première face principale (110) et/ou la deuxième face principale (120) présentent une zone centrale transparente et un pourtour opaque (111, 121). La deuxième face principale (120) peut être recouverte par un empilement comprenant une première couche (140) en un oxyde transparent conducteur, de préférence de l’oxyde d’indium étain, et une deuxième couche (150) en un matériau diélectrique, de préférence une couche de nitrure de silicium ou une couche de TEOS. La première face principale (110) peut être recouverte par un substrat d’intérêt (300). Figure pour l'abrégé : Fig. 6A Substrat en verre, destiné à une utilisation dans le domaine microélectronique La présente description concerne de façon générale les substrats en verre utilisés dans l’industrie microélectronique. Il est parfois nécessaire pour fabriquer certains composants de prendre comme support une plaque en verre au lieu d’une plaque de silicium standard. Or, l’utilisation de plaques en verre transparente dans les équipements classiques de microélectronique présente plusieurs inconvénients. En premier lieu, les supports doivent être opaques pour pouvoir être détectés par les capteurs optiques de présence ou d’alignement. En effet, dans de tels équipements, le substrat est positionné entre une source de rayonnement lumineux 20 et un capteur 21, par exemple un capteur de type CCD. Les substrats en silicium 11 non transparents sont détectés car ils empêchent la transmission du rayonnement lumineux depuis la source 20 jusqu’au capteur 21 ( FIG. 1 ). En revanche, le rayonnement lumineux traverse les substrats en verre 12 transparents, et est transmis de la source 20 au capteur 21( FIG. 2 ). Les substrats en verre 12 ne sont donc pas détectés dans ces équipements. L’alignement des plaques de silicium peut se faire grâce à la présence d’une encoche (en anglais ‘notch’) d’environ 2 mm de largeur sur le bord de la plaque. La plaque est mise en rotation, seule l’encoche laisse passer le rayonnement et permet ainsi d’aligner les plaques. Dans le cas d’une plaque transparente, l’encoche n’est pas détectée, la plaque ne peut être alignée. Un autre inconvénient est que la conductivité électrique de la face arrière du substrat doit être suffisante pour permettre aux plaques d’être maintenues sur les clampes électrostatiques (‘chuck’). Or, la conductivité électrique des substrats en verre n’est pas suffisante. Pour remédier à ces différents inconvénients, il est possible de former une couche 13 conductrice (métallique ou semi-conductrice) en face arrière des substrats transparents 12 non seulement pour les opacifier mais également pour augmenter leur conductivité électrique en face arrière ( FIG. 3 ). Ainsi, le rayonnement lumineux ne passe pas à travers le substrat 12. La couche 13 peut être retiré à la fin du procédé. Cependant, cette couche conductrice 13 doit être résistante aux chimies utilisées pour nettoyer la face arrière des plaques 12. Une solution consiste à encapsuler la couche 13 avec une couche additionnelle 14 ( FIG. 3 ) pour la protéger des chimies de nettoyage et pour limiter voire éviter la contamination métallique. Par exemple, dans l’article de Zhang et al. (" Enabling Glass Wafers in a Si Fab ," 2022 33rd Annual SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference (ASMC), 2022, pp. 1-4, doi: 10.1109/ASMC54647.2022.9792475), les auteurs ont utilisé des substrats en verre recouverts soit par un dépôt en titane puis par une couche d’encapsulation en SiNx soit par un empilement comprenant une couche de silicium amorphe (a-Si), une couche de SiO 2 , une couche de silicium nanocristallin (nc-Si) puis une couche de SiN x . Cependant, les auteurs indiquent que le revêtement multicouche à base de Si montre une opacité insuffisante aux longueurs d'onde utilisées dans les machines de polissage mécano-chimiques (CMP). De plus, ils ajoutent que, même si le revêtement de SiNx d'une épaisseur de 100 nm peut empêcher efficacement la diffusion d'éléments métalliques indésirables à une température d'utilisation de 450°C, des recherches supplémentaires doivent être réalisés pour trouver des revêtements capables de résister à des températures de fonctionnement plus élevées, telles que des températures supérieures à 900°C. Par ailleurs, il faut souligner que, dans certaines conditions de procédé de fabrication, l’encapsulation de la couche conductrice 13 par une couche diélectrique 14 peut être insuffisante pour la protéger des chimies de nettoyage, notamment en bord de plaques (couche de diélectrique trop mince et donc peu résistante). Lorsque le revêtement est détérioré sur les bords, le rayonnement incident peut traverser le substrat 12 au niveau des bords et celui-ci n’est plus détecté par la machine ( FIG. 3 ). Il existe un besoin de remédier en moins en partie aux inconvénients de l’art antérieur et d’obtenir un substrat en verre utilisable dans les équipements de l’industrie microélectronique. Ce but est atteint par un substrat en verre, destiné à une utilisation dans le domaine microélectronique, le substrat en verre comprenant une première face principale et une deuxième face principale, la première face principale et/ou la deuxième face principale présentant une zone centrale transparente et un pourtour opaque. Selon un mode de réalisation particulier, le pourtour opaque de la première face principale et/ou le pourtour opaque de la deuxième face principale ont une largeur d’au moins 0,5 mm, de préférence d’au moins 2 mm, et encore plus préférentiellement comprise entre 2 et 8 mm. Selon un mode de réalisation particulier, le pourtour opaque de la première face principale et/ou le pourtour opaque de la deuxième face principale ont une rugosité comprise entre 100 nm et 10µm, de préférence entre 400 nm et 3 µm. Selon un mode de réalisation particulier, le pourtour opaque de la première face principale et/ou le pourtour opaque de la deuxième face principale forment un décochement, de préférence d’une profondeur comprise entre 400 nm et 50 µm, par rapport à la zone centrale. Selon un mode de réalisation particulier, la deuxième face principale est recouverte par un empilement comprenant une première couche en oxyde transparent conducteur, de préférence en oxyde d’indium étain, et une deuxième couche en un matériau diélectrique, de préférence une couche de nitrure de silicium ou une couche de TEOS. Selon un mode de réalisation particulier, la première face principale est recouverte par un substrat d’intérêt, le substrat d’intérêt comprenant des composants microélectroniques, par exemple des composants microélectroniques émissifs, et/ou le substrat d’intérêt étant collé au substrat en verre au moyen d’une couche photosensible. Ce but est également atteint par un procédé de fabrication d’un substrat en verre, destiné à une utilisation dans le domaine microélectronique, le substrat en verre comprenant une première face principale et une deuxième face principale, le procédé comprenant une étape au cours de laquelle, on forme un pourtour opaque sur la première face principale et/ou sur la deuxième face principale, moyennant quoi la première face principale et/ou la deuxième face principale du substrat présentent une zone centrale transparente et un pourtour opaque. Selon un mode de réalisation particulier, le pourtour opaque de la première face principale et/ou le pourtour opaque de la deuxième face principale sont réalisés par rodage, projection de sable ou attaque chimique. Selon un mode de réalisation particulier, le procédé comporte les étapes suivantes : - Coller un substrat d’intérêt sur la première face principale du substrat en verre, le substrat d’intérêt pouvant comprendre des composants microélectroniques, par exemple des composants microélectroniques émissifs, et/ou le substrat d’intérêt pouvant être collé au substrat en verre au moyen d’un élément photosensible, - Détourer le substrat d’intérêt, - Former un pourtour opaque sur la première face principale du substrat en verre, par rodage. Ce but est également atteint par un procédé de détection d’un substrat dans une machine de l’industrie microélectronique, le procédé comprenant une étape au cours de laquelle on détermine la présence ou l’absence du substrat au moyen d’un rayonnement lumineux émis par une source et d’un détecteur de rayonnement lumineux, l’absence de réception du rayonnement lumineux par le détecteur de rayonnement lumineux étant liée à la présence du substrat qui bloque la transmission du rayonnement lumineux entre la source et le détecteur de rayonnement lumineux, le substrat étant un substrat en verre comprenant une première face principale et une deuxième face principale, la première face principale et/ou la deuxième face principale présentant une zone centrale transparente et un pourtour opaque. Selon un mode de réalisation particulier, la deuxième face principale est recouverte par un empilement comprenant une première couche en un oxyde transparent conducteur, de préférence de l’oxyde d’indium étain, et une deuxième couche en un matériau diélectrique, de préférence une couche de nitrure de silicium ou une couche de TEOS. Selon un mode de réalisation particulier, le substrat en verre comprend une entaille sur le pourtour opaque et le procédé comprend en outre une étape au cours de laquelle le substrat en verre est mis en rotation dans la machine et aligné grâce à la présence de l’entaille. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 , précédemment décrite, représente, de manière schématique et en trois dimensions, un substrat en silicium positionné entre une source de rayonnement lumineux et un capteur, selon l’art antérieur ; la FIG. 2 , précédemment décrite, représente, de manière schématique et en trois dimensions, un substrat en verre positionné entre une source de rayonnement lumineux et un capteur, selon l’art antérieur ; la FIG. 3 et la FIG. 3 précédemment décrite, représentent, de manière schématique et en trois dimensions, un substrat en verre recouvert par un empilement comprenant une couche métallique et une couche diélectrique, selon l’art antérieur, respectivement, avant détérioration de l’empilement et après détérioration de l’empilement, le substrat étant positionné entre une source de rayonnement lumineux et un capteur; la FIG. 4 , la FIG. 4 et la FIG. 4 représentent, de manière schématique et en trois dimensions, des substrats en verre selon différents modes de réalisation de l’invention ; la FIG. 4 et la FIG. 4 représentent, de manière schématique et, respectivement, en vue de dessus et en vue de dessous, le substrat en verre de la FIG. 4 ; la FIG. 5 représente, de manière schématique et en trois dimensions, un substrat en verre recouvert par un empilement en face arrière, selon un autre mode de réalisation de l’invention ; la FIG. 6 et la FIG. 6 représentent, de manière schématique et en trois dimensions, des substrats en verre, recouverts par un empilement en face arrière et par un substrat d’intérêt en face avant, selon différents modes de réalisation de l’invention ; la FIG. 7 et la FIG. 7 représentent, de manière schématique et en trois dimensions, différentes étapes d’un procédé de report et de détourage d’un substrat d’intérêt sur un substrat en verre, selon un mode de réalisation particulier ; et la FIG. 8 et la FIG. 8 sont des clichés obtenus au microscope optique d’une plaque de verre dont le bord a été rodé, selon un mode de réalisation particulier. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Par « transparent », on entend qu’un élément (ici la zone centrale) présente une transmittance supérieure ou égale à 70%, de préférence supérieure à 85%. Par « opaque », on entend que la transmittance est inférieure à 30% et de préférence inférieure à 15%. La transmittance représente le rapport entre l'intensité lumineuse ayant traversé un élément donné (intensité transmise) et l’intensité lumineuse arrivant sur l’élément (intensité incidente) sur le spectre du visible. Elle peut être mesurée par spectrométrie UV-Vis-IR. La transmittance sur le spectre du visible correspond à la transmittance pour des longueurs d'ondes typiquement comprises entre 380 et 780 nm. Comme représenté sur les différentes figures 4A à 4E, 5, 6A et 6B, 7A et 7B, le substrat en verre 100, destiné à une utilisation dans le domaine microélectronique, comprend une première face principale 110 (dite face avant) et une deuxième face principale 120 (dite face arrière). Les deux faces principales 110, 120 sont parallèles ou sensiblement parallèles entre elles. Les faces principales 110, 120 sont reliées entre elles par une paroi latérale. Les faces principales 110, 120 sont de préférence circulaires. Le diamètre des faces principales 110, 120 est compris entre 50 et 500 mm. Il est, par exemple, de 100 mm, 200 mm ou 300 mm. Le substrat 100, aussi appelé plaque, a une épaisseur comprise entre 100 µm et 2 mm. Par exemple, une plaque 100 de 200 mm peut avoir une épaisseur de 500 µm. Au moins l’une de la première face principale 110 ou de la deuxième face principale 120 est opacifiée localement sur sa périphérie 111, 121. Selon une variante de réalisation, il s’agit de la deuxième face principale 120 ( FIG. 4 ). La deuxième face principale 120 comprend un pourtour 121 opacifié et une zone centrale 122 transparente. Selon une autre variante de réalisation, il s’agit de la première face principale 110 ( FIG. 4 ). La première face principale 110 comprend un pourtour 111 opacifié et une zone centrale 112 transparente. Selon une autre variante de réalisation, les deux faces principales 110, 120 sont opacifiées localement sur leur périphérie (figures 4C, 4D et 4E). La première face principale 110 comprend un pourtour 111 opacifié et une zone centrale 112 transparente. La deuxième face principale 120 comprend un pourtour 121 opacifié et une zone centrale 122 transparente. De préférence, lorsque les deux faces principales 110, 120 sont localement opacifiées, 1es dimensions du pourtours opacifiés 111, 121 sont identiques. Ainsi, la première face principale 110 et/ou la deuxième face principale 120 présentent une zone centrale 112, 122 transparente et un pourtour opaque 111, 121. Pour une plaque circulaire, le pourtour opaque 111, 121 forme un anneau et la zone centrale 112, 122 forme un disque. L’opacification du bord du substrat en verre 100 permet de créer une zone suffisamment opaque pour que le rayonnement lumineux incident ne la traverse pas. Ainsi, dans une machine classiquement utilisée en microélectronique, le rayonnement lumineux émis par la source 220 (ou la fraction de rayonnement lumineux nécessaire à la détection) n’atteint pas le capteur 210. Le substrat en verre 100 est ainsi facilement détecté et il peut être positionné facilement au sein de la machine afin de mettre en œuvre diverses étapes (par exemple, des étapes de dépôt, de photolithographie, de gravure, de caractérisation, etc). Le substrat 100 peut être aligné grâce à la détection de l’entaille (‘notch’). Seul le pourtour 111, 121 est opacifié. La zone centrale 112, 122 reste transparente. Ceci est particulièrement avantageux car cela permet, si besoin, d’observer d’éventuels défauts et/ou de vérifier les propriétés optiques des composants (composant émissif ou capteur) au travers du substrat en verre 100. Un tel contrôle est parfois nécessaire au cours du procédé de fabrication du dispositif final. De plus, lorsque la zone centrale est transparente, le substrat peut faire partie du composant optique final. L’opacification localisée sur le pourtour 111, 121 du substrat 100 permet également d’activer les composants par photoluminescence à travers la plaque 100. Il est également possible de réticuler un élément photosensible (colle ou résine) à travers le substrat 100. Il peut s’agir, par exemple, d’un élément photoréticulable par un rayonnement ultraviolet. Avec un substrat transparent 100, il est également possible de mettre en œuvre des procédés de décollage au laser (« lift off »). La largeur L du pourtour opaque est, de préférence, d’au moins 0,5 mm. Elle peut être d’au moins 2 mm. Par exemple, la largeur L est comprise entre 2 et 8 mm, et de préférence entre 2 et 6 mm. A titre indicatif, la largeur typique d’une entaille (‘notch’) généralement comprise entre 1 et 1,2 mm. Dans le cas où le substrat d’intérêt est détouré, celui-ci ne comprend plus d’entaille. Si le substrat en verre une entaille, celle-ci ne sera pas recouverte. Dans le cas où le substrat en verre 100 est recouvert par un substrat d’intérêt 300, de même dimension, le substrat d’intérêt 300 ayant une encoche (‘notch’) sur sa périphérie (par exemple un substrat en silicium), de telles dimensions permettent de recouvrir l’encoche. Selon une autre alternative, si le substrat d’intérêt 300 a la même dimension que le substrat en verre 100 et s’ils disposent tous deux d’une entaille, celles-ci seront avantageusement alignées. De préférence, la largeur L de la partie opacifiée est identique d’une face à l’autre. La partie opacifiée 111, 121 présente une rugosité supérieure à la rugosité de la partie non opacifiée. Par exemple, la partie opacifiée 111, 121 présente une rugosité d’au moins 100 nm voire d’au moins 400 nm. De préférence, la partie opacifiée 111, 121 présente une rugosité comprise entre 100 nm et 10 µm, de préférence entre 100 nm et 5 µm, et encore plus préférentiellement entre 400 nm et 3 µm. De telles rugosités facilitent la diffusion du rayonnement lumineux visible. La rugosité peut être mesurée avec un profilomètre mécanique. Elle pourrait également être mesurée avec un microscope à force atomique (AFM). L’épaisseur du substrat en verre 100 au niveau de la ou des parties opacifiées 111, 121 est inférieure à l’épaisseur du substrat en verre 100 au niveau des parties centrales 112, 122. En effet, l’opacification est typiquement réalisée par attaque chimique ou action mécanique du substrat, ce qui conduit à une perte de matière au niveau de la zone opacifiée 111, 121. L’épaisseur h retirée peut être d’au moins 400nm. Elle peut aller jusqu’à 30 µm voire 50 µm suivant l’épaisseur du substrat. Elle est par exemple d’environ 15 µm. Par exemple, une épaisseur h de 10 µm peut être adaptée, notamment à un substrat en verre de 200 mm de diamètre. Cette variation d’épaisseur est suffisamment faible pour ne pas détériorer les propriétés mécaniques du substrat 100. L’attaque chimique est, par exemple, une attaque avec une solution contenant des fluorures. Il peut s’agir d’une solution d’acide fluorhydrique ou du fluorure d’ammonium. L’opacification par action mécanique est, par exemple, obtenue par rodage (‘grinding’) ou encore par projection de sable (‘sandblasting’) ou abrasage. Un masque peut avantageusement être utilisé pour définir le pourtour à opacifier et protéger la zone centrale 112, 122. Selon un mode de réalisation particulier, le substrat en verre 100 peut avoir une encoche (‘notch’) permettant d’aligner le substrat 100 dans les machines de microélectronique. La deuxième face principale 120 (face arrière) est, de préférence, recouverte par un empilement comprenant une première couche 140 électriquement conductrice et transparente et une deuxième couche 150 diélectrique transparente (figures 5, 6A et 6B). La première couche 140 est, de préférence, en oxyde transparent conducteur (ou TCO pour ‘Transparent Conductive Oxide’). Notamment, il peut s’agir d’oxyde d’indium-étain (ou ITO pour ‘Indium Tin Oxide’). De préférence, la première couche 140 recouvre complètement la face arrière 120 du substrat 100. L’épaisseur du TCO est choisie de manière à permettre l’évacuation des charges. Le TCO a, par exemple, une épaisseur de 100nm. Alternativement, la première couche 140 pourrait recouvrir partiellement la face arrière 120 du substrat 100, par exemple il peut s’agit d’une couche 140 sous la forme d’une grille. La première couche 140 est recouverte par une deuxième couche 150 qui joue le rôle de couche de protection. La deuxième couche 150 protège la première couche 140 de l’environnement extérieur et notamment des différentes solutions pouvant être utilisées au cours du procédé. En particulier, la couche de protection 150 est en un matériau diélectrique, comme de l’orthosilicate de tétraéthyle (TEOS) ou un nitrure, de préférence un nitrure du silicium. Cette couche peut être déposée par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (ou PECVD pour ‘Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition’). La couche de protection 150 a, par exemple, une épaisseur de 300nm. La deuxième couche 150 de protection est également transparente. L’empilement est transparent. De préférence, le revêtement comprend une première couche 140 en ITO et une deuxième couche 150 en SiN. Ainsi, le substrat 100 peut être utilisé dans les machines de l’industrie microélectronique, et en particulier il est compatible avec les clampes (‘chucks’) électrostatiques. Contrairement aux dispositifs de l’art antérieur, l’empilement est transparent et la transparence au centre du substrat est préservée. Seuls les bords sont opacifiés. Lorsque la face arrière 120 du substrat 100 est recouverte par l’empilement décrit ci-dessus, le pourtour opacifié 111, 121 peut être sur la face avant 110 et/ou sur la face arrière 120. Une opacification des bords 111 de la face avant 110 est particulièrement intéressante dans le cas où au moins une des couches 140, 150 de l’empilement n’est pas déposée de manière conforme. Un substrat d’intérêt 300 peut être reporté en face avant 110. Le substrat d’intérêt 300 reporté peut comprendre des composants 310. Il peut s’agir de composants émissifs et/ou des composants passifs. Selon un mode de réalisation, le substrat d’intérêt 300 est reporté sur la première face principale 110 (face avant) du substrat en verre 100 et la deuxième face principale 120 (face arrière) du substrat en verre 100 est recouverte par l’empilement formé de la première couche 140 et de la deuxième couche 150 (figures 6A et 6B). Le pourtour opacifié 111, 121 peut être sur la première face principale 110 et/ou sur la deuxième face principale 120. Le substrat d’intérêt 300 peut être assemblé au substrat en verre 100 au moyen d’un élément photosensible 400. Il peut s’agir par exemple d’une résine photo-réticulable sous rayonnement ultra-violet. L’opacification peut être réalisée avant ou après le report du substrat d’intérêt 300. De préférence, elle est réalisée après. Le substrat d’intérêt 300 peut être détouré une fois qu’il a été reporté sur le substrat en verre 100. Cela est particulièrement intéressant pour enlever d’éventuels défauts en bord de plaque. Le détourage du substrat d’intérêt 300 et l’opacification du bord 111 de plaque 100 peuvent être réalisés par rodage (‘grinding’). Ces étapes peuvent être réalisées consécutivement ou simultanément. De préférence, l’étape de rodage est suivie de l’étape d’opacification. Par exemple, comme représenté sur les figures 7A et 7B, le procédé peut comprendre les étapes suivantes : i) Coller un substrat d’intérêt 300 sur la première face principale 110 du substrat en verre 100, le substrat d’intérêt 300 pouvant comprendre des composants microélectroniques 310 (par exemple des composants microélectroniques émissifs) et/ou le substrat d’intérêt pouvant être collé au substrat en verre 100 au moyen d’une couche photosensible 400, ii) Détourer le substrat d’intérêt 300, iii) Former un pourtour opaque 111 sur la première face principale 110 du substrat 100, par rodage. Les étapes sont, avantageusement réalisées dans l’ordre suivant : i), ii) et iii). Néanmoins, il serait possible de les réaliser dans l’un des ordres suivants : iii), i) et ii) ou ii), iii) et i) ou iii), ii) et i). Le substrat en verre précédemment décrit est utilisable dans les machines de l’industrie microélectronique. Le procédé de détection d’un substrat dans une telle machine comprend une étape au cours de laquelle on détermine la présence ou l’absence du substrat au moyen d’un rayonnement lumineux émis par une source 220 et d’un détecteur 210 de rayonnement lumineux. La source est par exemple une LED. La réception du rayonnement lumineux par le détecteur 210 de rayonnement lumineux est liée à l’absence du substrat : le rayonnement lumineux est transmis directement entre la source 220 et le détecteur 210 de rayonnement lumineux. L’absence de réception du rayonnement lumineux par le détecteur 210 de rayonnement lumineux est liée à la présence du substrat qui bloque la transmission du rayonnement lumineux entre la source 220 et le détecteur 210 de rayonnement lumineux. Une fois détecté, le substrat en verre 100 peut être aligné dans la machine. La détection du substrat 100 par le bord peut également permettre son centrage dans la machine par rapport à une position voulue, par exemple sur les clampes électrostatiques (‘chuck’). De plus, la détection de l’entaille permet d’aligner les substrats pendant le procédé. Pour cela, le substrat, situé dans un module d’alignement interne à la machine, est mis en rotation. Une fois détecté et centré, la détection de la présence de l’entaille permet de l’aligner dans la machine et ainsi définir sa position pour la suite du procédé. Exemple illustratif et non limitatif d’un mode de réalisation particulier Le bord d’une plaque en verre circulaire a été rodé (‘grinding’). La plaque comprend une entaille (‘notch’). La plaque a été observée au microscope optique (figures 8A et 8B). La partie rodée est clairement visible. L’entaille ne dépasse pas de la partie rodée. Des mesures de profilométrie ont été réalisées avec un profilomètre mécanique. La rugosité moyenne Ra est de 1,54 µm et la rugosité moyenne quadratique Rq est de 1,96 µm. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Enfin, la mise en œuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Substrat en verre (100), destiné à une utilisation dans le domaine microélectronique, le substrat en verre (100) comprenant une première face principale (110) et une deuxième face principale (120), caractérisé en ce que la première face principale (110) et/ou la deuxième face principale (120) présentent une zone centrale (112, 122) transparente et un pourtour opaque (111, 121). Substrat selon la revendication 1, caractérisé en ce que le pourtour opaque (111) de la première face principale (110) et/ou le pourtour opaque (121) de la deuxième face principale (120) ont une largeur d’au moins 0,5 mm, de préférence d’au moins 2 mm, et encore plus préférentiellement comprise entre 2 et 8 mm. Substrat selon l’une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le pourtour opaque (111) de la première face principale (110) et/ou le pourtour opaque (121) de la deuxième face principale (120) ont une rugosité comprise entre 100 nm et 10µm, de préférence entre 400 nm et 3 µm. Substrat selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le pourtour opaque (111) de la première face principale (110) et/ou le pourtour opaque (121) de la deuxième face principale (120) forment un décochement, de préférence d’une profondeur comprise entre 400 nm et 50 µm, par rapport à la zone centrale (112, 122). Substrat selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la deuxième face principale (120) est recouverte par un empilement comprenant une première couche (140) en oxyde transparent conducteur, de préférence en oxyde d’indium étain, et une deuxième couche (150) en un matériau diélectrique, de préférence une couche de nitrure de silicium ou une couche de TEOS. Substrat selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la première face principale (110) est recouverte par un substrat d’intérêt (300), le substrat d’intérêt (300) comprenant des composants microélectroniques (310), par exemple des composants microélectroniques émissifs, et/ou le substrat d’intérêt (300) étant collé au substrat en verre (100) au moyen d’une couche photosensible (400). Procédé de fabrication d’un substrat en verre (100), destiné à une utilisation dans le domaine microélectronique, le substrat en verre (100) comprenant une première face principale (110) et une deuxième face principale (120), le procédé comprenant une étape au cours de laquelle, on forme un pourtour opaque (111, 121) sur la première face principale (110) et/ou sur la deuxième face principale (120), moyennant quoi la première face principale (110) et/ou la deuxième face principale (120) du substrat (100) présentent une zone centrale (112, 122) transparente et un pourtour opaque (111, 121). Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que le pourtour opaque (111) de la première face principale (110) et/ou le pourtour opaque (121) de la deuxième face principale (120) sont réalisés par rodage, projection de sable ou attaque chimique. Procédé selon l’une des revendications 7 et 8, caractérisé en ce que le procédé comporte les étapes suivantes : Coller un substrat d’intérêt (300) sur la première face principale (110) du substrat en verre (100), le substrat d’intérêt (300) pouvant comprendre des composants microélectroniques (310), par exemple des composants microélectroniques émissifs, et/ou le substrat d’intérêt (300) pouvant être collé au substrat en verre (100) au moyen d’un élément photosensible (400), Détourer le substrat d’intérêt (300), Former un pourtour opaque (111) sur la première face principale (110) du substrat en verre (100), par rodage. Procédé de détection d’un substrat dans une machine de l’industrie microélectronique, le procédé comprenant une étape au cours de laquelle on détermine la présence ou l’absence du substrat au moyen d’un rayonnement lumineux émis par une source (220) et d’un détecteur (210) de rayonnement lumineux, l’absence de réception du rayonnement lumineux par le détecteur (210) de rayonnement lumineux étant liée à la présence du substrat qui bloque la transmission du rayonnement lumineux entre la source (220) et le détecteur (210) de rayonnement lumineux, caractérisé en ce que le substrat est un substrat en verre (100) comprenant une première face principale (110) et une deuxième face principale (120), la première face principale (110) et/ou la deuxième face principale (120) présentant une zone centrale (112, 122) transparente et un pourtour opaque (111, 121). Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que la deuxième face principale (120) est recouverte par un empilement comprenant une première couche (140) en un oxyde transparent conducteur, de préférence de l’oxyde d’indium étain, et une deuxième couche (150) en un matériau diélectrique, de préférence une couche de nitrure de silicium ou une couche de TEOS. Procédé selon l’une des revendications 10 et 11, caractérisé en ce que le substrat en verre (100) comprend une entaille sur le pourtour opaque (111, 121) et en ce que le procédé comprend en outre une étape au cours de laquelle le substrat en verre (100) est mis en rotation dans la machine et aligné grâce à la présence de l’entaille.