Brevet FR3153152A1 — publié le 20250321

Procédé et dispositif électronique de détermination d’un paramètre électrique d’une cellule photovoltaïque tandem, programme d’ordinateur et système de caractérisation associés L’invention concerne un procédé de détermination d’un paramètre électrique d’une cellule photovoltaïque tandem (12) comprenant une première sous-cellule (22) incluant une couche (24) d’un premier matériau semi-conducteur, et une deuxième sous-cellule (26) incluant une couche (28) d’un deuxième matériau semi-conducteur, la première sous-cellule étant au-dessus de la deuxième, le deuxième matériau semi-conducteur ayant un gap optique différent de celui du premier. Le procédé est mis en œuvre par un dispositif électronique de détermination (20) et comprend l’acquisition, via un dispositif de mesure (16), d’au moins deux ensembles de N valeur(s) de luminescence de ladite cellule, chaque ensemble acquis résultant d’un signal d’excitation continue respectif, N≥1 ; et le calcul d’un ensemble de N valeur(s) du paramètre électrique à partir des ensembles acquis de N valeur(s) de luminescence. Le procédé permet de caractériser la cellule avec une résolution en deux dimensions, et d’effectuer une cartographie en deux dimensions de cette cellule. Figure pour l'abrégé : Figure 1 Procédé et dispositif électronique de détermination d’un paramètre électrique d’une cellule photovoltaïque tandem, programme d’ordinateur et système de caractérisation associés La présente invention concerne un procédé de détermination d’un paramètre électrique d’une cellule photovoltaïque tandem, le procédé étant mis en œuvre par un dispositif électronique de détermination ; ainsi qu’un programme d’ordinateur comportant des instructions logicielles qui, lorsqu’elles sont exécutées par un ordinateur, mettent en œuvre un tel procédé de détermination. L’invention concerne également un dispositif électronique de détermination du paramètre électrique de la cellule photovoltaïque tandem ; ainsi qu’un système de caractérisation de ladite cellule, comprenant un dispositif de mesure d’une luminescence de la cellule et un tel dispositif de détermination connecté au dispositif de mesure. L’invention concerne le domaine des cellules photovoltaïques pour panneaux solaires, en particulier des cellules photovoltaïques tandem. Le déploiement de l’énergie solaire photovoltaïque en tant qu’énergie renouvelable dépend directement de son coût et de son empreinte foncière, et l’obtention d’un meilleur rendement de conversion entre énergie solaire et énergie électrique est alors important pour ce déploiement. Un matériau photovoltaïque convertit l’énergie lumineuse de longueur d’onde inférieure à son gap intrinsèque. Les photons de haute énergie sont partiellement convertis en charges électriques du fait de pertes par thermalisation. Il est alors connu d’utiliser des cellules photovoltaïques tandem combinant plusieurs matériaux semi-conducteurs avec des gaps distincts, afin de proposer un meilleur rendement de conversion entre énergie solaire et énergie électrique. Dans le cadre de ce déploiement de l’énergie solaire photovoltaïque, il est nécessaire de disposer d’outils permettant de caractériser les cellules photovoltaïques, et notamment de quantifier un ou plusieurs paramètres électriques ayant un impact sur la performance de ces cellules. Les documents « Series resistance imaging of solar cells by voltage dependent electroluminescence » de D. Hinken et al, publié aussi dans Applied Physics Letters en 2007 ; et « Quantitative evaluation of inhomogeneous device operation in thin film solar cells by luminescence imaging » de M. Seeland et al, publié dans Applied Physics Letters en 2015, décrivent la caractérisation de cellules photovoltaïques par luminescence différentielle. Le document « Non-destructive local analysis of current-voltage characteristics of solar cells by lock-in thermography » de O. Breitenstein, publié par IEEE en 2011, décrit la caractérisation de cellules photovoltaïques par une analyse de thermographie infrarouge, également appelée LIT (de l’anglais Lock-In Thermography ). Le document « Impact of Interface Layers on Luminescence Imaging of Organic Solar Cells: Discriminating ETL from HTL Defects » de M.-A. Llobel et al, publié dans Applied Materials & Interfaces en 2020, décrit la caractérisation de cellules photovoltaïques en comparant l’effet de différents défauts. Le document « Recombination current and series resistance imaging of solar cells by combined luminescence and lock-in thermography » de K. Ramspeck et al, publié dans Applied Physics Letters en 2007, effectue une comparaison quantitative de deux caractérisations différentes, à savoir par LIT et par luminescence, pour calculer une cartographie de résistance série Toutefois, ces documents concernent seulement la caractérisation de cellules photovoltaïques à simple jonction, et ne permettent alors pas de caractériser des cellules photovoltaïques tandem. Le document « Transport efficiency imaging in multi-junction solar cells by luminescence analysis » de H. Xu et al, publié par IEEE en 2018, décrit la caractérisation de cellules photovoltaïques multi-jonctions, par luminescence avec un signal d’excitation de type lock-in, c’est-à-dire alternatif en général de type créneaux on/off, utilisant un amplificateur de verrouillage (de l’anglais lock-in amplifier ) pour analyser des signaux électriques générés par une source de lumière monochromatique modulée au moyen d’un laser. Toutefois, une telle caractérisation ne s’applique pas à certaines cellules photovoltaïques tandem en raison d’un comportement dynamique relativement lent dû aux mouvements ioniques dans les matériaux utilisés dans les couches minces. Le document « Understanding Contact Nonuniformities at Interfaces in Perovskite Silicon Tandem Solar Cells Using Luminescence Imaging, Lock-In Thermography, and 2D/3D Simulations » de O. Fischer et al., publié dans Solar RRL en 2023, décrit l’utilisation de techniques d’imagerie de luminescence et de LIT appliquées à la caractérisation de cellules tandem silicium / pérovskite. C’est la combinaison de plusieurs modes d’acquisition et d’outils de simulation électrique qui permet d’obtenir une information sur les paramètres électriques locaux. Cette caractérisation nécessite alors de combiner plusieurs outils, ce qui entraîne un risque d’endommagement de la cellule photovoltaïque, notamment de par un risque d’instabilité des mesures LIT au vu des cinétiques de réponse des couches minces, telle que la couche mince pérovskite. Le but de l’invention est alors de proposer un procédé, et un dispositif électronique associé, de détermination d’un paramètre électrique d’une cellule photovoltaïque tandem permettant de caractériser des cellules photovoltaïques tandem à couches minces, notamment des cellules photovoltaïques tandem avec une couche mince pérovskite. A cet effet, l’invention a pour objet un procédé de détermination d’un paramètre électrique d’une cellule photovoltaïque tandem via un dispositif de mesure d’une luminescence de ladite cellule, la cellule photovoltaïque tandem comprenant une première sous-cellule incluant une couche d’un premier matériau semi-conducteur, et une deuxième sous-cellule incluant une couche d’un deuxième matériau semi-conducteur, la première sous-cellule étant disposée au-dessus de la deuxième sous-cellule, le deuxième matériau semi-conducteur ayant un gap optique différent de celui du premier matériau semi-conducteur, le procédé étant mis en œuvre par un dispositif électronique de détermination et comprenant les étapes suivantes : - acquisition, via un dispositif de mesure, d’au moins deux ensembles de N valeur(s) de luminescence de ladite cellule, chaque ensemble acquis de N valeur(s) de luminescence résultant d’un signal d’excitation continue respectif, N étant un nombre entier supérieur ou égal à 1 ; et - calcul d’un ensemble de N valeur(s) du paramètre électrique à partir des ensembles acquis de N valeur(s) de luminescence. Le procédé de détermination selon l’invention permet alors, par luminescence différentielle avec des signaux d’excitation continue, de déterminer une ou plusieurs valeurs du paramètre électrique pour une ou plusieurs zones élémentaires de la cellule photovoltaïque tandem, notamment à couche(s) mince(s), en particulier avec une couche mince pérovskite. En comparaison de l’utilisation selon l’état de la technique de techniques d’imagerie de luminescence et de LIT appliquées à la caractérisation de cellules tandem silicium / pérovskite, le procédé de détermination selon l’invention est plus simple de mise en œuvre et limite le risque d’endommagement de la cellule photovoltaïque. De préférence, chaque signal d’excitation appartient à une plage de valeurs pour laquelle seulement l’une des deux sous-cellules de la cellule tandem présente une luminescence élevée par rapport à la luminescence de l’autre sous-cellule pour ladite plage de valeurs du signal d’excitation, ce qui permet alors de simplifier le calcul de la ou des valeurs du paramètre électrique. Dans un cas particulier, l’une des deux sous-cellules de la cellule tandem présente une luminescence non nulle, la luminescence de l’autre sous-cellule étant quasi nille pour ladite plage de valeurs du signal d’excitation. Suivant d’autres aspects avantageux de l’invention, le procédé de détermination comprend une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prises isolément ou suivant toutes les combinaisons techniquement possibles : - le dispositif de mesure est un capteur matriciel d’images, chaque image comportant plusieurs pixels ; et lors de l’étape d’acquisition, chaque valeur de luminescence correspond à la valeur d’un pixel respectif, N étant alors égal au nombre de pixels dans chaque image ; - le procédé comprend en outre, avant l’étape d’acquisition, une étape de commande, via un dispositif d’injection, d’une injection d’au moins deux signaux successifs d’excitation continue dans la cellule photovoltaïque tandem ; - lors de l’étape de commande, chaque signal d’excitation appartient à une plage de valeurs pour laquelle seulement une sous-cellule parmi la première sous-cellule et la deuxième sous-cellule présente une luminescence élevée, la luminescence de l’autre sous-cellule parmi la première sous-cellule et la deuxième sous-cellule étant faible pour ladite plage de valeurs du signal d’excitation ; un ratio entre la luminescence élevée et la luminescence faible étant de préférence supérieur à 100 ; - le premier matériau semi-conducteur étant de préférence un matériau pérovskite ; le deuxième matériau semi-conducteur étant de préférence encore du silicium, tel qu’un silicium cristallin ; - le paramètre électrique est choisi parmi le groupe comportant : une résistance de shunt d’une sous-cellule, une résistance série d’une sous-cellule, un courant de saturation d’une sous-cellule, une fonction de collecte d’une sous cellule, une conductance non-ohmique d’une sous cellule de type couche mince ; - l’excitation continue est une excitation électrique ou une excitation optique ; l’excitation électrique étant de préférence une tension. - le paramètre électrique est une résistance de shunt de la première sous-cellule, l’excitation continue est une tension continue appliquée aux bornes de la cellule photovoltaïque tandem, et l’étape de calcul comporte la détermination d’un courant circulant dans la deuxième sous-cellule, à partir de chaque valeur acquise de luminescence, de la tension d’excitation continue correspondante et d’un courant total traversant la cellule photovoltaïque tandem; puis l’évaluation de chaque valeur de ladite résistance de shunt, à partir d’une différence entre lesdits courants et d’une différence entre les tensions d’excitation continue correspondantes. - le courant est un courant local circulant dans une zone de la cellule photovoltaïque vue par un pixel respectif ; la tension d’excitation continue est la tension appliquée aux bornes de la cellule photovoltaïque tandem; et la résistance de shunt de la première sous-cellule est celle pour la zone de la cellule photovoltaïque vue par ledit pixel respectif. L’invention concerne également un programme d’ordinateur comportant des instructions logicielles qui, lorsqu’elles sont exécutées par un ordinateur, mettent en œuvre un procédé de détermination, tel que défini ci-dessus. L’invention concerne aussi un dispositif électronique de détermination d’un paramètre électrique d’une cellule photovoltaïque tandem, la cellule photovoltaïque tandem comprenant une première sous-cellule incluant une couche d’un premier matériau semi-conducteur, et une deuxième sous-cellule incluant une couche d’un deuxième matériau semi-conducteur, la première sous-cellule étant disposée au-dessus de la deuxième sous-cellule, le deuxième matériau semi-conducteur ayant un gap optique différent de celui du premier matériau semi-conducteur, le dispositif électronique de détermination comprenant : - un module d’acquisition configuré pour acquérir, via un dispositif de mesure, au moins deux ensembles de N valeur(s) de luminescence de ladite cellule, chaque ensemble acquis de N valeur(s) de luminescence résultant d’un signal d’excitation continue respectif, N étant un nombre entier supérieur ou égal à 1 ; et - un module de calcul configuré pour calculer un ensemble de N valeur(s) du paramètre électrique à partir des ensembles acquis de N valeur(s) de luminescence. Suivant un autre aspect avantageux de l’invention, le dispositif électronique de détermination comprend la caractéristique suivante : - le dispositif électronique de détermination comprend en outre un module de commande configuré pour commander, via un dispositif d’injection, une injection d’au moins deux signaux successifs d’excitation continue dans la cellule photovoltaïque tandem. L’invention concerne également un système de caractérisation d’une cellule photovoltaïque tandem, la cellule photovoltaïque tandem comprenant une première sous-cellule incluant une couche d’un premier matériau semi-conducteur, et une deuxième sous-cellule incluant une couche d’un deuxième matériau semi-conducteur, la première sous-cellule étant disposée au-dessus de la deuxième sous-cellule, le deuxième matériau semi-conducteur ayant un gap optique différent de celui du premier matériau semi-conducteur, le système comprenant : - un dispositif d’injection d’un signal d’excitation continue dans la cellule ; - un dispositif de mesure d’une luminescence de la cellule suite à l’injection du signal d’excitation continue ; et - un dispositif électronique de détermination d’un paramètre électrique de la cellule, le dispositif électronique de détermination étant connecté au dispositif de mesure, et tel que défini ci-dessus. Ces caractéristiques et avantages de l’invention apparaîtront plus clairement à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d’exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés, sur lesquels : FIG. 1 la FIG. 1 est une représentation schématique d’un système selon l’invention de caractérisation d’une cellule photovoltaïque tandem, le système de caractérisation comprenant un dispositif de mesure d’une luminescence de la cellule et un dispositif électronique de détermination d’un paramètre électrique de la cellule, connecté au dispositif de mesure ; FIG. 2 la FIG. 2 est une représentation schématique d’un exemple d’empilement de couches de matériaux formant la cellule photovoltaïque tandem de la FIG. 1 , et d’une modélisation électrique associée de ladite cellule ; FIG. 3 la FIG. 3 est une représentation schématique d’une luminescence différentielle effectuée via un capteur d’image et de zones élémentaires de la cellule correspondant aux pixels de l’image, ainsi que d’une modélisation électrique simplifiée d’une zone élémentaire correspondant à un pixel lors de cette luminescence différentielle ; et FIG. 4 la FIG. 4 est un organigramme d’un procédé, selon l’invention, de détermination du paramètre électrique de la cellule photovoltaïque tandem, le procédé étant mis en œuvre par le dispositif électronique de détermination de la FIG. 1 . Dans la suite de la description, l’expression « sensiblement égal(e) à » désigne une relation d’égalité à plus ou moins 10 %, et de préférence à plus ou moins 5 %. Sur la FIG. 1 , un système 10 de caractérisation d’une cellule photovoltaïque tandem 12 comprend un dispositif 14 d’injection d’un signal d’excitation continue dans la cellule 12, un dispositif 16 de mesure d’une luminescence de la cellule 12 suite à l’injection du signal d’excitation continue, et un dispositif électronique 20 de détermination d’un paramètre électrique de la cellule 12, le dispositif de détermination 20 étant connecté au dispositif de mesure 16. Optionnellement, le dispositif de détermination 20 est connecté en outre au dispositif d’injection 14 pour commander le dispositif d’injection 14 lorsqu’il n’est pas commandé manuellement. L’homme du métier observera qu’un signal d’excitation continue est synonyme d’un signal continu d’excitation, de même que des signaux d’excitation continue sont synonymes de signaux continus d’excitation, et que ces expressions sont respectivement interchangeables sans que cela ne change le contenu de la présente invention. Le système de caractérisation 10 est alors configuré pour caractériser la cellule photovoltaïque tandem 12, notamment pour quantifier un ou plusieurs paramètres électriques ayant un impact sur la performance de ladite cellule 12. La cellule photovoltaïque tandem 12 comprend une première sous-cellule 22 incluant une couche 24 d’un premier matériau semi-conducteur, et une deuxième sous-cellule 26 incluant une couche 28 d’un deuxième matériau semi-conducteur, comme représenté sur la FIG. 2 . La première sous-cellule 22 est disposée au-dessus de la deuxième sous-cellule 26. Le deuxième matériau semi-conducteur a un gap optique différent de celui du premier matériau semi-conducteur. Autrement dit, le premier matériau semi-conducteur a, i.e. présente, un premier gap optique, et le deuxième matériau semi-conducteur a un deuxième gap optique de valeur distincte du premier gap optique. Par gap optique, également appelé gap, on entend comme connu en soi une largeur d’une bande interdite du matériau semi-conducteur, la bande interdite étant entre une bande de valence et une bande de conduction dudit matériau semi-conducteur. Le deuxième matériau semi-conducteur est, par exemple, de type distinct du premier matériau semi-conducteur. En variante, le deuxième matériau semi-conducteur est de même type que le premier matériau semi-conducteur, les premier et deuxième matériaux semi-conducteur se distinguant alors par leur gap respectif. L’invention n’est pas limitée à une cellule photovoltaïque tandem 12 de type pérovskite/silicium, et s’applique également à tout type de cellule tandem ayant des couches minces avec des temps de réponse (>1s) à un signal d’excitation électrique ou lumineux, non instantanés ou réversibles, incluant notamment des matériaux semi-conducteurs organiques ou pérovskite. Par couche mince, on entend une couche présentant une épaisseur inférieure à 10 microns, de préférence inférieure à 1 micron. A titre de comparaison, une couche non-mince, ou normale, par exemple de silicium, présente une épaisseur supérieure à 10 microns, et typiquement supérieure à 100 microns. Dans l’exemple de la FIG. 2 , la cellule photovoltaïque tandem 12 est une cellule pérovskite-silicium, le premier matériau semi-conducteur étant un matériau pérovskite, et le deuxième matériau semi-conducteur étant le/du silicium, tel qu’un silicium cristallin. Plus généralement, les premier et deuxième matériaux semi-conducteur sont choisis parmi le groupe consistant en : séléniure de cuivre, d'indium et de gallium, aussi noté CIGS ; séléniure de cuivre et d'indium, aussi noté CIS ; tellurure de cadmium, aussi noté CdTe ; arsénure de gallium, aussi noté GaAs ; famille des matériaux des couches III-V du tableau périodique des éléments, également appelé tableau de Mendeleïev ; matériaux organiques ; silicium, aussi noté Si ; et pérovskite, kesterites…. Dans l’exemple de la FIG. 2 , chaque sous-cellule 22, 26 comporte un empilement de couches, dont les couches 24 et 28. La première sous-cellule 22 comporte l’empilement de couches suivant dans l’exemple de la FIG. 2 , par ordre successif depuis des électrodes métalliques, par exemple en argent, de la première sous-cellule 22, au contact d’une couche supérieure jusqu’à une couche inférieure : couche conductrice transparente, aussi notée TCO (de l’anglais Transparent Conducting Oxide ), formant la couche supérieure ; couche de transport d’électrons, aussi notée ETL (de l’anglais Electron Transport Layer ) ; couche pérovskite ; couche de transport de trous, aussi notée HTL (de l’anglais Hole Transport Layer ) ; et couche de recombinaison entre les sous cellules 22, 26, aussi notée ITO rec, formant la couche inférieure. La deuxième sous-cellule 26 comporte l’empilement de couches suivant dans l’exemple de la FIG. 2 , par ordre successif depuis une couche supérieure jusqu’à une couche inférieure au contact d’une électrode métallique, par exemple en argent, de la deuxième sous-cellule 26 : couche de transport d’électrons, aussi notée ETL, formant la couche supérieure, cette couche étant par exemple formée d’une sous-couche en silicium amorphe hydrogéné dopé n, aussi notée (n) a-Si :H, suivie d’une sous-couche en silicium amorphe hydrogéné intrinsèque, aussi notée (i) a-Si :H ; couche en silicium cristallin ; couche de transport de trous, aussi notée HTL, par exemple formée d’une sous-couche en silicium amorphe hydrogéné intrinsèque, aussi notée (i) a-Si :H, suivie d’une sous-couche en silicium amorphe hydrogéné dopé p, aussi notée (p) a-Si :H ; couche conductrice transparente, aussi notée TCO, formant la couche inférieure. Le matériau pérovskite est un matériau à structure cristalline qui possède des propriétés semi-conductrices favorables pour la conversion photovoltaïque. Les pérovskites utilisés dans les cellules photovoltaïques sont généralement des composés organométalliques, tels que le méthylammonium lead triiodide (MAPbI3), le formamidinium lead triiodide (FAPbI3), ou leurs dérivés. La cellule photovoltaïque tandem 12 comporte deux bornes 30, à savoir une première borne 30A, dite aussi borne positive, et une deuxième borne 30B, dite aussi borne négative, en lesquelles elle est propre à délivrer une tension notée V 2T en fonctionnement, lorsqu’elle reçoit une énergie solaire, ces bornes 30 servant aussi à recevoir un signal d’excitation continu, décrit par la suite. La première sous-cellule 22 est modélisée électriquement comme délivrant, ou recevant, i.e étant soumise à, une première tension V top en fonctionnement entre l’une des deux bornes 30, à savoir la première borne 30A, et une borne intermédiaire 32. La première sous-cellule 22 est modélisée électriquement comme comportant, entre la première borne 30A et la borne intermédiaire 32 et en parallèle les unes des autres, une source de courant J ph_top modélisant l’énergie solaire reçue par la première sous-cellule 22, deux diodes D 1_top , D 2_top connectées en parallèle l’une de l’autre et recevant chacune un courant noté respectivement J 1_top , J 2_top , une résistance de shunt Rsh top , et une conductance non-ohmique S sh . La première sous-cellule 22 est modélisée électriquement comme comportant également une résistance série Rs connectée à la première borne 30A, et par exemple entre la conductance non-ohmique S sh et la première borne 30A, étant observé que les éléments J ph_top , D 1_top , D 2_top , Rsh top , S sh de la modélisation de la première sous-cellule 22 autres que la résistance série Rs sont agencés en parallèle les uns des autres, selon un ordre interchangeable, et que la résistance série Rs est alors susceptible d’être connectée à n’importe lequel de ces autres éléments J ph_top , D 1_top , D 2_top , Rsh top , S sh . La conductance non-ohmique S sh modélise un effet de claquage (de l’anglais breakdown ). La deuxième sous-cellule 26 est modélisée électriquement comme délivrant, ou recevant, une deuxième tension V bot en fonctionnement entre l’autre des deux bornes 30, à savoir la deuxième borne 30B, et la borne intermédiaire 32. La deuxième sous-cellule 26 est modélisée électriquement comme comportant, entre la deuxième borne 30B et la borne intermédiaire 32et en parallèle les unes des autres, une source de courant J ph_bot modélisant l’énergie solaire convertie par la deuxième sous-cellule 26, deux diodes D 1_bot , D 2_bot connectées en parallèle l’une de l’autre et recevant chacune un courant noté respectivement J 1_bot , J 2_bot , et une résistance de shunt Rsh bot . Le dispositif d’injection 14 est configuré pour injecter le signal d’excitation continu dans la cellule photovoltaïque tandem 12, et avantageusement pour réitérer cette injection de signal d’excitation continue afin d’injecter au moins deux signaux successifs d’excitation continue dans ladite cellule 12, les signaux d’excitation étant distincts les uns des autres. L’excitation est par exemple une excitation électrique, telle qu’une tension, et le dispositif d’injection 14 est alors typiquement un générateur de tension continue. Une différence entre deux signaux d’excitation distincts successifs est par exemple comprise entre 0,01 V et 0,1 V, par exemple égale à 0,05 V05V. Autrement dit, la variation d’excitation d’un signal à l’autre est alors une variation de tension. En variante, l’excitation est une excitation optique, et le dispositif d’injection 14 est alors une source d’illumination continue. Une différence entre deux signaux d’excitation optique distincts successifs est par exemple une différence de puissance lumineuse, ou encore une différence de caractéristique spectrale. Autrement dit, la variation d’excitation d’un signal à l’autre est alors une variation de puissance lumineuse, ou encore une variation de caractéristique spectrale. Le dispositif de mesure 16 est configuré pour mesurer une luminescence de la cellule photovoltaïque tandem 12 suite à l’injection du signal d’excitation continue par le dispositif d’injection 14. Dans l’exemple de la FIG. 1 , le dispositif de mesure 16 est un capteur matriciel d’image, telle qu’un capteur CCD (de l’anglais Charged Coupled Device ) ou un capteur CMOS (de l’anglais Complementary Metal Oxide Semiconductor ). Selon cet exemple, le dispositif de mesure 16 est alors configuré pour prendre des images I1, I2 successives de la cellule photovoltaïque tandem 12 formant des mesures successives de luminescence, telle qu’une première image I1 formant une première mesure de luminescence suite à l’injection d’un premier signal d’excitation continue Exc1, puis une deuxième image I2 formant une deuxième mesure de luminescence suite à l’injection d’un deuxième signal d’excitation continue Exc2. Chaque image I1, I2 comporte plusieurs pixels, et chaque pixel correspond alors à une valeur de luminescence pour une zone élémentaire respective de la cellule photovoltaïque 12. Le dispositif de détermination 20 comprend un module 40 de commande d’une injection d’au moins deux signaux successifs d’excitation continue Exc1, Exc2 dans la cellule 12, un module 42 d’acquisition d’au moins deux ensembles de N valeur(s) de luminescence de ladite cellule 12, et un module 44 de calcul d’un ensemble de N valeur(s) du paramètre électrique à partir des ensembles acquis de N valeur(s) de luminescence. L’homme du métier observera que le module de commande 40 est optionnel, le dispositif d’injection 14 étant en variante commandé manuellement par un opérateur. N est un nombre entier supérieur ou égal à 1. Lorsque le dispositif de mesure 16 est un capteur matriciel d’image, N est typiquement égal au nombre de pixels dans chaque image qui sont illuminés par la cellule photovoltaïque 12, cette illumination résultant de l’injection du signal d’excitation continue dans la cellule 12 par le dispositif d’injection 14. Le dispositif de détermination 20 comprend par exemple une unité de traitement d’informations 50 formée typiquement d’une mémoire 52 et d’un processeur 54 associé à la mémoire 52. Selon cet exemple, le module de commande 40, le module d’acquisition 42 et le module de calcul 44 sont réalisés chacun sous forme d’un logiciel, ou d’une brique logicielle, exécutable par le processeur 54. La mémoire 52 du dispositif de détermination 20 est alors apte à stocker un logiciel de commande d’une injection d’au moins deux signaux successifs d’excitation continue Exc1, Exc2 dans la cellule, un logiciel d’acquisition d’au moins deux ensembles de N valeur(s) de luminescence de ladite cellule 12, et un logiciel de calcul d’un ensemble de N valeur(s) du paramètre électrique à partir des ensembles acquis de N valeur(s) de luminescence. Le processeur 54 du dispositif de détermination 20 est alors apte à exécuter chacun des logiciels parmi le logiciel de commande, le logiciel d’acquisition et le logiciel de calcul. En variante non représentée, le module de commande 40, le module d’acquisition 42 et le module de calcul 44 sont réalisés chacun sous forme d’un composant logique programmable. Lorsque le dispositif de détermination 20 est réalisé sous forme d’un ou plusieurs logiciels, c’est-à-dire sous forme d’un programme d’ordinateur, également appelé produit programme d’ordinateur, il est en outre apte à être enregistré sur un support, non représenté, lisible par ordinateur. Le support lisible par ordinateur est par exemple un medium apte à mémoriser des instructions logicielles et à être couplé à un bus d’un système informatique. A titre d’exemple, le support lisible est un disque optique, un disque magnéto-optique, une mémoire ROM, une mémoire RAM, tout type de mémoire non-volatile (par exemple EPROM, EEPROM, FLASH, NVRAM), une carte magnétique ou une carte optique. Sur le support lisible est alors mémorisé un programme d’ordinateur comprenant des instructions logicielles. Le module de commande 40 est configuré pour commander, via le dispositif d’injection 14, l’injection d’au moins deux signaux successifs d’excitation continue dans la cellule photovoltaïque tandem 12. Le module de commande 40 est avantageusement configuré pour commander l’injection de signaux successifs d’excitation continue appartenant à une plage de valeurs pour laquelle seulement une sous-cellule parmi la première sous-cellule 22 et la deuxième sous-cellule 26 présente une luminescence élevée, la luminescence de l’autre sous-cellule parmi la première sous-cellule 22 et la deuxième sous-cellule 26 étant faible pour ladite plage de valeurs du signal d’excitation. Un ratio entre la luminescence élevée et la luminescence faible est typiquement supérieur à 100. La luminescence faible est par exemple une luminescence sensiblement nulle, et la luminescence élevée par exemple une luminescence non-nulle au moins 100 fois supérieure à la luminescence sensiblement nulle. Selon cet aspect avantageux, dans l’exemple de la FIG. 3 , la cellule présentant une luminescence élevée est la deuxième sous-cellule 26, la première sous-cellule 22 présentant une luminescence faible. Du fait de cette luminescence faible de la première sous-cellule 22, la modélisation électrique équivalente de la cellule photovoltaïque tandem 12 est alors simplifiée. En effet, dans ce cas, la première sous-cellule 22 est modélisée comme comportant seulement la résistance série Rs connectée à la borne 30 et la résistance de shunt Rsh top ; et la deuxième sous-cellule 26 est modélisée comme comportant les deux diodes D 1_bot , D 2_bot connectées en parallèle l’une de l’autre et recevant chacune un courant noté respectivement J 1_bot , J 2_bot , et la résistance de shunt Rsh bot . L’homme du métier observera que, sur la FIG. 3 , chacune des grandeurs précitées incluses dans la modélisation électrique est notée avec un indice i, la modélisation électrique simplifiée représentée étant celle d’une zone élémentaire d’indice i correspondant à une surface de la cellule photovoltaïque 12 vue par un pixel également d’indice i lors de la luminescence différentielle effectuée via le capteur d’image formant le dispositif de mesure 16. À titre d’exemple, lorsque l’excitation est une excitation électrique, en particulier une tension, la plage de valeurs de tension continue permettant d’avoir une luminescence faible de la première sous-cellule 22 est une plage de tension sensiblement comprise entre 0 volt (V) et 1,3 V, de préférence sensiblement comprise entre 0,6 V et 0,8 V, de préférence encore sensiblement égale à 0,7 V, dans le cas de la cellule photovoltaïque tandem 12 pérovskite-silicium de l’exemple de la FIG. 2 , optimisée en outre pour la conversion photovoltaïque du rayonnement solaire. L’homme du métier observera que pour une tension continue d’excitation proche de 0 V, à la fois la première sous-cellule 22 et la deuxième sous-cellule 26 présentent une luminescence faible, de sorte que la plage de valeurs de tension continue permettant d’avoir une luminescence faible de la première sous-cellule 22, tout en ayant une luminescence élevée de la deuxième sous-cellule 26 est sensiblement comprise entre 0,6 V et 1,3 V, de préférence sensiblement comprise entre 0,6 V et 0,8 V, de préférence encore sensiblement égale à 0,7 V. Le module d’acquisition 42 est configuré pour acquérir, via le dispositif de mesure 16, au moins deux ensembles de N valeur(s) de luminescence de ladite cellule 12, chaque ensemble acquis de N valeur(s) de luminescence résultant d’un signal d’excitation continue respectif. En particulier, lorsque le dispositif de mesure 16 est le capteur d’image, le module d’acquisition 42 est configuré pour acquérir les images prises successivement par le capteur d’image, c’est-à-dire pour acquérir chaque image prise par le capteur d’image suite à l’injection d’un signal d’excitation continue respectif. Chaque ensemble de valeur(s) de luminescence acquis par le module d’acquisition 42 comporte alors une pluralité de valeurs de luminescence de la cellule photovoltaïque tandem 12, chaque valeur de luminescence correspondant à la valeur d’un pixel respectif de l’image acquise. Le module de calcul 44 est configuré pour calculer l’ensemble de N valeur(s) du paramètre électrique à partir des ensembles acquis de N valeur(s) de luminescence, en particulier à partir d’une différence entre ces ensembles acquis de N valeur(s) de luminescence. Le module de calcul 44 est alors configuré pour calculer l’ensemble de N valeur(s) du paramètre électrique par luminescence différentielle. Le paramètre électrique est typiquement choisi parmi le groupe consistant en : une résistance de shunt d’une sous-cellule 22, 26 ; une résistance série d’une sous-cellule 22, 26 ; un courant de saturation d’une sous-cellule 22, 26 ; une fonction de collecte d’une sous cellule 22, 26 ; une conductance non-ohmique d’une sous cellule 22, 26 de type couche mince. A titre d’exemple, le paramètre électrique est la résistance de shunt Rsh top de la première sous-cellule 22, et l’excitation continue est une tension continue appliquée aux bornes 30 de la cellule photovoltaïque tandem 12. Le module de calcul 44 est alors configuré pour calculer cette résistance de shunt Rsh top , en déterminant d’abord le courant J 1_bot circulant dans la deuxième sous-cellule 26, à partir de chaque valeur acquise de luminescence, de la tension d’excitation continue V 2T correspondante et d’un courant total J ext traversant la cellule photovoltaïque tandem 12 ; puis en évaluant chaque valeur de ladite résistance de shunt Rsh top , à partir d’une différence ΔJ 1_bot entre lesdits courants et d’une différence ΔV 2T entre les tensions d’excitation continue correspondantes. Le module de calcul 44 est par exemple configuré pour déterminer le courant J 1_bot ,i circulant dans la deuxième sous-cellule 26, selon l’équation suivante : où J 1_bot ,i représente le courant circulant dans la deuxième sous-cellule 26, Φ i représente la valeur de luminescence obtenue pour un pixel respectif, ΣΦ i représente une valeur totale de luminescence obtenue suite à l’injection d’un signal d’excitation continue respectif, également appelé luminescence globale pour la cellule photovoltaïque 12, où i est un indice entier de valeur comprise entre 1 et N, Rsh bot ,i représente la résistance de shunt de la deuxième sous-cellule 26 qui est considérée comme une constante prédéterminée (par exemple par mesure), V 2T représente la tension d’excitation continue correspondante, J ext représente un courant total traversant la cellule photovoltaïque 12, N représente le nombre de pixels du capteur matriciel formant le dispositif de mesure 16, c’est-à-dire le nombre de pixels de chaque image acquise pour la mesure de luminescence. L’homme du métier observera que le courant J 1_bot,i déterminé par le module de calcul 44 selon l’équation [Math 1] précédente représente un courant local traversant la surface, ou zone, de la cellule photovoltaïque 12 vue par le pixel d’indice i. La considération que la résistance de shunt Rsh bot,i de la deuxième sous-cellule 26 est une constante connue est une hypothèse basée sur le fait que la deuxième sous-cellule 26 en silicium cristallin est de fabrication maîtrisée, car la technologie est plus ancienne et plus éprouvée que pour la première sous-cellule 22 avec une couche en pérovskite. Le module de calcul 44 est ensuite par exemple configuré pour calculer la valeur de la résistance de shunt Rsh top de la première sous-cellule 22, selon l’équation suivante : où Rsh top,i représente le paramètre électrique à déterminer, c’est-à-dire la résistance de shunt de la première sous-cellule 22, pour la zone élémentaire d’indice i, Rs i représente la résistance série de la première sous-cellule 22, pour la zone élémentaire d’indice i, qui est de valeur bien plus faible, c’est-à-dire négligeable, par rapport à la résistance de shunt Rsh top ,i de la première sous-cellule 22, N représente le nombre de pixels nkT/q représente un terme constant, n étant un entier, par exemple égal à 1, ΔJ 1_bot ,i représente un delta de courant dans la deuxième sous-cellule 26 résultant de la luminescence différentielle, c’est-à-dire la différence entre une première valeur du courant J 1_bot ,i circulant dans la deuxième sous-cellule 26 obtenue selon l’équation [Math 1] précédente pour une première mesure de luminescence suite à l’injection d’une première tension d’excitation continue et une deuxième valeur du courant J 1_bot ,i circulant dans la deuxième sous-cellule 26 obtenue selon l’équation [Math 1] précédente pour une deuxième mesure de luminescence suite à l’injection d’une deuxième tension d’excitation continue, et ln représente l’opérateur mathématique logarithme népérien, et ΔV 2T représente la différence entre la première tension d’excitation continue et la deuxième tension d’excitation continue. En particulier, ΔJ 1_bot,i vérifie typiquement l’équation suivante : où J 1_bot,i (1) représente la première valeur précitée du courant J 1_bot,i , et J 1_bot,i (2) représente la deuxième valeur précitée du courant J 1_bot,i . ΔlnJ 1_bot,i vérifie typiquement l’équation suivante : où J 1_bot,i (1) représente également la première valeur précitée du courant J 1_bot,i , et J 1_bot,i (2) représente la deuxième valeur précitée du courant J 1_bot,i ; et ln représente l’opérateur mathématique logarithme népérien. Le fonctionnement du système de caractérisation 10 selon l’invention, et en particulier du dispositif de détermination 20, va être à présent décrit en regard de la FIG. 4 représentant un organigramme du procédé de détermination du paramètre électrique de la cellule photovoltaïque tandem 12, ledit procédé de détermination étant mis en œuvre par le dispositif électronique de détermination 20. Lors d’une étape 100, le dispositif d’injection 14 est commandé pour effectuer l’injection d’un premier signal d’excitation continue dans la cellule photovoltaïque 12. Lors de cette étape de commande 100, le dispositif électronique de détermination 20 commande par exemple, via son module de commande 40, le dispositif d’injection 14 pour effectuer cette injection. Lors de cette étape de commande 100, le dispositif d’injection 14 est en variante commandé manuellement par l’opérateur. Lors d’une étape suivante 110, le dispositif de détermination 20 acquiert alors, via son module d’acquisition 42 et le dispositif de mesure 16, un premier ensemble de N valeur(s) de luminescence de ladite cellule 12, et la valeur du courant total J ext , résultant du premier signal d’excitation continue, ainsi que la valeur du premier signal d’excitation continue, telle que la tension d’excitation continue V 2T . Le procédé retourne alors à l’étape de commande 100 lors de laquelle le dispositif d’injection 14 est commandé pour effectuer l’injection d’un deuxième signal d’excitation continue dans la cellule photovoltaïque 12, puis effectue l’étape suivante d’acquisition 110 lors de laquelle le module d’acquisition 42 acquiert, via le dispositif de mesure 16, un deuxième ensemble de N valeur(s) de luminescence de ladite cellule 12, résultant du deuxième signal d’excitation continue. Lors de l’étape de commande 100, chaque signal d’excitation continue est par exemple un signal d’excitation électrique, tel qu’une tension continue d’excitation électrique. Lors de l’étape de commande 100, chaque signal d’excitation appartient avantageusement à une plage de valeurs pour laquelle seulement une sous-cellule parmi la première sous-cellule 22 et la deuxième sous-cellule 26 présente une luminescence élevée, la luminescence de l’autre sous-cellule parmi la première sous-cellule 22 et la deuxième sous-cellule 26 étant faible pour ladite plage de valeurs du signal d’excitation. Selon cet aspect avantageux, la modélisation électrique équivalente de la cellule photovoltaïque tandem 12 lors de la luminescence différentielle est alors simplifiée, en particulier pour la sous-cellule présentant une luminescence faible. À l’issue de la commande 100 de l’injection des signaux successifs d’excitation continue dans la cellule photovoltaïque tandem 12, et de l’acquisition 110 des ensembles de N valeur(s) de luminescence de ladite cellule 12, chaque ensemble acquis de N valeur(s) de luminescence résultant d’un signal d’excitation continue respectif, le procédé passe à l’étape suivante 120 lors de laquelle le dispositif de détermination 20 calcule, via son module de calcul 44, l’ensemble de N valeur(s) du paramètre électrique à partir des ensembles acquis de N valeur(s) de luminescence. Le paramètre électrique déterminé via le procédé de détermination selon l’invention est par exemple la résistance de shunt Rsh top de la première sous-cellule 22, et l’étape de calcul 120 comporte alors typiquement la détermination d’un courant J 1_bot circulant dans la deuxième sous-cellule 26, à partir de chaque valeur acquise de luminescence et de la tension d’excitation continue V 2T correspondante, en particulier selon l’équation [Math 1] précédente la détermination du courant local J 1_bot,i circulant dans la surface de la cellule photovoltaïque 12 vue par le pixel d’indice i. L’étape de calcul 120 comporte ensuite l’évaluation de chaque valeur de ladite résistance de shunt Rsh top ,i , à partir d’une différence ΔJ 1_bot ,i entre lesdits courants et d’une différence ΔV 2T entre les tensions d’excitation continue correspondantes, par exemple selon l’équation [Math 2] précédente. Ainsi, le procédé de détermination et le dispositif de détermination 20 selon l’invention permettent de déterminer le paramètre électrique de la cellule photovoltaïque tandem 12, notamment à couche(s) mince(s), en particulier avec une couche mince pérovskite, par luminescence différentielle avec des signaux d’excitation continue, tels que des tensions d’excitation continue. Le dispositif de détermination 20 selon l’invention permet avantageusement de déterminer plusieurs valeurs du paramètre électrique pour plusieurs zones élémentaires correspondantes de la cellule photovoltaïque tandem 12, en particulier lorsque le dispositif de mesure 16 est le capteur matriciel, chaque pixel du capteur matriciel permettant alors la détermination d’une valeur respective du paramètre électrique pour une zone élémentaire respective de ladite cellule 12. On conçoit ainsi que le procédé de détermination et le dispositif de détermination 20 selon l’invention permettent de caractériser des cellules photovoltaïques tandem 12 notamment des cellules photovoltaïques tandem 12 avec une couche mince pérovskite. L’homme du métier observera que l’invention n’est pas limitée à une cellule photovoltaïque tandem 12 de type pérovskite/silicium mais pourrait particulièrement s’appliquer à tout type de cellule tandem ayant des couches minces avec des temps de réponse (>1s) à un signal d’excitation électrique ou lumineux, non instantanés ou réversibles, incluant notamment des matériaux semi-conducteurs organiques ou pérovskite. En outre, lorsque le dispositif de mesure 16 est le capteur matriciel d’images, chaque valeur de luminescence correspond à la valeur d’un pixel respectif de l’image, et chaque pixel représente alors une surface, ou zone, respective de la cellule photovoltaïque 12. Le procédé de détermination et le dispositif de détermination 20 selon l’invention permettent alors de caractériser la cellule photovoltaïque 12 avec une résolution en deux dimensions, et d’effectuer une cartographie en deux dimensions de la cellule photovoltaïque 12, le paramètre électrique étant déterminé pour chacune de ces zones respectives de la cellule photovoltaïque 12 et le découpage de la cellule 12 en zones étant matriciel similairement à la matrice de pixels formant l’image. Autrement dit, chaque valeur de l’ensemble calculé de N valeurs du paramètre électrique correspond alors à une zone respective de la cellule photovoltaïque 12. Le procédé de détermination et le dispositif de détermination 20 selon l’invention permettent donc une imagerie quantitative, le paramètre électrique étant déterminé à la bonne échelle et zone par zone de la cellule photovoltaïque 12, ce qui autorise avantageusement une interprétation de la caractérisation de la cellule photovoltaïque 12 sans recours à une référence. Procédé de détermination d’un paramètre électrique d’une cellule photovoltaïque tandem (12), la cellule photovoltaïque tandem (12) comprenant une première sous-cellule (22) incluant une couche (24) d’un premier matériau semi-conducteur, et une deuxième sous-cellule (26) incluant une couche (28) d’un deuxième matériau semi-conducteur, la première sous-cellule (22) étant disposée au-dessus de la deuxième sous-cellule (26), le deuxième matériau semi-conducteur ayant un gap optique différent de celui du premier matériau semi-conducteur, le procédé étant mis en œuvre par un dispositif électronique de détermination (20) et comprenant les étapes suivantes : - acquisition (110), via un dispositif de mesure (16), d’au moins deux ensembles de N valeur(s) de luminescence de ladite cellule (12), chaque ensemble acquis de N valeur(s) de luminescence résultant d’un signal d’excitation continue respectif, N étant un nombre entier supérieur ou égal à 1 ; et - calcul (120) d’un ensemble de N valeur(s) du paramètre électrique à partir des ensembles acquis de N valeur(s) de luminescence. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le dispositif de mesure (16) est un capteur matriciel d’images, chaque image (I1, I2) comportant plusieurs pixels ; et lors de l’étape d’acquisition (110), chaque valeur de luminescence correspond à la valeur d’un pixel respectif, N étant alors égal au nombre de pixels dans chaque image. Procédé selon l’une quelconque des revendications, dans lequel le procédé comprend en outre, avant l’étape d’acquisition (110), l’étape suivante : - commande (100), via un dispositif d’injection (14), d’une injection d’au moins deux signaux successifs d’excitation continue (Exc1, Exc2) dans la cellule photovoltaïque tandem (12). Procédé selon la revendication 3, dans lequel lors de l’étape de commande (100), chaque signal d’excitation appartient à une plage de valeurs pour laquelle seulement une sous-cellule parmi la première sous-cellule (22) et la deuxième sous-cellule (26) présente une luminescence élevée, la luminescence de l’autre sous-cellule parmi la première sous-cellule (22) et la deuxième sous-cellule (26) étant faible pour ladite plage de valeurs du signal d’excitation ; un ratio entre la luminescence élevée et la luminescence faible étant de préférence supérieur à 100. Procédé selon l’une quelconque des revendications, dans lequel le premier matériau semi-conducteur étant de préférence un matériau pérovskite ; le deuxième matériau semi-conducteur étant de préférence encore du silicium, tel qu’un silicium cristallin. Procédé selon l’une quelconque des revendications, dans lequel le paramètre électrique est choisi parmi le groupe comportant : une résistance de shunt d’une sous-cellule, une résistance série d’une sous-cellule, un courant de saturation d’une sous-cellule ; une fonction de collecte d’une sous cellule (22, 26) ; une conductance non-ohmique d’une sous cellule (22, 26) de type couche mince. Procédé selon l’une quelconque des revendications, dans lequel l’excitation continue (Exc1, Exc2) est une excitation électrique ou une excitation optique ; l’excitation électrique étant de préférence une tension. Procédé selon l’une quelconque des revendications, dans lequel le paramètre électrique est une résistance de shunt (Rsh top ,i ) de la première sous-cellule (22), l’excitation continue est une tension continue appliquée aux bornes (30) de la cellule photovoltaïque tandem (12), et l’étape de calcul (120) comporte la détermination d’un courant (J 1_bot ,i ) circulant dans la deuxième sous-cellule (26), à partir de chaque valeur acquise de luminescence, de la tension d’excitation continue (V 2T ) correspondante et d’un courant total (J ext ) traversant la cellule photovoltaïque tandem (12) ; puis l’évaluation de chaque valeur de ladite résistance de shunt (Rsh top ,i ), à partir d’une différence (ΔJ 1_bot ,i ) entre lesdits courants et d’une différence (ΔV 2T ) entre les tensions d’excitation continue correspondantes. Procédé selon les revendications 2 et 8, dans lequel le courant (J 1_bot,i ) est un courant local circulant dans une zone de la cellule photovoltaïque (12) vue par un pixel respectif ; la tension d’excitation continue (V 2T ) est la tension appliquée aux bornes (30) de la cellule photovoltaïque tandem (12) ; et la résistance de shunt (Rsh top,i ) de la première sous-cellule (22) est celle pour la zone de la cellule photovoltaïque (12) vue par ledit pixel respectif. Programme d’ordinateur comportant des instructions logicielles qui, lorsqu’elles sont exécutées par un ordinateur, mettent en œuvre un procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes. Dispositif électronique (20) de détermination d’un paramètre électrique d’une cellule photovoltaïque tandem (12), la cellule photovoltaïque tandem (12) comprenant une première sous-cellule (22) incluant une couche d’un premier matériau semi-conducteur, et une deuxième sous-cellule (26) incluant une couche d’un deuxième matériau semi-conducteur, la première sous-cellule (22) étant disposée au-dessus de la deuxième sous-cellule (26), le deuxième matériau semi-conducteur ayant un gap optique différent de celui du premier matériau semi-conducteur, le dispositif électronique de détermination (20) comprenant : - un module d’acquisition (42) configuré pour acquérir, via un dispositif de mesure (16), au moins deux ensembles de N valeur(s) de luminescence de ladite cellule (12), chaque ensemble acquis de N valeur(s) de luminescence résultant d’un signal d’excitation continue respectif, N étant un nombre entier supérieur ou égal à 1 ; et - un module de calcul (44) configuré pour calculer un ensemble de N valeur(s) du paramètre électrique à partir des ensembles acquis de N valeur(s) de luminescence. Dispositif électronique de détermination (20) selon la revendication 11, dans lequel le dispositif électronique de détermination (20) comprend en outre un module de commande (40) configuré pour commander, via un dispositif d’injection (14), une injection d’au moins deux signaux successifs d’excitation continue dans la cellule photovoltaïque tandem (12). Système (10) de caractérisation d’une cellule photovoltaïque tandem (12), la cellule photovoltaïque tandem (12) comprenant une première sous-cellule (22) incluant une couche d’un premier matériau semi-conducteur, et une deuxième sous-cellule (26) incluant une couche d’un deuxième matériau semi-conducteur, la première sous-cellule (22) étant disposée au-dessus de la deuxième sous-cellule (26), le deuxième matériau semi-conducteur ayant un gap optique différent de celui du premier matériau semi-conducteur, le système (10) comprenant : - un dispositif (14) d’injection d’un signal d’excitation continue dans la cellule (12) ; - un dispositif (16) de mesure d’une luminescence de la cellule (12) suite à l’injection du signal d’excitation continue ; et - un dispositif électronique (20) de détermination d’un paramètre électrique de la cellule (12), le dispositif électronique de détermination (20) étant selon la revendication 11 ou 12 et connecté au dispositif de mesure (16).