Brevet FR3154851A1 — publié le 20250502

Procédé de fabrication La présente description concerne un procédé de fabrication d'un dispositif électronique (1) comprenant une cellule mémoire à changement de phase, le procédé comprenant : la formation d'une première couche (18) en un matériau résistif ; la formation d'un empilement de couches (20, 22, 24) sur la première couche (18), l'empilement comprenant au moins une deuxième couche (20) en un matériau à changement de phase ; la gravure de l'empilement (20, 22, 24), ladite gravure s'arrêtant lorsque la première couche (18) est atteinte autour de l'emplacement de la cellule mémoire ; la formation d'un espaceur (28) sur les parois latérales de l'empilement ; puis une gravure de la première couche (18), de telle manière que l'empilement (20, 22, 24) repose sur une partie centrale de la première couche (18) et que l'espaceur repose sur une partie périphérique de la première couche. Figure pour l'abrégé : Fig. 1 Procédé de fabrication La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques et leurs procédés de fabrication et plus particulièrement les dispositifs mémoire à changement de phase. Dans une mémoire à changement de phase usuelle, chaque cellule mémoire comprend par exemple une couche de matériau à changement de phase qui est en contact avec un élément résistif. Les matériaux à changement de phase sont des matériaux qui peuvent basculer entre une phase cristalline et une phase amorphe. Ce basculement est provoqué par une augmentation de la température de l'élément résistif dans lequel on fait passer un courant électrique. La différence de résistance électrique entre la phase amorphe du matériau et sa phase cristalline est utilisée pour définir au moins deux états de mémoire, arbitrairement 0 et 1. Les mémoires sont généralement disposées sous forme de matrices, comprenant des lignes de mot ("wordline") et des lignes de bit ("bitline"), c'est-à-dire des lignes et des colonnes. Une cellule mémoire, contenant une information binaire, se situe à chaque croisement d'une ligne et d'une colonne. L'information contenue dans une cellule d'une mémoire à changement de phase est par exemple accédée, ou lue, en mesurant la résistance entre la ligne de bit et la ligne de mot de la cellule mémoire. Les cellules mémoire à changement de phase sont par exemple situées dans un réseau d'interconnexion. Par réseau d'interconnexion, on entend un empilement de couches isolantes, formées durant les étapes de fabrication dites "back end of line", dans lequel sont situées des pistes métalliques reliées entre elles par des vias conducteurs. De préférence, les niveaux du réseau d'interconnexion, comprenant chacun des pistes conductrices dans une couche isolante et des vias conducteurs dans une couche isolante, ont une hauteur constante. Certains procédés de fabrication de cellules mémoire à changement de phase comprennent une étape de gravure d'une couche métallique. La couche métallique est par exemple en un matériau gravable par les mêmes procédés de gravure que le matériau à changement de phase de la cellule mémoire. Ainsi, de tels procédés risquent d'entrainer une gravure involontaire du matériau à changement de phase, ce qui peut entrainer des réductions de performances. Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un dispositif électronique comprenant une cellule mémoire à changement de phase, le procédé comprenant : la formation d'une première couche en un matériau résistif ; la formation d'un empilement de couches sur la première couche, l'empilement comprenant au moins une deuxième couche en un matériau à changement de phase ; la gravure de l'empilement, ladite gravure s'arrêtant lorsque la première couche est atteinte autour de l'emplacement de la cellule mémoire ; la formation d'un espaceur sur les parois latérales de l'empilement ; puis une gravure de la première couche, de telle manière que l'empilement repose sur une partie centrale de la première couche et que l'espaceur repose sur une partie périphérique de la première couche. Un autre mode de réalisation prévoit un dispositif électronique comprenant une cellule mémoire, la cellule mémoire à changement de phase comprenant : une première couche en un matériau résistif ; un empilement de couches reposant sur une partie centrale de la première couche, l'empilement comprenant au moins une deuxième couche en un matériau à changement de phase ; et un espaceur reposant sur les parois latérales de l'empilement et sur une partie périphérique de la première couche. Selon un mode de réalisation, la deuxième couche est en contact avec la première couche. Selon un mode de réalisation, la première couche est entièrement recouverte par l'empilement et l'espaceur. Selon un mode de réalisation, la première couche est en un matériau ayant une résistivité supérieure à 10 mΩ/cm. Selon un mode de réalisation, la distance maximale entre une paroi interne de l'espaceur et une paroi externe de l'espaceur la plus proche est inférieure à 5 nm. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la première couche est comprise entre 2 nm et 3 nm. Selon un mode de réalisation, l'empilement comprend au moins une troisième couche en un matériau conducteur recouvrant la deuxième couche. Selon un mode de réalisation, l'empilement comprend au moins une quatrième couche en un matériau isolant recouvrant la troisième couche. Selon un mode de réalisation, la deuxième couche est en un alliage comprenant au moins un élément chalcogène. Selon un mode de réalisation, la première couche est en contact avec un élément résistif en forme de L. Selon un mode de réalisation, la première couche est en un métal réfractaire et/ou un nitrure de métal réfractaire, par exemple en tantale, en tungstène, en TiSiN, en TiN ou en TaN. Selon un mode de réalisation, l'espaceur est en SiCl4, en SiN ou en SiC. Selon un mode de réalisation, la formation de l'espaceur est effectuée dans la même enceinte que l'étape de gravure de l'empilement, le dispositif n'ayant pas été retiré de l'enceinte entre les étapes. Selon un mode de réalisation, la gravure de l'empilement forme un motif de l'empilement sur la première couche. Selon un mode de réalisation, l'étape de gravure de l'empilement est précédée de la formation d'un masque de gravure recouvrant l'emplacement de la cellule mémoire. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 représente un mode de réalisation d'un dispositif comprenant une cellule mémoire ; la FIG. 2 illustre une étape d'un procédé de fabrication d'un dispositif électronique ; la FIG. 3 illustre une autre étape d'un procédé de fabrication d'un dispositif électronique ; la FIG. 4 illustre une autre étape d'un procédé de fabrication d'un dispositif électronique ; la FIG. 5 illustre une autre étape d'un procédé de fabrication d'un dispositif électronique ; et la FIG. 6 illustre une autre étape d'un procédé de fabrication d'un dispositif électronique. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. La FIG. 1 représente un mode de réalisation d'un dispositif comprenant une cellule mémoire 1. Le dispositif comprend une couche isolante 10 située, par exemple sur un substrat non représenté. Un élément conducteur 12, par exemple un via ou un mur, est situé dans la couche 10. L'élément 12 traverse la couche 10 d'une face supérieure à une face inférieure, par exemple de manière à atteindre le substrat en contact avec la face inférieure. Le dispositif comprend en outre un élément résistif 14, ayant par exemple une forme de L. Plus précisément, le dispositif comprend une couche isolante 16 traversée par l'élément résistif 14 de manière à atteindre l'élément conducteur 12. L'élément 14 comprend par exemple une partie horizontale reposant sur l'élément 12 et une partie verticale s'étendant entre les faces inférieure et supérieure de la couche 16, de manière à être en contact avec l'élément 12 et à avoir une extrémité affleurant la face supérieure de la couche 16. Le dispositif comprend en outre une couche 18. La couche 18 recouvre partiellement la couche 16. Plus précisément, le couche 18 recouvre, et est en contact avec, l'extrémité supérieure de l'élément 14 affleurant la face supérieure de la couche 16, et la face supérieure de la couche 16 entourant l'extrémité supérieure de l'élément 14. La couche 18 est de préférence une couche plane. La couche 18 a de préférence une épaisseur constante. La couche 18 a par exemple une épaisseur comprise entre 2 nm et 3 nm. La couche 18 est en un matériau, de préférence un métal, ayant une forte résistivité. Autrement dit, la couche 18 a une résistivité au moins égale à 10 mΩ/cm. La couche 18 est de préférence en le même matériau que le matériau de l'élément résistif 14. La couche 18 est par exemple en un métal réfractaire et/ou un nitrure de métal réfractaire. La couche 18 est par exemple en tantale, en tungstène, en TiSiN, en TiN ou en TaN. Le dispositif comprend en outre un empilement de couches comprenant au moins une couche 20 en un matériau à changement de phase. Dans l'exemple de la FIG. 1 , ledit empilement comprend en outre une couche 22 et une couche 24. Les couches 20, 22, 24 ont de préférence des dimensions latérales sensiblement identiques. Les parois latérales des couches 20, 22, 24 sont de préférence coplanaires. La couche 18 recouvre une partie centrale de la couche 14. Ainsi, une partie centrale de la face supérieure de la couche 18 est recouverte par, et en contact avec, la couche 20. Une partie périphérique de la face supérieure de la couche 18 n'est pas recouverte par la couche 20. La partie périphérique n'est pas recouverte par les couches 22 ou 24. La partie périphérique entoure entièrement la partie centrale. La couche 20 est en un matériau à changement de phase, c’est-à-dire un matériau changeant de phase lorsque la couche 20 est soumise à un courant de programmation ayant une valeur supérieure à un seuil. La couche 20 est par exemple en un matériau homogène, c'est-à-dire chaque portion de la couche 20 est en le même matériau, de préférence en les mêmes proportions. La couche 20 comprend de préférence un élément chimique de la famille des chalcogènes. La famille des chalcogènes comprend plus précisément l'oxygène, le soufre, le sélénium, le tellure et le polonium. La couche 20 est par exemple un élément chalcogène seul ou, de préférence, un alliage comprenant un élément chalcogène. La couche 20 est par exemple en un alliage de germanium, d'antimoine et de tellure. La couche 20 est par exemple en un alliage de germanium et de tellure. De manière plus générale, la couche 20 est par exemple en un alliage de germanium et d'au moins un autre élément chimique d'au moins une des colonnes 13, 14, 15, et 16 du tableau périodique des éléments. On considère que les éléments de la colonne 13 sont le bore, l'aluminium, le gallium, l'indium, le thallium et le nihonium. On considère que les éléments de la colonne 14 sont le carbone, le silicium, le germanium, l'étain, le plomb et le flérovium. On considère que les éléments de la colonne 15 sont l'azote, le phosphore, l'arsenic, l'antimoine, le bismuth et le moscovium. On considère que les éléments de la colonne 16 sont l'oxygène, le souffre, le sélénium, le tellure, le polonium et le livermorium. La couche 20 a de préférence une épaisseur constante. La couche 20 a par exemple une épaisseur comprise entre 40 nm et 60 nm. La couche 22 recouvre, de préférence entièrement, la couche 20. La couche 22 est de préférence entièrement en contact avec la couche 20. La couche 22 est une couche conductrice, par exemple en métal, par exemple en nitrure de titane. La couche 24 recouvre, de préférence entièrement, la couche 22. La couche 24 est de préférence entièrement en contact avec la couche 22. La couche 24 est une couche isolante, par exemple en nitrure de silicium. Le dispositif comprend des espaceurs 28 s'étendant sur les parois latérales des couches 20, 22, 24. Les espaceurs 28 sont en un matériau isolant, par exemple en SiCl4, en SiN, ou en SiC. Les espaceurs 28 s'étendent au moins sur les parois latérales de la couche 20. Les espaceurs 28 s'étendent depuis la face supérieure de la couche 18. Les espaceurs 28 s'étendent au moins jusqu'au niveau de la face supérieure de la couche 20. Dans l'exemple de la FIG. 4 , les espaceurs 28 s'étendent jusqu'au niveau de la face supérieure de la couche 24. L'épaisseur maximale des espaceurs 28, c’est-à-dire la distance maximale entre une paroi interne d'un espaceurs et la paroi externe la plus proche, est de préférence inférieure à 5 nm, de préférence comprise entre 2 nm et 3 nm. Par paroi interne, on entend la paroi en contact avec les couches 20, 22, 24. Par paroi externe, on entend la paroi opposée à la paroi interne, c’est-à-dire la paroi n'étant en contact ni avec la couche 18 ni avec les couches 20, 22, 24. Les espaceurs 28 recouvre entièrement la partie périphérique de la face supérieure de la couche 18. La face supérieure de la couche 18 est ainsi entièrement recouverte par la couche 20 et les espaceurs 28. Le dispositif comprend en outre une couche de passivation 30 sur la cellule mémoire. La couche 30 est en un matériau isolant, par exemple du nitrure de silicium ou du carbure de silicium. La couche 30 recouvre, de préférence de manière conforme, la face supérieure de la couche 16, les parois latérales de la couche 18, les espaceurs 28 et la face supérieure de la couche 24. Les figures 2 à 6 illustrent des étapes, de préférence successives, d'un procédé de fabrication d'un dispositif électronique comprenant une mémoire. Plus précisément, les figures 1 à 6 illustre un mode de mise en oeuvre d'un procédé de fabrication d'une cellule mémoire du dispositif. Le procédé décrit peut bien entendu être utilisé pour fabriquer une pluralité de cellules mémoire. La FIG. 2 illustre une étape d'un procédé de fabrication d'un dispositif électronique. Au cours de cette étape, une couche isolante 10 est formée, par exemple sur un substrat non représenté. Un élément conducteur 12, par exemple un via ou un mur, est formé dans la couche 10. L'élément 12 traverse la couche 10 d'une face supérieure à une face inférieure, par exemple de manière à atteindre le substrat en contact avec la face inférieure. L'étape de la FIG. 2 comprend en outre la formation d'un élément résistif 14, ayant par exemple une forme de L. Plus précisément, l'étape de la FIG. 2 comprend la formation d'une couche isolante 16 et la formation de l'élément résistif 14 traversant la couche 16 et atteignant l'élément conducteur 12. L'élément 14 comprend par exemple une partie horizontale reposant sur l'élément 12 et une partie verticale s'étendant entre les faces inférieure et supérieure de la couche 16, de manière à être en contact avec l'élément 12 et à avoir une extrémité affleurant la face supérieure de la couche 16. L'étape de la FIG. 2 comprend en outre la formation d'un empilement 17 de couches sur la couche 16 et sur l'extrémité supérieure de l'élément 14. L'empilement 17 est par exemple formé sur l'ensemble de la structure résultant de la formation de la couche 16 et de l'élément 14. L'empilement 17 recouvre au moins les emplacements des cellules mémoire. L'empilement 17 comprend une couche inférieure 18. La couche 18 est ainsi la couche de l'empilement 17 la plus proche de la couche 16. Plus précisément, la couche 18 recouvre la couche 16 et l'extrémité supérieure de l'élément 14. La couche 18 recouvre de préférence entièrement la face supérieure de la couche 16, c'est-à-dire la face de la couche 16 la plus éloignée de la couche 10. La couche 18 recouvre, et est en contact avec, l'extrémité de la partie verticale de l'élément 14 affleurant la face supérieure de la couche 16. La couche 18 est de préférence une couche plane. La couche 18 a de préférence une épaisseur constante. La couche 18 a par exemple une épaisseur comprise entre 2 nm et 3 nm. La couche 18 est en un matériau, de préférence un métal, ayant une forte résistivité. Autrement dit, la couche 18 a une résistivité au moins égale à 10 mΩ/cm. La couche 18 est de préférence en le même matériau que le matériau de l'élément résistif 14. La couche 18 est par exemple en un métal réfractaire et/ou un nitrure de métal réfractaire. La couche 18 est par exemple en tantale, en tungstène, en TiSiN, en TiN ou en TaN. L'empilement 17 comprend une couche 20. La couche 20 est en un matériau à changement de phase, c’est-à-dire un matériau changeant de phase lorsque la couche 20 est soumise à un courant de programmation ayant une valeur supérieure à un seuil. La couche 20 recouvre, de préférence entièrement, la couche 18. La couche 20 est de préférence entièrement en contact avec la couche 18. La couche 20 est par exemple en un matériau homogène, c'est-à-dire chaque portion de la couche 20 est en le même matériau, de préférence en les mêmes proportions. La couche 20 comprend de préférence un élément chimique de la famille des chalcogènes. La famille des chalcogènes comprend plus précisément l'oxygène, le soufre, le sélénium, le tellure et le polonium. La couche 20 est par exemple un élément chalcogène seul ou, de préférence, un alliage comprenant un élément chalcogène. La couche 20 est par exemple en un alliage de germanium, d'antimoine et de tellure. La couche 20 est par exemple en un alliage de germanium et de tellure. De manière plus générale, la couche 20 est par exemple en un alliage comprenant au moins du germanium et un élément chalcogène. La couche 20 est par exemple en un alliage comprenant du germanium, un élément chalcogène et au moins un élément des colonnes 13, 14, 15, 16 du tableau périodique des éléments. La couche 20 a de préférence une épaisseur constante. La couche 20 a par exemple une épaisseur comprise entre 40 nm et 60 nm. L'empilement 17 peut comprendre une couche 22. La couche 22 recouvre, de préférence entièrement, la couche 20. La couche 22 est de préférence entièrement en contact avec la couche 20. La couche 20 est une couche conductrice, par exemple en métal, par exemple en nitrure de titane. L'empilement 17 peut comprendre une couche 24. La couche 24 recouvre, de préférence entièrement, la couche 22. La couche 24 est de préférence entièrement en contact avec la couche 22. La couche 24 est une couche isolante, par exemple en nitrure de silicium. La FIG. 3 illustre une autre étape d'un procédé de fabrication d'un dispositif électronique. Au cours de cette étape, l'empilement 17, à l'exception de la couche 18, est gravé en dehors des emplacements des cellules mémoire. Autrement dit, dans l'exemple de la FIG. 3 , les couches 20, 22, 24 sont gravées autour de l'emplacement de la cellule mémoire. Ainsi, l'étape de la FIG. 3 comprend par exemple une étape de gravure, jusqu'à la face supérieure de la couche 18, de l'empilement 17 dans laquelle les portions de l'empilement 17 situées entre les colonnes de cellules mémoire sont gravées et une étape de gravure, jusqu'à la face supérieure de la couche 18, de l'empilement 17 dans laquelle les portions de l'empilement 17 situées entre les lignes de cellules mémoire sont gravées. La gravure effectuée à l'étape de la FIG. 3 est configurée pour atteindre la face supérieure de la couche 18. La couche 18 n'est pas gravée au cours de l'étape de la FIG. 3 . La FIG. 4 illustre une autre étape d'un procédé de fabrication d'un dispositif électronique. Au cours de cette étape, une couche 26 est formée de manière conforme sur la structure résultant de l'étape de la FIG. 3 . La couche 26 recouvre de préférence toute la structure résultant de l'étape de la FIG. 3 . La couche 26 recouvre en particulier, la face supérieure de la couche 18, les parois latérales des couches de l'empilement 17 ayant été gravées aux cours de l'étape de la FIG. 3 , la face supérieure de la couche supérieure de l'empilent 17, c'est-à-dire la couche 24 dans l'exemple de la FIG. 4 . La couche 26 est en un matériau isolant. La couche 26 est par exemple en nitrure de silicium. La couche 26 correspond par exemple à un empilement d'une ou plusieurs couches en nitrure de silicium et d'une ou plusieurs couches en carbure de silicium. La couche 26 a de préférence une épaisseur inférieure à 5 nm, par exemple comprise entre 2 nm et 3 nm. Selon un premier mode de réalisation, la couche 26 est formée ex situ, c'est-à-dire en dehors de l'enceinte dans laquelle est effectuée l'étape de gravure de la FIG. 3 . La couche est alors formée en déposant une couche de nitrure de silicium ou des couches en nitrure de silicium et en carbure de silicium. Selon un deuxième de mode de réalisation, la couche 26 est formée in situ, c'est-à-dire dans l'enceinte dans laquelle est effectuée l'étape de gravure de la FIG. 3 . De préférence, la structure résultant de l'étape de la FIG. 3 n'est pas sortie de ladite enceinte entre l'étape de la FIG. 3 et la formation de la couche 26. La formation de la couche 26, comprenant par exemple du silicium, de l'azote et du chlore, comprend par exemple la formation d'un plasma et l'application de gaz SiCl4 et N2. La FIG. 5 illustre une autre étape d'un procédé de fabrication d'un dispositif électronique. L'étape de la FIG. 5 comprend une étape de gravure anisotrope de la couche 26. Plus précisément, l'étape de la FIG. 5 comprend la formation d'espaceurs 28 s'étendant par exemple sur les parois latérales des couches 20, 22, 24. Les espaceurs 28 s'étendent au moins sur les parois latérales de la couche 20. Les espaceurs 28 s'étendent depuis la face supérieure de la couche 18. Les espaceurs 28 s'étendent au moins jusqu'au niveau de la face supérieure de la couche 20. Dans l'exemple de la FIG. 5 , les espaceurs 28 s'étendent jusqu'au niveau de la face supérieure de la couche 24. L'épaisseur maximale des espaceurs 28, c’est-à-dire la distance maximale entre une paroi interne d'un espaceur et la paroi externe la plus proche, est de préférence inférieure à 5 nm, de préférence comprise entre 2 nm et 3 nm. Par paroi interne, on entend la paroi en contact avec les couches 20, 22, 24. Par paroi externe, on entend la paroi opposée à la paroi interne, c’est-à-dire la paroi n'étant en contact ni avec la couche 18 ni avec les couches 20, 22, 24. La FIG. 6 illustre une autre étape d'un procédé de fabrication d'un dispositif électronique. L'étape de la FIG. 6 comprend une gravure partielle de la couche 18. Plus précisément, les portions de la couche 18 entourant les cellules sont gravées. Autrement dit, les portions de la couche 18 n'étant pas protégées par les espaceurs 28 et les couches 20, 22, 24 sont gravées. Le procédé de gravure de la couche 18 est par exemple une gravure chimique, par exemple à base de chlore. La gravure de la couche 18 est de préférence effectuée par le même procédé de gravure que celui utilisé pour graver les couches 20, 22, 24. La gravure est de préférence une gravure sélective du matériau de la couche 18 par rapport au matériau de la couche 24 et au matériau des espaceurs 28. Par sélective, on entend que la gravure grave le matériau de la couche 18 au moins deux fois plus vite que les matériaux de la couche 24 et des espaceurs 28. La couche 18 comprend des parois latérales coplanaires avec les parois externes des parties inférieures des espaceurs. La couche 18 est ainsi entièrement recouverte par les espaceurs et la couche 20. Le procédé comprend en outre une étape postérieure à l'étape de la FIG. 6 . Au cours de cette étape, une couche de passivation, non représentée, est formée sur la cellule mémoire. Plus précisément, une couche en un matériau isolant, par exemple du nitrure de silicium ou du carbure de silicium, est formée, de préférence de manière conforme, sur la structure résultant de l'étape de la FIG. 5 . La couche recouvre ainsi la face supérieure de la couche 16, les parois latérales de la couche 18, les espaceurs 28 et la face supérieure de la couche 24. On aurait pu choisir de ne pas former les espaceurs 28 et de graver la couche 18 en même temps que le reste de l'empilement 17. Cependant, le matériau des couches 20, 22, 24 est gravé plus rapidement que le matériau de la couche 18. Ainsi, durant la gravure de la couche 18, la couche 20 située dans l'emplacement de la cellule mémoire serait gravée à partir des parois latérales. Le profil de la cellule et ses dimensions critiques ne correspondraient alors pas aux valeurs visées. De plus, il pourrait y avoir une variation des dimensions critiques et du profil entre les cellules d'un même dispositif. Un avantage des modes de réalisation décrits est qu'il est possible de graver l'empilement comprenant la couche fortement résistive et le matériau à changement de phase sans causer de dommage sur la couche de matériau à changement de phase. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Enfin, la mise en œuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Procédé de fabrication d'un dispositif électronique (1) comprenant une cellule mémoire à changement de phase, le procédé comprenant : la formation d'une première couche (18) en un matériau résistif ; la formation d'un empilement de couches (20, 22, 24) sur la première couche (18), l'empilement comprenant au moins une deuxième couche (20) en un matériau à changement de phase ; la gravure de l'empilement (20, 22, 24), ladite gravure s'arrêtant lorsque la première couche (18) est atteinte autour de l'emplacement de la cellule mémoire ; la formation d'un espaceur (28) sur les parois latérales de l'empilement (20, 22, 24) ; puis une gravure de la première couche (18), de telle manière que l'empilement (20, 22, 24) repose sur une partie centrale de la première couche (18) et que l'espaceur (28) repose sur une partie périphérique de la première couche (18). Dispositif électronique (1) comprenant une cellule mémoire, la cellule mémoire à changement de phase comprenant : une première couche (18) en un matériau résistif ; un empilement de couches (20, 22, 24) reposant sur une partie centrale de la première couche (18), l'empilement comprenant au moins une deuxième couche (20) en un matériau à changement de phase ; et un espaceur (28) reposant sur les parois latérales de l'empilement et sur une partie périphérique de la première couche (18). Procédé selon la revendication 1 ou dispositif selon la revendication 2, dans lequel la deuxième couche (20) est en contact avec la première couche (18). Procédé selon la revendication 1 ou 3 ou dispositif selon la revendication 2 ou 3, dans lequel la première couche (18) est entièrement recouverte par l'empilement (20, 22, 24) et l'espaceur (28). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1, 3 ou 4 ou dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, dans lequel la première couche (18) est en un matériau ayant une résistivité supérieure à 10 mΩ/cm. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1, 3 à 5 ou dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 5, dans lequel la distance maximale entre une paroi interne de l'espaceur (28) et une paroi externe de l'espaceur (28) la plus proche est inférieure à 5 nm. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1, 3 à 6 ou dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 6, dans lequel l'épaisseur de la première couche (18) est comprise entre 2 nm et 3 nm. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1, 3 à 7 ou dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 7, dans lequel l'empilement (20, 22, 24) comprend au moins une troisième couche (22) en un matériau conducteur recouvrant la deuxième couche (20). Procédé ou dispositif selon la revendication 8, dans lequel l'empilement (20, 22, 24) comprend au moins une quatrième couche (24) en un matériau isolant recouvrant la troisième couche (22). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1, 3 à 9 ou dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 9, dans lequel la deuxième couche (20) est en un alliage comprenant au moins un élément chalcogène. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1, 3 à 10 ou dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 10, dans lequel la première couche (18) est en contact avec un élément résistif (14) en forme de L. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1, 3 à 11 ou dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 11, dans lequel la première couche (18) est en un métal réfractaire et/ou un nitrure de métal réfractaire, par exemple en tantale, en tungstène, en TiSiN, en TiN ou en TaN. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1, 3 à 12 ou dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 12, dans lequel l'espaceur est (28) en SiCl4, en SiN ou en SiC. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1, 3 à 13, dans lequel la formation de l'espaceur (28) est effectuée dans la même enceinte que l'étape de gravure de l'empilement (20, 22, 24), le dispositif n'ayant pas été retiré de l'enceinte entre les étapes. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1, 3 à 14, dans lequel la gravure de l'empilement (20, 22, 24) forme un motif de l'empilement sur la première couche (18). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1, 3 à 15, dans lequel l'étape de gravure de l'empilement est précédée de la formation d'un masque de gravure recouvrant l'emplacement de la cellule mémoire.