Brevet FR3163771A1 — publié le 20251226

Dispositif électronique comprenant une photodiode à base de boîtes quantiques La présente description concerne un dispositif comprenant un empilement constitué au moins : - d’une première photodiode (312) en silicium ; et - d’une deuxième photodiode (316) à base de boîtes quantiques ; la première photodiode étant agencée entre un côté de l’empilement configuré pour recevoir une lumière incidente et la deuxième photodiode (316). Figure pour l'abrégé : Fig. 2 Dispositif électronique comprenant une photodiode à base de boîtes quantiques La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques et plus précisément les dispositif optoélectroniques comprenant des photodiodes ainsi que les procédés associés. Une photodiode est un composant semi-conducteur ayant la capacité de capter un rayonnement du domaine optique et de le transformer en signal électrique. Dans un type de photodiodes commun, la zone de charge d'espace est située dans un matériau semiconducteur, généralement du silicium. Cependant, le silicium est peu réactif aux longueurs d'onde de l'infrarouge proche (NIR – Near Infra Red) et l'infrarouge court (SWIR - Short-Wave Infrared). Il existe un besoin de fournir des dispositifs à la fois sensibles à des longueurs d’onde du domaine visible et des longueurs d’onde de l’infrarouge. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs connus. Un mode de réalisation prévoit un dispositif comprenant un empilement constitué au moins : - d’une première photodiode en silicium ; et - d’une deuxième photodiode à base de boîtes quantiques ; la première photodiode étant agencée entre un côté de l’empilement configuré pour recevoir une lumière incidente et la deuxième photodiode. Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d’un dispositif comprenant : - la formation d’une première photodiode en silicium ; puis - la formation d’une deuxième photodiode à base de boîtes quantiques de sorte à former un empilement avec la première photodiode ; la première photodiode étant agencée entre un côté de l’empilement configuré pour recevoir une lumière incidente et la deuxième photodiode. Dans un mode de réalisation, le dispositif comprend un premier filtre, intercalé entre la première photodiode et la deuxième photodiode, et configuré pour laisser passer des longueurs d’onde infrarouge et réfléchir des longueurs d’onde visibles. Dans un mode de réalisation, le dispositif comprend au moins un deuxième filtre, d’une première couleur du domaine visible, ne laissant passer que les longueurs d’onde de ladite première couleur et des longueurs d’onde infrarouges. Dans un mode de réalisation, la première photodiode est sensible uniquement à des longueurs d’onde du domaine visible. Dans un mode de réalisation, la deuxième photodiode est sensible principalement à l’infrarouge. Dans un mode de réalisation, ladite deuxième photodiode comprend une première couche comprenant les boîtes quantiques et dopée d’un premier type de conductivité, et une deuxième couche configurée pour conduire des trous issus de la première couche. Dans un mode de réalisation, ladite deuxième photodiode comprend une troisième couche comprenant des boîtes quantiques et dopée d’un deuxième type de conductivité, et agencée entre ladite première couche et ladite deuxième couche. Dans un mode de réalisation, le dispositif comprend un niveau d’interconnexions comprenant des interconnexions conductrices agencé entre la première photodiode et le deuxième filtre ; dans lequel un premier via conducteur, isolé de la première photodiode, relie, à travers la première photodiode et à travers le premier filtre, la deuxième photodiode au niveau d’interconnexions. Dans un mode de réalisation, la deuxième photodiode comprend une quatrième couche configurée pour conduire des électrons et bloquer la conduction de trous, et pour relier la première couche au premier via. Dans un mode de réalisation, ledit premier via comprend une première portion en polysilicium et une deuxième portion en matériau métallique, ladite deuxième portion étant agencée entre la première portion et la quatrième couche. Dans un mode de réalisation, ledit matériau métallique a un travail de sortie adapté pour faciliter l’extraction d’électrons. Dans un mode de réalisation, ledit premier via est en silicium et avec le premier ou le deuxième type de conductivité, ledit premier via étant en contact avec ladite première couche. Dans un mode de réalisation, la première photodiode comprend une première région dopée selon le premier type de conductivité, une deuxième région dopée selon un deuxième type de conductivité, et une troisième région, formée dans la première région et dopée selon le premier type de conductivité avec une concentration en dopants supérieure à celle de la première région ; la deuxième région étant agencée entre le premier filtre et la première région ; la troisième région étant agencée en contact du niveau d’interconnexions. Dans un mode de réalisation, ledit premier filtre est un filtre interférentiel comprenant une alternance périodique d’une couche de SiON d’environ 125 nm et d’une couche de silicium amorphe d’environ 50 nm. Dans un mode de réalisation, le dispositif comprend : - un deuxième empilement d’une troisième photodiode en silicium, et d’une quatrième photodiode à base de boîtes quantiques, la troisième photodiode étant agencée entre un côté du deuxième empilement configuré pour recevoir une lumière incidente et la quatrième photodiode ; - un troisième filtre interférentiel, intercalé entre la troisième photodiode et la quatrième photodiode, et configuré pour laisser passer des longueurs d’onde infrarouge et réfléchir des longueurs d’onde du domaine visible ; - un quatrième filtre, d’une deuxième couleur du domaine visible différente de la première couleur, ne laissant passer que les longueurs d’onde de ladite deuxième couleur et des longueurs d’onde infrarouges. Dans un mode de réalisation, le deuxième et le quatrième filtre sont des filtres interférentiels. Dans un mode de réalisation : - le deuxième filtre ne laisse passer que les longueurs d’onde de ladite première couleur et des longueurs d’onde infrarouges auxquelles la deuxième photodiode est sensible ; et - le quatrième filtre ne laisse passer que les longueurs d’onde de ladite deuxième couleur et des longueurs d’onde infrarouges auxquelles la quatrième photodiode est sensible. Dans un mode de réalisation, le premier filtre et le troisième filtre laissent passer des longueurs d’onde infrarouge différentes. Un mode de réalisation prévoit un procédé d’utilisation du dispositif décrit ci-dessus, comprenant l’acquisition d’images dans le visible à partir de ladite première photodiode et dans l’infrarouge à partir de ladite deuxième photodiode . Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 représente une vue en perspective schématique d’un exemple de dispositif électronique selon un mode de réalisation ; la FIG. 2 représente une vue en coupe selon un plan A-A d’un exemple de dispositif électronique selon un mode de réalisation ; la FIG. 3 représente une vue en coupe selon le plan A-A d’un exemple de dispositif électronique selon un autre mode de réalisation ; la FIG. 4 représente une vue en coupe selon un plan B-B de l’exemple de la FIG. 2 ; la FIG. 5 représente un graphe de transmittance en fonction de la longueur d’onde des exemples des figures 1 à 3 ; la FIG. 5 représente un graphe d’absorbance en fonction de la longueur d’onde des exemples des figures 1 à 3 ; la FIG. 5 représente un graphe de transmittance en fonction de la longueur d’onde des exemples des figures 1 à 3 ; la FIG. 5 représente un graphe d’absorbance en fonction de la longueur d’onde des exemples des figures 1 à 3 ; la FIG. 6 représente une vue en coupe selon le plan A-A d’un exemple de dispositif électronique selon un autre mode de réalisation ; la FIG. 7 représente une vue en coupe selon le plan A-A d’un exemple de dispositif électronique selon un autre mode de réalisation ; la FIG. 8 représente des graphes d’absorbance en fonction de la longueur d’onde de l’exemple de la FIG. 7 ; la FIG. 8 représente des graphes de transmittance en fonction de la longueur d’onde de l’exemple de la FIG. 7 ; la FIG. 8 représente des graphes d’absorbance en fonction de la longueur d’onde de l’exemple de la FIG. 7 ; la FIG. 9 représente une vue élargie de la FIG. 2 selon un mode de réalisation ; et la FIG. 10 représente une vue élargie de la FIG. 2 selon un autre mode de réalisation. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % ou à 10° près, de préférence à 5 % ou à 5° près. La détection de lumière, par exemple multispectrale à la fois dans le visible et dans l’infrarouge, peut être envisagée en utilisant un canal simple ou des canaux multiples avec des photodiodes toutes à base de boîtes quantiques. Cependant, le niveau de détection dans le visible est plus faible pour les boîtes quantiques que dans l’infrarouge de par les courants d’obscurités générés. La mise en oeuvre de ce ou ces canaux, mais avec du silicium à la place des boîtes quantiques, n’est pas efficace puisque le silicium n’est pas sensible aux infrarouges par exemple pour des longueurs d’onde au-delà de 1100 nm. Il pourrait être envisagé d’utiliser une couche semiconductrice sans boîtes quantiques pour la détection dans le domaine infrarouge par exemple avec du SiGe ou encore du InGaAs, cependant il est extrêmement difficile d’obtenir ces matériaux de façon satisfaisante et assez peu chère à partir d’un substrat silicium. De plus, le SiGe a un niveau de détection assez réduit en comparaison des boîtes quantiques. Des solutions d’assemblages de plusieurs substrats pourraient être envisagées mais elles sont couteuses. Enfin, l’intégration de couches à boîtes quantiques sensibles dans le proche infrarouge, sur une face avant d’un dispositif, donne lieu à une absorption d’une partie du rayonnement visible arrivant sur cette face avant. L’intégration de couches à boîtes quantiques sensibles dans le proche infrarouge, sur une face arrière d’un dispositif, mais avec une illumination par la face arrière, donne lieu également à une atténuation de la lumière visible détectable. Pour pallier à ces inconvénients, les modes de réalisation décrits prévoient un dispositif comprenant un empilement constitué au moins : - d’une première photodiode en silicium ; et - d’une deuxième photodiode à base de boîtes quantiques ; la première photodiode étant agencée entre un côté de l’empilement configuré pour recevoir une lumière incidente et la deuxième photodiode. Cela permet d’obtenir à la fois une détection de lumière visible performante avec une photodiode à base de silicium, et une détection performante dans l’infrarouge avec une photodiode à base de boites quantiques, et ce à des coûts limités. Cela permet en outre d’obtenir un dispositif qui pourra à la fois fonctionner comme un détecteur de lumière ambiante multispectral tout en intégrant un capteur de proximité fonctionnant avec les longueurs d’ondes infrarouges comme par exemple les longueurs d’onde 1130 ou 1360 nm. Dans le texte, le domaine infrarouge comprend par exemple les longueurs d’onde infrarouge court (SWIR). En d’autres termes, dans le texte, l’infrarouge comprend par exemple des longueurs d’onde supérieures ou égales à 1 µm, par exemple 1,1 µm, 1,130 µm, ou encore 1360 nm. L’infrarouge proche (NIR) dont les longueurs d’onde s’étendent entre 780 et 1 µm pourra également être considéré dans les exemples suivants, par exemple en modifiant la taille ou la nature de boîtes quantiques. La FIG. 1 représente une vue en perspective schématique d’un exemple de dispositif électronique 300 selon un mode de réalisation. Le dispositif électronique 300 est par exemple un capteur de lumière ambiante pour l’analyse spectrale visible et en même temps un capteur de proximité en exploitant spécifiquement le spectre infrarouge court. Dans l’exemple représenté, plusieurs canaux optiques de détection 352, 354, 356, 358, 360 sont adjacents. Un canal optique peut être vu comme un pixel assez large. Dans l’exemple représenté, chacun de ces canaux 352, 354, 356, 358, 360 comprend une première région ou photodiode 312 formée dans un matériau semiconducteur, comme le silicium, et par exemple à base d’une monojonction. En outre les canaux 352, 354, 356, 358, 360 comprennent par exemple une deuxième région ou photodiode 316, agencée au moins en partie à l’aplomb de la première photodiode 312 de sorte à former un empilement. La photodiode 316 est à base de boîtes quantiques. Dans un exemple, chaque canal 352, 354, 356, 358, 360 est isolé (ou séparé) du canal adjacent par un isolant électrique et/ou optique et/ou une tranchée. Dans un autre exemple, chaque canal est assez large pour ne pas nécessiter de séparateur ou d’isolant entre canaux adjacents. Les canaux 352, 354, 356, 358, 360 comprennent également par exemple un filtre optique 314 ou élément d’aiguillage optique 314. Le filtre 314 est configuré pour laisser passer des longueurs d’onde infrarouge, notamment infrarouge court vers la deuxième photodiode 316 située au-dessous, et rediriger les longueurs d’onde visibles vers la première photodiode 312. En d’autres termes, le filtre 314 est configuré pour, par exemple, dévier avec un certain angle des longueurs d’onde du domaine visible qui ont traversé la première photodiode sans être absorbées et laisser passer ou dévier avec un autre angle très faible des longueurs d’onde du domaine infrarouge. De cette façon, les longueurs d’onde infrarouge sont dirigées vers la deuxième photodiode 316, alors que les longueurs d’onde visibles sont renvoyées vers la première photodiode 312. Dans un exemple, le filtre optique 314 est un premier filtre 314 interférentiel, par exemple un miroir de Bragg (Distributed Bragg reflector en anglais) qui est intercalé entre la première région 312 et la deuxième région 316. Dans un exemple, un même premier filtre 314 est commun aux différents canaux et est agencé sur toute l’étendue horizontale des canaux. Dans un autre exemple, chaque canal a un premier filtre différent dont les propriétés de filtrage peuvent être différentes. Dans ce dernier exemple, l’étendue du premier filtre 314 se limite à l’étendue horizontale de chaque canal et les longueurs d’onde que laisse passer chaque premier filtre 314 peuvent varier d’un canal à l’autre. Dans un autre exemple, le filtre 314 est une méta surface. Cette méta surface comprend par exemple des piliers ou des reliefs formés dans un matériau d’indice optique (ou de réfraction) élevé, par exemple au-dessus de 2, par exemple en oxyde métallique, par exemple en TiO2. Dans un exemple, ces piliers sont agencés dans une matrice d’indice optique plus faible, par exemple un nitrure, par exemple un nitrure de silicium. L’agencement et la forme des piliers ou des reliefs d’indice optique élevé pourra être simulé pour obtenir les déviations différentes selon les longueurs d’onde voulues. L’utilisation d’un miroir de Bragg optimisé permet la réflexion des longueurs d’onde du visible en direction des photodiodes en silicium pour garantir une absorption maximale des photodiodes dans le visible. Le miroir de Bragg est en outre utilisé comme un filtre passe-basse fréquence pour laisser passer une très large partie du spectre infrarouge à travers les photodiodes à base de boîtes quantiques. Cette approche est plus optimale que l’approche consistant à l’utilisation de matériaux agencés en sandwich entre deux miroirs de Bragg ce qui résulte en un pic d’absorption défini par des effets de cavité. En effet, cette seconde approche crée une absorption très piquée et très sensible à l’angle d’incidence de la lumière entrante dans le système, au détriment du fonctionnement du capteur. Chaque canal 352, 354, 356, 358, 360 comprend par exemple un deuxième filtre 302, 304, 306, 308, 310 d’une couleur différente du domaine visible ne laissant passer que les longueurs d’onde visible de la couleur respective et des longueurs d’onde du domaine infrarouge. Le deuxième filtre de chaque canal est agencé au-dessus de la première photodiode 312 du canal de sorte que la lumière incidente, symbolisée par une flèche sur la figure, traverse tout d’abord le deuxième filtre 302, 304, 306, 308, 310 puis la première diode 312, puis le premier filtre 314 et enfin la deuxième photodiode 316. Dans l’exemple représenté, une couche de protection 318, par exemple un oxide épais, est agencée sous les photodiodes 316. Dans un exemple, la première région 312 fait quelques micromètres d’épaisseur, par exemple 4 ou 5 µm, le filtre 314 environ 500 nm, et les photodiodes 316 environ 500 nm. Le filtre 314 est configuré pour laisser passer des longueurs d’onde infrarouge et réfléchir des longueurs d’onde du domaine visible. Dans un exemple, le filtre 314 est composé d’un empilement répété plusieurs fois et composé d’une couche d’indice de réfraction élevé et d’une couche d’indice de réfraction plus faible. Dans un exemple, le filtre 314 est composé d’un empilement répété plusieurs fois et composé d’une couche SiON d’environ 125 nm d’épaisseur et d’une couche de silicium amorphe d’environ 50 nm d’épaisseur. Un tel filtre laisse passer des longueurs d’onde de l’infrarouge court par exemple entre 1130 nm et 1360 nm. Les filtres 302, 304, 306, 308, 310 sont par exemple réalisés avec un filtre interférentiel, par exemple un miroir de Bragg, ou bien avec des méta surfaces composées d’arrangement périodiques de piliers d’indice optiques différents. Dans un exemple chacun des filtres 302, 304, 306, 308, 310, est configuré pour ne laisser passer que des longueurs centrées autour d’une longueur d’onde visible donnée, différente pour chaque deuxième filtre, ainsi que l’infrarouge. Dans un autre exemple, chacun des filtres 302, 304, 306, 308, 310, est configuré pour ne laisser passer que des longueurs centrées autour d’une longueur d’onde visible donnée, différente pour chaque filtre 302, 304, 306, 308, 310, ainsi que des longueurs centrées autour d’une longueur d’onde infrarouge donnée, par exemple 1130 ou 1360 nm et qui peut correspondre avantageusement à la longueur d’onde d’absorbance maximale des boîtes quantiques de la photodiode 316 associée. Par exemple, le filtre 302 ne laisse passer, dans le visible, que des longueurs d’onde de la couleur bleue, le filtre 304 que des longueurs d’onde de la couleur verte, le filtre 306 que des longueurs d’onde de la couleur jaune et le filtre 308 que des longueurs d’onde de la couleur orange et le filtre 310 des longueurs d’onde de la couleur rouge. Autrement dit, les longueurs d’onde qui sont issues d’un filtre d’une couleur donnée, sont comprises, par exemple à plus de 50%, préférentiellement à plus de 80%, et encore plus préférentiellement à plus de 90%, dans le spectre associé à cette couleur. Dans un autre exemple, le dispositif ne comprend qu’un seul des filtres 302, 304, 306, 308, 310 ou seulement deux filtres de couleur différente ou encore trois filtres de couleurs différentes ou non. Dans le texte, la couleur verte comprend les longueurs d’onde comprises entre 520 et 565 nm environ, la couleur rouge comprend les longueurs d’onde comprises entre 625 et 740 nm environ, et la couleur bleue comprend les longueurs d’onde comprises entre 450 et 500 nm environ. D’autres filtres associés à d’autres couleurs visibles sont également possibles comme des filtres de couleur jaune, orange, cyan, indigo ou encore violet. D’un point de vue fabrication, dans un exemple, les photodiodes 312 sont tout d’abord formées avec une technologie face arrière, par épitaxie, dans un substrat silicium. Une interface orientée pour recevoir la lumière est par exemple ensuite passivée. S’en suit la formation du premier filtre 314. Puis, à travers le silicium et le premier filtre, des vias sont formés par implantation ionique du premier type de conductivité, ou avec du polysilicium, dans des tranchées profondes d’isolation (Deep trench isolation, DTI). Ces vias connectent la deuxième photodiode 316 à un réseau d’interconnexion, non illustré sur la FIG. 3 , et agencé entre le deuxième filtre 302, 304, 306, 308, 310 et la première photodiode 312. La photodiode 316 est ensuite formée de façon planaire avec par exemple une ou plusieurs couches de boîtes quantiques sous forme de colloïdes, par exemple par dépôt à la tournette (spin coating en anglais) ou par procédé d’injection d’encre (ink jet printing en anglais). La deuxième photodiode 316 est ensuite protégée par exemple avec une couche d’oxide épais 318. Le substrat est ensuite retourné et les deuxièmes filtres 302, 304, 306, 308, 310 sont formés. Une boîte quantique ou nanoparticule semiconductrice est une structure à matériau nanoscopique qui produit des paires électron-trou en présence de l'incidence de photons sur la structure à matériau nanoscopique. Une boîte quantique comprend un cœur semiconducteur. Une boîte quantique peut également comprendre une enveloppe, de préférence en un matériau semiconducteur, entourant le cœur afin de protéger et de passiver le cœur. Une boîte quantique comprend en outre des ligands, des composés aliphatiques organiques, des molécules organométalliques ou inorganiques qui s'étendent depuis l'enveloppe et passivent, protègent, et fonctionnalisent la surface semiconductrice. La composition d'une boîte quantique peut être choisie parmi les matériaux suivants. Le cœur est, par exemple, constitué d'un matériau parmi les matériaux suivants ou parmi un alliage des matériaux suivants : CdSe, CdS, CdTe, CdSeS, CdTeSe, AgS, ZnO, ZnS, ZnSe, CuInS, CuInSe, CuInGaS, CuInGaSe, PbS, PbSe, PbSeS, PbTe, InAsSb, InAs, InSb, InGaAs, InP, InGaP, InAlP, InGaAlP, InZnS, InZnSe, InZnSeS, HgTe, HgSe, HgSeTe, Ge, Si. L'enveloppe est, par exemple, constituée d'un matériau parmi les matériaux suivants ou parmi un alliage des matériaux suivants : CdSe, CdS, CdTe, CdSeS, CdTeSe, AgS, ZnO, ZnS, ZnSe, CuInS, CuInSe, CuInGaS, CuInGaSe, PbS, PbSe, PbSeS, PbTe, InAsSb, InAs, InSb, InGaAs, InP, InGaP, InAlP, InGaAlP, InZnS, InZnSe, InZnSeS, HgTe, HgSe, HgSeTe, Ge, Si. De préférence, toutes les dimensions du cœur sont inférieures à 20 nm, par exemple dans la plage allant de 2 à 15 nm. En particulier, le diamètre de chaque boîte quantique est de préférence dans la plage allant de 2 à 15 nm. Par diamètre, on entend le diamètre de la plus petite sphère dans laquelle la boîte quantique peut être inscrite. Il est possible de choisir une taille et une dimension de boîtes quantiques capables d'absorber, avec une absorption significative, une quelconque longueur d'onde dans une large plage de longueurs d'onde. Par exemple, il est possible de trouver une taille et une dimension des boîtes quantiques ayant une longueur d'onde de fonctionnement supérieure à 1 µm, comprise par exemple entre 1 µm et 3 µm, qui inclut l'infrarouge proche et l'infrarouge court. Par exemple, la photodiode 316 comprend des boites quantiques en InAs, en PbS, en HgTe, ou en PbSe, avec par exemple un rayon inférieur à 10 nm, pour obtenir un pic d'absorption excitonique dans l'infrarouge court, par exemple 1130 nm ou 1360 nm. La lumière incidente composée de longueurs d’onde visibles et infrarouge est donc d’abord filtrée par les filtres 302, 304, 306, 308, 310 puis passe dans les premières photodiodes 312. Seule l’infrarouge et une très faible quantité de lumière visible passent à travers les premières photodiodes 312. Le premier filtre 314 ne permet ensuite que la propagation de l’infrarouge, par exemple l’infrarouge court, jusqu’à la deuxième photodiode 316. La deuxième photodiode 316 peut donc servir pour former un détecteur de proximité car l’infrarouge, notamment court, n’est pas absorbé par les autres éléments de l’empilement. Ce détecteur de proximité est par exemple obtenu en couplant la deuxième photodiode, par exemple en utilisant la couche d’interconnexions non illustrée sur la FIG. 3 , avec un circuit de détection non illustré du dispositif 300. Sur la FIG. 1 est représenté un plan A-A traversant transversalement l’épaisseur du dispositif 300. La FIG. 2 représente une vue en coupe selon le plan A-A d’un exemple du dispositif électronique 300 selon un mode de réalisation. Dans l’exemple de la FIG. 2 , seuls les filtres 304, 306, 308 et 310 sont représentés pour des questions de clarté. Dans l’exemple représenté, une couche 480, autrement appelée niveau d’interconnexions, comprenant des niveaux d’interconnexions, est intercalée entre les filtres 304, 306, 308, 310 et la ou les photodiodes 312. La couche 480 comprend par exemple un ou plusieurs niveaux de lignes métalliques reliés entre eux par des vias métalliques verticaux. La couche 480 est par exemple reliée, préférablement connectée, aux photodiodes 312 et 316. Dans l’exemple représenté, la ou les photodiodes 312 comprend une première région 460 dopée selon le premier type de conductivité, par exemple N. La photodiode 312 comprend en outre une deuxième région 438 dopée selon un deuxième type de conductivité, par exemple P, avec par exemple une concentration en dopants supérieure à celle de la première région 460. Dans cet exemple, la photodiode 312 comprend une troisième région 439, formée dans la première région 460 et dopée selon le premier type de conductivité avec une concentration en dopants supérieure à celle de la première région 460. Dans l’exemple représenté, la région 439 est par exemple formée par un ou plusieurs caissons agencés au sein de la première région 460 et avec une face en contact avec le niveau d’interconnexions 480. La région 438 permet de combiner les trous générés dans la photodiode 312. Dans un exemple, plusieurs photodiodes 312 peuvent être formées de façon adjacente, par exemple séparées par des tranchées ou un isolant, de sorte à former une photodiode 312 à l’aplomb de chaque filtre 304, 306, 308, 310 pour former un capteur multispectral de lumière visible. Dans un autre exemple, une seule photodiode 312 est formée et s’étend sous l’ensemble des filtres 304, 306, 308, 310. Dans ce cas, les connexions respectives des troisièmes régions au niveau d’interconnexions 480 peuvent permettre de définir un niveau de la lumière visible respective reçu à l’aplomb de chacun des filtres 304, 306, 308, 310, ou bien le niveau de lumière visible globale reçu à l’aplomb de l’ensemble des filtres 304, 306, 308, 310. Dans l’exemple représenté, un même filtre 314 est agencé à l’aplomb de l’ensemble de la surface des filtres 304, 306, 308, 310 et est intercalé entre la deuxième région 438 de la ou les photodiode 312 et la ou les photodiode 316. Le filtre 314 réfléchi le rayonnement visible qui n’a pas été absorbé par la première photodiode respective 312 (λC, λG, λY, λR) et laisse passer le rayonnement infrarouge par exemple le rayonnement court infrarouge (λswir). Dans l’exemple représenté, le filtre 314 est en contact avec une couche de transfert d’électrons 423 (ETL, Electron Transfer Layer en anglais), configurée pour conduire des électrons et bloquer la conduction de trous dans la photodiode 316. Dans un exemple, la couche 423 est en ZnO ou en TiO2 ou en AZO. Dans un exemple, la photodiode 316 comprend également une couche 422 (QF-N) avec des boîtes quantiques qui est en contact de la couche 423. La couche 422 comprend des boîtes quantiques par exemple sensibles à des longueurs d’onde centrées sur 1,130 µm ou 1,360 µm. Dans un exemple, la couche 422 est dopée avec le premier type de conductivité, par exemple N. Dans l’exemple représenté, la photodiode 316 comprend en outre une couche 428 de transfert de trous (HTL, Hole Transfer Layer en anglais) qui est configurée pour conduire des trous issus de la couche 422. Cette couche 428 est par exemple en Mox, NiOx, par exemple dopés P. Dans un exemple, un ou des vias 424 conducteurs, isolés de la photodiode 312, relient, préférentiellement connectent, à travers la photodiode 312 et à travers le filtre 316, la couche 423 au niveau d’interconnexions 480. Certains vias 424, comme par exemple les vias les plus à l’extérieur de la FIG. 2 sont reliés, préférentiellement connectés, à une couche 418 (Contact HTL) qui est agencée en contact avec la couche 428. La couche 418 permet de former un contact faiblement résistif d’évacuation des trous de la photodiode 316. Au niveau de ces vias 424 extérieurs, la couche 418 remonte pour venir se connecter à ces vias situés les plus à l’extérieur sur la FIG. 2 . La couche est par exemple isolée des couches 423 et 422 par une couche 412. Dans un exemple, la couche 423 constitue par exemple une électrode commune à la photodiode 312 et à la photodiode 316, la région 439 constitue par exemple une électrode de la photodiode 312, et la couche 418 constitue une autre électrode de la photodiode 316. Dans un exemple, plusieurs photodiodes 316 peuvent être formées de façon adjacente, par exemple séparées par des tranchées ou un isolant, de sorte à former une photodiode 316 à l’aplomb de chaque filtre 304, 306, 308, 310 pour former un capteur de proximité par exemple doté de plusieurs pixels. Dans un exemple, le dispositif 300 est utilisé pour la balance des blancs (PPG/ECG). Dans un autre exemple, une seule photodiode 316 est formée et s’étend sous l’ensemble des filtres 304, 306, 308, 310. Dans ce cas, le ou les vias 424 et leur connexion respective au niveau d’interconnexions 480 peuvent permettre de définir un niveau d’infrarouge reçu à l’aplomb de chacun des filtres 304, 306, 308, 310, ou bien le niveau d’infrarouge global reçu à l’aplomb de l’ensemble des filtres 304, 306, 308, 310. Une vue agrandie C de la zone de contact entre un des vias 424 et la couche 423 est illustrée dans les figures 11 et 12. Sur la FIG. 2 est représenté un plan B-B traversant horizontalement le dispositif 300 au niveau des régions 439. La FIG. 3 représente une vue en coupe selon le plan A-A d’un exemple de dispositif électronique 300 selon un autre mode de réalisation. L’exemple de la FIG. 3 est similaire à celui de la FIG. 4 sauf que la photodiode 316 comporte en outre, de façon facultative, une couche 528 (QF-P), contenant des boîtes quantiques et dopée selon le deuxième mode de conductivité, par exemple P. La couche 528 est par exemple agencée entre les couches 422 et 428. La couche 528 forme par exemple une jonction avec la couche 422. La FIG. 4 représente une vue en coupe selon le plan B-B de l’exemple de la FIG. 2 . Dans l’exemple représenté, le dispositif 300 comprend plusieurs canaux 604, 606, 608, 610 dédié chacun à une couleur et qui sont représentés en coupe en vue de dessus. Chaque canal s’étend horizontalement selon la totalité de l’empreinte horizontale du filtre 304, 306, 308, 310 correspondant. Dans un exemple, chaque canal s’étend horizontalement selon une partie de l’empreinte horizontale du filtre 304, 306, 308, 310 correspondant. Chaque canal comprend une alternance de vias 424 et de régions 439 agencés en quinconce et selon plusieurs lignes parallèles dans la région 460 de la photodiode 312 respective. Les vias 424 comprennent une portion interne conductrice, par exemple en silicium fortement dopé du premier type de conductivité (N+) ou en polysilicium. Cette portion interne est isolée de la région 460 par des tranchées isolantes. Dans un exemple non illustré, les portions internes de deux vias 424 adjacents sont dopées selon un type de dopage opposé (P+ et N+), de sorte à former une hétérojonction P-Si/N-QF/N-Si sans électrode métallique au-dessus. Dans l’exemple représenté, chaque canal 604, 606, 608, 610 est isolé du canal adjacent par un isolant ou une tranchée isolante 620. Cette tranchée isolante s’étend verticalement par exemple à travers le filtre 304, 306, 308, 310, la photodiode 312 du canal respectif, le filtre 314 et la photodiode 316 du canal respectif. Dans l’exemple représenté, les régions 439 et les vias 424 ont une section de coupe carrée, cependant tout autre forme peut être envisagée. La FIG. 5 représente un graphe de transmittance en fonction de la longueur d’onde des exemples des figures 1 à 3. En particulier, l’exemple de la FIG. 5 représente la transmittance respective t304, t306, t308, t310 des filtres 304, 306, 308, 310. Dans cet exemple, le filtre 304 laisse passer des longueurs d’onde centrées autour de la couleur cyan, le filtre 306 laisse passer des longueurs d’onde centrées autour de la couleur verte, le filtre 308 laisse passer des longueurs d’onde centrées autour de la couleur jaune et le filtre 310 laisse passer des longueurs d’onde centrées autour de la couleur rouge. Les filtres 304, 306, 308 et 310 laisse également passer des longueurs d’onde de l’infrarouge court λswir et des longueurs d’onde supérieures. La FIG. 5 représente un graphe d’absorbance en fonction de la longueur d’onde des exemples des figures 1 à 3. Plus particulièrement, la FIG. 5 représente l’absorbance a304, a 306, a308, a310 de la photodiode 312 respective de chaque canal. Dans cet exemple, la photodiode 312 du canal respectif au filtre 304 absorbe, a304, des longueurs d’onde centrées autour de la couleur cyan, la photodiode 312 du canal respectif au filtre 306 absorbe, a306, des longueurs d’onde centrées autour de la couleur verte, la photodiode 312 du canal respectif au filtre 308 absorbe, a308, des longueurs d’onde centrées autour de la couleur jaune, et la photodiode 312 du canal respectif au filtre 310 absorbe a310 des longueurs d’onde centrées autour de la couleur rouge. La photodiode 312 de chaque canal laisse passer les longueurs d’onde de l’infrarouge court λswir et des longueurs d’onde supérieures qui deviennent ainsi disponibles pour la photodiode 316 qui est agencée en dessous après le passage par le filtre 314. La FIG. 5 représente un graphe de transmittance en fonction de la longueur d’onde des exemples des figures 1 à 3. Plus particulièrement, l’exemple de la FIG. 5 représente la transmittance tDBR du filtre 314. Dans l’exemple représenté, le filtre 314 laisse passer les longueurs d’onde de l’infrarouge court λswir et des longueurs d’onde supérieures et absorbe ou réfléchi les longueurs visibles. Cela permet d’améliorer le taux de réjection des photons visibles pour la photodiode 316. La FIG. 5 représente un graphe d’absorbance en fonction de la longueur d’onde des exemples des figures 1 à 3. Plus particulièrement, la FIG. 5 représente l’absorbance aQD des boîtes quantiques de la photodiode 316. Dans cet exemple, l’absorbance est centrée sur des longueurs d’onde de l’infrarouge court λswir, par exemple 1,130 µm ou bien 1,360 µm qui correspondent aux pics excitoniques. La FIG. 6 représente une vue en coupe selon le plan A-A d’un exemple de dispositif électronique selon un autre mode de réalisation. L’exemple de la FIG. 6 est similaire à celui de la FIG. 3 , à la différence que les filtres 306, 308, 310 sont remplacés par des filtres 804, 806, 808 interférentiels. Chacun des filtres 804, 806, 808 ne laisse passer que les longueurs d’onde de leur couleur respective dans le visible ainsi qu’une bande étroite dans l’infrarouge différente pour chaque filtre. De cette manière, il est possible de réaliser plusieurs canaux de longueurs d’ondes différentes dans l’infrarouge, chaque canal associé à une bande de fréquence de l’infrarouge ayant les mêmes dimensions que le canal dans le visible associé situé au-dessus de lui. Dans l’exemple de la FIG. 6 , des tranchées isolantes 830 facultatives isolent les différents canaux entre eux en isolant les filtres 806, 808, 810 entre eux, les niveaux d’interconnexion respectifs, les photodiodes 312, les photodiodes 316 et la couche d’isolant 318. Ces tranchées 830 ne sont pas forcément nécessaires du fait que les porteurs de charge générés dans la photodiode 316 ont une mobilité faible et que l’application d’un champ électrique vertical suffit à empêcher la diaphonie entre canaux. La FIG. 7 représente une vue en coupe selon le plan A-A d’un exemple de dispositif électronique selon un autre mode de réalisation. Plus particulièrement, l’exemple de la FIG. 7 est similaire à celui de la FIG. 6 sauf que les filtres 806, 808, 810 sont remplacés par les filtres 306, 308, 310 respectivement. De plus, dans l’exemple représenté, le filtre 314 est remplacé, pour chacun des canaux, par un filtre interférentiel, ou un élément d’aiguillage optique, spécifique à chaque canal. Par exemple, le canal associé au filtre 306 comprend un filtre 906, le canal associé au filtre 308 comprend un filtre 908, et le canal associé au filtre 310 comprend un filtre 910. Dans cet exemple, la transmittance dans l’infrarouge est différente pour chacun des filtres 906, 908 et 910. Cela permet d’ajouter des canaux spécifiquement pour l’analyse des infrarouges par exemple courts. Dans un exemple, pour obtenir une telle différence de transmittance entre chaque filtre 906, 908, 910, il suffit de modifier l’épaisseur ou l’indice de réfraction des couches répétées périodiquement dans les filtres. Dans l’exemple de la FIG. 7 , le dispositif 300 pourra comprendre une unité de calcul permettant, via une matrice de reconstruction, de recalculer le spectre dans l’infrarouge court par exemple puisque plusieurs pics infrarouges distincts peuvent être détectés par la photodiode 316 de certains canaux. La FIG. 8 représente des graphes d’absorbance en fonction de la longueur d’onde de l’exemple de la FIG. 7 . Dans cet exemple, seule l’absorbance associée respectivement aux filtres 306, 308, 310 est représentée par souci de clarté. La photodiode 312 du canal respectif au filtre 306 absorbe, a306, des longueurs d’onde centrées autour de la couleur verte, la photodiode 312 du canal respectif au filtre 308 absorbe, a308, des longueurs d’onde centrées autour de la couleur jaune, et la photodiode 312 du canal respectif au filtre 310 absorbe a310 des longueurs d’onde centrées autour de la couleur rouge. La photodiode 312 de chaque canal n’absorbe pas, ou de façon négligeable, les longueurs d’onde de l’infrarouge court λswir et des longueurs d’onde supérieures qui deviennent ainsi disponibles pour la photodiode 316 qui est agencée en dessous après le passage par les filtres respectifs 906, 908, 910. La FIG. 8 représente des graphes de transmittance en fonction de la longueur d’onde de l’exemple de la FIG. 7 . Plus particulièrement, la FIG. 8 représente la transmittance respectivement des filtres 906, 908 et 910. Dans cet exemple, ces différents filtres 906, 908 et 910 ont une transmittance respective t906, t908, t910 qui est différente pour les infrarouges notamment les infrarouges courts. Par exemple, le filtre 906 a une transmittance t906 dans l’infrarouge court qui est plus élevée que celle du filtre 908 qui lui-même a une transmittance t908 dans l’infrarouge court qui est plus élevée que celle t910 du filtre 910. La transmittance t910 est quasi nulle avant le pic excitonique des boites quantiques. La FIG. 8 représente des graphes d’absorbance en fonction de la longueur d’onde de l’exemple de la FIG. 7 . Plus particulièrement, la FIG. 8 représente l’absorbance 316a, 316b, 316c de la photodiode 316 respective des canaux associés aux filtres 306, 308 et 310. Dans la FIG. 8 , l’absorbance 316a comprend deux pics d’intensité du même ordre de grandeur et centrées respectivement sur le pic excitonique λswir des boites quantiques et sur une partie du spectre infrarouge ayant des longueurs légèrement plus courtes que le pic excitonique. Dans l’exemple représenté, l’absorbance 316b comprend un premier pic d’intensité plus faible que le pic excitonique centré sur le pic excitonique λswir des boites quantiques. Le premier pic est sur une partie du spectre infrarouge ayant des longueurs légèrement plus courtes que le pic excitonique. Dans l’exemple représenté, l’absorbance 316c comprend seulement le pic excitonique λswir des boites quantiques. La FIG. 9 représente une vue élargie de la FIG. 4 selon un mode de réalisation. Plus particulièrement, la FIG. 9 représente la vue agrandie C de la connexion entre un des vias 424 et la couche 422 de la photodiode 316 du canal associé. Dans l’exemple représenté, le via 424 comprend une région, ou portion, centrale 1104 en polysilicium (Poly-Si) au sein de tranchées profondes d’isolation 1106 (Deep Trench Isolation en anglais). Les tranchées profondes d’isolation 1106 sont agencées entre la région 460, la région 438 (P-Si well), la région 1104 et ont leur base en contact avec une surface supérieure du filtre 314 de sorte à isoler électriquement le via 424 des régions 460 et 438. Dans l’exemple représenté, la région centrale 1104 du via 424 est en contact avec une portion ou région 1140 en matériau métallique ayant un travail de sortie peu profond pour faciliter l’extraction des électrons. Dans un exemple, la portion 1140 est agencée entre la portion 1104 et la couche 423. La portion 1140 est par exemple agencée en partie entre la région 1104 et le filtre 314 (DBR), ainsi qu’en partie sous le filtre 314 de sorte à être agencée entre la couche 423 (ETL) et le filtre 314. Dans un exemple, la région 1140 comprend plusieurs couches de différents matériaux métalliques ayant un travail de sortie faible. Dans l’exemple représenté, la couche 423 est en contact avec la région 1140 et est intercalée entre la région 1140 et la couche 422. Dans l’exemple de la FIG. 9 , les vias 424 forment des tranchées profondes isolantes et capacitives. L’exemple de la FIG. 9 permet avantageusement de collecter les charges photogénérées à proximité de l’électrode collectrice et donc de réaliser des canaux d’absorption à différentes longueurs d’ondes, comme décrit dans les figures 6 et 7. La FIG. 10 représente une vue élargie de la FIG. 4 selon un autre mode de réalisation. Plus particulièrement, la FIG. 10 représente la vue agrandie C de la connexion entre un des vias 424 et la couche 422 de la photodiode 316 du canal associé. Dans l’exemple représenté, le via 424 comprend une région, ou portion, centrale 1204 en silicium dopé du premier type de conductivité, par exemple N, (N-Si) au sein de tranchées profondes d’isolation 1206 (Deep Trench Isolation en anglais). Les tranchées profondes d’isolation 1206 sont agencées entre la région 460, la région 438 (P-Si well), la région 1204 et ont leur base en contact avec une surface verticale du filtre 314 de sorte à isoler électriquement le via 424 des régions 460 et 438. Dans cet exemple, La région 1204 du via 424 de l’exemple représenté est en contact direct avec la couche 422. Dans l’exemple de la FIG. 10 , une hétérojonction est ainsi créée entre la région interne 1204 du via et la couche 422. L’exemple de la FIG. 10 permet avantageusement de de simplifier la collection des charges en ajustant le dopage du silicium pour supprimer les barrières de potentiels limitant l’extraction des électrons, et réduire la topologie liée à la présence d’électrodes métalliques. Le dispositif est par exemple destiné à l'industrie automobile pour l’analyse de lumière incidente. Le dispositif est par exemple destiné à être utilisé dans des équipements de communication, ou dans des ordinateurs et des périphériques. Dans un exemple le dispositif 300 est utilisé dans les systèmes d'éclairage LED (Light Emitting Diode) pour contrôler la lumière émise en analysant une lumière incidente ou émise. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, même si des exemples avec plusieurs canaux ont été présentés, le dispositif 300 peut ne contenir qu’un seul canal visible d’une couleur avec une photodiode 312 et une photodiode 316. De plus, l’usage d’un filtre 314 tel que décrit n’est pas obligatoire mais préférentiel pour augmenter la réjection du rayonnement visible vis à vis de la photodiode 316. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. En particulier, pour ce qui est de la connexion entre les vias 424 et la couche 422 dans les exemples des figures 3, 6 et 7, la personne du métier pourra partir des solutions des figures 9 ou 10 et les adapter aux exemples de ces figures de sorte que la région interne des vias puisse être reliée ou connectée à la couche 422. En ce qui concerne les exemples des figures 2, 3, 6 et 7, la personne du métier pourra mettre ces exemples avec des types de conductivités inversées en utilisant ses connaissances. Dispositif comprenant un empilement constitué au moins : - d’une première photodiode (312) en silicium ; et - d’une deuxième photodiode (316) à base de boîtes quantiques ; la première photodiode étant agencée entre un côté de l’empilement configuré pour recevoir une lumière incidente et la deuxième photodiode (316). Dispositif selon la revendication 1, comprenant un premier filtre (314, 906, 908, 910), intercalé entre la première photodiode (312) et la deuxième photodiode (316), et configuré pour laisser passer des longueurs d’onde infrarouge et réfléchir des longueurs d’onde visibles. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, comprenant au moins un deuxième filtre (302, 304, 306, 308, 310, 806, 808, 810), d’une première couleur du domaine visible, ne laissant passer que les longueurs d’onde de ladite première couleur et des longueurs d’onde infrarouges. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la première photodiode (312) est sensible uniquement à des longueurs d’onde du domaine visible. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la deuxième photodiode (316) est sensible principalement à l’infrarouge. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel ladite deuxième photodiode (316) comprend une première couche (422) comprenant les boîtes quantiques et dopée d’un premier type de conductivité, et une deuxième couche (428) configurée pour conduire des trous issus de la première couche. Dispositif selon la revendication précédente, dans lequel ladite deuxième photodiode (316) comprend une troisième couche (528) comprenant des boîtes quantiques et dopée d’un deuxième type de conductivité, et agencée entre ladite première couche (422) et ladite deuxième couche (428). Dispositif selon la revendication 3, ou l’une quelconque des revendications 4 à 7 dans leur dépendance à la revendication 3, comprenant un niveau d’interconnexions (480) comprenant des interconnexions conductrices agencé entre la première photodiode (312) et le deuxième filtre (302, 304, 306, 308, 310, 806, 808, 810) ; dans lequel un premier via (424) conducteur, isolé de la première photodiode (312), relie, à travers la première photodiode (312) et à travers le premier filtre (314), la deuxième photodiode (316) au niveau d’interconnexions (480). Dispositif selon la revendication 8, dans lequel la deuxième photodiode (316) comprend une quatrième couche (423) configurée pour conduire des électrons et bloquer la conduction de trous, et pour relier la première couche (422) au premier via (424). Dispositif selon la revendication 9, dans lequel ledit premier via (424) comprend une première portion (1104) en polysilicium et une deuxième portion (1140) en matériau métallique, ladite deuxième portion (1140) étant agencée entre la première portion (1104) et la quatrième couche (423). Dispositif selon la revendication précédente, dans lequel ledit matériau métallique a un travail de sortie adapté pour faciliter l’extraction d’électrons. Dispositif selon la revendication 8 dans sa dépendance à la revendication 6, dans lequel ledit premier via (424) est en silicium et avec le premier ou le deuxième type de conductivité, ledit premier via étant en contact avec ladite première couche (422). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 8 à 12 dans leur dépendance à la revendication 2, dans lequel la première photodiode (312) comprend une première région (460) dopée selon le premier type de conductivité, une deuxième région (438) dopée selon un deuxième type de conductivité, et une troisième région (439), formée dans la première région (460) et dopée selon le premier type de conductivité avec une concentration en dopants supérieure à celle de la première région (460) ; la deuxième région (438) étant agencée entre le premier filtre (314, 906, 908, 910) et la première région (460) ; la troisième région (439) étant agencée en contact du niveau d’interconnexions (480). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 2 ou 3 à 13 dans leur dépendance à la revendication 2, dans lequel ledit premier filtre (314) est un filtre interférentiel comprenant une alternance périodique d’une couche de SiON d’environ 125 nm et d’une couche de silicium amorphe d’environ 50 nm. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 3, ou 4 à 14 dans leur dépendance à la revendication 3, comprenant : - un deuxième empilement d’une troisième photodiode (312) en silicium, et d’une quatrième photodiode (316) à base de boîtes quantiques, la troisième photodiode (312) étant agencée entre un côté du deuxième empilement configuré pour recevoir une lumière incidente et la quatrième photodiode (316) ; - un troisième filtre (314, 906, 908, 910) interférentiel, intercalé entre la troisième photodiode (312) et la quatrième photodiode (316), et configuré pour laisser passer des longueurs d’onde infrarouge et réfléchir des longueurs d’onde du domaine visible ; - un quatrième filtre (302, 304, 306, 308, 310), d’une deuxième couleur du domaine visible différente de la première couleur, ne laissant passer que les longueurs d’onde de ladite deuxième couleur et des longueurs d’onde infrarouges. Dispositif selon la revendication 15, dans lequel le deuxième et le quatrième filtre (302, 304, 306, 308, 310) sont des filtres interférentiels. Dispositif selon la revendication 16, dans lequel : - le deuxième filtre (302, 304, 306, 308, 310, 806, 808, 810) ne laisse passer que les longueurs d’onde de ladite première couleur et des longueurs d’onde infrarouges auxquelles la deuxième photodiode (316) est sensible ; et - le quatrième filtre (302, 304, 306, 308, 310, 806, 808, 810) ne laisse passer que les longueurs d’onde de ladite deuxième couleur et des longueurs d’onde infrarouges auxquelles la quatrième photodiode (316) est sensible. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 15 à 17, dans lequel le premier filtre et le troisième filtre (906, 908, 910) laissent passer des longueurs d’onde infrarouge différentes. Procédé de fabrication du dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 18, comprenant : - la formation de la première photodiode (312); puis - la formation de la deuxième photodiode (316) de sorte à former un empilement avec la première photodiode (312) ; la première photodiode (312) étant agencée entre le côté de l’empilement configuré pour recevoir une lumière incidente et la deuxième photodiode (316).