Brevet FR3156996A1 — publié le 20250620

Dispositif électronique de capture de rayons X et d’affichage d’images La présente description concerne un dispositif électronique (100) de capture et d’affichage d’images comprenant une pluralité de pixels (PIX) formés dans et sur un substrat semiconducteur (101), chaque pixel comportant : – un élément de détection (103) d’un rayonnement X (105), situé du côté d’une première face (101F) du substrat semiconducteur (101) ; – un élément d’émission (107) de lumière visible (109), situé du côté d’une deuxième face (101R) du substrat semiconducteur opposée à la première face ; et – un circuit situé dans et sur le substrat semiconducteur et reliant l’élément de détection à l’élément d’émission. Figure pour l’abrégé : Fig. 1 Dispositif électronique de capture de rayons X et d’affichage d’images La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques, et en particulier les dispositifs électroniques de capture et d’affichage d’images. Des dispositifs électroniques capables de mettre en œuvre des fonctions de capture et d’affichage d’images ont été proposés. De tels dispositifs comprennent typiquement un capteur d’images, comportant une matrice de pixels de capture d’images, et un afficheur d’images, comportant une matrice de pixels d’affichage d’images distincts des pixels de capture d’images. En fonction de l’application, les matrices de pixels de capture et d’affichage d’images du dispositif peuvent être situées du côté d’une même face d’un substrat semiconducteur, par exemple dans le cas d’un téléphone mobile, d’une montre connectée ou d’une tablette électronique comprenant un écran d’affichage intégrant un capteur d’images destiné à acquérir des empreintes digitales d’un utilisateur, ou être situées respectivement de part et d’autre du substrat semiconducteur, par exemple dans le cas d’un visiocasque, d’un afficheur tête haute ou de lunettes intelligentes comprenant un ou plusieurs écrans d’affichage destinés à être placés chacun face à un œil d’un utilisateur et un ou plusieurs capteurs d’images tournés vers l’extérieur. Les dispositifs électroniques de capture et d’affichage d’images existants souffrent toutefois de divers inconvénients. En particulier, dans ces dispositifs, les pixels du capteur d’images sont typiquement reliés à un circuit de commande et à un circuit de lecture, et les pixels de l’afficheur d’images sont reliés à un circuit de commande différent des circuits de commande et de lecture des pixels du capteur d’images. Ces circuits, qui sont par exemple situés en périphérie des matrices de pixels du capteur et de l’afficheur d’images, mettent en œuvre des fonctions d’adressage des matrices de pixels auxquelles ils sont respectivement connectés, et les images acquises par le capteur sont par exemple stockées dans un circuit mémoire avant d’être affichées, éventuellement après traitement. Cela introduit un temps de latence indésirable entre l’acquisition d’une image par le capteur et l’affichage de l’image correspondante par l’afficheur. Par ailleurs, les dispositifs électroniques de capture et d’affichage d’images existants présentent une complexité, un encombrement, un poids, une consommation énergétique et un coût de fabrication élevés. Des dispositifs d’imagerie à rayons X ont notamment été proposés. Parmi les dispositifs d’imagerie à rayons X connus, il existe plus particulièrement des dispositifs à conversion indirecte et des dispositifs à conversion directe. Les dispositifs à conversion indirecte comprennent une matrice de photodiodes adaptées à capter un rayonnement lumineux, et un scintillateur disposé au-dessus de la matrice de photodiodes. En fonctionnement, le scintillateur émet de la lumière suite à l’absorption des rayons X. La lumière émise par le scintillateur est convertie en charges électriques par les photodiodes. Ainsi, la matrice de photodiodes acquiert une image représentative de la distribution lumineuse émise par le scintillateur, cette distribution lumineuse étant elle-même représentative de la distribution de rayons X reçue par le scintillateur. Les dispositifs à conversion directe comprennent une couche d’un matériau semiconducteur de conversion, adapté à convertir directement les rayons X absorbés en charges électriques. La couche de conversion est disposée au-dessus d’une matrice de circuits élémentaires adaptée à lire les charges électriques générées dans le matériau de conversion. En fonctionnement, la couche de conversion génère des charges électriques suite à l’absorption des rayons X. Ces charges sont lues par la matrice de circuits de lecture. Ainsi, la matrice de circuits de lecture acquiert directement une image représentative de la distribution de rayons X reçue par le matériau de conversion. En tout état de cause, le capteur et l’afficheur sont séparés et nécessitent des circuits périphériques complexes pour assurer leur commande. Il serait souhaitable de pallier tout ou partie des inconvénients des dispositifs électroniques de capture et d’affichage d’images existants. Il existe en particulier un besoin de réduire le poids, l’encombrement, la complexité, la consommation énergétique, les coûts de fabrication et/ou le temps de latence de ces dispositifs. Pour cela, un mode de réalisation prévoit un dispositif électronique de capture et d’affichage d’images comprenant une pluralité de pixels formés dans et sur un substrat semiconducteur, chaque pixel comportant : – un élément de détection d’un rayonnement X, situé du côté d’une première face du substrat semiconducteur ; – un élément d’émission de lumière visible, situé du côté d’une deuxième face du substrat semiconducteur opposée à la première face ; et – un circuit situé dans et sur le substrat semiconducteur et reliant l’élément de détection à l’élément d’émission. Selon un mode de réalisation, le circuit comprend : – un circuit d’acquisition situé dans et sur le substrat semiconducteur et adapté à fournir un signal d’acquisition représentatif d’une intensité du rayonnement X reçu par l’élément de détection du pixel ; et – un circuit de commande situé dans et sur le substrat semiconducteur et adapté à appliquer un signal de commande à l’élément d’émission du pixel. Selon un mode de réalisation, le circuit d’acquisition et le circuit de commande sont des circuits analogiques. Selon un mode de réalisation : – chaque élément de détection comprend un photodétecteur ; – chaque circuit d’acquisition comprend un comparateur comportant une entrée inverseuse connectée à une électrode de conduction du photodétecteur ; et – chaque circuit de commande comprend un inverseur comportant une entrée connectée à une sortie du comparateur et une sortie connectée à une grille d’un transistor MOS, le transistor MOS comprenant une électrode de conduction connectée à l’élément d’émission. Selon un mode de réalisation, chaque élément d’émission comprend une seule diode électroluminescente. Selon un mode de réalisation, la diode électroluminescente est commandée par un signal de commande présentant des impulsions se répétant à une fréquence sensiblement proportionnelle à une intensité du rayonnement X détectée par l’élément de détection. Selon un mode de réalisation : – chaque élément de détection comprend un photodétecteur ; – chaque circuit d’acquisition comprend un circuit de mise en forme de signaux ; et – chaque circuit de commande comprend un comparateur multi-niveau comportant une entrée connectée à une sortie du circuit de mise en forme de signaux et au moins deux sorties reliées chacune à une grille d’un transistor MOS par un inverseur, chaque transistor MOS comprenant une électrode de conduction connectée à une diode électroluminescente de l’élément d’émission. Selon un mode de réalisation, chaque élément d’émission comprend exactement trois diodes électroluminescentes. Selon un mode de réalisation, les éléments de détection sont situés en vis-à-vis des éléments d’émission. Selon un mode de réalisation, les éléments de détection et les éléments d’émission sont agencés respectivement en des première et deuxième matrices, les première et deuxième matrices présentant des pas sensiblement identiques. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend autant d’éléments de détection que d’éléments d’émission. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre un scintillateur surmontant les éléments de détection. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre un convertisseur à base d’un matériau pérovskite surmontant les éléments de détection. Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d’un dispositif tel que décrit précédemment, le procédé comprenant une étape de report, par collage moléculaire, d’une structure comprenant les éléments de détection et les circuits sur une autre structure comprenant les éléments d’émission. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d’autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 est une vue isométrique, schématique et partielle, d’un dispositif de capture et d’affichage d’images selon un mode de réalisation ; la FIG. 2 est un schéma électrique équivalent d’un pixel du dispositif de la FIG. 1 selon un mode de réalisation ; la FIG. 3 est un schéma électrique équivalent d’un pixel du dispositif de la FIG. 1 selon un autre mode de réalisation ; la FIG. 4 est un chronogramme illustrant, de façon schématique et partielle, un exemple de fonctionnement du pixel de la FIG. 3 ; la FIG. 5 est un schéma électrique équivalent d’un pixel du dispositif de la FIG. 1 selon encore un autre mode de réalisation ; la FIG. 6 est un chronogramme illustrant, de façon schématique et partielle, un exemple de fonctionnement du pixel de la FIG. 5 ; la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 et la FIG. 7 illustrent, par des vues en coupe, schématiques et partielles, des structures obtenues à l’issue d’étapes d’un procédé de fabrication du dispositif de la FIG. 1 selon un mode de réalisation ; la FIG. 8 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’un réseau d’interconnexion du dispositif de la FIG. 1 ; et la FIG. 9 et la FIG. 9 illustrent, par des vues en coupe, schématiques et partielles, des structures obtenues à l’issue d’étapes successives d’un procédé de fabrication du dispositif de la FIG. 1 selon un autre mode de réalisation. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les diverses applications que peuvent avoir les dispositifs d’imagerie à rayons X décrits n’ont pas été détaillées, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec toutes ou la plupart des applications connues d’imagerie à rayons X, et tout particulièrement les applications pouvant tirer profit de dispositif d’imagerie à rayons X de grandes dimensions, par exemple des dispositifs présentant des dimensions latérales supérieures à 10 cm, de préférence supérieures à 20 cm. En outre, la réalisation des diodes photosensibles, des circuits électroniques de contrôle, et du scintillateur des dispositifs décrits n’a pas été détaillée, la réalisation de ces éléments étant à la portée de la personne du métier à partir des indications de la présente description. Sauf précision contraire, lorsque l’on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l’on fait référence à deux éléments reliés (en anglais « coupled ») entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l’intermédiaire d’un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l’on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes « avant », « arrière », « haut », « bas », « gauche », « droite », etc., ou relative, tels que les termes « dessus », « dessous », « supérieur », « inférieur », etc., ou à des qualificatifs d’orientation, tels que les termes « horizontal », « vertical », etc., il est fait référence, sauf précision contraire, à l’orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions « environ », « approximativement », « sensiblement », et « de l’ordre de » signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Dans la description qui suit, les qualificatifs « isolant » et « conducteur » signifient respectivement, sauf précision contraire, électriquement isolant et électriquement conducteur. L’expression « transmittance d’une couche » désigne un rapport entre une intensité d’un rayonnement sortant de la couche et une intensité du rayonnement entrant dans la couche. Dans la suite de la description, une couche est dite opaque à un rayonnement lorsque sa transmittance est, pour ce rayonnement, strictement inférieure à 40 %, de préférence inférieure ou égale à 25 %, plus préférentiellement inférieure ou égale à 10 %. Par ailleurs, une couche est dite transparente à un rayonnement lorsque sa transmittance est, pour ce rayonnement, supérieure ou égale à 40 %, de préférence supérieure ou égale à 75 %, plus préférentiellement supérieure ou égale à 90 %. La définition des qualificatifs opaque et transparent(e) qui précède n’est pas limitée au cas d’une couche, mais s’applique plus généralement à tout élément susceptible d’être exposé à un rayonnement, par exemple un substrat, une région, un empilement de plusieurs couches, etc. Dans la présente description, l’expression « lumière visible » désigne un rayonnement électromagnétique dont la longueur d’onde est comprise entre 400 nm et 700 nm. Par ailleurs, les expressions « rayons X » et « rayonnement X » désignent des rayonnements constitués de photons d’énergie comprise par exemple entre 1 000 eV (électronvolts) et 20 MeV (mégaélectronvolts). La FIG. 1 est une vue isométrique, schématique et partielle, d’un dispositif de capture et d’affichage d’images 100 selon un mode de réalisation. Selon ce mode de réalisation, le dispositif de capture et d’affichage d’images 100 comprend une pluralité de pixels PIX formés dans et sur un substrat semiconducteur 101. Chaque pixel PIX du dispositif 100 comporte un élément de détection 103 d’un rayonnement 105 et, associé à l’élément de détection 103, un élément d’émission 107 d’un rayonnement 109. Les éléments de détection 103 et d’émission 107 sont respectivement situés de part et d’autre du substrat semiconducteur 101. Plus précisément, dans l’exemple illustré, les éléments de détection 103 sont situés du côté d’une face 101F du substrat 101 et les éléments d’émission 107 sont situés du côté d’une face 101R du substrat 101, opposée à la face 101F. À des fins de simplification du dessin, chaque élément de détection 103 et chaque élément d’émission 107 a été symbolisé, en FIG. 1 , par un parallélépipède présentant, en vue de dessus, un pourtour de forme sensiblement carrée. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, chaque élément de détection 103 ou d’émission 107 pouvant, à titre de variante, présenter une forme quelconque, par exemple cylindrique. Dans l’exemple illustré, les pixels PIX du dispositif 100 sont agencés en matrice selon des lignes et des colonnes. Plus précisément, dans cet exemple, les éléments de détection 103 sont agencés en matrice selon des lignes et des colonnes. De façon analogue, les éléments d’émission 107 sont, dans cet exemple, agencés en matrice selon des lignes et des colonnes. Dans chacune de ces matrices, les lignes sont par exemple sensiblement orthogonales aux colonnes. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, les lignes pouvant, à titre de variante, ne pas être orthogonales aux colonnes. À titre d’exemple, le dispositif 100 comprend autant d’éléments de détection 103 que d’éléments d’émission 107. Dans l’exemple représenté, la matrice d’éléments d’émission 107 présente un pas, c’est-à-dire une distance centre à centre entre deux éléments d’émission 107 adjacents, sensiblement égal au pas de la matrice d’éléments de détection 103, c’est-à-dire sensiblement égal à une distance centre à centre entre deux éléments de détection 103 adjacents. Par ailleurs, dans cet exemple, les éléments d’émission 107 sont situés en vis-à-vis des éléments de détection 103. Dans l’exemple illustré, le centre de chaque élément d’émission 107 est situé sensiblement à l’aplomb du centre de l’élément de détection 103 situé en vis-à-vis. Les éléments d’émission 107 présentent par exemple, en vue de dessus, des dimensions latérales sensiblement égales, aux dispersions de fabrication près, à celles des éléments de détection 103. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, les éléments d’émission 107 pouvant, à titre de variante, présenter des dimensions latérales différentes, par exemple supérieures ou inférieures, à celles des éléments de détection 103. Les dimensions respectives, par exemple les surfaces respectives, des éléments de détection 103 et d’émission 107 sont par exemple choisies en fonction d’une sensibilité recherchée côté éléments de détection 103 et/ou d’une intensité à atteindre côté éléments d’émission 107. À titre d’exemple, le rayonnement 105 capté par les éléments de détection 103 est un rayonnement X. Par ailleurs, le rayonnement 109 émis par les éléments d’émission 107 est par exemple de la lumière visible. La FIG. 2 est un schéma électrique équivalent d’un pixel PIX du dispositif 100 de la FIG. 1 selon un mode de réalisation. Dans l’exemple représenté, l’élément de détection 103 du pixel PIX comprend un photodétecteur 201 adapté à capter le rayonnement 105. Le photodétecteur 201 est par exemple adapté à produire, sous l’effet du rayonnement incident 105, un courant Iph, également appelé photocourant. Le photocourant Iph est par exemple sensiblement proportionnel à une intensité, ou à un flux, du rayonnement 105 capté par le photodétecteur 201. Dans l’exemple illustré, le photodétecteur 201 comporte une première borne de conduction, par exemple une électrode d’anode, connectée à un nœud 203 d’application d’un potentiel de référence, par exemple la masse. Le photodétecteur 201 comporte en outre, dans cet exemple, une deuxième borne de conduction, par exemple une électrode de cathode, connectée à un circuit 205. À titre d’exemple, le photodétecteur 201 est une diode photosensible, ou photodiode. Dans l’exemple illustré, le circuit 205 comprend un circuit d’acquisition 207, également appelé conditionneur ou circuit de conditionnement. Le circuit d’acquisition 207 est par exemple adapté à fournir un signal d’acquisition représentatif de l’intensité du rayonnement 105 capté par le photodétecteur 201. Le signal d’acquisition produit par le circuit d’acquisition 207 est par exemple fonction du photocourant Iph, par exemple sensiblement proportionnel au photocourant Iph. À titre de variante, le signal d’acquisition est fonction d’une tension aux bornes du photodétecteur 201, par exemple sensiblement proportionnel à cette tension. Le circuit d’acquisition 207 permet par exemple d’amplifier le photocourant Iph et de fournir une tension de pilotage de l’élément d’émission 107. À ces fins, le circuit d’acquisition 207 comprend par exemple un amplificateur symbolisé, en FIG. 2 , par un transistor. À titre d’exemple, l’amplificateur est de type CTIA (de l’anglais « Capacitive Trans-Impedance Amplifier » - amplificateur de transimpédance capacitif) ou de type RTIA (de l’anglais « Resistive Trans-Impedance Amplifier » - amplificateur de transimpédance résistif). Dans l’exemple représenté, le circuit 205 du pixel PIX comprend en outre un circuit de commande 209, ou circuit de pilotage. Le circuit de commande 209 est par exemple adapté à appliquer un signal de commande à l’élément d’émission 107. Le signal de commande fourni par le circuit de commande 209 est par exemple fonction du signal d’acquisition, par exemple sensiblement proportionnel au signal d’acquisition. Dans l’exemple représenté, le circuit d’acquisition 207 et le circuit de commande 209 reçoivent chacun un signal de calibration cal. Le signal de calibration cal permet par exemple de compenser des dispersions de fabrication entre les pixels PIX du dispositif de capture et d’affichage d’images 100, par exemple des dispersions de fabrication affectant l’élément de détection 103 et/ou l’élément d’émission 107 des pixels PIX. En pratique, le circuit d’acquisition 207 reçoit par exemple un signal de calibration différent de celui reçu par le circuit de commande 209. Le signal de calibration cal présente par exemple une valeur déterminée, pour chaque pixel PIX, à l’issue d’une étape de calibration postérieure à des étapes de fabrication du dispositif de capture et d’affichage d’images 100. À titre de variante, le signal de calibration cal peut être omis. Dans l’exemple illustré, l’élément d’émission 107 du pixel PIX comprend une diode électroluminescente 211 adaptée à émettre le rayonnement 109. La diode électroluminescente 211 est par exemple plus précisément adaptée à émettre le rayonnement 109 lorsqu’elle est parcourue par un courant Iled, correspondant par exemple au signal de commande appliqué par le circuit de commande 209. Le courant Iled présente par exemple une intensité sensiblement proportionnelle à celle du photocourant Iph, par exemple sensiblement proportionnelle à l’intensité du rayonnement 105 capté par le photodétecteur 201. Dans l’exemple illustré en FIG. 2 , la diode électroluminescente 211 comporte une première borne de conduction, par exemple une électrode d’anode, connectée au circuit 205, par exemple à une sortie du circuit de commande 209. La diode électroluminescente 211 comporte en outre, dans cet exemple, une deuxième borne de conduction, par exemple une électrode de cathode, connectée à un nœud 213 d’application d’un potentiel -Vk, par exemple un potentiel bas. La diode électroluminescente 211 peut être une diode électroluminescente organique ou inorganique. La diode 211 est par exemple de type micro-LED, c’est-à-dire qu’elle présente des dimensions micrométriques. Dans le cas où le courant Iled présente une intensité sensiblement proportionnelle à celle du photocourant Iph, les circuits d’acquisition 207 et de commande 209 sont par exemple des circuits analogiques. Dans ce cas, le circuit 205 est notamment dépourvu de convertisseur analogique-numérique. La FIG. 3 est un schéma électrique équivalent d’un pixel PIX du dispositif 100 de la FIG. 1 selon un autre mode de réalisation. Le schéma électrique équivalent illustré en FIG. 3 correspond plus précisément à un cas dans lequel le circuit 205 du pixel PIX est adapté à commander l’élément d’émission 107 par un signal impulsionnel. Le schéma de la FIG. 3 comprend des éléments en commun avec le schéma de la FIG. 2 . Ces éléments communs ne seront pas détaillés à nouveau ci-après. En particulier, les éléments de détection 103 et d’émission 107 du schéma de la FIG. 3 sont par exemple identiques à ceux du schéma de la FIG. 2 . Dans l’exemple représenté, le circuit d’acquisition 207 du pixel PIX comprend un comparateur 301 comportant une entrée inverseuse (-) connectée à un nœud 303 du circuit d’acquisition 207, une entrée non inverseuse (+) connectée à un nœud 305 d’application d’un potentiel de référence Vref, et une sortie connectée à un nœud 307 du circuit d’acquisition 207. Dans l’exemple illustré, la cathode du photodétecteur 201 est connectée au nœud 303. Les nœuds 303 et 307 du circuit d’acquisition 207 constituent par exemple respectivement des bornes d’entrée et de sortie du circuit d’acquisition 207. Dans l’exemple illustré, les nœuds 303 et 307 présentent respectivement des potentiels Vsn et Vo. Dans l’exemple représenté, le circuit d’acquisition 207 comprend en outre un élément capacitif 309, par exemple un condensateur, reliant le nœud 303 à un autre nœud 311 d’application d’un potentiel de référence, par exemple la masse. Le condensateur peut être substitué ou complété par une capacité parasite du nœud 303. Dans l’exemple illustré, le circuit d’acquisition 207 comprend en outre un transistor 313, par exemple un transistor MOS (de l’anglais « Metal-Oxide-Semiconductor » - métal-oxyde-semiconducteur). Dans cet exemple, le transistor 313 est plus précisément un transistor MOS de type N (transistor NMOS). Dans l’exemple représenté, le transistor 313 comprend une borne de conduction, par exemple une électrode de source, connectée au nœud 303, une autre borne de conduction, par exemple une électrode de drain, connectée à un nœud 315 d’application d’un potentiel d’alimentation Vdd, et une borne de commande, par exemple une électrode de grille, connectée au nœud 307. Le potentiel Vdd est par exemple strictement supérieur au potentiel Vref. Dans l’exemple illustré, le circuit de commande 209 comprend un inverseur 317 et un transistor 319. L’inverseur 317 comprend par exemple une entrée connectée au nœud 307 du circuit d’acquisition 207 et une sortie connectée à une borne de commande, par exemple une électrode de grille, du transistor 319. Le transistor 319 est par exemple plus précisément un transistor MOS de type P (transistor PMOS). Dans l’exemple représenté, le transistor PMOS 319 comprend une borne de conduction, par exemple une électrode de drain, connectée à l’anode de la diode électroluminescente 211 et une autre borne de conduction, par exemple une électrode de source, connectée à un nœud 321 d’application d’un potentiel d’alimentation Va. À titre d’exemple, la diode électroluminescente 211 est commandée par un signal de commande présentant une valeur moyenne sensiblement proportionnelle à l’intensité du rayonnement 105. La FIG. 4 est un chronogramme illustrant, de façon schématique et partielle, un exemple de fonctionnement du pixel PIX de la FIG. 3 . Le chronogramme de la FIG. 4 comprend des courbes 401 et 403 illustrant un exemple d’évolution, en fonction du temps (t), des potentiels Vsn et Vo, respectivement. Entre un instant t0 et un instant t1, postérieur à l’instant t0, le photodétecteur 201 est exposé au rayonnement 105 et produit le photocourant Iph. Durant cette période, le photocourant Iph est intégré par l’élément capacitif 309. Les charges photogénérées par le photodétecteur 201 s’accumulent au nœud 303, entraînant ainsi une baisse du potentiel Vsn. Dans l’exemple illustré, le potentiel Vsn du nœud 303 présente, entre les instants t0 et t1, une valeur comprise entre celle du potentiel Vdd et celle du potentiel Vref. Entre les instants t0 et t1, le potentiel Vo du nœud 307 connecté à la sortie du comparateur 301 est par exemple à un niveau bas. À l’instant t1, le potentiel Vsn atteint une valeur sensiblement égale à celle du potentiel de référence Vref. Cela provoque une commutation de la sortie du comparateur 301, donc une transition du potentiel Vo depuis le niveau bas vers un niveau haut. Le transistor 313 est alors commandé à l’état passant, ce qui a pour effet de connecter le nœud 303 au nœud 315. Les charges photogénérées accumulées au nœud 303 entre les instants t0 et t1 sont ainsi évacuées vers le nœud 315. Cela tend à ramener le potentiel Vsn à une valeur sensiblement égale à celle du potentiel d’alimentation Vdd. À un instant t2, postérieur à l’instant t1, le potentiel Vsn redevient supérieur au potentiel Vref. Cela entraîne une commutation de la sortie du comparateur 301, provoquant une transition du potentiel Vo depuis le niveau haut vers le niveau bas. La courbe 403 illustre ainsi une impulsion du potentiel Vo entre les instants t1 et t2. Entre l’instant t2 et un instant t3, postérieur à l’instant t2, la courbe 403 illustre plusieurs autres impulsions du potentiel Vo semblables à celle présente entre les instants t1 et t2. Ces impulsions résultent, comme exposé ci-dessus, de charges et de décharges successives de l’élément capacitif 309 lorsque le photodétecteur 201 est soumis au rayonnement 105 et produit le photocourant Iph. Les impulsions que comporte la courbe 403 entre les instants t0 et t3 se répètent par exemple périodiquement, par exemple à une fréquence fh. Entre un instant t4, postérieur à l’instant t3, et un instant t5, postérieur à l’instant t4, la courbe 403 illustre encore d’autres impulsions du potentiel Vo, par exemple analogues aux impulsions présentes entre les instants t0 et t3. Les impulsions du potentiel Vo entre les instants t4 et t5 diffèrent par exemple des impulsions du potentiel Vo entre les instants t0 et t3 en ce qu’elles se répètent périodiquement à une fréquence fl strictement inférieure à la fréquence fh. Cela provient par exemple du fait que le photodétecteur 201 produit, au cours d’une phase LF comprise entre les instants t4 et t5, un photocourant Iph plus faible, par exemple résultant d’une baisse d’intensité du rayonnement 105, que durant une autre phase HF comprise entre les instants t0 et t3. Dans l’exemple représenté, les fréquences fh et fl sont représentatives du photocourant Iph, par exemple sensiblement proportionnelles au photocourant Iph. Les fréquences fh et fl sont par exemple sensiblement proportionnelles à l’intensité, ou au flux, du rayonnement 105 capté par le photodétecteur 201. La diode électroluminescente 211 est par exemple ainsi commandée par un signal périodique de fréquence sensiblement proportionnelle à l’intensité du rayonnement 105 capté par le photodétecteur 201. À titre d’exemple, la sensibilité du pixel PIX est ajustée en modifiant la valeur du potentiel de référence Vref, qui limite l’étendue de la plage de variation du potentiel Vsn. Dans l’exemple représenté, pour une même valeur d’intensité du rayonnement 105, plus la valeur du potentiel Vref se rapproche de celle du potentiel Vdd et plus la fréquence de variation du potentiel Vo est élevée. À l’inverse, plus la valeur du potentiel Vref s’éloigne de celle du potentiel Vdd et plus la fréquence de variation du potentiel Vo est faible. Les modes de réalisation du circuit 205 du pixel PIX ne se limitent pas aux exemples des circuits de détection 207 et de commande 209 représentés, et la personne du métier est capable, à partir des indications de la présente description, de prévoir des circuits de détection et de commande différents de ceux exposés en relation avec les figures 3 et 4. À titre d’exemple, un compteur ou un diviseur de fréquence peut être prévu dans le circuit de commande 209 afin de permettre un ajustement de la fréquence de variation du potentiel Vo pour chaque pixel PIX indépendamment des autres pixels PIX. L’ajustement est alors par exemple effectué en usine, par exemple à l’issue d’étapes de fabrication du dispositif 100, et met par exemple en œuvre une étape de stockage de valeurs de calibration dans des circuits mémoires du dispositif 100, par exemple des circuits mémoire de type ROM (de l’anglais « Read-Only Memory » - mémoire à lecture seule) ou flash. Cela évite la présence de circuits d’adressage dans le dispositif 100. D’autres types de circuits, par exemple des circuits à réponse logarithmique, pourraient par ailleurs être prévus. La FIG. 5 est un schéma électrique équivalent d’un pixel PIX du dispositif 100 de la FIG. 1 selon encore un autre mode de réalisation. Le schéma de la FIG. 5 illustre plus précisément un cas dans lequel l’élément d’émission 107 du pixel PIX est capable d’émettre des rayonnements 109R, 109G et 109B dans des plages de longueurs d’onde différentes en fonction de l’énergie du rayonnement X incident 105. Le schéma de la FIG. 5 comprend des éléments en commun avec le schéma de la FIG. 2 . Ces éléments communs ne seront pas détaillés à nouveau ci-après. Dans l’exemple illustré en FIG. 5 , la deuxième borne de conduction du photodétecteur 201, par exemple son électrode de cathode, est connectée à un nœud 501 de l’élément de détection 103. Dans cet exemple, le nœud 501 est connecté à une entrée du circuit 205, plus précisément à une entrée du circuit d’acquisition 207. Par ailleurs, dans l’exemple représenté, l’élément de détection 103 comprend un élément capacitif 503, par exemple un condensateur, reliant le nœud 501 à un autre nœud 505 d’application d’un potentiel de référence, par exemple la masse. Le condensateur peut être substitué ou complété par une capacité parasite du nœud 501. Dans l’exemple représenté, le circuit de détection 207 comprend un circuit 511 de mise en forme de signaux (« shaper », en anglais), ici un circuit de mise en forme du courant Iph. Dans cet exemple, le circuit 511 comporte une entrée connectée au nœud 501 et une sortie connectée à l’entrée du circuit de commande 209. Le circuit 511 est adapté à fournir, en sortie, un signal sensiblement proportionnel à l’énergie des rayons X incidents 105 captés par le photodétecteur 201. À titre d’exemple, le circuit 511 est réalisé par une structure identique ou analogue à celles décrites dans la publication de B. Dierickx et al. intitulée « X-ray Photon Counting and Two-Color X-Ray Imaging Using Indirect Detection », Sensors, 2016, 16, 764. Dans l’exemple illustré en FIG. 5 , des potentiels Vsn′ et Vo′ sont respectivement présents au nœud 501 et en sortie du circuit 511 de mise en forme de signaux. Dans l’exemple représenté, le circuit de commande 209 comprend un comparateur multi-niveau 521 dont une entrée est connectée à la sortie du circuit 511 de mise en forme de signaux. Le comparateur multi-niveau 521 comprend par exemple plus précisément, comme dans l’exemple illustré en FIG. 5 , trois comparateurs 523R, 523G et 523B. Les comparateurs 523R, 523G et 523B comprennent chacun une entrée inverseuse (-) connectée à l’entrée du comparateur multi-niveau 521, c’est-à-dire connectée à la sortie du circuit 511. Les connexions des entrées inverseuses des comparateurs 523R, 523G et 523B à l’entrée du comparateur multi-niveau 521 n’ont pas été représentées en FIG. 5 afin de ne pas surcharger le dessin. Par ailleurs, les comparateurs 523R, 523G et 523B comprennent des entrées non inverseuses (+) connectées à des nœuds d’application d’un potentiel VR, VG et VB, respectivement. À titre d’exemple, le potentiel VR est strictement supérieur au potentiel VG et le potentiel VB est strictement inférieur au potentiel VG. Dans l’exemple illustré, le circuit de commande 209 comprend en outre trois transistors 319R, 319G et 319B identiques ou analogues au transistor 319 précédemment exposé en relation avec la FIG. 3 . Dans cet exemple, les transistors 319R, 319G et 319B comprennent chacun une borne de conduction, par exemple une électrode de drain, connectée à une première borne de conduction, par exemple une électrode d’anode, d’une diode électroluminescente 211R, 211G ou 211B, et une autre borne de conduction, par exemple une électrode de source, connectée au nœud 321 d’application du potentiel Va. Chaque transistor 319R, 319G, 319B comprend en outre une borne de commande, par exemple une électrode de grille, reliée à la sortie du comparateur 523R, 523G, 523B par un inverseur (non détaillé en FIG. 5 ), par exemple analogue à l’inverseur 317 de la FIG. 3 . De façon analogue à la diode électroluminescente 211 précédemment décrite en relation avec la FIG. 3 , les diodes électroluminescentes 211R, 211G et 211B comprennent une autre borne de conduction, par exemple une électrode de cathode, connectée au nœud 213 d’application du potentiel -Vk. Dans l’exemple représenté en FIG. 5 , les diodes électroluminescentes 211R, 211G et 211B sont respectivement parcourues par des courants IledR, IledG et IledB, et émettent respectivement les rayonnements 109R, 109G et 109B. À titre d’exemple : – le rayonnement 109R est compris dans une première plage de longueurs d’onde de la lumière visible, correspondant par exemple à de la lumière rouge ; – le rayonnement 109G est compris dans une deuxième plage de longueurs d’onde de la lumière visible, différente de la première plage et correspondant par exemple à de la lumière verte ; et – le rayonnement 109B est compris dans une troisième plage de longueurs d’onde de la lumière visible, différente des première et deuxième plages et correspondant par exemple à de la lumière bleue. La FIG. 5 illustre un cas dans lequel le comparateur multi-niveau 521 du circuit de commande 209 comprend trois comparateurs connectés respectivement aux bornes de commande de trois transistors, et dans lequel l’élément d’émission 107 comprend trois diodes électroluminescentes. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif. À titre de variante, le comparateur multi-niveau 521 peut comprendre un nombre de comparateurs différent de trois, par exemple égal à deux ou supérieur à trois, associés chacun à un transistor analogue ou identique aux transistors 319R, 319G et 319B, et/ou l’élément d’émission 107 peut comprendre un nombre de diodes électroluminescentes différent de trois, par exemple égal à deux ou supérieur à trois. Par ailleurs, le nombre de diodes électroluminescentes de l’élément d’émission 107 peut être différent du nombre de comparateurs 523 et du nombre de transistors 319 du circuit de commande 209. La FIG. 6 est un chronogramme illustrant, de façon schématique et partielle, un exemple de fonctionnement du pixel PIX de la FIG. 5 . Le chronogramme de la FIG. 6 comprend une courbe 601 illustrant un exemple d’évolution, en fonction du temps (t), du potentiel Vo′ présent en sortie du circuit 511 de mise en forme de signaux. Le chronogramme de la FIG. 6 comprend en outre trois courbes 603R, 603G et 603B illustrant un exemple d’évolution, en fonction du temps t, des courants IledR, IledG et IledB, respectivement. Entre un instant t0′ et un instant t1′, postérieur à l’instant t0′, le potentiel Vo′ présent en sortie du circuit 511 est égal à une valeur minimale Vmin. Les courants IledR, IledG et IledB sont par exemple à un niveau bas, par exemple sensiblement nul, entre les instants t0′ et t1′. Cela correspond par exemple à une période pendant laquelle aucun rayonnement X n’est détecté par le photodétecteur 201. Dans l’exemple représenté, à l’instant t1′, le rayonnement X incident 105 est détecté par le photodétecteur 201. Entre l’instant t1′ et un instant t2′, postérieur à l’instant t1′, une impulsion de potentiel Vo′ présentant une valeur maximale supérieure au potentiel VR est produite en sortie du circuit 511. Les courants IledR, IledG et IledB commutent alors chacun, à l’instant t1′, depuis un niveau bas vers un niveau haut puis, à l’instant t2′, depuis le niveau haut vers le niveau bas. Les courbes 603R, 603G et 603B illustrent, entre l’instant t2′ et un instant t3′, postérieur à l’instant t2′, plusieurs autres impulsions des courants IledR, IledG et IledB semblables à celles présentes entre les instants t1′ et t2′. Ces impulsions des courants IledR, IledG et IledB résultent, comme exposé ci-dessus, d’impulsions du potentiel Vo′ supérieures au potentiel VR. Entre l’instant t3′ et un instant t4′, postérieur à l’instant t3′, les courbes 603G et 603B illustrent d’autres impulsions des courants IledG et IledB, par exemple analogues aux impulsions présentes entre les instants t0′ et t3′. Entre les instants t3′ et t4′, le courant IledR est par exemple sensiblement nul. Les impulsions des courants IledG et IledB entre les instants t3′ et t4′ diffèrent par exemple des impulsions des courants IledR, IledG et IledB entre les instants t0′ et t3′ en ce qu’elles résultent d’impulsions du potentiel Vo′ présentant chacune une valeur maximale comprise entre le potentiel VG et le potentiel VR. Cela provient par exemple du fait que le photodétecteur 201 capte, au cours d’une phase ME comprise entre les instants t3′ et t4′, un rayonnement X incident de plus faible énergie que durant une autre phase HE comprise entre les instants t0′ et t3′. De façon analogue, entre l’instant t4′ et un instant t5′, postérieur à l’instant t4′, la courbe 603B illustre encore d’autres impulsions du courant IledB, par exemple analogues aux impulsions présentes entre les instants t3′ et t4′. Entre les instants t4′ et t5′, les courants IledR et IledG sont par exemple sensiblement nuls. Les impulsions du courant IledB entre les instants t4′ et t5′ diffèrent par exemple des impulsions des courants IledG et IledB entre les instants t3′ et t4′ en ce qu’elles résultent d’impulsions du potentiel Vo′ présentant chacune une valeur maximale comprise entre le potentiel VB et le potentiel VG. Cela provient par exemple du fait que le photodétecteur 201 capte, au cours d’une phase LE comprise entre les instants t4′ et t5′, des rayons X de plus faible énergie que durant la phase ME comprise entre les instants t3′ et t4′. Afin de simplifier le dessin, la FIG. 6 illustre un cas dans lequel les impulsions du courant IledR, IledG ou IledB se répètent sensiblement périodiquement, à une fréquence f′, entre l’instant t0′ et l’instant t3′, t4′ ou t5′. Toutefois, en pratique, la fréquence de répétition des impulsions du courant IledR, IledG, IledB peut varier entre l’instant t0′ et l’instant t3′, t4′ ou t5′, par exemple en fonction d’une intensité, ou d’un flux, du rayonnement X 105 incident. À énergie constante, par exemple entre les instants t3′ et t4′, la fréquence de répétition des impulsions des courants IledG et IledB est d’autant plus élevée que l’intensité du rayonnement X 105 est importante. Le pixel PIX exposé ci-dessus en relation avec les figures 5 et 6 présente l’avantage de permettre de représenter les rayonnements X, ou les photons X, d’énergies différentes au moyen de trois couleurs différentes. Plus précisément : – si l’énergie du rayonnement X est telle que le potentiel Vo′ est supérieur au potentiel VR (phase HE), les diodes 211R, 211G et 211B sont allumées ; – si l’énergie du rayonnement X est telle que le potentiel Vo′ est compris entre VG et VR (phase ME), les diodes 211G et 211B sont allumées et la diode 211R est éteinte ; – si l’énergie du rayonnement X est telle que le potentiel Vo′ est compris entre VB et VG (phase LE), la diode 211B est allumée et les diodes 211R et 211G sont éteintes ; et – si l’énergie du rayonnement X est telle que le potentiel Vo′ est inférieur à VB, les diodes 211R, 211G et 211B sont éteintes. À titre de variante, la personne du métier est capable de prévoir, à partir des indications de la présente description, un circuit électronique interposé par exemple entre le comparateur multi-niveau 521 et les transistors 319R, 319G et 319B et comprenant une logique permettant d’allumer une seule des diodes 211R, 211G et 211B pour chaque phase HE, ME et LE, respectivement. Dans les exemples exposés ci-dessus, le dispositif de capture et d’affichage d’images 100 est dépourvu de circuits d’adressage des matrices d’éléments de détection 103 et d’émission 107. Le dispositif 100 est en outre dépourvu de circuits et composants de stockage, ou mémorisation, d’images acquises par les éléments de détection 103 ou d’images à afficher par les éléments d’émission 107. Un avantage du dispositif 100 tient au fait qu’il présente un poids, un encombrement, une complexité, une consommation énergétique, des coûts de fabrication et/ou un temps de latence inférieurs à ceux des dispositifs existants de capture et d’affichage d’images. La FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 et la FIG. 7 illustrent, par des vues en coupe, schématiques et partielles, des structures obtenues à l’issue d’étapes d’un procédé de fabrication du dispositif 100 de la FIG. 1 selon un mode de réalisation. La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape de formation d’un empilement actif de diode électroluminescente 703, ou empilement actif de LED, du côté d’une face 701T d’un substrat de support 701 (la face supérieure du substrat 701, dans l’orientation de la FIG. 7 ). À titre d’exemple, le substrat de support 701 est une plaquette ou un morceau de plaquette en un matériau semiconducteur, par exemple le silicium. À titre de variante, le substrat de support 701 peut être en saphir ou en verre. Le substrat de support 701 est revêtu, sur l’une de ses faces, d’une couche semiconductrice 705. Dans l’exemple représenté, la couche semiconductrice 705 est située sur et en contact avec la face 701T du substrat de support 701. À titre d’exemple, la couche 705 est en silicium. La couche semiconductrice 705 est par exemple revêtue d’une autre couche semiconductrice 707, par exemple une couche en le même matériau que la couche 705. Dans l’exemple représenté, la couche semiconductrice 707 est située sur et en contact avec une face de la couche semiconductrice 705 opposée au substrat de support 701. À titre d’exemple, la couche semiconductrice 707 est dopée d’un premier type de conductivité, par exemple le type N (dopage N+). La couche semiconductrice 705 joue par exemple le rôle d’une couche tampon entre le substrat de support 701 et la couche semiconductrice 707. Dans l’exemple représenté, la couche semiconductrice 707 est revêtue d’une couche active 709. La couche active 709 est, dans cet exemple, située sur et en contact avec une face de la couche semiconductrice 707 opposée au substrat 701 (la face supérieure de la couche 707, dans l’orientation de la FIG. 7 ). À titre d’exemple, la couche 709 comprend des boîtes ou puits quantiques. Dans l’exemple illustré, la couche active 709 est revêtue d’une autre couche semiconductrice 711. La couche semiconductrice 711 est, dans cet exemple, située sur et en contact avec une face de la couche active 709 opposée au substrat de support 701 (la face supérieure de la couche 709, dans l’orientation de la FIG. 7 ). La couche semiconductrice 711 est par exemple dopée d’un type de conductivité opposé à celui de la couche semiconductrice 705 (le type P, dans cet exemple). Dans l’exemple illustré, les couches semiconductrices 705 et 707, la couche active 709 et la couche semiconductrice 711 forment l’empilement de diode électroluminescente 703. À titre d’exemple, dans le cas où le substrat 701 est en silicium, la couche semiconductrice 705, la couche semiconductrice 707, la couche active 709 et la couche semiconductrice 711 sont formées successivement par croissance épitaxiale depuis la face 701T du substrat de support 701. Dans l’exemple représenté, la couche semiconductrice 711 est revêtue d’une couche conductrice 713. La couche conductrice 713 est, dans cet exemple, située sur et en contact avec une face de la couche semiconductrice 711 opposée au substrat de support 701 (la face supérieure de la couche 711, dans l’orientation de la FIG. 7 ). À titre d’exemple, la couche conductrice 713 est en un métal, par exemple l’aluminium ou le titane, ou en un alliage métallique. La couche conductrice 713 permet par exemple de réaliser un contact ohmique avec le matériau semiconducteur de la couche 711. La couche conductrice 713 peut présenter une structure monocouche ou multicouche. La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape de formation des circuits 205 des pixels PIX du dispositif 100. L’étape décrite en relation avec la FIG. 7 peut être réalisée indifféremment avant, pendant ou après l’étape précédemment décrite en relation avec la FIG. 7 . Dans l’exemple représenté, la structure comprend un substrat de support 721. À titre d’exemple, le substrat de support 721 est une plaquette ou un morceau de plaquette en un matériau semiconducteur, par exemple le silicium. Le substrat de support 721 est par exemple revêtu, sur l’une de ses faces, d’une couche isolante 723. Dans l’exemple représenté, la couche isolante 723 est située sur et en contact avec une face 721T du substrat de support 721 (la face supérieure du substrat 721, dans l’orientation de la FIG. 7 ). À titre d’exemple, la couche isolante 723 est en un oxyde, par exemple l’oxyde de silicium. La couche isolante 723 est par exemple revêtue d’une couche semiconductrice 725, par exemple une couche en silicium. Dans l’exemple représenté, la couche semiconductrice 725 est située sur et en contact avec une face de la couche isolante 723 opposée au substrat de support 721. À titre d’exemple, le substrat de support 721, la couche isolante 723 et la couche semiconductrice 725 font partie d’un substrat de type SOI (de l’anglais « Silicon On Insulator » - silicium sur isolant). Dans ce cas, la couche isolante 723 correspond à la couche d’oxyde enterré (« buried oxide » - BOX, en anglais) du substrat SOI. Dans cet exemple, les circuits 205 sont situés du côté de la face 721T du substrat semiconducteur 721. À titre d’exemple, les circuits 205 sont formés dans et sur la couche semiconductrice 725. Bien que cela n’ait pas été détaillé en FIG. 7 afin de ne pas surcharger le dessin, la structure comprend par exemple en outre un empilement ou réseau d’interconnexion situé sur la couche semiconductrice 725. L’empilement d’interconnexion comprend par exemple un empilement de couches conductrices, par exemple des couches métalliques ou niveaux de métallisation, et de couches isolantes alternées. L’empilement d’interconnexion comprend par exemple des pistes conductrices formées dans les couches conductrices et des vias conducteurs, par exemple des vias métalliques, interconnectant des pistes conductrices situées dans des couches conductrices différentes. Dans l’exemple représenté, seule une couche conductrice 727 de l’empilement d’interconnexion la plus éloignée du substrat de support 721, appelée dernier niveau de métallisation, a été symbolisée par des rectangles hachurés disjoints en FIG. 7 . La couche semiconductrice 725 de la structure illustrée en FIG. 7 correspond par exemple au substrat semiconducteur 101 du dispositif 100 de la FIG. 1 . Bien que la FIG. 7 illustre un exemple dans lequel les circuits 205 sont formés dans et sur un substrat de type SOI, cet exemple n’est pas limitatif. À titre de variante, les circuits 205 peuvent être formés dans et sur un substrat semiconducteur massif, par exemple identique ou analogue au substrat de support 721 de la FIG. 7 . Dans l’exemple représenté, la couche conductrice 727 est revêtue d’une autre couche conductrice 729. La couche conductrice 729 est, dans cet exemple, située sur et en contact avec une face de la couche conductrice 727 opposée au substrat 721 (la face supérieure de la couche 727, dans l’orientation de la FIG. 7 ). À titre d’exemple, la couche conductrice 729 est en un métal, par exemple le titane, ou en un alliage métallique. La couche conductrice 729 est par exemple en le même matériau que la couche conductrice 713. La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure de report de la structure précédemment décrite en relation avec la FIG. 7 sur la structure précédemment décrite en relation avec la FIG. 7 . À titre d’exemple, la structure précédemment décrite en relation avec la FIG. 7 est retournée par rapport à l’orientation de la FIG. 7 puis mise en contact, par la face de la couche conductrice 713 opposée au substrat de support 701 (la face inférieure de la couche 713, dans l’orientation de la FIG. 7 ), avec la face de la couche conductrice 729 opposée au substrat 721 (la face supérieure de la couche 729, dans l’orientation de la FIG. 7 ). Au cours de cette étape, la structure comprenant le substrat de support 701 et l’empilement actif de diode électroluminescente 703 est fixée à l’empilement d’interconnexion revêtu de la couche conductrice 729. À titre d’exemple, la fixation est obtenue par collage moléculaire entre les deux surfaces mises en contact. Le collage moléculaire est par exemple plus précisément de type métal-métal, chaque surface comprenant une couche métallique. Le substrat de support 701 est par exemple ensuite éliminé. Le substrat de support 701 est par exemple totalement éliminé, par exemple par meulage du côté de la face 721T du substrat 721. La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure de formation de tranchées 731, ou ouvertures, dans l’empilement actif de diode électroluminescente 703. Les tranchées 731 sont par exemple formées par gravure plasma au travers d’un masque (non représenté) préalablement déposé du côté de la face supérieure de l’empilement actif 703. Les tranchées 731 s’étendent depuis la face supérieure de la couche semiconductrice 705 à travers les couches 705, 707, 709 et 711 de l’empilement actif de diode électroluminescente 703, la gravure étant par exemple interrompue sur la face supérieure de la couche conductrice 713. La formation des tranchées 731 à travers l’empilement actif 703 conduit à délimiter, dans l’empilement actif 703, une pluralité de LED 733. Chaque LED 733 correspond à un îlot ou mesa formé dans l’empilement 703 et entouré latéralement par une tranchée 731. Chaque LED 733 comprend ainsi un empilement vertical comportant, dans l’ordre à partir de la face supérieure de la couche conductrice 713, une portion de la couche semiconductrice 711, correspondant à l’anode de la LED, une portion de la couche émissive 709, une portion de la couche semiconductrice 707, correspondant à la cathode de la LED, et une portion de la couche semiconductrice 707. Les tranchées 731 peuvent être alignées par rapport à des repères préalablement formés sur le circuit 205 sous-jacent. Plus particulièrement, après le dépôt du masque de gravure mais avant la formation des tranchées 731, des repères préalablement formés sur le substrat 721 peuvent être dégagés par gravure du masque et de l’empilement actif 703 dans des zones périphériques de l’assemblage, ces repères servant ensuite de marques d’alignement pour le positionnement du masque utilisé pour réaliser les tranchées 731. Dans l’exemple représenté, chaque LED 733 est située, en projection verticale, en regard d’un unique élément de reprise de contact 735, par exemple un plot conducteur, formé dans la couche conductrice 727. Par ailleurs, la FIG. 7 illustre une étape ultérieure de retrait, par exemple par gravure plasma, des portions des couches métalliques 729 et 713 situées au fond des tranchées 731, de façon à prolonger les tranchées 731 jusqu’à la dernière couche conductrice 727 de l’empilement d’interconnexion. À l’issue de cette étape, les anodes des différentes LED 733 sont isolées électriquement les unes des autres par les tranchées 731, et chaque LED 733 a son anode connectée à la portion de la couche conductrice 727 sous-jacente par l’intermédiaire des portions des couches métalliques 729 et 713 subsistant entre la LED et un élément de reprise de contact 735, par exemple un plot conducteur formé dans la couche conductrice 727. Ceci permet un contrôle individuel des LED par les circuits 205. En outre, à l’issue de cette étape, la face supérieure d’autres éléments de reprise de contact 737, par exemple des plots conducteurs, non revêtus d’une portion de l’empilement actif de diode électroluminescente 703, est découverte. Par ailleurs, la FIG. 7 illustre une étape ultérieure de dépôt d’une couche isolante 741, par exemple une couche de passivation en oxyde ou en nitrure de silicium ou en oxyde d’aluminium, sur les parois latérales et sur le fond des tranchées 731. La couche 741 est par exemple en outre déposée sur les faces supérieures des portions de l’empilement actif 703 des LED 733. La couche 741 est par exemple déposée sur toute la face supérieure de la structure par une méthode de dépôt conforme, par exemple par dépôt en couches monoatomiques successives (ALD). Les parties de la couche 741 situées au fond des tranchées 731 sont par exemple ensuite éliminées. Lors de cette étape, la couche 741 est conservée sur les parois latérales, ou flancs, des tranchées 731. Pour cela, la couche 741 est par exemple gravée par gravure anisotrope verticale, ce qui conduit en outre à retirer la couche 741 sur les faces supérieures des portions de l’empilement actif 703 surmontant les LED 733. La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure de dépôt d’une couche conductrice 751, par exemple une couche métallique, du côté de la face supérieure de la structure de la FIG. 7 . Dans l’exemple représenté, la couche conductrice 751 comble les tranchées 731. En d’autres termes, la couche 751 remplit intégralement les espaces laissés libres entre les LED 733. Dans l’exemple illustré, la couche conductrice 751 affleure la face supérieure de l’empilement actif de diode électroluminescente 703. À titre d’exemple, une opération de polissage mécano-chimique est mise en œuvre afin d’éliminer des portions de la couche conductrice 751 revêtant les faces supérieures des LED 733. Par ailleurs, une autre couche conductrice 753 est déposée au cours de cette étape sur la face supérieure de la structure. À titre d’exemple, la couche conductrice 753 forme une électrode de cathode commune aux LED 733. La couche conductrice 751 est alors par exemple destinée à former des éléments de reprise de contact permettant de connecter les plots 737 à la couche conductrice 753. À titre d’exemple, la couche conductrice 755 est une couche en un oxyde transparent et conducteur, par exemple l’oxyde d’indium-étain, ou une couche mince métallique, par exemple en argent. La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure de report de la structure précédemment décrite en relation avec la FIG. 7 sur un substrat de support temporaire 755. À titre d’exemple, la structure précédemment décrite en relation avec la FIG. 7 est retournée par rapport à l’orientation de la FIG. 7 puis mise en contact, par la face de la couche conductrice 753 opposée au substrat de support 721 (la face inférieure de la couche 753, dans l’orientation de la FIG. 7 ), avec la face supérieure du substrat de support temporaire 755. À titre d’exemple, la fixation est obtenue par collage moléculaire entre les deux surfaces mises en contact. Le substrat de support 721 est par exemple ensuite éliminé. Le substrat de support 721 est par exemple totalement éliminé, par exemple par meulage du côté de la face supérieure du substrat de support temporaire 755. Le fait d’utiliser un substrat de type SOI présente l’avantage de faciliter l’élimination du substrat de support 721 au cours de cette étape, par exemple en permettant un arrêt sur la couche isolante 723. Par ailleurs, au cours de cette étape, des vias conducteurs 757 sont formés depuis la face de la couche isolante 723 opposée au substrat de support temporaire 755 (la face supérieure de la couche isolante 723, dans l’orientation de la FIG. 7 ). Dans l’exemple représenté, les vias conducteurs 757 traversent la couche isolante 723 et pénètrent dans l’épaisseur de la couche semiconductrice 725. Bien que cela n’ait pas été détaillé en FIG. 7 afin de ne pas surcharger le dessin, les vias conducteurs 757 sont par exemple connectés aux circuits 205. À titre d’exemple, les vias conducteurs 757 sont formés en réalisant des ouvertures traversant la couche isolante 723 et pénétrant dans la couche semiconductrice 725, les flancs et le fond des ouvertures étant par exemple ensuite passivés avant remplissage intégral des ouvertures par des régions métalliques. La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure de report de la structure précédemment décrite en relation avec la FIG. 7 sur un autre substrat de support temporaire 761. À titre d’exemple, la structure précédemment décrite en relation avec la FIG. 7 est retournée par rapport à l’orientation de la FIG. 7 puis mise en contact, par la face de la couche isolante 723 opposée au substrat de support 755 (la face inférieure de la couche 723, dans l’orientation de la FIG. 7 ), avec la face supérieure du substrat de support temporaire 761. À titre d’exemple, la fixation est obtenue par collage entre les deux surfaces mises en contact, par exemple au moyen d’une couche de colle. Le substrat de support 755 est par exemple ensuite éliminé. Le substrat de support 755 est par exemple totalement éliminé, par exemple par meulage du côté de la face supérieure du substrat de support temporaire 761. La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure de formation, à partir de la face supérieure de la structure de la FIG. 7 , de tranchées 763 s’étendant verticalement, depuis la face de la couche conductrice 753 opposée au substrat de support temporaire 761 (la face supérieure de la couche 753, dans l’orientation de la FIG. 7 ), jusqu’à la face supérieure du substrat 761. Les tranchées 763 délimitent latéralement une pluralité de puces semiconductrices correspondant à des puces élémentaires 765 des pixels PIX du dispositif de capture et d’affichage d’images 100. Les tranchées 763 sont par exemple formées par gravure plasma, par sciage, ou par toute autre méthode de découpe adaptée. La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure de fixation des puces élémentaires 765 sur la face supérieure d’un même substrat de report 767. Le substrat de report 767 est par exemple dépourvu d’éléments de reprise de contact. À titre d’exemple, le substrat de report 767 est en verre. La structure de la FIG. 7 est par exemple retournée de façon à placer les puces élémentaires 765 en vis-à-vis du substrat de report 767. Les puces élémentaires 765 sont ensuite fixées, par exemple par collage, sur la face supérieure du substrat de report 767. Une fois fixées au substrat de report 767, les puces élémentaires 765 sont détachées du substrat de support temporaire 761, et ce dernier est retiré. À titre d’exemple, les puces 765 sont détachées par décollement mécanique ou par décollement au moyen d’un faisceau laser. Dans l’exemple représenté, le pas (c’est-à-dire la distance centre à centre, en vue de face) des puces élémentaires 765 sur le substrat de report 767 est un multiple du pas des puces élémentaires 765 sur le substrat de support temporaire 761. Ainsi, seule une partie des puces élémentaires 765 (une sur deux, dans l’exemple représenté) sont transférées simultanément depuis le substrat de support temporaire 761 vers le substrat de report 767. Les autres puces restent attachées au substrat de support temporaire 761. Ces puces restantes peuvent ensuite être reportées sur une autre partie du substrat de report 767. À titre de variante, le report de ces puces élémentaires restantes peut s’effectuer sur un autre substrat de report. La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure de dépôt d’une couche isolante 769 du côté de la face supérieure du substrat de report 767. Dans l’exemple représenté, la couche isolante 769 revêt des parties de la face supérieure du substrat de report 767 non revêtues des puces élémentaires 765, ainsi que les flancs et les faces supérieures des puces élémentaires 765. Dans cet exemple, la couche isolante 769 comble tous les espaces libres s’étendant latéralement entre les puces élémentaires 765. La couche isolante 769 joue par exemple le rôle d’une couche de planarisation. À titre d’exemple, la couche isolante 769 est en un matériau polymère. Par ailleurs, au cours de cette étape, les vias conducteurs 757 sont prolongés jusqu’à la face supérieure de la couche isolante 769. À titre d’exemple, des ouvertures sont formées dans l’épaisseur de la couche isolante 769 à l’aplomb des vias conducteurs 757. Ces ouvertures, qui débouchent sur les vias conducteurs 757, sont par exemple ensuite passivées puis remplies par un matériau conducteur, par exemple le même matériau que celui des vias conducteurs 757. La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure de formation d’un réseau d’interconnexion 771, ou empilement d’interconnexion, du côté de la face supérieure de la structure de la FIG. 7 . Le réseau d’interconnexion 771 comprend par exemple un empilement de couches conductrices, par exemple des couches métalliques ou niveaux de métallisation, et de couches isolantes alternées. Le réseau d’interconnexion 771 comprend par exemple des pistes conductrices formées dans les couches conductrices et des vias conducteurs, par exemple des vias métalliques, interconnectant des pistes conductrices situées dans des couches conductrices différentes. En FIG. 7 , les couches métalliques du réseau d’interconnexion 771 ont été symbolisées par des rectangles hachurés. Par ailleurs, au cours de cette étape, des électrodes 773, par exemple des électrodes inférieures des photodétecteurs 201 du dispositif 100, sont formées du côté de la face supérieure de la structure. Dans l’exemple représenté, les électrodes 773 sont situées sur et en contact avec une face du réseau d’interconnexion 771 opposée au substrat de report 767 (la face supérieure du réseau d’interconnexion 771, dans l’orientation de la FIG. 7 ). À titre d’exemple, une couche conductrice est déposée sur toute la face supérieure de la structure, puis des tranchées 775 sont par exemple ensuite formées dans toute l’épaisseur de la couche conductrice de sorte à délimiter des parties de la couche conductrice isolées les unes des autres et formant chacune l’une des électrodes 773. La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure de formation de diodes 781, par exemple des diodes PIN (de l’anglais « Positive Intrinsic Negative » - positif intrinsèque négatif) du côté de la face supérieure de la structure de la FIG. 7 . À titre d’exemple, un empilement actif de diode PIN est déposé sur toute la face supérieure de la structure de la FIG. 7 . L’empilement actif de diode PIN est par exemple ensuite structuré, par exemple par photolithographie puis gravure, de sorte à conserver uniquement des parties de l’empilement de diode PIN situées chacune à l’aplomb de l’une des électrodes 773. À titre d’exemple, l’empilement de diode PIN est à base de silicium amorphe, d’oxyde d’indium-gallium-zinc (IGZO), ou d’un ou plusieurs matériaux organiques. Par ailleurs, au cours de cette étape, une couche isolante 783 est ensuite déposée du côté de la face supérieure de la structure. Dans l’exemple représenté, la couche isolante 783 comble, c’est-à-dire remplit intégralement, tous les espaces libres s’étendant latéralement entre les diodes PIN 781 et affleure la face supérieure des diodes PIN 781. Par ailleurs, au cours de cette étape, une couche conductrice 785 est déposée du côté de la face supérieure de la structure. Dans l’exemple représenté, la couche conductrice 785 est située sur et en contact avec les faces supérieures des diodes PIN 781 et de la couche isolante 783. La couche conductrice 785 constitue par exemple une électrode commune à toutes les diodes PIN 781 du dispositif 100. À titre d’exemple, la couche conductrice 785 est en un oxyde transparent et conducteur, par exemple l’oxyde d’indium-étain (ITO). Par ailleurs, au cours de cette étape, un scintillateur 787 est ensuite formé du côté de la face supérieure de la structure. Dans l’exemple représenté, le scintillateur 787 est situé sur et en contact avec la face supérieure de la couche conductrice 785. Le scintillateur 787 comprend une couche d’un matériau de scintillation, par exemple de l’iodure de césium (CsI) sous forme cristalline, de l’oxyde de gadolinium (GadOx), ou tout autre matériau de scintillation adapté, c’est-à-dire un matériau émettant de la lumière à la suite d’un dépôt d’énergie par interaction avec des rayons X, s’étendant de façon continue sur toute la face supérieure de la couche conductrice 785. Le scintillateur 787 est par exemple formé séparément sur un substrat de croissance, puis reporté sur la face supérieure de la couche conductrice 785. À titre de variante, le scintillateur 787 est formé directement sur la face supérieure de la couche conductrice 785. Dans la structure de la FIG. 7 , les éléments de détection 103 comprennent par exemple les diodes 781, et les éléments d’émission 107 comprennent par exemple les diodes électroluminescentes 733 formées dans les puces élémentaires 765. Le procédé décrit ci-dessus en relation avec les figures 7A à 7L peut être utilisé pour réaliser un dispositif 100 comportant une pluralité de puces élémentaires (« smart pixel » - pixel intelligent, en anglais) disposées, par exemple selon un agencement matriciel, sur un même substrat de report. À titre d’exemple, le substrat de report est un substrat flexible (« flex », en anglais), c’est-à-dire un substrat capable d’épouser la forme d’un objet arrondi. La FIG. 8 est une vue de dessus, schématique et partielle, du réseau d’interconnexion 771 du dispositif 100. Dans l’exemple représenté, le réseau d’interconnexion 771 comprend deux niveaux de métallisation 801 et 803 symbolisés, en FIG. 8 , par des éléments hachurés. Dans l’orientation de la FIG. 8 , le niveau de métallisation 801 comprend majoritairement des pistes conductrices verticales et le niveau de métallisation 803 comprend majoritairement des pistes conductrices horizontales. Dans l’exemple illustré, chaque puce élémentaire 765 comprend : – un plot 811a connecté à une piste conductrice 821a du niveau de métallisation 801, par exemple une piste d’application du potentiel d’alimentation Va ; – un plot 811b connecté à une piste conductrice 821b du niveau de métallisation 801, par exemple une piste d’application du potentiel de référence ; et – un plot 811c connecté à une piste conductrice 821c du niveau de métallisation 801, par exemple une piste d’application du potentiel Vdd. Par ailleurs, dans cet exemple, chaque puce élémentaire 765 comprend : – un plot 813a connecté à une piste conductrice 823a du niveau de métallisation 803, par exemple une piste d’application du potentiel Vref ; et – un plot 813b connecté à une piste conductrice 823b du niveau de métallisation 803, par exemple une piste d’application du potentiel -Vk. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, le réseau d’interconnexion 771 pouvant, de manière plus générale, présenter une structure quelconque permettant d’appliquer des signaux adaptés à permettre le fonctionnement de chaque puce élémentaire 765. La FIG. 9 et la FIG. 9 illustrent, par des vues en coupe, schématiques et partielles, des structures obtenues à l’issue d’étapes successives d’un procédé de fabrication du dispositif 100 de la FIG. 1 selon un autre mode de réalisation. La FIG. 9 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape de formation d’un convertisseur 900 à base d’un matériau pérovskite. Dans l’exemple représenté, le convertisseur 900 comprend plus précisément une couche active 901 en un matériau pérovskite. Un matériau pérovskite est par exemple un matériau présentant une structure cristalline de la forme ABX 3 , où A et B sont deux ions chargés positivement, ou cations, et où X est un ion chargé négativement, ou anion. L’anion X, typiquement un anion d’oxygène (O - ), est lié aux cations A et B. Les cations A et B peuvent être de tailles différentes, les cations A étant par exemple plus gros que les cations B. La présente description n’est toutefois pas limitée à ces exemples. À titre de variante, le site A et/ou le site B du matériau pérovskite de la couche active 901 peut présenter une configuration du type A1 x-1 A2 x et/ou B1 y-1 B2 y , et l’anion X peut s’écarter de la configuration de coordination idéale, par exemple lorsque les ions des sites A et B subissent des changements dans leurs états d’oxydation respectifs. À titre de variante, la couche active peut être à base de sélénium amorphe, d’arséniure de gallium, d’iodure de mercure, d’oxyde de plomb ou de tellurure de cadmium-zinc. Dans l’orientation de la FIG. 9 , le convertisseur 900 comprend, du côté de sa face inférieure, des électrodes 903 situées sous et en contact avec la couche active 901. Dans l’orientation de la FIG. 9 , le convertisseur 900 comprend en outre, du côté de sa face supérieure, une électrode 905 commune. La FIG. 9 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure de report du convertisseur 900 de la FIG. 9 sur la structure précédemment décrite en relation avec la FIG. 7 . À titre d’exemple, le convertisseur 900 est mis en contact, par les faces des électrodes 903 opposées à la couche active 901 (les faces inférieures des électrodes 903, dans l’orientation de la FIG. 9 ), avec les faces supérieures des électrodes 773 opposées au substrat 767 (les faces supérieures des électrodes 773, dans l’orientation de la FIG. 9 ). Au cours de cette étape, le convertisseur 900 est fixé à l’empilement d’interconnexion 771. À titre d’exemple, la fixation est obtenue par collage moléculaire entre les deux surfaces mises en contact. Le collage moléculaire est par exemple plus précisément de type métal-métal, chaque surface comprenant une couche métallique. Dans l’exemple représenté, les électrodes 773 présentent, en vue de dessus, des dimensions latérales sensiblement égales à celles des électrodes 903. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, les électrodes 773 pouvant, à titre de variante, présenter des dimensions latérales différentes de celles des électrodes 903, par exemple inférieures à celles des électrodes 903. Le dispositif de la FIG. 9 est par exemple utilisé pour restituer des images couleur caractéristiques du rayonnement X capté, par exemple au moyen d’une conversion directe et d’un comptage de photons. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, bien que les modes de réalisation décrits prennent pour exemple un cas dans lequel les matrices d’éléments de détection 103 et d’éléments d’affichage 107 présentent un pas sensiblement identique, la personne du métier est capable de prévoir, à partir des indications de la présente description, que la matrice d’éléments d’affichage 107 du dispositif 100 présente un pas différent, par exemple supérieur, à celui de la matrice d’éléments de détection 103. Enfin, la mise en œuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. En particulier, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas aux exemples particuliers de matériaux et de dimensions mentionnés dans la présente description. Dispositif électronique (100) de capture et d’affichage d’images comprenant une pluralité de pixels (PIX) formés dans et sur un substrat semiconducteur (101 ; 705), chaque pixel comportant : – un élément de détection (103) d’un rayonnement X (105), situé du côté d’une première face (101F) du substrat semiconducteur (101) ; – un élément d’émission (107) de lumière visible (109), situé du côté d’une deuxième face (101R) du substrat semiconducteur opposée à la première face ; et – un circuit (205) situé dans et sur le substrat semiconducteur et reliant l’élément de détection à l’élément d’émission. Dispositif (100) selon la revendication 1, dans lequel le circuit (205) comprend : – un circuit d’acquisition (207) situé dans et sur le substrat semiconducteur (101 ; 705) et adapté à fournir un signal d’acquisition représentatif d’une intensité du rayonnement X (105) reçu par l’élément de détection (103) du pixel (PIX) ; et – un circuit de commande (209) situé dans et sur le substrat semiconducteur et adapté à appliquer un signal de commande à l’élément d’émission (107) du pixel. Dispositif (100) selon la revendication 2, dans lequel le circuit d’acquisition (207) et le circuit de commande (209) sont des circuits analogiques. Dispositif (100) selon la revendication 2, dans lequel : – chaque élément de détection (103) comprend un photodétecteur (201) ; – chaque circuit d’acquisition (207) comprend un comparateur (301) comportant une entrée inverseuse connectée à une électrode de conduction du photodétecteur ; et – chaque circuit de commande (209) comprend un inverseur (317) comportant une entrée connectée à une sortie du comparateur et une sortie connectée à une grille d’un transistor MOS (319), le transistor MOS comprenant une électrode de conduction connectée à l’élément d’émission (107). Dispositif (100) selon la revendication 4, dans lequel chaque élément d’émission (107) comprend une seule diode électroluminescente (211). Dispositif (100) selon la revendication 5, dans lequel la diode électroluminescente (211) est commandée par un signal de commande présentant des impulsions se répétant à une fréquence sensiblement proportionnelle à une intensité du rayonnement X (105) détectée par l’élément de détection (103). Dispositif (100) selon la revendication 2, dans lequel : – chaque élément de détection (103) comprend un photodétecteur (201) ; – chaque circuit d’acquisition (207) comprend un circuit (511) de mise en forme de signaux ; et – chaque circuit de commande (209) comprend un comparateur multi-niveau (521) comportant une entrée connectée à une sortie du circuit de mise en forme de signaux et au moins deux sorties reliées chacune à une grille d’un transistor MOS (319R, 319G, 319B) par un inverseur (317), chaque transistor MOS comprenant une électrode de conduction connectée à une diode électroluminescente (211R, 211G, 211B) de l’élément d’émission (107). Dispositif (100) selon la revendication 7, dans lequel chaque élément d’émission (107) comprend exactement trois diodes électroluminescentes (211R, 211G, 211B). Dispositif (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel les éléments de détection (103) sont situés en vis-à-vis des éléments d’émission (107). Dispositif (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel les éléments de détection (103) et les éléments d’émission (107) sont agencés respectivement en des première et deuxième matrices, les première et deuxième matrices présentant des pas sensiblement identiques. Dispositif (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, comprenant autant d’éléments de détection (103) que d’éléments d’émission (107). Dispositif (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, comprenant en outre un scintillateur (787) surmontant les éléments de détection (103). Dispositif (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, comprenant en outre un convertisseur (900) à base d’un matériau pérovskite surmontant les éléments de détection (103). Procédé de fabrication d’un dispositif (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 13, comprenant une étape de report, par collage moléculaire, d’une structure comprenant les éléments de détection (103) et les circuits (205) sur une autre structure comprenant les éléments d’émission (107).