Brevet FR3164059A1 — publié le 20260102

Puce électronique comportant un pilier de connexion La présente description concerne une puce électronique (11) comportant : - une couche de passivation (21) comportant une ouverture traversante en vis à vis d’une métallisation de connexion (19) du circuit ; - un pilier de connexion (15), sur une face supérieure de la métallisation du circuit, le pilier comportant une partie inférieure (151) et une partie supérieure (153), en le même matériau, la partie supérieure ayant une face supérieure arrondie, le pilier ayant la forme d'un champignon dont le pied correspond à la partie inférieure du pilier et dont le chapeau correspond à la partie supérieure du pilier, dans laquelle la partie supérieure du pilier est recouverte par une couche conductrice électriquement (22), elle-même recouverte par une couche (23) en un matériau de brasure, dans laquelle, la partie inférieure du pilier a une portion de ses flancs latéraux libre d'accès. Figure pour l'abrégé : Fig. 1 Puce électronique comportant un pilier de connexion La présente description concerne de façon générale les puces électroniques. On s’intéresse ici à une puce électronique destinée à être connectée et brasée à un dispositif extérieur, plus précisément à des plots de connexion du dispositif extérieur, via des piliers de connexion formés sur la face avant de la puce. Une telle connexion est permise par un matériau de brasure déposé à l'interface entre les piliers de connexion de la puce électronique et les plots de connexion du dispositif extérieur. Il serait souhaitable d’améliorer au moins en partie certains aspects de telles puces électroniques. Pour cela, un mode de réalisation prévoit une puce électronique comportant, sur un circuit intégré formé dans et sur un substrat semiconducteur : - une couche de passivation recouvrant une face supérieure du circuit intégré, la couche de passivation comportant une ouverture traversante en vis à vis d’une métallisation de connexion du circuit intégré ; - un pilier de connexion, sur et en contact avec une face supérieure de la métallisation de connexion du circuit intégré, le pilier de connexion comportant une partie inférieure et une partie supérieure, la partie inférieure et la partie supérieure du pilier de connexion étant en le même matériau et la partie supérieure ayant une face inférieure plane et une face supérieure arrondie, dans laquelle la face inférieure de la partie supérieure du pilier de connexion a une surface supérieure à la surface d'une face supérieure de la partie inférieure du pilier de connexion de sorte que le pilier de connexion ait la forme d'un champignon dont le pied correspond à la partie inférieure du pilier de connexion et dont le chapeau correspond à la partie supérieure du pilier de connexion, dans laquelle la face supérieure de la partie supérieure du pilier de connexion est recouverte par, et en contact avec, une couche conductrice électriquement, elle-même recouverte par, et en contact avec, une couche en un matériau de brasure, et dans laquelle, la partie inférieure du pilier de connexion a une portion de ses flancs latéraux libre d'accès et la partie supérieure du pilier de connexion a une portion de sa face inférieure libre d'accès. Selon un mode de réalisation, le pilier de connexion est en cuivre. Selon un mode de réalisation, la couche conductrice est à base de nickel. Selon un mode de réalisation, le matériau de brasure est à base d'étain et d'argent. Selon un mode de réalisation, les flancs latéraux de la partie inférieure du pilier de connexion sont libres d'accès sur une hauteur comprise entre 20 µm et 80 µm. Selon un mode de réalisation, la portion de la face inférieure de la partie supérieure du pilier de connexion non recouverte par la partie inférieure du pilier de connexion et libre d'accès a une largeur comprise entre 5 µm et 20 µm. Selon un mode de réalisation, la largeur de la portion libre d'accès de la face inférieure due la partie supérieure du pilier de connexion non recouverte par la partie inférieure du pilier de connexion est égale à la hauteur de la partie supérieure du pilier de connexion. Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'une puce électronique comportant les étapes successives de formation, sur un circuit intégré formé dans et sur un substrat semiconducteur, : - d'une couche de passivation recouvrant une face supérieure du circuit intégré, la couche de passivation comportant une ouverture traversante en vis à vis d’une métallisation de connexion du circuit intégré ; - d'un pilier de connexion, sur et en contact avec une face supérieure de la métallisation de connexion du circuit intégré, le pilier de connexion comportant une partie inférieure et une partie supérieure, la partie inférieure et la partie supérieure du pilier de connexion étant en le même matériau et la partie supérieure ayant une face inférieure plane et une face supérieure arrondie, dans laquelle la face inférieure de la partie supérieure du pilier de connexion a une surface supérieure à la surface d'une face supérieure de la partie inférieure du pilier de connexion de sorte que le pilier de connexion ait la forme d'un champignon dont le pied correspond à la partie inférieure du pilier de connexion et dont le chapeau correspond à la partie supérieure du pilier de connexion, dans laquelle la face supérieure de la partie supérieure du pilier de connexion est recouverte, et en contact avec, une couche conductrice électriquement, elle-même recouverte, et en contact avec, une couche en un matériau de brasure, et dans laquelle, la partie inférieure du pilier de connexion a une portion de ses flancs latéraux libre d'accès et la partie supérieure du pilier de connexion a une portion de sa face inférieure libre d'accès. Selon un mode de réalisation, l'étape de formation du pilier de connexion comporte : - une étape de dépôt d'une couche de germe à l'aplomb de la métallisation de connexion du circuit intégré ; - une étape de formation d'une couche en une résine photosensible et de photolithogravure de façon à y former une tranchée en vis-à-vis de la métallisation de connexion du circuit intégré ; - une étape d'électrolyse permettant de faire croitre le pilier de connexion et former la partie inférieure du pilier de connexion dans la tranchée formée dans la couche en la résine photosensible et la partie supérieure du pilier de connexion en dehors de ladite ouverture sur la face supérieure de la couche en la résine photosensible. Selon un mode de réalisation, le procédé comporte, après l'étape d'électrolyse, une étape de retrait de la couche en la résine photosensible de façon à rendre libre d'accès une portion des flancs latéraux de la partie inférieure du pilier de connexion et une portion de la face inférieure de la partie supérieure du pilier de connexion. Selon un mode de réalisation, le procédé comporte une étape de report du pilier de connexion sur un plot de connexion d'un dispositif extérieur, le plot de connexion étant recouvert d'une autre couche en le matériau de brasure, l'étape de report consistant en un chauffage des deux couches en le matériau de brasure, et de la compression de la puce électronique sur le dispositif extérieur de sorte que le matériau de brasure mouille une partie de la face inférieure de la partie supérieure du pilier de connexion de la puce électronique. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 est une vue en coupe, partielle et schématique, illustrant un exemple d'une puce électronique comportant un pilier de connexion selon un mode de réalisation ; la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 et la FIG. 2 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, illustrant des étapes d'un exemple de procédé de fabrication de la puce électronique illustrée en FIG. 1 selon un mode de réalisation ; et la FIG. 3 et la FIG. 3 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, illustrant des étapes d'un exemple de procédé de brasure de la puce électronique illustrée en FIG. 1 sur un dispositif extérieur selon un mode de réalisation. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, seule la partie de la puce électronique correspondant aux piliers de connexion et leurs connexions à la puce électronique a été détaillée. La réalisation des autres éléments de la puce et notamment des circuits intégrés et des composants électroniques présents dans la puce n'a pas été détaillée. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % ou à 10° près, de préférence à 5 % ou à 5° près. La FIG. 1 est une vue en coupe, partielle et schématique, illustrant un exemple d'une puce électronique 11 comportant un pilier de connexion selon un mode de réalisation. La puce électronique 11 comporte un circuit intégré 13, sur lequel un pilier de connexion 15 a été formé. Le circuit intégré 13 est formé sur et dans un substrat semiconducteur, par exemple en silicium. A titre d'exemple, le circuit 13 comporte un empilement d'interconnexion dont une métallisation de connexion 19 de surface affleure la face supérieure du circuit 13. La métallisation 19 a, en vue de dessus, par exemple, une forme ronde. En variante, la métallisation 19 peut avoir, en vue de dessus, une forme carrée ou rectangulaire. A titre d'exemple, les métallisations 19 sont en un matériau métallique, par exemple en aluminium. Le pilier de connexion 15 est, en FIG. 1 formé sur la face supérieure du circuit 13. En FIG. 1 , un unique pilier 15 a été représenté, toutefois, en pratique, la puce électronique 11 peut comporter une pluralité de piliers de connexion 15. A titre d'exemple, les piliers de connexion 15 sont organisés, sur la face supérieure du circuit 13 selon une matrice de lignes et de colonnes. Le pilier 15 est formé à l'aplomb de la métallisation de connexion 19 du circuit intégré 13 et est en contact avec la métallisation 19 par l'intermédiaire d'un ensemble de couches conductrices 17. L'ensemble de couches conductrices 17 comporte, par exemple, plusieurs couches qui assurent une bonne ohmicité du contact entre le pilier 15 et la métallisation 19 du circuit 13. L'ensemble de couches conductrices 17 permet en outre d'assurer un rôle de barrière à la diffusion métallique dans le circuit 13, et une bonne adhésion du pilier 15 à la métallisation 19. L'ensemble de couches conductrice 17 a, en vue de dessus, par exemple, une forme ronde. En variante, cet ensemble 17 peut avoir, en vue de dessus, une forme carrée ou rectangulaire. A titre d'exemple, l'ensemble 17 comporte un empilement de deux couches conductrices. A titre d'exemple, l'ensemble 17 comporte une première couche conductrice 171 sur et en contact avec la métallisation 19. A titre d'exemple, l'ensemble 17 comporte une deuxième couche conductrice 173 sur et en contact avec la première couche conductrice 171. A titre d'exemple, la deuxième couche conductrice 173 s'étend sur toute ou partie de la surface de la première couche conductrice 171. La première couche 171 est par exemple en un matériau métallique, par exemple en le même matériau que les métallisations 19. La première couche 171 est par exemple en aluminium. A titre d'exemple, la deuxième couche est en un matériau métallique, par exemple en titane. A titre d'exemple, la couche 171 a une épaisseur comprise entre 0,5 µm et 5 µm, par exemple de l'ordre de 1,5 µm . A titre d'exemple, la couche 173 a une épaisseur comprise entre 0,01 µm et 0,2 µm, par exemple de l'ordre de 0,02 µm. La puce électronique 11 comporte de plus une couche de passivation 21 recouvrant la face supérieure du circuit intégré 13, la couche de passivation comportant une ouverture traversante en vis à vis de la métallisation 19 et en vis-à-vis des couches 171 et 173 de sorte que la couche de passivation 21 entoure les couches 171 et 173 sans les recouvrir. A titre d'exemple, la couche de passivation 21 recouvre les flancs des couches 171 et 173. A titre d'exemple, la couche 173 s'étend sur une partie seulement de la surface de la couche 171 sous-jacente, la couche de passivation 21 recouvre alors la partie de la couche 171 non recouverte par la couche 173. A titre d'exemple, la couche de passivation 21 a une épaisseur comprise entre 1 µm et 6 µm, par exemple de l'ordre de 3 µm. Le pilier 15 s'étend à l'aplomb de l'ouverture formée dans la couche de passivation 21 et de la métallisation 19. Le pilier 15 a sa face inférieure en contact avec l'ensemble de couches conductrices 17 et plus particulièrement avec la couche 173. A titre d'exemple, le pilier 15 recouvre, par sa face inférieure, l'entièreté de la face supérieure de la couche 173 et une partie seulement de la couche de passivation 21, autour des couches 171 et 173. Le pilier 15 comporte deux parties, une partie inférieure 151 et une partie supérieure 153. A titre d'exemple, les deux parties du pilier 15 sont rondes en vue de dessus. Le pilier 15 et plus particulièrement les parties inférieure 151 et supérieure 153 du pilier 15 sont en un seul et même matériau. A titre d'exemple, le pilier 15 s'étend sur une hauteur H1, de la face inférieure de la partie inférieure 151 du pilier 15 à l'extrémité supérieure de la face supérieure de la partie supérieure 153 du pilier 15. La hauteur H1 est par exemple comprise entre 20 µm et 100 µm, par exemple comprise entre 30 µm et 80 µm, par exemple de l'ordre de 50 µm. La partie inferieure 151 du pilier 15 est en contact, par sa face inférieure, avec la couche 173 et s'étend verticalement au dessus de la couche 173. La partie inférieure 151 du pilier 15 comprend, par exemple une région moins large s'étendant dans l'ouverture formée dans la couche de passivation 21, entre la face supérieure de la couche 173 et la face supérieure de la couche de passivation 21. La partie inférieure 151 du pilier 15 a, au dessus de la région susmentionnée, une portion de ses flancs latéraux exposés ou libres d'accès, c'est-à-dire qu'ils ne sont pas recouverts, par exemple pas recouverts par une couche isolante et plus particulièrement par la couche de passivation 21. A titre d'exemple, la portion des flancs latéraux libres d'accès sont droits et s'étendent, par exemple, orthogonalement à la face inférieure du pilier 15. A titre d'exemple, la portion des flancs latéraux libres d'accès de la partie inférieure 151 du pilier 15 s'étend sur une hauteur H2 par exemple comprise entre 20 µm et 80 µm par exemple de l'ordre de 30 µm . A titre d'exemple, la partie inférieur 151 du pilier 15 s'étend sur une largeur L1, par exemple correspondant au diamètre de la partie inférieure 151 du pilier 15 pris dans le plan de sa face supérieure. A titre d'exemple, la largeur L1 est comprise entre 50 µm et 150 µm, et est par exemple de l'ordre de 100 µm. La partie supérieure 153 du pilier 15 est en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la partie inférieure 151 du pilier 15. La partie supérieure 153 du pilier 15 a une face inférieure plane. La partie supérieure 153 du pilier 15 a une face supérieure arrondie, par exemple la forme d'un arc de cercle. A titre d'exemple, les faces inférieure et supérieure de la partie supérieure 153 du pilier 15 se rejoignent sur leurs pourtours. A titre d'exemple, la partie supérieure 153 du pilier 15 s'étend sur une hauteur H3, de la face supérieure de la partie inférieure 151 du pilier 15 à l'extrémité supérieure de la face supérieure de la partie supérieur 153 du pilier 15. La hauteur H3 est par exemple comprise entre 5 µm et 20 µm, par exemple de l'ordre de 10 µm. A titre d'exemple, la partie supérieure 153 du pilier 15 est centrée sur la partie inférieure 151 du pilier 15. C'est-à-dire que le centre de la partie supérieure 153 du pilier 15 et le centre de la partie inférieure 151 du pilier 15 sont alignés. A titre d'exemple, la partie supérieure 153 du pilier 15 s'étend sur une surface, prise au niveau de sa face inférieure, supérieure à la surface de la partie inférieure 151 du pilier 15, prise au niveau sa face supérieure. En d'autres termes, la face inférieure de la partie supérieure 153 du pilier 15 s'étend sur toute la surface de la face supérieure de la partie inférieure 151 du pilier 15 et au delà. Le pilier 15 a ainsi la forme d'un champignon dont le pied correspond à la partie inférieure 151 et dont le chapeau correspond à la partie supérieure 153. A titre d'exemple, la partie supérieure 153 du pilier 15, plus précisément la face inférieure de la partie supérieure 153 du pilier 15 dépasse, par exemple sur l'ensemble du pourtour, de la partie inférieure 151 du pilier 15 d'une largeur L2. La partie de la face inférieure de la partie supérieure 153 non recouverte par la partie inférieure 151 est alors exposée, c’est à dire libre d'accès et non recouverte par une couche d’un autre matériau, notamment une couche isolante. A titre d'exemple, la partie supérieure 153 du pilier 15 a une largeur, par exemple correspondant au diamètre de la face inférieure de la partie supérieure 153 du pilier 15, égale à . A titre d'exemple, le ratio entre la valeur L2 et la moitié de la largeur L1 est compris entre 10 % et 30 %, par exemple compris entre 10 % et 20 %. A titre d'exemple, la largeur L2 est égale à la hauteur H3. A titre d'exemple, la largeur L2 est comprise entre 5 µm et 20 µm, par exemple de l'ordre de 10 µm. Le pilier 15, plus particulièrement la partie supérieure 153 du pilier 15, est recouvert par une couche conductrice 22. La partie supérieure 153 du pilier 15 est en contact, par sa face supérieure, avec la face inférieure de la couche conductrice 22. La couche 22 recouvre par exemple l'entièreté de la surface de la face supérieure de la partie supérieure 153 du pilier 15. La couche 22 a, par exemple, une épaisseur constante, par exemple inférieure à 5 µm, par exemple inférieure à 3 µm, par exemple de l'ordre de 3 µm. A titre d'exemple, la couche 22 est en un matériau métallique, par exemple en nickel. La couche conductrice 22 est recouverte par une couche en un matériau de brasure 23. La couche 23 est en contact, par sa face supérieure, avec la face inférieure de la couche 22. La couche 23 a, par exemple, une épaisseur constante, par exemple comprise entre 2 µm et 20 µm, par exemple comprise entre 5 µm et 17 µm, par exemple de l'ordre de 15 µm. A titre d'exemple, la couche 23 est, par exemple, en un matériau à base d'étain, par exemple à base d'étain et d'argent (SnAg). A titre d'exemple, les couches 22 et 23 ne s'étendent pas sur la face inférieure de la partie supérieure 153 du pilier 15. La FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 et la FIG. 2 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, illustrant des étapes d'un exemple de procédé de fabrication de la puce électronique 11 illustrée en FIG. 1 selon un mode de réalisation. La FIG. 2 illustre une structure de départ comportant la couche de passivation 21 et la couche 171 formées sur le circuit intégré 13. La FIG. 2 illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de dépôt de la couche 173 sur la face supérieure de la structure illustrée en FIG. 2 . Lors de cette étape, la couche conductrice 173 est déposée pleine plaque sur l'ensemble de la face supérieure de la structure illustrée en FIG. 2 et plus précisément, sur la face supérieure de la couche de passivation 21 et sur la face supérieure de la couche conductrice 171. A l'issue de cette étape, la couche conductrice 173 est ainsi en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la couche de passivation et avec la face supérieure de la couche conductrice 171. La FIG. 2 illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de dépôt d'une couche de germe 25 sur la face supérieure de la structure illustrée en FIG. 2 . Lors de cette étape, la couche de germe 25 est déposée pleine plaque sur l'ensemble de la face supérieure de la structure illustrée en FIG. 2 et plus précisément sur la face supérieure de la couche conductrice 173. A l'issue de cette étape, la couche de germe 25 est en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la couche conductrice 173. La couche de germe 25 est par exemple en un matériau métallique, par exemple en cuivre. La FIG. 2 illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de dépôt d'une couche de résine 27 sur la face supérieure de la structure illustrée en FIG. 2 . Lors de cette étape, la couche de résine 27 est déposée pleine plaque sur l'ensemble de la face supérieure de la structure illustrée en FIG. 2 . La couche de résine 27 est par exemple en une résine photosensible, par exemple une résine positive. La FIG. 2 illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de photolithographie de la couche 27 de la structure illustrée en FIG. 2 . Lors de cette étape, une partie de la couche de résine 27, à l'aplomb de la métallisation 19, est exposée. A titre d'exemple, cette partie de la couche 27 est exposée aux rayonnements ultraviolets (UVs). A l'issue de l'étape d'exposition, la couche 27 subie une étape de rinçage lors de laquelle la partie qui a été exposée, soluble dans la solution de rinçage, est retirée. A l'issue de cette étape, la structure comporte ainsi une ouverture dans la couche de résine 27, à l'aplomb de la métallisation 19. L'ouverture susmentionnée est traversante, c'est-à-dire qu'elle débouche sur la face supérieure de la couche 25. La FIG. 2 illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de formation du pilier 15. Lors de cette étape, le pilier 15 est formé en une seule et même étape, par électrolyse. Lors de cette étape, le pilier 15 croît à partir de la couche de germe 25. Dans un premier temps, le pilier 15 croît dans l'ouverture formée dans la couche de résine 27, de façon à former la partie inférieure 151 du pilier. L'électrolyse est continuée alors que la face supérieure du pilier 15 dépasse la face supérieure de la couche de résine 27. Dans un second temps, le pilier 15 croit alors en dehors de l'ouverture formée dans la couche 27. Dans ce second temps, la croissance du pilier 15 n'est plus guidée et le pilier 15 croît ainsi autant verticalement qu'horizontalement. Lors de cette étape, le pilier 15 vient donc croitre sur la face supérieure de la couche de résine 27, en dehors de l'ouverture formée à l'aplomb de la métallisation 19. A titre d'exemple, l'électrolyse est arrêtée lorsque le pilier 15 s'est étendu horizontalement, sur la face supérieure de la couche 27, sur la largeur L2 et la hauteur H3. La FIG. 2 illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de formation des couches 22 et 23 sur la face supérieure du pilier 15 de la structure illustrée en FIG. 2 . Dans un premier temps, lors de cette étape, la couche 22 est formée sur, et en contact avec, la face supérieure du pilier 15. La couche 22 est par exemple formée par électrolyse. La couche 22 est par exemple formée seulement au contact du pilier 15, elle n'est par exemple pas formée sur la face supérieure de la couche 27. Dans un second temps, lors de cette étape, la couche 23 est formée sur, et en contact avec, la face supérieure de la couche 22. La couche 23 est par exemple formée par électrolyse. La couche 23 est par exemple formée seulement au contact de la couche 22, elle n'est par exemple pas formée sur la face supérieure de la couche 27. La FIG. 2 illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de retrait de la couche en résine 27 de la structure illustrée en FIG. 2 . Lors de cette étape, la couche 27 est retirée, laissant ainsi une partie des flancs latéraux du pilier 15 libre d'accès et non recouverts. Lors de cette étape, la couche 27 est retirée en dévoilant la face supérieure de la couche de germe 25. La FIG. 2 illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de gravure de la structure illustrée en FIG. 2 . Lors de cette étape, la structure est gravée de façon à retirer la couche de germe 25 et la couche conductrice 173 autour du pilier 15. A titre d'exemple, lors de cette étape, la couche 23 est déformée en s'amincissant sur le pourtour de la face supérieure de la partie supérieure 153 du pilier 15. A l'issue de cette étape, la face supérieure de la couche de passivation est, autour du pilier 15, dévoilée. La couche conductrice 173 est, à l'issue de cette étape, conservée qu'entre le pilier 15 et la couche conductrice 171. La FIG. 3 et la FIG. 3 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, illustrant des étapes d'un exemple de procédé de brasure de la puce électronique 11 illustrée en FIG. 1 sur un dispositif extérieur 29 selon un mode de réalisation. La FIG. 3 illustre une étape consistant en l'alignement de la puce 11 illustrée en FIG. 1 sur le dispositif extérieur 29. En FIG. 3 , la puce électronique 11 est représentée dans une partie supérieure de la figure et le dispositif extérieur 29 est représenté dans une partie inférieure de la figure. La puce électronique 11 est en FIG. 3 représentée inversée par rapport à son orientation en FIG. 1 . Le dispositif extérieur 29 est par exemple une carte de circuit imprimé, une autre puce ou un élément électronique différent de la puce 11. Le dispositif extérieur 29 comporte un plot de connexion 31. Le plot de connexion 31 est par exemple en un matériau conducteur, par exemple en un matériau métallique, par exemple en cuivre. Le plot de connexion 31 a, par exemple, en vue de dessus, une forme ronde. En variante, le plot de connexion 31, a une forme carré ou rectangulaire. Le dispositif extérieur 29 comporte, en outre, autour et au-dessus du plot de connexion 31, une couche en un matériau de brasure 33. A titre d'exemple, la couche 33 s'étend sur la face supérieure et les flancs latéraux du plot de connexion 31. A titre d'exemple, la couche 33 ne s'étend pas sur la face supérieure du dispositif 29 en dehors du voisinage du plot de connexion 31. A titre d'exemple, le matériau de brasure de la couche 33 est le même matériau que celui de la couche 23. A titre d'exemple, la couche 33 est en un matériau à base d'étain, par exemple à base d'étain et d'argent (SnAg). A titre d'exemple, la couche 33 en le matériau de brasure a une épaisseur comprise entre 2 µm et 50 µm, par exemple comprise entre 5 µm et 50 µm. Lors de l'étape d'alignement, la puce électronique 11 est alignée avec le dispositif extérieur 29 de sorte que le pilier 15 soit aligné avec le plot de connexion 31, la couche 23 de la puce 11 faisant face à la couche 33 du dispositif extérieur 29. La FIG. 3 illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de thermocompression de la puce sur le dispositif extérieur 29. Lors de cette étape, la puce 11 est comprimée sur le dispositif extérieur 29, de façon à mettre en contact les couches 33 et 23. Lors de cette étape, en plus de la compression, les couches 23 et 33 sont chauffées de sorte que le matériau de brasure des couches 23 et 33 deviennent liquides. A titre d'exemple, les couches 23 et 33 sont chauffées à une température égale ou supérieure à la température de fusion des couches 23 et 33. A titre d'exemple, les couches 23 et 33 sont chauffées à une température comprise entre 140 °C et 240 °C. Lors de cette étape, la couche 33 vient mouiller, c'est-à-dire qu'elle vient au contact de, la couche 23. De plus, lors de cette étape, la couche 33 remonte sur les bords de la partie 153 du pilier 15 en recouvrant et encerclant la partie 153 du pilier 15. A titre d'exemple, lors de cette étape, la couche 33 vient recouvrir la partie de la face supérieure, dans l'orientation de la FIG. 3 , de la partie 153, non recouverte par la partie 151 du pilier 15. On parle ici d'effet rivet. Un avantage du présent mode de réalisation est qu'il permet d'augmenter la mouillabilité entre le pilier 15 de la puce 11 et le plot de connexion 31 du dispositif extérieur 29. Un autre avantage du présent mode de réalisation est qu'il permet une meilleure tenue mécanique de la puce 11 sur le dispositif extérieur 29 par l'effet rivet de la couche 33 en le matériau de brasure du dispositif extérieur 29 sur la partie 153 du pilier 15. De nombreuses applications sont susceptibles de tirer profit des avantages procurés par la puce électronique 11, la puce électronique 11 pouvant ainsi être intégrée dans divers types de dispositifs. À titre d’exemple, la puce 11 peut être intégrée dans un dispositif destiné à l’industrie automobile. L’électrification des véhicules automobiles cause une forte augmentation du nombre de composants électroniques présents dans les véhicules. Le dispositif comprend par exemple des diodes de suppression de tensions transitoires, des modules, etc. destinés à être incorporés dans lesdits véhicules. Par ailleurs, l’aide à la conduite et l’automatisation de la conduite sont à l’origine d’une augmentation du nombre de composants électroniques dans les véhicules. Le dispositif comprend par exemple des diodes de suppression de tensions transitoires, une protection contre les décharges électrostatiques et des filtres de mode commun permettant de protéger le dispositif contre des risques électriques. À titre d’exemple, la puce 11 peut être intégrée dans un dispositif destiné à l’industrie. En particulier, le dispositif est par exemple utilisé pour le développement des énergies vertes ou pour l’électrification d’infrastructures, par exemple pour des bornes de recharge ou pour la collecte d’énergie solaire. Le dispositif peut également être utilisé dans le domaine de l’internet des objets ou dans le domaine des maisons connectées. Le dispositif peut également être utilisé pour la mise en œuvre de systèmes d’informatique dans le nuage, de réseaux de communication radiofréquence 5G, de centres de données et de serveurs. Le dispositif comprend par exemple des matériaux à large bande interdite. À titre d’exemple, la puce 11 peut être intégrée dans un dispositif destiné à être utilisé dans l’électronique personnelle, par exemple dans le but d’augmenter un volume d’informations échangées par communication radiofréquence, dans des systèmes de communication 5G, ou plus généralement dans tout dispositif connecté. Le dispositif est par exemple un téléphone mobile, ou smartphone, ou fait partie d’un réseau de l’internet des objets. Le dispositif est par exemple connecté par 5G, par WiFi ou par communication large bande. Le dispositif comprend par exemple des interfaces à haut débit, par exemple avec un filtrage avancé et une protection contre les décharges électrostatiques. À titre d’exemple, la puce 11 peut être intégrée dans un dispositif destiné à être utilisé dans des équipements de communication, ou dans des ordinateurs et des périphériques. Le dispositif est par exemple utilisé dans des infrastructures 5G et des centres de données dédiés. Le dispositif comprend par exemple des diodes de suppression des tensions transitoires. Le dispositif peut également être utilisé dans des satellites comprenant par exemple des dispositifs passifs intégrés pour des applications radiofréquence. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Puce électronique (11) comportant, sur un circuit intégré (13) formé dans et sur un substrat semiconducteur : - une couche de passivation (21) recouvrant une face supérieure du circuit intégré (13), la couche de passivation (21) comportant une ouverture traversante en vis à vis d’une métallisation de connexion (19) du circuit intégré (13) ; - un pilier de connexion (15), sur et en contact avec une face supérieure de la métallisation de connexion (19) du circuit intégré (13), le pilier de connexion (15) comportant une partie inférieure (151) et une partie supérieure (153), la partie inférieure (151) et la partie supérieure (153) du pilier de connexion (15) étant en le même matériau et la partie supérieure (153) ayant une face inférieure plane et une face supérieure arrondie, dans laquelle la face inférieure de la partie supérieure (153) du pilier de connexion (15) a une surface supérieure à la surface d'une face supérieure de la partie inférieure (151) du pilier de connexion (15) de sorte que le pilier de connexion (15) ait la forme d'un champignon dont le pied correspond à la partie inférieure (151) du pilier de connexion (15) et dont le chapeau correspond à la partie supérieure (153) du pilier de connexion (15), dans laquelle la face supérieure de la partie supérieure (153) du pilier de connexion (15) est recouverte par, et en contact avec, une couche conductrice électriquement (22), elle-même recouverte par, et en contact avec, une couche (23) en un matériau de brasure, et dans laquelle, la partie inférieure du pilier de connexion (15) a une portion de ses flancs latéraux libre d'accès et la partie supérieure (153) du pilier de connexion (15) a une portion de sa face inférieure libre d'accès. Puce électronique selon la revendication 1, dans laquelle le pilier de connexion (15) est en cuivre. Puce électronique selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle la couche conductrice (22) est à base de nickel. Puce électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle le matériau de brasure est à base d'étain et d'argent. Puce électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans laquelle les flancs latéraux de la partie inférieure (151) du pilier de connexion (15) sont libres d'accès sur une hauteur (H2) comprise entre 20 µm et 80 µm. Puce électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans laquelle la portion de la face inférieure de la partie supérieure (153) du pilier de connexion (15) non recouverte par la partie inférieure (151) du pilier de connexion (15) et libre d'accès a une largeur (L2) comprise entre 5 µm et 20 µm. Puce électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans laquelle la largeur (L2) de la portion libre d'accès de la face inférieure de la partie supérieure (153) du pilier de connexion (15) non recouverte par la partie inférieure (151) du pilier de connexion (15) est égale à la hauteur (H3) de la partie supérieure (153) du pilier de connexion (15). Procédé de fabrication d'une puce électronique (11) comportant les étapes successives de formation, sur un circuit intégré (13) formé dans et sur un substrat semiconducteur : - d'une couche de passivation (21) recouvrant une face supérieure du circuit intégré (13), la couche de passivation (21) comportant une ouverture traversante en vis à vis d’une métallisation de connexion (19) du circuit intégré (13) ; - d'un pilier de connexion (15), sur et en contact avec une face supérieure de la métallisation de connexion (19) du circuit intégré (13), le pilier de connexion (15) comportant une partie inférieure (151) et une partie supérieure (153), la partie inférieure (151) et la partie supérieure (153) du pilier de connexion (15) étant en le même matériau et la partie supérieure (153) ayant une face inférieure plane et une face supérieure arrondie, dans laquelle la face inférieure de la partie supérieure (153) du pilier de connexion (15) a une surface supérieure à la surface d'une face supérieure de la partie inférieure (151) du pilier de connexion (15) de sorte que le pilier de connexion (15) ait la forme d'un champignon dont le pied correspond à la partie inférieure (151) du pilier de connexion (15) et dont le chapeau correspond à la partie supérieure (153) du pilier de connexion (15), dans laquelle la face supérieure de la partie supérieure (153) du pilier de connexion (15) est recouverte, et en contact avec, une couche conductrice électriquement (22), elle-même recouverte, et en contact avec, une couche (23) en un matériau de brasure, et dans laquelle la partie inférieure (151) du pilier de connexion (15) a une portion de ses flancs latéraux libre d'accès et la partie supérieure (153) du pilier de connexion (15) a une portion de sa face inférieure libre d'accès. Procédé de fabrication selon la revendication 8, dans lequel l'étape de formation du pilier de connexion (15) comporte : - une étape de dépôt d'une couche de germe (25) à l'aplomb de la métallisation de connexion (19) du circuit intégré (13) ; - une étape de formation d'une couche en une résine photosensible (27) et de photolithogravure de façon à y former une tranchée en vis-à-vis de la métallisation de connexion (19) du circuit intégré (13); - une étape d'électrolyse permettant de faire croitre le pilier de connexion (15) et former la partie inférieure (151) du pilier de connexion (15) dans la tranchée formée dans la couche en la résine photosensible (27) et la partie supérieure (153) du pilier de connexion (15) en dehors de ladite ouverture sur la face supérieure de la couche en la résine photosensible (27). Procédé de fabrication selon la revendication 9, comportant, après l'étape d'électrolyse, une étape de retrait de la couche en la résine photosensible (27) de façon à rendre libre d'accès une portion des flancs latéraux de la partie inférieure (151) du pilier de connexion (15) et une portion de la face inférieure de la partie supérieure (153) du pilier de connexion (15). Procédé d'utilisation d'une puce électronique (11) selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comportant une étape de report du pilier de connexion (15) sur un plot de connexion (31) d'un dispositif extérieur (29), le plot de connexion (31) étant recouvert d'une autre couche (33) en le matériau de brasure, l'étape de report consistant en un chauffage des deux couches (23, 33) en le matériau de brasure, et de la compression de la puce électronique (11) sur le dispositif extérieur (29) de sorte que le matériau de brasure mouille une partie de la face inférieure de la partie supérieure (153) du pilier de connexion (15) de la puce électronique (11).