Brevet FR3156140A1 — publié le 20250606

Procédé de dépôt d’un revêtement par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur. L’invention concerne un procédé de dépôt chimique en phase vapeur d’un revêtement sur un substrat, comprenant au moins les étapes suivantes: - une étape de disposition du substrat (100, 200) dans une enceinte réactionnelle ; - une étape d’obtention d’une première couche (101, 201), par alimentation de l’enceinte avec un mélange de dihydrogène et de méthyltrichlorosilane en un premier ratio volumique H2/méthyltrichlorosilane, l’enceinte étant à une première température et à une première pression ; - une étape d’obtention d’une deuxième couche (102, 203), par alimentation de l’enceinte avec un mélange de dihydrogène et de méthyltrichlorosilane en un deuxième ratio volumique H2/méthyltrichlorosilane différent du premier ratio, l’enceinte étant à une deuxième température et à une deuxième pression, l’un au moins du deuxième ratio volumique, de la deuxième température et/ou de la deuxième pression étant différent respectivement du premier ratio volumique, de la première température et/ou de la première pression. Figure pour l’abrégé : Fig. 1. Procédé de dépôt d’un revêtement par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur. Le présent exposé concerne un procédé de revêtement d’un substrat par un revêtement comprenant du silicium et du carbone. Les matériaux composites à matrice céramique (CMC) supportent des températures allant de 600°C à 1400°C. De par leur meilleure résistance aux hautes températures, les CMC nécessitent moins de refroidissement. Ce refroidissement étant traditionnellement issu d’un prélèvement dans le compresseur qui impacte le rendement de la turbomachine, les matériaux CMC permettent donc d’améliorer le rendement moteur ce qui réduit la consommation de carburant. Par ailleurs, l’utilisation des matériaux composites à matrice céramique contribue à optimiser les performances des turbomachines notamment par la baisse de la masse globale de la turbomachine qui contribue encore à une diminution de la consommation carburant et donc à la réduction significative des émissions polluantes. Du fait de leur intérêt industriel, les procédés de fabrication des matériaux composites ont connu de nombreuses améliorations dans les dernières années. Parmi les procédés de fabrication de tels matériaux, on connait les procédés d'infiltration chimique en phase vapeur (ou « CVI » pour l’acronyme en langue anglaise « Chemical Vapor infiltration »). De tels procédés peuvent non seulement servir pour la formation de la matrice céramique des matériaux CMC mais sont également utilisés pour déposer des revêtements sur des pièces, notamment des pièces en CMC, par exemple pour permettre l’accroche ultérieure de revêtements protecteurs contre l’oxydation ou la température. Les procédés CVI nécessitent l’emploi de précurseurs gazeux qui, par décomposition chimique sous l’effet de la température, permettent de former la couche souhaitée. Si cette méthode est déjà utilisée industriellement, elle nécessite toutefois des fours complexes dès que la nature des couches à déposer est plurielle. En effet, il est nécessaire de pouvoir introduire dans les fours les précurseurs prédéfinis pour l’obtention de la couche souhaitée au moment souhaité. Cela complexifie la programmation des fours qui doit être préparée spécifiquement pour permettre l’introduction des précurseurs souhaités au bon moment. C’est pourquoi il est souhaitable de disposer de procédés CVI qui permettraient de déposer des revêtements de plusieurs natures tout en ayant recours à des procédés plus simples que les procédés de l’art antérieur. L’invention vise précisément à répondre au problème énoncé plus haut. Elle concerne selon un premier de ses aspects un procédé de dépôt chimique en phase vapeur d’un revêtement sur un substrat, comprenant au moins les étapes suivantes : - une étape de disposition du substrat dans une enceinte réactionnelle ; - une étape d’obtention d’une première couche, par alimentation de l’enceinte avec un mélange de dihydrogène et de méthyltrichlorosilane en un premier ratio volumique H 2 /méthyltrichlorosilane, l’enceinte étant à une première température et à une première pression, - une étape d’obtention d’une deuxième couche, par alimentation de l’enceinte avec un mélange de dihydrogène et de méthyltrichlorosilane en un deuxième ratio volumique H 2 /méthyltrichlorosilane différent du premier ratio, l’enceinte étant à une deuxième température et à une deuxième pression, l’un au moins du deuxième ratio volumique, de la deuxième température et/ou de la deuxième pression étant différent respectivement du premier ratio volumique, de la première température et/ou de la première pression. Le procédé proposé permet de déposer un revêtement comprenant deux couches comprenant toutes deux du silicium et du carbone, mais en des teneurs différentes et cela dans une unique enceinte réactionnelle. Il est entendu par l’expression « en une teneur complémentaire » que la somme de la teneur atomique en silicium et la teneur en carbone dans une couche de l’invention, compte pour plus de 99,5 % de la composition des couches, voire plus de 99,9 % voire pour plus de 99,95 %. Cette définition d’une couche entend permettre qu’il subsiste des impuretés inévitables pour un procédé CVI, pourvu que ces impuretés soient présentes en un teneur atomique desdites impuretés soit inférieure à 0,5%, voire 0,1%, et même inférieure ou égale à 0,05%. Dans un mode de réalisation, la teneur en silicium de la deuxième couche diffère d’au moins 10% de la teneur en silicium de la première couche. Il est entendu par l’expression « une deuxième teneur différant d’au moins X % par rapport à la première teneur » que la différence entre la première et la deuxième teneur est, en valeur absolue, d’au moins X %. La première teneur peut aussi bien être supérieure qu’inférieure à la deuxième teneur pourvu que la différence soit supérieure à X % en valeur absolue. Dans un mode de réalisation, la température et la pression retenues pour une étape d’obtention d’une couche donnée s’entendent respectivement comme la température et la pression qui règnent dans l’enceinte où est réalisé le procédé de dépôt. Dans un mode de réalisation, une étape d’obtention d’une couche est précédée directement d’une étape de préparation consistant en la mise en température et en pression de l’enceinte à la température et à la pression souhaitée pour l’étape d’obtention de la couche mais au cours de laquelle aucun précurseur n’est introduit. Le « ratio volumique H 2 /méthyltrichlorosilane » s’entend au sens classique du terme « ratio », à savoir comme la quantité volumique de dihydrogène présente dans les précurseurs divisés par la quantité volumique de méthyltrichlorosilane présente dans les précurseurs. De préférence, le procédé ne comprend pas d’autres précurseurs que le dihydrogène et le méthyltrichlorosilane. Néanmoins, dans un mode de réalisation, les précurseurs peuvent être dissous dans un gaz vecteur. Au sens de la présente demande, un gaz vecteur s’entend comme un gaz qui ne participe pas à la réaction et qui sert seulement à dissoudre les précurseurs gazeux, par exemple pour en favoriser l’acheminement ou le bon mélange. Dans un mode de réalisation, l’une des couches est une couche comprenant une teneur atomique en silicium supérieure ou égale à 95% et une teneur atomique en carbone complémentaire, ladite couche étant obtenue avec un ratio volumique H 2 /méthyltrichlorosilane supérieur ou égal à 20 à une température comprise entre 850 °C et 920 °C à une pression comprise entre 200 mbar et 400 mbar. Ce mode de réalisation permet de déposer une couche de silicium légèrement dopé au carbone notée Si(C). Dans un mode de réalisation, l’une des couches est une couche de carbure de silicium comprenant une teneur atomique en silicium comprise entre 45% et 55% et une teneur atomique en carbone complémentaire, ladite couche étant obtenue avec un ratio volumique H 2 /méthyltrichlorosilane compris entre 7 et 10 à une température comprise entre 920 °C et 1050 °C à une pression comprise entre 100 mbar et 300 mbar. Ce mode de réalisation permet de déposer une couche de carbure de silicium notée SiC. Dans un mode de réalisation, l’une des couches est une couche de carbure de silicium comprenant une teneur atomique en silicium comprise entre 49% et 51% et une teneur atomique en carbone complémentaire, ladite couche étant obtenue avec un ratio volumique H 2 /méthyltrichlorosilane compris entre 7 et 10 à une température comprise entre 920 °C et 1050 °C à une pression comprise entre 100 mbar et 300 mbar. Dans un mode de réalisation, l’une des couches est une couche comprenant une teneur atomique en silicium inférieure ou égale à 20% et une teneur atomique en carbone complémentaire, ladite couche étant obtenue avec un ratio volumique H 2 /méthyltrichlorosilane inférieur ou égal à 3 à une température comprise entre 950 °C et 1020 °C à une pression comprise entre 50 mbar et 100 mbar. Ce mode de réalisation permet de déposer une couche de carbone dopée au silicium notée C(Si). Il est du mérite des inventeurs d’avoir déterminé qu’il était possible d’obtenir une couche de SiC, de C(Si) ou de Si(C) avec les mêmes précurseurs, et cela seulement en faisant varier un ou plusieurs paramètres de dépôt choisi parmi le ratio volumique entre les précurseurs, la température ou la pression. En particulier, les modes de réalisation décrits permettent ainsi de résoudre un problème des procédés de l’art antérieur qui est celui de devoir disposer de précurseurs particuliers pour le dépôt de couches particulières. Il est notable que les couches Si(C), SiC et C(Si) sont parfaitement compatibles entre elles. En d’autres termes le procédé de l’invention permet d’obtenir un revêtement comprenant au moins deux couches distinctes parmi celles ci-dessus tout en assurant à l’ensemble une excellente résistance à la délamination. Ainsi, grâce au procédé décrit, il devient possible de déposer un revêtement comprenant deux couches distinctes sans utiliser des précurseurs différents pour les différentes couches. Dans un mode de réalisation, le procédé n’est pas limité à un revêtement comprenant deux couches. Dans un mode de réalisation, le procédé comprend en outre : - une étape d’obtention d’une troisième couche, par alimentation de l’enceinte avec un mélange de dihydrogène et de méthyltrichlorosilane en un troisième ratio volumique H 2 /méthyltrichlorosilane, à une troisième température et à une troisième pression, l’un au moins du troisième ratio volumique, de la troisième température et/ou de la troisième pression étant différent respectivement du deuxième ratio volumique, de la deuxième température et/ou de la deuxième pression. Ce mode de réalisation permet de réaliser des revêtements avec des compositions particulièrement avantageuses, sans avoir à modifier la nature des précurseurs, et sans avoir à complexifier les fours pour la réalisation de tels procédés. Dans un mode de réalisation, la troisième couche peut avoir une composition proche de celle de la première couche. En d’autres termes, dans un mode de réalisation, le troisième ratio volumique, la troisième température et la troisième pression peuvent être respectivement égaux au premier ratio, à la première température et à la première pression. Dans un mode de réalisation, le revêtement peut être réalisé sur un substrat et ledit substrat peut être une pièce en matériau composite, par exemple une pièce en composite SiC/SiC, voire une pièce aéronautique en matériau composite. En effet, le procédé de l’invention permet alors de déposer à la surface d’un tel matériau SiC/SiC un revêtement comprenant une première couche de Si(C), une deuxième couche de SiC et une troisième couche de Si(C). Un tel revêtement peut être obtenu de manière simplifiée comparativement aux procédés de l’art antérieur. Un tel revêtement tri-couche est en outre une excellente couche d’accroche, aux propriétés au moins équivalentes aux couches d’accroche de l’art antérieur mais obtenue de manière bien plus simple, et dans des fours moins complexes. Dans un mode de réalisation, l’épaisseur d’une couche est contrôlée par la durée de l’étape de dépôt de ladite couche, i.e. la durée d’introduction des précurseurs en un ratio volumique donné, à la pression et à la température souhaitée. Par exemple, la durée des étapes d’obtentions de l’une ou plusieurs des couches peuvent être comprise entre 5 et 15 heures. Cela permet d’obtenir des couches dont l’épaisseur est comprise entre 10 µm et 50 µm. Dans un mode de réalisation, une étape d’obtention d’une couche donnée est séparée d’une étape d’obtention de la couche suivante par une étape de purge, au cours de laquelle tous les précurseurs présents sont évacués de l’enceinte réactionnelle. Une telle étape de purge peut par exemple être réalisée par le remplissage de l’enceinte réactionnelle par un gaz inerte, par exemple du diazote ou de l’argon, de sorte à évacuer les précurseurs de l’étape d’obtention d’une couche. De manière alternative ou additionnelle, et en pareil cas de préférence avant le remplissage par un gaz inerte, l’étape de purge peut comprendre une mise sous vide de l’enceinte réactionnelle. Une telle étape de purge permet un passage franc d’une étape d’obtention d’une couche à l’étape d’obtention de la couche suivante. Il s’ensuit un revêtement dans lequel les couches sont alors très bien définies. En outre, l’étape de mise sous vide permet d’améliorer l’étape de purge, ce qui permet un passage encore plus franc de l’étape d’obtention d’une couche à la suivante. Dans un autre mode de réalisation, le procédé comprend entre deux étapes successives d’obtention d’une couche une étape de transition au cours de laquelle l’enceinte est alimentée avec un mélange de dihydrogène et de méthyltrichlorosilane en un ratio volumique H 2 /méthyltrichlorosilane qui varie au cours de l’étape de transition entre le ratio de la première des étapes d’obtention d’une couche et le ratio de la deuxième des étapes d’obtention d’une couche, l’enceinte étant à une température qui varie au cours de l’étape de transition entre la température de la première des étapes d’obtention d’une couche et la température de la deuxième des étapes d’obtention d’une couche et à une pression qui varie au cours de l’étape de transition entre la pression de la première des étapes d’obtention d’une couche et la pression de la deuxième des étapes d’obtention d’une couche. Ce mode de réalisation permet de ménager une zone de transition dans le revêtement entre deux couches successives résultant du procédé. Dans une telle zone de transition, les teneurs en carbone et en silicium varient entre les teneurs des deux couches bordant la zone de transition. Ce mode de réalisation est particulièrement important car il assure une encore meilleure compatibilité chimique entre les deux couches successives. En effet, la variation progressive de composition de la première des deux couches vers la seconde assure une continuité mécanique du dépôt de sorte que l’ensemble offre une meilleure résistance à la délamination. Dans un mode de réalisation l’étape de transition peut être réalisée pendant une durée comprise entre 0,5 et 2 heures. Cela assure d’avoir une zone de transition d’une épaisseur satisfaisante pour assurer une excellente compatibilité entre les deux zones et en même temps, de garde la zone de transition suffisamment petite pour ne pas nuire au poids global de la pièce. Dans un mode de réalisation qui comprend une telle étape de transition, tous les paramètres qui varient peuvent varier sur une durée identique. Dans un mode de réalisation, l’un au moins du ratio volumique H 2 /méthyltrichlorosilane, de la température, ou respectivement de la pression utilisés pour l’étape de transition varie au cours de l’étape de transition de manière affine entre le ratio volumique H 2 /méthyltrichlorosilane utilisé pour l’étape d’obtention d’une couche précédant l’étape de transition et le ratio volumique H 2 /méthyltrichlorosilane utilisé pour l’étape d’obtention d’une couche suivant l’étape de transition ; entre la température utilisée pour l’étape d’obtention d’une couche précédant l’étape de transition et la température utilisée pour l’étape d’obtention d’une couche suivant l’étape de transition; et/ou entre la pression utilisée pour l’étape d’obtention d’une couche précédant l’étape de transition et la pression utilisée pour l’étape d’obtention d’une couche suivant l’étape de transition. Une « transition de manière affine » doit s’entendre comme une variation constante du paramètre qui varie sur toute la durée de la variation. En d’autres termes, le paramètre qui varie peut s’écrire comme une fonction affine du temps écoulé depuis le début de l’étape de transition. Dans un mode de réalisation, le substrat peut être une pièce aéronautique en matériau composite à matrice céramique. Dans un mode de réalisation, le substrat peut être choisi parmi une aube de turbomachine, une portion de distributeur ou un secteur d’anneau. Dans un mode de réalisation, le substrat peut être une fibre, par exemple une fibre de carbure de silicium, une fibre de verre ou une fibre de carbone. Dans un tel mode de réalisation, le substrat peut également être une fibre indiquée revêtue d’une interphase de consolidation. Par exemple une telle interphase de consolidation peut comprendre une première couche, par exemple comprenant du nitrure de bore BN ou du pyrocarbone PyC, disposée directement au contact de la fibre. Dans un mode de réalisation, l’interphase peut en outre comprendre une deuxième couche externe disposée directement au contact de la première couche et permettant de protéger celle-ci, ce qui garantit alors l’intégrité de l’interphase de consolidation. Le dépôt de l’interphase peut être fait de manière connue en tant que tel et l’interphase ne doit pas être entendue comme une couche d’un revêtement que le procédé décrit ici permet d’obtenir. Une telle interphase peut conférer à la fibre des propriétés encore améliorées, et notamment en termes de résistance à la fissuration et à l’oxydation. Le procédé de fabrication est ainsi simplifié comparativement aux procédés de l’art antérieur et offre pour de tels substrats un intérêt majeur. FIG. 1 La FIG. 1 est un exemple de pièce pouvant être obtenue dans un mode de réalisation du procédé. FIG. 2 La FIG. 2 est un exemple d’évolution de la température au cours du temps, pour la réalisation d’un procédé dans un mode de réalisation. FIG. 3 La FIG. 3 est un exemple d’évolution du ratio de précurseurs au cours du temps, pour la réalisation d’un procédé dans un mode de réalisation. FIG. 4 La FIG. 4 est un exemple de pièce pouvant être obtenue dans un mode de réalisation du procédé. FIG. 5 La FIG. 5 est un exemple d’évolution de la température au cours du temps, pour la réalisation d’un procédé dans un mode de réalisation. FIG. 6 La FIG. 6 est un exemple d’évolution du ratio de précurseurs au cours du temps, pour la réalisation d’un procédé dans un mode de réalisation. L’invention est à présent décrite au moyen de figures, présentes à but descriptif pour illustrer certains modes de réalisation de l’invention et qui ne doivent pas être interprétées comme limitant cette dernière. Dans un mode de réalisation, le substrat peut être une pièce aéronautique en matériau composite à matrice céramique. Par exemple, il peut être une aube de turbine en matériau SiC/SiC, par exemple une turbine haute pression ou une turbine basse pression, une portion de distributeur en matériau SiC/SiC, ou encore d’un secteur d’anneau de turbine. Sur de telles pièces, il est généralement disposé une couche dite de barrière environnementale conférant au substrat une meilleure résistance à l’oxydation à la corrosion. De manière classique, il est disposé entre le substrat et la couche de barrière environnementale une couche d’accroche, souvent composé de silicium, laquelle permet une bonne compatibilité chimique à la fois avec le substrat et la couche de barrière environnementale, de sorte que l’ensemble présente une excellente résistance à la délamination. Un revêtement obtenu par le procédé décrit plus haut permet d’obtenir une couche d’accroche d’au moins aussi bonne qualité que celles accessibles via les procédés de l’art antérieur, tout en pouvant être obtenue dans des fours moins complexes. Par exemple une telle couche d’accroche peut comprendre une première et une troisième couche comprenant une teneur atomique en silicium supérieure ou égale à 95% et une teneur atomique en carbone complémentaire, notée Si(C) et une deuxième couche de carbure de silicium SiC. L’insertion d’une telle couche de carbure de silicium SiC au milieu du revêtement permet d’assurer une meilleure résistance à l’oxydation du substrat sous-jacent sans pour autant modifier l’adhérence de la couche d’accroche en Si(C) avec le substrat. Il est particulièrement intéressant de recourir pour la fabrication d’une telle couche d’accroche au procédé décrit plus haut, car il permet l’obtention d’un tel revêtement dans une unique enceinte réactionnelle. Les figures 1 à 3 font référence à un tel mode de réalisation. La FIG. 1 illustre très généralement un substrat 100 revêtu par une première couche 101, une deuxième couche 102 et une troisième couche 103. La troisième couche 103 est elle-même revêtue d’une couche de barrière environnementale 104. La barrière environnementale 104 est connue en tant que telle et peut notamment comprendre un disilicate de terre rare, par exemple d’yttrium Y 2 Si 2 O 7 ou d’ytterbium Y 2 Si 2 O 7 . Elle ne sera pas décrite plus en détails. Comme décrit plus haut, l’enchaînement des couches 101, 102 et 103 peut être réalisé au moyen d’un procédé de l’invention dans une unique enceinte. En effet, et comme indiqué, il est du mérite des inventeurs d’être parvenus à déterminer qu’avec les mêmes précurseurs de dihydrogène H 2 et de méthyltrichlorosilane CH 3 SiCl 3 il est possible de déposer des couches de compositions différentes en faisant varier le ratio H 2 /méthyltrichlorosilane, la pression et la température au cours des étapes de dépôt. Sans vouloir être liés par la théorie, les inventeurs ont déterminé que les températures comprises entre 850°C et 920°C ne permettent pas la déshydrogénation du radical méthyle CH 3 mais permettent néanmoins la réduction du silicium du SiCl 3 ce qui permet alors de disposer d’un procédé pour former une couche comprenant une teneur atomique en silicium supérieure ou égale à 95% et une teneur atomique en carbone complémentaire : Si(C). De plus, ils ont déterminé que l’augmentation du ratio H 2 /méthyltrichlorosilane favorisait l’hydrogénation du radical méthyle CH 3 en méthane qui empêche le carbone de se déposer. Les inventeurs ont aussi déterminé que l’augmentation de la température, par exemple entre 920°C et 1050°C permet à la fois la réduction du SiCl 3 en silicium et la déshydrogénation du radical méthyl pour favoriser le dépôt de carbone. En ajustant en outre le ratio H 2 /méthyltrichlorosilane apporté dans l’enceinte réactionnelle il devient possible de déposer du carbure de silicium comprenant une teneur atomique en silicium comprise entre 45% et 55%, voire comprise entre 49% et 51%, et une teneur atomique en carbone complémentaire SiC. Ainsi, pour l’obtention d’un revêtement décrit en FIG. 1 , il est possible de se placer dans les conditions de températures T illustrées à la FIG. 2 et avec une alimentation de l’enceinte réactionnelle avec le ratio R de précurseurs illustré en FIG. 3 , les précurseurs étant du dihydrogène H 2 et du méthyltrichlorosilane CH 3 SiCl 3 . Pour le dépôt de la couche 101 de Si(C) à la surface du substrat 100, il est apporté des précurseurs dihydrogène H 2 et méthyltrichlorosilane CH 3 SiCl 3 dans un ratio supérieur ou égal à 20, voire de 20, comme illustré sur la FIG. 3 , l’enceinte réactionnelle étant à une température comprise entre 850 °C et 920 °C, voire de 920°C comme illustré sur la FIG. 2 . Le ratio s’entend comme le volume de dihydrogène apporté divisé par le volume de méthyltrichlorosilane. Par exemple, la pression peut être comprise entre 200 mbar et 400 mbar pendant toute la durée du procédé. Ces conditions sont maintenues pendant une durée t 1 , durée de l’étape d’obtention de la première couche Si(C). La durée t 1 peut être déterminée en fonction de l’épaisseur e 1 souhaitée pour la première couche 101. Sur le mode de réalisation représenté en figures 2 et 3 sont visibles des variations discontinues de la température et du ratio, entre deux étapes successives d’obtention de couches, repérées par des pointillés. Ces pointillés peuvent correspondre à une étape de purge de l’enceinte réactionnelle, par exemple par remplissage de celle-ci avec du diazote ou de l’argon, afin d’évacuer tous les précurseurs présents pour l’étape d’obtention d’une couche précédente. Comme indiqué plus haut, l’étape de purge peut éventuellement comprendre une étape de mise sous vide de l’enceinte réactionnelle. Dans un mode de réalisation qui est celui représenté, on peut, après une étape de purge, opérer une deuxième étape de dépôt d’une couche 102 en maintenant une température et un ratio de précurseurs différents de ceux de la première étape pendant une durée t 2 , durée de l’étape d’obtention de la deuxième couche 102 de carbure de silicium Si. Dans un mode de réalisation, une couche obtenue au cours d’une étape d’obtention donnée peut être directement au contact d’une couche obtenue au cours de l’étape d’obtention suivante. La distinction entre les deux couches est encore plus nette si une étape de purge est réalisée. De préférence, la durée t 2 est déterminée en fonction de l’épaisseur e 2 souhaitée pour la deuxième couche 102. Pour le dépôt de la couche 102 de SiC à la surface de la première couche 101, il est apporté des précurseurs dihydrogène H 2 et méthyltrichlorosilane CH 3 SiCl 3 dans un ratio compris entre 7 et 10, voire de 10, comme illustré sur la FIG. 3 , l’enceinte réactionnelle étant à une température comprise entre 920 °C et 1050 °C voire de 1030 °C comme illustré sur la FIG. 2 . A la fin de la durée t 2 , une nouvelle étape de purge peut être opérée par exemple représentée par les pointillés. Après une telle étape de purge, et dans un mode de réalisation, on peut alors opérer une troisième étape de dépôt d’une couche 103, ici dans des conditions identiques à celles de la première étape de dépôt et pendant une durée t 3 , laquelle est déterminée en fonction de l’épaisseur e 3 souhaitée pour la troisième couche 103. Sur les figures, les durées t 1 , t 2 et t 3 sont représentées comme étant identiques et les épaisseurs e 1 , e 2 et e 3 également mais cela n’est nullement nécessaire. Les figures 4 à 6 représentent un autre mode de réalisation du procédé de l’invention. Le procédé permet l’obtention d’un revêtement sur une fibre 200, par exemple une fibre de carbure de silicium, une fibre de verre ou une fibre de carbone. Par exemple, la fibre 200 peut être directement revêtue par une interphase de consolidation 210. Par exemple une telle interphase de consolidation 210 peut comprendre une première couche par exemple comprenant du nitrure de bore BN ou du pyrocarbone PyC disposée directement au contact de la fibre 200. Dans un mode de réalisation, l’interphase 210 peut en outre comprendre une deuxième couche externe disposée directement au contact de la première couche et permettant de protéger celle-ci, ce qui garantit alors l’intégrité de l’interphase de consolidation 210. Le dépôt de l’interphase 210 peut être fait de manière connue en tant que tel et l’interphase 210 ne doit pas être entendue comme une couche d’un revêtement que le procédé décrit ici permet d’obtenir. On notera que la FIG. 4 ne distingue pas les première et deuxième couches de l’interphase de consolidation 210. L’interphase de consolidation 210 permet surtout d’améliorer certaines propriétés de la fibre 200 notamment sa résistance à l’oxydation ou à la fissuration. De telles fibres 200 comprenant ou non une interphase 210 sont utilisées dans différents domaines technologiques et nécessitent généralement d’être revêtues. Ainsi, il sera entendu de ce qui suit que le revêtement peut être obtenu sur l’interphase 210 ou sur la fibre 200 et il est illustré sur la FIG. 4 le cas où une interphase est présente. Le procédé décrit permet d’obtenir des revêtements de fine épaisseur, en permettant une variation de la composition dudit revêtement pour permettre une fonctionnalisation optimale de la fibre, tout en permettant en outre l’utilisation de fours moins complexes que ceux de l’art antérieur. Le revêtement comprend dans cet exemple une première couche de carbure de silicium 201, une couche de carbone comprenant une teneur atomique en silicium inférieure ou égale à 20 % C(Si) 203, et une deuxième couche de carbure de silicium 205. Entre les couches 201 et 203, et entre les couches 203 et 205, le revêtement comprend des zones de transitions 202 et 204, dont les teneurs en carbone et en silicium varient dans l’épaisseur desdites zones de transition 202, 204 entre les compositions des couches qui encadrent ces zones de transitions 202, 204. En d’autres termes, la zone de transition 202 comprend une teneur en carbone et en silicium qui évolue des teneurs constitutives de la couche 201 vers les teneurs constitutives de la couche 203. De même, la zone de transition 204 comprend une teneur en carbone et en silicium qui évolue des teneurs constitutives de la couche 203 vers les teneurs constitutives de la couche 205. Pour l’obtention d’un revêtement décrit en FIG. 4 , il est possible de se placer dans les conditions de températures T illustrées à la FIG. 5 et avec une alimentation de l’enceinte réactionnelle avec le ratio R de précurseurs illustré en FIG. 6 , les précurseurs étant du dihydrogène H 2 et du méthyltrichlorosilane CH 3 SiCl 3 . Les figures 5 et 6 représentent l’évolution de la température T et du ratio R de précurseurs au cours du temps t. Dans le mode de réalisation représenté, la température est d’abord fixe pendant une durée t 1 , durée de l’étape d’obtention de la première couche 201. Puis la température varie de manière affine pour atteindre la température de l’étape d’obtention de la deuxième couche 203. Néanmoins, durant cette étape de transition l’alimentation de l’enceinte réactionnelle en précurseurs n’est pas coupée, comme elle a par exemple pu l’être dans le mode de réalisation représenté en figures 1 à 3, mais l’alimentation est maintenue, avec un ratio de précurseur, représenté en FIG. 4 et qui varie entre le ratio R de l’étape d’obtention d’une première couche et le ratio R de l’étape d’obtention d’une deuxième couche. Ce mode de réalisation permet de former une zone de transition 202, entre l’étape d’obtention de la première couche 201 et l’étape d’obtention de la deuxième couche 203. Ces zones de transition améliorent la durée de vie des couches déposées, et le maintien dans le temps de leurs propriétés puisqu’ils assurent une continuité « matériau » des systèmes de couches, tout au long de la durée de vie du revêtement. En outre, la variation progressive des teneurs en carbone et en silicium dans la zone de transition 202 assure une excellente compatibilité chimique des couches 201 et 203, conférant à l’ensemble une meilleure résistance à la délamination. Dans le mode de réalisation illustré, et de manière générale dans les modes de réalisation comprenant une étape de transition, une zone de transition peut être directement au contact d’une couche obtenue au cours d’une étape d’obtention et la couche obtenue au cours de l’étape d’obtention suivante peut être directement au contact de la zone de transition. En outre, les figures 5 et 6 illustrent ce qui est entendu par une variation affine d’un paramètre entre une première valeur et une deuxième valeur. Une fois les paramètres souhaités pour l’étape d’obtention de la deuxième couche 203 atteints, ces derniers sont maintenus pendant une durée t 2 . Sans vouloir être liés par la théorie, les inventeurs ont déterminé que les températures comprises entre 920°C et 1050°C permettent à la fois la réduction du SiCl 3 en silicium et la déshydrogénation du radical méthyl ce qui favorise un dépôt de carbure de silicium. En ajustant en outre le ratio H 2 /méthyltrichlorosilane apporté dans l’enceinte réactionnelle par exemple en choisissant un ratio compris entre 7 et 10, voire de 10 comme illustré, il est possible de déposer du carbure de silicium stœchiométrique SiC. Les inventeurs ont aussi déterminé que pour une température, comprise entre 950°C et 1020°C avec un ratio H 2 /méthyltrichlorosilane diminué, et inférieur ou égale à 5, voire inférieur ou égal à 3, il étape possible d’obtenir des dépôts très riches en carbone. Les figures 5 et 6 présentent également une étape d’obtention d’une troisième couche 205, laquelle est réalisée pendant une durée t 3 , et avec des paramètres similaires à ceux de l’étape d’obtention de la première couche. Pour l’exemple, il est de nouveau présenté une étape de transition permettant de former une zone de transition 204, au cours de laquelle la température et le ratio des précurseurs varie de manière affine entre les paramètres de l’étape d’obtention de la deuxième couche 203 et de la troisième couche 205. Dans un mode de réalisation, il est également possible de faire varier ou non la pression entre deux étapes d’obtention d’une couche. Par exemple, la pression peut suivre une évolution similaire à celle des autres paramètres que sont la température et le ratio d’alimentation en précurseurs, i.e. avec une valeur constante pendant les étapes d’obtention d’une couche, et une valeur variable pendant les étapes de transition. Dans un mode de réalisation, la pression peut varier entre 50 mbar et 400 mbar au cours du procédé. Par exemple, une étape d’obtention d’une couche comprenant une teneur atomique en silicium comprise entre 45% et 55% voire comprise entre 49% et 51% et une teneur atomique en carbone complémentaire ou une étape d’obtention d’une couche comprenant une teneur atomique en silicium supérieure ou égale à 95% et une teneur atomique en carbone complémentaire peuvent être réalisées à 300 mbar. En d’autres termes, la pression pour le procédé utilisé pour l’obtention d’un produit selon la FIG. 1 peut être constante et de 300 mbar. Par exemple, une étape d’obtention d’une couche C(Si) comprenant une teneur atomique en silicium inférieure ou égale à 20% et une teneur atomique en carbone complémentaire peut être obtenue à une pression de 100 mbar. En d’autres termes, pour le procédé illustré aux figures 5 et 6 pour l’obtention d’un produit selon la FIG. 4 , les étapes d’obtention de la première couche 201 et de la troisième couche 205 peuvent être réalisées à 300 mbar, l’étape d’obtention de la deuxième couche 203 peut être réalisée à 100 mbar et la pression varie de manière affine entre 300 mbar et 100 mbar pour la première étape de transition et varie de manière affine entre 100 mbar et 300 mbar pour la deuxième étape de transition. Les exemples présentés dans la description détaillée ne sont présents que pour illustrer des avantages du procédé de l’invention, mais ne doivent pas être considérés comme limitatif ni de la nature du substrat ni de la nature des couches déposées. En particulier, les figures ne sont aucunement représentées à l’échelle, et des durées ou des valeurs égales sur les figures ne doivent pas être interprétées comme étant nécessairement identiques dans un procédé de la présente demande. Dans la présente demande, les plages de valeurs décrites comme « comprise entre ... et ... » doivent s’entendre bornes incluses, sauf mention du contraire. Procédé de dépôt chimique en phase vapeur d’un revêtement sur un substrat, comprenant au moins les étapes suivantes: - une étape de disposition du substrat (100, 200) dans une enceinte réactionnelle ; - une étape d’obtention d’une première couche (101, 201), par alimentation de l’enceinte avec un mélange de dihydrogène et de méthyltrichlorosilane en un premier ratio volumique H 2 /méthyltrichlorosilane, l’enceinte étant à une première température et à une première pression ; - une étape d’obtention d’une deuxième couche (102, 203), par alimentation de l’enceinte avec un mélange de dihydrogène et de méthyltrichlorosilane en un deuxième ratio volumique H 2 /méthyltrichlorosilane différent du premier ratio, l’enceinte étant à une deuxième température et à une deuxième pression, l’un au moins du deuxième ratio volumique, de la deuxième température et/ou de la deuxième pression étant différent respectivement du premier ratio volumique, de la première température et/ou de la première pression. Procédé de dépôt selon la revendication 1, dans lequel l’une des couches (101, 102, 103, 201, 203, 205) est une couche comprenant une teneur atomique en silicium supérieure ou égale à 95% et une teneur atomique en carbone complémentaire, ladite couche étant obtenue avec un ratio volumique H 2 /méthyltrichlorosilane supérieur ou égal à 20 à une température comprise entre 850 °C et 920°C à une pression comprise entre 200 mbar et 400 mbar. Procédé de dépôt selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l’une des couches (101, 102, 103, 201, 203, 205) est une couche de carbure de silicium comprenant une teneur atomique en silicium comprise entre 49% et 51% et une teneur atomique en carbone complémentaire, ladite couche étant obtenue avec un ratio volumique H 2 /méthyltrichlorosilane compris entre 7 et 10 à une température comprise entre 920 °C et 1050 °C à une pression comprise entre 100 mbar et 300 mbar. Procédé de dépôt selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l’une des couches (101, 102, 103, 201, 203, 205) est une couche comprenant une teneur atomique en silicium inférieure ou égale à 20% et une teneur atomique en carbone complémentaire, ladite couche étant obtenue avec un ratio volumique H 2 /méthyltrichlorosilane inférieur ou égal à 3 à une température comprise entre 950 °C et 1020 °C à une pression comprise entre 50 mbar et 100 mbar Procédé de dépôt selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel le procédé comprend en outre : - une étape d’obtention d’une troisième couche (103,205), par alimentation de l’enceinte avec un mélange de dihydrogène et de méthyltrichlorosilane en un troisième ratio volumique H 2 /méthyltrichlorosilane, à une troisième température et à une troisième pression, l’un au moins du troisième ratio volumique, de la troisième température et/ou de la troisième pression étant différent respectivement du deuxième ratio volumique, de la deuxième température et/ou de la deuxième pression. Procédé de dépôt selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel une étape d’obtention d’une couche (101, 102, 103, 201, 203, 205) donnée est séparée d’une étape d’obtention de la couche suivante par une étape de purge, au cours de laquelle tous les précurseurs présents sont évacués de l’enceinte réactionnelle. Procédé de dépôt selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel le procédé comprend entre deux étapes successives d’obtention d’une couche (101, 102, 103, 201, 203, 205) une étape de transition au cours de laquelle l’enceinte est alimentée avec un mélange de dihydrogène et de méthyltrichlorosilane en un ratio volumique H 2 /méthyltrichlorosilane qui varie au cours de l’étape de transition entre le ratio de la première des étapes d’obtention d’une couche et le ratio de la deuxième des étapes d’obtention d’une couche, l’enceinte étant à une température qui varie au cours de l’étape de transition entre la température de la première des étapes d’obtention d’une couche et la température de la deuxième des étapes d’obtention d’une couche et à une pression qui varie au cours de l’étape de transition entre la pression de la première des étapes d’obtention d’une couche et la pression de la deuxième des étapes d’obtention d’une couche. Procédé de dépôt selon la revendication 7, dans lequel l’un au moins du ratio volumique H 2 /méthyltrichlorosilane, de la température, ou respectivement de la pression utilisés pour l’étape de transition varie au cours de l’étape de transition de manière affine entre le ratio volumique H 2 /méthyltrichlorosilane utilisé pour l’étape d’obtention d’une couche (101, 102, 103, 201, 203, 205) précédant l’étape de transition et le ratio volumique H 2 /méthyltrichlorosilane utilisé pour l’étape d’obtention d’une couche suivant l’étape de transition ; entre la température utilisée pour l’étape d’obtention d’une couche précédant l’étape de transition et la température utilisée pour l’étape d’obtention d’une couche suivant l’étape de transition; et/ou entre la pression utilisée pour l’étape d’obtention d’une couche précédant l’étape de transition et la pression utilisée pour l’étape d’obtention d’une couche suivant l’étape de transition. Procédé de dépôt selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel le substrat (100, 200) est choisi parmi une aube de turbomachine, une portion de distributeur, un secteur d’anneau, une fibre éventuellement revêtue d’une interphase de consolidation.