Brevet FR3155316A1 — publié le 20250516

Dispositif réflecteur comprenant un détecteur, et procédé associé L’invention concerne un dispositif réflecteur (1) comprenant un miroir (10) partiellement transparent configuré pour former un faisceau réfléchi (21) par réflexion d’une partie d’au moins un faisceau incident (20), et pour transmettre une partie de l’au moins un faisceau incident (20) pour former un faisceau transmis (22), le dispositif réflecteur (1) comprenant en outre au moins un réseau de diffraction (14) solidaire du miroir (10) et configuré pour diffracter le faisceau transmis (22) en au moins un faisceau diffracté (23) d’ordre m, m étant non nul, un module détecteur (11) configuré pour mesurer une position de l’au moins un faisceau diffracté (23) d’ordre m, et à partir de la mesure de ladite position, déterminer un angle (θi) entre le miroir (10) et le faisceau incident (20), de façon à déterminer un état d’orientation du miroir (10). Figure pour l’abrégé : Fig. 3A Dispositif réflecteur comprenant un détecteur, et procédé associé La présente invention concerne le domaine des dispositifs réflecteurs destinés à réfléchir un faisceau lumineux incident vers une cible. Elle trouve pour application particulièrement avantageuse le domaine des micromiroirs MEMS (microsystèmes électromécaniques), notamment pour des applications de LIDAR (de l’anglais light detection and ranging », que l’on peut traduire en français « détection et estimation de la distance par la lumière) et de pointage laser, par exemple pour une focalisation de faisceau en un point donné d’une scène. ETAT DE LA TECHNIQUE Les dispositifs réflecteurs sont utilisés dans de nombreuses applications dans lesquelles on cherche à réfléchir un faisceau lumineux incident vers une cible donnée. Pour cela, un faisceau lumineux incident est émis par une source vers le dispositif réflecteur présentant un miroir au moins partiellement transparent. Le miroir présente une face avant disposée de façon à recevoir le faisceau lumineux incident. Le miroir est orienté avec la source de façon à former un faisceau réfléchi en direction de la cible. Par exemple, des micromiroirs MEMS sont couramment utilisés pour des applications de LIDAR ou de pointage laser. Les micromiroirs peuvent pour cela comprendre un module actionneur configuré pour faire pivoter le micromiroir autour d’au moins un axe de rotation. Dans les dispositifs de type LIDAR, les micromiroirs permettent de balayer une surface ou une cible avec un rayonnement lumineux à des fins de détection ou d'imagerie. Typiquement, les micromiroirs sont configurés pour osciller selon un ou deux axe(s) de rotation, à une fréquence de balayage prédéterminée, de manière à réfléchir un rayonnement incident selon différentes directions. La fréquence de balayage des micromiroirs peut varier de quelques Hz à plusieurs kHz, et leur taille peut être de l'ordre de quelques dizaines de micromètres à plusieurs millimètres (par exemple quelques millimètres de diamètre pour des micromiroirs en forme de disque), et peut notamment être comprise entre 500 µm et 10 mm. Les figures 1A et 1B illustrent à titre d’exemple deux architectures de dispositif réflecteur 1’. En FIG. 1 , le dispositif 1’ peut comprendre un premier micromiroir 10 et deuxième micromiroir 10’, agencés pour pivoter respectivement autour d'un premier axe de rotation X et d'un deuxième axe de rotation Y non parallèles entre eux. Le mouvement des miroirs est typiquement induit par des actionneurs. En particulier, ces deux micromiroirs 10, 10’ sont agencés de sorte qu'un faisceau lumineux 20 émis par une source lumineuse 2 soit réfléchi par le premier micromiroir 10 en direction du deuxième micromiroir 10’ qui le réfléchit à son tour en direction, par exemple, d'un écran ou d’une cible 3. La rotation de chacun des micromiroirs 10, 10’ autour de leur axe de rotation respectif permet ainsi d'effectuer un balayage d'une surface avec le faisceau lumineux réfléchi 21, par exemple, à des fins d'imagerie ou de détection. En FIG. 1 , le dispositif 1’ peut comprendre un unique micromiroir 10 monté pivotant autour de deux axes de rotation X et Y non parallèles entre eux. La rotation de ce micromiroir 10, induit par des actionneurs, autour de l'un et l'autre des deux axes X, Y permet ainsi de balayer la surface d'un écran ou d’une cible 3 au moyen d’un faisceau lumineux réfléchi 21 issu d'une source lumineuse 2 et réfléchi par ce micromiroir 10. Dans ces dispositifs, il est important de s’assurer de la position du faisceau réfléchi, afin de bien orienter le faisceau réfléchi dans la direction visée. Pour cela, l’orientation du miroir peut être suivie. Il existe des solutions de mesure indirecte mettant en œuvre un suivi indirect de l’orientation du miroir par l’implémentation de jauges piézo-résistives dans les bras des actionneurs. Ces jauges mesurent la déformation des bras des actionneurs. Avec une calibration, il est possible de remonter à l’angle du miroir. Ces jauges piézo-résistives peuvent toutefois dériver dans le temps, ce qui entraine un manque de fiabilité pour déterminer l’orientation du miroir. Ces solutions restent en outre assez complexes à mettre en œuvre au niveau de l’architecture du dispositif réflecteur. Un objet de la présente invention est donc de proposer une solution améliorant la détermination de l’orientation d’un miroir d’un dispositif réflecteur. Les autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à l'examen de la description suivante et des dessins d'accompagnement. Il est entendu que d'autres avantages peuvent être incorporés. RESUME Pour atteindre cet objectif, selon un premier aspect on prévoit un dispositif réflecteur comprenant un miroir partiellement transparent présentant une face avant disposée de façon à recevoir au moins un faisceau lumineux incident et une face arrière opposée à la face avant, le miroir étant configuré pour former un faisceau réfléchi par réflexion d’une partie de l’au moins un faisceau incident, et pour transmettre une partie de l’au moins un faisceau incident par la face arrière pour former un faisceau transmis. Avantageusement, le dispositif réflecteur comprend en outre : au moins un réseau de diffraction disposé en regard de la face arrière du miroir et solidaire du miroir, le réseau étant configuré pour diffracter le faisceau transmis en au moins un faisceau diffracté d’ordre m, m étant non nul, un module détecteur configuré pour : mesurer une position d’au moins un faisceau diffracté d’ordre m, à partir de la mesure de ladite position, déterminer un angle entre le miroir et le faisceau incident, de façon à déterminer un état d’orientation du miroir. Par exemple suite à un choc ou lors de l’utilisation du dispositif réflecteur, si l’orientation du miroir est modifiée, l’angle entre le faisceau incident et le miroir sera modifié. La propagation du faisceau réfléchi sera impactée en conséquence. Le dispositif réflecteur permet de détecter cela par le biais du faisceau diffracté. Le miroir réfléchit une partie du faisceau incident pour former le faisceau réfléchi. Le miroir transmet une autre partie du faisceau incident pour former le faisceau transmis. Le réseau de diffraction diffracte le faisceau transmis afin de suivre le mouvement du miroir. La direction de propagation d’un faisceau diffracté est directement dépendante de l’orientation du réseau de diffraction, qui est solidaire du mouvement du miroir. Ainsi, le faisceau transmis par le miroir, et diffracté par le réseau de diffraction, peut être utilisé pour déterminer l’état d’orientation du miroir. Le dispositif réflecteur permet donc de connaître l’orientation du miroir, lors de la réflexion du faisceau réfléchi dans une direction déterminée, et notamment vers une cible. Le dispositif réflecteur permet donc une mesure directe et en temps réel de l’orientation du miroir. Il est donc possible de s’assurer en continu de l’orientation du miroir, et donc que le faisceau réfléchi va bien dans la direction souhaitée. Le dispositif réflecteur est donc particulièrement avantageux pour les applications dans lesquelles il n’y a pas de retour de la cible, c’est-à-dire qu’il est difficile ou impossible de s’assurer que le faisceau réfléchi atteint correctement la cible. Cela permet en outre de s’affranchir d’éventuelles dérives liées au suivi de l’orientation par des moyens indirects, tels que le suivi associé aux éléments responsables de l’orientation du miroir et par exemple aux actionneurs. Le suivi de l’orientation du miroir est donc fiabilisé. L’orientation du faisceau réfléchi est par conséquent fiabilisée. Un deuxième aspect concerne un procédé de mesure de l’orientation d’un miroir mettant en œuvre un dispositif réflecteur selon le premier aspect. Le procédé comprend : l’émission d’au moins un faisceau incident depuis une source lumineuse vers le dispositif réflecteur, une réflexion d’une partie de l’au moins un faisceau incident par le miroir pour former le faisceau réfléchi, une transmission d’une autre partie de l’au moins un faisceau incident par le miroir pour former le faisceau transmis, une diffraction, par le réseau de diffraction, du faisceau transmis en au moins un faisceau diffracté d’ordre m, m étant non nul, une mesure dite « d’orientation », par le module détecteur, d’une position d’au moins un faisceau diffracté d’ordre m, à partir de la mesure de ladite position, une détermination d’un angle entre le miroir et le faisceau incident, de façon à déterminer un état d’orientation du miroir. On comprend donc que le procédé de mesure permet également une mesure directe et en temps réel de l’orientation du miroir, c’est à dire de la position angulaire du miroir par rapport au faisceau incident. Le procédé permet une détermination fiabilisée de l’orientation du miroir et donc de la direction du faisceau réfléchi. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront mieux de la description détaillée d’un mode de réalisation de cette dernière qui est illustré par les dessins d’accompagnement suivants dans lesquels : FIG. 1 FIG. 1 Les figures 1A et 1B représentent deux exemples de dispositifs réflecteurs de l’état de la technique. FIG. 2 La FIG. 2 représente une vue en perspective d’un exemple de miroir monté pivotant selon un axe de rotation. FIG. 2 La FIG. 2 représente une vue du dessus d’un exemple de miroir monté pivotant selon deux axes de rotation. FIG. 3 FIG. 3 Les figures 3A et 3B représentent une vue en coupe transversale du dispositif réflecteur lors d’une détermination d’un état d’orientation du miroir, selon un exemple de réalisation. FIG. 4 La FIG. 4 illustre schématiquement la formation des faisceaux diffractés d’ordre m à partir de la part transmise du faisceau incident. FIG. 5 FIG. 5 Les figures 5A et 5B représentent schématiquement la déviation des faisceaux diffractés d’ordre m en fonction de l’angle entre le faisceau incident et le miroir. FIG. 6 La FIG. 6 représente une vue en coupe d’un dispositif réflecteur comprenant une lentille de focalisation, selon un exemple de réalisation. FIG. 7 FIG. 7 FIG. 7 Les figures 7A à 7C illustrent le suivi de la position d’un faisceau diffracté d’ordre m. FIG. 8 FIG. 8 Les figures 8A et 8B représentent schématiquement la déviation des franges d’interférence à l’intersection de deux faisceaux diffractés d’ordre m en fonction de l’angle entre le faisceau incident et le miroir. FIG. 9 La FIG. 9 représente une vue en coupe d’un dispositif réflecteur comprenant deux détecteurs, selon un exemple de réalisation. FIG. 10 La FIG. 10 représente une vue en coupe d’un dispositif réflecteur recevant deux faisceaux incidents de longueurs d’onde différentes, selon un exemple de réalisation. FIG. 11 FIG. 12 Les figures 11 et 12 représentent une vue en coupe de deux variantes du dispositif réflecteur. FIG. 13 FIG. 13 Les figures 13A et 13B représentent une vue du dessus du réseau de diffraction selon deux exemples de réalisation. FIG. 14 FIG. 14 Les figures 14A et 14B représentent une vue en coupe du dispositif réflecteur d’une détermination d’un désalignement entre la source et le miroir, selon un exemple de réalisation. FIG. 15 FIG. 15 Les figures 15A et 15B représentent une vue en coupe de deux exemples particuliers de dispositif réflecteur. Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l’invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l’invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier les dimensions relatives des couches et éléments du dispositif réflecteur ne sont pas représentatives de la réalité. DESCRIPTION DÉTAILLÉE Avant d’entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l’invention, sont énoncées ci-après des caractéristiques optionnelles qui peuvent éventuellement être utilisées en association ou alternativement. Selon un exemple, le dispositif réflecteur comprend en outre un support et un module actionneur configuré pour pivoter le miroir autour d’au moins un axe de rotation par rapport au support, et dans lequel le module détecteur est solidaire du support. Le dispositif réflecteur est ainsi particulièrement adapté aux applications de miroir MEMS. Le module détecteur étant solidaire du support, la détermination de l’orientation du miroir peut être faite indépendamment l’actionneur. Une mesure directe de l’orientation du miroir est donc faite. Selon un exemple, le module détecteur présente une résolution temporelle supérieure ou égale à une grandeur caractéristique du pivotement du miroir par le module actionneur. Le temps de réponse du détecteur peut être inférieur ou égal, et de préférence strictement inférieur à, la période de rotation du miroir. Autrement dit, le module détecteur peut présenter une fréquence d’acquisition supérieure ou égale à une fréquence de balayage du miroir par le module actionneur. Ainsi, le suivi de l’orientation du miroir est temporellement plus précis que le mouvement du miroir. Cela fiabilise encore la détermination de l’orientation du miroir. Selon un exemple, le miroir comprend : une couche réflectrice métallique présentant une épaisseur choisie pour transmettre une partie du faisceau incident pour former le faisceau transmis, ou un empilement de Bragg comprenant au moins un empilement de Bragg dit « élémentaire » comprenant deux couches présentant des indices de réfraction distincts. L’empilement de Bragg permet de moduler la part transmise et la part réfléchie du faisceau selon les caractéristiques des couches le composant et du nombre d’empilement élémentaire. En outre, les propriétés de réflexion et de transmission peuvent être modulées en fonction de la longueur d’onde du faisceau incident. Selon un exemple, l’empilement de Bragg élémentaire comprend deux couches diélectriques et/ou semi-conductrices. Selon un exemple, l’empilement de Bragg élémentaire comprend une couche de silicium amorphe et une couche d’oxyde de silicium. Selon un exemple, le réseau de diffraction est configuré pour diffracter le faisceau transmis en une pluralité de faisceaux diffractés d’ordres m, m étant distincts entre les faisceaux diffractés, et le module détecteur est configuré pour mesurer la position d’une pluralité de faisceaux diffractés d’ordres m distinct entre eux. La résolution angulaire de la détermination de l’orientation du miroir peut ainsi être améliorée. Selon un exemple, le réseau de diffraction est configuré pour diffracter le faisceau transmis en une pluralité de faisceaux diffractés d’ordres m, m étant distincts entre les faisceaux diffractés, et le module détecteur est disposé à une intersection entre au moins deux faisceaux diffractés d’ordres m distincts de façon à mesurer une position de franges d’interférence entre lesdits au moins deux faisceaux diffractés. L’utilisation des franges d’interférence améliore encore significativement la résolution angulaire de la détermination de l’orientation du miroir. Selon un exemple, le faisceau incident présentant une longueur d’onde λ, le réseau de diffraction présente une période a telle que a est compris entre 1,5λ et 20λ, de préférence entre 5λ et 10λ. Une période a supérieure ou égale à 1,5λ, et de préférence supérieure ou égale à 5λ, permet d’obtenir plusieurs faisceaux diffractés d’ordres distincts. Une période a inférieure ou égale à 20λ évite d’avoir une figure de diffraction trop complexe, simplifiant ainsi la détermination de l’orientation du miroir. Selon un exemple, le réseau de diffraction comprend : un réseau d’un matériau opaque au faisceau lumineux incident, par exemple une couche réflectrice métallique, présentant des ouvertures de période a, ou un réseau de deux matériaux transparents au faisceau lumineux incident, présentant entre eux une différence d’indice de réfraction, les deux matériaux étant alternés de façon à former la période a. Selon un exemple, le réseau de diffraction est formé des mêmes matériaux que l’empilement de Bragg. La fabrication du dispositif réflecteur est ainsi facilitée. Selon un exemple, le dispositif réflecteur comprend une pluralité de réseaux de diffraction, de préférence juxtaposés, présentant des périodes a distinctes entre eux. La période a influe sur le nombre de faisceaux diffractés en fonction de la longueur d’onde incidente. Des réseaux de diffraction de périodes a différentes permettent de moduler la figure de diffraction obtenue selon la période. Le nombre d’ordres diffractés peut ainsi être adapté, par exemple selon l’amplitude de rotation du miroir. Cela permet en outre d’avoir des réseaux chacun plus adapté à une longueur d’onde donnée. Ainsi, un même dispositif réflecteur peut être utilisé dans des applications différentes, et notamment des applications mettant en œuvre différentes longueurs d’onde. Le dispositif réflecteur est ainsi rendu plus versatile. Selon un exemple, le module détecteur est disposé à distance de la face arrière du miroir, ladite distance étant comprise entre 1 µm et 15 cm, de préférence entre 0,5 cm et 15 cm. Selon un exemple, le dispositif comprend une couche de support mécanique présentant une face avant et une face arrière opposée à la face avant. Selon un exemple, le miroir surmonte, par sa face arrière, la face avant de la couche de support mécanique. Selon un exemple, le réseau de diffraction est disposé entre la couche de support mécanique et le miroir. Selon un exemple, le module détecteur est disposé à distance de la face arrière de la couche de support mécanique. Selon un exemple, le module détecteur est disposé sur la face arrière de la couche de support mécanique. Selon un exemple, la couche de support mécanique est à base de silicium, de préférence de silicium monocristallin. Selon un exemple, le module détecteur comprend une matrice de pixels en deux dimensions. Le suivi de la position du faisceau diffracté d’ordre m est ainsi facilité. Une matrice pixélisée en deux dimensions permet le suivi de l’orientation du miroir par projection du faisceau diffracté d’ordre m dans le plan défini par ces deux dimensions. Ceci est particulièrement avantageux pour des miroirs pivotants selon deux axes de rotation. Selon un exemple, le dispositif réflecteur comprend un élément optique, par exemple une lentille, configuré pour focaliser l’au moins un faisceau diffracté d’ordre m sur le module détecteur, et le cas échéant le faisceau transmis 22 non diffracté. La focalisation des faisceaux transmis et diffractés sur le module détecteur peut ainsi être modifiée, et notamment en synergie avec la distance du module détecteur par rapport à la lentille. Ainsi, la taille des zones d’impact des faisceaux sur le module détecteur peut être modifiée, et notamment diminuée. La mesure peut ainsi être facilitée. La résolution angulaire de la détermination de l’orientation du miroir peut en outre être améliorée. Selon un exemple, le miroir s’étend dans un plan d’extension principale, sur au moins une dimension millimétrique, par exemple un diamètre, de préférence comprise entre 500 µm et 10 mm, de préférence entre 500 µm et 5 mm. Selon un exemple, le dispositif comprend la source lumineuse configurée pour émettre l’au moins un faisceau incident. Selon un exemple, la source lumineuse est une source infrarouge. Selon un exemple, la source lumineuse est configurée pour émettre le faisceau incident avec une longueur d’onde supérieure ou égale à 900 nm, par exemple 905 nm ou 1550 nm. Selon un exemple, la source lumineuse est une source laser. Selon un exemple, le dispositif est un dispositif réflecteur de LIDAR. Selon un autre exemple, le dispositif est un système de pointage, et notamment un système de pointage laser. Selon ces deux exemples, le dispositif réflecteur peut comprendre en outre un support et un module actionneur configuré pour pivoter le miroir autour d’au moins un axe de rotation par rapport au support, le module détecteur étant solidaire du support. Selon un exemple, le réseau de diffraction laisse passer une partie du faisceau transmis de façon à former un faisceau d’ordre 0 non diffracté. Selon un exemple, le module détecteur est configuré pour mesurer au moins un paramètre associé au faisceau d’ordre 0, l’au moins un paramètre étant choisi parmi : une présence ou une absence du faisceau d’ordre 0, une position du faisceau d’ordre 0. et pour déterminer un état d’alignement du faisceau incident avec le dispositif réflecteur. Ainsi, le faisceau transmis d’ordre 0 peut être utilisé pour s’assurer du bon alignement du faisceau incident avec le miroir, et notamment du bon alignement entre la source et le miroir. Cela est en outre possible indépendamment de l’orientation du miroir, le faisceau transmis et non diffracté n’étant sensiblement pas dévié au passage du miroir et du réseau de diffraction. Cela peut par exemple être fait lorsque le miroir 10 est dans une position de repos, c’est-à-dire qu’il n’est pas pivoté par le module actionneur. Si, suite à un choc par exemple, le miroir et/ou la source sont déplacés, le faisceau incident peut ne plus être réfléchi par le miroir ou bien sa position peut être changée. Le dispositif réflecteur permet de détecter cela et éventuellement d’envisager des actions correctrices. Le dispositif réflecteur permet donc une mesure en temps réel de l’alignement du laser et du miroir, qui entraine une modification du faisceau réfléchi. Il est donc possible de s’assurer en continu que le faisceau réfléchi va bien dans la direction souhaitée, en synergie avec la détermination de l’orientation du miroir. La fiabilité de la réflexion du faisceau incident vers une cible est encore améliorée. Selon un exemple, le module détecteur est configuré pour déterminer l’état d’alignement du faisceau incident avec le dispositif réflecteur de sorte que, si le paramètre mesuré par le module détecteur est une absence du faisceau d’ordre 0 et/ou une position du faisceau d’ordre 0 différente d’une position définie, un mauvais alignement du faisceau incident est déterminé par le module détecteur. Ainsi, le dispositif réflecteur peut permettre de déterminer indépendamment un mauvais alignement du faisceau incident, selon la nature de l’information mesurée. Selon un exemple, le faisceau incident et le faisceau réfléchi se propagent selon des directions de propagation distinctes entre elles. Selon un exemple, le faisceau transmis est diffracté en une pluralité de faisceaux diffractés d’ordres m, m étant distincts entre les faisceaux diffractés, et dans lequel, lors de la mesure d’orientation. Selon un exemple, la position d’au moins deux faisceaux diffractés d’ordres m distincts est mesurée. La robustesse de la détermination de l’orientation du miroir peut ainsi être améliorée. Selon un exemple, le module détecteur est disposé à une intersection entre les au moins deux faisceaux diffractés d’ordres m distincts, et dans lequel, lors de la mesure d’orientation, une position de franges d’interférence entre lesdits faisceaux diffractés est mesurée. L’utilisation des franges d’interférence améliore encore significativement la résolution angulaire de la détermination de l’orientation du miroir. Selon un exemple, l’émission de l’au moins un faisceau incident comprend l’émission d’un premier faisceau incident et d’un deuxième faisceau incident depuis la source lumineuse vers le dispositif réflecteur, le procédé mettant en œuvre au moins les étapes de transmission, de diffraction, de mesure d’orientation et de détermination de l’angle à partir du premier faisceau incident, le procédé comprenant en outre une réflexion du deuxième faisceau incident par le miroir pour former le faisceau réfléchi vers une cible. Un faisceau incident peut ainsi être dédié à la réflexion, tandis que l’autre faisceau incident peut être dédié au suivi de l’orientation du miroir. Il est ainsi possible de jouer sur les paramètres du dispositif réflecteur pour adapter la diffraction et/ou la réflexion par exemple selon la période a, la nature du miroir, et plus particulièrement de l’empilement de Bragg. Il est ainsi possible de maximiser la part réfléchie du deuxième faisceau incident dédié à la réflexion, tout en suivant l’orientation du miroir avec le premier faisceau incident. Selon un exemple, une partie du faisceau transmis n’est pas diffracté et forme un faisceau d’ordre 0 non diffracté, le procédé comprenant en outre, de préférence préalablement à la détermination d’un angle entre le miroir et le faisceau incident : une mesure dite de « vérification », par le module détecteur, d’au moins un paramètre associé au faisceau d’ordre 0 par le miroir, l’au moins un paramètre étant choisi parmi : une présence ou une absence du faisceau d’ordre 0, une position du faisceau d’ordre 0. une détermination d’un état d’alignement de l’au moins un faisceau incident avec le dispositif réflecteur comprenant si le paramètre mesuré par le module détecteur est une absence du faisceau d’ordre 0 et/ou une position du faisceau d’ordre 0 différente d’une position définie, une détermination d’un mauvais alignement du faisceau incident. Comme dit précédemment relativement au dispositif réflecteur, le procédé permet donc une mesure en temps réel de l’alignement du laser et du miroir, qui entraine une modification du faisceau réfléchi. Il est donc possible de s’assurer en continu que le faisceau réfléchi va bien dans la direction souhaitée, en synergie avec la détermination de l’orientation du miroir. La fiabilité de la réflexion du faisceau incident vers une cible est encore améliorée. Selon un exemple, la réflexion de l’au moins un faisceau incident par le miroir pour former le faisceau réfléchi est au moins en partie simultanée à la mesure d’orientation par le module détecteur. Selon un exemple, la réflexion de l’au moins un faisceau incident par le miroir pour former le faisceau réfléchi est au moins en partie simultanée à la mesure de vérification par le module détecteur. Selon un exemple, le procédé comprend en outre une correction d’au moins une parmi la position de la source lumineuse et la position du miroir si, lors de la détermination d’un état d’alignement du faisceau incident avec le dispositif réflecteur, un mauvais alignement du faisceau incident est déterminé. La fiabilité du dispositif réflecteur peut ainsi être améliorée en corrigeant le défaut d’alignement de la source ou en compensant ce défaut d’alignement avec la position du miroir. Selon un exemple, le dispositif réflecteur comprenant un module actionneur configuré pour pivoter le miroir autour d’au moins un axe de rotation, et le module détecteur solidaire du miroir comprenant une matrice pixélisée en deux-dimensions : la détermination d’un état d’alignement du faisceau incident avec le dispositif réflecteur comprend une détermination d’un décalage entre la position du faisceau d’ordre 0 et la position définie, et la correction de la position du miroir comprend une modification de la plage angulaire de pivotement du miroir en fonction dudit décalage. Le désalignement de la source peut ainsi être déterminé de façon quantitative. En fonction de cette donnée, la modification de la plage angulaire de pivotement du miroir permet de compenser ce désalignement de façon simplifiée, et sans avoir à revoir l’alignement de la source. Ceci est particulièrement avantageux pour une correction au cours de l’utilisation du dispositif réflecteur, sans nécessiter un démontage et/ou un réalignement complexe. On entend par un substrat, une couche à base d’une espèce A, un substrat, une couche comprenant cette espèce A uniquement ou cette espèce A et éventuellement d’autres espèces. Par dispositif microélectronique, on entend tout type de dispositif réalisé avec les moyens de la microélectronique. Ces dispositifs englobent notamment en plus des dispositifs à finalité purement électronique, des dispositifs micromécaniques ou électromécaniques (MEMS, NEMS…) ainsi que des dispositifs optiques ou optoélectroniques (MOEMS, LED…). Il est précisé que dans le cadre de la présente invention, l’épaisseur d’une couche ou d’un substrat se mesure selon une direction perpendiculaire à la surface selon laquelle cette couche ou ce substrat présente son extension maximale. L’épaisseur est ainsi prise selon une direction perpendiculaire aux faces principales du substrat sur lequel repose les différentes couches. Il est précisé que, dans le cadre de la présente invention, les termes « sur », « surmonte », « recouvre », « sous-jacent », en « vis-à-vis » et leurs équivalents ne signifient pas forcément « au contact de ». Ainsi par exemple, la disposition d’une première couche sur une deuxième couche, ne signifie pas obligatoirement que les deux couches sont directement au contact l’une de l’autre, mais signifie que la première couche recouvre au moins partiellement la deuxième couche en étant soit directement à son contact, soit en étant séparée d’elle par au moins une autre couche ou au moins un autre élément. On entend par un paramètre « sensiblement égal/supérieur/inférieur à » une valeur donnée, que ce paramètre est égal/supérieur/inférieur à la valeur donnée, à plus ou moins 10 %, près de cette valeur. On entend par un paramètre « sensiblement compris entre » deux valeurs données que ce paramètre est au minimum égal à la plus petite valeur donnée, à plus ou moins 10 %, près de cette valeur, et au maximum égal à la plus grande valeur donnée, à plus ou moins 10 %, près de cette valeur. Dans la présente demande de brevet, le terme « solidaire » utilisé pour qualifier la liaison entre deux pièces signifie que les deux pièces sont liées/fixées l’une par rapport à l’autre, selon tous les degrés de liberté, sauf s’il est explicitement spécifié différemment. Par exemple, s’il est indiqué que deux pièces sont solidaires en translation selon une direction X, cela signifie que les pièces peuvent être mobiles l’une par rapport à l’autre, possiblement selon plusieurs degrés de liberté, à l’exclusion de la liberté en translation selon la direction X. Autrement dit, si on déplace une pièce selon la direction X, l’autre pièce effectue le même déplacement. Dans la description détaillée qui suit, il pourra être fait usage de termes tels que « horizontal », « vertical », « longitudinal », « transversal », « supérieur », « inférieur », « haut », « bas », « avant », « arrière », « intérieur », « extérieur ». Ces termes doivent être interprétés de façon relative en relation avec la position normale du dispositif réflecteur et la propagation des faisceaux lumineux, et notamment du faisceau lumineux incident, relativement au dispositif réflecteur. On utilisera également un repère dont la direction longitudinale correspond à l’axe X, la direction transversale ou droite/gauche correspond à l’axe Y et la direction verticale ou bas/haut ou encore avant/arrière correspond à l’axe Z. Aux fins de la présente divulgation, l'expression "A et/ou B" signifie (A), (B), ou (A et B). Aux fins de la présente divulgation, l'expression "A, B et/ou C" signifie (A), (B), (C), (A et B), (A et C), (B et C), ou (A, B et C). Le dispositif réflecteur 1 et le procédé de mesure de l’orientation du miroir 10 sont maintenant décrits selon plusieurs exemples de réalisation. Comme l’illustrent par exemple les figures 2A à 3B, le dispositif réflecteur 1 est destiné à réfléchir un faisceau lumineux incident 20 pour former un faisceau réfléchi 21 se propageant dans une direction déterminée, typiquement vers une cible 3. Pour cela, le faisceau lumineux incident 20 peut être émis par une source 2. La source 2 est plus particulièrement alignée avec le dispositif réflecteur 1 de sorte que, après réflexion sur le dispositif réflecteur 1, le faisceau réfléchi 21 atteigne la cible 3. La source lumineuse 2 peut être une source infrarouge. Selon un exemple, la source lumineuse 2 est configurée pour émettre le faisceau incident avec une longueur d’onde supérieure ou égale à 900 nm, par exemple 905 nm ou 1550 nm, en propagation dans l’air. De préférence, la source lumineuse 2 est une source laser. Le dispositif réflecteur 1 comprend un miroir 10 présentant une face avant 10a et une face arrière 10b opposée à la face avant 10a. Le faisceau incident 20 se propage depuis la source 2 jusqu’au miroir 10, et plus particulièrement jusqu’à sa face avant 10a. Le faisceau réfléchi 21 se propage ensuite de la face avant 10a du miroir 10 jusqu’à la cible 3. Le miroir 10 est plus particulièrement un miroir plan. Notons que la taille du faisceau incident 20 sur le miroir 10 peut être plus grande, de la taille du miroir 10, ou plus petite. Selon un exemple, illustré par les figures 2A et 2B, le miroir 10 est configuré pour pivoter autour d’au moins un axe de rotation X, et de préférence autour des axes de rotation X et Y, par exemple sur un intervalle angulaire α, α1, α2. Les axes X, Y sont alors non parallèles entre eux, et de préférence perpendiculaires. De préférence, au moins un axe de rotation est parallèle à, et de préférence situé dans, un plan de la face avant 10a de réflexion du miroir 10. Le miroir 10 peut notamment être un micromiroir de type MEMS. Le dispositif réflecteur 1 est ainsi particulièrement adapté à des applications de LIDAR ou de pointage laser. De préférence, le miroir 10 est configuré pour pivoter autour des deux axes de rotation X et Y. Le dispositif réflecteur 1 peut comprendre pour cela un module actionneur 12 configuré pour faire pivoter le miroir autour du ou des axes de rotation X, Y, par exemple par des bras actionneurs 120. Le module actionneur 12 peut comprendre au moins un actionneur choisi parmi : un actionneur électrostatique, un actionneur magnétique, un actionneur piézoélectrique, un actionneur thermique. De préférence, le module actionneur 12 comprend au moins un actionneur 120 piézoélectrique. Le module actionneur 12 présente par exemple deux actionneurs 120, de préférence un sur un axe de rotation dit « rapide » et un sur un axe de rotation dit « lent ». Le module actionneur 12 peut présenter des fréquences de mouvement de sensiblement 10 Hz sur l’axe lent et de sensiblement 1 kHz sur l’axe rapide. Lorsque le faisceau incident 20 est réfléchi 21 vers une cible 3, il est important de connaître l’orientation du miroir 10, notamment par rapport au faisceau incident 20. Ceci est particulièrement avantageux lorsqu’eux le miroir 10 pivote selon au moins un axe de rotation. Notons que l’orientation du miroir 10 par rapport au faisceau incident 20 peut être recherchée y compris pour un miroir fixe. Pour cela, le miroir 10 est configuré pour réfléchir une partie d’un faisceau incident 20 pour former le faisceau réfléchi 21, et pour transmettre une autre partie du faisceau incident 20 par la face arrière 10b du miroir pour former un faisceau transmis 22. Le miroir 10 est donc partiellement transparent. Il présente une composante en réflexion et une composante en transmission. De préférence, le miroir 10 est configuré pour réfléchir entre 75 % et 99,9 % du faisceau incident 20. Le miroir 10 peut être configuré pour transmettre entre 24,5 % et 0,03 % du faisceau incident 20. Le dispositif réflecteur 1 comprend en outre un réseau de diffraction 14 solidaire du miroir 10 et disposé en dessous du miroir 10 relativement au sens de propagation du faisceau incident 20. Le réseau de diffraction 14 est configuré pour recevoir la part transmise 22 du faisceau incident 20 et diffracter ce faisceau transmis 22. Comme illustré par les figures 3A et 3B, la diffraction entraîne la formation de plusieurs faisceaux. Le faisceau transmis 22 est donc séparé en plusieurs faisceaux. Un premier faisceau ne sera pas dévié par le réseau de diffraction 14 et forme le faisceau transmis 22, aussi désigné par faisceau d’ordre 0. Le faisceau 22 d’ordre 0 se propage typiquement sensiblement dans la même direction par rapport au faisceau incident 20. De façon équivalente, le faisceau 22 d’ordre 0 n’est sensiblement pas dévié par le miroir 10. De façon équivalente, on considère que la déviation ou décalage du faisceau 22 d’ordre 0, lors de sa transmission par le miroir 10, est négligeable au regard de la déviation des autres faisceaux liée à l’orientation du miroir. En tout état de cause, une éventuelle déviation ou un éventuel décalage du faisceau transmis 22 par le miroir (par exemple en cas de défaut de parallélisme entre les deux surfaces du miroir 10 ou dans une moindre mesure en raison de l’épaisseur du miroir), peut former une limite basse de détermination de l’orientation du miroir. Au passage du réseau de diffraction 14, il se forme en outre au moins un et de préférence une pluralité de faisceaux diffractés 23. Comme illustré par la FIG. 4 , au passage d’un réseau de diffraction 14 de période a, la part transmise 22 du faisceau incident 20 est diffractée pour former au moins un faisceau diffracté 23 se propageant selon une direction distincte de la direction de propagation du faisceau incident 20. Un seul ou plusieurs faisceaux diffractés 23 peuvent être formés. Dans la suite, on considère à titre non limitatif que plusieurs faisceaux diffractés 23 sont formés. Chaque faisceau diffracté 23 va présenter une direction de propagation espacée angulairement du faisceau transmis 22 par un angle θt. On peut aussi considérer l’angle θm par rapport à la normale au réseau de diffraction 14, ou de façon équivalente par rapport à la normale au miroir 10, le réseau de diffraction étant solidaire du miroir 10. De façon connue, plus la période a du réseau de diffraction 14 augmente, plus le nombre de faisceaux diffractés 23 augmente. Ces faisceaux diffractés 23 se propagent chacun dans des directions de propagation différentes entre elles. Ainsi, les angles θm et θt sont propres à chaque faisceau diffracté 23. On considère donc que les faisceaux diffractés 23 sont diffractés selon différents ordres m, chaque ordre m se propageant dans une direction donnée. Des faisceaux diffractés 23 d’ordre m distincts correspondent donc à des faisceaux diffractés 23 se propageant selon des directions de propagation distinctes entre elles. Le faisceau transmis 22 est donc le faisceau d’ordre 0, il n’est pas dévié. Les faisceaux diffractés 23 sont numérotés progressivement selon leur ordre m, plus leur direction de propagation dévie du faisceau transmis 22. L’ordre m peut être positif, lorsque les angles θm et θt s’inscrivent dans un sens de déviation donné par rapport à la direction de propagation du faisceau transmis 22. L’ordre m peut être négatif, lorsque les angles θm et θt s’inscrivent dans le sens de déviation opposé. Comme illustré par les figures 3A à 5B, la direction de propagation du faisceau incident 20 présente un angle θi1 avec le miroir 10, et plus particulièrement par rapport à la normale au miroir 10. Les faisceaux diffractés 23 vont chacun présenter un angle θt1 par rapport au faisceau transmis 22 se propageant selon la même direction que le faisceau incident 20. Lorsque l’orientation du miroir 10 est modifiée, par exemple suite à un choc et/ou selon la position en rotation du miroir 10 par un actionneur 12, l’angle θi2 entre le miroir 10 et le faisceau incident 20 est modifié. La direction de propagation du faisceau transmis 22 est sensiblement inchangée avec la rotation du miroir 10. Par contre, les faisceaux diffractés 23 vont alors chacun présenter un angle θt2 par rapport au faisceau transmis, cet angle étant modifié par rapport à l’angle θt1. Il est donc possible de déterminer le changement d’orientation du miroir 10 en fonction de la position des faisceaux diffractés 23. Pour cela, le dispositif réflecteur 1 comprend un module détecteur 11 disposé en regard de la face arrière 10b du miroir 10 et d’une face arrière du réseau de diffraction 14. Le module détecteur 11 est donc placé en dessous du miroir 10 et du réseau de diffraction 14 dans le dispositif réflecteur 1, par rapport à la propagation du faisceau incident 20. Le module détecteur 11 est disposé de façon à recevoir au moins un faisceau diffracté 23, de préférence plusieurs faisceaux diffractés 23. Selon un exemple le module détecteur 11 disposé de façon à recevoir le faisceau transmis 22 et au moins un faisceau diffracté 23, et de préférence plusieurs faisceaux diffractés 23. Le ou les faisceaux diffractés 23 forment sur le détecteur une figure de diffraction. Selon l’orientation du miroir 10, la position de la figure de diffraction va être modifiée. À titre d’exemple, et en référence à la FIG. 4 , la loi des réseaux donne en effet : L’angle entre un faisceau diffracté 23 d’ordre m et le faisceau incident 20 peut donc être donné par : Lorsque le réseau tourne d’un angle Δθi, l’angle des ordres diffractés change. L’ordre 0 reste dans la direction d’incidence. La variation d’angle entre un faisceau diffracté d’ordre m et la direction du faisceau incident peut être donnée par : Notons que plus les angles sont petits, plus Δθt se rapproche de 0. La déviation des faisceaux diffractés 23 d’ordre m devient plus significative avec des grands angles et repose sur la non-linéarité des fonctions sinus et arcsinus. Le module détecteur 11 est plus particulièrement configuré pour mesurer la position d’au moins un faisceau diffracté 23. En fonction de cette position, le module détecteur est configuré pour déterminer l’orientation du miroir 10. De préférence, la position de plusieurs faisceaux diffractés 23 est mesurée. La mesure est ainsi plus robuste. Dans la suite, on parle à titre non limitatif de position d’un faisceau diffracté 23 d’ordre m. Selon un exemple, le module détecteur 11 peut être configuré pour mesurer la position relative du faisceau 22 d’ordre 0 et d’au moins un faisceau diffracté 23 d’ordre m. Le faisceau 22 d’ordre 0 n’étant pas dévié, il est ainsi possible avec une seule mesure de connaître l’orientation du miroir 10. Selon un autre exemple le module détecteur 11 peut être configuré pour faire une première mesure de la position du faisceau diffracté 23 d’ordre m dans une première position du miroir 10, et pour faire une deuxième mesure de la position de ce faisceau diffracté 23 dans une deuxième position du miroir 10. Lorsque la deuxième position du miroir 10 est distincte de sa première position, la position du faisceau diffracté 23 sur le détecteur sera modifiée. Le module détecteur 11 peut alors être configuré pour déterminer la variation d’orientation du miroir 10 entre sa première position et sa deuxième position. Selon un exemple, le miroir 10 peut être disposé sur un support 108 configuré pour rester fixe lors du mouvement du miroir 10. Ce support est représenté à titre d’exemple en figures 2A et 15A et 15B. Le module détecteur 11, et notamment un détecteur 111, est de préférence solidaire du support 108, de préférence au moins en rotation selon les directions X et Y. Le module détecteur 11 peut être solidaire du support 108 selon tous les degrés de liberté. On peut prévoir que le module détecteur 11 soit libre en translation par rapport au support 108, selon la direction Z. Ainsi le module détecteur 11 est indépendant du mouvement du miroir 10. Lorsque le miroir est en mouvement angulaire (en X et/ou en Y), la position du faisceau transmis 22 ne bouge pas sensiblement sauf désalignement de la source et du miroir 10 ou modification de la forme du miroir 10. Le module détecteur 11 et le support 108 peuvent être dissociés l’un de l’autre, comme par exemple illustré en FIG. 15 . Le module détecteur 11 et le support 108 peuvent être solidarisé l’un à l’autre par le biais d’un support 113, comme par exemple illustré en FIG. 15 . Selon un exemple, le module détecteur 11 peut comprendre un détecteur 111. Ce détecteur peut comprendre une matrice pixélisée 111 selon au moins une dimension, et de préférence selon les deux dimensions X, Y. Dans les figures, notons que cette matrice pixélisée 111 est présentée de façon non limitative en perspective, notamment à des fins de lisibilité et d’explication. Pour un rayonnement à 1550 nm, un détecteur 111 à base ou fait d’InGaAs sera privilégié. Pour un rayonnement à 905 µm, un détecteur 110, 111 à base ou fait de silicium peut être envisagé, par exemple un détecteur CMOS. Un détecteur CMOS est néanmoins limité en termes de fréquence d’acquisition de l’ordre de 1 kHz à 10 kHz. Cela peut être limitant par rapport à la vitesse de pivotement du miroir 10, comme discuté plus en détail ultérieurement. Il existe des caméras scientifiques avec des fréquences d’acquisition de plusieurs dizaines de kHz, elles sont toutefois onéreuses. Le détecteur 111 peut être de taille inférieure ou égale à celle du miroir 10 dans le plan (X,Y). Par exemple, le détecteur 111 peut s’étendre en projection dans le plan (X,Y) sur une fraction seulement de la surface du miroir prise dans le même plan. Le détecteur 111 peut s’étendre dans un plan d’extension principale sensiblement parallèle au plan d’extension principale du miroir 10. En alternative, on peut prévoir que le détecteur 111 soit positionné de façon oblique par rapport au miroir 10, par exemple en étant disposé de façon perpendiculaire à la direction de propagation d’un faisceau diffracté 23 d’ordre m. Selon un exemple illustré en FIG. 6 , le dispositif réflecteur 1 peut comprendre un élément optique 13, par exemple une lentille 13, configuré pour focaliser les faisceaux diffractés 23, et de préférence en outre le faisceau transmis 22, sur le détecteur 111. Ainsi la résolution de la mesure de position des faisceaux sur le détecteur 111 peut être améliorée. Pour cela, la distance d1 entre la lentille 13 et le détecteur 111 peut par exemple être adaptée. Selon un exemple illustré par les figures 7A à 7C, la lentille 13 peut être placée à une distance d du réseau de diffraction 14. La lentille 13 peut être disposée à une distance f du détecteur 111, f étant la distance focale de la lentille 13. Ainsi, l’image du faisceau diffracté 23 d’ordre m peut être ponctuelle sur le détecteur 111. Cela améliore la résolution du suivi de la position 232 du faisceau diffracté 23 d’ordre m sur le détecteur 111, et donc la résolution angulaire de la détermination de l’orientation du miroir 10. On peut prévoir que la distance entre la lentille 13 et le détecteur 111 ne soit pas égale à la distance focale f, et notamment pour jouer sur la focalisation du faisceau diffracté 23 sur le détecteur 111. Par exemple, on peut chercher à ce que l’image du faisceau diffracté 23 sur le détecteur 111 couvre plusieurs pixels. Afin d’améliorer la résolution du suivi de la position 232 du faisceau diffracté 23, le barycentre de l’image du faisceau diffracté 23 peut alors être suivi. Le procédé de mesure de l’orientation du miroir 10 peut comprendre une détermination du sens de rotation du miroir 10 selon la position du faisceau diffracté 23. Que le dispositif réflecteur un comprenne une lentille 13 ou non, selon le sens de changement de la position 232 du faisceau diffracté 23 sur le détecteur 111 le sens de changement d’orientation du miroir 10 peut être déterminé. Par exemple et comme illustré par les figures 7A à 7C, lorsque le miroir 10 est entraîné en rotation dans un premier sens de rotation, la position 232 du faisceau diffracté 23 peut présenter un décalage Δ232 par rapport à une position initiale 232’, selon une première direction. Lorsque le miroir 10 est entraîné en rotation dans un deuxième sens de rotation opposée au premier sens, la position 232 du faisceau diffracté 23 peut présenter un décalage -Δ232 par rapport à une position initiale 232’ selon la même direction. Notons que cela peut être fait entre deux mesures successives par le détecteur 11 et/ou par la position relative entre le faisceau diffracté 23 et le faisceau transmis 22. Le procédé de mesure de l’orientation du miroir 10 peut en outre comprendre une sélection du faisceau diffracté 23 d’ordre m dont la position sera mesurée. Cette sélection peut être configurée de manière à sélectionner le ou les faisceaux diffractés 23 d’ordre m présentant un décalage en position maximal pour un changement d’orientation du miroir 10 donné. Ainsi, pour une même rotation du miroir 10, le décalage en position du faisceau diffracté d’ordre m sera plus important. La résolution angulaire de la détermination de l’orientation du miroir 10 est ainsi améliorée. Lors de la mesure de position du faisceau diffracté 23 d’ordre m, la position du faisceau diffracté 23 sélectionné peut être suivie, éventuellement en outre la position d’autres faisceaux diffractés 23 d’ordres m différents. Selon un premier exemple, les angles θm et θt ont été calculés pour un réseau de diffraction 14 de période a égale à 10 µm et une longueur d’onde λ du faisceau incident de 1550 nm. Ces données sont présentées dans le tableau ci-dessous. m θi θi Δθt 35° 40° θm θt θm θt 2 62,08 27,08 72,32 32,32 5,25 1 46,77 11,77 52,92 12,92 1,15 0 35,00 0,00 40,00 0,00 0,00 -1 27,74 -10,80 29,20 -10,80 -0,55 -2 15,28 -19,72 19,44 -20,56 -,084 -3 6,23 -28,77 10,24 -29,76 -0,99 -4 -2,66 -37,66 1,31 -38,69 -1,03 -5 -11,62 -46,62 -7,60 -47,60 -0,98 -6 -20,88 -55,88 -16,69 -56,69 -0,81 -7 -30,76 -65,76 -26,25 -66,25 -0,49 -8 -41,79 -76,79 -36,67 -76,67 0,12 -9 -55,23 -90,23 -48,78 -88,78 1,45 -10 -77,53 -112,53 -65,12 -105,12 7,41 Dans cet exemple particulier, on considère que les faisceaux diffractés 23 pouvant être détectés par le détecteur 111 se situent dans un cône de sortie d’environ 76°. Ce cône de sortie peut typiquement être lié à des limitations mécaniques du dispositif réflecteur 1. Par exemple, on considère un miroir 10 s’étendant selon la direction y sur une longueur L de 2 mm, et distant dans le plan (X,Y) du support 108 d’une distance de 2,9 mm, le support 108 présentant une hauteur de 0,7 mm. L’angle α du faisceau diffracté 23 se propageant depuis le bord du miroir 10 jusqu’à une limite inférieure du support 108 est égal à π/2-β= π/2-β=90°-13°=76°. On considère par exemple ici que des faisceaux diffractés 23 trop déviés seront incidents sur des bords de la structure du dispositif réflecteur 1, par exemple le support 108 décrit plus en détail intérieurement. Ils ne sont de préférence pas suivis par le module détecteur 11. Les faisceaux diffractés 23 d’ordre m = -1 à m = -7 sont ici considérés. Parmi ces faisceaux on observe que l’ordre présentant une rotation Δθt la plus grande et l’ordre m=-4. Pour un changement d’orientation du miroir de sensiblement 5° on obtient un Δθt environ égal à 1°. Selon un exemple illustré par les figures 8A et 8B, le module détecteur 11, et plus particulièrement le détecteur 111, est disposé à une intersection 230 entre au moins deux faisceaux diffractés 23 d’ordre m distincts. Dans cette zone d’intersection 230, lorsque la source lumineuse est cohérente, les faisceaux diffractés 23 vont former des franges d’interférences 231. Par exemple, considérant une intersection 230 où deux ordres se superposent, les deux faisceaux d’ordres m distincts interfèrent et les franges d’interférences sont des plans orientés selon la bissectrice entre les deux faisceaux d’ordres m distincts. Lorsque l’orientation du miroir 10 change, la position de ces franges d’interférences 231 est modifiée. Le détecteur peut donc être configuré pour mesurer la position des franges d’interférences 231. La position des franges d’interférences 231 peut être déterminée par rapport à la position du faisceau 22 d’ordre 0, dans une même mesure. La résolution de la détermination de l’orientation du miroir 10 est alors encore améliorée, comme il sera décrit ultérieurement en référence à un exemple particulier. Un décalage en position des franges d’interférences 231 peut en outre être déterminé entre deux mesures successives de la position de ces franges d’interférences 231 par le détecteur 111. Ceci présente l’avantage de ne pas avoir à connaître la position du faisceau 22 d’ordre 0 pour déterminer l’orientation du miroir. Un module détecteur 11 plus petit peut donc être utilisé. De préférence, le détecteur 111 présente une résolution spatiale, par exemple un pas entre ces pixels, au moins deux fois plus petit que le pas entre les franges d’interférences 231. Plusieurs variantes du dispositif réflecteur 1 sont maintenant décrites. Comme illustré par la FIG. 9 , le dispositif réflecteur 1 peut comprendre une pluralité de détecteurs 111, disposés de façon à recevoir différents faisceaux parmi le faisceau transmis 22 d’ordre 0 et les faisceaux diffractés 23 d’ordre m. La pluralité de détecteurs 111 peut être disposée dans un même plan (X, Y), par exemple sensiblement parallèle au plan d’extension principale du miroir 10. La pluralité de détecteurs 111 peut être disposée de façon oblique par rapport au plan d’extension principale du miroir 10, comme détaillé précédemment. On peut en outre prévoir qu’un ou plusieurs détecteurs 111 soient parallèles au miroir 10 et qu’un ou des autres détecteurs soient disposés de façon oblique par rapport miroir 10. Les détecteurs 111 peuvent être juxtaposés. De préférence, le module détecteur 11 acquiert des images plus rapidement que la rotation du miroir 10. Pour cela, le temps de réponse du détecteur peut être inférieur ou égal, et de préférence significativement inférieur à, la période de rotation du miroir. La fréquence d’acquisition du module détecteur 11 peut plus particulièrement être supérieure ou égale, et de préférence significativement supérieure, à la fréquence de balayage du miroir 10. La vitesse de pivotement du miroir 10 est typiquement comprise entre 1Hz et 50 kHz. Cette valeur peut notamment être fonction de la taille du miroir et de l’application visée. Par exemple, pour un miroir de 2 mm de diamètre, les fréquences lente et rapide seront respectivement de 10 Hz à 40 Hz et de 200 Hz à 1000 Hz. Pour de miroirs plus petits (par exemple autour de 0,5 mm de diamètre) les fréquences rapides peuvent aller jusqu’à 20 kHz par exemple. Le dispositif réflecteur 1 peut en outre recevoir plusieurs faisceaux incidents 20a, 20b, comme illustré par exemple la FIG. 10 . Ainsi le dispositif réflecteur 1 peut être configuré pour utiliser un faisceau incident 20a pour le suivi de l’orientation du miroir 10 et pour réfléchir le deuxième faisceau incident 20b vers une cible 3 donnée. Pour cela, le miroir 10 peut-être plus particulièrement configuré pour réfléchir le faisceau incident 20b, par exemple en minimisant la composante transmise 22b. Le miroir 10 peut être configuré pour augmenter, et de préférence maximisée, la part transmise 22a du faisceau incident 20a par rapport à celle du faisceau 20b. Le réseau de diffraction 14 peut être configuré pour diffracter la part transmise 22a du faisceau incident 20a. Par exemple la période à du réseau de diffraction 14 peut être adaptée au faisceau incident 20a, et notamment à sa longueur d’onde. Les faisceaux incidents 20a et 20b présentent de préférence des longueurs d’onde λ1, λ2 différentes. Le réseau de diffraction 14 est maintenant décrit selon plusieurs exemples de réalisations en référence aux figures 10 à 13B. Le réseau de diffraction 14 peut être formé de matériaux alternés selon au moins une direction du plan (X ;Y), par exemple de deux matériaux solides ou d’un matériau solide et de gaz ou d’air. Les matériaux alternés présentent plus particulièrement des indices de réfraction distincts entre eux. La différence d’indice peut être supérieure ou égale à 0,05 par exemple, et de préférence supérieure ou égale à 0,1. Plus l’écart d’indice est grand et plus l’intensité des faisceaux diffractés est grande. Ces faisceaux sont donc plus facilement détectables. Un matériau peut être opaque au faisceau incident 20, tandis que l’autre matériau est au moins partiellement transparent. Le pas formé par l’alternance de ces deux matériaux définit la période a du réseau de diffraction 14. La période a s’inscrit de préférence dans un plan parallèle au plan d’extension principale du miroir 10. Le nombre de faisceaux diffractés 23 d’ordres m est fonction de la période a. La période a est supérieure strictement à la longueur d’onde λ du faisceau incident 20 de façon à obtenir une diffraction. À et de préférence comprise entre 1,5λ et 20λ, de préférence entre 5λ et 10λ. Cela permet d’obtenir plusieurs faisceaux diffractés 23 d’ordres distincts tout en limitant la complexité de la figure de diffraction, simplifiant ainsi la détermination de l’orientation du miroir 10. On comprend donc que la période a peut être choisie en fonction de la longueur d’onde du faisceau incident 20. Par exemple, pour une longueur d’onde incidente de 1.55 µm, le période a du réseau peut être comprise entre 1 exclu et 20 fois la longueur d’onde, par exemple entre 1.55 µm exclu et 30 µm (par exemple 10 µm). Le dispositif réflecteur 1 peut comprendre une pluralité de réseaux de diffraction 14 présentant des périodes a distincts entre eux. Comme illustré en FIG. 11 , un premier réseau de diffraction 14 peut présenter une période a inférieure à la période a d’un deuxième réseau de diffraction 14. Des réseaux de diffraction de périodes a différentes permettent de moduler la figure de diffraction obtenue selon la période a. Le nombre d’ordres diffractés peut ainsi être adapté, par exemple selon l’amplitude de rotation du miroir. Notamment, pour un miroir pivotant selon deux axes de rotation X et Y avec un axe lent et un axe rapide, une période a peut être plus adaptée au suivi de l’orientation du miroir 10 selon l’axe lent, et une autre période a peut-être plus adaptée au suivi de l’orientation du miroir 10 selon l’axe rapide. Cela permet en outre d’avoir des réseaux chacun plus adapté à une longueur d’onde donnée. Plusieurs réseaux 14 peuvent présenter des formes et/ou tailles différentes. Comme illustré en FIG. 12 , le réseau 14 peut comprendre un matériau 140 opaque au faisceau lumineux incident 20, par exemple une couche réflectrice métallique, présentant des ouvertures 141 de période a. Les ouvertures peuvent être vides ou remplies d’un gaz ou rempli d’un matériau différent. Comme illustré dans les autres figures, le réseau 14 peut comprendre deux matériaux 142, 143 transparents au faisceau lumineux incident, présentant entre eux une différence d’indice de réfraction, les deux matériaux 142, 143 étant alternés de façon à former la période a. Comme illustré par les figures 13A à 13B, le réseau 14 peut former la période a dans une seule direction du plan (X,Y). De préférence, la période a est formée dans deux directions distinctes non parallèles du plan (X,Y), ces directions étant de préférence perpendiculaires entre elles. Selon un exemple, le réseau 14 comprend du silicium amorphe et du SiO2. Par exemple pour une longueur d’onde incidente de 1,55 µm, la période a du réseau peut être comprise entre une fois exclue et 20 fois la longueur d’onde, et donc comprise entre 1,55 µm exclu et 30 µm (par exemple 10 µm). L’épaisseur du réseau de silicium amorphe et SiO2 est, par exemple, comprise entre 0,1 et 10 µm (par exemple 300 nm). Le réseau peut comprendre des plots de SiO2 pour former la période a. la largeur des plots de SiO2 peut être comprise entre 1 µm et la valeur de la période a minorée de 1 µm (par exemple 5 µm). Pour une longueur d’onde incidente de 905 nm, il peut être envisagé d’utiliser du TiO2 et du SiO2. Selon un exemple, on peut prévoir de disposer en dehors du réseau 14, par exemple dans le même plan que le réseau 14, une couche absorbante permettant de limiter spatialement le diamètre du faisceau transmis 22. Le miroir 10 est partiellement transparent. Pour cela, le miroir 10 peut comprendre au moins une couche réflectrice métallique 100 configuré pour laisser passer une partie du faisceau incident 20 pour former le faisceau transmis 22. Pour cela, et comme illustré en FIG. 12 , la couche réflectrice métallique 100 peut présenter une épaisseur e100 configurée pour laisser passer une partie du faisceau incident 20. On comprend que cette épaisseur peut varier selon la nature du métal utilisé. Par exemple, la couche réflectrice métallique 100 est à base d’or. Selon exemple, la couche réflectrice métallique 100 présente une épaisseur e100 sensiblement inférieure ou égale à 50 nm De façon alternative ou complémentaire, le miroir 10 peut comprendre une ouverture 1000 configurée pour transmettre une partie du faisceau incident 20 pour former le faisceau transmis 22. L’épaisseur e100 de la couche réfléchissante métallique 100 peut alors être supérieure à la gamme ci-dessus. Selon un exemple préférentiel, par exemple illustré dans les figures 3A, 3B, 6 et 9 à 11, le miroir 10 comprend un empilement de Bragg 101, l'empilement de Bragg comprenant au moins un empilement de Bragg élémentaire 102. Par « empilement de Bragg », on entend une succession périodique de couches transparentes, ou partiellement transparentes, et d'indices de réfraction différents. Un empilement de Bragg élémentaire comprend un empilement de deux couches 103, 104 diélectriques et/ou semi-conductrices. Dans l’empilement de Bragg, de façon connue, la différence d’indice optique entre ces couches est utilisée pour réfléchir la longueur d’onde souhaitée. La nature des couches 103, 104 peut être choisie en fonction de la longueur d’onde du faisceau incident 20, pour moduler la part transmise et la part réfléchie du faisceau. Le nombre d’empilements de Bragg élémentaires peut en outre être choisi pour moduler la part transmise et la part réfléchie du faisceau incident 20. Par exemple, le nombre d’empilement de Bragg élémentaires 102 peut permettre de moduler la quantité de lumière transmise pour ne pas éblouir le module détecteur 11 tout en s’assurant d’un seuil suffisant à la détection. La limitation du nombre d'empilements de Bragg élémentaires permet en outre de réduire les contraintes mécaniques imposées au miroir, et ainsi limiter le risque d’une déformation mécanique du miroir. Selon un exemple, l’empilement de Bragg 101 comprend entre un et dix, de préférence entre un et cinq, empilements de Bragg élémentaires 102. De préférence, l’épaisseur des couches 103, 104 est choisie de sorte que ces couches, et de préférence chacune des couches, soient des couches dite « λ/4 », c’est à dire que le produit de l’épaisseur d’une couche par l’indice optique de la couche est sensiblement égal au quart de la longueur d’onde dans le vide. Cela permet d’obtenir des interférences constructives en réflexion et donc de maximiser la réflexion du faisceau incident 20, à nombre de couches donné, le reste partant en transmission. À titre d’exemple, lorsque le rayonnement est dans le domaine infrarouge, et plus particulièrement de longueur d'onde égale à 1550 nm, l'empilement de Bragg élémentaire 102 peut comprendre une couche 104 à base ou faite de dioxyde de silicium d'une épaisseur e104 sensiblement 268 nm (dont l'indice de réfraction à 1550 nm vaut 1,45) surmontée d'une couche 103 à base ou faite de silicium amorphe d'une épaisseur e103 de 113 nm (dont l'indice de réfraction à 1550 nm vaut 3,42). Ces épaisseurs sont illustrées à titre d’exemple dans la FIG. 11 . Selon cette configuration, un empilement de Bragg 101 ne comprenant qu'un seul empilement de Bragg élémentaire 102, présentera, pour une incidence de 20°, un coefficient de réflexion égal à 82,4 % et un coefficient de transmission égale à 17,6 % face à un rayonnement lumineux de longueur d'onde égale à 1550 nm. Pour une incidence de 45°, le coefficient de réflexion est de 80,9 % et le coefficient de transmission est de 19,1 %. Cet empilement ne sera par ailleurs pas absorbant et présentera un échauffement quasi nul. Le risque d’un échauffement du miroir 10 est donc limité. Toujours selon cette configuration, un empilement de Bragg 101 comprenant deux empilements de Bragg élémentaires 102 présentera, pour une incidence du rayonnement de 45° un coefficient de réflexion égal à 96,4 % et un coefficient de transmission égal à 3,6 % face à un rayonnement lumineux de longueur d'onde égale à 1550 nm. Cet empilement ne sera par ailleurs que peu ou pas absorbant et présentera un échauffement quasi nul. Selon un exemple, le miroir 10 s’étend dans un plan d’extension principale (X, Y), sur au moins une dimension millimétrique, par exemple un diamètre, de préférence comprise entre 500 µm et 10 mm, de préférence entre 500 µm et 5 mm. Selon un exemple, le miroir 10 peut être formé sur une couche de support mécanique 105 à base ou faite par exemple d'un matériau semi-conducteur ou diélectrique. La distance entre le module détecteur 11 et le miroir 10 peut être modifiée pour optimiser la mesure. Comme illustré par exemple en figures 15A et 15B, le module détecteur 11, et notamment le détecteur 110, 111 peut être disposé à une distance d non nulle de la face arrière 10b du miroir 10. Cette distance d peut être comprise entre 1 µm et 15 cm, de préférence entre 0,5 cm et 15 cm. Selon un exemple, le module détecteur 11 est disposé à distance de la face arrière de la couche de support mécanique 105. Selon un exemple alternatif, le module détecteur 11 est disposé sur la face arrière de la couche de support mécanique 105. Le choix du matériau de la couche de support mécanique 105 peut, par exemple, être fonction de la longueur d'onde λ. À titre d'exemple, le coefficient d'absorption d'une couche de support mécanique 105 est négligeable, voire nul, pour des longueurs d'onde supérieures à 1250 nm. La couche de support mécanique 105 peut comprendre une ou plusieurs couches 106, 107. Comme par exemple illustré dans la FIG. 11 , la couche de support mécanique 105 peut comprendre une couche 106 à base ou faite de silicium, par exemple de silicium monocristallin, par exemple d'une épaisseur e106 sensiblement comprise entre 1 µm et 100 µm, et de préférence égale à 20 µm. La couche de support mécanique 105 peut en outre comprendre une couche 107 a base ou faite d’oxyde de silicium par exemple issue d’une couche d’oxyde enterrée. La couche 107, par exemple de l’oxyde de silicium, peut présenter une épaisseur e107 sensiblement comprise entre 0,2 %m et 2 µm. Par ailleurs, lors d’un désalignement de la source 2 et du miroir 10, on comprend que le faisceau incident 20 peut ne plus être réfléchi sur le miroir 10, ou le faisceau réfléchi 21 peut être dévié de sa course initialement prévue et manquer la cible 3. Ceci peut survenir par exemple en cas de choc. Par ailleurs, une modification de la planéité du miroir 10 peut entraîner un changement dans la focalisation du faisceau réfléchi 21. Le faisceau réfléchi 21 peut alors ne pas atteindre correctement la cible 3. Ceci peut survenir par exemple lors d’une contrainte thermique suite à une chauffe du miroir 10. Le faisceau incident 20 peut en effet échauffer le miroir 10, ce qui va impacter ses propriétés de réflexion. Ceci peut notamment être observé lorsque que le faisceau incident est un faisceau infra-rouge, et/ou lorsque la source 2 est une source laser. Le module détecteur 11 est configuré pour mesurer au moins un paramètre associé au faisceau transmis 22. Ce ou ces paramètre(s) est/sont choisi(s) parmi : une présence ou une absence du faisceau transmis 22, une position 220 du faisceau transmis 22. En fonction de ce(s) paramètre(s), le module détecteur 11 peut déterminer un état d’alignement du faisceau incident 20 avec le dispositif réflecteur 1. Cela peut être fait préalablement ou au moins en partie simultanément à la diffraction de la part transmise 22 du faisceau incident 20. Le dispositif réflecteur 1 permet ainsi de déterminer indépendamment ces états, et ce, en continu lors de son utilisation. Le faisceau transmis 22 se propage typiquement sensiblement dans la même direction par rapport au faisceau incident 20. Comme illustré en figures 14A et 14B, si le faisceau incident 20 est désaligné par rapport à sa position prévue, alors la direction de propagation du faisceau transmis 22 est modifiée en conséquence. Le faisceau transmis 22 peut ne plus être détecté par le module détecteur 11, ou comme illustré la position 220 du faisceau transmis sur le module détecteur peut être modifiée. Un mauvais alignement du faisceau incident 20 et donc un mauvais alignement de la source et du dispositif réflecteur 1 peuvent être déterminés. Lorsque le module détecteur 11 comprend une matrice pixélisée 111, une mesure quantitative de la position 220 du faisceau transmis peut être obtenue. Par exemple, comme illustré en FIG. 14 , un décalage Δ22 de la position 220 du faisceau transmis peut être mesuré par rapport à une position définie 221, par exemple sa position initiale. Lorsqu’un mauvais alignement du faisceau incident 20 est détecté, une action correctrice 4 peut alors être mise en place. Le dispositif réflecteur 1, par exemple le miroir 10, et/ou la source 2 peuvent être réalignés jusqu’à obtenir à nouveau la détection d’un faisceau transmis 22 sur le module détecteur 11. De façon alternative complémentaire, le dispositif réflecteur 1, par exemple le miroir 10, et/ou la source 2 peuvent être réalignés de façon à compenser le décalage Δ22 de la position 220 du faisceau transmis. Lorsque le miroir 10 est pivotable, il est possible de jouer sur la position angulaire du miroir 10 pour compenser le désalignement du faisceau incident 20. Par exemple, l’intervalle angulaire de rotation peut être adapté pour compenser ce désalignement. L’intervalle angulaire de rotation α, α1 et/ou α2 peut notamment être adapté selon le décalage Δ22 mesuré. La position définie 221 et/ou la forme définie 223 peuvent être définies lors d’une étape de calibration, par exemple avant la réflexion vers la cible visée 3. Le module détecteur 11 peut comprendre en outre des moyens d’analyse 112, par exemple par au moins un processeur. Les moyens d’analyse 112 peuvent comprendre des instructions permettant d’effectuer les étapes d’analyse de données et/ de détermination d’un état d’orientation du miroir 10 et/ou de détermination d’un état d’alignement du faisceau incident avec le dispositif réflecteur. Ces instructions peuvent permettre que l’état d’orientation du miroir 10 soient déterminé à partir de la mesure de position du faisceau diffracté 23. Ces instructions peuvent permettre que l’état d’alignement du faisceau incident 20 avec le dispositif réflecteur 1 soit déterminé à partir du paramètre mesuré. Ces moyens d’analyse 112 peuvent en outre comprendre des instructions pour effectuer l’analyse préalable d’une donnée acquise par un détecteur 111 pour déterminer la position du faisceau transmis 23. le paramètre associé au faisceau transmis 22. Un exemple d’architecture du dispositif réflecteur 1 est maintenant décrit en référence aux figures 15A et 15B. La couche de support mécanique 105 peut être issue d’un substrat de semi-conducteur sur isolant, et plus particulièrement de silicium sur isolant. Ce substrat peut comprendre par exemple une couche de silicium monocristallin 106 en recouvrement d'une couche de dioxyde de silicium 107 formée sur un substrat de silicium monocristallin 108. L’empilement de Bragg 101 peut surmonter la couche de support mécanique 105. L'empilement de Bragg représenté sur cette figure comprend notamment deux empilements de Bragg élémentaires 102 comprenant chacun une couche de dioxyde de silicium de 305 nm d'épaisseur, et de silicium amorphe de 110 nm d'épaisseur. Le dispositif réflecteur comprend en outre une première couche de protection 127, par exemple à base ou faite d’oxyde de silicium, d'une électrode inférieure 124, d'une couche de piézoélectrique 123 (par exemple un PZT), d'une électrode supérieure 126, et d’une deuxième couche de protection 128, par exemple à base ou faite d’oxyde de silicium. Le dispositif réflecteur 1 peut en outre comprendre des reprises de contact 125, par exemple à base ou faites d’or. Le dispositif réflecteur 1 peut en outre comprendre un masque 109, par exemple un masque dur. Ce masque 109, qui peut notamment être à base ou fait de dioxyde de silicium, peut être issu de la fabrication du dispositif réflecteur pour permettre la libération du miroir 10 par gravure à partir d'une face arrière du substrat SOI. Le miroir 109 peut être partiellement entouré par des tranchées, traversant la couche de support mécanique 105. On comprend donc que la couche de support mécanique 105 du miroir 10 peut être issue du même substrat que le support 108. On considère que la couche de support mécanique 105 du miroir 10 peut ne pas être solidaire en rotation du support 108, notamment du fait de la libération du miroir 10 et des tranchées 129. Un exemple du procédé de fabrication du dispositif réflecteur est par exemple donné dans le document EP3726268A1. Le module détecteur 11 peut être positionné en regard de la face arrière 10b du miroir 10 par des procédés de packaging connus de l’homme du métier. Exemples particuliers de dimensionnement et résolutions correspondantes Trois exemples particuliers de dispositif réflecteur 1 sont maintenant décrits. Selon le premier exemple, avec : Faisceau incident 20 : λ=1550 nm ; θi égal à 35°, Réseau de diffraction 14 : période a=10 µm, longueur selon la direction x et y L = 2 mm, Distance d1 entre le réseau 14 et la lentille 13 : d1 = 1 cm En suivant l’ordre m = -4, comme décrit précédemment, on a Δθi = 5° et donc Δθt environ égal à 1°. Pour collecter le faisceau transmis sur une plage ±Δθt, le diamètre Φ de la lentille est dans cet exemple est supérieur à Φlentille>2dtan Δθt + L/cos(θm), et donc Φlentille est supérieur à 2,8 mm. L et d1 n’interviennent dans ces exemples que pour dimensionner le diamètre de la lentille de focalisation 13. Avec par exemple une distance focale de 5 mm, le ratio f# entre la distance focale et le diamètre de la lentille 13 peut être inférieur ou égal à 1,8. Le diamètre ΦAiry de l’image du faisceau diffracté 23 sur le détecteur 111 est au mieux égal à ΦAiry = 1.22λf# = 3,4 µm. En choisissant un détecteur 111 avec une taille de pixel supérieure à la taille de l’image du faisceau sur le détecteur 111, par exemple une taille p de pixel de 5 µm, le plus petit déplacement mesurable sur le capteur est de 1 pixel, ce qui correspond à une rotation du faisceau diffracté 23 d’ordre m de δθt=p/f = 0.06° soit 3,5’. La résolution angulaire du dispositif réflecteur 1 est donc δθi≈5δθt = 5p/f = 17’ soit 0,3°. Un deuxième exemple de dispositif réflecteur 1 selon la configuration des figures 15A et 15B est utilisé avec les paramètres suivants : Faisceau incident 20 : λ=1550 nm ; θi égal à 35°, Réseau de diffraction 14 : période a=10 µm, longueur selon la direction x et y L = 2 mm, Distance d1 entre le réseau 14 et la lentille 13 : d1 = 10 cm Pour collecter le faisceau transmis sur une plage ±Δθt, le diamètre Φ de la lentille est dans cet exemple supérieur à Φlentille>2dtan Δθt + L/cos(θm), et donc Φlentille est supérieur à 5,9 mm. Avec par exemple une distance focale de 10 mm, le ratio f# entre la distance focale et le diamètre de la lentille 13 peut être inférieur ou égal à 1,7. Le diamètre ΦAiry de l’image du faisceau diffracté 23 sur le détecteur 111 est au mieux égal à ΦAiry = 1.22λf# = 3,2 µm. En choisissant un détecteur 111 avec une taille de pixel supérieure à la taille de l’image du faisceau sur le détecteur 111, par exemple une taille p de pixel de 5 µm, le plus petit déplacement mesurable sur le capteur est de 1 pixel, ce qui correspond à une rotation du faisceau diffracté 23 d’ordre m de δθt=p/f = 0.03° soit 1,7’. La résolution angulaire du dispositif réflecteur 1 est donc δθi≈5δθt = 5p/f = 8’ soit 0,15°, soit une amélioration d’un facteur 2 par rapport au premier exemple. Un troisième exemple de dispositif réflecteur 1 selon la configuration des figures 15A et 15B est utilisé avec les paramètres suivants : Faisceau incident 20 : λ=905 nm ; θi variant entre 35° et 40° Réseau de diffraction 14 : période a=10 µm, longueur selon la direction x et y L = 2 mm, Distance d1 entre le réseau 14 et la lentille 13 : d1 = 10 cm Dans cet exemple, la taille des pixels du détecteur est inférieure aux exemples précédents (3 µm), car la tâche d’Airy est plus petite. m Θi θi Δθt 35° 40° Θm θt θm θt 2 48,99 13,99 55,47 15,47 1,48 1 41,61 6,61 47,16 7,16 0,55 0 35,00 0,00 40,00 0,00 0,00 -1 28,89 -6,11 33,52 -6,78 -,06 -2 23,11 -11,89 27,50 -12,50 -0,61 -3 17,58 -17,42 21,80 -18,20 -0,79 -4 12,21 -22,79 16,31 -23,69 -0,91 -5 6,95 -28,05 10,97 -29,03 -0,98 -6 1,75 -33,25 5,73 -34,27 -1,03 -7 -3,44 -38,44 0,53 -39,47 -1,03 -8 -8,65 -43,65 -4,66 -44,66 -1,01 -9 -13,94 -48,94 -9,89 -49,89 -0,95 -10 -19,36 -54,36 -15,20 -55,20 -0,85 -11 -24,96 -59,96 -20,65 -60,65 -0,70 -12 -30,83 -65,83 -26,31 -66,31 -0,48 -13 -37,08 -72,08 -32,26 -72,26 -0,18 -14 -43,90 -78,90 -38,62 -78,62 0,28 -15 -51,62 -86,62 -45,62 -85,62 1,00 -16 -60,98 -95,98 -53,63 -93,63 2,35 Entre les ordres m=-1 et m=-12, l’ordre m=-7 présentant la rotation Δθt la plus grande est sélectionné. On obtient δθi ≈ 5δθt = 5p/f = 0,09. La résolution angulaire est améliorée d’un facteur 3,4 par rapport au premier exemple et d’un facteur 1,7 par rapport au deuxième exemple. Pour comparaison, le cas où les franges d’interférences 231 sont suivies est étudié. Dans ce quatrième exemple, un dispositif réflecteur 1 sans lentille 13 de focalisation est utilisé. En effet au plan focal image, les ordres sont séparés donc n’interfèrent pas. Si le miroir tourne de Δθi, les franges sur le capteur vont se translater d’une quantité δy voisine de dΔθt où d est la distance miroir/détecteur et Δθt la rotation moyenne des deux faisceaux diffractés 23 s’intercroisant. On a par exemple d = 10 cm, Δθt = 1° et δy = 1,7 mm). La résolution angulaire du dispositif ainsi utilisé est δθi ≈ 5δθt ≈ 5p/d. Dans la mesure où d > f (f étant la focale dans la variante sans les interférences, la résolution angulaire est meilleure à celle obtenue en suivant le déplacement de faisceau diffracté 23 présentant une rotation maximale, comme décrit précédemment. Par exemple, avec d=10 cm, p=5 µm, δθi = 0.014°. Cela représente un gain d’un facteur 10 dans ce cas de figure. La rotation du miroir 10 peut aussi faire légèrement varier le pas des franges qui est égal à : Δθm est l’angle entre les deux faisceaux diffractés 23 s’intercroisant. Cet effet est négligeable par rapport au déplacement des franges d’interférences 231. L’invention n’est pas limitée aux modes de réalisations précédemment décrits et s’étend à tous les modes de réalisation couverts par l’invention. La présente invention ne se limite pas aux exemples précédemment décrits. Bien d’autres variantes de réalisation sont possibles, par exemple par combinaison de caractéristiques précédemment décrites, sans sortir du cadre de l’invention. Une architecture particulière de dispositif réflecteur 11 est donnée en exemple. Le dispositif réflecteur peut être mis en œuvre sur tout autre type de dispositif réflecteur présentant un miroir partiellement transparent. En outre, les caractéristiques décrites relativement à un aspect de l’invention peuvent être combinées à un autre aspect de l’invention. Dispositif réflecteur (1) comprenant : un miroir (10) partiellement transparent présentant une face avant (10a) disposée de façon à recevoir au moins un faisceau lumineux incident (20) et une face arrière (10b) opposée à la face avant (10a), le miroir (10) étant configuré pour former un faisceau réfléchi (21) par réflexion d’une partie de l’au moins un faisceau incident (20), et pour transmettre une partie de l’au moins un faisceau incident (20) par la face arrière (10b) pour former un faisceau transmis (22), Caractérisé en ce que le dispositif réflecteur (1) comprend en outre : au moins un réseau de diffraction (14) disposé en regard de la face arrière (10b) du miroir (10) et solidaire du miroir (10), le réseau de diffraction (14) étant configuré pour diffracter le faisceau transmis (22) en au moins un faisceau diffracté (23) d’ordre m, m étant non nul, un module détecteur (11) configuré pour : mesurer une position d’au moins un faisceau diffracté (23) d’ordre m, à partir de la mesure de ladite position, déterminer un angle (θi) entre le miroir (10) et le faisceau incident (20), de façon à déterminer un état d’orientation du miroir (10). Dispositif réflecteur (1) selon la revendication précédente, comprenant en outre un support (108) et un module actionneur (12) configuré pour pivoter le miroir (10) autour d’au moins un axe de rotation (X, Y) par rapport au support (108), et dans lequel le module détecteur (11) est solidaire du support (108). Dispositif réflecteur (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le miroir (10) comprend : une couche réflectrice métallique (100) présentant une épaisseur (e 100 ) choisie pour transmettre une partie du faisceau incident (20) pour former le faisceau transmis (22), ou un empilement de Bragg (101) comprenant au moins un empilement de Bragg dit « élémentaire » (102) comprenant deux couches (103, 104) présentant des indices de réfraction distincts. Dispositif réflecteur (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le réseau de diffraction (14) est configuré pour diffracter le faisceau transmis (22) en une pluralité de faisceaux diffractés (23) d’ordres m, m étant distincts entre les faisceaux diffractés (23), et le module détecteur (11) est disposé à une intersection (230) entre au moins deux faisceaux diffractés (23) d’ordres m distincts de façon à mesurer une position de franges d’interférence (231) entre lesdits au moins deux faisceaux diffractés (23). Dispositif réflecteur (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel, le faisceau incident (20) présentant une longueur d’onde λ, le réseau de diffraction (14) présente une période a telle que a est compris entre 1,5λ et 20λ. Dispositif réflecteur (1) selon la revendication précédente, dans lequel le réseau de diffraction (14) comprend : un réseau d’un matériau (140) opaque au faisceau lumineux incident, par exemple une couche réflectrice métallique, présentant des ouvertures (141) de période a, ou un réseau de deux matériaux (142, 143) transparents au faisceau lumineux incident, présentant entre eux une différence d’indice de réfraction, les deux matériaux (142, 143) étant alternés de façon à former la période a. Dispositif réflecteur (1) selon l’une quelconque des deux revendications précédentes, comprenant une pluralité de réseaux de diffraction (14), de préférence juxtaposés, présentant des périodes a distinctes entre eux. Dispositif réflecteur (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le module détecteur (11) est disposé à distance de la face arrière (10b) du miroir (10), ladite distance étant comprise entre 1 µm et 15 cm, de préférence entre 0,5 cm et 15 cm. Dispositif réflecteur (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le module détecteur (11) comprend une matrice (111) de pixels en deux dimensions. Dispositif réflecteur (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre un élément optique (13), par exemple une lentille (13), configuré pour focaliser l’au moins un faisceau diffracté (23) d’ordre m sur le module détecteur (11). Procédé de mesure de l’orientation d’un miroir (10) mettant en œuvre un dispositif réflecteur (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, le procédé comprenant : l’émission d’au moins un faisceau incident (20) depuis une source lumineuse (2) vers le dispositif réflecteur (1), une réflexion d’une partie de l’au moins un faisceau incident (20) par le miroir (10) pour former le faisceau réfléchi (21), une transmission d’une autre partie de l’au moins un faisceau incident (22) par le miroir (10) pour former le faisceau transmis (22), une diffraction, par le réseau de diffraction (14), du faisceau transmis (22) en au moins un faisceau diffracté (23) d’ordre m, m étant non nul, une mesure dite « d’orientation », par le module détecteur (11), d’une position d’au moins un faisceau diffracté (23) d’ordre m, à partir de la mesure de ladite position, une détermination d’un angle (θi) entre le miroir (10) et le faisceau incident (20), de façon à déterminer un état d’orientation du miroir (10). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel le faisceau transmis (22) est diffracté en une pluralité de faisceaux diffractés (23) d’ordres m, m étant distincts entre les faisceaux diffractés, et dans lequel, lors de la mesure d’orientation, la position d’au moins deux faisceaux diffractés (23) d’ordres m distincts est mesurée. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel le module détecteur (11) est disposé à une intersection (230) entre les au moins deux faisceaux diffractés (23) d’ordres m distincts, et dans lequel, lors de la mesure d’orientation, une position de franges d’interférence (231) entre lesdits faisceaux diffractés (23) est mesurée. Procédé selon l’une quelconque des trois revendications précédentes, dans lequel l’émission de l’au moins un faisceau incident (20) comprend l’émission d’un premier faisceau incident (20a) et d’un deuxième faisceau incident (20b) depuis la source lumineuse (2) vers le dispositif réflecteur (1), le procédé mettant en œuvre au moins les étapes de transmission, de diffraction, de mesure d’orientation et de détermination de l’angle (θi) à partir du premier faisceau incident (20a), le procédé comprenant en outre une réflexion du deuxième faisceau incident (20b) par le miroir (10) pour former le faisceau réfléchi (21b) vers une cible (3). Procédé selon l’une quelconque des quatre revendications précédentes, dans lequel une partie du faisceau transmis (22) n’est pas diffracté et forme un faisceau d’ordre 0 (22) non diffracté, le procédé comprenant en outre : une mesure dite de « vérification », par le module détecteur (11), d’au moins un paramètre associé au faisceau d’ordre 0 (22) par le miroir (10), l’au moins un paramètre étant choisi parmi : une présence ou une absence du faisceau d’ordre 0 (22), une position (220) du faisceau d’ordre 0 (22), une détermination d’un état d’alignement de l’au moins un faisceau incident (20) avec le dispositif réflecteur (1) comprenant : si le paramètre mesuré par le module détecteur (11) est une absence du faisceau d’ordre 0 (22) et/ou une position (220) du faisceau d’ordre 0 (22) différente d’une position définie (221), une détermination d’un mauvais alignement du faisceau incident (20).