Brevet FR3160057A1 — publié le 20250912

Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique La présente description concerne un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique (100), tel qu’un photodétecteur ou un imageur, comprenant un substrat (110) recouvert par un empilement de couches actives, le procédé comprenant la formation d’un élément d’encapsulation sur l’empilement de couches selon les étapes suivantes : - déposer une première couche inorganique (170) pleine plaque, - former localement une couche tampon organique (180) sur la première couche inorganique (170), une première partie de la première couche inorganique (170) en regard de l’empilement de couches actives étant recouverte par la couche tampon organique (180) et une deuxième partie de la première couche inorganique (170) n’étant pas recouverte par la couche tampon organique (180), - graver la deuxième partie de la première couche inorganique (170), par gravure humide, - former une deuxième couche inorganique (190) sur la couche tampon organique (180). Figure pour l'abrégé : Fig. 1E Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique La présente description concerne de façon générale les dispositifs optoélectroniques comprenant des capteurs optiques à photodiodes organiques ou des pixels d'affichage à diodes électroluminescentes organiques et leurs procédés de fabrication. De nombreuses techniques d'intégration de capteurs optiques sous un écran transparent sont connues, par exemple pour l'intégration d'un capteur d'empreintes digitales dans un téléphone mobile ou pour l'intégration de capteurs optiques dans un écran d'un téléphone mobile pour la reconnaissance faciale, ou encore pour des applications médicales. Un dispositif optoélectronique organique comprend généralement un empilement de couches actives organiques. L’empilement comprend une couche semiconductrice organique (OSC) active qui est la zone du dispositif optoélectronique dans laquelle la majorité du rayonnement d'intérêt est captée par le dispositif optoélectronique. Cette couche organique est disposée entre une couche d’injection d’électrons (EIL) et une couche d’injection de trous (HIL). L’ensemble de ces couches est, classiquement, protégé par un élément d’encapsulation pouvant comprendre une couche tampon organique et une couche inorganique. Un tel élément d’encapsulation peut être formé selon les étapes suivantes : - dépôt de la couche tampon organique sur la couche HIL et structuration par photolithographie, - dépôt et structuration d’une résine par photolithographie pour structurer la couche d’encapsulation inorganique, - dépôt pleine plaque de la couche inorganique, - dégagement des contacts par retrait de la résine recouverte de la couche inorganique (‘Lift-off’). Cependant, les solvants utilisés pour former la couche tampon organique et/ou les solvants utilisés pour le développement et le retrait (‘stripping’) des résines peuvent détériorer les couches actives organiques et donc diminuer les performances du dispositif optoélectronique. Un objet d'un mode de réalisation est de fournir un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique permettant d'empêcher une détérioration des couches organiques. Ce but est atteint par un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique, tel qu’un photodétecteur ou un imageur, comprenant un substrat recouvert par un empilement de couches actives comprenant une couche d’injection d’électrons, une couche semiconductrice organique, une couche d’injection de trous, le procédé comprenant la formation d’un élément d’encapsulation sur l’empilement de couches actives selon les étapes suivantes : - déposer une première couche inorganique pleine plaque, - former une couche tampon organique sur la première couche inorganique, une première partie de la première couche inorganique en regard de l’empilement de couches actives étant recouverte par la couche tampon organique et une deuxième partie de la première couche inorganique n’étant pas recouverte par la couche tampon organique, - graver la deuxième partie de la première couche inorganique non recouverte par la couche tampon organique, par gravure humide, - former une deuxième couche inorganique sur la couche tampon organique. Selon un mode de réalisation particulier, la première couche inorganique et/ou la deuxième couche inorganique sont en un matériau choisi parmi les oxydes tels que l’alumine, l’oxyde de titane, l’oxyde de zirconium, l’oxyde de silicium, l’oxyde de magnésium et les nitrures, par exemple le nitrure de silicium. Selon un mode de réalisation particulier, la première couche inorganique et/ou la deuxième couche inorganique sont déposées par dépôt de couches atomiques. Selon un mode de réalisation particulier, la première couche inorganique et/ou la deuxième couche inorganique sont en alumine. Selon un mode de réalisation particulier, la première couche inorganique a une épaisseur comprise entre 3 et 25 nm. Selon un mode de réalisation particulier, le substrat comprend une première électrode et une deuxième électrode recouvertes par et en contact avec au moins l’une des couches de l’empilement de couches actives et des plots de contact déportés et connectés, respectivement, à la première électrode et à la deuxième électrodes, la première couche inorganique recouvrant les plots de contact lors de son dépôt pleine plaque, l’étape de gravure conduisant au dégagement des plots de contact. L’invention concerne également un dispositif optoélectronique, tel qu’un photodétecteur ou un imageur, comprenant un substrat recouvert par un empilement de couches actives comprenant une couche d’injection d’électrons, une couche semiconductrice organique, une couche d’injection de trous, l’empilement étant protégé par un élément d’encapsulation comprenant une première couche inorganique, une couche tampon organique et une deuxième couche inorganique. Selon un mode de réalisation particulier, la première couche inorganique est en un matériau choisi parmi les oxydes tels que l’alumine, l’oxyde de titane, l’oxyde de zirconium, et les nitrures, par exemple le nitrure de silicium. Selon un mode de réalisation particulier, la première couche inorganique a une épaisseur comprise entre 3 et 25 nm. Selon un mode de réalisation particulier, la première couche inorganique est en alumine. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 , la FIG. 1 , la FIG. 1 , la FIG. 1 et la FIG. 1 représentent de manière schématique différentes étapes d’un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique selon un mode de réalisation particulier ; et la FIG. 2 est un graphique représentant des courbes courant-tension obtenues après vieillissement thermique d’un dispositif optoélectronique dont l’élément d’encapsulation est formé par une première couche inorganique, une couche tampon organique et une deuxième couche inorganique selon un mode de réalisation particulier (courbe avec croix), ainsi qu’à titre comparatif d’un dispositif optoélectronique dont l’élément d’encapsulation est formé une couche tampon organique et une deuxième couche inorganique (courbe sans croix). Les différents éléments ne sont pas représentés à une échelle uniforme afin de faciliter la compréhension des figures. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, le fonctionnement d'un écran d’affichage et d'un capteur d'images n’a pas été détaillé, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec les écrans d'affichage et les capteurs d'images usuels. De plus, les autres constituants du dispositif optoélectronique intégrant un écran d’affichage ou un capteur d’images n’ont pas non plus été détaillés, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec les autres constituants usuels des dispositifs optoélectroniques à écran d’affichage et/ou à capteur d'images. En outre, on considère ici que les termes "isolant" et "conducteur" signifient respectivement "isolant électriquement" et "conducteur électriquement". De plus, on appelle "rayonnement d'intérêt" le rayonnement que l'on souhaite capter ou émettre par un dispositif optoélectronique. A titre d'exemple, le rayonnement d'intérêt peut comprendre le spectre visible et le proche infrarouge, c'est-à-dire les longueurs d'onde comprises entre 400 nm et 1700 nm, plus précisément de 400 nm à 700 nm pour le spectre visible et de 700 nm à 1700 nm pour le proche infrarouge. La transmittance d'une couche à un rayonnement correspond au rapport entre l'intensité du rayonnement sortant de la couche et l'intensité du rayonnement entrant dans la couche, les rayons du rayonnement entrant étant perpendiculaires à la couche. Dans la suite de la description, une couche ou un film est dit transparent à un rayonnement lorsque la transmittance du rayonnement au travers de la couche ou du film est supérieure à 70 % et de préférence supérieure à 90%. Dans la suite de la description, un film ou une couche est dit étanche à l'oxygène lorsque la perméabilité du film ou de la couche à l'oxygène à 40 °C est inférieure à 1.10 -1 cm 3 /(m 2 *jour). La perméabilité à l'oxygène peut être mesurée selon la méthode ASTM D3985 intitulée "Standard Test Method for Oxygen Gas Transmission Rate Through Plastic Film and Sheeting Using a Coulometric Sensor". Dans la suite de la description, un film ou une couche est dit étanche à l'eau lorsque la perméabilité du film ou de la couche à l'eau à 40 °C est inférieure à 1.10 -1 g/(m 2 *jour). La perméabilité à l'eau peut être mesurée selon la méthode ASTM F1249 intitulée "Standard Test Method for Water Vapor Transmission Rate Through Plastic Film and Sheeting Using a Modulated Infrared Sensor". Nous allons maintenant décrire plus en détail un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique 100, tel qu’un photodétecteur ou un imageur, en faisant référence aux figures 1A, 1B, 1C, 1D et 1E. Le procédé comprend au moins les étapes suivantes : a) fournir un substrat 110 recouvert par un empilement de couches actives comprenant une couche d’injection d’électrons 140, une couche semiconductrice organique 150, une couche d’injection de trous 160, b) former un élément d’encapsulation sur l’empilement de couches actives, l’élément d’encapsulation comprenant successivement une première couche inorganique 170, une couche tampon organique 180 et une deuxième couche inorganique 190. Plus particulièrement, l’étape b) peut être réalisée selon les sous-étapes suivantes : i) déposer une première couche inorganique 170 pleine plaque, ii) former une couche tampon organique 180 sur la première couche inorganique 170, la partie de la première couche inorganique 170 en regard de l’empilement de couches actives étant recouverte par la couche tampon organique 180 et l’autre partie de la première couche inorganique 170 n’étant pas recouverte par la couche tampon organique 180, iii) graver la première couche inorganique 170, la couche tampon organique 180 jouant le rôle de masque lors de la gravure, de manière à retirer la partie de la première couche inorganique 170 non protégée par la couche tampon organique 180 (i.e. la partie qui n’est pas disposée sur l’empilement de couches actives), iv) former localement une deuxième couche inorganique 190 pour recouvrir la couche tampon organique 180. L’élément d’encapsulation ainsi formé est un empilement comprenant au moins trois couches : une couche organique 180 disposée entre deux couches inorganiques 170, 190. De préférence, il s’agit d’un tricouche. Alternativement, l’empilement pourrait comprendre une alternance de couches organiques et de couches inorganiques, l’empilement commençant et se terminant par une couche inorganique. La première couche inorganique 170 protège l’empilement de couches actives des solvants utilisés pour former/structurer les autres couches de l’élément d’encapsulation. La protection de l’empilement de couches actives sous-jacent permet ainsi d’améliorer les performances électro-optiques du photodétecteur sans ajouter un niveau supplémentaire de masque de photolithographie. La présence de la première couche inorganique 170 permet également d’homogénéiser la surface sous-jacente et d’obtenir un dépôt plus homogène de la couche tampon organique 180. Le procédé ne fait pas intervenir de traitement préalable sur l’empilement de couches actives (tel qu’un traitement plasma…), ce qui permet de préserver les propriétés des couches. Un tel procédé est particulièrement avantageux car la couche tampon organique 180 joue le rôle de masque lors de la gravure humide de la première couche inorganique 170. Enfin, la première couche inorganique 170 et la deuxième inorganique 190 peuvent ainsi être en un même matériau et déposés avec la même technique de dépôt, ce qui simplifie le procédé, réduit les coûts et améliore l’effet barrière du système multicouche d’encapsulation. Nous allons maintenant décrire plus en détail les différentes étapes du procédé. Le substrat 110 fourni à l’étape a) comprend au moins une première électrode 120 correspondant à la zone active et une deuxième électrode 130 correspondant à une zone de reprise de contact 130 de la couche HIL 160. La zone de reprise de contact est aussi appelée bias ou BIP (pour ‘build in Pad’). Sur les figures, une seule première électrode 120 et une seule deuxième électrode sont représentées, mais le dispositif peut comprendre plusieurs premières électrodes 120 et plusieurs deuxièmes électrodes 130. De préférence, les premières électrodes 120 sont sous forme matricielle. Le dispositif obtenu à l’issue du procédé comprendra ainsi une matrice de capteurs de photons, appelés photodétecteurs, ou une matrice d’imageurs. L’empilement de couches actives recouvre une seule première électrode 120 sur les figures, mais il pourrait recouvrir plusieurs premières électrodes 120, de manière, par exemple, à former plusieurs pixels. Les électrodes 120, 130 sont reliées à des plots de contact 121, 131 (‘contact pad’) déportés par rapport à l’empilement de couches actives. Les plots de contact 121, 131 permettent de connecter le dispositif optoélectronique 100 à un élément externe, par exemple à un circuit imprimé de lecture, notamment un ROIC (‘readout integrated circuit’). Les plots de contact 121, 131 sont reliés aux électrodes 120, 130 via des interconnexion 125, 135 passant dans le substrat 110. A l’issue du procédé, les plots de contacts 121, 131 ne sont pas recouverts par l’empilement de couches actives. Ils ne sont pas non plus recouverts par l’élément d’encapsulation. Les électrodes 120, 130 et les plots de contact 121, 131 sont en un matériau conducteur, de préférence, choisi parmi le groupe comprenant : - un oxyde conducteur tel que l'oxyde de tungstène (WO 3 ), l'oxyde de nickel (NiO), l'oxyde de vanadium (V 2 O 5 ), ou l'oxyde de molybdène (MoO 3 ), notamment un oxyde conducteur transparent (TCO, sigle anglais pour Transparent Conductive Oxide), notamment de l'oxyde d'indium dopé à l'étain (ITO, sigle anglais pour Indium Tin Oxide), un oxyde de zinc et d'aluminium (AZO, acronyme anglais pour Aluminium Zinc Oxide), un oxyde de gallium et de zinc (GZO, acronyme anglais pour Gallium Zinc Oxide), un alliage ITO/Ag/ITO, un alliage ITO/Mo/ITO, un alliage AZO/Ag/AZO ou un alliage ZnO/Ag/ZnO ; - le nitrure de titane (TiN) ; - un métal ou un alliage métallique, par exemple de l'argent (Ag), de l'or (Au), du plomb (Pb), du palladium (Pd), du cuivre (Cu), du nickel (Ni), du tungstène (W), du molybdène (Mo), de l'aluminium (Al), ou du chrome (Cr) ou un alliage de magnésium et d'argent (MgAg) ; - un polymère conducteur, notamment le polymère PEDOT:PSS, qui est un mélange de poly(3,4)-éthylènedioxythiophène et de polystyrène sulfonate de sodium, ou une polyaniline ; - des nanofils de carbone, d'argent et/ou de cuivre ; - du graphène ; et - un mélange d'au moins deux de ces matériaux. De préférence, les électrodes 120, 130 et les plots de contact 121, 131 sont en un métal ou un alliage de métal. Les électrodes 120, 130 et les plots de contact 121, 131 sont positionnés dans ou sur le substrat 110. Autrement, dit, tout en étant accessible pour réaliser les contacts, ils peuvent être en saillie, dépasser d’une face principale du substrat ou ne pas dépasser d’une face principale du substrat, affleurer la surface du substrat 110. Le substrat 110 est, par exemple en un matériau diélectrique, par exemple du verre ou du plastique, ou en un matériau semiconducteur, par exemple du silicium. A titre d’exemple, le substrat 110 intègre un circuit électronique de contrôle et de lecture de la matrice de photodétecteurs. A titre d’exemple, le substrat 110 comprend une matrice de circuits de lecture comprenant, par exemple, des transistors en couche mince (TFT, de l’anglais « Thin-Film Transistors »). A titre de variante, le substrat 110 intègre une matrice de circuits de lecture réalisés en technologie CMOS (de l’anglais « Complementary Metal Oxide Semiconductor » - métal oxide semiconducteur complémentaire). Les transistors MOS forment l'électronique de contrôle des photodiodes. Le circuit intégré est réalisé par des techniques classiques en microélectronique. Les plots conducteurs (électrodes 120, 130) sont formés en surface du circuit intégré. Parmi ces plots conducteurs, on distingue des plots formés dans une zone du circuit intégré et qui seront utilisés comme électrodes inférieures pour les photodiodes organiques, et, en dehors de la zone, par exemple à périphérie du circuit, des plots (plots de contact 121, 131) qui seront utilisés pour la polarisation de l'électrode supérieure des photodiodes. De façon classique, le circuit intégré peut comprendre un substrat semiconducteur, par exemple en silicium monocristallin, dans lequel et sur lequel sont formés les transistors à effet de champ à grille isolée, également appelés transistors MOS, par exemple des transistors MOS à canal N et à canal P, et un empilement de couches isolantes recouvrant le substrat et les transistors, des pistes conductrices et des vias conducteurs étant formés dans l'empilement pour relier électriquement les transistors et les plots. Le circuit intégré peut avoir une épaisseur comprise entre 100 µm et 775 µm, de préférence entre 200 µm et 400 µm Lors de l’étape a), la zone active du substrat 110 (et notamment la première électrode 120) est recouverte par un empilement comprenant successivement et de préférence constitué par : la couche injectrice d’électrons 140 (EIL pour ‘electron injection layer’), la couche active organique semiconductrice (OSC pour ‘organic semiconductor’) 150 et la couche injectrice de trous (HIL pour ‘hole injection layer’) 160. La deuxième électrode 130 est recouverte par la couche HIL 160. Elle n’est pas recouverte par les autres couches actives. La couche EIL 140 peut être déposée, par exemple, par dépôt à la tournette (‘spin-coating’). La couche EIL 140 peut comprendre une couche monomoléculaire auto-assemblée ou une couche en un polymère. La couche monomoléculaire auto-assemblée peut être une couche d’hexadécanethiol. La couche polymère peut être en PEDOT:Tosylate (i.e. un mélange de poly(3,4)-éthylènedioxythiophène et de tosylate). Il peut également s’agir d’un polyélectrolyte, par exemple du poly[9,9-bis(3'-(N,N-diméthylamino)propyl)-2,7-fluorène-alt-2,7-(9,9-dioctyfluorène)] (PFN), du poly[3-(6- triméthylammoniumhexyl)thiophène] (P3TMAHT) ou du poly[9,9-bis(2-éthylhexyl)fluorène]-b-poly[3-(6-triméthylammoniumhexyl] thiophène (PF2/6-b-P3TMAHT) ou encore en poly[(9,9-bis(3'-(N,N-dimethylamino) propyl)-2,7-fluorene)-alt-2,7-(9,9–dioctylfluorene)] . La couche EIL 140 peut être une couche d’oxyde métallique, comme une couche de ZnO ou une couche d’oxyde de zinc dopé à l’aluminium (AZO). La couche EIL 140 est, de préférence, en polyéthyléneimine (PEI), polyéthyléneimine éthoxylé (PEIE) propoxylée et/ou butoxylée. La couche EIL 140 peut être en un mélange de deux ou de plus de deux des matériaux précités. L'épaisseur de la couche EIL 140 est de préférence comprise entre 0,1 nm et 1 µm, encore plus préférentiellement entre 1 nm et 5 nm. Cette couche peut se greffer sur les plots, être gravée par procédé de photolithographie (comme sur les figures) ou être une couche continue ayant une très faible conductivité latérale (non représenté en FIG. 2 ). La couche active 150 est déposée sur la couche EIL 140 à partir d’une solution de matériau semiconducteur photosensible. La couche active 150 comprend au moins un matériau organique et peut comprendre un empilement ou un mélange de plusieurs matériaux organiques. La couche active peut comprendre un mélange d'un polymère donneur d'électrons et d'une molécule accepteuse d'électrons. L'épaisseur de la couche active peut être comprise entre 50 nm et 2 µm, par exemple de l'ordre de 300 nm. La couche active 150 peut comprendre des petites molécules, des oligomères ou des polymères. Il peut s'agir de matériaux organiques ou inorganiques. La couche active peut comprendre un matériau semiconducteur ambipolaire, ou un mélange d'un matériau semiconducteur de type N et d'un matériau semiconducteur de type P, par exemple sous forme de couches superposées ou de mélange intime à l’échelle nanométrique de façon à former une hétérojonction en volume. Des exemples de polymères semiconducteurs de type P adaptés à la réalisation de la couche active sont le poly(3-hexylthiophène) (P3HT), le poly[N-9’-heptadécanyl-2,7-carbazole-alt-5,5-(4,7-di-2-thiényl-2’,1’,3’-benzothiadiazole)] (PCDTBT), le poly[(4,8-bis-(2-éthylhexyloxy)-benzo[1,2-b;4,5-b'] dithiophène)-2,6-diyl-alt-(4-(2-éthylhexanoyl)-thieno[3,4-b] thiophène))-2,6-diyl] (PBDTTT-C), le poly[2-méthoxy-5-(2-éthyl-hexyloxy)-1,4-phény¬lène-vinylène] (MEH-PPV) ou le poly[2,6-(4,4-bis-(2-éthylhexyl)-4H-cyclopenta [2,1-b;3,4-b′]dithiophène)-alt-4,7(2,1,3-benzo¬thiadiazole)] (PCPDTBT). Des exemples de matériaux semiconducteurs de type N adaptés à la réalisation de la couche active 47 sont les fullerènes, notamment le C60, le [6,6]-phényl-C61-butanoate de méthyle ([60]PCBM), le [6,6]-phényl-C71-butanoate de méthyle ([70]PCBM), le pérylène diimide, l'oxyde de zinc (ZnO) ou des nanocristaux permettant la formation de boîtes quantiques (en anglais ‘quantum dots’). La couche injectrice de trous (HIL pour ‘Hole Injection Layer’) 160 recouvre complètement la couche active 150. Elle forme une couche continue depuis la couche active 150 jusqu’à la deuxième électrode 130 de la zone de reprise de contact 130. La couche injectrice de trous 160 peut être déposée en une ou plusieurs fois. Différentes étapes de photolithographie peuvent être utilisées pour former cette couche. La couche injectrice de trous 160 peut être en un matériau organique ou en un matériau inorganique. La couche injectrice de trous 160 est un matériau pouvant être choisi parmi le groupe comprenant : - un polymère conducteur ou semiconducteur dopé, notamment les matériaux commercialisés sous les appellations Plexcore OC RG-1100, Plexcore OC RG-1200 par la société Sigma-Aldrich, le polymère PEDOT:PSS, ou une polyaniline ; - un système hôte/dopant moléculaire, notamment les produits commercialisés par la société Novaled sous les appellations NHT-5/NDP-2 ou NHT-18/NDP-9 ; - l'oxyde de tungstène (WO 3 ) ; - un oxyde métallique, par exemple un oxyde de molybdène, un oxyde de vanadium, de l'ITO, ou un oxyde de nickel ; - un polyélectrolyte, par exemple un fluoro(co)polymère, de préférence le 1,1,2,2-tétrafluoroéthène connu sous le nom commercial Nafion ; et - un mélange de deux ou de plus de deux de ces matériaux. Lors de l’étape b), l’élément d’encapsulation, est formé pour recouvrir et protéger les couches actives. L’élément d’encapsulation est réalisé en formant successivement les différentes couches de l’empilement : la première couche inorganique 170, la couche organique 180 et la deuxième couche inorganique 190. Lors de l’étape i), la première couche inorganique 170 est déposée pleine plaque sur le substrat 110. La première couche inorganique 170 recouvre non seulement l’empilement de couches actives 140, 150, 160 mais aussi les plots de contacts 121, 131. Lors de l’étape ii), une couche tampon organique 180 est formée localement sur la première couche inorganique 170. Elle est formée de manière à recouvrir une première partie de la première couche inorganique 170 au niveau de l’empilement de couches actives et à laisser libre une deuxième partie de la première couche inorganique 180 en dehors de l’empilement de couches actives. L’étape ii) peut être réalisée selon les sous-étapes suivantes : - dépôt de la couche tampon organique 180, - structuration de la couche tampon organique 180 par photolithographie, de manière à ce que la couche tampon organique 180 recouvre uniquement la première couche inorganique 170 en regard de l’empilement de couches actives. Lors de l’étape iii), la première couche inorganique 170 est gravée par voie humide. Lors de la gravure par voie humide, la couche tampon organique 180 joue le rôle de masque. Autrement dit, la partie de la première couche inorganique 170 positionnée sous le masque n’est pas gravée. La partie de la première couche inorganique 170 non protégée par le masque est gravée. La gravure permet de dégager les plots de contact 121, 131. Lors de l’étape iv), une deuxième couche inorganique 190 est formée pour recouvrir la couche organique 180. L’étape iv) peut être réalisée selon les sous-étapes suivantes : - dépôt et structuration par photolithographie d’une résine (dite résine de lift-off), - dépôt pleine plaque de la deuxième couche inorganique 190, - retrait de la résine (‘lift off’) afin de dégager les plots de contacts 121, 131 du substrat 110. L’élément d’encapsulation obtenu comprend, et de préférence, est constitué d’un tricouche formé de la première couche inorganique 170, de la couche tampon organique 180 et de la deuxième couche inorganique 190. La première couche inorganique 170 et la deuxième couche inorganique 190 peuvent être en un même matériau inorganique ou en des matériaux inorganiques différents. Elles peuvent avoir la même épaisseur ou des épaisseurs différentes. De préférence, la première couche inorganique 170 a une épaisseur inférieure à l’épaisseur de la deuxième couche inorganique 190. Le matériau inorganique est sensiblement étanche à l'eau et à l'oxygène de l'air de façon à protéger les couches actives organiques de l'empilement. De préférence, il s’agit d’un oxyde, par exemple l’oxyde d'aluminium (Al 2 O 3 ), le dioxyde de titane, l’oxyde de magnésium, l’oxyde de silicium (SiO 2 ) ou l’oxyde de zirconium, ou d’un nitrure, comme par exemple le nitrure de silicium (Si 3 N 4 ). La première couche inorganique 170 est, de préférence, une très fine couche inorganique (typiquement de 3 à 25 nm d’épaisseur). La première couche inorganique 170 est, de préférence, en alumine. L’alumine présente de bonnes propriétés barrière pour l’encapsulation des couches actives organiques de dispositif optoélectronique. La première couche inorganique 170 et la deuxième couche inorganique 190 sont de préférence formées par dépôt de couches atomiques (ALD, sigle anglais pour ‘Atomic Layer Deposition’), par dépôt physique en phase vapeur (PVD, sigle anglais pour ‘Physical Vapor Deposition’) ou par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, sigle anglais pour ‘Plasma-Enhanced Chemical Vaport Deposition’). De préférence, la première couche inorganique 170 et la deuxième couche inorganique 190 sont des couches en oxyde d'aluminium (Al 2 O 3 ). De telles couches sont, de préférence, déposées par ALD. L’épaisseur de la première couche inorganique 170 est, de préférence comprise entre 3 et 25 nm. L’épaisseur de la deuxième couche inorganique 190 est, par exemple, comprise entre 20 et 50 nm. Le couche tampon organique 180 est, par exemple, en un matériau choisi parmi les résines de type époxy, les résines de type (méth)acrylate, le parylène, le poly(téréphtalate d'éthylène) (PET), le poly(naphtalate d'éthylène) (PEN) ou les copolymères à base d'oléfines cycliques (COP). La couche tampon organique 180 a, par exemple, une épaisseur comprise entre 1 et 10 µm, de préférence entre 1,5 et 3 µm, par exemple 2µm. L’élément d'encapsulation a une épaisseur de l’ordre de celle de la couche tampon organique 180. Les différentes couches de l’empilement d’encapsulation et/ou la couche d’injection de trous 160 sont, de préférence, transparentes. Le dispositif optoélectronique 100 obtenu peut être un imageur à base de photodétecteur organique sur électronique de lecture de type CMOS ou TFT ou encore un photodétecteur unitaire pouvant être sur électronique de lecture de type CMOS ou TFT. La FIG. 2 représente des courbes courant-tension obtenues sans vieillissement thermique (t = 0h) et après vieillissement thermique (à t= 1h, 5h et 10h) pour différents dispositifs optoélectroniques : un dispositif ayant un élément d’encapsulation tricouche (la première couche inorganique 170, la couche organique tampon 180 et la deuxième couche inorganique 190) et un dispositif ayant un élément d’encapsulation bicouche (une couche organique tampon et une couche inorganique). Un très fort redressement du courant d’injection est observé avec vieillissement thermique jusqu’à 10h à 150°C quand la première couche inorganique de protection est intégrée à l’élément d’encapsulation. A titre comparatif, lorsque cette couche n’est pas présente, le courant d’injection se dégrade. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Enfin, la mise en œuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique (100), tel qu’un photodétecteur ou un imageur, comprenant un substrat (110) recouvert par un empilement de couches actives comprenant une couche d’injection d’électrons (140), une couche semiconductrice organique (150), une couche d’injection de trous (160), le procédé comprenant la formation d’un élément d’encapsulation sur l’empilement de couches actives selon les étapes suivantes : - déposer une première couche inorganique (170) pleine plaque, - former une couche tampon organique (180) sur la première couche inorganique (170), une première partie de la première couche inorganique (170) en regard de l’empilement de couches actives étant recouverte par la couche tampon organique (180) et une deuxième partie de la première couche inorganique (170) n’étant pas recouverte par la couche tampon organique (180), - graver la deuxième partie de la première couche inorganique (170) non recouverte par la couche tampon organique (180), par gravure humide, - former une deuxième couche inorganique (190) sur la couche tampon organique (180). Procédé selon la revendication 1, dans lequel la première couche inorganique (170) et/ou la deuxième couche inorganique (190) sont en un matériau choisi parmi les oxydes tels que l’alumine, le dioxyde de titane, l’oxyde de zirconium, l’oxyde de silicium, l’oxyde de magnésium et les nitrures, par exemple le nitrure de silicium. Procédé selon l’une des revendications 1 et 2, dans lequel la première couche inorganique (170) et/ou la deuxième couche inorganique (190) sont déposées par dépôt de couches atomiques. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la première couche inorganique (170) et/ou la deuxième couche inorganique (190) sont en alumine. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la première couche inorganique (170) a une épaisseur comprise entre 3 et 25 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le substrat (110) comprend une première électrode (120) et une deuxième électrode (130) recouvertes par et en contact avec au moins l’une des couches de l’empilement de couches actives et des plots de contact (121, 131) déportés et connectés, respectivement, à la première électrode (120) et à la deuxième électrodes (130), la première couche inorganique (170) recouvrant les plots de contact (121, 131) lors de son dépôt pleine plaque, l’étape de gravure conduisant au dégagement des plots de contact (121, 131). Dispositif optoélectronique (100), tel qu’un photodétecteur ou un imageur, comprenant un substrat (110) recouvert par un empilement de couches actives comprenant une couche d’injection d’électrons (140), une couche semiconductrice organique (150), une couche d’injection de trous (160), l’empilement étant protégé par un élément d’encapsulation comprenant une première couche inorganique (170), une couche tampon organique (180) et une deuxième couche inorganique (190). Dispositif selon la revendication 7, dans lequel la première couche inorganique (170) est en un matériau choisi parmi les oxydes tels que l’alumine, l’oxyde de titane, l’oxyde de zirconium, et les nitrures, par exemple le nitrure de silicium. Dispositif selon l’une des revendications 7 et 8, dans lequel la première couche inorganique (170) a une épaisseur comprise entre 3 et 25 nm. Dispositif selon l’une des revendications 7 à 9, dans lequel la première couche inorganique (170) est en alumine.