Brevet FR3153666A1 — publié le 20250404

Dispositifs optiques et procédé de fabrication de dispositifs optiques La présente description concerne un dispositif optique (200) comprenant : - une méta-surface (250) comprenant un substrat de méta-surface (251) ayant au moins une première couche de méta-surface (202) d'un premier matériau, et un réseau de piliers (203) à travers la première couche de méta-surface, les piliers étant constitués d'un deuxième matériau différent du premier matériau, la méta-surface ayant une première face (250A) et une deuxième face (250B) opposée à la première face de ladite méta-surface ; - un premier empilement antireflet (210) ayant une première face (210A) et une deuxième face (210B) opposée à la première face dudit premier empilement antireflet et positionnée sur la première face (250A) de la méta-surface ; et - une trace métallique (205) ayant une partie exposée sur la première face du premier empilement antireflet. Figure pour l'abrégé : Fig.3A Dispositifs optiques et procédé de fabrication de dispositifs optiques La présente description concerne de façon générale les dispositifs optiques, et plus particulièrement la fabrication de dispositifs optiques. Les dispositifs optiques, tels que les lentilles, les diffuseurs, les filtres, les dispositifs de mise en forme de faisceaux ("beam shapers" en anglais), les miroirs, etc. sont couramment utilisés de nos jours et le sont de plus en plus dans les dispositifs ou systèmes optoélectroniques. Il serait souhaitable de pouvoir améliorer, au moins en partie, certains aspects des dispositifs optiques et de la fabrication des dispositifs optiques, en particulier les dispositifs optiques comprenant des méta-surfaces optiques. Il existe un besoin d'améliorer la fabrication de dispositifs optiques, en particulier de dispositifs optiques comprenant des méta-surfaces optiques. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs optiques connus et des procédés connus de fabrication des dispositifs. Un mode de réalisation prévoit un dispositif optique comprenant : - une méta-surface comprenant un substrat de méta-surface ayant au moins une première couche de méta-surface d'un premier matériau, et un réseau de piliers à travers la première couche de méta-surface, les piliers étant constitués d'un deuxième matériau différent du premier matériau, la méta-surface ayant une première face et une deuxième face opposée à la première face de ladite méta-surface ; - un premier empilement antireflet ayant une première face et une deuxième face opposée à la première face dudit premier empilement antireflet et positionnée sur la première face de la méta-surface ; et - une trace métallique ayant une partie exposée au niveau de la première face du premier empilement antireflet. Selon un mode de réalisation, la première couche de méta-surface s'étend sur la première face de la méta-surface. Selon un mode de réalisation, la trace métallique est incluse, par exemple incorporée, dans le substrat de méta-surface, le dispositif optique comprenant une première ouverture s'étendant en profondeur à travers le premier empilement antireflet et le substrat de méta-surface jusqu'à la partie exposée de la trace métallique. Selon un mode de réalisation, la trace métallique est incorporée dans une deuxième couche de méta-surface du substrat de méta-surface en contact avec la première couche de méta-surface, le substrat de méta-surface comprenant en outre une troisième couche de méta-surface en contact avec la deuxième couche de méta-surface et recouvrant la trace métallique, la deuxième couche de méta-surface se trouvant entre la première couche de méta-surface et la troisième couche de méta-surface. Selon un mode de réalisation, la trace métallique est positionnée sur la première face du premier empilement antireflet, par exemple correspond à au moins une partie d'un plot de contact. Selon un mode de réalisation, le dispositif optique comprend en outre un substrat transparent, par exemple un substrat en verre, la deuxième face de la méta-surface se trouvant sur une première face du substrat transparent. Selon un mode de réalisation, le dispositif optique comprend en outre une deuxième couche antireflet, une deuxième face du substrat transparent, opposée à la première face dudit substrat transparent, se trouvant sur ladite deuxième couche antireflet Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un dispositif optique, le procédé comprenant : - la formation d'une méta-surface comprenant un substrat de méta-surface incluant au moins une première couche de méta-surface d'un premier matériau, et un réseau de piliers à travers la première couche de méta-surface, les piliers étant constitués d'un deuxième matériau différent du premier matériau, la méta-surface ayant une première face et une deuxième face opposée à la première face de ladite méta-surface ; - la formation d'un premier empilement antireflet sur la première face de la méta-surface, le premier empilement antireflet ayant une première face et une deuxième face opposée à la première face dudit premier empilement antireflet et positionnée sur la méta-surface ; et - la formation d'une trace métallique dont une partie est exposée sur la première face du premier empilement antireflet. Selon un mode de réalisation, la formation de la méta-surface et du premier empilement antireflet comprend : - la formation, sur une plaquette de silicium, d'un premier empilement comprenant au moins une première couche en un troisième matériau différent du premier matériau, le premier empilement ayant une première face correspondant à une première face de la première couche, et une deuxième face opposée à la première face et tournée vers la plaquette de silicium ; - la formation, sur la première face de la première couche, de la première couche de méta-surface ; - la formation de deuxièmes ouvertures à travers la première couche de méta-surface ; - le remplissage des deuxièmes ouvertures avec un matériau de remplissage, par exemple un silicium amorphe ou un silicium polycristallin, pour former le réseau de piliers, et par exemple le recuit du matériau de remplissage ; - la formation d'une deuxième couche de méta-surface du substrat de méta-surface sur la première couche de méta-surface afin de couvrir au moins le réseau de piliers ; - le retrait de la plaquette de silicium ; et - la formation d'un deuxième empilement comprenant au moins une deuxième couche sur la deuxième face du premier empilement, le premier empilement et le deuxième empilement formant le premier empilement antireflet. Selon un mode de réalisation, la formation de la trace métallique avec la partie exposée est effectuée après la formation de la deuxième couche de méta-surface et avant le retrait de la plaquette de silicium, et comprend : - la formation d'une trace métallique dans le substrat de méta-surface, par exemple dans la deuxième couche de méta-surface ; - la formation d'une première ouverture à travers le premier empilement antireflet et le substrat de méta-surface jusqu'à la partie exposée de la trace métallique. Selon un mode de réalisation, la formation de la trace métallique avec la partie exposée est effectuée après la formation de la deuxième couche de méta-surface et avant le retrait de la plaquette de silicium, et comprend : - la formation de la trace métallique dans la deuxième couche de méta-surface ; - la formation d'une troisième couche de méta-surface du substrat de méta-surface sur la deuxième couche de méta-surface pour au moins couvrir la trace métallique ; et - la formation d'une première ouverture à travers le premier empilement antireflet et le substrat de méta-surface jusqu'à la partie exposée de la trace métallique. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre la formation d'un plot de contact en contact avec la partie exposée de la trace métallique. Selon un mode de réalisation, la formation de la trace métallique avec la partie exposée comprend la formation d'une couche métallique, par exemple un plot de contact, sur la première couche antireflet, la trace métallique correspondant à au moins une partie de la couche métallique. Selon un mode de réalisation, le premier matériau est sélectivement gravable par rapport au troisième matériau, par exemple le premier matériau est un oxyde de silicium et le troisième matériau est un nitrure de silicium. Selon un mode de réalisation, les piliers sont en silicium polycristallin et le substrat de méta-surface est en oxyde de silicium. Selon un mode de réalisation : - le réseau de piliers comprend des premiers piliers traversant complètement la première couche de méta-surface, et/ou des deuxièmes piliers traversant une épaisseur partielle de la première couche de méta-surface ; et/ou - les piliers ont des formes cylindriques ou coniques avec des axes principaux tous parallèles les uns aux autres ; et/ou - le réseau de piliers comprend des piliers ayant des sections transversales de largeurs ou de diamètres différents. Selon un mode de réalisation, le premier empilement antireflet et/ou le deuxième empilement antireflet comprend un empilement de couches diélectriques avec des indices de réfraction alternativement élevés et faibles, par exemple des couches d'oxyde de silicium ou d'oxynitrure de silicium en alternance avec des couches de nitrure de silicium. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 et la FIG. 1 sont des vues simplifiées de dessus et en coupe transversale d'un exemple de méta-surface optique ; la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 et la FIG. 2 sont des vues en perspective et en coupe transversale représentant les étapes d'un procédé de fabrication d'un dispositif optique 200 selon un mode de réalisation ; la FIG. 3 est une vue en coupe transversale représentant un dispositif optique obtenu par le procédé de fabrication des figures 2A à 2L ; la FIG. 3 est une vue en coupe transversale représentant une variante du dispositif optique de la FIG. 3 ; la FIG. 4 est une vue de dessus représentant un exemple de trace métallique d'un dispositif optique selon un mode de réalisation ; et La FIG. 5 est une vue de dessus représentant un autre exemple de trace métallique d'un dispositif optique selon un mode de réalisation. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, tous les composants d'un dispositif optique ne sont pas détaillés, les modes de réalisation étant compatibles avec les composants des dispositifs optiques habituels, et tous les dispositifs optiques pouvant être formés avec une méta-structure ne sont pas détaillés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures ou à un dispositif optique dans une position normale d'utilisation. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Dans la description qui suit, lorsqu'il est fait référence à une dimension latérale, il s'agit d'une dimension dans un plan parallèle au plan de la plaquette de silicium et/ou au plan d'empilement des différentes couches du dispositif optique, et lorsqu'il est fait référence à une épaisseur, il s'agit d'une dimension dans une direction sensiblement perpendiculaire au plan. Les dispositifs optiques, tels que les lentilles, les diffuseurs, les filtres, dispositifs de mise en forme de faisceaux (beam shapers en anglais), les miroirs, etc. peuvent incorporer une méta-surface optique. Les méta-surfaces optiques sont bien connues de la personne du métier. Une méta-surface optique peut être définie comme une surface bidimensionnelle (2D) avec de petites structures réparties et disposées de sorte à interagir avec la lumière d'une façon particulière. Les petites structures peuvent consister en des structures inférieures à la longueur d'onde, ou "méta-atomes". Par exemple, une méta-surface optique, également appelée méta-structure optique, peut être une surface comportant un réseau réparti de nanostructures. Les nanostructures peuvent, individuellement ou collectivement, interagir avec les ondes lumineuses. Par exemple, les nanostructures ou d'autres méta-atomes peuvent modifier une amplitude locale, une phase locale, ou les deux, d'une onde lumineuse entrante. Lorsque les méta-atomes, par exemple les nanostructures, d'une méta-surface optique sont dans un agencement particulier, la méta-surface optique peut former, ou faire partie de, un dispositif optique, tel qu'une lentille, un filtre, un dispositif de mise en forme de faisceaux, un diffuseur... Dans certains cas, les méta-surfaces optiques peuvent remplir des fonctions optiques qui sont traditionnellement remplies par des éléments optiques réfractifs et/ou diffractifs. Dans la description qui suit, une méta-surface optique ou une méta-structure optique peut être désignée par le terme "méta-surface". Dans la description qui suit, sauf indication contraire, lorsqu'il est fait référence à une couche transparente ou un élément transparent, il s'agit d'une couche ou d'un élément constitué d'un matériau relativement transparent à la lumière aux longueurs d'onde utilisées ou aux longueurs d'onde d'intérêt, par exemple qui a un taux de transmission de 90 % ou plus pour ces longueurs d'onde. Dans la description qui suit, sauf indication contraire, lorsqu'il est fait référence à un verre ou à un substrat de verre, il s'agit d'un élément constitué d'un matériau relativement transparent à la lumière aux longueurs d'onde utilisées ou aux longueurs d'onde d'intérêt, par exemple qui a un taux de transmission de 90 % ou plus pour ces longueurs d'onde. Il peut s'agir, entre autres, d'un matériau en verre ou en plastique. Dans la description qui suit, sauf indication contraire, lorsqu'il est fait référence à un filtre, il s'agit d'un filtre optique. Les figures 1A et 1B sont des vues simplifiées de dessus et en coupe transversale d'un exemple de méta-surface optique 100. La FIG. 1 illustre une partie de la méta-surface 100, et la FIG. 1 une partie d'une ligne ou d'une colonne de piliers de la méta-surface 100. La méta-surface 100 est une structure formée d'un substrat 101, à travers lequel sont formés des piliers 102. Les piliers 102 traversent le substrat 101 et sont généralement constitués d'un matériau différent de celui du substrat. Selon un mode de réalisation, le matériau des piliers 102 a un indice optique différent de celui du matériau du substrat 101. Selon un exemple, les piliers 102 traversent complètement le substrat 101. Selon un autre exemple, les piliers 102 traversent une partie du substrat 101 et leurs extrémités sont recouvertes par une partie du substrat ou par une ou plusieurs couches de matériaux différents, telles que, par exemple, des couches d'arrêt de gravure et/ou des couches antireflet. Le substrat 101 peut par exemple avoir une épaisseur comprise entre 10 nm et 10 µm. Selon un exemple, le matériau du substrat 101 peut être choisi dans le groupe non exhaustif comprenant : le quartz, un composé comprenant le quartz, le silicium, un composé comprenant le silicium, l'oxyde de silicium, le nitrure de silicium, un composé de silicium et de carbone, des oxydes métalliques de silicium, le verre, un composé comprenant le verre, un composé d'aluminium, tel qu'un composé d'aluminium et d'arsenic, et un composé de gallium, tel qu'un composé de gallium et d'arsenic. Selon un exemple, le matériau des piliers 102 peut être choisi dans le groupe non exhaustif comprenant : le quartz, un composé comprenant le quartz, le silicium, un composé comprenant le silicium, l'oxyde de silicium, le nitrure de silicium, un composé de silicium et de carbone, des oxydes métalliques de silicium, le verre, un composé comprenant le verre, un composé d'aluminium, tel qu'un composé d'aluminium et d'arsenic, et un composé de gallium, tel qu'un composé de gallium et d'arsenic. Les piliers 102 sont généralement agencés sous la forme d'un réseau, c'est-à-dire en lignes et en colonnes avec un intervalle régulier. Selon une variante, les piliers 102 sont agencés selon un agencement spatial dans lequel ils sont espacés d'un intervalle irrégulier. Les piliers 102 sont généralement de forme cylindrique ou conique avec des axes principaux tous parallèles les uns aux autres et ayant une section transversale qui peut avoir différents diamètres et différentes formes. Plus particulièrement, on appelle ici diamètre d'un pilier 102 le diamètre d'un cercle fictif ayant la forme de la section transversale du pilier 102, c'est-à-dire la plus grande largeur de la forme de la section transversale du pilier 102, inscrite dans ce cercle. Selon un exemple, le diamètre d'un pilier 102 peut être compris entre 50 nm et 4 µm. La section transversale des piliers 102 peut avoir différentes formes. Dans la suite de la description, on appelle forme d'un pilier 102 la forme de la section transversale d'un pilier 102. Une méta-surface optique peut être utilisée pour former tous types de dispositifs optiques, tels que des lentilles convergentes, des lentilles divergentes, des filtres optiques, des diffuseurs, etc. Pour obtenir ces différentes propriétés optiques, il peut être nécessaire d'utiliser des piliers de différents diamètres et/ou formes dans la même structure, et d'utiliser une distribution appropriée de ces différents piliers. Selon un exemple, une distribution aléatoire de piliers de différents diamètres peut permettre de créer une méta-structure avec une fonction de diffuseur, tandis qu'une distribution non aléatoire, par exemple, avec un diamètre de piliers 102 décroissant ou croissant vers un point central de la méta-structure, peut permettre de former une fonction de lentille convergente ou divergente. Une méta-surface optique peut être obtenue à l'aide d'une technique de lithographie par faisceau d'électrons. Toutefois, cette technique n'est généralement pas compatible avec une production de masse. Une méta-surface optique peut être obtenue à l'aide d'une technique de lithographie par nano-impression. De façon générale, cette technique consiste à former une couche de résine d'impression sur un substrat, puis à presser un moule présentant des motifs topologiques prédéfinis sur le substrat avec la résine d'impression entre les deux, rapportant ainsi les motifs dans la résine d'impression, et enfin à retirer le moule. La résine d'impression à motifs peut ensuite servir de masque de gravure pour graver les motifs correspondants dans le substrat. L'un des inconvénients de la technique de lithographie par nano-impression est l'utilisation du moule, qui doit être changé lorsque les motifs de la résine d'impression doivent être modifiés. Par conséquent, cette technique n'est pas facilement adaptable à différents schémas de motifs. Afin de pallier les inconvénients décrits précédemment, la fabrication d'une méta-surface optique peut utiliser des techniques et des équipements bien connus dans le domaine de la microélectronique, par exemple, l'utilisation de la gravure, du dépôt, du masquage et/ou de la lithographie utilisés pour la fabrication de composants microélectroniques. Par exemple, les techniques et équipements de fabrication de composants microélectroniques sur un substrat de silicium peuvent être utilisés en formant une structure comprenant des couches, y compris la méta-surface, sur le substrat de silicium servant de support de fabrication, en transférant la structure obtenue sur un substrat transparent tel qu'un substrat de verre, puis en éliminant le substrat de silicium. L'un des avantages de l'utilisation de ces techniques et équipements pour la fabrication de méta-surfaces optiques est qu'ils utilisent des matériaux génériques, ce qui réduit les coûts de production, et que la fabrication est extensible à des volumes très élevés, et donc compatible avec la production de masse. En outre, les techniques microélectroniques permettent de former de très petits motifs, tels que des motifs nanométriques, par exemple en utilisant des outils de haute précision tels que la lithographie à sec ou par immersion, pour obtenir des méta-surfaces efficaces et former des dispositifs optiques avec un rendement élevé. Un dispositif optique incorporant une méta-surface optique peut être intégré dans un module de capteur optique qui contient un ou plusieurs dispositifs optoélectroniques, par exemple au moins un dispositif émetteur de lumière, et généralement aussi un dispositif de détection de lumière. La méta-surface peut être utilisée, par exemple, pour modifier une ou plusieurs caractéristiques, telles que la phase, l'amplitude, l'angle, d'une onde lumineuse émise ou reçue lorsqu'elle traverse la méta-surface. Par exemple, le dispositif optique doté de la méta-surface peut être placé au-dessus du dispositif émetteur de lumière et la méta-surface peut fonctionner comme un diffuseur permettant de réduire dans une certaine mesure l'intensité d'un faisceau lumineux émis par le dispositif émetteur de lumière, par exemple pour des raisons de sécurité, comme la protection d'un utilisateur. Toutefois, si le dispositif optique est détaché, cassé ou retiré du dispositif émetteur de lumière, ce dernier n'est plus couvert et l'utilisateur est exposé à l'intensité totale du faisceau lumineux. Pour résoudre ce problème de sécurité, le dispositif optique peut comporter une trace métallique, ou trace de sécurité. Généralement, la trace métallique est conçue pour être reliée électriquement à un rail de tension, et le module de capteur optique peut comprendre un circuit de détection relié à la trace métallique, et adapté pour détecter si la trace métallique est reliée au, ou déconnectée du, rail de tension. Si une déconnexion est détectée, le dispositif émetteur de lumière peut être coupé. Plus généralement, le dispositif optique incorporant une méta-surface peut inclure un dispositif de sécurité, tel qu'une trace métallique, adapté pour assurer la sécurité de l'utilisateur et/ou l'intégrité du dispositif optique. Les procédés précédents, tels que les procédés précédents utilisant des techniques microélectroniques, n'offrent généralement pas de solution intégrée pour la fabrication de méta-surfaces intégrées dans des dispositifs optiques. Par exemple, les méta-surfaces peuvent être fabriquées par un fabricant et assemblées à des dispositifs optiques par un autre fabricant ou assembleur, ce qui peut poser des problèmes d'assemblage. Par exemple, l'assemblage de méta-surfaces dans des dispositifs optiques peut être soumis à une complexité d'assemblage et à des contraintes, telles que le stress au cours d'un traitement thermique, en raison des différents matériaux à assembler, ce qui peut poser un problème de fiabilité au cours de l'assemblage. Les procédés précédents, tels que les procédés précédents utilisant des techniques microélectroniques, ne prévoient généralement pas de dispositifs de sécurité et, par exemple, ne prévoient pas de connexion électrique de ces dispositifs de sécurité. Par exemple, si les méta-surfaces sont fabriquées par un fabricant et assemblées à des dispositifs optiques par un autre fabricant ou assembleur, cela peut poser un problème de connexion électrique des dispositifs de sécurité. Les inventeurs proposent un procédé de fabrication de dispositifs optiques comprenant des méta-surfaces, qui permet de pallier tout ou partie des inconvénients précités, notamment de proposer une solution intégrée de fabrication de méta-surfaces intégrées dans des dispositifs optiques, cette solution pouvant de préférence être adaptée facilement et à moindre coût à différents schémas de méta-surfaces. Il serait souhaitable que cette solution intégrée fournisse des dispositifs de sécurité pour la protection de l'utilisateur et/ou pour l'intégrité du dispositif optique, ainsi qu'une connexion électrique pour ces dispositifs de sécurité. Des exemples de procédés de fabrication de dispositifs optiques comprenant des méta-surfaces et des dispositifs optiques correspondants seront décrits ci-dessous. Ces modes de réalisation ne sont pas limitatifs et diverses variantes apparaîtront à la personne du métier à partir des indications de la présente description. Par souci de simplification, la description qui suit concerne le cas où le substrat de la méta-surface (substrat de méta-surface) est constitué d'un oxyde de silicium, tel que le dioxyde de silicium (SiO 2 ), et où les piliers du substrat sont constitués de silicium polycristallin (polysilicium). Toutefois, la personne du métier comprendra que d'autres matériaux peuvent être utilisés en fonction de l'application prévue, par exemple en fonction du dispositif optique et des plages de longueurs d'onde prévues. Le matériau des piliers est de préférence un matériau présentant un contraste d'indice de réfraction adéquat avec le substrat de méta-surface, par exemple un silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H). Les figures 2A, 2B, 2C, 2D, 2E, 2F, 2G, 2H, 2I, 2J, 2K et 2L sont des vues en perspective et en coupe transversale représentant les étapes d'un procédé de fabrication d'un dispositif optique 200 selon un mode de réalisation. Dans ces figures, seule une partie de la plaquette de silicium est représentée, étant entendu que, dans la pratique, plusieurs dispositifs optiques sont généralement formés simultanément sur la plaquette de silicium, ces dispositifs optiques étant ensuite séparés individuellement en découpant la plaquette de silicium, par exemple par sciage. La FIG. 2 est une vue en perspective représentant une structure de départ comprenant une plaquette de silicium 201 qui sert de support pour la fabrication du dispositif optique. Une couche 211 d'un matériau diélectrique est formée sur la plaquette de silicium 201, et une couche 212 d'un matériau diélectrique est formée sur la couche 211. La couche 211 correspond de préférence à une couche d'arrêt de gravure, pour l'étape ultérieure de retrait de la plaquette de silicium 201, décrite ci-après en relation avec la FIG. 2 . Par conséquent, le matériau diélectrique de la couche 211 est de préférence sélectionné en fonction du silicium, de sorte qu'il ne soit pas enlevé lorsque le silicium est enlevé. Le matériau diélectrique de la couche 211 est un matériau transparent, et peut par exemple être gravé sélectivement par rapport au silicium. Le matériau diélectrique de la couche 211 est par exemple un nitrure de silicium (SiN). La couche 211 peut être formée à l'aide d'une technique de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), par exemple le dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD) ou le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD). Le matériau diélectrique de la couche 212 est de préférence différent du matériau diélectrique de la couche 211. Le matériau diélectrique de la couche 212 est un matériau transparent, et de préférence un matériau présentant un contraste d'indice de réfraction adéquat avec la couche 211, par exemple un oxyde de silicium, tel qu'un dioxyde de silicium (SiO 2 ). La couche 212 peut être formée à l'aide d'une technique CVD, par exemple PECVD. Des couches supplémentaires peuvent être formées sur les couches 211, 212, ou entre les couches 211 et 212, par exemple pour améliorer les performances optiques du dispositif optique 200. Ces couches supplémentaires alterneraient de préférence entre des matériaux d'indices de réfraction différents, par exemple pour maximiser la transmission optique à cette interface. La FIG. 2 est une vue en perspective représentant une structure obtenue après : - la formation d'une couche 213 d'un matériau diélectrique sur la couche 212 ; - la formation d'une couche 202 (première couche de méta-surface) d'un matériau diélectrique (premier matériau) sur la couche 213 ; et - la structuration de la couche 202 pour former des ouvertures 202A (deuxièmes ouvertures) à travers la couche 202 ; et - le remplissage des ouvertures 202A avec un matériau de remplissage qui est de préférence différent du matériau diélectrique de la couche 202, pour former un ensemble de piliers 203. Le matériau diélectrique de la couche 213 (troisième matériau) est de préférence différent du matériau diélectrique de la couche 212, mais peut être le même que le matériau diélectrique de la couche 211. Le matériau diélectrique de la couche 213 est un matériau transparent et, de préférence, un matériau présentant un contraste d'indice de réfraction adéquat avec la couche 212, par exemple un nitrure de silicium. La couche 213 peut être formée à l'aide d'une technique CVD, par exemple LPCVD ou PECVD. La couche 213 correspond de préférence à une couche d'arrêt de gravure, pour la gravure de la couche 202 afin de former les ouvertures 202A. Par conséquent, le matériau diélectrique de la couche 202 (premier matériau) est de préférence différent du matériau diélectrique de la couche 213 (troisième matériau), et pouvant de préférence être gravé sélectivement par rapport au troisième matériau, par exemple pour éviter de graver la couche 213 lorsque la couche 202 est gravée. Le matériau diélectrique de la couche 202 (premier matériau) est de préférence un matériau transparent, et peut être le même que le matériau diélectrique de la couche 212, par exemple un oxyde de silicium, ou peut être différent, par exemple un nitrure de silicium, si le matériau diélectrique de la couche 213 n'est pas un nitrure de silicium. La couche 202 peut être formée à l'aide d'une technique CVD, par exemple PECVD. La structuration de la couche 202 fait appel à des techniques bien connues dans le domaine de la microélectronique, qui ne sont pas représentées, telles que la (photo)lithographie, la gravure, le dépôt et la planarisation, par exemple : - la formation d'un masque de lithographie sur la couche 202, le masque de lithographie comprenant des ouvertures ayant des formes et des dimensions latérales correspondant aux formes et aux dimensions latérales des piliers à former ; - la gravure de la couche 202 à travers les ouvertures du masque de lithographie pour former les ouvertures 202A dans la couche 202, puis le retrait du masque de lithographie ; - le dépôt d'une couche de remplissage du matériau de remplissage pour au moins remplir les ouvertures 202A ; et - éventuellement, l'élimination de la partie éventuelle de la couche de remplissage restant sur la couche 202 à l'aide d'un procédé de planarisation, tel qu'un polissage mécano-chimique (CMP). Le masque de lithographie définit les formes des faces supérieures des piliers 203. Par exemple, pour fabriquer des piliers cylindriques ou coniques, le masque de lithographie peut comprendre une grille d'ouvertures circulaires. Dans l'exemple représenté, le réseau de piliers 203 comprend des premiers piliers 203A traversant complètement la couche 202, et des deuxièmes piliers 203B traversant une épaisseur partielle de la couche 202. Dans l'exemple représenté, les piliers 203 ont une forme cylindrique ou conique avec des axes principaux tous parallèles les uns aux autres et une section transversale ayant différents diamètres. Cet exemple n'est pas limitatif et d'autres configurations peuvent être envisagées par la personne du métier. Le matériau (deuxième matériau) des piliers 203 et le matériau diélectrique (premier matériau) de la couche 202 sont différents et ont de préférence des indices de réfraction différents. Par exemple, le matériau des piliers 203 peut être un silicium polycristallin, et le matériau diélectrique de la couche 202 un oxyde de silicium. L'étape de remplissage peut être suivie d'une étape de recuit, par exemple si le matériau de remplissage est un silicium amorphe, afin de former des piliers 203 en silicium polycristallin. Par conséquent, le matériau de remplissage peut être différent du matériau final des piliers (deuxième matériau). Les piliers 203 peuvent être alignés avec la face supérieure de la couche 202 ou s'étendre légèrement au-dessus de la face supérieure de la couche 202. Les couches 211, 212, 213 forment un premier empilement d'un premier empilement antireflet 210 (illustré en FIG. 2 ), ou revêtement antireflet. Le premier empilement présente une face supérieure (première face) 213A correspondant à une face supérieure (première face) de la couche 213 en contact avec la couche 202, et une face inférieure (deuxième face) 211A correspondant à la face inférieure de la couche 211 en contact avec la plaquette de silicium 201. La FIG. 2 est une vue en perspective représentant une structure obtenue après : - la formation d'une couche 204 (deuxième couche de méta-surface) d'un matériau diélectrique sur la couche à motifs 202 pour couvrir au moins les faces supérieures des piliers 203 ; - la formation d'une trace métallique 205 dans la couche 204, de préférence à partir de la face supérieure de la couche 204 ; et - la protection de la trace métallique 205 par une couche de protection 206 d'un matériau diélectrique de préférence différent du matériau diélectrique de la couche 204. Le matériau diélectrique de la couche 204 peut être le même que le matériau diélectrique de la couche 202, c'est-à-dire le premier matériau, par exemple un oxyde de silicium, ou peut être un matériau différent ayant le même indice de réfraction que la couche 202. La couche 204 peut être formée à l'aide d'une technique CVD, par exemple PECVD. Le matériau diélectrique de la couche de protection 206 peut être le même que le matériau diélectrique de la couche 211 et/ou de la couche 213, c'est-à-dire le troisième matériau, par exemple un nitrure de silicium, ou peut être différent. Le matériau diélectrique de la couche de protection 206 est de préférence un matériau capable de former une barrière de diffusion pour le métal de la trace métallique 205, par exemple pour le cuivre. Étant donné que la surface de la trace métallique a une empreinte limitée, le matériau diélectrique de la couche de protection 206 n'est pas nécessairement transparent. La couche de protection 206 peut être formée à l'aide d'une technique CVD, par exemple LPCVD ou PECVD. De préférence, la couche de protection 206 ne recouvre pas la totalité de la face supérieure de la couche 204. Par exemple, la couche de protection 206 forme une bande qui recouvre la trace métallique 205 et s'étend de part et d'autre de cette trace métallique. Le matériau de la trace métallique 205 est par exemple du cuivre (Cu) ou tout autre matériau conducteur, pas nécessairement transparent. La trace métallique 205 peut être obtenue par des techniques bien connues dans le domaine de la microélectronique, non représentées, telles qu'un procédé dit Damascène, c'est-à-dire : - la formation d'un masque de lithographie sur la couche 204, le masque de lithographie comprenant une ouverture ayant une forme et des dimensions latérales correspondant à la forme et aux dimensions latérales de la trace métallique à former ; - la gravure de la couche 204 à travers l'ouverture du masque de lithographie pour former une ouverture à travers la couche 204, puis le retrait du masque de lithographie ; - le dépôt d'une couche métallique pour au moins remplir l'ouverture de la couche 204 ; et - en option, l'élimination de la partie éventuelle de la couche métallique restant sur la couche 204 à l'aide d'un procédé de planarisation, tel qu'un polissage mécano-chimique (CMP). La FIG. 2 est une vue en perspective représentant une structure obtenue après la formation d'une couche 207 (troisième couche de méta-surface) d'un matériau diélectrique sur la couche 204 et sur la trace métallique recouverte 205. Le matériau diélectrique de la couche 207 est, de préférence, le même que le matériau diélectrique de la couche 204 et/ou peut être le même que le matériau diélectrique de la couche 202, c'est-à-dire que le premier matériau, par exemple un oxyde de silicium. La couche 207 peut être formée à l'aide d'une technique CVD, par exemple PECVD. La couche 207 peut être désignée comme une couche d'interface de collage pour l'assemblage ultérieur avec un substrat de verre 208. La couche d'interface de collage 207 peut être amincie et/ou planarisée avant l'assemblage ultérieur avec le substrat de verre 208. Les couches 202, 204, 207 peuvent être appelées respectivement première, deuxième et troisième couches de méta-surface formant un substrat de méta-surface 251, et le substrat de méta-surface 251 muni des piliers 203 peut être appelé méta-surface 250, ou méta-structure. La FIG. 2 est une vue en perspective représentant une structure obtenue après avoir formé un substrat de verre 208 sur la couche 207. Par exemple, le substrat de verre 208 est collé par collage moléculaire à la couche d'interface de collage 207. Le substrat de verre 208 peut être planarisé et/ou aminci jusqu'à une épaisseur inférieure ou égale à environ 210 µm. Dans un mode de réalisation avantageux, le matériau du substrat en verre 208 et le matériau diélectrique de la couche 207 sont des matériaux similaires et/ou ont des indices de réfraction de préférence identiques, ce qui permet de limiter voire d'éliminer les réflexions parasites à l'interface entre le substrat en verre 208 et la couche 207. La FIG. 2 est une vue en perspective représentant une structure obtenue après la formation d'un deuxième empilement antireflet 220 sur le substrat de verre 208. Le deuxième empilement antireflet peut être appelé empilement antireflet de face arrière, car il est destiné à être positionné sur la face arrière 200B (deuxième face) du futur dispositif optique 200 (illustré en FIG. 2 ). Le deuxième empilement antireflet 220 peut être un empilement de couches diélectriques avec des indices de réfraction alternativement élevés et faibles, par exemple des couches d'oxyde de silicium ou d'oxynitrure de silicium (SiON) en alternance avec des couches de nitrure de silicium (SiN). A titre d'exemple non limitatif, le deuxième empilement antireflet 220 peut comprendre : - une première couche antireflet (AR) 221 d'oxyde de silicium ou d'oxynitrure de silicium sur le substrat de verre 208 ; - une deuxième couche antireflet (AR) 222 de nitrure de silicium sur la première couche AR 221 ; - une troisième couche antireflet (AR) 223 d'oxyde de silicium ou d'oxynitrure de silicium sur la deuxième couche AR 222 ; - une quatrième couche antireflet (AR) 224 de nitrure de silicium sur la troisième couche AR 223 ; - une cinquième couche antireflet (AR) 225 d'oxyde de silicium ou d'oxynitrure de silicium sur la quatrième couche AR 224 ; - une sixième couche antireflet (AR) 226 de nitrure de silicium sur la cinquième couche AR 225 ; et - une septième couche antireflet (AR) 227 d'oxyde de silicium ou d'oxynitrure de silicium sur la sixième couche AR 226. Les couches antireflets peuvent être formées à l'aide d'une technique CVD, par exemple PECVD. Le deuxième empilement antireflet 220 peut permettre de maximiser la transmission optique, par exemple en minimisant la réflexion de Fresnel sur le substrat de verre 208. D'autres configurations du deuxième empilement antireflet 220, telles qu'un autre nombre de couches, et/ou d'autres matériaux diélectriques et/ou combinaisons de matériaux, et/ou épaisseurs, peuvent être envisagées par la personne du métier, par exemple pour maximiser la transmission optique dans les longueurs d'onde d'intérêt, sur la plage d'angles d'incidence appropriés et adaptés aux outils disponibles pour la fabrication. La FIG. 2 est une vue en perspective représentant une structure obtenue après avoir retourné la structure de la FIG. 2 et retiré la plaquette de silicium 201. La plaquette de silicium 201 peut être retirée par meulage, par exemple en meulant une grande partie de l'épaisseur de cette plaquette de silicium, puis en polissant la partie restante de cette plaquette de silicium jusqu'à la couche 211, qui peut être sélectionnée pour arrêter le polissage. En option, un support de silicium temporaire 209 peut être assemblé ou collé au deuxième empilement antireflet 220, avant ou après le retournement de la structure de la FIG. 2 , et de préférence avant le retrait de la plaquette de silicium 201. Le support de silicium temporaire 209 peut être utilisé pour renforcer la structure lorsque la plaquette de silicium 201 est retirée. Par exemple, le support temporaire en silicium 209 est collé au deuxième empilement antireflet 220 à l'aide d'un film adhésif sec 209A d'une épaisseur de 65 µm par exemple. La FIG. 2 est une vue en perspective représentant une structure obtenue après avoir formé une couche 214 d'un matériau diélectrique sur la couche 211. Le matériau diélectrique de la couche 214 est de préférence différent du matériau diélectrique de la couche 211, et est par exemple du dioxyde de silicium ou de l'oxynitrure de silicium. La couche 214 peut être formée à l'aide d'une technique CVD et peut être un oxyde à basse température (LTO). La couche 214 peut former, avec le premier empilement de couches 211, 212, 213, le premier empilement antireflet 210. Les couches 214, 211, 212, 213 peuvent être appelées respectivement première couche antireflet, deuxième couche antireflet, troisième couche antireflet et quatrième couche antireflet du premier empilement antireflet 210. La face supérieure 210A (première face) du premier empilement antireflet 210 correspond à la face supérieure de la couche 214. Au lieu d'une couche 214, il pourrait s'agir d'un empilement de couches (deuxième empilement). Le premier empilement antireflet 210 peut être appelé empilement antireflet de face avant, car il est destiné à être positionné sur la face avant 200A (première face) du futur dispositif optique 200 (illustré en FIG. 2 ). D'autres configurations du premier empilement antireflet 210, telles qu'un autre nombre de couches et/ou d'autres matériaux diélectriques et/ou combinaisons de matériaux et/ou épaisseurs, peuvent être envisagées par la personne du métier, par exemple pour maximiser la transmission optique dans les longueurs d'onde concernées, sur la plage des angles d'incidence appropriés et adaptés aux outils de fabrication disponibles. Le premier empilement antireflet est de préférence un empilement de couches diélectriques avec des indices de réfraction alternativement élevés et faibles. Le premier empilement antireflet 210 peut être configuré pour corriger un angle d'incidence des rayons lumineux atteignant le réseau de piliers. Par exemple, le premier empilement antireflet 210 peut être configuré pour corriger l'angle d'incidence initial des rayons lumineux par rapport à la normale de la face avant 200A du dispositif optique 200 de sorte à rectifier les rayons lumineux incidents initiaux pour que l'angle des rayons incidents sur le réseau de piliers soit aussi proche que possible de la normale. Les figures 2I, 2J et 2K sont des vues en coupe transversale dans la direction AA illustrée en FIG. 2 , représentant des exemples d'étape de connexion électrique de la trace métallique 205 qui est incorporée dans les couches 202, 204, 207, en d'autres termes dans le substrat de méta-surface 251. La FIG. 2 illustre une structure obtenue après le dépôt d'un masque de résine 240 sur la face supérieure 210A (première face) du premier empilement antireflet 210. Le masque de résine 240 couvre de préférence le réseau de piliers 203 et présente une ouverture 241 qui est positionnée au-dessus de la trace métallique 205, à l'écart du réseau de piliers 203. La FIG. 2 illustre une structure obtenue après gravure du premier empilement antireflet 210 et des couches 202, 204, 207, c'est-à-dire le substrat de méta-surface 251, à travers l'ouverture 241 du masque de résine 240 jusqu'à la trace métallique 205, afin de former une ouverture 242 (première ouverture) à travers le premier empilement antireflet 210 et le substrat de méta-surface 251, et d'accéder à la trace métallique 205. Le masque de résine 240 est ensuite retiré. La trace métallique 205 comprend alors une partie 205A qui est exposée au niveau de la face supérieure 210A du premier empilement antireflet 210. La FIG. 2 représente une structure obtenue après dépôt d'un plot de contact 230, ou métallisation sur plot, sur le premier empilement antireflet 210 et dans l'ouverture 242, afin de connecter la partie exposée 205A de la trace métallique 205. Le plot de contact 230 suit la forme de la face supérieure de la structure de la FIG. 2 , et comprend donc un creux 230A qui correspond sensiblement à l'ouverture 242. La FIG. 2 est une vue en perspective représentant le dispositif optique 200 obtenu après la formation du plot de contact 230, le support temporaire en silicium 209 n'ayant pas encore été retiré (le dispositif optique final ne comprend pas ce support temporaire en silicium). Par souci de simplification, la FIG. 2 ne représente pas le creux 230A du plot de contact 230 qui est montré dans la vue en coupe transversale de la FIG. 2 . Le plot de contact 230 peut comprendre plusieurs couches, par exemple : - une première couche métallique 231, par exemple une couche de titane (Ti) sur le premier empilement antireflet 210 : la première couche métallique 231 agit de préférence comme couche d'interface d'adhésion avec le premier empilement antireflet 210, par exemple avec la couche 214 qui peut être une couche de dioxyde de silicium ou d'oxynitrure, et/ou comme barrière de diffusion métallique ; - une deuxième couche métallique 232, par exemple une couche d'un alliage de titane et de tungstène (TiW), sur la première couche métallique 231 : la deuxième couche métallique 232 agit de préférence également comme couche d'interface d'adhésion et/ou comme barrière de diffusion métallique ; - une troisième couche métallique 233 pour former un contact électrique, par exemple une couche d'or, sur la deuxième couche métallique 232. Le procédé de fabrication décrit montre les avantages d'un tel procédé intégré, qui est adapté pour former un dispositif optique en formant une méta-surface, en positionnant un substrat de verre sur la méta-surface et en formant les empilements antireflets de face avant et de face arrière respectivement sur la méta-surface et sur le substrat de verre, à l'aide de techniques et d'équipements microélectroniques. Le procédé de fabrication intégré permet de former des motifs précis et donc un dispositif optique à haute résolution, de s'adapter à différents schémas de méta-surfaces et de réduire les coûts. En outre, le procédé de fabrication intégré permet de former un contact électrique à travers le premier empilement antireflet, par exemple pour connecter une trace de sécurité dans la méta-surface. La FIG. 3 est une vue en coupe transversale représentant un dispositif optique 200 obtenu par le procédé de fabrication des figures 2A à 2L, après retrait du support temporaire en silicium 209. La FIG. 3 est une vue en coupe transversale représentant une variante du dispositif optique de la FIG. 3 . Par souci de simplification, le plot de contact 230 n'est pas représenté sur les figures 3A et 3B. Le dispositif optique 200 de la FIG. 3 correspond sensiblement au dispositif optique de la FIG. 2 , sans que le plot de contact 230 ne soit représenté, et sans le support temporaire en silicium 209 qui a été enlevé. Le dispositif optique 200 comprend donc : - une méta-surface 250 ayant une face supérieure 250A (première face) et une face inférieure 250B (deuxième face) ; - un premier empilement antireflet 210 couvrant la face supérieure 250A de la méta-surface 250, le premier empilement antireflet ayant une face supérieure 210A (première face) opposée à une face inférieure 210B (deuxième face) qui fait face à la méta-surface ; - un substrat de verre 208 ayant une face supérieure 208A (première face) couverte par la méta-surface 250 et une face inférieure 208B (deuxième face) opposée à la première face ; - un deuxième empilement antireflet 220 recouvert par la face inférieure 208B du substrat en verre 208. La méta-surface 250 comprend un réseau de piliers 203, ainsi qu'une trace métallique 205, incorporée dans le substrat de méta-surface 251. Bien qu'elle ne soit pas représentée sur la FIG. 3 , mais sur la FIG. 2 , une partie 205A de la trace métallique 205 est exposée sur la face supérieure 210A du premier empilement antireflet 210 au moyen d'une ouverture 242 dans le premier empilement antireflet 210 et le substrat de méta-surface 251 s'étendant jusqu'à cette partie de la trace métallique. Un exemple non limitatif des matériaux et des plages d'épaisseur des différentes couches et éléments du dispositif optique 200 de la FIG. 3 est donné dans le tableau 1 suivant : Référence de la couche ou de l'élément Exemple de matériau Plages d'épaisseur couche 214 SiO 2 110-150 nm couche 211 SiN 10-20 nm couche 212 SiO 2 40-60 nm couche 213 SiN 45-65 nm piliers 203 polysilicium 550-850 nm (épaisseur plus élevée) substrat de méta-surface 251 SiO 2 1-2 µm trace métallique 205 Cu 150-250 nm substrat de verre 210 verre 150-250 µm couche 221 SiON 15-30 nm couche 222 SiN 20-35 nm couche 223 SiON 80-130 nm couche 224 SiN 15-25 nm couche 225 SiON 25-45 nm couche 226 SiN 60-90 nm couche 227 SiON 70-110 nm Le dispositif optique 300 de la FIG. 3 diffère du dispositif optique de la FIG. 3 en ce que la méta-surface 350 ne comprend pas de trace métallique et que le substrat de méta-surface 351 ne comprend pas la troisième couche de méta-surface, c'est-à-dire la couche 207 de la FIG. 3 . Par conséquent, le substrat de méta-surface 351 du dispositif optique 300 de la FIG. 3 a une épaisseur inférieure à celle du substrat de méta-surface 351 du dispositif optique 200 de la FIG. 3 . Un exemple non limitatif des matériaux et des plages d'épaisseur des différentes couches et éléments du dispositif optique 300 de la FIG. 3 est donné dans le tableau 2 suivant : Référence de la couche ou de l'élément Exemple de matériau Plages d'épaisseur couche 214 SiO 2 110-150 nm couche 211 SiN 10-20 nm couche 212 SiO 2 40-60 nm couche 213 SiN 45-65 nm piliers 203 polysilicium 550-850 nm (épaisseur plus élevée) substrat de méta-surface 351 SiO 2 0,5-1,5 µm substrat de verre 210 verre 150-250 µm couche 221 SiON 15-30 nm couche 222 SiN 20-35 nm couche 223 SiON 80-130 nm couche 224 SiN 15-25 nm couche 225 SiON 25-45 nm couche 226 SiN 60-90 nm couche 227 SiON 70-110 nm La méta-surface 250 des figures 2D à 2L et de la FIG. 3 comprend, par exemple incorpore, la trace métallique 205 dont une partie 205A est exposée sur la face supérieure 210A du premier empilement antireflet 210. Selon une variante, la trace métallique peut ne pas être incluse ou incorporée dans la méta-surface 350, comme dans l'exemple de la FIG. 3 . Dans cette variante, la trace métallique peut être formée par au moins une partie d'un plot de contact, tel que le plot de contact 230 de la FIG. 2 , qui est exposée sur la face avant du dispositif optique, c'est-à-dire sur la face supérieure du premier empilement antireflet. La trace métallique peut être formée, par exemple, par au moins une partie d'une couche d'or correspondant à une couche supérieure du plot de contact, telle que la couche d'or 233 de la FIG. 2 . Le plot de contact, par exemple la couche d'or, peut être modelé pour former la trace métallique. La FIG. 4 est une vue de dessus représentant un exemple de trace métallique 405 d'un dispositif optique selon un mode de réalisation. Dans cet exemple, la trace métallique 405 est incorporée dans la méta-surface 450. Le dispositif optique est par exemple le dispositif optique 200 de la FIG. 2 et/ou de la FIG. 3 . La trace métallique 405 de la FIG. 4 a une forme en zigzag et est connectée à ses extrémités à des plots conducteurs 401. Les plots conducteurs peuvent être exposés sur la face avant du dispositif optique, c'est-à-dire sur la face supérieure du premier empilement antireflet. Cette forme n'est pas limitative et d'autres formes peuvent être envisagées par la personne du métier. La FIG. 5 est une vue de dessus représentant un autre exemple de trace métallique 505 d'un dispositif optique selon un mode de réalisation. Dans cet exemple, la trace métallique 505 n'est pas incluse ou incorporée dans la méta-surface. Le dispositif optique est par exemple le dispositif optique 300 de la FIG. 3 . La trace métallique 505 est formée par une couche métallique exposée sur la face avant du dispositif optique, c'est-à-dire sur la face supérieure du premier empilement antireflet, par exemple une couche d'or d'un plot de contact, qui est modelée pour former la trace métallique. La trace métallique 505 de la FIG. 5 a une forme en oméga. Cette forme n'est pas limitative et d'autres formes peuvent être envisagées par la personne du métier. La trace métallique 505 est connectée à ses extrémités à des plots conducteurs 501. Plus généralement, et quel que soit son emplacement, la trace métallique comprend de préférence des contacts conducteurs, tels que des plots conducteurs, qui sont configurés pour être à une tension fixe, par exemple électriquement reliés, ou connectés, à un rail de tension. Un circuit de détection peut être relié à la trace métallique, le circuit de détection étant adapté pour détecter si la trace métallique est reliée à, ou déconnectée du, rail de tension. Si une déconnexion est détectée, une action telle que l'arrêt d'un dispositif émetteur de lumière recouvert par le dispositif optique peut être effectué. Le dispositif optique avec la méta-surface peut être intégré à un module de capteur optique contenant un ou plusieurs dispositifs optoélectroniques, par exemple au moins un dispositif émetteur de lumière, et généralement aussi un dispositif de détection de lumière. La méta-surface du dispositif optique peut être utilisée, par exemple, pour modifier une ou plusieurs caractéristiques, telles que la phase, l'amplitude, l'angle, d'une onde lumineuse émise ou entrante lorsqu'elle traverse la méta-surface. Le dispositif optique avec la méta-surface peut être placé au-dessus du dispositif émetteur de lumière. Par exemple, la méta-surface peut fonctionner comme un diffuseur permettant de réduire dans une certaine mesure l'intensité d'un faisceau lumineux émis par le dispositif émetteur de lumière, et la trace métallique peut être utilisée pour détecter si le dispositif optique est détaché, cassé ou autrement retiré du dispositif émetteur de lumière et, le cas échéant, le dispositif émetteur de lumière peut être coupé. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Dispositif optique (200 ; 300) comprenant : - une méta-surface (250 ; 350) comprenant un substrat de méta-surface (251 ; 351) ayant au moins une première couche de méta-surface (202) d'un premier matériau, et un réseau de piliers (203) à travers la première couche de méta-surface (202), les piliers étant constitués d'un deuxième matériau différent du premier matériau, la méta-surface ayant une première face (250A ; 350A) et une deuxième face (250B ; 350B) opposée à la première face de ladite méta-surface ; - un premier empilement antireflet (210) ayant une première face (210A) et une deuxième face (210B) opposée à la première face dudit premier empilement antireflet et positionnée sur la première face (250A ; 350A) de la méta-surface ; et - une trace métallique (205 ; 405 ; 505) ayant une partie exposée au niveau de la première face du premier empilement antireflet. Dispositif optique selon la revendication 1, dans lequel la première couche de méta-surface (202) s'étend sur la première face (250A) de la méta-surface (250). Dispositif optique selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la trace métallique (205) est incluse, par exemple incorporée, dans le substrat de méta-surface (251), le dispositif optique comprenant une première ouverture (242) s’étendant en profondeur à travers le premier empilement antireflet (210) et le substrat de méta-surface jusqu'à la partie exposée de la trace métallique. Dispositif optique selon la revendication 3, dans lequel la trace métallique (205) est incorporée dans une deuxième couche de méta-surface (204) du substrat de méta-surface (251) en contact avec la première couche de méta-surface (202), le substrat de méta-surface comprenant en outre une troisième couche de méta-surface (204) en contact avec la deuxième couche de méta-surface (204) et recouvrant la trace métallique, la deuxième couche de méta-surface se trouvant entre la première couche de méta-surface et la troisième couche de méta-surface. Dispositif optique selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la trace métallique (505) est positionnée sur la première face (210A) du premier empilement antireflet (210), par exemple correspond à au moins une partie d'un plot de contact (230). Dispositif optique selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, comprenant en outre un substrat transparent (208), par exemple un substrat en verre, la deuxième face (250B) de la méta-surface se trouvant sur une première face (208A) du substrat transparent. Dispositif optique selon la revendication 6, comprenant en outre une deuxième couche antireflet (220), une deuxième face (208B) du substrat transparent, opposée à la première face dudit substrat transparent, se trouvant sur ladite deuxième couche antireflet. Procédé de fabrication d'un dispositif optique (200 ; 300), comprenant : - la formation d'une méta-surface (250 ; 350) comprenant un substrat de méta-surface (251 ; 351) incluant au moins une première couche de méta-surface (202) d'un premier matériau, et un réseau de piliers (203) à travers la première couche de méta-surface (202), les piliers étant constitués d'un deuxième matériau différent du premier matériau, la méta-surface ayant une première face (250A ; 350A) et une deuxième face (250B ; 350B) opposée à la première face de ladite méta-surface ; - la formation d'un premier empilement antireflet (210) sur la première face (250A ; 350A) de la méta-surface, le premier empilement antireflet ayant une première face (210A) et une deuxième face (210B) opposée à la première face dudit premier empilement antireflet et positionnée sur la méta-surface ; et - la formation d'une trace métallique (205 ; 405 ; 505) dont une partie est exposée sur la première face du premier empilement antireflet. Procédé selon la revendication 8, dans lequel la formation de la méta-surface (250 ; 350) et du premier empilement antireflet (210) comprend : - la formation, sur une plaquette de silicium (201), d'un premier empilement (211, 212, 213) comprenant au moins une première couche (213) en un troisième matériau différent du premier matériau, le premier empilement ayant une première face correspondant à une première face (213A) de la première couche, et une deuxième face (211B) opposée à la première face et tournée vers la plaquette de silicium ; - la formation, sur la première face (213A) de la première couche (213), de la première couche de méta-surface (202) ; - la formation de deuxièmes ouvertures (202A) à travers la première couche de méta-surface (202) ; - le remplissage des deuxièmes ouvertures avec un matériau de remplissage, par exemple un silicium amorphe ou un silicium polycristallin, pour former le réseau de piliers (203), et par exemple le recuit du matériau de remplissage ; - la formation d'une deuxième couche de méta-surface (204) du substrat de méta-surface sur la première couche de méta-surface (202) afin d'au moins recouvrir le réseau de piliers (203) ; - le retrait de la plaquette de silicium (201) ; et - la formation d'un deuxième empilement comprenant au moins une deuxième couche (214) sur la deuxième face (211A) du premier empilement (211, 212, 213), le premier empilement et le deuxième empilement formant le premier empilement antireflet (210). Procédé selon la revendication 9, dans lequel la formation de la trace métallique avec la partie exposée est effectuée après la formation de la deuxième couche de méta-surface (204) et avant le retrait de la plaquette de silicium, et comprend : - la formation d'une trace métallique (205) dans le substrat de méta-surface (251), par exemple dans la deuxième couche de méta-surface (204) ; - la formation d'une première ouverture (242) à travers le premier empilement antireflet et le substrat de méta-surface jusqu'à la partie exposée de la trace métallique. Procédé selon la revendication 9, dans lequel la formation de la trace métallique (205) avec la partie exposée est effectuée après la formation de la deuxième couche de méta-surface (204) et avant le retrait de la plaquette de silicium, et comprend : - la formation de la trace métallique (205) dans la deuxième couche de méta-surface (204) ; - la formation d'une troisième couche de méta-surface (207) du substrat de méta-surface sur la deuxième couche de méta-surface (204) pour au moins couvrir la trace métallique ; et - la formation d'une première ouverture (242) à travers le premier empilement antireflet (210) et le substrat de méta-surface jusqu'à la partie exposée de la trace métallique. Procédé selon la revendication 10 ou 11, comprenant en outre la formation d'un plot de contact (230) en contact avec la partie exposée de la trace métallique. Procédé selon la revendication 9, dans lequel la formation de la trace métallique (505) avec la partie exposée comprend la formation d'une couche métallique, par exemple un plot de contact, sur la première couche antireflet, la trace métallique correspondant à au moins une partie de la couche métallique. Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 13, dans lequel le premier matériau est sélectivement gravable par rapport au troisième matériau, par exemple le premier matériau est un oxyde de silicium et le troisième matériau est un nitrure de silicium. Dispositif optique selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel les piliers (203) sont en silicium polycristallin, et le substrat de méta-surface (251 ; 351) est en oxyde de silicium. Dispositif optique selon l'une quelconque des revendications 1 à 7 et 15, dans lequel : - le réseau de piliers (203) comprend des premiers piliers (203A) traversant complètement la première couche de méta-surface (202), et/ou des deuxièmes piliers (203B) traversant une épaisseur partielle de la première couche de méta-surface (202) ; et/ou - les piliers (203) ont des formes cylindriques ou coniques avec des axes principaux tous parallèles les uns aux autres ; et/ou - le réseau de piliers (203) comprend des piliers (203) ayant des sections transversales de largeurs ou de diamètres différents. Dispositif optique selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, 15 et 16, dans lequel le premier empilement antireflet (210) et/ou le deuxième empilement antireflet (220) comprend un empilement de couches diélectriques avec des indices de réfraction alternativement élevés et faibles, par exemple des couches d'oxyde de silicium ou d'oxynitrure de silicium en alternance avec des couches de nitrure de silicium.