Brevet FR3159877A1 — publié le 20250905

L'invention concerne un procédé de fabrication d’un substrat, selon lequel une couche adhésive 115 arrangée en sandwich entre un substrat de manipulation 100 et un substrat piézoélectrique 101 est polymérisée dans un lieu de polymérisation, et, suite à l’étape de polymérisation, l’hétérostructure 107 est déplacée dans un autre lieu. Le procédé est caractérisé en ce que lors de l’étape de polymérisation, l’hétérostructure 107 est plus froide qu’une température ambiante de l’autre lieu. L'invention concerne aussi un substrat 119 comprenant une couche adhésive 115 arrangée en sandwich entre un substrat de manipulation 100 et un substrat piézoélectrique 101, caractérisé en ce que lorsque le substrat 119 a une température comprise entre 20°C et 25°C, en particulier entre 20°C et 22°C, la couche adhésive 115 est en compression, en particulier par rapport au substrat de manipulation 100 de telle manière à induire une courbure (BOW) du substrat. Figure 1 Procédé de fabrication d'un substrat, et substrat La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat comprenant un substrat de manipulation et un substrat piézoélectrique. L'invention concerne aussi un tel substrat. Il est connu dans l’art de fabriquer des plaquettes, aussi appelées wafers, de type piézoélectrique-sur-isolateur, dites POI selon l'acronyme anglais "piezo-on-insulator", au moyen d'un procédé de fabrication de transfert d’une couche, ce procédé est connu aussi sous le nom "Smart Cut". Le procédé Smart Cut prévoit l'utilisation d'un substrat intermédiaire de fabrication, dit substrat donneur, qui est un substrat composite comprenant un substrat piézoélectrique. Le procédé Smart Cut comprend l'implantation d'ions, par exemple d'hydrogène, dans le substrat piézoélectrique du substrat donneur afin de générer une zone d'affaiblissement le long de laquelle une couche fine de matériau piézoélectrique peut être détachée du substrat piézoélectrique du substrat donneur. Un type de substrat donneur est fabriqué au moyen d'une couche adhésive arrangée en sandwich entre un substrat de manipulation et le substrat piézoélectrique. L'apparition de défauts tels que des craquelures dans la couche adhésive, ou des zones de délamination au niveau de l'interface d'adhésion, réduisent le rendement du procédé. Notamment, des craquelures dans la couche adhésive peuvent se propager dans le substrat piézoélectrique, et être transférés dans le POI final suite au détachement de la couche fine. Compte tenu de ce qui précède, la présente invention a pour objet d'augmenter le rendement d'un procédé connu de fabrication de substrat, et notamment de réduire l'apparition de craquelures lors de la fabrication des substrats. L’objet de l’invention est atteint au moyen d'un procédé de fabrication d’un substrat, comprenant les étapes de : - fournir un substrat de manipulation et un substrat piézoélectrique; - appliquer une couche adhésive d’un matériau, en particulier liquide, photo-polymérisable sur une surface du substrat de manipulation et/ou sur une surface du substrat piézoélectrique; - former une hétérostructure comprenant le substrat de manipulation, le substrat piézoélectrique et la couche adhésive, la couche adhésive étant arrangée en sandwich entre le substrat de manipulation et le substrat piézoélectrique ; - polymériser la couche adhésive de l’hétérostructure dans un lieu de polymérisation ; et, - déplacer l’hétérostructure dans un autre lieu suite à l’étape de polymérisation caractérisé en ce que lors de l’étape de polymérisation, l’hétérostructure est plus froide qu’une température ambiante de l’autre lieu. La couche adhésive est donc polymérisée et mécaniquement figée à une première température. Lorsque l'hétérostructure est déplacée dans l'autre lieu ayant une température ambiante étant à une seconde température supérieure à la première température, le substrat de manipulation et le substrat piézoélectrique subissent alors une dilatation thermique. Cette dilatation thermique induit une contrainte mécanique, en particulier une compression, dans la couche adhésive. De manière surprenante, les substrats fabriqués selon ce procédé sont moins susceptibles d'être compromis par l'apparition de craquelures dans la couche adhésive. Selon un aspect du procédé de l'invention, le procédé peut comprendre une étape de refroidissement de l’hétérostructure avant et/ou lors de l'étape de polymérisation pour obtenir l’hétérostructure plus froide que la température ambiante de l’autre lieu. L'étape de refroidissement permet d'obtenir l'hétérostructure plus froide que la température ambiante de l'autre lieu. Cette étape de refroidissement peut avoir lieu lors et conjointement avec l'étape de polymérisation. L'étape de refroidissement peut aussi avoir lieur par exemple immédiatement en amont de l'étape de polymérisation. L'étape de refroidissement peut aussi être entamée en amont de l'étape de polymérisation et poursuivie le long du déroulement de l'étape de polymérisation. Selon un aspect du procédé de l'invention, l'étape de refroidissement peut comprendre une étape de placement du substrat de manipulation sur un support de plaquette configuré pour être refroidi. Le placement du substrat de manipulation sur le support de plaquette permet le refroidissement d'abord du substrat de manipulation, ainsi que, par conduction thermique, de la couche adhésive et du substrat piézoélectrique. Ainsi le volume à refroidir reste essentiellement limité au substrat lui-même. Selon un aspect du procédé de l'invention, le support plaquette peut comprendre un moyen de refroidissement intégré. Ceci réduit encore le volume à refroidir et réduit les pertes thermiques. Selon un aspect du procédé de l'invention, lors de l’étape de polymérisation, l’hétérostructure peut être plus froide qu’une température ambiante du lieu de polymérisation. Dans cette configuration du procédé, le substrat fabriqué peut déjà subir une dilatation thermique additionnelle dite la dilatation thermique préliminaire en amont du déplacement dans l'autre lieu. En particulier, dans cette configuration du procédé, le substrat fabriqué subit la dilatation thermique préliminaire dès lors que l'étape de refroidissement est conclue et le substrat s'échauffe à la température ambiante du lieu de polymérisation, avant d'être déplacé. Selon un aspect du procédé de l'invention, la température ambiante du lieu de polymérisation peut être comprise entre 20°C et 25°C, en particulier entre 20°C et 22°C. Ainsi on peut utiliser une température standard d’une salle blanche. Selon un aspect du procédé de l'invention, l’étape de refroidissement peut comprendre une étape de réduction de la température ambiante du lieu de polymérisation par rapport à la température ambiante de l’autre lieu. En réduisant la température ambiante du lieu de polymérisation, par exemple en contrôlant la température d'une salle blanche dans laquelle la polymérisation a lieu, le refroidissement de l'hétérostructure peut être plus rapide et plus uniforme que, par exemple, en ne refroidissant que le support de plaquette. Selon un aspect du procédé de l'invention, la température ambiante de l’autre lieu peut être comprise entre 20°C et 25°C, en particulier entre 20°C et 22°C. Ainsi on peut utiliser une température standard de salle blanche pour l’autre lieu. Selon un aspect du procédé de l'invention, le procédé peut comprendre, après l’étape de polymérisation, une étape d’amincissement de l’hétérostructure, en particulier à l’autre lieu. Une étape d'amincissement permet de préparer le substrat fabriqué pour une utilisation ultérieure, par exemple pour une application dans un procédé de transfert de couche mince, par exemple de type Smart Cut, sur un substrat support ayant un coefficient de dilatation thermique comparable ou égal au substrat de manipulation. Selon un aspect du procédé de l'invention, l'étape d'amincissement peut comprendre une étape de meulage, ou ponçage, du substrat piézoélectrique. En particulier, l'étape d'amincissement peut comprendre une pluralité d'étapes de meulage successives, par exemple une première étape de meulage grossier et une seconde étape de meulage de finition. Une telle étape d'amincissement peut faciliter l'adaptation du substrat piézoélectrique brut à une épaisseur utile pour un traitement ultérieur. Selon un aspect du procédé de l'invention, l'étape d'amincissement peut comprendre une étape de polissage mécanochimique, ou planarisation mécanochimique, ou CMP selon l'acronyme du terme anglo-saxon "chemical-mechanical planarisation" or "chemical-mechanical polishing". Notamment, l'étape de CMP peut être réalisée entre une première étape de meulage et une seconde étape de meulage. Une telle étape de CMP peut faciliter l'application du substrat dans un procédé Smart Cut ultérieur. Selon un aspect du procédé de l'invention, lors de l’étape de polymérisation, l’hétérostructure peut avoir une température plus froide d’au moins 1°C par rapport à la température ambiante de l’autre lieu. En particulier, lors de l’étape de polymérisation, l’hétérostructure peut avoir une température plus froide de 2°C à 15°C, de préférence plus froide de 4°C à 8°C, par rapport à la température ambiante de l’autre lieu. Avec une température plus froide d'au moins 1°C, une contrainte mécanique, en particulier une compression, suffisante peut être observée dans la couche adhésive, et/ou le taux d'apparition de craquelures dans le substrat fabriqué est réduit. Selon un aspect du procédé de l'invention, lors de l’étape de polymérisation, l’hétérostructure peut avoir une température comprise entre 11°C et 21°C. En particulier, lors de l’étape de polymérisation, l’hétérostructure peut avoir une température comprise entre 15°C et 18°C. Dans cette configuration, le procédé peut être opéré de manière à obtenir un refroidissement par rapport à la température ambiante de l'autre lieu et/ou la température ambiante du lieu de polymérisation qui peut être maintenu à une température standard de salle blanche et permettant de réduire l’apparition de craquelures. Selon un aspect du procédé de l'invention, l'étape de polymérisation est réalisée de telle manière et le substrat est maintenu dans des conditions environnementales telles que la couche adhésive polymérisée est maintenue dans l'état de compression jusqu'à ce qu'une couche du substrat piézoélectrique est transférée sur un substrat de support. Selon une variante, après l’étape de polymérisation, une étape de recuit de l’hétérostructure peut être réalisée, en particulier à une température supérieure à 90°C, notamment entre 190°C et 210°C et ceci de préférence pour une durée de 30 minutes à 20 heures. Ce recuit permet de consolider la hétérostructure en limitant la délamination. L'invention porte aussi sur un substrat comprenant un substrat de manipulation, un substrat piézoélectrique et une couche adhésive polymérisée, la couche adhésive polymérisée étant arrangée en sandwich entre le substrat de manipulation et le substrat piézoélectrique. Le substrat inventif est caractérisé en ce que lorsque le substrat a une température comprise entre 20°C et 25°C, en particulier entre 20°C et 22°C, la couche adhésive est en compression. Une telle disposition de la couche adhésive assure un substrat ayant une hétérostructure qui ne présente pas de craquelures dans la couche adhésive, ou qui au moins présente moins de craquelures dans la couche adhésive. Selon un aspect du substrat inventif, lorsque le substrat a ladite température, la couche adhésive peut être en compression par rapport au substrat de manipulation. Selon un aspect du substrat inventif, lorsque le substrat a ladite température, la couche adhésive peut être en compression de telle manière à induire une courbure, ou un BOW selon le terme anglo-saxon, du substrat. Selon un aspect du substrat inventif, la courbure induite peut être une courbure positive d’au moins 30 µm, lorsque le substrat piézoélectrique est positionné par-dessus le substrat de manipulation, en particulier lorsque le substrat de manipulation est positionné sur un plan de référence de mesure. Selon un aspect du substrat inventif, la courbure induite peut être une courbure positive comprise entre 50 µm inclus et 150 µm inclus, préférentiellement entre 55 µm inclus et 65 µm inclus. Selon des aspects du procédé et du substrat de l'invention, le coefficient de dilatation thermique du substrat de manipulation peut être différent du, en particulier inférieur au, coefficient de dilatation thermique du substrat piézoélectrique. Selon des aspects du procédé et du substrat de l'invention, le substrat de manipulation peut être un substrat comprenant, en particulier à base de, un matériau choisi parmi le silicium, le saphir, le nitrure d'aluminium, le carbure de silicium, et l'arséniure de gallium. Ces substrats sont notamment adaptés pour une manipulation dans la cadre d'un procédé de transfert de couche sur un substrat support tel qu'un procédé Smart Cut, car on peut utiliser le même type de substrat support ce qui réduit le problème lié à la différence de coefficient de dilatation thermique entre le matériau piézoélectrique et le matériau du substrat support. Selon des aspects du procédé et du substrat de l'invention, le substrat piézoélectrique est un substrat comprenant, en particulier à base de, un matériau choisi parmi le quartz, le tantalate de lithium, le niobate de lithium, le nitrure d'aluminium, le nitrure de gallium, l'orthophosphate de gallium, l'oxyde de zinc, le titano-zirconate de plomb, le titanate de baryum, le langasite, le langanite, et le langatate. Ces substrats piézoélectriques sont désirables pour fabriquer un POI par procédé de transfert de couche, par exemple par un procédé Smart Cut . Les objets, caractéristiques et avantages de l’invention telle qu’exposée ci-dessus seront plus exhaustivement compris et appréciés par l’étude de la description suivante plus détaillée de modes de réalisation de l’invention, à l’aide des dessins annexés. La FIG. 1 illustre un procédé de fabrication d'un substrat selon un premier mode de réalisation de l'invention. La FIG. 2 illustre un procédé de fabrication d'un substrat selon un troisième mode de réalisation de l'invention. Les caractéristiques techniques et les avantages associés des modes de réalisation décrits dans la suite peuvent être librement combinées une à une ou adaptées à des modes de réalisation particuliers, dans la mesure ou l’esprit de l’invention telle que décrite ci-dessus est respecté. Dans la suite, des signes de références identiques dans les figures et la description sont utilisés pour désigner des éléments de même nature. Sauf si explicité dans le texte, les objets illustrés dans les figures ne sont ni à l'échelle les uns relativement aux autres, ni à l'échelle dans leurs dimensions cartésiennes les unes aux autres. Un procédé de fabrication de substrat selon un premier mode de réalisation de l'invention est décrit en référence à la FIG. 1 . Le procédé commence par une première étape A de fourniture d'un substrat de manipulation 100 et d'un substrat piézoélectrique 101. En l'espèce le substrat de manipulation 100 est un substrat massif en silicium et le substrat piézoélectrique 101 est un substrat en tantalate de lithium (LTO). Ce substrat piézoélectrique 101 a un coefficient de dilatation thermique entre 9*10 -6 K -1 et 16*10 -6 K -1 , en fonction de la direction cristalline. Ainsi, le substrat piézoélectrique 101 a un coefficient de dilatation thermique supérieur au coefficient de dilatation thermique du substrat de manipulation 100 qui est de l’ordre de 2.5*10 -6 K -1 . Le substrat piézoélectrique 101 peut avoir une épaisseur entre 300 µm et 500 µm, de préférence de 350 µm, et le substrat de manipulation peut avoir une épaisseur plus grande, de préférence d’au moins 500 µm. En alternative un substrat de manipulation 100 à base de saphir, de nitrure d'aluminium, de carbure de silicium, ou d'arséniure de gallium peut être choisi. De plus, en alternative, un substrat piézoélectrique 101 à base de niobate de lithium (LNO), de nitrure d'aluminium, de nitrure de gallium, d'orthophosphate de gallium, d'oxyde de zinc, de titano-zirconate de plomb, de titanate de baryum, de langasite, de langanite, ou de langatate peut être choisi. Dans une deuxième étape B, une couche adhésive liquide 103 d'un matériau photo-polymérisable est appliquée sur une première surface 105 exposée du substrat de manipulation 100 en silicium. Selon un exemple non limitatif, la couche adhésive 103 peut être une couche d'un matériau commercialisé sous la référence « NOA 61 » par la société NORLAND PRODUCTS. D'autres exemples de matériau de type "photo-resist", en particulier des matériaux de polymères hydrocarbones composés de novolaques sont tout aussi envisageables. De préférence, la couche adhésive 103 est appliquée jusqu'à une épaisseur entre 0.1 µm à 25 µm, préférentiellement entre 2 µm à 8 µm par enduction centrifuge, ou « spin coating » en terminologie anglo-saxonne. Ensuite, dans une troisième étape C, le substrat piézoélectrique 101 est positionné sur le substrat de manipulation 100 muni de la couche adhésive liquide 103 de manière à arranger la couche adhésive 103 en sandwich entre le substrat de manipulation 100 et le substrat piézoélectrique 101. Ainsi est formé une hétérostructure 107 composée du substrat de manipulation 100, du substrat piézoélectrique 101 et de la couche adhésive 103 arrangée en sandwich entre le substrat de manipulation 100 et le substrat piézoélectrique 101. L'hétérostructure 107 a une température T1 correspondant à la température ambiante du lieu de formation de l'hétérostructure 107, par exemple une température ambiante contrôlée entre 20°C et 25°C. De préférence, la température T1 est comprise entre 20°C et 22°C, par exemple de 21°C. L'hétérostructure 107 est, selon une quatrième étape D, amené dans un lieu de polymérisation ayant une température T2 et y est placée sur un support de plaquette 109 dans le lieu de polymérisation. La température T2 correspond à la température ambiante du lieu d'une polymérisation (ultérieure) de la couche adhésive liquide 103. De préférence la température T2 est identique à T1 ou comprise dans l'intervalle [T1 - 1°C; T1 + 1°C]. Par exemple, T2 peut être contrôlée entre 20° et 25°, de préférence entre 20°C et 22°C, par exemple à 21°C. Le support de plaquette 109, dit "chuck" en terminologie anglo-saxonne, selon le présent premier mode de réalisation de l'invention est un support de plaquette 109 qui peut être refroidi. Ainsi, le support plaquette 109 comprend un moyen de refroidissement 111, par exemple un système de circulation d’un liquide de refroidissement, par exemple de l’eau, permettant de réduire la température support de plaquette 109 par rapport à la température ambiante de l'environnement du support de plaquette 109. De préférence, le liquide de refroidissement a une température entre 10°C et 17°C. Le support de plaquette 109 est alors à une température T3 inférieure à la température T2, qui est la température ambiante du lieu où se trouve le support de plaquette 109. L'hétérostructure 107 est placée sur le support de plaquette 109 de manière à ce qu'une seconde surface 113, opposée à la première surface 105, du substrat de manipulation 100 entre en contact mécanique et thermique avec le support de plaquette 109. De préférence, l'hétérostructure 107 est placée sur le support de plaquette 109 de manière à ce que la seconde surface 113 entière ou au moins sa majeure partie est en contact mécanique et thermique avec le support de plaquette 109. Ainsi, le substrat de manipulation 100, et par conduction thermique toute l'hétérostructure 107, ont une température T4 réduite par rapport à la température du lieu de polymérisation T2. Ainsi on peut par exemple refroidir l'hétérostructure 107 à une température T4 qui est d’au moins 1°C en dessous de la température ambiante T2. Ou alors, l'hétérostructure 107 peut être refroidie jusqu'à la température T3 du support de plaquette 109. Dans l'étape suivante E, la couche adhésive liquide 103 est polymérisée dans le même lieu pour devenir, à l'issue de la polymérisation, une couche adhésive polymérisée 115. Dans ce mode de réalisation, la couche adhésive liquide 103 est polymérisée en l'irradiant avec un flux lumineux ultraviolet UV. Selon un exemple non limitatif, la couche adhésive 103 est irradiée par rayonnement ultraviolet UV 20 fois pendant cinq secondes, pour un total de 100 secondes. De préférence, la couche adhésive 103 peut être irradiée avec une puissance de 100 mW/cm² et/ou avec une longueur d'onde d'irradiation de 365 nm. A l'issue de l'étape E, la couche adhésive 115 est polymérisée. De manière générale, la longueur d'onde est choisie en fonction du matériau de la couche adhésive 103 à polymériser et du matériau que la lumière doit traverser, ici du LTO du substrat piézoélectrique 101. Dans ce mode de réalisation, le support de plaquette 109 est maintenu refroidi à la même température jusqu’à l'issue de la cinquième étape E. Ainsi, l'étape de refroidissement de l'hétérostructure 107 coïncide avec les quatrième et cinquième étapes D et E. Dans des modes de réalisation alternatifs, le support de plaquette 109 n'est refroidit que lors de l'étape E de polymérisation, ou que lors de l'étape D en amont de l'étape de polymérisation E. Ensuite, dans une sixième étape F, l'hétérostructure 107 est déplacée dans un autre lieu, par exemple pour réaliser un autre traitement de l’hétérostructure ou pour la stocker en attendant un traitement ultérieur. L’autre lieu a une température ambiante T5 qui est plus élevée que T4. Ici, la température T5 peut être identique à la température T1 et/ou la température T2. Ainsi, la température T5 est contrôlée entre 20°C et 25°C, de préférence entre 20°C et 22°C, par exemple à 21°C. Ainsi, le substrat piézoélectrique 101, préalablement refroidi à la température T3, cesse d'être refroidi par le support de plaquette 109, et prend la température ambiante T5 au plus tard suite à l'arrivée dans l'autre lieu. Le substrat piézoélectrique 101 peut aussi prendre la température ambiante T5 avant d'arriver dans l'autre lieu, par exemple si la température T5 est équivalente à la température T2. Le substrat piézoélectrique 101 ayant un coefficient de dilatation thermique supérieur au coefficient de dilatation thermique du substrat de manipulation 100, le substrat piézoélectrique 101 se dilate plus que le substrat de manipulation 100. Ainsi, une contrainte mécanique est exercée sur la couche adhésive 103 lors du passage de T4 à T5. Cette contrainte mécanique peut induire une compression de la couche adhésive 103 par rapport au substrat de manipulation 100. La contrainte mécanique peut aussi induire une courbure positive B, également appelé BOW dans le domaine des plaquettes de l’industrie semiconducteur. En fonction du choix de la température T4 de l'hétérostructure 107 par rapport à la température ambiante de l'autre lieu T5, des valeurs de BOW B d’au moins 30 µm, notamment entre 50 µm et 100 µm sont observées. Un exemple de traitement ultérieur est illustré à l’étape G. L'hétérostructure 107 est soumise à un amincissement pour obtenir un substrat piézoélectrique 103’ plus mince. Le traitement d'amincissement est appliqué au niveau de la surface exposée 117 du substrat piézoélectrique 101 avec la température T5. Dans le cas espèce, l'étape G d'amincissement peut comprendre, successivement, un premier meulage grossier, un polissage mécanochimique, un second meulage de finition, et un détourage. De préférence, on peut réduire l’épaisseur à une valeur entre 10 µm et 50 µm, encore plus avantageusement à une valeur entre 20 µm et 30 µm. Le substrat 119 obtenu à l'issu de l'étape G comprend le substrat de manipulation 100, le substrat piézoélectrique 101’ aminci et la couche adhésive polymérisée 115, la couche adhésive 115 étant arrangée en sandwich entre le substrat de manipulation 100 et le substrat piézoélectrique 101’. Lorsque le substrat 119 est à la température T5, donc typiquement comprise entre 20°C et 25°C, en particulier entre 20°C et 22°C, la couche adhésive 115 est en compression par rapport au substrat de manipulation 100, en particulier de telle manière à induire une courbure (BOW) B du substrat 119. Le substrat 119 correspond à un deuxième mode de réalisation de l'invention. Le substrat 119 peut notamment servir de substrat donneur, aussi appelé pseudo-substrat donneur (PSD), dans le cadre d'une mise en œuvre d'un procédé de transfert d’une couche piézoélectrique sur un substrat support, notamment en silicium. Un tel procédé est connu sous le nom Smart Cut. Lors de ce type de procédé, une zone de fragilisation est formée dans le substrat piézoélectrique 101’ du substrat 119, par exemple par implantation d’espèces atomiques, comme des ions d’hydrogène ou d’hélium. Ensuite on procède au collage par force atomique, aussi dit collage moléculaire, de la surface libre 117 du substrat piézoélectrique 101’ à la surface d’un substrat support. Après un apport en énergie, thermique et/ou mécanique, la couche piézoélectrique se détache du reste du substrat 119 pour être transférée sur le substrat support. Selon des alternatives une couche diélectrique, comme de l’oxyde de silicium et/ou de la nitrure de silicium, peut être formé sur la surface du substrat support et/ou la surface du substrat piézoélectrique avant le collage pour faciliter le collage par force atomique. Un procédé de fabrication d'un substrat selon un troisième mode de réalisation de l'invention est maintenant décrit en référence à la FIG. 2 . Le procédé du troisième mode de réalisation diffère du procédé du premier mode de réalisation par rapport au mode de refroidissement de l'hétérostructure. C'est-à-dire, il diffère par rapport au moyen d'obtention de l'hétérostructure plus froide qu'une température ambiante de l'autre lieu dans lequel l'hétérostructure est déplacée après la polymérisation. Le procédé du troisième mode de réalisation commence par une première étape A' de fourniture d'un substrat de manipulation 200 et d'un substrat piézoélectrique 201. Ici, l'étape A' est identique à l'étape A du premier mode de réalisation, et les substrats 200, 201 sont respectivement identiques aux substrats 100, 101. Ensuite, lors d’une deuxième étape B', une couche adhésive 203 d'un matériau photo-polymérisable est appliquée à une première surface 205 du substrat piézoélectrique 201. Ici, la couche adhésive 203 est appliquée à la surface 205 identiquement à l'application de la couche adhésive 103 à la surface 105. Selon une variante, la couche adhésive 203 peut aussi être appliquée sur la surface du substrat de manipulation 200 comme dans le premier mode de réalisation. Une hétérostructure 207 est formée dans une troisième étape C' en positionnant le substrat piézoélectrique 201 muni de la couche adhésive 203 sur substrat de manipulation 200. Ainsi, l'hétérostructure 207 comprend le substrat piézoélectrique 201, le substrat de manipulation 200, et la couche adhésive 203 arrangée en sandwich entre le substrat de manipulation 200 et le substrat piézoélectrique 201. Dans une quatrième étape D', l'hétérostructure 207 est amenée dans un lieu de polymérisation 209 ayant une température ambiante T1' contrôlée. La température T1' est maintenue inférieure à une température ambiante d'un autre lieu, dans lequel l'hétérostructure 207 sera déplacée ultérieurement suite à l'étape de polymérisation. Ainsi, ici, la température T1' est contrôlée à une température comprise entre 11°C et 21°C, en particulier comprise entre 15°C et 18°C. L'hétérostructure 207, amenée dans le lieu de polymérisation ayant une température T1' contrôlée, prend alors aussi la température T1'. Ici le lieu de polymérisation 209 peut être l'intérieur du dispositif dans lequel la polymérisation va avoir lieu dans l’étape suivante. L'hétérostructure 207 est ensuite polymérisée, lors d'une cinquième étape E', réalisée ici de manière identique ou correspondante à la polymérisation de l'étape E du premier mode de réalisation, notamment en utilisant un rayonnement ultraviolet UV. Ainsi, lors de l'étape de polymérisation E', la couche adhésive 203 est polymérisée pour devenir une couche adhésive polymérisée 211. Lors de l'étape de polymérisation E', le lieu de polymérisation 209 est maintenu à la température ambiante T1'. Ainsi, une étape de refroidissement coïncide avec les étapes D' et E' pour obtenir l'hétérostructure 207. Dans une sixième étape F', l'hétérostructure 207 est déplacée dans un autre lieu 213 ayant une température ambiante T2' à la température ambiante T2' du lieu de polymérisation 209. Ici, la température ambiante T2' est comprise entre 20°C et 25°C, en particulier entre 20°C et 22°C. Par ailleurs, la température ambiante T2' est supérieure d'au moins 1°C par rapport à la température T1' refroidie. Notamment, la température ambiante T1' est réduite, c'est-à-dire inférieure, de 2°C à 15°C, préférablement de 4°C à 8°C, par rapport à la température T2'. Selon une variante, il est aussi envisageable de garder le lieu de polymérisation 209 à la température standard des salles blanches, et on augmente la température de l’autre lieu 213 à une température supérieure, par exemple par un moyen de chauffage. De manière similaire au procédé du premier mode de réalisation, lors de la sixième étape F', l'hétérostructure 207 n'est plus refroidie et prend la température ambiante T2'. La divergence de dilatation thermique entre le substrat de manipulation 200 et le substrat piézoélectrique 201 génère la même contrainte mécanique, en particulier une compression, dans la couche adhésive polymérisée 211 comme dans le premier mode de réalisation. Cette compression renforce le substrat fabriqué de manière à réduire sa susceptibilité à l'apparition de craquelures. Selon une septième étape G' optionnelle, l'hétérostructure 207 est soumise à un recuit de consolidation pour obtenir le substrat final 215 fabriqué par le procédé du troisième mode de réalisation. Pour cela, l'hétérostructure 207 est placée dans un four 217 et chauffée à une température supérieure à 100°C, de préférence à une température comprise entre 190°C et 210°C pendant une durée prédéterminée, typiquement comprise entre 30 min et 8 heures. Un recuit de consolidation peut d’ailleurs aussi être réalisé dans le procédé du premier mode de réalisation. Après l’étape de recuit, on peut également procéder à une étape d’amincissement telle que l’étape G du premier mode de réalisation. Le substrat final 215 obtenu à l'issue de l'étape G', ou le cas échéant après un amincissement, comprend le substrat de manipulation 200, le substrat piézoélectrique 201 et la couche adhésive polymérisée 211, la couche adhésive 211 étant arrangée en sandwich entre le substrat de manipulation 200 et le substrat piézoélectrique 201, aminci ou pas. Lorsque le substrat final 215 a une température comprise entre 20°C et 25°C, en particulier entre 20°C et 22°C, la couche adhésive 211 est en compression par rapport au substrat de manipulation 200, en particulier de telle manière à induire une courbure (BOW) du substrat final 215 fabriqué. Ainsi, on obtient un substrat final 215 comme dans le deuxième mode de réalisation de l'invention. Le substrat final 215 peut ensuite également servir de substrat donneur lors d’un procédé de transfert tel que décrit ci-dessus Une étude statistique effectuée sur le procédé de fabrication selon le premier mode de réalisation de l'invention a révélé une réduction importante du taux d'apparition de craquelures dans les PSD fabriqués. Ainsi on observe pour une température T4 de 19°C sans étape recuit et une température T5 de 21°C une quasi absence de craquelures et pour un procédé avec étape de recuit de 5h à 100°C, on observe la quasi absence de craquelure pour une température T4 entre 15°C et 17°C. Signes de référence 100 substrat de manipulation 101 substrat piézoélectrique 103 couche adhésive 105 première surface du substrat de manipulation 107 hétérostructure 109 support de plaquette 111 moyen de refroidissement 113 seconde surface du substrat de manipulation 115 couche adhésive polymérisée 117 surface exposée du substrat piézoélectrique 119 PSD T1 température ambiante d'un lieu de formation d'une l'hétérostructure T2 température ambiante d'un lieu de polymérisation T3 température du support de plaquette refroidi T4 température de l'hétérostructure refroidie T5 température de l'autre lieu 200 substrat de manipulation 201 substrat piézoélectrique 203 couche adhésive liquide 205 première surface du substrat de manipulation 207 hétérostructure 209 lieu de polymérisation 211 couche adhésive polymérisée 215 substrat final 217 four T1' température ambiante du lieu de formation de l'hétérostructure et de polymérisation T2' température ambiante de l'autre lieu Procédé de fabrication d’un substrat, comprenant les étapes de : - fournir un substrat de manipulation (100, 200) et un substrat piézoélectrique (101, 201); - appliquer une couche adhésive (103, 203) d’un matériau, en particulier liquide, photo-polymérisable sur une surface (105) du substrat de manipulation (100, 200) et/ou sur une surface (205) du substrat piézoélectrique (101, 201); - former une hétérostructure (107, 207) comprenant le substrat de manipulation (100, 200), le substrat piézoélectrique (101, 201) et la couche adhésive (103, 203), la couche adhésive (103, 203) étant arrangée en sandwich entre le substrat de manipulation (100, 200) et le substrat piézoélectrique (101, 201) ; - polymériser la couche adhésive (115, 211) de l’hétérostructure (107, 207) dans un lieu de polymérisation (209); et, - déplacer l’hétérostructure (107, 207) dans un autre lieu suite à l’étape de polymérisation ; caractérisé en ce que lors de l’étape de polymérisation, l’hétérostructure (107, 207) est plus froide qu’une température ambiante de l’autre lieu (T5, T2'). Procédé selon la revendication 1, comprenant une étape de refroidissement de l’hétérostructure (107, 207) avant et/ou lors de l'étape de polymérisation pour obtenir l’hétérostructure (107, 207) plus froide que la température ambiante de l’autre lieu (T5, T2'). Procédé selon la revendication 2, l'étape de refroidissement comprenant une étape de placement du substrat de manipulation (100, 200) sur un support de plaquette (109) configuré pour être refroidi, en particulier un support plaquette (109) comprenant un moyen de refroidissement (111) intégré. Procédé selon la revendication 3, dans lequel lors de l’étape de polymérisation, l’hétérostructure(107, 207) est plus froide qu’une température ambiante du lieu de polymérisation (T2, T1'), en particulier la température ambiante du lieu de polymérisation (T2, T1') étant comprise entre 20°C et 25°C, en particulier entre 20°C et 22°C. Procédé selon la revendication 2 ou 3, l’étape de refroidissement comprenant une étape de réduction de la température ambiante du lieu de polymérisation (T1') par rapport à la température ambiante de l’autre lieu (T2'). Procédé selon l'une des revendication 1 à 5, dans lequel la température ambiante de l’autre lieu (T5, T2') est comprise entre 20°C et 25°C, en particulier entre 20°C et 22°C. Procédé selon la revendication 1 à 6, comprenant, après l’étape de polymérisation, une étape d’amincissement de l’hétérostructure (107, 207), en particulier une étape de meulage du substrat piézoélectrique (101, 201) et/ou une étape de polissage mécanochimique (CMP) du substrat piézoélectrique (107, 207) à l’autre lieu (209). Procédé selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel lors de l’étape de polymérisation, l’hétérostructure (107, 207) a une température plus froide d’au moins 1°C, en particulier plus froide de 2°C à 15°C, de préférence plus froide de 4°C à 8°C par rapport à la température ambiante de l’autre lieu (T5, T2'). Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel lors de l’étape de polymérisation, l’hétérostructure (107, 207) a une température (T4) comprise entre 11°C et 21°C, en particulier comprise entre 15°C et 18°C. Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, comprenant, après l’étape de polymérisation, une étape de recuit de l’hétérostructure (107, 207), en particulier à une température supérieure à 90°C, notamment entre 190°C et 210°C. Procédé selon l'une des revendications 1 à 10, dans lequel le coefficient de dilatation thermique du substrat de manipulation (100, 200) est différent du, en particulier inférieur au, coefficient de dilatation thermique du substrat piézoélectrique (101, 201). Procédé selon l'une des revendications 1 à 11, dans lequel le substrat de manipulation (100, 200) est un substrat comprenant, en particulier à base de, un matériau choisi parmi le silicium, le saphir, le nitrure d'aluminium, le carbure de silicium, et l'arséniure de gallium. Procédé selon l'une des revendications 1 à 12, dans lequel le substrat piézoélectrique (101, 201) est un substrat comprenant, en particulier à base de, un matériau choisi parmi le quartz, le tantalate de lithium, le niobate de lithium, le nitrure d'aluminium, le nitrure de gallium, l'orthophosphate de gallium, l'oxyde de zinc, le titano-zirconate de plomb, le titanate de baryum, le langasite, le langanite, et le langatate. Substrat comprenant un substrat de manipulation (100, 200), un substrat piézoélectrique (101, 201) et une couche adhésive polymérisée (115), la couche adhésive polymérisée (115) étant arrangée en sandwich entre le substrat de manipulation (100, 200) et le substrat piézoélectrique (101, 201), caractérisé en ce que lorsque le substrat a une température comprise entre 20°C et 25°C, en particulier entre 20°C et 22°C, la couche adhésive polymérisée (115) est en compression, en particulier par rapport au substrat de manipulation (100, 200) de telle manière à induire une courbure (BOW) du substrat. Substrat selon la revendication 14 ayant, lorsque le substrat piézoélectrique est positionné par-dessus le substrat de manipulation (100, 200), une courbure positive d’au moins 30µm, de préférence entre 50 µm et 100 µm. Substrat selon la revendication 14 ou 15, dans lequel le coefficient de dilatation thermique du substrat de manipulation (100, 200) est différent du, en particulier inférieur au, coefficient de dilatation thermique du substrat piézoélectrique (101, 201). Substrat selon l'une des revendications 14 à 16, dans lequel le substrat de manipulation (100, 200) est un substrat comprenant, en particulier à base de, un matériau choisi parmi le silicium, le saphir, le nitrure d'aluminium, le carbure de silicium, et l'arséniure de gallium. Substrat selon l'une des revendications 14 à 17, dans lequel le substrat piézoélectrique (101, 201) est un substrat comprenant, en particulier à base de, un matériau choisi parmi le quartz, le tantalate de lithium, le niobate de lithium, le nitrure d'aluminium, le nitrure de gallium, l'orthophosphate de gallium, l'oxyde de zinc, le titano-zirconate de plomb, le titanate de baryum, le langasite, le langanite, et le langatate.