Brevet FR3161797A1 — publié le 20251031

Barrière mécanique sous condensateur 3D La présente description concerne un dispositif électronique (200) comportant : - au moins un plot en cuivre (102) ; - une couche diélectrique (104) formée sur le plot en cuivre (102), la couche diélectrique (104) comportant une tranchée (108) débouchant sur le plot en cuivre (102) ; - une couche métallique (110) sur les flancs latéraux et dans le fond de la tranchée (108) ; et - une couche conductrice (120) faisant interface entre le plot en cuivre (102) et la couche métallique (110) au fond de la tranchée (108), la couche conductrice (120) étant en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure du plot en cuivre (102), et, par sa face supérieure, avec la face inférieure de la couche métallique (110). Figure pour l'abrégé : Fig. 2 Barrière mécanique sous condensateur 3D La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques et plus particulièrement les dispositifs électroniques de type condensateurs 3D et leurs procédés de fabrication. Un condensateur comporte une succession de trois couches et comprend plus précisément une couche isolante comprise entre deux couches conductrices. Dans un condensateur en trois dimensions, ces trois couches sont formées sur les flancs latéraux d'une tranchée formée dans une couche diélectrique. La capacité d'un tel condensateur dépend alors de la profondeur et de la largeur de la tranchée sur les flancs latéraux de laquelle s'étend les couches du condensateur. Il serait souhaitable d'améliorer au moins en partie certains aspects de tels dispositifs. Pour cela, un mode de réalisation prévoit Dispositif électronique comportant : - au moins un plot en cuivre ; - une couche diélectrique formée sur le plot en cuivre, la couche diélectrique comportant une tranchée débouchant sur le plot en cuivre ; - une couche métallique sur les flancs latéraux et dans le fond de la tranchée ; et - une couche conductrice faisant interface entre le plot en cuivre et la couche métallique au fond de la tranchée, la couche conductrice étant en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure du plot en cuivre, et, par sa face supérieure, avec la face inférieure de la couche métallique. Selon un mode de réalisation, la couche conductrice a une épaisseur inférieure à 20 nm. Selon un mode de réalisation, la couche métallique est en nitrure de titane silicium et la couche conductrice est en nitrure de titane, en tantale, en nitrure de tantale ou en une bicouche de nitrure de tantale et de tantale. Selon un mode de réalisation, la couche métallique correspond à une électrode d'un condensateur en trois dimensions. Selon un mode de réalisation, le condensateur est un condensateur métal-isolant-métal, la couche métallique étant surmontée d'une autre couche diélectrique, elle-même surmontée d'une autre couche métallique, l'autre couche diélectrique étant en contact, par sa face inférieure, avec la couche métallique, et, par sa face supérieure, avec l'autre couche métallique. Selon un mode de réalisation, la couche conductrice recouvre l'entièreté du plot de cuivre exposé au fond de la tranchée. Selon un mode de réalisation, la couche diélectrique est séparée du plot en cuivre par une couche de passivation en nitrure. Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un dispositif électronique comportant les étapes successives de : - dépôt d'une couche conductrice au fond d'une tranchée formée dans une couche diélectrique, la tranchée débouchant sur un plot en cuivre; et - dépôt d'une couche métallique sur les flancs latéraux et dans le fond de la tranchée, la couche conductrice faisant interface entre le plot en cuivre et la couche métallique, la couche conductrice étant en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure du plot en cuivre, et, par sa face supérieure, avec la face inférieure de la couche métallique. Selon un mode de réalisation, la couche conductrice a une épaisseur inférieure à 20 nm. Selon un mode de réalisation, la couche métallique est déposée par une méthode de dépôt de couches atomiques et la couche conductrice est déposée par une méthode de dépôt physique en phase vapeur ou une méthode de dépôt chimique en phase vapeur. Selon un mode de réalisation, lors du dépôt de la couche conductrice, celle-ci est déposée en outre sur les flancs latéraux de la tranchée. Selon un mode de réalisation, la couche conductrice est déposée en moins de deux minutes. Selon un mode de réalisation, la couche conductrice est déposée à une température inférieure à 200 °C. Selon un mode de réalisation, la couche conductrice est déposée en moins de deux minutes et à une température inférieure à 200 °C. Selon un mode de réalisation, la tranchée est en outre formée dans une couche de passivation formée entre la couche diélectrique et le plot en cuivre. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un exemple d'un dispositif électronique ; la FIG. 2 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un exemple d'un dispositif électronique selon un mode de réalisation ; et la FIG. 3 , la FIG. 3 , la FIG. 3 , la FIG. 3 , la FIG. 3 et la FIG. 3 sont chacune une vue en coupe d'une structure obtenue à l'issue d'une étape d'un procédé de fabrication du dispositif électronique illustré en FIG. 2 selon un mode de réalisation. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % ou à 10° près, de préférence à 5 % ou à 5° près. La FIG. 1 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un exemple d'un dispositif électronique 100. Le dispositif électronique 100 correspond, par exemple à une partie d'un capteur d'image fabriqué en technologie semiconducteur complémentaire à base d'oxyde métallique dite technologie CMOS (de l'anglais "Complementary metal oxide semi-conductor"). Le dispositif électronique 100 peut, en variante, correspondre à une partie d’une mémoire comportant plusieurs points ou cellules mémoires. Le dispositif électronique 100 comporte une pluralité de plots métalliques en cuivre 102. Les plots en cuivre 102 s'étendent, dans le plan de coupe de la FIG. 1 , par exemple sur une largeur L1 comprise dans la plage allant de 80 nm à 12 µm, par exemple sur une largeur L1 de l'ordre de 130 nm. A titre d'exemple, les plots en cuivre 102, s'étendent, orthogonalement au plan de coupe de la FIG. 1 , sur une longueur comprise dans une plage allant de 80 nm à plusieurs millimètres, par exemple sur une longueur de l'ordre de 2 µm. A titre d'exemple, les plots en cuivre 102 sont entourés d'une couche en un matériau diélectrique. Les plots en cuivre sont par exemple surmontés d'une couche diélectrique 104. A titre d'exemple, la couche diélectrique 104 s'étend sur l'ensemble des plots en cuivre 102. La couche diélectrique 104 est par exemple une couche en oxide ou en nitrure. A titre d'exemple, la couche diélectrique 104 est en dioxyde de silicium et/ou en nitrure de carbone de silicium et/ou en verre de silicium non dopé ou USG (de l'anglais "undoped silicon glass"). A titre d'exemple, la couche diélectrique 104 a une épaisseur comprise dans la plage allant de 700 nm à 2 µm, par exemple une épaisseur de l'ordre de 1 µm. A titre d'exemple, les plots en cuivre 102 sont séparés de la couche diélectrique 104 par une couche isolante 106. A titre d'exemple, la couche 106 est en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure des plot en cuivre 102 et par sa face supérieure, avec la face inférieure de la couche diélectrique 104. A titre d'exemple, la couche 106 est en un nitrure, par exemple en nitrure de silicium. A titre d'exemple, la couche diélectrique 106 a une épaisseur comprise dans la plage allant de 10 nm à 100 nm, par exemple une épaisseur de l'ordre de 50 nm. Le dispositif électronique 100 comporte, dans la couche diélectrique 104, des tranchées 108 débouchant sur les plots en cuivre 102. A titre d'exemple, les tranchées 108 sont traversantes et s'étendent d'une face supérieure de la couche diélectrique 104 à une face inférieure de la couche diélectrique 104. A titre d’exemple, les tranchées 108 traversent, en outre, la couche 106 de sa face supérieure à sa face inférieure. A titre d'exemple, les tranchées 108 s'étendent, dans la couche diélectrique 104, et par exemple dans la couche 106, à l'aplomb des plots en cuivre 102. A titre d'exemple, les tranchées 108 sont formées dans la couche diélectrique 104 de sorte qu'une tranchée 104 fasse face à un plot en cuivre 102. A titre d'exemple, les tranchées 108 s'étendent, dans le plan de coupe de la FIG. 1 , sur une largeur L2. Les tranchées 108 ont par exemple un rapport de forme, correspondant au rapport entre leur profondeur et leur largeur, compris entre 4 et 10, 4 et 10 inclus. A titre d'exemple les tranchées 108 ont un rapport de forme de l'ordre de 7. Les tranchées 108 sont, par exemple, des cylindres elliptiques. A titre d'exemple, la largeur L2 des tranchées 108 est inférieure ou égale à la largeur L1 des plots en cuivre 102. A titre d'exemple, la largeur L2 est comprise dans une plage allant de 80 nm à 160 nm, par exemple de l'ordre de 130 nm. A titre d'exemple, les tranchées 108 s'étendent, orthogonalement au plan de coupe de la FIG. 1 , sur au moins une partie de la longueur des plots en cuivre 102. Dans cet exemple, les tranchées 108 s’étendent orthogonalement au plan de coupe de la FIG. 1 , sur une longueur comprise dans une plage allant de 80 nm à plusieurs micromètres, par exemple une longueur comprise dans une plage allant de 80 nm à 1 µm, par exemple une longueur de l’ordre de 250 nm. En variante, les tranchées 108 correspondent à des ouvertures cylindriques ou doigts organisés, en vue de dessus, en une matrice de lignes et de colonnes, les ouvertures d’une même ligne étant formées à l’aplomb d’un même plot en cuivre 102. Le dispositif électronique 100 comporte une couche métallique 110 revêtant les flancs latéraux et le fond des tranchées 108. A titre d'exemple, la couche métallique 110 est en contact, sur les flancs latéraux des tranchées 108, avec la couche diélectrique 104 et la couche 106. A titre d'exemple, dans la structure illustrée en FIG. 1 , la couche métallique 110 ne revêt pas la face supérieure de la couche diélectrique 104 à la surface des tranchées 108. En effet, celle-ci est retirée localement, par exemple par polissage mécanique, par exemple par polissage mécanochimique ou CMP (de l'anglais "Chemical mechanical polishing"), de sorte que les couches 110 soient individualisées dans les tranchées 108. Dans l'exemple de la FIG. 1 , la couche métallique 110 est en contact, dans le fond des tranchées 108, avec les plots en cuivre 102. La couche métallique 110 a, par exemple, une épaisseur constante sur les flancs latéraux et dans le fond des tranchées 108. A titre d'exemple, la couche 110 a une épaisseur comprise dans la plage allant de 5 nm à 30 nm, par exemple une épaisseur de l'ordre de 15 nm. A titre d'exemple, la couche métallique 110 est à base de titane, par exemple à base de titane et de nitrure, par exemple en nitrure de titane silicium (TiNSi). A titre d'exemple, le dispositif électronique 100 comporte en outre une couche isolante 112. La couche 112 revêt par exemple la face supérieure de la couche métallique 110. A titre d'exemple, la couche 110 est ainsi en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la couche 110, sur les flancs latéraux des tranchées 108 et dans le fond des tranchées 108. A titre d'exemple, la couche isolante 112 recouvre en outre la face supérieure de la couche diélectrique 104. La couche 112 est par exemple en contact, par sa face inférieure avec la face supérieure de la couche diélectrique 104 à la surface des tranchées 108. A titre d'exemple, la couche 112 est en un matériau diélectrique, par exemple en un matériau ayant une constante diélectrique élevée (high-k), c'est-à-dire ayant une constante diélectrique supérieure à celle du dioxyde de silicium. A titre d'exemple, la couche 112 est en oxyde d'hafnium (HfO 2 ) ou en alumine (Al 2 O 3 ). La couche 112 a, par exemple une épaisseur constante. A titre d'exemple, la couche 112 a une épaisseur comprise dans la plage allant de 5 nm à 20 nm, par exemple une épaisseur de l'ordre de 13 nm. A titre d'exemple, le dispositif électronique 100 comporte en outre une couche métallique 114. La couche 114 revêt par exemple la face supérieure de la couche 112. A titre d'exemple, la couche métallique 114 est en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la couche isolante 112 et notamment, sur les flancs latéraux et dans le fond des tranchées 108 et sur la face supérieure de la couche 104 à la surface des tranchées 108. A titre d'exemple, la couche 114 est en nitrure de titane silicium (TiNSi). La couche 114 a, par exemple une épaisseur constante. A titre d'exemple, la couche 114 a une épaisseur comprise dans la plage allant de 4 nm à 15 nm, par exemple une épaisseur de l'ordre de 8 nm. A titre d'exemple, la couche 114 est recouverte par une couche conductrice 116. A titre d'exemple, la couche 116 est en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la couche métallique 114. A titre d'exemple, la couche 116 revêt la couche 114 dans les tranchées 108 en les comblant. A titre d'exemple, la couche 116 revêt la couche 114 à la surface des tranchées 108. La couche 116 est par exemple en nitrure de titane (TiN) ou en tungstène (W). Dans le dispositif 100, l'ensemble des couches métalliques 110, 114 et de la couche isolante 112 forme un condensateur de type métal isolant métal ou MIM (de l'anglais "Metal Insulator Metal"), par exemple ici un condensateur MIM en trois dimensions. Dans cet exemple, la couche 110 correspond à une électrode inférieure du condensateur et la couche 114 correspond à une électrode supérieure du condensateur. A titre d'exemple, un même dispositif comprend une succession de plusieurs condensateurs identiques, formés côte à côte, par exemple une succession de sept condensateurs, par exemple au sein d'un même pixel du capteur d'images, ou au sein d’une même cellule mémoire. Au sein d'un même pixel ou d’une même cellule mémoire, les condensateurs ont par exemple une électrode supérieure, correspondant à la couche 114, commune. Au sein d'un même pixel, ou au sein d’une même cellule mémoire, les condensateurs ont par exemple des électrodes inférieures communes et connectées entre elles ou individuelles et non connectées entre elles en fonction, respectivement, de leur connexion au même plot 102 ou à des plots 102 différents. A titre d'exemple, le dispositif 100 comprend une succession de plusieurs pixels, ou plusieurs cellules mémoires, comportant chacun une ou plusieurs capacités. Le condensateur 3D est par exemple formé entre deux niveau métalliques d'un réseau d'interconnexion formé sur une plaquette déjà structurée, c'est-à-dire en BEOL (de l'anglais "back end of line"). A titre d'exemple, le condensateur 3D 102 est formé entre un niveau inférieur, par exemple un niveau de métal 3 ou M3, représenté en FIG. 1 par les plots 102, et un niveau supérieur, par exemple un niveau de métal 4 ou M4, formé au dessus de la couche 116. Dans un tel dispositif 100, la couche 110 est déposée dans les tranchées 108 formées dans la couche diélectrique 104 et la couche 106, alors que celles-ci débouchent sur les plots 102. La couche 110 est alors formée en contact avec les plots 102 dans le fond des tranchées 108. La couche 110 est déposée avec une méthode de dépôt permettant d'effectuer un dépôt très conforme en épaisseur sur les flancs latéraux et dans le fond des tranchées 108. La couche 110 est ainsi déposée avec une méthode de dépôt de dépôt de couches atomique ou ALD (de l'anglais "Atomic Layer Deposition"). Lors d'un tel dépôt, la structure est chauffée à une température supérieure à 350 °C, par exemple de l'ordre de 440 °C pendant plus d'une minute, par exemple pendant environ 15 minutes. Cette chauffe entraine une expansion du cuivre des plots 102 et forme un bossage à la surface des plots 102. Un bossage de ce type peut, par des effets de relaxation thermomécaniques, au cours de la vie du dispositif, se détacher du plot 102 en formant, entre le plot 102 et la couche 110, un trou coupant la connexion électrique entre le plot 102 et la couche 110. La FIG. 2 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un exemple d'un dispositif électronique 200 selon un mode de réalisation. Le dispositif électronique 200 illustré en FIG. 2 est similaire au dispositif électronique illustré en FIG. 1 à la différence près qu'il comprend, dans le fond de chaque tranchée 108, une couche conductrice 120 entre le plot 102 et la couche 110. En FIG. 2 , la couche conductrice 120 est en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure du plot 102, et par sa face supérieure, avec la face inférieure de la couche 110. La couche conductrice 120 est par exemple en un matériau métallique. A titre d'exemple, la couche conductrice 120 est en nitrure de tantale (TaN), en tantale (Ta) ou en une bicouche de nitrure de tantale et de tantale. A titre d'exemple, la couche métallique 110 est en nitrure de titane silicium (TiSiN) et la couche conductrice 120 est en nitrure de tantale (TaN), en tantale (Ta) ou en une bicouche de nitrure de tantale et de tantale. A titre d'exemple, la couche conductrice 120 est une bicouche comportant une couche en nitrure de tantale et une couche en tantale. A titre d'exemple, lorsqu'elle est en TaN et/ou en Ta, la couche conductrice 120 a, une épaisseur inférieure à 20 nm, par exemple une épaisseur comprise dans la plage allant de 3 nm à 15 nm, par exemple une plage allant de 5 nm à 9 nm, par exemple une épaisseur de l'ordre de 6,5 nm. En variante, la couche conductrice 120 est en nitrure de titane (TiN). A titre d'exemple, la couche métallique 110 est en nitrure de titane silicium (TiSiN) et la couche conductrice 120 est en nitrure de titane (TiN). A titre d'exemple, lorsqu'elle est en nitrure de titane, la couche 120 a, par exemple une épaisseur inférieure à 20 nm, par exemple une épaisseur comprise dans la plage allant de 3 nm à 9 nm, par exemple une épaisseur de l'ordre de 5 nm. Dans le mode de réalisation de la FIG. 2 , la couche métallique 110 a une épaisseur comprise dans la plage allant de 5 nm à 25 nm, par exemple une plage allant de 5 nm à 15 nm, par exemple une épaisseur de l'ordre de 10 nm. La FIG. 3 , la FIG. 3 , la FIG. 3 , la FIG. 3 , la FIG. 3 et la FIG. 3 sont chacune une vue en coupe d'une structure obtenue à l'issue d'une étape d'un procédé de fabrication du dispositif électronique illustré en FIG. 2 selon un mode de réalisation. La FIG. 3 est une vue en coupe d'une structure de départ comportant les couches 104 et 106 formées sur les plots métallique 102. La FIG. 3 est une vue en coupe d'une structure obtenue à l'issue d'une étape de formation des tranchées 108 dans la structure illustrée en FIG. 3 . Plus particulièrement, lors de cette étape, les tranchées 108 sont formées dans la couche 104 et la couche 106 à partir de la face supérieure de la couche 104. Les tranchées 108 sont par exemple formées de façon à déboucher sur la face supérieure de plots 102, exposant ainsi la face supérieure des plots 102. A titre d'exemple, chaque tranchée 108 est formée en vis-à-vis d'un plot 102. Les tranchées 108 sont, par exemple formées par gravure. La FIG. 3 illustre une vue en coupe d'une structure obtenue à l'issue d'une étape de formation de la couche métallique 120 dans la structure illustrée en FIG. 3 . Plus particulièrement, lors de cette étape, on vient former la couche 120 dans le fond de chacune des tranchées 108 en contact avec la face supérieure des plots 102. La couche 120 est, lors de cette étape déposée avec une épaisseur, par exemple inférieure à 20 nm avec une méthode de dépôt rapide, c'est à dire d'une durée inférieure à deux minutes, ou à basse température, c'est-à-dire nécessitant un chauffage de la structure inférieur à 200 °C. Selon un premier mode de mise en œuvre, la couche 120 est en TaN et Ta (TaN/Ta) et est déposée selon une méthode de dépôt physique en phase vapeur ou PVD (de l'anglais "Physical Vapor Deposition"). Dans un premier temps, dans ce mode de mise œuvre, une première partie de la couche 120 en TaN est déposée. Une deuxième partie de la couche 120 en Ta est déposée dans un second temps. Dans ce mode de mise en œuvre, les deux parties de la couche 120 sont formées dans le fond de la tranchées 108. Lors de cette étape, la couche 120 se forme également sur les flancs latéraux de la tranchée 108 avec une épaisseur inférieure par rapport à l'épaisseur de la couche 120 dans le fond de la tranchée 108. A titre d'exemple, dans le fond des tranchées 108, la partie de la couche 120 en TaN a une épaisseur de l'ordre de 2,5 nm et la partie de la couche 120 en Ta a une épaisseur de l'ordre de 4 nm. A titre d'exemple, la couche 120 est déposée avec une durée totale de dépôt de l'ordre d'une dizaine de secondes. A titre d'exemple, la couche 120 est déposée à température ambiante, par exemple à une température comprise entre 15 °C et 30 °C. En variante, la couche 120 est uniquement en Ta, uniquement en TaN, ou en Ta/TaN. Selon un deuxième mode de mise en œuvre, la couche 120 est en nitrure de titane (TiN) et est déposée par une méthode de dépôt chimique en phase vapeur ou CVD (de l'anglais "Chemical Vapor Deposition"). Dans ce mode de mise en œuvre, la couche 120 est formée dans le fond de la tranchées 108. Lors de cette étape, la couche 120 se forme également sur les flancs latéraux de la tranchée 108 avec une épaisseur sensiblement identique à l'épaisseur de la couche 120 dans le fond de la tranchée 108. A titre d'exemple, la couche 120 est déposée avec une durée totale de dépôt de l'ordre de seize secondes. A titre d'exemple, la couche 120 est déposée à une température de l'ordre de 400 °C. A titre d'exemple, dans ce mode de mise en œuvre, le temps nécessaire à la stabilisation de la température pour le dépôt est de l'ordre d'une minute. La FIG. 3 illustre une vue en coupe d'une structure obtenue à l'issue d'une étape de dépôt de la couche métallique 110 dans la structure illustrée en FIG. 3 . Plus particulièrement, lors de cette étape, la couche 110 est formée dans le fond et sur les flancs latéraux des tranchées 108. En outre, lors de cette étape, la couche 110 est formée sur la face supérieure de la couche diélectrique 104 à la surface des tranchées 108. Lors de cette étape, la couche 110 est ainsi formée, dans le fond des tranchées 108, en contact avec la couche 120. De plus, lors de cette étape, la couche 110 est formée, sur les flancs latéraux des tranchées 108, en contact avec la couche diélectrique 104 et la couche 106 ou, le cas échéant avec la couche 120 (lorsque celle-ci est formée sur la flancs latéraux des tranchées 108). En outre, lors de cette étape, la couche 110 est formée, à la surface des tranchées 108, en contact avec la couche diélectrique 104. La couche 110 est, par exemple déposée par une méthode de dépôt conforme, par exemple par ALD. A titre d'exemple, la couche 110 est déposée avec une durée totale de dépôt de l'ordre de quinze minutes. A titre d'exemple, la couche 120 est déposée à une température de l'ordre de 440 °C. A titre d'exemple, dans ce mode de mise en œuvre, le temps nécessaire à la stabilisation de la température pour le dépôt est de l'ordre d'une minute. La FIG. 3 illustre une vue en coupe d'une structure obtenue à l'issue d'une étape de polissage de la face supérieure de la structure illustrée en FIG. 3 . Plus particulièrement, lors de cette étape, les portions de la couche 110 formées à la surface des tranchées 108 sont retirées. Le retrait partiel de la couche 110 est par exemple réalisé par polissage mécanique, par exemple par polissage mécanochimique ou CMP (de l'anglais " Chemical mechanical polishing"). La FIG. 3 illustre une vue en coupe d'une structure obtenue à l'issue d'une étape de dépôt de la couche isolante 112 et la couche métallique 114 sur la face supérieure de la structure illustrée en FIG. 3 . Plus particulièrement, lors de cette étape dans un premier temps, la couche isolante 112 est formée en contact avec la couche 110 sur la face supérieure de la structure illustrée en FIG. 3 . Dans un second temps, la couche métallique 114 est formée sur et en contact avec la face supérieure de la couche 112. Un avantage du présent mode de réalisation est qu'il permet, à la surface du plot 102, et en contact avec celui-ci, le dépôt d'une couche conductrice 120 avec un temps plus rapide ou à une température plus basse que ce qui est prévu pour le dépôt de la couche 110. Un autre avantage du présent mode de réalisation est que la couche conductrice 120 a un rôle de couche barrière qui permet limiter l'expansion du cuivre des plots 102 lors du dépôt de la couche 110. Encore un autre avantage du présent mode de réalisation est qu'il permet de limiter le risque d'apparition de protubérances à la surface des plots 102. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, bien que l'on ait décrit ci-avant l'utilisation d'une couche conductrice 120 dans une structure de condensateur 3D MIM, une telle couche peut être utilisée plus généralement entre toute couche en cuivre surmontée d'une couche déposée à haute température pendant un temps important, par exemple par ALD. De plus, il a été décrit que la couche 120 peut être en nitrure de titane ou en tantale et nitrure de tantale. En pratique, la couche 120 peut être en d'autres matériaux que ceux cités et notamment en un tout autre matériau déposé rapidement, par exemple en un temps inférieure à deux minutes, et/ou à faible température, par exemple inférieure à 200 °C. En outre, il a été décrit que la couche métallique 110 peut être en nitrure de titane silicium. En pratique, la couche 110 peut être en un autre matériau, par exemple en tout autre matériau conducteur déposé par ALD. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Dispositif électronique (200) comportant : - au moins un plot en cuivre (102) ; - une couche diélectrique (104) formée sur le plot en cuivre (102), la couche diélectrique (104) comportant une tranchée (108) débouchant sur le plot en cuivre (102) ; - une couche métallique (110) sur les flancs latéraux et dans le fond de la tranchée (108) ; et - une couche conductrice (120) faisant interface entre le plot en cuivre (102) et la couche métallique (110) au fond de la tranchée (108), la couche conductrice (120) étant en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure du plot en cuivre (102), et, par sa face supérieure, avec la face inférieure de la couche métallique (110). Dispositif (200) selon la revendication 1, dans lequel la couche conductrice (120) a une épaisseur inférieure à 20 nm. Dispositif (200) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la couche métallique (110) est en nitrure de titane silicium et la couche conductrice (120) est en nitrure de titane, en tantale, en nitrure de tantale ou en une bicouche de nitrure de tantale et de tantale. Dispositif (200) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la couche métallique (110) correspond à une électrode d'un condensateur en trois dimensions. Dispositif (200) selon la revendication 4, dans lequel le condensateur est un condensateur métal-isolant-métal, la couche métallique (110) étant surmontée d'une autre couche diélectrique (112), elle-même surmontée d'une autre couche métallique (114), l'autre couche diélectrique (112) étant en contact, par sa face inférieure, avec la couche métallique (110), et, par sa face supérieure, avec l'autre couche métallique (114). Dispositif (200) selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la couche conductrice (120) recouvre l'entièreté du plot de cuivre (102) exposé au fond de la tranchée (108). Dispositif (200) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la couche diélectrique (104) est séparée du plot en cuivre (102) par une couche de passivation (106) en nitrure. Procédé de fabrication d'un dispositif électronique comportant les étapes successives de : - dépôt d'une couche conductrice (120) au fond d'une tranchée (108) formée dans une couche diélectrique (104), la tranchée débouchant sur un plot en cuivre (102); et - dépôt d'une couche métallique (110) sur les flancs latéraux et dans le fond de la tranchée (108), la couche conductrice (120) faisant interface entre le plot en cuivre (102) et la couche métallique (110), la couche conductrice (120) étant en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure du plot en cuivre (102), et, par sa face supérieure, avec la face inférieure de la couche métallique (110). Procédé selon la revendication 8, dans lequel la couche conductrice (120) a une épaisseur inférieure à 20 nm. Procédé selon la revendication 8 ou 9, dans lequel la couche métallique (110) est déposée par une méthode de dépôt de couches atomiques et la couche conductrice (120) est déposée par une méthode de dépôt physique en phase vapeur ou une méthode de dépôt chimique en phase vapeur. Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 10, dans lequel, lors du dépôt de la couche conductrice (120), celle-ci est déposée en outre sur les flancs latéraux de la tranchée (108). Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 11, dans lequel la couche conductrice (120) est déposée en moins de deux minutes. Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 12, dans lequel la couche conductrice (120) est déposée à une température inférieure à 200 °C. Procédé selon l’une quelconque des revendications 8 à 13, dans lequel la tranchée (108) est en outre formée dans une couche de passivation (106) formée entre la couche diélectrique (104) et le plot en cuivre (102).