Brevet FR3158590A1 — publié le 20250725

TITRE : Dispositif à structure stratifiée et procédé de fabrication d’une structure stratifiée comprenant des couches diélectriques La présente description concerne un procédé de fabrication d’une structure stratifiée (100) comprenant une ou plusieurs pistes métalliques, le procédé comprenant : le dépôt sur un substrat (104) d’une première couche d’un premier matériau diélectrique (106) ; la formation d’une ou plusieurs d’ouvertures (108) dans la première couche ; et le dépôt d’un deuxième matériau diélectrique (112), avec des propriétés diélectriques distinctes par rapport aux propriétés diélectriques du premier matériau diélectrique, à l’emplacement des ouvertures réalisées dans la première couche. Figure pour l'abrégé : Fig. 1A Dispositif à structure stratifiée et procédé de fabrication d’une structure stratifiée comprenant des couches diélectriques La présente description concerne de façon générale des dispositifs électroniques à structure stratifiée et leurs procédés de fabrication. Un courant électrique traversant une structure conductrice génère un champ électromagnétique dans l’environnement proche de cette structure. La trajectoire des lignes de champ dépend des propriétés du courant électrique ainsi que des propriétés des structures traversées. Des circuits peuvent être fabriqués sur la base de substrats composés d’un empilement de couches diélectriques et conductrices. Les champs électromagnétiques générés par la propagation d’un courant électrique dans les couches conductrices se propagent dans les couches diélectriques avoisinantes. Lorsque des champs électromagnétiques se superposent, les ondes peuvent interférer entre elles. Un problème peut exister en cas de champs électromagnétiques non maîtrisés, qui peuvent conduire par exemple à de la diaphonie (« crosstalk » en anglais) et/ou à une réduction des performances d’un dispositif électronique. Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d’une structure stratifiée comprenant une ou plusieurs pistes métalliques, le procédé comprenant : - le dépôt sur un substrat d’une première couche d’un premier matériau diélectrique ; - la formation d’une ou plusieurs d’ouvertures dans la première couche ; et - le dépôt d’un deuxième matériau diélectrique, avec des propriétés diélectriques distinctes par rapport aux propriétés diélectriques du premier matériau diélectrique, à l’emplacement des ouvertures réalisées dans la première couche. Selon un mode de réalisation, le premier matériau diélectrique est déposé par laminage. Selon un mode de réalisation, les ouvertures sont formées par imagerie laser directe. Selon un mode de réalisation, un masque est déposé sur la surface du premier matériau diélectrique suite à la formation de l’une ou plusieurs d’ouvertures. Selon un mode de réalisation, le deuxième matériau diélectrique est déposé sous forme liquide. Un autre mode de réalisation prévoit un dispositif électronique avec une structure stratifiée comprenant : - une ou plusieurs pistes métalliques ; - un substrat ; - une première couche d’un premier matériau diélectrique ; et - une deuxième couche d’un deuxième matériau diélectrique ayant des propriétés diélectriques distinctes du premier matériau, la deuxième couche étant présente dans des ouvertures de la première couche et étant en contact avec la première couche, la première et la deuxième couche étant présentes dans un même niveau du dispositif. Selon un mode de réalisation, le premier matériau diélectrique est un film de type formation Ajinomoto (« Ajinomoto Buildup Film » – ABF – en anglais). Selon un mode de réalisation, le deuxième matériau diélectrique a une permittivité diélectrique plus élevée que le premier matériau diélectrique. Selon un mode de réalisation, le deuxième matériau diélectrique a une permittivité diélectrique plus faible que le premier matériau diélectrique. Selon un mode de réalisation, la constante diélectrique du deuxième matériau diélectrique est comprise entre 3 et 5. Selon un mode de réalisation, la première et la deuxième couche sont présentes dans un premier niveau du dispositif, le dispositif comprenant en outre un deuxième niveau comprenant une troisième couche d’un troisième matériau diélectrique, la troisième couche étant en contact avec la première ou la deuxième couche. Un autre mode de réalisation prévoit une antenne, comprenant le dispositif décrit ci-dessus dans lequel : - une première piste métallique est dans un premier niveau et une deuxième piste métallique est dans un deuxième niveau ; et - la première couche du premier matériau diélectrique et la deuxième couche du deuxième matériau diélectrique sont formées dans un troisième niveau de sorte que la deuxième couche recouvre la deuxième piste métallique et que la constante diélectrique du deuxième matériau diélectrique est inférieure à la constante diélectrique du premier matériau diélectrique ; et comprenant en outre une troisième couche d’un troisième matériau diélectrique formée dans un quatrième niveau de sorte que le quatrième niveau soit entre le premier niveau et le deuxième niveau. Selon un mode de réalisation, la constante diélectrique du troisième matériau diélectrique est supérieure à la constante diélectrique du deuxième matériau diélectrique. ... Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 illustre des vues en coupe, schématiques, d’étapes successives d’un procédé de fabrication d’un dispositif électronique stratifié selon un premier mode de réalisation ; la FIG. 1 illustre des vues en coupe, schématiques, d’étapes successives d’un procédé de fabrication d’un dispositif électronique stratifié selon un second mode de réalisation ; la FIG. 2 représente, de façon schématique, une vue en coupe d’un exemple de dispositif électronique avec une structure stratifiée ; la FIG. 3 représente une vue en coupe d’un exemple de dispositif électronique ; la FIG. 3 représente une vue en coupe de l’exemple du dispositif électronique de la FIG. 3 , comprenant une couche d’un matériau diélectrique supplémentaire ; et la FIG. 4 représente schématiquement une vue en trois dimensions d’un exemple d’une antenne patch. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les étapes du procédé de fabrication d’un substrat stratifié sont des étapes usuelles et ne sont pas détaillées. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Dans la description qui suit, par « couche » on entend un volume d’un matériau donné et par « niveau » on entend l’ensemble des couches présente sur un même plan d’un substrat stratifié. On appelle ici « niveau de métallisation » un niveau comprenant des pistes conductrices, par exemple métalliques. La FIG. 1 illustre des vues en coupe, schématiques, d’étapes successives d’un procédé de fabrication d’un dispositif électronique stratifié 100 selon un premier mode de réalisation. Selon un mode de réalisation, le dispositif 100 comprend initialement un substrat 104. Le substrat 104 comprend un ou plusieurs niveaux et comprend par exemple un empilement de niveaux de métallisation et de niveaux diélectriques (non illustré dans la FIG. 1 ). Le substrat 104 est par exemple obtenu selon des procédés de fabrication usuels de substrats stratifiés et/ou de circuits imprimés (Printed Circuit Board – PCB- en anglais) au cours desquels des pistes conductrices 104 sont intégrées dans une couche diélectrique, par exemple en résine époxy. Une couche 106 d’un premier matériau diélectrique est déposée (étape A) pour former un niveau L1 sur le substrat 104 du dispositif 100. Le premier matériau diélectrique est par exemple en film de type formation Ajinomoto (« Ajinomoto Buildup » Film – ABF – en anglais), en oxyde de silicium, en alumine, en oxyde de tantale ou en oxyde de titane. Un film de type formation ABF est une composition de résine d’un matériau isolant de formulation combinant des résines époxy organiques, un durcisseur et une charge micro-particulaire inorganique. La couche diélectrique 106 est par exemple en film de type ABF déposé par laminage sous vide. Le niveau L1 du dispositif 100 peut, en outre, comprendre d’autres couches conductrices ou diélectriques non représentées. Selon un mode de réalisation, après l’étape A, la couche 106 du premier matériau diélectrique est localement retirée (étape B) pour créer au moins une ouverture 108. Cette étape B est par exemple effectuée par imagerie laser directe (en anglais « Laser Direct Imaging ») ce qui offre une précision fine de la zone à retirer ou par exemple par une méthode de gravure par traitement oxydant. Après l’étape B, un masque de protection 110 est appliqué (étape C) dans un niveau supplémentaire L2 du dispositif 100 pour laisser accessible l’au moins une ouverture 108 réalisée précédemment et protéger le reste de la surface du dispositif afin que seules les ouvertures soient comblées lors d’une étape ultérieure. Selon un mode de réalisation, le masque de protection 110 est déposé en film solide. Cela permet par exemple de ne contaminer les ouvertures 108 avec le matériau du masque de protection 110. Après l’étape C, un deuxième matériau diélectrique est déposé (étape D) pour combler l’au moins une ouverture 108 effectuée précédemment dans la couche 106 du premier matériau diélectrique et former ainsi une couche diélectrique 112. Le masque 110 est ensuite retiré. Le dépôt de la couche diélectrique 112 peut être effectué par exemple par déposition en phase liquide. La composition et les propriétés diélectriques du matériau de la couche 112 sont différentes de la composition et des propriétés diélectriques du matériau de la couche 106. Par exemple, la permittivité diélectrique du premier matériau diélectrique est supérieure à la permittivité diélectrique du deuxième matériau diélectrique. Par exemple, chacune des couches diélectriques 106, 112 est d’un matériau diélectrique avec une constante diélectrique distincte, par exemple comprise entre 2 et 10 et par exemple comprise entre 3 et 5. La valeur de la constante diélectrique varie en fonction de la caractéristique de composition du matériau. Des étapes usuelles de fabrications ultérieures peuvent être réalisées par exemple pour l’ajout de niveaux supplémentaires au dispositif 100. Le dispositif 100 obtenu (étape D) contient au moins deux diélectriques distincts en contact et dans un même niveau du dispositif. La FIG. 1 illustre des vues en coupe, schématiques, d’étapes successives d’un procédé de fabrication d’un dispositif électronique stratifié selon un second mode de réalisation. Certaines étapes de ce procédé sont identiques à celles de la FIG. 1 et ne sont pas détaillées à nouveau. Selon le mode de réalisation de la FIG. 1 , un dispositif 100’ comprend initialement le substrat 104 et, dans une étape A’, la couche 106 du premier matériau diélectrique est déposée pour former le niveau L1, comme décrit ci-dessus en relation avec le dispositif 100 de la FIG. 1 . Après l’étape A’, au moins deux ouvertures 108, 109 sont réalisées dans la couche 106 du niveau L1 lors de l’étape B’ selon des procédés identiques à l’étape B de la FIG. 1 . Suite à la création des ouvertures 108, 109 dans la couche 106, un masque 110’ est appliqué (étape C’) sur le substrat 104, dans un niveau supplémentaire L2, pour masquer au moins une ouverture 109 et laisser au moins une ouverture 108 apparente. Après l’étape C’, l’au moins une ouverture apparente 108 est comblée (étape D’) par une couche 112’ d’un deuxième matériau diélectrique au niveau L1 selon le procédé de l’étape C de la FIG. 1 . La composition et les propriétés diélectriques du deuxième matériau diélectrique sont différentes de la composition et des propriétés diélectriques du premier matériau diélectrique. Par exemple, la permittivité diélectrique du deuxième matériau diélectrique est supérieure à la permittivité diélectrique du premier matériau diélectrique. Une fois le deuxième matériau diélectrique déposé, le premier masque 110’ est retiré et un second masque 114’ est appliqué (étape E’) au dispositif 100’. Ce masque protège les couches 102 et 112’ et laisse apparent l’au moins une ouverture restante 109. Après l’étape E’, une couche 116’ d’un troisième matériau diélectrique est déposée dans les ouvertures restantes 109 (étape F’). Le second masque 114’ est ensuite retiré. La composition et les propriétés diélectriques du troisième matériau diélectrique sont différentes de la composition et des propriétés diélectriques des premier et deuxième matériaux diélectriques. Par exemple, la permittivité diélectrique du troisième matériau diélectrique est supérieure à la permittivité diélectrique du deuxième matériau diélectrique qui est supérieure à la permittivité diélectrique du premier matériau diélectrique. Le dispositif 100’ obtenu (étape G’) contient au moins trois matériaux diélectriques distincts dans un même niveau du dispositif dont au moins deux sont en contact dans un même niveau du dispositif. Par exemple, la couche 106 du premier matériau diélectrique est en contact avec la couche 112’ du deuxième matériau diélectrique et la couche 106 du premier matériau diélectrique est en contact avec la couche 116’ du troisième matériau diélectrique. Le procédé de la FIG. 1 décrit le dépôt de couches de deux matériaux diélectriques distincts dans une couche d’un troisième matériau diélectrique. Le procédé peut être étendu à l’ajout d’au moins trois couches diélectriques distinctes les unes des autres au sein d’un même niveau d’une couche d’un diélectrique. Le substrat 104 ou des niveaux non représentés au-dessus du niveau L1 du dispositif 100 de la FIG. 1 ou 100’ de la FIG. 1 peuvent comprendre des pistes conductrices. Les pistes conductrices peuvent générer des champs électromagnétiques dans le niveau L1. L’avantage des structures obtenues selon les procédés des figures 1A et 1B est que les couches 112, 112’ et 116’ modifient localement le champ électromagnétique et peuvent éviter ou favoriser des interférences. En plus de la formation de l’ouverture 108 dans la couche diélectrique au niveau L1 de la FIG. 1 et/ou des ouvertures 108 et 109 dans la couche diélectrique 106 du niveau L1 de la FIG. 1 , il sera possible de former une ou plusieurs ouvertures dans ces couches pour former des vias conducteurs. Un avantage des procédés des figures 1A et 1B est que des techniques similaires peuvent être utilisées pour toutes les ouvertures, ce qui facilite l’implémentation industrielle de l’invention. La FIG. 2 représente, de façon schématique, une vue en coupe d’un exemple de dispositif électronique 200 avec une structure stratifiée. Le dispositif 200 comprenant quatre niveaux de métallisation M1, M2, M3 et M4 majoritairement constitués d’un matériau conducteur 202, les niveaux M1 et M2 étant séparés par un niveau L1 majoritairement constitué de matériaux diélectriques, les niveaux M2 et M3 étant séparés par un niveau L2 majoritairement constitué de matériaux diélectriques, et les niveaux M3 et M4 étant séparés par un niveau L3 majoritairement constitué de matériaux diélectriques. Les couches diélectriques isolent électriquement les pistes conductrices entre elles et permettent de les délimiter. Le niveau L1 comprend, par exemple, une couche 204 d’un premier matériau diélectrique, et une couche 206 d’un deuxième matériau diélectrique. Le niveau L2 comprend, par exemple, une couche 208 d’un troisième matériau diélectrique, et des couches du matériau conducteur 202. Le niveau L3 comprend, par exemple, une couche 210 du premier matériau diélectrique, et une couche 212 d’un quatrième matériau diélectrique. Le niveau de métallisation M2 comprend par exemple une couche 207 du premier matériau diélectrique traversant la couche du matériau conducteur 202 du niveau M2 et s’étendant entre les couches diélectriques 204 et 208. Le niveau de métallisation M3 comprend par exemple une couche diélectrique 214, par exemple du premier matériau diélectrique, traversant la couche du matériau conducteur 202 du niveau M3 et s’étendant entre les couches diélectriques 208 et 210, et une couche diélectrique 216, par exemple du quatrième matériau diélectrique, traversant la couche du matériau conducteur 202 du niveau M3 et s’étendant entre les couches diélectriques 208 et 212. Les niveaux L1, L2, L3 majoritairement constitués de matériaux diélectriques sont par exemple traversés par des vias 222, 224, 226, 228, c’est-à-dire des couches conductrices reliant deux niveaux de métallisation. Par exemple, le via 222 relie les niveaux M3 et M4, le via 224 relie les niveaux M1 et M2 et les vias 226 et 228 relient les niveaux M2 et M3. Le matériau conducteur 202 est par exemple du cuivre, de l’or, de l’étain, de l’argent ou un alliage de plusieurs de ces matériaux. Les premier, deuxième, troisième et quatrième matériaux diélectriques sont par exemple en résine epoxy, des films de type ABF, en oxyde de silicium, en alumine, en oxyde de tantale ou en oxyde de titane. Les niveaux L1 et L3 sont par exemple obtenus selon le procédé de fabrication de la FIG. 1 ou 1B. Le dispositif 200 comprend par exemple des couches d’au moins deux matériaux diélectriques distincts en contact dans un même niveau et/ou dans deux niveaux diélectriques. Par exemple, dans l’exemple de la FIG. 2 , les couches diélectriques 204, 207 et 208 sont en contact, et les couches diélectriques 208, 216 et 212 sont en contact. La propagation d’un courant électrique au sein d’une piste conductrice réalisée par le matériau conducteur 202 engendre un champ électromagnétique dans les couches de matériaux diélectriques avoisinantes. Les propriétés du champ électromagnétique, par exemple la trajectoire des lignes de champ ou leur amplitude, sont dépendantes des propriétés des matériaux diélectriques traversés, par exemple de leur permittivité diélectrique. Le choix et l’emplacement des couches de matériaux diélectriques peuvent donc être utilisés pour contrôler les champs électromagnétiques émis dans le dispositif 200. Ces champs peuvent contribuer au fonctionnement d’un dispositif, par exemple si le dispositif est une antenne, ou entraver son fonctionnement, par exemple en causant de la diaphonie. Dans l’exemple de la FIG. 2 , le niveau M4 correspond par exemple à un plan de masse du dispositif 200. Des courants électriques traversant les pistes conductrices au niveau des zones 218 et 220 du niveau M3 créent par exemple des champs électromagnétiques dans les couches diélectriques avoisinantes. En particulier, des lignes de champs traversent la couche 210 du premier matériau diélectrique pour relier les zones 218 et 220 du niveau M3 au plan de masse M4. Les champs électromagnétiques issus des zones 218 et 220 peuvent interférer entre eux dans les couches diélectriques et causer une modification du signal électrique transmis par les pistes. Pour pallier à ces effets de diaphonie, les deux pistes conductrices localisées aux zones 218, 220 sont séparées par la couche 212 du quatrième matériau diélectrique dont la permittivité diélectrique est par exemple plus faible que celle des couches 210 avoisinantes de sorte que l’amplitude des champs électromagnétiques soit plus faible dans la couche 212 et ainsi réduire la probabilité de diaphonie. Par exemple, en présence de couches 210 avec une permittivité diélectrique de 4,3, une couche 212 avec une permittivité diélectrique de 3,0 permet une diminution de 25% sur l’énergie de couplage, une couche 212 avec une permittivité diélectrique de 2,0 permet une diminution de 46% sur l’énergie de couplage et une couche d’air à la place de la couche 212 permet une diminution de 71% sur l’énergie de couplage. Cet exemple est illustré plus en détail par les figures 3A et 3B. Un courant électrique se propageant dans les pistes métalliques du niveau M2 crée un champ électromagnétique dans les couches 204, 206 et 208 de matériaux diélectriques des niveaux L1 et L2. Le matériau diélectrique de la couche 206 a par exemple une permittivité diélectrique plus élevée que les matériaux des couches 204 et 208 pour favoriser l’émission des ondes dans cette direction. Par exemple, en présence de couches 204, 208 avec une permittivité diélectrique de 4,3, une couche 206 avec une permittivité diélectrique de 4,8 permet une augmentation de 10% sur l’énergie de couplage, une couche 212 avec une permittivité diélectrique de 5,2 permet une augmentation de 15% sur l’énergie de couplage et une couche 212 avec une permittivité diélectrique de 6,0 permet une augmentation de 30% sur l’énergie de couplage. Cet exemple est illustré plus en détail par la FIG. 4 . La FIG. 3 représente une vue en coupe d’un exemple de dispositif électronique 300 comprenant deux couches 301, 302 de matériaux diélectriques et plusieurs pistes conductrices 304, 304’ et 306. Dans l’exemple de la FIG. 3 , la couche 302 d’un matériau diélectrique sépare les pistes 304 et 304’ de la piste 306. La couche 301 d’un matériau diélectrique, par exemple distinct du matériau diélectrique de la couche 302, recouvre les pistes 304, 304’. Les pistes 304 et 304’ sont dans un premier niveau de métallisation M2 et ne sont pas en contact. La piste 306 est dans un deuxième niveau de métallisation M1 et n’est pas en contact avec les pistes 304 et 304’. La piste 306 correspond par exemple à un plan de masse du circuit électronique. Les pistes 304 et 304’ sont par exemple traversées par des courants électriques engendrant un champ électromagnétique dans la couche 302 du matériau diélectrique entourant les pistes 304 et 304’. Il est par exemple souhaité que les champs générés par deux pistes proches 304, 304’ n’interfèrent pas entre eux. Il est par exemple possible, pour éviter la diaphonie, de séparer les pistes 304 et 304’ par une distance L supérieure au minimum permis par le standard de la technologie et par exemple par une distance environ deux fois supérieure à ce minimum, selon le niveau de courant traversant les pistes, par exemple par au moins 70 micromètres. Les lignes de champ électromagnétiques générées par les pistes 304 et 304’ se créent alors entre ces pistes et la masse 306 en se superposant suffisamment peu pour ne pas interférer. Néanmoins, augmenter la distance entre les pistes électriques signifie augmenter la taille du dispositif ainsi que la quantité de matériaux nécessaire à sa fabrication et son poids. Une solution alternative proposée par les présents inventeurs consiste, comme illustré en FIG. 3 , à intégrer une couche d’un matériau diélectrique aux propriétés diélectriques adaptées à contrôler la trajectoire des lignes de champs électromagnétiques et éviter une potentielle diaphonie. La FIG. 3 représente une vue en coupe de l’exemple du dispositif électronique 300 de la FIG. 3 , comprenant une couche 308 d’un matériau diélectrique supplémentaire. Certains éléments de la figures 3B sont identiques à des éléments de la FIG. 3 et ne seront pas détaillés à nouveau. Un dispositif électronique 300’ comprend deux matériaux diélectriques distincts 302 et 308 dans un niveau L1 de l’empilement et les pistes conductrices 304, 304’ et 306 dans les niveaux de métallisation M1 et M2, de part et d’autre du niveau L1. La couche 301 est formée dans un niveau L2, supérieur au niveau M2. En plus des éléments de la FIG. 3 , une couche 308 d’un deuxième matériau diélectrique est formée au niveau L1 situé entre les niveaux M1 et M2. La composition et les propriétés diélectriques du matériau diélectrique de la couche 308 sont différentes de la composition et des propriétés diélectriques du matériau diélectrique de la couche 302. La couche 308 est par exemple formée selon le procédé de fabrication détaillé en FIG. 1 . Par exemple, la couche 308 est formée entre la face supérieure du niveau M1, en contact avec la piste conductrice 306, et la face inférieure du niveau M2. La largeur de la couche 308 est par exemple égale à la distance L’ séparant les pistes conductrices 304 et 304’ de sorte que la couche 308 soit entre les pistes 304 et 304’ sans se chevaucher avec elles. Les modes de réalisation décrits ne se limitent toutefois pas à l’exemple particulier illustré par la FIG. 3 . Par exemple, le couche 308 pourrait par exemple s’étendre en hauteur dans le niveau M2, entre les deux pistes 304 et 304’. La couche 308 a par exemple une permittivité diélectrique plus faible que le matériau diélectrique 302. La permittivité diélectrique étant plus faible dans la couche 308, les lignes du champ électromagnétique générées par un courant électrique traversant les pistes 304, 304’ verront leur trajectoire déviée pour rester principalement dans le matériau 302. Ainsi, la distance L’ séparant les pistes 304 et 304’ peut être réduite par rapport à la distance L de la FIG. 3 . Par exemple, L’ est égale au minimum permis par les technologies de fabrication de référence, par exemple égale à environ 40 micromètres. La FIG. 4 représente schématiquement une vue en trois dimensions d’un exemple d’une antenne patch 400. Selon un mode de réalisation, il est souhaitable de favoriser des champs électromagnétiques générés dans le dispositif électronique 400. Dans certains modes de réalisation, les champs électromagnétiques sont maitrisés pour contrôler leurs paramètres, par exemple leur amplitude, les trajectoires des lignes de champ, etc., qui sont par exemple adaptés à répondre à certaines normes, par exemple la norme Bluetooth, 5G, etc. L’ajout d’une ou de multiples couches diélectriques permet par exemple d’obtenir un meilleur contrôle des lignes de champ et dans certains cas une amplification du champ obtenu en le guidant. Un avantage de l’ajout d’une ou de multiples couches diélectriques, avec un choix de matériaux appropriés, est de permettre d’intégrer un dispositif en réduisant l’impact d’intégration, c’est-à-dire de préserver les propriétés de fonctionnement du dispositif lors de son intégration, par exemple de préserver le gain associé à une antenne lors de l’intégration du composant. Une antenne 400 comprend par exemple une première piste conductrice 402 dans un premier niveau de métallisation M1, une deuxième piste conductrice 404 dans un deuxième niveau de métallisation M2, et un élément d’antenne 405, représenté en pointillés en FIG. 4 , et pouvant prendre diverses formes selon les types d’ondes à transmettre ou à recevoir par l’antenne patch 400. La piste 402 est par exemple séparée de la piste 404 et de l’élément 405 par une couche diélectrique 406 dans un niveau intermédiaire L1 entre les niveaux M1 et M2. La piste conductrice 402 est par exemple la masse du circuit et la piste conductrice 404 est par exemple traversée par un courant électrique pour émettre ou recevoir un champ électromagnétique par l’élément d’antenne 405. Le niveau M2 comprenant la piste 404 et l’élément est par exemple recouvert par au moins une première couche 408 et une deuxième couche 410 de matériaux diélectriques distincts dans un niveau L2. La composition et les propriétés diélectriques du matériau de la couche 408 sont différentes de la composition et des propriétés diélectriques du matériau des couches 410. Dans certains cas, le matériau de l’une des couches 408 et 410 est identique au matériau 406. Le niveau L2 est par exemple obtenu selon le procédé décrit en relation avec la FIG. 1 ou 1B. La couche 408 du niveau L2 recouvre par exemple au moins partiellement, et de préférence entièrement, l’élément d’antenne 405. La couche 410 entoure par exemple la couche 408 au niveau L2. Les propriétés diélectriques du matériau de la couche 408 sont par exemple choisies pour guider ou amplifier le champ localement. Par exemple, le matériau diélectrique de la couche 408 peut avoir une permittivité diélectrique plus faible que les matériaux diélectriques des couches avoisinantes 406 et 410. Prévoir une permittivité diélectrique du matériau 410 supérieure à celle des couches 406 et 408 permet d’isoler la couche 408 du voisinage direct afin d’être moins susceptible à l’environnement direct et d’intégrer l’antenne 400. Prévoir une permittivité diélectrique du matériau 408 inférieure à celles des couches 406 et 410 permet de favoriser l’émission d’ondes de la couche 408 vers les couches 406, 410 avoisinantes ayant des permittivités diélectriques plus élevées. Ces choix de permittivités diélectriques permettent de guider et amplifier le champ localement. L’antenne patch 400 décrite en relation avec la FIG. 4 est par exemple intégrée dans un appareil électronique, par exemple un téléphone mobile, un ordinateur ou une tablette électronique. Un avantage de prévoir au moins deux couches de matériaux diélectriques distincts les uns des autres dans un même niveau est une meilleure maîtrise des champs électromagnétiques émis dans un circuit électronique afin d’éviter des interférences non souhaitées et de les contrôler lorsqu’elles le sont. Un autre avantage est la compatibilité entre les procédés de fabrication mis en jeu par cette solution et les procédés de fabrications usuels pour les circuits électroniques intégrés. Un autre avantage est une meilleure intégration sans perte de performance. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, le nombre de niveaux et de couches présents dans les différentes figures ne sont que des exemples qui peuvent être étendus à d’autres configurations. Les exemples d’applications décrits dans les figures 2 à 4 illustrent différentes applications des principes décrites de façon non exhaustive. Procédé de fabrication d’une structure stratifiée (100, 100’) comprenant une ou plusieurs pistes métalliques, le procédé comprenant : - le dépôt sur un substrat (104) d’une première couche d’un premier matériau diélectrique (106) ; - la formation d’une ou plusieurs d’ouvertures (108, 109) dans la première couche ; et - le dépôt d’un deuxième matériau diélectrique (112, 112’,116’), avec des propriétés diélectriques distinctes par rapport aux propriétés diélectriques du premier matériau diélectrique, à l’emplacement des ouvertures réalisées dans la première couche. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le premier matériau diélectrique (106) est déposé par laminage. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 2, dans lequel les ouvertures (108, 109) sont formées par imagerie laser directe. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel un masque (110, 110’) est déposé sur la surface du premier matériau diélectrique (106) suite à la formation de l’une ou plusieurs d’ouvertures (108, 109). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le deuxième matériau diélectrique (112, 112’, 116’) est déposé sous forme liquide. Dispositif électronique (100, 100’) avec une structure stratifiée comprenant : - une ou plusieurs pistes métalliques ; - un substrat (104) ; - une première couche d’un premier matériau diélectrique (106) ; et - une deuxième couche d’un deuxième matériau diélectrique (112, 112’) ayant des propriétés diélectriques distinctes du premier matériau, la deuxième couche étant présente dans des ouvertures de la première couche et étant en contact avec la première couche, la première et la deuxième couche étant présentes dans un même niveau du dispositif. Dispositif selon la revendication 6, dans lequel le premier matériau diélectrique (106) est un film de type formation Ajinomoto (« Ajinomoto Buildup Film » – ABF – en anglais). Dispositif selon la revendication 6 ou 7, dans lequel le deuxième matériau diélectrique (112,112’,116) a une permittivité diélectrique plus élevée que le premier matériau diélectrique (106). Dispositif selon la revendication 6 ou 7, dans lequel le deuxième matériau diélectrique (112,112’,116) a une permittivité diélectrique plus faible que le premier matériau diélectrique (106). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 6 à 9, dans lequel la constante diélectrique du deuxième matériau diélectrique est comprise entre 3 et 5. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 6 à 10, dans lequel la première et la deuxième couche sont présentes dans un premier niveau du dispositif, le dispositif comprenant en outre un deuxième niveau comprenant une troisième couche d’un troisième matériau diélectrique, la troisième couche étant en contact avec la première ou la deuxième couche. Antenne (400), comprenant le dispositif selon la revendication 6 ou 10 dans lequel : - une première piste métallique (402) est dans un premier niveau (M1) et une deuxième piste métallique (405) est dans un deuxième niveau (M2) ; et - la première couche (410) du premier matériau diélectrique et la deuxième couche (408) du deuxième matériau diélectrique sont formées dans un troisième niveau (L2) de sorte que la deuxième couche (408) recouvre la deuxième piste métallique (405) et que la constante diélectrique du deuxième matériau diélectrique est inférieure à la constante diélectrique du premier matériau diélectrique ; et comprenant en outre une troisième couche (406) d’un troisième matériau diélectrique formée dans un quatrième niveau (L1) de sorte que le quatrième niveau soit entre le premier niveau (M1) et le deuxième niveau (M2). Antenne (400) selon la revendication 12, dans laquelle la constante diélectrique du troisième matériau diélectrique est supérieure à la constante diélectrique du deuxième matériau diélectrique.