Brevet FR3163489A1 — publié le 20251219

L’invention concerne un procédé de fabrication d’une structure composite comprenant les étapes suivantes : a) la fourniture d’un substrat composite incluant un substrat support et une couche germe en matériau III-V monocristallin disposée sur le substrat support via une interface de collage, le substrat support présentant un coefficient de dilatation thermique différent de celui de la couche germe, et la couche germe présentant un paramètre de maille intrinsèque ; b) la croissance par épitaxie d’un empilement de couches monocristallines de type III-V, dites couches épitaxiées, sur la couche germe, chaque couche épitaxiée présentant un paramètre de maille intrinsèque. Lorsque le coefficient de dilatation thermique du substrat support est inférieur à celui de la couche germe, au moins une couche épitaxiée de l’empilement présente une composition choisie de sorte que son paramètre de maille intrinsèque soit réduit de 200 ppm à 3000 ppm par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe. Lorsque le coefficient de dilatation thermique du substrat support est supérieur à celui de la couche germe, au moins une couche épitaxiée de l’empilement présente une composition choisie de sorte que son paramètre de maille intrinsèque soit augmenté de 200 ppm à 3000 ppm par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe. L’invention concerne également une structure composite. Figure à publier avec l’abrégé : Pas de figure Procédé de fabrication d’une structure composite incluant un empilement de couches en matériaux III-V monocristallins DOMAINE DE L’INVENTION La présente invention concerne le domaine des matériaux semi-conducteurs pour composants microélectroniques. Elle concerne en particulier un procédé de fabrication d’une structure composite comprenant un substrat support et une couche germe en matériau III-V assemblée via une interface de collage et transférée sur ledit substrat support, la croissance d’au moins une couche épitaxiée étant ensuite opérée sur la couche germe. ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Pour la fabrication de certains composants microélectroniques ou optoélectroniques, notamment des transistors HBT et HEMT, des lasers et des photodiodes, il est souhaitable d’utiliser des substrats composites qui procurent une fine couche germe en matériau III-V monocristallin, disposée sur un substrat support, de nature différente de la couche germe, cela pour des raisons économiques ou pour améliorer certaines performances. A titre d’exemple, on peut citer un substrat composite de type InP (phosphure d’indium) sur silicium, dans lequel la couche d’InP monocristalline sert de germe pour la croissance épitaxiale d’un empilement fonctionnel de couches III-V, traditionnellement cru sur un substrat massif d’InP. Le substrat en silicium apporte une robustesse mécanique au substrat composite et permet une optimisation des coûts de matériaux. Les substrats composites peuvent être élaborés de diverses manières, notamment par assemblage (collage) d’un substrat donneur sur le substrat support, et report de la couche germe (issue du substrat donneur) sur ledit substrat support, via des étapes d’amincissement, de délamination, ou encore de séparation le long d’un plan fragile enterré formé dans le substrat donneur, comme cela est notamment le cas dans le procédé Smart Cut, bien connu. Les composants réalisés à partir d’épitaxie III-V sont en général très sensibles à la qualité cristalline de l’empilement fonctionnel de couches, notamment aux défauts cristallins (fautes d’empilement, dislocations,...). Certains défauts cristallins peuvent préexister dans la couche germe, l’épitaxie ne fait alors que les propager dans l’empilement fonctionnel. Des défauts peuvent également être générés lors de la croissance épitaxiale, du fait notamment, d’une mauvaise nucléation initiale, de conditions de croissance (température, pression, flux de gaz, contaminations, ...) non adaptées, ou encore de contraintes mécaniques trop élevées menant à des phénomènes de relaxation irréversibles, en général synonymes de dislocations. Les auteurs ont remarqué que, dans bien des cas, la croissance épitaxiale sur un substrat composite InP sur Si, en lieu et place d’un substrat massif InP, induit des texturations ou ondulations de la surface des couches épitaxiées de la structure composite obtenue. La forme de ces ondulations peut être variable, mais un type de motif fréquemment observé se présente sous forme de quadrillage et est connu sous la dénomination anglaise de « cross hatch ». Ce phénomène se produit également dans les empilements épitaxiés sur substrat massif InP mais aussi dans d’autres systèmes, par exemple sur substrat massif GaAs, ou encore dans des systèmes de type Si/SiGe. Il est en général associé à une problématique de contraintes mécaniques et apparait dans des situations où le paramètre de maille de la couche épitaxiée diffère de celui de la couche germe. Dans ce cas, la couche épitaxiée est en général sous contrainte, et l’énergie emmagasinée dans la couche épitaxiée étant une fonction croissante de l’épaisseur de cette couche, elle finit par relaxer irréversiblement au-delà d’une certaine limite. Il apparaît important de résoudre cette problématique de texturation, et par conséquent de défectivité, des couches épitaxiées sur substrat composite. OBJET DE L’INVENTION La présente invention propose un procédé de fabrication d’une structure composite comprenant une croissance par épitaxie d’un empilement fonctionnel de couches sur la couche germe d’un substrat composite. Le procédé prévoit un ajustement particulier du paramètre de maille intrinsèque d’au moins une couche épitaxiée par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe, en fonction des propriétés de dilatation différentielle du support et de la couche germe du substrat composite. BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTION L’invention concerne un procédé de fabrication d’une structure composite comprenant les étapes suivantes : a) la fourniture d’un substrat composite incluant un substrat support et une couche germe en matériau III-V monocristallin disposée sur le substrat support via une interface de collage, le substrat support présentant un coefficient de dilatation thermique différent de celui de la couche germe, et la couche germe présentant un paramètre de maille intrinsèque ; b) la croissance par épitaxie d’un empilement de couches monocristallines de type III-V, dites couches épitaxiées, sur la couche germe, chaque couche épitaxiée présentant un paramètre de maille intrinsèque. Le procédé de fabrication est remarquable en ce que : - lorsque le coefficient de dilatation thermique du substrat support est inférieur à celui de la couche germe, au moins une couche épitaxiée de l’empilement présente une composition choisie de sorte que son paramètre de maille intrinsèque soit réduit de 200 ppm à 3000 ppm par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe ; - lorsque le coefficient de dilatation thermique du substrat support est supérieur à celui de la couche germe, au moins une couche épitaxiée de l’empilement présente une composition choisie de sorte que son paramètre de maille intrinsèque soit augmenté de 200 ppm à 3000 ppm par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe. Selon d’autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l’invention, prises seules ou selon toute combinaison techniquement réalisable : le matériau III-V monocristallin de la couche germe est un composé binaire, notamment le phosphure d’indium (InP) ou l’arséniure de gallium (GaAs) ; le composé binaire de la couche germe est le phosphure d’indium (InP), le coefficient de dilatation thermique du substrat support est inférieur à celui de la couche germe, et au moins une couche épitaxiée est formée d’un composé ternaire de type In 1-x Ga x P ou In 1-x Al x P, dans lequel x est compris entre 0,0025 et 0,03 ; x est compris entre 0,0075 et 0,025, préférentiellement entre 0,01 et 0,02 ; le composé binaire de la couche germe est le phosphure d’indium (InP), le coefficient de dilatation thermique du substrat support est inférieur à celui de la couche germe, et au moins une couche épitaxiée est formée d’un composé quaternaire de type In 1-x-y Ga x Al y P, dans lequel la somme de x et y est comprise entre 0,0025 et 0,03 ; la somme de x et y est comprise entre 0,0075 et 0,025, préférentiellement entre 0,01 et 0,02 ; le composé binaire de la couche germe est l’arséniure de gallium (GaAs), le coefficient de dilatation thermique du substrat support est inférieur à celui de la couche germe, et au moins une couche épitaxiée est formée d’un composé ternaire de type GaAs 1-z P z dans lequel z est compris entre 0,0025 et 0,08 ; le composé binaire de la couche germe est le phosphure d’indium (InP), le coefficient de dilatation thermique du substrat support est supérieur à celui de la couche germe, et au moins une couche épitaxiée est formée d’un composé ternaire de type InAs w P 1-w dans lequel w est compris entre 0,0025 et 0,03, préférentiellement entre 0,01 et 0,02 ; au moins deux couches épitaxiées de l’empilement présentent des compositions choisies de sorte que leur paramètre de maille intrinsèque soit réduit ou augmenté par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe ; chacune des couches épitaxiées de l’empilement présentent des compositions choisies de sorte que leur paramètre de maille intrinsèque soit réduit ou augmenté par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe ; le substrat support est formé en un matériau monocristallin ou polycristallin choisi parmi le silicium, le saphir, l’arséniure de gallium, le germanium, le nitrure d’aluminium et le carbure de silicium ; l’étape a) comprend les sous-étapes suivantes : la fourniture d’un substrat donneur en matériau III-V monocristallin, présentant une face avant et une face arrière, le collage par adhésion moléculaire de la face avant du substrat donneur sur le substrat support, et l’amincissement de la face arrière du substrat donneur pour obtenir le substrat composite ; l’étape a) comprend les sous-étapes suivantes : a1) la fourniture d’un substrat donneur en matériau III-V monocristallin, a2) la formation d’un plan fragile enterré dans le substrat donneur, délimitant avec une face avant dudit substrat donneur, la couche germe à transférer, a3) le collage par adhésion moléculaire de la face avant du substrat donneur sur le substrat support, a4) la séparation le long du plan fragile enterré pour reporter la couche germe sur le substrat support et obtenir le substrat composite, d’une part, et le reste du substrat donneur, d’autre part. L’invention concerne également une structure composite comprenant : un substrat composite incluant un substrat support et une couche germe en matériau III-V monocristallin disposée sur le substrat support via une interface de collage, le substrat support présentant un coefficient de dilatation thermique différent de celui de la couche germe, la couche germe présentant un paramètre de maille intrinsèque ; un empilement de couches monocristallines de type III-V, dites couches épitaxiées, sur la couche germe, chaque couche épitaxiée présentant un paramètre de maille intrinsèque. Lorsque le coefficient de dilatation thermique du substrat support est inférieur à celui de la couche germe, le paramètre de maille intrinsèque d’au moins une couche épitaxiée de l’empilement est réduit de 200 ppm à 3000 ppm par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe. Lorsque le coefficient de dilatation thermique du substrat support est supérieur à celui de la couche germe, le paramètre de maille intrinsèque d’au moins une couche épitaxiée de l’empilement est augmenté de 200 à 3000 ppm par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe. Préférentiellement, le paramètre de maille intrinsèque de la -au moins une- couche épitaxiée, réduit ou augmenté par rapport au paramètre de maille de la couche germe, est défini par la composition de ladite couche, en particulier par une substitution de 0,25% à 8% d’éléments III ou V par des éléments III ou V respectivement plus petits ou plus grands. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée de l’invention qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquelles : FIG. 1 [Fig. 1b] La FIG. 1 et la [Fig. 1b] présentent respectivement un substrat composite et une structure composite conforme à la présente invention ; FIG. 2 FIG. 2 FIG. 2 FIG. 2 La FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 et la FIG. 2 présentent des sous-étapes de l’étape a) d’un procédé de fabrication conforme à l’invention ; FIG. 3 La FIG. 3 présente l’évolution du paramètre de maille d’une couche d’InP (en particulier du paramètre de maille dans le plan de la couche) en fonction de la température, dans deux cas : [a // - InP massif] où la couche d’InP a été épitaxiée sur un substrat massif également en InP ; [a // - InPOSi] où la couche d’InP est assemblée sur un substrat support en silicium. Les mêmes références sur les figures pourront être utilisées pour des éléments de même type. Certaines figures sont des représentations schématiques qui, dans un objectif de lisibilité, ne sont pas à l’échelle. En particulier, les épaisseurs des couches selon l’axe z ne sont pas à l’échelle par rapport aux dimensions latérales selon les axes x et y ; et les épaisseurs relatives des couches entre elles ne sont pas nécessairement respectées sur les figures. DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION La présente invention concerne un procédé de fabrication d’une structure composite incluant un empilement de couches monocristallines, épitaxiées sur une couche germe 2 faisant partie d’un substrat composite 10. Ainsi, le procédé comprend une étape a) correspondant à la fourniture d’un substrat composite 10 incluant un substrat support 1 et une couche germe 2 disposée sur le substrat support 1 via une interface de collage 3 ( FIG. 1 ). La couche germe 2 est en matériau III-V monocristallin (III : In, Ga, Al, ... ; V : As, P, Sb, ...). Elle présente une épaisseur typiquement comprise entre quelques nanomètres et 2 micromètres, préférentiellement inférieure ou égale à 1000 nm, à 500 nm, à 250 nm, voire à 100 nm. Cette faible épaisseur évite la génération de défauts lors de montées et descentes en température ultérieures, requises pour la fabrication de la structure composite 100, car le substrat support 10 présente un coefficient de dilatation thermique différent de celui de la couche germe 2, supérieur ou inférieur. Rappelons que le coefficient de dilatation thermique d’un matériau dépend de la température. Par souci de simplification, on peut raisonner sur une valeur moyenne de coefficient de dilatation thermique sur la plage d’excursion en températures. Cette plage d’excursion va de la température d’assemblage entre la couche germe 2 et la substrat support 1 (par exemple, température ambiante, environ 20°C) jusqu’à la température d’épitaxie qui varie selon la nature des matériaux épitaxiés. Notons que l’assemblage pourrait également être effectué à plus basse ou haute température, ce qui décalerait la valeur moyenne de coefficient de dilatation thermique calculée. Typiquement, si l’on considère des coefficients de dilatation thermique moyens, le rapport entre le coefficient de dilatation thermique supérieur (celui du substrat support 1 ou de la couche germe 2) et le coefficient de dilatation thermique inférieur (celui du substrat support 1 ou de la couche germe 2) est compris ici entre 1,05 et 2,5. Le substrat support 1 peut présenter une épaisseur comprise entre quelques centaines de micromètres et 800μm. Le matériau III-V monocristallin de la couche germe 2 est avantageusement un composé binaire, en particulier le phosphure d’indium (InP) ou l’arséniure de gallium (GaAs). Le substrat support 1 peut être formé en un matériau monocristallin ou polycristallin choisi parmi le silicium, le saphir, l’arséniure de gallium, le germanium, le carbure de silicium, etc. Le substrat composite 10 peut par exemple être de type InP sur Silicium, InP sur Saphir, InP sur GaAs, InP sur Germanium, InP sur SiC, GaAs sur Silicium, GaAs sur Saphir, GaAs sur Germanium, GaAs sur SiC, etc. La couche germe 2 présente un paramètre de maille intrinsèque. Dans la suite de cette description, le paramètre de maille intrinsèque qualifie le paramètre de maille naturel, à l’état relaxé, du matériau formant la couche en question. Même si la nature de la couche germe 2 et la nature du substrat support 1 sont différentes, la couche germe 2 est dans un état sensiblement relaxé car ladite couche 2 est prélevée d’un substrat donneur 20 massif pour être reportée sur le substrat support 1, et non élaborée par épitaxie sur ce dernier. Le paramètre de maille de la couche germe 2 n’est donc pas liée cristallographiquement à celui du substrat support 1 : les paramètres de maille respectifs de la couche germe 2 et du substrat support 1 sont totalement indépendants. Le paramètre de maille de la couche germe 2, dans le substrat composite 10, est donc égal ou très proche du paramètre de maille intrinsèque du matériau constituant la couche germe 2. Notons que la couche germe 2 pourrait éventuellement présenter un niveau de contrainte non nul du fait de la température d’assemblage sur le substrat support 1, du fait de phénomènes de fluage au niveau du collage ou autres déformations liées au procédé de transfert utilisé pour fabriquer le substrat composite 10. Dans un tel cas, le paramètre de maille réel de la couche germe 2, dans le plan de ladite couche (a // ) pourrait être quelque peu différent du paramètre de maille intrinsèque. A titre d’exemple, si la couche germe 2 est formée en InP, son paramètre de maille intrinsèque à température ambiante est égal à 5,869 Angströms environ ; si la couche germe 2 est formée en GaAs, son paramètre de maille intrinsèque à température ambiante est égal à 5,654 Angströms environ. Le substrat composite 10 est élaboré par une technique de transfert de couche mince, impliquant un assemblage entre ladite couche mince et le substrat support 1 via une interface de collage 3. De manière avantageuse, et en référence au procédé Smart Cut, l’étape a) comprend les sous-étapes suivantes : a1) la fourniture d’un substrat donneur 20 en matériau III-V monocristallin, duquel sera prélevé la couche germe 2, et la fourniture du substrat support 1, dont le coefficient de dilatation thermique diffère de celui du substrat donneur 20 ( FIG. 2 ). Les substrats donneur 20 et support 1 se présentent habituellement sous la forme de plaquettes circulaires, de diamètres pouvant aller de 50mm à 300mm, selon les disponibilités des matériaux ; a2) la formation d’un plan fragile enterré 4 dans le substrat donneur 20, délimitant avec une face avant dudit substrat donneur 20, la couche germe 2 à transférer ( FIG. 2 ) ; a3) le collage par adhésion moléculaire de la face avant du substrat donneur 20 sur le substrat support 1, pour former un ensemble collé 120 incluant une interface de collage 3 entre les deux substrats 20,1 ( FIG. 2 ) ; a4) la séparation le long du plan fragile enterré 4 pour reporter la couche germe 2 sur le substrat support 1 et obtenir le substrat composite 10, d’une part, et le reste du substrat donneur 20’, d’autre part ( FIG. 2 ). La sous-étape a2) peut notamment être opérée par implantation ionique d’espèces légères telles que l’hydrogène et/ou l’hélium. La face avant du substrat donneur 20 et/ou la face avant (assemblée) du substrat support 1 peut(vent) comporter une couche intermédiaire, isolante, conductrice ou semiconductrice, susceptible de faciliter le collage, d’améliorer la qualité et la tenue de l’interface, ou encore de procurer des propriétés d’isolation ou de conduction intéressants pour les futurs composants à élaborer. Des nettoyages et des traitements de surface (polissage, plasma, ...) sont habituellement appliqués aux substrats avant leur assemblage. Pour rappel, le collage direct par adhésion moléculaire (sous-étape a3) ne nécessite pas une matière adhésive, car des liaisons s’établissent à l’échelle atomique entre les surfaces assemblées. Plusieurs types de collage par adhésion moléculaire existent, qui diffèrent notamment par leurs conditions de température, de pression, d’atmosphère ou de traitements préalables à la mise en contact des surfaces. On peut citer le collage à température ambiante avec ou sans activation préalable par plasma des surfaces à assembler, le collage par diffusion atomique (« Atomic diffusion bonding » ou ADB selon la terminologie anglo-saxonne), le collage avec activation de surface (« Surface-activated bonding » ou SAB), etc. La sous-étape a4) de séparation le long du plan fragile enterré s’opère habituellement par l’application d’un traitement thermique à une température comprise entre 100°C et 500°C, selon les matériaux impliqués. Un tel traitement thermique induit le développement des cavités et microfissures dans le plan fragile enterré, et leur mise sous pression par les espèces légères présentes sous forme gazeuse, jusqu’à la propagation d’une fracture le long dudit plan fragile. Alternativement ou conjointement, une sollicitation mécanique peut être appliquée à l’ensemble collé et en particulier au niveau du plan fragile enterré 4, de manière à propager ou aider à propager mécaniquement la fracture menant à la séparation. La surface libre de la couche germe 2 est habituellement rugueuse après séparation. Une sous-étape a5) de finition est préférentiellement appliquée au substrat composite 10, en vue de restaurer la qualité cristalline et l’état de surface de la couche germe 2, et pour consolider l’interface de collage 3. La finition peut comprendre des traitements thermiques, mécaniques et/ou chimiques. Elle vise aussi à rendre la surface de la couche germe 2 compatible avec une croissance par épitaxie d’un empilement de couches monocristallines de type III-V. A ce titre, des traitements de polissage, et de nettoyage en particulier peuvent être utilisés. A titre d’exemple de réalisation, on pourra se reporter à la publication de B. Ghyselen et al "Large-Diameter III–V on Si Substrates by the Smart Cut Process: The 200 mm InP Film on Si Substrate Example”, physica status solidi (a) Volume 219, Issue 4. Alternativement, la technique de transfert de couche mince peut être basée sur un collage et un amincissement mécanique et/ou chimique. L’étape a) peut alors comprendre : - la fourniture d’un substrat donneur 20 en matériau III-V monocristallin, présentant une face avant et une face arrière, - le collage par adhésion moléculaire de la face avant du substrat donneur 20 sur le substrat support 1, pour former un ensemble collé incluant une interface de collage 3 entre les deux substrats 20,1, - l’amincissement de la face arrière du substrat donneur 1 pour obtenir le substrat composite 10. L’amincissement peut être réalisé par toutes techniques connues, incluant le meulage (rectification), le polissage mécanique ou mécano-chimique, et/ou encore la gravure chimique. Le procédé comprend ensuite une étape b) correspondant à une croissance par épitaxie d’un empilement 50 de couches monocristallines de type III-V, dites couches épitaxiées 51,52,53,54, sur la couche germe 2 ([Fig. 1b]). Chaque couche épitaxiée 51,52,53,54, selon sa composition, est caractérisée par un paramètre de maille intrinsèque. Les épitaxies de matériaux III-V, en particulier les épitaxies réalisées sur substrats à base d’InP ou de GaAs, se font habituellement à des températures comprises entre 500°C et 700°C, selon la technique d’épitaxie utilisée, par exemple, le dépôt en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD pour « Metal Organic Chemical Vapor Deposition ») ou l’épitaxie par jet moléculaire (MBE pour « Molecular Beam Epitaxy »). Les couches épitaxiées pourront être formées de composés III-V binaires, ternaires, quaternaires, voire comprenant plus de quatre éléments, arrangées selon un empilement fonctionnel pour l’élaboration de composants microélectroniques tels que des transistors HBT et HEMT, des lasers ou des photodiodes. Par exemple, pour élaborer une photodiode dans les courtes longueurs d’onde IR (SWIR pour « short wavelength infrared » selon la terminologie anglosaxonne) de structure PIN, il est connu de réaliser un empilement de couches tel que ci-dessous, par épitaxie sur un substrat massif en InP, suivant l’ordre indiqué (1 = première couche déposée sur le substrat massif, 2 = deuxième couche déposée sur la première couche, etc) : InP, dopé N, d’une épaisseur typique de 300 à 500 nm ; In 0,53 Ga 0,47 As, intrinsèque, d’une épaisseur typique de 2,5 à 3 µm ; InP, dopé P, d’une épaisseur de 0,5 à 1µm ; In 0,53 Ga 0,47 As, dopé P, d’une épaisseur typique de 30 à 100 nm. Le composé ternaire In 0,53 Ga 0,47 As procure un parfait accord de maille avec l’InP, évitant le développement de contraintes dans les couches lors de la croissance épitaxiale de l’empilement sur le substrat massif InP. Dans le cadre de la présente invention, du fait de la différence de dilatation thermique entre la couche germe 2 et le substrat support 1, certaines conditions sont requises pour le paramètre de maille intrinsèque de tout ou partie des couches épitaxiées 51,52,53,54 de l’empilement 50 formé au cours de l’étape b). Selon un premier aspect , lorsque le coefficient de dilatation thermique du substrat support 1 est inférieur à celui de la couche germe 2, au moins une couche épitaxiée de l’empilement 50 présente une composition choisie de sorte que son paramètre de maille intrinsèque soit réduit de 200 ppm (soit 0,020%) à 3000 ppm (soit 0,3%) par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe 2. Dans certains cas particuliers, la réduction du paramètre de maille intrinsèque de la couche épitaxiée peut être comprise entre 500 ppm et 2500 ppm, entre 750 ppm et 1800 ppm, voire entre 900ppm et 1300ppm. Ainsi, à la température d’épitaxie, la couche germe 2, dont le paramètre de maille dans le plan (a // ) est sensiblement réduit du fait de la plus faible dilatation du substrat support 1, se trouve être favorable à la croissance de la couche épitaxiée 51,52,53,54 choisie avec un paramètre de maille intrinsèque décalé. A titre d’illustration, considérons un substrat composite 100 en InP sur Si (InPOSi). Entre la température ambiante (ou plus largement les basses températures auxquelles l’assemblage de la couche germe 2 et du substrat support 1 peut avoir lieu) et la température typique d’épitaxie sur l’InP (soit de 500 à 650°C), le silicium se dilate environ d’un peu plus de moitié par rapport à l’InP. Dans un modèle simplifié, en considérant d’une part l’écart entre les coefficients de dilatation thermique moyens du Si et de l’InP (écart moyen de l’ordre de 2 à 3E-6) et d’autre part l’amplitude en température entre la température d’épitaxie et la température ambiante (amplitude de l’ordre de 600°C), le calcul montre que le paramètre de maille de la couche d’InP peut être affecté (par rapport à de l’InP relaxé massif) de l’ordre de 900 à 1300 ppm ( FIG. 3 ). Bien que cet ordre de grandeur soit issu d’un calcul extrêmement simplifié, et ne tienne pas compte des conditions exactes de croissance (température, techniques de croissance, présence d’autres sources de contraintes, …) ni de la composition exacte de l’empilement épitaxié (nature, épaisseur, coefficient de dilatation thermique de chacune des couches qui le composent), la demanderesse a observé que le choix d’une ou plusieurs couches épitaxiées 51,52,53,54 présentant un décalage de paramètre de maille intrinsèque de cet ordre de grandeur, par rapport à la couche germe 2, apportait un effet particulièrement bénéfique à la qualité des couches épitaxiées obtenues. Le calcul simplifié ne tient pas plus compte d’autres compromis que l’on pourrait chercher à faire. Par exemple, à la redescente en température après épitaxie, des effets inverses peuvent rentrer en jeu, toujours sur la base des différences de coefficient de dilatation thermique entre les couches en matériaux III-V et le substrat support 1. Reprenons le cas d’un substrat composite 10 de type InP/Si. A la redescente en température, l’effet est que les couches épitaxiées 51,52,53,54 se retrouvent désormais en tension. Si l’ajustement de composition de la couche épitaxiée (décalage du paramètre de maille intrinsèque), ajustement bénéfique pour traiter les ondulations et le « cross-hatch » lors de l’épitaxie, est trop important, la mise en tension au refroidissement peut être à l’inverse trop forte et mener à l’endommagement mécanique de l’empilement épitaxié (craquelures et fissures dans le cas de la mise en tension). C’est pourquoi les auteurs préconisent de ne faire, dans certains cas, qu’une partie du chemin dans le décalage du paramètre de maille intrinsèque de la couche épitaxiée par rapport à la couche germe 2. Ainsi, un ajustement seulement partiel de la composition peut être souhaité. A l’inverse, d’autres effets, comme la présence d’une autre source de contrainte (par exemple, état de contrainte de la couche germe 2 qui éloignerait sensiblement le paramètre de maille dans le plan (a // ) réel de cette couche du paramètre de maille intrinsèque) pourrait pousser à renforcer l’amplitude de la compensation par rapport à ce même calcul simplifié. Ainsi, même si une réduction de la contrainte de l’ordre de 900-1300ppm apparait comme une bonne valeur cible en première approximation, une plage de réduction plus large doit être considérée, selon les cas spécifiques réels, de 200 à 3000 ppm. Ainsi, à partir d’un substrat composite 10 de type InP sur silicium, avec une couche germe 2 en InP de 0,2μm d’épaisseur et un substrat support 1 en silicium de 525μm d’épaisseur (par exemple pour un substrat composite de 100mm de diamètre), on peut réaliser notamment un empilement de couches 50 tel que ci-dessous, pour former une structure composite 100 conforme à la présente invention : In 0,985 Ga 0,015 P, dopé N, d’une épaisseur de 300 à 500 nm ; In 0,515 Ga 0,485 As, intrinsèque, d’une épaisseur de 2.5 à 3μm ; In 0,985 Ga 0,015 P, dopé P, d’une épaisseur de 0.5 à 1μm ; In 0,515 Ga 0,485 As ou In 0,53 Ga 0,47 As, dopé P, d’une épaisseur de 50 à 100 nm. Dans cet exemple, comparativement à l’empilement classique sur InP massif décrit précédemment pour la fabrication d’une photodiode SWIR, la première couche épitaxiée 51 est un composé ternaire In 0,985 Ga 0,015 P, résultant du fait que 1,5% des atomes d’indium a été remplacé par des atomes de gallium, induisant une réduction du paramètre de maille intrinsèque de la première couche épitaxiée d’environ 900-1300ppm par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe 2 (InP). Dans la deuxième couche épitaxiée 52, la composition en indium de l’élément III a également été diminuée de 1,5% (exprimée en % par rapport à la totalité de l’élément III), au profit du gallium, par rapport au composé In 0,53 Ga 0,47 As appairé à l’InP en paramètre de maille intrinsèque, soit un composé final In 0,515 Ga 0,485 As ; la réduction de paramètre de maille de la deuxième couche épitaxiée par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe 2 est de l’ordre de 900-1300 ppm. La troisième couche épitaxiée 53 a été choisie identique à la première 51, avec la même réduction de paramètre de maille. Enfin, la quatrième couche épitaxiée 54 peut être décalée ou non en paramètre de maille ; son épaisseur étant faible, elle sera moins susceptible de développer des contraintes menant à une relaxation irréversible. La photodiode SWIR fabriquée à partir de cette structure composite 100 est parfaitement fonctionnelle et performante du fait de la qualité cristallographique des couches épitaxiées 51,52,53,54 de l’empilement 50, dépourvues de défauts et dislocations liés à une texturation en quadrillage (« cross hatch »). Dans cet exemple particulier, trois (au moins) des quatre couches épitaxiées 51,52,53,54 présentent une composition choisie de sorte que leur paramètre de maille intrinsèque soit réduit d’environ 0,09% - 0,13% par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe 2. Alternativement, il pourrait être envisagé de réduire le paramètre de maille intrinsèque de la deuxième couche épitaxiée 52 uniquement (en choisissant le composé In 0,515 Ga 0,485 As) et de conserver les première, troisième et quatrième couches épitaxiées 51,53,54 de l’empilement classique habituellement fait sur InP. Ou encore, il pourrait être choisi de réduire le paramètre de maille intrinsèque de la première 51 et de la troisième 53 couche épitaxiée, et de conserver la deuxième 52 et la quatrième 54 couche épitaxiée de l’empilement classique. Plus généralement, pour réduire le paramètre de maille intrinsèque d’un composé III-V, il est possible de substituer une certaine proportion d’éléments III par un élément III plus petit. Dans le cas de l’InP, la substitution de 0,3% à 4% des atomes d’indium par du gallium ou de l’aluminium permet une réduction du paramètre de maille intrinsèque de la couche d’environ 200 ppm à 3000 ppm par rapport au paramètre de maille intrinsèque de l’InP. Pour une couche germe 2 formée en InP (composé binaire), une couche épitaxiée 51,52,53,54 peut avantageusement consister en un composé ternaire, tel que le In 1-x Ga x P ou le In 1-x Al x P, dans lequel x est compris entre 0,003 et 0,04 (0,3% à 4%), entre 0,006 et 0,03 (0,6% à 3%), voire entre 0,01 et 0,02 (1% à 2%). Toujours pour une couche germe en InP (composé binaire), une couche épitaxiée 51,52,53,54 peut avantageusement consister en un composé quaternaire, tel que le In 1-x-y Ga x Al y P dans lequel la somme de x et y est comprise entre 0,003 et 0,04 (0,3% à 4%), entre 0,006 et 0,03 (0,6% à 3%), voire entre 0,01 et 0,02 (1% à 2%). D’autres compositions sont également possibles, faisant intervenir une substitution de l’élément V par un élément V plus petit (par exemple substitution d’une certaine proportion d’arsenic par du phosphore). Par exemple, considérant une couche de InGaAs (par exemple In 0,53 Ga 0,47 As) dont on souhaiterait réduire le paramètre de maille intrinsèque par rapport au paramètre de maille intrinsèque de l’InP, il est envisageable de remplacer des atomes As par des atomes P, pour former un composé quaternaire de type InGaAs 1-x P x , dans lequel x est compris entre 0,003 et 0,04 (0,3% à 4%), entre 0,006 et 0,03 (0,6% à 3%), voire entre 0,01 et 0,02 (1% à 2%). On peut citer à titre d’exemple le composé In 0,53 Ga 0,47 As 0,985 P 0,015 dont le paramètre de maille intrinsèque est réduit de 900-1300 ppm par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe 2 en InP. Il est également envisageable de jouer à la fois sur les éléments III et les éléments V et former un composé quaternaire de type In 1-x Ga x As 1-z P z , dans lequel x et z sont respectivement compris entre 0,003 et 0,04 (0,3% à 4%), entre 0,006 et 0,03 (0,6% à 3%), voire entre 0,01 et 0,02 (1% à 2%). Citons à titre d’exemple le composé In 0,52 Ga 0,48 As 0,99 P 0,01 dont le paramètre de maille intrinsèque est réduit de 900-1300 ppm par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe 2 en InP. Ces règles et proportions de substitution s’appliquent également aux composés ternaires (comme illustré dans l’exemple précédent, avec la troisième couche épitaxiée 53), quaternaires ou comportant plus de quatre éléments, dont le paramètre de maille intrinsèque est appairé à celui de l’InP et que l’on viserait à réduire dans l’empilement de couches 50 de la structure composite 100, comme InAlAs, InGaAsP, etc. Le point commun reste un décalage de composition au sein de l’empilement 50 de couches épitaxiées 51,52,53,54, pour migrer vers des compositions à paramètre de maille intrinsèque de 200ppm à 3000ppm en-dessous de celui de l’InP, voire plus particulièrement réduit de 500 ppm à 2500 ppm, voire de 750 ppm à 1800 ppm par rapport à celui de l’InP. En jouant sur des substitutions entre les différents éléments III et V autant que possible, les variations de composition en chacun de ces éléments III et/ou éléments V restent limitées de l’ordre du % à quelques %, comme évoqué précédemment. Dans le cas d’une couche germe 2 en GaAs, par exemple pour l’utilisation d’un substrat composite 10 GaAs sur Si, le raisonnement est globalement le même que lorsque la couche germe 2 est en InP. Mais l’écart de coefficient de dilatation thermique étant plus important entre l’arséniure de gallium et le silicium (comparativement au système InP sur silicium), on choisira préférentiellement une réduction sensiblement supérieure du paramètre de maille intrinsèque de tout ou partie des couches épitaxiées 51,52,53,54, idéalement comprise entre 1200 ppm et 1800 ppm et plus largement une fenêtre comprise entre 750 ppm et 3000 ppm. Cette réduction de paramètre de maille correspondrait typiquement à une substitution de 2% à 8% des atomes d’arsenic par du phosphore, voire comprise entre 3% et 5% environ. Citons à titre d’exemple le composé ternaire GaAs 0,96 P 0,04 dont le paramètre de maille intrinsèque est réduit d’environ 1300 - 1600 ppm par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe 2 en GaAs. Comme dans le cas de la couche germe 2 en InP, ces ajustements peuvent être réalisés par nombre de combinaisons sur les éléments III et les éléments V. Plus généralement, lorsque le composé binaire de la couche germe 2 est l’arséniure de gallium (GaAs) et que le coefficient de dilatation thermique du substrat support 1 est inférieur à celui de la couche germe 2, au moins une couche épitaxiée 51,52,53,54 peut être formée d’un composé ternaire de type GaAs 1-z P z dans lequel z est compris entre 0,0025 et 0,08, de sorte que son paramètre de maille intrinsèque soit réduit de 200 ppm à 3000 ppm par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe 2. Selon un deuxième aspect , lorsque le coefficient de dilatation thermique du substrat support 1 est supérieur à celui de la couche germe 2, au moins une couche épitaxiée 51,52,53,54 de l’empilement 50 présente une composition choisie de sorte que son paramètre de maille intrinsèque soit augmenté de 200 à 3000 ppm par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe 2. Dans certains cas particuliers, l’augmentation du paramètre de maille intrinsèque de la couche épitaxiée 51,52,53,54 peut être compris entre 250 ppm et 2000 ppm, voire entre 300 ppm et 800 ppm. Ici encore, à la température d’épitaxie, la couche germe 2, dont le paramètre de maille dans le plan (a // ) est sensiblement augmenté du fait de la plus forte dilatation du substrat support 1, se trouve être favorable à la croissance de la couche épitaxiée 51,52,53,54 dont le paramètre de maille intrinsèque a été intentionnellement décalé. Ainsi, à partir d’un substrat composite 10 de type InP sur GaAs, avec une couche germe 2 en InP de 0,2 μm d’épaisseur, on peut réaliser notamment un empilement 50 de couches tel que ci-dessous, pour former une structure composite 100 conforme à la présente invention : InAs 0,007 P 0.993 , dopé N, d’une épaisseur de 300 à 500 nm ; In 0,537 Ga 0,463 As, intrinsèque, d’une épaisseur de 2.5 à 3μm ; InAs 0,007 P 0.9993 , dopé P, d’une épaisseur de 0.5 à 1μm ; In 0,537 Ga 0,463 As ou In 0,53 Ga 0,55 As, dopé P, d’une épaisseur de 50 à 100 nm. Dans cet exemple, la première couche épitaxiée est un composé ternaire, dans lequel 0,7% des atomes de phosphore a été remplacé par des atomes d’arsenic, induisant une augmentation du paramètre de maille intrinsèque de la première couche épitaxiée 51 (InAs 0,007 P 0.993 ) d’environ 400-600ppm par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe 2 (InP). Dans la deuxième couche épitaxiée 52, la composition en indium du composé ternaire a également été augmentée de 0,7% (exprimée en % par rapport à la totalité de l’élément V), par rapport au composé In 0,53 Ga 0,47 As appairé à l’InP en paramètre de maille intrinsèque, soit un composé final In 0,537 Ga 0.463 As ; l’augmentation de paramètre de maille intrinsèque de la deuxième couche épitaxiée 52 par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe 2 est de l’ordre de 400-600 ppm. La troisième couche épitaxiée 53 a été choisie identique à la première, avec la même augmentation de paramètre de maille. Enfin, la quatrième couche épitaxiée 54 peut être décalée ou non, son épaisseur étant faible, elle sera moins susceptible de développer des contraintes menant à une relaxation irréversible. La photodiode SWIR fabriquée à partir de cette structure composite 100 est parfaitement fonctionnelle et performante du fait de la qualité cristallographique des couches épitaxiées 51,52,53,54 de l’empilement 50, dépourvus de défauts et dislocations liés à une texturation en quadrillage (« cross hatch »). Dans cet exemple particulier, trois (au moins) des quatre couches épitaxiées 51,52,53,54 présentent une composition choisie de sorte que leur paramètre de maille intrinsèque soit augmenté d’environ 0,04% - 0,06% par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe 2. Alternativement, il pourrait être envisagé d’augmenter le paramètre de maille intrinsèque d’une ou de deux des couches épitaxiées 51,52,53,54 ; par exemple, on peut décaler le paramètre de maille intrinsèque de la deuxième couche épitaxiée 52 uniquement (en choisissant le composé In 0,537 Ga 0,463 As) et conserver les première, troisième et quatrième couches épitaxiées 51,53,54 de l’empilement classique habituellement fait sur InP. Plus généralement, pour augmenter le paramètre de maille relaxé d’un composé III-V, il est possible de substituer une certaine proportion d’éléments III et/ou V par respectivement un élément III et/ou V plus grand. Les proportions de substitution demeurent dans les mêmes gammes que selon le premier aspect de l’invention, à savoir de l’ordre du % à quelques %, typiquement entre 0,3% et 8% (exprimé en % par rapport à la totalité de l’élément III et/ou V), pour atteindre une augmentation du paramètre de maille intrinsèque de la couche épitaxiée de 200 ppm à 3000 ppm par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe 2. Selon le premier et le deuxième aspect, l’invention propose un décalage des compositions traditionnelles au niveau de l’épitaxie III-V de manière à favoriser la qualité de la croissance épitaxiale de l’empilement 50 sur la couche germe 2 du substrat composite 10. La -au moins une- couche épitaxiée 51,52,53,54 dont le paramètre de maille intrinsèque est décalé par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe 2 peut être la couche de l’empilement 50 crue directement sur la couche germe 2 (appelée première couche épitaxiée 51) ou une n ième couche épitaxiée 52,53,54 de l’empilement 50. Tout ou partie des couches épitaxiées 51,52,53,54 de l’empilement 50 peuvent présenter des compositions choisies de sorte que leur paramètre de maille intrinsèque soit réduit ou augmenté par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe 2. Avantageusement, les couches épitaxiées qui présentent une épaisseur supérieure à 500 nm, supérieure à 250 nm, voire supérieure à 100 nm, voient leurs compositions ajustées de sorte que leurs paramètres de maille intrinsèques soient décalés (à la baisse ou à la hausse selon le cas) par rapport au paramètre de maille de la couche germe 2, selon la nature du substrat composite 10. L’invention concerne également une structure composite 100 comprenant : - le substrat composite 10 qui inclut le substrat support 1 et la couche germe 2 en matériau III-V monocristallin disposée sur le substrat support 1 via une interface de collage 3, le substrat support 1 présentant un coefficient de dilatation thermique différent de celui de la couche germe 2, et la couche germe 2 présentant un paramètre de maille intrinsèque ; - l’empilement 50 de couches monocristallines de type III-V, dites couches épitaxiées 51,52,53,54, sur la couche germe 2, chaque couche épitaxiée présentant un paramètre de maille intrinsèque. Dans la structure composite 100, au moins une couche épitaxiée 51,52,53,54 de l’empilement 50 est choisie de sorte qu’elle présente un paramètre de maille intrinsèque réduit de 200 ppm à 3000 ppm par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe 2, lorsque le coefficient de dilatation thermique du substrat support 1 est inférieur à celui de la couche germe 2. Lorsque le coefficient de dilatation thermique du substrat support 1 est supérieur à celui de la couche germe 2, au moins une couche épitaxiée de l’empilement 50 est choisie de sorte que son paramètre de maille intrinsèque soit augmenté de 200 à 3000 ppm par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe 2. Selon un mode de réalisation préféré, le paramètre de maille intrinsèque de la -au moins une- couche épitaxiée 51,52,53,54, réduit ou augmenté par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe 2, est défini par la composition de ladite couche, en particulier sur une substitution de 0,3% à 8% d’éléments III ou V par des éléments III ou V respectivement plus petits ou plus grands. Un exemple de structure composite 100 peut être donné pour la fabrication d’un transistor bipolaire à hétérojonction, à base d’InP. Un empilement de douze couches épitaxiées sur un substrat massif en InP intrinsèque, tel que ci-dessous, a été décrit par Sara Hamzeloui et al (« High power InP/Ga(In)AsSb DHBTs for millimeter-wave Pas : 14.5 dBm output power and 10.4 mw/μm 2 power density at 94 GHz », IEEE Journal of Microwaves, Oct 2022) pour la fabrication d’un transistor InP/GaAsSb DHBT (« double hetero-junction bipolar transistor ») : 1. InP, dopé Si : 2,8 E 19/cm 3 , 300nm 2. Ga 0,47 In 0,53 As, dopé Si : 3 E 19/cm 3 , 20nm 3. InP, dopé Si : 2,8 E 19/cm 3 , 50nm 4. InP, dopé Si : 9,1 E 16/cm 3 , 125nm 5. GaAs 0,41 Sb 0,59 GaAs 0,58 Sb 0,42 , dopé C : 8,6 E 19/cm 3 , 20nm 6. Ga 0,22 In 0,78 P, dopé Si:2,5 E 16/cm 3 , 5nm 7. Ga 0,22 In 0,78 P InP, dopé Si:2,5 E 16/cm 3 , 10nm 8. InP, dopé Si : 2,5 E 16/cm 3 , 5nm 9. InP, dopé Si : 1,5 E 19/cm 3 , 130nm 10. Ga 0,47 In 0,53 As, dopé Si:3,8E19/cm 3 , 20nm 11. Ga 0,47 In 0,53 As Ga 0,25 In 0,75 As, dopé Si : 3,8 E 19/cm 3 , 10nm 12. Ga 0,25 In 0,75 As, dopé Si : 3,8 E 19/cm 3 , 5nm. Sur un substrat composite 10 de type InP sur silicium, avec une couche germe 2 en InP de 0,2μm d’épaisseur et un substrat support 1 en silicium de 525 μm d’épaisseur (par exemple pour un substrat composite de diamètre 100mm), un empilement 50 approchant de couches épitaxiées peut être réalisé, la différence résidant dans le fait qu’au moins l’une des douze couches épitaxiées voit sa composition modifiée de sorte que son paramètre de maille intrinsèque soit réduit par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe 2 en InP de 200 ppm à 3000 ppm, préférentiellement d’environ 900-1300ppm. Selon une variante, la première couche d’épaisseur 300nm peut être la seule dont le paramètre de maille intrinsèque est réduit : on choisira par exemple une couche InGaP à la place d’une couche en InP, avec une teneur en Ga comprise entre 1,0% et 1,5% venant se substituer à l’In, en particulier In 0,985 Ga 0,015 P ou In 0,988 Ga 0,012 P. Selon une autre variante, tout ou partie des couches à base d’InP (couches référencées 1,3,4,7,8,9 ci-dessus) sont modifiées en composition de sorte que leur paramètre de maille intrinsèque soit réduit dans la gamme selon l’invention. Parmi ces cas, citons le cas particulier où seule la couche InP référencée 1 est modifiée. A l’inverse, une autre variante consiste à ne modifier que des couches (toutes ou une partie d’entre elles) qui ne sont pas de l’InP. Enfin, selon encore une autre variante, toute ou une majorité des douze couches de l’empilement 50 sont ajustées en composition de manière à présenter un paramètre de maille intrinsèque réduit dans la gamme préconisée. Le procédé de fabrication d’une structure composite 100 selon l’invention résout la problématique de texturation, et par conséquent de défectivité, des couches épitaxiées sur substrat composite 10, du fait de l’ajustement particulier du paramètre de maille intrinsèque d’au moins une couche épitaxiée 51,52,53,54 de la structure composite 100 par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe 2, en fonction des propriétés de dilatation différentielle du support 1 et de la couche germe 2 du substrat composite 10. La structure composite 100 obtenue est ainsi formée de couches épitaxiées présentant une excellente qualité cristallographique, dépourvues de défauts et dislocations liés à une texturation en quadrillage (« cross hatch »). L’invention permet de minimiser les contraintes dans l’empilement épitaxial 50. Comme déjà décrit plus tôt, la solution proposée ici est caractérisée en particulier en ce qu’elle ne remet pas en cause la nature (constituants, composition, dopage) de la couche germe 2, qui, par exemple dans un substrat InPOSi, reste de l’InP (binaire). Elle se différencie en particulier de solutions qui consisteraient à changer la composition de cette couche germe elle-même, en substituant au moins une partie de l’un au moins des deux éléments In et P par d’autres éléments III ou V (ou autres) pour adresser la problématique de contrainte dans le substrat composite. Ceci aurait pour effet de provoquer une migration au niveau du substrat lui-même vers des matériaux ternaires ou quaternaires ou plus, pour la couche germe, compliquant significativement les procédés de fabrication du substrat composite. Bien entendu, l’invention n’est pas limitée aux modes de réalisation et aux exemples décrits, et on peut y apporter des variantes de réalisation sans sortir du cadre de l’invention. Procédé de fabrication d’une structure composite (100) comprenant les étapes suivantes : a) la fourniture d’un substrat composite (10) incluant un substrat support (1) et une couche germe (2) en matériau III-V monocristallin disposée sur le substrat support (1) via une interface de collage (3), le substrat support (1) présentant un coefficient de dilatation thermique différent de celui de la couche germe (2), et la couche germe (2) présentant un paramètre de maille intrinsèque ; b) la croissance par épitaxie d’un empilement (50) de couches monocristallines de type III-V, dites couches épitaxiées (51,52,53,54), sur la couche germe (2), chaque couche épitaxiée (51,52,53,54) présentant un paramètre de maille intrinsèque ; le procédé de fabrication étant caractérisé en ce que : - lorsque le coefficient de dilatation thermique du substrat support (1) est inférieur à celui de la couche germe (2), au moins une couche épitaxiée (51,52,53,54) de l’empilement (50) présente une composition choisie de sorte que son paramètre de maille intrinsèque soit réduit de 200 ppm à 3000 ppm par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe (2) ; - lorsque le coefficient de dilatation thermique du substrat support (1) est supérieur à celui de la couche germe (2), au moins une couche épitaxiée (51,52,53,54) de l’empilement (50) présente une composition choisie de sorte que son paramètre de maille intrinsèque soit augmenté de 200 ppm à 3000 ppm par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe (2). Procédé de fabrication selon la revendication 1, dans lequel le matériau III-V monocristallin de la couche germe (2) est un composé binaire, notamment le phosphure d’indium (InP) ou l’arséniure de gallium (GaAs). Procédé de fabrication selon la revendication 2, dans lequel le composé binaire de la couche germe (2) est le phosphure d’indium (InP), le coefficient de dilatation thermique du substrat support (1) est inférieur à celui de la couche germe (2), et au moins une couche épitaxiée (51,52,53,54) est formée d’un composé ternaire de type In 1-x Ga x P ou In 1-x Al x P, dans lequel x est compris entre 0,0025 et 0,03. Procédé de fabrication selon la revendication 3, dans lequel x est compris entre 0,0075 et 0,025, préférentiellement entre 0,01 et 0,02. Procédé de fabrication selon la revendication 2, dans lequel le composé binaire de la couche germe (2) est le phosphure d’indium (InP), le coefficient de dilatation thermique du substrat support (1) est inférieur à celui de la couche germe (2), et au moins une couche épitaxiée (51,52,53,54) est formée d’un composé quaternaire de type In 1-x-y Ga x Al y P, dans lequel la somme de x et y est comprise entre 0,0025 et 0,03. Procédé de fabrication selon la revendication 5, dans lequel la somme de x et y est comprise entre 0,0075 et 0,025, préférentiellement entre 0,01 et 0,02. Procédé de fabrication selon la revendication 2, dans lequel le composé binaire de la couche germe (2) est l’arséniure de gallium (GaAs), le coefficient de dilatation thermique du substrat support (1) est inférieur à celui de la couche germe (2), et au moins une couche épitaxiée (51,52,53,54) est formée d’un composé ternaire de type GaAs 1-z P z dans lequel z est compris entre 0,0025 et 0,08. Procédé de fabrication selon la revendication 2, dans lequel le composé binaire de la couche germe (2) est le phosphure d’indium (InP), le coefficient de dilatation thermique du substrat support (1) est supérieur à celui de la couche germe (2), et au moins une couche épitaxiée (51,52,53,54) est formée d’un composé ternaire de type InAs w P 1-w dans lequel w est compris entre 0,0025 et 0,03, préférentiellement entre 0,01 et 0,02. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel au moins deux couches épitaxiées (51,52,53,54) de l’empilement (50) présentent des compositions choisies de sorte que leur paramètre de maille intrinsèque soit réduit ou augmenté par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe (2). Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel chacune des couches épitaxiées (51,52,53,54) de l’empilement (50) présentent des compositions choisies de sorte que leur paramètre de maille intrinsèque soit réduit ou augmenté par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe (2). Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le substrat support (1) est formé en un matériau monocristallin ou polycristallin choisi parmi le silicium, le saphir, l’arséniure de gallium, le germanium, le nitrure d’aluminium et le carbure de silicium. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’étape a) comprend les sous-étapes suivantes : - la fourniture d’un substrat donneur (20) en matériau III-V monocristallin, présentant une face avant et une face arrière, - le collage par adhésion moléculaire de la face avant du substrat donneur (20) sur le substrat support (1), - l’amincissement de la face arrière du substrat donneur pour obtenir le substrat composite (10). Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’étape a) comprend les sous-étapes suivantes : a1) la fourniture d’un substrat donneur (20) en matériau III-V monocristallin, a2) la formation d’un plan fragile enterré (4) dans le substrat donneur (20), délimitant avec une face avant dudit substrat donneur, la couche germe (2) à transférer, a3) le collage par adhésion moléculaire de la face avant du substrat donneur (20) sur le substrat support (1), a4) la séparation le long du plan fragile enterré (4) pour reporter la couche germe (2) sur le substrat support (1) et obtenir le substrat composite (10), d’une part, et le reste (20’) du substrat donneur, d’autre part. Structure composite (100) comprenant : - un substrat composite (10) incluant un substrat support (1) et une couche germe (2) en matériau III-V monocristallin disposée sur le substrat support (1) via une interface de collage (3), le substrat support (1) présentant un coefficient de dilatation thermique différent de celui de la couche germe (2), et la couche germe (2) présentant un paramètre de maille intrinsèque ; - un empilement (50) de couches monocristallines de type III-V, dites couches épitaxiées (51,52,53,54), sur la couche germe (2), chaque couche épitaxiée (51,52,53,54) présentant un paramètre de maille intrinsèque ; dans laquelle, - lorsque le coefficient de dilatation thermique du substrat support (1) est inférieur à celui de la couche germe (2), le paramètre de maille intrinsèque d’au moins une couche épitaxiée (51,52,53,54) de l’empilement (50) est réduit de 200 ppm à 3000 ppm par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe (2) ; - lorsque le coefficient de dilatation thermique du substrat support (1) est supérieur à celui de la couche germe (2), le paramètre de maille intrinsèque d’au moins une couche épitaxiée (51,52,53,54) de l’empilement (50) est augmenté de 200 à 3000 ppm par rapport au paramètre de maille intrinsèque de la couche germe (2). Structure composite (100) selon la revendication précédente, dans laquelle le paramètre de maille intrinsèque de la -au moins une- couche épitaxiée (51,52,53,54), réduit ou augmenté par rapport au paramètre de maille de la couche germe (2), est défini par la composition de ladite couche, en particulier par une substitution de 0,25% à 8% d’éléments III ou V par des éléments III ou V respectivement plus petits ou plus grands.