Brevet FR3153708A1 — publié le 20250404

La présente invention se rapporte à un dispositif à ondes élastiques comprenant un matériau piézoélectrique avec des premiers domaines d’une première direction de polarisation et des deuxièmes domaines avec une deuxième direction de polarisation, la première direction étant opposée à la deuxième direction, dans laquelle les premiers et deuxièmes domaines sont alternés de manière périodique selon une direction, dite direction périodique, perpendiculaire à la normale de surface du matériau piézoélectrique, et une paire d’électrodes en peigne interdigités dont les dents de peigne respectives s’étendent essentiellement dans la direction périodique, et à un procédé de fabrication d’un tel dispositif à ondes élastiques. Figure pour l’abrégé : Fig. 1 Dispositif à ondes élastiques L'invention se rapporte à un dispositif à ondes élastiques et un procédé de fabrication d’un tel dispositif à ondes élastiques. Les dispositifs à ondes élastiques de surface (« surface acoustic wave » est abrégé par SAW en anglais) sont utilisés dans un nombre important d'applications, telles que filtres, capteurs et lignes à retard. Des filtres radiofréquence SAW sont par exemple utilisés dans des dispositifs de communication mobile en raison de leurs structures simples avec des faibles pertes et de petites tailles aux fréquences radios (100 MHz - 10 GHz). Dans un dispositif à ondes élastiques, un ou plusieurs transducteurs à peignes interdigités (IDT) sont formés sur un substrat piézoélectrique monocristallin. L’effet piézoélectrique direct permet de convertir une onde élastique, généralement de type Rayleigh, se propageant sur la surface du substrat piézoélectrique, en signaux électriques, en excitant électriquement les doigts des peignes. Inversement, un signal électrique peut être induit à travers les doigts des peignes pour créer une onde élastique de surface se propageant dans le substrat piézoélectrique sous le transducteur. La vitesse des ondes élastiques est généralement limitée par les propriétés du matériau piézoélectrique. Dans le cas du tantalate de lithium (LiTaO 3 ), les ondes de Rayleigh présentent une vitesse de phase comprise entre 3.000 et 3.500 m.s -1 , avec un couplage maximum de l’ordre de 2 %. Les ondes de Rayleigh sur le niobate de lithium (LiNbO 3 ) présentent des vitesses de phase allant jusqu'à 3.900 m.s -1 avec un couplage maximum proche de 5,6 %. Les autres modes liés aux ondes de cisaillement et de compression sont typiquement plus rapides mais ne sont que partiellement guidés en surface et nécessitent des structures de guidages complexes. De plus, en utilisant les propriétés de la photolithographie I-line (365 nm), méthode industrielle standard pour fabriquer les dispositifs SAW, les fréquences de fonctionnement sont typiquement comprises entre 1 GHz et 3 GHz environ. L’exploitation de dispositifs à plus hautes fréquences nécessite des dimensions de dents de peignes plus fines, imposant ainsi une utilisation de photolithographie à plus haute résolution, par exemple en utilisant des lasers à excimère KrF ou ArF, nettement plus onéreuse. De plus, des structures plus fines engendrent des pertes électriques, c’est à dire ohmiques, plus importantes. L'objet de l'invention est donc de surmonter ces inconvénients en fournissant un dispositif à ondes élastiques, ayant un mode de fonctionnement à plus haute vitesse que les ondes Rayleigh ou de cisaillement. Ce mode permet en particulier un fonctionnement du dispositif à ondes élastiques selon l’invention à des fréquences supérieures à 3 GHz avec des géométries réalisables à l'aide de la photolithographie I line. Pour réaliser l’objet, l’invention propose un dispositif à ondes élastiques comprenant un matériau piézoélectrique, en particulier un matériau ferroélectrique avec des premiers domaines d’une première direction de polarisation et des deuxièmes domaines avec une deuxième direction de polarisation, la première direction étant opposée à la deuxième direction, dans laquelle les premiers et deuxièmes domaines sont alternés de manière périodique selon une direction, dite direction périodique, perpendiculaire à la normale de surface du matériau piezoélectrique, et une paire d’électrodes en peignes interdigités dont les dents de peignes respectives s’étendent essentiellement dans la direction périodique ou les dents de peigne sont déviées de la direction périodique au maximum de ± 5°. La conséquence de la combinaison des domaines polarisés avec une paire d’électrodes en peignes interdigités est que les modes fondamentaux de Rayleigh ou de cisaillement n'est plus excité mais qu'un mode apparaît à une fréquence f plus élevée que celle déduite de la formule habituelle f=v/2λ avec v la vitesse de phase du mode et λ la longueur d'onde correspondant à deux fois le pas mécanique de la paire d'électrodes interdigités. Les dispositifs à ondes élastiques selon l’invention peuvent être utilisés dans un nombre important d'applications, telles que filtres en particulier des filtres à éléments d’impédance (« ladder » en terminologie anglaise) ou à couplage acoustique tels que filtres à couplage longitudinal (LCRF), à modes couplés doubles (DMS) ou à résonances de cavités couplées (SCAW) ainsi que des capteurs et des lignes à retard. La ferroélectricité est la propriété selon laquelle un matériau possède une polarisation électrique à l’état spontané. Les ferroélectriques sont une sous-classe des matériaux piézoélectriques. La propriété ferroélectrique peut aussi être obtenue artificiellement par exemple par des conditions de croissance adaptée pour créer des domaines de polarisation différentes. Dans la suite, on peut donc considérer tout matériau piézoélectrique dans lequel on peut réaliser des domaines de polarisation un matériau ferroélectrique. Selon une variante, les dents de peignes peuvent être agencées de manière périodique. Selon une variante de l’invention, le pas des électrodes p e - p e étant la distance centre à centre entre deux électrodes voisines, appartenant chacune à un peigne différent, peut être plus grand que le pas des domaines p f – p f étant la distance centre à centre entre deux domaines de même polarisation. En particulier p e est un multiple de p f , selon p e =n f *p f , n f étant plus grand que 1, par exemple un entier plus grand que 1. En choisissant un pas des électrodes plus grand, il devient possible de modifier le mode à la fréquence souhaitée. Selon une variante de l’invention, les électrodes sont agencées directement sur ou au moins partiellement, de préférence entièrement, enterrées dans le matériau ferroélectrique. En mettant les électrodes directement sur le matériau ferroélectrique, la structure du dispositif devient simple à réaliser. En enterrant les électrodes au moins partiellement dans le matériau piézoélectrique, une augmentation du couplage est observée, ce qui permet de réaliser des bandes plus larges pour les filtres de fréquence. Selon une variante de l’invention, la première direction et la deuxième direction peuvent être parallèles à la normale de surface du matériau piézoélectrique. Ainsi, on observe moins de modes secondaires. Selon une variante de l’invention, la largeur des dents des électrodes en peignes interdigités peut être d’au moins 280 nm, de préférence d’au moins 350 nm. Ainsi, la structure peut être réalisée en utilisant une photolithographie I-line (365 nm) tout en profitant du mode à plus haute fréquence. Selon une variante de l’invention, le dispositif peut comprendre un moyen d’alimentation configuré pour fournir un signal radio-fréquence d’une fréquence d’au moins 3 GHz, de préférence d’au moins 6 GHz, aux électrodes en peignes interdigités. Ainsi il devient possible de fournir des filtres, des capteurs ou des lignes de retard fonctionnant à des fréquences plus élevées que normalement accessibles en utilisant la lithographie I-line. Selon une variante de l’invention, le ratio de métallisation a/p e de la paire d’électrodes en peignes interdigités peut être comprise entre 0,3 et 0,75, de préférence comprise entre 0,4 et 0,6, « a » correspondant à la largeur des dents des électrodes et « p e » au pas des électrodes. Selon une variante de l’invention, le matériau piézoélectrique peut être agencé sous forme d’une couche, en particulier avec une épaisseur inférieure à la longueur d'onde, préférentiellement inférieure à λ/2, et encore plus préférentiellement inférieure à λ/4, typiquement inférieure à 1µm, au-dessus d’un substrat de base, en particulier un substrat de silicium, d’oxyde de silicium, de carbure de silicium (SiC), de saphir, de la nitrure de silicium (SiN), de la nitrure d’aluminium (AlN), de quartz, de carbone, de diamant, de Yags, de Yigs (« Ytrium iron garnet » en terminologie anglaise) ou de LiNbO 3 sous LiTaO 3 . Il peut s’agir d’une bi-couches ou d’un empilement à plus que deux couches. Ainsi il devient possible de confiner l’énergie dans la couche mince piézoélectrique, ce qui permet de réduire les pertes. Selon une variante de l’invention, une couche diélectrique, en particulier une couche d’oxyde de silicium, de SiN, de Ta 2 O 5 , de ZrO 2 , de HfO 2 , de SiON ou d’une combinaison de ces matériaux, peut être agencée entre la couche de matériau piézoélectrique et le substrat de base. La couche diélectrique, de préférence en particulier avec une épaisseur inférieure à la longueur d'onde et/ou d’une épaisseur entre 0,2 µm et 2 µm, simplifie la réalisation de la structure en multicouches. En effet, cette couche peut être utilisée pour coller la couche piézoélectrique au substrat de base lors d’un procédé de transfert de couche par exemple par collage, par exemple en utilisant un collage moléculaire ou par un collage adhésif ou par un collage eutectique. Le procédé peut être de type SmartCut. L’utilisation de l’oxyde de silicium en tant que couche diélectrique permet en outre augmenter la stabilité en température du dispositif, ce qui est la conséquence des signes opposés de coefficient de température du silicium et de l’oxyde de silicium. Ainsi l’épaisseur de la couche diélectrique dépend également de l’épaisseur choisi pour la couche piézoélectrique et peut de préférence être choisie pour réduire voire minimiser l’effet de la température sur le dispositif. Selon une variante de l’invention, une couche de piégeage, en particulier une couche de silicium poly-cristallin ou de l’AlN ou du SiOCH polycristallin, peut être agencée entre le matériau piézoélectrique et le substrat de base ou entre la couche diélectrique et le substrat de base. Cette couche de piégeage a de préférence une épaisseur comprise entre 0,3 µm et 2 µm. La présence d’une couche de piégeage permet de réduire les courants de fuites. Selon une variante de l’invention, une couche métallique peut être agencée sur la surface du matériau piézoélectrique opposé de la paire d’électrodes en peignes interdigités, en particulier entre la couche de matériau piézoélectrique et le substrat de base ou entre la couche diélectrique et le substrat de base. La présence de la couche métallique simplifie la création des domaines alternés par application d’un champ électrique. Quand la couche métallique est entre la couche diélectrique et le substrat de base, le couplage du nouveau mode est plus élevé, car plus la couche métallique est distancée de la couche piézoélectrique plus les lignes de champs électriques dans la couche piézoélectrique sont parallèles à la surface. De préférence, le métal peut être encapsulé pour réduire ou même éviter les contaminations métalliques, par exemple lors des étapes d’un procédé SmartCut. Selon une variante de l’invention, le matériau piézoélectrique peut être du LiTaO 3 ou du LiNbO 3 . Il peut également s’agir du KNbO 3 , du PZT, du PMnPt, de PbTiO 3 ou de l’AlScN. Les modes observés pour ces matériaux ont des facteurs de qualité et des couplages électromécaniques permettant une utilisation industrielle dans des applications de type filtre ou ligne de retard. Pour réaliser l’objet, l’invention propose également l’utilisation d’un dispositif à ondes élastiques tel que décrit ci-dessus, en particulier avec des dents des électrodes en peignes interdigités ayant une largeur d’au moins 280 nm, de préférence d’au moins 350 nm, dans un dispositif acousto-électrique, en particulier un filtre, un capteur ou une ligne de retard, ayant des fréquences de fonctionnement de 3 GHz et plus, en particulier de 6 GHz ou plus. Ainsi il devient possible de fournir des filtres, capteurs ou lignes de retard fonctionnant à des fréquences plus élevées que normalement accessibles en utilisant la lithographie I-line. Pour réaliser l’objet, l’invention propose également un procédé de fabrication d’un dispositif à ondes élastiques tel que décrit ci-dessus et comprenant les étapes suivantes : fournir un matériau piézoélectrique, en particulier un matériau ferroélectrique, appliquer un champ électrique plus fort, en particulier au moins dix fois plus fort, que le champ coercitif du matériau piézoélectrique pour réaliser les premiers et deuxièmes domaines alternant de manière périodique et ayant des polarisations opposées, et réaliser la paire d’électrodes en peignes interdigités sur ou au moins partiellement, de préférence entièrement, enterrées dans le matériau piézoélectrique. Selon une variante de l’invention, la paire d’électrodes peut être réalisée par dépôt d’une couche métallique, en particulier en aluminium (Al) ou molybdène (Mo) ou or (Au) ou argent (Ag) ou en un alliage de type cuivre aluminium (AlCu) ou un alliage principalement à base d’aluminium et d’un autre métal, le titane (Ti) par exemple, suivi d’une étape de formation des électrodes par lithographie et gravure. La paire d’électrodes peut en particulier être réalisée avec de l'AlCu, ou de l’AlSi, ou de l’AlTi avec des dopages en Cu, Ti et/ou Si compris entre 0,5 et 5% et potentiellement avec des sous-couches de Ti, de Ta, de Mo, de Pd, ou de Pt, ou des combinaisons Ti/Pt, Ti/Au, Ta/Pt, Cr/Au ou avec du Zr. Selon une variante de l’invention, le champ électrique peut être appliqué en forme de bandes parallèles, en particulier en utilisant des électrodes électrolytiques. Selon une variante de l’invention, les lignes de champs peuvent être perpendiculaires à la surface du matériau piézoélectrique. Ainsi la polarisation des domaines est également perpendiculaire à la surface, ce qui permet de réduire la présence de modes secondaires. Selon une variante, le champ électrique peut être appliqué une fois le matériau piézoélectrique a été chauffé à une température d’au moins 150 °C, de préférence à une température d’au moins 170 °C. Ainsi, la polarisation peut être obtenue même en absence d’une contre électrode. Selon une variante, le matériau piézoélectrique est fourni sous forme d’une couche sur un substrat de base. Ce type de substrat composite peut être obtenu par un transfert d’une couche piézoélectrique à partir d’un substrat donneur sur le substrat de base. Ce transfert peut être fait par un procédé de type SmartCut avec la réalisation d’une zone de fragilisation dans le substrat donneur, en implantant des ions dans le substrat donneur. Selon l’invention, la formation des domaines peut être réalisée avant ou après le transfert de la couche piézoélectrique. L’invention sera mieux comprise et d’autres avantages apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre non limitatif, et grâce aux figures annexées parmi lesquelles : FIG. 1 est un schéma illustrant schématiquement un dispositif à ondes élastiques selon un premier mode de réalisation de l’invention. FIG. 2 est un graphique illustrant la conductance harmonique G et la susceptance harmonique B pour un dispositif à ondes élastiques selon le premier mode de réalisation de l’invention comparé à un dispositif à ondes élastiques selon l’état de l’art. FIG. 3 est graphique illustrant la résistance harmonique et la réactance harmonique pour un dispositif à ondes élastiques selon le premier mode de réalisation de l’invention comparé à un dispositif à ondes élastiques selon l’état de l’art. FIG. 4 est un graphique illustrant la conductance harmonique G et la susceptance harmonique B pour un dispositif à ondes élastiques selon le premier mode de réalisation de l’invention. FIG. 5 illustre le mode observé pour le dispositif à ondes élastiques selon le premier mode de réalisation de l’invention. FIG. 6 est un schéma illustrant schématiquement une partie d’un dispositif à ondes élastiques selon un deuxième mode de réalisation de l’invention. FIG. 7 illustre le mode observé pour le dispositif à ondes élastiques selon le deuxième mode de réalisation de l’invention. FIG. 8 est un schéma illustrant les étapes d’un procédé de fabrication d’un dispositif à ondes élastiques selon un troisième mode de réalisation de l’invention. L'invention va être décrite plus en détail en utilisant des modes de réalisation avantageux, à titre d’exemple, et par référence aux dessins. Les modes de réalisation décrits sont simplement des configurations possibles de sorte que les caractéristiques individuelles telles que décrites peuvent être fournies indépendamment les unes des autres ou peuvent être omises lors de la mise en œuvre de la présente invention. La FIG. 1 illustre un dispositif à ondes élastiques 1 selon un premier mode de réalisation de l'invention. Le dispositif à ondes élastiques 1 selon le premier mode comprend un matériau piézoélectrique 3, en particulier un matériau ferroélectrique, agencé sous forme d’une couche 5 au-dessus, en particulier directement sur une couche diélectrique 7. La couche diélectrique 7 est agencée au-dessus, en particulier directement sur un substrat 9. La couche 5, la couche diélectrique 7 et le substrat 9 forment un substrat composite 11, obtenu par exemple par un procédé de transfert de couche de style SmartCut. Le substrat composite 11 est également appelé substrat piézoélectrique sur isolant ou substrat POI. Dans un procédé de transfert de couche, la couche diélectrique 7 peut jouer le rôle de couche de collage entre le substrat de base 9 et la couche piézoélectrique 5. La ferroélectricité est la propriété selon laquelle un matériau possède une polarisation électrique à l’état spontané. Les ferroélectriques sont une sous-classe des matériaux piézoélectriques. La propriété ferroélectrique peut aussi être obtenue artificiellement par exemple par des conditions de croissance adaptée pour créer des domaines de polarisation différentes. Dans la suite, on peut donc considérer tout matériau piézoélectrique dans lequel on peut réaliser des domaines de polarisation un matériau ferroélectrique. Selon l’invention, le matériau piézoélectrique de la couche 5 comprend des premiers domaines 3ai, avec i allant de 1 à j, d’une première direction de polarisation 13a et des deuxièmes domaines 3bi, avec i allant de 1 à j, avec une deuxième direction 13b de polarisation, la première direction 13a étant opposée à la deuxième direction 13b. De plus, les premiers et deuxièmes domaines 3ai et 3bi forment des bandes d’une même épaisseur qui sont alternées de manière périodique avec un pas p f , selon une direction d, dite direction périodique, perpendiculaire à la normale de surface n du matériau piézoélectrique 3. Dans ce mode de réalisation, le matériau piézoélectrique de la couche 3 peut être du tantalate de lithium LiTaO 3 monocristallin ou du niobate de lithium LiNbO 3 monocristallin. D’autres matériaux piézoélectriques peuvent également être utilisés. La couche 5 a, de préférence, une épaisseur e1 inférieure à la longueur d'onde λ, préférentiellement inférieure à λ/2, et encore plus préférentiellement inférieure à λ/4, typiquement inférieure à 1 µm. Dans le cas du tantalate de lithium (LiTaO 3 ), l’orientation cristalline définie selon la norme IEEE Std-176 version IRE 1949 de la première direction 13a des premiers domaines 3ai de la couche 3 est de préférence (YXl)/θ avec la valeur de l’angle θ choisie entre 30° et 110°. L’orientation cristalline de la deuxième direction 13b des seconds domaines 3bi de la couche 3 est alors (YXl)/ θ +180° selon la norme IEEE Std-176 version IRE 1949. Dans le cas du niobate de lithium (LiNbO 3 ), l’orientation cristalline définie selon la norme IEEE Std-176 version IRE 1949 de la première direction 13a des premiers domaines 3ai de la couche 3 est de préférence (YXl)/θ avec la valeur de l’angle θ choisie dans une plage de ±15° autour de 128°. L’orientation cristalline de la deuxième direction 13b des seconds domaines 3bi de la couche 3 est alors (YXl)/θ+180° selon la norme IEEE Std-176 version IRE 1949. Suivant l'orientation et la nature des cristaux, des ondes de cisaillement ou des ondes elliptiques sont excitées. Avec la polarisation périodique des domaines, deux cas de figure se présentent : dans le premier cas, une combinaison d'une onde de cisaillement avec une onde elliptique est observée, dans le deuxième cas, l'onde résulte de la combinaison d'une onde elliptique polarisée dans la direction de propagation et d'une onde elliptique polarisée le long de l'ouverture. La couche diélectrique 7 est de préférence une couche d’oxyde de silicium avec une épaisseur e2 inférieure à la longueur d'onde et/ou entre 200 nm et 2 µm. La couche diélectrique peut aussi être en SiN, en Ta 2 O 5 , en ZrO 2 , en HfO 2 , en SiON ou en une combinaison de ces matériaux Le substrat de base 9 est de préférence un substrat en silicium, par exemple du silicium (100) ou (110) ou (111). Le substrat peut aussi être en oxyde de silicium, en carbure de silicium (SiC), en saphir, en nitrure de silicium (SiN), en nitrure d’aluminium (AlN), en quartz, en carbone, en diamant, en grenat aluminium yttrium (Yag), en Yigs (« Ytrium ion garnet » en anglais) ou en LiNbO 3 sous LiTaO 3 . En utilisant le silicium et l’oxyde de silicium en tant que substrat de base 9 et couche diélectrique 7, la stabilité en température du dispositif 1 peut être améliorée. Ceci est dû au fait que les coefficients de température TCF des modes de cisaillement dans les matériaux constitutifs de l‘empilement présentent des signes opposés. Une paire d’électrodes en peignes interdigités 15a, 15b est agencée au-dessus, en particulier directement sur la couche 5 de matériau ferroélectrique. Les dents de peignes 17a1, 17a2 et 17b1, 17b2 respectives s’étendent essentiellement dans la direction périodique d, c’est-à-dire perpendiculairement aux bandes des domaines 3ai et 3bi. Le nombre des dents illustrées par électrodes en peignes est ici de deux, étant précisé que chacune des électrodes peut avoir plus de deux dents. Les dents 17a1, 17a2 sont reliées entre elles par une barre conductrice 19a. Les dents 17b1, 17b2 sont reliées entre elles par une barre conductrice 19b. Les dents des électrodes sont agencées de manière périodique avec un pas mécanique p e et donc une périodicité électrique de 2p e . Il reste néanmoins possible d’introduire une ou plusieurs ruptures de périodicités selon une variante, en omettant par exemple une ou plusieurs dents. Le pas mécanique des électrodes p e et de préférence plus grand que le pas p f des domaines 3ai et 3bi. Par exemple, p e est un multiple de p f , selon p e =n f *p f , n f étant plus grand que 1, par exemple un entier, par exemple 2. D’ailleurs, une diminution du pas des domaines p f entraîne une augmentation de la vitesse, donc de la fréquence. Une diminution du pas des électrodes p e entraîne une diminution de la longueur d'onde, donc une augmentation de la fréquence. Les électrodes en peignes 15a et 15b sont fait d’un matériau métallique, par exemple en aluminium (Al) ou molybdène (Mo) ou or (Au) ou argent (Ag) ou en un alliage de type cuivre aluminium (AlCu) ou un alliage principalement à base d’aluminium et d’un autre métal, le titane (Ti) par exemple. La paire d’électrodes peut en particulier être réalisée avec de l'AlCu, ou de l’AlSi, ou de l’AlTi avec des dopages en Cu, Ti et/ou Si compris entre 0,5 et 5% et potentiellement avec des sous-couches de Ti, de Ta, de Mo, de Pd, ou de Pt, ou des combinaisons Ti/Pt, Ti/Au, Ta/Pt, Cr/Au ou avec du Zr. Les électrodes en peignes 15a et 15b ont de préférence des épaisseurs e3 comprises entre 50 nm et 200 nm. Les dents 17a1, 17a2, 17b1 et 17b2 ont une largeur a, perpendiculairement à la direction d et la normale n, qui est de préférence égale ou supérieure à 280 nm, de préférence supérieure à 350 nm. Ainsi les électrodes en peignes 15a, 15b peuvent être réalisées par photolithographie I-line. Le rapport de métallisation a/p e , a étant la largeur des dents 17a1, 17a2, 17b1 et 17b2 et p e leur pas mécanique, est de préférence compris entre 0,3 et 0,75, et en particulier compris entre 0,4 et 0,6. Ce rapport a/p e et/ou l’épaisseur e3 peuvent être ajustés pour régler le couplage électromécanique et/ou pour réduire les pertes. Dans ce mode de réalisation, les dents ont toutes la même forme ; selon des variantes, les dents peuvent aussi être réalisées avec des longueurs l différentes. Dans le mode de réalisation de la FIG. 1 , un moyen d’alimentation 21 est relié aux électrodes en peignes interdigités 15a, 15b. De préférence, ce moyen d’alimentation 21 est configuré pour fournir un signal radio-fréquence d’une fréquence d’au moins 3 GHz, de préférence d’au moins 6 GHz, aux électrodes en peignes interdigités 15a, 15b. Lorsque le dispositif 1 est configuré pour convertir des ondes élastiques en signaux électriques, un récepteur électrique est mis à la place du moyen d’alimentation 21. Selon des variantes du premier mode de réalisation, le substrat composite 9 peut comprendre une ou plusieurs autres couches dans sa structure. Une couche de piégeage de charges libres, par exemple du silicium polycristallin, de l’AlN ou du SiOCH polycristallin peut être prévue entre la couche diélectrique 7 et le substrat de base 9 pour pouvoir limiter le libre parcours moyen des charges libre engendrées à l'interface silicium/couche diélectrique par le champ acousto-électrique lié à la propagation de l'onde, permettant de réduire les courants de fuites. Une telle couche de piégeage présente une épaisseur de préférence comprise entre 0,3 µm et 2 µm aux fréquences radios considérées pour les télécoms, typiquement entre 500 MHz et 6 GHz. Au lieu d’utiliser un substrat composite 11, l’invention peut également être réalisée avec un substrat massif de matériau ferroélectrique, donc sans présence d’une couche diélectrique et sans substrat de base. Des simulations numériques réalisées selon la méthode décrite dans S. Ballandras et al., « Finite element analysis of periodic piezoelectric transducers », Journal of Applied Physics 93, 702 (2003), mettent en évidence que pour un dispositif 1 selon la FIG. 1 le mode fondamental de cisaillement n'est plus excité. Au lieu de ce mode un autre mode apparaît à une fréquence f plus élevée que celle déduite de la formule habituelle f=v/2λ avec v la vitesse de phase du mode de cisaillement fondamental pour une couche piézoélectrique/ferroélectrique homogène et λ la longueur d'onde correspondant à deux fois le pas mécanique p e de la paire d'électrodes interdigités 15a, 15b. Le même phénomène est observé pour le mode de type Rayleigh et les cas de superposition mentionnés ci-dessus. FIG. 2 illustre les résultats de la simulation montrant une comparaison entre un dispositif sans présence de domaines alternés et un dispositif 1 tel que montré à la FIG. 1 . Un substrat composite avec un substrat de base de Si(100), une couche de piégeage de Si polycristallin d’une épaisseur de 1 µm, une couche diélectrique de 500 nm d’épaisseur de SiO 2 et une couche de LiTaO 3 d’une épaisseur de 600 nm a été utilisé pour le dispositif de comparaison. Un substrat composite avec un substrat de base de Si(100), une couche de piégeage de Si polycristallin d’une épaisseur de 1µm, une couche diélectrique de SiO 2 et une couche de LiTaO 3 d’épaisseurs respectives de 500 nm et 600 nm avec des domaines infiniment longs et alternés avec un pas p f de 1 µm et avec des directions (YXI)/42° et (YXI)/222° a été utilisé pour le dispositif selon l’invention. Dans les deux cas, les électrodes sont en AlCu et ont une épaisseur de 150 nm et un rapport a/p de 0,5 et un pas mécanique p e de 2 µm. La FIG. 2 illustre la conductance harmonique G en S.m -1 sur l’axe gauche et la susceptance harmonique B en S.m -1 sur l’axe de droite en fonction de la fréquence en MHz. Pour la structure selon l’invention avec les domaines de polarisation périodiquement alternés, on observe le mode à une fréquence environ trois fois plus élevée, notamment vers 3.850 MHz, voir les lignes 101a et 101b dans la conductance G et la susceptance B, comparée au mode à environ 1.250 MHz pour la structure sans domaines alternés, voir les lignes 103a et 103b dans la conductance G et la susceptance B. Le mode de la structure selon l’invention se caractérise par une vitesse de phase de 12,5 km.s -1 , un couplage de 6,6% et un facteur de qualité de plus de 1.000. Le même phénomène peut être observé avec du LiNbO 3 qui pour des mêmes paramètres structurels montre un mode autour de 13 km.s -1 , un couplage d’environ 13,3% et un facteur de qualité également supérieur à 1.000. FIG. 3 illustre les résultats de la même simulation pour le LiTaO 3 concernant la résistance harmonique R en Ω.m -1 sur l’axe gauche et la réactance harmonique X en Ω.m -1 sur l’axe de droite en fonction de la fréquence en MHz. Pour la structure selon l’invention avec les domaines de polarisation périodiquement alternés, on observe le mode à nouveau à une fréquence environ trois fois plus élevée, voir les lignes 105a et 105b dans la résistance harmonique en Ω.m -1 et la réactance harmonique comparée au mode pour la structure sans domaines alternés, voir les lignes 107a et 107b. Le même phénomène peut être observé avec du LiNbO 3 . La FIG. 4 est un graphique illustrant la conductance harmonique G 109a et la susceptance harmonique B 109b en fonction de la fréquence pour le même dispositif à ondes élastiques 1 selon le premier mode de réalisation de l’invention mais sur une plage de fréquences plus étendue. On observe qu’il n’y a aucun mode en dessous du mode visible vers 3.850 MHz, montrant la suppression des modes standards existant dans un dispositif avec les mêmes propriétés mais sans présence de domaines de polarisation alternés et périodiques. Au-delà de 3.850 MHz on observe quelques modes parasites, mais suffisamment éloignés du mode de 3.850 MHz pour en empêcher l’usage, par exemple pour la réalisation d’une fonction de filtrage. FIG. 5 illustre le mode observé pour le dispositif à ondes élastiques selon le premier mode de réalisation de l’invention. La FIG. 5 illustre la déformation obtenue par la simulation pour une cellule du dispositif 1 avec une partie d’un domaine 3a1 et une partie d’un domaine 3b1 qui sont traversées par une dent 17a1 de l’électrode en peigne 15a. Ce sont les domaines 3a1 et 3b1 ainsi que l’électrode 15a qui se déforment selon un mode de cisaillement avec une vitesse de phase trois fois plus grande que pour le dispositif sans domaines. La FIG. 6 est un schéma illustrant schématiquement une partie d’un dispositif à ondes élastiques 41 selon un deuxième mode de réalisation de l’invention. Le dispositif à ondes élastiques 41 a la même structure et utilise les mêmes matériaux que le dispositif à ondes élastiques 1 du premier mode de réalisation, sauf que les dents 43 des électrodes en peignes interdigités sont au moins partiellement, de préférence entièrement, enterrées dans la couche 5 de matériau piézoélectrique. La FIG. 6 montre deux bandes de domaines de polarisation opposées 3ax et 3bx traversées par une dent 43 d’une des électrodes en peignes 15a, 15b (voir FIG. 1 ). Ici, la dent 43 est entièrement enterrée dans la couche 5 et l’épaisseur e3 de la dent 43 est inférieure à l’épaisseur e1 de la couche 5. La surface 45 de la dent 43 orientée vers l’extérieur du dispositif 41 est au même niveau que la surface 47 de la couche 5. Selon d’autres variantes du deuxième mode de réalisation, les dents ne sont que partiellement enterrées. Dans ce cas, les surfaces 45 et 47 sont à des niveaux différents. Les autres dents des électrodes en peignes sont enterrées de la même façon. Les barres de connexion 19a et 19b (voir FIG. 1 ) peuvent également être agencées de cette manière ou agencées sur les dents pour connecter électriquement les dents d’une électrode respectivement. L’utilisation de dents d’électrodes enterrées permet d’augmenter le couplage électromécanique. Selon des variantes du premier mode et du deuxième mode de réalisation de l’invention, il est envisageable de tourner l’alignement des électrodes d’un angle α, avec -5° Les dispositifs à ondes élastiques selon l’invention peuvent être utilisés dans un nombre important d'applications, telles que filtres en particulier des filtres à éléments d’impédance (« ladder » en terminologie anglaise) ou à couplage acoustique tels que filtres à couplage longitudinal (LCRF), à modes couplés doubles (DMS) ou à résonances de cavités couplées (SCAW) ainsi que des capteurs et des lignes à retard. FIG. 7 illustre le mode observé pour le dispositif à ondes élastiques selon le deuxième mode de réalisation de l’invention. La FIG. 8 illustre la déformation obtenue par la simulation pour une cellule du dispositif 41 avec une partie d’un domaine 3a1 et une partie d’un domaine 3b1 qui sont traversées par une dent 43 de l’électrode en peigne. La FIG. 8 est un schéma illustrant les étapes d’un procédé de fabrication d’un dispositif à ondes élastiques selon un troisième mode de réalisation de l’invention, en particulier un dispositif à ondes élastiques selon le premier mode de réalisation. Le procédé commence avec l’étape 51 pendant laquelle un matériau piézoélectrique, en particulier un matériau ferroélectrique, est fourni. Cette étape peut consister à fournir un substrat massif, comme un wafer en matériau piézoélectrique monocristallin ou à fournir un substrat composite 11 comprenant une couche 5 de matériau piézoélectrique 3, une couche diélectrique 7, par exemple une couche d’oxyde de silicium et un substrat de base 9, par exemple en silicium. Le matériau piézoélectrique de la couche 3 est du tantalate de lithium LiTaO 3 monocristallin ou du niobate de lithium LiNbO 3 monocristallin. D’autres matériaux piézoélectriques peuvent également être utilisés. Dans le cas du tantalate de lithium (LiTaO 3 ), l’orientation cristalline définie selon la norme IEEE Std-176 version IRE 1949 de la première direction 13a des premiers domaines 3ai de la couche 3 est de préférence (YXl)/θ avec la valeur de l’angle θ choisie entre 30° et 110°. L’orientation cristalline de la deuxième direction 13b des seconds domaines 3bi de la couche 3 est alors (YXl)/θ +180° selon la norme IEEE Std-176 version IRE 1949. Il est également envisageable d’avoir les domaines dans le plan orthogonal (YXlt)/θ/90° et (YXlt)/θ+180°/90° par rapport à celle décrite ci-dessus en gardant les peignes orthogonaux. Dans le cas du niobate de lithium (LiNbO 3 ), l’orientation cristalline définie selon la norme IEEE Std-176 version IRE 1949 de la première direction 13a des premiers domaines 3ai de la couche 3 est de préférence (YXl)/θ avec la valeur de l’angle θ choisie dans une plage de ±15° autour de 128°. L’orientation cristalline de la deuxième direction 13b des seconds domaines 3bi de la couche 3 est alors (YXl)/θ+180° selon la norme IEEE Std-176 version IRE 1949. Suivant l'orientation et la nature des cristaux, des ondes de cisaillement ou des ondes elliptiques sont excitées. Avec la polarisation périodique des domaines, deux cas de figures se présentent : dans le premier cas, une combinaison d'une onde de cisaillement avec une onde elliptique est observée, dans le deuxième cas, l'onde résulte de la combinaison d'une onde elliptique polarisée dans la direction de propagation et d'une onde elliptique polarisée le long de l'ouverture. Un tel substrat composite 111 peut être obtenu par un procédé de transfert de couche, tel qu’un procédé de SmartCut. Lors d’un procédé de type SmartCut on implante des ions dans un substrat donneur, ici un substrat du matériau piézoélectrique pour créer une zone fragilisée à l’intérieur du substrat donneur. Ensuite on attache le substrat donneur à un substrat de base. Ici le substrat de base est un substrat de silicium monocristallin, par exemple du Si(100) ou Si(110) ou Si(111) avec sa couche d’oxyde naturelle ou avec un oxyde de silicium thermique ou réalisé par dépôt chimique en phase vapeur (« CVD ») ou physique en phase vapeur (« PVD »). Cette couche d’oxyde facilite l’attachement des deux substrats, notamment par collage moléculaire. On peut choisir l’orientation dans le plan du silicium par rapport au plan de la couche piézoélectrique pour réduire, voire même minimiser, des modes d’ordre plus élevés que le fondamental. Selon une variante, une couche de piégeage est réalisée sur le substrat de base avant la formation de l’oxyde. La couche de piégeage est typiquement du silicium polycristallin et de façon générale toute couche minimisant le libre parcours moyen des charges engendrées à l’interface entre le silicium et la couche d’oxyde par le passage de l’onde acousto-électrique. Une fois les deux substrats attachés, un apport en énergie mécanique et/ou thermique emmène la zone de fragilisation jusqu’à la rupture. Ainsi une couche d’une épaisseur de 1µm ou moins, peut être transférée sur le substrat de base. Ensuite lors de l’étape 53, un champ électrique est appliqué qui est plus fort que le champ coercitif du matériau piézoélectrique, en particulier le matériau ferroélectrique, pour réaliser les premiers et deuxièmes domaines alternant de manière périodique et ayant des polarisations opposées. Dans ce mode de réalisation, le champ électrique est appliqué en forme de bandes parallèles, perpendiculaires à la surface du matériau piézoélectrique. Le champ électrique appliqué doit être plus fort que 22 kV.mm -1 qui représente le champ coercitif généralement mesuré pour le niobate de lithium et le tantalate de lithium. Un tel procédé est par exemple décrit dans Thorlabs, « Periodically Poled Lithium Niobate (PPLN) – Tutorial », page 686 à 687 disponible sur www.thorlabs.com en utilisant des électrodes structurées qui sont ensuite enlevées. D’autre alternatives utilisent un faisceau d'électron, on peut se référer à la publication : C. Restoin, C. Darraud-Taupiac, J. L. Decossas, J. C. Vareille, J. Hauden et A. Martinez : « Ferroelectric domain inversion by electron beam on LiNbO 3 and Ti : LiNbO 3 » Journal of Applied Physics, 88:6665–6668, 2000, ou M. Yamada et K. Kishima : « Fabrication of periodically reversed domain structure for SHG in LiNbO 3 by direct electron beam lithography at room temperature », Electronics Letters, 27:828–829, 1991. Pour simplifier la création des domaines lors de l’application du champ électrique, il peut être avantageux de fournir une couche métallique sur la surface du matériau piézoélectrique 3 opposé à la surface sur laquelle la paire d’électrodes en peignes interdigités va être réalisée lors de l’étape suivante. Cette couche peut être réalisée, soit sur la couche diélectrique avant attachement, soit sur la surface du substrat donneur sur laquelle l’attachement va être réalisé. En présence d’une couche métallique, le champ électrique appliqué peut être plus proche de 22 kV.mm -1 et la température plus basse. En absence de la couche métallique il faut appliquer un champ électrique plus fort, de l’ordre de deux fois ou plus que le champ coercitif. De préférence, on réalise cette étape à une température d’au moins 150 °C, voir d’au moins 170 °C en cas d’absence de la couche métallique. Ensuite lors de l’étape 55, la paire d’électrodes en peignes interdigités est réalisée sur le matériau piézoélectrique pour obtenir le dispositif à ondes élastiques selon le premier mode de réalisation en utilisant des étapes de lithographie, de gravure et de dépôt, connues de l’homme de l’art. Pour réaliser le dispositif à ondes élastiques selon le deuxième mode de réalisation, une étape de lithographie et de gravure est réalisée pour d’abord créer les tranchées dans le matériau piézoélectrique, en particulier le matériau ferroélectrique, avant que celles-ci soient remplies avec un métal, par exemple de l’aluminium ou de molybdène, ou avec un alliage cuivre aluminium ou un alliage principalement à base d’aluminium et d’un autre métal, comme le titane par exemple. Dispositif à ondes élastiques comprenant un matériau piézoélectrique, en particulier un matériau ferroélectrique (3), avec des premiers domaines (3a) d’une première direction de polarisation (13a) et des deuxièmes domaines (3b) avec une deuxième direction de polarisation (13b), la première direction (13a) étant opposée à la deuxième direction, dans laquelle les premiers et deuxièmes domaines (3a, 3bi) sont alternés de manière périodique selon une direction (d), dite direction périodique, perpendiculaire à la normale (n) de surface du matériau piézoélectrique (3), et une paire d’électrodes en peignes interdigités (15a, 15b) dont les dents de peigne (17a1, 17a2 17b1, 17b2) respectives s’étendent essentiellement selon la direction périodique (d) ou les dents de peigne sont déviées de la direction périodique au maximum de ± 5°. Dispositif à ondes élastiques selon la revendication 1, dans lequel les dents de peignes sont agencées de manière périodique. Dispositif à ondes élastiques selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le pas mécanique des électrodes (p e ) est plus grand que le pas des domaines (p f ). Dispositif à ondes élastiques selon une des revendications 1 à 3, dans lequel les électrodes en peignes interdigités (15a, 15b) sont agencées directement sur ou au moins partiellement, de préférence entièrement, enterrées dans le matériau piézoélectrique (3). Dispositif à ondes élastique selon une des revendications 1 à 4, dans lequel la première direction (13a) et la deuxième direction (13b) sont parallèles à la normale (n) de surface du matériau piézoélectrique (3). Dispositif à ondes élastiques selon une des revendications 1 à 5, dans lequel la largeur (a) des dents (17a1, 17a2, 17b1, 17b2) des électrodes en peignes interdigités (15a, 15b) est d’au moins 280 nm, de préférence d’au moins 350 nm. Dispositif à ondes élastiques selon une des revendications 1 à 6, comprenant un moyen d’alimentation (21) configuré pour fournir un signal radio-fréquence d’une fréquence d’au moins 3 GHz, de préférence d’au moins 6 GHz, aux électrodes en peignes interdigités (15a, 15b). Dispositif à ondes élastiques selon une des revendications 1 à 7, dans lequel le ratio de métallisation a/p e de la paire d’électrodes en peignes interdigités (15a, 15b) est comprise entre 0,3 et 0,75, de préférence comprise entre 0,4 et 0,6, étant précisé que « a » correspond à la largeur des dents des électrodes et « p e » au pas des électrodes en peignes interdigités (15a, 15b). Dispositif à ondes élastiques selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel le matériau piézoélectrique (3) est agencé sous forme d’une couche (5), en particulier avec une épaisseur (e1) inférieure à la longueur d'onde, préférentiellement inférieure à λ/2, et encore plus préférentiellement inférieure à λ/4, au-dessus d’un substrat de base (9), en particulier un substrat de silicium, d’oxyde de silicium, de carbure de silicium (SiC), de saphir, de la nitrure de silicium (SiN), de la nitrure d’aluminium (AlN), de quartz, de carbone, de diamant, de Yags, de Yigs (Ytrium iron garnet) ou de LiNbO 3 sous LiTaO 3 . Dispositif à ondes élastiques selon la revendication 9, dans lequel une couche diélectrique (7), en particulier une couche d’oxyde de silicium, de SiN, de Ta 2 O 5 , de ZrO 2 , de HfO 2 , de SiON ou d’une combinaison de ces matériaux, est agencée entre la couche (5) de matériau piézoélectrique et le substrat de base (9), la couche diélectrique (7) ayant de préférence une épaisseur inférieure à la longueur d'onde et/ou entre 200 nm et 2 µm. Dispositif à ondes élastiques selon l’une des revendications 9 ou 10, dans lequel une couche, en particulier une couche de silicium poly-cristallin ou de l’AlN ou du SiOCH polycrystallin, est agencée entre le matériau piézoélectrique (3) et le substrat de base (9) ou entre la couche diélectrique (7) et le substrat de base (9), la couche de piégeage ayant de préférence une épaisseur entre 300 nm et 2 µm. Dispositif à ondes élastiques selon l’une des revendications 1 à 11, dans lequel une couche métallique est agencée sur la surface du matériau piézoélectrique (3) opposée de la paire d’électrodes en peignes interdigités (15a, 15b), en particulier entre la couche (5) de matériau piézoélectrique (3) et le substrat de base (9) ou entre la couche diélectrique (3) et le substrat de base (9). Dispositif à ondes élastiques selon l’une des revendications 1 à 12, le matériau piézoélectrique (3) est au moins un parmi du LiTaO 3 , du LiNbO 3 , du KNbO 3 , du PZT, du PMnPt, de PbTiO 3 ou de AlScN. Utilisation d’un dispositif à ondes élastiques selon la revendication 7, dans un dispositif acousto-electrique, en particulier un filtre, un capteur ou une ligne de retard, ayant des fréquences de fonctionnement de 3 Ghz et plus, en particulier de 6 Ghz ou plus. Procédé de fabrication d’un dispositif à ondes élastiques selon l’une des revendications 1 à 13 et comprenant les étapes suivantes : - fournir un matériau piézoélectrique, en particulier un matériau ferroélectrique, - appliquer un champ électrique plus fort, en particulier au moins 10 fois plus fort, que le champ coercitif du matériau piézoélectrique pour réaliser les premiers et deuxièmes domaines alternant de manière périodique et ayant des polarisations opposées, et - réaliser la paire d’électrodes en peignes interdigités sur ou au moins partiellement, de préférence entièrement, enterrées dans le matériau piézoélectrique. Procédé de fabrication d’un dispositif à ondes élastiques selon la revendication 15, dans lequel le champ électrique est appliqué en forme de bandes parallèles. Procédé de fabrication d’un dispositif à ondes élastiques selon la revendication 15 ou 16, dans lequel les lignes de champs sont perpendiculaires à la surface du matériau piézoélectrique. Procédé de fabrication d’un dispositif à ondes élastiques selon au moins une des revendication 15 à 17, dans lequel le champ électrique est appliqué lorsque le matériau piézoélectrique a été chauffé à une température d’au moins 150 °C, de préférence à une température d’au moins 170 °C.