Brevet FR3155628A1 — publié le 20250523

L’invention porte sur un support (1) pour un substrat composite (S). Le support comprend un substrat de base et une couche de piégeage (3a) en silicium polycristallin disposé sur le substrat de base (2). La couche de piégeage présente des pièges électriques d’un premier type présentant une énergie d’activation de 0,383 eV à 0,008 eV près et une section efficace de capture pour les trous et, pour les électrons, inférieure à 10^-16 cm^2. La couche de piégeage présente des pièges électriques d’un deuxième type présentant une énergie d’activation de 0,428 eV à 0,016 eV près et une section efficace de capture pour les trous et, pour les électrons, inférieure à 10^-16 cm^2. Figure à publier avec l’abrégé : Fig 1 SUPPORT COMPRENANT UNE COUCHE DE PIEGEAGE DE CHARGES ELECTRIQUES POUR UN SUBSTRAT COMPOSITE ET PROCEDE DE SELECTION D’UN TEL SUPPORT. DOMAINE DE L’INVENTION L'invention concerne un support présentant une couche de piégeage de charges électriques, le support étant destiné à recevoir une couche mince cristalline par une technique de report de couche. Un substrat composite formé d’un tel support trouve son application dans le domaine des composants électroniques intégrés, en particulier des composants radiofréquences (RF) traitant des signaux dont la fréquence peut être typiquement comprise entre 20 kHz et 300 GHz, ou plus. Outre le support en tant que tel, l’invention concerne également un procédé de sélection d’un substrat support. ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Pour des raisons de simplicité de mise en œuvre, la couche de piégeage de charges électriques (plus concisément désignée « couche de piégeage » dans la suite de cette description) est généralement formée par dépôt d'une couche de silicium polycristallin sur un substrat de base, comme cela est notamment illustré par les documents US7585748 et US9293473. Les joints des grains de silicium constituant la couche polycristalline constituent des pièges pour les charges électriques susceptibles de circuler. Ces pièges peuvent être formés par les liaisons chimiques non complètes ou pendantes au niveau de ces joints. On prévient ainsi la conduction électrique dans la couche de piégeage qui présente en conséquence une résistivité élevée, typiquement supérieure à 1000 Ohms.cm. D’une manière générale, l’état de la technique révèle le besoin de disposer d’une couche de piégeage de charges électriques qui présente une résistivité élevée et qui soit stable en température. Cette stabilité en température est une caractéristique importante, car la fabrication d’un substrat composite met en œuvre des traitements thermiques élevant typiquement la température du support à plus de 1000°C, ce qui tend à faire perdre les caractéristiques recherchées par recristallisation de la couche de piégeage et disparation des défauts structurels de cette couche. Afin de préserver la qualité polycristalline de la couche de piégeage au cours des traitements thermiques que peut subir le support, on peut avantageusement prévoir une couche amorphe, en dioxyde de silicium par exemple, sur le substrat de base avant le dépôt de la couche de piégeage comme cela est proposé par les documents US8765571 et US9129800. Mais la présence de cette couche amorphe n'est pas toujours suffisante pour prévenir la recristallisation d’une couche de piégeage et/ou la disparition de ses défauts structurels. La demanderesse a observé que la bonne tenue en température d’une couche de piégeage était étroitement liée aux paramètres de formation de cette couche. Il n’est toutefois pas possible à ce jour de corréler les paramètres de formation de cette couche (ou des caractéristiques mesurables de cette couche) avec cette propriété de tenue en température. La seule évaluation possible se fait par une caractérisation à postériori des performances radiofréquences (RF) du substrat composite dans lequel elle est intégrée, après que la couche de piégeage ait subit les traitements thermiques de fabrication de ce substrat. OBJET DE L’INVENTION Un but de l’invention est d’adresser, au moins en partie, ce problème. Plus précisément, un but de l’invention est de pouvoir déterminer à l’avance, simplement, si une couche de piégeage d’un support est apte à recevoir les traitements thermiques d’un procédé de fabrication d’un substrat composite sans se recristalliser excessivement, et donc préserver ses qualités de piégeage dans le substrat composite. Un but de l’invention est donc de déterminer des caractéristiques d’une couche de piégeage qui soit stable en température. Un autre but de l’invention est d’exploiter ces caractéristiques pour sélectionner un support muni d’une couche de piégeage en vue de former un substrat composite. BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTION En vue de la réalisation de ce but, l’objet de l’invention propose un support pour un substrat composite, le support comprenant un substrat de base et une couche de piégeage en silicium polycristallin disposé sur le substrat de base. Selon l’invention la couche de piégeage présente des pièges électriques d’un premier type et d’un deuxième type. Les pièges électriques du premier type présentant une énergie d’activation de 0,383 eV à 0,008 eV près et une section efficace de capture pour les trous et pour les électrons inférieure à 10^-16 cm^2. Les pièges électriques du deuxième type présentent une énergie d’activation de 0,428 eV à 0,016 eV près et une section efficace de capture pour les trous et pour les électrons inférieure à 10^-16 cm^2. Selon d’autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l’invention, prises seules ou selon toute combinaison techniquement réalisable : les pièges électriques du premier type présentent une section efficace de capture pour les trous de 1,7 10^-17 à 0,1 10^-17 près et une section efficace de capture pour les électrons de 5,4 10^-17 à 0,2^10^-17 près ; les pièges électriques du deuxième type présentent une section efficace de capture pour les électrons de 1,8 10^-17 à 1,1^10^-17 près et une section efficace de capture pour les trous de 5,7 10^-17 à 3,7 10^-18 près ; la couche de piégeage est dépourvue des pièges électriques d’un troisième type, les pièges électriques du troisième type présentant une énergie d’activation de 0,485 eV à 0,015eV près et une section efficace de capture pour les trous et pour les électrons supérieure à 10^-16 cm^2 ; les pièges électriques du troisième type présentent une section efficace de capture pour les électrons de 1,0 10^-15 à 0,1 10^-15 près et une section efficace de capture pour les trous de 3,3 10^-16 à 0,2 10^-16 près ; la couche de piégeage comprend en outre des pièges électriques d’un quatrième type et d’un cinquième type, les pièges électriques du quatrième type présentant une énergie d’activation de 0,392 eV à 0,018 eV près et une section efficace de capture pour les trous et pour les électrons inférieure à 10^-16 cm^2, les pièges électriques du cinquième type présentant une énergie d’activation de 0,371 eV à 0,025 eV près et une section efficace de capture pour les trous et pour les électrons inférieure à 10^-16 cm^2 ; les pièges électriques du quatrième type présentent une section efficace de capture pour les électrons de 3,8 10^-17 à 0,3 10^-17 près et une section efficace de capture pour les trous de 1,2 10^-17 à 0,1 10^-17 près ; les pièges électriques du cinquième type présentent une section efficace de capture pour les électrons de 6,9 10^-17 à 0,7 10^-17 près et une section efficace de capture pour les trous de 2,2 10^-17 à 0,2 10^-17 près ; la couche de piégeage est dépourvue de pièges électriques d’un sixième type et d’un septième type, les pièges électriques du sixième type présentant une énergie d’activation de 0,474 eV à 0,032 eV près et une section efficace de capture pour les trous supérieure à 10^-16 cm^2, les pièges électriques du septième type présentant une énergie d’activation de 0,416 eV à 0,017 eV près et une section efficace de capture pour les trous supérieure à 10^-16 cm^2 ; les pièges électriques du sixième type présentent une section efficace de capture pour les trous de 5,2 10^-16 à 0,5 10^-16 près ; les pièges électriques du septième type présentent une section efficace de capture pour les trous de 1,7 10^-16 à 0,1 10^-16 près. Selon un autre aspect, l’objet de l’invention propose un procédé de sélection d’un support, le procédé comprenant: Une étape de fourniture du support comprenant un substrat de base et une couche de piégeage en silicium polycristallin disposé sur le substrat de base, la couche de piégeage comportant des pièges électriques ; Une étape de caractérisation comprenant la mesure d’une énergie d’activation et d’une section efficace de capture de trous et/ou d’électrons des pièges électriques de la couche de piégeage, l’étape de caractérisation comprenant également l’identification de différents types de pièges électriques présent dans la couche de piégeage ; Une étape de sélection au cours de laquelle on sélectionne le support si la couche de piègeage présente des pièges électriques d’un premier type et d’un deuxième type, les pièges électriques du premier type présentant une énergie d’activation de 0,383 eV à 0,008 eV près et une section efficace de capture pour les trous et pour les électrons inférieure à 10^-16 cm^2, les pièges électriques du deuxième type présentant une énergie d’activation de 0,428 eV à 0,0160eV près et une section efficace de capture pour les trous et pour les électrons inférieure à 10^-16 cm^2. Selon d’autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de cet aspect de l’invention, prises seules ou selon toute combinaison techniquement réalisable : au cours de l’étape de sélection on sélectionne le support si la couche de piégeage est également dépourvue des pièges électriques d’un troisième type, les pièges électriques du troisième type présentant une énergie d’activation de 0,485 eV à 0,015 eV près et une section efficace de capture pour les trous et pour les électrons supérieure à 10^-16 cm^2 ; au cours de l’étape de sélection on sélectionne le support si la couche de piégeage comporte également des pièges électriques d’un quatrième type et d’un cinquième type, les pièges électriques du quatrième type présentant une énergie d’activation de 0,392 eV à 0,018 eV près et une section efficace de capture pour les trous et pour les électrons inférieure à 10^-16 cm^2, les pièges électriques du cinquième type présentant une énergie d’activation de 0,371 eV à 0,025 eV près et une section efficace de capture pour les trous et pour les électrons inférieure à 10^-16 cm^2 ; au cours de l’étape de sélection on sélectionne le support si la couche de piégeage est également dépourvue de pièges électriques d’un sixième type et d’un septième type, les pièges électriques du sixième type présentant une énergie d’activation de 0,474 eV à 0,032 eV près et une section efficace de capture pour les trous supérieure à 10^-16 cm^2, les pièges électriques du septième type présentant une énergie d’activation de 0,416 eV à 0,017 eV près et une section efficace de capture pour les trous supérieure à 10^-16 cm^2. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée de l’invention qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquels : FIG. 1 FIG. 2 Les figures 1 et 2 présentent sept types de pièges électriques (T1 à T7) présents dans des couches de piégeage en silicium polycristallin ; FIG. 3 La FIG. 3 représente un support conforme à l’invention ; FIG. 4 La FIG. 4 représente un substrat composite employant un support conforme à l’invention. DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION En introduction, on rappelle que certains défauts introduits dans la maille cristalline d’un matériau semiconducteur peuvent être électriquement actifs et introduire des niveaux d’énergies dans la bande interdite de ce matériau. C’est notamment le cas des défauts intrinsèques de la maille cristalline : lacune, auto-interstitiels, antisite, dislocations, interfaces, joints de grain (pour un matériau polycristallin). Ces niveaux d’énergie sont appelés pièges électriques et la présence de ces pièges modifie les propriétés électriques du matériau semi-conducteur par la capture d’électrons ou de trous libres et/ou par l’émission d’électrons ou de trous piégés. En fonction du niveau d’énergie des pièges, c’est-à-dire de sa position dans la bande interdite, certaines probabilités de transition deviennent dominantes ce qui confère aux matériaux munis de tels pièges des caractéristiques particulières. Si le niveau d’énergie le situe entre l’énergie minimale de la bande de conduction et le milieu de la bande interdite, alors le piège aura plutôt tendance à agir comme un piège à électrons. La probabilité de réémission d’un électron par le piège va dépendre de son énergie d’activation, qui est l’énergie nécessaire pour surmonter la barrière de potentiel crée par le piège. Cette énergie est égale à la différence entre l’énergie minimale de la bande de conduction et le niveau d’énergie du piège. Similairement, si le niveau d’énergie situe un piège entre l’énergie maximale de la bande de valence et le milieu de la bande interdite alors le piège agira comme un piège à trou. L’énergie d’activation permettant la réémission de ce trou correspond à la différence entre le niveau d’énergie du piège et l’énergie maximale de la bande de valence. L’énergie d’activation d’un piège forme donc une caractéristique importante de ce piège. Outre ce niveau, un piège électrique peut être caractérisé par sa section efficace de capture (exprimé généralement en cm^2) de trous et/ou d’électrons. D’un point de vue physique cette section représente l’aire effective autour du piège qu’un porteur doit traverser pour pouvoir entre capturé. Les porteurs se déplacent de manière aléatoire dans le réseau cristallin du matériau, et ceux qui rentrent dans l’aire effective autour du piège sont suffisamment proches pour être capturés par ce dernier. Les valeurs physiquement admissibles d’une section efficace de capture peuvent varier entre 10^−18 et 10^−14 cm^2. De nombreuse méthodes existent pour extraire les caractéristiques des pièges électriques présent dans un matériau. Le principe de base de ces méthodes est souvent le même, indépendamment du matériau à analyser, de la structure de test ou de la technique employée. Il consiste a perturber l’équilibre électrique du matériau en injectant (ou en enlevant) des porteurs. Cela peut être accompli par exemple en changeant brusquement la tension inverse d’une diode Schottky ou par illumination du matériau. On observe ensuite le retour à l’équilibre électrique du matériau pour différentes températures et/ou sous excitation optique. Le changement d’occupation dans les pièges est analysé par mesure du courant ou de la capacité (en fonction de la structure de test utilisée). La spectroscopie thermique du transitoire de courant photo-induit (« Photo-Induced Current Transient Spectroscopy » dans son expression anglo-saxonne) est une technique bien connue qui est particulièrement efficace lorsqu’il s’agit de caractériser les pièges électriques présents dans une couche de piégeage en silicium polycristallin disposée sur un substrat de base. On pourra trouver un exposé détaillé de cette technique dans le document « Deep level spectroscopy in high resistivity materials » (Appl. Phys. Lett. 32, 821 (1978); doi: 10.1063/1.89929) ou dans le document “Characterization and Role of Deep Traps on the Radio Frequency Performances of High Resistivity Substrates” J. Appl. Phys. 7 June 2021; 129 (21): 215701. https://doi.org/10.1063/5.0045306. Selon cette technique, l'injection de porteurs est assurée par l'illumination de l'échantillon de matériau à analyser et les signatures des pièges (niveau d’activation et section efficace de capture) sont extraites d'un spectre construit à partir de la mesure du courant transitoire provenant des porteurs libérés thermiquement. Les inventeurs de la présente demande ont eu l’intuition que certains défauts de la maille cristalline d’une couche de piégeage en silicium polycristallin étaient plus robuste à la température que d’autres. Pour tenter de discriminer parmi tous les défauts possibles ceux résistant à la température et ceux qui ne le sont pas, ils ont identifié les types de pièges présents dans une grande variété de couche piégeage en silicium polycristallin, en mesurant leurs caractéristiques électriques, puis ont repéré les types de pièges associés à des couche de piégeage robustes à la température (peu susceptible de recristalliser entièrement) et ceux associés à des couches de piégeage peu robuste à la température (et donc susceptible de recristalliser entièrement). La demanderesse a notamment identifié sept types de pièges électriques dont nous faisons une description ci-dessous. Pour obtenir cette classification, la demanderesse a réalisé une série d’expérimentations conduisant à constituer une pluralité de supports en déposant des couches de silicium polycristallin (i.e. la couche de piégeage) sur des substrats de base, les couches étant réalisés selon des techniques et des paramètres de dépôts distincts. Les défauts présents dans la couche de piégeage de chaque support ont été caractérisés à l’aide de la technique de spectroscopie thermique du transitoire de courant photo-induit exposée ci-dessus, pour en déterminer l’énergie d’activation et la section efficace de capture d’électrons et/ou de trous, ce qui a permis d’identifier les différents types de pièges électriques. Les supports ont subit un traitement thermique à 1100°C pendant deux heures et la couche de piégeage a ensuite été observé pour déterminer si sa nature poly cristalline avait été préservée ou pas. Les types de pièges sont caractérisés par leurs énergie d’activation et par leurs sections efficaces. Dans certains cas, la méthode de caractérisation ne permet pas de déterminer si les pièges d’un type donné, sont des pièges à trous, des pièges à électrons ou des pièges mixtes. Pour ces types de pièges, ont défini donc deux caractéristiques de section efficace, l’un considérant qu’il s’agit d’un piège à trou et l’autre qu’il s’agit d’un piège à électron. Pièges de type 1 Les pièges électriques du premier type qui se sont révélés robustes à la température présentent : une énergie d’activation de 0,383 eV à 0,008 eV près. une section efficace de capture pour les électrons de 5,4 10^-17 à 0,2^10^-17 près. une section efficace de capture pour les trous de 1,7 10^-17 à 0,1 10^-17 près. Pièges de type 2 Les pièges électriques du deuxième type qui se sont révélés robustes à la température présentent : une énergie d’activation de 0,428 eV à 0,016 eV près. une section efficace de capture pour les électrons de 1,8 10^-17 à 1,1^10^-17 près. une section efficace de capture pour les trous de 5,7 10^-17 à 3,7 10^-18 près. Pièges de type 3 Les pièges électriques du troisième type ne se retrouvent pas dans les couches de piégeage en silicium polycristallin qui se sont révélés robustes à la température. Ces pièges du troisième type présentent : une énergie d’activation de 0,485 eV à 0,015eV près. une section efficace de capture pour les électrons de 1,0 10^-15 à 0,1 10^-15 près. une section efficace de capture pour les trous de 3,3 10^-16 à 0,2 10^-16 près. Pièges de type 4 Les pièges électriques du quatrième type qui se sont révélés robustes à la température présentent : une énergie d’activation de 0,392 eV à 0,018 eV près. une section efficace de capture pour les électrons de 3,8 10^-17 à 0,3 10^-17 près. une section efficace de capture pour les trous de 1,2 10^-17 à 0,1 10^-17 près. Pièges de type 5 Les pièges électriques du cinquième type qui se sont révélés robustes à la température présentent : une énergie d’activation de 0,371 eV à 0,025 eV près. une section efficace de capture pour les électrons de 6,9 10^-17 à 0,7 10^-17 près. une section efficace de capture pour les trous de 2,2 10^-17 à 0,2 10^-17 près. Pièges de type 6 Les pièges électriques du sixième type ne se retrouvent pas dans les couches de piégeage en silicium polycristallin qui se sont révélés robustes à la température. Ces pièges du sixième type présentent : une énergie d’activation de 0,474 eV à 0,032 eV près. une section efficace de capture pour les trous de 5,2 10^-16 à 0,5 10^-16 près. Pièges de type 7 Les pièges électriques du septième type ne se retrouvent pas dans les couches de piégeage en silicium polycristallin qui se sont révélés robustes à la température. Ces pièges du sixième type présentent : une énergie d’activation de 0,416 eV à 0,017 eV près. une section efficace de capture pour les trous de 1,7 10^-16 à 0,1 10^-16 près. On note qu’outre la nature des pièges, il est bien entendu important que la densité cumulée de l'ensemble des pièges soit suffisante pour que l’effet de piégeage soit présent. Il faut au moins une densité surfacique de 2.0 10^11 pièges.cm^-2, préférentiellement plus de 1.0 10^12 pièges.cm^-2, voire plus de 1.0 10^13 pièges.cm^-2. Pour une couche de de 1 µm d'épaisseur, cela donne respectivement 2.0 10^15, 2.0 10^16 16 et 2.0 10^17 pièges.cm^-3. On a représenté sur la FIG. 1 les sept types de pièges T1 à T7 selon leur niveau d’énergie d’activation EA. On note qu’il n’est pas possible de discriminer les types de pièges qui sont présent dans les couches de piégeage robustes des pièges présent dans les couches de piégeage non robustes à partir de ce niveau d’énergie d’activation seulement, et que la caractérisation complète (comprenant la valeur de la section efficace de capture) est nécessaire pour cela. Cela est rendu apparent sur la FIG. 2 sur laquelle on remarque que la section efficace de capture pour les trous et pour les électrons est inférieure à 10^-16 cm^2 pour tous les types de pièges que l’on retrouve dans une couche de piégeage robuste, et supérieure à cette limite de 10^-16 cm^2 dans le cas contraire. Aussi, et selon l’invention, un support 1 formé d’un substrat de base 2 et d’une couche de piégeage 3a, destiné à la réalisation d’un substrat composite, est constitué d’une couche de piégeage 3a présentant des pièges électriques du premier type et du deuxième type. Avantageusement, la couche de piégeage 3a est dépourvue de pièges électriques du troisième type. Plus avantageusement, la couche de piégeage 3a comprend en outre des pièges électriques du quatrième type et du cinquième type, et elle est dépourvue des pièges électriques du sixième type et du septième type. La FIG. 3 représente ainsi un support 1 conforme à l’un des modes de mise en œuvre. Ce support 1 est destiné à recevoir, par une technique de transfert de couche, une couche mince cristalline pour former un substrat composite S, représenté sur la FIG. 4 . D’une manière très générale, le support 1 comprend, disposée sur un substrat de base 2, une couche de piégeage 3a en contact avec le substrat de base 2. On peut prévoir, comme cela est représenté sur la FIG. 1 , une couche diélectrique 3b disposée sur et en contact avec la couche de piégeage 3a, mais cette couche diélectrique 3b est parfaitement optionnelle. Lorsqu’elle est présente, la couche diélectrique 3b présente une épaisseur typiquement comprise entre 10nm et 10 microns, essentiellement dictée par le besoin de l’application du substrat composite S que le support 1 est destiné à former. De manière conventionnelle, le support 1 peut se présenter sous la forme d'une plaquette circulaire dont le diamètre peut être de 100, 150 200, 300 voire même 450mm. Le substrat de base 2 du support 1 sur lequel repose la couche de piégeage 3a présente typiquement une épaisseur de plusieurs centaines de micromètres. Préférentiellement, le substrat de base 2 présente une résistivité élevée, supérieure à 1000 ohms centimètres, et plus préférentiellement encore, supérieure à 2000 ohms centimètres. On limite de la sorte la densité des charges, trous ou électrons, qui sont susceptibles de se déplacer dans le substrat de base 2. Mais l’invention n’est pas limitée à un substrat de base 2 présentant une telle résistivité, et elle procure également des avantages de performance RF lorsque le substrat de base 2 présente une résistivité plus conforme, de l’ordre de quelques centaines d’ohms centimètres, par exemple inférieur à 1000 ohm.cm, ou à 500 ohm.cm voire même à 10 ohm.cm. Pour des raisons de disponibilité et de coût, le substrat de base 2 est préférentiellement en silicium monocristallin. Le substrat de base 2 peut alternativement être formé d'un autre matériau : il peut s'agir par exemple de saphir, de verre, de quartz, de carbure de silicium, de germanium, de nitrure de gallium, de phosphure d’indium… Dans certaines circonstances, et notamment lorsque la couche de piégeage 3a présente une épaisseur suffisante, par exemple supérieur à 10 micromètres, le substrat de base 2a peut présenter une résistivité standard, inférieure à 1 kohm.cm. Afin de chercher à préserver les propriétés de la couche de piégeage 3a au cours des traitements thermiques que peut subir le support 1, on peut éventuellement prévoir une couche amorphe, en dioxyde de silicium par exemple, directement intercalée entre le substrat de base 2 et la couche de piégeage 3a. Lorsque le substrat de base 2 est en silicium, cette couche amorphe peut être une couche d’oxyde natif présent à la surface de ce substrat ou formée intentionnellement par oxydation chimique ou thermique du substrat de base. Mais la couche de piégeage 3a conforme à la présente description est particulièrement stable avec la température, et la présence de la couche amorphe est parfaitement optionnelle. La couche de piégeage 3a peut présenter une épaisseur comprise entre 10 nm et 50 micromètres. Préférentiellement, cette épaisseur est inférieure à 2 microns, voire même à 1 micron, pour limiter la quantité de matière, et les éventuelles contraintes que cette couche peut appliquer au support 1, et qui pourraient le déformer. Mais cette gamme d’épaisseur avantageuse n’est nullement limitative, et on pourra choisir de former une couche de piégeage 3a de toute épaisseur qui convient, selon les besoins de l’application visée. Selon un autre aspect, l’invention concerne un procédé de sélection d’un support. Ce procédé comprend une première étape de fourniture d’un support comprenant un substrat de base et une couche de piégeage 3a en silicium polycristallin disposé sur le substrat de base. Cette étape de fourniture consiste à former, par tout moyen connu en soi, la couche de piégeage 3a. Il peut ainsi s’agir d’un dépôt du type HTCVD (acronyme de l’expression anglo-saxonne « High Temperature Chemical Vapor Deposition » ou dépôt chimique en phase vapeur assisté à haute température) ou encore du type PECVD (acronyme de l’expression anglo-saxonne « Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition » ou dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma). Il peut également s’agir d’un dépôt LPCVD (acronyme de l’expression anglo-saxonne « Low Pressure Chemical Vapor Deposition » ou dépôt chimique en phase vapeur à pression sous atmosphérique). Ces dépôts peuvent être réalisés à partir de tout gaz précurseur de silicium qui convient, tel que du silane, du dichlorosilane, du trichlorosilane ou du TEOS (orthosilicate de tétraéthyle). Dans tous les cas, la couche de piégeage 3a comporte des pièges électriques qui peuvent être d’une variété de types. Les expérimentations menées ont montré qu’une même technique de dépôt, mais déployant des précurseurs de nature différentes (par exemple dichlorosilane et trichlorosilane) conduisait à former des couches de piégeage présentant des niveaux de performance différents. L’analyse des pièges présents dans ces couches a montré que ceux-ci était bien distincts d’une couche à l’autre, ce qui confirme l’intérêt d’une méthode de caractérisation conforme à l’invention. Dans une étape suivante du procédé qui fait l’objet à la présente description, on met en œuvre une étape de caractérisation de la couche de piégeage 3a. Cette étape comprend la mesure de l’énergie d’activation et de la section efficace de capture de trous et/ou d’électrons des pièges électriques de la couche de piégeage. Cette étape de caractérisation comprend également l’identification de différents types de pièges électriques présent dans la couche de piégeage, et notamment des types T1 à T7 dont on a fait la description dans une section précédente. Enfin, le procédé comprend une étape de sélection du support 1 au cours de laquelle ce support 1 est sélectionné si la couche de piégeage 3a présente des pièges électriques du premier type et du deuxième type. Avantageusement, on ne retient, au cours de cette étape de sélection, un support 1 uniquement si la couche de piégeage 3a est dépourvue de pièges électriques du troisième type. Plus avantageusement encore, on ne retient un support uniquement si la couche de piégeage 3a comprend en outre des pièges électriques du quatrième type et du cinquième type, et si elle est dépourvue de pièges électriques du sixième type et du septième type. Un support 1 sélectionné peut être avantageusement exploité dans un procédé de transfert de couche visant à reporter sur la couche de piégeage de charge 3a ou sur une couche diélectrique 3b constituée sur cette couche 3a, un film mince 4 cristallin. Ce film peut notamment être constitué ou comprendre du silicium, du carbure de silicium, un matériau III-V ou piézoélectrique. Bien entendu l'invention n'est pas limitée aux modes de mise en œuvre décrits et on peut y apporter des variantes de réalisation sans sortir du cadre de l'invention tel que défini par les revendications. Support (1) pour un substrat composite (S), le support comprenant un substrat de base et une couche de piégeage (3a) en silicium polycristallin disposé sur le substrat de base (2), le support (1) étant caractérisé en ce que la couche de piégeage présente des pièges électriques d’un premier type et d’un deuxième type, les pièges électriques du premier type présentant une énergie d’activation de 0,383 eV à 0,008 eV près et une section efficace de capture pour les trous et pour les électrons inférieure à 10^-16 cm^2, les pièges électriques du deuxième type présentant une énergie d’activation de 0,428 eV à 0,016 eV près et une section efficace de capture pour les trous et pour les électrons inférieure à 10^-16 cm^2. Support (1) selon la revendication précédente dans lequel les pièges électriques du premier type présentent une section efficace de capture pour les trous de 1,7 10^-17 à 0,1 10^-17 près et une section efficace de capture pour les électrons de 5,4 10^-17 à 0,2^10^-17 près. Support (1) selon l’une des revendications précédentes dans lequel les pièges électriques du deuxième type présentent une section efficace de capture pour les électrons de 1,8 10^-17 à 1,1 10^-17 près et une section efficace de capture pour les trous de 5,7 10^-17 à 3,7 10^-18 près. Support (1) selon l’une des revendications précédentes dans lequel la couche de piégeage est dépourvue des pièges électriques d’un troisième type, les pièges électriques du troisième type présentant une énergie d’activation de 0,485 eV à 0,015eV près et une section efficace de capture pour les trous et pour les électrons supérieure à 10^-16 cm^2. Support (1) selon la revendication précédente dans lequel les pièges électriques du troisième type présentent une section efficace de capture pour les électrons de 1,0 10^-15 à 0,1 10^-15 près et une section efficace de capture pour les trous de 3,3 10^-16 à 0,2 10^-16 près. Support (1) selon l’une des revendications précédentes dans lequel la couche de piégeage comprend en outre des pièges électriques d’un quatrième type et d’un cinquième type, les pièges électriques du quatrième type présentant une énergie d’activation de 0,392 eV à 0,018 eV près et une section efficace de capture pour les trous et pour les électrons inférieure à 10^-16 cm^2, les pièges électriques du cinquième type présentant une énergie d’activation de 0,371 eV à 0,025 eV près et une section efficace de capture pour les trous et pour les électrons inférieure à 10^-16 cm^2. Support (1) selon la revendication précédente dans lequel les pièges électriques du quatrième type présentent une section efficace de capture pour les électrons de 3,8 10^-17 à 0,3 10^-17 près et une section efficace de capture pour les trous de 1,2 10^-17 à 0,1 10^-17 près. Support (1) selon l’une des deux revendications précédentes dans lequel les pièges électriques du cinquième type présentent une section efficace de capture pour les électrons de 6,9 10^-17 à 0,7 10^-17 près et une section efficace de capture pour les trous de 2,2 10^-17 à 0,2 10^-17 près. Support (1) selon l’une des revendications précédentes dans lequel la couche de piégeage est dépourvue de pièges électriques d’un sixième type et d’un septième type, les pièges électriques du sixième type présentant une énergie d’activation de 0,474 eV à 0,032 eV près et une section efficace de capture pour les trous supérieure à 10^-16 cm^2, les pièges électriques du septième type présentant une énergie d’activation de 0,416 eV à 0,017 eV près et une section efficace de capture pour les trous supérieure à 10^-16 cm^2. Support (1) selon la revendication précédente dans lequel les pièges électriques du sixième type présentent une section efficace de capture pour les trous de 5,2 10^-16 à 0,5 10^-16 près. Support (1) selon l’une des deux revendications précédentes dans lequel les pièges électriques du septième type présentent une section efficace de capture pour les trous de 1,7 10^-16 à 0,1 10^-16 près. Procédé de sélection d’un support (1), le procédé comprenant: Une étape de fourniture du support comprenant un substrat de base et une couche de piégeage (3a) en silicium polycristallin disposé sur le substrat de base, la couche de piégeage comportant des pièges électriques ; Une étape de caractérisation comprenant la mesure d’une énergie d’activation et d’une section efficace de capture de trous et/ou d’électrons des pièges électriques de la couche de piégeage, l’étape de caractérisation comprenant également l’identification de différents types de pièges électriques présent dans la couche de piégeage ; Une étape de sélection au cours de laquelle on sélectionne le support (1) si la couche de piègeage présente des pièges électriques d’un premier type et d’un deuxième type, les pièges électriques du premier type présentant une énergie d’activation de 0,383 eV à 0,008 eV près et une section efficace de capture pour les trous et pour les électrons inférieure à 10^-16 cm^2, les pièges électriques du deuxième type présentant une énergie d’activation de 0,428 eV à 0,016 eV près et une section efficace de capture pour les trous et pour les électrons inférieure à 10^-16 cm^2. Procédé de sélection selon la revendication 12 dans lequel au cours de l’étape de sélection on sélectionne le support (1) si la couche de piégeage est également dépourvue des pièges électriques d’un troisième type, les pièges électriques du troisième type présentant une énergie d’activation de 0,485 eV à 0,015eV près et une section efficace de capture pour les trous et pour les électrons supérieure à 10^-16 cm^2. Procédé de sélection selon l’une des revendications 12 à 13 dans lequel au cours de l’étape de sélection on sélectionne le support (1) si la couche de piégeage comporte également des pièges électriques d’un quatrième type et d’un cinquième type, les pièges électriques du quatrième type présentant une énergie d’activation de 0,392 eV à 0,018 eV près et une section efficace de capture pour les trous et pour les électrons inférieure à 10^-16 cm^2, les pièges électriques du cinquième type présentant une énergie d’activation de 0,371 eV à 0,025 eV près et une section efficace de capture pour les trous et pour les électrons inférieure à 10^-16 cm^2. Procédé de sélection selon l’une des revendications 12 à 14 dans lequel au cours de l’étape de sélection on sélectionne le support (1) si la couche de piégeage est également dépourvue de pièges électriques d’un sixième type et d’un septième type, les pièges électriques du sixième type présentant une énergie d’activation de 0,474 eV à 0,032 eV près et une section efficace de capture pour les trous supérieure à 10^-16 cm^2, les pièges électriques du septième type présentant une énergie d’activation de 0,416 eV à 0,017 eV près et une section efficace de capture pour les trous supérieure à 10^-16 cm^2.