Brevet FR3156589A1 — publié le 20250613

L’invention concerne un module hyperfréquence comprenant une puce hyperfréquence comportant un substrat, une couche active comprenant des composants passifs et actifs à une première face de la puce, une couche de masse électrique sur une deuxième face opposée à la première face, la couche active comprenant des lignes de transmission en guide microruban ; un boitier encapsulant la puce hyperfréquence, ledit boitier comportant une couche de redistribution (RDL) recouvrant la couche active de la puce hyperfréquence et comprenant des traces de connexion électrique pour une liaison entre la couche active et des interfaces électriques du module hyperfréquence ; la couche active comprenant au moins une borne de masse reliée à la couche de masse de la puce hyperfréquence, ladite borne de masse étant reliée à au moins l’une des interfaces électriques, dite « interface de masse », par l’intermédiaire d’au moins l’une des traces de connexion électrique, dite « trace de masse », ladite interface de masse étant configurée pour être connectée à une masse électrique d’une carte électronique, ladite interface de masse et ladite trace de masse étant en vis-à-vis de la couche active.. MODULE HYPERFREQUENCE L’invention concerne un module hyperfréquence comprenant une puce hyperfréquence. L’invention concerne en outre un ensemble comprenant un module hyperfréquence selon l’invention et une carte électronique. Les puces hyperfréquences ou circuits MMIC (pour « Monolithic Microwave Integrated Circuit » en anglais) sont des circuits réalisés avec les techniques de la microélectronique. Elles sont par exemple utilisées dans des radars pour augmenter la puissance du signal émis par l’antenne, par exemple de quelques mW à environ 100W. La FIG. 1 présente une vue de dessous partielle d’un exemple de module hyperfréquence 1 connu monté sur une carte électronique 3, la carte électronique étant représentée en transparence. Le module hyperfréquence 1 comprend une puce hyperfréquence 110 encapsulée dans un boitier 120. La puce 110 comprend un substrat, une première face comprenant une couche active 111, et une couche de masse à une deuxième face opposée à la première face. La couche active 111 comprend des composants actifs (non représentés) de la puce hyperfréquence 110, tels qu’un transistor par exemple, et des composants passifs (non représentés) de la puce hyperfréquence 110, tels que des capacités ou des inductances. La couche active 111 comprend aussi des lignes de transmission (non représentées) permettant la propagation des signaux hyperfréquences depuis ou vers les composants de la couche active 111. Les lignes de transmission peuvent former des lignes de transmission en guide microruban ou (« microstrip » en anglais) permettant la propagation d’une polarité positive du signal hyperfréquence, tandis que la couche de masse permet la propagation d’une polarité négative du signal hyperfréquence. Après sa fabrication, la puce hyperfréquence 110 est encapsulée dans le boitier 120 par une technique de conditionnement au niveau de la plaquette ou technique FOWLP (pour «Fan-Out Wafer Level Packaging » en anglais) connue en soi. Le boitier 120 comprend notamment un moulage plastique recouvrant la deuxième face et les côtés de la puce hyperfréquence 110, en particulier pour une protection mécanique de la puce hyperfréquence 110. Le boitier 120 comprend en outre une couche de redistribution ou couche RDL (pour « Redistribution Layer » en anglais) 124. La couche RDL 124 recouvre la couche active 111 et permet de connecter des bornes 115, 116, 113 de la puce hyperfréquence 110 avec des composants extérieurs. A cet effet, la couche RDL 124 comprend des traces de connexion électrique 125, 126, 123. Ces traces de connexion électrique 125, 126, 123 aboutissent à des interfaces 135, 136, 133 du boitier 120, qui sont notamment des billes (ou « bump » en anglais). Typiquement, dans la technique de conditionnement FOWLP, les interfaces de connexion électrique 135, 136, 133 sont situées en périphérie de la couche active 111. Les bornes 115, 116, 113 de la puce 110 sont en bordure de la couche active 111, les traces de connexion électrique s’étendant depuis les bords de la puce jusqu’aux interfaces électriques 135, 136, 133. Autrement dit, les interfaces de connexion électrique 135, 136, 133 ne sont pas en vis-à-vis de la carte électronique 3, mais en périphérie de celle-ci, comme par exemple illustré en FIG. 1 . Typiquement, la puce hyperfréquence 110 comprend des bornes d’entrée 115 de signal hyperfréquence reliées à des interfaces d’entrée 135 respectives par l’intermédiaire de traces de connexion électrique 125 respectives ; et des bornes de sortie 116 de signal hyperfréquence reliées à des interfaces de sortie 136 respectives par l’intermédiaire de traces de connexion électrique 126 respectives. Typiquement, le module hyperfréquence 1 est monté sur la carte électronique 3 de sorte que la première face de la puce hyperfréquence 110 soit orientée vers la carte électronique 3. Les interfaces 135,136, 133 permettent de connecter les traces de connexion 125, 126, 123 de la couche RDL 124 avec des pistes de la carte électronique 3. La transition hyperfréquence entre la carte électronique 3 et la puce hyperfréquence 110, c’est-à-dire la transmission de signaux hyperfréquences entre la carte électronique 3 et la puce hyperfréquence 110, est typiquement caractérisée par des paramètres [S]. Les paramètres [S] décrivent la relation entrée-sortie des niveaux de puissance réfléchis ou transmis entre des ports de l’ensemble module hyperfréquence 1-carte électronique 3. Ainsi, la carte électronique 3 comprend un premier port P1 délivrant un signal hyperfréquence vers la puce hyperfréquence 110, et un deuxième port P2 recevant un signal hyperfréquence depuis la puce hyperfréquence 110. Les bornes d’entrée 115 de la puce hyperfréquence 110 forment un troisième port P3 ; et les bornes de sortie 116 de la puce hyperfréquence 110 forment un quatrième port P4. Les paramètres S31, S24 représentent respectivement la puissance transférée du premier port P1 au troisième port P3 et celle transférée du quatrième port P4 au deuxième port P2. Autrement dit, les paramètres S31, S24 désignent respectivement les pertes en transmission entre le premier port P1 et le troisième port P3, et entre le quatrième port P4 et le deuxième port P2. Ils doivent donc être le plus proche possible de zéro lorsqu’ils sont exprimés en décibels (dB) ou de l’unité lorsqu’ils sont exprimés en échelle linéaire. Les paramètres S11, S33, S22, S44 représentent les pertes en réflexion respectivement au niveau du premier port P1, du troisième port P3, du deuxième port P2, et du quatrième port P4. Ils doivent avoir des valeurs négatives les plus faibles possible lorsqu’ils sont exprimés en décibels (dB). Le paramètre S34 représente l’isolation entre le quatrième port P4 et le troisième port P3. Il doit avoir une valeur négative la plus faible possible lorsqu’il est exprimé en décibels (dB). Pour un fonctionnement efficace du module hyperfréquence, on cherche à minimiser les pertes dans les transitions hyperfréquence, se traduisant par une amélioration des paramètres [S]. La publication de brevet américain US11557545 B2 divulgue un circuit MMIC monté sur une carte électronique de sorte que la couche active soit orientée vers la carte électronique. Ce circuit est associé à un boitier de technologie FOWLP dans lequel les interfaces de connexion sont en périphérie de la puce hyperfréquence. La puce hyperfréquence comprend une couche de masse additionnelle entre la couche active et la couche RDL du boitier, ce qui complexifie la fabrication de l’ensemble constitué du circuit MMIC et du boitier. Il est donc recherché un module hyperfréquence permettant un montage sur une carte électronique avec la couche active orientée vers ladite carte électronique, et d’obtenir de façon simple des pertes réduites dans les transitions hyperfréquences. A cet effet, l’invention propose un module hyperfréquence comprenant : une puce hyperfréquence comportant un substrat, une couche active comprenant des composants passifs et actifs à une première face de la puce, une couche de masse électrique sur une deuxième face opposée à la première face, la couche active comprenant des lignes de transmission en guide microruban ; un boitier encapsulant la puce hyperfréquence, ledit boitier comportant une couche de redistribution (RDL) recouvrant la couche active de la puce hyperfréquence et comprenant des traces de connexion électrique pour une liaison entre la couche active et des interfaces électriques du module hyperfréquence ; la couche active comprenant au moins une borne de masse reliée à la couche de masse de la puce hyperfréquence, ladite borne de masse étant reliée à au moins l’une des interfaces électriques, dite « interface de masse », par l’intermédiaire d’au moins l’une des traces de connexion électrique, dite « trace de masse », ladite interface de masse étant configurée pour être connectée à une masse électrique d’une carte électronique, ladite interface de masse et ladite trace de masse étant en vis-à-vis de la couche active. En prévoyant des interfaces de masse et des traces de masse en vis-à-vis de la première face de la puce, le chemin électrique entre l’interface de masse et la couche de masse de la puce est plus court que si les interfaces avaient été positionnées en périphérie de la puce. Cela permet une amélioration des paramètres [S] de la puce. Selon un mode de réalisation, l’au moins une borne de masse est connectée à la couche de masse par l’intermédiaire d’un via de connexion électrique traversant le substrat, une distance entre ledit via et l’interface de masse étant égale à une distance minimale définie par un procédé de fabrication du module hyperfréquence. Selon une variante, ladite distance minimale est inférieure ou égale à 200µm, 150µm ou 100µm, ou égale à zéro. Selon un mode de réalisation, la puce hyperfréquence comprend de premières bornes situées dans une zone périphérique de la couche active, l’au moins une borne de masse étant située dans une zone centrale de la couche active délimitée par ladite zone périphérique, l’au moins une trace de masse et l’au moins une interface de masse, étant en vis-à-vis de ladite zone centrale de la couche active. Selon un mode de réalisation, ladite couche active comprend des bornes d’entrée configurées pour recevoir un signal hyperfréquence entrant dans la puce hyperfréquence et des bornes de sortie configurées pour délivrer un signal hyperfréquence émis par la puce hyperfréquence ; la couche active comprenant au moins une borne de masse, dite « borne de masse latérale », située à proximité des bornes d’entrée ou des bornes de sortie. Selon une variante, l’au moins une borne de masse latérale est située à une distance des bornes d’entrée ou des bornes de sortie inférieure ou égale à 700µm ou 400µm, voire 300µm. Selon une variante, le module hyperfréquence comprend deux bornes de masse latérales situées de part et d’autre des bornes d’entrée et/ou deux bornes de masse latérales situées de part et d’autre des bornes de sortie. Selon un mode de réalisation, le module hyperfréquence comprend une pluralité de ladite borne de masse, dites « bornes de masse intérieures », formant un maillage dans la couche active de la puce hyperfréquence. Selon une variante, au moins une borne de masse intérieure est située entre des composants actifs ou passifs de la puce hyperfréquence. L’invention concerne aussi un ensemble comprenant : un module hyperfréquence selon l’invention, une carte électronique comprenant une couche de masse électrique, ledit module hyperfréquence étant monté sur la carte électronique de sorte que la couche active de la puce soit orientée vers ladite carte électronique, l’au moins une interface de masse venant se connecter électriquement à la masse de la carte électronique. Selon un mode de réalisation, l’au moins une interface de masse vient contre une borne respective de la carte électronique, la dite interface de masse, ladite borne de la carte électronique et un via reliant la borne de la carte électronique à la masse électrique de la carte électronique, étant alignés suivant une direction transversale par rapport à la première face de la puce hyperfréquence. D’autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront mieux à la lecture de la description qui suit en relation aux figures annexées suivantes : FIG. 1 : la FIG. 1 , déjà décrite, illustre un module hyperfréquence de l’art antérieur monté sur une carte électronique ; FIG. 2 : la FIG. 2 illustre un exemple de module hyperfréquence selon l’invention monté sur une carte électronique ; FIG. 3 : la FIG. 3 illustre un exemple de module hyperfréquence selon l’invention monté sur une carte électronique, représenté sans sa puce hyperfréquence ; FIG. 3 : la FIG. 3 illustre l’exemple de module hyperfréquence de la FIG. 3 , représenté avec sa puce hyperfréquence ; FIG. 4 : la FIG. 4 représente des allures du paramètre S31 avec un module hyperfréquence selon l’art antérieur et un exemple de module hyperfréquence selon l’invention ; FIG. 5 : la FIG. 5 représente des allures du paramètre S24 avec un module hyperfréquence selon l’art antérieur et un exemple de module hyperfréquence selon l’invention ; FIG. 6 : la FIG. 6 représente des allures du paramètre S11 avec un module hyperfréquence selon l’art antérieur et un exemple de module hyperfréquence selon l’invention ; FIG. 7 : la FIG. 7 représente des allures du paramètre S22 avec un module hyperfréquence selon l’art antérieur et un exemple de module hyperfréquence selon l’invention ; FIG. 8 : la FIG. 8 représente des allures du paramètre S34 avec un module hyperfréquence selon l’art antérieur et un exemple de module hyperfréquence selon l’invention. La FIG. 2 représente une vue de coupe transversale d’un exemple de module hyperfréquence 200 selon l’invention. Le module hyperfréquence 200 comprend une puce hyperfréquence 210 ou circuit MMIC. La puce hyperfréquence 210 comprend une couche active 211 à une première de ses faces, un substrat S, et une couche de masse électrique 212 à une deuxième face opposée à la première. Notamment, la couche active 211, le substrat S, et la couche de masse 212 forment un empilement dans lequel les couches se superposent dans cet ordre. La couche active 211 comprend les composants actifs de la puce hyperfréquence 210, tels qu’un transistor 214 par exemple. Des électrodes de source du transistor 214 sont par exemple reliées à la couche de masse 212 de la puce 210 par l’intermédiaire de vias de connexion électrique. La couche active 211 comprend des composants passifs de la puce hyperfréquence 210, tels que des capacités ou des inductances. La couche active 211 comprend aussi des lignes de transmission permettant notamment la propagation de signaux hyperfréquences depuis ou vers les composants de la couche active 211. Les lignes de transmission forment des lignes de transmission en guide microruban ou (« microstrip » en anglais) permettant la propagation d’une polarité positive du signal hyperfréquence, tandis que la couche de masse 212 permet la propagation d’une polarité négative du signal hyperfréquence. Un boitier 220 encapsule la puce hyperfréquence 210. Le boitier 220 comporte une couche de redistribution (« couche RDL » dans ce qui suit) 224 qui recouvre la couche active 211, notamment en venant directement en contact avec la couche active 211. La couche RDL 224 permet notamment de connecter des bornes de la puce hyperfréquence 210, en particulier de la couche active 211, avec des composants extérieurs. La couche RDL 224 comprend des traces de connexion électrique 223, 225, 226, 227 pour une liaison entre la couche active 211 et des interfaces électriques 233, 235, 236, 237 du module hyperfréquence 200. Notamment, les interfaces électriques 233, 235, 236, 237 sont à une face du module hyperfréquence 200 qui est parallèle à la première face de la puce hyperfréquence 210. Dans la couche active 211, une borne de masse 217 est reliée à la couche de masse 212. Une trace de connexion 227 de la couche RDL 224, dite trace de masse, connecte la borne de masse 217 à une interface électrique 237, dite interface de masse. L’interface de masse 237 est configurée pour être connectée à une masse 322 d’une carte électronique 300. Le module hyperfréquence 200 est particulier en ce que l’interface de masse 237 et la trace de masse 227 sont en vis-à-vis de la couche active 211. Autrement dit, suivant une direction perpendiculaire à la première face de la couche active 211 allant de l’extérieur vers l’intérieur de la puce 210, la trace de masse 227 et l’interface de masse 237 se trouvent au-dessus de la couche active 211. En particulier, le module hyperfréquence 200 est monté sur la carte électronique 300 de sorte que la couche active 211 de la puce 210 soit orientée vers la carte électronique 300. L’interface de masse 237 peut alors venir se connecter électriquement à la masse 322 de la carte électronique 300. A cet effet, la carte électronique 300 comprend notamment une borne 327, en particulier une piste électrique, sur sa face orientée vers le module hyperfréquence 200, contre laquelle l’interface de masse 237 vient en contact. En particulier, la masse électrique 322 de la carte électronique 300 est à une face opposée de la carte électronique 300. La borne 327, en particulier la piste électrique, peut alors être en contact électrique avec la masse électrique 322 de la carte électronique 300 par l’intermédiaire d’un via de connexion électrique V. En étant positionnées en vis-à-vis de la couche active 211, la trace de masse 227 et l’interface de masse 237 permettent une connexion entre la masse 212 de la puce hyperfréquence 210 et la masse 322 de la carte électronique 300 qui est au plus près de la couche active 211. Cette connexion entre les masses 212, 322 permet, de par sa localisation à proximité de la couche active 211, de limiter le rayonnement induit par la circulation d’un signal hyperfréquence dans la puce 210 et donc un meilleur guidage du signal hyperfréquence dans les lignes de transmission. Cela permet de réduire les pertes dans le module hyperfréquence 200. Dans l’art antérieur, la borne de masse de la puce 210 est connectée à une interface de connexion qui se trouve en périphérie de la puce hyperfréquence. La borne de masse 217 est notamment reliée à la couche de masse 212 par un via de connexion électrique V, par exemple un trou métallisé, traversant le substrat S. Pour minimiser les résistances et les inductances, et donc les pertes, le chemin électrique entre la couche de masse 212 de la puce 210 et l’interface de masse 237 est de préférence le plus court possible. Notamment, la distance entre le via V connectant la borne de masse 217 à la couche de masse 212 et l’interface de masse 231 est choisie de manière à être égale à une distance minimale définie par le procédé de fabrication du module hyperfréquence 200. Par exemple, la distance entre le via V et l’interface de masse 237 est mesurée entre un axe central du via V et un axe central de l’interface de masse 237. Une telle distance minimale est par exemple déterminée par une précision d’une lithographie ou d’une gravure utilisées dans le procédé de fabrication, ou par une incertitude de placement des composants dans la puce 210 ou le boitier 220, notamment des vias et/ou des interfaces de connexion. Par exemple, une telle distance minimale peut être égale à 200µm, voire 100µm, ou avoir une valeur intermédiaire telle que 150µm par exemple. De préférence la distance minimale est égale à zéro, ce qui permet d’avoir un alignement du via V, de la borne de masse 217, de la trace de masse 227 et de l’interface de masse 237. Le chemin électrique entre la masse 212 de la puce 210 et l’interface de masse 237 est alors le plus direct possible, ce qui minimise encore les résistances et les inductances dans le chemin électrique. De préférence, lorsque le module hyperfréquence 200 est monté sur la carte électronique 300, l’interface de masse 237, la borne 327 de la carte électronique 300 et le via V reliant la borne 327 de la carte électronique 300 à la masse électrique 322 de la carte électronique 300, sont alignés. En particulier, ils sont alignés suivant une direction transversale, notamment perpendiculaire, par rapport à la première face de la puce hyperfréquence 210. Cela améliore encore les transitions hyperfréquences entre la carte électronique 300 et la puce hyperfréquence 210. Selon un mode de réalisation, le boitier 220 est de type FOWLP. La puce hyperfréquence 210 comprend de premières bornes 213 situées dans une zone périphérique de la couche active 211. La borne de masse 217 est alors située dans une zone centrale de la couche active 211 délimitée par la zone périphérique. La borne de masse 217 est donc distincte des premières bornes 213. La trace de masse 227 et l’interface de masse 237 sont alors en vis-à-vis de la zone centrale de la couche active 211. Ceci est particulièrement visible en figures 3a et 3b présentant une vue de dessous partielle de l’exemple de module hyperfréquence 200 monté sur la carte électronique 300, la carte électronique étant représentée en transparence. En FIG. 3 , la puce hyperfréquence n’est pas représentée. Les premières bornes 213 sont visibles en bordure de la couche active 211. Les premières bornes 213 sont notamment connectées à des interfaces de connexion électrique 233 situées en périphérie de la couche active 211. En particulier, des traces de connexion électrique 223 connectent les premières bornes 213 depuis les bords de la couche active 211 jusqu’aux interfaces électriques 233. Autrement dit, les interfaces de connexion électrique 233 connectées aux premières bornes 213 de la couche active 211 ne sont pas en vis-à-vis de la couche active 211, mais se trouvent en périphérie de celle-ci. La puce 210 est notamment fabriquée suivant des procédés de la microélectronique. En particulier, après sa fabrication, la première face et la deuxième face de la puce 210 forment chacune une face externe de la puce 210. Après sa fabrication, la puce hyperfréquence 210 est notamment encapsulée dans le boitier 220 par une technique FOWLP. En faisant de nouveau référence à la FIG. 2 , le boitier 220 comprend notamment un moulage plastique 222 recouvrant la deuxième face et les côtés de la puce hyperfréquence 210, en particulier pour une protection mécanique de la puce hyperfréquence 210. Le moulage plastique 222 peut être en un matériau époxy. Notamment, la couche RDL 224 forme une couche venant contre la couche active 211, et repose par ses bords contre une partie du moulage plastique 222. La couche RDL 224 peut comprendre une première sous-couche de passivation, venant notamment contre la couche active 211 ; une deuxième sous-couche comprenant les traces de connexion électrique 223, 225, 226, 227 ; et une troisième sous-couche de passivation. Les sous-couches de passivation sont par exemple en un matériau isolant électriquement. La première sous-couche de passivation peut comprendre des fenêtres permettant un contact entre les bornes électriques 213, 215, 216, 217 de la couche active 211 et les traces de connexion électrique 223, 225, 226, 227. La troisième sous-couche de passivation peut comprendre des fenêtres permettant un contact entre les traces de connexion électrique 223, 225, 226, 227 et les interfaces 233, 235, 236, 237. Les interfaces 233, 235, 236, 237 du boitier 220 permettent notamment de connecter électriquement le module hyperfréquence 200, en particulier la couche active 211 de la puce hyperfréquence 210, avec son environnement. Les interfaces 233, 235, 236, 237 sont par exemple des billes (ou « bump » en anglais). Les interfaces 233, 235, 236, 237 sont notamment sur une face du module hyperfréquence 200 qui est parallèle à la première face de la puce hyperfréquence 210. En particulier, les interfaces 233, 235, 236, 237 viennent contre la surface de la carte électronique 300 lorsque le module hyperfréquence 200 est monté sur la carte électronique 300 de sorte que la couche active 211 de la puce hyperfréquence 210 soit orientée vers la carte électronique 300. En particulier, la couche active 211 comprend des bornes d’entrée 215 par lesquelles la puce hyperfréquence reçoit un signal hyperfréquence, notamment depuis la carte électronique 300. Notamment, la couche active comprend des bornes de sortie 216 qui émettent un signal hyperfréquence issu de la puce hyperfréquence 210, notamment vers la carte électronique 300. Les bornes d’entrée 215 de la couche active 211 peuvent comprendre trois électrodes. Une électrode centrale reçoit une polarité positive du signal hyperfréquence. Deux électrodes, situées de part et d’autre de l’électrode centrale, reçoivent une polarité négative du signal hyperfréquence et sont connectées à la masse 212 de la puce 210, notamment par l’intermédiaire de vias traversant le substrat S. De manière similaire, les bornes de sortie 216 peuvent comprendre trois électrodes. Les bornes d’entrée 215 et les bornes de sorties 216 appartiennent notamment aux premières bornes de la couche active 211 situées en bordure de celle-ci. Des traces de connexion 225, 226 relient les bornes d’entrée 215 et de sortie 216 à des interfaces d’entrées 235 et des interfaces de sorties 236 respectives. Les interfaces d’entrée 235 et de sortie 236 sont notamment situées en périphérie de la puce 210. Selon un mode de réalisation, au moins une borne de masse 217L, dite « borne de masse latérale », est située à proximité des bornes d’entrée 215 ou des bornes de sortie 216. La borne de masse latérale 217L permet notamment de réduire les pertes dans les transitions hyperfréquence pour des fréquences basses du signal hyperfréquence et de supprimer les résonnances. La borne de masse latérale 217L est de préférence au plus près des bornes d’entrée 215 ou de sortie 216. Par exemple, la borne de masse 217L est à une distance de celles-ci qui est inférieure ou égale à 700µm ou 400µm, voire 300µm. De préférence, une borne de masse latérale 217L est située de chaque côté des bornes d’entrée 215 ou des bornes de sortie 216. Les effets des bornes de masse latérales 217L sur les transitions hyperfréquences sont alors symétriques, ce qui réduit encore les pertes sur les transitions hyperfréquence. Selon un mode de réalisation, la couche active 211 comprend une pluralité de bornes de masse 217i, dites « bornes de masse intérieures », qui forment un maillage dans la couche active 211 de la puce hyperfréquence 210. Les bornes de masse intérieures 217i sont notamment réparties sur toute la couche active 211. En particulier, les bornes de masse intérieures 217i sont réparties dans la zone centrale de la couche active 211. Les bornes de masse intérieures 217i sont de préférence positionnées dans la couche active 211 dès que l’encombrement de la couche active 211 le permet, c’est-à-dire lorsqu’il y a suffisamment d’espace entre les composants de la couche active 211. Les bornes de masse intérieures 217i permettent notamment de réduire les pertes dans les transitions hyperfréquence pour des fréquences moyennes ou élevées du signal hyperfréquence. En particulier, les bornes de masse intérieures 217i améliorent également l’isolation du boitier, comme cela sera mieux compris avec la FIG. 8 décrite plus loin. A cet égard, Il est particulièrement avantageux de placer les bornes de masse intérieures 217i entre des composants actifs ou passifs de la couche active 211. En outre, plus le nombre de bornes de masse intérieures 217i du maillage est grand, plus grandes sont les fréquences pour lesquelles les pertes peuvent être réduites. Comme illustré par exemple en figures 3a, 3b, la carte électronique 300 comprend notamment un premier port P1 délivrant un signal hyperfréquence vers la puce hyperfréquence 210, et un deuxième port P2 recevant un signal hyperfréquence depuis la puce hyperfréquence 210. En particulier, les bornes d’entrée 215 de la puce hyperfréquence 210 forment un troisième port P3 ; et les bornes de sortie 216 de la puce hyperfréquence 210 forment un quatrième port P4. Les avantages des bornes de masse 217, 217L, 217i sur les transitions hyperfréquences seront mieux compris en faisant référence aux figures 4 à 8, qui représentent les allures de paramètres S en fonction de la fréquence du signal hyperfréquence. Sur ces figures, le graphe G1 correspond à un module hyperfréquence selon l’art antérieur, et le graphe G2 correspond à un exemple de module hyperfréquence selon l’invention. La FIG. 4 représente le paramètre S31 correspondant aux pertes en transmission entre le premier port P1 et le troisième port P3. La FIG. 5 représente le paramètre S24 correspondant aux pertes en transmission entre le quatrième port P4 et le deuxième port P2. On constate qu’avec le module hyperfréquence selon l’invention, les pertes en transmission restent proches de zéro pour des fréquences plus élevées que dans l’art antérieur, en outre elles sont moins sujettes aux résonances. La FIG. 6 représente le paramètre S11 correspondant aux pertes en réflexion au niveau du premier port P1. La FIG. 7 représente le paramètre S22 correspondant aux pertes en réflexion au niveau du deuxième port P2. On constate qu’avec le module hyperfréquence selon l’invention, les pertes en réflexion ont une allure plus régulière et sont moins sujettes aux résonances. La FIG. 8 représente le paramètre S34 correspondant à l’isolation entre le quatrième port P4 et le troisième port P3. On constate qu’avec le module hyperfréquence selon l’invention, les pertes en transmission du port P4 vers le port P3 (parfois appelé isolation) ont des valeurs négatives plus faibles que dans l’art antérieur, en outre elles sont moins sujettes aux résonances. L’invention a été décrite avec un module hyperfréquence 200 comprenant une puce hyperfréquence 210. Mais le module hyperfréquence 200 pourrait en comprendre plusieurs, notamment connectées entre elles. Module hyperfréquence (200) comprenant : une puce hyperfréquence (210) comportant un substrat (S), une couche active (211) comprenant des composants passifs et actifs à une première face de la puce, une couche de masse électrique (212) sur une deuxième face opposée à la première face, la couche active (211) comprenant des lignes de transmission en guide microruban ; un boitier (220) encapsulant la puce hyperfréquence (210), ledit boitier (220) comportant une couche de redistribution (224) recouvrant la couche active (211) de la puce hyperfréquence (210) et comprenant des traces de connexion électrique (223, 225, 226, 227) pour une liaison entre la couche active (211) et des interfaces électriques (233, 235, 236, 237) du module hyperfréquence (200) ; la couche active (211) comprenant au moins une borne de masse (217, 217L, 217i) reliée à la couche de masse (212) de la puce hyperfréquence (210), ladite borne de masse (217, 217L, 217i) étant reliée à au moins l’une des interfaces électriques, dite « interface de masse » (237), par l’intermédiaire d’au moins l’une des traces de connexion électrique, dite « trace de masse » (227), ladite interface de masse (237) étant configurée pour être connectée à une masse électrique (322) d’une carte électronique (300), ladite interface de masse (237) et ladite trace de masse (227) étant en vis-à-vis de la couche active (211). Module hyperfréquence (200) selon la revendication 1, dans lequel l’au moins une borne de masse (217, 217L, 217i) est connectée à la couche de masse (212) par l’intermédiaire d’un via de connexion électrique (V) traversant le substrat (S), une distance entre ledit via (V) et l’interface de masse (237) étant égale à une distance minimale définie par un procédé de fabrication du module hyperfréquence (200). Module hyperfréquence (200) selon la revendication précédente, dans lequel ladite distance minimale est inférieure ou égale à 200µm, 150µm ou 100µm, ou égale à zéro. Module hyperfréquence (200) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la puce hyperfréquence (210) comprend de premières bornes (213) situées dans une zone périphérique de la couche active (211), l’au moins une borne de masse (217, 217L, 217i) étant située dans une zone centrale de la couche active (211) délimitée par ladite zone périphérique, l’au moins une trace de masse (227) et l’au moins une interface de masse (237), étant en vis-à-vis de ladite zone centrale de la couche active (211). Module hyperfréquence (200) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel ladite couche active (211) comprend des bornes d’entrée (215) configurées pour recevoir un signal hyperfréquence entrant dans la puce hyperfréquence (210) et des bornes de sortie (216) configurées pour délivrer un signal hyperfréquence émis par la puce hyperfréquence (210) ; la couche active (211) comprenant au moins une borne de masse, dite « borne de masse latérale » (217L), située à proximité des bornes d’entrée (215) ou des bornes de sortie (216). Module hyperfréquence (200) selon la revendication précédente, dans lequel l’au moins une borne de masse latérale (217L) est située à une distance des bornes d’entrée (215) ou des bornes de sortie (216) inférieure ou égale à 700µm ou 400µm, voire 300µm. Module hyperfréquence (200) selon la revendication 5 ou 6, comprenant deux bornes de masse latérales (217L) situées de part et d’autre des bornes d’entrée (215) et/ou deux bornes de masse latérales (217L) situées de part et d’autre des bornes de sortie (216). Module hyperfréquence (200) selon l’une des revendications précédentes, comprenant une pluralité de ladite borne de masse, dites « bornes de masse intérieures » (217i), formant un maillage dans la couche active (211) de la puce hyperfréquence (210). Module hyperfréquence (200) selon la revendication précédente, dans lequel au moins une borne de masse intérieure (217i) est située entre des composants actifs ou passifs de la puce hyperfréquence (210). Ensemble comprenant : un module hyperfréquence (200) selon l’une des revendications précédentes, une carte électronique (300) comprenant une couche de masse électrique (322), ledit module hyperfréquence (200) étant monté sur la carte électronique (300) de sorte que la couche active (211) de la puce (210) soit orientée vers ladite carte électronique (300), l’au moins une interface de masse (237) venant se connecter électriquement à la masse (322) de la carte électronique (300). Ensemble selon la revendication précédente, dans lequel l’au moins une interface de masse (237) vient contre une borne (327) respective de la carte électronique (300), la dite interface de masse (237), ladite borne (327) de la carte électronique (300) et un via (V) reliant la borne (327) de la carte électronique (300) à la masse électrique (322) de la carte électronique (300), étant alignés suivant une direction transversale par rapport à la première face de la puce hyperfréquence (210).