Brevet FR3159860A1 — publié le 20250905

L’invention porte sur un module de commutation électrique (1) comprenant une première électrode et une seconde électrode formant les extrémités d’un chemin électriquement conducteur et au moins une électrode de commande pour sélectivement laisser circuler ou bloquer le passage d’un courant dans le chemin électriquement conducteur. La pluralité d’électrodes du module de commutation (1) sont disposées sur une face principale (1a) d’un boitier (2), celui-ci étant formé d’une résine électriquement isolante enrobant entièrement les deux transistors, formés sur et/ou dans au moins une puce, disposés tête-bêche et en série dans le chemin électriquement conducteur et enrobant des pistes conductrices (P) associant électriquement la pluralité d’électrodes et les transistors. Figure 2 MODULE DE COMMUTATION ELECTRIQUE ET DISPOSITIF DE COMMUTATION COMPRENANT UN TEL MODULE La présente invention concerne le domaine des systèmes électroniques miniaturisés à très faibles pertes électriques, à commutation extrêmement rapide et fonctionnant à haute tension, préférablement supérieure à 600 V. Ces systèmes électroniques peuvent être utilisés dans les applications de protection des réseaux électriques pour interrompre sans délai la circulation d’un courant AC ou DC comme par exemple dans un réseau alimentant des serveurs informatiques ou un réseau électrique de type « micro grid » reliant des sources d’énergies renouvelables comme des panneaux solaires. Ces systèmes électroniques trouvent également une application pour la protection des batteries. ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION De tels systèmes de protection utilisent des composants de commutation à base de circuits intégrés, électriquement disposés dans le chemin de courant du réseau électrique dont on cherche à assurer la protection. Ces circuits intégrés sont commandés pour changer d’état très rapidement (par exemple passer de l’état passant à l’état fermé) afin de répondre à une faute du réseau et prévenir la dégradation des équipements qui lui sont reliés. Le temps de commutation recherché est de l’ordre de la microseconde, voire en deçà. Par « faute », il faut comprendre toute situation conduisant à une augmentation importante et excessive du courant dans le réseau (situation de « sur courant » ou de court-circuit). Il peut également s’agir d’une surtension, d’une augmentation excessive de température, et de toute autre anomalie susceptible d’endommager un équipement du réseau ou le réseau lui-même. Le système de protection est associé ou pourvu d’un capteur, par exemple un capteur de courant et/ou de tension et/ou de température selon la nature de la faute mise en surveillance. Un composant de commande du système de protection est associé au capteur et au composant de commutation afin de permettre son fonctionnement. De tels systèmes de protection utilisent des composants de commutation à base de circuits intégrés dont les pertes (de commutation et/ou de conduction) se dissipent sous forment de chaleur ce qui peut nécessiter la mise en œuvre de moyens de refroidissement volumineux selon le niveau des pertes à dissiper. L’utilisation de circuits intégrés exploitant des matériaux dit « de grand gap », tels que le SiC ou le GaN, ou « ultra grand gap », tels que le diamant, l’AlN ou l’oxyde de gallium, permet de diminuer significativement la résistance à l’état passant de ces circuits (et donc les pertes de conduction) tout en tenant la tension visée (au-delà de 600 V) et en présentant des dimensions réduites en comparaison avec les circuits intégrés plus conventionnels, par exemple à base de silicium. Usuellement, un système de protection exploite une pluralité de composants de commutation comprenant chacun un circuit intégré logé dans un boitier, ces composants de commutation étant agencés électriquement en parallèle sur un support de circuit imprimé. Cette disposition en parallèle permet de réduire le courant traversant chaque composant ce qui a tendance à également réduire leur résistance à l’état passant et donc les pertes de conduction dans le système et le besoin de dissipation thermique. Cet agencement en parallèle est toutefois complexe à mettre en œuvre, car elle nécessite d’utiliser des composants de commutation ayant des caractéristiques électriques très proches (idéalement identiques), notamment pour ce qui concerne les caractéristiques de tension de seuil (Vth) et de résistance à l’état passant (Ron). Elle nécessite également de concevoir un support de circuit imprimé très sophistiqué cherchant à minimiser les capacités et/ou inductances parasites des pistes de routage des signaux électriques et cherchant à positionner les composants de commande au plus proche des composants de commutation afin de minimiser la longueur de la boucle de commande (« driving loop » selon la terminologie anglo-saxonne du domaine) et ainsi minimiser le temps nécessaire de commutation du système. L’objet de la présente invention vise à remédier à ces problèmes. BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTION En vue de la réalisation de l’un de ces buts, l’objet de l’invention propose Module de commutation électrique comprenant une pluralité d’électrodes, dont notamment : une première électrode et une seconde électrode formant les extrémités d’un chemin électriquement conducteur ; au moins une électrode de commande pour sélectivement laisser circuler ou bloquer le passage d’un courant dans le chemin électriquement conducteur. La pluralité d’électrodes du module de commutation sont disposées sur une face principale d’un boitier. Selon l’invention, le boitier est formé d’une résine électriquement isolante enrobant entièrement deux transistors, formés sur et/ou dans au moins une puce, disposés tête bêche et en série dans le chemin électriquement conducteur. La résine enrobe également des pistes conductrices associant électriquement la pluralité d’électrodes et les transistors. Selon d’autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l’invention, prises seules ou selon toute combinaison techniquement réalisable : la au moins une puce comporte une couche superficielle de matériau présentant un grand gap sur et dans laquelle est formée au moins un des deux transistors ; le chemin électrique est composé, entre la première électrode et la seconde électrode, de plusieurs chemins parallèles, chaque chemin parallèle comportant deux transistors disposés tête-bêche et en série ; le bottier présente une face secondaire, opposée à la face principale, présentant au moins un plot de conduction thermique ; les deux transistors présentent une architecture verticale ; les deux transistors présentent une architecture latérale. Selon un autre aspect, l’invention propose un dispositif de commutation comprenant un support de circuit imprimé et, monté sur le support, un module de commutation tel que proposé précédemment. Selon d’autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de cet aspect de l’invention, prises seules ou selon toute combinaison techniquement réalisable : le dispositif de commutation comprend au moins un capteur électriquement relié à un composant de commande ; le dispositif de commutation comprend un capteur de courant agencé pour mesurer le courant circulant dans le chemin électriquement conducteur ; le capteur de courant et/ou le composant de commande est intégré dans le module de commutation électrique. D’autres caractéristiques et avantages ressortiront de la description détaillée de l’invention qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquels : FIG. 1 La FIG. 1 représente un premier mode de mise en œuvre ; FIG. 2 La FIG. 2 représente un deuxième mode de mise en œuvre ; FIG. 3 La FIG. 3 un exemple de deux transistors en configuration « tête bêche » ; FIG. 4 La FIG. 4 représente un dispositif de commutation tirant profit d’un module de commutation conforme à l’invention ; FIG. 5 La FIG. 5 représente un module de commutation conforme à un autre mode de mise en œuvre. DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION En référence aux figures 1 et 2, qui en illustrent deux modes réalisation, on présente un module de commutation 1 conforme à un aspect de l’invention. Ce module de commutation 1 se présente sous la forme d’un boitier 2, de forme générale parallélépipédique, présentant une pluralité d’électrodes T1-T4 permettant de le relier électriquement aux autres composants d’un système de protection. On retrouve notamment, sur une face 1a dite « principale » de ce boitier, une première électrode T1 et une seconde électrode T2 formant les extrémités d’un chemin électriquement conducteur circulant dans le module 1. Ce chemin est destiné à être parcouru par le courant alimentant électriquement un équipement ou une pluralité d’équipements que l’on souhaite protéger de la survenance d’une faute, comme cela a été présenté en introduction de cette demande. A cet effet, le module de commutation 1 comprend, également sur la face principale 1a du boitier 2, une électrode de commande T3 destinée à recevoir un signal de commande, ce signal permettant de configurer le module pour, sélectivement, laisser circuler ou bloquer le courant dans le chemin électriquement conducteur. En disposant les électrodes du module de commutation, et notamment la première électrode, la deuxième électrode et l’électrode de commande, sur une unique face du boitier 2, on facilite son montage directement sur un support de circuit imprimé à l'aide de techniques de fabrication automatisées. Le boitier 2 du module de commutation 1 présente une face secondaire 1b, opposée à la face principale 1a, présentant au moins un plot de conduction thermique Tt1,Tt2. Ce au moins un plot a pour fonction d’évacuer la chaleur produite par les transistors intégrés dans le module 1, comme cela sera détaillé dans la suite de cette description. Il peut s’agir de plots constitués d’un métal, par exemple de cuivre, bon conducteur thermique. Les plots de conduction T1,T2 thermique peuvent être associés à d’autres éléments d’évacuation de la chaleur, par exemple des radiateurs assemblés sur le module de commutation 1, en contact thermique avec les plots. Cette fonction de commutation est mise en œuvre par deux transistors intégrés dans le boitier 2, disposés tête-bêche et en série dans le chemin électriquement conducteur. Le premier transistor C1 et le second transistor C2 présentent chacun une source S1,S2 un drain D1,D2 et une grille G1,G2. Un canal s’étend entre la source et le drain de chaque transistor. Par « tête bêche » on signifie que le premier transistor C1 et le second transistor C2 sont électriquement reliés par leur source S1,S2 ou par leur drain D1,D2. Un tel agencement est par exemple illustré sur la FIG. 3 , dans une configuration dans laquelle les sources S1,S2 sont directement reliées entre elles. Les transistors C1,C2 sont disposés en série dans le chemin électriquement conducteur, c’est-à-dire que les canaux de ces transistors C1,C2, s’étendant entre la source S1,S2 et le drain D1,D2, sont disposés dans ce chemin, entre la première électrode T1 et la seconde électrode T2 du module. Cette configuration permet une circulation bidirectionnelle du courant dans le chemin, et la faculté de sélectivement bloquer ou laisser circuler ce courant en appliquant un signal de commande approprié sur les grilles G1,G2. Les transistors C1, C2 peuvent être réalisés sur une seule puce à semi-conducteur, ou par sur deux puces P1,P2 comme c’est le cas sur les modes de mise en œuvre illustrés sur les figures 1 et 2. De préférence, les puces à semiconducteur P1,P2 du module 1 sont composées d’un substrat, relativement épais et d’au moins 30 micromètres d’épaisseur, et typiquement compris entre 30 micromètres et 300 micromètres, constitué de matériau à forte conductivité thermique comme le SiC, l’AlN ou le diamant. Le matériau du substrat peut se présenter sous forme monocristalline ou polycristalline. Ce substrat supporte une couche superficielle cristalline, préférentiellement monocristalline, relativement fine et d’une épaisseur comprise entre 2 et 10 micromètres, de matériau présentant un grand gap, par exemple choisi parmi le SiC, le GaN, l’AlN, le Ga2O3 ou le diamant. La couche superficielle peut être l’épaisseur de surface du substrat lorsque celui-ci est monocristallin, ou être formée par dépôt sur ce substrat ou encore par report. Dans certains cas, on peut également prévoir que la puce de semiconducteur P1,P2 soit constituée de la couche superficielle uniquement, sans que celle-ci ne nécessite de substrat pour la supporter. Il peut par exemple s’agir d’éliminer ou de démonter ce substrat après la fabrication du ou des transistors C1, C2 et avant leur intégration dans le boitier 2 du module 1. Un au moins des transistors C1,C2 est formé sur et/dans la couche superficielle d’une puce à semiconducteur P1,P2 selon toute architecture qui convient à l’application et aux matériaux choisis. Ces transistors peuvent être configurés pour être normalement passants (« normally on » selon l’expression anglo-saxonne généralement utilisée) ou normalement bloquants (« normaly off »). L’utilisation d’un matériau à grand gap (c’est-à-dire présentant un seuil de gap supérieur à 3eV) pour y former le transistor permet notamment d’obtenir une très faible résistance à l’état passant, une taille de puce à semiconducteur réduite, et une tenue en tension supérieure à 600 V, voire même 1200 V, ainsi qu’une vitesse de commutation très rapide. Les plots de source, de drain et de grille de la puce P1,P2 associées respectivement aux sources S1,S2, aux drains D1,D2 et aux grilles G1,G2 des transistors C1,C2 sont préférablement formée d’un métal à base d’aluminium et présentant une épaisseur d’au moins un micromètre. Dans le mode de mise en œuvre représenté sur la FIG. 1 , les transistors C1,C2 présentent une architecture verticale. C’est-à-dire que le chemin électriquement conducteur électrique circule entre la face avant et la face arrière de la au moins une puce de semiconducteur P1,P2 sur et dans laquelle les transistors sont fabriqués. La tenue en tension est assurée par l’application d’un champ électrique entre les plots de source et de drain de la puce de semiconducteur (associés aux drains D1,D2 et aux sources S1,S2 des transistors) disposés sur des faces opposées de cette puce. Le plot de grille est disposé sur la face portant le plot de source. Les transistors C1,C2 peuvent dans ce cas correspondre à des transistors d’architecture JFET, MOSFET, FET, SuperJonction, FinFET réalisés sur un substrat. Ce substrat peut être massif et constitué de SiC 4H, de GaN, d’AlN, de diamant ou encore de Ga2O3. Il peut alternativement s’agir d’un substrat composite comprenant une couche mince de SiC 4H reportée sur un substrat SiC, par exemple polycristallin. Alternativement, ces transistors C1,C2 peuvent être réalisés sur et dans une couche superficielle en GaN, en AlN, en Ga2O3 ou en diamant reportée sur un substrat en SiC monocristallin ou polycristallin ou un substrat AlN polycristallin. Dans le cas d’une telle architecture verticale, il peut être avantageux (pour des raisons de résistance électrique et thermique) que le substrat composant en partie la puce à semi-conducteur présente une épaisseur relativement faible, inférieure à 150 micromètres, voire même inférieure à 100 micromètres ou 80 micromètres. Dans le mode de mise en œuvre représenté sur la FIG. 2 , les transistors C1,C2 présentent une architecture latérale. C’est-à-dire que le chemin électriquement conducteur circule en surface, et non dans l’épaisseur, de la puce à semiconducteur P1,P2. La tenue en tension est assurée par l’application d’un champ électrique entre un plot de source et un plot de drain (associés aux drains D1,D2 et les sources S1,S2 des transistors) disposés sur une même face de cette puce, dite « face avant ». Le plot de grille est disposé sur cette même face. La face arrière de la puce de semiconducteur, opposée à sa face avant, peut être éventuellement polarisée électriquement, en la reliant au plot de source ou de drain afin de limiter certains effets transitoires comme du piégeage d’électrons et/ou de trous. Les transistors C1,C2 peuvent dans ce cas correspondre à des transistors d’architecture HEMT. Ces transistors peuvent notamment être formés sur et dans une couche superficielle de GaN disposé sur un substrat de silicium, ou formés sur un substrat SiC massif. Les transistors peuvent également être formés sur un substrat composite obtenu par report d’une couche superficielle sur un substrat massif. Par exemple, il peut s’agit de transistor présentant une architecture latérale formée dans une couche superficielle en AlN, en Ga2O3 ou en diamant, reportée sur un substrat en SiC monocristallin ou polycristallin ou AlN polycristallin. Revenant à la description générale des figures 1 et 2, des pistes conductrices P, avantageusement constituées de cuivre pour des raisons de conductivité thermique et électriques, associent électriquement la pluralité d’électrodes aux plots des transistors C1,C2. Par « piste » on désigne toute structure conductrice électriquement permettant de relier électriquement ces électrodes aux plots : cette structure peut notamment s’étendre dans un plan parallèle à la face principale du boitier 2 ou selon sa profondeur, selon un plan perpendiculaire à cette face principale et ainsi constituer un via. Dans les configurations représentées, la première électrode T1 et la seconde électrode T2 sont respectivement reliés par l’intermédiaire des pistes conductrices P aux deux plots de drain associés aux drains D1, D2 des transistors C1,C2. L’électrode de commande T3 est quant à elle électriquement reliée aux deux plots de grille associés aux grilles G1,G2 des transistors C1,C2. Pour faciliter la liaison électrique entre les pistes conductrices P, préférentiellement formées de cuivre, et les plots associés aux transistors C1, C2, on peut former sur ces derniers une épaisseur de cuivre, avant leur intégration dans le boitier 2. Cette métallisation, typiquement de l’ordre de 5 à 10 µm, peut être réalisée par un dépôt de type électrolytique sur la face avant et sur la face arrière de la puce ou les puces de semiconducteur P1,P2. Avantageusement, pour favoriser l’évacuation de la chaleur, les pistes conductrices P relient électriquement également la face arrière de la puce ou des puces de semiconducteurs P1,P2 intégrés dans le boitier 2 à l’(aux) électrode(s) de conduction thermique Tt1,Tt2. Dans le cas de l’architecture verticale présentée sur la FIG. 1 , les faces arrières des puces constituant les drains des transistors T1, T2 et présentant, en fonctionnement, un écart de tension important, on a prévu de munir la face secondaire 1b du boitier 2 de deux électrodes de conduction thermique Tt1,Tt2 distinctes et isolées électriquement l’une de l’autre. Des pistes conductrices P également distinctes et isolées électriquement relient, respectivement, les deux plots de drain aux deux électrodes de conduction thermique Tt1,Tt2. Dans le cas de l’architecture horizontale présentée sur la FIG. 2 , une unique électrode de conduction thermique Tt1, disposée sur la face secondaire 1b du boitier 2 est reliée par des pistes conductrices P aux faces arrières des deux puces de semiconducteur, ici polarisée à la tension du point milieu des deux transistors C1,C2 en série (généralement une tension nulle). On comprend donc que les pistes conductrices P assurent la double fonction de connexion électrique et de dissipation thermique. Elles sont donc conçues pour assurer au mieux cette double fonction. On pourrait prévoir, dans une configuration alternative, que le module de commutation 1 présente deux électrodes de commande, chaque électrode de commande étant respectivement reliée, par l’intermédiaire de pistes distinctes, aux plots de grilles des deux transistors C1,C2. Il est nécessaire dans ce cas d’élaborer deux signaux de commande, respectivement appliqués indépendamment l’une de l’autre aux deux électrodes de commande, pour commander le fonctionnement bloquant ou passant du module de commutation 1. On peut également prévoir, comme c’est le cas sur les figures 1 et 2, que le module de commutation 1 présente d’autres électrodes, par exemple une électrode de point milieu T4 électriquement reliée au point de liaison série des deux transistors C1,C2, ici leurs sources. Cette électrode de point milieu T4 peut permettre d’imposer une tension déterminée à ce point milieu, par exemple une tension nulle. Il peut également s’agir d’au moins une électrode de type Kelvin, reliée par une connexion kelvin à une source S1,S2 ou à un drain D1,D2 des transistors C1, C2, ce type d’électrode pouvant être rendue nécessaire lors d’un fonctionnement en fort courant du module. La connexion kelvin du boitier 2, comme cela est bien connu de la personne du métier, est une connexion dédiée à un petit signal provenant généralement de la source. Contrairement à la connexion directe à la source qui transporte le courant principal, on exploite le petit signal ce qui atténue les changements de tension inductive sur le signal de commande lors de la commutation du courant. Comme le dispositif commute rapidement, cette chute inductive peut être suffisante pour le mettre en marche ou à l'arrêt. On peut également prévoir une électrode ou une pluralité d’électrodes permettant la mesure de température de jonction d’un transistor ou d’une pluralité de transistors C1,C2. Dans tous les cas, et quel que soit le nombre d’électrodes dont dispose le module de commutation 1, celles-ci sont disposées sur la face principale 1a du boitier 2 du module. Pour compléter la description du module de commutation 1, celui-ci se présente donc sous la forme d’un boitier 2, ce boitier étant formé d’une résine isolante enrobant entièrement la ou les puces à semiconducteur P1,P2 constituant les transistors C1,C2 et les pistes conductrices. D’une manière plus générale, la résine isolante formant le boitier 2 enrobe l’ensemble des éléments intégrés dans le module 1. De la sorte, on forme en quelque sorte un support de circuit « 3D » dans lequel les composants et les pistes conductrices sont intégrés, ce qui permet de former un module très compact. Outre un encombrement réduit, un tel module très compact minimise la longueur des pistes conductrices P, ce qui permet de minimiser les facteurs parasites (résistance, inductance, capacitance). A titre d’exemple, la résistance parasite d’un module de commutation conforme à la présente description peut être inférieure à 1 milliohm et son inductance parasite de l’ordre de quelques nanohenrys ou moins. Selon une variante particulièrement avantageuse, permettant de réduire les pertes de conduction, le chemin électrique circulant entre la première électrode T1 et la seconde électrode T2 du module de commutation 1 comprend plusieurs chemins parallèles entre eux. Chaque chemin parallèle comportant deux transistors disposés tête-bêche et en série, selon la description qui vient d’en être faite. Ces transistors peuvent être formés sur une unique puce de semiconducteur ou sur une pluralité de telle puce, comme dans les modes de mise en œuvre qui viennent d’être décrits. Dans tous les cas, pour servir les applications visées, on cherche à obtenir un module de commutation 1 dont la résistance à l’état passant est inférieure à 5 milliohms, typiquement de l’ordre de 2-3 milliohms et idéalement de l’ordre de 1 milliohm. Sa tenue en tension est supérieure à 600 V et peut s’étendre à 2000 V. La FIG. 4 représente un dispositif de commutation D tirant profit du module 1 qui vient d’être présenté. Le dispositif D est composé d’un support de circuit imprimé 4, présentant très conventionnellement des pistes de routage pour électriquement et fonctionnellement relier entre eux des composants variés. On retrouve sur ce support 4, le module de commutation 1, traversé par le chemin électriquement conducteur I et comportant les deux transistors C1,C2. Interceptant ce chemin I, sur le support 4, on a également disposé un capteur de courant K associé à un composant de commande 3. Le capteur de courant et le composant de commande permettent de détecter un courant excessif, dont l’intensité franchit un seuil prédéterminé. Le capteur de courant K produit un signal de détection du courant circulant dans le chemin I, ce signal de détection étant transmis au dispositif de commande 3. Celui-ci est configuré pour produire un signal de commande sur l’électrode de commande T3 du module de commutation 1, ce signal correspondant, en fonctionnement normal, à l’état passant de module. Lorsque toutefois le signal de détection produit par le capteur de courant K et communiqué au composant de commande 3, relève que l’intensité dans le chemin de courant I est excessive, ce composant de commande 3 est alors configuré pour produire un signal de commande sur l’électrode de commande T3 du module de commutation 1, provoquant sa commutation dans un état bloquant. Dans l’illustration de la FIG. 4 , on a prévu un signal d’initialisation INIT, qui peut par exemple être relié à un bouton-poussoir ou à une unité de supervision, connectée au composant de commande 3, pour réinitialiser ce composant et, par exemple, permettre de faire basculer à nouveau le module de commutation 1 dans un état passant et retrouver un fonctionnement normal du dispositif D. Dans cette illustration, on a également prévu un capteur de température T, relié au composant de commande pour, similairement au fonctionnement du capteur de courant K, provoquer le basculement du module de commutation 1, lorsque la température excède une valeur seuil prédéterminée. On pourrait prévoir que le capteur de température ne soit pas porté par le support 4 de circuit imprimé, mais intégré à un équipement sous surveillance. Par souci de lisibilité, on a omis sur l’illustration de la FIG. 4 les éléments annexes au dispositif D, par exemple ceux permettant d’alimenter électriquement le composant de commande 3 et les capteurs K,T ou ceux permettant de connecter le support 4 au reste du système. On peut naturellement envisager que certains au moins des composants portés par le support 4 de circuit imprimé soient directement intégrés dans le module de commutation 1. A titre d’illustration de cette approche, on présente sur la FIG. 5 , un tel module de commutation 1 intégrant dans le boitier, outre les transistors C1,C2, le capteur de courant K et un circuit de commande 3, reprenant les fonctionnalités du composant de commande 3 de la FIG. 4 . Bien entendu l'invention n'est pas limitée aux modes de mise en œuvre décrits et on peut y apporter des variantes de réalisation sans sortir du cadre de l'invention tel que défini par les revendications. En particulier, on peut étendre les concepts présentés dans la présente description à un agencement simplement en série des deux transistors, sans nécessairement que ceux-ci soient disposés tête-bêche. On peut de la sorte former un circuit en demi-pont, les transistors étant alors contrôlés par des signaux de commande indépendants et respectivement appliqués sur leur électrode de grille. Module de commutation électrique (1) comprenant une pluralité d’électrodes (T1-T4) dont notamment : une première électrode (T1) et une seconde électrode (T2) formant les extrémités d’un chemin électriquement conducteur ; au moins une électrode de commande (T3) pour sélectivement laisser circuler ou bloquer le passage d’un courant dans le chemin électriquement conducteur ; la pluralité d’électrodes (T1-T4) du module de commutation (1) étant disposées sur une face principale (1a) d’un boitier (2), le boitier (2) étant formé d’une résine électriquement isolante enrobant entièrement deux transistors (C1,C2), formés sur et/ou dans au moins une puce (P1,P2), disposés tête bêche et en série dans le chemin électriquement conducteur et enrobant des pistes conductrices (P) associant électriquement la pluralité d’électrodes (T1-T4) et les transistors (C1,C2). Module de commutation électrique (1) selon la revendication précédente dans laquelle la au moins une puce (P1,P2) comporte une couche superficielle de matériau présentant un grand gap sur et dans laquelle est formée au moins un des deux transistors (C1,C2). Module de commutation électrique (1) selon l’une des revendications précédentes dans lequel le chemin électrique est composé, entre la première électrode (T1) et la seconde électrode (T2), de plusieurs chemins parallèles, chaque chemin parallèle comportant deux transistors disposés tête-bêche et en série. Module de commutation électrique (1) selon l’une des revendications précédentes dans lequel le bottier (2) présente une face secondaire (1b), opposée à la face principale (1a), présentant au moins un plot de conduction thermique (Tt1,Tt2). Module de commutation électrique (1) selon l’une des revendications précédentes dans lequel les deux transistors (C1,C2) présentent une architecture verticale. Module de commutation électrique (1) selon l’une des revendications 1 à 4 dans lequel les deux transistors (C1,C2) présentent une architecture latérale. Dispositif de commutation (D) comprenant un support de circuit imprimé (4) et, monté sur le support, un module de commutation (1) selon l’une des revendications précédentes. Dispositif de commutation (D) selon la revendication précédente comprenant au moins un capteur (K,T) électriquement relié à un composant de commande (3). Dispositif de commutation (D) selon la revendication précédente comprenant un capteur de courant agencé pour mesurer le courant circulant dans le chemin électriquement conducteur. Dispositif de commutation (D) selon la revendication précédente dans lequel le capteur de courant et/ou le composant de commande (3) est intégré dans le module de commutation électrique (1).