Brevet FR3160295A1 — publié le 20250919

La présente invention concerne un procédé de fabrication d’une hétérostructure pour la fabrication d’une structure du type piézoélectrique sur isolant, POI, comprenant la fourniture d’un substrat de support, la formation d’un bloc d’un matériau piézoélectrique sur ou au-dessus du substrat de support, le retrait d’une première portion périphérique du bloc d’un matériau piézoélectrique et d’une première portion périphérique du substrat de support pour obtenir une portion exposée du substrat de support ayant une rugosité avec une hauteur quadratique moyenne, Sq, dans la plage de 0,4 µm à 0,8 µm, l’amincissement du bloc d’un matériau piézoélectrique après retrait de la première portion périphérique du bloc d’un matériau piézoélectrique pour obtenir un substrat piézoélectrique, et l’implantation d’une espèce dans le substrat piézoélectrique pour obtenir une couche affaiblie dans le substrat piézoélectrique. Figure pour l’abrégé : Fig. 2C Hétérostructure comprenant une portion exposée rugueuse d’un substrat de support La présente invention concerne des hétérostructures prévues pour la fabrication de structures du type piézoélectrique sur isolant, POI, en particulier de structures POI utilisables pour la fabrication de dispositifs microélectroniques, micromécaniques et photoniques, et des processus de fabrication de telles hétérostructures. Dans le domaine de la microélectronique, micromécanique et photonique, des structures POI sont d’une importance croissante en raison, par exemple, d’une sensibilité et de propriétés de propagation d’informations supérieures. Par exemple, des dispositifs tels que des dispositifs à ondes acoustiques de surface (SAW), ou des dispositifs à ondes acoustiques de volume (BAW), utilisant l’effet piézoélectrique pour transduire un signal électrique en une onde mécanique/acoustique offrent des options particulièrement avantageuses, non seulement pour des applications en télécommunication, en raison d’une grande variété de paramètres ambiants mesurables, comprenant une température, une pression, une contrainte et un couple, par exemple. Une structure POI typique comprend une couche de matériau piézoélectrique, en particulier, un matériau monocristallin, tel que, par exemple, du niobate de lithium (LiNbO 3 ) ou tantalate de lithium (LiTaO 3 ), formée sur un substrat, par exemple, constitué de silicium. Divers processus de formation d’une couche mince de matériau piézoélectrique sur le substrat sont connus dans la technique. L’application de la technologie Smart Cut™ s’est avérée particulièrement avantageuse. Selon cette technologie (voir, par exemple, WO 2019/186032 et WO 2020/200986 A1), une hétérostructure (structure virtuelle donneuse ou pseudo-donneur) comprenant un substrat piézoélectrique formé sur un substrat de support est fournie. Le substrat piézoélectrique est implanté par des espèces légères (H et/ou He) pour former une région affaiblie dans le substrat piézoélectrique, puis le substrat piézoélectrique est lié à un substrat cible. Par fracture au niveau de la région affaiblie, une couche mince de matériau piézoélectrique peut être obtenue sur le substrat cible. Un problème qui se pose lors de la production d’un tel pseudo-donneur est sa fragilité. Spécifiquement, les substrats piézoélectriques utilisés en microélectronique sont munis d’un chanfrein périphérique qui permet d’éviter des angles pointus, qui sont particulièrement fragiles, sur le bord des substrats piézoélectriques. Les chanfreins rendent plus facile la manipulation des substrats et ils évitent des fragments de bord qui pourraient être produits si ces bords étaient des bords saillants, ces fragments étant des sources de contamination particulaire des surface de plaquette. Compte tenu de la minceur du substrat piézoélectrique aminci, ledit substrat piézoélectrique a un bord incliné dû au chanfrein et forme ainsi une bande très mince et fragile. Cependant, les débris créés par cette cassure de bande sont susceptibles de contaminer la ligne de production et les substrats produits sur cette ligne. Par conséquent, il a été proposé (WO 2022/195225 A1) de retirer une portion annulaire du substrat piézoélectrique avant ou après la liaison de ce substrat piézoélectrique au substrat de support du pseudo-donneur, ce qui permet d’empêcher la formation d’une bande fragile de matériau piézoélectrique. En raison du retrait de la portion annulaire du substrat piézoélectrique, cependant, le substrat de support est partiellement exposé à une implantation ionique pour chaque transfert de couche pour lequel le pseudo-donneur est (ré)utilisé puisque des procédures actuelles de rafraîchissement pour une réutilisation ne règlent que la préparation de la surface de la couche piézoélectrique. En raison de l’exposition d’une portion du substrat de support, des espèces implantées pour former la couche affaiblie dans le substrat piézoélectrique s’accumulent également dans cette portion, ce qui, de manière désavantageuse, peut entraîner un boursoufflage et un écaillage si un certain seuil de la concentration de l’implantation accumulée dans la portion exposée du substrat de support est dépassé. Par conséquent, un objet de la présente invention est de fournir une hétérostructure de haute qualité pour la fabrication de structures POI qui est exempte de boursoufflage et d’écaillage. La présente invention répond à cet objet en fournissant un procédé de fabrication d’une hétérostructure (pseudo-donneur, PSD, ou structure virtuelle donneuse) pour la fabrication d’une structure du type piézoélectrique sur isolant, POI pour « Piezoelectric on Insulator » en anglais, comprenant les étapes consistant à (effectuées ultérieurement dans l’ordre donné) : fournir un substrat de support (de manipulation) (par exemple, un substrat de silicium) ; former un bloc d’un matériau piézoélectrique (par exemple, consistant en, ou comprenant, un substrat de tantalite de lithium ou de niobate de lithium) sur ou au-dessus du substrat de support ; retirer une première portion périphérique du bloc d’un matériau piézoélectrique et une première portion périphérique du substrat de support (en dessous d’une partie de la première portion périphérique du bloc) pour obtenir une portion exposée du substrat de support (exempte de matériau piézoélectrique retiré) ayant une rugosité avec une hauteur quadratique moyenne, Sq, dans la plage de 0,4 µm à 0,8 µm, par exemple, 0,5 µm à 0,7 µm ; amincir le bloc d’un matériau piézoélectrique après le retrait de la première portion périphérique du bloc d’un matériau piézoélectrique pour obtenir un substrat piézoélectrique ; et implanter une espèce (par exemple, de l’hydrogène, éventuellement complété par de l’hélium) dans le substrat piézoélectrique pour obtenir une couche affaiblie dans le substrat piézoélectrique. Ici et par la suite, les paramètres liés à la rugosité sont définis par la norme ISO 25178 et mesurés par un profilomètre optique 3D de chez Wyko, par exemple, avec un objectif 15X ou 75X. Il a été constaté qu’une rugosité avec une hauteur quadratique moyenne, Sq, dans la plage de 0,4 µm à 0,8 µm, par exemple, 0,5 µm à 0,7 µm, de manière avantageuse, permet pendant un traitement thermique à une étape de traitement ultérieure (par exemple, pour le détachement d’une couche piézoélectrique à transférer) une diffusion externe efficace d’espèces qui sont inévitablement implantées dans la portion exposée du substrat de support pendant le processus d’implantation des espèces dans le substrat piézoélectrique pour former la couche affaiblie nécessaire pour faciliter le transfert de couche sur un substrat cible. La hauteur quadratique moyenne, Sq, peut être du même ordre de grandeur que la profondeur d’implantation des espèces (qui dépend de l’énergie d’implantation choisie). Un boursoufflage et un écaillage du substrat de support peuvent être efficacement empêchés par la diffusion externe des espèces implantées. Il est noté qu’après le rafraîchissement du substrat piézoélectrique après un premier processus de transfert de couche, un autre processus de transfert de couche, en fait, un nombre (par exemple, 6) de processus de transfert de couche ultérieurs, peut être effectué au moyen de l’hétérostructure. Ainsi, la portion exposée du substrat de support est soumise à un nombre de processus d’implantation. La hauteur quadratique moyenne revendiquée, Sq, neutralise efficacement l’accumulation d’espèces implantées dans la portion exposée du substrat de support qui pourrait autrement donner lieu à un risque important de boursoufflage et d’écaillage. Le substrat piézoélectrique obtenu par amincissement du bloc de matériau piézoélectrique peut être soumis à un polissage chimico-mécanique, CMP. La formation du bloc de matériau piézoélectrique sur ou au-dessus du substrat de support peut comprendre la liaison du bloc de matériau piézoélectrique au substrat de support au moyen d’une couche de liaison diélectrique, par exemple, une couche de photo polymère (UV) ou une couche consistant en, ou comprenant, de l’oxyde de silicium et/ou du nitrure de silicium. Selon un mode de réalisation, la portion exposée du substrat de support est obtenue ayant une rugosité avec une hauteur maximale, Sz, dans la plage de 4 µm à 8 µm, par exemple, 5 µm à 7 µm. Une hauteur maximale dans cette plage peut faciliter davantage la diffusion externe des espèces implantées à partir de la portion exposée du substrat de support. D’autres paramètres de rugosité qui, sur la base d’expériences, se sont avérés avantageux en ce qui concerne la diffusion externe d’espèces implantées dans la portion exposée du substrat de support pendant un traitement thermique ultérieur comprennent une période de rugosité dans la plage de 0,15 µm à 1,5 µm, en particulier, 0,3 µm à 0,5 µm. En particulier, le bloc de matériau piézoélectrique et le substrat de support sont tous deux chanfreinés. Selon un mode de réalisation, le procédé de fabrication d’une hétérostructure comprend en outre la formation d’un chanfrein dans une seconde portion périphérique du bloc d’un matériau piézoélectrique et la formation d’un chanfrein dans une seconde portion périphérique du substrat de support avant de former le bloc d’un matériau piézoélectrique sur ou au-dessus du substrat de support. Par exemple, la première portion périphérique du bloc d’un matériau piézoélectrique comprend au moins une partie de la seconde portion périphérique de celui-ci de sorte qu’une partie ou même la totalité de la portion chanfreinée du bloc d’un matériau piézoélectrique n’est plus présente dans le substrat piézoélectrique en raison du retrait de la première portion périphérique du bloc d’un matériau piézoélectrique. Par exemple, une petite partie seulement de la portion chanfreinée du substrat de support est retirée en retirant la première portion périphérique du substrat de support. Selon un mode de réalisation, le retrait de la première portion périphérique du bloc d’un matériau piézoélectrique et de la première portion périphérique du substrat de support est effectué par meulage au moyen d’une roue abrasive. Dans ce cas, le procédé peut en outre comprendre le placement du substrat de support, avec le bloc d’un matériau piézoélectrique formé sur celui-ci ou au-dessus de celui-ci, sur un support qui est mobile en rotation autour d’un premier axe et la rotation de la roue abrasive autour d’un second axe parallèle au premier axe. La roue abrasive est progressivement déplacée vers le substrat dans une direction parallèle au premier axe afin de meuler progressivement le matériau du substrat. Il a été constaté que cette procédure particulière de meulage peut engendrer de manière fiable les caractéristiques de rugosité souhaitées qui facilitent la diffusion externe d’espèces implantées dans la portion exposée du substrat de support. Il est noté que, selon la largeur des portions périphériques à retirer, la roue abrasive peut être déplacée dans une direction perpendiculaire au premier axe afin de meuler progressivement le matériau de l’hétérostructure intermédiaire dans la direction radiale. En outre, il est prévu un procédé de fabrication d’une structure du type piézoélectrique sur isolant, POI, comprenant la réalisation des étapes du procédé de fabrication d’une hétérostructure selon l’un des exemples décrits ci-dessus et le transfert d’une couche piézoélectrique depuis le substrat piézoélectrique sur un substrat cible comprenant la liaison de l’hétérostructure au substrat cible sur le côté du substrat piézoélectrique et la fracture du substrat piézoélectrique au niveau de la couche affaiblie, par exemple, dans un processus de recuit. Ainsi, la couche piézoélectrique peut être transférée de manière fiable sur le substrat cible sans défauts trop lourds. Un post-traitement supplémentaire (recuit et polissage) peut, cependant, être encore nécessaire pour fournir une couche piézoélectrique appropriée à des applications particulières. Il est noté que de l’oxyde de silicium d’origine naturelle peut être présent entre la couche piézoélectrique transférée et le substrat cible. En outre, une couche d’assemblage diélectrique peut être formée sur ou au-dessus d’une surface du substrat cible avant le transfert de la couche piézoélectrique sur cette surface. Cette couche d’assemblage diélectrique peut consister en, ou comprendre, de l’oxyde de silicium et/ou du nitrure de silicium ou un empilement de couches composées de ces matériaux. De plus, en fonction de l’application réelle, une couche de piégeage de charge peut être formée sur ou au-dessus d’une surface du substrat cible avant le transfert de la couche piézoélectrique sur cette surface. La couche de piégeage de charge peut consister en, ou comprendre, du silicium polycristallin. Une fois achevé le transfert de couche de l’hétérostructure sur le substrat cible, le substrat piézoélectrique peut être rafraîchi (en particulier, poli) pour une réutilisation de l’hétérostructure pour un processus de transfert de couche suivant. En outre, il est fourni une structure du type piézoélectrique sur isolant, POI, comprenant une couche piézoélectrique formée sur ou au-dessus d’un substrat cible et pouvant être obtenue par le procédé de fabrication d’une structure POI. De plus, il est prévu un dispositif microélectronique, micromécanique ou photonique ou un système micro-électro-mécanique comprenant une telle structure POI. L’objet mentionné ci-dessus de la présente invention est également atteint en fournissant une hétérostructure pour la fabrication d’une structure du type piézoélectrique sur isolant, POI, l’hétérostructure comprenant un substrat de support (par exemple, un substrat de silicium), un substrat piézoélectrique (par exemple, un substrat de tantalite de lithium ou de niobate de lithium) formé sur ou au-dessus du substrat de support et une couche affaiblie formée dans le substrat piézoélectrique par implantation ionique. Le substrat de support comprend une portion périphérique exposée exempte de matériau du substrat piézoélectrique et la portion périphérique du substrat de support a une rugosité avec une hauteur quadratique moyenne, Sq, dans la plage de 0,4 µm à 0,8 µm. En particulier, la portion périphérique du substrat de support de l’hétérostructure peut avoir une rugosité avec une hauteur maximale dans la plage de 4 µm à 8 µm. Plus particulièrement, la portion périphérique du substrat de support de l’hétérostructure peut avoir une rugosité avec une période dans la plage de 0,15 µm à 1,5 µm. Le substrat de support de l’hétérostructure fournie peut être chanfreiné. L’hétérostructure peut être formée selon l’un des exemples décrits ci-dessus d’un procédé de fabrication d’une hétérostructure ou peut être une hétérostructure rafraichie obtenue en rafraichissant le substrat piézoélectrique après un transfert précédemment effectué d’une couche piézoélectrique (partie du substrat piézoélectrique) sur un substrat cible. Après des processus de rafraichissement respectifs effectués sur le substrat piézoélectrique, l’hétérostructure peut être utilisée plusieurs fois (par exemple, 6) pour des processus de transfert de couche ultérieurs. Des caractéristiques et avantages supplémentaires de la présente invention vont être décrits en se reportant aux dessins. Dans la description, référence est faite aux dessins annexés, qui sont censés illustrer des modes de réalisation préférés de l’invention. Il convient de comprendre que de tels modes de réalisation ne représentent pas la portée complète de l’invention. FIG. 1 illustre des étapes d’un procédé de fabrication d’une hétérostructure selon un mode de réalisation de la présente invention. FIG. 2 illustre différents états de fabrication d’une hétérostructure selon un mode de réalisation de la présente invention. FIG. 2 illustre différents états de fabrication d’une hétérostructure selon un mode de réalisation de la présente invention. FIG. 2 illustre différents états de fabrication d’une hétérostructure selon un mode de réalisation de la présente invention. FIG. 3 illustre une procédure de retrait de portions périphériques d’un bloc massif d’un matériau piézoélectrique et d’un substrat de support d’une hétérostructure intermédiaire selon un mode de réalisation de la présente invention. Ici, il est fourni un procédé de fabrication d’une hétérostructure comprenant un substrat piézoélectrique formé sur ou au-dessus d’un substrat de support, dans lequel l’hétérostructure est destinée à être utilisée pour la fabrication d’une structure POI. La présente invention n’est cependant pas limitée à des matériaux piézoélectriques, et peut être appliquée à tout type de matériau approprié pour le transfert ultérieur sur un substrat final. En particulier, pour des matériaux agissant comme matériau donneur qui ont un coefficient de dilatation thermique qui est sensiblement différent du coefficient de dilatation thermique du substrat cible final, il semble avantageux de former l’hétérostructure mentionnée ci-dessus facilitant ledit transfert en utilisant la technologie SmartCut TM . La présente invention permet d’éviter toute complication concernant l’utilisation de ladite hétérostructure pour plusieurs transferts en évitant le cumul d’espèces ioniques, en particulier d’hydrogène et/ou d’hélium, qui sont utilisées pour déterminer la zone affaiblie de la couche à transférer, dans le substrat de support et, ainsi, en évitant un boursoufflage ou écaillage de toute nature. Le substrat de support de l’hétérostructure résultante comprend une portion périphérique exposée exempte du matériau donneur, en particulier du substrat piézoélectrique, dans lequel la portion périphérique exposée présente une rugosité dédiée qui permet une diffusion externe efficace des ions involontairement implantés (utilisés pour la génération d’une couche affaiblie dans le substrat piézoélectrique) pendant un certain traitement thermique. Le procédé peut être représenté par un procédé de fabrication d’une structure POI selon la technologie Smart Cut™. La FIG. 1 illustre des étapes d’un procédé de fabrication d’une hétérostructure selon un mode de réalisation de la présente invention. Le procédé comprend la formation 11 d’un bloc massif chanfreiné de matériau piézoélectrique sur ou au-dessus d’un substrat de support chanfreiné. Le matériau piézoélectrique peut être du tantalate de lithium (LiTaO 3 ) ou niobate de lithium (LiNbO 3 ). La fonction du substrat de support consiste à supporter temporairement un substrat piézoélectrique à former à partir du bloc massif de matériau piézoélectrique jusqu’à ce qu’une portion du substrat piézoélectrique (couche piézoélectrique) soit transférée sur un substrat cible. L’épaisseur du substrat de support peut être de quelques centaines de micromètres. Le substrat de support peut être constitué d’un matériau (ou d’une pluralité de matériaux) ayant un coefficient de dilatation thermique proche de celui présenté par un substrat cible sur lequel une couche piézoélectrique doit être transférée. En particulier, le coefficient de dilatation thermique du substrat de support peut différer de celui du substrat cible d’une valeur inférieure à la différence du coefficient de dilatation thermique du substrat piézoélectrique et de celui du substrat cible. Le substrat de support et le substrat cible peuvent avoir des coefficients de dilatation thermique identiques et les deux substrats peuvent, par exemple, consister en, ou comprendre, du silicium. D’autres matériaux possibles du substrat de support comprennent du verre, quartz, saphir, une céramique ou nitrure d’aluminium polycristallin (AlN). Comme déjà mentionné, la présente invention n’est pas limitée à des matériaux piézoélectriques, et un raisonnement similaire peut être appliqué à d’autres matériaux appropriés pour le transfert d’une couche sur un substrat cible. Les chanfreins du substrat de support et du bloc massif de matériau piézoélectrique peuvent avoir des angles de 22° à 40° par rapport aux surfaces principales respectives et peuvent s’étendre sur une hauteur dans la plage de 200 à 300 µm dans la direction des épaisseurs respectives et une largeur dans la plage de 200 à 300 µm dans la direction radiale du substrat/bloc respectif. La formation 11 du bloc massif chanfreiné de matériau piézoélectrique sur ou au-dessus du substrat de support chanfreiné peut comprendre la fixation du bloc massif chanfreiné de matériau piézoélectrique au substrat de support chanfreiné en utilisant une technique de liaison. La liaison peut être du type adhésion moléculaire et/ou induite par une couche de liaison diélectrique (adhésion), par exemple, une couche de photo polymère (UV) ou une couche consistant en, ou comprenant, de l’oxyde de silicium et/ou nitrure de silicium. La couche polymère peut être formée en déposant une couche photopolymérisable sur la surface d’au moins l’un du bloc et du substrat de support, en liant le bloc au substrat de support via la couche photopolymérisable et en irradiant l’ensemble ainsi obtenu. Le processus de liaison peut comprendre l’application d’un traitement thermique à basse température (par exemple, à une température comprise entre 50 et 300 °C, typiquement 100 °C) rendant possible de renforcer suffisamment l’énergie de liaison pour permettre une étape procédurale ultérieure d’amincissement du bloc de matériau piézoélectrique. En raison de l’amincissement du bloc massif de matériau piézoélectrique, cependant, un chanfrein restant du substrat piézoélectrique résultant aurait un bord chanfreiné périphérique comprenant un angle aigu au niveau de la face principale. Un bord avec un tel angle aigu est susceptible de se casser lorsque l’hétérostructure est manipulée, en particulier, liée à un substrat cible. Cet effet de cassure, appelé « écaillage », est particulièrement nocif, car les débris du substrat donneur aminci pourraient contaminer et endommager toute la ligne de production utilisant l’hétérostructure. Un tel effet peut être évité en retirant une portion périphérique du bloc massif de matériau piézoélectrique ou du substrat piézoélectrique. En principe, la portion périphérique peut être retirée du bloc avant ou de préférence après la liaison au substrat de support. Par le retrait de la portion périphérique, un chanfrein restant dans le substrat piézoélectrique après l’amincissement du bloc peut être au moins partiellement, en particulier complètement, retiré du substrat piézoélectrique. Le procédé illustré sur la FIG. 1 comprend le retrait 12 d’une portion périphérique du bloc chanfreiné de matériau piézoélectrique et d’une portion périphérique du substrat de support chanfreiné après la liaison, mais avant l’amincissement du bloc. Après le retrait 12 des portions périphériques respectives, une étape 13 d’amincissement du bloc massif de matériau piézoélectrique est effectuée pour obtenir un substrat piézoélectrique. Au cours de l’étape 12 de retrait de la portion périphérique du bloc chanfreiné de matériau piézoélectrique et de la portion périphérique du substrat de support chanfreiné, la portion exposée résultante du substrat de support est dotée de caractéristiques de rugosité dédiées. L’étape d’amincissement 13 est réalisée de telle sorte que le substrat piézoélectrique résultant a une épaisseur suffisamment faible pour que les contraintes générées pendant le traitement thermique appliquées dans une étape de traitement ultérieure soient réduites. D’autre part, l’épaisseur doit être suffisamment élevée pour fournir une couche piézoélectrique qui doit être transférée sur un substrat cible ou pour fournir une pluralité de telles couches qui doivent être transférées l’une après l’autre lors de multiples étapes de transfert (après la régénération respective du substrat piézoélectrique) sur des substrats cibles respectifs. L’épaisseur du substrat piézoélectrique résultant de l’amincissement du bloc massif peut être comprise, par exemple, entre 5 et 400 µm, par exemple, 10 µm à 100 µm ou 200 µm, en particulier entre 15 µm et 40 µm. L’amincissement 13 du bloc de matériau piézoélectrique peut être réalisé par meulage, par polissage chimico-mécanique, ou par gravure qui peut être effectué selon un certain nombre d’étapes. Une première partie du bloc peut être retirée par meulage grossier, ce qui permet de réduire rapidement l’épaisseur du bloc. Ensuite, un meulage plus fin peut être mis en œuvre pour continuer à réduire l’épaisseur du bloc, tout en diminuant la rugosité de la surface du substrat piézoélectrique résultant. En fin de compte, un polissage chimico-mécanique (CMP) peut être effectué pour lisser la surface du substrat piézoélectrique afin d’obtenir des caractéristiques de lissé de surface souhaitées. Lors de l’étape 14 du procédé illustré sur la FIG. 1 , de l’hydrogène et/ou de l’hélium est implanté dans le substrat piézoélectrique pour former une couche affaiblie qui définit une couche piézoélectrique à transférer à partir de la partie restante du substrat piézoélectrique. La nature et la dose des espèces implantées et l’énergie d’implantation peuvent être choisies en fonction de l’épaisseur de la couche piézoélectrique qui doit être transférée sur un substrat cible et des propriétés physicochimiques du substrat piézoélectrique 1a. Par exemple, pour un substrat de tantalate de lithium, une dose d’ions hydrogène entre 10 16 et 5·10 17 at/cm 2 avec une énergie entre 30 keV et 300 keV peut être implantée pour délimiter une couche piézoélectrique d’une épaisseur d’environ 200 nm, par exemple. L’hétérostructure ainsi obtenue peut être facilement utilisée pour le transfert de la couche piézoélectrique sur un substrat cible. Dans ce but, l’hétérostructure est fixée au substrat cible sur le côté du substrat piézoélectrique par adhésion moléculaire et/ou liaison électrostatique. Une couche d’assemblage diélectrique peut être prévue entre le substrat piézoélectrique de l’hétérostructure et le substrat cible. La couche d’assemblage diélectrique peut comprendre un oxyde et peut consister en, ou comprendre, de l’oxyde de silicium et/ou nitrure de silicium ou un empilement de couches composées de ces matériaux, ou être constituée de silicium amorphe lorsqu’une liaison adiabatique est envisagée. En outre, une couche de piégeage de charge, par exemple, consistant en, ou comprenant, du silicium polycristallin, peut être formée sur ou au-dessus du substrat cible afin d’améliorer la résistivité électrique de celui-ci si cela est souhaité par une application réelle. La couche piézoélectrique est ensuite détachée de la partie restante de l’hétérostructure pour obtenir une structure POI comprenant le substrat cible, la couche d’assemblage diélectrique (si fournie), la couche de piégeage de charge (si fournie) et la couche piézoélectrique. Le détachement au niveau de la couche affaiblie peut être facilité par un traitement thermique dans une plage de température d’environ 100 °C à 600 °C pour permettre le transfert de la couche piézoélectrique sur le substrat cible. En variante ou de plus, le détachement au niveau de la couche affaiblie peut être facilité par l’application d’une lame ou d’un jet de fluide gazeux ou liquide ou de toute autre force mécanique appliquée à la couche affaiblie. Le post-traitement de la couche piézoélectrique transférée est nécessaire pour obtenir une couche piézoélectrique transférée 3 ayant une qualité cristalline et de surface mono-domaine satisfaisante (rugosité réduite) et une uniformité d’épaisseur telle que requise par des applications réelles. Le post-traitement peut comprendre un traitement thermique et un processus de de polissage. Au cours de l’implantation ionique 14, des ions sont inévitablement implantés dans la portion exposée du substrat de support formé à l’étape 12 du procédé illustré sur la FIG. 1 . Après le transfert de couche décrit ci-dessus, l’hétérostructure peut être réutilisée séparément après le rafraîchissement du substrat piézoélectrique pour d’autres processus de transfert de couche et chaque rafraîchissement comprend à nouveau une implantation ionique. L’accumulation d’ions implantés dans la portion exposée du substrat de support est évitée par les caractéristiques de rugosité intentionnellement fournies pour cette portion exposée du substrat de support à l’étape 12. La région d’implantation dans le substrat de support a une profondeur moyenne qui dépend de l’énergie d’implantation des ions. La longueur moyenne de trajet des espèces implantées pour une diffusion externe pendant tout traitement thermique est, cependant, beaucoup plus petite que cette profondeur en raison du profil de rugosité fourni. Les espèces implantées peuvent être facilement mobilisées et peuvent rapidement se diffuser hors du substrat de support, réduisant ainsi de manière significative le risque de boursoufflage causé par une dose accumulée d’espèces implantées. Des expériences ont prouvé qu’une rugosité avec une hauteur quadratique moyenne, Sq, dans la plage de 0,4 µm à 0,8 µm, en particulier, 0,5 µm à 0,7 µm, est appropriée pour obtenir de manière fiable cet effet de diffusion externe, en particulier, dans le cas d’un substrat de silicium et d’ions d’hydrogène implantés avec une énergie comprise entre 30 keV et 300 keV. La diffusion externe des espèces implantées à partir du substrat de support peut être davantage facilitée par une rugosité avec une hauteur maximale, Sz, c’est-à-dire la différence entre la hauteur de pic maximale et la hauteur de vallée maximale, dans la plage de 4 µm à 8 µm, en particulier, de 5 µm à 7 µm. La diffusion externe des espèces implantées à partir du substrat de support peut être davantage facilitée par une rugosité ayant une période dans la plage de 0,15 µm à 1,5 µm, en particulier de 0,3 µm à 0,5 µm. Tous les paramètres donnés sont déterminés selon la norme ISO 25178 et mesurés par un profilomètre optique 3D de chez Wyko, par exemple, avec un objectif 15X ou 75X. Les Figures 2A à 2C illustrent différents états de fabrication d’une hétérostructure (intermédiaire) selon un mode de réalisation de la présente invention. Les états de fabrication représentés peuvent être obtenus au moyen des étapes du procédé illustré sur la FIG. 1 . Comme représenté sur la FIG. 2 , un bloc massif d’un matériau piézoélectrique 1 est formé sur ou au-dessus d’un substrat de support 2 pour obtenir une hétérostructure intermédiaire. Bien qu’aucune couche de liaison ne soit représentée sur la FIG. 2 , une couche polymère telle que décrite ci-dessus peut être utilisée pour réaliser la liaison entre le bloc 1 et le substrat de support 2. Chacun du bloc 1 et du substrat de support 2 a un chanfrein périphérique C sur chacune de leurs faces principales respectives. La FIG. 2 illustre schématiquement l’opération de retrait d’une portion périphérique du bloc massif d’un matériau piézoélectrique 1 après sa liaison au substrat de support 2, mais avant l’amincissement du bloc 1 pour obtenir un substrat piézoélectrique (déjà indiqué par la référence numérique 10 sur la FIG. 2 ) d’épaisseur e. Dans l’exemple illustré, l’épaisseur e est inférieure à l’épaisseur du chanfrein C du substrat piézoélectrique à former à partir du bloc 1. La ligne en pointillés épaisse sur la FIG. 2 délimite les portions périphériques du bloc 1 et du substrat de support 2 qui sont retirées. Dans l’exemple illustré, la largeur L de la portion périphérique retirée est supérieure à la largeur entière des chanfreins C, en particulier, la largeur L est comprise entre 0,1 mm et jusqu’à 5 mm. Le substrat de support 2 est retiré sur une profondeur allant de 0,4 µm jusqu’à 0,8 µm, en particulier au moins sur la profondeur correspondant au niveau prédéterminé de rugosité nécessaire pour diffuser des espèces implantées hors du substrat de support 2. La FIG. 2 est une vue en coupe transversale de la périphérie d’une hétérostructure intermédiaire comprenant le bloc massif d’un matériau piézoélectrique 1 (avant son amincissement) et le substrat de support 2 après le retrait des portions périphériques respectives. La FIG. 2 est une vue en coupe transversale de la périphérie de l’hétérostructure H résultant de l’amincissement du bloc 1 pour obtenir le substrat piézoélectrique 10. Dans l’exemple illustré, seul le substrat de support 2 de l’hétérostructure H présente toujours un chanfrein tandis que le bord du substrat piézoélectrique 10 forme un angle droit (en variante, un angle obtus) avec la surface du substrat de support 1, et est donc moins susceptible de se casser. La FIG. 3 illustre une procédure de retrait de portions périphériques d’un bloc massif d’un matériau piézoélectrique et d’un substrat de support d’une hétérostructure intermédiaire selon un mode de réalisation de la présente invention. La procédure peut être utilisée pour effectuer l’étape 12 du procédé illustré sur la FIG. 1 ou pour obtenir l’hétérostructure intermédiaire représentée sur la FIG. 2 . L’hétérostructure intermédiaire est positionnée sur un support S tourné autour d’un axe X1 (de révolution) de l’hétérostructure intermédiaire. Un outil de coupe T, tel qu’une roue abrasive, est tourné autour d’un axe X2 parallèle à l’axe X1 et est amené vers les portions périphériques à retirer. Ledit outil est progressivement déplacé vers l’hétérostructure intermédiaire dans une direction parallèle à l’axe X1 afin de meuler progressivement le matériau de l’hétérostructure intermédiaire avec lequel il entre en contact. Comme roue de meulage, on peut choisir dans un exemple non limitatif, par exemple, une roue en diamant avec du diamant synthétique comme matériau abrasif avec une taille de grain moyenne allant de 10 µm à 100 µm, en particulier autour de 50 µm. L’effet du meulage est de durcir localement le matériau meulé par l’outil de sorte que la surface exposée présente une rugosité prédéterminée. Il peut être avantageux de réaliser un polissage, par exemple un polissage chimico-mécanique (CMP), de la surface du substrat piézoélectrique afin d’éviter des défauts de liaison lors du transfert ultérieur sur un substrat récepteur. La portion exposée du substrat de support n’est pas polie et présente les caractéristiques de rugosité décrites ci-dessus qui, avantageusement, facilitent une diffusion externe d’espèces implantées pendant tout traitement thermique ultérieur. Procédé de fabrication d’une hétérostructure (H) pour la fabrication d’une structure du types piézoélectrique sur isolant, POI, comprenant la fourniture d’un substrat de support (2) ; la formation (11) d’un bloc d’un matériau piézoélectrique (1) sur ou au-dessus du substrat de support (2) ; le retrait (12) d’une première portion périphérique du bloc d’un matériau piézoélectrique (1) et d’une première portion périphérique du substrat de support (2) pour obtenir une portion exposée du substrat de support (2) ayant une rugosité avec une hauteur quadratique moyenne, Sq, dans la plage de 0,4 µm à 0,8 µm ; l’amincissement (13) du bloc d’un matériau piézoélectrique (1) après avoir retiré la première portion périphérique du bloc d’un matériau piézoélectrique (1) pour obtenir un substrat piézoélectrique (10) ; et l’implantation (14) d’une espèce dans le substrat piézoélectrique (10) pour obtenir une couche affaiblie dans le substrat piézoélectrique (10). Le procédé selon la revendication 1, dans lequel la première portion périphérique du bloc d’un matériau piézoélectrique (1) et la première portion périphérique du substrat de support (2) sont retirées pour obtenir une portion exposée du substrat de support (2) ayant une rugosité avec une hauteur maximale, Sz, dans la plage de 4 µm à 8 µm. Le procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la première portion périphérique du bloc d’un matériau piézoélectrique (1) et la première portion périphérique du substrat de support (2) sont retirées pour obtenir une partie exposée du substrat de support (2) ayant une période de rugosité dans la plage de 0,5 µm à 1,5 µm. Le procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le bloc de matériau piézoélectrique (1) et le substrat de support (2) sont chanfreinés avant de former (11) le bloc d’un matériau piézoélectrique (1) sur ou au-dessus du substrat de support (2). Le procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le retrait de la première portion périphérique du bloc d’un matériau piézoélectrique (1) et de la première portion périphérique du substrat de support (2) est effectué par meulage au moyen d’une roue abrasive (T). Le procédé selon la revendication 5, comprenant en outre le placement du substrat de support (2), avec le bloc d’un matériau piézoélectrique (1) formé sur celui ou au-dessus de celui-ci, sur un support (S) qui est mobile en rotation autour d’un premier axe (X1) ; et dans lequel le meulage comprend la rotation de la roue abrasive (T) autour d’un second axe (X2) parallèle au premier axe (X1). Procédé de fabrication d’une structure du type piézoélectrique sur isolant, POI, comprenant la mise en œuvre des étapes selon l’une des revendications précédentes ; et le transfert d’une couche piézoélectrique à partir du substrat piézoélectrique (10) sur un substrat cible comprenant la liaison de l’hétérostructure (H) au substrat cible sur le côté du substrat piézoélectrique (10) et la fracture du substrat piézoélectrique (10) au niveau de la couche affaiblie. Structure du type piézoélectrique sur isolant, POI, comprenant une couche piézoélectrique formée sur ou au-dessus d’un substrat cible et pouvant être obtenue par le procédé selon la revendication 7. Dispositif microélectronique, micromécanique ou photonique ou système micro-électro-mécanique comprenant la structure POI (9) selon la revendication 8. Hétérostructure (1) pour la fabrication d’une structure du type piézoélectrique sur isolant, POI, l’hétérostructure comprenant un substrat de support (3) ; un substrat piézoélectrique (10) formé sur ou au-dessus du substrat de support (2) ; et une couche affaiblie formée dans le substrat piézoélectrique (10) par implantation ionique ; dans laquelle le substrat de support (2) comprend une portion périphérique exposée exempte de matériau du substrat piézoélectrique (10) et la portion périphérique du substrat de support (2) a une rugosité avec une hauteur quadratique moyenne, Sq, dans la plage de 0,4 µm à 0,8 µm. L’hétérostructure selon la revendication 10, dans laquelle la portion périphérique du substrat de support (2) a une rugosité avec une hauteur maximale dans la plage de 4 µm à 8 µm. L’hétérostructure selon la revendication 10 ou 11, dans laquelle la partie périphérique du substrat de support a une rugosité avec une période de rugosité dans la plage de 0,5 µm à 1,5 µm. L’hétérostructure selon l’une quelconque des revendications 10 à 12, dans laquelle le substrat de support (2) est chanfreiné.