Brevet FR3159043A1 — publié le 20250808

L’invention concerne un procédé de collage direct entre deux substrats comprenant les étapes suivantes : a) fourniture d’un premier substrat et d’un deuxième substrat comprenant respectivement une première surface de collage en oxide de silicium hydrophile et une deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, b) apport d’ions fluorures sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile ; c) mise en contact de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et de la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, de sorte à obtenir l’adhésion du premier substrat avec le deuxième substrat avec les ions fluorures à l’interface de collage. Figure pour l’abrégé : Figure 1 Procédé de collage direct entre deux substrats L’invention concerne un procédé de collage direct entre deux substrats et un procédé de transfert de couche sur un substrat support comprenant un tel procédé de collage direct entre deux substrats. ETAT DE LA TECHNIQUE Le collage direct est une technique largement employée en micro-électronique pour assembler des substrats et former des structures multicouches. Elle consiste à directement mettre en contact les deux surfaces à coller qui vont spontanément adhérer l’une à l’autre, sans apport supplémentaire de matière, notamment sans ajout d’une colle polymère. Il est possible d’avoir quelques monocouches d’eau adsorbées sur les surfaces à coller, notamment si elles sont hydrophiles, mais les surfaces à coller doivent être macroscopiquement sèches. L’adhésion spontanée entre les deux surfaces à coller se fait sous l’effet de différentes forces attractives entre les matériaux, par exemple sous l’effet de forces de Van der Waals, de forces capillaires et/ou de liaisons hydrogène impliquant les molécules d’eau adsorbées sur les surfaces à coller. Des liaisons covalentes peuvent aussi s’établir entre les deux surfaces à coller. Par exemple, dans le cas où les surfaces à coller sont des surfaces de silicium hydrophiles ou des surfaces d’oxyde de silicium, l’adhésion entre les deux surfaces résulte principalement de réactions de condensation entre les silanols de la première surface à coller d’une part et les silanols de la deuxième surface à coller d’autre part. Plus précisément, chaque réaction de condensation génère une liaison siloxane entre les deux surfaces à coller et libère une molécule d’eau selon la réaction (1) suivante : Si 1 -OH + Si 2 -OH -> Si 1 -O-Si 2 + H 2 O (I) Les forces attractives précédemment mentionnées n’agissent qu’à courte portée et la formation de liaisons covalentes nécessite que les réactifs soient suffisamment proches pour que leurs orbitales moléculaires se recouvrent. Le collage direct requiert donc que les surfaces à coller soient propres et plates, et présentent une très faible rugosité, par exemple une rugosité inférieure à 0,5 nm. Typiquement, la réaction (I) précédemment mentionnée ne peut avoir lieu qu’au niveau des points de contact entre les deux surfaces à coller. En outre, une telle réaction (I) est très lente et équilibrée (non totale) à température ambiante. La qualité du collage direct peut être évaluée par une grandeur appelée « énergie de collage » qui correspond à l’énergie nécessaire pour séparer les deux surfaces une fois collées. Du fait des difficultés précédemment mentionnées, l’énergie de collage entre deux surfaces collées par collage direct à température ambiante n’est pas suffisante pour garantir la bonne tenue mécanique de la structure multicouche résultante dans des applications ultérieures de ladite structure multicouche, par exemple si la structure multicouche est utilisée dans un procédé induisant de fortes contraintes mécaniques sur l’interface de collage. En effet, l’énergie de collage entre deux surfaces suite à un collage direct à température ambiante des deux surfaces atteint rarement les 200 mJ/m 2 lorsque les deux surfaces adhèrent sous l’effet des forces attractives précédemment mentionnées. La réaction (I) de condensation des silanols ne permet pas quant à elle de dépasser les 0,5 J/m 2 , même au bout de plusieurs jours. Une solution pour augmenter l’énergie de collage consiste à chauffer l’interface de collage suite à la mise en contact des deux surfaces à coller. Par exemple, la mise en contact de deux surfaces à coller de silicium hydrophile ou d’oxyde de silicium peut être suivie d’un traitement thermique de l’interface de collage à 200 °C pendant 2 heures. Toutefois, des températures aussi importantes peuvent induire, au niveau de l’interface de collage, la formation de gaz et de bulles, ainsi qu’un stress thermique important, en particulier lorsque les deux substrats à coller présentent des coefficients de dilatation thermiques très différents. En effet, dans ce dernier cas, la différence de comportement des deux substrats sous l’effet de variations de température est telle qu’elle va induire l’ouverture de l’interface de collage avant que celle-ci n’ait eu le temps de se renforcer. Une autre solution consiste à traiter au moins une des surfaces à coller avec de l’ammoniac gazeux NH 3 ou avec une solution aqueuse d’ammoniac NH 4 OH. L’ammoniac réagissant partiellement avec l’eau pour générer des ions ammoniums NH 4 + et des ions hydroxydes, ladite solution est aussi souvent appelée solution d’hydroxyde d’ammonium. L’ammoniac est une base faible qui va réagir avec l’eau adsorbée sur la surface à coller, et ainsi générer des ions hydroxydes OH- selon la réaction acido-basique (2) suivante : NH 3 + H 2 O= NH 4 + + HO - (2) Les ions hydroxydes générés par la réaction acido-basique (2) agissent comme des catalyseurs de la réaction de condensation (I) et en augmentent donc la cinétique. Cependant, l’ammoniac NH 3 est extrêmement volatile : l’’évaporation de l’ammoniac de surface a pour conséquence un déplacement de l’équilibre de la réaction acido-basique (2) vers la régénération d’ammoniac NH 3 et donc de la consommation des ions hydroxydes catalytiques. Autrement dit, il est difficile de maintenir et de contrôler la quantité d’ammoniac effectivement présent sur la surface à coller alors même que ce maintien est nécessaire au bon fonctionnement de l’effet catalytique basique des ions hydroxydes tel que précédemment décrit. Selon le document US 7,109,093 B2, il est possible d’obtenir une énergie de collage de l’ordre de quelques J/m 2 suite à un collage direct mis en œuvre à température ambiante entre une première couche de liaison d’un premier substrat et une deuxième couche de liaison d’un deuxième substrat lorsque la première couche de liaison et/ou la deuxième couche de liaison comprend une couche d’oxyde fluorée. Afin de générer ladite couche d’oxyde fluorée dans une couche de liaison, par exemple dans une couche d’oxyde de silicium, US 7,109,093 B2 décrit un procédé de fluoration comprenant l’exposition de la couche d’oxyde de silicium à de l’acide fluorhydrique suivi du recuit de la couche ainsi exposée. Sous l’effet du recuit, le fluor diffuse depuis la surface vers l’intérieur de la couche d’oxyde de silicium, ce qui génère la couche d’oxyde fluoré. Le procédé décrit par US 7,109,093 B2 comprend en outre une étape de terminaison de la surface de la couche d’oxyde de silicium comprenant la couche d’oxyde fluorée préalablement à la mise en œuvre du collage direct en tant que tel. L’étape de terminaison peut être un lavage à l’eau ou à l’hydroxyde d’ammonium et permet de générer ou regénérer les fonctions chimiques de surface nécessaires à l’adhésion des surfaces selon les réactions de condensation précédemment mentionnées. Selon US 7,109,093 B2, le fluor qui diffuse lors du recuit à l’intérieur du matériau rompt des liaisons Si-O-Si, de sorte que la couche d’oxyde de silicium fluorée est poreuse. Lors de la mise en œuvre du collage direct selon la réaction (I) ou selon la réaction (II), une telle porosité permet à l’eau ou au dihydrogène générés par les réactions (I) et (II) de diffuser à l’intérieur de ladite couche d’oxyde de silicium fluorée poreuse et de rendre la réaction de condensation totale à température ambiante. Cependant, dans de nombreux cas, la mise en œuvre du recuit décrit par US 7,109,093 B2 pour la formation de la couche d’oxyde fluorée est impossible. C’est le cas par exemple lorsque les substrats à coller sont des structures multicouches comprenant au moins deux couches présentant des coefficients de dilatation thermique très différents. C’est aussi le cas lorsqu’au moins l’un des deux substrats à coller comprend des circuits ou des composants sensibles à la température et/ou une zone de fragilisation formée par implantation d’espèces atomiques ou ioniques dans le cadre d’un procédé SmartCut™. En outre, le procédé décrit par US 7,109,093 B2 comprend de nombreuses étapes, ce qui rend ledit procédé coûteux et complexe de mise en œuvre. BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTION Un but de l’invention est de pallier les inconvénients précités de l’état de la technique. A cet effet, l’invention propose un procédé de collage direct entre deux substrats comprenant les étapes suivantes : a) fourniture d’un premier substrat et d’un deuxième substrat comprenant respectivement une première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et une deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, b) apport d’ions fluorures sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile ; c) mise en contact de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et de la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, de sorte à obtenir l’adhésion du premier substrat avec le deuxième substrat avec les ions fluorures à l’interface de collage. On désigne au sens de la présente invention par surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, une surface en oxyde de silicium présentant des groupements silanols Si-OH. L’apport d’ions fluorures génère une surface en oxyde de silicium hydrophile sur laquelle des ions fluorures sont physisorbés, par exemple du fait d’interactions électrostatiques. Il est à noter que les ions fluorures physisorbés peuvent s’additionner transitoirement sur les atomes de silicium des groupements silanols de surface, de sorte que la surface de collage en oxyde de silicium hydrophile considérée à un instant donné peut comprendre quelques liaisons covalentes HO-Si - -F résultant d’une réaction d’addition nucléophile telle que schématisée sur la FIG. 1 . La surface de collage en oxyde de silicium hydrophile est donc le résultat d’un équilibre dynamique entre ions fluorures physisorbés et ions fluorures additionnés. Cependant, les atomes de silicium pentacoordinés qui résultent de l’addition des ions fluorures sont très instables et présentent une très faible durée de vie, de sorte que la surface de collage en oxyde de silicium hydrophile sur laquelle ont été apportés les ions fluorures comprend essentiellement des ions fluorures physisorbés. Le procédé de l’invention permet d’obtenir des énergies de collage supérieures à 1 J/m 2 à faible budget thermique. Par exemple, l’énergie de collage peut être de 2500 mJ/m 2 après apport d’ions fluorures selon un mode de réalisation de l’invention et une heure de mise en contact des deux surfaces à 170 °C. A titre de comparaison, l’énergie de collage n’est que de 250 mJ/m 2 lorsqu’il n’y a pas eu ledit apport d’ions fluorures, tout paramètre du procédé de collage demeurant par ailleurs inchangé. Autrement dit, l’apport d’ions fluorures a permis de multiplier par dix l’énergie de collage. Par exemple encore, après une heure de mise en contact des deux surfaces à 100 °C, l’énergie de collage est multipliée par 5 s’il y a eu apport d’ions fluorures selon un mode de réalisation de l’invention. Les inventeurs attribuent l’obtention à faible budget thermique des grandes énergies de collage précédemment mentionnées à un effet catalytique nucléophile des ions fluorures de surface qui améliore la cinétique de la réaction de condensation (I), à l’origine de l’adhésion entre la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile du premier substrat et la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile du deuxième substrat. Les inventeurs supposent que l’apport d’ions fluorures sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile conduit successivement à la physisorption desdits ions fluorures sur la première surface de collage hydrophile suivi de l’addition nucléophile d’au moins une partie desdits ions fluorures physisorbés sur des atomes de silicium des groupes silanols de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, de sorte à générer les atomes de silicium de surface pentacoordinés précédemment mentionnés. Lesdits atomes de silicium pentacoordinés sont des intermédiaires réactionnels très réactifs : l’électrophilie des atomes de silicium de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile est exaltée par l’addition des ions fluorures, de sorte que l’oxygène des groupes silanols de la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile se substituent ensuite facilement aux ions fluorures. Les grandes énergies de collage précédemment mentionnées sont obtenues en une seule étape de traitement, et sans recuit thermique des surfaces de collage en oxyde de silicium hydrophile sur lesquels l’apport d’ions fluorures a été effectué préalablement à la mise en contact du premier substrat et du deuxième substrat ce qui est particulièrement avantageux lorsque l’un de ces substrats comprend une zone de fragilisation et/ou des composants électroniques et/ou plusieurs matériaux présentant des coefficients de dilatation thermiques différents. L’effet catalytique des ions fluorures est probablement spécifique au collage direct entre surfaces d’oxyde de silicium. Toutefois, l’apport d’ions fluorures est plus facile à mettre en œuvre et nécessite moins de précautions particulières que les traitements à l’ammoniac précédemment mentionnés dont l’effet bénéfique sur l’énergie de collage est très difficile à observer en pratique, notamment en raison de la volatilité dudit ammoniac. Selon d’autres caractéristiques optionnelles de l’invention prises seules ou en combinaison lorsque cela est techniquement possible : - le procédé comprend en outre, l’apport d’ions fluorures sur la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile préalablement à la mise en contact de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et de la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile ; - la mise en contact de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et de la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile est mise en œuvre à température ambiante ; - pendant toute la durée entre l’apport d’ions fluorures et la mise en contact de la première surface en oxyde de silicium hydrophile et de la deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile, chaque surface de collage en oxyde de silicium hydrophile sur laquelle l’apport d’ions fluorures a été mis en œuvre est maintenue à température ambiante et/ou l’apport d’ions fluorures sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile est mis en œuvre à température ambiante ; - le procédé comprend en outre une étape d) de recuit de consolidation mise en œuvre postérieurement à l’étape c) de mise en contact de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et de la seconde surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, le recuit de consolidation étant préférentiellement mis en œuvre à une température comprise entre 50 °C et 250 °C, encore plus préférentiellement à une température comprise entre 50 °C et 100 °C, pendant une durée préférentiellement comprise entre 15 min et 4 heures, encore plus préférentiellement pendant une durée comprise entre 15 min et 2 heures ; - l’apport d’ions fluorures sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile comprend le dépôt d’un liquide comprenant des ions fluorures et/ou des espèces donneuses d’ions fluorures sur la première surface de collage hydrophile ; - le dépôt du liquide sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile comprend : le dépôt d’un volume du liquide comprenant les ions fluorures et/ou les espèces donneuses d’ions fluorures au centre de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, l’étalement dudit volume du liquide comprenant les ions fluorures et/ou les espèces donneuses d’ions fluorures par rotation de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, ladite première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile étant maintenue en rotation jusqu’à éjection et évaporation du volume de liquide comprenant les ions fluorures et/ou les espèces donneuses d’ions fluorures ; - le liquide comprenant les ions fluorures et/ou les espèces donneuses d’ions fluorures est issu de la dissolution d’un sel de fluorure, dans un solvant, ledit solvant étant préférentiellement de l’eau. - l’apport d’ions fluorures sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile comprend : l’exposition de ladite première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile à un plasma fluoré, le rinçage à l’eau, ou l’exposition à une atmosphère humide, de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile préalablement exposée au plasma fluoré ; - l’apport d’ions fluorures sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile comprend l’exposition de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile à un gaz, préférentiellement à un gaz comprenant des vapeurs d’acide fluorhydrique ; - l’apport d’ions fluorures sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile comprend : l’implantation de fluor à l’aide d’un implanteur sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, le rinçage à l’eau, ou l’exposition à une atmosphère humide, de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile préalablement implanté ; - la première surface en oxyde de silicium hydrophile et/ou la deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile sont en oxyde chimique, en oxyde déposé, en oxyde thermique et/ou en oxyde natif ; - le premier substrat est une structure multicouche comprenant une première couche en un premier matériau et une deuxième couche en un deuxième matériau, la différence de coefficient de dilatation thermique entre le premier matériau et le deuxième matériau étant supérieure ou égale à 10 % ou à 10 -6 K -1 en valeur absolue. - le premier substrat comprend des éléments de composants électroniques ; - le premier substrat comprend une zone de fragilisation formée par implantation d’espèces atomiques ou ioniques. L’invention s’étend à un procédé de transfert d’une couche sur un substrat support, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : a) la fourniture d’un substrat donneur comprenant une première surface en oxyde de silicium hydrophile et d’un substrat support comprenant une deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile, b) la formation d’une zone de fragilisation au sein du substrat donneur de sorte à délimiter une couche à transférer entre la première surface en oxyde de silicium hydrophile et la zone de fragilisation, c) le collage entre le substrat donneur et le substrat support, la première surface en oxyde de silicium hydrophile et la deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile étant à l’interface de collage et le collage entre le substrat donneur et le substrat support étant mis en œuvre par un procédé de collage tel que précédemment décrit, d) le détachement du substrat donneur le long de la zone de fragilisation de sorte à transférer la couche à transférer sur le substrat support. L’invention s’étend également à un assemblage comprenant un premier substrat et un deuxième substrat, le premier substrat étant recouvert par une première surface en oxyde de silicium hydrophile et le deuxième substrat par une deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile, la première surface en oxyde de silicium hydrophile étant collée directement avec la deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile, des ions fluorures étant disposés entre la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile. Enfin, l’invention s’étend à un substrat présentant une première surface en oxyde de silicium hydrophile sur laquelle sont physisorbés des ions fluorures, la concentration surfacique en ions fluorures physisorbés sur ladite première surface en oxyde de silicium hydrophile étant comprise entre 10 10 ions/cm 2 et 10 14 ions/cm 2 . BREVE DESCRIPTION DES FIGURES D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée qui va suivre, en référence aux dessins annexés, sur lesquels : - la FIG. 1 illustre le rôle nucléophile de l’ion fluorure dans la réaction de condensation des silanols à l’origine de la formation d’une liaison siloxane Si-O-Si entre les deux surfaces à coller ; - la FIG. 2 compare l’énergie de collage mesurée entre deux surfaces d’oxyde de silicium collées selon un procédé de collage direct, ledit procédé de collage direct comprenant successivement le dépôt, la centrifugation et l’évaporation d’une solution de fluorure de césium à une concentration de 10 -4 M sur les surfaces, la mise en contact des deux surfaces puis la mise en œuvre d’un recuit de consolidation à 220 °C à l’énergie de collage mesurée entre deux surfaces d’oxyde de silicium collées selon un procédé de collage direct ne comprenant pas le dépôt de la solution de fluorure de césium, l’énergie de collage étant représentée en fonction de la durée du recuit de consolidation à 220 °C ; - la FIG. 3 compare l’énergie de collage mesurée entre deux surfaces d’oxyde de silicium collées selon un procédé de collage direct, ledit procédé de collage direct comprenant successivement le dépôt, la centrifugation et l’évaporation d’une solution de fluorure de césium sur les surfaces, la mise en contact des deux surfaces puis la mise en œuvre d’un recuit de consolidation à 170 °C à l’énergie de collage mesurée entre deux surfaces d’oxyde de silicium collées selon un procédé de collage direct ne comprenant pas le dépôt de la solution de fluorure de césium, l’énergie de collage étant représentée en fonction de la durée du recuit de consolidation à 220 °C ; - la FIG. 4 représente l’énergie de collage mesurée entre deux surfaces d’oxyde de silicium collées selon un procédé de collage direct, ledit procédé de collage direct comprenant successivement le dépôt, la centrifugation et l’évaporation d’une solution de fluorure de césium sur les surfaces, la mise en contact des deux surfaces puis la mise en œuvre d’un recuit de consolidation, en fonction de la température du recuit de consolidation, pour différentes concentrations de la solution de fluorure de césium ; - la FIG. 5 représente l’énergie de collage mesurée entre deux surfaces d’oxyde de silicium collées selon un procédé de collage direct, ledit procédé de collage direct comprenant l’exposition des surfaces à une vapeur d’acide fluorhydrique diluée, la mise en contact des deux surfaces puis la mise en œuvre d’un recuit de consolidation, en fonction de la température du recuit de consolidation (durée 2 h) pour différents temps d’exposition à cette vapeur. - la FIG. 6 représente l’énergie de collage mesurée entre deux surfaces d’oxyde de silicium collées selon un procédé de collage direct, ledit procédé de collage direct comprenant l’immersion des plaques dans une solution d’acide fluorhydrique très diluée (0.05%) pendant 1 min, le retrait suivi de la mise en contact des deux surfaces puis la mise en œuvre d’un recuit de consolidation, en fonction de la température du recuit de consolidation. La référence est obtenue par un trempage dans l’eau DI de la même durée. DESCRIPTION DETAILLEE DE MODES DE REALISATION Procédé de collage direct Le procédé de collage direct selon l’invention comprend une première étape de fourniture d’un premier substrat comprenant une première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et d’un deuxième substrat comprenant une deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile. Fourniture d’un premier substrat comprenant une première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et d’un deuxième substrat comprenant une deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile Premier substrat et deuxième substrat Le premier substrat et/ou le deuxième substrat peuvent être par exemple en un matériau choisi parmi le silicium Si, le germanium Ge, le phosphure d’indium InP, l’arséniure de gallium AsGa, l’alumine Al 2 O 3 , l’oxyde de silicium SiO 2 , le nitrure de silicium Si 3 N 4 , le carbure de silicium SiC, le nitrure de gallium GaN, le cuivre, le titane, le nickel, le lithium niobate LiNbO 3 (connu par l’homme du métier sous l’acronyme LNO) et le lithium tantalate LiTaO 3 (connu par l’homme du métier sous l’acronyme LTO). Alternativement, le premier substrat et/ou le deuxième substrat peuvent être des structures multicouches comprenant au moins deux couches. Par exemple, le premier substrat - respectivement le deuxième substrat - comprend une première couche en un premier matériau et une deuxième couche en un deuxième matériau. Le premier matériau et le deuxième matériau sont par exemple choisis parmi les matériaux précédemment cités. Selon ce mode de réalisation, l’étape de fourniture d’un premier substrat comprenant une première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et d’un deuxième substrat comprenant une deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peut comprendre une ou plusieurs sous-étapes d’assemblage desdits couches, de sorte à former le premier substrat et/ou le deuxième substrat. Le procédé de collage direct selon l’invention est particulièrement avantageux lorsque le premier substrat et/ou le deuxième substrat comprennent des couches en des matériaux présentant une grande différence de coefficient de dilatation thermique. On entend par grande différence de coefficient de dilatation thermique, une différence de 10 % ou plus entre les valeurs desdits coefficients de dilatation thermique. En effet, sous l’effet d’une forte montée en température, et du fait des différences de coefficients de dilatation thermique précédemment mentionné et de la faible élasticité de ces structures, de fortes contraintes peuvent apparaitre. Ces contraintes peuvent localement excéder la contrainte de rupture du matériau ou de l’assemblage et provoquer des fissurations ou des délaminations. De telles fissurations ou délaminations surviennent typiquement lorsque les contraintes sont supérieures à 10 MPa, soit que le produit de la variation de température par la différence entre les coefficients de dilatation thermique entre le premier matériau et le deuxième matériau est supérieur à 10 -4 . Le procédé de collage permettant d’éviter les variations de température supérieures à 100°C, la différence entre les coefficients de dilatation thermique du premier matériau et du deuxième matériau peut être, en valeur absolue, supérieure à 10 -6 K -1 ou à 10 % en valeurs relatives. La température de recuit est limitée en fonction des différences de coefficients de dilatation thermique. En outre, le premier substrat et/ou le deuxième substrat peuvent comprendre un ou plusieurs éléments de composants électroniques. Par exemple, le premier substrat et/ou le deuxième substrat comprennent des parties métalliques telles que des lignes de cuivre et des parties isolantes en oxyde de silicium (collage hybride). De la même façon, l’étape de fourniture d’un premier substrat comprenant une première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et d’un deuxième substrat comprenant une deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peut dans ce cas comprendre une ou plusieurs sous-étapes de formation desdits éléments de composants électroniques. Le procédé de collage direct selon l’invention est particulièrement avantageux lorsque le premier substrat et/ou le deuxième substrat comprennent de tels éléments de composants électroniques car ces matériaux sont par essence inhomogène, puisqu’ils contiennent par exemple des parties métalliques, des oxydes isolants, des semiconducteurs particuliers. Ils ne tolèrent donc pas de trop fortes variations de température, puisque lesdites variations de température sont susceptibles d’entrainer l’apparition de fortes contraintes pouvant conduire à la formation de défauts (délamination par exemple). Une température de 200°C apparait ainsi comme une limite haute qu’il ne faut pas dépasser trop longtemps. Enfin, le premier substrat et/ou le deuxième substrat peuvent également comprendre une zone de fragilisation formée par exemple par implantation d’espèces atomiques et/ou ioniques. Le procédé de collage direct selon l’invention est particulièrement avantageux lorsque le premier substrat et/ou le deuxième substrat comprennent une telle zone de fragilisation car le matériau est alors affaibli localement pour préparer une étape future de fracture thermique et l’on souhaite donc renforcer l’ensemble du reste de la structure (donc l’interface de collage) sans solliciter mécaniquement la zone implantée fragilisée. Typiquement les températures de fracture par implantation se situent au-delà de 300°C mais il faut éviter de dépasser 200°C pour ne pas endommager la structure fragilisée. Le premier substrat et le deuxième substrat peuvent être de nature identique ou ils peuvent être différents. Le procédé de collage direct selon l’invention est particulièrement avantageux lorsque le premier substrat (ou une couche dudit premier substrat) et le deuxième substrat (ou une couche du deuxième substrat) sont en des matériaux présentant une grande différence de coefficient de dilatation thermique pour les mêmes raisons que précédemment énoncées. Première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile Comme précédemment mentionné, le premier substrat et le deuxième substrat comprennent respectivement une première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et une deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile. On entend par surface de collage hydrophile une surface qui a une forte affinité avec l’eau, de sorte qu’au moins une monocouche d’eau reste naturellement adsorbée sur la surface de collage hydrophile. L’angle de contact d’une surface hydrophile est typiquement inferieur à une dizaine de degrés. Par exemple, la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et/ou la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peuvent être des surfaces d’oxyde de silicium natif. Autrement dit, si le premier substrat et/ou le deuxième substrat comprennent un matériau formant naturellement à sa surface une couche d’oxyde de silicium – dite couche d’oxyde de silicium natif- (typiquement du silicium Si ou du carbure de silicium SiC qui forment naturellement une couche d’oxyde de silicium ), la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et/ou la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peuvent être la surface de ladite couche d’oxyde natif. Si le premier substrat et/ou le deuxième substrat sont en oxyde de silicium ou comprennent une couche d’oxyde de silicium, la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et/ou la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peuvent être directement la surface dudit oxyde de silicium. Par exemple encore, la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et/ou la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peuvent être des surfaces d’oxyde de silicium thermique. Selon ce mode de réalisation, l’étape de fourniture d’un premier substrat comprenant une première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et d’un deuxième substrat comprenant une deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peut comprendre une sous-étape de formation d’une première couche d’oxyde de silicium thermique sur le premier substrat et/ou une sous-étape de formation d’une deuxième couche d’oxyde de silicium thermique sur le deuxième substrat, une surface de la première, respectivement de la deuxième, couche d’oxyde de silicium thermique formant la première, respectivement la deuxième, surface de collage en oxyde de silicium hydrophile. On entend par oxyde thermique, un oxyde formé par oxydation directe d’un matériau par exposition dudit matériau, à haute température, à du dioxygène (oxydation sèche), à de l’eau (oxydation humide) ou éventuellement à d’autres oxydants (par exemple N 2 O). Une couche d’oxyde de silicium thermique peut être formée à la surface d’un substrat de silicium ou de carbure de silicium. A cette fin, le substrat de silicium ou de carbure de silicium est par exemple chauffé à une température préférentiellement comprise entre 800 °C et 1200 °C puis une surface dudit substrat de silicium ou de carbure de silicium est exposée à une atmosphère de dioxygène ou de vapeur d’eau. La température d’oxydation conditionne la vitesse de croissance de la couche d’oxyde de silicium thermique depuis la surface du substrat de silicium ou de carbure de silicium exposée à l’atmosphère de dioxygène ou de vapeur d’eau. Dans le cas d’une oxydation humide, la formation de la couche d’oxyde thermique peut comprendre la combustion de dihydrogène par du dioxygène dans une torche et l’exposition du substrat de silicium ou de carbure de silicium à la vapeur d’eau produite par ladite combustion, la chaleur générée par la combustion du dihydrogène pouvant en outre servir à porter le substrat de silicium ou de carbure de silicium à la température d’oxydation choisie. L’épaisseur de la couche d’oxyde de silicium thermique est par exemple comprise entre 1 nm et 1 µm. Par exemple encore, la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et/ou la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peuvent être des surfaces d’oxyde de silicium chimique. Selon ce mode de réalisation, l’étape de fourniture d’un premier substrat comprenant une première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et d’un deuxième substrat comprenant une deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peut comprendre une sous-étape de formation d’une première couche d’oxyde de silicium chimique sur le premier substrat et/ou une sous-étape de formation d’une deuxième couche d’oxyde de silicium chimique sur le deuxième substrat, une surface de la première, respectivement de la deuxième, couche d’oxyde de silicium chimique formant la première, respectivement deuxième, surface de collage en oxyde de silicium hydrophile. On entend par oxyde chimique, un oxyde formé par oxydation d’un matériau à basse température (préférentiellement à température ambiante), en présence d’eau ou de certains oxydants tels que le peroxyde d’hydrogène H 2 O 2 ou l’ozone O 3 . Une couche d’oxyde de silicium chimique peut être formée de cette façon à la surface d’un substrat de silicium, de carbure de silicium ou de nitrure de silicium, par exposition, à basse température, de ladite surface à de l’eau ou à un oxydant tel que précédemment mentionné. L’épaisseur de la couche d’oxyde de silicium chimique à la surface du substrat de silicium est par exemple comprise entre 0,5 nm et 3 nm. Par exemple encore, la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et/ou la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peuvent être des surfaces d’oxyde de silicium déposées. Selon ce mode de réalisation, l’étape de fourniture d’un premier substrat comprenant une première surface de collage hydrophile et d’un deuxième substrat comprenant une deuxième surface de collage hydrophile peut comprendre une sous-étape de dépôt d’une première couche d’oxyde de silicium déposée sur le premier substrat et/ou une sous-étape de dépôt d’une deuxième couche d’oxyde de silicium déposée sur le deuxième substrat, une surface de la première, respectivement de la deuxième, couche d’oxyde déposée formant la première, respectivement la deuxième, surface de collage en oxyde de silicium hydrophile. On entend par oxyde déposé, un oxyde formé par apport de matière par voie chimique, par exemple sous forme de vapeur ou de plasma. Une couche d’oxyde de silicium peut être déposée sur quasiment tout type de matériau, notamment les semiconducteurs IV/IV, III/V et II/VI ainsi que les oxydes du type LiTaO 3 ou LiNbO 3 . L’épaisseur de la couche d’oxyde de silicium déposée est par exemple comprise entre 1 nm et 10 µm. Pour le dépôt d’une couche d’oxyde de silicium, le précurseur apportant le silicium est typiquement le silane (SiH 4 ) tandis que le précurseur apportant l’oxygène est par exemple N 2 O ou O 2 . Par exemple, on place le substrat sur lequel on souhaite déposer la couche d’oxyde de silicium dans une chambre plasma. Puis, on fait entrer dans ladite chambre plasma un gaz vecteur, par exemple du dihydrogène, comprenant les précurseurs du silicium et de de l’oxygène, par exemple SiH 4 et N 2 O.Sous l’effet du plasma, les précurseurs se décomposent et réagissent, formant à la surface du substrat exposée au plasma une couche d’oxyde de silicium. Si le premier substrat et/ou le deuxième substrat sont en oxyde de silicium ou comprennent une couche d’oxyde de silicium et/ou si le premier substrat et/ou le deuxième substrat sont en un matériau formant naturellement une couche d’oxyde de silicium en surface ou comprennent un tel matériau, la fourniture du premier substrat comprenant une première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et du deuxième substrat comprenant une deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peut tout de même comprendre la formation d’une première couche d’oxyde de silicium déposée, thermique ou chimique sur le premier substrat et/ou la formation d’une deuxième couche d’oxyde de silicium déposée, thermique ou chimique sur le deuxième substrat de sorte qu’une surface de la première, respectivement de la deuxième, couche d’oxyde de silicium déposée, thermique ou chimique forme la première, respectivement la deuxième, surface de collage en oxyde de silicium hydrophile. La première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peuvent être de même nature ou de nature différente. Par exemple, la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peut être une surface d’oxyde de silicium chimique et la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile une surface d’oxyde de silicium natif. Dans ce cas, l’étape de fourniture d’un premier substrat comprenant une surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et d’un deuxième substrat comprenant une deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peut comprendre une sous-étape de formation d’une couche d’oxyde de silicium chimique sur le premier substrat. Par exemple encore, la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peut être une surface d’oxyde de silicium thermique et la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile une surface d’oxyde de silicium déposée. Dans ce cas, l’étape de fourniture d’un premier substrat comprenant une surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et d’un deuxième substrat comprenant une deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peut comprendre une sous-étape de formation d’une couche d’oxyde de silicium thermique sur le premier substrat et une sous-étape de formation d’une couche d’oxyde de silicium déposée sur le deuxième substrat. De telles combinaisons sont citées à titre d’exemples et ne sont en rien limitatives de la portée de l’invention. Toute combinaison entre surfaces d’oxyde de silicium natif, chimique, thermique et déposé du premier substrat et du deuxième substrat reste couverte par la présente invention. En outre, en fonction de la nature du premier, respectivement deuxième, substrat qu’il souhaite obtenir (substrat monobloc, ou structure multicouche comprenant des matériaux présentant des coefficients de dilatation thermique très différents, comprenant éventuellement des éléments de composants électronique et/ou une zone de fragilisation) et de l’application envisagée pour l’assemblage résultant du collage entre le premier substrat et le deuxième substrat (fabrications de substrat SOI pour la microélectronique avancée, substrat pour la RF, substrat pour la photonique) l’homme du métier est en mesure de choisir la nature de l’oxyde de silicium la plus adaptée pour le premier, respectivement deuxième, substrat, ainsi que l’ordre d’enchainement des différentes sous-étapes précédemment mentionnées permettant de fournir le premier, respectivement deuxième, substrat attendu. Apport d’ions fluorures sur au moins la première surface de collage hydrophile Le procédé comprend en outre une étape d’apport d’ions fluorures sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, ou à la fois sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et sur la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile. Comme précédemment mentionné, suite à l’apport d’ions fluorures, les ions fluorures sont essentiellement physisorbés sur la surface d’oxyde de silicium hydrophile. Apport sous forme liquide Selon un mode de réalisation particulier, l’apport d’ions fluorures comprend le dépôt d’un liquide comprenant des ions fluorures et/ou des espèces donneuses d’ions fluorures sur la surface de collage hydrophile. Par exemple, le liquide comprenant des ions fluorures est une solution d’un sel de fluorure, préférentiellement une solution aqueuse. Le sel dissout est par exemple choisi parmi le fluorure d’ammonium, le fluorure de lithium, le fluorure de sodium, le fluorure de potassium et le fluorure de césium, le fluorure de magnésium, le fluorure de calcium et le fluorure de baryum. Le fluorure de césium présente avantageusement une meilleure solubilité dans l’eau que le fluorure de sodium ou le fluorure de potassium. La concentration de la solution en sel de fluorure déposée sur la première surface de collage hydrophile est préférentiellement comprise entre 10 -5 mol/L et 10 -3 mol/L afin d’éviter la formation de cristaux au cours de l’évaporation. Par exemple encore, le liquide comprenant des ions fluorures et/ou des espèces donneuses d’ions fluorures est une solution d’acide fluorhydrique diluée et l’espèce donneuse d’ions fluorures est l’acide fluorhydrique. La concentration d’acide fluorhydrique est préférentiellement choisie inférieure à 0.5 % de façon à limiter les phénomènes de gravure de l’oxyde. Le dépôt du liquide comprenant des ions fluorures et/ou des espèces donneuses d’ions fluorures peut être réalisé par exemple par enduction, par pulvérisation ou par dépôt à la tournette (plus connu par l’homme du métier sous la dénomination anglo-saxonne « spin-coating »). On entend par pulvérisation la dispense de gouttelettes de solution sous forme d’aérosol. On entend par enduction le fait de tremper et ressortir un substrat de la solution. Préférentiellement, le dépôt du liquide comprenant les ions fluorures et/ou les espèces donneuses d’ions fluorures est mis en œuvre à la tournette. Autrement dit, le dépôt du liquide comprenant les ions fluorures et/ou les espèces donneuses d’ions fluorures comprend la mise en rotation de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et le dépôt d’un volume du liquide comprenant les ions fluorures et/ou les espèces donneuses d’ions fluorures au centre de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile en rotation, par exemple à l’aide d’une pipette, la rotation de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile permettant d’étaler ledit volume du liquide comprenant les ions fluorures et/ou les espèces donneuses d’ions fluorures sur l’ensemble de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile. Le volume du liquide comprenant les ions fluorures et/ou les espèces donneuses d’ions fluorures est préférentiellement compris entre 1 cm 3 et 100 cm 3 pour un premier substrat de 300mm de diamètre, tandis que la vitesse de rotation de la première surface de collage lors du dépôt est préférentiellement comprise entre 100 t/min et 3000 t/min. Suite au dépôt du volume de liquide comprenant les ions fluorures et/ou les espèces donneuses d’ions fluorures, la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile est ensuite maintenue en rotation jusqu’à éjection et évaporation du volume de liquide comprenant les ions fluorures et/ou les espèces donneuses d’ions fluorures. Préférentiellement, la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile est maintenue en rotation à une vitesse de rotation comprise entre 100 t/min et 3000 t/min pendant une durée comprise entre 1 s et 1 min. Le dépôt du liquide comprenant les ions fluorures et/ou les espèces donneuses d’ions fluorures à la tournette est très avantageux dans la mesure où il peut être mis en œuvre dans des machines classiquement utilisées pour le collage de substrats dans l’industrie microélectronique. En effet, lesdites machines intègrent déjà, à des fins de nettoyage et de préparation de surfaces pour leur collage, les équipements qui permettent le dépôt du volume de liquide comprenant les ions fluorures et/ou les espèces donneuses d’ions fluorures et l’étalement dudit volume tels que précédemment décrits. L’homme du métier n’a donc pas besoin d’investir dans de nouveaux équipements pour mettre en œuvre l’invention selon ce mode de réalisation. Le maintien en rotation de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile jusqu’à éjection et évaporation du volume de liquide comprenant les ions fluorures et/ou les espèces donneuses d’ions fluorures permet de sécher la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, tout en conservant une quantité suffisante d’ions fluorures sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile. Le choix de la vitesse de rotation permet, dans une certaine mesure, de moduler la quantité d’ions fluorures restant sur la surface au moment du collage en modulant la part du volume de liquide comprenant les ions fluorures et/ou les espèces donneuses d’ions fluorures qui est éjectée par rapport à la part dudit volume qui est évaporée. Une vitesse élevée permet d’éliminer plus efficacement les excès de solution et d’éviter la formation de gouttes, et augmente la vitesse d’évaporation. Toutefois, si la vitesse de rotation est supérieure à 3000 t/min, une part trop importante du volume de liquide comprenant les ions fluorures et/ou les espèces donneuses d’ions fluorures est éjectée de sorte qu’il ne reste pas assez d’ions fluorures en surface. Inversement, si la vitesse est inférieure à 100 t/min, une part trop importante du volume de liquide comprenant les ions fluorures et/ou les espèces donneuses d’ions fluorures est évaporée, de sorte qu’il y a trop d’ions fluorures en surface. En outre, ladite quantité d’ions fluorures et/ou d’espèces donneuses d’ions fluorures déposée conservée sur la surface peut être ajustée à l’aide de différents paramètres, tels que la concentration en ions fluorures et/ou en espèces donneuses d’ions fluorures du liquide comprenant les ions fluorures et/ou les espèces donneuses d’ions fluorures et le pH dudit liquide qui influe sur la charge de surface de l’oxyde. Selon ce mode de réalisation de l’apport d’ions fluorures, le procédé ne comprend aucune étape supplémentaire de terminaison des surfaces de collage en oxyde de silicium hydrophile, par exemple aucun lavage RCA, entre l’apport d’ions fluorures et la mise en contact des deux substrats à coller. En effet, il convient de ne pas éliminer lesdits ions fluorures physisorbés sur la première, et éventuellement sur la deuxième, surface de collage en oxyde de silicium hydrophile de sorte que lesdits ions fluorures se retrouvent bien à proximité de l’interface de collage lors de la mise en contact des deux substrats à coller et puissent jouer leur rôle de catalyseur. Comme précédemment mentionné, le procédé selon l’invention est particulièrement avantageux quand les substrats à coller sont des substrats comprenant une zone de fragilisation formée par implantation d’ions ou d’atomes ou encore comprenant des éléments de composants électriques et/ou comprennent plusieurs couches en des matériaux distincts, notamment des matériaux présentant des coefficients de dilatation thermiques très différents, par exemple des coefficients de dilatation thermique différant de plus de 10 %. En effet, l’apport d’ions fluorures sur chaque surface de collage en oxyde de silicium hydrophile à traiter peut très avantageusement être mis en œuvre à température ambiante, soit typiquement à une température comprise entre 18° C et 25 °C. En outre, le procédé ne nécessite pas de recuit de chacun des substrats en surface desquels ont été apportés les ions fluorures. Le recuit des surfaces de collage en oxyde de silicium hydrophile après apport des ions fluorures aurait pour conséquence la diffusion des ions fluorures depuis la première, éventuellement deuxième, surface de collage en oxyde de silicium hydrophile vers l’intérieur du premier, éventuellement deuxième substrat, générant ainsi une couche poreuse en subsurface. Or, comme précédemment mentionné, l’effet recherché est la catalyse, par les ions fluorures physisorbés sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et éventuellement sur la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, des réactions de condensation à l’origine de l’adhésion entre la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile lors de la mise en contact desdites première et deuxième surfaces de collage en oxyde de silicium hydrophile. Un tel effet diffère de celui induit par la présence d’une couche poreuse à l’intérieur du premier et éventuellement du deuxième substrat que générerait le recuit des substrats sur lesquels ont été apportés les ions fluorures, à savoir déplacer l’équilibre desdites réactions de condensation dans le sens de l’adhésion entre la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile en permettant la diffusion, loin de l’interface de collage, de l’eau produite dans ledit sens de réaction. Ainsi, l’apport d’ions fluorures est préférentiellement mis en œuvre à température ambiante et chaque surface de collage en oxyde de silicium hydrophile sur laquelle l’apport en ions fluorures a été effectué est préférentiellement maintenue à température ambiante pendant toute la durée entre l’apport d’ions fluorures et la mise en contact de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et de la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile. De cette façon, le procédé est en outre plus économique, moins énergivore et plus facile à mettre en œuvre. Selon un mode de réalisation particulier de l’apport d’ions fluorures sous forme liquide, le dépôt du liquide comprenant les ions fluorures ou les espèces donneuses d’ions fluorures peut être précédé d’une activation de la surface de collage en oxyde de silicium hydrophile à l’aide d’un plasma. En effet, l‘activation d’une surface de collage en oxyde de silicium par plasma est connu de l’homme du métier pour avoir un effet bénéfique sur l’énergie de collage : le plasma permet en effet de rompre de nombreuses liaisons, notamment des liaisons Si-O-Si et de générer des espèces très réactives. Dès exposition de la surface activée par plasma à de l’eau ou à une atmosphère humide, lesdites espèces réactives vont réagir avec l’eau pour former de nouveaux silanols Si-OH de surface. Ainsi, l’activation plasma permet en définitive d’augmenter le nombre de groupements silanols de surface qui vont ensuite pouvoir réagir dans les réactions de condensation lors de la mise en contact des substrats pour le collage. Les inventeurs ont mis en évidence un effet bénéfique de la combinaison de l’activation plasma et de l’apport d’ions fluorures ou d’espèces donneuses d’ions fluorures sous forme liquide puisqu’une telle combinaison, tout paramètre inchangé par ailleurs, permet d’augmenter l’énergie de collage par rapport à la simple activation plasma ou au seul apport d’ions fluorures ou d’espèces donneuses d’ions fluorures sous forme liquide. Le plasma est par exemple un plasma formé à partir d’un gaz tel que le dioxygène, le diazote, l’hélium ou l’argon. Chaque surface de collage en oxyde de silicium hydrophile à fluorer peut être exposée audit plasma pendant une durée comprise entre 1 s et 1 min. Apport sous forme gazeuse Alternativement, l’apport d’ions fluorures peut comprendre l’exposition à un gaz comprenant des espèces donneuses d’ions fluorures. Par exemple, l’espèce donneuse d’ions fluorures est de l’acide fluorhydrique gazeux. Par exemple encore, l’espèce donneuse d’ions fluorures est du trifluorure de bore BF 3 gazeux. Au contact de l’eau adsorbée sur la surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, des molécules de l’espèce donneuse d’ions fluorures vont s’adsorber sur la surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et se dissocier de sorte à libérer des ions fluorures. Le gaz comprenant les espèces donneuses d’ions fluorures est choisi parmi l’argon ou le diazote. Alternativement, le gaz peut être directement les vapeurs d’acide fluorhydrique ou de trifluorure de bore. La pression partielle en espèces donneuses d’ions fluorures est par exemple comprise entre 0,1 mbar et 1 bar. Chaque surface de collage en oxyde de silicium hydrophile à fluorer est exposée audit gaz pendant une durée préférentiellement comprise entre 1 s et 1 min. Selon ce mode de réalisation également, l’apport d’ions fluorures peut très avantageusement être mis en œuvre à basse température. Plus précisément, la température du gaz peut être comprise entre 18 °C et 25 °C. En outre, chaque surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peut être maintenue, après apport d’ions fluorures, à température ambiante jusqu’à la mise en contact des deux substrats à coller. Selon un mode de réalisation particulier de l’apport d’ions fluorures sous forme gazeuse, l’exposition de la surface de collage en oxyde de silicium hydrophile au gaz comprenant des espèces donneuses d’ions fluorures peut être précédée d’une activation de la surface de collage en oxyde de silicium hydrophile à l’aide d’un plasma. Une telle activation plasma peut être mise en œuvre telle que précédemment décrite pour l’apport sous forme liquide, et permet d’augmenter l’énergie de collage par rapport à la simple activation plasma ou au seul apport d’ions fluorures ou d’espèces donneuses d’ions fluorures sous forme gazeuse. En revanche, lorsque l’apport en ions fluorures est réalisé sous forme gazeuse, le procédé ne comprend pas non plus d’étape supplémentaire de terminaison des surfaces de collage en oxyde de silicium hydrophile, par exemple aucun lavage, entre l’apport d’ions fluorures sous forme gazeuse et la mise en contact des deux substrats à coller pour ne pas éliminer les ions fluorures physisorbés sur la surface de collage en oxyde de silicium hydrophile sur laquelle l’apport d’ions fluorures a été mis en œuvre. Apport dans un plasma Alternativement encore, l’apport d’ions fluorures peut comprendre successivement : - l’exposition de la surface de collage en oxyde de silicium hydrophile à un plasma fluoré, autrement dit à un plasma comprenant des espèces donneuses d’ions fluorures, de sorte à obtenir une surface de collage en oxyde de silicium hydrophile activée par plasma fluoré ; - le rinçage à l’eau de la surface de collage en oxyde de silicium hydrophile activée par plasma fluorée ou l’exposition de ladite surface à une atmosphère humide, par exemple à de l’air, de sorte à réaliser l’apport d’ions fluorures au sens de la présente invention. Les espèces donneuses d’ions fluorures comprises dans le plasma sont typiquement choisi parmi SF 6 , CF 4 et CH 2 F 2 . Le plasma fluoré est par exemple un plasma formé à partir d’un gaz tel que le dioxygène, le diazote, l’hélium ou l’argon dans lequel on a incorporé lesdites espèces donneuses d’ions fluorures. La concentration en espèces donneuses d’ions fluorures dans le plasma est préférentiellement comprise entre 0,1 % et 10% afin d’optimiser l’interaction entre l’espèce majoritaire du plasma et les molécules fluorées. Chaque surface de collage en oxyde de silicium hydrophile à fluorer est préférentiellement exposée au plasma fluoré pendant une durée comprise entre 1 s et 1 min. Le rinçage à l’eau de la surface de collage en oxyde de silicium hydrophile activée par plasma fluoré est typiquement mis en œuvre par rinçage à l’eau déionisée. L’exposition de la surface de collage en oxyde de silicium hydrophile au plasma fluoré a pour conséquence la rupture de nombreuses liaisons et la formation en surface d’espèces très réactives telles que Si-F, Si-HF ou Si-OF. Lors du rinçage ou de l’exposition à une atmosphère humide de la surface de collage en oxyde de silicium hydrophile activée, lesdites espèces très réactives vont réagir avec l’eau pour créer de nombreux silanols de surface et libérer des ions fluorures mobiles physisorbés à proximité desdits silanols de surface, générant ainsi l’apport d’ions fluorures au sens de la présente invention. Selon ce mode de réalisation également, l’apport d’ions fluorures peut très avantageusement être mis en œuvre à basse température. Plus précisément, malgré le fait que la température du plasma (définie par l’énergie cinétique des électrons) est très élevée (typiquement entre 10 4 et 10 5 K)] , la température du substrat reste comprise entre 18 °C et 30°C. Enfin, chaque surface de collage en oxyde de silicium hydrophile exposée au plasma fluoré et rincée peut ensuite être maintenue à température ambiante jusqu’à la mise en contact des deux substrats à coller. Apport par implantation Alternativement encore, l’apport d’ions fluorures peut comprendre successivement : - l’implantation de fluor à basse énergie à travers la surface de collage en oxyde de silicium, de sorte à obtenir une surface de collage en oxyde de silicium hydrophile implantée, - le rinçage à l’eau de la surface de collage en oxyde de silicium hydrophile implantée ou l’exposition de ladite surface à une atmosphère humide, par exemple à de l’air, de sorte à réaliser l’apport d’ions fluorures au sens de la présente invention. On entend par implantation à basse énergie une implantation à des énergies d’implantation inferieures à 25 keV en SiF 3 ou inférieures à 5 keV pour des ions fluor, ce qui correspond à une profondeur d’implantation de l’ordre de 5 nm à 10 nm. Tout comme l’exposition au plasma fluoré, l’implantation de fluor a pour conséquence la rupture de nombreuses liaisons et la formation en surface d’espèces très réactives telles que Si-F, Si-HF ou Si-OF. Lors du rinçage ou de l’exposition à une atmosphère humide de la surface de collage en oxyde de silicium hydrophile implantée, lesdites espèces très réactives vont réagir avec l’eau pour créer de nombreux silanols de surface et libérer des ions fluorures mobiles physisorbés à proximité desdits silanols de surface, générant ainsi l’apport d’ions fluorures au sens de la présente invention. Selon ce mode de réalisation également, l’apport d’ions fluorures peut très avantageusement être mis en œuvre à basse température. Plus précisément, la température du substrat lors de l’implantation peut être comprise entre 10 °C et 50 °C, avec une régulation de la température du substrat implanté. Enfin, chaque surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, après apport d’ions fluorures par implantation puis rinçage peut ensuite être maintenue à température ambiante jusqu’à la mise en contact des deux substrats à coller. Surface de collage en oxyde de silicium hydrophile après apport d’ions fluorures Après l’apport d’ions fluorures selon l’un quelconque des modes de réalisation précédemment décrit, la concentration surfacique en ions fluorures de chaque surface de collage en oxyde de silicium hydrophile est préférentiellement comprise entre 10 10 ions/cm 2 et 10 14 ions/cm 2 . Une telle concentration surfacique reste suffisamment faible pour ne pas perturber les propriétés d’interfaces tout en permettant une catalyse efficace. La mesure de la concentration surfacique en ions fluorures sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peut se faire par des techniques de spectroscopies tels que l’XPS ou la spectroscopie de masse. Mise en contact de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et de la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile Dans le cas où seul un apport d’ions fluorures a été mis en œuvre sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, le procédé de collage direct comprend en outre une étape de mise en contact de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et de la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, de sorte à obtenir l’adhésion du premier substrat avec le deuxième substrat, les ions fluorures physisorbés sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile étant à l’interface de collage. Autrement dit, les ions fluorures n’ont pas été éliminés de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile entre l’étape d’apport des ions fluorures et l’étape de mise en contact, par exemple du fait d’une étape supplémentaire de lavage. Dans le cas où un apport d’ions fluorures a en outre été mis en œuvre sur la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, la mise en contact est réalisée entre la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, de sorte à obtenir l’adhésion du premier substrat avec le deuxième substrat, les ions fluorures physisorbés sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et sur la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile étant à l’interface de collage. Autrement dit, les ions fluorures n’ont pas été éliminés de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et de la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile entre l’étape d’apport des ions fluorures et l’étape de mise en contact, par exemple du fait d’une étape supplémentaire de lavage. L’apport d’ions fluorures sur les deux surfaces à coller peut être avantageux pour apporter une quantité plus importante d’ions fluorures à l’interface, tout en utilisant des solutions moins concentrées et ainsi réduire le risque de formation de cristaux au cours du séchage. La mise en contact entre la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile éventuellement est de préférence réalisée à température ambiante. La mise en contact peut comprendre l’application d’une pression localisée, de sorte à générer un point de contact entre la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile : l’onde de collage se propage depuis le point de contact en quelques secondes sur toute l’interface de collage. Alternativement, la mise en contact peut se faire sans appliquer de pression. Selon ce mode de réalisation, le premier substrat et le deuxième substrat peuvent rester l’un contre l’autre pendant quelques dizaines de secondes jusqu’à ce que l’évacuation de l’air entre les deux substrats entraine l’apparition d’un point de contact et le début de la propagation de l’onde de collage. La pression de vapeur lors de la mise en contact de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et de la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile est préférentiellement compris entre 1 Pa et 10 5 Pa. L’apport d’ions fluorures sur au moins une des deux surfaces de collage en oxyde de silicium hydrophile suivi de la mise en contact des deux surfaces de collage en oxyde de silicium hydrophile, les ions fluorures étant à l’interface de collage, et le maintien à température ambiante de l’assemblage résultant de ladite mise en contact (après la fin de la propagation de l’onde de collage), permet d’atteindre des énergies de collage de l’ordre de 1 J/m 2 à 2J/m 2 au bout de quelques dizaines d’heures. Par comparaison, une telle énergie de collage n’est atteinte, sans apport d’ions fluorures et tous les autres paramètres expérimentaux demeurant inchangés par ailleurs, qu’au bout de plusieurs jours. Ainsi, l’apport d’ions fluorures permet d’augmenter la cinétique de collage. Pour augmenter encore ladite cinétique de collage, le procédé de collage direct peut comprendre en outre une étape ultérieure de recuit de consolidation de l’assemblage obtenu après mise en contact du premier substrat et du deuxième substrat. Par exemple, le recuit consiste en l’application d’une température comprise entre 50 °C et 250 °C, encore plus préférentiellement comprise entre 50 °C et 100 °C, pendant une durée préférentiellement comprise entre 15 min et 4 h, encore plus préférentiellement entre 15 min et 2h. Des températures de recuit de consolidation inférieures à 100 °C ne permettraient pas d’atteindre des énergies de collage de l’ordre de 1 J/m 2 ou 2 J/m 2 en moins de deux heures sans l’apport d’ions fluorures. La température du recuit est choisie en fonction de la nature du premier substrat et du deuxième substrat et de leur capacité ou non à supporter une température donnée. Procédé de transfert d’une couche sur un substrat support L’invention s’étend à un procédé de transfert d’une couche sur un substrat support. Le procédé de transfert de couche sur un substrat support comprend une étape de fourniture d’un substrat donneur comprenant une première surface en oxyde de silicium hydrophile et d’un substrat support comprenant une deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile. Le substrat donneur et le substrat support sont tels que le premier substrat et le deuxième substrat précédemment décrits. Par exemple, le substrat donneur et/ou le substrat support comprennent du silicium Si, du germanium Ge, du phosphure d’indium InP, de l’arséniure de gallium AsGa, de l’alumine Al 2 O 3 , de l’oxyde de silicium SiO 2 , du nitrure de silicium Si 3 N 4 , du carbure de silicium SiC, du nitrure de gallium GaN, du cuivre, du titane, du nickel, du LNO et/ou du LTO. Le substrat donneur et/ou le substrat support peuvent être des structures multicouches comprenant au moins deux couches. Par exemple, le substrat donneur est un substrat qualifié de pseudo-substrat donneur comprenant une première couche en LTO et une deuxième couche en silicium. Par exemple encore, le substrat support est du silicium. En outre, le substrat donneur et/ou le substrat support peuvent comprendre un ou plusieurs éléments de composants électroniques. Par exemple, le substrat donneur et/ou le substrat support comprennent des connections en cuivre isolées par des parties en oxyde de silicium. Ainsi, l’étape de fourniture d’un substrat donneur comprenant une première surface en oxyde de silicium hydrophile et d’un substrat support comprenant une deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile peut comprendre une ou plusieurs sous-étapes d’agencement de couches et de formation d’éléments de composants électroniques telles que précédemment décrites. Comme précédemment mentionné, le substrat donneur et le substrat support comprennent respectivement une première surface en oxyde de silicium hydrophile et une deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile. La première surface hydrophile et/ou la deuxième surface hydrophile sont typiquement des surfaces d’oxyde natif, thermique, chimique ou déposé telles que précédemment décrites. Ainsi, l’étape de fourniture d’un substrat donneur comprenant une première surface en oxyde de silicium hydrophile et d’un substrat support comprenant une deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile peut comprendre la formation desdites surfaces d’oxyde de silicium natif, thermique, chimique ou déposé selon l’un quelconque des modes de réalisation précédemment décrits. La première surface en oxyde de silicium hydrophile et la deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile, peuvent être de même nature (natif, thermique, chimique ou déposé). Alternativement, la première surface en oxyde de silicium hydrophile et la deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile peuvent être de natures différentes. Le procédé de transfert de couche sur un support comprend en outre une étape de formation d’une zone de fragilisation au sein du substrat donneur de sorte à délimiter une couche à transférer entre la première surface hydrophile et la zone de fragilisation. Selon un mode de réalisation préféré, la zone de fragilisation est formée par implantation d’espèces atomiques dans le substrat donneur, l’implantation étant réalisée à travers la première surface hydrophile. Les espèces atomiques sont implantées à une profondeur déterminée, cette profondeur fixant l’épaisseur de la couche à transférer. Les espèces atomiques implantées sont de préférence de l’hydrogène et/ou de l’hélium. Par la suite, le procédé de transfert de couche sur un substrat support comprend en outre le collage entre le substrat donneur et le substrat support, la première surface en oxyde de silicium hydrophile et la deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile étant à l’interface de collage et le collage entre le substrat donneur et le substrat support étant mis en œuvre par un procédé de collage direct selon l’un quelconque des modes de réalisation précédemment décrits. L’apport d’ions fluorures peut être mis en œuvre sur la première surface en oxyde de silicium hydrophile du substrat donneur, sur la deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile du substrat support ou à la fois sur la première surface en oxyde de silicium hydrophile du substrat donneur et sur la deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile du substrat support. Le procédé de transfert de couche comprend enfin le détachement du substrat donneur le long de la zone de fragilisation de sorte à transférer la couche à transférer sur le substrat support. Le détachement le long de la zone de fragilisation peut être déclenché par une action mécanique et/ou un apport d’énergie thermique. Selon un mode de réalisation particulier, le recuit de consolidation et l’étape de détachement le long de la zone de fragilisation peuvent être couplés au sein d’une même rampe de montée en température, par exemple en effectuant des paliers de température. Substrat L’invention concerne également un substrat présentant une première surface en oxyde de silicium hydrophile sur laquelle sont physisorbés des ions fluorures, la concentration surfacique en ions fluorures physisorbés sur ladite première surface en oxyde de silicium hydrophile étant comprise entre 10 10 ions/cm 2 et 10 14 ions/cm 2 . Le premier substrat et la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peuvent être selon l’un quelconque des modes de réalisation précédemment décrits. Comme précédemment mentionné, la mesure de la concentration surfacique en ions fluorures sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peut se faire par des techniques de spectroscopies tels que l’XPS ou la spectroscopie de masse. Dans un mode de réalisation préféré, ledit substrat ne comprend pas de couche d’oxyde de silicium poreuse fluorée enterrée. Autrement dit, la concentration en ions fluorures dans la couche d’oxyde de silicium du substrat, ailleurs qu’à l’interface, est inférieure à 10 18 at/cm 3 . Assemblage comprenant un premier substrat et un deuxième substrat L’invention concerne enfin un assemblage comprenant un premier substrat et un deuxième substrat, le premier substrat étant recouvert par une première surface en oxyde de silicium hydrophile et le deuxième substrat étant recouvert par une deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile, la première surface en oxyde de silicium hydrophile étant collée directement avec la deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile, des ions fluorures étant à l’interface de collage. Le premier substrat, la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, le deuxième substrat et la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peuvent être selon l’un quelconque des modes de réalisation précédemment décrits. Préférentiellement, la concentration surfacique en ions fluorures à l’interface de collage entre la première surface en oxyde de silicium hydrophile et la deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile est comprise entre 10 10 ions/cm 2 et 10 14 ions/cm 2 . La mesure de la concentration surfacique en fluor à l’interface de collage entre la première surface en oxyde de silicium hydrophile et la deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile peut se faire par des techniques de microscopie électronique à haute résolution, couplées à des spectroscopies type EELS (Electron Energy Loss Spectrocopy) ou EDX (spectroscopie de rayons X). D’autres techniques de dosage direct peuvent être employées, en ouvrant l’interface. Dans un mode de réalisation préféré, ledit assemblage ne comprend pas de couche d’oxyde de silicium poreuse fluorée enterrée. Autrement dit, la concentration en ions fluorures dans chaque couche d’oxyde de silicium du premier substrat et du deuxième substrat, dès les premières couches atomiques (premier nanomètre sous la surface par exemple) est inférieure à 10 18 at/cm 3 . Les oxydes ne sont donc pas modifiés en volume et conservent leurs propriétés (par exemple leurs constantes diélectriques, et leurs indices de réfraction) jusqu’à leur surface. Exemples Dans la suite sont décrits une série d’exemples de mise en œuvre d’un procédé selon des modes de réalisation particuliers de l’invention. Exemple 1 On dispense 10mL d’une solution de fluorure de césium à une concentration de 10 -4 M sur un premier substrat de silicium de 200 mm de diamètre présentant une première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile de type oxyde thermique de 100nm d’épaisseur. On met en rotation le système à une vitesse de 2000 t/min jusqu’à uniformisation de l’épaisseur du film formé par la solution déposée. Cette uniformisation peut être classiquement constatée par l’observation de franges de Newton colorées, qui défilent au fur et à mesure que le film s’amincit sous l'effet conjugué de l'écoulement centrifuge et de l'évaporation, jusqu’à disparaitre lorsque l'épaisseur du film est en dessous d'une demi-longueur d'onde du rayonnement visible (c’est-à-dire typiquement inférieure à 200 nm). Puis on maintient le substrat en rotation pendant une dizaine de secondes supplémentaires, de sorte à évacuer le surplus de la solution aqueuse de fluorure de césium et à sécher la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile. On fournit un deuxième substrat de silicium de 200 mm de diamètre présentant une deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile de type oxyde thermique de 100nm d’épaisseur.et l’on applique le même traitement que précédemment décrit pour le premier substrat de silicium. On met ensuite contact la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile avec la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile à température ambiante de sorte à obtenir l’adhésion par collage direct entre le premier substrat et le deuxième substrat. Optionnellement, on met en œuvre un recuit de consolidation de la structure nouvellement formée comprenant le premier substrat et le deuxième substrat à une température de 220 °C pendant une durée comprise entre 10 minutes et 250 minutes. On mesure finalement les énergies de collage obtenues en fonction de la durée dudit recuit de consolidation par la méthode classique d’insertion de lame, dite « méthode de Maszara », en atmosphère anhydre. Les résultats sont représentés en symboles carrés sur la FIG. 2 . Exemple comparatif 1 On réalise exactement la même opération que dans l’exemple 1 en remplaçant la solution de fluorure de césium par de l’eau désionisée (DIW). Les résultats sont représentés en symboles rond sur la FIG. 2 . Cela montre l’effet de la dispense d’une solution contenant des ions fluorures. Exemple 2 On dispense 10mL d’une solution de fluorure de césium à une concentration de 10 -4 M sur un premier substrat de silicium de 200 mm de diamètre présentant une première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile de type oxyde thermique de 100nm d’épaisseur. On met en rotation le système à une vitesse de 2000 t/min jusqu’à disparition des franges de Newton. Puis on maintient le substrat en rotation pendant une dizaine de secondes supplémentaires, de sorte à évacuer le surplus de la solution aqueuse de fluorure de césium et à sécher la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile. On fournit un deuxième substrat de silicium de 200 mm de diamètre présentant une deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile de type oxyde thermique de 100nm d’épaisseur et l’on applique le même traitement que précédemment décrit pour le premier substrat de silicium. On met ensuite contact la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile avec la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile à température ambiante de sorte à obtenir l’adhésion par collage direct entre le premier substrat et le deuxième substrat. Optionnellement, on met en œuvre un recuit de consolidation de la structure nouvellement formée comprenant le premier substrat et le deuxième substrat à une température de 170 °C pendant une durée comprise entre 10 minutes et 250 minutes. On mesure finalement les énergies de collage obtenues en fonction de la durée dudit recuit de consolidation par la méthode classique d’insertion de lame, dite « méthode de Maszara », en atmosphère anhydre. Les résultats sont représentés en symboles carrés sur la FIG. 3 . Exemple comparatif 2 On réalise exactement la même opération que dans l’exemple 2 en remplaçant la solution de fluorure de césium par de l’eau désionisée (DIW). Les résultats sont représentés en symboles rond sur la FIG. 3 . Exemple 3 On dispense 10mL d’une solution de fluorure de césium à une concentration de 10 -4 M sur un premier substrat de silicium de 200 mm de diamètre présentant une première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile de type oxyde thermique de 100nm d’épaisseur. On met en rotation le système à une vitesse de 2000 t/min jusqu’à disparition des franges de Newton. Puis on maintient le substrat en rotation pendant une dizaine de secondes supplémentaires, de sorte à évacuer le surplus de la solution aqueuse de fluorure de césium et à sécher la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile. On fournit un deuxième substrat de silicium de 200 mm de diamètre présentant une deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile de type oxyde thermique de 100nm d’épaisseur et l’on applique le même traitement que précédemment décrit pour le premier substrat de silicium. On met ensuite en contact la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile avec la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile à température ambiante de sorte à obtenir l’adhérence par collage direct entre le premier substrat et le deuxième substrat. Optionnellement, on met en œuvre un recuit de consolidation de la structure nouvellement formée comprenant le premier substrat et le deuxième substrat à une température comprise entre 100 °C et 300 °C pendant une durée de 2 heures. On mesure finalement les énergies de collage obtenues en fonction de la température du recuit de consolidation et de la concentration de la solution de fluorure de césium déposée. Les résultats sont représentés sur la FIG. 4 en symboles losanges (concentration de la solution de fluorure de césium déposée de 10 -3 mol/L), carrés (concentration de 10 -4 mol/L) et triangles (concentration de 10 -5 mol/L). Exemple comparatif 3 On réalise exactement la même opération que dans l’exemple 3 en remplaçant la solution de fluorure de césium par de l’eau désionisée (DIW). Les résultats sont représentés en symboles rond sur la FIG. 4 . Exemple 4 On fournit un premier substrat de silicium de 200 mm de diamètre présentant une première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile de type oxyde thermique de 100nm d’épaisseur. On fournit un deuxième substrat identique au premier substrat. On place le premier substrat et le deuxième substrat dans une enceinte dans laquelle on fait circuler de l’acide fluorhydrique vapeur dilué, de sorte à exposer la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile à la vapeur d’acide fluorhydrique pendant une durée de 10, 30 ou 60 secondes. On purge ensuite le gaz et on met en contact la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile avec la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile dès la sortie de l’enceinte, à température ambiante, de sorte à obtenir l’adhérence par collage direct entre le premier substrat et le deuxième substrat. Optionnellement, on met en œuvre un recuit de consolidation de la structure nouvellement formée comprenant le premier substrat et le deuxième substrat à une température comprise entre 100 °C et 500 °C pendant une durée de 2 heures. On mesure finalement les énergies de collage obtenues en fonction de cette température de recuit de consolidation. Les résultats sont représentés sur la FIG. 5 en symboles triangles (pour 10s d’exposition), carrés (30s d’exposition) ou pentagone (60 s d’exposition). La référence correspond à un collage effectué sans introduire de gaz HF dans l’enceinte. Exemple 5 L’exemple 5 montre l’effet d’une exposition à une solution d’acide fluorhydrique diluée à 0.05% pendant une durée d’1 minute. La solution est dispensée par enduction, c’est à dire par simple trempage des plaques dans une solution HF très diluée. Les plaques sont ensuite retirées lentement de la solution. Elles apparaissent « sèches » en sortie de solution. Elles sont immédiatement collées l’une à l’autre. On met ensuite en œuvre un recuit de consolidation de 2h à différentes températures, de 100 °C à 500°C. La courbe en symboles ronds pleins sur la FIG. 6 représente les énergies obtenues après ces différents recuits. La courbe de référence correspond au même protocole expérimental mais où la solution d’acide fluorhydrique a été remplacée par de l’eau pure (eau désionisée). Procédé de collage direct entre deux substrats comprenant les étapes suivantes : a) fourniture d’un premier substrat et d’un deuxième substrat comprenant respectivement une première surface de collage en oxide de silicium hydrophile et une deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, b) apport d’ions fluorures sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile ; c) mise en contact de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et de la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, de sorte à obtenir l’adhésion du premier substrat avec le deuxième substrat avec les ions fluorures à l’interface de collage. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre l’apport d’ions fluorures sur la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile préalablement à la mise en contact de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et de la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile. Procédé selon l’une des revendications 1 ou 2, dans lequel la mise en contact de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et de la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile est mise en œuvre à température ambiante. Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel, pendant toute la durée entre l’apport d’ions fluorures et la mise en contact de la première surface en oxyde de silicium hydrophile et de la deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile, chaque surface de collage en oxyde de silicium hydrophile sur laquelle l’apport d’ions fluorures a été mis en œuvre est maintenue à température ambiante et/ou, dans lequel, l’apport d’ions fluorures sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile est mis en œuvre à température ambiante. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, comprenant en outre une étape d) de recuit de consolidation mise en œuvre postérieurement à l’étape c) de mise en contact de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et de la seconde surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, le recuit de consolidation étant préférentiellement mis en œuvre à une température comprise entre 50 °C et 250 °C, encore plus préférentiellement à une température comprise entre 50 °C et 100 °C, pendant une durée préférentiellement comprise entre 15 min et 4 heures, encore plus préférentiellement pendant une durée comprise entre 15 min et 2 heures. Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel l’apport d’ions fluorures sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile comprend le dépôt d’un liquide comprenant des ions fluorures et/ou des espèces donneuses d’ions fluorures sur la première surface de collage hydrophile. Procédé selon la revendication 6, dans lequel le dépôt du liquide sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile comprend : - le dépôt d’un volume du liquide comprenant les ions fluorures et/ou les espèces donneuses d’ions fluorures au centre de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, - l’étalement dudit volume du liquide comprenant les ions fluorures et/ou les espèces donneuses d’ions fluorures par rotation de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, ladite première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile étant maintenue en rotation jusqu’à éjection et évaporation du volume de liquide comprenant les ions fluorures et/ou les espèces donneuses d’ions fluorures. Procédé selon l’une des revendications 6 ou 7, dans lequel le liquide comprenant les ions fluorures et/ou les espèces donneuses d’ions fluorures est issu de la dissolution d’un sel de fluorure, dans un solvant, ledit solvant étant préférentiellement de l’eau. Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel l’apport d’ions fluorures sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile comprend : - l’exposition de ladite première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile à un plasma fluoré, - le rinçage à l’eau, ou l’exposition à une atmosphère humide, de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile préalablement exposée au plasma fluoré. Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel l’apport d’ions fluorures sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile comprend l’exposition de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile à un gaz contenant des espèces fluorées, préférentiellement à un gaz comprenant des vapeurs d’acide fluorhydrique. Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel l’apport d’ions fluorures sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile comprend : - l’implantation de fluor à l’aide d’un implanteur sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, - le rinçage à l’eau, ou l’exposition à une atmosphère humide, de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile préalablement implanté. Procédé selon l’une des revendications 1 à 11, dans lequel la première surface en oxyde de silicium hydrophile et/ou la deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile sont en oxyde chimique, en oxyde déposé, en oxyde thermique et/ou en oxyde natif. Procédé selon l’une des revendications 1 à 12, dans lequel le premier substrat est une structure multicouche comprenant une première couche en un premier matériau et une deuxième couche en un deuxième matériau, la différence de coefficient de dilatation thermique entre le premier matériau et le deuxième matériau étant supérieure ou égale à 10 % ou à 10 -6 K -1 en valeur absolue. Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, dans lequel le premier substrat comprend des éléments de composants électroniques. Procédé selon l’une des revendications 1 à 14, dans lequel le premier substrat comprend une zone de fragilisation formée par implantation d’espèces atomiques ou ioniques. Procédé de transfert d’une couche sur un substrat support, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : a) la fourniture d’un substrat donneur comprenant une première surface en oxyde de silicium hydrophile et d’un substrat support comprenant une deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile, b) la formation d’une zone de fragilisation au sein du substrat donneur de sorte à délimiter une couche à transférer entre la première surface en oxyde de silicium hydrophile et la zone de fragilisation, c) le collage entre le substrat donneur et le substrat support, la première surface en oxyde de silicium hydrophile et la deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile étant à l’interface de collage et le collage entre le substrat donneur et le substrat support étant mis en œuvre par un procédé de collage selon l’une quelconque des revendications 1 à 14, d) le détachement du substrat donneur le long de la zone de fragilisation de sorte à transférer la couche à transférer sur le substrat support. Assemblage comprenant un premier substrat et un deuxième substrat, le premier substrat étant recouvert par une première surface en oxyde de silicium hydrophile et le deuxième substrat par une deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile, la première surface en oxyde de silicium hydrophile étant collée directement avec la deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile, des ions fluorures étant disposés entre la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile. Substrat présentant une première surface en oxyde de silicium hydrophile sur laquelle sont physisorbés des ions fluorures, la concentration surfacique en ions fluorures physisorbés sur ladite première surface en oxyde de silicium hydrophile étant comprise entre 10 10 ions/cm 2 et 10 14 ions/cm 2 .