Brevet FR3161088A1 — publié le 20251010

Un aspect de l’invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif d’affichage électroluminescent comportant une étape de formation d’une pluralité de pixels, chaque pixel comprenant une électrode inférieure, un élément de support supportant l’électrode inférieure, une électrode supérieure et un élément actif disposé entre les électrodes inférieure et supérieure, comprenant une formation, sur une surface d’un substrat, des éléments de support et des électrodes inférieures des pixels, chaque élément de support présentant une hauteur et au moins une dimension, dite de différenciation, dans un plan parallèle au plan du substrat, chaque dimension de différenciation étant mesurée selon une direction de différenciation et étant strictement inférieure à la dimension correspondante de l’électrode inférieure qu’il supporte, la hauteur de l’élément de support étant strictement supérieure à la somme de l’épaisseur de l’élément actif et de l’épaisseur de l’électrode supérieure. Figure à publier avec l’abrégé : Figure 15 PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF D’AFFICHAGE ELECTROLUMINESCENT, DISPOSITIF D’AFFICHAGE ELECTROLUMINESCENT DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION Le domaine technique de l’invention est celui des dispositifs et composants optoélectroniques et plus particulièrement celui des dispositifs d’affichage matriciel à couches électroluminescentes organiques. La présente invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif d’affichage électroluminescent de type OLED (pour « Organic Light - Emitting Diode s » en anglais). La présente invention trouve une application avantageuse pour la réalisation d’écrans d’affichage d’objets électroniques, et en particulier pour la réalisation d’écrans d’affichage couleur à haute résolution. L’expression « haute résolution » désigne des pixels de taille inférieure à 15 µm. ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Dans le domaine des dispositifs d’affichage matriciel à couches électroluminescentes organiques, on connaît les afficheurs matriciels de type OLED qui présentent des pixels de taille inférieure à 15 µm, typiquement entre 4 µm et 12 µm. Lorsque ce type d’afficheur matriciel est en couleur, chaque pixel est subdivisé en sous-pixels de différentes couleurs (typiquement, trois, ayant pour couleur le rouge, le vert et le bleu) qui coopèrent pour que le pixel émette la couleur souhaitée. Chaque sous-pixel est une source de lumière élémentaire et présente une taille inférieure à 10 µm, par exemple 2 µm ou 6 µm. Chaque sous-pixel est généralement formé par plusieurs couches superposées, dont une électrode inférieure (l’anode) déposée sur un substrat commun, plusieurs couches organiques (dont une au moins est émissive) formant un empilement OLED sur chaque électrode inférieure, et une électrode supérieure (la cathode). Les documents FR3079909A1 et US2023/0041252A1 décrivent des structures permettant de former des pixels OLED (ou sous-pixels OLED) d’aussi petite taille avec une fiabilité industrielle améliorée. Ces structures ont comme avantage commun de permettre une discrétisation douce de l’empilement OLED et de la cathode pour former les pixels (ou sous-pixels). L’expression « discrétisation douce » désigne un procédé de structuration qui préserve les performances de l’empilement OLED. En particulier, les solutions proposées consistent à réaliser la discrétisation de l’empilement OLED autrement qu’avec des étapes de masquage et de retrait qui, généralement, nécessitent des environnements (humidité, température supérieure à 90°C, solvants, ultra-violets, etc.) délétères pour les matériaux organiques. Le document FR3079909 A1 décrit ainsi un premier dispositif d’affichage OLED dans lequel les électrodes inférieures de chaque sous-pixel sont séparées les unes des autres par un mur isolant s’élevant à la verticale du substrat. Chaque mur agit comme un séparateur entre deux sous-pixels voisins. Ce même document FR3079909 décrit un deuxième dispositif dans lequel les murs isolants sont remplacés par des tranchées dans lesquelles une couche isolante est déposée. Les murs isolants et les tranchées sont formés avant que l’empilement OLED soit déposé par évaporation thermique et jouent le même rôle. Comme la technique de dépôt par évaporation est majoritairement directive, l’empilement OLED est préférentiellement déposé sur les parois horizontales du dispositif, et non sur les parois latérales des murs isolants ou des tranchées. L’empilement OLED est ainsi rompu (ou discrétisé) au niveau des murs isolants ou des tranchées. La directivité du dépôt de l’empilement OLED n’est toutefois en pratique jamais totale. Des particules organiques peuvent ainsi être aussi déposées sur les parois latérales des murs isolants ou des tranchées. Or, ces particules sont indésirables car elles dégradent l’isolation (électrique, optique) entre les sous-pixels. Des sous-pixels voisins peuvent alors interagir entre eux, par exemple par couplage capacitif ou par des courants parasites. Ces phénomènes, connus sous le nom de diaphonie ou « cross-talk » en anglais, conduisent à une dégradation des performances du dispositif d’affichage. Ces phénomènes sont exacerbés lorsque les sous-pixels sont des diodes électroluminescentes organiques dites « tandem », c’est-à-dire lorsque les sous-pixels comprennent plusieurs empilements OLED empilés et connectés en série grâce à des couches d’interconnexion. Le document US2023/0041252A1 offre une solution à ce problème en décrivant des séparateurs de sous-pixels qui sont disposés sur un substrat et présentent une structure en forme de champignon (ou « hang-over » selon la terminologie anglaise utilisée dans ce document). Plus précisément, cette structure en champignon comprend une partie inférieure ayant des pans obliques, formant le pied du champignon. Elle comprend également une partie supérieure, de largeur supérieure à celle de la partie inférieure, qui masque une région du substrat. Cette partie supérieure forme le chapeau du champignon. Les sous-pixels sont formés une fois les structures en champignon en place. L’empilement OLED est alors déposé sur ces structures et rompu au niveau des parties supérieures. La rupture de l’empilement OLED est réalisée avec une fiabilité satisfaisante puisqu’ aucune particule organique ne peut être déposée sur la région du substrat masquée par la partie supérieure ni sur les parois latérales de la structure en champignon (la partie inférieure n’est pas accessible depuis le haut car cachée par la partie supérieure). Ainsi, le degré de directivité du dépôt de l’empilement OLED importe peu. Ces structures en champignon sont toutefois particulièrement complexes à réaliser et peu compactes (verticalement, elles présentent une hauteur de l’ordre de 1 µm). De plus, la réalisation de la cathode commune impose d’utiliser un équipement spécifique permettant de réaliser un dépôt orienté avec l’angle souhaité. Il s’agit en effet de réaliser un dépôt d’une couche conductrice sous la partie supérieure des structures en champignon, selon un angle bien particulier déterminé par l’inclinaison des pans des parties inférieures. Il n’est donc pas aisé, ni économiquement avantageux, de déployer un tel procédé de fabrication. Il existe donc toujours un besoin d’un procédé de fabrication de dispositif d’affichage de type OLED à résolution améliorée qui soit moins coûteux et plus simple à mettre en œuvre. L’invention offre une solution aux problèmes évoqués précédemment, en permettant de discrétiser l’empilement OLED et la cathode en utilisant des structures de séparation intégrées aux électrodes inférieures des pixels (celles-ci étant souvent les anodes de ces pixels). Pour cela, l’invention permet de réaliser des pixels ayant chacun un élément de support d’électrode inférieure de section plus petite que l’électrode inférieure qu’il supporte et qui est dimensionné en fonction de l’épaisseur cumulée de l’empilement OLED et de la cathode. Un premier aspect de l’invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif électroluminescent comportant une étape de formation d’une pluralité de pixels sur un substrat, les pixels étant séparés les uns des autres selon au moins une direction dite de différenciation comprise dans un plan du substrat, chaque pixel comprenant une électrode inférieure, un élément de support supportant l’électrode inférieure, une électrode supérieure et un élément actif disposé entre les électrodes inférieure et supérieure, ladite étape de formation des pixels comprenant les sous-étapes successives suivantes : Formation, sur une surface du substrat, des éléments de support et des électrodes inférieures des pixels, les électrodes inférieures étant séparées les unes des autres, chaque élément de support présentant une hauteur et au moins une dimension, dite de différenciation, dans un plan parallèle au plan du substrat, chaque dimension de différenciation étant mesurée selon une direction de différenciation et étant strictement inférieure à la dimension correspondante de l’électrode inférieure qu’il supporte, la hauteur de l’élément de support étant strictement supérieure à la somme de l’épaisseur de l’élément actif et de l’épaisseur de l’électrode supérieure, Dépôt sur toute la surface du substrat d’un premier empilement de couches organiques, d’où il résulte les éléments actifs des pixels, séparés les uns des autres selon ladite au moins une direction de différenciation et disposés sur les électrodes inférieures des pixels, le premier empilement de couches organiques étant configuré pour générer un premier rayonnement, Dépôt, sur toute la surface du substrat, d’une couche conductrice transparente, d’où il résulte les électrodes supérieures des pixels, séparées les unes des autres selon ladite au moins une direction de différenciation et disposées sur les éléments actifs des pixels. Le terme « transparent » désigne le fait de présenter un coefficient de transmission optique supérieur à 60% pour au moins une longueur d’onde de la bande spectrale 400-800 nm. L’utilisation, dans chaque pixel, d’un élément de support d’électrode inférieure permet de surélever chaque électrode inférieure par rapport au substrat. Comme cette surélévation (produite par la hauteur de l’élément de support) est supérieure à l’épaisseur cumulée de l’empilement OLED et de l’électrode supérieure, les éléments actifs et les électrodes supérieures des pixels sont bien séparés des dépôts résiduels sur le substrat, même lorsque les matériaux de l’empilement OLED et de l’électrode supérieure sont déposés sur la surface latérale périphérique des électrodes inférieures. Cela permet de réaliser un dispositif d’affichage de meilleure facture et de simplifier sa fabrication, puisqu’une technique de dépôt pleine plaque même imparfaitement directive peut être utilisée pour former les éléments actifs et les électrodes supérieures des pixels. De plus, grâce à la dimension (latérale) de différenciation spécifiée pour chaque élément de support, l’électrode inférieure de chaque pixel présente dans au moins une direction (en l’occurrence, la au moins une direction de différenciation) un caractère surplombant vis-à-vis de l’élément de support sous-jacent. Ce caractère surplombant permet de rendre invisibles (lorsque l’on se place au-dessus du dispositif) des régions du substrat situées à la base de l’élément de support et selon la au moins une direction de différenciation. Ces régions sont donc inaccessibles depuis le haut du dispositif. On s’assure ainsi qu’aucun dépôt de couches organiques ou conductrice ne sera effectué dans ces régions lorsque les éléments actifs et les électrodes supérieures sont formés. En d’autres termes, l’extension latérale que font les électrodes inférieures des pixels au-dessus des éléments de support (selon la au moins une direction de différenciation) permet que les dépôts résiduels sur le substrat (entre les pixels) ne touchent pas la base des éléments de support. Les éléments de support, et par voie de conséquence les pixels auxquels ils appartiennent, sont donc isolés efficacement les uns des autres selon la au moins une direction de différenciation. Enfin, comme la discrétisation des éléments actifs et des électrodes supérieures des pixels est réalisée grâce aux électrodes inférieures surplombantes, il n’est pas nécessaire de prévoir des éléments de séparation entre les pixels. Cela réduit, par rapport aux solutions de l’art antérieur, le nombre d’étapes à mettre en œuvre. Le procédé de fabrication est ainsi plus simple et plus rapide à mettre en œuvre. Outre les caractéristiques qui viennent d’être évoquées dans le paragraphe précédent, le procédé de fabrication selon le premier aspect de l’invention peut présenter une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : Chaque élément de support présente une seule dimension de différenciation et une dimension mesurée dans une direction, dite de non-différenciation, sécante à la direction de mesure de la dimension de différenciation, la dimension mesurée dans la direction de non-différenciation étant égale ou supérieure à la dimension correspondante de l’électrode inférieure que ledit élément de support supporte. Alternativement, chaque élément de support présente une première dimension de différenciation mesurée selon une première direction de différenciation, et une deuxième dimension mesurée selon une deuxième direction de différenciation sécante à la première direction de différenciation. Lorsque l’élément de support de chaque pixel comporte une première et une deuxième dimension de différenciation, chaque élément de support peut comprendre une surface latérale périphérique disposée en retrait d’une surface latérale périphérique de l’électrode inférieure qu’il supporte. La distance minimale de retrait entre ladite surface latérale périphérique de l’élément de support et la surface latérale périphérique de l’électrode inférieure supportée par ledit élément de support peut alors être strictement supérieure à 100 nm. Selon un premier mode de réalisation, la sous-étape de formation des éléments de support et des électrodes inférieures des pixels comporte les sous-étapes de : Fourniture d’une structure multicouche comprenant le substrat, une couche diélectrique disposée sur le substrat, une première couche conductrice disposée sur la couche diélectrique et des via conducteurs traversant la couche diélectrique, chaque via conducteur reliant la première couche conductrice à un plot conducteur du substrat, Formation d’un masque de gravure sur la première couche conductrice, Gravure, au travers du masque, de la première couche conductrice pour obtenir les électrodes inférieures des pixels, chaque électrode inférieure étant connectée à un via conducteur, Gravure de la couche diélectrique, de manière isotrope et sélective par rapport à la première couche conductrice, de manière à former les éléments de support des électrodes inférieures des pixels, chaque élément de support comprenant un via conducteur. Préférentiellement, ladite couche diélectrique est gravée partiellement, d’où il résulte que chaque élément de support comprend un via conducteur et une portion de ladite couche diélectrique entourant le via conducteur. Selon ce premier mode de réalisation, lorsque l’élément de support de chaque pixel comporte une dimension de différenciation et une dimension de non-différenciation, la sous-étape de formation des éléments de support et des électrodes inférieures des pixels comprend en outre, entre l’opération de gravure de la première couche conductrice et l’opération de gravure de la couche diélectrique, une opération de remplissage, avec un matériau diélectrique, de chaque espace séparant deux électrodes inférieures voisines disposées selon la direction de non-différenciation, l’opération de remplissage comprenant un fluage du matériau diélectrique configuré pour former une surépaisseur du matériau diélectrique débordant sur l’électrode inférieure de chaque pixel. Ledit matériau diélectrique peut être à base de polymère ou un matériau diélectrique inorganique, de préférence un matériau diélectrique inorganique choisi parmi les matériaux suivants : dioxyde de silicium ou SiO 2 , nitrure de silicium ou SiN, oxyde d’aluminium ou Al 2 O 3 . Selon un deuxième mode de réalisation, la sous-étape de formation des éléments de support et des électrodes inférieures des pixels comporte les opérations suivantes : Fourniture d’une structure multicouche comprenant le substrat, une couche diélectrique disposée sur le substrat, une première couche conductrice disposée sur la couche diélectrique, une deuxième couche conductrice disposée sur la première couche conductrice et des via conducteurs traversant la couche diélectrique, chaque via conducteur reliant la première couche conductrice à un plot conducteur du substrat, les première et deuxième couche conductrices étant formées de matériaux conducteurs différents, Formation d’un masque de gravure sur la deuxième couche conductrice, Gravure, au travers du masque, des première et deuxième couches conductrices pour obtenir une pluralité de motifs conducteurs séparés les uns des autres, chaque motif conducteur étant connecté à un via conducteur, Gravure partielle de la première couche conductrice, de manière isotrope et sélective par rapport à la deuxième couche conductrice, les électrodes inférieures des pixels étant délimités dans la deuxième couche conductrice et les éléments de support étant délimités dans la première couche conductrice. Selon ce deuxième mode de réalisation, lorsque l’élément de support de chaque pixel comporte une dimension de différenciation et une dimension de non-différenciation, la sous-étape de formation des éléments de support et des électrodes inférieures des pixels comprend en outre, entre l’opération de gravure de la première couche conductrice et l’opération de gravure de la couche diélectrique, une opération de remplissage, avec un matériau diélectrique, de chaque espace séparant deux électrodes inférieures voisines disposées selon la direction de non-différenciation, l’opération de remplissage comprenant un fluage du matériau diélectrique configuré pour former une surépaisseur du matériau diélectrique débordant sur l’électrode inférieure de chaque pixel. Ledit matériau diélectrique peut être à base de polymère, tel qu’une résine, ou un matériau diélectrique inorganique, de préférence un matériau diélectrique inorganique choisi parmi les matériaux suivants : dioxyde de silicium ou SiO 2 , nitrure de silicium ou SiN, oxyde d’aluminium ou Al 2 O 3 . Après l’étape de formation des pixels, et quel que soit le mode de réalisation, le procédé de fabrication peut comprendre une étape de dépôt d’une couche de passivation sur les pourtours des pixels et sur le substrat. Le dépôt de la couche de passivation peut être effectué selon une technique dépôt conforme, de préférence une technique de dépôt par couches atomiques. Lorsque le procédé de fabrication comprend l’étape de dépôt de la couche de passivation, la hauteur de chaque élément de support peut être strictement supérieure à la somme des épaisseurs de la couche de passivation, de l’élément actif et de l’électrode supérieure. Après l’étape de dépôt d’une couche de passivation, le procédé peut comprendre une étape de remplacement d’une partie seulement des pixels pour former un groupe de pixels configurés pour générer une deuxième rayonnement distinct du premier rayonnement, ladite étape de remplacement comprenant les sous-étapes successives suivantes : Formation d’un premier masque pour exposer les pixels de ladite partie et protéger les autres pixels, Gravure successive, au travers du premier masque, de la couche de passivation, de l’électrode supérieure et du premier empilement de couches organiques des pixels de ladite partie, Retrait du premier masque, Dépôt, sur la surface du substrat, d’un deuxième empilement de couches organiques configuré pour émettre le deuxième rayonnement, d’où il résulte les éléments actifs des pixels dudit groupe, Dépôt, sur la surface du substrat, d’une couche conductrice et transparente additionnelle, d’où il résulte les électrodes supérieures des pixels dudit groupe, Dépôt d’une couche de passivation sur les contours des pixels, Formation d’un deuxième masque pour protéger les pixels de ladite partie et exposer les autres pixels, Gravure, au travers du deuxième masque, de la couche de passivation déposée sur les contours des pixels dudit groupe, de la couche conductrice et transparente additionnelle, et deuxième empilement de couches organiques, Retrait du deuxième masque. Après l’étape de dépôt de la couche de passivation sur les pourtours des pixels et le substrat, le procédé de fabrication peut comprendre une étape de formation d’une électrode commune à tous les pixels comprenant les sous-étapes suivantes : Remplissage de l’espace libre entre les pixels par un matériau diélectrique, Gravure de la couche de passivation pour obtenir des ouvertures sur les pixels, chaque ouverture donnant accès à l’électrode supérieure d’un des pixels, Dépôt d’un matériau conducteur et transparent dans les ouvertures et entre les ouvertures. Le matériau diélectrique déposé dans les ouvertures et entre les ouvertures lors de la sous-étape de remplissage de l’étape de formation de l’électrode commune peut être une résine permanente, de préférence une résine permanente optiquement absorbante. Une résine permanente est par exemple une résine choisie parmi les résines suivantes : SU-8(TD) Kayaku Advanced Materials, TELR(TD) TOK, ou CFPR BK(TD) series TOK. L’électrode commune peut être en oxyde de zinc dopé à l'aluminium (AZO). La sous-étape de remplissage peut être configurée pour former une surépaisseur du matériau diélectrique entre les pixels et débordant sur les pixels. Un autre aspect de l’invention concerne un dispositif d’affichage électroluminescent comportant une pluralité de pixels disposés sur un substrat et séparés les uns des autres selon au moins une direction, dite de différenciation, comprise dans un plan du substrat, chaque pixel comprenant une électrode inférieure, un élément de support supportant l’électrode inférieure, une électrode supérieure transparente et un élément actif disposé entre les électrodes inférieure et supérieure, l’élément actif de chaque pixel comprenant une partie d’un empilement de couches organiques, et dans lequel chaque élément de support est au moins en partie conducteur et présente : Au moins une dimension, dite de différenciation, chaque dimension de différenciation étant mesurée dans un plan parallèle au plan du substrat selon la ou l’une des directions de différenciation, chaque dimension de différenciation étant strictement inférieure à la dimension correspondante de l’électrode inférieure qu’il supporte, et Une hauteur strictement supérieure à la somme de l’épaisseur de l’élément actif et de l’épaisseur de l’électrode supérieure disposés sur ladite électrode inférieure. Selon une variante, l’élément de support de chaque pixel peut présenter une seule dimension de différenciation et une dimension mesurée dans une direction, dite de non-différenciation, sécante à la direction de mesure de la dimension de différenciation, la dimension mesurée dans la direction de non-différenciation étant égale ou supérieure à la dimension correspondante de l’électrode inférieure que ledit élément de support supporte. Alternativement, l’élément de support de chaque pixel présente une première dimension de différenciation mesurée selon une première direction de différenciation, et une deuxième dimension de différenciation, mesurée selon une deuxième direction de différenciation sécante à la première direction de différenciation. De préférence, l’élément de support de chaque pixel comporte un pilier de matériau diélectrique et un via conducteur traversant situé à l’intérieur du pilier de matériau diélectrique. De préférence, l’élément de support de chaque pixel est un pilier plein conducteur formé d’un matériau métallique. De préférence, l’élément actif de chaque pixel (40) est formé d’un empilement de couches organiques configuré pour émettre un premier rayonnement. Ainsi, le dispositif d’affichage électroluminescent est monochrome. Alternativement, les pixels sont répartis en des premier, deuxième et troisième groupes de pixels, l’élément actif de chaque pixel du premier groupe étant formé d’un empilement de couches organiques configuré pour générer le premier rayonnement, l’élément actif de chaque pixel du deuxième groupe étant formé d’un empilement de couches organiques configuré pour générer un deuxième rayonnement distinct du premier rayonnement, et l’élément actif de chaque pixel du troisième groupe étant formé d’un empilement de couches organiques configuré pour générer un troisième rayonnement distinct du premier rayonnement et distinct du deuxième rayonnement. Ainsi, le dispositif d’affichage électroluminescent est un dispositif couleur. De préférence, la distance minimale de retrait mesurée selon chaque direction de différenciation entre la surface latérale périphérique de l’élément de support et la surface latérale périphérique de l’électrode inférieure supportée par ledit élément de support est strictement supérieure à 100 nm. L’invention et ses différentes applications seront mieux comprises à la lecture de la description qui suit et à l’examen des figures qui l’accompagnent. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les figures sont présentées à titre indicatif et nullement limitatif de l’invention. Les figures 1 à 20 représentent en vue de coupe des étapes et sous-étapes d’un premier mode de mise en œuvre d’un procédé de fabrication de dispositif d’affichage électroluminescent selon l’invention, La FIG. 21 représente une vue de dessus correspondant au dispositif d’affichage électroluminescent représenté sur la FIG. 5 , La FIG. 22 représente une vue de dessus correspondant au dispositif d’affichage électroluminescent représenté sur la FIG. 11 , et Les figures 23A à 31A, 23B à 31B et 23C à 31C représentent, respectivement en vue de coupe transversale selon la ligne AA, en vue de coupe transversale selon la ligne BB et en vue de dessus des étapes et sous-étapes d’un deuxième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication de dispositif d’affichage électroluminescent conforme à l’invention. Sauf précision contraire, un même élément apparaissant sur des figures différentes présente une référence unique. DESCRIPTION DETAILLEE La présente invention vise à améliorer les procédés de fabrication des dispositifs d’affichage électroluminescents organiques à résolution améliorée, aussi appelés micro-afficheurs OLED (pour « Organic Light - Emitting Diode s » en anglais), et plus particulièrement, la phase de séparation des pixels. Dans la description qui suit, le terme « pixel » désigne un sous-pixel, c’est-à-dire le plus petit élément composant un pixel du dispositif d’affichage électroluminescent. Les pixels ont de préférence des dimensions latérales inférieures à 15 µm, de préférence comprises entre 5 µm et 1 µm, par exemple égales à 3 µm. En vue de dessus, ils ont avantageusement une forme carrée. La taille des pixels désignera ci-après le côté du carré. La présente invention concerne ainsi un procédé de fabrication d’un dispositif d’affichage électroluminescent qui comprend une étape de formation d’une matrice de pixels sur un substrat, où chaque pixel comprend un élément de support d’électrode inférieure qui permet de séparer physiquement les pixels, de façon simple et fiable, sans créer de diaphonie entre les pixels. Selon un premier mode de mise en œuvre E, le procédé de fabrication d’un dispositif d’affichage électroluminescent est utilisé pour produire le dispositif d’affichage électroluminescent 1 (aussi noté « dispositif 1 » par la suite) dont un agrandissement d’une vue en coupe est représenté schématiquement sur la FIG. 5 , ou pour produire le dispositif d’affichage électroluminescent 1’ (aussi noté « dispositif 1’ » par la suite), variante du dispositif 1 représenté par la FIG. 5 et dont un agrandissement d’une vue en coupe est représenté schématiquement sur la FIG. 20 . Le dispositif 1 et sa variante 1’ présentent tous deux une même vue de dessus, illustrée en FIG. 21 . On note que la vue de coupe représentée sur les figures 5 et 11 correspond indifféremment à la coupe transversale par la ligne AA représentée sur la FIG. 21 ou à la coupe transversale par la ligne BB représentée sur cette même FIG. 21 . L e substrat 11 présente une surface supérieure 11a (cf. figures 5 et 21), notée plus simplement « surface 11a du substrat 11 ». Elle s’étend dans un plan {X,Y} qui définit le plan du substrat 11. Les directions et les dimensions seront par la suite désignées en fonction de ce plan {X,Y} du substrat. Le terme « latéral » désigne une direction comprise dans le plan du substrat 11 ou dans un plan parallèle au plan du substrat 11, tandis que le terme « vertical » désigne une direction selon un axe Z perpendiculaire au plan {X,Y} du substrat. Les termes « hauteur » et « épaisseur » se réfèrent à des dimensions mesurées perpendiculairement au plan {X,Y} du substrat, soit selon l’axe Z. Finalement, les termes « longueur » et « largeur » se réfèrent à des dimensions mesurées dans un plan parallèle au plan {X,Y} du substrat. Le substrat 11 est avantageusement un circuit spécialisé ou ASIC (pour « Application Specific Integrated Circuit » en anglais) de type CMOS (pour « Complementary Metal Oxyde Semiconductor ». Dans ce cas, le substrat 11 est opaque et donc, avantageusement adapté pour fabriquer un dispositif d’affichage électroluminescent de type émission par le haut. Dans la suite de la description, les termes « transparent » et « opaque » se réfèrent à un élément qui, présente, pour au moins une longueur d’onde de la bande spectrale 400-800 nm, un coefficient de transmission optique respectivement supérieur à 60%, et inférieur ou égal à 60%. Notons que le substrat 11 peut alternativement être réalisé avec du silicium amorphe, du silicium polycristallin et/ou déposés sur une plaque de verre. Dans ce cas, le substrat 11 peut être transparent et donc adapté pour fabriquer un dispositif d’affichage électroluminescent de type émission par le bas. Le substrat 11 comprend un circuit d’adressage 111 configuré pour adresser les pixels 40. En référence à la FIG. 5 , ce substrat 11 comporte également une couche d’isolant 113 qui peut être un oxyde, un nitrure ou un oxynitrure. Cette couche isolante 113 est par exemple formée à base de nitrure de silicium (SiN). Le substrat 11 comporte enfin une pluralité de plots de contact 112 aménagés à travers la couche isolante 113. Ces plots de contacts 112 sont formés d’un matériau conducteur. Ils sont espacés les uns des autres et débouchent sur la surface 11a du substrat 11. Ils permettent de réaliser une reprise de contact électrique entre chaque pixel 40 et le circuit d’adressage 111. Les pixels 40 sont disposés avec un premier pas de répétition selon une première direction comprise dans le plan {X,Y} du substrat 11 et avec un deuxième pas de répétition selon une deuxième direction sécante à la première direction. Dans l’exemple de la FIG. 21 , la première direction et la deuxième direction sont respectivement, ici, la direction X et la direction Y du plan ((X,Y} du substrat 11. Le premier et le deuxième pas de répétition peuvent être égaux. Dans la suite de la description, une ligne de pixels 40 désigne les pixels qui sont alignés selon la première direction X, tandis qu’une colonne de pixels désigne les pixels qui sont alignés selon la deuxième direction Y. Avantageusement, les pixels 40 ont tous une forme et des dimensions identiques (aux tolérances de fabrication près). Comme le montrent les figures 5 et 21, les pixels 40 du dispositif 1 sont espacés (ou séparés, ou encore différenciés) les uns des autres selon les deux directions X et Y. Ces deux directions sont alors respectivement appelées « première direction de différenciation X » et « deuxième direction de différenciation Y ». Dit autrement, chaque pixel 40 du dispositif 1 est espacé physiquement de tous ses pixels voisins, c’est-à-dire des pixels voisins disposés sur la même ligne de la matrice M1m (cf. FIG. 21 ) que ce pixel et des pixels voisins disposés sur la même colonne que ce pixel. Comme le montre la FIG. 5 , chaque pixel 40 du dispositif 1 comporte : Une électrode inférieure 41, Un élément de support 42 qui porte (ou soutient, ou encore supporte) l’électrode inférieure 41, Une électrode supérieure 44, et Un élément actif 43 disposé entre l’électrode inférieure et l’électrode supérieure. L’électrode inférieure 41 d e chaque pixel 40 est formée à partir d’une couche conductrice 13. Cette couche conductrice 13 est avantageusement réfléchissante pour un dispositif d’affichage électroluminescent de type « émission par le haut ». Le terme « réfléchissant » désigne une surface ou un élément qui présente, pour au moins une longueur d’onde de la bande spectrale 400-800 nm, un coefficient de réflexion optique supérieur à 60%. En référence à la FIG. 5 , l’électrode inférieure 41 présente une face inférieure 41a et une face supérieure 41b opposée. L’électrode inférieure 41 présente également une surface latérale périphérique 41d reliant les faces inférieure et supérieure 41a, 41b. La surface latérale périphérique 41d définit la limite extérieure latérale (ou contour) de cette électrode inférieure 41. L’électrode inférieure 41 présente enfin, dans un plan parallèle au plan {X,Y} du substrat, une surface, ou section, qui peut prendre différentes formes (carrée, circulaire, rectangulaire, etc.). Selon la forme de section choisie, l’électrode inférieure 41 présente une ou plusieurs dimensions mesurées dans le plan du substrat 11. Ces dimensions sont notées plus simplement « dimensions de l’électrode inférieure 41 » par la suite. Sur la FIG. 5 , la section de l’électrode inférieure 41 est ici de forme carrée. La surface latérale périphérique 41d est alors constituée de quatre facettes correspondants aux quatre faces latérales (aussi appelés bords périphériques par la suite) 41c de l’électrode inférieure 41. Sur la vue de coupe de la FIG. 5 , deux de ces parois latérales 41c sont visibles. La section de l’électrode inférieure 41 correspond sensiblement à la surface d’émission du pixel 40. Pour des dispositifs d’affichage de haute résolution, cette surface est avantageusement inférieure à 5x5 µm², de préférence comprise entre 5x5 µm² et 1x1 µm², et par exemple égale à 3x3 µm². Comme le montre la FIG. 5 , l’électrode inférieure 41 est connectée électriquement à l’un des plots de contact 112 du substrat 11. L’élément actif 43 d e chaque pixel 40 est disposé sur la face supérieure 41a de l’électrode inférieure 41. Comme le montre la FIG. 5 , l’élément actif 43 recouvre généralement aussi les parois latérales 41c de l’électrode inférieure 41. L’élément actif 43 comprend, dans sa configuration la plus simple, une portion d’un empilement 431 de couches organiques comprenant une couche OLED émissive lorsqu’une tension est appliquée entre les électrodes inférieure et supérieure 41, 44. Le rayonnement émis par l’élément actif 43 est fonction de la configuration de l’empilement 431 de couches organiques. Ce rayonnement peut être de couleur blanche ou de couleur équivalente rouge, verte ou bleue. Dans l’exemple de la FIG. 5 , l’élément actif 43 du pixel 40 est ici formé par un premier empilement 431 de couches organiques configuré pour émettre un premier rayonnement. Ce premier rayonnement a par exemple un spectre situé principalement dans le bleu, c’est-à-dire un spectre s’étendant dans une gamme de longueurs d’onde comprise entre 430 nm et 490 nm. L’élément actif 43 peut comprendre alternativement plusieurs couches émissives pour une structure OLED dite tandem (non représentée sur la FIG. 5 ). Dans ce cas, l’empilement OLED formant l’élément actif 43 comprend un empilement de couches organométalliques comportant, typiquement, deux couches OLED émissives disposées l’une sur l’autre et séparées par des couches fonctionnelles organiques de type transport de charges, injection de charge et/ou génération de charges. Dans la description qui suit, par souci de simplicité, on désignera par « empilement de couches organiques » un empilement de couches organiques ou un empilement de couches organométalliques. D’après ce qui précède, le dispositif 1 est monochrome, puisque tous les éléments actifs 43 de ce dispositif 1 sont configurés pour émettre le même premier rayonnement. L’élément actif 43 présente une épaisseur notée e 43 sur la FIG. 5 . Cette épaisseur e 43 de l’élément actif 43 est de préférence comprise entre 100 nm et 200 nm. L’électrode supérieure 44 d e chaque pixel 40 recouvre l’élément actif 43 (sur sa face supérieure et, de préférence, aussi sur ses flancs) et termine (par le haut) le pixel 40. L’élément actif 43 et l’électrode supérieure 44 forment ainsi un empilement 4344 sur l’électrode inférieure 41. Cet empilement 4344 présente une épaisseur qui est égale à la somme de l’épaisseur e 43 de l’élément actif 43 disposé sur l’électrode inférieure 41 et de l’épaisseur e 44 de l’électrode supérieure 44 (cf. FIG. 5 ). L’électrode supérieure 44 est formée à partir d’une couche conductrice 441 transparente, que l’électrode inférieure 41 soit opaque ou réfléchissante (pour un dispositif d’affichage électroluminescent de type « émission par le haut »). L’élément de support 42 de l’électrode inférieure du pixel soutient l’électrode inférieure 41 du pixel. Dit autrement, l’élément de support 42 est un élément de liaison entre le substrat 11 et l’électrode inférieure 41 qui assure le maintien de l’électrode inférieure 41 sur la surface 11a du substrat 11. L’électrode inférieure 41 n’est donc pas en contact direct avec la surface 11a du substrat 11. L’élément de support 42 est au moins en partie conducteur, de sorte qu’il a aussi pour fonction de réaliser une connexion électrique entre l’électrode inférieure 41 et le plot de contact 112 du substrat 11 située en dessous. Sur la FIG. 5 , l’élément de support 42 du pixel 40 comprend ici un pilier de matériau diélectrique 12 renfermant un via conducteur traversant 14. La présence d’un pilier de matériau diélectrique dans l’élément de support 42 permet d’améliorer le maintien, d’un point de vue mécanique, des électrodes inférieures 41 sur le substrat 11. Alternativement, l’élément de support 42 de chaque pixel 40 ne comporte que le via traversant 14 (cette configuration n’est pas représentée par les figures). L’élément de support 42 présente une base et un sommet et une surface latérale périphérique 42d qui s’étend entre la base et le sommet. De manière générale, la base de l’élément de support 42 est jointe à la surface 11a du substrat 11, et son sommet est joint à l’électrode inférieure 41. L’élément de support 42 présente en outre : Une hauteur h 42 qui est strictement supérieure à l’épaisseur de l’empilement 4344 sur l’électrode inférieure 41 (c’est-à-dire une hauteur h 42 qui est strictement supérieure à l’épaisseur cumulée e 43 +e 44 de l’élément actif 43 et de l’électrode supérieure 44), et Une première et une deuxième dimensions d 42X , d 42 Y , dites de différenciation, mesurées dans un plan parallèle au plan {X,Y} du substrat 11 respectivement selon la première et la deuxième direction de différenciation X,Y, qui sont chacune strictement inférieure à la dimension correspondante de l’électrode inférieure 41 que l’élément de support 42 supporte. L’expression « dimension correspondante de l’électrode inférieure 41 » désigne la dimension de l’électrode inférieure 41 mesurée selon la même direction de mesure que la dimension de différenciation de l’élément de support 42. Autrement dit, la première dimension de différenciation d 42 X de l’élément de support est strictement inférieure à la dimension de l’électrode inférieure 41 correspondante, mesurée selon la direction X. La deuxième dimension de différenciation d 42Y de l’élément de support est strictement inférieure à la dimension de l’électrode inférieure 41 correspondante, mesurée selon la direction Y. Ainsi, la section de l’élément de support 42, considérée dans un plan parallèle au plan {X,Y} du substrat 11 est strictement inférieure à la section de l’électrode inférieure 41. Cela permet qu’une portion de l’électrode inférieure 41 déborde latéralement de l’élément de support 42 à la fois dans la première direction de différenciation X et dans la deuxième direction de différenciation Y. Dit autrement, l’électrode inférieure 41 surplombe son élément de support 42. Sur la FIG. 5 , l’élément de support 42 est ici représenté avec une section identique sur toute la hauteur de l’élément de support 42 (d 42X =d 42Y ). Concrètement, la section peut présenter une certaine variabilité le long de la hauteur de l’élément de support 42, tout en restant strictement inférieure à la section de l’électrode inférieure 41 qui est supportée par l’élément de support 42. Par exemple elle peut présenter un profil arrondi et concave. Comme le montre la FIG. 5 , le dispositif 1 comprend également des dépôts résiduels R 431-44 disposés sur la surface 11a du substrat, entre les électrodes inférieures 41 disposées selon la première et la deuxième direction de différenciation X et Y Ces dépôts résiduels R 431-44 sont constitués des matériaux de l’empilement 4344 sur l’électrode inférieure 41. En effet, ces dépôts résiduels R 431-44 sont formés en même temps que les éléments actifs 43 et les électrodes supérieures 44, puisque les matériaux des éléments actifs et des électrodes supérieures sont déposés depuis le haut et sur toute la surface 11a du substrat 11, selon un procédé de dépôt physique directif (de type évaporation par exemple), autrement dit ayant une direction préférentielle de dépôt. Grâce à la section choisie pour les éléments de supports 42 (qui produit le caractère surplombant de chaque électrode inférieure 41 vis-à-vis de l’élément de support 42 sous-jacent), on s’assure que ces dépôts résiduels R 431-44 ne se prolongent pas jusqu’aux éléments de supports 42 (ils ne sont pas formés sur les régions 20A du substrat 11 qui sont masquées par les électrodes inférieures 41 surplombantes, cf. FIG. 5 ). Cela permet que les éléments de support 42, et donc les pixels 40 auxquels ils appartiennent, soient isolés efficacement entre eux, ici dans chaque direction de différenciation X et Y. De plus, grâce à la hauteur h 42 choisie pour les éléments de support 42, ces dépôts résiduels R 431-44 ne touchent ni les éléments actifs 43 ni les électrodes supérieures 41, même lorsque ceux-ci recouvrent la paroi latérale périphérique 41d des électrodes inférieures 41. Cela permet d’améliorer la fiabilité de la discrétisation des couches 431, 13 des matériaux formant les éléments actifs et les électrodes supérieures. Il convient de noter, en outre, que comme la hauteur h 42 des éléments de support est fonction de l’épaisseur cumulée des matériaux disposés sur les électrodes inférieures, elle peut être dimensionnée au juste nécessaire (soit ni trop haute, ni trop petite). La hauteur h 42 est par exemple égale à 200 nm, pour une hauteur de pixel strictement inférieure à 1 µm, par exemple comprise entre 500 nm et 700 nm. Ainsi, les éléments de support 42 permettent de séparer de manière fiable les pixels sans impact sur la hauteur du dispositif d’affichage final. De plus, les éléments de supports 42 permettent de s’affranchir des éléments de séparation décrits dans l’art antérieur. Le dispositif d’affichage électroluminescent est ainsi à la fois de meilleure facture et plus simple, et donc plus rapide, à fabriquer. Afin de prendre en compte la variabilité des procédés de fabrication, et d’améliorer encore la fiabilité de la séparation des pixels, le dispositif peut avantageusement présenter une ou plusieurs des caractéristiques décrites ci-après. L’élément de support 42 peut être tout entier disposé sous l’électrode inférieure 41 (cf. FIG. 5 ). Dit autrement, la surface latérale périphérique 42d de l’élément de support 42 est en retrait de la surface latérale périphérique 41d de l’électrode inférieure 41. Ainsi, la région 20A du substrat 11 qui est masquée par la portion débordante de l’électrode inférieure 41 entoure toute la base de l’élément de support 42. Cela permet d’obtenir une isolation électrique entre les éléments de support 42. La distance minimale de retrait d r entre la surface latérale périphérique 42d de l’élément de support 42 et la surface latérale périphérique 41d de l’électrode inférieure 41 peut être strictement supérieure à 100 nm. Cela permet de s’assurer qu’aucun matériau 431, 13 des éléments actifs 43 et des électrodes supérieures ne soit déposé sur la surface latérale périphérique 42d des éléments de support 42. Le dispositif 1’, variante de réalisation du dispositif 1 qui vient d’être décrit, est détaillé ci-après en relation avec la FIG. 20 . Comme le montre la FIG. 20 , le dispositif 1’ se distingue du dispositif 1 illustré en FIG. 5 , uniquement en ce que les matériaux qui constituent ses électrodes inférieures 41 et ses éléments de support 42 sont différents de ceux qui constituent les électrodes inférieures 41 et les éléments de support 42 du dispositif 1 représenté en FIG. 5 . Selon cette variante du dispositif 1, l’élément de support 42 de chaque pixel 40 est constitué d’un pilier conducteur plein, formé d’un matériau métallique 13. Ce matériau métallique sera décrit plus en détails en relation avec la description d’une étape E1’ de formation des pixels 40 du procédé de fabrication. Les éléments de supports 42 présentent donc, selon cette variante 1’, les mêmes caractéristiques que celles décrites en relation avec le dispositif 1 illustré en FIG. 5 . Ces éléments de support 42 produisent donc ici les mêmes effets que ceux décrits en relation avec le dispositif 1 représenté sur la FIG. 5 , à savoir séparer de manière naturelle et aisée chaque pixel de ses pixels voisins disposés selon la première et selon la deuxième direction X, Y de différenciation. Finalement, on note que le dispositif 1’ représenté en FIG. 20 , est un dispositif monochrome, à l’instar du dispositif 1 représenté sur la FIG. 5 . En effet, l’élément actif 43 de chaque pixel 40 du dispositif 1’ est identique (dans sa nature, sa forme, ses dimensions) à l’élément actif 43 du dispositif 1 représenté en FIG. 5 . Un premier développement du dispositif 1 est décrit ci-après en relation avec la FIG. 6 . Comme le montre la FIG. 6 , ce premier développement concerne un dispositif 1 1 comprenant le dispositif 1 représenté sur la FIG. 5 et une couche de passivation 50 conformée aux pixels 40 et à la surface 11a du substrat 11 de ce dispositif 1 (c’est-à-dire que la couche de passivation 50 est continue et épouse les limites extérieures ou contours des pixels 40 et du substrat 11). Ainsi, les pixels 40 sont encapsulés, et donc protégés de l’environnement extérieur, par la couche de passivation 50. Naturellement, ce premier développement s’applique alternativement au dispositif 1’ représenté sur la FIG. 20 . Dans cette configuration, le dispositif 1 1 ’ obtenu (non représenté par les figures) ne diffère de celui représenté en FIG. 6 que par la nature de l’élément de support 42 et de l’électrode inférieure 41 de chaque pixel 40. En particulier, l’élément de support 42 de chaque pixel 40 du dispositif 1 1 ’, alternatif au dispositif 1 1 représenté sur la FIG. 6 , est constitué du pilier conducteur plein 42, 13 illustré en FIG. 20 . Quelle que soit la nature des éléments de support et des électrodes inférieures, lorsque les pixels 40 sont ainsi encapsulés, la hauteur h 42 de l’élément de support 42 est avantageusement strictement supérieure à l’épaisseur cumulée e 43 +e 44 +e 50 (aussi notée e 434450 ) de l’élément actif 43, de l’électrode inférieure 41 et de la couche de passivation 50. Les éléments de support 42 sont ainsi dimensionnés en fonction de toutes les couches de matériaux disposées sur les électrodes inférieures 41. Cela permet de s’assurer que les pixels 40 sont bien séparés les uns des autres lorsque la couche de passivation est présente. De préférence, la hauteur h 42 de l’élément de support 42 est supérieure ou égale à 1,2 fois à cette épaisseur cumulée e 43 +e 44 +e 50 de l’élément actif 43, de l’électrode inférieure 41 et de la couche de passivation 50. Plus préférentiellement, la hauteur h 42 de l’élément de support 42 est supérieure ou égale à 1,5 fois à cette épaisseur cumulée e 43 +e 44 +e 50 de l’élément actif 43, de l’électrode inférieure 41 et de la couche de passivation 50. La distance D 42 entre deux éléments de support 42 voisins (cf. FIG. 6 ), définie comme la distance entre une paroi latérale du premier élément de support 42 et la paroi latérale du deuxième élément de support 42 située en vis-à-vis, est de préférence strictement supérieure à deux fois l’épaisseur e 4344 50 de l’empilement formé par l’élément actif 43, l’électrode supérieure 44 et la couche de passivation du premier ou du deuxième élément de support 42. Cela permet de s’assurer avec une bonne fiabilité que deux empilements voisins sur les électrodes inférieures 41 ne se touchent pas directement. De plus, comme la hauteur h 42 des éléments de support 42, cette distance D 42 peut être dimensionnée au plus juste. Cela permet de rapprocher les pixels 40 les uns des autres. La densité des pixels, et donc la résolution d’affichage du dispositif 1, n’est alors pas limitée par une distance minimale requise entre les pixels (elle peut l’être, en revanche, par le circuit d’adressage du substrat 11). La FIG. 11 montre une vue en coupe d’un dispositif 1 2 selon un deuxième développement du dispositif 1 représenté sur la FIG. 5 . Comme le montre la FIG. 11 , le dispositif 1 2 selon ce deuxième développement est un dispositif 1 2 couleur. Ce dispositif 1 2 diffère du dispositif 1 monochrome représenté en FIG. 6 en ce que l’empilement de couches organiques qui forme l’élément actif 43 de chaque pixel diffère d’un pixel à un autre. Sur la FIG. 11 , le dispositif 1 2 couleur comporte trois pixels adjacents notés, en partant de la gauche sur la FIG. 11 , 40(V), 40(B) et 40(R). Le pixel 40(B) central est ici formé de l’empilement de couches organiques 431 précédemment décrit en relation avec la FIG. 5 , et est donc de couleur bleue. De plus, le pixel 40(V) est formé d’un empilement de couches organiques 432 configuré pour générer un deuxième rayonnement, dans une gamme de longueur d’onde comprise entre 490 m et 590 nm. Ce pixel 40(V) est donc ici de couleur verte. Finalement, le pixel 40(R) est formé d’un empilement de couches organiques 433 configuré pour générer un troisième rayonnement dans une gamme de longueur d’onde comprise entre 600 m et 700 nm. Ce pixel 40(R) est donc un pixel de couleur rouge. Cet arrangement par groupe de trois pixels 40(V), 40(B), 40(R) de couleur respectivement verte, bleue et rouge permet de former une couleur blanche par superposition des rayonnements de couleur. Chaque groupe de trois pixels 40(V), 40(B), 40(R) présente avantageusement une surface qui est inférieure à 15x15 µm², de préférence comprise entre 8x8 µm² et 4x4 µm², et par exemple égale à 6x6 µm². De plus, l’utilisation d’un empilement de couches organiques 431, 432, 433 configuré pour générer le rayonnement dans la bande spectrale correspondant à la couleur est particulièrement intéressant par rapport à des pixels pourvus d’un filtre coloré car l’efficacité lumineuse de chaque pixel est plus élevée. La FIG. 22 montre une vue de dessus du dispositif 1 2 couleur (en l’occurrence de la matrice M1c de pixels couleur de ce dispositif 1 2 ). Comme le montre la FIG. 22 , l’arrangement par série de trois pixels de couleurs verte, bleue et rouge est répété sur tout le dispositif 1 2 couleur. Dans cet exemple, on trouve une répétition de trois colonnes adjacentes, la première colonne ayant des pixels de couleur verte, la deuxième des pixels de couleurs bleue et la troisième des pixels de couleurs bleue. Les pixels sont, comme dans les dispositifs 1 et 1’, tous séparés les uns des autres. On note que chaque pixel de couleur (verte, bleue, rouge) présente ici une forme rectangulaire ayant de préférence un rapport égal à 3 : 1 entre sa longueur (selon la deuxième direction Y) et sa largeur (selon la première direction X). Ainsi, chaque groupe de trois pixels de couleur verte, bleue et rouge est de forme carrée. Le dispositif 1 2 couleur représenté sur les figures 11 et 22 comporte ainsi un premier groupe G1 de pixels 40 (B) qui sont tous des pixels de couleur bleue 40(B), un groupe G2 de pixels 40(V) qui sont tous des pixels de couleur verte 40(V), et un groupe de pixels 40(R) qui sont tous des pixels de couleur rouge 40(R). Naturellement, le nombre de groupes de pixels peut être différent de 3 et/ou la disposition de chacun de ces groupes G1, G2, G3 peut varier. Il convient de noter que le dispositif 1 2 couleur comporte une couche de passivation 52 de même nature que la couche de passivation 50 précédemment décrite en relation avec la FIG. 6 , et qui est également conformée aux pixels 40(V), 40(B) et 40(R) et à la surface du substrat 11 (cf. FIG. 11 ). Naturellement, ce deuxième développement concerne également le dispositif 1’ représenté sur la FIG. 20 . Dans cette configuration, le dispositif 1’ 2 couleur obtenu (non représenté en vue de coupe par les figures) ne diffère de celui représenté en FIG. 11 que par la nature de l’élément de support et de l’électrode inférieure de chaque pixel 40 (l’élément de support 42 est alors constitué par le pilier conducteur plein métallique 42, 13 illustré sur la FIG. 20 ). On note que la FIG. 22 est aussi une vue de coupe du dispositif 1’ 2 couleur alternatif au dispositif 1’ 2 couleur. Selon un deuxième mode de mise en œuvre S, le procédé de fabrication d’un dispositif d’affichage électroluminescent est utilisé pour produire le dispositif d’affichage électroluminescent 2 (aussi noté « dispositif 2 » par la suite) dont un agrandissement d’une vue de dessus est représenté schématiquement sur la FIG. 29 . Les figures 29A et 29B représentent respectivement une vue de coupe transversale selon le plan de coupe AA (cf. FIG. 29 ) et une vue de coupe selon le plan de coupe BB (cf. FIG. 29 ) du dispositif 2 représenté sur la FIG. 29 . Le dispositif 2 illustré sur les figures 29A à 29C diffère des dispositifs 1, 1’ selon le premier mode de mise en œuvre du procédé de fabrication, illustrés sur les figures 5 et 20, en ce que l’élément de support 42 de chaque pixel 40 présente une seule dimension de différenciation d 42X au lieu de deux (d 42X , d 42 Y ). Plus précisément, l’élément de support 42 de chaque pixel 40 du dispositif 2 selon le deuxième mode S de mise en œuvre du procédé de fabrication diffère de celui de chaque pixel du dispositif 1 en ce qu’il présente : Une seule dimension de différenciation parmi les deux directions X et Y de disposition des pixels 40 (dans l’exemple représenté par les figures 29A, 29B et 29C, il s’agit ici de la première direction X, la dimension de différenciation étant notée d 42X ). Une dimension dite de non-différenciation mesurée selon l’autre direction Y qui est égale à la dimension correspondante de l’électrode inférieure 41 qu’il supporte. Comme le montre la FIG. 29 , la dimension de différenciation d 42X de l’élément de support 42 de chaque pixel 40 du dispositif 2 est spécifiée de la même manière que la première dimension de différenciation décrite en relation avec la FIG. 5 . Ainsi, la dimension de différenciation d 42X de l’élément de support 42 de chaque pixel 40 est strictement inférieure à la dimension correspondante de l’électrode inférieure 42 que cet élément de support 42 soutient. Ainsi, dans la direction de différenciation X, l’électrode inférieure de chaque pixel 40 déborde de l’élément de support qui la supporte. Ce débordement peut avantageusement présenter une dimension minimale, dite de retrait, supérieure ou égale à 100 nm. Plus généralement, le fait que l’élément de support 42 présente une dimension, au moins, de différenciation, permet qu’une portion de l’électrode inférieure 41 qu’il supporte déborde latéralement de l’élément de support 42 dans la direction dans laquelle est mesurée la dimension de différenciation. Comme le montre la FIG. 29 , l’élément de support 42 de chaque pixel 40 du dispositif 2 est relié à l’élément de support du pixel voisin, disposé selon la direction de non-différenciation Y, par un motif 120 formé d’un matériau diélectrique 80. Ce matériau diélectrique 80 peut être un matériau à base de polymère (par exemple une résine) ou un matériau diélectrique inorganique choisi parmi les matériaux suivants : dioxyde de silicium ou SiO 2 , nitrure de silicium ou SiN, oxyde d’aluminium ou Al 2 O 3 . De plus, les éléments actifs 43 et les électrodes supérieures 44 de ces pixels voisins 40 disposés selon la direction de non-différenciation Y sont reliés entre eux, respectivement, par le premier empilement 431 de couches organiques et le matériau 441 formant les électrodes supérieures 44 (dit autrement, il y a un élément actif et une électrode supérieure commune à tous les pixels 40 disposés selon la deuxième direction Y). L’utilisation d’une seule dimension de différenciation de l’élément de support de chaque pixel permet que les pixels 40 soient séparés physiquement les uns des autres selon cette seule direction de différenciation X. Cela permet, comme illustré sur la FIG. 29 , de séparer uniquement les pixels 40 appartenant à une même ligne de la matrice de pixels 40. En l’occurrence, les pixels d’une même colonne de la matrice de pixels 40 sont reliés entre eux. Le dispositif 2 présente l’avantage d’être plus rapide à fabriquer que les dispositifs d’affichage électroluminescent 1 selon le premier mode de mise en œuvre du procédé de fabrication. Sur les figures 29A et 29B, l’élément de support 42 présente ici les mêmes caractéristiques (nature des matériaux le constituant, hauteur h 42 ) que celles de l’élément de support 42 de chaque pixel 40 du dispositif 1’ représenté en FIG. 20 . Le deuxième mode S de mise en œuvre du procédé de fabrication permet aussi d’obtenir un dispositif 2’ (non représenté par les figures), alternatif au dispositif 2. Le dispositif 2’ ne diffère alors du dispositif 2 qui vient d’être décrit uniquement en ce que ses éléments de support 42 sont de même nature (formé des mêmes matériaux) que ceux décrits en relation avec le dispositif 1 représenté sur la FIG. 5 . Dit autrement, cette variante 2’ du dispositif 2 ne diffère donc du dispositif 2 représenté sur les figures 29A, 29B et 29C qu’en ce que l’élément de support 43 de chaque pixel 40 comporte le pilier de diélectrique 12 et le via conducteur traversant 14 représentés sur la FIG. 5 . On note que les dispositifs 2 et 2’ sont monochromes, à l’instar des dispositifs 1 et 1’. Un premier développement 2 1 du dispositif 2 est représenté par les figures 30A, 30B et 30C. Comme le montre ces figures, ce développement est analogue à celui 1 1 décrit précédemment en relation avec le dispositif 1 (cf. FIG. 6 ), en ce que le dispositif 2 1 comprend le dispositif 2 et la couche de passivation 50 conformée aux pixels 40 et à la surface du substrat du dispositif 2. Un deuxième développement 2 2 du dispositif 2 est représenté sur la FIG. 31 , la FIG. 31 et la FIG. 31 . Sur ces figures, le dispositif 2 concerné est celui représenté sur les figures 29A, 29B et 29C. Naturellement, le dispositif 2 concerné peut alternativement être la variante 2’ du dispositif 2 décrite précédemment, dans laquelle l’élément de support de chaque pixel comporte le pilier de diélectrique 12 et le via conducteur traversant 14. Le deuxième développement est analogue à celui décrit en relation avec le dispositif 1 (cf. figures 11 et 22). En effet, le dispositif 2 2 selon le deuxième développement comporte les trois groupes G1, G2, G3 de pixels de couleurs différentes (bleue, verte, rouge) décrits précédemment en relation avec la FIG. 11 . Le dispositif 2 2 est donc un dispositif couleur. Sur la FIG. 31 , chaque colonne de pixels est ici constituée de pixels d’une même couleur (pixels 40(V) ou pixels 40(B) ou pixels 40(B)). Comme le montre la FIG. 31 , l’empilement de couches organiques disposés entre les pixels d’une même colonne est ici l’empilement de couches organiques 433 configuré pour générer le rayonnement de couleur équivalente rouge. On note que le dispositif 2 2 comporte une couche de passivation 52 de même nature que la couche de passivation 50 décrite précédemment en relation avec la FIG. 6 , et qui est conformée aux pixels 40 et à la surface du substrat. Le premier mode E de mise en œuvre du procédé de fabrication est décrit ci-après en relation avec les figures 1 à 20. L’étape E1 de formation des pixels permettant de former le dispositif 1 représenté sur la FIG. 5 est décrite ci-après en relation avec les figures 1 à 5. L’étape E1 de formation des pixels 40 débute par une sous-étape E11 , illustrée en FIG. 1 , de fourniture d’une structure multicouche 10. Cette structure multicouche 10 comprend le substrat 11 décrit précédemment en relation avec la FIG. 5 , une couche diélectrique 12, une première couche conductrice 13 et des via conducteurs 14. La couche diélectrique 12 est disposée sur la surface 11a du substrat 11. Elle est formée, par exemple, de dioxyde de silicium (SiO 2 ). Comme il sera décrit ci-après, la couche de diélectrique 12 va être structurée pour former une partie des éléments de support 42. Aussi, son épaisseur e 12 correspond à l’épaisseur h 42 souhaitée pour les éléments de support 42. La première couche conductrice 13 est disposée sur la couche diélectrique 12. Elle est destinée, dans ce premier mode de mise en œuvre, à former les électrodes inférieures 41 des pixels 40. Elle est donc avantageusement réfléchissante ou semi-réfléchissante dans la bande spectrale [400 nm – 800 nm] pour un dispositif d’affichage électroluminescent de type « émission par le haut ». Sur la FIG. 5 , la première couche conductrice 13 est ici formée d’une seule couche d’un matériau métallique ou d’un alliage métallique. La première couche conductrice 13 peut alternativement comprendre plusieurs sous-couches empilées. Chaque sous-couche est alors formée d’un matériau métallique ou d’un alliage métallique différent. Le ou les matériaux métalliques (ou alliages métalliques) utilisé(s) pour former la première couche conductrice 13 présentent tous la propriété d’être résistants à la chimie de gravure du matériau de la couche diélectrique 12. Lorsque ce matériau diélectrique est du SiO 2 , la première couche conductrice 13 peut être formée à partir d’un matériau métallique, d’un alliage métallique conducteur. Par exemple, la première couche conductrice peut être à base d’aluminium (Al), d’alliage cuivre-aluminium (AlCu), de chrome (Cr) ou encore d’argent (Ag). Alternativement, la première couche 13 peut être formée ou d’un oxyde transparent conducteur (ou TCO, pour « Transparent Conductive Oxyde » en anglais) pour réaliser un dispositif d’affichage électroluminescent de type « émission par le bas ». Préférentiellement, la première couche conductrice 13 est à base de AlCu. Elle présente une épaisseur e 13 (cf. FIG. 1 ), qui est par exemple de l’ordre de 200 nm. Les vias conducteurs 14 sont des structures verticales conductrices qui traversent la couche diélectrique 12. Chaque via conducteur 14 relie la première couche conductrice 12 à l’un des plot de contact 112 du substrat 11. Les vias conducteurs 14 sont typiquement formés par gravure de la couche diélectrique 12 (après son dépôt sur le substrat 11) et remplissage d’un métal, avant le dépôt de la première couche conductrice 13. La sous-étape E11 de fourniture de la structure multicouche 10 est suivie par une sous- étape E12, illustrée en FIG. 2 , qui consiste à délimiter les électrodes inférieures 41 des pixels 40 dans la première couche conductrice 13. Plus précisément, les électrodes inférieures 41 sont délimitées en effectuant les opérations successives suivantes : Dépôt d’un masque de gravure sur la première couche conductrice 13, Gravure sèche, au travers de ce masque de gravure, de la première couche conductrice 13 avec arrêt sur la couche diélectrique 12, Retrait du masque de gravure déposé sur la première couche conductrice 13. L’opération de gravure sèche est typiquement une gravure physique anisotrope, c’est-à-dire une gravure effectuée selon une direction préférentielle (dite direction de gravure) perpendiculaire ou sensiblement perpendiculaire au plan {X,Y} du substrat (90 ° +- 5 °). Le masque de gravure déposé sur la première couche conductrice 13 est structuré pour que les électrodes inférieures 41 soient espacées les unes des autres et disposées en ligne (selon la première direction de différenciation X) et en colonne (selon la deuxième direction de différenciation Y), et également, pour qu’elles présentent la forme et la taille souhaitées et pour que chaque électrode inférieure 41 soit connectée à l’un des plots de contact 112 du substrat 11. Comme le montre la FIG. 2 , cette connexion est ici réalisée par l’intermédiaire d’un via traversant 14 associé à ce plot de contact 112. Ce masque de gravure est avantageusement structuré pour que les électrodes inférieures 41 aient la même forme et les mêmes dimensions. A l’issue de la sous-étape E12, les lignes et les colonnes de la matrice M1m de pixels (cf. FIG. 21 ) sont définies. Elles correspondent aux lignes et aux colonnes des électrodes inférieures 41 formées. Sur la FIG. 2 , on observe que la couche diélectrique 12 est légèrement gravée entre les électrodes inférieures formées (dans les régions notées 12A). Cette gravure de la couche diélectrique est typiquement liée au fait que, en pratique, l’arrêt de gravure n’est pas réalisé exactement sur la surface supérieure de la couche diélectrique 12. La sous-étape E12 de délimitation des électrodes inférieures 41 est suivie par une sous- étape E13 , illustrée en FIG. 3 , de délimitation des éléments de support 42. La sous-étape E13 comprend pour cela une étape de gravure de la couche diélectrique 12, de manière isotrope et sélective par rapport à la première couche conductrice 13, jusqu’à atteindre la surface 11a du substrat 11. La couche d’isolation 113 du substrat 11 fait ici office de couche d’arrêt de gravure. L’étape de gravure de la couche diélectrique 12 est par exemple effectuée à température ambiante et en milieu humide à base d’acide fluorhydrique (HF), la concentration en HF étant comprise entre 0,1% et 2%. Comme la gravure de la couche diélectrique 12 est réalisée à partir des tranchées réalisées, à la sous-étape E12 précédente, entre les électrodes inférieures 41, la paroi latérale périphérique 41d de ces électrodes inférieures 41 n’est pas altérée. En revanche, des cavités 30 sont créées au droit des tranchées et sous les électrodes inférieures 41 qui permettent de former les éléments de support 42 décrits précédemment. La gravure de la couche diélectrique 12 est avantageusement partielle pour obtenir les éléments de support 42 représentés sur la FIG. 3 . Chaque élément de support 42 comprend alors un pilier de matériau diélectrique renfermant l’un des vias traversants 14. La présence d’un pilier de matériau diélectrique dans l’élément de support 42 permet d’améliorer le maintien, d’un point de vue mécanique, des électrodes inférieures 41 sur le substrat 11. Comme le montre la FIG. 3 , chaque électrode inférieure 41 forme un plateau qui surplombe l’élément de support 42 qui la supporte. La gravure de la couche diélectrique 12 peut alternativement être totale (non représentée). Chaque élément de support 42 est alors constitué de l’un des vias traversants 14. Les régions 20A du substrat 11 qui sont masquées (depuis le haut) par les électrodes inférieures 41 sont alors agrandies par rapport à une gravure partielle. Que la gravure de la couche diélectrique 12 soit partielle ou totale, les éléments de support 42 permettent, en plus de réaliser une fonction de support, de réaliser la connexion électrique entre les électrodes inférieures 41 et les plots de contact 112 du substrat 11. Les sous-étapes E14 et E15 qui suivent visent à terminer la formation des pixels. La sous-étape E1 4 est illustrée sur la FIG. 4 . Elle comporte le dépôt du premier empilement 431 de couches organiques selon un procédé de dépôt physique, par exemple un procédé de dépôt par évaporation (ou PVD pour « Physical Vapor Deposition » selon la terminologie anglo-saxonne couramment utilisée). Les matériaux organiques formant ce premier empilement 431 sont déposés en couche pleine plaque, c’est-à-dire sur toute la surface 11a du substrat 11. Comme les électrodes inférieures 41 surplombent les éléments de supports 42, chaque couche organique de ce premier empilement 431 se discrétise aux sommets des électrodes inférieures 41 et entre les éléments de support 42. Comme le montre la FIG. 4 , on obtient ainsi les éléments actifs 43 séparés les uns des autres et disposés sur la surface supérieure 41b des électrodes inférieures 41. On obtient, aussi, les dépôts résiduels R 431 sur les régions du substrat 11 situées entre deux électrodes inférieures 41 voisines. Ces dépôts résiduels R 431 sont donc présents au sein des lignes au sein des colonnes définies lors de la sous-étape E11. Chaque dépôt résiduel R 431 est constitué par les matériaux du premier empilement 431 de couches organiques. Bien que le procédé de dépôt physique soit directif, chaque élément actif 43 peut aussi recouvrir la surface latérale périphérique 41d des électrodes inférieures 41 (cf. régions notées Z1 sur la FIG. 4 ). Comme expliqué précédemment en relation avec la FIG. 5 , la section et la hauteur h 42 des éléments de support 42 permettent que les éléments de support 42 soient bien isolés les uns des autres et que les éléments actifs 43 soient bien séparés les uns des autres, malgré les dépôts résiduels R 431 . L a sous étape E 15 est illustrée sur la FIG. 5 . Elle suit l’étape E14 et comporte le dépôt d’une couche 441 conductrice et transparente depuis le haut et sur toute la surface 11a du substrat 11. De préférence, ce dépôt est mis en œuvre selon un procédé de dépôt physique similaire à celui utilisé à la sous-étape E13. Il s’agit, par exemple, d’un procédé de dépôt par évaporation (ou PVD pour « Phase Vapor Deposition » en anglais). La couche 441 conductrice et transparente peut être une couche fine, d’épaisseur e 44 comprise entre 5 nm et 100 nm, d’aluminium (Al), d’argent (Ag), ou de chrome (Cr). Elle peut, alternativement, être à base d’un matériau conducteur et transparent choisi (mais non limité à) parmi les matériaux suivants : Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (ou PEDOT), oxyde d’indium-étain (ou ITO pour « Indium Tin Oxide » en anglais), dioxyde d’étain (SnO 2 ), oxyde de zinc (ZnO) ou oxyde de zinc dopé aluminium (ou AZO). Grâce à la section et à la hauteur h 42 choisie pour les éléments de support 42, qui est strictement supérieure à l’épaisseur cumulée du premier empilement 431 de couches organiques et de la couche conductrice 441 formant les électrodes supérieure 44, la couche 441 conductrice et transparente est discrétisée sur et entre les éléments actifs 43, malgré les dépôts résiduels R 431-44 . Ces dépôts résiduels R 431-44 sont présents entre les éléments de support 42. Ils sont constitués des matériaux du premier empilement 441 de couches organiques et du matériau de la couche 441 conductrice et transparente On obtient donc à l’issue de cette sous-étape E15 le dispositif 1 décrit précédemment en relation avec la FIG. 5 . On note que, comme le premier empilement 431 de couches organiques est commun à toutes les électrodes inférieures 41 des pixels 40, les pixels 40 sont, à ce stade du procédé, tous configurés pour émettre le même premier rayonnement. L’étape E1’ de formation des pixels permettant de former le dispositif 1’ représenté sur la FIG. 20 est décrite ci-après en relation avec les figures 17 à 20. Cette étape E1’ est alternative à l’étape E1 (illustrée sur les figures 1 à 5). Elle diffère de cette étape E1 en ce que les éléments support 42 sont formés dans une couche conductrice et non pas dans la couche diélectrique 12. En référence à la FIG. 17 , l’étape E1’ de formation des pixels 40 débute avec une sous-étape E11’ de fourniture d’une structure multicouche 10’ comprenant une couche conductrice supplémentaire 15 par rapport à la structure multicouche 10 illustrée en FIG. 1 . Précisément, comme illustré sur la FIG. 17 , la structure multicouche 10’ comprend : Le substrat 11, Une couche diélectrique 12 disposée sur le substrat 11, Une première couche conductrice 13 disposée sur la couche diélectrique 12, Une deuxième couche conductrice 15 disposée sur la première couche conductrice 13, Les via conducteurs 14 traversant la couche diélectrique 12, chaque via conducteur reliant la première couche conductrice 13 à un plot conducteur 112 du substrat 11. La deuxième couche conductrice 15 va être structurée pour former les électrodes inférieures 41 tandis que la première couche conductrice 13 va être structurée pour former les éléments de support 42. Ainsi, la première couche conductrice 13 présente une épaisseur e 13 strictement supérieure à l’épaisseur cumulée prévue de l’élément actif 42 et de l’électrode supérieure 44 (cf. FIG. 20 ). Les première et deuxième couches conductrices 13,15 sont formées de matériaux conducteurs différents, de sorte à permettre la réalisation d’une gravure sélective de la première couche conductrice 13 par rapport à la deuxième couche conductrice 14. Par exemple, la première couche conductrice 13 est à base d’AlCu et la deuxième couche conductrice 15 comprend deux sous-couches 151 et 152, la sous-couche inférieure étant à base de nitrure de titane (TiN) et la sous-couche supérieure étant à base d’oxyde d’étain (SnO2). La sous-étape E11’ est suivie d’une sous- étape E12’ illustrée en FIG. 18 . La sous-étape E12’ comprend la formation d’un masque de gravure (non représenté sur la FIG. 18 ) sur la deuxième couche conductrice 15. Ensuite, la sous-étape E12’ comprend une gravure, au travers du masque de gravure déposé sur la deuxième couche conductrice 15, des première et deuxième couches conductrices 13, 15 pour obtenir une pluralité de motifs conducteurs 410 séparés les uns des autres. De préférence, la gravure de la sous-étape E12’ est anisotrope (c’est-à-dire réalisée selon une direction préférentielle de gravure perpendiculaire au plan {X,Y} du substrat 11). Comme le montre la FIG. 18 , chaque motif conducteur 410 est connecté à au moins l’un des vias conducteur 14 de la structure multicouche 10’ initiale, représenté sur la FIG. 17 . Une sous - étape E13’ de gravure, illustrée en FIG. 19 , est ensuite mise en œuvre à partir des espaces (ou tranchées) situés entre les motifs conducteurs 410. Il s’agit d’une gravure partielle de la première couche conductrice 13, de manière isotrope et sélective par rapport à la deuxième couche conductrice 15 de sorte à obtenir les éléments de support 42. Les éléments de supports 42 consistent alors, dans ce deuxième mode de réalisation en un pilier conducteur, formé du matériau de la première couche conductrice 13. En référence à la FIG. 20 , des sous- étapes de dépôt E14 ’ et E15 ’ sont ensuite accomplies pour finaliser les pixels 40. Ces étapes E14’ et E15’ sont identiques aux étapes de dépôt E14 et E15 illustrées respectivement par les figures 4 et 5, en ce qu’elles consistent respectivement à déposer en pleine plaque le premier 431 empilement de couches organiques (sous-étape E14’) puis à déposer en pleine plaque la couche conductrice et transparente 441. Quelles que soient les étapes E1, E1’ mises en œuvre pour former les pixels 40, le procédé de fabrication E selon le premier mode de mise en œuvre se poursuit avantageusement avec les étapes E2, E3, E4 et E5 pour former un dispositif d’affichage électroluminescent couleurs, ou, plus simplement, avec les étapes E2, E4 et E5 (l’étape E3 n’est pas nécessaire) pour former un dispositif d’affichage électroluminescent monochrome. Ces étapes sont illustrées sur les figures 6 à 16, à partir du dispositif 1 illustré en FIG. 5 . Naturellement, elles peuvent alternativement être mises en œuvre de la même manière, à partir de la variante du dispositif 1, illustré en FIG. 20 . L’étape E2 est illustrée en FIG. 6 . Elle permet de fabriquer le dispositif 1 1 représenté sur la FIG. 6 . Elle consiste à déposer, de manière conforme, la couche de passivation 50 sur le substrat 11 et sur le pourtour des pixels 40. Une technique de dépôt conforme par dépôt de couches minces atomiques (ou ALD pur « Atomic Layer Deposition » en anglais) est de préférence utilisée. La couche de passivation 50 est formée d’un matériau qui fait barrière à l’oxygène. Par exemple, elle est formée à base d’alumine ou de SiO 2 . La couche de passivation 50 permet ainsi de protéger les éléments actifs 43 de l’environnement extérieur, puisqu’elle empêche de mettre les couches organiques de ces éléments actifs 43 au contact de l’oxygène (ils sont particulièrement sensibles à cet élément). Comme les matériaux qui font barrière à l’oxygène sont aussi des matériaux isolants, la couche d’encapsulation 50 est également électriquement isolante. Cela permet donc de revêtir les limites extérieures des pixels d’une couche électriquement isolante. L’étape E3 , illustrée en relation avec les figures 7 à 11, est optionnelle. Elle permet de fabriquer le dispositif 1 2 représenté sur la FIG. 11 . L’étape E3 vise ainsi à former les trois groupes G1, G2, G3 de couleurs différentes (cf. FIG. 11 ) à partir des pixels 40 formés avec le premier empilement 431 de couches organiques, lors de l’étape E1. L’expression « pixel de couleur » est, comme détaillé précédemment, entendue comme un pixel dont l’élément actif est formé d’un empilement de couches organiques configuré pour émettre un rayonnement présentant un spectre étroit, de largeur comprise entre 60 nm et 100 nm, centré sur une des longueurs d’onde du spectre visible 400 nm- 800 nm correspondant à la couleur souhaitée. L’étape E3 est itérative : le deuxième groupe G2 de pixels 40(V) est formé à partir d’un premier groupe G1 de pixels 40(B) correspondant aux pixels 40 formés avec le premier empilement 431 de couches organiques. Ensuite, le troisième groupe G3 de pixels 40(R) est formé à partir du deuxième groupe de pixels. Dit autrement, l’étape E3 consiste à remplacer une partie seulement des pixels du premier groupe G1 pour former le deuxième groupe G2 de pixels configurés pour générer le deuxième rayonnement, puis à remplacer une partie seulement des pixels du deuxième groupe G2 pour former le troisième groupe G3 de pixels configurés pour générer le troisième rayonnement, les premier, deuxième et troisième rayonnement étant distincts (ils présentent des spectres distincts). En référence aux figures 7 à 9, on commence par former le deuxième groupe G2 de pixels à partir des pixels formés avec le premier empilement 431 de couches organiques. Pour cela, on détermine d’abord les pixels du deuxième groupe G2 (cf. FIG. 7 ) parmi les pixels formés avec le premier empilement 431 de couches organiques. De préférence, deux pixels sur trois pixels adjacents sont sélectionnés pour appartenir au deuxième groupe G2. Les pixels non sélectionnés forment le premier groupe de pixels G1. Ils présentent la couleur correspondant au premier rayonnement généré par le premier empilement 431 de couches organiques (dans l’exemple choisi, cette couleur est du bleu, notée « (B) » sur les figures). Ensuite, lors d’une opération E31 illustrée en FIG. 7 , on forme d’abord un premier masque (non représenté sur la FIG. 7 ) qui recouvre les pixels non sélectionnés (c’est-à-dire les pixels du premier groupe G1) et expose les pixels sélectionnés (c’est-à-dire les pixels du deuxième groupe G2). Ensuite, on effectue une opération de retrait des empilements 431 de couches organiques présents sur les électrodes inférieures des pixels du deuxième groupe G2. Pour cela, on effectue des gravures successives, à travers le premier masque, de la couche de passivation 50, des électrodes supérieures 44 et des éléments actifs 43 des pixels du deuxième groupe G2, jusqu’à atteindre les électrodes inférieures 41 de ces pixels du deuxième groupe G2. Par gravures successives, on entend : Une première gravure de la couche de passivation 50, Une deuxième gravure de la couche conductrice et transparente 441, Une troisième gravure, isotrope, des empilements 431 de couches organiques (ou organométalliques) des éléments actifs 43. On note que les pixels (du premier groupe G1) protégés par le premier masque ne sont pas endommagés par les première, deuxième et troisième gravures. En effet, les flancs de ces pixels sont toujours recouverts sur leurs flancs, et donc protégés, par la couche de passivation 50. Finalement, le premier masque est retiré. La FIG. 7 illustre le dispositif obtenu à l’issue de cette étape E31 : les électrodes inférieures 41 des pixels du deuxième groupe G2 sont libres, donc prêtes à recevoir un nouvel élément actif et une nouvelle électrode supérieure. Les pixels non sélectionnés 40(B) (du premier groupe G1) sont quant à eux intacts. Les opérations E32, E33 et E34 qui suivent sont représentées sur la FIG. 8 . L’opération E32 consiste à former un élément actif 43 sur les électrodes inférieures 41 des pixels du deuxième groupe G2. Ces éléments actifs 43 sont formés à partir d’un deuxième empilement 432 de couches organiques configuré pour émettre un rayonnement différent du premier rayonnement. Par exemple, puisque le premier rayonnement correspond ici à une couleur équivalente bleue, on choisit un deuxième empilement 432 de couches organiques configuré pour générer un rayonnement de couleur équivalente verte (le spectre de ce rayonnement est compris entre 490 nm et 590 nm). Cette couleur verte est indiquée par la référence « (V) » sur les figures. L’opération E32 de formation de ces éléments actifs 43 des pixels 40(V) du deuxième groupe G2 est analogue au procédé mis en œuvre lors de la sous-étape E14 décrite précédemment pour former les éléments actifs 43 avec le premier 431 empilement de couches organiques. Ainsi, on réalise un dépôt pleine plaque (sur toute la surface 11a du substrat 11 du deuxième empilement 432 de couches organiques) du deuxième empilement 432 de couches organiques. L’opération E33 consiste à former une électrode supérieure 44 sur chaque élément actif 43 nouvellement formé. Pour cela, on réalise un dépôt sur toute la surface du substrat d’une couche conductrice transparente 442 qui est de préférence de même nature que la couche conductrice transparente 441 décrite en relation avec la FIG. 5 . Comme le montre la FIG. 8 , le deuxième empilement 432, les électrodes supérieures 44 sont discrétisés sur et entre les électrodes inférieures 41 des pixels du deuxième groupe G2 et sur les pixels du premier groupe G1. L’opération E34 consiste à encapsuler les pixels du deuxième groupe G2. Pour cela, on forme une couche de passivation 51 de manière conforme sur les pourtours des pixels du deuxième groupe et les pixels du premier groupe G1 ainsi que sur la surface 11a du substrat 11. La couche de passivation 51 est de même nature que la couche de passivation 50 formée à l’étape E2, illustrée sur la FIG. 6 . Comme le montre la FIG. 8 , à l’issue de cette sous-étape E34, les pixels 40(V) du deuxième groupe G2 sont formés. En outre, les pixels 40(B) du premier groupe G1 sont recouverts de l’empilement de couches venant d’être formé, à savoir : le deuxième empilement 432 de couches organiques, la couche conductrice transparente 442 et de la couche de passivation 51. Pour réaliser le troisième groupe G3 de pixels, on commence par déterminer les pixels du troisième groupe G3 à partir des pixels 40(V) du deuxième groupe G2. Préférentiellement, on sélectionne un pixel sur deux parmi les pixels du deuxième groupe G2. On obtient ainsi trois groupes G1, G2, G3 d’un nombre équivalent de pixels. Ensuite, lors d’une opération E35 , on forme d’abord un deuxième masque (non représenté sur la FIG. 9 ) configuré pour exposer les pixels du troisième groupe G3 et protéger tous les autres pixels (du premier et du deuxième groupe G1 et G2). Ensuite, on réalise les gravures successives suivantes au travers du deuxième masque : Gravure de la couche de passivation 51, Gravure de la couche conductrice et transparente 442, Gravure, isotrope, des empilements 432 de couches organiques ou organométalliques. Finalement, le deuxième masque est retiré. La FIG. 9 montre la structure obtenue à l’issue de cette opération E35. Les pixels 40(B) du premier groupe G1 sont libérés du deuxième empilement 432 de couches organiques, de la couche conductrice transparente 442 et de la couche de passivation 51. Les pixels 40(B) du premier groupe G1 sont donc formés. De plus, les pixels 40(V) du deuxième groupe G2, qui ont été protégés lors de cette opération E35, sont aussi formés. Enfin, les électrodes inférieures 41 des pixels du troisième groupe G3 sont libres. Les opérations E36, E37 et E38 qui suivent sont représentées par la FIG. 10 . Lors de l’ opération E36 , les éléments actifs 43 des pixels du troisième groupe G3 sont formés avec un troisième empilement 433 de couches organiques configuré pour émettre un troisième rayonnement différent des premier et deuxième rayonnements. A titre d’exemple, ce troisième rayonnement correspond à un couleur équivalente rouge notée « (R) » sur les figures (son spectre est compris entre 600 nm et 700 nm). Un dépôt pleine plaque du troisième empilement 433 de couches organiques est alors effectué. Ensuite, lors de l’ opération E37 , un dépôt pleine plaque d’une couche conductrice et transparente 443 de même nature que la couche conductrice transparente 441 est effectué pour former les électrodes supérieures 44 des pixels du troisième groupe G3. Finalement, lors de l’ opération E38 , une couche de passivation 52 de même nature que la couche de passivation 50 est déposée pleine plaque sur la structure obtenue à l’issue de l’opération E37. Comme le montre la FIG. 10 , à l’issue de l’opération E38, les pixels 40(R) du troisième groupe G3 sont formés, et les pixels 40(B), 40(V) des premiers et deuxièmes groupes G1, G2 sont recouverts du troisième empilement 433 de couches organiques, de la couche conductrice transparente 443 et de la couche de passivation 52. Finalement, lors d’une opération E39 , illustrée en FIG. 11 , un troisième masque est formé sur le dispositif pour exposer les pixels 40(B), 40(V) des premier et deuxième groupe G1, G2 (recouverts du troisième empilement 433 de couches organiques, de la couche conductrice transparente 443 et de la couche de passivation 52) et protéger les pixels 40(R) du troisième groupe G3. Ensuite, les gravures suivantes sont successivement effectuées au travers du troisième masque : Gravure de la couche de passivation 52, Gravure de la couche 443 conductrice et transparente, Gravure, isotrope, des empilements 433 de couches organiques ou organométalliques. Finalement, le troisième masque est retiré pour obtenir le dispositif d’affichage électroluminescent couleur représentée sur la FIG. 11 . Alternativement, l’étape E3 peut consister à mettre en œuvre le procédé de fabrication décrit dans le document FR3079909A1. Naturellement, un nombre de groupes de pixels supérieur à trois peut être formé par itération de l’étape E3. On note que, grâce aux éléments de supports d’électrodes et à l’étape E3 de formation de groupes de pixels, le procédé de fabrication selon l’invention permet de réaliser avec une fiabilité améliorée des dispositifs d’affichage couleur dits natifs (les éléments actifs des pixels génèrent directement le rayonnement à la longueur d’onde souhaité) de haute résolution. L’étape E4 est décrite ci-après, en relation avec les figures 12 à 15. Cette étape E4 est mise en œuvre soit directement après l’étape E2 de formation de la couche de passivation, soit après la dernière itération de l’étape E3. L’étape E4 consiste à former une électrode commune 70 (cf. FIG. 15 ) à tous les pixels 40(V), 40(B), 40(R). Comme l’électrode commune 70 réalise une reprise de contact sur l’électrode supérieure 44 de chaque pixel 40, il est nécessaire, lors de cette étape de créer des zones d’accès à ces électrodes supérieures 44. Pour cela, l’étape E4 débute avec une sous-étape E41 de remplissage, avec un matériau diélectrique 80, des espaces entre les pixels 40(V), 40(B), 40(R). Le matériau diélectrique peut être de même nature que le matériau diélectrique 80 décrit en relation avec la FIG. 29 , à savoir qu’il peut être à base de polymère ou être un matériau diélectrique inorganique). Cette sous-étape de remplissage est illustrée en FIG. 13 . Le matériau diélectrique 80 utilisé lors de la sous-étape E41 est ici avantageusement une résine permanente, de préférence une résine optiquement absorbante. Par exemple, la résine permanente est la résine SU-8(TD) de la marque Kayaku Advanced Materials, ou la résine TELR(TD) de la marque TOK, ou encore une résine du type CFPR BK Series (TD) de la marque TOK. Ainsi, le matériau diélectrique 80 réduit les réflexions parasites dues à la lumière ambiante. Lorsque le matériau diélectrique 80 est une résine permanente, la sous-étape E41 comprend, après le remplissage E41, une sous-étape de recuit à température inférieure à 100°C suivie d’une étape de séchage. L’utilisation d’une température inférieure à 100°C permet de préserver les empilements 431, 432, 433 de couches organiques des pixels 40(V), 40(B), 40(R) qui sont fragiles. Le remplissage E41 peut s’arrêter, comme représenté sur la FIG. 12 , au ras de la couche de passivation (sur la FIG. 12 , il s’agit de la couche de passivation 52) recouvrant les pixels 40(V), 40(B), 40(R). La sous-étape E41 est suivie d’une sous-étape E42, illustrée en FIG. 13 , comprenant les opérations successives suivantes : Dépôt d’un masque de gravure sur la couche supérieure du matériau diélectrique 80 et les pixels 40, Gravure, à travers ce masque, de la couche de passivation 50 pour obtenir des ouvertures 90 sur les pixels 40, chaque ouverture 90 donnant accès à l’électrode supérieure 44 d’un des pixels 40. La sous-étape E42 est ensuite prolongée par une sous- étape E43 , illustrée en FIG. 14 , consistant à déposer, de manière conforme ou non, une couche de matériau conducteur et transparent dans les ouvertures 71 et entre les ouvertures 71. Cette couche de matériau conducteur et transparent forme l’électrode commune 70. Elle est de préférence déposée de manière à recouvrir toute la surface du substrat (selon un dépôt pleine plaque). Ce matériau conducteur et transparent est similaire au matériau des électrodes supérieures 44 des pixels 40. Ainsi, l’électrode commune 70 peut être à base d’aluminium (Al), d’argent (Ag), ou de chrome (Cr). Son épaisseur est de préférence comprise entre 5 nm et 100 nm. Alternativement, l’électrode commune 70 peut être à base ou d’un matériau conducteur et transparent choisi parmi les (mais non limité aux) matériaux suivants : Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (ou PEDOT), oxyde d’indium-étain (ou ITO pour « Indium Tin Oxide » selon la terminologie anglosaxonne couramment utilisée), dioxyde d’étain (SnO 2 ), oxyde de zinc (ZnO) ou oxyde de zinc dopé aluminium (ou AZO). Avantageusement, le matériau de l’électrode commune 70 est de l’AZO. Le dépôt d’un tel matériau est en effet « doux » vis-à-vis des éléments actifs 43, c’est-à-dire qu’il ne dégrade pas leurs performances. Le fait de pouvoir réaliser un dépôt non conforme constitue une autre simplification par rapport aux procédés de fabrication de l’art antérieur. La sous-étape E43 peut avantageusement être suivie d’une sous- étape E 4 4 , illustrée en FIG. 15 , consistant à former des contacts 100 d’électrode commune sur l’électrode commune 70. Chaque contact 100 est disposé entre deux pixels 40(V), 40(B), 40(R) ou à la périphérie de la matrice de pixels, de sorte à ne pas faire obstacle au(x) rayonnement(s) émis. La multiplication des contacts 100 permet une meilleure distribution du courant électrique aux pixels. Les contacts 100 sont constitués d’un matériau plus conducteur que le matériau de l’électrode commune 70, par exemple à base d’un alliage d’aluminium et de silicium (ou AlSi). De plus, comme ces contacts sont avantageusement opaques à la lumière visible, ils permettent de réduire efficacement les réflexions de lumière parasite entre les pixels 40. La FIG. 16 représente une variante de mise en œuvre de l’étape E4. Selon cette variante de réalisation, le remplissage E41’, avec le matériau diélectrique 80, des espaces entre les pixels 40(V), 40(B), 40(R) est configuré de sorte qu’une surépaisseur 81 de ce matériau diélectrique 80 déborde sur les pixels 40(V), 40(B), 40(R), sans les recouvrir totalement. Cela permet de définir directement les ouvertures 90 (cf. FIG. 16 ) et d’éviter la formation E42 du masque de gravure (le matériau diélectrique 80 utilisé pour le remplissage est alors utilisé comme masque de gravure). Le procédé de fabrication 1 est ainsi plus rapide à mettre en œuvre. Les sous-étapes qui suivent le remplissage E41’ sont identiques aux sous-étapes E43 et E44 décrites précédemment. Comme le matériau diélectrique 80 présente sur les bords des pixels une certaine pente, cela permet d’utiliser, comme matériau conducteur 70 un matériau peu conforme, c’est-à-dire pas nécessairement adapté pour être déposé de manière conforme. Les étapes principales du deuxième mode S de mise en œuvre du procédé de fabrication sont maintenant décrites en relation avec les figures 23A à 31A, 23B à 31B et 23C à 31C. L’étape S 1 de formation des pixels permettant de former le dispositif 2 représenté sur les figures 29A, 29B et 29C est décrite ci-après en relation avec les figures 23A à 29A, 23B à 29B et 23C à 29C. L’étape S1 débute par une sous-étap e S11 de fourniture de la structure multicouche 10’ décrite précédemment en relation avec la sous-étape E11’ illustrée par la FIG. 17 . Ensuite, une sous-étape S12 de structuration de la structure multicouche 10’ est mise en œuvre. Cette sous-étape S12 est identique à la sous-étape E12’ illustrée en FIG. 18 . La structure obtenue à l’issue de cette sous-étape S12 est représentée sur la FIG. 23 , la FIG. 23 et la FIG. 23 , respectivement en vue de coupe transversale par la ligne AA (cf. FIG. 23 ), en vue de coupe transversale par la ligne BB et en vue de dessus. La ligne AA coupe une ligne de pixels (elle s’étend donc selon la direction de différenciation X) et la ligne BB coupe une colonne de pixels (elle s’étend donc selon la direction de non-différenciation Y). Comme le montrent ces figures 23A à 23C, des motifs conducteurs 410 espacés les uns des autres sont formés sur la couche diélectrique 12 de la structure multicouche 10’ initiale. On obtient ainsi une matrice de motifs conducteurs 410. Ces motifs conducteurs 410 sont identiques à ceux décrits précédemment. Ainsi, la deuxième couche conductrice 15 de chaque motif conducteur 410 forme l’électrode inférieure 41 de chaque pixel 40. De plus, la première couche conductrice 13 de chaque motif conducteur 410 sera structurée pour former les éléments de support 42 des pixels 40. Finalement, chaque motif conducteur 410 est connecté à l’un des vias conducteur 14 de la structure multicouche 10’ initiale. Comme le montre la FIG. 23 , les motifs conducteurs 410 sont disposés selon la première direction X et la deuxième direction Y pour former des lignes et des colonnes. Comme le montre la FIG. 23 , chaque motif conducteur 410 est espacé des motifs conducteurs 410 voisins par, d’une part, deux tranchées T x orientées selon la première direction X (notées « tranchées de ligne T x » par la suite) et, d’autre part, deux tranchées T y orientées selon la deuxième direction Y. Les tranchées T y sont notées « tranchées de colonne T y » par la suite. Ensuite, les sous-étape s S13 et S14 illustrées respectivement par les figures 24A, 24B, 24C et 25A, 25B et 25C sont accomplies. Ces sous-étapes S13, S14 consistent à former les motifs 120 représentés sur la FIG. 29 à partir du matériau diélectrique 80 décrit précédemment en relation avec la FIG. 29 . Lorsque le matériau diélectrique 80 est une résine (notée « résine 80 » par la suite), la sous-étape S13 débute par un procédé de photolithographie selon la manière décrite ci-après. Tout d’abord, la résine 80 est étalée sur l’ensemble de la matrice de motifs conducteurs 410. Lors de son étalement, la résine 80 s’infiltre dans, et remplit, l’ensemble des tranchées T x et T y . Une fois étalée, la résine 80 est séchée. Il est ensuite réalisé un enchainement 1) d’une projection d’un premier masque de gravure exposant les tranchées de colonne T y et protégeant les tranchées de ligne T x , 2) d’une exposition à la lumière, à travers le masque de gravure, de la résine 80 et 3) d’une dissolution (ou développement) de la résine 80 exposée à la lumière. Les tranchées de ligne T x sont alors remplies de résine 80 qui forme les lignes 121 de résine 80 représentées sur la FIG. 24 . Ensuite, un fluage de la résine 80 est réalisé, de manière que la résine 80 déborde sur les motifs conducteurs 410 qui longent les tranchées T x . Le fluage consiste à rendre la résine solide viscoélastique et à provoquer un glissement (ou écoulement) contrôlé de cette résine 80 sur les motifs conducteurs 410. A l’issue du fluage, la partie Z2 (cf. FIG. 24 et 24C) des plots conducteurs 410 qui longe les tranchées T x est recouverte de la résine 80. Le fluage est préférentiellement configuré pour que la résine déborde sur les motifs conducteurs 410 en faisant une pente douce. Le terme « pente douce » désigne un bord arrondi de la résine 80 sur les motifs conducteurs 410, comme illustré sur la FIG. 24 . Concrètement, le fluage est par exemple réalisé sous étuve à une température de 200°C pendant 30 minutes. Sous l’effet de la température, le polymère qui constitue la résine devient visqueux et la résine s’écoule sur les bords des plots conducteurs 410. On note que l’opération de fluage est importante car la déformation contrôlée de la résine 80 ne peut pas être obtenue lorsque la résine 80 est dans un état liquide. Comme le montre la FIG. 24 , la résine 80 s’écoule aussi dans les tranchées de colonne T y , à l’intersection Z3 de ces tranchées de colonne avec les tranchées de ligne T x . Le fluage est ensuite suivi d’une étape de séchage qui permet de rendre irréversible la déformation de la résine 80 obtenue par le fluage. Ensuite, lors d’une sous-étape S14 illustrée par les figures 25A, 25B et 25C, une projection d’un deuxième masque de gravure exposant les tranchées de colonne T y et protégeant les tranchées de ligne T x est d’abord réalisée. Ensuite, une gravure anisotrope de la résine 80 encore présente dans les tranchées de colonne T y (dans les zones Z3 représentées sur la FIG. 24 ) est accomplie à travers le masque de gravure défini par projection, avec arrêt sur la couche de diélectrique 112. Les tranchées de colonne Ty sont alors entièrement libres de résine tandis que les tranchées Tx sont emplies de résine entre deux tranchées Ty de colonne successives. Les lignes 121 de résine 80 sont alors interrompues pour former les motifs 120 de résine 80. Finalement, le deuxième masque de gravure est retiré. A l’issue de la sous-étape S14, les motifs 120 en résine 80 sont formés. Ces motifs 120 en résine 80 jouent le rôle d’un masque de gravure pour la sous-étape S15, en permettant de protéger les parties des tranchées de ligne T x situées entre les motifs conducteurs 410 et d’exposer les tranchées de colonne T y . Il convient de noter que, lorsque le matériau diélectrique 80 est un matériau diélectrique inorganique 80, comme SiO 2 , SiN ou Al 2 O 3 , le procédé de photolithographie de la sous-étape S13 est remplacé par des opérations de dépôt du matériau diélectrique organique 80 puis de structuration de ce matériau diélectrique inorganique 80 déposé. Les opérations de fluage et de séchage, ainsi que la sous-étape S14 sont ensuite mises en œuvre de la manière décrite précédemment. La sous-étape S15 , illustrée par la FIG. 26 , la FIG. 26 et la FIG. 26 , vise à obtenir l’élément de support 42 de chaque pixel 40 à partir de la première couche conductrice 13 des motifs conducteurs 410. La sous-étape S15 est analogue à la sous-étape E13’ décrite précédemment en relation avec la FIG. 19 , en ce qu’une gravure partielle de la première couche conductrice 13, de manière isotrope et sélective par rapport à la deuxième couche conductrice 15 est accomplie à partir des tranchées libres situées entre les motifs conducteurs 410. De plus, l’élément de support 42 de chaque pixel 40 est formé d’une portion de la première couche conductrice 13. A la différence de la FIG. 19 représentant la sous-étape E13’, les tranchées libres sont ici les tranchées de colonne T y uniquement, en raison des sous-étapes S13 et S14 accomplies au préalable. Les cavités 30 sont formées sous l’électrode inférieure 41,15 de chaque pixel (cf. FIG. 26 ) du côté des tranchées de colonne T y uniquement. Du côté des tranchées de ligne (cf. FIG. 26 ), la première couche conductrice 13 n’est pas gravée du fait de la présence des motifs 120 de matériau diélectrique 80. Cela permet d’obtenir les éléments de support 42 ayant une seule dimension de différenciation d 42X , décrits en relation avec le dispositif 2 illustré sur les figures 29A, 29B et 29C. L’élément de support 42 obtenu consiste en effet en un pilier conducteur asymétrique, formé du matériau de la première couche conductrice 13. Lors d’une sous-étape optionnelle S16 , illustrée par la FIG. 27 , la FIG. 27 et la FIG. 27 , une couche d’un matériau isolant 100 est d’abord déposée pleine plaque (par le haut) sur la structure obtenue à l’issue de la sous-étape S15. Ce matériau isolant 100 est par exemple un oxyde d’aluminium (ou Al2O3), et le dépôt est mis en œuvre selon une technique de dépôt de couches minces atomiques ou ALD. En raison de la présence de l’élément de support 42 asymétrique sous chaque électrode inférieure 41, la couche de matériau isolant 100 se discrétise dans la direction de différenciation X, c’est-à-dire sur les bords de chaque électrode inférieure 41 situés du côté des tranchées de colonne uniquement. Le fait que le matériau diélectrique 80 déborde en pente douce sur les électrodes inférieure des pixels permet en outre que la couche de matériau isolant 100 soit bien continue dans la direction de non-différenciation Y. En l’occurrence, la couche de matériau isolant 100 s’étend de manière continue sur les électrodes inférieures 41 disposées sur une même colonne. Ensuite, une gravure de cette couche de matériau isolant 100 est réalisée pour obtenir des ouvertures 110 sur les électrodes inférieures 41. La couche de matériau isolant 100 permet de renforcer l’isolation électrique entre les éléments de support 42 et entre les électrodes inférieures 41 des pixels 40. La sous-étape S17 , illustrée par la FIG. 28 , la FIG. 28 et la FIG. 28 , consiste à former l’élément actif 43 de chaque pixel. Lors de cette sous-étape S17, le premier empilement 431 de couches organiques est ainsi déposé de manière pleine plaque sur la structure obtenue à l’issue de la sous-étape S16 (lorsque celle-ci est accomplie), ou sur la structure obtenue à l’issue de la sous-étape S15. Le procédé de dépôt est identique au procédé de dépôt décrit en relation avec la sous-étape E14’ (illustrée en FIG. 20 ). Les éléments de support 42 produisent les mêmes effets discrétisant que ceux décrits en relation avec la couche de matériau isolant 100. Le premier empilement 431 de couches organiques se discrétise ainsi sur les bords de chaque électrode inférieure 41 situés du côté des tranchées de colonne T y uniquement (cf. FIG. 28 ), et s’étend de manière continue sur les électrodes inférieures 41 et entre les électrodes inférieures 41 situées sur une même colonne (cf. FIG. 28 ). Il en résulte que chaque élément actif 43 est séparé des éléments actifs 43 voisins appartenant à la même ligne de la matrice que cet élément actif 43 (malgré les résidus R 431 présents entre les éléments de support 42, mais est connecté par le premier empilement 431 de couches organiques aux pixels voisins appartenant à la même colonne de la matrice que cet élément actif 43. Ensuite, une sous-étape S18 illustrée par la FIG. 29 , la FIG. 29 et la FIG. 29 , est accomplie pour former l’électrode supérieure 44 de chaque pixel et, ainsi, finaliser la formation des pixels 40. La sous-étape S18 consiste, comme la sous-étape E15’ illustrée en FIG. 20 , à déposer de manière pleine plaque la couche conductrice et transparente 441 sur et entre les éléments actifs 43. Comme le montre les figures 29A et 29B, la couche conductrice transparente 441 est discrétisée entre les éléments actifs 43 appartenant à une même ligne mais reste continue entre les éléments actifs 43 appartenant à une même ligne. Le deuxième mode S de mise en œuvre du procédé de fabrication se poursuit avantageusement par une étape S2 illustrée par la FIG. 30 , la FIG. 30 et la FIG. 30 . L’étape S2 permet de fabriquer le dispositif 2 1 décrit précédemment en relation avec ces figures, dans lequel les pixels 40 sont encapsulés. Cette étape S2 est analogue à l’étape E2 illustrée en FIG. 6 en ce qu’elle consiste également en un dépôt de la couche de passivation 50 sur les pourtours des pixels 40 et sur la surface du substrat 11. En l’occurrence, comme le montrent les figures 30A, 30B et 30C, la couche de passivation 50 recouvre les limites extérieures des pixels 40 les régions du substrat 11 situées entre les pixels 40. Sur les figures 30A, 30B et 30C, les pixels sont notés 40, G1 car ils appartiennent tous au même groupe G1 de pixels de la couleur bleue, définie par le premier empilement 431 de couches organiques. Le procédé S de fabrication selon ce deuxième mode de mise en œuvre peut se poursuivre avantageusement par une étape S3 qui consiste à former plusieurs, typiquement trois groupes de pixels de couleurs différentes à partir du premier groupe de pixels 40, G1. Cette étape S3 permet donc de former le dispositif 2 2 couleur décrit précédemment en relation avec les figures 31A, 31B et 31C. Cette étape S3 comprend les sous-étapes E31 à E39 de l’étape E3 décrite précédemment en relation avec les figures 9 à 11, ces sous-étapes étant mises en œuvre à partir du dispositif 2 1 représenté sur les figures 30A, 30B et 30C. Alternativement, l’étape S3 peut être mise en œuvre sur le dispositif 2 1 représenté sur les figures 30A, 30B et 30C en appliquant le procédé décrit dans le document FR3079909A1. La présence des éléments de support 42 trouve un avantage supplémentaire (en plus de permettre la discrétisation des pixels 40) lors de cette étape S3. En effet, ces éléments de support permettent de préserver les pixels déjà formés (en les mettant à distance) lors des gravures mises en œuvre pour former les deuxième et troisième groupes de pixels. Le procédé de fabrication S peut ensuite comprendre une étape S4 de formation d’une électrode commune à tous les pixels 40(V), 40(B) et 40(R) du dispositif 2 2 représenté sur les figures 31A, 31B et 31C. Cette étape de formation S4 d’une électrode commune, non représentée par les figures, est mise en œuvre sur le dispositif 2 1 représenté sur les figures 31A, 31B et 31C, et est identique à l’étape E4 décrite précédemment en relation avec les figures 12 à 16. Le deuxième mode S de mise en œuvre du procédé de fabrication peut comprendre une étape S1’ (non représentée par les figures) au lieu de l’étape S1, pour former le dispositif 2’ alternatif au dispositif 2, dans lequel l’élément de support 42 de chaque pixel 40 comporte le pilier de diélectrique 12 et le via traversant 14 représentés sur la FIG. 5 . L’étape S1’ débute alors par une sous-étape S11 ’ de fourniture de la structure multicouche 10 décrite précédemment en relation avec la sous-étape E11 illustrée par la FIG. 1 . Ensuite, lors d’une sous-étape S12’ identique à la sous-étape E12 illustrée en FIG. 2 , les électrodes inférieures 41 sont délimitées dans la première couche conductrice 13 de la structure multicouche 10 représentée sur la FIG. 1 . Une sous-étape S13’ identique à la sous-étape S13 décrite précédemment en relation avec la FIG. 24 , la FIG. 24 et la FIG. 24 et une sous-étape S14’ identique à la sous-étape S14 décrite précédemment en relation avec la FIG. 25 , la FIG. 25 et la FIG. 25 sont ensuite successivement mises en œuvre. Ainsi, à l’issue de la sous-étape S134, les motifs 120 de matériau diélectrique 80 sont formés. Lors d’une sous-étape S15’ identique à la sous-étape E13 illustrée sur la FIG. 3 est mise en œuvre sur le dispositif obtenu à l’issue de la sous-étape S14’. A l’issue de la sous-étape S15’, l’élément de support 42 de chaque pixel est formé. Finalement, des sous-étapes S16’ et S17’ respectivement identiques aux sous-étapes E14 (cf. FIG. 4 ) et E15 (cf. FIG. 5 ) sont successivement mises en œuvre à partir du dispositif obtenu à l’issue de la sous-étape S15’. Procédé (E, S) de fabrication d’un dispositif d’affichage électroluminescent (1, 2) comportant une étape de formation (E1, E1’, S1) d’une pluralité de pixels (40) sur un substrat (11), les pixels (40) étant séparés les uns des autres selon au moins une direction dite de différenciation (X,Y) comprise dans un plan ({X,Y}) du substrat (11), chaque pixel (40) comprenant une électrode inférieure (41), un élément de support (42) supportant l’électrode inférieure (41), une électrode supérieure (44) et un élément actif (43) disposé entre les électrodes inférieure et supérieure (41, 44), ladite étape (E1) de formation des pixels comprenant les sous-étapes successives suivantes : Formation, sur une surface (11a) du substrat (11), des éléments de support (42) et des électrodes inférieures (41) des pixels (40), les électrodes inférieures (41) étant séparées les unes des autres, chaque élément de support (42) présentant une hauteur (h 42 ) et au moins une dimension, dite de différenciation, dans un plan parallèle au plan du substrat, chaque dimension de différenciation étant mesurée selon une direction de différenciation (X,Y) et étant strictement inférieure à la dimension correspondante de l’électrode inférieure (41) qu’il supporte, la hauteur (h 42 ) de l’élément de support (42) étant strictement supérieure à la somme (e 43 +e 44 ) de l’ épaisseur de l’élément actif et de l’épaisseur de l’électrode supérieure, Dépôt (E14, E14’, S17) sur toute la surface (11a) du substrat (11) d’un premier empilement (431) de couches organiques, d’où il résulte les éléments actifs (43) des pixels (40), séparés les uns des autres selon ladite au moins une direction de différenciation (X,Y), et disposés sur les électrodes inférieures (41) des pixels (40), le premier empilement (431) de couches organiques étant configuré pour générer un premier rayonnement, Dépôt (E15, E15’, S18) sur toute la surface (11a) du substrat (11) d’une couche conductrice transparente, d’où il résulte les électrodes supérieures (44) des pixels (40), séparées les unes des autres selon ladite au moins une direction de différenciation (X, Y) et disposées sur les éléments actifs (43) des pixels. Procédé (S) de fabrication selon la revendication 1, dans lequel l’élément de support (42) de chaque pixel (40) présente une seule dimension de différenciation (d 42X ) et une dimension mesurée dans une direction, dite de non-différenciation (d 42 Y ), sécante à la direction de mesure de la dimension de différenciation, la dimension (d 42 Y ) mesurée dans la direction de non-différenciation étant égale ou supérieure à la dimension correspondante de l’électrode inférieure (41) que ledit élément de support (42) supporte. Procédé (E) de fabrication selon la revendication 1, dans lequel l’élément de support (42) de chaque pixel (40) présente une première dimension de différenciation mesurée selon une première direction de différenciation (X), et une deuxième dimension de différenciation, mesurée selon une deuxième direction de différenciation (Y) sécante à la première direction de différenciation (X). Procédé (E) de fabrication selon la revendication 3, dans lequel chaque élément de support (42) comprend une surface latérale périphérique (42d) disposée en retrait d’une surface latérale périphérique (41d) de l’électrode inférieure (41) qu’il supporte. Procédé de fabrication selon la revendication 4, dans lequel la distance minimale de retrait (d r ) entre la surface latérale périphérique (42d) de l’élément de support (42) et la surface latérale périphérique (41d) de l’électrode inférieure (41) supportée par ledit élément de support (42) est strictement supérieure à 100 nm. Procédé (E, S) de fabrication selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel la sous-étape de formation des éléments de support (42) et des électrodes inférieures (41) des pixels (40) comporte les opérations suivantes : Fourniture (E11) d’une structure multicouche (10) comprenant le substrat (11), une couche diélectrique (12) disposée sur le substrat (11), une première couche conductrice (13) disposée sur la couche diélectrique (12) et des via conducteurs (14) traversant la couche diélectrique (12), chaque via conducteur (14) reliant la première couche conductrice (13) à un plot conducteur (14) du substrat (11), Formation d’un masque de gravure sur la première couche conductrice (13), Gravure (E12), au travers du masque, de la première couche conductrice (13) pour obtenir les électrodes inférieures (41) des pixels (40), chaque électrode inférieure (41) étant connectée à un via conducteur (14), Gravure (E13) de la couche diélectrique (12), de manière isotrope et sélective par rapport à la première couche conductrice (13), de manière à former les éléments de support des électrodes inférieures des pixels, chaque élément de support (42) comprenant un via conducteur (14). Procédé de fabrication selon la revendication 6, dans lequel la couche diélectrique (12) est gravée partiellement, d’où il résulte que chaque élément de support (42) comprend un via conducteur (14) et une portion de la couche diélectrique entourant le via conducteur. Procédé de fabrication (S) selon l’une des revendications 6 à 7 prise dans la dépendance de la revendication 2, dans lequel la sous-étape de formation des éléments de support (42) et des électrodes inférieures (41) des pixels (40) comprend en outre, entre l’opération de gravure de la première couche conductrice (13) et l’opération de gravure de la couche diélectrique (12), une opération de remplissage (S13, S14), avec un matériau diélectrique (80), de chaque espace séparant deux électrodes inférieures (41) voisines disposées selon la direction de non-différenciation, l’opération de remplissage comprenant un fluage du matériau diélectrique (80) configuré pour former une surépaisseur du matériau diélectrique (80)débordant sur l’électrode inférieure (41) de chaque pixel. Procédé de fabrication (E, S) selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel la sous-étape (E1’, S1) de formation des éléments de support (42) et des électrodes inférieures (41) des pixels (40) comporte les opérations suivantes : Fourniture (E11’, S11) d’une structure multicouche (10’) comprenant le substrat (11), une couche diélectrique (12) disposée sur le substrat (11) , une première couche conductrice (13) disposée sur la couche diélectrique (12), une deuxième couche conductrice (15) disposée sur la première couche conductrice (13) et des via conducteurs (14) traversant la couche diélectrique (12), chaque via conducteur (14) reliant la première couche conductrice (13) à un plot conducteur (14) du substrat (11), les première et deuxième couche conductrices (13, 15) étant formées de matériaux conducteurs différents, Formation d’un masque de gravure sur la deuxième couche conductrice (15), Gravure (E12’, S12), au travers du masque, des première et deuxième couches conductrices (13, 15) pour obtenir une pluralité de motifs conducteurs (410) séparés les uns des autres, chaque motif conducteur (410) étant connecté à un via conducteur (14), Gravure partielle (E13’, S15) de la première couche conductrice (13), de manière isotrope et sélective par rapport à la deuxième couche conductrice (15), les électrodes inférieures (41) des pixels (40) étant délimités dans la deuxième couche conductrice (15) et les éléments de support (42) étant délimités dans la première couche conductrice (13). Procédé de fabrication selon la revendication 9 prise dans la dépendance de la revendication 2, dans lequel la sous-étape de formation des éléments de support (42) et des électrodes inférieures (41) des pixels (40) comprend en outre, entre l’opération (S12) de gravure des première et deuxième couches conductrices (13, 15) et l’opération (S15) de gravure partielle de la première couche conductrice (13), une opération de remplissage (S13, S14), avec un matériau diélectrique (80), de chaque espace séparant deux électrodes inférieures (41) voisines disposées selon la direction de non-différenciation, l’opération de remplissage (S13, S14) comprenant un fluage (S13) du matériau diélectrique (80) configuré pour former une surépaisseur du matériau diélectrique (80) débordant sur chaque motif conducteur (410). Procédé de fabrication (E, S) selon l’une des revendications 1 à 10, comprenant, après l’étape (E1, E1’, S1) de formation des pixels (40), une étape (E2, S2) de dépôt d’une couche de passivation (50) sur les pourtours des pixels (40) et sur le substrat (11). Procédé de fabrication (E, S) selon la revendication 11, dans lequel le dépôt (E2, S2) de la couche de passivation (50) est effectué selon une technique dépôt conforme, de préférence une technique de dépôt par couches minces atomiques. Procédé de fabrication (E, S) selon l’une des revendications 11 à 12, dans lequel la hauteur (h 42 ) de chaque élément de support (42) est strictement supérieure à la somme (e 434450 ) des épaisseurs de la couche de passivation (50), de l’élément actif (42) et de l’électrode supérieure (44). Procédé de fabrication (E, S) selon l’une des revendications 11 à 13, comprenant, après l’étape (E2, S2) de dépôt de la couche de passivation (50) sur les pourtours des pixels et le substrat, une étape (E4, S4) de formation d’une électrode commune (70) à tous les pixels (40) comprenant les sous-étapes suivantes : Remplissage (E41) de l’espace libre entre les pixels (40) par un matériau diélectrique (80), Gravure (E42) de la couche de passivation (50) pour obtenir des ouvertures (90) sur les pixels (40), chaque ouverture (90) donnant accès à l’électrode supérieure (44) d’un des pixels (40), Dépôt (E43) d’un matériau conducteur et transparent dans les ouvertures (90) et entre les ouvertures (90). Procédé de fabrication (E, S) selon la revendication 14, dans lequel le matériau diélectrique (80) déposé dans les ouvertures (90) et entre les ouvertures (90) lors de la sous-étape de remplissage (E41) de l’étape (E4, S4) de formation de l’électrode commune (70) est une résine permanente, de préférence une résine permanente optiquement absorbante. Procédé de fabrication (E, S) selon l’une des revendications 14 à 15, dans lequel l’électrode commune (70) est en oxyde de zinc dopé à l'aluminium (AZO). Procédé de fabrication (E, S) selon l’une des revendications 14 à 16, dans lequel la sous-étape de remplissage (E41) est configurée pour former une surépaisseur (81) du matériau diélectrique (80) entre les pixels (40) et débordant sur les pixels (40). Procédé de fabrication (E, S) selon l’une des revendications 11 à 17, comprenant, après l’étape (E2, S2) de dépôt de la couche de passivation (50), une étape (E3, S3) de remplacement d’une partie seulement des pixels pour former un groupe de pixels configurés pour générer une deuxième rayonnement distinct du premier rayonnement, ladite étape (E3, S3) de remplacement comprenant les sous-étapes successives suivantes : Formation (E31) d’un premier masque pour exposer les pixels de ladite partie et protéger les autres pixels, Gravure (E31) successive, au travers du premier masque, de la couche de passivation (50), de l’électrode supérieure (44) et du premier empilement de couches organiques (431) des pixels (40) de ladite partie, Retrait (E31) du premier masque, Dépôt (E32), sur la surface du substrat, d’un deuxième empilement de couches organiques (432) configuré pour émettre le deuxième rayonnement, d’où il résulte les éléments actifs (43) des pixels (40) dudit groupe, Dépôt (E33), sur la surface du substrat (11), d’une couche conductrice et transparente additionnelle, d’où il résulte les électrodes supérieures (44) des pixels dudit groupe, Dépôt (E34) d’une couche de passivation (51) sur les contours des pixels (40), Formation (E35) d’un deuxième masque pour protéger les pixels de ladite partie et exposer les autres pixels, Gravure (E35), au travers du deuxième masque, de la couche de passivation (51) déposée sur les contours des pixels dudit groupe, de la couche transparente additionnelle et du deuxième empilement 432 de couches organiques, Retrait (E35) du deuxième masque. Dispositif d’affichage électroluminescent (1, 2) comportant une pluralité de pixels (40) disposés sur un substrat (11) et séparés les uns des autres selon au moins une direction (X,Y), dite de différenciation, comprise dans un plan ({X,Y}) du substrat (11), chaque pixel (40) comprenant une électrode inférieure (41), un élément de support (42) supportant l’électrode inférieure (41), une électrode supérieure (44) transparente et un élément actif (43) disposé entre les électrodes inférieure et supérieure (41, 44), l’élément actif (43) de chaque pixel (40) comprenant une partie d’un empilement (431) de couches organiques configuré pour générer un rayonnement, et dans lequel chaque élément de support (42) est entièrement ou en partie conducteur et présente : Au moins une dimension, dite de différenciation, dans un plan parallèle au plan du substrat, chaque dimension de différenciation étant mesurée selon une direction de différenciation (X,Y) et étant strictement inférieure à la dimension correspondante de l’électrode inférieure (41) qu’il supporte, Une hauteur (h42) strictement supérieure à la somme de l’épaisseur (e 43 ) de l’élément actif (42) et de l’épaisseur (e 44 ) de l’électrode supérieure (44) disposés sur ladite électrode inférieure (41). Dispositif (2) d’affichage électroluminescent selon la revendication 19, dans lequel l’élément de support (42) de chaque pixel (40) présente une seule dimension de différenciation (d 42X ) et une dimension mesurée dans une direction, dite de non-différenciation (d 42 Y ), sécante à la direction de mesure de la dimension de différenciation, la dimension (d 42 Y ) mesurée dans la direction de non-différenciation étant égale ou supérieure à la dimension correspondante de l’électrode inférieure (41) que ledit élément de support (42) supporte. Dispositif (1) d’affichage électroluminescent selon la revendication 19, dans lequel l’élément de support (42) de chaque pixel (40) présente une première dimension de différenciation (d 42 X ) mesurée selon une première direction de différenciation (X), et une deuxième dimension de différenciation (d 42 Y ), mesurée selon une deuxième direction de différenciation (Y) sécante à la première direction de différenciation (X). Dispositif (1,2) d’affichage électroluminescent selon l’une des revendications 19 à 21, dans lequel l’élément de support (42) de chaque pixel (40) comporte un pilier de matériau diélectrique (12) et un via conducteur traversant (14) situé à l’intérieur du pilier de matériau diélectrique (12). Dispositif (1,2) d’affichage électroluminescent selon l’une des revendications 19 à 21, dans lequel l’élément de support (42) de chaque pixel (40) est un pilier plein conducteur formé d’un matériau métallique (13). Dispositif (1,2) d’affichage électroluminescent selon l’une des revendications 19 à 23, dans lequel l’élément actif de chaque pixel (40) est formé d’un empilement de couches organiques configuré pour émettre un premier rayonnement. Dispositif (1,2) d’affichage électroluminescent selon l’une des revendications 19 à 23, dans lequel les pixels (40) sont répartis en des premier, deuxième et troisième groupes (G1, G2, G3) de pixels, l’élément actif de chaque pixel du premier groupe étant formé d’un empilement de couches organiques configuré pour générer le premier rayonnement, l’élément actif de chaque pixel du deuxième groupe étant formé d’un empilement de couches organiques configuré pour générer un deuxième rayonnement distinct du premier rayonnement, et l’élément actif de chaque pixel du troisième groupe étant formé d’un empilement de couches organiques configuré pour générer un troisième rayonnement distinct du premier rayonnement et distinct du deuxième rayonnement.