Brevet FR3163803A1 — publié le 20251226

Pixel à grande plage dynamique La présente description concerne un pixel (1) comprenant un élément photosensible (PD) et un filtre (110) au-dessus d'une face (102) de l'élément photosensible destinée à recevoir de la lumière. Le filtre (110) comprend une pluralité de motifs identiques (112) en un matériau à changement de phase. Le filtre (1) comprend une pluralité d'éléments chauffants définis dans une couche électriquement conductrice (114) du filtre et configurés pour qu'une température des éléments chauffants détermine une température du matériau à changement de phase. Le pixel (1) comprend en outre un circuit pour commander la température des éléments chauffants. Figure pour l'abrégé : Fig. 1 Pixel à grande plage dynamique La présente description concerne de façon générale les circuits électroniques, et, plus particulièrement un pixel à grande plage dynamique (HDR de l'anglais "High Dynamic Range") et un capteur de lumière comprenant une pluralité de pixel à grande plage dynamique. Un pixel est un élément configuré pour convertir de la lumière reçue dans une plage de longueurs d'onde de fonctionnement du pixel, en un signal de sortie du pixel, par exemple un courant ou une tension, ayant une valeur représentative de la quantité de lumière reçue. Lorsqu'un pixel sensible fonctionne en condition de faible luminosité, une faible variation de la quantité de lumière reçue entraîne une variation correspondante du signal de sortie du pixel. Toutefois, un inconvénient d'un pixel sensible est que, lorsqu'il fonctionne en condition de forte luminosité, le signal de sortie du pixel sature et sa valeur n'est plus représentative de la quantité de lumière reçue. A l'inverse, un pixel moins sensible permet, lorsqu'il fonctionne en condition de forte luminosité, que son signal de sortie ne sature pas et soit bien représentatif de la quantité de lumière reçue. Toutefois, lorsqu'un pixel moins sensible fonctionne en condition de faible luminosité, la quantité de lumière reçue n'est pas suffisante pour entrainer une variation correspondante du signal de sortie du pixel, et la lumière n'est pas détectée par le pixel. Pour pallier aux inconvénients ci-dessus, il a été proposé des pixels dits à grande plage dynamique, c'est à dire des pixels permettant d'obtenir un signal de sortie du pixel qui varie avec la quantité de lumière reçue, que le pixel fonctionne en condition de faible luminosité ou en condition de forte luminosité. A titre d'exemple, un pixel est dit à grande plage dynamique lorsque son signal de sortie varie de manière sensiblement linéaire sur une plage dynamique d'au moins 80 dB, de préférence d'au moins 90 dB. Plus préférentiellement, un pixel est dit à grande plage dynamique lorsque son signal de sortie varie de manière sensiblement linéaire sur une plage dynamique d'au moins 100 dB, de préférence d'au moins 115 dB. Toutefois, ces pixels à grande plage dynamique présentent divers inconvénients. Par exemple, ces pixels sont plus complexes et/ou plus encombrants à mettre en œuvre. Par exemple ces pixels nécessitent des circuits de traitement spécifiques plus complexes et/ou couteux à mettre en œuvre. Il existe un besoin pour un pixel à grande plage dynamique qui pallie tout ou partie des inconvénients des pixels à grande plage dynamique connus. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des pixels à grande plage dynamique connus. Un mode de réalisation prévoit un pixel comprenant : un élément photosensible ; un filtre au-dessus d'une face de l'élément photosensible destinée à recevoir de la lumière, le filtre comprenant : - une pluralité de motifs identiques en un matériau à changement de phase, et - une pluralité d'éléments chauffants définis dans une couche électriquement conductrice du filtre, la couche électriquement conductrice étant parallèle à ladite face destinée à recevoir de la lumière et les éléments chauffants étant configurés pour qu'une température des éléments chauffants détermine une température du matériau à changement de phase des motifs ; et un circuit configuré pour commander la température des éléments chauffants. Selon un mode de réalisation, le filtre est configuré pour qu'un taux de transmission du filtre pour de la lumière dans une plage de longueurs d'onde de fonctionnement dépende d'un état du matériau à changement de phase. Selon un mode de réalisation, les motifs sont arrangés de manière périodique. Selon un mode de réalisation, chaque motif comprend deux faces parallèles entre elles et à la couche électriquement conductrice, le motif s'étendant de l'une à l'autre desdites deux faces et ayant une première desdites deux faces qui est tournée vers la couche électriquement conductrice. Selon un mode de réalisation, le filtre comprend, pour chaque motif, une portion de couche antireflet reposant sur et contact avec celle desdites deux faces du motif qui est destinée à recevoir de la lumière. Selon un mode de réalisation : la couche antireflet est en nitrure ou en oxyde de tantale, par exemple en pentoxyde de tantale, et le matériau à changement de phase est du trisulfure d'antimoine, du sulfure d'antimoine, du sulfure de germanium ou du tellurure de germanium. Selon un mode de réalisation, le filtre comprend en outre, du côté des deuxièmes faces des motifs, une couche thermiquement conductrice. Selon un mode de réalisation, la couche thermiquement conductrice est en un matériau transparent à des longueurs d'onde de fonctionnement du pixel, par exemple en oxyde d'indium étain. Selon un mode de réalisation, la couche électriquement conductrice est en un matériau transparent à des longueurs d'onde de fonctionnement du pixel, par exemple en oxyde d'indium étain. Un autre mode de réalisation prévoit un capteur de lumière comprenant une pluralité de pixels tels que définis ci-dessus. Un autre mode de réalisation prévoit une méthode comprenant : commander, dans un pixel comprenant un élément photosensible et un filtre au-dessus d'une face de l'élément photosensible destinée à recevoir de la lumière, avec un circuit du pixel, une température d'une pluralité d'éléments chauffants définis dans une couche du filtre qui est électriquement conductrice et parallèle à ladite face destinée à recevoir de la lumière, de sorte à modifier un état d'une pluralité de motifs identiques en un matériau à changement de phase. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 représente, par une vue en coupe schématique, un exemple d'un mode de réalisation d'un pixel à grande plage dynamique ; la FIG. 2 représente, par une vue en perspective schématique, un exemple de détail de mise en œuvre d'un filtre du pixel de la FIG. 1 selon un mode de réalisation ; la FIG. 3 illustre par des courbes le fonctionnement d'un exemple de mode de réalisation du filtre du pixel de la FIG. 1 ; et la FIG. 4 représente, de manière schématique et sous la forme de blocs, un exemple d'un capteur comprenant une pluralité de pixels du type de celui de la FIG. 1 . De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % ou à 10° près, de préférence à 5 % ou à 5° près. Il est ici proposé un pixel comprenant un filtre configurable dynamiquement de sorte que le taux de transmission du filtre, pour de la lumière reçue dans une plage de longueurs d'onde de fonctionnement du filtre, soit commandable, par exemple entre au moins un état de forte transmission pour lequel le taux de transmission est, par exemple, d'au moins 80%, voire d'au moins 90%, et un état de faible transmission pour lequel le taux de transmission est, par exemple, au plus de 20%, voire au plus 10%. Ainsi, le pixel peut être prévu pour fonctionner en condition de faible luminosité, le filtre étant alors commandé pour avoir un taux de transmission élevé, et en condition de forte luminosité, le filtre étant alors commandé pour avoir un taux de transmission faible, de sorte que, de préférence, le signal de sortie du pixel ne sature pas. Plus particulièrement, le filtre proposé comprend une pluralité de motifs en un matériau à changement de phase, et une pluralité d'éléments chauffants configurés pour qu'une température des éléments chauffants détermine une température du matériau à changement de phase. Ainsi, lorsque pour une plage de longueurs d'onde de fonctionnement du pixel ou du filtre, le taux de transmission du filtre dépend de l'état du matériau à changement de phase, le taux de transmission du filtre peut être commandé en modifiant l'état du matériau à changement de phase, c'est à dire en commandant la température des éléments chauffants. Un avantage d'un tel filtre est qu'il suffit de le prévoir dans un pixel configuré pour fonctionner en condition de faible luminosité pour que ce pixel devienne un pixel à grande plage dynamique. Le pixel ainsi obtenu est donc moins complexe, moins encombrant et/ou moins coûteux à mettre en œuvre que les pixels à grande plage dynamique connus. En particulier, le pixel obtenu est, par exemple, moins complexe à mettre en œuvre en termes de procédé de fabrication CMOS (de l'anglais "Complementary Metal Oxide Semiconductor" – Métal Oxyde Semiconducteur complémentaire). En outre, le pixel ainsi obtenu ne nécessite pas de circuits de traitement complexes, encombrants et/ou coûteux comme c'est le cas des pixels à grande plage dynamique connus, par exemple les pixels à grande plage dynamique connus configurés pour mettre en œuvre des acquisitions à plusieurs durées d'expositions (en anglais "multiple exposure time"). La FIG. 1 représente, par une vue en coupe schématique, un exemple d'un mode de réalisation d'un pixel 1. Le pixel 1 comprend un élément photosensible PD. Par exemple, l'élément de photoconversion PD correspond à une portion d'un substrat semiconducteur 100. Par exemple, l'élément photosensible PD s'étend d'une face arrière 102 (face supérieure en FIG. 1 ) à une face avant 104 (face inférieure en FIG. 1 ) du substrat 100. De manière usuelle, des composants électroniques (non représentés en FIG. 1 ), comme par exemple des transistors et/ou des grilles de transfert horizontales ou verticales, sont disposées dans et/ou sur le substrat 100, du côté de sa face avant 104. De manière usuelle, une structure d'interconnexion 106, par exemple de type BEOL (de l'anglais "back end of line" – fin de ligne), repose sur la face avant 104 du substrat 100 et comprend des portions de couches électriquement conductrices (non représentées en FIG. 1 ) reliées entre elles par des vias électriquement conducteurs (non représentés en FIG. 1 ) pour connecter électriquement, entre eux et/ou à des plots de connexion, des composants électroniques disposés du côté de la face avant 104. Dans l'exemple de la FIG. 1 , le pixel 1 est à éclairement par la face arrière 102. Dit autrement, le pixel 1 est configuré pour que son élément photosensible PD reçoive de la lumière à convertir du côté de la face arrière 102 du substrat 100. Dit encore autrement, l'élément photosensible PD est configuré pour recevoir de la lumière par une face du l'élément photosensible PD qui est disposée du côté de la face arrière 102 du substrat 100. A titre d'exemple, l'élément photosensible PD est délimité latéralement par des structures d'isolation 105, comme par exemple des tranchées d'isolation profondes (DTI de l'anglais "Deep trench isolation") ou des tranchées d'isolation profondes capacitives (CDTI de l'anglais "Capacitive DTI"). La face 102 du substrat 100, c'est à dire la face 102 de l'élément PD dans l'exemple de la FIG. 1 , est, de préférence, revêtue d'une couche de passivation 108 reposant sur et en contact avec la face 102. Le pixel 1 comprend en outre un filtre 110. Le filtre 110 est disposé au-dessus de la face 102 de l'élément PD qui est destinée à recevoir de la lumière. De préférence, le filtre 110 est en regard de toute la surface de l'élément photosensible PD qui est destinée à recevoir de la lumière. A titre d'exemple, le filtre 110 repose sur la couche de passivation 108, par exemple en contact avec la couche de passivation 108. Le filtre 110 comprend une pluralité de motifs identiques 112. Les motifs 112 sont en un matériau à changement de phase. Par exemple, chaque motif 112 comprend une première face tournée vers l'élément PD et parallèle à la face 102, une deuxième face parallèle à la première face, et s'étend de l'une à l'autre de ces première et deuxième faces. Les motifs 112 sont disposés dans une couche diélectrique 113. Bien que cela ne soit pas visible en FIG. 1 , à titre d'exemple, chaque motif a une forme cylindrique s'étendant en hauteur de l'une à l'autre des première et deuxième faces, la base du cylindre étant, par exemple, circulaire ou polygonale régulière. A titre d'exemple de base polygonale régulière, la base du motif 112peut être triangulaire, hexagonale, carrée, octogonale, décagonale, dodécagonale etc… De préférence, les motifs 112 sont organisés de manière périodique, par exemple dans deux directions orthogonales entre elles et parallèles à la face 102. Par exemple, la période d'un réseau formé par les motifs 112 est déterminé par une plage de longueurs d'onde de fonctionnement du pixel 1, par exemple par une plage de longueurs d'onde du filtre 110. De préférence, pour une plage de longueurs d'onde de fonctionnement du filtre 110, les motifs 112 et la couche 113 forment un filtre fano-résonant au moins pour un état donné, par exemple l'état cristallin, du matériau à changement de phase. Le filtre 110 comprend en outre une couche électriquement conductrice 114. La couche 114 est parallèle à la face 102, ou, dit autrement s'étend parallèlement à la face 102. Bien que cela ne soit pas visible en FIG. 1 , des éléments chauffants sont définis dans la couche 114. Ces éléments chauffants sont configurés pour qu'une température des éléments chauffants détermine une température du matériau à changement de phase des motifs 112, et donc l'état, par exemple cristallin ou amorphe, du matériau à changement de phase. La couche 114 est en un matériau transparent dans la plage de longueurs d'onde de fonctionnement du filtre 110. Par exemple, la couche 114 est en un matériau transparent pour les longueurs d'onde de fonctionnement du pixel 1. A titre d'exemple, une couche est dite en un matériau transparent à une longueur d'onde donnée lorsque plus 80%, de préférence plus de 90%, d'un rayonnement lumineux à cette longueur d'onde est transmis à travers l'épaisseur de cette couche. Dans l'exemple de la FIG. 1 , la couche 114 est disposée entre la face 102 et les motifs 112. Dit autrement, les faces des motifs 112 qui sont tournées vers l'élément photosensible PD sont également tournées vers la couche 114. Dans l'exemple de la FIG. 1 , la couche 114 repose sur, et par exemple en contact avec, la couche de passivation 108. Dans ce cas, chaque motif 112 a sa face tournée vers l'élément PD qui est, par exemple, en contact avec la couche 114, par exemple, avec un ou plusieurs des éléments chauffants définis dans la couche 114. Dans d'autres exemples non illustrés, la couche 114 est disposée du coté des faces des motifs 112 qui ne sont pas tournées vers la face 102 de l'élément PD. Dit autrement, dans ces autres exemples, les motifs 112 sont disposés entre la face de l'élément PD qui est destinée à recevoir de la lumière et la couche 114. En outre, bien que cela ne soit pas illustré en FIG. 1 , le pixel 1 comprend un circuit configuré pour commander la température des éléments chauffants définis dans la couche 114. Par exemple, le circuit est configuré pour commander une valeur d'un courant circulant dans la couche 114, par exemple de sorte que plus le courant est élevé, plus la température des éléments chauffants est élevée. Selon un mode de réalisation, le circuit commandant le filtre 110, c'est à dire la température des éléments chauffants, est configuré pour commander le filtre sur la base de la valeur du signal (tension ou courant) de sortie du pixel. Par exemple, lorsque le signal de sortie du pixel dépasse un seuil et se rapproche d'une valeur de saturation, le circuit est configuré pour commander le filtre 110 de sorte à réduire le taux de transmission du filtre. Selon un mode de réalisation, le filtre 110 comprend une couche thermiquement conductrice 116. La couche 116 est disposée du côté des faces des motifs 112 qui sont opposées aux faces des motifs tournées vers la couche 114, c'est à dire du côté des faces supérieures des motifs 112 dans l'exemple de la FIG. 1 où les faces inférieures des motifs 112 sont tournées vers la couche 114. Ainsi, dans l'exemple la FIG. 1 , la couche 116 est disposée au-dessus des motifs 112. La couche 116 est configurée pour évacuer de la chaleur depuis les motifs 112. Dit autrement, la couche 116 est un radiateur pour les motifs 112. Par exemple, la couche 116 est en un matériau transparent pour les longueurs d'onde de fonctionnement du pixel 1. Par exemple, la couche 116 est en un matériau transparent pour les longueurs d'onde de fonctionnement du filtre 110. Dans des variantes de réalisation, la couche 116 peut être omise. Selon un mode de réalisation, le filtre comprend, pour chaque motif 112, une portion de couche antireflet 118 reposant sur et contact avec la face du motif 112 qui est opposée à la face du motif tournée vers la face 102 de l'élément PD destinée à revoir de la lumière. Dit autrement, le filtre comprend, pour chaque motif 112, une portion de couche antireflet 118 reposant sur et contact avec la face du motif 112 qui est destinée à recevoir de la lumière. Ainsi, dans l'exemple de la FIG. 1 , chaque motif 112 a sa face supérieure revêtue par une portion de couche antireflet 118. A titre d'exemple, cette portion de couche antireflet met en œuvre une fonction antireflet dans la plage de longueurs d'onde de fonctionnement du filtre 110. A titre d'exemple, pour chaque motif 112, la portion de couche antireflet 118 qui recouvre le motif 112 a, dans des plans parallèles à la face 102, les mêmes dimensions que celles du motif 112. A titre d'exemple, en FIG. 1 où la couche 114 est disposée entre la face 102 et les motifs 112, et où le filtre 110 comprend la couche 116, cette dernière peut être en contact avec les portions antireflets 118. De manière usuel, le pixel 1 peut comprendre d'autres éléments reposant sur le filtre 110, du côté du filtre 110 qui est destiné à recevoir de la lumière. Par exemple, comme cela est illustré en FIG. 1 , le pixel 1 peut comprendre une couche diélectrique 120 reposant sur, et par exemple en contact avec, la face du filtre 110 qui est destinée à recevoir de la lumière. Dans l'exemple de la FIG. 1 , cette couche 120 repose sur et en contact avec la couche 116. Par exemple, comme cela est illustré en FIG. 1 , le pixel 1 peut comprendre, en plus du filtre 110, un filtre 122, par exemple un filtre configuré pour laisser de la lumière visible ayant une longueur d'onde comprises dans une plage donnée de longueurs d'onde visibles, par exemple un filtre pour de la lumière visible bleue, verte ou rouge. Dans l'exemple de la FIG. 1 , ce filtre 122, par exemple en résine ou par exemple un filtre multicouches interférométrique, repose sur la couche 120, par exemple en contact avec la couche 120. Par exemple, comme cela est illustré en FIG. 1 , le pixel 1 peut comprendre une microlentille 124 reposant du côté du filtre 110 qui est destiné à recevoir de la lumière. Dans l'exemple de la FIG. 1 , la microlentille 124 repose sur, et par exemple en contact avec, le filtre 122. A titre d'exemple, le filtre 110 est configuré pour fonctionner dans une plage de longueurs d'onde appartenant au domaine du (NIR de l'anglais "Near InfraRed"), le proche infrarouge correspondant à une plage de longueur d'onde allant, par exemple, de 700 nm à 1 µm. Par exemple, le filtre 110 est configuré pour que son taux de transmission dépende de l'état du matériau à changement de phase de ses motifs 112 dans une plage de longueurs d'onde allant d'environ 920 nm à environ 945 nm, cette plage correspondant alors à la plage de longueurs d'onde de fonctionnement du filtre. Dans ce cas, le matériau à changement de phase est, par exemple, du trisulfure d'antimoine (Sb 2 S 3 ), les portions antireflets pouvant alors être, par exemple, en pentoxyde de tantale (Ta 2 O 5 ). Toutefois, le matériau à changement de phase des motifs 112 et/ou le matériau des portions antireflet 118 ne se limitent pas à l'exemple donné ci-dessus, et la personne du métier sera en mesure d'adapter ces matériaux en fonction de la plage de longueurs d'onde de fonctionnement du filtre 110. Par exemple, la personne du métier pourra choisir le matériau à changement de phase parmi le trisulfure d'antimoine, du sulfure d'antimoine, du sulfure de germanium ou du tellurure de germanium. Par exemple, la personne du métier pourra utiliser d'autres matériaux pour les portions antireflet 118, par exemple d'autre oxyde de tantale ou du nitrure. Selon un mode de réalisation, lorsque le filtre 110 est configuré pour fonctionner dans une plage de longueurs d'onde appartenant au domaine du proche infra-rouge ou au domaine de l'infrarouge, le filtre 110 est en outre configuré pour que son taux de transmission de la lumière visible soit d'au moins 50%, de préférence d'au moins 60%, quel que soit l'état du matériau à changement de phase des motifs 112. Selon un mode de réalisation, un procédé de commande du filtre 110 comprend une commande de la température des éléments chauffants du filtre, de sorte à modifier l'état du matériau à changement de phase des motifs 112 du filtre, c'est à dire, par exemple, de sorte à modifier l'état du matériau à changement de phase entre un état cristallin et un état amorphe. Il en résulte alors une modification du taux de transmission du filtre 110 dans sa plage de longueurs d'onde de fonctionnement. La FIG. 2 représente, par une vue en perspective schématique, un exemple de détail de mise en œuvre du filtre 110 du pixel 1 selon un mode de réalisation. Plus particulièrement, la FIG. 2 représente une portion du filtre 110, la couche 116 n'étant pas représentée et la portion représentée en FIG. 2 comprenant un seul des motifs 112 du filtre 110. Dans cet exemple, la couche électriquement conductrice 114 comprend des ouvertures 200 traversant la couche 114 sur toute son épaisseur. Les ouvertures sont, par exemple, disposées de manière périodique dans les deux directions orthogonales entre elles et parallèles à la face 102 de l'élément photosensible. A titre d'exemple, les ouvertures 200 ont, en vue de dessus, une forme sensiblement circulaire ou ovale. Les ouvertures 200 définissent des portions 202 de la couche 114 qui correspondent aux éléments chauffants du filtre 110. Par exemple, entre chaque deux ouvertures 200, la couche 114 comprend un élément chauffant 202. Selon un mode de réalisation, une matrice d'éléments chauffants 202 est définie dans la couche 114, au moyen des ouvertures 200. Dans cet exemple, le motif 112 a une forme cylindrique à base circulaire. En outre, dans cet exemple, le motif 112 a une face revêtue d'une portion de couche antireflet 118. A titre d'exemple, chaque motif 112 est disposé sur une ouverture 200 correspondante. Le motif 112 peut déborder sur la couche 114, et, plus particulièrement sur un ou plusieurs éléments chauffants 202. Par exemple, lorsque la couche 114 comprend des ouvertures 200 de forme ovale ou elliptique et que chaque motif 112 est disposé sur une ouverture 200 correspondante, le motif 122 peut déborder sur la couche 114 de part et d'autre de l'ouverture 200 prise dans le sens de sa largeur (à gauche et à droite de l'ouverture 200 en FIG. 2 ), ou, dit autrement, le motif 112 peut déborder sur des éléments chauffants 202 adjacents. La personne du métier sera en mesure de prévoir d'autres façons de mettre en œuvre les éléments chauffants 202 définis dans la couche 114. Par exemple, des pistes conductrices ayant des sections transversales identiques et constantes peuvent être définies dans la couche 114, et chaque piste conductrice constitue alors un élément chauffant 202. De plus, comme cela a été souligné précédemment, la personne du métier sera en mesure de prévoir d'autres formes de motifs 112 que celle illustrée en FIG. 2 . La FIG. 3 par des courbes 300 et 302 le fonctionnement d'un exemple de mode de réalisation du filtre 110 du pixel 1 de la FIG. 1 , lorsque le filtre 110 est mis en œuvre comme cela est illustré en FIG. 2 . Plus particulièrement, dans cet exemple, le filtre 110 est configuré pour que son taux de transmission soit commandable dans la plage de longueurs d'onde allant de d'environ 920 nm à environ 945 nm. Cette plage de longueurs d'onde dans laquelle le taux de transmission du filtre est commandable en modifiant l'état du matériau à changement de phase des motifs 112 correspond à la plage de longueurs d'onde de fonctionnement du filtre. Dans cet exemple : - le matériau à changement de phase des motifs 112 est du trisulfure d'antimoine (Sb 2 S 3 ) et les portions antireflets 118 sont en pentoxyde de tantale (Ta 2 O 5 ) ; - la couche électriquement conductrice 114 est en oxyde d'indium étain (ITO de l'anglais 'Indium Tin Oxide") ; - le filtre 110 comprend la couche 116, et celle-ci est en oxyde d'indium étain ; - la couche 113 du filtre est en oxyde de silicium ; - l'épaisseur (ou hauteur) de chaque motif 112 est de 180 nm ; - la période de répétition des motifs 112, dans les première et deuxième directions orthogonales entre elles et parallèles à la face 102, est de 570 nm ; et - le rayon de la base circulaire des motifs 112 est égal à 130 nm. La courbe 300, respectivement 302, illustre le taux de transmission normalisé T du filtre 110 en fonction de la longueur d'onde (en µm) lorsque le matériau à changement de phase est cristallin, respectivement amorphe. Ces courbes montrent que le filtre 110 a, dans sa plage de longueurs d'onde de fonctionnement, un taux de transmission supérieur à 0,90 lorsque le matériau à changement de phase est amorphe (courbe 302) et un taux de transmission inférieur à 0,05 lorsque le matériau à changement de phase est cristallin. Bien que l'on ait décrit en relation avec les figures 1 à 3 un pixel 1 à éclairement par la face arrière dans lequel le filtre 110 est disposé du côté de la face arrière du pixel 1, c'est à dire du côté de la face arrière 102 du substrat 100, la personne du métier sera en mesure d'adapter le pixel 1 à un éclairement par la face avant, le filtre 110 étant alors disposé du côté de la face avant du pixel 1, c'est à dire du côté de la face avant 104 du substrat, par exemple sur la structure d'interconnexion 106 qui sera alors disposée entre le filtre 110 et le substrat 100. Par ailleurs, la personne du métier sera en mesure d'adapter la description faite ci-dessus du pixel 1 dans le cas où le pixel 1 ne comprend qu'un filtre 110, au cas où le pixel 1 comprend un empilement de filtres 110, par exemple deux filtres 110, chacun configuré pour avoir un taux de transmission commandable dans des plages de longueurs d'onde différentes. En effet, la prévision de plusieurs filtres 110 empilés avec des plages de longueurs d'onde de fonctionnement différentes permet de mettre en œuvre des fonctions logiques optiques entre les plages de longueurs d'onde de fonctionnement de ces filtres empilés. Par ailleurs, bien que l'on ait décrit des exemples où l'état du matériau à changement de phase est soit cristallin, soit amorphe, la personne du métier sera en mesure de prévoir une commande du filtre 110 permettant que le matériau à changement de phase puisse être, en plus des deux états susmentionnés, dans un ou des états intermédiaires entre l'état cristallin et l'état amorphe, chaque état intermédiaire correspondant alors à un taux de transmission ayant une valeur intermédiaire entre des valeurs maximale et minimale correspondant aux états cristallin et amorphe. Bien qu'un seul pixel 1 ait été décrit ci-dessus, selon un mode de réalisation il est prévu un capteur de lumière, par exemple un capteur d'images, comprenant une pluralité de pixels 1, par exemple organisés en matrice de pixels 1. Dans un tel capteur, il est prévu un circuit de commande des filtres 110 des pixels 1. La FIG. 4 représente, de manière schématique et sous la forme de blocs, un exemple d'un capteur 400 comprenant une pluralité de pixels 1. Le capteur 400 comprend une pluralité de pixels 1, un seul pixel 1 étant représenté et référencé en FIG. 4 pour ne pas surcharger la figure. Dans l'exemple de capteur 400 de la FIG. 4 , les pixels 1 sont organisés en une matrice 408 de pixels 1, la matrice 408 comprenant des lignes ("row" en anglais) et des colonnes ("column" en anglais) de pixels 1. Le capteur 400 comprend en outre un circuit 404 de commande des pixels 1, par exemple un circuit 404 configuré pour commander les lignes de pixels 1. Par exemple, le circuit 404 est configuré pour commander une lecture des lignes de pixels les unes après les autres, tous les pixels d'une ligne étant lus simultanément. Le capteur 400 comprend en outre un circuit 402 de lecture des pixels 1. Par exemple, le circuit 402 est configuré pour recevoir les signaux de sortie des pixels 1 en cours de lecture, par exemple les signaux de sortie de tous les pixels d'une ligne en train d'être lue. A titre d'exemple, le capteur 400 comprend un circuit 410 de traitement. Le circuit 410 reçoit des signaux du circuit 402, ces signaux correspondant aux valeurs de sortie des pixels lus. Par exemple, le circuit 402 est configuré pour mettre en œuvre un conversion analogique numérique des signaux de sortie de pixels et/ou des doubles échantillonnages corrélés etc, et pour fournir les signaux résultant au circuit 410. Le circuit 410 est, par exemple, configuré pour reconstruire une image d'une scène capturée par le capteur 400, à partir des signaux qu'il reçoit du circuit 402. A titre d'exemple, le capteur 400 peut comprendre un circuit 406 permettant de synchroniser les circuits 406 et 402. La mise en œuvre d'un capteur comprenant une pluralité de pixels 1 ne se limite pas à l'exemple décrit ci-dessus en relation avec la FIG. 4 . Bien que le pixel 1 décrit ci-dessus ait été présenté comme un pixel à grande plage dynamique, le pixel 1 comprenant le filtre comprenant le filtre 110 peut également être utilisé en tirant parti des avantages que procure le filtre 110 dans d'autres contextes. Par exemple, le pixel 1 peut être utilisé comme pixel d'un capteur de temps de vol (Tof de l'anglais "Time of Flight"), par exemple un capteur de temps de vol direct (dToF de l'anglais "direct ToF") ou un capteur de temps de vol indirect (iTof de l'anglais "indirect ToF"). En outre, bien que cela n'ait pas été précisé jusqu'ici, l'élément de photoconversion PD du pixel 1 peut être, par exemple, une photodiode classique, une photodiode pincée ("pinned photodiode" en anglais), une diode à avalanche à photon unique (SPAD de l'anglais "Single Photon Avalanche Diode") ou tout autre élément de photoconversion usuellement utilisé dans un pixel. Par exemple, l'élément PD peut être une SPAD dans le cas où le pixel 1 est utilisé dans un capteur ToF. Par ailleurs, un ou plusieurs pixels 1 peuvent être utilisés dans diverses domaines et applications. Par exemple, un ou plusieurs pixels 1 peuvent être utilisés dans des systèmes électroniques embarqués dans des véhicules. Par exemple, un capteur comprenant un ou plusieurs pixels 1 peut être prévu pour mettre en œuvre des fonctions de radar, par exemple pour obtenir des cartographies de distances entre le véhicule et des éléments qui l'entourent. Par exemple un capteur comprenant un ou plusieurs pixels 1 peut être prévu pour obtenir des images de l'environnement du véhicule ou de l'intérieur de l'habitacle du véhicule. Par exemple, un capteur comprenant un ou plusieurs pixels 1 peut être utilisé pour fournir des données d'entrée à des systèmes d'aide à la conduite ou à des systèmes de conduite autonome. A titre d'autres exemples, un ou plusieurs pixels 1 peuvent être prévus dans des systèmes électroniques personnels comme par exemple des téléphones portables ou des dispositifs de type Internet des Objets (IoT de l'anglais "Internet of Thing"). Par exemple, un capteur d'image comprenant un ou plusieurs pixels 1 peut être prévu dans un téléphone portable, par exemple dans un appareil photo du téléphone ou dans un dispositif de reconnaissance faciale du téléphone. Par exemple, un capteur d'image comprenant un ou plusieurs pixels 1 peut être prévu dans un dispositif IoT pour mettre en œuvre des fonctionnalités de cartographie de profondeur de l'environnement du dispositif ou de détection de la présence d'un objet dans le champ du capteur. A titre d'autres exemples, un ou plusieurs pixels 1 peuvent être prévus dans des systèmes électroniques embarqués dans des dispositifs industriels. Par exemple, un capteur d'image comprenant un ou plusieurs pixels 1 peut être prévu dans un robot pour fournir des images en trois et/ou en deux dimensions permettant au robot de connaître son environnement afin de mettre une fonction spécifique. A titre d'autres exemples, un ou plusieurs pixels 1 peuvent être prévus dans des systèmes robotiques autonomes. Par exemple, un capteur d'image comprenant un ou plusieurs pixels 1 peut être prévu dans un robot autonome, par exemple un robot aspirateur industriel ou domestique, pour fournir des images en trois et/ou en deux dimensions permettant au robot de connaître son environnement afin de mettre une fonction spécifique. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Pixel (1) comprenant : un élément photosensible (PD) ; un filtre (110) au-dessus d'une face (102) de l'élément photosensible destinée à recevoir de la lumière, le filtre comprenant : - une pluralité de motifs identiques (112) en un matériau à changement de phase, et - une pluralité d'éléments chauffants (202) définis dans une couche électriquement conductrice (114) du filtre, la couche électriquement conductrice étant parallèle à ladite face (102) destinée à recevoir de la lumière et les éléments chauffants (202) étant configurés pour qu'une température des éléments chauffants détermine une température du matériau à changement de phase des motifs ; et un circuit configuré pour commander la température des éléments chauffants. Pixel selon la revendication 1, dans lequel le filtre (110) est configuré pour qu'un taux de transmission du filtre pour de la lumière dans une plage de longueurs d'onde de fonctionnement dépende d'un état du matériau à changement de phase. Pixel selon la revendication 1 ou 2, dans lequel les motifs (112) sont arrangés de manière périodique. Pixel selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel chaque motif (112) comprend deux faces parallèles entre elles et à la couche électriquement conductrice (114), le motif s'étendant de l'une à l'autre desdites deux faces et ayant une première desdites deux faces qui est tournée vers la couche électriquement conductrice (114). Pixel selon la revendication 4, dans lequel le filtre comprend, pour chaque motif (112), une portion de couche antireflet (118) reposant sur et contact avec celle desdites deux faces du motif (112) qui est destinée à recevoir de la lumière. Pixel selon la revendication 5, dans lequel : la couche antireflet (118) est en nitrure ou en oxyde de tantale, par exemple en pentoxyde de tantale, et le matériau à changement de phase (112) est du trisulfure d'antimoine, du sulfure d'antimoine, du sulfure de germanium ou du tellurure de germanium. Pixel selon l'une quelconque des revendications 4 à 6, dans lequel le filtre (110) comprend en outre, du côté des deuxièmes faces des motifs (112), une couche thermiquement conductrice (116). Pixel selon la revendication 7, dans lequel la couche thermiquement conductrice (116) est en un matériau transparent à des longueurs d'onde de fonctionnement du pixel, par exemple en oxyde d'indium étain. Pixel selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la couche électriquement conductrice (114) est en un matériau transparent à des longueurs d'onde de fonctionnement du pixel, par exemple en oxyde d'indium étain. Capteur de lumière (400) comprenant une pluralité de pixels (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 9. Méthode comprenant : commander, dans un pixel (1) comprenant un élément photosensible (PD) et un filtre (110) au-dessus d'une face (102) de l'élément photosensible destinée à recevoir de la lumière, avec un circuit du pixel (1), une température d'une pluralité d'éléments chauffants (202) définis dans une couche (114) du filtre (11) qui est électriquement conductrice et parallèle à ladite face destinée à recevoir de la lumière, de sorte à modifier un état d'une pluralité de motifs (112) identiques en un matériau à changement de phase.