Brevet FR3153898A1 — publié le 20250411

TITRE : « Système de capteur pour saisir un milieu » Capteur de champ magnétique (1) comprenant une matière magnéto-optique (2), une source d’excitation lumineuse (3) pour émettre un rayonnement pour exciter les états électroniques de la matière magné-optique (2), une source de micro-ondes (4) pour générer un champ électromagnétique pour alimenter une structure de résonateur (8), un détecteur (5) du rayonnement fluorescent de la matière magnéto-optique (2) suite au rayonnement d’excitation. Un dispositif générateur de champ magnétique (6) génère un champ magnétique permanent dans la zone de la matière magnéto-optique (2). Une structure de résonateur (8) installée sur un diélectrique (7) forme le champ électromagnétique émis par la source de micro-ondes (4) pour générer un champ de micro-ondes pour manipuler les états spin de la matière magnéto-optique (2). La matière magnéto-optique (2), la source d’excitation lumineuse (3), le détecteur (5) et la structure de micro-ondes (8) sont dans un espace fermé (9). Figure 1 « Système de capteur pour saisir un milieu » DOMAINE DE L’INVENTION La présente invention concerne un capteur de champ magnétique fondé sur un diamant à centre-NV. ETAT DE LA TECHNIQUE Depuis quelques années on connait des cristaux de diamant dont le réseau a des défauts sous la forme de centres NV et qui font l’objet de recherches. Dans un centre-NV un atome d’azote est à l’emplacement du réseau d’un atome de carbone et dans le voisinage immédiat de l’atome d’azote, l’emplacement d’un atome de carbone du réseau, a une lacune. Si l’on excite un tel réseau cristallin avec un rayonnement d’excitation d’une longueur d’ondes comprise entre 490nm et 575nm, on induit dans le réseau du cristal le transfert électronique d’un état fondamental 3 A 2 à un état excité 3 E. A partir de cet état excité 3 E, le centre-NV se relaxe par l’émission d’un rayonnement fluorescent dans une plage de longueurs d’ondes comprise entre 600nm et 850nm pour revenir à l’état fondamental 3 A 2 . L’état fondamental 3 A 2 possède trois sous-états magnétiques avec m s =0, m s =±1. Les états m s =0 et m s =±1 diffèrent par une différence d’énergie de 2.87GHz (zéro division de champ). L’état excité 3 E a également trois sous-états magnétiques avec m s =0, m s =±1. Si alors on fait passer le centre-NV de l’état fondamental 3 A 2 en un champ alternatif magnétique à une fréquence de 2.87 GHz (habituellement) et dans la suite on utilise des champs magnétiques alternatifs dans une plage de fréquences comprise entre 1 et 4 GHz comme « champ de micro-ondes ». Le centre-NV oscille entre l’état fondamental m s =0, 3 A 2 et l’état fondamental m s =±1, 3 A 2 . Pour une irradiation avec un rayonnement d’excitation le centre-NV n’est qu’en partie déplacé de son état fondamental m s =±1, 3 A 2 dans l’état excité m s =±1, 3 E. De là il relaxe principalement sans émettre de rayonnement pour revenir à l’état fondamental. Si l’on mesure l’intensité du rayonnement fluorescent en fonction de la fréquence du champ de micro-ondes, on obtient pour une fréquence de 2.87 GHz, une chute brusque de l’intensité du rayonnement fluorescent (ce qui est appelé pic). La chute de l’intensité du rayonnement fluorescent peut s’expliquer en ce que pour un rayonnement incident du champ de micro-ondes d’une fréquence de 2.87 GHz, moins de centres-NV sont disponibles à l’état fondamental m s =0, 3 A 2 que l’on peut exciter optiquement et qui pourront relaxer à l’état fondamental m s =±1, 3 A 2 par l’émission d’un rayonnement fluorescent. Dans un champ magnétique extérieur, l’état fondamental m s =±1, 3 A 2 se divise avec les nombres quantiques m s =1 et m s =-1 par effet Zeemann. Si l’on mesure alors l’intensité du rayonnement fluorescent en utilisant la fréquence du champ de micro-ondes, on obtient deux pics. Les fréquences auxquelles se produisent ces pics, dépendent de l’importance de la séparation dans l’état fondamental m s =±1, 3 A 2 et ainsi de l’intensité du champ magnétique extérieur. Un tel capteur de champ magnétique est connu selon le document DE 10 2020 204 732. Selon ce document on génère le rayonnement d’excitation avec une diode laser, installée dans une cavité. La cavité est obtenue par l’évidement d’une plaquette de support et d’un substrat en verre fermant hermétiquement la cavité. Le rayonnement d’excitation est conduit à travers un substrat en verre dans un plan situé en dessous dans lequel on focalise sur un diamant NV. Le plan inférieur a un substrat portant les autres composants du système tels que le diamant, une installation haute fréquence, des photodétecteurs et autres composants optiques. Le substrat se ferme avec un couvercle qui a une ouverture à travers laquelle le rayonnement d’excitation arrive sur le diamant. La diode laser peut ainsi être installée séparément des autres composants du capteur de champ magnétique dans un espace fermé qui lui est propre. Un tel capteur de champ magnétique à deux cavités séparées est encombrant et ne peut pas être miniaturisé. En outre le champ magnétique alternatif généré par l’installation à haute fréquence, se déploie librement de sorte que la caractéristique de l’installation haute fréquence sera influencée par les matériaux d’un environnement du capteur de champ magnétique. Ainsi la spécificité du capteur de champ magnétique peut être influencée ce qui ne permet d’utiliser le capteur de champ magnétique de manière universelle. De plus les composants à l’extérieur du capteur de champ magnétique peuvent être perturbés par le champ magnétique alternatif et la compatibilité électromagnétique du capteur de champ magnétique sera réduite. BUT DE L’INVENTION La présente invention a pour but de développer un capteur de champ magnétique permettant de remédier aux inconvénients de l’état de la technique. EXPOSE ET AVANTAGES DE L’INVENTION A cet effet, l’invention a pour objet un capteur de champ magnétique comprenant : - une matière magnéto-optique, - une source d’excitation lumineuse pour émettre un rayonnement d’excitation pour exciter les états électroniques de la matière magné-optique, - une source de micro-ondes pour générer un champ électromagnétique pour alimenter une structure de résonnateur, - un détecteur pour saisir le rayonnement fluorescent émis par la matière magnéto-optique suite au rayonnement d’excitation, - un dispositif générateur de champ magnétique qui génère un champ magnétique permanent dans la zone de la matière magnéto-optique, - une structure de résonateur installée sur un diélectrique et qui forme le champ électromagnétique émis par la source de micro-ondes pour générer un champ de micro-ondes qui permet de manipuler les états spin de la matière magnéto-optique, - capteur dans lequel, la matière magnéto-optique, la source d’excitation lumineuse, le détecteur et la structure de micro-ondes sont dans un espace fermé. En d’autres termes, l’invention a pour objet un capteur de champ magnétique pour saisir un champ magnétique et qui comprend une matière magnéto-optique, une source de lumière d’excitation, une source de micro-ondes et un détecteur. La matière magnéto-optique est un cristal de diamant dont le réseau cristallin a des lacunes sous la forme de centres-NV. La source de lumière d’excitation émet un rayonnement d’excitation pour exciter les états électroniques de la matière magnéto-optique. La source de lumière d’excitation est une iode laser d’une longueur d’ondes comprises entre 490nm et 575nm. La source de micro-ondes génère un champ électromagnétique qui alimente une structure de résonateur, c’est-à-dire une structure de résonateur. Le détecteur saisit le rayonnement fluorescent émis par la matière magnéto-optique sous l’effet de son irradiation avec le rayonnement d’excitation. En outre, le capteur de champ magnétique a un dispositif générateur de champ magnétique installé et réalisé pour générer un champ magnétique permanent dans la zone de la matière magnéto-optique. La structure de résonateur est installée sur un diélectrique ; elle est conçue pour amplifier le champ électromagnétique généré par la source de micro-ondes dans au moins une bande de fréquences prédéfinies pour développer un champ de micro-ondes homogène dans la région de la matière magnéto-optique. C’est ainsi que le champ de micro-ondes généré permet de manipuler les états de spin de la matière magnéto-optique et correspond par exemple à une ou plusieurs fréquences dans une bande de fréquences de 2.5 GHz et 3GHz. Le dépôt de substances organiques sur les composants optiques, notamment sur la source de lumière d’excitation est un problème. Pour protéger la matière magnéto-optique, la source de lumière d’excitation, le détecteur et la structure de résonateur contre les autres influences de l’environnement, ces éléments sont logés dans une enceinte fermée. La matière magnéto-optique, la source de lumière d’excitation et le détecteur peuvent également être sur un diélectrique. L’installation de la matière magnéto-optique, de la source de lumière d’excitation, du détecteur et de la structure de résonateur dans une enceinte fermée, notamment étanche à l’air permet de réaliser le capteur de champ magnétique compact. De plus la proximité spatiale de la structure de résonateur par rapport à la matière magnéto-optique fait que le champ de micro-ondes amplifié et formé par la structure de résonateur, sera efficace et pourra être couplé pratiquement sans perte avec la matière magnéto-optique. Ainsi une première couche métallique est sous la structure de résonateur installé sur le diélectrique et une seconde couche métallique est prévue au-dessus du diélectrique installé sur la structure de résonateur. La première et la seconde couche métallique protègent le champ de micro-ondes amplifié et formé par la structure de résonateur, par le dessus et le dessous de l’enceinte fermée. De plus, la première et/ou la seconde couche métallique développent un champ de micro-ondes renforcé pour la structure d’un résonateur. De cette manière on protège à la fois le champ de micro-ondes contre l’environnement de l’espace fermé et aussi les composants électroniques et optiques du capteur de champ magnétique vis-à-vis des conditions de l’environnement. La première et/ou la seconde couche métallique sont des surfaces massiques reliées à la masse électrique de la source de micro-ondes. L’impédance d’onde, la forme et la vitesse de déploiement du champ de micro-ondes électromagnétiques peuvent être influencées entre autres par la matière du diélectrique et par la position de la première et/ou de la seconde couche métallique reliée à la masse. La structure de résonateur comporte une structure électro conductrice sur le diélectrique et par exemple un résonateur oméga comme structure à guide d’ondes à fente planaire ou encore un résonateur à boucle ouverte. La structure de résonateur forme un résonateur en commun avec le diélectrique qui la porte et la première et/ou seconde couche métallique comme surface de masse. L’impédance d’onde, la forme et la vitesse de déploiement du champ de micro-ondes électromagnétique dépendent en autre de la matière du diélectrique et de la position de la première et de la seconde couche métallique reliées à la masse. La géométrie du résonateur est choisie pour générer le champ de micro-ondes pour que la zone dans laquelle se trouve la matière magnéto-optique, soit homogène et limitée à cette zone locale. Le résonateur est notamment conçu pour amplifier des fréquences dans une ou plusieurs bandes de fréquences dans une plage comprise entre 2.5 et 3,1 GHz. En dehors de ces bandes de fréquences, il peut arriver que l’efficacité de la génération du champ diminue tellement fortement que la puissance de la source de micro-ondes ne suffise plus pour un fonctionnement intéressant du capteur de champ magnétique. Vis-à-vis d’un fil utilisé habituellement, traversé par le courant et qui est installé à proximité de la matière magnéto-optique, l’utilisation de la structure de résonateur a l’avantage de générer un champ de micro-ondes très efficace. Ainsi la source de micro-ondes n’aura qu’une faible puissance et son dimensionnement correspondant sera petit, permettant ainsi de réaliser un capteur de champ magnétique compact. Selon un développement de l’invention, la surface de base et les quatre surfaces latérales sont formées sur un unique boîtier notamment intelligent, le boîtier ayant au moins un diélectrique comme surface de base et la structure de résonateur étant installée sur cette surface de base. Le boîtier est fermé par un couvercle distinct dont le côté tourné vers les composants du capteur de champ magnétique a une surface de dessus. Selon ce développement de l’invention, les quatre surfaces latérales, la surface de dessous et la surface de dessus délimitent un espace fermé. Le boîtier peut être réalisé en totalité ou en partie en un diélectrique, par exemple en une matière plastique diélectrique. L’utilisation d’un boîtier facilite la fabrication du capteur de champ magnétique car un tel boîtier, appelé emballage, est simple et disponible. Selon un développement de l’invention, le capteur de champ magnétique a une fermeture notamment en une seule partie et la surface de dessus ainsi que les quatre surfaces latérales sont formées sur la fermeture. Dans ce cas, la surface de base peut être réalisée sur un substrat électrique. La structure résonante est notamment installée sur la surface de base qui, dans ce cas, est installée sur le premier substrat diélectrique. Le premier substrat diélectrique a un diélectrique ou est complètement ou partiellement en un diélectrique, par exemple une matière plastique diélectrique. Même pour ce développement de l’invention, les quatre surfaces latérales, la surface de base et la surface de dessus délimitent un volume fermé. La fermeture d’un tel volume se fait de manière simple et économique si bien qu’un tel capteur de champ magnétique est économique et simple. Selon un développement de l’invention, le boîtier ou le premier substrat diélectrique sont sur une plaque de circuit. Entre la plaque de circuit et le boîtier ou la plaque de circuit de premier substrat diélectrique on a un intervalle associé au premier substrat diélectrique. Cet intervalle peut être rempli d’air ou d’une matière diélectrique. L’installation du boîtier sur le premier substrat diélectrique de la plaque de circuit permet un branchement particulièrement simple des composants du capteur de champ magnétique installé dans l’espace fermé et aussi le montage simple du capteur de champ magnétique. L’épaisseur de l’intervalle peut influencer l’impédance du résonateur et la vitesse du déploiement du champ de micro-ondes si bien que l’on influence la fréquence de résonance. Même une faible variation de l’épaisseur de l’intervalle peut modifier très fortement la fréquence de résonance jusqu’à une fréquence de résonance pour laquelle le capteur de champ magnétique ne peut plus fonctionner de manière intéressante. Le boîtier ou le premier substrat diélectrique peuvent également être directement sur la plaque de circuit ce qui permet une fabrication simple et économique du capteur de champ magnétique. Selon un développement de l’invention, la structure de résonateur est également entourée par une troisième couche métallique sur le diélectrique. La troisième couche métallique est installée pour entourer la structure de résonateur sur quatre surface latérales, complètement ou partiellement par la troisième couche métallique. La troisième couche métallique est reliée à la masse électrique de la source de micro-ondes. La sensibilité de la fréquence de résonance par rapport à l’épaisseur de l’intervalle peut être diminuée par l’installation de la troisième couche métallique sur le diélectrique autour de la structure de résonateur. Selon un développement de l’invention, la structure de résonateur est sur le côté du premier substrat diélectrique tourné vers l’enceinte fermée et la première couche métallique est sur un côté opposé du premier substrat diélectrique. En particulier, le premier substrat diélectrique est dans le boîtier et la première couche métallique est sur le côté du premier substrat diélectrique tourné vers la surface de base du boîtier, la structure de résonateur étant sur le côté du substrat diélectrique non tourné vers la surface de base du boîtier (et ainsi rapproché de l’espace fermé). Dans ce développement de l’invention, les côtés du substrat diélectrique non tournés vers la surface de base, les quatre parois latérales et la surface de dessus réalisées sur le couvercle constituent un espace fermé. Le premier substrat diélectrique peut ainsi être totalement ou partiellement en une matière diélectrique par exemple en une matière plastique électrique. Une telle forme de réalisation permet un montage simple et ainsi une installation économique du capteur de champ magnétique. Selon un développent de l’invention, la seconde couche métallique est sur un second substrat diélectrique. Ce second substrat diélectrique est en particulier installé sur la surface de dessus du couvercle, la seconde couche métallique étant sur le côté du second substrat diélectrique tourné vers la surface de dessus (et ainsi tourné vers l’espace fermé). En plus ou en variante, une quatrième couche métallique est prévue face à la seconde couche métallique et ainsi sur le côté du second substrat diélectrique qui est à l’opposé de la surface de dessus. Une telle réalisation permet un montage simple et ainsi économique du capteur de champ magnétique. Selon un développement de l’invention, la première couche métallique est un bloc de refroidissement ce qui permet une construction particulièrement compacte du capteur de champ magnétique car on évite tout bloc de refroidissement supplémentaire ou une couche métallique supplémentaire. Selon un développement de l’invention, parallèlement à l’une des surfaces latérales de l’espace fermé, une cinquième couche métallique améliore la protection du champ de micro-ondes amplifié par la structure de résonateur. Cette cinquième couche métallique peut être reliée à la seconde et/ou la première couche métallique et/ou reliée également à une autre couche métallique par exemple par des contacts électriques. La structure de résonateur peut être réalisée par un laser ou être structurée par laser. Cela permet de réaliser la structure de résonateur de manière simple, précise et économique. La présente invention sera décrite ci-après de manière plus détaillée à l’aide de modes de réalisation représentés dans les dessins annexés dans lesquels : FIG. 1 mode de réalisation d’un capteur magnétique selon l’invention dont la matière magnéto-optique, la source d’excitation lumineuse, le détecteur et la structure de résonnateur sont sur un diélectrique dans un espace fermé, FIG. 2 autre exemple de réalisation d’un capteur de champ magnétique selon l’invention dont la matière magnéto-optique, la source d’excitation lumineuse, le détecteur et la structure de résonateur sont sur la surface de base d’un boîtier sous laquelle il y a une couche métallique, FIG. 3 autre exemple de réalisation d’un capteur de champ magnétique selon l’invention dont la matière magnéto-optique, la source d’excitation lumineuse, le détecteur et la structure de résonateur sont sur un premier substrat diélectrique, FIG. 4 autre exemple de réalisation d’un capteur de champ magnétique selon l’invention, le capteur ayant un second substrat diélectrique en plus du premier substrat diélectrique, FIG. 5 autre exemple de réalisation de capteur de champ magnétique selon l’invention avec une couche métallique en forme de bloc de refroidissement, FIG. 6 autre exemple de réalisation du capteur de champ magnétique selon l’invention comportant des couches métalliques sur ses surfaces latérales, FIG. 7 autre exemple de réalisation de capteur de champ magnétique selon l’invention dont les couches métalliques des surfaces latérales sont reliées aux couches métalliques de la surface de base et de la surface de dessus, FIG. 8 mode de réalisation d’un capteur de champ magnétique en vue de dessus. DESCRIPTION D’UN MODE DE REALISATION La FIG. 1 montre un capteur de champ magnétique 1 dont la matière magnéto-optique 2, par exemple un diamant avec des défauts ponctuels NV ainsi qu’une source lumineuse d’excitation 3, par exemple en forme de diode laser et un détecteur 5 sont installés sur un diélectrique 7. Une structure de résonateur 8 est également installée sur le diélectrique. Cette structure amplifie et met en forme un champ alternatif électromagnétique d’une bande de fréquence prédéfinie, généré par une source de micro-ondes de façon à développer un champ micro-ondes, homogène dans la zone de la matière magnéto-optique 2. La FIG. 1 montre les lignes de champ du champ micro-ondes 41. Une première couche métallique 11 est appliquée contre le côté inférieur du diélectrique 7. La source de lumière d’excitation 3, la matière magnéto-optique 2 et le détecteur 5 sont ainsi dans un espace fermé. La source de lumière d’excitation 3 est conçue pour émettre un rayonnement d’excitation d’une longueur d’ondes comprise entre 490nm et 575nm. Lorsque la matière magnéto-optique 2 est éclairée par le rayonnement d’excitation, qui permet d’exciter un état électronique de la matière magnéto-optique 2 qui se relaxe de nouveau à l’état fondamental par l’émission d’un rayonnement fluorescent. Le champ micro-ondes d’une fréquence appropriée, par exemple de 2,87 Mhz excite en même temps les états spin de la matière magnéto-optique 2 de sorte que l’intensité du rayonnement fluorescent émis, diminue car l’état de base à partir duquel l’excitation passe dans un état excité, est occupé avec une probabilité moindre. L’intensité du rayonnement fluorescent peut être saisi par le détecteur 5. On génère un champ micro-ondes avec un champ électromagnétique alternatif amplifié par la structure de résonateur 8 sur le diélectrique 7 et ce champ est mis en forme pour avoir un champ micro-ondes 41 à l’endroit de la matière magnéto-optique 2. La première couche métallique 11 délimite le champ micro-ondes 41 vers le bas 13 mais non vers le haut 12 pour qu’il puisse se développer librement vers le haut. Il en résulte que la caractéristique du champ micro-ondes 41 généré par la structure de résonateur 8 peut ainsi être influencée par l’environnement du champ magnétique 1 et que le capteur magnétique 1 ne peut être appliqué de manière universelle. En outre on pourrait également perturber des composants à l’extérieur du capteur de champ magnétique 1 par le champ micro-ondes 41 ainsi généré de sorte que de tels capteurs magnétiques 1 ne répondraient pas aux exigences de compatibilité électromagnétique. De plus les composant optiques et électro-optiques 2, 3, 5, 8 du capteur de champ magnétique 1 sont exposés aux conditions de l’environnement. Cela constitue un problème en particulier pour la source de lumière d’excitation 3. Si celle-ci est une diode laser, sur toutes les facettes de la diode laser sont sensibles aux dépôts organiques. La FIG. 2 montre un exemple de réalisation d’un capteur de champ magnétique selon l’invention. La surface de base 14 du boîtier 17 porte une structure de résonnateur 8, la matière magnéto-optique 2 par exemple un cristal de diamant avec des défauts ponctuels NV, la source de lumière d’excitation 3 par exemple une diode laser et un détecteur 5. Le boîtier 17 a quatre surfaces latérales dont deux surfaces latérales 15, 16 sont représentées à la FIG. 2 et la surface de base 14. Le boîtier 17 est en une seule partie et au moins sa surface de base 14 a un diélectrique 7. Le boîtier 17 peut également être complètement ou pratiquement complètement en un diélectrique 7. La structure de résonateur 8 est installée directement sur la surface de base 14 notamment directement sur le diélectrique 7. Une première couche métallique 10 est sous la surface de base 14 du boîtier 17 et ainsi sous la structure de résonateur 8, notamment parallèlement à la surface de base 14. Une autre couche métallique 11 est au-dessus de la structure de résonateur 8 en particulier sur l’un des côtés d’une surface de couverture 18 tournée vers les composants du capteur de champ magnétique 2, 3, 5, 8. On a ainsi un champ micro-ondes 41 protégé par la première et la seconde couche métallique 10, 11 vis-à-vis du côté supérieur 12 et du côté inférieur 13 d’un volume fermé 9 délimité par la surface de dessus 18, les quatre parois latérales 15, 16 et la surface de base 14. Mais on pourrait également n’avoir qu’une unique couche métallique 10, 27, 30 sous la surface de base 14 du boîtier 17 et même l’existence d’une unique couche métallique réalise une protection et une mise en forme suffisantes du champ micro-ondes. La surface de dessus 18 est formé sur un couvercle 33 de sorte que le couvercle 33 et le boîtier 17 ferment par l’extérieur le volume fermé 9 de la source de lumière d’excitation 3, le détecteur 5 et le champ électromagnétique 2 ainsi que la structure de résonateur 8. Ainsi la source de lumière d’excitation 3 et le détecteur 5 sont protégés contre les influences de l’environnement telles que par exemple les saletés. En même temps, la structure de résonateur 8 peut être à proximité immédiate de la matière magnéto-optique 2 pour que le champ micro-ondes généré par la structure de résonateur 8 soit transmise sans perte ou pratiquement sans perte à la matière magnéto-optique 2. La structure de résonateur 8 peut, comme le montre la FIG. 2 , être entourée par une troisième couche métallique 20 sur la surface de base 14. Le boîtier 17 est sur une plaque de circuit 24 et en particulier le boîtier 17 est soudé à la plaque de circuit 24. On a ainsi un intervalle 25 entre la plaque de circuit 24 et le boîtier 17. Cet intervalle 25 est rempli d’air ou de préférence d’une matière diélectrique. En l’absence de la couche métallique 17 et 27, l’épaisseur de l’intervalle 25 entre le boîtier 147 et la plaque de circuit 24 influence l’impédance d’onde du résonnateur formé par la structure de résonateur 8, le diélectrique 7 ainsi que la première et la seconde couche métallique 11, 30 de même que la vitesse de déploiement de l’onde qui se développe et ainsi la fréquence de résonnance du résonateur. L’existence de la troisième couche métallique 20 peut diminuer la sensibilité de la fréquence de résonance vis-à-vis d’une variation d’épaisseur de l’intervalle 25. On peut prévoir une ou plusieurs autres couches métalliques 27 sous la première couche métallique 10 ou en variante de la première couche métallique 10 dans le boîtier 17 en particulier parallèlement à la surface de base 14 du boîtier 17. La ou les couches métalliques 27 peuvent en variante ou en plus, être sur le côté extérieur du boîtier 17. De même au-dessus de la seconde couche métallique ou en variante de cette seconde couche métallique 11, on peut avoir d’autres couches métalliques 28, 29 dans le couvercle 33 en particulier parallèlement à la surface de base 14 et/ou à la surface de couverture 18 ou encore sur le côté du couvercle 33 à l’opposé des composants du capteur 2, 3, 5, 8 c’est-à-dire sur le côté extérieur du couvercle 33. On peut également avoir des couches métalliques 30, 31, 32 sur la plaque de circuit 24. Ces couches métalliques 30, 31, 32 sont sur l’un ou les deux côtés et/ou dans la plaque de circuit 24. La plaque de circuit 24 peut également être reliée à la source de micro-ondes 4, à la structure de résonateur 8 et au dispositif générateur de champ magnétique 6. Ce dispositif générateur de champ magnétique 6 peut comporter une bobine de Helmholtz et/ou un ou plusieurs aimants permanents générant un champ magnétique permanent dans la zone de la matière magnéto-optique 2. Les couches métalliques 10, 11, 27, 28, 29, 30, 31, 32 peuvent être des surfaces de mise à la masse et être reliées à la masse électrique de la source de micro-ondes 4. La FIG. 3 montre un autre exemple de réalisation de capteur de champ magnétique 1. A la différence de l’exemple de réalisation de la FIG. 2 , les quatre surfaces latérales 15, 16 ainsi que la surface de dessus 18 de l’espace fermé 9 recevant la source de lumière d’excitation 3, le détecteur, la matière magnéto-optique 2 et la structure de résonateur 8 sont réalisés sur une fermeture 19. La surface de base 14 est réalisée sur le premier substrat diélectrique 21. Le premier substrat diélectrique 21 a un diélectrique 7. La fermeture 19 est installée directement sur le premier substrat diélectrique 21. Comme cela apparait dans l’exemple de réalisation de la FIG. 2 , dans ce cas également la source de lumière d’excitation 3, le détecteur 5, la structure de résonateur 8, la matière magnéto-optique 2 et la troisième couche métallique 20 sont sur la surface de base 14. La troisième couche métallique 20 entoure la structure de résonateur 8. La première couche métallique 10 peut être dans le substrat diélectrique 21. La seconde couche métallique 11 est prévue sur la surface de dessus 18 de la fermeture 17 de sorte qu’elle est tournée vers les composants 2, 3, 5, 8 du capteur de champ magnétique 1. D’autres couches métalliques 28, 29 sont prévues dans ou sur la fermeture 17 par exemple, parallèlement à la surface de dessus 18. Le substrat diélectrique 21 peut également être prévu de façon analogue au mode de réalisation décrit à la FIG. 2 sur une plaque de circuit 24 non représentée à la FIG. 3 . La FIG. 4 montre un autre mode de réalisation du capteur de champ magnétique 1 selon l’invention. Dans ce cas, le premier substrat diélectrique 21 et un second substrat électrique 22 sont prévus dans le boîtier 17. La première couche métallique 10 est sur la surface de base 14 du boîtier 17 et le premier substrat diélectrique 21 est sur la première couche métallique 10. La structure de résonateur 8 ainsi qu’au choix la troisième métallique 20 sont prévues sur le premier substrat diélectrique 21. La surface de dessus 18 du couvercle 33 est munie, à l’intérieur de l’espace fermé 9, d’une quatrième couche métallique 23 dont le côté tourné vers l’espace fermé 9 est muni du second substrat diélectrique 22. Le côté tourné vers l’espace fermé 9 du second substrat diélectrique 22 est muni d’une seconde couche métallique 11. Sur ce mode de réalisation, le diélectrique 7 est formé par le premier substrat diélectrique 21. Le boîtier 17 peut, de façon analogue au mode de réalisation décrit à l’aide de la FIG. 2 , être sur une plaque de circuit 24 non représentée à la FIG. 4 . La FIG. 5 montre un autre mode de réalisation du capteur de champ magnétique 1. Comme dans la réalisation de la FIG. 2 , la structure de résonateur 8, la source de lumière d’excitation 3, le détecteur 5 et la matière magnéto-optique 2 sont sur la surface de base 14 du boîtier 17. La troisième couche métallique 20 peut également être sur la surface de base 14 du boîtier 17. La surface de dessus 18 du couvercle 33 est munie de la seconde couche métallique 11. La première couche métallique 10 est sous la surface de base 14 dans le boîtier 17 en particulier parallèlement à la surface de base 14 et constitue un bloc de refroidissement 25. Ce bloc de refroidissement 25 peut être en une matière électro conductrice. Le bloc de refroidissement 25 est relié à la masse électrique de la source de micro-ondes 4 et il sert d’écran et/ou de surface de mise à la masse. Dans cet exemple de réalisation, le boîtier 17 peut comporter une plaque de circuit 24 non représentée à la FIG. 5 , de façon analogue au mode de réalisation décrit en liaison avec la FIG. 2 . La FIG. 6 montre un autre exemple de réalisation du capteur de champ magnétique 1. Dans ce cas également, la structure de résonateur 8, la source de lumière d’excitation 3, le détecteur 5 et la matière magnéto-optique 2 sont sur la surface de base 14 du boîtier 17. La troisième métallique 20 peut également être sur la surface de base 14 du boîtier 17. La seconde couche métallique 11 est dans ou sur le couvercle 23 notamment parallèlement à la surface de dessus 18. La première couche métallique 10 est sous la surface de base 14 dans le boîtier 17 notamment parallèlement à la surface de base 14. Au moins l’une des surfaces latérales 15, 16 est munie d’une cinquième couche métallique 26. D’autres couches métalliques 33, 35 peuvent être sur le boîtier 17 ou la fermeture 19 ou sur l’un des côtés extérieurs du boîtier 17 ou la fermeture 19, chaque fois parallèlement à l’une des surfaces latérales 15, 16. Les couche métalliques 26, 34, 35 coupent le champ micro-ondes par rapport à l’environnement du capteur de champ magnétique 1. De façon analogue, au mode de réalisation de la FIG. 2 , dans cet exemple de réalisation, le boîtier 17 peut être sur une plaque de circuit 24 non représentée à la FIG. 6 . La FIG. 7 montre un autre mode de réalisation du capteur de champ magnétique 1. Ce mode de réalisation selon la FIG. 7 correspond au mode de réalisation de la FIG. 6 avec parallèlement à l’une des surfaces latérales 15, 16 des couches métalliques 26, 34, 35 parallèles à la surface de base 14 ou aux couches métalliques 10, 27 dans le boîtier 17 et/ou être relié à l’une ou l’autre couche métallique 11, 28, 29 associées au couvercle 33. Les couches métalliques 26, 34, 35 parallèles à l’une des surfaces latérales 15, 16 peuvent être reliées par une liaison conductrice par les contacts 34, 37, 38 aux couches métalliques 11, 28, 29 passant dans ou autour du couvercle 33. Dans un mode de réalisation dans lequel les surfaces latérales 15, 16 et la surface de dessus 17 sont réalisées sur la fermeture 19 et la surface de base 14 sur un substrat diélectrique 21, parallèlement à l’une des couches 26, 34, 35 peuvent être des surfaces latérales 15, 16 (dans ce cas dans la fermeture 19). Les couches métalliques 26, 34, 35 parallèles à l’une des surfaces latérales 15, 16 peuvent être reliées électriquement aux couches métalliques 10, 27 prévues dans ou sur le substrat diélectrique 21 et/ou aux couches métalliques 11, 28, 29 installées parallèlement à la surface de dessus 18 ou dans ou sur la fermeture 19. Dans ce cas, la liaison électrique des couches métalliques 10, 27, prévues dans ou sur le substrat diélectrique 21 se fait avec les couches métalliques 26, 34, 35 parallèlement à l’une des surfaces latérales 15, 16 par les contacts 26, 37, 38. La FIG. 8 montre un mode de réalisation du capteur de champ magnétique 1 en vue de dessus. La structure de résonateur 8, la source de lumière d’excitation 3 et la matière magnéto-optique 2 sont sur la surface de base 14 du boîtier 17. Le couvercle 33, qui ferme vis-à-vis de l’extérieur l’espace fermé en commun avec le boîtier 17 n’est pas représenté à la FIG. 8 . La structure de résonateur 8 a une première partie 39 en forme de fer à cheval et une seconde partie 40 annulaire ; à la fois la première partie 39 en fer à cheval et la seconde partie 40 annulaire ont une fente dont les arêtes respectives relient entre elles les deux parties 39, 40. Au centre de la seconde partie annulaire 40 la matière magnéto-optique 2 (dans ce cas le diamant avec les points de défauts NV). Le boîtier 17 est sur une plaque de circuit 24. La plaque de circuit 24 est également munie du dispositif générateur de champ magnétique 6 qui est sous la forme d’une installation de quatre aimants permanents. NOMENCLATURE DES ELEMENTS PRINCIPAUX 1 Capteur de champ magnétique 2 Matière magnéto-optique 3 Source de lumière d’excitation 4 Source de micro-ondes 5 Détecteur 7 Diélectrique 8 Structure de résonnateur 10 Première couche métallique 11 Seconde couche métallique 12 Côté supérieur 13 Côté inférieur 14 Surface de base 15 Surface latérale 16 Surface latérale 17 Boîtier 18 Surface de dessus 19 Fermeture 21 Premier substrat diélectrique 22 Second substrat diélectrique 23 Quatrième couche métallique 24 Plaque de circuit 25 Bloc de refroidissement 26 Cinquième couche métallique 27 Couche métallique 28 Couche métallique 29 Couche métallique 30 Couche métallique 31 Couche métallique 32 Couche métallique 33 Couvercle 34 Couche métallique 35 Couche métallique 36 Contact 37 Contact 38 Contact 39 Première partie de la structure de résonateur 40 Seconde partie de la structure de résonateur 41 Champ de micro-ondes Capteur de champ magnétique (1) comprenant : - une matière magnéto-optique (2), - une source de lumière d’excitation (3) pour émettre un rayonnement d’excitation pour exciter les états électroniques de la matière magnéto-optique (2), - une source de micro-ondes (4) pour générer un champ électromagnétique alimentant une structure de résonateur (8), - un détecteur (5) pour saisir le rayonnement fluorescent émis par la matière magnéto-optique (2) suite au rayonnement d’excitation, - un dispositif générateur de champ magnétique (6) qui génère un champ magnétique permanent dans la zone de la matière magnéto-optique (2), - une structure de résonateur (8) installée sur un diélectrique (7) et qui forme le champ électromagnétique émis par la source de micro-ondes (4) pour générer un champ de micro-ondes qui permet de manipuler les états spin de la matière magnéto-optique (2), - capteur dans lequel la matière magnéto-optique (2), la source d’excitation lumineuse (3), le détecteur (5) et la structure de résonateur (8) sont dans un espace fermé (9). Capteur de champ magnétique (1) selon la revendication 1, dans lequel une première couche métallique (10) est prévue sous la structure de résonateur (8) installé sur le diélectrique (7), et/ou - une seconde couche métallique (11) est prévue au-dessus de la structure de résonateur (8) elle-même sur le diélectrique (7), et la première et/ou seconde couche métallique (10, 11) protègent le côté supérieur (12) et le côté inférieur (13) de l’espace fermé (9) par rapport au champ micro-ondes de la structure de micro-ondes (8). Capteur de champ magnétique (1) selon la revendication 1, dans lequel une surface de fond (14) ainsi que quatre surfaces latérales (15, 16) du volume fermé (9) sont réalisées dans un boîtier (17), - le boîtier (17) a un diélectrique (7) au moins sur la surface de base (14). Capteur de champ magnétique (1) selon la revendication 1, dans lequel la surface de couverture (18) ainsi que les quatre surfaces latérales (15, 16) du volume fermé (9) sont réalisées sur une fermeture (19), et - la surface de base (14) forme un premier substrat diélectrique (21). Capteur de champ magnétique (1) selon la revendication 2 ou 3, dans lequel la structure de résonateur (8) est sur la surface de base (14) du volume fermé (9). Capteur de champ magnétique (1) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la première et/ou la seconde couche métallique (10, 11) sont des surfaces de masse reliées à la masse de la source de micro-ondes (4). Capteur de champ magnétique (1) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la structure de résonateur (8) est entourée par une troisième couche métallique (20) également installée sur le diélectrique (7). Capteur de champ magnétique (1) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la structure de résonateur (8) de la première couche métallique (10) est en face du premier substrat diélectrique (21). Capteur de champ magnétique (1) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la seconde couche métallique (11) est sur un second substrat diélectrique (22). Capteur de champ magnétique (1) selon la revendication 8, dans lequel une quatrième couche métallique (23) est face à la seconde couche métallique (11) sur le second substrat diélectrique (22). Capteur de champ magnétique (1) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le boîtier (17) ou le premier substrat diélectrique (21) sont sur une plaque de circuit (24). Capteur de champ magnétique (1) selon la revendication 10, dans lequel un intervalle (25) notamment rempli avec de l’air ou une matière diélectrique est prévu entre la plaque de circuit (24) et le boîtier (17) ou entre le premier substrat diélectrique (21). Capteur de champ magnétique (1) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la première couche métallique (10) est sous la forme d’un bloc de refroidissement (25). Capteur de champ magnétique (1) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel une cinquième couche métallique (26) est parallèle à l’une des surfaces latérales (15, 16) du volume fermé (9). Capteur de champ magnétique (1) selon la revendication 13, dans lequel la cinquième couche métallique (26) relie électriquement la première couche métallique (10) à la seconde couche métallique (11).