Brevet FR3155622A1 — publié le 20250523

L’invention concerne un procédé de fabrication d’une couche active en carbure de silicium monocristallin par homoépitaxie sur une structure composite, le procédé comprenant les étapes suivantes : 1) la fourniture d’une structure composite comprenant une couche de croissance en carbure de silicium monocristallin s’étendant selon un plan principal et disposée sur un substrat support, la couche de croissance étant délimitée par un pourtour périphérique et présentant une première épaisseur selon un axe normal au plan principal ; 2) la formation d’une barrière locale dans ou sur la couche de croissance, la barrière locale s’étendant à distance et le long du pourtour périphérique, et correspondant à une discontinuité physique de la couche de croissance choisie parmi : - un relief en bosse induit par la présence d’un matériau sur la couche de croissance, ledit matériau étant différent de celui de la couche de croissance, - un relief en creux correspondant à une zone gravée de la couche de croissance, ou - un domaine amorphe ou de cristallinité différente du reste de la couche de croissance, la barrière locale présentant une épaisseur, selon l’axe normal au plan principal, inférieure à la première épaisseur ; 3) la croissance épitaxiale de la couche active sur la couche de croissance. Figure à publier avec l’abrégé : pas de figure PROCEDE DE FABRICATION D’UNE COUCHE EN CARBURE DE SILICIUM HOMOEPITAXIEE, PERMETTANT DE LIMITER LA FORMATION DE DEFAUTS DE TYPE BPD, ET STRUCTURE COMPOSITE ASSOCIEE DOMAINE DE L’INVENTION La présente invention concerne le domaine des matériaux semi-conducteurs, notamment les structures composites comprenant une couche active en carbure de silicium (SiC) élaborée par homoépitaxie sur une surface libre en SiC. Elle porte en particulier sur un procédé de fabrication permettant de limiter la formation de défauts étendus de type dislocation de plan basal (BPD) et fautes d’empilement de type Shockley (SSF) dans ladite couche. Elle concerne également une structure composite sur laquelle une couche active d’excellente qualité peut être homoépitaxiée. ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Le carbure de silicium (SiC) est un matériau particulièrement intéressant pour la fabrication de dispositifs de puissance, radiofréquences ou encore des dispositifs opérant à très hautes températures. Pour élaborer ces dispositifs, il est habituel de faire croitre une couche active 150 en SiC (par exemple de polytype 4H ou 6H) sur la surface d’un substrat massif 1 (en SiC monocristallin) ou d’une structure composite 100 incluant une couche mince 10 (en SiC monocristallin) reportée sur un substrat support 20 (avantageusement en SiC polycristallin ou monocristallin de moindre qualité), comme illustré sur la FIG. 1 . Une structure composite 100 peut notamment être élaborée par une technique connue de transfert de couche mince telle que le procédé Smart Cut TM . Pendant l’épitaxie de la couche active 150, certains défauts (dits défauts initiaux) présents à la surface du substrat massif 1 ou de la couche mince 10 de la structure composite 100 peuvent induire la formation d’inclusions locales de polytype SiC 3C ou de zones SiC 4H désorientées. Le champ de contrainte créé par les inclusions locales déclenche le glissement de dislocations de plan basal (BPD), donnant lieu à un réseau complexe de fautes d’empilement Shockley (SSF) et de dislocations partielles dans la couche active épitaxiée. Ces défauts sont très critiques car ils peuvent, entre autres, causer la détérioration des dispositifs élaborés par la suite dans la couche active, par un mécanisme de dégradation bipolaire. En outre, chaque défaut peut s’étendre aisément par activation thermique et par recombinaison de paires électrons-trous, selon une direction parallèle à la surface d’épitaxie. Cela aggrave significativement la situation, car plusieurs dispositifs peuvent être impactés par chaque défaut étendu. OBJET DE L’INVENTION La présente invention porte sur un procédé de fabrication d’une couche active en carbure de silicium monocristallin, par homoépitaxie, ledit procédé permettant de limiter la densité de défauts étendus de type dislocation de plan basal (BPD) et fautes d’empilement Shockley (SSF) dans ladite couche. Le procédé de fabrication comprend en particulier une étape de formation d’une barrière locale périphérique sur ou dans la couche de croissance d’une structure composite, pour éviter l’extension des inclusions générées dans la couche active, en défauts étendus de type BPD et SSF. L’invention concerne également une structure composite munie de ladite barrière locale. BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTION L’invention concerne un procédé de fabrication d’une couche active en carbure de silicium monocristallin par homoépitaxie sur une structure composite, le procédé comprenant les étapes suivantes : 1) la fourniture d’une structure composite comprenant une couche de croissance en carbure de silicium monocristallin s’étendant selon un plan principal et disposée sur un substrat support, la couche de croissance étant délimitée par un pourtour périphérique et présentant une première épaisseur selon un axe normal au plan principal ; 2) la formation d’une barrière locale dans ou sur la couche de croissance, la barrière locale s’étendant à distance et le long du pourtour périphérique, et correspondant à une discontinuité physique de la couche de croissance choisie parmi : - un relief en bosse induit par la présence d’un matériau sur la couche de croissance, ledit matériau étant différent de celui de la couche de croissance, - un relief en creux correspondant à une zone gravée de la couche de croissance, ou - un domaine amorphe ou de cristallinité différente du reste de la couche de croissance, la barrière locale présentant une épaisseur, selon l’axe normal au plan principal, inférieure à la première épaisseur ; 3) la croissance épitaxiale de la couche active sur la couche de croissance, la couche active présentant une deuxième épaisseur. Selon d’autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l’invention, prises seules ou selon toute combinaison techniquement réalisable : la première épaisseur est comprise entre 50nm et 1µm ; le pourtour périphérique de la couche de croissance se situe en moyenne entre 0,5mm et 2mm du bord périphérique du substrat support de la structure composite ; la barrière locale se situe à plus de 0,1mm, à plus de 0,5mm, à plus de 1mm, à plus de 2mm, à plus de 3mm, voire à plus de 5mm de tout point du pourtour périphérique de la couche de croissance ; l’épaisseur de la barrière locale est inférieure à 70%, à 50%, à 30%, à 20%, voire à 10% de la première épaisseur ; le relief en creux est réalisé par abrasion mécanique, par abrasion laser, par gravure humide ou par gravure sèche de la couche de croissance ; le domaine amorphe ou de cristallinité différente du reste de la couche de croissance est réalisé par amorphisation par laser ou par implantation d’ions ; le relief en bosse est réalisé par dépôt local d’un matériau tel qu’un nitrure de tungstène ou un disiliciure de tungstène ; la deuxième épaisseur est supérieure ou égale à 5µm, à 10µm, voire à 30µm. L’invention concerne en outre une structure composite comprenant une couche de croissance en carbure de silicium monocristallin s’étendant selon un plan principal et disposée sur un substrat support, la couche de croissance étant délimitée par un pourtour périphérique et présentant une première épaisseur selon un axe normal au plan principal ; la structure composite est remarquable en ce qu’elle comprend une barrière locale dans ou sur la couche de croissance, la barrière locale s’étendant à distance et le long du pourtour périphérique, et correspondant à une discontinuité physique de la couche de croissance choisie parmi : - un relief en bosse induit par la présence d’un matériau sur la couche de croissance, ledit matériau étant différent de celui de la couche de croissance, - un relief en creux correspondant à une zone gravée de la couche de croissance, ou - un domaine amorphe ou de cristallinité différente du reste de la couche de croissance. La barrière locale présente une épaisseur, selon l’axe normal au plan principal, inférieure à la première épaisseur. Selon d’autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l’invention, prises seules ou selon toute combinaison techniquement réalisable : la barrière locale se situe à plus de 0,1mm, à plus de 0,5mm, à plus de 1mm, à plus de 2mm, à plus de 3mm, voire à plus de 5mm de tout point du pourtour périphérique de la couche de croissance ; l’épaisseur de la barrière locale est inférieure à 70%, à 50%, à 30%, à 20%, voire à 10% de la première épaisseur ; la structure composite comprend en outre une couche active en carbure de silicium monocristallin crue par homoépitaxie sur la couche de croissance, la couche active présentant une deuxième épaisseur ; la deuxième épaisseur est supérieure ou égale à 5µm, à 10µm, voire à 30µm. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée de l’invention qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquelles : FIG. 1 La FIG. 1 présente un substrat massif, une structure composite avec et sans couche épitaxiale ; FIG. 2 La FIG. 2 présente un exemple de cartographie de la surface d’une couche active crue sur une structure composite ; les zones foncées correspondent à des défauts étendus (réseau de BPD, SSF, dislocations partielles) ; FIG. 3 La FIG. 3 présente une image de défaut étendu, obtenue par imagerie par photoluminescence : on peut voir en bas à gauche de l’image une zone dentelée (la région noire étant la couronne de la structure composite, dépourvue de couche de croissance), au niveau de laquelle une inclusion a provoqué un défaut étendu ; FIG. 4 FIG. 4 FIG. 4 FIG. 4 FIG. 4 Les figures 4a, 4b, 4c, 4d, 4e présentent des sous-étapes de fabrication d’une structure composite conformément au procédé selon l’invention ; FIG. 5 La FIG. 5 présente un exemple de barrière locale formée sur et/ou dans la couche de croissance d’une structure composite, conformément au procédé selon l’invention. DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION La présente invention concerne un procédé de fabrication d’une couche active 150 en carbure de silicium monocristallin, par homoépitaxie sur la couche de croissance 10 d’une structure composite 100. La demanderesse a observé que les défauts étendus évoqués en introduction, issus d’inclusions locales formées au cours d’une épitaxie sur des défauts initiaux de la couche de croissance 10, deviennent extrêmement importants pour les couches actives épitaxiées dont l’épaisseur est supérieure à 10µm, voire très critiques pour des épaisseurs supérieures à 30µm. Dans une structure composite 100, les défauts initiaux peuvent notamment correspondre à : des trous traversant la couche de croissance 10, induits par un problème local de transfert, des dentelures sur le pourtour de la couche de croissance, ou encore des déformations locales de la couche de croissance. La FIG. 2 montre un exemple de cartographie de défauts détectés à la surface d’une couche active de 30 µm crue sur une structure composite 100 : on remarque la très forte densité de défauts étendus, partant principalement du pourtour de la couche de croissance 10 et s’étant propagés thermiquement vers le centre de la structure. La FIG. 3 présente un exemple d’une inclusion à partir de laquelle un réseau de défauts BPD et SSF s’est propagé pour générer un défaut étendu. L’image est obtenue en microscopie par photoluminescence. La région noire en bas à gauche de l’image est dépourvue de couche de croissance 10, et on remarque l’aspect dentelé du pourtour 10c de la couche de croissance 10. Ces dentelures, comme énoncé ci-dessus, constituent des défauts initiaux susceptibles de donner naissance à des inclusions locales lors de la croissance épitaxiale, et par voie de conséquence, à des défauts étendus. Le procédé selon l’invention vise à procurer une couche active 150 de qualité améliorée en mettant en œuvre une barrière locale 130 dans la couche de croissance 10, apte à bloquer l’extension des défauts de type BPD et SSF ; cette barrière locale est définie pour prendre en compte une spécificité des structures composites 100, à savoir que la couche de croissance 10 comporte un pourtour périphérique 10c irrégulier, lequel est une source majeure de défauts initiaux susceptibles de donner lieu aux défauts étendus tueurs après épitaxie de la couche active 150. La première étape du procédé correspond à la fourniture d’une structure composite 100 comprenant une couche de croissance 10 en carbure de silicium monocristallin s’étendant selon un plan principal (x,y) et disposée sur un substrat support 20. La structure composite 100 se présente préférentiellement sous la forme d’une plaquette circulaire (« wafer » selon la terminologie anglo-saxonne) de diamètre de 100mm, 150mm, 200mm, voire plus. Elle pourrait néanmoins se présenter sous toute autre forme permettant son traitement ultérieur pour la fabrication de composants. L’épaisseur de la structure 100 s’étend selon l’axe z sur les figures. Comme indiqué en introduction, la structure composite 100 peut être élaborée par une technique de transfert de couches telle que le procédé Smart Cut TM . Dans une première sous-étape a), on fournit un substrat donneur 1 en carbure de silicium monocristallin et un substrat support 20 ( FIG. 4 ). Le SiC monocristallin peut être de polytype 4H, 6H ou 3C. Le substrat donneur 1 se présente préférentiellement sous la forme d’une plaquette de diamètre identique à ou très proche de celui du substrat support 20 avec lequel il sera ultérieurement assemblé, et d’épaisseur comprise typiquement entre 300 μm et 800 μm. Il présente une face avant 1a et une face arrière 1b. La rugosité de surface de la face avant 1a est avantageusement choisie inférieure à 1nm RMS, voire inférieure à 0,5nm RMS, mesurée par microscopie à force atomique (AFM) sur un scan de 20 μm x 20 μm. Le type de dopage et la résistivité du substrat donneur 1 sont définis en fonction de l’application et des dispositifs visés. Le substrat support 20 correspond au support mécanique de la future structure composite 100. Il est avantageusement formé en carbure de silicium polycristallin (p-SiC) ou en SiC monocristallin de moindre qualité cristalline. Ses propriétés électriques (son type et niveau de dopage) peuvent également être choisies en fonction de l’application visée. La deuxième sous-étape b) comprend l’implantation d’espèces légères dans un substrat donneur 1, pour former un plan fragile enterré 11 délimitant, avec une face avant 1a du substrat donneur 1, la couche superficielle à transférer 10’ ( FIG. 4 ). Les espèces légères sont préférentiellement de l’hydrogène et/ou de l’hélium, et sont implantées dans le substrat donneur 1, à une profondeur cohérente avec l’épaisseur de la couche de croissance 10 visée. Ces espèces légères vont former, autour de la profondeur déterminée, des microcavités distribuées dans une fine couche parallèle à la surface libre 1a du substrat donneur 1, soit parallèle au plan (x,y) sur les figures. On appelle cette fine couche le plan fragile enterré 11 par souci de simplification. L’énergie d’implantation des espèces légères est choisie de manière à atteindre la profondeur visée. Par exemple, des ions hydrogène seront implantés à une énergie comprise entre 10 keV et 250 keV, et à une dose comprise entre 5 E 16/cm 2 et 1 E 17/cm 2 , pour délimiter une couche superficielle 10’ présentant une épaisseur de l’ordre de 100nm à 1500nm. Notons qu’une couche de protection pourra être déposée sur la face avant 1a du substrat donneur 1, préalablement à l’étape d’implantation ionique. Cette couche de protection peut être composée par un matériau tel que l’oxyde de silicium ou le nitrure de silicium par exemple. Elle peut être retirée préalablement à la sous-étape suivante. La troisième sous-étape c) correspond à l’assemblage du substrat support 20, du côté de sa face avant 20a, avec le substrat donneur 1 implanté, également du côté de sa face avant 1a ( FIG. 4 ). Les dimensions latérales dans le plan principal (x,y) du substrat support 20 (son diamètre en particulier) sont les mêmes que celles de la structure composite 100. Le substrat support 20 présente une épaisseur typiquement comprise entre environ 50 μm et plusieurs centaines de micromètres, par exemple entre 50 μm et 650 μm, ou entre 100 μm et 450 μm, ou encore entre 200 μm et 350 μm. L’assemblage est fait par collage direct, par adhésion moléculaire, le long d’une interface de collage 40. Optionnellement, une couche intermédiaire peut être formée sur la face avant 1a du substrat donneur 1, avant ou après l’introduction des espèces légères, et en tout état de cause, avant la phase d’assemblage. Cette couche intermédiaire peut être en un matériau diélectrique, semi-conducteur ou métallique (tel que par exemple oxyde de silicium, silicium, carbure de silicium, tungstène, titane, etc). De manière optionnelle, une couche intermédiaire peut également être déposée sur la face 20a à assembler du substrat support 20, préalablement à l’assemblage ; elle peut être choisie de même nature ou de nature différente de la couche intermédiaire évoquée pour le substrat donneur 1. Une couche intermédiaire peut éventuellement être déposée sur l’un et l’autre des deux substrats 1,20 à assembler. La (ou les) couche(s) intermédiaire(s) est(sont) destinée(s) à être enterrée(s) dans l’ensemble collé 50 après assemblage, et à terme, dans la structure composite 100. Le collage direct par adhésion moléculaire ne nécessite pas une matière adhésive, car des liaisons s’établissent à l’échelle atomique entre les surfaces assemblées. Plusieurs types de collage par adhésion moléculaire existent, qui diffèrent notamment par leurs conditions de température, de pression, d’atmosphère ou de traitements préalables à la mise en contact des surfaces. On peut citer le collage à température ambiante avec ou sans activation préalable par plasma des surfaces à assembler, le collage par diffusion atomique (« Atomic diffusion bonding » ou ADB selon la terminologie anglo-saxonne), le collage avec activation de surface (« Surface-activated bonding » ou SAB), etc. La sous-étape d’assemblage peut comprendre, préalablement à la mise en contact des faces 1a,20a à assembler, des séquences classiques de nettoyages par voie chimique (par exemple, nettoyage RCA), d’activation de surface (par exemple, par plasma oxygène ou azote) ou autres préparations de surface (telles que le nettoyage par brossage (« scrubbing »)), susceptibles de favoriser la qualité de l’interface de collage 40 (faible défectivité, forte énergie d’adhésion). Il faut noter que la présence d’un chanfrein, au niveau du bord périphérique 20c du substrat support 20 et du bord périphérique du substrat donneur 1, génère une couronne périphérique non collée (non représentée sur la FIG. 4 ), couronne dans laquelle la couche superficielle 10’ ne sera pas transférée. La quatrième sous-étape d) correspond à une séparation le long du plan fragile enterré 11 pour former une structure composite intermédiaire 100’ comprenant la couche superficielle 10’ après transfert et le substrat support 20, d’une part, et le reste du substrat donneur 1’, d’autre part ( FIG. 4 ). La séparation le long du plan fragile enterré 11 s’opère habituellement par l’application d’un traitement thermique à une température comprise entre 800°C et 1200°C. Un tel traitement thermique induit le développement des cavités et microfissures dans le plan fragile enterré 11, et leur mise sous pression par les espèces légères présentes sous forme gazeuse, jusqu’à la propagation d’une fracture le long dudit plan fragile 11. Alternativement ou conjointement, une sollicitation mécanique peut être appliquée à l’ensemble collé et en particulier au niveau du plan fragile enterré 11, de manière à propager ou aider à propager mécaniquement la fracture menant à la séparation. La surface libre 10’a de la couche superficielle 10’ est habituellement rugueuse après séparation : par exemple, elle présente une rugosité comprise entre 5nm et 100nm RMS. La couche superficielle 10’ est délimitée, dans le plan (x,y) par un pourtour périphérique 10’c, en retrait par rapport au bord périphérique 20c du substrat support 20. Comme évoqué précédemment, ce pourtour périphérique 10’c peut être dentelé et irrégulier ; en moyenne, il est espacé du bord périphérique 20c d’une distance (largeur de la couronne périphérique non collée) comprise entre 0,5mm et 2mm. Enfin, la cinquième sous-étape e) comprend l’application de traitements thermique(s), mécanique(s) et/ou chimique(s) à la surface libre 10’a de la couche superficielle 10’, pour former la structure composite 100 munie de la couche de croissance 10 en carbure de silicium monocristallin ( FIG. 4 ). En particulier, cette sous-étape e) peut comprendre un traitement de lissage mécano-chimique de la surface libre 10’a de la couche superficielle 10’. Un enlèvement par exemple compris entre 50nm et 300nm permet de restaurer efficacement l’état de surface de la couche menant typiquement à une rugosité inférieure ou égale à 0,5nm RMS, voire inférieure ou égale à 0,1nm RMS (scan AFM 10x10μm 2 ou 20x20μm 2 ). La sous-étape e) peut également comprendre au moins un traitement thermique à une température comprise entre 1200°C et 1800°C. Un tel traitement thermique est appliqué pour évacuer les espèces légères résiduelles de la couche superficielle 10’ et pour favoriser le réarrangement son réseau cristallin, formant ainsi une couche de croissance 10 de haute qualité. Il permet en outre de renforcer l’interface de collage 40. A ce stade du procédé, la couche de croissance 10 de la structure composite 100 présente une première épaisseur typiquement comprise entre quelques dizaines de nm et quelques centaines de nm, par exemple, entre 50nm et 1000nm. La couche de croissance 10 est délimitée par un pourtour périphérique 10c présentant des irrégularités, telles que des dentelures. En général, ledit pourtour périphérique 10c se situe, en moyenne, entre 0,5mm et 2mm du bord périphérique 20c du substrat support 20 de la structure composite 100. Le procédé selon l’invention comprend ensuite une deuxième étape correspondant à la formation d’une barrière locale 130 dans ou sur la couche de croissance 10. Cette barrière locale correspond à une discontinuité physique de la couche de croissance 10, et s’étend à distance et continument le long du pourtour périphérique 10c ( FIG. 5 (i) (ii)). Préférentiellement, elle se situe à plus de 0,1mm, à plus de 0,5mm, à plus de 1mm, voire à plus de 2mm, à plus de 3mm, voire à plus de 5mm de tout point du pourtour périphérique 10c de la couche de croissance 10. La barrière 130 peut suivre, dans le plan principal (x,y), le tracé du pourtour périphérique 10c, ou suivre un tracé sensiblement différent, par exemple plus régulier (parfaitement circulaire) ou plus irrégulier, pour contourner des défauts initiaux spécifiques présents à proximité immédiate du pourtour périphérique 10c de la couche de croissance 10. Selon un premier mode de réalisation, la discontinuité physique peut se traduire par un relief en bosse induit par la présence d’un matériau disposé sur la couche de croissance 10, ledit matériau étant différent de celui de la couche de croissance 10. Un tel relief peut par exemple être réalisé par dépôt local d’un matériau tel qu’un nitrure de tungstène ou un disiliciure de tungstène (WSi 2 ). Selon un deuxième mode de réalisation, la discontinuité physique caractérisant la barrière locale 130 peut se traduire par un relief en creux, pouvant notamment être réalisé par abrasion mécanique (sciage, rodage), par abrasion laser, par gravure humide ou par gravure sèche de la couche de croissance 10, localement ( FIG. 5 (ii) et (iii)). Enfin, selon un troisième mode de réalisation, la discontinuité physique peut correspondre à un domaine amorphe ou de cristallinité différente du reste de la couche de croissance 10, par exemple réalisé par amorphisation par laser ou par implantation d’ions. La barrière locale 130 présente une épaisseur, selon un axe z normal au plan principal (x,y), inférieure à la première épaisseur, en particulier inférieure à 70%, à 50%, à 30%, à 20%, voire à 10% de la première épaisseur. Elle présente une largeur, dans le plan principal (x,y) et selon une direction radiale, pouvant varier entre 0,1 et 1000 micromètres. La demanderesse a identifié que les caractéristiques précitées de la barrière locale 130 permettent de bloquer l’extension de dislocations de plan basal (BPD) et de réseaux de fautes d’empilement Shockley (SSF) à partir des inclusions locales de polytype SiC 3C ou de zones SiC 4H désorientées susceptibles de se former, au cours de l’épitaxie, sur les irrégularités du pourtour périphérique 10c de la couche de croissance 10. La présence de cette barrière locale 130 évite ainsi que des défauts tueurs de type BPD et SSF ne s’étendent du pourtour 10c vers le centre la couche de croissance 10, et permet l’obtention d’une couche active 150, après croissance épitaxiale, de haute qualité. La discontinuité physique de la couche de croissance 10 que constitue la barrière locale 130 empêche efficacement la propagation des défauts BPD et SSF. Sans être tenu par cette explication, il est avancé que l’épaisseur de la barrière 130, inférieure à l’épaisseur de la couche de croissance 10, soit un paramètre important pour éviter la propagation de nouveaux défauts étendus radialement, à partir de ladite barrière 130. Le procédé selon l’invention comprend enfin une troisième étape correspondant à la croissance épitaxiale de la couche active 150 sur la couche de croissance 10, la couche active présentant une deuxième épaisseur, typiquement supérieure ou égale à 5µm, à 10µm, voire à 30µm. Cette croissance épitaxiale de carbure de silicium est réalisée dans la gamme de températures classiques, à savoir entre 1500°C et 1900°C. La discontinuité physique que constitue la barrière locale 130 induit une croissance épitaxiale localement perturbée : en particulier, la barrière 130 s’étend dans l’épaisseur de la couche active 150, au fur et à mesure de sa croissance, sous la forme d'un « mur » incluant des fautes d’empilement (SF), favorable au blocage du glissement des dislocations BPD. La perturbation de la croissance épitaxiale liée à la barrière 130 demeure néanmoins locale et le reste de la couche active 150 croît selon la structure cristalline de la couche de croissance 10. Dans l’exemple illustré sur la FIG. 5 (iii) et (iv), la structure composite 100 fournie à la première étape du procédé comprend une couche de croissance 10 en c-SiC d’épaisseur 600nm, disposée sur un substrat support 20 en p-SiC d’épaisseur 350 μm. La barrière locale 130, réalisée lors de la deuxième étape du procédé, correspond à un relief en creux réalisé par gravure locale par abrasion mécanique : sa profondeur est d’environ 300nm et sa largeur d’environ 2μm. Elle est située à 1 mm du pourtour périphérique 10c de la couche de croissance 10. Sur la FIG. 5 (iii), on observe, au-dessus de la barrière 130, la présence d’un trou traversant la couche de croissance 10 (défaut initial). Au cours de la troisième étape du procédé, une couche active 150 de 30 μm est réalisée par homoépitaxie à une température de 1550 °C. Au niveau du défaut initial, une inclusion locale s’est formée ( FIG. 5 (iv)) : de part et d’autre de cette inclusion, un défaut étendu de type BPD et SSF apparaît. La barrière 130 permet de bloquer l’extension du défaut vers le centre de la couche active 150 (vers le bas sur la figure). Bien sûr, l’invention concerne aussi la structure composite 100 comprenant la couche de croissance 10, disposée sur le substrat support 20, et la barrière locale 130 formée sur ou dans ladite couche de croissance 10. Elle concerne également la structure composite 100 munie de la couche active 150 crue par homoépitaxie sur la couche de croissance 10, et dont la barrière locale 130 permet l’obtention d’une excellente qualité de couche active 150. Bien entendu, l’invention n’est pas limitée aux modes de réalisation et aux exemples décrits, et on peut y apporter des variantes de réalisation sans sortir du cadre de l’invention tel que défini par les revendications. Procédé de fabrication d’une couche active (150) en carbure de silicium monocristallin par homoépitaxie sur une structure composite (100), le procédé comprenant les étapes suivantes : 1) la fourniture d’une structure composite (100) comprenant une couche de croissance (10) en carbure de silicium monocristallin s’étendant selon un plan principal (x,y) et disposée sur un substrat support (20), la couche de croissance (10) étant délimitée par un pourtour périphérique (10c) et présentant une première épaisseur selon un axe normal (z) au plan principal (x,y) ; 2) la formation d’une barrière locale (130) dans ou sur la couche de croissance (10), la barrière locale s’étendant à distance et le long du pourtour périphérique (10c), et correspondant à une discontinuité physique de la couche de croissance (10) choisie parmi : - un relief en bosse induit par la présence d’un matériau sur la couche de croissance (10), ledit matériau étant différent de celui de la couche de croissance, - un relief en creux correspondant à une zone gravée de la couche de croissance (10), ou - un domaine amorphe ou de cristallinité différente du reste de la couche de croissance (10), la barrière locale (130) présentant une épaisseur, selon l’axe (z) normal au plan principal (x,y), inférieure à la première épaisseur ; 3) la croissance épitaxiale de la couche active (150) sur la couche de croissance (10), la couche active (150) présentant une deuxième épaisseur. Procédé de fabrication selon la revendication 1, dans lequel la première épaisseur est comprise entre 50nm et 1µm. Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 et 2, dans lequel le pourtour périphérique (10c) de la couche de croissance (10) se situe en moyenne entre 0,5mm et 2mm du bord périphérique (20c) du substrat support (20) de la structure composite (100). Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel la barrière locale (130) se situe à plus de 0,1mm, à plus de 0,5mm, à plus de 1mm, à plus de 2mm, à plus de 3mm, voire à plus de 5mm de tout point du pourtour périphérique (10c) de la couche de croissance (10). Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel l’épaisseur de la barrière locale (130) est inférieure à 70%, à 50%, à 30%, à 20%, voire à 10% de la première épaisseur. Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel le relief en creux est réalisé par abrasion mécanique, par abrasion laser, par gravure humide ou par gravure sèche de la couche de croissance (10). Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel le domaine amorphe ou de cristallinité différente du reste de la couche de croissance (10) est réalisé par amorphisation par laser ou par implantation d’ions. Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel le relief en bosse est réalisé par dépôt local d’un matériau tel qu’un nitrure de tungstène ou un disiliciure de tungstène. Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel la deuxième épaisseur est supérieure ou égale à 5µm, à 10µm, voire à 30µm. Structure composite (100) comprenant une couche de croissance (10) en carbure de silicium monocristallin s’étendant selon un plan principal (x,y) et disposée sur un substrat support (20), la couche de croissance (10) étant délimitée par un pourtour périphérique (10c) et présentant une première épaisseur selon un axe normal (z) au plan principal (x,y), la structure composite étant caractérisée en ce qu’elle comprend une barrière locale (130) dans ou sur la couche de croissance (10), la barrière locale s’étendant à distance et le long du pourtour périphérique (10c), et correspondant à une discontinuité physique de la couche de croissance (10) choisie parmi : - un relief en bosse induit par la présence d’un matériau sur la couche de croissance (10), ledit matériau étant différent de celui de la couche de croissance, - un relief en creux correspondant à une zone gravée de la couche de croissance (10), ou - un domaine amorphe ou de cristallinité différente du reste de la couche de croissance (10), la barrière locale (130) présentant une épaisseur, selon l’axe (z) normal au plan principal (x,y), inférieure à la première épaisseur. Structure composite (100) selon la revendication 10, dans laquelle la barrière locale (130) se situe à plus de 0,1mm, à plus de 0,5mm, à plus de 1mm, à plus de 2mm, à plus de 3mm, voire à plus de 5mm de tout point du pourtour périphérique (10c) de la couche de croissance (10). Structure composite (100) selon l’une des revendications 10 et 11, dans laquelle l’épaisseur de la barrière locale (130) est inférieure à 70%, à 50%, à 30%, à 20%, voire à 10% de la première épaisseur. Structure composite (100) selon l’une des revendications 10 à 12, comprenant en outre une couche active (150) en carbure de silicium monocristallin crue par homoépitaxie sur la couche de croissance (10), la couche active (150) présentant une deuxième épaisseur. Structure composite (100) selon la revendication 13, dans laquelle la deuxième épaisseur est supérieure ou égale à 5µm, à 10µm, voire à 30µm.