Brevet FR3159042A1 — publié le 20250808

L’invention concerne un procédé de collage direct entre deux substrats comprenant les étapes suivantes : (a) fourniture d’un premier substrat et d’un deuxième substrat comprenant respectivement une première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et une deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, (b) dépôt d’un composé spécifique sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, le composé spécifique étant dérivé de la molécule d’ammoniac ou de l’ion ammonium par au moins la substitution d’un atome d’hydrogène par un groupe hydroxyle -OH et/ou un groupe amino -NH2, le composé spécifique ne comprenant pas d’atomes de carbone, (c) mise en contact de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile sur laquelle a été déposé le composé spécifique avec la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, de sorte à obtenir l’adhésion du premier substrat avec le deuxième substrat. Figure pour l’abrégé : Figure 1 Procédé de collage direct entre deux substrats L’invention concerne un procédé de collage direct entre deux substrats. ETAT DE LA TECHNIQUE Le collage direct est une technique largement employée en micro-électronique pour assembler des substrats et former des structures multicouches. Elle consiste à directement mettre en contact les deux surfaces à coller qui vont spontanément adhérer l’une à l’autre, sans apport supplémentaire de matière, notamment sans ajout d’une colle polymère. Il est possible d’avoir quelques monocouches d’eau adsorbées sur les surfaces à coller, notamment si elles sont hydrophiles, mais les surfaces à coller doivent être macroscopiquement sèches. L’adhésion spontanée entre les deux surfaces à coller se fait sous l’effet de différentes forces attractives entre les matériaux, par exemple sous l’effet de forces de Van der Waals, de forces capillaires et/ou de liaisons hydrogène impliquant les molécules d’eau adsorbées sur les surfaces à coller. Des liaisons covalentes peuvent aussi s’établir entre les deux surfaces à coller. Par exemple, dans le cas où les surfaces à coller sont des surfaces de silicium hydrophiles ou des surfaces d’oxyde de silicium, l’adhésion entre les deux surfaces résulte principalement de réactions de condensation entre les silanols de la première surface à coller d’une part et les silanols de la deuxième surface à coller d’autre part. Plus précisément, chaque réaction de condensation génère une liaison siloxane entre les deux surfaces à coller et libère une molécule d’eau selon la réaction (I) suivante : Si 1 -OH + Si 2 -OH -> Si 1 -O-Si 2 + H 2 O (I) Les forces attractives précédemment mentionnées n’agissent qu’à courte portée et la formation de liaisons covalentes nécessite que les réactifs soient suffisamment proches pour que leurs orbitales moléculaires se recouvrent. Le collage direct requiert donc que les surfaces à coller soient propres et plates, et présentent une très faible rugosité, par exemple une rugosité inférieure à 0,5 nm. Typiquement, la réaction (I) précédemment mentionnée ne peut avoir lieu qu’au niveau des points de contact entre les deux surfaces à coller. En outre, une telle réaction (I) est très lente et équilibrée (non totale) à température ambiante. La qualité du collage direct peut être évaluée par une grandeur appelée « énergie de collage » qui correspond à l’énergie nécessaire pour séparer les deux surfaces une fois collées. Du fait des difficultés précédemment mentionnées, l’énergie de collage entre deux surfaces collées par collage direct à température ambiante n’est pas suffisante pour garantir la bonne tenue mécanique de la structure multicouche résultante dans des applications ultérieures de ladite structure multicouche, par exemple si la structure multicouche est utilisée dans un procédé induisant de fortes contraintes mécaniques sur l’interface de collage. En effet, l’énergie de collage entre deux surfaces suite à un collage direct à température ambiante des deux surfaces atteint rarement les 200 mJ/m 2 lorsque les deux surfaces adhèrent sous l’effet des forces attractives précédemment mentionnées. La réaction (I) de condensation des silanols ne permet pas quant à elle de dépasser les 0,5 J/m 2 , même au bout de plusieurs jours. Une solution pour augmenter l’énergie de collage consiste à chauffer l’interface de collage suite à la mise en contact des deux surfaces à coller. Par exemple, la mise en contact de deux surfaces à coller de silicium hydrophile ou d’oxyde de silicium peut être suivie d’un traitement thermique de l’interface de collage à 200 °C pendant 2 heures. La réaction de condensation (I) étant endothermique, l’apport de chaleur va favoriser ladite réaction. Toutefois, des températures aussi importantes peuvent induire, au niveau de l’interface de collage, la formation de gaz et de bulles à l’origine de défauts de collage, ainsi qu’un stress thermique important, en particulier lorsque les deux substrats à coller présentent des coefficients de dilatation thermique très différents. En effet, dans ce dernier cas, la différence de comportement des deux substrats sous l’effet de variations de température est telle qu’elle va induire l’ouverture de l’interface de collage avant que celle-ci n’ait eu le temps de se renforcer. Le document FR 3 102 771 B1 propose avantageusement d’obtenir une forte énergie de collage à basse température entre deux surfaces de collage hydrophile par le dépôt d’une molécule spécifique sur au moins une surface de collage hydrophile préalablement à la mise en contact des deux substrats à coller, l’au moins une surface de collage hydrophile sur laquelle a été déposée la molécule spécifique étant à l’interface de collage. Le document FR 3 102 771 B1 précise que la molécule spécifique est une molécule organique devant comprendre un groupe hydrophile permettant à la molécule spécifique de se chimisorber sur la surface hydrophile à coller, ainsi qu’un groupe basique permettant d’augmenter le pH des monocouches d’eau adsorbées à la surface, le groupe hydrophile et le groupe fonctionnel basique étant séparés par au moins un atome de carbone. Le procédé de collage décrit par le document FR 3 102 771 B1 permet d’obtenir des énergies de collage supérieures à 1J/m 2 avec des températures de recuit de consolidation du collage inférieures à 100°C. Toutefois, les molécules organiques décrites par FR 3 102 771 B1 sont des sources de carbone. La présence de carbone à l’interface de collage peut être à l’origine de défauts de collage de par sa nature essentiellement hydrophobe. Ces défauts peuvent eux-mêmes induire des défaillances mécaniques ou électriques de l’interface de collage. Une autre solution consiste à traiter au moins une des surfaces à coller avec de l’ammoniac gazeux NH 3 ou avec une solution aqueuse d’ammoniac NH 4 OH. L’ammoniac réagissant partiellement avec l’eau pour générer des ions ammoniums NH4+ et des ions hydroxydes, ladite solution est aussi souvent appelée solution d’hydroxyde d’ammonium. L’ammoniac est une base faible qui va réagir avec l’eau adsorbée sur la surface à coller, et ainsi générer des ions hydroxydes OH- selon la réaction acido-basique (2) suivante : NH 3 + H 2 O= NH 4 + + HO - (2) Les ions hydroxydes générés par la réaction acido-basique (2) agissent comme des catalyseurs de la réaction de condensation (I) et en augmente donc la cinétique. Cependant, l’ammoniac NH 3 est extrêmement volatile : l’’évaporation de l’ammoniac de surface a pour conséquence un déplacement de l’équilibre de la réaction acido-basique (2) vers la régénération d’ammoniac NH 3 et donc de la consommation des ions hydroxydes catalytiques. Autrement dit, il est difficile de maintenir et de contrôler la quantité d’ammoniac effectivement présent sur la surface à coller alors même que ce maintien est nécessaire au bon fonctionnement de l’effet catalytique basique des ions hydroxydes tel que précédemment décrit. BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTION Un but de l’invention est de concevoir un procédé de collage direct à basse température entre deux substrats permettant d’obtenir des énergies de collage compatibles avec une utilisation de la structure résultante du collage des deux substrats dans des applications classiques de microélectronique telles que la fabrication de substrat Silicium Sur Isolant ou d’autres assemblages, typiquement d’obtenir des énergies supérieures à 1J/m 2 , tout en palliant les inconvénients précités de l’état de la technique. A cet effet, l’invention propose un procédé de collage direct entre deux substrats comprenant les étapes suivantes : (a) fourniture d’un premier substrat et d’un deuxième substrat comprenant respectivement une première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et une deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, (b) dépôt d’un composé spécifique sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, le composé spécifique étant dérivé de la molécule d’ammoniac ou de l’ion ammonium par au moins la substitution d’un atome d’hydrogène par un groupe hydroxyle -OH et/ou un groupe amino -NH2, le composé spécifique ne comprenant pas d’atomes de carbone, (c) mise en contact de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile sur laquelle a été déposé le composé spécifique avec la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, de sorte à obtenir l’adhésion du premier substrat avec le deuxième substrat. On désigne au sens de la présente invention par surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, une surface en oxyde de silicium présentant des groupements silanols Si-OH. Le composé spécifique tel que défini permet d’obtenir, à faible budget thermique (typiquement sans recuit de consolidation postérieurement à la mise en contact des deux substrats à coller), des énergies de collage supérieures à 1 J/m 2 en des temps raisonnables. Le composé spécifique permet d’augmenter d’un facteur supérieur à 2 l’énergie de collage entre le premier substrat et le deuxième substrat en comparaison avec un procédé de collage identique sans dépôt du composé spécifique. Par exemple, on peut obtenir une énergie de collage deux fois plus élevée à temps et température de recuit de consolidation identiques, ou obtenir une énergie de collage identique dans un temps beaucoup plus court et/ou une température de recuit de consolidation plus basse. Les inventeurs attribuent l’obtention à faible budget thermique des grandes énergies de collage précédemment mentionnées à un effet catalytique du composé spécifique qui améliorerait ainsi la cinétique des réactions de condensation à l’origine de l’adhésion entre le premier substrat et le deuxième substrat et en déplacerait aussi l’équilibre. Les inventeurs proposent deux mécanismes pouvant expliquer l’effet catalytique du composé spécifique : - le premier reposerait sur le caractère nucléophile du groupe amino ou du groupe hydroxyle du composé spécifique : l’addition ou la substitution nucléophile du composé spécifique sur les atomes de silicium de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile générerait des intermédiaires réactionnels très réactifs, de sorte que la réaction de condensation sur ces intermédiaires réactionnels s’en trouverait facilitée. On parle dans ce cas d’un effet catalytique nucléophile du composé spécifique. - le deuxième reposerait sur le caractère basique du composé spécifique : le groupe amino et/ou le groupe hydroxyle dudit composé spécifique réagirait avec l’eau adsorbée sur la surface à coller, et ainsi générerait des ions hydroxydes OH-. Lesdits ions hydroxydes agiraient à leur tour comme des catalyseurs de la réaction de condensation entre les deux substrats, tel que représenté sur la FIG. 1 . On parle dans ce cas d’un effet catalytique basique du composé spécifique. Les deux mécanismes interviennent probablement conjointement, l’un pouvant dominer sur l’autre en fonction de la nature du composé spécifique (et de son caractère basique relativement à son caractère nucléophile) ainsi que de la nature de la première surface de collage hydrophile et de la deuxième surface de collage hydrophile et des autres paramètres expérimentaux. Le composé spécifique possède le caractère nucléophile et/ou basique de l’ammoniac dont il dérive, tout en étant moins volatile que ledit ammoniac. En outre, le composé spécifique ne comprend pas d’élément carbone, ce qui en fait un composé peu polluant. La présence de carbone, notamment sous forme d’hydrocarbures peu réactifs chimiquement avec le silicium et l’oxyde de silicium, va induire la formation de défauts de collage qu’il sera difficile de cicatriser, et cela même après des recuits importants. L’azote ou l’oxygène sera beaucoup plus facilement intégré au film d’oxyde de silicium. Selon d’autres caractéristiques optionnelles de l’invention prises seules ou en combinaison lorsque cela est techniquement possible : - le procédé comprend en outre le dépôt du composé spécifique sur la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, l’adhésion du premier substrat avec le deuxième substrat étant obtenu par la mise en contact de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et de ladite deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile sur lesquelles a été préalablement déposé le composé spécifique ; - la concentration surfacique du composé spécifique sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile préalablement à la mise en contact de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile sur laquelle a été déposé ledit composé spécifique avec la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile est comprise entre 10 11 molécules/cm 2 et 10 15 molécules/cm 2 ; - le composé spécifique ne comprend que des atomes d’azote, d’oxygène et/ou d’hydrogène ; - le composé spécifique est choisi parmi l’hydroxylamine, l’hydrazine et l’hydroxylhydrazine ; - le dépôt du composé spécifique sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile comprend le dépôt sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile d’un liquide comprenant le composé spécifique ; - le dépôt sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile du liquide comprenant le composé spécifique comprend : - le dépôt d’un volume du liquide comprenant le composé spécifique au centre de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, - l’étalement dudit volume du liquide comprenant le composé spécifique par rotation de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, ladite première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile étant maintenue en rotation jusqu’à éjection et évaporation du volume de liquide comprenant le composé spécifique ; - le procédé comprend en outre une étape d’exposition de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile à un plasma préalablement au dépôt du volume du liquide comprenant le composé spécifique au centre de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile ; - le liquide comprenant le composé spécifique est issu de la dissolution du composé spécifique dans un solvant, préférentiellement dans de l’eau ou dans un mélange d’eau et d’IPA ; - le dépôt du composé spécifique sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile comprend l’exposition de ladite première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile à un gaz comprenant le composé spécifique ; - le premier substrat et/ou le deuxième substrat sont des substrats de silicium ; - la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et/ou la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile sont en oxyde déposé, en oxyde thermique, en oxyde chimique et/ou en oxyde natif ; - la mise en contact de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile sur laquelle a été déposé le composé spécifique et de la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile est mise en œuvre à une température comprise entre 10 °C et 60 °C ; - le procédé comprend en outre une étape d) de recuit de consolidation mise en œuvre postérieurement à l’étape c) de mise en contact de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile sur laquelle a été déposé le composé spécifique et de la seconde surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, le recuit de consolidation étant préférentiellement mis en œuvre à une température inférieure à 100 °C pendant une durée comprise entre 15 min et 2 h ; - le premier substrat est en un premier matériau et le deuxième substrat est en un deuxième matériau, la différence de coefficient de dilatation thermique entre le premier matériau et le deuxième matériau étant supérieure ou égale à 10 % en valeur relative ; - le premier substrat est une structure multicouche comprenant une première couche en un premier matériau et une deuxième couche en un deuxième matériau, la différence de coefficient de dilatation thermique entre le premier matériau et le deuxième matériau étant supérieure ou égale à 10 % en valeur relative ; - le premier substrat comprend des éléments de composants électroniques ; - le premier substrat comprend une zone de fragilisation formée par implantation d’espèces atomiques ou ioniques ; L’invention s’étend à un procédé de transfert d’une couche sur un substrat support, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : a) la fourniture d’un substrat donneur comprenant une première surface en oxyde de silicium hydrophile et d’un substrat support comprenant une deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile, b) la formation d’une zone de fragilisation au sein du substrat donneur de sorte à délimiter une couche à transférer entre la première surface en oxyde de silicium hydrophile et la zone de fragilisation, c) le collage entre le substrat donneur et le substrat support, la première surface en oxyde de silicium hydrophile et la deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile étant à l’interface de collage et le collage entre le substrat donneur et le substrat support étant mis en œuvre par un procédé de collage tel que précédemment décrit, d) le détachement du substrat donneur le long de la zone de fragilisation de sorte à transférer la couche à transférer sur le substrat support. Enfin, l’invention concerne un assemblage comprenant un premier substrat et un deuxième substrat, le premier substrat étant recouvert par une première surface hydrophile et le deuxième substrat étant recouvert par une deuxième surface hydrophile, la première surface hydrophile étant collée avec la deuxième surface hydrophile, un composé spécifique étant disposé entre la première surface de collage hydrophile et la deuxième surface de collage hydrophile, le composé spécifique étant un dérivé de la molécule d’ammoniac ou de l’ion ammonium par au moins la substitution d’ un atome d’hydrogène par un groupe hydroxyle -OH et/ou un groupe amino -NH 2 , le composé spécifique ne comprenant pas d’atomes de carbone. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée qui va suivre. La FIG. 1 illustre le rôle nucléophile de l’ion hydroxyde dans la réaction de condensation des silanols à l’origine de la formation d’une liaison siloxane Si-O-Si entre les deux surfaces à coller. La FIG. 2 illustre l’effet bénéfique sur l’énergie de collage de l’invention en comparant l’évolution au cours des recuits de surfaces traitées ou non par l’hydroxylamine, à différentes concentrations. DESCRIPTION DETAILLEE DE MODES DE REALISATION Le procédé de collage direct selon l’invention comprend une première étape de fourniture d’un premier substrat comprenant une première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et d’un deuxième substrat comprenant une deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile. Fourniture d’un premier substrat comprenant une première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et d’un deuxième substrat comprenant une deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile. Le premier substrat et/ou le deuxième substrat peuvent être par exemple en un matériau choisi parmi le silicium Si, le germanium Ge, le phosphure d’indium InP, l’arséniure de gallium AsGa, l’alumine Al 2 O 3 , l’oxyde de silicium SiO 2 , le nitrure de silicium Si 3 N 4 , le carbure de silicium SiC, le nitrure de gallium GaN, le cuivre, le titane, le nickel, le lithium niobate LiNbO 3 (connu par l’homme du métier sous l’acronyme LNO) et le lithium tantalate LiTaO 3 (connu par l’homme du métier sous l’acronyme LTO). Alternativement, le premier substrat et/ou le deuxième substrat peuvent être des structures multicouches comprenant au moins deux couches. Par exemple, le premier substrat -respectivement le deuxième substrat - comprend une première couche en un premier matériau et une deuxième couche en un deuxième matériau. Le premier matériau et le deuxième matériau sont par exemple choisis parmi les matériaux précédemment cités. Selon ce mode de réalisation, l’étape de fourniture d’un premier substrat comprenant une première surface de collage hydrophile et d’un deuxième substrat comprenant une deuxième surface de collage hydrophile peut comprendre une ou plusieurs sous-étapes d’assemblage desdits couches, de sorte à former le premier substrat et/ou le deuxième substrat. Le procédé de collage direct selon l’invention est particulièrement avantageux lorsque le premier substrat et/ou le deuxième substrat comprennent des couches en des matériaux présentant une grande différence de coefficient de dilatation thermique. On entend par grande différence de coefficient de dilatation thermique, une différence en valeur relative de 10 % ou plus entre les valeurs desdits coefficients de dilatation thermique. En outre, le premier substrat et/ou le deuxième substrat peuvent comprendre un ou plusieurs éléments de composants électroniques. Par exemple, le premier substrat et/ou le deuxième substrat comprennent des parties métalliques telles que des lignes de cuivre et des parties isolantes en oxyde de silicium (collage hybride). De la même façon, l’étape de fourniture d’un premier substrat comprenant une première surface de collage hydrophile et d’un deuxième substrat comprenant une deuxième surface de collage hydrophile peut dans ce cas comprendre une ou plusieurs sous-étapes de formation desdits éléments de composants électroniques. Le procédé de collage direct selon l’invention est particulièrement avantageux lorsque le premier substrat et/ou le deuxième substrat comprennent de tels éléments de composants électroniques car au cours du chauffage, les différents éléments d’un tel système se dilatent différemment (métaux, isolants, semi-conducteurs) et ceci peut générer des contraintes importantes au sein du dispositif. Ces contraintes peuvent conduire à des défauts comme par exemple la délamination. Le budget thermique maximal ne doit pas excéder le budget thermique généré à la température d’usage du dispositif, qui est généralement inférieure à 200°C. Enfin, le premier substrat et/ou le deuxième substrat peuvent également comprendre une zone de fragilisation formée par exemple par implantation d’espèces atomiques et/ou ioniques. Le procédé de collage direct selon l’invention est particulièrement avantageux lorsque le premier substrat et/ou le deuxième substrat comprennent une telle zone de fragilisation car il faut alors que la zone de fragilisation soit la plus faible du matériau, sans quoi le contrôle de la fracture sera difficile. Il faut donc que toutes les autres interfaces se soient renforcées au moment de la fracture. Le premier substrat et le deuxième substrat peuvent être de nature identique ou ils peuvent être différents. Le procédé de collage direct selon l’invention est particulièrement avantageux lorsque le premier substrat (ou la couche du premier substrat à l’interface de collage) et le deuxième substrat (ou la couche du deuxième substrat à l’interface de collage) sont en des matériaux présentant une grande différence de coefficient de dilatation thermique. Première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile Comme précédemment mentionné, le premier substrat et le deuxième substrat comprennent respectivement une première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et une deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile. On entend par surface de collage hydrophile une surface qui a une forte affinité avec l’eau, de sorte qu’au moins une monocouche d’eau reste naturellement adsorbée sur la surface de collage hydrophile. L’angle de contact d’une surface hydrophile est typiquement inferieur à une dizaine de degrés. Par exemple, la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et/ou la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peuvent être des surfaces d’oxyde de silicium natif. Autrement dit, si le premier substrat et/ou le deuxième substrat comprennent un matériau formant naturellement à sa surface une couche d’oxyde – dite couche d’oxyde de silicium natif -, la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et/ou la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peuvent être la surface de ladite couche d’oxyde natif. C’est par exemple le cas du silicium et du carbure de silicium qui forment naturellement une couche d’oxyde dont l’épaisseur est de l’ordre de 1 nm. Si le premier substrat et/ou le deuxième substrat sont en oxyde de silicium ou comprennent une couche d’oxyde de silicium, la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et/ou la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peuvent être directement la surface dudit oxyde de silicium. Par exemple encore, la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et/ou la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peuvent être des surfaces d’oxyde de silicium thermique. Selon ce mode de réalisation, l’étape de fourniture d’un premier substrat comprenant une première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et d’un deuxième substrat comprenant une deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peut comprendre une sous-étape de formation d’une première couche d’oxyde de silicium thermique sur le premier substrat et/ou une sous-étape de formation d’une deuxième couche d’oxyde de silicium thermique sur le deuxième substrat, une surface de la première, respectivement de la deuxième, couche d’oxyde de silicium thermique formant la première, respectivement la deuxième, surface de collage en oxyde de silicium hydrophile. On entend par oxyde thermique, un oxyde formé par oxydation directe d’un matériau par exposition dudit matériau, à haute température, à du dioxygène (oxydation sèche), à de l’eau (oxydation humide) ou éventuellement à d’autres oxydants (par exemple N 2 O). Une couche d’oxyde de silicium thermique peut être formée à la surface d’un substrat de silicium ou d’un substrat de carbure de silicium. A cette fin, un substrat de silicium est par exemple chauffé à une température préférentiellement comprise entre 800 °C et 1200 °C puis une surface dudit substrat de silicium est exposée à une atmosphère de dioxygène ou de vapeur d’eau. La température d’oxydation conditionne la vitesse de croissance de la couche d’oxyde de silicium thermique depuis la surface du substrat de silicium exposée à l’atmosphère de dioxygène ou de vapeur d’eau. Dans le cas d’une oxydation thermique humide, la formation de la couche d’oxyde de silicium thermique peut comprendre la combustion de dihydrogène par du dioxygène dans une torche et l’exposition du substrat à la vapeur d’eau produite par ladite combustion, la chaleur générée par cette même réaction de combustion pouvant en outre servir à porter le substrat à la température choisie pour l’oxydation thermique. L’épaisseur de la couche d’oxyde de silicium thermique est par exemple comprise entre 1 nm et 1 µm. Par exemple encore, la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et/ou la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peuvent être des surfaces d’oxyde de silicium chimique. Selon ce mode de réalisation, l’étape de fourniture d’un premier substrat comprenant une première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et d’un deuxième substrat comprenant une deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peut comprendre une sous-étape de formation d’une première couche d’oxyde de silicium chimique sur le premier substrat et/ou une sous-étape de formation d’une deuxième couche d’oxyde de silicium chimique sur le deuxième substrat, une surface de la première, respectivement de la deuxième, couche d’oxyde de silicium chimique formant la première, respectivement deuxième, surface de collage en oxyde de silicium hydrophile. On entend par oxyde chimique, un oxyde formé par oxydation d’un matériau à basse température (préférentiellement à température ambiante), en présence d’eau ou de certains oxydants tels que le peroxyde d’hydrogène H 2 O 2 ou l’ozone O 3 . Une couche d’oxyde de silicium chimique peut être formée de cette façon à la surface d’un substrat de silicium, de carbure de silicium ou de nitrure de silicium, par exposition, à basse température, de ladite surface à de l’eau ou à un oxydant tel que précédemment mentionné L’épaisseur de la couche d’oxyde de silicium chimique à la surface du substrat de silicium est par exemple comprise entre 0,5 nm et 3 nm. Par exemple encore, la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et/ou la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peuvent être des surfaces d’oxyde de silicium déposées. Selon ce mode de réalisation, l’étape de fourniture d’un premier substrat comprenant une première surface de collage hydrophile et d’un deuxième substrat comprenant une deuxième surface de collage hydrophile peut comprendre une sous-étape de dépôt d’une première couche d’oxyde de silicium déposée sur le premier substrat et/ou une sous-étape de dépôt d’une deuxième couche d’oxyde de silicium déposée sur le deuxième substrat, une surface de la première, respectivement de la deuxième, couche d’oxyde déposée formant la première, respectivement la deuxième, surface de collage en oxyde de silicium hydrophile. On entend par oxyde déposé, un oxyde formé par apport de matière par voie chimique, par exemple sous forme de vapeur ou de plasma. Une couche d’oxyde de silicium peut être déposée sur quasiment tout type de matériau, notamment les semiconducteurs IV/IV, III/V et II/VI ainsi que les oxydes du type LiTaO 3 ou LiNbO 3 . L’épaisseur de la couche d’oxyde de silicium déposée est par exemple comprise entre 1 nm et 10 µm. Pour le dépôt d’une couche d’oxyde de silicium, le précurseur apportant le silicium est typiquement le silane (SiH 4 ) tandis que le précurseur apportant l’oxygène est par exemple N 2 O ou O 2 . Par exemple, on place le substrat sur lequel on souhaite déposer la couche d’oxyde de silicium dans une chambre plasma. Puis, on fait entrer dans ladite chambre plasma un gaz vecteur, par exemple du dihydrogène, comprenant les précurseurs du silicium et de de l’oxygène, par exemple SiH 4 et N 2 O. Sous l’effet du plasma, les précurseurs se décomposent et réagissent, formant à la surface du substrat exposée au plasma une couche d’oxyde de silicium. Les procédés de formation de la couche d’oxyde de silicium précédemment décrits sont donnés à titre illustratif et ne sont en rien limitatifs de la portée de l’invention et peuvent être adaptés par l’homme du métier au cas d’application envisagé. Par exemple, le procédé de dépôt d’une couche d’oxyde de silicium peut comprendre l’application de champs magnétiques ou de microondes pour accélérer le dépôt. D’autres gaz vecteurs ou précurseurs peuvent être utilisés. Si le premier substrat et/ou le deuxième substrat sont en oxyde de silicium ou comprennent une couche d’oxyde de silicium et/ou si le premier substrat et/ou le deuxième substrat sont en un matériau formant naturellement une couche d’oxyde de silicium en surface ou comprennent un tel matériau, la fourniture du premier substrat comprenant une première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et du deuxième substrat comprenant une deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peut tout de même comprendre la formation d’une première couche d’oxyde de silicium déposée, thermique ou chimique sur le premier substrat et/ou la formation d’une deuxième couche d’oxyde de silicium déposée, thermique ou chimique sur le deuxième substrat de sorte qu’une surface de la première, respectivement de la deuxième, couche d’oxyde de silicium déposée, thermique ou chimique forme la première, respectivement la deuxième, surface de collage en oxyde de silicium hydrophile. La première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peuvent être de même nature ou de nature différente. Par exemple, la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peut être une surface d’oxyde de silicium chimique et la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile une surface d’oxyde de silicium natif. Dans ce cas, l’étape de fourniture d’un premier substrat comprenant une surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et d’un deuxième substrat comprenant une deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peut comprendre une sous-étape de formation d’une couche d’oxyde de silicium chimique sur le premier substrat. Par exemple encore, la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peut être une surface d’oxyde de silicium thermique et la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile une surface d’oxyde de silicium déposée. Dans ce cas, l’étape de fourniture d’un premier substrat comprenant une surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et d’un deuxième substrat comprenant une deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile peut comprendre une sous-étape de formation d’une couche d’oxyde de silicium thermique sur le premier substrat et une sous-étape de formation d’une couche d’oxyde de silicium déposée sur le deuxième substrat. De telles combinaisons sont citées à titre d’exemples et ne sont en rien limitatives de la portée de l’invention. Toute combinaison entre surfaces d’oxyde de silicium natif, chimique, thermique et déposé du premier substrat et du deuxième substrat reste couverte par la présente invention. En outre, en fonction de la nature du premier, respectivement deuxième, substrat qu’il souhaite obtenir (substrat monobloc, ou structure multicouche comprenant des matériaux présentant des coefficients de dilatation thermique très différents, comprenant éventuellement des éléments de composants électronique et/ou une zone de fragilisation) et de l’application envisagée pour l’assemblage résultant du collage entre le premier substrat et le deuxième substrat (par exemple la fabrication de silicium sur isolant ou de piézoélectrique sur isolant) l’homme du métier est en mesure de choisir la nature de l’oxyde de silicium la plus adaptée pour le premier, respectivement deuxième, substrat, ainsi que l’ordre d’enchainement des différentes sous-étapes précédemment mentionnées permettant de fournir le premier, respectivement deuxième, substrat attendu. Dépôt d’un composé spécifique sur au moins la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile Le procédé comprend en outre une étape de dépôt d’un composé spécifique sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, ou à la fois sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et sur la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile. Le composé spécifique est un dérivé de la molécule d’ammoniac ou de l’ion ammonium par au moins la substitution d’un atome d’hydrogène par un groupe hydroxyle -OH et/ou un groupe amino -NH 2 , le composé spécifique ne comprenant pas d’atomes de carbone. Préférentiellement, le composé spécifique ne comprend que des atomes d’azote, d’oxygène et/ou d’hydrogène. Le composé sera ainsi plus facilement incorporable par l’oxyde de silicium, sous la forme de groupement - Si-O-N,- SiOH ou Si-NH. Plus préférentiellement encore, le composé spécifique est choisi parmi l’hydroxylamine, l’hydrazine et l’hydroxylhydrazine. Préférentiellement, la concentration surfacique du composé spécifique sur chaque surface de collage en oxyde de silicium hydrophile sur laquelle le dépôt du composé spécifique a été mis en œuvre est, préalablement à la mise en contact de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile avec la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, comprise entre 10 11 molécules/cm 2 et 10 15 molécules/cm 2 . Une concentration de 10 15 molécules/cm 2 correspond à une monocouche donc à une saturation de la surface de collage hydrophile. En dessous de 10 11 molécules/cm 2 la quantité de molécules devient difficilement détectable, et l’effet catalytique n’est pas assez efficace. La présence du composé spécifique et la concentration surfacique en ledit composé spécifique peut être caractérisée par différentes techniques spectroscopiques telles que la fluorescence des rayons X, les spectroscopies Raman ou Infra-rouge, ou le dosage par spectroscopie de masse. Apport du composé spécifique sous forme liquide Selon un mode de réalisation particulier, le dépôt du composé spécifique comprend le dépôt d’un liquide comprenant le composé spécifique. Par exemple, le liquide comprenant le composé spécifique est une solution issue de la dissolution du composé spécifique dans un solvant. La concentration en composé spécifique de ladite solution est préférentiellement comprise entre 10 -6 mol/L et 1 mol/L, de préférence entre 10 -5 et 10 -1 mol/L. Dans une telle gamme de concentrations, le composé spécifique reste suffisamment soluble, de sorte qu’on évite la formation de cristaux à l’évaporation, tout en étant assez concentré pour apporter suffisamment d’ions à l’interface pour accélérer la réaction. Le solvant est préférentiellement de l’eau ou un mélange d’eau et d’IPA (alcool isopropylique). L’IPA est utilisé pour améliorer le processus de séchage des plaques en modifiant la tension de surface de la solution. Le dépôt du liquide comprenant le composé spécifique peut être réalisé par exemple par enduction, par pulvérisation ou par dépôt à la tournette (plus connu par l’homme du métier sous la dénomination anglo-saxonne « spin-coating »). On entend par pulvérisation la projection de gouttelettes de solutions sur la surface. On entend par enduction le trempage des plaques dans la solution suivi de leur retrait. Préférentiellement, le dépôt du liquide comprenant le composé spécifique est mis en œuvre à la tournette. Autrement dit, le dépôt du liquide comprenant le composé spécifique comprend la mise en rotation de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et le dépôt d’un volume du liquide comprenant le composé spécifique au centre de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile en rotation, par exemple à l’aide d’une pipette, la rotation de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile permettant d’étaler ledit volume du liquide comprenant le composé spécifique sur l’ensemble de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile. Le volume du liquide comprenant le composé spécifique est préférentiellement compris entre 1 cm 3 et 100 cm 3 pour un premier substrat de 300mm de diamètre, tandis que la vitesse de rotation de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile lors du dépôt dudit volume est préférentiellement comprise entre 100 t/min et 3000 t/min. Suite au dépôt du volume de liquide comprenant le composé spécifique, la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile est ensuite maintenue en rotation jusqu’à éjection et évaporation du volume de liquide comprenant le composé spécifique. Préférentiellement, la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile est maintenue en rotation à une vitesse de rotation comprise entre 100 t/min et 3000 t/min pendant une durée comprise entre 1 s et 1min. Le dépôt du liquide comprenant le composé spécifique à la tournette est très avantageux dans la mesure où il peut être mis en œuvre dans des machines classiquement utilisées pour le collage de substrats dans l’industrie microélectronique. En effet, lesdites machines intègrent déjà, à des fins de nettoyage et de préparation de surfaces pour leur collage, les équipements qui permettent le dépôt du volume de liquide comprenant le composé spécifique et l’étalement dudit volume tels que précédemment décrits. L’homme du métier n’a donc pas besoin d’investir dans de nouveaux équipements pour mettre en œuvre l’invention selon ce mode de réalisation. Le maintien en rotation de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile jusqu’à éjection et évaporation du volume de liquide comprenant le composé spécifique permet de sécher la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, tout en conservant une quantité suffisante de composé spécifique sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile. Le choix de la vitesse de rotation permet, dans une certaine mesure, de moduler la quantité de composé spécifique restant sur la surface au moment du collage en modulant la part du volume de liquide comprenant le composé spécifique qui est éjectée par rapport à la part dudit volume qui est évaporée. Si la vitesse de rotation est supérieure à 3000 t/min, une part trop importante du volume de liquide comprenant le composé spécifique est éjectée de sorte qu’il ne reste pas assez de composé spécifique en surface. Inversement, si la vitesse est inférieure à 100 t/min, une part trop importante du volume de liquide comprenant le composé spécifique s’évapore, de sorte qu’il y a trop de composé spécifique en surface, ce qui pourrait créer des défauts formés par des particules solides (cristaux, résidus solides). En outre, ladite quantité de composé spécifique conservée sur la surface peut être ajustée à l’aide de différents paramètres, tels que la concentration en composé spécifique du liquide comprenant le composé spécifique et le pH dudit liquide qui influe sur la charge de surface de l’oxyde. Selon un mode de réalisation particulier du dépôt du composé spécifique sous forme liquide, le dépôt du liquide comprenant le composé spécifique peut être précédé d’une activation de la surface de collage en oxyde de silicium hydrophile à l’aide d’un plasma. En effet, l‘activation d’une surface de collage en oxyde de silicium par plasma est connu de l’homme du métier pour avoir un effet bénéfique sur l’énergie de collage : le plasma permet en effet de rompre de nombreuses liaisons, notamment des liaisons Si-O-Si et de générer des espèces très réactives. Dès exposition de la surface activée par plasma à de l’eau ou à une atmosphère humide, lesdites espèces réactives vont réagir avec l’eau pour former de nouveaux silanols Si-OH de surface. Ainsi, l’activation plasma permet en définitive d’augmenter le nombre de groupements silanols de surface qui vont ensuite pouvoir réagir dans les réactions de condensation lors de la mise en contact des substrats pour le collage. Les inventeurs ont mis en évidence un effet bénéfique de la combinaison de l’activation plasma et du dépôt du composé spécifique sous forme liquide puisqu’une telle combinaison, tout paramètre inchangé par ailleurs, permet d’augmenter l’énergie de collage par rapport à la simple activation plasma ou au seul dépôt du composé spécifique sous forme liquide. Les inventeurs attribuent cet effet bénéfique de la combinaison entre plasma et composé spécifique à la formation d’une couche de surface « éponge » induite qui permette de stocker une plus grande quantité d’eau et de composé spécifique. Le plasma est par exemple un plasma formé à partir d’un gaz tel que le dioxygène, le diazote, l’hélium ou l’argon. Chaque surface de collage en oxyde de silicium hydrophile sur laquelle on souhaite déposer le composé spécifique peut être exposée audit plasma pendant une durée comprise entre 1 s et 1 min. Apport sous forme gazeuse Alternativement, le dépôt du composé spécifique peut comprendre l’exposition à un gaz comprenant ledit composé spécifique. Le gaz comprenant le composé spécifique peut par exemple être choisi parmi l’air atmosphérique (si le composé spécifique est volatile), les gaz rares, l’hydrogène, l’hélium ou d’éventuels mélanges incluant de la vapeur d’eau (par exemple l’atmosphère humide à 40 % d’une salle blanche). Ce choix peut être dicté par exemple par la volonté de réduire certains défauts formés au moment du collage, notamment des défauts de type picots (« edge voids » en anglais). Le gaz comprend le composé spécifique sous forme de vapeurs, par exemple de vapeurs d’hydroxylamine ou d’hydrazine. La concentration en composé spécifique dans le gaz est préférentiellement comprise entre 1/1000 et 1 et/ou la pression partielle en composé spécifique est par exemple comprise entre 1 mbar et 1 bar. Chaque surface de collage en oxyde de silicium hydrophile sur laquelle on souhaite effectuer le dépôt du composé spécifique est exposée audit gaz pendant une durée préférentiellement comprise entre 1 seconde et 5 minutes. La température des substrats exposés au gaz est très avantageusement comprise entre -10°C et 50°C pour ajuster la quantité de composé spécifique adsorbé sur le substrat. En effet, la température du gaz permet de contrôler la quantité de composé spécifique qui s’adsorber sur la surface. Une température supérieure à 50°C conduirait à un dépôt insuffisant de composé spécifique. Selon un mode de réalisation particulier du dépôt du composé spécifique sous forme gazeuse, l’exposition de la surface de collage en oxyde de silicium hydrophile au gaz comprenant le composé spécifique peut être précédée d’une activation de la surface de collage en oxyde de silicium hydrophile à l’aide d’un plasma. Une telle activation plasma peut être mise en œuvre telle que précédemment décrite pour l’apport sous forme liquide, et permet d’augmenter l’énergie de collage par rapport à la simple activation plasma ou au seul dépôt du composé spécifique sous forme gazeuse. Mise en contact de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et de la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile La mise en contact entre la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile est réalisée de sorte que le composé spécifique n’a pas été éliminé ou totalement éliminé entre l’étape de dépôt dudit composé spécifique et l’étape de mise en contact. Autrement dit, pour chaque surface de collage en oxyde de silicium hydrophile sur laquelle on a effectué le dépôt du composé spécifique, le procédé de collage direct selon l’invention ne comprend pas d’étapes de nettoyage et de rinçage de ladite surface entre le dépôt du composé spécifique et la mise en contact des substrats. En particulier, l’étape de rinçage à l’eau déionisée ultrapure classiquement utilisée pour éliminer les particules et la contamination de surface avant collage est limitée ou très préférentiellement supprimée, de sorte à ne pas supprimer le composé spécifique sur la surface. La mise en contact entre la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile est de préférence réalisée à une température comprise entre -10°C et 60°C, encore plus préférentiellement à température ambiante (c’est-à-dire typiquement entre 18°C et 25°C). Le contrôle de la température est un moyen avantageux de contrôler l’adsorption du composé spécifique sur les surfaces à coller. La mise en contact peut comprendre l’application d’une pression localisée, de sorte à générer un point de contact entre la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile : l’onde de collage se propage depuis le point de contact en quelques secondes sur toute l’interface de collage. Alternativement, la mise en contact peut se faire sans appliquer de pression. Selon ce mode de réalisation, le premier substrat et le deuxième substrat peuvent rester l’un contre l’autre pendant quelques dizaines de secondes jusqu’à ce que l’évacuation de l’air entre les deux substrats entraine l’apparition d’un point de contact et le début de la propagation de l’onde de collage. La pression de vapeur lors de la mise en contact de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et de la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile est préférentiellement compris entre 1 Pa et 10 5 Pa. Le dépôt du composé spécifique sur au moins une des deux surfaces de collage en oxyde de silicium hydrophile suivi de la mise en contact des deux surfaces de collage en oxyde de silicium hydrophile et le maintien à température ambiante de l’assemblage résultant de ladite mise en contact (après la fin de la propagation de l’onde de collage), permet d’atteindre des énergies de collage de l’ordre de 1 J/m 2 à 2 J/m 2 au bout de quelques dizaines d’heures. Par comparaison, une telle énergie de collage n’est atteinte, sans dépôt du composé spécifique et tous les autres paramètres expérimentaux demeurant inchangés par ailleurs qu’au bout de plusieurs jours, de sorte qu’elle n’est en réalité jamais atteinte car d’autres phénomènes viennent perturber le processus. Ainsi, le dépôt du composé spécifique permet d’augmenter la cinétique de collage. Pour augmenter encore ladite cinétique de collage, le procédé de collage direct peut comprendre en outre une étape ultérieure de recuit de consolidation de l’assemblage obtenu après mise en contact du premier substrat et du deuxième substrat. Le recuit de consolidation peut consister en l’application d’une température préférentiellement comprise entre 50 °C et 250 °C, encore plus préférentiellement comprise entre 50 °C et 100 °C, pendant une durée préférentiellement comprise entre 15 min et 4 h, encore plus préférentiellement entre 15 min et 2 h. La température du recuit de consolidation est choisie en fonction de la nature du premier substrat et du deuxième substrat et de leur capacité ou non à supporter une température donnée, par exemple en cas de présence d’une zone de fragilisation ou des éléments de composants électroniques dans l’un et/ou l’autre des substrats. A titre d’exemple, un recuit à 60 °C de l’assemblage résultant du dépôt du composé spécifique et de la mise en contact entre le premier substrat et le deuxième substrat permet d’atteindre l’énergie de collage attendue (de l’ordre de 1 J/m 2 ou 2 J/m 2 ) au bout de seulement une heure de mise en œuvre dudit recuit. Le recuit de consolidation permet donc d’augmenter significativement la cinétique des réactions de condensation. En outre, une telle température de recuit reste suffisamment faible (inférieure à 100 °C) pour ne pas induire la formation de gaz et de bulles à l’origine de défauts de collage au niveau de l’interface de collage, ni de stress thermique important (qui pourrait apparaître à haute température si les substrats à coller présentent des coefficients de dilatation thermique suffisamment différents), et reste également supportable pour des substrats présentant des zones de fragilisation et/ou des éléments de composants électroniques. Le même procédé de collage sans dépôt du composé spécifique ne permet pas d’atteindre en si peu de temps (typiquement un recuit de consolidation d’une durée inférieure à 2 heures) et à des températures si faibles (typiquement une température de recuit de consolidation inférieure à 100 °C) une énergie de collage supérieure à 1 J/m 2 . Procédé de transfert d’une couche sur un substrat support L’invention s’étend à un procédé de transfert d’une couche sur un substrat support. Le procédé de transfert de couche sur un substrat support comprend une étape de fourniture d’un substrat donneur comprenant une première surface en oxyde de silicium hydrophile et d’un substrat support comprenant une deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile. Le substrat donneur et le substrat support sont tels que le premier substrat et le deuxième substrat précédemment décrits. Par exemple, le substrat donneur et/ou le substrat support comprennent du silicium Si, du germanium Ge, du phosphure d’indium InP, de l’arséniure de gallium AsGa, de l’alumine Al 2 O 3 , de l’oxyde de silicium SiO 2 , du nitrure de silicium Si 3 N 4 , du carbure de silicium SiC, du nitrure de gallium GaN, du cuivre, du titane, du nickel, du LNO et/ou du LTO. Le substrat donneur et/ou le substrat support peuvent être des structures multicouches comprenant au moins deux couches. Par exemple, le substrat donneur est un substrat qualifié de pseudo-substrat donneur comprenant une première couche en LTO et une deuxième couche en silicium. Par exemple encore, le substrat support est du silicium. En outre, le substrat donneur et/ou le substrat support peuvent comprendre un ou plusieurs éléments de composants électroniques. Par exemple, le substrat donneur et/ou le substrat support comprennent des connections en cuivre isolées par des parties en oxyde de silicium. Ainsi, l’étape de fourniture d’un substrat donneur comprenant une première surface en oxyde de silicium hydrophile et d’un substrat support comprenant une deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile peut comprendre une ou plusieurs sous-étapes d’agencement de couches et de formation d’éléments de composants électroniques telles que précédemment décrites. Comme précédemment mentionné, le substrat donneur et le substrat support comprennent respectivement une première surface en oxyde de silicium hydrophile et une deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile. La première surface hydrophile et/ou la deuxième surface hydrophile sont typiquement des surfaces d’oxyde natif, thermique, chimique ou déposé telles que précédemment décrites. Ainsi, l’étape de fourniture d’un substrat donneur comprenant une première surface en oxyde de silicium hydrophile et d’un substrat support comprenant une deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile peut comprendre la formation desdites surfaces d’oxyde de silicium natif, thermique, chimique ou déposé selon l’un quelconque des modes de réalisation précédemment décrits. La première surface en oxyde de silicium hydrophile et la deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile, peuvent être de même nature (natif, thermique, chimique ou déposé). Alternativement, la première surface en oxyde de silicium hydrophile et la deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile peuvent être de natures différentes. Le procédé de transfert de couche sur un support comprend en outre une étape de formation d’une zone de fragilisation au sein du substrat donneur de sorte à délimiter une couche à transférer entre la première surface hydrophile et la zone de fragilisation. Selon un mode de réalisation préféré, la zone de fragilisation est formée par implantation d’espèces atomiques dans le substrat donneur, l’implantation étant réalisée à travers la première surface hydrophile. Les espèces atomiques sont implantées à une profondeur déterminée, cette profondeur fixant l’épaisseur de la couche à transférer. Les espèces atomiques implantées sont de préférence de l’hydrogène et/ou de l’hélium. Par la suite, le procédé de transfert de couche sur un substrat support comprend en outre le collage entre le substrat donneur et le substrat support, la première surface en oxyde de silicium hydrophile et la deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile étant à l’interface de collage et le collage entre le substrat donneur et le substrat support étant mis en œuvre par un procédé de collage direct selon l’un quelconque des modes de réalisation précédemment décrits. L’apport du composé spécifique peut être mis en œuvre sur la première surface en oxyde de silicium hydrophile du substrat donneur, sur la deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile du substrat support ou à la fois sur la première surface en oxyde de silicium hydrophile du substrat donneur et sur la deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile du substrat support. Le procédé de transfert de couche comprend enfin le détachement du substrat donneur le long de la zone de fragilisation de sorte à transférer la couche à transférer sur le substrat support. Le détachement le long de la zone de fragilisation peut être déclenché par une action mécanique et/ou un apport d’énergie thermique. Préférentiellement, le détachement le long de la zone de fragilisation et le recuit de consolidation sont combinés par l’application d’une rampe de température, avec ou sans paliers de température, pour stabiliser l’interface de collage. Assemblage comprenant un premier substrat et un deuxième substrat L’invention concerne enfin un assemblage comprenant un premier substrat et un deuxième substrat, le premier substrat étant recouvert par une première surface en oxyde de silicium hydrophile et le deuxième substrat étant recouvert par une deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile, la première surface en oxyde de silicium hydrophile étant collée avec la deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile, un composé spécifique étant disposé entre la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, le composé spécifique étant dérivé de la molécule d’ammoniac par au moins la substitution d’un atome d’hydrogène par un groupe hydroxyle -OH et/ou un groupe amino -NH 2 , le composé spécifique ne comprenant pas d’atomes de carbone. Le premier substrat, le deuxième substrat, la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile sont tels que précédemment décrits. Selon un mode de réalisation particulier de l’assemblage, la concentration en composé spécifique au niveau de l’interface de collage entre le premier substrat et le deuxième substrat est préférentiellement comprise entre 10 11 molécules/cm 2 et 10 15 molécules/cm 2 , ladite concentration pouvant être déterminée par exemple par dosage par spectroscopie de masse. Préférentiellement, le composé spécifique ne comprend que des atomes d’azote, d’oxygène et/ou d’hydrogène. Préférentiellement encore, le composé spécifique est choisi parmi l’hydroxylamine, l’hydroxylammonium, l’hydrazine et l’hydroxylhydrazine. La présence desdits composés peut être détectée par exemple par spectroscopie infrarouge, par spectroscopie Raman et/ou par des techniques de spectroscopie de masse (par exemple par WOS selon l’acronyme anglo-saxon « Wafer Outgassing Spectroscopy » ou par TDS selon l’acronyme anglo-saxon « Thermal Desorption Spectroscopy »). La présence du composé spécifique dans l’assemblage au niveau de l’interface de collage et sa concentration surfacique peuvent être caractérisées par des techniques de caractérisation bien connues de l’homme du métier, telles que la spectroscopie d’absorption infrarouge, la spectroscopie RAMAN, les techniques de fluorescence des rayons X si le composé spécifique comprend des éléments lourds ou les techniques de spectroscopies de masse en ouvrant puis en faisant dégazer les surfaces (technique connue de l’homme du métier sous l’acronyme WOS d’après l’appellation anglo-saxonne « Wafer Outgassing Spectroscopy »). On entend par éléments lourds des éléments de masse atomique supérieure ou égale à celle du sodium. Exemple On dispense 10mL d’une solution d’hydroxylamine (NH 2 OH) à des concentrations de 10 -5 M (mol/L), 10 -3 M, ou 10 -1 M sur un premier substrat de silicium de 200 mm de diamètre présentant une première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile de type oxyde thermique de 100nm d’épaisseur. On met en rotation le système à une vitesse de 2000 t/min jusqu’à uniformisation de l’épaisseur du film d’hydroxylamine. Cette uniformisation peut être classiquement constatée par l’observation de franges de Newton colorées, qui défilent au fur et à mesure que le film s’amincit sous l'effet conjugué de l'écoulement centrifuge et de l'évaporation, jusqu’à disparaitre lorsque l'épaisseur du film est en dessous d'une demi-longueur d'onde du rayonnement visible (c’est-à-dire typiquement inférieure à 200 nm). Puis on maintient le substrat en rotation pendant une dizaine de secondes supplémentaires, de sorte à évacuer le surplus de la solution aqueuse d’hydroxylamine et à sécher la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile. On fournit un deuxième substrat de silicium de 200 mm de diamètre présentant une deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile de type oxyde thermique de 100nm d’épaisseur et l’on applique le même traitement que précédemment décrit pour le premier substrat de silicium. On met ensuite en contact la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile avec la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile à température ambiante de sorte à obtenir l’adhésion par collage direct entre le premier substrat et le deuxième substrat. On met en œuvre ensuite un recuit de consolidation de la structure nouvellement formée comprenant le premier substrat et le deuxième substrat à des températures allant de 100°C à 500°C pendant une durée de 2 heures. On mesure finalement les énergies de collage obtenues en fonction de la température dudit recuit de consolidation par la méthode classique d’insertion de lame, dite « méthode de Maszara », en atmosphère anhydre. Les résultats sont représentés sur la FIG. 2 en symboles triangles pleins pour les surfaces exposées à l’hydroxylamine 10 -5 M, en symboles carrés pleins pour les surfaces exposées à l’hydroxylamine 10 -3 M et en symboles pentagones pleins pour les surfaces exposées à l’hydroxylamine 10 -1 M. On observe que l’énergie de collage est d’autant plus grande que la concentration de la solution d’hydroxylamine est grande. Exemple comparatif On réalise exactement la même opération que dans l’exemple en remplaçant les solutions d’hydroxylamine par de l’eau désionisée (DIW). Les résultats sont représentés en symboles ronds ouverts sur la FIG. 2 . On observe que l’énergie de collage est inférieure à celle obtenue avec une solution d’hydroxylamine. Procédé de collage direct entre deux substrats comprenant les étapes suivantes : (a) fourniture d’un premier substrat et d’un deuxième substrat comprenant respectivement une première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et une deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, (b) dépôt d’un composé spécifique sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, le composé spécifique étant dérivé de la molécule d’ammoniac par au moins la substitution d’un atome d’hydrogène par un groupe hydroxyle -OH et/ou un groupe amino -NH 2 , le composé spécifique ne comprenant pas d’atomes de carbone, (c) mise en contact de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile sur laquelle a été déposé le composé spécifique avec la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, de sorte à obtenir l’adhésion du premier substrat avec le deuxième substrat. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre le dépôt du composé spécifique sur la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, l’adhésion du premier substrat avec le deuxième substrat étant obtenu par la mise en contact de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et de ladite deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile sur lesquelles a été préalablement déposé le composé spécifique. Procédé selon l’une des revendications 1 ou 2, dans lequel la concentration surfacique du composé spécifique sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile préalablement à la mise en contact de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile sur laquelle a été déposé ledit composé spécifique avec la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile est comprise entre 10 11 molécules/cm 2 et 10 15 molécules/cm 2 . Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel le composé spécifique ne comprend que des atomes d’azote, d’oxygène et/ou d’hydrogène. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel le composé spécifique est choisi parmi l’hydroxylamine, l’hydrazine et l’hydroxylhydrazine. Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel le dépôt du composé spécifique sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile comprend le dépôt sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile d’un liquide comprenant le composé spécifique. Procédé selon la revendication 6, dans lequel le dépôt sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile du liquide comprenant le composé spécifique comprend : - le dépôt d’un volume du liquide comprenant le composé spécifique au centre de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, - l’étalement dudit volume du liquide comprenant le composé spécifique par rotation de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, ladite première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile étant maintenue en rotation jusqu’à éjection et évaporation du volume de liquide comprenant le composé spécifique. Procédé selon la revendication 7, comprenant en outre une étape d’exposition de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile à un plasma préalablement au dépôt du volume du liquide comprenant le composé spécifique au centre de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile. Procédé selon l’une des revendications 6 à 8, dans lequel le liquide comprenant le composé spécifique est issu de la dissolution du composé spécifique dans un solvant, préférentiellement dans de l’eau ou dans un mélange d’eau et d’alcool isopropylique (IPA). Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel le dépôt du composé spécifique sur la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile comprend l’exposition de ladite première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile à un gaz comprenant le composé spécifique. Procédé selon l’une des revendications 1 à 10, dans lequel le premier substrat et/ou le deuxième substrat sont des substrats de silicium. Procédé selon l’une des revendications 1 à 11, dans lequel la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile et/ou la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile sont en oxyde déposé, en oxyde thermique, en oxyde chimique et/ou en oxyde natif. Procédé selon l’une des revendications 1 à 12, dans lequel dans lequel la mise en contact de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile sur laquelle a été déposé le composé spécifique et de la deuxième surface de collage en oxyde de silicium hydrophile est mise en œuvre à une température comprise entre -10 °C et 60 °C. Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, comprenant en outre une étape d) de recuit de consolidation mise en œuvre postérieurement à l’étape c) de mise en contact de la première surface de collage en oxyde de silicium hydrophile sur laquelle a été déposé le composé spécifique et de la seconde surface de collage en oxyde de silicium hydrophile, le recuit de consolidation étant préférentiellement mis en œuvre à une température inférieure à 100 °C pendant une durée comprise entre 15 min et 2 h. Procédé selon l’une des revendications 1 à 14, dans lequel le premier substrat est en un premier matériau et le deuxième substrat est en un deuxième matériau, la différence de coefficient de dilatation thermique entre le premier matériau et le deuxième matériau étant supérieure ou égale à 10 % en valeur relative. Procédé selon l’une des revendications 1 à 14, dans lequel le premier substrat est une structure multicouche comprenant une première couche en un premier matériau et une deuxième couche en un deuxième matériau, la différence de coefficient de dilatation thermique entre le premier matériau et le deuxième matériau étant supérieure ou égale à 10 % en valeur relative. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le premier substrat comprend des éléments de composants électroniques. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le premier substrat comprend une zone de fragilisation formée par implantation d’espèces atomiques ou ioniques. Procédé de transfert d’une couche sur un substrat support, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : a) la fourniture d’un substrat donneur comprenant une première surface en oxyde de silicium hydrophile et d’un substrat support comprenant une deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile, b) la formation d’une zone de fragilisation au sein du substrat donneur de sorte à délimiter une couche à transférer entre la première surface en oxyde de silicium hydrophile et la zone de fragilisation, c) le collage entre le substrat donneur et le substrat support, la première surface en oxyde de silicium hydrophile et la deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile étant à l’interface de collage et le collage entre le substrat donneur et le substrat support étant mis en œuvre par un procédé de collage selon l’une quelconque des revendications 1 à 17, d) le détachement du substrat donneur le long de la zone de fragilisation de sorte à transférer la couche à transférer sur le substrat support. Assemblage comprenant un premier substrat et un deuxième substrat, le premier substrat étant recouvert par une première surface en oxyde de silicium hydrophile et le deuxième substrat étant recouvert par une deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile, la première surface en oxyde de silicium hydrophile étant collée avec la deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile, un composé spécifique étant disposé entre la première surface en oxyde de silicium hydrophile et la deuxième surface en oxyde de silicium hydrophile, le composé spécifique étant un dérivé de la molécule d’ammoniac ou de l’ion ammonium par au moins la substitution d’un atome d’hydrogène par un groupe hydroxyle -OH et/ou un groupe amino -NH 2 , le composé spécifique ne comprenant pas d’atomes de carbone.