Brevet FR3164314A1 — publié le 20260109

Equipement (1) de fabrication, en particulier de composants semi-conducteurs, de LED ou d’écrans plats, comprenant au moins deux chambres de procédés (2a, 2b, 2c, ...2n) et autant de pompes à vide turbomoléculaire (3a, 3b 3c, ...3n) fluidiquement raccordées à une chambre de procédés (2a, 2b, 2c, …2n) respective via des premières vannes d’isolation (4a, 4b, 4c, …4n) respectives caractérisé en ce qu’il comporte en outre : - au moins un ensemble de deux pompes à vide primaire de procédés (5a, 5b), les entrées desdites pompes à vide primaire de procédés (5a, 5b) de l’ensemble étant fluidiquement raccordées en parallèle via des deuxièmes vannes d’isolation (6a, 6b) respectives à une canalisation commune (7) fluidiquement raccordée en parallèle aux sorties des pompes à vide turbomoléculaire (3a, 3b 3c, …3n), toutes les sorties des pompes à vide turbomoléculaire (3a, 3b 3c, …3n) étant fluidiquement raccordées aux deux pompes à vide primaire de procédés (5a, 5b) d’au moins un ensemble, et - une pompe à vide primaire de service (8) fluidiquement raccordée en parallèle aux chambres de procédés (2a, 2b, 2c, ...2n) dudit équipement (1) via des troisièmes vannes d’isolation (9a, 9b ,9c, ...9n) respectives. Figure d’abrégé : Figure 1 Equipement et procédé de fabrication Domaine technique de l’invention La présente invention concerne un équipement de fabrication, en particulier de fabrication de composants semi-conducteurs, de LED (de l’anglais « Light-Emitting Diode ») ou d’écrans plats, ledit équipement comprenant au moins deux chambres de procédés et autant de pompes à vide turbomoléculaire fluidiquement raccordées à une chambre de procédés respective. La présente invention concerne également un procédé de fabrication mis en œuvre dans un tel équipement. Arrière-plan technique Les pompes à vide sont notamment employées dans des équipements de fabrication de semi-conducteurs, de LED ou d’écrans plats, nécessitant une pression inférieure à la pression atmosphérique. Certaines chambres de procédés de ces équipements de fabrication sont équipées de pompes à vide turbomoléculaire fluidiquement raccordées à une pompe à vide primaire respective permettant d’atteindre les basses pressions souhaitées de production. Pour augmenter les cadences, ces équipements peuvent être multichambres (dits « clusters » en anglais). Ces équipements comportent généralement au moins quatre chambres de procédés et jusqu’à douze chambres pour les équipements de dernière génération. Chaque chambre de l’équipement est fluidiquement raccordée à une pompe à vide turbomoléculaire, elle-même fluidiquement raccordée à une pompe à vide primaire de sorte que chaque équipement est équipé d’autant de pompes à vide turbomoléculaire et de pompes à vide primaire que de chambres de procédés. Les pompes à vide primaire étant encombrantes, bruyantes et chaudes, celles-ci peuvent être, en particulier dans les usines de fabrication de composants semi-conducteurs, délocalisées dans un étage situé sous celui dans lequel sont agencées les chambres de procédés. Les raccords fluidiques des pompes à vides primaires aux pompes à vide turbomoléculaire entre les étages est réalisé par des canalisations respectives, parfois chauffées afin d’éviter la formation de sous-produits de réaction qui pourraient réduire les performances de pompage, voire endommager les pompes à vide. On cherche aujourd’hui à simplifier ces équipements de fabrication multichambres. Un but de la présente invention est de réduire le coût d’investissement et d’utilisation de l’équipement de fabrication tout en gardant une fiabilité élevée et des performances de pompage similaires. A cet effet, l’invention a pour objet un équipement de fabrication, en particulier de composants semi-conducteurs, de LED ou d’écrans plats, comprenant au moins deux chambres de procédés et autant de pompes à vide turbomoléculaire fluidiquement raccordées à une chambre de procédés respective via des premières vannes d’isolation respectives caractérisé en ce qu’il comporte en outre : - au moins un ensemble de deux pompes à vide primaire de procédés, les entrées desdites pompes à vide primaire de procédés de l’ensemble étant fluidiquement raccordées en parallèle via des deuxièmes vannes d’isolation respectives à une canalisation commune fluidiquement raccordée en parallèle aux sorties des pompes à vide turbomoléculaire, toutes les sorties des pompes à vide turbomoléculaire étant fluidiquement raccordées aux deux pompes à vide primaire de procédés d’au moins un ensemble, et - une pompe à vide primaire de service fluidiquement raccordée en parallèle aux chambres de procédés dudit équipement via des troisièmes vannes d’isolation respectives. Cette mutualisation des pompes à vide primaire de procédés est possible d’une part, par le fait que, pour des pressions inférieures à un seuil de pression, une variation de pression de refoulement n’entraine pas de variation de pression d’aspiration de la pompe à vide turbomoléculaire. En d’autres termes, tant que la pression au refoulement de la pompe à vide turbomoléculaire est inférieure au seuil de pression, il n’y a pas d’impact en amont de la pompe à vide turbomoléculaire. Les mêmes performances de pompage sont attendues pour les pompes à vide turbomoléculaire que si elles avaient un pompage primaire dédié. Les deux pompes à vide primaire de procédés fonctionnant simultanément, chacune étant configurée pour assurer seule le maintien des pressions de refoulement des pompes à vide turbomoléculaire inférieures au seuil de pression, permet en outre de garantir le maintien du vide dans les chambres de procédés en cours de réalisation d’étapes de fabrication en cas de défaillance de l’une des pompes à vide de procédés, au moins le temps de terminer les étapes de fabrication en cours. On évite ainsi d’endommager les substrats en cours de fabrication dans les chambres de procédés. L’équipement de fabrication est ainsi moins coûteux en investissement et diminue l’empreinte au sol (« footprint » en anglais) (gain de 40% à 50%) car il comporte moins de pompes à vide primaire et permet de réduire le nombre de canalisations raccordant les pompes à vide turbomoléculaire de la salle blanche au sous-sol ainsi que le nombre de connexion électriques (coffrets et câbles électriques) ou fluidiques nécessaires au fonctionnement des pompes à vide primaire. Il est également moins coûteux en utilisation du fait de la réduction de la consommation électrique (gain de 30% à 60%), de la consommation en gaz de purge (gain d’au moins 50 %) et de fluide caloporteur de refroidissement (gain de 50%) nécessaires au fonctionnement de chaque pompe à vide primaire. L’équipement est également plus fiable que ceux de l’art antérieur car il dispose d’une pompe à vide primaire de secours en cas de défaillance d’une pompe à vide primaire de procédés et donc, permet d’éviter la perte d’un substrat en production. L’équipement peut en outre comporter une ou plusieurs des caractéristiques qui sont décrites ci-après, prise seule ou en combinaison. Les pompes à vide primaire de procédés de l’ensemble peuvent être identiques. Chacune des deux pompes à vide primaire de procédés est notamment configurée pour pouvoir abaisser la pression de refoulement des pompes à vide turbomoléculaire auxquelles elles sont fluidiquement raccordées, à une pression inférieure à un seuil de pression en deçà duquel une variation de pression de refoulement n’entraine pas de variation de pression d’aspiration de la pompe à vide turbomoléculaire, y compris lorsqu’un flux de gaz est injecté à une valeur maximale prédéterminée dans toutes les chambres de procédés situées en amont desdites pompes à vide turbomoléculaire. Un ensemble de deux pompes à vide primaire de procédés est par exemple fluidiquement raccordé à deux, trois, quatre, cinq ou six pompes à vide turbomoléculaire. Les chambres de procédés, les pompes à vide turbomoléculaire, les premières vannes d’isolation et les troisièmes vannes d’isolation sont agencées en salle blanche et les pompes à vide primaire de procédés, les deuxièmes vannes d’isolation et la pompe à vide primaire de service peuvent être agencées dans un étage situé sous la salle blanche. Une canalisation de service raccordant fluidiquement les canalisations des troisièmes vannes d’isolation à la pompe à vide primaire de service présente par exemple un diamètre de 40 mm ou 50 mm. La canalisation commune présente par exemple un diamètre de 160 mm. L’équipement peut comporter : - au moins deux sas, chacun configuré pour réceptionner un substrat dans une chambre du sas et abaisser la pression atmosphérique dans la chambre à une pression de transfert prédéterminée et/ou pour réceptionner un substrat à une pression de transfert prédéterminée dans une chambre du sas et remonter la pression dans la chambre à pression atmosphérique, - une chambre de transfert configurée pour transférer les substrats à la pression de transfert prédéterminée du sas vers une chambre de procédés et d’une chambre de procédés vers un sas. L’équipement peut comporter une unité de contrôle configurée pour piloter l’ouverture et la fermeture des premières vannes d’isolation, des deuxièmes vannes d’isolation et des troisièmes vannes d’isolation. L’équipement peut être configuré pour mettre en œuvre des étapes de fabrication pour lesquelles une valeur maximale du flux de gaz injecté dans chaque chambre de procédés est inférieure à 3 000 sccm (5.07 Pa.m 3 /s). L’équipement peut être configuré pour réaliser des étapes de gravure ou de dépôt sous vide de couches minces. L’invention a encore pour objet un procédé de fabrication caractérisé en ce qu’il est mis en œuvre dans un équipement de fabrication tel que décrit précédemment dans lequel lors des étapes de fabrication de substrats : - en situation sans défaillances, les deuxièmes vannes d’isolation sont ouvertes de sorte que les au moins deux pompes à vide primaire de procédés aspirent simultanément à la sortie des pompes à vide turbomoléculaire auxquelles elles sont fluidiquement raccordées, - en cas de défaillance de l’une des pompes à vide primaire de procédés, la deuxième vanne d’isolation située en amont de la pompe à vide de procédés défaillante se ferme isolant la pompe à vide de procédés défaillante, l’autre pompe à vide primaire de procédés assurant seule le pompage au refoulement des pompes à vide turbomoléculaire. Chacune des deux pompes à vide primaire de procédés abaisse la pression de refoulement des pompes à vide turbomoléculaire auxquelles elles sont fluidiquement raccordées, à une pression inférieure à un seuil de pression en deçà duquel une variation de pression de refoulement n’entraine pas de variation de pression d’aspiration de la pompe à vide turbomoléculaire, y compris lorsqu’un flux de gaz est injecté à une valeur maximale prédéterminée dans toutes les chambres de procédés situées en amont desdites pompes à vide turbomoléculaire. Brève description des figures D'autres avantages et caractéristiques apparaîtront à la lecture de la description suivante d'un mode de réalisation particulier de l’invention, mais nullement limitatif, ainsi que des dessins annexés sur lesquels : FIG. 1 La FIG. 1 montre une vue schématique de dessus d’un équipement de fabrication de composants semi-conducteurs. FIG. 2 La FIG. 2 montre une vue schématique d’un équipement de fabrication, tel que celui de la FIG. 1 . FIG. 3 La FIG. 3 montre un graphique de la pression d’aspiration d’une pompe à vide turbomoléculaire (en mbar : 10 2 Pa) en fonction de la pression au refoulement de la pompe à vide turbomoléculaire (en mbar : 10 2 Pa) pour différentes valeurs de flux d’azote : 50 sccm, 100 sccm, 200 sccm, 500 sccm, 1000 sccm, 2000 sccm et 5000 sccm. FIG. 4 La FIG. 4 montre un histogramme de la pression au refoulement : - des pompes à vide turbomoléculaire (en mbar : 10 2 Pa) au cours d’une étape de gravure (les pompes à vide turbomoléculaire étant dites « actives ») et - des pompes à vide turbomoléculaire en attente (avec pas (ou peu) de flux de gaz injecté dans la chambre de procédés à pomper), en fonction du nombre de pompes à vide turbomoléculaire actives, d’un équipement à six chambres de procédés et un ensemble de deux pompes à vide primaire de procédés associé. FIG. 5 La FIG. 5 montre une vue similaire à la FIG. 1 pour un autre exemple de réalisation d’équipement de fabrication. Sur ces figures, les éléments identiques ou similaires portent les mêmes numéros de référence. Seuls les éléments nécessaires à la compréhension de l’invention sont représentés. Description détaillée Les réalisations suivantes sont des exemples. Bien que la description se réfère à un ou plusieurs modes de réalisation, ceci ne signifie pas nécessairement que chaque référence concerne le même mode de réalisation, ou que les caractéristiques s'appliquent seulement à un seul mode de réalisation. De simples caractéristiques de différents modes de réalisation peuvent également être combinées ou interchangées pour fournir d'autres réalisations, sans s’écarter de la portée de l’invention, telle que définie par les revendications. On entend par « en amont », un élément qui est placé avant un autre par rapport au sens de circulation des gaz pompés. A contrario, on entend par « en aval », un élément placé après un autre par rapport au sens de circulation des gaz pompés. La fabrication de certains dispositifs en particulier de fabrication de composants semi-conducteurs, de LED ou d’écrans plats, nécessite la réalisation de différents procédés physico-chimiques sur des substrats tels que des plaquettes en général de silicium dans l’industrie de fabrication des composants semi-conducteurs, appelés « wafers » en anglais. Ces procédés sont réalisés dans des équipements 1 de fabrication automatisés, généralement agencés dans des environnements contrôlés de salle blanche. L’équipement 1 de fabrication multichambres (appelé « cluster » en anglais) comporte plusieurs chambres de procédés 2a, 2b, 2c, ...2n, chacune permettant de réaliser des opérations physico-chimiques sur un substrat en vue de la fabrication de composants semi-conducteurs, de LED ou d’écrans plats. L’équipement 1 de fabrication comporte notamment au moins deux sas 100, 102 (appelés « loadlock » en anglais), une chambre de transfert 101 et au moins deux chambres de procédés 2a, 2b, 2c, ...2n, tel qu’un nombre de chambres de procédés 2a, 2b, 2c, ...2n compris entre quatre et douze. La FIG. 1 illustre le cas particulier d’un équipement 1 de fabrication de composants semi-conducteurs à six chambres de procédés 2a-2f. Les au moins deux sas 100, 102 sont chacun configurés pour réceptionner un substrat et abaisser la pression atmosphérique entourant le substrat à une pression de transfert prédéterminée et/ou pour réceptionner un substrat à une pression de transfert prédéterminée et remonter la pression entourant le substrat à pression atmosphérique. Il y a par exemple un sas 100 d’entrée configuré pour réceptionner un substrat dans une chambre 104 du sas 100 et abaisser la pression atmosphérique entourant le substrat dans la chambre 104 à une pression de transfert prédéterminée, ainsi qu’un sas 102 de sortie configuré pour réceptionner un substrat dans une chambre 105 du sas 102 à la pression de transfert prédéterminée et remonter la pression entourant le substrat à pression atmosphérique pour sortir le substrat de la chambre 105. La chambre de transfert 101 comporte une enceinte 107 pouvant communiquer avec chacune des chambres de procédés 2a, 2b, 2c, ...2n et des sas 100, 102 via des portes respectives. La chambre de transfert 101 comporte en outre au moins un robot 108 agencé dans l’enceinte 107, configuré pour transférer, à la pression de transfert prédéterminée, les substrats de la chambre 104 d’un sas 100, 102 vers une chambre de procédés 2a, 2b, 2c, ...2n où les opérations physico-chimiques peuvent avoir lieu et d’une chambre de procédés 2a, 2b, 2c, ...2n vers la chambre 105 d’un sas 100, 102 une fois ces opérations terminées. L’équipement 1 permet ainsi de mutualiser les sas 100, 102 pour plusieurs chambres de procédés 2a, 2b, 2c, ...2n. Comme on peut le voir sur la FIG. 2 , l’équipement 1 (tel que celui illustré en FIG. 1 ) comprend autant de pompes à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, …3n que de chambres de procédés 2a, 2b, 2c, …2n. Les pompes à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, …3n sont fluidiquement raccordées à une chambre de procédés 2a, 2b, 2c, …2n respective via des premières vannes d’isolation 4a, 4b, 4c, …4n respectives. Les premières vannes d’isolation 4a, 4b, 4c, ...4n sont pilotables en ouverture/fermeture. Ce sont par exemple des électrovannes. Les pompes à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, ...3n comportent un stator dans lequel un rotor est configuré pour tourner à grande vitesse en rotation axiale, par exemple une rotation à plus de vingt mille tours par minute. Les gaz pompés entrent par un orifice d’aspiration et sont évacués par un orifice de refoulement de la pompe à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, ...3n. Le rotor comporte au moins un étage de pales et le stator comporte au moins un étage d’ailettes, les étages de pales et d’ailettes se succédant axialement le long de l’axe de rotation du rotor. L’équipement 1 comporte en outre au moins un ensemble de deux pompes à vide primaire de procédés 5a, 5b. Une pompe à vide primaire est une pompe à vide volumétrique, qui est configurée pour, à l’aide des deux rotors, aspirer, transférer puis refouler le gaz à pomper à la pression atmosphérique ou au-delà. C’est par exemple une pompe à vide primaire multiétagée qui comprend entre deux et dix étages de pompage. Chaque étage de pompage est formé par une chambre de pompage recevant deux rotors conjugués, les chambres de pompage comprenant une entrée et une sortie respectives. Les étages de pompage successifs sont raccordés en série les uns à la suite des autres par des canaux inter-étages respectifs raccordant la sortie de l'étage de pompage qui précède à l'entrée de l'étage qui suit. La pompe à vide primaire est notamment dite « sèche » car en fonctionnement, les rotors tournent à l’intérieur du stator sans aucun contact mécanique entre eux ou avec le stator, ce qui permet de ne pas utiliser d’huile dans la ou les chambres de pompage. Selon un autre exemple, la pompe à vide primaire est une pompe à vis. Selon les applications de pompage, et en particulier dans les procédés de fabrication qui peuvent employer des gaz de procédés corrosifs, tels que les procédés de fabrication de composants de semi-conducteurs, les pompes à vide primaire de procédés 5a, 5b peuvent être en outre configurées pour être résistantes à la corrosion, notamment vis-à-vis des gaz de type fluor, chlore ou brome utilisés dans les étapes de gravure. Elles peuvent par exemple être nickelées. Les entrées des deux pompes à vide primaire de procédés 5a, 5b de l’ensemble sont fluidiquement raccordées en parallèle via des deuxièmes vannes d’isolation 6a, 6b respectives à une canalisation commune 7 fluidiquement raccordée en parallèle aux sorties (orifices de refoulement) des pompes à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, ...3n de l’équipement 1 ( FIG. 2 ). Les deuxièmes vannes d’isolation 6a, 6b sont pilotables en ouverture/fermeture. Ce sont par exemple des électrovannes. L’équipement 1 peut comporter des quatrièmes vannes d’isolation 12a, 12b, 12c, …12n au refoulement des pompes à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, ...3n (en amont de la canalisation commune 7). Ces quatrièmes vannes d’isolation 12a, 12b, 12c, …12n peuvent servir en association avec les premières vannes d’isolation 4a, 4b, 4c, ...4n, à isoler les pompes à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, ...3n sur elles-mêmes, en phase de maintenance d’une pompe à vide primaire de procédés 5a, 5b par exemple. Toutes les sorties des pompes à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, ...3n sont fluidiquement raccordées aux deux pompes à vide primaire de procédés 5a, 5b d’au moins un ensemble (via les quatrièmes vannes d’isolation 12a, 12b, 12c, …12n le cas échéant). Il y a par exemple un ensemble de deux pompes à vide primaire de procédés 5a, 5b fluidiquement raccordé à deux, trois quatre, cinq ou six pompes à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, …3n au maximum. Les deux pompes à vide primaire de procédés 5a, 5b de l’ensemble sont par exemple identiques ou autrement dit, sont les deux mêmes pompes à vide primaire 5a, 5b. Chacune des deux pompes à vide primaire de procédés 5a, 5b est configurée pour pouvoir abaisser la pression de refoulement des pompes à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, ...3n auxquelles elles sont fluidiquement raccordées, à une pression inférieure à un seuil de pression en deçà duquel une variation de pression de refoulement n’entraine pas de variation de pression d’aspiration de la pompe à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, ...3n, y compris lorsqu’un flux de gaz est injecté à une valeur maximale prédéterminée dans toutes les chambres de procédés 2a, 2b, 2c, …2n situées en amont desdites pompes à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, ...3n. A fortiori, chacune des deux pompes à vide primaire de procédés 5a, 5b est configurée pour pouvoir assurer au refoulement des pompes à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, ...3n auxquelles elles sont fluidiquement raccordées, une pression inférieure à une pression maximale constructeur au-delà de laquelle la pompe à vide peut être endommagée, généralement comprise entre 1, 5 mbar (150 Pa) et 3 mbar (300 Pa). Ceci peut être mieux compris en référence au graphique illustratif de la FIG. 3 montrant la pression d’aspiration d’une pompe à vide turbomoléculaire en fonction de la pression de refoulement pour différentes valeurs de flux d’azote à pomper. On constate que pour un flux d’azote inférieur ou égal à 2000 sccm, la pression d’aspiration de la pompe à vide turbomoléculaire reste inchangée quelle que soit la pression de refoulement pour les pressions de refoulement inférieures au seuil de pression de 1 mbar (100 Pa). Ce seuil de pression permet de garantir un fonctionnement identique en amont de la pompe à vide turbomoléculaire. L’équipement 1 comporte en outre une pompe à vide primaire de service 8 fluidiquement raccordée en parallèle aux chambres de procédés 2a, 2b, 2c, ...2n de l’équipement 1 via des troisièmes vannes d’isolation 9a, 9b ,9c, ...9n respectives ( FIG. 2 ). La pompe à vide primaire de service 8 est une pompe à vide primaire, comme précédemment définie pour les pompes à vide primaire de procédés 5a, 5b. Les troisièmes vannes d’isolation 9a, 9b ,9c, ...9n sont pilotables en ouverture/fermeture. Ce sont par exemple des électrovannes. La pompe à vide primaire de service 8 permet d’assurer la mise sous vide d’au moins une chambre de procédés 2a, 2b, 2c, ...2n depuis la pression atmosphérique, c’est-à-dire après une remise à l’air, par exemple pour maintenance, la pompe à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, ...3n étant isolée de la chambre de procédés 2a, 2b, 2c, ...2n par les premières vannes d’isolation 4a, 4b, 4c, …4n. En effet, la mise sous vide d’une chambre de procédés 2a, 2b, 2c, ...2n depuis la pression atmosphérique par le au moins un ensemble de paires de pompes à vide de procédés 5a, 5b en court-circuitant la pompe à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, ...3n, ne permet pas de conserver la pression de refoulement des pompes à vide turbomoléculaire de l’équipement 1 inférieure au seuil de pression permettant de ne pas impacter leurs performances de pompage. L’équipement 1 comporte également une unité de contrôle 11, telle qu’un ordinateur ou une carte électronique, comportant un ou plusieurs contrôleurs ou microcontrôleurs ou processeurs et une mémoire, pour mettre en œuvre les étapes d’un procédé de fabrication de composants, en particulier semi-conducteurs, LED ou écrans plats. L’unité de contrôle 11 est en particulier configurée pour piloter les flux de gaz injectés dans les chambres de procédés, les ouvertures et fermetures des portes des chambres de procédés 2a, 2b, 2c, ...2n et des sas 100, 102 permettant les entrées et sorties des substrats. Cette unité de contrôle 11 peut également être configurée pour piloter l’ouverture et la fermeture des premières vannes d’isolation 4a, 4b, 4c, …4n, des deuxièmes vannes d’isolation 6a, 6b, des troisièmes vannes d’isolation 9a, 9b ,9c, ...9n et des quatrièmes vannes d’isolation 12a, 12b, 12c, …12n le cas échéant. L’équipement 1 illustré sur la FIG. 1 comprend ainsi six chambres de procédés 2a, 2b, 2c, ..2f, six pompes à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, ...3f fluidiquement raccordées à une chambre de procédés 2a, 2b, 2c, ..2f respective via six premières vannes d’isolation 4a, 4b, 4c, ..4f respectives, un ensemble de deux pompes à vide primaire de procédés 5a, 5b fluidiquement raccordées en parallèle via des deuxièmes vannes d’isolation 6a, 6b respectives à une canalisation commune 7 fluidiquement raccordée en parallèle aux sorties des six pompes à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, ...3f de l’équipement 1 et une pompe à vide primaire de service 8 fluidiquement raccordée en parallèle aux chambres de procédés 2a, 2b, 2c, ..2f de l’équipement 1 via six troisièmes vannes d’isolation 9a, 9b ,9c, ..9f respectives. Les chambres de procédés 2a, 2b, 2c, ...2n, les sas 100, 102, la chambre de transfert 101, les pompes à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, ...3n, les premières vannes d’isolation 4a, 4b, 4c, …4n et les troisièmes vannes d’isolation 9a, 9b ,9c, ...9n montées sur les chambres de procédés 2a, 2b, 2c, ...2n, sont par exemple agencées dans une salle blanche. Les pompes à vide primaire de procédés 5a, 5b, les deuxièmes vannes d’isolation 6a, 6b et la pompe à vide primaire de service 8 peuvent être agencées dans un étage situé sous la salle blanche (appelé « basement » en anglais), la canalisation commune 7 reliant l’étage de la salle blanche à l’étage du sous-sol. La canalisation commune 7 raccordant fluidiquement les sorties (orifices de refoulement) des pompes à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, …3n aux deuxièmes vannes d’isolation 6a, 6b présente par exemple un diamètre de 160 mm. La canalisation de service 10 raccordant fluidiquement les canalisations des troisièmes vannes d’isolation 9a, 9b, 9c, ...9n à la pompe à vide primaire de service 8 présente par exemple un diamètre de 40 mm ou 50 mm. Les sas 100, 102 et la chambre de transfert 101 comportent leurs propres dispositifs de pompage respectifs. Lors des étapes de fabrication de substrats, en utilisation normale, c’est-à-dire lorsque les deux pompes à vide primaire de procédés 5a, 5b fonctionnent sans défaillances, les au moins deux pompes à vide primaire de procédés 5a, 5b aspirent simultanément à la sortie des pompes à vide turbomoléculaire 3a, 3b 3c, ...3n auxquelles elles sont fluidiquement raccordées. Les premières vannes d’isolation 4a, 4b, 4c, ...4n et les deuxièmes vannes d’isolation 6a, 6b sont ouvertes, les troisièmes vannes d’isolation 9a, 9b ,9c, ...9n sont fermées. En cas de défaillance de l’une des pompes à vide primaire de procédés 5a, 5b, la deuxième vanne d’isolation 6a, 6b située en amont de la pompe à vide de procédés 5a, 5b défaillante se ferme, isolant la pompe à vide de procédés 5a, 5b défaillante. L’autre pompe à vide primaire de procédés 5a, 5b assure alors seule le pompage au refoulement des pompes à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c …3n. Après une remise à l’air d’une ou plusieurs chambres de procédés, la pompe à vide primaire de service 8 assure la mise sous vide depuis la pression atmosphérique. Les premières vannes d’isolation 4a, 4b, 4c, ...4n des chambres de procédés 2a, 2b, 2c, ...2n concernées sont fermées, les troisièmes vannes d’isolation 9a, 9b ,9c, ...9n des chambres de procédés 2a, 2b, 2c, ...2n concernées sont ouvertes, les autres troisièmes vannes d’isolation 9a, 9b ,9c, ...9n restant fermées, de manière à abaisser la pression dans la chambre de procédés concernée sans impact sur la pression de refoulement des autres pompes à vide turbomoléculaire 3a, 3b 3c, ...3n. Puis, lorsque la pression est suffisamment basse dans la chambre de procédés 2a, 2b, 2c, ...2n, on ferme les troisièmes vannes d’isolation 9a, 9b ,9c, ...9n concernées et on ouvre les premières vannes d’isolation 4a, 4b, 4c, ...4n concernées. Il n’est pas nécessaire que la pompe à vide primaire de service 8 fonctionne en continu comme les deux pompes à vide primaire de procédés 5a, 5b. La pompe à vide primaire de service 8 peut être arrêtée ou peut fonctionner à vitesse de rotation réduite pour limiter son coût d’utilisation en électricité et fluides lorsqu’elle n’est pas utilisée pour une mise sous vide. L’équipement 1 de fabrication est en particulier configuré pour mettre en œuvre des étapes de fabrication pour lesquelles la valeur maximale du flux de gaz (équivalent azote) injecté dans chaque chambre de procédés 2a, 2b, 2c, …2n est inférieur à 3 000 sccm (5.07 Pa.m 3 /s), et par exemple de l’ordre de 2 000 sccm (3.38 Pa.m 3 /s) par chambre de procédés 2a, 2b, 2c, …2n. Chacune des deux pompes à vide primaire de procédés 5a, 5b peut être configurée pour pouvoir abaisser la pression de refoulement des pompes à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, ...3n auxquelles elles sont fluidiquement raccordées, à une pression inférieure à un seuil de pression de 1 mbar (100 Pa) en deçà duquel une variation de pression de refoulement n’entraine pas de variation de pression d’aspiration de la pompe à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, ...3n, y compris lorsqu’un flux de gaz d’au maximum six fois 2 000 sccm (3.38 Pa.m3/s) est injecté dans toutes les chambres de procédés 2a, 2b, 2c, …2n situées en amont desdites pompes à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, ...3n. L’équipement 1 de fabrication peut être configuré pour réaliser des étapes de gravure (« etching » en anglais) ou de dépôt sous vide de couches minces tel qu’un « dépôt physique en phase vapeur » ou PVD pour l’anglais « Physical Vapor Deposition ». La gravure est un procédé qui consiste à retirer une ou plusieurs couches de matériaux à la surface d’un substrat. La gravure est une étape critique lors de la fabrication d'éléments notamment de microélectronique, chaque substrat pouvant subir de nombreuses étapes de gravure. Les gravures peuvent être physiques et chimiques et reposer sur le bombardement de la surface à graver par des ions, généralement issus d'un plasma. L’évaporation par pulvérisation cathodique par plasma est une forme de dépôt physique en phase gazeuse, plus spécifiquement d’évaporation sous vide, dans laquelle une cathode cible métallique sous vide est bombardée par des ions issus du plasma. La pulvérisation cathodique arrache les atomes de la cible qui viennent se déposer sur le substrat. Ces étapes cycliques de fabrication comprennent généralement une étape de transfert (dite « idle » en anglais) où un substrat entre dans la chambre de procédés 2a, 2b, 2c, ..2n, suivie d’une étape de procédés proprement dite où a lieu la gravure ou le dépôt. Le cycle recommence avec une nouvelle étape de transfert pour la sortie du substrat ayant été traité et l’entrée d’un nouveau substrat à traiter. Les étapes de transfert sont réalisées avec un flux de gaz neutre, généralement de l’azote. Au cours des étapes de dépôt, gravure et transfert, les flux de gaz sont relativement faibles, en particulier de l’ordre de 2 000 sccm (3.38 Pa.m3/s) par chambre de procédés, et donc, ces procédés de fabrication sont particulièrement adaptés à l’invention. La FIG. 4 montre un histogramme de la pression au refoulement de pompes à vide turbomoléculaire pouvant être obtenue au cours d’étapes de gravure (dites « actives ») et la pression au refoulement de pompes à vide turbomoléculaire en attente, en fonction du nombre de pompes à vide turbomoléculaire actives, d’un équipement 1 à six chambres de procédés 2a, 2b, 2c, ...2f et un ensemble de deux pompes à vide primaire de procédés 5a, 5b associé. Lorsque deux chambres de procédés 2a, 2b, 2c, …2n réalisent une étape de gravure en même temps avec un flux de gaz respectif à pomper de 2 000 sccm (3.38 Pa.m 3 /s), la pression au refoulement de chaque pompe à vide turbomoléculaire active est 0,47mbar (47 Pa) et la pression au refoulement des quatre pompes à vide turbomoléculaire des chambres de procédés en attente est 0,26 mbar (26 Pa). En cas de défaillance de l’une des pompes à vide primaire de procédés 5a, 5b, la pression au refoulement de chaque pompe à vide turbomoléculaire active est 0,49mbar (49 Pa) et la pression au refoulement des quatre pompes à vide turbomoléculaire des chambres de procédés en attente est 0,28 mbar (28 Pa). Lorsque quatre chambres de procédés 2a, 2b, 2c, …2n réalisent une étape de gravure en même temps avec un flux de gaz respectif à pomper de 2 000 sccm (3.38 Pa.m 3 /s), la pression au refoulement de chaque pompe à vide turbomoléculaire active est 0,55mbar (55 Pa) et la pression au refoulement des deux pompes à vide turbomoléculaire des chambres de procédés en attente est 0,34 mbar (34 Pa). En cas de défaillance de l’une des pompes à vide primaire de procédés 5a, 5b, la pression au refoulement de chaque pompe à vide turbomoléculaire active est 0,6mbar (60 Pa) et la pression au refoulement des quatre pompes à vide turbomoléculaire des chambres de procédés en attente est 0,4 mbar (40 Pa). Lorsque six chambres de procédés 2a, 2b, 2c, …2n réalisent une étape de gravure en même temps avec un flux de gaz respectif à pomper de 2 000 sccm (3.38 Pa.m 3 /s), la pression au refoulement de chaque pompe à vide turbomoléculaire active est 0,62mbar (62 Pa). En cas de défaillance de l’une des pompes à vide primaire de procédés 5a, 5b, la pression au refoulement de chaque pompe à vide turbomoléculaire active est 0,7mbar (70 Pa). On constate que la pression de refoulement des pompes à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, ...3f augmente avec l’augmentation du nombre de pompes à vide turbomoléculaire actives tout en restant inférieure à la pression de seuil de 1 mbar (100 Pa) même pour six chambres de procédés 2a, 2b, 2c, …2n actives simultanément. Il n’y a donc pas d’impacts en amont dans les chambres de procédés 2a, 2b, 2c, …2n du fait de la réduction du nombre de pompes à vide de procédés par rapport à l’art antérieur. On constate également qu’en cas de défaillance d’une des deux pompes à vide primaire de procédés 5a, 5b, la pression au refoulement des pompes à vide turbomoléculaire actives et en attente augmente légèrement mais de manière non significative. Cette mutualisation des pompes à vide primaire de procédés 5a, 5b est possible d’une part, par le fait que, pour des pressions inférieures à un seuil de pression, une variation de pression de refoulement n’entraine pas de variation de pression d’aspiration de la pompe à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, ...3n. En d’autres termes, tant que la pression au refoulement de la pompe à vide turbomoléculaire 3g, 3h, 3i, ...3n est inférieure au seuil de pression, il n’y a pas d’impact en amont de la pompe à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, ...3n. Les mêmes performances de pompage sont attendues pour les pompes à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, ...3n que si elles avaient un pompage primaire dédié. Les deux pompes à vide primaire de procédés 5a, 5b fonctionnant simultanément, chacune étant configurée pour assurer seule le maintien des pressions de refoulement des pompes à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, ...3n inférieures au seuil de pression, permet en outre de garantir le maintien du vide dans les chambres de procédés 2a, 2b, 2c, ...2n en cours de réalisation d’étapes de fabrication en cas de défaillance de l’une des pompes à vide de procédés 5a, 5b, au moins le temps de terminer les étapes de fabrication en cours. On évite ainsi d’endommager les substrats en cours de fabrication dans les chambres de procédés 2a, 2b, 2c, ...2n. L’équipement 1 de fabrication est ainsi moins coûteux en investissement et diminue l’empreinte au sol (gain de 40% à 50%) car il comporte moins de pompes à vide primaire et permet de réduire le nombre de canalisations raccordant les pompes à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, ...3n de la salle blanche au sous-sol ainsi que le nombre de connexion électriques (coffrets et câbles électriques) ou fluidiques nécessaires au fonctionnement des pompes à vide primaire. Il est également moins coûteux en utilisation du fait de la réduction de la consommation électrique (gain de 30% à 60%), de la consommation en gaz de purge (gain d’au moins 50 %) et de fluide caloporteur de refroidissement (gain de 50%) nécessaires au fonctionnement de chaque pompe à vide primaire. L’équipement 1 est également plus fiable que ceux de l’art antérieur car il dispose d’une pompe à vide primaire de secours en cas de défaillance d’une pompe à vide primaire de procédés 5a, 5b et donc, permet d’éviter la perte d’un substrat en production. La FIG. 5 montre un autre exemple de réalisation. Dans cet exemple, l’équipement 1 comprend huit chambres de procédés 2a, 2b, 2c, ...2h, huit pompes à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, ..3h fluidiquement raccordées à une chambre de procédés 2a, 2b, 2c, ..2h respective via huit premières vannes d’isolation 4a, 4b, 4c, ..4h respectives et deux ensembles de deux pompes à vide primaire de procédés 5a, 5b. Deux pompes à vide primaire de procédés 5a, 5b d’un premier ensemble sont fluidiquement raccordées en parallèle via des deuxièmes vannes d’isolation 6a, 6b respectives à une canalisation commune 7 fluidiquement raccordée en parallèle aux sorties de quatre premières pompes à vide turbomoléculaire 3a, 3b, 3c, ...3f de l’équipement 1. Deux pompes à vide primaire de procédés 5a, 5b d’un deuxième ensemble sont fluidiquement raccordées en parallèle via des deuxièmes vannes d’isolation 6a, 6b respectives à une canalisation commune 7 fluidiquement raccordée en parallèle aux sorties de quatre deuxièmes pompes à vide turbomoléculaire 3g, 3h, 3i, ...3l de l’équipement 1. Une pompe à vide primaire de service 8 est fluidiquement raccordée en parallèle aux huit chambres de procédés 2a, 2b, 2c, …2l de l’équipement 1 via huit troisièmes vannes d’isolation 9a, 9b ,9c, …9l respectives. La chambre de transfert 101 peut comporter plusieurs robots 108 dans l’enceinte 107 pour faciliter la distribution des substrats dans les huit chambres de procédés 2a, 2b, 2c, ..2h. Equipement (1) de fabrication, en particulier de composants semi-conducteurs, de LED ou d’écrans plats, comprenant au moins deux chambres de procédés (2a, 2b, 2c, ...2n) et autant de pompes à vide turbomoléculaire (3a, 3b 3c, ...3n) fluidiquement raccordées à une chambre de procédés (2a, 2b, 2c, …2n) respective via des premières vannes d’isolation (4a, 4b, 4c, …4n) respectives caractérisé en ce qu’il comporte en outre : - au moins un ensemble de deux pompes à vide primaire de procédés (5a, 5b), les entrées desdites pompes à vide primaire de procédés (5a, 5b) de l’ensemble étant fluidiquement raccordées en parallèle via des deuxièmes vannes d’isolation (6a, 6b) respectives à une canalisation commune (7) fluidiquement raccordée en parallèle aux sorties des pompes à vide turbomoléculaire (3a, 3b 3c, …3n), toutes les sorties des pompes à vide turbomoléculaire (3a, 3b 3c, …3n) étant fluidiquement raccordées aux deux pompes à vide primaire de procédés (5a, 5b) d’au moins un ensemble, et - une pompe à vide primaire de service (8) fluidiquement raccordée en parallèle aux chambres de procédés (2a, 2b, 2c, ...2n) dudit équipement (1) via des troisièmes vannes d’isolation (9a, 9b ,9c, ...9n) respectives. Equipement (1) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que les pompes à vide primaire de procédés (5a, 5b) de l’ensemble sont identiques. Equipement (1) selon l’une des revendications précédentes caractérisé en ce que chacune des deux pompes à vide primaire de procédés (5a, 5b) est configurée pour pouvoir abaisser la pression de refoulement des pompes à vide turbomoléculaire (3a, 3b, 3c, ...3n) auxquelles elles sont fluidiquement raccordées, à une pression inférieure à un seuil de pression en deçà duquel une variation de pression de refoulement n’entraine pas de variation de pression d’aspiration de la pompe à vide turbomoléculaire (3a, 3b, 3c, ...3n), y compris lorsqu’un flux de gaz est injecté à une valeur maximale prédéterminée dans toutes les chambres de procédés (2a, 2b, 2c, …2n) situées en amont desdites pompes à vide turbomoléculaire (3a, 3b, 3c, ...3n). Equipement (1) selon l’une des revendications précédentes caractérisé en ce qu’un ensemble de deux pompes à vide primaire de procédés (5a, 5b) est fluidiquement raccordé à deux, trois, quatre, cinq ou six pompes à vide turbomoléculaire (3a, 3b, 3c, …3n). Equipement (1) selon l’une des revendications précédentes caractérisé en ce que les chambres de procédés (2a, 2b, 2c, ...2n), les pompes à vide turbomoléculaire (3a, 3b, 3c, ...3n), les premières vannes d’isolation (4a, 4b, 4c, ..4n) et les troisièmes vannes d’isolation (9a, 9b ,9c, ...9n) sont agencées en salle blanche et les pompes à vide primaire de procédés (5a, 5b), les deuxièmes vannes d’isolation (6a, 6b) et la pompe à vide primaire de service (8) sont agencées dans un étage situé sous la salle blanche. Equipement (1) selon l’une des revendications précédentes caractérisé en ce qu’une canalisation de service (10) raccordant fluidiquement les canalisations des troisièmes vannes d’isolation (9a, 9b, 9c, ...9n) à la pompe à vide primaire de service (8) présente un diamètre de 40 mm ou 50 mm et la canalisation commune (7) présente un diamètre de 160 mm. Equipement (1) selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu’il comporte : - au moins deux sas (100, 102), chacun configuré pour réceptionner un substrat dans une chambre (104, 105) du sas (100, 102) et abaisser la pression atmosphérique dans la chambre (104, 105) à une pression de transfert prédéterminée et/ou pour réceptionner un substrat à une pression de transfert prédéterminée dans une chambre (104, 105) du sas (100, 102) et remonter la pression dans la chambre (104, 105) à pression atmosphérique, - une chambre de transfert (101) configurée pour transférer les substrats à la pression de transfert prédéterminée du sas (100, 102) vers une chambre de procédés (2a, 2b, 2c, ...2n) et d’une chambre de procédés (2a, 2b, 2c, ...2n) vers un sas (100, 102). Equipement (1) selon l’une des revendications précédentes caractérisé en ce qu’il comporte une unité de contrôle (11) configurée pour piloter l’ouverture et la fermeture des premières vannes d’isolation (4a, 4b, 4c, …4n), des deuxièmes vannes d’isolation (6a, 6b) et des troisièmes vannes d’isolation (9a, 9b ,9c, ...9n). Equipement (1) selon l’une des revendications précédentes caractérisé en ce qu’il est configuré pour mettre en œuvre des étapes de fabrication pour lesquelles une valeur maximale du flux de gaz injecté dans chaque chambre de procédés (2a, 2b, 2c, ...2n) est inférieure à 3 000 sccm (5.07 Pa.m 3 /s). Equipement (1) selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu’il est configuré pour réaliser des étapes de gravure ou de dépôt sous vide de couches minces. Procédé de fabrication caractérisé en ce qu’il est mis en œuvre dans un équipement (1) de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel lors des étapes de fabrication de substrats : - en situation sans défaillances, les deuxièmes vannes d’isolation (6a, 6b) sont ouvertes de sorte que les au moins deux pompes à vide primaire de procédés (5a, 5b) aspirent simultanément à la sortie des pompes à vide turbomoléculaire (3a, 3b 3c, …3n) auxquelles elles sont fluidiquement raccordées, - en cas de défaillance de l’une des pompes à vide primaire de procédés (5a, 5b), la deuxième vanne d’isolation (6a, 6b) située en amont de la pompe à vide de procédés (5a, 5b) défaillante se ferme isolant la pompe à vide de procédés (5a, 5b) défaillante, l’autre pompe à vide primaire de procédés (5a, 5b) assurant seule le pompage au refoulement des pompes à vide turbomoléculaire (3a, 3b, 3c …3n).