Brevet FR3164833A1 — publié le 20260123

Procédé de traitement appliqué à une pluralité de substrats (Sub) maintenus parallèles les uns aux autres, le traitement comprenant au moins deux séquences successives de traitements, chacune des séquences comprenant au moins un trempage dans au moins un bain chimique contenu dans un récipient équipé d’une rampe d’injection d’une solution de traitement, la rampe d’injection comprenant des buses de distribution, les buses étant distribuées le long de la rampe d’injection, les substrats (Sub) étant disposés chacun sensiblement perpendiculaires à la rampe d’injection, dans lequel : un premier des au moins deux trempages s’effectue avec les substrats (Sub) orientés selon une première orientation (Or1), repérée angulairement autour d’un axe normal aux substrats ; et un deuxième des au moins deux trempages s’effectue avec au moins une partie des substrats orientée selon une deuxième orientation (Or2), distincte de la première orientation (Or1). Figure à publier avec l’abrégé : Fig. 5 OPTIMISATION DE L’ORIENTATION DE SUBSTRATS PASSANT EN LOTS DANS DES BAINS DE TRAITEMENTS CHIMIQUES DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION L'invention concerne un procédé de de traitement chimique employé dans le domaine de l’industrie des semiconducteurs, appliqué à des substrats maintenus parallèles entre eux dans des bains de solutions chimiques injectées au moyen d’une rampe d’injection munie de buses réparties sur sa longueur. ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE Dans la fabrication des semi-conducteurs, les bancs humides à immersion, habituellement désignés par « Wet Bench », sont utilisés pour divers procédés de traitement de surface des substrats employés, tels que la gravure, le nettoyage et le décapage de résine. Un Wet Bench peut se décrire comme une hotte de chimie comprenant plusieurs bains, habituellement automatisée de manière à traiter par lots des plaquettes de semiconducteurs ou d’autres matériaux utilisés dans cette industrie en vue d’applications diverses, telles que les circuits CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor), les circuits d’électroniques de puissance, les MEMS (Micro ElctroMechanical Systems), les filtre radiofréquence, ou les µLEDs (LED pour Light Emitting Diode en terminologie anglaise). Les substrats concernés sont typiquement des galettes circulaires dites « wafers », de diamètres normalisés compris entre 25,4 mm et 300 mm et d’épaisseur de l’ordre de 0,7 mm, par exemple des wafers de silicium, pyrex, saphir, carbure de silicium, arséniure de gallium, nitrure d’aluminium etc…. Pour des raisons d’automatisation et d’efficacité, les substrats sont traités par lots, manipulés au moyen de paniers de matière plastique dits « FOUP », de l’anglais Front Opening Unified Pod. Les FOUPs sont généralement prévus pour porter 25 substrats à traiter, maintenant les substrats parallèles les uns aux autres, avec des espacements de l’ordre du centimètre entre deux substrats. Les substrats peuvent ainsi être immergés automatiquement par lots dans des bains de traitement chimiques successifs. Plus spécifiquement, un Wet Bench peut comporter plusieurs réservoirs, chacun dédiés à un traitement chimique particulier au moyen de solutions spécifiques, par exemples des solutions acides, basiques, constituées de solvants ou simplement d’eau déionisée dans le cadre d’un rinçage. Un robot transfère les substrats des FOUPs dans des paniers de manipulation destinés spécifiquement aux traitements par voie humide dans les bains et les immerge successivement dans les bains nécessaires à la mise en œuvre d’une recette de traitement. Entre deux bains, faisant respectivement partie de deux séquences de traitement, les substrats peuvent être isolés pour caractérisation, par exemple de leur planéité, de leur rugosité, ou tout autre paramètre pertinent dans le cadre de leur traitement, ou pour des opérations telles que des traitements thermiques. La FIG. 1 (A) représente, en vue d’en haut, une vue schématique d’un bain B typique, comprenant une cuve externe OutTank et une cuve interne InnTank disposée à l’intérieur de la cuve externe. Les cuves sont prévues pour que la solution de traitement contenue dans la cuve interne puisse déborder et être récupérée par la cuve externe. Dans la cuve interne sont disposés un collecteur Coll de réception d’une solution liquide de traitement en vue de sa distribution à une ou plusieurs rampes InjRmp d’injection de solution de traitement dans le bain. La ou les rampes sont reliées au collecteur de manière à distribuer la solution dans le bain au moyen de buses No disposées le long de leur direction X horizontale d’extension. Ainsi, l’entrée Ent d’une rampe se situe au niveau du collecteur Coll et son extrémité distale Dist se situe à l’opposé du collecteur Coll. Si plusieurs rampes sont employées, elles peuvent être espacées selon une direction Y horizontale perpendiculaire à la direction X. La FIG. 1 (B) illustre le bain B en vue de côté selon un plan vertical. Les rampes d’injection InjRmp sont situées en partie basse de la cuve interne InnTank. Lorsque des substrats Sub sont en cours de traitement dans le bain B, ils sont disposés et maintenus dans la cuve interne InnTank au moyen d’un panier de manipulation (non représenté sur cette figure) au-dessus des rampes d’injection. L’orientation des substrats transférés d’un FOUP à un panier de manipulation destiné aux traitements par voie humide est maintenue, de sorte que l’orientation d’un substrat dans un FOUP correspond à l’orientation de ce substrat dans les bains de traitement dans lesquels il est plongé successivement. La FIG. 1 (C) reprend la FIG. 1 (B), les flèches ajoutées représentant les flux de la solution de traitement, dans cet ordre depuis le collecteur Coll, à travers la ou les rampes InjRmp puis les buses No, dans la cuve interne InnTank et entre les substrats Sub et, finalement, l’injection continue de la solution de traitement dans la cuve interne provoque le débordement de cette dernière dans la cuve externe OutTank. Les traitements appliqués peuvent entraîner un amincissement des substrats. Par exemple, l’application successive de traitements oxydants et de traitements désoxydants à un substrat de silicium conduisent à oxyder le silicium en surface puis à éliminer la couche d’oxyde formée. Ainsi, des inhomogénéités dans la topographie de la surface du substrat peuvent apparaître. Ces irrégularités peuvent être négligeables pour nombre d’applications, mais par exemple dans les cas où des couches minces de matériaux actifs sont sur un substrat de support, ces irrégularités peuvent devenir rédhibitoires. C’est par exemple le cas pour des substrats dits SOI pour Silicon-On-Insulator ou FD-SOI pour Fully Depleted SOI, pour lesquels la couche active en surface peut n’avoir que quelques dizaines de nanomètres d’épaisseur. Dans ce type d’applications, l’apparition d’inhomogénéités dans la topographie de surface des couches sont une source de mise au rebut des substrats jugés non conforme aux spécifications de l’utilisateur final de ces substrats. On constate donc un besoin d’amélioration de l’homogénéité des traitements chimiques mis en œuvre dans les bancs humides à immersion ou Wet Benchs. L’objectif du déposant est de fournir un procédé de traitement de substrats par bains chimiques par lots, le procédé améliorant l’homogénéité des épaisseurs de substrats ainsi traités. En vue de la réalisation de ce but, un aspect de l’invention est un procédé de traitement appliqué à une pluralité de substrats maintenus parallèles les uns aux autres, le traitement comprenant au moins deux séquences successives de traitements appliqués aux substrats, chacune des séquences comprenant au moins un trempage dans au moins un bain chimique contenu dans un récipient équipé d’une rampe d’injection d’une solution de traitement, la rampe d’injection comprenant des buses de distribution de la solution de traitement, les buses étant distribuées le long de la rampe d’injection, les substrats étant disposés chacun sensiblement perpendiculaires à la rampe d’injection, dans lequel : - un premier des au moins deux trempages s’effectue avec les substrats orientés selon une première orientation, repérée angulairement autour d’un axe normal aux substrats ; et - un deuxième des au moins deux trempages s’effectue avec au moins une partie des substrats orientée selon une deuxième orientation, distincte d’au moins 20° de la première orientation. Un avantage surprenant procuré par la modification de l’orientation des substrats entre deux séquences successives de traitements par voie humide est de permettre une amélioration de l’homogénéité dans la topographie de surface des substrats traités. Lorsque l’on parle d’une amélioration de l’homogénéité dans la topographie de surface, il peut s’agir des variations maximales ou de l’écart-type de la distance de la surface par rapport à une position médiane. Appliqué en particulier à la fabrication de substrats de type FD-SOI, le procédé selon l’invention permet d’améliorer le rendement global du procédé de fabrication en réduisant la proportion de substrats ne respectant pas les spécifications requises. Les spécifications dont il est question ici concerne la topographie de la surface des substrats. Selon des caractéristiques additionnelles non-limitatives du procédé de traitement selon l’invention, considérées individuellement ou selon toute combinaison techniquement réalisable : - le deuxième des au moins deux trempages peut s’effectuer avec la totalité des substrats orientés dans la deuxième orientation ; - le deuxième des au moins deux trempages peut s’effectuer avec des premiers substrats de la pluralité de substrats orientés selon la première orientation, et des seconds substrats de la pluralité de substrats orientés selon la deuxième orientation ; - les premiers substrats peuvent être plus proches d’une entrée de la rampe d’injection que les seconds substrats ; - le procédé peut en outre comprendre une étape de calibration de topographie des substrats entre le premier et le deuxième des au moins deux trempages, des positions des seconds substrats pouvant être déterminées en réponse à l’étape de calibration ; et - la deuxième orientation peut être sensiblement opposée à la première orientation. L’invention s’étend à un procédé de fabrication d’un substrat comprenant les étapes d’assembler un substrat donneur et un substrat receveur ; puis de séparer une épaisseur du substrat donneur au niveau d’un plan de fragilisation formé dans le substrat donneur, de manière à munir le substrat receveur d’une couche mince issue du substrat donneur ; puis d’appliquer au substrat receveur muni de la couche mince le procédé de traitement selon l’invention. Selon des caractéristiques additionnelles non-limitatives du procédé de fabrication d’un substrat selon l’invention, considérées individuellement ou selon toute combinaison techniquement réalisable : - chacune des séquences peut comprendre une pluralité de trempages dans une pluralité de bains chimiques chacun contenus dans un récipient équipé d’une rampe d’injection d’une solution de traitement, les rampes pouvant comprendre des buses de distribution des solutions de traitement, les substrats pouvant être, lors de chacun des trempages, disposés chacun sensiblement perpendiculaires à la rampe d’injection du bain dans lequel ils sont trempés, procédé dans lequel : des premiers trempages de la première séquence peuvent s’effectuer avec les substrats orientés selon la première orientation ; et des deuxièmes trempages de la deuxième séquence suivant la première séquence peuvent s’effectuer avec au moins une partie des substrats orientés selon la deuxième orientation ; - les premiers trempages de la première séquence peuvent comprendre une étape de nettoyage, la première séquence peut en outre comprendre une première étape d’oxydation, et les deuxièmes trempages de la deuxième séquence peuvent comprendre une première étape de désoxydation ; - le procédé de traitement peut comprendre une troisième séquence de traitements appliqués aux substrats, la deuxième séquence et peuvent comprendre au moins un troisième trempage dans au moins un bain chimique contenu dans un récipient équipé d’une rampe d’injection d’une solution de traitement, la rampe d’injection pouvant comprendre des buses de distribution de la solution de traitement, les buses pouvant être distribuées le long de la rampe d’injection, les substrats pouvant être disposés chacun sensiblement perpendiculaires à la rampe d’injection, procédé dans lequel : la deuxième séquence peut comprendre une deuxième étape d’oxydation ; le au moins un trempage de la troisième séquence peut comprendre une deuxième étape de désoxydation ; et la troisième séquence peut être mise en œuvre avec les substrats orientés selon une troisième orientation sensiblement différente de la première orientation et de la deuxième orientation, la troisième orientation pouvant être repérée angulairement autour de l’axe normal aux substrats ; - la couche mince peut avoir une épaisseur comprise entre 50.10 -10 °m et 200.10 -10 m, de préférence entre 100.10 -10 m et 140.10 -10 m à l’issue du procédé de traitement ; - la couche mince peut comprendre une couche de silicium ; - la couche mince peut comprendre une couche mince d’oxyde de silicium interposée entre la couche de silicium et le substrat receveur ; - lors de chacun des trempages, les substrats peuvent être situés au-dessus la rampe d’injection concernée et peuvent être chacun orientés de manière telle que leurs plans d’extensions respectifs sont sensiblement verticaux. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée de l’invention qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquels : FIG. 1 La FIG. 1 représente un bain typique d’un Wet Bench ; FIG. 2 La FIG. 2 est un diagramme d’un procédé selon un premier mode de réalisation ; FIG. 3 La FIG. 3 illustre des étapes du procédé de la FIG. 2 ; FIG. 4 La FIG. 4 illustre la géométrie typique d’un substrat employé dans l’industrie du semiconducteur ; FIG. 5 La FIG. 5 représente une mise en œuvre du principe de l’invention, avec des orientations d’un substrat dans un panier de manipulation et traité en Wet Bench ; FIG. 6 La FIG. 6 illustre des étapes de trempage en bain selon le premier mode de réalisation ; FIG. 7 La FIG. 7 illustre des résultats de caractérisation d’homogénéité de topographie de surface de 25 substrats selon leur position dans un FOUP. FIG. 8 La FIG. 8 est un diagramme d’un procédé selon un second mode de réalisation. DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION Premier mode de réalisation Un premier mode de réalisation de la présente invention est décrit au moyen des Figures 1 à 7 et de la description associée ci-dessous. Dans ce premier mode de réalisation, tous les substrats d’un lot de substrats manipulés à l’aide d’un FOUP présentent la même orientation dans le FOUP. Selon un mode particulier de mise en œuvre de l’invention, un substrat de type FD-SOI est préparé. Un tel substrat est typiquement constitué d’une couche mince de silicium monocristallin transférée sur un substrat receveur constitué de silicium monocristallin massif, une couche d’oxyde de silicium étant interposée entre la couche mince de silicium et le substrat receveur. Dans cette structure, l’oxyde de silicium isole électriquement la couche mince de silicium du substrat receveur. Cette dernière est destinée à former la couche semiconductrice active de dispositifs électroniques, dans laquelle des canaux de transistors seront formés. La technologie dite « Fully Depleted » nécessite d’obtenir une couche de silicium suffisamment mince pour que, en fonction, la zone de déplétion des canaux des transistors s’étende sur toute l’épaisseur de la couche. Afin d’obtenir des dispositifs exploitables, les transistors doivent avoir des caractéristiques similaires sur l’ensemble du substrat, ce qui requiert une excellente homogénéité en épaisseur de la couche semiconductrice et donc de sa topographie de surface. Il s’agit ici d’épaisseurs de l’ordre de 120 Å qui doivent être homogènes sur l’ensemble d’un substrat, de préférence à environ plus ou moins 5 Å près. La technologie FD-SOI est encore récente et les procédés de fabrication qu’elle implique sont en cours de développement et/ou d’optimisation. Dans ce contexte, la demanderesse a cherché à réduire le taux des rejets de substrats dus à une inhomogénéité de l’épaisseur de la couche mince de silicium au cours des étapes finales, qui incluent des traitements thermiques et/ou d’oxydation, ainsi que des traitements par voie humide en Wet Bench. Parmi de nombreux paramètres étudiés, il est apparu que, pour des substrats de type FD-SOI en préparation, la position qu’ils occupent dans un FOUP est corrélée à leur taux de rejet. Pour mémoire, un FOUP contient typiquement 25 substrats à des positions respectives ordonnées spatialement et numérotées de 1 à 25. Il a été constaté que les substrats occupant les positions du FOUP de numéros les plus élevés, typiquement les positions 17 à 25, sont les plus susceptibles de présenter des défauts d’homogénéité dans l’épaisseur de la couche mince, ces défauts d’homogénéités pouvant être suffisamment importants pour justifier la mise au rebut des substrats atteints. Les FOUPs servent, entre autres, à la manipulation des substrats avant leur transfert dans des paniers de manipulation adaptés à leur traitement par voie humide, dits « wet carriers » en terminologie anglaise, en vue de leur immersion en lots dans des bains chimiques tels que celui illustré par la FIG. 1 . Les positions 17 à 25 des substrats les rapprochent des extrémités distales des rampes d’injections Or, au cours des investigations cherchant à expliquer ce phénomène, des calculs ont montré que la pression dans les rampes d’injection de solution de traitement augmente avec l’éloignement au collecteur et que l’on observe simultanément une réduction de la vitesse d’écoulement dans la rampe et une augmentation de la vitesse d’écoulement en sortie des buses. Les inventeurs ont alors émis l’hypothèse que les inhomogénéités de topographie de surface substrats sont générées par des phénomènes fluidiques intervenant lors des traitements en Wet Bench. Des essais d’amélioration du procédé ont été faits pour résoudre ce problème d’inhomogénéité, en partant de l’hypothèse que les traitements par bains chimiques en Wet Bench en étaient la cause. Parmi ces essais, il est apparu qu’ajuster l’orientation des substrats entre deux étapes de Wet Bench, plutôt que la maintenir constante, améliore significativement l’homogénéité en épaisseur des substrats. Des résultats de mesure tels que ceux illustrés par le graphique de la FIG. 7 ont confirmé l’hypothèse des inventeurs. La FIG. 7 illustre les écarts maximaux de topographie (mesure en peak-to-valley en terminologie anglaise), indiqués en angströms Å en ordonnée, mesurés pour chacun de 25 substrats, numérotés en abscisse selon leurs positions respectives dans un FOUP, traités en un lot par des bains chimiques en Wet Bench. Deux courbes sont représentées. La courbe RefProc représente les mesures de référence, obtenues pour un lot ayant subi un traitement conventionnel, les orientations des substrats restant les mêmes pour les opérations successives en Wet Bench. La courbe NewProc représente les mesures pour un lot ayant subi un nouveau traitement, ne différent du traitement conventionnel de la courbe de référence que par un changement dans l’orientation des substrats entre deux séquences successives d’opérations incluant chacune une ou plusieurs opérations en WetBench : l’orientation des substrats a, dans ce cas particulier, été changé de 180°. Le traitement dont il est question ici correspond à la mise en œuvre des étapes Or.Stp1 à Final du procédé 100 illustré par la FIG. 2 et décrit ci-dessous. Des courbes de la FIG. 7 , on constate que, pour une position donnée dans un FOUP, les topographies des substrats ayant suivi le nouveau traitement sont plus régulières, moins dispersées, que celle ayant suivi le traitement de référence. Ces mesures, représentatives d’autres tests réalisés pour valider le principe de l’invention, confirme l’efficacité du changement d’orientation des substrats. Ceci est particulièrement vrai pour les dernières positions dans le FOUP, et permet de faire passer à l’intérieur des limites des spécifications les substrats situés à ces positions. Sur cette base, les inventeurs ont développé le procédé 100 de préparation d’un substrat destiné à accueillir des dispositifs de technologie FD-SOI, illustré par les Figures 2 à 6. Ce procédé représente une variante d’un procédé conventionnel par rapport auquel il réduit le taux de rejet des substrats de l’ordre de 2%, selon l’expérience des inventeurs. A une première étape DonSubPrep du procédé 100, un substrat donneur DonSub est fourni et éventuellement préparé pour la suite des étapes de fabrication. Le substrat donneur DonSub peut être composé d’une plaquette de silicium monocristallin. Le substrat donneur DonSub peut prendre la forme d'une plaquette, circulaire, de dimension normalisée, par exemple de 150 mm ou 200 mm de diamètre. Cependant, l'invention n'est nullement limitée à ces dimensions ou à cette forme. Dans le cadre du présent exemple, le substrat donneur subit une oxydation thermique de manière à former une couche OxLay d’oxyde de silicium à sa surface, comme illustré en FIG. 3 (A). Le procédé comprend l’introduction dans le substrat donneur DonSub d’au moins une espèce dite « légère », notamment choisie parmi les gaz inertes, l’hélium, et l’hydrogène, au cours d’une étape Imp. Cette introduction peut correspondre à une implantation, c’est-à-dire un bombardement ionique d’une face plane supérieure DonTop du substrat donneur DonSub par des ions de la ou les espèces légères choisies tels que des ions d’hydrogène et/ou d’hélium. De façon connue en soi, et comme cela est illustré par la FIG. 3 (A), les ions implantés forment un plan de fragilisation Frgl, qui servira par la suite à séparer du substrat donneur une couche de matériau comprise entre la surface d’implantation DonTop et le plan de fragilisation. La nature, la dose des espèces implantées et l’énergie d’implantation sont choisies en fonction de l’épaisseur de la couche que l’on souhaite séparer du substrat donneur DonSub et des propriétés physico-chimiques de ce dernier. A une étape RecSubPrep, illustrée par la FIG. 3 (B), on fournit le substrat receveur RecSub destiné à recevoir une couche mince transférée du substrat donneur. Le substrat receveur RecSub peut présenter la même dimension et la même forme que celles du substrat donneur SubDon. Pour des raisons de disponibilité et de coût, le substrat receveur RecSub peut être une plaquette de silicium monocristallin ou polycristallin. A une étape d’assemblage Ass, illustrée par la FIG. 3 (C) et postérieure à l’étape Imp de formation du plan de fragilisation Frgl, on assemble la face plane supérieure DonTop du substrat donneur DonSub à une face plane supérieure RecTop du substrat receveur RecSub. Préalablement à l’étape d’assemblage, il est possible de préparer les faces des substrats à assembler par une étape de nettoyage, brossage, séchage, polissage, ou une activation, par exemple par plasma. L’étape d’assemblage peut correspondre à la mise en contact intime du substrat donneur DonSub avec le substrat de dispositif DevSub par adhésion moléculaire et/ou collage électrostatique. A l’issue de cette étape d’assemblage, on dispose d’un ensemble Set résultant de l’assemblage du substrat donneur DonSub et du substrat receveur RecSub, la face DonTop du substrat donneur DonSub adhérant à la face RecTop du substrat receveur RecSub. A une étape Fract, l’ensemble Set est traité de manière à cliver le substrat donneur au niveau du plan de fragilisation Frgl et ainsi en détacher une couche DonSub 1 qui reste attachée au substrat receveur RecSub. Cette étape Fract de détachement peut ainsi comprendre l’application à l’ensemble Set d’un traitement thermique dans une gamme de température de l’ordre de 80°C à 300° pour permettre le transfert de la couche DonSub 1 au substrat de dispositif DevSub par fracture du substrat DonSub au niveau du plan de fragilisation Frgl. En remplacement ou en complément du traitement thermique, cette étape peut comprendre l’application d’une lame ou un jet de fluide gazeux ou liquide au niveau du plan de fragilisation Frgl. La FIG. 3 (D) illustre cette opération, avec la séparation du substrat donneur DonSub en deux parties DonSub 1 et DonSub 2 au niveau du plan de fragilisation. La partie DonSub 1 forme une couche restant fixée au substrat receveur RecSub. On obtient une structure comprenant une couche de silicium DonMat adhérant au substrat RecSub, une couche d’oxyde de sillicium OxLay étant interposée entre la couche DonMat et le substrat RecSub. A ce stade de préparation et dans le cadre de l’exemple d’un substrat FD-SOI, la couche mince DonMat restant sur le substrat RecSub après l’étape Fract de détachement peut avoir une épaisseur comprise entre 200 et 300 nm, et la couche OxLay une épaisseur comprise entre 25 et 35 nm. Des étapes de finition de la couche DonSub 1 sont ensuite nécessaires pour améliorer la qualité cristalline et de surface de la couche DonMat, et ajuster son épaisseur à une épaisseur cible. Ces étapes de finition sont collectivement désignées par Finish et correspondent aux traitements allant de l’étape Or.Stp1 à l’étape Final du diagramme de la FIG. 2 . Les étapes portant l’indication « WB » dans le diagramme sont des étapes mises en œuvre en Wet Bench, dans des cuves telles que la cuve InnTank illustrée par la FIG. 1 . Comme indiqué plus haut, les étapes de finition vont nécessiter d’orienter les substrats. Les substrats classiquement utilisés dans l’industrie du semiconducteur ont une forme généralement circulaire mais comportent des repères permettant de déterminer les orientations cristallographiques des matériaux monocristallins employés, le cas échéant. La FIG. 4 illustre les principaux types de repères. Les Figures 4(A) et 4(B) illustrent respectivement des substrats Sub dans leur plan d’extension, ces substrats étant circulaires à l’exception d’un méplat (appelé « flat » en terminologie anglaise) ou d’une encoche (appelé « notch » en terminologie anglaise). Ces repères indiquent l’orientation cristallographique des substrats et peuvent être mis à profit pour les orienter lors de leur placement dans le FOUP. Un même substrat peut comporter plus d’un méplat. A des fins explicatives, les étapes sont séparées en trois séquences successives, Seq1, Seq2 et Seq3, dans cet ordre, chacune étant associée à une configuration donnée des substrats dans un FOUP au cours du ou des traitements par trempage en Wet Bench mis en œuvre pendant la séquence considérée. Trois configurations Or-Con FIG. 1 , Or-Con FIG. 2 et Or-Con FIG. 3 sont respectivement associées aux séquences Seq1, Seq2 et Seq3, comme illustré par la FIG. 2 , et sont définies par les orientations des substrats. La première étape du procédé 100 suivant l’étape Fract est une étape Or.Stp1 d’orientation des substrats Sub dans un panier porteur, éventuellement un FOUP, définissant ainsi la première configuration Or-Con FIG. 1 d’orientation des substrats, illustrée en FIG. 6 (A). Dans cet exemple, les substrats sont orientés et manipulés de manière à, lorsqu’ils seront transférés dans des wet carriers WC pour être immergés dans les bains du Wet Bench, présenter leurs repères d’orientation respectifs alignés selon une orientation Or1 alignée avec la direction verticale montante Z du bain, comme illustré par la FIG. 5 (A). La FIG. 5 représente des vues dans le plan d’extension de l’un des substrats immergés dans un bain, normal à la direction X. D’une manière générale, les orientations sont repérées angulairement autour de l’axe X, parallèle à la direction d’extension d’une rampe d’injection et perpendiculaire à aux plans d’extension des substrats, et sont définies par un angle autour de l’axe X mesuré par rapport à la verticale Z. Alternativement, d’autres directions que la direction verticale Z pourraient être retenues pour l’orientation Or1. La première séquence Seq.1 débute avec l’étape Ot.Stp1 et est complétée par des étapes de traitement Clean1, HT1, Clean2 et OX1 qui suivent, dans cet ordre, l’étape Or.Stp1. Les étapes Clean1 et Clean2 sont des étapes de nettoyage réalisées en Wet Bench, destinées à éliminer des particules en surface ou enterrées proche de la surface, et/ou des contaminants métalliques. L’étape HT1 est une étape de traitement thermique, préférablement à une température comprise entre 1000°C et 1200°C, préférablement entre 1075 et 1175°C, sous atmosphère réductrice telle qu’une atmosphère d’hydrogène, cette étape étant destinée à lisser les surfaces des substrats en augmentant la mobilité des atomes de surface. L’étape OX1 est une étape de traitement thermique ayant pour fonction de stabiliser l’assemblage de la couche mince DonLay au substrat RecSub et de former une couche d’oxyde. L’étape OX1 peut être mise en œuvre par un traitement thermique à une température comprise entre 800 et 1000°C sous atmosphère oxydante, préférablement environ 950°C. La couche d’oxyde sera éliminée par la suite, ce qui permettra d’enlever une épaisseur de la couche transférée qui a été endommagée par les étapes d’implantation Imp et de fracturation Fract. La deuxième séquence Seq.2 démarre, à la suite à l’étape d’oxydation OX1, par une nouvelle étape Or.Stp2 d’orientation des substrats dans le FOUP, selon les principes évoqués pour l’étape Or.Stp1. Cette fois-ci, les repères des substrats sont arrangés selon une orientation Or2 distincte de l’orientation Or1, c’est-à-dire telle que l’orientation Or2 diffère d’au moins 20° de l’orientation Or1, comme illustré par la FIG. 5 (B). Cette orientation peut être défini par des tests préparatoires, afin d’adapter l’orientation Or2 à l’orientation Or1 et aux caractéristiques de la couche DonSub1 (topographie, rugosité…) à la suite de l’étape de détachement Fract. Cette orientation n'est pas particulièrement limitée et sera de préférence adaptée à chaque couche à traiter. Dans un cas particulier pris en exemple et dont les bénéfices ont été discutés en relation avec les courbes de la FIG. 7 , l’orientation Or2 se situe à l’opposé de l’orientation Or1 de l’étape Or.Stp1, c’est-à-dire selon une orientation Or2 allant, dans cet exemple, sensiblement à l’opposé (180°) de la direction Z, comme illustré par la FIG. 5 (D). On entend par sensiblement à l’opposé une orientation comprise entre 170° et 190° par rapport à la direction Z. Une deuxième configuration Or-Con FIG. 1 d’orientation des substrats est ainsi définie, illustrée en FIG. 6 (B). Les étapes de traitement Desox1, HT2, Clean3 et OX2 suivent, dans cet ordre, l’étape Or.Stp2, et complètent la deuxième séquence Seq.2. L’étape Desox1 est une étape de désoxydation des substrats par attaque de l’oxyde formé au cours de l’étape OX1, étape opérée en Wet Bench. Il peut s’agir d’une attaque de la couche d’oxyde par une solution d’acide fluorhydrique. L’étape Clean3 est une étape de nettoyage. L’étape HT2 est, comme l’étape HT1, une étape de traitement thermique sous atmosphère réductrice, destinée à lisser les surfaces des substrats en augmentant la mobilité des atomes de surface. Les étapes Clean1, Clean2 et Clean3 peuvent être mises en œuvre par procédé RCA. L’étape OX2 est une étape d’oxydation thermique sacrificielle, qui permettra, par élimination de l’oxyde formé, d’amincir la couche mince DonMat et éventuellement d’améliorer sa planéité. Cette étape peut être mise en œuvre au moyen d’un traitement thermique dans une atmosphère oxydante, de manière similaire à l’étape OX1. La troisième séquence Seq.3 démarre, à la suite à l’étape d’oxydation OX2, par une nouvelle étape Or.Stp3 d’orientation des substrats dans le FOUP, selon les principes évoqués pour l’étape Or.Stp1. Cette fois-ci, les repères des substrats suivent une orientation Or3 distincte des orientations Or1 et Or2, par exemple d’au moins 20° par rapport à chacune de Or1 et Or2, et définie dans cet exemple par un angle d’environ 135° par rapport à la direction Z comme représenté par la FIG. 5 (C), définissant ainsi une troisième configuration Or-Con FIG. 3 d’orientation des substrats, illustrée en FIG. 6 (C). L’angle de 135° peut être retenu pour les avantages qu’il procure en termes d’homogénéité de topographie obtenue en fin de de la troisième séquence Seq3 pour la couche DonMat lorsque l’orientation Or1 est définie par la direction Z. Les étapes de traitement Desox2 et Final suivent, dans cet ordre, l’étape Or.Stp3. L’étape Desox2, effectuée en Wet Bench, est similaire à l’étape Desox1. L’étape Final est une étape de nettoyage et d’amincissement effectuée de manière conventionnelle au moyen d’un équipement de traitement individuel des substrats, et non au moyen d’un Wet Bench comme les autres étapes de trempage mentionnées ci-dessus. A l’issue de l’étape Final, la couche mince DonMat présente une épaisseur comprise entre 50.10 -10 °m et 200.10 -10 m, de préférence entre 100.10 -10 m et 140.10 -10 m. Pour résumer, les trois séquences de traitements Seq1, Seq2 et Seq3, se suivent, chacune correspondant à une configuration d’orientation des substrats, Or-Con FIG. 1 , Or-Con FIG. 2 et Or-Con FIG. 3 , respectivement, comme illustré par la FIG. 2 . Les étapes mentionnées ci-dessus sont connues pour elles-mêmes dans le domaine des semiconducteurs. Les étapes de nettoyage peuvent par exemple être des nettoyage dits « RCA clean » selon la terminologie du domaine (nommé d’après l’acronyme de Radio Corporation of America. Un tel nettoyage comprend l’immersion successive du substrat dans une solution de SC1 (« Standard Clean 1 » pour « nettoyage standard 1 ») contenant de l'hydroxyde d'ammonium (NH4OH), du peroxyde d'hydrogène (H2O2) et de l'eau désionisée, puis dans une solution de SC2 (« Standard Clean 2 » pour « nettoyage standard 2 ») contenant de l'acide chlorhydrique (HCl), du peroxyde d'hydrogène (H2O2) et de l'eau désionisée. Le nettoyage RCA comprend également l’immersion du substrat dans des solutions de rinçage, typiquement de l’eau désionisée, insérées avant et/ou après chacune des immersions dans les solutions de SC1, SC2. La solution de SC1 est destinée principalement à retirer les particules isolées en surface du substrat et les particules enterrées au voisinage de cette surface, et à les empêcher de se redéposer. La solution de SC2 est quant à elle principalement destinée à retirer les contaminants métalliques qui ont pu se déposer en surface de la couche mince en formant notamment des chlorures. On trouvera dans la brochure « RCA Critical Cleaning Process » datée du 6/08/2007 et éditée par la société Microtech System, inc une description détaillée de ce nettoyage RCA et de son évolution. Dans le procédé, les séquences de traitement peuvent inclure des étapes humides ou autres telles que des traitements thermiques ou plasma, des étapes de mesure et de caractérisation des substrats, des adaptations des recettes et leurs paramètres (durées, températures…) aux résultats des mesures de et caractérisations. Autrement dit, les étapes de traitements ne sont pas limitées à des étapes de traitements par voie humide en Wet Bench. Deuxième mode de réalisation Ce mode de réalisation est illustré au moyen de la FIG. 8 . Dans le premier mode de réalisation, les substrats sont tous traités et orientés de la même manière. Or, les mesures effectuées sur l’homogénéité de la topographie de surface des substrats ont montré que seuls les substrats les plus éloignés du collecteur Coll, c’est-à-dire les substrats les plus proches de l’extrémité distale de la rampe d’injection, sont affectés de manque d’homogénéité à la suite des traitements chimiques mis en œuvre en Wet Bench. Plus spécifiquement, dans des mesures effectuées pour des lots de 25 substrats traités en FOUP, les défauts d’homogénéités rendaient les substrats non conformes aux spécifications requises pour les emplacements 17 à 25, c’est-à-dire les plus éloignés du collecteur Coll, alors que l’homogénéité en épaisseur des substrats placés aux emplacements 1 à 16 restait dans les limites de tolérance des spécifications pour les substrats. En conséquence, plutôt que d’orienter les substrats de manière indifférenciée comme dans le premier mode de mise en œuvre, il est possible d’orienter les substrats différemment selon leurs emplacements respectifs dans un FOUP. Ainsi, dans ce second mode de mise en œuvre, les substrats sont séparés en deux groupes, un premier groupe composé de substrats Sub1 situés du côté du collecteur dans le FOUP et un second groupe composé de substrats Sub2 situés à l’opposé du collecteur dans le FOUP. Les seuls changements entre les deux modes de réalisation concernent les configurations d’orientation, et plus spécifiquement la configuration Or-Con FIG. 2 comme expliqué à l’aide de la FIG. 8 . Dans la configuration Or-Con FIG. 1 , tous les substrats, Sub1 et Sub2, sont orientés de la même manière, selon l’orientation Or1 alignée sur la direction Z, comme illustré par la FIG. 5 (A). La configuration Or-Con FIG. 1 du second mode de réalisation est donc identique à la configuration Or-Con FIG. 1 du premier mode de réalisation. Dans la configuration Or-Con FIG. 2 , les substrats Sub1 situés du côté du collecteur sont orientés selon la direction Z, comme pour la configuration Or-Con FIG. 1 . En revanche, les substrats Sub2 sont orientés selon l’orientation Or2 sensiblement à l’opposé de la direction Z, comme illustré par la FIG. 5 (B). Une étape optionnelle Cal de calibration peut être mise en œuvre entre les séquences Seq1 et Seq2. Cette étape Cal a pour but de caractériser la topographie de surface des substrats afin de déterminer quels substrats devront être considérés comme des substrats Sub2 dont l’orientation devra passer à l’orientation Or2 pour la deuxième séquence d’opération Seq2. L’étape de calibration peut en particulier permettre de déterminer à partir de quelle position dans le FOUP les substrats devront être considérés comme des substrats Sub2. Dans ce cas, les substrats Sub2 sont localisés consécutivement dans le FOUP comme illustré par la FIG. 8 . Par exemple, on pourra assigner au substrats Sub2 les substrats dont l’inhomogénéité de topographie de surface dépasse un critère prédéterminé, telle qu’une valeur prédéterminée pour une mesure dite « peak-to-valley » de hauteur ou pour un écart-type de la distance de la surface par rapport à une position médiane de cette surface. Dans la configuration Or-Con FIG. 3 , les substrats Sub1 et Subs2 sont tous orientés selon l’orientation Or3, comme illustré par la FIG. 5 (C). La configuration Or-Con FIG. 3 du second mode de réalisation est donc identique à la configuration Or-Con FIG. 3 du premier mode de réalisation. Au moyen de cette séquence d’étapes, l’ensemble des substrats Sub1 et Sub2 satisfait aux spécifications requises sans qu’il ait été nécessaire de changer l’orientation des substrats Sub1 entre les séquences Seq1 et Seq2. Une alternative au second mode de réalisation est que les substrats Sub2 peuvent avoir des localisations non consécutives, éventuellement d’une part au niveau des premières positions dans le FOUP et d’autre part au niveau des dernières positions dans le FOUP, si la chimie et la dynamique fluidique d’un trempage particulier requièrent une telle configuration. La décision quant aux positions des substrats Sub2 peut suivre les résultats de la caractérisation Cal ou les retours d’expérience du praticien. Il peut par exemple arriver que les substrats placés aux deux extrémités opposées d’un FOUP aient des caractéristiques les empêchant de respecter des spécifications requises alors que les substrats situés dans une partie centrale du FOUP respectent ces spécifications. L’invention n’est pas limitée à une localisation particulière des substrats Sub2, même si les résultats préliminaires ont montré qu’elle s’applique particulièrement bien aux substrats situés dans les positions du FOUP éloignées do collecteur Coll. Dans les exemples ci-dessus, les méplats et encoches des substrats considérés sont employés pour assurer leur orientation. L’invention n’est pas limitée à cette solution, et tout type de marquage ou toute autre méthode de repérage de l’orientation des substrats peut être employée pour leur orientation dans un FOUP ou tout autre dispositif de portage des substrats. Dans ce document, lorsque l’on spécifie que les substrats sont disposés sensiblement perpendiculaires à une direction d’extension d’une rampe d’injection, il est entendu que l’on mentionne des substrats plans d’épaisseur très réduite (par exemple plus de 50 fois ou plus de 100 fois plus petites) par rapport à leurs dimensions latérales, et que la rampe d’injection est perpendiculaire au plan d’extension de chacun des substrats, plan d’extension dans lequel les dimensions latérales sont mesurées. Par exemple, dans le cas d’un substrat sensiblement circulaire, la dimension latérale peut être un diamètre. Même si un substrat FD-SOI est pris en exemple pour les modes de réalisation ci-dessus, l’invention ne se limite pas à ce cas particulier, et tout type de semiconducteur, de matériau ferroélectrique ou piézoélectrique, ou tout autre type de matériau peut être considéré pour le substrat donneur. Le substrat receveur RecSub peut être constitué de tout matériau, par exemple du silicium, du saphir ou du verre, et présenter toute forme. En outre, le substrat DonSub, le substrat RecSub, ou les deux peuvent être préparés de manière à être munis de couches isolantes électriquement ou thermiquement, de couche de piégeage de charges électriques, ou encore de couches favorisant l’assemblage entre les deux substrats lors de l’étape Ass ci-dessous. L'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits ci-dessus et on peut y apporter des variantes sans sortir du cadre de l'invention tel que défini par les revendications. Procédé de traitement appliqué à une pluralité de substrats (Sub ; Sub1, Sub2) maintenus parallèles les uns aux autres, le traitement comprenant au moins deux séquences (Seq1, Seq2) successives de traitements appliqués aux substrats, chacune des séquences comprenant au moins un trempage dans au moins un bain chimique contenu dans un récipient (InnTank) équipé d’une rampe d’injection (InjRmp) d’une solution de traitement, la rampe d’injection comprenant des buses (No) de distribution de la solution de traitement, les buses (No) étant distribuées le long de la rampe d’injection (InjRmp), les substrats (Sub) étant disposés chacun sensiblement perpendiculaires à la rampe d’injection (InjRmp), dans lequel : - un premier (Clean1, Clean2) des au moins deux trempages s’effectue avec les substrats (Sub ; Sub1-Or1, Sub2-Or1) orientés selon une première orientation (Or1), repérée angulairement autour d’un axe (X) normal aux substrats ; et - un deuxième (Desox1, Clean3) des au moins deux trempages s’effectue avec au moins une partie (Sub ; Sub2-Or2) des substrats orientée selon une deuxième orientation (Or2), distincte d’au moins 20° de la première orientation (Or1). Le procédé selon la revendication 1, dans lequel le deuxième (Desox1, Clean3) des au moins deux trempages s’effectue avec la totalité des substrats (Sub) orientés dans la deuxième orientation (Or2). Le procédé selon la revendication 1, dans lequel le deuxième (Desox1, Clean3) des au moins deux trempages s’effectue avec : - des premiers substrats (Sub1) de la pluralité de substrats orientés selon la première orientation (Or1), et - des seconds substrats (Sub2) de la pluralité de substrats orientés selon la deuxième orientation (Or2). Le procédé selon la revendication 3, dans lequel les premiers substrats (Sub1) sont plus proches d’une entrée (Ent) de la rampe d’injection (InjRmp) que les seconds substrats (Sub2). Le procédé selon la revendication 3 ou 4, comprenant en outre une étape de calibration (Cal) de topographie des substrats entre le premier et le deuxième des au moins deux trempages, des positions des seconds substrats (Sub2) étant déterminées en réponse à l’étape de calibration. Le procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la deuxième orientation (Or2) est sensiblement opposée à la première orientation (Or1). Procédé de fabrication d’un substrat comprenant les étapes de : - assembler (Ass) un substrat donneur (DonSub) et un substrat receveur (RecSub) ; puis - séparer (Fract) une épaisseur du substrat donneur au niveau d’un plan (Frgl) de fragilisation formé dans le substrat donneur (DonSub), de manière à munir le substrat receveur (RecSub) d’une couche mince (DonSub 1 ) issue du substrat donneur (DonSub) ; puis - appliquer au substrat receveur (RecSub) muni de la couche mince (DonSub 1 ) le procédé de traitement selon l’une quelconque des revendications 1 à 6. Le procédé selon la revendication 7, dans lequel chacune des séquences (Seq1, Seq2) comprend une pluralité de trempages (Clean1, Clean2, Desox1, Clean3) dans une pluralité de bains chimiques chacun contenus dans un récipient (InnTank) équipé d’une rampe d’injection (InjRmp) d’une solution de traitement, les rampes comprenant des buses (No) de distribution des solutions de traitement, les substrats (Sub ; Sub1, Sub2) étant, lors de chacun des trempages, disposés chacun sensiblement perpendiculaires à la rampe d’injection du bain dans lequel ils sont trempés, procédé dans lequel : - des premiers trempages (Clean1, Clean2) de la première séquence (Seq1) s’effectuent avec les substrats (Sub ; Sub1, Sub2) orientés selon la première orientation (Or1) ; et - des deuxièmes trempages (Desox1, Clean3) de la deuxième séquence (Seq2) suivant la première séquence (Seq1) s’effectuent avec au moins une partie (Sub ; Sub2) des substrats orientés selon la deuxième orientation (Or2). Le procédé selon la revendication 8, dans lequel : - les premiers trempages de la première séquence (Seq1) comprennent une étape de nettoyage (Clean1), la première séquence comprenant en outre une première étape d’oxydation (OX1), et - les deuxièmes trempages de la deuxième séquence comprennent une première étape (Desox1) de désoxydation. Le procédé selon la revendication 9, le procédé de traitement comprenant une troisième séquence (Seq3) de traitements appliqués aux substrats, la deuxième séquence (Seq2) et comprenant au moins un troisième trempage dans au moins un bain chimique contenu dans un récipient (InnTank) équipé d’une rampe d’injection (InjRmp) d’une solution de traitement, la rampe d’injection comprenant des buses (No) de distribution de la solution de traitement, les buses (No) étant distribuées le long de la rampe d’injection (InjRmp), les substrats (Sub) étant disposés chacun sensiblement perpendiculaires à la rampe d’injection (InjRmp), procédé dans lequel : - la deuxième séquence (Seq2) comprend une deuxième étape d’oxydation (OX2) ; - le au moins un trempage de la troisième séquence (Seq3) comprend une deuxième étape (Desox2) de désoxydation ; et - la troisième séquence est mise en œuvre avec les substrats (Sub ; Sub1, Sub2) orientés selon une troisième orientation (Or3) sensiblement différente de la première orientation (Or1) et de la deuxième orientation (Or2), la troisième orientation (Or3) étant repérée angulairement autour de l’axe (X) normal aux substrats. Le procédé selon l’une quelconque des revendications 7 à 10, dans lequel la couche mince (DonMat) a une épaisseur comprise entre 50.10 -10 °m et 200.10 -10 m, de préférence entre 100.10 -10 m et 140.10 -10 m à l’issue du procédé de traitement. Le procédé selon l’une quelconque des revendications 7 à 11, dans lequel la couche mince (DonSub 1 ) comprend une couche (DonMat) de silicium. Le procédé selon la revendication 12, dans lequel la couche mince (DonSub 1 ) comprend une couche mince (OxLay) d’oxyde de silicium interposée entre la couche (DonMat) de silicium et le substrat receveur (RecSub). Le procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel, lors de chacun des trempages, les substrats sont situés au-dessus la rampe d’injection concernée et sont chacun orientés de manière telle que leurs plans d’extensions respectifs sont sensiblement verticaux.