Brevet FR3157060A1 — publié le 20250620

La présente invention concerne un procédé de régénération d'un substrat donneur pour la fabrication d'une structure piézoélectrique sur isolant, POI, comprenant la fourniture du substrat donneur à régénérer comprenant un substrat de support et un premier substrat piézoélectrique formé sur le substrat de support comprenant ou constitué d’un parmi le tantalate de lithium et le niobate de lithium, dans lequel le premier substrat piézoélectrique est un second substrat piézoélectrique à partir duquel une couche piézoélectrique a été transférée à un substrat cible et le polissage chimico-mécanique, CMP, du premier substrat piézoélectrique pour obtenir un substrat donneur régénéré comprenant un substrat piézoélectrique régénéré, dans lequel le CMP comprend l’élimination d'une couche du premier substrat piézoélectrique d'une épaisseur d'au plus 2 µm, en particulier d'au plus 1,2 µm. Figure pour l’abrégé : Figure 1 Régénération d'un substrat donneur pour la fabrication d'une structure POI La présente invention concerne le procédé de régénération de substrats donneurs pour la fabrication de structures du type piézoélectrique sur isolant, POI, en particulier de structures POI utilisables pour la fabrication de dispositifs microélectroniques, micromécaniques et photoniques. En outre, l'invention concerne le procédé de fabrication de structures POI au moyen de substrats donneurs ainsi régénérés. Dans le domaine de la microélectronique, de la micromécanique et de la photonique, les structures POI sont d'une importance croissante en raison, par exemple, de propriétés supérieures en termes de sensibilité et de propagation d'informations. Par exemple, des capteurs tels que des capteurs à ondes acoustiques de surface (SAW), ou des capteurs à ondes acoustiques en volume (BAW) utilisant l'effet piézoélectrique pour convertir un signal électrique en une onde mécanique/acoustique offrent des options particulièrement avantageuses en raison d'une grande variété de paramètres ambiants mesurables, notamment par exemple une température, une pression, une contrainte et un couple. Une structure POI typique comprend une couche de matériau piézoélectrique, en particulier un matériau monocristallin tel que, par exemple, le niobate de lithium (LiNbO 3 ) ou le tantalate de lithium (LiTaO 3 ), sur un substrat de support réalisé par exemple en silicium. Divers procédés de formation d'une couche mince de matériau piézoélectrique sur le substrat de support sont connus dans la technique. L'application de la technologie Smart Cut™ s'est avérée particulièrement avantageuse. Selon cette technologie (voir, par exemple, WO 2020/200986 A1), des espèces légères sont implantées dans un substrat piézoélectrique formé sur un substrat de support pour former une région affaiblie dans le substrat piézoélectrique, puis le substrat piézoélectrique est collé à un substrat cible. Par l'intermédiaire d'une fracturation au niveau de la région affaiblie, il est possible d’obtenir la couche mince de matériau piézoélectrique sur le substrat de support. La couche de matériau piézoélectrique transférée est soumise à un procédé de recuit et, par la suite, à un procédé de polissage, en particulier, par l’intermédiaire d’un polissage chimico-mécanique, CMP, dans une tentative pour améliorer la qualité cristalline et obtenir l'uniformité d'épaisseur souhaitée d'une couche monodomaine de matériau piézoélectrique avec sensiblement tous les moments dipolaires alignés parallèlement les uns par rapport aux autres dans une direction donnée. Un grand avantage de la technologie Smart Cut™ est que le substrat donneur coûteux peut être réutilisé plusieurs fois pour plusieurs procédé de transfert ultérieurs de couches piézoélectriques minces à des substrats cibles. Avant une réutilisation après un transfert d'une couche piézoélectrique à un substrat cible, le substrat donneur doit être régénéré/reconditionné. En particulier, un rebord/une couronne au niveau du bord du substrat piézoélectrique après une fracturation au niveau de la région affaiblie et un transfert de la couche piézoélectrique subsiste du fait d’un collage imparfait. C'est un but de la présente invention de fournir une technique de régénération d'un substrat donneur après un transfert d'une couche piézoélectrique à un substrat cible pour fournir un substrat donneur régénéré comprenant une partie supérieure avec une surface exposée de telle sorte qu'une couche hautement uniforme de matériau piézoélectrique puisse être transférée du substrat donneur régénéré à un autre substrat cible. La présente invention atteint ce but en fournissant un procédé de régénération (reconditionnement) d'un substrat donneur pour la fabrication d'une structure piézoélectrique sur isolant, POI. Le procédé comprend une fourniture du substrat donneur à régénérer comprenant un substrat de support et un premier substrat piézoélectrique formé sur le substrat de support comprenant ou constitué d’un parmi le tantalate de lithium et le niobate de lithium, dans lequel le premier substrat piézoélectrique est un second substrat piézoélectrique à partir duquel une couche piézoélectrique a été transférée à un substrat cible. En d'autres termes, le substrat donneur à régénérer a déjà été utilisé pour transférer une couche piézoélectrique à un substrat cible pour la fabrication d'une structure POI, et le substrat donneur doit être régénéré pour un transfert supplémentaire d'une couche piézoélectrique à un autre substrat cible. Une couche de collage diélectrique, par exemple une couche de photo (UV) polymère ou une couche réalisée en ou comprenant de l'oxyde de silicium et/ou du nitrure de silicium peut être présente entre le substrat de support et le premier substrat piézoélectrique. Le procédé comprend en outre un polissage chimico-mécanique, CMP, du premier substrat piézoélectrique pour obtenir un substrat donneur régénéré comprenant un substrat piézoélectrique régénéré. Le CMP comprend l’élimination d'une couche du premier substrat piézoélectrique d'une épaisseur d'au plus 2 µm, en particulier d'au plus 1,2 µm (l'épaisseur étant mesurée dans la région de couronne). Le procédé peut en outre comprendre l'implantation d'une espèce (par exemple de l'hydrogène, facultativement complété par de l'hélium) dans le substrat piézoélectrique régénéré pour obtenir une couche affaiblie dans le premier substrat piézoélectrique. Il a été observé que le rebord/la couronne laissé(e) sur le (premier) substrat piézoélectrique du substrat donneur à régénérer présente une quantité relativement élevée d'hydrogène (par exemple, environ 10 21 at/cm 2 ) dans le cas d'une implantation d'hydrogène dans le substrat donneur avant un transfert de la couche piézoélectrique au substrat cible. En raison de cette quantité relative d'hydrogène, la vitesse de polissage de la couronne est significativement plus élevée que celle de la région centrale de la partie supérieure du premier substrat piézoélectrique. La couronne est ainsi éliminée assez rapidement pendant le procédé de polissage chimico-mécanique, ce qui contribue à réduire la quantité globale de polissage car le reste de la plaquette est moins impacté pendant le traitement de polissage initial de la région de bord. Par conséquent, il est possible de n'éliminer qu'une couche relativement mince de matériau piézoélectrique afin d'obtenir un substrat donneur régénéré prêt pour un ou plusieurs transferts ultérieurs de couche(s) piézoélectrique(s) à un ou des substrats cibles. Le procédé peut être répété plusieurs fois pour régénérer le substrat donneur après les procédé de transfert respectifs, et ainsi le substrat donneur peut avantageusement être réutilisé plusieurs fois pour la fabrication de structures POI de haute qualité. Les recettes de polissage peuvent être choisies de manière classique. En fonction des recettes réelles et du matériau du substrat piézoélectrique ainsi que de l'épaisseur de la couche piézoélectrique transférée à partir du second substrat, une couche du premier substrat piézoélectrique peut être éliminée pendant le CMP, avec une épaisseur dans la plage de 2 µm à 1,2 µm, en particulier dans la plage de 1,8 µm à 1,4 µm, ou de 1,6 µm à 1,4 µm. Le CMP est réalisé au moyen d'un tampon de polissage. Le tampon de polissage peut comprendre un tampon secondaire et un tampon supérieur (pour une mise en contact avec le matériau piézoélectrique à éliminer). Selon un mode de réalisation, un tampon de CMP relativement entièrement dur comprenant un tampon secondaire avec une dureté de plus de 75 shore A et un tampon supérieur conventionnel (par exemple un tampon supérieur rigide réalisé en polyuréthane) est utilisé. Le niveau shore A peut être défini/mesuré selon la norme DIN ISO 7619-1 ou ASTM D2240-10. Dans la technique antérieure, des tampons secondaires d'une dureté de 53 shore A sont couramment utilisés. En fonction de l'application réelle, selon un mode de réalisation, un tampon de CMP comprenant un tampon secondaire avec une dureté de plus de 80 shore A, en particulier de plus de 90 shore A, ou avec une dureté dans la plage de 75 shore A à 95 shore A, en particulier dans une plage de 85 shore A à 95 shore A, peut être utilisé. Selon un exemple, le tampon supérieur et le tampon secondaire peuvent par exemple présenter une dureté similaire dans la plage de 20 ou 10 shore A. L'utilisation de tels tampons secondaires durs est quelque peu contre-intuitive compte tenu du risque de générer des rayures à la surface de la couche piézoélectrique du substrat donneur régénéré à transférer. Cependant, il s'est avéré qu'une épaisseur uniforme de la couche piézoélectrique du substrat donneur régénéré à transférer peut être obtenue sans provoquer de rayures à la surface de cette couche. D'autres paramètres de l'ensemble du procédé de régénération du substrat donneur à régénérer et d’un procédé de fabrication d'une structure POI comprenant le procédé de régénération peuvent être choisis comme cela se fait d'une manière habituelle et connue de l'homme du métier. Selon un mode de réalisation, le tampon secondaire présente une densité supérieure à 0,6 g/cm 3 , en particulier supérieure à 0,7 g/cm 3 ou 0,8 g/cm 3 , ou dans la plage de 0,6 g/cm 3 à 0,9 g/cm 3 . Ces plages de paramètre peuvent s'avérer avantageuses en termes d'uniformité d'épaisseur de la couche piézoélectrique polie résultante du substrat piézoélectrique régénéré du substrat donneur régénéré, en particulier en combinaison avec les plages de paramètre mentionnées ci-dessus. Selon un autre mode de réalisation, le tampon secondaire présente une déflexion de force de compression supérieure à 689,476 kPa (100 psi), en particulier 758,423 kPa (110 psi) ou 827,371 kPa (120 psi), ou dans la plage de 689 kPa à 900 kPa. La déflexion de force de compression peut être définie/mesurée selon la norme ASTM D 3574. Ces plages de paramètre peuvent s'avérer avantageuses en termes d'uniformité d'épaisseur de la couche piézoélectrique polie résultante du substrat piézoélectrique régénéré du substrat donneur régénéré, en particulier en combinaison avec les plages de paramètre mentionnées ci-dessus. Selon un autre mode de réalisation, le CMP est réalisé au moyen d'une suspension de CMP constituée d'une suspension aqueuse de silicium amorphe avec un pourcentage en poids du silicium amorphe inférieur à 20, en particulier dans la plage de 10 à 18 ou de 12,5 à 17,5, contrairement à la plage de paramètre d'une suspension de CMP utilisée de manière classique donnée par 25 à 35 % en poids. Les plages de paramètre selon le mode de réalisation peuvent s'avérer avantageuses en termes d'uniformité d'épaisseur de la couche piézoélectrique polie résultante du substrat piézoélectrique régénéré du substrat donneur régénéré, en particulier en combinaison avec les plages de paramètre mentionnées ci-dessus. Le silicium amorphe utilisé pour la suspension de CMP peut comprendre ou consister en des particules de silicium amorphe précipitées avec des diamètres dans la plage de 40 à 60 nm. Pour le procédé de polissage, le substrat donneur qui doit être régénéré est positionné sur une tête rotative et mis en contact avec un tampon de polissage rotatif. Selon des modes de réalisation particuliers, la tête est mise en rotation 30 à 110 tours par minute (tr/min), en particulier 40 à 105 tours par minute, et le tampon de polissage est mis en rotation dans la même direction que la tête à une vitesse différente par comparaison à la tête dans la plage de 50 à 90 tours par minute, en particulier de 60 à 80 tours par minute (vitesse de platine). Les plages de paramètre selon le mode de réalisation peuvent s'avérer avantageuses en termes d'uniformité d'épaisseur de la couche piézoélectrique polie résultante du substrat piézoélectrique régénéré du substrat piézoélectrique régénéré du substrat donneur régénéré, en particulier en combinaison avec les plages de paramètre mentionnées ci-dessus. Selon un autre mode de réalisation, la pression de plaquette appliquée au substrat donneur à régénérer pour le presser contre un tampon de polissage est dans la plage de 44,8 kPa (6,5 psi) à 58,6 kPa (8,5 psi), et la pression de dispositif de retenue dans la plage de 37,9 kPa (5,5 psi) à 44,8 kPa (6,5 psi). Ces plages de paramètres peuvent s'avérer avantageuses en termes d'uniformité d'épaisseur de la couche piézoélectrique polie résultante du substrat piézoélectrique régénéré du substrat donneur régénéré, en particulier en combinaison avec les plages de paramètres mentionnées ci-dessus. En outre, un procédé de fabrication d'une structure piézoélectrique sur isolant, POI, est prévu, comprenant la réalisation des étapes du procédé de régénération d'un substrat donneur selon l'un des exemples décrits ci-dessus et le transfert d'une couche piézoélectrique du substrat piézoélectrique régénéré du substrat donneur régénéré à un autre substrat cible, comprenant un collage du substrat donneur régénéré au substrat cible sur le côté du substrat piézoélectrique régénéré et une fracturation du substrat piézoélectrique régénéré au niveau de la couche affaiblie dans un procédé de recuit. Ainsi, une couche piézoélectrique uniforme peut être transférée de manière fiable à l'autre substrat cible sans défaut trop lourd. Un post-traitement supplémentaire (recuit et polissage) peut cependant encore être nécessaire pour fournir une couche piézoélectrique adaptée à des applications particulières. Il convient de noter que de l'oxyde de silicium d’origine naturelle peut être présent entre la couche piézoélectrique transférée et l’autre substrat cible. En outre, une couche d'assemblage diélectrique peut être formée sur ou au-dessus d’une surface de l’autre substrat cible avant un transfert de la couche piézoélectrique à cette surface. Cette couche d'assemblage diélectrique peut être réalisée en ou comprendre de l'oxyde de silicium et/ou du nitrure de silicium ou un empilement de couches composées de ces matériaux. En outre, en fonction de l'application réelle, une couche de piégeage de charge peut être formée sur ou au-dessus d’une surface de l’autre substrat cible avant un transfert de la couche piézoélectrique à cette surface. La couche de piégeage de charge peut être réalisé en ou comprendre du silicium polycristallin. Comme mentionné ci-dessus, un post-traitement de la couche piézoélectrique transférée sur l’autre substrat cible peut être effectué. Le post-traitement peut comprendre une étape de recuit thermique pour augmenter la qualité cristalline de la couche piézoélectrique transférée et consolider le collage de la couche piézoélectrique transférée à l’autre substrat cible. Le post-traitement peut en outre comprendre un CMP de la couche piézoélectrique transférée après le recuit thermique afin d'augmenter l'uniformité d'épaisseur et la qualité de surface et afin d'éliminer des régions multi-domaines avec des polarités différentes causées par le recuit. En outre, une structure POI est prévue, comprenant une couche piézoélectrique formée sur ou au-dessus d'un substrat cible et pouvant être obtenue par le procédé selon un certain des exemples décrits ci-dessus, dans laquelle la couche piézoélectrique peut présenter une uniformité d'épaisseur (plage d'épaisseur à travers le diamètre de la couche) inférieure à 50 nm, en particulier inférieure à 20 nm. En outre, un dispositif microélectronique, micromécanique ou photonique est prévu, ou un système microélectromécanique (MEMS) comprenant une telle structure POI. Des caractéristiques et avantages supplémentaires de la présente invention vont être décrits en se reportant aux dessins. Dans la description, référence est faite aux dessins annexés, qui sont censés illustrer des modes de réalisation préférés de l'invention. Il convient de comprendre que de tels modes de réalisation ne représentent pas la portée complète de l'invention. FIG. 1 illustre les étapes d’un procédé de fabrication d’un structure POI selon un mode de réalisation de la présente invention. FIG. 2 illustre l'effet d'une vitesse de platine variable utilisée pour le CMP d'un substrat piézoélectrique d'un substrat donneur à régénérer sur la largeur de couronne résultante. FIG. 3 illustre l'effet d'une pression de dispositif de retenue variable utilisée pour le CMP d'un substrat piézoélectrique d'un substrat donneur à régénérer sur la largeur de couronne résultante. FIG. 4 illustre l'effet d'une vitesse de platine variable utilisée pour le CMP d'un substrat piézoélectrique d'un substrat donneur à régénérer sur les défauts de point lumineux résultants. FIG. 5 illustre l'effet d'une pression de retenue variable utilisée pour le CMP d'un substrat piézoélectrique d'un substrat donneur à régénérer sur les défauts de points lumineux résultants. Un procédé de régénération d'un substrat donneur est fourni ici, comprenant un substrat piézoélectrique pour la fabrication d'une structure POI. La régénération du substrat donneur qui a été précédemment utilisé pour transférer une couche piézoélectrique à un substrat cible comprend le CMP du substrat piézoélectrique pour obtenir un substrat piézoélectrique régénéré dont une couche peut être transférée à un substrat cible. Selon l'invention, seule une couche relativement mince de matériau piézoélectrique doit être éliminée afin d'obtenir le substrat piézoélectrique régénéré fournissant une couche piézoélectrique à transférer à un substrat cible. La couche piézoélectrique à transformer à un substrat cible présente une uniformité d'épaisseur élevée résultant du procédé de polissage qui est en particulier effectué avec un tampon de polissage CMP relativement dur. Le procédé peut comprendre un procédé de fabrication d'une structure POI selon la technologie Smart Cut™. La FIG. 1 illustre des étapes d’un procédé de fabrication un structure POI selon un mode de réalisation de la présente invention. Le procédé est similaire à un procédé décrit dans WO 2020/200986 A1, mais diffère de ce dernier par le procédé inventif de régénération du substrat donneur. Comme le montre l'étape i) de la FIG. 1 , un substrat donneur (pseudo-donneur) 1 est fourni, qui comprend un substrat piézoélectrique 1a formé sur un substrat de support (manipulateur) 1b. Le substrat piézoélectrique 1a est réalisé en tantalate de lithium (LiTaO 3 ) ou en niobate de lithium (LiNbO 3 ), et peut présenter une épaisseur d'environ 20 µm. Le substrat de support 1b peut être réalisé en un matériau (ou une pluralité de matériaux) présentant un coefficient de dilatation thermique proche de celui présenté par un substrat cible 7, c'est-à-dire que le coefficient de dilatation thermique du substrat de support 1b diffère de celui du substrat cible 7 de moins de la différence du coefficient de dilatation thermique du substrat piézoélectrique 1a et de celui du substrat cible 7. Le substrat de support 1b et le substrat cible 7 peuvent avoir des coefficients de dilatation thermique identiques et les deux substrats peuvent, par exemple, être constitués de ou comprendre du silicium. De plus, les deux substrats peuvent avoir des épaisseurs similaires. Afin d'obtenir le substrat donneur 1, un bloc massif de matériau piézoélectrique peut être fixé au substrat de support 1b, par exemple en utilisant une technique de collage par adhérence moléculaire. Le collage peut être favorisé par une couche de collage (adhérence) diélectrique (non représentée sur la FIG. 1 ), par exemple une couche de photo (UV) polymère ou une couche réalisée en ou comprenant de l'oxyde de silicium et/ou du nitrure de silicium. Le procédé de collage peut comprendre l'application d'un traitement thermique à basse température (par exemple à une température comprise entre 50 et 300°C, typiquement de 100°C) permettant de renforcer suffisamment l'énergie de collage afin de permettre l'étape d'amincissement suivante. Ensuite, le substrat piézoélectrique 1a est formé par amincissement, par exemple, par polissage chimico-mécanique (CMP). L'étape d'amincissement est réalisée de telle sorte que le substrat piézoélectrique 1a présente une épaisseur suffisamment faible pour que les contraintes générées pendant le traitement thermique appliqué dans une étape de traitement ultérieure soient réduites. D'autre part, l'épaisseur doit être suffisamment élevée pour fournir la couche piézoélectrique 3 qui doit être transférée au substrat cible 7 ou pour fournir une pluralité de telles couches qui doivent être transférées les unes après les autres dans de multiples étapes de transfert (après régénération respective du substrat donneur 1) à des substrats cibles respectifs. L'épaisseur du substrat piézoélectrique 1a peut par exemple être comprise entre 5 et 400 µm, par exemple de 20 µm, ou de 100 µm, ou de 200 µm. Dans l'étape ii) du procédé illustré dans la FIG. 1 , de l'hydrogène (facultativement complété par de l'hélium) est implanté dans le substrat piézoélectrique 1a à travers la surface exposée 4 pour générer une couche affaiblie 2 qui marque la séparation de la couche piézoélectrique 3 par rapport à la partie restante 5 du substrat donneur 1. La nature et la dose des espèces implantées et l'énergie d'implantation peuvent être choisies en fonction de l'épaisseur de la couche piézoélectrique 3 qui doit être transférée au substrat cible 7 et des propriétés physico-chimiques du substrat piézoélectrique 1a. Par exemple, pour un substrat de tantalate de lithium, une dose d'ions hydrogène comprise entre 10 16 et 5∙10 17 at/cm 2 avec une énergie comprise entre 30 keV et 300 keV peut être implantée pour délimiter la couche piézoélectrique 3 avec une épaisseur de 200 nm à 2000 nm, par exemple. Selon le procédé illustré sur la FIG. 1 , l'étape d'implantation ii) est suivie de l'étape consistant à fixer iii) le substrat donneur 1 au substrat de support 7 sur le côté du substrat piézoélectrique 1a par adhérence moléculaire et/ou collage électrostatique. Une couche d'assemblage diélectrique 7b peut être prévue entre le substrat piézoélectrique 1a du substrat donneur 1 et le substrat cible 7. La couche d'assemblage diélectrique 7b peut comprendre un oxyde et peut être réalisée en ou comprendre de l'oxyde de silicium et/ou du nitrure de silicium ou un empilement de couches composées de ces matériaux. En outre, une couche de piégeage de charge, par exemple réalisée en ou comprenant du silicium polycristallin, peut être formée sur ou au-dessus du substrat cible 7 afin d'améliorer la résistivité électrique de celui-ci si cela est souhaité par une application réelle. La couche piézoélectrique 3 est ensuite détachée de la partie restante 5 du substrat donneur 1 pour obtenir iv) une structure POI 9 comprenant le substrat cible 7, la couche d'assemblage diélectrique 7b (le cas échéant) et la couche piézoélectrique 3. Un détachement au niveau de la couche affaiblie 2 est facilité par un traitement thermique dans une plage de température d'environ 100°C à 600°C pour permettre le transfert de la couche piézoélectrique 3 au substrat cible 7. En variante ou de plus, Un détachement au niveau de la couche affaiblie 2 peut être facilité par l'application d'une lame ou d'un jet de fluide gazeux ou liquide, ou de toute autre force mécanique appliquée à la couche affaiblie 2. Un post-traitement de la couche piézoélectrique transférée 3 est nécessaire pour obtenir une couche piézoélectrique transférée 3 ayant une qualité cristalline et de surface monodomaine satisfaisante (rugosité réduite) et une uniformité d'épaisseur telle que requise par des applications réelles. Le post-traitement comprend un traitement thermique v) de la couche piézoélectrique 3 par exemple à environ 500°C dans une atmosphère neutre ou une atmosphère comprenant de l'oxygène. Ce traitement thermique permet de traiter les défauts cristallins présents dans la couche piézoélectrique et consolide le collage entre la couche piézoélectrique 3 et le substrat cible 7. Cependant, le traitement thermique provoque une diffusion de l'hydrogène contenu dans la couche piézoélectrique 3, en particulier dans sa partie supérieure (d'une épaisseur d'environ 50 nm ou moins, par exemple) et, par conséquent, la génération d'une pluralité de domaines ferroélectriques donnant à la partie supérieure un caractère multi-domaine. En effet, l'hydrogène implanté dans le substrat piézoélectrique 1a lors de l'étape de définition de la couche piézoélectrique 3 au-dessus de la couche fragilisée 2 est distribué dans ce substrat selon un profil présentant un pic de concentration au niveau du plan d’affaiblissement 2. Après fracturation au niveau de la couche affaiblie 2, la couche piézoélectrique 3 transférée au substrat cible 7 présente donc une concentration importante d'hydrogène, et le traitement thermique conduit à la génération de multiples domaines, c'est-à-dire une pluralité de régions présentant des polarités différentes. Les performances de dispositifs qui sont destinés à être formés sur/dans la couche piézoélectrique 3 seraient fortement affectées par de tels multiples domaines. Afin d'éliminer les multiples domaines supérieurs et d'augmenter la qualité de surface et l'uniformité d'épaisseur de la couche piézoélectrique transférée 3, le post-traitement comprend un polissage de la surface exposée de la couche piézoélectrique 3 (voir étape vi) sur la FIG. 1 ). Par exemple, 100 à 300 nm de la partie supérieure de la couche piézoélectrique 3 peuvent être éliminés par le procédé de polissage pour atteindre une épaisseur cible prédéterminée, par exemple d'environ 600 nm. Le reste 5 du substrat donneur 1 représente un substrat donneur 50 à régénérer à l'étape vii). La régénération du substrat donneur 50 à régénérer comprend le CMP du substrat piézoélectrique 10a qui est le reste du substrat piézoélectrique 1a résultant du détachement de la couche piézoélectrique 3. Selon l'invention, seule une couche supérieure relativement mince du matériau piézoélectrique du substrat piézoélectrique 10a doit être éliminée par CMP afin de fournir une nouvelle couche piézoélectrique d'un substrat piézoélectrique régénéré à transférer à un autre substrat cible. L'épaisseur (mesurée dans la région de couronne) de la couche supérieure relativement mince du matériau piézoélectrique du substrat piézoélectrique 10a qui doit être éliminée par CMP est d'au plus 2 µm, en particulier d'au plus 1,2 µm et peut être dans la plage de 2 µm à 1,2 µm, en particulier dans la plage de 1,8 µm à 1,4 µm, ou de 1,6 µm à 1,4 µm. L'épaisseur dépend de l'épaisseur de la couche piézoélectrique transférée 3 et de la teneur réelle en hydrogène de la couronne du substrat donneur 50 à régénérer qui reste au niveau du bord du substrat piézoélectrique 1a, 10a après le détachement de la couche piézoélectrique 3. La couronne peut avoir une largeur de 2 à 3 mm et une épaisseur de 0,9 µm ou 1,2 µm. Par exemple, pour une couronne d'une épaisseur de 0,9 µm, seule une couche de matériau piézoélectrique du substrat piézoélectrique 10a d'une épaisseur de 1,4 µm doit être éliminée, et pour une couronne d'une épaisseur de 1,2 µm, seule une couche de matériau piézoélectrique du substrat piézoélectrique 10a d'une épaisseur de 1,6 µm doit être éliminée. Après achèvement du CMP du substrat donneur 50, le substrat donneur poli 50 à régénérer peut être soumis aux étapes ii) à vii) décrites ci-dessus et la procédure globale peut être répétée jusqu'à ce qu'aucune couche piézoélectrique suffisamment épaisse ne reste au sommet du substrat de support 1b. En particulier, de l’hydrogène peut être implanté dans le substrat donneur poli 50 à régénérer (facultativement complété par de l'hélium) afin de générer une couche affaiblie qui marque la séparation de la couche piézoélectrique par rapport à la partie restante du substrat donneur régénéré. La nature et la dose des espèces implantées et l'énergie d'implantation peuvent être choisies en fonction de l'épaisseur de la couche piézoélectrique qui doit être transférée à un substrat cible et des propriétés physico-chimiques du substrat piézoélectrique régénéré. Par exemple, pour un substrat piézoélectrique régénéré réalisé en tantalate de lithium, une dose d'ions hydrogène comprise entre 10 16 et 5∙10 17 at/cm 2 avec une énergie comprise entre 30 keV et 300 keV peut être implantée pour délimiter une couche piézoélectrique à transférer, avec une épaisseur de 200 nm à 2 000 nm, à un substrat cible. Le CMP pour régénérer le substrat donneur 50 à régénérer peut être réalisé à l'aide d'un tampon de polissage secondaire relativement dur. Un tampon de polissage comprend un tampon supérieur destiné à venir en contact avec la surface du matériau à polir et un tampon secondaire. Tandis que le tampon supérieur est choisi de manière habituelle (par exemple sous la forme d’un tampon supérieur rigide réalisé en polyuréthane), selon l'invention, le tampon secondaire du tampon de CMP utilisé pour polir la partie supérieure du substrat piézoélectrique et, par conséquent, la couche piézoélectrique à transférer à un substrat cible dans le procédé de fabrication d'une structure POI, présente une dureté de plus de 75 shore A. En fonction de l'application réelle, un matériau avec une dureté de plus de 80 shore A, en particulier de plus de 590 shore A, ou une dureté dans la plage de 75 shore A à 95 shore A, en particulier dans une plage de 85 shore A à 95 shore A, peut être choisi pour le tampon secondaire du tampon de CMP. Selon un exemple, le tampon supérieur et le tampon secondaire du tampon CMP peuvent avoir une dureté similaire dans la plage de 20 ou 10 shore A. En utilisant un tel tampon secondaire relativement dur, des vides de collage formés dans la structure POI finale après transfert d'une couche piézoélectrique à partir du substrat piézoélectrique régénéré peuvent être supprimés de manière significative. Par conséquent, un collage plus fiable de la couche piézoélectrique transférée à un substrat cible peut être obtenu. Selon différents modes de réalisation, le tampon secondaire utilisé pour le CMP du substrat piézoélectrique du substrat donneur 50 à régénérer présente une densité supérieure à 0,6 g/cm 3 , en particulier supérieure à 0,7 g/cm 3 ou 0,8 g/cm 3 , ou dans la plage de 0,6 g/cm 3 à 0,9 g/cm 3 , et le tampon secondaire peut présenter une déflexion de force de compression supérieure à 689,476 kPa, en particulier 758,423 kPa ou 827,371 kPa, ou dans la plage de 689 kPa à 900 kPa. Par exemple, le tampon secondaire peut être réalisé en polyuréthane thermoplastique et présenter une dureté de 91 shore A, une densité de 0,86 g/cm 3 , une déflexion de force de compression de 861,845 kPA (125 psi) et une épaisseur de 0,89 mm (35 mil) par comparaison à un tampon secondaire typique utilisé habituellement pour le CMP d'une couche piézoélectrique d'un substrat donneur utilisé dans un procédé Smart Cut™ pour obtenir une structure POI réalisée en polyuréthane et présentant une dureté de 53 shore A, une densité de 0,4 g/cm 3 , une déflexion de force de compression de 641,212 kPA (93 psi) et une épaisseur de 0,79 mm (31 mil). Selon un mode de réalisation, le CMP pour régénérer le substrat donneur 50 à régénérer est réalisé au moyen d'une suspension de CMP constituée d'une suspension aqueuse de silicium amorphe avec un pourcentage en poids du silicium amorphe inférieur à 20, en particulier dans la plage de 10 à 18 ou de 12,5 à 17,5. Le silicium amorphe utilisé pour la suspension de CMP peut comprendre ou consister en des particules de silicium amorphe précipitées avec des diamètres dans la plage de 40 à 60 nm. Par exemple, du Klebosol 30HB50 ayant du silicium amorphe pour 25 à 35 % en poids et un diamètre moyen des particules de silicium amorphe précipitées de 50 nm peut être dilué de manière appropriée avec de l'eau, par exemple avec une dilution de 1:1, afin d'obtenir la suspension de CMP utilisée pour le CMP pour régénérer le substrat donneur 1. D'autres paramètres du procédé de CMP pour régénérer le substrat donneur 50 à régénérer ainsi que le procédé global de fabrication de la structure POI illustrée sur la FIG. 1 peuvent être choisis de manière habituelle. L'optimisation des paramètres pour une application réelle peut être effectuée facilement par des expériences standard. Pour l'étape de polissage vii) du procédé illustré sur la FIG. 1 , le substrat donneur 50 à régénérer est positionné sur une tête rotative et mis en contact avec un tampon de polissage rotatif. Selon des modes de réalisation particuliers, la tête est mise en rotation 30 à 110 tours par minute (tr/min), en particulier 40 à 105 tours par minute, et le tampon de polissage est mis en rotation dans la même direction que la tête à une vitesse différente par comparaison à la tête dans la plage de 50 à 90 tours par minute, en particulier de 60 à 80 tours par minute (vitesse de platine). La pression de plaquette appliquée au substrat donneur 50 à régénérer pour le presser contre le tampon de polissage peut être dans la plage de 44,8 kPa (6,5 psi) à 58,6 kPa (8,5 psi) et la pression de dispositif de retenue appliquée au dispositif de retenue/à la bague pour maintenir le substrat donneur 50 à régénérer peut être dans la plage de 37,9 kPa (5,5 psi) à 44,8 kPa (6,5 psi). Par exemple, pour régénérer un substrat donneur 50 à régénérer réalisé en tantalate de lithium, le paramètre suivant entraîne peu de défauts de fissure de bord et de vides de collage de bord après collage à un substrat cible : Pour une couronne d'une épaisseur de 0,9 µm, la vitesse de tête est choisie à environ 40 tr/min, et à environ 105 tr/min pour une couronne d'une épaisseur de 1,2 µm. La vitesse de platine est d'environ 65 tr/min. Les conditions de pression peuvent dépendre de la taille de plaquette. Pour 150 mm, une pression de plaquette allant jusqu'à 55,2 kPa (8 psi) et pour 200 mm, une pression de plaquette allant jusqu'à 48,3 kPa (7 psi) sont choisies. La pression utilisée pour la plaquette et l'anneau est de 55,2 kPa (8 psi) et 41,4 kPa (6 psi), respectivement, pour une épaisseur de couronne de 0,9 µm, et de 48,3 kPa (7 psi) et 41,4 kPa (6 psi), respectivement, pour une épaisseur de couronne de 1,2 µm et une plaquette de 150 mm et une épaisseur de couronne de 0,9 µm et une plaquette de 200 mm. A titre d'exemple, les figures 2 à 5 illustrent des effets techniques avantageux qui peuvent être fournis par le CMP effectué dans les plages de paramètre décrites ci-dessus pour régénérer le substrat donneur 50 à régénérer pour une plaquette de 200 mm. Une réduction satisfaisante des largeurs de couronne peut être obtenue comme illustré sur les figures 2 et 3, et une réduction satisfaisante des défauts de point lumineux (LPD) représentant le nombre de vides de collage de bord et de défauts de couronne observés pour une structure POI finale comprenant la couche piézoélectrique avant le CMP de post-traitement de la couche piézoélectrique transférée peut être obtenue comme illustré sur les figures 4 et 5. L'abscisse de la FIG. 2 indique la vitesse de platine en tr/min et l'ordonnée indique la largeur de couronne (CW) en mm (à 3H désignant l'orientation pour le contrôle, pour une plaquette comprenant un méplat positionné à 6H, 3H est sur le côté droit). En conséquence, l'abscisse de la FIG. 3 indique la pression de dispositif de retenue en psi et l'ordonnée indique la largeur de couronne en mm. L'abscisse de la FIG. 4 indique la vitesse de platine en tr/min et l'ordonnée indique les LPD en unités de 1/cm 2 . L'abscisse de la FIG. 5 indique la pression de retenue en psi et l'ordonnée indique les LPD en unités de 1/cm 2 . La FIG. 2 illustre l'effet d'une vitesse de platine variable sur la longueur de couronne résultante. Les pressions de dispositif de retenue et de plaquette sont fixées à 41,4 kPa (6 psi) et 48,3 kPa (7 psi), respectivement. L'augmentation de la vitesse de platine entraîne avantageusement une diminution de la longueur de couronne restante. La FIG. 3 illustre l'effet d'une pression de retenue variable sur la longueur de couronne résultante. La vitesse de platine est fixée à 80 tr/min. La pression de plaquette est fixée à 7 psi. Une pression de dispositif de retenue 6 semble être préférable avec une reproductibilité plus élevée. La FIG. 4 illustre l'effet d'une vitesse de platine variable sur les LPD résultants. Les pressions de dispositif de retenue et de plaquette sont fixées respectivement à 41,4 kPa (6 psi) et 48,3 kPa (7 psi). Les résultats sont moins bons pour des vitesses de platine supérieures à 65 tr/min. La FIG. 5 illustre l'effet d'une pression de dispositif de retenue variable sur les LPD résultants. La vitesse de platine est fixée à 80 tr/min. La pression de plaquette est fixée à 7 psi. En principe, les LPD peuvent être réduits avec une augmentation de la pression de dispositif de retenue. Procédé de régénération d'un substrat donneur (50) pour la fabrication d'une structure piézoélectrique sur isolant, POI, comprenant les étapes consistant à fournir le substrat donneur (50) à régénérer comprenant un substrat de support (1b) et un premier substrat piézoélectrique (10a) formé sur le substrat de support (1b) comprenant ou consisté d’un parmi le tantalate de lithium et le niobate de lithium, dans lequel le premier substrat piézoélectrique (10a) est un second substrat piézoélectrique (1a) à partir duquel une couche piézoélectrique (3) a été transférée à un substrat cible (7) ; et effectuer un polissage chimico-mécanique, CMP, du premier substrat piézoélectrique (10a) pour obtenir un substrat donneur régénéré comprenant un substrat piézoélectrique régénéré, dans lequel le CMP comprend l’élimination d'une couche du premier substrat piézoélectrique (10a) d'une épaisseur d'au plus 2 µm, en particulier d'au plus 1,2 µm. Le procédé selon la revendication 1, dans lequel une couche du premier substrat piézoélectrique (10a) est éliminée, avec une épaisseur dans la plage de 2 µm à 1,2 µm, en particulier dans la plage de 1,8 µm à 1,4 µm, ou de 1,6 µm à 1,4 µm. Le procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le CMP est effectué au moyen d'un tampon de CMP comprenant un tampon secondaire avec une dureté de plus de 75 shore A, en particulier de plus de 80 shore A ou de 90 shore A, ou avec une dureté dans la plage de 75 shore A à 95 shore A, en particulier dans une plage de 85 shore A à 95 shore A. Le procédé selon la revendication 3, dans lequel le tampon secondaire présente une densité supérieure à 0,6 g/cm 3 , en particulier supérieure à 0,7 g/cm 3 ou 0,8 g/cm 3 , ou dans la plage de 0,6 g/cm 3 à 0,9 g/cm 3 , et/ou le tampon secondaire présente une déflexion de force de compression supérieure à 689,476 kPa, en particulier 758,423 kPa ou 827,371 kPa, ou dans la plage de 689 kPa à 900 kPa. Le procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le CMP est réalisé au moyen d'une suspension de CMP constituée d'une suspension aqueuse de silicium amorphe avec un pourcentage en poids du silicium amorphe inférieur à 20, en particulier dans la plage de 10 à 18 ou de 12,5 à 17,5. Le procédé selon la revendication 5, dans lequel le silicium amorphe comprend ou est constitué de particules de silicium amorphe précipitées avec des diamètres dans la plage de 40 à 60 nm. Le procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le CMP est effectué avec une vitesse de tête dans la plage de 30 à 110 tours par minute, en particulier de 40 à 105 tours par minute, et une vitesse de platine dans la plage de 50 à 90 tours par minute, en particulier de 60 à 80 tours par minute. Le procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le CMP comprend l'application d'une pression de plaquette au substrat donneur (50) à régénérer pour le presser contre un tampon de polissage dans la plage de 44,8 kPa à 58,6 kPa, et une pression de dispositif de retenue dans la plage de 37,9 kPa à 44,8 kPa. Procédé de fabrication d'une structure piézoélectrique sur isolant, POI, comprenant les étapes consistant à réaliser les étapes de l'une quelconque des revendications précédentes ; et transférer une couche piézoélectrique du substrat piézoélectrique régénéré à un autre substrat cible, comprenant un collage du substrat donneur régénéré à l'autre substrat cible sur le côté du substrat piézoélectrique régénéré et une fracturation du substrat piézoélectrique régénéré au niveau de la couche affaiblie. Le procédé selon la revendication 9, comprenant en outre la réalisation d'un traitement thermique et d'un CMP de la couche piézoélectrique transférée à l'autre substrat cible. Structure piézoélectrique sur isolant, POI, comprenant une couche piézoélectrique formée sur ou au-dessus d'un substrat cible et pouvant être obtenue par le procédé selon l'une quelconque des revendications 9 et 10. Dispositif microélectronique, micromécanique ou photonique ou système microélectromécanique comprenant la structure POI selon la revendication 11.