Brevet FR3159469A1 — publié le 20250822

L’invention concerne un procédé de lissage des surfaces libres et rugueuses d’une pluralité de substrats de silicium sur isolant. Le procédé est mis en œuvre sur une pluralité de substrats disposés, dans une nacelle, dans la chambre d’un four de recuit. La nacelle est placée entre une zone d’injection d’un flux gazeux s’étendant et une zone d’évacuation du flux gazeux. La température du flux gazeux circulant dans le four est élevée à une température plateau (Tf) comprise entre 1050°C et une température plafond choisie de sorte que la dissolution de la couche diélectrique n’excède pas un ratio de 25 nm/h, et appliqué pendant au moins 30 minutes. L’invention concerne également une séquence de finition d’un substrat SOI comprenant une étape de lissage mettant en œuvre ce procédé. Figure 6 Procédé de lissage des surfaces libres et rugueuses d’une pluralité de substrats de silicium sur isolant DOMAINE DE L’INVENTION La présente invention concerne le domaine des substrats de silicium sur isolant (SOI). Ces substrats trouvent notamment des applications dans les domaines de la microélectronique, de l’optoélectronique, des microsystèmes électromécaniques. Leur fabrication peut conduire à former des surfaces libres dont l’état, si elle n'est pas convenablement préparée, est incompatible à la formation de composants, notamment de composants des domaines précités. Par exemple ces surfaces libres peuvent être excessivement rugueuses. La présente invention concerne donc plus particulièrement un procédé de lissage de la surface libre d’un substrat SOI. ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Le document US6372609 divulgue un procédé de préparation d’un substrat de silicium sur isolant (SOI) selon la technologie Smart Cut™. Cette technologie, bien connue de la personne du métier, propose de reporter une couche mince, prélevée d’un substrat donneur en silicium, sur un support par assemblage de ce substrat donneur et de ce support. Une couche d’isolant, typiquement un oxyde de silicium, est préalablement formée sur le substrat donneur et/ou sur le support et se trouve intercalée entre la couche mince reportée et le support. La couche mince est définie dans le substrat donneur par introduction d’espèces légères, usuellement par implantation d’ions d’hydrogène et/ou d’hélium, ces espèces tendant à former une couche fragile délimitant la couche mince. Le détachement de la couche mince du reste du substrat donneur, et son report sur le support, est obtenu en sollicitant mécaniquement ou thermiquement l’assemblage formé du substrat donneur et du support, ce qui provoque la fracture du substrat donneur au niveau de la couche fragile. Comme cela a déjà été évoqué, la couche mince reportée doit généralement subir des traitements additionnels pour que le substrat SOI puisse être employé comme substrat pour la formation de composants. On cherche généralement à traiter cette couche mince, au cours d’une séquence de finition, pour lui donner par amincissement une épaisseur déterminée et très uniforme, et améliorer ses qualités cristallines. Outre ses qualités d’épaisseur et cristallines, il est essentiel dans de nombreuses applications que la surface exposée de la couche mince soit très lisse, et présentant une rugosité bien inférieure à 0,5 nm en mesure quadratique moyenne sur un champ de mesure en force atomique de 30 micromètres par 30 micromètres. Pour obtenir une couche mince présentant une telle rugosité, il est connu d’appliquer au substrat, après le report de la couche mince sur le substrat support, un ou une pluralité de recuit(s) de lissage dans des atmosphères neutre ou réductrice. Pour réduire la rugosité et passer sous la valeur seuil désirée, il est usuellement nécessaire d’exposer la surface libre de la couche mince à un environnement ou à un flux gazeux porté à une température comprise entre 1100°C et 1200°C. A cette température, on élimine de la surface libre de la couche mince la couche d’oxyde natif qui la recouvre et la passive, cet oxyde étant transporté dans l’environnement ou le flux gazeux. Le silicium de la couche mince ainsi mis à nu et dépourvu de cette couche de passivation est alors apte à se lisser efficacement, par recuit, sous l’effet de la température par réarrangement des atomes de silicium en surface de la couche. Il peut s’agir d’un recuit dit « rapide » (« rapid thermal anneal » selon l’expression anglo-saxonne consacrée) consistant à exposer la surface exposée de la couche supérieure à l’atmosphère de recuit en température pendant un temps très court, inférieure à 2 minutes. L’atmosphère neutre ou réductrice de la chambre de recuit est brutalement réchauffée à la température de traitement qui peut atteindre 1200°C, puis refroidie au cours de rampes de chauffage/refroidissement pouvant excéder 50°/s. Pendant ce traitement, le substrat est maintenu par sa face arrière dans la chambre du four, sur une pluralité de pointes d’un support. La demanderesse a toutefois observé que ce type de recuit est générateur de lignes ou de plans de glissement (« slip lines » selon la terminologie anglo-saxonne employée dans le domaine) aux points de contact du substrat avec le support. Ces lignes ou plans de glissement proviennent de contraintes thermiques et des contraintes gravitationnelles que subit ce substrat au cours de l’excursion thermique très rapide qu’il subit. Elles rendent le substrat parfois impropre à son utilisation dans les étapes suivantes de fabrication de composants microélectroniques ou, pour le moins, peuvent conduire à former des composants non fonctionnels lorsque ceux-ci sont disposés au droit de ces défauts. A titre d’illustration, on a représenté sur la FIG. 1 une carte de défauts présents dans un substrat SOI pour lequel la séquence de finition comprenait un recuit rapide à 1200°C. Cette carte a été préparée par un équipement d’inspection mettant en œuvre une technique de déflectométrie, comme cela est par exemple présenté dans le document US7812942. On observe bien sur cette carte les lignes ou plans de glissements disposés au niveau des pointes ayant supporté le substrat lors de son traitement de recuit. Alternativement au recuit rapide, on peut appliquer au cours de l’étape de finition de la préparation du substrat un recuit long, souvent désigné par le vocable anglo-saxon « batch anneal » dans le domaine, car les substrats sont généralement placés en lot dans la chambre du four, retenus longitudinalement dans une nacelle dans un arrangement horizontal ou vertical. Un flux gazeux circule dans la chambre entre une zone d’injection du flux gazeux à une zone d’évacuation de ce flux gazeux, ces zones étant respectivement disposés aux deux extrémités de la chambre et donc de la nacelle. La température du flux gazeux circulant dans la chambre est progressivement élevée, dans des rampes douces de quelques degrés par minutes pour atteindre une température de traitement typiquement de l’ordre de 1100°C à 1200°C. Le traitement est poursuivi pendant une durée étendue à cette température, de l’ordre de quelques minutes à plusieurs heures. La douceur des rampes permet de limiter les contraintes thermiques subit par le substrat et limite l’apparition des lignes ou plans de glissement observés à l’issue d’un traitement thermique rapide. Il a toutefois été observé que ce traitement collectif de substrats SOI conduisait à une grande variabilité de l’effet de lissage, d’un substrat à l’autre, sauf à élever la température du flux gazeux à une température supérieure à 1150°C et à maintenir cette température relativement élevée pendant une durée relativement longue de plus de 120 min. Si ces conditions ne sont pas remplies, les substrats disposés relativement plus proche de la zone d’injection sont traités plus efficacement que ceux positionnés relativement plus éloigné de cette zone. Pour maintenir une qualité uniforme des substrats SOI traités au cours de ce recuit de lissage, il est donc nécessaire de les exposer à une température relativement importante, supérieure à 1150°C et de fournir un budget thermique important. A titre d’illustration, on a représenté sur la FIG. 2 une mesure de bruit de fond diffus (« haze » selon la terminologie anglo-saxonne communément employée) de la surface libre des substrats SOI selon leurs positions dans la nacelle après un recuit de lissage exposant ces substrats à une température de 1125° pendant 1h. Sur l’axe des abscisses, la numérotation du rang du substrat dans la nacelle croît en s’approchant de la zone d’injection du flux gazeux. Sur l’axe des ordonnées la mesure de bruit de fond diffus est représentative de l’état de la surface libre du substrat SOI, notamment de sa rugosité, une mesure élevée témoignant d’une qualité dégradée, c’est-à-dire une rugosité élevée. Une telle mesure peut être réalisée à l’aide de l’outil d’inspection Surfscan™ de la société KLA-Tencor. On pourra se référer à l’article « Seeing through the haze », de F. Holsteyns, Yield Management Solution, Spring 2004, pp 50-54 pour une information plus complète sur cette technique d’inspection. On observe nettement la dégradation de la qualité de la surface libre des substrats SOI qui sont éloignés de la zone d’injection du flux gazeux de la chambre du four par rapport à ceux qui en sont proches, lorsque la température et le budget thermique sont limités, ici une température plateau de 1125° appliquée pendant 1h. Il apparaît donc qu’un tel traitement thermique de lissage à relativement faible température plateau et à faible budget thermique n’est pas apte à traiter collectivement et de manière satisfaisante une pluralité de substrats SOI pour en lisser les surfaces libres. Il est pourtant généralement souhaitable de réduire les budgets thermiques appliqués lors de la fabrication de substrat, en premiers lieux pour des raisons économiques et écologiques de réduction de la consommation énergétique. Il est également souhaitable de réduire la température maximale à laquelle ces substrats SOI sont exposés au cours de leur fabrication. Certains substrats SOI sont en effet particulièrement sensibles aux contraintes thermiques et sont susceptibles de développer, à haute température, des lignes ou plans de glissement, même lorsque la séquence de finition met en œuvre un recuit long avec des pentes douces. C’est notamment le cas lorsque le support est choisi pour présenter une résistivité élevée, par exemple supérieure à 1000 Ohms.cm. Pour obtenir une telle résistivité, le support présente une faible teneur en oxygène interstitiel, ce qui le rend mécaniquement fragile. Lorsque le support du substrat SOI comporte une couche de piégeage de charges électriques, par exemple une couche en silicium polycristallin, l’exposition de ce support à une température élevée peut conduire à la recristallisation au moins partielle de cette couche. Ses propriétés de piégeage de charges électriques en sont bien entendu affectées. De plus, il est connu que lorsque la couche mince du substrat SOI présente une épaisseur relativement faible, inférieure à 400nm, un phénomène de dissolution de la couche diélectrique en oxyde de silicium se produit, au cours de laquelle l’oxygène de cette couche tend à diffuser à travers la couche mince vers la surface libre pour être transportée sous la forme de composés volatils SiO par le flux gazeux. Ce phénomène tend à réduire l’épaisseur de la couche diélectrique. Il est d’autant plus important que la température de flux gazeux est élevée : pour une couche mince de 200nm, la couche diélectrique s’amincit de quelques nanomètres par heure lorsque le substrat SOI est exposé à un flux gazeux présentant une température de 1050°C à plus de 10nm/h lorsque cette température est de 1200°C. La FIG. 3 représente ainsi, pour un SOI présentant une couche mince de 200nm, l’épaisseur dissoute de la couche diélectrique en oxyde de silicium (axe des ordonnées, en Angström) en fonction du temps (axe des abscisses, en min) pour différentes températures maximales de recuit. Ce phénomène de dissolution conduit à altérer l’uniformité d’épaisseur de la couche diélectrique et de la couche mince, ce qui n’est pas souhaitable. Le document US9875914 propose à ce propos d’exploiter ce phénomène de dissolution pour produire un substrat SOI présentant une couche diélectrique en oxyde de silicium d’épaisseur très réduite et très uniforme. A cet effet, ce document propose, dans certains modes de mise en œuvre, de traiter une pluralité de substrats SOI dans la chambre d’un four de recuit entre une zone d’injection d’un flux gazeux s’étendant longitudinalement d’un premier côté de la nacelle sur laquelle sont retenus les substrats et une zone d’évacuation du flux gazeux s’étendant longitudinalement d’un second côté de la nacelle. Le flux gazeux porté à haute température, de l’ordre de 1200°C, est établi transversalement dans la chambre, entre la zone d’injection et la zone d’évacuation, le flux gazeux circulant contre les surfaces libres des substrats pour favoriser l’évacuation des espèces volatiles résultant de la dissolution de la couche diélectrique. Le procédé proposé par ce document est parfaitement étranger au problème de lissage à température et à budget thermique réduit, puisqu’il cherche à favoriser le phénomène de dissolution en portant la structure du substrat SOI à une température élevée, de plus de 1150°C et préférentiellement de 1200°C. OBJET DE L’INVENTION Il serait donc souhaitable de disposer d’un procédé de lissage collectif d’une pluralité de substrats SOI, apte à réduire la rugosité de leurs surfaces libres de manière uniforme d’un substrat à l’autre, ce procédé exposant la pluralité de substrats SOI à une température plateau réduite et appliquant un budget thermique réduit par rapport aux procédés de l’état de la technique. Un but de l’invention est d’apporter une solution à ce besoin. BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTION En vue de la réalisation de ce but, l’objet de l’invention propose un procédé de lissage des surfaces libres et rugueuses d’une pluralité de substrats de silicium sur isolant. Ce procédé comprend les étapes suivantes : fournir une pluralité de substrats identiques entre eux, chaque substrat comprenant un support, une couche diélectrique en dioxyde de silicium disposée sur le support et une couche mince en silicium présentant une épaisseur inférieure à 400 nm disposée sur la couche diélectrique, les couches minces des substrats présentant des faces exposées définissant les surfaces libres et rugueuses de la pluralité de substrats de silicium sur isolant ; disposer la pluralité de substrats dans des fentes de réception d’une nacelle, les fentes étant agencées longitudinalement sur la nacelle pour placer les surfaces libres des substrats parallèles entre elles ; engager la nacelle dans la chambre d’un four de recuit entre une zone d’injection d’un flux gazeux s’étendant longitudinalement d’un premier côté de la nacelle et une zone d’évacuation du flux gazeux s’étendant longitudinalement d’un second côté de la nacelle, opposé au premier côté ; établir le flux gazeux entre la zone d’injection et la zone d’évacuation, le flux gazeux circulant transversalement le long des surfaces libres des substrats lorsque la nacelle est engagée dans la chambre du four ; élever une température du flux gazeux à une température plateau comprise entre 1050°C et une température plafond choisie de sorte que la dissolution de la couche diélectrique n’excède pas un ratio de 25 nm/h; maintenir la température plateau du flux gazeux pendant une durée supérieure ou égale à 30 min de manière à réduire uniformément la rugosité des surfaces libres des substrats. Selon d’autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l’invention, prises seules ou selon toute combinaison techniquement réalisable : le flux gazeux est formé d’un gaz non oxydant ; le flux gazeux est constitué d’argon pur ; les substrats présentent une couche mince de 200nm et la température plafond est de 1150°C ; la température plateau est maintenue pendant une durée inférieure à 720 min, préférentiellement inférieure à 360 min et très préférentiellement inférieure à 120 min ; la température du flux gazeux est élevée à l’aide d’une rampe montante relativement rapide, supérieure à 1,5°C/min, jusqu’à une température pivot, puis élevée à l’aide d’une rampe montante relativement lente, inférieure à 1,5°C/min, de la température pivot à la température plateau ; l’élévation de la température du flux gazeux comprend un palier intermédiaire de thermalisation des substrats à une température inférieure à 1000°C ; le procédé de lissage comprend, après le maintien de la température plateau, le refroidissement du flux gazeux à une température d’extraction de la nacelle. Selon un autre aspect, l’invention propose une séquence de finition d’un substrat de silicium sur isolant comprenant au moins une étape de lissage mettant en œuvre l’application d’un tel procédé de lissage. Selon d’autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de cet autre aspect de l’invention, prises seules ou selon toute combinaison techniquement réalisable : la séquence de finition comprend une étape de stabilisation ; l’étape de stabilisation est réalisée avant la au moins une étape de lissage ; la séquence de finition comprend, après la au moins une étape de lissage, une étape d’amincissement ; la séquence de finition comprend deux étapes de lissage, l’une au moins mettant en œuvre l’application d’un procédé de lissage tel que décrit précédemment ; l’étape de stabilisation est appliquée entre les deux étapes de lissage. D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée de l’invention qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquelles : FIG. 1 La FIG. 1 représente une carte des défauts présents dans un substrat SOI après d’un recuit rapide à 1200°C; FIG. 2 La FIG. 2 représente un graphe de mesure du bruit de fond diffus des surfaces libres de substrats SOI selon leurs positions dans une nacelle, après un recuit long de lissage; FIG. 3 La FIG. 3 représente, pour un SOI présentant une couche mince de 200nm, l’épaisseur dissoute de la couche diélectrique en oxyde de silicium en fonction du temps pour différentes températures maximales de recuit ; FIG. 4 La FIG. 4 représente un four de recuit apte à mettre en œuvre un procédé de lissage conforme à l’invention ; FIG. 5 La FIG. 5 représente un graphe de mesure du bruit de fond diffus de la surface libre de substrats SOI selon leurs positions dans une nacelle, après un recuit de lissage exposant les substrats SOI à 1075°C pendant 15 min ; FIG. 5 La FIG. 5 illustre l’efficacité d’un procédé de lissage conforme à l’invention pour réduire la rugosité de la face libre d’un substrat SOI. FIG. 6 La FIG. 6 présente l’évolution de la température du flux gazeux au cours d’un procédé de lissage conforme à la présente invention ; FIG. 7 FIG. 8 Les figures 7 et 8 illustrent deux séquences de finition possibles d’un substrat SOI comprenant une étape de lissage mettant en œuvre un procédé de lissage conforme à l’invention. DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION Dans un souci de clarté, on précise que dans le cadre de la présente description, un substrat SOI comprend un support, une couche diélectrique en dioxyde de silicium disposée sur le support et une couche mince en silicium présentant une épaisseur inférieure à 400 nm disposée sur la couche diélectrique. La couche mince du substrat présente une face exposée définissant une surface libre dont on cherche à réduire la rugosité. Pour permettre un traitement collectif conduisant à un obtenir des substrats SOI présentant tous les mêmes propriétés, les substrats SOI qui font l’objet, en lot, du procédé de lissage de la présente description, sont tous identiques entre eux. En préambule, on rappelle qu’un four de lissage en lot comprend une chambre s’étendant longitudinalement. Cette direction d’extension longitudinale de la chambre peut être indifféremment verticale ou horizontale. Les substrats SOI sont placés dans des fentes de réception d’une nacelle configurée pour être placée dans la chambre du four, les fentes étant agencées longitudinalement sur la nacelle pour placer les surfaces libres des substrats parallèles entre elles. Dans une nacelle adaptée à occuper une chambre dont l’extension longitudinale est verticale, les substrats sont retenus horizontalement, les uns au-dessus des autres, dans les fentes de la nacelle. Inversement, dans une nacelle adaptée à occuper une chambre horizontale, les substrats sont retenus verticalement dans les fentes de la nacelle. Dans tous les cas, et quelle que soit la configuration du four, horizontale ou verticale, une nacelle peut comprendre plusieurs dizaines voire plusieurs centaines de fentes et donc recevoir plusieurs dizaines ou centaines de substrats SOI. Dans le cadre de la présente description, une nacelle comprend au moins 150 fentes pour recevoir 150 substrats SOI. Outre les substrats SOI, la nacelle peut comprendre des plaquettes dites « factices », permettant notamment de pouvoir procéder à des étapes de caractérisation après traitement sans exploiter un des substrats SOI. On rappelle également que l’effet lissant du flux gazeux nécessite d’avoir « mises à nues » les couches minces des substrats SOI par élimination de la couche d’oxyde natif nécessairement présente sur les surfaces libres de ces substrats, par simple exposition de ces surfaces libres à l’air environnant. Le flux gazeux permettant le lissage est bien entendu formé d’un gaz non oxydant, typiquement un gaz réducteur comprenant de l’hydrogène ou un gaz neutre, tel que de l’argon. Il peut s’agir d’un mélange d’hydrogène et de gaz neutre. Le flux gazeux peut notamment consister en de l’argon seul. Les expérimentations conduites par la demanderesse, dont certaines ont été présentées en introduction de cette demande, ont permis de comprendre pourquoi un four conventionnel exploité pour le traitement collectif de substrats SOI en vue de leur lissage ne pouvait convenir, notamment lorsque ces substrats SOI présentent une couche mince de moins de 400nm d’épaisseur et donc susceptible de développer le phénomène de dissolution de la couche de diélectrique enterrée sous la couche mince. Dans un tel four de lissage conventionnel, le flux gazeux s’écoule longitudinalement dans la chambre du four, le long de la nacelle et donc successivement d’un substrat à l’autre. Il circule à partir de ceux disposés dans la nacelle du côté de la zone d’injection du flux gazeux vers ceux disposés dans la nacelle du côté de la zone d’évacuation de ce flux. Au cours de cet écoulement, le flux gazeux se charge progressivement en espèces volatiles, du type SiO. Ces espèces volatiles transportées par le flux gazeux résultent de la décomposition de l’oxyde natif initialement présent sur les surfaces libres des substrats SOI. Elles résultent également de l’oxygène de la couche diélectrique en oxyde de silicium qui, par dissolution, diffuse vers les surfaces libres des substrats SOI pour y être transporté. Le flux gazeux est donc continument alimenté en espèces volatiles, et sa concentration en de telles espèces tend à croitre au cours de son écoulement entre la zone d’injection et la zone d’évacuation. Or, pour une température donnée, la capacité du flux gazeux à incorporer et transporter les espèces volatiles qui s’accumulent sur les surfaces libres des substrats SOI est limitée, et dépendante de la concentration avec laquelle ces espèces sont présentes dans le flux. Aussi, en progressant longitudinalement d’une plaque à l’autre dans le four et en se chargeant progressivement en espèces volatiles, le flux gazeux perd progressivement sa capacité à les transporter et donc à éliminer la couche d’oxyde natif qui recouvre et passive les surfaces libres des substrats SOI. Les substrats SOI disposés du côté de la zone d’évacuation ne peuvent donc être traités aussi efficacement que ceux disposés du côté de la zone d’injection. Dans les procédés de l’état de la technique, la température du flux gazeux est élevée à une température plateau de plus de 1150°C, pendant une durée d’au moins 120 min, afin d’augmenter la capacité de transport du flux gazeux. En exploitant une température élevée, on favorise le phénomène de dissolution, ce qui alimente continument le flux gazeux en espèces volatiles, et ce qui fait perdurer la difficulté à traiter les surfaces libres des substrats SOI disposés du côté de la zone d’évacuation. Il est donc nécessaire, même en élevant la température plateau à plus de 1150°C de poursuivre la durée du traitement pendant au moins 120 min pour obtenir un effet lissant identique ou similaire pour tous les substrats SOI disposés dans la nacelle. Or, comme on l’a noté en introduction de cette demande, il serait préférable de limiter la température plateau et ce budget thermique. On pourrait contourner ce problème en ne chargeant la nacelle que d’un nombre incomplet de substrats SOI par rapport au nombre de fentes disponibles dans la nacelle, par exemple en ne disposant un substrat SOI que dans la moitié de ces fentes. Mais on comprend bien que cette solution n’est pas satisfaisante, car elle tend à réduire très fortement la cadence de production. Pour parer effectivement à ce problème, et traiter collectivement et efficacement une pluralité de substrats SOI, on propose donc d’utiliser un four de lissage dont la configuration est habilement modifiée. La chambre 1 d’un tel four de recuit, représentée sur la FIG. 4 , comprend au moins une zone d’injection Zi d’un flux gazeux (trois sur l’exemple représenté sur la FIG. 4 ) et au moins une zone d’évacuation Ze (trois sur l’exemple représenté) du flux gazeux qui s’étendent longitudinalement le long de la chambre 1 du four. Dans l’exemple représenté, les zones d’injection Zi sont toutes fluidiquement reliées à un distributeur, disposé à une extrémité distale 1a de la chambre 1 et les zones d’évacuation Ze sont toutes fluidiquement reliées à un collecteur également disposé à l’extrémité distale 1a de la chambre 1. Le distributeur et le collecteur sont respectivement connectés fluidiquement à des arrivées et une sortie de gaz. Lorsqu’une nacelle emplie de substrats SOI est disposée dans la chambre du four, en l’engageant par son extrémité proximale 1b, la zone d’injection s’étend longitudinalement le long d’un premier côté de la nacelle et la zone d’évacuation s’étend également longitudinalement le long d’un second côté de la nacelle, opposé au premier côté. Dans une telle configuration, le flux gazeux circule transversalement dans la chambre du four, entre la zone d’injection Zi et la zone d’évacuation Ze, le long des surfaces libres des substrats SOI lorsque la nacelle est engagée dans la chambre du four, sans passer d’un substrat SOI à un autre. Le flux gazeux est évacué sans être excessivement chargé en espèces volatiles, et chaque substrat SOI de la nacelle est traité avec la même efficacité. En particulier, il est possible d’éliminer la couche d’oxyde natif présente sur les surfaces libres des substrats SOI, même à une température relativement basse, par exemple de 1050°C. La couche d’oxyde natif étant éliminée, le flux gazeux peut produire un effet lissant sur la surface libre mise à nue. Par ailleurs, on prend soin de maintenir la température du flux gazeux dans la chambre du four sous une température plafond choisie de sorte que la dissolution de la couche diélectrique n’excède pas un ratio de 25 nm/h. Ainsi, on limite la quantité d’espèces volatiles à transporter et on s’assure que la surface libre de chaque plaque est traitée de manière uniforme. En référence à la FIG. 3 , pour un substrat SOI présentant une couche mince de 200nm, la température plafond est de 1150°C. Pour d’autres épaisseurs de couche mince, la personne du métier saura établir des abaques similaires à celle présentée sur la FIG. 3 , par calcul ou par expérimentation. La température du flux gazeux est maintenue à une température plateau, comprise entre 1050°C et la température plafond prédéfinie, le temps nécessaire pour obtenir l’effet lissant désiré, c’est-à-dire pour réduire la rugosité de toutes les surfaces libres des substrats SOI sous une rugosité seuil recherchée. Cette durée est supérieure ou égale à 30 min, préférentiellement comprise entre 30 min et 720 min, ou entre 30 min et 260 min et très préférentiellement e comprise entre 30 min et 120min. Elle dépend bien entendu de la rugosité des surfaces libres des substrats SOI initialement fournie et qu’il faut réduire. La rugosité seuil peut correspondre à une rugosité de 0,5 nm en mesure quadratique moyenne sur un champ de mesure en force atomique de 30 micromètres par 30 micromètres. En tout état de cause, il a été observé qu’à l’aide du four qui vient d’être présenté, un budget thermique relativement faible de 1050°C pendant 30 min, est suffisant pour provoquer l’effet lissant des surfaces libres et rugueuses des substrats SOI disposés dans la nacelle, pleinement chargée. A titre d’illustration, on a représenté sur la FIG. 5 la mesure de bruit de fond diffus de la surface libre de substrats SOI selon leurs positions dans la nacelle après un recuit de lissage exposant les substrats SOI à 1075°C pendant 15 min, d’une part à l’aide d’un four de recuit de lissage de l’état de la technique (points A) et d’autre part avec un four de recuit de lissage conforme à l’invention (point B). Sur l’axe des abscisses, la numérotation des fentes de nacelles croit en s’approchant de la zone d’injection du flux gazeux d’un four de l’état de la technique. On note que lors du traitement des substrats SOI dans le four de l’état de la technique, la nacelle n’était pas entièrement pourvue en substrat SOI, car il n’y a pas de point de mesure pour les positions présentant les numéros les plus élevés (sensiblement à partir du rang 110). Au contraire la nacelle employée lors du traitement des substrats SOI dans le four conforme à l’invention, les fentes de la nacelle sont entièrement occupées par les substrats SOI. Sur l’axe d’ordonnée, la mesure de bruit de fond diffus est représentative de l’état de la surface libre du substrat SOI, notamment de sa rugosité. On observe nettement sur cette FIG. 5 l’avantage apporté par un recuit de lissage conforme à l’invention : la rugosité des surfaces libres des substrats est très uniforme et très faible pour tous les substrats SOI portés par la nacelle. La FIG. 5 illustre l’efficacité du procédé de lissage pour réduire la rugosité de la face libre d’un substrat SOI. Sur la partie gauche de cette figure, on a représenté la rugosité, mesuré par son niveau de bruit de fond diffus, d’une pluralité de substrats SOI avant l’application du procédé de lissage. Il s’agit ici de substrats SOI obtenu directement après une étape de fracture d’un procédé mettant en œuvre la technologie Smart Cut™. Ces substrats SOI présentent une face libre très rugueuse, présentant un niveau de bruit de fond diffus moyen de 131. Sur la partie droite de la figure, on a représenté le niveau de bruit de fond diffus mesuré après application d’un procédé de lissage selon l’invention. On observe un niveau très faible, de 0,14 en moyenne, et sans dispersion notable. On note que ce niveau très faible est inférieur à celui obtenu à partir des mêmes substrats SOI de départ par application d’un recuit rapide de lissage (niveau de bruit de fond diffus moyen de l’ordre de 31) présenté en introduction de cette demande. La FIG. 6 présente l’évolution de la température du flux gazeux au cours d’un procédé de lissage conforme à la présente invention. Le flux gazeux est généralement établi avant l’introduction de la nacelle dans la chambre du four. La température initiale du flux est relativement faible, entre 400°C et 600°C, et typiquement de l’ordre de 500°C lors de cette introduction pour éviter tout choc thermique. Une fois la nacelle disposée convenablement dans la chambre du four, la température du flux gazeux est progressivement élevée jusqu’à une température pivot Tp (ici de 1000C°) à l’aide d’une rampe montante relativement rapide, supérieure à 1,5°C/min, typiquement de l’ordre de 2°C/min. Au cours de cette montée en température, on peut prévoir un palier intermédiaire Pi inférieur à 1000°C, par exemple à 900°C comme cela est représenté sur la figure. Ce palier, par exemple de 30 min, permet de thermaliser uniformément les substrats SOI disposés dans le four. Lorsque la température atteint la température pivot Tp, on continue d’élever la température du flux gazeux, mais de manière moins rapide, à l’aide d’une rampe montante relativement lente, inférieure à 1,5°C par min, typiquement de l’ordre de 1°C par min. On limite ainsi les contraintes d’origine thermique qui s’appliquent à très haute température sur le substrat SOI, du fait de possible gradient entre des portions différentes du substrat, ce qui permet d’éviter ou de limiter l’apparition de plans ou de lignes de glissement. La température du flux gazeux est élevée à l’aide de cette rampe relativement lente à la température plateau qui, comme on l’a déjà dit, est comprise entre 1050°C et une température plafond choisie de sorte que la dissolution de la couche diélectrique n’excède pas un ratio de 25 nm/h. Cette température plateau Tf est maintenue entre 30 min et 2 heures afin de déployer l’effet lissant le temps nécessaire pour réduire la rugosité des surfaces libres des substrats SOI sous la rugosité seuil recherchée. A l’issue de ce plateau P, la température du flux gazeux est progressivement réduite à l’aide d’une rampe descendante relativement lente, inférieure à 1,5°C/min et typiquement de l’ordre de 1°C/min pour atteindre la température pivot Tp, ici de 1000°C. Le refroidissement du flux gazeux est poursuivi ensuite à l’aide d’une rampe descendante relativement rapide, supérieure à 1,5°C/min, typiquement de l’ordre de 2°C/min, pour atteindre la température d’extraction de la nacelle, relativement faible, entre 400°C et 600°C, et typiquement de l’ordre de 500°C. En maitrisant ainsi le profil de température du flux gazeux, on limite la durée totale du traitement tout en limitant ou en évitant l’apparition de plans ou de lignes de glissement dans les substrats SOI. Procédé de fabrication de substrats SOI On présente maintenant un procédé de fabrication de substrats SOI tirant profit du procédé de lissage qui vient d’être présenté. La fourniture des substrats SOI de départ peut être obtenue par l’intermédiaire de la technologie Smart Cut™, comme cela a été exposé en introduction de cette demande. Selon cette technologie, au cours d’une étape de fragilisation, on forme dans un substrat donneur de silicium monocristallin une couche fragile enterrée par introduction à travers une surface principale du substrat, généralement par implantation, d’espèces dites « légères » telles que de l’hydrogène et/ou de l’hélium. L’énergie d’implantation définit la profondeur moyenne d’introduction de ces espèces et la position de la couche fragile dans l’épaisseur du substrat donneur. Cette étape de fragilisation est souvent précédée d’une étape d’oxydation du substrat donneur, afin de former une couche superficielle d’oxyde de silicium destinée à former, au moins en partie, la couche diélectrique enterrée du substrat SOI. La couche fragile définie, avec la surface principale du substrat donneur, une couche que l’on cherche à reporter sur un support pour former le substrat SOI. Dans le cadre de la présente description, la couche fragile est positionnée sous la surface du substrat donneur pour définir une couche mince en silicium d’épaisseur inférieure à 400nm. Pour reporter cette couche mince et l’éventuelle couche diélectrique superficielle du substrat donneur, celui-ci est assemblé à un support, au cours d’une étape d’assemblage, généralement par adhésion moléculaire de sa face principale sur une face principale du support. Ce support peut comprendre ou consister en un substrat de silicium monocristallin, mais cela ne forme pas une limitation en soi, et d’autres types de support peuvent être employés. Lorsqu’il comprend du silicium, le support peut avoir été également préalablement oxydé pour que l’oxyde de silicium superficiel, combiné à celui éventuellement formé sur le substrat donneur, constitue la couche diélectrique enterrée du substrat SOI. Alternativement ou en complément à une oxydation, le support peut avoir reçu par dépôt sur sa face principale, ou par tout autre type de traitement, des couches de toutes natures. Il peut notamment s’agir d’une couche de piégeage de charges électriques, typiquement formée d’une épaisseur de silicium polycristallin. Au cours d’une étape suivante de fracture, l’assemblage ainsi constitué est fracturé au niveau et le long de la couche fragile du substrat donneur, de manière à reporter la couche mince sur le support. On dispose à l’issue de cette fracture d’une part d’un résidu du substrat donneur, qui peut être réutilisé dans un nouveau cycle de prélèvement, et d’autre part d’un substrat SOI composé de la couche mince, de la couche diélectrique enterrée sous la couche mince et du support. La fracture peut être provoquée de multiples manières, thermiquement et/ou mécaniquement. Usuellement, une pluralité d’assemblages est disposée dans un four dit « de fracture » et la température de ce four élevé à une température modérée, typiquement comprise entre 300°C et 600°C. Ce traitement thermique, éventuellement assisté mécaniquement ou à l’aide d’amorces de rupture respectivement intégrés dans les assemblages, provoque le détachement des couches minces des substrats donneurs. Comme on l’a mentionné en introduction, les substrats SOI qui résultent de cette séquence de transfert de couches ne sont généralement pas aptes à recevoir directement des composants. Du fait de l’étape de fracture, une couche mince reportée présente une qualité cristalline détériorée et une surface libre très rugueuse. Il est donc usuel d’appliquer une séquence d’étapes de traitement, appelée séquence de finition, au substrat SOI obtenu à l’issue de l’étape de fracture pour restaurer la qualité cristalline de la couche, réduire la rugosité de sa surface libre sous une rugosité seuil, et lui donner par amincissement une épaisseur déterminée et très uniforme. Selon une première approche représentée sur la FIG. 7 , une telle séquence de finition comprend l’application de deux étapes de lissage L1,L2, chaque étape mettant en œuvre le procédé de lissage présenté dans la section antérieure de cette description. La première étape de lissage est réalisée directement après l’étape de fracture, sans compter d’éventuelles étapes appliquées sur les substrats SOI qui ne modifient pas structurellement ces substrats, telles que des étapes de nettoyage ou de métrologie. Entre la première étape de lissage et la seconde étape de lissage, on applique une étape intermédiaire STAB dite « de stabilisation ». Une telle étape consiste à placer la pluralité de substrats SOI obtenu à l’issue de la première étape de lissage dans un four d’oxydation. Une épaisseur superficielle de la couche mince est donc oxydée et les structures sont portées à une température comprise entre 850°C et 950°C. A l’issue de ce traitement thermique, la couche d’oxyde superficielle est éliminée, typiquement par gravure sélective à l’aide d’une solution comportant de l’acide fluorhydrique. Ce traitement de stabilisation contribue à améliorer la qualité cristalline de la couche mince et à réduire son épaisseur pour l’approcher de son épaisseur cible. L’étape de stabilisation est suivie par la seconde étape de lissage. Après cette seconde étape de lissage, on procède à un amincissement fin de la couche mince, pour réduire son épaisseur à l’épaisseur cible. Cette étape d’amincissement fin AMI peut comprendre une oxydation sacrificielle de la couche mince ou l’application d’une solution de gravure du silicium, par exemple une solution à base d'hydroxyde de tétra-méthyl-ammonium (TMAH). La FIG. 8 illustre une séquence de finition d’une pluralité de substrats SOI comprenant une unique étape de lissage L1 mettant en œuvre le procédé de lissage exposé précédemment. Cette séquence de finition s’appuie sur les mêmes étapes que celles de l’approche précédente, mais organisées de manière différente. Selon cette autre approche, l’étape de fracture est directement suivie d’une étape de stabilisation STAB. L’étape de stabilisation est directement suivie par une unique étape de lissage L1, puis on applique l’étape d’amincissement fin AMI. Bien entendu les deux approches des figures 7 et 8 ne sont pas les seules séquences de finition qui peuvent être déployées pour exploiter le procédé de lissage qui fait l’objet de la présente description. D’une manière plus générale, une telle séquence de finition peut comprendre un nombre quelconque d’étapes de lissage. Ces étapes de lissage peuvent être combinées, de toute manière qui convient, avec d’autres étapes visant à améliorer la qualité cristalline, l’état de surface et/ou l’épaisseur de la couche mince, telles que les étapes de stabilisation et d’amincissement fin qui ont été présentées. On peut notamment mixer, dans une séquence de finition, un procédé de lissage conforme à l’invention avec une étape de lissage mettant en œuvre un procédé de lissage conforme à ceux de l’état de la technique, par exemple en exposant la pluralité de substrats SOI à une température bien supérieure à celle induisant une dissolution supérieure à 25 nm/h ou en exposant les substrats SOI à un recuit rapide. Bien que l’on ne puisse pas dans ce cas tirer profit de tous les bénéfices de l’invention, une telle séquence de finition peut rester avantageuse en ce qu’elle permet de réduire encore la rugosité de la face libre des substrats SOI en deçà de ce qu’il est possible d’obtenir avec le seul procédé de lissage conforme à l’invention. Le procédé de lissage qui vient d’être exposé, exposant une pluralité de substrats SOI à une température et à un budget thermique réduit par rapport aux procédés de lissage de l’état de la technique, présente de nombreux avantages. Il permet de traiter collectivement un lot de substrats SOI comportant un grand nombre de tels substrats, plus de 150 de ces substrats, tout en préservant une qualité uniforme de traitement d’un substrat à l’autre dans le lot. On peut maitriser la montée en température du flux gazeux pour, en combinaison avec la température plateau relativement basse, pour éviter ou limiter l’occurrence de lignes ou plans de glissement. Cela permet d’envisager d’utiliser des supports mécaniquement fragiles, comme ceux présentant une faible concentration d’oxygène interstitiel permettant de conférer à ces supports une résistivité élevée, supérieure à 1000 ohms.cm ou supérieure à 2000 ohms.cm. On note qu’il est possible d’intégrer une proportion d’azote dans de tels supports présentant une faible concentration d’oxygène interstitiel, dans une concentration comprise entre 1 10^14 at/cm^3 à 5 10^15 at/cm3, dans le but de le rendre plus résistant mécaniquement. La température et le budget thermique appliqués lors du recuit de lissage ne provoquent qu’une diffusion limitée de l’azote dans le reste de la structure. Lorsque le substrat SOI vise des applications dans le domaine des composants radiofréquences, on peut disposer une couche de piégeage de charges électriques dans le support sans risque que celle-ci ne se recristallise. Il permet de réduire la rugosité des surfaces libres des substrats SOI pour atteindre un niveau généralement acceptable, meilleur que le niveau atteint par un simple recuit rapide. La dissolution du diélectrique enterré en dioxyde de silicium étant limitée, on limite également la variabilité d’épaisseur de ce diélectrique et de la couche mince que ce phénomène peut entrainer. Bien entendu l'invention n'est pas limitée aux modes de mise en œuvre décrits et on peut y apporter des variantes de réalisation sans sortir du cadre de l'invention tel que défini par les revendications. Procédé de lissage des surfaces libres et rugueuses d’une pluralité de substrats de silicium sur isolant, le procédé comprenant les étapes suivantes : fournir une pluralité de substrats identiques entre eux, chaque substrat comprenant un support, une couche diélectrique en dioxyde de silicium disposée sur le support et une couche mince en silicium présentant une épaisseur inférieure à 400 nm disposée sur la couche diélectrique, les couches minces des substrats présentant des faces exposées définissant les surfaces libres et rugueuses de la pluralité de substrats de silicium sur isolant ; disposer la pluralité de substrats dans des fentes de réception d’une nacelle, les fentes étant agencées longitudinalement sur la nacelle pour placer les surfaces libres des substrats parallèles entre elles ; engager la nacelle dans la chambre d’un four de recuit entre une zone d’injection d’un flux gazeux s’étendant longitudinalement d’un premier côté de la nacelle et une zone d’évacuation du flux gazeux s’étendant longitudinalement d’un second côté de la nacelle, opposé au premier côté ; établir le flux gazeux entre la zone d’injection et la zone d’évacuation, le flux gazeux circulant transversalement le long des surfaces libres des substrats lorsque la nacelle est engagée dans la chambre du four ; élever une température du flux gazeux à une température plateau (Tf) comprise entre 1050°C et une température plafond choisie de sorte que la dissolution de la couche diélectrique n’excède pas un ratio de 25 nm/h; maintenir la température plateau (Tf) du flux gazeux pendant une durée supérieure ou égale à 30 min de manière à réduire uniformément la rugosité des surfaces libres des substrats. Procédé de lissage selon la revendication précédente dans lequel le flux gazeux est formé d’un gaz non oxydant. Procédé de lissage selon la revendication précédente dans lequel le flux gazeux est constitué d’argon. Procédé de lissage selon l’une des revendications précédentes dans lequel les substrats présentent une couche mince de 200 nm et pour lequel la température plafond est de 1150°C. Procédé de lissage selon l’une des revendications précédentes dans lequel la température plateau est maintenue pendant une durée inférieure à 720 min, préférentiellement inférieure à 360 min et très préférentiellement inférieure à 120 min. Procédé de lissage selon l’une des revendications précédentes dans lequel la température du flux gazeux est élevée à l’aide d’une rampe montante relativement rapide, supérieure à 1,5°C/min, jusqu’à une température pivot (Tp), puis élevée à l’aide d’une rampe montante relativement lente, inférieure à 1,5°C/min, de la température pivot (Tp) à la température plateau (Tf). Procédé de lissage selon l’une des revendications précédentes dans lequel l’élévation de la température du flux gazeux comprend un palier intermédiaire (Pi) de thermalisation des substrats à une température inférieure à 1000°C. Procédé de lissage selon l’une des revendications précédentes comprenant après le maintien de la température plateau (Tf), le refroidissement du flux gazeux à une température d’extraction de la nacelle. Séquence de finition d’un substrat de silicium sur isolant comprenant au moins une étape de lissage (L1 ; L1,L2) mettant en œuvre l’application d’un procédé de lissage selon l’une des revendications précédentes. Séquence de finition selon la revendication précédente comprenant une étape de stabilisation (STAB). Séquence de finition selon la revendication précédente dans laquelle l’étape de stabilisation (STAB) est réalisée avant la au moins une étape de lissage (L1). Séquence de finition selon l’une des revendications 9 à 11 comprenant, après la au moins une étape de lissage, une étape d’amincissement (AMI). Séquence de finition selon l’une des revendications 9 à 11 comprenant deux étapes de lissage (L1,L2), l’une au moins mettant en œuvre l’application d’un procédé de lissage selon l’une des revendications 1 à 8. Séquence de finition selon la revendication 13 lorsqu’elle est combinée à la revendication 10 dans laquelle l’étape de stabilisation (STAB) est appliquée entre les deux étapes de lissage (L1,L2).