Brevet FR3163205A1 — publié le 20251212

L’invention concerne un procédé de fabrication d’une plaquette donneuse comprenant les étapes suivantes : a) la fourniture d’un substrat donneur en un matériau monocristallin, ledit substrat donneur ayant été recyclé au moins une fois, après un transfert d’une couche mince dudit substrat donneur, sur un substrat receveur de manière à former une structure composite, ladite structure composite comprenant une couche superficielle formée en tout ou partie par la couche mince et disposée sur le substrat receveur, b) le contrôle de la qualité de la structure composite, par inspection d’une surface libre de la couche superficielle, pour détecter des défauts présents sur et/ou dans la couche superficielle, lesdits défauts étant ensuite classés dans une première catégorie, considérée non critique, ou dans une deuxième catégorie, considérée critique, c) la sélection du substrat donneur si une densité de défauts classés dans la deuxième catégorie lors de l’étape b) est inférieure à une densité prédéterminée, d) l’assemblage du substrat donneur sélectionné à l’étape c) sur un substrat support, par collage, pour former la plaquette donneuse. L’invention concerne également une plaquette donneuse comprenant un substrat donneur en carbure de silicium monocristallin, présentant une épaisseur comprise entre 100μm et 300μm, disposé sur un substrat support, et caractérisée en ce qu’une face libre du substrat donneur présente moins de 0,5 défaut/cm 2 de type micro-trou ou inclusion. Figure à publier avec l’abrégé : Pas de figure Procédé de fabrication d’une plaquette donneuse pour le transfert de couches minces, et plaquette donneuse DOMAINE DE L’INVENTION La présente invention appartient au domaine des semi-conducteurs, et notamment, le domaine des substrats donneurs pour des structures composites sur lesquelles seront élaborés des composants microélectroniques. L’invention concerne un procédé de fabrication d’une plaquette donneuse pour le transfert de couches minces monocristallines en vue de l’élaboration d’une structure composite, ladite plaquette donneuse étant compatible avec de nombreux prélèvements de couches minces, de haute qualité. ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Le carbure de silicium (SiC) est un matériau particulièrement intéressant pour la fabrication de dispositifs de puissance, radiofréquences ou encore des dispositifs opérant à très hautes températures. Bien qu’en fort développement, les substrats en SiC monocristallin de haute qualité restent chers et difficiles à approvisionner en grande taille (typiquement 150mm ou 200mm de diamètre). Il est donc avantageux de recourir à des solutions de transfert de couches, pour élaborer des structures composites comprenant une couche mince en SiC monocristallin (issue du substrat donneur en SiC monocristallin de haute qualité) sur un substrat receveur plus bas coût, par exemple en SiC polycristallin (p-SiC). Une solution de transfert de couche mince bien connue est le procédé Smart Cut TM , basé sur une implantation d’ions légers et sur un assemblage, par collage, entre un substrat donneur en SiC monocristallin (m-SiC) et un substrat receveur, au niveau d’une interface de collage. L’implantation crée un plan fragile enterré le long duquel va s’opérer une séparation, menant au transfert d’une couche mince en m-SiC sur le substrat receveur, pour former la structure composite, et permettant la récupération et le recyclage du reste du substrat donneur pour effectuer potentiellement un ou plusieurs autres transferts de couches. Une épitaxie peut ensuite être effectuée sur la couche mince de la structure composite, suivie de l’élaboration des dispositifs électroniques. Le recyclage (qui implique en particulier des étapes de meulage et de polissage réduisant l’épaisseur du substrat et visant à retrouver les performances de géométrie et de rugosité de surface compatible avec le cycle de collage suivant) et la réutilisation du substrat donneur plusieurs fois pour un transfert de couches constituent un avantage économique certain du procédé Smart Cut TM . Au bout de plusieurs prélèvements, on arrive néanmoins à une épaisseur du substrat donneur qui n’est plus compatible avec les étapes technologiques requises pour son recyclage et/ou pour un transfert de couches, du fait de la fragilité et potentiellement de la courbure du substrat. En particulier, les préhensions par le bord du substrat, opérés par des dispositifs mécaniques (notamment lors de l’étape de séparation, propre au procédé Smart Cut) ne sont pas applicables à des substrats trop fins car les risques de casse sont très élevés. Le document EP1324385 propose de former une plaquette donneuse en assemblant un substrat donneur sur un support, de manière à adresser les problématiques d’épaisseur insuffisante et/ou de courbure d’un substrat donneur fin. La fabrication d’une telle plaquette donneuse fait appel à des étapes technologiques (notamment nettoyage, préparation de surface, collage, traitements thermiques...) et nécessite la fourniture d’un support, préférentiellement choisi parmi des substrats à bas coûts, mais compatibles avec un transfert de couches. Pour que cette solution soit économiquement viable, il est important que la qualité de la plaquette donneuse assure plusieurs reports de couches minces de haute qualité dans des structures composites. OBJET DE L’INVENTION La présente invention adresse le problème énoncé. L’invention porte sur un procédé de fabrication d’une plaquette donneuse autorisant le prélèvement de plusieurs couches minces de haute qualité pour l’élaboration de structures composites. BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTION L’invention concerne un procédé de fabrication d’une plaquette donneuse comprenant les étapes suivantes : a) la fourniture d’un substrat donneur en un matériau monocristallin, ledit substrat donneur ayant été recyclé au moins une fois, après un transfert d’une couche mince dudit substrat donneur, sur un substrat receveur de manière à former une structure composite, ladite structure composite comprenant une couche superficielle formée en tout ou partie par la couche mince et disposée sur le substrat receveur, b) le contrôle de la qualité de la structure composite, par inspection d’une surface libre de la couche superficielle, pour détecter des défauts présents sur et/ou dans la couche superficielle, lesdits défauts étant ensuite classés dans une première catégorie, considérée non critique, ou dans une deuxième catégorie, considérée critique, c) la sélection du substrat donneur si une densité de défauts classés dans la deuxième catégorie lors de l’étape b) est inférieure à une densité prédéterminée, d) l’assemblage du substrat donneur sélectionné à l’étape c) sur un substrat support, par collage, pour former la plaquette donneuse. Selon d’autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l’invention, prises seules ou selon toute combinaison techniquement réalisable : à l’étape b), l’inspection de la surface libre est faite par une technique couplant microscopie confocale en lumière visible et imagerie par photoluminescence ; la surface libre inspectée est celle de la couche mince après qu’elle ait subi des étapes de finition ; la couche superficielle de la structure composite contrôlée à l’étape b) comprend la couche mince issue du substrat donneur et une couche épitaxiée crue sur la couche mince et présentant une épaisseur supérieure ou égale à 1μm, la surface libre inspectée étant celle de la couche épitaxiée ; la deuxième catégorie de défauts comprend des défauts d’origine cristalline de type micro-trou et/ou inclusion, et la densité prédéterminée est 0,5 défaut/cm 2 ; la deuxième catégorie de défauts comprend des dislocations coin, des dislocations vis et des dislocations de plan basal, et une densité prédéterminée est définie pour chacun de ces défauts. l’étape b) comprend : i) la classification préliminaire des défauts détectés, par similarité, sur la base de leur image par microscopie en lumière visible, grâce à un algorithme de reconnaissance d’images, alimenté avec différentes sortes de défauts dont des défauts d’origine cristalline, susceptibles d’être présents sur et/ou dans une couche mince transférée, ii) la classification finale des défauts par application des conditions suivantes : > si un défaut détecté est classé comme un défaut d’origine cristalline à l’étape i) avec un niveau de similarité supérieur à un niveau haut, ledit défaut est définitivement classé dans la deuxième catégorie, > si un défaut détecté est classé comme un défaut d’origine cristalline à l’étape i) avec un niveau de similarité compris entre un niveau bas et le niveau haut, une image par photoluminescence dudit défaut est analysée par un algorithme de reconnaissance d’images entrainé sur différents types labellisés de défauts; si le défaut observé sur l’image par photoluminescence est associé à un type labellisé de défaut, le défaut détecté est définitivement classé dans la deuxième catégorie, > dans les autres cas, le défaut détecté, classé comme un défaut d’origine cristalline à l’étape i), est définitivement classé dans la première catégorie ; le substrat donneur fourni à l’étape a) a été recyclé cinq fois, dix fois, voire quinze fois, et a donné lieu, respectivement, à cinq, dix, voire quinze couches minces transférées ; le matériau monocristallin constituant le substrat donneur est le carbure de silicium, le nitrure de gallium ou le diamant ; le substrat support de la plaquette donneuse est constitué de silicium, de carbure de silicium ou autre, de structure monocristalline ou polycristalline ; l’étape d) d’assemblage fait intervenir une couche intercalaire, disposée entre le substrat donneur et le substrat support ; la couche intercalaire est formée en un matériau semi-conducteur ou métallique ; le procédé comprend en outre les étapes suivantes : e) l’implantation d’espèces légères dans la plaquette donneuse issue de l’étape d), pour former un plan fragile enterré délimitant, avec une face avant du substrat donneur, une couche mince à transférer ; f) l’assemblage d’un substrat receveur avec la plaquette donneuse implantée à l’étape e) ; g) la séparation le long du plan fragile enterré pour former une structure composite comprenant la couche mince après transfert et le substrat receveur, d’une part, et le reste de la plaquette donneuse, d’autre part ; h) l’application de traitements thermique(s), mécanique(s) et/ou chimique(s) à une surface libre du reste de la plaquette donneuse, du côté du substrat donneur, pour former une nouvelle plaquette donneuse. L’invention concerne également une plaquette donneuse comprenant un substrat donneur en carbure de silicium monocristallin, présentant une épaisseur comprise entre 100μm et 300μm, disposé sur un substrat support 30, et caractérisée en ce qu’une face libre du substrat donneur 1 présente moins de 0,5 défaut/cm 2 de type micro-trou ou inclusion. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée de l’invention qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquelles : FIG. 1 La FIG. 1 présente deux exemples de plaquette donneuse fabriquée selon un procédé conforme à la présente invention ; FIG. 2 La FIG. 2 présente un procédé de fabrication connu d’une structure composite à partir d’un substrat donneur ; FIG. 3 La FIG. 3 présente des étapes d’un procédé de fabrication d’une plaquette donneuse conformément à la présente invention ; FIG. 4 La FIG. 4 présente des étapes d’un procédé de fabrication d’une structure composite à partir d’une plaquette donneuse conformément à la présente invention ; FIG. 5 La FIG. 5 présente des défauts détectés et classés à l’étape b) d’un procédé de fabrication conforme à l’invention. Certaines figures sont des représentations schématiques qui, dans un objectif de lisibilité, ne sont pas à l’échelle. En particulier, les épaisseurs des couches selon l’axe z ne sont pas à l’échelle par rapport aux dimensions latérales selon les axes x et y. Les mêmes références sur les figures pourront être utilisées pour des éléments de même nature. DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION L’invention concerne un procédé de fabrication d’une plaquette donneuse 10, formée d’un substrat donneur 1 disposé sur un substrat support 30 ( FIG. 1 ). La plaquette donneuse 10 peut présenter un diamètre de 100mm, 150mm, 200mm, voire plus. Pour un diamètre de 150mm, son épaisseur est par exemple comprise entre 250μm et 750μm, pour une valeur typique de 350μm ; pour un diamètre de 200mm, son épaisseur pourra varier entre 250μm et 800μm, pour une valeur typique de 500μm. Le substrat donneur 1 est formé en un matériau monocristallin, pouvant en particulier être du carbure de silicium (de polytype 6H, 4H ou 3C), du nitrure de gallium ou du diamant. Le substrat support 30 est avantageusement formé en un matériau de moindre coût, de structure monocristalline ou polycristalline ; il pourra par exemple être en silicium ou en carbure de silicium. Comme cela sera décrit plus loin, le substrat donneur 1 peut être en contact direct avec le substrat support 30 ( FIG. 1 (i)) ou par l’intermédiaire d’une couche intercalaire 50 ( FIG. 1 (ii)). Le procédé de fabrication d’une telle plaquette donneuse 10 comprend une première étape a) de fourniture d’un substrat donneur 1 en matériau monocristallin . Le substrat donneur 1 a été recyclé au moins une fois, c’est-à-dire qu’il a été utilisé pour le transfert d’une couche mince 11 sur un substrat receveur 20, de manière à former une structure composite 100. Préférentiellement, le ratio épaisseur sur diamètre du substrat donneur 1 est inférieur ou égal à 0,2%, voire inférieur ou égal à 0,15%. Ce faible ratio traduit une épaisseur relativement faible du substrat donneur 1, en deçà de laquelle la demanderesse a observé qu’il était risqué d’implémenter des étapes technologiques de transfert de couches ou de recyclage. Les étapes de transfert de couches dont il est question ici sont celles impliquées dans le procédé Smart Cut TM , bien connu. Le recyclage d’un substrat donneur 1, toujours dans le cadre du procédé Smart Cut TM , c’est-à-dire après qu’une couche mince 11 dudit substrat donneur 1 ait été transférée sur un substrat receveur 20, est également connu ; il requiert notamment des étapes de rectification et/ou polissage des bords du substrat donneur 1, pour éliminer une couronne non transférée, due à l’absence de collage entre le substrat donneur 1 et le substrat receveur 20, en périphérie. Ce défaut de collage périphérique vient notamment de la tombée de bord et du chanfrein qui caractérisent lesdits substrats. La couronne non transférée présente sur le reste du substrat donneur après transfert s’étend jusqu’à environ 0,5mm à 3mm du bord du substrat ; son épaisseur est identique à l’épaisseur de la couche mince transférée 11. Le recyclage comprend également des étapes de polissage mécano-chimique pleine plaque, de nettoyage, de préparation de surface et potentiellement de traitement thermique, cela en vue d’éliminer une couche de surface perturbée, résidu du plan fragile enterré 2, et de réduire la rugosité de surface, pour la réutilisation du substrat donneur recyclé en tant que nouveau substrat donneur 1. La rugosité visée est inférieure à 0,5nm RMS, voire de l’ordre de 0,1nm RMS (mesurée par microscopie à force atomique (AFM), sur des scans typiques de 5x5μm 2 voire plus). La FIG. 2 illustre les différentes étapes mises en œuvre lors d’un transfert de couches. Le substrat donneur 1 subit une implantation d’espèces légères, du côté de sa face avant 1a, pour former un plan fragile enterré 2, qui délimite, avec la face avant 1a, une couche mince 11 à transférer ( FIG. 2 (i)). Comme cela est bien connu en soi, les espèces légères implantées peuvent par exemple être l’hydrogène, l’hélium ou les deux. Les doses et énergies d’implantation sont ajustées selon l’épaisseur de couche mince 11 à transférer souhaitée. Le substrat donneur 1 ainsi implanté est assemblé sur un substrat receveur 20, par collage par adhésion moléculaire, c’est-à-dire sans ajout de matière adhésive, le long d’une interface de collage 4 ( FIG. 2 (ii)). Une séparation se produit ensuite, le long du plan fragile enterré 2, par application d’un traitement thermique et/ou d’une contrainte mécanique. Cela aboutit à la formation de la structure composite 100 comprenant la couche mince 11 reportée sur le substrat receveur 20, d’une part, et du reste 1’ du substrat donneur, d’autre part ( FIG. 2 (iii)). Notons qu’une couche intermédiaire en un matériau conducteur électrique (par exemple silicium ou tungstène) ou isolant (par exemple oxyde de silicium) peut être déposée sur l’une et/ou l’autre des faces à assembler du substrat donneur 1 et du substrat receveur 20, avant l’assemblage ; dans un tel cas, la structure composite 100 comprend la couche intermédiaire, interposée entre la couche mince 11 et le substrat receveur 20. La structure composite 100 subit ensuite des étapes de finition, tels que des traitements thermiques, des amincissements mécaniques, mécano-chimiques (polissage) ou chimiques (gravure), et/ou des nettoyages, de manière à éliminer les espèces légères résiduelles ainsi qu’une couche de surface perturbée, résidu du plan fragile enterré 2, et de manière à restaurer une haute qualité cristalline à la couche mince 11 et ainsi à former une couche superficielle 11’’ compatible avec des étapes ultérieures d’élaboration de composants. Selon une première variante ( FIG. 2 (iv)), la couche superficielle 11’’ de la structure composite 100 est constituée de la couche mince 11, après que cette dernière ait subi les étapes de finition. La couche superficielle 11’’ présente, au niveau de sa surface libre 11a, une rugosité typique inférieure ou égale à 0,5 nm RMS, à 0,2 nm RMS, voire à 0,1 nm RMS (mesurée par AFM, sur des scans typiques de 5x5μm 2 à 30x30μm 2 ). La structure composite 100 peut être utilisée pour l’élaboration de composants, laquelle élaboration peut comprendre une étape préliminaire de croissance par épitaxie d’une couche additionnelle pour épaissir la couche superficielle 11’’ (en particulier pour les composants électroniques de puissance). Selon une deuxième variante ( FIG. 2 (v)), la couche superficielle 11’’ de la structure composite 100 comprend la couche mince 11 (ayant subi tout ou partie d’étapes de finition) et une couche épitaxiée 11’ crue sur la couche mince 11 et présentant une épaisseur supérieure ou égale à 5μm, à 10μm, voire à 15μm ou même à 30 µm. Les composants microélectroniques peuvent être élaborés sur et/ou dans la couche épitaxiée 11’. Comme évoqué précédemment, le reste 1’ du substrat donneur ( FIG. 2 (iii)) est quant à lui recyclé, pour donner lieu à un nouveau substrat donneur 1 dont l’épaisseur est inférieure à l’épaisseur initiale du substrat donneur avant recyclage. Un recyclage se traduit par une consommation d’une épaisseur variant entre 3μm et 10μm selon les procédés mis en œuvre. Avantageusement, le substrat donneur 1 fourni à l’étape a) a été recyclé cinq fois, dix fois, voire quinze fois, et a donc donné lieu, respectivement, à cinq, dix, voire quinze couches minces 11, chacune transférée sur un substrat receveur 20, pour former une structure composite 100. Par exemple, un substrat donneur 1 de diamètre 150mm, fourni à l’étape a), pourra présenter une épaisseur inférieure ou égale à 300μm, à 275μm, à 250μm, à 225μm, voire à 200μm, et typiquement supérieure ou égale à 100μm, voire à 150μm. Le ratio épaisseur sur diamètre évoqué plus haut peut aider à identifier des substrats donneurs 1 recyclés, éligibles à la fabrication d’une plaquette donneuse 10 car mécaniquement fragiles et hors spécification des équipements traditionnels (épaisseur faible, courbure et déformation potentiellement importantes), et également amenés au bout des cycles de recyclage classiques (optimisation des coûts). Le procédé de fabrication selon l’invention comprend ensuite une étape b) de contrôle de la qualité de la structure composite 100 , par inspection d’une surface libre 11a,11’a de la couche superficielle 11’’, pour détecter des défauts présents sur et/ou dans la couche superficielle 11’’, lesdits défauts étant ensuite classés dans une première catégorie, considérée non critique, ou dans une deuxième catégorie, considérée critique. Avantageusement, pour des matériaux tels que le SiC et le GaN, l’inspection de la surface libre 11a,11’a est effectuée par une technique couplant microscopie confocale en lumière visible (contraste interférentiel différentiel – DIC) et imagerie par photoluminescence. Le contraste interférentiel différentiel (également appelé Nomarski) est une technique d’éclairage qui permet de discerner d’infimes variations de la topographie d’une surface en exploitant l’interférence des ondes lumineuses. L’imagerie par photoluminescence est basée sur des variations locales d’intensité d’un signal de photoluminescence (PL) émis par la surface libre 11’’a, à la suite d’une excitation par un faisceau électromagnétique incident. Dans un équipement de type SICA88 (société Lasertech), qui sera privilégié dans la suite de cette description, le faisceau incident d’excitation présente une longueur d’onde de 313 nm et le signal de photoluminescence émis est collecté dans une plage de longueurs d’onde allant de 700 nm à 1000 nm. Les variations locales d’intensité du signal PL traduisent des propriétés modifiées du matériau (contraintes, rugosité, planéité...), correspondant à un défaut. Ce dernier peut apparaître sur l’image PL générée, sous forme de tache(s) blanche(s) ou noire(s) selon ses caractéristiques. Un équipement de type SICA88 peut être utilisé pour inspecter par exemple les substrats massifs en m-SiC avant ou après épitaxie. La norme JEITA (« Japan Electronics and Information Technology Industries Association ») comprend quatre documents relatifs à la zoologie de défauts sur/dans une couche réalisée par homoépitaxie sur un substrat 4H-SiC (EDR 4712/100) et à des procédures non-destructives d’inspection optique de ces défauts (EDR 4712/200, /300, /400). Il est en particulier indiqué une procédure pour évaluer et référencer les défauts en combinant une inspection optique et une image par photoluminescence. Selon la deuxième variante évoquée plus haut, la surface libre 11’a de la couche superficielle 11’’ inspectée à l’étape b) est la surface libre de la couche épitaxiée 11’ ( FIG. 2 (v)). Si l’épaisseur de cette couche 11’ est suffisamment grande (typiquement 8μm et plus), cela lui confère les mêmes propriétés qu’un substrat massif lorsqu’il est inspecté par une technique optique ; ainsi les recettes classiques d’inspection peuvent être mises en œuvre pour le contrôle de l’étape b). Les défauts classés dans la deuxième catégorie (critique) correspondent alors principalement à des dislocations vis (TSD pour « threading screw dislocation »), des dislocations coin (TED pour « threading edge dislocation ») et des dislocation de plan basal (BPD pour « basal plane dislocation »). Selon la première variante évoquée précédemment, la couche superficielle 11’’ inspectée à l’étape b) présente une épaisseur faible ( FIG. 2 (iv)). La demanderesse a développé une méthodologie spécifique pour la classification des défauts de première et de deuxième catégories sur une telle couche, car les recettes habituellement implémentées sur substrat massif peuvent donner des classifications entachées d’erreur sur des couches minces, notamment lorsque le substrat receveur 20 est polycristallin. Cette méthodologie s’applique également à la deuxième variante, lorsque l’épaisseur de la couche épitaxiée 11’ est insuffisante pour écranter totalement le substrat receveur 20 sous-jacent. Les défauts présents sur et/ou dans la couche superficielle 11 peuvent être induits par des défauts cristallins initialement présents sur et/ou dans le substrat donneur 1, ou par des variations de topologie des substrats donneur 1 et receveur 20, ou encore par des particules ou autres contaminations de surface qui n’auraient pas été totalement éliminées, avant l’étape d’assemblage du substrat donneur 1 sur le substrat receveur 20. Il peut donc s’agir de défauts d’origine cristalline, ou de défauts de collage tels que des trous (absence locale de couche superficielle 11’’) ou des bulles (défaut à l’interface de collage 4, au niveau duquel la couche mince 10 n’est pas collée et forme une cloque). L’équipement de métrologie SICA88 est capable de classer les défauts détectés sur la base des images capturées par microscopie en lumière visible, à l’aide d’un algorithme de reconnaissance d’images. L’algorithme est alimenté avec des images vérifiées de bulles, de trous et autres défauts d’origine cristalline, susceptibles d’être présents sur et/ou dans une couche mince transférée ; il peut ainsi apprendre à reconnaître chacun de ces défauts et calculer un niveau de similarité entre le défaut détecté sur la surface libre 11a de la couche superficielle 11’’ et sa banque de données, en prenant en compte des critères de taille, forme, couleur, contraste, etc. L’étape b) de contrôle comprend donc avantageusement une étape i) de classification préliminaire des défauts, par similarité, puis, une étape ii) de classification finale des défauts par application de conditions particulières, exposées ci-après. A l’issue de l’étape i), chaque défaut détecté sur la couche superficielle 11’’ est associé à un type identifié de défaut (par exemple, trou, bulle ou défaut d’origine cristalline), avec un certain niveau de similarité (compris entre 0 et 1). Du fait de la présence d’un substrat support 20 polycristallin sous la couche superficielle 11’’, l’identification préliminaire réalisée automatiquement par l’équipement n’est pas suffisamment fiable pour décider de la qualité de la structure composite 100. En effet, cette identification peut être impactée par les grains sous-jacents et le niveau de similarité attribué au défaut détecté ne permet pas à lui seul de déterminer si ledit défaut est bien du type identifié ou si c’est un « faux défaut ». Le procédé de contrôle comprend donc une étape ii) de classification finale des défauts par application de conditions particulières aux défauts d’origine cristalline : si le niveau de similarité associé à un défaut détecté est supérieur à un niveau haut, ledit défaut est définitivement classé dans la deuxième catégorie (défaut critique) ; si le niveau de similarité associé au défaut détecté est compris entre un niveau bas et le niveau haut, l’image PL (par photoluminescence) dudit défaut est analysée par un algorithme de reconnaissance d’images entrainé sur différents types labellisés de défauts. Deux cas peuvent alors se présenter : si le défaut détecté est associé à un type labellisé de défaut, ledit défaut est définitivement classé dans la deuxième catégorie (défaut critique) ; si le défaut détecté n’est pas reconnu comme étant un type labellisé de défaut, ledit défaut est définitivement classé dans la première catégorie (défaut non critique) ; enfin, si le niveau de similarité associé au défaut détecté est inférieur au niveau bas, ledit défaut est également définitivement classé dans la première catégorie (défaut non critique). L’algorithme de reconnaissance des images PL est alimenté et entrainé avec des images PL vérifiées de défauts susceptibles d’être présents sur et/ou dans une couche superficielle 11’’ : il peut ainsi apprendre à reconnaître chacun de ces défauts et à les classer dans des catégories prédéfinies (c’est-à-dire, les associer à des types de défauts labellisés), en prenant en compte des critères de taille, forme, contraste, etc. Un type labellisé de défaut correspond donc à un vrai défaut, dont la signature sur l’image PL se traduit par des critères (tels que précités) particuliers. Dans la condition (II), lorsque l’image PL associée au défaut analysé correspond à l’un des types labellisés de défauts, cela vient confirmer que l’on a à faire à un « vrai défaut » et le défaut est ainsi classé dans la deuxième catégorie ; par contre, lorsque l’image PL ne correspond à aucun des types labellisés de défauts et/ou que l’image PL ne montre aucun contraste particulier (pas de signal PL), le défaut est considéré comme un « faux défaut », et bascule dans la première catégorie. L’application des conditions précitées à des défauts détectés sur une structure composite 100 composée d’une couche superficielle 11’’ en m-SiC disposée sur un substrat receveur 20 en p-SiC va maintenant être illustrée. Le niveau bas et le niveau haut de similarité sont respectivement définis à 0,3 et 0,85 sur un équipement SICA88. La FIG. 5 illustre des défauts d’origine cristalline détectés sur et/ou dans la couche mince 10 et référencés [1], [2] et [3] : [1] Image DIC : Niveau de similarité supérieur au niveau haut => Défaut classé dans la deuxième catégorie ; [2] Image DIC : Niveau de similarité compris entre le niveau haut et le niveau bas => Défaut classé dans la deuxième catégorie car défaut labellisé détecté sur l’image PL ; [3] Image DIC : Niveau de similarité inférieur au niveau bas => Défaut secondaire classé dans la première catégorie. L’étape ii) de classification finale permet d’affiner la criticité des défauts, de type défaut d’origine cristalline, détectés. Ce sont essentiellement ces défauts d’origine cristalline qui vont être pris en compte à l’étape c) suivante du procédé, pour définir s’il y a un intérêt à sélectionner le substrat donneur 1 (dont est issue tout ou partie de la couche superficielle 11’’ de la structure composite 100), pour élaborer une plaquette donneuse 10. Ces défauts d’origine cristalline correspondent en général à des micro-trous (« micropipe ») ou à des inclusions. Ainsi, à l’étape b) de contrôle de la qualité de la structure composite 100, selon la première ou la deuxième variante, on obtient une densité de défauts de deuxième catégorie, densité globale (ensemble des défauts de deuxième catégorie) ou densité individuelle pour chacun des types de défauts entrant dans la deuxième catégorie. Le procédé selon l’invention comprend ensuite une étape c) de sélection ou de déclassement du substrat donneur 1 ayant fourni la couche mince 11 à la structure composite 100 contrôlée. Le substrat donneur 1 est sélectionné pour poursuivre les étapes du procédé si une densité globale de défauts classés dans la deuxième catégorie lors de l’étape b) est inférieure à une densité prédéterminée ou si les densités individuelles de défauts classés dans la deuxième catégorie lors de l’étape b) sont respectivement inférieures à des densités prédéterminées. A titre d’exemple, pour une structure composite 100 selon la première variante, le substrat donneur 1 sera sélectionné si la densité globale de défauts de deuxième catégorie détectés sur et/ou dans la couche superficielle 11’’ (par exemple en SiC) de la structure composite 100 associée est inférieure à 0,5 défaut/cm 2 , voire inférieure à 0,1 défaut/cm 2 . Également à titre d’exemple, pour une structure composite 100 selon la deuxième variante, le substrat donneur 1 sera sélectionné sur la base d’un ou plusieurs types de défauts entrant dans la deuxième catégorie, et si les densités individuelles de défauts de deuxième catégorie détectés sur la couche superficielle 11’’ de la structure composite sont inférieures aux spécifications ci-après : la densité de défauts d’origine cristalline (micro-trous, inclusions) entrant dans la deuxième catégorie est inférieure à 0,5 défaut/cm 2 , voire à 0,1 défaut/cm 2 et/ou la densité de défauts TED entrant dans la deuxième catégorie est inférieure à 8000 défauts/cm 2 , à 6000 défauts/cm 2 , à 4000 défauts/cm 2 , voire à 2000 défauts/cm 2 , et/ou la densité de défauts TSD entrant dans la deuxième catégorie est inférieure à 500 défauts/cm 2 , à 400 défauts/cm 2 , à 250 défauts/cm 2 , voire à 150 défauts/cm 2 , et/ou la densité de défauts BPD entrant dans la deuxième catégorie est inférieure à 3000 défauts/cm 2 , à 2500 défauts/cm 2 , à 1500 défauts/cm 2 , voire à 750 défauts/cm 2 . Si la densité globale ou les densités individuelles de défauts de deuxième catégorie, détectées sur et/ou dans la couche superficielle 11’’ de la structure composite 100, est(sont) supérieure(s) ou égales(s) à(aux) densité(s) prédéterminée(s), le substrat donneur 1 est déclassé (non sélectionné), c’est-à-dire qu’il ne sera pas utilisé dans les étapes ultérieures du procédé de fabrication selon l’invention. Le procédé selon l’invention comprend ensuite une étape d) d’assemblage du substrat donneur 1, sélectionné à l’étape c), sur un substrat support 30 , par collage, pour former une plaquette donneuse 10 ( FIG. 3 ). L’assemblage s’effectue avantageusement entre la face arrière 1b du substrat donneur 1 et une face avant 30a du substrat support 30, définissant une interface de collage 40. Tout type de collage connu peut être mis en œuvre : collage par adhésion moléculaire, collage via des couches polymères, collage par thermocompression, etc. Notons que plusieurs types de collage par adhésion moléculaire existent, qui diffèrent notamment par leurs conditions de température, de pression, d’atmosphère ou de traitements préalables à la mise en contact des surfaces. On peut citer le collage à température ambiante avec ou sans activation préalable par plasma des surfaces à assembler, le collage par diffusion atomique (« Atomic diffusion bonding » ou ADB selon la terminologie anglo-saxonne), le collage avec activation de surface (« Surface-activated bonding » ou SAB), etc. Comme cela est connu en soi, un collage par adhésion moléculaire requiert que les surfaces assemblées présentent une très faible rugosité et soient dépourvues de contaminants et particules. Des préparations de surface (gravure, polissage mécano-chimique...), des nettoyages (ozone, RCA, ...) et autres activations de surface (plasma O2, N2...) peuvent être appliquées aux faces à assembler 1b,30a de manière à favoriser la qualité et l’énergie de collage de l’interface 40. Une rugosité inférieure à 0,5 nm RMS est préférentiellement visée pour la face arrière 1b du substrat donneur 1 et pour la face avant 30a du substrat support 30. De manière optionnelle, une couche intercalaire 50 peut également être déposée sur l’une et/ou l’autre des faces 1b,30a, préalablement à l’assemblage. La couche intercalaire 50 est destinée à être enterrée dans la plaquette donneuse 10, entre le substrat donneur 1 et le substrat support 30 ( FIG. 1 (ii)). L’interface de collage 40 pourra être adjacente à ladite couche intercalaire 50 ou au sein de celle-ci. La couche intercalaire 50 est préférentiellement formée en un matériau semi-conducteur (par exemple Si) ou métallique (par exemple W, Ti). Son épaisseur peut varier entre quelques nm et plusieurs centaines de nm. Le substrat donneur 1, qui a déjà subi un ou plusieurs recyclages, est relativement fin ; le substrat support 30 est choisi de sorte que l’épaisseur totale de la plaquette donneuse 10 soit de l’ordre de 625μm pour un diamètre de 150mm, et de l’ordre de 725μm pour un diamètre de 200mm. Le substrat support 30 présente une épaisseur typique entre 300μm et 450μm. L’étape d) d’assemblage comprend avantageusement un traitement thermique, appliqué à la plaquette donneuse 10, pour consolider l’interface de collage 40. Par exemple, une structure donneuse 10 comprenant un substrat donneur 1 en m-SiC et un substrat support 30 en p-SiC peut être recuite à environ 1200°C pendant 30 min. Grâce à l’implémentation des étapes b) et c) du procédé, il est possible de sélectionner des substrats donneurs 1 recyclés dont la qualité est suffisante pour justifier la mise en œuvre d’étapes de fabrication d’une plaquette donneuse 10. Plusieurs couches minces 11 seront ensuite prélevées du substrat donneur 1 formant en partie cette plaquette donneuse 10, pour l’élaboration de structures composites 100 additionnelles. La probabilité de haute qualité de ces structures 100 est particulièrement élevée compte tenu de la sélection effectuée à l’étape c) du procédé. La demanderesse a constaté que le contrôle de la qualité du substrat donneur 1 recyclé par inspection directe de la surface libre dudit substrat 1 ne procurait pas des critères de sélection suffisamment fiables permettant d’anticiper la qualité de la couche superficielle 11’ d’une structure composite 100 élaborée à partir dudit substrat 1. Elle a en revanche montré que le contrôle de la qualité de la couche superficielle 11’’ d’une structure composite 100 (selon la première ou la deuxième variante), élaborée à partir du substrat donneur 1, permettait de sélectionner ou de déclasser efficacement le substrat donneur 1, avant d’engager des étapes relativement couteuses de fabrication d’une plaquette donneuse 10. Lorsque la plaquette donneuse 10 est réalisée, les étapes e) à g) ci-après, sont opérées d’une part, pour prélever une couche mince 11 de ladite plaquette 10 et la transférer dans une nouvelle structure composite 100, et d’autre part, pour recycler le reste 10’ de plaquette donneuse en nouvelle plaquette donneuse 10 : e) Implantation d’espèces légères dans la plaquette donneuse 1 issue de l’étape d), pour former un plan fragile enterré 2 délimitant, avec une face avant 1a du substrat donneur 1, une couche mince 11 à transférer ( FIG. 4 (i)) ; f) Assemblage par collage par adhésion moléculaire d’un substrat receveur 20 avec la plaquette donneuse 10 implantée à l’étape e), le long d’une interface de collage 4 ( FIG. 4 (ii)) ; notons que l’une et/ou l’autre des faces assemblées pourront comporter une couche intermédiaire pour faciliter le collage ou favoriser la conduction électrique ou thermique verticale. g) Séparation le long du plan fragile enterré 2 pour former une structure composite 100 comprenant la couche mince 11 après transfert et le substrat receveur 20, d’une part, et le reste 10’ de la plaquette donneuse, d’autre part ( FIG. 4 (iii)) ; h) Application de traitements thermique(s), mécanique(s) et/ou chimique(s) à une surface libre 10’a du reste 10’ de la plaquette donneuse, du côté du substrat donneur 1, pour former une nouvelle plaquette donneuse 10. Le recyclage du reste 10’ de plaquette donneuse requiert le même type d’étapes que celles énoncées pour le recyclage du substrat donneur 1, à savoir rectification et/ou polissage des bords pour éliminer la couronne non transférée, polissage mécano-chimique pleine plaque (enlèvement compris typiquement entre 3μm et 8μm), nettoyage et/ou autres préparations de surface, en vue d’éliminer une couche de surface perturbée, résidu du plan fragile enterré 2, et de réduire la rugosité de surface, pour la réutilisation de la plaquette donneuse 10. La rugosité visée est inférieure à 0,5nm RMS, voire de l’ordre de 0,1nm RMS. Bien sûr, des traitements thermique(s), mécanique(s) et/ou chimique(s) peuvent également être appliqués à la surface libre de la couche mince 11 transférée, afin de poursuivre les étapes classiques et déjà évoquées de fabrication de la structure composite 100 et des composants électroniques. La plaquette donneuse 10 peut être utilisée pour le prélèvement d’une couche mince 11 puis être recyclée, plus de 10 fois, 20 fois, 30 fois, 50 fois, voire même 70 fois, ce qui permet de maximiser l’utilisation de la matière monocristalline de haute qualité du substrat donneur 1 formant en partie la plaquette donneuse 10. L’invention concerne en particulier une plaquette donneuse 10 comprenant un substrat donneur 1 en carbure de silicium monocristallin, présentant une épaisseur comprise entre 100μm et 300μm, disposé sur un substrat support 30, et caractérisée en ce qu’une face libre du substrat donneur 1 présente moins de 0,5 défaut/cm 2 de type micro-trou ou inclusions (défauts d’origine cristalline). Selon l’invention, ces défauts sont détectés par inspection de la couche superficielle 11’’ d’une structure composite 100, ladite couche superficielle 11’’ étant issue d’un transfert de couche mince depuis le substrat donneur 1, avant que ce dernier n’ait été sélectionné pour l’élaboration de la plaquette donneuse 10. Bien entendu, l’invention n’est pas limitée aux modes de réalisation et aux exemples décrits, et on peut y apporter des variantes de réalisation sans sortir du cadre de l’invention tel que défini par les revendications Procédé de fabrication d’une plaquette donneuse (10) comprenant les étapes suivantes : a) la fourniture d’un substrat donneur (1) en un matériau monocristallin, ledit substrat donneur (1) ayant été recyclé au moins une fois, après un transfert d’une couche mince (11) dudit substrat donneur (1), sur un substrat receveur (20) de manière à former une structure composite (100), ladite structure composite (100) comprenant une couche superficielle (11’’) formée en tout ou partie par la couche mince (11) et disposée sur le substrat receveur (20), b) le contrôle de la qualité de la structure composite (100), par inspection d’une surface libre (11a,11’a) de la couche superficielle (11’’), pour détecter des défauts présents sur et/ou dans la couche superficielle (11’’), lesdits défauts étant ensuite classés dans une première catégorie, considérée non critique, ou dans une deuxième catégorie, considérée critique, c) la sélection du substrat donneur (1) si une densité de défauts classés dans la deuxième catégorie lors de l’étape b) est inférieure à une densité prédéterminée, d) l’assemblage du substrat donneur (1) sélectionné à l’étape c) sur un substrat support (30), par collage, pour former la plaquette donneuse (10). Procédé de fabrication d’une plaquette donneuse (10) selon la revendication précédente, dans lequel, à l’étape b), l’inspection de la surface libre (11a,11’a) est faite par une technique couplant microscopie confocale en lumière visible et imagerie par photoluminescence. Procédé de fabrication d’une plaquette donneuse (10) selon l’une des revendications 1 et 2, dans lequel la surface libre (11a) inspectée est celle de la couche mince (11) après qu’elle ait subi des étapes de finition. Procédé de fabrication d’une plaquette donneuse (10) selon l’une des revendications 1 et 2, dans lequel la couche superficielle (11’’) de la structure composite (100) contrôlée à l’étape b) comprend la couche mince (11) issue du substrat donneur (1) et une couche épitaxiée (11’) crue sur la couche mince (11) et présentant une épaisseur supérieure ou égale à 1 μm, la surface libre (11’a) inspectée étant celle de la couche épitaxiée (11’). Procédé de fabrication d’une plaquette donneuse (10) selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel la deuxième catégorie de défauts comprend des défauts d’origine cristalline de type micro-trou et/ou inclusion, et la densité prédéterminée est 0,5 défaut/cm 2 . Procédé de fabrication d’une plaquette donneuse (10) selon la revendication 4, dans lequel la deuxième catégorie de défauts comprend des dislocations coin, des dislocations vis et des dislocations de plan basal, et une densité prédéterminée est définie pour chacun de ces défauts. Procédé de fabrication d’une plaquette donneuse (10) selon la revendication 5, dans lequel l’étape b) comprend : i) la classification préliminaire des défauts détectés, par similarité, sur la base de leur image par microscopie en lumière visible, grâce à un algorithme de reconnaissance d’images, alimenté avec différentes sortes de défauts dont des défauts d’origine cristalline, susceptibles d’être présents sur et/ou dans une couche mince transférée, ii) la classification finale des défauts par application des conditions suivantes : > si un défaut détecté est classé comme un défaut d’origine cristalline à l’étape i) avec un niveau de similarité supérieur à un niveau haut, ledit défaut est définitivement classé dans la deuxième catégorie, > si un défaut détecté est classé comme un défaut d’origine cristalline à l’étape i) avec un niveau de similarité compris entre un niveau bas et le niveau haut, une image par photoluminescence dudit défaut est analysée par un algorithme de reconnaissance d’images entrainé sur différents types labellisés de défauts; si le défaut observé sur l’image par photoluminescence est associé à un type labellisé de défaut, le défaut détecté est définitivement classé dans la deuxième catégorie, > dans les autres cas, le défaut détecté, classé comme un défaut d’origine cristalline à l’étape i), est définitivement classé dans la première catégorie. Procédé de fabrication d’une plaquette donneuse (10) selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel le substrat donneur (1) fourni à l’étape a) a été recyclé cinq fois, dix fois, voire quinze fois, et a donné lieu, respectivement, à cinq, dix, voire quinze couches minces transférées. Procédé de fabrication d’une plaquette donneuse (10) selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel le matériau monocristallin constituant le substrat donneur (1) est le carbure de silicium, le nitrure de gallium ou le diamant. Procédé de fabrication d’une plaquette donneuse (10) selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel le substrat support (30) de la plaquette donneuse (10) est constitué de silicium, de carbure de silicium ou autre, de structure monocristalline ou polycristalline. Procédé de fabrication d’une plaquette donneuse (10) selon l’une des revendications 1 à 10, dans lequel l’étape d) d’assemblage fait intervenir une couche intercalaire (50), disposée entre le substrat donneur (1) et le substrat support (30). Procédé de fabrication d’une plaquette donneuse (10) selon la revendication 11, dans lequel, la couche intercalaire (50) est formée en un matériau semi-conducteur ou métallique. Procédé de fabrication d’une plaquette donneuse (10) selon l’une des revendications 1 à12, comprenant en outre les étapes suivantes : e) l’implantation d’espèces légères dans la plaquette donneuse (1) issue de l’étape d), pour former un plan fragile enterré (2) délimitant, avec une face avant (1a) du substrat donneur (1), une couche mince (11) à transférer ; f) l’assemblage d’un substrat receveur (20) avec la plaquette donneuse (10) implantée à l’étape e) ; g) la séparation le long du plan fragile enterré (2) pour former une structure composite (100) comprenant la couche mince (11) après transfert et le substrat receveur (20), d’une part, et le reste (10’) de la plaquette donneuse, d’autre part ; h) l’application de traitements thermique(s), mécanique(s) et/ou chimique(s) à une surface libre (10’a) du reste (10’) de la plaquette donneuse, du côté du substrat donneur (1), pour former une nouvelle plaquette donneuse (10). Plaquette donneuse (10) élaborée par un procédé de fabrication conforme à l’une des revendications précédentes, comprenant un substrat donneur (1) en carbure de silicium monocristallin, présentant une épaisseur comprise entre 100μm et 300μm, disposé sur un substrat support (30), et caractérisée en ce qu’une face libre du substrat donneur (1) présente moins de 0,5 défaut/cm 2 de type micro-trou ou inclusion.