Brevet FR3156592A1 — publié le 20250613

Photodétecteur à semiconducteur La présente description concerne un photodétecteur à semiconducteur (200) comprenant : - une région active (210) en un matériau semiconducteur dopé d’un premier type de conductivité, ladite région active étant adaptée à convertir un rayonnement lumineux en porteurs de charge et à stocker lesdits porteurs de charge ; - au moins un élément de répulsion (230) adapté à repousser des porteurs de charge stockés dans la région active, ledit élément de répulsion étant positionné au sein de la région active. Figure pour l'abrégé : Fig. 2 Photodétecteur à semiconducteur La présente description concerne de façon générale les composants électroniques et plus précisément les photodétecteurs à semiconducteur. La présente description concerne par exemple les photodiodes, les photodiodes pincées verticales ("pinned photodiode" en anglais), ou les photogrilles verticales ("photogate" en anglais). La présente description concerne également les dispositifs électroniques, tels que des capteurs d’image, comportant des photodétecteurs. Un capteur d'images peut comprendre plusieurs pixels organisés en réseau, par exemple en matrice, chaque pixel comprenant un (ou plusieurs) photodétecteur(s) adapté(s) à capter des rayonnements lumineux (photons) et à les convertir en des porteurs de charge, c’est-à-dire des électrons et/ou des trous. On peut ainsi parler de photoconversion, ou de conversion photoélectrique. Les porteurs de charge générés peuvent être transférés dans un (ou plusieurs) circuit(s), tel qu’un circuit de lecture, adapté à les convertir en signaux électriques. Le réseau de pixels est généralement associé à de différents circuits de commande, de lecture, d'alimentation, etc. Plusieurs photodétecteurs peuvent être intégrés dans et sur une même couche semiconductrice, par exemple une couche de silicium. Les photodétecteurs peuvent être isolés entre eux par des isolants, par exemple des tranchées isolantes qui s’étendent dans toute ou partie de l’épaisseur de la couche semiconductrice. A titre d'exemple, chaque photodétecteur comprend une région photosensible intégrée dans la couche semiconductrice, qui peut être désignée par le terme de "zone active" ou "région active". Cette région active correspond à une région dans laquelle les porteurs de charge sont générés par conversion des rayonnements lumineux, et stockés. La région active peut être une région d’appauvrissement, ou de déplétion (de l’anglais "depletion"), de la couche semiconductrice, qui peut être désignée par le terme de caisson (de l’anglais "well"). Un photodétecteur peut être une photodiode, qui est un composant semiconducteur présentant une jonction PN, généralement formée par une jonction entre une région semiconductrice de type N et une région semiconductrice de type P. En fonctionnement, la photodiode est en mode polarisation inverse. Lorsque la photodiode polarisée en inverse est exposée à des photons, des paires électron-trou peuvent être générées autour de la jonction PN de la photodiode. En particulier, la photodiode peut être une photodiode pincée ("pinned photodiode" en anglais). Une photodiode pincée peut être définie comme une photodiode dans laquelle la région active comprend une région semiconductrice de type N, respectivement de type P, entourée d’une ou plusieurs régions semiconductrices de type P, respectivement de type N. Dans ce type de photodiode, la région active de type N est généralement entièrement déplétée par des régions semiconductrices fortement dopées P. Ainsi les électrons générés par conversion des rayonnements lumineux se retrouvent stockés dans la région active de type N déplétée tandis que les trous sont évacués dans les régions semiconductrices fortement dopées P. Dans le cas d’une région active de type P, déplétées par des régions semiconductrices fortement dopées N, les trous sont stockés dans la région active, tandis que les électrons sont évacués dans les régions semiconductrices fortement dopées N. Un photodétecteur peut être une photogrille ("photogate" en anglais). Une photogrille peut être définie comme un photodétecteur dans lequel la région active comprend une région semiconductrice de type N et/ou une région semiconductrice de type P, en contact avec une région de tranchée du type métal-oxyde-semiconducteur (MOS) formant une grille de polarisation. Par exemple, dans le cas d’une région active dopée N, la grille est polarisée négativement afin que la région active soit déplétée dans son volume pour pouvoir stocker les électrons, tandis que la surface en contact avec l’oxyde de grille est en inversion afin d’évacuer les trous photogénérés. Il peut être recherché l’amélioration des performances des photodétecteurs, par exemple l’amélioration du ratio signal sur bruit (SNR, de l’anglais "signal noise ratio"), l’augmentation de la plage dynamique (DR, de l’anglais Dynamic Range), et/ou la diminution du courant d’obscurité (en anglais "dark current"), par exemple en augmentant la capacité de stockage des porteurs de charge dans la région active du photodétecteur, ce qui peut être désigné en anglais par le terme de "full well capacity", ou FWC. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des photodétecteurs connus. Un mode de réalisation prévoit un photodétecteur à semiconducteur comprenant : - une région active en un matériau semiconducteur dopé d’un premier type de conductivité, ladite région active étant adaptée à convertir un rayonnement lumineux en porteurs de charge et à stocker lesdits porteurs de charge ; et - au moins un élément de répulsion adapté à repousser des porteurs de charge stockés dans la région active, ledit élément de répulsion étant positionné au sein de la région active. Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d’un photodétecteur à semiconducteur, le procédé comprenant : - former une région active en un matériau semiconducteur dopé d’un premier type de conductivité, ladite région active étant adaptée à convertir un rayonnement lumineux en porteurs de charge et à stocker lesdits porteurs de charge ; et - former au moins un élément de répulsion adapté à repousser des porteurs de charge stockés dans la région active, ledit élément de répulsion étant formé au sein de la région active. Selon un mode de réalisation, le au moins un élément de répulsion est agencé dans la région active de telle sorte qu’il ne divise pas ladite région active en plusieurs volumes distincts. Selon un mode de réalisation, le au moins un élément de répulsion est entouré par la région active dans au moins un plan. Selon un mode de réalisation, le au moins un élément de répulsion comprend plusieurs éléments de répulsion, par exemple plusieurs éléments de répulsion régulièrement répartis dans la région active, par exemple plusieurs éléments de répulsion sensiblement équidistants l’un par rapport à l’autre. Selon un mode de réalisation, le au moins un élément de répulsion est orienté dans une direction longitudinale du photodétecteur. Selon un mode de réalisation, le au moins un élément de répulsion est orienté dans une direction transversale du photodétecteur. Selon un mode de réalisation, le au moins un élément de répulsion présente la forme d’un pilier continu, par exemple un pilier de section polygonale, rectangulaire, carrée, ovale ou circulaire. Selon un mode de réalisation, le au moins un élément de répulsion comprend plusieurs points d’implant séparés entre eux par des portions de la région active, formant par exemple un pilier discontinu. Selon un mode de réalisation, le au moins un élément de répulsion s’étend depuis une première face de la région active jusqu’à une distance non nulle d’une deuxième face de la région active opposée à la première face, une portion de la région active située entre ledit au moins un élément de répulsion et ladite deuxième face étant par exemple fortement dopée du premier type de conductivité. Selon un mode de réalisation, le au moins un élément de répulsion comprend, par exemple est, une tranchée profonde capacitive interne, de préférence adaptée à être polarisée de façon à repousser les porteurs de charge stockés. Selon un mode de réalisation, le au moins un élément de répulsion comprend, par exemple est, une région d’implant dopée du deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité. Selon un mode de réalisation, le photodétecteur comprend en outre une tranchée isolante latérale configurée pour isoler latéralement ledit photodétecteur, par exemple d’autres photodétecteurs. Selon un mode de réalisation, la tranchée isolante contient un élément conducteur ou semiconducteur, la tranchée isolante et l’élément conducteur ou semiconducteur formant une tranchée profonde capacitive latérale. Selon un mode de réalisation, le photodétecteur comprend en outre une région d’implant latérale entre la tranchée isolante latérale et la région active, la région d’implant latérale étant dopée du deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité. Selon un mode de réalisation, la région active présente un dopage non homogène, par exemple dans une ou plusieurs directions transversales du photodétecteur. Un mode de réalisation prévoit un capteur d’image comprenant plusieurs pixels, chaque pixel comprenant au moins un photodétecteur tel que décrit précédemment. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 représente, par une vue simplifiée en perspective, un exemple de photodétecteur ; la FIG. 1 représente, par une vue simplifiée en perspective, un exemple de pixel à photodétecteurs ; la FIG. 2 représente, par une vue en perspective, un photodétecteur selon un mode de réalisation ; la FIG. 3 représente, par une vue de dessus en coupe, un photodétecteur selon un autre mode de réalisation ; la FIG. 3 représente, par une vue en coupe transversale, le photodétecteur de la FIG. 3 ; la FIG. 4 représente, par une vue de dessus en coupe, un photodétecteur selon un encore autre mode de réalisation ; la FIG. 4 représente, par une vue en coupe transversale, le photodétecteur de la FIG. 4 ; la FIG. 5 représente, par une vue de dessus en coupe, un photodétecteur selon un encore autre mode de réalisation ; la FIG. 5 représente, par une vue en coupe transversale, le photodétecteur de la FIG. 5 ; la FIG. 6 représente, par une vue de dessus en coupe, un photodétecteur selon un encore autre mode de réalisation ; la FIG. 6 représente, par une vue en coupe transversale, le photodétecteur de la FIG. 6 ; la FIG. 7 représente, par une vue de dessus en coupe, un photodétecteur selon un encore autre mode de réalisation ; la FIG. 7 représente, par une vue en coupe transversale, le photodétecteur de la FIG. 7 ; La FIG. 8 représente, par une vue de dessus en coupe, un photodétecteur selon un encore autre mode de réalisation ; la FIG. 8 représente, par une vue en coupe transversale, le photodétecteur de la FIG. 8 ; la FIG. 9 représente, par une vue de dessus en coupe, un photodétecteur selon un encore autre mode de réalisation ; la FIG. 9 représente, par une vue en coupe transversale, le photodétecteur de la FIG. 9 ; la FIG. 10 représente, par une vue de dessus en coupe, un photodétecteur selon un encore autre mode de réalisation ; la FIG. 10 représente, par une vue en coupe transversale, le photodétecteur de la FIG. 10 ; la FIG. 11 , la FIG. 11 , la FIG. 11 , la FIG. 11 et la FIG. 11 représentent, par des vues de dessus en coupe, des photodétecteurs selon d’autres modes de réalisation ; la FIG. 12 , la FIG. 12 , la FIG. 12 , la FIG. 12 , la FIG. 12 , la FIG. 12 et la FIG. 12 représentent, par des vues en coupe transversale, des étapes d’un exemple de procédé de fabrication d’un photodétecteur selon un mode de réalisation ; la FIG. 13 , la FIG. 13 , la FIG. 13 , la FIG. 13 et la FIG. 13 représentent, par des vues en coupe transversale, des étapes d’un autre exemple de procédé de fabrication d’un photodétecteur selon un autre mode de réalisation ; et la FIG. 14 , la FIG. 14 , la FIG. 14 , la FIG. 14 et la FIG. 14 montrent des courbes représentant différentes caractéristiques de pixels à photodétecteurs selon des modes de réalisation en comparaison avec des pixels à photodétecteurs à subdivisions du type de la FIG. 1 . De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, tous les circuits d’un photodétecteur, par exemple une mémoire et/ou un circuit de lecture, ne sont pas détaillés, les modes de réalisation étant compatibles avec tous ou la plupart des circuits de photodétecteurs, moyennant éventuellement des adaptations à la portée de la personne du métier à la lecture de la présente description. De plus, on a représenté principalement un photodétecteur, sachant que ce photodétecteur peut être intégré dans un dispositif électronique, par exemple dans un pixel de capteur d’images, et un pixel peut comprendre un ou plusieurs photodétecteurs. En outre, toutes les applications des photodétecteurs ne sont pas détaillées. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures ou à un photodétecteur dans une position normale d'utilisation. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Dans la description qui suit, une hauteur ou une profondeur correspond à une dimension prise dans la direction Z, correspondant à la direction longitudinale ou latérale du photodétecteur, qui peut être une direction verticale, une longueur correspond à une dimension prise dans la direction Y, correspondant à une première direction transversale du photodétecteur, qui peut être une première direction horizontale, et une largeur correspond à une dimension prise dans la direction X, perpendiculaire à la direction Y, correspondant à une deuxième direction transversale du photodétecteur, qui peut être une deuxième direction horizontale. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à une région, il est fait référence sauf précision contraire à une région semiconductrice. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à une charge, il est fait référence sauf précision contraire à un porteur de charge, c’est-à-dire un électron ou un trou. Dans la description qui suit, l’expression "région active" d’un photodétecteur, désigne une région depuis laquelle est captée la majorité du rayonnement lumineux reçu par le photodétecteur et/ou une région depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement lumineux fourni par le photodétecteur. Dans les exemples donnés ci-après, il est considéré que le premier type de conductivité est de type N et que le deuxième type de conductivité est de type P, mais les exemples peuvent s’appliquer également si les types de conductivité sont inversés, c'est-à-dire que le premier type de conductivité est de type P et que le deuxième type de conductivité est de type N avec, par exemple, des inversions appropriées de tensions appliquées aux CDTI. La présente description concerne les photodétecteurs. On s’intéresse en particulier aux photodiodes, par exemple aux photodiodes pincées, et aux photogrilles (photogate), notamment aux photodiodes pincées verticales et aux photogrilles verticales. La FIG. 1 représente, par une vue simplifiée en perspective, un exemple de photodétecteur 110, qui peut être une photogrille (photogate) d’un pixel. Dans cet exemple, le photodétecteur 110 comprend une région active 111 dopée N, entourée d’une tranchée profonde capacitive 112 (CDTI, de l’anglais "capacitive deep trench isolation"). La tranchée profonde capacitive est typiquement une tranchée isolante remplie d’un élément conducteur ou semiconducteur, tel que du métal ou du polysilicium, qui peut être polarisé, formant ainsi une grille de polarisation. La tranchée profonde capacitive 112 permet également d’isoler le photodétecteur, par exemple d’autres photodétecteurs. La région active 111 peut correspondre à une région d’une couche semiconductrice (non représentée), par exemple de silicium. Avec une région active dopée N, la polarisation appliquée à la CDTI est de préférence négative afin de dépléter la région active. Pour améliorer des performances d’un tel photodétecteur, par exemple l’amélioration du ratio signal sur bruit (SNR), l’augmentation de la plage dynamique (DR), et/ou la diminution du courant d’obscurité (dark noise), on peut chercher à augmenter la capacité de stockage des porteurs de charge dans la région active du photodétecteur, ce qui peut être désigné en anglais par le terme de "full well capacity", ou FWC. Une solution connue pour augmenter la capacité de stockage (FWC) consiste à augmenter le dopage dans la région active. Un problème à augmenter le dopage est que cela conduit à réduire l’effet de déplétion et nécessite donc d’augmenter la polarisation de la tranchée profonde capacitive pour pouvoir appauvrir la région active, causant par exemple une augmentation de la consommation d’un capteur d’images comprenant ces photodétecteurs. On peut chercher alors à réduire la taille du photodétecteur, en même temps qu’on augmente le dopage, pour diminuer la polarisation de la CDTI, et augmenter la résolution du photodétecteur, mais cela réduit alors la capacité de stockage. On parle généralement de réduction de taille de pixel. Une solution pour augmenter les performances du photodétecteur peut alors consister à diviser le pixel en plusieurs sous-pixels, chaque sous-pixel correspondant à un photodétecteur ayant une région active entourée par une tranchée profonde capacitive, puis de regrouper les charges de plusieurs sous-pixels adjacents. Cette technique est connue sous le terme de regroupement de pixels ("pixel binning" ou "binning" en anglais), qui peut être définie comme étant une technique de combinaison des charges de pixels adjacents, par exemple en additionnant ou en faisant la moyenne de ces charges, grâce à de multiples lectures de pixels. La FIG. 1 représente, par une vue simplifiée en perspective, un exemple de pixel à photodétecteurs 120. La FIG. 1 illustre la solution décrite ci-dessus. Le pixel à photodétecteurs 120 comprend dans cet exemple quatre régions actives 121A, 121B, 121C, 121D entourées chacune par une CDTI 122A, 122B, 122C, 122D. Par exemple, chaque région active entourée d’un CDTI forme un photodétecteur 120A, 120B, 120C, 120D, ou sous-pixel. Cette solution permet d’améliorer la capacité de stockage des porteurs de charge du pixel équivalent, correspondant aux sous-pixels adjacents regroupés, sans avoir à augmenter la polarisation des CDTI, mais ceci est réalisé au prix d’une technologie plus complexe, notamment en alimentation des CDTI, ainsi qu’en lecture et traitement des signaux. Par exemple, si le pixel équivalent correspond à n sous-pixels adjacents, il faut lire et traiter n signaux au lieu d’un seul si le pixel n’avait pas été divisé. En outre, cela a pour conséquence de réduire l’évolution du ratio signal sur bruit qui évolue comme la racine carrée du nombre de sous-pixels. Il existe un besoin d’augmenter la capacité de stockage des porteurs de charge d’un photodétecteur, et ce, sans avoir à augmenter la polarisation de la région active, et/ou sans avoir à augmenter le nombre de lecture des charges. Les inventeurs proposent des photodétecteurs permettant de répondre aux besoins d'amélioration décrits précédemment, et de pallier tout ou partie des inconvénients des photodétecteurs décrits précédemment. Des modes de réalisation de photodétecteurs vont être décrits ci-après. Les modes de réalisation décrits sont non limitatifs et diverses variantes apparaîtront à la personne du métier à partir des indications de la présente description. La FIG. 2 représente, par une vue en perspective, un photodétecteur 200 selon un mode de réalisation. Le photodétecteur 200 comprend, similairement au photodétecteur 110 de la FIG. 1 , une région active 210 de type N, par exemple dopée N, entourée d’une tranchée profonde capacitive (CDTI) latérale 220, ou CDTI externe, mais elle s’en distingue principalement en ce qu’elle comprend en outre un élément de répulsion 230 des charges stockées dans la région active 210, cet élément de répulsion étant positionné au sein de la région active 210. Dans l’exemple représenté, l’élément de répulsion 230 est disposé sensiblement au centre de la région active, où le contrôle électrostatique par la CDTI externe est généralement le plus faible, mais des variantes sont possibles. Dans le cas d’une région active dopée N, l’élément de répulsion est un élément de répulsion des électrons photogénérés et stockés dans la région active. Dans le cas d’une région active dopée P, l’élément de répulsion est un élément de répulsion des trous photogénérés et stockés dans la région active. Cet élément est défini comme étant un élément de répulsion dans la mesure où il permet d’améliorer la déplétion de la région active et de repousser un type de porteur de charge photogénéré vers la région active. La région active 210 est par exemple une portion dopée N d’une couche de silicium (Si), par exemple une couche de silicium épitaxiée. Dans l’exemple de la FIG. 2 , la tranchée profonde capacitive latérale 220 forme une couronne de section carrée autour de la région active 210 qui est parallélépipédique, mais d’autres formes et configurations apparaitront à la personne du métier. Par exemple, il pourrait y avoir plusieurs CDTI externes. Comme on peut le voir plus en détails dans la FIG. 3 par exemple, la tranchée profonde capacitive latérale 220 comprend une tranchée isolante 221, par exemple en dioxyde de silicium (SiO 2 ), remplie d’un élément conducteur ou semiconducteur 222, tel que du métal ou du polysilicium, qui peut être polarisé, formant ainsi une grille de polarisation. La tranchée profonde capacitive 220 latérale peut également isoler latéralement le photodétecteur, par exemple d’autres photodétecteurs, notamment par la présence de la tranchée isolante 221. La tranchée profonde capacitive est dite latérale dans la mesure où elle s’étend dans une direction sensiblement parallèle à la direction longitudinale du photodétecteur, au niveau des bords latéraux du photodétecteur. Avec une région active dopée N, la polarisation appliquée à la CDTI latérale 220 est de préférence négative. En variante, si la région active était dopée P, la polarisation appliquée à la CDTI latérale serait de préférence positive. Dans l’exemple de la FIG. 2 , l’élément de répulsion 230 est représenté sous la forme d’une région d’implant dopée P, par exemple fortement dopée P, qui a la forme d’un pilier de section sensiblement carrée. D’autres sections de pilier peuvent être envisagées pour la région d’implant, par exemple une section rectangulaire ou une autre section polygonale, une section ovale, une section circulaire, voire d’autres formes qu’un pilier. La région d’implant dopée P peut être en silicium, par exemple correspondre à une portion dopée P d’une couche de silicium (Si) dans laquelle est formée la région active 210. La région d’implant peut être polarisée pour contrôler son potentiel, ou reliée à un potentiel flottant, par exemple si elle est fortement dopée, notamment dans le cas de points d'implant comme décrit plus après dans un autre mode de réalisation. En variante, au lieu d’une région d’implant, l’élément de répulsion 230 peut être une tranchée profonde capacitive (CDTI) interne insérée au sein de la région active 210, par exemple disposée sensiblement au centre de la région active. Dans l’exemple de la FIG. 2 , l’élément de répulsion 230 s’étend dans la direction Z, qui est ici une direction verticale. Comme décrit plus après dans un autre mode de réalisation, on peut avoir un ou plusieurs éléments de répulsion dans une autre direction, par exemple une direction horizontale. L’élément de répulsion ne divise pas le photodétecteur en plusieurs volumes distincts, ou plusieurs photodétecteurs plus petits, à la différence du pixel à photodétecteurs de la FIG. 1 . Par exemple, l’élément de répulsion vient en contact avec les faces supérieure et inférieure de la région active sur une portion de la largeur ou de la longueur de la région active, mais pas sur toute la largeur ou la longueur de la région active. Par exemple, l’élément de répulsion ne vient pas en contact avec l’une ou l’autre des faces supérieure et inférieure de la région active. Par exemple, l’élément de répulsion est entouré par la région active dans un plan, par exemple un plan XY dans l’exemple représenté, mais ce peut être un autre plan, par exemple un plan YZ dans le mode de réalisation des figures 10A et 10B. En d’autres termes, dans les vues en coupe parallèle à ce plan, on voit que l’élément de répulsion est entouré par la région active. En étant positionné au sein de la région active qui est de type N (premier type de conductivité), et en étant dopé P (deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité) dans le cas d’une région d’implant, ou par exemple polarisé négativement dans le cas d’un CDTI interne, l’élément de répulsion permet d’appauvrir localement la région active, typiquement à la jonction entre la région active et l’élément de répulsion, dans l’objectif d’éviter la présence de régions neutres dans la région active. Par exemple, l’élément de répulsion complète le CDTI latéral 220, permettant ainsi de ne pas avoir à appliquer une polarisation trop élevée dans ce CDTI latéral, même lorsque la région active 210 est fortement dopée. Cela évite en outre d’augmenter le nombre de lectures des charges de pixels ou sous-pixels, puisqu’on n’applique pas la technique de binning. En effet, l’élément de répulsion ne divise pas le photodétecteur en plusieurs photodétecteurs plus petits, comme indiqué ci-dessus. La FIG. 2 représente un seul élément de répulsion, mais le photodétecteur peut avantageusement comprendre plusieurs éléments de répulsion au sein de la région active, comme ceci est décrit dans les modes de réalisation qui suivent. Les éléments de répulsion sont agencés de sorte qu’ils ne divisent pas le photodétecteur en plusieurs volumes distincts, ou sous-éléments de photodétecteur. Par exemple, chaque élément de répulsion est entouré par la région active dans au moins un plan. La FIG. 3 représente, par une vue de dessus en coupe, un photodétecteur 300 selon un autre mode de réalisation. La FIG. 3 représente, par une vue en coupe transversale, le photodétecteur de la FIG. 3 . La vue en coupe de la FIG. 3 est réalisée selon le plan de coupe AA de la FIG. 3 . La vue en coupe de la FIG. 3 est réalisée selon le plan de coupe BB de la FIG. 3 . Le photodétecteur 300 comprend, similairement au photodétecteur 200 de la FIG. 2 , une région active 210 de type N, par exemple dopée N, entourée d’une tranchée profonde capacitive latérale 220 (ou CDTI externe), mais elle s’en distingue principalement en ce que, au lieu d’avoir un seul élément de répulsion, elle comprend plusieurs éléments de répulsion 330, quatre dans l’exemple, au sein de la région active 210. En outre, chaque élément de répulsion 330 est sous la forme d’une tranchée profonde capacitive (CDTI) interne. Le fait d’avoir des tranchées profondes capacitives comme éléments de répulsion permet un meilleur contrôle électrostatique par rapport à des régions d’implant. Il peut en outre être possible de réutiliser des masques servant à former la tranchée profonde capacitive latérale 220. Chaque tranchée profonde capacitive interne 330 comprend une tranchée isolante 331, par exemple en SiO 2 , remplie d’un élément conducteur ou semiconducteur 332, tel que du métal ou du polysilicium, qui peut être polarisé, formant ainsi une grille de polarisation. Avec une région active dopée N, la polarisation appliquée à chaque CDTI interne est de préférence négative. En variante, si la région active était dopée P, la polarisation appliquée à chaque CDTI interne serait de préférence positive. Dans l’exemple des figures 3A et 3B, les tranchées profondes capacitives internes 330 sont sensiblement régulièrement reparties au sein de la région active 210, mais d’autres configurations apparaitront à la personne du métier. Dans l’exemple des figures 3A et 3B, chaque tranchée profonde capacitive interne 330 est représentée sous la forme d’un pilier de section sensiblement carrée. D’autres sections de pilier peuvent être envisagées, par exemple une section rectangulaire ou une autre section polygonale, une section ovale, une section circulaire, voire d’autres formes qu’un pilier. Le photodétecteur 300 comprend en outre une région dopée P 301 au niveau de la face supérieure 210A de la région active 210, ainsi que des grilles d’extraction 302 (ou grilles de transfert) traversant la région dopée P 301. Un canal conducteur de type N peut se former dans une portion de la région dopée P 301 lorsque les grilles d’extraction 302 sont polarisées, pour extraire les charges. La face inférieure 210B de la région active est isolée par une région isolante 303 (Ox), par exemple une couche en SiO 2 . La FIG. 4 représente, par une vue de dessus en coupe, un photodétecteur 400 selon un encore autre mode de réalisation. La FIG. 4 représente, par une vue en coupe transversale, le photodétecteur de la FIG. 4 . La vue en coupe de la FIG. 4 est réalisée selon le plan de coupe AA de la FIG. 4 . La vue en coupe de la FIG. 4 est réalisée selon le plan de coupe BB de la FIG. 4 . Le photodétecteur 400 comprend, similairement au photodétecteur 300 des figures 3A et 3B, une région active 410 de type N, par exemple dopée N, entourée d’une tranchée profonde capacitive latérale 220, une région dopée P 301 au niveau de la face supérieure 410A de la région active 410, des grilles d’extraction 302, et une région isolante 303 (Ox) à la face inférieure 410B de la région active 410, mais elle s’en distingue principalement en ce que les éléments de répulsion 430 sont des régions d’implant dopées P, par exemple fortement dopées P (P+), sous la forme de piliers (piliers d’implant). Les caractéristiques de la région d’implant décrites en relation avec la FIG. 2 , ainsi que les variantes, peuvent s’appliquer aux éléments de répulsion 430 des figures 4A et 4B. Dans l’exemple des figures 4A et 4B, les piliers d’implant 430 s’étendent dans la direction verticale Z depuis la face inférieure 410B (première face) de la région active 410, et plus précisément depuis une région fortement dopée P 404 (P+) localisée au niveau de la face inférieure 410B de la région active 410 sur la région isolante 303, mais ils ne s’étendent pas jusqu’à la face supérieure 410A (deuxième face) de la région active 410. La région fortement dopée P 404 permet de relier les régions d’implant 430 entre eux, par exemple de manière équipotentielle. Le fait que les piliers d’implant 430 n’atteignent pas la face supérieure de la région active, plus généralement que les régions d’implants ou les éléments répulsifs n’atteignent pas une ou plusieurs faces de la région active, peut permettre de supprimer des problèmes de barrières de potentiel pouvant provoquer des rémanences de charges. Selon une variante de réalisation représentée en pointillés, une portion fortement dopée N 415 (N+) de la région active 410 peut être avantageusement prévue entre la région dopée P 301 et les piliers d’implant 430. Une telle variante permet une meilleure collecte des charges en face supérieure du photodétecteur, par exemple en supprimant le problème des rémanences de charges. La FIG. 5 représente, par une vue de dessus en coupe, un photodétecteur 500 selon un encore autre mode de réalisation. La FIG. 5 représente, par une vue en coupe transversale, le photodétecteur de la FIG. 5 . La vue en coupe de la FIG. 5 est réalisée selon le plan de coupe AA de la FIG. 5 . La vue en coupe de la FIG. 5 est réalisée selon le plan de coupe BB de la FIG. 5 . Le photodétecteur 500 des figures 5A et 5B se distingue du photodétecteur des figures 4A et 4B principalement en ce que les éléments de répulsion 530 sous forme de piliers d’implant s’étendent dans la direction verticale Z depuis la face inférieure 210B jusqu’à la face supérieure 210A de la région active 210, et qu’il n’y a pas de région fortement dopée N entre la région dopée P 301 et les piliers d’implant 530. De plus, on n’a pas représenté de région fortement dopée P (P+) au niveau de la face inférieure 210B de la région active 210 sur la région isolante 303 mais celle-ci peut être prévue. Le fait d’avoir des régions d’implant comme éléments de répulsion permet une meilleure flexibilité dans les dimensions et formes des éléments de répulsion par rapport à des CDTI internes, et de pouvoir collecter des trous, par exemple via l’application d’un contact en sommet de pilier. En outre, la mise en œuvre de régions d’implant peut être plus simple à fabriquer que les CDTI. La FIG. 6 représente, par une vue de dessus en coupe, un photodétecteur 600 selon un encore autre mode de réalisation. La FIG. 6 représente, par une vue en coupe transversale, le photodétecteur de la FIG. 6 . La vue en coupe de la FIG. 6 est réalisée selon le plan de coupe AA de la FIG. 6 . La vue en coupe de la FIG. 6 est réalisée selon le plan de coupe BB de la FIG. 6 . Le photodétecteur 600 des figures 6A et 6B se distingue du photodétecteur des figures 5A et 5B principalement en ce que chaque région d’implant 630 ne forme pas un pilier continu, mais forme un pilier discontinu comprenant plusieurs points d’implant 631, 632, 633 séparés entre eux par des portions de la région active 210, par exemple des portions de Si dopées N, et s’étendant l’un au-dessus de l’autre dans la direction verticale Z. Le fait d’avoir des points d’implant comme éléments de répulsion permet d’augmenter la capacité de stockage des porteurs de charge (FWC) par rapport à des piliers continus. En effet, le volume situé entre deux points d’implant successifs peut servir de zone de stockage, maximisant de fait le volume de région active déplétée. Les photodétecteurs des figures 3A, 3B, 5A et 5B peuvent correspondre à des photogrilles, ou photogates. La FIG. 7 représente, par une vue de dessus en coupe, un photodétecteur 700 selon un encore autre mode de réalisation. La FIG. 7 représente, par une vue en coupe transversale, le photodétecteur de la FIG. 7 . La vue en coupe de la FIG. 7 est réalisée selon le plan de coupe AA de la FIG. 7 . La vue en coupe de la FIG. 7 est réalisée selon le plan de coupe BB de la FIG. 7 . Le photodétecteur 700 des figures 7A et 7B se distingue du photodétecteur des figures 4A et 4B principalement en ce que la CDTI latérale 220 est remplacée par une région d’implant latérale 722 dopée P, par exemple fortement dopée P (P+), cette région d’implant latérale 722 étant isolée d’autres photodétecteurs par une tranchée isolante 721, par exemple une tranchée isolante profonde (DTI, de l’anglais "deep trench isolation"). La mise en œuvre de régions d’implant peut être plus simple à fabriquer que les CDTI. Dans l’exemple des figures 7A et 7B, la région d’implant latérale 722 forme une couronne de section carrée autour de la région active 410 qui est parallélépipédique, mais d’autres formes et configurations apparaitront à la personne du métier. Par exemple, il pourrait y avoir plusieurs régions d’implant latérales. Similairement au photodétecteur 400 des figures 4A et 4B, les éléments de répulsion du photodétecteur 700 sont des régions d’implant 430 dopées P, par exemple fortement dopées P (P+), sous la forme de piliers continus qui s’étendent dans la direction verticale Z depuis la face inférieure 410B (première face) de la région active 410, et plus précisément depuis une région fortement dopée P 404 (P+) localisée au niveau de la face inférieure 410B de la région active 410 sur une région isolante 303, mais qui ne s’étendent pas jusqu’à la face supérieure 410A (deuxième face) de la région active 410. En outre, similairement au photodétecteur 400 des figures 4A et 4B, une portion fortement dopée N 415 (N+) de la région active 410 peut être prévue entre la région dopée P 301 et les piliers d’implant 430. La FIG. 8 représente, par une vue de dessus en coupe, un photodétecteur 800 selon un encore autre mode de réalisation. La FIG. 8 représente, par une vue en coupe transversale, le photodétecteur de la FIG. 8 . La vue en coupe de la FIG. 8 est réalisée selon le plan de coupe AA de la FIG. 8 . La vue en coupe de la FIG. 8 est réalisée selon le plan de coupe BB de la FIG. 8 . Le photodétecteur 800 des figures 8A et 8B se distingue du photodétecteur des figures 5A et 5B principalement en ce que, similairement au photodétecteur des figures 7A et 7B, la CDTI latérale 220 est remplacée par une région d’implant latérale 722 dopée P, par exemple fortement dopée P (P+), cette région d’implant latérale étant isolée d’autres photodétecteurs par une tranchée isolante 721, par exemple une tranchée isolante profonde (DTI). Le photodétecteur 800 comprend une région fortement dopée P 404 (P+) au niveau de la face inférieure 210B de la région active 210. Similairement au photodétecteur 500 des figures 5A et 5B, les éléments de répulsion du photodétecteur 800 sont des régions d’implant 530 dopées P, par exemple fortement dopées P (P+), sous la forme de piliers continus qui s’étendent dans la direction verticale Z depuis la face inférieure 210B jusqu’à la face supérieure 210A de la région active 210. La face inférieure 210B de la région active 210 est isolée par une région isolante 303 (Ox). La FIG. 9 représente, par une vue de dessus en coupe, un photodétecteur 900 selon un encore autre mode de réalisation. La FIG. 9 représente, par une vue en coupe transversale, le photodétecteur de la FIG. 9 . La vue en coupe de la FIG. 9 est réalisée selon le plan de coupe AA de la FIG. 9 . La vue en coupe de la FIG. 9 est réalisée selon le plan de coupe BB de la FIG. 9 . Le photodétecteur 900 des figures 9A et 9B se distingue du photodétecteur des figures 6A et 6B principalement en ce que, similairement au photodétecteur des figures 7A et 7B, la CDTI latérale 220 est remplacée par une région d’implant latérale 722 dopée P, par exemple fortement dopée P (P+), cette région d’implant latérale étant isolée d’autres photodétecteurs par une tranchée isolante 721, par exemple une tranchée isolante profonde (DTI). Similairement au photodétecteur 600 des figures 6A et 6B, les éléments de répulsion du photodétecteur 900 sont des régions d’implant 630 dopées P ou fortement dopées P, sous forme de piliers discontinus comprenant chacun plusieurs points d’implant 631, 632, 633 dopés P ou fortement dopés P (P+), séparés entre eux par des portions de la région active 210. La face inférieure 210B de la région active 210 est isolée par une région isolante 303. Le photodétecteur 900 peut comprendre une région fortement dopée P 404 (P+) sur la région isolante 303. La FIG. 10 représente, par une vue de dessus en coupe, un photodétecteur 1000 selon un encore autre mode de réalisation. La FIG. 10 représente, par une vue en coupe transversale, le photodétecteur de la FIG. 10 . La vue en coupe de la FIG. 10 est réalisée selon le plan de coupe AA de la FIG. 10 . La vue en coupe de la FIG. 10 est réalisée selon le plan de coupe BB de la FIG. 10 . Le photodétecteur 1000 des figures 10A et 10B se distingue des précédents photodétecteurs principalement en ce que les éléments de répulsion 1030 s’étendent dans une direction horizontale X au lieu de la direction verticale Z. Les éléments de répulsion 1030 sont par exemple au nombre de six, mais ceci n’est pas limitatif, et sont séparés entre eux par une distance non nulle dans la direction verticale Z, l’espace entre deux éléments de répulsion étant rempli par des portions de la région active 1010, par exemple du silicium dopé N, qui peuvent être formées par épitaxie. Similairement aux photodétecteurs des figures 3A à 6B, le photodétecteur 1000 comprend une CDTI latérale 220 (CDTI externe) autour de la région active 1010. En variante, la CDTI latérale pourrait être remplacée par une région d’implant latérale dopée P, par exemple fortement dopée P, similairement aux photodétecteurs des figures 7A à 9B. Similairement aux photodétecteurs des figures 3A à 6B, les éléments de répulsion 1030 du photodétecteur 1000 sont des régions d’implants sous forme de piliers, les piliers 1030 étant orientés horizontalement au lieu de verticalement, et le photodétecteur comprend une région isolante 303 à la face inférieure 1010B de la région active 1010. Le photodétecteur 1000 comprend en outre une région dopée P inférieure 1004 localisée au niveau de la face inférieure 1010B de la région active 1010 sur la région isolante 303, une région dopée P supérieure 1005 localisée au niveau de la face supérieure 1010A de la région active 1010, et une portion fortement dopée N 1015 (N+) de la région active entre la région dopée P supérieure 1005 et le pilier supérieur 1030A. Dans l’exemple représenté, les éléments de répulsion 1030 partent d’une première face latérale 1010C (le bord gauche dans la FIG. 10 ) de la région active 1010 mais ne s’étendent pas jusqu’à une deuxième face latérale 1010D opposée à la première face latérale (le bord droit dans la FIG. 10 ) de la région active 1010, l’espace entre les éléments de répulsion 1030 et la deuxième face latérale comprenant une région fortement dopée N 1016 (N+) de la région active 1010. Ceci est un exemple non limitatif et d’autres variantes pourront être envisagées par la personne du métier. Le mode de réalisation à éléments de répulsion horizontaux peut permettre d’augmenter la capacité de stockage de la région active, même lorsque celle-ci présente un ratio hauteur sur largeur importante, par exemple de petite largeur pour une grande hauteur. Les différents modes de réalisation décrits montrent que de nombreuses variantes de photodétecteurs à éléments de répulsion dans la région active peuvent être envisagées, permettant ainsi une grande adaptabilité à différents types et différentes dimensions de photodétecteurs, et ainsi de pixels. De manière plus générale que les exemples des figures 4A, 4B, 7A, 7B, 10A, 10B, la région active peut présenter un dopage N (ou P dans le cas d’une région active de type P) non homogène dans la direction verticale Z et/ou dans une direction horizontale. Ceci peut permettre d’éviter des charges rémanentes dues aux barrières de potentiel, et/ou permettre d’améliorer le stockage des porteurs de charge par exemple au niveau de bords du photodétecteur, par exemple en exploitant le fait que le contrôle électrostatique sur les bords du photodétecteur est meilleur du fait de la répartition des lignes de champ électrique et peut donc permettre de dépléter une zone plus fortement dopée localement. La FIG. 11 , la FIG. 11 , la FIG. 11 , la FIG. 11 et la FIG. 11 représentent, par des vues de dessus en coupe, des photodétecteurs selon d’autres modes de réalisation. Ces figures montrent notamment d’autres configurations d’éléments d’insertion dans la région active et d’autres exemples de dopage non homogène de la région active. Le photodétecteur 1101 de la FIG. 11 se distingue du photodétecteur 400 des figures 4A et 4B principalement en ce que la région active 1110 présente un dopage non homogène. Dans cet exemple, la région active 1110 comprend des premières bandes 1112 fortement dopées N (N+) s’étendant dans la direction X entre les piliers d’implant 430 adjacents dans cette direction X et de part et d’autre de ces piliers d’implant adjacents jusqu’aux bords latéraux de la région active 1110 qui sont opposés dans cette direction X, et des deuxièmes bandes 1113 fortement dopées N (N+) s’étendant dans la direction Y entre les piliers d’implant 430 adjacents dans cette direction Y et de part et d’autre de ces piliers adjacents jusqu’aux bords latéraux de la région active 1110 qui sont opposés dans cette direction Y. Le reste de la région active 1110, qui n’est pas sous forme de bandes 1112, 1113 fortement dopées N, correspond à des portions 1111 moins fortement dopées N de la région active 1110. Le photodétecteur 1102 de la FIG. 11 se distingue du photodétecteur 400 des figures 4A et 4B principalement en ce que la région active 1120 présente un dopage non homogène. Dans cet exemple, la région active 1120 comprend des portions d’angle 1124 très fortement dopées N (N++) dans les angles de la région active 1120 englobant chacune un pilier d’implant 430, d’une première bande 1122 fortement dopée N (N+) dans la direction X entre les portions d’angle 1124 jusqu’aux bords latéraux de la région active 1120 qui sont opposés dans cette direction X, d’une deuxième bande 1123 fortement dopée N (N+) dans la direction Y entre les régions d’angles jusqu’aux bords latéraux de la région active 1120 qui sont opposés dans cette direction Y, et d’une portion centrale 1121 moins dopée N (N) qui correspond à l’intersection entre les première et deuxième bandes 1122, 1123. Le photodétecteur 1103 de la FIG. 11 est similaire au photodétecteur de la FIG. 11 , mais avec neuf piliers d’implant 430 régulièrement répartis dans la région active 1110 au lieu de quatre dans la FIG. 11 et ainsi trois premières bandes 1112 fortement dopées N (N+) s’étendant dans la direction X, et trois deuxièmes bandes 1113 fortement dopées N (N+) s’étendant dans la direction Y. Le reste de la région active 1110, qui n’est pas sous forme de bandes 1112, 1113 fortement dopées N, correspond à des portions 1111 moins fortement dopées N de la région active 1110. Le photodétecteur 1104 de la FIG. 11 est similaire au photodétecteur de la FIG. 11 , mais avec neuf piliers d’implant 430 régulièrement répartis dans la région active 1120 au lieu de quatre dans la FIG. 11 , les portions d’angle 1124 très fortement dopées N (N++) de la région active 1120 englobant les quatre piliers d’implant les plus excentrés, les première et deuxième bandes 1122, 1123 englobant les quatre piliers d’implant positionnés entre les piliers d’implant les plus excentrés dans chacune des directions X et Y, et la portion centrale 1121 englobant un pilier d’implant central. Les exemples des figures 11A et 11C permettent par exemple de supprimer des barrières de potentiel locales, par exemple liées à une distance plus faible entre deux piliers voisins. Les exemples des figures 11B et 11D permettent par exemple d’augmenter les charges stockées en améliorant l’homogénéité des charges : dans la mesure où il est plus facile d’appauvrir la région active dans les angles, le dopage est plus fort dans ces régions d’angle. Le photodétecteur 1105 de la FIG. 11 se distingue de tous les autres modes de réalisations en ce que les régions d’implant sont des piliers 1130 de section circulaire et que la plupart des piliers sont arrangés de manière sensiblement équidistante les uns par rapport aux autres dans la région active 210. Cette configuration peut permettre de réduire les barrières de potentiel locales dans la région active. D’autres configurations que celles présentées dans les figures 11A à 11E pourront être envisagées par la personne du métier, par exemple selon le nombre d’éléments de répulsion, par exemple de piliers d’implant verticaux, et/ou selon l’effet recherché (par exemple supprimer ou minimiser les barrières de potentiel ou augmenter l’homogénéité des charges). En outre, au lieu d’un (ou plusieurs) CDTI externe(s), les photodétecteurs des figures 11A à 11E pourraient comprendre une (ou plusieurs) région(s) d’implant latérale(s) dopée(s) P, par exemple fortement dopée(s) P, isolée(s) d’autres photodétecteurs par une (ou plusieurs) tranchée(s) isolante(s). Les photodétecteurs des figures 11A à 11E peuvent correspondre à des photogrilles. La FIG. 12 , la FIG. 12 , la FIG. 12 , la FIG. 12 , la FIG. 12 , la FIG. 12 et la FIG. 12 représentent, par des vues en coupe transversale, des étapes d’un exemple de procédé de fabrication d’un photodétecteur selon un mode de réalisation. Le photodétecteur fabriqué peut être similaire au photodétecteur 500 des figures 5A et 5B. La FIG. 12 représente une structure de départ comprenant un substrat 1201 en silicium, surmonté d’une couche de silicium épitaxiée 1202 dopée N. Un premier masque de gravure 1203 est positionné sur la face supérieure 1202A de la couche de silicium épitaxiée 1202. Le masque de gravure 1203 comprend des premières ouvertures 1204. La FIG. 12 représente une structure obtenue à l’issue de la gravure de la couche de silicium épitaxiée 1202 à partir de sa face supérieure 1202A et à travers les premières ouvertures 1204 du premier masque de gravure 1203, de manière à former des premières tranchées 1205 dans la couche de silicium épitaxiée 1202. Dans l’exemple représenté, les premières tranchées 1205 ne s’étendent dans toute l’épaisseur de cette couche de silicium épitaxiée 1202. En variante, les premières tranchées 1205 pourraient s’étendre dans toute l’épaisseur de la couche de silicium épitaxiée 1202 jusqu’au substrat 1201. La FIG. 12 représente une structure obtenue à l’issue du remplissage des premières tranchées 1205 par croissance épitaxiale avec du silicium fortement dopé P (P+), voire très fortement dopé P, et de la suppression du premier masque de gravure 1203. Il est ainsi formé des régions d’implant fortement dopées P 1206 sous la forme de piliers verticaux dans une région active dopée N formée par la couche de silicium épitaxiée 1202. La FIG. 12 représente une structure obtenue à l’issue de la formation d’un deuxième masque de gravure 1207 sur la face supérieure 1202A de la couche de silicium épitaxiée 1202, ce deuxième masque de gravure comprenant des deuxièmes ouvertures 1208, puis la formation de deuxièmes tranchées 1209 dans la couche de silicium épitaxiée 1202 par gravure à partir de sa face supérieure 1202A et à travers les deuxièmes ouvertures 1208 du deuxième masque de gravure 1207. Dans l’exemple représenté, les deuxièmes tranchées 1209 ne s’étendent dans toute l’épaisseur de cette couche de silicium épitaxiée 1202, et s’étendent sensiblement au même niveau que les premières tranchées 1205 et ainsi que les régions d’implant 1206. En variante, les deuxièmes tranchées 1209 pourraient s’étendre dans toute l’épaisseur de la couche de silicium épitaxiée 1202 jusqu’au substrat 1201. La FIG. 12 représente une structure obtenue à l’issue de la formation de tranchées profondes capacitives (CDTI) 1210 dans les deuxièmes tranchées 1209. Par exemple, les deuxièmes tranchées 1209 peuvent être isolées de la couche de silicium épitaxiée 1202 par un isolant, par exemple le SiO 2 , puis remplies avec un matériau conducteur ou semiconducteur, comme un métal ou du polysilicium, pour former les tranchées profondes capacitives 1210. La FIG. 12 représente une structure obtenue à l’issue de la suppression du deuxième masque de gravure 1207, de la formation de grilles d’extraction 1211, d’une région fortement dopée N 1212 (N+) dans la couche de silicium épitaxiée 1202 à partir de la face supérieure 1202A de cette couche, au-dessus des piliers d’implant verticaux 1206, et d’une région dopée P 1213 sur la région fortement dopée N 1212. En variante, le deuxième masque de gravure 1207 peut être supprimé avant la formation des CDTI 1210. La FIG. 12 représente une structure obtenue à l’issue de la suppression du substrat 1201, de l’oxydation d’une portion inférieure de la couche de silicium épitaxiée 1202 de manière à former une région isolante 1214 en face inférieure 1202B de la couche de silicium épitaxiée 1202, sous les piliers d’implant verticaux 1206, et de l’assemblage d’un substrat d’interconnexion 1215 en face supérieure 1202A de la couche de silicium épitaxiée 1202, sur la couche dopée P 1213. La FIG. 13 , la FIG. 13 , la FIG. 13 , la FIG. 13 et la FIG. 13 représentent, par des vues en coupe transversale, des étapes d’un autre exemple de procédé de fabrication d’un photodétecteur selon un autre mode de réalisation. Le photodétecteur fabriqué peut être similaire au photodétecteur 1000 des figures 10A et 10B. La FIG. 13 représente une structure de départ comprenant un substrat 1301 en silicium, surmonté d’une couche de silicium épitaxiée 1302 dopée N, dans lequel on a formé des premières tranchées 1303 remplies par croissance épitaxiale avec du silicium fortement dopé N de manière à former des régions fortement dopées N 1304 (N+) dans la couche de silicium épitaxiée 1302. Les premières tranchées 1303 peuvent être formées en utilisant un premier masque de gravure, similairement au premier masque 1203 avec les premières ouvertures 1204 de la FIG. 12 . Dans l’exemple représenté, les régions fortement dopées N 1304 ne s’étendent dans toute l’épaisseur de cette couche de silicium épitaxiée 1302. En variante, les régions fortement dopées N 1304 pourraient s’étendre dans toute l’épaisseur de la couche de silicium épitaxiée 1302 jusqu’au substrat 1301. La FIG. 13 représente une structure obtenue à l’issue de la formation d’un deuxième masque de gravure 1305 sur la face supérieure 1302A de la couche de silicium épitaxiée 1302, ce deuxième masque de gravure comprenant des deuxièmes ouvertures 1306, puis la formation de deuxièmes tranchées 1307 dans la couche de silicium épitaxiée 1302 par gravure à partir de sa face supérieure 1302A et à travers les deuxièmes ouvertures 1306 du deuxième masque de gravure 1305. Dans l’exemple représenté, les deuxièmes tranchées 1307 ne s’étendent dans toute l’épaisseur de la couche de silicium épitaxiée 1302, et s’étendent sensiblement au même niveau que les premières tranchées 1303 et ainsi que les régions fortement dopées N 1304. En variante, les deuxièmes tranchées 1307 pourraient s’étendre dans toute l’épaisseur de la couche de silicium épitaxiée 1302 jusqu’au substrat 1301. La FIG. 13 représente une structure obtenue à l’issue de la formation par croissance épitaxiale avec du silicium fortement dopé P (P+), voire très fortement dopé P, dans les deuxièmes tranchées 1307, de régions d’implant fortement dopées P 1308 (P+) sous la forme de piliers horizontaux en alternance avec des régions de silicium dopées N 1309 également formées par croissance épitaxiale. La FIG. 13 représente une structure obtenue à l’issue de la formation d’un troisième masque de gravure 1310 sur la face supérieure 1302A de la couche de silicium épitaxiée 1302, ce troisième masque de gravure comprenant des troisièmes ouvertures 1311, puis la formation de troisièmes tranchées 1312 dans la couche de silicium épitaxiée 1302 par gravure à partir de sa face supérieure 1302A et à travers les troisièmes ouvertures 1311 du troisième masque de gravure 1310. Dans l’exemple représenté, les troisièmes tranchées 1312 ne s’étendent dans toute l’épaisseur de la couche de silicium épitaxiée 1302, et s’étendent sensiblement au même niveau que les premières et deuxièmes tranchées 1303, 1307. En variante, les troisièmes tranchées pourraient s’étendre dans toute l’épaisseur de la couche de silicium épitaxiée 1302 jusqu’au substrat 1301. La FIG. 13 représente une structure obtenue à l’issue de la formation de tranchées profondes capacitives 1313 dans les troisièmes tranchées 1312. Par exemple, les troisièmes tranchées 1312 peuvent être isolées de la couche de silicium épitaxiée 1302 par un isolant, par exemple le SiO2, puis remplies avec un matériau conducteur ou semiconducteur, comme un métal ou du polysilicium, pour former les tranchées profondes capacitives 1313. Ensuite, similairement à ce qui est décrit en relation avec les figures 12F et 12G, le troisième masque de gravure 1310 peut être supprimé, des grilles d’extraction peuvent être formées en face supérieure 1302A de la couche de silicium épitaxiée 1302, le substrat 1301 peut être supprimé, une portion inférieure de la couche de silicium épitaxiée 1302 peut être oxydée de manière à former une région isolante en face inférieure de la couche de silicium épitaxiée 1302, et un substrat d’interconnexion peut être assemblé en face supérieure de la couche de silicium épitaxiée 1302. La FIG. 14 , la FIG. 14 , la FIG. 14 , la FIG. 14 et la FIG. 14 montrent des courbes représentant différentes caractéristiques de pixels à photodétecteurs selon des modes de réalisation (pillar) en comparaison avec des pixels à photodétecteurs à subdivisions du type de la FIG. 1 (binning). La FIG. 14 montre des courbes donnant le courant d’obscurité (Dark Current of summed pixels) en fonction de la taille des pixels (pixel pitch) dans une direction donnée pour des pixels à photodétecteurs du type de la FIG. 1 (courbe 1401) en comparaison avec des pixels à photodétecteurs selon des modes de réalisation (courbe 1402). Les points entourés correspondant au nombre n de subdivisions dans la direction donnée pour la courbe 1401 (ou au nombre p de paroi(s) séparant le pixel en n subdivisons dans la direction donnée) et au nombre p de piliers dans la direction donnée pour la courbe 1402. Les courbes montrent que le courant d’obscurité est inférieur pour les photodétecteurs selon les modes de réalisation par rapport aux photodétecteurs à subdivisions du type binning, quel que soit le nombre de subdivisions/parois. Les modes de réalisation permettent donc de diminuer le courant d’obscurité. La FIG. 14 montre des courbes donnant la capacité de stockage (FWC of summed pixels) en fonction de la taille des pixels (pixel pitch) dans la direction donnée pour des pixels à photodétecteurs du type de la FIG. 1 (courbe 1403) en comparaison avec des pixels à photodétecteurs selon des modes de réalisation (courbe 1404). Les courbes montrent que l’on peut bénéficier d’une capacité de stockage équivalente, voire légèrement supérieure pour les photodétecteurs selon les modes de réalisation par rapport aux photodétecteurs à subdivisions du type binning, quel que soit le nombre de subdivisions/parois, et ce, sans les inconvénients indiqués plus avant des photodétecteurs à subdivisions du type binning. La FIG. 14 montre des courbes donnant la plage dynamique (DR) en fonction de la taille des pixels (pixel pitch) dans la direction donnée pour des pixels à photodétecteurs du type de la FIG. 1 (courbe 1405) en comparaison avec des pixels à photodétecteurs selon des modes de réalisation (courbe 1406). Les courbes montrent que la plage dynamique est supérieure pour les photodétecteurs selon les modes de réalisation par rapport aux photodétecteurs à subdivisions du type binning, quel que soit le nombre de subdivisions/parois. Les modes de réalisation permettent donc d’augmenter la plage dynamique. La FIG. 14 montre des courbes donnant le facteur de conversion de charge en tension (CVF) en fonction de la taille des pixels (pixel pitch) dans la direction donnée pour des pixels à photodétecteurs du type de la FIG. 1 (courbe 1407) en comparaison avec des pixels à photodétecteurs selon des modes de réalisation (courbe 1408). Les courbes montrent que l’on peut bénéficier d’un facteur de conversion équivalent pour les photodétecteurs selon les modes de réalisation par rapport aux photodétecteurs à subdivisions du type binning, quel que soit le nombre de subdivisions/parois, et ce, sans les inconvénients indiqués plus avant des photodétecteurs à subdivisions du type binning. La FIG. 14 montre des courbes donnant le bruit équivalent (Read noise of summed pixels) en fonction de la taille des pixels (pixel pitch) dans une direction donnée pour des pixels à photodétecteurs du type de la FIG. 1 (courbe 1409) en comparaison avec des pixels à photodétecteurs selon des modes de réalisation (courbe 1410). Les courbes montrent que le bruit équivalent est inférieur pour les photodétecteurs selon les modes de réalisation par rapport aux photodétecteurs à subdivisions du type binning, quel que soit le nombre de subdivisions/parois. Les modes de réalisation permettent donc de diminuer le bruit équivalent, et ainsi d’augmenter le rapport signal sur bruit. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, la région active est de type N dans les exemples décrits, les régions d’implant étant de type P, et les CDTI étant par exemple configurés pour être polarisés négativement (extraction d’électrons). En variante, la région active peut être de type P, les régions d’implant étant alors de type N, et les CDTI étant par exemple configurés pour être polarisés positivement (extraction de trous). Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Photodétecteur à semiconducteur (200 ; 300 ; 400 ; 500 ; 600 ; 700 ; 800 ; 900 ; 1000 ; 1101-1105) comprenant : - une région active (210 ; 410 ; 1010 ; 1110 ; 1120) en un matériau semiconducteur dopé d’un premier type de conductivité, ladite région active étant adaptée à convertir un rayonnement lumineux en porteurs de charge et à stocker lesdits porteurs de charge ; et - au moins un élément de répulsion (230 ; 330 ; 430 ; 530 ; 630 ; 1030 ; 1130) adapté à repousser des porteurs de charge stockés dans la région active, ledit élément de répulsion étant positionné au sein de la région active. Procédé de fabrication d’un photodétecteur à semiconducteur, le procédé comprenant : - former une région active (210 ; 410 ; 1010 ; 1110 ; 1120) en un matériau semiconducteur dopé d’un premier type de conductivité, ladite région active étant adaptée à convertir un rayonnement lumineux en porteurs de charge et à stocker lesdits porteurs de charge ; et - former au moins un élément de répulsion (230 ; 330 ; 430 ; 530 ; 630 ; 1030 ; 1130) adapté à repousser des porteurs de charge stockés dans la région active, ledit élément de répulsion étant formé au sein de la région active. Photodétecteur selon la revendication 1, dans lequel le au moins un élément de répulsion est agencé dans la région active de telle sorte qu’il ne divise pas ladite région active en plusieurs volumes distincts. Photodétecteur selon la revendication 1 ou 3, dans lequel le au moins un élément de répulsion est entouré par la région active dans au moins un plan. Photodétecteur (300 ; 400 ; 500 ; 600 ; 700 ; 800 ; 900 ; 1000 ; 1101-1105) selon l’une quelconque des revendications 1, 3, 4, dans lequel le au moins un élément de répulsion comprend plusieurs éléments de répulsion (330 ; 430 ; 530 ; 630 ; 1030 ; 1130), par exemple plusieurs éléments de répulsion régulièrement répartis dans la région active (210 ; 410), par exemple plusieurs éléments de répulsion sensiblement équidistants l’un par rapport à l’autre. Photodétecteur (200 ; 300 ; 400 ; 500 ; 600 ; 700 ; 800 ; 900 ; 1101-1105) selon l’une quelconque des revendications 1, 3 à 5, dans lequel le au moins un élément de répulsion (230 ; 330 ; 430 ; 530 ; 630 ; 1130) est orienté dans une direction longitudinale (Z) du photodétecteur. Photodétecteur (1000) selon l’une quelconque des revendications 1, 3 à 5, dans lequel le au moins un élément de répulsion (1030) est orienté dans une direction transversale (X) du photodétecteur. Photodétecteur (200 ; 300 ; 400 ; 500 ; 700 ; 800 ; 1000 ; 1101-1105) selon l’une quelconque des revendications 1, 3 à 7, dans lequel le au moins un élément de répulsion (230 ; 330 ; 430 ; 530 ; 1030 ; 1130) présente la forme d’un pilier continu, par exemple un pilier de section polygonale, rectangulaire, carrée, ovale ou circulaire. Photodétecteur (600 ; 900) selon l’une quelconque des revendications 1, 3 à 8, dans lequel le au moins un élément de répulsion (630) comprend plusieurs points d’implant (631, 632, 633) séparés entre eux par des portions de la région active (210), formant par exemple un pilier discontinu. Photodétecteur (400 ; 600 ; 700 ; 900 ; 1000) selon l’une quelconque des revendications 1, 3 à 9, dans lequel le au moins un élément de répulsion (430 ; 630 ; 1030) s’étend depuis une première face (210B ; 410B ; 1010C) de la région active (210 ; 410 ; 1010) jusqu’à une distance non nulle d’une deuxième face (210A ; 410A ; 1010D) de la région active opposée à la première face, une portion (415 ; 1016) de la région active située entre ledit au moins un élément de répulsion et ladite deuxième face étant par exemple fortement dopée du premier type de conductivité. Photodétecteur (200 ; 300) selon l’une quelconque des revendications 1, 3 à 10, dans lequel le au moins un élément de répulsion (230 ; 330) comprend, par exemple est, une tranchée profonde capacitive interne, de préférence adaptée à être polarisée de façon à repousser les porteurs de charge stockés. Photodétecteur (200 ; 400 ; 500 ; 600 ; 700 ; 800 ; 900 ; 1000 ; 1101-1105) selon l’une quelconque des revendications 1, 3 à 11, dans lequel le au moins un élément de répulsion (230 ; 430 ; 530 ; 630 ; 1030 ; 1130) comprend, par exemple est, une région d’implant dopée du deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité. Photodétecteur selon l’une quelconque des revendications 1, 3 à 12, comprenant en outre une tranchée isolante latérale (221 ; 721) configurée pour isoler latéralement ledit photodétecteur, par exemple d’autres photodétecteurs. Photodétecteur (300 ; 400 ; 500 ; 600 ; 1000 ; 1101-1105) selon la revendication 13, dans lequel la tranchée isolante (221) contient un élément conducteur ou semiconducteur (222), la tranchée isolante et l’élément conducteur ou semiconducteur formant une tranchée profonde capacitive latérale (220). Photodétecteur (700 ; 800 ; 900) selon la revendication 13 ou 14, comprenant une région d’implant latérale (722) entre la tranchée isolante latérale (721) et la région active (210 ; 410), la région d’implant latérale étant dopée du deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité. Photodétecteur selon l’une quelconque des revendications 1, 3 à 15, dans lequel la région active (410 ; 1010 ; 1110 ; 1120) présente un dopage non homogène, par exemple dans une ou plusieurs directions transversales du photodétecteur. Capteur d’image comprenant plusieurs pixels, chaque pixel comprenant au moins un photodétecteur selon l’une quelconque des revendications 1, 3 à 16.