Brevet FR3156590A1 — publié le 20250613

L’invention concerne un module hyperfréquence comprenant une puce hyperfréquence comportant un substrat, une couche active à une première face de la puce, une couche de masse électrique sur une deuxième face opposée à la première face, la couche active comprenant des lignes de transmission en guide microruban ; un boitier encapsulant la puce hyperfréquence, ledit boitier comportant une couche de redistribution recouvrant la couche active de la puce hyperfréquence et comprenant des traces de connexion électrique pour une liaison entre la couche active et une interface électrique du module hyperfréquence ; ladite couche active comprenant au moins un transistor, une ou plusieurs des traces électriques de la couche de redistribution, dites traces de masse, connectant une électrode de source du transistor à l’une ou plusieurs des interfaces électriques, dites interfaces de masse, ladite ou lesdites interfaces de masse étant configurées pour être connectées à une masse d’une carte électronique. CIRCUIT INTEGRE MONOLITHIQUE HYPERFREQUENCE L’invention concerne un module hyperfréquence comprenant une puce hyperfréquence. L’invention concerne en outre un ensemble comprenant un module hyperfréquence selon l’invention et une carte électronique. Les puces hyperfréquences ou circuits MMIC (pour « Monolithic Microwave Integrated Circuit » en anglais) sont des circuits réalisés avec les techniques de la microélectronique. Elles sont par exemple utilisées dans des radars pour augmenter la puissance du signal émis par l’antenne, par exemple de quelques mW à environ 100W. La FIG. 1 présente un exemple de module hyperfréquence 1 connu monté sur une carte électronique 2. Le module hyperfréquence 1 est rapporté sur une carte électronique 2. Le module hyperfréquence 1 comprend une puce hyperfréquence 110 encapsulée dans un boitier 120. La puce 110 comprend un substrat 113, une première face comprenant une couche active 111 et une couche de masse 112 à une deuxième face opposée à la première face. La couche active 111 comprend les composants actifs de la puce hyperfréquence 110, tels qu’un transistor 114 par exemple, et les composants passifs de la puce hyperfréquence 110, tels que des capacités ou des inductances. La couche active 111 comprend aussi des lignes de transmission permettant la propagation des signaux radiofréquences depuis ou vers les composants de la couche active 111. Les lignes de transmission peuvent former des lignes de transmission en guide microruban (ou « microstrip » en anglais) permettant la propagation d’une polarité positive du signal radiofréquence, tandis que la couche de masse 112 permet la propagation d’une polarité négative du signal radiofréquence. Après sa fabrication, la puce hyperfréquence 110 est encapsulée dans le boitier 120 par une technique de conditionnement au niveau de la plaquette ou technique FOWLP (pour «Fan-Out Wafer Level Packaging » en anglais) connue en soi. Le boitier 120 comprend notamment un moulage plastique 122 recouvrant la deuxième face et les côtés de la puce hyperfréquence 110, en particulier pour une protection mécanique de la puce hyperfréquence 110. Le boitier 120 comprend en outre une couche de redistribution ou couche RDL (pour « Redistribution Layer » en anglais) 124. La couche RDL 124 recouvre la couche active 111 et permet de connecter les bornes de la puce hyperfréquence 110 avec des composants extérieurs. Les bornes de la puce hyperfréquence sont typiquement situées en bordure de la couche active 111. A cet effet, la couche RDL 124 comprend des traces de connexion électrique 125, 126. Ces traces de connexion électrique 125, 126 aboutissent à des interfaces 128 du boitier 120, qui sont notamment des billes (ou « bump » en anglais). Typiquement, le module hyperfréquence 1 est monté sur la carte électronique 2 de sorte que la première face de la puce hyperfréquence 110 soit orientée vers la carte électronique 2. Les interfaces 128 permettent de connecter les traces de connexion 125, 126 de la couche RDL 124 avec des pistes 25, 26 de la carte électronique 2. Des traces de connexion 126 permettent alors l’échange de signaux radiofréquences entre la puce hyperfréquence 110 et des pistes 26 de la carte électronique 2. Cependant, il est nécessaire de connecter la masse 112 de la puce hyperfréquence 110 avec celle de la carte électronique 2. A cet effet, la puce hyperfréquence 110 comprend des vias de connexion électrique 117 reliant la masse 112 à une borne sur la première face de la puce 110. Des traces de connexion 125 connectent ces bornes à des interfaces 128. La liaison à la masse 22 de la carte électronique 2 comprend des pistes 25 en surface de la carte électronique 2, qui sont connectées à la masse 22 par l’intermédiaire de vias de connexion électrique 27. Par ailleurs, l’électrode de source 114’, 114’’ du transistor 114 est connectée à la masse 112 par l’intermédiaire de vias de connexion électrique 117. Un courant circulant par l’électrode de source 114’, 114’’, notamment un courant de fermeture du transistor 114, doit circuler par les vias de connexion électrique 117, la couche de masse 122 de la puce 110, des vias de connexion électrique 117 et des traces de connexion 125, avant d’arriver aux interfaces 128. A un tel chemin électrique correspondent des impédances additionnelles qui vont augmenter l’impédance équivalente au niveau de l’électrode de source 114’, 114’’ du transistor 114. Cela réduit les performances fréquentielles du transistor 114 par rapport à un montage où la deuxième face de la puce 110 serait montée orientée vers la carte électronique 2. La publication de brevet américain US11557545 B2 divulgue un circuit MMIC monté sur une carte électronique de sorte que la couche active soit orientée vers la carte électronique. La puce hyperfréquence comprend une couche de masse additionnelle entre la couche active et la couche RDL du boitier, ce qui complexifie la fabrication de l’ensemble constitué du circuit MMIC et du boitier. Il est donc recherché un module hyperfréquence permettant un montage sur une carte électronique avec la couche active orientée vers ladite carte électronique, avec une liaison de masse courte et simple entre le module hyperfréquence et la carte électronique. A cet effet, l’invention propose un module hyperfréquence comprenant : une puce hyperfréquence comportant un substrat, une couche active à une première face de la puce, une couche de masse électrique sur une deuxième face opposée à la première face, la couche active comprenant des lignes de transmission en guide microruban ; un boitier encapsulant la puce hyperfréquence, ledit boitier comportant une couche de redistribution recouvrant la couche active de la puce hyperfréquence et comprenant des traces de connexion électrique pour une liaison entre la couche active et une interface électrique du module hyperfréquence ; ladite couche active comprenant au moins un transistor, une ou plusieurs des traces électriques de la couche de redistribution, dites traces de masse, connectant une électrode de source du transistor à l’une ou plusieurs des interfaces électriques, dites interfaces de masse, ladite ou lesdites interfaces de masse étant configurées pour être connectées à une masse d’une carte électronique. Grâce aux traces de masse et aux interfaces de masse, le chemin électrique entre l’électrode de source du transistor et la masse électrique de la carte électronique est plus court que dans l’art antérieur de la FIG. 1 . La connexion entre l’électrode de source et la masse de la carte électronique étant plus directe, les inductances additionnelles sont réduites par rapport à l’art antérieur, ce qui améliore les performances fréquentielles du transistor. La liaison à la masse de l’électrode de source utilise des traces électriques de la couche de redistribution, sans nécessité d’une couche de masse additionnelle entre la couche active et la couche de redistribution. Selon un mode de réalisation, la ou les interfaces de masse et la ou les traces de masse sont agencées symétriquement par rapport audit transistor. Selon un mode de réalisation, l’électrode de source comprend deux parties situées de part et d’autre du transistor, ladite ou lesdites traces de masse connectant lesdites parties à ladite ou lesdites interfaces de masse. Selon une variante, l’électrode de source est connectée à une seule interface de masse, les parties de l’électrode de source étant connectées à ladite interface de masse. Selon une variante, les parties de l’électrode de source sont connectées à ladite interface de masse via une même trace de masse ou via des traces de masse respectives. Selon une variante, l’électrode de source est connectée à plusieurs interfaces de masse, les parties de l’électrode de source étant connectées aux dites interfaces de masse. Selon une variante, chaque partie de l’électrode de source est connectée à une interface de masse respective via une trace de masse respective. Selon une variante, les parties de l’électrode de source sont connectées aux interfaces de masse via une même trace de masse. Selon un mode de réalisation, la puce hyperfréquence comprend en outre une connexion électrique entre l’électrode de source du transistor et la couche de masse électrique de la puce, à travers le substrat de la puce hyperfréquence. L’invention concerne aussi un ensemble comprenant : un module hyperfréquence selon l’invention, une carte électronique comprenant une couche de masse électrique, ledit module hyperfréquence étant monté sur la carte électronique de sorte que la couche active de la puce soit orientée vers ladite carte électronique, ladite ou lesdites interfaces de masse venant se connecter électriquement à la masse de la carte électronique. Selon un mode de réalisation, le module hyperfréquence est monté sur la carte électronique, une face du module hyperfréquence, comprenant ladite ou lesdites interfaces de masse, étant en vis-à-vis de la carte électronique, de sorte que ladite ou lesdites interfaces de masse viennent contre une borne de la carte électronique. D’autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront mieux à la lecture de la description qui suit en relation aux figures annexées suivantes : FIG. 1 : la FIG. 1 , déjà décrite, illustre un module hyperfréquence de l’art antérieur monté sur une carte électronique ; FIG. 2 : la FIG. 2 illustre un exemple de module hyperfréquence selon l’invention monté sur une carte électronique ; FIG. 3 : la FIG. 3 représente un transistor de l’exemple de module hyperfréquence de la FIG. 2 ; FIG. 4 : la FIG. 4 illustre un autre exemple de module hyperfréquence selon l’invention ; FIG. 5 : la FIG. 5 illustre encore un autre exemple de module hyperfréquence selon l’invention ; FIG. 6 : la FIG. 6 illustre encore un autre exemple de module hyperfréquence selon l’invention. La FIG. 2 représente un exemple de module hyperfréquence 200 selon l’invention. Le module hyperfréquence 200 comprend une puce hyperfréquence 210. La puce hyperfréquence 210 comprend une couche active 211 à une première de ses faces, un substrat 213, et une couche de masse électrique 212 à une deuxième face opposée à la première. Notamment, la couche active 211, le substrat 213, et la couche de masse 212 forment un empilement dans lequel les couches se superposent dans cet ordre. Notamment, la couche active 211 comprend les composants actifs de la puce hyperfréquence 210, tels qu’un transistor par exemple, et les composants passifs de la puce hyperfréquence 210, tels que des capacités ou des inductances. La couche active 211 comprend aussi des lignes de transmission permettant notamment la propagation de signaux radiofréquences depuis ou vers les composants de la couche active 211. Les lignes de transmission forment des lignes de transmission en guide microruban (ou « microstrip » en anglais) permettant la propagation d’une polarité positive du signal radiofréquence, tandis que la couche de masse 212 permet la propagation d’une polarité négative du signal radiofréquence. La couche active 211 comprend au moins un transistor 214. Un boitier 220 encapsule la puce hyperfréquence 210. Le boitier 220 comporte une couche de redistribution (« couche RDL » dans ce qui suit) 224 qui recouvre la couche active 211, notamment en venant directement en contact avec la couche active 211. La couche RDL 224 permet notamment de connecter des bornes de la puce hyperfréquence 210, en particulier de la couche active 211, avec des composants extérieurs. La couche RDL 224 comprend des traces de connexion électrique 225, 226, 227 pour une liaison entre la couche active 211 et une interface électrique 228 du module hyperfréquence 200. Une trace électrique 227 de la couche RDL 224, dite trace de masse, connecte une électrode de source 214’, 214’’ du transistor 214 à une interface électrique 229, dite interface de masse. L’interface de masse 229 est configurée pour être connectée à une masse 322 d’une carte électronique 300. En particulier, le module hyperfréquence 200 est monté sur la carte électronique 300 de sorte que la couche active 211 de la puce 210 soit orientée vers la carte électronique 300. L’interface de masse 229 peut alors venir se connecter électriquement à la masse 322 de la carte électronique 300. A cet effet, la carte électrique 300 comprend notamment une borne 325, en particulier une piste électrique, à sa face orientée vers le module hyperfréquence 200, contre laquelle l’interface de masse 229 vient en contact. En particulier, la masse électrique 322 de la carte électronique 300 est à une face opposée de la carte électronique 300. La borne 325 peut alors être en contact électrique avec la masse électrique 322 de la carte électronique 300 par l’intermédiaire d’un via de connexion électrique 327. Grâce à la trace de masse 227 et l’interface de masse 229, l’électrode de source 214’, 214’’ du transistor 214 est connectée à la masse 322 de la carte électronique 300 suivant un chemin électrique plus direct par rapport à l’art antérieur, ce qui réduit l’inductance équivalente au niveau de l’électrode de source 214’, 214’’ et permet d’améliorer les performances fréquentielles du transistor 214 par rapport à l’art antérieur. La masse électrique 212 de la puce hyperfréquence 210 est connectée à une interface 228 du module hyperfréquence 200, notamment par l’intermédiaire d’un via de connexion électrique 217 traversant le substrat 213 de la puce hyperfréquence 210 jusqu’à une borne de la puce 210 à la première face de la puce 210. Une trace 225 de la couche RDL 224 peut alors connecter cette borne avec l’interface 228 du module hyperfréquence 200. L’interface 228 du module hyperfréquence 200 peut alors être en liaison électrique avec la masse électrique 322 de la carte électronique 300, notamment de manière similaire à la liaison de l’interface de masse 229 avec la masse 322 de la carte électronique 300. Ainsi, la masse 212 de la puce hyperfréquence 210 peut être connectée avec celle 322 de la carte électronique 300. Selon un mode de réalisation, l’électrode de source du transistor 214 comprend une première partie 214’ et une deuxième partie 214’’ situées de part et d’autre du transistor 214. La FIG. 3 présente une vue schématique en perspective du transistor 214. Notamment, le transistor 214 comprend une électrode de grille G, par laquelle un signal radiofréquence peut être reçu ; et le transistor 214 comprend une électrode de drain D par laquelle un signal radiofréquence peut être émis. Chaque partie 214’, 214’’ peut alors être connectée à une ou plusieurs interfaces de masse 229 par l’intermédiaire d’une ou plusieurs traces de masse 227. La puce hyperfréquence 210 peut comprendre une connexion électrique entre l’électrode de source 214’, 214’’ du transistor 214 et la couche de masse électrique 212 de la puce 210. Une telle connexion électrique peut traverser le substrat 213 de la puce hyperfréquence 210, notamment par des vias de connexion électrique 217. Cette connexion électrique offre un chemin électrique supplémentaire permettant de réduire encore l’inductance équivalente au niveau de l’électrode de source 214’, 214’’. En particulier, chaque partie 214’, 214’’ peut être connectée à la couche de masse électrique 322 de la puce 320 par l’intermédiaire d’un ou plusieurs vias de connexion électrique respectifs 217. La FIG. 3 représente un via de connexion électrique 217 par partie 214’, 214’’ de l’électrode de source. Cependant, chaque partie 214’, 214’’ pourrait être connectée à la couche de masse électrique 322 par quatre vias de connexion électrique par exemple. Le via de connexion électrique 217 est par exemple un trou métallisé. La puce 210 est notamment fabriquée suivant des procédés de la microélectronique. En particulier, après sa fabrication, la première face et la deuxième face de la puce 210 forment chacune une face externe de la puce 210. Après sa fabrication, la puce hyperfréquence 210 est notamment encapsulée dans le boitier 220 par une technique de conditionnement au niveau de la plaquette ou technique FOWLP (pour «Fan-Out Wafer Level Packaging » en anglais) connue en soi. En faisant de nouveau référence à la FIG. 2 , le boitier 220 comprend notamment un moulage plastique 222 recouvrant la deuxième face et les côtés de la puce hyperfréquence 210, en particulier pour une protection mécanique de la puce hyperfréquence 210. Le moulage plastique 222 peut être en un matériau époxy. Notamment, la couche RDL 224 forme une couche venant contre la couche active 211, et repose par ses bords contre une partie du moulage plastique 222. La couche RDL 224 peut comprendre une première sous-couche de passivation, venant notamment contre la couche active 211 ; une deuxième sous-couche comprenant les traces de connexion électrique 225, 226, 227 ; et une troisième sous-couche de passivation. Les sous-couches de passivation sont par exemple en un matériau isolant électriquement. La première sous-couche de passivation peut comprendre des fenêtres permettant un contact entre les bornes électriques de la couche active 211 et les traces de connexion électrique 225, 226, 227. La troisième sous-couche de passivation peut comprendre des fenêtres permettant un contact entre les traces de connexion électrique 225, 226, 227 et les interfaces 228, 229, 230. Notamment, des traces de connexion électriques 226 permettent l’échange de signaux radiofréquences entre la puce hyperfréquence 210 et des pistes 326 de la carte électronique 300. A cet effet, les traces de connexion 226 peuvent être connectées à des interfaces 230 qui viennent en contact électrique avec la carte électronique 300. Les interfaces 228, 229, 230 du boitier 220 permettent notamment de connecter électriquement le module hyperfréquence 200, en particulier la couche active 211 de la puce hyperfréquence 210, avec son environnement. Les interfaces 228, 229, 230 sont par exemple des billes (ou « bump » en anglais). Les interfaces 228, 229, 230 sont notamment sur une face du module hyperfréquence 200 qui est parallèle à la première face de la puce hyperfréquence 210. En particulier, les interfaces 228, 229, 230 viennent contre la surface de la carte électronique 300 lorsque le module hyperfréquence 200 est monté sur la carte électronique 300 de sorte que la couche active 211 de la puce hyperfréquence 210 soit orientée vers la carte électronique 300. Dans l’exemple de module hyperfréquence 200 illustré en FIG. 2 , l’électrode de source 214’, 214’’ est connectée à une seule interface de masse 229. Chaque partie 214’, 214’’ de l’électrode de source est connectée à l’interface de masse 229 par l’intermédiaire d’une même trace de masse 227. En particulier, la trace de masse 227 forme un segment droit reliant les deux parties 214’, 214’’ de l’électrode de source. L’interface 229 est notamment connectée à la trace de masse 227 au niveau de son point milieu. La FIG. 4 illustre un exemple de module hyperfréquence 400 identique à celui illustré en FIG. 2 , si ce n’est que l’électrode de source 414’, 414’’ est connectée à plusieurs interfaces de masse 429’, 429’’. Chaque partie 414’, 414’’ de l’électrode de source est connectée à une interface de masse 429’, 429’’ respective par l’intermédiaire d’une même trace de masse 427. En particulier, la trace de masse 427 forme un segment droit reliant les deux parties 214’, 214’’ de l’électrode de source. Notamment, une première interface 429’ est connectée à une extrémité de la trace de masse 427 située du côté de la première partie 414’ de l’électrode de source ; et une deuxième interface 429’’ est connectée à une extrémité de la trace de masse 427 située du côté de la deuxième partie 414’’ de l’électrode de source. Chaque interface de masse 429’, 429’’ peut se connecter avec une borne respective, notamment une piste électrique respective 325’, 325’’, de la carte électronique 300 qui est connectée à la masse électrique 322 de la carte électronique 300 par l’intermédiaire d’un via de connexion électrique respectif 327’, 327’’. La FIG. 5 illustre un exemple de module hyperfréquence 500 identique à celui illustré en FIG. 4 , si ce n’est que chaque partie 514’, 514’’ de l’électrode de source est connectée à une interface de masse respective 529’, 529’’ par l’intermédiaire d’une trace de masse respective 527’, 527’’. Notamment, chaque trace de masse 527’, 527’’ s’étend depuis la partie respective 514’, 514’’ de l’électrode de source, en particulier suivant une droite reliant les parties 514’, 514’’ de l’électrode de source. Cependant, les traces de masse 527’, 527’’ pourraient s’étendre suivant une direction différente, par exemple une direction perpendiculaire à la droite reliant les deux parties 514’, 514’’ de l’électrode de source. Notamment, une première interface 529’ est connectée à une extrémité d’une première trace de masse 527’ connectée à la première partie 514’ de l’électrode de source ; et une deuxième interface 529’’ est connectée à une extrémité d’une deuxième trace de masse 527’’ connectée à la deuxième partie 514’’ de l’électrode de source. Chaque interface de masse 529’, 529’’ peut se connecter avec une borne respective, notamment une piste électrique respective 325’, 325’’, de la carte électronique 300 qui est connectée à la masse électrique 322 de la carte électronique 300 par l’intermédiaire d’un via de connexion électrique respectif 327’, 327’’. Dans les exemples illustrés en figures 2, 4 et 5, les traces de masse et les interfaces de masse sont de préférence agencés symétriquement par rapport au transistor. Cela permet des inductances équivalentes au niveau des parties de l’électrode de source qui sont égales. Cependant, la ou les traces de masse et la ou les interfaces de masse pourraient être agencées de manière asymétrique par rapport au transistor. Cela est le cas par exemple lorsque l’encombrement du module hyperfréquence ne permet pas un agencement symétrique. La FIG. 6 illustre un exemple de module hyperfréquence 600 identique à celui illustré en FIG. 2 , si ce n’est que la trace de masse 627 et l’interface 629 sont agencés de manière asymétrique par rapport au transistor. En particulier, la trace de masse 627 forme un segment droit reliant les deux parties 614’, 614’’ de l’électrode de source. L’interface 629 est notamment connectée à une extrémité de la trace de masse 627. La connexion de l’électrode de source à la masse 322 de la carte électronique 300 par l’intermédiaire de la ou des traces de masse de la couche RDL et la ou les interfaces de masse, peut en outre améliorer la dissipation thermique du transistor. En effet, en étant connectées à l’électrode de source, la ou les traces de masse sont connectées au plus près de la zone d’échauffement du transistor. L’amélioration de la dissipation thermique est particulièrement obtenue lorsque le refroidissement de l’ensemble comprenant le module hyperfréquence et la carte électronique 300 est obtenu grâce à un dissipateur thermique monté sur la masse 322 de la carte électronique 300. Les exemples ont été décrits avec une électrode de source en deux parties. Cependant, l’électrode source pourrait être en une partie. En outre, l’invention a été décrite avec un module hyperfréquence 200 comprenant une puce hyperfréquence 210. Mais le module hyperfréquence 200 pourrait en comprendre plusieurs, notamment connectées entre elles. Module hyperfréquence (200, 400, 500, 600) comprenant : une puce hyperfréquence (210), comportant un substrat (213), une couche active (211) à une première face de la puce (210), une couche de masse électrique (212) sur une deuxième face opposée à la première face, la couche active (211) comprenant des lignes de transmission en guide microruban ; un boitier (220) encapsulant la puce hyperfréquence (210), ledit boitier (220) comportant une couche de redistribution (224) recouvrant la couche active (211) de la puce hyperfréquence (210) et comprenant des traces de connexion électrique (225, 226, 227) pour une liaison entre la couche active (211) et une interface électrique (228, 229) du module hyperfréquence ; ladite couche active (211) comprenant au moins un transistor (214), une ou plusieurs des traces électriques de la couche de redistribution (224), dites traces de masse (227, 427, 527’, 527’’, 627), connectant une électrode de source du transistor (214) à l’une ou plusieurs des interfaces électriques, dites interfaces de masse (229, 429’, 429’’, 529’, 529’’, 629), ladite ou lesdites interfaces de masse (229, 429’, 429’’, 529’, 529’’, 629) étant configurées pour être connectées à une masse (322) d’une carte électronique (300). Module hyperfréquence (200, 400, 500) selon la revendication précédente, dans lequel la ou les interfaces de masse (229, 429’, 429’’, 529’, 529’’) et la ou les traces de masse (227, 427, 527’, 527’’) sont agencées symétriquement par rapport audit transistor (214). Module hyperfréquence (200, 400, 500, 600) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l’électrode de source comprend deux parties (214’, 214’’,414’, 414’’, 514’, 514’’, 614’, 614’’) situées de part et d’autre du transistor (214), ladite ou lesdites traces de masse (227, 427, 527’, 527’’, 627) connectant lesdites parties à ladite ou lesdites interfaces de masse (229, 429’, 429’’, 529’, 529’’, 629). Module hyperfréquence (200, 600) selon la revendication précédente, dans lequel l’électrode de source est connectée à une seule interface de masse (229, 629), les parties (214’, 214’’, 614’, 614’’) de l’électrode de source étant connectées à ladite interface de masse (229, 629). Module hyperfréquence (200, 600) selon la revendication précédente, dans lequel les parties (214’, 214’’, 614’, 614’’) de l’électrode de source sont connectées à ladite interface de masse (229, 629) via une même trace de masse (227, 427) ou via des traces de masse respectives. Module hyperfréquence (400, 500) selon la revendication 3, dans lequel l’électrode de source est connectée à plusieurs interfaces de masse (429’, 429’’, 529’, 529’’), les parties (414’, 414’’, 514’, 514’’) de l’électrode de source étant connectées aux dites interfaces de masse (429’, 429’’, 529’, 529’’). Module hyperfréquence (500) selon la revendication précédente, dans lequel chaque partie (514’, 514’’) de l’électrode de source est connectée à une interface de masse respective (529’, 529’’) via une trace de masse respective (527’, 527’’). Module hyperfréquence (400) selon la revendication 6, dans lequel les parties (414’, 414’’) de l’électrode de source sont connectées aux interfaces de masse (429’, 429’’) via une même trace de masse (427). Module hyperfréquence (200, 400, 500, 600) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la puce hyperfréquence (210) comprend en outre une connexion électrique (217) entre l’électrode de source du transistor (214) et la couche de masse électrique (212) de la puce, à travers le substrat (213) de la puce hyperfréquence (210). Ensemble comprenant : un module hyperfréquence (200, 400, 500, 600) selon l’une des revendications précédentes, une carte électronique (300) comprenant une couche de masse électrique (322), ledit module hyperfréquence (200, 400, 500, 600) étant monté sur la carte électronique (300) de sorte que la couche active (211) de la puce soit orientée vers ladite carte électronique (300), ladite ou lesdites interfaces de masse (229, 429’, 429’’, 529’, 529’’, 629) venant se connecter électriquement à la masse (322) de la carte électronique (300). Ensemble selon la revendication précédente, dans lequel le module hyperfréquence (200, 400, 500, 600) est monté sur la carte électronique (300), une face du module hyperfréquence, comprenant ladite ou lesdites interfaces de masse (229, 429’, 429’’, 529’, 529’’, 629), étant en vis-à-vis de la carte électronique (300), de sorte que ladite ou lesdites interfaces de masse (229, 429’, 429’’, 529’, 529’’, 629) viennent contre une borne (325, 325’, 325’’) de la carte électronique (300).