Brevet FR3147427A1 — publié le 20241004

L’invention concerne un procédé de fabrication d’un substrat (300) comprenant une couche de carbure de silicium polycristallin (30, 30A, 30B) et une couche de carbure de silicium monocristallin (20, 20A, 30B) en contact direct avec la couche de carbure de silicium polycristallin, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : le transfert d’une première couche de carbure de silicium monocristallin (20, 20A) sur une face avant d’un substrat support temporaire en graphite (10), un dépôt de carbure de silicium polycristallin sur la première couche de carbure de silicium monocristallin (20, 20A) pour former la couche de carbure de silicium polycristallin (30, 30A), le retrait du substrat support temporaire en graphite (10). Figure pour l’abrégé : Fig 4 Procédé de fabrication d’un substrat La présente invention concerne de façon générale le domaine des substrats en carbure de silicium pour la formation de composants électroniques. Elle propose plus particulièrement un procédé de fabrication d’un substrat comprenant une couche de carbure de silicium polycristallin et une couche de carbure de silicium monocristallin. Etat de la technique Le carbure de silicium monocristallin (m-SiC) est utilisé pour la formation de composants électroniques, par exemple pour les applications en électronique de puissance ou radiofréquences. La préparation du m-SiC est complexe et coûteuse. Pour cette raison, au lieu d’utiliser un substrat massif de m-SiC, on utilise couramment un substrat de carbure de silicium polycristallin (p-SiC) comportant à sa surface une couche de m-SiC dans laquelle les composants électroniques sont formés. De tels substrats sont typiquement fabriqués par un procédé du type Smart Cut TM , dans lequel une couche de m-SiC est transférée sur un substrat support en p-SiC à partir d’un substrat donneur. Afin d’assurer un bon contact mécanique et électrique entre le substrat support et la couche de m-SiC, le substrat support doit présenter une qualité cristalline homogène et une surface très lisse. Un tel procédé du type Smart Cut TM nécessite donc une préparation soigneuse du substrat support en p-SiC. Cette préparation comprend le dépôt d’une couche épaisse de p-SiC sur un substrat temporaire, suivi par le retrait du substrat temporaire. On retire ensuite une épaisseur importante de la couche de p-SiC afin de conserver uniquement une portion fine présentant une qualité cristalline adaptée pour le dépôt d’une couche de m-SiC. Ainsi, la couche épaisse de p-SiC présente typiquement une épaisseur initiale comprise entre 900 et 3000 µm. Après le retrait de la portion de qualité cristalline inférieure, on conserve typiquement une épaisseur d’environ 350 µm qui présente une qualité cristalline adaptée pour recevoir une couche de m-SiC. Ce procédé implique donc une consommation importante de p-SiC qui est éliminé avant le dépôt de la couche de m-SiC et n’est donc pas utilisé dans le substrat à fabriquer. La préparation pour le procédé du type Smart Cut TM comprend en outre des étapes laborieuses de préparation de la surface du p-SiC pour obtenir une surface très lisse. Une telle préparation est nécessaire pour le dépôt de la couche de m-SiC afin d’obtenir un bon contact mécanique et électrique à l’interface entre le substrat support en p-SiC et la couche de m-SiC. Ces étapes de préparation comprennent typiquement des traitements tel que des polissages mécaniques et chimiques. Cependant, ces traitements sont difficiles à réaliser sur du carbure de silicium et nécessitent un temps considérable en raison de sa dureté élevée. Les joints de grains présents dans le matériau polycristallin rendent le lissage de la surface encore plus difficile. En outre, le traitement mécanique implique un risque de casse, rendant le substrat inutilisable. Un but de l’invention est de concevoir un procédé de fabrication d’un substrat comprenant une couche de carbure de silicium polycristallin et une couche de carbure de silicium monocristallin, ce procédé permettant de s’affranchir des étapes de préparation d’un substrat support en carbure de silicium polycristallin décrites ci-dessus. A cet effet, l’invention propose un procédé de fabrication d’un substrat d’un substrat comprenant une couche de carbure de silicium polycristallin et une couche de carbure de silicium monocristallin en contact direct avec la couche de carbure de silicium polycristallin, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : le transfert d’une première couche de carbure de silicium monocristallin sur une face avant d’un substrat support temporaire en graphite, un dépôt de carbure de silicium polycristallin sur la première couche de carbure de silicium monocristallin pour former la couche de carbure de silicium polycristallin, le retrait du substrat support temporaire en graphite. Un tel substrat support temporaire en graphite est particulièrement adapté en raison de son coefficient de dilatation thermique qui est proche de celui du carbure de silicium monocristallin. Ainsi, les contraintes mécaniques se produisant lors du refroidissement après les étapes de dépôt sont minimisées. L’utilisation d’un tel substrat support temporaire prévient ainsi la rupture du substrat lors de cette étape. Avantageusement, le procédé comprend en outre, avant le dépôt de carbure de silicium polycristallin, le transfert d’une seconde couche de carbure de silicium monocristallin sur une face arrière du substrat support temporaire, le dépôt de carbure de silicium polycristallin comprenant la formation d’une seconde couche de carbure de silicium polycristallin sur la seconde couche de carbure de silicium monocristallin. L’utilisation du substrat support temporaire sur ses deux faces libres permet d’augmenter le rendement du procédé. Le procédé peut comprendre l’application d’une couche de collage entre chaque couche de carbure de silicium monocristallin et le substrat support temporaire. De préférence, le transfert de chaque couche de carbure de silicium monocristallin sur le substrat support temporaire comprend les étapes suivantes : la formation d’une zone de fragilisation par implantation d’espèces atomiques dans un substrat donneur en carbure de silicium monocristallin, le collage dudit substrat donneur sur une face libre du substrat support temporaire, le détachement du substrat donneur le long de la zone de fragilisation de sorte à transférer une couche de carbure de silicium monocristallin sur le substrat support temporaire. De manière avantageuse, le dépôt de chaque couche de carbure de silicium polycristallin est réalisé par dépôt chimique en phase vapeur. Le dépôt chimique en phase vapeur permet d’assurer un très bon contact électrique et mécanique entre la couche de p-SiC et la couche de m-SiC. Avantageusement, le procédé comprend en outre un traitement thermique après le dépôt d’une couche de carbure de silicium polycristallin à une température supérieure à la température de dépôt. De préférence, le traitement thermique est réalisé à une température supérieure ou égale à 1700°C. Le retrait du substrat support temporaire peut comprendre une combustion du graphite sous un flux d’oxygène à une température comprise entre 800°C et 900°C. Dans certains modes de réalisation, le retrait du substrat support temporaire comprend une attaque chimique ou gravure au plasma d’oxygène. Le retrait du substrat support temporaire peut comprendre une étape de meulage. Avantageusement, l’épaisseur du substrat support temporaire est comprise entre 1 et 15 mm. De préférence, l’épaisseur de la première couche de carbure de silicium monocristallin est comprise entre 400 et 5000 nm. De manière avantageuse, l’épaisseur de la première couche de carbure de silicium polycristallin est comprise entre 100 et 2000 µm. Dans certains modes de réalisation, la face avant du support temporaire en graphite présente une première taille, et la première couche de carbure de silicium monocristallin présente une seconde taille inférieure ou égale à la moitié de la première taille, de sorte que ladite première couche forme un premier pavé, le procédé comprenant en outre le transfert d’au moins un second pavé de carbure de silicium monocristallin sur la face avant du substrat support temporaire de sorte que les premiers et seconds pavés soient agencés côte à côte sur la face avant du substrat support temporaire, le dépôt de la couche de carbure de silicium polycristallin comprenant la formation d’une couche respective de carbure de silicium polycristallin sur chaque pavé. L’invention se rapporte également à un substrat intermédiaire comprenant : un substrat support temporaire en graphite, une première couche en carbure de silicium monocristallin agencée sur une face avant du substrat support temporaire, et une première couche de carbure de silicium polycristallin agencée en contact direct avec la première couche de carbure de silicium monocristallin. De manière avantageuse, la couche de carbure de silicium monocristallin présente une épaisseur comprise entre 400 et 5000 nm et la couche de carbure de silicium polycristallin présente une épaisseur comprise entre 100 et 2000 µm. De préférence, la face avant du substrat support temporaire en graphite présente une première taille, et la première couche de carbure de silicium monocristallin présente une seconde taille inférieure ou égale à la moitié de la première taille de sorte que ladite première couche forme un premier pavé, le substrat intermédiaire comprenant en outre au moins un second pavé de carbure de silicium monocristallin, de sorte que les premiers et seconds pavés soient agencées côte à côte sur la face avant du substrat support temporaire, une couche de carbure de silicium polycristallin étant agencée sur chaque pavé de carbure de silicium monocristallin. Brève description des figures D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée qui va suivre, en référence aux dessins annexés, sur lesquels : La illustre la formation d’une zone de fragilisation dans un substrat donneur en m-SiC. La illustre le transfert d’une couche de m-SiC sur un substrat support temporaire. La est une vue schématique d’un substrat support temporaire comportant une couche de m-SiC. La est une vue schématique d’un substrat support temporaire comportant une couche de m-SiC et une couche de p-SiC. La illustre un substrat comprenant une couche de carbure de silicium polycristallin et une couche de carbure de silicium monocristallin. La est une vue schématique d’un substrat support temporaire comportant deux couches de m-SiC. La est une vue schématique d’un substrat support temporaire comportant deux couches de m-SiC et deux couches de p-SiC. La illustre deux substrats obtenus à partir du substrat support temporaire de la . La illustre un substrat support temporaire comportant plusieurs couches de m-SiC juxtaposées. Description détaillée de modes de réalisation Dans le procédé selon l’invention, on utilise un substrat support temporaire sur lequel une première couche de carbure de silicium monocristallin (m-SiC) est transférée. Le substrat support temporaire remplit la fonction de support mécanique pour la couche de m-SiC. Du fait de son caractère temporaire, l’interface entre le substrat support temporaire et la couche de m-SiC nécessite uniquement une préparation de base relativement simple. Cette préparation n’implique aucune étape complexe ou critique en termes de nettoyage, d’homogénéité et d’adhérence de la couche sur le substrat. On dépose par la suite une couche de carbure de silicium polycristallin (p-SiC) sur cette première couche de m-SiC pendant que la première couche est maintenue sur le substrat temporaire. Pendant le dépôt, le substrat support temporaire assure la stabilité mécanique de la couche de m-SiC. Par la suite, le substrat support temporaire est retiré. Les figures 1 à 5 illustrent les étapes d’un procédé selon l’invention. En référence à la , comme schématisé par les flèches, on met en œuvre une implantation d’espèces ioniques dans un substrat donneur 200 de m-SiC. Les espèces ioniques sont par exemple de l’hydrogène et/ou de l’hélium. On crée ainsi une zone de fragilisation 21 définissant une couche 20 de m-SiC à transférer. En référence à la , on colle le substrat donneur 200 ainsi implanté sur un substrat temporaire 10 de graphite. Le collage peut être réalisé par l’intermédiaire d’une couche adhésive qui est appliquée sur le substrat donneur et/ou sur le substrat support temporaire avant la mise en contact des deux substrats. La couche adhésive est par exemple une couche de silicium, une couche de tungstène, une couche d’un polymère ou une couche d’un oxyde. Typiquement, le substrat support en graphite présente la même dimension de surface que le substrat donneur 200, par exemple un diamètre d’environ 150 mm 2 ou de 200 mm 2 . Ce dimensionnement facilite la manipulation des substrats collés ensemble et permet d’utiliser les équipements disponibles dans la fabrication des substrats semiconducteurs. De manière alternative, le substrat support temporaire peut présenter des dimensions de surface supérieures aux dimensions du substrat donneur 200. Une surface plus large du substrat support temporaire permet d’éviter des effets de bord et notamment des déformations (warping) à proximité des bords du substrat lors de l’étape de collage et des étapes de dépôt décrites ci-dessous. L’épaisseur du substrat support temporaire est typiquement comprise entre 1 et 15 mm pour assurer une stabilité mécanique suffisante pour maintenir la couche de m-SiC pendant le procédé. En référence à la , on détache le substrat donneur 200 le long de la zone de fragilisation 21, par exemple par un traitement thermique ou par l’application d’une contrainte mécanique, ce qui conduit au transfert de la couche de m-SiC 20 sur le substrat temporaire de graphite 10. On peut par la suite mettre en œuvre un traitement de finition de la couche transférée 20, par exemple un polissage et/ou un traitement thermique. Un tel traitement est utilisé pour guérir les défauts liés à l’implantation et à lisser la surface libre de ladite couche de m-SiC 20 afin d’optimiser la qualité de surface pour les étapes suivantes. Dans la présente invention, un traitement de finition peut souvent être évité car le dépôt de la couche de p-SiC sera réalisé sur la face résultant du détachement. Il n'est donc pas nécessaire de prévoir un lissage accru de la surface obtenue lors du détachement, puisqu'aucun collage n'est effectué sur cette surface. De plus, une éventuelle rugosité sera compensée lors du dépôt de la couche de p-SiC. En référence à la , on dépose par la suite une couche de carbure de silicium polycristallin 30 sur la face libre de la couche de m-SiC 20 agencée sur le substrat support temporaire 10. De préférence, la couche de p-SiC est déposée par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD, acronyme du terme anglo-saxon Chemical Vapour Deposition). Lors du dépôt par CVD, des atomes de silicium et de carbone sont envoyés sur la couche de m-SiC 20. Ainsi, des liaisons chimiques directes sont établies entre les atomes de la couche de m-SiC 20 et les atomes la couche de p-SiC 30 en cours de dépôt, avec une continuité cristallographique à l’interface entre les deux couches. Le dépôt chimique en phase vapeur permet ainsi d’assurer un très bon contact électrique et mécanique entre la couche de p-SiC et la couche de m-SiC. Typiquement, on ajuste les paramètres de dépôt de sorte que la couche de p-SiC présente une microstructure fine et micrométrique. Cela permet de favoriser la continuité cristallographique à l’interface entre les deux couches, et de limiter ainsi la déformation mécanique du substrat à fabriquer. De manière illustrative et non limitative, le dépôt de la couche de p-SiC est réalisé à une température comprise entre 1100-1500°C. Le dépôt par CVD est réalisé sur la surface principale de la couche de m-SiC 20. Cependant, une certaine quantité de p-SiC peut être déposée sur les bords du substrat et sera retirée dans une étape ultérieure. De la même manière, une quantité de SiC peut être déposée sur la face arrière et être retirée avec le substrat support temporaire. On peut ensuite appliquer un traitement thermique afin d’activer des dopants dans la couche 20 de m-SiC et la couche 30 de p-SiC. Un traitement thermique peut également favoriser la relaxation de contraintes mécaniques dans le substrat comprenant la couche 20 de m-SiC et la couche 30 de p-SiC. Ces effets améliorent la qualité cristalline et ainsi la conductivité électrique et thermique à l’interface entre la couche de m-SiC et la couche de p-SiC. De tels traitements thermiques sont typiquement réalisés à une température d’environ 1700°C. Grace au collage, la couche de m-SiC est maintenue sur le substrat support temporaire 10 sans risque de détachement pendant le traitement thermique. Lors du dépôt de la couche de p-SiC, par exemple dans une enceinte CVD, on dépose souvent de la matière sur les bords et/ou sur la face arrière du substrat. Si le bord du substrat support temporaire a été recouvert pendant le dépôt de la couche de p-SiC, on procède à un retrait du bord du substrat pour exposer le bord de la couche de m-SiC et du substrat support temporaire. Typiquement, on retire le p-SiC déposé sur le bord du substrat par une attaque chimique, un meulage ou polissage mécanique ou par un traitement thermique. De manière alternative, on crée, le long du bord du substrat, une indentation à l’aide d’une pointe en diamant afin de former une zone de fragilisation mécanique. On exerce par la suite une action mécanique pour fracturer le substrat le long de ladite zone de fragilisation afin de retirer le bord du substrat. En référence à la , le substrat support temporaire 10 est ensuite retiré. De manière illustrative et non limitative, le retrait du substrat support temporaire 10 peut être réalisé par combustion ou par une attaque chimique. Par exemple, la combustion peut être réalisée sous flux d’oxygène à une température comprise entre 800 et 900°C. Une attaque chimique peut par exemple être mise en œuvre par l’application de l’acide nitrique ou par de l’hydroxyde de potassium. De manière alternative, le substrat support temporaire peut être retiré par une étape de gravure au plasma d’oxygène. Ces étapes permettent également de retirer la couche de collage appliquée pour le transfert de la couche de m-SiC. Dans certains cas, on applique également une étape de meulage afin de retirer le substrat support temporaire sans résidus sur la couche de m-SiC. Dans certains modes de réalisation, illustrés dans les figures 6 à 8, on utilise les deux faces du substrat support temporaire pour la fabrication de deux substrats 300A et 300B comprenant chacun une couche fine de m-SiC et une couche de p-SiC. En référence à la , on transfère une première couche de m-SiC 20A sur une face avant du substrat support temporaire 10 en graphite, et une seconde couche de m-SiC 20B sur une face arrière du même substrat support temporaire 10. Les deux couches de m-SiC peuvent par exemple être déposées successivement à partir d’un même substrat donneur de m-SiC, ou à partir de deux substrats de m-SiC distincts. En référence à la , on dépose une couche de p-SiC 30A, 30B respective sur chacune des couches de m-SiC 20A, 20B. De préférence, les deux couches de p-SiC sont déposées simultanément dans la même enceinte, par exemple une enceinte de CVD. Cela permet d’augmenter l’efficacité du procédé, en réalisant le dépôt de deux couches au lieu d’une seule pendant un temps limité, et dans le même espace de l’enceinte CVD. Pour un tel dépôt simultané des deux faces respectives du même substrat, une certaine quantité de p-SiC est typiquement déposée sur les bords du substrat et sera retirée dans une étape ultérieure. Les autres étapes lors d’un procédé utilisant les deux faces du substrat support temporaire sont réalisées de la même manière que décrit ci-dessus pour le procédé utilisant une seule face du substrat support temporaire. Dans ce mode de réalisation, on dépose également de la matière sur les bords du substrat support et des couches de p-SiC respectives. Pour cette raison, on réalise un retrait du bord du substrat de sorte à exposer les bords des deux couches de m-SiC et du substrat support temporaire. Typiquement, on retire le p-SiC déposé sur le bord du substrat par une attaque chimique, un meulage ou polissage mécanique ou par un traitement thermique. De manière alternative, on crée, le long du bord du substrat, une indentation à l’aide d’une pointe en diamant afin de former une zone de fragilisation mécanique. On exerce par la suite une action mécanique pour fracturer le substrat le long de ladite zone de fragilisation afin de retirer le bord du substrat. Cette étape permet d’accéder au bord du substrat support temporaire pour l’étape du retrait dudit substrat support. En référence à la , après finalisation des couches 30A, 30B, leurs traitements sur le substrat support temporaire 10 et le retrait du bord, on procède au retrait du substrat support temporaire 10 par exemple par combustion ou par attaque chimique. On obtient simultanément deux substrats 300A et 300B. Cette variante permet d’augmenter le rendement du procédé en utilisant les deux faces opposées du substrat support. Dans certains modes de réalisation, en référence à la , on transfère une pluralité de pavés 20C, 20D, 20E de m-SiC les uns à côté des autres sur une seule face d’un substrat support temporaire 10. Dans ce cas, le substrat support temporaire présente une dimension de surface largement supérieure aux couches de m-SiC 20C, 20D, 20E transférées. Les pavés ne se chevauchent pas et typiquement une zone entre les bords des pavés respectifs reste libre sur le substrat support temporaire 10. La géométrie des pavés peut être ronde, rectangulaire ou autre. En fonction de la forme et la dimension des pavés et du substrat support temporaire, une zone à proximité du bord du substrat support temporaire peut également rester libre. Il est également possible de transférer plusieurs pavés de m-SiC respectifs côte à côte sur les faces avant et arrière d'un tel substrat support temporaire de grande dimension. Ce mode de réalisation permet également d’optimiser le rendement du procédé. On réalise ensuite un dépôt simultané d’une couche de p-SiC sur toute la surface du substrat support temporaire comportant la pluralité de pavés 20C, 20D, 20E de m-SiC. On peut appliquer les mêmes étapes et traitements du substrat que décrits ci-dessus pour une couche unique de p-SiC. On découpe par la suite la couche de p-SiC déposée dans les zones libres du substrat support temporaire ne comportant aucune couche de m-SiC. De manière illustrative et non limitative, on retire les zones de p-SiC déposées sur les zones libres du substrat support temporaire par une découpe laser ou une découpe avec une pointe diamant. Ces méthodes permettent une découpe efficace du p-SiC. On retire également le SiC déposé sur les bords du substrat support temporaire en graphite afin d’exposer le bord du substrat support pour le retrait du graphite. De manière illustrative et non limitative, on procède d’abord à la découpe du SiC sur la face avant du substrat support temporaire, et réalise ensuite le retrait du SiC sur les bords dudit substrat support temporaire. Après cette étape, on procède au retrait du substrat support temporaire, par exemple par combustion ou par attaque chimique On obtient ainsi plusieurs substrats respectifs à partir des plusieurs couches de m-SiC transférés en début du procédé. Typiquement, après l’obtention d’un ou plusieurs substrats comprenant une couche mince de m-SiC et une couche de p-SiC, on procède à une étape de mise en forme finale. Une telle étape peut par exemple comprendre un détourage mécanique et/ou un polissage pour enlever les dépôts sur les bords de chaque substrat et pour homogénéiser le bord de chaque substrat obtenu. Chaque couche de m-SiC transférée sur le substrat support temporaire présente une épaisseur comprise entre 400 et 5000 nm. Une couche d’une telle épaisseur est trop mince pour être autoportée. Pendant le dépôt de chaque couche de p-SiC, ladite couche mince de m-SiC est maintenue sur le substrat support temporaire par le collage réalisé lors de l’étape de transfert. Le substrat support temporaire assure le maintien mécanique et la stabilité de la couche de m-SiC pendant le dépôt de la couche de p-SiC. Cela permet de réaliser un dépôt de la couche de p-SiC homogène et de bonne qualité cristalline. L’utilisation d’une couche mince de m-SiC permet d’obtenir un grand nombre de substrats à partir d’un même substrat donneur en m-SiC. On peut ainsi optimiser le rendement d’un tel substrat donneur dont la production est difficile et laborieuse. L’épaisseur limitée de la couche de m-SiC permet en outre réduire l’impact de la légère différence de coefficient de dilatation thermique entre la couche de m-SiC et la couche de p-SiC qui peut être présente notamment en raison d’un dopage différent des deux couches. L’épaisseur permet également de limiter la déformation (warping) du substrat à réaliser, composé de la couche de p-SiC 30 et la couche mince de m-SiC 20. Le graphite présente un coefficient de dilatation thermique proche du carbure de silicium monocristallin et polycristallin. Pour cette raison, il est particulièrement adapté en tant que matériau de substrat support temporaire pour la fabrication d'un substrat impliquant des étapes à haute température. Des étapes à haute température sont par exemple le détachement du substrat donneur lors du transfert de la couche de m-SiC, le dépôt de la couche de p-SiC tel qu’un dépôt en phase vapeur, et les éventuels traitements thermiques de recristallisation et de relaxation et de subséquents. Par ailleurs, le graphite peut facilement être retiré par exemple par meulage, attaque chimique et/ou par combustion. Il n’est par conséquent pas nécessaire d’optimiser la qualité de surface et le collage de la couche de m-SiC pour faciliter le retrait du substrat support temporaire à la fin du procédé. Le substrat support temporaire doit être suffisamment lisse pour maintenir la couche de m-SiC pendant le dépôt de la couche de p-SiC sans déformation importante de la surface. Cependant, le procédé n’implique pas de contrainte pour la structure et la qualité du graphite utilisé, du fait que le substrat support temporaire soit retiré pour la finalisation du substrat en carbure de silicium. Le maintien sur le substrat support temporaire par un collage prévient le risque d’un détachement du substrat support pendant les étapes à haute température. L’homme du métier saura choisir le type de collage en fonction des températures et environnements prévus dans le procédé. Puisque le collage n’est que temporaire, les contraintes qui portent sur celui-ci sont relativement lâches. Le rôle du collage est uniquement d’assurer la tenue mécanique de la couche de m-SiC pendant le dépôt de la couche de p-SiC. Il n’est donc pas nécessaire d’optimiser la conductivité électrique ou thermique à travers l'interface de collage. Le dépôt de la couche de p-SiC peut donc être réalisé à une température à choisir en fonction des propriétés de la couche de p-SiC souhaitées. Il n’est pas nécessaire de limiter la fenêtre de température ou d’autres paramètres de procès pour éviter un détachement de la couche de m-SiC de son support. Les traitements thermiques, par exemple pour l’activation des dopants et pour la relaxation des contraintes mécaniques, peuvent également être réalisés sans contraintes particulières imposées par le substrat support temporaire. Chaque couche de p-SiC présente une épaisseur comprise entre 100 et 2000 µm. Une telle épaisseur est suffisante pour rendre le substrat autoporté sur toute son étendue après le retrait du substrat support temporaire. Le fait que la couche de p-SiC soit directement déposée sur une couche de m-SiC fine et de bonne qualité cristalline permet de réaliser un dépôt de p-SiC de bonne qualité sur toute l’épaisseur de la couche. On évite donc une étape supplémentaire de retrait d’une portion de p-SiC. Suite au dépôt du p-SiC sur une surface de m-SiC de bonne qualité cristalline, l’interface entre les couches respectives de p-SiC et de m-SiC présente un bon couplage mécanique, électrique et thermique. Procédé de fabrication d’un substrat (300) comprenant une couche de carbure de silicium polycristallin (30, 30A, 30B) et une couche de carbure de silicium monocristallin (20, 20A, 30B) en contact direct avec la couche de carbure de silicium polycristallin, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : le transfert d’une première couche de carbure de silicium monocristallin (20, 20A) sur une face avant d’un substrat support temporaire en graphite (10), un dépôt de carbure de silicium polycristallin sur la première couche de carbure de silicium monocristallin (20, 20A) pour former la couche de carbure de silicium polycristallin (30, 30A), le retrait du substrat support temporaire en graphite (10). Procédé de fabrication selon la revendication 1, comprenant en outre, avant le dépôt de carbure de silicium polycristallin, le transfert d’une seconde couche de carbure de silicium monocristallin (20B) sur une face arrière du substrat support temporaire (10), le dépôt de carbure de silicium polycristallin comprenant la formation d’une seconde couche de carbure de silicium polycristallin (30B) sur la seconde couche de carbure de silicium monocristallin (20B). Procédé de fabrication selon la revendication 1 ou la revendication 2, comprenant l’application d’une couche de collage entre chaque couche de carbure de silicium monocristallin (20A, 20B) et le substrat support temporaire (10). Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le transfert de chaque couche de carbure de silicium monocristallin (20, 20A, 20B) sur le substrat support temporaire (10) comprend les étapes suivantes : la formation d’une zone de fragilisation (21) par implantation d’espèces atomiques dans un substrat donneur (200) en carbure de silicium monocristallin, le collage dudit substrat donneur (200) sur une face libre du substrat support temporaire (10), le détachement du substrat donneur (200) le long de la zone de fragilisation (21) de sorte à transférer une couche (20, 20A, 20B) de carbure de silicium monocristallin sur le substrat support temporaire (10). Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le dépôt de chaque couche de carbure de silicium polycristallin (30, 30A, 30B) est réalisé par dépôt chimique en phase vapeur. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre un traitement thermique après le dépôt d’une couche de carbure de silicium polycristallin (30, 30A, 30B) à une température supérieure à la température de dépôt. Procédé de fabrication selon la revendication 6, dans lequel le traitement thermique est réalisé à une température supérieure ou égale à 1700°C. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le retrait du substrat support temporaire (10) comprend une combustion du graphite sous un flux d’oxygène à une température comprise entre 800°C et 900°C. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le retrait du substrat support temporaire (10) comprend une attaque chimique ou gravure au plasma d’oxygène. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le retrait du substrat support temporaire (10) comprend une étape de meulage. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur du substrat support temporaire (10) est comprise entre 1 et 15 mm. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur de la première couche de carbure de silicium monocristallin (20, 20A) est comprise entre 400 et 5000 nm. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur de la première couche de carbure de silicium polycristallin (30, 30A) est comprise entre 100 et 2000 µm. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la face avant du support temporaire en graphite (10) présente une première taille, et la première couche de carbure de silicium monocristallin présente une seconde taille inférieure ou égale à la moitié de la première taille, de sorte que ladite première couche forme un premier pavé (20C), le procédé comprenant en outre le transfert d’au moins un second pavé de carbure de silicium monocristallin (20D, 20E) sur la face avant du substrat support temporaire (10) de sorte que les premiers et seconds pavés (20C, 20D, 20E) soient agencés côte à côte sur la face avant du substrat support temporaire (10), le dépôt de la couche de carbure de silicium polycristallin comprenant la formation d’une couche respective de carbure de silicium polycristallin sur chaque pavé (20C, 20D, 20E). Substrat intermédiaire comprenant : un substrat support temporaire (10) en graphite, une première couche en carbure de silicium monocristallin (20, 20A) agencée sur une face avant du substrat support temporaire (10), et une première couche de carbure de silicium polycristallin (30, 30A) agencée en contact direct avec la première couche de carbure de silicium monocristallin (20, 20A). Substrat intermédiaire selon la revendication 15 dans lequel la couche de carbure de silicium monocristallin (20, 20A) présente une épaisseur comprise entre 400 et 5000 nm et la couche de carbure de silicium polycristallin (30, 30A) présente une épaisseur comprise entre 100 et 2000 µm. Substrat intermédiaire selon la revendication 15 ou la revendication 16, dans lequel la face avant du substrat support temporaire en graphite (10) présente une première taille, et la première couche de carbure de silicium monocristallin présente une seconde taille inférieure ou égale à la moitié de la première taille de sorte que ladite première couche forme un premier pavé (20C), le substrat intermédiaire comprenant en outre au moins un second pavé (20D, 20E) de carbure de silicium monocristallin, de sorte que les premiers et seconds pavés (20C, 20D, 20E) soient agencées côte à côte sur la face avant du substrat support temporaire (10), une couche de carbure de silicium polycristallin étant agencée sur chaque pavé (20C, 20D, 20E) de carbure de silicium monocristallin.