Brevet FR3144391A1 — publié le 20240628

Procédé de fabrication d’une plaque comprenant deux zones ayant un contraste de mouillabilité supérieur à 90° et plaque ainsi fabriquée L’invention concerne principalement le domaine des technologies d’interconnexion 3D pour la microélectronique, mais est concernée par toute application nécessitant un fort contraste de mouillabilité à l’échelle micrométrique. Le procédé proposé permet de fabriquer une plaque 1 comprenant une surface principale 10 présentant une zone pleine 101 et une zone micro- ou nano-structurée 102 ayant, entre elles, un contraste de mouillabilité supérieur à 90°, et de préférence supérieur à 120°, chaque zone structurée 102 s’étendant autour d’une zone pleine 101, la plaque comprenant un substrat 11 qui comprend un premier niveau 11 à base d’un matériau semi-conducteur et un deuxième niveau 12 à base d’un matériau diélectrique, la zone pleine et chaque zone structurée étant formées dans le deuxième niveau du substrat et chaque zone structurée présentant une pluralité de plots à base dudit matériau diélectrique 131, la plaque étant telle que les plots présentent des extrémités facettées. Figure pour l’abrégé : Fig. 2 Procédé de fabrication d’une plaque comprenant deux zones ayant un contraste de mouillabilité supérieur à 90° et plaque ainsi fabriquée La présente invention concerne principalement le domaine des technologies d’interconnexion 3D pour la microélectronique, mais peut être concernée par tout type d’applications nécessitant d’avoir un fort contraste de mouillabilité à l’échelle micrométrique. La présente invention concerne plus particulièrement la technique d’auto-assemblage de puces par collage hybride en puces à plaque (ou Die-To-Wafer (DTW) selon la terminologie anglo-saxonne). La présente invention trouve pour application particulièrement avantageuse l’auto-assemblage de composants de la microélectronique pour leur intégration 3D. Dans le cas de l’auto-assemblage, l’invention peut concerner l’auto-assemblage d’autres types de puces que des puces microélectroniques, et notamment l’auto-assemblage de microsystèmes, de puces biologiques, de dispositifs fluidiques, de dispositifs optiques, etc. ETAT DE LA TECHNIQUE Les technologies d’interconnexion 3D ont été développées pour augmenter le nombre de fonctionnalités par unité de surface. Les techniques de report de type puces à plaque (ou Die-To-Wafer (DTW)) sont particulièrement intéressantes pour l’intégration 3D hétérogène qui offre l’avantage d’assembler différentes technologies sur un même circuit d’accueil ou équivalemment sur une même plaque fonctionnalisée d’accueil. Les procédés actuels de DTW sont divisés en deux catégories : Les procédés par report par Pick&Place (expression anglaise correspondant à une saisie puis un placement de la puce) : les puces sont prises par un robot et alignées une par une sur une plaque (ou « wafer » selon la terminologie anglo-saxonne) d’accueil (ci-dessous appelé aussi ‘plaque cible’). Toutefois, dans ces procédés, la précision d’alignement est inversement proportionnelle à la cadence de report ; et Les procédés par report par auto-assemblage: les puces sont reportées et pré-alignées grossièrement par un équipement de Pick&place vers la plaque d’accueil. L’alignement fin est réalisé par les forces de capillarité d’un liquide à l’interface entre la puce et une zone de report de la puce sur la plaque d’accueil. Plus particulièrement, l’auto-assemblage consiste à déposer une goutte d’eau sur une zone de report d’une puce qui est hydrophile et à approcher ensuite la puce de sorte d’obtenir son auto-alignement grâce aux forces de capillarité entre les deux surfaces en présence de part et d’autre de la goutte. Cette technique peut permettre de gagner à la fois en précision d’alignement et en cadence de report. Le report de puces peut en outre être réalisé de manière individuelle ou collective. L’auto-assemblage nécessite donc des adaptations de l’intégration usuelle du collage puces à plaque (DTW), avec notamment la définition de zones hydrophiles et hydrophobes sur la plaque cible, de préférence avec un fort contraste d’énergie de surface entre les deux. Notons ici que les caractères hydrophile, hydrophobe et super-hydrophobe des surfaces se caractérisent par leur valeur d’angle de goutte qui sont respectivement inférieurs à 90°, compris entre 90 et 120°, et supérieurs à 120°. En référence à la , une des manières de créer ce contraste de mouillabilité (différence entre l’angle de goutte α de la zone de report 101 d’une puce et l’angle de goutte β de la zone 102 entourant la zone de report 101) est de générer : une marche (ou « mesa » selon la terminologie anglo-saxonne) 15, de plusieurs micromètres d’épaisseur en général, à la surface 10 de la plaque d’accueil 1, de sorte que la surface supérieure de la marche 15 constitue une zone d’accueil 101 d’une puce, et/ou une marche, de plusieurs micromètres d’épaisseur en général, à la surface de chaque puce à reporter, et/ou un contraste chimique, entre chaque zone d’accueil 101 à la surface de la plaque d’accueil 1et la zone inter-puces 102 qui entoure chaque zone d’accueil 101, voire entre la zone d’accueil 101 à la surface de la plaque d’accueil 1 et le reste de la surface de la plaque d’accueil 1, au moyen d’une couche hydrophile 1000 sur la surface supérieure de chaque marche, et/ou un contraste chimique, entre les zones d’accueil 101 à la surface de la plaque d’accueil 1 et les zones inter-puces 102, au moyen d’une couche hydrophobe 1001 qui recouvre au moins les zones inter-puces 102 et le cas échéant le pourtour de chaque marche 15. On peut ainsi obtenir des contrastes de mouillabilité de l’ordre de 90°. Pour générer, à la surface de la plaque d’accueil, un contraste de mouillabilité entre les zones d’accueil des puces à reporter et les zones qui entourent ces zones d’accueil, il est encore possible de générer, au moins au niveau des zones qui entourent les zones d’accueil, une surface micro- ou nano-structurée, c’est-à-dire une surface présentant une micro- ou nano-rugosité, en particulier créant les conditions d’observation d’un effet lotus. Notamment lorsqu’une telle structuration de surface est en outre associée à la présence d’un revêtement chimiquement hydrophobe, il est possible d’atteindre des contrastes de mouillabilité supérieurs à 120°. Une super-hydrophobie est alors atteinte qui permet d’avoir une meilleure précision d’alignement. Il est ainsi connu de l’article intitulé “Surface-Tension-Driven Self-Alignment of Microchips on Black-Silicon-Based Hybrid Template in Ambient Air” de Ali Shah et al. et paru dans JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS , VOL. 22, NO. 3, JUNE 2013, 739, un procédé de fabrication de sites récepteurs hydrophiles entourés de leur surface super-hydrophobe au moyen d’une gravure sèche du Si obtenue par gravure ionique réactive profonde (ou « Deep Reactive Ion Etching » selon la terminologie anglo-saxonne) qui permet d’obtenir du silicium noir (ou « Black Silicon » selon la terminologie anglo-saxonne), c’est-à-dire une surface de silicium très rugueuse faite de petites aiguilles. Cependant, obtenir, par gravure ionique réactive profonde, une telle surface super-hydrophobe de manière reproductible n’est pas facile. De plus, le silicium noir peut générer une quantité importante de débris de silicium qui se détachent, sous forme de particules, de la surface du fait que les micro-aiguilles générées sont très irrégulières et par endroit fragiles. Ceci est donc un inconvénient notable pour la technique de collage hybride qui nécessite une surface la plus propre possible et exempte de particules. De plus, le procédé décrit dans l’article susmentionné nécessite d’avoir accès au silicium du substrat dans les zones inter-puces, ce qui peut impliquer d’avoir à supprimer tous les matériaux déposés sur la plaque cible lors de la fabrication des circuits. Ceci peut s’avérer compliqué et coûteux selon la complexité des empilements de matériaux, notamment dans les niveaux supérieurs de la plaque d’accueil qui sont usuellement fonctionnalisés pour être utilisés comme niveaux d’interconnexion entre la plaque cible et les puces. Un objet de la présente invention est donc de proposer un procédé de fabrication d’une plaque, comprenant une surface principale présentant au moins une zone pleine et une zone micro- ou nano-structurée ayant, entre elles, un contraste de mouillabilité supérieur à 90°, et de préférence supérieur à 120°, chaque zone micro- ou nano-structurée s’étendant autour d’une zone pleine, qui permet de pallier au moins un des inconvénients de l’art antérieur. Un objet de la présente invention est plus particulièrement de proposer un tel procédé aboutissant à la fabrication d’une plaque adaptée à l’auto-assemblage de puces par collage hybride de type puces à plaque. Les autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à l'examen de la description suivante et des dessins d'accompagnement. Il est entendu que d'autres avantages peuvent être incorporés. RESUME Pour atteindre cet objectif, selon un mode de réalisation on prévoit un procédé de fabrication d’une plaque comprenant une surface principale présentant au moins une zone pleine et une zone micro- ou nano-structurée ayant, entre elles, un contraste de mouillabilité supérieur à 90°, et de préférence supérieur à 120°, chaque zone micro- ou nano-structurée s’étendant autour d’une zone pleine, le procédé comprenant les étapes suivantes : Fournir un substrat comprenant un premier niveau à base d’un matériau semi-conducteur et un deuxième niveau à base d’un matériau diélectrique, le deuxième niveau s’étendant sur le premier niveau, Former, sur une surface exposée du deuxième niveau du substrat fourni, une couche à base d’un matériau sacrificiel, tel qu’une résine, présentant au moins une première zone sur laquelle s’étend une couche pleine à base dudit matériau sacrificiel et une deuxième zone présentant une surface structurée par une pluralité de plots micrométriques ou nanométriques à base dudit matériau sacrificiel, chaque première zone étant entourée d’une deuxième zone et chaque première zone s’étendant sur une surface, d’au moins un ordre de grandeur, supérieure à une surface micrométrique ou nanométrique sur laquelle s’étend chaque plot à base dudit matériau sacrificiel, puis Graver une partie de la couche à base dudit matériau sacrificiel précédemment formé et une partie du deuxième niveau du substrat, de sorte à former, dans le deuxième niveau du substrat, ladite au moins une zone pleine au niveau de chaque première zone et chaque zone micro- ou nano-structurée au niveau de chaque deuxième zone, chaque zone micro- ou nano-structurée présentant une pluralité de plots à base dudit matériau diélectrique qui correspond à la pluralité de plots à base dudit matériau sacrificiel. Parmi les avantages qui découlent du procédé de fabrication tel qu’introduit ci-dessus citons les suivants : La forme, la taille et la densité des plots en un matériau diélectrique sont parfaitement contrôlées et modulables puisqu’elles sont déterminées par le motif que dessine la couche à base dudit matériau sacrificiel. De la même manière, la distance entre la zone pleine et la zone micro- ou nano-structurée est également parfaitement contrôlée et modulable puisqu’elle est définie par le motif que dessine la couche à base dudit matériau sacrificiel ; et/ou L’on évite ainsi de générer une zone pleine, ou marche, présentant une épaisseur très importante en surface de la plaque, cette marche étant tout de même obtenue de sorte à participer à l’atteinte d’un fort contraste de mouillabilité entre la zone pleine (ou marche) et la zone micro- ou nano-structurée. De manière facultative, le premier aspect de l’invention peut en outre présenter au moins l’une quelconque des caractéristiques suivantes qui peuvent être prises séparément ou en combinaison: Selon un exemple, la gravure peut être poursuivie jusqu’à obtenir un retrait complet des plots à base dudit matériau sacrificiel. La différence de dimension (d’un ordre de grandeur) entre chaque couche pleine à base dudit matériau sacrificiel et chaque plot à base dudit matériau sacrificiel explique que le matériau sacrificiel constituant les plots à base dudit matériau sacrificiel soit plus rapidement consommé par la gravure que le matériau sacrificiel constituant chaque première zone par un phénomène de « facettage » qui consiste en une consommation latérale du matériau sacrificiel qui se rajoute à sa consommation par le haut. On obtient ainsi des plots à base de matériau diélectrique aux extrémités facettées, et par exemple en forme d’aiguilles. Selon un autre exemple, la formation de la couche à base dudit matériau sacrificiel peut comprendre une étape de photolithographie. Il apparaît alors qu’il suffit d’appliquer, sur le substrat fourni, un seul niveau de photolithographie pour permettre l’obtention d’une plaque présentant au moins deux zones ayant, entre elles, un contraste de mouillabilité supérieur à 90°, et de préférence supérieur à 120°. En outre, l’étape de gravure permettant de générer la microrugosité relève alors d’une technique standard et parfaitement maîtrisée de la micro-électronique, qui ne génère ni défauts, ni particules. Elle est très facile à intégrer dans un procédé de fabrication d’une plaque d’accueil destinée au report de puces par collage hybride des puces et met en œuvre les mêmes types d’équipements que les techniques de fabrication du substrat fourni. Selon un autre exemple, la gravure peut être arrêtée avant d’obtenir un retrait complet de la couche à base dudit matériau sacrificiel au droit de chaque première zone, la couche à base dudit matériau sacrificiel restant au droit de chaque première zone présentant de préférence une épaisseur comprise entre 100 nm et 5 µm. De préférence, la gravure comprend une exposition à un plasma de gravure ou à une gravure ionique. Selon un autre exemple, le procédé de fabrication selon le premier aspect de l’invention peut comprendre en outre, suite à la gravure, le dépôt d’une couche, préférentiellement conforme, à base d’un matériau hydrophobe, ci-dessous « couche hydrophobe ». Par exemple, le matériau hydrophobe à base duquel la couche hydrophobe est constituée est de préférence à base d’au moins un polymère. Il comprend par exemple un polymère fluorosilane à 0,1% en masse dans un solvant porteur hydrofluoroéther. Par exemple, le dépôt de la couche hydrophobe comprend une étape d’enduction centrifuge (ou « spin coating » selon la terminologie anglo-saxonne) ou une étape de dépôt par plasma. Selon un autre exemple, le procédé de fabrication selon le premier aspect de l’invention peut comprendre en outre une étape de retrait d’une partie de la couche à base dudit matériau sacrificiel qui reste au droit de la première zone après la gravure, de sorte à exposer une surface du deuxième niveau du substrat qui se trouve au droit de chaque première zone. Selon un exemple lié aux deux exemples précédents, le dépôt de la couche hydrophobe peut être implémenté avant le retrait complet de la partie de la couche à base dudit matériau sacrificiel qui reste au droit de la première zone après la gravure. Ainsi, le retrait complet (ou « lift-off » selon la terminologie anglo-saxonne) de la partie de la couche à base dudit matériau sacrificiel qui reste au droit de la première zone aboutit au retrait de la couche à base d’un matériau hydrophobe au droit de la zone pleine. Dès lors, pour peu que le matériau à base duquel est constitué le deuxième niveau du substrat soit hydrophile, le contraste de mouillabilité entre la zone pleine (ou marche) et la zone micro- ou nano-structurée s’en trouve avantageusement significativement accrue. Selon un autre exemple, la plaque peut constituer une plaque d’accueil destinée au report de composants de la microélectronique, tels que des puces microélectroniques, par collage hybride, chaque zone pleine étant destinée à accueillir un composant de la microélectronique et chaque zone micro- ou nano-structurée étant destinée à constituer au moins une partie d’une zone entre composants de la microélectronique. Selon l’exemple précédent, le deuxième niveau du substrat comprenant au moins un niveau d’interconnexions électriques s’étendant au moins au droit de chaque zone pleine et s’étendant le cas échéant d’une zone pleine à une zone micro- ou nano-structurée adjacente, la gravure peut être arrêtée avant d’atteindre ledit au moins un niveau d’interconnexions électriques. Le procédé permet ainsi de conserver l’intégrité des matériaux isolants et métalliques qui peuvent être très nombreux dans les zones inter-puces et qui seraient difficiles à supprimer par gravure étant donné leur variété. Un deuxième aspect de l’invention concerne une plaque comprenant une surface principale présentant au moins une zone pleine et une zone micro- ou nano-structurée ayant, entre elles, un contraste de mouillabilité supérieur à 90°, et de préférence supérieur à 120°, chaque zone micro- ou nano-structurée s’étendant autour d’une zone pleine, la plaque comprenant un substrat qui comprend un premier niveau à base d’un matériau semi-conducteur et un deuxième niveau à base d’un matériau diélectrique, le deuxième niveau s’étendant sur le premier niveau, ladite au moins une zone pleine et chaque zone micro- ou nano-structurée étant formées dans le deuxième niveau du substrat et chaque zone micro- ou nano-structurée présentant une pluralité de plots à base dudit matériau diélectrique, la plaque étant essentiellement telle que les plots à base dudit matériau diélectrique présentent des extrémités facettées . La plaque selon le deuxième aspect de l’invention permet d’obtenir un contraste de mouillabilité encore accru relativement à celui qu’offre une plaque supportant des plots prenant chacun la forme d’un pilier dont la section reste sensiblement constante depuis la base jusqu’au sommet. Un troisième aspect de l’invention concerne un procédé d’auto-assemblage de composants de la microélectronique mettant en œuvre une plaque selon le deuxième aspect de l’invention. Par exemple, une pluralité de composants de la microélectronique, tels que des puces microélectroniques, sont auto-assemblées sur la plaque par collage hybride de type puces à plaque. Un quatrième aspect de l’invention concerne un assemblage comprenant une plaque selon le deuxième aspect de l’invention et une pluralité de composants de la microélectronique, tels que des puces microélectroniques, assemblées sur la plaque par collage hybride. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront mieux de la description détaillée d’un mode de réalisation de cette dernière qui est illustré par les dessins d’accompagnement suivants dans lesquels : La représente schématiquement une vue en coupe d’une partie d’un mode de réalisation d’une plaque d’accueil selon l’art antérieur. La représente schématiquement une vue en coupe d’une partie d’un mode de réalisation d’une plaque d’accueil selon l’invention et une puce microélectronique située en vis-à-vis de la surface de la plaque d’accueil via laquelle la puce microélectronique est destinée à être assemblée par collage hybride à la plaque d’accueil. Les à 3E illustrent schématiquement les différentes étapes d’un mode de réalisation du procédé de fabrication de la plaque d’accueil illustrée sur la . La illustre schématiquement une vue de dessus d’un mode de réalisation d’une plaque d’accueil selon l’invention. La illustre un agrandissement sur quatre plots en un matériau diélectrique du mode de réalisation de la plaque d’accueil selon l’invention qui est illustrée sur la . Les figures 5A et 5B représentent des photos en perspective de plots en un matériau diélectrique obtenus par mise en œuvre d’un mode de réalisation du procédé de fabrication selon le premier aspect de l’invention, respectivement sans surgravure et avec surgravure. La représente une photo en perspective d’une portion d’une plaque d’accueil selon l’invention comprenant des plots en un matériau diélectrique et recouverts d’une couche en un matériau hydrophobe qui ont été obtenus par mise en œuvre d’un mode de réalisation du procédé de fabrication selon le premier aspect de l’invention. La représente une photo en perspective d’une portion d’une plaque d’accueil selon l’invention comprenant une marche d’accueil obtenue par mise en œuvre d’un mode de réalisation du procédé de fabrication selon le premier aspect de l’invention, la couche hydrophobe recouvrant les flancs de la marche et le fond de la surface principale du substrat, mais pas la surface supérieure de la marche. La représente schématiquement une vue en coupe d’une partie d’un mode de réalisation d’une plaque d’accueil selon l’invention et d’une puce microélectronique située en vis-à-vis de la surface de la plaque d’accueil via laquelle la puce microélectronique est destinée à être assemblée par collage hybride à la plaque d’accueil. La correspond sensiblement à la , à ceci près qu’elle représente, en outre, les niveaux d’interconnexions électriques de la plaque d’accueil et de la puce microélectronique. Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l’invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l’invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier, les épaisseurs des différentes couches illustrées sur les figures ne sont pas représentatives de la réalité. DESCRIPTION DÉTAILLÉE Avant d’entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l’invention, sont énoncées ci-après des caractéristiques optionnelles qui peuvent éventuellement être utilisées en association ou alternativement : Selon un exemple, le matériau diélectrique à base duquel est constitué le deuxième niveau du substrat fourni est un oxyde du matériau à base duquel est constitué le premier niveau du substrat. En alternative ou en complément à l’exemple précédent, le matériau à base duquel est constitué le premier niveau du substrat et/ou le deuxième niveau du substrat est choisi parmi : le silicium, le germanium, le saphir, etc. Selon un exemple du premier aspect de l’invention, l’étape de photolithographie comprend les sous-étapes suivantes : Déposer une couche à base dudit matériau sacrificiel, par exemple à base d’une résine photosensible, pleine sur la surface exposée du deuxième niveau du substrat fourni, Exposer la couche à base dudit matériau sacrificiel à un rayonnement lumineux à travers un masque de photolithographie structuré de sorte à définir un négatif ou un positif d’une micro-structuration de ladite couche à base dudit matériau sacrificiel, puis Graver chimiquement la couche à base dudit matériau sacrificiel de sorte à obtenir la micro-structuration de ladite couche à base dudit matériau sacrificiel. En alternative à l’exemple précédent, la formation de la couche à base dudit matériau sacrificiel comprend une étape de sérigraphie ou une étape de photolithographie par faisceau d’électrons. Selon un autre exemple du premier aspect de l’invention, le dépôt de la couche hydrophobe peut être paramétré de sorte que la couche hydrophobe recouvre chaque plot à base dudit matériau diélectrique et chaque espace entre les plots à base dudit matériau diélectrique d’une même pluralité, voire le cas échéant des bords latéraux de chaque zone pleine. Selon un autre exemple du premier aspect de l’invention, la couche à base dudit matériau sacrificiel peut être formée de sorte à présenter une épaisseur sensiblement constante comprise entre 200 nm et 5 µm, de préférence entre 500 nm et 1,5 µm, et encore plus préférentiellement sensiblement égale à 800 nm. Selon un autre exemple du premier aspect de l’invention, la couche à base dudit matériau sacrificiel peut être formée de sorte que chaque zone pleine présente au moins une dimension transversale comprise entre 100 µm et 20000 µm, de préférence entre 500 µm et 5000 µm, et encore plus préférentiellement sensiblement égale à 2000 µm. Selon un autre exemple du premier aspect de l’invention, la couche à base dudit matériau sacrificiel peut être formée de sorte que deux plots adjacents entre eux d’une même pluralité soient espacés entre eux d’une distance comprise entre 100 nm et 1 µm, de préférence entre 200 nm et 800 nm, et encore plus préférentiellement sensiblement égale à 500 nm. Selon un autre exemple du premier aspect de l’invention, la gravure est paramétrée de sorte que chaque plot à base dudit matériau diélectrique présente une hauteur comprise entre 100 nm et 5 µm, de préférence entre 400 nm et 2,5 µm, et encore plus préférentiellement sensiblement égale à 1 µm. Selon un exemple, les plots à base dudit matériau diélectrique de chaque pluralité peuvent être répartis de façon matricielle sur la zone micro- ou nano-structurée concernée et/ou peuvent présenter des sections de forme octogonale de taille caractéristique sensiblement égale à 500 nm et/ou sont espacés entre eux par une distance minimale sensiblement comprise entre 300 nm et 1 µm. Selon un exemple du deuxième aspect de l’invention, la plaque peut comprendre en outre une couche hydrophobe recouvrant chaque plot à base dudit matériau diélectrique et chaque espace entre les plots à base dudit matériau diélectrique d’une même pluralité, voire le cas échéant des bords latéraux de chaque zone pleine, et ne recouvrant pas ladite au moins une zone pleine. Selon un autre exemple du deuxième aspect de l’invention : chaque plot à base dudit matériau diélectrique peut présenter une hauteur comprise entre 100 nm et 5 µm, de préférence entre 400 nm et 2,5 µm, et encore plus préférentiellement sensiblement égale à 1 µm, et/ou chaque plot à base dudit matériau diélectrique peut présenter au moins une dimension transversale comprise entre 100 nm et 2 µm, de préférence entre 200 nm et 1 µm, et encore plus préférentiellement sensiblement égale à 500 nm, et/ou deux plots à base dudit matériau diélectrique adjacents entre eux d’une même pluralité peuvent être espacés entre eux d’une distance comprise entre 100 nm et 1 µm, de préférence entre 200 nm et 800 nm, et encore plus préférentiellement sensiblement égale à 500 nm. Selon un autre exemple du deuxième aspect de l’invention, la plaque peut constituer une plaque d’accueil destinée au report de composants de la microélectronique, tels que des puces microélectroniques, par collage hybride, chaque zone pleine étant destinée à accueillir un composant de la microélectronique et chaque zone micro- ou nano-structurée étant destinée à constituer au moins une partie d’une zone entre composants de la microélectronique. Selon un autre exemple du deuxième aspect de l’invention, le deuxième niveau du substrat peut comprendre au moins un niveau d’interconnexions électriques s’étendant au moins au droit de chaque zone pleine et s’étendant le cas échéant d’une zone pleine à une zone micro- ou nano-structurée adjacente, les interconnexions électriques affleurant du deuxième niveau du substrat depuis une surface exposée de chaque zone pleine et s’étendant depuis chaque zone pleine au moins jusqu’à la zone micro- ou nano-structurée adjacente, et s’étendant plus particulièrement au-dessous de la pluralité de plots à base dudit matériau diélectrique de ladite zone micro- ou nano-structurée adjacente, en étant encapsulées dans le matériau diélectrique à base duquel le deuxième niveau du substrat est constitué. On entend par « collage hybride », un collage obtenu entre surfaces hybrides, c’est-à-dire entre surfaces composées de plusieurs matériaux. Dans le cas d’interconnexions 3D, ces matériaux peuvent être du Cu (pour les contacts électriques) et du SiO2 (pour isoler les contacts les uns des autres). Le collage hybride peut se pratiquer en mode plaque-à plaque (ou « wafer-to-wafer ») ou en mode puce-à-plaque (ou « die-to-wafer »). On entend, par « un plot présentant une extrémité facettée », un plot dont la section transversale évolue en diminuant depuis sa base ou depuis une distance non nulle à sa base, et jusqu’à son extrémité opposée à sa base. Par exemple, le plot peut avoir une extrémité en forme d’ogive ou de tête d’épingle. On entend, par une « zone micro- ou nano-structurée », une zone présentant une micro-structuration, c’est-à-dire des éléments qui se distinguent de par leur taille caractéristique micro- ou nano-métrique. Il est essentiellement question ici d’une zone présentant une surface micro- ou nano-structurée. On entend, par une « zone pleine », une zone définie par opposition à une zone micro- ou nano-structurée, comme une zone présentant une surface lisse (ou plane) en ce sens que sa rugosité est bien inférieure, par exemple d’au moins un ordre de grandeur, à la rugosité liée à la micro-structuration de la surface de la zone micro- ou nano-structurée. Par exemple, la zone pleine présente une rugosité de surface inférieure à 0,3 nm. On entend par un film à base d’un matériau A, un film comprenant ce matériau A et éventuellement d’autres matériaux. On entend par un paramètre « sensiblement égal/supérieur/inférieur à » une valeur donnée que ce paramètre est égal/supérieur/inférieur à la valeur donnée, à plus ou moins 20 %, voire 10 %, près de cette valeur. On entend par un paramètre « sensiblement compris entre » deux valeurs données que ce paramètre est au minimum égal à la plus petite valeur donnée, à plus ou moins 20 %, voire 10 %, près de cette valeur, et au maximum égal à la plus grande valeur donnée, à plus ou moins 20 %, voire 10 %, près de cette valeur. Dans son acceptation la plus large, et en référence à la , le premier aspect de l’invention concerne un procédé de fabrication d’une plaque 1 comprenant une surface principale 10 présentant au moins une zone pleine 101 et une zone micro- ou nano-structurée 102, ci-dessous « zone structurée 102 ». Ces zones présentent entre elles un contraste de mouillabilité, qui est défini comme la différence entre l’angle de goutte α associé à la zone pleine 101 et l’angle de goutte β associé à la zone structurée 102, supérieure à 90°, et de préférence supérieure à 120°. Par ailleurs, chaque zone structurée 102 s’étend autour d’une zone pleine 101. Cette acceptation permet de définir une plaque et son procédé de fabrication destinés non seulement à accueillir par report des composants de la micro-électronique 2, tels que des puces micro-électroniques, pour leur collage hybride sur la plaque, mais également tout autre type d’applications, et notamment tout type d’applications nécessitant d’avoir un fort contraste de mouillabilité à l’échelle micrométrique. Ainsi, si par la suite, l’invention est décrite dans le cadre de sa principale application, c’est-à-dire dans le cadre d’une application à l’auto-assemblage de composants de la micro-électronique 2 sur la plaque 1 par collage hybride de type puces à plaque, l’invention n’est pas pour autant limitée à cette application. Un mode de réalisation du procédé de fabrication selon le premier aspect de l’invention est décrit ci-dessous en référence aux figures 3A à 3E. La première étape de ce procédé consiste à fournir un substrat 11 comprenant un premier niveau 111 à base d’un matériau semi-conducteur et un deuxième niveau 112 à base d’un matériau diélectrique, le deuxième niveau 112 s’étendant sur le premier niveau 111, de sorte à présenter une surface exposée 1121. Dans l’exemple illustré, le matériau semi-conducteur à base duquel est constitué le premier niveau 111 est du silicium et le matériau diélectrique à base duquel est constitué le deuxième niveau 112 est de l’oxyde de silicium. Toutefois, le matériau diélectrique à base duquel est constitué le deuxième niveau du substrat fourni n’est pas nécessairement un oxyde du matériau à base duquel est constitué le premier niveau du substrat. Par ailleurs, d’autres matériaux semi-conducteurs que le silicium sont envisagés, pour peu par exemple qu’ils soient structurables par des techniques de photolithographie et de gravure sèche potentiellement impliquées dans la mise en œuvre du procédé selon le premier aspect de l’invention ; ce sera typiquement le cas pour le germanium, le saphir, etc. Notons ici que le deuxième niveau 112 du substrat 11 présente une épaisseur e inférieure à 10 µm ; cette épaisseur e sera en outre supérieure à la hauteur des plots 131 à base du matériau diélectrique que le procédé permet de fabriquer à la surface de substrat 11 ; elle sera même, le cas échéant, supérieure à la hauteur des plots 131 et à la hauteur d’un niveau d’interconnexions électriques 110 enterré dans le matériau diélectrique du deuxième niveau 112 (Cf. ). Les plots diélectriques 131 peuvent en effet être destinés à être formés dans une couche supérieure du deuxième niveau 112 du substrat 11 qui est exempte de toute interconnexion électrique, de sorte que leur formation permette de préserver l’intégrité des desdites interconnexions électriques lorsqu’elles existent. En référence à la , le procédé selon le premier aspect de l’invention comprend en outre la formation, sur la surface exposée 1121 du deuxième niveau 112 du substrat 11, d’une couche à base d’un matériau sacrificiel 12, ci-dessous « couche sacrificielle 12 ». Le matériau sacrificiel peut être une résine, et plus particulièrement une résine photosensible ou thermodurcissable ou électrosensible (dans le cas de la photolithographie électronique). La couche sacrificielle 12 est formée de sorte à présenter une première zone 1201 sur laquelle s’étend une couche pleine 121 à base dudit matériau sacrificiel et une deuxième zone 1202 sur laquelle s’étend une pluralité de plots micrométriques ou nanométriques 122 à base dudit matériau sacrificiel, ci-dessous « plots sacrificiels 122 ». Sur la , une deuxième zone 1202 a été représentée de part et d’autre de la première zone 1201, mais la illustre une vue en coupe, et chaque première zone 1201 est en fait entourée d’une deuxième zone 1202. La offre une vue de dessus d’un mode de réalisation d’une plaque 1 selon le deuxième aspect de l’invention sur laquelle il apparaît que chaque zone pleine 101 est effectivement entourée d’une zone structurée 102, ce qui suppose une répartition correspondante de chaque première zone 1201 et de la deuxième zone 1202 qui l’entoure. Notons ici que la permet également d’illustrer qu’une surface d’accueil d’un composant micro-électronique 2 n’est pas nécessairement circulaire ou carrée, mais peut accommoder des variations de forme, étant entendu qu’il est prévisible que plus le rapport de forme de cette surface d’accueil sera significatif, plus grand sera le risque d’obtenir un alignement imprécis du composant micro-électronique 2 sur la surface d’accueil. En outre, chaque première zone 1201 s’étend sur une surface supérieure à une surface micrométrique ou nanométrique sur laquelle s’étend chaque plot sacrificiel 122. De préférence, la surface de chaque première zone 1201 est supérieure d’au moins un ordre de grandeur à la surface sur laquelle s’étend chaque plot sacrificiel 122. Notons ici que, si, sur l’illustration qu’offre la , tous les plots sacrificiels 122 ont les mêmes dimensions et sont régulièrement espacés, toute variation de cette disposition matricielle est envisageable, pour peu qu’elle permette la fabrication d’une plaque 1 selon le deuxième aspect de l’invention. Il est notamment envisageable que la couche sacrificielle 12 obéisse à un design permettant d’avoir in fine des gradients de densité de plots diélectriques 131 à la surface d’une zone structurée 102, ce qui permettrait d’avoir des gradients de mouillabilité entre des surfaces conjointes. Comme nous le verrons plus bas, la surface sur laquelle s’étend chaque première zone 1201 est destinée à former une surface d’accueil d’un composant microélectronique 2 ; ses dimensions sont donc essentiellement contraintes par les dimensions dudit composant micro-électronique 2, ou par celles d’une marche formée à la surface du composant microélectronique 2 définissant une surface de report dudit composant sur la plaque 1. En ce sens, la couche sacrificielle 12 peut être formée de sorte que chaque zone pleine 1201 présente au moins une dimension transversale comprise entre 100 µm et 20000 µm, de préférence entre 500 µm et 5000 µm, et encore plus préférentiellement sensiblement égale à 2000 µm. Les dimensions des plots sacrificiels 122 sont quant à elles contraintes par l’objectif désiré atteint en termes de contraste de mouillabilité entre zone pleine 101 et zone structurée 102 de la surface principale10 de la plaque 1. Les plots sacrificiels 122 présentent en effet des dimensions qui prédéterminent celles des plots en un matériau diélectrique 131, ci-dessous « plots diélectriques 131 », que nous décrivons plus bas, et les dimensions des espaces qui séparent, entre eux, ces plots diélectriques 131 ; ces dimensions, définissant l’angle de goutte β à la surface de la micro-structuration que réalisent les plots diélectriques 131, influent donc sur le contraste de mouillabilité que la plaque 1 fabriquée présentera. Les dimensions des plots diélectriques 131 et des espaces qui séparent entre eux ces plots sont de préférence telles que : chaque plot sacrificiel 122 présente au moins une dimension transversale comprise entre 100 nm et 2 µm, de préférence entre 200 nm et 1 µm, et encore plus préférentiellement sensiblement égale à 500 nm, et/ou deux plots sacrificiels 122 adjacents entre eux d’une même pluralité soient espacés entre eux d’une distance comprise entre 100 nm et 1 µm, de préférence entre 200 nm et 800 nm, et encore plus préférentiellement sensiblement égale à 500 nm. En outre, la couche sacrificielle 12 est de préférence formée de sorte à présenter une épaisseur sensiblement constante comprise entre 200 nm et 5 µm, de préférence entre 500 nm et 1,5 µm, et encore plus préférentiellement sensiblement égale à 800 nm. Comme nous le verrons plus bas, l’épaisseur de la couche sacrificielle 12 détermine, conjointement avec sa nature et la méthode de gravure mise en œuvre, la hauteur des plots diélectriques 131, et influe donc sur le contraste de mouillabilité qui sera obtenu. S’il est préférable que la couche sacrificielle 12 présente une épaisseur sensiblement constante entre les différentes zones pleine(s) 101 ou structurée(s) 102, le procédé de fabrication selon le premier aspect de l’invention n’y est cependant pas limité. Par exemple, la couche sacrificielle 12 pourrait être formée de sorte que l’épaisseur de la couche sacrificielle 12 sur chaque zone pleine 101 soit supérieure à la hauteur des plots sacrificiels 122, de sorte par exemple à pouvoir pousser plus loin la surgravure décrite plus bas, sans consommer tout le matériau sacrificiel présent, avant la surgravure, sur chaque zone pleine 101. Selon un mode de réalisation préféré du procédé de fabrication selon le premier aspect de l’invention, la formation de la couche sacrificielle 12 comprend une étape de photolithographie, c’est-à-dire une étape standard, contrôlée et largement modulable, de la micro-électronique. Spécifions tout de même qu’une telle étape de photolithographie peut comprendre les sous-étapes suivantes : Déposer une couche pleine à base dudit matériau sacrificiel sur la surface exposée 1121 du deuxième niveau 112 du substrat 11 fourni, Exposer la couche à base dudit matériau sacrificiel à un rayonnement lumineux à travers un masque de photolithographie structuré de sorte à définir un négatif ou un positif de la micro-structuration souhaitée de la couche à base dudit matériau sacrificiel, puis Graver chimiquement la couche à base dudit matériau sacrificiel de sorte à obtenir la micro-structuration souhaitée. En alternative, la formation de la couche à base dudit matériau sacrificiel comprend au moins une étape de sérigraphie. En référence à la , le procédé selon le premier aspect de l’invention comprend en outre la gravure d’une partie de la couche sacrificielle 12 précédemment formée et une partie du deuxième niveau 112 du substrat 11. La gravure est plus particulièrement telle que soient formées, dans le deuxième niveau 112 du substrat 12, une zone pleine 100 au niveau de chaque première zone 1201 et une zone structurée 102 au niveau de chaque deuxième zone 1202, chaque zone structurée 102 présentant une pluralité de plots diélectriques 131 qui correspond, comme annoncé ci-dessus, à la pluralité de plots sacrificiels 122, et chaque plot diélectrique 131 présentant une section dont les dimensions et la forme correspondent à celles du plot sacrificiel 122. Par exemple, en référence aux figures 4A et 4B, si les plots sacrificiels 122 ont une section octogonale de taille caractéristique A égale à 500 nm entre deux arêtes opposées et sont espacés d’une distance minimale B comprise entre 300 nm et 1 µm, les plots diélectriques 131 correspondants présenteront la même section octogonale et seront espacés d’une même distance minimale. D’autres formes sont évidemment possibles (ronds, carrés, etc…). La pluralité de plots diélectriques 131 s’étendant depuis chaque zone structurée 102 confère à la surface exposée de la zone structurée 102 son caractère superhydrophobe, en créant les conditions d’observation d’un effet lotus. Toutefois, le caractère superhydrophobe que confère la pluralité de plots diélectriques à la surface exposée de chaque zone structurée 102 sera plus ou moins prononcé en fonction de la façon dont est réalisée la gravure. Dans le domaine de la micro-électronique, la mise en œuvre standard d’une telle gravure, qu’elle soit liée à une exposition à un plasma de gravure ou à une gravure ionique, viserait la formation de piliers tels qu’illustrés sur la . Ces piliers, qui présentent chacun une section sensiblement constante depuis leur base jusqu’à leur sommet, peuvent être identifiés aux plots diélectriques 131. Cependant, il est préférable, afin d’augmenter le contraste de mouillabilité entre une zone pleine 101 et la zone structurée 102 qui l’entoure que les plots diélectriques 131 présentent une section transversale évoluant en diminuant depuis sa base ou depuis une distance non nulle à sa base, et jusqu’à son sommet. Par exemple, il est préférable que chaque plot diélectrique 131 ait une extrémité en forme d’ogive ou de tête d’épingle, comme illustré sur la . Pour obtenir cette forme avantageuse des plots diélectriques 131, la gravure peut simplement être poursuivie, au-delà de ce qui est fait de façon standard, jusqu’à obtenir un retrait complet des plots sacrificiels 122 ; on peut parler alors de surgravure, comme déjà mentionné ci-dessus. Ainsi, une étape de gravure poussée suffisamment loin, et plus particulièrement poussée au-delà du standard (qui ne prévoit qu’une consommation partielle du matériau sacrificiel), de sorte que le matériau sacrificiel constituant les plots sacrificiels 122 soit complètement consommé par la seule gravure, permet d’obtenir des plots diélectriques 131 tels qu’illustrés sur la conférant, à la zone structurée 102, un caractère superhydrophobe avantageusement augmenté relativement à celui que conférerait, à la zone structurée 102, des plots diélectriques tels qu’illustrés sur la . La différence, d’au moins un ordre de grandeur, entre les dimensions transversales de la couche pleine 121 et celles de chaque plot sacrificiel 122 permet d’aboutir à ce résultat. En effet, on observe qu’alors le matériau sacrificiel est plus rapidement consommé, lors de la gravure, sur les motifs étroits que constituent les plots sacrificiels 122, que ne l’est le matériau sacrificiel du plus gros motif que constitue la couche pleine 121. Ainsi, à l’issue de la surgravure, il reste, tel qu’illustré sur la , une couche pleine 121’ d’épaisseur inférieure à la couche pleine 121 au droit de la zone pleine 101. Cette observation peut s’expliquer comme étant due à un phénomène de facettage. Ce phénomène traduit le fait que, pendant la gravure, s’ajoutent à la consommation par le haut du matériau sacrificiel et du matériau diélectrique à base duquel est constitué le deuxième niveau 112 du substrat 11, une consommation latérale de ces matériaux ; or la consommation latérale est accrue sur de petits motifs relativement à de plus gros motifs, lorsqu’une même gravure leur est appliquée. Notons que sur la , les conséquences du phénomène de facettage sur la forme des plots diélectriques 131 formés sont schématisées grossièrement en illustrant chaque plot sous la forme d’une section de cône. Toutefois, le prolongement de la gravure, au-delà du standard, est de préférence borné supérieurement, et ce, au moins pour les deux raisons données ci-dessous. La première de ces deux raisons est qu’il est en effet avantageux que la gravure soit arrêtée avant d’obtenir un retrait complet du matériau sacrificiel au droit de chaque première zone 1201. De la sorte, en fin de gravure, et plus particulièrement en fin de surgravure, une épaisseur du matériau sacrificiel reste au droit de chaque première zone 1201, cette épaisseur étant de préférence comprise entre 100 nm et 5 µm. La seconde des deux raisons de ne pas prolonger la gravure, au-delà de l’obtention d’un retrait complet du matériau sacrificiel 12 au droit de chaque deuxième zone 1202, est que les plots diélectriques 131 s’en trouveraient réduits en dimensions, et notamment en hauteur ; or il est préférable que la gravure soit paramétrée de sorte que chaque plot diélectrique 131 présente une hauteur comprise entre 100 nm et 5 µm, de préférence entre 400 nm et 2,5 µm, et encore plus préférentiellement sensiblement égale à 1 µm. En référence à la , le procédé selon le premier aspect de l’invention peut comprendre en outre, suite à la gravure, le dépôt d’une couche, préférentiellement conforme, à base d’un matériau hydrophobe 14, ci-dessous « couche hydrophobe 14 ». Par exemple, le matériau hydrophobe, à base duquel la couche hydrophobe 14 est constituée, est de préférence à base d’au moins un polymère. Il comprend par exemple un polymère fluorosilane à 0,1% en masse dans un solvant porteur hydrofluoroéther. Par exemple, il peut s’agir du revêtement connu sous l’appellation commercial : Ultra Fin Grade Electronique Novec™ 1720 de chez 3M™. Tout matériau connu pour ses propriétés hydrophobes dans le contexte de la présente invention sont envisageables, et les exemples précédemment donnés ne sont pas limitatifs de l’invention. Par exemple, le dépôt de la couche hydrophobe comprend une étape d’enduction centrifuge (ou « spin coating » selon la terminologie anglo-saxonne) ou une étape de dépôt par plasma. Bien sûr, la couche hydrophobe 14 permet avantageusement de contribuer à augmenter le contraste de mouillabilité entre zone pleine 101 et zone structurée 102. De préférence, et comme l’illustre les figures 6A et 6B, le dépôt de la couche hydrophobe 14 est paramétré de sorte que la couche hydrophobe 14 recouvre chaque plot diélectrique 131 et chaque espace 132 entre les plots diélectriques 131 ou entre les plots diélectriques et la marche 15 que constitue la zone pleine, voire le cas échéant les bords latéraux 1011 de ladite marche 15. Notons qu’il apparaît ici, que s’il est intéressant de pousser la gravure jusqu’à consommer tout le matériel sacrificiel au droit des deuxièmes zones 1202 pour obtenir des plots diélectriques 131 facettés, une telle surgravure est également intéressante en ce qu’elle permet le dépôt de la couche hydrophobe 14 sur et entre les plots diélectriques 131, sans nécessiter une étape de retrait du matériau sacrificiel qu’il resterait sinon au droit des deuxièmes zones 1202. Par ailleurs, étant préféré que la gravure ne concerne pas tout le matériau sacrificiel formé au droit de la première zone 1201, le dépôt de la couche hydrophobe 14 aboutit également, dans ce cas, au recouvrement du matériau sacrificiel restant au droit de la première zone 1201, au moins sur sa face supérieure et potentiellement sur ses flancs ; cette situation est celle illustrée sur la . En référence à la , le procédé selon le premier aspect de l’invention peut comprendre en outre, de préférence suite au dépôt de la couche hydrophobe 14, une étape de retrait de ce qui reste éventuellement de la couche sacrificielle 12, et plus particulièrement de la partie de la couche sacrificielle 12 qui a été conservée au droit de la première zone 1201 suite à la gravure. Ce retrait permet d’exposer une surface 1000 du deuxième niveau 112 du substrat 11 qui se trouve au droit de chaque première zone 1201. Notons ici que cette surface 1000 est également illustrée sur les figures 2 et 7. L’on comprend donc au vu des figures 3D et 3E, que procéder au dépôt de la couche hydrophobe 14 avant le retrait de ce qui reste de la couche sacrificielle 12 suite à la gravure permet, d’un même coup, le retrait de la couche hydrophobe 14 qui recouvre ce qui reste de la couche sacrificielle 12, notamment au niveau de la zone pleine 101, suite à la gravure. Dès lors, pour peu que le matériau à base duquel est constitué le deuxième niveau 112 du substrat 11 soit hydrophile, ce qui est notamment le cas de l’oxyde de silicium, le contraste de mouillabilité entre la zone pleine 101 et la zone structurée 102 s’en trouve avantageusement significativement accrue. Notons que l’angle de goutte α de l’eau sur une telle surface hydrophile, à base d’oxyde de silicium, est typiquement inférieure à 10°. L’on remarquera que la plaque telle qu’illustrée sur la correspond à la plaque telle qu’illustrée sur la . Autrement dit, à l’issue de l’étape du procédé représentée sur la , une plaque 1 a été fabriquée qui est adaptée à l’auto-assemblage de composants de la micro-électronique 2 sur la plaque 1 par collage hybride de type puces à plaque. La permet d’illustrer un cas plus spécifique, et pour autant non exclu des considérations qui précèdent, dans lequel le deuxième niveau 112 du substrat 11 comprend au moins un niveau d’interconnexions électriques 110 s’étendant d’une zone pleine 101 à une zone structurée 102. Plus particulièrement, les interconnexions électriques sont enterrées, ou équivalemment encapsulées, dans le matériau diélectrique à base duquel le deuxième niveau 112 du substrat 11 est constitué. Les interconnexions électriques affleurent du deuxième niveau 112 du substrat 11 depuis la surface exposée 1000 de chaque zone pleine 101, pour permettre une reprise de contact électrique avec un composant micro-électronique 2 destiné à être emporté sur la zone pleine 101. Au contraire, les interconnexions électriques sont enterrées, ou équivalemment encapsulées, dans le matériau diélectrique à base duquel le deuxième niveau 112 du substrat 11 est constitué, au niveau de chaque zone structurée 102. La profondeur à laquelle ces interconnexions sont enterrées détermine l’épaisseur du deuxième niveau 112 du substrat 11 qui peut être dédiée à la formation des plots diélectriques 131, si l’on souhaite que la gravure n’altère pas l’intégrité des interconnexions enterrées. Il est ainsi montré que le procédé de fabrication selon le premier aspect de l’invention est compatible avec un procédé d’auto-assemblage aboutissant au report de composants de la microélectronique connectés électriquement entre eux de façon fonctionnelle via la plaque d’accueil 1, le niveau d’interconnexions électriques s’étendant d’une zone pleine 101 à une zone structurée 102 adjacente, voire au-delà. La préservation de l’intégrité des interconnexions électriques suppose en effet que la gravure soit arrêtée avant que les interconnexions électriques ne soient atteintes par celle-ci. Il est donc possible, de prévoir, lors de la fabrication du substrat 11 tel que fourni, que le niveau d’interconnexions électriques au niveau de ce qui est destiné à former une zone structurée 102 soit recouvert d’une couche suffisamment épaisse de matériau diélectrique pour que les plots diélectriques 131 de la géométrie souhaitée puissent être gravés dans cette couche, et ne nécessite pas de graver les interconnexions électriques. Par ailleurs, on notera que la hauteur des plots diélectriques 131 obtenus par mise en œuvre du procédé selon le premier aspect de l’invention est sensiblement égale à la hauteur de la marche 15 obtenue par cette même mise en œuvre. Relativement aux plaques d’accueil connues de l’art antérieur, et par exemple relativement à une plaque conforme à l’exemple donné à la , la marche 15 obtenue par mise en œuvre du procédé selon le premier aspect de l’invention est avantageusement réduite, et si cette réduction n’augmente pas le contraste de mouillabilité entre la zone pleine 100 et la zone structurée 102 qui l’entoure : elle facilite intégration industrielle du procédé selon le premier aspect de l’invention, et la microrugosité que confère, à la zone structurée 102, la micro-structuration obtenue par mise en œuvre du procédé selon le premier aspect de l’invention permet de compenser largement l’éventuelle diminution de performance en termes d’auto-alignement qui en résulterait. Le procédé de fabrication selon le premier aspect de l’invention permet donc la fabrication d’une plaque 1 selon le deuxième aspect de l’invention, et plus particulièrement une plaque d’accueil 1 destinée au report de composants de la microélectronique 2 par collage hybride, chaque zone pleine 101 étant destinée à accueillir un composant de la microélectronique 2 et chaque zone structurée 102 étant destinée à constituer au moins une partie d’une zone entre composants de la microélectronique 2. Plus particulièrement, une telle plaque 1 comprend essentiellement une surface principale 10 présentant au moins une zone pleine 101 et une zone structurée 102 ayant, entre elles, un contraste de mouillabilité supérieur à 90°, et de préférence supérieur à 120°, chaque zone micro- ou nano-structurée 102 s’étendant autour d’une zone pleine 101, la plaque comprenant un substrat 11 qui comprend un premier niveau 111 à base d’un matériau semi-conducteur et un deuxième niveau 112 à base d’un matériau diélectrique, le deuxième niveau 112 s’étendant sur le premier niveau 111, ladite au moins une zone pleine 101 et chaque zone structurée 102 étant formées dans le deuxième niveau 112 du substrat 11 et chaque zone micro- ou nano-structurée 102 présentant une pluralité de plots à base dudit matériau diélectrique 131. Et, lorsque la gravure est une surgravure consommant tout le matériau sacrificiel formé au droit de chaque deuxième zone 1202, les plots diélectriques 131 de la plaque 1 présentent des extrémités facettées 1311, par exemple telles qu’illustrées sur la , de sorte à obtenir un contraste de mouillabilité encore accru, et aisément porté à une valeur supérieure à 120°, voire supérieure à 140°. Plus particulièrement, la plaque 1 selon le deuxième aspect de l’invention peut être telle que : chaque plot diélectrique 131 présente une hauteur comprise entre 100 nm et 5 µm, de préférence entre 400 nm et 2,5 µm, et encore plus préférentiellement sensiblement égale à 1 µm, et/ou chaque plot diélectrique 131 présente au moins une dimension transversale comprise entre 100 nm et 2 µm, de préférence entre 200 nm et 1 µm, et encore plus préférentiellement sensiblement égale à 500 nm, et/ou deux plots diélectriques 131 adjacents entre eux d’une même pluralité sont espacés entre eux d’une distance comprise entre 100 nm et 1 µm, de préférence entre 200 nm et 800 nm, et encore plus préférentiellement sensiblement égale à 500 nm, de sorte à conférer à la surface de la zone structurée 102 un caractère superhydrophobe, que les plots diélectriques 131, voire l’espace 132 entre ces plots, soient ou non recouverts d’un revêtement hydrophobe 14. L’invention concerne également, selon un troisième aspect, le procédé d’auto-assemblage mettant en œuvre la plaque d’accueil 1 selon le deuxième aspect de l’invention et l’assemblage 0 obtenu par mise en œuvre du procédé d’auto-assemblage selon le troisième aspect de l’invention. L’on appréciera que, grâce à la présente invention : il peut suffire d’ajouter un seul niveau de photolithographie appliqué au substrat 11 tel que fourni pour le rendre mieux adapté à l’auto-assemblage ; et/ou l’étape de gravure permettant de générer une microrugosité est une étape standard et parfaitement maîtrisée de la microélectronique, qui ne génère pas de défauts ni de particules. Elle est très facile à intégrer dans un procédé de réalisation de puces et utilise les mêmes types d’équipements que les étapes précédentes dudit procédé de réalisation ; et/ou la forme, la taille et la densité des plots diélectriques 131 générés sont parfaitement contrôlables puisqu’ils correspondent à des motifs dessinés sur le niveau de photolithographie rajouté. De la même manière, la distance entre la zone réceptrice de la puce 2 (zone hydrophile) et de la zone inter-puces (zone super-hydrophobe) est modulable aussi puisqu’elle est définie par le design de la couche sacrificielle 12, ce qui n’est pas le cas du silicium noir que permet d’obtenir l’article scientifique cité en introduction ; et/ou il n’est pas nécessaire de supprimer tous les matériaux isolants et métalliques, constituant les interconnexions électriques 110, qui peuvent être très nombreux dans les zones inter-puces et difficiles à supprimer par gravure étant donné leur variété ; et/ou l’on évite de générer une marche 15 très importante en surface des puces et de la plaque réceptrice 1, cette marche étant tout de même obtenue de sorte à participer à l’atteinte d’un fort contraste de mouillabilité entre la zone pleine 101 et la zone structurée 102. L’invention n’est pas limitée aux modes de réalisations précédemment décrits et s’étend à tous les modes de réalisation couverts par les revendications. Procédé de fabrication d’une plaque (1) comprenant une surface principale (10) présentant au moins une zone pleine (101) et une zone micro- ou nano-structurée (102) ayant, entre elles, un contraste de mouillabilité supérieur à 90°, et de préférence supérieur à 120°, chaque zone micro- ou nano-structurée (102) s’étendant autour d’une zone pleine (101), le procédé comprenant les étapes suivantes : Fournir un substrat (11) comprenant un premier niveau (111) à base d’un matériau semi-conducteur et un deuxième niveau (112) à base d’un matériau diélectrique, le deuxième niveau (112) s’étendant sur le premier niveau (111), Former, sur une surface exposée (1121) du deuxième niveau (112) du substrat (11) fourni, une couche à base d’un matériau sacrificiel (12), tel qu’une résine, présentant au moins une première zone (1201) sur laquelle s’étend une couche pleine (121) à base dudit matériau sacrificiel et une deuxième zone (1202) sur laquelle s’étend une pluralité de plots micrométriques ou nanométriques à base dudit matériau sacrificiel (122), chaque première zone (1201) étant entourée d’une deuxième zone (1202) et chaque première zone (1201) s’étendant sur une surface, d’au moins un ordre de grandeur, supérieure à une surface micrométrique ou nanométrique sur laquelle s’étend chaque plot à base dudit matériau sacrificiel (122), puis Graver une partie de la couche à base dudit matériau sacrificiel (12) précédemment formée et une partie du deuxième niveau (112) du substrat (11), de sorte à former, dans le deuxième niveau (112) du substrat (12), ladite au moins une zone pleine (101) au niveau de chaque première zone (1201) et chaque zone micro- ou nano-structurée (102) au niveau de chaque deuxième zone (1202), chaque zone micro- ou nano-structurée (102) présentant une pluralité de plots à base dudit matériau diélectrique (131) qui correspond à la pluralité de plots à base dudit matériau sacrificiel (122). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la gravure est poursuivie jusqu’à obtenir un retrait complet des plots à base dudit matériau sacrificiel (122). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la formation de la couche à base dudit matériau sacrificiel (12) comprend une étape de photolithographie. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la gravure est arrêtée avant d’obtenir un retrait complet de la couche à base dudit matériau sacrificiel (12) au droit de chaque première zone (1201), la couche à base dudit matériau sacrificiel (12) restant au droit de chaque première zone (1201) présentant de préférence une épaisseur comprise entre 100 nm et 5 µm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre, suite à la gravure, le dépôt d’une couche, préférentiellement conforme, à base d’un matériau hydrophobe (14). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel le dépôt de la couche hydrophobe (14) est paramétré de sorte que la couche hydrophobe (14) recouvre chaque plot à base dudit matériau diélectrique (131) et chaque espace (132) entre les plots à base dudit matériau diélectrique (131) d’une même pluralité, voire le cas échéant des bords latéraux (1011) de chaque zone pleine (101). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre une étape de retrait d’une partie de la couche à base dudit matériau sacrificiel (12) qui reste au droit de la première zone (1201) après la gravure, de sorte à exposer une surface (1000) du deuxième niveau (112) du substrat (11) qui se trouve au droit de chaque première zone (1201). Procédé selon l’une quelconque des revendications 5 et 6 et selon la revendication 7, dans lequel le dépôt de la couche hydrophobe (14) est implémenté avant le retrait complet de la partie de la couche à base dudit matériau sacrificiel (12) qui reste au droit de la première zone (1201) après la gravure. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la plaque (1) constitue une plaque d’accueil destinée au report de composants de la microélectronique (2), tels que des puces microélectroniques, par collage hybride, chaque zone pleine (101) étant destinée à accueillir un composant de la microélectronique (2) et chaque zone micro- ou nano-structurée (102) étant destinée à constituer au moins une partie d’une zone entre composants de la microélectronique (2). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couche à base dudit matériau sacrificiel (12) est formée de sorte que chaque plot (122, 131) présente au moins une dimension transversale comprise entre 100 nm et 2 µm, de préférence entre 200 nm et 1 µm, et encore plus préférentiellement sensiblement égale à 500 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couche à base dudit matériau sacrificiel (12) est formée de sorte que deux plots (122, 131) adjacents entre eux d’une même pluralité soient espacés entre eux d’une distance comprise entre 100 nm et 1 µm, de préférence entre 200 nm et 800 nm, et encore plus préférentiellement sensiblement égale à 500 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la gravure est paramétrée de sorte que chaque plot à base dudit matériau diélectrique (131) présente une hauteur comprise entre 100 nm et 5 µm, de préférence entre 400 nm et 2,5 µm, et encore plus préférentiellement sensiblement égale à 1 µm. Plaque (1) comprenant une surface principale (10) présentant au moins une zone pleine (101) et une zone micro- ou nano-structurée (102) ayant, entre elles, un contraste de mouillabilité supérieur à 90°, et de préférence supérieur à 120°, chaque zone micro- ou nano-structurée (102) s’étendant autour d’une zone pleine (101), la plaque comprenant un substrat (11) qui comprend un premier niveau (111) à base d’un matériau semi-conducteur et un deuxième niveau (112) à base d’un matériau diélectrique, le deuxième niveau (112) s’étendant sur le premier niveau (111), ladite au moins une zone pleine (101) et chaque zone micro- ou nano-structurée (102) étant formées dans le deuxième niveau (112) du substrat (11) et chaque zone micro- ou nano-structurée (102) présentant une pluralité de plots à base dudit matériau diélectrique (131), la plaque étant caractérisée en ce que les plots à base dudit matériau diélectrique (131) présentent des extrémités facettées (1311). Plaque (1) selon la revendication précédente, comprenant en outre une couche hydrophobe (14) recouvrant chaque plot à base dudit matériau diélectrique (131) et chaque espace (132) entre les plots à base dudit matériau diélectrique (131) d’une même pluralité, voire le cas échéant des bords latéraux (1011) de chaque zone pleine (1201), et ne recouvrant pas ladite au moins une zone pleine (1201). Plaque (1) selon l’une quelconque des revendications 13 à 14, dans laquelle : chaque plot à base dudit matériau diélectrique (131) présente une hauteur comprise entre 100 nm et 5 µm, de préférence entre 400 nm et 2,5 µm, et encore plus préférentiellement sensiblement égale à 1 µm, et/ou chaque plot à base dudit matériau diélectrique (131) présente au moins une dimension transversale comprise entre 100 nm et 2 µm, de préférence entre 200 nm et 1 µm, et encore plus préférentiellement sensiblement égale à 500 nm, et/ou deux plots à base dudit matériau diélectrique (131) adjacents entre eux d’une même pluralité sont espacés entre eux d’une distance comprise entre 100 nm et 1 µm, de préférence entre 200 nm et 800 nm, et encore plus préférentiellement sensiblement égale à 500 nm. Plaque (1) selon l’une quelconque des revendications 13 à 15, constituant une plaque d’accueil destinée au report de composants de la microélectronique (2), tels que des puces microélectroniques, par collage hybride, chaque zone pleine (101) étant destinée à accueillir un composant de la microélectronique (2) et chaque zone micro- ou nano-structurée (102) étant destinée à constituer au moins une partie d’une zone entre composants de la microélectronique (2). Plaque (1) selon la revendication précédente, dans laquelle le deuxième niveau (112) du substrat (11) comprend au moins un niveau d’interconnexions électriques (110) s’étendant au moins au droit de chaque zone pleine (101) et s’étendant le cas échéant d’une zone pleine (101) à une zone micro- ou nano-structurée (102) adjacente, les interconnexions électriques (110) affleurant du deuxième niveau (112) du substrat (11) depuis une surface exposée (1000) de chaque zone pleine (101) et s’étendant depuis chaque zone pleine (101) au moins jusque la zone micro- ou nano-structurée (102) adjacente, et s’étendant plus particulièrement au-dessous de la pluralité de plots à base dudit matériau diélectrique (131) de ladite zone micro- ou nano-structurée (102) adjacente, en étant encapsulées dans le matériau diélectrique à base duquel le deuxième niveau (112) du substrat (11) est constitué. Procédé d’auto-assemblage de composants de la microélectronique mettant en œuvre une plaque (1) selon l’une quelconque des revendications 13 à 17. Procédé d’auto-assemblage selon la revendication précédente, dans lequel une pluralité de composants de la microélectronique (2), tels que des puces microélectroniques, sont auto-assemblées sur la plaque (1) par collage hybride de type puces à plaque. Assemblage (0) comprenant une plaque (1) selon l’une quelconque des revendications 13 à 17 et une pluralité de composants de la microélectronique (2), tels que des puces microélectroniques, assemblées sur la plaque (1) par collage hybride.