Brevet FR3148496A1 — publié le 20241108

L’invention se rapporte à une structure comprenant un substrat recouvert par un empilement comprenant une première couche et une deuxième couche (30), la première couche étant électriquement conductrice et comprenant un premier élément chimique spécifique, la deuxième couche (30) étant une couche diélectrique comprenant un deuxième élément chimique spécifique. La structure comprend une première zone de transition (2030) entre la première couche et la deuxième couche (30). La première zone de transition (2030) comprend le premier élément chimique spécifique et le deuxième élément chimique spécifique. Avantageusement, la structure comprend une seconde zone de transition (3040). Un ensemble (300) est formé par la première zone de transition (2030), la deuxième couche (30) et la seconde zone de transition (3040). L’invention se rapporte également à un procédé de préparation de cette structure. Figure pour l’abrégé : Figure 3 Structure comprenant deux couches de nature électrique différente et son procédé de préparation L’invention se rapporte au domaine de micro- et nano-structures pour des dispositifs micro- et nano-électroniques et optroniques. Plus spécifiquement, l’invention se rapporte à une structure comprenant deux couches de nature électrique différente. Elle se rapporte également à un procédé de préparation d’une structure telle que définie précédemment. L’invention trouve notamment application dans la fabrication de capacitances hautes densités, par exemple de type MIM (pour « Métal-Isolant-Métal ») pour des dispositifs tels que des mémoires numériques, des convertisseurs analogiques ou numériques ou encore des filtres radiofréquence. État de la technique antérieure L’avènement des objets connectés et intelligents fait actuellement l’objet de recherches et notamment des recherches sur des dispositifs micro- et nano-électroniques très avancés et de plus en plus complexes. Outre les développements liés à l’architecture et au motif (« design ») des composants micro- et nano-électroniques permettant de répondre à des critères technologiques et à des performances très avancées, des recherches sont mises en œuvre pour permettre une réduction de plus en plus importante de la taille de ces composants. Les capacitances de type MIM représentent l’un des composants indispensables pour de tels dispositifs micro- et nano-électroniques et sont obtenues, le plus souvent, par des dépôts successifs d’une première couche électrique, d’une couche diélectrique et d’une seconde couche électrique. Généralement, de telles couches sont déposées par dépôt par couche atomique (ou dit ALD pour « Atomic Layer Deposition » en anglais) ou par ALD assisté par plasma (dit PEALD pour « Plasma Enhanced Atomic Layer Depositio n » en anglais), permettant des dépôts successifs de couches extrêmement fines et conformables, c’est-à-dire épousant parfaitement la surface du substrat qui est destiné à supporter un empilement de ces couches. Cependant, la fabrication d’une capacitance de type MIM est souvent assimilée à la fabrication d’une capacitance de type MOIM (pour « M é tal-Oxyde-Isolant-Métal »), voire MOIOM (pour « M é tal-Oxyde-Isolan t-Oxyde -Mét al »), telles que décrites dans la demande EP 3570307-A1 ou encore dans le brevet US 10,319,806-B2. En effet, une oxydation des couches électriques (ou dites couches métalliques) peut se produire de façon non désirée et non contrôlée, introduisant ainsi des couches d’interface d’oxyde non conducteur entre la couche métallique et la couche diélectrique. Ces couches d’oxyde ne sont pas désirables dans de telles structures car elles sont susceptibles de modifier la réponse électrique, ou d’impacter le fonctionnement électrique, de la capacitance de type MIM. Par ailleurs, la croissance des couches électriques, qui sont généralement en un métal et/ou en un nitrure métallique, sur une couche diélectrique peut souffrir d’un retard de croissance, voire d’une absence de croissance, du fait de la nature des couches électriques et diélectriques employées. Compte-tenu de ce qui précède, les inventeurs se sont fixés pour but de pallier aux inconvénients de l’état de l’art antérieur, notamment en proposant une structure comprenant un empilement de deux couches de nature électrique différente tout en évitant la formation de couches d’interface d’oxyde, permettant ainsi l’obtention de structures très performantes et évitant leur dégradation. L’invention vise justement à fournir une telle structure. L’invention a donc, en premier lieu, pour objet une structure comprenant un substrat recouvert par un empilement comprenant une première couche et une deuxième couche, la première couche étant électriquement conductrice (dite aussi première électrode) et comprenant un premier élément chimique spécifique, la deuxième couche étant une couche diélectrique ou une couche électriquement isolante, la deuxième couche comprenant un deuxième élément chimique spécifique. La structure comprend une première zone de transition entre la première couche et la deuxième couche. La première zone de transition comprend le premier élément chimique spécifique et le deuxième élément chimique spécifique. Il est à noter que la structure peut comprendre un empilement comprenant successivement, depuis le substrat, la première couche puis la deuxième couche ou bien un empilement comprenant successivement, depuis le substrat, la deuxième couche puis la première couche, préférence étant toutefois donnée à l’empilement comprenant successivement, depuis le substrat, la première couche puis la deuxième couche. Par ailleurs, on précise que la deuxième couche peut être une couche diélectrique unitaire, en un seul matériau, ou bien peut comprendre plusieurs couches diélectriques, sous la forme d’une alternance de couches unitaires différentes, pour remplir des fonctionnalités microélectroniques ou optroniques, préférence étant toutefois donnée à une couche unitaire. L’invention se distingue fondamentalement de l’art antérieur par la présence de la première zone de transition qui permet de garantir une continuité de croissance de la première couche et de la deuxième couche de la structure, sans pour autant dégrader leurs propriétés intrinsèques. En fait, la première zone de transition permet à la fois de finaliser la croissance de la première couche et d’initier la croissance de la deuxième couche, tout en ayant un rôle de barrière à l’oxydation de la première couche. La première zone de transition permet donc d’éviter la formation de couche d’interface d’oxyde. On précise que, dans ce qui précède et ce qui suit, le terme « croissance » signifie que la deuxième couche puisse se déposer et croître sur la surface de la première couche sous-jacente, de manière à présenter une épaisseur souhaitée homogène sur toute cette surface. L’une des propriétés de la première zone de transition est liée à son affinité physico-chimique avec la première couche et avec la deuxième couche, cette zone de transition étant en contact avec ces couches. La composition d’une telle zone de transition est caractérisée par un mélange comprenant au moins le premier élément chimique spécifique – que comprend la première couche – et au moins le deuxième élément chimique spécifique – que comprend la deuxième couche. Par exemple, la première couche peut avoir comme élément chimique spécifique un élément dit « A » tandis que la deuxième couche peut avoir comme élément chimique spécifique un élément dit « B ». Dans ce cas la première zone de transition est caractérisée par une composition dite « AB ». La première zone de transition est donc judicieusement choisie et ajustée en fonction de la nature souhaitée de la première couche et de la deuxième couche. La première zone de transition n’est pas une couche d’oxyde métallique. Autrement dit, le premier élément spécifique et le deuxième élément spécifique ne sont pas de l’oxygène. Conformément à l’invention, le premier élément chimique spécifique est, de préférence, de l’azote et le deuxième élément chimique spécifique est, de préférence, un métal, étant entendu que la première couche est en un nitrure métallique et la deuxième couche est en un oxyde métallique ou en un oxynitrure métallique. Typiquement, la première couche, électriquement conductrice, est choisie de manière à présenter une résistivité électrique inférieure à 10 -3 Ω.cm, par exemple comprise entre 10 - 6 Ω.cm et 10 -3 Ω.cm, tandis que la deuxième couche, électriquement isolante, est choisie de manière à présenter une résistivité électrique supérieure à 10 5 Ω.cm, par exemple comprise entre 10 5 Ω.cm et 10 18 Ω.cm. Cette première couche peut être utilisée en tant que première électrode tandis que cette deuxième couche peut être utilisée en tant que couche diélectrique dans une capacitance de type MIM. Par exemple, la première couche peut être en un nitrure de titane, nitrure de molybdène, nitrure de tungstène, nitrure de tantale ou nitrure de niobium ou en un mélange de ceux-ci et la deuxième couche peut être en un oxyde de silicium, d’aluminium, d’hafnium, de zirconium, de tantale, de lanthane ou de titane, en un mélange de ceux-ci. La deuxième couche peut également être en un oxynitrure de silicium. Dans ce cas, la première zone de transition est, avantageusement, en nitrure d’aluminium, nitrure de tantale, nitrure d’hafnium, nitrure de niobium, en carbonitrure de titane ou en carbonitrure de tantale. Conformément à l’invention, la première zone de transition a une épaisseur comprise, de préférence, entre 0,1 nm et 3 nm et, mieux encore, égale à 0,5 nm. On précise que, dans ce qui précède et ce qui suit, les expressions « de … à … » et « comprise entre … et … » sont équivalentes et entendent signifier que les bornes sont incluses. En présentant une très faible épaisseur, la première zone de transition peut aisément être intégrée dans la construction et la préparation de micro- et nano-structures telles que des capacitances de type MIM. Par ailleurs, l’empilement peut, en outre, comprendre une troisième couche électriquement conductrice (dite aussi deuxième électrode), la deuxième couche étant disposée entre la première couche et la troisième couche. L’empilement se rapportant donc, dans ce cas, à une capacitance de type MIM. Selon une variante de réalisation, la troisième couche peut être en contact avec la deuxième couche. Selon une autre variante de réalisation, la structure comprend une seconde zone de transition entre la deuxième couche et la troisième couche. La troisième couche comprend un troisième élément chimique spécifique. La seconde zone de transition comprend le deuxième élément chimique spécifique et le troisième élément chimique spécifique. Le troisième élément chimique spécifique peut être identique ou différent du premier élément chimique spécifique. De préférence, le troisième élément chimique spécifique est identique au premier élément chimique spécifique. La seconde zone de transition assure ainsi la continuité entre la deuxième couche et la troisième couche. L’une des propriétés de la seconde zone de transition est, elle, liée à son affinité physico-chimique avec la deuxième couche et avec la troisième couche, cette seconde zone de transition étant en contact avec ces couches. La composition de cette seconde zone de transition est caractérisée par un mélange comprenant au moins le deuxième élément chimique spécifique – que comprend la deuxième couche – et au moins le troisième élément chimique spécifique – que comprend la troisième couche. Par exemple, pour une deuxième couche ayant comme élément chimique spécifique un élément dit « B » et une troisième couche ayant comme élément chimique spécifique un élément dit « A’ », alors la seconde zone de transition est caractérisée par une composition dite « BA’ ». La seconde zone de transition est donc judicieusement choisie et ajustée en fonction de la nature souhaitée de la deuxième couche et de la troisième couche. La seconde zone de transition n’est pas une couche d’oxyde métallique. Autrement dit, le troisième élément spécifique et le deuxième élément spécifique ne sont pas de l’oxygène. Comme mentionné précédemment, le troisième élément chimique spécifique est, de préférence, identique au premier élément chimique spécifique. Ainsi le troisième élément chimique spécifique peut être de l’azote, étant entendu que la troisième couche est en un nitrure métallique. La troisième couche est, elle aussi, choisie de manière à présenter une résistivité électrique inférieure à 10 -3 Ω.cm, par exemple comprise entre 10 - 6 Ω.cm et 10 -3 Ω.cm. Cette troisième couche peut être utilisée en tant que deuxième électrode dans une capacitance de type MIM. Cette troisième couche peut être identique ou différente de la première couche, de préférence identique et peut ainsi être en un nitrure de titane, nitrure de molybdène, nitrure de tungstène, nitrure de tantale ou nitrure de niobium ou en un mélange de ceux-ci. Dans ce cas, la seconde zone de transition est, avantageusement, en nitrure d’aluminium, nitrure de tantale, nitrure d’hafnium, nitrure de niobium, en carbonitrure de titane ou en carbonitrure de tantale. De préférence, la structure comprend l’un des empilements suivants : - un empilement comprenant au moins une première couche en TiN, une première zone de transition en AlN et une deuxième couche en Al 2 O 3 ; - un empilement comprenant au moins une première couche en TiN, une première zone de transition en AlN et une deuxième couche en Al 2 O 3 , TiO 2 ; - un empilement comprenant au moins une première couche en TiN, une première zone de transition en AlN et une deuxième couche en Al 2 O 3 , ZrO 2 ; - un empilement comprenant au moins une première couche en TiN, une première zone de transition en HfN et une deuxième couche en HfO 2 ; - un empilement comprenant au moins une première couche en TiN, une première zone de transition en HfN et une deuxième couche en HfZnO ; - un empilement comprenant au moins une première couche en TiN, une première zone de transition en TiCN et une deuxième couche en TiO 2 ; - un empilement comprenant au moins une première couche en TaN, une première zone de transition en TaCN et une deuxième couche en Ta 2 O 5 ; - un empilement comprenant au moins une première couche en WN, une première zone de transition en AlN et une deuxième couche en Al 2 O 3 . Les empilements décrits ci-dessus peuvent comprendre, en outre, une seconde zone de transition puis une troisième couche. De préférence, la seconde zone de transition est identique à la première zone de transition. La troisième couche est, de préférence, identique à la première couche. La seconde zone de transition a une épaisseur comprise, de préférence, entre 0,1 nm et 3 nm et, mieux encore, égale à 0,5 nm. Comme pour la première zone de transition, cette seconde zone de transition, en présentant une épaisseur extrêmement faible, peut aisément être intégrée dans la construction et la préparation de micro- et nano-structures, telles que des capacitances de type MIM. Par ailleurs, conformément à l’invention, le substrat de la structure peut présenter une surface plane – c’est-à-dire en deux dimensions – ou une surface microstructurée – c’est-à-dire en trois dimensions. Il est précisé que, dans ce qui précède et ce qui suit, on entend par « surface microstructurée » une surface comprenant des pores ou des vias, par exemple de forme allongée, ce qui permet notamment d’augmenter la surface spécifique du substrat – c’est-à-dire la surface du substrat destinée à être recouverte par l’empilement comprenant la première couche, la deuxième couche et éventuellement la troisième couche – par rapport à une surface plane. Ainsi, une surface microstructurée peut présenter un rapport d’aspect plus ou moins important, ce rapport d’aspect correspondant au rapport de la dimension longitudinale sur la dimension transversale des pores ou des vias. Aussi, plus le rapport d’aspect est élevé, plus la surface spécifique du substrat est importante. Par exemple, un rapport d’aspect supérieur à 20 peut être envisagé. Le substrat peut également comprendre des composants microélectroniques. Le substrat peut être en silicium, en nitrure métallique ou en un matériau à base d’oxyde métallique tel que l’alumine, ou en tout autre matériau adapté. La structure telle que précédemment décrite peut être préparée par un procédé qui comprend au moins les étapes successives suivantes : a) dépôt, de préférence par ALD, de l’une de la première couche ou de la deuxième couche sur le substrat ; b) dépôt, de préférence par ALD, de l’autre de la première couche ou de la deuxième couche ; le procédé étant caractérisé en ce qu’il comprend une sous-étape de formation de la première zone de transition à la fin de l’étape a) ou au début de l’étape b). Il est possible de déposer la première couche puis la deuxième couche, ou inversement. De préférence, les étapes a) et b) sont réalisées par la technique de dépôt par ALD sous vide (de quelques mTorr à quelques Torr ; soit entre environ 0,1 Pa et quelques centaines de Pa, par exemple 300 Pa) ce qui permet notamment d’obtenir des couches très conformables, de très haute pureté et de très faible épaisseur. Les dépôts par ALD de l’étape a) et de l’étape b) peuvent être mis en œuvre à une température comprise entre 200 °C et 450 °C, par exemple à 400 °C pour l’étape a) et 330 °C pour l’étape b). L’enchainement des étapes a) et b) est typiquement réalisé sans rupture du vide, ce qui permet notamment d’éviter la formation de couches d’interface d’oxyde entre la première couche et la deuxième couche. La formation de la première zone de transition est caractérisée en ce qu’elle est réalisée en une seule étape soit avec le dépôt de l’une de la première couche ou de la deuxième couche – dans le cas où elle est réalisée à la fin de l’étape a) – soit avec le dépôt de l’autre de la première couche ou de la deuxième couche – dans le cas où elle est réalisée au début de l’étape b) – permettant ainsi de contrôler la composition et l’épaisseur des différentes couches et de la première zone de transition de la structure. Il est entendu par « une seule étape », le fait que la formation de la première zone de transition se fasse dans les mêmes conditions de température et de pression que le dépôt de la première couche ou que le dépôt de la deuxième couche. Le fait de pouvoir adapter de manière judicieuse la formation de la première zone de transition soit à la fin de l’étape a) soit au début de l’étape b) permet notamment de préparer parallèlement plusieurs structures. Il est rappelé que le principe du dépôt par ALD réside dans le fait d’introduire dans une chambre ALD au moins deux espèces réactives, dites « précurseurs », puis de les faire circuler de manière alternée sur la surface d’un matériau. Le choix des précurseurs dépend finalement de la nature souhaitée de la couche à déposer ou de la zone de transition à former. Dans le cadre de l’invention, la sous-étape de formation de la première zone de transition s’effectue, de préférence, par ALD en introduisant et en faisant circuler de manière alternée un premier couple de précurseurs pour former la première zone de transition, caractérisé en ce que l’un des précurseurs du premier couple de précurseurs comprend le premier élément chimique spécifique et l’autre précurseur de ce premier couple comprend le deuxième élément chimique spécifique. Selon un premier mode de réalisation particulier de l’invention, la première couche déposée est en nitrure de titane (TiN) en utilisant, par exemple, comme précurseurs du tétrachlorure de titane (TiCl 4 ), du tétrakis(diméthylamino)titane (TDMAT) ou encore du tétrakis(diéthyleamino)titane (TDEAT), tous étant couplé avec de l’ammoniac. Selon ce premier mode de réalisation particulier, une deuxième couche en alumine (Al 2 O 3 ) peut être déposée, par exemple, en utilisant comme précurseur du triméthylaluminium (TMA) couplé avec de la vapeur d’eau, auquel cas la première zone de transition peut avantageusement être en nitrure d’aluminium (AlN), en utilisant, par exemple, comme premier couple de précurseurs du TMA couplé avec de l’ammoniac. Toujours selon ce premier mode de réalisation particulier, la deuxième couche déposée peut aussi être en un mélange comprenant de l’oxyde d’aluminium et de l’oxyde de titane (Al 2 O 3 , TiO 2 ) en utilisant, par exemple, comme précurseurs du TMA couplé avec de l’eau pour l’Al 2 O 3 et du TiCl 4 couplé avec de l’eau pour le TiO 2 ou bien la deuxième couche peut être en un mélange comprenant de l’oxyde d’aluminium et de l’oxyde de zirconium (Al 2 O 3 , ZrO 2 ) en utilisant, par exemple, comme précurseurs du TMA couplé avec de l’eau pour l’Al 2 O 3 et du tétrachlorure de zirconium (ZrCl 4 ) couplé avec de l’eau pour le ZrO 2 , auquel cas la première zone de transition peut avantageusement être en AlN en utilisant, par exemple, comme premier couple de précurseurs du TMA couplé avec un plasma d’ammoniac . Toujours selon ce premier mode de réalisation particulier, la deuxième couche déposée peut être en oxyde d’hafnium (HfO 2 ) en utilisant, par exemple, comme précurseur du tétrachlorure d’hafnium (HfCl 4 ) couplé avec de l’eau ou bien la deuxième couche peut être en HfZnO en utilisant, par exemple, comme précurseurs du HfCl 4 et du diéthyl de zinc (DEZ) couplés avec de l’eau, auquel cas la première zone de transition peut avantageusement être en nitrure d’hafnium (HfN) en utilisant, par exemple, comme premier couple de précurseurs du HfCl 4 couplé avec un plasma d’ammoniac ou bien couplé avec un plasma de H 2 N 2 . Toujours selon ce premier mode de réalisation particulier, une deuxième couche en oxyde de titane (TiO 2 ) peut être déposée, par exemple, en utilisant comme précurseurs du TiCl 4 ou du TDMAT, ces deux précurseurs étant couplés avec de l’eau, auquel cas la première zone de transition peut avantageusement être en carbonitrure de titane (TiCN), en utilisant, par exemple, comme premier couple de précurseurs du TDMAT couplé avec un plasma d’ammoniac ou bien couplé avec un plasma de H 2 N 2 . Selon un deuxième mode de réalisation particulier de l’invention, la première couche déposée est en nitrure de tantale (TaN) en utilisant, par exemple, comme précurseurs du tris(diéthylam-ido)(tert-butylimido) tantalum (TBTDET) couplé avec de l’ammoniac. Selon ce deuxième mode de réalisation particulier, la deuxième couche déposée peut être en oxyde de tantale (Ta 2 O 5 ) en utilisant, par exemple, comme précurseurs du TBTDET couplé avec un plasma O 2 , auquel cas la première zone de transition peut avantageusement être en carbonitrure de tantale (TaCN) en utilisant, par exemple, comme premier couple de précurseurs du TBTDET couplé avec un plasma d’ammoniac ou bien couplé avec un plasma de H 2 N 2 . Enfin, selon un troisième mode de réalisation particulier de l’invention, la première couche déposée est en nitrure de tungstène (WN) en utilisant, par exemple, comme précurseurs du penta-chlorure de tungstène ou de l’hexachlorure de tungstène couplé avec de l’ammoniac. Selon ce troisième mode de réalisation particulier, la deuxième couche déposée peut être en Al 2 O 3 en utilisant, par exemple, comme précurseurs du TMA couplé avec de la vapeur d’eau, auquel cas la première zone de transition peut avantageusement être en AlN en utilisant, par exemple, comme premier couple de précurseurs du TMA couplé avec de l’ammoniac. L’introduction et la circulation alternée de chacun des précurseurs sont suivies d’un temps, dit d’attente, avant de réaliser une purge de ceux-ci. Le temps d’attente représente le temps de résidence des précurseurs à la surface du substrat ou, le cas échant, à la surface de la couche sous-jacente. Il est directement proportionnel à la valeur du rapport d’aspect du substrat. Le temps d’attente permet de faire diffuser et faire réagir les précurseurs de façon optimale, notamment dans les structures complexes comprenant par exemple une surface microstructurée avec un rapport d’aspect élevé. Typiquement, le temps d’attente peut être fixé entre 15 secondes et 100 secondes, de préférence fixé à 30 secondes. La purge quant à elle est généralement mise en œuvre pendant une durée pouvant aller de 5 secondes à 40 secondes, pour éliminer les précurseurs en excès et les éventuels sous-produits non désirés, obtenus lors d’une réaction entre les précurseurs. L’introduction et la circulation alternée peuvent être répétées un certain nombre de fois jusqu’à l’obtention d’une épaisseur souhaitée. Par exemple, dans le cadre de l’invention, l’épaisseur de la première couche et l’épaisseur de la deuxième couche sont typiquement contrôlées entre 1 nm et 50 nm (par exemple égale à 10 nm pour la première couche et égale à 19 nm pour la deuxième couche), tandis que l’épaisseur de la première zone de transition est typiquement contrôlée entre 0,1 nm et 3 nm et, de préférence, égale à 0,5 nm, en ajustant le nombre de répétition d’introduction et de circulation de chacun des précurseurs. Selon un mode de réalisation particulier de l’invention, le procédé peut comprendre, en outre, une étape c) au cours de laquelle la troisième couche est déposée, de préférence par ALD, sur la deuxième couche, le procédé étant caractérisé en ce qu’il comprend une sous-étape de formation de la seconde zone de transition à la fin de l’étape b) ou au début de l’étape c), étant entendu que, dans ce cas, la première couche est déposée lors de l’étape a) et la deuxième couche est déposée lors de l’étape b). Ce mode de réalisation est particulièrement avantageux dans le cadre de la préparation de capacitances de type MIM par exemple. Le dépôt par ALD de l’étape c) peut être mis en œuvre à une température comprise entre 200 °C et 450 °C, par exemple à une température égale à 400 °C. L’enchainement des étapes b) et c), est aussi réalisé sans rupture du vide, pour les mêmes raisons qu’expliquées précédemment. La formation de la seconde zone de transition est caractérisée en ce qu’elle est réalisée en une seule étape soit avec le dépôt de la deuxième couche – dans le cas où elle est réalisée à la fin de l’étape b) – soit avec le dépôt de la troisième couche – dans le cas où elle est réalisée au début de l’étape c) – permettant ainsi de contrôler la composition et l’épaisseur des différentes couches et de la seconde zone de transition de la structure. Il est entendu par « une seule étape », le fait que la formation de la seconde zone de transition se fasse dans les mêmes conditions de température et de pression que le dépôt de la deuxième couche ou que le dépôt de la troisième couche. Le fait de pouvoir adapter de manière judicieuse la formation de la seconde zone de transition soit à la fin de l’étape b) soit au début de l’étape c) permet de préparer parallèlement plusieurs structures et, notamment, dans ce cas de préparer parallèlement plusieurs capacitances de type MIM. Conformément à l’invention, on préfère que la sous-étape de formation de la seconde zone de transition s’effectue par ALD en introduisant et en faisant circuler de manière alternée un second couple de précurseurs pour la formation de la seconde zone de transition, caractérisé en ce que l’un des précurseurs du second couple de précurseurs comprend le deuxième élément chimique spécifique et l’autre précurseur de ce second couple comprend le troisième élément chimique spécifique. Là encore, le choix des précurseurs dépend de la nature souhaitée de la deuxième couche, de la troisième couche et de la seconde zone de transition. Un homme du métier sait parfaitement adapter le choix des précurseurs en fonction de la nature des couches à déposer et des zones de transition à former. Il est à noter que la première couche, la deuxième couche et/ou la troisième couche peuvent être structurées, et ainsi présenter des motifs particuliers, selon les techniques classiques de l’art antérieur, par exemple par gravure. Alternativement au dépôt par ALD, les étapes a), b) et c) et les sous étapes de formation de la première zone de transition et de la seconde zone de transition peuvent également être mises en œuvre par un procédé ALD assisté par plasma (aussi dit PEALD pour « Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition »), par un procédé ALD spatiale (aussi dit SALD pour « Spatial Atomic Layer Deposition ») ou encore par un procédé ALD à pression atmosphérique. D’autres alternatives peuvent être mises en œuvre, en particulier pour le dépôt de la première électrode et/ou le dépôt de la deuxième électrode, telles que des techniques de dépôt adaptées aux couches minces, comme le dépôt physique en phase vapeur (ou PVD pour « Physical Vapour Deposition ») ou encore comme le dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour « Chemical Vapor Deposition »). L’homme du métier sait parfaitement choisir le procédé de dépôt le plus adapté, notamment en fonction de la surface du substrat utilisée (plane ou microstructurée). L’invention est particulièrement avantageuse pour préparer des structures MIM formées de couches ultraminces. Néanmoins, l’invention peut être mise en œuvre pour des structures ayant des couches avec des épaisseurs pouvant aller jusqu’à 100 nm. D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront du complément de description qui suit. Il va de soi que ce complément de description n’est donné qu’à titre d’illustration de l’objet de l’invention et ne doit en aucun cas être interprété comme une limitation de cet objet. Brève description des figures représente un substrat 10 ayant une surface plane recouverte par une première électrode 20. représente une structure comprenant le substrat 10 dont sa surface est recouverte par un empilement comprenant la première électrode 20 et un ensemble 300 formé successivement par une première zone de transition, une couche diélectrique et une seconde zone de transition (pour des questions de lisibilité, le détail de l’ensemble 300 n’est pas représenté sur cette figure). représente le détail de l’ensemble 300 formé successivement par la première zone de transition 2030, la couche diélectrique 30 et la seconde zone de transition 3040. représente une structure S1 de type MIM, obtenue selon un mode de réalisation particulier de l’invention, comprenant le substrat 10 dont sa surface est recouverte par un empilement comprenant successivement la première électrode 20, l’ensemble 300 et une deuxième électrode 40 (pour des questions de lisibilité, le détail de l’ensemble 300 n’est pas représenté sur cette figure). représente (partie gauche) une structure S2 de type MIM, obtenue selon un autre mode de réalisation particulier de l’invention, comprenant le substrat 10 dont sa surface est recouverte par un empilement comprenant successivement un ensemble 200, un ensemble 301 et la deuxième électrode 40 ; le détail de l’ensemble 200, formé successivement par la première électrode 20 et par la première zone de transition 2030 et le détail de l’ensemble 301, formé successivement par la couche diélectrique 30 et par la seconde zone de transition 3040, sont représentés sur la partie de droite de cette figure. représente (partie gauche) une structure S3 de type MIM, obtenue selon un autre mode de réalisation particulier de l’invention, comprenant le substrat 10 dont sa surface est recouverte par un empilement comprenant successivement la première électrode 20, un ensemble 302 et un ensemble 400 ; le détail de l’ensemble 302, formé successivement par la première zone de transition 2030 et par la couche diélectrique 30 et le détail de l’ensemble 400, formé successivement par la seconde zone de transition 3040 et par la deuxième électrode 40, sont représentés sur la partie de droite de cette figure. représente (partie gauche) une structure S4 de type MIM, obtenue selon un autre mode de réalisation particulier de l’invention, comprenant le substrat 10 dont sa surface est recouverte par un empilement comprenant successivement l’ensemble 200, la couche diélectrique 30 et l’ensemble 400 ; le détail de l’ensemble 200, formé par la première électrode 20 et par la première zone de transition 2030 et le détail de l’ensemble 400, formé par la seconde zone de transition 3040 et par la deuxième électrode 40, sont représentés sur la partie de droite de cette figure. représente une structure de type MIM, obtenue selon un autre mode de réalisation particulier de l’invention, comprenant un substrat 100 dont sa surface est microstructurée et est recouverte par un empilement comprenant successivement la première électrode 20, l’ensemble 300 et la deuxième électrode 40 (pour des questions de lisibilité, le détail de l’ensemble 300 n’est pas représenté sur cette figure). Il est à noter que les figures décrites ci-dessus sont des représentations schématiques dont les dimensions et proportions relatives des substrats 10 et 100, de la première électrode 20, de la première zone de transition 2030, de la couche diélectrique 30, de la seconde zone de transition 3040 et de la deuxième électrode 40 ne sont pas représentatives de celles susceptibles d’être présentées en situation réelle et ce, pour des questions de lisibilité. E xposé détaillé de modes de réalisation particuliers Exemple 1 : P réparation d’une première structure S1 1.1 – Dépôt de la première couche de nature électrique conductrice : Un substrat 10 est placé dans une première chambre ALD sous vide dédiée aux dépôts de couches de nature électrique conductrice, dites couches électriques ou encore électrodes. Le substrat 10 est en silicium avec une isolation électrique en oxyde de silicium. Il présente une surface plane ( ). Un dépôt par ALD est mis en œuvre à une température égale à 400 °C en réalisant 200 fois le cycle d’étape suivantes : - injection de TiCl 4 pendant une durée d’injection égale à 2 secondes ; - circulation du TiCl 4 sur la surface du substrat 10, en respectant un temps d’attente égal à 30 secondes ; - purge pendant 40 secondes du TiCl 4 en excès ; puis - injection d’ammoniac (NH 3 ) ; - circulation du NH 3 sur la surface du substrat 10 ; - purge du NH 3 en excès ainsi que des éventuels sous-produits obtenus lors d’une réaction entre le TiCl 4 et le NH 3 . La durée d’injection, le temps d’attente et de purge du NH 3 sont les mêmes que ceux appliqués pour le TiCl 4 . Ainsi, la première électrode 20 en TiN, d’une épaisseur de 10 nm, est déposée sur toute la surface du substrat 10, comme illustré sur la . 1.2 – Formation de la première zone de transition, dépôt de la deuxième couche de nature électrique isolante et formation de la seconde zone de transition : L’ensemble formé par le substrat 10 et la première électrode 20 en TiN, obtenu au point 1.1 ci-avant, est déplacé vers une deuxième chambre ALD sous vide, à 330 °C, dédiée cette fois-ci aux dépôts de couches de nature électrique isolante, dites couches diélectriques. Le déplacement est réalisé sans passage à l’air – c’est-à-dire que l’ensemble reste sous vide – ce qui permet d’éviter la formation de couche d’interface d’oxyde additionnelle sur la surface de l’électrode 20 en TiN. 1.2.1 – Formation de la première zone de transition La première zone de transition est formée par dépôt par ALD en introduisant et en faisant circuler de manière alternée du TMA et du NH 3 sur la surface de l’électrode 20. Le TMA est introduit pendant 1 seconde puis une purge de celui-ci est réalisée pendant 5 secondes tandis que le NH 3 est introduit pendant 5 secondes puis une purge de celui-ci et des éventuels sous-produits, obtenus lors d’une réaction entre le TMA et le NH 3 , est réalisée pendant 10 secondes. L’introduction et la circulation alternées du TMA et du NH 3 sont répétées 35 fois, en respectant les temps d’injection et de purge mentionnés ci-dessus, tout en respectant un temps d’attente de 30 secondes. Ainsi, la première zone de transition 2030 en AlN est formée sur toute la surface de la première électrode 20 et présente une épaisseur de 0,5 nm. 1.2.2 – Dépôt de la couche diélectrique Tout en restant dans la deuxième chambre ALD, la deuxième couche de nature électrique isolante 30, dite couche diélectrique, est ensuite déposée par ALD. Ici, du TMA et de la vapeur d’eau sont introduits et circulent, alternativement, sur la surface de la première zone de transition 2030 obtenue ci-avant. Le TMA et la vapeur d’eau sont introduits, chacun, pendant 0,1 seconde puis, après chaque introduction, une purge est réalisée pendant 5 secondes après avoir respecté un temps d’attente de 30 secondes. L’introduction et la circulation alternées du TMA et de la vapeur d’eau sont répétées 200 fois, permettant l’obtention de la couche diélectrique 30 en Al 2 O 3 d’une épaisseur de 19 nm, sur toute la surface de la première zone de transition 2030. 1.2.3 – Formation de la seconde zone de transition Enfin, la seconde zone de transition 3040 est formée sur la surface de la couche diélectrique 30 dans la deuxième chambre ALD. La formation de la seconde zone de transition 3040 est mise en œuvre selon les mêmes modalités que celles décrites au point 1.2.1 ci-avant. La seconde zone de transition 3040 en AlN, d’une épaisseur de 0,5 nm est ainsi formée sur toute la surface de la couche diélectrique 30. Une structure qui comprend ainsi un empilement comprenant successivement la première électrode 20 et un ensemble 300, formé successivement par la première zone de transition 2030, la couche diélectrique 30 et la seconde zone de transition 3040, est obtenue et est représentée à la . Pour des questions de lisibilité, le détail de l’ensemble 300 n’est pas représenté sur la mais est représenté à la . 1.3 – Dépôt de la troisième couche de nature électrique conductrice : La structure obtenue au point 1.2 ci-avant est déplacée vers une troisième chambre ALD sous vide, dédiée aux dépôts d’électrodes. Le déplacement de la deuxième chambre ALD vers la troisième chambre ALD est, là aussi, réalisé sans passage à l’air, pour éviter toute formation de couche d’interface d’oxyde sur la surface de l’ensemble 300. La deuxième électrode 40 en TiN est déposée sur la surface de l’ensemble 300 en mettant en œuvre le même cycle d’étapes que celui décrit au point 1.1. La deuxième électrode 40 ainsi déposée a une épaisseur de 10 nm. Une structure S1 de type MIM est alors obtenue et est représentée à la . Exemple 2 : Pr éparation d’une deuxième structure S2 Une deuxième structure S2 de type MIM est préparée selon un autre mode de réalisation particulier de l’invention. La préparation de la deuxième structure S2 comprend les étapes et sous-étapes successives suivantes : a) i) dépôt de la première électrode 20 en TiN ; ii) formation de la première zone de transition 2030 en AlN ; b) i) dépôt de la couche diélectrique 30 en Al 2 O 3 ; ii) formation de la seconde zone de transition 3040 en AlN ; c) dépôt de la deuxième électrode 40 en TiN. Les étapes et sous-étapes ci-dessus sont toutes mises en œuvre selon les mêmes modalités que celles décrites dans l’exemple 1, à l’exception que la première zone de transition est, ici, formée à la fin de l’étape a) – correspondant au dépôt de la première électrode 20 – c’est-à-dire qu’elle est formée dans la première chambre ALD sous vide, dédiée aux dépôts d’électrodes, à une température de 400 °C. Une structure S2 de type MIM est ainsi obtenue et représentée à la (partie de gauche). Cette structure comprend un substrat 10 recouvert par un empilement comprenant successivement : - un ensemble 200 qui comprend successivement la première électrode 20 en TiN et la première zone de transition 2030 en AlN ; - un ensemble 301 qui comprend successivement la couche diélectrique 30 en Al 2 O 3 et la seconde zone de transition 3040 en AlN ; puis - la deuxième électrode 40 en TiN. Le détail de cet empilement est représenté à la (partie de droite). Exemple 3 : Pr éparation d’une troisième structure S3 Une troisième structure S3 de type MIM est préparée selon un autre mode de réalisation particulier de l’invention. La préparation de la troisième structure S3 comprend les étapes et sous-étapes successives suivantes : a) dépôt de la première électrode 20 en TiN ; b) i) formation de la première zone de transition 2030 en AlN ; ii) dépôt de la couche diélectrique 30 en Al 2 O 3 ; c) i) formation de la seconde zone de transition 3040 en AlN ; ii) dépôt de la deuxième électrode 40 en TiN. Les étapes et sous-étapes ci-dessus sont toutes mises en œuvre selon les mêmes modalités que celles décrites dans l’exemple 1, à l’exception que la seconde zone de transition est, ici, formée au début de l’étape c) – correspondant au dépôt de la deuxième électrode 40 – c’est-à-dire qu’elle est formée dans la troisième chambre ALD sous vide, dédiée aux dépôts d’électrodes, à une température de 400 °C. Une structure S3 de type MIM est ainsi obtenue et représentée à la (partie de gauche). Cette structure comprend un substrat 10 recouvert par un empilement comprenant successivement : - la première électrode 20 en TiN ; - un ensemble 302 qui comprend successivement la première zone de transition 2030 en AlN et la couche diélectrique 30 en Al 2 O 3 ; puis - un ensemble 400 qui comprend successivement la seconde zone de transition 3040 en AlN et la deuxième électrode 40 en TiN. Le détail de cet empilement est représenté à la (partie de droite). Exemple 4 : Pr é paration d’une quatrième structure S 4 Une quatrième structure S4 de type MIM est préparée selon un autre mode de réalisation particulier de l’invention. La préparation de la quatrième structure S4 comprend les étapes et sous-étapes successives suivantes : a) i) dépôt de la première électrode 20 en TiN ; ii) formation de la première zone de transition 2030 en AlN ; b) dépôt de la couche diélectrique 30 en Al 2 O 3 ; c) i) formation de la seconde zone de transition 3040 en AlN ; ii) dépôt de la deuxième électrode 40 en TiN. Les étapes et sous-étapes ci-dessus sont toutes mises en œuvre selon les mêmes modalités que celles décrites dans l’exemple 1, à l’exception toutefois que la première zone de transition 2030 est formée à la fin de l’étape a) – correspondant au dépôt de la première électrode 20 – et que la seconde zone de transition 3040 est, quant à elle, formée au début de l’étape c) – correspondant au dépôt de la deuxième électrode 40. En d’autres termes, la première zone de transition 2030 est formée dans la première chambre ALD et la seconde zone de transition est formée dans la troisième chambre ALD, c’est-à-dire que la première zone de transition 2030 et la seconde zone de transition 3040 sont toutes les deux formées dans des chambre ALD sous vide, dédiées aux dépôts d’électrodes, à une température de 400 °C. Une structure S4 de type MIM est ainsi obtenue et représentée à la (partie de gauche). Cette structure comprend un substrat 10 recouvert par un empilement comprenant successivement : - l’ensemble 200 qui comprend successivement la première électrode 20 en TiN et la première zone de transition 2030 en AlN ; - la couche diélectrique 30 en Al 2 O 3 ; puis - l’ensemble 400 qui comprend successivement la seconde zone de transition 3040 en AlN et la deuxième électrode 40 en TiN. Le détail de cet empilement est représenté à la (partie de droite). Dans les exemples précédents, le substrat est un substrat ayant une surface plane. Cependant, comme représenté sur la , le procédé de préparation d’une structure telle qu’une capacitance de type MIM pourrait être appliqué à un substrat 100 ayant une surface microstructurée. Les différents éléments (première électrode 20, ensemble 300 et deuxième électrode 40) sont alors déposés successivement sur le substrat 100. Structure comprenant un substrat (10, 100) recouvert par un empilement comprenant une première couche (20) et une deuxième couche (30), la première couche (20) étant électriquement conductrice et comprenant un premier élément chimique spécifique, la deuxième couche (30) étant une couche diélectrique ou une couche électriquement isolante, la deuxième couche (30) comprenant un deuxième élément chimique spécifique, caractérisée en ce que la structure comprend une première zone de transition (2030) entre la première couche (20) et la deuxième couche (30) et en ce que la première zone de transition (2030) comprend le premier élément chimique spécifique et le deuxième élément chimique spécifique. Structure selon la revendication 1, dans laquelle le premier élément chimique spécifique est de l’azote et le deuxième élément chimique spécifique est un métal, la première couche (20) étant en un nitrure métallique et la deuxième couche (30) étant en un oxyde métallique ou en un oxynitrure métallique. Structure selon la revendication 1 ou la revendication 2, dans laquelle la première couche (20) est en un nitrure de titane, nitrure de molybdène, nitrure de tungstène, nitrure de tantale ou nitrure de niobium ou en un mélange de ceux-ci et la deuxième couche (30) est en un oxyde de silicium, d’aluminium, d’hafnium, de zirconium, de tantale, de lanthane ou de titane, en un mélange de ceux-ci ou en un oxynitrure de silicium. Structure selon la revendication 3, dans laquelle la première zone de transition (2030) est en nitrure d’aluminium, nitrure de tantale, nitrure d’hafnium, nitrure de niobium, en carbonitrure de titane ou en carbonitrure de tantale. Structure selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans laquelle la première zone de transition (2030) a une épaisseur comprise entre 0,1 nm et 3 nm et, mieux encore, égale à 0,5 nm. Structure selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans laquelle l’empilement comprend une troisième couche (40) électriquement conductrice, la deuxième couche (30) étant disposée entre la première couche (20) et la troisième couche (40). Structure selon la revendication 6, dans laquelle la troisième couche (40) comprend un troisième élément chimique spécifique, la structure étant caractérisée en qu’elle comprend une seconde zone de transition (3040) entre la deuxième couche (30) et la troisième couche (40) et en ce que cette seconde zone de transition (3040) comprend le deuxième élément chimique spécifique et le troisième élément chimique spécifique, le troisième élément chimique spécifique étant de préférence identique au premier élément chimique spécifique. Structure selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans laquelle le substrat (10, 100) a une surface plane ou microstructurée. Procédé de préparation d’une structure telle que définie selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, comprenant au moins les étapes successives suivantes : a) dépôt, de préférence par ALD, de l’une de la première couche (20) ou de la deuxième couche (30) sur le substrat (10, 100) ; b) dépôt, de préférence par ALD, de l’autre de la première couche (20) ou de la deuxième couche (30) ; le procédé étant caractérisé en ce qu’il comprend une sous-étape de formation de la première zone de transition (2030) à la fin de l’étape a) ou au début de l’étape b). Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la sous-étape de formation de la première zone de transition (2030) s’effectue par ALD en introduisant et en faisant circuler de manière alternée un premier couple de précurseurs pour former la première zone de transition (2030), caractérisé en ce que l’un des précurseurs du premier couple de précurseurs comprend le premier élément chimique spécifique et l’autre précurseur de ce premier couple comprend le deuxième élément chimique spécifique. Procédé selon la revendication 9 ou la revendication 10, caractérisé en ce que la première couche (20) est déposée lors de l’étape a) et la deuxième couche (30) est déposée lors de l’étape b), le procédé comprenant en outre une étape c) au cours de laquelle on dépose, de préférence par ALD, la troisième couche (40) sur la deuxième couche (30), le procédé comprenant une sous-étape de formation de la seconde zone de transition (3040) à la fin de l’étape b) ou au début de l’étape c). Procédé de préparation selon la revendication 11, dans lequel la sous-étape de formation de la seconde zone de transition (3040) s’effectue par ALD en introduisant et en faisant circuler de manière alternée un second couple de précurseurs pour la formation de la seconde zone de transition (3040), caractérisé en ce que l’un des précurseurs du second couple de précurseurs comprend le deuxième élément chimique spécifique et l’autre précurseur de ce second couple comprend le troisième élément chimique spécifique.