Brevet FR3144699A1 — publié le 20240705

Procédé d'ajustement de la longueur d'onde centrale d'un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes tridimensionnelles La présente description concerne un procédé d'ajustement de la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par des diodes électroluminescentes (LED) d'un dispositif optoélectronique (12 i,j ) comprenant une étape de mesure de la longueur d'onde centrale du rayonnement, une étape de détermination de la densité de courant par diode électroluminescente pour obtenir une longueur d'onde centrale cible, une étape de variation de la densité de courant par diode électroluminescente pour rapprocher la longueur d'onde centrale du rayonnement de la longueur d'onde centrale cible et une étape de compensation de la variation du flux moyen de rayonnement du dispositif optoélectronique due à la variation de la densité de courant. Figure pour l'abrégé : Fig. 2 Procédé d'ajustement de la longueur d'onde centrale d'un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes tridimensionnelles La présente demande concerne un procédé d'ajustement de la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par les diodes électroluminescentes d'un dispositif optoélectronique, notamment un pixel d'affichage pour un écran d'affichage ou pour un panneau de rétroéclairage. Une diode électroluminescente à base de matériaux semiconducteurs comprend généralement une zone active qui est la région de la diode électroluminescente depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement électromagnétique fourni par la diode électroluminescente. La structure et la composition de la zone active sont adaptées pour obtenir un rayonnement électromagnétique ayant les propriétés souhaitées. En particulier, il est généralement recherché l'obtention d'un rayonnement électromagnétique à spectre étroit, idéalement sensiblement monochromatique. Un procédé de fabrication de dispositifs optoélectroniques comprend la formation de diodes électroluminescentes sur une plaque et la découpe de la plaque pour séparer les dispositifs optoélectroniques. Avec les procédés connus de fabrication de diodes électroluminescentes comprenant notamment des étapes de croissance par épitaxie, alors que les conditions de croissance devraient en théorie conduire à l'obtention sur une même plaque de diodes électroluminescentes identiques, on observe en pratique une dispersion globale des longueurs d'onde centrales des rayonnements émis par les diodes électroluminescentes formées sur une même plaque, en raison notamment d'une dispersion globale des dimensions et des compositions des diodes électroluminescentes. On observe également en pratique une dispersion globale des longueurs d'onde centrales des rayonnements émis par les diodes électroluminescentes formées sur des plaques différentes alors que les mêmes conditions de croissance ont été appliquées. Pour la fabrication d'un dispositif optoélectronique tel qu'un pixel pour un écran d'affichage ou pour un panneau de rétroéclairage, il est généralement exigé une dispersion de la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par le dispositif optoélectronique inférieure à 2 nm, ce qui est inférieur en général à la dispersion globale des longueurs d'onde centrales des rayonnements émis par les diodes électroluminescentes formées sur une même plaque. Il est alors nécessaire de tester chacun des dispositifs optoélectroniques formés à partir d'une même plaque pour sélectionner ceux qui ont les propriétés souhaitées. Cette étape de sélection augmente le coût de fabrication des dispositifs optoélectroniques. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs optoélectroniques à diodes électroluminescentes connus, notamment des pixels d'affichage, et des procédés d'ajustement de la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par les diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique. Un objet d'un mode de réalisation est de contrôler avec précision la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par le dispositif optoélectronique. Un objet d'un mode de réalisation est de réduire, voire de supprimer, les étapes de sélection des dispositifs optoélectroniques formés à partir d'une même plaque. Un mode de réalisation prévoit un procédé d'ajustement de la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par des diodes électroluminescentes d'un dispositif optoélectronique comprenant une étape de mesure de la longueur d'onde centrale du rayonnement, une étape de détermination de la densité de courant par diode électroluminescente pour obtenir une longueur d'onde centrale cible, une étape de variation de la densité de courant par diode électroluminescente pour rapprocher la longueur d'onde centrale du rayonnement de la longueur d'onde centrale cible et une étape de compensation de la variation du flux moyen (en lumens) du rayonnement du dispositif optoélectronique due à la variation de la densité de courant. Le flux moyen du dispositif optoélectronique est la moyenne temporelle de la puissance lumineuse (exprimée en lumens) émise par le dispositif optoélectronique. Ceci permet avantageusement de réduire les contraintes de fabrication des diodes électroluminescentes, puisqu'on autorise une variation de la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par les diodes électroluminescentes par rapport à la longueur d'onde centrale cible lors du procédé de fabrication. Selon un mode de réalisation, l'étape de compensation de la variation du flux moyen de rayonnement comprend une étape de détermination du flux moyen de rayonnement du dispositif optoélectronique, une étape de détermination de l'écart entre le flux moyen de rayonnement et un flux moyen de rayonnement cible, une étape de détermination d'un paramètre à modifier pour faire varier le flux moyen de rayonnement jusqu'au flux moyen cible, et une étape de modification dudit paramètre pour obtenir le flux moyen cible. Selon un mode de réalisation, au moins certaines des étapes du procédé sont répétées. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique comprend une source de courant commandable reliée aux diodes électroluminescentes, et l'étape de variation de la densité de courant comprend une étape de variation de l'intensité du courant fourni par la source de courant commandable. La variation de la densité de courant est ainsi obtenue en modifiant l'intensité du courant alimentant les diodes électroluminescentes. Selon un mode de réalisation, l'étape de variation de la densité de courant par diode électroluminescente comprend une étape de connexion/déconnexion de diodes électroluminescentes parmi les diodes électroluminescentes. La variation de la densité de courant est ainsi obtenue en modifiant le nombre de diodes électroluminescentes qui sont activées. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique comprend des interrupteurs commandables reliés chacun à au moins l'une des diodes électroluminescentes, l'étape de connexion/déconnexion comprenant l'ouverture/la fermeture des interrupteurs commandables. Selon un mode de réalisation, l'étape de compensation de la variation du flux moyen de rayonnement comprend une étape de connexion/déconnexion de diodes électroluminescentes parmi les diodes électroluminescentes. La variation du flux moyen de rayonnement est ainsi obtenue en modifiant le nombre de diodes électroluminescentes qui sont activées Selon un mode de réalisation, les diodes électroluminescentes sont commandées par modulation de largeur d'impulsions, et l'étape de compensation comprend une étape de variation du rapport cyclique de la modulation de largeur d'impulsions pour compenser la variation du flux moyen de rayonnement due à la variation de la densité de courant. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend la fabrication en plusieurs exemplaires du dispositif optoélectronique sur une plaque et la séparation des dispositifs optoélectroniques. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique correspond à un pixel d'affichage. Selon un mode de réalisation, le pixel d'affichage comprend des premières diodes électroluminescentes et des deuxièmes diodes électroluminescentes, les deuxièmes diodes électroluminescentes étant recouvertes d'un matériau photoluminescent, les premières diodes électroluminescentes n'étant pas recouvertes d'un matériau photoluminescent, le procédé étant mis en oeuvre seulement pour les premières diodes électroluminescentes. Un mode de réalisation prévoit également un dispositif optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes, des moyens de variation de la densité de courant par diode électroluminescente et des moyens de compensation de la variation du flux moyen de rayonnement due à la variation de la densité de courant. Selon un mode de réalisation, les moyens de variation de la densité de courant par diode électroluminescente comprennent une source de courant commandable reliée aux diodes électroluminescentes et configurée pour fournir aux diodes électroluminescentes un courant d'intensité commandable. Selon un mode de réalisation, les moyens de variation de la densité de courant par diode électroluminescente et/ou les moyens de compensation de la variation du flux moyen du rayonnement dû à la variation de la densité de courant comprennent des interrupteurs commandables reliés chacun à au moins l'une des diodes électroluminescentes. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique comprend un circuit de commande des diodes électroluminescentes par modulation de largeur d'impulsions configuré pour faire varier le rapport cyclique de la modulation de largeur d'impulsions pour compenser la variation du flux moyen de rayonnement due à la variation de la densité de courant. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique correspond à un pixel d'affichage. Selon un mode de réalisation, les diodes électroluminescentes comprennent chacune un élément semiconducteur tridimensionnel correspondant à un microfil, un nanofil, ou un élément conique ou tronconique de taille micrométrique ou nanométrique et une zone active recouvrant l'élément semiconducteur tridimensionnel et configurée pour émettre un rayonnement électromagnétique. Ceci permet de réaliser des diodes électroluminescentes à éléments tridimensionnels émettant dans le bleu Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique comprend des premières diodes électroluminescentes et des deuxièmes diodes électroluminescentes, les deuxièmes diodes électroluminescentes étant recouvertes d'un matériau photoluminescent, les premières diodes électroluminescentes n'étant pas recouvertes d'un matériau photoluminescent, les moyens de variation de la densité de courant et les moyens de compensation de la variation du flux moyen de rayonnement n'étant reliés qu'aux premières diodes électroluminescentes. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la représente, de façon partielle et schématique, un exemple d'écran d'affichage ; la est une vue en coupe, partielle et schématique, d'une partie de l'écran d'affichage de la ; la est une vue en perspective très schématique d'un mode de réalisation d'un pixel d'affichage de l'écran d'affichage de la ; la est une vue en coupe très schématique du pixel d'affichage de la ; la est une vue de dessous du pixel d'affichage de la ; la représente un schéma par blocs d'un mode de réalisation du pixel d'affichage de la ; la représente une courbe d'évolution de la longueur d'onde centrale d'une diode électroluminescente 2D en fonction de la densité de courant traversant la diode électroluminescente ; la représente des courbes d'évolution des longueurs d'onde centrales du rayonnement émis par des diodes électroluminescentes 3D en fonction de la densité de courant traversant les diodes électroluminescentes ; la est un schéma par blocs d'un mode de réalisation d'un procédé d'ajustement de la longueur d'onde centrale et du flux moyen d’émission d'un pixel d'affichage à diodes électroluminescentes ; la représente un schéma par blocs plus détaillé d'un mode de réalisation du pixel d'affichage de la ; la représente un schéma par blocs plus détaillé d'un autre mode de réalisation du pixel d'affichage de la ; la représente un schéma par blocs plus détaillé d'un autre mode de réalisation du pixel d'affichage de la ; la est une vue en perspective très schématique d'un autre mode de réalisation d'un pixel d'affichage de l'écran d'affichage de la ; la est un schéma par blocs d'un mode de réalisation d'un procédé d'ajustement de la longueur d'onde centrale et du flux moyen de rayonnement d'un pixel d'affichage à diodes électroluminescentes ; la est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un pixel d'affichage à diodes électroluminescentes et à blocs photoluminescents ; et la est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'une diode électroluminescente 3D. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les connexions électriques des diodes électroluminescentes d'un dispositif optoélectronique ne sont pas décrites. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures ou à un dispositif optoélectronique dans une position normale d'utilisation. En outre, sauf indication contraire, on considère ici que les termes "isolant" et "conducteur" signifient respectivement "isolant électriquement" et "conducteur électriquement". Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. En outre, sauf indication contraire, lorsque l'on parle d'une tension en un plot conducteur, on considère la différence entre le potentiel audit plot conducteur et un potentiel de référence, par exemple la masse, pris égal à 0 V. De plus, on appelle "signal binaire" un signal qui alterne entre un premier état constant, par exemple un état bas, noté "0", et un deuxième état constant, par exemple un état haut, noté "1". Les états haut et bas de signaux binaires différents d'un même circuit électronique peuvent être différents. En pratique, les signaux binaires peuvent correspondre à des tensions ou à des courants qui peuvent ne pas être parfaitement constants à l'état haut ou bas. En outre, on considère ici que les termes "isolant" et "conducteur" signifient respectivement "isolant électriquement" et "conducteur électriquement". Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Dans la suite de la description, lorsqu'un rayonnement présente un spectre de forme générale "en cloche", par exemple de forme gaussienne, ayant un maximum, on appelle longueur d'onde du rayonnement, ou longueur d'onde centrale ou principale du rayonnement, la longueur d'onde à laquelle le maximum du spectre est atteint. On appelle longueur d'onde centrale d'une diode électroluminescente la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par la diode électroluminescente et, plus généralement, on appelle longueur d'onde centrale d'un dispositif optoélectronique la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par le dispositif optoélectronique. Un pixel d'une image correspond à l'élément unitaire de l'image affichée par un écran d'affichage. Pour l'affichage d'images couleur, l'écran d'affichage comprend en général pour l'affichage de chaque pixel de l'image au moins trois sources lumineuses qui émettent chacune un rayonnement lumineux sensiblement dans une seule couleur (par exemple, le rouge, le vert et le bleu). La superposition des rayonnements émis par ces trois sources lumineuses fournit à l'observateur la sensation colorée correspondant au pixel de l'image affichée. On appelle pixel d'affichage de l'écran d'affichage indifféremment l'ensemble des composants utilisés pour l'émission de tous les rayonnements lumineux permettant l'affichage d'un pixel d'une image ou seulement l'ensemble des composants utilisés pour l'émission de l'un des rayonnements lumineux permettant l'affichage d'un pixel d'une image. Les sources lumineuses des pixels d'affichage peuvent comprendre des diodes électroluminescentes. Dans la suite de la description, on appelle flux moyen de rayonnement la moyenne temporelle de la puissance lumineuse exprimée en lumens émise par une source lumineuse telle qu’un dispositif optoélectronique ou un pixel comportant une pluralité de diodes électroluminescentes. La moyenne temporelle est faite sur une durée longue par rapport au temps de réponse de l’œil (qui est typiquement de l'ordre de 20 ms). La représente, de façon partielle et schématique, un exemple connu d'écran d'affichage 10. L'écran d'affichage 10 comprend des pixels d'affichage 12 i,j par exemple agencés en M rangées et en N colonnes, M étant un nombre entier variant de 1 à 8000 et N étant un nombre entier variant de 1 à 16000, i étant un nombre entier variant de 1 à M et j étant un nombre entier variant de 1 à N. A titre d'exemple, en , M et N sont égaux à 6. Chaque pixel d'affichage 12 i,j est relié à une source d'un potentiel de référence bas Gnd, par exemple la masse, par l'intermédiaire d'une électrode 14 i et à une source d'un potentiel de référence haut Vcc par l'intermédiaire d'une électrode 16 j . A titre d'exemple, les électrodes 14 i sont représentées alignées selon les rangées en et les électrodes 16 j sont représentées alignées selon les colonnes en , la disposition inverse étant possible. La tension d'alimentation de l'écran d'affichage correspond à la tension entre le potentiel de référence haut Vcc et le potentiel de référence bas Gnd, et est notée Vcc comme le potentiel de référence haut. La tension d'alimentation Vcc dépend notamment de l'agencement des diodes électroluminescentes et de la technologie selon laquelle sont fabriquées les diodes électroluminescentes. A titre d'exemple, la tension d'alimentation Vcc peut être de l'ordre de 2 V à 5 V. Pour chaque rangée, les pixels d'affichage 12 i,j de la rangée sont reliés à une électrode de rangée 18 i . Pour chaque colonne, les pixels d'affichage 12 i,j de la colonne sont reliées à une électrode de colonne 20 j . L'écran d'affichage 10 comprend un circuit de sélection 22 relié aux électrodes de rangée 18 i et adapté à fournir un signal de sélection Com i sur chaque électrode de rangée 18 i . L'écran d'affichage 10 comprend un circuit de fourniture de données 24 relié aux électrodes de colonne 20 j et adapté à fournir un signal de données Data j sur chaque électrode de colonne 20 j . Le circuit de sélection 22 et le circuit de commande 24 sont commandés par un circuit 26, comprenant par exemple un microprocesseur, un microcontrôleur, ou un circuit logique programmable. La est une vue en coupe très schématique d'une partie de l'écran d'affichage 10 de la . La , la , et la sont respectivement une vue en perspective, une vue en coupe, et une vue de dessous, partielles et schématiques, d'un pixel d'affichage 12 i,j de l'écran d'affichage 10 de la . L'écran d'affichage 10 peut comprendre de 10 à 10 9 pixels d'affichage 12 i,j . Chaque pixel d'affichage 12 i,j peut occuper en vue de dessus une surface comprise entre 1 µm 2 et 100 mm 2 . L'épaisseur de chaque pixel d'affichage 12 i,j peut être comprise entre 1 µm et 6 mm. L'écran d'affichage 10 comprend un support 11 sur une face duquel lequel reposent les pixels d'affichage 12 i,j , quatre pixels d'affichage étant représentés à titre d'exemple en . Au moins certaines électrodes 16 j , des électrodes 14 i , des électrodes de rangée 18 i , et des électrodes de colonne 20 j peuvent correspondre à des pistes métalliques s'étendant sur le support 11 et auxquelles sont fixés les pixels d'affichage 12 i,j . Chaque pixel d'affichage 12 i,j comprend un circuit de commande 30 recouvert d'un circuit d'affichage 32. Selon un mode de réalisation, le circuit d'affichage 32 comprend des premier, deuxième, et troisième sous-pixels d'affichage Pix_R, Pix_G, Pix_B, représentés en , et comprend trois sources lumineuses émettant de la lumière à des première, deuxième, et troisième longueurs d'onde centrales. Selon un mode de réalisation, la première longueur d’onde correspond à de la lumière bleue RB et est dans la plage de 430 nm à 490 nm. Selon un mode de réalisation, la deuxième longueur d’onde correspond à de la lumière verte RG et est dans la plage de 510 nm à 570 nm. Selon un mode de réalisation, la troisième longueur d’onde correspond à de la lumière rouge RR et est dans la plage de 600 nm à 720 nm. A titre de variante, le pixel d'affichage 12 i,j peut comprendre seulement une source lumineuse émettant de la lumière à la première, deuxième, ou troisième longueurs d'onde, ou seulement deux sources lumineuses émettant de la lumière à deux longueurs d'onde parmi les première, deuxième, et troisième longueurs d'onde. Selon un mode de réalisation, la source lumineuse ou les sources lumineuses du circuit d'affichage 32 comprennent des diodes électroluminescentes LED, trois diodes électroluminescentes LED étant représentées à titre d'exemple en . Les diodes électroluminescentes LED peuvent être des diodes électroluminescentes 2D, également appelées diodes électroluminescentes planaires, comprenant chacune un empilement de couches planes, ou des diodes électroluminescentes 3D comprenant chacune un élément semiconducteur tridimensionnel recouvert d'une zone active. Selon un mode de réalisation, les diodes électroluminescentes du premier sous-pixel d'affichage Pix_B émettent de la lumière à la première longueur d'onde, les diodes électroluminescentes du deuxième sous-pixel d'affichage Pix_G émettent de la lumière à la deuxième longueur d'onde, et les diodes électroluminescentes du troisième sous-pixel d'affichage Pix_R émettent de la lumière à la troisième longueur d'onde. Selon un mode de réalisation, pour au moins l'un des sous-pixels d'affichage, la diode électroluminescente ou les diodes électroluminescentes du sous-pixel d'affichage sont recouvertes d'un bloc photoluminescent comprenant des luminophores adaptés, lorsqu'ils sont excités par la lumière émise par la diode électroluminescente ou les diodes électroluminescentes associées, à émettre de la lumière à une longueur d'onde différente de la longueur d'onde de la lumière émise par la diode électroluminescente LED associée. Selon un mode de réalisation, toutes les diodes électroluminescentes LED du pixel d'affichage 12 i,j émettent un rayonnement sensiblement à la même longueur d'onde, notamment la première longueur d'onde, et les diodes électroluminescentes LED d'au moins deux sous-pixels d'affichage sont recouvertes de blocs photoluminescents. Le pixel d'affichage 12 i,j comprend une face inférieure 34 et une face supérieure 35 opposée à la face inférieure 34. La face inférieure 34 est de préférence plane. La face supérieure 35 peut ne pas être plane. Le circuit de commande 30 comprend en outre des plots conducteurs P_Gnd, P_Vcc, P_Col, P_Row sur la face inférieure 34. Le circuit de commande 30 peut correspondre à un circuit intégré comprenant des composants électroniques, notamment des transistors à effet de champ à grille isolée, également appelés transistors MOS, ou des transistors en couches minces, également appelés transistors TFT (sigle anglais pour Thin-Film Transistor). De préférence, le circuit d'affichage 32 comprend seulement les diodes électroluminescentes LED, et les éléments conducteurs de ces diodes électroluminescentes LED et le circuit de commande 30 comprend la totalité des composants électroniques nécessaires à la commande des diodes électroluminescentes LED du circuit d'affichage 32. A titre de variante, le circuit d'affichage 32 peut également comprendre d'autres composants électroniques en plus des diodes électroluminescentes LED. Sur la , les diodes électroluminescentes LED sont représentées connectées en anode commune. Il peut toutefois être souhaitable d'agencer les diodes électroluminescentes LED selon une autre configuration. A titre d'exemple, les diodes électroluminescentes LED peuvent être connectées en cathode commune, ou être connectées de manière indépendante les unes des autres. Selon un mode de réalisation, lorsque les diodes électroluminescentes LED sont des diodes électroluminescentes 3D, chaque sous-pixel d'affichage Pix_R, Pix_G, Pix_B comprend de préférence au moins 100 diodes électroluminescentes. Selon un mode de réalisation, le circuit optoélectronique 5 comprend une densité de diodes électroluminescentes supérieure à 25/mm 2 , de préférence supérieure à 20000/mm 2 , encore plus préférentiellement supérieure à 40000/mm 2 . Les diodes électroluminescentes LED peuvent être agencées en maillage carré, une diode électroluminescente LED est située à chaque croisement d'une ligne et d'une colonne. Le pas selon les rangées et/ou les colonnes peut être compris entre 0,1 µm et 200 µm. A titre de variante, les diodes électroluminescentes LED peuvent être disposées selon un autre agencement, par exemple selon un agencement hexagonal. Chaque plot conducteur P_Gnd, P_Vcc, P_Col, P_Row est destiné à être connecté à l'une des électrodes 14 i , 16 j , 18 i , 20 j représentées schématiquement en . Le premier plot conducteur P_Gnd est relié à la source du potentiel de référence bas Gnd. Le deuxième plot conducteur P_Vcc est relié à la source du potentiel de référence haut Vcc. Le troisième plot conducteur P_Row est relié à l'électrode de rangée 18 i et reçoit le signal de sélection Com i . Le quatrième plot conducteur P_Col est relié à l'électrode de colonne 20 j et reçoit le signal de données Data j . Les dimensions des plots conducteurs P_Gnd, P_Vcc, P_Col, P_Row et la disposition des plots conducteurs P_Gnd, P_Vcc, P_Col, P_Row sur la face 34 sont notamment imposées par les règles de conception du pixel d'affichage 12 i,j et par le procédé d'assemblage des pixels d'affichage 12 i,j dans l'écran d'affichage 10. Comme cela est représenté en , à titre d'exemple, la face inférieure 34 du pixel d'affichage 12 i,j a une forme carrée et chaque plot P_Gnd, P_Vcc, P_Col, P_Row a, dans une direction perpendiculaire à la face 34, une forme carrée, les plots P_Gnd, P_Vcc, P_Col, P_Row étant situés aux quatre coins de la face 34. La représente un schéma par blocs d'un mode de réalisation du pixel d'affichage 12 i,j . Selon un exemple, le pixel d'affichage 12 i,j comprend au moins une diode électroluminescente LED pour chaque sous-pixel d'affichage, une seule diode électroluminescente LED d'un sous-pixel d'affichage étant représentée à titre d'exemple en . Pour chaque sous-pixel d'affichage, la diode électroluminescente LED est reliée en série à une source de courant commandable CS, comprenant par exemple un transistor MOS, la source de courant commandable étant configurée pour fournir un courant d'intensité ajustable. Dans le présent exemple, pour chaque diode électroluminescente LED du sous-pixel d'affichage, l'anode de la diode électroluminescente LED est par exemple reliée au plot conducteur P_Vcc recevant le potentiel de référence haut Vcc et la cathode de la diode électroluminescente LED est par exemple reliée à une borne de la source de courant commandable CS, l'autre borne de la source de courant commandable CS étant reliée au plot conducteur P_Gnd recevant le potentiel de référence bas Gnd. A titre de variante, la cathode de la diode électroluminescente LED est par exemple reliée au plot conducteur P_Gnd recevant le potentiel de référence bas Gnd et l'anode de la diode électroluminescente LED est par exemple reliée à une borne de la source de courant commandable CS, l'autre borne de la source de courant commandable CS étant reliée au plot conducteur P_Vcc recevant le potentiel de référence haut Vcc. Le pixel d'affichage 12 i,j comprend en outre un circuit 40 de pilotage de la source de courant commandable CS. Le circuit de pilotage 40 reçoit notamment le signal de données Data j et le signal de sélection Com i . Le circuit 40 est configuré pour commander les sources de courant commandables CS des sous-pixels d'affichage avec des signaux I_red, I_green, et I_blue. Le circuit de pilotage 40 peut notamment comprendre des composants électroniques tels que des transistors MOS. Le circuit de pilotage 40 peut être formé, en totalité ou en partie, dans le circuit de commande 30 décrit précédemment. La représente une courbe d'évolution de la longueur d'onde centrale λc d'une diode électroluminescente 2D en fonction de l'intensité I du courant traversant la diode électroluminescente, la diode électroluminescente ayant une section droite d'aire égale à environ 10000 µm 2 . Pour une densité de courant variant entre 1 A/cm 2 et 65 A/cm 2 , la variation de la longueur d'onde centrale λc est d'environ 4 nm. La représente des courbes d'évolution de la longueur d'onde centrale λc du rayonnement émis par des groupes comprenant entre 64 et 256 diodes électroluminescentes à nanofils en fonction de la densité de courant J traversant chaque diode électroluminescente du groupe de diodes électroluminescentes, les groupes de diodes électroluminescentes étant formés sur des plaques différentes ou à des emplacements différents d'une même plaque. Comme cela apparaît en , pour une même densité de courant J, la longueur d'onde centrale λc varie d'un groupe de diodes électroluminescentes à l'autre et une variation de la densité de courant entre 0,1 A/cm 2 et 10 A/cm 2 entraîne une variation de la longueur d'onde centrale λc d'au moins 10 nm. Cette variation en densité de courant est indépendante du nombre de nanofils dans le groupe de diodes électroluminescentes. Selon un mode de réalisation, chaque diode électroluminescente LED est commandée par modulation de largeur d'impulsions, appelée également commande PWM (sigle anglais pour Pulse Width Modulation). Ce type de commande consiste à faire circuler des impulsions successives de courant d'intensité constante dans la diode électroluminescente LED, les impulsions étant répétées de façon cyclique. On appelle rapport cyclique le rapport entre la durée pendant laquelle la diode électroluminescente LED est allumée pour un cycle et la durée totale du cycle. Pour une densité de courant donnée, le flux moyen de rayonnement émis par la diode électroluminescente est proportionnel au rapport cyclique . La commande PWM est dite analogique lorsque la diode électroluminescente LED est allumée pendant une impulsion unique au cours de chaque cycle. Le rapport cyclique est modifié en faisant varier la durée de l'impulsion unique pendant laquelle la diode électroluminescente LED est allumée. La commande PWM est dite numérique lorsque la diode électroluminescente LED peut être allumée pendant plusieurs impulsions de durées différentes et quantifiées au cours de chaque cycle. Le rapport cyclique est modifié en sélectionnant par un code numérique les impulsions pendant lesquelles la diode électroluminescente LED est allumée. La est un schéma par blocs d'un mode de réalisation d'un procédé d'ajustement de la longueur d'onde centrale λc et du flux moyen de rayonnement émis par les diodes électroluminescentes d'un dispositif optoélectronique, par exemple le pixel d'affichage 12 i,j . Le procédé d'ajustement vise à commander le pixel d'affichage pour que le rayonnement émis par le pixel d'affichage ait une longueur d'onde centrale λc égale à une longueur d'onde centrale cible. Le procédé peut n'être mis en oeuvre que pour le sous-pixel d'affichage ou les sous-pixels d'affichage du pixel d'affichage pour lesquels les diodes électroluminescentes ne sont pas recouvertes d'un bloc photoluminescent. Le procédé comprend des étapes successives 1, 2, et 3. L'étape 1 correspond à la fabrication du dispositif optoélectronique, par exemple le pixel d'affichage 12 i,j . Selon un mode de réalisation, plusieurs exemplaires du pixel d'affichage 12 i,j sont réalisés simultanément sur une même plaque, puis séparés. Selon un mode de réalisation, au moins une partie des couches des diodes électroluminescentes LED des pixels d'affichage 12 i,j sont formées par épitaxie. De préférence, les conditions de croissance par épitaxie sont sélectionnées de façon que la longueur d'onde centrale λc souhaitée pour les diodes électroluminescentes LED correspond à une valeur haute de la distribution des longueurs d'onde centrales des diodes électroluminescentes LED formées sur la même plaque. L'étape 2 comprend la commande du sous-pixel d'affichage pour fixer le rapport cyclique de la commande PWM de toutes les diodes électroluminescentes LED à une valeur donnée, et commander la source de courant commandable CS pour que la densité de courant vue par les diodes électroluminescentes LED soit égale à une valeur cible, par exemple 3 A/cm 2 . De préférence, la valeur cible de la densité de courant est suffisamment faible et dans un domaine de la courbe d'évolution de la longueur d'onde centrale λc des diodes électroluminescentes LED en fonction de la densité de courant de manière qu'une augmentation de la densité de courant entraîne une diminution importante de la longueur d'onde. L'étape 3 comprend la mesure d'un paramètre représentatif de la longueur d'onde centrale λc du rayonnement émis par le sous-pixel d'affichage. L'étape 3 comprend, par exemple, la mesure du spectre du rayonnement émis par le sous-pixel d'affichage et la détermination de la longueur d'onde centrale λc du rayonnement émis par le sous-pixel d'affichage à partir du spectre mesuré. Il est alors déterminé la variation de la longueur d'onde centrale λc mesurée par rapport à la longueur d'onde centrale cible, et ensuite la variation ΔJ de la densité de courant à réaliser pour faire varier la longueur d'onde centrale λc jusqu'à atteindre la longueur d'onde centrale cible. La source de courant commandable CS est alors commandée pour ajuster l'intensité du courant alimentant les diodes électroluminescentes du sous-pixel d'affichage pour que la densité de courant, donc la longueur d’onde d’émission, ait la valeur souhaitée. En parallèle, le rapport cyclique de la commande PWM des diodes électroluminescentes est adapté pour que le flux moyen de rayonnement du sous-pixel d'affichage conserve une valeur cible de flux moyen de rayonnement. Avec une commande PWM analogique, le rapport cyclique est par exemple modifié en faisant varier la durée de l'impulsion unique pendant laquelle la diode électroluminescente LED est allumée. La représente un exemple de schéma par blocs d'un pixel d'affichage 12 i,j de l'écran d'affichage 10 illustrant un mode de réalisation d'une partie du circuit de pilotage 40 dans le cas où le signal de sélection Com i , reçu au plot conducteur P_Row de chaque pixel d'affichage 12 i,j , est un signal binaire alternant entre un état logique bas "0" et un état logique haut "1" et le signal de données Data j est un signal binaire alternant entre un état logique bas "0" et un état logique haut "1". Pour les signaux Com i et Data j , l'état logique bas correspond au potentiel de référence bas Gnd et l'état logique haut "1" correspond à une tension d'alimentation logique ou numérique, sensiblement égale à une tension d'alimentation réduite Vdd. En , on a indiqué, au-dessus de chaque bloc, la tension d'alimentation utilisée pour alimenter les composants électroniques du bloc. Le pixel d'affichage 12 i,j peut comprendre un circuit 42 (Vdd Generation) de fourniture, recevant la tension d'alimentation Vcc et adapté à fournir la tension d'alimentation réduite Vdd à partir de la tension d'alimentation Vcc. Selon une variante, le circuit 42 reçoit le signal de sélection Com i et le signal de données Data j et est adapté à fournir la tension d'alimentation réduite Vdd à partir du signal de sélection Com i et du signal de données Data j . Le circuit 42 peut alors comprendre un condensateur chargé par le signal de sélection Com i et le signal de données Data j . A titre de variante, la tension d'alimentation réduite Vdd n'est pas générée dans le pixel d'affichage 12 i,j . Le pixel d'affichage 12 i,j peut alors comprendre un plot conducteur supplémentaire recevant la tension réduite Vdd. La tension d'alimentation réduite Vdd est par exemple inférieure à 4 V, notamment de l'ordre de 1 V ou de 1,8 V, utilisée notamment pour l'alimentation du circuit de pilotage 40. En , la source de courant commandable CS comprend une source de courant continu d'intensité commandable C en série avec un interrupteur commandable M, comprenant par exemple un transistor MOS. Le circuit de pilotage 40 comprend un circuit 44 (Clk & data separation) relié au plot conducteur P_Col recevant le signal de données Data j et fournissant, à partir du signal de données Data j , un signal d'horloge Clk et des données Data. Le circuit de pilotage 40 comprend un circuit 46 (Mode selection) recevant les signaux Clk et Data, relié au plot conducteur P_Row recevant le signal de sélection Com i , et configuré pour fournir les signaux Clk et Data à un circuit de mémorisation 48 (Color Data registers) ou pour fournir un signal PWM à un circuit 50 (LED driver) de commande de l'interrupteur commandable M de la source de courant commandable CS associée à chaque diode électroluminescente LED. Le circuit de mémorisation 48 est configuré pour stocker des signaux numériques de couleur R, G, B représentatifs du flux moyen de rayonnement du pixel d'image à afficher. Le circuit 50 est adapté à commander les interrupteurs commandables M des sources de courant commandable CS des sous-pixels d'affichage reliées aux diodes électroluminescentes LED avec les signaux I_red, I_green, et I_blue, obtenus à partir des signaux de couleur R, G, B, et du signal PWM. A titre de variante, dans le cas d'un pixel d'affichage monochromatique, le circuit de mémorisation 48 est configuré pour stocker un seul signal de couleur analogique et le circuit 50 est adapté à commander les interrupteurs commandables M des sources de courant commandable CS reliées aux diodes électroluminescentes LED avec des commandes obtenues à partir du signal analogique de couleur et du signal analogique de référence. Le signal PWM peut correspondre à une suite d'impulsions utilisées pour réaliser une commande PWM de la diode électroluminescente LED. Selon un mode de réalisation, pour limiter le nombre de plots conducteurs P_Gnd, P_Vcc, P_Col, P_Row par pixel d'affichage 12 i,j , les signaux de données Data j permettent à la fois la détermination, par chaque pixel d'affichage 12 i,j , d'un signal d'horloge et des signaux de couleur R, G, B représentatifs des flux moyens souhaités pour les rayonnements aux premières, deuxième, et troisième longueurs d'onde, ou, dans le cas d'un pixel d'affichage monochromatique, du signal de couleur représentatif du flux moyen souhaité pour le rayonnement à la longueur d'onde unique. Selon un autre exemple, le signal d'horloge Clk est obtenu à partir du signal de sélection Com i . La représente un exemple de schéma par blocs d'un pixel d'affichage 12 i,j de l'écran d'affichage 10 illustrant un autre mode de réalisation d'une partie du circuit de pilotage 40 dans le cas où le signal Com i de sélection et de référence PWM, reçu au plot conducteur P_Row de chaque pixel d'affichage 12 i,j , est un signal analogique, que le signal de données Data j , reçu au plot conducteur P_Col de chaque pixel d'affichage 12 i,j , est un signal analogique. Le pixel d'affichage 12 i,j de la a la même structure que le pixel d'affichage 12 i,j représenté en , à la différence que le signal PWM est un signal analogique de référence, généralement périodique, variant de façon continue entre une valeur minimale et une valeur maximale, par exemple une succession de rampes de tension. De plus, le circuit 44 (Interface) est relié au plot conducteur P_Row recevant le signal Com i de sélection et de référence PWM et fournit, à partir du signal Com i , un signal de sélection Prog et le signal analogique de référence PWM. Le circuit 46 (Mode selection) reçoit le signal de données Data j et le signal de sélection Prog, et est configuré pour fournir un signal analogique Data au circuit de mémorisation 48 (Color Data Memory). Le circuit de mémorisation 48 est configuré pour stocker des signaux de couleur analogiques R, G, B représentatifs du flux moyen de rayonnement du pixel d'image à afficher, en utilisant par exemple des condensateurs, et le circuit 50 est adapté à commander les sources de courant commandable CS des sous-pixels d'affichage reliées aux diodes électroluminescentes LED avec des commandes obtenues à partir des signaux analogiques de couleur R, G, B, et du signal analogique de référence PWM. A titre d'exemple, le circuit 50 compare le signal de couleur analogiques R, G, B au signal analogique de référence PWM et allume ou éteint la source de courant commandable CS selon le résultat de la comparaison. La représente un schéma par blocs d'un autre mode de réalisation du pixel d'affichage 12 i,j . En , les diodes électroluminescentes LED d'au moins l'un des sous-pixels d'affichage du pixel d'affichage 12 i,j sont réparties en ensembles de diodes électroluminescentes LED, quatre ensembles E1, E2, E3, E4 comprenant chacun une diode électroluminescente LED étant représentés à titre d'exemple en . L'anode de chaque diode électroluminescente LED reçoit le potentiel de référence haut Vcc. Le pixel d'affichage 12 i,j comprend, pour chaque ensemble E1, E2, E3, E4, un interrupteur commandable 50 entre la source de courant commandable CS et les cathodes des diodes électroluminescentes LED de l'ensemble E1, E2, E3, E4. Selon un mode de réalisation, chaque interrupteur commandable 50 correspond à un transistor MOS, par exemple à un transistor MOS à canal N. Pour chaque ensemble E1, E2, E3, E4, le drain du transistor 50 est connecté à la cathode de chaque diode électroluminescente LED de l'ensemble E1, E2, E3, E4. La grille de chaque transistor 50 est commandée par un signal de commande fourni par le circuit de pilotage 40. La est une vue analogue à la du pixel d'affichage 12 i,j de la . Le pixel d'affichage 12 i,j représenté en comprend l'ensemble des éléments du pixel d'affichage 12 i,j représenté en à la différence que les diodes électroluminescentes LED du sous-pixel d'affichage Pix_B sont réparties en quatre ensembles E1, E2, E3, E4 de diodes électroluminescentes. La est un schéma par blocs d'un mode de réalisation d'un procédé d'ajustement de la longueur d'onde centrale λc du rayonnement émis par les diodes électroluminescentes d'un dispositif optoélectronique, notamment le sous-pixel d'affichage Pix_B du pixel d'affichage 12 i,j représenté en . Le procédé d'ajustement vise à modifier le dispositif optoélectronique pour que le rayonnement émis par le dispositif optoélectronique ait une longueur d'onde centrale λc égale à une longueur d'onde centrale cible. Le procédé comprend des étapes successives 4, 5, et 6. L'étape 4 comprend la mesure d'un paramètre représentatif de la longueur d'onde centrale λc du rayonnement émis par le sous-pixel d'affichage Pix_B. L'étape 4 comprend, par exemple, la mesure du spectre du rayonnement émis par le sous-pixel d'affichage Pix_B et la détermination de la longueur d'onde centrale λc du rayonnement émis par le sous-pixel d'affichage Pix_B à partir du spectre mesuré. Selon un mode de réalisation, à l'étape 4, toutes les diodes électroluminescentes du sous-pixel d'affichage Pix_B sont initialement actives. L'étape 5 comprend la détermination de la variation de la longueur d'onde centrale λc mesurée par rapport à la longueur d'onde centrale cible, la détermination de la variation ΔJ de la densité de courant du sous-pixel d'affichage Pix_B à réaliser pour faire varier la longueur d'onde centrale λc jusqu'à atteindre la longueur d'onde centrale cible, et la détermination d'un nombre de diodes électroluminescentes à éteindre pour atteindre la densité de courant cible. Selon un mode de réalisation, la détermination de la variation ΔJ de la densité de courant comprend la mesure de la densité de courant J courante traversant chaque diode électroluminescente du sous-pixel d'affichage Pix_B, la sélection de la courbe représentée en passant par le point correspondant au couple (λc, J) et la détermination de la densité de courant cible à appliquer pour atteindre la longueur d'onde centrale cible L'étape 6 comprend la déconnexion des diodes électroluminescentes d'au moins l'un des ensembles E1, E2, E3, E4 de diodes électroluminescentes pour atteindre la densité de courant cible. Ceci entraîne une augmentation de la densité de courant du sous-pixel d'affichage Pix_B et une diminution de la longueur d'onde centrale λc. Dans ce but, le circuit de pilotage 40 peut commander les interrupteurs 50 pour éteindre ou maintenir allumés les ensembles E1, E2, E3, E4 de diodes électroluminescentes LED. Le flux moyen de rayonnement émis par le sous-pixel d'affichage Pix_B est alors obtenu en faisant varier le rapport cyclique de la commande PWM des diodes électroluminescentes qui restent disponibles après la mise en oeuvre du procédé d'ajustement de la longueur d'onde centrale λc. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend au moins deux itérations, chaque itération comprenant le cycle des étapes 4, 5, et 6 décrit précédemment. Toutefois, à la deuxième itération de l'étape 4, et éventuellement aux itérations suivantes de l'étape 4, le nombre restant de diodes électroluminescentes qui sont activées est réduit du nombre de diodes électroluminescentes qui ont été éteintes à l'étape 6 de l'itération précédente. Dans le mode de réalisation décrit précédemment, toutes les diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique sont activées à l'étape 4 et des diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique sont éteintes à l'étape 6. Selon un autre mode de réalisation, le nombre de diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique qui sont activées à l'étape 4 est inférieur strictement au nombre total de diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique. A l'étape 5, la variation ΔJ de la densité de courant à appliquer peut entraîner la déconnexion d'un nombre déterminé de diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique qui étaient activées ou la connexion d'un nombre déterminé de diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique qui étaient éteintes. Selon un autre mode de réalisation, le procédé d'ajustement de la longueur d'onde centrale λc du rayonnement émis par les diodes électroluminescentes d'un dispositif optoélectronique, notamment un pixel d'affichage 12 i,j , peut comprendre la combinaison du mode de réalisation du procédé décrit précédemment en relation avec la et du mode de réalisation du procédé décrit précédemment en relation avec la . En effet, à l'étape 3 du mode de réalisation du procédé décrit précédemment en relation avec la , l'étape d'ajustement de la densité de courant J peut être réalisée en combinant une modification de l'intensité du courant fourni par la source de courant commandable CS et la connexion/déconnexion de diodes électroluminescentes comme à l'étape 6 décrite précédemment. Selon un autre mode de réalisation, le procédé d'ajustement de la longueur d'onde centrale λc du rayonnement émis par les diodes électroluminescentes d'un dispositif optoélectronique, notamment un pixel d'affichage 12 i,j , comprend les étapes suivantes : a) mise en oeuvre du procédé décrit précédemment en relation avec la , dans lequel l'étape d'ajustement de la densité de courant J est réalisée par modification de l'intensité du courant fourni par la source de courant commandable CS ; b) ajustement du flux moyen de rayonnement émis par le pixel d'affichage 12 i,j par déconnexion d'un nombre déterminé de diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique qui étaient activées ou la connexion d'un nombre déterminé de diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique qui étaient éteintes, ce qui entraîne une modification de la densité de courant vue par les diodes électroluminescentes ; et c) modification de l'intensité du courant fourni par la source de courant commandable CS pour retrouver la densité de courant déterminée à l'étape a). Si la surface émettrice a été divisée par un facteur x il faut multiplier le courant par le même facteur x pour garder le même flux moyen de rayonnement du pixel. Selon un mode de réalisation, les diodes électroluminescentes sont réparties en groupes de diodes électroluminescentes et la connexion/déconnexion d'un groupe de diodes électroluminescentes n'entraîne pas de modification de la densité de courant dans les autres groupes de diodes électroluminescentes. Dans ce but, Selon un mode de réalisation, chaque groupe de de diodes électroluminescentes peut être alimenté par une source de courant distincte. Un mode de réalisation d'un pixel d'affichage 12 i,j va maintenant être décrit dans le cas de diodes électroluminescentes 3D, c'est-à-dire de diodes électroluminescentes formées à partir d'éléments tridimensionnels de taille nanométrique ou micrométrique, en particulier des microfils, des nanofils ou des pyramides. Le terme "microfil" ou "nanofil" désigne une structure tridimensionnelle de forme allongée selon une direction privilégiée dont au moins deux dimensions, appelées dimensions mineures, sont comprises entre 5 nm et 5 µm, de préférence entre 100 nm et 2 µm, plus préférentiellement entre 200 nm et 1,5 µm, la troisième dimension, appelée dimension majeure ou hauteur, étant supérieure ou égale à 1 fois, de préférence supérieure ou égale à 3 fois et encore plus préférentiellement supérieure ou égale à 5 fois, la plus grande des dimensions mineures. Dans certains modes de réalisation, la hauteur de chaque microfil ou nanofil peut être supérieure ou égale à 500 nm, de préférence comprise entre 1 µm et 50 µm. Dans la suite de la description, on utilise le terme "fil" pour signifier "microfil ou nanofil". La section droite des fils peut avoir différentes formes, par exemple, une forme ovale, circulaire ou polygonale, notamment triangulaire, rectangulaire, carrée ou hexagonale. On comprendra que le terme "diamètre moyen" utilisé en relation avec une section droite d'un fil désigne une quantité associée avec l'aire du fil dans cette section droite, correspondant, par exemple, au diamètre du disque ayant la même aire que la section droite du fil. Dans la suite de la description, le terme pyramide désigne une structure tridimensionnelle dont une partie est de forme pyramidale ou conique allongée. Cette structure pyramidale peut être tronquée, c’est-à-dire que le haut du cône est absent, laissant place à un plateau. La base de la pyramide est inscrite dans un carré dont la dimension des côtés est de 100 nm à 10 µm, préférentiellement entre 0,2 µm et 2 µm. Le polygone formant la base de la pyramide peut être un hexagone. La hauteur de la pyramide entre la base de la pyramide et le sommet ou le plateau sommital varie de 100 nm à 20 µm, préférentiellement entre 200 nm et 2 µm. Dans la suite de la description, des modes de réalisation vont être décrits dans le cas d'un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes comprenant des microfils ou nanofils. Toutefois, il est clair que ces modes de réalisation peuvent concerner un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes comprenant des pyramides de taille micrométrique ou nanométrique. La 5 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation du circuit d'affichage 32 d'un pixel d'affichage 12 i,j à diodes électroluminescentes LED à nanofils ou microfils. Le circuit d'affichage 32 du pixel d'affichage 12 i,j comprend de bas en haut en 5 : - un substrat 60 comprenant des faces opposées 62 et 64, la face supérieure 62 étant de préférence plane au moins au niveau des diodes électroluminescentes ; - une couche de germination 66 en un matériau favorisant la croissance de fils et disposée sur la face 62 ; - une couche isolante 68 recouvrant la couche de germination 66 et comprenant des ouvertures 70 exposant des portions de la couche de germination 66 ; - des diodes électroluminescentes LED (six diodes électroluminescentes étant représentées), chaque diode électroluminescente LED étant en contact avec la couche de germination 66 au travers de l'une des ouvertures 70 ; - une couche isolante 74 s'étendant sur les flancs latéraux d'une portion inférieure de chaque diode électroluminescente DEL et s'étendant sur la couche isolante 68 entre les diodes électroluminescentes DEL ; - une couche 76 formant une électrode recouvrant chaque diode électroluminescente DEL et s'étendant en outre sur la couche isolante 74 entre les diodes électroluminescentes DEL ; - une couche conductrice 78 et réfléchissante, s'étendant sur la couche 76 entre les diodes électroluminescentes DEL, la couche conductrice 78 pouvant, à titre de variante, être interposée entre la couche d'électrode 76 et la couche isolante 74 entre les diodes électroluminescentes DEL ; - une couche 80 de protection diélectrique s'étendant sur les couches 76 et 78 ; - des blocs photoluminescents 82, 83 recouvrant certains ensembles de diodes électroluminescentes et des blocs 84 transparents au rayonnement émis par les diodes électroluminescentes et recouvrant les autres ensembles de diodes électroluminescentes, les blocs transparents 84 pouvant ne pas être présents ; - une couche isolante 86 recouvrant la face supérieure de chaque bloc 82, 83, 84, ou seulement de certains des blocs 82, 83, 84, la couche isolante 86 pouvant ne pas être présente ; - une couche de protection 87 recouvrant les couches isolantes 86, les faces latérales des blocs 82, 83, 84 et la couche d'électrode 76 entre les blocs 82, 84 ; - des murs 88 entre les blocs 82, 84, chaque mur 88 comprenant un coeur 90 entouré d'un revêtement 92 réfléchissant ; - une couche de protection 96 recouvrant l'ensemble de la structure. La représente un mode de réalisation des diodes électroluminescentes DEL. Selon un mode de réalisation, chaque diode électroluminescente DEL comprend un fil 71 en contact avec la couche de germination 66 au travers de l'une des ouvertures 70 et une coque 72 comprenant un empilement de couches semiconductrices recouvrant les parois latérales et le sommet du fil 71. L'ensemble formé par chaque fil 71 et la coque 72 associée constitue une diode électroluminescente DEL. La coque 72 peut comprendre un empilement de plusieurs couches comprenant notamment une couche active 73 et une couche de liaison 75. La couche active 73 est la couche depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement fourni par la diode électroluminescente DEL. Selon un exemple, la couche active 73 peut comporter des moyens de confinement, tels que des puits quantiques multiples. La couche de liaison 75 peut comprendre un empilement de couches semiconductrices du même matériau III-V que le fil 71 mais du type de conductivité opposé au fil 71. Le substrat 60 peut correspondre à une structure monobloc ou correspondre à une couche recouvrant un support constitué d'un autre matériau. Le substrat 60 est de préférence un substrat semiconducteur, par exemple un substrat en silicium, en germanium, en carbure de silicium, en un composé III-V, tel que du GaN ou du GaAs, ou un substrat en ZnO. De préférence, le substrat 60 est un substrat de silicium monocristallin. De préférence, il s'agit d'un substrat semiconducteur compatible avec les procédés de fabrication mis en oeuvre en microélectronique. Le substrat 60 peut correspondre à une structure multicouches de type silicium sur isolant, également appelée SOI (acronyme anglais pour Silicon On Insulator). La section droite des ouvertures 70 peut correspondre à la section droite souhaitée des fils 71 ou peut être différente de la section droite des fils qui sera obtenue. Le diamètre moyen des fils 71 peut être égal ou supérieur au diamètre moyen des ouvertures 70. La couche de germination 66 est en un matériau favorisant la croissance des fils. A titre d'exemple, le matériau composant la couche de germination 66 peut être un nitrure, un carbure ou un borure d'un métal de transition de la colonne IV, V ou VI du tableau périodique des éléments ou une combinaison de ces composés. A titre d'exemple, la couche de germination 66 peut être en nitrure d'aluminium (AlN), en bore (B), en nitrure de bore (BN), en titane (Ti), en nitrure de titane (TiN), en tantale (Ta), en nitrure de tantale (TaN), en hafnium (Hf), en nitrure d'hafnium (HfN), en niobium (Nb), en nitrure de niobium (NbN), en zirconium (Zr), en borate de zirconium (ZrB 2 ), en nitrure de zirconium (ZrN), en carbure de silicium (SiC), en nitrure et carbure de tantale (TaCN), en nitrure de magnésium sous la forme Mg x N y , où x est environ égal à 3 et y est environ égal à 2, par exemple du nitrure de magnésium selon la forme Mg 3 N 2 ou du nitrure de gallium et de magnésium (MgGaN), en tungstène (W), en nitrure de tungstène (WN) ou en une combinaison de ceux-ci. La couche de germination 66 peut avoir une structure monocouche ou correspondre à un empilement d'au moins deux couches, chaque couche étant par exemple dans l'un des matériaux décrits précédemment. Selon un autre mode de réalisation, la couche de germination 66 peut ne pas être présente. Selon un autre mode de réalisation, la couche de germination 66 peut être remplacée par des plots de germination, par exemple formés au fond des ouvertures 70. Les fils 71 comprennent en majorité, de préférence à plus de 60 % en masse, plus préférentiellement à plus de 80 % en masse, au moins un matériau semiconducteur. Le matériau semiconducteur peut être du silicium, du germanium, du carbure de silicium, un composé III-V, un composé II-VI ou une combinaison d'au moins deux de ces composés. Des exemples d'éléments du groupe III comprennent le gallium (Ga), l'indium (In) ou l'aluminium (Al). Des exemples de composés III-N sont GaN, AlN, InN, InGaN, AlGaN ou AlInGaN. D'autres éléments du groupe V peuvent également être utilisés, par exemple, le phosphore ou l'arsenic. De façon générale, les éléments dans le composé III-V peuvent être combinés avec différentes fractions molaires. Des exemples d'éléments du groupe II comprennent des éléments du groupe IIA, notamment le béryllium (Be) et le magnésium (Mg) et des éléments du groupe IIB, notamment le zinc (Zn), le cadmium (Cd) et le mercure (Hg). Des exemples d'éléments du groupe VI comprennent des éléments du groupe VIA, notamment l'oxygène (O) et le tellure (Te). Des exemples de composés II-VI sont ZnO, ZnMgO, CdZnO, CdZnMgO, CdHgTe, CdTe ou HgTe. De façon générale, les éléments dans le composé II-VI peuvent être combinés avec différentes fractions molaires. Le matériau semiconducteur des fils 71 peut comporter un dopant, par exemple du silicium assurant un dopage de type N d’un composé III-N, ou du magnésium assurant un dopage de type P d’un composé III-N. Chaque couche isolante 68, 74, 80, 86, 87, 96 et le matériau de remplissage 90 peut être en un matériau diélectrique, par exemple en oxyde de silicium (SiO 2 ), en nitrure de silicium (Si x N y , où x est environ égal à 3 et y est environ égal à 4, par exemple du Si 3 N 4 ), en oxynitrure de silicium (notamment de formule générale SiO x N y , par exemple du Si 2 ON 2 ), en oxyde d'aluminium (Al 2 O 3 ), en oxyde d'hafnium (HfO 2 ), en dioxyde de titane (TiO 2 ) ou en diamant. La couche isolante 68, 74, 80, 86, 87, 96 peut avoir une structure monocouche ou correspondre à un empilement de deux couches ou de plus de deux couches. Lorsque la couche isolante 68 correspond à un empilement d'au moins deux couches, la couche supérieure de l'empilement est de type isolante, par exemple en un matériau diélectrique. La couche conductrice 78 ou le revêtement 92 correspond, de préférence à une couche métallique, par exemple en aluminium, en argent, en cuivre, en or ou en zinc. L'épaisseur de la couche conductrice 78 ou du revêtement 92 peut être comprise entre 0,01 µm et 1000 µm. A titre de variante, le revêtement 92 peut ne pas être présent. Dans ce cas, le matériau de remplissage 90 peut être un matériau métallique, par exemple de l'aluminium, de l'argent, du cuivre ou du zinc. La couche d'électrode 76 est adaptée à laisser passer le rayonnement électromagnétique émis par les diodes électroluminescentes. Le matériau formant la couche d'électrode 76 peut être un matériau transparent et conducteur tel que de l'oxyde d'indium-étain (ou ITO, acronyme anglais pour Indium Tin Oxide), de l'oxyde de zinc dopé à l'aluminium ou au gallium, ou du graphène. L'épaisseur de la couche d'électrode 76 peut être comprise entre 0,01 µm et 10 µm. Selon un mode de réalisation, chaque bloc photoluminescent 82, 83 est situé en vis-à-vis de l'une des diodes électroluminescentes ou d'un ensemble de diodes électroluminescentes. Chaque bloc photoluminescent 82, 83 comprend des luminophores adaptés, lorsqu'ils sont excités par la lumière émise par la diode électroluminescente DEL associée, à émettre de la lumière à une longueur d'onde différente de la longueur d'onde de la lumière émise par la diode électroluminescente DEL associée. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique 5 comprend au moins deux types de blocs photoluminescents 82, 83. Chaque bloc photoluminescent 82 du premier type est adapté à convertir le rayonnement fourni par les diodes électroluminescentes qu'il recouvre en un premier rayonnement à une première longueur d’onde et chaque bloc photoluminescent 83 du deuxième type est adapté à convertir le rayonnement fourni par les diodes électroluminescentes qu'il recouvre en un deuxième rayonnement à une deuxième longueur d’onde. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique 5 comprend au moins trois types de blocs photoluminescents 82, 83, chaque bloc photoluminescent du troisième type étant adapté à convertir le rayonnement fourni par les diodes électroluminescentes qu'il recouvre en un troisième rayonnement à une troisième longueur d’onde. Les première, deuxième et troisième longueurs d’onde peuvent être différentes. Selon un mode de réalisation, les diodes électroluminescentes sont adaptées à émettre de la lumière bleue, c'est-à-dire un rayonnement dont la longueur d'onde est dans la plage de 430 nm à 480 nm. Selon un mode de réalisation, la première longueur d’onde correspond à de la lumière verte et est dans la plage de 510 nm à 570 nm. Selon un mode de réalisation, la deuxième longueur d’onde correspond à de la lumière rouge et est dans la plage de 600 nm à 720 nm. Selon un mode de réalisation, le procédé d'ajustement de la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par des diodes électroluminescentes n'est mis en oeuvre que pour les diodes électroluminescentes qui ne sont pas recouvertes par les blocs photoluminescents 82, 83. En effet, pour les diodes électroluminescentes qui sont recouvertes par les blocs photoluminescents 82, 83, il n'est pas nécessaire que la longueur d'onde centrale de ces diodes électroluminescentes soient ajustée de façon précise dans la mesure où un matériau photoluminescent reste excitable par la lumière émise par les diodes électroluminescentes même si la longueur d'onde centrale de cette lumière n'est pas exactement égale à une longueur d'onde centrale cible. Le rapport d'aspect des blocs 82, 83, c'est-à-dire le rapport entre la hauteur et la largeur maximale du bloc, peut être compris entre 0,01 et 10, de préférence entre 0,05 et 2. Selon un mode de réalisation, chaque bloc photoluminescent 82, 83 comprend des particules d'au moins un matériau photoluminescent, par exemple dans une matrice transparente. Un exemple d'un matériau photoluminescent est le grenat d'yttrium et d'aluminium (YAG) activé par l'ion cérium trivalent, également appelé YAG:Ce ou YAG:Ce 3+ . La taille moyenne des particules des matériaux photoluminescents classiques est généralement supérieure à 5 µm. Selon un mode de réalisation, chaque bloc photoluminescent 82, 83 comprend une matrice dans laquelle sont dispersées des particules monocristallines de taille nanométrique d'un matériau semiconducteur, également appelées nanocristaux semiconducteurs ou particules de nanoluminophores par la suite. Le rendement quantique interne QY int d'un matériau photoluminescent est égal au rapport entre le nombre de photons émis et le nombre de photons absorbés par la substance photoluminescente. Le rendement quantique interne QY int des nanocristaux semiconducteurs est supérieur à 5 %, de préférence supérieur à 10 %, plus préférentiellement supérieur à 20 %. Selon un mode de réalisation, la taille moyenne des nanocristaux est dans la plage de 0,5 nm et 1000 nm, de préférence de 0,5 nm à 500 nm, encore plus préférentiellement de 1 nm à 100 nm, notamment de 2 nm à 30 nm. Pour des dimensions inférieures à 50 nm, les propriétés de photoconversion des nanocristaux semiconducteurs dépendent essentiellement de phénomènes de confinement quantique. Les nanocristaux semiconducteurs correspondent alors à des boîtes quantiques. Selon un mode de réalisation, le matériau semiconducteur des nanocristaux semiconducteurs est choisi parmi le groupe comprenant le séléniure de cadmium (CdSe), le phosphure d'indium (InP), le sulfure de cadmium (CdS), le sulfure de zinc (ZnS), le séléniure de zinc (ZnSe), le tellurure de cadmium (CdTe), le tellurure de zinc (ZnTe), l'oxyde de cadmium (CdO), l'oxyde de zinc et de cadmium (ZnCdO), le sulfure de zinc et de cadmium (CdZnS), le séléniure de zinc et de cadmium (CdZnSe), le sulfure d'argent et d'indium (AgInS 2 ), les pérovskites du type PbScX 3 , où X est un atome d'halogène, notamment l'iode (I), le brome (Br) ou le chlore (Cl), et un mélange d'au moins deux de ces composés. Selon un mode de réalisation, le matériau semiconducteur des nanocristaux semiconducteurs est choisi parmi les matériaux cités dans la publication au nom de Le Blevenec et al. de Physica Status Solidi (RRL) - Rapid Research Letters Volume 8, No. 4, pages 349–352, avril 2014. Selon un mode de réalisation, les dimensions des nanocristaux semiconducteurs sont choisies selon la longueur d'onde recherchée du rayonnement émis par les nanocristaux semiconducteurs. A titre d'exemple, des nanocristaux de CdSe dont la taille moyenne est de l'ordre de 3,6 nm sont adaptés à convertir de la lumière bleue en lumière rouge et des nanocristaux de CdSe dont la taille moyenne est de l'ordre de 1,3 nm sont adaptés à convertir de la lumière bleue en lumière verte. Selon un autre mode de réalisation, la composition des nanocristaux semiconducteurs est choisie selon la longueur d'onde recherchée du rayonnement émis par les nanocristaux semiconducteurs. La matrice est au moins en partie transparente au rayonnement émis par les particules photoluminescentes et/ou les diodes électroluminescentes DEL, de préférence à plus de 80 %. La matrice est, par exemple, en silice. La matrice est, par exemple, en n'importe quel polymère au moins en partie transparent, notamment en silicone, en époxy, en résine acrylique du type poly(méthacrylate de méthyle) (PMMA), ou en acide polyacétique (PLA). La matrice peut notamment être en un polymère au moins en partie transparent utilisé avec les imprimantes tridimensionnelles. La matrice peut correspondre à un verre déposé par centrifugation (SOG, sigle anglais pour Spin On Glass), photosensible ou non photosensible. Selon un mode de réalisation, la matrice contient de 2 % à 90 %, de préférence de 10 % à 60 %, en poids de nanocristaux, par exemple environ 30 % en poids de nanocristaux. L'épaisseur des blocs photoluminescents 82, 83 dépend de la concentration de nanocristaux et du type de nanocristaux utilisé. La hauteur des blocs photoluminescents 82, 83 est de préférence supérieure à la hauteur des fils 71 et inférieure ou égale à la hauteur des murs 88. En vue de dessus, chaque bloc photoluminescent 82, 83 peut correspondre à un carré, un rectangle, un polygone en forme de "L", etc., dont l'aire peut être égale à l'aire d'un carré ayant un côté mesurant de 1 µm à 100 µm, de préférence de 3 µm à 15 µm. Les murs 88 sont au moins en partie en au moins un matériau réfléchissant. Le matériau réfléchissant peut être un matériau métallique notamment le fer, le cuivre, l'aluminium, le tungstène, l'argent, le titane, l'hafnium, le zirconium ou une combinaison d'au moins deux de ces composés. De préférence, les murs 88 sont formés en un matériau compatible avec les procédés de fabrication mis en oeuvre en microélectronique. De préférence, les murs 88 sont formés en aluminium ou en argent. La hauteur des murs 88, mesurée selon une direction perpendiculaire à la face 62, est dans la plage de 300 nm à 200 µm, de préférence de 3 µm à 15 µm. L'épaisseur des murs 88, mesurée selon une direction parallèle à la face 62, est dans la plage de 100 nm à 50 µm, de préférence de 0,5 µm à 10 µm. Selon un mode de réalisation, les murs 88 peuvent être formés d'un matériau réfléchissant ou recouverts d'un revêtement réfléchissant à la longueur d'onde du rayonnement émis par les blocs photoluminescents 82, 83 et/ou les diodes électroluminescentes. De préférence, les murs 88 entourent les blocs photoluminescents 82, 83. Les murs 88 réduisent alors la diaphonie entre blocs photoluminescents 82, 83 adjacents. La couche d'encapsulation 96 est au moins partiellement transparente au rayonnement émis par les particules photoluminescentes et/ou les diodes électroluminescentes DEL. La couche d'encapsulation peut être réalisée en un matériau inorganique au moins partiellement transparent au rayonnement émis par les particules photoluminescentes et/ou les diodes électroluminescentes DEL. A titre d'exemple, le matériau inorganique est choisi parmi le groupe comprenant les oxydes de silicium, du type SiO x où x est un nombre réel compris entre 1 et 2 ou SiO y N z où y et z sont des nombres réels compris entre 0 et 1, l'oxyde de titane, les oxydes d'aluminium, par exemple Al 2 O 3 , et les mélanges de ces composés. La couche d'encapsulation peut être réalisée en un matériau organique au moins partiellement transparent. A titre d'exemple, la couche d'encapsulation est un polymère silicone, un polymère époxyde, un polymère acrylique ou un polycarbonate. La couche d'encapsulation 96 peut avoir une structure monocouche ou multicouches, et comprendre par exemple un empilement de couches organiques et/ou inorganiques. Le procédé de formation des fils 71 et des couches semiconductrices 73, 75 des coques 72 des diodes électroluminescentes LED peut être un procédé du type ou une combinaison de procédés du type dépôt chimique en phase vapeur (CVD, sigle anglais pour Chemical Vapor Deposition) ou dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD, acronyme anglais pour Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), également connu sous le nom d'épitaxie organométallique en phase vapeur (ou MOVPE, acronyme anglais pour Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy). Toutefois, des procédés tels que l'épitaxie par jets moléculaires (MBE, acronyme anglais pour Molecular-Beam Epitaxy), la MBE à source de gaz (GSMBE), la MBE organométallique (MOMBE), la MBE assistée par plasma (PAMBE), l'épitaxie par couche atomique (ALE, acronyme anglais pour Atomic Layer Epitaxy) ou l'épitaxie en phase vapeur aux hydrures (HVPE, acronyme anglais pour Hydride Vapor Phase Epitaxy) peuvent être utilisés. Toutefois, des procédés électrochimiques peuvent être utilisés, par exemple, le dépôt en bain chimique (CBD, sigle anglais pour Chemical Bath Deposition), les procédés hydrothermiques, la pyrolyse d’aérosol liquide ou l’électrodépôt. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, bien que dans les modes de réalisation de diodes électroluminescentes 3D décrits précédemment, les diodes électroluminescentes 3D sont de type radial, il est clair que les présents modes de réalisation peuvent être mis en oeuvre avec des diodes électroluminescentes sont de type axial pour lesquelles la zone active de la diode électroluminescente n'est présente qu'au sommet du fil. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Procédé d'ajustement de la longueur d'onde centrale (λc) du rayonnement émis par des diodes électroluminescentes (LED) d'un dispositif optoélectronique (12 i,j ) comprenant une étape de mesure de la longueur d'onde centrale (λc) du rayonnement, une étape de détermination de la densité de courant (J) par diode électroluminescente pour obtenir une longueur d'onde centrale cible, une étape de variation de la densité de courant (J) par diode électroluminescente pour rapprocher la longueur d'onde centrale du rayonnement de la longueur d'onde centrale cible et une étape de compensation de la variation du flux moyen de rayonnement du dispositif optoélectronique due à la variation de la densité de courant. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape de compensation de la variation du flux moyen de rayonnement comprend une étape de détermination du flux moyen de rayonnement, une étape de détermination de l'écart entre le flux moyen de rayonnement et un flux moyen cible, une étape de détermination d'un paramètre à modifier pour faire varier le flux moyen de rayonnement jusqu'au flux moyen cible, et une étape de modification dudit paramètre pour obtenir le flux moyen cible. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel au moins certaines des étapes du procédé sont répétées. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le dispositif optoélectronique (12 i,j ) comprend une source de courant commandable (CS) reliée aux diodes électroluminescentes (LED), et dans lequel l'étape de variation de la densité de courant (J) comprend une étape de variation de l'intensité du courant fourni par la source de courant commandable. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel l'étape de variation de la densité de courant (J) par diode électroluminescente comprend une étape de connexion/déconnexion de diodes électroluminescentes (LED) parmi les diodes électroluminescentes. Procédé selon la revendication 5, dans lequel le dispositif optoélectronique (12 i,j ) comprend des interrupteurs commandables (50) reliés chacun à au moins l'une des diodes électroluminescentes (LED), l'étape de connexion/déconnexion comprenant l'ouverture/la fermeture des interrupteurs commandables (50). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel l'étape de compensation de la variation du flux moyen de rayonnement comprend une étape de connexion/déconnexion de diodes électroluminescentes (LED) parmi les diodes électroluminescentes. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel les diodes électroluminescentes (LED) sont commandées par modulation de largeur d'impulsions, et dans lequel l'étape de compensation comprend une étape de variation du rapport cyclique de la modulation de largeur d'impulsions pour compenser la variation du flux moyen de rayonnement due à la variation de la densité de courant. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, comprenant la fabrication en plusieurs exemplaires du dispositif optoélectronique (12 i,j ) sur une plaque et la séparation des dispositifs optoélectroniques. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le dispositif optoélectronique (12 i,j ) correspond à un pixel d'affichage. Procédé selon la revendication 10, dans lequel le pixel d'affichage (12 i,j ) comprend des premières diodes électroluminescentes et des deuxièmes diodes électroluminescentes, les deuxièmes diodes électroluminescentes étant recouvertes d'un matériau photoluminescent, les premières diodes électroluminescentes n'étant pas recouvertes d'un matériau photoluminescent, le procédé étant mis en oeuvre seulement pour les premières diodes électroluminescentes. Dispositif optoélectronique (12 i,j ) comprenant des diodes électroluminescentes (LED), des moyens (CS ; 50) de variation de la densité de courant par diode électroluminescente et des moyens (40) de compensation de la variation du flux moyen de rayonnement due à la variation de la densité de courant. Dispositif optoélectronique selon la revendication 12, dans lequel les moyens (50) de variation de la densité de courant par diode électroluminescente comprennent une source de courant commandable (CS) reliée aux diodes électroluminescentes (LED) et configurée pour fournir aux diodes électroluminescentes (LED) un courant d'intensité commandable. Dispositif optoélectronique selon la revendication 12 ou 13, dans lequel les moyens (50) de variation de la densité de courant par diode électroluminescente et/ou les moyens (40) de compensation de la variation du flux moyen de rayonnement dû à la variation de la densité de courant comprennent des interrupteurs commandables (50) reliés chacun à au moins l'une des diodes électroluminescentes (LED). Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 12 à 14, comprenant un circuit (40) de commande des diodes électroluminescentes (LED) par modulation de largeur d'impulsions configuré pour faire varier le rapport cyclique de la modulation de largeur d'impulsions pour compenser la variation du flux moyen de rayonnement due à la variation de la densité de courant. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 12 à 15, correspondant à un pixel d'affichage. Dispositif optoélectronique (12 i,j ) selon l'une quelconque des revendications 12 à 16, dans lequel les diodes électroluminescentes (LED) comprennent chacune un élément semiconducteur tridimensionnel (71) correspondant à un microfil, un nanofil, ou un élément conique ou tronconique de taille micrométrique ou nanométrique et une zone active (73) recouvrant l'élément semiconducteur tridimensionnel et configurée pour émettre un rayonnement électromagnétique (R_LED). Dispositif optoélectronique selon la revendication 16, comprenant des premières diodes électroluminescentes et des deuxièmes diodes électroluminescentes, les deuxièmes diodes électroluminescentes étant recouvertes d'un matériau photoluminescent, les premières diodes électroluminescentes n'étant pas recouvertes d'un matériau photoluminescent, les moyens (CS ; 50) de variation de la densité de courant et les moyens (40) de compensation de la variation du flux moyen de rayonnement n'étant reliée qu'aux premières diodes électroluminescentes.