Brevet FR3148386A1 — publié le 20241108

Procédé de fabrication d’un transducteur CMUT La présente description concerne un procédé de fabrication d’un transducteur CMUT, comprenant les étapes suivantes : a) former une première structure comportant une cavité (137) s’étendant dans une première couche d’oxyde de silicium (133) revêtant une face d’une première couche de silicium (131) ; b) former une électrode métallique inférieure (141) du transducteur au fond de la cavité ; c) former une deuxième structure comportant une deuxième couche de silicium (105) ; d) après les étapes a), b) et c), reporter et fixer la deuxième structure sur la première structure par collage moléculaire, de façon à fermer la cavité. Figure pour l'abrégé : Fig. 1J Procédé de fabrication d’un transducteur CMUT La présente description concerne de façon générale le domaine des transducteurs ultrasonores, et, plus particulièrement, celui des transducteurs ultrasonores capacitifs à membrane, aussi appelés transducteurs CMUT (de l'anglais "Capacitive Micromachined Ultrasonic Transducer"). De façon classique, un transducteur CMUT comprend une membrane flexible suspendue au-dessus d'une cavité, une première électrode, appelée électrode inférieure, située du côté de la cavité opposé à la membrane, et une deuxième électrode, appelée électrode supérieure, située du côté de la cavité opposé à la première électrode et solidaire mécaniquement de la membrane flexible. En fonctionnement, une tension de polarisation continue (DC) est appliquée entre les électrodes. Lorsqu'une tension d'excitation alternative appropriée, superposée à la tension de polarisation DC, est appliquée entre les électrodes, la membrane flexible entre en vibration sous l'effet de la variation de la force électrostatique exercée entre les électrodes, entraînant l'émission d'une onde acoustique ultrasonore. A l'inverse, lorsque le transducteur reçoit une onde acoustique ultrasonore, la membrane flexible entre en vibration sous l'effet de la variation de pression mécanique, conduisant à l'apparition, entre les électrodes inférieure et supérieure du transducteur, d'une tension alternative superposée à la tension de polarisation continue, du fait de la variation de capacité entre les électrodes. Un transducteur CMUT est classiquement couplé à un circuit électronique de contrôle configuré pour, lors d'une phase d'émission, appliquer entre les électrodes du transducteur une tension alternative d'excitation superposée à une tension de polarisation continue, de façon à provoquer l'émission d'une onde acoustique ultrasonore par le transducteur, et, lors d'une phase de réception, appliquer entre les électrodes du transducteur une tension de polarisation continue et lire entre lesdites électrodes une tension alternative générée sous l'effet d'une onde acoustique ultrasonore reçue. Il serait souhaitable de pouvoir disposer d’un procédé de fabrication d’un transducteur CMUT, ce procédé palliant au moins en partie certains des inconvénients des procédés connus de fabrication d’un transducteur CMUT. Pour cela, un mode de réalisation prévoit Procédé de fabrication d’un transducteur CMUT, comprenant les étapes suivantes : a) former une première structure comportant une cavité s’étendant dans une première couche d’oxyde de silicium revêtant une face d’une première couche de silicium ; b) former une électrode métallique inférieure du transducteur au fond de la cavité ; c) former une deuxième structure comportant une deuxième couche de silicium ; d) après les étapes a), b) et c), reporter et fixer la deuxième structure sur la première structure par collage moléculaire, de façon à fermer la cavité. Selon un mode de réalisation, la deuxième structure comporte une deuxième couche d’oxyde de silicium revêtant une face de la deuxième couche de silicium, et, à l’étape d), la deuxième structure est fixée sur la première structure par collage moléculaire de la deuxième couche d’oxyde de silicium sur la première couche d’oxyde de silicium. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, avant l’étape d), une étape de formation d’une électrode métallique supérieure du transducteur sur et en contact avec la face de la deuxième couche d’oxyde de silicium opposée à la deuxième couche de silicium. Selon un mode de réalisation, la deuxième couche de silicium est non intentionnellement dopée ou présente un niveau de dopage inférieur à 1013 atomes/cm 3 . Selon un mode de réalisation, la deuxième couche de silicium présente une résistivité électrique supérieure à 100 Ω.cm. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, avant la formation de l’électrode métallique supérieure, une étape de formation de vias conducteurs traversant la deuxième couche de silicium, l’électrode métallique supérieure du transducteur étant ensuite formée en contact avec les vias conducteurs. Selon un mode de réalisation, la deuxième couche de silicium présente un niveau de dopage supérieur à 10 16 atomes/cm 3 et forme une électrode supérieure non métallique du transducteur. Selon un mode de réalisation, la deuxième couche de silicium présente une résistivité électrique inférieure à 0,2 Ω.cm et forme une électrode supérieure non métallique du transducteur. Selon un mode de réalisation, à l’étape d), un recuit à une température comprise entre 700 et 1200°C, par exemple à une température de l’ordre de 1100°C, est mis en oeuvre après le report de la deuxième structure sur la première structure. Selon un mode de réalisation, l’électrode métallique inférieure du transducteur est en un métal présentant une température de fusion supérieure à 1100°C, par exemple supérieure à 1500°C, par exemple supérieure à 1600°C. Selon un mode de réalisation, l’électrode métallique inférieure du transducteur est en molybdène, en platine, en titane, en tantale, en hafnium, en iridium ou en tungstène. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, après l’étape d), une étape e) de formation d’une ouverture localisée dans la deuxième couche de silicium en vis à vis d’une partie périphérique de la cavité, de façon à exposer une région de reprise de contact de l’électrode métallique inférieure du transducteur, conduisant à réouvrir latéralement la cavité. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, après l’étape e), une étape de formation d’un bouchon de scellement en un matériau diélectrique, par exemple de l’oxyde de silicium ou du nitrure de silicium, au niveau de l’ouverture latérale de la cavité formée à l’étape e). Selon un mode de réalisation, le bouchon de scellement est formé par dépôt physique en phase vapeur, de préférence à une pression inférieure à la pression atmosphérique. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la et la illustrent des étapes d’un exemple d’un procédé de fabrication d’un transducteur CMUT selon un mode de réalisation ; la illustre un exemple de motif des électrodes d’un transducteur CMUT du type décrit en relation avec les figures 1A à 1O ; la est une vue en perspective agrandie d’une portion d’un transducteur CMUT du type décrit en relation avec les figures 1A à 1O ; la , la , la et la illustrent des étapes d’un autre exemple d’un procédé de fabrication d’un transducteur CMUT selon un mode de réalisation ; et la illustre encore un autre exemple d’un procédé de fabrication d’un transducteur CMUT selon un mode de réalisation. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les diverses applications que peuvent avoir les transducteurs décrits n'ont pas été détaillées, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec les applications usuelles de transducteurs ultrasonores, notamment dans des dispositifs d'imagerie ultrasonore. En outre, les circuits de contrôle des transducteurs décrits n'ont pas été détaillés, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec tous ou la plupart des circuits connus de contrôle de transducteurs CMUT. Dans la présente description, sauf précision contraire, on appelle transducteur CMUT un dispositif composé d’un ou plusieurs éléments de transduction CMUT disposés selon les besoins de l’application. Chaque élément de transduction CMUT est constitué d’une ou plusieurs cellules élémentaires de transduction CMUT connectées électriquement les unes aux autres, par exemple en parallèle. Chaque cellule élémentaire CMUT comprend par exemple une seule membrane flexible suspendue au-dessus d’une cavité, et deux électrodes opposées adaptées à recevoir un signal électrique d’excitation pour faire vibrer la membrane et/ou à générer un signal électrique de réponse sous l’effet d’une vibration de la membrane. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Les figures 1A à 1O illustrent des étapes d’un exemple d’un procédé de fabrication d’un transducteur CMUT selon un mode de réalisation. Sur les figures 1A à 1O, la réalisation d’une unique cellule élémentaire de transducteur CMUT a été représentée. Dans la pratique, un grand nombre de cellules peuvent être réalisés simultanément à partir d’un même substrat de départ. Les figures 1A à 1F illustrent des étapes successives de réalisation d’une structure 120 comprenant notamment la membrane flexible et l’électrode supérieure du transducteur CMUT. La illustre un empilement de départ de type SOI (de l’anglais « Semiconductor On Insulator » - semiconducteur sur isolant) comprenant un substrat de support 101 en silicium, une couche d’oxyde de silicium 103 revêtant une face, la face inférieure dans l’orientation de la , du substrat 101, et une couche de silicium 105 revêtant la face de la couche d’oxyde de silicium 103 opposée au substrat 101. A titre d’exemple, chacune des couches 103 et 105 s’étend de façon continue et avec une épaisseur sensiblement uniforme sur toute la surface du substrat 101. Dans cet exemple, le substrat 101 est en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la couche 103, et la couche 105 est en contact, par sa face supérieure, avec la face inférieure de la couche 103. Le substrat 101 correspond par exemple à une tranche (wafer en anglais) de silicium ou à une portion de tranche de silicium. L’épaisseur du substrat 101 est par exemple comprise entre 10 µm et 1 mm, par exemple entre 400 et 800 µm. L’épaisseur de la couche d’oxyde de silicium 103 est par exemple comprise entre 50 nm et 2 µm. L’épaisseur de la couche de silicium 105 est par exemple comprise entre 0,2 et 10 µm. La couche de silicium 105 est de préférence fortement résistive. A titre d’exemple, la couche de silicium 105 présente un niveau de dopage relativement faible, par exemple inférieur à 10 13 atomes/cm 3 . La couche 105 est par exemple non intentionnellement dopée. A titre d’exemple, la couche 105 présente un résistivité électrique supérieure à 100 Ω.cm. La couche de silicium 105 correspond dans cet exemple à la future membrane flexible du transducteur. La illustre une étape de formation, pour chaque cellule élémentaire du transducteur, d’un ou plusieurs trous 107 dans la couche de silicium 105, en vue de la formation d’un ou plusieurs vias conducteurs de reprise de contact sur l’électrode supérieure de la cellule élémentaire du transducteur. Dans cet exemple, plusieurs trous 107 de petites dimensions sont formés dans une région périphérique de chaque cellule élémentaire du transducteur. La , ainsi que les figures 1C, 1D, 1E et 1F décrites ci-après comprennent chacune une vue en coupe verticale b) de la structure, et une vue en coupe horizontale partielle a) dans un plan compris entre la face inférieure et la face supérieure de la couche de silicium 105, représentant la région périphérique de formation des trous 107. Dans l’exemple représenté, neuf trous 107 agencés en matrice selon trois rangées et trois colonnes sont formés pour chaque cellule élémentaire du transducteur. Les modes de réalisation décrits ne se limitent toutefois pas à cet agencement particulier. A titre d’exemple, la largeur de chaque trou 107 est comprise entre 0,5 et 100 µm. Les trous ont par exemple, en vue de dessus, une forme circulaire, carrée, rectangulaire ou polygonale. Les trous 107 sont formés à partir de la face inférieure de la couche 105 et débouchent dans la couche d’oxyde de silicium 103 ou sur la face inférieure de la couche d’oxyde de silicium 103. Les trous 107 sont par exemple formés par photolithographie et gravure. La illustre une étape de formation d’une couche d’oxyde de silicium 109 sur la face inférieure de la structure de la . La couche 109 est par exemple formée par oxydation thermique de la couche de silicium 105. Ainsi, la couche 109 se forme, par exemple avec une épaisseur sensiblement constante, sur la face inférieure de la couche 105 et sur les parois latérales des trous 107. L’épaisseur de la couche 109 est par exemple comprise entre 1 et 20 µm. La illustre une étape de remplissage des trous 107 par du métal de façon à former des vias conducteurs 111. Le métal utilisé pour remplir les trous 107 présente de préférence une température de fusion élevée, par exemple supérieure à 1100°C, par exemple supérieure à 1500°C, par exemple supérieure à 1600°C. A titre d’exemple préférentiel, le métal utilisé pour remplir les trous 107 est du molybdène (Mo). A titre de variante, le métal peut être du platine (Pt), du titane (Ti), du tantale (Ta), de l’Hafnium (Hf), de l’iridium (Ir) ou du tungstène (W). Le dépôt du métal dans les trous 107 peut être réalisé par dépôt physique en phase vapeur, par exemple par pulvérisation cathodique (« sputter deposition » en anglais), par évaporation par faisceau d’électrons et électro-plaquage (« e-beam evaporation and electroplating » en anglais), ou par plaquage autocatalytique (« electroless plating » en anglais) après formation d’une couche d’amorce métallique localisée au fond et sur les parois latérales des trous 107 (par exemple par dépôt pleine plaque puis gravure localisée). La illustre une étape gravure localisée, par exemple par photolithographie, d’une partie de l’épaisseur de la couche d’oxyde de silicium 109, de manière à former dans la couche 109, dans chaque cellule élémentaire du transducteur, un renfoncement 113 destiné à accueillir l’électrode supérieure de la cellule élémentaire. Dans cet exemple, une partie de l’épaisseur de la couche 109 est conservée au fond du renfoncement 113 de façon à isoler électriquement la future électrode supérieure de la couche de silicium 105. Dans cet exemple, le renfoncement 113 est situé principalement dans une partie centrale (en vue de dessous) de la structure, destinée à être positionnée en vis à vis de la future cavité de la cellule élémentaire du transducteur. Le renfoncement 113 se prolonge en outre en vis à vis de la partie périphérique comprenant les vias 111, pour permettre la reprise d’une connexion électrique sur l’électrode supérieure par l’intermédiaire des vias 111. La illustre une étape de formation d’une électrode supérieure 115 du transducteur, localisée dans le renfoncement 113. Dans cet exemple, l’électrode 115 est métallique. L’électrode 115 est par exemple formée par dépôt pleine plaque puis gravure localisée d’une couche métallique. Dans cet exemple, l’électrode 115 est entièrement localisée dans le renfoncement 113 et présente une épaisseur inférieure ou égale à la profondeur du renfoncement 113. Ainsi, dans cet exemple, la face inférieure de l’électrode supérieure 115 est en retrait par rapport à la face inférieure des parties de la couche d’oxyde de silicium 109 non gravées à l’étape de la , ou affleure la face inférieure des parties de la couche d’oxyde de silicium 109 non gravées à l’étape de la . L’électrode 115 s’étend par exemple sur sensiblement toute la surface du renfoncement 113 et est en contact, par sa face supérieure, avec la face inférieure des vias métalliques 111. Le métal utilisé pour former l’électrode présente de préférence une température de fusion élevée, par exemple supérieure à 1100°C, par exemple supérieure à 1500°C, par exemple supérieure à 1600°C. Le métal utilisé pour former l’électrode 115 peut être identique ou différent du métal utilisé pour former les vias 111. A titre d’exemple préférentiel, le métal utilisé pour former l’électrode 115 est du molybdène (Mo). A titre de variante, le métal peut être du platine (Pt), du titane (Ti), du tantale (Ta), de l’Hafnium (Hf), de l’iridium (Ir) ou du tungstène (W). On désigne par la référence 120 la structure obtenue à l’issue de cette étape, comprenant notamment l’électrode supérieure 115 et la future membrane flexible 105 du transducteur CMUT, ainsi que des vias conducteurs 115 traversant la membrane 105 et permettant de connecter l’électrode 115 à un circuit de contrôle externe. La vue (a) de la illustre la forme, dans cet exemple, en vue de dessous, de l’électrode supérieure 115 du transducteur, correspondant sensiblement à la forme du renfoncement 113 formé à l’étape de la . Les figures 1G à 1I illustrent des étapes successives de réalisation d’une structure 150 comprenant notamment l’électrode inférieure du transducteur CMUT. La illustre une étape d’oxydation d’un substrat ou couche de silicium 131. Le substrat 131 correspond par exemple à une tranche (wafer en anglais) de silicium ou à une portion de tranche de silicium. Le substrat 131 présente par exemple les mêmes dimensions latérales que le substrat 101. L’épaisseur du substrat 131 est par exemple comprise entre 10 µm et 1 mm, par exemple entre 400 et 800 µm. Le substrat 131 est de préférence fortement résistif. A titre d’exemple, le substrat 131 présente un niveau de dopage relativement faible, par exemple inférieur à 10 13 atomes/cm 3 . Le substrat 131 est par exemple non intentionnellement dopé. Lors de cette étape, on vient former une couche d’oxyde de silicium 133 sur et en contact avec la face supérieure du substrat 131. L’épaisseur de la couche d’oxyde de silicium 133 est par exemple comprise entre 100 nm et 800 nm. Dans l’exemple représenté, une couche d’oxyde de silicium 135 est en outre formée sur et en contact avec la face inférieure du substrat 131 lors de cette étape. La illustre une étape gravure localisée, par exemple par photolithographie et gravure, d’une partie de l’épaisseur de la couche d’oxyde de silicium 133, de manière à former dans la couche 133, dans chaque cellule élémentaire du transducteur, un renfoncement 137 destiné à accueillir l’électrode inférieure de la cellule élémentaire et définissant la cavité de la cellule élémentaire. Dans cet exemple, deux gravures successives sont mises en oeuvre pour former le renfoncement 137, de manière à obtenir deux profondeurs de gravure distinctes dans des régions distinctes du renfoncement 137. Plus particulièrement, lors de la première gravure, une première épaisseur de la couche 133 est retirée sur toute la surface du renfoncement 137, et, lors de la deuxième gravure, une ou plusieurs portions 139 de la couche isolante 133 en forme d’îlots sont conservées intactes (i.e. non gravées) dans une partie centrale de la cavité du transducteur. Les portions 139 forment des plots de butée mécanique permettant d’éviter un éventuel court-circuit entre les électrodes inférieure et supérieure du transducteur en cas d’affaissement de la membrane flexible. Dans cet exemple, une partie de l’épaisseur de la couche 133 est conservée au fond du renfoncement 137 de façon à isoler électriquement la future électrode inférieure du substrat de silicium 131. Dans cet exemple, le renfoncement 137 est situé principalement dans une partie centrale (en vue de dessus) de la structure, destinée à être positionnée en vis à vis de la future cavité de la cellule élémentaire du transducteur. Le renfoncement 137 se prolonge en outre en vis à vis d’une partie périphérique du transducteur, par exemple située du côté de la cavité opposé à la région périphérique comprenant les vias 111, pour permettre la reprise d’un contact électrique sur l’électrode inférieure du transducteur. La illustre une étape de formation d’une électrode inférieure 141 du transducteur, localisée dans le renfoncement 137. L’électrode s’étend au fond du renfoncement 137 et est interrompue au niveau des plots 139, c’est à dire qu’elle entoure latéralement les plots 139. L’épaisseur de l’électrode 141 est inférieure à la hauteur des plots 139. Ainsi, la face supérieure de l’électrode 141 est en retrait par rapport à la face supérieure des plots 139, elle-même en retrait par rapport à la face supérieure de la couche 133 en dehors du renfoncement 137. Dans cet exemple, la hauteur de la cavité du transducteur CMUT est définie par la distance entre le plan de la face supérieure de l’électrode 141 et le plan de la face supérieure de la couche d’oxyde de silicium 133. La hauteur de la cavité est par exemple comprise entre 10 nm et 1 µm. Dans cet exemple, l’électrode 141 est métallique. L’électrode 141 est par exemple formée par dépôt pleine plaque puis gravure localisée d’une couche métallique. Le métal utilisé pour former l’électrode présente de préférence une température de fusion élevée, par exemple supérieure à 1100°C, par exemple supérieure à 1500°C, par exemple supérieure à 1600°C. Le métal utilisé pour former l’électrode 141 peut être identique ou différent du métal utilisé pour former l’électrode inférieure 115. A titre d’exemple préférentiel, le métal utilisé pour former l’électrode 141 est du molybdène (Mo). A titre de variante, le métal peut être du platine (Pt), du titane (Ti), du tantale (Ta), de l’Hafnium (Hf), de l’iridium (Ir) ou du tungstène (W). On désigne par la référence 150 la structure obtenue à l’issue de cette étape, comprenant notamment l’électrode inférieure 141 et le renfoncement 137 définissant la future cavité du transducteur. La vue (b) de la illustre la forme, dans cet exemple, en vue de dessus, de l’électrode inférieure 141 du transducteur. Les figures 1J à 1O sont des vues en coupe verticales illustrant des étapes successives de fabrication du transducteur à partir des structures 120 et 150 des figures 1F et 1I. La illustre une étape de report et de fixation de la structure 120 de la sur la structure 150 de la . Plus particulièrement, lors de cette étape, la structure 120 de la est fixée sur la structure 150 par collage direct ou collage moléculaire de la face inférieure de la couche d’oxyde de silicium 109 sur et en contact avec la face supérieure de la couche d’oxyde de silicium 133. Cette étape est de préférence mise en oeuvre sous vide. On vient ainsi fermer la cavité 137 du transducteur, les électrodes inférieure 141 et supérieure 115 étant placés en vis à vis l’une de l’autre à l’intérieur de la cavité, respectivement du côté de la paroi inférieure et du côté de la paroi supérieure de la cavité. Pour améliorer la qualité du collage, un recuit de la structure à une température relativement élevée est de préférence prévu après le report. Le recuit est réalisé à une température inférieure à la température de fusion des métaux qui composent les vias 111, l’électrode supérieure 115 et l’électrode inférieure 141, par exemple à une température comprise entre 700 et 1200°C, par exemple à une température de l’ordre de 1100°C. On parle alors de collage fusion (« fusion bonding » en anglais). A l’issue de cette étape, la cavité du transducteur est hermétiquement fermée. La illustre une étape de retrait, par exemple par meulage et/ou gravure, du substrat de support 101 et de la couche d’oxyde de silicium enterrée 103 du côté de la face supérieure de l’assemblage. A l’issue de cette étape, la face supérieure de la couche de silicium 105, formant la membrane flexible du transducteur, est exposée. La face supérieure des vias 111 est également exposée et affleure au niveau de la face supérieure de la couche 105. La illustre une étape de formation, par exemple par photolithographie et gravure, d’une ouverture localisée 143 dans la couche de silicium 105, à l’aplomb d’une zone périphérique de reprise de contact sur l’électrode inférieure 141 du transducteur. Dans l’exemple représenté, la gravure est interrompue sur la face supérieure de la couche d’oxyde de silicium 109. La illustre une étape de retrait localisé de la couche d’oxyde de silicium 109 au fond de l’ouverture 143, de manière à exposer la face supérieure de l’électrode inférieure 141 du transducteur dans la zone périphérique de reprise de contact. Lors de cette étape, on vient former une ouverture traversante 145 dans la couche d’oxyde de silicium 109 au fond de l’ouverture 143. En vue de dessus, la surface de l’ouverture 145 est par exemple inférieure à la surface de l’ouverture 143. Lors de cette étape, la cavité 137 du transducteur, préalablement fermée de façon hermétique à l’étape de la , est localement réouverte, c’est à dire que la cavité est remise en contact avec l’atmosphère extérieure. La illustre une étape de formation d’un joint ou bouchon de scellement 147 en un matériau électriquement isolant, par exemple de l’oxyde de silicium (SiO 2 ) ou un nitrure de silicium (SiN x ) sur le flanc de l’ouverture 145 en contact avec la cavité 137, et autour de la zone de jonction entre la partie centrale de l’électrode inférieure 141 située dans la cavité du transducteur, et la région périphérique de reprise de contact de l’électrode 141, située en dehors de la cavité. Le joint 147 vient alors boucher l’ouverture latérale de la cavité formée à l’étape de la . Le matériau du joint 147 est de préférence déposé sous vide, c’est à dire sous une pression inférieure à la pression atmosphérique, de façon à obtenir une cavité présentant une pression inférieure à la pression atmosphérique. Le matériau du joint 147 est par exemple déposé par dépôt chimique en phase vapeur, par exemple par dépôt PE-CVD (de l’anglais « Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition » - dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma). A titre d’exemple, le matériau est d’abord déposé pleine plaque, sur toute la face supérieure de la structure, puis retiré localement, par exemple par photolithographie et gravure, pour n’être conservée qu’au voisinage de l’ouverture latérale de la cavité formée à l’étape de la . A l’issue de cette étape, la cavité 137 est à nouveau scellée hermétiquement, de préférence sous une pression inférieure à la pression atmosphérique. La est une vue en perspective agrandie illustrant plus en détail la disposition du joint de scellement 147 dans l’ouverture 143 La illustre une étape de formation, du côté de la face supérieure du transducteur, de plots de connexion électrique 149 et 151 (non connectés entre eux) respectivement sur et en contact avec la face supérieure des vias conducteurs 111 et sur et en contact avec la face supérieure de la portion de l’électrode inférieure 141 exposée à l’étape de la . Les plots 149 et 151 sont ainsi connectés respectivement à l’électrode supérieure 115 et à l’électrode inférieure 141 du transducteur CMUT et permettre de polariser et/ou exciter électriquement le transducteur et/ou de lire des signaux électriques générés par le transducteur. Les plots 149 sont par exemple métalliques, par exemple en cuivre, en aluminium, ou en un alliage à base d’un ou plusieurs de ces matériaux. Dans cet exemple, le plot 149 ne s’étend pas sur la membrane flexible 105 en vis à vis de la partie centrale de la cavité 137 du transducteur CMUT. Un avantage du procédé présenté en relation avec les figures 1A à 1O, 2 et 3 est qu’il permet de réaliser un transducteur CMUT dont les électrodes supérieure et inférieure sont toutes deux métalliques, ce qui permet de minimiser la résistance d’accès à ces électrodes. En particulier, ceci permet de réduire la résistance d’accès par rapport à des transducteurs CMUT dont les électrodes sont en silicium. L’utilisation de métaux à haut point de fusion permet la mise en oeuvre d’un procédé d’assemblage par collage fusion, ce qui permet d’obtenir un transducteur présentant une grande robustesse et une fiabilité élevée. La connexion électrique de l’ensemble des électrodes du transducteur à un dispositif extérieur peut ensuite s’effectuer sur la même face du transducteur, par exemple par câblage filaire ("wire bonding" en langue anglaise). Dans l’exemple représenté, l’utilisation d’une pluralité de vias conducteurs 111 de petites dimensions surmontés par un plot de connexion 149 pour connecter l’électrode supérieure 115 à l’extérieur, permet avantageusement d’obtenir une structure de reprise de contact stable et robuste. Les figures 4A à 4D sont des vues en coupe verticales illustrant des étapes d’un autre exemple d’un procédé de fabrication d’un transducteur CMUT selon un mode de réalisation. Le procédé des figures 4A à 4D diffère du procédé décrit précédemment principalement en ce que, dans l’exemple des figures 4A à 4D, le transducteur CMUT ne comprend pas d’électrode métallique supérieure à l’intérieur de la cavité. Dans cet exemple, la couche de silicium 105 formant la membrane flexible du transducteur est fortement dopée et forme également l’électrode supérieure du transducteur. La illustre une structure correspondant à un empilement de type SOI, similaire à celui de la . Dans cet exemple, la couche de silicium 105 est fortement dopée. A titre d’exemple, le niveau de dopage de la couche de silicium 105 est supérieur à 1016 atomes/cm3, par exemple supérieur ou égal à 1018 atomes/cm3. A titre d’exemple, la couche 105 présente un résistivité électrique inférieure à 0,2 Ω.cm La illustre une autre structure identique ou similaire à la structure de la et réalisée sensiblement de la même manière. La illustre une étape de report et de fixation de l’empilement de la sur la structure de la . Plus particulièrement, lors de cette étape, la structure de la est fixée sur la structure de la par collage direct ou collage moléculaire. Le collage est dans cet exemple un collage direct silicium sur oxyde de silicium. Plus particulièrement, la face inférieure de la couche de silicium 105 est collée par collage direct sur et en contact avec la face supérieure de la couche d’oxyde de silicium 133. On vient ainsi fermer hermétiquement la cavité 137 du transducteur CMUT. Pour améliorer la qualité du collage, le collage est de préférence un collage fusion, c’est à dire qu’un recuit de la structure à une température relativement élevée est prévu après le report, par exemple à une température comprise entre 700 et 1200°C, par exemple à une température de l’ordre de 1100°C. Les étapes suivantes sont par exemple identiques ou similaires aux étapes décrites en en relation avec les figures 1K, 1L, 1M, 1N et 1O. On notera que dans cet exemple, le silicium dopé constituant la membrane peut optionnellement être gravé pour isoler électriquement des portions de la membrane. La illustre la structure obtenue à l’issue de ces étapes. Comme l’illustre la , dans cet exemple, le plot de connexion électrique 149 de la structure de la est remplacé par une couche métallique 401 s’étendant sur et en contact avec la face supérieure de la couche de silicium 105. La couche 401 s’étend par exemple sur toute la surface de la membrane flexible 105 en vis à vis de la partie centrale de la cavité 137 du transducteur CMUT. La est une vue en coupe verticale illustrant encore un autre exemple d’un procédé de fabrication d’un transducteur CMUT selon un mode de réalisation. La représente la structure finale obtenue à l’issue du procédé. Le procédé de la diffère du procédé des figures 4A à 4D principalement en ce que, dans l’exemple de la une couche d’oxyde de silicium 501 est formée sur et en contact avec la face inférieure de la couche de silicium 105. La couche 501 est par exemple formée entre l’étape de la et l’étape de la , par exemple par oxydation thermique de la face inférieure de la couche 105 de l’empilement de la . Le collage mis en oeuvre à l’étape de la est alors un collage direct oxyde de silicium sur oxyde de silicium. Plus particulièrement, la face inférieure de la couche d’oxyde de silicium 501 est collée par collage direct, de préférence par collage fusion, sur et en contact avec la face supérieure de la couche d’oxyde de silicium 133. La suite du procédé est identique ou similaire à ce qui a été décrit précédemment. Ainsi, dans cet exemple, la couche d’oxyde de silicium 501 s’étend sur toute la surface inférieure de la membrane flexible 105 en vis à vis de l’électrode inférieure 141 du transducteur CMUT. Ceci permet d’éviter tout contact électrique direct entre l’électrode supérieure (c’est à dire la couche 105) et l’électrode inférieure 141 en cas d’affaissement de la membrane du transducteur CMUT. Ceci permet en particulier de faire fonctionner le transducteur dans un mode dit affaissé (collapsed en anglais). Dans ce mode de fonctionnement on applique entre les électrodes inférieure et supérieure du transducteur une tension de polarisation continue telle que la membrane flexible s’affaisse, de sorte que la face inférieure de la couche d’oxyde de silicium 501 reste en permanence en contact avec la face supérieure de l’électrode inférieure 141 dans une partie centrale de la cavité 137 du transducteur CMUT. Dans ce cas, les plots de butée 139 formés dans la cavité 137 peuvent être omis. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas aux exemples de matériaux et de dimensions mentionnés dans la description. En outre, dans les exemples décrits ci-dessus, la cavité du transducteur CMUT est définie par structuration (renfoncement 137) de la couche d’oxyde de silicium 133 revêtant la face supérieure du substrat 131. A titre de variante, la cavité peut être définie par structuration d’une couche d’oxyde de silicium formée du côté de la face inférieure de la couche de silicium 105 formant la membrane flexible du transducteur. Procédé de fabrication d’un transducteur CMUT, comprenant les étapes suivantes : a) former une première structure (150) comportant une cavité (137) s’étendant dans une première couche d’oxyde de silicium (133) revêtant une face d’une première couche de silicium (131) ; b) former une électrode métallique inférieure (141) du transducteur au fond de la cavité ; c) former une deuxième structure (120) comportant une deuxième couche de silicium (105) ; d) après les étapes a), b) et c), reporter et fixer la deuxième structure (120) sur la première structure (150) par collage moléculaire, de façon à fermer la cavité. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la deuxième structure (120) comporte une deuxième couche d’oxyde de silicium (109) revêtant une face de la deuxième couche de silicium (105), et dans lequel, à l’étape d), la deuxième structure (120) est fixée sur la première structure (150) par collage moléculaire de la deuxième couche d’oxyde de silicium (109) sur la première couche d’oxyde de silicium (133). Procédé selon la revendication 2, comprenant, avant l’étape d), une étape de formation d’une électrode métallique supérieure (115) du transducteur sur et en contact avec la face de la deuxième couche d’oxyde de silicium (109) opposée à la deuxième couche de silicium (105). Procédé selon la revendication 3, dans lequel la deuxième couche de silicium (105) est non intentionnellement dopée ou présente un niveau de dopage inférieur à 10 13 atomes/cm 3 . Procédé selon la revendication 3 ou 4, dans lequel la deuxième couche de silicium (105) présente une résistivité électrique supérieure à 100 Ω.cm. Procédé selon l’une quelconque des revendications 3 à 5, comprenant, avant la formation de l’électrode métallique supérieure (115), une étape de formation de vias conducteurs (111) traversant la deuxième couche de silicium (105), l’électrode métallique supérieure (115) du transducteur étant ensuite formée en contact avec les vias conducteurs (111). Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la deuxième couche de silicium (105) présente un niveau de dopage supérieur à 10 16 atomes/cm 3 et forme une électrode supérieure non métallique du transducteur. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la deuxième couche de silicium (105) présente une résistivité électrique inférieure à 0,2 Ω.cm et forme une électrode supérieure non métallique du transducteur. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel, à l’étape d), un recuit à une température comprise entre 700 et 1200°C, par exemple à une température de l’ordre de 1100°C, est est mis en oeuvre après le report de la deuxième structure (120) sur la première structure (150). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel l’électrode métallique inférieure (141) du transducteur est en un métal présentant une température de fusion supérieure à 1100°C, par exemple supérieure à 1500°C, par exemple supérieure à 1600°C. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel l’électrode métallique inférieure (141) du transducteur est en molybdène, en platine, en titane, en tantale, en hafnium, en iridium ou en tungstène. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, comprenant, après l’étape d), une étape e) de formation d’une ouverture (143) localisée dans la deuxième couche de silicium (105) en vis à vis d’une partie périphérique de la cavité (137), de façon à exposer une région de reprise de contact de l’électrode métallique inférieure (141) du transducteur, conduisant à réouvrir latéralement la cavité (137). Procédé selon la revendication 12, comprenant, après l’étape e), une étape de formation d’un bouchon de scellement (147) en un matériau diélectrique, par exemple de l’oxyde de silicium ou du nitrure de silicium, au niveau de l’ouverture latérale de la cavité formée à l’étape e). Procédé selon la revendication 13, dans lequel le bouchon de scellement (147) est formé par dépôt physique en phase vapeur, de préférence à une pression inférieure à la pression atmosphérique.