Brevet FR3144414A1 — publié le 20240628

L’invention concerne un procédé (10) de fabrication d’un élément optoélectronique (1), l’élément optoélectronique (1) comprenant un matériau semi-conducteur comprenant une région active localisée à proximité immédiate d’une surface du matériau semi-conducteur, le procédé (10) comprenant les étapes suivantes : dépôt (12) d’un couche d’isolant électrique (4) sur le matériau semi-conducteur à l’aide d’un premier masque (14) posé sur la région active, de sorte à ce que la couche d’isolant électrique (4) présente un évidement (5) au niveau de la région active ; dépôt (16) d’une couche métallique (18), dite d’injection, sur l’ensemble obtenu à l’étape précédente, de sorte à ce que la couche métallique d’injection (18) forme une électrode (7) sur la surface du matériau semi-conducteur au niveau de la région active. L’invention concerne également un élément optoélectronique (1) obtenu par le procédé (10) de fabrication. Figure pour abrégé : [ Fig. 2 ] Procédé de fabrication d’un élément optoélectronique, et élément optoélectronique La présente invention concerne un procédé de fabrication d’un élément optoélectronique. L’élément optoélectronique comprend un matériau semi-conducteur comprenant une région active localisée à proximité immédiate d’une surface du matériau semi-conducteur. L’invention concerne également un élément optoélectronique obtenu par le procédé de fabrication. Le domaine de l'invention est, de manière non limitative, celui de la microélectronique. Etat de la technique Les composants optoélectronique sont des composants constituant une interface entre les composants électriques et les composants optiques. Il s'agit généralement, mais pas exclusivement, de composants microélectroniques fonctionnant à base de semi-conducteurs. Parmi les composants optoélectroniques peuvent être distingués des émetteurs et des détecteurs. Les émetteurs sont des composants semi-conducteurs convertissant des charges électriques en photons, comme des lasers et des diodes électroluminescentes. Les détecteurs sont des composants convertissant des photons en charges électriques, comme des photodiodes ou cellules solaires. Un exemple d’un émetteur est une source lumineuse à mode Tamm. Elle consiste en un miroir de Bragg (alternances de couches quart d’onde de matériaux d’indices de réfraction différents), contenant dans ses couches supérieures des émetteurs, par exemple des boites quantiques ou puits quantiques. Une pastille métallique est déposée directement sur la couche supérieure du miroir de Bragg. La pastille permet la formation et le confinement latéral d’un mode optique, appelé mode de Tamm. Un exemple d’une telle source est décrit dans FR 2965665. Le mode optique est généré directement à l’interface entre le miroir de Bragg et la pastille métallique. La qualité et l’épaisseur des couches supérieures du miroir de Bragg sont donc essentielles. De manière générale, de tels composants optoélectroniques sont fabriqués au moyen de procédés enchainant des étapes d’épitaxie, de lithographie et de gravure. Lorsque la gravure n’est pas suffisamment sélective, celle-ci peut attaquer les couches adjacentes aux couches gravées et donc les endommager. L’exposition à la gravure peut donc être problématique pour des couches ou des structures supportant des interactions sur des dimensions micrométriques. En particulier, des modes optiques générés dans de telles régions peuvent être détériorés. Ceci s’applique notamment aux sources lumineuses à mode de Tamm, mais est également valable pour d’autres composants à semi-conducteurs où la surface, et notamment la qualité de surface, joue un rôle prépondérant. L’invention vise à résoudre les inconvénients de l’art antérieur décrits. Il est notamment un but de l’invention de proposer un procédé de fabrication d’un élément optoélectronique permettant, lors de sa mise en œuvre, de protéger une région semi-conductrice active sensible pour qu’elle ne soit soumise à aucune détérioration physique ou chimique. Il est un autre but de la présente invention de proposer un procédé de fabrication d’un élément optoélectronique permettant de réaliser une large variété de tels éléments pouvant être mis en œuvre dans des applications variées. Au moins un de ces buts est atteint avec un procédé de fabrication d’un élément optoélectronique, l’élément optoélectronique comprenant un matériau semi-conducteur comprenant une région active localisée à proximité immédiate d’une surface du matériau semi-conducteur, le procédé comprenant les étapes suivantes : dépôt d’un couche d’isolant électrique sur le matériau semi-conducteur à l’aide d’un premier masque posé sur la région active, de sorte à ce que la couche d’isolant électrique présente un évidement au niveau de la région active ; dépôt d’une couche métallique d’injection sur l’ensemble obtenu à l’étape précédente, de sorte à ce que la couche métallique d’injection forme une électrode sur la surface du matériau semi-conducteur au niveau de la région active. Dans le présent document, le terme « région active » désigne une région du composant dans laquelle a lieu une conversion d’énergie électrique en énergie lumineuse, ou vice versa. Il s’agit par exemple de la localisation d’un mode optique dans lequel l’émission a lieu en réponse à un champ électrique appliqué au composant. Le procédé de fabrication selon la présente invention permet, par l’étape de dépôt d’une couche d’isolant électrique sur la surface du matériau semi-conducteur à l’aide d’un masque, de protéger cette surface au niveau de la région active. Le masque couvrant la surface au niveau de la région active permet de réaliser l’évidement dans la couche d’isolant électrique sans avoir besoin d’utiliser une technique de gravure. Le procédé de fabrication se distingue ainsi des procédés de l’état de l’art par la protection effective de la surface semi-conductrice au niveau de la région active. Cette surface n’est jamais soumise à aucune gravure. La qualité de la surface ainsi que des couches supérieures de semi-conducteur n’est donc pas altérée par le procédé de fabrication. Ceci est particulièrement important lorsque la couche supérieure est en un matériau fragile, tel que l’arséniure de gallium (GaAs). L’évidement présent dans la couche d’isolant électrique permet de créer naturellement une électrode d’injection lors du dépôt de la couche métallique d’injection, sans avoir besoin d’effectuer d’autres étapes technologiques. L’isolant électrique entourant l’électrode d’injection permet d’éviter tout contact électrique avec le semi-conducteur en dehors de l’évidement, et donc d’injecter les porteurs uniquement dans la zone d’évidement. L’électrode d’injection formée sur la surface semi-conductrice de la région active, c’est-à-dire dans l’évidement de la couche d’isolant électrique, est également appelée « pastille » dans le présent document. Le terme « élément optoélectronique » désigne tout composant optoélectronique pouvant être mis en œuvre dans un dispositif ou un système optoélectronique, tels que des capteurs optiques, ou pouvant fonctionner seul, tels que des diodes laser. Le procédé de fabrication selon l’invention peut également comprendre une ou plusieurs étapes permettant le contactage électrique de l’élément optoélectronique, afin de pouvoir l’alimenter électriquement lorsqu’il est mis en œuvre. Selon un mode de réalisation, le procédé selon l’invention peut comprendre, préalablement au dépôt de la couche métallique d’injection, la création d’une électrode de contact sur la couche d’isolant électrique à l’aide d’un deuxième masque, le deuxième masque ayant un évidement décalé latéralement par rapport à la région active pour l’emplacement de l’électrode de contact. L’électrode de contact ainsi créée permet un contactage aisé, par exemple pour réaliser une injection électrique via l’électrode d’injection. Un élément ainsi pourvu d’une électrode de contact peut être facilement intégré dans un circuit intégré par exemple. Plusieurs de tels éléments optoélectroniques peuvent ainsi être réalisés et intégrés sur une même plaquette semi-conductrice. Alternativement, selon un mode de réalisation, le procédé selon l’invention peut comprendre en outre, après le dépôt de la couche métallique d’injection, création d’une électrode de contact sur la couche métallique à l’aide d’un deuxième masque photosensible, le masque ayant un évidement décalé latéralement par rapport à la région active pour l’emplacement de l’électrode de contact. Il est en effet possible d’inverser l’ordre des étapes de dépôt de la couche métallique d’injection et de la création de l’électrode de contact. L’ordre de ces étapes est notamment choisi en fonction du choix des métaux et de leur capacité d’adhérer l’un sur l’autre. De préférence, la couche métallique d’injection, et donc la pastille, est en argent. L’électrode de contact est, de préférence, en or. L’argent et l’or présentent en effet une conductivité très élevée, permettant de minimiser les pertes. Bien entendu, d’autres métaux peuvent être utilisés pour la couche d’injection et l’électrode de contact, par exemple du platine ou de l’aluminium. Les métaux mis en œuvre et leurs configurations sont notamment choisis en fonction de la longueur d’onde d’émission (ou de détection) souhaitée. Selon un mode de réalisation, la création de l’électrode de contact peut comprendre les étapes suivantes : dépôt d’une résine photosensible sur l’ensemble obtenu à l’étape précédente, lithographie et gravure de la résine pour obtenir le deuxième masque ; dépôt directif d’une couche métallique, dite de contact, sur le deuxième masque ; et lift-off du deuxième masque, la partie de la couche métallique, dite de contact, restante après le lift-off formant l’électrode de contact. Grâce à la présence du deuxième masque, l’électrode de contact est créée à proximité de la région active tout en protégeant la surface semi-conductrice de cette dernière. En effet, la surface semi-conductrice de la région active n’est pas soumise à la gravure pour la création de l’électrode de contact. Avantageusement, le procédé selon l’invention peut comprendre en outre la délimitation latérale de la couche métallique d’injection de sorte à ce qu’elle couvre essentiellement les emplacements de la région active et de l’électrode de contact, à l’aide d’un troisième masque couvrant essentiellement les emplacements de la région active et de l’électrode de contact. Cette délimitation latérale de la couche métallique d’injection permet de restreindre spatialement la couche métallique d’injection afin de former un pad métallique s’étendant au niveau de la région active et de l’électrode de contact. Ce pad métallique définit ainsi l’étendue de l’élément optoélectronique, par exemple sur une plaquette semi-conductrice comportant plusieurs de ces éléments optoélectroniques. Selon un exemple de mise en œuvre, la délimitation latérale de la couche métallique d’injection peut comprendre les étapes suivantes : dépôt d’une résine photosensible sur l’ensemble obtenu à l’étape précédente, lithographie et gravure de la résine pour obtenir le troisième masque ; attaque chimique des parties de la couche métallique d’injection non couvertes par le troisième masque ; et lift-off du troisième masque. Avantageusement, la couche d’isolant électrique peut être déposée par dépôt directif. Le dépôt directif est un dépôt anisotrope de matériau qui permet notamment de ne déposer du matériau uniquement sur les surfaces directement exposées au faisceau du matériau à déposer. Les surfaces non exposées directement ne seront pas couvertes par le matériau déposé. Ceci permet par la suite de réaliser des opérations différentiées sur les surfaces couvertes par le matériau déposé et celles non couvertes, comme la gravure ou le lift-off. Selon un mode de réalisation, le matériau semi-conducteur peut comprendre un empilement de couches semi-conductrices comprenant, selon une direction Z perpendiculaire à la surface du matériau semi-conducteur, une alternance de couches d’indice de réfraction élevé et faible pour former un miroir interférentiel. Les miroirs interférentiels de ce type peuvent être mis en œuvre dans différents types d’éléments et dispositifs optoélectroniques. Par exemple, une source lumineuse à mode de Tamm comprend un miroir interférentiel dont l’empilement est parfaitement périodique (appelé miroir de Bragg dans ce cas). Les couches de l’empilement sont par exemple en arséniure de gallium (GaAs) et en alliage d’arséniure de gallium et d’arséniure d’aluminium (GaAlAs). Ces matériaux sont adaptés pour l’émission et/ou la détection d’un rayonnement électromagnétique dans les longueurs d’onde infrarouges. Bien entendu, d’autres combinaisons de matériaux peuvent être utilisées pour les couches de l’empilement. Par exemple, la combinaison du nitrure de gallium (GaN) avec différentes porosités peut être utilisée pour une émission dans le visible/proche ultra-violet, la combinaison de silicium (Si)/dioxyde de silicium (silice, SiO 2 ) dans le visible/infrarouge, ou la combinaison du nitrure d'aluminium (AlN)/nitrure d'aluminium-gallium (AlGaN) dans l’ultraviolet. Selon un mode de réalisation, la région active peut comprendre au moins un émetteur ou détecteur de lumière. Selon des exemples, l’au moins un émetteur ou détecteur de lumière peut comprendre un puit quantique ou une boite quantique. L’au moins un émetteur ou détecteur de lumière est localisé à proximité de la surface du matériau semi-conducteur. Par exemple, pour la fabrication d’une source lumineuse à mode de Tamm, des puits ou des boites quantiques en tant qu’émetteurs de lumière sont prévus dans les couches supérieures de l’empilement. Selon un autre aspect de la même invention, il est prévu un élément optoélectronique obtenu par le procédé de fabrication selon l’invention. Description des figures et modes de réalisation D’autres avantages et caractéristiques apparaîtront à l’examen de la description détaillée d’exemples nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels : la est une représentation schématique d’un exemple de réalisation non limitatif d’un procédé de fabrication selon l’invention ; la est une représentation schématique d’un exemple de réalisation non limitatif d’étapes du procédé de fabrication selon l’invention ; la est une représentation schématique d’un exemple de composant optoélectronique pouvant être obtenu par le procédé de fabrication selon l’invention ; la présente une vue de dessus d’un élément optoélectronique obtenu par des étapes du procédé de fabrication selon un mode de réalisation de l’invention ; et la présente une vue de dessus d’éléments optoélectroniques obtenu par d’autres étapes du procédé de fabrication selon un mode de réalisation de l’invention. Il est bien entendu que les modes de réalisation qui seront décrits dans la suite ne sont nullement limitatifs. En particulier toutes les variantes et tous les modes de réalisation décrits sont combinables entre eux si rien ne s’oppose à cette combinaison sur le plan technique. Sur les figures, les éléments communs à plusieurs figures peuvent conserver la même référence. Les figures 1 et 2 sont des représentations schématiques de modes de réalisation non limitatifs d’un procédé de fabrication selon la présente invention. Le procédé selon l’invention sera décrit en prenant l’exemple d’une source lumineuse à mode de Tamm. Une telle source est illustrée sur la . Cette source à mode de Tamm est un exemple de réalisation d’un élément optoélectronique obtenu par le procédé de fabrication selon l’invention. Il s’agit d’une source semi-conductrice 1 comprenant un empilement 2 de couches quart d’onde diélectriques, ou semi-conductrices, d’indices de réfraction n 1 et n 2 , avec n 1 > n 2 , formant un miroir interférentiel, aussi appelé miroir de Bragg lorsque l’empilement 2 est parfaitement périodique. Il est également possible d’avoir des variations d’épaisseurs des couches. Les couches sont empilées selon une direction verticale z. L’empilement 2 comprend des émetteurs lumineux 3, par exemple des boîtes ou puits quantiques, localisés dans les couches supérieures de l’empilement 2. Une couche d’isolant électrique 4 est déposée sur la couche supérieure de l’empilement 2, la couche d’isolant ayant une ouverture 5 à laquelle la couche supérieure n’est pas couverte d’isolant. Une couche métallique 6 est déposée sur la couche d’isolant 4, formant ainsi une pastille métallique 7 déposée sur la couche supérieure de l’empilement 2. La pastille 7 peut avoir une forme circulaire, elliptique ou encore toute autre forme. La dimension de l’ouverture 5 de la couche d’isolant 4, et donc de la pastille 7, définira la dimension latérale du mode de Tamm. La source comprend également un contact métallique 8 pour alimenter la pastille métallique 7. L’empilement 2 est posé sur un substrat semi-conducteur S, ce substrat S étant posé sur une couche métallique CO constituant un contact ohmique. Dans un tel dispositif, la région active se situe immédiatement en-dessous de l’électrode 7 présente dans l’ouverture de la couche d’isolant 4, au niveau de l’emplacement des émetteurs lumineux 3 près de l’interface formée par la couche supérieure de l’empilement et l’électrode. C’est en effet près de cette interface que le mode de Tamm peut être créé. A titre d’exemple, le mode de Tamm s’étend quelques dizaines de nm dans la couche métallique 7 et quelques centaines de nm dans l’empilement, en partant de l’interface métal/semi-conducteur. Le faisceau M sortant de la pastille 7 représente le couplage du mode de Tamm avec des ondes laser lorsque l’élément optoélectronique est mis en œuvre en tant que diode laser. Par les dimensions latérales réduites de l’interface électrode – couche supérieure de l’empilement, le mode de Tamm est également confiné dans la direction latérale, orthogonalement à la direction d’empilement. La pastille métallique 7 permet à la fois le confinement et/ou la manipulation du mode de Tamm et d’amener des porteurs pour réaliser l’injection électrique (illustrée par les flèches e - ). La pastille métallique 7 peut être également appelée électrode d’injection. Les couches de l’empilement 2 sont par exemple en arséniure de gallium (GaAs) et en alliage d’arséniure de gallium et d’arséniure d’aluminium (GaAlAs), avec la couche supérieure en GaAs. Bien entendu, d’autres combinaisons de matériaux peuvent être utilisées pour les couches afin de former un miroir interférentiel. La pastille métallique 7 est de préférence en argent, et la couche d’isolant en oxyde d'yttrium(III) (Y 2 O 3 ) ou en silice (SiO 2 ). Le substrat peut également être en GaAs. Le procédé 10, représenté sur la , comprend une phase 12 de création d’une couche d’isolant électrique 4 avec une ouverture 5 sur un miroir de Bragg 2, faisant partie d’un élément optoélectronique (non représenté) comme décrit ci-dessus. La couche supérieure du miroir de Bragg 2 est de préférence en GaAs. La phase 12 de création de l’isolant électrique comprend une étape 22 de dépôt d’une couche protectrice 13 sur le miroir de Bragg 2. La couche protectrice 13 peut notamment être une résine photosensible. La résine peut être déposée par enduction centrifuge ( spin coating ). Ensuite, lors d’une étape 23 de photolithographie, la résine photosensible est exposée à une irradiation lumineuse à l’aide d’un masque pour définir l’emplacement futur de la pastille métallique. La résine 13’ en dehors de cet emplacement est soluble dans un développeur. Lors du développement, la partie soluble de la résine 13’ ainsi que la couche supérieure 2’ sont gravées. La partie non soluble de la résine, en forme de plot 14, protège le futur emplacement de la pastille métallique du développeur. Comme illustré sur la , après le développement, le plot 14 de résine, posé sur la couche supérieure de GaAs gravée, persiste. Le plot 14 de résine a une section longitudinale de la forme d’un trapèze isocèle, avec le côté court vers le miroir de Bragg 2. Cette forme est en effet importante pour le bon déroulement des étapes suivantes du procédé 10. La phase 12 de création de l’isolant comprend ensuite une étape 24 de dépôt d’une couche d’isolant électrique 4 sur l’ensemble de la surface gravée de la couche supérieure en GaAs et le plot 14 de résine. Le dépôt est effectué par ablation laser pulsé ( pulsed laser deposition , PLD) à température ambiante. L’isolant peut être, par exemple, du SiO 2 ou Y 2 O 3 . L’épaisseur de la couche d’isolant peut être de l’ordre de 100 nm. Grâce à la section en forme de « trapèze isocèle inversé » du plot 14 de résine et un dépôt directif de l’isolant, la couche d’isolant ne couvre pas les côtés du plot 14, mais seulement sa surface supérieure. Lors d’une étape 25, le plot 14 de résine couvert d’isolant est enlevé par une technique de lift-off , à l’aide d’un solvant tel que de l’acétone. Comme les côtés du plot 14 de résine ne sont pas couverts par l’isolant, le plot 14 est soluble dans le solvant. A la fin de la phase 12 de dépôt de la couche d’isolant électrique 4, le miroir de Bragg 2 est recouvert de la couche d’isolant électrique 4 à l’exception du futur emplacement de la pastille métallique où la couche d’isolant présente une ouverture 5. Le procédé 10, tel que représenté dans le mode de réalisation de la , se poursuit avec une phase 14 de création d’une électrode 8 de contact. La phase 14 de dépôt de l’électrode 8 de contact, telle que représentée sur la , comprend une étape 31 de dépôt d’un masque de résine 9, par photolithographie, sur la couche d’isolant électrique 4 et son ouverture 5. Le masque de résine 9 présente un évidement à proximité de l’ouverture 5 de la couche d’isolant 5, mais couvre bien l’ouverture 5. La couche de GaAs dans l’ouverture 5 est ainsi bien protégée par le masque 9 de résine pour l’étape suivante. Lors d’une étape 32, une première couche métallique 15, dite de contact, est déposée sur le masque de résine 9 par évaporation. La première couche métallique 15 est de préférence en or. Elle peut être complétée par une couche intermédiaire 19, entre la couche métallique de contact 15 et le masque 9, servant de couche d’accroche, tel qu’illustré dans le mode de réalisation de la . La couche d’accroche 19 peut être, par exemple, en chrome ou en titane. La première couche métallique 15 n’est pas en contact avec la couche supérieure du miroir de Bragg 2 présente dans l’ouverture 5 de la couche d’isolant 4. Ensuite, lors d’une étape 33, le masque de résine 9 est enlevé par une technique de lift-off , à l’aide d’un solvant tel que de l’acétone. Il en résulte une électrode 8 de contact placée sur la couche d’isolant 4, à proximité de l’ouverture 5, futur emplacement de la pastille métallique. Une image (obtenue par microscopie optique en champ clair) présentant une vue de dessus de l’élément optoélectronique obtenu à ce stade est montrée sur la . On y voit le dessus de l’électrode de contact 8. Le procédé 10 selon l’invention comprend en outre une phase 16 de création d’une électrode 7 d’injection. La phase 16 de dépôt de l’électrode 7 d’injection, telle que représentée sur la , comprend une étape 41 de dépôt d’une deuxième couche métallique 18, dite d’injection, sur essentiellement toute la surface de l’élément optoélectronique obtenu lors des phases précédentes du procédé. La couche métallique d’injection 18 est de préférence en argent. Lors d’une étape 42 du procédé 10, un masque de résine 17, réalisé par photolithographie, est déposé sur la deuxième couche métallique 18. Le masque 17 couvre la deuxième couche métallique 18 au niveau de l’ouverture 5 dans la couche d’isolant 4 ainsi que de l’électrode 8 de contact. La phase 16 du procédé comprend ensuite une étape 43 de délimitation, ou structuration, latérale de la couche métallique d’injection 18, lors de laquelle l’étendue latérale de la deuxième couche métallique 18 est définie. Cette étape peut être réalisée, par exemple, par une attaque de la couche 18 à l’aide d’une solution d’iodure de potassium (KI) et de diiode (I 2 ) dans de l’eau. Les endroits attaqués 6’ deviennent alors non-conducteurs. Lorsque la couche d’injection 18 est en argent, les endroits exposés se transforment alors en de l’iodure d'argent (AgI). Le masque de résine 17 est ensuite enlevé par une technique de lift-off , à l’aide d’un solvant tel que de l’acétone. La dernière étape 43 définit un pad métallique 6, par exemple en argent, qui couvre l’électrode 8 de contact ainsi que l’ouverture 5. La partie du pad 6 couvrant la couche supérieure du miroir de Bragg constitue la pastille métallique 7 précédemment mentionnée, fonctionnant en tant qu’électrode d’injection. Un mode de Tamm peut être généré et confiné à l’interface entre la pastille 7 et la couche supérieure du miroir de Bragg. Une image (obtenue par microscopie optique en champ clair) présentant une vue de dessus de quatre éléments optoélectroniques 1 obtenu après la phase 16 du procédé est montrée sur la . On y distingue les pads métalliques 6 et les pastilles 7, les pads métalliques 6 recouvrant les électrodes de contact, respectivement. Les pastilles 7 dans la ont des diamètres différents, permettant de disposer de régions émettrices de taille variable. Selon un autre mode de réalisation du procédé selon l’invention, les phases de création d’une électrode 8 de contact et de création d’une électrode 7 d’injection peuvent être inversées. En effet, il est possible de créer d’abord l’électrode 7 d’injection et le pad métallique 6 et poser ensuite l’électrode 8 de contact sur le pad métallique 6. La illustre des étapes de la phase 12 de création d’une couche d’isolant électrique 4 et de la phase 16 de création d’une électrode 7 d’injection. La phase 12 de création d’une couche d’isolant 4 avec son ouverture 5 est identique à ce qui a été détaillé en référence à la . Lors de la phase 16 de création de l’électrode d’injection, la couche métallique d’injection 18 est déposée directement sur la couche d’isolant 4 et son ouverture, afin de former la pastille d’injection 7 au niveau de l’ouverture 5. L’électrode de contact pourra ensuite être déposée sur la couche d’injection 18. Le choix de l’ordre de la réalisation de ces étapes dépend des matériaux utilisés. Il est par exemple plus aisé de faire adhérer de l’argent sur de l’or, que vice versa. Bien sûr, l’invention n’est pas limitée aux exemples qui viennent d’être décrits et de nombreux aménagements peuvent être apportés à ces exemples sans sortir du cadre de l’invention. Procédé (10) de fabrication d’un élément optoélectronique (1), l’élément optoélectronique (1) comprenant un matériau semi-conducteur (2) comprenant une région active localisée à proximité immédiate d’une surface du matériau semi-conducteur, le procédé (10) comprenant les étapes suivantes : dépôt (12) d’un couche d’isolant électrique (4) sur le matériau semi-conducteur à l’aide d’un premier masque (14) posé sur la région active, de sorte à ce que la couche d’isolant électrique (4) présente un évidement (5) au niveau de la région active ; dépôt (16) d’une couche métallique (18), dite d’injection, sur l’ensemble obtenu à l’étape précédente, de sorte à ce que la couche métallique d’injection (18) forme une électrode (7) sur la surface du matériau semi-conducteur au niveau de la région active. Procédé (10) selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu’il comprend en outre : préalablement au dépôt (16) de la couche métallique d’injection (18), création (14) d’une électrode de contact (8) sur la couche d’isolant électrique (4) à l’aide d’un deuxième masque (9), le deuxième masque (9) ayant un évidement décalé latéralement par rapport à la région active pour l’emplacement de l’électrode de contact (8). Procédé (10) selon la revendication 1, caractérisé en ce qu’il comprend en outre : après le dépôt (16) de la couche métallique d’injection (18), création d’une électrode de contact sur la couche métallique à l’aide d’un deuxième masque photosensible, le masque ayant un évidement décalé latéralement par rapport à la région active pour l’emplacement de l’électrode de contact. Procédé (10) selon l’une quelconque des revendications 2 à 3, caractérisé en ce que la création (14) de l’électrode de contact (8) comprend les étapes suivantes : dépôt d’une résine photosensible sur l’ensemble obtenu à l’étape précédente, lithographie et gravure de la résine pour obtenir le deuxième masque (9) ; dépôt (32) directif d’une couche métallique (15), dite de contact, sur le deuxième masque (9) ; et lift-off (33) du deuxième masque (9) ; la partie de la couche métallique de contact (15) restante après le lift-off formant l’électrode de contact (8). Procédé (10) de fabrication selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu’il comprend en outre : délimitation latérale (43) de la couche métallique d’injection (18) de sorte à ce qu’elle couvre essentiellement les emplacements de la région active et de l’électrode de contact (8), à l’aide d’un troisième masque (17) couvrant essentiellement les emplacements de la région active et de l’électrode de contact. Procédé (10) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la délimitation latérale (43) de la couche métallique d’injection (18) comprend les étapes suivantes : dépôt d’une résine photosensible sur l’ensemble obtenu à l’étape précédente, lithographie et gravure de la résine pour obtenir le troisième masque (17) ; attaque chimique des parties de la couche métallique d’injection non couvertes par le troisième masque (17) ; et lift-off du troisième masque (17). Procédé (10) selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche d’isolant électrique (4) est déposée par dépôt directif. Procédé (10) selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le matériau semi-conducteur comprend un empilement (2) de couches semi-conductrices comprenant, selon une direction Z perpendiculaire à la surface du matériau semi-conducteur, une alternance de couches d’indice de réfraction élevé et faible pour former un miroir interférentiel. Procédé (10) selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la région active comprend au moins un émetteur (3) ou détecteur de lumière. Procédé (10) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l’au moins un émetteur ou détecteur de lumière comprend un puit quantique (3) ou une boite quantique (3). Procédé (10) selon la revendication 9 ou 10, caractérisé en ce que l’au moins un émetteur (3) ou détecteur de lumière est localisé à proximité de la surface du matériau semi-conducteur. Élément optoélectronique (1) obtenu par le procédé (10) de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes.