Brevet FR3146696A1 — publié le 20240920

L’invention se rapporte à une installation pour un dépôt chimique en phase vapeur assisté par un plasma (2) micro-ondes, à une fréquence source (F) donnée, de couches de matières sur des substrats (81) disposés à l’intérieur d’une chambre à plasma (7). L’installation comprend au moins un générateur micro-ondes (3) qui génère des ondes électromagnétiques à cette fréquence source, lesquelles sont dirigées à l’intérieur de la chambre à plasma pour permettre l’allumage du plasma. L’installation est remarquable en ce qu’elle comprend au moins un dispositif de surveillance (10) pour surveiller une position du plasma à l’intérieur de la chambre à plasma, en ce que le générateur micro-ondes est un générateur à état solide et à fréquence variable, et en ce qu’elle comprend une unité de contrôle (11) raccordée à l’au moins un dispositif de surveillance et audit générateur micro-ondes pour faire varier la fréquence source pour contrôler la position du plasma. Figure de l’abrégé : Figure 1 Installation pour un dépôt chimique en phase vapeur assisté par un plasma micro-ondes stabilisé dans une cavité résonante L’invention se rapporte à une installation pour un dépôt chimique en phase vapeur assisté par un plasma micro-ondes, ainsi qu’à un procédé de dépôt chimique associé. L’invention se rapporte ainsi au domaine du dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma micro-ondes, aussi appelé MPACVD pour « Microwave Plasma Assisted Chemical Vapor Deposition » en anglais. L’invention trouve une application favorite dans le domaine de la synthèse de diamant, et peut aussi s’appliquer plus largement dans la synthèse de matériaux carbonés comme des nanotubes de carbone et du graphène, ou d’autres matériaux, en particulier dans le secteur des semi-conducteurs pour le dépôt de films minces / couches de matière. De manière connue, le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma micro-ondes est mis en œuvre au sein d’un réacteur plasma, comprenant une cavité résonante qui contient un substrat sur lequel doit être synthétisé une couche de matière (comme par exemple une couche de diamant) dont les éléments chimiques sont présents à l’état gazeux dans un gaz de réaction, à l’intérieur de la cavité résonante. Les éléments chimiques sont déposés sur le substrat à partir d’un plasma généré dans ce gaz de réaction par application d’une décharge électrique produite dans la cavité résonante par une source micro-ondes. Généralement, les cavités de ces réacteurs plasma sont conçues de manière à maintenir un volume de plasma, ayant souvent la forme d’une demi-sphère, à une distance donnée (souvent de l’ordre du millimètre) au-dessus du substrat. Ainsi, les dimensions de la cavité résonante sont en relation avec la fréquence (généralement 915 MHz ou 2450 MHz) à laquelle sont générées les micro-ondes provoquant la décharge dans le gaz de réaction, permettent d’obtenir un champ électrique micro-onde très localisé et de créer par ce biais un plasma au-dessus et suffisamment proche du substrat. Le plasma permet ainsi un transfert optimal des éléments (radicaux, ions, etc.) qui sont produits à l’intérieur de celui-ci et qui sont nécessaires à la croissance de la couche de matière, sans pour autant que le plasma soit en contact avec cette cavité pour éviter sa surchauffe. Cependant, des perturbations peuvent survenir dans la cavité résonante et causer le changement de la résonance des micro-ondes, provoquant ainsi une variation de la position du plasma, assimilable à un saut du plasma. Dans certains cas, le plasma, suite au saut, peut se retrouver en contact avec des parties non métalliques du réacteur plasma, par exemple une fenêtre transparente aux micro-ondes (généralement en quartz) séparant la cavité résonante d’un système de couplage utilisée pour l’établissement des ondes électromagnétiques après leur génération par la source micro-ondes. La couche de matière déposée sur le substrat peut alors potentiellement être contaminée par des éléments provenant de ces parties non métalliques, comme par exemple des atomes de silicium. Par ailleurs, un changement de position du plasma peut aussi éventuellement entrainer son extinction, et donc un arrêt du procédé de dépôt chimique. Ces inconvénients peuvent donc impacter significativement le rendement du réacteur plasma et l’efficience du procédé, entraîner des coûts supplémentaires du fait d’un arrêt brusque et/ou d’une contamination du dépôt. Également, la faible distance séparant le plasma du substrat peut s’avérer problématique dans le cas d’un dépôt d’une couche mince de longue durée. En effet, dans ce contexte applicatif, l’épaississement et l’augmentation de l’épaisseur de la couche conduit après une longue période de croissance à l’entrée de la couche dans le plasma, augmentant subitement la température dans cette couche, et de fait modifiant les conditions de croissance. Une solution existante est de munir la cavité résonante d’un porte-substrats mobile en translation verticalement, afin de pouvoir baisser le porte-substrats au fur et à mesure que l’épaisseur de la couche de matière croît afin que cette couche soit toujours située sous le plasma à la distance désirée. Cette solution présente néanmoins deux inconvénients : la distance de translation est généralement limitée, et une translation du porte-substrats s’accompagne d’un changement dans la résonance de la cavité qui peut dans le pire cas conduire à l’extinction du plasma. Par ailleurs, ces portes-substrats sont généralement onéreux en raison de leur précision mécanique, car devant réaliser des mouvements de translation verticales sur des distances de l’ordre du millimètre, voire moins. L’invention vise, pour les réacteurs plasma comprenant un système de couplage et une cavité résonante, à résoudre les inconvénients précités, en proposant une installation qui permet de contrôler la position du plasma au sein de la cavité résonante, et en particulier de ramener le plasma à sa position initiale en cas de saut du plasma. A cette fin, l’invention propose une installation pour un dépôt chimique en phase vapeur assisté par un plasma micro-ondes, l’installation comprenant : - un générateur micro-ondes générant des ondes électromagnétiques à une fréquence source donnée comprise dans au moins un intervalle de fréquences d’une plage de fréquences des micro-ondes, - un système de couplage des ondes électromagnétiques raccordé au générateur micro-ondes, et qui est conformé pour transférer les ondes électromagnétiques du guide micro-ondes à une cavité résonante, laquelle cavité résonnante comprenant au moins : - une chambre à plasma dans laquelle est disposé un porte-substrats sur lequel peut être posé au moins un substrat, ladite chambre à plasma étant munie d’une entrée d’un gaz de réaction, et d’un système de pompage pour établir une pression réduite à l’intérieur de la chambre à plasma, - au moins un diélectrique, transparent aux micro-ondes, séparant la chambre à plasma du système de couplage des ondes électromagnétiques pour une propagation des ondes électromagnétiques à l’intérieur de la chambre à plasma et au travers dudit diélectrique, l’installation étant remarquable : en ce qu’elle comprend au moins un dispositif de surveillance pour mesurer un paramètre physique dépendant d’une position du plasma à l’intérieur de la chambre à plasma, en ce que le générateur micro-ondes est un générateur à état solide et à fréquence variable, et en ce qu’elle comprend une unité de contrôle raccordée à l’au moins un dispositif de surveillance et audit générateur micro-ondes pour faire varier la fréquence source en fonction d’une mesure du paramètre physique pour contrôler la position du plasma. Autrement dit, l’installation propose avantageusement de résoudre la problématique de saut du plasma, plus précisément d’un volume de plasma, par un contrôle et un repositionnement automatique de la position du plasma à l’intérieur de la chambre à plasma (appelée aussi chambre de process ou chambre de dépôt) d’une cavité résonante. Pour cela, la position du plasma est contrôlée par une unité de contrôle qui communique avec au moins un dispositif de surveillance, et un générateur micro-ondes à état solide et à fréquence variable générant des ondes électromagnétiques à une fréquence source pour la formation du plasma à l’intérieur de la cavité résonante, laquelle fréquence source est comprise dans au moins un intervalle de fréquences contenu dans une plage de fréquence des micro-ondes, avec par exemple la plage de fréquences des micro-ondes comprise entre 300 MHz et 10 GHz. L’au moins un dispositif de surveillance est conformé pour mesurer un paramètre physique représentatif et dépendant de la position du plasma, signifiant qu’un changement de position du plasma se traduit par une variation du paramètre physique mesuré. L’unité de contrôle est conformée pour détecter la fréquence source à laquelle est générée le plasma, à partir des mesures qu’elle reçoit de l’au moins un dispositif de surveillance, si le paramètre physique varie ou non. Si oui, l’unité de contrôle commande alors le générateur micro-ondes afin qu’il fasse varier la fréquence source dans l’au moins un intervalle de fréquences jusqu’à ce que la distribution du champ électromagnétique dans la chambre à plasma permette de réajuster le plasma dans une position plus adaptée, par exemple la position qu’il occupait initialement. L’au moins un dispositif de surveillance est conformé pour mesurer et communiquer la valeur du paramètre physique mesurée en continu durant toute la durée du dépôt chimique. Selon une caractéristique de l’invention, la fréquence source est initialement à une fréquence initiale, et l’unité de contrôle est conformée pour déterminer un changement de position du plasma généré à cette fréquence initiale depuis une première position vers une seconde position distincte de la première position, à partir d’une variation du paramètre physique mesurée par l’au moins un dispositif de surveillance, et pour faire varier la fréquence source depuis la fréquence initiale jusqu’à atteindre une fréquence de correction ramenant le plasma depuis la seconde position vers sensiblement la première position. Selon une caractéristique de l’invention, l’unité de contrôle est conformée pour déterminer le changement de position du plasma lorsque le paramètre physique varie depuis une première valeur vers une seconde valeur, et pour faire varier la fréquence source depuis la fréquence initiale jusqu’à la fréquence de correction jusqu’à ce que le paramètre physique varie inversement depuis la seconde valeur vers sensiblement la première valeur. Autrement dit, et en lien avec le point précédent, à une fréquence source dite fréquence initiale, le plasma est localisé dans une première position dans la cavité résonante, avec le paramètre physique ayant une première valeur représentative de cette première position. L’unité de contrôle est conformée pour détecter à cette fréquence initiale une variation du paramètre physique de la première valeur à une seconde valeur, soit un changement de position du plasma de la première position à une seconde position. La seconde position peut se trouver n’importe où dans la chambre à plasma. Elle peut se situer en-dessous ou au-dessus de la première position, et être par exemple au plus près de ses parois ou bien encore proche du diélectrique. Si l’unité de contrôle détecte une variation du paramètre physique, elle pilote alors le générateur micro-ondes afin qu’il fasse varier la fréquence source jusqu’à atteindre une fréquence de correction pour laquelle le plasma est ramené soit dans sa position d’origine, c’est-à-dire la première position ou une position sensiblement proche de la première position (avec le paramètre physique ayant varié de la seconde valeur pour être alors égal à la première valeur ou une valeur sensiblement égale à la première valeur). Etant donné que la fréquence source peut prendre différentes valeurs de fréquence avant que soit identifiée et atteinte la fréquence de correction, le plasma peut éventuellement occuper entre la seconde position et son retour à la première position ou une position sensiblement proche différentes positions intermédiaires dans la chambre à plasma, dites positions parasites. En pratique, la première position correspond à une position permettant un dépôt optimal de la couche de matière sur l’au moins un substrat, laquelle première position est généralement située entre 0,5 et 3 mm, et généralement environ 1 mm, au-dessus de l’au moins un substrat. Avantageusement, l’installation permet de maintenir/repositionner le plasma dans la première position, ou dans une position sensiblement proche, pour un rendement de la chambre résonante/une croissance du dépôt chimique qui soit le/la meilleur(e) possible. Selon une caractéristique de l’invention, l’unité de contrôle : - suite à une détection du changement de position du plasma, est conformée pour envoyer un signal de commande au générateur micro-ondes lequel, à réception dudit signal de commande, fait varier la fréquence source dans l’au moins un intervalle de fréquences ; - suite à un retour du plasma dans la première position, est conformée pour envoyer un signal d’arrêt au générateur micro-ondes lequel, à réception dudit signal d’arrêt, cesse de faire varier en fréquence la fréquence source dans l’au moins un intervalle de fréquences, la fréquence source étant alors égale à la fréquence de correction. Autrement dit, lorsque l’unité de contrôle détecte une variation du paramètre physique de la première valeur à une seconde valeur, elle pilote le générateur micro-ondes en lui transmettant un signal de commande pour qu’il fasse varier la fréquence source depuis la fréquence initiale dans l’au moins un intervalle de fréquences. Au moment où elle détecte que le paramètre physique varie de la seconde valeur vers la première valeur ou une valeur sensiblement proche de la première valeur, elle envoie un signal d’arrêt au générateur micro-ondes qu’il stoppe la variation en fréquence ; la fréquence à laquelle le générateur s’est arrêté étant considérée comme la fréquence de correction. Avantageusement, selon ce principe de fonctionnement, et comme indiqué plus haut, l’unité de contrôle gère de manière autonome et automatique le positionnement du plasma dans la cavité résonante, notamment son maintien/sa stabilisation à la première position. Selon un mode de réalisation de l’invention, une fois le plasma repositionné dans la première position suite à la variation de la fréquence source, l’unité de contrôle est conformée pour faire varier la fréquence source du générateur micro-ondes depuis la fréquence de correction jusqu’à revenir à la fréquence initiale. Autrement dit, une fois que le plasma est positionné dans la première position ou une position proche de celle-ci à la fréquence de correction, l’unité de contrôle est conformée pour piloter le générateur micro-ondes de sorte à ramener la fréquence source depuis la fréquence de correction à la fréquence initiale. Ce retour à la fréquence initiale peut optionnellement être mis en œuvre dans le cas où, comparativement à la fréquence initiale, le plasma serait moins stable à la première position pour la fréquence de correction. Dans le cas où un nouveau changement de position du plasma serait détecté par l’unité de contrôle suite au retour de la fréquence source à la fréquence initiale, l’unité de contrôle est conformée pour piloter à nouveau le générateur micro-ondes depuis la fréquence initiale jusqu’à une nouvelle fréquence de correction identique ou sensiblement proche de la précédente fréquence de correction pour laquelle le plasma est à nouveau ramené dans la première position ou une position suffisamment proche de celle-ci. Dans une variante de réalisation de l’invention, l’unité de contrôle peut à nouveau procéder à un réajustement de la fréquence source depuis la nouvelle fréquence de correction jusqu’à la fréquence initiale. Dans une autre variante de réalisation de l’invention, l’unité de contrôle ne procède qu’à un seul réajustement. En effet, si suite au premier réajustement un nouveau changement de plasma est détecté à la fréquence initiale, il peut être considéré que la probabilité d’occurrence d’un nouveau changement de position du plasma à la fréquence initiale est suffisamment importante pour ne pas mettre en œuvre un nouveau réajustement. Selon une caractéristique de l’invention, quand la fréquence source est initialement à la fréquence initiale, l’unité de contrôle est conformée pour faire varier la fréquence source du générateur micro-ondes depuis la fréquence initiale jusqu’à atteindre une fréquence de croissance comprise dans l’au moins un intervalle de fréquence, en réponse à une variation du paramètre physique mesuré par l’au moins un dispositif de surveillance telle que ledit paramètre physique n’est plus conforme à une valeur de seuil de croissance donnée, ladite fréquence de croissance étant établie par ladite unité de contrôle de sorte que ledit paramètre physique est à nouveau conforme à la valeur de seuil de croissance pour cette fréquence de croissance. Comme expliqué antérieurement, au fur et à mesure du dépôt chimique, l’épaisseur de la couche de matière croît. Le plasma étant positionné à une faible distance au-dessus de l’au moins un substrat ou du porte-substrats pour un dépôt efficient, il est possible, pour un dépôt chimique de longue durée, que l’épaisseur de couche de matière entre en contact avec le plasma ou pénètre partiellement à l’intérieur, modifiant les conditions du dépôt chimique et, par répercussion, altérant les propriétés de la couche de matière. Ainsi, l’unité de contrôle est également conformée pour détecter si, à la fréquence initiale, la valeur du paramètre physique relevée par l’au moins un dispositif de surveillance est également en conformité avec une valeur de seuil de croissance représentative d’une condition favorable de dépôt, et qui est prédéterminée. Dans le cas où la valeur du paramètre physique n’est plus en conformité avec la valeur de seuil de croissance, c’est-à-dire que la condition favorable de dépôt n’est plus rencontrée (avec l’épaisseur de couche de matière en interaction avec le plasma), l’unité de contrôle est conformée pour piloter le générateur micro-ondes pour faire varier la fréquence source depuis la fréquence initiale jusqu’à atteindre une fréquence de croissance pour laquelle la valeur du paramètre physique redevient conforme à la valeur de seuil de croissance. En pratique, le changement de fréquence a pour but de repositionner le plasma d’une position où la croissance n’était plus efficace vers une nouvelle position où elle le redevient. Selon une caractéristique de l’invention, la position de croissance devient la première position, et la fréquence de croissance devient la fréquence initiale. Ainsi, l’invention répond avantageusement à la problématique relative à la croissance des couches de matière de longue durée sur l’au moins un substrat, en ajustant automatiquement la fréquence à laquelle sont générées les ondes électromagnétiques au cours du dépôt chimique afin de décaler la résonance et éloigner le plasma de la couche de matière quand elle commence à entrer en interaction avec lui ; le plasma étant décalé à une distance suffisante de l’au moins un substrat pour que le dépôt chimique se poursuive. De plus, grâce à l’invention, le porte-substrats de la cavité résonante n’a pas besoin d’être amovible, permettant de s’affranchir des inconvénients d’un tel porte-substrats (par exemple, la translation verticale limitée du porte-substrats, laquelle peut éventuellement induire un changement dans la résonance de la cavité et produire un saut du plasma non désiré). Selon une caractéristique de l’invention, l’unité de contrôle est conformée pour : - en réponse à la variation du paramètre physique telle que ledit paramètre physique n’est plus conforme à la valeur de seuil de croissance, envoyer un signal de début au générateur micro-ondes lequel, à réception dudit signal de début, fait varier la fréquence source depuis la fréquence initiale dans l’au moins un intervalle de fréquences ; et - en réponse à la mesure du paramètre physique telle que ledit paramètre physique redevient conforme à la valeur de seuil de croissance, envoyer un signal de fin au générateur micro-ondes lequel, à réception dudit signal de fin, cesse de faire varier la fréquence source qui a atteint la fréquence de croissance. Autrement dit, lorsque l’unité de contrôle détecte que la valeur du paramètre physique n’est plus en conformité à la fréquence initiale avec la valeur de seuil de croissance, elle transmet au générateur micro-ondes un signal de début pour qu’il fasse varier la fréquence source depuis la fréquence initiale dans l’au moins un intervalle de fréquences. Au moment où elle détecte que la valeur du paramètre physique redevient conforme à la valeur de seuil de croissance, elle envoie un signal de fin au générateur micro-ondes pour qu’il stoppe la variation en fréquence ; la fréquence à laquelle le générateur s’est arrêté étant considérée comme la fréquence de croissance. Avantageusement, selon ce principe de fonctionnement, et comme indiqué plus haut, l’unité de contrôle gère de manière autonome et automatique le positionnement du plasma dans la cavité de résonnance pour un dépôt chimique de couche de matière efficient voire optimal. Selon un mode de réalisation de l’invention, l’au moins un dispositif de surveillance comprend un détecteur de luminosité comprenant une fibre optique orientée en direction d’un point dans la chambre à plasma où elle capte une intensité lumineuse du plasma qui constitue ainsi le paramètre physique associé audit détecteur de luminosité, de telle sorte que ledit détecteur de luminosité détecte une variation de l’intensité lumineuse en ce dit point dans le cas où le plasma se déplace. Selon un mode de réalisation de l’invention, la fibre optique est orientée en direction de la première position, le changement de position du plasma à la fréquence initiale étant détecté par l’unité de contrôle suite à la variation de l’intensité lumineuse détectée par le détecteur de luminosité. Autrement dit, dans une première variante de réalisation de l’invention, l’au moins un dispositif de surveillance comprend un détecteur de luminosité comprenant une fibre optique en direction d’un point dans la chambre à plasma, plus précisément en direction de la première position. L’au moins un dispositif de surveillance transmet comme paramètre physique à l’unité de contrôle une intensité lumineuse représentative de la luminosité à la première position. Selon que le plasma soit positionné ou non dans la première position, l’intensité de luminosité mesurée est différente. Ainsi, suivant les valeurs/variations d’intensité de luminosité relevées, l’unité de contrôle parvient à déterminer : si à la fréquence initiale, le plasma a sauté depuis la première position jusqu’à atteindre une seconde position ; et si lors du pilotage du générateur micro-ondes pour la variation de la fréquence source suite au saut du plasma, le plasma a sauté de la seconde position pour revenir dans la première position ou atteindre une position suffisamment proche de celle-ci. Selon un mode de réalisation de l’invention, l’au moins un dispositif de surveillance comprend un dispositif de mesure de puissance micro-ondes conformé pour mesurer une puissance réfléchie par la cavité résonante, laquelle puissance réfléchie constituant ainsi le paramètre physique associé audit dispositif de mesure de puissance micro-ondes. Selon un mode de réalisation de l’invention, l’unité de contrôle détecte à la fréquence initiale le changement de position du plasma lorsque le dispositif de mesure de puissance micro-ondes mesure une augmentation de la puissance réfléchie. Autrement dit, dans une seconde variante de réalisation de l’invention, l’au moins un dispositif de surveillance comprend un dispositif de mesure de puissance micro-ondes. L’au moins un dispositif de surveillance transmet comme paramètre physique à l’unité de contrôle une puissance réfléchie par la cavité résonante. Le saut du plasma de la première position à une seconde position se traduit par une augmentation plus ou moins significative de la puissance réfléchie, la cavité résonante étant, avant le saut du plasma, adaptée. Le retour du plasma à la première position à la fréquence de correction se traduit dans la grande majorité des cas par une diminution de la puissance réfléchie, la cavité résonante étant à nouveau adaptée. Ainsi, l’unité de contrôle commande le générateur micro-onde et lui fait démarrer ou stopper la variation de la fréquence source suivant qu’elle détecte cette augmentation ou cette diminution de la puissance réfléchie par la cavité résonante. Selon un mode de réalisation de l’invention, l’au moins un dispositif de surveillance comprend un dispositif de mesure de température conformé pour mesurer une température cible à l’intérieur de la chambre à plasma, au niveau du dépôt chimique sur l’au moins un substrat, laquelle température cible constituant ainsi le paramètre physique associé audit dispositif de mesure de température. Selon un mode de réalisation de l’invention, l’unité de contrôle détecte à la fréquence initiale le changement de position du plasma lorsque le dispositif de mesure de température mesure une diminution de la température cible. Autrement dit, dans une troisième variante de réalisation de l’invention, l’au moins un dispositif de surveillance comprend un dispositif conformé pour mesurer une température pouvant correspondre à la température de la couche de matière/du dépôt chimique, ou de l’au moins un substrat, ou du porte-substrats. Cette température correspond donc au paramètre physique qui est transmis à l’unité de contrôle. Lorsque le plasma est proche du dépôt chimique (par exemple, à 1 mm au-dessus de lui) en vue de le faire croitre, le dépôt chimique est à une certaine température. Lorsque le plasma saute pour se positionner dans la seconde position, la température du dépôt chimique diminue. Il est également envisageable qu’une diminution de la température puisse être mesurée au niveau de l’au moins un substrat ou du porte-substrats s’ils ne sont pas fabriqué avec un matériau sensible à la température. L’unité de contrôle envoie ainsi le signal de commande au générateur micro-ondes pour une variation de la fréquence source lorsqu’elle détecte cette diminution de température à partir des mesures transmises par l’au moins un dispositif de surveillance. Inversement, elle envoie le signal d’arrêt au générateur micro-ondes qu’il stoppe le balayage en fréquence lorsqu’elle détecte une élévation de la température au niveau du dépôt chimique, ou de l’au moins un substrat, ou du porte-substrats, signifiant que le plasma a sauté depuis la seconde position pour atteindre la première position ou une position suffisamment proche de celle-ci. Selon un mode de réalisation de l’invention, la valeur de seuil de croissance correspond à une température critique de croissance de la température cible mesurée par le dispositif de mesure de température, de sorte que le paramètre physique n’est plus conforme à la valeur de seuil de croissance lorsque la température cible est supérieur ou égal à ladite température critique de croissance, et le paramètre physique est à nouveau conforme à la valeur de seuil de croissance lorsque la température cible redevient inférieur à la température critique de croissance. Selon un mode de réalisation de l’invention, la température critique de croissance est égale à 1000°C, à plus ou moins 100°C. Autrement dit, lorsque l’au moins un dispositif de surveillance comprend un dispositif de mesure de température, la valeur de seuil de croissance correspond à une température critique de croissance du dépôt chimique, ou de l’au moins un substrat ou du porte-substrats s’ils sont fabriqués à partir d’un matériau sensible à la température, au-dessus de laquelle la température va altérer les bonnes conditions de croissance, voire aussi détériorer le dépôt chimique. Généralement, cette température critique est égale à 1000°C, à plus ou moins 100°C. Dans le cas où la croissance est de longue durée, si le plasma, l’au moins un substrat et le porte-substrats sont maintenus dans leur position, il y a un risque que le dépôt chimique soit en contact avec le plasma ou entre dedans, se traduisant alors par une augmentation drastique de sa température. Par transfert de chaleur en provenance du dépôt chimique, l‘au moins un substrat et le porte-substrats vont également augmenter en température. Ainsi, l’unité de contrôle est conformée pour détecter à partir des mesures transmises par l’au moins un dispositif de surveillance si l’élévation abrupte de température dépasse ou non la température critique de croissance. Si oui, elle envoie le signal de début au générateur micro-ondes afin qu’il fasse varier la fréquence source. Elle lui transmet ensuite le signal de fin pour stopper le balayage en fréquence dès lors qu’elle détecte que la température dépôt chimique, ou de l’au moins un substrat ou du porte-substrats, redescend en-dessous de la température critique de croissance, signifiant que le dépôt chimique n’est plus en contact ou à l’intérieur du plasma. L’unité de contrôle est également conformée pour contrôler si cette diminution de température ne descend pas en-dessous d’une température minimale de croissance pour laquelle toute température qui lui est inférieure ne permet pas le dépôt chimique. Ainsi, l’unité de contrôle parvient à déterminer si la diminution en température se traduit par un saut du plasma dans une position suffisamment proche du dépôt chimique pour que sa croissance se poursuive, ou au contraire dans une seconde position empêchant de continuer le dépôt. Dans le second cas, l’unité de contrôle est conformée pour envoyer au générateur micro-ondes un signal de commande afin qu’il fasse varier la fréquence source puis un signal d’arrêt lorsqu’elle détecte que la température du dépôt chimique, de l’au moins un substrat ou du porte- substrats est comprise entre la température minimale de croissance et la température critique de croissance, signifiant alors que le plasma est alors positionné à une hauteur adaptée du dépôt chimique pour sa croissance. Selon une caractéristique de l’invention, la plage de fréquences des micro-ondes est comprise entre 300 MHz et 10 GHz. Selon une caractéristique de l’invention, l’au moins un intervalle de fréquences est compris entre 902 MHz et 928 MHz, ou bien entre 2400 MHz et 2500 MHz. Généralement, les dépôts chimiques en phase vapeur assisté par un plasma micro-ondes sont réalisés pour une fréquence d’excitation égale à 915 MHz ou bien 2,45 GHz, avec les dimensions géométriques de la cavité résonante adaptée pour produire l’amorçage du plasma à cette fréquence. Avantageusement, l’installation proposée permet de procéder à des dépôts chimiques pour ces deux fréquences. Ainsi, la fréquence initiale pour laquelle le plasma se trouve dans la première position est substantiellement égale à une de ces deux fréquences. Lorsque le plasma s’est déplacé dans la seconde position, l’unité de contrôlé, par l’intermédiaire du générateur micro-ondes, fait varier la fréquence source jusqu’à déterminer la fréquence de correction dans l’au moins un intervalle de fréquences, qui correspond à un intervalle de fréquences autorisées pour l’émission des ondes. Dans le cas où la fréquence initiale est substantiellement égale à 915 MHz, l’au moins un intervalle de fréquence est compris entre 902 MHz et 928 MHz. Si elle est substantiellement égale à 2,45 GHz, alors l’au moins un intervalle de fréquence est compris entre 2,4 GHz et 2,5 GHz. A noter que la variation de la fréquence, qu’il s’agisse d’une diminution ou d’une augmentation de fréquence, est réalisée progressivement et non abruptement autour de la fréquence initiale dans la mesure où une trop forte variation pourrait ne pas permettre de détecter la fréquence de correction ou entraîner d’autres sauts du plasma, ou bien alors son extinction. Selon une caractéristique de l’invention, le système de couplage des ondes électromagnétiques comprend une antenne. Ainsi, l’antenne est utilisée pour propager les ondes électromagnétiques à l’intérieur de la cavité résonante. Selon un mode de réalisation de l’invention, la cavité résonante comprend une précavité, ayant une pression supérieure à celle de la chambre à plasma, et interfacée à la chambre à plasma au moyen de l’au moins un diélectrique. Avantageusement, la précavité permet l’établissement des ondes électromagnétiques avant qu’elles ne se propagent dans la chambre à plasma. L’invention se rapporte également à un procédé pour un dépôt chimique en phase vapeur assisté par un plasma micro-ondes, le procédé étant mis en œuvre par une installation conforme à l’installation décrite auparavant, et comprenant au moins : - une étape de surveillance durant laquelle l’au moins un dispositif de surveillance effectue une mesure du paramètre physique dépendant de la position du plasma à l’intérieur de la chambre à plasma ; - une étape de transmission durant laquelle l’au moins un dispositif de surveillance transmet la mesure du paramètre physique à l’unité de contrôle ; - une étape de contrôle durant laquelle l’unité de contrôle fait varier la fréquence source en fonction de la mesure du paramètre physique pour contrôler la position du plasma. Avantageusement, le procédé pour un contrôle de la position du plasma est un procédé automatique, avec l’unité de contrôle qui pilote le générateur micro-ondes pour qu’il fasse varier ou non la fréquence source afin de contrôler la position du plasma dans la cavité résonante en fonction de l’analyse des mesures du paramètre physique qu’elle reçoit de l’au moins un dispositif de surveillance. L’étape de surveillance et l’étape de transmission sont réalisées en continu durant toute la durée du dépôt chimique. Selon une caractéristique de l’invention, l’étape de contrôle comprend les étapes suivantes : - une étape de détection durant laquelle l’unité de contrôle détermine, à la fréquence initiale, un changement de position du plasma depuis une première position vers une seconde position, à partir d’une variation du paramètre physique mesurée par l’au moins un dispositif de surveillance ; - une étape de balayage se déroulant après l’étape de détection, durant laquelle l’unité de contrôle envoie au générateur micro-ondes un signal de commande afin qu’il fasse varier la fréquence source depuis la fréquence initiale dans l’au moins un intervalle de fréquences; - une étape de détermination de la fréquence de correction durant laquelle l’unité de contrôle détermine le retour du plasma depuis la seconde position vers sensiblement la première position, puis envoie au générateur micro-ondes un signal d’arrêt afin qu’il cesse de faire varier la fréquence source, la fréquence de correction étant alors désormais considérée comme la fréquence source. Selon une caractéristique de l’invention, durant l’étape de détection, l’unité de contrôle est conformée pour déterminer le changement de position du plasma lorsque le paramètre physique varie depuis une première valeur vers une seconde valeur. Selon une caractéristique de l’invention, durant l’étape de détermination de la fréquence de correction, l’unité de contrôle est conformée pour déterminer le retour du plasma depuis la seconde position vers sensiblement la première position lorsque le paramètre physique varie de la seconde valeur vers sensiblement la première valeur. Selon une caractéristique de l’invention, le procédé comprend une étape de retour à la fréquence initiale qui se déroule après l’étape de détermination de la fréquence de correction, et durant laquelle l’unité de contrôle, après avoir déterminé le retour du plasma à la première position, est conformée pour envoyer un signal de retour au générateur micro-ondes afin qu’il fasse varier la fréquence source depuis la fréquence de correction jusqu’à la fréquence initiale. Selon une caractéristique de l’invention, le procédé comprend une étape de vérification de stabilité qui se déroule après l’étape de retour à la fréquence initiale, durant laquelle l’unité de contrôle détermine, lorsque la fréquence source est à nouveau égale à la fréquence initiale, si le plasma effectue à nouveau un changement de position depuis la première position vers la seconde position ; le procédé mettant alors à nouveau en œuvre, si le changement de position est déterminé, l’étape de balayage et l’étape de détermination de la fréquence de correction. Selon une caractéristique de l’invention, le procédé comprend : - une étape de détermination de limite de croissance, durant laquelle l’unité de contrôle est conformée pour déterminer si le paramètre physique mesuré par l’au moins un dispositif de surveillance n’est plus conforme à une valeur de seuil de croissance donnée ; - une seconde étape de balayage se déroulant après l’étape de détermination de limite de croissance, durant laquelle l’unité de contrôle envoie au générateur micro-ondes un signal de début afin qu’il fasse varier la fréquence source depuis la fréquence initiale dans l’au moins un intervalle de fréquence ; - une étape de détermination d’une fréquence de croissance, durant laquelle l’unité de contrôle détermine que le paramètre physique redevient conforme à la valeur de seuil de croissance et que le plasma est localisé dans une position de croissance telle que celle-ci soit distante d’une distance de croissance donnée au-dessus de la première position, puis envoie un signal de fin au générateur micro-ondes afin qu’il cesse de faire varier la fréquence source qui est alors égale à la fréquence de croissance établie par ladite unité de contrôle de sorte que ledit paramètre physique est à nouveau conforme à la valeur de seuil de croissance pour cette fréquence de croissance. Avantageusement, le procédé pour un contrôle /une maîtrise de la croissance du dépôt chimique est un procédé automatique, avec l’unité de contrôle mettant en œuvre successivement et automatiquement l’étape de détermination de limite de croissance, la seconde étape de balayage, et l’étape de détermination d’une nouvelle fréquence de croissance en fonction de la comparaison entre la valeur du paramètre physique qu’elle reçoit de l’au moins un dispositif de surveillance et la valeur de seuil de croissance. D’autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée ci-après, d’un exemple de mise en œuvre non limitatif, faite en référence aux figures annexées dans lesquelles : est une vue schématique d’une installation au sens de l’invention selon un premier mode de conception ; est une vue schématique de l’installation selon un second mode de conception ; est une vue schématique de l’installation selon un troisième mode de conception ; est une vue schématique de l’installation selon un quatrième mode de conception ; est une vue schématique de l’installation selon un cinquième mode de conception ; est une illustration schématique, en référence au premier mode de réalisation de la , d’un changement de position du plasma dans la chambre à plasma, pour une fréquence délivrée par le générateur micro-ondes correspondant à la fréquence initiale, d’une première position (a), située ici au-dessus du porte-substrats, à une seconde position (b), située ici en dessous du diélectrique ; puis d’un retour du plasma de la seconde position à une position sensiblement comparable à la première position (et considérée ici comme étant la première position) suite à une variation de la fréquence source depuis la fréquence initiale jusqu’à atteindre la fréquence de correction ; est une modélisation tridimensionnelle d’une cavité résonante d’un réacteur plasma pour un dépôt chimique en phase vapeur (Chemical Vapor Deposition, CVD) modélisée dans un logiciel de simulation, avec le plasma représenté sous la forme d’une demi-sphère, la cavité résonante est reliée à un système de couplage, et comprend une chambre à plasma et une précavité qui sont interfacées l’une et l’autre au moyen d’un diélectrique transparent au micro-ondes, similairement à la cavité résonante telle que conçue dans le mode de réalisation de l’invention illustré ; illustre au moyen de la modélisation tridimensionnelle du réacteur plasma de la une première configuration pour laquelle aucun plasma n’est généré/contenu à l’intérieur de la chambre à plasma ; laquelle illustration comprend deux points de mesure correspondant respectivement à la première et à la seconde position où sont mesurées des intensités du champ électrique E1, E2 dans la chambre à plasma en fonction de la fréquence source ; illustre, pour la première configuration présentée , l’évolution du rapport R entre les intensités de champ électriques E1, E2 mesurées respectivement à la première et à la seconde position, tel que R = E1/E2 pour différentes valeurs de fréquence source ; illustre, pour la première configuration présentée et , le profil du champ électrique dans la cavité résonante lorsque la fréquence source est égale à 2,40 GHz (a), 2,45GHz (b) et 2,50 GHz (c) ; illustre au moyen de la modélisation tridimensionnelle du réacteur plasma de la une seconde configuration pour laquelle un plasma a été modélisé dans la chambre à plasma, et tel qu’il soit localisé au-dessus du porte-substrat ; laquelle illustration comprend également la première position et la seconde positions où sont mesurées les intensités du champ électrique E1, E2 dans la chambre à plasma en fonction de la fréquence source, comme pour le contexte applicatif de la ; illustre, pour la seconde configuration présentée , l’évolution du rapport R entre les intensités de champ électriques E1, E2 mesurées respectivement à la première et à la seconde position, tel que R = E1/E2 pour différentes valeurs de fréquence source ; illustre une évolution de la puissance réfléchie par la cavité résonante de l’installation dans le cadre de la seconde configuration faisant l’objet des Figures 11 et 12 ; illustre, pour la seconde configuration présentée dans les Figures 11 à , le profil du champ électrique dans la cavité résonante lorsque la fréquence source est égale à 2,40 GHz (a), 2,45GHz (b) et 2,50 GHz (c) ; illustre au moyen de la modélisation tridimensionnelle du réacteur plasma de la une troisième configuration dans laquelle le plasma est positionné/collé au niveau du diélectrique transparent aux micro-ondes ; laquelle illustration comprend également la première et la seconde position où sont mesurées les intensités du champ électrique E1, E2 dans la chambre à plasma en fonction de la fréquence source, comme pour les contextes applicatifs des Figures 8 et 11 ; illustre, pour la troisième configuration présentée , l’évolution du rapport R entre les intensités de champ électriques E1, E2 mesurées à la première et à la seconde position, tel que R = E1/E2 pour différentes valeurs de fréquence source ; illustre une évolution de la puissance réfléchie par la cavité résonante de l’installation dans le cadre de la troisième configuration faisant l’objet des Figures 15 et 16 ; illustre, pour la troisième configuration présentée dans les Figures 15 à , le profil du champ électrique dans la cavité résonante lorsque la fréquence source égale à 2,40 GHz (a), 2.473 GHz (b) et 2.5 GHz (c) ; est une illustration schématique, en référence au premier mode de réalisation de la , d’un contexte applicatif d’un dépôt de longue durée d’une couche de matière sur un substrat à la fréquence initiale, avec l’épaisseur du dépôt chimique qui finit par être telle qu’il est en contact ou pénètre dans le plasma ((a) et (b)) ; l’installation étant alors conformée pour que la fréquence source à laquelle le générateur micro-ondes génère les ondes électromagnétiques varie depuis la fréquence initiale jusqu’à atteindre une fréquence de croissance pour laquelle le plasma est déplacé depuis sa position initiale, dans laquelle il est donc en contact avec le dépôt chimique, jusqu’à une nouvelle position pour que le dépôt puisse se poursuivre efficacement et sans altérer ou détériorer le dépôt chimique (c); la détection que le dépôt chimique entre en interaction avec le plasma et la détermination de la fréquence de croissance reposant respectivement sur un dépassement de la température du dépôt chimique au-dessus d’une température dite température de croissance critique pour laquelle les conditions favorables de dépôt ne sont plus rencontrées, et une diminution de la température du dépôt chimique sous la température de croissance critique ; est équivalente à la , et illustre un contexte applicatif pour lequel, suite à l’interaction entre le plasma et le dépôt chimique (a), l’installation fait varier la fréquence source jusqu’à atteindre une fréquence dite fréquence intermédiaire pour laquelle la température du dépôt chimique est sous la température de croissance critique mais également inférieure à une température minimale de croissance, signifiant que la plasma n’est pas positionné dans une position favorable au dépôt chimique sur le substrat (b) ; l’installation étant alors conformée pour faire à nouveau varier la fréquence source du générateur micro-ondes jusqu’à une fréquence de croissance vérifiant que le température du dépôt chimique est bien comprise entre la température minimale de croissance et la température de croissance critique (c) ; présente un logigramme illustrant le procédé automatique pour un dépôt chimique en phase vapeur assisté par un plasma micro-ondes mis en œuvre par l’installation de l’invention, dans un mode de réalisation pour lequel l’unité de contrôle est conformée pour faire varier la fréquence source du générateur micro-ondes dans le cas où, à la fréquence initiale : le plasma change de position dans la chambre à plasma, la variation de fréquence source ayant pour but de ramener le plasma dans une position sensiblement équivalent à sa position initiale ; les conditions pour un dépôt efficient de la couche de matière sur un substrat ne sont plus réunies, la variation de fréquence source ayant alors pour but la détermination d’une fréquence dit fréquence de croissance telle que lesdites conditions soient à nouveau respectées. [Description détaillée d’un ou plusieurs modes de réalisation de l’invention] L’invention est mise en œuvre au moyen d’une installation 1 pouvant être conçue selon différents modes de conception. Non limitativement, cinq conceptions différentes de l’installation 1 sont présentées en référence aux à (telle chaque figure présente une des cinq conceptions). Chacune des cinq installations 1 présentées comprend un générateur micro-ondes 3 à état solide et à fréquence variable conformé pour générer des ondes électromagnétiques à une fréquence source F dans la plage de fréquence des micro-ondes, cela dans un intervalle de fréquence compris, selon deux modes de réalisation de l’invention, entre 902 MHz et 928 MHz, ou bien alors entre 2,4 GHz et 2,5 GHz ; les deux intervalles de fréquence correspondant à un intervalle de fréquences autorisées pour l’émission des ondes électromagnétiques par les normes en Radiofréquence. Ces deux intervalles de fréquences comprennent les deux fréquences d’excitation pour lesquelles sont générés les plasmas 2 et réalisés les dépôts chimiques en phase vapeur assisté par un plasma 2 micro-ondes ; et qui sont respectivement égales à 915 Mhz et 2,45 GHz. Un guide micro-ondes 4 est raccordé en sortie du générateur micro-ondes 3 pour guider les ondes électromagnétiques vers l’entrée d’un système de couplage des ondes électromagnétiques 5. Dans un autre mode de conception, le guide micro-ondes 4 est remplacé par un câble coaxial pour guider les ondes électromagnétiques depuis le générateur micro-ondes 3 jusqu’au système de couplage des ondes électromagnétiques 5. Ce système de couplage des ondes électromagnétiques 5 est conformé pour transférer les ondes électromagnétiques depuis le guide micro-ondes 4 vers une cavité résonante 6 qui intègre une chambre à plasma 7 à l’intérieur de laquelle va être généré un plasma 2 micro-ondes. Selon une possibilité, le système de couplage des ondes électromagnétiques 5 comprend : - une antenne 12 (aussi appelée sonde) propageant/distribuant les ondes électromagnétiques à l’intérieur de la cavité résonante, et/ou - un court-circuit (non illustré) coulissant dans le plan normal au plan du guide micro-ondes 4 et/ou un autre court-circuit coulissant dans le même plan que le plan du guide micro-ondes mais dans le côté opposé au côté où est connecté le générateur micro-ondes 3 et par où arrivent les ondes électromagnétiques. Le système de couplage des ondes électromagnétiques 5 peut former un applicateur coaxial, avec l’antenne 12 qui forme une âme centrale conductrice, entourée d’un blindage externe conducteur présentant une paroi périphérique entourant ladite antenne 12, et avec un milieu de propagation de l’énergie micro-onde situé entre l’antenne 12 et le blindage. En références aux installations 1 des modes de conception présentés des Figures 1 à 5, la cavité résonante 6 connectée à la sortie du système de couplage des ondes électromagnétiques 5 comprend : - la chambre à plasma 7, à pression réduite (ou dépression) par rapport à la pression atmosphérique, dans laquelle est disposé un porte-substrats 8 sur lequel peut être posé au moins un substrat 81. La chambre à plasma 7 est munie d’une entrée d’un gaz de réaction 70, et d’un système de pompage 71 pour obtenir la pression réduite à l’intérieur de la chambre à plasma 7 (l’entrée du gaz de réaction 70 et le système de pompage 71 sont représentés schématiquement uniquement sur la ), - au moins un diélectrique 9, transparent aux micro-ondes, séparant la chambre à plasma 7 du système de couplage des ondes électromagnétiques 5 pour une propagation des ondes électromagnétiques à l’intérieur de la chambre à plasma 7 et au travers de l’au moins un diélectrique 9. Dans un mode de réalisation de l’invention, l’au moins un diélectrique 9 est une fenêtre en quartz ou dans un autre matériau diélectrique, qui peut être montée ou fixée sur une extrémité libre de l’antenne 12. Dans les , , et , le système de couplage des ondes électromagnétiques 5 est raccordé à une face supérieure de la cavité résonante 6, c’est-à-dire au-dessus du porte-substrat 8. Dans la et , la sortie du système de couplage des ondes électromagnétiques 5 est interfacée à la face supérieure de la cavité résonante 6. Dans la , la chambre à plasma 7 occupe l’ensemble du volume interne de la cavité résonante 6 ; avec un diélectrique 9 localisé à l’interface entre la face supérieure de la cavité résonnante 6 et la sortie du système de couplage des ondes électromagnétiques 5 pour séparer la chambre à plasma 7 du système de couplage des ondes électromagnétiques 5. Dans le mode de conception de la , la conception de l’antenne 12 est telle que son extrémité s’étend à l’intérieure de la cavité résonante 6 et surplombe la chambre à plasma 7 et le porte-substrat 8. La chambre à plasma 7 est séparée du reste du volume interne de la cavité résonante 6 par un diélectrique 9 faisant le pourtour de la face inférieure de l’extrémité de l’antenne 12 en vis-à-vis du porte-substrat 8. Ce mode de réalisation permet une propagation des ondes électromagnétiques plus ciblée/orientée vers le porte-substrat 8 et cela dans un espace plus restreint. Dans le mode de conception de la , la sortie du système de couplage des ondes électromagnétiques 5 pénètre directement à l’intérieur de la cavité résonante 6. Elle se présente sous la forme d’un conduit en T avec l’extrémité de l’antenne 12 passant par la partie centrale du conduit, et les deux entrée/sorties latérales et opposées du conduit orientées chacune vers une paroi latérale de la cavité résonante 6. Tout comme dans le mode de conception de la , la chambre à plasma 7 occupe l’ensemble du volume interne de la cavité résonante 6. Aussi, un diélectrique 9 est apposé sur chacune des entrées/sorties du conduit pour la séparation entre la chambre à plasma 7 et le système de couplage des ondes électromagnétiques 5. Dans le mode de conception de la , la sortie du système de couplage des ondes électromagnétiques 5 est raccordée à la cavité résonante 6 par sa face inférieure avec une des extrémités de l’antenne 12 pénétrant à l’intérieur de la cavité résonante 6 en-dessous du porte-substrat 8. L’extrémité de l’antenne 12 est séparée de la chambre à plasma 7 par un diélectrique 9 faisant le pourtour de la face inférieure du porte-substrat 8, et qui est également conformé pour soutenir/maintenir/stabiliser le porte-substrat 8 à l’intérieur de la cavité résonante 6. Ainsi, dans ce mode de conception, l’antenne distribue les ondes électromagnétiques sous le porte-substrat 8. Dans le mode de conception présenté , la cavité résonante 6 peut comprendre une précavité 13, en interface avec la sortie du système de couplage des ondes électromagnétiques 5 et dans lequel pénètre l’antenne 12. La précavité 13 présente une pression supérieure à celle de la chambre à plasma 7, et est interfacée à celle-ci au moyen du diélectrique 9. Avantageusement, la précavité 13 permet l’établissement des ondes électromagnétiques avant qu’elles ne se propagent dans la chambre à plasma 7. Dans la suite de la description, les éléments fournis concernent l’installation 1 quel que soit son mode de conception. Selon le contexte applicatif, et comme indiqué plus haut, le plasma 2 est généré soit à la fréquence d’excitation (autrement, la fréquence source F) de 915 Mhz, ou à la fréquence d’excitation de 2,45 GHz. En référence à la (qui à des fins illustratives et explicatives, montre la cavité résonante de l’installation 1 selon le premier mode de conception), l’invention est remarquable en ce qu’elle permet tout d’abord, de détecter si le plasma 2, qui est positionné dans une première position P1 située à une distance comprise entre 0,5 mm et 3 mm (généralement 1 mm) au-dessus du porte-substrat 8 pour que le dépôt de couche de matière à la fréquence d’excitation/fréquence source F soit réalisé efficacement, effectue ou pas un saut/change de position. Il est à noter que la position du plasma 2 est assimilée à la distance ou hauteur du plasma 2 vis-à-vis du porte-substrat 8. Dans la suite de la description, la fréquence source F telle que le plasma est dans la position P1 est appelée fréquence initiale Fi. Le plasma 2, s’il effectue un saut, peut se positionner dans une seconde position P2 dans tout le volume de la cavité résonante 6. Dans l’exemple illustratif donnée, la position P2 peut se trouver au plus près du diélectrique 9, ou alors sous le porte-substrat 8, ou bien au niveau des parois latérales internes de la cavité résonante 6, etc. L’invention est ensuite remarquable en ce qu’elle met en œuvre un procédé 100, illustré , permettant de contrôler durant une étape de contrôle S3 la position du plasma 2 dans la chambre à plasma 7. Autrement dit, si le plasma 2 a effectué un saut de la première position P1 vers la seconde position P2, celle-ci est conformée pour faire varier la fréquence source F à laquelle le générateur micro-ondes 3 génère les ondes électromagnétiques, c’est-à-dire la fréquence initiale Fi, jusqu’à atteindre une fréquence dite fréquence de correction Fc pour laquelle le plasma 2 se positionne dans une troisième position P3 qui est soit sensiblement proche de la première position P1, soit qui correspond à la première position P1. Dans le contexte applicatif où la fréquence initiale Fi est égale à 915 Mhz (respectivement 2,45 GHz), la fréquence de correction Fc est recherchée dans l’intervalle de fréquence compris entre 902 MHz et 928 MHz (respectivement entre 2,4 GHz et 2,5 GHz). A noter que la fréquence source F pouvant prendre différentes valeurs de fréquence avant que soit identifiée et atteinte la fréquence de correction Fc depuis la fréquence initiale Fi, le plasma 2 peut éventuellement occuper, entre la seconde position P2 et son retour à la première position P1 ou à la troisième position P3, différentes positions intermédiaires dans la chambre à plasma 7, dites positions parasites. Le pilotage du générateur micro-ondes 3 pour la variation de la fréquence source F en cas de changement de position du plasma 2 est assuré par une unité de contrôle 11 raccordée physiquement et/ou en communication avec le générateur micro-ondes 3 ; cette unité de contrôle 11 pouvant comprendre un processeur et/ou un contrôleur et/ou une carte électronique, ainsi qu’au moins une mémoire dans laquelle est chargée un programme permettant la mise en œuvre du procédé. L’unité de contrôle 11 détermine durant une étape de détection Q1 si le plasma 2 change ou non de position dans la chambre à plasma 7 en fonction de la variation de la valeur d’un paramètre physique Phy représentatif de la position du plasma 2. Autrement dit, en référence à la , lorsque le plasma 2 est dans la première position P1 à la fréquence initiale Fi, la valeur du paramètre physique Phy est égale à une première valeur val1. Lorsque le plasma 2 change de position pour se positionner dans la second position P2, la valeur du paramètre physique Phy change également, passant de la première val1 à une seconde valeur val2. Si l’unité de contrôle 11 détermine un saut du plasma 2 à la fréquence initiale Fi, alors est mise en œuvre l’étape de contrôle S3 qui comprend : - une étape de balayage S4 durant laquelle l’unité de contrôle 11 pilote le générateur micro-ondes 3 en lui envoyant un signal de commande afin qu’il fasse varier la fréquence source F la fréquence initiale Fi dans l’intervalle de fréquence considéré pour le fonctionnement de l’invention (c’est-à-dire, entre 902 MHz et 928 MHz, ou entre 2,4 GHz et 2,5 GHz), et - une étape de détermination S5 de la fréquence de correction Fc, au cours de laquelle l’unité de contrôle 11 détermine que le plasma 2 est revenu dans sa première position P1 ou dans une troisième position P3 sensiblement proche de la première position P1 lorsqu’elle détecte que la valeur du paramètre physique Phy redevient sensiblement égale à val1. Suite à cette détection, elle envoie un signal d’arrêt au générateur micro-onde 3 pour qu’il stoppe le balayage en fréquence ; la fréquence source sur laquelle le générateur micro-ondes s’étant arrêté correspondant à la fréquence de correction Fc. A noter que la variation de la fréquence source F, qu’il s’agisse d’une diminution ou d’une augmentation de fréquence, est réalisée progressivement et non abruptement autour de la fréquence initiale Fi dans la mesure où une trop forte variation pourrait ne pas permettre de détecter la fréquence de correction Fc ; ou bien provoquer d’autres sauts du plasma 2, voire son extinction. Les valeurs que prend le paramètre physique Phy sont mesurées, durant une étape de surveillance S1, et transmises, durant une étape de transmission S2, en continu à l’unité de contrôle 11 par un dispositif de surveillance 10, qui est donc raccordé physiquement et/ou en communication avec celle-ci, et qui peut être en partie contenu à l’intérieur de la cavité résonante 6 et/ou de la chambre à plasma 7 pour procéder aux mesures. Dans une première variante de réalisation de l’invention, le dispositif de surveillance 10 comprend un détecteur de luminosité comprenant une fibre optique en direction d’un point dans la chambre à plasma 7, plus précisément en direction de la première position P1 située à une distance prédéterminée au-dessus du porte-substrat 8. Le dispositif de surveillance 10 transmet comme paramètre physique Phy à l’unité de contrôle 11 une intensité lumineuse représentative de la luminosité à la première position P1. Selon que le plasma 2 soit positionné ou non dans la première position P1, l’intensité de luminosité mesurée est différente. Ainsi, suivant les valeurs/variations d’intensité de luminosité relevées, l’unité de contrôle 11 parvient à déterminer : si à la fréquence initiale Fi, le plasma 2 a sauté depuis la première position P1 jusqu’à atteindre une seconde position P2 ; et si lors du pilotage du générateur micro-ondes 3 pour la variation de la fréquence source F suite au saut du plasma 2, le plasma a sauté de la seconde position P2 pour revenir dans la première position P1 ou atteindre une troisième position P3 sensiblement proche de la première position P1. Dans une seconde variante de réalisation de l’invention, le dispositif de surveillance 10 comprend un dispositif de mesure de puissance micro-ondes, et transmet comme paramètre physique Phy à l’unité de contrôle 11 une puissance réfléchie Pr par la cavité résonante 6. Le saut du plasma 2 de la première position P1 à une seconde position P2 se traduit par une augmentation plus ou moins significative de la puissance réfléchie Pr, la cavité résonante 6 étant, avant le saut du plasma 2, adaptée. Le retour du plasma 2 à la première position P1, ou dans une troisième position P3 sensiblement proche de la première position P1, à la fréquence de correction Fc se traduit dans la grande majorité des cas par une diminution de la puissance réfléchie Pr, la cavité résonante 6 étant à nouveau adaptée. Ainsi, l’unité de contrôle 11 commande le générateur micro-onde 3 et lui fait initier ou stopper le balayage en fréquence selon qu’elle détecte une augmentation ou une diminution de la puissance réfléchie Pr par la cavité résonante 6. Dans une troisième variante de réalisation, le dispositif de surveillance 10 comprend un dispositif conformé pour mesurer une température pouvant correspondre à la température cible Tm de la couche de matière/du dépôt chimique, ou d’un substrat 81, ou du porte-substrats 8, qu’il transmet comme paramètre physique Phy à l’unité de contrôle 11. Lorsque le plasma 2 est, dans sa première position P1, proche du dépôt chimique (par exemple, à 1 mm au-dessus de lui) en vue de le faire croitre, le dépôt chimique est à une certaine température cible Tm. Lorsque le plasma 2 saute pour se positionner dans la seconde position P2, la température cible Tm du dépôt chimique diminue. Il est également envisageable qu’une diminution de la température cible Tm puisse être mesurée au niveau du substrat 81 ou du porte-substrats 8 s’ils ne sont pas fabriqués avec un matériau sensible à la température. L’unité de contrôle 11 envoie ainsi le signal de commande au générateur micro-ondes 3 pour une variation de la fréquence source F lorsqu’elle détecte une diminution de température cible Tm à partir des mesures transmises par le dispositif de surveillance 10. Inversement, elle envoie le signal d’arrêt au générateur micro-ondes 3 qu’il stoppe le balayage en fréquence lorsqu’elle détecte une élévation de la température cible Tm au niveau du dépôt chimique, ou de l’au moins un substrat 81, ou du porte-substrats 8, signifiant que le plasma 2 a sauté depuis la seconde position P2 pour atteindre la première position P1 ou une troisième position P3 suffisamment proche. En référence aux Figures 7 à 18, le phénomène de saut de plasma 2 dans une cavité résonante 6 est illustré aux moyens de simulations réalisées sous un logiciel de conception/simulation, à partir d’une modélisation tridimensionnelle d’une cavité résonante 6 d’un réacteur plasma. L’effet de la variation de la fréquence source F sur la résonance dans la cavité résonante 6 est également illustré. En référence à la , la modélisation tridimensionnelle de la cavité résonante 6 comprend : - une chambre à plasma 7 maintenue sous vide pour la génération du plasma 2 et maintenir un volume réactionnel étanche aux impuretés ; - un porte-substrat 8 ; - une précavité 13 à une pression supérieure à la chambre à plasma 7 pour l’établissement des ondes électromagnétiques avant leur arrivée dans la chambre à plasma 7 ; - un diélectrique 9 (une fenêtre en quartz) séparant la précavité 13 de la chambre à plasma 7 ; - un système de couplage des ondes électromagnétiques 5 comprenant une antenne 12 pour acheminer les ondes électromagnétiques dans la précavité 13. Le plasma 2 est considéré comme étant une charge fictive possédant des propriétés diélectriques (permittivité, pertes) modélisées. Trois configurations sont considérées : - la première configuration, illustrée dans les Figures 8 à 10, correspond au démarrage de l’installation 1 avant qu’un plasma 2 ne soit généré dans la chambre à plasma 7 ; - la seconde configuration, illustrée dans les Figures 11 à 14, correspond au contexte applicatif pour lequel le plasma 2 est situé dans la première position P1, à 1 mm au-dessus du porte-substrat 8 ; et - la troisième configuration, illustrée dans les Figures 15 à 18, correspond au contexte applicatif dans lequel le plasma 2 a effectué un saut pour se positionner dans la seconde position P2 qui est ici une position dans laquelle le plasma 2 est quasiment collé ou plaqué sous le diélectrique 9 ; avec le diélectrique 9 positionné à une distance de 120 mm au-dessus du porte-substrat 8, et le plasma 2 ayant environ une épaisseur de 10 mm. Pour chacune des configurations ( , et ) : - est tracé, respectivement dans les , et , pour différentes valeurs de fréquence source F comprise entre 2,4 GHz et 2,5 GHz, le rapport R entre : l’intensité E1 du champ électrique mesurée à la première position P1 qui est située à 1 mm au-dessus du porte substrat 8 suivant l’axe x; et l’intensité E2 du champ électrique mesurée à la seconde position P2 qui est située à 115 mm au-dessus du porte substrat 8 suivant l’axe x et donc à 5 mm en dessous du diélectrique 9 ; - est illustré, respectivement dans les et la , la répartition du champ électromagnétique dans la cavité résonante 6 lorsque la fréquence source F est égale à 2,4 GHz, 2,45 GHz et 2,5 GHz ; et dans la lorsque la fréquence F est égale à 2,4 GHz, 2.473 GHz et 2,5 GHz. Pour la seconde et la troisième configuration est également illustrée, respectivement dans les Figures 13 et 17, l’évolution de la puissance réfléchie Pr dans la cavité résonante 6 pour différentes valeurs de fréquence source F comprise entre 2,4 GHz et 2,5 GHz. Dans la première configuration, avant l’allumage du plasma 2, la variation de la fréquence source F entraine un déplacement des maximums de champ dans la cavité ( ). Le rapport R des intensités E1 et E2 des champs électriques mesurés au niveau du porte-substrat 8 à la première position P1 et en-dessous du diélectrique 9 à la seconde position P2, passe de 2 pour F = 2,4 GHz à 2,75 pour F = 2,45 GHz et 3,6 pour F = 2,5 GHz. Cela signifie que la probabilité de crée un plasma au niveau du porte-substrat 8 augmente avec l’augmentation de la fréquence source F. Dans la seconde configuration, la répartition du champ électrique dans la cavité résonante 6 varie peu en fonction de la fréquence ( ). En référence à la , le rapport R varie également peu en étant égal à 2 pour F = 2,4 GHz, de 2,15 pour F = 2,45 GHz et 2,4 pour F = 2,5 GHz ( ). En référence à la , la puissance réfléchie Pr est d’environ 20 % à la fréquence source F de 2,45 GHz. En pratique, dans les réacteurs à plasma, la puissance réfléchie Pr est réduite grâce à un adaptateur d’impédance (typiquement un adaptateur 3-stub et possiblement un piston de court-circuit, situé(s) en amont du système de couplage des ondes électromagnétiques 5). Le modèle tridimensionnel de la cavité résonante 6 présenté est donc semblable à un système sans adaptateur d’impédance, avec la puissance réfléchie Pr varie de 30 % à 2 % quand la fréquence source F varie entre 2,4 GHz et 2,5 GHz. Ainsi, dans un mode de réalisation de l’installation, la variation de fréquence peut être envisagée comme une solution pour procéder à de l’adaptation d’impédance, permettant ainsi de se passer d’adaptateur mécanique. Dans la troisième configuration, lorsque le plasma 2 est situé sous le diélectrique 9, la variation de fréquence source F, comme illustré sur la , à une forte influence sur la répartition du champ électromagnétique dans la cavité. En effet comme montré , le rapport R des intensités E1 et E2 des champs électriques varie fortement avec la variation de la fréquence source F en atteignant un maximum de 298 pour F = 2,473 GHz. Cette valeur est environ 25 fois supérieure à celle obtenue pour F = 2,5 GHz, environ 50 fois supérieure à sa valeur pour F = 2,4 GHz, et environ 17 fois supérieure à sa valeur pour F = 2,45 GHz. En d’autres termes, à F = 2,473 GHz, le champ électrique au-dessus du porte-substrat 8 est environ 300 fois supérieur à celui que le plasma 2 absorbe. A noter que le rapport R des intensités E1 et E2 des champs électriques à la fréquence source F de 2,45 GHz passe d’environ 2,15 à 17 lorsque le plasma passe de sa position initiale / de la première position P1 (illustrée par la seconde configuration) à sa seconde position P2 ; signifiant qu’il est possible que le plasma 2 puisse se repositionner dans une autre position. D’une manière générale, la probabilité que le plasma 2 saute de la première position P1 vers la seconde position P2 est plus élevée que la probabilité de saut de la seconde position P2 vers la première position P1, notamment lorsque le plasma se positionne comme ici au plus près de l’arrivée des ondes électromagnétiques. Cependant, dans l’exemple illustré, la différence entre les rapports R des champs électriques est telle (le rapport R à F = 2,473 GHz est 50 fois supérieur à celui pour la fréquence F = 2,45 GHz) que la probabilité de saut de seconde position P2 à la première position P1 est élevée. La modélisation tridimensionnelle de la cavité résonante 6 montre ainsi que le champ électrique est particulièrement sensible à la fréquence source F lorsque le plasma 2 est dans une seconde position P2, et qu’une variation de fréquence peut conduire, suite aux forts changements du rapport R du champ électrique au niveau du porte-substrat 8 sur le champ électrique dans le plasma 2 dans sa deuxième position P2, à un repositionnement du plasma au niveau du porte-substrat 8 (soit dans sa première position P1). En référence à la , la puissance réfléchie Pr varie faiblement pour les différentes valeurs de fréquence source F mais reste plus élevée que lorsque le plasma 2 est dans première position P1 (voir ), montrant qu’une variation abrupte de la puissance réfléchie Pr peut indiquer un saut de plasma 2 ; d’autant plus que dans la première position P1, la cavité résonante 6 est alors adaptée, faisant que la puissance réfléchie variera alors de presque 0 à plusieurs pourcents voire dizaines de pourcents. C’est pourquoi la puissance réfléchie est considéré, dans un des modes de réalisation de l’invention, comme étant le paramètre physique Phy servant à contrôler la position du plasma 2. Optionnellement, en référence à la , le procédé 100 mis en œuvre pour le contrôle de la position du plasma 2, après que celui-ci soit revenu dans la première position P1 ou dans une troisième position P3 suffisamment proche à la fréquence de correction Fc, peut comprendre une étape de retour S6 à la fréquence initiale Fi. Durant cette étape, l’unité de contrôle 11 envoie un signal de retour au générateur micro-ondes 3 afin qu’il fasse varier la fréquence source F depuis la fréquence de correction Fc jusqu’à la fréquence initiale Fi. Ce retour à la fréquence initiale Fi peut être mis en œuvre dans le cas où, comparativement à la fréquence initiale Fi, le plasma 2 serait moins stable à la fréquence de correction Fc à la première position P1 ou dans la troisième position P3 proche. Suite à l’étape de retour S6 à la fréquence initiale Fi, l’unité de contrôle commande est conformée, durant une étape de vérification de stabilité Q3, pour vérifier si le plasma 2, suite à ce retour à la fréquence initiale Fi, effectue à nouveau un saut ou non depuis la première position P1 (ou la troisième position P3 proche) vers une seconde position P2 (qui peut correspondre à la même seconde position P2 que précédemment, ou à une autre position dans la cavité résonante 6 ou la chambre à plasma 7). Si aucun saut est détecté, alors la fréquence F reste à la fréquence initiale Fi. Si au contraire un nouveau saut est détecté par l’unité de contrôle 11, l’étape de balayage S4 et l’étape de détermination S5 de la fréquence de correction Fc sont à nouveau mises en œuvre. En revanche, une fois l’étape de détermination S5 de la fréquence de correction réalisée, la fréquence source F reste à la fréquence de correction Fc, étant donné qu’un retour à la fréquence initiale Fi a précédemment provoqué un saut du plasma 2. C’est pourquoi le procédé met en œuvre, dans le mode de réalisation présenté, suite à l’étape de détermination S5 de la fréquence de correction Fc, une étape de vérification d’ajustement Q2 durant laquelle l’unité de contrôle vérifie si elle a ou non déjà piloté le générateur micro-ondes pour un retour ou non à la fréquence initiale Fi. Si c’est le cas, la fréquence source F reste à la valeur de la fréquence de correction Fc. Si non, l’étape de retour S6 à la fréquence initiale Fi est réalisée. Une seconde application de l’installation 1 est de permettre de contrôler la position du plasma 2 pour un dépôt chimique de couche de matière efficient sur les substrats 81. Comme précédemment indiqué, le plasma 2 est positionné initialement dans une première position P1 suffisamment proche des substrats et/ou du porte substrat 8. Toutefois, au fur et à mesure du dépôt chimique, l’épaisseur de la couche de matière croît. Aussi, pour un dépôt chimique de longue durée, il est possible que l’épaisseur de couche de matière entre en contact avec le plasma 2 ou pénètre partiellement à l’intérieur, modifiant les conditions du dépôt chimique et, par répercussion, altérant les propriétés de la couche de matière. Ainsi, durant une étape de détermination de limite de croissance Q4, l’unité de contrôle 11 détecte si à la fréquence initiale Fi, la valeur du paramètre physique Phy relevée par le dispositif de surveillance 10 est également en conformité avec une valeur de seuil de croissance représentative d’une condition favorable de dépôt, et qui est prédéterminée. Dans le cas où la valeur du paramètre physique Phy n’est plus en conformité avec la valeur de seuil de croissance, c’est-à-dire que la condition favorable de dépôt n’est plus rencontrée (avec l’épaisseur de couche de matière en interaction avec le plasma 2), l’unité de contrôle 11 initie une seconde étape de balayage durant laquelle elle envoie un signal de début au générateur micro-ondes 3 afin qu’il procède à un balayage en fréquence depuis la fréquence initiale Fi. Pour rappel, si la fréquence initiale Fi est égale à 915 Mhz (respectivement 2,45 GHz), le balayage en fréquence est opéré entre 902 MHz et 928 MHz (respectivement entre 2,4 GHz et 2,5 GHz). Le balayage en fréquence a ici pour but d’identifier une fréquence source F telle que le plasma 2 effectue un saut et se repositionne dans une position suffisant distante des substrats 81 et/ou du porte-substrats 8 pour que le dépôt de la couche de matière soit à nouveau efficient. Comme expliqué antérieurement, l’avantage d’un tel principe de fonctionnement est de ne plus devoir employer pour le dépôt de la couche de matière un porte-substrat 8 amovible, et de s’affranchir de ses inconvénients ; par exemple : une translation verticale limitée du porte-substrats 8 pouvant éventuellement induire un changement dans la résonance de la cavité résonante 6 et produire un saut du plasma 2 non souhaité). Suite à la seconde étape de balayage S7, l’unité de contrôle 11, au cours d’une étape de détermination S8 d’une fréquence de croissance Fg, détecte la valeur du paramètre physique Phy redevient conforme à la valeur de seuil de croissance. Elle envoie alors un signal de fin au générateur micro-ondes 3 pour qu’il stoppe la variation en fréquence. La fréquence source F est alors égale à une fréquence de croissance Fg pour laquelle le dépôt de couche de matière sure les substrats 81 se poursuit. En lien avec la description de l’ensemble des étapes permettant le contrôle de la position du plasma 2 lorsqu’il effectue un saut non souhaité, la fréquence de croissance Fg peut être vue comme une nouvelle fréquence initiale Fi, alors que la position dans laquelle se trouve le plasma 2 à cette fréquence comme une nouvelle première position P1. Lorsque la croissance est de longue durée, le contact entre le dépôt chimique et le plasma 2 se traduit par une élévation drastique de la température cible Tm. Par transfert de chaleur en provenance du dépôt chimique, les substrats 81 et le porte-substrats 8 vont également augmenter en température s’ils sont sensibles à celle-ci. Lorsque la température cible Tm dépasse une température critique Tcrit de croissance, qui est généralement de l’ordre de 1000°C, les conditions de croissance du dépôt de couche de matière sont altérées. Dans le pire cas, une dégradation/détérioration des propriétés du dépôt chimique sont observées. Ainsi, lorsque le paramètre physique Phy mesuré par le dispositif de surveillance correspond à la température cible Tm de la couche de matière, ou d’un substrat 81, ou du porte-substrats 8, l’unité de contrôle 11 est conformée pour détecter durant l’étape de détermination de limite de croissance Q4, à partir des mesures en température transmises par le dispositif de surveillance 10 lors de l’étape de transmission S2, si la température cible Tm mesurée dépasse ou non la température critique de croissance Tcrit (qui correspond donc dans ce mode de réalisation à la valeur de seuil de croissance). Si c’est le cas, la seconde étape de balayage S7 et l’étape de détermination S8 de la fréquence de croissance Fg sont mises en œuvre. Durant l‘étape de détermination S8, l’unité de contrôle détermine que la fréquence source F correspond à la fréquence de croissance Fg lorsque : - la température cible Tm mesurée par le dispositif de surveillance 10 redescend en dessous de la température critique de croissance Tcrit, mais également - que la température cible Tm mesurée ne descend pas en-dessous d’une température minimale de croissance (Tmin) pour laquelle toute température cible Tm qui lui est inférieure ne permet pas le dépôt chimique. En d’autres termes, l’unité de contrôle 11 détecte que la fréquence de croissance Fg est atteinte lorsque la température cible Tm mesurée est comprise entre la température critique de croissance Tcrit et la température minimale de croissance (Tmin). Elle parvient aussi à déterminer si la diminution en température cible Tm se traduit par un saut du plasma 2 : - dans une position suffisamment proche du dépôt chimique pour que le dépôt chimique se poursuive efficacement (soit une température cible Tm mesurée au-dessus de la température minimale de croissance Tmin), ou au contraire - dans une seconde position empêchant la poursuite du dépôt (soit une température cible Tm mesurée en-dessous de la température minimale de croissance Tmin). Dans le second cas, l’unité de contrôle 11 est conformée pour piloter le générateur micro-ondes 3 afin qu’il fasse varier la fréquence source F, qui correspond alors à une fréquence intermédiaire Fx, jusqu’à atteindre une nouvelle fréquence pour laquelle la température cible Tm mesurée redevient supérieure à la température minimale de croissance Tmin tout en demeurant inférieure à la température critique de croissance Tcrit, signifiant alors que le plasma 2 est positionné à une hauteur adaptée du dépôt chimique pour sa croissance. Cette nouvelle fréquence est alors considérée comme étant la fréquence de croissance Fg. Installation (1) pour un dépôt chimique en phase vapeur assisté par un plasma (2) micro-ondes, l’installation (1) comprenant : - un générateur micro-ondes (3) générant des ondes électromagnétiques à une fréquence source (F) donnée comprise dans au moins un intervalle de fréquences d’une plage de fréquences des micro-ondes, - un système de couplage des ondes électromagnétiques (5) raccordé au générateur micro-ondes (3), et qui est conformé pour transférer les ondes électromagnétiques à une cavité résonante (6), laquelle cavité résonnante (6) comprenant au moins : - une chambre à plasma (7) dans laquelle est disposé un porte-substrats (8) sur lequel peut être posé au moins un substrat (81), ladite chambre à plasma (7) étant munie d’une entrée d’un gaz de réaction, et d’un système de pompage (71) pour établir une pression réduite à l’intérieur de la chambre à plasma (7), - au moins un diélectrique (9), transparent aux micro-ondes, séparant la chambre à plasma (7) du système de couplage des ondes électromagnétiques (5) pour une propagation des ondes électromagnétiques à l’intérieur de la chambre à plasma (7) et au travers dudit diélectrique (9), l’installation (1) étant caractérisée en ce qu’elle comprend au moins un dispositif de surveillance (10) pour mesurer un paramètre physique (Phy) dépendant d’une position du plasma (2) à l’intérieur de la chambre à plasma (7), en ce que le générateur micro-ondes (3) est un générateur à état solide et à fréquence variable, et en ce qu’elle comprend une unité de contrôle (11) raccordée à l’au moins un dispositif de surveillance (10) et audit générateur micro-ondes (3) pour faire varier la fréquence source (F) en fonction d’une mesure du paramètre physique (Phy) pour contrôler la position du plasma (2). Installation (1) selon la revendication 1, dans laquelle la fréquence source (F) est initialement à une fréquence initiale (Fi), et l’unité de contrôle (11) est conformée pour déterminer un changement de position du plasma (2) généré à cette fréquence initiale (Fi) depuis une première position (P1) vers une seconde position (P2) distincte de la première position (P1), à partir d’une variation du paramètre physique (Phy) mesurée par l’au moins un dispositif de surveillance (10), et pour faire varier la fréquence source (F) depuis la fréquence initiale (Fi) jusqu’à atteindre une fréquence de correction (Fc) ramenant le plasma (2) depuis la seconde position (P2) vers sensiblement la première position (P1). Installation (1) selon la revendication 2, dans laquelle l’unité de contrôle (11) est conformée pour déterminer le changement de position du plasma (2) lorsque le paramètre physique (Phy) varie depuis une première valeur (val1) vers une seconde valeur (val2), et pour faire varier la fréquence source (F) depuis la fréquence initiale (Fi) jusqu’à la fréquence de correction (Fc) jusqu’à ce que le paramètre physique (Phy) varie inversement depuis la seconde valeur (val2) vers sensiblement la première valeur (val1). Installation (1) selon la revendication 2 ou 3, dans laquelle l’unité de contrôle (11) : - suite à une détection du changement de position du plasma (2), est conformée pour envoyer un signal de commande au générateur micro-ondes (3) lequel, à réception dudit signal de commande, fait varier la fréquence source (F) dans l’au moins un intervalle de fréquences ; - suite à un retour du plasma (2) dans la première position (P1), est conformée pour envoyer un signal d’arrêt au générateur micro-ondes (3) lequel, à réception dudit signal d’arrêt, cesse de faire varier en fréquence la fréquence source (F) dans l’au moins un intervalle de fréquences, la fréquence source (F) étant alors égale à la fréquence de correction (Fc). Installation (1) selon l’une quelconque des revendications 2 à 4, dans laquelle une fois le plasma (2) repositionné dans la première position (P1) suite à la variation de la fréquence source (F), l’unité de contrôle (11) est conformée pour faire varier la fréquence source (F) du générateur micro-ondes (3) depuis la fréquence de correction (Fc) jusqu’à revenir à la fréquence initiale (Fi). Installation (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle la fréquence source (F) est initialement à la fréquence initiale (Fi), et l’unité de contrôle (11) est conformée pour faire varier la fréquence source (F) du générateur micro-ondes (3) depuis la fréquence initiale (Fi) jusqu’à atteindre une fréquence de croissance (Fg) comprise dans l’au moins un intervalle de fréquence, en réponse à une variation du paramètre physique (Phy) mesuré par l’au moins un dispositif de surveillance (10) telle que ledit paramètre physique (Phy) n’est plus conforme à une valeur de seuil de croissance donnée, ladite fréquence de croissance (Fg) étant établie par ladite unité de contrôle (11) de sorte que ledit paramètre physique (Phy) est à nouveau conforme à la valeur de seuil de croissance pour cette fréquence de croissance (Fg). Installation (1) selon la revendication 6, dans laquelle l’unité de contrôle (11) est conformée pour : - en réponse à la variation du paramètre physique (Phy) telle que ledit paramètre physique (Phy) n’est plus conforme à la valeur de seuil de croissance, envoyer un signal de début au générateur micro-ondes (3) lequel, à réception dudit signal de début, fait varier la fréquence source (F) depuis la fréquence initiale (Fi) dans l’au moins un intervalle de fréquences ; et - en réponse à la mesure du paramètre physique (Phy) telle que ledit paramètre physique (Phy) redevient conforme à la valeur de seuil de croissance, envoyer un signal de fin au générateur micro-ondes (3) lequel, à réception dudit signal de fin, cesse de faire varier la fréquence source (F) qui a atteint la fréquence de croissance (Fg). Installation (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle l’au moins un dispositif de surveillance (10) comprend un détecteur de luminosité comprenant une fibre optique orientée en direction d’un point dans la chambre à plasma (7) où elle capte une intensité lumineuse du plasma (2) qui constitue ainsi le paramètre physique (Phy) associé audit détecteur de luminosité, de telle sorte que ledit détecteur de luminosité détecte une variation de l’intensité lumineuse en ce dit point dans le cas où le plasma (2) se déplace. Installation (1) selon les revendications 2 et 8, dans laquelle la fibre optique est orientée en direction de la première position (P1), le changement de position du plasma (2) à la fréquence initiale (Fi) étant détecté par l’unité de contrôle (11) suite à la variation de l’intensité lumineuse détectée par le détecteur de luminosité. Installation (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle l’au moins un dispositif de surveillance (10) comprend un dispositif de mesure de puissance micro-ondes conformé pour mesurer une puissance réfléchie (Pr) par la cavité résonante (6), laquelle puissance réfléchie constituant ainsi le paramètre physique (Phy) associé audit dispositif de mesure de puissance micro-ondes. Installation (1) selon les revendications 2 et 10, dans laquelle l’unité de contrôle (11) détecte à la fréquence initiale (Fi) le changement de position du plasma (2) lorsque le dispositif de mesure de puissance micro-ondes mesure une augmentation de la puissance réfléchie (Pr). Installation (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle l’au moins un dispositif de surveillance (10) comprend un dispositif de mesure de température conformé pour mesurer une température cible (Tm) à l’intérieur de la chambre à plasma (7), au niveau du dépôt chimique sur l’au moins un substrat (81), laquelle température cible (Tm) constituant ainsi le paramètre physique (Phy) associé audit dispositif de mesure de température. Installation (1) selon les revendications 2 et 12, dans laquelle l’unité de contrôle (11) détecte à la fréquence initiale (Fi) le changement de position du plasma (2) lorsque le dispositif de mesure de température mesure une diminution de la température cible (Tm). Installation (1) selon les revendications 6 et 12, dans laquelle la valeur de seuil de croissance correspond à une température critique de croissance (Tcrit) de la température cible (Tm) mesurée par le dispositif de mesure de température, de sorte que le paramètre physique (Phy) n’est plus conforme à la valeur de seuil de croissance lorsque la température cible (Tm) est supérieure ou égale à ladite température critique de croissance (Tcrit), et le paramètre physique (Phy) est à nouveau conforme à la valeur de seuil de croissance lorsque la température cible (Tm) redevient inférieure à la température critique de croissance (Tcrit). Installation (1) selon la revendication 14, dans laquelle la température critique de croissance (Tcrit) est égale à 1000°C, à plus ou moins 100 degrés. Installation (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle la plage de fréquences des micro-ondes est comprise entre 300 MHz et 10 GHz. Installation (1) selon la revendication 16, dans laquelle l’au moins un intervalle de fréquences est compris entre 902 MHz et 928 MHz, ou bien entre 2400 MHz et 2500 MHz. Installation (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle le système de couplage des ondes électromagnétiques (5) comprend une antenne (12). Installation (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle la cavité résonante (6) comprend une précavité (13), ayant une pression supérieure à celle de la chambre à plasma (7), et interfacée à la chambre à plasma (7) au moyen de l’au moins un diélectrique (9). Procédé (100) pour un dépôt chimique en phase vapeur assisté par un plasma (2) micro-ondes, le procédé (100) étant mis en œuvre par une installation (1) conforme à l’une quelconque des revendications précédentes, et comprenant au moins : - une étape de surveillance (S1) durant laquelle l’au moins un dispositif de surveillance (10) effectue une mesure du paramètre physique (Phy) dépendant de la position du plasma (2) à l’intérieur de la chambre à plasma (7) ; - une étape de transmission (S2) durant laquelle l’au moins un dispositif de surveillance (10) transmet la mesure du paramètre physique (Phy) à l’unité de contrôle (11) ; - une étape de contrôle (S3) durant laquelle l’unité de contrôle (11) fait varier la fréquence source (F) en fonction de la mesure du paramètre physique (Phy) pour contrôler la position du plasma (2). Procédé (100) selon la revendication 20, dans lequel l’étape de contrôle (S3) comprend les étapes suivantes : - une étape de détection (Q1) durant laquelle l’unité de contrôle (11) détermine, à la fréquence initiale (Fi), un changement de position du plasma (2) depuis une première position (P1) vers une seconde position (P2), à partir d’une variation du paramètre physique (Phy) mesurée par l’au moins un dispositif de surveillance (10) ; - une étape de balayage (S4) se déroulant après l’étape de détection (Q1), durant laquelle l’unité de contrôle (11) envoie au générateur micro-ondes (3) un signal de commande afin qu’il fasse varier la fréquence source (F) depuis la fréquence initiale (Fi) dans l’au moins un intervalle de fréquences; - une étape de détermination (S5) de la fréquence de correction (Fc) durant laquelle l’unité de contrôle (11) détermine le retour du plasma (2) depuis la seconde position (P2) vers sensiblement la première position (P1), puis envoie au générateur micro-ondes (3) un signal d’arrêt afin qu’il cesse de faire varier la fréquence source (F), la fréquence de correction (Fc) étant alors désormais considérée comme la fréquence source (F). Procédé (100) selon la revendication 21 pour lequel, durant l’étape de détection (Q1), l’unité de contrôle (11) est conformée pour déterminer le changement de position du plasma (2) lorsque le paramètre physique (Phy) varie depuis une première valeur (val1) vers une seconde valeur (val2). Procédé (100) selon la revendication 21 ou 22 pour lequel, durant l’étape de détermination (S5) de la fréquence de correction (Fc), l’unité de contrôle (11) est conformée pour déterminer le retour du plasma (2) depuis la seconde position (P2) vers sensiblement la première position (P1) lorsque le paramètre physique (Phy) varie de la seconde valeur (val2) vers sensiblement la première valeur (val1). Procédé (100) selon l’une quelconque des revendications 21 à 23, dans lequel le procédé (100) comprend une étape de retour (S6) à la fréquence initiale (Fi) qui se déroule après l’étape de détermination (S5) de la fréquence de correction (Fc), et durant laquelle l’unité de contrôle (11), après avoir déterminé le retour du plasma (2) à la première position (P1), est conformée pour envoyer un signal de retour au générateur micro-ondes (3) afin qu’il fasse varier la fréquence source (F) depuis la fréquence de correction (Fc) jusqu’à la fréquence initiale (Fi). Procédé (100) selon la revendication 24, dans lequel le procédé (100) comprend une étape de vérification de stabilité (Q3) qui se déroule après l’étape de retour (S6) à la fréquence initiale (Fi), durant laquelle l’unité de contrôle (11) détermine, lorsque la fréquence source (F) est à nouveau égale à la fréquence initiale (Fi), si le plasma (2) effectue à nouveau un changement de position depuis la première position (P1) vers la seconde position (P2) ; le procédé (100) mettant alors à nouveau en œuvre, si le changement de position est déterminé, l’étape de balayage (S4) et l’étape de détermination (S5) de la fréquence de correction (Fc). Procédé (100) selon l’une quelconque des revendications 20 à 25, dans lequel ledit procédé (100) comprend : - une étape de détermination de limite de croissance (Q4), durant laquelle l’unité de contrôle (11) est conformée pour déterminer si le paramètre physique (Phy) mesuré par l’au moins un dispositif de surveillance (10) n’est plus conforme à une valeur de seuil de croissance donnée ; - une seconde étape de balayage (S7) se déroulant après l’étape de détermination de limite de croissance (Q4), durant laquelle l’unité de contrôle (11) envoie au générateur micro-ondes (3) un signal de début afin qu’il fasse varier la fréquence source (F) depuis la fréquence initiale (Fi) dans l’au moins un intervalle de fréquence ; - une étape de détermination (S8) d’une fréquence de croissance (Fg), durant laquelle l’unité de contrôle (11) détermine que le paramètre physique (Phy) redevient conforme à la valeur de seuil de croissance et que le plasma (2) est localisé dans une position de croissance telle que celle-ci soit distante d’une distance de croissance donnée au-dessus de la première position (P1), puis envoie un signal de fin au générateur micro-ondes (3) afin qu’il cesse de faire varier la fréquence source (F) qui est alors égale à la fréquence de croissance (Fg) établie par ladite unité de contrôle (11) de sorte que ledit paramètre physique (Phy) est à nouveau conforme à la valeur de seuil de croissance pour cette fréquence de croissance (Fg).