Brevet FR3144404A1 — publié le 20240628

Dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes tridimensionnelles La présente description concerne un dispositif optoélectronique (5) comprenant une première diode électroluminescente (GLED) comprenant des éléments semiconducteurs tridimensionnels, correspondant chacun à un microfil, un nanofil, ou un élément conique ou tronconique de taille micrométrique ou nanométrique, et une zone active recouvrant chaque élément semiconducteur tridimensionnel, la première diode électroluminescente étant configurée pour émettre un rayonnement (RL) avec un spectre d'émission pour lequel l'intensité lumineuse est supérieure à 80 % de l'intensité lumineuse maximale du spectre sur une première plage de longueurs d'ondes supérieure à 30 nm et pour lequel l'intensité lumineuse est supérieure à 50 % de l'intensité lumineuse maximale sur une deuxième plage de longueurs d'ondes inférieure à la première plage augmentée de 30 nm ; et un filtre optique passe bande (F_LED) recouvrant la première diode électroluminescente. Figure pour l'abrégé : Fig. 3 Dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes tridimensionnelles La présente demande concerne un dispositif optoélectronique, notamment un pixel d'affichage pour un écran d'affichage ou pour un panneau de rétroéclairage, comprenant des diodes électroluminescentes tridimensionnelles à base de matériaux semiconducteurs, et son procédé de fabrication. Une diode électroluminescente à base de matériaux semiconducteurs comprend généralement une zone active qui est la région de la diode électroluminescente depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement électromagnétique fourni par la diode électroluminescente. La structure et la composition de la zone active sont adaptées pour obtenir un rayonnement électromagnétique ayant les propriétés souhaitées. En particulier, il est généralement recherché l'obtention d'un rayonnement électromagnétique à spectre étroit, idéalement sensiblement monochromatique. On s'intéresse plus particulièrement ici à des dispositifs optoélectroniques à diodes électroluminescentes tridimensionnelles, c’est-à-dire des diodes électroluminescentes comprenant chacune un élément semiconducteur tridimensionnel de taille micrométrique ou nanométrique s'étendant selon une direction privilégiée, par exemple un microfil ou un nanofil, et dont la zone active recouvre l'élément semiconducteur tridimensionnel. En particulier, une diode électroluminescente tridimensionnelle est dite de type radiale lorsque sa zone active s'étend au moins sur les parois latérales de l'élément semiconducteur tridimensionnel. La longueur d'onde centrale du rayonnement émis par une diode électroluminescente tridimensionnelle de type radial dépend notamment du diamètre de l'élément semiconducteur tridimensionnel sur lequel repose la zone active de la diode électroluminescente. Un procédé de fabrication de dispositifs optoélectroniques comprend la formation de diodes électroluminescentes tridimensionnelles radiales sur une plaque et la découpe de la plaque pour séparer les dispositifs optoélectroniques. Avec les procédés connus de fabrication de diodes électroluminescentes tridimensionnelles radiales comprenant notamment des étapes de croissance par épitaxie, lorsque les conditions de croissance devraient en théorie conduire à l'obtention sur une même plaque d'éléments semiconducteurs tridimensionnels des diodes électroluminescentes de mêmes dimensions, on observe en pratique une dispersion globale importante des diamètres des éléments semiconducteurs tridimensionnels sur l'ensemble de la plaque même si la dispersion locale peut demeurer réduite. Ceci entraîne une dispersion globale importante des longueurs d'ondes centrales des rayonnements émis par les diodes électroluminescentes formées à partir d’une même plaque, pouvant atteindre 20 nm. Pour la fabrication d'un dispositif optoélectronique tel qu'un pixel pour un écran d'affichage ou pour un panneau de rétroéclairage, il est généralement exigé une dispersion de la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par le dispositif optoélectronique inférieure à 2 nm. Il est alors nécessaire de tester les dispositifs optoélectroniques formés à partir d'une même plaque pour sélectionner ceux qui ont les propriétés souhaitées. Ces étapes augmentent le coût de fabrication des dispositifs optoélectroniques. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs optoélectroniques à diodes électroluminescentes tridimensionnelles connus. Un objet d'un mode de réalisation est de contrôler avec précision la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par le dispositif optoélectronique. Un objet d'un mode de réalisation est de réduire, voire de supprimer, les étapes de sélection des dispositifs optoélectroniques formés à partir d'une même plaque. Un mode de réalisation prévoit un dispositif optoélectronique comprenant une première diode électroluminescente comprenant des éléments semiconducteurs tridimensionnels, correspondant chacun à un microfil, un nanofil, ou un élément conique ou tronconique de taille micrométrique ou nanométrique, et une zone active recouvrant chaque élément semiconducteur tridimensionnel, la première diode électroluminescente étant configurée pour émettre un rayonnement électromagnétique (RL) avec un spectre d'émission pour lequel l'intensité lumineuse est supérieure à 80 % de l'intensité lumineuse maximale du spectre sur une première plage de longueurs d'ondes supérieure à 30 nm et pour lequel l'intensité lumineuse est supérieure à 50 % de l'intensité lumineuse maximale sur une deuxième plage de longueurs d'ondes inférieure à la première plage augmentée de 30 nm ; et un filtre optique passe bande recouvrant la première diode électroluminescente. Ceci permet avantageusement que le dispositif optoélectronique présente un spectre d'émission étroit alors que la diode électroluminescente a un spectre d'émission large, réduisant ainsi les contraintes de fabrication de la diode électroluminescente. Selon un mode de réalisation, la dispersion globale des diamètres équivalents des éléments semiconducteurs tridimensionnels de la première diode électroluminescente est comprise entre 2 % et 100 %, de préférence entre 3 % et 25 %, plus préférentiellement entre 5 % et 25 %, du diamètre équivalent moyen des éléments semiconducteurs tridimensionnels de la première diode électroluminescente. La dispersion globale peut être plus importante que celle due seulement aux procédés de fabrication, ce qui permet de simplifier les contraintes pour la fabrication des éléments semiconducteurs tridimensionnels. Selon un mode de réalisation, les longueurs d'ondes centrales des rayonnements émis par les zones actives de la première diode électroluminescente du dispositif optoélectronique sont comprises entre 400 nm à 480 nm. Ceci permet de réaliser des diodes électroluminescentes à éléments tridimensionnels émettant dans le bleu. Selon un mode de réalisation, chaque élément semiconducteur tridimensionnel a un diamètre équivalent compris entre 0,05 µm et 2 µm. Selon un mode de réalisation, le filtre optique passe bande a une bande passante à mi-hauteur inférieure à 50 nm. Selon un mode de réalisation, le filtre optique passe bande a un maximum de transmission à une longueur d'onde comprise entre 430 nm et 480 nm. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique comprend une deuxième diode électroluminescente ayant la même structure que la première diode électroluminescente, et un bloc d'un premier matériau photoluminescent recouvrant la deuxième diode électroluminescente. Ceci permet la réalisation d'un pixel d'affichage. Selon un mode de réalisation, le filtre optique passe bande ne recouvre pas la deuxième diode électroluminescente. Les pertes d'efficacité dues au filtre optique passe bande ne concernent donc que la première diode électroluminescente. Selon un mode de réalisation, l'anode de la première diode électroluminescente n'est pas commune avec l'anode de la deuxième diode électroluminescente et/ou la cathode de la première diode électroluminescente n'est pas commune avec la cathode de la deuxième diode électroluminescente. Les première et deuxième diodes électroluminescentes peuvent être commandées séparément. Selon un mode de réalisation, le filtre optique passe bande a un maximum de transmission à une longueur d'onde comprise entre 430 nm et 480 nm, et le bloc du premier matériau photoluminescent est configuré pour absorber le rayonnement émis par la deuxième diode électroluminescente et le convertir en un rayonnement à une longueur d'onde comprise entre 510 nm à 570 nm. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique comprend une troisième diode électroluminescente ayant la même structure que la première diode électroluminescente, et un bloc d'un deuxième matériau photoluminescent, différent du premier matériau photoluminescent, recouvrant la troisième diode électroluminescente. Selon un mode de réalisation, le filtre optique passe bande ne recouvre pas la troisième diode électroluminescente. Selon un mode de réalisation, l'anode de la première diode électroluminescente n'est pas commune avec l'anode de la troisième diode électroluminescente et/ou la cathode de la première diode électroluminescente n'est pas commune avec la cathode de la troisième diode électroluminescente. Selon un mode de réalisation, le filtre optique passe bande a un maximum de transmission à une longueur d'onde comprise entre 430 nm et 480 nm, et le bloc du deuxième matériau photoluminescent est configuré pour absorber le rayonnement émis par la troisième diode électroluminescente et le convertir en un rayonnement à une longueur d'onde comprise entre 600 nm à 720 nm. Selon un mode de réalisation, les éléments semiconducteurs tridimensionnels de la première diode électroluminescente sont à base d'un composé III-V ou II-VI. Un mode de réalisation prévoit également un procédé de fabrication de dispositifs optoélectroniques comprenant les étapes suivantes : - former sur une plaque des premières diodes électroluminescentes comprenant chacune des éléments semiconducteurs tridimensionnels correspondant chacun à un microfil, un nanofil, ou un élément conique ou tronconique de taille micrométrique ou nanométrique, et une zone active recouvrant chaque élément semiconducteur tridimensionnel, chaque première diode électroluminescente étant configurée pour émettre un rayonnement avec un spectre d'émission pour lequel l'intensité lumineuse est supérieure à 80 % de l'intensité lumineuse maximale du spectre sur une première plage de longueurs d'ondes supérieure à 30 nm et pour lequel l'intensité lumineuse est supérieure à 50 % de l'intensité lumineuse maximale sur une deuxième plage de longueurs d'ondes inférieure à la première plage augmentée de 30 nm ; - former un filtre optique passe bande recouvrant la première diode électroluminescente pour chaque dispositif optoélectronique ; et - découper la plaque pour séparer les premières diodes électroluminescentes. Ceci permet avantageusement que les dispositifs optoélectroniques formés sur la même plaque présentent le même spectre d'émission étroit alors que les diodes électroluminescentes ont des spectres d'émissions larges, éventuellement décalés, réduisant ainsi les contraintes de fabrication des diodes électroluminescentes. Les premières diodes électroluminescentes sont formées par croissance épitaxiale. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape de formation sur la plaque d'un masque comprenant des ouvertures, et une étape de croissance des éléments semiconducteurs tridimensionnels dans les ouvertures, dans lequel la dispersion globale des diamètres équivalents des ouvertures est comprise entre 2 % et 100 % du diamètre équivalent moyen des éléments semiconducteurs tridimensionnels de la première diode électroluminescente. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la représente, pour plusieurs plaques, la longueur d'onde médiane du rayonnement émis par les diodes électroluminescentes de la plaque en fonction du diamètre médian des diodes électroluminescentes de la plaque ; la représente, pour plusieurs plaques, la longueur d'onde maximale du rayonnement émis par les diodes électroluminescentes de la plaque en fonction du diamètre médian des diodes électroluminescentes de la plaque ; la est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes ; la est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'une diode électroluminescente ; la est une vue de dessus, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'agencement des diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique représenté en ; la représente, de façon schématique, une courbe d'évolution de l'intensité lumineuse du rayonnement émis par les diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique de la ; la représente, de façon schématique, la courbe d'évolution de l'intensité lumineuse du rayonnement émis par les diodes électroluminescentes représentée en sur laquelle est superposée la courbe de réponse du filtre optique du dispositif optoélectronique de la ; la représente, de façon schématique, une courbe d'évolution de l'intensité lumineuse du rayonnement émis par le dispositif optoélectronique de la ; la est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes ; et la , la , la , la , et la sont des vues en coupe de structures obtenues à des étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique de la . De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les connexions électriques des diodes électroluminescentes d'un dispositif optoélectronique ne sont pas décrites. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures ou à un dispositif optoélectronique dans une position normale d'utilisation. En outre, sauf indication contraire, on considère ici que les termes "isolant" et "conducteur" signifient respectivement "isolant électriquement" et "conducteur électriquement". Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Dans la suite de la description, la transmittance interne d'une couche correspond au rapport entre l'intensité du rayonnement sortant de la couche et l'intensité du rayonnement entrant dans la couche. L'absorption de la couche est égale à la différence entre 1 et la transmittance interne. Dans la suite de la description, une couche est dite transparente à un rayonnement lorsque l’absorption du rayonnement au travers de la couche est inférieure à 60 %. Dans la suite de la description, une couche est dite absorbante à un rayonnement lorsque l'absorption du rayonnement dans la couche est supérieure à 60 %. Lorsqu'un rayonnement présente un spectre de forme générale "en cloche", par exemple de forme gaussienne, ayant un maximum, on appelle longueur d'onde du rayonnement, ou longueur d'onde centrale ou principale du rayonnement, la longueur d'onde à laquelle le maximum du spectre est atteint. Dans la suite de la description, l'indice de réfraction d'un matériau correspond à l'indice de réfraction du matériau pour la plage de longueurs d'onde du rayonnement émis par le dispositif optoélectronique. Sauf indication contraire, l'indice de réfraction est considéré sensiblement constant sur la plage de longueurs d'onde du rayonnement utile, par exemple égal à la moyenne de l'indice de réfraction sur la plage de longueurs d'onde du rayonnement émis par le dispositif optoélectronique. La présente invention concerne la fabrication de dispositifs optoélectroniques comprenant au moins une diode électroluminescente formée à partir d'éléments semiconducteurs tridimensionnels de taille nanométrique ou micrométrique, en particulier des microfils, des nanofils, ou des éléments coniques ou tronconiques de taille micrométrique ou nanométrique, notamment des pyramides. Par élément semiconducteur tridimensionnel de taille nanométrique ou micrométrique, on désigne une structure tridimensionnelle de forme allongée, par exemple cylindrique, selon une direction privilégiée, dont au moins deux dimensions, appelées dimensions mineures, sont comprises entre 5 nm et 2,5 µm, de préférence entre 50 nm et 2,5 µm. La troisième dimension, appelée dimension majeure, est supérieure ou égale à 1 fois, de préférence supérieure ou égale à 5 fois et encore plus préférentiellement supérieure ou égale à 10 fois, la plus grande des dimensions mineures. Dans certains modes de réalisation, les dimensions mineures peuvent être inférieures ou égales à environ 1 µm, de préférence comprises entre 100 nm et 1 µm, plus préférentiellement entre 100 nm et 800 nm. Dans certains modes de réalisation, la hauteur de l'élément semiconducteur tridimensionnel peut être supérieure ou égale à 500 nm, de préférence comprise entre 1 µm et 50 µm. Le terme "microfil" ou "nanofil" concerne un élément semiconducteur tridimensionnel de forme cylindrique ou sensiblement cylindrique. Dans la suite de la description, on utilise le terme "fil" pour signifier "microfil ou nanofil". La section droite des fils peut avoir différentes formes, par exemple, une forme ovale, circulaire ou polygonale, notamment triangulaire, rectangulaire, carrée ou hexagonale. On comprendra que le terme "diamètre équivalent" utilisé en relation avec une section droite d'un fil désigne une quantité associée avec l'aire du fil dans cette section droite, correspondant, par exemple, au diamètre du disque ayant la même aire que la section droite du fil. Dans la suite de la description, des modes de réalisation vont être décrits dans le cas d'un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes comprenant des éléments semiconducteurs tridimensionnels correspondant à des fils. Toutefois, il est clair que ces modes de réalisation peuvent concerner un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes dont les éléments semiconducteurs tridimensionnels sont des éléments coniques ou tronconiques de taille micrométrique ou nanométrique, notamment des pyramides. Des essais ont été réalisés pour caractériser la dispersion de la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par des diodes électroluminescentes formées sur des plaques semiconductrices de 200 mm de diamètre. Pour les essais, les diodes électroluminescentes sont de type radiale et sont formées par dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD, acronyme anglais pour Metal-Organic Chemical Vapor Deposition). En outre, les éléments semiconducteurs tridimensionnels des diodes électroluminescentes sont des fils. Les diodes électroluminescentes, et en particulier les fils, sont formées dans des conditions de croissance identiques pour toutes les plaques de sorte que les diodes électroluminescentes devraient théoriquement avoir la même structure et les mêmes dimensions. La et la représentent, pour plusieurs plaques en fonction du diamètre médian Dmed des fils des diodes électroluminescentes de la plaque, respectivement la longueur d'onde médiane λmed et la longueur d'onde maximale λmax du rayonnement émis par l'ensemble des diodes électroluminescentes de la plaque. Sur les figures 1 et 2, chaque point correspond à une plaque. Le diamètre médian Dmed est déterminé à partir de cent fils situés au centre de la plaque. Sur les figures 1 et 2, les droites D1 et D2 ont été obtenues par régression linéaire. Les figures 1 et 2 illustrent la dispersion sur les longueurs d'ondes qui résulte des procédés de formation des diodes électroluminescentes par croissance par épitaxie. La est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 5 à nanofils ou microfils. Le dispositif optoélectronique 5 comprend de bas en haut en : - un substrat 10 comprenant des faces opposées 12 et 14, la face supérieure 12 étant de préférence plane au moins au niveau des diodes électroluminescentes ; - une couche de germination 16 en un matériau favorisant la croissance de fils et disposée sur la face 12, qui peut ne pas être présente ; - une couche isolante 18 recouvrant la couche de germination 16 et comprenant des ouvertures 20 exposant des portions de la couche de germination 16 ; - au moins une diode électroluminescente GLED comprenant des diodes électroluminescentes élémentaires LED (une seule diode électroluminescente GLED comprenant six diodes électroluminescentes élémentaires est représentée à titre d'exemple en ), chaque diode électroluminescente élémentaire LED émettant chacune un rayonnement R_LED, chaque diode électroluminescente élémentaire LED étant en contact avec la couche de germination 16 au travers de l'une des ouvertures 20 ; - une couche isolante 24 s'étendant sur les flancs latéraux d'une portion inférieure de chaque diode électroluminescente élémentaire LED et s'étendant sur la couche isolante 18 entre les diodes électroluminescentes élémentaires LED ; - une couche 26 transparente au rayonnement électromagnétique R_LED émis par les diodes électroluminescentes élémentaires LED, formant une électrode recouvrant chaque diode électroluminescente élémentaire LED et s'étendant en outre sur la couche isolante 24 entre les diodes électroluminescentes élémentaires LED ; - une couche conductrice 28 et réfléchissante, s'étendant sur la couche 26 entre les diodes électroluminescentes élémentaires LED, la couche conductrice 28 pouvant, à titre de variante, être interposée entre la couche d'électrode 26 et la couche isolante 24 entre les diodes électroluminescentes élémentaires LED ; - une couche d'encapsulation 34 transparente au rayonnement électromagnétique R_LED émis par les diodes électroluminescentes élémentaires LED, s'étendant sur les couches 26 et 28, au contact physique des couches 26 et 28, recouvrant complètement les diodes électroluminescentes élémentaires LED, et comprenant une face supérieure 35, de préférence plane ; et - un filtre optique F_LED reposant sur la face 35 et recouvrant les diodes électroluminescentes élémentaires LED, et adapté, en fonctionnement, à réaliser un filtrage en longueur d'onde de type passe bande du rayonnement RL émis par la diode électroluminescente GLED, pour fournir un rayonnement R qui s'échappe du dispositif optoélectronique 5. La diode électroluminescente GLED comprend l'ensemble des diodes électroluminescentes élémentaires LED connectées entre elles. En , les diodes électroluminescentes élémentaires LED de la diode électroluminescente GLED sont connectées en parallèle. De façon générale, les diodes électroluminescentes élémentaires LED de la diode électroluminescente GLED peuvent être connectées en série et/ou en parallèle. Le rayonnement RL émis par la diode électroluminescente GLED correspond à la somme des rayonnements R_LED émis par les diodes électroluminescentes élémentaires LED de la diode électroluminescente GLED. Le dispositif optoélectronique 5 peut comprendre des couches supplémentaires non représentées, notamment des couches de protection étanches à l'humidité et/ou à l'air, une couche antireflet, etc. A titre de variante, la couche d'encapsulation 34 peut ne pas être présente. Dans ce cas, le filtre optique F_LED s'étend sur les couches 26 et 28, au contact physique des couches 26 et 28, et recouvre complètement les diodes électroluminescentes LED. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique 5 comprend une densité de diodes électroluminescentes élémentaires supérieure à 400/mm 2 , de préférence supérieure à 20000/mm 2 , encore plus préférentiellement supérieure à 40000/mm 2 . Selon un autre mode de réalisation, le substrat 10 n'est présent qu'à des étapes intermédiaires du procédé de réalisation du dispositif optoélectronique 5 mais est ensuite retiré et n'est pas présent sur le produit final. La représente un mode de réalisation des diodes électroluminescentes élémentaires LED. Chaque diode électroluminescente élémentaire LED comprend un fil 21 en contact avec la couche de germination 16 au travers de l'une des ouvertures 20 et une coque 22 comprenant un empilement de couches semiconductrices recouvrant les parois latérales et le sommet du fil 21. L'ensemble formé par chaque fil 21 et la coque 22 associée constitue une diode électroluminescente élémentaire LED. La coque 22 peut comprendre un empilement de plusieurs couches comprenant notamment une couche active 23 et une couche de liaison 25. La couche active 23 est la couche depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement fourni par la diode électroluminescente élémentaire LED. Selon un exemple, la couche active 23 peut comporter des moyens de confinement, tels qu'un puits quantique unique ou des puits quantiques multiples. La couche de liaison 25 peut comprendre un empilement de couches semiconductrices du même matériau que le fil 21 mais du type de conductivité opposé au fil 21. L'épaisseur de la couche active 23 peut être comprise entre 2 nm et 100 nm. La est une vue de dessus, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'agencement, dit en maillage carré, des fils 21 des diodes électroluminescentes élémentaires LED sur le substrat 10, les autres éléments du dispositif optoélectronique 5 n'étant pas représentés. Dans l'agencement illustré en , une diode électroluminescente élémentaire LED est située à chaque croisement d'une ligne et d'une colonne, les lignes étant perpendiculaires aux colonnes, trois lignes de trois diodes électroluminescentes élémentaires LED étant représentées à titre d'illustration. Dans le mode de réalisation illustré sur la , chaque fil 21 a une section droite circulaire de diamètre D dans un plan parallèle à la face 12. A titre de variante, chaque fil 21 peut avoir une section droite qui n'est pas circulaire, par exemple une forme ovale, circulaire ou polygonale, notamment triangulaire, rectangulaire, carrée ou hexagonale. Dans ce cas, on considère le diamètre équivalent de la section droite du fil 21 tel que défini précédemment. Le pas selon les rangées et/ou les colonnes peut être compris entre 0,1 µm et 50 µm. A titre de variante, les diodes électroluminescentes élémentaires LED peuvent être disposées selon un autre agencement, par exemple selon un agencement hexagonal. Selon un mode de réalisation, chaque diode électroluminescente élémentaire LED est adaptée à émettre un rayonnement R_LED dont la longueur d'onde centrale est dans la plage de 380 nm à 480 nm, ou dans la plaque de 500 nm à 570 nm, ou dans la plaque de 590 nm à 650 nm. Selon un mode de réalisation, au moins certains des fils 21 des diodes électroluminescentes élémentaire LED composant la diode électroluminescente GLED ont des diamètres équivalents D différents. On appelle dispersion globale d'un paramètre physique lié aux diodes électroluminescentes élémentaires l'écart-type de ce paramètre qui est mesuré en prenant en compte toutes les diodes électroluminescentes élémentaires de la diode électroluminescente GLED, l'écart-type est pris par rapport à la moyenne du paramètre pour toutes les diodes électroluminescentes élémentaires de la diode électroluminescente GLED. Selon un mode de réalisation, la dispersion globale des diamètres équivalents des fils 21 des diodes électroluminescentes élémentaires LED de la diode électroluminescente GLED est supérieure à 20 nm, de préférence supérieure à 100 nm, plus préférentielle supérieure à 300 nm. Le diamètre équivalent moyen, qui est la moyenne des diamètres équivalents D des fils 21 peut être compris entre 0,05 µm et 4 µm. Selon un mode de réalisation, la dispersion globale des diamètres équivalents des fils 21 est comprise entre 2 % et 100 % du diamètre équivalent moyen des fils, de préférence entre 3 % et 25 % du diamètre équivalent moyen des fils, plus préférentiellement entre 5 % et 25 % du diamètre équivalent moyen des fils. On appelle dispersion locale d'un paramètre physique lié aux diodes électroluminescentes élémentaires l'écart-type de ce paramètre qui est mesuré en un point de la face 12 en prenant en compte les cent diodes électroluminescentes élémentaires les plus proches de ce point, l'écart-type est pris par rapport à la moyenne du paramètre pour ces cent diodes électroluminescentes élémentaires. Selon un mode de réalisation, la dispersion locale des diamètres équivalents des fils 21 des diodes électroluminescentes élémentaires LED de la diode électroluminescente GLED est supérieure à 20 nm, de préférence supérieure à 100 nm, plus préférentielle supérieure à 300 nm, à n'importe quel endroit de la diode électroluminescente GLED. Les dispersions locales/globales indiquées précédemment sont supérieures strictement à celles qui résultent de procédé de formation des diodes électroluminescentes élémentaires par croissance par épitaxie. Selon un mode de réalisation, la dispersion locale et/ou globale des diamètres équivalents indiquée précédemment est obtenue en prévoyant des ouvertures 20 dont les diamètres équivalents sont différents. Selon un mode de réalisation, la dispersion globale des ouvertures 20 de la diode électroluminescente GLED est supérieure à 20 nm. Le diamètre équivalent moyen des ouvertures 20 peut être compris entre 0,01 µm et 4 µm. Selon un mode de réalisation, la dispersion locale des ouvertures 20 de la diode électroluminescente GLED est supérieure à 10 nm, à n'importe quel endroit de la diode électroluminescente GLED. Selon un mode de réalisation, la dispersion locale et/ou globale des diamètres équivalents indiquée précédemment est obtenue en disposant les fils 21 selon un agencement irrégulier. En effet, le diamètre des fils dépend notamment du pas du maillage. Selon un mode de réalisation, la dispersion globale du pas des fils 21 de la diode électroluminescente GLED est supérieure à 10 nm. Selon un mode de réalisation, la dispersion locale du pas des fils de la diode électroluminescente GLED est supérieure à 10 nm, à n'importe quel endroit de la diode électroluminescente GLED. La représente, de façon schématique, en fonction de la longueur d'onde λ, une courbe d'évolution C1 de l'intensité lumineuse I du rayonnement RL émis par la diode électroluminescente GLED, qui correspond à la somme des rayonnements R_LED émis par les diodes électroluminescentes élémentaires LED de la diode électroluminescente GLED de la , c’est-à-dire avant filtrage par le filtre optique F_LED obtenue lorsque la dispersion locale des diamètres équivalents des fils 21 des diodes électroluminescentes élémentaires LED de la diode électroluminescente GLED est supérieure à 80 nm. La courbe C1 a une forme générale "en plateau", c’est-à-dire qu'elle présente, sur une première plage de longueurs d'ondes Δλ supérieure à 30 nm, de préférence supérieure à 40 nm, plus préférentiellement supérieure à 50 nm, une intensité lumineuse comprise entre 80 % de l'intensité maximale Imax et l'intensité maximale Imax de la couche C1 et qu'elle présente sur une deuxième plage Δλ2 de longueurs d'ondes inférieure à la première plage Δλ1 augmentée de 30 nm, de préférence augmentée de 20 nm, plus préférentiellement augmentée de 15 nm, une intensité lumineuse comprise entre 50 % de l'intensité maximale Imax et l'intensité maximale Imax de la couche C1. La courbe d'évolution C1 a une forme nettement plus aplatie que la courbe représentative de l'intensité lumineuse du rayonnement R_LED émis par une seule diode électroluminescente élémentaire LED de la diode électroluminescente GLED qui présente une forme de "cloche" avec un maximum à la longueur d'onde centrale de la diode électroluminescente élémentaire LED. Ceci est dû au fait que, comme les fils 21 ont des diamètres différents, les longueurs d'ondes centrales des rayonnements R_LED émis par les diodes électroluminescente élémentaire LED de la diode électroluminescente GLED sont différentes, le rayonnement RL émis par la diode électroluminescente GLED correspondant à la somme des rayonnements R_LED émis par toutes les diodes électroluminescente élémentaires LED de la de la diode électroluminescente GLED. Selon un mode de réalisation, la dispersion globale des longueurs d'ondes centrales des rayonnements émis par les diodes électroluminescentes élémentaires de la diode électroluminescente GLED est supérieure à 40 nm. Selon un mode de réalisation, la dispersion locale des longueurs d'ondes centrales des rayonnements émis par les diodes électroluminescentes élémentaires de la diode électroluminescente GLED est supérieure à 40 nm. Un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique 5 comprend la formation des diodes électroluminescentes élémentaires tridimensionnelles LED sur une plaque, et la découpe de la plaque pour séparer le dispositif optoélectronique du reste de la plaque. La formation des diodes électroluminescentes élémentaires tridimensionnelles sur la plaque comprend notamment des étapes de croissance par épitaxie. Plusieurs exemplaires du dispositif optoélectronique 5 peuvent être réalisés simultanément sur la même plaque, puis séparés. La représente, de façon schématique, en trait plein, la courbe d'évolution C1 représentée en de l'intensité du rayonnement RL émis par la diode électroluminescente GLED de la , sur laquelle est superposée, en traits pointillés courts, la courbe de réponse F du filtre optique F_LED du dispositif optoélectronique 5 de la . La courbe F présente un pic à une longueur d'onde λ 0 . Selon un mode de réalisation, la largeur de bande de la courbe F à mi-hauteur pour le pic à la longueur d'onde λ 0 est inférieure à 50 nm, de préférence inférieure à 30 nm. Selon un mode de réalisation, la longueur d'onde λ 0 est comprise entre 430 nm et 480 nm. En , on a représenté, en traits pointillés longs, une courbe d'évolution C1' de l'intensité lumineuse I du rayonnement émis par la diode électroluminescente d'un dispositif optoélectronique ayant la même structure que le dispositif optoélectronique 5 de la et qui a été fabriqué sur la même plaque. La courbe C1' a la même forme que la courbe C1 mais peut être décalée en longueur d'onde par rapport à la courbe C1. Ce décalage résulte de la dispersion obtenue sur les diamètres des fils des diodes électroluminescentes élémentaires LED à l'échelle de la plaque en raison notamment des étapes de croissance par épitaxie. La représente, de façon schématique, une courbe d'évolution C2 de l'intensité lumineuse I du rayonnement R émis par le dispositif optoélectronique 5 de la pour lequel le rayonnement RL émis par la diode électroluminescente GLED présente la courbe d'intensité C1. La courbe C2 présente un pic à la longueur d'onde λ 0 . Selon un mode de réalisation, la largeur de bande de la courbe C2 à mi-hauteur pour le pic à la longueur d'onde λ 0 est inférieure à 50 nm, de préférence inférieure à 30 nm. La même courbe C2 est obtenue pour le dispositif optoélectronique pour lequel le rayonnement émis par la diode électroluminescente présente la courbe d'intensité C1'. Ceci signifie donc que le rayonnement R émis par le dispositif optoélectronique 5 présente le même spectre indépendamment de la dispersion dimensionnelle due à son procédé de fabrication. Le spectre du rayonnement R émis par le dispositif optoélectronique 5 étant obtenu de façon contrôlée, il n'y a pas à réaliser d'étapes de test et de tri pour sélectionner le dispositif optoélectronique en fonction de son spectre d'émission. Le substrat 10 peut correspondre à une structure monobloc ou correspondre à une couche recouvrant un support constitué d'un autre matériau. Le substrat 10 est de préférence un substrat semiconducteur, par exemple un substrat en silicium, en germanium, en carbure de silicium, en un composé III-V, tel que du GaN ou du GaAs, ou un substrat en ZnO. De préférence, le substrat 10 est un substrat de silicium monocristallin. De préférence, il s'agit d'un substrat semiconducteur compatible avec les procédés de fabrication mis en oeuvre en microélectronique. Le substrat 10 peut correspondre à une structure multicouches de type silicium sur isolant, également appelée SOI (acronyme anglais pour Silicon On Insulator). La section droite des ouvertures 20 peut correspondre à la section droite souhaitée des fils 21 ou peut être différente de la section droite des fils qui sera obtenue. Le diamètre équivalent des fils 21 peut être égal ou supérieur au diamètre équivalent des ouvertures 20. La couche de germination 16 est en un matériau favorisant la croissance des fils. A titre d'exemple, le matériau composant la couche de germination 16 peut être un nitrure, un carbure ou un borure d'un métal de transition de la colonne IV, V ou VI du tableau périodique des éléments ou une combinaison de ces composés. A titre d'exemple, la couche de germination 16 peut être en nitrure d'aluminium (AlN), en bore (B), en nitrure de bore (BN), en titane (Ti), en nitrure de titane (TiN), en tantale (Ta), en nitrure de tantale (TaN), en hafnium (Hf), en nitrure d'hafnium (HfN), en niobium (Nb), en nitrure de niobium (NbN), en zirconium (Zr), en borate de zirconium (ZrB 2 ), en nitrure de zirconium (ZrN), en carbure de silicium (SiC), en nitrure et carbure de tantale (TaCN), en nitrure de magnésium sous la forme Mg x N y , où x est environ égal à 3 et y est environ égal à 2, par exemple du nitrure de magnésium selon la forme Mg 3 N 2 ou du nitrure de gallium et de magnésium (MgGaN), en tungstène (W), en nitrure de tungstène (WN) ou en une combinaison de ceux-ci. La couche de germination 16 peut avoir une structure monocouche ou correspondre à un empilement d'au moins deux couches, chaque couche étant par exemple dans l'un des matériaux décrits précédemment. Selon un autre mode de réalisation, la couche de germination 16 peut ne pas être présente. Selon un autre mode de réalisation, la couche de germination 16 peut être remplacée par des plots de germination, par exemple formés au fond des ouvertures 20. Chaque couche isolante 18, 24 peut être en un matériau diélectrique, par exemple en oxyde de silicium (SiO 2 ), en nitrure de silicium (Si x N y , où x est environ égal à 3 et y est environ égal à 4, par exemple du Si 3 N 4 ), en oxynitrure de silicium (notamment de formule générale SiO x N y , par exemple du Si 2 ON 2 ), en oxyde d'aluminium (Al 2 O 3 ), en oxyde d'hafnium (HfO 2 ), en dioxyde de titane (TiO 2 ) ou en diamant. La couche isolante 18, 24 peut avoir une structure monocouche ou correspondre à un empilement de deux couches ou de plus de deux couches. Lorsque la couche isolante 18 correspond à un empilement d'au moins deux couches, la couche supérieure de l'empilement est de type isolante, par exemple en un matériau diélectrique. Les fils 21 comprennent en majorité, de préférence à plus de 60 % en masse, plus préférentiellement à plus de 80 % en masse, au moins un matériau semiconducteur. Le matériau semiconducteur peut être du silicium, du germanium, du carbure de silicium, un composé III-V, un composé II-VI ou une combinaison d'au moins deux de ces composés. Des exemples d'éléments du groupe III comprennent le gallium (Ga), l'indium (In) ou l'aluminium (Al). Des exemples de composés III-N sont GaN, AlN, InN, InGaN, AlGaN ou AlInGaN. D'autres éléments du groupe V peuvent également être utilisés, par exemple, le phosphore ou l'arsenic. De façon générale, les éléments dans le composé III-V peuvent être combinés avec différentes fractions molaires. Des exemples d'éléments du groupe II comprennent des éléments du groupe IIA, notamment le béryllium (Be) et le magnésium (Mg) et des éléments du groupe IIB, notamment le zinc (Zn), le cadmium (Cd) et le mercure (Hg). Des exemples d'éléments du groupe VI comprennent des éléments du groupe VIA, notamment l'oxygène (O) et le tellure (Te). Des exemples de composés II-VI sont ZnO, ZnMgO, CdZnO, CdZnMgO, CdHgTe, CdTe ou HgTe. De façon générale, les éléments dans le composé II-VI peuvent être combinés avec différentes fractions molaires. Le matériau semiconducteur des fils peut comporter un dopant, par exemple du silicium assurant un dopage de type N d’un composé III-N, ou du magnésium assurant un dopage de type P d’un composé III-N. La couche conductrice 28 correspond, de préférence à une couche métallique, par exemple en aluminium, en argent, en cuivre, en or ou en zinc. L'épaisseur de la couche conductrice 28 peut être comprise entre 0,01 µm et 1000 µm. La couche d'électrode 26 peut être une couche en un matériau transparent et conducteur tel que de l'oxyde d'indium-étain (ou ITO, acronyme anglais pour Indium Tin Oxide), de l'oxyde de zinc dopé à l'aluminium ou au gallium, ou du graphène. La couche d'électrode 26 peut être une couche métallique, notamment en argent, en aluminium, ou en titane, suffisamment mince pour être transparente au rayonnement émis par les diodes électroluminescentes élémentaires LED. L'épaisseur de la couche d'électrode 26 peut être comprise entre 0,01 µm et 10 µm. La couche d'encapsulation 34 peut être réalisée en un matériau inorganique au moins partiellement transparent au rayonnement émis par les particules photoluminescentes et/ou les diodes électroluminescentes élémentaires LED. A titre d'exemple, le matériau inorganique est choisi parmi le groupe comprenant les oxydes de silicium, du type SiO x où x est un nombre réel qui varie de 1 à 2, les nitrures de silicium (Si x N y , où x est environ égal à 3 et y est environ égal à 4, par exemple du Si 3 N 4 ), les oxynitrures de silicium (notamment de formule générale SiO x N y , par exemple du Si 2 ON 2 ), l'oxyde de titane, les oxydes d'aluminium, par exemple Al 2 O 3 , et les mélanges de ces composés. La couche d'encapsulation 34 peut être réalisée en un matériau organique au moins partiellement transparent. A titre d'exemple, la couche d'encapsulation 34 est un polymère silicone, un polymère époxyde, un polymère acrylique ou un polycarbonate. La couche d'encapsulation 34 peut avoir une structure monocouche ou multicouches, et comprendre par exemple un empilement de couches organiques et/ou inorganiques. Le filtrage du rayonnement émis par les diodes électroluminescentes élémentaires LED de la de la diode électroluminescente GLED peut être réalisé par tout moyen. Selon un mode de réalisation, le filtrage est obtenu en recouvrant les diodes électroluminescentes élémentaires LED de la diode électroluminescente GLED d'une couche d'un matériau coloré. Selon un autre mode de réalisation, le filtrage est obtenu en recouvrant les diodes électroluminescentes élémentaires LED de la diode électroluminescente GLED d'un filtre interférentiel. De préférence, le filtre optique F_LED comprend une couche de résine colorée. Le filtre optique F_LED peut avoir une épaisseur comprise entre 10 nm et 200 µm. La est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 50 à nanofils ou microfils. Le dispositif optoélectronique 50 comprend l'ensemble des éléments du dispositif optoélectronique 5 représenté en , trois diodes électroluminescente GLED étant représentées à titre d'exemple en , et comprend en outre de bas en haut en : - une couche 30 de protection diélectrique s'étendant sur les couches 26 et 28 ; - des blocs photoluminescents 32, 33 recouvrant les diodes électroluminescentes élémentaires LED de certaines des diodes électroluminescentes GLED (à titre d'exemple les deux diodes électroluminescentes GLED à gauche en ), la couche d'encapsulation 34 correspondant à des blocs d'encapsulation 34 recouvrant les diodes électroluminescentes élémentaires d'autres diodes électroluminescentes GLED (à titre d'exemple la diode électroluminescente GLED à droite en ) ; - une couche isolante 36 recouvrant la face supérieure de chaque bloc 32, 33, 34, ou seulement de certains des blocs 32, 33, 34, la couche isolante 36 pouvant ne pas être présente ; - une couche de protection 37 recouvrant les couches isolantes 36, les faces latérales des blocs 32, 33, 34 et la couche d'électrode 26 entre les blocs 32, 34 ; - des murs 38 entre les blocs 32, 34, chaque mur 38 comprenant un coeur 40 entouré d'un revêtement 42 réfléchissant ; - le filtre optiques F_LED recouvrant les blocs 34, et éventuellement d'autres filtres optiques 43, 44 recouvrant les blocs photoluminescents 32 et 33, par exemple deux filtres 43, 44, le premier étant un filtre vert et le deuxième étant un filtre rouge ; et - une couche de protection 46 recouvrant l'ensemble de la structure, la couche de protection 46 pouvant ne pas être présente. Dans le présent mode de réalisation, la couche d'électrode 26 est commune aux diodes électroluminescentes GLED. Les diodes électroluminescentes GLED peuvent être commandées séparément par des connections spécifiques, non représentées, prévues dans le substrat 10. De façon générale, les anodes des diodes électroluminescentes et/ou les cathodes des diodes électroluminescentes ne sont pas communes pour pouvoir commander séparément les diodes électroluminescentes GLED. Selon un mode de réalisation, le rayonnement émis par l'un des blocs photoluminescents 33, 34, après avoir traversé le filtre optique 43, 44 recouvrant le bloc photoluminescent lorsque ce filtre optique est présent, correspond à de la lumière verte, c'est-à-dire un rayonnement dont la longueur d'onde est dans la plage de 510 nm à 570 nm. Selon un mode de réalisation, le rayonnement émis par un autre des blocs photoluminescents 33, 34, après avoir traversé le filtre optique 43, 44 recouvrant le bloc photoluminescent lorsque ce filtre optique est présent, correspond à de la lumière rouge, c'est-à-dire un rayonnement dont la longueur d'onde est dans la plage de 600 nm à 720 nm. Selon un mode de réalisation, les diamètres des fils 21 de toutes les diodes électroluminescentes élémentaires LED des diodes électroluminescentes GLED du dispositif optoélectronique 50 sont différents comme cela a été décrit pour le dispositif optoélectronique 5. Comme cela est représenté en , pour les diodes électroluminescentes élémentaires LED recouvertes des blocs photoluminescents 32, 33, le filtre optique F_LED peut ne pas être présent entre les diodes électroluminescentes élémentaires LED et les blocs photoluminescents 32, 33. La dispersion des longueurs d'ondes centrales des rayonnements émis par les diodes électroluminescentes élémentaires LED qui sont recouvertes des blocs photoluminescents 32, 33 n'a sensiblement pas d'incidence sur le spectre du rayonnement émis par les blocs photoluminescents 32, 33. En effet, les blocs photoluminescents 32, 33 sont adaptés à absorber les rayonnements émis par les diodes électroluminescentes élémentaires LED sur une plage de longueurs d'ondes suffisamment large pour contenir les longueurs d'ondes centrales des rayonnements émis par les diodes électroluminescentes élémentaires LED malgré la dispersion des longueurs d'ondes centrales des rayonnements émis par les diodes électroluminescentes élémentaires LED. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique 50 correspond à un pixel d'affichage dans lequel chaque diode électroluminescente GLED émet un rayonnement RL de couleur bleue. Le filtre F_LED qui recouvre l'une des diodes électroluminescentes GLED est un filtre passe bande centrée sur une longueur d'onde dans le bleu et les blocs photoluminescents 32, 33 qui recouvrent les autres diodes électroluminescentes GLED permettent par exemple l'obtention des couleurs verte et rouge. De façon avantageuse, pour chaque diode électroluminescente GLED recouverte d'un bloc photoluminescent 32, 33, il n'y a pas de perte d'efficacité d'émission car l'ensemble du rayonnement à spectre large des diodes électroluminescentes GLED est converti par les blocs photoluminescents 32, 33. Comme pour l'obtention d'une lumière blanche, la proportion de lumière bleue est d'environ seulement 5 %, la perte d'efficacité d'émission due au filtre F_LED est réduite par rapport à l'ensemble du pixel d'affichage. Chaque couche isolante 30, 36, 37, 46 peut avoir la même composition que celle décrite précédemment pour les couches isolantes 18, 24. Le revêtement 42 peut avoir la même composition que celle décrite précédemment pour la couche conductrice 28. Selon un mode de réalisation, chaque bloc photoluminescent 32, 33 est situé en vis-à-vis d'un ensemble de diodes électroluminescentes élémentaires LED. Chaque bloc photoluminescent 32, 33 comprend des luminophores adaptés, lorsqu'ils sont excités par la lumière émise par les diodes électroluminescentes élémentaires LED associées, à émettre de la lumière à une longueur d'onde différente de la longueur d'onde de la lumière émise par les diodes électroluminescentes élémentaires LED associées. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique 5 comprend au moins deux types de blocs photoluminescents 32, 33. Chaque bloc photoluminescent 32 du premier type est adapté à convertir le rayonnement fourni par les diodes électroluminescentes élémentaires qu'il recouvre en un premier rayonnement à une première longueur d’onde et chaque bloc photoluminescent 33 du deuxième type est adapté à convertir le rayonnement fourni par les diodes électroluminescentes élémentaires qu'il recouvre en un deuxième rayonnement à une deuxième longueur d’onde. Le rapport d'aspect des blocs 32, 33, c'est-à-dire le rapport entre la hauteur et la largeur maximale du bloc, peut être compris entre 0,01 et 10, de préférence entre 0,05 et 2. Selon un mode de réalisation, chaque bloc photoluminescent 32, 33 comprend des particules d'au moins un matériau photoluminescent, par exemple dans une matrice transparente. Un exemple d'un matériau photoluminescent est le grenat d'yttrium et d'aluminium (YAG) activé par l'ion cérium trivalent, également appelé YAG:Ce ou YAG:Ce 3+ . La taille moyenne des particules des matériaux photoluminescents classiques est généralement supérieure à 5 µm. Selon un mode de réalisation, chaque bloc photoluminescent 32, 33 comprend une matrice dans laquelle sont dispersées des particules monocristallines de taille nanométrique d'un matériau semiconducteur, également appelées nanocristaux semiconducteurs ou particules de nanoluminophores par la suite. Le rendement quantique interne QY int d'un matériau photoluminescent est égal au rapport entre le nombre de photons émis et le nombre de photons absorbés par la substance photoluminescente. Le rendement quantique interne QY int des nanocristaux semiconducteurs est supérieur à 5 %, de préférence supérieur à 10 %, plus préférentiellement supérieur à 20 %. Selon un mode de réalisation, la taille moyenne des nanocristaux est dans la plage de 0,5 nm et 1000 nm, de préférence de 0,5 nm à 500 nm, encore plus préférentiellement de 1 nm à 100 nm, notamment de 2 nm à 30 nm. Pour des dimensions inférieures à 50 nm, les propriétés de photoconversion des nanocristaux semiconducteurs dépendent essentiellement de phénomènes de confinement quantique. Les nanocristaux semiconducteurs correspondent alors à des boîtes quantiques. Selon un mode de réalisation, le matériau semiconducteur des nanocristaux semiconducteurs est choisi parmi le groupe comprenant le séléniure de cadmium (CdSe), le phosphure d'indium (InP), le sulfure de cadmium (CdS), le sulfure de zinc (ZnS), le séléniure de zinc (ZnSe), le tellurure de cadmium (CdTe), le tellurure de zinc (ZnTe), l'oxyde de cadmium (CdO), l'oxyde de zinc et de cadmium (ZnCdO), le sulfure de zinc et de cadmium (CdZnS), le séléniure de zinc et de cadmium (CdZnSe), le sulfure d'argent et d'indium (AgInS 2 ), les pérovskites du type PbScX 3 , où X est un atome d'halogène, notamment l'iode (I), le brome (Br) ou le chlore (Cl), et un mélange d'au moins deux de ces composés. Selon un mode de réalisation, le matériau semiconducteur des nanocristaux semiconducteurs est choisi parmi les matériaux cités dans la publication au nom de Le Blevenec et al. de Physica Status Solidi (RRL) - Rapid Research Letters Volume 8, No. 4, pages 349–352, avril 2014. Selon un mode de réalisation, les dimensions des nanocristaux semiconducteurs sont choisies selon la longueur d'onde recherchée du rayonnement émis par les nanocristaux semiconducteurs. A titre d'exemple, des nanocristaux de CdSe dont la taille moyenne est de l'ordre de 3,6 nm sont adaptés à convertir de la lumière bleue en lumière rouge et des nanocristaux de CdSe dont la taille moyenne est de l'ordre de 1,3 nm sont adaptés à convertir de la lumière bleue en lumière verte. Selon un autre mode de réalisation, la composition des nanocristaux semiconducteurs est choisie selon la longueur d'onde recherchée du rayonnement émis par les nanocristaux semiconducteurs. La matrice est au moins en partie transparente au rayonnement émis par les particules photoluminescentes et/ou les diodes électroluminescentes élémentaires DEL, de préférence à plus de 80 %. La matrice est, par exemple, en silice. La matrice est, par exemple, en n'importe quel polymère au moins en partie transparent, notamment en silicone, en époxy, en résine acrylique du type poly(méthacrylate de méthyle) (PMMA), ou en acide polyacétique (PLA). La matrice peut notamment être en un polymère au moins en partie transparent utilisé avec les imprimantes tridimensionnelles. La matrice peut correspondre à un verre déposé par centrifugation (SOG, sigle anglais pour Spin On Glass), photosensible ou non photosensible. Selon un mode de réalisation, la matrice contient de 2 % à 90 %, de préférence de 10 % à 60 %, en poids de nanocristaux, par exemple environ 30 % en poids de nanocristaux. L'épaisseur des blocs photoluminescents 32, 33 dépend de la concentration de nanocristaux et du type de nanocristaux utilisé. La hauteur des blocs photoluminescents 32, 33 est de préférence supérieure à la hauteur des fils 21 et inférieure ou égale à la hauteur des murs 38. En vue de dessus, chaque bloc photoluminescent 32, 33 peut correspondre à un carré, un rectangle, un polygone en forme de "L", etc., dont l'aire peut être égale à l'aire d'un carré ayant un côté mesurant de 1 µm à 100 µm, de préférence de 3 µm à 15 µm. Les murs 38 sont au moins en partie en un matériau réfléchissant. Le matériau réfléchissant peut être un matériau métallique notamment le fer, le cuivre, l'aluminium, le tungstène, l'argent, le titane, l'hafnium, le zirconium ou une combinaison d'au moins deux de ces composés. De préférence, les murs 38 sont formés en un matériau compatible avec les procédés de fabrication mis en oeuvre en microélectronique. De préférence, les murs 38 sont formés en aluminium ou en argent. La hauteur des murs 38, mesurée selon une direction perpendiculaire à la face 12, est dans la plage de 300 nm à 200 µm, de préférence de 3 µm à 15 µm. L'épaisseur des murs 38, mesurée selon une direction parallèle à la face 12, est dans la plage de 100 nm à 50 µm, de préférence de 0,5 µm à 10 µm. Selon un mode de réalisation, les murs 38 peuvent être formés d'un matériau réfléchissant ou recouverts d'un revêtement réfléchissant à la longueur d'onde du rayonnement émis par les blocs photoluminescents 32, 33 et/ou les diodes électroluminescentes élémentaires. De préférence, les murs 38 entourent les blocs photoluminescents 32, 33. Les murs 38 réduisent alors la diaphonie entre blocs photoluminescents 32, 33 adjacents. La couche de protection 46 est au moins partiellement transparente au rayonnement émis par les particules photoluminescentes et/ou les diodes électroluminescentes élémentaires DEL. La couche d'encapsulation peut être réalisée en un matériau inorganique au moins partiellement transparent au rayonnement émis par les particules photoluminescentes et/ou les diodes électroluminescentes élémentaires DEL. A titre d'exemple, le matériau inorganique est choisi parmi le groupe comprenant les oxydes de silicium, du type SiO x où x est un nombre réel compris entre 1 et 2 ou SiO y N z où y et z sont des nombres réels compris entre 0 et 1, l'oxyde de titane, les oxydes d'aluminium, par exemple Al 2 O 3 , et les mélanges de ces composés. La couche d'encapsulation peut être réalisée en un matériau organique au moins partiellement transparent. A titre d'exemple, la couche d'encapsulation est un polymère silicone, un polymère époxyde, un polymère acrylique ou un polycarbonate. La couche d'encapsulation 46 peut avoir une structure monocouche ou multicouches, et comprendre par exemple un empilement de couches organiques et/ou inorganiques. La , la , la , la , et la sont des vues en coupe de structures obtenues à des étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique 5 de la . La représente la structure obtenue après la formation de la couche de germination 16 sur un substrat 10, qui correspond, à cette étape du procédé, à une plaque ayant un diamètre par exemple supérieur à 100 mm. La représente la structure obtenue après la dépôt de la couche isolante 18 sur la couche de germination 16 et formation des ouvertures 20 dans la couche isolante, par exemple par gravure anisotrope, pour exposer les portions de la couche de germination. Selon un mode de réalisation, les diamètres équivalents des ouvertures 20 sont différents pour obtenir des fils 21 de diamètres équivalents différents à l'étape suivante du procédé. La représente la structure obtenue après la croissance des fils 21. Le procédé de croissance des fils 21 est des autres couches des diodes électroluminescentes élémentaires LED peut être un procédé du type ou une combinaison de procédés du type dépôt chimique en phase vapeur (CVD, sigle anglais pour Chemical Vapor Deposition) ou dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD, acronyme anglais pour Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), également connu sous le nom d'épitaxie organométallique en phase vapeur (ou MOVPE, acronyme anglais pour Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy). Toutefois, des procédés tels que l'épitaxie par jets moléculaires (MBE, acronyme anglais pour Molecular-Beam Epitaxy), la MBE à source de gaz (GSMBE), la MBE organométallique (MOMBE), la MBE assistée par plasma (PAMBE), l'épitaxie par couche atomique (ALE, acronyme anglais pour Atomic Layer Epitaxy) ou l'épitaxie en phase vapeur aux hydrures (HVPE, acronyme anglais pour Hydride Vapor Phase Epitaxy) peuvent être utilisés. Toutefois, des procédés électrochimiques peuvent être utilisés, par exemple, le dépôt en bain chimique (CBD, sigle anglais pour Chemical Bath Deposition), les procédés hydrothermiques, la pyrolyse d’aérosol liquide ou l’électrodépôt. La représente, à une échelle réduite par rapport aux figures 10A à 10C, la structure obtenue après la formation du reste des diodes électroluminescentes élémentaires LED, la formation de la couche d'encapsulation 34 et la formation du filtre optique F_LED. La représente la structure obtenue après la découpe de la structure représentée en pour obtenir plusieurs exemplaires du dispositif optoélectronique 5. A titre d'exemple, deux chemins de découpe 52 sont représentés de façon schématique en . L'étape de découpe peut comprendre une étape de sciage de la structure représentée en . Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, bien que dans les modes de réalisation décrits précédemment, les diodes électroluminescentes élémentaires sont de type radial, il est clair que les présents modes de réalisation peuvent être mis en oeuvre avec des diodes électroluminescentes élémentaires sont de type axial pour lesquelles la zone active de la diode électroluminescente élémentaire n'est présente qu'au sommet du fil. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Dispositif optoélectronique (5 ; 50) comprenant : - une première diode électroluminescente (GLED) comprenant des éléments semiconducteurs tridimensionnels (21), correspondant chacun à un microfil, un nanofil, ou un élément conique ou tronconique de taille micrométrique ou nanométrique, et une zone active (23) recouvrant chaque élément semiconducteur tridimensionnel, la première diode électroluminescente étant configurée pour émettre un rayonnement (RL) avec un spectre d'émission pour lequel l'intensité lumineuse est supérieure à 80 % de l'intensité lumineuse maximale du spectre sur une première plage de longueurs d'ondes supérieure à 30 nm et pour lequel l'intensité lumineuse est supérieure à 50 % de l'intensité lumineuse maximale sur une deuxième plage de longueurs d'ondes inférieure à la première plage augmentée de 30 nm ; et - un filtre optique passe bande (F_LED) recouvrant la première diode électroluminescente. Dispositif optoélectronique selon la revendication 1, dans lequel la dispersion globale des diamètres équivalents des éléments semiconducteurs tridimensionnels (21) de la première diode électroluminescente (GLED) est comprise entre 2 % et 100 % du diamètre équivalent moyen des éléments semiconducteurs tridimensionnels (21) de la première diode électroluminescente (GLED). Dispositif optoélectronique selon la revendication 2, dans lequel la dispersion globale des diamètres équivalents des éléments semiconducteurs tridimensionnels (21) de la première diode électroluminescente (GLED) est comprise entre 3 % et 25 % du diamètre équivalent moyen des éléments semiconducteurs tridimensionnels (21) de la première diode électroluminescente (GLED). Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel les longueurs d'ondes centrales des rayonnements émis par les zones actives (23) de la première diode électroluminescente (GLED) sont comprises entre 400 nm à 480 nm. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel chaque élément semiconducteur tridimensionnel (21) a un diamètre équivalent compris entre 0,05 µm et 2 µm. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le filtre optique passe bande (F_LED) a une bande passante à mi-hauteur inférieure à 50 nm. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le filtre optique passe bande (F_LED) a un maximum de transmission à une longueur d'onde comprise entre 430 nm et 480 nm. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant une deuxième diode électroluminescente (GLED) ayant la même structure que la première diode électroluminescente, , et un bloc (32) d'un premier matériau photoluminescent recouvrant la deuxième diode électroluminescente. Dispositif optoélectronique selon la revendication 8, dans lequel le filtre optique passe bande (F_LED) ne recouvre pas la deuxième diode électroluminescente (GLED). Dispositif optoélectronique selon la revendication 8 ou 9, dans lequel l'anode de la première diode électroluminescente n'est pas commune avec l'anode de la deuxième diode électroluminescente et/ou la cathode de la première diode électroluminescente n'est pas commune avec la cathode de la deuxième diode électroluminescente. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 8 à 10, dans lequel le filtre optique passe bande (F_LED) a un maximum de transmission à une longueur d'onde comprise entre 430 nm et 480 nm, et dans lequel le bloc (32) du premier matériau photoluminescent est configuré pour absorber le rayonnement émis par la deuxième diode électroluminescente et le convertir en un rayonnement à une longueur d'onde comprise entre 510 nm à 570 nm. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 8 à 11, comprenant une troisième diode électroluminescente (GLED) ayant la même structure que la première diode électroluminescente, et un bloc (33) d'un deuxième matériau photoluminescent, différent du premier matériau photoluminescent, recouvrant la troisième diode électroluminescente. Dispositif optoélectronique selon la revendication 12, dans lequel le filtre optique passe bande (F_LED) ne recouvre pas la troisième diode électroluminescente (GLED). Dispositif optoélectronique selon la revendication 12 ou 13, dans lequel l'anode de la première diode électroluminescente n'est pas commune avec l'anode de la troisième diode électroluminescente et/ou la cathode de la première diode électroluminescente n'est pas commune avec la cathode de la troisième diode électroluminescente. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 12 à 14, dans lequel le filtre optique passe bande (F_LED) a un maximum de transmission à une longueur d'onde comprise entre 430 nm et 480 nm, et dans lequel le bloc (33) du deuxième matériau photoluminescent est configuré pour absorber le rayonnement émis par la troisième diode électroluminescente et le convertir en un rayonnement à une longueur d'onde comprise entre 600 nm à 720 nm. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 15, dans lequel les éléments semiconducteurs tridimensionnels (21) de la première diode électroluminescente (GLED) sont à base d'un composé III-V ou II-VI. Procédé de fabrication de dispositifs optoélectroniques (5 ; 50) comprenant les étapes suivantes : - former sur une plaque des premières diodes électroluminescentes (GLED) comprenant chacune des éléments semiconducteurs tridimensionnels (21), correspondant chacun à un microfil, un nanofil, ou un élément conique ou tronconique de taille micrométrique ou nanométrique, et une zone active (23) recouvrant chaque élément semiconducteur tridimensionnel, chaque première diode électroluminescente étant configurée pour émettre un rayonnement (RL) avec un spectre d'émission pour lequel l'intensité lumineuse est supérieure à 80 % de l'intensité lumineuse maximale du spectre sur une première plage de longueurs d'ondes supérieure à 30 nm et pour lequel l'intensité lumineuse est supérieure à 50 % de l'intensité lumineuse maximale sur une deuxième plage de longueurs d'ondes inférieure à la première plage augmentée de 30 nm ; - former un filtre optique passe bande (F_LED) recouvrant la première diode électroluminescente pour chaque dispositif optoélectronique ; et - découper la plaque pour séparer les premières diodes électroluminescentes. Procédé selon la revendication 17, dans lequel les premières diodes électroluminescentes (GLED) sont formées par croissance épitaxiale. Procédé selon la revendication 17 ou 18, comprenant une étape de formation sur la plaque d'un masque (18) comprenant des ouvertures (20), et une étape de croissance des éléments semiconducteurs tridimensionnels (21) dans les ouvertures, dans lequel la dispersion globale des diamètres équivalents des ouvertures est comprise entre 2 % et 100 % du diamètre équivalent moyen des éléments semiconducteurs tridimensionnels (21) de la première diode électroluminescente (GLED).