Brevet FR3144698A1 — publié le 20240705

Procédé d'ajustement de la longueur d'onde centrale d'un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes tridimensionnelles La présente description concerne un procédé d'ajustement de la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par un dispositif optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes tridimensionnelles comprenant une étape de mesure de la longueur d'onde centrale, une étape de détermination d'une densité de courant par diode électroluminescente pour obtenir une longueur d'onde centrale cible, et une étape de connexion/déconnexion de diodes électroluminescentes parmi les diodes électroluminescentes pour faire varier la densité de courant par diode électroluminescente jusqu'à la densité de courant déterminée. Figure pour l'abrégé : Fig. 5 Procédé d'ajustement de la longueur d'onde centrale d'un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes tridimensionnelles La présente demande concerne un procédé d'ajustement de la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par les diodes électroluminescentes d'un dispositif optoélectronique, notamment un pixel d'affichage pour un écran d'affichage ou pour un panneau de rétroéclairage, comprenant des diodes électroluminescentes tridimensionnelles à base de matériaux semiconducteurs, et un dispositif optoélectronique adapté à la mise en œuvre d'un tel procédé. Une diode électroluminescente à base de matériaux semiconducteurs comprend généralement une zone active qui est la région de la diode électroluminescente depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement électromagnétique fourni par la diode électroluminescente. La structure et la composition de la zone active sont adaptées pour obtenir un rayonnement électromagnétique ayant les propriétés souhaitées. En particulier, il est généralement recherché l'obtention d'un rayonnement électromagnétique à spectre étroit, idéalement sensiblement monochromatique. On s'intéresse plus particulièrement ici à des dispositifs optoélectroniques à diodes électroluminescentes tridimensionnelles, c’est-à-dire des diodes électroluminescentes comprenant chacune un élément semiconducteur tridimensionnel de taille micrométrique ou nanométrique s'étendant selon une direction privilégiée, par exemple un microfil ou un nanofil, et dont la zone active recouvre l'élément semiconducteur tridimensionnel. En particulier, une diode électroluminescente tridimensionnelle est dite de type radial lorsque sa zone active s'étend au moins sur les parois latérales de l'élément semiconducteur tridimensionnel. La longueur d'onde centrale du rayonnement émis par une diode électroluminescente tridimensionnelle de type radial dépend de nombreux paramètres, notamment du diamètre de l'élément semiconducteur tridimensionnel sur lequel repose la zone active de la diode électroluminescente. Un procédé de fabrication de dispositifs optoélectroniques comprend la formation de diodes électroluminescentes tridimensionnelles radiales sur une plaque et la découpe de la plaque pour séparer les dispositifs optoélectroniques. Avec les procédés connus de fabrication de diodes électroluminescentes tridimensionnelles radiales comprenant notamment des étapes de croissance par épitaxie, alors que les conditions de croissance devraient en théorie conduire à l'obtention sur une même plaque de diodes électroluminescentes identiques, on observe en pratique une dispersion globale importante des longueurs d'ondes centrales des rayonnements émis par les diodes électroluminescentes formées sur une même plaque pouvant atteindre et dépasser 20 nm, en raison notamment d'une dispersion globale importante des diamètres des éléments semiconducteurs tridimensionnels sur l'ensemble de la plaque même si la dispersion locale peut demeurer réduite. On observe également en pratique une dispersion globale des longueurs d'onde centrales des rayonnements émis par les diodes électroluminescentes formées sur des plaques différentes alors que les mêmes conditions de croissance ont été appliquées. Pour la fabrication d'un dispositif optoélectronique tel qu'un pixel pour un écran d'affichage ou pour un panneau de rétroéclairage, il est généralement exigé une dispersion de la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par le dispositif optoélectronique inférieure à 2 nm. Il est alors nécessaire de tester chacun des dispositifs optoélectroniques formés à partir d'une même plaque pour sélectionner ceux qui ont les propriétés souhaitées. Ces étapes augmentent le coût de fabrication des dispositifs optoélectroniques. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs optoélectroniques à diodes électroluminescentes tridimensionnelles connus et des procédés d'ajustement de la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par les diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique. Un objet d'un mode de réalisation est de contrôler avec précision la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par le dispositif optoélectronique. Un objet d'un mode de réalisation est de réduire, voire de supprimer, les étapes de sélection des dispositifs optoélectroniques formés à partir d'une même plaque. Un mode de réalisation prévoit un procédé d'ajustement de la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par un dispositif optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes tridimensionnelles, notamment de type radial, comprenant une étape de mesure de la longueur d'onde centrale, une étape de détermination d'une densité de courant par diode électroluminescente pour obtenir une longueur d'onde centrale cible, et une étape de connexion/déconnexion de diodes électroluminescentes parmi les diodes électroluminescentes pour faire varier la densité de courant par diode électroluminescente jusqu'à la densité de courant déterminée. La longueur d'onde émise par une diode électroluminescente tridimensionnelle variant en fonction de la densité de courant qui la traverse, ceci permet avantageusement d'ajuster la longueur d'onde centrale du dispositif optoélectronique. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique comprend une source de courant alimentant les diodes électroluminescentes tridimensionnelles. Ceci permet avantageusement de faire varier simplement la densité de courant en modifiant le nombre de diodes électroluminescentes alimentées par la source de courant. Selon un mode de réalisation, l'étape de détermination d'une densité de courant par diode électroluminescente pour obtenir une longueur d'onde centrale cible comprend la détermination de la densité de courant actuelle par diode électroluminescente, la détermination de la différence de densité de courant à réaliser en fonction de la différence entre la longueur d'onde centrale mesurée et la longueur d'onde centrale cible, et la détermination de la densité de courant à partir de la densité de courant actuelle et de la différence de densité de courant déterminée. Selon un mode de réalisation, les diodes électroluminescentes sont réparties en groupes de diodes électroluminescentes, l'étape de connexion/déconnexion comprenant la connexion/déconnexion des diodes électroluminescentes d'au moins l'un des groupes de diodes électroluminescentes. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique comprend des interrupteurs programmables reliés chacun à au moins l'une des diodes électroluminescentes, l'étape de connexion/déconnexion comprenant l'ouverture/la fermeture des interrupteurs programmables. Selon un mode de réalisation, chaque interrupteur programmable comprend un fusible, l'étape de connexion/déconnexion comprenant l'ouverture de fusibles parmi les fusibles. Ceci permet avantageusement la réalisation d'un dispositif optoélectronique de structure simple. Selon un mode de réalisation, l'ouverture de chaque fusible est réalisée par un traitement au laser du dispositif optoélectronique. Selon un mode de réalisation, chaque interrupteur programmable comprend un interrupteur commandable par un signal binaire et le dispositif optoélectronique comprend une mémoire dans laquelle sont stockés les signaux binaires. Ceci permet avantageusement de réaliser l'étape de connexion/déconnexion sans modifier la structure des interrupteurs commandables. Selon un mode de réalisation, la mémoire comprend des cellules mémoire comprenant chacune un fusible, l'étape de connexion/déconnexion comprenant l'ouverture de fusibles parmi les fusibles. Selon un mode de réalisation, l'ouverture de chaque fusible est réalisée par un traitement au laser du dispositif optoélectronique. Selon un mode de réalisation, l'étape de connexion/déconnexion comprenant la fourniture des signaux binaire à la mémoire. Un mode de réalisation prévoit également un dispositif optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes tridimensionnelles, notamment de type radial, et des moyens de connexion/déconnexion de diodes électroluminescentes parmi les diodes électroluminescentes pour atteindre une densité de courant déterminée par diode électroluminescente. Selon un mode de réalisation, les diodes électroluminescentes sont réparties en groupes de diodes électroluminescentes, chaque interrupteur programmable étant relié à l'un des groupes de diodes électroluminescentes. Ceci permet avantageusement de réduire le nombre d'interrupteurs programmables par rapport au nombre de diodes électroluminescentes. Selon un mode de réalisation, les diodes électroluminescentes comprennent chacune un élément semiconducteur tridimensionnel correspondant à un microfil, un nanofil, ou un élément conique ou tronconique de taille micrométrique ou nanométrique et une zone active recouvrant l'élément semiconducteur tridimensionnel et configurée pour émettre un rayonnement électromagnétique. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend au moins cinquante diodes électroluminescentes. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la représente, pour plusieurs plaques, la longueur d'onde médiane du rayonnement émis par les diodes électroluminescentes de la plaque en fonction du diamètre médian des diodes électroluminescentes de la plaque ; la représente, pour plusieurs plaques, la longueur d'onde maximale du rayonnement émis par les diodes électroluminescentes de la plaque en fonction du diamètre médian des diodes électroluminescentes de la plaque ; la représente des courbes d'évolution de la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par une diode électroluminescente en fonction de la densité de courant traversant la diode électroluminescente pour des diodes électroluminescentes de diamètres différents ; la représente des courbes d'évolution de l'efficacité quantique externe d'une diode électroluminescente en fonction de la densité de courant traversant la diode électroluminescente pour des diodes électroluminescentes de diamètres différents ; la est un schéma par blocs d'un mode de réalisation d'un procédé d'ajustement de la longueur d'onde centrale d'un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes ; la est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes ; la est un schéma électrique d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes comprenant des interrupteurs programmables ; la est un schéma électrique d'un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes comprenant des interrupteurs programmables ; la est une vue de dessus d'un mode de réalisation d'un interrupteur programmable du dispositif optoélectronique représenté en ou 8 ; la est un schéma électrique d'un autre mode de réalisation du dispositif optoélectronique de la ou 8 ; la illustre un mode de réalisation d'un traitement d'un dispositif optoélectronique au laser ; la est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation plus détaillé d'une partie du dispositif optoélectronique de la ; et la est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'une diode électroluminescente. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les connexions électriques des diodes électroluminescentes d'un dispositif optoélectronique ne sont pas décrites. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures ou à un dispositif optoélectronique dans une position normale d'utilisation. En outre, sauf indication contraire, on considère ici que les termes "isolant" et "conducteur" signifient respectivement "isolant électriquement" et "conducteur électriquement". Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Dans la suite de la description, la transmittance interne d'une couche correspond au rapport entre l'intensité du rayonnement sortant de la couche et l'intensité du rayonnement entrant dans la couche. L'absorption de la couche est égale à la différence entre 1 et la transmittance interne. Dans la suite de la description, une couche est dite transparente à un rayonnement lorsque l’absorption du rayonnement au travers de la couche est inférieure à 60 %. Dans la suite de la description, une couche est dite absorbante à un rayonnement lorsque l'absorption du rayonnement dans la couche est supérieure à 60 %. Dans la suite de la description, lorsqu'un rayonnement présente un spectre de forme générale "en cloche", par exemple de forme gaussienne, ayant un maximum, on appelle longueur d'onde du rayonnement, ou longueur d'onde centrale ou principale du rayonnement, la longueur d'onde à laquelle le maximum du spectre est atteint. On appelle longueur d'onde centrale d'une diode électroluminescente la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par la diode électroluminescente et, plus généralement, on appelle longueur d'onde centrale d'un dispositif optoélectronique la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par le dispositif optoélectronique. Dans la suite de la description, on appelle efficacité quantique externe (EQE, sigle anglais pour External Quantum Efficiency) d'une diode électroluminescente le rapport entre le nombre le nombre de photons émis par la diode électroluminescente et le nombre d'électrons traversant la zone active de la diode électroluminescente. La présente invention concerne la fabrication de dispositifs optoélectroniques comprenant des diodes électroluminescentes formées à partir d'éléments semiconducteurs tridimensionnels de taille nanométrique ou micrométrique, en particulier des microfils, des nanofils, ou des éléments coniques ou tronconiques de taille micrométrique ou nanométrique, notamment des pyramides. Par élément semiconducteur tridimensionnel de taille nanométrique ou micrométrique, on désigne une structure tridimensionnelle de forme allongée, par exemple cylindrique, selon une direction privilégiée, dont au moins deux dimensions, appelées dimensions mineures, sont comprises entre 5 nm et 2,5 µm, de préférence entre 50 nm et 2,5 µm. La troisième dimension, appelée dimension majeure, est supérieure ou égale à 1 fois, de préférence supérieure ou égale à 5 fois et encore plus préférentiellement supérieure ou égale à 10 fois, la plus grande des dimensions mineures. Dans certains modes de réalisation, les dimensions mineures peuvent être inférieures ou égales à environ 1 µm, de préférence comprises entre 100 nm et 1 µm, plus préférentiellement entre 100 nm et 800 nm. Dans certains modes de réalisation, la hauteur de l'élément semiconducteur tridimensionnel peut être supérieure ou égale à 500 nm, de préférence comprise entre 1 µm et 50 µm. Le terme "microfil" ou "nanofil" concerne un élément semiconducteur tridimensionnel de forme cylindrique ou sensiblement cylindrique. Dans la suite de la description, on utilise le terme "fil" pour signifier "microfil ou nanofil". La section droite des fils peut avoir différentes formes, par exemple, une forme ovale, circulaire ou polygonale, notamment triangulaire, rectangulaire, carrée ou hexagonale. On comprendra que le terme "diamètre équivalent" utilisé en relation avec une section droite d'un fil désigne une quantité associée avec l'aire du fil dans cette section droite, correspondant, par exemple, au diamètre du disque ayant la même aire que la section droite du fil. Dans la suite de la description, des modes de réalisation vont être décrits dans le cas d'un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes comprenant des éléments semiconducteurs tridimensionnels correspondant à des fils. Toutefois, il est clair que ces modes de réalisation peuvent concerner un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes dont les éléments semiconducteurs tridimensionnels sont des éléments coniques ou tronconiques de taille micrométrique ou nanométrique, notamment des pyramides. Des essais ont été réalisés pour caractériser la dispersion de la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par des diodes électroluminescentes formées sur des plaques semiconductrices de 200 mm de diamètre dans des conditions de formation identiques. Pour les essais, les diodes électroluminescentes sont de type radial et sont formées par dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD, acronyme anglais pour Metal-Organic Chemical Vapor Deposition). En outre, les éléments semiconducteurs tridimensionnels des diodes électroluminescentes sont des fils. Les diodes électroluminescentes, et en particulier les fils, sont formées dans des conditions de croissance identiques pour toutes les plaques de sorte que les diodes électroluminescentes devraient théoriquement avoir la même structure et les mêmes dimensions. La et la représentent, pour plusieurs plaques en fonction du diamètre médian Dmed des fils des diodes électroluminescentes de la plaque, respectivement la longueur d'onde médiane λmed et la longueur d'onde maximale λmax du rayonnement émis par l'ensemble des diodes électroluminescentes de la plaque. Sur les figures 1 et 2, chaque point correspond à une plaque. Le diamètre médian Dmed est déterminé à partir de cent fils situés au centre de la plaque. Sur les figures 1 et 2, les droites D1 et D2 ont été obtenues par régression linéaire. Les figures 1 et 2 illustrent la dispersion sur les longueurs d'ondes qui résulte des procédés de formation des diodes électroluminescentes par croissance par épitaxie. Cette dispersion est particulièrement importante pour des diodes électroluminescentes tridimensionnelles de type radial dans la mesure où la zone active d'une telle diode électroluminescente recouvre les parois latérales du fil. La structure et la composition des couches de la zone active sont alors particulièrement sensibles aux dimensions du fil, en particulier son diamètre. Selon un mode de réalisation, la dispersion de la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes est réduit en modifiant la densité de courant traversant les diodes électroluminescentes. En effet, les inventeurs ont mis en évidence que, pour des diodes électroluminescentes tridimensionnelles de type radial, la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par la diode électroluminescente varie de façon importante en fonction de la densité de courant traversant la diode électroluminescente, de sorte qu'un ajustement de la longueur d'onde centrale émis par la diode électroluminescente peut être réalisé en faisant varier la densité de courant traversant la diode électroluminescente. Des essais ont été réalisés pour caractériser la variation de la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par des diodes électroluminescentes formées sur des plaques semiconductrices de 200 mm de diamètre dans des conditions de formation identiques. Pour les essais, les diodes électroluminescentes sont de type radial et sont formées par dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD, acronyme anglais pour Metal-Organic Chemical Vapor Deposition). En outre, les éléments semiconducteurs tridimensionnels des diodes électroluminescentes sont des fils. Les diodes électroluminescentes, et en particulier les fils, sont formées dans des conditions de croissance identiques pour toutes les plaques de sorte que les diodes électroluminescentes devraient théoriquement avoir la même structure et les mêmes dimensions. La représente des courbes d'évolution de la longueur d'onde centrale λc du rayonnement émis par des groupes de diodes électroluminescentes filaires (un groupe étant constitué de 256 diodes électroluminescentes filaires) en fonction de la densité de courant J traversant chaque diode électroluminescente filaire du groupe de diodes électroluminescentes, les groupes de diodes électroluminescentes étant formées sur des plaques différentes ou à des emplacements différents d'une même plaque. Comme cela apparaît en , pour une même densité de courant J, la longueur d'onde centrale λc varie d'une diode électroluminescente à l'autre et une variation de la densité de courant entre 0,1 A/cm 2 et 10 A/cm 2 entraîne une variation de la longueur d'onde centrale λc d'au moins 10 nm. La représente des courbes d'évolution de l'efficacité quantique externe EQE émis par les groupes de diodes électroluminescentes de la en fonction de la densité de courant J traversant chaque diode électroluminescente du groupe de diodes électroluminescentes. Comme cela apparaît en , une variation de la densité de courant entre 0,1 A/cm 2 et 10 A/cm 2 entraîne une faible variation de l'efficacité quantique externe EQE par rapport au maximum de l'efficacité quantique externe. Ceci signifie que les diodes électroluminescentes continuent de fonctionner sensiblement avec une efficacité quantique externe maximale sur une large plage de densités de courant. La est un schéma par blocs d'un mode de réalisation d'un procédé d'ajustement de la longueur d'onde centrale λc du rayonnement émis par un dispositif optoélectronique comprenant une pluralité de diodes électroluminescentes, notamment des diodes électroluminescentes tridimensionnelles de type radial. Le procédé d'ajustement vise à modifier le dispositif optoélectronique pour que le rayonnement émis par le dispositif optoélectronique ait une longueur d'onde centrale λc égale à une longueur d'onde centrale cible. Le procédé comprend des étapes successives 1, 2, 3 et 4. L'étape 1 comprend la mesure d'un paramètre représentatif de la longueur d'onde centrale λc du rayonnement émis par le dispositif optoélectronique lorsqu'il est alimenté par un courant d'intensité constante déterminée. L'étape 1 comprend, par exemple, la mesure du spectre du rayonnement émis par le dispositif optoélectronique et la détermination de la longueur d'onde centrale λc du rayonnement émis par le dispositif optoélectronique à partir du spectre mesuré. Selon un mode de réalisation, à l'étape 1, toutes les diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique sont actives. L'étape 2 comprend la détermination de la variation de la longueur d'onde centrale λc mesurée par rapport à la longueur d'onde centrale cible, et la détermination de la variation ΔJ de la densité de courant du dispositif à réaliser pour faire varier la longueur d'onde centrale λc jusqu'à atteindre la longueur d'onde centrale cible. Selon un mode de réalisation, la détermination de la variation ΔJ de la densité de courant comprend la détermination de la densité de courant J initiale traversant chaque diode électroluminescente du dispositif optoélectronique, la sélection de la courbe représentée en passant par le point correspond au couple (λc, J) et la détermination d’une densité de courant cible à appliquer pour atteindre la longueur d'onde centrale cible, la densité de courant cible étant égale à la somme de la densité de courant J initiale et de la variation ΔJ (positive ou négative) de la densité de courant à réaliser. Selon un mode de réalisation, l'intensité du courant qui alimente le dispositif optoélectronique est connue, et le nombre initial de diodes électroluminescentes alimentées par le courant est connu ainsi que la façon dont les diodes électroluminescentes sont connectées les unes aux autres. La densité de courant J initiale traversant chaque diode électroluminescente peut alors être déterminée directement par calcul. Selon un autre mode de réalisation, la détermination de la densité de courant J initiale comprend une étape de mesure. L'étape 3 comprend la détermination de la configuration de connexion/déconnexion des diodes électroluminescentes à réaliser pour obtenir la variation ΔJ de la densité de courant du dispositif optoélectronique. Selon un mode de réalisation, l'étape 3 comprend la détermination du nombre de diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique à éteindre pour obtenir la variation ΔJ de la densité de courant. Comme les diodes électroluminescentes sont alimentées par la même source de courant qui fournit un courant d'intensité constante, la variation du nombre de diodes électroluminescentes qui sont connectées, et qui donc sont alimentées par la source de courant, entraîne une variation de la densité de courant par diode électroluminescente. Selon un mode de réalisation, les diodes électroluminescentes sont connectées en parallèle. Selon un mode de réalisation, les diodes électroluminescentes peuvent être connectées/déconnectées individuellement. Selon un autre mode de réalisation, peuvent être connectées/déconnectées par groupes de diodes électroluminescentes. L'étape 4 comprend la déconnexion du nombre déterminé à l'étape 3 de diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique. Le procédé peut en outre comprendre une étape de modification de la durée d’allumage de l’ensemble des diodes électroluminescentes pour réajuster le flux moyen émis par l’ensemble des diodes après avoir changé la densité de courant. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend au moins deux itérations, chaque itération comprenant le cycle des étapes 1, 2, 3 et 4 décrit précédemment. Toutefois, à la deuxième itération de l'étape 1, et éventuellement aux itérations suivantes de l'étape 1, le nombre restant de diodes électroluminescentes qui sont activées est réduit du nombre de diodes électroluminescentes qui ont été éteintes à l'étape 4 de l'itération précédente. Dans le mode de réalisation décrit précédemment, toutes les diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique sont activées à l'étape 1 et des diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique sont éteintes à l'étape 4. Selon un autre mode de réalisation, le nombre de diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique qui sont activées à l'étape 1 est inférieur strictement au nombre total de diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique. A l'étape 3, la variation ΔJ de la densité de courant à appliquer peut entraîner la déconnexion d'un nombre déterminé de diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique qui étaient activées ou la connexion / activation d'un nombre déterminé de diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique qui étaient inactivées. Des diodes électroluminescentes déconnectées du dispositif optoélectronique sont alors activées à l'étape 4. A l'étape 3, la sélection des diodes électroluminescentes à déconnecter ou à activer parmi les diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique peut dépendre de la position des diodes électroluminescentes de façon à ne pas dégrader l'homogénéité spatiale du rayonnement émis par le dispositif optoélectronique. La est une vue en coupe, partielle et schématique d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique Pix, par exemple un pixel d'affichage. Un écran d'affichage peut comprendre de 10 à 10 9 pixels d'affichage Pix. Chaque pixel d'affichage Pix peut occuper en vue de dessus une surface comprise entre 1 µm 2 et 100 mm 2 . L'épaisseur de chaque pixel d'affichage Pix peut être comprise entre 1 µm et 6 mm. Le dispositif optoélectronique Pix comprend du haut vers le bas en : - un circuit optoélectronique 5 ; et - un circuit électronique 30, appelé circuit de commande par la suite. Le circuit optoélectronique 5 comprend un support 10, également appelé substrat, sur lequel sont formées des diodes électroluminescentes LED, de préférence au moins dix diodes électroluminescentes, plus préférentiellement au moins cinquante diodes électroluminescentes, encore plus préférentiellement au moins cent diodes électroluminescentes, trois diodes électroluminescentes LED étant représentées à titre d'exemple en . Selon un autre mode de réalisation, les diodes électroluminescentes LED peuvent être formées sur un substrat initial différent du support 10, puis reportées sur le support 10, le substrat initial étant alors éventuellement retiré. Le support 10 comprend une face supérieure 12 sur laquelle reposent les diodes électroluminescentes LED, la face supérieure 12 étant de préférence plane au moins au niveau des diodes électroluminescentes LED. Le circuit optoélectronique 5 peut comprendre une couche d'encapsulation 6 recouvrant les diodes électroluminescentes LED du côté opposé au circuit de commande 30. La couche d'encapsulation 6 peut comprendre un ou des blocs photoluminescents ou un ou des blocs transparents au rayonnement émis par les diodes électroluminescentes. Chaque bloc photoluminescent ou transparent est en vis-à-vis d'au moins l'une des diodes électroluminescentes LED. Lorsque des blocs photoluminescents sont présents, chaque bloc photoluminescent comprend des luminophores adaptés, lorsqu'ils sont excités par la lumière émise par la diode électroluminescente LED associée, à émettre de la lumière à une longueur d'onde différente de la longueur d'onde de la lumière émise par la diode électroluminescente LED associée. Le circuit optoélectronique 5 comprend des éléments conducteurs 7, situés dans le support 10, et connectés aux électrodes des diodes électroluminescentes LED. Le circuit optoélectronique 5 est relié électriquement au circuit de commande 30 par des plots conducteurs, qui peuvent correspondre aux éléments conducteurs 7, et qui sont au contact de plots conducteurs du circuit de commande 30. De préférence, le circuit optoélectronique 5 comprend seulement les diodes électroluminescentes LED et les éléments conducteurs 7 de ces diodes électroluminescentes LED et le circuit de commande 30 comprend la totalité des composants électroniques nécessaires à la commande des diodes électroluminescentes LED du circuit optoélectronique 5. A titre de variante, le circuit optoélectronique 5 peut également comprendre d'autres composants électroniques en plus des diodes électroluminescentes LED, notamment des pistes conductrices connectant plusieurs diodes électroluminescentes LED entre elles. Le circuit de commande 30 comprend une face inférieure 32 et une face supérieure 34 opposée à la face inférieure 32, les faces 32 et 34 étant de préférence parallèles. Le circuit de commande 30 comprend en outre des plots conducteurs 36 sur la face inférieure 32. Le circuit de commande 30 peut comprendre un substrat semiconducteur 38, un empilement 40 de couches isolantes recouvrant le substrat 38 et des pistes conductrices 42 de plusieurs niveaux de métallisation formées entre les couches isolantes de l'empilement 40 et connectées par des vias conducteurs non représentés. Le circuit de commande 30 peut en outre comprendre des composants électroniques, non représentés en , notamment des transistors, formés dans et/ou sur le substrat 38. Une couche isolante, non représentée, peut recouvrir le substrat semiconducteur 38 du côté opposé à l'empilement 40 et délimiter la face inférieure 32 du circuit de commande 30. Le circuit de commande 30 peut en outre comprendre des vias conducteurs traversants, non représentés, s'étendant dans le substrat 38, sur toute l'épaisseur du substrat 38, et isolés électriquement du substrat, et permettant de relier électriquement les plots 36 à la face avant du substrat 38. Le substrat semiconducteur 38 est, par exemple, un substrat en silicium, notamment en silicium monocristallin. Les composants électroniques peuvent alors comprendre des transistors à effet de champ à grille isolée, également appelés transistors MOS (Metal-Oxide Semiconductor). Selon un autre mode de réalisation, le substrat 38 peut correspondre à un substrat non semiconducteur. Selon un mode de réalisation, les composants électroniques peuvent comprendre des transistors en couches minces, également appelés transistors TFT (sigle anglais pour Thin-Film Transistor), le substrat 38 pouvant alors ne pas être présent. Le circuit optoélectronique 5 est fixé à la face supérieure 34 du circuit de commande 30. A titre de variante, notamment lorsque les composants électroniques comprennent des transistors en couches minces, également appelés transistors TFT, le circuit de commande 30 peut être formé directement sur le circuit optoélectronique 5. La et la représentent des modes de réalisation d'un schéma électrique équivalent du dispositif optoélectronique Pix de la . Sur les figures 7 et 8, les diodes électroluminescentes LED sont à électrode d'anode A commune et comprennent des électrodes de cathodes K distinctes. Le circuit de commande 30 comprend un circuit électronique 44 comprenant un circuit à transistors MOS C de commande des diodes électroluminescentes LED comprenant une borne B qui est connectée à la cathode K de chaque diode électroluminescente LED en fonctionnement. Selon un mode de réalisation, le circuit à transistors MOS C comprend une source de courant commandable. Le circuit de commande 30 peut, en outre, comprendre une borne, non représentée, destinée en fonctionnement à recevoir un potentiel de référence bas, par exemple la masse, et une borne, non représentée, destinée à recevoir en fonctionnement un potentiel de référence haut. Les potentiels haut et bas peuvent être appliqués entre les plots conducteurs 36 du circuit de commande 30 en fonctionnement. Le circuit de commande 30 peut, en outre, comprendre des bornes, non représentés, de réception de signaux binaires ou analogiques et le circuit électronique 44 peut être configuré pour traiter les signaux reçus et piloter le circuit de commande C pour faire varier l'intensité du courant alimentant les diodes électroluminescentes LED. Le dispositif optoélectronique Pix comprend en outre des interrupteurs programmables 50 permettant de déconnecter au moins certaines des diodes électroluminescentes LED. En , le dispositif optoélectronique Pix comprend un interrupteur programmable 50 entre la cathode K de chaque diode électroluminescente LED et le circuit C. En , les diodes électroluminescentes LED du dispositif optoélectronique Pix sont réparties en ensembles de diodes électroluminescentes LED, deux ensembles E1, E2 de diodes électroluminescentes LED étant représentés à titre d'exemple en , et le dispositif optoélectronique Pix comprend, pour chaque ensemble E1, E2, un interrupteur programmable 50 entre le circuit C et les cathodes K des diodes électroluminescentes LED de l'ensemble E1, E2. Selon un autre mode de réalisation, au moins certaines des diodes électroluminescentes LED ne sont pas reliées au circuit C par un interrupteur programmable 50. L'interrupteur programmable 50 peut être prévu dans le circuit de commande 30 comme cela est illustré sur les figures 7 et 8 ou être prévu dans le circuit optoélectronique 5. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique Pix comprend au moins cinq interrupteurs programmables 50, plus préférentiellement au moins dix interrupteurs programmables 50, plus préférentiellement au moins cinquante interrupteurs programmables 50, encore plus préférentiellement au moins cinquante interrupteurs programmables 50. Selon un mode de réalisation, les interrupteurs 50 sont utilisés à l'étape 4 décrite précédemment de déconnexion ou d'activation de diodes électroluminescentes parmi les diodes électroluminescentes LED du dispositif optoélectronique Pix. Selon un mode de réalisation, chaque interrupteur 50 correspond à un élément programmable de type fusible. Selon un mode de réalisation, l'interrupteur programmable 50 comprend une piste conductrice susceptible d'être interrompue, par exemple par un traitement au laser. Lorsque l'interrupteur programmable 50 est prévu dans le circuit de commande 30 comme cela est illustré sur les figures 7 et 8, l'interrupteur programmable 50 peut être formé au moins en partie par certaines des pistes conductrices 42, notamment par des pistes conductrices du premier niveau de métallisation du circuit de commande 30 qui peuvent être en silicium polycristallin ou par des pistes conductrices d'un autre niveau de métallisation qui peuvent être métalliques. Lorsque l'interrupteur programmable 50 est prévu dans le circuit optoélectronique 5, l'interrupteur programmable 50 peut être formé au moins en partie par les éléments conducteurs 7. La est une vue de dessus, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un interrupteur programmable 50 correspondant à un élément programmable du type fusible. L'élément programmable 50 comprend deux plots d'accès 52 et 54 et une piste conductrice 56 s'étendant entre les deux plots d'accès. Les plots d'accès 52 et 54 et la piste conductrice 56 peuvent correspondre à des pistes conductrices 42 du circuit de commande 30 et/ou à des éléments conducteurs 7 du circuit optoélectronique 5. De façon générale, la piste conductrice 56 peut être métallique ou en un matériau conducteur électriquement non métallique, notamment du silicium dopé monocristallin ou polycristallin. Chaque élément programmable 50 une fois programmé se trouve dans l'une de première ou deuxième configurations. Dans la première configuration, la piste 56 n'est pas interrompue et connecte les deux plots 52, 54. Dans la deuxième configuration, la piste 56 est interrompue et ne connecte pas les deux plots 52, 54. Selon un mode de réalisation, l'élément programmable 50 peut être programmé par un traitement au laser. Selon un autre mode de réalisation, l'élément programmable 50 peut être programmé par application d'une source d'énergie électrique (par exemple une source de courant) à ses bornes lui injectant une énergie (par exemple un courant) suffisamment importante pour le détruire. Selon un mode de réalisation, l'interrupteur programmable 50 correspond à un transistor, par exemple un transistor MOS. La représente un autre mode de réalisation plus détaillé du circuit électrique de la ou 8. A titre d'exemple, quatre diodes électroluminescentes LED sont représentées en . En , le dispositif optoélectronique Pix comprend un transistor MOS 50, par exemple du type N, pour chaque diode électroluminescente LED. Le drain de chaque transistor 50 est connecté à la cathode de la diode électroluminescente LED associée. L'anode de chaque diode électroluminescente LED reçoit un potentiel de référence haut Vcc. La grille de chaque transistor 50 est commandée par un signal de commande fournie par une mémoire MEM. Selon un mode de réalisation, la mémoire MEM est une mémoire une fois programmable, également appelée mémoire OTP (sigle anglais pour One Time Programmable). Selon un mode de réalisation, chaque cellule mémoire de la mémoire MEM peut correspondre à un élément programmable tel que décrit précédemment en relation avec la . Selon un mode de réalisation, la mémoire MEM peut être programmée par un traitement laser. Dans ce mode de réalisation, après la fabrication du dispositif optoélectronique, la piste 56 de l'élément programmable de chaque cellule mémoire n'est pas interrompue de sorte que l'élément programmable est dans la première configuration. Ceci correspond au stockage dans la cellule mémoire d'une donnée binaire à un premier état. A l'étape 4 décrite précédemment, pour certaines des cellules mémoire, on réalise l'interruption de la piste 56 de l'élément programmable de la cellule mémoire pour amener l'élément programmable dans la deuxième configuration. Ceci correspond au stockage dans la cellule mémoire d'une donnée binaire à un deuxième état. Chaque transistor 50 est commandé à l'état passant ou à l'état bloqué en fonction de la donnée binaire stockée dans la cellule mémoire associée de la mémoire MEM. Selon un autre mode de réalisation, la mémoire MEM est une mémoire non volatile, par exemple une mémoire vive, qui est programmée au cours de l'étape 4. Selon un mode de réalisation, au cours de l'étape 4, des signaux de commande sont transmis au dispositif optoélectronique Pix pour stocker le signal binaire souhaité dans chaque cellule mémoire de la mémoire MEM. La est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un système de traitement 70 par laser du dispositif optoélectronique Pix de la ou 8. Le système de traitement 70 comprend une source laser 71 et un dispositif optique de focalisation 72 ayant un axe optique D. La source 71 est adaptée à fournir un faisceau laser incident 73 au dispositif de focalisation 72 qui fournit un faisceau laser 74 convergent. Le dispositif optique de focalisation 72 peut comprendre un composant optique, deux composants optiques ou plus de deux composants optiques, un composant optique correspondant par exemple à une lentille. De préférence, le faisceau laser incident 73 est sensiblement collimaté selon l'axe optique D du dispositif optique 72. On a représenté en une région 75 du dispositif optoélectronique Pix comprenant les éléments programmables à programmer. De façon générale, pour atteindre la région à traiter 75 le laser doit traverser une portion 76, appelée substrat par la suite, du dispositif optoélectronique Pix et éventuellement d'un support auquel est fixé le dispositif optoélectronique Pix. Le substrat 76 comprend une face 77 recevant le faisceau laser. De préférence, la face 77 est plane et polie. Selon un mode de réalisation, le traitement est réalisé alors que le dispositif optoélectronique Pix n'est pas fixé à un support du côté du circuit de commande 30. Dans ce cas, la face 77 peut correspondre à la face 32 du circuit électronique 30 et le traitement du dispositif optoélectronique Pix est de préférence réalisé du côté de la face 32 du circuit électronique 30. Selon un autre mode de réalisation, le traitement est réalisé alors que le dispositif optoélectronique Pix est fixé à un support du côté du circuit de commande 30. Dans ce cas, le traitement du dispositif optoélectronique Pix peut être réalisé du côté de la face 32 du circuit de commande 30, au travers du support sur lequel repose le circuit électronique 30 ou peut être réalisé au travers du circuit optoélectronique 5. Selon un mode de réalisation, le traitement correspond à l'exposition de parties de la région à traiter 75 de façon à permettre, pour chaque partie exposée, la destruction de l'élément programmable situé dans cette partie. La puissance laser peut être adaptée de manière à être suffisamment élevée pour détruire l'élément programmable, et suffisamment faible pour ne pas endommager les éléments voisins. La 2 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation plus détaillé du circuit optoélectronique 5 de la . Le circuit optoélectronique 5 comprend de bas en haut en : - le substrat 10 ; - une couche de germination 16 en un matériau favorisant la croissance de fils et disposée sur la face 12, la couche de germination 16 pouvant ne pas être présente ; - une couche isolante 18 recouvrant la couche de germination 16 et comprenant des ouvertures 20 exposant des portions de la couche de germination 16 ; - les diodes électroluminescentes LED (six diodes électroluminescentes étant représentées à titre d'exemple) émettant chacune un rayonnement R_LED, l'ensemble des rayonnements R_LED formant le rayonnement R du dispositif optoélectronique Pix, chaque diode électroluminescente LED étant en contact avec la couche de germination 16 au travers de l'une des ouvertures 20 ; - une couche isolante 24 s'étendant sur les flancs latéraux d'une portion inférieure de chaque diode électroluminescente LED et s'étendant sur la couche isolante 18 entre les diodes électroluminescentes LED ; - une couche conductrice 26 transparente au rayonnement électromagnétique R_LED émis par les diodes électroluminescentes LED, formant une électrode recouvrant chaque diode électroluminescente LED et s'étendant en outre sur la couche isolante 24 entre les diodes électroluminescentes LED ; - une couche réfléchissante et conductrice 28, s'étendant sur la couche conductrice 26 entre les diodes électroluminescentes LED, la couche réfléchissante et conductrice 28 pouvant, à titre de variante, être interposée entre la couche d'électrode 26 et la couche isolante 24 entre les diodes électroluminescentes LED ; et - la couche d'encapsulation 6 s'étendant sur les couches 26 et 28, au contact physique des couches 26 et 28, recouvrant complètement les diodes électroluminescentes LED, et comprenant une face supérieure 35, de préférence plane. En , on a en outre représenté des tranchées d'isolation latérale 11 s'étendant dans le substrat 10. Les tranchées d'isolation latérale 11 isolent électriquement des portions du substrat, ce qui permet de commander séparément chaque diode électroluminescente LED ou des groupes de diodes électroluminescentes LED. En , les éléments conducteurs 7 ne sont pas représentés. Le circuit optoélectronique 5 peut comprendre des couches supplémentaires non représentées, notamment des couches de protection étanches à l'humidité et/ou à l'air, une couche antireflet, etc. A titre de variante, la couche d'encapsulation 6 peut ne pas être présente. Selon un mode de réalisation, le circuit optoélectronique 5 comprend une densité de diodes électroluminescentes supérieure à 10000/mm 2 , de préférence supérieure à 20000/mm 2 , encore plus préférentiellement supérieure à 40000/mm 2 , en particulier supérieure à 10 6 /mm 2 . Les diodes électroluminescentes LED peuvent être agencées en maillage carré, une diode électroluminescente LED étant située à chaque croisement d'une ligne et d'une colonne. Le pas selon les rangées et/ou les colonnes peut être compris entre 0,1 µm et 100 µm, de préférence entre 0,1 µm et 6 µm. A titre de variante, les diodes électroluminescentes LED peuvent être disposées selon un autre agencement, par exemple selon un agencement hexagonal. Selon un mode de réalisation, chaque diode électroluminescente LED est adaptée à émettre un rayonnement R_LED dont la longueur d'onde centrale est dans la plage de 400 nm à 480 nm, ou de 480 nm à 560 nm, ou de 570nm à 650 nm. Selon un autre mode de réalisation, le substrat 10 n'est présent qu'à des étapes intermédiaires du procédé de réalisation du circuit optoélectronique 5 mais est ensuite retiré et n'est pas présent sur le produit final. La représente un mode de réalisation des diodes électroluminescentes LED. Chaque diode électroluminescente LED comprend un fil 21 en contact avec la couche de germination 16 au travers de l'une des ouvertures 20 et une coque 22 comprenant un empilement de couches semiconductrices recouvrant les parois latérales et le sommet du fil 21. L'ensemble formé par chaque fil 21 et la coque 22 associée constitue une diode électroluminescente LED. La coque 22 peut comprendre un empilement de plusieurs couches comprenant notamment une couche active 23 et une couche de liaison 25. La couche active 23 est la couche depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement fourni par la diode électroluminescente LED. Selon un exemple, la couche active 23 peut comporter des moyens de confinement, tels qu'un puits quantique unique ou des puits quantiques multiples. La couche de liaison 25 peut comprendre un empilement de couches semiconductrices du même matériau que le fil 21 mais du type de conductivité opposé au fil 21. L'épaisseur de la couche active 23 peut être comprise entre 1 nm et 100 nm. Un procédé de fabrication du circuit optoélectronique 5 comprend la formation des diodes électroluminescentes tridimensionnelles LED sur une plaque, et la découpe de la plaque pour séparer le dispositif optoélectronique du reste de la plaque. La formation des diodes électroluminescentes tridimensionnelles sur la plaque comprend notamment des étapes de croissance par épitaxie. Plusieurs exemplaires du circuit optoélectronique 5 peuvent être réalisés simultanément sur la même plaque, puis séparés. Le procédé de croissance des fils 21 est des autres couches des diodes électroluminescentes LED peut être un procédé du type ou une combinaison de procédés du type dépôt chimique en phase vapeur (CVD, sigle anglais pour Chemical Vapor Deposition) ou dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD, acronyme anglais pour Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), également connu sous le nom d'épitaxie organométallique en phase vapeur (ou MOVPE, acronyme anglais pour Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy). Toutefois, des procédés tels que l'épitaxie par jets moléculaires (MBE, acronyme anglais pour Molecular-Beam Epitaxy), la MBE à source de gaz (GSMBE), la MBE organométallique (MOMBE), la MBE assistée par plasma (PAMBE), l'épitaxie par couche atomique (ALE, acronyme anglais pour Atomic Layer Epitaxy) ou l'épitaxie en phase vapeur aux hydrures (HVPE, acronyme anglais pour Hydride Vapor Phase Epitaxy) peuvent être utilisés. Toutefois, des procédés électrochimiques peuvent être utilisés, par exemple, le dépôt en bain chimique (CBD, sigle anglais pour Chemical Bath Deposition), les procédés hydrothermiques, la pyrolyse d’aérosol liquide ou l’électrodépôt. Le substrat 10 peut correspondre à une structure monobloc ou correspondre à une couche recouvrant un support constitué d'un autre matériau. Le substrat 10 est de préférence un substrat semiconducteur, par exemple un substrat en silicium, en germanium, en carbure de silicium, en un composé III-V, tel que du GaN ou du GaAs, ou un substrat en ZnO. De préférence, le substrat 10 est un substrat de silicium monocristallin. De préférence, il s'agit d'un substrat semiconducteur compatible avec les procédés de fabrication mis en oeuvre en microélectronique. Le substrat 10 peut correspondre à une structure multicouches de type silicium sur isolant, également appelée SOI (acronyme anglais pour Silicon On Insulator). La section droite des ouvertures 20 peut correspondre à la section droite souhaitée des fils 21 ou peut être différente de la section droite des fils qui sera obtenue. Le diamètre équivalent des fils 21 peut être égal ou supérieur au diamètre équivalent des ouvertures 20. La couche de germination 16 est en un matériau favorisant la croissance des fils. A titre d'exemple, le matériau composant la couche de germination 16 peut être un nitrure, un carbure ou un borure d'un métal de transition de la colonne IV, V ou VI du tableau périodique des éléments ou une combinaison de ces composés. A titre d'exemple, la couche de germination 16 peut être en nitrure d'aluminium (AlN), en bore (B), en nitrure de bore (BN), en titane (Ti), en nitrure de titane (TiN), en tantale (Ta), en nitrure de tantale (TaN), en hafnium (Hf), en nitrure d'hafnium (HfN), en niobium (Nb), en nitrure de niobium (NbN), en zirconium (Zr), en borate de zirconium (ZrB 2 ), en nitrure de zirconium (ZrN), en carbure de silicium (SiC), en nitrure et carbure de tantale (TaCN), en nitrure de magnésium sous la forme Mg x N y , où x est environ égal à 3 et y est environ égal à 2, par exemple du nitrure de magnésium selon la forme Mg 3 N 2 ou du nitrure de gallium et de magnésium (MgGaN), en tungstène (W), en nitrure de tungstène (WN) ou en une combinaison de ceux-ci. La couche de germination 16 peut avoir une structure monocouche ou correspondre à un empilement d'au moins deux couches, chaque couche étant par exemple dans l'un des matériaux décrits précédemment. Selon un autre mode de réalisation, la couche de germination 16 peut ne pas être présente. Selon un autre mode de réalisation, la couche de germination 16 peut être remplacée par des plots de germination, par exemple formés au fond des ouvertures 20. Chaque couche isolante 18, 24 peut être en un matériau diélectrique, par exemple en oxyde de silicium (SiO 2 ), en nitrure de silicium (Si x N y , où x est environ égal à 3 et y est environ égal à 4, par exemple du Si 3 N 4 ), en oxynitrure de silicium (notamment de formule générale SiO x N y , par exemple du Si 2 ON 2 ), en oxyde d'aluminium (Al 2 O 3 ), en oxyde d'hafnium (HfO 2 ), en dioxyde de titane (TiO 2 ) ou en diamant. La couche isolante 18, 24 peut avoir une structure monocouche ou correspondre à un empilement de deux couches ou de plus de deux couches. Lorsque la couche isolante 18 correspond à un empilement d'au moins deux couches, la couche supérieure de l'empilement est de type isolante, par exemple en un matériau diélectrique. Les fils 21 comprennent en majorité, de préférence à plus de 60 % en masse, plus préférentiellement à plus de 80 % en masse, au moins un matériau semiconducteur. Le matériau semiconducteur peut être du silicium, du germanium, du carbure de silicium, un composé III-V, un composé II-VI ou une combinaison d'au moins deux de ces composés. Des exemples d'éléments du groupe III comprennent le gallium (Ga), l'indium (In) ou l'aluminium (Al). Des exemples de composés III-N sont GaN, AlN, InN, InGaN, AlGaN ou AlInGaN. D'autres éléments du groupe V peuvent également être utilisés, par exemple, le phosphore ou l'arsenic. De façon générale, les éléments dans le composé III-V peuvent être combinés avec différentes fractions molaires. Des exemples d'éléments du groupe II comprennent des éléments du groupe IIA, notamment le béryllium (Be) et le magnésium (Mg) et des éléments du groupe IIB, notamment le zinc (Zn), le cadmium (Cd) et le mercure (Hg). Des exemples d'éléments du groupe VI comprennent des éléments du groupe VIA, notamment l'oxygène (O) et le tellure (Te). Des exemples de composés II-VI sont ZnO, ZnMgO, CdZnO, CdZnMgO, CdHgTe, CdTe ou HgTe. De façon générale, les éléments dans le composé II-VI peuvent être combinés avec différentes fractions molaires. Le matériau semiconducteur des fils peut comporter un dopant, par exemple du silicium assurant un dopage de type N d’un composé III-N, ou du magnésium assurant un dopage de type P d’un composé III-N. La couche conductrice 28 correspond, de préférence à une couche métallique, par exemple en aluminium, en argent, en cuivre, en or ou en zinc. L'épaisseur de la couche conductrice 28 peut être comprise entre 0,01 µm et 1000 µm. La couche d'électrode 26 peut être une couche en un matériau transparent et conducteur tel que de l'oxyde d'indium-étain (ou ITO, acronyme anglais pour Indium Tin Oxide), de l'oxyde de zinc dopé à l'aluminium ou au gallium, ou du graphène. L'épaisseur de la couche d'électrode 26 peut être comprise entre 0,01 µm et 10 µm. La couche d'encapsulation 34 peut être réalisée en un matériau inorganique au moins partiellement transparent au rayonnement émis par les particules photoluminescentes et/ou les diodes électroluminescentes LED. A titre d'exemple, le matériau inorganique est choisi parmi le groupe comprenant les oxydes de silicium, du type SiO x où x est un nombre réel qui varie de 1 à 2, les nitrures de silicium (Si x N y , où x est environ égal à 3 et y est environ égal à 4, par exemple du Si 3 N 4 ), les oxynitrures de silicium (notamment de formule générale SiO x N y , par exemple du Si 2 ON 2 ), l'oxyde de titane, les oxydes d'aluminium, par exemple Al 2 O 3 , et les mélanges de ces composés. La couche d'encapsulation 34 peut être réalisée en un matériau organique au moins partiellement transparent. A titre d'exemple, la couche d'encapsulation 34 est un polymère silicone, un polymère époxyde, un polymère acrylique ou un polycarbonate. La couche d'encapsulation 34 peut avoir une structure monocouche ou multicouches, et comprendre par exemple un empilement de couches organiques et/ou inorganiques. Selon un mode de réalisation, le rayonnement émis par l'un des blocs photoluminescents correspond à de la lumière verte, c'est-à-dire un rayonnement dont la longueur d'onde est dans la plage de 490 nm à 580 nm. Selon un mode de réalisation, le rayonnement émis par un autre des blocs photoluminescents correspond à de la lumière rouge, c'est-à-dire un rayonnement dont la longueur d'onde est dans la plage de 590 nm à 720 nm. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, bien que dans les modes de réalisation décrits précédemment, les diodes électroluminescentes sont de type radial, il est clair que les présents modes de réalisation peuvent être mis en oeuvre avec des diodes électroluminescentes sont de type axial pour lesquelles la zone active de la diode électroluminescente n'est présente qu'au sommet du fil. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Procédé d'ajustement de la longueur d'onde centrale (λc) du rayonnement émis par un dispositif optoélectronique (Pix) comprenant des diodes électroluminescentes (LED) tridimensionnelles comprenant une étape de mesure de la longueur d'onde centrale, une étape de détermination d'une densité de courant (J) par diode électroluminescente pour obtenir une longueur d'onde centrale cible, et une étape de connexion/déconnexion de diodes électroluminescentes parmi les diodes électroluminescentes pour faire varier la densité de courant par diode électroluminescente jusqu'à la densité de courant déterminée. Procédé selon la revendication 1, dans lequel chaque diode électroluminescente (LED) tridimensionnelle est de type radial. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le dispositif optoélectronique (Pix) comprend une source de courant alimentant les diodes électroluminescentes (LED) tridimensionnelles. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l'étape de détermination d'une densité de courant (J) par diode électroluminescente pour obtenir une longueur d'onde centrale cible comprend la détermination de la densité de courant actuelle par diode électroluminescente (LED), la détermination de la différence de densité de courant à réaliser en fonction de la différence entre la longueur d'onde centrale mesurée et la longueur d'onde centrale cible, et la détermination de la densité de courant à partir de la densité de courant actuelle et de la différence de densité de courant déterminée. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel les diodes électroluminescentes (LED) sont réparties en groupes de diodes électroluminescentes, l'étape de connexion/déconnexion comprenant la connexion/déconnexion des diodes électroluminescentes d'au moins l'un des groupes de diodes électroluminescentes. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le dispositif optoélectronique (Pix) comprend des interrupteurs programmables (50) reliés chacun à au moins l'une des diodes électroluminescentes (LED), l'étape de connexion/déconnexion comprenant l'ouverture/la fermeture des interrupteurs programmables (50). Procédé selon la revendication 6, dans lequel chaque interrupteur programmable (50) comprend un fusible, l'étape de connexion/déconnexion comprenant l'ouverture de fusibles parmi les fusibles. Procédé selon la revendication 7, dans lequel l'ouverture de chaque fusible est réalisée par un traitement au laser du dispositif optoélectronique (Pix). Procédé selon la revendication 6, dans lequel chaque interrupteur programmable (50) comprend un interrupteur commandable par un signal binaire et dans lequel le dispositif optoélectronique (Pix) comprend une mémoire (MEM) dans laquelle sont stockés les signaux binaires. Procédé selon la revendication 9, dans lequel la mémoire (MEM) comprend des cellules mémoire comprenant chacune un fusible, l'étape de connexion/déconnexion comprenant l'ouverture de fusibles parmi les fusibles. Procédé selon la revendication 10, dans lequel l'ouverture de chaque fusible est réalisée par un traitement au laser du dispositif optoélectronique (Pix). Procédé selon la revendication 9, dans lequel l'étape de connexion/déconnexion comprenant la fourniture des signaux binaire à la mémoire (MEM). Dispositif optoélectronique (Pix) comprenant des diodes électroluminescentes (LED) tridimensionnelles et des moyens de connexion/déconnexion (50) de diodes électroluminescentes parmi les diodes électroluminescentes (LED) pour atteindre une densité de courant déterminée par diode électroluminescente. Dispositif optoélectronique selon la revendication 13, dans lequel chaque diode électroluminescente (LED) tridimensionnelle est de type radial. Dispositif selon la revendication 13 ou 14, comprenant une source de courant alimentant les diodes électroluminescentes (LED). Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 13 à 15, comprenant des interrupteurs programmables (50) reliés chacun à au moins l'une des diodes électroluminescentes (LED). Dispositif selon la revendication 16, dans lequel les diodes électroluminescentes (LED) sont réparties en groupes de diodes électroluminescentes, chaque interrupteur programmable (50) étant relié à l'un des groupes de diodes électroluminescentes. Dispositif optoélectronique selon la revendication 16 ou 17, dans lequel chaque interrupteur programmable (50) comprend un fusible. Dispositif optoélectronique selon la revendication 16 ou 17, dans lequel chaque interrupteur programmable (50) comprend un interrupteur commandable par un signal binaire et dans lequel le dispositif optoélectronique (Pix) comprend une mémoire (MEM) dans laquelle sont stockés les signaux binaires. Dispositif optoélectronique selon la revendication 19, dans lequel la mémoire (MEM) comprend des cellules mémoire comprenant chacune un fusible. Dispositif optoélectronique (Pix) selon l'une quelconque des revendications 13 à 20, dans lequel les diodes électroluminescentes (LED) comprennent chacune un élément semiconducteur tridimensionnel (21) correspondant à un microfil, un nanofil, ou un élément conique ou tronconique de taille micrométrique ou nanométrique et une zone active (23) recouvrant l'élément semiconducteur tridimensionnel et configurée pour émettre un rayonnement électromagnétique (R_LED). Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 13 à 21, comprenant au moins cinquante diodes électroluminescentes.