Brevet FR3146020A1 — publié le 20240823

Support (Sprt) pour un substrat composite, le support (Sprt) comprenant une couche (Trap) de piégeage de charges électriques en contact avec un support (BSprt) de base, la couche (Trap) de piégeage comprenant une couche de faible permittivité constituée d’un matériau présentant une permittivité diélectrique relative plus faible que le dioxyde de silicium. Figure à publier avec l’abrégé : Fig. 1 Support comprenant une couche de piégeage de charges, substrat composite comprenant un tel support et procédé de fabrication associés DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION L'invention concerne un support présentant une couche de piégeage de charges électriques, le support étant destiné à former un substrat composite en recevant une couche mince cristalline par une technique de report de couche. Un tel substrat composite trouve son application dans le domaine des composants électroniques intégrés, en particulier des composants radiofréquences (RF) traitant des signaux dont la fréquence peut être typiquement comprise entre 20 kHz et 300 GHz, ou plus. La couche mince du substrat composite peut être constituée d’un matériau semi-conducteur tel que du silicium ou d’un matériau isolant tel qu’un matériau présentant des propriétés piézoélectrique et/ou ferroélectrique. Outre le support en tant que tel, l’invention concerne également le substrat composite comportant ce support et sur lequel on a reporté la couche mince. L’invention concerne également le procédé de fabrication du support et le procédé de fabrication du substrat composite incorporant un tel support. ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE Il existe un riche état de la technique dans ce domaine. Ainsi, et à titre d’exemple d’une première approche, les documents US7585748 et US9293473 proposent de former la couche de piégeage de charges électriques (et plus concisément désignée « couche de piégeage » dans la suite de cette description) sous la forme d’une couche de silicium polycristallin disposée sur un substrat de base en silicium. Les joints des grains de silicium constituant la couche polycristalline constituent des pièges pour les charges électriques susceptibles de circuler. Ces pièges peuvent être formés par les liaisons chimiques non complètes ou pendantes au niveau de ces joints. On prévient ainsi la conduction électrique dans la couche de piégeage qui présente en conséquence une résistivité élevée, typiquement supérieure à 1000 Ohms.cm. Outre le silicium polycristallin, la couche de piégeage peut être formée plus généralement d’une couche non monocristalline présentant des défauts structurels, tels que des dislocations, des joints de grains, des zones amorphes, des interstices, des inclusions, des pores…, ces défauts structurels étant aptes à piéger des charges électriques. La couche de piégeage peut ainsi être formée par une implantation d’espèce relativement lourde, telle que de l’argon, dans une épaisseur superficielle du substrat de base, afin d’y former les défauts structurels constituant les pièges électriques. A titre d’exemple de cette approche, le document US10224233 propose une couche de piégeage formée de nanocavités disposées dans une zone superficielle d’un substrat de base, et obtenues par implantation d’hélium et d’azote. On peut également former cette couche par porosification d’une épaisseur superficielle du substrat de base. Le document US10290533 propose ainsi une couche de piégeage constituée de pores formés à la surface du substrat de base, oxydés et emplis d’un matériau semi-conducteur, polycristallin ou amorphe. Pour des raisons de simplicité de mise en œuvre, la couche de piégeage est toutefois généralement formée par dépôt d'une couche de silicium polycristallin déposée sur le substrat de base. Afin de préserver la qualité polycristalline de cette couche au cours des traitements thermiques que peut subir le support, on peut avantageusement prévoir une couche amorphe, en dioxyde de silicium par exemple, sur le substrat de base avant le dépôt de la couche de piégeage comme cela est proposé par les documents US8765571 et US9129800. Le document US2015115480 propose quant à lui de former la couche de piégeage comme un empilement de couches amorphes ou polycristallines élémentaires passivées. Ces couches élémentaires peuvent notamment être composées de silicium, germanium, silicium germanium. On cherche par cet empilement à rendre plus robuste la couche de piégeage aux traitements thermiques que le support est amené à subir, en particulier lors des étapes de fabrication du substrat composite employant un tel support. Le document US11251265 propose dans certains modes de mise en œuvre de former la couche de piégeage à partir d’une couche principale polycristalline et, intercalée dans cette couche, d’une couche intermédiaire formée d’un alliage de silicium et de carbone. Dans le document WO2021110513 une couche polycristalline de carbure de silicium est formée directement sur le substrat de base, avant d’y placer la couche de piégeage polycristalline. Dans le document EP3195352, la couche de piégeage est choisie dans le groupe constitué par le nitrure de carbone, le nitrure de carbone de silicium et une combinaison de ces matériaux. Dans le document EP3195353, la couche de piégeage, amorphe ou cristalline, est formée d’un matériau présentant une bande interdite large et notamment un matériau choisi dans le groupe constitué par le nitrure d'aluminium, le nitrure de bore, le nitrure d'indium, le nitrure de gallium, le nitrure d'aluminium-gallium, le nitrure d'aluminium-gallium-indium, le nitrure d'aluminium-gallium-indium et de bore. Dans le document EP3189544, la couche de piégeage est une couche amorphe de silicium dopé au carbone. Cette couche est formée sur un substrat de base en silicium présentant une couche superficielle d’oxyde de silicium. Dans le document EP3266038, le dépôt de la couche de piégeage en silicium polycristallin est précédé par la formation d’une couche de nucléation constituée d’un oxyde de silicium, d’un nitrure de silicium ou d’un oxynitrure de silicium. Cette couche de nucléation est traitée thermiquement pour y former des trous. Le document US10468295 prévoit de former une couche de nitrure de silicium ou d’oxynitrure de silicium entre une couche de piégeage en silicium polycristallin et une couche diélectrique d’oxyde de silicium. Cette couche peut être obtenue par dépôt ou par nitruration/oxynitruration de la couche de piégeage et vise à préserver la résistivité de la couche de piégeage et à éviter sa recristallisation. D’une manière générale, cet état de la technique révèle le besoin de disposer d’un support pour un substrat composite comportant une couche de piégeage qui présente une résistivité élevée. Cette couche de piégeage a pour but d’assurer la linéarité d’un signal électrique se propageant dans une couche active formée en surface du substrat et incluant la couche mince cristalline, en diminuant le couplage entre cette couche active et le support. La linéarité doit être suffisante pour répondre au cahier des charges d’une grande variété d’applications, en particulier les applications radiofréquences. Le document US 2021/0111019 A1 propose une solution visant à limiter l’absorption de signaux RF et reposant sur l’utilisation d’une couche semiconductrice poreuse, en particulier une couche de silicium poreux, intégrée dans une structure de type SOI (Silicon On Insulator) incluant une couche de piégeage de charges électriques et une couche cristalline épitaxiée sur la couche semiconductrice poreuse. On ne connait cependant pas de solution technique satisfaisante pour intégrer la formation de couches de silicium poreux dans un procédé industriel de fabrication de composants semiconducteurs tels que des circuits RF sur de substrats de type SOI. En outre, le silicium poreux présente certaines limitations comme une importante fragilité mécanique due à sa porosité qu’il est difficile de réduire suffisamment, l’influence sur les performances radiofréquences de la conductivité initiale du silicium rendu poreux ou encore l’impossibilité de le former directement sur des substrats de haute résistivité électrique. La présente invention a pour but de fournir une alternative aux solutions envisagées jusqu’à présent. Plus spécifiquement, les solutions conventionnelles tendent à se concentrer sur la piégeage des charges électriques au niveau d’une interface entre une couche de piégeage de charges électriques et un support, à l’exclusion d’autres approches. Cependant, la demanderesse a considéré une solution agissant non seulement sur l’aspect du piégeage de charges à une interface extérieure, mais aussi sur l’aspect de la polarisation électrique de la couche de piégeage de charges et, éventuellement, sur la possibilité de piéger des charges au sein même de la couche de piégeage. En vue de la réalisation de ce but, un premier aspect de l’invention est un support pour un substrat composite, le support comprenant une couche de piégeage de charges électriques en contact avec un support de base, la couche de piégeage comprenant une couche de faible permittivité constituée d’un matériau présentant une permittivité diélectrique relative plus faible que le dioxyde de silicium. Un premier avantage du support selon l’invention est de comprendre une couche de piégeage de charges électriques, immobilisant les charges de manière efficace grâce à sa structure désordonnée, comprenant de nombreux sites susceptibles de piéger les charges électriques. Un second avantage du support selon l’invention est de réduire le couplage capacitif entre la couche active et le substrat. Cet effet est obtenu par l’utilisation d’un matériau à faible permittivité diélectrique, dit matériau « low k » en terminologie anglaise. Un troisième avantage est de réduire l’accumulation de charge électrique aux interfaces de la couche de piégeage de charges, susceptible d’attirer des charges libres participant à la conductivité électrique du support de base et donc réduisant sa résistivité effective, en particulier au voisinage de l’interface entre la couche de piégeage et le support de base. Un quatrième avantage du support selon l’invention est de combiner les avantages précédents au moyen d’un nombre réduit de couches, facilitant la fabrication du support et réduisant les coûts de production associés. Selon des caractéristiques additionnelles non-limitative du premier aspect de l’invention, considérées individuellement ou selon toute combinaison techniquement réalisable : la couche de faible permittivité peut être poreuse ; la couche de faible permittivité peut présenter une porosité comprise entre 0% et 50%, préférablement entre 5% et 50%, plus préférablement entre 14% et 50% ; la couche peut être de faible permittivité et en contact direct avec le support de base ; une couche intercalaire de SiC peut être interposée entre la couche de faible permittivité et le support de base, la couche intercalaire étant constituée de SiC ou d’un matériau dense low-k dit DLK ; le support de base peut avoir une composition homogène ; le matériau présentant une permittivité diélectrique relative plus faible que le dioxyde de silicium peut être du SiOC ; le matériau présentant une permittivité diélectrique relative plus faible que le dioxyde de silicium peut être du SiOCH ; et le matériau présentant une permittivité diélectrique relative plus faible que le dioxyde de silicium peut comprendre de l’azote à une concentration comprise entre 10 16 et 10 21 at/cm 3 . On notera en particulier l’aspect concernant la porosité de la couche de piégeage, avantageuse en ce qu’elle comprend naturellement des surfaces libres et des liaisons pendantes au niveau de ses pores, au sein même de la couche, formant autant de sites de piégeage de charges électriques. En outre, l’utilisation de SiOCH ou de SiOC pour former la couche de piégeage de charges permet d’envisager une couche de piégeage de forte épaisseur, suffisante pour efficacement isoler du support tout élément formé sur la couche de piégeage de charges et destiné à fonctionner dans le domaine des radiofréquences. Un second aspect de l’invention porte sur un substrat composite comprenant une couche superficielle cristalline disposée sur un support selon le premier aspect de l’invention. Selon des caractéristiques additionnelles non-limitative du second aspect de l’invention, considérées individuellement ou selon toute combinaison techniquement réalisable : la couche superficielle peut être constituée de silicium ; la couche mince peut être constituée d’un matériau ferroélectrique ; une couche de matériau diélectrique peut être interposée entre la couche cristalline et la couche de piégeage ; Un troisième aspect de l’invention porte sur un procédé de fabrication d’un support pour un substrat composite, comprenant les étapes de fournir un substrat de base ; former, sur le substrat de base, une couche de piégeage de charges électriques comprenant une couche de faible permittivité constituée d’un matériau présentant une permittivité diélectrique relative plus faible que le dioxyde de silicium. Dans le procédé du troisième aspect de l’invention, la couche de faible permittivité peut présenter une porosité comprise entre 0% et 50%, préférablement entre 5% et 50%, plus préférablement entre 14% et 50%. Un quatrième aspect de l’invention porte sur un procédé de fabrication d’un substrat composite , comprenant les étapes de fournir un substrat de base ; former, sur le substrat de base, une couche de piégeage de charges électriques comprenant une couche de faible permittivité constituée d’un matériau présentant une permittivité diélectrique relative plus faible que le dioxyde de silicium ; former une couche diélectrique sur la couche de piégeage de charges électrique ; et fixer une couche superficielle sur la couche diélectrique. Dans le procédé du quatrième aspect de l’invention, la couche superficielle peut être une couche cristalline ou monocristalline. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée de l’invention qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquels : La représente un substrat composite faisant l’objet de la présente description ; La illustre des cas particuliers de la couche Trap de la ; La schématise un procédé de fabrication du substrat composite de la . DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION La représente un substrat composite S comprenant un support Sprt intégrant un support BSprt de base et une couche Trap de piégeage de charges électrique sur le support BSprt de base, une couche superficielle Crist disposée sur le support Sprt, et une couche diélectrique Diel interposée entre la couche superficielle Crist et le support Sprt, de préférence en contact direct avec la couche superficielle Crist et la couche Trap de piégeage de charges électrique, désignée par couche Trap de piégeage par la suite. La couche superficielle Crist est une couche permettant de donner des fonctions, par exemple semiconductrices ou ferroélectriques, à un dispositif élaboré sur ou dans le substrat composite S. Il s’agit en général d’une couche de structure cristalline, éventuellement monocristalline. De manière conventionnelle, le substrat composite S peut se présenter sous la forme d'une plaquette circulaire dont le diamètre peut être de 100, 200, 300 voire même 450mm ou d’autres dimensions. Ainsi que cela est présenté dans les documents formant l'état de la technique présenté en préambule, le substrat composite S peut être réalisé de multiples manières. Très généralement, le substrat composite S peut être réalisé par un procédé de fabrication comprenant l’assemblage du support Sprt et d’un substrat donneur, la couche diélectrique Diel étant intercalée entre ces deux éléments, suivi d’une étape d’élimination d’une partie du substrat donneur pour former la couche superficielle Crist. L’étape d’élimination d’une partie du substrat donneur peut être réalisée par amincissement mécano-chimique de ce substrat. Cependant, le substrat composite S est préférentiellement fabriqué par application de la technologie Smart Cut™, selon laquelle une couche destinée à former la couche superficielle Crist est délimitée par l’intermédiaire d’un plan de fragilisation formé par implantation d’espèces légères telles que de l’hydrogène dans le substrat donneur. Cette couche est ensuite séparée du substrat donneur collé au support via la couche diélectrique Diel, par fracture au niveau du plan de fragilisation, la couche superficielle Crist restant fixée sur le support Sprt muni de la couche Trap de piégeage, avec la couche diélectrique Diel interposée entre eux. La couche Diel a essentiellement pour fonction d’améliorer l’adhérence de la couche superficielle Crist au support Sprt. Le support Sprt présente typiquement une épaisseur de plusieurs centaines de microns. Préférentiellement, le support Sprt présente une résistivité élevée, supérieure à 1000 ohm.centimètre, et plus préférentiellement encore, supérieure à 2000 ohm.centimètre. On limite de la sorte la densité des charges, trous ou électrons, qui sont susceptibles de se déplacer dans le support. Cependant, l’invention n’est pas limitée à un support Sprt présentant une telle résistivité, et elle procure également des avantages de performances RF lorsque le substrat présente une résistivité plus faibles, de l’ordre de quelques centaines d’ohm.centimètre, par exemple inférieure à 1000 ohm.cm, ou à 500 ohm.cm voire même à 10 ohm.cm. Pour des raisons de disponibilité et de coût, le support BSprt de base compris dans le support Sprt est préférentiellement en silicium monocristallin. Il peut s'agir par exemple d'un substrat de silicium CZ à faible teneur en oxygène interstitiel comprise entre 6 et 10 ppm, ou d’un substrat de silicium FZ qui présente notamment une teneur en oxygène interstitiel naturellement très faible. Il peut également s'agir d'un substrat de silicium CZ présentant une quantité élevée d'oxygène interstitiel (désigné par l'expression « High Oi ») supérieure à 26 ppm. Le support BSprt de base peut alternativement être formé d'un autre matériau : il peut s'agir par exemple de saphir, de verre, de quartz, de carbure de silicium… Dans certaines circonstances, et notamment lorsque la couche de piégeage présente une épaisseur suffisante, par exemple supérieure à 30 microns, le support BSprt de base peut présenter une résistivité standard, inférieure à 1 kohm.cm. La couche Trap de piégeage peut être de natures très variées, ainsi que cela est reporté dans les documents formant l'état de la technique. D'une manière générale, il s'agit d'une couche non cristalline présentant des défauts structurels tels que des dislocations, des joints de grains, des zones amorphes, des interstices, des inclusions, des pores… Ces défauts structurels forment des pièges pour les charges susceptibles de circuler dans le matériau, par exemple au niveau de liaisons chimiques non complètes ou pendantes. On prévient ainsi la conduction dans la couche de piégeage qui présente en conséquence une résistivité élevée. De préférence, la couche Trap de piégeage est intégrée directement au contact du support BSprt de base. Ce support peut donc avoir une composition considérée comme homogène et se trouver en contact direct avec la couche Trp de piégeage, mais ces caractéristiques n’excluent pas la présence d’un oxide natif à la surface du substrat de base et à son interface avec la couche Trap de piégeage. Il peut s’agir d’une couche d’oxide d’épaisseur de l’ordre de 10 nm ou moins, générée par la simple exposition du support BSprt de base à l’atmosphère ambiante. Dans le cadre du présent document, la couche Trap de piégeage de charges électriques comprend une couche d’un matériau de faible permittivité diélectrique, c’est-à-dire un matériau de permittivité diélectrique relative plus faible que la permittivité diélectrique relative du dioxyde de silicium. Parmi les matériaux à faible permittivité diélectrique relative, on peut citer la silice poreuse, les verres de fluorosilicates (FSG ou fluorosilicates en terminologie anglaise), les composants organosiliciés ou les polymères diélectriques à base de silicium. Dans ce document, on considère en particulier le SiOC et le SiOCH, et plus en particulier le SiOCH poreux. On considère ainsi des matériaux de permittivités diélectriques relatives comprises entre 2,25 et 3,1. La illustre en (a) une couche Trap de piégeage de charges composite, formée d’une couche Lk d’un matériau de faible permittivité diélectrique et d’une couche intercalaire Inter interposée entre la couche Lk et le substrat de base. Cette couche intercalaire peut être formée d’une couche de carbure de silicium SiC, de préférence de 10 à 100 nm d’épaisseur, ou bien une couche d’un second matériau de faible permittivité diélectrique mais supérieure à celle du matériau de la couche Lk telle qu’une couche d’un matériau dit DLK pour Dense Low-K en terminologie anglaise comme une couche de SiOCH non poreux ou moins poreux que la couche Lk, de préférence de 10 à 500 nm d’épaisseur. Cette couche intercalaire crée des pièges électriques supplémentaires en son sein et augmente donc la capacité de piégeage de la couche Trap. Augmenter l’épaisseur de la couche Trap au moyen de la couche intercalaire a aussi pour effet de réduire sa capacité et en conséquence pour avantage d’améliorer la linéarité d’un signal électrique se propageant dans une couche active formée en surface du support Sprt. En outre la couche de SiC renforce la solidité mécanique de la couche LK et son adhérence au support de base BSprt. Une couche de SiC possède des avantages supplémentaires, dus pour partie à une forte caractéristique de tension mécanique, avec la création de pièges supplémentaires dans la couche Lk par diffusion d’atomes de carbone au sein de celle-ci et sa relaxation, ainsi que la génération d’une fine couche de compression à l’interface avec le support de base, qui diminue la mobilité des porteurs de charge électrique et donc augmente avantageusement la résistivité électrique. Alternativement, comme illustré en (b) de la , la couche Trap de piégeage peut être constituée uniquement d’une couche Lk d’un matériau à faible permittivité diélectrique, tel que du SiOC, du SiOCH ou du SiOCH poreux. Le SiOC et le SiOCH peuvent être non poreux ou très faiblement poreux (moins de 5% de porosité). La couche diélectrique Diel peut être constituée d’un oxyde de silicium et préférentiellement contient de l’azote, favorable pour former une couche barrière empêchant la diffusion des espèces, en particulier l’hydrogène, le bore et le lithium le cas échéant. La couche superficielle Crist peut être de toute nature qui convient aux applications pratiques considérées. Elle est très préférentiellement formée d’un matériau monocristallin. Lorsque le support Sprt est destiné à recevoir des composants intégrés à semi-conducteur, la couche superficielle Crist peut être ainsi composée de silicium monocristallin, ou de tout autre matériau semi-conducteur. Lorsque le support Sprt est destiné à recevoir des filtres à onde acoustique de surface, la couche superficielle Crist peut être composée d’un matériau ferroélectrique, tel que du LiTaO3, LiNbO3, LiAlO3, BaTiO3, PbZrTiO3, KNbO3, BaZrO3, CaTiO3, PbTiO3 ou de KTaO3. Cette couche peut prendre la forme d'une plaquette circulaire, de dimension normalisée, par exemple de 150 mm ou 200 mm de diamètre. Mais l'invention n'est nullement limitée à ces dimensions ou à cette forme. La couche peut avoir été prélevée d’un lingot de matériaux ferroélectrique, ce prélèvement ayant été réalisé de manière à ce que l'orientation cristalline est prédéterminée. L’orientation est choisie en fonction de l’application visée. Ainsi, il est usuel de choisir une orientation 42°RY dans le cas où l’on souhaite exploiter les propriétés de la couche mince pour former un filtre SAW. Mais l’invention n’est nullement limitée à une orientation cristalline particulière. La couche superficielle Crist peut également comprendre des composants intégrés finis ou semi-finis, formés sur le substrat donneur et reportés sur le support Sprt au cours de l’étape de fabrication du substrat composite S. D’une manière générale, la couche superficielle peut présenter une épaisseur comprise entre 10 nm et 10 µm. On présente maintenant, à titre d’illustration seulement, à l’aide de la un procédé de fabrication d'un substrat composite S conforme à celui représentée sur la , la couchez superficielle Crist étant constitué d’un matériau ferroélectrique. Selon ce procédé, sur un support BSprt de base en silicium, on forme par dépôt une couche Trap de piégeage en SiOCH poreux par un procédé conventionnel de dépôt en phase vapeur assisté par plasma ou PECVD pour Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition en terminologie anglaise suivi d’un recuit UV, par exemple selon l’un des procédés décrits dans l’article « SiOCH thin ﬁlms deposited by chemical vapor deposition: From low-κ to chemical and biochemical sensors » par V Jousseaume et al., Microelectronic Engineering 167 (2017) 69-79. La couche de SiOCH peut présenter une porosité comprise entre 5% et 50%, ou plus, juste après sa formation. On peut ainsi former des couches Trap de piégeage d’épaisseurs comprises entre 80 nm et 4 µm, préférablement entre 200 nm et 1 µm pour satisfaire un compromis entre l’efficacité de piégeage et d’isolation qui motivent des dépôts épais, et les contraintes de fabrications qui motivent des faibles épaisseurs pour limiter la mobilisation des machines employées. Il est à noter que, suite au dépôt, on peut observer un retrait des couches formées lié à la libération de porogènes lors du recuit UV, qui peuvent perdre jusqu’à de l’ordre de 40% de leur épaisseur. Les épaisseurs indiquées correspondent à l’épaisseur après retrait. On peut également moduler la porosité des couches obtenues de manière à l’amener, après retrait, entre 5% et 50%, ou encore entre 14% et 50%. Il est également possible de nitrurer la couche de SiOCH (ou de SiOC le cas échant) par adjonction d’azote, ce qui lui confère des propriété d’étanchéité à certaines espèces chimiques telles que l’hydrogène, le bore et le lithium, qui peuvent être présents par exemple dans une couche ferroélectrique formée par la suite, ou bien de manière plus générale par contamination de la couche superficielle par l’équipement lors de la fabrication, ces espèces étant susceptibles d’amoindrir la capacité de piégeage de charges de la couche de piégeage si ces espèces sont laissées libres de migrer et d’occuper les sites de piégeage de charges. Ainsi, la nitruration de l’oxyde Diel placé sur la couche Trap peut devenir optionnelle, la nitruration de la couche Trap permettant de garder le bénéfice sur l’étanchéité à la diffusion de l’hydrogène, du bore et du lithium : on peut alors garder une couche Diel de SiO2 pur (sensiblement non nitruré) en contact avec la couche superficielle Crist et garder une interface enterrée de bonne qualité entre les couches Crist et Diel, en particulier lorsque la couche Crist est formée de silicium. Le matériau constituant la couche Trap peut ainsi comprendre de l’azote à une concentration comprise entre 10 16 et 10 21 at/cm 3 Un autre avantage de l’apport d’azote est de renforcer la stabilité mécanique de la couche, ce qui peut être très avantageux lors de la fabrication d’un dispositif sur celle-ci. La couche de piégeage est ensuite optionnellement polie par une étape de polissage mécano-chimique (CMP). Sur la couche Trap de piégeage on dépose, par exemple par une technique PECVD conduite à une température comprise entre 300°C et 500°C, une couche d'oxyde de silicium incluant ou non de l’azote de 100 nm à 1500 nm, de préférence de 150 nm à 500 nm d'épaisseur formant la couche diélectrique Diel du substrat composite 1. La couche est ensuite optionnellement polie par une étape de polissage mécano-chimique (CMP). La couche diélectrique Diel peut être déposée de manière à présenter une proportion entre les concentrations d’azote et d’hydrogène qui soit favorable au blocage de la diffusion de l’hydrogène, avec un excès d’azote par rapport à la quantité d’hydrogène, c'est-à-dire un ratio entre les concentrations d’azote et d’hydrogène qui soit strictement supérieur à 1, préférablement supérieur à 1,5, et encore plus préférablement supérieur à 3, pour des concentrations mesurées par une méthode SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry en terminologie anglaise). Ainsi, la concentration en hydrogène dans la couche diélectrique est préférablement inférieure à environ 10 22 at/cm 3 . Comme illustré par ce mode de réalisation, on préfère généralement disposer la couche diélectrique Diel sur le support BSprt de base (via la couche Trap de piégeage) plutôt que sur un substrat donneur. En effet, il est généralement possible de traiter thermiquement ce support BSprt de base à des températures relativement élevées, ce qui peut être souhaitable pour certaines applications, ce qui n'est pas toujours le cas du substrat donneur. Par exemple, ce substrat donneur peut présenter un plan de fragilisation, ou être composé d'un matériau ferroélectrique présentant une température de Curie relativement faible ou comporter des composants, ce qui, dans chacun de ces cas, limite le budget thermique qui lui est applicable à quelques centaines de degrés pendant un temps relativement court, inférieur à 1 heure. Toutefois, l'invention n'exclut pas que, dans certains cas favorables, la couche diélectrique 16 puisse être formée au moins en partie sur le substrat donneur 200. La structure obtenue à ce stade est illustrée en (a) de la . Parallèlement à la préparation du support Sprt, des ions d’hydrogène sont implantés dans un substrat donneur 200 ferroélectrique de tantalate de lithium à travers une première 210 de ses faces afin de former un plan de fragilisation 220 enterré. On définit de la sorte une la couche superficielle Crist entre ce plan de fragilisation 220 et la première face 210 du substrat donneur et une couche complémentaire 22 comprenant le reste du substrat donneur. Le substrat donneur obtenu à ce stade est illustré en (b) de la . On assemble le substrat donneur 200 à la couche diélectrique Diel disposée sur le support Sprt comme illustré en (c) de la , et on fracture ensuite le substrat donneur 200 au niveau du plan de fragilisation 220 à l'aide d'un traitement thermique modéré de l’ordre de 400°C. On libère la couche complémentaire 22 du substrat donneur pour exposer une face libre 230 de cette couche qui peut ensuite être préparée pour en améliorer la qualité cristalline et l’état de surface. Cette préparation comprend une étape d'amincissement de la première couche par polissage mécano-chimique et une étape de traitement thermique à 500°C dans une atmosphère neutre pendant 1h. La structure obtenue, indiquée en (d) de la est celle de la . Le procédé décrit ci-dessus est appliqué à une couche ferroélectrique de tantalate de lithium utilisée en tant que couche superficielle Crist, mais d’autres types de matériaux ferroélectrique tels que du niobate de lithium pourraient être employés. En outre, alternativement à une couche superficielle ferroélectrique, une couche superficielle semiconductrice comme une couche de silicium ou comprenant du silicium tel que du silicium monocristallin pourrait être employée. On peut également procéder au report d’une couche portant des composants finis ou semi-finis, le report visant à placer ces composants sur le support Sprt pour tirer profit de ses propriétés dans le domaine radiofréquence. Résultats de tests La performance RF (radiofréquence) d’un composant peut être estimée en procédant à une caractérisation RF du substrat composite (et plus particulièrement du support de ce substrat composite) sur ou dans lequel le composant est destiné à être formé. Comme cela est documenté dans la publication « White paper – RF SOI Characterisation » de janvier 2015 et publié par la société SOITEC, la performance RF d'un substrat peut être caractérisée par une mesure de distorsion de seconde harmonique HD2. On cherche donc généralement à former un support comprenant une couche de piégeage permettant de former un support présentant des performances RF élevées et stables avec la température, ces performances étant établies par la mesure HD2. La demanderesse a procédé à des tests de performance RF pour diverses géométries et procédés de supports Sprt munis d’une couche diélectrique Diel d’oxyde de silicium et formé d’un support BSprt de base constitué de silicium monocristallin comprenant une couche Trap incluant une couche de SiOCH poreux en tant que matériau de faible permittivité diélectrique relative. Cas 1 Dans ce premier cas, la couche de SiOCH est en contact direct avec le support BSprt et n’a pas subi de traitement thermique après sa formation. Une moyenne des mesures HD2 effectuées indique une mesure de distorsion de seconde harmonique HD2 à -60 dBm et une résistivité effective de 1641 ohm.cm, qui sont des valeurs suffisantes pour l’application du support Sprt au domaine radiofréquence. Cas 2 Ce second cas est identique au cas 1, à la différence près que la couche de SiOCH a subi un traitement thermique rapide (RTA pour Rapid Thermal Anneal) par chauffage par lampes de 30 s à 1000°C sous atmosphère d’azote. Une moyenne des mesures HD2 effectuées indique une mesure de distorsion de seconde harmonique HD2 à -78 dBm et une résistivité effective de 2950 ohm.cm. Le traitement RTA apparaît avoir un effet positif tant sur la distorsion de seconde harmonique HD2 que sur la résistivité effective. Cas 3 Ce troisième cas est identique aux cas 1 et 2, à la différence près que la couche de SiOCH a subi un traitement thermique en four de 2h à 1100°C sous atmosphère d’azote suivi d’un traitement thermique rapide (RTA pour Rapid Thermal Annealing) de 30 s à 1000°C sous atmosphère d’azote. Une moyenne des mesures HD2 effectuées indique une mesure de distorsion de seconde harmonique HD2 à -73 dBm et une résistivité effective de 1500 ohm.cm, ce qui indique des performances RF inférieures au cas 2 pour lequel seul le traitement RTA a été appliqué. La demanderesse interprète les résultats de mesure de ces trois cas comme le fait que le traitement RTA stabilise la couche poreuse de SiOCH, limitant l’adsorption de gaz tel que la vapeur d’eau présente dans l’atmosphère a sa surface et au niveau de ses pores, améliorant les performances RF. Cas 4 Le cas 4 diffère des cas 1 à 3 en ce que la couche Trap de piégeage est composite, comportant une couche intercalaire Inter constituée de 100 nm de SiC déposé par PECVD entre la couche de SiOCH poreux et le support BSPrt de base, selon la géométrie illustrée par la . Une moyenne des mesures HD2 effectuées indique une mesure de distorsion de seconde harmonique HD2 à -80 dBm et une résistivité effective de 2895 ohm.cm. Sur les deux aspects de distorsion de seconde harmonique HD2 et de résistivité effective, ce cas présente d’excellentes performances, proches de celle du cas 2. Bien entendu l'invention n'est pas limitée aux modes de mise en œuvre décrits et on peut y apporter des variantes de réalisation sans sortir du cadre de l'invention tel que défini par les revendications. Support (Sprt) pour un substrat composite, le support (Sprt) comprenant une couche (Trap) de piégeage de charges électriques en contact avec un support (BSprt) de base, la couche (Trap) de piégeage comprenant une couche (Lk) de faible permittivité constituée d’un matériau présentant une permittivité diélectrique relative plus faible que le dioxyde de silicium. Support (Sprt) selon la revendication 1, la couche (Lk) de faible permittivité étant poreuse. Support (Sprt) selon la revendication 2, la couche de faible permittivité présentant une porosité comprise entre 0% et 50%, préférablement entre 5% et 50%, plus préférablement entre 14% et 50%. Support (Sprt) selon l’une quelconque des revendication 1 à 3, la couche (Lk) de faible permittivité étant en contact direct avec le support (BSprt) de base. Support (Sprt) selon l’une quelconque des revendication 1 à 3, une couche (Inter) intercalaire étant interposée entre la couche (Lk) de faible permittivité et le support (BSprt) de base, la couche intercalaire étant constituée de SiC ou d’un matériau dense low-k dit DLK. Support (Sprt) selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, le support (BSprt) de base ayant une composition homogène. Support (Sprt) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, le matériau présentant une permittivité diélectrique relative plus faible que le dioxyde de silicium étant du SiOC. Support (Sprt) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, le matériau présentant une permittivité diélectrique relative plus faible que le dioxyde de silicium étant du SiOCH. Support (Sprt) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, le matériau présentant une permittivité diélectrique relative plus faible que le dioxyde de silicium comprenant de l’azote à une concentration comprise entre 10 16 et 10 21 at/cm 3 . Substrat composite (S) comprenant une couche superficielle (Crist) cristalline disposée sur un support (Sprt) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9. Substrat composite (S) selon la revendication 10, la couche superficielle (Crist) étant constituée de silicium. Substrat composite (S) selon la revendication 10, la couche mince étant constituée d’un matériau ferroélectrique. Substrat composite (S) selon l’une quelconque des revendications 7 à 12, une couche (Diel) de matériau diélectrique étant interposée entre la couche (Crist) cristalline et la couche (Trap) de piégeage. Procédé de fabrication d’un support (Sprt) pour un substrat composite, comprenant les étapes de : - fournir un substrat (BSprt) de base ; - former, sur le substrat (BSprt) de base, une couche (Trap) de piégeage de charges électriques comprenant une couche (Lk) de faible permittivité constituée d’un matériau présentant une permittivité diélectrique relative plus faible que le dioxyde de silicium. Procédé de fabrication selon la revendication 14, dans lequel la couche (Lk) de faible permittivité présente une porosité comprise entre 0% et 50%, préférablement entre 5% et 50%, plus préférablement entre 14% et 50%. Procédé de fabrication d’un substrat composite (S), comprenant le procédé de fabrication d’un support (Sprt) pour un substrat composite selon la revendication 14 ou 15, et en outre les étapes de : - former une couche diélectrique (Diel) sur la couche (Trap) de piégeage de charges électriques ; et - fixer une couche superficielle (Crist) sur la couche diélectrique (Diel). Procédé de fabrication d’un substrat composite (S) selon la revendication 16, la couche superficielle (Crist) étant une couche cristalline ou monocristalline.