Brevet FR3149700A1 — publié le 20241213

L’invention concerne un dispositif photonique comprenant un substrat support (1e), une couche de composants photoniques (2) disposée sur et en contact avec le substrat support (1e) et comprenant au moins un guide d’ondes (2a) disposé dans un matériau de recouvrement (2), une couche diélectrique enterrée (1b) disposée sur la couche de composants photoniques (2), en contact avec le guide d'ondes (2a), une couche électro-optique sur la couche diélectrique enterrée (1b) s'étendant au moins en partie au-dessus du guide d'ondes (2a) afin de pouvoir développer un mode optique hybride dans le guide d’ondes (2a) et dans la couche électro-optique (3). L’invention concerne également un procédé de préparation d’un tel dispositif. Figure 1g dispositif photonique intégré comprenant une couche électro-optique et procédé de fabrication de ce dispositif DOMAINE DE L’INVENTION La présente invention concerne un dispositif photonique intégré comprenant une couche électro-optique. L’invention concerne également un procédé de fabrication d’un tel dispositif. ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Les matériaux électro-optiques, sont des matériaux dont les propriétés optiques sont modifiées par l’application d’une grandeur électrique. Il peut s’agir de matériaux développant l'effet Pockels, tels que le niobate de lithium (LNO) ou le titanate de baryum (BTO). Ces matériaux sont des matériaux prometteurs pour, notamment, la réalisation de modulateurs optiques intégrés à ultra haute vitesse et à faibles pertes. On pourra à ce sujet se référer au document WO2021202853 ou à celui de F. Eltes et al, "Thin-film BTO-based modulators enabling 200 Gb/s data rates with sub 1 Vpp drive signal," in Optical Fiber Communication Conference (OFC) 2023 , Technical Digest Series (Optica Publishing Group, 2023), paper Th4A.2. Le document de Shayan Mookherjea, Viphretuo Mere, Forrest Valdez; Thin-film lithium niobate electro-optic modulators: To etch or not to etch. Appl . Phys. Lett . 20 March 2023; 122 (12): 120501 présente plusieurs approches visant à former des modulateurs à partir d’un matériau électro-optique en couche mince. Ces approches mettent en œuvre la gravure du matériau électro-optique pour former le guide d’ondes dans la couche mince elle-même et/ou la formation par dépôt et structuration d’un guide d’ondes sur le matériau électro-optique et/ou le collage de la couche mince en matériau électro-optique sur un substrat support incorporant déjà un guide d'ondes. Dans tous les cas, on cherche à développer un rayonnement lumineux, i.e. un mode optique, se propageant au moins en partie dans le matériau électro-optique, en vue de modifier une caractéristique de ce rayonnement lumineux par l’intermédiaire d’un champ électrique appliqué au matériau. Chacune des approches évoquées par le document précité pose des problèmes technologiques d’intégration ou de performances. A titre d’exemple, la gravure des matériaux électro-optiques génère des particules des composites gravés ce qui rend difficile son intégration dans un procédé industriel de la microélectronique à base de silicium (dite « technologie CMOS »). Cette gravure conduit également à former les parois latérales des guides d'ondes non verticales, ce qui affecte leurs performances. Dans l’approche par collage, on reporte la couche mince en matériau électro-optique sur un substrat support incorporant des guides d'ondes, à base de silicium et/ou à base de nitrure de silicium, disposés dans un matériau d’encapsulation, par exemple en dioxyde de silicium. Cette approche requiert une très bonne uniformité de l’épaisseur de la couche en matériau d’encapsulation séparant la couche mince en matériau électro-optique du guide d’onde. Cette uniformité est difficile à obtenir du fait de la topologie de surface liée à la présence des composants photoniques, tel que le guide d’ondes et/ou les pistes métalliques, dans le substrat support. Cette topologie est d’autant plus importante que l’on formé un empilement conséquent d’éléments dans la couche de composant, notamment des pistes métalliques. Cette question d’uniformité est documentée et quantifiée dans le document de Peter O. Weigel et al, "Bonded thin film lithium niobate modulator on a silicon photonics platform exceeding 100 GHz 3-dB electrical modulation bandwidth" Opt. Express 26, 23728-23739 (2018). Dans ce document, l’épaisseur de la couche en matériau d’encapsulation planarisée, entre le guide d’ondes à base de silicium et le film en niobate de lithium, varie avec une amplitude de 150 nm sur l’étendue du substrat de 150mm. Cette non-uniformité d’épaisseur donne lieu à des variations en bande passante du modulateur (de 50 à 250 GHz), et d’efficacité de modulation (de 6 à 8 V.cm) du fait des variations de confinement du mode optique dans le guide hybride. Une couche planarisée d’épaisseur plus fine confinera le mode davantage dans le guide d’ondes à base de silicium, donnant lieu à une efficacité de modulation réduite. Le document de F. Eltes et al., « A BaTiO3-Based Electro-Optic Pockels Modulator Monolithically Integrated on an Advanced Silicon Photonics Platform, » in Journal of Lightwave Technology, vol. 37, no. 5, pp. 1456-1462, 1 March1, 2019, doi : 10.1109/JLT.2019.2893500 propose un schéma d’intégration monolithique de modulateurs électro-optiques à base de titanate de baryum. Le film mince de ce matériau est rapporté sur le dispositif photonique intégré en fin du procédé d’intégration (« back end of the line » selon la terminologie anglo-saxonne employée dans le domaine), après la réalisation des lignes métalliques d’interconnexion (niveaux de métaux). Cela conduit à disposer le modulateur à une distance relativement importante (de plusieurs micromètres) des autres composants photoniques, qui sont quant à eux disposés sous les lignes métalliques d’interconnexion et distants de ceux-ci, afin d’éviter ou pour le moins limiter les pertes optiques. Cependant dans le schéma d’intégration proposé par ce document, la couche électro-optique est très éloignée des guides d’ondes si bien que le couplage optique nécessaire entre ces composants et le modulateur est de faible performance. Une approche similaire, et présentant les mêmes limitations, est proposée dans le document de Nicholas Boynton et al, « A heterogeneously integrated silicon photonic/lithium niobate travelling wave electro-optic modulator, » Opt. Express 28, 1868-1884 (2020). D’une manière générale on cherche à disposer au plus proche l’un de l’autre la couche en matériau électro-optique d’un guide d’ondes afin de permettre un couplage optique efficace entre ces deux éléments. On favorise ainsi le confinement du mode optique dans la couche électro-optique, ce qui assure une meilleure efficacité de modulation. Les électrodes permettant d’appliquer un champ électrique de modulation à la couche en matériaux électro-optique doivent également être placées au plus proche de cette couche pour les mêmes raisons d’efficacité de la modulation. Ce besoin de compacité et notamment la présence des électrodes métalliques à proximité du guide d’ondes entraine des pertes optiques élevées. Il est donc souvent nécessaire dans les schémas connus d’intégration de trouver un compromis entre l’efficacité de l’application du champ de modulation et les pertes optiques. OBJET DE L’INVENTION Un but de l’invention est de remédier, au moins en partie, aux problèmes qui viennent d’être présentés. Plus particulièrement, un but de l’invention est de proposer un schéma d’intégration d’une couche électro-optique dans un dispositif photonique intégré permettant de disposer d’un meilleur compromis pertes optiques versus efficacité de modulation que dans les solutions connues. BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTION En vue de la réalisation de l’un de ces buts, l’objet de l’invention propose Procédé de préparation d’un dispositif photonique comprenant les étapes suivantes : fournir un substrat de départ comprenant un substrat de base, une couche diélectrique enterrée disposée sur et en contact avec le substrat de base et une couche superficielle présentant un indice de réfraction supérieure à l’indice de réfraction de la couche diélectrique enterrée disposée sur et en contact avec la couche diélectrique enterrée; traiter le substrat de départ pour former une couche de composants photoniques, les composants photoniques étant dans un matériau de recouvrement et comprenant au moins un guide d’ondes formé dans la couche superficielle ; reporter la couche de composants photoniques sur un substrat support et éliminer le substrat de base pour exposer la couche diélectrique enterrée; reporter une couche électro-optique sur une partie au moins de la couche diélectrique enterrée, la couche électro-optique présentant une première surface en contact avec la couche diélectrique enterrée et une seconde surface opposée à la première, la couche électro-optique s’étendant au moins en partie au-dessus du guide d’ondes afin de pouvoir développer un mode optique hybride dans le guide d’ondes et dans la couche électro-optique ; former au moins deux électrodes disposées latéralement de part et d’autre du guide d’ondes afin de pouvoir développer un champ électrique de modulation interceptant le mode optique hybride. Selon d’autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l’invention, prises seules ou selon toute combinaison techniquement réalisable : la couche superficielle est formée d’un matériau semi-conducteur ; l’étape de formation des électrodes comprend le dépôt d’une couche d’encapsulation en contact avec la seconde face de la couche électro-optique et/ou en contact avec la couche diélectrique enterrée ; l’étape de formation des électrodes comprend le dépôt de plots métalliques au-dessus de la seconde face de la couche électro-optique et/ou au-dessus de la couche diélectrique enterrée ; l’étape de formation des électrodes comprend la formation d’au moins deux vias métalliques ; l’étape de traitement du substrat de départ comprend la formation d’au moins deux plots dopés dans la couche superficielle semi-conductrice, les deux plots dopés (6) étant disposés latéralement de part et d’autre du guide d’ondes ; l’étape de traitement du substrat de départ comprend la formation d’au moins deux pistes métalliques dans la couche de composants photoniques. Selon un autre aspect, l’invention propose Dispositif photonique comprenant : un substrat support ; une couche de composants photoniques disposée sur et en contact avec le substrat support et comprenant au moins un guide d’ondes disposé dans un matériau de recouvrement; une couche diélectrique enterrée disposée sur la couche de composants photoniques, en contact avec le guide d'ondes; une couche électro-optique sur la couche diélectrique enterrée, la couche électro-optique présentant une première surface en contact avec la couche diélectrique enterrée et une seconde surface, opposée à la première, s'étendant au moins en partie au-dessus du guide d'ondes afin de pouvoir développer un mode optique hybride dans le guide d’ondes et dans la couche électro-optique ; au moins deux électrodes disposées latéralement de part et d’autre du guide d’ondes afin de développer un champ électrique de modulation interceptant le mode optique hybride. Selon d’autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l’invention, prises seules ou selon toute combinaison techniquement réalisable : la couche diélectrique enterrée présente une épaisseur inférieure à 300nm, préférentiellement inférieure à 100 nm et/ou présente une uniformité d’épaisseur inférieure ou égale à 50 nm ; le guide d’ondes est formé d’un matériau semi-conducteur, de préférence formé de silicium, ou de nitrure de silicium ; le guide d’onde s’étend longitudinalement de part et d’autre de la couche électro-optique, le guide d’onde présentant une épaisseur plus réduite au droit de la couche électro-optique que dans le reste du guide d’ondes ; le dispositif comprend une couche d’encapsulation en contact avec la seconde face de la couche électro-optique et/ou en contact avec la couche diélectrique enterrée ; les aux moins deux électrodes comprennent respectivement deux plots métalliques disposés au-dessus de la couche électro-optique et/ou au-dessus de la couche diélectrique enterrée ; les aux moins deux électrodes comprennent au moins deux vias métalliques ; les aux moins deux électrodes comprennent respectivement au moins deux plots formés d’un matériau semiconducteur dopé et disposés dans la couche de composants photoniques, les deux plots dopés étant disposés latéralement de part et d’autre du guide d’ondes ; les aux moins deux électrodes comprennent respectivement deux pistes métalliques disposés dans la couche de composants photoniques, les pistes métalliques étant situés dans des plans placés entre le guide d’onde (2a) et le substrat support ; le dispositif photonique comprend deux guides d’ondes disposés au moins en partie sous la couche électro-optique, les deux guides d’ondes formant les deux bras d’un modulateur. D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée de l’invention qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquelles : Les figures 1a,1b,1c,1d,1e,1f,1g,1h représentent des étapes d’un procédé de préparation conforme à l’invention ; Les figures 2a,2b,2c,3a,3b représentent différents modes de réalisation d’un dispositif photonique intégré conforme à l’invention ; La représente un circuit photonique intégré conforme à l’invention mettant en œuvre un modulateur ; Les figures 5a,5b représentent différentes vues d’un premier mode de mise en œuvre du composant photonique de la ; Les figures 6a,6b représentent différentes vues d’un autre mode de mise en œuvre du composant photonique de la ; Les figures 7a,7b,7c représentent d’autres modes de réalisation d’un dispositif photonique intégré conforme à l’invention. DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION Les figures 1a à 1h présentent les différentes étapes d’un procédé conforme à l’invention. Dans une première étape représentée sur la , on fournit un substrat de départ 1. Ce substrat, par exemple de type silicium sur isolant, est formé d’un substrat de base 1a, typiquement en silicium et présentant plusieurs centaines de microns d’épaisseur. Une couche diélectrique enterrée 1b, typiquement en oxyde de silicium, est disposée sur et en contact avec le substrat de base 1a. Cette couche peut présenter une épaisseur comprise entre quelques dizaines de nanomètres et plusieurs milliers de nanomètres. Dans le cadre de la présente description, et pour des raisons qui deviendront apparentes dans la suite de cet exposé, il est préférable de choisir cette couche 1b relativement fine, par exemple comprise entre 5 nm et 300 nm, et préférentiellement entre 5 nm et 200 nm ou entre 5 nm et 100 nm. Selon une caractéristique importante, cette couche diélectrique enterrée 1b présente une bonne uniformité d’épaisseur, avec des variations d’épaisseur moindre que 50 nm sur toute l’étendue du substrat, voire même moindre que 5 nm, ou 3 nm ou moindre que 1nm. Enfin, le substrat de départ 1 comprend une couche superficielle semi-conductrice 1c disposée sur et en contact avec la couche diélectrique enterrée 1b. Cette couche 1c peut notamment être formée de silicium monocristallin et présenter une épaisseur comprise entre 50nm et 1000nm. Les substrats de départ 1 de type silicium sur isolant sont largement disponibles sur le marché, dans une grande variété de dimensions, et pour des spécifications d’épaisseur, notamment de la couche superficielle semi-conductrice 1c et de la couche diélectrique enterrée 1b, qui peuvent être librement choisies. La fourniture de ce substrat de départ 1, qui constitue la première étape d’un procédé conforme à l’invention, ne comporte donc pas de difficulté particulière. Ces substrats présentent notamment une uniformité d’épaisseur de la couche diélectrique enterrée 1b moindre que celle préférée de 50nm, sur toute l’étendue du substrat. On note que le substrat de départ peut être d’un autre type que celui qui vient d’être présenté. En particulier, la couche superficielle 1c peut être choisie d’une nature différente que celle, semi-conductrice, d’un matériau semiconducteur. Il peut notamment s’agir de nitrure de silicium. D’une manière plus générale donc, le substrat de départ 1 est formé d’un substrat de base 1a, qui peut être en silicium, d’une couche diélectrique enterrée 1b, qui peut être en dioxyde de silicium, et d’une couche superficielle 1c présentant un indice de réfraction supérieure à l’indice de réfraction de la couche diélectrique enterrée 1b. Cette couche superficielle peut notamment être constituée ou comprendre du nitrure de silicium. Au cours d’une deuxième étape d’un procédé conforme à l’invention, illustrée sur la , on traite le substrat de départ 1 pour former, dans et sur la couche superficielle 1c, des composants notamment photoniques. Comme cela est bien connu en soi, ce traitement peut comprendre tout type d’étapes technologiques conventionnelles dans le monde de ma microélectronique : dépôt, gravure, photolithographie, afin de définir des motifs permettant de rendre ces composants fonctionnels… A titre d’illustration, ces étapes technologiques conventionnelles peuvent être enchainées pour former, par gravure de la couche superficielle 1c, des guides d’ondes 2a. Des étapes de dépôt sélectif, par exemple de germanium, permettent de former un photodétecteur 2c. Des étapes de dépôt de nitrure de silicium permettent de former des guides d’ondes additionnels 2b. On peut également former des pistes métalliques 7, à différents niveaux, pour conduire des signaux électriques. De multiples étapes de dépôt, qui peuvent être suivies d’étape de polissage, d’un matériau de recouvrement 2e, par exemple du dioxyde de silicium, permet d’encapsuler l’ensemble et former une couche de composants 2 reposant sur le substrat de base 1a, par l’intermédiaire de la couche diélectrique enterrée 1b. Le matériau de recouvrement 2e peut être ouvert par gravure, au cours de l’étape de traitement du substrat de départ pour former des vias métalliques 2d, qui peuvent entrer en contact avec les pistes métalliques 7, permettant par exemple de prendre des contacts sur les composants actifs de la couche de composants ou produire le champ de modulation de la couche électro-optique comme cela sera exposé ultérieurement. A l’issue de cette étape de traitement, et quelles que soient les composants formés dans et sur la couche superficielle 1c, on dispose d’une couche de composants photoniques 2, ces composants étant noyés dans un matériau de recouvrement 2e. Les composants photoniques 2a,2b,2c,2d,7 de la couche 2 comprennent au moins un guide d’ondes 2a formé dans la couche superficielle 1c. On note que ce guide d’ondes 2a ayant été formé dans la couche superficielle 1c, il repose sur et est en contact avec la couche diélectrique enterrée 1b. On peut prévoir, en fin de cette étape de traitement, de polir la surface exposée de la couche de composants photoniques 2 afin de faciliter l’étape suivante de report. Dans une étape suivante représentée sur la , on reporte la couche de composants photoniques 2 sur un substrat support 1e. Ce report peut être réalisé par toute technique qui convient. Ce report comprend généralement l’assemblage de la couche de composants photoniques 2 portée par le substrat de base 1a avec ce substrat support 1e. Il peut s’agir par exemple d’un assemblage par adhésion moléculaire. Une fois l’assemblage réalisé, on élimine le substrat de base 1a pour exposer la couche diélectrique enterrée 1b. Cette élimination peut être réalisée par meulage assisté par une gravure sèche ou humide, la couche diélectrique enterrée 1b formant une couche d’arrêt particulièrement efficace à cette gravure. On a représenté sur la la couche de composants photoniques 2 reportée sur le substrat support 1e à l’issue de cette étape. Il est possible à ce stade d’amincir la couche diélectrique enterrée 1b, par exemple par gravure chimique, pour lui donner une épaisseur choisie. On prendra soin dans ce cas de ne pas dégrader excessivement son uniformité d’épaisseur. Dans une étape suivante du procédé de préparation conforme à l’invention, on reporte une couche électro-optique 3 sur la couche diélectrique enterrée 1b. Cette couche électro-optique 3 peut par exemple être constituée de niobate de lithium (LNO) ou de titanate de baryum (BTO). La couche 3 présente préférentiellement une qualité monocristalline. Elle peut être reportée par assemblage-amincissement d’un substrat en matériau électro-optique massif ou d’un substrat sur lequel une couche de matériau électro-optique a été préalablement déposée, typiquement par épitaxie. Il peut également s’agir d’un substrat du type « matériau électro-optique sur isolant » comprenant une couche superficielle de matériau électro-optique, par exemple en niobate de lithium, reportée sur un substrat manipulateur, par exemple un substrat de silicium muni d’une couche d’oxyde de silicium. En tout état de cause, la couche électro-optique 3 qui a été placée sur la couche de composant 2 présente une première surface en contact avec la couche diélectrique enterrée 1c et une seconde surface opposée à la première. La couche électro-optique 3 s'étend au moins en partie au-dessus du guide d'ondes 2a afin de pouvoir développer un mode optique hybride dans le guide d’ondes et dans la couche électro-optique. On note à ce propos que la couche électro-optique 3 est séparée du guide d’ondes 2a uniquement par l’épaisseur de la couche diélectrique enterrée 1b. On a indiqué précédemment que celle-ci était préférablement choisie relativement fine et uniforme en épaisseur, et on comprend maintenant que ce choix permet de faciliter le développement du mode optique hybride lorsque le dispositif photonique intégré est en fonctionnement. Il n’est pas nécessaire que la couche électro-optique 3 s’étende sur toute l’étendue de la couche diélectrique enterrée 1b. Il peut être préférable de préserver une portion de cette couche 1b non recouverte par la couche électro-optique 3, par exemple pour accéder plus facilement à certains composants photoniques sous-jacents ou pour permettre l’entrée/sortie d’un rayonnement lumineux dans le dispositif intégré comme cela sera montré dans un des modes de réalisation particuliers de l’invention, décrit dans une section ultérieure de cette description. La configuration selon laquelle la couche électro-optique ne recouvre pas entièrement la couche diélectrique enterrée 1c, représentée sur la , peut être obtenue de multiples manières. Selon une première approche, l’étape de report de la couche électro-optique 3 peut consister en un vignettage, c’est-à-dire au report d’un ou d’une pluralité de pavés formé(s) du matériau électro-optique, chaque pavé présentant une dimension réduite, et inférieure à celle de la surface exposée de la couche diélectrique enterrée 1b, mais suffisante pour surplomber, au moins en partie, au moins un guide d’ondes de la couche de composants photoniques 3. Cette approche conduit à directement obtenir la configuration de la directement après le report de la couche électro-optique 3. Avantageusement, afin de simplifier le procédé de fabrication, on cherche à limiter le nombre de pavés reportés sur la couche diélectrique enterrée 1b. A cet effet, un pavé peut surplomber une pluralité de guides d’ondes de la couche de composants photoniques 3. Selon une autre approche, on reporte une couche électro-optique 3 recouvrant entièrement la couche diélectrique enterrée 1b, puis on procède au retrait d’une partie de la couche électro-optique 3 pour exposer une portion de la couche diélectrique enterrée 1b. Ce retrait peut être obtenu par gravure. Il est bien entendu possible de préserver la couche électro-optique 3 en recouvrement de la couche diélectrique enterrée 1b, comme cela est représenté sur la , et les deux approches qui viennent d’être présentées sont parfaitement optionnelles. Dans tous les cas, on préserve la couche électro-optique 3 au moins pour recouvrir en partie le guide d’ondes 2a afin de pouvoir développer le mode optique hybride. Un procédé conforme à l’invention comprend également une étape visant à former au moins deux électrodes disposées d’un côté et de l’autre du guide d’ondes 2a (et au plus proche de la couche électro-optique) afin de pouvoir développer un champ électrique de modulation interceptant le mode optique hybride. Le champ électrique de modulation, imparti par la différence de potentiel électrique entre les deux électrodes, permet de faire varier les propriétés optiques du matériau électro-optique afin de moduler le rayonnement lumineux qui s’y propage. Par « électrode », on désigne dans le cadre de cette description, les éléments permettant de former un chemin conducteur permettant de conduire le signal électrique de modulation au plus proche de la couche électro-optique 3. Cette étape de formation des électrodes peut consister à former deux plots 4a par dépôt d’un matériau métallique, par exemple en or, sur la seconde face de la couche électro-optique 3, c’est-à-dire sur sa surface exposée. Cette configuration est représentée sur la . Sur la , on a formé une couche d’encapsulation 5 sur la seconde face de la couche électro-optique 3 pour la recouvrir. Les deux plots métalliques 4a sont disposés sur la couche d’encapsulation 5 et on a formé, par gravure de cette couche, deux vias métalliques 4b traversant la couche d’encapsulation 5. Dans le mode de mise en œuvre de la , les deux vias métalliques 4b sont en contact avec, d’une part, les plots métalliques 4a et, d’autre part, avec la seconde face de la couche électro-optique 3. Les vias peuvent être constitués d’aluminium. Il est à noter que le procédé de préparation peut être séparé en deux séquences distinctes : la première séquence d’étapes du procédé vise à préparer la couche de composants photoniques 2 reportée sur le substrat support 1e et la seconde séquence d’étapes du procédé, qui suit la première séquence, vise à reporter la couche électro-optique 3 en recouvrement de la couche diélectrique enterrée 1b et à former une partie au moins des électrodes. On peut notamment réaliser ces deux séquences dans des environnements industriels différents : la première séquence peut être réalisée dans un environnement technologique CMOS, incompatible avec certaines étapes formant la seconde séquence, notamment la gravure du matériau électro optique et l’utilisation d’or pour la formation des plots métalliques 4a. Cette seconde séquence peut être mise en œuvre dans un environnement compatible, différent de l’environnement technologique CMOS dans lequel est mis en œuvre la première séquence. En tout état de cause, on dispose à l’issue du procédé qui vient d’être décrit d’un dispositif photonique intégré comprenant sur un substrat support 1e : une couche de composants photoniques 2 disposée sur et en contact avec le substrat support 1e et comprenant au moins un guide d’ondes 2a disposé dans un matériau de recouvrement (2); une couche diélectrique enterrée 1b disposée sur la couche de composants photoniques 2, en contact avec le guide d'ondes 2a. une couche électro-optique 3 sur la couche diélectrique enterrée 1b, la couche électro-optique 3 présentant une première surface en contact avec la couche diélectrique enterrée 1b et une seconde surface opposée à la première et s'étendant au moins en partie au-dessus du guide d'ondes 2a afin de pouvoir développer un mode optique hybride dans le guide d’ondes et dans la couche électro-optique ; au moins deux électrodes disposées latéralement de part et d’autre du guide d’ondes 2a afin de développer un champ électrique de modulation interceptant le mode optique hybride. La couche diélectrique enterrée 1b présente avantageusement une épaisseur faible, par exemple inférieure à 300nm, ce qui permet d’établir un couplage aisé et sans perte (ou avec peu de pertes) entre le guide d’ondes 2a et la couche électro-optique 3. Elle présente également une uniformité d’épaisseur inférieure ou égale à 50nm. On note que les pistes métalliques 7 sont situés dans ce dispositif dans des plans placés entre le guide d’onde 2a et le substrat support 1e, ce qui marque bien le fait que la couche de composant a été reportée du substrat de base 1a sur le substrat support 1e. La présente un autre mode de réalisation d’un dispositif photonique conforme à l’invention. Ce mode de réalisation permet d’éloigner la partie métallique des électrodes du mode optique hybride, ce qui décroit encore les pertes optiques en comparaison avec le mode de réalisation de la ou de la . Dans cette configuration les électrodes comprennent des plots semiconducteurs dopés 6, disposées dans la couche de composants photoniques 2 Le guide d’ondes 2a est quant à lui non dopé pour limiter les pertes optiques. On retrouve sur la le substrat de base 1e sur lequel repose, successivement, la couche de composants photoniques 2, la couche diélectrique enterrée 1b et la couche électro-optique 3. Celle-ci est disposée en surplomb d’un guide d’ondes 2a comme dans le mode de mise en œuvre principal. On a également prévu dans le mode de mise en œuvre de la , deux plots 6 formés du matériau semiconducteur dopé, les deux plots dopés 6 étant disposés latéralement de part et d’autre du guide d’ondes. Ces deux plots sont formés lors de l’étape de traitement du substrat de départ 1 ( ) dans la couche superficielle semi-conductrice. Le dopage peut être réalisé par implantation ionique, comme cela est bien connu en soi. Le dopage permet de rendre ces plots 6 en matériaux semiconducteurs conducteurs et de limiter les pertes optiques. Ce dopage peut être du type p ou n et présenter une densité de dopant l’ordre de 2.0 10^19 atomes par cm^3. Ce dopage peut être uniforme sur toute l’étendue du plot ou présenter un gradient depuis l’extrémité 6b la plus éloignée du guide d’ondes 2a où la densité de dopant peut être de l’ordre de 2.0 10^19 at/cm^3 vers l’extrémité 6a la plus proche du guide d’ondes 2a, où la densité de dopant peut être de l’ordre de 2. 10^18 at/cm^3 On retrouve également sur la , les plots métalliques 4a formés sur la couche d’encapsulation 5 et des vias métalliques 4b traversant la couche d’encapsulation 5 et la couche électro-optique 3, les vias métalliques 4b étant respectivement électriquement reliés au moins deux plots dopés 6. Les plots métalliques 4a et les via métalliques 4b sont réalisés au cours de l’étape de formation des électrodes. Dans ce mode de mise en œuvre, les vias métalliques 4b contactent directement les plots dopés 6 au niveau de leurs extrémités 6b les plus éloignées du guide d’ondes 2a et les écartent donc du mode optique hybride. Les électrodes sont donc formées des plots métalliques 4a, des vias métalliques 4b et des plots dopés 6. Ce mode de mis en œuvre est avantageux en ce que le champ électrique de modulation se développe à partir de l’extrémité 6a des plots dopés 6 situés au plus proche du guide d’ondes 2a, ce qui assure une grande efficacité d’application de ce champ électrique de modulation sur la couche électro-optique 3, au niveau du mode optique qui s’y développe. Étant formé d’un matériau semiconducteur et non métallique, les plots 6 affectent peu le mode optique qui se développe et les pertes optiques restent limitées. La représente une variante du mode de réalisation de la qui permet d’exploiter des pistes métalliques 7 formées dans la couche de composants photoniques 2 afin de disposer de meilleurs contacts électriques avec les plots dopés 6. En effet les pistes métalliques 7 formées pendant l’étape de fabrication de la couche de composants 2 bénéficient d’une couche superficielle de siliciure, connue pour former de très bons contacts électriques. Pour ce faire, on a prévu, au cours de l’étape de traitement du substrat de départ 1, deux pistes métalliques 7, électriquement conductrices, dans la couche de composants photoniques 2, encapsulés dans le matériau de recouvrement et disposés sous les plots dopés 6. Ces deux pistes métalliques 7 sont respectivement en contact électrique avec les deux plots dopés 6. Dans ce mode de réalisation, les vias métalliques 4b des électrodes sont respectivement en contact avec les deux pistes métalliques 7, par leurs extrémités « d’atterrissage ». Les électrodes sont donc respectivement formées des plots métalliques 4a, des vias métalliques 4b, des pistes métalliques 7 et des plots dopés 6. Dans la variante de la , les deux électrodes sont suffisamment éloignées latéralement l’une de l’autre pour que les vias métalliques 4b ne traversent pas la couche électro-optique 3. Les deux électrodes sont formées de plots métalliques 4a disposés sur la couche d’encapsulation 5 (ou, lorsqu’elle est absente, sur la couche diélectrique enterrée 1c) et les vias métalliques 4b sont respectivement électriquement reliés au moins aux deux plots dopés 6, sans traverser la couche électro-optique 3. Les figures 3a et 3b représentent un autre mode de réalisation d’un dispositif photonique conforme à l’invention permettant également d’éloigner la portion métallique des électrodes du mode optique hybride. Dans ce mode de réalisation, le champ électrique est appliqué à la couche électro-optique 3 par les pistes métalliques 7 disposées dans la couche de composants photoniques 2. Ces pistes métalliques 7 sont électriquement reliées aux plots métalliques 4a par l’intermédiaire des via métalliques 4b avec lesquels ils sont en contact. Pour faciliter le routage des signaux électriques, ces pistes métalliques 7 peuvent être en contact avec d’autres pistes métalliques 7a disposées à des niveaux distincts dans la couche de composants photoniques 2, comme cela est représenté sur les figures, ces pistes 7,7a étant reliés entre elles par des vias intermédiaires. Comme on l’a déjà noté antérieurement, les pistes métalliques 7,7a sont situés dans des plans placés entre le guide d’onde 2a et le substrat support 1e. Dans la variante de la , les deux plots métalliques 4a sont formés sur la couche d’encapsulation 5 et les vias 4a traversent la couche d’encapsulation 5 et la couche électro-optique 3. Dans la variante de la , les deux plots métalliques 4a sont suffisamment éloignés latéralement l’un de l’autre pour que les vias 4b ne traversent pas la couche électro-optique 3. Les deux plots métalliques 4a sont formés sur la couche d’encapsulation 5 et les vias métalliques 4b sont respectivement électriquement reliés au moins deux plots dopés 6, en traversant la couche d’encapsulation 5 mais pas la couche électro-optique 3. Comme on l’a déjà noté, la couche d’encapsulation est optionnelle et, en son absence, les plots métalliques 4a sont alors disposés en contact avec la couche diélectrique enterrée 1b. La représente un mode de réalisation mettant en œuvre un modulateur de type Mach-Zehnder. On a disposé deux guides d’ondes 2a sous la couche électro-optique 3 et trois électrodes 4G,4S permettant d’appliquer un champ électrique dédié aux deux modes optiques hybrides qui se développent respectivement dans les guides d’ondes 2a et la couche électro-optique. Comme cela est bien connu en soi, l’électrode centrale 4S est généralement destinée à porter le signal de modulation, et les deux électrodes latérales 4G une masse électrique. On note que les électrodes 4S,4G peuvent s’étendre sur toute la longueur du modulateur MOD pour d’augmenter l’efficacité de modulation. On forme ainsi un bloc de modulation MOD à deux branches. On pourrait naturellement prévoir une pluralité de tels blocs de modulation dans un dispositif photonique intégré conforme à l’invention. La représente une vue de dessus d’un exemple très avantageux de mise en œuvre du dispositif de la . On retrouve bien sur cette figure la couche électro-optique 3 (sous la forme d’une vignette) en surplomb de deux guides d’ondes 2a, et des pistes métalliques 7. Ces pistes métalliques 7 sont disposées dans des plans inférieurs aux guides d’ondes 2a dans la couche de composants photoniques 2 (comme dans la configuration de la ). Les guides d’ondes 2a et les pistes métalliques 7 s’étendent longitudinalement au-delà de la couche électro-optique 3, de part et d’autre de cette couche 3. Les parties extrémales des guides d’ondes 2a et des pistes métalliques 7 ne sont donc pas surplombées par cette couche 3, ce qui permet notamment de placer les plots métalliques 4a au niveau des parties extrémales des pistes métalliques 7 et ainsi éviter que les via métalliques 4b ne traversent cette couche 3. Dans cette vue de dessus, les guides d’ondes 2a et les pistes métalliques 7 s’étendent pour définir longitudinalement une succession de zones : une zone d’entrée z1, une zone de transition z2, une zone cœur dans laquelle s’opère la modulation, une nouvelle zone de transition z2 et une zone de sortie z4. La représente une coupe du dispositif représenté sur la , respectivement au niveau de la zone d’entrée z1 et de sortie z2 du modulateur MOD (section AA sur la ), au niveau de la zone de transition z2 (section BB) et au niveau de la zone cœur z3 (section CC). On observe sur cette l’évolution de l’épaisseur du guide d’onde 2a selon les différentes zones du modulateur. On observe notamment que cette épaisseur Ep2 est moindre dans la zone cœur z3 que l’épaisseur Ep1 dans les zones de transition z2 et d’entrée-sortie z1. Une épaisseur relativement épaisse dans la zone de transition z2 permet d’éviter des réflexions liées la présence de la couche électro-optique 3. Une épaisseur relativement fine dans la zone cœur Z3 permet d’obtenir un confinement augmenté dans le matériau de la couche électro-optique 3, et donc une plus grande efficacité de modulation. Dans cette configuration avantageuse, le guide d’onde 2a, qui s’étend longitudinalement de part et d’autre de la couche électro-optique 3, présente donc une épaisseur plus réduite au droit de la couche électro-optique 3 que dans le reste du guide d’ondes 2a. Il est également préférable d’utiliser un guide d’onde 2a plus large dans les zones d’entrée-sortie z1,z4 et dans la zone de transition z2 que dans la zone cœur z3 pour limiter ces réflexions. Le guide d’onde de largeur réduite dans la zone cœur z2 du modulateur permet de déconfiner le mode optique du guide d’ondes 2a et le confiner davantage dans le matériau de la couche électro-optique 3. La configuration représentée sur les figures 5a,5b permet donc de maitriser le mode optique MH (représenté sur la ) pour qu’il se propage efficacement et se développe, au niveau de la zone cœur Z3, dans la couche électro-optique 3, afin de moduler ce mode optique MH avec efficacité. On notera que dans le procédé présenté en référence aux figures 1a à 1h, il est particulièrement aisé de façonner et structurer la couche superficielle semi-conductrice 1c pour lui donner la largeur et l’épaisseur souhaitée. La représente une vue de dessus et la représente une coupe du dispositif de la , au niveau de la zone cœur z3 (coupe CC de la ), lorsque les électrodes sont mises en œuvre par des plots dopés 6 comme cela a été exposé en relation avec la description des figures 2, 2a et 2b. Dans cette configuration, les pistes métalliques 7 permettent de contacter électriquement les plots dopés 6. Bien entendu l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits et on peut y apporter des variantes de réalisation sans sortir du cadre de l'invention tel que défini par les revendications. On note que la couche d’encapsulation 5, dans tous les modes de mis en œuvre exposés, est parfaitement optionnelle. Une illustration sans couche d’encapsulation 5 est représentée sur la . Dans ce cas, les plots métalliques 4a peuvent reposer directement sur la couche diélectrique enterrée 1b. Par ailleurs, on peut prévoir d’intégrer d’autres composants photoniques dans le dispositif que ceux qui ont déjà été présentés de manière explicite. A titre d’illustration, on peut munir le substrat support 1e d’une cavité 8 emplie d’air. Cette cavité d'air 8, disposée sous et au droit du guide d’ondes 2a, peut être exploitée pour améliorer l'adaptation entre le mode optique et le mode radiofréquence, améliorant ainsi la largeur de bande de la modulation. Cette cavité 8 est illustrée sur le mode de réalisation de la , mais est applicable à tous les modes de réalisation exposés dans la présente description. Lorsque le dispositif photonique vise à former un modulateur, celui-ci n’est pas nécessairement mis en œuvre par un interféromètre de Mach Zehnder comme cela a été illustré dans la présente description. Le ou les modulateur(s) peuvent ainsi être mise en œuvre, par exemple par des modulateurs en anneaux résonants ou en interféromètre de type Michelson. Par ailleurs, le dispositif photonique peut comprendre d’autres composants exploitant les propriétés de la couche électro-optique en plus ou en remplacement du ou des modulateur(s) pris en exemple. Sur les figures 7a, 7b, on expose un dispositif photonique comprenant deux blocs de modulation MOD et dans lequel la couche électro-optique 3 ne recouvre pas entièrement la couche diélectrique enterrée 1b. On exploite cette configuration pour placer, au niveau de la couche diélectrique enterrée 1b exposée et non recouverte par la couche électro-optique, des coupleurs de surface GC, GC’ permettant d’injecter/produire un rayonnement lumineux extérieur dans le dispositif photonique ou à partir de ce dispositif. Sur la , le coupleur de surface GC est formé dans la couche semi-conductrice 1c du substrat de départ, lors de l’étape de formation de la couche de composants photoniques 2. On a placé, noyé dans le matériau de recouvrement de la couche de recouvrement, un miroir métallique M permettant de guider le rayonnement lumineux vers le guide d’ondes 2a. Dans le cas de la , le coupleur de surface GC’ est également noyé dans le matériau de recouvrement. Il peut être composé de nitrure de silicium. A nouveau, les coupleurs de surface illustrés sur ces figures 5a, 5b peuvent être incorporés à tous les modes de réalisation exposés dans la présente description. Procédé de préparation d’un dispositif photonique comprenant les étapes suivantes : fournir un substrat de départ (1) comprenant un substrat de base (1a), une couche diélectrique enterrée (1b) disposée sur et en contact avec le substrat de base (1a) et une couche superficielle (1c) présentant un indice de réfraction supérieure à l’indice de réfraction de la couche diélectrique enterrée (1c) disposée sur et en contact avec la couche diélectrique enterrée (1b); traiter le substrat de départ (1) pour former une couche de composants photoniques (2), les composants photoniques étant dans un matériau de recouvrement (2e) et comprenant au moins un guide d’ondes (2a) formé dans la couche superficielle (1c) ; reporter la couche de composants photoniques (2) sur un substrat support (1e) et éliminer le substrat de base (1a) pour exposer la couche diélectrique enterrée (1b); reporter une couche électro-optique (3) sur une partie au moins de la couche diélectrique enterrée (1b), la couche électro-optique (3) présentant une première surface en contact avec la couche diélectrique enterrée (1b) et une seconde surface opposée à la première, la couche électro-optique (3) s’étendant au moins en partie au-dessus du guide d’ondes (2a) afin de pouvoir développer un mode optique hybride dans le guide d’ondes (2a) et dans la couche électro-optique (3) ; former au moins deux électrodes disposées latéralement de part et d’autre du guide d’ondes (2a) afin de pouvoir développer un champ électrique de modulation interceptant le mode optique hybride. Procédé de préparation selon la revendication précédente dans laquelle la couche superficielle (1c) est formée d’un matériau semi-conducteur. Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel l’étape de formation des électrodes comprend le dépôt d’une couche d’encapsulation (5) en contact avec la seconde face de la couche électro-optique (3) et/ou en contact avec la couche diélectrique enterrée (1b). Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel l’étape de formation des électrodes comprend le dépôt de plots métalliques (4a) au-dessus de la seconde face de la couche électro-optique (3) et/ou au-dessus de la couche diélectrique enterrée (1b). Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel l’étape de formation des électrodes comprend la formation d’au moins deux vias métalliques (4b). Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel l’étape de traitement du substrat de départ (1) comprend la formation d’au moins deux plots dopés (6) dans la couche superficielle semi-conductrice (1c), les deux plots dopés (6) étant disposés latéralement de part et d’autre du guide d’ondes (2a). Procédé de préparation selon l’une des revendications 5 à 7 dans lequel l’étape de traitement du substrat de départ (1) comprend la formation d’au moins deux pistes métalliques (7) dans la couche de composants photoniques (2). Dispositif photonique comprenant : un substrat support (1e) ; une couche de composants photoniques (2) disposée sur et en contact avec le substrat support (1e) et comprenant au moins un guide d’ondes (2a) disposé dans un matériau de recouvrement (2) ; une couche diélectrique enterrée (1b) disposée sur la couche de composants photoniques (2), en contact avec le guide d'ondes (2a) ; une couche électro-optique sur la couche diélectrique enterrée (1b), la couche électro-optique (3) présentant une première surface en contact avec la couche diélectrique enterrée (1b) et une seconde surface, opposée à la première, s'étendant au moins en partie au-dessus du guide d'ondes (2a) afin de pouvoir développer un mode optique hybride dans le guide d’ondes (2a) et dans la couche électro-optique (3) ; au moins deux électrodes disposées latéralement de part et d’autre du guide d’ondes (2a) afin de développer un champ électrique de modulation interceptant le mode optique hybride. Dispositif photonique selon la revendication précédente dans lequel la couche diélectrique enterrée (1b) présente une épaisseur inférieure à 300nm, préférentiellement inférieure à 100 nm et/ou présente une uniformité d’épaisseur inférieure ou égale à 50 nm. Dispositif photonique selon l’une des revendications 8 et 9, dans lequel le guide d’ondes (2a) est formé d’un matériau semi-conducteur, de préférence formé de silicium, ou de nitrure de silicium. Dispositif photonique selon l’une des revendications 8 à 10 dans lequel le guide d’onde (2a) s’étend longitudinalement de part et d’autre de la couche électro-optique (3), le guide d’onde (2a) présentant une épaisseur plus réduite au droit de la couche électro-optique (3) que dans le reste du guide d’ondes (2a). Dispositif photonique selon l’une des revendications 8 à 11 comprenant une couche d’encapsulation (5) en contact avec la seconde face de la couche électro-optique (3) et/ou en contact avec la couche diélectrique enterrée (1b). Dispositif photonique selon l’une des revendications 8 à 12 dans lequel les aux moins deux électrodes comprennent respectivement deux plots métalliques (4a) disposés au-dessus de la couche électro-optique (3) et/ou au-dessus de la couche diélectrique enterrée (1b). Dispositif photonique selon l’une des revendications 8 à 13 dans lequel les aux moins deux électrodes comprennent au moins deux vias métalliques (4b). Dispositif photonique selon l’une des revendications 8 à 14 dans lequel dans lequel les aux moins deux électrodes comprennent respectivement au moins deux plots (6) formés d’un matériau semiconducteur dopé et disposés dans la couche de composants photoniques (2), les deux plots dopés (6) étant disposés latéralement de part et d’autre du guide d’ondes (2a). Dispositif photonique selon l’une des revendications 8 à 15 dans lequel les aux moins deux électrodes comprennent respectivement deux pistes métalliques (7) disposés dans la couche de composants photoniques (2), les pistes métalliques étant situés dans des plans placés entre le guide d’onde (2a) et le substrat support (1e). Dispositif photonique selon l’une des revendications 8 à 16 comprenant deux guides d’ondes (2a) disposés au moins en partie sous la couche électro-optique (3), les deux guides d’ondes formant les deux bras d’un modulateur (MOD).