Brevet FR3147294A1 — publié le 20241004

Alliage résistif de précision à base de cuivre, de manganèse, de nickel et d’étain. L’invention concerne un alliage résistif de précision à base de cuivre (Cu) pour la fabrication d’une résistance de précision, ledit alliage étant caractérisé en ce qu’il est constitué de, en % en masse : - manganèse (Mn) dans une proportion comprise entre 20,0 et 23,0 %, - nickel (Ni) dans une proportion comprise entre 4,5 et 8,0 %, - étain (Sn) dans une proportion comprise entre 0,2 et 2,0 %, - Eventuellement de silicium (Si) dans une proportion comprise entre 0,02 et 0,15 %, en respectant alors Sn+4*Si le reste étant du cuivre et des impuretés inévitables, et dans lequel alliage le rapport (en % en masse) entre la proportion de Mn et de Ni est compris entre 3,0 et 5,0. L’alliage de l’invention pourra notamment être utilisé dans la fabrication de résistances de précisions, pour des applications dans des systèmes de mesure et de contrôle de batteries, dans des shunts ou des jauges de contraintes. Figure pour l’abrégé : Fig. 1 Alliage résistif de précision à base de cuivre, de manganèse, de nickel et d’étain La présente invention concerne le domaine des alliages résistifs de précision à base de cuivre et, plus particulièrement, un alliage résistif dont les constituants principaux sont le cuivre et le manganèse, et comportant également du nickel, de l’étain, et éventuellement du silicium. Les alliages à base de cuivre et de manganèse sont connus pour leurs propriétés électriques, et notamment pour leur résistivité. Dans les alliages résistifs dits « de précision », viennent s’ajouter à la résistivité comme caractéristique incontournable, le coefficient de température en résistance, également noté TCR (Temperature Coefficient Resistance), ainsi que le pouvoir thermoélectrique, noté PTE. La présente invention concerne plus spécifiquement un alliage présentant une stabilité optimale de la résistivité après exposition en température sur une longue période d’utilisation (plusieurs centaines d’heures), un très faible coefficient de température et un très faible pouvoir thermoélectrique, qui sera utilisé dans les résistances de précision pour la mesure du courant ou dans les résistances étalons. Ainsi, un tel alliage trouvera notamment une application dans la fabrication de résistances de précision telles que des shunts (ou micro-shunts) qui sont en particulier essentiels dans le système de contrôles des batteries d'accumulateur (ou BMS - Battery Management System) où la température a un effet majeur sur la capacité de charge de la batterie, voir sa destruction. Cet alliage pourra également être employé dans la fabrication de résistances de précision à puce (ou SMD - Surface Mount Résistor and Chip Resistors) telles que les résistances à feuille métallique ou les résistances de détection de courant (Current Sense Resistors). Enfin, cet alliage trouvera également une application dans la fabrication de jauges de déformation pour lesquelles les mesures requièrent une grande précision et une stabilité en température. Le shunt, notamment, est constitué d’un cœur fabriqué à partir d’un alliage résistif, et de deux connecteurs en cuivre, et lesdits connecteurs sont assemblés au cœur par soudage, la différence de potentiel entre les matériaux du cœur et des connecteurs en cuivre conditionnant le PTE, celui-ci devant être le plus faible possible. En d’autres termes, le pouvoir thermoélectrique traduit l’apparition d’une différence de potentiel électrique entre un couple de matériau soumis à un gradient de température. Dans les applications visées, à savoir les résistances de précision, un PTE le plus faible possible est recherché, afin d'éviter l'existence de courant parasite nuisible pour certaines applications, avec, en parallèle, une valeur de résistivité importante. La résistivité, notée ϱ, en opposition à la conductivité, définit la capacité d’un matériau à bloquer le passage des charges électriques, et donc du courant. La résistivité ϱ du cuivre est très faible (1,724 µΩ.cm à l’état recuit), ce qui en fait un excellent conducteur électrique. En effet, la conductivité électrique du cuivre est définie comme étant égale à 100 % IACS (International Annealed Copper Standard). Enfin, le coefficient de température, TC, représente la variation d’une propriété physique, qui peut être, par exemple, la conductivité thermique d’un matériau, la résistance mécanique, ou la résistance d’un conducteur, en fonction de la température. Dans les applications de la présente invention, la grandeur physique d’intérêt est le coefficient de température de la résistance (TCR) ; c’est donc cette propriété qui sera mesurée, et pour laquelle on cherche à atteindre une valeur la plus faible possible. Dans les alliages dont le constituant principal est le cuivre, du manganèse peut être ajouté à ce cuivre, ce qui a pour effet d’augmenter la résistivité de l’alliage et le pouvoir thermoélectrique, tout en abaissant le coefficient de température. L’ajout de nickel à l’alliage précédent a pour effets, d’une part, d’augmenter la résistivité, avec cependant un effet moindre que celui du manganèse et, d’autre part, d’abaisser le pouvoir thermoélectrique. Le TCR peut être négatif, positif ou nul selon la combinaison des éléments et l’intervalle de température. De l’étain et du silicium peuvent également être ajoutés, dans des proportions allant jusqu’à 3 % en masse pour l’étain, et 1 % pour le silicium, pour ajuster le coefficient de température de la résistance, le pouvoir thermoélectrique, et améliorer la stabilité en température de la résistivité. On connait ainsi, notamment, de la demande de brevet américaine publiée sous le numéro US 2020/224293, un élément de résistance fabriqué à partir d’un alliage comprenant du cuivre, du manganèse dans une proportion comprise entre 23 et 28 %, du nickel dans une proportion comprise entre 9 et 13 %, et de l’étain, avec une proportion allant jusqu’à 1 %. Du silicium peut également être ajouté, dans une proportion allant jusqu’à 1 %. On obtient ainsi un alliage permettant de conférer, au produit final, une résistivité intéressante, de l’ordre de 90 µΩ.cm. Cela étant, les alliages résistifs de précision comportant une proportion élevée de manganèse présentent des inconvénients. En particulier, de tels alliages nécessitent, au moment de leur élaboration, la réalisation d’une fusion sous vide ou sous atmosphère contrôlée des éléments, en sorte d’éviter la formation d’oxydes MnO susceptibles d’altérer les propriétés de l’alliage. Outre la fusion, le transfert de l’alliage liquide vers la lingotière nécessite fréquemment le recours à des technologies n’entrainant pas de passage à l’air (procédé en source). Or, la mise en œuvre d’une étape de fusion et de coulée sous vide nécessite l’emploi d’équipements spécifiques (enceinte sous vide, contrôle des atmosphères) qui présentent notamment l’inconvénient d’être couteux. En outre la stabilité du coefficient de température TCR et du pouvoir thermoélectrique PTE nécessite encore d’être améliorée, afin de proposer un alliage de composition optimale pour la fabrication de résistances de précision. D’autres alliages sont connus dans l’état de la technique, avec notamment des compositions comprenant entre 6 et 10 % de manganèse, et 3 à 9 % d’aluminium, pour des applications dans la fabrication de résistances. Cela étant, pour de tels alliages, les valeurs de résistivité obtenues sont relativement faibles et peu intéressantes pour les applications visées, typiquement entre 25 µΩ.cm et 55 µΩ.cm. Il en est de même pour les alliages CuMnSn, pour lesquels la composition comporte entre 5 et 12 % de manganèse et 1 à 7 % d’étain, et au moyen desquels les valeurs de résistivité sont centrées aux alentours de 30 µΩ.cm. La présente invention se veut à même de proposer un alliage à base de cuivre, dont la composition est constituée en outre au moins de manganèse, de nickel et d’étain, pour l’élaboration de résistances de précision ayant à la fois une forte résistivité, d’au minimum 70 µΩ.cm, un faible PTE et un TCR optimal dans une gamme de température allant de 20 à 50 °C, tout en présentant par ailleurs une stabilité dans le temps de leur résistivité. A cet effet, l’invention concerne un alliage résistif de précision à base de cuivre (Cu) pour la fabrication d’une résistance de précision, caractérisé en ce que ledit alliage est constitué de, en % en masse : - manganèse (Mn) dans une proportion comprise entre 20,0 et 23,0 %, - nickel (Ni) dans une proportion comprise entre 4,5 et 8,0 %, - étain (Sn) dans une proportion comprise entre 0,2 et 2,0 %, - Eventuellement de silicium (Si) dans une proportion comprise entre 0,02 et 0,15 %, en respectant alors Sn+4*Si Le reste étant du cuivre et des impuretés inévitables, Et dans lequel alliage le rapport (en % en masse) entre la proportion de Mn et de Ni est compris entre 3,0 et 5,0. Selon des modes particuliers de réalisation de l’alliage résistif de précision de l’invention : - la proportion de Sn au sein de l’alliage est comprise entre 0,6 et 1,6 % en masse ; - la proportion de Mn au sein de l’alliage est comprise entre 20,0 et 22,0 % en masse ; - la proportion de Ni au sein de l’alliage est comprise entre 5,0 et 6,5 % en masse ; – ledit alliage présente les caractéristiques suivantes : une résistivité comprise entre 70 et 85 µΩ.cm, un pouvoir thermoélectrique PTE avec une valeur inférieure à 2 µV/°C, de préférence inférieur à 1 µV/°C, plus préférentiellement encore inférieure à 0,5 µV/°C, et un coefficient de température de la résistance TCR, entre 20 et 50 °C, compris entre -50 et +50 ppm/°C, de préférence entre -40 et +40 ppm/°C, et plus préférentiellement encore compris entre -20 et +20 ppm/°C. L’invention concerne également une résistance de précision comportant, d’une part, un cœur obtenu à partir d’un alliage résistif de conforme à l’invention, et, d’autre part, des connecteurs en cuivre situés de part et d’autre dudit cœur et assemblés, par soudage, à celui-ci. L’invention concerne, également, un premier mode de réalisation d’un procédé de fabrication d’une bande en alliage résistif de précision à base de cuivre conforme à l’invention et décrit ci-dessus, ledit procédé comportant, au moins, les étapes suivantes, prises dans l’ordre : - Fusion des éléments constitutifs dudit alliage et coulée continue en sorte d’obtenir un lingot d’épaisseur ou de diamètre compris entre 100 et 250 mm ; - Opération de traitement thermique d’homogénéisation à une température comprise entre 600 et 800 °C pendant 2 à 5 h ; - A partir d’un lingot homogénéisé, obtention d’une bande d’épaisseur inférieure à 20 mm, par recristallisation dynamique à chaud, comprenant laminage, extrusion et forgeage, à une température comprise entre 700 et 850 °C, avec un rapport de réduction de section supérieur à 50 % ; - Obtention d’une bande d’épaisseur inférieure à 10 mm par recristallisation statique après écrouissage à froid avec un rapport de réduction de section compris entre 65 et 85 %, à une température comprise entre 550 °C et 700 °C, pendant une durée comprise entre 1 et 3 h. Dans un deuxième mode de réalisation du procédé de l’invention, tout aussi avantageux, celui-ci comporte, au moins, les étapes suivantes, prises dans l’ordre : - Fusion des éléments constitutifs dudit alliage et coulée continue en sorte d’obtenir une bande d’épaisseur inférieure à 20 mm ; - Opération de traitement thermique d’homogénéisation à une température comprise entre 600 et 800 °C pendant 2 à 5 h ; - A partir d’une bande d’épaisseur inférieure à 20 mm et homogénéisée, obtention d’une bande d’épaisseur inférieure à 10 mm par recristallisation statique après écrouissage à froid avec un rapport de réduction de section compris entre 65 et 85%, à une température comprise entre 550 °C et 700 °C, pendant une durée comprise entre 1 et 3 h. D’autres buts et avantages de la présente invention apparaîtront au cours de la description qui va suivre se rapportant à des modes de réalisation qui ne sont donnés qu’à titre d’exemples indicatifs et non limitatifs. La compréhension de cette description sera facilitée en se référant à l’unique figure jointe décrite ci-après : représente des courbes de variation de la résistance par rapport à la résistance à 20 °C en fonction de la température pour deux alliages de l’invention présentant la composition suivante : CuMn21Ni6Sn1 (― · ― · ―) avec 21,0 % de Mn, 6,0 % de Ni et 1,0 % de Sn, le reste étant du cuivre et des inévitables impuretés ; CuMn21Ni6Sn0,5 (―) avec 21,0 % de Mn, 6,0 % de Ni et 0,5 % de Sn, le reste étant du cuivre et des inévitables impuretés ; Et trois alliages comparatifs dont la composition n’entre pas dans la définition de l’invention : CuMn23Ni3 (― ― ―) avec 23,0 % de Mn et 3,0 % de Ni, le reste étant du cuivre et des inévitables impuretés ; CuMn12Ni5Sn3 (― · · ― · · ―) avec 12,0 % de Mn ; 5,0 % de N, et 3,0 % de Sn, le reste étant du cuivre et des inévitables impuretés CuMn20Ni5Si (-------) avec 20,0 % de Mn, 5,0 % de Ni et du Si, le reste étant du cuivre et des inévitables impuretés. La présente invention est relative à un alliage à base de cuivre (Cu) pour la fabrication de résistances étalons ou de résistances de précision, ces dernières ayant des applications notamment dans des appareils de mesure tels que des shunts et des jauges de déformation, lesdits shunts pouvant être retrouvés dans le système de contrôle de batteries d’accumulateur. Dans de tels systèmes, la température présente un effet majeur sur la capacité de charge des batteries, voire sur la destruction de celle-ci. Par conséquent pour de telles applications, il est essentiel de proposer des alliages, pour la fabrication de résistance de précision, présentant des propriétés électriques stables dans les gammes de température auxquelles de tels composants sont susceptibles d’être soumis. Ainsi, les inventeurs ont mis au point un alliage résistif de précision, dont l’élément majoritaire est le Cu, et présentant la composition suivante, celle-ci étant optimale pour être utilisée dans la fabrication de résistances de précision et obtenir les propriétés thermoélectriques souhaitées : - Une proportion de manganèse (Mn) comprise entre 20,0 et 23,0 %, - Une proportion de nickel (Ni) comprise entre 4,5 et 8,0 %, - Une proportion d’étain (Sn) comprise entre 0,2 et 2,0 %, Le reste étant du cuivre et des impuretés inévitables en proportion maximale, pour ces dernières, de 0,8 %, de préférence en proportion maximale de 0,4 %. Et dans lequel alliage le rapport (en % en masse) entre la proportion de Mn et de Ni est compris entre 3,0 et 5,0. Une telle composition d’alliage permet de fabriquer des résistances de précision ayant des propriétés exceptionnelles, en termes à la fois de résistivité, mais également de TCR et de PTE, et, par ailleurs, de conserver une stabilité de ces propriétés dans les gammes de température auxquelles sont soumis, en utilisation, lesdites résistances. Ainsi, une telle composition d’alliage permet de fabriquer des composants électroniques présentant une résistivité considérée comme particulièrement élevée, pour une telle famille d’alliage, comprise entre 70,0 et 85,0 µΩ.cm. De telles valeurs de résistivité n’ont, jusqu’à lors, pas été atteintes par des alliages ayant une base CuMnNi et élaborés dans le cadre de procédés de fusion conventionnels, mais uniquement dans le cadre de procédés de fusion sous vide. Cela étant, dans le domaine d’application des résistances de précision, l’obtention d’une résistivité élevée n’est pas suffisante. Aussi, au moyen de la présente composition d’alliage de l’invention, les inventeurs ont réussi à aboutir, également, à des valeurs optimales en termes de coefficient de température TCR et de pouvoir thermoélectrique PTE. Plus spécifiquement, le rapport Mn/Ni, entre les proportions de manganèse de de nickel dans l’alliage, devant être compris entre 3 et 5, permet d’assurer un PTE optimal et, de préférence, inférieur à 1 µV/°C. Pour mémoire, le PTE traduit l’apparition d’une différence de potentiel électrique sous l’effet d’un gradient thermique appliqué aux jonctions de couples de matériaux. Ainsi, au moyen du rapport Mn/Ni particulier à l’alliage résistif de précision de l’invention, on maintient une différence de potentiel électrique faible entre le cœur d’une résistance de précision, obtenu à partir dudit alliage, et les connecteurs en cuivre assemblés audit cœur par soudage. La proportion d’étain dans l’alliage résistif de l’invention, entre 0,2 et 2,0 % permet d’assurer l’obtention d’un coefficient en température TCR de la résistance compris entre -50 et +50 ppm/°C, dans une gamme de température comprise entre 20 et 50 °C. En d’autres termes, l’alliage de l’invention permet d’assurer une stabilité de la résistance en température, dans la gamme de températures d’utilisation d’une résistance de précision obtenue au moyen dudit alliage. Tout préférentiellement, la proportion de Sn au sein de l’alliage de l’invention est comprise entre 0,6 et 1,6 % en masse, ce qui permet encore un ajustement du TCR et un maintien de celui-ci dans une gamme comprise entre -40 et +40 ppm/°C. Plus préférentiellement encore, il a pu être établi qu’une proportion d’étain comprise entre 0,2 et 1,0 % permet d’obtenir un TCR particulièrement optimal compris entre -20 et +20 ppm/°C. Le graphique de la permet de comparer deux alliages conformes à l’invention notés : CuMn21Ni6Sn1 (courbe ― · ― · ―) et comportant 21,0 % de Mn, 6,0 % de Ni et 1,0 % de Sn, le reste étant du cuivre et des inévitables impuretés, et CuMn21Ni6Sn0,5 (courbe en traits pleins ―) avec 21,0 % de Mn, 6,0 % de Ni et 0,5 % de Sn, le reste étant du cuivre et des inévitables impuretés, avec trois alliages dont la composition est différente : CuMn23Ni3 (― ― ―), CuMn12Ni5Sn3 (― · · ― · · ―) et CuMn20Ni5Si (-------). Cette figure représente les courbes de variation de la résistance de ces alliages, par rapport à la résistance à 20 °C en fonction de la température. A partir de ces courbes, le TCR peut être déduit par modélisation mathématique. On peut ainsi déduire, des résultats illustrés sur ces courbes, que les alliages de l’invention permettent chacun l’obtention d’un TCR particulièrement stable et proche de 0 notamment sur une gamme de température comprise entre 20 et 50 °C. Selon une caractéristique optionnelle de la composition de l’alliage résistif de précision de l’invention, la composition de celui comporte également, en plus du Cu, du Mn, du Ni et du Sn, une proportion de silicium (Si) comprise entre 0,02 et 0,15 % en masse. Dans ce cas de figure, lorsque la composition de l’alliage de l’invention incorpore une proportion de Si, il est impératif de respecter la relation suivante, considérant le pourcentage massique du Sn et celui du Si : La somme des pourcentages massiques (Sn + 4*Si) doit être inférieure à 2,0 % et, plus préférentiellement encore, cette somme (Sn + 4*Si) est inférieure à 1,6 %. L’introduction de Si, effectuée tout préférentiellement, lors du procédé d’élaboration de l’alliage résistif de précision de l’invention, en fin de fusion des différents éléments constitutifs dudit alliage, permet, d’une part, une réduction de la formation d’oxyde de Mn et, d’autre part, de diminuer l’oxydation du Mn lors de l’étape de coulée et de limiter la formation de porosités qui pourraient avoir un effet néfaste sur les propriétés thermoélectriques de la résistance. En outre, le Si agit sur la résistivité, tout comme le Mn. Ainsi, l’introduction de Si dans l’alliage de l’invention permet d’améliorer encore substantiellement les valeurs de résistivité obtenues. Il convient cependant de tenir compte de l’effet combiné des éléments Sn et Si sur le TCR, qui est maintenu entre -20 et +20 ppm/°C en respectant la relation susmentionnée (Sn + 4*Si) En outre, la proportion de Si au sein de l’alliage résistif de précision de l’invention doit être inférieure à 0,15 % en sorte d’éviter une fragilisation de celui-ci lors d’une étape de transformation à chaud mise en œuvre lors du procédé d’élaboration d’une bande, décrit ci-après, à partir dudit alliage. En effet, la présente invention est également relative à un procédé de fabrication d’une bande en alliage résistif de précision à base de cuivre tel que décrit ci-dessus, constitué des éléments Mn, Ni, Sn, éventuellement Si, dans les proportions et respectant le rapport Mn/Ni évoqués, et éventuellement le critère Si+Sn introduit le cas échéant, le reste de l’alliage étant du Cu ainsi que les inévitables impuretés. Dans un premier mode de réalisation du procédé de l’invention, celui-ci comporte, au moins, les étapes suivantes, prises dans l’ordre : – Fusion des éléments constitutifs dudit alliage et coulée semi-continue en sorte d’obtenir un lingot d’épaisseur ou de diamètre compris entre 100 et 250 mm ; – Réalisation d’une opération de traitement thermique d’homogénéisation à une température comprise avantageusement entre 600 et 800 °C, pendant une durée préférentiellement comprise entre 2 et 5 h ; - A partir d’un lingot homogénéisé suivant l’étape précédente, obtention d’une bande d’épaisseur inférieure à 20 mm, par recristallisation dynamique à chaud, comprenant au moins laminage ou extrusion ou forgeage, à une température avantageusement comprise entre 700 et 850 °C, avec un rapport de réduction de section supérieur à 50 % ; - Obtention d’une bande d’épaisseur inférieure à 10 mm par recristallisation statique après écrouissage à froid, avec un rapport de réduction de section compris entre 65 et 85 %, à une température avantageusement comprise entre 550 °C et 700 °C, pendant une durée comprise, de préférence, entre 1 et 3 h. Selon un deuxième mode de réalisation du procédé de l’invention, celui-ci comporte, au moins, les étapes suivantes, prises dans l’ordre : – Fusion des éléments constitutifs dudit alliage et coulée continue en sorte d’obtenir une bande d’épaisseur inférieure à 20 mm ; – Réalisation d’une opération de traitement thermique d’homogénéisation à une température avantageusement comprise avantageusement entre 600 et 800 °C pendant une durée comprise entre 2 et 5 h ; - A partir d’une bande d’épaisseur inférieure à 20 mm et homogénéisée, obtention d’une bande d’épaisseur inférieure à 10 mm par recristallisation statique après écrouissage à froid avec un rapport de réduction de section compris entre 65 et 85 %, à une température préférentiellement comprise entre 550 °C et 700 °C, pendant une durée comprise avantageusement entre 1 et 3 h. Du fait de la composition spécifique de l’alliage résistif de précision de l’invention, le procédé de l’invention, avantageusement, ne nécessite pas d’effectuer la fusion et la coulée dans une enceinte sous vide. En d’autres termes, on effectue, dans le procédé de l’invention, une fusion et une coulée conventionnelles, pas sous vide. En outre, la mise en œuvre de ce procédé permet de réduire les hétérogénéités de microstructures pour permettre les transformations, et assurer l’homogénéité et la constance des propriétés électriques du produit final obtenu. A noter également qu’une température d’homogénéisation de l’alliage, avant transformation, ne dépassant pas 800 °C, permet une mise en solution des phases CuMnSn riches en Sn (plus de 20 % de Sn) et ainsi éviter leur fusion ce qui serait susceptible d’entrainer une décohésion et un endommagement lors de la transformation. Tout préférentiellement, lorsque l’alliage de départ incorpore une proportion de Si comprise entre 0,02 % et 0,15 %, en respectant le critère Sn+0,4*Si Alliage résistif de précision à base de cuivre (Cu) pour la fabrication d’une résistance de précision, ledit alliage étant caractérisé en ce qu’il est constitué de, en % en masse : manganèse (Mn) dans une proportion comprise entre 20,0 et 23,0 %, nickel (Ni) dans une proportion comprise entre 4,5 et 8,0 %, étain (Sn) dans une proportion comprise entre 0,2 et 2,0 %, Eventuellement de silicium (Si) dans une proportion comprise entre 0,02 et 0,15 %, en respectant alors Sn+4*Si Le reste étant du cuivre et des impuretés inévitables, Et dans lequel alliage le rapport (en % en masse) entre la proportion de Mn et de Ni est compris entre 3,0 et 5,0. Alliage résistif de précision à base de cuivre selon la revendication 1 caractérisé en ce que la proportion de Sn est comprise entre 0,6 et 1,6 %. Alliage résistif de précision à base de cuivre selon la revendication 1 ou la revendication 2 caractérisé en ce que la proportion de Mn est comprise entre 20,0 et 22,0 %. Alliage résistif de précision à base de cuivre selon l’une quelconque des revendications 1 à 3 caractérisé en ce que la proportion de Ni est comprise entre 5,0 et 6,5 %. Alliage résistif de précision à base de cuivre selon l’une quelconque des revendications 1 à 4 caractérisé en ce qu’il présente une résistivité comprise entre 70 et 85 µΩ.cm, un pouvoir thermoélectrique PTE avec une valeur inférieure à 2 µV/°C, de préférence inférieure à 1 µV/°C, de préférence inférieur à 0,5 µV/°C, et un coefficient de température de la résistance TCR, entre 20 et 50 °C, compris entre -50 et +50 ppm/°C, de préférence compris entre -40 et +40 ppm/°C, de préférence compris entre -20 et +20 ppm/°C. Procédé de fabrication d’une bande en alliage résistif de précision à base de cuivre selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, ledit alliage étant constitué de, en % massiques, entre 20,0 et 23,0 % de Mn, entre 4,5 et 8,0 % de Ni, entre 0,2 et 2,0 % de Sn, éventuellement entre 0,02 et 0,15 % de Si, en respectant alors Sn+4*Si Fusion des éléments constitutifs dudit alliage et coulée semi-continue en sorte d’obtenir un lingot d’épaisseur ou de diamètre compris entre 100 et 250 mm ; Opération de traitement thermique d’homogénéisation à une température comprise entre 600 et 800 °C pendant 2 à 5 h ; A partir d’un lingot homogénéisé, obtention d’une bande d’épaisseur inférieure à 20 mm, par recristallisation dynamique à chaud, comprenant laminage, extrusion et forgeage, à une température comprise entre 700 et 850 °C, avec un rapport de réduction de section supérieur à 50 % Obtention d’une bande d’épaisseur inférieure à 10 mm par recristallisation statique après écrouissage à froid avec un rapport de réduction de section compris entre 65 et 85 %, à une température comprise entre 550 °C et 700 °C, pendant une durée comprise entre 1 et 3h. Procédé de fabrication d’une bande en alliage résistif de précision à base de cuivre selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, ledit alliage étant constitué de, en % massiques, entre 20,0 et 23,0 % de Mn, entre 4,5 et 8,0 % de Ni, entre 0,2 et 2,0 % de Sn, éventuellement entre 0,02 et 0,15 % de Si, en respectant alors Sn+4*Si Fusion des éléments constitutifs dudit alliage et coulée continue en sorte d’obtenir une bande d’épaisseur inférieure à 20 mm ; Opération de traitement thermique d’homogénéisation à une température comprise entre 600 et 800 °C pendant 2 à 5 h ; A partir d’une bande d’épaisseur inférieure à 20 mm et homogénéisée, obtention d’une bande d’épaisseur inférieure à 10 mm par recristallisation statique après écrouissage à froid avec un rapport de réduction de section compris entre 65 et 85 %, à une température comprise entre 550 °C et 700 °C, pendant une durée comprise entre 1 et 3 h.