Brevet FR3150042A1 — publié le 20241220

ECRAN D'AFFICHAGE A DIODES ELECTROLUMINESCENTES A EXTRACTION DE LUMIERE AMELIOREE ET PIXELS D'AFFICHAGE POUR UN TEL ECRAN La présente description concerne un pixel d'affichage (3') comprenant une zone électroluminescente (8) comprenant au moins une diode électroluminescente, un support (9) transparent au rayonnement émis par la zone électroluminescente (8), la hauteur du support (9) étant supérieure à 5 µm, et une couche intercalaire (12) transparente au rayonnement émis par la zone électroluminescente (8) et interposée entre la zone électroluminescente (8) et le support (9), l'indice de réfraction de la couche intercalaire (12) étant inférieur strictement à 1,5 et étant inférieur à l'indice de réfraction du support (9) avec un écart d'indice de réfraction supérieur ou égal à 0,2. Figure pour l'abrégé : Fig. 3 ECRAN D'AFFICHAGE A DIODES ELECTROLUMINESCENTES A EXTRACTION DE LUMIERE AMELIOREE ET PIXELS D'AFFICHAGE POUR UN TEL ECRAN La présente description concerne de façon générale les écrans d'affichage comprenant des pixels d'affichage comportant des diodes électroluminescentes à base de matériaux semiconducteurs et leurs procédés de fabrication. Il est connu de réaliser un écran d'affichage comprenant des pixels d'affichage, chaque pixel d'affichage comprenant au moins une diode électroluminescente, par exemple un matériau semiconducteur à base d'un composé comportant majoritairement au moins un élément du groupe III et un élément du groupe V (par exemple du nitrure de gallium GaN), appelé par la suite composé III-V. L'efficacité d'extraction de lumière (LEE, sigle anglais pour Light Extraction Efficiency) d'un écran d'affichage est généralement définie par le rapport entre le nombre de photons qui s'échappent de l'écran d'affichage et le nombre de photons émis par les diodes électroluminescentes des pixels d'affichage. Il est souhaitable que l'efficacité d'extraction d'un écran d’affichage soit la plus élevée possible. Un exemple d'un procédé de fabrication d'un écran d'affichage comprend le placement sur une dalle des pixels d'affichage et le dépôt d'une couche de planarisation pour obtenir une face d'émission sensiblement plane. Un inconvénient des écrans d'affichage existants est qu'une fraction des photons émis par chaque pixel d'affichage ne s'échappe pas de l'écran d'affichage. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des écrans d'affichage connus. Un mode de réalisation prévoit un pixel d'affichage comprenant : - une zone électroluminescente comprenant au moins une diode électroluminescente ; – un support transparent au rayonnement émis par la zone électroluminescente, la hauteur du support étant supérieure à 5 µm ; et - une couche intercalaire transparente au rayonnement émis par la zone électroluminescente et interposée entre la zone électroluminescente et le support, l'indice de réfraction de la couche intercalaire étant inférieur strictement à 1,5 et étant inférieur à l'indice de réfraction du support avec un écart d'indice de réfraction supérieur ou égal à 0,2. La couche intercalaire permet de réfléchir, vers la zone électroluminescente, les rayons lumineux émis par la zone électroluminescente dont l'incidence est importante et de ne laisser passer que les rayons lumineux émis par la zone électroluminescente dont l'incidence est faible. Les rayons lumineux réfléchis par la couche intercalaire vers la zone électroluminescente, par des phénomènes de diffusion et de réflexion ayant lieu au sein de la zone électroluminescente, sont ensuite renvoyés vers la couche intercalaire et peuvent traverser la couche intercalaire lorsque leur incidence est faible. La couche intercalaire permet donc de façon avantageuse d'augmenter le nombre de rayons lumineux émis par le pixel d'affichage avec une faible incidence. Ceci permet de façon avantageuse d'augmenter l'efficacité d'extraction de lumière d'un écran d'affichage comprenant de tels pixels d'affichage puisqu'on diminue les réflexions de rayons lumineux sur la face d'émission de l'écran d'affichage. Selon un mode de réalisation, le support est un support monobloc en verre. Il s'agit de façon avantageuse d'un matériau ayant une bonne tenue mécanique et de bonnes propriétés optiques de transparence. Selon un mode de réalisation, le pixel d'affichage comprend, en outre, une couche de liaison interposée entre le support et la couche intercalaire. Ceci permet de façon avantageuse de faciliter la fabrication du pixel d'affichage. Selon un mode de réalisation, la zone électroluminescente comprend des diodes électroluminescentes comprenant des éléments semiconducteurs filaires, coniques, ou tronconiques. Selon un mode de réalisation, la diode électroluminescente comprend une surface texturée. Ceci permet de façon avantageuse d'augmenter la diffusion du rayonnement émis par la diode électroluminescente. Selon un mode de réalisation, la zone électroluminescente comprend, en outre, pour au moins une diode électroluminescente, un bloc isolant électriquement recouvrant la diode électroluminescente et interposé entre la couche intercalaire et la diode électroluminescente. Le bloc permet notamment de protéger les diodes électroluminescentes, notamment lorsque diodes électroluminescentes comprennent des éléments semiconducteurs filaires, coniques, ou tronconiques, d'obtenir une face supérieure plane, et éventuellement d'ajuster la longueur d'onde d'émission du pixel d'affichage. Selon un mode de réalisation, le bloc est photoluminescent. Selon un mode de réalisation, le bloc est diffusant pour le rayonnement émis par la diode électroluminescente. Ceci permet de façon avantageuse d'augmenter la diffusion du rayonnement émis par la diode électroluminescente. Selon un mode de réalisation, le bloc est transparent pour le rayonnement émis par la diode électroluminescente. Selon un mode de réalisation, la zone électroluminescente comprend, en outre, une couche réfléchissante opposée à la couche intercalaire, le bloc étant interposé entre la couche réfléchissante et la couche intercalaire. Ceci permet de façon avantageuse d'empêcher que des rayons lumineux ne s'échappent de la zone électroluminescente du côté opposé au support. Selon un mode de réalisation, la zone électroluminescente comprend, en outre, des murs réfléchissants entourant le bloc. Ceci permet de façon avantageuse d'empêcher que des rayons lumineux ne s'échappent sur les bords latéraux de la zone électroluminescente. Selon un mode de réalisation, le pixel d'affichage comprend des plots de fixation conducteurs électriquement sur une face opposée au support. Ceci permet de façon avantageuse de fixer les plots de fixation du pixel d'affichage sur une dalle en manipulant le pixel d'affichage par le support. Un mode de réalisation prévoit également un écran d'affichage comprenant : - une dalle ; - des pixels d'affichage tels que définis précédemment, les supports des pixels d'affichage étant situés du côté opposé à la dalle ; et - une couche de planarisation recouvrant la dalle et les pixels d'affichage. La couche intercalaire de chaque pixel d'affichage permet de façon avantageuse d'augmenter l'efficacité d'extraction de lumière de l'écran d'affichage puisqu'on diminue les réflexions de rayons lumineux sur la face d'émission de l'écran d'affichage. Un mode de réalisation prévoit également un procédé de fabrication des pixels d’affichage tels que définis précédemment, comprenant les étapes suivantes : - formation sur une plaque semiconductrice de plusieurs exemplaires de la zone électroluminescente du pixel d'affichage ; – formation de la couche intercalaire sur les zones électroluminescentes ; et - fixation, sur la couche intercalaire, d'une plaque du matériau composant le support ; et - séparation des pixels d'affichage. Un mode de réalisation prévoit également un procédé de fabrication d’un écran d’affichage, comprenant les étapes suivantes : - formation de pixels d'affichage tels que définis précédemment ; - le placement et la fixation individuelle de chaque pixel d'affichage sur une dalle ; et - formation d'une couche de planarisation recouvrant les pixels d'affichage et la dalle entre les pixels d'affichage. Le support du pixel d'affichage permet la manipulation individuelle du pixel d'affichage lors de l'étape de placement du pixel d'affichage sur la dalle. Selon un mode de réalisation, la manipulation de chaque pixel d'affichage lors de l'étape de placement et de fixation individuelle de chaque pixel d'affichage sur la dalle comprend l'utilisation d'un préhenseur manipulant le pixel d'affichage par le support du pixel d'affichage. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la représente, de façon partielle et très schématique, un exemple d'écran d'affichage ; la illustre les trajets de rayons lumineux pour l'écran d'affichage de la ; la représente, de façon partielle et très schématique, un mode de réalisation d'un écran d'affichage ; la illustre les trajets de rayons lumineux pour l'écran d'affichage de la ; la illustre de façon schématique les parcours de rayons lumineux et pour un pixel d'affichage de l'écran d'affichage de la en partie gauche et pour un pixel d'affichage de l'écran d'affichage de la en partie droite ; la représente, de façon partielle et schématique, un mode de réalisation d'un pixel d'affichage de l'écran d'affichage de la ; la représente, de façon partielle et schématique, un autre mode de réalisation d'un pixel d'affichage de l'écran d'affichage de la ; la représente, de façon partielle et schématique, un mode de réalisation plus détaillé du pixel d'affichage représenté en ; la représente un mode de réalisation d'une diode électroluminescente tridimensionnelle ; et la représente un autre mode de réalisation d'une diode électroluminescente tridimensionnelle. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures ou à un ... dans une position normale d'utilisation. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Dans la suite de la description, la transmittance interne d'une couche correspond au rapport entre l'intensité du rayonnement sortant de la couche et l'intensité du rayonnement entrant dans la couche. L'absorption de la couche est égale à la différence entre 1 et la transmittance interne. Dans la suite de la description, une couche est dite transparente à un rayonnement lorsque l’absorption du rayonnement au travers de la couche est inférieure à 60 %. Dans la suite de la description, une couche est dite absorbante à un rayonnement lorsque l'absorption du rayonnement dans la couche est supérieure à 60 %. Lorsqu'un rayonnement présente un spectre de forme générale "en cloche", par exemple de forme gaussienne, ayant un maximum, on appelle longueur d'onde du rayonnement, ou longueur d'onde centrale ou principale du rayonnement, la longueur d'onde à laquelle le maximum du spectre est atteint. Dans la suite de la description, l'indice de réfraction d'un matériau correspond à l'indice de réfraction du matériau pour la plage de longueurs d'onde du rayonnement émis par le dispositif optoélectronique. Sauf indication contraire, l'indice de réfraction est considéré sensiblement constant sur la plage de longueurs d'onde du rayonnement utile, par exemple égal à la moyenne de l'indice de réfraction sur la plage de longueurs d'onde du rayonnement utile. L'indice de réfraction est un nombre sans dimension qui caractérise les propriétés optiques d'un milieu, notamment l'absorption et la diffusion. L'indice de réfraction est égal à la partie réelle de l'indice optique complexe. L'indice de réfraction peut être déterminé, par exemple, par ellipsométrie. En outre, on considère ici que les termes "isolant" et "conducteur" signifient respectivement "isolant électriquement" et "conducteur électriquement". La est une vue en coupe, partielle et très schématique, d'un exemple d'écran d'affichage 1. L'écran d'affichage 1 comprend une dalle 2 et des pixels d'affichage 3 fixés à la dalle 2, un seul pixel d'affichage 3 étant représenté en . Pour certaines applications, il est souhaitable que la face d'émission 6 de l'écran d'affichage 1 soit sensiblement plane. Dans ce but, l'écran d'affichage 1 comprend une couche de planarisation 4 recouvrant les pixels d'affichage 3 et la dalle 2 entre les pixels d'affichage 3 et un empilement 5 de couches recouvrant la couche de planarisation 4 et délimitant la face d'émission 6 de l'écran d'affichage 1. La couche de planarisation 4 permet notamment d'encapsuler et de protéger les pixels d'affichage 3. L'empilement 5 de couches permet de façon connue d'améliorer certaines propriétés optiques de l'écran d'affichage 1. L'empilement 5 comprend, par exemple, des revêtements anti-reflet. Le pixel d'affichage 3 comprend un substrat 7 sur lequel est formée une zone électroluminescente 8. Le pixel d'affichage 3 est fixé à la dalle 2 du côté du substrat 7. Le pixel d'affichage 3 comprend en outre un support 9, par exemple un bloc de verre, de façon à permettre la manipulation du pixel d'affichage 3. La zone électroluminescente 8 est alors interposée entre le substrat 7 et le support 9. La illustre les trajets de rayons lumineux, obtenus par simulation, lors du fonctionnement de l'écran d'affichage 1 de la . En , la zone électroluminescente 8 est ici simulée par une source lumineuse ponctuelle. Comme cela apparaît sur cette figure, certains rayons émis par la source lumineuse se réfléchissent à l'interface entre l'empilement 5 de couches et l'air et restent piégés dans l'écran 1 entrainant une diminution de l’efficacité d’extraction des rayons émis. La est une vue en coupe, partielle et très schématique, d'un mode de réalisation d'un écran d'affichage 10. L'écran d'affichage 10 représenté sur la comprend l'ensemble des éléments de l'écran d'affichage 1 représenté sur la , à la différence que les pixels d'affichage 3 sont remplacés par des pixels d'affichage 3', chaque pixel d'affichage 3' comprenant l'ensemble des éléments des pixels d'affichage 3 et comprenant en outre une couche intercalaire 12 interposée entre la zone électroluminescente 8 et le support 9. La couche intercalaire 12 est une couche transparente pour le rayonnement émis par la zone électroluminescente 8. L'indice de réfraction de la couche intercalaire 12 est le plus proche possible de 1, de préférence inférieur strictement à l'indice de réfraction du support 9 et inférieur strictement à l'indice de réfraction du matériau ou des matériaux composant la zone électroluminescente 8 au contact de la couche intercalaire 12. Selon un mode de réalisation, l'indice de réfraction de la couche intercalaire 12 est inférieur strictement à 1,5, de préférence dans la plage de 1 à 1,3. Selon un mode de réalisation, la couche intercalaire 12 est en un matériau sélectionné dans le groupe comprenant le fluorure de magnésium (MgF 2 ) et les polymères organiques, notamment les acrylates. Le fait que la couche intercalaire 12 correspond à une couche en un matériau solide permet de façon avantageuse de faciliter la liaison entre le support 9 et la zone électroluminescente 8. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la couche intercalaire 12 est inférieure ou égale à 2 µm, de préférence inférieure ou égale à 1 µm, et plus préférentiellement inférieure ou égale à 500 nm. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la couche intercalaire 12 est supérieure ou égale à 10 nm. Selon un mode de réalisation, la couche intercalaire 12 comprend une face inférieure 13 et une face supérieure 14 opposées et planes. Selon un mode de réalisation, les faces 13 et 14 sont parallèles à la face d'émission 6. Selon un mode de réalisation, la couche intercalaire 12 est une couche déposée selon un dépôt conforme. Selon un mode de réalisation, la couche intercalaire 12 est en un matériau permettant un dépôt à la tournette. Le support 9 est transparent pour le rayonnement émis par la zone électroluminescente 8. Selon un mode de réalisation, le support 9 est en un matériau sélectionné dans le groupe comprenant le verre et le saphir. Selon un mode de réalisation, la hauteur du support 9 est supérieure à 5 µm, de préférence comprise entre 20 µm et 500 µm. L'épaisseur du support 9 est suffisamment importante pour que le support 9 puisse assurer une tenue mécanique de l'ensemble comprenant le support 9, la couche intercalaire 12, la zone électroluminescente 8, et le substrat 7 lors d'une étape de manipulation. A titre de comparaison, l'épaisseur de la zone électroluminescente 8 peut être supérieure à 500 nm, de préférence comprise entre 1 µm et 50 µm, l'épaisseur de la couche intercalaire 12 peut être inférieure ou égale à 2 µm, de préférence inférieure ou égale à 1 µm, et plus préférentiellement inférieure ou égale à 500 nm, comme cela a été indiqué précédemment, et l'épaisseur du substrat 7, lorsqu'il est présent, peut être inférieure à 100 µm. Le rapport d'aspect du support 9, c'est-à-dire le rapport entre la hauteur et la largeur maximale du support 9, peut être compris entre 0,01 et 10, de préférence entre 0,05 et 2. L'indice de réfraction du support 9 est supérieur strictement à 1,3, de préférence dans la plage de 1,4 à 1,6. De préférence, l'écart d'indice de réfraction entre l'indice de réfraction du support 9 et l'indice de réfraction de la couche intercalaire 12 est supérieur à 0,2. Selon un mode de réalisation, le support 9 comprend une face supérieure 15, du côté opposé à la zone électroluminescente 8. De préférence, la face supérieure 15 est plane. Selon un mode de réalisation, la hauteur maximale du pixel d'affichage 3' est comprise entre 20 µm et 500 µm. Le rapport d'aspect du pixel d'affichage 3', c'est-à-dire le rapport entre la hauteur et la largeur maximale du pixel d'affichage 3', peut être compris entre 0,01 et 10, de préférence entre 0,05 et 2. Un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un pixel d'affichage 3' comprend la formation d'une plaque comprenant plusieurs exemplaires du pixel d'affichage 3' suivie de la séparation des pixels d'affichage 3'. En particulier, un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d’un pixel d’affichage 3' comprend les étapes suivantes : - formation sur une plaque semiconductrice de plusieurs exemplaires de la zone électroluminescente 8 ; - formation de la couche intercalaire 12 sur les zones électroluminescentes 8 ; et - fixation, sur la couche intercalaire 12, d'une plaque du matériau composant le support 9 ; - séparation des pixels d'affichage 3'. La séparation des pixels d’affichage 3' peut être réalisée par découpe de la plaque, notamment par sciage mécanique ou par découpe au laser. Un mode de réalisation d'un procédé de fabrication de l'écran d'affichage 10 comprend le placement et la fixation individuelle de chaque pixel d'affichage 3' sur la dalle 2, suivie de la formation de la couche de planarisation 4 recouvrant les pixels d'affichage 3' et la dalle 2 entre les pixels d'affichage 3' et, lorsqu'il est présent, de l'empilement 5 de couches. En particulier, selon un mode de réalisation, la manipulation de chaque pixel d'affichage 3' lors de l'étape de placement et de fixation individuelle de chaque pixel d'affichage 3' sur la dalle 2 comprend l'utilisation d'un préhenseur manipulant le pixel d'affichage 3' par le support 9. Selon un mode de réalisation, le préhenseur exerce une succion sur la face supérieure 15 du support 9. Dans ce but, de façon avantageuse, la face supérieure 15 du support 9 est plane. La illustre les trajets de rayons lumineux, obtenus par simulation, pour l'écran d'affichage 10 de la . En , la zone électroluminescente 8 est simulée ici par une source lumineuse ponctuelle. L'efficacité d'extraction de lumière de l'écran d'affichage 10 est augmentée par rapport à l'efficacité d'extraction de lumière de l'écran d'affichage 1. Il peut être estimé par simulation que l’efficacité d’extraction de lumière de l’écran 10, avec une couche intercalaire 12 d'indice de réfraction de 1,2, peut être augmentée de 30 % à 40 % par rapport à l'efficacité d'extraction de lumière de l'écran d'affichage 1. La illustre de façon schématique en partie gauche les parcours de rayons lumineux R1 et R2 pour un pixel d'affichage 3 de l'écran d'affichage 1 de la et en partie droite les parcours de rayons lumineux R1’ et R2’ pour un pixel d'affichage 3' de l'écran d'affichage 10 de la . A fin d'illustration, les indices de réfraction de la couche de planarisation 4, du support 9, de la zone électroluminescente 8, et de l'empilement 5 de couches sont sensiblement égaux en . Sans couche intercalaire 12, les rayons lumineux R2 émis par la zone électroluminescente 8 dont l'incidence est importante par rapport à la face d'émission 6 sont réfléchis sur la face d'émission 6 qui correspond à l'interface entre l'empilement 5 de couches et l'air. La face d'émission 6 ne laisse passer que les rayons lumineux R1 émis par la zone électroluminescente 8 dont l'incidence est faible par rapport à la face d'émission 6. La couche intercalaire 12 permet de réfléchir, vers la zone électroluminescente 8, les rayons lumineux R2’ émis par la zone électroluminescente 8 dont l'incidence est importante par rapport à la face d'émission 6 et de ne laisser passer que les rayons lumineux R1’ émis par la zone électroluminescente 8 dont l'incidence est faible par rapport à la face d'émission 6 et qui vont, pour l'essentiel, parvenir à s'échapper de l'écran d'affichage 10. Les rayons lumineux R2’ réfléchis par la couche intercalaire 12 vers la zone électroluminescente 8, par des phénomènes de diffusion et de réflexion ayant lieu au sein de la zone électroluminescente 8, sont ensuite renvoyés vers la couche d'intercalaire 12 et peuvent traverser la couche intercalaire 12 lorsque leur incidence est faible par rapport à la face d'émission 6. Le nombre total de rayons lumineux parvenant finalement à la face d'émission 6 avec une faible incidence est ainsi augmenté, de sorte que l'efficacité d'extraction de lumière de l'écran d'affichage 10 est augmentée. Autrement dit, la couche intercalaire 12 permet ainsi de réduire, voire supprimer, les réflexions des rayons émis par la zone électroluminescente 8 à l'interface entre l'empilement 5 de couches et l'air, créant ainsi une sorte de recyclage des rayons lumineux R2’ au niveau de la zone électroluminescente 8. Selon un mode de réalisation, la zone électroluminescente 8 de chaque pixel d'affichage 3' comprend au moins une diode électroluminescente, de préférence des ensembles de diodes électroluminescentes. Chaque diode électroluminescente peut être une diode électroluminescente tridimensionnelle ou une diode électroluminescente planaire. Selon un mode de réalisation, les diodes électroluminescentes LED comprennent des couches semiconductrices en composés III-V, par exemple du GaN, AlN, InN, InGaN, AlGaN ou AlInGaN, ou en composés II-VI. Une diode électroluminescente tridimensionnelle comprend un élément semiconducteur tridimensionnel, par exemple un élément filaire, conique, tronconique, ou pyramidale, notamment un microfil ou un nanofil, sur lequel s'étend la zone active de la diode électroluminescente. Le terme "microfil" ou "nanofil" désigne une structure tridimensionnelle de forme allongée selon une direction privilégiée dont au moins deux dimensions, appelées dimensions mineures, sont comprises entre 5 nm et 2,5 µm, de préférence entre 50 nm et 2,5 µm, la troisième dimension, appelée dimension majeure, étant au moins égale à 1 fois, de préférence au moins 2 fois, la plus grande des dimensions mineures. Dans certains modes de réalisation, les dimensions mineures peuvent être inférieures ou égales à environ 3 µm, de préférence comprises entre 100 nm et 3 µm, plus préférentiellement entre 1 µm et 1,5 µm. Dans certains modes de réalisation, la hauteur de chaque microfil ou nanofil peut être supérieure ou égale à 500 nm, de préférence comprise entre 1 µm et 50 µm. La est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un pixel d'affichage 3' de l'écran d'affichage 10 représenté en dans lequel la zone électroluminescente 8 comprend des diodes électroluminescentes LED à nanofils ou microfils. La zone électroluminescente 8 comprend de bas en haut en : - une couche réfléchissance 16 pour le rayonnement émis par les diodes électroluminescentes LED ; - des ensembles de diodes électroluminescentes LED (deux ensembles de huit diodes électroluminescentes étant représentés à titre d'exemple de façon schématique), chaque diode électroluminescente LED ayant ici la forme générale d'un nanofil ou d'un microfil ; - des blocs 18 isolants ici reposant sur la couche réfléchissantes 16, chaque bloc 18 étant situé en vis-à-vis de l'une des diodes électroluminescentes LED ou d'un ensemble de diodes électroluminescentes LED et entourant complètement la ou les diodes électroluminescentes LED, chaque bloc 18 étant un bloc transparent au rayonnement émis par les diodes électroluminescentes LED, et/ou un bloc diffusant le rayonnement émis par les diodes électroluminescentes LED, et/ou un bloc photoluminescent ; et - des murs 22 entre les blocs 18, chaque mur 22 étant opaque pour le rayonnement émis par les diodes électroluminescentes LED. Le pixel d'affichage 3' comprend de bas en haut en : - le substrat 7 comprenant une face inférieure 23 et une face supérieure 24 opposée à la face inférieure 23, la face supérieure 24 étant de préférence plane au moins au niveau des diodes électroluminescentes LED ; - la zone électroluminescente 8, la couche réfléchissance 16 de la zone électroluminescente 8 reposant sur la face supérieure 24 ; - la couche intercalaire 12 recouvrant la zone électroluminescente 8, notamment les blocs 18 et les murs 22 ; - éventuellement, un filtre de couleur 26 ou plus d'un filtre de couleur, recouvrant au moins certains des blocs 18, un seul filtre 26 recouvrant un bloc 18 étant représenté à titre d'exemple, la couche intercalaire 12 étant interposée entre les blocs 18 et le filtre 26 ou les filtres ; - une couche de liaison 28 ; et - le support 9. La est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un autre mode de réalisation d'un pixel d'affichage 3' de l'écran d'affichage 10 représenté en dans lequel la zone électroluminescente 8 comprend au moins une diode électroluminescente LED de type planaire. Une diode électroluminescente planaire, également appelée diode électroluminescente bidimensionnelle, est fabriquée par la formation d'un empilement de couches semiconductrices sensiblement planes sur un substrat, suivie de la délimitation de la diode électroluminescente, par exemple par gravure de tranchées dans l'empilement de couches semiconductrices. Le pixel d'affichage 3' représenté en comprend l'ensemble des éléments du pixel d'affichage 3' représenté en à la différence que la diode électroluminescente LED comprend un empilement de couches sensiblement planes. Selon un mode de réalisation, la diode électroluminescente LED comprend une face supérieure 29 qui est diffusante pour le rayonnement émis par la diode électroluminescente LED. Sur les figures 6 et 7, le substrat 7 peut correspondre à une structure monobloc. Il peut ne pas être présent. Le substrat 7 peut correspondre à un circuit intégré configuré pour commander la diode électroluminescente LED ou les diodes électroluminescentes de la zone électroluminescente 8 et comprenant des composants électroniques, notamment des transistors à effet de champ à grille isolée, également appelés transistors MOS, ou des transistors en couches minces, également appelés transistors TFT (sigle anglais pour Thin-Film Transistor). On parle alors de pixels d’affichages 3' intelligents. Lorsque le substrat 7 est absent (non représenté), la ou les diodes électroluminescentes peuvent être rapportées sur un circuit intégré, notamment un circuit de commande, comprenant des composants électroniques, et la connexion peut se faire via des plots conducteurs (non représentés) réalisés en partie inférieure du pixel d’affichage 3’, la partie inférieure étant alors celle opposée au support 9 par rapport à la zone électroluminescente 8. Les plots conducteurs sont alors reliés électriquement avec une couche d’électrode décrite plus loin. Sur les figures 6 et 7, la couche réfléchissante 16 est représentée de façon continue sur la face supérieure 24 du substrat 7. En pratique, la couche réfléchissance 16 peut être interrompue pour permettre la connexion des diodes électroluminescentes LED au substrat 7. Dans les modes de réalisation décrits précédemment, la couche réfléchissante 16 peut être une couche conductrice, notamment une couche métallique, par exemple en fer, en cuivre, en aluminium, en tungstène, en argent, en titane, en hafnium, en zirconium ou en une combinaison d'au moins deux de ces composés. De préférence, la couche réfléchissante 16 est formée en un matériau compatible avec les procédés de fabrication mis en œuvre en microélectronique. De préférence, la couche réfléchissante 16 est formée en aluminium ou en argent. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la couche réfléchissante 16 est comprise entre 100 nm et 300 nm. A titre de variante, la couche réfléchissante 16 peut correspondre à un miroir de Bragg comprenant un empilement de couches d'indices de réfraction différents. Dans ce cas, la couche réfléchissante 16 est composées de matériaux diélectriques, tels que l'oxyde de silicium (SiO 2 ), le nitrure de silicium (SiN), l'oxyde de titane (TiO 2 ) ou tout autre oxyde ou nitrure transparents à la longueur d'onde du rayonnement émis par la zone électroluminescente 8. Dans le cas où la couche réfléchissante 16 correspond à un miroir de Bragg, elle peut avoir une épaisseur allant jusqu'à 10 µm. La couche de liaison 28 permet la fixation du support 9 à la couche intercalaire 12. Selon un mode de réalisation, la couche de liaison 28 est en un polymère configuré pour durcir lorsqu'il est exposé à un rayonnement, par exemple un rayonnement ultraviolet. La couche de liaison 28 peut correspondre à un adhésif optique, par exemple un adhésif optique commercialisé par la société Norland sous l'appellation NOA. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la couche de liaison 28 est supérieure à 1 µm, de préférence comprise entre 5 µm et 30 µm. L'indice de réfraction de la couche de liaison 28 est supérieur strictement à 1,3, de préférence dans la plage de 1,4 à 1,6. Selon un mode de réalisation, l'indice de réfraction de la couche intercalaire 12 est inférieur strictement à l'indice de réfraction de la couche de liaison 28, notamment avec un écart supérieur à 0,2. L'indice de réfraction de la couche de liaison 28 peut être sensiblement égale à l'indice de réfraction du support 9. Le rapport d'aspect de chaque bloc 18, c'est-à-dire le rapport entre la hauteur et la largeur maximale du bloc 18, peut être compris entre 0,01 et 10, de préférence entre 0,05 et 2. La hauteur de chaque bloc 18, mesurée perpendiculairement à la face supérieure 24, peut être comprise entre 500 nm et 15 µm. L'indice de réfraction de chaque bloc 18 est compris entre 1,4 et 2. Selon un mode de réalisation, l'indice de réfraction de la couche intercalaire 12 est inférieur strictement à l'indice de réfraction de chaque bloc 18, notamment avec un écart supérieur à 0,2. Selon un mode de réalisation, la face supérieure du bloc 18 est plane et parallèle à la face supérieure 24 du substrat 7. Selon un mode de réalisation, la/les parois latérales du bloc 18 sont perpendiculaires à la face supérieure 24. A titre de variante, la/les parois latérales du bloc 18 peuvent être inclinées par rapport à la face supérieure 24. Selon un mode de réalisation, lorsque le bloc 18 est un bloc photoluminescent, il comprend des luminophores adaptés, lorsqu'ils sont excités par la lumière émise par la diode électroluminescente LED associée, à émettre de la lumière à une longueur d'onde différente de la longueur d'onde de la lumière émise par la diode électroluminescente LED associée. Selon un mode de réalisation, chaque bloc 18 photoluminescent comprend des particules d'au moins un matériau photoluminescent, par exemple dans une matrice transparente. Un exemple d'un matériau photoluminescent est le grenat d'yttrium et d'aluminium (YAG) activé par l'ion cérium trivalent, également appelé YAG:Ce ou YAG:Ce 3+ . La taille moyenne des particules des matériaux photoluminescents classiques est généralement supérieure à 5 µm. Selon un mode de réalisation, chaque bloc 18 photoluminescent comprend une matrice d’un matériau inorganique ou organique dans laquelle sont éventuellement dispersées des particules monocristallines de taille nanométrique d'un matériau semiconducteur, également appelées nanocristaux semiconducteurs ou particules de nanoluminophores par la suite. Le rendement quantique interne QY int d'un matériau photoluminescent est égal au rapport entre le nombre de photons émis et le nombre de photons absorbés par la substance photoluminescente. Le rendement quantique interne QY int des nanocristaux semiconducteurs est supérieur à 5 %, de préférence supérieur à 10 %, plus préférentiellement supérieur à 20 %. Selon un mode de réalisation, lorsque les blocs 18 comprennent des luminophores, des luminophores différents peuvent être prévus selon les ensembles de diodes électroluminescentes. Selon un mode de réalisation, la taille moyenne des nanocristaux est dans la plage de 0,5 nm et 1000 nm, de préférence de 0,5 nm à 500 nm, encore plus préférentiellement de 1 nm à 100 nm, notamment de 2 nm à 30 nm. Pour des dimensions inférieures à 50 nm, les propriétés de photoconversion des nanocristaux semiconducteurs dépendent essentiellement de phénomènes de confinement quantique. Les nanocristaux semiconducteurs correspondent alors à des boîtes quantiques (dans le cas d’un confinement dans les trois dimensions) ou à des puits quantiques (dans le cas d’un confinement dans deux dimensions). Selon un mode de réalisation, le matériau semiconducteur des nanocristaux semiconducteurs est choisi parmi le groupe comprenant le séléniure de cadmium (CdSe), le phosphure d'indium (InP), le sulfure de cadmium (CdS), le sulfure de zinc (ZnS), le séléniure de zinc (ZnSe), le tellurure de cadmium (CdTe), le tellurure de zinc (ZnTe), l'oxyde de cadmium (CdO), l'oxyde de zinc et de cadmium (ZnCdO), le sulfure de zinc et de cadmium (CdZnS), le séléniure de zinc et de cadmium (CdZnSe), le sulfure d'argent et d'indium (AgInS 2 ), les pérovskites du type PbScX 3 , où X est un atome d'halogène, notamment l'iode (I), le brome (Br) ou le chlore (Cl), et un mélange d'au moins deux de ces composés. Selon un mode de réalisation, le matériau semiconducteur des nanocristaux semiconducteurs est choisi parmi les matériaux cités dans la publication au nom de Le Blevenec et al. de Physica Status Solidi (RRL) - Rapid Research Letters Volume 8, No. 4, pages 349–352, avril 2014. Selon un mode de réalisation, les dimensions des nanocristaux semiconducteurs sont choisies selon la longueur d'onde recherchée du rayonnement émis par les nanocristaux semiconducteurs. A titre d'exemple, des nanocristaux de CdSe dont la taille moyenne est de l'ordre de 3,6 nm sont adaptés à convertir de la lumière bleue en lumière rouge et des nanocristaux de CdSe dont la taille moyenne est de l'ordre de 1,3 nm sont adaptés à convertir de la lumière bleue en lumière verte. Selon un autre mode de réalisation, la composition des nanocristaux semiconducteurs est choisie selon la longueur d'onde recherchée du rayonnement émis par les nanocristaux semiconducteurs. La matrice est en un matériau au moins en partie transparent au rayonnement émis par les particules photoluminescentes et/ou les diodes électroluminescentes LED, de préférence à plus de 80 %. La matrice est, par exemple, en silice. La matrice est, par exemple, en n'importe quel polymère au moins en partie transparent, notamment en silicone, en époxy, en résine acrylique du type poly(méthacrylate de méthyle) (PMMA), ou en acide polyacétique (PLA). La matrice peut notamment être en un polymère au moins en partie transparent utilisé avec les imprimantes tridimensionnelles. La matrice peut correspondre à un verre déposé par centrifugation (SOG, sigle anglais pour Spin On Glass), photosensible ou non photosensible. Selon un mode de réalisation, la matrice contient de 2 % à 90 %, de préférence de 10 % à 60 %, en poids de nanocristaux, par exemple environ 30 % en poids de nanocristaux. La hauteur des blocs 18 photoluminescents dépend de la concentration de nanocristaux et du type de nanocristaux utilisé. La hauteur des blocs 18 photoluminescents est de préférence supérieure à la hauteur des diodes électroluminescentes lorsqu'elles sont de forme filaire et inférieure ou égale à la hauteur des murs 22. En vue de dessus, chaque bloc 18 photoluminescent peut correspondre à un carré, un rectangle, un polygone en forme de "L", etc., dont l'aire peut être égale à l'aire d'un carré ayant un côté mesurant de 1 µm à 100 µm, de préférence de 3 µm à 15 µm. Selon un mode de réalisation, lorsque le bloc 18 est un bloc diffusant, il comprend des particules adaptées à diffuser le rayonnement émis par la diode électroluminescente LED associée qui sont répartis dans une matrice transparente. Les particules sont par exemple des particules d'oxyde de titane (TiO2), d'oxyde de zirconium (ZrO 2 ), de sulfure de zinc (ZnS), ou de sulfure de plomb (PbS). La taille moyenne des particules diffusantes est généralement dans la plage de 100 nm à 300 nm. La matrice est au moins en partie transparente au rayonnement émis par les diodes électroluminescentes LED, de préférence à plus de 80 %. La matrice peut être en l'un des matériaux décrits précédemment pour les blocs 18 photoluminescents. Le bloc 18 diffusant peut comprendre des boîtes quantiques ou ne pas comprendre de boîtes quantiques. Selon un mode de réalisation, lorsque le bloc 18 est un bloc photoluminescent, il est également un bloc diffusant pour le rayonnement émis par photoconversion. Le bloc 18 photoluminescent peut être diffusant par la présence des luminophores. A titre de variante, le bloc 18 photoluminescent peut, en outre, comprendre des particules diffusantes. Le caractère diffusant du bloc 18 peut être caractérisé par la fonction de distribution de diffusion bidirectionnelle (BSDF, acronyme anglais pour Bidirectional Scattering Distribution Function), comprenant notamment la fonction de distribution de réflectance bidirectionnelle (BRDF, acronyme anglais pour Bidirectional Reflectance Distribution Function) et la fonction de distribution de transmission bidirectionnelle (BTDF, acronyme anglais pour Bidirectional Transmittance Distribution Function). La fonction de distribution de diffusion bidirectionnelle peut être déterminée par un instrument de mesure dédié. Selon un mode de réalisation, lorsque le bloc 18 est un bloc transparent, il est composé d'un matériau qui peut être en l'un des matériaux décrits précédemment pour la matrice des blocs 18 photoluminescents. Selon un mode de réalisation, les murs 22 opaques sont réfléchissants pour le rayonnement émis par les diodes électroluminescentes LED. Les murs 22 sont au moins en partie en un matériau réfléchissant. Le matériau réfléchissant peut être un matériau métallique notamment le fer, le cuivre, l'aluminium, le tungstène, l'argent, le titane, l'hafnium, le zirconium ou une combinaison d'au moins deux de ces composés. De préférence, les murs 22 sont formés en un matériau compatible avec les procédés de fabrication mis en œuvre en microélectronique. De préférence, les murs 22 sont formés en aluminium ou en argent. La hauteur des murs 22, mesurée selon une direction perpendiculaire à la face supérieure 24, est dans la plage de 300 nm à 200 µm, de préférence de 3 µm à 15 µm. L'épaisseur des murs 22 mesurée selon une direction parallèle à la face supérieure 24, est dans la plage de 100 nm à 50 µm, de préférence de 0,5 µm à 10 µm. Selon un mode de réalisation, les murs 22 peuvent être formés d'un matériau réfléchissant ou chaque mur 22 comprend des parois réfléchissantes en étant recouvert d'un revêtement réfléchissant à la longueur d'onde du rayonnement émis par les blocs 18 photoluminescents et/ou les diodes électroluminescentes LED, par exemple du polymère avec des particules de TiO 2 . Selon un mode de réalisation chaque mur 22 comprend des parois opaques. A titre d’exemple, chaque mur 22 peut comprendre des parois recouvertes d’une couche de résine colorées en noir. Cette résine est de préférence adaptée à absorber un rayonnement électromagnétique sur la gamme spectrale incluant le spectre d’émission de la zone électroluminescente 8 et celui des luminophores lorsqu’ils sont présents. Selon un autre mode de réalisation, chaque mur 22 est réalisé en une résine partiellement transparente à la lumière visible. Selon un mode de réalisation, les murs 22 ne sont pas réalisés en totalité en résine colorée en noir. De préférence, les murs 22 entourent les blocs 18. Les murs 22 réduisent alors la diaphonie entre blocs 18 adjacents. De préférence, la couche intercalaire 12 est au contact des murs 22. Sur les modes de réalisation illustrés sur les figures 6 et 7, la couche intercalaire 12 est représentée recouvrant complètement les murs 22. A titre de variante, les murs 22 peuvent traverser en totalité ou en partie la couche intercalaire 12. Le pixel d'affichage 3' comprend éventuellement un, deux ou trois filtres 26 de couleur, par exemple un seul filtre jaune, deux filtres, le premier étant un filtre jaune et le deuxième étant un filtre rouge, ou trois filtres, le premier étant un filtre rouge, le deuxième étant un filtre vert et le troisième étant un filtre bleu, recouvrant au moins certains des blocs 18. Le filtre 26 peut correspondre à une couche colorée ou à un empilement de couches d'indices de réfraction différents formant un filtre de Bragg. Selon un mode de réalisation, chaque filtre 26 peut comprendre une ou plusieurs couches adaptées à absorber et/ou réfléchir le rayonnement émis par la zone électroluminescente 8. Lorsque la surface supérieure 29 de la diode électroluminescente LED est une surface diffusante, elle peut présenter une texturation permettant la diffusion du rayonnement émis par la diode électroluminescente LED. La texturation de la face supérieure 29 peut être réalisée par gravure chimique ou par gravure physique. Lorsque la diffusion obtenue par la face supérieure 29 est suffisante, le bloc 18 recouvrant la face supérieure 29 peut être un bloc transparent au rayonnement émis par la diode électroluminescente LED. La est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation plus détaillé d'une partie du pixel d'affichage 3' représenté en . Dans ce mode de réalisation, la zone électroluminescente 8 comprend de bas en haut : - une couche de germination 30 en un matériau favorisant la croissance de fils et disposée sur la face supérieure 24 du substrat 7 ; - une couche isolante 32 recouvrant la couche de germination 30 et comprenant des ouvertures 34 exposant des portions de la couche de germination 30 ; - des diodes électroluminescentes LED (six diodes électroluminescentes étant représentées), chaque diode électroluminescente LED étant en contact avec la couche de germination 30 au travers de l'une des ouvertures 34 ; - une couche isolante 36 s'étendant sur les flancs latéraux d'une portion inférieure de diode électroluminescente LED et s'étendant sur la couche isolante 32 entre les diodes électroluminescentes LED ; - une couche 38 conductrice électriquement formant une électrode recouvrant chaque diode électroluminescente LED et s'étendant en outre sur la couche isolante 36 entre les diodes électroluminescentes LED ; - une couche réfléchissance 16 correspondant ici à une couche conductrice s'étendant sur la couche d'électrode 38 entre les diodes électroluminescentes LED, la couche réfléchissance 16 pouvant, à titre de variante, être interposée entre la couche 38 d'électrode et la couche isolante 36 entre les diodes électroluminescentes LED ; - une couche 40 de protection diélectrique s'étendant sur les couches 38 et 16 ; - des blocs 18 recouvrant les ensembles de diodes électroluminescentes LED ; - une couche isolante 42 recouvrant la face supérieure de chaque bloc 18, ou seulement de certains des blocs 18, la couche isolante 42 pouvant ne pas être présente ; - une couche de protection 44 recouvrant les couches isolantes 42, les faces latérales des blocs 18 et la couche 38 d'électrode entre les blocs 18 ; - les murs 22 entre les blocs 18, chaque mur 22 comprenant un coeur 46 entouré d'un revêtement 48 réfléchissant ; et - une couche de protection 49 recouvrant l'ensemble de la structure, et recouverte de la couche intercalaire 12, non représentée en . La est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation des diodes électroluminescentes LED du pixel d'affichage 3'. Selon un mode de réalisation, chaque diode électroluminescente LED comprend un fil 50 en contact avec la couche de germination 30 au travers de l'une des ouvertures 34 et une coque 52 comprenant un empilement de couches semiconductrices recouvrant les parois latérales et le sommet du fil 50. Une telle configuration est dite radiale. L'ensemble formé par chaque fil 50 et la coque 52 associée constitue la diode électroluminescente LED. La coque 52 peut comprendre un empilement de plusieurs couches comprenant notamment une couche active 54 et une couche de liaison 56. La couche active 54 est la couche depuis laquelle est émise la majorité, de préférence la totalité, du rayonnement fourni par la diode électroluminescente LED. Selon un exemple, la couche active 54 peut comporter des moyens de confinement, tels qu’un puits quantique unique ou des puits quantiques multiples. La couche de liaison 56 peut comprendre un empilement de couches semiconductrices du même matériau III-V que le fil 50 mais du type de conductivité opposé au fil 50. La est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un autre mode de réalisation des diodes électroluminescentes LED du pixel d'affichage 3'. La diode électroluminescente LED représentée en comprend l'ensemble des éléments de la diode électroluminescente LED représentée en à la différence que la coque 52 n'est présente qu'au sommet du fil 50. Une telle configuration est dite axiale. La formation des diodes électroluminescentes LED telles que représentées sur les figures 9 et 10, c'est-à-dire la croissance des fils 50 dans les ouvertures 64, et la formation des coques 52 recouvrant les fils 50 peut être réalisée par exemple par dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD, acronyme anglais pour Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) ou tout autre procédé adapté. La couche de germination 30 est en un matériau favorisant la croissance des fils. A titre d'exemple, le matériau composant la couche de germination 30 peut être un nitrure, un carbure ou un borure d'un métal de transition de la colonne IV, V ou VI du tableau périodique des éléments ou une combinaison de ces composés. Selon un autre mode de réalisation, la couche de germination 30 peut ne pas être présente. Selon un autre mode de réalisation, la couche de germination 30 peut être remplacée par des plots de germination, par exemple formés au fond des ouvertures 34. Chaque couche isolante 32, 36, 40, 42, 44, 50 et les coeurs 46 peuvent être en un matériau diélectrique, par exemple en oxyde de silicium (SiO 2 ), en nitrure de silicium (Si x N y , où x est environ égal à 3 et y est environ égal à 4, par exemple du Si 3 N 4 ), en oxynitrure de silicium (notamment de formule générale SiO x N y , par exemple du Si 2 ON 2 ), en oxyde d'aluminium (Al 2 O 3 ), en oxyde d'hafnium (HfO 2 ), en dioxyde de titane (TiO 2 ) ou en diamant. Chaque couche isolante 32, 36, 40, 42, 44, 50 peut avoir une structure monocouche ou correspondre à un empilement de deux couches ou de plus de deux couches. La couche 38 d'électrode est au moins partiellement transparente de sorte à laisser passer le rayonnement électromagnétique émis par les diodes électroluminescentes. Le matériau formant la couche 38 d'électrode peut être un matériau transparent et conducteur tel que de l'oxyde d'indium-étain (ou ITO, acronyme anglais pour Indium Tin Oxide), de l'oxyde de zinc dopé à l'aluminium ou au gallium, ou du graphène. L'épaisseur de la couche d'électrode 38 peut être comprise entre 0,01 µm et 10 µm. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Enfin, la mise en œuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Pixel d'affichage (3') comprenant : - une zone électroluminescente (8) comprenant au moins une diode électroluminescente (LED) ; – un support (9) transparent au rayonnement émis par la zone électroluminescente (8), la hauteur du support (9) étant supérieure à 5 µm ; et - une couche intercalaire (12) transparente au rayonnement émis par la zone électroluminescente (8) et interposée entre la zone électroluminescente (8) et le support (9), l'indice de réfraction de la couche intercalaire (12) étant inférieur strictement à 1,5 et étant inférieur à l'indice de réfraction du support (9) avec un écart d'indice de réfraction supérieur ou égal à 0,2. Pixel d'affichage selon la revendication 1, dans lequel le support (9) est un support monobloc en verre. Pixel d'affichage selon la revendication 1 ou 2, comprenant, en outre, une couche de liaison (28) interposée entre le support (9) et la couche intercalaire (12). Pixel d'affichage selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la zone électroluminescente (8) comprend des diodes électroluminescentes (LED) comprenant des éléments semiconducteurs filaires, coniques, ou tronconiques. Pixel d'affichage selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la diode électroluminescente (LED) comprend une surface texturée (29). Pixel d'affichage selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la zone électroluminescente (8) comprend, en outre, pour au moins une diode électroluminescente (LED), un bloc (18) isolant électriquement recouvrant la diode électroluminescente (LED) et interposé entre la couche intercalaire (12) et la diode électroluminescente (LED). Pixel d'affichage selon la revendication 6, dans lequel le bloc (18) est photoluminescent. Pixel d'affichage selon la revendication 6, dans lequel le bloc (18) est diffusant pour le rayonnement émis par la diode électroluminescente (LED). Pixel d'affichage selon la revendication 6, dans lequel le bloc (18) est transparent pour le rayonnement émis par la diode électroluminescente (LED). Pixel d'affichage selon l'une quelconque des revendications 6 à 9, dans lequel la zone électroluminescente (8) comprend, en outre, une couche réfléchissante (16) opposée à la couche intercalaire (12), le bloc (18) étant interposé entre la couche réfléchissante (16) et la couche intercalaire (12). Pixel d'affichage selon l'une quelconque des revendications 6 à 10, dans lequel la zone électroluminescente (8) comprend, en outre, des murs réfléchissants (22) entourant le bloc (18). Pixel d'affichage selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, comprenant des plots de fixation conducteurs électriquement sur une face opposée au support (9). Ecran d'affichage (10) comprenant : - une dalle (2) ; - des pixels d'affichage (3') selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, les supports (9) des pixels d'affichage (3') étant situés du côté opposé à la dalle (2) ; et - une couche de planarisation (4) recouvrant la dalle (2) et les pixels d'affichage (3'). Procédé de fabrication des pixels d’affichage (3') selon les revendications 1 à 12, comprenant les étapes suivantes : - formation sur une plaque semiconductrice de plusieurs exemplaires de la zone électroluminescente (8) du pixel d'affichage (3') ; – formation de la couche intercalaire (12) sur les zones électroluminescentes (8) ; et - fixation, sur la couche intercalaire (12), d'une plaque du matériau composant le support (9) ; et - séparation des pixels d'affichage (3'). Procédé de fabrication d’un écran d’affichage (10), comprenant les étapes suivantes : - formation de pixels d'affichage (3') selon l'une quelconque des revendications 1 à 12 ; - le placement et la fixation individuelle de chaque pixel d'affichage (3') sur une dalle (2) ; et - formation d'une couche de planarisation (4) recouvrant les pixels d'affichage (3') et la dalle (2) entre les pixels d'affichage (3'). Procédé selon la revendication 15, dans lequel la manipulation de chaque pixel d'affichage (3') lors de l'étape de placement et de fixation individuelle de chaque pixel d'affichage (3') sur la dalle (2) comprend l'utilisation d'un préhenseur manipulant ledit pixel d'affichage (3') par le support (9) dudit pixel d'affichage (3').