Brevet FR3146998A1 — publié le 20240927

L’invention concerne une pointe en silicium apte à être disposée à une extrémité d’un élément de liaison. Ladite pointe comporte une première partie (PT) et une seconde partie (ZI) disposée entre ladite première partie (PT) et l’élément de liaison, ladite première partie (PT) ayant une forme tétraédrique présentant une section triangulaire dont une hauteur est continument variable, ladite seconde partie (ZI) ayant une section (S ZI ) non triangulaire et en ce que, à l’interface entre la première partie (PT) et la seconde partie (ZI) de la pointe (P), la hauteur (H PT ) de la section (S PT ) triangulaire de la première partie (PT) est inférieure à une largeur de l’élément de liaison. Figure pour l’abrégé : Fig.22 Pointe en silicium de faible masse et à haut rapport d’aspect, sonde comportant une telle pointe en silicium, microscope comportant une telle sonde, et procédé de fabrication de ladite pointe en silicium. La présente invention concerne les capteurs à la base des microscopes à force atomique, et plus particulièrement les capteurs comportant des pointes. Un microscope à force atomique (dit « AFM » pour « Atomic Force Microscope » en anglais) est un type de microscope à sonde locale qui dépasse les limitations de résolution connues pour les microscopes basés sur les ondes lumineuses. En effet, il permet de visualiser la topographie de la surface d'un échantillon avec une résolution latérale sub-100 nanomètres et verticale sub-1 nanomètre. Ces valeurs ne peuvent être atteintes en optique en raison des limites liées à la diffraction des ondes. La technique AFM exploite l'interaction (attraction/répulsion) entre les atomes de l’apex nanométrique d'une pointe et les atomes de la surface d'un échantillon. Le microscope à force atomique est un appareil qui permet de mettre en pratique ce principe en balayant la surface d'un échantillon grâce à une pointe très fine, positionnée à l'extrémité libre d'un micro-levier flexible, pouvant se déplacer dans toutes les directions de l'espace. Ceci est réalisé au moyen de céramiques piézoélectriques qui définissent un balayage X,Y. On parle alors de ‘scan XY’. Le principe de l’appareil le plus souvent mis en œuvre est de mesurer en temps réel l'angle de déflexion du levier, qui est considéré comme une mesure des forces d'interactions intervenant entre la pointe et l'échantillon. Cet angle est le plus souvent mesuré par la technique dite de déflexion optique d’un faisceau laser. Dans ce cas, un laser part d’une source, se réfléchit sur le levier, et atteint une photodiode à 4 quadrants. Lorsque l'angle varie sous l’effet d’une force pointe-surface, les intensités des quadrants vont varier et l’on va pouvoir générer une sortie électrique proportionnelle à l’angle de déflexion du levier. Pour obtenir une topographie en 3 dimensions de la surface, le signal de déflexion sert d’entrée à une boucle d’asservissement de la hauteur du levier. Les enjeux et les domaines des mesures et images réalisées par AFM sont très divers : - Dans l’industrie des semi-conducteurs : mesure de rugosité, mesure de marche (profilométrie haute résolution en x/y/z) ; - En biologie, mesure de forces d’interaction, biomolécules, biomatériaux, cellules et bactéries in vitro/en liquide. Des modes d’imageries variés basé sur l’AFM (électrique, optique…) permettent également de mesurer des propriétés physiques avec une résolution de quelques nanomètres (indice optique, permittivité, charges électriques, etc…). Il est connu de fabriquer des sondes pour microscope à sonde locale à partir d’un substrat de silicium par des procédés de microfabrication issus de la microélectronique et de la micromécanique. Il existe ainsi dans l’art antérieur, deux familles de procédés de fabrication permettant de réaliser une pointe locale sur substrat. Un premier procédé est basé sur une technologie de fabrication de la pointe hors plan du substrat. Un tel procédé est notamment décrit dans un premier document : « Microfabrication and application of high-aspect-ratio silicon tips, July 2005, Journal of Vaccum Science & Technology B Microlectronics and Nanometer Structures 23(4), par Yaqiang Wang and Daniel W. van der Weide, doi: 10.1116/1.1947805 ». Un second procédé est basé sur une technologie de fabrication de la pointe dans le plan du substrat. Un tel procédé est notamment décrit dans un second document : « R. P. Ried, H. J. Mamin, B. D. Terris, Long-Sheng Fan and D. Rugar, "6-MHz 2-N/m piezoresistive atomic-force microscope cantilevers with INCISIVE tips," in Journal of Microelectromechanical Systems , vol. 6, no. 4, pp. 294-302, Dec. 1997, doi: 10.1109/84.650125 ». Ce second procédé est notamment illustré à la à partir d’extraits d’une figure issue du second document. Sur ces extraits, une préforme est gravée verticalement à travers toute la couche supérieure de silicium d’un substrat SOI (pour « Silicon On Insulator » en anglais) jusqu’à atteindre une couche d’oxyde de ce substrat. La préforme est ensuite encapsulée dans une gaine d’oxyde par oxydation thermique et/ou dépôt d’oxyde. Une ouverture dans un masque de protection est ensuite réalisée au-dessus de ladite préforme. Une gravure verticale permet de retirer l’oxyde uniquement en surface de la préforme, ce qui laisse un mur d’oxyde autour de la préforme. Une gravure chimique anisotrope permet de graver préférentiellement des plans du silicium en faisant apparaitre lesdits plans après gravure. La sonde obtenue par le second procédé est illustré à la . Cette sonde est constituée de 3 parties, à savoir, une pointe (P) un élément de liaison qui est ici un levier (C) également dénommé « Cantilever » et un support (S). Un levier possède 3 dimensions principales : - une longueur (Lc) correspondant à la distance entre une extrémité libre et une extrémité ancrée ; - une largeur (Wc) correspondant à la surface du levier portant la pointe, ladite surface étant constituée par la longueur et la largeur ; - une épaisseur (tc), petite devant la largeur. La longueur d’une pointe (Lp) est définie entre une extrémité de la pointe, également appelée apex (AP) et la face du levier portant la pointe. Les repères sont basés sur la convention suivante : L’axe du levier est principalement suivant l’axe X. L’axe est croissant de l’ancrage du levier vers la partie libre. L’axe de la pointe est principalement suivant Y. L’axe est croissant depuis la base de la pointe, au niveau du levier vers la pointe. L’axe Z est perpendiculaire à l’axe X et à l’axe Y. L’utilisateur pourrait souhaiter utiliser la sonde dans un cas idéal, dans lequel la pointe est verticale au-dessus de l’échantillon. Or pour des raisons expérimentales, vu les dimensions de longueur de pointe accessibles sur le marché, typiquement 10 à 15µm, la sonde est montée dans le microscope avec un angle φ de quelques degrés : de l’ordre de 7 à 13°. Il existe ainsi un besoin d’améliorer le procédé de fabrication d’une sonde dans le plan d’un substrat afin de permettre de disposer d’une pointe à masse réduite, avec un angle ajustable et ceci pour des largeurs de levier importantes. La présente invention vise à remédier au moins en partie à ce besoin. Plus particulièrement, la présente invention concerne une pointe en silicium apte à être disposée à une extrémité d’un élément de liaison. La pointe comporte une première partie et une seconde partie disposée entre ladite première partie et l’élément de liaison, ladite première partie ayant une forme tétraédrique présentant une section triangulaire dont une hauteur est continument variable. La seconde partie a une section non triangulaire et à l’interface entre la première partie et la seconde partie de la pointe. La hauteur de la section triangulaire de la première partie est inférieure à une largeur de l’élément de liaison. Dans une variante de réalisation, la seconde partie comprend une première portion s’étendant à partir de l’élément de liaison et une seconde portion disposée entre la première portion et la première partie. Dans une variante de réalisation, la première portion comprend un plan incliné, ledit plan incliné s’étendant entre l’élément de liaison et la seconde portion. Un autre objet de l’invention concerne une sonde comprenant un support comportant un élément de liaison s’étendant à partir du support, une pointe en silicium selon l’objet précédent, ladite pointe en silicium étant disposée à une extrémité de l’élément de liaison, à l’opposé du support. Dans une variante de réalisation, l’élément de liaison comporte une portion principale reliée au support et une portion de réduction en largeur prolongeant la portion principale. Dans une variante de réalisation, la portion de réduction comporte un premier plan incliné s’étendant à partir de la portion principale et un second plan incliné s’étendant à partir du premier plan incliné jusqu’à la sonde, l’inclinaison du premier plan incliné étant différente de l’inclinaison du second plan incliné. Dans une variante de réalisation, le second plan incliné a une même inclinaison que le plan incliné de la première portion de la seconde partie de la pointe. Dans une variante de réalisation, la première partie de la pointe comprend un plan incliné, ledit plan incliné ayant une même inclinaison que le premier plan incliné de la portion de réduction. Un autre objet de l’invention concerne un microscope à sonde locale comportant une sonde selon l’objet précédent. Un autre objet de l’invention concerne un procédé de fabrication d’une pointe en silicium dans un substrat SOI, ledit substrat comportant une couche inférieure de silicium d’épaisseur comprise entre 150 µm et 700 µm, une couche d’oxyde SiO 2 reposant sur la couche inférieure, ladite couche d’oxyde ayant une épaisseur comprise entre 0,2 µm et 2 µm, une couche supérieure de silicium d’épaisseur E et reposant sur la couche d’oxyde, ledit procédé de fabrication comprenant : - une étape de gravure d’une préforme à travers la couche supérieure de silicium jusqu’à la couche d’oxyde, ladite préforme ayant une première partie, s’étendant selon une première direction, destinée à former ladite pointe et une seconde partie, reliée à ladite première partie, s’étendant selon une seconde direction destinée à former un élément de liaison pour une liaison de la pointe avec un support ; - une étape d’encapsulation de la préforme dans une gaine d’oxyde par oxydation thermique et/ou dépôt d’oxyde ; - une étape d’ouverture dans la gaine d’oxyde à l’aide d’un masque comportant une fenêtre rectangulaire ouvrant sur une zone de la préforme de sorte à mettre à jour une surface supérieure de la couche supérieure de silicium du substrat SOI sans retirer de l’oxyde sur des parties verticales de ladite préforme ; - une étape de gravure chimique de la couche supérieure de silicium à travers ladite fenêtre rectangulaire, ladite couche supérieure étant gravée avec une pente ; - une étape de gravure de l’oxyde autour de la préforme. Dans ce procédé de fabrication, la première partie de la préforme a une première largeur W PF , ladite première largeur W PF étant inférieure à E/√2 et/ou dans ledit procédé de fabrication la fenêtre rectangulaire du masque ouvre sur l’ensemble de la première partie de ladite préforme et ouvre partiellement sur la seconde partie de ladite préforme. Dans une variante de réalisation, l’étape d’ouverture comprend une étape supplémentaire dans laquelle on vient graver partiellement et localement tout ou partie de la première partie de la préforme. La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée de modes de réalisation pris à titre d’exemples nullement limitatifs et illustrés par les dessins annexés sur lesquels : la illustre un procédé selon l’art antérieur basé sur une technologie de fabrication d’une pointe d’une sonde dans le plan d’un substrat ; la illustre une sonde obtenue par le procédé de la ; la illustre un substrat SOI selon l’art antérieur adapté pour être utilisé dans le procédé de la ; la illustre de manière plus détaillée le procédé de la ; la illustre de manière plus détaillée une pointe d’une sonde de la ; la illustre une sonde comportant la pointe de la ; la illustre la taille de spot laser sur deux leviers de sonde de largeurs différentes ; la illustre un profil mesuré en fonction d’un échantillon et de la géométrie de la pointe ; la illustre une vue de face et de profil de la pointe de la ; la est un tableau donnant le rapport d’aspect de face et de côté de la pointe de la en fonction d’un angle θ ; la est un zoom de l’étape 1 du procédé de la ; la est un zoom de l’étape 3 du procédé de la ; la est un zoom de l’étape 4 du procédé de la ; la est un zoom de l’étape 3 du procédé de la avec des dimensions de la préforme selon une première variante de réalisation du procédé selon l’invention ; la est un zoom de l’étape 4 du procédé de la avec des dimensions de la préforme selon la première variante de réalisation du procédé selon l’invention ; la illustre une sonde selon une première variante de réalisation obtenue à partir des étapes du procédé de fabrication des figures 14 et 15 ; la illustre une sonde selon une seconde variante de réalisation obtenue à partir des étapes du procédé de fabrication des figures 14 et 15 ; la est un zoom de l’étape 3 du procédé de la avec un positionnement particulier d’une fenêtre d’ouverture ; la est un zoom de l’étape 4 du procédé de la suite à l’étape 3 de la ; la illustre une sonde selon une troisième variante de réalisation obtenue à partir des étapes du procédé de fabrication des figures 18 et 19 ; la illustre la sonde selon la troisième variante de réalisation de la selon une autre vue ; la illustre une vue de détail d’une partie de la sonde de la ; la illustre une sonde selon une quatrième variante de réalisation ; la illustre une portion de la sonde de la . la illustre une sonde selon une cinquième variante de réalisation ; la illustre une sonde selon une sixième variante de réalisation ; la illustre une sonde selon une septième variante de réalisation ; la illustre une vue de face des modes de réalisation des figures 26 et 27 ; la illustre un procédé pour la fabrication de sondes selon les modes de réalisation des figures 25 à 27 ; la est une photo obtenue par microscopie électronique à balayage illustrant la troisième variante de réalisation des figures 20 et 21 ; la est une photo obtenue par microscopie électronique à balayage illustrant la troisième variante de réalisation des figures 20 et 21, selon une autre orientation. L’invention n’est pas limitée aux modes de réalisation et variantes présentées et d’autres modes de réalisation et variantes apparaîtront clairement à l’homme du métier. La illustre un substrat SOI adapté pour être utilisé dans un procédé basé sur la technologie de fabrication de la pointe d’une sonde dans le plan d’un substrat. Un tel substrat se compose de trois couches. Une couche inférieure de silicium d’épaisseur importante (Handle Layer : HL) (150µm-700µm) qui sert de support mécanique, une couche d’oxyde SiO 2 de faible épaisseur (0,5µm-2µm) appelée BOX (buried oxide), puis une couche de silicium dite ‘couche active’ ou ‘Device layer’ : DL. La illustre de manière plus détaillée le procédé de fabrication de la pointe de la sonde dans le plan du substrat SOI de la . Le procédé démarre ainsi sur le substrat SOI. Dans la , la couche HL n’est pas représentée pour en faciliter la compréhension. La couche de « device layer » DL est en blanc sur l’oxyde de silicium BOX en hachuré. Au moyen d’une lithographie, on définit dans une étape E1 un masque de protection. On protège ainsi la matière située à l’intérieur de la forme géométrique. Puis La couche de silicium sera gravée jusqu’au BOX au moyen d’une technologie plasma qui enlève le silicium en dehors du masque de protection et produit des flancs verticaux. Dans une étape E2, la surface et les flancs de la structure gravée dans le silicium du « device layer » sont ensuite encapsulés dans l’oxyde de silicium (par oxydation thermique et/ou dépôt). Dans une étape E3, une ouverture est réalisée dans l’oxyde afin de mettre à jour la surface supérieure de la structure en silicium sans retirer l’oxyde sur les flancs. Dans une étape E4, une gravure spécifique utilisant une base telle que le TMAH (Tetramethylammonium hydroxide) permet de graver le silicium avec une pente. Celle-ci est obtenue car le TMAH grave très peu les plans (111) (colorés ici en gris clair). Dans une étape E5, l’oxyde est enfin gravé partout autour de la sonde. La pointe d’une sonde obtenue par les étapes du procédé de la est illustrée à la en trois dimensions. Cette pointe a une forme tétraédrique présentant une section triangulaire. Plus particulièrement, les plans DCA, BCD et ACB s’intersectent au point C et sont respectivement formés par la surface inférieure de la couche du « device layer » du SOI, par le plan cristallin (111) mis à jour à l’aide d’une gravure chimique et par un plan vertical défini grâce à une gravure verticale. Le plan (111) est gravé au moins 10 fois moins vite que les autres plans. La gravure peut alors être stoppée quand il ne reste que les plans (111) apparents. La pointe ainsi formée au point C est dans le plan du substrat. La droite (DC) suit la direction cristalline [110] tandis qu’un angle θ est imposé entre (DC) et (AC). Cet angle est défini lors de la conception tandis que les valeurs de α ( ) et β ( ) dépendent uniquement de θ et des plans cristallins du silicium et sont imposés par : (1) (2) L’angle entre le plan (111) et le plan (001) est fixé par la maille cristalline du silicium, soit 54,7° ( . La longueur de la pointe, c'est-à-dire la distance DC, dépend quant à elle uniquement de l’angle θ et de l’épaisseur de la couche de silicium E : (3) La illustre de manière plus détaillée une variante d’une sonde obtenue par le procédé de la . Cette sonde est constituée principalement par quatre zones. La zone PT est constituée d’un tétraèdre : les sections de cette zone, dans le plan XZ, sont des triangles rectangles de plus en plus grands au fur et à mesure que l’on parcourt la zone PT suivant l’axe y depuis l’apex de la pointe AP vers la zone ZI. La zone ZI est une zone intermédiaire prolongeant la pointe mais ne faisant pas partie du tétraèdre. Ses sections dans le plan XZ peuvent être de taille arbitraire avec, par exemple, une forme rectangulaire. La zone PT et la zone ZI constituent la pointe de la sonde. La zone EM appartient à un levier C de la sonde. Ce levier est relié à un support de la sonde (non représenté sur la ). La représente une vue de dessus d’une sonde lorsque l’on focalise le laser de l’AFM pour obtenir une réflexion donnant le signal de mesure. Dans le cas d’un levier AFM réalisé dans le plan, le levier est formé en gravant verticalement la couche « device layer » du substrat SOI suivant l’axe Z. Ainsi la largeur Wc du levier est égale à l’épaisseur E du « device layer » du SOI tandis que l’épaisseur t du levier est donnée par la photolithographie. Le choix du substrat SOI à utiliser dans la fabrication est donc critique pour la suite des opérations. Sur la , il existe une pointe sous chaque levier, référencés C1 et C2. Les pointes ne sont pas ici apparentes. S D est le diamètre du spot laser LS envoyé sur le levier. Si Wc ≥ à S D ou légèrement inférieur à S D (Wc=W1), une grande partie de la lumière du laser sera réfléchie sur la photodiode. Si Wc est petit devant S D (Wc=W2), seule une partie du laser est réfléchie sur la photodiode pour permettre un asservissement. En première approximation, la part de la lumière réfléchie est équivalente au rapport entre la surface de levier éclairé et la surface du spot laser. Dans le cas où le spot laser ne dépasse pas du levier suivant l’axe X, alors il est fait l’approximation que la surface éclairée est un rectangle de longueur S D et de largeur Wc, soit . On fait également l’hypothèse d’un spot laser circulaire avec une surface totale du spot de . La part de lumière réfléchie est égale en première approximation à . Pour un spot de S D =40µm et un levier de largeur Wc=30µm, le laser est réfléchi à 95%.Pour un spot de S D =40µm et un levier de largeur Wc=20µm, le laser est réfléchi à 63%. Pour un spot de S D =40µm et un levier de largeur Wc=10µm, le laser est réfléchi à 31%. Un premier problème à résoudre est d’avoir un niveau de signal suffisant pour assurer l’asservissement et conserver, en conséquence, Wc=S D . En outre, dans l’art antérieur, la longueur de la pointe L P de sondes réalisées hors-plan est typiquement de 10 à 15 µm. Il existe plusieurs géométries de pointes : pyramidale ou tétraédrique. D’autre part, la présence de l’angle φ, illustré à la , va conduire à des difficultés car le profil de la pointe n’est pas symétrique par rapport à la normale à la surface imagée. Les fabricants de pointes cherchent à atténuer les effets de l’angle φ en tentant de le compenser afin d’avoir une pointe symétrique lors de l’imagerie. Pour avoir une pointe présentant une arrête normale à la surface une fois la sonde montée dans l’AFM, il faut choisir τ=φ. Pour avoir une pointe symétrique dans le plan XY une fois montée dans l’AFM, il faut choisir τ=φ-θ/2. Quel que soit la géométrie choisie, le profil obtenu lors d’une ligne de scan est toujours la convolution du profil de la pointe et du flanc local de l’échantillon. La illustre un profil typique obtenu en fonction de l’échantillon. Les principaux artefacts observables sont : - Le rayon de courbure à l’apex AP ; - L’angle du demi-cône ; - Le rapport d’aspect de la pointe. Pour un échantillon donné, le profil mesuré SP présente plusieurs types de défauts : - D1 : pente due à l’angle de demi-cône HCA ; - D2 : convolution due au rayon de courbure AR ; - D3 : largeur effective d’un motif à fort rapport d’aspect grande devant la largeur réelle du motif (D1+D2) ; - D4 : la pointe ne rentre pas dans une tranchée étroite et profonde : le rapport d’aspect de la pointe est faible devant celui de la tranchée. Pour réduire la différence entre le profil réel et le profil mesuré – à rayon de courbure constant - il faut réduire l’angle de demi-cône. En outre, pour imager le fond d’une tranchée étroite, il faut un rapport d’aspect élevé. La illustre une vue de face et de profil de la pointe de la . Selon le plan observé, nous avons HCA= β /2 ou θ/2. D’après les équations (4) et (5) ci-dessous, le rapport d’aspect de face ou de côté de la zone PT ne dépendent que de θ : (4) (5) La détaille la mesure du rapport d’aspect de face et de côté en fonction de l’angle θ. La contrainte donnée par le premier problème impose Wc>30 µm. En outre, pour avoir un rapport d’aspect important, c’est-à-dire supérieur à 4, on impose θ inférieur à 10°. En conséquence, pour les paramètres Wc=40µm, θ =9°, la zone PT est de 179µm de long. La fréquence de résonance de la sonde est donnée par l’équation suivante : (6) Avec k la raideur du levier, m EM , m ZI et m PT respectivement les masses des zone PT, ZI et EM. Quand la masse augmente, la fréquence de résonance diminue. Or les performances des sondes AFM sont directement liées au couple fréquence de résonance et raideur. La masse m EM est donnée par le levier choisi lors de la conception. Dans le cas d’une sonde standard : L=125µm, Wc=30µm, tc=4µm ; soit une raideur de 42N/m. Une zone PT de 179µm a donc une masse de 2,5 fois celle du levier. Cette masse va abaisser de 40% la fréquence de résonnance. Un second problème à résoudre est de réaliser une pointe à haut rapport d’aspect et de faible masse, sans réduire Wc. Enfin, dans l’art antérieur, pour les pointes fabriquées hors plan, la diminution de l’angle de demi-cône ou l’augmentation du rapport d’aspect sont réalisés en bout de pointe sur les dernières centaines de nanomètres jusqu’à 1 µm. Les solutions techniques pour obtenir les plus grands rapports d’aspect sont en générale : - Utiliser une croissance localisée par faisceau d’électrons (EBD pour « Electron Beam Deposition » en anglais). Le principe est d’utiliser une molécule comme précurseur carboné, cette molécule sera dissociée sous le faisceau et un dépôt de petites dimensions se formera. Ce dépôt peut être optimisé pour en faire une pointe ; - la gravure localisée par faisceau d’ions focalisés (FIB). Dans les deux cas il s’agit d’opérations couteuses en temps de machine. De plus les sondes sont réalisées pointe par pointe. Cela entraine un prix final supérieur au modèle identique de levier sans pointe à haut rapport d’aspect. Un troisième problème est donc d’utiliser un technique de fabrication collective, (dite « batch process » en anglais) sur substrat permettant d’obtenir un grand rapport d’aspect sur toutes les sondes durant le procédé de fabrication. Les figures 11, 12 et 13 illustrent de manière plus détaillée certaines étapes du procédé de fabrication de l’art antérieur présenté à la . Ainsi, la est un zoom de l’étape 1 du procédé de la . La préforme est ici une pièce en silicium dont les flancs sont verticaux. Elle est constituée de deux portions. La portion PF s’étend t principalement selon l’axe Y en formant ici un angle non nul θ avec cet axe. L’axe Y correspond à la direction cristalline [110]. La portion C s’étend principalement selon l’axe X en formant ici un angle non nul τ avec cet axe. L’axe X correspond ainsi à la normale à la direction cristalline [110]. Ces deux angles sont définis par le concepteur de la sonde. Comme expliqué précédemment, θ impacte directement le rapport d’aspect du tétraèdre de la zone PT, tandis qu’en fixant τ, le concepteur peut choisir l’angle formé entre la pointe et le levier. Cet angle peut, par exemple, servir à compenser l’angle φ pour présenter une pointe verticale par rapport à l’échantillon. Selon les applications visées, cet angle peut varier entre -90 et+ 180°. On définit un second repère ayant pour origine OR, le point d’inflexion entre les deux portions de préforme. Les axes X1 et X2 sont notés tel que X1= -X et Y1= -Y. Le procédé démarre sur substrat SOI avec une couche active DL d’épaisseur E gravée jusqu’à atteindre l’oxyde BOX. La vue de dessus présente le futur levier C associé à la portion PF de largeur W PF et de longueur L PF . Étant réalisé par gravure selon Z, la largeur Wc du levier est donnée par l’épaisseur E de la couche DL tandis que son épaisseur tc est ajustable lors de la conception. On notera que l’épaisseur E de la couche active DL est comprise entre 0,1 µm et 100 µm. Préférentiellement, l’épaisseur E de la couche active DL est comprise entre 2 µm et 40 µm. La est un zoom de l’étape 3 du procédé de la . Après oxydation du substrat, une gaine d’oxyde de silicium encapsule tout le silicium de la couche DL. Par technique de photolithographie, on définit un masque en résine qui va protéger toute la surface sauf la fenêtre FO. Par gravure, ce masque permet de retirer la couche supérieure reposant sur le haut de la DL tout en conservant des murs d’oxyde MO. Sur la la couche d’oxyde n’est pas représentée sur la zone en dehors de la FO mais elle est bien présente. Il est possible de voir cette couche sur la coupe AA’ . On la note SO. On note OR l’origine du repère permettant de mesurer la position de FO. OR correspond au point d’intersection du levier C et de la préforme PF. MO dx et MO dy mesure le décalage de la fenêtre à l’origine OR suivant le repère X1/Y1. Sur la MO dx et MO dy sont négatifs. La est un zoom de l’étape 4 du procédé de la . L’oxyde de silicium sert ensuite de masque pour une étape de gravure chimique (TMAH) qui a la particularité de graver de manière anisotrope les différents plans cristallins du silicium. L’intersection du plan (111), de la face verticale droite de la préforme et de la face inférieure (en contact avec la couché de SiO 2 (BOX), permet de former un tétraèdre. La est un zoom de l’étape 3 du procédé de la avec des dimensions de la préforme selon une première variante de réalisation du procédé selon l’invention. Dans cette première variante, la première partie PF de la préforme a une première largeur W PF et la seconde partie C de la préforme a une seconde largeur t. Dans cette première variante, nous avons la relation suivante entre les largeurs : W PF La est un zoom de l’étape 4 du procédé de la avec des dimensions de la préforme selon la première variante de réalisation du procédé selon l’invention. Ce procédé consiste à utiliser le mur d’oxyde MO de manière à bloquer la gravure sur la plan cristallin (111) tel qu’il est représenté sur la coupe AA’ de la . On obtient alors une petite portion tétraédrique uniquement au bout de la pointe. Le tétraèdre est tronqué et la masse de la pointe est réduite. On notera que pour la préforme des figures 14 et 15, la valeur de MO dy est supérieure à t. Pour rappel, t correspond à l’épaisseur du levier comme cela est illustré à la . En variante, l’équation W PF dy inférieure ou égale à t. La illustre une sonde selon une première variante de réalisation obtenue à partir des étapes du procédé de fabrication des figures 14 et 15. Comme il a déjà été décrit, la sonde comprend un levier C et une pointe. Cette pointe comprend la première partie PT et la seconde partie ZI. Cette seconde partie ZI est disposée entre la première partie PT et le levier C. La première partie PT de la pointe a une forme tétraédrique. Elle présente une section triangulaire dont la hauteur est continument variable. La seconde partie ZI de la pointe a une section non triangulaire. A l’interface entre la première partie PT et la seconde partie ZI, la hauteur de la section triangulaire est inférieure à la largeur Wc du levier C. La sonde de la est réalisée à l’aide des paramètres suivants de fabrication : - MO dy >t ; - W PF - MO dx La illustre une sonde selon une seconde variante de réalisation obtenue à partir des étapes du procédé de fabrication des figures 14 et 15. Comme il a déjà été décrit, la sonde comprend un levier C et une pointe. Cette pointe comprend la première partie PT et la seconde partie ZI. Cette seconde partie ZI est disposée entre la première partie PT et le levier C. La première partie PT de la pointe a une forme tétraédrique. Elle présente une section triangulaire dont la hauteur est continument variable. La seconde partie ZI de la pointe a une section non triangulaire. A l’interface entre la première partie PT et la seconde partie ZI, la hauteur de la section triangulaire est inférieure à la largeur Wc du levier C. La sonde de la 7 est réalisée à l’aide des paramètres suivants de fabrication : - MO dy >t ; - W PF - MO dx =0. La est un zoom de l’étape 3 du procédé de la avec des dimensions de la préforme identiques à celle de la et avec une règle de fabrication particulière. Cette règle consiste à décaler la fenêtre FO suivant l’axe X de sorte à obtenir MOdx > 0. Ainsi, la fenêtre FO ouvre ici sur l’ensemble de la première partie PF de la préforme. Dans le mode de réalisation spécifique de la , la fenêtre FO ouvre également partiellement sur la seconde partie de la préforme. Dit autrement, la fenêtre FO est décalée d’une longueur MO dx vers la seconde partie de la préforme. Cette fenêtre FO contient alors le point OR. Ce point OR correspond à un point d’inflexion entre la première partie PF de la préforme et la seconde partie de ladite préforme. Ainsi la gravure des plans cristallins démarre sur une zone de cette seconde partie. La longueur nécessaire pour faire apparaitre la pointe de la sonde est ainsi réduite. En outre, en fonction du décalage MO dx , la longueur de la pointe peut être modulée. On notera que, en variante, la règle consistant à décaler la fenêtre FO suivant l’axe X de sorte à obtenir MO dx > 0, est associée à une largeur W PF de la première partie de la préforme supérieure ou égale à E/√2. Dans le mode de réalisation de la , la valeur MOdy est supérieure à t. En variante, cette valeur MO dy est inférieure ou égale à t. On notera enfin que la gravure sur la zone de la seconde partie de la préforme ouverte par la fenêtre FO pourrait créer un profil asymétrique sur le levier et dégrader en conséquence la fréquence de ce levier. Dans un tel cas, il suffira de modifier légèrement la longueur du levier pour atteindre une valeur de fréquence cible. La est un zoom de l’étape 4 du procédé de la avec des dimensions de la préforme identiques à la . La zone gravée par le TMAH (zone grisée) s’étend partiellement sur la seconde partie de la préforme. La masse totale de la pointe est réduite et les polyèdres formant ladite pointe sont d’épaisseurs inférieures à E. La , la , la et la illustrent une sonde selon une troisième variante de réalisation obtenue à partir des étapes du procédé de fabrication des figures 18 et 19. Comme il a déjà été décrit, la sonde comprend un levier C et une pointe. Le levier C comporte une portion principale C y destinée à être reliée à un support (non représentée ici) et une portion C x de réduction en largeur prolongeant ladite portion principale C y . La portion principale C y présente une largeur Wc. La portion de réduction C x présente une largeur diminuant de manière continue entre la largeur Wc et la largeur d’une zone d’interface entre la portion de réduction C x et la pointe. La pointe comprend la première partie PT et la seconde partie ZI. Cette seconde partie ZI est disposée entre la première partie PT et le levier C. La première partie PT de la pointe a une forme tétraédrique. Elle présente une section triangulaire dont la hauteur est continument variable. La seconde partie ZI de la pointe a une section non triangulaire. Comme il est plus particulièrement visible à la , à l’interface entre la première partie PT et la seconde partie ZI, ladite première partie PT présente une certaine hauteur HPT dans la section triangulaire SPT. Cette hauteur HPT est, ici, inférieure à la largeur Wc de la partie principale Cy du levier C. La sonde de la 0 est réalisée à l’aide des paramètres suivants de fabrication : - MO dy >t ; - W PF - MO dx >0. Les figures 23 et 24 illustrent une sonde selon une quatrième variante de réalisation obtenues à partir des étapes du procédé de fabrication des figures 18 et 10. Comme il a déjà été décrit, la sonde comprend un levier C et une pointe. Le levier C comporte une portion principale C y destinée à être reliée à un support (non représentée ici) et une portion C x de réduction en largeur prolongeant ladite portion principale C y . La portion principale C y présente une largeur Wc. La portion de réduction C x présente une largeur diminuant de manière continue entre la largeur Wc et la largeur d’une zone d’interface entre la portion de réduction C x et la pointe. De plus, la portion de réduction C x comporte une premier plan incliné P1 CX s’étendant à partir de la portion principale C y et un second plan incliné P2 CX s’étendant à partir du premier plan incliné P1 CX jusqu’à la sonde. L’inclinaison du premier plan incliné P1 CX est ici différente de l’inclinaison du second plan incliné P2 CX . La pointe comprend la première partie PT et la seconde partie ZI. Cette seconde partie ZI est disposée entre la première partie PT et le levier C. La première partie PT de la pointe a une forme tétraédrique. Elle présente une section triangulaire dont la hauteur est continument variable. Dans un mode de réalisation particulier, la première partie PT comprend un plan incliné P PT . Ce plan incliné P PT a une même inclinaison que le premier plan incliné P1 CX de la portion de réduction C X . La seconde partie ZI de la pointe a une section non triangulaire. Cette seconde partie comprend ici une première portion ZI 1 et s’étendant à partir du levier C et une seconde portion ZI 2 disposée entre la première portion ZI 1 et la première partie PT de la pointe. La première portion ZI 1 comprend un plan incliné P ZI1 , ce plan s’étendant entre le levier C et la seconde portion ZI 2 . On notera également que le plan incliné P ZI1 de la première portion ZI 1 de la seconde partie ZI de la pointe a une même inclinaison que le second plan incliné P2 CX de la portion de réduction C x . Comme il est plus particulièrement visible à la , à l’interface entre la première partie PT et la seconde partie ZI, ladite première partie PT présente une certaine hauteur HPT dans la section triangulaire SPT. Cette hauteur HPT est, ici, inférieure à la largeur Wc de la partie principale Cy du levier C. La sonde des figures 23 et 24 est réalisée à l’aide des paramètres suivants de fabrication : - MO dy >t ; - W PF - MO dx >0. Les figures 25, 26 et 27 illustrent respectivement un cinquième mode de réalisation, un sixième mode de réalisation et un septième mode de réalisation de l’invention. Comme il a déjà été décrit, la sonde comprend un levier C et une pointe. Le levier C comporte une portion principale C y destinée à être reliée à un support (non représentée ici) et une portion C x de réduction en largeur prolongeant ladite portion principale C y . La portion principale C y présente une largeur Wc. La portion de réduction C x présente une largeur diminuant de manière continue entre la largeur Wc et la largeur d’une zone d’interface entre la portion de réduction C x et la pointe. La pointe comprend la première partie PT et la seconde partie ZI. Cette seconde partie ZI est disposée entre la première partie PT et le levier C. La première partie PT de la pointe a une forme tétraédrique. Elle présente une section triangulaire dont la hauteur est continument variable. La seconde partie ZI de la pointe a une section non triangulaire. A l’interface entre la première partie PT et la seconde partie ZI, ladite première partie PT présente une certaine hauteur dans la section triangulaire. Cette hauteur est, ici, inférieure à la largeur Wc de la partie principale C y du levier C. Dans ces modes de réalisation, la zone référencée ZI est constituée d’une portion de forme arbitraire, ici un parallélogramme rectangle. Les figures 26, 27 et 28 montrent plus particulièrement une partie tétraédrique avec un plan suivi d’une zone trapézoïdale ZI. Le rapport d’aspect vu de face est constant et égal à HP/B. Puis ce rapport diminue, si on le mesure de plus en plus vers le levier. Il est ainsi égal à HT/B si on considère toute la zone sous le levier C, c’est-à-dire la partie référencée ZI associée à la partie référencée PT. La illustre un procédé de fabrication pour la réalisation des modes de réalisation des figures 25, 26, 27 et 28. Ce procédé comprend une étape supplémentaire 3b dans laquelle on vient graver partiellement et localement la portion PF. On notera également que dans les modes de réalisation des figures 16, 17, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, chaque pointe comporte la première partie PT et la seconde partie ZI. Comme il a déjà été précisé, cette seconde partie ZI est disposée entre la première partie PT et le levier C. Dans ces modes de réalisation, la première partie PT a une forme tétraédrique présentant une section triangulaire dont la hauteur est continument variable. La seconde partie ZI a une section non triangulaire. A l’interface entre la première partie PT et la seconde partie ZI, la hauteur de la section triangulaire de la première partie PT est inférieure à la largeur Wc du levier C. L’invention a été présentée ici dans le cadre de l’utilisation d’une pointe en silicium pour une sonde d’un microscope à force atomique. La pointe en silicium peut être utilisée dans tout dispositif destiné à évaluer la topographie d’une surface. En variante, la pointe en silicium peut être intégrée dans tout dispositif comportant des micro-électrodes. En variante, la pointe en silicium peut servir de micro-anode ou de micro-cathode dans un dispositif d’émission par effet de champ. Pointe en silicium apte à être disposée à une extrémité d’un élément de liaison (C) caractérisée en ce que ladite pointe comporte une première partie (PT) et une seconde partie (ZI) disposée entre ladite première partie (PT) et l’élément de liaison (C), ladite première partie (PT) ayant une forme tétraédrique présentant une section triangulaire dont une hauteur est continument variable, ladite seconde partie (ZI) ayant une section (S ZI ) non triangulaire et en ce que, à l’interface entre la première partie (PT) et la seconde partie (ZI) de la pointe (P), la hauteur (H PT ) de la section (S PT ) triangulaire de la première partie (PT) est inférieure à une largeur (Wc) de l’élément de liaison (C). Pointe en silicium selon la revendication 1, dans laquelle la seconde partie (ZI) comprend une première portion (ZI 1 ) s’étendant à partir de l’élément de liaison (C) et une seconde portion (ZI 2 ) disposée entre la première portion (ZI 1 ) et la première partie (PT). Pointe en silicium selon la revendication 2, dans laquelle la première portion (ZI 1 ) comprend un plan incliné (P ZI1 ), ledit plan incliné s’étendant entre l’élément de liaison (C) et la seconde portion (ZI 2 ). Sonde comportant : - un support ; - un élément de liaison (C) s’étendant à partir du support ; - une pointe en silicium selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, ladite pointe en silicium étant disposée à une extrémité de l’élément de liaison (C), à l’opposé du support. Sonde selon la revendication 4, dans laquelle l’élément de liaison (C) comporte une portion principale (C y ) reliée au support et une portion (C x ) de réduction en largeur prolongeant la portion principale (C y ). Sonde selon la revendication 4, dans laquelle la portion de réduction (C x ) comporte un premier plan incliné (P1 Cx ) s’étendant à partir de la portion principale (C y ) et un second plan incliné (P2 Cx ) s’étendant à partir du premier plan incliné (P1 Cx ) jusqu’à la sonde (ZI, PT), l’inclinaison du premier plan incliné (P1 Cx ) étant différente de l’inclinaison du second plan incliné (P2 Cx ). Sonde selon la revendication 4, dans laquelle le second plan incliné (P2 Cx ) a une même inclinaison que le plan incliné (P ZI1 ) de la première portion (ZI 1 ) de la seconde partie (ZI) de la pointe. Sonde selon l’une des revendications 6 ou 7, dans laquelle la première partie (PT) de la pointe comprend un plan incliné (P PT ), ledit plan incliné (P PT ) ayant une même inclinaison que le premier plan incliné (P1 Cx ) de la portion de réduction (C x ). Microscope à sonde locale comportant une sonde selon l’une quelconque des revendications 4 à 8. Procédé de fabrication d’une pointe en silicium dans un substrat SOI, ledit substrat comportant une couche inférieure (HL) de silicium d’épaisseur comprise entre 150 µm et 700 µm, une couche d’oxyde (BOX) SiO 2 reposant sur la couche inférieure (HL), ladite couche d’oxyde (BOX) ayant une épaisseur comprise entre 0,2 µm et 2 µm, une couche supérieure (DL) de silicium d’épaisseur E et reposant sur la couche d’oxyde (BOX), ledit procédé de fabrication comprenant : - une étape de gravure (E1) d’une préforme à travers la couche supérieure (DL) de silicium jusqu’à la couche d’oxyde (BOX), ladite préforme ayant une première partie (PF), s’étendant selon une première direction, destinée à former ladite pointe et une seconde partie, reliée à ladite première partie, s’étendant selon une seconde direction destinée à former un élément de liaison (C) pour une liaison de la pointe avec un support ; - une étape (E2) d’encapsulation de la préforme dans une gaine d’oxyde par oxydation thermique et/ou dépôt d’oxyde ; - une étape (E3) d’ouverture dans la gaine d’oxyde à l’aide d’un masque comportant une fenêtre (FO) rectangulaire ouvrant sur une zone de la préforme de sorte à mettre à jour une surface supérieure de la couche supérieure (DL) de silicium du substrat SOI sans retirer de l’oxyde sur des parties verticales de ladite préforme ; - une étape (E4) de gravure chimique de la couche supérieure (DL) de silicium à travers ladite fenêtre (FO) rectangulaire, ladite couche supérieure (DL) étant gravée avec une pente ; - une étape (E5) de gravure de l’oxyde autour de la préforme, ledit procédé de fabrication étant caractérisé en ce que la première partie (PF) de la préforme a une première largeur W PF , ladite première largeur W PF étant inférieure à E/√2 et/ou ledit procédé de fabrication étant caractérisé en ce que la fenêtre rectangulaire (FO) du masque ouvre sur l’ensemble de la première partie (PF) de ladite préforme et ouvre partiellement sur la seconde partie de ladite préforme. Procédé de fabrication selon la revendication 10, dans lequel l’étape (E3) d’ouverture comprend une étape supplémentaire (E3b) dans laquelle on vient graver partiellement et localement tout ou partie de la première partie (PF) de la préforme.