Brevet FR3148089A1 — publié le 20241025

Procédé d’identification d’un défaut affectant un motif de contrôle porté par un composant microélectronique ; procédé de contrôle, système instrumental et produit programme d’ordinateur associés. Procédé d’identification (100) d’un défaut affectant un motif de contrôle porté par un composant microélectronique et résultant de la superposition d’un premier réseau de lignes et d’un second réseau de lignes. Le procédé, qui met en œuvre une technique de diffusion des rayons X aux petits angles, comporte les étapes consistant à : acquérir (105), en éclairant le motif de contrôle, une pluralité de mesures d’intensité d’un faisceau de rayons X transmis ou réfléchi pour une pluralité d’angles d’incidence du faisceau de rayons X pour reconstruire, à partir de la pluralité de mesures d’intensité, au moins deux tiges de Bragg d’ordre n et -n d’une figure de diffraction ; et appliquer (110, 120, 130, 140) une pluralité de tests (Q1, Q2, Q3, Q4) sur la figure de diffraction pour déterminer le type du défaut affectant le motif de contrôle. Figure pour l'abrégé : Figure 4 Procédé d’identification d’un défaut affectant un motif de contrôle porté par un composant microélectronique ; procédé de contrôle, système instrumental et produit programme d’ordinateur associés. La présente invention relève du domaine des procédés de mesure par diffusion des rayons X aux petits angles - CD-SAXS (selon l’anglais « Critical-Dimension Small Angle X-ray Scattering »), notamment des procédés de mesure par transmission - T-SAXS (pour « transmission - Small Angle X-ray Scattering ») ou par réflexion - GI-SAXS (pour « Grazing Incident - Small Angle X-ray Scattering »). Plus particulièrement, la présente invention concerne un procédé d’identification rapide du type dont relève un défaut affectant un motif de contrôle résultant de la superposition de deux réseaux de lignes portés par un composant microélectronique. La fabrication par empilement d’un composant microélectronique nécessite que les différents niveaux le constituant soient superposés avec une grande précision, de manière à ce que les éléments portés par ces différents niveaux soient correctement positionnés les uns par rapport aux autres afin de garantir le bon fonctionnement du composant final. Il est connu de contrôler la précision de fabrication en utilisant un motif de contrôle résultant de la superposition d’un second réseau de lignes réalisé sur un second niveau du composant, au-dessus d’un premier réseau de lignes réalisé sur un premier niveau du composant. Le premier réseau de lignes, respectivement le second réseau de lignes, est fabriqué en même temps que la réalisation des éléments du premier niveau, respectivement du second niveau. Ce contrôle de précision s’effectue en mesurant les défauts affectant le motif de contrôle. Sur ce sujet, la demanderesse a déposé la demande de brevet FR 22 02371, dans laquelle il s’agissait de mesurer un défaut de recouvrement, ou « overlay » (en reprenant abusivement le terme anglais comme le ferait l’homme du métier). Dans ce document, l’overlay est défini comme une translation du second réseau de lignes par rapport au premier réseau de lignes. Cette translation est caractérisée par un angle α entre des première et seconde directions : la première direction étant la direction normale aux lignes d’un réseau, dans le plan de ce réseau ; et la seconde direction passant par les centres géométriques des sections transversales d’une ligne du premier réseau et d’une ligne du second réseau, la paire de lignes considérées devant être parfaitement superposées lorsque l’angle est égal à . Cependant, la géométrie du motif de contrôle peut être altérée d’autres façons qu’une simple translation décalant un réseau de lignes par rapport à l’autre. Ainsi, dans la demande de brevet FR 23 01672, le procédé de mesure permet d’évaluer non seulement un angle de translation, pour caractériser un défaut de translation, mais également un angle de déformation des bords des lignes des réseaux, pour caractériser un défaut de déformation. La reconstruction tridimensionnelle de la forme des lignes à partir des mesures obtenues par CD-SAXS s’appuie sur une modélisation qui est d’autant plus complexe que l’on considère un plus grand nombre de paramètres de description des défauts potentiels. L’extraction de mesures peut donc prendre beaucoup de temps, notamment pour l’acquisition de la quantité de données nécessaires à l’analyse conformément à la modélisation utilisée. Le but de la présente invention est ainsi de proposer un procédé de mesure autorisant une simplification de l’extraction d’informations sur la géométrie du motif de contrôle. Pour cela l’invention a pour objet un procédé d’identification d’un type dont relève un défaut affectant un motif de contrôle porté par un composant microélectronique, le composant microélectronique comportant au moins un premier niveau et un second niveau, le motif de contrôle résultant de la superposition d’un premier réseau de lignes, réalisé au cours de la fabrication du composant microélectronique, sur le premier niveau et d’un second réseau de lignes, réalisé au cours de la fabrication du composant microélectronique, sur le second niveau, le procédé d’identification mettant en œuvre une technique de diffusion des rayons X aux petits angles, le procédé étant caractérisé en ce qu’il comporte les étapes consistant à : acquérir, en éclairant le motif de contrôle, une pluralité de mesures d’intensité d’un faisceau de rayons X transmis ou réfléchi pour une pluralité d’angles d’incidence du faisceau de rayons X ; reconstruire, à partir de la pluralité de mesures d’intensité, au moins deux tiges de Bragg d’ordre n et -n d’une figure de diffraction ; et, appliquer une pluralité de tests sur la figure de diffraction pour déterminer le type du défaut affectant le motif de contrôle. Suivant des modes particuliers de réalisation, le procédé d’identification comporte une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prises isolément ou suivant toutes les combinaisons techniquement possibles : - le défaut résulte d’un désalignement des réseaux de lignes entre eux et/ou d’une déformation des bords des lignes des réseaux. - l’étape d’acquisition et l’étape de reconstruction conduisent à une figure de diffraction comportant au moins deux tiges de Bragg d’ordre n et –n et au moins une tige de Bragg d’un autre ordre. - le type du défaut est identifié parmi les cas suivants, le désalignement étant caractérisé par un angle de désalignement et la déformation étant caractérisée par un angle de déformation : Cas 1, correspondant au cas idéal dans lequel les lignes sont parfaitement superposées et leurs bords ne sont pas déformés ; Cas 2, correspondant au cas où les lignes sont superposées, mais leurs bords sont déformés de telle sorte qu’une moyenne de ces déformations soit nulle ; Cas 3, correspondant au cas où les lignes sont décalées, mais leurs bords ne sont pas déformés ; Cas 4, correspondant au cas où les lignes sont décalées et leurs bords déformés d’un même angle de déformation, ou bien les lignes sont décalées et leurs bords déformés d’un même angle de déformation moyen ; Cas 5, correspondant au cas où les lignes sont décalées et leurs bords déformés mais selon des angles de déformation différents ; et Cas 6, correspondant à tous les autres défauts. - un repère orthonormé xyz étant associé au composant microélectronique, les lignes des premier et second réseaux de lignes étant orientées selon la direction y, et les premier et second réseaux de lignes étant superposés selon la direction z, selon des axes q x et q z , associés respectivement aux directions x et z : un premier test consiste à vérifier si une position selon l’axe q z d’au moins un maximum de la tige de Bragg d'ordre -n est identique à celle des maximums de la tige de Bragg d'ordre n ; un second test consiste à vérifier si la tige de Bragg d’ordre n, ou la tige de Bragg d’ordre –n, est symétrique par rapport à l’axe q x ; - un troisième test consiste à vérifier si les tiges de Bragg d'ordre -n et n sont symétriques par rapport à une origine de la figure de diffraction de coordonnées q z = 0 et q x = 0 ; et un quatrième test consiste à vérifier si la position selon l’axe q z d’un extremum évolue en fonction de l'ordre de la tige de Bragg. L’invention a également pour objet un procédé de contrôle de la fabrication d’un composant microélectronique, le composant microélectronique comportant au moins un premier niveau et un second niveau, ainsi qu’un motif de contrôle résultant de la superposition d’un premier réseau de lignes réalisé au cours de la fabrication sur le premier niveau et d’un second réseau de lignes réalisé au cours de la fabrication sur le second niveau, le procédé comportant les étapes consistant à : identifier un type dont relève un défaut affectant le motif de contrôle en mettant en œuvre le procédé d’identification précédent ; et, ajuster des conditions de fabrication du composant microélectronique en fonction du type de défaut identifié. Suivant des modes particuliers de réalisation, le procédé de contrôle comporte une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prises isolément ou suivant toutes les combinaisons techniquement possibles : - des conditions de fabrication optimales sont identifiées progressivement par une approche essai/erreur en itérant les étapes d’identification et d’ajustement pour une succession de composants microélectroniques. - suite à l’identification du type du défaut, le procédé de contrôle comporte une étape de mesure d’une valeur d’au moins un paramètre caractéristique du défaut en tenant compte du type dudit défaut dans le choix d’une méthode instrumentale et/ou d’une méthode d’analyse, l’étape d’ajustement des conditions de fabrication prenant également en compte la valeur mesurée de chaque paramètre caractéristique. L’invention a également pour objet un système instrumental du type T-SAXS ou GI-SAXS, comportant un détecteur, une électronique d’acquisition et un calculateur, caractérisé en ce que le calculateur est convenablement programmé pour que ledit système instrumental mette en œuvre le procédé précédent. L’invention a également pour objet un produit programme d’ordinateur comportant des instructions logicielles qui, lorsqu’elles sont exécutées par le calculateur du système instrumental précédent permettent la mise en œuvre du procédé précédent. L’invention et ses avantages seront mieux compris à la lecture de la description détaillée qui va suivre d’un mode de réalisation particulier, donné uniquement à titre d’exemple non limitatif, cette description étant faite en se référant aux dessins annexés sur lesquels : La est une représentation schématique d’un système instrumental d’identification des défauts affectant la géométrie du motif de contrôle par la mise en œuvre d’une technique T-SAXS ; La est une représentation de la transformée de Fourier d’un motif de contrôle pour lequel la géométrie du motif de contrôle est sans défaut ; La est une représentation schématique de la géométrie du motif de contrôle associant déformation des lignes des deux réseaux superposées et translation des deux réseaux superposés ; La est une représentation sous forme de blocs d’un mode de réalisation du procédé d’identification selon l’invention ; La est un graphe représentant l’intensité en fonction de la coordonnée q z pour quatre tiges de Bragg d’une figure de diffraction ; et, La est une représentation sous forme de blocs d’un mode de réalisation d’un procédé de mesure intégrant le procédé d’identification selon l’invention. La représente un système instrumental 1 adapté à une mesure par transmission T-SAXS. Une source S de rayon X émet un faisceau de rayon X selon une direction z 0 , perpendiculairement à un plan d’observation P. Le faisceau incident tombe en un point origine O du plan d’observation P. Des directions x 0 et y 0 définissent un repère orthonormal du plan P. Un composant microélectronique C est interposé entre la source S et le plan d’observation P. Le composant C est muni d’un motif de contrôle Z permettant d’évaluer la qualité de fabrication du composant C. Le motif de contrôle Z est constitué d’un premier niveau comportant un premier réseau de lignes et, superposé au premier niveau, un second niveau comportant un second réseau de lignes. De préférence, la surface du motif de contrôle Z affleure le reste de la surface du composant C. Le centre A du motif de contrôle Z est placé sur l’axe d’incidence du faisceau de rayons X. Un repère orthonormal xyz est associé au composant C. Ce repère est attaché au centre A du motif de contrôle Z de sorte que la direction y corresponde à la direction y 0 , et que la direction z soit normale à la surface du motif de contrôle Z. Comme précisé ci-après, les lignes des réseaux de lignes qui permettent de mesurer l’overlay sont disposées parallèlement à l’axe y 0 , de façon à obtenir des pics de Bragg selon l’axe x 0 . Le composant C est placé sur un support 30 permettant de faire tourner le composant C autour de la direction y de manière à modifier l’angle d’incidence du faisceau de rayons X sur le motif de contrôle Z, c’est-à-dire l’angle entre la direction z et la direction z 0 , qui est également l’angle entre la direction x et la direction x 0 . Un détecteur 10 est placé dans le plan d’observation P. Il est par exemple composé d’une barrette de capteurs disposés selon la direction x 0 . L’intensité au point B de l’axe x 0 , mesurée par le capteur localisé au point B, dépend de l’angle entre la direction AO et la direction AB. Cette intensité est notée . Comme connu en soi, l’image dans le plan d’observation P est en relation avec la transformée de Fourier spatiale du motif de contrôle Z éclairé par le faisceau incident. Dans l’espace réciproque, la coordonnée associée à la direction x 0 est la fréquence spatiale définie par : (1) où λ est la longueur d’onde des rayons X utilisés. Soit, toujours dans l’espace réciproque, mais en considérant les fréquences spatiales et , respectivement associées aux directions x et z du repère lié au motif de contrôle Z : (2) (3) Le détecteur 10 est connecté à un dispositif électronique, représenté de manière schématique sur la par un cube portant la référence 20. Le dispositif 20 comporte une électronique de contrôle permettant de commander le support 30 pour qu’il positionne le composant C selon une valeur de consigne de l’angle d’incidence . Le dispositif 20 comporte également une électronique d’acquisition permettant d’effectuer des prétraitements adaptés sur les signaux délivrés par chacun des capteurs du détecteur 10 et à les numériser. Le dispositif 10 comporte en outre un calculateur pour le traitement des signaux prétraités et numérisés. Le calculateur est un ordinateur comportant des moyens de calcul, tels qu’un processeur, et des moyens de mémorisation, tels qu’une mémoire. La mémoire stocke notamment les instructions de programmes d’ordinateur, en particulier un programme dont l’exécution permet la mise en œuvre d’un procédé d’identification des défauts affectant le motif de contrôle. D’un point de vue théorique, il est possible de calculer exactement la transformée de Fourier spatiale du motif de contrôle. Ainsi, la partie A de la représente, dans l’espace direct des coordonnées x et z (le plan xz étant le plan transversal aux premier et second réseaux de lignes), une fraction du motif de contrôle Z porté par le composant C. Sont ici représentées les sections transversales de deux lignes 41 et 42 du premier réseau de lignes 40 et deux lignes 51 et 52 du second réseau de lignes 50. Les lignes de chacun de ces réseaux s’étendent selon la direction y, c’est-à-dire perpendiculairement au plan de la . Dans le cas d’un motif de contrôle Z sans défaut (représenté sur la figure 2A), c’est-à-dire lorsque le motif de contrôle Z respecte une géométrie idéale, une ligne d’un réseau présente une section transversale rectangulaire, les parois latérales (ou bords) d’une ligne étant perpendiculaires au fond de cette ligne. Une ligne présente une largeur l et une profondeur p. Deux lignes d’un même réseau sont espacées d’un pas d. Le pas entre une ligne du premier réseau et la ligne correspondante du second réseau est noté D. Ce pas selon l’épaisseur du composant est considéré comme égal à p dans la suite de la présente description (les deux réseaux étant superposés directement l’un au-dessus de l’autre), car ce pas selon l’épaisseur n’a pas d’effets mesurables sur la figure de diffraction. Toujours selon la géométrie idéale, les premier et second réseaux de lignes sont parfaitement superposés. Le calcul exact de la transformée de Fourier spatiale de ce motif conduit à la figure de diffraction (ou cartographie de diffraction) représentée sur la partie B de la figure 2. Il s’agit d’une représentation dans l’espace réciproque des fréquences spatiales et , qui sont respectivement conjuguées des coordonnées x et z. Pour une valeur nulle de , la transformée de Fourier présente, selon la direction , une succession de maximums principaux, ou pic de Bragg. Chaque pic de Bragg est identifié par un entier n, dénommé ordre de Bragg. Pour une valeur donnée, c’est-à-dire pour le pic de Bragg d’ordre n, l’intensité selon la direction forme ce que l’on dénomme la tige de Bragg d’ordre n. Une tige de Bragg présente une alternance de maximums et de minimums locaux. On peut noter la position du maximum principal de la tige de Bragg d’ordre n. est égale à 0 pour un motif de contrôle de géométrie idéale. Pour i entier positif, le i ème maximum secondaire de la partie supérieure de la tige de Bragg d’ordre n est situé en ( positif) et le i ème maximum secondaire de la partie inférieure de la tige de Bragg d’ordre n est situé en ( négatif). Sur la partie B de la figure 2, la tige de Bragg d’ordre n est symétrique par rapport à l’axe . Ainsi, la position du i ème maximum secondaire de la partie supérieure de la tige de Bragg d’ordre n est égale (au signe près) à la position du i ème maximum secondaire de la partie inférieure de la tige de Bragg d’ordre n : . De plus, on constate que, lorsqu’il n’y a pas d’overlay, la position selon l’axe du i ème maximum secondaire d’une tige de Bragg est constante, quel que soit l’ordre de Bragg n considéré ( ). Comme illustré sur la , deux types de défaut peuvent potentiellement affecter la géométrie du motif de contrôle Z de sorte qu’il s’écarte de la géométrie idéale de la : - un défaut de translation : une translation d’un réseau de lignes par rapport à l’autre réseau de lignes, décrit par un angle de translation ; et - un défaut de déformation : une déformation des bords des lignes des deux réseaux, décrit par un angle de déformation . Plus précisément, le motif de contrôle Z peut présenter un défaut résultant de la translation d’un réseau de lignes par rapport à l’autre selon une direction normale aux lignes d’un réseau, dans le plan de ce réseau (direction x). Par exemple, sur la , la ligne supérieure 51 est translatée selon la direction x d’une distance e par rapport à la ligne inférieure 41. Ce défaut de translation est décrit par l’angle α, ou angle de translation, entre la direction normale x et la direction reliant les centres géométriques G 1 et G 2 d’une paire de lignes. Le motif de contrôle peut également présenter un défaut résultant de la déformation des lignes des réseaux de lignes, chaque ligne ayant alors une section en losange (dit autrement, les parois latérales d’une ligne ne sont plus à angle droit par rapport au fond de cette ligne). Par exemple, sur la , les bords entre les coins 44 et 46, d’une part, et 43 et 47, d’autre part, de la ligne inférieure 41 sont inclinés, et les bords entre les coins 54 et 56, d’une part, et 53 et 57, d’autre part, de la ligne supérieure 51 sont inclinés. Pour quantifier cette déformation, on définit un premier angle de bord comme l’angle entre la direction x et la direction joignant le coin inférieur droit 43 de la première ligne 41 et le coin supérieur droit 57 de la seconde ligne 51. On définit un second angle de bord comme l’angle entre la direction x et la direction joignant le coin inférieur gauche 44 de la première ligne 41 et le coin supérieur gauche 56 la seconde ligne 51. L’angle de déformation caractérisant ce défaut de déformation est alors défini comme la moyenne des tangentes des premier et second angles de bord : . Dans le cas où le motif de contrôle est affecté par un défaut de translation mais pas par un défaut de déformation, on montre que , de sorte que ces deux paramètres permettent alors d’extraire la même information sur la géométrie du motif. En revanche, lorsque le motif de contrôle est affecté par un défaut de translation et par un défaut de déformation, on perd l’égalité et les paramètres et permettent alors d’extraire des informations différentes sur l’écart à la géométrie idéale. Le procédé selon l’invention permet d'identifier, rapidement, la nature du défaut affectant le motif de contrôle. En analysant automatiquement les symétries existantes (axiales ou centrales) sur une figure de diffraction, avantageusement partielle, ramenée dans l’espace (q x , q z ), il est possible de classer le profil du motif de contrôle ayant conduit à cette figure de diffraction. Plus précisément, dans le mode de réalisation présenté ici en détail, le procédé 100 permet de classer un défaut selon six cas ou classes possibles. Chacun de ces cas est représenté schématiquement au bas de la . Les différents cas possibles sont : Cas 1 : il correspond au cas idéal où le motif n’a pas défaut, les lignes étant parfaitement superposées et leurs bords n’étant pas déformés : Cas 2 : il correspond à un défaut de déformation avec compensation, les lignes étant superposées, mais déformées de sorte que la moyenne des déformations soit nulle : ; ; ; Cas 3 : il correspond à un défaut de translation, les lignes étant décalées, mais leurs bords n’étant pas déformés : ; Cas 4 : il correspond à un défaut de translation et un défaut de déformation égaux, les lignes étant décalées et leurs bords déformés d’un même angle : ou les lignes sont décalées et leurs bords déformés d’un même angle moyen : mais ; Cas 5 : il correspond à un défaut de translation et un défaut de déformation quelconque, les lignes étant décalées et leurs bords déformés, mais selon des angles différents ; ; et ; et, Cas 6 : il correspond à un défaut complexe. Cette classe regroupe toutes les autres combinaisons conduisant à des déformations plus compliquées du motif. La est une représentation sous forme de blocs du procédé 100. Dans l'étape 105, le dispositif de mesure de la est mis en œuvre pour acquérir une figure de diffraction de la zone de contrôle d’un composant testé. La figure de diffraction comporte avantageusement uniquement deux tiges de Bragg. Ces deux tiges de Bragg doivent être symétriques l'une de l'autre par rapport à l'axe q z . Il s'agit donc de la paire de tiges de Bragg d'ordre -n et d'ordre n. Dans l'étape 110, un premier test Q1 est effectué sur la figure de diffraction acquise à l’étape 105. Ce premier test consiste à vérifier si les positions selon l’axe q z des maximums de la tige de Bragg d'ordre -n sont identiques aux positions selon l’axe q z des maximums de la tige de Bragg d'ordre n. Les maximums considérés ici comportent au moins le maximum principal et des tiges de Bragg d’ordre n et -n et un maximum secondaire et des tiges de Bragg d’ordre n et -n. Dans l'affirmative, le procédé passe à l'étape 120 et dans la négative le procédé passe à l'étape 130. Dans l'étape 120, un second test Q2 est effectué sur la figure de diffraction acquise à l’étape 105. Ce second test consiste à vérifier si la tige de Bragg d’ordre n (ou la tige de Bragg d’ordre -n) est symétrique par rapport à l'axe q x (c'est-à-dire symétrique par rapport à l’axe passant par q z = 0). Par exemple, la position selon l’axe q z du i ème maximum de la partie supérieure de la tige de Bragg d'ordre n est-elle identique à la position selon l’axe q z du ième maximum de la partie inférieure de la tige de Bragg d'ordre n ? A-t-on = ? Dans l'affirmative, le procédé passe à l'étape 125, et dans la négative le procédé est stoppé et l'on considère que le défaut correspond au cas 3. Dans l'étape 125, le dispositif de mesure de la est activé pour compléter la figure de diffraction obtenue à l’étape 105 afin d’obtenir une troisième tige de Bragg, par exemple la tige d’ordre k. L’étape 125 est mise en œuvre uniquement si, à l’étape 105, cette troisième tige n’a pas déjà été acquise. Puis, dans l'étape 140, un quatrième test Q4 est effectué sur la figure de diffraction complétée. Ce quatrième test consiste à vérifier si la position selon l’axe q z du i ème extremum (minimum ou maximum) évolue en fonction de l'ordre. Par exemple, , et sont-ils en progression linéaire en fonction de l’ordre ? Dans l'affirmative, le procédé 100 s'arrête et l'on considère que le motif correspond au cas 2. Dans la négative, le procédé s'arrête et l'on considère que le défaut correspond au cas 1. Dans l'étape 130, un troisième test Q3 est appliqué sur la figure de diffraction obtenue à l’étape 105 (qui présente au minimum les deux tiges de Bragg d’ordre -n et n). Ce troisième test consiste à vérifier si les tiges de Bragg d'ordre -n et n sont symétriques par rapport à l'origine de la figure de diffraction, c’est-à-dire par rapport au point de coordonnées q z = 0 et q x = 0. A-t-on : = ? Dans l'affirmative, le procédé passe à l'étape 150. Dans la négative, le procédé s'arrête et le défaut correspond au cas 6. Dans l'étape 150, un cinquième test Q5 est appliqué sur la figure de diffraction. Ce cinquième test consiste à vérifier si la tige de Bragg d'ordre n est symétrique par rapport à un point central de cette tige, mais qui a une coordonnée non nul selon l’axe q z . A-t-on : ? Dans l'affirmative, le procédé s'arrête et le défaut correspond au cas 4. Dans la négative, le procédé s'arrête et le défaut est considéré comme relevant du cas 5. Il est à noter que l’adjectif numéral associé à chacun des tests du procédé 100 n’indique pas l’ordre dans lequel ce test est effectué. Par exemple, le troisième test Q3 est appliqué uniquement si la réponse au premier test Q1 est négative. Il s’agit alors du second test qui est effectivement appliqué sur la figure de diffraction analysée. Dans cette alternative, les deuxième et quatrième tests, Q2 et Q4, ne sont pas appliqués. En fonction de la réponse à ce troisième test Q3, le cinquième test Q5 sera ou non appliqué. La représente le profil d’intensité de quatre tiges de Bragg relevées sur une figure de diffraction obtenue en sortie du dispositif de la . La courbe C ( -2) correspond à la tige de Bragg d’ordre -2, la courbe C (-1) correspond à la tige d’ordre -1 ; la courbe C (1) correspond à la tige d’ordre 1 et la courbe C (2) correspond à la tige d’ordre 2. Il est à noter que, sur la , les profils ont été légèrement décalés selon la direction d’intensité pour aider à la visualisation. Les profils C ( -2) et C (2) d’une part et les profils C (-1) et C (1) d’autre part se superposerait parfaitement sans ce léger décalage pour la visualisation. L’étape 105 permet par exemple l’acquisition des courbes C ( 2) et C (-2) . L’application du premier test Q1 de l’étape 110 montre que les positions des maximas est identique pour une paire de tiges d’ordre opposés : = . L’application du second test Q2 de l’étape 120 montre qu’il y a une symétrie selon q z : . L’étape 125 permet de compléter la figure de diffraction avec par exemple l’acquisition des courbes C ( -1) et C (1) . L’application du quatrième test Q4 de l’étape 130 montre que la position des maximas se déplace avec les ordres : ≠ ≠ ≠ . Nous nous trouvons donc avec un défaut relevant du cas 2. Comme illustré par le schéma de la , le procédé d’identification 100 est avantageusement intégré dans un procédé de contrôle 200. Le procédé 200 est mise en œuvre le long d’une chaîne de fabrication en série d’un composant microélectronique. Celui-ci est un composant multi-niveau comportant au moins un premier niveau et un second niveau. Pour le contrôle de la précision de fabrication, est gravé sur chaque composant un motif de contrôle. Celui-ci résulte de la superposition d’un premier réseau de lignes réalisé au cours de la fabrication du composant sur le premier niveau et d’un second réseau de lignes réalisé au cours de la fabrication sur le second niveau. Le procédé 200 est réalisé sur un premier composant. Il consiste d’abord, dans une étape 210, à identifier le type du défaut affectant possiblement le motif de contrôle porté par le premier composant. Pour ce faire le procédé d’identification 100 est mis en œuvre. Cela permet de déterminer le cas dont relève le défaut. Puis, dans une étape 220, les conditions de fabrication sont ajustées en fonction du résultat de l’étape 210, c’est-à-dire le type de défaut identifié. Cet ajustement des conditions de fabrication peut consister simplement à modifier les paramètres de fonctionnement des différents dispositifs le long de la chaîne de fabrication et de chercher à déterminer des conditions de fabrication optimales progressivement par une approche essai/erreur en itérant les étapes 210 et 220 sur une succession de composants microélectroniques sortant de la chaîne de production. En variante, l’étape 210 d’identification du type du défaut est suivie d’une étape 215 de mesure d’une valeur d’au moins un paramètre caractéristique du défaut affectant le motif du composant microélectronique contrôlé. Cette mesure tient compte du résultat de l’étape 210 dans le choix de la méthode instrumentale la plus adaptée pour acquérir des données de mesure en vue de l’extraction de ce paramètre caractéristique (si les données déjà acquises aux étapes 105 et 125 ne suffisent) et/ou dans la méthode d‘analyse utilisant une modélisation adaptée pour extraire la valeur du paramètre caractéristique considéré à partir des données de mesure. La méthode d’analyse précise de l’angle dans le cadre de l’overlay des cas 2 et 3 ; une méthode d’extraction précise de l’angle dans le cadre de l’overlay des cas 4 et 5 ; et une méthode d’extraction précise du profil tridimensionnel en profondeur des lignes pour le cas 1 par exemple. La méthode instrumentale choisie est préférentiellement une technique CD-SAXS, mais d’autres techniques peuvent être utilisées pour réaliser l’acquisition de données de mesure. Le choix de la méthode instrumental couvre également la définition de la partie de la figure de diffraction qu’il est nécessaire et suffisant d’acquérir pour obtenir les données de mesure permettant une caractérisation précise du défaut. La partie de la figure de diffraction à acquérir peut, à son tour, impacter le dispositif instrumental à utiliser pour la mesure précise. Par exemple, si l’étape 210 d’identification montre que la présence d’overlay se caractérise par une asymétrie selon l’axe q x , la mesure d’une tige de Bragg unique est suffisante. Alors, un détecteur ponctuel peut suffire pour une mesure en T-SAXS. Pour détecter la présence de l’angle , la mesure de plusieurs ordres de Bragg est nécessaire. Alors un détecteur monodimensionnel est utilisé pour une mesure en T-SAXS. Enfin, l’étape d’ajustement 220 prend en compte la valeur mesurée de chaque paramètre caractéristique pour adapter les conditions de fabrication et progressivement conduire à la fabrication de composant dont le motif de contrôle ne comporte aucun défaut. L’homme du métier constatera que le présent procédé permet l’identification de la nature d’un défaut affectant le motif de contrôle pour adapter ensuite la méthode d’analyse et d’extraction des valeurs des paramètres caractérisant ce défaut. Si, dans le mode de réalisation présenté ci-dessus, une méthode instrumentale par transmission T-SAXS a été utilisée, en variante, une méthode instrumentale par réflexion GI-SAS peut être mise en œuvre. Le CD-SAXS étant une méthode non-triviale de caractérisation, le procédé selon l’invention permet d’aiguiller vers la méthode d’analyse adéquate de la figure de diffraction. Il est indépendant de la modélisation. Une fois le défaut classifié, la modélisation adaptée (c’est-à-dire simplifiée par rapport à une modélisation complexe intégrant l’ensemble des paramètres caractéristiques de tous les défauts potentiels) est appliquée sur des données de mesure pour extraire une information précise. Avec le présent procédé, la technique de contrôle par CD-SAXS devient particulièrement avantageuse le long d’une chaîne de fabrication pour, après chaque mesure de l’overlay, réaligner les équipements de fabrication au cours du processus de lithographies lui-même. Ceci permet de corriger la précision de fabrication au cours du fonctionnement de la chaine de fabrication. Procédé d’identification (100) d’un type dont relève un défaut affectant un motif de contrôle (Z) porté par un composant microélectronique (C), le composant microélectronique comportant au moins un premier niveau et un second niveau, le motif de contrôle résultant de la superposition d’un premier réseau de lignes, réalisé au cours de la fabrication du composant microélectronique, sur le premier niveau et d’un second réseau de lignes, réalisé au cours de la fabrication du composant microélectronique, sur le second niveau, le procédé d’identification mettant en œuvre une technique de diffusion des rayons X aux petits angles, le procédé étant caractérisé en ce qu’il comporte les étapes consistant à : - acquérir, en éclairant le motif de contrôle, une pluralité de mesures d’intensité d’un faisceau de rayons X transmis ou réfléchi pour une pluralité d’angles d’incidence du faisceau de rayons X ; - reconstruire, à partir de la pluralité de mesures d’intensité, au moins deux tiges de Bragg d’ordre n et -n d’une figure de diffraction ; et, - appliquer une pluralité de tests sur la figure de diffraction pour déterminer le type du défaut affectant le motif de contrôle. Procédé d’identification selon la revendication 1, dans lequel le défaut résulte d’un désalignement des réseaux de lignes entre eux et/ou d’une déformation des bords des lignes des réseaux. Procédé d’identification selon la revendication 1 ou la revendication 2, dans lequel l’étape d’acquisition et l’étape de reconstruction conduisent à une figure de diffraction comportant au moins deux tiges de Bragg d’ordre n et –n et au moins une tige de Bragg d’un autre ordre. Procédé d’identification selon la revendication 3, dans lequel le type du défaut est identifié parmi les cas suivants, le désalignement étant caractérisé par un angle de désalignement et la déformation étant caractérisée par un angle de déformation : - Cas 1, correspondant au cas idéal dans lequel les lignes sont parfaitement superposées et leurs bords ne sont pas déformés ; - Cas 2, correspondant au cas où les lignes sont superposées, mais leurs bords sont déformés de telle sorte qu’une moyenne de ces déformations soit nulle ; - Cas 3, correspondant au cas où les lignes sont décalées, mais leurs bords ne sont pas déformés ; - Cas 4, correspondant au cas où les lignes sont décalées et leurs bords déformés d’un même angle de déformation, ou bien les lignes sont décalées et leurs bords déformés d’un même angle de déformation moyen ; - Cas 5, correspondant au cas où les lignes sont décalées et leurs bords déformés mais selon des angles de déformation différents ; et, - Cas 6, correspondant à tous les autres défauts. Procédé d’identification selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel, un repère orthonormé xyz étant associé au composant microélectronique, les lignes des premier et second réseaux de lignes étant orientées selon la direction y, et les premier et second réseaux de lignes étant superposés selon la direction z, selon des axes q x et q z , associés respectivement aux directions x et z : - un premier test consiste à vérifier si une position selon l’axe q z d’au moins un maximum de la tige de Bragg d'ordre -n est identique à celle des maximums de la tige de Bragg d'ordre n ; - un second test consiste à vérifier si la tige de Bragg d’ordre n, ou la tige de Bragg d’ordre –n, est symétrique par rapport à l’axe q x ; - un troisième test consiste à vérifier si les tiges de Bragg d'ordre -n et n sont symétriques par rapport à une origine de la figure de diffraction de coordonnées q z = 0 et q x = 0 ; et, - un quatrième test consiste à vérifier si la position selon l’axe q z d’un extremum évolue en fonction de l'ordre de la tige de Bragg. Procédé de contrôle (200) de la fabrication d’un composant microélectronique, le composant microélectronique comportant au moins un premier niveau et un second niveau, ainsi qu’un motif de contrôle résultant de la superposition d’un premier réseau de lignes réalisé au cours de la fabrication sur le premier niveau et d’un second réseau de lignes réalisé au cours de la fabrication sur le second niveau, le procédé comportant les étapes consistant à : - identifier (210) un type dont relève un défaut affectant le motif de contrôle en mettant en œuvre un procédé d’identification (100) conforme à l’une quelconque des revendications précédentes ; et, - ajuster (220) des conditions de fabrication du composant microélectronique en fonction du type de défaut identifié. Procédé de contrôle selon la revendication 6, dans lequel des conditions de fabrication optimales sont identifiées progressivement par une approche essai/erreur en itérant les étapes d’identification et d’ajustement pour une succession de composants microélectroniques. Procédé de contrôle selon la revendication 6, dans lequel, suite à l’identification du type du défaut, le procédé de contrôle comporte une étape de mesure (215) d’une valeur d’au moins un paramètre caractéristique du défaut en tenant compte du type dudit défaut dans le choix d’une méthode instrumentale et/ou d’une méthode d’analyse, l’étape d’ajustement des conditions de fabrication prenant également en compte la valeur mesurée de chaque paramètre caractéristique. Système instrumental (1) du type par diffusion des rayons X aux petits angles en incidence rasante – (GISAXS), comportant un détecteur, une électronique d’acquisition et un calculateur, caractérisé en ce que le calculateur est convenablement programmé pour que ledit système instrumental mette en œuvre un procédé d’identification selon l’une quelconque des revendications 1 à 5 pour identifier un type dont relève un défaut affectant un motif de contrôle porté par un composant microélectronique analysé avec le système instrumental. Produit programme d’ordinateur comportant des instructions logicielles qui, lorsqu’elles sont exécutées par un calculateur d’un système instrumental conforme à la revendication 9 permettent à ce dernier de mettre en œuvre un procédé d’identification selon l’une quelconque des revendications 1 à 5.