Brevet FR3146019A1 — publié le 20240823

L’invention concerne un procédé de formation d’une zone de fragilisation (5) dans un substrat (6) semi-conducteur, comprenant successivement les étapes suivantes : a. formation d’une couche écran (4) présentant un profil contrôlé non-plan sur une première face (61) du substrat, b. implantation d’espèces au travers de la couche écran et de la première face (61) du substrat pour former la zone de fragilisation, le profil de la couche écran étant choisi pour compenser une non-uniformité de profondeur d’implantation des espèces de sorte que la zone de fragilisation (5) soit sensiblement comprise dans un plan parallèle à la première face (61). Figure d’abrégé : Figure 5 PROCÉDÉ DE FORMATION D’UNE ZONE DE FRAGISILATION DANS UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne un procédé de formation d’une zone de fragilisation dans un substrat semi-conducteur. Ce procédé trouve avantageusement son application dans la fabrication de substrats du type semi-conducteurs sur isolant. La fabrication de tels composants semiconducteurs peut notamment servir pour la fabrication de guides d’ondes. ETAT DE LA TECHNIQUE La fabrication de composants dans le domaine de la microélectronique, de l'optique et/ou de l'optronique, et plus particulièrement la fabrication de guide d’ondes, fait appel à des substrats de type semi-conducteur sur isolant. De tels substrats comprennent, de leur face arrière vers leur face avant, un substrat support, une couche électriquement isolante et une couche semi-conductrice monocristalline, dite couche active. La couche active de tels substrats est généralement, mais de manière non limitative, constituée de silicium, et le substrat est dit substrat silicium-sur-isolant (en anglais silicon on insulator ou SOI). Des procédés appelés Smart Cut™, connus de l’état de la technique, permettent de fabriquer des substrats semi-conducteurs sur isolant. Ils comprennent notamment une étape d’implantation d’espèces au travers d’une surface d’un substrat donneur afin de créer une zone de fragilisation à une épaisseur voulue de celui-ci. Classiquement, la couche électriquement isolante est formée sur le substrat donneur, notamment par oxydation, et l’implantation d’espèces est pratiquée dans le substrat donneur à travers la couche d’oxyde. Les espèces implantées doivent alors être capables de traverser la couche électriquement isolante, ainsi que la profondeur voulue du substrat donneur afin de former la couche active du substrat SOI. Lorsque la couche électriquement isolante et/ou la couche active souhaitée est particulièrement épaisse, il est difficile en pratique d’impartir assez d’énergie aux espèces implantées pour traverser la couche électriquement isolante et la profondeur voulue du substrat donneur. Dans ce cas, il est connu de fabriquer le substrat SOI avec un collage dit « inverse » : la couche électriquement isolante est alors formée sur un substrat receveur, destiné à recevoir le substrat donneur par collage, plutôt que sur le substrat donneur lui-même, et l’implantation se fait directement au travers de la surface du substrat donneur, sans que les espèces aient à traverser la couche électriquement isolante. Suite à l’implantation, le substrat donneur implanté est collé sur la couche électriquement isolante disposée sur le substrat receveur, puis le substrat donneur est détaché le long de la zone de fragilisation sur le substrat receveur. Cependant, suite à l’étape d’implantation, les inventeurs ont constaté que l’uniformité de profondeur d’implantation des espèces est dégradée. Cette non-uniformité de profondeur d’implantation se traduit par une non-uniformité d’épaisseur de la couche active, qui adopte un profil typiquement concave ou convexe, ce qui est préjudiciable à la qualité des composants formés ultérieurement dans cette couche active. Certains procédés de l’état de la technique ont tenté une correction du profil de la couche active après son transfert sur le substrat receveur. On retiendra notamment le nettoyage monoplaque (en anglais, single-wafer cleaning ou SWC). Selon ce procédé, on nettoie le substrat semi-conducteur sur isolant par distribution d’un agent de gravure chimique à son centre, qui se répand ensuite par effet centrifuge dû à une rotation du substrat autour d’un axe central. Ceci permet d’obtenir un taux de consommation du silicium par la gravure plus important au centre du substrat qu’à ses bords, et ainsi de corriger un profil de couche active convexe. Cependant, ces procédés de correction ne sont efficaces que pour des profondeurs limitées, de l’ordre du nanomètre, et l’utilisation de plusieurs étapes de SWC pour traiter des surfaces hautement convexes est très coûteuse. De plus, ces procédés ne permettent pas de corriger un profil de couche active concave, c’est-à-dire d’épaisseur plus grande dans sa région périphérique que dans sa région centrale. Un autre procédé de correction post-implantation consiste à former une couche électriquement isolante sacrificielle sur la couche active après son transfert sur le substrat receveur. Si la formation d’oxyde consomme la couche active à des taux différents à son centre et à ses bords, un tel procédé permet alors de rectifier des profils d’implantation concaves ou convexes. Toutefois, ce taux de consommation est difficile à maîtriser, ce qui compromet la précision de tels procédés. En outre, la formation de la couche d’oxyde sacrificielle nécessite souvent de soumettre le substrat à des variations de températures complexes, ce qui s’oppose à la mise en œuvre de tels procédés à l’échelle industrielle. Il est donc nécessaire de développer des procédés d’implantation qui permettent d’obtenir une profondeur d’implantation uniforme sur toute la surface du substrat, ou en d’autres termes de former une zone de fragilisation plane, parallèle à une surface principale du substrat, et qui puissent être mis en œuvre plus facilement que les procédés mentionnés ci-avant. Il est également nécessaire de développer des procédés d’implantation qui permettent de corriger précisément tout profil d’implantation obtenu, en fonction des conditions d’implantations utilisées. À cet effet, l’invention propose un procédé de formation d’une zone de fragilisation dans un substrat semi-conducteur, comprenant successivement les étapes suivantes : a. formation d’une couche écran présentant un profil contrôlé non-plan sur une première face du substrat, b. implantation d’espèces au travers de la couche écran et de la première face du substrat pour former la zone de fragilisation, le profil de la couche écran étant choisi pour compenser une non-uniformité de profondeur d’implantation des espèces de sorte que la zone de fragilisation soit sensiblement comprise dans un plan parallèle à la première face. La formation d’une couche écran dont le profil est contrôlé et non-plan permet de compenser les variations de profondeur d’implantation qui pourraient avoir lieu sur la surface implantée du substrat, de sorte à obtenir une zone de fragilisation sensiblement plane, selon un plan parallèle à la surface implantée. On obtient ainsi un substrat semiconducteur sur-isolant présentant une couche active plane et permettant notamment la fabrication de composants de meilleure qualité. Selon une mise en œuvre du procédé, la couche écran présente un profil convexe ou concave. Selon une mise en œuvre du procédé, les espèces implantées dans la première face du substrat comprenant des ions hydrogène et des ions hélium. Selon une mise en œuvre du procédé, une distance entre deux points quelconques d’une surface libre de la couche écran selon un axe normal à la première face est comprise entre 0.2 nm et 5 nm. Selon une mise en œuvre du procédé, le substrat comprend du silicium. Selon une mise en œuvre du procédé, la couche écran comprend un oxyde d’un matériau semi-conducteur, notamment du dioxyde de silicium. Selon une mise en œuvre du procédé, la couche écran est obtenue par oxydation thermique d’une région superficielle du substrat semi-conducteur. Selon une mise en œuvre du procédé, la formation de la couche écran par oxydation comprend un chauffage du substrat sous une atmosphère neutre jusqu’à une température supérieure à une température d'oxydation du substrat, puis un refroidissement du substrat à ladite température d’oxydation, et une application d’une atmosphère oxydante pour former la couche écran. Selon une mise en œuvre, le procédé comprend, avant l’oxydation thermique, une application sélective d’un plasma oxydant sur une zone de la première face du substrat de sorte à former une surépaisseur d’oxyde dans ladite zone. Selon une mise en œuvre, le procédé comprend, préalablement à la formation de la couche écran une calibration du profil de la couche écran comprenant les étapes suivantes : - implantation d’atomes au travers d’une première face d’un substrat de calibration, de sorte à créer une zone de fragilisation, - séparation du substrat de calibration le long de la zone de fragilisation en une première partie, comprenant la première face, et une deuxième partie, - définition d’un profil cible dont la forme est sensiblement identique à une surface de la première partie exposée par la séparation, le profil cible étant utilisé pour définir le profil de la couche écran lors de sa formation. L’invention porte en outre sur un procédé de fabrication d’un composant semiconducteur de type semi-conducteur sur isolant, comprenant successivement les étapes de : - fourniture d’un substrat donneur et d’un substrat receveur en matériau semiconducteur, - formation d’une couche électriquement isolante sur une face du substrat receveur, - formation d’une zone de fragilisation dans le substrat donneur au moyen du procédé de formation selon l’une quelconque des revendications précédentes, la zone de fragilisation ainsi formée délimitant une couche semi-conductrice, - retrait de la couche écran, - collage de la première face du substrat donneur sur la couche électriquement isolante du substrat receveur, - séparation du substrat donneur au niveau de la zone de fragilisation de sorte à transférer la couche semi-conductrice du substrat donneur sur le substrat receveur. Selon une mise en œuvre du procédé de fabrication d’un composant semi-conducteur, la couche électriquement isolante et la couche écran sont formées par traitement thermique dans un même four. Selon une mise en œuvre du procédé de fabrication d’un composant semi-conducteur, la couche électriquement isolante présente une épaisseur d’au moins 150 nanomètres. DESCRIPTION DES FIGURES La illustre un substrat SOI classique. La illustre un procédé de fabrication d’un composant de type semi-conducteur par collage inverse, connu de l’état de la technique. La illustre un procédé de formation d’une zone de fragilisation dans un substrat semi-conducteur selon l’invention. La illustre une calibration réalisée dans le cadre du procédé de formation d’une zone de fragilisation dans un substrat semi-conducteur selon l’invention. La illustre un procédé de fabrication d’un composant de type semi-conducteur sur isolant selon l’invention. DESCRIPTION DETAILLEE DE MODES DE REALISATION DE L'INVENTION La illustre un substrat de type semiconducteur sur isolant (SOI) classique, comprenant successivement un substrat de base 11 en matériau semiconducteur, généralement du silicium, une couche intermédiaire 2 en matériau électriquement isolant, notamment de l’oxyde de silicium, et une couche en matériau semiconducteur monocristallin 13, dite « couche active », généralement formée de silicium également. L’épaisseur de la couche semiconductrice monocristalline est typiquement comprise entre 50 nanomètres et quelques micromètres. Pour la formation de substrats SOI dont la couche active 13 est particulièrement épaisse et/ou dont la couche intermédiaire 2 est particulièrement épaisse, c’est-à-dire qui présente une épaisseur supérieure ou égale à 200 nm, il est connu d’utiliser un procédé Smart-Cut TM par collage inversé, illustré sur la et comprenant les étapes : - formation d’une couche électriquement isolante 2 sur un substrat receveur 7, - implantation d’espèces dans un substrat donneur 6, de sorte à former une zone de fragilisation 5 dans ce substrat, - collage du substrat donneur 6 sur le substrat receveur 7, la couche électriquement isolante 2 étant disposée entre les deux substrats, - séparation du substrat donneur le long de la zone de fragilisation, de sorte à transférer une couche active 13 depuis le substrat donneur 6 sur le substrat receveur 7. La couche active 13 ainsi obtenue présente souvent une épaisseur qui n’est pas uniforme sur toute sa longueur, c’est-à-dire que la zone de fragilisation 5 n’est pas plane. On observe généralement une différence d’épaisseur de quelques nanomètres entre différentes zones de la couche active 13. Par épaisseur, on entend la direction normale au plan formé par une première face 61 du substrat 6 à travers laquelle l’implantation d’espèces est pratiquée. La illustre un profil d’implantation convexe, résultant en une couche active 13 transférée convexe, mais selon la mise en œuvre du procédé de collage inverse, d’autres profils d’implantation non-plans peuvent être obtenus. L’invention propose un procédé de formation de la zone de fragilisation 5 qui permette d’améliorer l’uniformité d’épaisseur de la couche active 13. Dans son mode de réalisation général, illustré sur la , le procédé comprend successivement : - une étape de formation 102 d’une couche écran 4, présentant un profil contrôlé non-plan, sur une première face 61 d’un substrat destiné à former le substrat donneur 6, - une étape d’implantation d’espèces 103 au travers de la couche écran 4 et de la première face 61 du substrat 6 afin de former la zone de fragilisation 5. Le procédé comprend éventuellement une étape de retrait 104 de la couche écran 4 avant le collage du substrat donneur sur le substrat receveur. Ce retrait peut par exemple être réalisé par gravure chimique avec un agent de gravure adapté pour graver la couche écran sans attaquer le matériau du substrat donneur. Par profil « contrôlé », on entend que le profil de la couche écran 4 ainsi formée présente un profil d’épaisseur prédéfini, de façon à permettre de compenser toute non-uniformité de profondeur d’implantation des espèces, et de façon à obtenir une zone de fragilisation 5 qui soit sensiblement comprise dans un plan parallèle à la première face 61. Par la suite, on appellera profil « non-compensé » le profil de zone de fragilisation 5 résultant d’une implantation d’espèces sans compensation. Un avantage du procédé proposé est de compenser un profil de zone de fragilisation 5 non plan sans nécessiter de consommation de la couche active semiconductrice après son transfert. En effet, les procédés de formation de la zone de fragilisation connus qui mettent en œuvre une compensation de son profil, tels que le nettoyage monoplaque ou la formation d’une couche d’oxyde sacrificielle décrits précédemment, font intervenir une consommation de la couche active transférée ayant lieu postérieurement aux étapes de collage et de transfert de couche. En comparaison, le procédé selon l’invention permet d’effectuer la compensation durant l’étape d’implantation d’espèces, c’est-à-dire avant le transfert de couche active, de sorte à obtenir un profil de couche active sensiblement plan sans nécessiter de consommation de la couche active. Il faut en effet tenir compte du ratio volumique entre le silicium et le dioxyde de silicium qui est de 0,44, c’est-à-dire que la formation d’une couche d’oxyde de silicium de 0,1 nm d’épaisseur consomme 0,044 nm de silicium de la couche active transférée. Par conséquent, pour uniformiser, postérieurement aux étapes de collage et de transfert, l’épaisseur d’une couche active transférée convexe présentant une surépaisseur déterminée au centre par rapport au bord, il est nécessaire de former une couche d’oxyde présentant une épaisseur correspondant sensiblement au double de la surépaisseur à supprimer. Au contraire, grâce à l’invention, le profil d’implantation étant conforme au profil de la couche écran, une couche écran convexe présentant une épaisseur correspondant sensiblement à la surépaisseur à éviter est suffisante. Bien que la couche active obtenue par un procédé de collage inverse puisse présenter différents profils d’épaisseur irréguliers, il est fréquent que le profil non-compensé soit concave (la couche active est plus épaisse à ses bords qu’en son centre) ou convexe (la couche active est plus épaisse en son centre qu’à ses bords). Ainsi, selon une mise en œuvre du procédé, la couche écran 4 présente un profil convexe ou concave, de façon à compenser de manière précise le profil non-compensé convexe ou concave généré par l’implantation d’espèces. En effet, une couche écran 4 concave (c’est-à-dire dont l’épaisseur est plus importante au bord qu’au centre) permet de compenser une implantation qui résulterait, sans compensation, en une couche active 13 concave, et une couche écran 4 convexe (c’est-à-dire dont l’épaisseur est plus importante au centre qu’au bord) permet de compenser une implantation qui résulterait, sans compensation, en une couche active 13 convexe – c’est ce dernier cas de figure qui est illustré sur les figures 2 et 3. Selon une mise en œuvre du procédé, les espèces implantées comprennent des ions hydrogènes et/ou des ions hélium. La co-implantation d’ions hydrogène et d’ions hélium permet notamment d’améliorer la qualité du détachement obtenu lors de l’étape de séparation de la couche active. De façon à assurer une variation d’épaisseur de la couche écran qui permette de compenser la non-uniformité de profondeur d’implantation, une distance entre deux points quelconques d’une surface libre 41 de la couche écran 4 selon un axe normal à la première face 61 peut être comprise entre 0.2 et 5 nanomètres. L’étape de formation de la couche écran 4 peut être mise en œuvre de plusieurs façons. De manière préférentielle, le substrat donneur 6 comprend un matériau semi-conducteur, et la couche écran 4 est une couche d’oxyde de ce matériau, obtenue par oxydation thermique d’une région superficielle du substrat donneur 6. Préférentiellement, le substrat donneur 6 comprend du silicium, et la couche écran 4 comprend du dioxyde de silicium obtenu par oxydation thermique d’une région superficielle du substrat 6. L’oxydation thermique est généralement pratiquée dans un four, dans une atmosphère oxydante. Selon une mise en œuvre du procédé, l’oxydation permettant la formation de la couche écran 4 avec un profil contrôlé convexe est réalisée en plusieurs étapes : initialement, on chauffe le substrat 6 sous atmosphère neutre, c’est-à-dire non oxydante, jusqu’à une température légèrement supérieure à une température d’oxydation du substrat, généralement supérieure de quelques degrés à la température d’oxydation, par exemple à une température entre 5 et 20°C au-dessus de la température d’oxydation. On refroidit ensuite le substrat sous atmosphère oxydante jusqu’à atteindre ladite température d’oxydation, puis on maintient le substrat à sa température d’oxydation, toujours sous atmosphère oxydante. Du fait de l’inertie thermique du substrat, on refroidit ainsi le substrat plus rapidement à ses bords qu’en son centre, de sorte que la profondeur de partie superficielle oxydée du substrat sera plus importante en son centre qu’à ses bords. Ceci contribue donc à l’obtention d’une couche écran convexe. On notera que l’étape de refroidissement du substrat sous atmosphère oxydante vise à contrôler la concavité ou la convexité de la couche écran 4, alors que l’étape de maintien du substrat à sa température d’oxydation permet de contrôler l’épaisseur de la couche écran 4. D’autres mises en œuvre de la formation de la couche écran 4 peuvent être envisagées. Par exemple, on peut former une couche écran 4 d’oxyde en appliquant sélectivement un plasma oxydant sur une ou des zone(s) de la première face 61 du substrat donneur 6. On pourra ainsi former une surépaisseur d’oxyde dans ces zones, par exemple par un confinement adapté du plasma, avant de mettre en œuvre une oxydation thermique conventionnelle. Selon une autre mise en œuvre, il est possible de former une couche écran 4 d’épaisseur uniforme par oxydation thermique du substrat donneur 6, avant de traiter la couche écran 4 de façon à former le profil d’épaisseur voulu. Par exemple, on peut graver la couche écran 4 par application d’acide fluorhydrique, ou selon un procédé de nettoyage connu de l’état de la technique, dit « RCA clean », qui consiste à utiliser une solution d’eau, de peroxyde d’hydrogène et d’ammoniaque afin de graver la couche d’oxyde. Les différents modes de réalisation susmentionnés peuvent éventuellement être combinés. L’oxydation thermique avec le profil de température contrôlé est particulièrement avantageuse en ce qu’elle ne nécessite qu’un seul équipement et un seul type de traitement pour former la couche écran à profil contrôlé. Préalablement à l’étape de formation de la couche écran 4, le procédé peut comprendre une calibration du profil de la couche écran 4, de façon à permettre une compensation précise du profil d’implantation. En référence à la , on prévoit un substrat de calibration 600 du même matériau que le substrat donneur, sur lequel on effectue une implantation 701 d’espèces atomiques ou ioniques, au travers d’une première face 601 du substrat de calibration 600, de sorte à créer une zone de fragilisation 500. La calibration comprend ensuite une étape 702 de séparation du substrat de calibration en deux parties le long de la zone de fragilisation 500 : une première partie 602 qui comprend la première face 601 et une deuxième partie 603. Par ailleurs, une étape de collage du substrat de calibration 600 sur un substrat support est préférentiellement prévue. Le substrat support joue le rôle d’un raidisseur mécanique destiné à faciliter la séparation de la couche 621 du substrat de calibration 600. La première partie 602 présente alors un profil identique à une couche active 13 qui serait obtenue dans le cadre d’un procédé de fabrication par collage inverse, sans compensation selon l’invention. La calibration comprend finalement une étape de définition 703 d’un profil cible 400 défini sensiblement par la forme de la surface 621 de la première partie 602 le long de la zone de fragilisation 500, exposée par la séparation. L’invention concerne également un procédé de fabrication d’un composant 10 de type semiconducteur sur isolant, représenté à la . Ce procédé comprend les étapes suivantes : - la fourniture d’un substrat donneur 6 et d’un substrat receveur 7 comprenant un matériau semiconducteur, par exemple mais non limitativement du silicium, - la formation d’une couche électriquement isolante 2 sur une face 71 du substrat receveur. On peut notamment prévoir que cette couche 2 présente une épaisseur d’au moins 150 nanomètres, de sorte à assurer une isolation optimale de la couche active 13 par rapport à la base 11 du substrat, - la formation d’une zone de fragilisation 5 dans le substrat donneur 6 au moyen du procédé selon l’invention. Cette étape comprend donc la formation 102 de la couche écran 4 sur la première face 61 du substrat donneur, ainsi que l’implantation 103 d’espèces au travers de cette première face. À l’issue de cette étape, on obtient une zone de fragilisation 5 plane, sensiblement parallèle à la première face 61, - le retrait 104 de la couche écran 4, de sorte à exposer la première face 61, - le collage 105 du substrat donneur 6 sur le substrat receveur 7. La première face 61 du substrat donneur est collée sur le substrat receveur 7, la couche électriquement isolante 2 étant disposée entre les deux substrats, - la séparation 106 du substrat donneur 6 au niveau de la zone de fragilisation 5, de sorte à transférer une couche semi-conductrice du substrat donneur 6 sur le substrat receveur 7. Cette couche semi-conductrice forme la couche active 13 du substrat SOI. Procédé de formation d’une zone de fragilisation (5) dans un substrat (6) semi-conducteur, comprenant successivement les étapes suivantes : a. formation d’une couche écran (4) présentant un profil contrôlé non-plan sur une première face (61) du substrat, b. implantation d’espèces au travers de la couche écran et de la première face (61) du substrat pour former la zone de fragilisation, le profil de la couche écran étant choisi pour compenser une non-uniformité de profondeur d’implantation des espèces de sorte que la zone de fragilisation (5) soit sensiblement comprise dans un plan parallèle à la première face (61). Procédé selon la revendication précédente, la couche écran (4) présentant un profil convexe ou concave. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, les espèces implantées dans la première face (61) du substrat comprenant des ions hydrogène et des ions hélium. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, une distance entre deux points quelconques d’une surface libre (41) de la couche écran (4) selon un axe normal à la première face (61) étant comprise entre 0.2 nm et 5 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, le substrat (6) comprenant du silicium. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, la couche écran (4) comprenant un oxyde d’un matériau semi-conducteur, notamment du dioxyde de silicium. Procédé selon la revendication précédente, la couche écran (4) étant obtenue par oxydation thermique d’une région superficielle du substrat semi-conducteur (6) Procédé selon la revendication précédente, la formation de la couche écran (4) par oxydation comprenant un chauffage du substrat (6) sous une atmosphère neutre jusqu’à une température supérieure à une température d'oxydation du substrat, puis un refroidissement du substrat à ladite température d’oxydation, et une application d’une atmosphère oxydante pour former la couche écran (4). Procédé selon la revendication 7, comprenant, avant l’oxydation thermique, une application sélective d’un plasma oxydant sur une zone de la première face (61) du substrat (6) de sorte à former une surépaisseur d’oxyde dans ladite zone. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant préalablement à la formation de la couche écran (4) une calibration du profil de la couche écran (4) comprenant les étapes suivantes : - implantation (701) d’atomes au travers d’une première face (601) d’un substrat de calibration (600), de sorte à créer une zone de fragilisation (500), - séparation (702) du substrat de calibration le long de la zone de fragilisation en une première partie (602), comprenant la première face (601), et une deuxième partie (603), - définition (703) d’un profil cible (400) dont la forme est sensiblement identique à une surface (621) de la première partie (602) exposée par la séparation, le profil cible (400) étant utilisé pour définir le profil de la couche écran (4) lors de sa formation. Procédé de fabrication d’un composant semiconducteur (10) de type semi-conducteur sur isolant, comprenant successivement les étapes de : - fourniture d’un substrat donneur (6) et d’un substrat receveur (7) en matériau semiconducteur, - formation (101) d’une couche électriquement isolante (2) sur une face (71) du substrat receveur, - formation (102, 103) d’une zone de fragilisation (5) dans le substrat donneur (6) au moyen du procédé de formation selon l’une quelconque des revendications précédentes, la zone de fragilisation (5) ainsi formée délimitant une couche semi-conductrice, - retrait (104) de la couche écran (4), - collage (105) de la première face (601) du substrat donneur (6) sur la couche électriquement isolante (2) du substrat receveur (7), - séparation (106) du substrat donneur (6) au niveau de la zone de fragilisation (5) de sorte à transférer la couche semi-conductrice du substrat donneur (6) sur le substrat receveur (7). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la couche électriquement isolante (2) et la couche écran (4) sont formées par traitement thermique dans un même four. Procédé selon l’une quelconque des revendications 11 et 12, la couche électriquement isolante (2) présentant une épaisseur d’au moins 150 nanomètres.