Brevet FR3149128A1 — publié le 20241129

La présente invention a pour objet un procédé de fabrication d’un dispositif semi-conducteur (10) comprenant les étapes successives suivantes l’obtention (E1) d’un substrat semi-conducteur (1) comprenant en surface au moins une paire de contacts ohmiques (2) et un contact de grille (3), les contacts ohmiques formant des doigts séparés l’un (2A) de l’autre (2B), le dépôt (E2) d’un support de pont (4) réalisé dans un premier matériau en polymère recouvrant le contact de grille (3) et destiné au support d’un pont (5D, 5E) de connexion électrique, le dépôt (E3) par électrodéposition de surfaces de connexion (5A, 5B, 5C) des contacts ohmiques (2) et du contact de grille (3), et de ponts (5D, 5E) recouvrant ledit support et connectant électriquement les contacts ohmiques (2) à la surface de connexion respective (5A, 5B), lesdites surfaces de connexion (5A, 5B) et lesdits ponts (5D, 5E) étant formés par une même couche métallique (5). Figure 1. PROCEDE DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPORTANT UNE STRUCTURE DE PONT RENFORCEE, ET CIRCUIT INTEGRE Le domaine de l’invention concerne un procédé de fabrication de semi-conducteurs, notamment de transistors HFETs comportant une structure multi-doigts 3D et des ponts. Dans l’industrie des semi-conducteurs, un transistor HFET pour « Heterojunction Field Effect Transistor » en anglais, également connu sous le nom de « High Electron Mobility Transistor » (HEMT), est un type de transistor à effet de champ qui utilise une jonction hétéroépitaxiale entre deux semi-conducteurs de bande interdite différente pour créer une région à haute mobilité électronique. Cette région à haute mobilité électronique est généralement formée par une couche d'AlGaN (nitrure d'aluminium-gallium) déposée sur une couche de GaN (nitrure de gallium) sur un substrat en silicium-carbure (SiC). Les HFETs sont largement utilisés dans les applications de haute fréquence et de haute puissance en raison de leur haute mobilité électronique, de leur faible bruit, de leur faible distorsion et de leur haute résistance aux radiations. Les HFETs peuvent être fabriqués avec des structures à multi-doigts, qui sont également connues sous le nom de structures à grilles interdigitées. Ces structures à multi-doigts sont souvent utilisées pour augmenter la surface active du dispositif, ce qui augmente la capacité de courant. Les structures à multi-doigts consistent en une série de doigts alternés d'électrodes de source et de drain disposées perpendiculairement à la direction du courant dans la région active du dispositif. Cette conception permet d'augmenter la densité de courant sans augmenter la taille globale du dispositif. La localisation du contact de contrôle de grille (G) dans le même plan que le drain (D) et la source (S) engendrerait un court-circuit G/S et G/D. Une approche existante est d’isoler les deux plans par une couche mince diélectrique de passivation de type SiN ou SiO2. La viabilité de cette solution n’est pas garantie car la couche diélectrique peut comporter des défauts structurels localisés qui peuvent constituer des zones de contact entre les deux plans, ce risque est d’autant élevé que les composants sont réalisés sur une large surface. De plus, les matériaux de type SiN, SiO2, usuels en technologie transistors à effet de champ ayant une constante diélectrique élevée, ils génèrent des effets capacitifs parasites. Une autre approche est l’utilisation de la structure 3D dite « air-bridge » qui consiste à micro-fabriquer un contact en pont aérien qui implique que l’isolation entre G/S et G/D est un espace d’air avec une constante diélectrique égale 1. Une telle structure est décrite par la publication scientifique de Michael H. Willemann, intitulée “Polymer-Supported Bridges for Multi-Finger AlGaN/GaN Heterojunction Field Effect Transistors (HFETs) », Virginia Polytechnic Institute and State University , 2007 . Dans le domaine des HFETs, du fait de la finesse de la couche de métal, ce type de structure est particulièrement fragile aux techniques de gravure chimique pour extraire la structure de support. En outre, ces structures ne sont pas adaptées pour une solution de refroidissement en contact direct ou pour un conditionnement (« packaging » en anglais) par enfouissement dans un PCB (« Printed Circuit Board » en anglais ou « Carte de Circuit Imprimé » en français). En outre, face à ces problématiques, ce document enseigne la fabrication d’une structure de support du pont en polymère facilitant l’ajout d’éléments de refroidissement en face avant. Ce procédé prévoit les étapes de dépôt des contacts ohmiques, des contacts de grille et des pads préalablement au dépôt de la structure de pont en polymère. Cependant, la structure présentée est problématique car les zones d’union de la couche métallique en bordure de la structure de support présentent une discontinuité d’épaisseur, ce qui a pour effet de fragiliser le pont, d’augmenter localement la résistance électrique couplé à une faible conductivité thermique de la structure de support. Par ailleurs, on connait par exemple le document brevet EP-A1-3951848 qui décrit une solution de fabrication d’un pont aérien pour un semi-conducteurs multi-doigts permettant d’améliorer la résistance à une pression en surface. La structure de pont est conçue selon une géométrie en plan, éventuellement en présentant une cavité en surface dans la zone de pont, de manière à répartir la pression en surface du plan et éviter la concentration de cette pression au niveau de la structure du pont. Dans cette réalisation, un pont connecte électriquement deux pads de source ainsi que les pads respectivement à leurs électrodes formant les doigts. Pour obtenir cette géométrie en plan du pont, ce procédé requière, préalablement à la réalisation du pont, le dépôt sur le substrat des doigts et des pads à interconnecter en les dimensionnant à des épaisseurs nécessairement supérieures aux contacts de grille, puis le dépôt d’un support du pont en polymère précisément nivelé à la hauteur de ces contacts, puis le dépôt du pont réparti sur un plan et enfin le retrait de la structure de pont par l’utilisation de solvant. Cette technique est problématique car elle requière un contrôle précis de l’épaisseur du support en polymère entre les électrodes. Ce polymère est généralement fabriqué par étalement d’une résine par la technique dite de « spin coating » et ce processus n’est pas adapté pour contrôler l’épaisseur dans les interstices entre les électrodes. En outre, la connexion du métal entre un pont et des pads, et entre un pont et les doigts peut présenter des fragilités et une discontinuité de structure susceptible d’affecter la conductivité électrique. Cela est particulièrement critique pour les applications d’électroniques de puissance. En outre, un pont aérien présente une fragilité pour les puces destinées à être conditionnées par enfouissement. C’est un type de conditionnement qui, par sa nature, n’est pas compatible avec des structures 3D suspendues car incluant l’application d’une pression élevée par pressage à haute température sur la puce. Il existe donc un besoin de pallier les problèmes précités. Un objectif de l’invention est de proposer une technique de fabrication d’une puce à semi-conducteurs multi-doigts comportant une structure de pont renforcée. Un objectif de l’invention est d’améliorer la tenue mécanique des puces lors du conditionnement par enfouissement dans les PCB. Plus précisément, l’invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif semi-conducteur comprenant les étapes successives suivantes d’obtention d’un substrat semi-conducteur comprenant en surface au moins une paire de contacts ohmiques et un contact de grille, les contacts ohmiques formant des doigts séparés l’un de l’autre et de dépôt d’un support de pont réalisé dans un premier matériau en polymère recouvrant le contact de grille et destiné au support d’un pont de connexion électrique. Selon l’invention le procédé comporte en outre le dépôt par électrodéposition de surfaces de connexion des contacts ohmiques et du contact de grille, et de ponts recouvrant ledit support et connectant électriquement les contacts ohmiques à la surface de connexion respective, lesdites surfaces de connexion et lesdits ponts étant formés par une même couche métallique. Le procédé selon l’invention peut comporter les caractéristiques additionnelles suivantes, seules ou en combinaison : - Après le dépôt de la couche métallique, le dépôt d’une première couche de passivation réalisée dans un deuxième matériau en polymère encapsulant au moins le support de pont et lesdits ponts et comportant des ouvertures des surfaces de connexion. - Le premier matériau est un polyimide. - Le deuxième matériau est un polyimide. - La couche métallique est en cuivre et a une épaisseur supérieure à 4 µm, de préférence comprise entre 6 µm et 10 um. - Le dépôt du support de pont comporte au moins une étape de traitement thermique du motif du support de pont. - Le dépôt d’une deuxième couche de passivation en surface du contact de grille avant le dépôt du support de pont. - Le dépôt d’une résine en surface du support de pont avant le dépôt de la couche métallique, puis le retrait de la résine après le dépôt de la couche métallique de manière à former un espace vide entre le pont et le support de pont en prévision d’un enfouissement du dispositif semi-conducteur. - L’enfouissement du dispositif semi-conducteur entre au moins deux couches de carte de circuit imprimé. On envisage en outre selon l’invention, un circuit intégré comprenant un dispositif semi-conducteur obtenu à partir d’un quelconque des modes de réalisation du procédé de fabrication selon l’invention comprenant un substrat semi-conducteur comprenant en surface au moins une paire de contacts ohmiques et un contact de grille, les contacts ohmiques formant des doigts séparés l’un de l’autre, un support de pont réalisé dans un premier matériau en polymère recouvrant le contact de grille et destiné au support d’un pont de connexion électrique, des surfaces de connexion des contacts ohmiques et du contact de grille, des ponts recouvrant ledit support et connectant électriquement les contacts ohmiques à la surface de connexion respective, dans lequel lesdites surfaces de connexion et lesdits ponts étant formés par une même couche métallique obtenue par électrodéposition, et dans lequel le dispositif semi-conducteur est enfoui entre au moins deux couches de carte de circuit imprimé. Le circuit intégré selon l’invention peut comporter les caractéristiques additionnelles suivantes, seules ou en combinaison : - Lesdits ponts ont une forme arquée et s’étendent depuis les surfaces de connexion jusqu’en surface des contacts ohmiques. – Une première couche de passivation réalisée dans un deuxième matériau en polymère encapsulant au moins le support de pont et lesdits ponts, et comportant des ouvertures en surface des surfaces de connexion. - Le premier matériau est un polyimide. - Le deuxième matériau est un polyimide. - Une deuxième couche de passivation entre le contact de grille et le support de pont. Un des avantages de l’invention est de proposer une structure 3D compatible avec un conditionnement par enfouissement PCB et avec les applications d’électroniques de puissance. En outre, le procédé de fabrication peut être adapté pour renforcer les puces avec des couches de passivation ou pour optimiser la densité de support de pont pour limiter les effets capacitifs du polymère en contact avec les lignes de contrôle de grille d’un transistor. D’autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaitront plus clairement à la lecture de la description détaillée qui suit comprenant des modes de réalisation de l’invention donnés à titre d’exemples nullement limitatifs et illustrés par les dessins annexés, dans lesquels : représente les étapes d’un procédé de fabrication d’un dispositif semi-conducteur selon l’invention. représente une étape de conditionnement pour un procédé de fabrication d’un dispositif à semi-conducteur selon l’invention. représente un exemple de conditionnement par enfouissement pour un procédé de fabrication d’un dispositif semi-conducteur selon l’invention. représente des exemples de modes de réalisation du dispositif semi-conducteur selon l’invention. Le procédé de fabrication selon l’invention trouve une application principale pour la fabrication d’un transistor à effet de champ à hétérostructure, par exemple de type HFET ou HEMT. Plus précisément, le procédé vise à renforcer une structure de pont en déposant en-dessous, un support micro-structuré en matériau isolant et compatible thermiquement avec les techniques de micro-fabrication et d’enfouissement, ainsi que du fonctionnement de la puce dans le domaine de l’électronique de puissance. Tout au long de la description qui va suivre des mêmes éléments sont identifiés avec les mêmes signes de référence. La représente un procédé de fabrication d’un dispositif semi-conducteur selon l’invention. Une première étape E1 du procédé est l’obtention d’un substrat semi-conducteur comprenant en surface des contacts ohmiques 2, comprenant au moins une paire de contacts ohmiques 2A et 2B, et un contact de Grille 3. Les contacts ohmiques 2 forment une série de doigts alternés, séparés les uns des autres, formant les électrodes de source et de drain disposées perpendiculairement à la direction du courant dans la région active du dispositif. Cette conception permet d'augmenter la densité de courant sans augmenter la taille globale du dispositif. En outre, ces structures permettent de réduire les pertes de signal et les effets de parasitage, ce qui améliore la linéarité et la stabilité des transistors. Dans cet exemple, dans la région active entre les contacts ohmiques 2, le contact de grille 3 s’étend au moyen de deux branches 3A et 3B disposées de chaque côté des contacts ohmiques 2 dans le même plan du substrat que celui des contacts ohmiques 2, perpendiculairement aux contacts ohmiques 2. Ces deux branches 3A et 3B sont connectées par des lignes de contact de grille qui s’étendent, parallèlement aux contacts ohmiques 2, dans chaque zone active entre deux contacts ohmiques 2A et 2B. Cette disposition nécessite donc la fabrication de ponts conducteurs de structure dite 3D pour relier électriquement les contacts ohmiques 2 de source et de drain à leur pad respectif. Un pad est une plaque ou surface de connexion, zone de contact métallique ou interface métallique sur une puce électronique qui est utilisée pour relier électriquement la puce à une carte de circuit imprimé ou à d'autres composants électroniques. Un pad peut être rond, carré, rectangulaire ou tout autre type de forme plus complexe. Dans ce mode de réalisation non limitatif, les contacts ohmiques 2 sont fabriqués selon une structure multi-laminée de métaux. Les contacts ohmiques 2 ont pour fonction de connecter les électrodes de source et de drain au substrat 1 du transistor afin de permettre la circulation du courant à travers la jonction hétérostructure. Le contact de grille 3 a pour fonction de contrôler le courant qui circule dans le canal entre les contacts ohmiques 2. Plus précisément, selon un mode de réalisation non limitatif, l’obtention E1 du substrat 1 comporte une étape de dépôt de la couche de matériau semi-conducteur, tel que l’AIGaN ou le GaN, sur le substrat par une technique de croissance cristalline. Les contacts ohmiques 2 sont obtenus ensuite par le dépôt en sandwich de couches de Titanium, d’Or et de Paladium (Ti/Au/Pd) pour former les contacts ohmiques 2. Les contacts de grille 3 sont obtenus par le dépôt en sandwich de couches de Nickel et d’Or par exemple. L’homme du métier adaptera l’étape d’obtention E1 du substrat 1 en fonction de l’application recherchée et des propriétés recherchées pour le transistor. Ces couches sont généralement obtenues par des techniques d’évaporation sous vide par exemple. L’obtention E1 du substrat comportent en outre, de façon connue en soi par l’homme du métier, des étapes de lithographie, gravure, développement et nettoyage. Les étapes de dépôts de métal, lithographie et gravure peuvent se répéter selon le nombre de couches de métal et épaisseur recherchés. La référence publiée par Michael H. Willemann, intitulée “Polymer-Supported Bridges for Multi-Finger AlGaN/GaN Heterojunction Field Effect Transistors (HFETs), Virginia Polytechnic Institute and State University, 2007, décrit une technique de fabrication des contacts ohmiques comprenant des couches de titanium, d’aluminium, du nickel et de l’Or. Le procédé de fabrication selon l’invention comporte ensuite une étape de dépôt E2 d’au moins un support de pont 4 réalisé dans un premier matériau en polymère recouvrant le contact de grille 3. Un support de pont 4 est destiné au support et le renfort d’un ou plusieurs ponts de connexion électrique entre des contacts ohmiques 2 et leurs pads respectifs. Dans cet exemple non limitatif, les deux branches 3A et 3B du contact de grille sont recouvertes par deux parties 4A et 4B respectivement du support de pont 4. A cette phase du procédé de fabrication, le support de pont 4 forme un relief en surface du substrat 1 au-dessus des contacts de grille 3 dans la zone où il est prévu de déposer des ponts. Le support de pont 4 forme un relief au-dessus des faces supérieures des contacts ohmique 2 et de la surface du substrat 1. De préférence, le premier matériau en polymère est un polyimide. Le polyimide est un polymère organique synthétique utilisé dans ce cas d’application pour ses propriétés thermiques. Le polyimide a une conductivité thermique très faible, ce qui signifie qu'il est un isolant thermique efficace. Sa conductivité thermique typique varie de 0,1 à 0,4 W/mK à température ambiante. Le polyimide a également une excellente résistance à la chaleur. Il peut résister à des températures élevées allant jusqu'à 500°C sans se dégrader ou se ramollir. Cette propriété thermique élevée permet l'utilisation du polyimide dans des applications d’électronique de puissance telles que les films pour circuits intégrés où il peut résister à des températures de fonctionnement élevées. De plus, le polyimide a un faible coefficient de dilatation thermique, ce qui signifie qu'il ne se dilate que très peu lorsqu'il est exposé à des variations de température. La phase de dépôt E2 du support de pont 4 comporte des étapes de photolithographie au-dessus des contacts de grille 3. Dans cet exemple non limitatif, le support de pont 4 est un polyimide contenant des composés photosensibles pour développer le motif recherché. Ce type de composé présente en outre l’avantage d’obtenir une rigidité diélectrique supérieure à un composé photorésistant. Toutefois, on n’écarte pas la possibilité d’utiliser un polymère photorésistant. En outre, le polymère est un polyimide pouvant être chargé de d’autres matériaux, par exemple de microparticules de diamant. La charge ne doit pas affecter les propriétés thermiques, mécaniques et diélectriques du polymère. On envisage que le support de pont 4 puisse être réalisé dans un polymère différent du polyimide à condition qu’il conserve des propriétés adaptées à l’application cible et à une technique d’enfouissement du dispositif semi-conducteur. Selon une technique de dépôt préférentielle pour un polymère de type photosensible, la phase de dépôt E2 du support de pont 4 comporte une première étape de prétraitement de la surface du composant par un nettoyage par solvants à base d’une solution d’Acétone, Isopropanol, eau désionisée et séchage Azote, et une déshydratation à une température d’au moins 100°C. Cette première étape peut prévoir en outre un traitement chimique à base d’une solution acide oxydante et corrosive et de rinçage, ou un traitement de type plasma oxygène. Ensuite, la phase de dépôt E2 comporte une deuxième étape de dépôt par centrifugation de la résine polyimide sur le substrat comportant les composants en cours de fabrication. La vitesse de rotation dépend de la viscosité de la résine polyimide et l’épaisseur cible. La phase de dépôt E2 comporte ensuite une troisième étape de traitement thermique sur plaque chauffante. Ce traitement vise à évaporer le ou les solvants de la résine polyimide. La phase de dépôt E2 comporte ensuite une quatrième étape d’exposition aux UV à l’aide d’un aligneur de masque et à travers le masque de photolithographie permettant de former le motif structurant le support de pont 4. La phase de dépôt E2 comporte ensuite une cinquième étape de développement post-exposition qui permet de révéler les motifs en polyimide. La phase de dépôt E2 comporte ensuite une sixième étape de rinçage puis une septième étape de traitement thermique des motifs du support de pont 4. Cette dernière étape de traitement thermique vise à stabiliser le polyimide. Le choix de la température et la durée des traitements thermiques déterminent notamment l’épaisseur cible du support de pont 4. A cette étape E2 du procédé de fabrication, les pads et les épaississements métalliques des contacts ohmiques ne sont pas encore déposés. Le polymère est donc déposé par centrifugation sur une surface libre d’interstices ce qui facilite le contrôle de l’épaisseur cible. Par ailleurs, la dernière étape de traitement thermique a pour effet en outre d’arrondir les arêtes du support de pont 4 en sa partie supérieure. L’arrondissement des arêtes améliore la continuité de l’épaisseur du pont au niveau des bordures du support 4, ce qui renforce la tenue mécanique et le comportement électrique et thermique du pont. Les phases spécifiques de dépôt E2 du polymère peuvent varier en fonction du type utilisé (photosensible ou photorésistant) que l’homme du métier saura adapter. Ensuite, le procédé de fabrication comporte une étape de dépôt E3 par électrodéposition des pads 5A et 5B des contacts ohmiques 2 et du pad 5C du contact de grille, et de ponts 5D et 5E connectant électriquement chaque contact ohmique 2 au pad respectif 5A et 5B. Les pads 5A, 5B et 5C et lesdits ponts 5D et 5E sont formés par une même couche métallique d’épaisseur uniforme lors d’une même phase d’électrodéposition. La métallisation a pour fonction d’épaissir la couche métallique des contacts ohmiques 2 et du contact de grille 3 au niveau du pad du fait de l’application de puissance à laquelle le transistor est destiné. La couche métallique a une épaisseur supérieure à 4 µm, de préférence elle est comprise entre 6 µm et 10 µm. Le métal électrodéposé est par exemple du cuivre. Les ponts ont une forme sensiblement arquée ou bombée résultante de la forme du relief et de l’épaisseur des supports de pont en surface du substrat. La forme arquée permet de conserver la continuité de la couche métallique entre les pads et les doigts. Cette continuité renforce la structure. L’électrodéposition est une technique connue de l’homme du métier comportant des étapes de préparation de la surface, notamment l’intégration d’une couche porteuse, appelée également couche de germination et de mise en contact du substrat avec un électrolyte puis de polarisation permettant l’électrodéposition de cuivre. En outre, le fait d’obtenir une même couche métallique formant les ponts 5D et 5E et les pads 5A, 5B et 5C permet d’améliorer la résistance mécanique de la structure de pont et d’assurer une continuité de structure entre les pads 5A et 5B et les contacts ohmiques 2. La tenue mécanique est particulièrement importante en prévision d’un conditionnement par enfouissement qui fait intervenir des étapes de laminage à haute température et forte pression. En outre, l’électrodéposition présente l’avantage d’épaissir uniformément et de manière fiable les arrêtes du support de pont 4 en polyimide L’électrodéposition présente en outre l’avantage d’être une technique peu onéreuse par rapport aux techniques sous-vide. Les profils du support de pont 4 et des ponts 5D et 5E visibles en sont fournis à titre d’exemple non limitatif et dépend de la structure du transistor et de l’agencement des contacts ohmiques 2 et du contact de grille 3. D’autres variantes sont envisageables, en particulier des ponts peuvent être prévus pour connecter électriquement des pads les uns entre les autres qui seraient séparés par un contact de grille. Le nombre de doigts et de ponts des contacts ohmiques 2 peuvent être de deux, trois, quatre, cinq ou plus. Il peut être prévu un pont pour chaque doigt mais ce n’est pas obligatoire. Dans cet exemple non limitatif, tous les contacts ohmiques 2 de source et de drain sont connectés aux pads 5A et 5B respectifs par des ponts 5D et 5E. Pour d’autres types d’architectures de transistor une partie seulement des contacts sont reliés électriquement par des ponts à leur pad. Par exemple, seuls les contacts de source peuvent être reliés à leur pad par des ponts, ou seuls les contacts de drain peuvent être reliés à leur pad par des ponts. Une fois l’étape de dépôt E3 terminée, le procédé de fabrication permet d’obtenir un dispositif semi-conducteur 10, désigné par composant à circuit intégré ou puce, appelé également « wafer » pour un ensemble de puces, comprenant un ou plusieurs transistors multi-doigts comprenant une structure de pont renforcée grâce au support 4 réalisé en polymère. En , une étape supplémentaire E4 du procédé de fabrication est décrite et consiste à encapsuler au moins les supports de pont et les ponts du dispositif semi-conducteurs sous une deuxième couche 6 d’un deuxième matériau en polymère agissant comme un film protecteur. De préférence, la totalité de la surface de la puce 10 est recouverte par cette couche 6. Le polymère est par exemple du polyimide, identique au polymère utilisé pour le support de pont. On envisage que le polymère 6 puisse être un matériau différent du support de pont. La résine peut être distincte, ou elle peut comporter une charge adaptée à la protection voulue. La couche de polymère 6 permet d’aplanir la structure du dispositif semi-conducteur en atténuant les reliefs en surface de la puce liés à la présence des ponts et permet d’obtenir une structure renforcée multi-laminée. La couche de protection 6 permet de répartir la pression lors du laminage, limitant le risque d’écrasement des ponts, et de protéger la puce thermiquement. La couche de protection 6 est déposée par centrifugation et comporte des étapes de traitement thermique, d’exposition, développement et rinçage similairement aux étapes réalisées lors du dépôt E2 du support de pont. Ces étapes sont adaptées en fonction des caractéristiques du polymère utilisé. Par ailleurs, comme cela est visible en , la couche de protection comporte un profil de surface ayant des ouvertures 6A, 6B et 6C au niveau des pads du drain, de la source et de la grille obtenues par les étapes de photolithographie et permettant la connexion électrique de la puce à une carte de circuit imprimé ou tout type d’interface électrique. La couche de protection 6 est déposée avant le découpage du wafer, dernière étape avant l’obtention des dispositifs semi-conducteurs individuellement. La illustre une étape de conditionnement E5 par enfouissement d’une puce encapsulée 10. On envisage que l’enfouissement puisse être réalisé sur une puce 10 n’ayant pas la couche d’encapsulation. L’encapsulation est le mode de fabrication préféré en prévision d’un enfouissement. Le procédé de fabrication comporte des étapes de laminage à haute température et forte pression de la puce entre des couches comprenant au moins une couche de PCB 8A. Il peut être prévu en outre une ou plusieurs couches de feuille époxy 7A. Dans un mode de réalisation non limitatif, comme illustré en , le circuit intégré 9 comporte une première couche de PCB 8A et une feuille époxy 7A du côté de la surface supérieure de la puce 10 où les pads sont accessibles, la puce étant encapsulée sous un film polymère, une deuxième couche de feuille époxy 7B du côté de la surface inférieure et une deuxième couche de PCB 8B. Le circuit intégré 9 obtenu à la suite des étapes d’enfouissement comporte des interfaces électriques à la surface d’une couche de PCB. Les couches PCB correspondent aux couches de contact de métallisation qui relient les pads de source, de drain et de grille aux pads de contact sur la surface du circuit intégré. Les couches de contact PCB permettent d’améliorer les performances électriques des dispositifs en réduisant la résistance de contact et en améliorant la fiabilité des connexions électriques. Les couches de contact PCB peuvent améliorer la dissipation de la chaleur, en permettant la connexion de la puce à un dissipateur thermique pour améliorer les performances à haute puissance. Par ailleurs, le procédé de fabrication peut comporter des étapes supplémentaires avant l’étape E3 de métallisation, par exemple pour le dépôt d’une couche de passivation entre un support de pont et un contact de grille ou pour le dépôt d’une couche de résine entre la couche de métallisation d’un pont et le support de pont. Le procédé peut comporter en outre, à la suite de l’étape E3 de métallisation une étape de retrait de cette couche de résine, par exemple. En , plusieurs modes de réalisation de la structure de support de pont sont illustrés et représentés dans un plan en coupe dans le plan longitudinal du pont. Dans chacun de ces modes de réalisation, donnés à titre d’exemple non limitatifs, le dispositif semi-conducteur 10 obtenu par le procédé de fabrication selon l’invention comporte les contacts ohmiques de source et de drain disposés dans une région active centrale et sont agencés selon une configuration multi-doigts séparés les uns des autres par un canal de contrôle de grille, chaque doigt est relié à un pad. Dans chaque canal, dans le même plan que les contacts ohmiques de source et de drain, une ligne de contrôle de grille est disposée et est reliée à deux branches de contact de grille disposées de part et d’autre de la région active, chaque branche étant reliée au pad de grille. Chaque branche de contrôle de grille est disposée perpendiculairement aux lignes de contacts ohmiques et est couverte par un support de pont en polyimide de manière à permettre le passage d’un pont de connexion d’un doigt au-dessus des branches de contrôle de grille. Il convient de noter que pour chacune de ces variantes, le dispositif semi-conducteur est enfoui entre au moins deux couches de PCB (non représentées en ) pour former un circuit intégré à structure en sandwich renforcée. Dans une première variante 41, la structure en sandwich sur le substrat 1 est formée par le contact de grille 3B, le support de pont 4B en polyimide et le pont 5E formé par la couche de métallisation en cuivre. Cette variante est avantageuse de par sa simplicité de mise œuvre. Néanmoins, le polyimide est susceptible de provoquer des effets capacitifs sous l’action de la compression par laminage. Dans une deuxième variante 42, la structure en sandwich, formée par le contact de grille 3B, le support de pont 4B en polyimide et le pont 5E formé par la couche de métallisation en cuivre, comporte un espace vide V0 ayant une épaisseur voulue à la fin de l’étape de métallisation du procédé. Cet espace vide V0 est obtenu, par exemple, par une étape de dépôt d’une résine photosensible distincte d’un polyimide par-dessus le support de pont en polyimide, une étape de développement en solution alcaline post-exposition avant la métallisation en cuivre du pont 5E, puis par une étape de retrait de cette résine par un solvant après la métallisation du pont 5E. L’espace vide V0 est recherché en prévision de l’enfouissement de la puce par laminage. La distance V0 avant laminage permet d’adapter la densité du polyimide du fait qu’il s’agit d’un matériau déformable et compressible. Selon sa densité obtenue post-laminage, les propriétés diélectriques résultantes du polyimide en termes de constante diélectrique et de facteur de dissipation vont varier. L’espace V0 permet d’obtenir une densité optimale post-laminage pour réduire l’effet capacitif de la couche de polyimide. Dans une troisième variante 43, le procédé de fabrication comporte une étape de dépôt d’une couche de passivation 11 avant le dépôt du support de pont 4 en polyimide. La structure en sandwich est formée par le contact de grille 3B, la couche de passivation 11, le support de pont 4B en polyimide et le pont 5E formé par la couche de métallisation en cuivre. La couche de passivation a pour effet de limiter les effets capacitifs induits par le polyimide sur les transistors sous l’effet de la compression par laminage. Dans une quatrième variante 44, le procédé de fabrication comporte l’ajout de la couche de passivation 11 et les étapes nécessaires à la formation d’un espace vide V0 entre le polyimide 4B et le pont 5E. La structure en sandwich est formée par le contact de grille 3B, la couche de passivation 11, le support de pont 4B en polyimide, l’espace vide V0 et le pont 5E formé par la couche de métallisation en cuivre. La couche de passivation est suffisante pour réduire les effets capacitifs induits par le polyimide. L’espace vide V0 avant laminage permet toutefois d’adapter la densité du polyimide pour obtenir des caractéristiques mécaniques optimales de la structure en sandwich. Le procédé de fabrication selon l’invention s’applique pour les semi-conducteurs dits III-V et III-N contenant des éléments tels que l'arséniure de gallium (GaAs), le phosphure d'indium (InP), l'azote (N), le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d'indium-gallium (InGaN) et le nitrure d'aluminium-gallium (AlGaN). Les dispositifs semi-conducteurs concernés sont par exemple des puces à transistors multi-doigts HMET ou HEFT, pouvant être enfouis dans des couches de PCB ou encapsulés par un film polymère. Les doigts de chaque électrode de source et drain peuvent être au nombre de deux ou plus. Les dispositifs semi-conducteurs obtenus par le procédé sont avantageux du fait que les pads et les ponts sont formés par une même couche métallique obtenue par électrodéposition. Les supports de pont sont conservés lors de l’enfouissement des dispositifs dans des couches de PCB. La couche métallique, de préférence en cuivre, est une couche d’épaississement métallique adaptée aux applications d’électroniques de puissance, et a une épaisseur supérieure à 4 µm, de préférence comprise entre 6 µm et 10 µm. Du fait que les ponts sont formés par électrodéposition, leur épaisseur est uniforme sur toute la surface de la couche métallisée formant les pads, les contacts ohmiques et les ponts. En particulier, cette technique résout les problèmes d’homogénéité de la métallisation en bordure des supports de pont par rapport à d’autres techniques de type évaporation sous-vide et assure la continuité de la couche métallique. Les supports de pont du dispositif semi-conducteur et la couche d’encapsulation sont préférentiellement réalisés en polyimide. Ils peuvent être toutefois réalisés en polymères distincts ou différents l’un de l’autre. En outre, des ponts peuvent être prévus pour connecter deux pads l’un à l’autre. L’invention s’applique aux domaines de fabrication des dispositifs à semi-conducteurs pour les applications d’optoélectroniques tels que les LED, les lasers à semi-conducteurs et les photodétecteurs, pour les systèmes d’électronique de puissance, notamment pour des applications de véhicules électrifiés, de systèmes photovoltaïques et de systèmes de stockage d’énergie équipés de dispositifs semi-conducteurs obtenus par un procédé de fabrication selon l’invention. L’invention est décrite dans ce qui précède à titre d’exemple. Il est entendu que la personne de l’art est à même de réaliser différentes variantes de réalisation de l’invention en associant par exemple les différentes caractéristiques ci-dessus prises seules ou en combinaison, sans pour autant sortir du cadre de l’invention. Procédé de fabrication d’un dispositif semi-conducteur (10) comprenant les étapes successives suivantes : - l’obtention (E1) d’un substrat semi-conducteur (1) comprenant en surface au moins une paire de contacts ohmiques (2) et un contact de grille (3), les contacts ohmiques (2) formant des doigts séparés l’un (2A) de l’autre (2B), - le dépôt (E2) d’un support de pont (4) réalisé dans un premier matériau en polymère recouvrant le contact de grille (3) et destiné au support d’un pont (5D, 5E) de connexion électrique, caractérisé en ce qu’il comporte en outre: - le dépôt (E3) par électrodéposition de surfaces de connexion (5A, 5B, 5C) des contacts ohmiques (2) et du contact de grille (3), et de ponts (5D, 5E) recouvrant ledit support et connectant électriquement les contacts ohmiques (2) à la surface de connexion respective (5A, 5B), lesdites surfaces de connexion (5A, 5B) et lesdits ponts (5D, 5E) étant formés par une même couche métallique (5). Procédé de fabrication selon la revendication 1, comportant en outre après le dépôt (E3) de la couche métallique (5), le dépôt d’une première couche de passivation (6) réalisée dans un deuxième matériau en polymère encapsulant au moins le support de pont (4) et lesdits ponts (5D, 5E) et comportant des ouvertures (6A, 6B, 6C) des surfaces de connexion (5A, 5B, 5C). Procédé de fabrication selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le premier matériau est un polyimide. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la couche métallique (5) est en cuivre et a une épaisseur supérieure à 4 µm, de préférence comprise entre 6 µm et 10 um. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le dépôt (E2) du support de pont (4) comporte au moins une étape de traitement thermique du motif du support de pont (4). Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, comportant en outre l’enfouissement du dispositif semi-conducteur (10) entre au moins deux couches de carte de circuit imprimé (8A, 8B). Circuit intégré comprenant un dispositif semi-conducteur (10) obtenu à partir du procédé de fabrication selon la revendication 6 comprenant : - un substrat semi-conducteur (1) comprenant en surface au moins une paire de contacts ohmiques (2) et un contact de grille (3), les contacts ohmiques (2) formant des doigts séparés l’un (2A) de l’autre (2B), - un support de pont (4) réalisé dans un premier matériau en polymère recouvrant le contact de grille (3) et destiné au support d’un pont (5D, 5E) de connexion électrique, - des surfaces de connexion (5A, 5B, 5C) des contacts ohmiques (2) et du contact de grille (3), - des ponts (5D, 5E) recouvrant ledit support et connectant électriquement les contacts ohmiques (2) à la surface de connexion (5D, 5E) respective, caractérisé en ce que lesdites surfaces de connexion (5A, 5B, 5C) et lesdits ponts (5D, 5E) sont formés par une même couche métallique (5) obtenue par électrodéposition, - et dans lequel le dispositif semi-conducteur (10) est enfoui entre au moins deux couches de carte de circuit imprimé (8A, 8B). Circuit intégré (9) selon la revendication 7, dans lequel lesdits ponts (5D, 5E) ont une forme arquée et s’étendent depuis les surfaces de connexion (5A, 5B) jusqu’en surface des contacts ohmiques (2A, 2B). Circuit intégré (9) selon la revendication 7 ou 8, comportant en outre une première couche de passivation (6) réalisée dans un deuxième matériau en polymère encapsulant au moins le support de pont (4) et lesdits ponts (5D, 5E) et comportant des ouvertures (6A, 6B, 6C) des surfaces de connexion (5A, 5B, 5C). Circuit intégré (9) selon l’une quelconque des revendications 7 à 9 dans lequel le premier matériau est un polyimide.