Brevet FR3144399A1 — publié le 20240628

MODULE É LECTRONIQUE DE PUISSANCE MULTI- É TAGES L’invention concerne un module électronique de puissance (1) comprenant : un substrat (10) présentant une première face (10a) et une deuxième face (10b) opposée à la première face ; un premier composant électronique de puissance (11a) disposé sur la première face (10a) du substrat (10) ; un premier capot (15a) disposé sur le premier composant électronique de puissance (11a) ; un deuxième composant électronique de puissance (11b) disposé sur la deuxième face (10b) du substrat (10) ; et un deuxième capot (15b) disposé sur le deuxième composant électronique de puissance (11b) ; un matériau d’encapsulation électriquement isolant (16) enrobant les premier et deuxième composants électroniques de puissance (11a 11b) et s’étendant du substrat (10) jusqu’au premier capot (15a) et du substrat jusqu’au deuxième capot (15b). Figure à publier avec l’abrégé : Figure 1 MODULE ÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE MULTI-ÉTAGES DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION Le domaine technique de l’invention est celui des modules électroniques de puissance. La présente invention concerne plus particulièrement un module électronique de puissance comprenant plusieurs composants électroniques de puissance répartis sur plusieurs niveaux ou étages. ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Les modules électroniques de puissance permettent la mise en œuvre de fonctions de base telles que la commutation, le redressement, la division de tension… Un module de puissance dit « 2D » ou « à étage unique » comprend généralement un ou plusieurs composants électroniques de puissance brasés sur un substrat céramique doté de pistes métalliques. Le substrat céramique est fixé sur une semelle en cuivre qui sert de support mécanique et transfère la chaleur générée par les composants vers un dispositif de refroidissement, typiquement un dissipateur thermique. Les connexions électriques à l’intérieur du module de puissance, entre les composants et les pistes métalliques du substrat, sont en partie assurées par des fils de liaison (fils dits de bonding). Les composants sont enfermés dans un boîtier rempli d’un matériau d’encapsulation. Le matériau d’encapsulation a pour but d’assurer la tenue diélectrique du module de puissance et de protéger les composants des agressions externes (humidité, contamination…). De plus, il renforce l’isolation électrique entre les conducteurs et améliore la tenue aux décharges partielles dues notamment aux défauts des métallisations du substrat céramique. Les composants électroniques de puissance peuvent être des transistors, des thyristors et des diodes. Ces composants sont formés à partir d’un matériau semiconducteur. Les matériaux semiconducteurs à large bande interdite (dits à grand gap), tels que le nitrure de gallium (GaN), l’arséniure de gallium (GaAs), le carbure de silicium (SiC) et le diamant, tendent à remplacer le silicium, du fait de leurs meilleures performances en termes de densité de courant, de fréquence de fonctionnement et de tenue en tension. Il existe aussi des modules électroniques de puissance dits « 3D » ou « multi-étages » comprenant plusieurs composants électroniques répartis sur différents niveaux (aussi appelés « étages »). Les composants électroniques sont typiquement disposés de part et d’autre d’un substrat, voire entre plusieurs substrats empilés. Le fonctionnement d’un module électronique de puissance (à étage unique ou multi-étages) génère des cycles de température pouvant être relativement sévères. Ces cycles de température produisent d’importantes contraintes mécaniques dans le(s) substrat(s) et au niveau des interfaces entre les composants électroniques et le(s) substrat(s). Ces contraintes mécaniques sont à l'origine de multiples modes de défaillance du module électrique de puissance. Le document WO2019/101634A1 décrit un module électronique de puissance multi-étages conçu pour diminuer le risque de défaillance. Ce module électronique de puissance comprend des supports métalliques et des composants électroniques de puissance disposés sur ou entre les supports métalliques. Les supports métalliques sont assemblés entre eux de sorte que le module électronique de puissance présente une forme extérieure générale tubulaire de section circulaire. Les supports ont une section en forme de T, de F ou d’un angle droit. Les supports métalliques, dans lesquels circulent les courants électriques de puissance en provenance ou à destination des composants électroniques, permettent une dissipation efficace de la chaleur, par conduction, convexion et radiation simultanément. Les supports métalliques constituent un substrat dépourvu de couche céramique susceptible d’être fragilisée par les cycles thermiques. Le module électrique de puissance comprend en outre un capot étanche, fabriqué en matière plastique, de forme tubulaire. Ce capot est fixé à une partie des supports métalliques. Les supports métalliques et le capot définissent ensemble un canal intérieur, dans lequel circule un fluide de refroidissement, par exemple un gaz ou un liquide caloporteur. La circulation du fluide de refroidissement dans le canal intérieur permet de refroidir le module. Le fluide de refroidissement assure en outre une isolation électrique du module. Le module électronique de puissance décrit par le document WO2019/101634A1 est cependant difficile à intégrer dans un actionneur électromécanique, tel qu’un moteur électrique, à cause de la circulation du fluide de refroidissement. Il existe donc un besoin de prévoir un module électronique de puissance multi-étages qui présente de bonnes performances en matière d’isolation électrique et qui est facile à intégrer Selon un premier aspect de l’invention, on tend à satisfaire ce besoin en prévoyant un module électronique de puissance comprenant : un substrat présentant une première face et une deuxième face opposée à la première face ; un premier composant électronique de puissance disposé sur la première face du substrat ; un premier capot disposé sur le premier composant électronique de puissance ; un deuxième composant électronique de puissance disposé sur la deuxième face du substrat ; un deuxième capot disposé sur le deuxième composant électronique de puissance ; et un matériau d’encapsulation électriquement isolant enrobant les premier et deuxième composants électroniques de puissance et s’étendant du substrat jusqu’au premier capot et du substrat jusqu’au deuxième capot. Ainsi, le matériau d’encapsulation assure l’isolation électrique entre les composants électroniques de puissance, en même temps qu’il participe à la cohésion du module de puissance, en reliant mécaniquement les capots au substrat. L’intégration du module électronique de puissance, par exemple dans un actionneur électromécanique, est en outre facilité, car celui-ci ne requiert aucune circulation de fluide. Dans un premier mode de réalisation du module électronique de puissance, le premier capot comprend : un premier substrat formé d’un premier matériau céramique électriquement isolant ; et au moins un premier élément conducteur traversant le premier substrat et relié électriquement au premier composant électronique de puissance ; et le deuxième capot comprend : un deuxième substrat formé d’un deuxième matériau céramique électriquement isolant ; et au moins un deuxième élément conducteur traversant le deuxième substrat et relié électriquement au deuxième composant électronique de puissance. Selon un développement de ce premier mode de réalisation, les premier et deuxième substrats sont en nitrure d’aluminium. Dans un deuxième mode de réalisation, les premier et deuxième capots comprennent chacun une couche de métal et une couche électriquement isolante disposée sur une face extérieure de la couche de métal. Le module électronique de puissance peut comprendre en outre : un troisième composant électronique de puissance disposé sur la première face du substrat et enrobé par le matériau d’encapsulation ; et un quatrième composant électronique de puissance disposé sur la deuxième face du substrat et enrobé par le matériau d’encapsulation. Par exemple, le premier composant électronique de puissance est connecté en parallèle du troisième composant électronique de puissance, le deuxième composant électronique de puissance est connecté en parallèle du quatrième composant électronique de puissance, le premier composant électronique de puissance est un transistor, le deuxième composant électronique de puissance est un transistor, le troisième composant électronique de puissance est une diode et le quatrième composant électronique de puissance est une diode. Outre les caractéristiques qui viennent d’être évoquées dans les paragraphes précédents, le module électronique de puissance selon le premier aspect de l’invention peut présenter une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : le matériau d’encapsulation occupe tout l’espace disponible entre le substrat et le premier capot et tout l’espace disponible entre le substrat et le deuxième capot ; le matériau d’encapsulation enrobe en outre une portion intérieure du premier capot et une portion intérieure du deuxième capot ; le substrat est en métal ; le premier composant électronique de puissance comprend une première borne reliée électriquement au substrat et une deuxième borne reliée électriquement à une portion conductrice du premier capot ; le deuxième composant électronique de puissance comprend une première borne reliée électriquement au substrat et une deuxième borne reliée électriquement à une portion conductrice du deuxième capot ; chacun des premier et deuxième composants électroniques de puissance est relié électriquement au substrat par l’intermédiaire d’une piste conductrice et d’un joint conducteur formé d’un matériau fritté, de préférence à base d’argent ; le premier composant électronique de puissance est relié électriquement à la portion conductrice du premier capot par l’intermédiaire d’une piste conductrice et d’un joint conducteur formé du matériau fritté ; et le deuxième composant électronique de puissance est relié électriquement à la portion conductrice du deuxième capot par l’intermédiaire d’une piste conductrice et d’un joint conducteur formé du matériau fritté. Un deuxième aspect de l’invention concerne un actionneur électromécanique comprenant au moins un module électronique de puissance selon le premier aspect de l’invention. L’actionneur électromécanique comprend de préférence un moteur triphasé et un circuit de pilotage et d’alimentation du moteur triphasé, le circuit de pilotage et d’alimentation du moteur triphasé comprenant une pluralité de modules électroniques de puissance selon le premier aspect de l’invention pour générer des courants de phase du moteur triphasé. Chaque module électronique de puissance est avantageusement disposé en regard d’une tête de bobine du moteur triphasé. Un troisième aspect de l’invention concerne un procédé de fabrication d’un module électronique de puissance, comprenant les étapes suivantes : fournir un substrat, un premier capot et un deuxième capot ; fixer un premier composant électronique de puissance sur le premier capot ; fixer un deuxième composant électronique de puissance sur le deuxième capot ; reporter le premier capot sur une première face du substrat et le deuxième capot sur une deuxième face opposée du substrat, de sorte à disposer le premier composant électronique de puissance entre le substrat et le premier capot et le deuxième composant électronique de puissance entre le substrat et le deuxième capot ; et enrober le premier composant électronique de puissance et le deuxième composant électronique de puissance d’un matériau d’encapsulation électriquement isolant, le matériau d’encapsulation s’étendant du substrat jusqu’au premier capot et du substrat jusqu’au deuxième capot. De préférence, le substrat est en aluminium et le procédé comprend en outre, avant l’étape de report des capots, une étape de formation de pistes conductrices à base d’argent sur la première face et la deuxième face du substrat, l’étape de formation des pistes conductrices à base d’argent comprenant les opérations suivantes : dépôt par sérigraphie d’une pâte comprenant des particules d’argent ; séchage de pâte ; et recuit de la pâte à une température supérieure ou égale à 570 °C. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront clairement de la description qui en est donnée ci-dessous, à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux figures annexées, parmi lesquelles : la est une vue en coupe schématique d’un module électronique de puissance selon un premier mode de réalisation ; la est une vue en coupe schématique d’un module électronique de puissance selon un deuxième mode de réalisation ; la est une vue partielle en perspective d’un moteur triphasé dans lequel sont intégrés plusieurs modules électroniques de puissance ; et la est une vue éclatée et schématique d’un module électronique de puissance selon un troisième mode de réalisation ; les figures 5A à 5E représentent schématiquement des étapes d’un procédé de fabrication du module électronique de puissance ; et la représente un diagramme de phase aluminium-argent. Pour plus de clarté, les éléments identiques ou similaires sont repérés par des signes de référence identiques sur l’ensemble des figures. DESCRIPTION DETAILLEE La représente schématiquement un module électronique de puissance 1 selon un premier mode de réalisation. Le module électronique de puissance 1 peut avoir pour fonction de convertir une tension alternative en tension continue (fonction d’un redresseur), convertir une tension continue en tension alternative (onduleur), modifier la valeur efficace d'une tension alternative (gradateur), modifier la valeur moyenne d'une tension continue (hacheur), modifier la fréquence d'une tension alternative (cycloconvertisseur) ou dissiper un courant (résistance active). Le module de puissance 1 comprend un substrat 10 et au moins deux composants électronique de puissance : un premier composant 11a disposé sur une première face 10a du substrat 10 et un deuxième composant 11b disposé sur une deuxième face 10b du substrat 10, opposée à la première face 10a. Ainsi, le module de puissance 1 comprend deux étages de composant, un premier étage comprenant (au moins) le premier composant 11a et un deuxième étage comprenant (au moins) le deuxième composant 11b. Le substrat 10 est de préférence métallique. Il peut être formé d’une seule couche métallique, par exemple en aluminium ou en cuivre, ou de plusieurs couches métalliques empilées et formées de métaux différents. Il présente par exemple la forme d’une plaque rectangulaire. Son épaisseur est de préférence comprise entre 0,2 mm et 2 mm. Il peut présenter des évidements, des bossages (de préférence avec un rapport largeur sur hauteur compris entre 1 et 3) et des surépaisseurs, autrement dit être texturé. Ainsi, ses faces 10a-10b ne sont pas nécessairement planes, comme cela est représenté schématiquement sur la . Elles peuvent en outre être rugueuses et/ou poreuses. Le substrat 10 forme avantageusement un conducteur de puissance qui porte une ou plusieurs sorties électriques du module de puissance 1. Il est capable de conduire un courant électrique élevé, typiquement supérieur à 20 A. Un ou plusieurs conducteurs supplémentaires 12 peuvent être fixés au substrat 10, afin de faciliter la connexion du module de puissance 1 à un ou plusieurs dispositifs électriques (un moteur électrique et un capteur de courant dans l’exemple ci-après). Par exemple, le module de puissance 1 de la comprend deux conducteurs supplémentaires 12 fixés sur deux faces latérales opposées du substrat 10. Ces conducteurs supplémentaires 12 constituent alors des bornes de sortie du module de puissance 1. Chaque conducteur supplémentaire 12 s’étend de préférence perpendiculairement au substrat 10. Le substrat 10 sert ainsi de pont électrique (ou point commun) entre les deux étages de composant. Lors du fonctionnement du module de puissance 1, la température au niveau du substrat 10 est sensiblement constante grâce au fait qu’il soit entièrement métallique. Les variations brusques de température appelées transitoires sont supprimées, ce qui a pour effet de diminuer le bruit (thermique) sur la ou les sorties électriques du module de puissance 1 et d’améliorer la fiabilité d’un point de vue des contraintes thermomécaniques. Le substrat 10 est avantageusement recouvert, sur chacune de ses faces 10a-10b, d’une ou plusieurs pistes électriquement conductrices 13 communément appelées finitions. Ces pistes conductrices 13 sont de préférence constituées d’un matériau conducteur à base d’argent, qui a l’avantage d’être inoxydable. Les premier et deuxième composants 11a-11b sont chacun relié électriquement au substrat 10, de préférence par l’intermédiaire d’une des pistes conductrices 13 et d’un joint conducteur 14 formé de matériau fritté. Le joint conducteur 14 est disposée sur la piste conductrice 13. Le matériau fritté des joints conducteurs 14 est avantageusement à base d’argent ou de cuivre. En particulier, un joint conducteur 14 à base d’argent et une piste conductrice 13 à base du même métal forment une connexion électrique et mécanique de hautes performances, notamment en termes de résistance et de conductivités électrique et thermique. Ce type de connexion supporte notamment des températures de fonctionnement élevées, fréquentes dans les modules électroniques de puissance. Alternativement, les joint conducteurs 14 à base d’argent ou de cuivre sont formés sur des pistes conductrices ou finitions de type ENIG (« Electroless nickel immersion gold ») ou ENEPIG (« Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold »). Le module de puissance 1 comprend en outre : un premier capot 15a disposé sur le premier composant 11a ; un deuxième capot 15b disposé sur le deuxième composant 11b ; et un matériau d’encapsulation 16 enrobant le premier composant 11a (situé entre le substrat 10 et le premier capot 15a) et le deuxième composant 11b (situé entre le substrat 10 et le deuxième capot 15b). Le matériau d’encapsulation 16 s’étend du substrat 10 jusqu’au premier capot 15a et du substrat 10 jusqu’au deuxième capot 15b. Autrement dit, il relie mécaniquement le substrat 10 aux capots 15a-15b et participe à la cohésion du module de puissance 1. Le matériau d’encapsulation 16 est électriquement isolant et assure donc l’isolation électrique entre les composants électroniques du module de puissance 1. Ainsi, l’isolation électrique du module électronique de puissance 1 est indépendante du refroidissement et ne requiert pas la mise en circulation d’un fluide comme dans le module de l’art antérieur, ce qui facilite son intégration. Le matériau d’encapsulation 16 est en outre imperméable aux liquides, aux gaz et aux particules solides (poussières). Ainsi, il protège les composants électroniques de toute contamination. Le matériau d’encapsulation 16 est de préférence un matériau polymère, par exemple un élastomère de silicone, une résine époxy (réticulée), un matériau polymère à cristaux liquides (ou LCP, pour « Liquid crystal polymer » en anglais) ou du parylène. Dans le cas d’une résine époxy, celle-ci est avantageusement chargée en particules conductrices thermiquement pour être dissipatrice de chaleur. Le matériau d’encapsulation 16 remplit de préférence tout l’espace disponible situé entre le substrat 10 et le premier capot 15a et tout l’espace disponible situé entre le substrat 10 et le deuxième capot 15b. Seule la ou les sorties électriques du module de puissance 1 (formée chacune par une extrémité du substrat 10 et/ou un conducteur supplémentaire 12) sont en saillie par rapport au matériau d’encapsulation 16. Le module de puissance 1 est alors compact et étanche, ce qui lui confère une grande résistance. De préférence, la face extérieure des capots 15a-15b n’est pas recouverte par le matériau d’encapsulation 16. Afin de diminuer les risques de décollement des capots 15a-15b, le matériau d’encapsulation 16 peut enrober en outre une portion intérieure du premier capot 15a et une portion intérieure du deuxième capot 15b. Autrement dit, le matériau d’encapsulation 16 s’étend sur une partie au moins des parois latérales des capots 15a-15b. A l’instar du substrat 10, les capots 15a-15b ont de préférence une forme générale parallélépipèdique. Chacun des capots 15a-15b présente avantageusement une épaisseur comprise entre 0,2 mm et 2 mm. Ainsi, le module de puissance 1 est peu encombrant, contrairement au module de puissance de l’art antérieur dont les supports métalliques ont des angles droits. L’épaisseur des capots 15a-15b est de préférence constante ou sensiblement constante (variation d’épaisseur inférieure à 100 µm). De préférence, les capots 15a et 15b sont fabriqués en utilisant le ou les mêmes matériaux et présentent des dimensions identiques, rendant le module de puissance 1 globalement symétrique par rapport au substrat 10. Cette symétrie réduit les contraintes mécaniques au sein du module de puissance 1, notamment les contraintes en flexion (en localisant le plan neutre du module dans le substrat 10). Les premier et deuxième composants 11a-11b sont de préférence des composants actifs, par exemple de type transistor, diode ou thyristor. Ils comprennent au moins deux bornes ou électrodes (non représentées sur la figure). Avantageusement, les premières bornes des premier et deuxième composants 11a-11b sont reliées électriquement au substrat 10, la deuxième borne du premier composant 11a est reliée électriquement à une portion conductrice du premier capot 15a et la deuxième borne du deuxième composant 11b est reliée électriquement à une portion conductrice du deuxième capot 15b. Ainsi, les capots sont fonctionnalisés au sens où ils servent à faire transiter des signaux électriques entre l’extérieur et l’intérieur du module de puissance 1. Le raccordement électrique du module électronique de puissance 1 s’effectue avantageusement sur les faces extérieures des capots 15a-15b et à l’une au moins des extrémités du substrat 10 central, ce qui facilite encore davantage son intégration, notamment dans des dispositifs électriques où l’espace disponible est restreint. Les faces extérieures des capots 15a-15b sont de préférence planes ou sensiblement planes (variation d’épaisseur inférieure à 100 µm). Dans ce premier mode de réalisation, les capots 15a-15b comprennent chacun un substrat 151 en un matériau céramique électriquement isolant et un ou plusieurs éléments électriquement conducteurs 152 traversant le substrat 151. Les éléments conducteurs 152, aussi appelés inserts, sont de préférence hermétiques, c’est-à-dire qu’ils empêchent tout échange de fluide (tel que la vapeur d’eau) entre l’extérieur et l’intérieur du module de puissance 1. Ils servent à conduire des courants électriques entre l’extérieur et l’intérieur du module, à destination ou en provenance des composants électroniques de puissance. Ainsi, au moins un élément conducteur 152 du premier capot 15a est relié électriquement à la deuxième borne du premier composant 11a et au moins un élément conducteur 152 du deuxième capot 15b est relié électriquement à la deuxième borne du deuxième composant 11b. Les composants 11a-11b sont avantageusement reliés aux éléments conducteurs 152 des capots 15a-15b de la même manière qu’au substrat 10, par l’intermédiaire de pistes conductrices 13 (ici disposées sur les faces intérieures des capots 15a-15b) et de joints conducteurs 14. Les éléments conducteurs 152 peuvent également servir à dissiper la chaleur générée par les composants 11a-11b (éléments conducteurs électriquement et thermiquement). Les éléments conducteurs 152 peuvent notamment être des via ou des dissipateurs thermiques. Ils sont de préférence formés d’un ou plusieurs métaux, par exemple choisis parmi le cuivre, l’aluminium, le tungstène, l’or, le titane, l’argent, le palladium et leurs alliages. Les substrats 151 des capots 15a-15b sont de préférence formés d’un même matériau céramique, par exemple du nitrure d’aluminium (AlN), de l’oxyde d’aluminium (Al 2 O 3 ), du carbure de silicium (SiC), de l’aluminium-carbure de silicium (AlSiC) ou du nitrure de silicium (Si 3 N 4 ). Le nitrure d’aluminium est particulièrement avantageux, car il présente une conductivité thermique élevée, une forte résistivité électrique et peut intégrer facilement des inserts hermétiques. Comparativement aux métaux, il présente en outre un coefficient de dilatation thermique plus proche de celui des matériaux semi-conducteurs constituant la base des composants 11a-11b. Des capots 15a-15b comprenant du nitrure d’aluminium présentent donc l’avantage de réduire considérablement les contraintes thermomécaniques au sein du module de puissance 1. Comme cela est représenté par la , le module de puissance 1 peut comprendre plus de deux composants électroniques de puissance, par exemple deux par étage, soit quatre au total. Le module de puissance 1 peut ainsi comprendre : un troisième composant 11c disposé sur la première face 10a du substrat 10 et enrobé par le matériau d’encapsulation 16 ; un quatrième composant 11d disposé sur la deuxième face 10b du substrat 10 et enrobé par le matériau d’encapsulation 16. A l’instar des premier et deuxième composants 11a-11b, chacun des troisième et quatrième composants 11c-11d est relié au substrat 10 et à au moins un élément conducteur 152 des capots 15a-15b, de préférence par l’intermédiaire d’une piste conductrice 13 et d’un joint conducteur 14 en matériau fritté. Le module électronique de puissance 1 peut être (aisément) intégré à un actionneur électromécanique. A titre d’exemple, l’actionneur électromécanique comprend un moteur triphasé et un circuit d’alimentation et de pilotage du moteur triphasé. Ce circuit électrique comprend une pluralité de modules de puissance 1, de préférence autant de modules de puissance 1 que le moteur triphasé comprend d’inductances ou bobines. Chaque module de puissance 1 sert à alimenter le moteur, en générant l’un des courants de phase du moteur. La représente une partie du moteur triphasé 40. Seules trois bobines sont représentées et l’arbre du moteur a été volontairement omis. Les modules de puissance 1 sont avantageusement disposés à l’intérieur du moteur 40, de préférence en regard des têtes de bobine 41 du moteur 40 (un module par bobine). Dans cet exemple d’application, le module de puissance 1 est dans une configuration à quatre composants. Les composants 11a-11d sont reliés en eux de manière à former un bras de pont d’un montage onduleur. Le premier composant 11a est un transistor (de préférence un transistor à effet de champ à grille métal-oxyde, ou MOSFET, ou un transistor bipolaire à grille isolée, ou IGBT), le deuxième composant 11b est un transistor (de préférence MOSFET ou IGBT), le troisième composant 11c est une diode et le quatrième composant 11d est une diode. De nouveau en référence à la , le premier composant 11a (transistor) et le troisième composant 11c (diode) sont connectés en parallèle, entre une tension d’alimentation positive V+, portée par un élément conducteur 152 du premier capot 15a (par exemple un dissipateur thermique en alliage cuivre-tungstène), et une première sortie électrique V S du module de puissance 1, portée par le substrat 10. Le deuxième composant 11b (transistor) et le quatrième composant 11d (diode) sont connectés en parallèle, entre une tension d’alimentation négative V-, portée par un élément conducteur 152 du deuxième capot 15b (par exemple un dissipateur thermique en alliage cuivre-tungstène), et la sortie électrique V S du module de puissance 1. Un premier signal de commande G1 est acheminé jusqu’à l’électrode de grille du transistor 11a, ici par l’intermédiaire d’un via 152 (par exemple en tungstène) traversant le premier capot 15a, d’un joint conducteur 14 de matériau fritté et d’une piste conductrice 13 disposée sur la première face 10a du substrat 10 mais isolée électriquement de celui-ci par une première couche diélectrique 18. De manière similaire, un deuxième signal de commande G2 est acheminé jusqu’à l’électrode de grille du transistor 11b, ici par l’intermédiaire d’un via 152 (par exemple en tungstène) traversant le deuxième capot 15b et d’une piste conductrice 13 disposée sur la face intérieure du deuxième capot 15b (éventuellement recouverte d’une deuxième couche diélectrique 18 pour soulager le matériau d’encapsulation 16). Le module de puissance 1 comprend une deuxième sortie électrique V H all , portée par le substrat 10 et reliée à un capteur de courant, par exemple à effet Hall. Ce capteur de courant mesure le courant de phase délivré au moteur. Ainsi, le module de puissance 1 est dans cet exemple un bras de pont d’un onduleur intégrant une mesure du courant. La représente un module électronique de puissance 1 selon un deuxième mode de réalisation. Ce deuxième mode de réalisation diffère du premier mode de réalisation essentiellement dans la constitution des capots 15-15b. Ici, les capots 15-15b comprennent chacun une couche de métal 153 plutôt qu’un substrat céramique. Avantageusement, ils comprennent en outre une couche électriquement isolante 154 disposée sur la face extérieure de la couche de métal 153. Les couches isolantes 154 limitent les décharges partielles entre les couches de métal 153 des capots 15a-15b et des pièces conductrices avoisinantes, par exemple celles du moteur dans lequel est intégré le module de puissance 1. Elles sont par exemple en AlN et ont une épaisseur de 100 µm. La couche de métal 153 du premier capot 15a et la couche de métal 153 du deuxième capot 15b portent respectivement la tension d’alimentation positive V+ et la tension d’alimentation négative V-. La couche isolante 154 recouvre entièrement la face extérieure de la couche de métal 153, à l’exception d’une portion nécessaire à la prise de contact électrique. Le signal de commande G1 du transistor 11a est ici acheminé par une tringle métallique 19 traversant le matériau d’encapsulation 16 depuis une face latérale du module de puissance 1 et par une piste conductrice 13, disposée sur le substrat 10 et séparée du substrat 10 par une première couche diélectrique 18. Le signal de commande G2 du transistor 11b est ici acheminé par une tringle métallique 19 traversant le matériau d’encapsulation 16 depuis une face latérale (de préférence opposée) du module de puissance 1 et par une piste conductrice 13, déposée sur la face intérieure du deuxième capot 15b et séparée de la couche de métal 153 de ce même capot par une deuxième couche diélectrique 18. La représente schématiquement un troisième mode de réalisation du module de puissance 1. Dans ce troisième mode de réalisation, le module de puissance 1 comprend trois substrats 10 métalliques, disposés entre le premier capot 15a et le deuxième capot 15b. Chaque substrat 10 porte deux composants électroniques de puissance 11a-11b, 11c-11d, 11e-11f, un composant par face, et comprend une sortie électrique V1, V2, V3. Le module de puissance comporte donc ici trois composants par étage, soit six au total. Les substrats 10 et les composants 11a-11f sont tous enrobés du matériau d’encapsulation (non représenté). Le matériau d’encapsulation peut également enrober les capots 15a-15b, à l’exception d’une portion en saillie pour le contact électrique. Les capots 15a-15b comprennent chacun une couche métallique qui relient électriquement tous les composants de l’étage (comme dans le deuxième mode de réalisation). Le premier capot 15a porte ici tension d’alimentation positive V+ et le deuxième capot 15b porte la tension d’alimentation négative V-. Les six composants 11a à 11f sont par exemple des diodes, connectées deux à deux en série. Les trois couples de diodes sont connectés en parallèle entre la tension d’alimentation positive V+ et la tension d’alimentation négative V-. Le module de puissance 1 forme ainsi un pont redresseur triphasé et peut être couplé à un moteur triphasé. Le module de puissance 1 n’est pas limité aux modes de réalisations décrits en relation avec les figures 1, 2 et 4. En particulier, chaque étage de composants peut comporter plusieurs (deux ou plus) composants électroniques de puissance (de préférence de type transistor, diode ou thyristor) connectés en parallèle ou en série. Les figures 5A à 5E représentent schématiquement des étapes S1 à S5 d’un procédé de fabrication du module de puissance 1. La première étape S1 de ce procédé de fabrication, illustrée par la , consiste à fournir le substrat 10 et les capots 15a-15b, en prévision du report des composants électronique de puissance (étape S2 et S3 ; Figs.5B-5C) et de leur encapsulation (étapes S4 et S5 ; Figs.5D-5E). Le procédé de fabrication peut comprendre en outre la formation d’une ou plusieurs pistes conductrices 13 sur chacune des faces 10a-10b du substrat 10 et le dépôt d’une ou plusieurs couches diélectriques 18, sur une ou les deux faces 10a-10b. La fourniture du premier capot 15a ou du deuxième capot 15b peut comprendre, dans le cas du module de puissance 1 selon le premier mode de réalisation (cf. Figs.1 & 5A), les opérations suivantes : la fourniture d’un substrat céramique 151 ; et la formation d’un ou plusieurs éléments conducteurs 152 (ou inserts) dans le substrat céramique 151, par exemple en créant des cavités et en les remplissant de métal. Le procédé de fabrication peut comprendre ensuite la formation d’une ou plusieurs pistes conductrices 13 sur la face intérieure du capot 15a, 15b, et le dépôt d’une ou plusieurs couches diélectriques 18 sur cette même face intérieure. Les pistes conductrices 13 sont par exemple formées par sérigraphie, séchage et recuit d’une pâte d’argent, telle que celle commercialisée par la société Dupont™ sous la référence AS300. Les couches diélectriques 18 peuvent également être formées de cette façon, en utilisant une pâte diélectrique telle que celle commercialisée par la société Dupont™ sous la référence AS100. La pâte d’argent, parfois appelée « encre », comprend des particules d’argent dispersées dans une matrice comprenant de préférence un oxyde métallique, par exemple de l’oxyde d'aluminium (Al 2 O 3 ). Par défaut, la tenue de pistes conductrices 13 en argent sur un substrat 10 ou une couche de métal 153 (capots 15a-15b) en aluminium est mauvaise, en raison de la présence en surface d’une couche d’oxyde natif (Al 2 O 3 ) qui forme une couche barrière. Pour y remédier, il est possible de dissoudre cette couche d’oxyde natif (et donc de désoxyder la surface) avant le dépôt de la pâte d’argent, par exemple en y déposant un zincate. Dans un mode de mise en œuvre préférentiel du procédé de fabrication, le recuit de la pâte d’argent est réalisé à une température supérieure ou égale à 570 °C (plutôt qu’à 450 °C selon les recommandations du fabricant pour la pâte AS300). Le diagramme de phase de la montre qu’à 567 °C et au-delà, le recuit forme un alliage eutectique d’aluminium-argent, plutôt qu’un alliage intermétallique (entre 425 °C et 567 °C). Or on estime que la tenue de l’alliage eutectique est quatre fois supérieure à celle de l’alliage intermétallique tout en étant plus stable dans le temps, au moins en arrachement. En outre, un recuit à une telle température casse la couche barrière en oxyde d’aluminium. Il n’est donc pas nécessaire d’accomplir une étape de désoxydation au préalable. La durée du recuit est de préférence comprise entre 30 min et 300 min. L’étape S2 de la comprend la fixation du premier composant 11a sur la face intérieure du premier capot 15a, et plus particulièrement sur une piste conductrice 13. La fixation du premier composant 11a comprend de préférence la formation d’une première couche 21a en un matériau de frittage sur le premier capot 15a, le dépôt du premier composant 11a sur la première couche 21a et le séchage du matériau de frittage. Le premier composant 11a sera ainsi être connecté au premier capot 15a par un joint de matériau fritté plutôt que par une soudure ou une brasure. Le séchage du matériau de frittage est par exemple réalisé par chauffage à 150 °C pendant 40 min. L’étape S2 peut également comprendre la formation d’une deuxième couche 22a constituée du matériau de frittage sur le premier composant 11a, pour connecter ultérieurement le premier composant 11a au substrat 10 par un joint de matériau fritté. Alternativement, la deuxième couche 22a en matériau de frittage est déposée sur le substrat 10. Le matériau de frittage se présente sous la forme d’une pâte comprenant des particules métalliques, de préférence en argent, et un ou plusieurs éléments organiques ayant pour but de donner une cohésion à la pâte et permettre son application par sérigraphie (liant) et/ou de séparer les particules et les empêcher de fritter avant qu’on ne le veuille (dispersant). Ces éléments organiques sont éliminés en grande partie lors de l’opération de séchage. La pâte de frittage peut également comprendre des additifs pour accélérer le frittage (ultérieur) des particules. Les éventuels autres composants électroniques de puissance appartenant au même étage de composants, tel que le troisième composant 11c, sont de préférence fixés au premier capot 25a de la même façon que le premier composant 11a. De la même façon, l’étape S3 de la comprend le fixation du deuxième composant 11b sur la face intérieure du deuxième capot 15b (et plus particulièrement sur une piste conductrice 13). La fixation du deuxième composant 11b comprend de préférence la formation d’une troisième couche 21b constituée du matériau de frittage sur le deuxième capot 15b, le dépôt du deuxième composant 11b sur la troisième couche 21b et le séchage du matériau de frittage de la troisième couche 21b. L’étape S3 peut également comprend la formation d’une quatrième couche 22b en matériau de frittage sur le deuxième composant 11b, pour connecter ultérieurement le deuxième composant 11b au substrat 10 par un joint de matériau fritté. Alternativement, la quatrième couche 22b en matériau de frittage est déposée sur le substrat 10. Les éventuels autres composants électroniques de puissance appartenant au même étage de composants, tel que le quatrième composant 11d, sont de préférence fixés au deuxième capot 25b de la même façon que le deuxième composant 11a. Avant le dépôt du matériau de frittage, un traitement par plasma Ar/H 2 peut être réalisé afin de nettoyer le substrat de ses pollutions organiques éventuelles, de le désoxyder, de le texturer avec une rugosité moyenne arithmétique (notée Ra) recherchée entre 0,2 et 0,8 et d’activer la surface avant frittage. Lors d’une étape S4 représentée par la , le premier capot 15a est reporté sur la première face 10a du substrat 10, face intérieure en regard de la première face 10a, et le deuxième capot 15b est reporté sur la deuxième face 10b du substrat 10, face intérieure en regard de la deuxième face 10b. Les reports sont par exemple réalisés au moyen d’un équipement de type « flip-chip » couramment employé dans l’industrie microélectronique. Le matériau de frittage est ensuite fritté pour former les joints conducteurs 14 entre les composants 11a-11d et le substrat 10 et entre les composants 11a-11d et les capots 15a-15b. Le frittage peut être réalisé sous vide partiel ou sous air (pas d’oxydation des pistes conductrices en argent). L’air peut servir à éliminer (calciner) le reste des éléments organiques dans la pâte de frittage. Le frittage peut être réalisé sous pression, au moyen d’une presse chauffante, selon des profils de température et de pression prédéterminés, par exemple selon le procédé décrit dans la demande internationale WO2022/200749A2. La presse chauffante comprend de préférence un bras chauffant et un support, sur lequel est disposé l’assemblage substrat-composants-capots. De préférence, l’étape de frittage S5 comprend les phases suivantes : une première phase dite de fluage, au cours de laquelle le support et le bras sont portés à une température de fluage comprise entre 165 °C et 175 °C et sont maintenus à cette température pendant une durée comprise entre 30 s et 60 s, et au cours de laquelle une pression constante comprise entre 0,5 MPa et 1 MPa est appliquée pendant une durée comprise entre 15 s et 30 s après une montée d’environ 40 s ; une deuxième phase dite de frittage d’une durée comprise entre 60 s et 400 s, pendant laquelle les températures du bras et du support sont maintenues constantes entre 205 °C et 255 °C et une pression comprise entre 10 MPa et 30 MPa est appliquée ; une troisième phase dite de consolidation et de refroidissement, pendant laquelle la température diminue (par exemple jusqu’à revenir à la température ambiante) tout en maintenant la pression appliquée lors de la deuxième phase. La durée de la troisième phase est par exemple comprise entre 1 minute et 10 minutes. Alternativement, le frittage est réalisé sans pression, par exemple selon le procédé décrit dans la demande WO2017/046266A1. Les conducteurs supplémentaires 12 peuvent être fixés au substrat 10, avant ou après l’opération de frittage. Enfin, l’étape S5 de la est une étape d’encapsulation du module de puissance, consistant à enrober au moins les composants 11a-11d du matériau d’encapsulation 16, du substrat 10 jusqu’aux capots 15a-15b. L’étape d’encapsulation S5 peut comprendre l’injection d’une résine dans un moule, dans lequel est placé l’assemblage substrat-composants-capots, et une étape de réticulation de la résine. Le procédé de fabrication décrit en relation avec les figures 5A à 5E est simple à mettre en œuvre, car les étapes S2 et S3 sont des étapes d’assemblage dites « 2D » qui peuvent être réalisées sur panneaux, en parallèle l’une de l’autre (autrement dit simultanément), contrairement à l’étape S4 de report des capots 15a-15b et l’étape d’encapsulation S5 (étapes d’assemblage « 3D »). De même, les étapes de formation des pistes conductrices 13 et des couches diélectriques 18 sur le substrat 10 et les capots 15a-15b peuvent être réalisées en parallèle. Module électronique de puissance (1) comprenant : un substrat (10) présentant une première face (10a) et une deuxième face (10b) opposée à la première face ; un premier composant électronique de puissance (11a) disposé sur la première face (10a) du substrat (10) ; un premier capot (15a) disposé sur le premier composant électronique de puissance (11a) ; un deuxième composant électronique de puissance (11b) disposé sur la deuxième face (10b) du substrat (10) ; et un deuxième capot (15b) disposé sur le deuxième composant électronique de puissance (11b) ; caractérisé en ce qu’il comprend en outre un matériau d’encapsulation électriquement isolant (16) enrobant les premier et deuxième composants électroniques de puissance (11a 11b) et s’étendant du substrat (10) jusqu’au premier capot (15a) et du substrat jusqu’au deuxième capot (15b). Module (1) selon la revendication 1, dans lequel le matériau d’encapsulation occupe tout l’espace disponible entre le substrat (10) et le premier capot (15a) et tout l’espace disponible entre le substrat (10) et le deuxième capot (15a). Module (1) selon l’une des revendications 1 et 2, dans lequel le matériau d’encapsulation enrobe en outre une portion intérieure du premier capot (15a) et une portion intérieure du deuxième capot (15b). Module (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel : le substrat (10) est en métal ; le premier composant électronique de puissance (11a) comprend une première borne reliée électriquement au substrat (10) et une deuxième borne reliée électriquement à une portion conductrice (152, 153) du premier capot (15a) ; le deuxième composant électronique de puissance (11b) comprend une première borne reliée électriquement au substrat (10) et une deuxième borne reliée électriquement à une portion conductrice (152, 153) du deuxième capot (15b). Module (1) selon la revendication 4, dans lequel chacun des premier et deuxième composants électroniques de puissance (11a, 11b) est relié électriquement au substrat (10) par l’intermédiaire d’une piste conductrice (13) et d’un joint conducteur (14) formé d’un matériau fritté. Module (1) selon la revendication 5, dans lequel : le premier composant électronique de puissance (11a) est relié électriquement à la portion conductrice (152, 153) du premier capot (15a) par l’intermédiaire d’une piste conductrice (13) et d’un joint conducteur (14) formé du matériau fritté ; le deuxième composant électronique de puissance (11b) est relié électriquement à la portion conductrice (152, 153) du deuxième capot (15b) par l’intermédiaire d’une piste conductrice (13) et d’un joint conducteur (14) formé du matériau fritté. Module (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le premier capot (15a) comprend : une premier substrat (151) formé d’un premier matériau céramique électriquement isolant ; et au moins un premier élément conducteur (152) traversant le premier substrat (151) et relié électriquement au premier composant électronique de puissance (11) ; et dans lequel le deuxième capot (15b) comprend : un deuxième substrat (151) formé d’un deuxième matériau céramique électriquement isolant ; et au moins un deuxième élément conducteur (152) traversant le deuxième substrat (151) et relié électriquement au deuxième composant électronique de puissance (11b). Module (1) selon la revendication 7, dans lequel les premier et deuxième substrats (151) sont en nitrure d’aluminium. Module (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel les premier et deuxième capots (15a, 15b) comprennent chacun une couche de métal (153) et une couche électriquement isolante (154) disposée sur une face extérieure de la couche de métal (153). Actionneur électromécanique comprenant au moins un module électronique de puissance (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9. Actionneur selon la revendication 10, comprenant un moteur triphasé (40) et un circuit de pilotage et d’alimentation du moteur triphasé, le circuit de pilotage et d’alimentation du moteur triphasé comprenant une pluralité de modules électroniques de puissance (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7 pour générer des courants de phase du moteur triphasé (40). Actionneur selon la revendication 11, dans lequel chaque module électronique de puissance (1) est disposé en regard d’une tête de bobine (41) du moteur triphasé (40). Procédé de fabrication d’un module électronique (1), comprenant les étapes suivantes : fournir (S1) un substrat (10), un premier capot (15a) et un deuxième capot (15b) ; fixer (S2) un premier composant électronique de puissance (11a) sur le premier capot (15a) ; fixer (S3) un deuxième composant électronique de puissance (11b) sur le deuxième capot (15b) ; reporter (S4) le premier capot (15a) sur une première face (10a) du substrat (10) et le deuxième capot (15b) sur une deuxième face (10b) opposée du substrat, de sorte à disposer le premier composant électronique de puissance (11a) entre le substrat (10) et le premier capot (15a) et le deuxième composant électronique de puissance (11b) entre le substrat (10) et le deuxième capot (15b) ; et enrober (S5) le premier composant électronique de puissance (11a) et le deuxième composant électronique de puissance (11b) d’un matériau d’encapsulation électriquement isolant (16), le matériau d’encapsulation s’étendant du substrat (10) jusqu’au premier capot (15a) et du substrat jusqu’au deuxième capot (15b). Procédé selon la revendication 13, dans lequel le substrat (10) est en aluminium, le procédé comprenant en outre, avant l’étape (S4) de report des capots (15a, 15b), une étape de formation de pistes conductrices (13) à base d’argent sur la première face (10a) et sur la deuxième face (10b) du substrat (10), l’étape de formation des pistes conductrices à base d’argent comprenant les opérations suivantes : dépôt par sérigraphie d’une pâte comprenant des particules d’argent ; séchage de pâte ; et recuit de la pâte à une température supérieure ou égale à 570 °C.