Brevet FR3141765A1 — publié le 20240510

L’invention concerne un détecteur infrarouge comprenant une matrice (11) de détecteurs élémentaires (14) formant les pixels d’une image infrarouge ; – chaque détecteur élémentaire (14) étant monté en suspension sur deux clous d’ancrage (21) avec au moins un clou d’ancrage (21) partagé avec un autre détecteur élémentaire (14) ; – les détecteurs élémentaires (14) étant agencés en colonnes (Co1-Co3) avec, en pieds de chaque colonne (Co1-Co3), un circuit de lecture dédié à ladite colonne (Co1-Co3) ; et – des moyens d’adressage permettant de connecter successivement l’ensemble des détecteurs élémentaires (14) d’une colonne (Co1-Co3) au circuit de lecture associé à ladite colonne (Co1-Co3) ; – les colonnes (Co1-Co3) étant formées par un alignement d’une seule rangée de clous d’ancrage (21), les pixels (17) de deux colonnes (Co1-Co3) consécutives étant placés en quinconce. Figure pour l’abrégé : Fig 9 DETECTEUR INFRAROUGE MULTISPECTRAL La présente invention a trait au domaine de la détection de rayonnements électromagnétiques et, plus précisément, à la détection de rayonnements infrarouges. L’invention concerne plus spécifiquement la problématique de la détection multispectrale, c’est-à-dire la détection de plusieurs gammes de longueurs d’onde distinctes dans la gamme de longueurs d’onde de l’imagerie thermique, c’est-à-dire la gamme entre 8 et 14 micromètres. En croisant les informations résultant de la détection dans plusieurs gammes de longueurs d’onde, l’invention vise à obtenir la température absolue des objets d’intérêts d’une image infrarouge. Ainsi, l’invention peut être mise en œuvre dans de nombreux domaines pour lesquels les images infrarouges sont actuellement utilisées, tels que les domaines de l’aérospatial, de la sécurité, du transport, de la thermographie, de l’inspection industrielle, de l’inspection de bâtiments, du loisir, de la santé… Etat de la technique Dans le domaine des détecteurs mis en œuvre pour l’imagerie infrarouge, il est connu d’utiliser des dispositifs agencés sous forme matricielle, susceptibles de fonctionner à température ambiante, c’est-à-dire ne nécessitant pas de refroidissement à de très basses températures, contrairement aux dispositifs de détection appelés "détecteurs quantiques" qui eux, nécessitent un fonctionnement à très basse température. Ces détecteurs utilisent traditionnellement la variation d’une grandeur physique d’un matériau ou assemblage de matériaux approprié(s) en fonction de la température, au voisinage de 300K. Dans le cas particulier des détecteurs micro-bolométriques, les plus couramment utilisés, cette grandeur physique est la résistivité électrique, mais d’autres grandeurs peuvent être exploitées, telle la constante diélectrique, la polarisation, la dilatation thermique, l’indice de réfraction, etc. Un tel détecteur non refroidi associe généralement : – des moyens d’absorption du rayonnement thermique et de conversion de celui-ci en chaleur ; – des moyens d’isolation thermique du détecteur, de telle sorte à permettre à celui-ci de s’échauffer sous l’action du rayonnement thermique ; – des moyens de thermométrie qui, dans le cadre d’un détecteur micro-bolométrique, mettent en œuvre un élément résistif dont la résistance varie avec la température ; – et des moyens de lecture des signaux électriques fournis par les moyens de thermométrie. Tel qu’illustré sur la de l’état de la technique, les détecteurs destinés à l’imagerie thermique, ou infrarouge, sont classiquement réalisés sous la forme d’une matrice 110 de détecteurs élémentaires 140 , formant des points d’image ou pixels 170 , selon une ou deux dimensions. Pour garantir l’isolation thermique des détecteurs élémentaires 140 , ces derniers sont suspendus au-dessus d’un substrat via des bras de soutien 19 . Plus précisément, un détecteur élémentaire 140 est constitué d’une membrane 18 intégrant un matériau thermo-résistif qui réalise une transduction des rayonnements infrarouges, formant les moyens de thermométrie. Cette membrane 18 est maintenue en suspension fixe au-dessus du substrat par les bras de soutien 19 , dont une première extrémité est fixée sur la membrane 18 et une seconde extrémité est fixée sur des clous d’ancrage 21 . La mesure de la résistance électrique du matériau thermo-résistif de la membrane 18 est assurée notamment par deux électrodes, par exemple métalliques, s’étendant sous le matériau thermométrique et dans les bras de soutien, ces électrodes étant en contact électrique avec les clous d’ancrage 21 . Pour obtenir la densité d’intégration souhaitée des détecteurs élémentaires 140 , il est classique de partager les clous d’ancrage 21 de deux détecteurs élémentaires 140 consécutifs. Par ailleurs, chaque détecteur élémentaire 140 peut être monté en suspension sur deux ou quatre clous d’ancrage 21 . L’architecture permettant d’obtenir la plus grande densité d’intégration est l’architecture dite « un clou » illustrée sur la , dans laquelle chaque détecteur élémentaire 140 est monté sur deux clous d’ancrage 21 partagés. Ainsi, chaque détecteur élémentaire 140 utilise deux fois un demi-clou, soit un clou d’ancrage 21 . Ce partage de clous d’ancrage 21 n’est possible que lorsque les détecteurs élémentaires 140 d’une même colonne sont lus consécutivement, tandis que ceux d’une même ligne sont lus simultanément. Cela permet de connecter ensemble les détecteurs d’une même colonne puisqu’ils ne sont pas polarisés et lus simultanément. Pour ce faire, les détecteurs élémentaires 140 sont classiquement alignés sur un axe horizontal A1 définissant la base des colonnes et sur un axe vertical A2 définissant la hauteur des colonnes. En pratique, pour pouvoir partager les clous d’ancrage 21 , la connexion des détecteurs élémentaires 140 à ses clous d’ancrage 21 est réalisée dans deux coins opposés du détecteur élémentaire 140 , c’est-à-dire selon une diagonale dudit détecteur formée entre deux clous d’ancrage 21 . Ainsi, tel qu’illustré sur le schéma électrique équivalent de la , une colonne de détecteurs élémentaires 140 est formée par deux rangées de clous d’ancrage 21 avec des détecteurs élémentaires 140 connectés en zigzag sur les clous d’ancrage 21 ; c’est-à-dire qu’il existe une symétrie miroir entre deux détecteurs élémentaires 140 placés l’un en dessous de l’autre sur une colonne. Par ailleurs, ces clous d’ancrage 21 s’étendent depuis le plan de la membrane 18 jusqu’au substrat pour former les pôles de chaque détecteur élémentaire 140 , c’est-à-dire les points entres lesquels la résistance électrique de chaque détecteur élémentaire 140 peut être mesurée. Pour effectuer une telle lecture, le substrat comporte usuellement des moyens d’adressage séquentiel 150 des détecteurs élémentaires 140 . Dans l’exemple de la , la résistance R bol du détecteur élémentaire 140 de la première ligne et de la première colonne est mesurée entre les clous C1 et C2 en connectant les moyens d’adressage séquentiel 150 au clou C1 d’une part et au clou C2 d’autre part. Le substrat comporte également des moyens d’excitation électrique et de pré-traitement des signaux électriques générés à partir de ces détecteurs élémentaires 140 . Ces moyens, généralement intégrés au substrat, sont communément désignés par l’expression « circuit de lecture ». La illustre un circuit de lecture 16 associé à des moyens d’adressage séquentiel 150 permettant de sélectionner consécutivement les différents détecteurs élémentaires 140 d’une même colonne. Pour ce faire, un détecteur élémentaire 140 est préalablement polarisé à une tension Vpol par le biais d’un transistor FID . Le courant circulant à travers le transistor FID et le détecteur élémentaire 140 est fixé en amont par une branche d’ébasage comprenant un détecteur élémentaire aveugle et un transistor GSK alimentés par une tension V SK . Le circuit de lecture 16 comporte également un intégrateur de type CTIA, pour l’expression anglo-saxonne « Capacitive Trans Impedance Amplifier », comportant un amplificateur opérationnel et un condensateur Cint . Grace à la branche d’ébasage, seules les variations de courant provoquées par les rayonnements infrarouges issus de la scène sont intégrées dans le CTIA. Ainsi, le courant de repos du détecteur élémentaire 140 n’est pas intégré par le CTIA. Pour des raisons d’occupation de l’espace, le CTIA, le condensateur Cint , la ligne d’ébasage et le transistor FID sont communs à tous les pixels d’une colonne et ces éléments sont localisés classiquement en pied de chaque colonne. Pour obtenir une scène par l’intermédiaire de ces détecteurs, celle-ci est captée à travers une optique adaptée sur la matrice de détecteurs élémentaires 140 , et des stimuli électriques cadencés sont appliqués par l’intermédiaire du circuit de lecture 16 à chacun des détecteurs élémentaires 140 , ou à chaque rangée de tels détecteurs, afin d’obtenir un signal électrique constituant l’image de la température atteinte par chacun desdits détecteurs élémentaires 140 . Ce signal est traité de manière plus ou moins élaborée par le circuit de lecture 16 , puis éventuellement par un dispositif électronique extérieur au boîtier, afin de générer un réseau de pixels 170 agencés en lignes et en colonnes Co1 , Co2 , Co3 , Co4 , Co5 , tel qu’illustré sur la . De manière plus globale, l’ensemble de ces pixels 170 forment une image infrarouge 130 de la scène observée, tel qu’illustrée sur la . Sur cette image infrarouge 130 , la température d’un objet d’intérêt peut être estimée en connaissant la température d’un objet de référence de l’image et en recherchant la différence de signal mesurée par le détecteur entre l’objet de référence et celle de l’objet d’intérêt, en faisant l’approximation que les deux objets présentent la même émissivité. Ainsi, il est possible d’utiliser une image infrarouge 130 pour obtenir une mesure de la température relative d’un objet d’intérêt. Il est cependant recherché depuis longtemps d’obtenir une mesure de la température absolue des objets d’une scène captée par une image infrarouge, c’est-à-dire de mesurer la température d’objets d’intérêts sont avoir à connaitre la température d’un objet de référence. Pour ce faire, il est recherché d’obtenir plusieurs mesures de responsivité distinctes sur un même point d’une image infrarouge, par exemple avec plusieurs détecteurs élémentaires 140 sensibles dans des bandes spectrales différentes. A partir de plusieurs mesures de responsivité distinctes, il est possible de déterminer la température absolue, c’est-à-dire une mesure de la température d’un objet d’intérêt sans utiliser d’objet de référence. La responsivité d’un détecteur élémentaire 140 obtenue par le circuit de lecture 16 est définie selon l’équation suivante : Dans cette équation, le paramètre Rth décrit la résistance thermique du détecteur élémentaire 140 , le paramètre Rbol décrit la résistance électrique mesurée entre les pôles, et le paramètre TCR est relatif au matériau du détecteur élémentaire 140 . Ces paramètres sont donc figés lors de la réalisation des détecteurs élémentaires 140 . Pour obtenir des détecteurs élémentaires 140 avec des responsivités distinctes, il serait donc possible de modifier structurellement la forme ou la nature de la membrane de plusieurs détecteurs élémentaires 140 juxtaposés. Cependant, les différents détecteurs élémentaires 140 d’une matrice 110 sont classiquement réalisés simultanément et la réalisation différenciée de plusieurs détecteurs élémentaires 140 complexifierait grandement le procédé de réalisation. Par exemple, augmenter paramètre Rth ou le paramètre TCR sur certains détecteurs élémentaires 140 pour en augmenter la responsivité n’est pas envisageable, car ces paramètres sont déjà maximisés autant que le permettent les moyens disponibles. La puissance infrarouge PIR illustre la puissance infrarouge reçue par le détecteur élémentaire 140 . Une autre solution pour obtenir des responsivités distinctes serait donc de modifier la puissance infrarouge transmisse à plusieurs détecteurs élémentaires 140 juxtaposés. Cette solution nécessiterait de modifier la fenêtre optique classiquement positionnée au-dessus des détecteurs élémentaires 140 en personnalisant la fenêtre optique à chaque détecteur élémentaire 140 . Cette solution n’est pas non plus facilement réalisable, car la fenêtre optique est classiquement commune à l’ensemble des détecteurs élémentaires 140 et cette solution poserait des problèmes d’alignement de la fenêtre optique avec les détecteurs élémentaires 140 . Les paramètres Vpol , Tint et Cint sont liés au circuit de lecture 16 . En utilisant un même circuit de lecture pour une colonne, il semble difficile de modifier dynamiquement la tension de polarisation Vpol , ou le temps d’intégration Tint ; et impossible de changer le condensateur d’intégration Cint pour ajuster la responsivité des différents pixels de ladite colonne. Au regard de ces contraintes, l’homme du métier pourrait éventuellement obtenir des responsivités distinctes en utilisant des circuits de lecture distincts entre deux colonnes consécutives et en regroupant par colonnes les responsivités d’un même type, c’est-à-dire les détecteurs élémentaires 140 dont les circuits de lecture 16 sont configurés pour capter des responsivités distinctes. Pour ce faire, la tension de polarisation Vpol ou, plus simplement, la capacité du condensateur Cint peuvent varier d’une colonne à l’autre. Ce mode de réalisation est illustré sur la . Il est à noter que ce mode de réalisation n’illustre pas l’état de la technique, mais uniquement un hypothétique mode de réalisation qui serait éventuellement envisageable pour un homme du métier souhaitant obtenir un détecteur infrarouge avec des pixels 171 permettant de capter des responsivités distinctes sans complexifier le procédé de fabrication. Tel qu’illustré sur la : – une première colonne Co1 pourrait intégrer un circuit de lecture 16 configuré de sorte que les pixels 171 de la première colonne Co1 illustrent une première responsivité, – une deuxième colonne Co2 pourrait intégrer un circuit de lecture 16 configuré de sorte que les pixels 172 de la deuxième colonne Co 2 illustrent une deuxième responsivité, et – une troisième colonne Co 3 pourrait intégrer un circuit de lecture 16 configuré de sorte que les pixels 17 3 de la troisième colonne Co 3 illustrent une troisième responsivité. Ce motif de trois colonnes Co1 , Co2 et Co3 peut ainsi être répété pour former une image infrarouge intégrant trois responsivités distinctes pour chaque point de l’image infrarouge. Ce mode de réalisation hypothétique poserait cependant un problème d’homogénéité spatiale des points d’image. En effet, chaque point d’image serait alors constitué d’un super-pixel 38 formé de trois pixels 171 - 173 agencés en ligne. Il s’ensuit que le pas entre les super-pixels 38 ne serait pas identique dans les deux dimensions x , y de l’image ainsi formée, un premier pas serait d’un pixel dans la dimension y , alors qu’un second pas serait de trois pixels dans la dimension x . Cette inhomogénéité spatiale poserait des problèmes de détection car deux tiers des pixels de la dimension x seraient utilisés pour augmenter le nombre de responsivités, et non plus pour garantir une résolution spatiale. Il s’ensuit que les objets présents sur la scène seraient plus facilement détectables selon l’axe y que selon l’axe x , déformant ainsi les caractéristiques de l’image infrarouge obtenue. Pour conclure, le problème technique de l’invention est d’obtenir un détecteur infrarouge multispectral, c’est-à-dire un détecteur permettant de capter des responsivités distinctes pour chaque point d’image, avec une répartition homogène des pixels distincts et sans complexifier le procédé de fabrication. Pour répondre à ce problème technique, l’invention propose un détecteur infrarouge dans lequel les colonnes sont formées par un alignement d’une seule rangée de clous d’ancrage, chaque détecteur élémentaire étant réalisé entre deux clous d’ancrage superposés d’une même colonne. Contrairement à l’état de la technique dans lequel une colonne de détecteurs élémentaires est formée par deux rangées de clous d’ancrage, la formation d’une colonne de détecteurs élémentaires par un alignement d’une seule rangée de clous d’ancrage permet d’imbriquer en quinconce les détecteurs élémentaires et, ainsi, d’améliorer l’homogénéité de la répartition des pixels distincts. L’invention concerne donc un détecteur infrarouge comprenant une matrice de détecteurs élémentaires formant les pixels d’une image infrarouge ; – chaque détecteur élémentaire étant monté en suspension sur deux clous d’ancrage avec au moins un clou d’ancrage partagé avec un autre détecteur élémentaire ; – les détecteurs élémentaires étant agencés en colonnes avec, en pieds de chaque colonne, un circuit de lecture dédié à ladite colonne ; et – des moyens d’adressage permettant de connecter successivement l’ensemble des détecteurs élémentaires d’une colonne au circuit de lecture associé à ladite colonne. L’invention se caractérise en ce que les colonnes sont formées par un alignement d’une seule rangée de clous d’ancrage, les pixels de deux colonnes consécutives –ou de deux lignes consécutives - étant placés en quinconce. Au sens de l’invention, des pixels placés en « quinconce » signifie que le centre des pixels d’une colonne n’est pas aligné horizontalement avec le centre des pixels de ses colonnes voisines, dans une matrice de pixels présentant un pas constant. Le terme « horizontalement » renvoie à un alignement parallèle à un axe définissant la base des colonnes, et corollairement, le terme « verticalement » renvoie à un alignement perpendiculaire à l’axe définissant la base des colonnes. Pour garantir une imbrication optimale des pixels des colonnes voisines, les clous d’ancrage de deux colonnes adjacentes sont préférentiellement décalés horizontalement et verticalement d’un demi pas de sorte que tous les pixels présentent des bords alignés selon des axes formant un angle de 45° avec l’axe définissant la base des colonnes. Ainsi, comparativement aux pixels de l’état de la technique, chaque pixel a subi une rotation de 45° sur lui-même. De préférence, ce positionnement spécifique des pixels permet de former un détecteur infrarouge multispectral, c’est-à-dire un détecteur permettant de capter des responsivités distinctes. Pour ce faire, les circuits de lecture de deux colonnes adjacentes présentent des tensions de polarisation ou des condensateurs d’intégration distincts. Plus précisément, il est avantageux de capter trois responsivités distinctes selon une distribution spatiale homogène dans chaque direction pour former chaque point d’image. Dans ce mode de réalisation, trois colonnes consécutives sont configurées pour mesurer trois responsivités distinctes : – une première responsivité dans une gamme de longueurs d’onde ; – une deuxième responsivité dans une première sous-partie de ladite gamme de longueurs d’onde ; et – une troisième responsivité dans une seconde sous-partie de ladite gamme de longueurs d’onde distincte de la première sous-partie. Typiquement, la gamme de longueur d’onde de ladite première responsivité correspond à la gamme de 8 à 14 micromètres. De préférence, la première sous-partie de ladite deuxième responsivité correspond à la gamme de longueurs d’onde comprise entre 8 et 11 micromètres et la seconde sous-partie de ladite troisième responsivité correspond à la gamme de longueurs d’onde comprise entre 11 et 14 micromètres. Description sommaire des figures La manière de réaliser l’invention ainsi que les avantages qui en découlent, ressortiront bien des modes de réalisation qui suivent, donnés à titre indicatif mais non limitatif, à l’appui dans figures 1 à 15 dans lesquelles : La est une représentation schématique de dessus d’un détecteur infrarouge comprenant des détecteurs élémentaires « un clou » selon l’état de la technique ; La est une représentation schématique de dessus du schéma électrique équivalent du détecteur de la ; La est un schéma électrique équivalent des moyens d’adressage et du circuit de lecture du détecteur de la ; La est une représentation schématique de plusieurs pixels du détecteur de la ; La est une illustration d’une image infrarouge captée par le détecteur de la ; La est une représentation schématique d’un mode de réalisation hypothétique intégrant des responsivités associées à des colonnes distinctes ; La est une représentation graphique de plusieurs mesures de responsivités distinctes selon un premier mode de réalisation ; La est une représentation graphique de plusieurs mesures de responsivités distinctes selon un second mode de réalisation ; La est une représentation schématique de dessus d’un détecteur infrarouge comprenant des détecteurs élémentaires selon un mode de réalisation de l’invention ; La est une représentation schématique de dessus du schéma électrique équivalent du détecteur de la ; La est une représentation schématique de dessus du schéma électrique équivalent d’un détecteur hypothétique intégrant un déplacement des détecteurs élémentaires de l’état de la technique ; La est un schéma électrique équivalent des moyens d’adressage et du circuit de lecture du détecteur de la ; La est une représentation schématique de plusieurs pixels du détecteur de la ; La est une illustration d’une image infrarouge captée par le détecteur de la ; et La est une représentation schématique de plusieurs pixels du détecteur de la formant différents points de l’image infrarouge de la . Description détaillée de l’invention L’invention propose une nouvelle solution pour former les détecteurs élémentaires 14 d’un détecteur infrarouge afin de garantir l’imbrication des pixels 17 de plusieurs colonnes distinctes Co1 , Co2 , Co3 . Cette solution est particulièrement efficace pour obtenir un détecteur infrarouge multispectral, c’est-à-dire un détecteur infrarouge permettant de capter des points d’image formés de plusieurs pixels obtenus avec des responsivités distinctes. Tel qu’illustré sur la , un détecteur multispectral peut être utilisé pour capter une première responsivité Resp1 dans la gamme de longueur d’onde de 8 à 14 micromètres ; ainsi que deux responsivités Resp2 , Resp3 associées à des sous-parties de cette gamme de longueur d’onde, par exemple une responsivité Resp2 dans la gamme de 8 à 11 micromètres et une responsivité Resp3 dans la gamme de 11 à 14 micromètres. Un point d’image est alors formé à partir de ces trois informations de responsivité captées par plusieurs détecteurs élémentaires 14 distincts. Par ailleurs, tel qu’illustré sur la , il est possible d’amplifier les responsivités captées par certains détecteurs élémentaires 14 , par exemple ceux utilisés pour capter les sous-parties de la gamme de longueur d’onde de 8 à 14 micromètres. Pour garantir l’homogénéité dans la disposition des détecteurs élémentaires 14 associés à des responsivités distinctes, l’invention propose de former des colonnes Co1 - Co3 par un alignement d’une seule rangée de clous d’ancrage 21 , contrairement à l’état de la technique illustré sur la qui utilise deux rangées de clous d’ancrage 21 par colonne. Ainsi, le mode de réalisation de l’invention illustré sur la présente des colonnes juxtaposées avec une seule rangée de clous d’ancrage 21 par colonne. La structure de chaque détecteur élémentaire 14 n’est pas modifiée, si bien que chaque détecteur élémentaire comporte toujours une membrane 18 , des bras de soutien 19 et des clous d’ancrage 21 . La membrane 18 et les bras de soutien 19 peuvent être réalisés avec les techniques traditionnelles de l’industrie microélectronique et des MEMs (acronyme anglo-saxon pour « Micro Electron Mecanical systems") en utilisant une couche sacrificielle sur laquelle les électrodes et les couches de la membrane sont déposées. Plus précisément, une couche de support est classiquement déposée sur une couche sacrificielle au niveau de laquelle affleurent les clous d’ancrage 21 . Les électrodes métalliques sont déposées sur cette couche de support. Le matériau thermométrique, par exemple une couche d’oxyde de vanadium, est ensuite déposée au contact des deux électrodes connectées aux deux clous d’ancrage du détecteur élémentaire 14 . Une couche d’encapsulation est ensuite classiquement déposée sur les électrodes et la couche thermométrique. Les bras de soutien 19 sont structurés pour garantir l’isolation thermique de la membrane 18 du substrat. Il est à noter que la forme de la membrane 18 et des bras de soutien 19 peut être similaire à celle des détecteurs élémentaires 140 de l’état de la technique, tel qu’illustré illustrée sur la . Contrairement à l’état de la technique, bien que les détecteurs élémentaires soient formés dans la diagonale d’un pixel 17 entre deux clous ancrage 21 , cette diagonale est désormais disposée perpendiculairement à l’axe A1 de la base des colonnes. La forme rectangulaire des pixels 17 s’étend désormais selon deux axes A3 et A4 orientés respectivement d’un angle α de 45° par rapport à l’axe A1 . Il s’ensuit que les colonnes sont formées par des carrés ou des rectangles alignés par les sommets des pixels 17 au lieu d’être alignés par leur base. Dans le schéma électrique équivalent illustré sur la , les résistances sont donc alignées dans la hauteur des colonnes Co1 - Co3 au lieu d’être disposées en zigzag. Les moyens d’adressage séquentiel 15 sont simples à réaliser. Par exemple, pour capter la valeur de la résistance du détecteur élémentaire 14 mis en évidence sur la , il suffit de connecter les clous d’ancrage C1 et C2 pour mesurer la résistance R bol . Il est à noter que le schéma électrique équivalent ne résulte pas d’un simple retournement à 45° du schéma équivalent de la , puisque ce simple retournement à 45° est illustré sur la et qu’il présenterait toujours des résistances bolométriques agencées en zigzag. Ainsi, pour arriver à la structure de l’invention, il convient de modifier la topologie des clous d’ancrage 21 et également de modifier la diagonale de construction de chaque résistance des détecteurs élémentaires 14 . S’agissant du circuit de lecture 16 de l’invention, il peut être structurellement identique à celui de l’état de la technique en utilisant un amplificateur opérationnel et un condensateur Cint . Le condensateur Cint est connecté entre l’entrée inverseuse et la sortie de l’amplificateur, alors que l’entrée non-inverseuse est alimentée par une tension constante VBUS . De manière classique, la lecture d’une résistance R bol d’un détecteur élémentaire 14 peut être réalisée en polarisant la résistance R bol à une tension Vpol qui est appliquée par le biais du transistor FID . Ainsi, les variations de courant traversant cette résistance R bol , qui sont provoquées par le rayonnement infra-rouge incident, sont intégrées sur le condensateur Cint pour obtenir la responsivité Resp . Cette stratégie de formation des détecteurs élémentaires 14 permet d’obtenir des pixels 17 placés en quinconce, tel qu’illustré sur la . Bien que ces pixels 17 soient orientés angulairement par rapport à l’axe A1 de la base des colonnes, lorsque le nombre de pixels 17 ainsi captés est important, l’orientation des pixels 17 n’est plus visible car un pixel fournit une information sur un point de l’espace et sa disposition n’a aucun effet sur le format de l’image. Il est donc possible d’obtenir une image infrarouge 13 rectangulaire avec l’invention. Contrairement à l’image infrarouge 130 de l’état de la technique, la mesure de plusieurs responsivités permet également d’obtenir des informations 40 plus précises sur la température absolue des objets de la scène observée. Ainsi, l’image infrarouge 13 de la illustre par exemple la captation de la température précise des individus évoluant sur la scène. Pour ce faire, les circuits de lecture 16 associés à plusieurs colonnes juxtaposées présentent préférentiellement des tensions de polarisation Vpol ou des condensateurs d’intégration Cint distincts. Tel qu’illustré sur la , la première colonne Co1 permet par exemple de capter une première responsivité Resp1 , typiquement une responsivité dans la gamme de longueur d’onde de 8 à 14 micromètres, alors qu’une deuxième colonne Co2 permet de détecter la seconde responsivité Resp2 et la troisième colonne Co3 permet de capter la troisième responsivité Resp3 . Cette alternance de responsivités est ensuite reproduite pour former toutes les colonnes Co1-Co3 de l’image infrarouge 13 . En raison de ce placement en quinconce des colonnes Co1-Co3 , le super pixel 37 obtenu par l’intégration des différentes responsivités forme un carré de deux pixels par deux pixels 17 . Ainsi, le pas entre deux super pixels 37 est homogène dans les deux directions, respectivement horizontale et verticale de l’image. Il s’ensuit que l’invention permet d’obtenir une image infrarouge 13 avec des points d’image présentant plusieurs responsivités distinctes, permettant de mesurer une température absolue, par exemple pour obtenir des informations 40 supplémentaires sur l’image infrarouge 13 . Détecteur infrarouge comprenant une matrice (11) de détecteurs élémentaires (14) formant les pixels (17) d’une image infrarouge (13) ; – chaque détecteur élémentaire (14) étant monté en suspension sur deux clous d’ancrage (21) avec au moins un clou d’ancrage (21) partagé avec un autre détecteur élémentaire (14) ; – les détecteurs élémentaires (14) étant agencés en colonnes (Co1-Co3) avec, en pieds de chaque colonne (Co1-Co3), un circuit de lecture (16) dédié à ladite colonne (Co1-Co3) ; et – des moyens d’adressage (15) permettant de connecter successivement l’ensemble des détecteurs élémentaires (14) d’une colonne (Co1-Co3) au circuit de lecture (16) associé à ladite colonne (Co1-Co3) ; caractérisé en ce que les colonnes (Co1-Co3) sont formées par un alignement d’une seule rangée de clous d’ancrage (21), les pixels (17) de deux colonnes (Co1-Co3) consécutives étant placés en quinconce. Détecteur infrarouge selon la revendication 1, dans lequel les clous d’ancrage (21) de deux colonnes consécutives (Co1-Co3) sont décalés horizontalement et verticalement d’un demi pas de sorte que tous les pixels (17) présentent des bords alignés selon des axes (A3, A4) formant un angle (α) de 45° avec un axe (A1) définissant la base des colonnes (Co1-Co3). Détecteur infrarouge selon la revendication 1 ou 2, dans lequel les circuits de lecture (16) de deux colonnes consécutives (Co1-Co3) présentent des tensions de polarisation (Vpol) ou des condensateurs d’intégration (Cint) distincts. Détecteur infrarouge selon la revendication 3, dans lequel trois colonnes consécutives (Co1-Co3) sont configurées pour mesurer trois responsivités distinctes (Resp1, Resp2, Resp3) : – une première responsivité (Resp1) dans une gamme de longueurs d’onde ; – une deuxième responsivité (Resp2) dans une première sous-partie de ladite gamme de longueurs d’onde ; et – une troisième responsivité (Resp3) dans une seconde sous-partie de ladite gamme de longueurs d’onde distincte de la première sous-partie. Détecteur infrarouge selon la revendication 4, dans lequel la gamme de longueur d’onde de ladite première responsivité (Resp1) correspond à la gamme de 8 à 14 micromètres. Détecteur infrarouge selon la revendication 5, dans lequel la première sous-partie de ladite deuxième responsivité (Resp2) correspond à la gamme de longueurs d’onde comprise entre 8 et 11 micromètres. Détecteur infrarouge selon la revendication 5 ou 6, dans lequel la seconde sous-partie de ladite troisième responsivité (Resp3) correspond à la gamme de longueurs d’onde comprise entre 11 et 14 micromètres.