Brevet FR3142104A1 — publié le 20240524

TITRE DE L’INVENTION : PROCÉDÉ ET DISPOSITIF D’ÉPURATION EN PHASE LIQUIDE DE TRACES D’IMPURETÉS Le procédé (100) d’épuration en phase liquide de traces d’impuretés d’un flux de gaz comporte : - une étape (105) d’entrée d’un flux de gaz comportant des traces d’impuretés, - une étape (110) de compression du flux de gaz entré, - une étape (111) de refroidissement en phase vapeur, - une étape (125) de capture des impuretés solides et - une étape (130) de détente du flux de gaz. Figure pour l’abrégé : Figure 1 PROCÉDÉ ET DISPOSITIF D’ÉPURATION EN PHASE LIQUIDE DE TRACES D’IMPURETÉS Domaine technique de l’invention La présente invention vise un procédé et un dispositif d’épuration en phase liquide de traces d’impuretés. Elle s’applique, notamment, au domaine de la production de gaz naturel et de biométhane liquide. État de la technique Les approches décrites dans cette section sont des approches qui pourraient être poursuivies, mais pas nécessairement des approches qui ont été conçues ou poursuivies précédemment. Par conséquent, sauf indication contraire, il convient de ne pas supposer que l'une ou l'autre des approches décrites dans cette section constitue un art antérieur du seul fait de son inclusion dans cette section. La liquéfaction des gaz suppose toujours une épuration poussée afin d’éviter toute cristallisation des impuretés (dépôt de solide soit dans l’échangeur réalisant le refroidissement ou sous-refroidissement, soit dans le stockage final ou intermédiaire du liquide). Cette épuration poussée est appelée parfois « polishing ». Par exemple, dans le cas du Gaz Naturel Liquéfié (« GNL »), c’est-à-dire un gaz liquéfié riche en méthane, il est nécessaire d’enlever l’eau jusqu’à un niveau inférieur à 2 ppm pour pouvoir stocker le GNL sans risque de formation de glace d’eau ; de même, le GNL ne peut contenir plus de 50 ppm de dioxyde de carbone (« CO 2 ») à pression atmosphérique d’équilibre sans risque de formation de glace de CO 2 . Si on appelle « solvant » le fluide constitué par les composés majoritaires du gaz de départ et qui sont destinés à être stockés sous forme liquide en fin de procédé, et si on appelle « impureté » un élément sous forme de trace qui risque de cristalliser, ce besoin de polishing consiste à épurer le solvant à un niveau d’impureté suffisamment faible pour éviter tout risque de cristallisation d’une part lors du refroidissement du solvant et d’autre part lors de son stockage sous forme liquide. C’est donc en quelque sorte la finition de l’épuration ou une épuration poussée. Cette étape est commune à tous les gaz liquéfiés pour une liste d’impuretés (par définition jamais exhaustive). On peut citer simplement comme exemples les couples solvant/impuretés suivants pour illustrer les applications potentielles : - solvant méthane / impuretés eau ou CO 2 , - solvant azote (« N 2 ») ou oxygène (« O 2 ») / impuretés eau ou CO 2 et - solvant CO 2 / impureté eau. Cette épuration dite de polishing représente un cout spécifique toujours important (c’est-à-dire l’énergie dépensée et le prix dépensé pour atteindre ce niveau d’épuration poussée) pour deux raisons principales : - en fonction du taux de pureté à atteindre, le nombre de technologies d’épuration est réduit et donc limite les choix et - l’efficacité de séparation de la plupart des technologies chute lorsque le degré de pureté augmente. Une approche attrayante dans le cas de la liquéfaction des gaz est d’utiliser le froid requis pour la liquéfaction pour à la fois condenser le solvant et séparer les impuretés du solvant en jouant sur leurs niveaux de solubilité dans le liquide (solubilité qui est directement pilotée par le niveau de pression et de température). On peut ainsi mutualiser un certain nombre d’équipements du procédé pour réduire le cout global de production du gaz liquéfié. Cependant, d’une part, cette technique repose jusqu’ici sur des procédés qui requièrent des dimensionnements et des ajustements techniques très fins et dont la stabilité opérationnelle est complexe et difficile à assurer ; et d’autre part, ces procédés requièrent parfois des points de fonctionnement (notamment le niveau de pression optimal du gaz à liquéfier) différents entre les étapes de séparation des impuretés et de condensation du solvant, d’où une mutualisation des équipements parfois limitée. Pour épurer de manière poussée un gaz à liquéfier, il existe deux grandes approches (elles-mêmes faisant possiblement appel à divers phénomènes et technologies spécifiques) : - une première approche, la plus répandue et la plus couteuse, consiste à réaliser l’étape du polishing en amont du refroidissement-liquéfaction du solvant; on utilise alors des techniques telles que : - les systèmes fondés sur l’absorption, par exemple le lavage aux amines dans le cas du polishing du gaz naturel) ; la régénération des amines ou du composé absorbant nécessitant une quantité significative de chaleur ou - les systèmes fondés sur l’adsorption, par exemple : adsorption sur tamis moléculaires ou charbons actifs) ; la régénération des tamis ou charbons est alors réalisée soit par baisse de pression et notamment à l’aide d’une pompe à vide, soit par chaleur comme pour l’absorption, - une deuxième approche consiste en l’utilisation du froid pour séparer les impuretés du solvant et à cristalliser l’impureté durant le refroidissement du solvant : - la technologie la plus répandue se fonde sur une cristallisation du CO 2 en phase vapeur du solvant (par exemple méthane) ; le CO 2 (et même l’eau) se dépose dans l’échangeur où se réalise le refroidissement du gaz à liquéfier et, pour maximiser ce phénomène de dépôt, cette cristallisation se fait à pression basse c’est-à-dire à une pression où l’impureté passe directement de la phase vapeur à la phase solide et où le solvant reste vapeur durant le processus de séparation ; cette technique suppose un fonctionnement alternatif ou en lot, dit « batch » : un échangeur capte l’impureté solide et donc « gèle » progressivement jusqu’à ce que l’écoulement du solvant ne puisse plus se faire ; il y a alors basculement vers un échangeur vierge pendant que l’échangeur plein du dépôt solide « dégèle » et donc se régénère ou - les technologies où la formation de l’impureté solide se fait en état triphasique : l’impureté solide est réalisée dans un mélange diphasique du solvant gazeux : - dans certaines technologies, appliquées à liquéfaction de gaz riches en méthane, cette séparation se fait à la détente finale en fin de liquéfaction en sous-refroidissement du biométhane ; la détente provoque l’évaporation d’une partie du biométhane liquide tandis que le CO 2 cristallise en raison principalement du surplus de refroidissement généré et - dans certaines technologies, cet état triphasique est provoqué en injectant dans un flux d’air (donc mélange N 2 -O 2 principalement) de l’azote liquide dont le refroidissement provoque la cristallisation du CO 2 . Dans ces technologies, le recours à des systèmes cycloniques permet parfois d’évacuer en continu l’impureté solide sans avoir recours à un processus alternatif/batch. Les inconvénients des méthodes de polishing précédemment citées sont : - en ce qui concerne les méthodes de polishing par absorption (lavage amines) : le cout d’investissement à petite échelle (pour le polishing biométhane notamment) du fait des ouvrages de chaudronnerie complexes que la méthode requiert ainsi que le cout énergétique et environnemental : besoin de chaleur élevé pour la régénération du principe actif, ce qui peut aussi poser des fortes contraintes de sécurité lorsque la chaleur est issue de la combustion d’une partie du gaz à liquéfier, - en ce qui concerne les méthodes de polishing par adsorption (tamis moléculaires ou charbons actifs) : cout du système de régénération soit par pompe à vide soit par chaleur (avec alors les mêmes problèmes que pour les amines), - en ce qui concerne les méthodes de polishing par séparation cryogénique en phase vapeur) : l’impureté (CO 2 ou H 2 O) se solidifie directement de l’état gazeux à l’état solide (anti-sublimation) et le solvant reste gazeux ; le système fonctionne en batch ; le problème se pose ici à la fois en terme de complexité de conception, de stabilité et de durée de vie – en effet, le système fonctionnant en batch, il alterne les phases de givrage (donc en froid) et dégivrage (en chaud), le fait de garder le solvant vapeur fait que la stabilité de l’écoulement est rapidement impactée dès la formation du givre de l’impureté solide (qui progressivement bouche l’échangeur et donc contraint la section de passage de l’écoulement), les phases de givrage et dégivrage doivent donc être réduites pour garder une certaine stabilité de l’écoulement ; ceci peut donc engendrer des contraintes thermomécaniques importantes (refroidissement/réchauffe) et accélérer la fatigue des échangeurs ; de plus, dans tous les cas, il faut des échangeurs avec un design spécifique donc rare et complexe et potentiellement onéreux pour minimiser ces inconvénients et - en ce qui concerne les méthodes de polishing par séparation cryogénique en voie triphasique (impureté sous forme solide, solvant sous forme à la fois gazeuse et liquide) : du fait de la présence de solvant en vapeur froide, on retrouve les mêmes contraintes de stabilité d’écoulement si l’impureté solide s’accumule – c’est pourquoi la plupart du temps dans ces approches, le recours à un séparateur de type cyclonique est utilisé pour évacuer l’impureté solide, le grand problème de ces approches cycloniques est, au-delà de la complexité et du cout de mise au point, leur manque de flexibilité et donc de stabilité opérationnelle ; l’écoulement doit suivre précisément une plage de fonctionnement très restreinte pour permettre la bonne évacuation des particules solides. Présentation de l’invention La présente invention vise à remédier à tout ou partie de ces inconvénients. À cet effet, selon un premier aspect, la présente invention vise un procédé d’épuration en phase liquide d’un flux de gaz pour atteindre un taux molaire d’impureté, dit « X imp,out », associé à une limite de solubilité de cette impureté dans le flux de gaz liquide lorsque ce flux atteint la saturation à une pression de sortie, dite « P out », qui comporte : - une étape d’entrée d’un flux de gaz comportant des traces d’impuretés selon un taux molaire Ximp,in, le flux de gaz présentant une température d’entrée, dite « T in », et une pression d’entrée, dite « P in », le couple de pression P in et T in étant configuré pour situer le flux de gaz en phase vapeur, - une étape de compression du flux de gaz entré au moins selon une pression, dite « P haute », qui correspond à la pression la plus basse pour laquelle l’impureté selon le taux Ximp,in est soluble, pour une température égale à la température de rosée d’un flux de gaz pur sans impuretés équivalent, à la pression P haute , - une étape de refroidissement, selon la pression P haute , du flux de gaz comprimé à une température de sortie, dite « T out », la température T out étant sélectionnée pour que, au couple de pression P out et de température T out , l’impureté restante dans le flux de gaz soit soluble et qu’un flux de gaz pur sans impuretés équivalent soit totalement liquéfié, - une étape de capture des impuretés solides et - une étape de détente, selon la pression de sortie P out du flux de gaz en phase liquide. Grâce à ces dispositions, le refroidissement est utilisé comme principe séparateur des impuretés du solvant mais avec un agencement spécifique et appliqué à des points de fonctionnement spécifiques qui rendent le procédé global de liquéfaction plus stable et moins contraignant en termes d’opérabilité que les solutions de polishing existantes. Ces dispositions permettent d’obtenir : - un procédé stable utilisant des échangeurs de chaleur non spécifiques, avec par exemple seulement une tolérance à la pression de fonctionnement visée et une section de passage constante, - des périodes de givrage-dégivrage supérieures à deux heures et fonction du dimensionnement des échangeurs pouvant même être largement supérieures et - une ligne d’échange dédiée au polishing qui est très compacte car l’échange se fait en liquide au niveau du mélange solvant-impureté, ce qui minimise la taille et le poids de la ligne d’échange utilisée et donc s’il y a de l’inertie thermique, cette dernière permet de faciliter encore la vitesse de régénération des échangeurs. Le concept de la présente invention repose sur la séparation cryogénique en phase liquide : on choisit des paramètres de pression et température tels que le solvant est déjà totalement liquide quand commence le phénomène de cristallisation de l’impureté. Ainsi, cette approche conserve les avantages de la séparation cryogénique existante, à savoir la possibilité de mutualiser les phases de polishing et de liquéfaction, en évitant ces principaux défauts à savoir : - d’une part, les alternances rapides des phases givrage-dégivrage car en phase liquide, le solvant tolère mieux et plus facilement une restriction de section de passage et donc peut givrer beaucoup plus longtemps sans déstabilisation de l’écoulement et - d’autre part, la faible flexibilité du système de séparation lorsque celui-ci fonctionne en état triphasique et avec séparateur cyclonique. Dans des modes de réalisations particuliers, l’étape de refroidissement comporte une étape de refroidissement en phase vapeur à la température T in. Dans des modes de réalisations particuliers, l’étape de refroidissement comporte une étape de refroidissement en phase liquide, qui comporte : - une première étape de refroidissement, selon la pression P haute , du flux de gaz comprimé au moins à une température limite de solubilité en phase liquide, dite « T 2 » selon laquelle : - le gaz à l’état pur équivalent au gaz entré est en phase liquide , - les impuretés du flux de gaz refroidi, selon le taux molaire déterminé d’impureté dit X imp,in , sont à la limite de leur solubilité, - une première étape de détente, du flux de gaz liquide au moins à une pression, dite « P med », selon laquelle : - le gaz à l’état pur sans impuretés équivalent au gaz entré est à son point de bulle et - la limite de solubilité de l’impureté au taux molaire X imp,in est atteinte, et - une deuxième étape de refroidissement en phase liquide, selon la pression P med , du flux de gaz jusqu’à la température T out . Ces modes de réalisations permettent d’accélérer des substitutions entre échangeurs thermiques en charge de la collecte d’impureté et échangeurs thermiques en cours de régénération. En effet, les étapes de régénération ainsi mises en œuvre sont moins consommatrices d’énergie que dans les variantes présentant une détente totale puis un refroidissement aux conditions de sortie. Dans des modes de réalisation, le procédé objet de la présente invention comporte une étape de détente supplémentaire, en aval de l’étape de détente, l’étape de refroidissement en phase liquide étant configurée pour refroidir le flux de gaz selon un température telle qu’en sortie de l’étape de détente supplémentaire, le gaz soit en phase liquide. Ces modes de réalisation permettent de garantir l’état liquide du gaz liquéfié en sortie du procédé. Dans des modes de réalisation, le procédé objet de la présente invention comporte une étape de stockage du gaz liquéfié détendu. Dans des modes de réalisation, le procédé objet de la présente invention comporte une étape de régénération d’un échangeur thermique configuré pour réaliser l’étape de refroidissement en phase liquide. Ces modes de réalisation permettent de mettre en œuvre le procédé de manière continue. Dans des modes de réalisation, l’étape de régénération comporte une étape d’insertion d’un flux de régénération dans l’échangeur thermique à régénérer. Ces modes de réalisation permettent d’optimiser la régénération de l’échangeur thermique. Dans des modes de réalisation, le flux de régénération présente une composition comportant les mêmes composés que le flux de gaz à épurer. Ces modes de réalisation évitent les risques de contamination du flux de gaz à épurer par des composés tiers lorsque l’échangeur thermique est mis en œuvre pour réaliser l’étape de refroidissement. Dans des modes de réalisation, le procédé objet de la présente invention comporte une étape de recyclage du flux de régénération vers une étape d’épuration de masse du flux de gaz, située en amont de l’étape d’entrée. Ces modes de réalisation permettent de valoriser le flux de régénération, dont la composition est similaire à la composition du gaz à épurer. Dans des modes de réalisation, le procédé objet de la présente invention comporte, en aval d’une étape de régénération, une étape de stockage temporaire du flux de régénération. Ces modes de réalisation permettent de flexibiliser la mise en œuvre du procédé, notamment en vue d’un pré-remplissage des échangeurs de température avant leur mise en fonctionnement. Dans des modes de réalisation, le procédé objet de la présente invention comporte, en aval d’une étape de régénération, une étape de pré-remplissage d’un échangeur thermique régénéré. Ces modes de réalisation permettent de mettre en condition un échangeur thermique régénéré avant que cet échangeur ne soit mis en œuvre pour la collecte d’impuretés. Dans des modes de réalisation, le procédé objet de la présente invention comporte une étape de substitution d’un échangeur thermique en parallèle d’une étape de régénération d’un autre échangeur thermique. Selon un deuxième aspect, la présente invention vise un dispositif d’épuration en phase liquide d’un flux de gaz pour atteindre un taux molaire d’impureté, dit « X imp,out », associé à une limite de solubilité de cette impureté dans le flux de gaz liquide lorsque ce flux atteint la saturation à une pression de sortie, dite « P out », qui comporte : - une étape d’entrée d’un flux de gaz comportant des traces d’impuretés selon un taux molaire Ximp,in, le flux de gaz présentant une température d’entrée, dite « T in », et une pression d’entrée, dite « P in », le couple de pression P in et T in étant configuré pour situer le flux de gaz en phase vapeur, - une étape de compression du flux de gaz entré au moins selon une pression, dite « P haute », qui correspond à la pression la plus basse pour laquelle l’impureté selon le taux Ximp,in est soluble, pour une température égale à la température de rosée d’un flux de gaz pur sans impuretés équivalent, à la pression P haute , - une étape de refroidissement, selon la pression P haute , du flux de gaz comprimé à une température de sortie, dite « T out », la température T out étant sélectionnée pour que, au couple de pression P out et de température T out , l’impureté restante dans le flux de gaz soit soluble et qu’un flux de gaz pur sans impuretés équivalent soit totalement liquéfié, - une étape de capture des impuretés solides et - une étape de détente, selon la pression de sortie P out du flux de gaz en phase liquide. Le dispositif objet de la présente invention présente les mêmes avantages que le procédé objet de la présente invention. Brève description des figures D’autres avantages, buts et caractéristiques particulières de l’invention ressortiront de la description non limitative qui suit d’au moins un mode de réalisation particulier du procédé et du dispositif objets de la présente invention, en regard des dessins annexés, dans lesquels : représente, schématiquement, et sous forme d’un logigramme, une première succession d’étapes particulière du procédé objet de la présente invention, représente, schématiquement, un premier mode de réalisation particulier du dispositif objet de la présente invention, représente, schématiquement, et sous forme d’un logigramme, une deuxième succession d’étapes particulière du procédé objet de la présente invention, représente, schématiquement, un graphique représentant des courbes représentatives du passage de vapeur à liquide en fonction de la pression et de la température pour un gaz pur et un gaz comportant un taux défini d’impuretés, représente, schématiquement, un deuxième mode de réalisation particulier du dispositif objet de la présente invention et représente, schématiquement, un mode de réalisation particulier d’un dispositif de régénération d’échangeurs thermiques mis en œuvre par un dispositif objet de la présente invention. La présente description est donnée à titre non limitatif, chaque caractéristique d’un mode de réalisation pouvant être combinée à toute autre caractéristique de tout autre mode de réalisation de manière avantageuse. On note dès à présent que les figures ne sont pas à l’échelle. Comme on le comprend à la lecture de la présente description, divers concepts inventifs peuvent être mis en œuvre par une ou plusieurs méthodes ou dispositifs décrits ci-après, dont plusieurs exemples sont ici fournis. Les actions ou étapes réalisées dans le cadre de la réalisation du procédé ou du dispositif peuvent être ordonnées de toute manière appropriée. En conséquence, il est possible de construire des modes de réalisation dans lesquels les actions ou étapes sont exécutées dans un ordre différent de celui illustré, ce qui peut inclure l'exécution de certains actes simultanément, même s'ils sont présentés comme des actes séquentiels dans les modes de réalisation illustrés. L'expression "et/ou", telle qu'elle est utilisée dans le présent document et dans les revendications, doit être comprise comme signifiant "l'un ou l'autre ou les deux" des éléments ainsi conjoints, c'est-à-dire des éléments qui sont présents de manière conjonctive dans certains cas et de manière disjonctive dans d'autres cas. Les éléments multiples énumérés avec "et/ou" doivent être interprétés de la même manière, c'est-à-dire "un ou plusieurs" des éléments ainsi conjoints. D'autres éléments peuvent éventuellement être présents, autres que les éléments spécifiquement identifiés par la clause "et/ou", qu'ils soient liés ou non à ces éléments spécifiquement identifiés. Ainsi, à titre d'exemple non limitatif, une référence à "A et/ou B", lorsqu'elle est utilisée conjointement avec un langage ouvert tel que "comprenant" peut se référer, dans un mode de réalisation, à A seulement (incluant éventuellement des éléments autres que B) ; dans un autre mode de réalisation, à B seulement (incluant éventuellement des éléments autres que A) ; dans un autre mode de réalisation encore, à A et B (incluant éventuellement d'autres éléments) ; etc. Telle qu'elle est utilisée dans la présente description et dans les revendications, l'expression "au moins un", en référence à une liste d'un ou de plusieurs éléments, doit être comprise comme signifiant au moins un élément choisi parmi un ou plusieurs éléments de la liste d'éléments, mais n'incluant pas nécessairement au moins un de chaque élément spécifiquement énuméré dans la liste d'éléments et n'excluant pas toute combinaison d'éléments dans la liste d'éléments. Cette définition permet également la présence facultative d'éléments autres que les éléments spécifiquement identifiés dans la liste des éléments auxquels l'expression "au moins un" fait référence, qu'ils soient liés ou non à ces éléments spécifiquement identifiés. Ainsi, à titre d'exemple non limitatif, "au moins l'un de A et B" (ou, de manière équivalente, "au moins l'un de A ou B", ou, de manière équivalente, "au moins l'un de A et/ou B") peut se référer, dans un mode de réalisation, à au moins un, incluant éventuellement plus d'un, A, sans B présent (et incluant éventuellement des éléments autres que B) ; dans un autre mode de réalisation, à au moins un, comprenant éventuellement plus d'un, B, sans A présent (et comprenant éventuellement des éléments autres que A) ; dans encore un autre mode de réalisation, à au moins un, comprenant éventuellement plus d'un, A, et au moins un, comprenant éventuellement plus d'un, B (et comprenant éventuellement d'autres éléments) ; etc. Dans les revendications, ainsi que dans la description ci-dessous, toutes les expressions transitoires telles que "comprenant", "incluant", "portant", "ayant", "contenant", "impliquant", "tenant", "composé de", et autres, doivent être comprises comme étant ouvertes, c'est-à-dire comme signifiant incluant mais non limité à. Seules les expressions transitoires "consistant en" et "consistant essentiellement en" doivent être comprises comme des expressions transitoires fermées ou semi-fermées, respectivement. On appelle « flux de gaz comportant des traces d’impuretés », l’ensemble des couples solvants-liquides vérifiant l’ensemble des critères suivants : - un flux de gaz avec impureté dont la pression est inférieure à une pression maximal dite « P max » correspondant à la pression critique du gaz pur (c’est-à-dire sans impuretés) avec une marge de un bar au plus, - tout gaz comportant une impureté sous forme de trace, c’est-à-dire avec un taux molaire d’impureté initial inférieur à un taux X imp,max , ce taux X imp,max correspondant à la limite de solubilité de l’impureté dans le gaz, à la pression P max et à une température dite « T max » correspondant à la température de rosée du gaz pur (c’est-à-dire sans impuretés à la pression P max en pratique, ce taux est donc inférieur à 5%mol (X imp,max ) et préférentiellement inférieur à 3%mol et - l’évolution de la solubilité de cette impureté dans le solvant est telle que pour une concentration donnée d’impureté X imp imp,max : - en phase vapeur pur du solvant, la température limite de solubilité de cette impureté à iso-concentration X imp correspond à un « domaine SVE » (pour « Solid-Vapor Equilibrium », traduit par équilibre solide-vapeur), - en phase liquide du solvant, la température limite de solubilité de cette impureté à iso-concentration X imp est constante à plus ou moins un degré Celsius près en fonction de la pression ; autrement dit, en phase liquide du solvant, la solubilité de l’impureté ne dépend quasiment que de la température (à quelques milliers de Pascal près) ; on utilise aussi le terme de « domaine SLE » (pour « Solid-Liquid Equilibrium », traduit par équilibre solide-liquide), - pour une pression donnée P (inférieure à la pression critique du solvant), dans la zone proche du point d’équilibre liquide-vapeur du solvant pur (typiquement, à moins de 5°C et à moins de 1 bar autour de ce point), la température T SLVE (X imp ) de limite de solubilité de l’impureté (donc pour le solvant à l’ état diphasique à cette pression P) à la concentration X imp est inférieure à la température T SLE (X imp ) correspondant à la température limite de solubilité lorsque le solvant est totalement en phase liquide de l’impureté à la pression P et à la concentration X imp (en pratique, la limite de solubilité en phase liquide ne dépend pas de la valeur de la pression P) – en pratique, les conditions P et X imp sont choisies pour que cet écart soit d’au moins 5°C, - il existe une pression maximale, dite « P max », égale (à 1 bar près) à la pression critique du flux de gaz pur (sans impuretés) définissant une plage de pressions avec pour valeur supérieure P max et pour valeur inférieure au moins 1 bara, - à la limite de solubilité de l’impureté dans le flux de gaz, à la pression Pmax et à une température équivalente à la température de rosée du flux de gaz pur (donc sans impureté) à la pression Pmax. De manière non-limitative, des flux de gaz ainsi considérés peuvent être : - les gaz de l’air, - le dioxyde de carbone et - le gaz naturel et le biométhane, On appelle « gaz à l’état pur » un flux de gaz comportant exclusivement un composé donné. Le concept général de la présente invention est représenté en . On observe, sur cette : - une courbe de bulle 405 pour un solvant pur, c’est-à-dire pour un gaz ne comportant aucune impureté, - une courbe 410 représentant les conditions de pression et de température constituant la limite de solubilité en phase vapeur (SVE) de l’impureté à la fraction molaire X imp,in dans le solvant, - une courbe 415 représentant les conditions de pression et de température constituant la limite de solubilité en phase liquide (SLE) de l’impureté à la fraction molaire X imp,in dans le solvant, - une courbe 420 représentant les conditions de pression et de température constituant la limite de solubilité en phase liquide (SLE) de l’impureté à la fraction molaire X imp,out dans le solvant, - un point « A », désignant un point d’équilibre d’un flux de gaz en entrée d’un procédé objet de la présente invention comportant des traces d’impuretés selon un taux prédéterminé X imp,in , selon une pression d’entrée P in et une température d’entrée T in , - un point « B », atteint par compression puis refroidissement du flux de gaz en entrée (la compression générant un réchauffement indésirable du gaz), désignant un point d’équilibre selon une pression, dite « P haute », supérieure à la pression nécessaire pour que, à la fois, un flux de gaz pur théorique et le flux de gaz comportant le taux molaire prédéterminé d’impuretés X imp,in basculent d’un état de vapeur à un état liquide, autrement dit, selon une pression supérieure ou égale à la pression correspondant au croisement des courbes d’ébullition du gaz à l’état pur 405, d’une part, et du gaz comportant des traces d’impuretés 410, d’autre part, - optionnellement, un point « C », atteint par refroidissement à l’état gazeux, du gaz comportant des traces d’impuretés, désignant un point d’équilibre selon la pression mise en œuvre au point B et selon une température, dite « T 1 », égale à la température de rosée du gaz à l’état pur, - un point « D’ », atteint par refroidissement à l’état liquide, du gaz comportant des traces d’impuretés, désignant un point d’équilibre selon la pression mise en œuvre aux points B et C et selon une température pour laquelle le gaz à l’état pur est à l’état liquide et les impuretés comportées dans le gaz comportant des traces d’impuretés commencent à cristalliser (limite de solubilité de l’impureté atteinte), ce qui ne suppose pas que l’ensemble des impuretés soient solides mais au moins une partie, - un point « G », atteint par détente du gaz épuré, désignant un point d’équilibre selon une pression de sortie P out et une température T out , choisies pour que le gaz épuré soit à l’état liquide, - optionnellement, le passage des états « B » à « G » peut être réalisé ainsi : - un premier refroidissement à l’état liquide, du point « B » ou « C » vers un point « D », du gaz comportant des traces d’impuretés, désignant un point d’équilibre selon la pression mise en œuvre aux points B et C et selon une température, dite « T 2 », supérieure à la température de cristallisation des impuretés et pour laquelle, pour la température choisie, le gaz à l’état pur et le gaz comportant des impuretés sont à l’état liquide, - une détente intermédiaire à l’état liquide, vers un point « E », du gaz comportant des traces d’impuretés, selon la température T 2 ou selon une température proche de la température T 2 aux conditions de pression cible, et selon une pression cible, dite « P SLE », inférieure à la pression P haute , pour laquelle le gaz à l’état pur et le gaz comportant des impuretés sont à l’état liquide, - un deuxième refroidissement à l’état liquide, vers un point « F », du gaz comportant des traces d’impuretés, selon une température proche de la température de sortie T out et à la pression P SLE , pour lesquelles au moins une partie des impuretés en concentration supérieure à X imp,out est à l’état solide et le gaz épuré à l’état liquide et - la détente vers le point « G », telle que mentionnée ci-dessus. On observe, sur la , qui n’est pas à l’échelle, une vue schématique d’un mode de réalisation du procédé 100 objet de la présente invention. Ce procédé d’épuration en phase liquide d’un flux de gaz pour atteindre un taux molaire d’impureté, dit « X imp,out », associé à une limite de solubilité de cette impureté dans le flux de gaz liquide lorsque ce flux atteint la saturation à une pression de sortie, dite « P out », comporte : - une étape 105 d’entrée d’un flux de gaz comportant des traces d’impuretés selon un taux molaire X imp,in , le flux de gaz présentant une température d’entrée, dite « T in », et une pression d’entrée, dite « P in », le couple de pression P in et T in étant configuré pour situer le flux de gaz en phase vapeur, - une étape 110 de compression du flux de gaz entré au moins selon une pression, dite « P haute », qui correspond à la pression la plus basse pour laquelle l’impureté selon le taux X imp,in est soluble, pour une température égale à la température de rosée d’un flux de gaz pur sans impuretés équivalent, à la pression P haute , - une étape 111 de refroidissement, selon la pression P haute , du flux de gaz comprimé à une température de sortie, dite « T out », la température T out étant sélectionnée pour que, au couple de pression P out et de température T out , l’impureté restante dans le flux de gaz soit soluble et qu’un flux de gaz pur sans impuretés équivalent soit totalement liquéfié, - une étape 125 de capture des impuretés solides et - une étape 130 de détente, selon la pression de sortie P out du flux de gaz en phase liquide. Le procédé 100 représenté en représente un mode de réalisation minimaliste du procédé objet de la présente invention, ce procédé 100 comportant un nombre restreint d’étapes. L’étape 105 d’entrée du flux de gaz comportant des traces d’impuretés est réalisée, par exemple, par la mise en œuvre d’une conduite configurée pour être reliée à un stockage de gaz à épurer ou à, directement ou indirectement, un dispositif d’épuration de masse, configuré pour retirer l’essentiel des impuretés du flux de gaz. Un tel dispositif d’épuration de masse est largement connu dans le domaine de la production de gaz, particulièrement de gaz à l’état liquide. La nature du dispositif d’épuration de masse dépend de la ou des impuretés à séparer du solvant. Comme on le comprend, à l’issue de l’étape 105 entrée, sont connus et prédéterminés : - la pression d’entrée du gaz comportant des impuretés, P in , - la température d’entrée du gaz comportant des impuretés, T in et - le taux molaire d’impuretés en entrée du gaz comportant des impuretés, X imp,in . Le couple de pression P in et de température T in étant tels que le solvant et les impuretés sont à l’état de vapeur. L’étape 110 de compression est réalisée par tout type de compresseur ordinairement mis en œuvre dans les processus de traitement de gaz et, préférentiellement, dans les processus de liquéfaction de gaz. La nature exacte du compresseur dépend du gaz à liquéfier. Comme on le comprend, à l’issue de l’étape 110 de compression, le gaz comportant des impuretés présente les caractéristiques suivantes : - la température du gaz comportant des impuretés est, de manière involontaire et du fait de la compression, légèrement supérieure à T in , - le taux molaire d’impuretés du gaz comportant des impuretés est inchangé et égal à X imp,in et - la pression du gaz comportant des impuretés est augmentée à une valeur dite « P haute » supérieure à P in et inférieure à P max , sélectionnée pour qu’à la température T in et à au moins à la pression P haute , pour le taux molaire d’impureté X imp,in , les impuretés et le solvant soient en phase vapeur. L’étape 111 de refroidissement est réalisée, par exemple, par tout échangeur thermique ordinairement mis en œuvre dans les processus de traitement de gaz et, préférentiellement, dans les processus de liquéfaction de gaz. La nature exacte de cet échangeur thermique dépend du gaz à liquéfier. Comme on le comprend, à l’issue de l’étape 111 de refroidissement, le gaz comportant des impuretés présente les caractéristiques suivantes : - la pression du gaz comportant des impuretés est égale à la pression P haute , - la température du gaz comportant des impuretés, dite « T out », est choisie pour qu’à la pression P haute , le solvant soit en phase liquide et proche, alors, du gaz pur et pour que les impuretés soient en phase solide, la température T out étant ainsi choisie pour être inférieure à la température d’équilibre solide liquide des impuretés au taux molaire d’impuretés X imp,in et - le taux molaire d’impuretés du gaz chute et, pour devenir le taux molaire d’impuretés du gaz liquéfié, dit « X imp,out ». Dans des variantes, telle que celle représentée en , l’étape 111 de refroidissement comporte une étape 115 de refroidissement en phase vapeur. L’étape 115 de refroidissement est réalisée, par exemple, par tout échangeur thermique ordinairement mis en œuvre dans les processus de traitement de gaz et, préférentiellement, dans les processus de liquéfaction de gaz, pour des gaz en phase vapeur. La nature exacte de cet échangeur thermique dépend du gaz à liquéfier. Comme on le comprend, à l’issue de l’étape 115 de refroidissement, le gaz comportant des impuretés présente les caractéristiques suivantes : - le taux molaire d’impuretés du gaz comportant des impuretés est inchangé et égal à X imp,in , - la pression du gaz comportant des impuretés est égale à la pression P haute et - la température du gaz comportant des impuretés, dite « T 1 », est choisie pour qu’au taux molaire d’impureté X imp,in et à la pression P haute , le gaz pur, le solvant et les impuretés soient à l’interface de leurs domaines d’équilibre vapeur liquide. Dans des variantes, telle que celle représentée en , l’étape 111 de refroidissement comporte une étape 120 de refroidissement du gaz en phase liquide. L’étape 120 de refroidissement est réalisée, par exemple, par tout échangeur thermique ordinairement mis en œuvre dans les processus de traitement de gaz et, préférentiellement, dans les processus de liquéfaction de gaz. La nature exacte de cet échangeur thermique dépend du gaz à refroidir en phase liquide. Dans des variantes, l’étape 115 de refroidissement et l’étape 120 de refroidissement sont réalisées dans un échangeur thermique unitaire, ces deux étapes, 115 et 120, de refroidissement étant ainsi confondues. Comme on le comprend, à l’issue de l’étape 120 de refroidissement, le gaz comportant des impuretés présente les caractéristiques suivantes : - la pression du gaz comportant des impuretés est égale à la pression P haute , - la température du gaz comportant des impuretés, dite « T out », est choisie pour qu’à la pression P haute , le solvant soit en phase liquide et proche, alors, du gaz pur et pour que les impuretés soient en phase solide, la température T out étant ainsi choisie pour être inférieure à la température d’équilibre solide liquide des impuretés au taux molaire d’impuretés X imp,in et - le taux molaire d’impuretés du gaz chute et, pour devenir le taux molaire d’impuretés du gaz liquéfié, dit « X imp,out ». L’étape 125 de capture est réalisée soit par un dispositif dédié, soit de manière conjointe à l’étape 120 de refroidissement en phase liquide, par « givrage » de l’échangeur thermique réalisant l’étape 120 de refroidissement. L’étape 130 de détente est réalisée par tout type de détendeur ordinairement mis en œuvre dans les processus de traitement de gaz et, préférentiellement, dans les processus de liquéfaction de gaz. La nature exacte du détendeur dépend du gaz à liquéfier. Un tel détendeur est, par exemple, une vanne Joule-Thomson ou une turbine de détente. Comme on le comprend, à l’issue de l’étape 130 de détente, le gaz comportant des impuretés présente les caractéristiques suivantes : - le taux molaire d’impuretés du gaz est égal à « X imp,out », - la température du gaz est égale à une température de sortie, dite « T out », ou a une valeur légèrement inférieure du fait de la détente et - la pression du gaz est égale à la pression de sortie, dite « P out », inférieure à P haute . Dans des modes de réalisation préférentiels, tel que le procédé 300 représenté en , l’étape 120 de refroidissement en phase liquide, qui comporte : - une première étape 305 de refroidissement, selon la pression P haute , du flux de gaz comprimé au moins à une température limite de solubilité en phase liquide, dite « T 2 » selon laquelle : - le gaz à l’état pur équivalent au gaz entré est en phase liquide , - les impuretés du flux de gaz refroidi, selon le taux molaire déterminé d’impureté dit X imp,in , sont à la limite de leur solubilité, - une première étape 310 de détente, du flux de gaz liquide au moins à une pression, dite « P med », selon laquelle : - le gaz à l’état pur sans impuretés équivalent au gaz entré est à son point de bulle et - la limite de solubilité de l’impureté au taux molaire X imp,in est atteinte, et - une deuxième étape 315 de refroidissement en phase liquide, selon la pression P med , du flux de gaz jusqu’à la température T out . L’étape 305 de refroidissement est réalisée, par exemple, par tout échangeur thermique ordinairement mis en œuvre dans les processus de traitement de gaz et, préférentiellement, dans les processus de liquéfaction de gaz. La nature exacte de cet échangeur thermique dépend du gaz à refroidir en phase liquide. Comme on le comprend, à l’issue de l’étape 305 de refroidissement, le gaz comportant des impuretés présente les caractéristiques suivantes : - la pression du gaz comportant des impuretés est égale à la pression P haute , - la température du gaz comportant des impuretés, dite « T 2 », est choisie pour qu’à la pression P haute , le solvant et les impuretés soient en phase liquide, la température T 2 étant ainsi choisie pour être supérieure à la température d’équilibre solide liquide des impuretés au taux molaire d’impuretés X imp,in et - le taux molaire d’impuretés du gaz comportant des impuretés est ainsi inchangé et égal à X imp,in . L’étape 310 de détente intermédiaire est réalisée par tout type de détendeur ordinairement mis en œuvre dans les processus de traitement de gaz et, préférentiellement, dans les processus de liquéfaction de gaz. La nature exacte du détendeur dépend du gaz à liquéfier. Un tel détendeur est, par exemple, une vanne Joule-Thomson ou une turbine de détente. Comme on le comprend, à l’issue de l’étape 310 de détente intermédiaire, le gaz comportant des impuretés présente les caractéristiques suivantes : - la température du gaz est égale, ou proche de T 2 , en demeurant telle qu’à la pression cible, le solvant et les impuretés du gaz comportant des impuretés restant en phase liquide, - le taux molaire d’impuretés du gaz comportant des impuretés est ainsi inchangé et égal à X imp,in et - la pression du gaz comportant des impuretés est réduite à la pression P med . L’étape 315 de refroidissement est réalisée, par exemple, par tout échangeur thermique ordinairement mis en œuvre dans les processus de traitement de gaz et, préférentiellement, dans les processus de liquéfaction de gaz. La nature exacte de cet échangeur thermique dépend du gaz à refroidir en phase liquide. Comme on le comprend, à l’issue de l’étape 315 de refroidissement, le gaz comportant des impuretés présente les caractéristiques suivantes : - la pression du gaz comportant des impuretés est égale à la pression P med , - la température du gaz comportant des impuretés, dite « T out », est choisie pour qu’à la pression P med , le solvant soit en phase liquide et proche, alors, du gaz pur et pour que les impuretés soient en phase solide, la température T out étant ainsi choisie pour être inférieure à la température d’équilibre solide liquide des impuretés au taux molaire d’impuretés X imp,in et - le taux molaire d’impuretés du gaz chute et, pour devenir le taux molaire d’impuretés du gaz liquéfié « X imp,out ». Comme on le comprend, le procédé 300 objet de la présente invention peut mettre en œuvre une pluralité de successions d’étapes de refroidissement et de détente, jusqu’à l’élimination des impuretés du flux de gaz. Ceci permet, notamment, de réaliser les étapes de refroidissement pour retirer sélectivement des impuretés du solvant, en fonction des températures de cristallisation de ces impuretés. Dans le cas où plusieurs impuretés sont présentes dans le flux de gaz, la pression P haute considérée est la pression P haute maximale pour l’ensemble des taux molaires des différentes impuretés. Dans des modes de réalisations particuliers, tel que celui représenté en , le procédé 300 objet de la présente invention comporte une étape 320 de détente supplémentaire, en aval de l’étape 130 de détente, l’étape 120 de refroidissement en phase liquide étant configurée pour refroidir le flux de gaz selon un température telle qu’en sortie de l’étape 320 de détente supplémentaire, le gaz soit en phase liquide. L’étape 320 de détente supplémentaire est réalisée par tout type de détendeur ordinairement mis en œuvre dans les processus de traitement de gaz et, préférentiellement, dans les processus de liquéfaction de gaz. La nature exacte du détendeur dépend du gaz liquide à détendre. Un tel détendeur est, par exemple, une vanne Joule-Thomson ou une turbine de détente. Dans des modes de réalisations particuliers, tel que celui représenté en , le procédé 300 objet de la présente invention comporte une étape 325 de stockage du gaz liquéfié détendu. L’étape 325 de stockage est réalisée, par exemple, par un stockage cryogénique opérant à des conditions de pression et de température permettant le maintien du gaz à l’état liquide. Dans des modes de réalisations particuliers, tel que celui représenté en , le procédé 300 objet de la présente invention comporte une étape 330 de régénération d’un échangeur thermique configuré pour réaliser l’étape 120 de refroidissement en phase liquide. Dans de tels modes de réalisation, lorsqu’un échangeur thermique est mis en œuvre pour une étape 330 de régénération, l’entrée de gaz dans l’étape 105 d’entrée est interrompu. Dans des variantes, au moins deux échangeurs thermiques sont mis en œuvre, permettant l’épuration du gaz en continu, et la fourniture du gaz à refroidir alterne entre ces au moins deux échangeurs thermiques. Cette alternance est réalisée périodiquement ou en fonction de l’état de fonctionnement des échangeurs thermiques. Un tel état de fonctionnement peut être déterminé en fonction de la capture, par un capteur, d’une valeur d’une grandeur physique représentative de l’état de fonctionnement de l’échangeur thermique. Une telle grandeur physique est, par exemple, la température de fonctionnement de l’échangeur thermique. L’étape 330 de régénération est réalisée, par exemple, par réchauffement actif ou passif de l’échangeur thermique. Un réchauffement actif est réalisé, par exemple, par l’insertion d’un flux de régénération dans l’échangeur thermique. L’étape 330 de régénération peut comporter une étape (non représentée) d’évacuation du liquide contenu dans l’échangeur thermique à régénérer. Cette évacuation peut être réalisée dans l’atmosphère ou en recyclant ce liquide en amont du procédé 300. Dans de tels modes de réalisation, tel que celui représenté en , le procédé 300 objet de la présente invention comporte une étape 335 d’insertion d’un flux de régénération dans l’échangeur thermique à régénérer. Le flux de régénération peut être tout fluide présentant une température supérieure à la température de sortie T 2 . Par exemple, cette température est supérieure d’au moins 5°C à la température de sortie T 2 . Dans des modes de réalisation préférentiels, le flux de régénération présente une composition comportant les mêmes composés que le flux de gaz à épurer. Par exemple, le flux de régénération est formé de gaz comportant des impuretés, à l’état de trace ou davantage présentes (avant épuration de masse, par exemple). Dans des modes de réalisations particuliers, tel que celui représenté en , le procédé 300 objet de la présente invention comporte une étape 340 de recyclage du flux de régénération vers une étape 345 d’épuration de masse du flux de gaz, située en amont de l’étape 105 d’entrée. Cette étape 340 de recyclage est réalisée, par exemple, par la mise en œuvre d’une conduite de transport du flux de régénération. Dans des modes de réalisations particuliers, tel que celui représenté en , le procédé 300 objet de la présente invention comporte, en aval d’une étape 330 de régénération, une étape 350 de stockage temporaire du flux de régénération. L’étape 350 de stockage est réalisée, par exemple, par un réservoir de stockage adapté à la composition et aux conditions opératoires du flux de régénération. La mise en œuvre de cette étape 350 de stockage permet, à la fin de la régénération (et avant le basculement vers le mode « givrage » à nouveau de l’échangeur régénéré), la réalisation d’une étape à la fois d’ajustement de la pression et d’ajustement de la composition du fluide dans l’échangeur. Dans des variantes, après évacuation éventuelle du flux de régénération, une possibilité consiste alors à remplir l’échangeur de gaz liquéfié non encore épuré (c’est-à-dire contenant encore l’impureté avec un taux au plus de X imp,in ) afin que la composition dans l’échangeur régénéré au démarrage de son utilisation en épuration corresponde aux conditions en fonctionnement nominal. Dans des modes de réalisations particuliers, tel que celui représenté en , le procédé 300 objet de la présente invention comporte, en aval d’une étape 330 de régénération, une étape 355 de pré-remplissage d’un échangeur thermique régénéré. L’étape 355 de pré-remplissage est réalisée, par exemple, par la mise en œuvre d’un automate ou d’un dispositif de contrôle et de commande, tel un ordinateur par exemple, associé à un circuit hydraulique configuré pour fournir un flux de pré-remplissage à un échangeur thermique régénéré. Un tel flux est, par exemple, le flux de régénération ou le flux de gaz comportant des impuretés à épurer. Dans des modes de réalisations particuliers, tel que celui représenté en , le procédé 300 objet de la présente invention comporte une étape 360 de substitution d’un échangeur thermique en parallèle d’une étape 330 de régénération d’un autre échangeur thermique. L’étape 360 de substitution est réalisée, par exemple, par la mise en œuvre d’un automate ou d’un dispositif de contrôle et de commande, tel un ordinateur par exemple, associé à un circuit hydraulique configuré pour alterner la fourniture de gaz comportant des impuretés à épurer entre échangeurs thermiques. On observe, sur la , schématiquement, un mode de réalisation particulier du dispositif 200 objet de la présente invention. Ce dispositif 200 d’épuration en phase liquide d’un flux de gaz pour atteindre un taux molaire d’impureté, dit « X imp,out », associé à une limite de solubilité de cette impureté dans le flux de gaz liquide lorsque ce flux atteint la saturation à une pression de sortie, dite « P out », comporte : - une étape 205 d’entrée d’un flux de gaz comportant des traces d’impuretés selon un taux molaire Ximp,in, le flux de gaz présentant une température d’entrée, dite « T in », et une pression d’entrée, dite « P in », le couple de pression P in et T in étant configuré pour situer le flux de gaz en phase vapeur, - une étape 210 de compression du flux de gaz entré au moins selon une pression, dite « P haute », qui correspond à la pression la plus basse pour laquelle l’impureté selon le taux Ximp,in est soluble, pour une température égale à la température de rosée d’un flux de gaz pur sans impuretés équivalent, à la pression P haute , - une étape 211 de refroidissement, selon la pression P haute , du flux de gaz comprimé à une température de sortie, dite « T out », la température T out étant sélectionnée pour que, au couple de pression P out et de température T out , l’impureté restante dans le flux de gaz soit soluble et qu’un flux de gaz pur sans impuretés équivalent soit totalement liquéfié, - une étape 225 de capture des impuretés solides et - une étape 230 de détente, selon la pression de sortie P out du flux de gaz en phase liquide. Des modes de réalisations et des variantes des moyens caractéristiques du dispositif 200 objet de la présente invention sont décrits en regard des figures 1, 3, 5 et 6. On observe, en , schématiquement, un mode de réalisation particulier du dispositif 500 objet de la présente invention. Dans ce dispositif 500, le moyen 220 de refroidissement en phase liquide comporte : - un premier moyen 505 de refroidissement en phase liquide, selon la pression P haute , du flux de gaz comprimé au moins à une température, dite « T 2 » pour laquelle : - le gaz à l’état pur est en phase liquide selon la pression P haute, - les impuretés du flux de gaz refroidi, selon le taux molaire déterminé d’impureté dit X imp,in , sont en phase liquide selon la pression P haute, - un premier moyen 510 de détente, selon la température T 2 du flux de gaz liquide au moins à une pression, dite « P med », pour laquelle : - le gaz à l’état pur et - le flux de gaz comportant des traces d’impuretés selon le taux molaire déterminé d’impureté dit X imp,in , sont en phase liquide à la température T 2 et - un deuxième moyen 515 de refroidissement en phase liquide, selon la pression P med , du flux de gaz comprimé au plus à une température T out , selon laquelle : - le gaz à l’état pur est en phase liquide selon la pression P haute, - les impuretés du flux de gaz refroidi, selon le taux molaire déterminé d’impureté dit X imp,in , sont en phase solide selon la pression P haute . On observe également, en , que le dispositif 500 peut également comporter : - un moyen 215 de refroidissement du gaz entré, en aval du moyen 210 de compression, pour refroidir le gaz à la température T in , - un moyen 525 de stockage de gaz liquéfié épuré, - un moyen 530 de permutation entre un échangeur 515 thermique givré et un échangeur 516 thermique régénéré, - un cycle 535, fermé ou ouvert, de réfrigération coopérant avec le moyen 505 d’échange thermique et/ou - un cycle 540, fermé ou ouvert, de réchauffement coopérant avec un moyen de régénération d’un échangeur 516 thermique, le cycle 540 correspondant au moyen de capture 225. Par exemple, lorsque le dispositif 500 est mis en œuvre pour un mélange comportant du méthane, dit « CH 4 », en tant que solvant et du dioxyde de carbone, dit « CO 2 », en tant qu’impureté, en partant d’un taux de CO 2 de 1.8%mol et pour épurer jusqu’ à 0.04 %mol : - au point A de la équivalente pour ce mélange, le mélange présente 1.8%mol de CO 2 , selon une température 20°C et une pression de 1,1 bara, - au point B de la équivalente pour ce mélange, le mélange présente une pression de 35 bara (ou 36 bara pour prendre une marge liée aux pertes de charges) et une température de 20°C, - au point D de la équivalente pour ce mélange, le mélange est liquéfié et sous-refroidi sans risque de cristallisation pour un taux molaire de 1.8%mol de CO 2 , jusqu’à -112°C et toujours 35 bara, - au point E de la équivalente pour ce mélange, le mélange est détendu jusqu’ à 17 bara environ, - au point F de la équivalente pour ce mélange, le mélange est sous-refroidi jusqu’ à -161°C et 17 bara par exemple : le liquide est épuré jusqu’à au moins 0.04%mol CO 2 et - au point G de la équivalente pour ce mélange, le mélange est détendu jusqu’à 1 bara pour stockage final à la même pression. On observe, en , schématiquement, un mode de réalisation particulier d’un circuit 600 de régénération d’un échangeur thermique d’un dispositif, 200 ou 500, objet de la présente invention. Ce circuit 600 de régénération comporte : - un jeu de vannes, permettant l’alimentation sélective de différentes parties du circuit 600, - une entrée 605 pour flux de régénération, ce flux pouvant être issu du gaz à épurer, en amont ou en aval d’un dispositif d’épuration de masse, ce flux étant destiné à préremplir un échangeur, 515 ou 516, thermique, ou à régénérer un échangeur, 515 ou 516, à régénérer, - un circuit 540 de régénération d’au moins un échangeur, 515 et/ou 516, thermique, dont la circulation en flux de régénération est commandée par le jeu de vannes, - un réservoir 610 de stockage temporaire de flux de régénération issu du circuit 540 de régénération et/ou - une sortie 615 pour flux de régénération issu du circuit 540 de régénération, par exemple pour fourniture à un dispositif d’épuration de masse positionné en amont du dispositif 500 objet de la présente invention. Procédé (100, 300) d’épuration en phase liquide d’un flux de gaz pour atteindre un taux molaire d’impureté, dit « X imp,out », associé à une limite de solubilité de cette impureté dans le flux de gaz liquide lorsque ce flux atteint la saturation à une pression de sortie, dite « P out », caractérisé en ce qu’il comporte : - une étape (105) d’entrée d’un flux de gaz comportant des traces d’impuretés selon un taux molaire Ximp,in, le flux de gaz présentant une température d’entrée, dite « T in », et une pression d’entrée, dite « P in », le couple de pression P in et T in étant configuré pour situer le flux de gaz en phase vapeur, - une étape (110) de compression du flux de gaz entré au moins selon une pression, dite « P haute », qui correspond à la pression la plus basse pour laquelle l’impureté selon le taux Ximp,in est soluble, pour une température égale à la température de rosée d’un flux de gaz pur sans impuretés équivalent, à la pression P haute , - une étape (111) de refroidissement, selon la pression P haute , du flux de gaz comprimé à une température de sortie, dite « T out », la température T out étant sélectionnée pour que, au couple de pression P out et de température T out , l’impureté restante dans le flux de gaz soit soluble et qu’un flux de gaz pur sans impuretés équivalent soit totalement liquéfié, - une étape (125) de capture des impuretés solides et - une étape (130) de détente, selon la pression de sortie P out du flux de gaz en phase liquide. Procédé (100, 300) selon la revendication 1, dans lequel l’étape (111) de refroidissement comporte une étape (115) de refroidissement en phase vapeur à la température T in. Procédé (300) selon l’une des revendications 1 ou 2, dans lequel l’étape (111) de refroidissement comporte une étape (120) de refroidissement, qui comporte : - une première étape (305) de refroidissement, selon la pression P haute , du flux de gaz comprimé au moins à une température limite de solubilité en phase liquide, dite « T 2 » selon laquelle : - le gaz à l’état pur équivalent au gaz entré est en phase liquide , - les impuretés du flux de gaz refroidi, selon le taux molaire déterminé d’impureté dit X imp,in , sont à la limite de leur solubilité, - une première étape (310) de détente, du flux de gaz liquide au moins à une pression, dite « P med », selon laquelle : - le gaz à l’état pur sans impuretés équivalent au gaz entré est à son point de bulle et - la limite de solubilité de l’impureté au taux molaire X imp,in est atteinte, et - une deuxième étape (315) de refroidissement en phase liquide, selon la pression P med , du flux de gaz jusqu’à la température T out . Procédé (300) selon l’une des revendications 1 à 3, qui comporte une étape (320) de détente supplémentaire, en aval de l’étape (130) de détente, l’étape (120) de refroidissement en phase liquide étant configurée pour refroidir le flux de gaz selon un température telle qu’en sortie de l’étape de détente supplémentaire, le gaz soit en phase liquide. Procédé (300) selon l’une des revendications 1 à 4, qui comporte une étape (325) de stockage du gaz liquéfié détendu. Procédé (300) selon l’une des revendications 1 à 5, qui comporte une étape (330) de régénération d’un échangeur thermique configuré pour réaliser l’étape (120) de refroidissement en phase liquide. Procédé (300) selon la revendication 6, dans lequel l’étape (330) de régénération comporte une étape (335) d’insertion d’un flux de régénération dans l’échangeur thermique à régénérer. Procédé (300) selon la revendication 7, dans lequel le flux de régénération présente une composition comportant les mêmes composés que le flux de gaz à épurer. Procédé (300) selon l’une des revendications 7 ou 8, qui comporte une étape (340) de recyclage du flux de régénération vers une étape (345) d’épuration de masse du flux de gaz, située en amont de l’étape (105) d’entrée. Procédé (300) selon l’une des revendications 7 à 9, qui comporte, en aval d’une étape (330) de régénération, une étape (350) de stockage temporaire du flux de régénération. Procédé (300) selon l’une des revendications 7 à 10, qui comporte, en aval d’une étape (330) de régénération, une étape (355) de pré-remplissage d’un échangeur thermique régénéré. Procédé (300) selon l’une des revendications 7 à 11, qui comporte une étape (360) de substitution d’un échangeur thermique en parallèle d’une étape (330) de régénération d’un autre échangeur thermique. Dispositif (200) d’épuration en phase liquide d’un flux de gaz pour atteindre un taux molaire d’impureté, dit « X imp,out », associé à une limite de solubilité de cette impureté dans le flux de gaz liquide lorsque ce flux atteint la saturation à une pression de sortie, dite « P out », caractérisé en ce qu’il comporte : - un moyen (205) d’entrée d’un flux de gaz comportant des traces d’impuretés selon un taux molaire Ximp,in, le flux de gaz présentant une température d’entrée, dite « T in », et une pression d’entrée, dite « P in », le couple de pression P in et T in étant configuré pour situer le flux de gaz en phase vapeur, - un moyen (210) de compression du flux de gaz entré au moins selon une pression, dite « P haute », qui correspond à la pression la plus basse pour laquelle l’impureté selon le taux Ximp,in est soluble, pour une température égale à la température de rosée d’un flux de gaz pur sans impuretés équivalent, à la pression P haute , - un moyen (211) de refroidissement, selon la pression P haute , du flux de gaz comprimé à une température de sortie, dite « T out », la température T out étant sélectionnée pour que, au couple de pression P out et de température T out , l’impureté restante dans le flux de gaz soit soluble et qu’un flux de gaz pur sans impuretés équivalent soit totalement liquéfié, - un moyen (225) de capture des impuretés solides et - un moyen (230) de détente, selon la pression de sortie P out du flux de gaz en phase liquide.