Brevet FR3142035A1 — publié le 20240517

Procédé de fabrication d’un transistor La présente description concerne un procédé de fabrication d'un transistor bipolaire (12) comprenant : a. la fabrication d'une région de collecteur ; b. la formation d'une première couche (54) en un matériau d'une région de base et d'une deuxième couche isolante (58) ; c. la formation d'une cavité (62) atteignant la région de collecteur ; d. la formation d'une partie (24) de la région de collecteur et d'une partie (66) de la région de base dans la cavité (62) ; e. la formation d'une quatrième couche (68) en le même matériau que la deuxième couche (58), ayant la même épaisseur que la deuxième couche (58) dans la périphérie du fond de la cavité (62) ; f. la formation d'une région d'émetteur ; g. le retrait simultané des deuxième (58) et quatrième (68) couches. Figure pour l'abrégé : Fig. 2D Procédé de fabrication d'un transistor La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques et plus particulièrement les dispositifs comprenant un transistor et leurs procédés de fabrication. Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi-conducteur de la famille des transistors. Son principe de fonctionnement est basé sur deux jonctions PN, l'une généralement en direct et l'autre généralement en inverse. Le fonctionnement des transistors bipolaires dépend d'un grand nombre de caractéristiques des transistors bipolaire. Une telle caractéristique des transistors bipolaires est leur fréquence maximale d'oscillation. Il existe un besoin pour des transistors bipolaire ayant une fréquence maximale d'oscillation supérieure. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs électroniques connus. Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un transistor bipolaire comprenant : a. la fabrication d'une première partie d'une région de collecteur dans un substrat ; b. la formation d'un empilement de couches comprenant une première couche en un matériau d'une région de base et une deuxième couche isolante en un premier matériau ; c. la formation d'une cavité traversant l'empilement et le substrat de manière à atteindre la première partie de la région de collecteur ; d. la formation d'une deuxième partie de la région de collecteur et d'une première partie de la région de base dans la cavité ; e. la formation d'une quatrième couche en le même matériau que la deuxième couche, ayant la même épaisseur que la deuxième couche dans la périphérie du fond de la cavité ; f. la formation d'une région d'émetteur en regard de la première partie de la région de base, la quatrième couche étant partiellement découverte ; g. le retrait simultané des deuxième et quatrième couches. Selon un mode de réalisation, l'étape a. comprend la formation d'une région isolante recouvrant une partie de la première partie de la région de collecteur, la cavité traversant la région isolante. Selon un mode de réalisation, l'empilement de couches comprend une cinquième couche isolante, la première couche, et la deuxième couche située entre deux sixièmes couches isolantes, les sixièmes couches étant en des matériaux différents du matériau de la deuxième couche. Selon un mode de réalisation, la deuxième partie de la région de collecteur et la première partie de la région de base sont formés par croissance épitaxiale dans la cavité. Selon un mode de réalisation, l'étape e. comprend la formation de la quatrième couche sur l'ensemble de la structure, la formation d'espaceurs sur la quatrième couche contre les parois latérales de la cavité, une partie centrale du fond de la cavité n'étant pas recouverte par les espaceurs, et la gravure des portions de la quatrième couche n'étant pas recouvertes par les espaceurs. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, entre les étapes f. et g., une étape f1. de retrait des espaceurs et de la sixième couche recouvrant la deuxième couche. Selon un mode de réalisation, l'étape f. comprend la formation d'une septième couche en le matériau de la région d'émetteur et la gravure de la septième couche de manière à découvrir partiellement la quatrième couche autour de la région d'émetteur. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, après l'étape g., une étape h. de croissance épitaxiale de la première couche. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, après l'étape h., une étape i. de gravure de la première couche et de la cinquième couche, de manière à découvrir partiellement la première partie de la région de collecteur. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, après l'étape i., la formation de couches de contact sur les régions de base, de collecteur et d'émetteur. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur des deuxième et quatrième couches est comprise entre 5 nm et 30 nm. Un autre mode de réalisation prévoit un dispositif comprenant un transistor bipolaire dans lequel une couche de contact d'une région de base du transistor est séparée d'une région d'émetteur par une portion de la région de base et une portion de couche isolante recouverte par la région d'émetteur. Selon un mode de réalisation, la région de base repose sur une partie d'une région de collecteur du transistor 12, les dimensions horizontales de la région d'émetteur étant inférieures aux dimensions horizontales de la partie de la région de collecteur. Selon un mode de réalisation, les dimensions horizontales de la région d'émetteur sont inférieures à 180 nm des dimensions horizontales de la partie de la région de collecteur. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la représente un mode de réalisation d'un dispositif électronique ; et les , , , , , , , , , représentent des dispositifs résultant d'étapes d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la . De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Sauf précision contraire, les expressions "isolant" ou "conducteur" signifient "isolant électriquement" ou "conducteur électriquement". La représente un mode de réalisation d'un dispositif électronique 10. Plus précisément, la représente un mode de réalisation d'un dispositif électronique 10 comprenant un transistor bipolaire 12. Le transistor bipolaire 12 est formé dans un substrat 14. Plus précisément, le transistor 12 est formé dans le substrat et sur une face supérieure du substrat 14. Le substrat est en un matériau semiconducteur, par exemple en silicium. Le transistor 12 comprend une région 16 du substrat 14. La région 16 est une région enterrée du substrat 14. Autrement dit, la région 16 ne s'étend pas jusqu'à la région supérieure du substrat 14. La région 16 n'est pas, de préférence, dopée. Le transistor 12 comprend en outre un mur isolant 18. Le mur 16 est en un matériau isolant électriquement, par exemple en oxyde de silicium. Le mur 16 s'étend dans le substrat 14, par exemple à partir de la face supérieure. Par exemple, le mur 18 entoure latéralement la région 16. A titre de variante, le transistor peut comprendre plusieurs murs 18, les murs 18 délimitant latéralement la région 16 sur au moins certains côtés. Le transistor 12 comprend en outre des régions 20 de substrat 14. Les régions 20 sont en un matériau identique à la région 16. De préférence, les régions 20 ont le même de dopage que la région 16. Par exemple, les régions 20 ne sont pas dopées. Les régions 20 sont partiellement séparées de la région 16 par le ou les murs 18. Les régions 20 sont reliées physiquement, et électriquement à la région 16 sous le mur 18. Ainsi, la polarisation de la région 20 entraine la polarisation de la région 16. Le transistor 12 comprend une couche 21 conductrice. La couche 21 recouvre, de préférence entièrement, de préférence uniquement, la face supérieure de la région 20. La couche 21 est en un matériau conducteur électriquement, par exemple en un métal. La couche 21 correspond au contact du substrat du transistor 12. Le transistor 12 comprend en outre une région 22 dans le substrat 14. La région 22 est située à l'intérieur du mur 18. La région 22 s'étend depuis la face supérieure du substrat 14 jusqu'à la région 16. La région 22 s'étend de préférence le long de la face latérale interne du mur 18. La région 22 est donc de préférence en contact avec le mur 18. La région 22 est en le matériau semiconducteur du substrat 14, par exemple en silicium. La région 22 est dopée d'un premier type de conductivité, de préférence dopée de type n. La région 22 correspond à une partie du collecteur du transistor 12. Le transistor 12 comprend une couche 23 conductrice. La couche 23 recouvre, de préférence entièrement, de préférence uniquement, la face supérieure de la région 22. La couche 23 est en un matériau conducteur électriquement, par exemple en un métal. La couche 23 correspond au contact du collecteur du transistor 12. La région 22 entoure latéralement une partie d'une région 24 du transistor 12. La région 24 est située à l'intérieur du mur 18 et de la région 22. La région 24 s'étend depuis la face supérieure de la région 16 et vers la face supérieure du substrat 14. La région 24 s'étend de préférence le long de la face latérale interne de la région 22. La région 22 est donc de préférence en contact avec la région 24. La région 24 comprend de préférence une première partie s'étendant dans un plan parallèle à la face supérieure de la région 16. La première partie s'étend dans toute la zone entourée par la région 22. La première partie s'étend sur la région 16. La première partie est donc en contact avec la région 16 et avec la région 22. La région 24 comprend une deuxième partie s'étendant de la face supérieure de la première partie et s'étend vers la face supérieure du substrat 14. La deuxième partie s'étend par exemple à partir du centre de la première parte. La région 24 est en le matériau semiconducteur du substrat 14 et de la région 22, par exemple en silicium. La région 24 est dopée du même type de conductivité que la région 22, par exemple du premier type de conductivité, de préférence dopée de type n. La région 24 correspond à une autre partie du collecteur du transistor 12. Ainsi, le collecteur du transistor 12 comprend les régions 22 et 24. De préférence, la région 24 a un niveau de dopage, c’est-à-dire une concentration en dopants du premier type, inférieure au niveau de dopage, c’est-à-dire à la concentration de dopants, de la région 22. Une région 26 entoure latéralement la deuxième partie de la région 24. La région 26 est en un matériau isolant électriquement, par exemple de l'oxyde de silicium. La région 26 s'étend sur la première partie de la région 24, autour de la deuxième partie de la région 24. La région 26 s'étend de la face supérieure de la première partie de la région 24 au moins jusqu'au niveau de la face supérieure de la deuxième partie de la région 24. Ainsi, la région 26 s'étend sur toute la hauteur de la deuxième partie de la région 24. De préférence, la deuxième partie de la région 24 et la région 26 s'étendent jusqu'à un niveau supérieur au niveau de la face supérieure de la région 22. La face supérieure de la première partie de la région 24 est de préférence entièrement recouverte par la deuxième partie de la région 24 et par la région 26. La région 26 s'étend, du côté externe, c’est-à-dire le côté le plus éloigné de la deuxième partie de la région 24, sur une hauteur plus importante que du côté interne. La région 26 forme ainsi, au niveau de sa face supérieure, une marche. L'ensemble comprenant la région 26 et la deuxième partie de la région 24 comprend donc une cavité 28, délimité latéralement par la région 26, et plus précisément la partie de la région 26 ayant une hauteur supérieure au reste de la région 26. Le fond de la cavité 28 est formé par la région 26, et plus précisément par la partie de la région 26 ayant la hauteur la plus faible, et par la face supérieure de la deuxième partie de la région 24. Le transistor 12 comprend en outre une région 30. La région 30 est située dans la cavité 28. Autrement dit, la région 30 est située sur une partie de la région 26 et sur la deuxième partie de la région 24 et est située à l'intérieur du mur constitué par la partie de la région 26 ayant une hauteur supérieure. La région 30 comprend de préférence une première partie correspondant à une couche et une deuxième partie 33 s'étendant depuis la première partie de manière à former une cavité 31 dans la région 30. Le fond de la cavité 31 est formé par la première partie de la région 30 et les parois latérales de la cavité 31 sont formé par la deuxième partie 33 de la région 30. De préférence, la deuxième partie 33 est située de telle manière que la région 30 comprenne un rebord autour de la partie 33. La région 30 recouvre, de préférence entièrement, la face supérieure de la deuxième partie de la région 24. La région 30 recouvre par exemple partiellement la face supérieure de la région 26 située dans la cavité 28. La région 30 est de préférence située au centre de la cavité 28. La partie du fond de la cavité 28 recouverte par la région 30 est entourée par une partie du fond de la cavité 28 n'étant pas recouvert par la région 30. La région 30 est par exemple en le matériau semiconducteur du substrat 14, par exemple en silicium. La région 30 est dopée d'un deuxième type de conductivité, c’est-à-dire le type de conductivité opposé au premier type de conductivité, de préférence dopée de type p. La région 30 correspond à une partie de la base du transistor 12. Le transistor 12 comprend une région 32 située dans la cavité 28. La région 32 recouvre le fond de la cavité 28 n'étant pas recouvert par la région 30. Ainsi, la région 28 entoure latéralement la première partie de la région 30. Le fond de la cavité 38 est ainsi de préférence entièrement recouvert par les régions 30 et 32. La région 32 ne recouvre de préférence pas la face supérieure de la région 24. La région 32 a par exemple la même hauteur que la première partie de la région 30. La région 32 est par exemple en silicium polycristallin. La région 32 est dopée du même type de conductivité que la région 30, c’est-à-dire le deuxième type de conductivité, c’est-à-dire le type de conductivité opposé au premier type de conductivité, de préférence dopée de type p. La région 32 correspond à une partie de la base du transistor 12. Les régions 30 et 32 forment ainsi la base du transistor 12. De préférence, la région 30 a un niveau de dopage, c’est-à-dire une concentration en dopants du deuxième type, inférieure au niveau de dopage, c’est-à-dire à la concentration de dopants, de la région 32. Le transistor 12 comprend une couche 34 conductrice. La couche 34 recouvre, de préférence entièrement la face supérieure de la région 32. La couche 34 recouvre par exemple partiellement la région 30. Ainsi, la couche 34 repose sur le rebord de la région 30. La couche 24 est en un matériau conducteur électriquement, par exemple en un métal. La couche 34 correspond au contact de la base du transistor 12. Le transistor 12 comprend en outre une couche 36 située dans la cavité 31. Autrement dit, la couche 36 recouvre, de préférence entièrement, le fond de la cavité 31. Autrement dit, la couche 36 s'étend sur la première partie de la région 30, entourée latéralement par la deuxième partie 33 de la région 30. La hauteur de la couche 36 est de préférence inférieure à la hauteur de la partie 33. La couche 36 est par exemple en le même matériau que le substrat 14, par exemple en silicium. Le matériau de la couche 36 n'est de préférence pas dopé. Le transistor 12 comprend une couche 38 isolante. La couche 38 est par exemple en oxyde de silicium. La couche 38 s'étend sur une partie de la couche 36. La couche 38 s'étend sur la périphérie de la couche 36. La couche 38 est de préférence en contact avec la partie 33 sur tout le contour de la cavité 31 et s'étend vers le centre de la couche 36. La couche 38 ne recouvre pas entièrement la couche 36. Une portion centrale de la couche 36 n'est pas recouverte par la couche 38. Le transistor 12 comprend en outre une région 40. La région 40 recouvre la couche 38 et la portion centrale de la couche 36, c’est-à-dire la portion non recouverte par la couche 38. La région 40 est ainsi en contact avec la couche 36. Les parois latérales de la région 40 sont coplanaires avec les parois latérales des couches 36 et 38. Ainsi, les parois latérales de la région 40 sont coplanaires avec les parois latérales interne de la partie 33, c’est-à-dire les parois latérales de la partie 33 les plus proches de la couche 38. La région 40 est en silicium polycristallin. La région 40 est dopée du même type de conductivité que les régions 22 et 24. La région 40 est par exemple dopée de type n. La région 40 constitue l'émetteur du transistor 12. Les dimensions horizontales de la région d'émetteur sont inférieures aux dimensions horizontales de la partie de la région de collecteur. Les dimensions horizontales de la région d'émetteur sont inférieures à 180 nm des dimensions horizontales de la deuxième partie de la région de collecteur. Le transistor 12 comprend une couche 42 conductrice. La couche 42 recouvre, de préférence entièrement, de préférence uniquement, la face supérieure de la région 40. La couche 42 est en un matériau conducteur électriquement, par exemple en un métal. La couche 42 correspond au contact de l'émetteur du transistor 12. Le transistor 12 comprend en outre des espaceurs 44. Les espaceurs 44 s'étendent sur les parois latérales de la région 40, de préférence sur la totalité des parois latérales de la région 40. Les espaceurs 44 s'étendent, de préférence, verticalement de la partie 33 jusqu'au niveau supérieur de la région 40. Les espaceurs s'étendent, de préférence, horizontalement, des parois latérales de la région 40 jusqu'au niveau de l'interface entre la partie 33 et la couche 34. La résistance de base extrinsèque est une caractéristique des transistors bipolaires. La résistance de base extrinsèque est égale à la multiplication d'une valeur de résistivité avec la distance entre la couche 34 et la région 40. Ainsi, dans le mode de réalisation de la , la résistance de base extrinsèque est donc égale à la multiplication d'une valeur de résistivité avec la somme de la largeur de la partie 33 et la largeur de la couche 38. La fréquence maximale d'oscillation est telle que plus la résistance de base extrinsèque est élevée, plus ladite fréquence est basse et inversement. Ainsi, la fréquence maximale d'oscillation du transistor de la est supérieure à celle d'un transistor bipolaire comprenant des régions de matériaux supplémentaires entre la couche 34 et la région 40. Les , , , , , , , , , représentent des étapes, de préférence successives, d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la . La représente un dispositif résultant d'une étape du procédé de fabrication du mode de réalisation de la . Au cours de cette étape, les murs isolants 18 sont formés dans le substrat 14. Les murs isolants 18 délimitent ainsi une zone dans laquelle seront formés la base, le collecteur et l'émetteur du transistor 12. La hauteur des murs 18 est inférieure à la hauteur du substrat 14. Ainsi, une portion de substrat 14 non représentée s'étend sous les murs 18. L'étape de la comprend en outre la formation de la région 22 et d'une région 24a correspondant à la première partie de la région 24 de la . Les régions 22 et 24a sont par exemple formées par dopage de régions du substrat 14. Les régions 22 et 24a sont de préférence dopées de manière à avoir les niveaux de dopage décrits en relation avec la . L'étape de la comprend la formation d'une région 46 isolante dans le substrat 14. La région 46 est en le matériau de la région 26, par exemple en oxyde de silicium. La région 46 recouvre, de préférence entièrement, de préférence uniquement, la région 24a. Ainsi, la région 46 s'étend de préférence de la face supérieure de région 24a jusqu'au niveau supérieur du substrat 14. La hauteur de la région 46 est telle que la région 24a a la hauteur de la première partie de la région 24. La représente un dispositif résultant d'une étape du procédé de fabrication du mode de réalisation de la . Au cours de cette étape, des éléments 48 sont formés. Les éléments 48 recouvrent, de préférence entièrement les emplacements des couches 20. Autrement dit, les éléments 48 recouvrent la face supérieure du substrat 14 directement autour des murs 18. Les éléments 48 recouvrent par exemple au moins partiellement les murs 18. Les éléments 48 ne recouvrent de préférence pas les régions 22 et la région 46. Les éléments 48 sont par exemple en un matériau semiconducteur. Les éléments 48 sont par exemple en silicium polycristallin. Les éléments 48 sont par exemple en un matériau non dopé. L'étape de la comprend en outre la formation d'un empilement 50 de couches. L'empilement 50 recouvre par exemple entièrement la structure résultant de la formation des éléments 48. En particulier, l'empilement 50 recouvre, de préférence entièrement, les éléments 48, les portions des murs 18 non recouvertes par les éléments 48, les régions 22 et la région 24a. L'empilement 50 comprend une couche inférieure 52. La couche 52 est ainsi la couche de l'empilement la plus proche du substrat 14. La couche 52 recouvre de manière conforme la structure résultant de la formation des éléments 48. La couche 52 est en un matériau isolant, par exemple le même matériau que la région 46, par exemple le même matériau que la région 26 de la . La couche 52 est par exemple en oxyde de silicium. L'empilement 50 comprend une couche 54 recouvrant la couche 52. La couche 54 recouvre, de préférence entièrement, de préférence de manière conforme, la couche 52. La couche 54 est de préférence en le matériau de la région 32. La couche 54 est de préférence en silicium polycristallin. La couche 54 est de préférence dopée de type p. Ainsi, la couche 54 est de préférence en silicium polycristallin dopé de type p. L'empilement 50 comprend une couche 56 recouvrant la couche 54. La couche 56 recouvre, de préférence entièrement, de préférence de manière conforme, la couche 54. La couche 56 est en un matériau isolant. La couche 56 est en un matériau isolant différent du matériau de la couche 52. La couche 56 est par exemple en nitrure de silicium. L'empilement 50 comprend une couche 58 recouvrant la couche 56. La couche 58 recouvre, de préférence entièrement, de préférence de manière conforme, la couche 56. La couche 58 est en un matériau isolant. La couche 56 est par exemple en le même matériau que la couche 52. La couche 56 est en un matériau différent du matériau de la couche 56. La couche 56 est par exemple en oxyde de silicium. La couche 58 a une épaisseur d. L'épaisseur de la couche 58 est par exemple sensiblement constante, par exemple constante. En particulier, l'épaisseur de la couche 58 est par exemple sensiblement constante, par exemple constante, au moins dans la zone située en regard de la région 46. L'empilement 50 comprend une couche 60 recouvrant la couche 58. La couche 60 recouvre, de préférence entièrement, de préférence de manière conforme, la couche 58. La couche 60 est en un matériau isolant. La couche 60 est en un matériau isolant différent du matériau de la couche 58. La couche 60 est par exemple en le même matériau que la couche 56. La couche 60 est par exemple en nitrure de silicium. La représente un dispositif résultant d'une étape du procédé de fabrication du mode de réalisation de la . Au cours de cette étape, une cavité 62 est formée. La cavité 62 s'étend de la face supérieure de la couche 60 à la face supérieure de la couche 24a. Autrement dit, la cavité traverse les couches de l'empilement 50, c’est-à-dire les couches 60, 58, 56, 54, 52, ainsi que la région 46. La cavité 62 est située à l'emplacement de la deuxième partie de la région 24. Ainsi, les parois latérales de la cavité 62 correspondent partiellement aux parois latérales de la deuxième partie de la région 24. L'étape de la comprend en outre la formation de la deuxième partie de la région 24. Autrement dit, la deuxième partie de la région 24 est formée au fond de la cavité 62. Plus précisément, l'étape de la comprend la croissance épitaxiale de la deuxième partie de la région 24 à partir de la couche 24a. La croissance épitaxiale est de préférence maintenue jusqu'à ce que la deuxième partie de la région 24, c’est-à-dire la partie formée durant cette étape de croissance épitaxiale, s'étendent jusqu'au niveau de la face supérieure de la couche 52. L'étape de croissance épitaxiale entraine la consommation du matériau de la couche 54 accessible depuis la cavité 62. Ainsi, la couche 54 est partiellement gravée à partir des parois latérales de la cavité 62. Des cavités 64 sont ainsi formées autour de la cavité 62, aux emplacements d'une partie de la couche 54. La hauteur des cavités 64, correspondant par exemple à la hauteur de la couche 54, est par exemple compris entre 5 nm et 20 nm. La profondeur des cavités 54, c’est-à-dire la distance entre la face latérale de la couche 54 formant le fond de la cavité 54 et l'ouverture de la cavité 54, est compris entre 5 nm et 50 nm. La représente un dispositif résultant d'une étape du procédé de fabrication du mode de réalisation de la . Au cours de cette étape, une région 66 est formée dans la cavité 62. La région 66 correspond à une partie de la région 30 de la . La région 66 est par exemple formée par croissance épitaxiale, à partir de la région 24. La région 66 recouvre, de préférence entièrement, la face supérieure de la partie de la région 24 dans la cavité 62. La région 66 remplie donc le fond de la cavité 62 après la formation de la partie de la région 24. La région 66 s'étend de préférence de la face supérieure de la région 24 jusqu'au niveau de la face supérieure de la couche 54. La région 66 ne s'étend de préférence pas dans les cavités 64. La région 66 est en le matériau de la région 30 de la . Ainsi, la région 66 est de préférence en silicium dopé de type p. Le niveau de dopage de la région 66 est par exemple sensiblement égal au niveau de dopage de la région 30 de la . L'étape de la comprend en outre la formation de la couche 36. La couche 36 est formée sur la face supérieure de la région 66. La couche 36 recouvre, de préférence entièrement, de préférence uniquement, la face supérieure de la région 66. La couche 36 est par exemple formée par croissance épitaxiale. La hauteur de la couche 36 est par exemple inférieure à l'épaisseur de la couche 54. Alternativement, la région 66 et la couche 36 sont par exemple telles que la face supérieure de la couche 36 soit sensiblement coplanaire avec la face supérieure de la couche 56. L'étape de la comprend la formation d'une couche isolante 68. La couche 68 recouvre de manière conforme la structure résultant de la formation de la couche 36. Ainsi, la couche 68 recouvre la face supérieure de la couche 60, les parois latérales de la cavité 62, c’est-à-dire les faces latérales des couches 60, 58 et 56 situées dans la cavité 62, et la face supérieure de la couche 36. La couche 68 est donc en contact avec les faces latérales des couches 60, 58 et 56. La couche 68 est en le même matériau que la couche 58, par exemple en oxyde de silicium. Le matériau de la couche 68 est différent du matériau de la couche 60. L'épaisseur de la couche 68 est sensiblement identique, de préférence identique, à l'épaisseur de la couche 58. L'épaisseur des couches 58 et 68 est comprise entre 5 nm et 30 nm. L'étape de la comprend la formation d'une couche isolante 70. La couche 70 recouvre de manière conforme la structure résultant de la formation de la couche 68. Ainsi, la couche 68 recouvre, de préférence entièrement, de préférence uniquement, la face supérieure de la couche 68. La couche 70 est en un matériau différent du matériau de la couche 68. La couche 70 est par exemple en le même matériau que la couche 60, par exemple en nitrure de silicium. La représente un dispositif résultant d'une étape du procédé de fabrication du mode de réalisation de la . L'étape de la comprend une étape de gravure anisotrope de la couche 70. Cette étape de gravure est de préférence configurée pour graver uniquement la couche 70. Cette étape de gravure est par exemple configurée pour ne pas graver la couche 68. La couche 70 est entièrement gravée au cours de cette étape de gravure, à l'exception d'espaceurs 72. Les espaceurs 72 sont situés au niveau des parois latérales de la cavité 62. Les espaceurs recouvrent des portions 74 de la couche 68 ayant, en vue en coupe, une forme de L. Les espaceurs 72 ne remplissent pas entièrement la cavité 62. Ainsi, une partie centrale de la cavité 62 n'est pas recouverte par les espaceurs 72. L'étape de la comprend ensuite une étape de gravure de la couche 68. La couche 68 est de préférence entièrement gravée à l'exception des portions 74 recouvertes par les espaceurs 72. Les portions 74 comprennent une partie horizontale s'étendant, sous les espaceurs 72, sur la face supérieure de la couche 36, depuis les faces latérales de la cavité 62 vers le centre de la cavité 62. Les parties horizontales des portions 74 sont telles qu'une partie, par exemple une partie sensiblement centrale, de la face supérieure de la couche 36 ne soit pas recouverte par les portions 74. Les portions 74 comprennent en outre une partie verticale s'étendant sur les parois latérales de la cavité 62, par exemple depuis la face supérieure de la couche 36 à la face supérieure de la couche 60. La représente un dispositif résultant d'une étape du procédé de fabrication du mode de réalisation de la . L'étape de la comprend une étape de gravure de la couche 60 et des espaceurs 72. Les espaceurs 72 sont en le même matériau que la couche 60. Les espaceurs 72 et la couche 60 peuvent donc être gravés par la même gravure. La gravure est par exemple une gravure humide. Au cours de cette étape de gravure, la partie verticale des portions 74 est au moins partiellement gravée. Par exemple, la partie verticale des portions 74 est gravée jusqu'au niveau de la face supérieure de la couche 68. La couche 58 et le reste des portions 74 forment donc une couche d'épaisseur constante. L'étape de la comprend en outre la formation d'une couche 76 sur la structure résultant de la gravure de la couche 60 et des portions 74. La couche 76 recouvre ainsi, de préférence entièrement, de préférence uniquement, la couche 58, les portions 74 et la portion de la couche 36 n'étant pas recouverte par les portions 74. La couche 76 est en le matériau de la région 40 de la , c’est-à-dire par exemple en silicium polycristallin dopé de type n. Le dopage de la couche 76 est par exemple sensiblement égal, par exemple égal, au dopage de la région 40 de la . L'étape de la comprend en outre la formation d'une couche 78 isolante. La couche 78 recouvre, de préférence entièrement, de préférence uniquement, la couche 76. La couche 78 est en un matériau isolant, de préférence le même matériau que la couche 58, par exemple l'oxyde de silicium. La représente un dispositif résultant d'une étape du procédé de fabrication du mode de réalisation de la . Au cours de cette étape, les couches 76 et 78 sont gravées de manière à former la région 40 recouverte d'une portion de la couche 78. Les couches 76 et 78 sont par exemple gravées simultanément. Les couches 76 et 78 sont gravées de telle manière que les parois latérales de la région 40 et de la couche 78 restantes soient coplanaires. En outre, les couches 76 et 78 sont gravées de telle manière que les parois latérales de la région 40 et de la couche 78 restantes soient situées en regard de la cavité 62, c’est-à-dire en regard de la deuxième partie de la région 24, de la région 66 et de la couche 36. Plus précisément, les couches 76 et 78 sont gravées de telle manière que les parois latérales de la région 40 et de la couche 78 restantes soient situées en regard des portions 74. Ainsi, les portions des couches 76 et 78 situées en regard de la couche 58 sont retirées. Les portions des couches 76 et 78 situées en regard de la périphérie de la couche 36, c’est-à-dire situées en regard des parties des portions 74 les plus proches de la couche 58, sont gravées durant cette étape de gravure. Les portions des couches 76 et 78 situées en regard de la partie de la couche 36 non recouverte par les portions 74 et les parties des portions 74 les plus éloignées de la couche 58, ne sont pas gravées durant cette étape de gravure. Ainsi, la région 40 et le reste de la couche 78 recouvrent entièrement la partie de la couche 36 non recouverte par les portions 74 et recouvre partiellement les portions 74. Par exemple, la région 40 et le reste de la couche 78 recouvrent une partie centrale de l'ensemble comprenant les portions 74 et la couche 36. La représente un dispositif résultant d'une étape du procédé de fabrication du mode de réalisation de la . Au cours de cette étape, la couche 58 et les portions 74 sont gravées. Plus précisément, l'étape de la comprend une étape de gravure du matériau de la couche 58 et des portions 74. Cette étape de gravure est par exemple une gravure humide. Cette gravure retire simultanément la couche 58 et les parties des portions 74 n'étant pas situées sous la région 40. La gravure est arrêtée de manière à retirer la couche 58 et les portions 74 mais ne pas atteindre la couche 56 et la couche 36. La couche 58 et les portions 74 forment une couche d'épaisseur constante. Ainsi, la gravure retire le matériau de la couche 58 et des portions 74 sensiblement au même rythme. La gravure de toute la couche 58 et de toutes les portions 74 se termine donc sensiblement au même moment. Le matériau de la couche 36 n'est donc pas gravé lors de la gravure de la couche 58 et des portions 74. Il n'est donc pas nécessaire de protéger la couche 36 avec la région 40. Il est possible de diminuer les dimensions de la région 40 sans entrainer des dommages dans la couche 36. La représente un dispositif résultant d'une étape du procédé de fabrication du mode de réalisation de la . Au cours de cette étape, la région 40 est encapsulée dans une couche 80 de matériau isolant, de préférence le matériau de la couche 78, par exemple de l'oxyde de silicium. La couche 80 encapsulant la région 40 comprend la couche 78, les portions 74 et des couches 82 recouvrant les parois latérales de la région 40. La couche 80 d'encapsulation est de préférence situé uniquement en regard de la couche 36. Ainsi, la couche 56 n'est pas, de préférence, recouverte même partiellement par la couche 80. L'étape de la comprend en outre le retrait de la couche 56, par exemple par gravure humide. La couche 56 est de préférence entièrement retirée. La couche 54 est ainsi découverte. La représente un dispositif résultant d'une étape du procédé de fabrication du mode de réalisation de la . L'étape de la comprend une étape de croissance épitaxiale de la couche 54. La croissance épitaxiale est maintenue de manière à ce que les cavités 64 soient remplies et que la couche 54 atteignent au moins l'emplacement de la région 32 de la . La couche 54 et la couche 52 sont ensuite gravées de manière à ne conserver que les portions des couches 52 et 54 situées directement autour de l'ensemble comprenant la région 24, la région 66, la couche 36, la couche 80 et la région 40. Les couches 52 et 54 sont de préférence gravées de manière à conserver la portion de la couche 54 située à l'emplacement de la région 32 de la et la portion de la couche 52 située sous ladite portion. Le procédé comprend en outre des étapes supplémentaires de manière à obtenir le dispositif de la . En particulier, le procédé comprend : - le retrait de la couche 80 d'encapsulation ; - la formation des espaceurs 44 sur les parois latérales de la région 40 ; - la croissance de la région 66 et la diffusion des charges de manière à former la région 30 ; - la formation des couches conductrices 21, 23, 34 et 42. Un avantage des modes de réalisation décrits est que la résistance de base extrinsèque est inférieure à celle d'un transistor bipolaire connu. La fréquence maximale d'oscillation est donc plus élevée. Un autre avantage des modes de réalisation décrits est qu'il est possible de former une région d'émetteur plus petite que dans un transistor bipolaire connu. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Procédé de fabrication d'un transistor bipolaire (12) comprenant : la fabrication d'une première partie (22, 24a) d'une région de collecteur dans un substrat (14) ; la formation d'un empilement (50) de couches comprenant une première couche (54) en un matériau d'une région de base et une deuxième couche isolante (58) en un premier matériau ; la formation d'une cavité (62) traversant l'empilement (50) et le substrat (14) de manière à atteindre la première partie (22, 24a) de la région de collecteur ; la formation d'une deuxième partie (24) de la région de collecteur et d'une première partie (66) de la région de base dans la cavité (62) ; la formation d'une quatrième couche (68) en le même matériau que la deuxième couche (58), ayant la même épaisseur que la deuxième couche (58) dans la périphérie du fond de la cavité (62) ; la formation d'une région d'émetteur (40) en regard de la première partie (66) de la région de base, la quatrième couche (58) étant partiellement découverte ; le retrait simultané des deuxième (58) et quatrième (68) couches. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape a. comprend la formation d'une région isolante (46) recouvrant une partie (24a) de la première partie de la région de collecteur, la cavité (62) traversant la région isolante (46). Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'empilement de couches comprend une cinquième couche isolante (52), la première couche (54), et la deuxième couche (58) située entre deux sixièmes couches isolantes (6, 60), les sixièmes couches (56,60) étant en des matériaux différents du matériau de la deuxième couche (58). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la deuxième partie (24) de la région de collecteur et la première partie (66) de la région de base sont formés par croissance épitaxiale dans la cavité (62). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel l'étape e. comprend la formation de la quatrième couche (68) sur l'ensemble de la structure, la formation d'espaceurs (72) sur la quatrième couche (68) contre les parois latérales de la cavité (62), une partie centrale du fond de la cavité (62) n'étant pas recouverte par les espaceurs, et la gravure des portions de la quatrième couche (68) n'étant pas recouvertes par les espaceurs (72). Procédé selon la revendication 5 dans son rattachement à la revendication 3, comprenant, entre les étapes f. et g., une étape f1. de retrait des espaceurs (72) et de la sixième couche (60) recouvrant la deuxième couche. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel l'étape f. comprend la formation d'une septième couche en le matériau de la région d'émetteur et la gravure de la septième couche de manière à découvrir partiellement la quatrième couche (68) autour de la région d'émetteur (40). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant, après l'étape g., une étape h. de croissance épitaxiale de la première couche (54). Procédé selon les revendications 3 et 8, comprenant, après l'étape h., une étape i. de gravure de la première couche (54) et de la cinquième couche (52), de manière à découvrir partiellement la première partie (22, 24a) de la région de collecteur. Procédé selon la revendication 9, comprenant, après l'étape i., la formation de couches de contact (23, 34, 42) sur les régions de base, de collecteur et d'émetteur. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel l'épaisseur des deuxième et quatrième couches (58, 68) est comprise entre 5 nm et 30 nm. Dispositif obtenu par un procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, comprenant un transistor bipolaire (12) dans lequel une couche de contact (34) d'une région de base du transistor (12) est séparée d'une région d'émetteur par une portion (33) de la région de base et une portion (38) de couche isolante recouverte par la région d'émetteur (40). Dispositif selon la revendication 12, dans lequel la région de base (30) repose sur une partie d'une région de collecteur du transistor 12, les dimensions horizontales de la région d'émetteur étant inférieures aux dimensions horizontales de la partie de la région de collecteur. Dispositif selon la revendication 13, dans lequel les dimensions horizontales de la région d'émetteur sont inférieures à 180 nm des dimensions horizontales de la partie de la région de collecteur.