Brevet FR3142286A1 — publié le 20240524

Dispositif électronique à couches de cuivre et d’oxyde en contact La présente description concerne un procédé d'assemblage d'une première couche d’assemblage (213) comprenant une première région de cuivre (215) à une première surface et d’une deuxième couche d’assemblage (223) comprenant une deuxième région d'oxyde (223) ou d'un métal oxydé à une deuxième surface, dans lequel les première et deuxième surfaces sont assemblées à l'aide d'un collage hybride tel que toute la première région de cuivre est mise en contact avec l'oxyde ou le métal oxydé de la deuxième région. Figure pour l'abrégé : Fig. 2E Dispositif électronique à couches de cuivre et d’oxyde en contact La présente description concerne de façon générale des dispositifs électroniques, par exemple des dispositifs optoélectroniques, comprenant des structures formées de couches de cuivre et d’oxyde en contact. La fabrication des dispositifs électroniques, par exemple des dispositifs optoélectroniques, nécessite généralement de réaliser des empilements de couches de matériaux différents, par exemple des couches de matériaux diélectriques en contact avec des couches de matériaux métalliques, ainsi que des traitements thermiques, par exemple des recuits destinés à stabiliser les empilements réalisés. Par exemple, un empilement de couches diélectriques sur des couches métalliques peut être mis en œuvre pour réaliser des filtres optiques métalliques, tels que des filtres interférentiels. Les filtres optiques métalliques peuvent être destinés à être assemblés à des capteurs optiques, tels que des capteurs d’images. Cependant, l’empilement d’une couche diélectrique, en particulier en oxyde, par exemple en un oxyde de silicium, sur une couche métallique, en particulier en cuivre, peut générer des problèmes de défaut d’adhérence, par exemple des phénomènes de délamination à l’interface, d’autant plus lorsque l’empilement subit un traitement thermique. Il existe un besoin de résoudre les problèmes de défaut d’adhérence entre des couches de cuivre et des couches d’oxyde, ou de métal oxydé, dans des dispositifs électroniques. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs électroniques connus, en particulier des dispositifs optoélectroniques connus. Les modes de réalisation visent en particulier les filtres optiques métalliques, ou les lentilles métalliques, destinés à être assemblés à des capteurs optiques, tels que des capteurs d'images. Une application particulière des modes de réalisation concerne les capteurs optiques réalisés en technologie CMOS sur un substrat, typiquement un substrat en silicium. Les modes de réalisation peuvent également viser des structures de redistribution de courant comprenant du cuivre en contact avec un oxyde ou un métal oxydé. Un mode de réalisation prévoit un procédé d'assemblage d'une première couche d’assemblage comprenant une première région de cuivre à une première surface et d’une deuxième couche d’assemblage comprenant une deuxième région d'oxyde ou d'un métal oxydé à une deuxième surface, dans lequel les première et deuxième surfaces sont assemblées à l'aide d'un collage hybride tel que toute la première région de cuivre est mise en contact avec l'oxyde ou le métal oxydé de la deuxième région. Selon un mode de réalisation, la première couche d’assemblage est comprise dans une première structure, par exemple une première puce ou une première plaquette, la deuxième couche d’assemblage est comprise dans une deuxième structure, par exemple une deuxième puce ou une deuxième plaquette, et le procédé comprend, avant le collage hybride, le positionnement de la première structure par rapport à la deuxième structure. Selon un mode de réalisation, la première couche d’assemblage comprend, par exemple est, une couche de cuivre continue. Selon un mode de réalisation, la première couche d’assemblage comprend, à la première surface, par exemple est, une première couche structurée comportant, dans un plan parallèle au plan de la première surface, des premières portions en un premier matériau diélectrique, par exemple en oxyde ou métal oxydé, en alternance avec des deuxièmes portions en cuivre. Selon un mode de réalisation, la première couche structurée est formée selon un procédé Damascène, le premier matériau diélectrique étant par exemple un oxyde de silicium. Selon un mode de réalisation, les dimensions dans le plan des deuxièmes portions en cuivre sont comprises entre 600 nm et 10 µm, par exemple comprises entre 600 nm et 5 µm. Selon un mode de réalisation, les dimensions dans le plan des deuxièmes portions en cuivre sont inférieures à 600 nm, par exemple inférieures à 300 nm, ou inférieures à 200 nm, par exemple égales à environ 100 nm. Selon un mode de réalisation, la deuxième couche d’assemblage comprend, par exemple est, une couche continue de l’oxyde ou du métal oxydé. Selon un mode de réalisation, la deuxième couche d’assemblage comprend, à la deuxième surface, par exemple est, une deuxième couche structurée comportant, dans un plan parallèle au plan de la deuxième surface, des troisièmes portions de l'oxyde ou du métal oxydé, en alternance avec des quatrièmes portions en un deuxième matériau diélectrique, par exemple en un nitrure de silicium. Selon un mode de réalisation, avant le collage hybride : - la première couche d’assemblage est formée au-dessus d’un premier substrat, et la deuxième couche d’assemblage est formée au-dessus d’un deuxième substrat ; et/ou - les première et deuxième surfaces sont aplanies, par exemple par polissage mécano-chimique ; et/ou - une couche métallique, par exemple une couche de silicium, est oxydée de manière à former le métal oxydé à la deuxième surface. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre, après le collage hybride, une étape de recuit, par exemple à une température d'au moins 200°C. Selon un mode de réalisation, la deuxième couche d’assemblage comprend une troisième région d'oxyde ou de métal oxydé à une troisième surface opposée à la deuxième surface, et le procédé comprend l'assemblage de la deuxième couche d’assemblage avec une troisième couche d’assemblage, comprenant une quatrième région de cuivre à une quatrième surface, la troisième surface étant assemblée avec la quatrième surface au moyen d'un autre collage hybride tel que toute la quatrième région de cuivre est mise en contact avec l’oxyde ou le métal oxydé de la troisième région. Selon des modes de réalisation : - la deuxième couche d’assemblage comprend, à la troisième surface, une troisième couche structurée comportant, dans un plan parallèle au plan de la troisième surface, des cinquièmes portions de l'oxyde ou du métal oxydé, en alternance avec des sixièmes portions en un deuxième matériau diélectrique, par exemple en un nitrure de silicium ; et/ou - la troisième couche d’assemblage comprend à la quatrième surface, par exemple est, une quatrième couche structurée comportant, dans un plan parallèle au plan de la quatrième surface, des septièmes portions en un premier matériau diélectrique, par exemple en oxyde ou métal oxydé, en alternance avec des huitièmes portions en cuivre ; et/ou - la troisième couche d’assemblage est comprise dans une troisième structure, par exemple une troisième puce ou une troisième plaquette, le procédé comprenant, avant l’autre collage hybride, le positionnement de la troisième structure par rapport à la deuxième structure ; et/ou - la troisième couche d’assemblage est formée au-dessus d’un troisième substrat, avant l’autre collage hybride ; et/ou - les troisième et quatrième surfaces à assembler sont aplanies, par exemple par polissage mécano-chimique, avant l’autre collage hybride. Un mode de réalisation prévoit un dispositif électronique comprenant une première couche d’assemblage comportant une première région de cuivre à une première surface assemblée par collage hybride à une deuxième surface d’une deuxième couche d’assemblage comportant une deuxième région d'oxyde ou d'un métal oxydé, dans lequel toute la première région de cuivre est en contact avec l'oxyde ou le métal oxydé de la deuxième région. Selon un mode de réalisation, le dispositif électronique comprend une troisième couche d'assemblage comportant une quatrième région de cuivre au niveau d'une quatrième surface assemblée par collage hybride à une troisième surface de la deuxième couche d'assemblage opposée à la deuxième surface et comportant une troisième région d'oxyde ou de métal oxydé, dans lequel toute la quatrième région de cuivre est en contact avec l'oxyde ou le métal oxydé de la troisième région. Selon un mode de réalisation, l'oxyde ou le métal oxydé comprend un oxyde de silicium, un oxynitrure de silicium, un oxycarbonitrure de silicium, ou un silicium amorphe oxydé. Selon un mode de réalisation, l’assemblage par collage hybride de la première couche d’assemblage et de la deuxième couche d’assemblage est comprise dans un filtre, par exemple un filtre interférentiel, un filtre plasmonique, un filtre à transmission induite et/ou un filtre à cavité optique telle une cavité Fabry-Pérot, dans une lentille, et/ou dans une couche de redistribution de courant. Un mode de réalisation prévoit un capteur optique comprenant un dispositif électronique choisi parmi les dispositifs électroniques décrits précédemment. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la est une vue en coupe, partielle et schématique, représentant un exemple de dispositif électronique comprenant un filtre interférentiel reposant sur un substrat ; la est une vue en coupe obtenue par microscopie électronique à balayage d’un filtre interférentiel similaire au filtre interférentiel de la ; la , la , la , la et la sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de structures correspondant à des étapes d'un procédé d’assemblage selon un mode de réalisation ; la , la , la , la , la , la , la et la sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de structures correspondant à des étapes d'un procédé d’assemblage selon un autre mode de réalisation ; la représente schématiquement, par une vue en coupe, un dispositif électronique selon un mode de réalisation ; la représente schématiquement, par une vue en coupe, un dispositif électronique selon un autre mode de réalisation ; la représente schématiquement, par une vue en coupe, un exemple de filtre à transmission induite ; la représente schématiquement, par une vue en coupe, un filtre à transmission induite d’un dispositif électronique selon un mode de réalisation ; la représente des courbes d'évolution de la transmission en fonction de la longueur d’onde de filtres à transmission induite ; et la est une image TEM qui représente un détail d’un filtre plasmonique obtenu par un procédé d’assemblage selon un mode de réalisation. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, toutes les étapes des procédés de fabrication des dispositifs électroniques et des procédés d’assemblage ne sont pas détaillées, étant réalisables avec les procédés usuels de la microélectronique. En outre, les substrats, par exemple les capteurs optiques, ne sont pas décrits dans le détail, les modes de réalisation et les modes de mise en oeuvre décrits étant compatibles avec les réalisations usuelles de tels substrats. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures ou à un dispositif électronique dans une position normale d'utilisation. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Dans l’ensemble de la présente description, une longueur désigne une dimension selon une première direction, la direction X identifiée dans les figures, d’un plan principal XY d’un dispositif électronique, parallèle aux plans des différentes couches de ce dispositif électronique, une largeur désigne une dimension selon une deuxième direction, la direction Y identifiée dans les figures, du plan principal. Une épaisseur, une profondeur ou une hauteur désignent une dimension dans une direction perpendiculaire, la direction Z identifiée dans les figures, au plan principal XY. Par exemple, le plan principal peut correspondre, ou être parallèle, au plan d’un substrat du dispositif électronique. Dans l’ensemble de la présente description, une couche structurée désigne une couche formée d'une alternance, dans le plan principal XY, de portions de matériaux différents. Les portions peuvent être agencées de manière à former un motif, ou structuration, qui se répète de manière périodique ou non. Dans l’ensemble de la présente description, un collage hybride est défini comme étant un collage qui combine une couche diélectrique du type oxyde avec un métal du type cuivre incorporé dans le diélectrique du type oxyde, généralement pour former des interconnexions. Le collage hybride consiste généralement en un collage moléculaire, qui peut être un collage moléculaire oxyde-oxyde avec une mise en contact métal-métal, pouvant être désigné par le terme de collage moléculaire hybride. Le collage moléculaire (ou "collage direct") est induit par l'ensemble des forces attractives d'interaction électronique entre les atomes ou molécules de deux surfaces à coller et permet ainsi de solidariser les deux surfaces via une mise en contact direct sans faire appel à un matériau de collage. Par métal oxydé, on entend un métal tel que le cuivre dont une surface, en particulier la surface destinée à être en contact avec le cuivre, comporte une couche oxydée correspondant au minimum à une rangée atomique de métal oxydé, par exemple du CuO ou Cu 2 O dans le cas du Cu, l'épaisseur de la couche oxydée étant par exemple de l’ordre de 3 nm. La est une vue en coupe, partielle et schématique, représentant un exemple de dispositif électronique 100 comprenant un filtre interférentiel 102 reposant sur un substrat 101. La est une vue en coupe obtenue par microscopie électronique à balayage (MEB) d’un filtre interférentiel similaire au filtre interférentiel 102 de la . Le dispositif électronique 100 est un dispositif optoélectronique, et le filtre interférentiel 102 est du type à cavité Fabry-Pérot. Le substrat 101 peut correspondre à un capteur optique, ou un capteur d'images, comprenant au moins un photodétecteur, par exemple au moins une photodiode, ainsi qu’une structure d’interconnexion (non représentés dans la ). Le filtre interférentiel 102 est de préférence positionné en regard d’un photodétecteur (non représenté dans la ). Le substrat 101 peut être à base de silicium, et comprendre au moins un circuit électronique réalisé en technologie CMOS avec une partie inférieure formée de composants électroniques, par exemple des transistors, des (photo)diodes, et/ou des condensateurs, et une partie supérieure comprenant plusieurs niveaux d'interconnexion. Le filtre interférentiel 102 comporte deux couches en un matériau métallique 121, 122 formant des miroirs semi-réfléchissants espacés l'un de l'autre par une couche dite structurée 130. La couche structurée 130 est formée d'une alternance, dans un plan XY parallèle aux miroirs semi-réfléchissants 121, 122 et au substrat 101, de premières portions 131 d’un premier matériau diélectrique ayant un premier indice de réfraction bas et de deuxièmes portions 132 d’un deuxième matériau diélectrique ayant un deuxième indice de réfraction haut, strictement supérieur au premier indice de réfraction. Les premières et deuxièmes portions sont agencées de manière à former un motif, ou structuration, qui se répète de manière périodique ou non. Par exemple, chaque deuxième portion 132 du deuxième matériau diélectrique est située entre deux premières portions 131 du premier matériau diélectrique dans le plan XY. Il ne s'agit donc pas d'une superposition de couches de deux milieux différents suivant l'axe Z. Les longueurs, et les largeurs, des premières et deuxièmes portions sont de l’ordre de quelques dizaines de nanomètres à quelques centaines de nanomètres. On peut parler de filtre "nanostructuré". Les longueurs, et/ou les largeurs, des premières portions ne sont pas nécessairement égales aux longueurs, et/ou aux largeurs, des deuxièmes portions. Dans l’exemple représenté, les premières et deuxièmes portions présentent sensiblement la même épaisseur. En d’autres termes, la couche structurée 130 présente une épaisseur sensiblement constante. Les couches en matériau métallique 121, 122 sont elles-mêmes prises en sandwich entre deux couches 141, 142 qui sont, dans l’exemple représenté, en le deuxième matériau diélectrique. En variante, les deux couches 141, 142 pourraient être en un troisième matériau diélectrique. Dans l’exemple représenté, le matériau métallique est du cuivre (Cu), le premier matériau diélectrique est du dioxyde de silicium (SiO 2 ), et le deuxième matériau diélectrique est un nitrure de silicium (SiN). Le filtre interférentiel 102 est typiquement fabriqué en mettant en œuvre des dépôts séquentiels pour réaliser les différentes couches, ainsi que des gravures, notamment pour réaliser la couche structurée, et, éventuellement, des étapes de polissage. Les dépôts sont par exemple des dépôts chimiques en phase vapeur (CVD, pour Chemical Vapor Deposition, en anglais) et/ou des dépôts physiques en phase vapeur (PVD, pour Physical Vapor Deposition, en anglais). Un phénomène observé lors de la fabrication de ce type de filtre interférentiel est un défaut d’adhérence, par exemple un phénomène de délamination, à chaque interface 151, 152 entre la couche de cuivre et la couche structurée, en particulier entre la couche de cuivre et la couche d’oxyde de silicium, comme on peut le voir en . Ce phénomène peut être, en particulier, plus critique à l’interface inférieure 152 entre le Cu et le SiO 2 . Ce défaut d’adhérence est exacerbé lorsque le dispositif électronique subit un traitement thermique, tel un recuit, notamment pour intégrer le filtre interférentiel à un substrat, tel qu’un capteur optique. Un exemple de traitement thermique est un recuit à environ 400°C pendant environ 2 heures. Ce défaut d’adhérence peut se traduire par une dégradation de la qualité du filtre, et/ou par une difficulté à intégrer le filtre au substrat, par exemple si on cherche à limiter le phénomène de délamination en réduisant le budget thermique subi par le filtre lors du traitement thermique. Une solution à ce défaut d’adhérence est de ne pas réaliser de contact direct entre le cuivre et l’oxyde de silicium. Une solution est d’introduire une couche intermédiaire diélectrique qui soit adaptée à former une barrière de l’oxyde de silicium vis-à-vis du cuivre, par exemple une couche de SiN, entre la couche de cuivre et la couche d’oxyde de silicium, comme illustré par exemple en décrite plus après. Dans l’exemple de la , on peut introduire une couche intermédiaire en SiN entre chaque couche de cuivre 121, 122 et la couche structurée 130. Cependant, le fait de rajouter une couche intermédiaire diélectrique, telle qu’une couche en SiN, présente certains inconvénients, par exemple de modifier les propriétés du filtre, et/ou de limiter les fonctionnalités et performances du filtre. En effet, le SiN étant un matériau d’indice de réfraction différent du SiO 2 , en l’occurrence supérieur, le déphasage subi par la lumière en réflexion et en transmission à l’interface Cu/SiN n’est pas le même qu’à l’interface Cu/SiO 2 . Ainsi, le fait de devoir introduire une couche en SiN en contact avec le cuivre pour améliorer l’adhérence impose donc un déphasage particulier et, plus généralement, limite les degrés de liberté dans le design du filtre. Les performances optiques du filtre peuvent être ainsi limitées, par exemple par une transmission plus faible ou une réponse spectrale moins conforme à la réponse souhaitée, par exemple, des fronts de montée ou descente moins raides. On peut éventuellement compenser cela en ajoutant des couches diélectriques supplémentaires dans l’empilement, tout en conservant des interfaces Cu/SiN, mais cela nécessite d’avoir un nombre plus élevé de couches, et rend le filtre plus complexe, et plus cher, à fabriquer. Les inventeurs proposent un procédé de fabrication d’un dispositif électronique comprenant des couches de cuivre et d’oxyde, ou de métal oxydé, en contact, et un dispositif électronique correspondant, permettant de répondre aux problèmes de défaut d’adhérence et de pallier tout ou partie des inconvénients décrits précédemment. Des modes de réalisation de procédés de fabrication de dispositifs électroniques comprenant des couches de cuivre et d’oxyde, ou de métal oxydé, en contact, et de dispositifs électroniques correspondants, vont être décrits ci-après. Les modes de réalisation décrits sont non limitatifs et diverses variantes apparaîtront à la personne du métier à partir des indications de la présente description. La , la , la , la et la sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de structures correspondant à des étapes d'un exemple de procédé d’assemblage selon un mode de réalisation. Le procédé d’assemblage peut être inclus dans un procédé de fabrication d’un dispositif électronique. Cet exemple de procédé d’assemblage peut être adapté à fabriquer un filtre plasmonique, par exemple destiné à être assemblé à un capteur optique. Un filtre plasmonique est un filtre optique comprenant une ou plusieurs couches diélectriques dans lesquelles des plots (portions) métalliques sont formés, les plots ayant des dimensions comprises entre une dizaine de nanomètres et quelques centaines de nanomètres. En variante, cet exemple de procédé d’assemblage peut être adapté à fabriquer une autre structure, telle qu’une structure de redistribution de courant. La représente une première structure 210 de départ comprenant un premier substrat 211 sur lequel repose une première couche diélectrique 212 en un premier matériau diélectrique. Le premier substrat 211 peut être un support simple, ou un support de fabrication, ou correspondre à un capteur optique, ou un capteur d'images, par exemple similaire au substrat 101 décrit en relation avec la . Par exemple, le premier matériau diélectrique est du SiO 2 . En variante, le premier matériau diélectrique peut être un autre oxyde de silicium, par exemple un oxynitrure de silicium (SiON), un oxycarbonitrure de silicium (SiOCN) ou encore, ou encore un assemblage TiO 2 /SiO 2 . La première couche diélectrique 212 est surmontée par une première couche structurée 213 (première couche d’assemblage) comprenant, dans le plan XY, des premières portions 214 en le premier matériau diélectrique en alternance avec des deuxièmes portions 215 en cuivre (première région de cuivre). Les portions en cuivre peuvent être réalisées par un procédé Damascène. Un procédé Damascène comprend la formation de cavités à partir d’une surface d’une couche continue en un matériau diélectrique, puis une étape de dépôt d’un matériau métallique pour combler ces ouvertures, puis généralement une étape de polissage (ou "planarisation") de la surface de sorte à former une surface sensiblement plane où affleurent le matériau diélectrique et le matériau métallique. La formation de cavités comprend généralement la gravure de la couche continue à travers un motif adapté, par exemple formé par photolithographie. L’étape de polissage comprend généralement un polissage mécanochimique (connu sous le terme "CMP" ou "Chemical Mechanical Polishing" en anglais). Ainsi, la première couche structurée 213 peut être formée en réalisant : - une gravure partielle, en profondeur et latéralement, de la première couche diélectrique (initialement plus épaisse, et sans cavités), cette gravure partielle étant réalisée à travers un motif adapté à former des cavités en alternance avec des portions non gravées formant les premières portions 214 en le premier matériau diélectrique ; puis - un remplissage des cavités par dépôt de cuivre de sorte à former les deuxièmes portions 215 en cuivre ; et, éventuellement, - une étape de polissage, par exemple par CMP, de sorte à faire affleurer les premières portions 214 et les deuxièmes portions 215 au même niveau, correspondant au niveau d’une surface supérieure 210A (première surface) de la première structure 210. De préférence, les longueurs, et les largeurs, des portions en cuivre 215 (deuxièmes portions) sont de l’ordre de quelques dizaines de nanomètres à quelques centaines de nanomètres, par exemple égales à environ 100 nm. La surface supérieure 210A de la première structure 210 est de préférence sensiblement plane, par exemple présente une planéité de l’ordre d'une centaine de nanomètres à l'échelle d'un substrat (wafer) de 300 mm. La représente une deuxième structure 220 de départ comprenant un deuxième substrat 221 sur lequel repose une couche d’arrêt de gravure 222, elle-même surmontée d’une deuxième couche diélectrique 223 (deuxième couche d’assemblage, deuxième région d’oxyde) en le premier matériau diélectrique. La deuxième couche diélectrique 223 affleure la surface supérieure 220A (deuxième surface) de la deuxième structure 220. Le deuxième substrat 221 est, par exemple, un support en silicium. Par exemple, la couche d’arrêt de gravure 222 peut être en un matériau diélectrique, par exemple en SiN, en un oxyde, ou en un matériau dopé du type de conductivité différent de celui du deuxième substrat 221. La représente une structure obtenue à l’issue de l’assemblage de la deuxième structure 220, après avoir été retournée, avec la première structure 210. L’assemblage comprend un collage moléculaire hybride des première 210A et deuxième 220A surfaces, de sorte que les deuxièmes portions en cuivre 215 sont en contact avec le premier matériau diélectrique de la deuxième couche diélectrique 223. La liaison obtenue est représentée par un trait en pointillés HB. Le collage moléculaire hybride est de préférence suivi d’un traitement thermique, tel un recuit, par exemple à une température supérieure ou égale à 200°C. La représente une structure obtenue à l’issue de la suppression du deuxième substrat 221, par exemple par meulage et/ou par amincissement par voie humide jusqu’à la couche d’arrêt de gravure 222. La représente une structure obtenue à l’issue de la suppression de la couche d’arrêt de gravure 222, par exemple par polissage mécano-chimique (CMP). Le dispositif électronique 200 illustré en , est, par exemple, un dispositif optoélectronique comprenant un filtre interférentiel 202 du type filtre plasmonique, sur un substrat 211. Le filtre plasmonique 202 présente ainsi des portions en cuivre 215 en contact avec une couche d'oxyde 223, sans qu’il soit observé de phénomène de délamination à l’interface entre le cuivre et l’oxyde, comme montré dans la décrite plus après. Le filtre plasmonique de la comporte une seule couche structurée 213 avec des portions en cuivre 215. Ceci n’est pas limitatif. En variante, le filtre plasmonique pourrait comporter plusieurs couches structurées empilées, par exemple, une autre couche structurée sur la surface de la couche d'oxyde 223 opposée à la surface en contact avec la couche structurée 213. Selon une variante, la première couche diélectrique 212 et/ou les premières portions 214 peuvent être en un matériau diélectrique différent du premier matériau diélectrique, c’est-à-dire différent du matériau diélectrique de la deuxième couche diélectrique 223. En variante, pouvant être combinée avec la variante précédente, l’élément 202 peut représenter une structure de redistribution de courant ("RDL", de l’anglais Redistribution Layer) comprenant des portions en cuivre dans un oxyde, un métal oxydé et/ou un polymère. Par exemple, la deuxième couche 223 peut être en un oxyde, par exemple en oxyde de silicium, et la première couche diélectrique 212 et/ou les premières portions 214 peuvent être en un polymère. La personne du métier saura adapter le collage hydride afin de coller les premières portions 214 en polymère et les deuxièmes portions 215 en cuivre avec la deuxième couche diélectrique 223 en oxyde. La , la , la , la , la , la , la et la sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de structures correspondant à des étapes d'un procédé d’assemblage selon un autre mode de réalisation. Le procédé d’assemblage peut être inclus dans un procédé de fabrication d’un dispositif électronique. Cet exemple de procédé d’assemblage peut être adapté à fabriquer un filtre interférentiel du type à cavité Fabry-Pérot, par exemple destiné à être assemblé à un capteur optique. La représente une première structure 310 de départ comprenant un premier substrat 311 sur lequel repose une première couche diélectrique 312 en un troisième matériau diélectrique, elle-même surmontée d’une deuxième couche diélectrique 313 en un deuxième matériau diélectrique. Une première couche structurée 314 (première couche d’assemblage) repose sur la deuxième couche diélectrique 313, et comprend, dans le plan XY, des premières portions 315 en un premier matériau diélectrique en alternance avec des deuxièmes portions 316 en cuivre (première région de cuivre). Les premières et deuxièmes portions 315, 316 affleurent une surface supérieure 310A (première surface) de la première structure 310. La première couche structurée 314 peut être obtenue de manière similaire à la première couche structurée 213 de la . Le premier substrat 311 peut être un support simple, ou un support de fabrication, ou correspondre à un capteur optique, ou un capteur d'images, par exemple similaire au substrat 101 décrit en relation avec la . La représente une deuxième structure 320 de départ comprenant un deuxième substrat 321 sur lequel repose une troisième couche diélectrique 322 en le troisième matériau diélectrique surmontée d’une quatrième couche diélectrique 323 en le deuxième matériau diélectrique. Le deuxième substrat 321 est, par exemple, un support en silicium. La quatrième couche diélectrique 323 est surmontée d’une deuxième couche structurée 324 (deuxième couche d’assemblage) comportant une alternance, dans le plan XY, de troisièmes portions 325 en le premier matériau diélectrique (deuxième région d’oxyde) et de quatrièmes portions 326 en le deuxième matériau diélectrique, les troisièmes et quatrièmes portions 325, 326 affleurant une surface supérieure 320A (deuxième surface) de la deuxième structure 320. La deuxième couche structurée 324 peut être formée en réalisant : - une première gravure partielle, en profondeur et latéralement, de la quatrième couche diélectrique 323 (initialement plus épaisse et sans cavités), cette première gravure étant réalisée à travers un motif adapté à former des cavités en alternance avec des portions non gravées formant les quatrièmes portions 326 en le deuxième matériau diélectrique ; puis - une première étape de remplissage des cavités par un dépôt en le premier matériau diélectrique de sorte à former les troisièmes portions 325 en le premier matériau diélectrique ; et, éventuellement, - une première étape de polissage, de sorte à faire affleurer les troisièmes et quatrièmes portions 325, 326 au même niveau, correspondant au niveau de la surface supérieure 320A (deuxième surface) de la deuxième structure 320. De préférence, le premier matériau diélectrique a un premier indice de réfraction bas et le deuxième matériau diélectrique a un deuxième indice de réfraction haut, strictement supérieur au premier indice de réfraction. Par exemple, le premier matériau diélectrique est du SiO 2 . En variante, le premier matériau diélectrique peut être un autre oxyde de silicium, par exemple un oxynitrure de silicium (SiON), un oxycarbonitrure de silicium (SiOCN), voire un autre oxyde. Par exemple, le deuxième matériau diélectrique est du SiN, ou un nitrure d’aluminium (AlN), ou un autre matériau diélectrique ayant un deuxième indice de réfraction strictement supérieur à l’indice de réfraction du SiO 2 . En variante, le deuxième matériau diélectrique peut être un dioxyde de titane (TiO 2 ) ou de l’alumine (Al 2 O 3 ). Par exemple, le troisième matériau diélectrique est du SiN, du AlN, un dioxyde de titane (TiO 2 ), un dioxyde d’hafnium (HfO 2 ), ou un matériau diélectrique ayant un troisième indice de réfraction différent du deuxième indice de réfraction. La représente une structure obtenue à l’issue de l’assemblage de la deuxième structure 320, après avoir été retournée, avec la première structure 310. L’assemblage comprend un collage moléculaire hybride des première 310A et deuxième 320A surfaces, de sorte que les deuxièmes portions 316 en cuivre sont en contact avec les quatrièmes portions 326 en le deuxième matériau diélectrique et avec une partie des troisièmes portions 325 en le premier matériau diélectrique. La liaison obtenue est représentée par un trait en pointillés HB. Le collage moléculaire hybride est de préférence suivi d’un traitement thermique, tel un recuit, par exemple à une température supérieure ou égale à 200°C. La représente une structure obtenue à l’issue du retrait du deuxième substrat 321 et de la troisième couche diélectrique 322 de la deuxième structure 320. La et la correspondent à la formation, sur la deuxième couche structurée 324 de la deuxième structure 320, d’une troisième couche structurée 327 comportant une alternance, dans le plan XY, de cinquièmes portions 328 en le premier matériau diélectrique (troisièmes régions d’oxyde) et de sixièmes portions 329 en le deuxième matériau diélectrique affleurant au même niveau correspondant à une troisième surface 320B de la deuxième structure 320 opposée à la deuxième surface 320A. Les cinquièmes portions 328 sont, par exemple, formées au droit des troisièmes portions 325 afin de réaliser des portions plus épaisses en le premier matériau diélectrique, mais ceci n’est pas obligatoire. Les sixièmes portions 329 sont, par exemple, formées au droit des quatrièmes portions 326 afin de réaliser des portions plus épaisses en le deuxième matériau diélectrique, mais ceci n’est pas obligatoire. La troisième couche structurée 327 peut être formée similairement à la deuxième couche structurée 324, en réalisant : - une deuxième gravure partielle de la quatrième couche diélectrique 323 à travers un motif (non représenté) adapté à former des deuxièmes cavités CV en alternance avec des portions non gravées formant les sixièmes portions 329 en le deuxième matériau diélectrique, par exemple (mais pas nécessairement) au droit des quatrièmes portions 326, cette deuxième gravure pouvant également être partielle en profondeur de sorte à conserver une épaisseur mince de la quatrième couche diélectrique 323 sur la deuxième couche structurée 324 ( ), ou pouvant être adaptée à supprimer toute l’épaisseur de la quatrième couche diélectrique 323 en dehors des sixièmes portions 329 ; puis - une deuxième étape de remplissage des deuxièmes cavités par un dépôt en le premier matériau diélectrique de sorte à former les cinquièmes portions 328 en le premier matériau diélectrique ( ) ; et éventuellement ; - une deuxième étape de polissage, de sorte à faire affleurer les cinquièmes et sixièmes portions 328, 329 au même niveau, correspondant à la troisième surface 320B de la deuxième structure 320. De préférence, la proportion entre les premier et deuxième matériaux diélectriques dans la troisième couche structurée 327 est sensiblement égale à la proportion entre les premier et deuxième matériaux diélectriques dans la deuxième couche structurée 324. La deuxième gravure partielle est réalisée à partir de la troisième surface 320B de la deuxième structure 320 obtenue après le retrait du deuxième substrat 321 et de la troisième couche diélectrique 322, représentée en . La représente une structure obtenue à l’issue de l’assemblage, après avoir été retournée, d’une troisième structure 330, similaire à la première structure 310, sur la troisième surface 320B de la deuxième structure 320. La troisième structure 330 comprend un troisième substrat 331 sur lequel repose une cinquième couche diélectrique 332 en le troisième matériau diélectrique, elle-même surmontée d’une sixième couche diélectrique 333 en le deuxième matériau diélectrique. La troisième structure 330 comprend en outre sur la sixième couche diélectrique 333, à une quatrième surface 330A de ladite troisième structure, une quatrième couche structurée 334 (troisième couche d’assemblage) comportant, dans le plan XY, des septièmes portions 335 en le premier matériau diélectrique en alternance avec des huitièmes portions 336 en cuivre (quatrième région de cuivre). Les septièmes et huitièmes portions 335, 336 affleurent la quatrième surface 330A de la troisième structure 330. La quatrième couche structurée 334 peut être obtenue similairement à la première couche structurée 213 de la . L’assemblage comprend un collage moléculaire hybride des troisième 320B et quatrième 330A surfaces, de sorte que les huitièmes portions 336 en cuivre sont en contact avec les sixièmes portions 329 en le deuxième matériau diélectrique et une partie des cinquièmes portions 328 en le premier matériau diélectrique. En outre, les huitièmes portions 336 en cuivre sont de préférence en regard des deuxièmes portions 316 en cuivre. Cette liaison obtenue est représentée par un trait en pointillés HB’. La représente une structure obtenue à l’issue de la suppression du troisième substrat 331 et de la cinquième couche diélectrique 332 de la troisième structure 330. Le dispositif électronique 300 illustré en est un dispositif optoélectronique comprenant une structure de filtres interférentiels 302 du type à cavité Fabry-Pérot (trois filtres dans l’exemple représenté), sur un substrat 311. Chaque filtre 302 présente ainsi des portions en cuivre 316, 336 de part et d’autre, et en contact avec, des portions 326, 329 en le deuxième matériau diélectrique, et des portions en le premier matériau diélectrique (oxyde) 325, 328, et ce, sans qu’il soit observé de phénomène de délamination à l’interface entre le cuivre et l’oxyde. Les portions en cuivre 316, 336 forment des miroirs semi-réfléchissants, et les première et quatrième couches structurées 314, 334 sont prises en sandwich entre deux couches 313, 333 (deuxième et sixième couches diélectriques) en le deuxième matériau diélectrique. De préférence, les longueurs, et les largeurs, des portions en cuivre 316, 336 sont comprises entre 600 nm et 10 µm, par exemple entre 600 nm et 5 µm. Dans l’exemple représenté, les deuxième et troisième couches structurées 324, 327 présentent une épaisseur sensiblement constante. Les longueurs, et les largeurs, des quatrièmes et sixièmes portions 326, 329 en le deuxième matériau diélectrique sont de l’ordre de quelques dizaines de nanomètres à quelques centaines de nanomètres (filtres nanostructurés). Par exemple, les quatrièmes et sixièmes portions 326, 329 présentent chacune une section sensiblement carrée de côté compris entre 50 et 150 nm, par exemple égal à environ 60 nm. Le pas entre deux de ces nanostructures est par exemple compris entre 200 et 300 nm pour un filtre optique centré dans le visible ou le proche infra-rouge (par exemple longueurs d’onde entre 600 et 950 nm). Par exemple, le volume du premier matériau diélectrique dans chacune des deuxième et troisième couches structurées 324, 327 représente environ 91% du volume total et le volume du deuxième matériau diélectrique représente environ 9% du volume total. La représente schématiquement, par une vue en coupe, un dispositif électronique 400 selon un mode de réalisation. Le dispositif électronique 400 est un dispositif optoélectronique comprenant une structure de filtres, similaires à la structure de filtres interférentiels 302 de la , assemblée à un substrat 401. Par exemple, la structure de filtres interférentiels 302 de la est détachée de son substrat 311, puis montée au niveau d’une face supérieure 401A du substrat 401. De préférence, la face supérieure 401A du substrat 401 est plane, par exemple présente une planéité de l’ordre d'une centaine de nanomètres à l'échelle d'un substrat (wafer) de 300 mm. En variante, la structure de filtres interférentiels 302 de la est réalisée directement sur le substrat 401, qui correspond alors au substrat 311. Le substrat 401 correspond à un capteur optique comprenant plusieurs photodétecteurs 430, par exemple plusieurs photodiodes. Le substrat 401 comprend une couche 410, par exemple en silicium, ainsi que des composants électroniques, par exemple des transistors, des photodiodes, et/ou des condensateurs, à une face supérieure 410A de la couche 410, et une structure d’interconnexion 420 au-dessus de cette face supérieure. La structure d’interconnexion 420 représentée comprend une couche diélectrique 421 dans laquelle sont formés plusieurs niveaux métalliques reliés entre eux (Metal 1, Metal 2, Metal 3), par exemple en cuivre, chaque niveau métallique comprenant un réseau de pistes électriques 422 isolées par des couches isolantes 423. On a représenté en outre un quatrième niveau de métallisation 424 (Metal 4), par exemple en aluminium (Al), comprenant une connexion vers l'extérieur de type "pad" ou plot de contact, ainsi que des couches de passivation 440 au-dessus de la structure d’interconnexion 420. D’autres structures d’interconnexion peuvent être envisagées. Chaque filtre interférentiel 302 est situé sensiblement au droit d’un photodétecteur 430, par exemple d’une photodiode. Dans l’exemple représenté, les couches isolantes 423 ne s'étendent pas au-dessus des photodétecteurs, par exemple pour obtenir de meilleures propriétés optiques. Dans d’autres exemples, notamment pour un filtre à une longueur d’onde, tout ou partie des couches isolantes et/ou de la couche de passivation peuvent s’étendre entre le filtre et le photodétecteur, de préférence selon des épaisseurs définies, par exemple pour augmenter la transmission de la lumière à la longueur d’onde du filtre. Selon un exemple de fabrication, une fois les niveaux métalliques formés sur la couche 410, on réalise une planarisation du substrat 401 de manière à avoir une surface supérieure 401A plane. La structure de filtres interférentiels 302 est fabriquée par un procédé d’assemblage selon un mode de réalisation, soit directement sur le substrat 401 aplani, soit sur un substrat de fabrication qui est ensuite supprimé puis la structure de filtres 302 reportée sur le substrat 401 aplani. Ensuite, on réalise un dépôt de couches de passivation 440 sur l’ensemble substrat/structure, que l’on vient ensuite ouvrir au-dessus de la structure de filtres 302 et au-dessus du plot de contact 424 (metal 4). En variante, le dispositif électronique 400 peut comprendre un (des) filtre(s) interférentiel(s) similaire(s) au filtre interférentiel 202 de la , ou un filtre à transmission induite, par exemple le filtre 502 de la décrite plus après, ou le filtre 702 de la décrite plus après. Plus généralement, le dispositif électronique peut comprendre au moins un filtre ou une lentille métallique comprenant une première couche d’assemblage comportant une première région de cuivre assemblée par collage hybride à une deuxième couche d’assemblage comportant une deuxième région d'oxyde ou d'un métal oxydé, de sorte que la première région de cuivre est en contact avec la deuxième région d'oxyde ou d'un métal oxydé. La représente schématiquement, par une vue en coupe, un dispositif électronique 500 selon un autre mode de réalisation. Le dispositif électronique 500 est un dispositif optoélectronique comprenant un filtre à transmission induite 502 reposant sur un substrat 511, qui peut être similaire au substrat 211 de la . Un filtre à transmission induite est défini comme étant un filtre comprenant au moins une couche métallique et des couches diélectriques au-dessous et au-dessus de la couche métallique, dont des couches diélectriques avec des indices de réfraction haut (deuxième matériau diélectrique) et bas (premier matériau diélectrique), le nombre et l’épaisseur de ces couches pouvant être variés en fonction de l’application visée. Cette structure de filtre est généralement conçue pour maximiser la transmission du filtre à une longueur d’onde donnée. Pour cela, les alternances de couches diélectriques avec des indices de réfraction haut et bas au-dessus et en dessous de la couche métallique sont calculées pour servir de couches d’adaptation d’impédance entre le milieu incident et la couche métallique, et entre la couche métallique et le milieu émergent. Le premier matériau diélectrique peut être du type silicium oxydé, par exemple du silicium amorphe oxydé, ou du SiO 2 . Le deuxième matériau diélectrique peut être du SiN. Le filtre à transmission induite se distingue du filtre interférentiel 202 du type filtre plasmonique de la principalement en ce le filtre à transmission induite met en œuvre soit une couche continue de métal ( ), soit des plots (portions) métalliques de grande longueur, et de grande largeur ( ), typiquement de l’ordre de la longueur d’onde, par exemple de plusieurs micromètres, alors que les longueurs et les largeurs des plots (portions) métalliques pour un filtre plasmonique sont comprises entre une dizaine de nanomètres et quelques centaines de nanomètres. Le filtre à transmission induite 502 peut être formé par des étapes similaires à celles décrites en relation avec les figures 2A à 2E. Le filtre à transmission induite 502 de la présente des portions 515 en cuivre, en alternance avec des portions 514 en SiO 2 ou silicium amorphe oxydé et sur une couche 512 en SiO 2 ou en silicium amorphe oxydé, les portions 515 en cuivre étant également en contact avec une couche 523 en SiO 2 ou en silicium amorphe oxydé, sans qu’il soit observé de phénomène de délamination à l’interface entre le cuivre et le SiO 2 ou le silicium oxydé. Le filtre à transmission induite 502 ainsi formé permet par exemple de remplacer avantageusement une couche en argent, généralement utilisée dans ce type de filtre, par une couche en cuivre, plus adaptée dans une fabrication de type CMOS. De plus, un filtre à transmission induite comprend généralement plus d’une couche diélectrique de part et d’autre de la couche métallique, comme illustré en figures 6 et 7. La représente schématiquement, par une vue en coupe, un exemple de filtre à transmission induite 600, dans lequel il n’y a pas de contact direct entre une couche en cuivre et une couche d’oxyde. Chacune des faces de la couche en cuivre M1 est en contact avec une couche N11, N21 en SiN, dite couche espaceur, revêtue d’une couche O11, O21 en SiO 2 , elle-même revêtue d’une couche N12, N22 en SiN revêtue d’une couche O12, O22 en SiO 2 etc. On a réalisé ainsi un empilement E1, E2 de couches en SiN alternant avec des couches en SiO 2 de part et d’autre de la couche en cuivre M1, comme indiqué dans le tableau 1 ci-dessous. Les matériaux composant les couches du filtre à transmission induite 600 de la et leurs épaisseurs sont regroupés dans le tableau 1 ci-dessous. Référence de couche Matériau Epaisseur (nm) N15 SiN 119 O14 SiO 2 162 N14 SiN 119 013 SiO 2 162 N13 SiN 119 O12 SiO 2 162 N12 SiN 119 O11 SiO 2 162 N11 SiN 98 M1 Cu 50 N21 SiN 98 O21 SiO 2 162 N22 SiN 119 O22 SiO 2 162 N23 SiN 119 O23 SiO 2 162 N24 SiN 119 O24 SiO 2 192 N25 SiN 119 La représente schématiquement, par une vue en coupe, un filtre à transmission induite 700 d’un dispositif électronique selon un mode de réalisation, dans lequel il y a un contact direct entre une couche en cuivre et une couche d’oxyde. Ainsi, chacune des faces de la couche en cuivre M2 est en contact avec une couche O31, O41 en SiO 2 revêtue d’une couche N31, N41 en SiN, dite couche espaceur, elle-même revêtue d’une couche O32, O42 en SiO 2 revêtue d’une couche N32, N42 en SiN etc. On a réalisé ainsi un empilement E3, E4 de couches en SiO 2 alternant avec des couches en SiN de part et d’autre de la couche en cuivre M2, comme indiqué dans le tableau 2 ci-dessous. Les matériaux composant les couches du filtre à transmission induite 700 de la et leurs épaisseurs sont regroupés dans le tableau 2 ci-dessous. Référence de couche Matériau Epaisseur (nm) N35 SiN 119 O35 SiO 2 162 N34 SiN 119 O34 SiO 2 162 N33 SiN 119 O33 SiO 2 162 N32 SiN 119 O32 SiO 2 162 N31 SiN 119 O31 SiO 2 303 M2 Cu 50 O41 SiO 2 303 N41 SiN 119 O42 SiO 2 162 N42 SiN 119 O43 SiO 2 162 N43 SiN 119 O44 SiO 2 162 N44 SiN 119 O45 SiO 2 162 N45 SiN 119 La représente des courbes d'évolution de la transmission en fonction de la longueur d’onde de filtres à transmission induite. La courbe en pointillés 801 correspond au filtre 600 de la , et la courbe en trait plein 802 correspond au filtre 700 de la . Les courbes 801, 802 montrent que le fait d’avoir une couche espaceur en oxyde (SiO 2 ), à faible indice de réfraction permet une réduction drastique de la pleine largeur à mi-hauteur (FWHM, Full Width Half Max en anglais) de la transmission, de l’ordre de 45 % de réduction dans l'exemple représenté, la pleine largeur à mi-hauteur diminuant d’environ 35 nm à environ 19 nm. Un corollaire de cette réduction de FWHM est une réduction plus importante de la lumière ambiante, par exemple dans des applications d'imagerie active, telles que la mesure de distance, induisant un meilleur rapport signal/bruit, et une plus grande plage de détection. Bien que les exemples en figures 5 à 7 montrent un filtre à transmission induite avec une seule couche métallique, un filtre à transmission induite peut comprendre plusieurs couches métalliques, par exemple jusqu’à trois couches métalliques. La est une image prise en microscopie électronique à transmission, ou "TEM" pour Transmission Electronic Microscopy en anglais, qui représente un détail d’un filtre plasmonique 902, par exemple le filtre plasmonique 202 de la . Le filtre plasmonique 902 présente des portions en cuivre 915 entre des portions 914 en SiO 2 , le cuivre étant également en contact avec une couche 923 en SiO 2 sans qu’il soit observé de phénomène de délamination à l’interface HB obtenue par collage hybride entre le cuivre et le SiO 2 de la couche 923. Des exemples de modes de réalisation sont résumés ci-après. Exemple 1. Procédé d'assemblage d'une première couche comprenant une première région de cuivre à une première surface et d’une deuxième couche comprenant une deuxième région d'oxyde ou d'un métal oxydé à une deuxième surface, dans lequel les première et deuxième surfaces sont assemblées à l'aide d'un collage hybride tel que toute la première région de cuivre est mise en contact avec l'oxyde de la deuxième région. Exemple 2. Procédé selon l’exemple 1, dans lequel l'oxyde ou le métal oxydé comprend un oxyde de silicium, ou un oxynitrure de silicium. Exemple 3. Procédé selon l’exemple 1 ou 2, dans lequel la première couche est comprise dans une première structure, par exemple une première puce ou une première plaquette, la deuxième couche est comprise dans une deuxième structure, par exemple une deuxième puce ou une deuxième plaquette, et le procédé comprend, avant le collage hybride, le positionnement de la première structure par rapport à la deuxième structure. Exemple 4. Procédé selon l’un quelconque des exemples 1 à 3, dans lequel avant le collage hybride, la première couche est formée sur un premier substrat, et la deuxième couche est formée sur un deuxième substrat. Exemple 5. Procédé selon l’un quelconque des exemples 1 à 4, dans lequel, avant le collage hybride, les première et deuxième surfaces à assembler sont aplanies, par exemple par polissage mécano-chimique. Exemple 6. Procédé selon l’un quelconque des exemples 1 à 5, dans lequel la première couche est une couche de cuivre continue. Exemple 7. Procédé selon l’un quelconque des exemples 1 à 5, dans lequel la première couche comprend une couche de cuivre discontinue, par exemple des plots de cuivre dans une première couche diélectrique, telle qu'une couche d'oxyde. Exemple 8. Procédé selon l’un quelconque des exemples 1 à 7, dans lequel la première couche est formée selon un procédé Damascène, la première couche diélectrique étant par exemple une couche de dioxyde de silicium. Exemple 9. Procédé selon l’exemple 7 ou 8, dans lequel les largeurs des plots de cuivre sont comprises entre 600 nm et 10 µm, par exemple entre 600 nm et 5 µm. Exemple 10. Procédé selon l’exemple 7 ou 8, dans lequel les largeurs des plots de cuivre sont inférieures à 600 nm, par exemple inférieures à 300 nm, ou inférieures à 200 nm, par exemple égales à environ 100 nm. Exemple 11. Procédé selon l’un quelconque des exemples 1 à 10, dans lequel la deuxième couche est une couche continue d’oxyde ou de métal oxydé. Exemple 12. Procédé selon l’un quelconque des exemples 1 à 10, dans lequel la deuxième couche comprend une couche discontinue d'oxyde ou de métal oxydé, par exemple des plots d'oxyde ou de métal oxydé entre des piliers en un deuxième matériau diélectrique, par exemple un nitrure de silicium. Exemple 13. Procédé selon l'un quelconque des exemples 1 à 12, dans lequel la deuxième couche est une multicouche comprenant une couche d'oxyde ou de métal oxydé et une couche d'un troisième matériau diélectrique, par exemple un nitrure de silicium, la couche d'oxyde ou de métal oxydé étant positionnée sur la couche du troisième matériau diélectrique. Exemple 14. Procédé selon l'un quelconque des exemples 1 à 13, comprenant en outre, avant le collage hybride, une étape d'oxydation d'une couche métallique, par exemple une couche de silicium, pour former le métal oxydé au niveau de la deuxième surface. Exemple 15. Procédé selon l'un quelconque des exemples 1 à 14, comprenant en outre, après le collage hybride, une étape de recuit, par exemple à une température d'au moins 200°C. Exemple 16. Procédé selon l'un quelconque des exemples 1 à 15, dans lequel la deuxième couche comprend une troisième région de l'oxyde ou du métal oxydé au niveau d'une troisième surface opposée à la deuxième surface, et le procédé comprend l'assemblage d'une troisième couche comprenant une quatrième région de cuivre au niveau d'une quatrième surface, avec la deuxième couche, la troisième surface étant assemblée avec la quatrième surface au moyen d'un collage hybride de sorte que la totalité de la quatrième région soit mise en contact avec la troisième région. Exemple 17. Dispositif électronique comprenant une première couche assemblée à une deuxième couche, la première couche comportant une première région de cuivre et la deuxième couche comportant une deuxième région d'oxyde ou d'un métal oxydé, dans lequel toute la première région de cuivre est en contact avec l'oxyde ou le métal oxydé de la deuxième région. Exemple 18. Dispositif électronique comprenant une première couche et une deuxième couche assemblées selon le procédé de l'un quelconque des exemples 1 à 16. Exemple 19. Dispositif électronique selon l’exemple 17 ou 18, comprenant une troisième couche assemblée à la deuxième couche. Exemple 20. Dispositif électronique selon l'un quelconque des exemples 17 à 19, comprenant un filtre, une cavité optique ou une lentille comportant la première région de cuivre. Exemple 21. Dispositif électronique selon l’exemple 20, dans lequel le filtre est un filtre plasmonique, un filtre interférentiel ou un filtre à transmission induite, ou la cavité optique est une cavité Fabry-Perot. Exemple 22. Capteur d'image comprenant un dispositif électronique selon l'un quelconque des exemples 17 à 21. Les applications des modes de réalisation couvrent tous les dispositifs électroniques dans lesquels on cherche à réaliser une interface entre une couche de cuivre et une couche en oxyde, en particulier un oxyde de silicium, tel que SiO 2 , SiON, ou un métal oxydé, la couche de cuivre et/ou la couche en oxyde ou en métal oxydé pouvant être continue ou discontinue. Les modes de réalisation peuvent en particulier s’appliquer à la réalisation de filtres optiques métalliques, ou de lentilles métalliques, destinés à être assemblés à des capteurs optiques, tels que les capteurs d'images. Un exemple de capteur optique peut être un capteur de lumière ambiante (ALS, pour Ambiant Light Sensor en anglais), un filtre passe-bande infrarouge (Infrared Bass-Band Filter en anglais). Les modes de réalisation peuvent également s’appliquer à des structures de redistribution de courant comprenant du cuivre en contact avec un oxyde ou un métal oxydé. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, selon les applications visées, les régions de cuivre ne sont pas nécessairement discontinues (sous forme de portions de cuivre alternant avec des portions diélectriques) et peuvent, par exemple, correspondre à des couches continues de cuivre. De plus, le nombre de couches, ainsi que leurs épaisseurs et le choix des premier et deuxième matériaux diélectriques apparaitront à une personne du métier selon l’application visée. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Procédé d'assemblage d'une première couche d’assemblage (213 ; 314 ; 513) comprenant une première région de cuivre (215 ; 316 ; 515) à une première surface (210A ; 310A) et d’une deuxième couche d’assemblage (223 ; 324, 327 ; 523) comprenant une deuxième région d'oxyde (223 ; 325) ou d'un métal oxydé (523) à une deuxième surface (220A ; 320A), dans lequel les première et deuxième surfaces sont assemblées à l'aide d'un collage hybride tel que toute la première région de cuivre est mise en contact avec l'oxyde ou le métal oxydé de la deuxième région. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la première couche d’assemblage est comprise dans une première structure (210 ; 310), par exemple une première puce ou une première plaquette, la deuxième couche d’assemblage est comprise dans une deuxième structure (220 ; 320), par exemple une deuxième puce ou une deuxième plaquette, et le procédé comprend, avant le collage hybride, le positionnement de la première structure par rapport à la deuxième structure. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la première couche d’assemblage comprend, par exemple est, une couche de cuivre continue. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la première couche d’assemblage comprend, à la première surface (210A ; 310A), par exemple est, une première couche structurée (213 ; 314 ; 513) comportant, dans un plan (XY) parallèle au plan de la première surface, des premières portions (214 ; 315 ; 514) en un premier matériau diélectrique, par exemple en oxyde ou métal oxydé, en alternance avec des deuxièmes portions (215 ; 316 ; 515) en cuivre. Procédé selon la revendication 4, dans lequel la première couche structurée (213 ; 314 ; 513) est formée selon un procédé Damascène, le premier matériau diélectrique étant par exemple un oxyde de silicium. Procédé selon la revendication 4 ou 5, dans lequel les dimensions dans le plan (XY) des deuxièmes portions (316) en cuivre sont comprises entre 600 nm et 10 µm, par exemple comprises entre 600 nm et 5 µm. Procédé selon la revendication 4 ou 5, dans lequel les dimensions dans le plan (XY) des deuxièmes portions (215) en cuivre sont inférieures à 600 nm, par exemple inférieures à 300 nm, ou inférieures à 200 nm, par exemple égales à environ 100 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la deuxième couche d’assemblage (223 ; 523) comprend, par exemple est, une couche continue de l’oxyde ou du métal oxydé. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la deuxième couche d’assemblage comprend, à la deuxième surface (320A), par exemple est, une deuxième couche structurée (324) comportant, dans un plan (XY) parallèle au plan de la deuxième surface, des troisièmes portions (325) de l'oxyde ou du métal oxydé, en alternance avec des quatrièmes portions (326) en un deuxième matériau diélectrique, par exemple en un nitrure de silicium. Procédé l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel, avant le collage hybride : - la première couche d’assemblage est formée au-dessus d’un premier substrat (211 ; 311 ; 511), et la deuxième couche d’assemblage est formée au-dessus d’un deuxième substrat (221 ; 321) ; et/ou - les première et deuxième surfaces sont aplanies, par exemple par polissage mécano-chimique ; et/ou - une couche métallique, par exemple une couche de silicium, est oxydée de manière à former le métal oxydé à la deuxième surface. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, comprenant en outre, après le collage hybride, une étape de recuit, par exemple à une température d'au moins 200°C. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel la deuxième couche d’assemblage (324, 327) comprend une troisième région (328) d'oxyde ou de métal oxydé à une troisième surface (320B) opposée à la deuxième surface (320A), et le procédé comprend l'assemblage de la deuxième couche d’assemblage avec une troisième couche d’assemblage (334), comprenant une quatrième région (336) de cuivre à une quatrième surface (330A), la troisième surface étant assemblée avec la quatrième surface au moyen d'un autre collage hybride tel que toute la quatrième région de cuivre est mise en contact avec l’oxyde ou le métal oxydé de la troisième région. Procédé selon la revendications 12, dans lequel : - la deuxième couche d’assemblage comprend, à la troisième surface (320B), une troisième couche structurée (327) comportant, dans un plan (XY) parallèle au plan de la troisième surface, des cinquièmes portions (328) de l'oxyde ou du métal oxydé, en alternance avec des sixièmes portions (329) en un deuxième matériau diélectrique, par exemple en un nitrure de silicium ; et/ou - la troisième couche d’assemblage comprend à la quatrième surface (330A), par exemple est, une quatrième couche structurée (334) comportant, dans un plan (XY) parallèle au plan de la quatrième surface, des septièmes portions (335) en un premier matériau diélectrique, par exemple en oxyde ou métal oxydé, en alternance avec des huitièmes portions (336) en cuivre ; et/ou - la troisième couche d’assemblage est comprise dans une troisième structure (330), par exemple une troisième puce ou une troisième plaquette, le procédé comprenant, avant l’autre collage hybride, le positionnement de la troisième structure par rapport à la deuxième structure ; et/ou - la troisième couche d’assemblage est formée au-dessus d’un troisième substrat (331), avant l’autre collage hybride ; et/ou - les troisième et quatrième surfaces à assembler sont aplanies, par exemple par polissage mécano-chimique, avant l’autre collage hybride. Dispositif électronique (200 ; 300 ; 400 ; 500 ; 700) comprenant une première couche d’assemblage (213 ; 314 ; 513) comportant une première région (215 ; 316 ; 515) de cuivre à une première surface (210A ; 310A) assemblée par collage hybride à une deuxième surface (220A ; 320A) d’une deuxième couche d’assemblage (223 ; 324, 327 ; 523) comportant une deuxième région (223 ; 325) d'oxyde ou d'un métal oxydé (523), dans lequel toute la première région de cuivre est en contact avec l'oxyde ou le métal oxydé de la deuxième région. Dispositif électronique selon la revendication 14, comprenant une troisième couche d'assemblage (334) comportant une quatrième région (336) de cuivre au niveau d'une quatrième surface (330A) assemblée par collage hybride à une troisième surface (320B) de la deuxième couche d'assemblage (324, 327) opposée à la deuxième surface (320A) et comportant une troisième région (328) d'oxyde ou de métal oxydé, dans lequel toute la quatrième région de cuivre est en contact avec l'oxyde ou le métal oxydé de la troisième région. Dispositif électronique selon la revendication 14 ou 15, dans lequel l'oxyde ou le métal oxydé comprend un oxyde de silicium, un oxynitrure de silicium, un oxycarbonitrure de silicium, ou un silicium amorphe oxydé. Dispositif électronique selon l'une quelconque des revendications 14 à 16, dans lequel l’assemblage par collage hybride de la première couche d’assemblage et de la deuxième couche d’assemblage est comprise dans un filtre, par exemple un filtre interférentiel, un filtre plasmonique, un filtre à transmission induite et/ou un filtre à cavité optique telle une cavité Fabry-Pérot, dans une lentille, et/ou dans une couche de redistribution de courant. Capteur optique comprenant un dispositif électronique selon l'une quelconque des revendications 14 à 17.