Brevet FR3146466A1 — publié le 20240913

PROCEDE DE DEPOT D’UN FILM CONDUCTEUR La présente invention concerne un procédé de dépôt d’un film sur la surface d’un substrat tridimensionnel complexe, tout en évitant les ruptures et inconvénients observées dans l’état de l’art, conduisant à un dépôt conforme du film conducteur sur un substrat. Figure de l’abrégé : Fig. 1 PROCEDE DE DEPOT D’UN FILM CONDUCTEUR DOMAINE DE L’INVENTION La présente invention concerne une méthode de fabrication d’un film conducteur à la surface d’un objet tridimensionnel. L’invention concerne également le film conducteur à la surface de l’objet tridimensionnel. ÉTAT DE LA TECHNIQUE Plusieurs technologies sont à l’étude pour fabriquer des circuits électroniques sur des objets tridimensionnels (3D) du quotidien afin d’y intégrer de nouvelles fonctions les rendant plus intelligent (Smart Object en anglais). A ce jour, il n’existe pas de technologie répondant totalement à ce défi. On peut distinguer plusieurs axes de recherche : Le premier cas concerne l’électronique réalisée sur substrat bidimensionnel (2D) flexible qui est le plus aboutie notamment avec l’apparition de l’électronique imprimée. Les substrats utilisés sont en général des films polymères appelés communément films plastiques. Ainsi il existe sur le marché des circuits imprimés (PCB : printed circuit board en anglais) flexibles, des panneaux photovoltaïques flexibles… Des efforts de recherches se concentrent sur la réduction de l’épaisseur du substrat (jusqu’à quelques microns) permettant d’améliorer la résistance mécanique de films à propriétés fonctionnelles tels que des films conducteurs électriques déposés sur le substrat lorsqu’ils sont soumis à des déformations extrêmes. L’inconvénient de cette technologie réside dans la nécessité d’avoir un substrat flexible qui reste à demeure sur l’objet 3D. D’autre part, dans le cas du recouvrement de surface non développables d’objet 3D (sphère, tore, objet comportant des surfaces de forme en selle de cheval combinant courbure concave et convexe) l’apparition de plis propagés sur l’ensemble de la surface réduit la conformabilité du recouvrement. Le deuxième cas concerne l’électronique réalisée sur substrat 2D déformable basé sur la capacité du substrat à s’étirer afin d’épouser les formes de l’objet, soit sous l’effet de la chaleur (substrat thermoformable) soit de par sa nature (par exemple substrat élastomère silicone). Par conséquent, les axes de recherches prioritaires portent sur l’élaboration de matériaux (conducteurs, isolants, semiconducteurs) étirables non usuels ou sur la géométrie de l’électronique et aucun ne propose de solutions permettant de recouvrir un objet 3D avec un substrat étirable incorporant de l’électronique. L’inconvénient de cette technologie réside dans la nécessité d’avoir un substrat étirable qui reste à demeure sur l’objet ou qui constitue l’objet (cas du thermoformage) en conséquence son étirement provoque inévitablement la rupture mécanique des films fonctionnels. Le troisième cas concerne l’électronique réalisée directement sur l’objet 3D grâce à la technologie d’impression jet d’encre qui permet d’imprimer des matériaux fonctionnels omnidirectionellement sur des objets, par exemple la technologie Aerosol qui permet d’imprimer en 3D de l’encre conductrice. Les inconvénients de cette technologie résident dans la limite de précision en termes de définition des motifs, de l’équipement spécifique et une limite d’application aux matériaux conducteurs ou isolants devant posséder les paramètres rhéologiques adaptés à l’aérosol printing. Le quatrième cas concerne la technologie 3D MID (Appareil intégré mécatronique - Mechatronic Integrated Device en anglais) qui porte uniquement sur des objets en plastique enrichis en nanoparticules conductrices. Cette technologie constituée d’un laser monté sur un bras robotisé 5 axes, vient détruire localement le plastique en surface révélant ainsi localement les nanoparticules conductrices. Après traitement chimique, des pistes conductrices peuvent être réalisées à la surface d’objet tridimensionnel. Les inconvénients de cette technologie 3D MID résident dans son coût et le choix des matériaux limité au plastique compatible et comportant des nanoparticules. Le but de l’invention est de proposer un procédé de dépôt d’un film à propriétés fonctionnelles sur la surface d’un objet tridimensionnel complexe, tout en évitant les ruptures, et/ou les plis et inconvénients observés dans l’état de l’art, conduisant à un dépôt conforme du film conducteur sur un substrat. La surface de l’objet peut comporter des courbures non développables qui ne peuvent pas être recouvertes de manière conforme sans que le film ne subisse des déformations qui peuvent être des déformations d’étirement ou de contraction. L’aptitude du film à l’étirement lors du transfert sur la surface de l’objet 3D évitera la formation de fissures et la rupture des propriétés. L’aptitude du film à se contracter évitera la formation de plis lors du transfert. RÉSUMÉ L’invention concerne donc un procédé de dépôt d’un film conducteur à la surface d’un objet tridimensionnel comprenant les étapes suivantes : dépôt d’une couche métallique nanostructurée à la surface d’un substrat temporaire, désolidarisation de la couche métallique nanostructurée du substrat temporaire, transfert de la couche métallique nanostructurée à la surface d’un objet 3D comprenant l’application d’une contrainte mécanique sur la couche métallique nanostructurée de sorte à l’étirer à la surface de l’objet 3D, l’étirement donnant lieu à l’apparition de nanofissures dans la couche métallique nanostructurée, dépôt sélectif d’un matériau de comblement métallique sur la couche métallique nanostructurée de sorte à combler lesdites nanofissures. Dans un mode de réalisation, la couche métallique nanostructurée a une épaisseur comprise entre 1 et 100 nm, de préférence entre 1 et 30 nm. Une faible épaisseur de la couche métallique nanostructurée conduit à des ruptures de faibles largeurs – des nanofissures – lors de l’étape de transfert. Dans un mode de réalisation, la couche métallique nanostructurée comprend de l’or, du cuivre, et/ou un alliage de ceux-ci. Dans un mode de réalisation, l’étape (ii) comprend le transfert de la couche métallique à la surface d’un liquide. En particulier, l’étape (ii) comprend un contact direct ou indirect de la couche métallique avec la surface du liquide, ou la dissolution du substrat temporaire dans le liquide. Dans un mode de réalisation, les nanofissures ont une largeur inférieure à 20 nm, de préférence inférieure à 10 nm. Dans un mode de réalisation, l’étape (iv) comprend l’immersion de la couche métallique dans une solution comprenant : un précurseur d’ions métalliques, un agent chélateur, une base, et un agent réducteur. L’invention concerne également un film conducteur déposé à la surface d’un objet tridimensionnel selon la méthode décrite ci-dessus, comprenant au moins : une couche nanostructurée d’or comprenant des nanofissures, un matériau de comblement métallique de cuivre comblant les nanofissures de la couche nanostructurée d’or. Dans un mode de réalisation, les nanofissures de la couche nanostructurée d’or ont une largeur inférieure à 20 nm, de préférence inférieure à 10 nm. Une faible largeur des nanofissures a pour effet de faciliter leur comblement par l’étape de dépôt autocatalytique. Dans un mode de réalisation, le film conducteur a une épaisseur supérieure ou égale à 1 µm. DÉFINITIONS Dans la présente invention, les termes ci-dessous sont définis de la manière suivante : “ Conforme ” désigne la capacité d’un film mince ou d’une fonction électronique à recouvrir complètement la surface d’un objet tridimensionnel. Chaque élément de surface de l’objet recouvert devra idéalement avoir les mêmes propriétés apportées par le film. Le contact du film en tous point de la surface de l’objet recouvert doit être intime et permanent. Le film devra donc adhérer intimement à la surface de l’objet et/ou d’une surface 3D. “ Couche nanostructurée ” désigne un matériau couche mince structuré dans le plan sur lequel elle a été déposée qui comporte des éléments spécifiques d’organisation, de structure et de morphologie à l’échelle submicrométrique ou plus spécifiquement dans la gamme de quelques nanomètres à quelques centaines de nanomètres. Les éléments spécifiques peuvent par exemple être des ilots de matériau répartis sur la surface connectés ou non, des porosités ou des ligaments connectant des ilots. “ Désalliage ” désigne le retrait spécifique d'un métal d'un alliage. Par exemple, le désalliage en vapeur d’acide nitrique comprend l'étape d'oxydation du métal par la vapeur acide qui amène à la formation de nitrate métallique, lors de cette réaction le métal noble, n'est pas oxydé mais les atomes se réorganisent sous forme d'une couche de métal noble nanostructurée. Le nitrate métallique pourra être éliminé lors d’une étape de dissolution. “ Guérison ” désigne l’action de permettre à une couche mince de retrouver sa fonction originelle. Par exemple, si la fonction originelle d’une couche mince était de conduire l’électricité, si cette dernière n’est plus assurée, elle le sera après guérison. “ Matériau couche mince ” désigne un matériau (conducteur, isolant, semiconducteur, etc.) déposé sur une surface par les méthodes usuelles de la microélectronique. “ Matériau de comblement métallique ” désigne un dépôt de métal, par exemple dans une fissure ou sur une couche métallique, pour combler un défaut. Ce dépôt peut être réalisé par une méthode autocatalytique (electroless en anglais). “ Nanofissures ” désigne des ruptures très fines et localisées apparaissant lors du transfert et la déformation du film sur l'objet 3D. On parle de nanofissures lorsque leur largeur est de quelques nanomètres, préférentiellement entre 1 nm et 20 nm. “ Substrat temporaire ” désigne un support mécanique de faible épaisseur (par exemple quelques dizaines de microns) par exemple constitué de verre ou d’un matériau polymère appelé communément film plastique. Le substrat temporaire peut être flexible. “ Liquide ” désigne une matière à l’état liquide constituée d’une substance ou d'un mélange homogène que l'on obtient en dissolvant une substance solide, liquide ou gazeuse, dans un solvant. Ce mélange peut contenir plusieurs espèces chimiques dissoutes (solutés), dont un solvant. La surface libre du liquide au repos est plane et horizontale. Le liquide peut être de l'eau ou plus généralement une solution aqueuse. DESCRIPTION DÉTAILLÉE La présente invention concerne un procédé de dépôt d’un film conducteur. Ce film conducteur est conçu pour recouvrir la surface d’un substrat tridimensionnel (noté 3D ci-après). Dans une première étape, on dépose une couche métallique nanostructurée (200) à la surface d’un substrat temporaire (100). Le substrat temporaire (100) peut être soluble dans un liquide (300), préférentiellement une solution aqueuse voire de l’eau, par exemple le matériau est de l’APV (alcool polyvinylique), ou insoluble dans le liquide (300), par exemple le matériau est du verre. La couche métallique (200) est nanostructurée par des éléments spécifiques de morphologie à l’échelle submicrométrique (typiquement dans la gamme de la centaine de nanomètres, par exemple entre 1 et 100 nm, de préférence entre 1 et 30 nm). Lesdits éléments spécifiques peuvent par exemple être des ilots ou des ligaments de matériau, constituant la couche métallique nanostructurée (200). Ces ilots peuvent être connectés ou non. S’ils sont disjoints, on parlera de couche pigmentaire. Si les ilots sont connectés, il peut exister une porosité dans la couche métallique nanostructurée (200) (absence de matériau), on parlera de couche nanoporeuse. Si la connexion entre les ilots s’effectue par des ligaments, on parlera de couche nanoporeuse ligamentaire. Si la couche métallique nanostructurée (200) n’est constituée que de ligaments interconnectés on parlera de couche nanomaillée. Dans tous les cas les éléments spécifiques de morphologie doivent être répartis de manière homogène et isotrope dans la couche métallique nanostructurée (200). La couche métallique nanostructurée (200) réalise une fonction électronique. Par exemple, dans le cas d’une couche d’or, sa fonction est de conduire le courant électrique. Cette couche métallique (200) est réalisée sur le substrat temporaire (100) avec les matériaux et selon les méthodes permettant l’obtention de couche mince de telle sorte qu’elle puisse se désolidariser de ce substrat temporaire (100). La couche métallique nanostructurée (200) est constituée d’un motif électronique ou de la superposition de motifs électroniques (201, 202). Le nombre de motifs électroniques empilés n’est pas limité, mais il est de préférence inférieur à 5. Dans un mode de réalisation, la couche métallique nanostructurée (200) comprend de l’or, du cuivre, et/ou un alliage de ceux-ci. Dans une deuxième étape (illustré par les figures 2 et 3), un processus de désolidarisation de la couche métallique nanostructurée (200) réalisée sur le substrat temporaire (100) est opéré, par exemple par l’action d’un liquide (300). Dans un premier mode de réalisation (illustré par la ), le substrat temporaire (100) est insoluble dans le liquide (300) et la couche métallique nanostructurée (200) possède une faible adhésion sur le substrat temporaire (100). Dans ce premier mode, la couche métallique nanostructurée (200) se sépare du substrat temporaire (100) lorsque cette dernière rencontre la surface du liquide (300). La mise en contact de la couche métallique nanostructurée (200) avec la surface du liquide (300) s’opère par immersion du substrat temporaire (100) dans le liquide (300) et peut se faire soit par l’action de descente du substrat temporaire (100), soit par la montée du niveau du liquide (300). La couche métallique nanostructurée (200) flotte de ce fait à la surface du liquide (300) grâce aux prédominances des forces capillaires devant les forces de gravité. Dans un second mode de réalisation (illustré par la ), le substrat temporaire (100) est soluble dans le liquide (300), de préférence, le substrat temporaire (100) est de l’APV et le liquide (300) est de l’eau. Dans ce second mode, la couche métallique nanostructurée (200) se sépare du substrat temporaire (100) par dissolution de ce dernier par l’action du liquide (300). Dans une première variante (illustrée par la a), le substrat temporaire (100) ainsi que la couche métallique nanostructurée (200) sont au contact direct avec du liquide (300). Le substrat temporaire (100) au contact du liquide de part et d’autre de la couche métallique nanostructurée (200) subit une dissolution progressive jusqu’à désolidarisation totale de la couche métallique nanostructurée (200) qui se retrouve ainsi déposée à la surface du liquide (300). Dans la seconde variante (illustrée par la b), le substrat temporaire (100) est déposé sur le liquide (300), la couche métallique nanostructurée (200) étant sur la face opposée de manière à maintenir la couche métallique nanostructurée (200) hors du liquide (300). Le substrat temporaire (100) au contact du liquide subit une dissolution progressive jusqu’à désolidarisation totale de la couche métallique nanostructurée (200) qui se retrouve déposée au contact direct de la surface du liquide (300). Ce dit substrat temporaire (100) après dissolution, forme un film liquide (100) à la surface du liquide (300). Dans une troisième étape (illustrée par la ), le transfert de la couche métallique nanostructurée (200) sur un objet 3D (400) est opéré par la méthode d’impression par transfert (Transfer Printing en anglais) ou d’impression hydrographique (Water Transfer Printing en anglais). Cette méthode d’impression par transfert utilise la pression du liquide (300) pour reporter la couche métallique nanostructurée (200) sur un objet 3D (400), de préférence le report est conforme. C’est lors de cette étape que la couche métallique nanostructurée (200) subit des déformations et adapte sa forme sur l’objet 3D (400) que l’on souhaite recouvrir. Cette opération de transfert peut s’effectuer en émergeant ou en immergeant l’objet 3D (400). Dans un premier mode de réalisation en émergence (illustré par les figures 4 a et 4 b), l’objet 3D (400) est préalablement immergé dans le liquide (300) au fond d’un contenant de manière à ce que la surface destinée à réceptionner la couche métallique nanostructurée (200) flottante soit positionnée face à la surface du liquide (300), la couche métallique nanostructurée (200) peut se déposer sur le substrat 3D (400) suivant deux variantes. Dans la première variante ( a) le liquide (300) descend jusqu’au contact de la couche métallique nanostructurée (200) avec l’objet 3D (400) immergé permettant ainsi le dépôt de la couche métallique nanostructurée (200) en s’étirant pour adapter sa forme sur l’objet 3D (400). Dans la seconde variante ( b) l’objet 3D (400) immergé monte jusqu’au contact de la couche métallique (200) avec l’objet 3D (400) permettant ainsi le dépôt de la couche métallique nanostructurée (200) en s’étirant pour adapter sa forme à la surface du substrat 3D (400). Dans un second mode de réalisation en immersion (illustré par les figures 4 c et 4 d), le transfert à lieu par pression de contact entre l’objet 3D (400) et la couche métallique nanostructurée (200) flottante, la tension superficielle du liquide (300) crée une pression qui permet au motif de se courber autour de l’objet 3D et d’y adhérer. Dans une première variante ( c) le liquide (100) monte de manière à exercer une pression de contact entre la couche métallique nanostructurée (200) et l’objet 3D (400) et l’immerger permettant ainsi le dépôt de la couche métallique nanostructurée (200) en se déformant pour adapter sa forme sur l’objet 3D (400). Dans une seconde variante ( d) l’objet 3D descend de manière à exercer une pression de contact sur la couche métallique nanostructurée (200) flottante et s’immerger dans le liquide (300) permettant ainsi le dépôt de la couche métallique nanostructurée (200) en se déformant pour adapter sa forme sur l’objet 3D (400). Lors de l’étape de transfert décrite précédemment, la morphologie de la couche métallique nanostructurée (200) permet à cette dernière de s’étirer et conduit à la formation de nanofissures (504). En effet, les capacités d’adaptabilité de la couche métallique nanostructurée (200) sont supérieures à une couche qui n’aurait pas cette ductilité et donc ces capacités d’allongement. Cependant, même avec une capacité d’allongement supérieure, des nanofissures (504) localisées apparaissaient au travers de la couche métallique nanostructurée (200). Cette rupture en ilots observée dans la couche métallique nanostructurée (200), conduit à une couche pigmentaire, provoque une détérioration de la fonction électronique de cette dernière. Par exemple, dans le cas d’une couche conductrice, une perte de conductivité est observée. Dans la a, la couche métallique nanostructurée (200) présente une morphologie ligamentaire nanoporeuse montrant des capacités à se déformer localement lorsque cette dernière est étirée. Une rupture des ligaments apparaît dans toute la couche métallique nanostructurée (200) ou par endroits ce qui conduit à isoler des ilots par des nanofissures (504) localisées, d’une largeur par exemple inférieure à 20 nm, de préférence inférieure à 10 nm, et ceci de manière homogène sur toute la surface de la couche métallique nanostructurée (200). On peut donc considérer que la couche initialement nanomaillée ligamentaire est maintenant équivalente à une couche pigmentaire ( b) constituée d’ilots isolés les uns des autres. Selon un mode de réalisation, on met en place une étape de rinçage après la troisième étape et avant la quatrième étape dans le cas d’un substrat temporaire (100) soluble afin d’éliminer les résidus du dit substrat soluble (100), qui pourraient gêner le dépôt du matériau de comblement métallique lors de la quatrième étape. Dans une quatrième étape, le dépôt sélectif d’un matériau de comblement métallique est mis en œuvre afin de combler les nanofissures (504) entre les ilots qui sont apparues lors de l’étirement de la couche métallique nanostructurée (200) au cours de l’étape de transfert. Cet apport doit être sélectif c’est-à-dire qu’il s’effectue préférentiellement dans les nanofissures (504) ou sur le matériau en couche mince (couche métallique nanostructurée (200)) mais en aucun cas à d’autres endroits de la surface de l’objet 3D car ceci pourrait produire des courts circuits entre les électrodes/domaine conducteurs de la couche fonctionnelle. La a montre une couche métallique nanomaillée (200) présentant une rupture mécanique après étirement. La b illustre une couche métallique continue pleine post dépôt sélectif, on observe que les nanofissures (504) mais aussi les pores ont été comblés par le dépôt sélectif. Dans un mode de réalisation, la couche métallique nanomaillée peut être de l’or. Les a, 5b, 5c et 5d montrent des images au microscope électronique à balayage d’une couche d’or nanomaillée après déformation et étirement post impression par transfert (cas a) puis post dépôt sélectif (cas b c d). L’épaisseur des couches métalliques nanostructurées (200) est suffisamment faible, par exemple comprise entre 1 nm et 100 nm, de préférence entre 1 nm et 30 nm, pour que lors de la déformation le processus de fissuration s’effectue de manière homogène et à une échelle très locale qui évite la formation de macrofissures que le procédé de dépôt sélectif ne pourrait pas éliminer. Ceci signifie que les écartements entre les ilots doivent rester relativement faibles c’est-à-dire dans le domaine du nm à quelques dizaines de nm, préférentiellement inférieur à 10 nm. En effet, au-delà, l’étape de dépôt sélectif d’un matériau de comblement métallique ne pourra pas combler l’espace entre les ilots car il est difficile par un dépôt sélectif d’amener une quantité importante de matière. Selon un mode de réalisation, le dépôt d’une couche métallique nanostructurée (200) est réalisée par un procédé choisi parmi : l’évaporation sous vide, la pulvérisation cathodique magnétron (sputtering en anglais) ou tout procédé classique permettant de réaliser des couches minces de métaux et d’alliages métalliques. Il est à noter par exemple que ce procédé de pulvérisation cathodique magnétron permet d’utiliser un système de copulvérisation comprenant une cible d’un métal (M) et une cible d’un autre métal (N) pour réaliser soit des couches pures du métal (M), des couches d’alliage M x N (1-x) et/ou des empilements de couches de M, N et M x N (1-x) . On peut également citer les technologies d’impression de type jet d’encre mettant en œuvre des encres à base de nanoparticules dans le cas d’une couche directement pigmentaire, ou les technologies de type photolithographie dans le cas d’une couche mince structurée sous forme d’ilots dans le plan. Selon un mode de réalisation, l’étape de dépôt sélectif – aussi désignée comme étape de guérison – peut être assuré par un dépôt sélectif électrochimique autocatalytique (selective electroless plating en anglais) de métal à base d’une solution d’électrolytes, c’est-à-dire par immersion de la couche métallique nanostructurée (200) dans une solution, comprenant : un précurseur d’ions métalliques, dont le rôle est d’amener les ions métalliques qui seront réduit lors de l’étape de dépôt sélectif. Le précurseur peut être choisi parmi les électrolytes liquides standard à base de sels métalliques dissous tels que l’or (Au), l’argent (Ag), le platine (Pt), le palladium (Pd), le nickel (Ni) ou le cuivre (Cu), par exemple un sel de sulfate de cuivre hydraté (CuSO 4 .5H 2 O), un agent chélateur ayant pour rôle de complexer les ions métalliques et de limiter les réactions homogènes de réduction en volume. Cet agent chélateur peut être le dihydrogénoéthylènediaminetétraacétate de disodium – EDTA disodium, une base qui contrôle le pH de la solution. Cette base peut être de l’hydroxyde de sodium – NaOH, et un agent réducteur, qui peut être le formaldéhyde. L’objet 3D (400) sur la surface duquel la couche métallique nanostructurée (200) a été déposée est immergée dans la solution d’électrolytes. C’est au cours de cette immersion que s’effectue le dépôt sélectif des ions métalliques. Dans cette étape, les ions métalliques sont réduits et se déposent préférentiellement sur les surfaces des motifs métalliques et comblent les nanofissures (504). A la suite de cette étape de dépôt sélectif, la couche métallique nanostructurée (200) rendue conductrice sur toute sa surface peut ensuite être renforcée par un dépôt électrolytique classique qui peut conduire à des épaisseurs de films métalliques de un à plusieurs microns ce que ne peut pas atteindre un dépôt sélectif électrochimique autocatalytique. On obtient finalement un film conducteur à la surface d’un objet 3D (400). De préférence, ce film conducteur comprend de l’or, du cuivre, et/ou un alliage de ceux-ci. Selon un mode de réalisation, on met en place une étape intermédiaire après la première étape et avant la deuxième étape dans le cas des échantillons obtenus sous forme M/N/substrat temporaire (100), M x N (1-x) /substrat temporaire (100), M x N (1-x) /N/substrat temporaire (100), qui sont soumis à une vapeur d’acide qui va conduire à une oxydation des atomes N. Cette étape induit une gravure des couches sacrificielles de N et un désalliage des couches de M x N (1-x) qui deviennent nanoporeuses et ligamentaires. Les éléments formés lors de l’oxydation de N par l’acide sont dissous au cours de l’étape de désolidarisation de la couche métallique nanostructurée (200) sur la surface du liquide (300) et leur transfert vers la surface de l’objet 3D (400). Cette étape intermédiaire est particulièrement avantageuse pour les architectures M x N (1- x) /substrat temporaire soluble (100), M/N/substrat temporaire insoluble (100) et M x N (1-x) /N/substrat temporaire insoluble (100), car elle facilite l’étape de désolidarisation. L’invention concerne également un film conducteur déposé à la surface d’un substrat tridimensionnel (400), selon le procédé décrit précédemment, comprenant au moins : une couche nanostructurée d’or comprenant des nanofissures (504), un matériau de comblement de cuivre comblant les nanofissures (504) de la couche nanostructurée d’or. Selon un mode de réalisation, le film conducteur obtenu post dépôt sélectif est renforcé par un dépôt électrolytique classique afin d’atteint une épaisseur supérieure ou égale à 1 µm. Selon un mode de réalisation, les nanofissures (504) dans la couche nanostructurée d’or ont une largeur inférieure à 20 nm, de préférence inférieure à 10 nm. BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES est une représentation de deux images au microscope électronique à balayage d’une couche d’or. a) présente une morphologie nanomaillée ; b) conceptualise la déformation d’une couche d’or nanomaillée et illustre la rupture mécanique introduisant un aspect pigmentaire. est une représentation schématique du processus de désolidarisation de la couche métallique nanostructurée (200) du substrat temporaire insoluble (100). a) décollement de la couche métallique nanostructurée (200) induite par du liquide (300) ; b) flottement de la couche métallique nanostructurée (200) à la surface du liquide (300). est une représentation schématique du processus de désolidarisation de la couche métallique nanostructurée (200) du substrat temporaire soluble (100) par dissolution par du liquide (300). a) le substrat temporaire (100) ainsi que la couche métallique nanostructurée (200) sont au contact direct avec du liquide (300) ; b) le substrat temporaire (100) est déposé sur du liquide (300). est une représentation schématique du processus d’impression par transfert de la couche métallique nanostructurée (200) sur l’objet 3D (400) suivant les 4 variantes (a, b, c et d). a) du liquide (300) descend jusqu’au contact de la couche métallique nanostructurée (200) avec l’objet 3D (400) immergé permettant ainsi le dépôt de la couche métallique nanostructurée (200) ; b) l’objet 3D (400) immergé monte jusqu’au contact de la couche métallique (200) avec l’objet 3D (400) permettant ainsi le dépôt de la couche métallique nanostructurée (200) ; c) du liquide (100) monte de manière à exercer une pression de contact entre la couche métallique nanostructurée (200) et l’objet 3D (400) et l’immerger permettant ainsi le dépôt de la couche métallique nanostructurée (200) ; d) l’objet 3D descend de manière à exercer une pression de contact sur la couche métallique nanostructurée (200) flottante et s’immerger dans du liquide (300) permettant ainsi le dépôt de la couche métallique nanostructurée (200). est une représentation du processus de dépôt sélectif - guérison - : a) image conceptualisant une couche d’or nanomaillée étirée post transfert comportant des nanofissures (504) ; b) image conceptualisant une couche pleine reconstituée post dépôt sélectif - guérie ; c) et d) deux images au microscope électronique à balayage d’une couche d’or nanomaillée post procédé de dépôt sélectif (501 : couche d’or nanomaillée ; 502 : matériau de comblement de Cuivre ; 503 : matériau de comblement de Cuivre couvrant la couche d’or nanomaillée). EXEMPLES La présente invention se comprendra mieux à la lecture des exemples suivants qui illustrent non-limitativement l’invention. Exemple 1 : Dans une première étape, on dépose une couche d’or Au nanostructurée (200) ultramince d’une épaisseur inférieure à 10 nm déposée par pulvérisation cathodique magnétron à la surface du substrat temporaire hydrosoluble de type PVA (100) : Au/PVA. Cette architecture est adaptée au procédé de transfert de type impression par transfert. La couche d’or nanostructurée (200) réalise une fonction électronique de conduire le courant électrique. Dans une deuxième étape, on désolidarise la couche d’or nanostructurée (200) réalisée sur le substrat temporaire hydrosoluble de type PVA (100) par l’action de l’eau (300). La surface du substrat temporaire PVA (100) contenant la couche d’or nanostructurée (200) est mise au contact direct avec l’eau (300) et subit une dissolution progressive jusqu’à désolidarisation totale de la couche d’or nanostructurée (200) qui se retrouve ainsi déposée à la surface de l’eau (300). Dans une troisième étape, on transfère la couche d’or nanostructurée (200) sur l’objet 3D (400) par la méthode d’impression par transfert. L’objet 3D (400) est préalablement immergé dans l’eau (300) au fond d’un contenant de manière à ce que la surface destinée à réceptionner la couche d’or nanostructurée (200) flottante soit positionnée face à la surface de l’eau (300) ainsi la couche d’or nanostructurée (200) peut se déposer sur le substrat 3D (400). L’eau (300) descend jusqu’au contact de la couche métallique nanostructurée (200) avec l’objet 3D (400) permettant ainsi le dépôt de la couche métallique nanostructurée (200) en s’étirant pour adapter sa forme sur l’objet 3D (400) induisant des ruptures en ilots isolées par des nanofissures (504) localisées et ceci de manière homogène dans la couche d’or nanostructurée (200), conduit à une couche pigmentaire sur toute la surface de la couche d’or nanostructurée (200). L’échantillon ainsi obtenu est soumis à une étape de rinçage post transfert afin d’éliminer les résidus du substrat soluble PVA (100) qui pourraient gêner le dépôt du matériau de comblement métallique lors de la quatrième étape. Au cours de la quatrième étape, on réalise un dépôt sélectif – guérison – par dépôt sélectif électrolytique de cuivre pendant 1 heure avec une solution d’électrolytes de 250 mL (eau déionisée) et comprenant : 3 g de sel de sulfate de cuivre hydraté (CuSO4.5H2O) (précurseur), 5 g de dihydrogénoéthylènediaminetétraacétate de disodium – EDTA disodium (agent chélateur), 2 g d’hydroxyde de sodium NaOH (base), et 3 mL de formaldéhyde (agent réducteur). Finalement, on obtient un objet 3D (400) sur lequel est déposé de manière conforme un film conducteur composé d’or et un matériau de comblement de cuivre comblant les nanofissures (504) de la couche d’or, ce qui conduit à restaurer la continuité électrique de la couche métallique initiale. Exemple 2 : On reproduit l’exemple 1 mais on utilise dans la première étape un système de copulvérisation comprenant une cible d’or Au et une cible de cuivre Cu pour réaliser des couches pures d’or Au sur une couche de cuivre Cu qui joue le rôle de couche sacrificielle. L’échantillon ainsi obtenu Au/Cu/PVA est soumis à une vapeur d’acide nitrique – vapeur saturante à 25°C d’une solution concentrée à 65% (16 mol/L) d’acide nitrique, donnant une pression partielle de 380 Pa – en préparation de l’étape désolidarisation, qui va conduire à une oxydation des atomes de cuivre. Cette étape induit une gravure de la couche sacrificielle de cuivre qui devient nanoporeuse et ligamentaire. Exemple 3 : On reproduit l’exemple 1 mais on utilise dans la première étape un système de copulvérisation comprenant une cible d’or Au et une cible de cuivre Cu pour réaliser des couches d’alliage Au x Cu (1-x) : Au x Cu (1- x) /PVA. L’échantillon ainsi obtenu Au x Cu (1- x) /PVA est soumis au même traitement par une vapeur d’acide nitrique que dans l’exemple 2 en préparation de l’étape désolidarisation, qui va conduire à une oxydation des atomes de cuivre. Cette étape induit un désalliage des couches de Au x Cu (1-x) qui deviennent nanoporeuses et ligamentaires. Exemple 4 : On reproduit l’exemple 1 mais la couche d’alliage Au x Cu (1-x) est déposée sur une couche mince de Cu déposée sur le substrat temporaire : Au x Cu (1- x) /Cu/PVA. L’échantillon ainsi obtenu Au x Cu (1- x) /Cu/PVA est soumis au même traitement par une vapeur d’acide nitrique que dans l’exemple 2en préparation de l’étape désolidarisation, qui va conduire à une oxydation des atomes de cuivre. Cette étape induit une gravure des couches sacrificielles de cuivre et un désalliage des couches de Au x Cu (1-x) qui deviennent nanoporeuses et ligamentaires. Exemple 5 : On reproduit l’exemple 1 mais on utilise dans la première étape un système de copulvérisation comprenant une cible d’or Au et une cible de cuivre Cu pour réaliser des empilements de couches de Au, Cu et Au x Cu (1-x) : Au/Cu/Au x Cu (1- x) /PVA. L’échantillon ainsi obtenu Au/Cu/Au x Cu (1- x) /PVA est soumis au même traitement par une vapeur d’acide nitrique que dans l’exemple 2 en préparation de l’étape désolidarisation, qui va conduire à une oxydation des atomes de cuivre. Cette étape induit une gravure des couches sacrificielles de cuivre et un désalliage des couches de Au x Cu (1-x) qui deviennent nanoporeuses et ligamentaires. Exemple 6 : On reproduit les exemples 1 à 5, mais lors de la deuxième étape - processus de désolidarisation - le substrat temporaire hydrosoluble de type PVA (100) est déposé sur l’eau (300) de sorte à ce que la couche d’or nanostructurée (200) soit sur la face opposée et hors de l’eau (300). Le substrat temporaire hydrosoluble de type PVA (100) au contact du liquide subit une dissolution progressive jusqu’à désolidarisation totale de la couche métallique nanostructurée (200) qui se retrouve déposée au contact direct de la surface de l’eau (300). Ce dit substrat temporaire hydrosoluble de type PVA (100) après dissolution, forme un film liquide (100) à la surface de l’eau (300). Exemple 7 : On reproduit les exemples 1 et 6, mais lors de la troisième étape – processus d’impression par transfert– on opère un transfert en émergence de sorte à ce que l’objet 3D (400) immergé monte jusqu’au contact de la couche d’or nanostructurée (200) flottante avec l’objet 3D (400) permettant ainsi le dépôt de la couche d’or nanostructurée (200) en s’étirant pour adapter sa forme à la surface du substrat 3D (400). Exemple 8 : On reproduit les exemples 1 et 6, mais lors de la troisième étape – processus d’impression par transfert – on opère le transfert en immersion de sorte à ce que l’eau (300) monte de manière à exercer une pression de contact entre la couche d’or nanostructurée (200) et l’objet 3D (400) et l’immerger, permettant ainsi le dépôt de la couche d’or nanostructurée (200) en s’étirant pour adapter sa forme sur l’objet 3D (400). Exemple 9 : On reproduit les exemples 1 et 6, mais lors de la troisième étape – processus d’impression par transfert – on opère le transfert en immersion de sorte à ce que l’objet 3D (300) descend de manière à exercer une pression de contact sur la couche d’or nanostructurée (200) flottante et s’immerger dans l’eau (300) permettant ainsi le dépôt de la couche d’or nanostructurée (200) en s’étirant pour adapter sa forme sur l’objet 3D (400). Exemple 10 : On reproduit les exemples de 1 à 5 et de 7 à 9 mais on utilise un substrat temporaire insoluble en verre. Toutefois, l’étape de rinçage n’est pas réalisée dans cet exemple. L’échantillon ainsi obtenu est désolidarisé par la mise en contact de la couche d’or nanostructurée (200) avec la surface de l’eau (300) qui s’opère par immersion du substrat temporaire en verre (100) dans l’eau (300) et s’établit par l’action de descente du verre (100) avec un angle d’inclinaison de quelques degrés. La couche métallique nanostructurée (200) flotte de ce fait à la surface de l’eau (300). Exemple 11 : On reproduit l’exemple 10 à la différence le processus de désolidarisation s’établit par l’action de la montée du niveau de l’eau (300). Références numériques 100 substrat temporaire || 200 couche métallique nanostructurée || 300 liquide || 400 objet 3D || 201, 202 un motif électronique ou superposition de motifs électroniques || 501 couche d’or nanomaillée || 502 matériau de comblement de Cuivre || 503 matériau de comblement de Cuivre couvrant la couche d’or nanomaillée || 504 nanofissures Procédé de dépôt d’un film conducteur à la surface d’un objet tridimensionnel (400), comprenant les étapes suivantes : dépôt d’une couche métallique nanostructurée (200) à la surface d’un substrat temporaire (100), désolidarisation de la couche métallique nanostructurée (200) du substrat temporaire (100), transfert de la couche métallique nanostructurée (200) à la surface d’un objet 3D (400) comprenant l’application d’une contrainte mécanique sur la couche métallique nanostructurée (200) de sorte à l’étirer à la surface de l’objet 3D (400), l’étirement donnant lieu à l’apparition de nanofissures (504) dans la couche métallique nanostructurée (200), dépôt sélectif d’un matériau de comblement métallique (502, 503) sur la couche métallique nanostructurée (200) de sorte à combler lesdites nanofissures (504). Procédé selon la revendication 1, dans lequel la couche métallique nanostructurée (200) a une épaisseur comprise entre 1 nm et 100 nm, de préférence entre 1 nm et 30 nm. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la couche métallique nanostructurée (200) comprend de l’or, du cuivre, et/ou un alliage de ceux-ci. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l’étape (ii) comprend le transfert de la couche métallique nanostructurée (200) à la surface d’un liquide (300). Procédé selon la revendication 4, dans lequel l’étape (ii) comprend un contact direct ou indirect de la couche métallique (200) avec la surface du liquide (300), ou la dissolution du substrat temporaire (100) dans le liquide (300). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel les nanofissures (504) ont une largeur inférieure à 20 nm, de préférence inférieure à 10 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel l’étape (iv) comprend l’immersion de la couche métallique nanostructurée (200) dans une solution comprenant : un précurseur d’ions métalliques, un agent chélateur, une base, et un agent réducteur. Film conducteur déposé à la surface d’un objet tridimensionnel selon le procédé de l’une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant au moins : une couche nanostructurée d’or (200) comprenant des nanofissures (504), un matériau de comblement métallique de cuivre comblant les nanofissures (504) de la couche nanostructurée d’or (200). Film conducteur selon la revendication 8, dans lequel les nanofissures (504) de la couche nanostructurée d’or (200) ont une largeur inférieure à 20 nm, de préférence inférieure à 10 nm. Film conducteur selon la revendication 8 ou 9, dans lequel le film conducteur a une épaisseur supérieure ou égale à 1 µm.