Brevet FR3149429A1 — publié le 20241206

Transistor bipolaire La présente description concerne un dispositif comprenant un transistor bipolaire (66), le transistor bipolaire (66) comprenant : - une région de collecteur (30, 32, 32a, 32b, 34), une région de base (40, 40a, 40b), et une région d'émetteur (44) ; - une première métallisation (54) en contact avec la région d'émetteur ; et - un élément de connexion (72) relié avec la première métallisation (54) et ayant des dimensions, dans le plan de l'interface entre la première métallisation (54) et l'élément de connexion (72), supérieures aux dimensions de la première métallisation (54). Figure pour l'abrégé : Fig. 2 Transistor bipolaire La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques et plus précisément les dispositifs électroniques comprenant des transistors bipolaires et leurs procédés de fabrication. Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi-conducteur de la famille des transistors. Son principe de fonctionnement est généralement basé sur deux jonctions PN, l'une en direct et l'autre en inverse. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs électroniques comprenant des transistors bipolaires connus. Un mode de réalisation prévoit un dispositif comprenant un transistor bipolaire, le transistor bipolaire comprenant : - une région de collecteur, une région de base, et une région d'émetteur ; - une première métallisation en contact avec la région d'émetteur ; et- un élément de connexion relié avec la première métallisation et ayant des dimensions, dans le plan de l'interface entre la première métallisation et l'élément de connexion, supérieures aux dimensions de la première métallisation. Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un dispositif comprenant un transistor bipolaire, le procédé comprenant : - la formation d'une région de collecteur, d'une région de base, et d'une région d'émetteur; - la formation d'une première métallisation en contact avec la région d'émetteur ; et - la formation d'un élément de connexion en contact avec la première métallisation et ayant des dimensions, dans le plan de l'interface entre la première métallisation et l'élément de connexion, supérieures aux dimensions de la première métallisation. Selon un mode de réalisation, la distance entre chaque paroi et la paroi opposée de l'élément de connexion est supérieure à la distance entre les parois opposées de la première métallisation dans la même direction. Selon un mode de réalisation, une face supérieure de la première métallisation est entièrement en contact avec l'élément de connexion. Selon un mode de réalisation, le transistor bipolaire comprend en outre : - une deuxième métallisation en contact avec la région de base ; et - un premier espaceur recouvrant partiellement la première métallisation. Selon un mode de réalisation, le premier espaceur entoure la région d'émetteur. Selon un mode de réalisation, le transistor est recouvert d'une première couche isolante traversée par l'élément de connexion. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend des contacts conducteurs traversant la première couche de manière à être en contact avec la deuxième métallisation. Selon un mode de réalisation, au moins un contact conducteur traverse le premier espaceur. Selon un mode de réalisation, le matériau de la première couche isolante est gravable sélectivement par rapport au matériau du premier espaceur. Selon un mode de réalisation, le transistor comprend des deuxièmes espaceurs recouverts au moins partiellement par les premier espaceurs. Selon un mode de réalisation, les deuxièmes espaceurs sont formés avant la formation de la deuxième métallisation. Selon un mode de réalisation, le premier espaceur est formé après la formation de la deuxième métallisation. Selon un mode de réalisation, le transistor comprend une troisième métallisation en contact avec la région de collecteur, et des troisièmes espaceurs recouvrant partiellement la troisième métallisation. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la représente un exemple de dispositif comprenant un transistor bipolaire ; la représente un mode de réalisation d'un transistor bipolaire ; la représente une étape d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la ; la représente une autre étape du procédé de fabrication du mode de réalisation de la ; et la représente une autre étape du procédé de fabrication du mode de réalisation de la . De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. La représente un exemple plus précis de dispositif 10 comprenant un transistor bipolaire 12. Le transistor 12 est formé dans et sur un substrat 16. Le substrat 16 est un substrat semiconducteur, par exemple en silicium. Le substrat 16 comprend une région 17 dans laquelle est située le transistor 12. La portion 17 du substrat 16 est séparée d'autres régions comprenant par exemple d'autres composants, par exemple d'autres transistors, par des tranchées isolantes 18, par exemple des tranchées dites profondes. Les tranchées 18 sont par exemple en oxyde de silicium. Le transistor 12 comprend des régions 30, 32, et 34 de collecteur. Les régions 30 sont situées dans le substrat 16, et plus précisément dans la portion 17. Les régions 30 sont par exemple dopées d'un premier type de dopage, par exemple de type N. Le transistor 12 comprend par exemple deux régions 30 s'étendant dans des directions parallèles. Les régions 30 sont par exemple séparées l'une de l'autre par une portion non dopée du substrat. Alternativement, le transistor 12 comprend une unique région 30 formant un anneau dans la portion 17. L'unique portion 30 entoure alors une région du substrat de préférence non dopée. La région 32 est située sur les régions 30. Autrement dit, une face inférieure de la région 32 est en contact avec des faces supérieures des régions 30. La région 32 relie électriquement les régions 30. La région 32 est par exemple dopée du même type de conductivité que la région 30. La région 32 comprend de préférence une partie centrale 32a et une partie périphérique 32b. La partie périphérique forme par exemple un anneau entourant la partie 32a. La partie 32a a par exemple une hauteur inférieure à la hauteur de la partie 32b. Les parties 32a et 32b ont par exemple une face inférieure plane. Les faces inférieures des parties 32a et 32b sont donc par exemple coplanaires. La face supérieure de la partie 32b est par exemple coplanaire avec la face supérieure des tranchées 18. La région 34 est en contact avec la région 32. La région 34 s'étend depuis la face supérieure de la partie 32a. Par exemple, la hauteur de la région 34 est supérieure à la différence de hauteur entre les parties 32a et 32b. Ainsi, la face supérieure de la région 34 est par exemple à un niveau supérieur au niveau de la face supérieure de la partie 32b. De préférence, les régions 30 ont une concentration de dopants sensiblement constante. De préférence, la région 32 a une concentration de dopants sensiblement constante. Les régions 30 et 32 ont de préférence une concentration de dopants supérieure à la concentration de dopants de la région 34, par exemple au moins cent fois supérieure, par exemple au moins mille fois supérieure. Par exemple, la concentration de dopants des régions 30 et 32 est par exemple supérieure à 10 18 atomes/cm², par exemple supérieure à 10 20 atomes/cm². Par exemple, la concentration de dopants dans la région 34 est inférieure à 10 16 atomes/cm², par exemple comprise entre 10 14 atomes/cm² et 10 16 atomes/cm². Le transistor 12 comprend par exemple une région 36 entourant une portion inférieure de la région 34. La région 36 s'étend par exemple de la face supérieure de la partie centrale 32a au niveau de la face supérieure de la partie 32b. La région 36 s'étend de préférence de la face latérale de la région 34 à la paroi latérale de la partie 32b. La région 36 est par exemple en le matériau du substrat 14. La région 36 est par exemple non dopée. Alternativement, la région 36 est par exemple en un matériau isolant. La portion supérieure de la région 34 est entourée par une région isolante 38. La région isolante 38 est située sur la face supérieure de la région 36. La région 38 recouvre par exemple entièrement la face supérieure de la région 36. La région 38 recouvre par exemple uniquement la région 36. La face supérieure de la région 38 est par exemple plane. La face supérieure de la région 38 est de préférence coplanaire avec la face supérieure de la région 34. Le transistor 12 comprend une base 40. La base 40 comprend une partie centrale 40a et une partie périphérique 40b. La partie centrale 40a est entourée latéralement par la partie périphérique 40b. La partie périphérique 40b forme ainsi un anneau autour de la partie centrale 40a. La partie centrale s'étend à partir de la région 34. Autrement dit, la face inférieure de la partie 40a est en contact avec la face supérieure de la région 34. Les faces latérales de la partie 40a est en contact avec la partie 40b. La portion 40a et la portion 40b sont ainsi reliées électriquement. La partie 40b recouvre, de préférence entièrement, de préférence uniquement, la région 38, plus précisément la face supérieure de la région 38. La partie 40b comprend par exemple une portion 40b1 en contact avec la face latérale de la partie 40a. La portion 40b1 a par exemple une hauteur sensiblement égale à la hauteur de la partie 40a. La partie 40b comprend par exemple une portion 40b2 ayant une hauteur supérieure à la hauteur de la portion 40b1. La portion 40b2 s'étend autour de la portion 40b1. La portion 40b1 est séparée de la partie 40a par la portion 40b1. La base 40 s'étend de préférence entièrement sur la couche 38 et la région 34. La couche 38 et la région 34 sont entièrement recouverte par la base 40. De préférence, les faces latérales de la partie 40b et de la couche 38 sont coplanaires. La base 40 est en un matériau semiconducteur, par exemple en silicium. La type de dopage de la base 40 est le type opposé au dopage du collecteur, par exemple de type P. Le transistor 12 comprend en outre une région d'émetteur 44. La région 44 repose sur la base 40. Plus précisément, la région 44 s'étend au-dessus d'au moins une partie de la portion 40a et par exemple au-dessus d'une partie de la portion 40b. Ainsi, une portion de la partie 40b n'est pas recouverte par l'émetteur 44. Une portion de la base 40 n'est donc pas recouverte par l'émetteur. La région 44 est entourée latéralement par une région 46 isolante. La région 46 recouvre ainsi, par exemple entièrement, les faces latérales de la région d'émetteur 44. La région 46 recouvre par exemple aussi une partie inférieure de la région 44. La face inférieure de l'émetteur est entièrement recouverte par la région 46 et une région isolante 48, à l'exception d'une portion de la face inférieure de la région 44 en contact avec la partie 40a. Ladite portion de la face inférieure est par exemple entourée par la région 50, ayant par exemple un profil en forme de L. La région 46 entoure par exemple la région 48. Autrement dit, la région 48 comprend par exemple une partie horizontale recouvrant une partie périphérique de la face supérieure de la partie 40a et une partie verticale s'étendant depuis la face supérieure de la partie 40a. la paroi latérale de la partie verticale est par exemple au moins partiellement en contact avec une face latérale de la région 46. L'émetteur 44 est en un matériau semiconducteur, par exemple en silicium. Le type de dopage de l'émetteur 44 est le type opposé au dopage de la base, c'est-à-dire le même type que le collecteur, par exemple de type N. Le transistor 12 comprend en outre des métallisations 51, 52, 54 reposant respectivement sur des portions du collecteur, de la base et de l'émetteur. Les métallisations 51, 52, 54 sont plus précisément situées respectivement sur la face supérieure la portion 32b, sur la face supérieure d'une portion de la portion 40b et sur la face supérieure de l'émetteur 44. Les métallisations 51 sont séparées de la région 38 et de la portion 40b par des espaceurs 51'. Similairement, les métallisations 52 sont séparées de la région 56 par des espaceurs 52'. Le dispositif 10 comprend en outre une couche isolante 56 recouvrant par exemple le transistor 12. La couche 56 a une épaisseur supérieure à la distance entre la face supérieure du substrat 16 et la face supérieure de la métallisation 54. Le transistor 12 est ainsi entièrement recouvert par la couche 56. Le dispositif 10 comprend des contacts conducteurs 58, 60, 62 traversant la couche 56 de manière à atteindre, respectivement, les métallisations 51, 52, 54. La diminution des dimensions de la région d'émetteur 44 permet la diminution de la résistance de base extrinsèque. On souhaite cependant diminuer la résistance de base extrinsèque, sans modifier la fréquence de fonctionnement du transistor. La représente un mode de réalisation d'un dispositif 64 comprenant un transistor bipolaire 66. Le dispositif 64 et le transistor 66 comprennent les éléments décrits précédemment en relation avec la . Ainsi, le transistor 66 comprend les régions 30, 32, 34 de collecteur, la région 40 de base et la région 44 d'émetteur. Le transistor 66 comprend par exemple la région semiconductrice 36 et les régions isolantes 38, 46 et 48. Le transistor 66 comprend les espaceurs 51', 52' et les métallisations 51, 52 et 54. Le dispositif 64 comprend les murs 18 et la couche 56. Le dispositif 64 comprend en outre les contacts 58 et 60 tels que décrits précédemment. De manière plus générale, le transistor 66 peut avoir des caractéristiques différentes de celles du transistor décrit en relation avec la . De manière générale, un transistor bipolaire usuel comprend une région de collecteur, correspondant aux régions 30, 32, 34 en , situé par exemple dans un substrat semiconducteur, correspondant au substrat 16. La région de collecteur comprend de préférence des portions, correspondant aux régions 32b de la , affleurant la face supérieure du substrat. Le transistor bipolaire comprend en outre une région de base, correspondant à la région 40 en , située sur la région de collecteur. De préférence, la région de base a des dimensions horizontales inférieures aux dimensions horizontales de la région de collecteur. Ainsi, une partie de la région de collecteur, correspondant à la portion 32b de la , affleurant la face supérieure du substrat n'est de préférence pas recouverte par la région de base. Similairement, le transistor comprend une région d'émetteur, correspondant à la région 44 de la , située sur la région de base. De préférence, la région d'émetteur a des dimensions horizontales inférieures aux dimensions horizontales de la région de base. Ainsi, une partie de la région de base, correspondant à la portion 40b2 de la , n'est de préférence pas recouverte par région d'émetteur. Le transistor bipolaire comprend par exemple des métallisations, correspondant aux métallisation 51, 52 de la , sur les parties des régions de collecteur et de base non recouvertes par, respectivement, les régions de base et d'émetteur. Le transistor bipolaire comprend par exemple des vias, ou contacts, atteignant lesdites métallisations. Lesdites métallisations sont de préférence séparées des régions de base ou d'émetteur par des espaceurs en des matériaux isolants électriquement. Selon un mode de réalisation, le dispositif 64 diffère du dispositif 10 de la , et d'un transistor bipolaire usuel, en ce que le transistor 66 comprend des espaceurs 68 et 70. Les espaceurs 68 sont situés sur les espaceurs 51' et sur les métallisations 51. De préférence, les espaceurs 51' sont entièrement recouverts par les espaceurs 68. Les contacts 58 traversent, en plus de la couche 56, les espaceurs 68 de manière à atteindre les métallisations 51. Les espaceurs 70 sont situés sur les espaceurs 52' et sur les métallisations 52. De préférence, les espaceurs 52' sont entièrement recouverts par les espaceurs 70. Les contacts 60 peuvent traverser, en plus de la couche 56, les espaceurs 70 de manière à atteindre les métallisations 52. Le dispositif 64 diffère du dispositif 10 de la en outre en ce que le dispositif 64 ne comprend pas de contact 62 mais comprend un élément de connexion, ou contact, 72. Les dimensions de l'élément de connexion 72, en particulier les dimensions horizontales, sont telles que la face supérieure de la métallisation 54 est entièrement en contact avec l'élément 72. Autrement dit, les dimensions horizontales de l'élément 72 sont supérieures aux dimensions horizontales de la métallisation 54. De préférence, les dimensions horizontales de l'élément de connexion 72 sont telles que la face inférieure de l'élément 72 est en contact avec au moins une partie de la face supérieure de la couche 46, de préférence toute la face supérieure de la couche 46. Autrement dit, la distance entre chaque paroi et la paroi opposée de l'élément de connexion 72 est supérieure à la distance entre les parois opposées de la métallisation 54 dans la même direction. Les dimensions horizontales de l'élément de connexion 72 sont telles que la face inférieure de l'élément 72 est en contact avec une partie supérieure des parois latérales de l'élément 46. Ainsi, une partie de la hauteur de la métallisation 54 est par exemple entourée par l'élément de connexion. L'interface entre l'élément 72 et la métallisation 54 a les dimensions maximales, c’est-à-dire correspond à toute la face supérieure de la métallisation 54. La résistance d'émetteur est ainsi inférieure à la résistance d'émetteur de la structure de la . La représente un dispositif résultant d'une étape d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la . Au cours de cette étape, le transistor bipolaire est formé. Cette étape comprend ainsi, la formation du collecteur, de la base et de l'émetteur. Cette étape comprend en outre la formation des métallisations 51, 52, 54 et des espaceurs 51', 51'. Dans l'exemple de la , cette étape comprend par exemple plus précisément : - la formation des murs isolants conducteurs 18 autour de la région 17 du substrat 16 ; - la formation, par dopage du substrat des régions 30 et 32 du substrat ; - la formation d'un empilement de couche sur l'ensemble de la structure, l'empilement au moins une couche inférieure isolante, une couche intermédiaire isolante et une couche supérieure isolante, par exemple en un matériau isolant différent du matériau de la couche intermédiaire ; - la formation d'une cavité traversant l'empilement à l'emplacement de la région 34 et de la partie 40a, de manière à atteindre la région 32 ; - la formation de la région 34 et de la partie 40a dans la cavité ; - la formation des éléments 48 ; - la formation d'une couche en le matériau de l'émetteur et la gravure de ladite couche et de la couche supérieure de l'empilement de manière à former l'émetteur ; - la formation de la couche 56 ; - la formation des parties 40b, par exemple par croissance épitaxiale ; - la formation des espaceurs 51', 52' ; et - la formation des métallisations 51, 52, 54. L'étape de la peut par exemple être remplacé par un autre procédé de fabrication d'un transistor bipolaire comprenant la formation du collecteur, de la base et de l'émetteur et la formation des métallisations 51, 52, 54 et des espaceurs 51', 51'. La représente un dispositif résultant d'une autre étape du procédé de fabrication du mode de réalisation de la . Au cours de cette autre étape, les espaceurs 68 et 70 sont formés. Plus précisément, une couche en le matériau des espaceurs 68 et 70 est formée sur l'ensemble de la structure. En particulier, ladite couche recouvre les métallisations 51, 52 et les espaceurs 51' et 52'. L'étape de la comprend en outre une étape de gravure anisotrope de ladite couche en le matériau des espaceurs 68 et 70. La couche est ainsi gravée de manière à être entièrement retirée, à l'exception des espaceurs 68 et 70. Les espaceurs 68, 70 recouvrent en particulier les métallisations 51 et 52 et les espaceurs 51', 52'. Les espaceurs 68, 70 recouvrent de préférence entièrement les espaceurs 51' et 52' et recouvrent partiellement les métallisations 51, 52. Les espaceurs 68 recouvrent partiellement les métallisations 51. Plus précisément, les espaceurs 68 recouvrent la partie des métallisations 51 la plus proche des espaceurs 51'. Par exemple, les espaceurs 68 recouvrent au moins 5 % des métallisations 51. Similairement, les espaceurs 70 recouvrent partiellement les métallisations 52. Plus précisément, les espaceurs 70 recouvrent la partie des métallisations 52 la plus proche des espaceurs 52'. Par exemple, les espaceurs 70 recouvrent au moins 5 % des métallisations 52. La représente un dispositif résultant d'une autre étape du procédé de fabrication du mode de réalisation de la . Au cours de cette autre étape, la couche 56 est formée sur l'ensemble de la structure. Ainsi, la couche 56 a une épaisseur supérieure à la distance entre la face supérieure du substrat 16 et la face supérieure de la métallisation 54. Le transistor est ainsi entièrement recouvert par la couche 56. La couche 56 et les espaceurs 68, 70 sont de préférence en des matériaux différents. Par exemple, la couche 56 est en un matériau gravable sélectivement par rapport au matériau des espaceurs 68, 70. L'étape de la comprend en outre la formation des contacts 58, 60 et de l'élément de connexion 72. La formation des contacts 58 comprend la formation de cavités traversant la couche 56 et les espaceurs 51' et 68 de manière à atteindre la métallisation 51. La formation des contacts 60 comprend la formation de cavités traversant la couche 56 et les espaceurs 52' et 70 de manière à atteindre la métallisation 52. La formation de l'élément 72 comprend la formation d'une cavité traversant la couche 56 de manière à atteindre la métallisation 54. La formation des cavités correspondant aux contacts 58, 60 comprend par exemple plusieurs étapes de gravure correspondant aux matériaux de la couche 56 et des espaceurs 21', 52', 68, 70. La formation de la cavité correspondant à l'élément de connexion 72 comprend par exemple une unique gravure sélective du matériau de la couche 56 par rapport au matériau des espaceurs 70. Autrement dit, le matériau de la couche 56 est gravé au moins deux fois, de préférence au moins cinq fois, plus vite que le matériau des espaceurs 70. Ainsi, les espaceurs 70 ne sont par exemple pas gravés lors de la formation de la cavité correspondant à l'élément 72 ou sont gravés sur une faible hauteur, par exemple sur une hauteur inférieure à la moitié de la distance entre la face supérieure de la métallisation 54 à la face supérieure de la métallisation 52. Par exemple, la formation des contacts 58, 60 et la formation de l'élément 72 ne sont pas effectuées simultanément. Ainsi, les cavités correspondant aux contacts 58, 60 sont formées avant la formation de la cavité correspondant à l'élément 72, les cavités étant remplies simultanément. Alternativement, la cavité correspondant à l'élément 72 est formée et remplie par l'élément 72 avant la formation de la cavité correspondant aux contacts 58, 60. Un avantage des modes de réalisation décrits est qu'il est possible de protéger les métallisations 52 de l'élément 72. Un autre avantage des modes de réalisation décrits est qu'il est possible de diminuer la largeur de l'émetteur sans risquer de connecter la base et l'émetteur. Il est donc possible de diminuer la résistance de base extrinsèque. Un autre avantage des modes de réalisation décrits est qu'il est possible de rapprocher les métallisations 51 de l'émetteur, en diminuant la largeur des espaceurs 52', et ainsi de diminuer la résistance de base intrinsèque. Un autre avantage des modes de réalisation décrits est que les problèmes d'alignement de l'élément de connexion entrainent moins de risques de perturbation du fonctionnement du transistor. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Dispositif comprenant un transistor bipolaire (66), le transistor bipolaire (66) comprenant : - une région de collecteur (30, 32, 32a, 32b, 34), une région de base (40, 40a, 40b), et une région d'émetteur (44) ; - une première métallisation (54) en contact avec la région d'émetteur ; et - un élément de connexion (72) relié avec la première métallisation (54) et ayant des dimensions, dans le plan de l'interface entre la première métallisation (54) et l'élément de connexion (72), supérieures aux dimensions de la première métallisation (54). Dispositif selon la revendication 1, dans lequel la distance entre chaque paroi et la paroi opposée de l'élément de connexion (72) est supérieure à la distance entre les parois opposées de la première métallisation dans la même direction. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel une face supérieure de la première métallisation (54) est entièrement en contact avec l'élément de connexion (72). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le transistor bipolaire comprend en outre : - une deuxième métallisation (52) en contact avec la région de base ; et - un premier espaceur (70) recouvrant partiellement la deuxième métallisation (52). Dispositif selon la revendication 4, dans lequel le premier espaceur (70) entoure la région d'émetteur (44). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le transistor est recouvert d'une première couche isolante (56) traversée par l'élément de connexion (72). Dispositif selon la revendication 4 ou 5 et selon la revendication 6, dans lequel le dispositif comprend des contacts conducteurs (60) traversant la première couche (56) de manière à être en contact avec la deuxième métallisation (52). Dispositif selon la revendication 7, dans lequel au moins un contact conducteur (60) traverse le premier espaceur (70). Dispositif selon la revendication 7 ou 8, dans lequel le matériau de la première couche isolante (56) est gravable sélectivement par rapport au matériau du premier espaceur (70). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le transistor comprend des deuxièmes espaceurs (52') recouverts au moins partiellement par les premier espaceurs (70). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le transistor comprend une troisième métallisation (51) en contact avec la région de collecteur (30, 32, 32a, 32b, 34), et des troisièmes espaceurs (68) recouvrant partiellement la troisième métallisation. Procédé de fabrication d'un dispositif comprenant un transistor bipolaire (66), le procédé comprenant : - la formation d'une région de collecteur (30, 32, 32a, 32b, 34), d'une région de base (40, 40a, 40b), et d'une région d'émetteur (44); - la formation d'une première métallisation (54) en contact avec la région d'émetteur ; et - la formation d'un élément de connexion (72) en contact avec la première métallisation (54) et ayant des dimensions, dans le plan de l'interface entre la première métallisation (54) et l'élément de connexion (72), supérieures aux dimensions de la première métallisation. Procédé selon la revendication 12, appliqué à la fabrication d'un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 11. Procédé selon la revendication 13, dans son rattachement aux revendications 4 et 10, dans lequel les deuxièmes espaceurs (52') sont formés avant la formation de la deuxième métallisation (52). Procédé selon la revendication 13 ou 14 dans son rattachement à la revendication 4, dans lequel le premier espaceur (70) est formé après la formation de la deuxième métallisation (52).