Brevet FR3146735A1 — publié le 20240920

L’invention porte sur Circuit photonique (1) intégré d’émission comportant une source laser (LS) pour produire un rayonnement lumineux et comprenant un réseau définissant une longueur d’onde d’émission (L bragg ) et un premier milieu amplificateur (A1) présentant une première longueur d’onde de photoluminescence (L 1 ) et un amplificateur optique à semiconducteur (SOA) comprenant un second milieu amplificateur (A2) présentant une seconde longueur d’onde de photoluminescence (L gain ). Selon l’invention, la source laser (LS) et l’amplificateur optique (SOA) sont configurés de sorte que, à une première température (T0), la longueur d’onde d’émission (L bragg ) est plus proche de la première longueur d’onde de photoluminescence (L 1 ) que de la seconde (L gain ) et, à une seconde température (T1), la longueur d’onde d’émission (L bragg ) est plus proche de la seconde longueur d’onde de photoluminescence (L gain ) que de la première (L 1 ). Figure à publier avec l’abrégé : Fig. 2a Circuit photonique intégré d’émission apte à fonctionner sur une plage de température étendue DOMAINE DE L’INVENTION La présente invention concerne un circuit photonique intégré d’émission. Un tel circuit peut trouver une application dans le domaine des télécommunications pour réaliser un composant de transmission ou dans le domaine des capteurs, par exemple pour réaliser un composant LIDAR. ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Les circuits photoniques intégrés sont des circuits intégrés aptes à générer, à détecter ou à manipuler des rayonnements lumineux. Ces circuits, à l’image des circuits intégrés électroniques, peuvent incorporer sur un même substrat (par exemple un substrat à base de silicium) de multiples blocs fonctionnels, tels que des sources laser, des commutateurs, des modulateurs, des amplificateurs, des répartiteurs de puissance, ces blocs étant reliés entre eux par des guides d’ondes. Un circuit photonique intégré d’émission est muni d’une source de rayonnement lumineux, typiquement une source laser. De manière bien connue en soi (voir par exemple EP2811593), une telle source comprend un milieu amplificateur optique formé d’un empilement de couches en matériaux III-V constituant au moins une hétéro jonction ou région dite « active », par exemple une pluralité de puits quantiques. Cet empilement peut être réalisé à partir de matériaux choisis dans la liste non exhaustive suivante : InP, AsGa, InGaAlAs, InGaAsP, InAsP. Le choix des matériaux composant cet empilement définit la longueur d’onde de photoluminescence du milieu amplificateur. Le milieu amplificateur est caractérisé par son gain d’amplification, qui est fonction de la longueur d’onde. Cette fonction présente un pic pour la longueur d’onde dite « de photoluminescence », et décroit de part et d’autre de cette longueur d’onde pour définir une bande passante d’amplification dont la largeur peut être typiquement de l’ordre de 30nm. Le milieu amplificateur est agencé, par exemple en ruban, au droit d'une portion d’un guide d’onde, dite de couplage, le guide d’onde pouvant être formé par exemple en silicium. La circulation d’un courant dans ce milieu permet de le pomper électriquement afin d'établir un mode optique hybride dans le milieu amplificateur et dans la portion de guide d’onde. L’effet laser est obtenu par l’intermédiaire d’une structure de rétroaction permettant de former une cavité résonnante. Cette structure peut être réalisée par un réflecteur distribué, par exemple un réseau de Bragg, agencée au niveau du milieu amplificateur ou dans le guide d'onde. Le réseau de Bragg définit la longueur d’onde d’émission du rayonnement lumineux produit par la source laser. Le mode optique hybride qui se forme dans le milieu amplificateur et dans la portion de couplage du guide d’onde sous-jacent tend à se propager dans le guide d’onde. Le document EP3538937 propose de former une telle source laser (ainsi que les autres éléments actifs du circuit intégré photonique) par « vignettage », c’est-à-dire en reportant un pavé de matériaux III-V sur la portion de couplage d’un guide d’onde par une technique de transfert de couche. Dans d’autres approches, le pavé de couches en matériaux III-V formant le milieu amplificateur est réalisé par dépôt, par exemple par dépôt épitaxial, sur la portion de couplage du guide d’onde. Ce pavé de matériaux est traité, notamment par gravure, pour y former les contacts électriques de part et d’autre de la jonction afin de former une diode laser fonctionnelle. Lorsque l’on cherche à produire une pluralité d’éléments actifs, par exemple une pluralité de sources lasers, le pavé de matériaux III-V peut également être structuré pour individualiser une pluralité de diodes agencées au droit d’une pluralité de portions de couplage de guides d’onde. Cette approche, dont on trouvera tous les détails et variantes de mise en œuvre dans le document EP3538937 cité ci-dessus, est très avantageuse en ce qu’elle simplifie la fabrication des circuits photoniques intégrés d’émission. C’est tout particulièrement le cas lorsque ceux-ci comportent plusieurs éléments actifs présentant des milieux amplificateurs constitués des mêmes matériaux, en permettant la fabrication collective de ces éléments actifs. Pour produire un rayonnement lumineux présentant une puissance satisfaisante, la longueur d’onde d’émission du rayonnement lumineux (définie par la période du réseau de Bragg) et la longueur d’onde de photoluminescence du milieu amplificateur (définie par la nature des matériaux définissant l’empilement) sont choisies pour se correspondre. A minima, on cherche à placer la longueur d’onde d’émission du rayonnement lumineux dans la bande passante d’amplification du milieu amplificateur. Toutefois, et comme le rappel le document US2011211603, ces longueurs d’onde subissent des dérives avec la température de fonctionnement de la source laser. Ainsi, la longueur d’onde d’émission du rayonnement lumineux, référencée L bragg dans la suite de cette description, tend à augmenter avec la température, cette augmentation étant de l’ordre de 0,1nm/°C. La fonction de gain et le pic de gain du milieu amplificateur tendent quant à eux à augmenter bien plus sensiblement avec la température, de l’ordre de 0,6nm/°C. La représente, dans un repère puissance en décibel (dB)/longueur d’onde en nm, l’évolution du gain L 1 du milieu amplificateur et la longueur d’onde d’émission L bragg d’une source laser, de l’état de la technique. Elle illustre ainsi les phénomènes apparaissant à trois températures croissantes T0,T1,T2 du fait de ces dérives différenciées. On note tout d’abord que la fonction de gain du milieu amplificateur G(T0),G(T1),G(T2), et notamment l’amplitude du pic de gain, tend à décroitre avec la température. A une température de fonctionnement relativement basse T0, la longueur d’onde d’émission L bragg (T0) est disposée dans la bande passante du gain du milieu amplificateur, à une longueur d’onde supérieure à la longueur d’onde L 1 (T0) du pic de gain. Bien qu’à cette longueur d’onde d’émission L bragg (T0) le gain ne soit pas maximum, cette situation n’est pas défavorable, car à relativement basse température T0, le gain reste relativement important. La puissance d’émission du rayonnement émis peut donc être satisfaisante. A une température de fonctionnement intermédiaire T1, du fait des dérives induites par l’élévation de température sur la fonction de gain et sur la longueur d’onde d’émission, la longueur d’onde d’émission L bragg (T1) est disposée à une longueur d’onde proche de la longueur d’onde L 1 (T1) du pic de gain. Cette situation est favorable puisque l’amplification apportée est maximale ou proche de son maximum. A une température de fonctionnement relativement élevée T2, la longueur d’onde d’émission L bragg (T2) est cette fois disposée dans la partie inférieure de bande passante du gain du milieu amplificateur, à une longueur d’onde inférieure à la longueur d’onde L 1 (T2) du pic de gain. Cette situation n’est pas favorable, car elle combine d’une part une fonction de gain affaiblie par la température de fonctionnement relativement élevée et d’autre part la longueur d’onde d’émission L bragg (T2) se situe dans une portion éloignée du pic de cette fonction. La puissance du rayonnement lumineux émis est donc particulièrement faible. On comprend donc que la source laser est apte à produire un rayonnement lumineux présentant une puissance satisfaisante, supérieure à un seuil de puissance désiré, dans une gamme de température de fonctionnement limitée, dans la gamme [T0,T1] dans l’exemple de la . Pour augmenter la puissance du rayonnement lumineux produit par la source, il est possible d’adjoindre à la source laser, intégré dans le circuit intégré photonique, un amplificateur optique à semiconducteur (souvent désigné par l’expression anglo-saxonne « Semiconductor optical amplifier » ou SOA, dans le domaine). Un exemple d’un tel circuit intégré est notamment décrit dans le document US2013107900. Cet amplificateur est disposé bout à bout (c’est-à-dire sans guide d’onde intermédiaire) avec la source laser et présente, tout comme cette source laser, un milieu amplificateur préparé à partir des mêmes matériaux que celui de la source. Bien que l’amplificateur optique à semiconducteur puisse étendre quelque peu la gamme de température assurant un fonctionnement satisfaisant de la source laser, en augmentant la fonction de gain globale s’appliquant au rayonnement lumineux produit, le circuit intégré photonique reste soumis aux mêmes effets de dérive en température et présente donc les mêmes limitations que ceux présentés en référence à la . Il reste donc souhaitable d’étendre la plage de température de fonctionnement des circuits photoniques intégrés d’émission. OBJET DE L’INVENTION Un but de l’invention est de proposer une solution au moins partielle à ce problème. Plus particulièrement, un but de l’invention est de fournir un circuit photonique intégré d’émission présentant une plage de température de fonctionnement plus étendu que celles des circuits intégrés de l’état de la technique. BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTION En vue de la réalisation de ce but, l’objet de l’invention propose un circuit photonique intégré d’émission comportant : une source laser pour produire un rayonnement lumineux et comprenant un réseau définissant une longueur d’onde d’émission et un premier milieu amplificateur présentant une première longueur d’onde de photoluminescence ; un amplificateur optique à semiconducteur comprenant un second milieu amplificateur, différent du premier milieu amplificateur, et présentant une seconde longueur d’onde de photoluminescence ; au moins un guide d’onde disposé entre la source laser et l’amplificateur optique à semiconducteur pour transmettre le rayonnement lumineux produit par la source laser à l’amplificateur optique à semiconducteur. Selon l’invention, la source laser et l’amplificateur optique à semiconducteur sont configurés de sorte que : à une première température, la longueur d’onde d’émission est plus proche de la première longueur d’onde de photoluminescence que de la seconde longueur d’onde de photoluminescence, et ; à une seconde température, supérieure à la première température, la longueur d’onde d’émission est plus proche de la seconde longueur d’onde de photoluminescence que de la première longueur d’onde de photoluminescence. Selon d’autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l’invention, prises seules ou selon toute combinaison techniquement réalisable : le milieux amplificateurs de la source laser et le milieux amplificateurs de l’amplificateur sont configurés pour que leurs longueurs d’ondes de photoluminescence respectives à la première température sont séparées d’un écart en longueur d’onde inférieure ou égale à leurs dérives en température à la seconde température ; le premier milieu amplificateur est choisi de sorte que, sur une gamme de température comprise entre la première température et la seconde température, l’écart existant entre la longueur d’onde d’émission et la première longueur d’onde de photoluminescence soit inférieur à une demi-bande passante du premier milieu amplificateur ; le circuit photonique intégré d’émission comprend une pluralité de sources laser présentant un premier milieu amplificateur de composition identique, une pluralité d’amplificateurs optiques à semiconducteur présentant un second milieu amplificateur de composition identique, et une pluralité de guides d’onde respectivement disposés entre les sources laser et les amplificateurs optiques à semiconducteur pour respectivement transmettre les rayonnements lumineux produits par les sources laser aux amplificateurs optiques à semiconducteur ; le circuit photonique intégré d’émission comprend une pluralité d’amplificateurs optiques à semiconducteur complémentaire présentant un second milieu amplificateur complémentaire de composition identique et présentant une longueur d’onde de photoluminescence complémentaire inférieure ou égale, à la première température, à la seconde longueur d’onde de photoluminescence ; le circuit photonique intégré d’émission comprend, optiquement en aval de la pluralité d’amplificateurs optiques à semiconducteur et de la pluralité d’amplificateurs optiques à semiconducteur complémentaires, une pluralité de commutateurs optiques, chaque commutateur optique étant relié à un amplificateur optique à semiconducteur et à un d’amplificateur optique à semiconducteur complémentaire ; le circuit photonique intégré d’émission comprend une pluralité de sources laser et une pluralité d’amplificateurs optiques à semiconducteur, les sources laser et les d’amplificateurs optiques à semiconducteur présentant deux à deux un milieu amplificateur de même composition, et une pluralité de guides d’onde respectivement disposés entre des sources laser et des amplificateurs optiques à semiconducteur présentant des milieux amplificateur de composition différentes ; le circuit photonique intégré d’émission comporte en outre un multiplexeur en longueurs d’onde disposé en aval de la pluralité d’amplificateurs optiques à semiconducteur et optiquement relié aux amplificateurs optiques à semiconducteur pour produire un rayonnement lumineux multispectral ; le circuit photonique intégré d’émission comprend au moins un dispositif optique additionnel disposé entre la source laser et l’amplificateur optique à semiconducteur ; le dispositif optique additionnel est un modulateur ou un commutateur. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée de l’invention qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquels : La illustre le phénomène de dérive thermique s’appliquant sur un circuit photonique intégré d’émission et son impact sur la puissance du rayonnement lumineux produit par ce circuit ; Les figures 2a,2b représentent, en vue de dessus, le schéma de principe d’un circuit photonique 1 intégré d’émission selon des modes de mise en œuvre ; La représente, dans un repère puissance/longueur d’onde, l’évolution des gains des milieux amplificateurs A1,A2 et de la longueur d’onde d’émission L bragg du circuit photonique 1 configuré selon l’invention, avec la température de fonctionnement du circuit ; La représente un circuit photonique intégré d’émission dans une configuration parallèle ; La représente un autre mode de mise en œuvre d’un circuit photonique intégré en configuration parallèle ; La illustre le fonctionnement du circuit photonique de la ; La représente un exemple d’un autre mode de mise en œuvre d’un circuit photonique conforme à l’invention, en configuration série. DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION La représente, en vue de dessus, le schéma de principe d’un circuit photonique 1 intégré d’émission selon un mode de mise en œuvre. Ce circuit photonique 1 comprend, monolithiquement intégré sur un substrat, une source laser LS, un amplificateur optique à semiconducteur SOA (plus simplement désigné « amplificateur » dans la suite de cette description), et un guide d’onde WG disposé entre la source laser LS et l’amplificateur SOA. La source laser LS comprend un premier milieu amplificateur A1. Ce milieu, comme cela a été déjà présenté en introduction de cette demande, est formé d’un empilement de couches en matériaux III-V constituant au moins une hétéro jonction, par exemple à base d’InP, AsGa, InGaAlAs, InGaAsP ou d’InAsP. Le premier milieu amplificateur A1 prend ici la forme générale d’un ruban agencé au droit d'une première portion de couplage d’un guide d’onde WG1, par exemple en silicium, dans lequel un mode optique s’établit lorsque le premier milieu amplificateur A1 est traversé par un courant. Par souci de simplification, on a omis de représenter sur le schéma de principe de la , les circuits, pistes et contacts permettant l’injection de ce courant. Le premier milieu amplificateur A1 présentant une première longueur d’onde de photoluminescence L 1 qui dépend de la composition d’une région active de ce milieu et de sa température de fonctionnement. La région active peut correspondre à des puits quantiques à base de composés quaternaires III-V (InGaAlAs, InGaAsP) ou des points quantiques à base d’InGaAs. La région active est prise en sandwich entre une couche en matériau semi-conducteur de type N et une couche en matériau semi-conducteur de type P. Ces couches, typiquement à base d’InP ou d’AsGa, permettent de faire circuler un courant dans la région active, et de pomper électriquement le milieu amplificateur afin de permettre la génération de lumière. La source laser comprend également un réseau G réalisé dans le premier milieu amplificateur A1 ou dans la première portion de guide d'onde WG1, par exemple un réseau de Bragg. Le réseau G définit, notamment à travers son pas, une longueur d’onde d’émission L bragg de la source laser LS. Poursuivant la description du schéma de principe de la , l’amplificateur SOA comprend quant à lui un second milieu amplificateur A2 présentant une seconde longueur d’onde de photoluminescence L gain . Ce second milieu amplificateur A2 est différent du premier milieu amplificateur A1, c’est-à-dire qu’il est composé d’un empilement de matériaux III-V de compositions différentes des matériaux III-V composant le premier milieu amplificateur A1. En conséquence, la seconde longueur d’onde de photoluminescence L gain est différente de la première longueur d’onde de photoluminescence L 1 . Le second milieu amplificateur A2 prend également la forme générale d’un pavé agencé au droit d'une seconde portion de guide d’onde WG2, s’étendant entre une entrée et une sortie de l’amplificateur, et dans lequel le mode optique générée par la source laser LS se propage et est amplifié. Le guide d’onde WG est disposé entre la source laser LS et l’entrée de l’amplificateur SOA pour transmettre le rayonnement lumineux produit par cette source LS à l’amplificateur SOA. Il relie la première portion de guide d’onde WG1 et la seconde portion de guide d’onde WG2, qui ne sont donc pas agencées bout à bout comme c’est le cas dans les circuits photoniques de l’état de la technique rapporté en introduction de cette demande. On note que les milieux amplificateurs A1,A2 de la source laser LS et de l’amplificateur SOA étant distincts l’un de l’autre, et formés de matériaux de compositions différentes, ils ne peuvent être contigus ou constitués d’un unique bloc monolithique de matériau. Ils sont donc écartés d’une distance de séparation d, cet écartement nécessitant la présence du guide d’onde WG pour propager le mode optique de la source laser LS à l’amplificateur SOA. Bien entendu le circuit photonique 1 intégré d’émission peut présenter d’autres éléments qui peuvent être par exemple insérés optiquement entre la source laser LS et l’amplificateur SOA, par l’intermédiaire d’une pluralité de guides d’onde GW. On a ainsi représenté sur la , un circuit photonique 1 d’un autre mode de mise en œuvre, comprenant un modulateur MOD, optiquement relié par des guides d’onde WG à la source laser LS et à l’amplificateur SOA. Sur les figures 2a et 2b, on a également représenté un guide d’onde de sortie WG3, reliant optiquement la sortie de l’amplificateur à, par exemple, un composant permettant le couplage du flux optique depuis le circuit photonique 1 vers une fibre optique. D’autres configurations de couplage du circuit photonique 1 sont alternativement possibles, par exemple par l’intermédiaire d’un réseau de surface couplé au guide d’onde de sortie WG3. La représente, dans un repère puissance/longueur d’onde, l’évolution des gains des milieux amplificateurs A1,A2 et de la longueur d’onde d’émission L bragg du circuit photonique 1 configuré selon l’invention, avec la température de fonctionnement du circuit. A une première température de fonctionnement relativement basse T0, la longueur d’onde d’émission L bragg (T0) est disposée dans la bande passante du gain du premier milieu amplificateur A1, à une longueur d’onde supérieure à la longueur d’onde L 1 (T0) du pic de gain. Cette configuration est obtenue en choisissant la nature du premier milieu amplificateur A1 et en définissant les paramètres du réseau de la source laser LS. A titre d’exemple, à une première température correspondant à la température ambiante (20°C), la longueur d’émission L bragg est de 1330nm, et la longueur d’onde de photoluminescence L 1 du premier milieu amplificateur A1 (le pic du gain de ce premier milieu) est choisie pour correspondre à 1315nm. La bande passante du gain du second milieu amplificateur A2 (en trait épais sur la ) est configurée, en choisissant la nature des matériaux constituant ce milieu, pour être décalée de la bande passante du gain du premier milieu amplificateur A1 vers les longueurs d’onde plus petites. On veillera toutefois et de manière avantageuse à ce que l’amplificateur SOA soit « en transparence », c’est-à-dire que son gain à la longueur d’onde d’émission L bragg de la source laser LS, ne soit pas inférieur à 0dB, à la première température T0. A titre d’exemple, la longueur d’onde de photoluminescence L gain du second milieu amplificateur A2 (le pic du gain de ce second milieu) est choisie pour correspondre à 1300nm, soit 15nm plus bas que la longueur d’onde de photoluminescence du premier milieu L 1 Dans cette configuration à la première température T0, et comme cela est bien visible sur la , la longueur d’onde d’émission L bragg est plus proche de la première longueur d’onde de photoluminescence L 1 que de la seconde longueur d’onde de photoluminescence L gain . L’amplificateur SOA contribue peu à l’amplification du mode optique produit par la source laser LS. Le mode optique produit par la source laser LS seule présente une puissance suffisante, supérieure à un seuil déterminé, et ne nécessite pas ou peu d’amplification additionnelle. Lorsque la température de fonctionnement du circuit photonique s’élève, la longueur d’onde d’émission L bragg et les première et seconde longueurs d’onde de photoluminescence L 1 , L gain dérivent selon des dynamiques différentes. Ainsi, a une seconde température de fonctionnement relativement haute T1, les première et seconde longueurs d’onde de photoluminescence L 1 , L gain sont décalés vers les plus grandes longueurs d’onde d’un écart qui est de l’ordre de 0,6nm par °C d’élévation de température (c’est-à-dire la différence T1-T0). Les fonctions de gains des premier et second milieux amplificateurs A1,A2 sont également d’amplitudes plus réduites à la seconde température T1 qu’à la première T0. La longueur d’onde d’émission L bragg est quant à elle décalée vers les plus grandes longueurs d’onde d’un écart qui est de l’ordre de 0,1nm par °C d’élévation de température (T1-T0). Poursuivant l’exemple décrit plus haut, et en prenant la seconde température T2 à 80°C, 60° supérieure à la première température T0 choisie à l’ambiante, la longueur d’onde d’émission L bragg (T1) est décalée de 6nm à 1336nm, et les première et seconde longueurs d’onde de photoluminescence L 1 , L gain sont décalées de 36nm à respectivement 1351nm et 1336nm. Aussi, et du fait de cette dynamique de dérive en température différenciée, la longueur d’onde d’émission L bragg (T1) est disposée, a la seconde température de fonctionnement T1, dans la bande passante du gain du premier milieu amplificateur A1, à une longueur d’onde inférieure à la longueur d’onde L 1 (T1) du pic de gain. Cette longueur d’onde d’émission L bragg (T1) est également disposée dans la bande passante du gain du second milieu amplificateur A2. A la seconde température T1, la longueur d’onde d’émission L bragg est plus proche de la seconde longueur d’onde de photoluminescence L gain que de la première longueur d’onde de photoluminescence L 1 . En conséquence, l’amplificateur SOA contribue à l’amplification du mode optique produit par la source laser LS. Cette amplification permet de au moins compenser les gains plus faibles des milieux amplificateurs A1,A2 à la température T1 relativement plus élevés, afin de maintenir un mode optique d’une puissance suffisante, supérieure au seuil déterminé. En différentiant les deux milieux amplificateurs A1,A2 de la source laser LS et de l’amplificateur SOA et en les configurant pour que leur longueur d’onde de photoluminescence L 1 , L gain soit décalée d’un écart en longueur d’onde inférieure ou égale à leur dérive en température sur une gamme de température cible [T0-T1], on s’assure que le mode optique produit par la source laser LS soit suffisamment amplifié, par le premier milieu d’amplification A1 de la source laser LS et/ou par le second milieu d’amplification A2 de l’amplificateur SOA pour maintenir sa puissance, sur la gamme de température cible étendue, au-dessus du seuil déterminé. Avantageusement, le premier milieu amplificateur A1 est choisi de sorte que, sur une gamme de température comprise entre la première température T0 et la seconde température T1, l’écart D existant entre la longueur d’onde d’émission L bragg et la première longueur d’onde de photoluminescence L 1 soit inférieur à une demi-bande passante BW/2 du premier milieu amplificateur A1. De la sorte, on s’assure que sur toute la gamme de température [T0-T1], la source laser produise un mode optique dont la puissance soit supérieure à une puissance minimale. La bande passante BW du premier milieu amplificateur A1 peut être par exemple établie à 3dB, comme cela est usuel. La première température T0 peut être la température ambiante et la seconde température peut être de 60°C, de 80°C ou de 100°C suivant le domaine d’opération visé par le circuit photonique 1. Les principes de l’invention qui viennent d’être exposés peuvent être déployés dans de nombreux modes de mise en œuvre. Ainsi, la représente un circuit photonique 1 intégré d’émission dans une configuration parallèle. Ce circuit comporte une pluralité de sources laser LS identiques. Ces sources laser LS comprennent donc chacune un réseau définissant la même longueur d’onde d’émission L bragg . Elles comprennent également chacune un premier milieu amplificateur A1, ces milieux amplificateurs A1 étant tous de même composition et définissant donc une même première longueur d’onde de photoluminescence L 1 . Avantageusement, ce milieu est issu d’un unique pavé monolithique de matériaux III-V formé au droit d’une pluralité de premières portions WG1 de guides d’onde, et structuré pour y définir la pluralité de sources lasers LS, comme cela a été exposé en introduction de cette demande. Le circuit photonique 1 comprend également une pluralité d’amplificateurs optiques à semiconducteur SOA comprenant chacun un second milieu amplificateur A2 présentant la même composition et définissant donc une même seconde longueur d’onde de photoluminescence L gain . Avantageusement, et comme cela a été exposé dans le cas du premier milieu amplificateur A1, ce second milieu A2 est issu d’un unique pavé monolithique de matériaux III-V formé et structuré au droit d’une pluralité de secondes portions WG2 de guide d’onde. Enfin, le circuit photonique 1 comprend une pluralité de guides d’onde WG,WG’ disposés entre les sources laser LS et les amplificateurs optiques à semiconducteur SOA pour respectivement transmettre les rayonnements lumineux produits par les sources laser LS aux amplificateurs optiques à semiconducteur SOA. Dans le mode de mise en œuvre représenté sur la , on a également prévu des modulateurs MOD respectivement disposés entre une source laser LS et un amplificateur SOA pour former un circuit photonique intégré de transmission, mais cet élément est parfaitement optionnel ou pourrait être remplacé par un élément optique fournissant une autre fonction. La nature des milieux amplificateurs A1,A2 et la longueur d’onde d’émission L bragg sont choisis conformément à ce qui a été présenté lors de la description des figures précédentes : très généralement, à la première température T0, la longueur d’onde d’émission L bragg est plus proche de la première longueur d’onde de photoluminescence L 1 que de la seconde longueur d’onde de photoluminescence L gain . A la seconde température T1, supérieure à la première température T0, la longueur d’onde d’émission L bragg est plus proche de la seconde longueur d’onde de photoluminescence L gain que de la première longueur d’onde de photoluminescence L 1 . La représente un autre mode de mise en œuvre d’un circuit photonique 1 en configuration parallèle. On retrouve dans le circuit photonique de cette , une pluralité de sources laser LS et de modulateurs MOD dans la même configuration que celle présentée sur la . Chaque source laser LS est optiquement relié à une entrée d’un modulateur MOD par l’intermédiaire d’un guide d’onde WG. Des voies de sortie des modulateurs MOD sont respectivement reliées par d’autres guides d’onde WG’ à des amplificateurs optiques à semiconducteur SOA présentant un même second milieu amplificateur A2. Ces éléments sont configurés similairement à la configuration du mode de mise en œuvre de la . Avantageusement, les modulateurs MOD présentent chacun deux sorties en opposition de phase. Il peut ainsi s’agir d’un modulateur silicium de type Mach Zender. Alternativement, les modulateurs pourraient être remplacés par de simples commutateurs, présentant également deux sorties sur lesquels est répartie l’énergie du rayonnement lumineux qui se propage depuis leurs entrées. Dans le cas du circuit intégré de la , la seconde sortie (non reliée à l’amplificateur optique à semiconducteur SOA) est optiquement reliée, par l’intermédiaire des guides d’onde WG’, à une pluralité d’amplificateurs optiques à semiconducteur complémentaires SOA2. Ces amplificateurs complémentaires SOA2 présentent un même milieu amplificateur complémentaire A2’, différent du second milieu amplificateur A2. Plus précisément, le milieu amplificateur complémentaire A2’ présente une longueur d’onde de photoluminescence complémentaire L gain2 inférieure ou égale, à la première température T0, à la seconde longueur d’onde de photoluminescence L gain . On observe comme cela est illustré à la , qu’une telle configuration du circuit photonique permet d’étendre la plage de température de fonctionnement du circuit photonique, les amplificateurs complémentaires SOA2 assurant l’amplification des modes optiques lorsque la dérive en température ne permet plus aux amplificateurs SOA d’assurer un gain suffisant. En aval des amplificateurs SOA et des amplificateurs complémentaires SOA2, on a prévu une pluralité de commutateurs optiques SW permettant de sélectionner, parmi la pluralité de sortie des amplificateurs SOA et des amplificateurs complémentaires SOA2, et selon la température de fonctionnement effective du circuit 1, le rayonnement amplifié qui est propagé par les guides d’onde de sortie WG3 jusqu’à la sortie d’émission du circuit photonique 1 intégré. Plus précisément, à une température relativement basse les commutateurs sont opérés pour propager vers les guides d’onde de sortie WG3 les rayonnements issus des amplificateurs SOA. A une température relativement élevée, les commutateurs sont opérés pour propager par les guides d’onde de sortie WG3 les rayonnements issus des amplificateurs complémentaires SOA2. La représente un exemple d’encore un autre mode de mise en œuvre d’un circuit photonique 1 conforme à l’invention, cette fois en configuration dite multiplexée en longueurs d’onde. Dans cette configuration, une pluralité de sources laser LS 1 -LS 5 et une pluralité d’amplificateurs optiques à semiconducteur SOA 1 -SOA 5 , comprennent deux à deux un milieu amplificateur A’ 1 -A’ 5 de constitution identique. Dis autrement, un milieu amplificateur de composition unique A i est placé au droit d’une première portion de guide d’onde d’une source laser LS i et au droit d’une seconde portion de guide d’onde d’un amplificateur SOA i . Une pluralité de guides d’onde WG, WG’ sont respectivement disposés entre des sources laser LS i et des amplificateurs optiques SOA i+1 , le premier milieu amplificateur A i de la source laser LS i étant de composition différente du second milieu amplificateur A i+1 de l’amplificateur optique SOA i+1 , pour respectivement transmettre les rayonnements lumineux produits par les sources laser LS i aux amplificateurs optiques à semiconducteur SOA i+1 . Dans l’exemple représenté, le circuit photonique comprend 5 types de milieux amplificateurs A’ 1 -A’ 5 , issus chacun d’un pavé de matériau III-V formé et structuré au droit d’une première portion de guide d’onde d’une source laser LS et d’une seconde portion de guide d’onde d’un amplificateur SOA. La source laser LS i est également munie d’un réseau définissant une longueur d’onde d’émission L bragg ,i . La nature du milieu amplificateur A’ i et la longueur d’onde d’émission L bragg ,i sont donc choisies pour permettre le bon fonctionnement de la source laser LS i et de l’amplificateur SOA I . On dispose dans le circuit représenté d’une pluralité de sources laser LS i présentant chacune une longueur d’onde d’émission L bragg ,i différente et d’une pluralité d’amplificateurs SOA i . Les longueurs d’onde d’émission L bragg , 1 - L bragg, 5 sont étagées (1330 nm, 1310 nm, 1290 nm, 1245 nm, 1270 nm et 1225 nm comme cela est représenté sur la ) pour fournir une pluralité de rayonnements lumineux destinés à être combinés ou multiplexés en longueurs d’onde entre eux et former, en sortie du circuit photonique 1, un rayonnement multi longueurs d’onde. Les matériaux des milieux amplificateurs A’ 1 -A’ 5 sont choisis pour également étager leur longueur d’onde de photoluminescence (1305 nm, 1285 nm, 1265 nm, 1245 nm et 1225 nm). Comme cela est visible sur la , des guides d’onde WG permettent de coupler optiquement une source laser LS comprenant un premier milieu amplificateur A’ i présentant une première longueur d’onde de photoluminescence à un amplificateur SOA comprenant un second milieu amplificateur A’ i+1 présentant une seconde longueur d’onde de photoluminescence. Ce chainage par les guides d’onde WG,WG’ est répété pour coupler une source laser LS i associée à premier milieu amplificateur A i à un amplificateur SOA i+1 associé à un second milieu amplificateur A i+1 , différent du premier. On note que dans le chainage représenté sur la , le premier amplificateur du chainage SOA 1 , associé au milieu amplificateur désigné A’ 1 sur cette figure, et la dernière source laser LS 5 , associée au milieu amplificateur désigné A’ 5 sur la figure, ne sont pas exploités. Ces deux éléments n’étant pas exploités, ils peuvent donc être omis. Ce mode de mise en œuvre, multiplexée en longueurs d’onde, présente l’avantage de limiter le nombre de milieux d’amplification de composition différente (de pavés) pour la fabrication du dispositif optique en mutualisant leur exploitation. 5 pavés de natures différentes sont nécessaires par exemple pour réaliser la structure de la , ces pavés étant structurés pour réaliser les premiers et seconds milieux d’amplification associés aux 4 sources laser LS i et aux 4 amplificateurs SOA i , i.e. 8 milieux amplificateurs. Bien entendu l'invention n'est pas limitée aux modes de mise en œuvre décrits et on peut y apporter des variantes de réalisation sans sortir du cadre de l'invention tel que défini par les revendications. Circuit photonique (1) intégré d’émission comportant : une source laser (LS) pour produire un rayonnement lumineux et comprenant un réseau définissant une longueur d’onde d’émission (L bragg ) et un premier milieu amplificateur (A1) présentant une première longueur d’onde de photoluminescence (L 1 ) ; un amplificateur optique à semiconducteur (SOA) comprenant un second milieu amplificateur (A2), différent du premier milieu amplificateur (A1), et présentant une seconde longueur d’onde de photoluminescence (L gain ) ; au moins un guide d’onde (WG) disposé entre la source laser (LS) et l’amplificateur optique à semiconducteur (SOA) pour transmettre le rayonnement lumineux produit par la source laser (LS) à l’amplificateur optique à semiconducteur (SOA) ; la source laser (LS) et l’amplificateur optique à semiconducteur (SOA) étant configurés de sorte que : à une première température (T0), la longueur d’onde d’émission (L bragg ) est plus proche de la première longueur d’onde de photoluminescence (L 1 ) que de la seconde longueur d’onde de photoluminescence (L gain ), et ; à une seconde température (T1), supérieure à la première température (T0), la longueur d’onde d’émission (L bragg ) est plus proche de la seconde longueur d’onde de photoluminescence (L gain ) que de la première longueur d’onde de photoluminescence (L 1 ). Circuit photonique (1) intégré d’émission selon la revendication 1 dans lequel le milieux amplificateurs (A1) de la source laser (LS) et le milieux amplificateurs (A2) de l’amplificateur (SOA) sont configurés pour que leurs longueurs d’ondes de photoluminescence respectives (L 1 , L gain ) à la première température (T0) sont séparées d’un écart en longueur d’onde inférieure ou égale à leurs dérives en température à la seconde température (T2). Circuit photonique (1) intégré d’émission selon l’une des revendications précédentes dans lequel le premier milieu amplificateur (A1) est choisi de sorte que, sur une gamme de température comprise entre la première température (T0) et la seconde température (T1), l’écart (D) existant entre la longueur d’onde d’émission (L bragg ) et la première longueur d’onde de photoluminescence (L 1 ) soit inférieur à une demi-bande passante du premier milieu amplificateur (A1). Circuit photonique (1) intégré d’émission selon l’une des revendications précédentes comprenant une pluralité de sources laser (LS) présentant un premier milieu amplificateur (A1) de composition identique, une pluralité d’amplificateurs optiques à semiconducteur (SOA) présentant un second milieu amplificateur (A2) de composition identique, et une pluralité de guides d’onde respectivement disposés entre les sources laser (LS) et les amplificateurs optiques à semiconducteur (SOA) pour respectivement transmettre les rayonnements lumineux produits par les sources laser (LS) aux amplificateurs optiques à semiconducteur (SOA). Circuit photonique (1) intégré d’émission selon la revendication 4 comprenant une pluralité d’amplificateurs optiques à semiconducteur complémentaire (SOA2) présentant un second milieu amplificateur complémentaire (A2’) de composition identique et présentant une longueur d’onde de photoluminescence complémentaire (L gain 2 ) inférieure ou égale, à la première température (T0), à la seconde longueur d’onde de photoluminescence (L gain ). Circuit photonique (1) intégré d’émission selon la revendication précédente comprenant, optiquement en aval de la pluralité d’amplificateurs optiques à semiconducteur (SOA) et de la pluralité d’amplificateurs optiques à semiconducteur complémentaires (SOA2), une pluralité de commutateurs optiques (SW), chaque commutateur optique étant relié à un amplificateur optique à semiconducteur (SOA) et à un d’amplificateur optique à semiconducteur complémentaire (SOA2). Circuit photonique (1) intégré d’émission selon l’une des revendications 1 à 3 comprenant une pluralité de sources laser (LS i ) et une pluralité d’amplificateurs optiques à semiconducteur (SOA i ), les sources laser et les d’amplificateurs optiques à semiconducteur (LS i ,SOA i ) présentant deux à deux un milieu amplificateur de même composition, et une pluralité de guides d’onde (WG,WG’) respectivement disposés entre des sources laser (LS i )et des amplificateurs optiques à semiconducteur (SOA i+1 ) présentant des milieux amplificateur de composition différentes. Circuit photonique (1) intégré d’émission selon la revendication précédente comportant en outre un multiplexeur en longueurs d’onde (MUX) disposé en aval de la pluralité d’amplificateurs optiques à semiconducteur (SOA i ) et optiquement relié aux amplificateurs optiques à semiconducteur (SOA i ) pour produire un rayonnement lumineux multispectral. Circuit photonique (1) intégré d’émission selon l’une des revendications précédentes, comprenant au moins un dispositif optique additionnel disposé entre la source laser (LS) et l’amplificateur optique à semiconducteur (SOA). Circuit photonique (1) intégré d’émission selon la revendication précédente dans lequel le dispositif optique additionnel est un modulateur (MOD) ou un commutateur.