Brevet FR3143853A1 — publié le 20240621

Diode à capacité variable La présente description concerne une diode à capacité variable (51) comprenant, dans un substrat semiconducteur (13) dopé d’un premier type de conductivité (P) : - une première région (25) ; - dans une partie de la première région (25), une deuxième région (17) dopée du premier type de conductivité (P) ; - des troisièmes régions (27) situées dans la première région (25) en vis-à-vis des deuxièmes régions (17), dopées du deuxième type de conductivité, l’interface entre les deuxième et troisième régions définissant une jonction PN de la diode ; - des premières tranchées d’isolation (19) délimitant latéralement ladite jonction PN, les premières tranchées d’isolation (19) ayant une profondeur inférieure à celle de la première région (25) ; et dans lequel la première région (25) comprend des premières tranchées d’isolation (19), des zones (33) de niveau de dopage supérieur à celui de la première région (25). Figure pour l'abrégé : Fig. 2 Diode à capacité variable La présente description concerne de façon générale le domaine des composants électroniques semiconducteurs et, plus particulièrement, le domaine des diodes à capacité variable. Une diode à capacité variable appelée également varactor ou varicap a la particularité d'avoir une capacité ajustable en fonction de la tension appliquée à ses bornes, à la différence d'une diode classique pour laquelle la variation de la capacité en fonction de la tension est généralement minimisée. Les diodes à capacité variables reposent sur une jonction de deux couches de types de conductivité différents et ayant des concentrations en dopants différentes, polarisée en inverse. Dans une diode à capacité variable, plus la tension de polarisation inverse appliquée entre la cathode et l’anode de la diode est élevée, plus l’épaisseur de la zone de déplétion se formant autour de la jonction PN de la diode est grande, et plus la capacité est faible. La capacité de la diode varie ainsi inversement proportionnellement à la tension appliquée à ses bornes. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des diodes à capacité variable connues et de leurs procédés de fabrication. Un mode de réalisation prévoit une diode à capacité variable comprenant, dans un substrat semiconducteur dopé d’un premier type de conductivité : - une première région dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité ; - dans une partie de la première région, une deuxième région dopée du premier type de conductivité; - des troisièmes régions situées dans la première région en vis-à-vis des deuxièmes régions, les deuxièmes régions étant formées dans les troisièmes régions et les troisièmes régions étant dopées du deuxième type de conductivité, l’interface entre les deuxième et troisième régions définissant une jonction PN de la diode ; - des premières tranchées d’isolation délimitant latéralement ladite jonction PN, les premières tranchées d’isolation ayant une profondeur inférieure à celle de la première région; et - dans une autre partie de la première région, de part et d'autre des premières tranchées d'isolation, des zones de reprise de contact sur la première région, dans lequel la première région comprend, en contact avec la face inférieure des premières tranchées d’isolation, des zones de niveau de dopage supérieur à celui de la première région. Selon un mode de réalisation, la première région a un dopage compris entre 1.10 17 atomes/cm 3 et 1.10 19 atomes/cm 3 . Selon un mode de réalisation, les zones ont un dopage compris entre 1.10 17 atomes/cm 3 et 1.10 20 atomes/cm 3 . Selon un mode de réalisation, la première région est délimitée par une deuxième tranchée d'isolation annulaire. Selon un mode de réalisation, la deuxième tranchée d'isolation a une profondeur supérieure à celle de la première région. Selon un mode de réalisation, les zones de reprise de contact sont plus fortement dopées que la première région. Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'une diode à capacité variable comprenant les étapes suivantes : a) formation d'une première région dans un substrat semiconducteur dopé d’un premier type de conductivité, la première région étant dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité ; b) formation de premières tranchées d’isolation, les premières tranchées d’isolation ayant une profondeur inférieure à celle de la première région ; c) formation de zones de niveau de dopage supérieur à celui de la première région, dans la première région et en contact avec la face inférieure des premières tranchées d’isolation ; d) formation de deuxièmes régions dopées du premier type de conductivité dans une partie de la première région ; e) formation de troisièmes régions dopées du deuxième type de conductivité dans une partie de la première région en vis-à-vis des deuxièmes régions, l’interface entre les deuxième et troisième régions définissant une jonction PN de la diode chaque interface entre les première et deuxième régions définissant une jonction PN de la diode et les premières tranchées d'isolation délimitant latéralement lesdites jonctions PN ; et f) formation de zones de reprise de contact dans une autre partie de la première région, de part et d'autre des premières tranchées d'isolation, sur la première région. Selon un mode de réalisation, l'étape c) est réalisée après l'étape b). Selon un mode de réalisation, la première tranchée d'isolation et la zone sont formées à travers une même couche de masquage. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la et la sont des vues respectivement en coupe et de dessus, partielles et schématiques, d'un exemple de dispositif électronique comportant une diode à capacité variable ; la est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un dispositif électronique comportant une diode à capacité variable selon un mode de réalisation ; et la , la , la , la , la , la , la , la , la et la illustrent des étapes successives d'un procédé de formation d'un exemple de réalisation d'un dispositif électronique du type décrit en relation avec la . De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seules les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, seule la réalisation d'une diode à capacité variable d'un dispositif électronique a été détaillée. La réalisation d’éventuels autres éléments du dispositif et notamment de circuits intégrés et de composants électroniques présents dans le dispositif n'a pas été détaillée. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. La et la sont des vues respectivement en coupe et de dessus, partielles et schématiques, d'un exemple de dispositif électronique comportant des diodes à capacité variable 11. Plus particulièrement, la est une vue selon le plan de coupe AA de la . La structure illustrée en figures 1A et 1B comprend deux diodes à capacité variable 11. En pratique, une même structure peut comprendre une unique diode à capacité variable 11. En variante, une même structure peut comprendre plus de deux diodes à capacité variable 11. Les diodes à capacité variable 11 sont formées dans un substrat semiconducteur 13 dopé d'un premier type de conductivité, par exemple du type P, par exemple dopé d'atomes de bore. Le substrat 13 est, par exemple, très faiblement dopé, par exemple de niveau de dopage compris entre 1.10 14 atomes/cm 3 et 2.10 15 atomes/cm 3 , par exemple de l’ordre de 1.10 15 atomes/cm 3 . A titre d'exemple, le substrat semiconducteur 13 est en silicium, par exemple en silicium monocristallin. Une région dopée 15, s’étend dans le substrat 13, par exemple à partir de la face supérieure du substrat 13. La région 15 est dopée d'un deuxième type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, par exemple du type N, par exemple dopé d'atomes de phosphore. A titre d’exemple, la région 15 présente un niveau de dopage compris entre 1.10 16 atomes/cm 3 et 7.10 19 atomes/cm 3 . La région 15 s'étend dans le substrat semiconducteur 13, par exemple, sur une profondeur comprise entre 600 µm et 2 µm, par exemple de l'ordre de 1,3 µm. A titre d'exemple, le substrat 13 et la région 15 sont formés par épitaxie. A titre d'exemple, pour former le substrat semiconducteur 13 et la région 15, on vient réaliser une implantation localisée du deuxième type de conductivité, par exemple du type N, au niveau de la face supérieure d’un substrat semiconducteur de départ du premier type de conductivité, par exemple du type P. L’implantation est localisée en vis à vis de la zone du substrat dans laquelle on souhaite former la région 15. Une épitaxie est ensuite mise en oeuvre à partir de la face supérieure du substrat. On obtient ainsi un substrat 13 de type P comprenant une région localisée 15 de type N s’étendant dans le substrat à partir de sa face supérieure. A titre d'exemple, une partie supérieure 131 du substrat semiconducteur 13 correspond à la partie épitaxiée du substrat 13 et une partie inférieure 133 du substrat semiconducteur 13 correspond, par exemple au substrat semiconducteur de départ. A titre d'exemple, la partie supérieure 131 du substrat semiconducteur 13 a une épaisseur comprise entre 250 nm et 500 nm, par exemple de l'ordre de 400 nm. Chaque diode à capacité variable 11 comprend, dans la région 15, une région 17 dopée du premier type de conductivité, par exemple dopée du type P. En figures 1A et 1B, deux régions 17 sont représentées. A titre d'exemple, les régions 17 s'étendent horizontalement dans un plan orthogonal au plan de la . En figures 1A et 1B, les diodes 11 sont dites alignées, c'est-à-dire que leurs régions 17 sont alignées et parallèles l'une par rapport à l'autre. A titre d'exemple, la région 17 est plus fortement dopée que la région 15. Les régions 17 sont, par exemple très fortement dopées, par exemple de niveau de dopage supérieur à 3.10 19 atomes/cm 3 , par exemple supérieur à 5.10 19 atomes/cm 3 . A titre d'exemple, la face supérieure des régions 17 affleure la face supérieure du substrat semiconducteur 13. Les régions 17 ont, par exemple en vue de dessus, une forme rectangulaire, par exemple une forme rectangulaire dont les bords sont arrondis. Les modes de réalisation décrits ne se limitent toutefois pas à ce cas particulier. A titre d'exemple, les régions 17 s’étendent verticalement sur une profondeur inférieure à celle de la région 15. A titre d'exemple, la région 15 comprend, en outre, sous et en contact avec chaque région 17, une région 27, aussi appelée caisson, dopée du deuxième type de conductivité, par exemple du type N. Chaque région 27, est par exemple en contact, par sa face supérieure, avec la face inférieure de la région 17 associée. Dans cet exemple, l'interface entre chaque région 17 avec une des régions 27, définit une jonction PN d'une diode à capacité variable 11. Les jonctions PN sont, par exemple, situées dans la partie épitaxiée du substrat 13, c'est-à-dire dans la partie supérieure 131 du substrat 13. Les régions 27 sont, par exemple, plus fortement dopée que la région 15. A titre d'exemple, les régions 27 sont moins fortement dopées que les régions 17. Les régions 27 présentent par exemple un niveau de dopage compris entre 1.10 16 atomes/cm 3 et 1.10 19 atomes/cm 3 , par exemple de l’ordre de 1.10 18 atomes/cm 3 . A titre d'exemple, les régions 27 s'étendent plus profondément que les régions 17. Les régions 17 et 27 de chaque diode 11 sont délimitées latéralement par des tranchées d'isolation 19, par exemple des tranchées d'isolation dites peu profondes. A titre d'exemple, les tranchées 19 s'étendent horizontalement parallèlement aux régions 17. Les tranchées d'isolation 19 s'étendent en outre verticalement dans la région 15, de part et d'autre des régions 17 et 27, par exemple à partir de sa face supérieure. A titre d'exemple, les tranchées 19 s'étendent jusqu’à une profondeur inférieure à la profondeur de la région 15 et, par exemple supérieure à la profondeur de la région 17 et de la région 27. La tranchée d'isolation 19 a, par exemple, une profondeur comprise entre 0,05 µm et 1,5 µm, par exemple de l'ordre de 0,3 µm. A titre d'exemple, la largeur de la région 17 est compris entre 0,1 µm et 20 µm, par exemple compris entre 0,3 µm et 11 µm. La largeur des tranchées d’isolation 19 est par exemple inférieure à 20 µm, par exemple inférieure à 10µm. Les tranchées d'isolation 19 sont, par exemple remplies d’un matériau électriquement isolant, par exemple un oxyde, par exemple en oxyde de silicium. Chaque diode à capacité variable 11 comprend, de part et d'autre de la région 17, une zone 21 de reprise d’un contact électrique. Plus précisément, dans cet exemple, deux zones de reprise de contact 21 s’étendent, pour chaque diode 11, au contact des tranchées 19 de part et d'autre de l'ensemble formé par la région 17 et les tranchées 19. Les zones de reprise de contacts 21 s'étendent, par exemple, horizontalement parallèlement aux tranchées 19 et aux régions 17. Dans l'exemple des figures 1A et 1B, la structure comporte alors une zone de reprise de contact 21 dite interne entre les tranchées 19 des deux diodes à capacité variable 11, au contact des tranchées 19 et deux zones de reprise de contact 21 dites externes de part et d'autre de l'ensemble formé par les deux diodes 11. A titre d'exemple, la structure comprend, au niveau de sa face supérieure, dans l'ordre, une alternance entre les zones de reprise de contact et les région 17, les régions 17 et les zones de reprise de contact 21 étant séparées par des tranchées 19. Les zones de reprise de contact 21 sont dopées du deuxième type de conductivité, par exemple du type N. A titre d'exemple, les zones de reprise de contact 21 sont plus fortement dopée que la région 15. A titre d'exemple, les régions 17 et les zones de reprise de contact 21 ont des niveaux de dopages similaires. Les zones de reprise de contact 21 sont, par exemple, très fortement dopées, par exemple de niveau de dopage supérieur à 8.10 19 atomes/cm 3 , par exemple supérieur à 1.10 20 atomes/cm 3 . La zone de reprise de contact 21 et la région 17 de chaque diode définissent par exemple respectivement une zone de reprise de contact de cathode et une zone de reprise de contact d’anode de la diode à capacité variable 11. Les diodes à capacité variable 11 sont, par exemple entourées latéralement par une tranchée d'isolation 23. Plus particulièrement, dans cet exemple, les zones de reprise de contact 21 externes sont délimités par la tranchée 23 et en contact avec celle-ci. A titre d'exemple, la tranchée d'isolation 23 s'étend dans le substrat 15 par exemple à partir de sa face supérieure, et délimite latéralement la région 15. La tranchée d'isolation 23 est, par exemple une tranchée d'isolation dite profonde, par exemple s'étendant plus profondément que la tranchée d'isolation 19. La tranchée d'isolation 23 a, par exemple, une profondeur supérieure à la profondeur de la région 15. La tranchée d'isolation 23 a, par exemple, une profondeur comprise entre 3 µm et 4,5 µm, par exemple de l'ordre de 3,9 µm. La tranchée 23 a par exemple, en vue de dessus, une forme annulaire. La tranchée d'isolation 23 a, par exemple, une largeur inférieure à 20 µm, par exemple inférieure à 10µm. La tranchée d'isolation 23 est, par exemple remplie d’un matériau électriquement isolant, par exemple un oxyde, par exemple de l’oxyde de silicium. A titre d'exemple, la tranchée d'isolation 23 et la tranchée d'isolation 19 sont en le même matériau. A titre d'exemple, la région 15 comprend, sous et en contact avec chaque zone de reprise de contact 21, une région 25 dopée du deuxième type de conductivité, par exemple du type N. Les régions 25 sont, par exemple, plus fortement dopées que la région 15. A titre d'exemple, les régions 25 sont moins fortement dopées que les zones de reprise de contact 21. A titre d'exemple, les régions 25 présentent un niveau de dopage compris entre 1.10 17 atomes/cm 3 et 1.10 19 atomes/cm 3 . Les régions 25 sont, par exemple délimitées de part et d'autre par des tranchées 19 d'une part et la tranchée 23 d'autre part. A titre d'exemple, la région 25 s'étend moins profondément que la tranchée 19. A titre d'exemple, les régions 25 sont similaires aux régions 27 par leur profondeur et leur niveau de dopage. La tranchée 23 est, par exemple, entourée d'une région 29 située à la surface du substrat 13. A titre d'exemple, la région 29 est dopée du premier type de conductivité, par exemple du type P. La région 29 est, par exemple, plus fortement dopée que le substrat 13. A titre d'exemple, la région 29 présente un niveau de dopage supérieur à 3.10 19 atomes/cm 3 , par exemple supérieur à 5.10 19 atomes/cm 3 . La région 29 et la région 17 ont, par exemple, des niveaux de dopage identiques. A titre d’exemple, la région 29 s’étend latéralement depuis la paroi extérieure de la tranchée 23. A titre d'exemple, la région 29 est située sur et en contact d'une région 31 du substrat 13, aussi appelée caisson. A titre d’exemple, la région 31 s’étend latéralement depuis la paroi extérieure de la tranchée 23. La région 31 s'étend, par exemple, moins profondément que la tranchée 23. La région 31 s'étend, par exemple, sur une profondeur similaire à la profondeur des régions 25. A titre d'exemple, la région 31 est moins fortement dopée que la région 29. A titre d'exemple, la région 31 est plus fortement dopée que le substrat 13. La région 31 présente par exemple un niveau de dopage compris entre 1.10 1 7 atomes/cm 3 et 1.10 1 8 atomes/cm 3 . Le fonctionnement d'une diode à capacité variable 11 telle que décrite ci-avant repose principalement sur la jonction PN établie entre les régions 17 et 27 et, plus précisément, sur la différence de dopage entre les deux régions de la jonction. Dans une telle diode, un compromis est à trouver dans les niveaux de dopages des régions 17, 27 et 15 afin que la différence de dopage entre les régions N et P de la jonction soit importante, que la région 27 ne soit pas trop fortement dopée afin de limiter les courants de fuite et que les régions 27, 15, 25 et 21 soient suffisamment dopées afin de ne pas augmenter les résistances parasites présentes entre l'anode et la cathode de la diode. la est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un dispositif électronique comportant des diodes à capacité variable 51 selon un mode de réalisation. La structure illustrée en comportant les diodes à capacité variable 51 se différentie de la structure illustrée en figures 1A et 1B comportant les diodes à capacité variable 11 en ce que, en la structure comporte, sous chaque tranchée d’isolation 19, une zone 33 du deuxième type de conductivité, par exemple du type N. La zone 33 a un niveau de dopage supérieur à celui des régions 25 et 27. A titre d'exemple, les zones 33 présentent un niveau de dopage relativement élevé, par exemple compris entre 1.10 17 atomes/cm 3 et 1.10 20 atomes/cm 3 , par exemple de l’ordre de 1.10 19 atomes/cm 3 . A la différence de la structure illustrée en figures 1A et 1B, la structure illustrée en ne comporte pas de région 15. En , les régions 25 sont, par exemple, plus profonde et s'étendent sur une profondeur supérieure à la profondeur des tranchées 19. Dans cet exemple, les régions 25 ont une profondeur inférieure à la profondeur des tranchées 23. Les régions 25 se confondent ainsi et forment une unique région 25. Les zones 33 sont formées dans la région 25 de sorte que chaque zone 33 soit en contact avec la face inférieure d'une tranchée d'isolation 19. A titre d'exemple, chaque tranchée 19 débouche, par sa face inférieure dans la zone 33 à laquelle elle est associée. A titre d'exemple, chaque zone 33 s'étend, en vue de dessus, sous et en contact avec toute la face inférieure de la tranchée d’isolation 19 à laquelle elle est associée. A titre d'exemple, le substrat 13 n’est pas formé par épitaxie à partir d’un substrat de départ. Les figures 3A à 3J illustrent, par des vues en coupe, partielles et schématiques, des étapes successives d'un exemple d’un procédé de fabrication d'une structure comportant des diodes à capacité variable 51 telle qu'illustrée en . La illustre une structure de départ comportant le substrat 13. La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de formation d'ouvertures 23' destinées à former, après une étape postérieure de remplissage, les tranchées 23. Les ouvertures 23’ sont par exemple formées par photolithographie puis gravure à travers une couche de masquage 37. Les ouvertures 23’ sont par exemple formées par gravure plasma. A titre d'exemple, la couche de masquage 37 est en un matériau résistant à la gravure. La couche de masquage 37 est, par exemple, en un matériau à base de nitrure. Au cours de l'étape de formation des ouvertures 23' ou à l'issue de celle ci, la couche de masquage 37 est, par exemple, retirée. La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de formation d'ouvertures 19' destinées à former, après une étape postérieure de remplissage, les tranchées d’isolation 19. Les ouvertures 19’ sont par exemple formées par photolithographie puis gravure à travers une autre couche de masquage 35. A titre d'exemple, les ouvertures 19' s'étendent dans le substrat 13 sur une profondeur, inférieure à la profondeur des ouvertures 23'. Les ouvertures 19’ sont par exemple réalisées par gravure plasma. A titre d'exemple, la couche de masquage 35 est en le même matériau que la couche de masquage 37, par exemple un matériau à base de nitrure. La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de formation des zones 33 par implantation de dopants au fond de chaque ouverture 19’. L’implantation est par exemple réalisée à travers la couche de masquage 35 de façon à localiser l’implantation uniquement au fond de chaque ouverture 19’. A titre d'exemple, les dopants permettant la formation des zones 33 sont des atomes d'arsenic. En variante, les dopants permettant la formation des zones 33 sont des atomes de phosphore. La dose d'implantation est, par exemple comprise entre 1.10 13 atomes/cm 3 et 1.10 16 atomes/cm 3 , par exemple de l'ordre de 3.10 14 atomes/cm 3 . L'énergie d'implantation est par exemple comprise entre 1 KeV et 20 KeV, par exemple de l'ordre de 4 KeV. A titre d'exemple, les zones 33 ont, en vue de dessus, sensiblement la même forme que les ouvertures 19'. L’implantation est par exemple réalisée sous un angle de 0° par rapport à la normale au substrat. A l'issue de l'étape de formation des zones 33, la couche de masquage 35 est, par exemple, retirée. La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de remplissage des ouvertures 19' et 23'. Lors de cette étape, les ouvertures 19' et 23' sont par exemple remplies d'un matériau de façon à former respectivement les tranchées 19 et 23. A titre d'exemple, les ouvertures 19' et 23' sont, par exemple entièrement, remplies d'un matériau diélectrique, par exemple d'un oxyde, par exemple de dioxyde de silicium. Cette étape de remplissage est par exemple suivie d'une étape de planarisation ou polissage de sorte que, à l'issue de cette étape, les tranchées 19 et 23 affleurent la face supérieure du substrat 13. A titre d'exemple, la planarisation est une planarisation mécanochimique ou CMP (Chemical Mechanical Planarization). La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de formation de la région 25 par implantation ionique. Lors de cette étape, on vient former la région 25, dans la structure illustrée en , la région 25 étant formée par dopage du deuxième type de conductivité. La région 25 est, par exemple, formée dans une partie du substrat 13 entourée par la tranchée 23. A titre d'exemple, la région 25 s'étend dans le substrat 13 sur une profondeur supérieure la profondeur des tranchées 19. A titre d'exemple, la région 25 est formée à travers un masque dévoilant la face supérieure de la région 25 à implanter. La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de formation des régions 31 par implantation ionique. La région 31 est, par exemple, formée dans le substrat 13 de sorte qu'elle entoure la tranchée 23. A titre d'exemple, les régions 31 sont réalisées à travers un masque dévoilant la face supérieure des régions 31 à implanter. Le masque permettant l'implantation de la région 25 est, par exemple, différent de ceux mentionnés en relation avec la . A l'issue de cette étape, la région 31 s'étend, à partir de la face supérieure du substrat 13, autour de la tranchée 23. La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de formation des zones de reprise de contact 21 par implantation ionique à travers un masque M1. Lors de cette étape, on vient former les zones de reprise de contact 21 dans la structure illustrée en , la région 21 étant formée par dopage du deuxième type de conductivité. La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de formation de la région 29 par implantation ionique à travers un masque M2, par exemple différent du masque M1 décrit en relation avec la . Lors de cette étape, on vient former la région 29 par dopage du premier type de conductivité. La région 29 est, par exemple, formée dans le substrat 13 de sorte qu'elle soit située en vis-à-vis de la région 31. La région 29 s'étend, par exemple sur une profondeur inférieure à la profondeur de la région 31. La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de formation des régions 17 et 27 par implantation ionique à travers un masque M3, par exemple différent des masques M1 et M2 décrits respectivement en relation avec les figures 3H et 3I. Les régions 17 et 27 sont, par exemple, formées dans le substrat 13 et la région 25, entre certaines tranchées 19. Lors de cette étape, on vient former d'une part les régions 17 et d'autre part les régions 27, par exemple successivement, les régions 17 étant formées par dopage du premier type de conductivité et les régions 27 étant formées par dopage du deuxième type de conductivité. A titre d'exemple, la région 27 s'étend dans le substrat 13 sur une profondeur inférieure la profondeur de la tranchée 19. Les régions 17 s'étendent, par exemple sur une profondeur inférieure à la profondeur des régions 27. A titre d'exemple, les régions 17 et 29 et les zones de reprise de contact 21 s'étendent dans le substrat 13 sur une profondeur par exemple similaire. A titre de variante, l’ordre des étapes de formation des différentes régions implantées de la diode peut être différent ce qui a été décrit ci-dessus. Un avantage du présent mode de réalisation est qu'il permet de réduire la résistance parasite formée sous les tranchées isolante 19 sans augmenter le courant de fuite de la diode. Un autre avantage du présent mode de réalisation est qu'il permet de s'affranchir de l'épitaxie du substrat 13. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, on notera que tous les types de conductivités de la structure des figures 1A et 1B peuvent être inversés. Dans ce cas, les régions 17 et 21 définissent respectivement une zone de reprise de contact de cathode et une zone de reprise de contact d’anode de la diode. Bien que les structures décrites comportent des tranchées 23, celles-ci peuvent être omise. Dans les modes de réalisation, les régions 17 et les zones de reprise de contact 21 sont alternées dans la structure. Toutefois on pourrait prévoir une structure comportant plusieurs régions 17 voisines espacées par des tranchées 19, le tout étant entouré de part et d'autre par des zones de reprise de contact 21. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Diode à capacité variable (51) comprenant, dans un substrat semiconducteur (13) dopé d’un premier type de conductivité (P) : - une première région (25) dopée d'un deuxième type de conductivité (N) opposé au premier type de conductivité ; - dans une partie de la première région (25), une deuxième région (17) dopée du premier type de conductivité (P); - des troisièmes régions (27) situées dans la première région (25) en vis-à-vis des deuxièmes régions (17), les deuxièmes régions (17) étant formées dans les troisièmes régions (27) et les troisièmes régions (27) étant dopées du deuxième type de conductivité, l’interface entre les deuxième et troisième régions définissant une jonction PN de la diode ; - des premières tranchées d’isolation (19) délimitant latéralement ladite jonction PN, les premières tranchées d’isolation (19) ayant une profondeur inférieure à celle de la première région (25); et - dans une autre partie de la première région (25), de part et d'autre des premières tranchées d'isolation (19), des zones de reprise de contact (21) sur la première région (25), dans lequel la première région (25) comprend, en contact avec la face inférieure des premières tranchées d’isolation (19), des zones (33) de niveau de dopage supérieur à celui de la première région (25). Diode à capacité variable selon la revendication 1, dans lequel la première région (25) a un dopage compris entre 1.10 17 atomes/cm 3 et 1.10 19 atomes/cm 3 . Diode à capacité variable selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la première région (25) est délimitée par une deuxième tranchée d'isolation annulaire (23). Diode à capacité variable selon la revendication 3, dans lequel la deuxième tranchée d'isolation (23) a une profondeur supérieure à celle de la première région (25). Diode à capacité variable selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel les zones de reprise de contact (21) sont plus fortement dopées que la première région (15). Procédé de fabrication d'une diode à capacité variable (11) comprenant les étapes suivantes : a) formation d'une première région (25) dans un substrat semiconducteur (13) dopé d’un premier type de conductivité (P), la première région (25) étant dopée d'un deuxième type de conductivité (N) opposé au premier type de conductivité ; b) formation de premières tranchées d’isolation (19), les premières tranchées d’isolation (19) ayant une profondeur inférieure à celle de la première région (25); c) formation de zones (33) de niveau de dopage supérieur à celui de la première région (25), dans la première région (25) et en contact avec la face inférieure des premières tranchées d’isolation (19) ; d) formation de deuxièmes régions (17) dopées du premier type de conductivité (P) dans une partie de la première région (25) ; e) formation de troisièmes régions (27) dopées du deuxième type de conductivité (N) dans une partie de la première région (25) en vis-à-vis des deuxièmes régions (17), l’interface entre les deuxième et troisième régions définissant une jonction PN de la diode chaque interface entre les première et deuxième régions définissant une jonction PN de la diode et les premières tranchées d'isolation (19) délimitant latéralement lesdites jonctions PN ; et f) formation de zones de reprise de contact (21) dans une autre partie de la première région (25), de part et d'autre des premières tranchées d'isolation (19), sur la première région (25). Procédé selon la revendication 6, dans lequel l'étape c) est réalisée après l'étape b). Procédé selon la revendication 6 ou 7, dans lequel la première tranchée d'isolation (19) et la zone (33) sont formées à travers une même couche de masquage.