Brevet FR3139236A1 — publié le 20240301

Dispositif imageur La présente description concerne un dispositif imageur comportant un écran d’affichage (1, 2), un capteur d’images (5) en technologie organique sous l’écran d’affichage, et un niveau semi-opaque, filtrant le rayonnement visible, entre des couches actives respectives de l’écran et du capteur. Figure pour l'abrégé : Fig. 8 Dispositif imageur La présente description concerne de façon générale les systèmes imageur et, plus particulièrement, les dispositifs combinant une fonction d’affichage via un écran d’affichage et une fonction d’acquisition via un capteur d’images. On connait de nombreux systèmes ou dispositifs mixtes, ayant des fonctions d’affichage ou projection d’images et d’acquisition ou détection d’images. Parmi ces systèmes, on a déjà proposé des imageurs ou capteurs d’images comportant des photodétecteurs à base de couches actives organiques associés à des dispositifs d’affichage. Il existe un besoin d’amélioration des systèmes imageur associant écran d’affichage et matrice de photodétecteurs. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des systèmes connus. Un mode de réalisation prévoit un dispositif imageur comportant : - un écran d’affichage ; - un capteur d’images en technologie organique sous l’écran d’affichage ; et - un niveau semi-opaque, filtrant le rayonnement visible, entre des couches actives respectives de l’écran et du capteur. Selon un mode de réalisation, le niveau semi-opaque est situé entre l'écran et le capteur. Selon un mode de réalisation, le niveau-semi-opaque est intégré à l'écran d'affichage. Selon un mode de réalisation, le niveau-semi-opaque est intégré au capteur. Selon un mode de réalisation, ledit niveau semi-opaque comporte un filtre angulaire. Selon un mode de réalisation, le dispositif afficheur comporte en outre une source de lumière émettant au moins dans le proche infrarouge. Selon un mode de réalisation, ladite source est sur un des côtés latéraux du dispositif, émet parallèlement à un plan dans lequel s’inscrit le dispositif, et est associée à un guide d’ondes texturé. Selon un mode de réalisation, la source de lumière et le guide d’ondes texturé sont sous le capteur d’images. Selon un mode de réalisation, le dispositif comporte dans l’ordre : - un capteur d’images constitué d’un substrat surmonté de photodétecteurs en matériaux semiconducteurs organiques ; - un filtre angulaire ; - une couche émissive en diodes émissives organiques ; - une couche de couverture. Selon un mode de réalisation, le dispositif comporte en outre une couche semi-opaque sur ou sous, et en contact avec le filtre angulaire. Selon un mode de réalisation, le dispositif comporte en outre, entre le filtre angulaire et la couche émissive organique, un guide d’ondes texturé et une couche semi-opaque. Selon un mode de réalisation, le niveau semi-opaque filtre le rayonnement visible à plus de 99,5 % et laisse passer au moins 1 % du rayonnement dans le proche infrarouge. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la est une vue en coupe très schématique de couches ou niveaux constituant un dispositif d’affichage ; la est une vue en coupe très schématique plus détaillée que celle de la ; la est une vue en coupe très schématique et simplifiée d’un mode de réalisation d’un dispositif imageur ; la est une vue en coupe très schématique d’un mode de réalisation du dispositif de la ; la est une vue en coupe très schématique d’un autre mode de réalisation du dispositif de la ; la est une vue en coupe très schématique d’un autre mode de réalisation du dispositif de la ; la est une vue en coupe très schématique d’un autre mode de réalisation du dispositif de la ; la est une vue en coupe très schématique d’un autre mode de réalisation du dispositif de la ; la est une vue en coupe très schématique d’un autre mode de réalisation du dispositif de la ; et la est une vue en coupe très schématique d’un autre mode de réalisation du dispositif de la . De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, l’électronique de commande et de lecture ou interprétation du dispositif décrit n’a pas été détaillée, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec les circuits électroniques de commande et de lecture usuels. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures ou à un système dans une position normale d'utilisation. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % ou 10 degrés près, de préférence à 5 % ou 5 degrés près. Sauf précision contraire, les expressions "l'ensemble des éléments", "tous les éléments", "chaque élément", signifient entre 95 % et 100 % des éléments. Dans la suite de la description, sauf précision contraire, une couche ou un film est dit opaque à un rayonnement lorsque la transmittance du rayonnement au travers de la couche ou du film est inférieure à 10 %. Dans la suite de la description, sauf précision contraire, une couche ou un film est dit transparent à un rayonnement lorsque la transmittance du rayonnement au travers de la couche ou du film est supérieure à 10 %, de préférence supérieure à 50 %. Selon un mode de réalisation et sauf précision contraire, pour un même système optique, tous les éléments du système optique qui sont opaques à un rayonnement ont une transmittance qui est inférieure à la moitié, de préférence inférieure au cinquième, plus préférentiellement inférieure au dixième, de la transmittance la plus faible des éléments du système optique transparents audit rayonnement. Dans la suite de la description, on appelle "rayonnement utile" le rayonnement électromagnétique traversant le système optique en fonctionnement. Dans la suite de la description, on appelle "élément optique de taille micrométrique" un élément optique formé sur une face d'un support dont la dimension maximale, mesurée parallèlement à ladite face, est supérieure à 1 μm et inférieure à 1 mm. Des modes de réalisation de systèmes optiques vont maintenant être décrits pour des systèmes optiques comprenant une matrice d'éléments optiques à taille micrométrique dans le cas où chaque élément optique à taille micrométrique correspond à une lentille à taille micrométrique, ou microlentille, composée de deux dioptres. Toutefois, il est clair que ces modes de réalisation peuvent également être mis en oeuvre avec d'autres types d'éléments optiques de taille micrométrique, chaque élément optique de taille micrométrique pouvant correspondre, par exemple, à une lentille de Fresnel de taille micrométrique, à une lentille à gradient d'indice de taille micrométrique ou à un réseau de diffraction de taille micrométrique. Dans la suite de la description, on appelle lumière visible un rayonnement électromagnétique dont la longueur d'onde est comprise entre 400 nm et 700 nm, et, dans cette plage, lumière verte un rayonnement électromagnétique dont la longueur d'onde est comprise entre 400 nm et 600 nm, plus préférentiellement entre 470 nm et 600 nm. On appelle rayonnement infrarouge un rayonnement électromagnétique dont la longueur d'onde est comprise entre 700 nm et 1 mm. Dans le rayonnement infrarouge, on distingue notamment le rayonnement proche-infrarouge dont la longueur d'onde est comprise entre 700 nm et 1,7 μm, plus préférentiellement entre 850 nm et 940 nm. Parmi les dispositifs d’affichage, certains sont équipés de polariseurs afin d’éviter les réflexions susceptibles de se produire sur des couches inférieures du dispositif intégrant l’écran et qui perturbent le confort visuel (perception humaine dans le visible). D’autres dispositif d’affichage sont équipés, à la place de ces polariseurs, de couches opaques (avec une transparence inférieure à 0,5 % dans le visible), ajoutées aux composants optiques pour masquer les réflexions des rayonnements, provenant de l’extérieur ou émis par la couche émissive du dispositif d’affichage, pouvant se produire sur les couches inférieures. La est une vue en coupe très schématique de couches ou niveaux constituant un dispositif d’affichage. De façon simplifiée, un écran d’affichage sans polarisateur, tel qu’illustré en et du type auquel s’appliquent les modes de réalisation décrits, comporte successivement une couche ou niveau de couverture 1 (Couche de couverture ou « Cover layer »), une couche émissive ou niveau émissif 2 (Couche émissive ou « Emitting layer ») et une couche ou niveau opaque 3 (Couche opaque ou « Opaque layer »). Bien que l’on fasse référence à une « couche », le niveau correspondant peut être constitué en pratique de plusieurs couches empilées. La est une vue en coupe très schématique plus détaillée que celle de la . La couche ou niveau 1 de couverture transparente est par exemple en verre et/ou à base de film plastique et présente une épaisseur de quelques dizaines à quelques centaines de microns, par exemple de l’ordre de 300 µm. Dans l’exemple de la , la couche 1 comporte successivement, depuis la face supérieure, un film protecteur 12 (Film protecteur) avec revêtement dur (« protective film with Hard Coating ou HC ») ayant une épaisseur de l’ordre de 90 µm, un film plastique 14 (Film plastique ou « Plastic film ») et un verre ultra-mince 16 (Verre ultramince ou « Ultra thin glass »), les couches 14 et 16 ayant par exemple une épaisseur cumulée de l’ordre de 230 µm. La couche émissive 2 (Ecran OLED ou « OLED display ») est un écran d’affichage OLED à base de diodes émissives organiques, formé sur un substrat rigide (par exemple en verre) ou flexible (par exemple en polyamide - PI). La couche 2 inclut des filtres de couleur et une matrice noire ("black matrix") de telle façon que la transparence dans le visible est réduite (la transparence dans le visible est par exemple inférieure à 0,5%) ainsi que dans le proche infrarouge (la transparence dans le proche infrarouge est par exemple inférieure à 3%). L’épaisseur de l’écran OLED 2 est par exemple de quelques centaines de microns, par exemple comprise entre environ 100 et environ 250 µm, par exemple de l’ordre de 250 µm. La couche ou niveau opaque 3 est constitué d’une ou plusieurs couches opaques dans le visible et le proche infrarouge (la transparence dans le visible et le proche infrarouge est par exemple inférieure à 0,5 %) dont l’épaisseur est de quelques dizaines à quelques centaines de microns, par exemple de l’ordre de 300 µm. Dans l’exemple de la , la couche 3 comporte une couche noire 32 (Couche noire ou « Black layer ») sur une couche noire rigide (Couche noire rigide ou « Rigid black layer »). Typiquement, un dispositif d’affichage sans polariseur, du type de celui illustré en ne peut pas recouvrir un capteur d’images car la couche opaque 3, utile pour éviter les réflexions et ne pas perturber l’affichage, ne laisse pas passer de rayonnement vers le capteur. Selon les modes de réalisation décrits, on prévoit de modifier la structure de l’empilement du dispositif imageur afin de permettre l'association d'un écran d'affichage sans polariseur avec un capteur d’images de type particulier. Dans les modes de réalisation exposés par la suite, la structure du dispositif est présentée sous la forme d’empilements de couches. On notera cependant que certaines de ces couches peuvent être gravées localement selon leur fonction, en particulier en raison de la nature pixélisée du capteur et de l’afficheur. Les empilements décrits correspondent à la partie utile de l’écran et du capteur et, de préférence, à des niveaux qui, bien que comportant localement (par pixel, sous pixel ou groupe de pixels) des motifs, s’étendent sur toute cette partie utile du dispositif. En reprenant l’exemple de la , les modes de réalisation décrits prévoient de remplacer la couche opaque 3 par un niveau semi-opaque qui sera détaillée ci-après et d'associer le tout à un capteur d’images infrarouge en technologie organique. Un dispositif selon les modes de réalisation décrits reste dépourvu de polariseur et est donc destiné à des applications d’écran sans polariseur (dits « pol-less »). Les modes de réalisation décrits tirent profit du fait que certaines couches d’un capteur organique présentent, indépendamment de leur capacité à détecteur le rayonnement dans le visible, une capacité à laisser passer suffisamment de rayonnement infrarouge pour exciter les photodétecteur organiques du capteur. Plus particulièrement, les inventeurs ont constaté que la capacité de détection des capteurs organiques dans le proche infrarouge (plus particulièrement dans des longueurs d’onde comprises entre 840 et 950 nm) est suffisante pour qu’un faible rayonnement traversant une couche semi-opaque (opaque dans le visible mais pas totalement dans l’infrarouge) soit exploitable pour former une image infrarouge. La est une vue en coupe très schématique et simplifiée d’un mode de réalisation d’un dispositif imageur. Selon ce mode de réalisation, la couche opaque 3 d’un dispositif d’affichage du type de celui illustré aux figures 1 et 2 est remplacée par un niveau semi-opaque 4 et l’ensemble est intégré à, ou rapporté sur, un dispositif organique d’acquisition d’images, ou est intégré à, ou rapporté sous, un écran d'affichage. Dans l’exemple de la , le dispositif imageur comporte successivement, depuis une face destinée à être observée par un utilisateur, une couche de couverture 1 du type décrit précédemment, un écran OLED 2 du type décrit précédemment, un niveau semi-opaque 4 (Niveau semi-opaque ou « Semi-opaque level »), un capteur organique 5 (Capteur organique ou « Organic sensor »), et un support 6 (Support) de l’ensemble du dispositif imageur. Le capteur organique 5 est typiquement constitué de couches semiconductrices organiques constituant des photodétecteurs organiques et d’un substrat portant les composant électroniques (niveau des transistors) de commande et d’interprétation des photodétecteurs. De préférence, le niveau semi-opaque 4 est constitué de matériau(x) préservant une transmission inférieure à 0,5% dans le visible tout en maximisant la transmission dans le proche infrarouge. De préférence, le niveau semi-opaque 4 est constitué d’une couche ou d’un multicouches présentant une transparence inférieure à 0,5 % dans le visible (opaque dans le visible, c’est-à-dire filtrant au moins 99,5% du rayonnement visible) et supérieure à environ 1 % dans le proche infrarouge. Ce niveau 4 peut, en variante, être intégré au capteur organique. Le support 6 constitue l’élément support de l’ensemble du dispositif. Il peut s’agir, selon les applications, d’une plaque ou d’éléments localisés de fixation du dispositif imageur au système auquel il est intégré (par exemple un téléphone mobile ou une tablette). Dans les figures qui suivent, pour simplifier, le support 6 n’est pas représenté. La est une vue en coupe très schématique d’un mode de réalisation du dispositif de la . Le capteur organique 5 est schématiquement constitué d’un substrat 52 (Substrat capteur ou « Sensor substrate ») sur lequel sont réalisés ou rapportés les photodétecteurs organiques, symbolisés sous la forme d’une couche ou niveau semiconducteur organique 54 (Semiconducteur organique ou « Organic semiconductor »). Selon ce mode de réalisation, le niveau semi-opaque 4 est constitué d’un filtre angulaire 42 (Filtre angulaire ou « Angular filter ») qui équipe généralement un capteur organique. Un tel filtre angulaire a, pour ce qui concerne le capteur, pour rôle d’éviter les phénomènes de diaphonie (« cross-talk » en anglais) entre les pixels du capteur organique, ainsi que d'améliorer la netteté d'une image d'un objet posé sur l'écran. Un tel filtre est par exemple constitué de piliers ou murs séparant latéralement les pixels entre eux, ou d'une matrice de trous ("pinholes") réalisée dans une plaque opaque. De préférence, l’intervalle entre les murs est alors rempli d’un matériau semi-opaque. Ainsi, le filtre angulaire 42 joue à la fois le rôle du filtre angulaire du capteur d’images et de niveau protégeant l’écran d’affichage de réflexion provenant des niveaux inférieurs. Le dispositif imageur comporte en outre une ou plusieurs sources de lumière 7 (LED NIR) émettant au moins, de préférence exclusivement, un rayonnement dans le proche infrarouge. Ce rayonnement est destiné à être émis vers l’extérieur du dispositif côté couche de couverture 1 de façon à être réfléchi sur des surfaces proches ou distantes du dispositif imageur, ces réflexions étant ensuite captées par le capteur organique 5 après avoir traversé le dispositif d’affichage et la couche semi-opaque. Dans le mode de réalisation de la , la source de lumière 7 est située en partie haute du dispositif, soit à un niveau au-dessus de l’écran d’affichage. On pourra, par exemple, intégrer, à la couche de couverture 1, un guide d’ondes texturé orientant, vers l’extérieur du dispositif, un rayonnement émis horizontalement ou latéralement par la source 7 depuis un ou plusieurs côtés du dispositif. La est une vue en coupe très schématique d’un autre mode de réalisation du dispositif de la . Par rapport au mode de réalisation de la , le niveau semi-opaque 4 est ici constitué du filtre angulaire 42 et d’une couche en un matériau semi-opaque 44 (Couche semi-opaque ou « Semi opaque layer »). Le recours à une couche semi-opaque supplémentaire dépend de l’application et, notamment, de la nature du filtre angulaire. De même, l’ordre du filtre angulaire 42 et de la couche semi-opaque 44 dans l’empilement dépend de l’application. Par exemple, si le filtre angulaire 42 est, du point de vue du processus de fabrication, intégré au capteur optique organique 5, on préfèrera que la couche semi-opaque 44 soit entre l’écran d’affichage et le capteur 5. Des exemples de structures de source de lumière associées à des guides d’ondes intégré dans une couche de couverture d’un capteur d’images, qui peut ici se transposer à la couche de couverture de l’écran d’affichage, sont décrits dans le document WO 2018/162842 (B16100). On pourra s’en inspirer pour la mise en œuvre des modes de réalisation des figures 4 et 5. La est une vue en coupe très schématique d’un autre mode de réalisation du dispositif de la . Par rapport au mode de réalisation de la , la source de lumière proche infrarouge 7 est située au niveau du support 6. Ce dernier est, par exemple, agencé pour intégrer des émetteurs (dans l’infrarouge ou le proche infrarouge) dans l’agencement matriciel des pixels ou est texturé à la manière d’un guide d’ondes pour renvoyer un rayonnement infrarouge dirigé parallèlement au plan dans lequel s’inscrit le substrat 52 vers la surface externe du dispositif côté écran d’affichage. Le substrat 52 est alors, par exemple, transparent ou gravé. La est une vue en coupe très schématique d’un autre mode de réalisation du dispositif de la . Ce mode de réalisation est un mixte des modes de réalisation de et 6. En d’autres termes, par rapport au mode de réalisation de la , la ou les sources de lumière 7 sont au niveau du substrat 52. La est une vue en coupe très schématique d’un autre mode de réalisation du dispositif de la . Selon ce mode de réalisation, la source de lumière 7 est placée entre le capteur d’images et l’écran d’affichage. Plus précisément, on prévoit : sous l’écran d’affichage (sous la couche émissive ou écran OLED 2), une couche 44 semi-opaque ; sur le capteur d’images (sur la couche semiconductrice en matériaux organiques 54) un filtre angulaire 42 ; et entre les couches 42 et 44, une couche guide d’ondes texturé 72 (Guide d’ondes texturé ou « textured wave guide ») éclairée latéralement par une source de lumière 7 comportant au moins un rayonnement dans le proche infrarouge. Un avantage de ce mode de réalisation est qu’il est particulièrement adapté à la superposition d’un capteur infrarouge et d’un écran d’affichage sans qu’il soit nécessaire de modifier ni l’un ni l’autre. Seuls les éléments intermédiaires entre les deux sont à prévoir s’ils ne sont pas déjà, pour certains (par exemple la filtre angulaire côté capteur), intégrés au dispositif correspondant. La est une vue en coupe très schématique d’un autre mode de réalisation du dispositif de la . Selon ce mode de réalisation, on prévoit un guide d’ondes texturé 72 sous le substrat du capteur. Un tel mode de réalisation est destiné à des applications dans lesquelles le substrat 52 du capteur laisse passer au moins le rayonnement proche infrarouge. Par conséquent, le rayonnement destiné à être émis à l’extérieur depuis la couche de couverture 1 peut provenir de l’arrière du dispositif imageur. En effet, comme le niveau semi-opaque (dans l’exemple de la , le filtre angulaire 42 du capteur d’images) laisse passer le rayonnement proche infrarouge, il n’est pas gênant de prévoir la source de lumière 7 associée à un guide d’ondes texturé sous l’ensemble du dispositif, en pratique, entre le substrat 52 (alors transparent) du capteur et le support (6, ) du dispositif. la est une vue en coupe très schématique d’un autre mode de réalisation du dispositif de la . Ce mode de réalisation est un mixte entre les modes de réalisation des figures 6 et 9. En d’autres termes, par rapport au mode de réalisation de la , le niveau 4 semi-opaque comporte, entre l’écran d’affichage et le capteur d’images, dans l’ordre, une couche 42 en matériau(x) semi-opaque et un filtre angulaire 44. Des exemples de guide d’ondes texturés sont décrits dans le document WO 2022/112369 (B20175). On pourra s’en inspirer pour la mise en œuvre des modes de réalisation prévoyant des guides d’ondes texturés pour renvoyer un rayonnement émis dans un plan parallèle à ceux dans lesquels sont réalisées les couches du dispositif. Des exemples de filtres angulaires sont décrits dans le document WO 2022/128873 (B20690). On pourra s’en inspirer pour la réalisation du filtre angulaire du dispositif imageur décrit en adaptant ce filtre angulaire afin qu’il filtre le rayonnement visible. Par exemple, on pourra prévoir de combler les orifices du filtre angulaire par un matériau semi-opaque. La couche semi-opaque 44 peut être réalisé à partir d’un agencement matriciel respectant l’agencement des pixels et comportant des zones absorbant le rayonnement visible et laissant passer au moins 2 % de rayonnement dans le proche infrarouge, ou d'une couche uniforme laissant passer le rayonnement infrarouge. Des exemples de structures à réseau matriciel opaque sont décrits dans le document EP 3442025 (en particulier à sa ) et la personne du métier pourra s’en inspirer pour la réalisation des modes de réalisation décrits. Un avantage des structures décrites dans la présente description est qu’elles conservent l’intégralité de la structure de la couche émissive de l’écran OLED 2. L’écran d’affichage peut donc le cas échéant être fabriqué de façon séparée puis être rapporté sur l’empilement sous-jacent du capteur infrarouge. De préférence, l’ensemble est toutefois fabriqué par dépôts successifs avec formation des motifs adaptés. Un autre avantage des modes de réalisation décrits est qu'il permettre d'associer un écran d'affichage OLED à un capteur d'images infrarouge, en associant à l'un et/ou à l'autre une couche semi-opaque remplissant le rôle de la couche anti réflexion. La couche semi opaque, filtrant le rayonnement visible, est donc entre des couches actives respectives de l’écran et du capteur (intégrée à l'écran ou au capteur ou entre les deux). Dans les modes de réalisation où la source 7 de rayonnement infrarouge est sous le dispositif d’affichage, cette source n’émet préférentiellement pas de rayonnement dans le visible afin d’éviter un effet similaire aux réflexions que l’on souhaite éviter. De préférence, quel que soit le mode de réalisation, la source 7 de rayonnement infrarouge est prévue pour n’émettre que dans l’infrarouge, de préférence que dans le proche infrarouge. Un dispositif afficheur selon les modes de réalisation écrits peut servir de capteur d’empreintes digitales intégré, de préférence, sous toute la surface d’un écran d’affichage. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, le niveau semi-opaque, pourvu qu’il soit situé entre la couche émissive et la couche semiconducteur organique du capteur, peut être composé de différents couches, voire d'intervalles d'air, que l’on retrouve habituellement côté écran d’affichage ou côté capteur d’images. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. En particulier, le choix des matériaux parmi ceux indiqués est à la portée de la personne du métier en fonction de l’application visée. Dispositif imageur comportant : un écran d’affichage (1, 2) ; un capteur d’images (5) en technologie organique sous l’écran d’affichage ; et un niveau semi-opaque, filtrant le rayonnement visible, entre des couches actives respectives de l’écran et du capteur. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le niveau semi-opaque est situé entre l'écran (1, 2) et le capteur (5). Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le niveau-semi-opaque est intégré à l'écran d'affichage (1, 2). Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le niveau-semi-opaque est intégré au capteur (1, 2). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel ledit niveau semi-opaque (4) comporte un filtre angulaire (44). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, comportant en outre une source de lumière (7) émettant au moins dans le proche infrarouge. Dispositif selon la revendication 6, dans lequel ladite source (7) est sur un des côtés latéraux du dispositif, émet parallèlement à un plan dans lequel s’inscrit le dispositif, et est associée à un guide d’ondes texturé (72). Dispositif selon la revendication 7, dans lequel la source de lumière (7) et le guide d’ondes texturé (72) sont sous le capteur d’images. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, comportant dans l’ordre : - un capteur d’images (5) constitué d’un substrat (52) surmonté de photodétecteurs en matériaux semiconducteurs organiques (54) ; - un filtre angulaire (42) ; - une couche émissive (2) en diodes émissives organiques ; et - une couche de couverture (1). Dispositif selon la revendication 9, comportant en outre une couche (44) semi-opaque sur ou sous, et en contact avec le filtre angulaire (42). Dispositif selon les revendications 8 et 10, comportant en outre, entre le filtre angulaire (42) et la couche émissive organique (2), un guide d’ondes texturé (72) et une couche semi-opaque (44). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel le niveau semi-opaque filtre le rayonnement visible à plus de 99,5 % et laisse passer au moins 1 % du rayonnement dans le proche infrarouge.