Brevet FR3126544A1 — publié le 20230303

Titre : Dispositif mémoire résistive et procédé de réalisation L’invention porte sur un procédé de réalisation d’une cellule mémoire résistive à partir d’un empilement de couches comprenant une couche d’oxyde métallique (30) intercalée entre des première et deuxième électrodes (10, 20), ledit procédé comprenant : une formation, au sein de l’une parmi les première et deuxième électrodes, d’une couche intercalaire d’électrode à base d’un matériau intercalaire présentant une sélectivité à la gravure supérieure ou égale à 2:1, vis-à-vis des matériaux d’électrodes, et lors d’une gravure de l’empilement, une surgravure configurée pour consommer latéralement, selon une direction horizontale, le matériau intercalaire de sorte que la couche intercalaire d’électrode présente un retrait latéral supérieur ou égal à 10 nm. L’invention porte également sur une cellule mémoire résistive comprenant un rétrécissement formé par surgravure de la couche intercalaire. Figure pour l’abrégé : Fig.5 Dispositif mémoire résistive et procédé de réalisation La présente invention concerne, en général, un dispositif mémoire résistive, et plus particulièrement, un dispositif mémoire résistive non volatile et son procédé de réalisation. ETAT DE LA TECHNIQUE Les mémoires résistives de type OxRRAM (acronyme anglais de « Oxide-Based Resistive Random Access Memories » signifiant « mémoires résistives à accès aléatoire à base d'oxyde ») sont actuellement développées pour les applications non-volatiles, dans le but de remplacer les mémoires de type Flash. Elles présentent notamment pour avantage de pouvoir être intégrées dans des lignes d’interconnexion au niveau BEOL (acronyme BEOL en anglais pour « Back-End Of Line ») de la technologie CMOS (acronyme en anglais pour « Complementary Metal-Oxide-Semiconductor » signifiant technologie à base de transistors « Métal-Oxyde-Semiconducteur complémentaires »). Les mémoires résistives OxRRAM sont des dispositifs comprenant notamment une couche d’oxyde métallique disposée entre deux électrodes. La résistance électrique de ces dispositifs peut être modifiée par des opérations d’écriture et d’effacement. Ces opérations d’écriture et d’effacement permettent de faire passer le dispositif mémoire résistive OxRAM d’un état basse résistance LRS (acronyme en anglais pour « Low Resistive State ») à un état haute résistance HRS (acronyme en anglais pour « High Resistive State »), et inversement. De cycle en cycle, les résistances des états basse résistance LRS et haute résistance HRS ne montrent pas une très bonne reproductibilité des performances. Une variabilité des performances cycle-à-cycle est en effet observée. Cette variabilité est particulièrement importante pour l’état de haute résistance HRS, induisant une diminution de la fenêtre de programmation, voire une perte totale de la fenêtre de programmation. Ce problème de variabilité est aujourd’hui un frein à l’industrialisation. Ce souci demeure malgré de nombreux efforts réalisés dans les domaines des procédés de réalisation de dispositifs à mémoire résistive et de méthodes de programmation. Dans une configuration classique du dispositif mémoire résistive, la couche d’oxyde métallique est intercalée en sandwich entre une première électrode, également appelée électrode inférieure, et une deuxième électrode, également appelée électrode supérieure. Il a été montré que la réduction latérale des dimensions de cet empilement permet de réduire la variabilité des performances électriques. Cela permet en particulier de contraindre et de localiser le passage du courant à travers une zone dite filamentaire ou filament. La conduction au travers de la couche d’oxyde métallique est ainsi facilitée. Pour contenir le filament dans une zone déterminée de largeur réduite de la couche d’oxyde métallique, une solution consiste à réduire uniquement la largeur de l’une des électrodes inférieure ou supérieure de l’empilement. Le document US2020/0127197 A1 divulgue une formation de dispositif mémoire résistive comprenant une électrode supérieure réduite en largeur. Un inconvénient de ce dispositif et de cette méthode de formation est que la taille réduite de l’électrode supérieure engendre des problèmes de reprise de contact sur cette électrode supérieure. La mise en œuvre du dispositif est difficile. Il apparaît ainsi que d’autres étapes complexes et coûteuses sont nécessaires pour obtenir une architecture de dispositif exploitable en pratique. Un objectif de la présente invention est de pallier au moins en partie les inconvénients mentionnés ci-dessus. Un objectif de la présente invention est de proposer un dispositif mémoire résistive présentant une variabilité HRS réduite et facile à mettre en œuvre. Un autre objectif de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication d’un tel dispositif mémoire résistive, présentant un nombre d’étapes limité. Les autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à l'examen de la description suivante et des dessins d'accompagnement. Il est entendu que d'autres avantages peuvent être incorporés. RESUME Pour atteindre cet objectif, selon un mode de réalisation on prévoit un procédé de réalisation d’un dispositif mémoire résistive comprenant au moins une première électrode et une deuxième électrode à base de matériaux d’électrodes, et une couche d’oxyde métallique intercalée entre lesdites première et deuxième électrodes selon une direction dite verticale. Le dispositif présente au moins une dimension en largeur L selon une direction dite horizontale d’un plan perpendiculaire à la direction verticale. De façon avantageuse, l’une au moins parmi la première et la deuxième électrode est formée de façon à comprendre une couche intercalaire d’électrode à base d’un matériau intercalaire présentant une sélectivité S à la gravure supérieure ou égale à 2:1, et de préférence supérieure ou égale à 3:1, vis-à-vis des matériaux d’électrodes. Le procédé comprend en outre, après formation de ladite une au moins parmi la première et la deuxième électrode comprenant la couche intercalaire d’électrode, une surgravure configurée pour consommer latéralement, selon la direction horizontale, le matériau intercalaire de sorte que la couche intercalaire d’électrode présente un retrait latéral strictement supérieur à 5 nm, et de préférence supérieur ou égal à 10 nm, vis-à-vis de l’au moins une direction en largeur L. L’étape de surgravure permet ainsi de réduire uniquement une dimension en largeur Lc de la couche intercalaire d’électrode, sans réduire la dimension en largeur L du dispositif. Une partie seulement de l’électrode est ainsi réduite en largeur, ce qui permet à la fois de localiser la création du filament conducteur lors du fonctionnement du dispositif mémoire résistive, tout en permettant une bonne reprise de contact sur une autre partie de l’électrode dont la dimension en largeur L n’a pas été réduite. En particulier, la largeur de l’électrode est réduite de façon localisée au niveau de la couche intercalaire, sans que l’électrode soit réduite au sommet du dispositif. L’effet de localisation du filament est ainsi obtenu sans complexifier la reprise de contact sur le dispositif. La sélectivité S à la gravure correspond ici à la différence de vitesse de gravure entre le matériau intercalaire et les matériaux d’électrode, lors de la surgravure. Une sélectivité S ≥ 2:1 ou S ≥ 3:1 permet de facto d’obtenir un retrait latéral plus important au niveau de la couche intercalaire d’électrode lors de la surgravure. Les paramètres de l’étape de surgravure sont ici choisis, en accord avec la sélectivité S, de façon à permettre un retrait latéral de la couche intercalaire électrode d’au moins 10 nm lors de la surgravure. Dans le cadre du développement de la présente invention, il a été observé que le pourtour du dispositif, également appelé point mémoire, présente après gravure typiquement de nombreuses singularités induisant ultérieurement une création aléatoire du filament conducteur. Ces singularités s’étendent depuis le bord du dispositif sur environ 2 à 5 nm selon la direction horizontale. Ainsi, un léger retrait latéral involontaire pouvant survenir lors d’une gravure du point mémoire n’est pas suffisant pour éviter l’influence des singularités en périphérie du point mémoire. Au contraire, le retrait latéral selon l’invention est volontairement réalisé sur plus de 5 nm et de préférence sur au moins 10 nm pour détourer la couche intercalaire d’électrode de façon à s’affranchir des singularités en périphérie du point mémoire. Cela permet de localiser de façon maîtrisée et reproductible la création du filament conducteur lors des phases de fonctionnement ultérieur du dispositif mémoire résistive. Cela permet de limiter la variabilité de l’état de haute résistance HRS. La fenêtre de programmation du dispositif mémoire résistive est stabilisée. Par ailleurs, l’étape de surgravure permet de limiter le nombre d’étapes total du procédé. Il n’est par exemple pas nécessaire de prévoir des étapes de lithographie supplémentaires. L’étape de surgravure peut être avantageusement réalisée en prolongement et dans la continuité d’une gravure permettant d’obtenir un dispositif de largeur L. Selon un autre mode de réalisation, on prévoit un dispositif mémoire résistive comprenant au moins une première électrode et une deuxième électrode à base de matériaux d’électrodes, et une couche d’oxyde métallique intercalée entre lesdites première et deuxième électrodes selon une direction dite verticale. Le dispositif présente au moins une dimension en largeur L, selon une direction dite horizontale d’un plan perpendiculaire à la direction verticale. Avantageusement, au moins l’une parmi les première et deuxième électrodes comprend une couche intercalaire d’électrode à base d’un matériau intercalaire présentant une sélectivité à la gravure supérieure ou égale à 2:1, et de préférence supérieure ou égale à 3:1, vis-à-vis des matériaux d’électrodes. Avantageusement, la couche intercalaire d’électrode présente un retrait latéral strictement supérieur à 5 nm, et de préférence supérieur ou égal à 10 nm, vis-à-vis de l’au moins une direction en largeur L du dispositif. Ainsi, au moins une électrode du dispositif comprend des matériaux présentant des vitesses de gravure différentes. Cette différenciation permet de faciliter la réalisation du dispositif, et en particulier d’obtenir un retrait latéral au sein de l’électrode, au niveau de la couche intercalaire. Le dispositif présente un retrait latéral au niveau de la couche intercalaire d’électrode d’au moins 5 nm voire d’au moins 10 nm. Une électrode du dispositif présente ainsi avantageusement au moins une dimension en largeur Lc strictement inférieure à la dimension L, en partie définie par le retrait latéral. La plus petite dimension en largeur de l’électrode correspond ainsi à la dimension Lc de la couche intercalaire d’électrode. Cela permet avantageusement de contraindre la formation du filament conducteur dans une zone localisée de la couche d’oxyde métallique lors du fonctionnement du dispositif mémoire résistive. La plus grande dimension en largeur d’au moins l’une des électrodes correspond à la dimension L du dispositif. Cela permet avantageusement de faciliter la reprise de contact pour la connexion ultérieure du dispositif mémoire résistive. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront mieux de la description détaillée de modes de réalisation de cette dernière qui sont illustrés par les dessins d’accompagnement suivants dans lesquels : Les figures 1 à 5 illustrent schématiquement des étapes de réalisation d’un dispositif mémoire résistive, selon un mode de réalisation de la présente invention. La est un agrandissement du dispositif en cours de fabrication illustrée à la . les figures 7 et 8 illustrent schématiquement des étapes de réalisation d’un dispositif mémoire résistive, selon un mode de réalisation de la présente invention. La illustre un dispositif selon un autre mode de réalisation la présente invention. La illustre un dispositif selon un autre mode de réalisation la présente invention. Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l’invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l’invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier, sur les schémas de principe, les épaisseurs des différentes couches et portions, et les dimensions des motifs ne sont pas représentatives de la réalité. Procédé de réalisation d’un dispositif mémoire résistive (1) comprenant au moins une première électrode (10) et une deuxième électrode (20) à base d’un matériau d’électrodes, et une couche d’oxyde métallique (30) intercalée entre lesdites première et deuxième électrodes (10, 20) selon une direction dite verticale (z), ledit dispositif présentant au moins une largeur L selon une direction dite horizontale d’un plan (xy) perpendiculaire à la direction verticale (z), le procédé étant caractérisé en ce que l’une au moins parmi les première et deuxième électrodes (10, 20) est formée de façon à comprendre une couche intercalaire d’électrode (40) à base d’un matériau dit intercalaire présentant une sélectivité à la gravure supérieure ou égale à 2:1, et de préférence supérieure ou égale à 3:1, vis-à-vis du matériau d’électrodes, le procédé comprenant en outre, après formation de ladite une au moins parmi les première et deuxième électrodes (10, 20) comprenant la couche intercalaire d’électrode (40) : une surgravure configurée pour consommer latéralement, selon la direction horizontale, le matériau intercalaire de sorte que la couche intercalaire d’électrode (40) présente un retrait latéral (41) strictement supérieur à 5 nm, et de préférence supérieur ou égal à 10 nm, vis-à-vis de l’au moins une dimension en largeur L. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la formation de ladite une au moins parmi les première et deuxième électrodes (10, 20) comprenant la couche intercalaire d’électrode (40) est configurée de sorte que la couche intercalaire d’électrode (40) soit directement au contact de la couche d’oxyde métallique (30). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la surgravure est réalisée par plasma à base d’une chimie chlorée. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel les matériaux d’électrode sont à base d’un métal de transition, et le matériau intercalaire est à base d’un alliage d’aluminium et dudit métal de transition ou d’un autre métal de transition. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la surgravure est isotrope, de sorte que le retrait latéral (41) se forme sur tout un pourtour de la couche intercalaire d’électrode (40) en projection dans le plan (xy). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la couche intercalaire d’électrode (40) présente une épaisseur comprise entre 5 nm et 50 nm, de préférence entre 5 nm et 15 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la couche d’oxyde métallique (30) est à base de HfO2, les matériaux d’électrode sont à base de Ti ou de TiN, le matériau intercalaire est à base de TixAly, avec x, y > 0. Dispositif mémoire résistive (1) comprenant au moins une première électrode (10) et une deuxième électrode (20) à base de matériaux d’électrodes, et une couche d’oxyde métallique (30) disposée entre lesdites première et deuxième électrodes (10, 20) selon une direction dite verticale (z), ledit dispositif présentant au moins une largeur L selon une direction dite horizontale d’un plan (xy) perpendiculaire à la direction verticale (z), ledit dispositif (1) étant caractérisé en ce que au moins l’une parmi les première et deuxième électrodes (10, 20) comprend une couche intercalaire d’électrode (40) à base d’un matériau intercalaire présentant une sélectivité à la gravure supérieure ou égale à 2:1, et de préférence supérieure ou égale à 3:1, vis-à-vis des matériaux d’électrodes, et en ce que la couche intercalaire d’électrode (40) présente un retrait latéral (41) strictement supérieur à 5 nm, et de préférence supérieur ou égal à 10 nm, vis-à-vis de l’au moins une direction en largeur L. Dispositif (1) selon la revendication précédente dans lequel le retrait latéral (41) s’étend sur tout un pourtour de la couche intercalaire d’électrode (40), de sorte que ladite couche intercalaire d’électrode (40) soit sensiblement centrée vis-à-vis du dispositif (1), en projection dans le plan (xy). Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 8 à 9, dans lequel les matériaux d’électrode sont à base d’un métal de transition, et le matériau intercalaire est à base d’un alliage d’aluminium et dudit métal de transition, ou d’un autre métal de transition. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 8 à 10, dans lequel la couche intercalaire d’électrode (40) est directement au contact de la couche d’oxyde métallique (30). Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 8 à 11 dans lequel la couche d’oxyde métallique (30) s’étend en saillie par rapport à la couche intercalaire d’électrode (40), selon une direction du plan (xy). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 8 à 12 dans lequel la deuxième électrode (20) comprend une couche de piégeage d’oxygène (21) à base de Ti. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 8 à 13 dans lequel les matériaux d’électrode sont à base de TiN, la couche d’oxyde métallique (30) est à base de HfO2, le matériau intercalaire est à base de TixAly, avec x, y > 0. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 8 à 14 dans lequel l’au moins une électrode (10, 20) parmi les première et deuxième électrodes (10, 20) est uniquement constituée de la couche intercalaire d’électrode (40).