Brevet FR3132385A1 — publié le 20230804

« Transistor à effet de champ à gaz d’électrons bidimensionnel à grilles latérales » Transistor à effet de champ à gaz d’électrons bidimensionnel, dit TEGFET, comprenant un drain, une source et au moins un canal compris dans une hétérostructure formée par un empilement d’au moins deux couches de semiconducteur. Le TEGFET comprend au moins deux grilles latérales disposées de part et d’autre de l’au moins un canal et disposées, chacune, en vis-à-vis d’un côté de l’au moins un canal, ledit côté de l’au moins un canal comprend une plus petite dimension dudit au moins canal, dite épaisseur de l’au moins un canal, s’étendant selon un axe selon lequel sont empilées les au moins deux couches de semiconducteur et s’étendant perpendiculairement à la longueur de l’au moins un canal. Le TEGFET ne comprend pas de grille positionnée en dessous ou au-dessus de l’au moins un canal par rapport à un axe perpendiculaire à un plan, dit plan de canal, selon lequel s’étend l’au moins un canal entre la source et le drain, ledit plan de canal étant perpendiculaire à l’épaisseur de l’au moins un canal. Figure pour l’abrégé : Figure 2 Transistor à effet de champ à gaz d’électrons bidimensionnel à grilles latérales La présente invention appartient au domaine technique des transistors à effet de champ de gaz d'électrons bidimensionnel, dits TEGFETs. Le principe de fonctionnement des transistors à effet de champ est de moduler le courant circulant entre la source et le drain en modifiant la tension appliquée entre la grille et la source du transistor. Dans le cas des TEGFETs, la modulation du courant source-drain est réalisée en modulant la densité électronique du gaz d'électrons bidimensionnels. Le gaz d'électrons bidimensionnel se trouve confiné dans un canal d’une hétérostructure. Les TEGFETs présentent une haute vitesse de transport des électrons, ce qui rend leur utilisation pertinente dans les dispositifs hautes fréquences. En outre, les TEGFETs sont également utilisés pour des applications hautes puissances, par exemple dans les dispositifs ou composants à base de GaN. L’invention se rapporte, en particulier mais de manière non limitative, aux transistors hautes fréquences. En particulier, l’invention est applicable à tous les types de TEGFETs existants et, en particulier mais de manière non limitante, au TEGFETs de type III-V et III-V-N. Etat de la technique antérieure Au vu des domaines d’applications précités des TEGFETS, leur fiabilité est un critère déterminant. Le fonctionnement des TEGFETs de l’état de la technique consiste à dépléter le gaz d’électrons bidimensionnel sur toute la largeur du canal de sorte à modifier la densité et/ou la répartition géométrique de porteurs de charges dans le canal. Les TEGFETs de l’état de la technique possèdent une grille supérieure, située verticalement au-dessus du canal, par rapport au plan formé par le gaz d’électrons bidimensionnel, qui permet de contrôler le courant source-drain en modulant la densité électronique du gaz bidimensionnel au moyen d’un champ électrique normal au gaz d'électrons bidimensionnel. L’application d’un champ électrique normal au gaz d'électrons bidimensionnel a pour effet de générer une déplétion du gaz d’électrons bidimensionnel sur l’ensemble de la largeur du canal, par appauvrissement ou en enrichissement en porteurs selon le type et/ou l’architecture de transistor à effet de champ, et ainsi modifier la conductivité du canal. Les TEGFETs de l’état de l’art présentent plusieurs inconvénients parmi lesquels on trouve, à titre d’exemple non limitatifs, les courants de fuite de grille, les défauts d'interfaces et la fragilité de la grille. Les courants de fuite de grille sont des indicateurs majeurs de l'état d'un dispositif. Ils permettent de révéler leur dégradation future. L'amélioration de la fiabilité nécessite un contrôle du courant de fuite qui est également à l’origine de bruits électroniques, « générations-recombinaisons » et bruit en 1/fréquence (f). Les défauts d’interfaces s’entendent des défauts à l’interface semiconducteur-grille et/ou des défauts à l’interface diélectrique-grille quand un diélectrique a été déposé pour réduire le courant de fuite. Ces défauts participent à des processus d’effets de piégeages tels que la dispersion de la fréquence de transconductance, l'effondrement des caractéristiques de drain en courant continu, les transitoires de grille et de drain et la limitation de la puissance micro-ondes. La fragilité de la grille vient, d’une part, de la fragilité de l’oxyde ou du cristal entre la grille et le gaz et, d’autre part, du fait que la grille est déposée en surface du semiconducteur sans être diffusée. Le fait qu’elle soit déposée simplement la rend très sensible à tout choc électrostatique. La présente invention vise à pallier, au moins en partie, les inconvénients des dispositifs de l’état de l’art. Un but de l’invention est, en outre, de proposer un TEGFET : - permettant de pallier les inconvénients des dispositifs de l’état de la technique, et/ou - dont les caractéristiques courant tension sont fiables et reproductibles, et/ou - présentant une courbe de saturation dans laquelle le courant drains-source I DS est quasi constant et/ou ne dépend pas ou dépend peu de la tension drain-source V DS , et/ou - dans lequel le courant I DS varie de manière notable ou conséquente, pour une tension V DS donnée, lorsque la tension de polarisation de grille V GS varie , de sorte qu’il est possible de piloter le TEGFET en faisant varier la tension V GS , et/ou - ne présentant pas ou peu de courant de fuite de grille, et/ou - présentant des caractéristiques fiables et reproductibles sur une gamme de températures comprises entre 300 et 1.5 Kelvins, et/ou - étant insensible ou peu sensible à l’environnement local et aux interférences, tels que, par exemple, les rayonnements électromagnétiques ou les rayonnements ionisants. Présentation de l’invention A cet effet, il est proposé un transistor à effet de champ à gaz d’électrons bidimensionnel, dit TEGFET. Ledit TEGFET comprend un drain, une source et au moins un canal compris dans une hétérostructure formée par un empilement d’au moins deux couches de semiconducteur, de préférence au moins deux couches distinctes ou de composition différentes. L’au moins un canal relie, selon sa plus grande dimension, dite longueur de l’au moins un canal, la source et le drain. Ledit TEGFET comprend au moins deux grilles latérales disposées de part et d’autre de l’au moins un canal et disposées, chacune, en vis-à-vis d’un côté de l’au moins un canal, lesdits côtés de l’au moins un canal comprennent, ou s’étendent selon, une plus petite dimension dudit au moins canal, dite épaisseur de l’au moins un canal, l’épaisseur s’étendant selon un axe selon lequel sont empilées les au moins deux couches de semiconducteur et s’étendant perpendiculairement à la longueur de l’au moins un canal. De préférence, le TEGFET ne comprend pas de grille positionnée en dessous ou au-dessus de l’au moins un canal par rapport à un axe perpendiculaire à un plan, dit plan de canal, selon lequel s’étend l’au moins un canal entre la source et le drain, ledit plan de canal étant perpendiculaire à l’épaisseur de l’au moins un canal et/ou étant perpendiculaire à l’axe d’empilement des au moins deux couches de semiconducteur et/ou étant parallèle à la longueur de l’au moins un canal. De préférence, il est entendu par « côté de l’au moins un canal » une face ou une surface ou une interface. De préférence, le côté de l’au moins un canal s’étend ou comprend l’épaisseur et la longueur de l’au moins un canal. De préférence, au moins une des grilles latérales est en vis-à-vis d’un côté de l’au moins un canal qui est opposé au côté en vis-à-vis duquel au moins une autre des grilles latérales est en vis-à-vis. De préférence, la source et le drain sont compris dans ou appartiennent à une même couche du TEGFET. De préférence, la couche comprenant le drain et la source comprend, en outre, l’au moins un canal. De préférence, la conductivité de l’au moins un canal et/ou la densité d’électrons du gaz bidimensionnel est modulée et/ou contrôlée, de préférence uniquement, par l’au moins deux grilles latérales. De préférence, les au moins deux grilles latérales sont agencées pour moduler et/ou contrôler la conductivité de l’au moins un canal et/ou la densité d’électrons du gaz bidimensionnel. De préférence, le TEGFET ne comprend pas de grille positionnée en dessous ou au-dessus du canal pour moduler et/ou contrôler la conductivité de l’au moins un canal et/ou la densité d’électrons du gaz bidimensionnel. De préférence, le gaz bidimensionnel d’électrons est compris et confiné dans l’au moins un canal. De préférence, le plan de canal est parallèle au plan selon lequel s’étend le gaz bidimensionnel. De préférence, le gaz d’électrons bidimensionnel s’étend entre une interface, s’étendant selon un plan parallèle à l’axe d’empilement, de préférence perpendiculaire au plan de canal, entre la source et l’empilement des au moins deux couches de semiconducteur et une interface, s’étendant selon un plan parallèle à l’axe d’empilement, de préférence perpendiculaire au plan de canal, entre le drain et l’empilement des au moins deux couches de semiconducteur. De préférence, le gaz d’électrons bidimensionnel ne s’étend pas dans la source ni dans le drain. De préférence, le canal s’étend, jusqu’à la source et au drain. De préférence, la longueur de l’au moins un canal correspond à la plus grande dimension de l’au moins un canal et/ou à la plus grande distance séparant deux extrémités, de préférence opposées, de l’au moins un canal. Il peut être entendu par plan de canal un plan perpendiculaire à l’épaisseur de l’au moins un canal. De préférence, l’épaisseur de l’au moins un canal présente une dimension inférieure à la longueur et à la largeur de l’au moins un canal. L’épaisseur de l’au moins un canal peut être définie comme la plus petite dimension de l’au moins un canal et/ou comme la plus petite distance séparant deux faces, de préférence opposées, de l’au moins un canal. Le TEGFET peut comprendre un nombre pair de grilles latérales. Le TEGFET peut comprendre plus de deux grilles latérales. Le TEGFET peut comprendre une succession de grilles latérales adjacentes, s’étendant selon l’axe reliant la source au drain, disposées de part et d’autre de l’au moins un canal. Deux grilles latérales adjacentes de la succession de grilles latérales peuvent être séparées par une tranchée ou un évidement. Les grilles latérales, de la succession de grilles latérales, peuvent être alignées, deux à deux, selon un axe perpendiculaire à l’axe reliant la source au drain et perpendiculaire à l’axe d’empilement. De préférence, le l’au moins un canal comprend deux côtés opposés, de préférence encore deux côtés parallèles. De préférence, l’au moins un canal présente une largeur s’étendant selon un axe reliant les deux côtés de l’au moins au canal. De préférence, la largeur de l’au moins un canal s’étendant selon un axe compris dans le plan de canal et/ou selon un axe qui est perpendiculaire à l’axe reliant le drain à la source et/ou selon un axe perpendiculaire à la longueur de l’au moins un canal et/ou selon un axe perpendiculaire à l’épaisseur de l’au moins un canal. De préférence, la largeur de l’au moins un canal présente une dimension inférieure à la longueur de l’au moins un canal. De préférence, le TEGFET comprend deux grilles latérales distinctes l’une de l’autre. De préférence encore, chacune des deux grilles latérales est indépendante, en particulier de l’autre des deux grilles latérales. De manière davantage préférée, les deux grilles latérales n’ont aucune portion commune. De préférence, les deux grilles latérales sont symétriques. De préférence, les deux grilles latérales sont symétriques par rapport à l’au moins un canal. De préférence, les deux grilles latérales sont réalisées ou comprennent ou sont constituées d’un matériau semiconducteur. De préférence, le matériau semiconducteur comprend des atomes métalliques, de préférence des atomes métalliques diffusés. De préférence, le matériau semiconducteur, ou la portion ou partie du matériau semiconducteur, comprenant les atomes métalliques diffusés constitue un contact ohmique. De préférence, les deux grilles latérales et le canal sont des éléments ou composants ou structures ou couches ou matériaux physiquement et/ou spatialement distincts. De préférence, les deux grilles latérales sont disposées, latéralement, de part et d’autre de l’au moins un canal par rapport à l’axe reliant la source et le drain. De préférence, les deux grilles latérales s’étendent principalement selon un plan selon lequel s’étend principalement l’au moins un canal. Le TEGFET peut comprendre un unique canal. De préférence, le TEGFET peut comprendre deux canaux, de préférence encore trois canaux, de manière préférée quatre canaux et de manière davantage préférée cinq canaux. De préférence, les plans de canal des canaux du TEGFET sont parallèles entre eux. De préférence, les canaux du TEGFET forment un empilement selon l’axe d’empilement des au moins deux couches de semiconducteur. De préférence, la face d’une des deux grilles latérales située du côté de l’au moins un canal est parallèle à la face de l’autre des deux grilles latérales située du côté de l’au moins un canal. De préférence, la largeur de la face de chacune des grilles latérales située du côté de l’au moins un canal correspond ou est égale ou, est de préférence est supérieure, à l’épaisseur de l’au moins un canal. La longueur de la face, située du côté de l’au moins un canal, de chacune des grilles latérales peut être définie comme la plus grande dimension de ladite face et/ou comme la plus grande distance séparant deux extrémités, de préférence opposées, de ladite face. De préférence, la largeur de la face, située du côté de l’au moins un canal, de chacune des grilles latérales présente une dimension inférieure à la longueur de ladite face. La largeur de la face, située du côté de l’au moins un canal, de chacune des grilles latérales peut être définie comme la plus petite dimension de ladite face et/ou comme la plus petite distance séparant deux extrémités, de préférence opposées, de ladite face. De préférence, aucune des grilles latérales, parmi les au moins deux grilles latérales, n’est en contact, ni ne présente de partie commune ou d’interface commune avec le drain et la source. Une plus grande dimension des au moins deux grilles latérales peut s’étendre principalement perpendiculairement ou parallèlement à l’axe reliant la grille et le drain. De préférence, la conductivité de l’au moins un canal est modulée et/ou contrôlée sur une portion ou partie de l’au moins un canal. De préférence, la conductivité de l’au moins un canal est modulée et/ou contrôlée sur une tranche de l’au moins un canal. De préférence encore, la tranche de l’au moins un canal dans laquelle la conductivité est modulée et/ou contrôlée correspond à une portion ou partie de l’au moins un canal s’étendant sur une partie seulement de la largeur et/ou sur toute la longueur et/ou sur toute l’épaisseur de l’au moins un canal. De préférence, la tranche de l’au moins un canal dans laquelle la conductivité de l’au moins un canal est modulée et/ou contrôlée correspond à une portion ou partie de l’au moins un canal s’étendant sur une partie ou portion de la longueur de l’au moins un canal. Il peut être entendu par « une partie de la longueur de l’au moins un canal », une distance, selon l’axe reliant la source et le drain ou selon l’axe de la longueur de l’au moins un canal, inférieure ou égale à la longueur de l’au moins un canal. De manière davantage préférée, la distance ou dimension, selon l’axe reliant la source et le drain, de la tranche de l’au moins un canal dans laquelle la conductivité du canal est modulée et/ou contrôlée est égale à la longueur de la face d’une grille latérale, parmi les au moins deux grilles latérales, située du côté de l’au moins un canal ou à la longueur de la face de chacune des grilles latérales située du côté de l’au moins un canal. La portion ou la partie de l’au moins un canal dans laquelle la conductivité est modulée et/ou contrôlée peut être définie comme la portion ou la partie du TEGFET permettant de commander, de manière contrôlée, le blocage et/ou la circulation, de préférence contrôlée, de porteurs entre le drain et la source. La largeur de l’au moins un canal peut varier le long de l’axe reliant la source au drain. De préférence, le terme latéral ou latéralement définit ou désigne une position ou un emplacement relativement à l’axe reliant le drain à la source. De préférence, il peut être entendu par axe latéral un axe qui est compris dans le plan de canal et qui est perpendiculaire à l’axe reliant la source et le drain et qui est perpendiculaire à l’épaisseur de l’au moins un canal. De préférence, les au moins deux grilles latérales s’étendent, selon l’axe d’empilement des au moins deux couches de semiconducteur ou selon un axe perpendiculaire au plan de canal, de part et d’autre de chaque canal, parmi l’au moins un canal. De préférence, les au moins deux grilles latérales s’étendent, selon l’axe d’empilement des au moins deux couches de semiconducteur ou selon un axe perpendiculaire au plan de canal, depuis une surface externe du TEGFET vers l’au moins un canal. De préférence, les au moins deux grilles latérales s’étendent, selon l’axe d’empilement des au moins deux couches de semiconducteur et selon la direction reliant la surface supérieure externe des au moins deux grilles latérales à l’au moins un canal, au-delà de chaque canal, parmi l’au moins un canal. De préférence, aucune des grilles latérales n’est en contact ni ne présente de partie commune ou d’interface commune avec l’au moins un canal. De préférence, le TEGFET est agencé, de préférence encore les au moins deux grilles latérales sont agencées pour moduler et/ou modifier et/ou faire varier le potentiel dans l’au moins un canal selon un axe, dit latéral, compris dans le plan de canal et perpendiculaire à l’axe reliant la source et le drain. De préférence, le TEGFET est agencé pour, de préférence encore les au moins deux grilles latérales sont agencées pour moduler et/ou modifier et/ou faire varier le potentiel dans l’au moins un canal selon l’axe latéral par polarisation des au moins deux grilles latérales par rapport à la source. De préférence, la modulation et/ou la modification et/ou la variation latérale du potentiel dans l’au moins un canal a pour effet de modifier, de préférence sur une ou plusieurs portions ou parties de la largeur de l’au moins un canal, le potentiel et/ou de créer un gradient de potentiel latéralement dans l’au moins un canal. De préférence, la modulation et/ou la modification et/ou la variation latérale du potentiel dans l’au moins un canal a pour effet de moduler ou modifier ou faire varier dans l’au moins un canal, selon l’axe latéral, la densité d’électrons du gaz bidimensionnel et/ou la densité de courant drain-source et/ou le courant de saturation. De préférence, comme pour les FETs de l’état de l’art, le TEGFET selon l’invention est agencé pour que le potentiel dans l’au moins un canal varie le long de l’axe du canal. En outre, de préférence, selon l’invention, le TEGFET, de préférence les au moins deux grilles latérales, sont agencés pour que le potentiel soit maximum au centre de l’au moins un canal, lorsque les deux grilles sont à un même potentiel par rapport à la source. De préférence, selon l’invention, le TEGFET, de préférence les au moins deux grilles latérales, sont agencés pour que le potentiel soit nul sur un ou sur chacun des deux côtés de l’au moins un canal, lorsque l’une ou les deux grilles sont au même potentiel que la source. De préférence, le TEGFET comprend un diélectrique disposé entre chacune des grilles latérales, parmi les au moins deux grilles latérales, et l’au moins un canal ou séparant chacune des grilles latérales de l’au moins un canal. De préférence, il est entendu par diélectrique un corps ou un milieu présentant des propriétés diélectriques. L’effet du diélectrique est d’isoler les grilles latérales de l’au moins un canal. De préférence encore, l’absence de contact ou de partie commune ou d’interface commune entre l’au moins un grille latérale et l’au moins un canal, de préférence encore le diélectrique disposé entre chacune des deux grilles latérales et l’au moins un canal, contribue et/ou a pour effet et/ou permet de moduler et/ou modifier et/ou faire varier le potentiel dans l’au moins un canal selon l’axe latéral. De préférence, le TEGFET comprend une interface entre l’au moins un canal et le diélectrique qui est en vis-à-vis ou en regard ou successive ou consécutive, de préférence directement consécutive, d’une interface entre le diélectrique et une, plusieurs ou, de préférence chacune, des grilles latérales parmi les au moins deux grilles latérales. De préférence, l’interface entre l’au moins un canal et le diélectrique et, respectivement, l’interface entre l’au moins un canal et une grille latérale considérée parmi les au moins deux grilles latérales est une paroi ou une face ou un côté ou une surface de l’au moins un canal et, respectivement, une paroi ou une face ou un côté ou une surface de la grille latérale considérée. L’interface entre l’au moins un canal et le diélectrique et, respectivement, l’interface entre l’au moins un canal et une grille latérale considérée parmi les au moins deux grilles latérales peut être une paroi commune ou une face commune ou un côté commun ou une surface commune entre l’au moins un canal et le diélectrique et, respectivement, entre l’au moins un canal et la grille latérale considérée. De préférence, le diélectrique est agencé sous forme d’une tranchée ou d’un évidement. De préférence, le diélectrique est constitué par un évidement. De préférence, l’évidement constitue un volume s’étendant entre une grille latérale considérée parmi les au moins deux grilles latérales et l’au moins un canal. De préférence, l’évidement est délimité latéralement, selon un axe parallèle à la largeur de l’au moins un canal, par une face ou surface de l’au moins un canal située en vis-à-vis ou en regard de la face d’une grille latérale considérée parmi les au moins deux grilles latérales et la face, située du côté de l’au moins un canal, de la grille latérale considérée. Dans ce cas, de préférence, l’interface entre l’au moins un canal et le diélectrique est formée par la face de l’au moins un canal en vis-à-vis de la face de la grille latérale considérée. De préférence encore, dans ce cas, l’interface entre le diélectrique et la grille latérale considérée est formée par la face, située du côté de l’au moins un canal, de la grille latérale considérée. De préférence, l’évidement comprend ou contient un gaz. Autrement dit, le diélectrique peut être un gaz. Le gaz contenu ou compris dans l’évidement peut être de l’air. De préférence, l’évidement ne comprend pas ou n’est pas constituée ou ne contient pas de matière solide. De préférence, les au moins deux grilles latérales, de préférence encore chacune des grilles latérales, comprend et/ou est constituée et/ou est formée et/ou sont composées d’un ou de plusieurs matériaux semiconducteurs ou d’une couche d’un ou de plusieurs matériaux semiconducteurs. De préférence, les au moins deux grilles latérales, de préférence encore chacune des grilles latérales, comprend et/ou est constituée et/ou est formée et/ou est composée de matériaux semiconducteurs ou d’un empilement de couches de matériau semiconducteur. De préférence, le ou les matériaux semiconducteur composant les au moins deux grilles latérales comprend des atomes de métal diffusés dans le ou les matériaux semiconducteurs, de préférence comprend des atomes de métal ayant diffusés dans le ou les matériaux semiconducteurs. De préférence, le drain, la source et les au moins deux grilles latérales comprennent, chacun, une couche de métal formant un contact électrique distinct. De préférence, la couche de métal du drain, la couche de métal de la source et la couche de métal des au moins deux grilles latérales sont respectivement situées sur une surface supérieure externe du drain, de la source et des au moins deux grilles latérales. De préférence, les couches de métal et les surfaces supérieures externes du drain, de la source et des au moins deux grilles latérales constituent, au moins en partie, de préférence en partie seulement, une surface supérieure externe du TEGFET. De préférence, la couche de métal présente une épaisseur de 10 à 500 nm. De préférence, la couche de métal comprend et/ou est composée d’un eutectique. De préférence, l’eutectique comprend et/ou est composé d’or, de germanium et de nickel. De préférence, le TEGFET selon l’invention, est agencé et/ou apte à moduler et/ou modifier et/ou faire varier le potentiel de l’au moins un canal le long de l’axe latéral. De préférence, le TEGFET selon l’invention, est agencé et/ou apte à moduler et/ou modifier et/ou faire varier la densité d’électrons du gaz bidimensionnel et/ou de la densité de courant du gaz d’électron bidimensionnel le long de l’axe latéral, de préférence encore sur une partie, de préférence sur une partie seulement, de la largeur de l’au moins un canal. De préférence, le TEGFET selon l’invention, n’est pas agencé ni apte à appliquer un potentiel constant sur toute la largeur de l’au moins un canal. De préférence, le TEGFET selon l’invention, n’est pas agencé ni apte à faire varier la densité d’électrons du gaz bidimensionnel et/ou de la densité de courant, de manière uniforme, sur toute la largeur de l’au moins un canal. De préférence, les au moins deux grilles latérales, de préférence encore chacune des grilles latérales, est agencée pour moduler et/ou modifier et/ou faire varier le potentiel de l’au moins un canal le long de l’axe latéral. De préférence, les au moins deux grilles latérales, de préférence encore chacune des grilles latérales, sont agencées et/ou aptes à moduler et/ou modifier et/ou faire varier la densité d’électrons du gaz d’électron bidimensionnel, de préférence de manière non uniforme, sur la largeur de l’au moins un canal. De préférence, le TEGFET selon l’invention, n’est pas agencé ni apte à appliquer un potentiel constant sur toute la largeur de l’au moins un canal. De préférence, les au moins deux grilles latérales, de préférence encore chacune des grilles latérales, n’est pas agencée ni apte à générer une déplétion du gaz d’électron bidimensionnel et/ou la densité du courant, de manière uniforme, sur toute la largeur de l’au moins un canal. De préférence, le TEGFET selon l’invention, de préférence les deux grilles latérales, de préférence encore l’agencement des deux grilles latérales, n’est pas agencé et/ou n’est pas apte à transformer le gaz d’électrons bidimensionnel en gaz d’électrons monodimensionnel. De préférence, une des grilles latérales peut être électriquement connectée à la source. De préférence, la connexion électrique d’une des grilles latérales à la source permet que la grille latérale connectée à la source présente le même potentiel que celui de la source. Selon l’invention, il est également proposé un procédé de modulation de la conductivité d’au moins un canal d’un transistor à effet de champ à gaz d’électron bidimensionnel, dit TEGFET. Le procédé comprend l’étape consistant à appliquer une différence de potentiel entre une source et un drain du TEGFET. Le procédé comprend, en outre, l’étape consistant à appliquer : - une même différence de potentiel entre au moins une grilles latérales du TEGFET, par exemple une première grille latérale, parmi au moins deux grilles latérales disposées latéralement de part et d’autre de l’au moins un canal du TEGFET, et la source du TEGFET, et/ou - un même potentiel sur une ou chacune des grilles latérales et sur la source du TEGFET, et/ou - une différence de potentiel entre au moins une des grilles latérales du TEGFET, par exemple une seconde ou deuxième grille latérale, disposées latéralement de part et d’autre de l’au moins un canal du TEGFET, ou entre chacune des grilles latérales du TEGFET, et la source du TEGFET. L’au moins un canal relie, selon une plus grande dimension de l’au moins un canal, dite longueur de l’au moins un canal, la source et le drain du TEGFET. Le TEGFET ne comprend pas de grille positionnée en dessous ou au-dessus de l’au moins un canal par rapport à un axe perpendiculaire à un plan, dit plan de canal, selon lequel s’étend l’au moins un canal entre la source et le drain. Le plan de canal est perpendiculaire à une plus petite dimension de l’au moins canal, dite épaisseur de l’au moins un canal, s’étendant : - selon un axe selon lequel sont empilées au moins deux couches de semiconducteur formant une hétérostructure dans laquelle est comprise l’au moins un canal, et - perpendiculairement à la longueur de l’au moins un canal. L’étape consistant à appliquer le même potentiel ou une différence de potentiel entre les au moins deux grilles latérales et la source et/ou à appliquer un même potentiel ou une différence de potentiel entre au moins une grille latérale et au moins une autre grille latérale peut consister à moduler et/ou modifier et/ou faire varier le potentiel d’au moins une grille latérale par rapport au potentiel de la source et/ou du potentiel d’au moins une grille latérale par rapport au potentiel d’au moins une autre grille latérale. De préférence, le procédé de modulation de la conductivité d’au moins un canal d’un TEGFET ne comprend pas d’étape consistant à moduler et/ou modifier et/ou faire varier le potentiel dans l’au moins un canal et/ou la densité d’électron du gaz bidimensionnel et/ou de la densité de courant, de manière uniforme, sur l’ensemble de la largeur de l’au moins un canal. De préférence, le procédé de modulation de la conductivité d’au moins un canal d’un TEGFET ne comprend pas d’étape consistant à appliquer un potentiel constant sur toute la largeur de l’au moins un canal. De préférence, le procédé de modulation de la conductivité d’au moins un canal comprend l’étape consistant à moduler et/ou modifier et/ou faire varier le potentiel et/ou la conductivité dans l’au moins un canal selon un axe, dit latéral, compris dans le plan de canal et perpendiculaire à l’axe reliant la source et le drain, par application d’une même différence de potentiel entre au moins une des grilles latérales et la source et/ou par application du même potentiel sur une ou chacune des grilles latérales et sur la source et/ou par application d’une différence de potentiel entre au moins une des grilles latérales, ou entre chacune des grilles latérales, et la source. L’étape consistant à moduler et/ou modifier et/ou faire varier, le long de l’axe latéral, le potentiel électrostatique dans l’au moins un canal peut comprendre, en outre, l’étape consistant à moduler et/ou modifier et/ou faire varier le potentiel des au moins deux grilles latérales par rapport au potentiel de la source et/ou le potentiel d’au moins une grille latérale par rapport au potentiel d’au moins une autre grille latérale. L’étape consistant à moduler et/ou modifier et/ou faire varier le potentiel des au moins deux grilles latérales par rapport au potentiel de la source et/ou le potentiel d’au moins une grille latérale par rapport au potentiel d’au moins une autre grille latérale peut entrainer ou avoir pour effet de moduler et/ou modifier et/ou faire varier le potentiel électrostatique dans l’au moins un canal selon l’axe latéral. De préférence, l’étape consistant à moduler et/ou modifier et/ou à faire varier, spatialement selon l’axe latéral, le potentiel électrostatique dans l’au moins un canal, a pour effet de moduler et/ou modifier et/ou faire varier le courant drain-source et/ou le courant de saturation du TEGFET. Le procédé de modulation de la conductivité d’au moins un canal peut comprendre l’étape consistant à moduler et/ou modifier et/ou faire varier le potentiel dans l’au moins un canal et/ou la conductivité du gaz d’électron bidimensionnel, de manière non uniforme, selon la largeur de l’au moins un canal, de préférence sur seulement une partie d’une largeur de l’au moins un canal, et/ou la largeur de l’au moins un canal s’étend selon un axe perpendiculaire à la longueur de l’au moins un canal et perpendiculaire à l’épaisseur de l’au moins un canal, par application d’une même différence de potentiel entre au moins une grille latérale et la source et/ou par application du même potentiel sur une ou chacune des grilles latérales et sur la source et/ou par application d’une différence de potentiel entre au moins une des grilles latérales, ou entre chacune des grilles latérales, et la source. L’étape consistant à moduler et/ou modifier et/ou faire varier la densité d’électron du gaz bidimensionnel sur seulement une partie d’une largeur de l’au moins un canal peut comprendre, en outre, l’étape consistant à moduler et/ou modifier et/ou faire varier le potentiel des au moins deux grilles latérales par rapport au potentiel de la source et/ou le potentiel d’au moins une grille latérale par rapport au potentiel d’au moins une autre grille latérale. L’étape consistant à moduler et/ou modifier et/ou faire varier le potentiel des au moins deux grilles latérales par rapport au potentiel de la source et/ou le potentiel d’au moins une grille latérale par rapport au potentiel d’au moins une autre grille latérale peut entrainer ou avoir pour effet de moduler et/ou modifier et/ou faire varier la densité d’électron du gaz bidimensionnel sur seulement une partie de la largeur de l’au moins un canal. De préférence, le procédé de modulation de la conductivité d’au moins un canal ne comprend pas d’étape consistant à transformer le gaz d’électrons bidimensionnel en gaz d’électrons monodimensionnel. Le procédé de modulation de la conductivité d’un canal d’un TEGFET selon l’invention est, de préférence, mis en œuvre par le TEGFET selon l’invention. De préférence, le TEGFET selon l’invention est particulièrement adapté, de préférence encore spécialement conçu, pour mettre en œuvre le procédé selon l’invention. De préférence, le procédé selon l’invention est particulièrement adapté, de préférence encore spécialement conçu, pour être mis en œuvre par le TEGFET selon l’invention. Ainsi, toute caractéristique du procédé de modulation de la conductivité d’un canal d’un TEGFET selon l’invention peut être intégrée dans le TEGFET selon l’invention et inversement. Selon l’invention, il est également proposé un procédé de fabrication d’un TEGFET, de préférence du TEGFET selon l’invention. Le procédé de fabrication comprend une unique étape de recuit pour former, simultanément en une même étape, des contacts ohmiques distincts entre : - une première couche de métal, destinée à former un contact électrique, et un drain du TEGFET, et - une deuxième couche de métal, destinée à former un contact électrique, et une source du TEGFET, et - une troisième couche de métal, destinée à former un contact électrique, et au moins deux grilles latérales du TEGFET, disposées latéralement de part et d’autre d’au moins un canal du TEGFET. De préférence, les première, deuxième et troisième couches de métal sont des couches externes supérieures. De préférence, les première, deuxième et troisième couches de métal sont disposées sur une couche supérieure d’un empilement d’au moins deux couches de matériaux semiconducteurs, formant une hétérostructure dans laquelle est comprise l’au moins un canal, destinées à former le drain, la source et les au moins deux grilles latérales. De préférence, l’unique étape de recuit du procédé selon l’invention consiste, en outre, à former, simultanément en une même étape, le drain, la source et les au moins deux grilles latérales par diffusion d’atomes de métal, de préférence selon un axe d’empilement des au moins deux couches de matériaux semiconducteurs : - de la première couche de métal dans l’empilement d’au moins deux couches de matériaux semiconducteurs, et - de la deuxième couche de métal dans l’empilement d’au moins deux couches de matériaux semiconducteurs, et - de la troisième couche de métal, dans l’empilement d’au moins deux couches de matériaux semiconducteurs. L’étape de recuit peut être définie comme une unique étape consistant à former, simultanément et en une même étape, les contacts ohmiques. De préférence, les première, deuxième et troisième couches de métal sont des couches distinctes et indépendantes. De préférence, les atomes de métal des couches de métal diffusent à l’intérieur de l’empilement d’au moins deux couches de matériaux semiconducteurs formant le drain, la source et, en particulier, les au moins deux grilles latérales d’une distance supérieure à 50 nm, de préférence à 100 nm, de préférence encore à 150 nm, de manière davantage préférée à 200 nm, de manière encore davantage préférée à 250 nm et/ou d’une distance inférieure à 400 nm, de préférence encore à 350 nm et de manière davantage préférée à 300 nm. De préférence, les atomes de métal des couches de métal diffusent depuis une surface externe supérieure du drain, de la source et, en particulier, de chacune des au moins deux grilles latérales et selon un axe d’empilement des au moins deux couches de semiconducteur. De préférence, les atomes de métal des couches de métal diffusent, depuis la surface externe supérieure du drain, de la source et, en particulier des au moins deux grilles latérales, à l’intérieur de l’empilement d’au moins deux couches de matériaux semiconducteurs d’une distance au moins égale ou supérieure à une distance séparant : - la surface externe supérieure de la couche supérieure de l’empilement d’au moins deux couches de semiconducteur, et - le canal. De préférence, la distance séparant la surface externe supérieure de la couche supérieure de l’empilement d’au moins deux couches de semiconducteur et le canal est parallèle à l’axe d’empilement et/ou perpendiculaire à un plan, dit plan de canal, selon lequel s’étend l’au moins un canal entre la source et le drain. Le TEGFET selon l’invention est, de préférence, mis en œuvre par le procédé de fabrication selon l’invention. De préférence, le procédé de fabrication selon l’invention est particulièrement adapté, de préférence encore spécialement conçu, pour mettre en œuvre le TEGFET selon l’invention. Ainsi, toute caractéristique du procédé de fabrication selon l’invention peut être intégrée dans le TEGFET selon l’invention et inversement. Description des figures D’autres avantages et particularités de l’invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée de mises en œuvre et de modes de réalisation nullement limitatifs, et des dessins annexés suivants : la FIGURE 1a) est une représentation schématique en vue de biais d’un TEGFET de l’état de l’art et la FIGURE 1b) est une représentation schématique en vue de dessus d’un TEGFET de l’état de l’art, la FIGURE 2a) est une représentation schématique en vue de biais d’un mode de réalisation d’un TEGFET selon l’invention et la FIGURE 2b) est une représentation schématique en vue de dessus du mode de réalisation du TEGFET selon l’invention illustré sur la FIGURE 2a), les FIGURES 3a) et 3b) sont des représentations schématiques en vue de côté de deux modes de réalisation d’un TEGFET selon l’invention, la est une représentation schématique en vue de côté d’un mode de réalisation d’un TEGFET à multiples canaux selon l’invention, la est une représentation schématique en vue de dessus d’un mode de réalisation d’un TEGFET dans lequel une grille latérale est électriquement connectée à la source, la FIGURE 6a) est une représentation schématique en vue de biais du canal d’un TEGFET de l’état de l’art en l’absence de polarisation de la grille supérieure, la FIGURE 6b) est une représentation schématique en vue de biais du canal d’un TEGFET de l’état de l’art en présence d’une polarisation de la grille supérieure et la FIGURE 6c) est un graphique illustrant l’évolution du potentiel drain-source dans le canal selon l’axe latéral d’un TEGFET de l’état de l’art en présence d’une polarisation de la grille supérieure, la la FIGURE 7a) est une représentation schématique en vue de biais du canal d’un TEGFET selon l’invention en l’absence de polarisation de la ou des grilles latérales, la FIGURE 7b) est une représentation schématique en vue de biais du canal d’un TEGFET selon l’invention en présence d’une polarisation de la ou des grilles latérales et la FIGURE 7c) est un graphique illustrant l’évolution du potentiel drain-source dans le canal selon l’axe latéral d’un TEGFET selon l’invention en présence d’une polarisation de la ou des grilles supérieures, les FIGURES 8a) et 8b) sont des représentations schématiques en vue de biais d’un TEGFET selon l’invention, respectivement, avant l’étape de recuit et après l’étape de recuit, les FIGURES 9a) et 9b) sont des représentations schématiques en vue de dessus d’un TEGFET selon l’invention présentant deux géométries de canal différentes, la FIGURE 10a) est un graphique illustrant l’évolution du courant drain-source en fonction de la tension drain-source pour différentes tensions grilles-source à une température de 300 K du TEGFET illustré sur la FIGURE 9a), la FIGURE 10b) est un graphique illustrant l’évolution du potentiel dans le canal selon l’axe latéral à l’extrémité du canal située du côté de la source en fonction de la tension drain-source pour une température de 300 K du TEGFET illustré sur la FIGURE 9b) et la FIGURE 10c) est un graphique illustrant l’évolution du potentiel dans le canal selon l’axe latéral à l’extrémité du canal située du côté du drain en fonction de la tension drain-source pour une température de 300 K du TEGFET illustré sur la FIGURE 9b), la est un graphique illustrant l’évolution du courant drain-source en fonction de la tension drain-source pour différentes tensions grilles-source à une température de 300 K du TEGFET illustré sur la FIGURE 9b) comprenant une couche dopée δ, située à une distance de 2 nm de l’interface GaAS/GaAlAs du TEGFET, comprenant des atomes de Berylium, ayant un rôle d’accepteur, à une densité de 4.10 -10 .cm -2 , la est un graphique illustrant l’évolution du courant drain-source en fonction de la tension drain-source pour différentes tensions grilles-source à une température de 1,5 K du TEGFET illustré sur la FIGURE 9b) comprenant une couche dopée δ, située à une distance de 2,5 nm de l’interface GaAS/GaAlAs du TEGFET, comprenant des atomes de Berylium, ayant un rôle d’accepteur, à une densité de 8.10 -10 .cm -2 . Transistor à effet de champ à gaz d’électrons bidimensionnel (1), dit TEGFET, ledit TEGFET comprend un drain (3), une source (4) et au moins un canal (6) compris dans une hétérostructure formée par un empilement d’au moins deux couches (21, 22) de semiconducteur ; l’au moins un canal relie, selon sa plus grande dimension, dite longueur (L) de l’au moins un canal, la source et le drain ; ledit TEGFET étant caractérisé en ce que : - il comprend au moins deux grilles latérales (5) disposées de part et d’autre de l’au moins un canal et disposées, chacune, en vis-à-vis d’un côté (7, 71, 72) de l’au moins un canal, lesdits côtés de l’au moins un canal comprennent une plus petite dimension dudit au moins canal, dite épaisseur (e) de l’au moins un canal, s’étendant selon un axe (8) selon lequel sont empilées les au moins deux couches de semiconducteur et s’étendant perpendiculairement à la longueur de l’au moins un canal, et - il ne comprend pas de grille positionnée en dessous ou au-dessus de l’au moins un canal par rapport à un axe perpendiculaire à un plan, dit plan de canal, selon lequel s’étend l’au moins un canal entre la source et le drain, ledit plan de canal étant perpendiculaire à l’épaisseur de l’au moins un canal. TEGFET selon la revendication 1, dans lequel aucune des grilles latérales (5) parmi les au moins deux grilles latérales n’est en contact ni ne présente de partie commune ou d’interface commune avec l’au moins un canal (6). TEGFET selon la revendication précédente 1 ou 2, dans lequel les au moins deux grilles latérales (5) sont agencées pour moduler et/ou modifier et/ou faire varier le potentiel dans l’au moins un canal (6) selon un axe (10), dit latéral, compris dans le plan de canal et perpendiculaire à l’axe reliant la source et le drain. TEGFET selon l’une des revendications précédentes, comprenant un diélectrique (11) disposé entre chacune des grilles latérales (5), parmi les au moins deux grilles latérales, et l’au moins un canal (6). TEGFET selon la revendication précédente, dans lequel le diélectrique (11) est agencé sous forme d’un évidement (11). TEGFET selon la revendication précédente, dans lequel l’évidement (11) comprend un gaz. TEGFET selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les au moins deux grilles latérales (5) sont composées d’un matériau semiconducteur. TEGFET selon la revendication précédente, dans lequel le matériau semiconducteur composant les au moins deux grilles latérales (5) comprend des atomes de métal diffusés dans le matériau semiconducteur. TEGFET selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel une des grilles latérales (5) est électriquement connectée à la source (4). Procédé de modulation de la conductivité d’au moins un canal (6) d’un transistor à effet de champ à gaz d’électron bidimensionnel (1), dit TEGFET, ledit procédé comprend les étapes consistant à : - appliquer une différence de potentiel entre une source (4) et un drain (3) du TEGFET, - appliquer : ● une même différence de potentiel entre au moins une des grilles latérales (5) du TEGFET, parmi au moins deux grilles latérales disposées latéralement de part et d’autre de l’au moins un canal du TEGFET, et la source du TEGFET, et/ou ● un même potentiel sur une ou chacune des grilles latérales et sur la source du TEGFET, et/ou ● une différence de potentiel entre au moins une des grilles latérales du TEGFET et la source du TEGFET ; l’au moins un canal relie, selon une plus grande dimension de l’au moins un canal, dite longueur (L) de l’au moins un canal, la source et le drain du TEGFET et le TEGFET ne comprend pas de grille positionnée en dessous ou au-dessus de l’au moins un canal par rapport à un axe perpendiculaire à un plan, dit plan de canal, selon lequel s’étend l’au moins un canal entre la source et le drain, ledit plan de canal étant perpendiculaire à une plus petite dimension de l’au moins canal, dite épaisseur (e) de l’au moins un canal, s’étendant selon un axe (8) selon lequel sont empilées au moins deux couches (21, 22) de semiconducteur formant une hétérostructure dans laquelle est comprise l’au moins un canal et s’étendant perpendiculairement à la longueur de l’au moins un canal ; chacune des au moins deux grilles latérales est disposée en vis-à-vis d’un côté (7, 71, 72) de l’au moins un canal, lesdits côtés de l’au moins un canal comprennent l’épaisseur (e) de l’au moins un canal. Procédé selon la revendication 10, comprenant l’étape consistant à moduler et/ou modifier et/ou faire varier le potentiel et/ou la conductivité dans l’au moins un canal (6) selon un axe (10), dit latéral, compris dans le plan de canal et perpendiculaire à l’axe reliant la source et le drain, par application d’une même différence de potentiel entre au moins une des grilles latérales (5) et la source (4) et/ou par application du même potentiel sur une ou chacune des grilles latérales et sur la source et/ou par application d’une différence de potentiel entre au moins une des grilles latérales, ou entre chacune des grilles latérales, et la source. Procédé selon la revendication 10 ou 11, comprenant l’étape consistant à moduler et/ou modifier et/ou faire varier le potentiel dans l’au moins un canal (6) et/ou la conductivité du gaz d’électron bidimensionnel, de manière non uniforme, selon une largeur (l) de l’au moins un canal, la largeur de l’au moins un canal s’étend selon un axe perpendiculaire à la longueur (L) de l’au moins un canal et perpendiculaire à l’épaisseur (e) de l’au moins un canal, par application d’une même différence de potentiel entre au moins une des grilles latérales (5) et la source (4) et/ou par application du même potentiel sur une ou chacune des grilles latérales et sur la source et/ou par application d’une différence de potentiel entre au moins une des grilles latérales, ou entre chacune des grilles latérales, et la source. Procédé selon l’une des revendications 10 à 12, ledit procédé comprend une étape consistant à moduler et/ou modifier et/ou faire varier la densité d’électrons du gaz d’électron bidimensionnel, de manière non uniforme, sur la largeur de l’au moins un canal. Procédé de fabrication d’un transistor à effet de champ à gaz d’électron bidimensionnel (1), dit TEGFET, ledit procédé de fabrication comprend une unique étape de recuit pour former, simultanément en une même étape, des contacts ohmiques distincts entre : - une première couche de métal (9, 92), destinée à former un contact électrique, et un drain (3) du TEGFET, et - une deuxième couche de métal (9, 93), destinée à former un contact électrique, et une source (4) du TEGFET, et - une troisième couche de métal (9, 91), destinée à former un contact électrique, et au moins deux grilles latérales (5) du TEGFET, disposées latéralement de part et d’autre d’au moins un canal du TEGFET et disposées, chacune, en vis-à-vis d’un côté (7, 71, 72) de l’au moins un canal, lesdits côtés de l’au moins un canal comprennent une plus petite dimension dudit au moins canal, dite épaisseur (e) de l’au moins un canal, s’étendant selon un axe (8) selon lequel sont empilées les au moins deux couches de semiconducteur et s’étendant perpendiculairement à une longueur de l’au moins un canal.