Brevet FR3137448A1 — publié le 20240105

Matrice de filtrage multispectral à filtres de Fabry-Pérot incurvés et procédés de fabrication Un aspect de l’invention concerne une matrice (10) de filtrage multispectral pour une onde électromagnétique, la matrice comportant au moins un premier (E 1 ) et un deuxième éléments optoélectroniques (E 2 ), chaque élément optoélectronique (E i ) comprenant un filtre de couleur (F i ) et un transducteur photoélectrique (T i ) en regard dudit filtre (F i ), chaque filtre de couleur (F i ) formant une cavité Fabry-Pérot comportant une première couche réfléchissante (Cr 1i ), une deuxième couche réfléchissante (C r2i ) et une couche en matériau diélectrique (CFPi) de cavité de Fabry-Pérot entre la première couche réfléchissante (Cr1i) et la deuxième couche réfléchissante (C r2i ), la couche de matériau diélectrique (C FPi ) comportant : une surface inférieure (S inf_i ), au contact de la première couche réfléchissante (C r1i ); la surface inférieure (S inf_i ) étant courbe; Une surface supérieure (S sup_i ) au contact de la deuxième couche réfléchissante (C r1i ), la surface supérieure (S sup_i ) étant courbe; les épaisseurs moyennes des deux couches en matériau diélectrique (C FP1 , C FP2 ) des deux filtres (F 1 , F 2 ) étant différentes. Figure à publier avec l’abrégé : Figure 2 Matrice de filtrage multispectral à filtres de Fabry-Pérot incurvés et procédés de fabrication DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION Le domaine technique de l’invention est celui du filtrage spectral, notamment pour des applications d’imagerie et la réalisation de filtres de couleurs, filtres infrarouges ou d'autres filtres de longueurs d'onde plus importantes selon le métal et le matériau de la cavité appropriés, pour des capteurs d’images de type CMOS, les dispositifs d’affichage à cristaux liquides ou des diodes électroluminescentes. L’invention peut également être mise en en œuvre dans des dispositifs d’émission de la lumière. La présente invention concerne une matrice de filtrage multispectral et des procédés de fabrications d’une telle matrice. ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Un filtre spectral ou encore un filtre de couleur permet de filtrer la lumière par longueur d'onde, de façon à fournir une information sur l'intensité de la lumière dans certaines longueurs d'onde. Plusieurs filtres de couleur peuvent être associés de façon à former, par exemple, des filtres rouge-vert-bleu (RGB dans la terminologie anglaise) qui renseignent sur l'intensité de ces trois couleurs. On connait notamment des filtres de couleur de type métal/diélectrique réalisés à partir d’une cavité de Fabry-Pérot. Ces filtres comprennent une ou plusieurs cavités diélectriques (ou éventuellement semiconductrices) formées entre deux films minces de métal ayant une fonction de miroir métallique de façon à former une cavité de Fabry-Pérot. Un exemple de ce type de filtre est décrit dans le document US6031653. Généralement, les empilements métal/diélectrique sont différents suivant la position sur le composant optoélectronique (un capteur d’image par exemple). La transmission du filtre est réglée en ajustant l'épaisseur de la cavité. Ainsi, en fonctionnement, une partie de la lumière incidente correspondant à la longueur d'onde du filtre est transmise à travers celui-ci sous la forme d'un faisceau coloré, tandis que le reste de la lumière incidente est réfléchie. De façon générale, l'épaisseur de la couche diélectrique fixe la longueur d'onde centrale transmise, tandis que l'épaisseur des couches métalliques permet de régler la largeur spectrale de transmission. Par ailleurs, l'utilisation de plusieurs cavités de Fabry-Pérot permet de modifier le profil spectral de la transmission du filtre. Un filtre de ce type est réalisé en utilisant des techniques classiques de fabrication de semi-conducteurs. Ainsi, pour obtenir un filtre rouge-vert-bleu, il convient de former au moins une cavité diélectrique dont l'épaisseur doit présenter trois valeurs différentes. Cependant, même si la sélectivité en longueur d'onde peut être obtenue en modifiant l'épaisseur de la cavité, un filtre de cavité de Fabry-Pérot est également très sensible à l'angle d'incidence. La présente la réponse spectrale d’un filtre de couleur à une onde électromagnétique, pour une épaisseur de couche de diélectrique fixe et différents angles d’incidence de l’onde électromagnétique. De nombreuses études ont été menées pour remédier à ce défaut de sensibilité des filtres à l’angle d’incidence des ondes électromagnétiques. Une façon de réduire la sensibilité, décrite dans l’article suivant : « Non-iridescent Transmissive Structural Color Filter Featuring Highly Efficient Transmission and High Excitation Purity. Sci Rep 4, 4921 (2014) », Shrestha, V., Lee, SS., Kim, ES. et al., est d'utiliser des cavités multiples avec un matériau de cavité à indice plus élevé. Les auteurs de l’article ont utilisé le fait que le décalage fractionnel de longueur d'onde dépendant de l'angle est déterminé par l'indice de réfraction de la cavité : , où θ est l'angle d'incidence de l’onde électromagnétique et n est l'indice de réfraction de la cavité. Les solutions proposées réduisent la sensibilité à l'angle, mais elles nécessitent plusieurs étapes de lithographie et de gravure pour leur fabrication. Une autre manière de réduire la sensibilité angulaire est proposée dans le document US4466699A qui décrit un filtre Fabry-Pérot avec deux plaques de surfaces courbes ou, plus particulièrement, des surfaces asphériques qui sont mobiles les unes par rapport aux autres le long d'un axe. Les surfaces courbes permettent d’avoir un angle d'incidence du rayonnement qui n’est pas perpendiculaire à la surface en tout point de la surface. La courbure des plaques est choisie de telle sorte que l'erreur introduite par le fait que l'angle d'incidence n'est pas perpendiculaire est compensée par la différence de distance entre les plaques, pour obtenir la longueur d’onde souhaitée en sortie du filtre. Cependant, le filtre Fabry-Pérot proposé dans le document US4466699A permet de varier l’écart entre les plaques pour obtenir une longueur d’onde à la fois et non plusieurs longueurs d’ondes à la fois. De plus, le filtre ayant une distance variable entre les plaques, celui-ci ne peut pas être utilisé en imagerie, et en particulier à des dimensions de la micro-électronique avec des capteurs d’image CMOS, à cause des contraintes de fabrication. L’invention offre une solution aux problèmes évoqués précédemment, en proposant une matrice comprenant des filtres de Fabry-Pérot permettant d’obtenir plusieurs longueurs d’ondes, peu sensible à la variation de l’angle d’incidence d’une radiation électromagnétique et utilisable en technologie CMOS. Un aspect de l’invention concerne une matrice de filtrage multispectral pour une onde électromagnétique, la matrice comportant au moins un premier et un deuxième éléments optoélectroniques, chaque élément optoélectronique comprenant un filtre de couleur et un transducteur photoélectrique en regard dudit filtre, chaque filtre de couleur formant une cavité Fabry-Pérot comportant une première couche réfléchissante, une deuxième couche réfléchissante et une couche en matériau diélectrique de cavité de Fabry-Pérot entre la première couche réfléchissante et la deuxième couche réfléchissante, la couche de matériau diélectrique comportant : une surface inférieure, au contact de la première couche réfléchissante, la surface inférieure étant courbe; Une surface supérieure au contact de la deuxième couche réfléchissante, la surface supérieure étant courbe; les épaisseurs des deux couches en matériau diélectrique des deux filtres de couleur étant différentes. Grâce à l’invention, la transmission des filtres de couleurs est indépendante de l’angle d’incidence d’une onde électromagnétique incidente, ce qui permet d’obtenir une longueur d’onde souhaitée pour chaque filtre uniquement en faisant varier les épaisseurs des couches de diélectrique sans se soucier des angles d’incidence. De plus, la matrice comprend des filtres de cavités de Fabry-Pérot utilisés pour l’imagerie en microélectronique, et en particulier dans des technologies CMOS. Outre les caractéristiques qui viennent d’être évoquées dans le paragraphe précédent, la matrice selon un premier aspect de l’invention peut présenter une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : pour chaque filtre de couleur : la première couche réfléchissante présente une surface inférieure courbe et une surface supérieure courbe de même rayon de courbure, la surface supérieure de la première couche réfléchissante étant au contact de la surface inférieure de la couche en matériau diélectrique; La deuxième couche réfléchissante présente une surface inférieure courbe et une surface supérieure courbe de même rayon de courbure, la surface inférieure de la deuxième couche réfléchissante étant au contact de la surface supérieure de la couche en matériau diélectrique. les rayons de courbure de la surface inférieure et de la surface supérieure de la couche de matériau diélectrique de chaque filtre de couleur sont strictement supérieurs à 300 nm. pour chaque filtre de couleur, les courbures de la surface inférieure et de la surface supérieure de la couche de matériau diélectrique de chaque filtre de couleur sont toutes les deux convexes ou toutes les deux concaves. le profil courbe de la surface inférieure de la couche en matériau diélectrique d’au moins un filtre de couleur parmi le premier et le deuxième filtres de couleur est défini par l'équation suivante : et le profil courbe de la surface supérieure de ladite couche est défini par l'équation suivante : dans un repère (O,X,Y,Z) de l’espace, O étant l’origine de la surface inférieure de la première couche réfléchissante; Avec: hi l'épaisseur de la couche en matériau diélectrique dudit filtre, l'épaisseur, selon l'axe Y, de la première couche réfléchissante du filtre , Ry le rayon de courbure de la surface inférieure et de la surface supérieure de la couche en matériau diélectrique selon l'axe Y pour x=0, m et n respectivement un entier naturel et un entier naturel non nul, Avec f*Sx le rayon de courbure de la surface inférieure et de la surface supérieure de la couche en matériau diélectrique selon l'axe X, Sx étant la taille, selon l'axe X, du transducteur photoélectrique en regard du filtre et f une constante; le profil courbe de la surface inférieure de la couche en matériau diélectrique d’au moins un filtre de couleur parmi le premier et le deuxième filtres de couleur est défini par l'équation suivante : Et le profil courbe de la surface supérieure de ladite couche en matériau diélectrique du filtre de couleur est défini par l'équation suivante : Dans un repère (O,X,Y,Z) de l’espace, O étant l’origine de la surface inférieure de la première couche réfléchissante du filtre; Avec: hi l'épaisseur de la couche en matériau diélectrique dudit filtre, l'épaisseur, selon l'axe Y, de la première couche réfléchissante du filtre , R Z le rayon de courbure de la surface inférieure et de la surface supérieure de la couche en matériau diélectrique selon l'axe Z, m et n respectivement un entier naturel et un entier naturel non nul, Avec f*Sx le rayon de courbure de la surface inférieure et de la surface supérieure de la couche en matériau diélectrique selon l'axe X, étant la taille, selon l'axe X, du transducteur photoélectrique en regard du filtre et f une constante, Avec f*Sy le rayon de courbure de la surface inférieure et de la surface supérieure de la couche en matériau diélectrique selon l'axe Y, étant la taille, selon l'axe Y, du transducteur photoélectrique en regard du filtre. pour chaque filtre de couleur, lorsque les courbures de la surface inférieure et de la surface supérieure de la couche de matériau diélectrique sont toutes les deux convexes, la courbure de la surface supérieure et de la surface inférieure de la couche en matériau diélectrique est choisie de manière à focaliser l’onde électromagnétique sur le transducteur en regard dudit filtre . Cette caractéristique permet éventuellement de s’affranchir d’une microlentille, qui est habituellement utilisée en imagerie pour focaliser les ondes électromagnétiques reçues par un filtre vers le transducteur. Un deuxième aspect de l’invention concerne un procédé de fabrication d’une matrice de filtrage multispectral selon l’invention dans lequel l’épaisseur de la couche en matériau diélectrique du premier filtre de couleur est inférieure à l’épaisseur de la couche en matériau diélectrique du deuxième filtre de couleur et la réalisation du premier et du deuxième filtres de couleur comporte les étapes suivantes: Dépôt sur un substrat porteur d’une couche de résine ; Structuration de la couche de résine, pour obtenir un premier motif de résine définissant une première zone de motif et un deuxième motif de résine définissant une deuxième zone de motif, chaque motif de résine ayant une surface supérieure courbe, les première et deuxième zones de motif définissant une zone globale de motifs; Dépôt conforme d’une première couche réfléchissante sur la zone globale de motifs, formant les premières couches réfléchissantes du premier et deuxième filtres de couleurs ; Dépôt conforme d'une première couche en matériau diélectrique sur la zone globale de motifs, la première couche en matériau diélectrique ayant une épaisseur égale à l’épaisseur de la couche en matériau diélectrique de cavité de Fabry-Pérot du premier filtre ; Dépôt d'une couche de résine photosensible sur la zone globale de motifs ; Elimination, par photolithographie, de la partie de la couche de résine photosensible recouvrant la deuxième zone de motif, Dépôt conforme d'une deuxième couche en matériau diélectrique sur la deuxième zone de motif, l’épaisseur totale de la deuxième couche en matériau diélectrique et de la première couche en matériau diélectrique de la deuxième zone de motif étant égale à l’épaisseur de la couche en matériau diélectrique du deuxième filtre de couleur ; Retrait de la couche de résine photosensible, de sorte à libérer en surface la première couche en matériau diélectrique de la première zone de motif formant la couche en matériau diélectrique de cavité de Fabry-Pérot du premier filtre de couleur; Dépôt conforme d’une deuxième couche réfléchissante sur la zone globale de motifs, formant les première couche réfléchissante du premier et deuxième filtres de couleurs. Un troisième aspect de l’invention concerne un procédé de fabrication d’une matrice de filtrage multispectral selon l’invention dans lequel l’épaisseur de la couche en matériau diélectrique du premier filtre de couleur est supérieure à l’épaisseur de la couche en matériau diélectrique du deuxième filtre et la réalisation du premier et du deuxième filtres de couleur comporte les étapes suivantes: Dépôt sur un substrat porteur d’une couche de résine ; Structuration de la couche de résine pour obtenir un premier motif de résine définissant une première zone de motif et un deuxième motif de résine définissant une deuxième zone de motif, chaque motif de résine ayant une surface supérieure courbe, les première et deuxième zones de motif définissant une zone globale de motifs; Dépôt conforme d’une première couche réfléchissante sur la zone globale de motifs, formant les première couches réfléchissantes du premier et deuxième filtres de couleurs ; Dépôt conforme d'une première couche en matériau diélectrique sur la zone globale de motifs, la première couche en matériau diélectrique ayant une épaisseur égale à l’épaisseur de la couche en matériau diélectrique de cavité de Fabry-Pérot du premier filtre ; Dépôt d'une couche de résine photosensible sur la zone globale de motifs ; Elimination par photolithographie de la partie de la couche de résine photosensible recouvrant la deuxième zone de motif, Retrait d'une épaisseur de la couche en matériau diélectrique de la deuxième zone de motif pour obtenir l’épaisseur de la couche en matériau diélectrique du deuxième filtre ; Retrait de la couche de résine photosensible de sorte à libérer en surface la première couche en matériau diélectrique de la première zone de motif formant la couche en matériau diélectrique de cavité de Fabry-Pérot du premier filtre de couleur; Dépôt conforme d’une deuxième couche réfléchissante sur la zone globale de motifs, formant les première couche réfléchissante du premier et deuxième filtres de couleurs. Grâce aux deuxième et troisième aspects de l’invention, les étapes de lithographie et de gravure sont limitées par rapport à l’état de l’art, notamment lorsque plusieurs matériau diélectriques composent la cavité de Fabry-Pérot. Un quatrième aspect de l’invention concerne un procédé de fabrication d’une matrice de filtrage multispectral selon l’invention dans lequel l’épaisseur de la couche en matériau diélectrique du premier filtre de couleur est inférieure à l’épaisseur de la couche en matériau diélectrique du deuxième filtre et la réalisation du premier et du deuxième filtres de couleur comporte les étapes suivantes : Dépôt sur un substrat porteur d’une couche de résine ; Structuration de la couche de résine pour obtenir un premier motif de résine définissant une première zone de motif et un deuxième motif de résine définissant une deuxième zone de motif, chaque motif de résine ayant une surface supérieure courbe, les première et deuxième zones de motif définissant une zone globale de motifs; Dépôt conforme d’une première couche réfléchissante sur la zone globale de motifs, formant les première couche réfléchissante du premier et deuxième filtres de couleurs ; Dépôt d’une couche en matériau diélectrique sur la zone globale de motifs, ladite couche de matériau diélectrique présentant une surface supérieure sensiblement plane ; Dépôt d'une deuxième couche de résine sur la zone globale de motifs ; Structuration de la deuxième couche de résine, pour obtenir un premier et deuxième motifs de résine de la deuxième couche de résine respectivement dans la première et deuxième zone de motif, chaque motif de résine de la deuxième couche de résine ayant une surface supérieure courbe ; Transfert du premier et deuxième motifs de résine de la deuxième couche de résine dans la couche en matériau diélectrique pour obtenir la couche en matériau diélectrique du premier filtre dans la première zone de motif et la couche en matériau diélectrique du deuxième filtre dans la deuxième zone de motif ; Dépôt conforme d’une deuxième couche réfléchissante sur la zone globale de motifs, formant les première couche réfléchissante du premier et deuxième filtres de couleurs. Grâce au quatrième aspect de l’invention, les différentes épaisseurs des couches en matériau diélectrique des filtres sont obtenues en une unique étape de gravure. Outre les caractéristiques qui viennent d’être évoquées dans le paragraphe précédent, le procédé selon un deuxième, troisième et quatrième aspects de l’invention peut présenter une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : l’étape de structuration de résine est réalisée en trois dimensions. l’étape de structuration de résine est réalisée par une lithographie Grayscale. La lithographie grayscale permet d’obtenir une forme non nécessairement plane des motifs de résine et permet de façonner la résine selon différentes formes courbes par exemple. L’invention et ses différentes applications seront mieux comprises à la lecture de la description qui suit et à l’examen des figures qui l’accompagnent. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les figures sont présentées à titre indicatif et nullement limitatif de l’invention. La est une représentation de réponse spectrale d’un filtre de cavité de Fabry-Pérot de l’état de l’art, en fonction de l’angle d’incidence d’une onde électromagnétique incidente. La est un schéma d’une matrice, selon l’invention, de deux éléments optoélectroniques comprenant respectivement deux filtres de couleur différents . La présente la réponse spectrale d’un premier filtre de couleur, pour différents angles d’incidence d’une onde électromagnétique incidente sur le premier filtre de la . La présente la réponse spectrale d’un deuxième filtre de couleur, différent du premier filtre, pour différents angles d’incidence d’une onde électromagnétique incidente sur le deuxième filtre de la . La est un schéma détaillé d’un élément optoélectronique de la matrice selon le premier aspect de l’invention. La est un schéma synoptique d’un procédé de fabrication de la matrice et en particulier des filtres de couleur selon un deuxième aspect de l’invention. Les , , , , , , , , , illustrent les étapes du procédé de la selon le deuxième aspect de l’invention, La est un schéma synoptique d’un procédé de fabrication de la matrice et en particulier des filtres de couleur selon un troisième aspect de l’invention. La illustre une étape du procédé selon le troisième aspect de l’invention. La est un schéma synoptique d’un procédé de fabrication de la matrice et en particulier des filtres de couleur selon quatrième aspect de l’invention. Les , , , illustrent des étapes du procédé de la selon le quatrième aspect de l’invention. DESCRIPTION DETAILLEE Les figures sont présentées à titre indicatif et nullement limitatif de l’invention. Il convient de rappeler au préalable que, de façon générale et bien connue de l’homme du métier, un filtre de couleur de type métal/diélectrique réalisé à partir d’une cavité de Fabry-Pérot est obtenu en dimensionnant l‘épaisseur de la couche diélectrique formée entre les deux couches métalliques. Si le filtrage de plusieurs couleurs est recherché sur un même composant, il est alors nécessaire d’être en mesure d’obtenir une épaisseur de diélectrique d’épaisseur variable sur ce même composant. Ce dimensionnement est par exemple réalisé à l’aide d’un programme de calcul électromagnétique tel que le formalisme de transfert de matrices d’Abeles ou un calcul de diffraction pour les pixels dont la taille est proche de la longueur d’onde tel que le formalisme de la Méthode Modale par Expansion de Fourier ou l’analyse rigoureuse par ondes couplées (RCWA selon la terminologie anglaise). Ces programmes de calcul permettent de déterminer les paramètres optimaux des empilements métal diélectrique pour chaque pixel. Le calcul prend notamment en compte les épaisseurs des couches de métal et de diélectrique ainsi que leurs indices, le spectre et la distribution angulaire de la lumière incidente. Par exemple, dans le cas des filtres de Fabry-Pérot, la longueur d’onde centrale du filtre est déterminée approximativement par la formule suivante : où h est l’épaisseur de la cavité, c’est-à-dire approximativement l’épaisseur de la couche diélectrique m, nombre entier positif entre 1 et 10, est l’ordre de la cavité, n est l’indice effectif de la cavité, et Φ1 et Φ2 sont les déphasages à la réflexion sur les miroirs métalliques (déterminés par la nature des matériaux en jeu et la longueur d’onde considérée), θ est l’angle d’incidence de la lumière incidente sur le filtre (compté à partir de la perpendiculaire à la surface du filtre). Une fois l’ordre de la cavité choisi, l’angle d’attaque connu, l’indice et les déphasages connus, il ne reste plus alors qu’à déterminer une épaisseur approximative h pour que la cavité soit centrée sur une longueur d’onde particulière. Une fois la fonction de filtrage calculée pour chaque filtre et chaque longueur d’onde, les épaisseurs h des diélectriques sont alors ajustées en fonction des performances recherchées (recherche d’un bon rapport signal sur bruit, d’un maximum de transmission, etc.). Une autre méthode plus empirique consiste à calculer, pour plusieurs épaisseurs h, la réponse de l’empilement et à choisir h tel que le pic de résonance du filtre (λres) soit positionné conformément au cahier des charges. Un premier aspect de l’invention concerne une matrice de filtrage multispectral, pour au moins une onde électromagnétique. L’onde électromagnétique reçue par la matrice peut comprendre des longueurs d’ondes dans le domaine visible, infrarouge (proche, moyen ou lointain) ou micro-ondes. Dans la suite, on confondra les termes « Matrice de filtrage multispectral » et « Matrice ». La matrice comprend au moins deux éléments optoélectroniques. La est un exemple de matrice 10 de deux éléments optoélectroniques (E 1 , E2) comprenant chacun un filtre de couleur F i et un transducteur T i en regard dudit filtre F i de couleur. On confondra les termes « filtre de couleur » et « filtre » dans la suite de la rédaction. On entend par filtre de couleur F i , un filtre transmettant uniquement ladite couleur lorsqu’il reçoit une onde électromagnétique. Chaque filtre F i comprend une première couche réfléchissante C r1i , une deuxième couche réfléchissante C r2i et une couche en matériau diélectrique C FP i entre les deux couches réfléchissantes (C r1i , C r 2 i ) . On confondra les termes « couche en matériau diélectrique de cavité de Fabry-Pérot », « couche en matériau diélectrique » et « couche en diélectrique » dans la suite de la rédaction. Selon l’invention, les épaisseurs (h 1 ,h 2 ) des deux couches en matériau diélectrique C FP i des deux filtres (F 1, F 2 ) sont différentes. Ainsi, lorsque chaque filtre F i reçoit une onde incidente électromagnétique, celui-ci transmet une longueur d’onde dépendant de l’épaisseur h i de sa couche en diélectrique C FP i d’après la formule citée précédemment : Dans l’exemple de la , l’épaisseur h 1 de la couche diélectrique C FP 1 du premier filtre F 1 est supérieure de l’épaisseur h 2 de la couche diélectrique C FP 2 du deuxième filtre F 2. La est une représentation des réponses spectrale du premier filtre F 1 pour une épaisseur h 1 de la couche de diélectrique à C FP 1 égale à 100 nm et pour plusieurs angles d’incidences θ d’une onde électromagnétique incidente. On remarque ainsi que pour un angle d’incidence θ égal à 0°, 20° et 40°, les réponses spectrales du premier filtre F 1 sont sensiblement identiques et ne dépendent donc pas de l’angle d’incidence de l’onde. La est une représentation des réponses spectrale du deuxième filtre F 2 pour une épaisseur h 2 de la couche de diélectrique à C FP 1 égale à 120 nm et pour plusieurs angles d’incidences θ d’une onde électromagnétique incidente. On remarque ainsi que pour un angle d’incidence θ égal à 0°, 20° et 40°, les réponses spectrales du deuxième filtre F 2 sont également sensiblement identiques et ne dépendent donc pas de l’angle d’incidence de l’onde. On remarque dans les et que les deux longueurs d’ondes transmise par le premier filtre F 1 et le deuxième filtre F 2 , respectivement, sont bien différentes, au vu des deux épaisseurs (h 1, h 2 ) différentes des deux couches en diélectrique (C FP 1, C FP 1 ) des deux filtres . Lorsque la matrice 10 comprend au moins trois éléments optoélectroniques E i , au moins deux éléments optoélectronique E i comprennent respectivement deux filtres F i différents. Le troisième élément optoélectronique E 3 peut comprendre un filtre F 3 identique à l’un des deux autres filtres F i des deux autres éléments optoélectroniques E i ou un filtre F 3 différent des deux éléments optoélectroniques. On entend par « deux filtres différents », deux filtres ayant deux épaisseurs de couche de diélectrique respectives différentes. On entend par « deux filtres identiques », deux filtres ayant deux épaisseurs de couche de diélectrique respectives identiques. Par exemple, une matrice 10 de type RGB peut comprendre 50% de filtres de couleur verte, 25% de filtres de couleur rouge et 25% de filtres de couleur bleue. Selon un mode de réalisation non représenté la matrice 10 comprend un nombre C x L d’éléments optoélectroniques E i , C représentant le nombre de colonnes de la matrice 10 et L représentant le nombre de lignes de la matrice 10. L et C sont deux entiers naturels strictement supérieurs à 0. Au moins l’un des entiers naturels L ou C est supérieur ou égal à 2. La structure de chaque élément optoélectronique E i est représentée en détail dans la . Chaque élément optoélectronique E i est un pixel. Chaque élément optoélectronique E i peut comprendre, en plus du filtre F i et du transducteur T i , un substrat porteur S i sur lequel sont réalisé les différentes couches. Chaque couche réfléchissante (Cr 1i ,Cr 2 i ) de chaque filtre F i est de préférence en métal et a une fonction de miroir métallique. Le métal est par exemple l’argent. Les surfaces supérieure S1 sup_i et inférieure S1 inf_i de la première couche réfléchissante Cr 1 i de chaque filtre F i sont courbes. Les surfaces supérieure S2 sup_i et inférieure S2 inf_i de la deuxième couche réfléchissante Cr 2i de chaque filtre F i sont également courbes. Pour chaque filtre F i , chaque couche en matériau diélectrique C FPi comporte une surface inférieure au contact S inf _ i de la première couche réfléchissante Cr 1i et une surface supérieure S sup _ i au contact de la deuxième couche réfléchissante Cr 2 i . Ici, la surface inférieure S inf _ i de la couche en diélectrique C FPi est au contact de la surface supérieure S1 sup_i de la première couche réfléchissante Cr 1i . Le rayon de courbure de la surface supérieure S1 sup_i de la première couche réfléchissante Cr 1i est égal au rayon de courbure de la surface inférieure S inf _ i de la couche en matériau diélectrique C FPi . De même, la surface supérieure S sup _ i de la couche en diélectrique C FPi est au contact de la surface inférieure S2 inf _i de la deuxième couche réfléchissante Cr 2 i . Le rayon de courbure de la surface supérieure S2 inf_i de la deuxième couche réfléchissante Cr 2 i est égal au rayon de courbure de la surface supérieure de la couche en matériau diélectrique C FPi . Pour chaque filtre de couleur F i , les courbures de la surface inférieure S inf _ i et de la surface supérieure S sup _ i de la couche de matériau diélectrique C FPi sont toutes les deux convexes. Dans ce mode de réalisation, les courbures de la surface inférieure S1 inf _ i et de la surface supérieure S1 sup _ i de la première couche réfléchissante Cr 1 i et les courbures de la surface inférieure S2 inf _ i et de la surface supérieure S2 sup _ i de la deuxième couche réfléchissante Cr 2i sont tous les quatre convexes. Lorsque les surfaces supérieures S2 sup _ i et inférieures S2 inf _ i de la deuxième couche réfléchissante C r 2 i d’un filtre F i sont convexes, le filtre F i permet de focaliser l’onde électromagnétique sur le transducteur T i en regard dudit filtre F i , contrairement à un filtre classique de l’état de l’art qui nécessite une microlentille au-dessus des cavités de Fabry-Pérot afin de focaliser une onde incidente. De préférence, le rayon de courbure de la surface inférieure S inf _ i et de la surface supérieure S sup _ i de la couche en matériau diélectrique C FPi de chaque filtre de couleur F i est strictement supérieur à 300 nm. Le matériau diélectrique de la couche en matériau diélectrique C FPi de chaque filtre de couleur F i est préférentiellement mais non limitativement un matériau transparent dans le domaine du visible tel qu’un matériau organique du type polymère photosensible modelé puis durci, ou un matériau ou inorganique (oxyde, nitrure de silicium, alumine, …). Il convient de noter que l’invention ne se limite pas au domaine du visible et que d’autres matériaux transparents à d’autres longueurs d’onde, dans l’infrarouge par exemple (par exemple en utilisant du silicium), peuvent être utilisés. Chaque filtre F i se comporte comme un matériau dont l'indice de réfraction constant est de 1,46, ce qui est proche de l'indice de réfraction du SiO 2 qui vaut 1.47 dans le spectre visible. L’épaisseur h i de la couche en matériau diélectrique C FPi de chaque filtre de couleur F i est de préférence constante tout le long de ladite couche C FPi . En d’autres termes, le rayon de courbure de la surface supérieure S sup _ i et le rayon de courbure de la surface inférieure S inf _ i de la couche en matériau diélectrique C FPi sont identiques. Dans le cas des figures 3a et 3b, l’épaisseur h i d’une couche en diélectrique C FPi de chaque filtre F i est respectivement égale à 100nm et 120nm. Selon un autre mode de réalisation, chaque filtre F i de couleur a une épaisseur h diel_i (x,y) dépendant de la position x sur l'axe X et de la position y sur l'axe Y. Selon un mode de réalisation, le profil courbe de la surface inférieure S inf _ i de la couche en diélectrique C FPi d’au moins un filtre F i est défini par l’équation suivante dans un repère (O,X,Y) d'un repère (O,X,Y,Z) de l'espace, avec O l'origine de la surface inférieure de la première couche réfléchissante S1 inf _ i : . Et le profil courbe de la surface supérieure S sup _ i de la couche en matériau diélectrique C FP est défini par l’équation suivante : est l'épaisseur de la première couche réfléchissante C r1i dudit filtre F i . est l'épaisseur de la couche en matériau diélectrique C FPi dudit filtre F , selon l'axe Y de préférence. R y est le rayon de courbure de la surface inférieure selon l'axe Y pour x=0. m et n sont respectivement un entier naturel et un entier naturel non nul. Par exemple, m = 1.8 et n = 0.8. Le terme f*Sx est le rayon de courbure de la surface inférieure S inf_i et de la surface supérieure S sup_i de la couche en matériau diélectrique C FPi selon l'axe X. S x est la taille, selon l'axe X, de l’élément optoélectronique E i . S x est un réel positif, par exemple égal à 2000 nm ou 5000nm. f est une constante qui définit le rayon de courbure de la surface inférieure S inf_i et de la surface supérieure S sup_i de la couche en matériau diélectrique C FPi selon l'axe X. De préférence, la constante f est comprise entre 0.4 et 1. Par exemple, f vaut 0.5. Selon un autre mode de réalisation d’un filtre en trois dimensions, le profil courbe de la surface inférieure S inf _ i de la couche en diélectrique C FPi d’au moins un filtre Fi est défini par l’équation suivante : Le profil courbe de la surface supérieure S sup _ i de la couche en diélectrique C FPi est défini par l’équation suivante : . R Z est le rayon de courbure de la surface inférieure selon l'axe Z. S y est la taille, selon l'axe Y, de l’élément . S Z est un réel positif. f est une constante qui définit le rayon de courbure de la surface inférieure S inf_i et de la surface supérieure S sup_i selon l'axe X et selon l'axe Y. De préférence, f est compris entre 0.4 et 1. Par exemple, f vaut 0.5. Le terme f*Sx est le rayon de courbure de la surface inférieure S inf_i et de la surface supérieure S sup_i de la couche en matériau diélectrique C PFi selon l'axe X. Le terme f*Sy est le rayon de courbure de la surface inférieure S inf_i et de la surface supérieure S sup_i de la couche en matériau diélectrique C PFi selon l'axe Y. k est un entier naturel non nul. Les transducteurs photoélectriques T i peuvent fonctionner soit en tant que collecteur de la lumière issue des filtres soit en tant qu’émetteur de lumière vers les filtres. S’il s’agit de collecteurs, les transducteurs peuvent être par exemple des photodiodes de type CMOS. S’il s’agit d’émetteurs, les transducteurs peuvent être par exemple des diodes LED, des diodes de type QLED ou des diodes LASER, les émetteurs présentant dans ce cas un spectre d’émission plus large que celui des cavités de Fabry-Pérot correspondantes. Un deuxième aspect de l’invention concerne un procédé 200a de fabrication d’une matrice 10 de filtrage multispectral dans lequel l’épaisseur h 1 de la couche en matériau diélectrique C FP1 du premier filtre F 1 de couleur est inférieure à l’épaisseur h 2 de la couche en matériau diélectrique C FP2 du deuxième filtre F 2 . La figure est un schéma synoptique du procédé 200a de fabrication de la matrice 10 de filtrage multispectral selon le deuxième aspect de l’invention et en particulier des étapes de réalisation du premier F 1 et du deuxième F 2 filtres de couleur. La première étape 201 du procédé 200a selon le deuxième aspect de l’invention, illustrée en , consiste à déposer une couche de résine 301 sur un substrat porteur 300 . Le substrat porteur 300 peut par exemple être un substrat en Si, un substrat Silicium sur Isolant SOI (pour « Silicon On Insulator » selon la terminologie anglaise) ou un substrat en verre ou en saphir. La deuxième étape 202 du procédé 200a, illustrée en , consiste à structurer, la couche de résine 301 pour obtenir au moins un premier motif M 1 de résine définissant une première zone Z 1 de motif et un deuxième motif M 2 de résine définissant une deuxième zone de motifs Z 2 . Chaque motif M i de résine a une surface supérieure courbe. La première Z 1 et deuxième Z 2 zone de motif définissent une zone Z globale de motifs. La structuration est réalisée par exemple en deux dimensions ou de préférence en trois dimensions. La structuration de résine peut être réalisée par une méthode de lithographie. Cette lithographie peut être préférentiellement une lithographie en niveaux de gris (ou Grayscale selon la terminologie anglaise) électronique ou optique (suivie d’une stabilisation de la résine Grayscale par procédé thermique ou ultraviolet). D’autres techniques de lithographie telles que la lithographie à deux photons ou par nano-impression peuvent également être utilisées pour la réalisation de la structure en résine. Il est possible de fixer librement les dimensions et la courbure de la surface supérieure de chaque motif de résine dans les trois directions de l’espace (O,X,Y,Z) . La troisième étape 203 du procédé 200a selon le deuxième aspect de l’invention, illustrée en , consiste à déposer, de façon conforme, une première couche réfléchissante 302 sur la zone globale de motifs Z. La première couche réfléchissante 302 recouvre entièrement les premier M 1 et deuxième M 2 motifs de résine et forme la première couche réfléchissante Cr 1i de chaque filtre F i de couleur. Chaque couche réfléchissante est de préférence déposée en continu sur le premier M 1 et deuxième M 2 motifs de résine par dépôt chimique par phase vapeur assisté par plasma PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition en anglais), par dépôt physique par vapeur PVD (Physical Vapor Deposition), par dépôt par ablation laser pulsé PLD (Pulsed Laser Deposition) ou par dépôt de couches minces atomiques ALD (atomic layers deposition) par exemple. La quatrième étape 204 du procédé 200a selon le deuxième aspect de l’invention, illustrée en , consiste à déposer, de façon conforme, une première couche 303 en matériau diélectrique sur la zone globale de motifs Z . La première couche 303 en matériau diélectrique est de préférence déposée en continu selon les méthodes de dépôt conforme citées précédemment et recouvre entièrement, indirectement, le premier M 1 et deuxième M 2 motifs de résine. La première couche 303 en matériau diélectrique a une épaisseur égale à l’épaisseur h 1 de la couche en matériau diélectrique C FP1 de cavité de Fabry-Pérot du premier filtre F 1 . La cinquième étape 205 du procédé 200a selon le deuxième aspect de l’invention, illustrée en , consiste à déposer une couche de résine telle qu’une résine photosensible 304 sur la zone globale de motifs Z. La résine photosensible est de préférence un polymère photosensible. Le procédé 200a selon le deuxième aspect de l’invention peut comprendre une sixième étape 206,illustrée en , consistant à utiliser masque 305 pour exposer la partie de la couche de résine photosensible 304 recouvrant la deuxième zone Z 2 de motif de sorte que la partie de la couche de résine exposée puisse ensuite être gravées sélectivement. La septième étape 207 du procédé 200a selon le deuxième aspect de l’invention, illustrée en , consiste à éliminer la partie de la couche de résine photosensible 304 recouvrant la deuxième zone Z 2 de motif. La huitième étape 208 du procédé 200a selon le deuxième aspect de l’invention, illustrée en , consiste à déposer une deuxième couche 306 en matériau diélectrique sur la deuxième zone Z 2 de motifs, pour former avec la partie de la première couche 303 de la deuxième zone Z 2 de motifs, la couche en matériau diélectrique C FP 2 de cavité de Fabry-Pérot du deuxième filtre de couleur F 2 . Ainsi, l’épaisseur totale de la deuxième couche 306 en matériau diélectrique et de la première couche 303 en matériau diélectrique de la deuxième zone Z 2 de motifs est égale à l’épaisseur h 2 de la couche en matériau diélectrique C FP2 du deuxième filtre F 2 . La neuvième étape 209 du procédé 200a selon le deuxième aspect de l’invention, illustrée en , consiste à retirer la couche de résine photosensible non éliminée à la septième étape 207, de sorte à libérer en surface la couche en matériau diélectrique C FP 1 de cavité de Fabry-Pérot du premier filtre F 1 . La dixième étape 210 du procédé 200a selon le deuxième aspect de l’invention, illustrée en , consiste à déposer une deuxième couche réfléchissante 307 sur la zone globale Z de motifs pour former respectivement la deuxième couche réfléchissante C FP 2 du premier F 1 et deuxième F 2 filtres de couleur. Un troisième aspect de l’invention concerne un procédé 200b de fabrication d’une matrice 10 de filtrage multispectral dans lequel l’épaisseur h 1 de la couche en matériau diélectrique C FP1 du premier filtre F 1 de couleur est supérieure à l’épaisseur h 2 de la couche en matériau diélectrique C FP2 du deuxième filtre F 2 . La figure est un schéma synoptique du procédé 200b de fabrication de la matrice 10 de filtrage multispectral selon le troisième aspect de l’invention et en particulier les étapes de réalisation du premier F 1 et du deuxième filtres F 2 de couleur. Le procédé 200b selon le troisième aspect de l’invention comprend des première 201, deuxième 202, troisième 203, quatrième 204, cinquième 205, sixième 206 et septième 207 étapes identiques aux étapes du procédé 200a selon le deuxième aspect de l’invention. La huitième 208b étape du procédé selon le troisième aspect de l’invention, illustrée en , consiste à retirer une épaisseur de la première couche 303 en matériau diélectrique de la deuxième zone Z 2 pour obtenir l’épaisseur h 2 de la couche en matériau diélectrique C FP 2 de cavité de Fabry-Pérot du deuxième filtre F 2 . Le procédé 200b selon le troisième aspect de l’invention comprend ensuite les neuvième 209 et dixième 210 étapes identiques à celles du procédé 200a selon le deuxième aspect de l’invention. Un quatrième aspect de l’invention concerne un procédé 200c de fabrication de la matrice 10 de filtrage multispectral dans lequel l’épaisseur h 1 de la couche en matériau diélectrique C FP1 du premier filtre F 1 de couleur est inférieure à l’épaisseur h 2 de la couche en matériau diélectrique C FP2 du deuxième filtre F 2 . La figure est un schéma synoptique d’un procédé de fabrication de la matrice 10 de filtrage multispectral selon un quatrième aspect de l’invention et en particulier les étapes de réalisation du premier F 1 et du deuxième F 2 filtres de couleur. Le procédé 200c selon le quatrième aspect de l’invention comprend les première 201, deuxième 202 et troisième 203 étapes identiques à celles illustrées pour le procédé 200a selon le deuxième aspect de l’invention. La quatrième étape 204c du procédé selon le quatrième aspect de l’invention, illustrée en , consiste à déposer une couche 308 en matériau diélectrique sur la zone globale de motifs, ladite couche 308 présentant une surface supérieure plane. La cinquième étape 205c du procédé 200c selon le quatrième aspect de l’invention, illustrée en , consiste à déposer une deuxième couche 309 de résine sur la zone globale Z de motifs. La sixième étape 206c du procédé 200c selon le quatrième aspect de l’invention, illustrée en , consiste à structurer, de préférence en trois dimensions, la deuxième couche de résine 309, pour obtenir un premier M’ 1 motif dans la première zone Z 1 de motif et un deuxième M’ 2 motif dans la deuxième zone Z 2 de motif. La structuration de résine est réalisée selon les mêmes méthodes que celles citées à la deuxième étape du procédé 200a selon le deuxième aspect de l’invention. Chaque motif de résine M’ i de la deuxième couche de résine 309 a une surface supérieure courbe. Les hauteurs moyennes des deux motifs en résine M’ 1 , M’ 2 de la deuxième couche de résine 309, relativement à la surface plane de la couche 308 en matériau diélectrique, sont différentes. La hauteur du premier motif M’ 1 de la deuxième couche de résine 309 est inférieure à la hauteur du deuxième motif M’ 2 de la deuxième couche de résine 309. La septième étape 207c du procédé 200c selon le quatrième aspect de l’invention, illustrée en , consiste à transférer le premier M’ 1 et deuxième M’ 2 motifs de résine de la deuxième couche de résine 309 dans la couche en matériau diélectrique 308, pour d’obtenir la couche en matériau diélectrique C FP1 du premier filtre F 1 dans la première zone de motif et la couche en matériau diélectrique C FP2 du deuxième filtre F 2 dans la deuxième zone Z 2 de motif. Le transfert de motif est réalisé de préférence par gravure, de manière non sélective et à vitesse constante. Le procédé 200c selon le quatrième aspect de l’invention comprend en outre la dixième 210 étape du procédé 200a selon le deuxième aspect de l’invention. Matrice (10) de filtrage multispectral pour une onde électromagnétique, la matrice comportant au moins un premier (E 1 ) et un deuxième éléments optoélectroniques (E 2 ), chaque élément optoélectronique (E i ) comprenant un filtre de couleur (F i ) et un transducteur photoélectrique (T i ) en regard dudit filtre (F i ), chaque filtre de couleur (F i ) formant une cavité Fabry-Pérot comportant une première couche réfléchissante (Cr 1i ), une deuxième couche réfléchissante (Cr 2i ) et une couche en matériau diélectrique (C FPi ) de cavité de Fabry-Pérot entre la première couche réfléchissante (Cr 1i ) et la deuxième couche réfléchissante (Cr 2i ), la couche de matériau diélectrique (C FPi ) comportant : une surface inférieure (S inf _ i ), au contact de la première couche réfléchissante (Cr 1i ); la surface inférieure (S inf _ i ) étant courbe; Une surface supérieure (S sup _ i ) au contact de la deuxième couche réfléchissante (Cr 1i ), la surface supérieure (S sup _ i ) étant courbe; les épaisseurs des deux couches en matériau diélectrique des deux filtres de couleur étant différentes. Matrice (10) de filtrage multispectral selon la revendication précédente caractérisée en ce que, pour chaque filtre de couleur (F i ): La première couche réfléchissante (Cr 1i ) présente une surface inférieure courbe (S1 inf_i ), et une surface supérieure courbe (S1 sup_i ), de même rayon de courbure, la surface supérieure de la première couche réfléchissante (S1 sup_i ) étant au contact de la surface inférieure (S inf _ i ) de la couche en matériau diélectrique (C FPi ); La deuxième couche réfléchissante (Cr 2i ) présente une surface inférieure (S2 inf_i ) courbe, et une surface supérieure courbe (S2 sup_i ), de même rayon de courbure, la surface inférieure (S2 inf_i ) de la deuxième couche réfléchissante étant au contact de la surface supérieure (S sup _ i ) de la couche en matériau diélectrique (C FPi ). Matrice (10) de filtrage multispectral selon l’une quelconque des revendications précédentes caractérisée en ce que les rayons de courbure de la surface inférieure (S inf _ i ) et de la surface supérieure (S sup _ i ) de la couche de matériau diélectrique (C FPi ) de chaque filtre de couleur (F i ) sont strictement supérieurs à 300 nm. Matrice (10) selon l’une quelconque des revendications précédentes caractérisée en ce que, pour chaque filtre de couleur (F i ), les courbures de la surface inférieure (S inf _ i ) et de la surface supérieure (S sup _ i ) de la couche de matériau diélectrique (C FPi ) de chaque filtre de couleur (F i ) sont toutes les deux convexes ou toutes les deux concaves. Matrice (10) selon l’une quelconque des revendications précédentes caractérisée en ce que le profil courbe de la surface inférieure (S sup _ i ) de la couche en matériau diélectrique (C FPi ) d’au moins un filtre (F i ) de couleur parmi le premier (F 1 ) et le deuxième (F 2 ) filtres de couleur est défini par l'équation suivante : et en ce que le profil courbe de la surface supérieure (S inf_i ) de ladite couche est défini par l'équation suivante : Dans un repère (O,X,Y,Z) de l’espace, O étant l’origine de la surface inférieure de la première couche réfléchissante (S1 inf_i ) du filtre F i ; Avec: hi l'épaisseur de la couche en matériau diélectrique (C FPi ) dudit filtre (Fi), l'épaisseur, selon l'axe Y, de la première couche réfléchissante (C r1i ) du filtre (F i ) , R y le rayon de courbure de la surface inférieure (S inf _ i ) et de la surface supérieure (S sup _ i ) de la couche en matériau diélectrique (C FPi ) selon l'axe Y pour x=0, m et n respectivement un entier naturel et un entier naturel non nul, Avec f*Sx le rayon de courbure de la surface inférieure (S inf _ i ) et de la surface supérieure (S sup _ i ) selon l'axe X, étant la taille, selon l'axe X, du transducteur photoélectrique (Ti) en regard du filtre (Fi) et f une constante. Matrice (10) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4 caractérisée en ce que le profil courbe de la surface inférieure (S sup _ i ) de la couche en matériau diélectrique (C FPi ) d’au moins un filtre (F i ) de couleur parmi le premier (F 1 ) et le deuxième (F 2 ) filtres de couleur est défini par l'équation suivante : et en ce que le profil courbe de la surface supérieure (S inf_i ) de ladite couche est défini par l'équation suivante : Dans un repère (O,X,Y,Z) de l’espace, O étant l’origine de la surface inférieure de la première couche réfléchissante (S1 inf_i ) du filtre Fi ; Avec: hi l'épaisseur de la couche en matériau diélectrique (C FPi ) dudit filtre (Fi), l'épaisseur, selon l'axe Y, de la première couche réfléchissante (C r1i ) du filtre (F i ) , R Z est le rayon de courbure de la surface inférieure (S inf _ i ) et de la surface supérieure (S sup _ i ) de la couche en matériau diélectrique (C FPi ) selon l'axe Z, m et n respectivement un entier naturel et un entier naturel non nul, Avec f*Sx le rayon de courbure de la surface inférieure (S inf _ i ) et de la surface supérieure (S sup _ i ) de la couche en matériau diélectrique (C FPi ) selon l'axe X, étant la taille, selon l'axe X, du transducteur photoélectrique (Ti) en regard du filtre (Fi) et f une constante, Avec f*Sy le rayon de courbure de la surface inférieure (S inf _ i ) et de la surface supérieure (S sup _ i ) de la couche en matériau diélectrique (C FPi ) selon l'axe Y, étant la taille, selon l'axe Y, du transducteur photoélectrique (Ti) en regard du filtre (Fi). Matrice (10) selon l’une des revendications précédentes caractérisée en ce que, pour chaque filtre de couleur (F i ), les courbures de la surface inférieure (S inf _ i ) et de la surface supérieure (S sup _ i ) de la couche de matériau diélectrique (C FPi ) sont toutes les deux convexes, la courbure de la surface supérieure (S sup _ i ) et de la surface inférieure (S inf _ i ) de la couche en matériau diélectrique (C FPi ) étant choisie de manière à focaliser l’onde électromagnétique sur le transducteur (T i ) en regard dudit filtre (F i ). Procédé (200a) de fabrication d’une matrice (10) de filtrage multispectral selon l’une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que l’épaisseur (h 1 ) de la couche en matériau diélectrique (C FP1 ) du premier filtre (F 1 ) de couleur est inférieure à l’épaisseur (h 2 ) de la couche en matériau diélectrique (C FP2 ) du deuxième filtre (F 2 ) de couleur et la réalisation du premier (F 1 ) et du deuxième (F 2 ) filtres de couleur comporte les étapes suivantes: Dépôt (201) sur un substrat porteur (300), d’une couche de résine (301); Structuration (202) de la couche de résine (301), pour obtenir un premier (M 1 ) motif de résine définissant une première zone (Z 1 ) de motif et un deuxième (M 2 ) motif de résine définissant une deuxième zone (Z 2 ) de motif, chaque motif de résine (Mi) ayant une surface supérieure courbe, les première et deuxième zones de motif définissant une zone globale (Z) de motifs; Dépôt conforme (203) d’une première couche réfléchissante (302) sur la zone globale de motifs, formant les première couche réfléchissante (Cr 1i , Cr 2i ) du premier (F 1 ) et deuxième (F 2 ) filtres de couleurs ; Dépôt conforme (204) d'une première couche (303) en matériau diélectrique sur la zone globale de motifs, la première couche en matériau diélectrique (303) ayant une épaisseur égale à l’épaisseur (h 1 ) de la couche en matériau diélectrique (C FP1 ) de cavité de Fabry-Pérot du premier filtre (F 1 ) ; Dépôt (205) d'une couche de résine photosensible (304) sur la zone globale de motifs ; Elimination (207), par photolithographie, de la partie de la couche de résine photosensible (304) recouvrant la deuxième zone (Z 2 ) de motif, Dépôt (208) conforme d'une deuxième couche (306) en matériau diélectrique sur la deuxième zone (Z 2 ) de motif, l’épaisseur totale de la deuxième couche (306) en matériau diélectrique et de la première couche (303) en matériau diélectrique de la deuxième zone (Z 2 ) de motif étant égale à l’épaisseur (h 2 ) de la couche en matériau diélectrique (C FP2 ) du deuxième filtre (F 2 ) de couleur ; Retrait (209) de la couche de résine photosensible, de sorte à libérer en surface la première couche en matériau diélectrique de la première zone de motif formant la couche en matériau diélectrique (C FP1 ) de cavité de Fabry-Pérot du premier filtre (F 1 ) de couleur; Dépôt conforme (210) d’une deuxième couche réfléchissante (307) sur la zone globale (Z) de motifs, formant les couche réfléchissante (Cr 1i , Cr 2i ) du premier (F 1 ) et deuxième (F 2 ) filtres de couleurs ; Procédé (200b) de fabrication d’une matrice (10) de filtrage multispectral selon l’une quelconque des revendications 1 à 7 caractérisé en ce que l’épaisseur (h 1 ) de la couche en matériau diélectrique (C FP1 ) du premier filtre (F 1 ) de couleur est supérieure à l’épaisseur (h 2 ) de la couche en matériau diélectrique (C FP2 ) du deuxième filtre (F 2 ) de couleur et la réalisation du premier (F 1 ) et du deuxième (F 2 ) filtres de couleur comporte les étapes suivantes: Dépôt (201) sur un substrat porteur (300), d’une couche de résine (301); Structuration (202) de la couche de résine (301), pour obtenir un premier (M 1 ) motif de résine définissant une première zone (Z 1 ) de motif et un deuxième (M 2 ) motif de résine définissant une deuxième zone (Z 2 ) de motif, chaque motif de résine (Mi) ayant une surface supérieure courbe, les première et deuxième zones de motif définissant une zone (Z) globale de motifs; Dépôt conforme (203) d’une première couche réfléchissante (302) sur la zone globale de motifs, formant les première couche réfléchissante (Cr 1i , Cr 2i ) du premier (F 1 ) et deuxième (F 2 ) filtres de couleurs ; Dépôt conforme (204) d'une première couche (303) en matériau diélectrique sur la zone globale de motifs, la première couche en matériau diélectrique (303) ayant une épaisseur égale à l’épaisseur (h 1 ) de la couche en matériau diélectrique (C FP1 ) de cavité de Fabry-Pérot du premier filtre (F 1 ) ; Dépôt (205) d'une couche de résine photosensible (304) sur la zone globale de motifs (Z); Elimination (207), par photolithographie, de la partie de la couche de résine photosensible (304) recouvrant la deuxième zone (Z 2 ) de motif, Retrait (208b) d'une épaisseur de la couche en matériau diélectrique de la deuxième zone (Z 2 ) de motif pour obtenir l’épaisseur (h 2 ) de la couche en matériau diélectrique (C FP1 ) du deuxième filtre (F 2 ) ; Retrait (209) de la couche de résine photosensible (304), de sorte à libérer en surface la première couche en matériau diélectrique de la première zone (Z 1 ) de motif formant la couche en matériau diélectrique (C FP1 ) de cavité de Fabry-Pérot du premier filtre (F 1 ) de couleur; Dépôt conforme (210) d’une deuxième couche réfléchissante (307) sur la zone globale de motifs, formant les première couche réfléchissante (Cr 1i , Cr 2i ) du premier (F 1 ) et deuxième (F 2 ) filtres de couleurs. Procédé (200c) de fabrication d’une matrice (10) de filtrage multispectral selon l’une quelconque des revendications 1 à 7 caractérisé en ce que l’épaisseur (h 1 ) de la couche en matériau diélectrique (C FP 1 ) du premier filtre (F 1 ) de couleur est inférieure à l’épaisseur (h 2 ) de la couche en matériau diélectrique (C FP 2 ) du deuxième filtre (F 2 ) de couleur et la réalisation du premier et du deuxième filtres de couleur comporte les étapes suivantes : Dépôt (201) sur un substrat porteur (300), d’une couche de résine (301); Structuration (202) de la couche de résine (301), pour obtenir un premier (M 1 ) motif de résine définissant une première zone de motif et un deuxième (M 2 ) motif de résine définissant une deuxième zone de motif, chaque motif de résine (Mi) ayant une surface supérieure courbe, les première et deuxième zones de motif définissant une zone globale de motifs; Dépôt conforme (203) d’une première couche réfléchissante (302) sur la zone globale de motifs, formant les première couche réfléchissante (Cr 1i , Cr 2i ) du premier (F 1 ) et deuxième (F 2 ) filtres de couleurs ; Dépôt (204c) d’une couche en matériau diélectrique (308) sur la zone globale de motifs, ladite couche de matériau diélectrique présentant une surface supérieure plane ; Dépôt (205c) d'une deuxième couche de résine (309) sur la zone globale de motifs ; Structuration (206c) de la deuxième couche de résine (309), pour obtenir un premier (M’ 1 ) et deuxième (M’ 2 ) motifs de résine de la deuxième couche de résine (309) respectivement dans la première et deuxième zone de motif, chaque motif de résine (M’ i ) de la deuxième couche de résine (309) ayant une surface supérieure courbe ; Transfert du premier (M’ 1 ) et deuxième (M’ 2 ) motifs de résine de la deuxième couche de résine (309) dans la couche en matériau diélectrique (308) pour obtenir la couche en matériau diélectrique (C FP1 ) du premier filtre (F 1 ) dans la première zone de motif et la couche en matériau diélectrique (C FP2 ) du deuxième filtre (F 2 ) dans la deuxième zone (Z 2 ) de motif ; Dépôt conforme (210) d’une deuxième couche réfléchissante (302) sur la zone globale de motifs, formant les première couche réfléchissante (Cr 1i , Cr 2i ) du premier (F 1 ) et deuxième (F 2 ) filtres de couleurs . Procédé l’une quelconques des revendications 8 à 10 caractérisé en ce que l’étape de structuration (202) de la couche de résine est réalisée par une lithographie Grayscale.