Brevet FR3133516A1 — publié le 20230915

Condensateur La présente description concerne un dispositif comprenant au moins un condensateur (10), le condensateur (10) comprenant un ensemble (18, 20) de deux plots (18) métalliques et au moins deux plaques métalliques (20), chaque plaque (20) s'étendant au moins d'un plot (18) à l'autre, une première couche isolante (22) recouvrant de manière conforme ledit ensemble, une deuxième couche conductrice (24) recouvrant de manière conforme la première couche (22). Figure pour l'abrégé : Fig. 1 Condensateur La présente description concerne de façon générale les composants électroniques, et plus particulièrement les condensateurs, et leurs procédés de fabrication. La miniaturisation des dispositifs électroniques est un enjeu important lors du développement de nouvelles technologies. Cela entraine un besoin de miniaturiser les différents composants de dispositifs électroniques, c’est-à-dire les résistances, les condensateurs, les transistors, etc. En particulier, il existe un besoin de former des condensateurs ayant une capacité importante pour des dimensions faibles. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs connus comprenant un condensateur. Un mode de réalisation prévoit un dispositif comprenant au moins un condensateur, le condensateur comprenant un ensemble de deux plots métalliques et au moins deux plaques métalliques, chaque plaque s'étendant au moins d'un plot à l'autre, une première couche isolante recouvrant de manière conforme ledit ensemble, une deuxième couche conductrice recouvrant de manière conforme la première couche. Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un dispositif comprenant au moins un condensateur, le procédé comprenant : la formation d'un ensemble de deux plots métalliques et au moins deux plaques métalliques, chaque plaque s'étendant au moins d'un plot à l'autre, la formation d'une première couche isolante recouvrant de manière conforme ledit ensemble ; et la formation d'une deuxième couche conductrice recouvrant de manière conforme la première couche. Selon un mode de réalisation, deux plaques voisines d'un même condensateur sont séparées par deux portions de la première couche isolante et une portion de la deuxième couche conductrice située entre les deux portions de la première couche isolante. Selon un mode de réalisation, les plots comprennent un cœur métallique et une gaine en le même matériau que les plaques. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend plusieurs condensateurs, les deuxièmes couches des condensateurs étant reliées par des portions de la deuxième couche. Selon un mode de réalisation, le condensateur comprend une piste conductrice dans une troisième couche isolante du dispositif, les plots reposant sur la piste. Selon un mode de réalisation, le condensateur comprend une quatrième couche isolante recouvrant la piste conductrice, les plots traversant la troisième couche isolante, la quatrième couche étant située entre les plaques et la piste. Selon un mode de réalisation, les portions de l'ensemble située au-dessus de la quatrième couche sont entièrement recouvertes par la première couche isolante, la première couche isolante étant entièrement recouverte par la deuxième couche. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape a0) précédant l'étape a) durant laquelle la piste conductrice est formée dans la troisième couche isolante, et la quatrième couche est formée sur la piste et sur la troisième couche. Selon un mode de réalisation, l'étape a) comprend une étape a1) de formation d'un empilement de couches comprenant une alternance de cinquièmes couches en le matériau des plaques et de sixièmes couches sacrificielles. Selon un mode de réalisation, les sixième couches sont en un matériau gravable sélectivement par rapport au matériau des cinquièmes couches. Selon un mode de réalisation, l'étape a) comprend, après l'étape a1), une étape a2) de gravure de l'empilement de manière à former les plaques à partir des cinquièmes couches. Selon un mode de réalisation, l'étape a) comprend, après l'étape a2), une étape a3) comprenant la gravure des sixièmes couches. Selon un mode de réalisation, les étapes b) et c) sont effectuées par un procédé de dépôt de couches minces atomiques. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la représente une vue en coupe d'un mode de réalisation d'un condensateur ; la représente une vue en coupe et une vue en perspective d'une étape d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la ; la représente une vue en coupe et une vue en perspective d'une autre étape du procédé de fabrication du mode de réalisation de la ; la représente une vue en coupe et une vue en perspective d'une autre étape du procédé de fabrication du mode de réalisation de la ; la représente une vue en coupe et une vue en perspective d'une autre étape du procédé de fabrication du mode de réalisation de la ; la représente une vue en coupe et une vue en perspective d'une autre étape du procédé de fabrication du mode de réalisation de la ; la représente une vue en coupe et une vue en perspective d'une autre étape du procédé de fabrication du mode de réalisation de la ; la représente une vue en coupe et une vue en perspective d'une autre étape du procédé de fabrication du mode de réalisation de la ; la représente une vue de dessus d'une autre étape du procédé de fabrication du mode de réalisation de la ; et la représente une vue en perspective d'une autre étape du procédé de fabrication du mode de réalisation de la . Dispositif comprenant au moins un condensateur (10), le condensateur (10) comprenant un ensemble (18, 20) de deux plots (18) métalliques et au moins deux plaques métalliques (20), chaque plaque (20) s'étendant au moins d'un plot (18) à l'autre, une première couche isolante (22) recouvrant de manière conforme ledit ensemble, une deuxième couche conductrice (24) recouvrant de manière conforme la première couche (22). Dispositif selon la revendication 1, dans lequel deux plaques (20) voisines d'un même condensateur (10) sont séparées par deux portions de la première couche isolante (22) et une portion de la deuxième couche conductrice (24) située entre les deux portions de la première couche isolante (22). Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel les plots (18) comprennent un cœur métallique (18a) et une gaine (18b) en le même matériau que les plaques (20). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, comprenant plusieurs condensateurs (10), les deuxièmes couches (24) des condensateurs (10) étant reliées par des portions (44) de la deuxième couche (24). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le condensateur comprend une piste conductrice (12) dans une troisième couche isolante (14) du dispositif, les plots (18) reposant sur la piste (18). Dispositif selon la revendication 5, dans lequel le condensateur comprend une quatrième couche isolante (16) recouvrant la piste conductrice (12), les plots (18) traversant la troisième couche isolante (14), la quatrième couche (16) étant située entre les plaques (20) et la piste (12). Dispositif selon la revendication 5 ou 6, dans lequel les portions de l'ensemble (18, 20) située au-dessus de la quatrième couche (16) sont entièrement recouvertes par la première couche isolante (22), la première couche isolante (22) étant entièrement recouverte par la deuxième couche (24). Procédé de fabrication d'un dispositif comprenant au moins un condensateur (10), le procédé comprenant : la formation d'un ensemble (18, 20) de deux plots métalliques (18) et au moins deux plaques métalliques (20), chaque plaque (20) s'étendant au moins d'un plot (18) à l'autre, la formation d'une première couche isolante (22) recouvrant de manière conforme ledit ensemble ; et la formation d'une deuxième couche conductrice (24) recouvrant de manière conforme la première couche. Procédé selon la revendication 8, appliqué à la fabrication d'un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7. Procédé selon la revendication 8 ou 9, comprenant une étape a0) précédant l'étape a) durant laquelle la piste conductrice (12) est formée dans la troisième couche isolante (14), et la quatrième couche (16) est formée sur la piste (12) et sur la troisième couche (14). Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 10, dans lequel l'étape a) comprend une étape a1) de formation d'un empilement (36) de couches comprenant une alternance de cinquièmes couches (40) en le matériau des plaques (20) et de sixièmes couches sacrificielles (38). Procédé selon la revendication 11, dans lequel les sixième couches (38) sont en un matériau gravable sélectivement par rapport au matériau des cinquièmes couches (40). Procédé selon la revendication 11 ou 12, dans lequel l'étape a) comprend, après l'étape a1), une étape a2) de gravure de l'empilement (36) de manière à former les plaques (20) à partir des cinquièmes couches (40). Procédé selon la revendication 13, dans lequel l'étape a) comprend, après l'étape a2), une étape a3) comprenant la gravure des sixièmes couches (38). Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 14, dans lequel les étapes b) et c) sont effectuées par un procédé de dépôt de couches minces atomiques.