Brevet FR3128825A1 — publié le 20230505

Cellule photovoltaïque (101, 102) comportant au moins une jonction semiconductrice (4) de conversion photo-électrique recouverte sur au moins une de ses faces par au moins une couche transparente conductrice (1, 5) d’extraction de charges électriques de la jonction, pour lequel ladite couche transparente conductrice comporte une alternance de bandes de résistivité supérieure à un premier seuil, dites bandes de résistivité supérieure (11, 11, 53) , et de bandes de résistivité inférieure à un deuxième seuil, dites bandes de résistivité inférieure (2, 3, 7) adaptées pour faciliter un transports desdites charges électriques. Figure de l’abrégé : Figure 3 CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE MUNIE D’AU MOINS UNE COUCHE D’OXYDE TRANSPARENT CONDUCTEUR PERFECTIONNEE La présente divulgation relève du domaine des cellules photovoltaïques et des méthodes d’amélioration de leur rendement et propose une cellule photovoltaïque munie d’au moins une couche d’oxyde transparent conducteur perfectionnée. Il est connu de réaliser sur des jonctions semiconductrices photovoltaïques au moins une électrode constituée par une couche de matériau transparent conducteur électrique permettant de transporter les charges électriques issues de la jonction hors de cette jonction tout en laissant passer la lumière vers la jonction. Cette couche de matériau transparent conducteur est basée sur un compromis entre sa transparence, pour ne pas réduire la lumière reçue par la jonction et sa conductivité qui conditionne l’extraction de courant de la jonction, ces deux grandeurs évoluant de manière opposée. Dans la recherche de l’accroissement du rendement des cellules photovoltaïques, améliorer la conductivité des couches transparentes conductrices sans réduire leur transparence est un défi. L’augmentation de la conductivité de telles électrodes réalisées par des couches transparentes conductrices peut être effectuée en ajoutant une grille métallique sur lesdites couches, cette grille étant souvent déposée par pulvérisation cathodique ou sérigraphie à la surface de la couche transparente conductrice. Cette grille métallique ne laisse pas passer le spectre solaire à l’endroit où elle est déposée et limite donc par effet d’ombrage le courant pouvant être collecté par la cellule solaire. Les pertes liées à l’ombrage peuvent être d’ordre de 2 à 5% du courant généré par la cellule solaire. De plus, le métal le plus fréquemment utilisé pour réaliser une telle grille est l’argent, métal onéreux pouvant devenir critique d’ici quelques années. Une autre solution technique est d’améliorer les propriétés de conduction/transparence de la couche transparente conductrice. Pour une couche transparente conductrice de type oxyde transparent conducteur (TCO) Les oxydes transparents conducteurs les plus fréquemment utilisés sont : SnO2:F ou FTO pour Dioxyde d’étain dopé Fluor (Fluorine-doped tin oxide en anglais) ; ITO pour Oxyde d’Indium dopé Etain (Indium tin Oxide en anglais) ; ZnO pour Oxyde de Zinc, parfois dopé à l’Aluminium (Zinc oxide en anglais) . Les matériaux FTO, ITO et/ou ZnO sont les matériaux qui présentent le meilleur compromis transparence/conductivité à un coût acceptable d’un point de vue industriel. D’autres matériaux, comme l’oxyde de zinc dopé à l’indium IZO (indium zinc oxide en anglais), l’oxyde d’indium hydrogéné IO:H (hydrogenated indium oxide en anglais), l’oxyde d’indium dopé zirconium In 2 O 3 :Zr (zirconium doped indium oxide en anglais) sont des candidats pour améliorer les propriétés opto-électroniques de ces couches mais l’Indium est un métal cher qui à terme va poser des problèmes de durabilité si le photovoltaïque ainsi que les autres industries qui utilisent ce métal se développent selon les prévisions, la ressource mondiale pouvant devenir inférieure à la demande. Il est donc souhaitable de limiter l’épaisseur et la surface des couches d’oxyde transparent conducteur sans trop réduire leur conductivité électrique. Résumé La présente divulgation vient améliorer la situation. Pour ce faire la présente divulgation propose une cellule photovoltaïque comportant au moins une jonction semiconductrice de conversion photo-électrique recouverte sur au moins une de ses faces par au moins une couche transparente conductrice d’extraction de charges électriques de la jonction telle que ladite couche transparente conductrice comporte une alternance de bandes de résistivité supérieure à un premier seuil, dites bandes de résistivité supérieure, et de bandes de résistivité inférieure à un deuxième seuil, dites bandes de résistivité inférieure adaptées pour faciliter un transports desdites charges électriques. Selon cette réalisation, les bandes de résistivité inférieure bien que de transparence réduite permettent de réduire l’épaisseur de la couche au niveau des bandes de résistivité supérieure et donc d’en accroître la transparence pour améliorer le compromis conductivité/transparence de la couche. Les caractéristiques exposées dans les paragraphes suivants peuvent, optionnellement, être mises en œuvre, indépendamment les unes des autres ou en combinaison les unes avec les autres : Préférablement, la cellule photovoltaïque comporte au moins une jonction semiconductrice de conversion photo-électrique recouverte sur au moins une de ses faces par au moins une couche transparente conductrice d’extraction de charges électriques de la jonction, ladite couche transparente conductrice comportant une alternance de bandes de résistivité supérieure à un premier seuil, dites bandes de résistivité supérieure, et de bandes de résistivité inférieure à un deuxième seuil, dites bandes de résistivité inférieure adaptées pour faciliter un transports desdites charges électriques. Avantageusement, ledit deuxième seuil est inférieur ou égal audit premier seuil. Des seuils de 20 Ohm/carré à 30 Ohm/carré pour les bandes de résistivité réduite et de 40 Ohm/carré à 50 Ohm/carré pour les bandes de résistivité supérieure sont par exemple des limites acceptables. Selon premier mode de réalisation, lesdites bandes de résistivité inférieure sont constituées par un accroissement localisé d’une épaisseur d’un matériau transparent conducteur de ladite couche transparente conductrice par rapport à l’épaisseur des bandes de résistivité supérieure. Ce mode de réalisation permet d’adapter la résistivité des bandes de résistivité inférieure en jouant localement sur l’épaisseur de la couche transparente. Avantageusement, les bandes de résistivité inférieure ont une épaisseur de 2 à 10 fois l’épaisseur desdites bandes de résistivité supérieure. Les bandes de résistivité inférieure peuvent notamment être constituées par une couche secondaire du matériau transparent conducteur, d’une seconde épaisseur formant ledit accroissement localisé, déposées sur une couche primaire du matériau transparent conducteur pour former avec ladite couche primaire sous ledit accroissement localisé lesdites bandes de résistivité inférieure. Ladite couche transparente conductrice peut avantageusement être une couche d’oxyde transparent conducteur. Ledit oxyde transparent conducteur peut être un oxyde d’indium dopé étain (ITO), un oxyde d’indium dopé zinc (IZO) ou un oxyde d’aluminium dopé zinc (AZO). Selon un deuxième mode de réalisation qui peut être combiné avec le premier, les bandes de résistivité inférieure comportent un surdopage localisé de la couche d’oxyde transparent conducteur avec un dopant conducteur par rapport aux bandes de résistivité supérieure. Dans le cas d’une couche transparente conductrice réalisée à partir d’un matériau de type oxyde transparent conducteur, le dopant peut être du même type que le dopant dudit matériau. Avantageusement, lesdites bandes de résistivité inférieure peuvent occuper une surface de 5 à 20% de la surface totale de ladite couche transparente conductrice. Ceci permet d’adapter le ratio transparence/conductivité en fonction du type de cellule. Selon un mode de réalisation particulier, les bandes de résistivité inférieure sont orientées dans une direction de transport du courant de ladite cellule vers une cellule adjacente. Les bandes peuvent aussi être orientées perpendiculairement à ladite direction, des lignes de liaison métalliques transversales auxdites bandes collectant le courant généré dans les cellules. La présente divulgation concerne en outre un procédé de réalisation d’un module photovoltaïque à une ou plusieurs cellules. Selon un premier mode de réalisation, le procédé comporte : le dépôt d’une première couche primaire de matériau transparent conducteur sur un substrat tel qu’une lame de verre par pulvérisation cathodique et, soit le dépôt d’une première couche secondaire d’oxyde transparent conducteur sur ladite première couche primaire au moyen d’un masque de formation desdites bandes de résistivité inférieure d’épaisseur accrue, soit un surdopage localisé de bandes de ladite première couche primaire avec un dopant conducteur par un procédé choisi parmi la diffusion, l’implantation ionique, le dopage in situ avec masque pendant une croissance épitaxiale de ladite première couche primaire, le transport vapeur-liquide-solide (VLS) pour réaliser une première couche transparente conductrice à bandes alternées de résistivité inférieure et de résistivité supérieure, une gravure de ladite première couche transparente conductrice à bandes alternées de résistivité inférieure et de résistivité supérieure pour former des premières électrodes de liaison entre lesdites cellules ; un dépôt d’une ou plusieurs couches de jonction photovoltaïque sur lesdites premières électrodes de liaison ; une gravure de ladite une ou plusieurs couches de jonction photovoltaïque pour former les jonctions desdites cellules sur lesdites premières électrodes ; le dépôt d’au moins une deuxième couche primaire transparente conductrice ou d’une couche en matériau conducteur opaque sur lesdites jonctions et une gravure de ladite deuxième couche pour réaliser des deuxièmes électrodes de liaison entre cellules. Le procédé peut comporter, avant la gravure de ladite deuxième couche primaire, soit le dépôt d’une deuxième couche secondaire transparente conductrice sur ladite deuxième couche primaire au moyen d’un masque de formation desdites bandes de résistivité inférieure d’épaisseur accrue soit un surdopage localisé de bandes de la deuxième couche primaire par un procédé choisi parmi la diffusion, l’implantation ionique, le dopage in situ avec masque pendant une croissance épitaxiale de ladite deuxième couche primaire, le transport vapeur-liquide-solide (VLS) pour réaliser des bandes alternées de résistivité inférieure et de résistivité supérieure. Selon un deuxième mode de réalisation, le procédé comporte: la fabrication d’une première jonction photovoltaïque sans électrodes supérieure et inférieure ; un dépôt par pulvérisation cathodique d’au moins une couche transparente conductrice supérieure sur une face supérieure de ladite cellule et d’au moins une couche transparente conductrice inférieure sur une face inférieure de ladite cellule ; un dépôt localisé de premières bandes parallèles transparentes conductrices d’épaisseur accrue, sur une face externe d’au moins une desdites couche transparente conductrice inférieure et couche transparente conductrice supérieure par pulvérisation cathodique, en utilisant un masque; Pour effectuer un raccordement avec une autre cellule ou l’extérieur d’un module, le procédé peut comporter un dépôt d’une grille métallique par pulvérisation cathodique au travers d’un masque, perpendiculairement auxdites bandes transparentes conductrices sur au moins ladite face externe d’au moins une desdites couche transparente conductrice supérieure et couche transparente conductrice inférieure. Dans le cas de la réalisation d’une cellule photovoltaïque tandem le procédé peut en outre comporter : un dépôt d’une deuxième jonction photovoltaïque sur une face avant formée par la première couche transparente conductrice; un dépôt d’une troisième couche transparente conductrice par pulvérisation cathodique sur une face libre de ladite deuxième jonction photovoltaïque; un dépôt localisé de deuxièmes bandes parallèles transparentes conductrices d’épaisseur accrue sur ladite troisième couche. un dépôt d’une deuxième grille métallique par pulvérisation cathodique, perpendiculaire aux bandes transparentes conductrices d’épaisseur accrue sur ladite troisième couche. Selon un mode de réalisation particulièrement avantageux, les couches transparentes conductrices sont des couches d’oxyde transparent conducteur. D’autres caractéristiques, détails et avantages apparaîtront à la lecture de la description détaillée ci-après, et à l’analyse des dessins annexés, sur lesquels : est une vue schématique d’une couche d’oxyde transparent conducteur avec bandes avec accroissement localisé d’épaisseur ; est une vue schématique d’une couche d’oxyde transparent conducteur avec bandes avec accroissement localisé de dopage ; est une vue schématique coupe de cellules photovoltaïque munies de couches d’oxyde transparent conducteur pourvues de bandes selon deux modes de réalisation de la présente divulgation; est une vue de dessus d’une couche d’oxyde transparent conducteur avec selon un mode de réalisation avec ajout de grille métallique ; est un graphique distance/résistance ; est un graphique longueur d’onde/transmission ; , , , , ], , représentent des étapes de réalisation de cellules selon un premier exemple ; , , , représentent des étapes de réalisation de cellules selon un deuxième exemple. ], , , représentent des étapes de réalisation d’une cellule selon un troisième exemple. Cellule photovoltaïque (101, 102) comportant au moins une jonction semiconductrice (4) de conversion photo-électrique recouverte sur au moins une de ses faces par au moins une couche transparente conductrice (1, 5) d’extraction de charges électriques de la jonction, caractérisée en ce que ladite couche transparente conductrice comporte une alternance de bandes de résistivité supérieure à un premier seuil, dites bandes de résistivité supérieure (11, 11, 53) , et de bandes de résistivité inférieure à un deuxième seuil, dites bandes de résistivité inférieure (2, 3, 7) adaptées pour faciliter un transports desdites charges électriques. Cellule photovoltaïque selon la revendication 1, pour laquelle ledit deuxième seuil est inférieur ou égal audit premier seuil. Cellule photovoltaïque selon la revendication 1 ou 2, pour laquelle lesdites bandes de résistivité inférieure sont constituées par un accroissement localisé (1’) d’une épaisseur d’un matériau transparent conducteur de ladite couche transparente conductrice par rapport à l’épaisseur des bandes de résistivité supérieure (11). Cellule photovoltaïque selon la revendication 3, pour laquelle l’épaisseur desdites bandes de résistivité inférieure (2) ont une épaisseur de 2 à 10 fois l’épaisseur desdites bandes de résistivité supérieure (11). Cellule photovoltaïque selon la revendication 3 ou 4, pour laquelle les bandes de résistivité inférieure sont constituées par une couche secondaire du matériau transparent conducteur, d’une seconde épaisseur formant ledit accroissement localisé (1’), déposées sur une couche primaire (1) du matériau transparent conducteur pour former avec ladite couche primaire sous ledit accroissement localisé lesdites bandes de résistivité inférieure (2). Cellule photovoltaïque selon l’une quelconque des revendications précédentes, pour laquelle ladite couche transparente conductrice est une couche d’oxyde transparent conducteur. Cellule photovoltaïque selon la revendication 6, pour laquelle ledit oxyde transparent conducteur est un oxyde d’indium dopé étain (ITO), un oxyde d’indium dopé zinc (IZO) ou un oxyde d’aluminium dopé zinc (AZO). Cellule photovoltaïque selon la revendication 7, pour laquelle lesdites bandes de résistivité inférieure (3) comportent un surdopage localisé (31) de ladite couche d’oxyde transparent conducteur (1) avec un dopant conducteur par rapport aux bandes de résistivité supérieure (11). Cellule photovoltaïque selon l’une quelconque des revendications précédentes, pour laquelle lesdites bandes de résistivité inférieure (2, 3) occupent une surface de 5 à 20% de la surface totale de ladite couche transparente conductrice. Cellule photovoltaïque selon l’une quelconque des revendications précédentes, pour laquelle lesdites bandes de résistivité inférieure sont orientées dans une direction de transport du courant de ladite cellule vers une cellule adjacente. Procédé de réalisation d’un module photovoltaïque à une ou plusieurs cellules selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu’il comporte : le dépôt d’une première couche primaire (1) de matériau transparent conducteur sur un substrat (6) tel qu’une lame de verre par pulvérisation cathodique et, soit le dépôt d’une première couche secondaire d’oxyde transparent conducteur sur ladite première couche primaire au moyen d’un masque (70) de formation desdites bandes de résistivité inférieure d’épaisseur accrue, soit un surdopage localisé de bandes de ladite première couche primaire avec un dopant conducteur par un procédé choisi parmi la diffusion, l’implantation ionique, le dopage in situ avec masque (71) pendant une croissance épitaxiale de ladite première couche primaire, le transport vapeur-liquide-solide (VLS) pour réaliser une première couche transparente conductrice à bandes alternées de résistivité inférieure et de résistivité supérieure, une gravure de ladite première couche transparente conductrice à bandes alternées de résistivité inférieure et de résistivité supérieure pour former des premières électrodes de liaison entre lesdites cellules ; un dépôt d’une ou plusieurs couches de jonction photovoltaïque sur lesdites premières électrodes de liaison ; une gravure de ladite une ou plusieurs couches de jonction photovoltaïque pour former les jonctions desdites cellules sur lesdites premières électrodes ; le dépôt d’au moins une deuxième couche primaire transparente conductrice ou d’une couche en matériau conducteur opaque sur lesdites jonctions et une gravure de ladite deuxième couche pour réaliser des deuxièmes électrodes de liaison entre cellules. Procédé selon la revendication 11, comportant, avant la gravure de ladite deuxième couche primaire, soit le dépôt d’une deuxième couche secondaire transparente conductrice sur ladite deuxième couche primaire au moyen d’un masque de formation desdites bandes de résistivité inférieure d’épaisseur accrue soit un surdopage localisé de bandes de la deuxième couche primaire par un procédé choisi parmi la diffusion, l’implantation ionique, le dopage in situ avec masque pendant une croissance épitaxiale de ladite deuxième couche primaire, le transport vapeur-liquide-solide (VLS) pour réaliser des bandes alternées de résistivité inférieure et de résistivité supérieure. Procédé de réalisation d’une cellule photovoltaïque selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, comportant: la fabrication d’une première jonction photovoltaïque (60) sans électrodes supérieure et inférieure ; un dépôt par pulvérisation cathodique d’au moins une couche transparente conductrice supérieure (61) sur une face supérieure de ladite cellule et d’au moins une couche transparente conductrice inférieure (62) sur une face inférieure de ladite cellule ; un dépôt localisé de premières bandes parallèles transparentes conductrices (63, 64) d’épaisseur accrue, sur une face externe d’au moins une desdites couche transparente conductrice inférieure et couche transparente conductrice supérieure par pulvérisation cathodique, en utilisant un masque (72); Procédé selon la revendication 13 comportant un dépôt d’une grille métallique (65, 66) par pulvérisation cathodique au travers d’un masque (73), perpendiculairement auxdites bandes parallèles transparentes conductrices sur au moins ladite face externe d’au moins une desdites couche transparente conductrice supérieure (61) et couche transparente conductrice inférieure (62). Procédé selon la revendication 13 ou 14 pour la réalisation d’une cellule photovoltaïque tandem comportant : un dépôt d’une deuxième jonction photovoltaïque (67) sur une face avant formée par la première couche transparente conductrice (61) ; un dépôt d’une troisième couche transparente conductrice (68) par pulvérisation cathodique sur une face libre de ladite deuxième jonction photovoltaïque; un dépôt localisé de deuxièmes bandes parallèles transparentes conductrices (69) d’épaisseur accrue sur ladite troisième couche. un dépôt d’une deuxième grille métallique (70) par pulvérisation cathodique, perpendiculaire aux bandes transparentes conductrices d’épaisseur accrue sur ladite troisième couche. Procédé selon l’une quelconque des revendications 11 à 15 pour lequel les couches transparentes conductrices sont des couches d’oxyde transparent conducteur.