Brevet FR3128819A1 — publié le 20230505

Ce procédé comporte les étapes : a) prévoir un substrat (1) comportant une surface (10) présentant : - des zones d’épitaxie sélective d’un premier matériau, - des amas de matière (101) du premier matériau ; b) former une couche de protection (2), réalisée dans un deuxième matériau, sur la surface (10) du substrat (1) ; c) former une couche d’aplanissement (3) sur la couche de protection (2) ; d’) retirer des zones (3a) de la couche d’aplanissement (3) faisant face aux amas de matière (101) ainsi que des zones supérieures (2a) de la couche de protection (2) de manière à exposer les amas de matière (101) ; e') graver, par une gravure chimique humide sélective, des zones latérales (2b) de la couche de protection (2) ; f) retirer la couche d’aplanissement (3) ; g) graver les amas de matière (101), la couche de protection (2) formant un masque de gravure ; h) retirer la couche de protection (2). Figure 3a-3f Procédé de traitement de surface L’invention se rapporte au domaine technique des procédés de traitement de surface. L’invention trouve notamment son application dans la suppression de cristallites pouvant apparaître lors d’une épitaxie sélective sur un substrat (SAG pour « Selective Area Growth » en langue anglaise). État de l’art Un procédé de traitement de surface connu de l’état de la technique, appelé « Etch back » en langue anglaise, consiste à déposer une couche d’aplanissement, réalisée en polymère, sur un substrat présentant une forte topographie de surface (i.e. non plane), telle qu’une surface structurée formant des motifs (relief). Les zones de la couche d’aplanissement, faisant face aux parties supérieures des motifs, sont retirées par amincissement de la couche d’aplanissement (e.g. gravure) de manière à exposer les parties supérieures des motifs. Puis les motifs sont retirés par une gravure plasma. Un tel procédé de l’état de la technique n’est pas entièrement satisfaisant dans la mesure où l’efficacité de la gravure plasma est fortement dépendante : - de la géométrie des motifs, notamment de l’inclinaison des flancs des motifs par rapport à la normale à la surface du substrat, et - de la disparité de taille des motifs à la surface du substrat. En particulier, lorsque les motifs possèdent une partie inférieure présentant une étendue latérale supérieure à celle de la partie supérieure exposée, la gravure plasma ne peut pas retirer en totalité les motifs. En effet, les portions latérales de la partie inférieure des motifs, s’étendant au-delà de la partie supérieure exposée, demeurent après la gravure plasma. L’invention vise à remédier en tout ou partie aux inconvénients précités. A cet effet, l’invention a pour objet un procédé de traitement de surface, comportant les étapes : a) prévoir un substrat comportant une surface présentant : - des zones d’épitaxie sélective d’un premier matériau, - des amas de matière du premier matériau, s’étendant entre les zones d’épitaxie sélective ; b) former une couche de protection, réalisée dans un deuxième matériau, sur la surface du substrat de manière à recouvrir les zones d’épitaxie sélective et les amas de matière ; c) former une couche d’aplanissement sur la couche de protection ; d) retirer des zones de la couche d’aplanissement faisant face aux amas de matière de manière à exposer des zones supérieures de la couche de protection s’étendant sur les amas de matière ; e) graver, par une gravure chimique humide, les zones supérieures exposées de la couche de protection ainsi que des zones latérales de la couche de protection s’étendant en bordure des amas de matière, la gravure chimique humide étant exécutée par un agent de gravure autorisant une gravure sélective du deuxième matériau par rapport au premier matériau ; f) retirer la couche d’aplanissement ; g) graver les amas de matière, la couche de protection étant adaptée pour former un masque de gravure protégeant les zones d’épitaxie sélective ; h) retirer la couche de protection. Ainsi, un tel procédé selon l’invention permet de supprimer totalement les amas de matière, quelles que soient leur géométrie (en particulier avec des flancs inclinés) et leur disparité de taille. En effet, l’étape e) permet, par la gravure chimique humide, de dégager les bordures des amas de matière en supprimant les zones latérales de la couche de protection. Ce dégagement préalable des bordures des amas de matière permet de graver totalement les amas de matière lors de l’étape g), par exemple par une gravure plasma. En outre, la couche de protection permet de protéger les zones d’épitaxie sélective : (i) lors de l’étape e) car la gravure chimique humide est exécutée par un agent de gravure autorisant une gravure sélective du deuxième matériau par rapport au premier matériau, (ii) lors de l’étape g) car la couche de protection forme un masque de gravure. Autrement dit, la couche de protection autorise lors de l’étape g) une gravure sélective du premier matériau par rapport au deuxième matériau. L’invention a également pour objet un procédé de traitement de surface, comportant les étapes : a) prévoir un substrat comportant une surface présentant : - des zones d’épitaxie sélective d’un premier matériau, - des amas de matière du premier matériau, s’étendant entre les zones d’épitaxie sélective ; b) former une couche de protection, réalisée dans un deuxième matériau, sur la surface du substrat de manière à recouvrir les zones d’épitaxie sélective et les amas de matière ; c) former une couche d’aplanissement sur la couche de protection ; d’) retirer des zones de la couche d’aplanissement faisant face aux amas de matière ainsi que des zones supérieures de la couche de protection s’étendant sur les amas de matière, de manière à exposer les amas de matière ; e') graver, par une gravure chimique humide, des zones latérales de la couche de protection s’étendant en bordure des amas de matière exposés, la gravure chimique humide étant exécutée par un agent de gravure autorisant une gravure sélective du deuxième matériau par rapport au premier matériau ; f) retirer la couche d’aplanissement ; g) graver les amas de matière, la couche de protection formant un masque de gravure protégeant les zones d’épitaxie sélective ; h) retirer la couche de protection. Ainsi, comme évoqué précédemment, un tel procédé selon l’invention permet de supprimer totalement les amas de matière, quelles que soient leur géométrie (en particulier avec des flancs inclinés) et leur disparité de taille. En effet, l’étape e’) permet, par la gravure chimique humide, de dégager les bordures des amas de matière en supprimant les zones latérales de la couche de protection. Ce dégagement préalable des bordures des amas de matière permet de graver totalement les amas de matière lors de l’étape g), par exemple par une gravure plasma. En outre, la couche de protection permet de protéger les zones d’épitaxie sélective : (i) lors de l’étape e’) car la gravure chimique humide est exécutée par un agent de gravure autorisant une gravure sélective du deuxième matériau par rapport au premier matériau, (ii) lors de l’étape g) car la couche de protection forme un masque de gravure. Autrement dit, la couche de protection autorise lors de l’étape g) une gravure sélective du premier matériau par rapport au deuxième matériau. L’étape d’) diffère de l’étape d) en ce que les zones supérieures de la couche de protection sont retirées en même temps (i.e. lors d’une même gravure) que les zones de la couche d’aplanissement faisant face aux amas de matière. L’étape e’) diffère de l’étape e) en ce que seules les zones latérales de la couche de protection, s’étendant en bordure des amas de matière, sont gravées par la gravure chimique humide. Le procédé selon l’invention peut comporter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes. Selon une caractéristique de l’invention, la couche d’aplanissement est réalisée dans un troisième matériau ; et l’étape d) est exécutée par une gravure sélective du troisième matériau par rapport au deuxième matériau, la gravure étant de préférence une gravure plasma. Ainsi, un avantage procuré est de retirer efficacement les zones de la couche d’aplanissement, faisant face aux amas de matière, de manière à exposer des zones supérieures de la couche de protection s’étendant sur les amas de matière tout en gardant protégées les zones d’épitaxie sélective. Selon une caractéristique de l’invention, la couche d’aplanissement est réalisée dans un troisième matériau ; et l’étape d’) est exécutée par une gravure : - non-sélective entre le troisième matériau et le deuxième matériau ; - sélective du deuxième matériau par rapport au premier matériau ; la gravure étant de préférence une gravure plasma. Ainsi, un avantage procuré est de retirer efficacement les zones de la couche d’aplanissement, faisant face aux amas de matière, ainsi que les zones supérieures de la couche de protection s’étendant sur les amas de matière, de manière à exposer les amas de matière tout en gardant protégées les zones d’épitaxie sélective. Selon une caractéristique de l’invention, l’étape a) est exécutée de sorte que les zones d’épitaxie sélective comportent des nanofils. Ainsi, un avantage procuré est de pouvoir fabriquer ultérieurement des diodes électroluminescentes à nanofils. Selon une caractéristique de l’invention, l’étape a) est exécutée de sorte que le premier matériau est un matériau semiconducteur, de préférence un matériau III-V. Selon une caractéristique de l’invention, l’étape a) est exécutée de sorte que : - le premier matériau est un matériau cristallin ; - les amas de matière sont des cristallites du premier matériau. Selon une caractéristique de l’invention, l’étape a) est exécutée de sorte que : - les zones d’épitaxie sélective présentent une hauteur, notée h 1 ; - les amas de matière présentent chacun une hauteur supérieure à 2 h 1 , de préférence comprise entre 8 h 1 et 12 h 1 . Selon une caractéristique de l’invention, l’étape b) est exécutée de sorte que le deuxième matériau est un matériau solide, de préférence choisi parmi un matériau diélectrique et un matériau métallique. Ainsi, un avantage procuré est de former un masque dur de gravure lors de l’étape g). Selon une caractéristique de l’invention, le substrat prévu lors de l’étape a) est réalisé en silicium ; et l’étape b) est exécutée de sorte que le deuxième matériau est le dioxyde de silicium. Selon une caractéristique de l’invention, la couche de protection est formée lors de l’étape b) par un dépôt conforme. Ainsi, un avantage procuré est de suivre la topologie de surface du substrat. Selon une caractéristique de l’invention, la couche d’aplanissement formée lors de l’étape c) est réalisée dans un polymère, de préférence un polymère photosensible. Ainsi, un avantage procuré est d’obtenir une couche d’aplanissement à faible coût, d’épaisseur ajustable, pouvant être facilement déposée sur la couche de protection (e.g. par tournette). Selon une caractéristique de l’invention, l’étape c) est exécutée par un dépôt à la tournette. Selon une caractéristique de l’invention, l’étape g) est exécutée par une gravure plasma. Selon une caractéristique de l’invention, l’étape h) est exécutée par une gravure chimique humide. Définitions - Par « substrat », on entend un support physique autoporté, réalisé dans un matériau cristallin à partir duquel peut être formé par épitaxie un dispositif pour tout type d’applications, notamment électronique, mécanique, optique. Un substrat peut être une « tranche » (également dénommée « plaquette », « wafer » en langue anglaise) qui se présente généralement sous la forme d’un disque issu d’une découpe dans un lingot d’un matériau cristallin. - Par « zones d’épitaxie sélective » (SAG pour « Selective Area Growth » en langue anglaise), on entend des zones de la surface du substrat, localisées, qui ont subi une croissance épitaxiale, tandis que le reste de la surface du substrat n’a pas subi de croissance épitaxiale (par exemple à l’aide d’un masque de croissance). On parle également d’épitaxie à zone sélective. Les zones localisées de la surface du substrat forment un germe cristallin de croissance, à partir duquel peut croître le premier matériau cristallin. Lorsque le premier matériau est différent du matériau du substrat, on parle d’hétéroépitaxie. Lorsque le premier matériau est identique au matériau du substrat, on parle d’homoépitaxie. - Par « couche de protection », on entend une couche adaptée pour protéger les zones d’épitaxie sélective en autorisant une gravure sélective : (i) du deuxième matériau par rapport au premier matériau lors de l’étape e) ou e’), (ii) du premier matériau par rapport au deuxième matériau lors de l’étape g). - Par « couche d’aplanissement », on entend une couche adaptée pour obtenir une topographie de surface plane pour le substrat recouvert de la couche de protection. Par « plane », on entend une planéité dans les tolérances usuelles liées aux conditions expérimentales de fabrication, et non une planéité parfaite au sens mathématique du terme. Ainsi, une couche d’aplanissement s’étendant sur une structure de forte topographie sera légèrement ondulée (les angles seront adoucis et les différences de hauteur seront réduites) et non parfaitement plane. - Par « exposer », on entend que les éléments exposés (zones supérieures de la couche de protection, amas de matière) présentent une surface libre. - Par « gravure sélective d’un matériau A par rapport à un matériau B », on entend que le matériau A peut être gravé sans attaquer le matériau B. En pratique, l’agent de gravure est choisi de sorte que la vitesse de gravure du matériau A est au moins 2 fois supérieure (de préférence au moins 10 fois supérieure) à celle du matériau B. - Par « semiconducteur », on entend que le matériau présente une conductivité électrique à 300 K comprise entre 10 - 6 S/cm et 10 3 S/cm. - Par « matériau III-V », on entend un alliage binaire entre des éléments situés respectivement dans la colonne III et dans la colonne V du tableau périodique des éléments. - Par « hauteur », on entend une dimension suivant la normale à la surface du substrat. - Par « diélectrique », on entend un matériau présentant une conductivité électrique à 300 K inférieure à 10 -6 S/cm. - Par « dépôt conforme », on entend une technique de dépôt (e.g. un dépôt physique en phase vapeur) de la couche de protection permettant de suivre la topologie de surface du substrat. Le taux de conformité (i.e. le ratio entre la largeur des flancs de la couche de protection déposée et l’épaisseur en surface de la couche de protection déposée) peut être compris entre 50% et 100%, de préférence compris entre 75% et 100%. D’autres caractéristiques et avantages apparaîtront dans l’exposé détaillé de différents modes de réalisation de l’invention, l’exposé étant assorti d’exemples et de références aux dessins joints. est une vue schématique en coupe, illustrant l’étape a) d’un procédé selon l’invention. (2a à 2f) sont des vues schématiques en coupe, illustrant des étapes d’un premier procédé selon l’invention. (3a à 3f) sont des vues schématiques en coupe, illustrant des étapes d’un deuxième procédé selon l’invention. Il est à noter que les dessins décrits ci-avant sont schématiques, et ne sont pas nécessairement à l’échelle par souci de lisibilité et pour en simplifier leur compréhension. Les coupes sont effectuées suivant la normale à la surface du substrat. Exposé détaillé des modes de réalisation Les éléments identiques ou assurant la même fonction porteront les mêmes références pour les différents modes de réalisation, par souci de simplification. Un objet de l’invention est un procédé de traitement de surface, comportant les étapes : a) prévoir un substrat 1 comportant une surface 10 présentant : - des zones d’épitaxie sélective 100 d’un premier matériau, - des amas de matière 101 du premier matériau, s’étendant entre les zones d’épitaxie sélective 100 ; b) former une couche de protection 2, réalisée dans un deuxième matériau, sur la surface 10 du substrat 1 de manière à recouvrir les zones d’épitaxie sélective 100 et les amas de matière 101 ; c) former une couche d’aplanissement 3 sur la couche de protection 2 ; d) retirer des zones 3a de la couche d’aplanissement 3 faisant face aux amas de matière 101 de manière à exposer des zones supérieures 2a de la couche de protection 2 s’étendant sur les amas de matière 101 ; e) graver, par une gravure chimique humide, les zones supérieures 2a exposées de la couche de protection 2 ainsi que des zones latérales 2b de la couche de protection 2 s’étendant en bordure des amas de matière 101, la gravure chimique humide étant exécutée par un agent de gravure autorisant une gravure sélective du deuxième matériau par rapport au premier matériau ; f) retirer la couche d’aplanissement 3 ; g) graver les amas de matière 101, la couche de protection 2 étant adaptée pour former un masque de gravure protégeant les zones d’épitaxie sélective 100 ; h) retirer la couche de protection 2. Un objet de l’invention est un procédé de traitement de surface, comportant les étapes : a) prévoir un substrat 1 comportant une surface 10 présentant : - des zones d’épitaxie sélective 100 d’un premier matériau, - des amas de matière 101 du premier matériau, s’étendant entre les zones d’épitaxie sélective 100 ; b) former une couche de protection 2, réalisée dans un deuxième matériau, sur la surface 10 du substrat 1 de manière à recouvrir les zones d’épitaxie sélective 100 et les amas de matière 101 ; c) former une couche d’aplanissement 3 sur la couche de protection 2 ; d’) retirer des zones 3a de la couche d’aplanissement 3 faisant face aux amas de matière 101 ainsi que des zones supérieures 2a de la couche de protection 2 s’étendant sur les amas de matière 101, de manière à exposer les amas de matière 101 ; e') graver, par une gravure chimique humide, des zones latérales 2b de la couche de protection 2 s’étendant en bordure des amas de matière 101 exposés, la gravure chimique humide étant exécutée par un agent de gravure autorisant une gravure sélective du deuxième matériau par rapport au premier matériau ; f) retirer la couche d’aplanissement 3 ; g) graver les amas de matière 101, la couche de protection 2 formant un masque de gravure protégeant les zones d’épitaxie sélective 100 ; h) retirer la couche de protection 2. Etape a) L’étape a) est illustrée à la . L’étape a) peut être exécutée de sorte que les zones d’épitaxie sélective 100 comportent des nanofils N. Les zones d’épitaxie sélective 100 peuvent présenter une superficie de l’ordre de quelques mm 2 . Les zones s’étendant entre les zones d’épitaxie sélective 100 peuvent présenter une superficie de l’ordre de quelques centaines de µm 2 . L’étape a) peut être exécutée de sorte que : - le premier matériau est un matériau cristallin ; - les amas de matière 101 sont des cristallites du premier matériau. Les cristallites du premier matériau peuvent être de formes diverses : trapézoïdale, pyramidale, cylindrique etc. L’étape a) peut être exécutée de sorte que le premier matériau est un matériau semiconducteur, de préférence un matériau III-V. A titre d’exemples non limitatifs, le premier matériau peut être le GaN ou l’InGaN. L’étape a) peut être exécutée de sorte que : - les zones d’épitaxie sélective 100 présentent une hauteur, notée h 1 ; - les amas de matière 101 présentent chacun une hauteur supérieure à 2 h 1 , de préférence comprise entre 8 h 1 et 12 h 1 . A titre d'exemple non limitatif, h 1 peut être de l’ordre de 1 µm et les amas de matière 101 peuvent présenter une hauteur de l’ordre de 10 µm. Le substrat 1 prévu lors de l’étape a) peut être réalisé en silicium ou en saphir. La surface 10 du substrat 1 peut être revêtue d’un masque de croissance (non illustré), excepté sur des zones de la surface 10 destinées à former les zones d’épitaxie sélective 100. Le cas échéant, après la croissance épitaxiale du premier matériau, les amas de matière 101 du premier matériau s’étendent sur le masque de croissance, entre les zones d’épitaxie sélective 100. Etape b) Le deuxième matériau est différent du premier matériau. L’étape b) est avantageusement exécutée de sorte que le deuxième matériau est un matériau solide, de préférence choisi parmi un matériau diélectrique et un matériau métallique (tel que le platine). Lorsque le substrat 1 prévu lors de l’étape a) est réalisé en silicium ou en saphir, l’étape b) est avantageusement exécutée de sorte que le deuxième matériau est le dioxyde de silicium. La couche de protection 2 est avantageusement formée lors de l’étape b) par un dépôt conforme, par exemple par un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma PECVD (« Plasma - Enhanced Chemical Vapor Deposition » en langue anglaise). La couche de protection 2 peut présenter une épaisseur de 2 µm. A titre d'exemple non limitatif, la couche de protection 2 peut être déposée par un dépôt physique en phase vapeur. En présence d’un masque de croissance, l’étape b) est exécutée de manière à recouvrir également le masque de croissance. Etape c) La situation à l’issue de l’étape c) est illustrée à la (2a) et à la (3a). La couche d’aplanissement 3 formée lors de l’étape c) est réalisée dans un troisième matériau. Le troisième matériau est différent des premier et deuxième matériaux. La couche d’aplanissement 3 formée lors de l’étape c) est avantageusement réalisée dans un polymère, de préférence un polymère photosensible (résine de photolithographie). Le cas échéant, l’étape c) est avantageusement exécutée par un dépôt à la tournette. Etape d) L’étape d) est illustrée à la (2b). L’étape d) peut être exécutée par un amincissement de la couche d’aplanissement 3, tout en gardant protégées les zones d’épitaxie sélective 100. L’étape d) est avantageusement exécutée par une gravure sélective, par exemple de type pleine plaque (i.e. une gravure pas seulement localisée en face des amas de matière 101), du troisième matériau par rapport au deuxième matériau, la gravure étant de préférence une gravure plasma. Lorsque le premier matériau est le GaN, le deuxième matériau est le SiO 2 , et le troisième matériau est une résine photosensible, l’étape d) peut être exécutée par une gravure plasma (e.g. gravure ionique réactive RIE avec un plasma à couplage inductif ICP) à base de O 2 . Etape d’) L’étape d’) est illustrée à la (3b). L’étape d’) peut être exécutée par un amincissement de la couche d’aplanissement 3, tout en gardant protégées les zones d’épitaxie sélective 100. L’étape d’) est avantageusement exécutée par une gravure : - non-sélective entre le troisième matériau et le deuxième matériau ; - sélective du deuxième matériau par rapport au premier matériau ; la gravure étant de préférence une gravure plasma. La gravure peut être de type pleine plaque, c'est-à-dire une gravure pas seulement localisée en face des amas de matière 101. Lorsque le premier matériau est le GaN, le deuxième matériau est le SiO 2 , et le troisième matériau est une résine photosensible, l’étape d’) peut être exécutée par une gravure plasma (e.g. gravure ionique réactive RIE avec un plasma à couplage inductif ICP) à base de CHF 3 /O 2 . Etape e) L’étape e) est illustrée à la (2c). L’agent de gravure par lequel est exécutée l’étape e) peut comporter une solution d’acide fluorhydrique. L’agent de gravure peut être une solution d’acide fluorhydrique tamponné BOE (pour « Buffered Oxide Etch » en langue anglaise), par exemple lorsque la couche de protection 2 est réalisée en SiO 2 . Etape e’) L’étape e’) est illustrée à la (3c). L’agent de gravure par lequel est exécutée l’étape e’) peut comporter une solution d’acide fluorhydrique. L’agent de gravure peut être une solution d’acide fluorhydrique tamponné BOE (pour « Buffered Oxide Etch » en langue anglaise), par exemple lorsque la couche de protection 2 est réalisée en SiO 2 . Etape f) L’étape f) est illustrée à la (2d) et à la (3d). Lorsque la couche d’aplanissement 3 est réalisée dans une résine, l’étape f) peut être exécutée par une technique de retrait de résine (« stripping » en langue anglaise), par exemple à l’aide d’acétone. Etape g) L’étape g) est illustrée à la (2e) et à la (3e). La gravure de l’étape g) est une gravure sélective du premier matériau par rapport au deuxième matériau. L’étape g) est avantageusement exécutée par une gravure plasma. Lorsque le premier matériau est le GaN, et le deuxième matériau est le SiO 2 , l’étape g) peut être exécutée par une gravure plasma (e.g. gravure ionique réactive RIE avec un plasma à couplage inductif ICP) à base de Cl 2 . Etape h) L’étape h) est illustrée à la (2f) et à la (3f). L’étape h) peut être une gravure sélective du deuxième matériau par rapport au premier matériau. L’étape h) est avantageusement exécutée par une gravure chimique humide, par exemple à l’aide d’une solution d’acide fluorhydrique lorsque le premier matériau est le GaN et le deuxième matériau est le SiO 2 . L’invention ne se limite pas aux modes de réalisation exposés. L’homme du métier est mis à même de considérer leurs combinaisons techniquement opérantes, et de leur substituer des équivalents. Procédé de traitement de surface, comportant les étapes : a) prévoir un substrat (1) comportant une surface (10) présentant : - des zones d’épitaxie sélective (100) d’un premier matériau, - des amas de matière (101) du premier matériau, s’étendant entre les zones d’épitaxie sélective (100) ; b) former une couche de protection (2), réalisée dans un deuxième matériau, sur la surface (10) du substrat (1) de manière à recouvrir les zones d’épitaxie sélective (100) et les amas de matière (101) ; c) former une couche d’aplanissement (3) sur la couche de protection (2) ; d) retirer des zones (3a) de la couche d’aplanissement (3) faisant face aux amas de matière (101) de manière à exposer des zones supérieures (2a) de la couche de protection (2) s’étendant sur les amas de matière (101) ; e) graver, par une gravure chimique humide, les zones supérieures (2a) exposées de la couche de protection (2) ainsi que des zones latérales (2b) de la couche de protection (2) s’étendant en bordure des amas de matière (101), la gravure chimique humide étant exécutée par un agent de gravure autorisant une gravure sélective du deuxième matériau par rapport au premier matériau ; f) retirer la couche d’aplanissement (3) ; g) graver les amas de matière (101), la couche de protection (2) étant adaptée pour former un masque de gravure protégeant les zones d’épitaxie sélective (100) ; h) retirer la couche de protection (2). Procédé de traitement de surface, comportant les étapes : a) prévoir un substrat (1) comportant une surface (10) présentant : - des zones d’épitaxie sélective (100) d’un premier matériau, - des amas de matière (101) du premier matériau, s’étendant entre les zones d’épitaxie sélective (100) ; b) former une couche de protection (2), réalisée dans un deuxième matériau, sur la surface (10) du substrat (1) de manière à recouvrir les zones d’épitaxie sélective (100) et les amas de matière (101) ; c) former une couche d’aplanissement (3) sur la couche de protection (2) ; d’) retirer des zones (3a) de la couche d’aplanissement (3) faisant face aux amas de matière (101) ainsi que des zones supérieures (2a) de la couche de protection (2) s’étendant sur les amas de matière (101), de manière à exposer les amas de matière (101) ; e') graver, par une gravure chimique humide, des zones latérales (2b) de la couche de protection (2) s’étendant en bordure des amas de matière (101) exposés, la gravure chimique humide étant exécutée par un agent de gravure autorisant une gravure sélective du deuxième matériau par rapport au premier matériau ; f) retirer la couche d’aplanissement (3) ; g) graver les amas de matière (101), la couche de protection (2) formant un masque de gravure protégeant les zones d’épitaxie sélective (100) ; h) retirer la couche de protection (2). Procédé selon la revendication 1, dans lequel la couche d’aplanissement (3) est réalisée dans un troisième matériau ; et l’étape d) est exécutée par une gravure sélective du troisième matériau par rapport au deuxième matériau, la gravure étant de préférence une gravure plasma. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la couche d’aplanissement (3) est réalisée dans un troisième matériau ; et l’étape d’) est exécutée par une gravure : - non-sélective entre le troisième matériau et le deuxième matériau ; - sélective du deuxième matériau par rapport au premier matériau ; la gravure étant de préférence une gravure plasma. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel l’étape a) est exécutée de sorte que les zones d’épitaxie sélective (100) comportent des nanofils (N). Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel l’étape a) est exécutée de sorte que le premier matériau est un matériau semiconducteur, de préférence un matériau III-V. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel l’étape a) est exécutée de sorte que : - le premier matériau est un matériau cristallin ; - les amas de matière (101) sont des cristallites du premier matériau. Procédé selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel l’étape a) est exécutée de sorte que : - les zones d’épitaxie sélective (100) présentent une hauteur, notée h 1 ; - les amas de matière (101) présentent chacun une hauteur supérieure à 2 h 1 , de préférence comprise entre 8 h 1 et 12 h 1 . Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel l’étape b) est exécutée de sorte que le deuxième matériau est un matériau solide, de préférence choisi parmi un matériau diélectrique et un matériau métallique. Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel le substrat (1) prévu lors de l’étape a) est réalisé en silicium ; et l’étape b) est exécutée de sorte que le deuxième matériau est le dioxyde de silicium. Procédé selon l’une des revendications 1 à 10, dans lequel la couche de protection (2) est formée lors de l’étape b) par un dépôt conforme. Procédé selon l’une des revendications 1 à 11, dans lequel la couche d’aplanissement (3) formée lors de l’étape c) est réalisée dans un polymère, de préférence un polymère photosensible. Procédé selon la revendication 12, dans lequel l’étape c) est exécutée par un dépôt à la tournette. Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, dans lequel l’étape g) est exécutée par une gravure plasma. Procédé selon l’une des revendications 1 à 14, dans lequel l’étape h) est exécutée par une gravure chimique humide.