Brevet FR3135330A1 — publié le 20231110

Selon un aspect, il est proposé un procédé de fabrication d’un dispositif optique sur un substrat support (SUB), comprenant une formation d’une pluralité de microlentille comportant : - une formation de premières structures de microlentille (LS1) par photolithographie (PTH_LITO1) sur le substrat support (SUB), puis par une déformation des premières structures de microlentille (LS1) de façon à donner une forme bombée aux premières structures de microlentille (LS1), les premières structures de microlentille (LS1) étant séparées les unes des autres par des régions d’espacement (GP) après déformation, puis - une formation de deuxièmes structures de microlentille (LS2) par photolithographie (PTH_LITO2) puis par déformation des deuxièmes structures de microlentille (LS2) de sorte que les deuxièmes structures de microlentille (LS2) présentent une forme bombée épousant la forme bombée desdites premières structures de microlentille (LS1) et s’étendent en partie dans les régions d’espacement (GP) entre les premières structures de microlentille (LS1). Figure pour l’abrégé : Fig 9 PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MICROLENTILLES Des modes de réalisation et de mise en œuvre concernent les capteurs optiques, et plus particulièrement des procédés de fabrication de microlentilles pour de tels capteurs optiques. Un capteur optique est un dispositif permettant de détecter une intensité lumineuse et de la transformer en une grandeur mesurable tel qu’un courant ou une tension. Un capteur optique comprend généralement une matrice de zones photosensibles et des microlentilles. En particulier, chaque zone photosensible est recouverte par une microlentille et permet de générer un courant à partir de photons. Les photons peuvent par exemple permettre de reconstituer une image lorsqu’ils sont collectés par le capteur optique. Chaque pixel de l’image correspond alors aux photons absorbés par une zone photosensible de la matrice. Les microlentilles sont des lentilles présentant généralement un diamètre inférieur à 100 µm et pouvant descendre à des dimensions de l’ordre du µm, plus typiquement entre 1 et 10 µm. Une microlentille permet de focaliser la lumière sur une zone photosensible au-dessus de laquelle la microlentille est située. Une zone photosensible peut alors capter une plus grande quantité de photons en étant recouverte d’une microlentille, ce qui permet d’augmenter une efficacité quantique de la zone photosensible. L’efficacité quantique (connu également sous l’acronyme ‘QE’ pour « Quantum Efficiency » en anglais) correspond au rapport entre la quantité de photons incidents et la quantité de photons absorbés par la zone photosensible. Ce rapport dépend donc du nombre de photons entrant en contact avec la surface de la microlentille et étant redirigé vers la zone photosensible. Afin d’optimiser l’efficacité quantique, c’est-à-dire obtenir une efficacité quantique proche de 1, il est souhaitable d’espacer le moins possible les microlentilles pour collecter la totalité des photons incidents et réduire ainsi les pertes lumineuses. Des microlentilles mises bout à bout présentent également l’avantage de réduire les interférences optiques en empêchant les photons de se retrouver sur les zones photosensibles voisines. Un exemple de technique connue de formation de microlentilles emploie une simple photolithographie. La photolithographie permet de reproduire plusieurs structures de microlentille selon un motif donné à l’aide d’un masque sur un substrat support. Les structures de microlentille présentent alors une forme intermédiaire parallélépipédique, et désignée dans la suite également par l’expression « plot ». Ces plots sont alors répartis sur la surface du substrat et espacés les uns des autres. Les structures de microlentille subissent ensuite un fluage thermique, c’est-à-dire devient liquide sous l’action de la chaleur, afin de permettre un mouillage des structures sur le substrat. Le mouillage correspond à une déformation naturelle d’un liquide en contact avec la surface d’un solide. Une structure de microlentille en contact avec la surface du substrat prend alors naturellement une forme finale bombée et forme ainsi une microlentille. Lors du fluage, le plot prend non seulement la forme d’une microlentille, mais s’étend également sur le substrat de sorte que la microlentille obtenue recouvre une plus grande surface du substrat. Lorsque les structures formées par photolithographie sont trop proches, celles-ci risquent de former des ponts (« bridging » en anglais) entre elles, et don se connecter entre elles. Un pont formé entre les microlentilles correspond à la fusion entre les extrémités de microlentilles situées côté à côte. Un pont entre deux microlentilles ne permet pas de diriger correctement les photons traversant ce pont vers les zones photosensibles situées sous ces microlentilles. En outre, les photons traversant un pont sont susceptibles de créer des interférences optiques entre les zones photosensibles de la matrice. Une interférence optique se produit par exemple lorsque des photons sont redirigés vers une autre zone photosensible que celle pour laquelle ils sont destinés. Cela entraine donc une diminution des performances du capteur optique et une perte d’information sur l’image à reconstituer. Par ailleurs, les techniques de photolithographie actuelles ne permettent pas de réduire suffisamment les distances entre chaque structure de microlentille sans risque d’apparition de ponts entre les microlentilles et ne sont pas suffisamment précises pour réduire complétement la distance entre les microlentilles. A cet égard, d’autres techniques classiques de fabrication de microlentilles permettent de réduire l’espacement entre les microlentilles sans former de ponts. Par exemple, un procédé prévoit d’effectuer une première photolithographie pour former des premières microlentilles de sorte que les premières microlentilles recouvrent une zone photosensible sur deux. Après réticulation des premières microlentilles, des deuxièmes microlentilles sont ensuite formées par une deuxième photolithographie entre chaque première microlentille pour recouvrir les zones photosensibles restantes. Ainsi, un tel procédé permet d’obtenir des premières microlentilles et des deuxièmes microlentilles qui ne sont pas ou très faiblement espacées entre elles. Toutefois, l’alignement des premières microlentilles et des deuxièmes microlentilles reste relativement complexe dans ce procédé et chacune des étapes de photolithographie requiert l’utilisation d’un masque différent, ce qui représente un surcoût non négligeable à l’échelle de fabrication des microlentilles. Un autre exemple de procédé couramment utilisé pour la formation de microlentilles se base sur le transfert par plasma de microlentilles sur une couche intermédiaire disposée sur le substrat. Bien que le plasma permette d’ajuster plus facilement l’espacement entre les microlentilles sur la couche intermédiaire afin de réduire ou d’annuler l’espacement entre les microlentilles, son rayonnement est susceptible d’endommager fortement les zones photosensibles du capteur optique et d’affecter également les microlentilles en les rendant plus rugueuses. Il existe donc un besoin de proposer une solution permettant de réduire l’espacement entre les microlentilles et d’augmenter l’efficacité quantique tout en évitant un coût élevé de fabrication et en évitant un endommagement des zones photosensibles du capteur optique. Selon un aspect, il est proposé un procédé de fabrication d’un dispositif optique sur un substrat support, comprenant une formation d’une pluralité de microlentille. La formation de la pluralité de microlentilles comporte une formation de premières structures de microlentille par photolithographie sur le substrat support de sorte que les premières structures de microlentille sont séparées les unes des autres, puis par une déformation des premières structures de microlentille de façon à donner une forme bombée aux premières structures de microlentille, les premières structures de microlentille étant séparées les unes des autres par des régions d’espacement après déformation. La formation de la pluralité de microlentille comporte également une formation de deuxièmes structures de microlentille par photolithographie de sorte que les deuxièmes structures de microlentille s’étendent sur les premières structures de microlentille puis par déformation des deuxièmes structures de microlentille de sorte que les deuxièmes structures présentent une forme bombée épousant la forme bombée desdites premières structures de microlentille et s’étendent en partie dans les régions d’espacement entre les premières structures de microlentille. Chaque microlentille est ainsi formée par la superposition d’une première structure de microlentille et d’une deuxième structure de microlentille. La formation des microlentilles en superposant lesdites deuxièmes structures de microlentille sur les premières structures de microlentille permet de réduire l’espacement entre les microlentilles, voire de le supprimer afin d’éviter la formation de ponts entre chaque microlentille. En effet, le fait de former les deuxièmes structures de microlentille sur les premières structures de microlentille permet de mieux contrôler la déformation desdites deuxièmes structures de microlentille de façon à ce que les deuxièmes structures de microlentille s’étendent dans les régions d’espacement pour réduire l’espacement entre les microlentilles. Selon un mode de mise en œuvre, chaque deuxième structure de microlentille présente, après déformation, une courbure supérieure ou égale à une courbure de chaque première structure de microlentille. La courbure de chaque deuxième structure de microlentille peut donc être ajustée indépendamment de la courbure de chaque première structure de microlentille. Une courbure de microlentille plus élevée permet de réduire la distance focale de la microlentille de façon à faire converger la lumière sur la zone photosensible lorsque cette dernière est proche de la microlentille. Selon un mode de mise en œuvre, le procédé comprend en outre une réticulation des premières structures de microlentille par traitement thermique suite à leur déformation, et une réticulation des deuxièmes structures de microlentille par traitement thermique, suite à la déformation desdites deuxièmes structures. Une réticulation effectuée après la déformation des structures de microlentille permet d’éliminer les solvants dans chacune des structures de microlentille et de solidifier les structures de microlentille afin de maintenir leur position fixe et de les stabiliser sur le substrat Selon un mode de mise en œuvre, les photolithographies permettant de former lesdites premières structures de microlentille et lesdites deuxièmes structures de microlentille sont effectuées en utilisant un même masque. L’utilisation d’un masque unique pour les deux photolithographies permet de réduire le coût de fabrication des microlentilles et de réaliser une deuxième photolithographie plus rapidement. Selon un mode de mise en œuvre, la déformation desdites deuxièmes structures de microlentille comprend un traitement par plasma de diffusion à une température adaptée. Les deuxièmes structures de microlentille sont alors déformées par fluage permettant un mouillage des deuxièmes structures de microlentille sur les premières structures de microlentille de façon à épouser la forme des premières structures de microlentille et s’étendre en partie dans les régions d’espacement. La température du traitement par plasma de diffusion peut être déterminée en fonction de la nature du matériau de la structure de microlentille pour permettre de mieux contrôler la déformation des deuxièmes structures de microlentille et d’obtenir la forme de microlentille désirée. L’utilisation d’un plasma à diffusion permet d’obtenir une déformation des structures de microlentilles sans risquer d’endommager et d’affecter la rugosité des microlentilles. Selon un mode de mise en œuvre, le plasma à diffusion est un plasma de tétrafluorure de carbone et de dioxygène. Selon un mode de mise en œuvre, les premières structures de microlentille et les deuxièmes structures de microlentille sont formées par des matériaux différents. Selon un mode de mise en œuvre, les premières structures de microlentille et les deuxièmes structures de microlentille sont chacune formées d’une résine polymère novolaque. Selon un mode de mise en œuvre, les deuxièmes structures de microlentille sont formées à partir d’un matériau choisi de façon à limiter la réflexion de la lumière sur la surface extérieure des deuxièmes structures de microlentille. En limitant la réflexion de la lumière sur la surface extérieure des deuxièmes structures de microlentille, on évite une perte de photons et, par conséquent, une réduction de l’efficacité quantique. Selon un mode de mise en œuvre, le matériau formant lesdits deuxièmes structures de microlentille présente un indice de réfraction compris entre 1,5 et 1,7. Selon un mode de mise en œuvre, l’épaisseur desdites deuxièmes structures de microlentille est comprise entre 400nm et 4µm. Ainsi, le procédé permet également d’utiliser des deuxièmes structures de microlentille pour lisser la surface des premières structures de microlentille qui peut être parfois très rugueuses. Selon un mode de mise en œuvre, l’épaisseur desdites deuxièmes structures de microlentille est supérieure à 0,1 µm. Des deuxièmes structures de microlentille présentant une telle valeur d’épaisseur peuvent être mieux réparties dans les régions d’espacement entre les premières structures de microlentille. On obtient ainsi une épaisseur suffisante pour réduire, voire supprimer, l’espacement entre les microlentilles. Selon un mode de mise en œuvre, les premières structures de microlentille sont formées de façon à être espacées les unes des autres d’une distance supérieure ou égale à 300nm. Un espacement minimum entre les premières structures de microlentille permet de réduire, voire d’éviter, la formation de ponts entre les premières structures de microlentille. Selon un mode de mise en œuvre, les deuxièmes structures de microlentille sont formées par photolithographie de façon à être espacées les unes des autres, avant ladite déformation, d’une distance supérieure ou égale à 300nm. Selon un mode de mise en œuvre, les deuxièmes structures de microlentille sont espacées les unes des autres, après la déformation des deuxièmes structures de microlentille, d’une distance au moins sensiblement nulle. Selon un autre aspect, il est proposé un dispositif semiconducteur comprenant un substrat support et une pluralité de microlentille. La pluralité de microlentille comporte des premières structures de microlentille de forme bombée disposées sur le substrat support de sorte que les premières structures de microlentille sont séparées les unes des autres par des régions d’espacement. La pluralité de microlentille comporte également des deuxièmes structures de microlentille s’étendant sur les premières structures de microlentille et déformées de sorte que les deuxièmes structures présentent une forme bombée épousant la forme bombée desdites premières structures de microlentille et s’étendent en partie dans les régions d’espacement entre les premières structures de microlentille. Selon un mode de réalisation, chaque deuxième structure de microlentille déformée présente une courbure supérieure ou égale à une courbure de chaque première structure de microlentille. Selon un mode de réalisation, les matériaux des premières structures de microlentille et des deuxièmes structures de microlentille sont différents. Selon un mode de réalisation, les premières structures de microlentille et les deuxièmes structures de microlentille sont en résine polymère novolaque. Selon un mode de réalisation, le matériau des deuxièmes structures de microlentille est configuré pour limiter la réflexion de la lumière sur la surface extérieure des deuxièmes structures de microlentille. Selon un mode de réalisation, le matériau desdites deuxièmes structures de microlentille présente un indice de réfraction compris entre 1,5 et 1,7. Selon un mode de réalisation, l’épaisseur desdites deuxièmes structures de microlentille est comprise entre 400nm et 4µm. Selon un mode de réalisation, l’épaisseur desdites deuxièmes structures de microlentille est supérieure à 0,1µm. Selon un mode de réalisation, les premières structures de microlentille sont espacées les unes des autres d’une distance supérieure ou égale à 300nm. Selon un mode de réalisation, les deuxièmes structures de microlentille sont espacées les unes des autres d’une distance au moins sensiblement nulle. D’autres avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront à l’examen de la description détaillée de modes de réalisation et de mise en œuvre, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels : , et illustrent schématiquement des modes de mise en œuvre et de réalisation de l’invention. La illustre schématiquement un mode de mise en œuvre d’un procédé de fabrication d’un capteur optique DISP. Le procédé de fabrication comprend une obtention 10 d’un substrat support SUB tel que représenté à la selon une vue en coupe. Le substrat support SUB est formé dans un matériau couramment utilisé pour la fabrication de microlentilles, tel que le polysilicium par exemple, et comporte des zones photosensibles Z_PHT formées par différents types de procédés connus en soi en fonction de la nature de la zone photosensible Z_PHT. La zone photosensible Z_PHT peut être une photodiode à jonction ou une photodiode enterrée par exemple. Le substrat peut être de type p ou n et le substrat peut avoir une résistivité plus ou moins élevée. Le dopage des transistors sera différent en fonction du substrat et du type de photodiode. Le procédé comprend ensuite des étapes 11 à 18 permettant de former des microlentilles sur le substrat SUB. Les microlentilles ne sont pas forcément formées directement sur le substrat SUB. En particulier, des couches, telles que des couches formant des filtres de couleur, peuvent être interposées entre le substrat SUB et les microlentilles. Plus particulièrement, la formation des microlentilles comporte une formation de premières structures de microlentilles bombées par les étapes 11 à 14 puis une formation de deuxièmes structures de microlentilles bombées sur les premières structures de microlentilles par les étapes 15 à 18. Le procédé comprend ainsi une formation 11 d’une première couche de matériau C1 sur le substrat support SUB. La première couche C1 peut être formée à partir de résine photosensible. La résine photosensible peut être en polymère novolaque (usuellement désigné sous le terme « novolaks » en anglais). Par exemple, la résine photosensible peut être une résine MFR 400LL de la société japonaise JSR Corporation. La illustre une vue en coupe d’un résultat pouvant être obtenu suite à cette formation 11. Le procédé comprend une formation 12 de premières structures de microlentille LS1 par photolithographie PHT_LITO1 sur le substrat support SUB de sorte que les premières structures de microlentille LS1 sont séparées les unes des autres. Chaque première structure de microlentille LS1 présente alors une forme intermédiaire de plots. Plus particulièrement, La photolithographie PHT_LITHO1 est réalisée à l’aide d’un masque MSK préalablement placé au-dessus de la première couche de matériau C1. Le masque MSK comprend des ouvertures de façon à exposer la surface de la première couche C1 à un rayonnement et à former les premières structures de microlentille LS1 selon un motif. Une telle technique de photolithographie est connue de l’homme du métier qui saura adapter les dimensions des ouvertures du masque MSK afin de former des premières structures LS1 séparées les unes des autres à partir de la première couche C1. Le matériau des premières structures de microlentille LS1 et de la première couche C1 est identique et peut être en polymère novolaque par exemple. La et la illustrent respectivement une vue en coupe et une vue de dessus d’un résultat pouvant être obtenu suite à la formation 12 de premières structures de microlentille LS1 de forme cubique. Avantageusement, les premières structures de microlentille LS1 sont formées au-dessus des zones photosensibles de façon à être espacées les unes des autres d’une distance D1 supérieure ou égale à 300nm, par exemple une distance D1 compris entre 300nm et 600nm. Ainsi, les premières structures de microlentille LS1 présentent des dimensions adaptées pour que la distance D1 entre les premières structures de microlentille LS1 permettent d’éviter la formation de ponts après déformation 13 des premières structures de microlentille LS1. Afin de mettre en forme les premières structures de microlentille LS1 et de leur donner une forme bombée, le procédé comprend la déformation 13 des premières structures de microlentille LS1. La déformation 13 peut être une déformation des premières structures de microlentille LS1 par fluage, c’est-à-dire sous l’action de la chaleur. Le fluage est une technique classique bien connue de l’homme du métier, permettant de rendre liquide les structures de microlentilles LS1 de sorte que les structures de microlentilles LS1 prennent naturellement une forme bombée en surface du substrat support SUB. La illustre une vue en coupe d’un résultat pouvant être obtenu suite à cette déformation 13. Après la déformation 13, les premières structures de microlentille LS1 sont séparées les unes des autres par des régions d’espacement GP. Les régions d’espacement GP sont les régions du substrat support SUB situées entre les premières structures de microlentille LS1 qui ne sont donc pas recouvertes par les premières structures de microlentille LS1. En adaptant les dimensions des ouvertures du masque MSK lors de la première photolithographie PHT_LITHO1 et la déformation des premières structures de microlentille, il est possible de déterminer précisément la largeur des régions d’espacement GP entre chaque première structure de microlentille LS1. Ensuite, le procédé comprend une réticulation 14 (connue sous le terme « cross-link » en anglais) des premières structures de microlentille LS1 par traitement thermique suite à la déformation 13. Une réticulation 14 permet d’éliminer les solvants dans chacune des premières structures de microlentille LS1 et de solidifier les premières structures de microlentille LS1 afin de maintenir leur position fixe et de les stabiliser sur le substrat support SUB. Le procédé comprend également une formation 15 d’une deuxième couche de matériau C2 sur les premières structures de microlentille LS1 et sur le substrat support SUB dans les régions d’espacement GP. La deuxième couche C2 peut être formée à partir de résine photosensible, identique à la résine utilisée pour la première couche C1, ou bien à partir d’un matériau différent tel que le poly(hydroxystyrène) (PHS). La résine peut être par exemple la même que celle utilisée pour la première couche C1 et les premières structures de microlentille LS1, c’est-à-dire de la résine MFR 400LL en polymère novolaque. La illustre une vue en coupe d’un résultat pouvant être obtenu suite à cette formation 15. Le procédé comprend une formation 16 des deuxièmes structures de microlentille LS2 par photolithographie PHT_LITO2 de sorte que les deuxièmes structures de microlentille LS2 s’étendent sur les premières structures de microlentille LS1. Chaque deuxième structure de microlentille LS2 présente alors une forme intermédiaire de plots. La photolithographie PHT_LITHO2 est réalisée à l’aide d’un masque MSK préalablement placé au-dessus de la deuxième couche de matériau C2. Avantageusement, les photolithographies PHT_LITHO1 et PHT_LITHO2 permettant de former les premières structures de microlentille LS1 et les deuxièmes structures de microlentille LS2 sont effectuées en utilisant un même masque MSK. L’utilisation d’un masque MSK unique pour les deux photolithographies PHT_LITHO1 et PHT_LITHO2 permet de réduire le coût de fabrication des microlentilles et de réaliser une deuxième photolithographie PHT_LITHO2 plus rapidement. Le matériau des deuxièmes structures de microlentille LS2 et de la deuxième couche C2 est identique et peut être par exemple de la résine MFR 400LL dont la base est un polymère novolaque. La et la illustrent respectivement une vue en coupe et une vue de dessus d’un résultat pouvant être obtenu suite à la formation 16 de deuxièmes structures de microlentille LS2 de forme cubique. Avantageusement, les deuxièmes structures de microlentille LS2 sont formées de façon à être espacées avant une déformation 17 les unes des autres d’une distance D2 supérieure à 300nm, par exemple une distance D2 comprise entre 300nm et 400nm. La distance D2 peut être égale à la distance D1 correspondant à l’espacement entre les premières structures de microlentille LS1. Avantageusement, l’épaisseur des deuxièmes structures de microlentille est supérieure à 0,1 µm. Les deuxièmes structures de microlentille LS2 possèdent alors une épaisseur E2 suffisante pour être mieux réparties dans les régions d’espacement GP entre les premières structures de microlentille LS1 suite à une déformation 17, décrite ci-après, des deuxièmes structures de microlentille LS2 et pour permettre de réduire, voire d’annuler l’espacement entre les microlentilles. En outre, l’épaisseur E2 des deuxièmes structures de microlentille LS2 est comprise entre 400nm et 4µm. Le procédé permet également, après la déformation 17 des deuxièmes structures de microlentille LS2, d’utiliser des deuxièmes structures de microlentille LS2 pour lisser la surface des premières structures de microlentille LS2 qui peut être relativement rugueuse. Ainsi, on peut améliorer la finition de la surface des microlentilles. Le procédé comprend la déformation 17 des deuxièmes structures de microlentille LS2 de sorte que les deuxièmes structures de microlentille LS2 présentent une forme bombée épousant la forme bombée des premières structures de microlentille LS1 et s’étendent en partie dans les régions d’espacement GAP entre les premières structures de microlentille LS1. La déformation 17 peut être une déformation des deuxièmes structures de microlentille LS2 par fluage, c’est-à-dire sous l’action de la chaleur. Le procédé permet donc d’adapter la technique de fluage décrite précédemment afin de permettre aux deuxièmes structures de microlentilles LS2 de prendre naturellement une forme bombée en surface des premières structures de microlentille LS1. La illustre une vue en coupe d’un résultat pouvant être obtenu suite à cette déformation 17. Avantageusement, la déformation 17 des deuxièmes structures de microlentille LS2 comprend un traitement par plasma de diffusion à une température adaptée. La température du traitement par plasma de diffusion peut être déterminée en fonction de la nature du matériau des deuxièmes structures de microlentille LS2 pour permettre de mieux contrôler la déformation 17 des deuxièmes structures de microlentille LS2 et d’obtenir la forme de microlentille désirée. La température du traitement plasma de diffusion est typiquement comprise entre 150°C et 180°C. En particulier, le plasma à diffusion est un plasma de tétrafluorure de carbone et de dioxygène de formule chimique CF 4 O 2 . Contrairement à d’autres types de plasma, le plasma de tétrafluorure de carbone et de dioxygène présente l’avantage de permettre une déformation des structures de microlentilles sans risquer d’endommager les zones photosensibles du capteur optique DISP et sans affecter la rugosité des microlentilles. Après déformation 17, chaque deuxième structure de microlentille LS2 présente une courbure supérieure ou égale à une courbure de chaque première structure de microlentille LS1. A titre d’exemple, le rayon de courbure R1 des premières microlentilles LS1 peut être compris entre 20° et 40° et le rayon de courbure R2 des deuxièmes structures de microlentille LS2 peut être compris entre 40° et 60°. La courbure de chaque deuxième structure de microlentille LS2 peut donc être ajustée indépendamment de la courbure de chaque première structure de microlentille LS1. Une courbure de microlentille plus élevée permet de réduire la distance focale de la microlentille de façon à faire converger la lumière sur la zone photosensible lorsque cette dernière est proche de la microlentille. Ensuite, le procédé comprend une réticulation 18 des deuxièmes structures de microlentille LS2 par traitement thermique suite à la déformation 17 des deuxièmes structures de microlentille LS2. Une réticulation 18 permet de solidifier les deuxièmes structures de microlentille LS2 afin de maintenir leur position fixe et de les stabiliser sur le substrat support SUB. La formation en deux temps des microlentilles en formant dans un premier temps des premières structures de microlentille puis des deuxièmes structures de microlentilles sur les premières structures de microlentille permet de former des microlentilles sans former de ponts qui peuvent provoquer une perte lumineuse et des interférences optiques entre les zones photosensibles du capteur optique DISP. Par conséquent, le capteur optique DISP bénéficie d’une efficacité quantique améliorée et de performances accrues. La illustre une vue de dessus d’un résultat pouvant être obtenu suite à cette déformation 17. La illustre une vue en coupe d’un capteur optique DISP réalisé à partir du procédé décrit précédemment et qui comprend des zones photosensibles Z_PHT situées sous chaque deuxième structure de microlentille LS2. Les microlentilles formées à partir des premières structures de microlentille LS1 et des deuxièmes structures de microlentille LS2 d’un capteur optique DISP ne présentent pas d’espacement entre elles, ou un espacement très réduit et permettent ainsi de focaliser la lumière LUM incidente sur la zone photosensible Z_PHT recouverte par chaque microlentille. De préférence, les deuxièmes structures de microlentille LS2 sont espacées les unes des autres, après la déformation 17, d’une distance au moins sensiblement nulle. Par conséquent, un tel capteur optique DISP présente l’avantage d’augmenter la quantité de photons collectés par les zones photosensibles Z_PHT ainsi que l’efficacité quantique globale sans perte lumineuse, ni d’interférences optiques entre les zones photosensibles. Bien entendu, la présente invention est susceptible de diverses variantes et modifications qui apparaîtront à l’homme de l’art. Par exemple, les premières structures de microlentille LS1 et les deuxièmes structures de microlentille LS2 peuvent être formées par des matériaux différents. Préférablement, les deuxièmes structures de microlentille LS2 sont formées à partir d’un matériau configuré pour limiter la réflexion de la lumière LUM sur la surface extérieure des deuxièmes structures de microlentille LS2. Ce matériau peut être par exemple de type siloxane (cyclique ou bicyclique) ou de PET (polyester) ou de type acrylique faisant office de revêtement antireflet en fonction du milieu extérieur à la lentille . En particulier, le matériau formant les deuxièmes structures de microlentille LS2 présente un indice de réfraction compris entre 1,5 et 1,7. En limitant la réflexion de la lumière LUM sur la surface extérieure des deuxièmes structures de microlentille LS2, on évite alors une perte de photons. L’efficacité quantique des zones photosensibles est alors augmentée. Procédé de fabrication d’un dispositif optique sur un substrat support (SUB), comprenant une formation d’une pluralité de microlentille comportant : - une formation de premières structures de microlentille (LS1) par photolithographie (PTH_LITO1) sur le substrat support (SUB) de sorte que les premières structures de microlentille (LS1) sont séparées les unes des autres, puis par une déformation des premières structures de microlentille (LS1) de façon à donner une forme bombée aux premières structures de microlentille (LS1), les premières structures de microlentille (LS1) étant séparées les unes des autres par des régions d’espacement (GP) après déformation, puis - une formation de deuxièmes structures de microlentille (LS2) par photolithographie (PTH_LITO2) de sorte que les deuxièmes structures de microlentille (LS2) s’étendent sur les premières structures de microlentille (LS1) puis par déformation des deuxièmes structures de microlentille (LS2) de sorte que les deuxièmes structures de microlentille (LS2) présentent une forme bombée épousant la forme bombée desdites premières structures de microlentille (LS1) et s’étendent en partie dans les régions d’espacement (GP) entre les premières structures de microlentille (LS1). Procédé selon la revendication 1, dans lequel, après déformation, chaque deuxième structure de microlentille (LS2) présente une courbure supérieure ou égale à une courbure de chaque première structure de microlentille (LS1). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 ou 2, comprenant en outre : - une réticulation des premières structures de microlentille (LS1) par traitement thermique suite à leur déformation, et - une réticulation des deuxièmes structures de microlentille (LS2) par traitement thermique suite à la déformation desdites deuxièmes structures de microlentille (LS2). Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel les photolithographies (PTH_LITO1, PTH_LITO2) permettant de former lesdites premières structures de microlentille (LS1) et lesdites deuxièmes structures de microlentille (LS2) sont effectuées en utilisant un même masque (MSK). Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel la déformation desdites deuxièmes structures de microlentille (LS2) comprend un traitement par plasma de diffusion à une température adaptée. Procédé selon la revendication 5, dans lequel le plasma à diffusion est un plasma de tétrafluorure de carbone et de dioxygène. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel les premières structures de microlentille (LS1) et les deuxièmes structures de microlentille (LS2) sont formées par des matériaux différents. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel les premières structures de microlentille (LS1) et les deuxièmes structures de microlentille (LS2) sont chacune formées d’une résine polymère novolaque. Procédé selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel les deuxièmes structures de microlentille (LS2) sont formées à partir d’un matériau choisi de façon à limiter la réflexion de la lumière sur la surface extérieure des deuxièmes structures de microlentille (LS2). Procédé selon la revendication 9, dans lequel le matériau formant lesdits deuxièmes structures de microlentille (LS2) présente un indice de réfraction compris entre 1,5 et 1,7. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur (E2) desdites deuxièmes structures de microlentille (LS2) est comprise entre 400nm et 4µm. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur (E2) desdites deuxièmes structures de microlentille (LS2) est supérieure à 0,1 µm. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les premières structures de microlentille (LS1) sont formées de façon à être espacées les unes des autres d’une distance supérieure ou égale à 300nm. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les deuxièmes structures de microlentille (LS2) sont formées par photolithographie de façon à être espacées les unes des autres, avant ladite déformation, d’une distance supérieure ou égale à 300nm. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les deuxièmes structures de microlentille (LS2) sont espacées les unes des autres, après la déformation des deuxièmes structures de microlentille (LS2), d’une distance au moins sensiblement nulle. Capteur optique (DISP) comprenant un substrat support (SUB) et une pluralité de microlentille comprenant : - des premières structures de microlentille (LS1) de forme bombée disposées sur le substrat support (SUB) de sorte que les premières structures de microlentille (LS1) sont séparées les unes des autres par des régions d’espacement (GP), - des deuxièmes structures de microlentille (LS2) s’étendant sur les premières structures de microlentille (LS1) et déformées de sorte que les deuxièmes structures de microlentille (LS2) présentent une forme bombée épousant la forme bombée desdites premières structures de microlentille (LS1) et s’étendent en partie dans les régions d’espacement (GP) entre les premières structures de microlentille (LS1). Capteur optique selon la revendication 16, dans lequel chaque deuxième structure de microlentille (LS2) déformée présente une courbure supérieure ou égale à une courbure de chaque première structure de microlentille (LS1). Capteur optique selon l’une quelconque des revendications 16 ou 17, dans lequel les matériaux des premières structures de microlentille (LS1) et des deuxièmes structures de microlentille (LS2) sont différents. Capteur optique selon l’une quelconque des revendications 16 ou 17, dans lequel les premières structures de microlentille (LS1) et les deuxièmes structures de microlentille (LS2) sont en résine polymère novolaque. Capteur optique selon l’une des revendications 16 à 18, dans lequel le matériau des deuxièmes structures de microlentille (LS2) est configuré pour limiter la réflexion de la lumière (LUM) sur la surface extérieure des deuxièmes structures de microlentille (LS2). Capteur optique selon la revendication 20, dans lequel le matériau desdites deuxièmes structures de microlentille (LS2) présente un indice de réfraction compris entre 1,5 et 1,7. Capteur optique selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur (E2) desdites deuxièmes structures de microlentille (LS2) est comprise entre 400nm et 4µm. Capteur optique selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur (E2) desdites deuxièmes structures de microlentille est supérieure à 0,1µm. Capteur optique selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les premières structures de microlentille (LS1) sont espacées les unes des autres d’une distance supérieure ou égale à 300nm. Capteur optique selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les deuxièmes structures de microlentille (LS2) sont espacées les unes des autres d’une distance au moins sensiblement nulle.