Brevet FR3136893A1 — publié le 20231222

Diode électroluminescente (100) comportant au moins : - un substrat (102) ; - une portion (108), dite d’un premier type, d’Al X 1 Ga ( 1-X 1 -Y 1 ) In Y 1 N dopé selon un premier type de conductivité, avec X1 > 0 et X1+Y1 ≤ 1, disposée au-dessus du substrat ; - une portion émissive (110) comprenant un alliage dilué d’AlN contenant des atomes de gallium et/ou d’indium à une concentration inférieure à 30 % ; - une portion (112), dite d’un second type, d’Al X 2 Ga ( 1-X 2 -Y 2 ) In Y 2 N dopé selon un second type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, avec X2 > 0 et X2+Y2 ≤ 1, la portion émissive étant disposée entre la portion du premier type et la portion du second type. Figure pour l’abrégé : figure 1. DIODE ELECTROLUMINESCENTE COMPORTANT UNE REGION EMISSIVE A BASE D’AlN CONTENANT DES ATOMES DE GALLIUM ET/OU D’INDIUM L’invention concerne le domaine des diodes électroluminescentes, ou LEDs (« Light-Emitting Diodes » en anglais), à large bande d’émission et à base de semi-conducteur. Avantageusement, l’invention s’applique à la réalisation de LEDs émettant une lumière dans le domaine ultra-violet (UV), notamment dans la gamme des longueurs d’onde comprises entre environ 230 nm et 310 nm, notamment pour les domaines liés à la désinfection, la conservation et/ou l’agriculture. État de la technique antérieure En particulier l’effet bactéricide, et plus généralement l’effet de désinfection, du rayonnement UV découle de la bande d’absorption de l’ADN des micro-organismes (bactéries, microbes, virus) dans une gamme de longueurs d’onde allant d’environ 230 nm à 310 nm. Les dommages infligés à l’ADN des micro-organismes par l’absorption du rayonnement UV entravent leur reproduction et conduisent à leur élimination. Un effet désinfectant maximal est obtenu avec un rayonnement qui présente une distribution spectrale la plus proche possible de cette bande d’absorption de l’ADN des micro-organismes à détruire. La désinfection par exposition au rayonnement UV se fait actuellement en utilisant différents dispositifs tels que des lampes KrCl ou des lampes à vapeur de mercure. Ces dispositifs présentent toutefois des inconvénients. Les lampes KrCl sont des lampes à excimères dont le spectre d’émission est étroit par rapport au spectre d’absorption de l’ADN des micro-organismes à détruire et qui ne permet donc pas d’avoir un effet désinfectant optimal. De plus, ces lampes génèrent de l’ozone, ce qui les limite à des applications de niche. Les lampes à vapeur de mercure sont, quant à elles, fragiles et ont une durée de vie limitée. Elles présentent en outre des raies d’émission fines qui ne couvrent pas non plus tout le spectre d’absorption de l’ADN des micro-organismes à détruire. Enfin, ces lampes contiennent du mercure dont l’usage à terme est banni en raison de sa haute toxicité. Les matériaux semi-conducteurs de la famille des nitrures d’éléments III, comportant notamment du GaN, de l’AlN, de l’InN ou leurs alliages, notamment ternaires et quaternaires, sont particulièrement adaptés à la réalisation de LEDs émettant dans le domaine UV. De telles LEDs sont par exemple réalisées sous la forme d’un empilement de couches, de nanofils, ou bien encore avec une structure hybride comme décrite dans le document FR 3 109 470 A1. Dans ces LEDs, la variation du taux d’aluminium dans la composition du semi-conducteur des multi-puits quantiques permet de contrôler la longueur d’onde d’émission des LEDs. Il est donc possible, avec ces LEDs, de balayer toute la gamme de longueurs d’onde souhaitée pour avoir un effet désinfectant optimal en faisant varier le taux d’aluminium dans la composition du semi-conducteur des multi-puits quantiques. Toutefois, la finesse des pics d’émission obtenus généralement avec de telles LEDs permet difficilement de couvrir, avec une seule LED, toute la gamme de longueurs d’onde souhaitée. Il est donc généralement nécessaire de faire appel à plusieurs LEDs présentant des pics d’émission à des longueurs d’onde différentes pour couvrir notamment l’ensemble de la gamme UV. Un but de la présente invention est de proposer une diode électroluminescente dont le spectre d’émission soit le plus large possible dans la gamme UV. Pour atteindre ce but, l’invention propose une diode électroluminescente comportant au moins : - un substrat ; - une portion, dite d’un premier type, d’Al X 1 Ga ( 1-X 1 -Y 1 ) In Y 1 N dopé selon un premier type de conductivité, avec X1 > 0 et X1+Y1 ≤ 1, disposée au-dessus du substrat ; - une portion émissive comprenant un alliage dilué d’AlN contenant des atomes de gallium et/ou d’indium avec une concentration inférieure à 30 % ; - une portion, dite d’un second type, d’Al X 2 Ga ( 1-X 2 -Y 2 ) In Y 2 N dopé selon un second type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, avec X2 > 0 et X2+Y2 ≤ 1, la portion émissive étant disposée entre la portion du premier type et la portion du second type. La LED selon l’invention comporte ainsi une portion émissive formée d’un alliage dilué d’AlN contenant des atomes de gallium et/ou d’indium, c’est-à-dire non homogène à l’échelle nanométrique en terme de répartition des atomes d’Al et/ou de Ga et/ou d’In. Le potentiel ressenti par les porteurs de charge circulant et se recombinant dans la portion émissive est localement abaissé par la présence de ces atomes de Ga et/ou d’In incorporés aléatoirement dans l’alliage dilué, induisant ainsi une émission lumineuse plus large bande que les LEDs de l’art antérieur. Contrairement aux LEDs de l’art antérieur émettant dans le domaine UV grâce à des puits de potentiels formés entre des couches dopées n et p, il est proposé de réaliser une LED dont la partie émissive est formée par une portion d’AlN contenant des atomes de gallium et/ou d’indium en faible quantité de sorte à former un alliage dilué. Contrairement à un puits quantique formant un puits de potentiel d’énergie d’émission définie, la portion émissive de la LED selon l’invention se caractérise par une zone émissive où les porteurs de charge sont soumis à un potentiel présentant des fluctuations locales créées par la présence de ces atomes de Ga et/ou d’In et formant des zones émettrices s’étendant sur une gamme pouvant aller notamment de 230 à 310 nm. En outre, dans la LED selon l’invention, la portion émissive peut être disposée directement contre les portions de semi-conducteur dopé n et p de la LED (correspondant aux portions du premier type et du second type), contrairement à la portion émissive d’un puits quantique qui est disposée contre des couches barrières. Dans l’alliage dilué de la portion émissive, l’AlN de la portion émissive peut comprendre des atomes de gallium et/ou d’indium en substitution aléatoire d’atomes d’aluminium, ou bien peut comprendre des atomes de gallium et/ou d’indium en substitution d’atomes d’aluminium suffisamment proches les uns des autres pour former localement une région ayant les caractéristiques d’un alliage d’AlGaN ou d’AlInN ou d’AlGaInN, ou bien peut comprendre des atomes de gallium et/ou d’indium liés à des atomes d’azote et pouvant former localement des nanocristaux, ou nanocristallites ou agrégats, d’AlGaN ou d’AlInN ou d’AlGaInN. Le fait que l’utilisation, pour former la portion émissive de la LED, d’un alliage dilué d’AlN contenant des atomes de gallium et/ou d’indium à une concentration inférieure à 30 % conduise à une émission lumineuse dans un large spectre du domaine UV est surprenant et non évident. En effet, dans un alliage homogène d’AlN comprenant 1 % de fraction molaire de GaN, le gap obtenu est de 203 nm ou 6,1 eV, et pour une fraction molaire de GaN de 10%, ce gap est alors de 2225 nm ou 5,5 eV. L’homme de l’art souhaitant réaliser une LED à base d'AlGaN émettant à une longueur d'onde de 280 nm ou 4,43 eV serait naturellement amené à élaborer un alliage ternaire homogène qui devrait contenir une fraction molaire de GaN entre 60 et 62 %, et non à utiliser un alliage dilué comme proposé ici. Avec une telle portion émissive, la LED selon l’invention peut émettre dans une gamme de longueurs d’onde bien plus large que le spectre d’émission d’une LED à puits quantiques, par exemple dans la gamme de longueurs d’onde allant d’environ 200 nm à environ 350 nm et avantageusement dans la gamme de longueurs d’onde allant d’environ 230 nm à environ 310 nm. Une telle LED est donc particulièrement efficace lorsqu’elle est utilisée pour des applications désinfectantes. En outre, par rapport à un dispositif faisant appel à plusieurs LED pour couvrir toute la gamme spectrale souhaitée, le fait de pouvoir couvrir toute cette gamme avec une seule LED permet d’avoir une efficacité similaire ou supérieure tout en consommant une puissance moindre. Un autre avantage est que la réalisation d’une telle LED ne nécessite pas de former des multi-puits quantiques, et est donc plus simple à réaliser et permet de s’affranchir des difficultés inhérentes au contrôle de la composition des semi-conducteurs pour former de tels puits. La LED proposée est particulièrement adaptée pour des applications de désinfection (bactérienne, microbienne, virale), notamment de l’eau et/ou de l’air. Une telle LED peut également être utilisée par exemple pour des applications de désinfection de la peau lorsque son rayonnement correspond à une lumière de longueur d’onde de l’ordre de 230 nm, dont la profondeur de pénétration est limitée à la couche cornée de l’épiderme. La LED proposée s’applique en particulier pour des applications domestiques grand public, comme par exemple pour réaliser la désinfection d’un réfrigérateur, dans une voiture, la purification d’eau en sortie d’un point de distribution de type fontaine ou robinet, etc. La LED peut comporter en outre une portion intermédiaire de GaN dopé selon le premier type de conductivité disposée entre le substrat et la portion du premier type. La présence d’une telle portion intermédiaire permet de faciliter la croissance de la portion du premier type notamment lorsque la LED est réalisée sous la forme de nanofils. La proportion d’atomes de gallium et/ou d’indium dans le matériau de la portion émissive peut être avantageusement inférieure ou égale à 10 %, ou comprise entre environ 1 % et 10 %, ou inférieure ou égale à 5 %, voire même entre 1 % et 5 %. Une telle proportion d’atomes de gallium et/ou d’indium dans le matériau de la portion émissive permet à la LED d’émettre dans la gamme de longueurs d’onde particulièrement bien adaptée aux applications de désinfection. La diode électroluminescente peut comporter en outre une couche tampon disposée entre le substrat et la portion du premier type, ou entre le substrat et la portion intermédiaire lorsque la diode comporte une telle portion intermédiaire. Le matériau de la couche tampon peut être à base de GaN ou d’AlN ou d’AlGaN. Le premier type de conductivité peut correspondre au type n, et le second type de conductivité peut correspondre au type p. L’inverse est toutefois possible. De manière avantageuse : - des dopants de type n présents dans le matériau de l’une des portions soit du premier type soit du second type peuvent correspondre à des atomes de silicium et/ou de soufre et/ou de germanium ; - des dopants de type p présents dans le matériau de l’autre des portions soit du premier type soit du second type peuvent correspondre à des atomes de magnésium et/ou de béryllium. Le matériau de l’autre des portions du premier type et du second type peut comporter des atomes d’indium, ce qui permet d’augmenter la quantité de dopants de p, notamment des atomes de magnésium, incorporés dans le matériau de cette autre portion, facilitant ainsi son dopage. Le matériau de la portion du premier type et/ou de la portion du second type peut comporter de l’AlN. Cette configuration permet d’éviter que les portions du premier type et du second type aient un effet barrière vis-à-vis de la portion émissive qui est à base d’AlN . Dans un premier mode de réalisation, la LED peut comporter une pluralité de nanofils s’étendant depuis le substrat, chacun des nanofils comportant au moins les portions du premier type et du second type et la portion émissive. Dans un deuxième mode de réalisation, au moins les portions du premier type et du second type et la portion émissive peuvent former un empilement de couches disposé sur le substrat. L’invention propose également un procédé de réalisation d’une diode électroluminescente, comportant au moins : - réalisation, sur un substrat, d’une portion, dite d’un premier type, d’Al X 1 Ga ( 1-X 1 -Y 1 ) In Y 1 N dopé selon un premier type de conductivité, avec X1 > 0 et X1+Y1 ≤ 1 ; - réalisation, sur la portion du premier type, d’une portion émissive comprenant un alliage dilué d’AlN contenant des atomes de gallium et/ou d’indium à une concentration inférieure à 30 %, et avantageusement inférieure à 10 % voire même inférieure 5 % ; - réalisation, sur la portion émissive, d’une portion, dite d’un second type, d’Al X 2 Ga ( 1-X 2 -Y 2 ) In Y 2 N dopée selon un second type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, avec X2 > 0 et X2+Y2 ≤ 1. Dans l’ensemble du document, le terme « sur » est utilisé sans distinction de l’orientation dans l’espace de l’élément auquel se rapporte ce terme. Par exemple, dans la caractéristique « un élément réalisé sur un substrat », la face du substrat sur laquelle l’élément est réalisé n’est pas nécessairement orientée vers le haut mais peut correspondre à une face orientée selon n’importe quelle direction. En outre, la disposition d’un premier élément sur un deuxième élément doit être comprise comme pouvant correspondre à la disposition du premier élément contre le deuxième élément, sans aucun élément intermédiaire entre les premier et deuxième éléments, ou bien comme pouvant correspondre à la disposition du premier élément sur le deuxième élément avec un ou plusieurs éléments intermédiaires disposés entre les premier et deuxième éléments. La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d’exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : représente une LED comprenant une portion émissive à base d’AlN contenant des atomes de gallium et/ou d’indium et formant un alliage dilué, objet de la présente invention, selon un premier mode de réalisation ; représente un spectre d’émission de la LED selon le premier mode de réalisation ; représente une LED comprenant une portion émissive à base d’AlN contenant des atomes de gallium et/ou d’indium et formant un alliage dilué, objet de la présente invention, selon un deuxième mode de réalisation. Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures décrites ci-après portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d’une figure à l’autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) doivent être comprises comme n’étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles. Exposé détaillé de modes de réalisation particuliers La décrite ci-dessous représente une LED 100 selon un premier mode de réalisation de l’invention. Dans la description ci-dessous, le terme « épaisseur » est utilisé pour désigner la dimension parallèle à l’axe Z représenté sur les figures 1 et 3, c’est-à-dire la dimension parallèle à la direction selon laquelle s’étendent les nanofils de la LED 100 dans le premier mode de réalisation, ou la direction d’empilement des différentes couches de la LED 100 dans le deuxième mode de réalisation. La LED 100 comporte un substrat 102 sur lequel les autres éléments de la LED 100 sont disposés et servant de support mécanique à ces autres éléments. Dans ce premier mode de réalisation, le substrat 102 comporte par exemple du saphir. D’autres types de substrat peuvent être utilisés, comprenant par exemple un matériau semi-conducteur tel que du silicium. L’épaisseur de ce substrat 102 est par exemple égale à plusieurs centaines de microns. Sur ces figures, la LED 100 comporte également une couche tampon 104 disposée sur le substrat 102. De manière avantageuse, la couche tampon 104 comporte de l’AlN ou de l’AlGaN ou encore du GaN. L’épaisseur de la couche tampon 104 est par exemple comprise entre environ 0,5 µm et 3 µm. Elle peut éventuellement être dopée électriquement et contenir d’autres éléments chimiques et notamment de l’Indium ou du Bore. Cette couche tampon favorise la croissance de la portion 106. La LED 100 comporte, sur la couche tampon 104, une pluralité de nanofils s’étendant sensiblement dans le sens de l’épaisseur de la LED 100, c’est-à-dire selon une direction sensiblement perpendiculaire à la surface du substrat 102 sur laquelle la couche tampon 104 est formée. Sur la , tous les nanofils sont représentés comme étant perpendiculaires à la surface de la couche tampon 104 sur laquelle les nanofils sont réalisés. En pratique, ces nanofils peuvent ne pas être tous parfaitement perpendiculaires à cette surface de la couche tampon 104, et les angles formés entre la surface de croissance de ces nanofils et les directions de croissance de ces nanofils peuvent varier de plusieurs degrés, voire d’une dizaine de degrés ou plus. A titre d’exemple, le diamètre de chaque nanofil et la distance entre les axes de croissance de deux nanofils voisins, c’est à dire leur périodicité, peuvent être compris entre environ 100 nm et 300 nm. En outre, la LED 100 peut comporter un nombre de nanofils compris entre environ 1 million (pour une surface de 100x100 µm 2 ) et 10 millions (pour une surface de 300x300 µm 2 ), avec une densité moyenne par exemple égale à environ 100 fils/µm 2 sur le substrat 102. Dans l’exemple de réalisation de la , chaque nanofil comporte une portion intermédiaire 106 de GaN dopé selon un premier type de conductivité (type n dans l’exemple de réalisation de la ). A titre d’exemple, l’épaisseur de la portion intermédiaire 106 est comprise entre environ 100 nm et 1 micron. En variante, il est possible que les nanofils de la LED 100 ne comportent pas ces portions intermédiaires 106. Dans chaque nanofil, la portion intermédiaire 106 est surmontée d’une portion 108, dite d’un premier type, d’Al X 1 Ga ( 1-X 1 -Y 1 ) In Y 1 N dopé selon le premier type de conductivité, avec X1 > 0 et X1+Y1 ≤ 1. Selon une réalisation avantageuse, le matériau de cette portion 108 comporte des atomes de soufre et/ou de silicium et/ou de germanium et/ou correspond à de l’AlN. A titre d’exemple, l’épaisseur de la portion 108 est comprise entre environ 100 nm et 1 µm. Selon un exemple de réalisation, le dopage de type n des semi-conducteurs des portions 106, 108 est obtenu par incorporation d’atomes de silicium dans les semi-conducteurs des portions 106, 108, par exemple mis en œuvre lors des dépôts de semi-conducteur servant à réaliser ces portions. La concentration de dopants dans les semi-conducteurs des portions 106, 108 est par exemple comprise entre environ 10 1 6 at/cm 3 et 10 2 1 at/cm 3 . La portion 108 de chaque nanofil est surmontée d’une portion émissive 110, ou portion active, d’AlN contenant des atomes de gallium et/ou d’indium. La proportion, ou concentration, d’atomes de Ga et/ou d’In dans l’AlN de la portion émissive 110 est inférieure à 30 % et par exemple comprise entre environ 1% et 10 % voire même comprise entre 1 % et 5 %. A titre d’exemple, l’épaisseur de la portion émissive 110 est comprise entre environ 25 nm et 100 nm. Dans chaque nanofil, la portion émissive 110 est surmontée d’une portion 112, dite d’un second type, d’Al X 2 Ga ( 1-X 2 -Y 2 ) In Y 2 N dopée selon un second type de conductivité (type p dans l’exemple de réalisation de la ), opposé au premier type de conductivité, avec X2 > 0 et X2+Y2 ≤ 1. Selon une réalisation avantageuse, le matériau de cette portion 112 comporte des atomes de béryllium et/ou de magnésium et/ou correspond à de l’AlN. A titre d’exemple, l’épaisseur de la portion 112 est comprise entre environ 10 nm et 100 nm, et avantageusement entre environ 10 nm et 50 nm. Le matériau de la portion 112 peut comporter des atomes d’indium, ce qui permet d’augmenter la quantité de dopants de p, notamment des atomes de magnésium, incorporés dans le matériau de cette portion 112, facilitant ainsi son dopage. Selon un exemple de réalisation, le dopage de type p du semi-conducteur de la portion 112 est obtenu par incorporation d’atomes de magnésium dans le semi-conducteur de la portion 112, par exemple lors du dépôt de ce semi-conducteur. La concentration de dopants dans le semi-conducteur de la portion 112 est par exemple comprise entre environ 10 1 6 at/cm 3 et 10 21 at/cm 3 . Enfin, la portion 112 de chaque nanofil est surmontée d’une couche de contact ohmique 114 disposée sur les sommets des nanofils et formant un contact électrique pour l’une des électrodes de la LED 100. Cette couche de contact ohmique 114 comporte au moins un matériau électriquement conducteur et transparent aux longueurs d’onde destinées à être émise par la LED 100, comme par exemple de l’ITO ou avantageusement du diamant, ou bien du semi-conducteur fortement dopé électriquement. La représente le spectre d’émission d’un ensemble de nanofils de la LED 100 décrite ci-dessus, lorsque la portion émissive 110 comporte de l’AlN contenant des atomes de gallium. Sur ce spectre, l’amplitude est exprimée en unité arbitraire. Ce spectre illustre bien l’émission lumineuse obtenue dans la gamme des longueurs d’onde allant d’environ 230 nm à 340 nm, couvrant notamment la gamme d’absorption de l’ADN des micro-organismes destinés à être éliminés lorsque cette LED 100 est utilisée pour détruire ces micro-organismes. Un exemple de procédé de réalisation de la LED 100 est décrit ci-dessous. La couche tampon 104 est tout d’abord réalisée sur le substrat 102, par exemple en mettant en œuvre un dépôt de type MOCVD (dépôt chimique en phase vapeur à partir de précurseurs métal-organiques). Un masque de croissance est ensuite réalisé sur la couche tampon 104 afin de réaliser les nanofils. Ce masque comporte par exemple des ouvertures circulaires réalisées par exemple par lithographie dans une couche de matériau adapté à la réalisation de ce masque. Le diamètre et la périodicité de ces ouvertures peuvent être compris, par exemple, entre environ 100 nm et 300 nm. Les portions intermédiaires 106 sont ensuite réalisées par croissance ou dépôt à travers les ouvertures de ce masque, sur la couche tampon 104. Le dopage des portions 106 est ensuite réalisé, par exemple par incorporation d’atomes de silicium dans le semi-conducteur formé par croissance. Les portions 108 du premier type sont ensuite réalisées sur les portions 106, par croissance ou dépôt à travers les ouvertures du masque. Le dopage des portions 108 est ensuite réalisé, par exemple par incorporation d’atomes de silicium et/ou de soufre et/ou de germanium. Les portions émissives 110 sont ensuite réalisées sur les portions 108, par exemple par croissance ou dépôt. Des atomes de gallium et/ou d’indium y sont incorporés afin de former l’alliage dilué de ces portions 110. Les portions 112 du second type sont ensuite réalisées sur les portions émissives 110, par exemple par croissance ou dépôt. Le dopage des portions 112 est ensuite réalisé, par exemple par incorporation d’atomes de magnésium et/ou de béryllium. La couche de contact ohmique 114 est ensuite réalisée sur les sommets des nanofils, par exemple par dépôt. Les étapes de croissance ou de dépôt décrites ci-dessus correspondent par exemple à une épitaxie par jets moléculaires (EJM ou MBE pour « Molecular Beam Epitaxy » en anglais) ou un dépôt de type MOCVD. Les dopages peuvent être mis en œuvre in situ dans ces équipements de croissance ou de dépôt. La décrite ci-dessous représente la LED 100 selon un deuxième mode de réalisation. Par rapport à la LED 100 selon le premier mode de réalisation précédemment décrite, la LED 100 selon ce deuxième mode de réalisation n’est pas formée par un ensemble de nanofils réalisés sur la couche tampon 104, mais par un empilement de couches de matériaux réalisées sur la couche tampon 104, la longueur et la largeur (dimensions selon les axes X et Y sur la ) de chacune de ces couches correspondant à la longueur et la largeur de la LED 100. Les matériaux de ces couches 106, 108, 110 et 112 sur la , ainsi que les épaisseurs de ces couches, sont par exemple similaires à ceux et celles des portions 106, 108, 110 et 112 de matériaux de chacun des nanofils de la LED 100 selon le premier mode de réalisation. En variante des premier et deuxième modes de réalisation décrits ci-dessus, il est possible que la LED 100 ne comporte pas la couche tampon 104, les nanofils ou les couches étant dans ce cas réalisés directement sur le substrat 102. Diode électroluminescente (100) comportant au moins : - un substrat (102) ; - une portion (108), dite d’un premier type, d’Al X 1 Ga ( 1-X 1 -Y 1 ) In Y 1 N dopé selon un premier type de conductivité, avec X1 > 0 et X1+Y1 ≤ 1, disposée au-dessus du substrat (102) ; - une portion émissive (110) comprenant un alliage dilué d’AlN contenant des atomes de gallium et/ou d’indium avec une concentration inférieure à 30 % ; - une portion (112), dite d’un second type, d’Al X 2 Ga ( 1-X 2 -Y 2 ) In Y 2 N dopé selon un second type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, avec X2 > 0 et X2+Y2 ≤ 1, la portion émissive (110) étant disposée entre la portion (108) du premier type et la portion (112) du second type. Diode électroluminescente (100) selon la revendication 1, comportant en outre une portion intermédiaire (106) de GaN dopé selon le premier type de conductivité disposée entre le substrat (102) et la portion (108) du premier type. Diode électroluminescente (100) selon l’une des revendications 1 ou 2, dans lequel la proportion d’atomes de gallium et/ou d’indium dans le matériau de la portion émissive (110) est inférieure ou égale 10 %, et en particulier inférieure ou égale à 5 %. Diode électroluminescente (100) selon l’une des revendications précédentes, comportant en outre une couche tampon (104) disposée entre le substrat (102) et la portion (108) du premier type ou entre le substrat (102) et la portion intermédiaire (106) lorsque la diode électroluminescente (100) comporte une telle portion intermédiaire (106). Diode électroluminescente (100) selon la revendication 4, dans laquelle le matériau de la couche tampon (104) est à base de GaN ou d’AlN ou d’AlGaN. Diode électroluminescente (100) selon l’une des revendications précédentes, dans laquelle : - des dopants de type n présents dans le matériau de l’une des portions (108, 112) soit du premier type soit du second type correspondent à des atomes de silicium et/ou de soufre et/ou de germanium ; - des dopants de type p présents dans le matériau de l’autre desdites portions (108, 112) soit du premier type soit du second type correspondent à des atomes de magnésium et/ou de béryllium. Diode électroluminescente (100) selon l’une des revendications précédentes, dans laquelle le matériau de la portion (108) du premier type et/ou de la portion (112) du second type comporte de l’AlN. Diode électroluminescente (100) selon l’une des revendications précédentes, comportant une pluralité de nanofils s’étendant depuis le substrat (102), chacun des nanofils comportant au moins les portions (108, 112) du premier type et du second type et la portion émissive (110). Diode électroluminescente (100) selon l’une des revendications 1 à 7, dans laquelle au moins les portions (108, 112) du premier type et du second type et la portion émissive (110) forment un empilement de couches disposé sur le substrat (102). Procédé de réalisation d’une diode électroluminescente (100), comportant au moins : - réalisation, sur un substrat (102), d’une portion (108), dite d’un premier type, d’Al X 1 Ga ( 1-X 1 -Y 1 ) In Y 1 N dopé selon un premier type de conductivité, avec X1 > 0 et X1+Y1 ≤ 1 ; - réalisation, sur la portion (108) du premier type, d’une portion émissive (110) comprenant un alliage dilué d’AlN contenant des atomes de gallium et/ou d’indium à une concentration inférieure à 30 % ; - réalisation, sur la portion émissive (110), d’une portion (112), dite d’un second type, d’Al X 2 Ga ( 1-X 2 -Y 2 ) In Y 2 N dopée selon un second type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, avec X2 > 0 et X2+Y2 ≤ 1.