Brevet FR3132980A1 — publié le 20230825

Capteur d'images La présente description concerne un dispositif d'acquisition d'images (1), dans lequel des photodétecteurs (2) ont un motif suivant des lignes (14, 16) d'interconnexion de circuits de lecture (3). Figure pour l'abrégé : Fig. 3 Capteur d'images La présente description concerne de façon générale les dispositifs d'acquisition d'images ou capteurs d'images, et vise plus particulièrement, les dispositifs d'acquisition d'images à base de photodétecteurs organiques. On a déjà proposé des dispositifs d'acquisition d'images comprenant une pluralité de photodétecteurs organiques, par exemple organisés en matrice. Dans certaines applications, le dispositif d'acquisition d'image est surmonté d'un écran d'affichage ou recouvre un écran d'affichage. Il existe un besoin d'amélioration des dispositifs d'acquisition d'images connus à base de photodétecteurs organiques. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs d'acquisition d'images connus à base de photodétecteurs organiques. Un mode de réalisation prévoit un dispositif d'acquisition d'images, dans lequel des photodétecteurs ont un motif suivant des lignes d'interconnexion de circuits de lecture. Selon un mode de réalisation, des premières électrodes des photodétecteurs ont un motif en croix dont deux branches sont respectivement à l'aplomb des lignes interconnectant les circuits de lecture. Selon un mode de réalisation, une couche d'injection de trous commune aux photodétecteurs a un motif de quadrillage à l'aplomb des lignes interconnectant les circuits de lecture. Selon un mode de réalisation, une couche active de chaque photodétecteur a le motif de quadrillage de la couche d'injection de trous. Selon un mode de réalisation, une couche active de chaque photodétecteur a le motif en croix de sa première électrode. Selon un mode de réalisation, la couche active et la première électrode de chaque photodétecteur s'étendent au-delà dudit motif. Selon un mode de réalisation, chaque circuit de lecture comporte un transistor, les lignes d'interconnexion correspondant à des lignes interconnectant respectivement les sources des transistors selon une première direction et les grilles des transistors selon une deuxième direction. Selon un mode de réalisation, le motif selon lequel sont réalisés les photodétecteurs est également à l'aplomb de contacts de drain des transistors des circuits de lecture. Selon un mode de réalisation, la surface masquée par la couche active des photodétecteurs représente, pour chaque pixel, moins de 50%, de préférence moins de 30% de la surface du pixel. Un mode de réalisation et de mise en œuvre prévoit un procédé de fabrication d'un dispositif d'acquisition d'images comprenant les étapes suivantes : formation d'une matrice de circuits de lecture dont des transistors sont interconnectés en lignes de sources dans une première direction et en lignes de grilles dans une deuxième direction ; dépôt, à partir de la matrice de circuits de lecture, d'un empilement comportant au moins : une électrode ; une couche active ; et une couche injectrice de trous, gravure des couches de l'empilement séparément ou simultanément selon un motif suivant au moins des lignes d'interconnexion de circuits de lecture. Selon un mode de réalisation, la gravure des couches de l'empilement est telle que la surface masquée de façon cumulative par la couche d'électrode et la couche active représente, pour chaque pixel, moins de 50%, de préférence moins de 30% de la surface du pixel. Selon un mode de réalisation, la couche active est gravée en même temps que la couche injectrice de trous. Selon un mode de réalisation, un filtre optique est rapporté sur l'empilement. Selon un mode de réalisation, les couches de l'empilement recouvrent en outre des contacts de drain des transistors des circuits de lecture. Selon un mode de réalisation, les étapes du procédé sont adaptées à la fabrication d'un dispositif tel que décrit. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation et de mise en oeuvre particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la représente, de façon partielle et schématique, un schéma électrique d'un mode de réalisation d'un dispositif d'acquisition d'images ; la est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un dispositif d'acquisition d'images ; la est une vue en perspective éclatée, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un dispositif d'acquisition d'images ; la , la et la sont des vues schématiques de dessus, de couches du mode de réalisation d'un dispositif d'acquisition d'images de la ; la , la , la , la , la , la , la , la et la sont des vues en coupe, partielles et schématiques, illustrant des étapes d'un mode de mise en œuvre d'un procédé de fabrication d'un dispositif d'acquisition d'images ; la et la sont des vues en coupe, partielles et schématiques, illustrant des étapes d'un autre mode de mise en œuvre d'un procédé de fabrication d'un dispositif d'acquisition d'images ; la et la sont des vues en coupe, partielles et schématiques, illustrant des étapes d'un autre mode de mise en œuvre d'un procédé de fabrication d'un dispositif d'acquisition d'images ; la est une vue en coupe, partielle et schématique, illustrant une variante de réalisation d'un dispositif d'acquisition d'images ; et la est une vue de dessus, partielle et schématique, illustrant une autre variante de réalisation d'un dispositif d'acquisition d'images. Dispositif d'acquisition d'images (1), dans lequel des photodétecteurs (2) ont un motif suivant des lignes (14, 16) d'interconnexion de circuits de lecture (3). Dispositif selon la revendication 1, dans lequel des premières électrodes (27) des photodétecteurs (2) ont un motif en croix (57) dont deux branches sont respectivement à l'aplomb des lignes (14, 16) interconnectant les circuits de lecture (3). Dispositif selon la revendication 2, dans lequel une couche d'injection de trous (23) commune aux photodétecteurs (2) a un motif de quadrillage à l'aplomb des lignes (14, 16) interconnectant les circuits de lecture (3). Dispositif selon la revendication 3, dans lequel une couche active (21) de chaque photodétecteur a le motif de quadrillage de la couche d'injection de trous (23). Dispositif selon la revendication 2, dans lequel une couche active (21) de chaque photodétecteur a le motif en croix (57) de sa première électrode (27). Dispositif selon la revendication 4 ou 5, dans lequel la couche active (21) et la première électrode de chaque photodétecteur s'étendent (93) au-delà dudit motif. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel chaque circuit de lecture (3) comporte un transistor, les lignes d'interconnexion correspondant à des lignes (14, 16) interconnectant respectivement les sources (35) des transistors selon une première direction et les grilles (37) des transistors selon une deuxième direction. Dispositif selon la revendication 6, dans lequel le motif selon lequel sont réalisés les photodétecteurs (2) est également à l'aplomb de contacts de drain (33) des transistors des circuits de lecture (3). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la surface masquée par la couche active (21) des photodétecteurs (2) représente, pour chaque pixel, moins de 50%, de préférence moins de 30% de la surface du pixel. Procédé de fabrication d'un dispositif d'acquisition d'images (1) comprenant les étapes suivantes : formation d'une matrice de circuits de lecture (3) dont des transistors sont interconnectés en lignes de sources (14) dans une première direction et en lignes de grilles (16) dans une deuxième direction ; dépôt, à partir de la matrice de circuits de lecture, d'un empilement comportant au moins : une électrode (27) ; une couche active (21) ; et une couche injectrice de trous (23) gravure des couches de l'empilement séparément ou simultanément selon un motif suivant au moins des lignes (14, 16) d'interconnexion de circuits de lecture (3). Procédé selon la revendication 10, dans lequel la gravure des couches de l'empilement est telle que la surface masquée de façon cumulative par la couche d'électrode (27) et la couche active (21) représente, pour chaque pixel, moins de 50%, de préférence moins de 30% de la surface du pixel. Procédé selon la revendication 10 ou 11, dans lequel la couche active (21) est gravée en même temps que la couche injectrice de trous (23). Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 12, dans lequel un filtre optique (8) est rapporté sur l'empilement. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 13, dans lequel les couches de l'empilement recouvrent en outre des contacts de drain (33) des transistors des circuits de lecture (3). Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 14, dans lequel les étapes sont adaptées à la fabrication d'un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 9.