Brevet FR3138732A1 — publié le 20240209

L'objet de cette divulgation est de fournir une galette de silicium liée, d’épaisseur mince et de réflectance aux infrarouges élevée, et un procédé de production de celle-ci. Cette divulgation fournit une galette de silicium liée comprenant, une galette de silicium servant de substrat de support ; une couche de silicium monocristallin sur la galette de silicium servant de substrat de support ; et un film de silicium réfléchissant les infrarouges prévu entre la galette de silicium servant de substrat de support et la couche de silicium monocristallin ; le film de silicium réfléchissant les infrarouges comprenant du silicium amorphe, et une épaisseur du film de silicium réfléchissant les infrarouges est de 16 nm ou plus. Figure de l’abrégé : Figure 1 GALETTE DE SILICIUM LIEE ET PROCEDE DE PRODUCTION La présente invention concerne une galette de silicium liée (de l’anglais « bonded silicon wafer ») et un procédé de production de celle-ci. Des dispositifs MEMS et des dispositifs semi-conducteurs produits en utilisant l'appareil de liaison à température normale sont connus en tant que galettes de silicium liées (voir, par exemple, PTL 1). Ces dernières années, les capteurs récepteurs de lumière infrarouge à haute sensibilité ont été nécessaires dans les domaines tels que les caméras de surveillance et les capteurs anti-collision automobiles, et des efforts sont requis pour utiliser les galettes de silicium qui sont classiquement utilisées comme capteurs dans la gamme de lumière visible. Documents Brevet :PTL 1 :2014/72249 A Problème technique Le silicium monocristallin et l'oxyde de silicium sont tous deux relativement transparents avec une faible réflectance aux lumières infrarouges. Par conséquent, lorsque l'oxyde de silicium ou le silicium monocristallin est utilisé en tant que couche réfléchissant les infrarouges du capteur récepteur de lumière infrarouge, la couche réfléchissant les infrarouges requiert une épaisseur d'environ 100 pm. Si l'épaisseur de la couche réfléchissant les infrarouges peut être rendue plus mince, le capteur récepteur de lumière infrarouge peut être rendu plus petit. Un objet de cette divulgation est donc de fournir une galette de silicium liée, d’épaisseur mince et de réflectance aux infrarouges élevée, et un procédé de production de celle-ci. Les inventeurs de cette divulgation ont étudié afin de résoudre le problème ci-dessus et examiné l'utilisation de silicium amorphe au lieu d'oxyde de silicium, qui a été couramment utilisé en tant que film de silicium réfléchissant les infrarouges dans des dispositifs à base de galette de silicium. Puisque le silicium amorphe a une réflectance infrarouge plus élevée que l'oxyde de silicium et qu'il est formé à l'aide d'une technologie de liaison à température normale, ils s'attendaient à ce qu'il ait un avantage sur le processus de production. Cependant, le film de silicium amorphe formé par la technologie de liaison à température normale couramment utilisée ne pouvait pas réfléchir le rayonnement infrarouge de manière suffisante en raison de sa faible épaisseur. L'inventeur de cette divulgation a étudié plus avant l'utilisation de silicium amorphe et a trouvé que contrôler l'épaisseur de la couche de silicium amorphe ou le combiner avec une couche de silicium polycristallin améliore significativement la réflectance infrarouge ci-dessus. Cette divulgation a été complétée sur la base des constats ci-dessus, et l'esprit et la configuration de celle-ci sont comme suit. Galette de silicium liée comprenant : une galette de silicium servant de substrat de support ; une couche de silicium monocristallin sur la galette de silicium servant de substrat de support ; et un film de silicium réfléchissant les infrarouges prévu entre la galette de silicium servant de substrat de support et la couche de silicium monocristallin ; le film de silicium réfléchissant les infrarouges comprenant du silicium amorphe, et une épaisseur du film de silicium réfléchissant les infrarouges est de 16 nm ou plus. Galette de silicium liée selon , dans laquelle le film de silicium réfléchissant les infrarouges est fait de silicium amorphe. Galette de silicium liée selon , dans laquelle le film de silicium réfléchissant les infrarouges est formé par une structure stratifiée faite de couche(s) de silicium amorphe et de couche(s) de silicium polycristallin. Galette de silicium liée selon l'un quelconque de à , dans laquelle l'épaisseur du film de silicium réfléchissant les infrarouges est de 25 nm ou plus. Galette de silicium liée selon l'un quelconque de à , dans laquelle l'épaisseur de la couche de silicium monocristallin est de 3 μm ou plus et de 30 μm ou moins. Procédé de production de la galette de silicium liée selon l’un quelconque de , , ou comprenant les étapes de :un processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium amorphe formant une couche formée d'un film de silicium amorphe d'une épaisseur de 15 nm ou plus sur une surface de la galette de silicium pour substrat de support ; un processus de traitement d'activation soumettant une surface de la couche formée d’un film de silicium amorphe et une surface d’une galette de silicium pour couche de silicium monocristallin à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées ; un processus de liaison, suivant le processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges ; et un processus de réduction d'épaisseur, après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin. Procédé de production de la galette de silicium liée selon l’un quelconque de , , ou comprenant les étapes de :un processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium amorphe formant une couche formée d'un film de silicium amorphe d'une épaisseur de 15 nm ou plus sur une surface d'une galette de silicium pour couche de silicium monocristallin ; un processus de traitement d'activation soumettant une surface de la couche formée d’un film de silicium amorphe et une surface de la galette de silicium pour substrat de support à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées ; un processus de liaison, suivant le processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges ; et un processus de réduction d'épaisseur, après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin. Procédé de production de la galette de silicium liée selon l’un quelconque de , , ou comprenant les étapes de :un processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium amorphe formant des couches formées d'un film de silicium amorphe d'une épaisseur totale de 16 nm ou plus sur chaque surface de la galette de silicium pour substrat de support et d’une galette de silicium pour couche de silicium monocristallin ; un processus de traitement d'activation soumettant chaque surface des couches formées d’un film de silicium amorphe formées sur chaque surface de la galette de silicium pour substrat de support et de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées ; un processus de liaison, suivant le processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges ; et un processus de réduction d'épaisseur, après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin. Procédé de production de la galette de silicium liée selon l’un quelconque de à comprenant les étapes de :un processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium polycristallin formant une couche formée d'un film de silicium polycristallin d'une épaisseur de 15 nm ou plus sur une surface de la galette de silicium pour substrat de support ; un processus de traitement d'activation soumettant une surface de la couche formée d’un film de silicium polycristallin et une surface d’une galette de silicium pour couche de silicium monocristallin à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées ; un processus de liaison, suivant le processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges ; et un processus de réduction d'épaisseur, après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin. Procédé de production de la galette de silicium liée selon l’un quelconque de à comprenant les étapes de :un processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium polycristallin formant une couche formée d'un film de silicium polycristallin d'une épaisseur de 15 nm ou plus sur une surface d’une galette de silicium pour couche de silicium monocristallin ; un processus de traitement d'activation soumettant une surface de la couche formée d’un film de silicium polycristallin et une surface de la galette de silicium pour substrat de support à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées ; un processus de liaison, suivant le processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges ; et un processus de réduction d'épaisseur, après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin. Procédé de production de la galette de silicium liée selon l’un quelconque de à comprenant les étapes de :un processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium polycristallin formant des couches formées d'un film de silicium polycristallin d'une épaisseur de 16 nm ou plus sur chaque surface de la galette de silicium pour substrat de support et d’une galette de silicium pour couche de silicium monocristallin ; un processus de traitement d'activation soumettant chaque surface des couches formées d’un film de silicium polycristallin formées sur chaque surface de la galette de silicium pour substrat de support et de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées ; un processus de liaison, suivant le processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges ; et un processus de réduction d'épaisseur, après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin. Ci-après, le procédé de formation des zones activées sur chacune des galettes de silicium pour substrat de support et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin, puis de liaison des zones activées des deux galettes ensemble sous vide à température normale est appelé « liaison sous vide à température normale ». Cette divulgation fournit une galette de silicium liée, d’épaisseur mince et de réflectance aux infrarouges élevée et un procédé de production de celle-ci. D’autres caractéristiques, détails et avantages apparaîtront à la lecture de la description détaillée ci-après, et à l’analyse des dessins annexés, sur lesquels : Fig. 1 est une vue en coupe transversale schématique illustrant une galette de silicium liée, conformément à cette divulgation ; Fig. 2A est une vue en coupe transversale schématique illustrant une galette de silicium liée, conformément à cette divulgation, dans laquelle le film de silicium réfléchissant les infrarouges est fait de silicium amorphe ;. Fig. 2B est une vue en coupe transversale schématique illustrant le premier aspect d'une galette de silicium liée selon cette divulgation, dans laquelle le film de silicium réfléchissant les infrarouges est formé par une structure stratifiée d'une couche de silicium amorphe et d'une couche de silicium polycristallin ; Fig. 2C est une vue en coupe transversale schématique illustrant le deuxième aspect d'une galette de silicium liée selon cette divulgation, dans laquelle le film de silicium réfléchissant les infrarouges est formé par une structure stratifiée d'une couche de silicium amorphe et d'une couche de silicium polycristallin ; Fig. 2D est une vue en coupe transversale schématique illustrant le troisième aspect d'une galette de silicium liée selon cette divulgation, dans laquelle le film de silicium réfléchissant les infrarouges est formé par une structure stratifiée d'une couche de silicium amorphe et de couches de silicium polycristallin ; Fig. 3 [Fig. 3 est une vue en coupe transversale schématique illustrant le premier mode de réalisation du procédé de production d'une galette de silicium liée selon cette divulgation ; Fig. 4 est une vue en coupe transversale schématique illustrant le deuxième mode de réalisation du procédé de production d'une galette de silicium liée selon cette divulgation ; Fig. 5 est une vue en coupe transversale schématique illustrant le troisième mode de réalisation du procédé de production d'une galette de silicium liée selon cette divulgation ; Fig. 6 est une vue en coupe transversale schématique illustrant le quatrième mode de réalisation du procédé de production d'une galette de silicium liée selon cette divulgation ; Fig. 7 est un schéma conceptuel illustrant un exemple d'un appareil utilisé pour la liaison sous vide à température normale dans un mode de réalisation du procédé de production d'une galette de silicium liée selon cette divulgation ; et Fig. 8 est une vue en coupe transversale d'une galette de silicium liée pour illustrer un procédé de mesure de la réflectance des lumières infrarouges sur une galette de silicium liée selon un mode de réalisation de cette divulgation. (1. Vue d’ensemble) Avant de décrire les modes de réalisation selon cette divulgation, la correspondance entre chaque dessin va être expliquée. La est une vue en coupe transversale schématique d’une galette de silicium liée 1 conformément à cette divulgation. Ici, un film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 peut être fait de silicium amorphe ou être formé par une structure stratifiée d’une/de couche(s) de silicium amorphe et d’une/de couche(s) de silicium polycristallin. La illustre une galette de silicium liée 2 dans laquelle le film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 est fait de silicium amorphe. Les figures 2B à 2D illustrent trois aspects différents des films de silicium réfléchissant les infrarouges 30 dans des galettes de silicium liées 3 à 5 dans lesquelles les films de silicium réfléchissant les infrarouges 30 sont en particulier formés par une structure stratifiée de couche(s) de silicium amorphe et de couche(s) de silicium polycristallin, et sont ci-après désignés en tant que premier, deuxième et troisième aspects, respectivement. La est une vue en coupe transversale schématique illustrant un mode de réalisation du procédé de production de la galette de silicium liée 2 lorsque le film de silicium réfléchissant les infrarouges est fait de silicium amorphe (ci-après appelé le premier mode de réalisation). Dans le premier mode de réalisation illustré en , une couche formée d'un film de silicium amorphe 131 est formée sur une galette de silicium pour substrat de support 110, cependant, la couche formée d'un film de silicium amorphe peut être formée sur une galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 à la place. La est une vue en coupe transversale schématique illustrant un mode de réalisation du procédé de production de la galette de silicium liée 2 lorsque le film de silicium réfléchissant les infrarouges est fait de silicium amorphe et fournit la couche formée d'un film de silicium amorphe 231 sur à la fois la galette de silicium pour substrat de support 210 et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 220 (ci-après dénommé deuxième mode de réalisation). La est une vue en coupe schématique illustrant un mode de réalisation du procédé de production de la galette de silicium liée 3 lorsque le film de silicium réfléchissant les infrarouges est formé par une structure stratifiée d'une couche de silicium amorphe et d'une couche de silicium polycristallin et ayant le film de silicium réfléchissant les infrarouges conformément au premier aspect (ci-après dénommé troisième mode de réalisation). Dans le troisième mode de réalisation illustré en , la couche formée d'un film de silicium polycristallin 335 est formée sur la galette de silicium pour substrat de support 310, cependant, la couche formée d'un film de silicium polycristallin peut être formée sur la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 320 à la place, et dans ce cas, la galette de silicium liée 4 ayant le film de silicium réfléchissant les infrarouges selon le deuxième aspect peut être produite. La est une vue en coupe schématique illustrant un mode de réalisation du procédé de production de la galette de silicium liée 5 lorsque le film de silicium réfléchissant les infrarouges 430 est formé par une structure stratifiée d'une couche de silicium amorphe et de couches de silicium polycristallin et ayant le film de silicium réfléchissant les infrarouges 430 conformément au troisième aspect (ci-après dénommé quatrième mode de réalisation). Un ou des mode(s) de réalisation de cette divulgation sont décrits en détail ci-dessous en référence aux dessins. Tout d'abord, une vue d'ensemble des galettes de silicium liées 1 à 5 selon cette divulgation est donnée en référence à la et aux figures 2A à 2D. Ici, le film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 dans la galette de silicium liée 1 décrite en peut être fait de silicium amorphe ou être formé par une structure stratifiée d’une/de couche(s) de silicium amorphe et d’une/de couche(s) de silicium polycristallin. Ensuite, le procédé de production d'une galette de silicium liée selon les premier à quatrième modes de réalisation pour obtenir les galettes de silicium liées 2 à 5 sera décrit, et les détails de chaque configuration seront également expliqués. Les aspects spécifiques applicables à cette divulgation sont ensuite décrits. Dans chaque dessin, l'épaisseur de chaque composant est exagérée à des fins d'explication. Par conséquent, l'épaisseur de chaque composant diffère du rapport d'épaisseur réel. (2. Galette de silicium liée) En référence à la , la galette de silicium liée 1 selon cette divulgation comprend une galette de silicium pour substrat de support 10, une couche de silicium monocristallin 21 faite de silicium monocristallin sur la galette de silicium pour substrat de support 10, et un film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 prévu entre la galette de silicium pour substrat de support 10 et la couche de silicium monocristallin 21. Le film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 comprend du silicium amorphe. Dans la galette de silicium liée 2 de la , le film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 est fait de silicium amorphe, et dans les galettes de silicium liées 3 à 5 des figures 2B à la , le film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 est formé par une structure stratifiée de couche(s) de silicium amorphe et de couche(s) de silicium polycristallin. Ici, le silicium monocristallin en tant que matériau de la galette de silicium pour substrat de support 10 et la couche de silicium monocristallin 21 est transparent aux lumières infrarouges, tandis que le silicium amorphe et le silicium polycristallin en tant que matériau du film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 sont opaques aux lumières infrarouges. En rendant l'épaisseur du film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 qui est fait de silicium amorphe seul ou de silicium amorphe et polycristallin de 16 nm ou plus, les galettes de silicium liées d’épaisseurs minces et une réflectance infrarouge élevée peuvent être obtenues. Le film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 peut être fait de silicium amorphe ou peut être formé par une structure stratifiée de couche(s) de silicium amorphe et de couche(s) de silicium polycristallin, cependant si l'épaisseur de celui-ci est inférieure à 16 nm, il ne réfléchira pas suffisamment les lumières infrarouges. L'épaisseur du film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 est de préférence de 20 nm ou plus, plus préférablement de 25 nm ou plus, et encore plus préférablement de 30 nm ou plus. Bien que le film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 s'approche de 100 % de réflectance plus il est épais, il sature généralement à 25 nm. Pour cette raison, bien qu'il n'y ait pas de limite particulière à la limite supérieure, il est possible de fixer la limite supérieure à 40 nm aux fins de rendre la galette de silicium liée 1 plus petite. L'épaisseur de la couche de silicium monocristallin 21, dans laquelle pénètrent les lumières infrarouges, est de préférence de 3 μm ou plus et de 30 μm ou moins, bien qu'il n'y ait pas de limite particulière. Selon l'application de la galette de silicium liée 1, l'épaisseur de la couche de silicium monocristallin 21 peut être de 5 μm ou plus, 10 μm ou plus, 20 μm ou moins, ou 15 μm ou moins. La illustre schématiquement la galette de silicium liée lorsque le film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 est fait de silicium amorphe. Les figures 2B à 2D illustrent chacune schématiquement les premier à troisième aspects dans lesquels les films de silicium réfléchissant les infrarouges 30 sont formés par une structure stratifiée d’une/de couche(s) de silicium amorphe et d’une/de couche(s) de silicium polycristallin. Dans le premier aspect du film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 illustré en , la couche de silicium polycristallin 35 est prévue sur un côté de surface de la galette de silicium pour substrat de support 10, et la couche de silicium amorphe 32 est prévue sur le côté de surface de la couche de silicium monocristallin 21. Dans le deuxième aspect du film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 illustré en , la couche de silicium polycristallin 35 est prévue sur un côté de surface de la couche de silicium monocristallin 21, et la couche de silicium amorphe 32 est prévue sur le côté de surface de la galette de silicium pour substrat de support 10. Dans le troisième aspect du film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 illustré en , le film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 a une couche de silicium polycristallin 35a et une couche de silicium polycristallin 35b prévues sur le côté de surface d’à la fois la galette de silicium pour substrat de support 10 et la couche de silicium monocristallin 21, respectivement. La couche de silicium amorphe 32 est prévue entre la couche de silicium polycristallin 35a et la couche de silicium polycristallin 35b. Dans les premier à troisième aspects où le film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 est formé par une structure stratifiée d’une/de couche(s) de silicium amorphe et d’une/de couche(s) de silicium polycristallin, les cas suivants sont déterminés en raison des modes de réalisation du procédé de production : le cas où la couche de silicium polycristallin et la couche de silicium amorphe sont stratifiées dans cet ordre à partir du côté de la galette de silicium pour substrat de support 10 dans le film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 ; le cas où la couche de silicium amorphe et la couche de silicium polycristallin sont stratifiées dans cet ordre à partir du côté de la galette de silicium pour substrat de support 10 dans le film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 ; et le cas où la couche de silicium polycristallin, la couche de silicium amorphe et la couche de silicium polycristallin sont stratifiées dans cet ordre à partir du côté de la galette de silicium pour substrat de support 10 dans le film de silicium réfléchissant les infrarouges 30. De plus, dans les premier à troisième aspects illustrés, bien que ceci ne soit pas représenté, la structure stratifiée peut en outre comprendre une structure stratifiée formée par une ou chacune des couche(s) de silicium amorphe et couche(s) de silicium polycristallin supplémentaire(s). Dans les deux cas, pour les galettes de silicium liées 2 à 5 selon cette divulgation, la structure stratifiée de la ou des couche(s) de silicium amorphe et de la ou des couche(s) de silicium polycristallin fonctionnera également en tant que film de silicium réfléchissant les infrarouges. Ce qui suit est une description séquentielle des modes de réalisation pour produire les galettes de silicium liées 2 à 5. (3. Premier mode de réalisation de procédé pour la production d’une galette de silicium liée) En référence à la , le procédé de production d'une galette de silicium liée 100 selon le premier mode de réalisation est décrit. Ce mode de réalisation est un procédé de production de la galette de silicium liée 2 en , et est un mode de réalisation de la galette de silicium liée 1 en où le film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 est fait de silicium amorphe. Le procédé de fabrication de la galette de silicium liée 100 comprend les étapes suivantes : un processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium amorphe (voir S110 et S120 en ) formant la couche formée d'un film de silicium amorphe 131 d'une épaisseur de 15 nm ou plus à la surface de la galette de silicium pour substrat de support 110 ; un processus de traitement d'activation (voir S130 et S140 en ) soumettant la surface de la couche formée d’un film de silicium amorphe 131 et la surface de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées 132a, 132b ; un processus de liaison (voir S150 en ), suivant ce processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées 132a, 132b l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées 132a, 132b pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges 130 ; et un processus de réduction d'épaisseur (voir S160 en ), après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin 121. Les détails de chaque processus sont décrits séquentiellement ci-dessous. Dans le processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium amorphe (voir S110 et S120 en ), la couche formée d'un film de silicium amorphe 131 faite de silicium amorphe est formée à la surface de la galette de silicium pour substrat de support 110. La couche formée d'un film de silicium amorphe 131 peut être formée par des procédés généralement connus. L'épaisseur de la couche formée d'un film de silicium amorphe 131 formée ici est de 15 nm ou plus de sorte que la zone de silicium amorphe fonctionnera en tant que film de silicium réfléchissant les infrarouges lorsqu'elle est transformée en une galette de silicium liée. Pendant le traitement d'activation, les zones activées faites de silicium amorphe sont formées à partir de surfaces de chaque galette de silicium jusqu'à une position en profondeur d'environ 1 nm, par conséquent, lorsque les galettes de silicium sont liées ensemble, un film de silicium réfléchissant les infrarouges 130 d'une épaisseur de 16 nm ou plus est formé. L'épaisseur de la couche formée d’un film de silicium amorphe 131 formée au cours de ce processus est de préférence de 19 nm ou plus, plus préférablement de 24 nm ou plus, et encore plus préférablement de 29 nm ou plus. La limite supérieure de l'épaisseur de la couche formée d'un film de silicium amorphe 131 n'est pas particulièrement limitée, mais la limite supérieure est d'environ 40 nm pour une productivité industrielle. > La couche formée d'un film de silicium amorphe 131, qui est faite de silicium amorphe, peut être formée à la surface de la galette de silicium pour substrat de support 110 en utilisant un procédé CVD tel qu'un CVD au plasma. Si la couche est formée alors que la température de la galette de silicium pour substrat de support 110 est comprise entre 500°C et 600°C, la couche formée d'un film de silicium amorphe faite de silicium amorphe peut être amenée à croître. Ensuite, dans le processus de traitement d'activation (voir S130 et S140 en ), le traitement d'activation est effectué pour la liaison sous vide à température normale. Autrement dit, la surface de la couche formée d'un film de silicium amorphe 131 de la galette de silicium pour substrat de support 110 et la surface de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 sont soumises à un traitement d'activation par irradiation de faisceaux d'ions ou de faisceaux d'atomes neutres 910 sous vide à température normale pour former des zones activées 132a, 132b sur chaque surface de la galette de silicium pour substrat de support 110 et de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120. Comme décrit ci-dessous, à la surface de chaque galette de silicium, une zone activée faite de silicium amorphe est formée à une position en profondeur d'environ 1 nm de la surface du côté irradié par le faisceau, bien que la profondeur dépende de l'énergie injectée. Processus de liaison Dans le processus de liaison (voir S150 en ), à la suite du processus de traitement d'activation ci-dessus, en mettant en contact les zones activées 132a, 132b d’à la fois la galette de silicium pour substrat de support 110 et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 l'une l'autre sous vide à température normale, les deux galettes de silicium sont liées ensemble par l’intermédiaire de la couche formée d’un film de silicium amorphe 131. A ce moment, le silicium amorphe est formé non seulement dans la zone activée 132a à la surface de la couche formée d'un film de silicium amorphe 131 sur la galette de silicium pour substrat de support 110, mais également dans la zone activée 132b à la surface de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120, où la couche formée d'un film de silicium amorphe 131 n'a pas été formée, à une position en profondeur d'environ 1 nm. Par conséquent, au moment de la liaison, la zone activée 132b et la couche formée d’un film de silicium amorphe 131 forment ensemble le film de silicium réfléchissant les infrarouges 130 fait de silicium amorphe d’une épaisseur de 16 nm ou plus. > En référence à la et à la , le procédé de liaison utilisant la liaison sous vide à température normale pour effectuer le processus de traitement d'activation et le processus de liaison ci-dessus est décrit. La liaison sous vide à température normale est un procédé de liaison de la galette de silicium pour substrat de support 110 et de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 l’une à l’autre à température normale sans chauffage. Dans ce mode de réalisation, la surface de la couche formée d'un film de silicium amorphe 131 de la galette de silicium pour substrat de support 110 et la surface de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 sont chacune soumises à un traitement d'activation par irradiation de faisceaux d'ions ou de faisceaux d'atomes neutres sous vide à température normale, et les deux surfaces ci-dessus sont transformées en zones activées 132a, 132b, respectivement (voir également S130 et S140 en ). En conséquence, des liaisons pendantes apparaissent dans les zones activées 132a, 132b. Par conséquent, lorsque les deux zones activées ci-dessus sont amenées en contact sous vide à température normale, une force de liaison est instantanément activée et la galette de silicium pour substrat de support 110 et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 sont fermement liées avec les zones activées 132a, 132b ci-dessus en tant que surfaces de liaison (voir également S150 en ). Les procédés de traitement d'activation comprennent l'accélération d'éléments ionisés dans une atmosphère de plasma vers la surface du substrat et l'accélération d'éléments ionisés accélérés à partir d'un dispositif à faisceau ionique vers la surface du substrat. En référence à la , le procédé de traitement d’activation est expliqué à l'aide d'un schéma conceptuel illustrant un exemple de dispositif qui met en œuvre ce procédé. L'appareil de liaison sous vide à température normale 930 a une chambre à plasma 931, une entrée de gaz 932, une pompe à vide 933, un dispositif d'application de tension impulsionnelle 934 et des supports à galette(s) 935a, 935b. Tout d'abord, la galette de silicium pour substrat de support 110 et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 sont placées sur les supports à galette(s) 935a, 935b dans la chambre à plasma 931, respectivement, et fixées. Ensuite, l'intérieur de la chambre à plasma 931 est dépressurisé par la pompe à vide 933, puis le gaz source est introduit dans la chambre à plasma 931 à partir de l'entrée de gaz 932. Ensuite, une tension négative est appliquée par impulsions aux supports à galette(s) 935a, 935b (ainsi qu'à la galette de silicium pour substrat de support 110 et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120) par le dispositif d'application de tension impulsionnelle 934. Ceci permet de générer un plasma du gaz formant matière première, et accélère et irradie les ions du gaz formant matière première contenus dans le plasma généré en direction de la surface de la couche formée d'un film de silicium amorphe 131 formée sur la galette de silicium pour substrat de support 110 et la surface de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120. L'élément à irradier est choisi parmi au moins l'un d’Ar, Ne, Xe, H, He et Si. En référence à S140 en . Comme mentionné ci-dessus, le traitement d'activation dans la liaison sous vide à température normale forme une zone de silicium amorphe dans chacune de la couche formée d'un film de silicium amorphe 131 et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 à une position en profondeur d'environ 1 nm de la surface, du côté où le faisceau est irradié, et des liaisons pendantes sont formées. Dans ce mode de réalisation, puisque la couche formée d'un film de silicium amorphe 131 est faite de silicium amorphe, la zone activée 132a est formée sur la galette de silicium pour substrat de support 110 sans modifier l'épaisseur de la zone de silicium amorphe, et la zone activée 132b faite de silicium amorphe est formée sur la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120. Il convient de noter que ces zones faites de silicium amorphe formées sur les deux galettes de silicium fonctionnent également en tant que couches pièges à gaz (en anglais « gettering layers »). Par exemple, la zone activée 132a, qui est faite de silicium amorphe, est utile en ce qu'elle peut supprimer la diffusion vers l'extérieur de l'oxygène et des impuretés contenues dans la galette de silicium pour substrat de support 110 vers la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120. - Spécificités de la liaison sous vide à température normale - La pression de chambre dans la chambre à plasma 931 peut être de 1 x10-5 Pa ou moins. Si la valeur est de 1 × 10-5 Pa ou moins, il n'y a pas de risque que le taux de formation de liaisons pendantes soit réduit en raison d’un rattachement des éléments pulvérisés à la surface du substrat. La tension d'impulsion appliquée à la galette de silicium pour substrat de support 110 et à la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 peut être définie de sorte que l'énergie d'accélération des éléments irradiés par rapport à la surface de substrat tombe entre 100 eV et 10 keV. Si la valeur est de 100 eV ou plus, il n'y a pas de risque que les éléments irradiés se déposent à la surface de substrat, et si la valeur est de 10 keV ou moins, il n'y a pas de risque que les éléments irradiés s'injectent à l'intérieur du substrat, permettant ainsi une formation stable de liaisons pendantes. La fréquence de la tension d'impulsion détermine le nombre de fois que la galette de silicium pour substrat de support 110 et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 sont irradiées avec des ions ou des atomes neutres. La fréquence de la tension impulsionnelle peut être comprise entre 10 Hz et 10 kHz. Si la fréquence de la tension d'impulsion est de 10 Hz ou plus, les variations d'irradiation des ions ou des atomes neutres peuvent être absorbées, stabilisant ainsi l'irradiation des ions ou des atomes neutres. Si la fréquence de la tension d'impulsion est de 10 kHz ou moins, la formation de plasma par décharge luminescente est stable. La largeur d'impulsion de la tension d'impulsion détermine la durée pendant laquelle la galette de silicium pour substrat de support 110 et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 sont irradiées avec des ions ou des atomes neutres. La largeur d'impulsion est de préférence entre 1 µsec et 10 msec. Si la largeur d'impulsion est de 1 μsec ou plus, les ions ou les atomes neutres peuvent être irradiés de manière stable jusqu’au substrat de support et au substrat pour couche de silicium monocristallin. Si la largeur d'impulsion est de 10 ms ou moins, la formation de plasma par décharge luminescente est stable. Comme mentionné ci-dessus, la galette de silicium pour substrat de support 110 et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 ne sont pas chauffées. Par conséquent, la température de chaque galette est la température ambiante (typiquement 30°C à 90°C). Après le processus de traitement d'activation et le processus de liaison par la liaison sous vide à température normale décrit ci-dessus, le processus de réduction d'épaisseur des galettes de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 est effectué (voir S160 en ). Dans ce processus, on réduit l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 depuis le côté opposé de la surface stratifiée, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin 121 faite de silicium monocristallin. Pour réduire l'épaisseur, par exemple, la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 peut être meulée et polie. De cette manière, une galette de silicium liée avec une couche de silicium monocristallin 121 de l'épaisseur souhaitée peut être obtenue. L'épaisseur de la couche de silicium monocristallin 121 peut être déterminée selon le dispositif à y former, et est de préférence de 3 μm ou plus et de 30 μm ou moins, ou peut être de 5 μm ou plus, de 10 μm ou plus, de 20 μm ou moins, ou de 15 μm ou moins. Il convient de noter que pour ce meulage et ce polissage, n'importe quel procédé de meulage et de polissage connu ou donné peut être utilisé de manière appropriée, et les exemples spécifiques incluent le meulage de surface et le polissage miroir. La galette de silicium liée 100 ainsi obtenue comprend la galette de silicium pour substrat de support 110, la couche de silicium monocristallin 121 sur la galette de silicium pour substrat de support 110, et le film de silicium réfléchissant les infrarouges 130, fait de silicium amorphe, prévu entre la galette de silicium pour substrat de support 110 et la couche de silicium monocristallin 121. Le silicium amorphe du film de silicium réfléchissant les infrarouges 130 consiste essentiellement en la couche formée d'un film de silicium amorphe 131 sur le côté de surface de la galette de silicium pour substrat de support 110 et la zone activée 132b formée à la surface de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120, et la couche formée d'un film de silicium amorphe 131 comprend la zone activée 132a formée à la surface de la couche formée d'un film de silicium amorphe 131. Le premier mode de réalisation du procédé de production de la galette de silicium liée est décrit ci-dessus en référence à la . Dans le premier mode de réalisation, la couche formée d'un film de silicium amorphe 131 a été formée sur la galette de silicium pour substrat de support 110. Cependant, en tant que variante du premier mode de réalisation, la galette de silicium liée 100 illustrée en peut également être produite par le même processus que dans le premier mode de réalisation ci-dessus, sauf que la couche formée d'un film de silicium amorphe 131 est formée sur la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120. C'est-à-dire que la galette de silicium liée 100 peut être produite par les étapes suivantes : un processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium amorphe formant la couche formée d'un film de silicium amorphe 131 faite de silicium amorphe à la surface de la galette de silicium pour la couche de silicium monocristallin 120 ; un processus de traitement d'activation soumettant la surface de la galette de silicium pour substrat de support 110 et la surface de la couche formée d'un film de silicium amorphe 131 sur la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 à un traitement d'activation devant irradier les faisceaux d’ions ou les faisceaux d’atomes neutres 910 sous vide à température normale, formant ainsi les zones activées 132a, 132b sur chacune de la galette de silicium pour substrat de support 110 et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 ; un processus de liaison, suivant ce processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées 132a, 132b sous vide à température normale, liant ainsi la galette de silicium pour substrat de support 110 et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 120 via la couche formée d’un film de silicium amorphe 131 ; et un processus de réduction d’épaisseur réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour la couche de silicium monocristallin 120 depuis le côté opposé de la surface stratifiée, pour faire la couche de silicium monocristallin 121. Puisque les mêmes techniques que celles décrites ci-dessus dans le premier mode de réalisation peuvent être utilisées pour la formation de la couche formée d'un film de silicium amorphe 131, la liaison sous vide à température normale, et le meulage et le polissage pour réduction d'épaisseur, les descriptions redondantes sont omises. (4. Deuxième mode de réalisation de procédé de production d'une galette de silicium liée) En référence à la , le procédé de production de la galette de silicium liée 200 selon le deuxième mode de réalisation est décrit. La galette de silicium liée 200 produite dans ce mode de réalisation est, de même que la galette de silicium liée 100 produite dans le premier mode de réalisation, une galette de silicium liée dans laquelle le film de silicium réfléchissant les infrarouges 30 illustré en est fait de silicium amorphe. Par souci de brièveté, les mêmes composants et étapes que dans le premier mode de réalisation sont, en principe, marqué(e)s avec les mêmes numéros de référence aux unités et dizaines, et la description détaillée quant à la configuration est omise, et il en va de même ci-après. Le procédé de fabrication de la galette de silicium liée 200 comprend les étapes suivantes : un processus de formation d'une couche formée d'un film de silicium amorphe (voir S210 et S220 en ) formant des couches formées d'un film de silicium amorphe 231a, 231b d'une épaisseur de 16 nm ou plus sur chaque surface de la galette de silicium pour substrat de support 210 et de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 220 ; un processus de traitement d'activation (voir S230 et S240 en ) soumettant chaque surface des couches formées d’un film de silicium amorphe 231a, 231b formées sur chaque surface de la galette de silicium pour substrat de support 210 et de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 220 à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées 232a, 232b ; un processus de liaison (voir S250 en ), suivant le processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées 232a, 232b l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées 232a, 232b pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges 230 ; et un processus de réduction d'épaisseur (voir S260 en ), après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 220, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin 221. Alors que dans le premier mode de réalisation, la couche formée d'un film de silicium amorphe 131 a été formée uniquement sur la galette de silicium pour substrat de support 110, le deuxième mode de réalisation diffère en ce que les couches formées d'un film de silicium amorphe 231a, 231b sont formées sur chacune de la galette de silicium pour substrat de support 210 et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 220. Le procédé de formation des couches formées d’un film de silicium amorphe 231a, 231b faites de silicium amorphe est le même que dans le premier mode de réalisation, et un procédé CVD ou similaire peut être appliqué. L'épaisseur totale des couches formées d'un film de silicium amorphe 231a, 231b formées ici est de 16 nm ou plus pour garantir que le film de silicium réfléchissant les infrarouges 230 réfléchit efficacement la lumière infrarouge lorsqu'il est transformé en la galette de silicium liée 200. L'épaisseur de chacune des couches formées d'un film de silicium amorphe 231a, 231b peut être la même ou différente. Dans le procédé de production du deuxième mode de réalisation, puisque les deux surfaces à activer sont en silicium amorphe, l'épaisseur du film de silicium réfléchissant les infrarouges 230 obtenu après liaison et l'épaisseur totale des couches formées d’un film de silicium amorphe 231a, 231b formées avant liaison sont les mêmes. L'épaisseur totale des couches formées d’un de silicium amorphe 231a, 231b est de préférence de 20 nm ou plus, plus préférablement de 25 nm ou plus, et encore plus préférablement de 30 nm ou plus. La limite supérieure à l'épaisseur totale de la couche formée d'un film de silicium amorphe 231 n'est pas particulièrement limitée, mais la limite supérieure est d'environ 40 nm pour une productivité industrielle. Dans le deuxième mode de réalisation, le traitement d'activation active les surfaces des couches formées en film de silicium amorphe 231a, 231b pour former les zones activées 232a, 232b sur les surfaces des deux galettes de silicium. Ensuite, dans le processus de liaison, les zones activées 232a, 232b sont liées entre elles sous vide à température normale comme dans le premier mode de réalisation. Le processus de réduction d'épaisseur peut également être réalisé de la même manière que dans le premier mode de réalisation. La galette de silicium liée 200 ainsi obtenue comprend la galette de silicium pour substrat de support 210, la couche de silicium monocristallin 221 sur la galette de silicium pour substrat de support 210, et le film de silicium réfléchissant les infrarouges 230, fait de silicium amorphe, prévu entre la galette de silicium pour substrat de support 210 et la couche de silicium monocristallin 221. Le silicium amorphe du film de silicium réfléchissant les infrarouges 230 consiste essentiellement en la couche formée d'un film de silicium amorphe 231a prévue à la surface de la galette de silicium pour substrat de support 110 et en la couche formée d'un film de silicium amorphe 231b prévue à la surface de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 220. La couche formée d'un film de silicium amorphe 231a comprend la zone activée 232a formée à la surface de la couche formée d'un film de silicium amorphe 231a, et la couche formée d'un film de silicium amorphe 231b comprend la zone activée 232b formée à la surface de la couche formée d’un film de silicium amorphe 231b. (5. Troisième mode de réalisation de procédé de production d’une galette de silicium liée) En référence à la , le procédé de production de la galette de silicium liée 300 selon le troisième mode de réalisation est décrit. Ce mode de réalisation est un procédé de production de galettes de silicium liées 2, 3 dans les aspects illustrés en et en . Contrairement aux premier et deuxième modes de réalisation, le film de galette de silicium réfléchissant les infrarouges 330 dans ce mode de réalisation est formé par une structure stratifiée d'une couche de silicium amorphe et d'une couche de silicium polycristallin. Le procédé de fabrication de la galette de silicium liée 300 comprend les étapes suivantes : un processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium polycristallin (voir S310 et S320 en ) formant une couche formée d'un film de silicium polycristallin 331 d'une épaisseur de 5 nm ou plus à la surface de la galette de silicium pour substrat de support 310 ; un processus de traitement d'activation (voir S330 et S340 en ) soumettant la surface de la couche formée d’un film de silicium polycristallin 331 et la surface d’une galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 320 à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées 332a, 332b ; un processus de liaison (voir S350 en ), suivant ce processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées 332a, 332b l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées 332a, 332b pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges 330 ; et un processus de réduction d'épaisseur (voir S360 en ), après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 320, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin 321. Dans le processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium polycristallin (voir S310 et S320 en ), une couche formée d'un film de silicium polycristallin 335 fait de silicium polycristallin est formée à la surface de la galette de silicium pour substrat de support 310. La couche formée d'un film de silicium polycristallin 335 peut être formée par des procédés généralement connus. L'épaisseur de la couche formée d'un film de silicium polycristallin 335 formée ici devrait être de 15 nm ou plus afin que la zone formée par la structure stratifiée du silicium polycristallin et du silicium amorphe fonctionne en tant que film de silicium réfléchissant les infrarouges lorsqu'elle est transformée en la galette de silicium liée 300. Puisque la zone activée faite de silicium amorphe est formée à partir de la surface de chaque galette de silicium jusqu'à une position en profondeur d'environ 1 nm pendant le traitement d'activation, un film de silicium réfléchissant les infrarouges 330 d'une épaisseur de 16 nm ou plus est formé lorsque les galettes de silicium sont liées ensemble. L'épaisseur de la couche de silicium polycristallin 335 formée au cours de ce processus est de préférence de 19 nm ou plus, plus préférablement de 24 nm ou plus, et encore plus préférablement de 29 nm ou plus. La limite supérieure de l'épaisseur de la couche formée d'un film de silicium polycristallin 335 n'est pas particulièrement limitée, mais la limite supérieure est d'environ 40 nm pour une productivité industrielle. > La couche formée d'un film de silicium polycristallin 335, qui est faite de silicium polycristallin, peut être formée à la surface de la galette de silicium pour substrat de support 310 en utilisant un procédé CVD tel qu'un CVD au plasma. Si la couche est formée alors que la température de la galette de silicium pour substrat de support 310 est comprise entre 700°C et 900°C, la couche formée d'un film de silicium polycristallin faite de silicium polycristallin peut être amenée à croître. Le traitement d'activation peut être effectué de la même manière que les premier et deuxième modes de réalisation décrits ci-dessus. Autrement dit, en se référant à S330 et S340 en , la surface de la couche formée d'un film de silicium polycristallin 335 de la galette de silicium pour substrat de support 310 et la surface de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 320 sont soumises à un traitement d'activation par irradiation de faisceaux d'ions ou de faisceaux d'atomes neutres 910 sous vide à température normale pour former des zones activées 332a, 332b sur les surfaces respectives de la galette de silicium pour substrat de support 310 et de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 320. Comme décrit ci-dessous, à la surface de chaque galette de silicium, une zone activée faite de silicium amorphe est formée à une position en profondeur d'environ 1 nm de la surface du côté irradié par le faisceau. Processus de liaison Dans le processus de liaison (voir S350 en ), à la suite du processus de traitement d'activation, en mettant en contact les zones activées 332a, 332b à la fois de la galette de silicium pour substrat de support 310 et de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 320 l'une l'autre sous vide à température normale, les deux galettes de silicium sont liées ensemble par l’intermédiaire de la couche formée d’un film de silicium polycristallin 335. A ce moment, au moins 1 nm de silicium amorphe est également formé à la surface de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 320, là où la couche formée d'un film de silicium polycristallin 335 n'a pas été formée. Par conséquent, au moment de la liaison, conjointement avec la couche formée d'un film de silicium polycristallin 335, un film de silicium réfléchissant les infrarouges 330 fait de silicium polycristallin et de silicium amorphe sera formé avec une épaisseur de 16 nm ou plus. Le processus de réduction d'épaisseur ultérieur peut être réalisé de la même manière que dans les premier et deuxième modes de réalisation. La galette de silicium liée 300 ainsi obtenue comprend la galette de silicium pour substrat de support 310, la couche de silicium monocristallin 321 sur la galette de silicium pour substrat de support 310, et le film de silicium réfléchissant les infrarouges 330 prévu entre la galette de silicium pour substrat de support 310 et la couche de silicium monocristallin 321. Le film de silicium réfléchissant les infrarouges 330 comprend une couche formée d'un film de silicium polycristallin 335 fait de silicium polycristallin et de la zone activée 332. La zone activée 332 est dérivée des zones activées 332a, 332b décrites ci-dessus. Le troisième mode de réalisation du procédé de production de la galette de silicium liée 300 conformément au premier aspect est décrit ci-dessus en référence à la . Dans ce mode de réalisation, la couche formée d'un film de silicium polycristallin 335 est formée sur la galette de silicium pour substrat de support 310, cependant, en variante alternative du troisième mode de réalisation, le même processus que dans le troisième mode de réalisation ci-dessus peut être suivi à ceci près que la couche de silicium polycristallin 335 est formée sur la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 320 ; par ce processus, la galette de silicium liée 4 selon le deuxième aspect illustré en peut être produite. En d'autres termes, la galette de silicium liée 4 selon le deuxième aspect peut être produite par les étapes suivantes : un processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium polycristallin formant la couche formée d'un film de silicium polycristallin 335 faite de silicium polycristallin à la surface de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 320 ; un processus de traitement d'activation soumettant la surface de la galette de silicium pour substrat de support 310 et la surface de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 320 à un traitement d'activation sous vide à température normale pour réaliser les zones activées 332a, 332b sur chaque surface parmi la galette de silicium pour substrat de support 310 et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 320 ; un processus de liaison, suivant ce processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées 332a, 332b l'une l'autre sous vide à température normale, liant ainsi à la fois la galette de silicium pour substrat de support 310 et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 320 ensemble via la couche formée d’un film de silicium polycristallin 335 ; et un processus de réduction d’épaisseur, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 320 depuis le côté opposé de la surface stratifiée, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin 321 faite de silicium monocristallin. La formation de la couche formée d'un film de silicium polycristallin 335, la liaison sous vide à température normale, et le meulage et le polissage pour réduction d'épaisseur peuvent être accomplis en utilisant les mêmes techniques que celles décrites ci-dessus dans le troisième mode de réalisation, de sorte que les descriptions redondantes sont omises. (6. Quatrième mode de réalisation de procédé de production d’une galette de silicium liée) En référence à la , un procédé de production de la galette de silicium liée 400 selon le quatrième mode de réalisation est décrit. Ce mode de réalisation est prévu pour la production de la galette de silicium liée 5 du troisième aspect illustré en . Le film de silicium réfléchissant les infrarouges 430 dans ce mode de réalisation est fait de silicium polycristallin et de silicium amorphe, comme dans le troisième mode de réalisation. Le procédé de fabrication de la galette de silicium liée 400 comprend les étapes suivantes : un processus de formation d'une couche formée d'un film de silicium polycristallin (voir S410 et S420 en ) formant des couches formées d'un film de silicium polycristallin 435a, 435b d'une épaisseur de 16 nm ou plus sur chaque surface de la galette de silicium pour substrat de support 410 et de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 420 ; un processus de traitement d'activation (voir S430 et S540 en ) soumettant chaque surface des couches formées d’un film de silicium polycristallin 435a, 435b formées sur chaque surface de la galette de silicium pour substrat de support 410 et de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 420 à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées 432a, 432b ; un processus de liaison (voir S450 en ), suivant ce processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées 432a, 432b l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées 432a, 432b pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges 430 ; et un processus de réduction d'épaisseur (voir S460 en ), après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 420, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin 421. Alors que dans le troisième mode de réalisation, la couche formée d'un film de silicium polycristallin 335 a été formée uniquement sur la galette de silicium pour substrat de support 310, le quatrième mode de réalisation diffère en ce que les couches formées d'un film de silicium polycristallin 435a, 435b sont formées sur chacune de la galette de silicium pour substrat de support 410 et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 420. Le procédé de formation des couches formées d’un film de silicium polycristallin 435a, 435b faites de silicium amorphe est le même que dans le troisième mode de réalisation, et un procédé CVD ou similaire peut être appliqué. L'épaisseur totale des couches formées d'un film de silicium polycristallin 435a, 435b formées ici est de 16 nm ou plus pour garantir que le film de silicium réfléchissant les infrarouges 430 réfléchit efficacement la lumière infrarouge lorsqu'il est transformé en la galette de silicium liée 400. L'épaisseur de chacune des couches formées d'un film de silicium amorphe 435a, 435b peut être la même ou différente. Dans le procédé de production du quatrième mode de réalisation, puisque les deux surfaces à activer sont en silicium polycristallin, l'épaisseur du film de silicium réfléchissant les infrarouges 430 obtenu après liaison et l'épaisseur totale des couches formées d’un film de silicium polycristallin 435a, 435b formées avant liaison sont les mêmes. L'épaisseur totale des couches formées d’un de silicium polycristallin 435a, 435b est de préférence de 20 nm ou plus, plus préférablement de 25 nm ou plus, et encore plus préférablement de 30 nm ou plus. La limite supérieure pour l'épaisseur totale de la couche formée d'un film de silicium polycristallin 430 n'est pas particulièrement limitée, mais la limite supérieure est d'environ 40 nm pour une productivité industrielle. On note que, dans le quatrième mode de réalisation, la couche formée d'un film de silicium polycristallin est formée sur chacune de la galette de silicium pour substrat de support 410 et la galette de silicium pour silicium monocristallin 420, cependant la couche formée d'un film de silicium polycristallin peut être formée sur un premier côté et la couche formée d'un film de silicium amorphe peut être formée sur l'autre côté. Dans le quatrième mode de réalisation, le traitement d'activation active les surfaces des couches formées en film de silicium polycristallin 435a, 435b pour former des zones activées 432a, 432b sur les surfaces des deux galettes de silicium. Ensuite, dans le processus de liaison, les zones activées 432a, 432b sont liées entre elles sous vide à température normale comme dans le troisième mode de réalisation. Le processus de réduction d'épaisseur peut également être réalisé de la même manière que dans le troisième mode de réalisation. La galette de silicium liée 400 ainsi obtenue comprend la galette de silicium pour substrat de support 410, la couche de silicium monocristallin 421 sur la galette de silicium pour substrat de support 410, et le film de silicium réfléchissant les infrarouges 430 prévu entre la galette de silicium pour substrat de support 410 et la couche de silicium monocristallin 421. Le film de silicium réfléchissant les infrarouges 430 est formé par la structure stratifiée faite de la couche de silicium amorphe et des couches de silicium polycristallin. En outre, la structure stratifiée de la couche de silicium amorphe et des couches de silicium polycristallin comprend la couche formée d'un film de silicium polycristallin 435a et la couche formée d'un film de silicium polycristallin 435b prévues sur le côté de surface d’à la fois la galette de silicium pour substrat de support 410 et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 421, respectivement ; la couche formée d'un film de silicium polycristallin 435a comprend du silicium polycristallin et la zone activée 432a faite de silicium amorphe à la surface de celui-ci, et la couche formée d'un film de silicium polycristallin 435b comprend du silicium polycristallin et une zone activée 432b faite de silicium amorphe à la surface de celui-ci. Dans les premier à quatrième modes de réalisation, il est également préférable d'aplanir les surfaces de la couche formée d'un film de silicium amorphe et de la couche formée d'un film de silicium polycristallin avant le traitement d'activation. En d'autres termes, il est préférable de planariser les couches formées d’un film de silicium amorphe 131, 231 dans les premier et deuxième modes de réalisation, respectivement, et les couches formées d’un film de silicium polycristallin 335, 435 dans les troisième et quatrième modes de réalisation, respectivement. Bien que les conditions de planarisation ne soient pas restreintes, la couche formée d’un film de silicium amorphe ou la couche formée d’un film de silicium polycristallin est de préférence planarisée de sorte que leur rugosité de surface Ra soit inférieure à 3 nm ; et il est préférable de contenir la tolérance de polissage sous 30 nm. En effet, la planarisation permet une liaison plus sûre après activation. Pour la planarisation, le procédé connu de polissage mécano-chimique (CMP, de l’anglais « chemical mechanical polishing »), etc. peut être utilisé de manière appropriée. La rugosité de surface Ra suit ici la définition de la rugosité moyenne arithmétique Ra spécifiée dans JIS B 0601 (2001). Le procédé de production des premier à quatrième modes de réalisation décrit ci-dessus peut être utilisé pour produire la galette de silicium liée selon cette divulgation. (7. Aspects spécifiques) Dans ce qui suit, les aspects spécifiques des galettes de silicium applicables à la galette de silicium pour le substrat de support 10 et à la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin 20 (couche de silicium monocristallin 21) qui peuvent être utilisées dans cette divulgation sont décrits. L'orientation du plan de la galette de silicium est arbitraire ; une galette (100) ou une galette (110), etc. peuvent être utilisées. L'épaisseur de la galette de silicium peut être déterminée en fonction de l'application, et peut être de 300 µm à 1,5 mm. Il a déjà été mentionné que l'épaisseur de la couche de silicium monocristallin faite de silicium monocristallin obtenue à partir de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin est déterminée dans la plage de 100 nm à 1 mm selon le cas. La galette de silicium peut être dopée avec des dopants tels que du bore (B), du phosphore (P), de l'arsenic (As) et de l'antimoine (Sb) ; ou pour obtenir les caractéristiques souhaitées, avec du carbone (C) ou de l'azote (N). Le diamètre de la galette de silicium n'est limité en aucune manière. Cette divulgation peut être appliquée à des galettes de silicium d'un diamètre typique de 300 mm ou 200 mm, etc. Bien entendu, cette divulgation peut être appliquée aux galettes de silicium de diamètre supérieur à 300 mm, ainsi qu'aux galettes de silicium de diamètre inférieur à 300 mm. Le terme "galette de silicium" tel qu'utilisé ici peut désigner une galette de silicium dite "dans la masse", qui n'a pas de couche épitaxiale ou d’autre couche telle qu'un film de silicium réfléchissant les infrarouges fait d’oxyde de silicium ou similaire qui soit formée à la surface ; ou une galette de silicium épitaxiale avec une autre couche, telle qu'une couche épitaxiale, formée séparément à sa surface. Bien qu'un film d'oxyde naturel d'une épaisseur de quelques Å puisse être formé à la surface de la galette de silicium, un tel film d'oxyde naturel peut être présent, ou si nécessaire, peut être retiré à l’aide de méthodes de nettoyage connues, etc. Exemples Cette divulgation est décrite plus en détail ci-dessous à l'aide d'exemples, cependant cette divulgation n’est limité en aucune manière aux exemples suivants. [Exemple Expérimental 1] (Exemple 1-1) Les galettes de silicium CZ de type n (dopant : phosphore) d'un diamètre de 8 pouces (203,2 mm) et d'une épaisseur de 500 μm ont été préparées pour être la galette de silicium servant de substrat de support et la couche de silicium monocristallin. Ensuite, la galette de silicium servant de substrat de support a été introduite dans le système CVD à plasma, et le degré de vide dans le système a été maintenu à 1 × 10-5 Pa ou moins. Ensuite, avec la température de l'étage maintenue à 500°C, 55 cm3STP/min (en anglais « sccm ») de gaz silane (CH3SiH3) en tant que gaz source et 110 cm3STP/min de gaz H2 en tant que gaz porteur ont été mis en circulation, pour former une couche formée d'un film de silicium amorphe d’une épaisseur de 15 nm à la surface de la galette de silicium pour substrat de support par procédé CVD à plasma. Ensuite, la galette de silicium pour substrat de support et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin ont toutes deux été introduites dans la chambre, et le degré de vide a été maintenu à 1 × 10-5 Pa ou moins. Ensuite, le traitement d'activation a été appliqué à la surface de la galette de silicium pour substrat de support et à la surface de la galette pour couche active en irradiant des ions d'argon à 1,4 keV pour former des zones activées (silicium amorphe) à la surface des deux galettes de silicium. Ensuite, les deux substrats ont été liés en mettant en contact ensemble les zones activées des deux galettes sous vide à température normale. Ensuite, la galette de silicium pour la couche de silicium monocristallin a été meulée et polie depuis le côté opposé de la surface liée de manière à laisser une épaisseur de 10 μm, et la galette de silicium liée pour l'Exemple 1-1 a été obtenue. L'observation par MET de l'interface de liaison de la galette de silicium liée ainsi obtenue a confirmé la formation de silicium amorphe d'une épaisseur de 16 nm. En d'autres termes, il a été trouvé qu'une zone activée d'une épaisseur d’1 nm était formée lorsque la surface de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin était soumise au traitement d'activation. (Exemple 1-2) Dans l'Exemple 1-1, une couche formée d'un film de silicium amorphe d’une épaisseur de 15 nm a été formée à la surface de la galette de silicium servant de substrat de support par le procédé CVD au plasma. Ici, dans l'Exemple 1-2, la galette de silicium liée pour l'Exemple 1-2 a été produite dans les mêmes conditions que l'Exemple 1-1, à ceci près que l'épaisseur de la couche formée d'un film de silicium amorphe formée était de 20 nm. (Exemple 1-3) Dans l'Exemple 1-1, une couche formée d'un film de silicium amorphe d’une épaisseur de 15 nm a été formée à la surface de la galette de silicium servant de substrat de support par le procédé CVD au plasma. Ici, dans l'Exemple 1-3, la galette de silicium liée pour l'Exemple 1-3 a été produite dans les mêmes conditions que l'Exemple 1-1, à ceci près que l'épaisseur de la couche formée d'un film de silicium amorphe formée était de 25 nm. (Exemple 1-4) Dans l'Exemple 1-1, une couche formée d'un film de silicium amorphe d’une épaisseur de 15 nm a été formée à la surface de la galette de silicium servant de substrat de support par le procédé CVD au plasma. Ici, dans l'Exemple 1-3, la galette de silicium liée pour l'Exemple 1-3 a été produite dans les mêmes conditions que l'Exemple 1-1, à ceci près que l'épaisseur de la couche formée d'un film de silicium amorphe formée était de 30 nm. (Exemple Conventionnel 1) La même galette de silicium servant de substrat de support et la même galette de silicium pour couche de silicium monocristallin que dans l'Exemple 1-1 ont été préparées. Ensuite, sans former de couche formée d’un film de silicium amorphe ou toute autre couche sur l'un ou l'autre des substrats, les deux substrats ont été soumis au traitement d'activation sous vide à température normale pour former des zones activées sur les deux galettes, et les zones activées des deux galettes ont été liées ensemble. Ensuite, la galette de silicium pour la couche de silicium monocristallin a été meulée et polie depuis le côté opposé de la surface liée de manière à laisser une épaisseur de 10 μm, et la galette de silicium liée pour l'Exemple Conventionnel 1 a été obtenue. (Exemple Comparatif 1) La même galette de silicium servant de substrat de support et la même galette de silicium pour couche de silicium monocristallin que dans l'Exemple 1-1 ont été préparées. Dans l'Exemple 1-1, une couche formée d'un film de silicium amorphe d’une épaisseur de 15 nm a été formée à la surface de la galette de silicium servant de substrat de support par le procédé CVD au plasma. Ici, dans l'Exemple Comparatif 1, la galette de silicium liée a été produite dans les mêmes conditions que l'Exemple 1-1, à ceci près que l'épaisseur d’une couche formée d'un film de silicium amorphe formée était de 10 nm. (Evaluation : Réflectance infrarouge) Pour évaluer la réflectivité infrarouge du film de silicium réfléchissant les infrarouges, la lumière infrarouge a été incidente sur les surfaces des galettes de silicium liées à l'aide d'un dispositif de mesure d'épaisseur de films (CHRocodile IT500, fabriqué par Presitec), et l'intensité du signal de la lumière réfléchie a été détectée. En référence à la , le principe de mesure de la réflectance aux infrarouges à l'aide de la méthode infrarouge à transformée de Fourier (FTIR, de l’anglais « Fourier Transform Infrared ») avec cet instrument est brièvement expliqué. La source de lumière laser qui sert de lumière incidente pour cet instrument est une diode super luminescente. En utilisant cet instrument, la lumière réfléchie L2 et la lumière réfléchie L3 obtenues lorsque la lumière proche infrarouge L1 a été irradiée sur la galette de silicium liée ont été détectées, et la réflectance infrarouge L2/L3 a été obtenue. Ici, la lumière réfléchie L2 est la lumière réfléchie depuis la surface 528A de la galette de silicium liée 500, et la lumière réfléchie L3 est la lumière réfléchie depuis l'interface de la couche de silicium monocristallin 521 et de la région 530 formée de silicium amorphe. La lumière infrarouge non réfléchie se dirigera ensuite vers la région 510 du silicium monocristallin du côté du substrat de support. Les résultats sont répertoriés dans le Tableau 1 ci-dessous. D'après les résultats de cette évaluation, il a été confirmé que les zones en silicium amorphe dans les Exemples 1-1 à Exemple 1-4 fonctionnent suffisamment en tant que films de silicium réfléchissant les infrarouges, tandis que les zones en silicium amorphe formées dans l'Exemple Conventionnel et l'Exemple Comparatif 1 sont insuffisantes pour fonctionner en tant que films de silicium réfléchissant les infrarouges. Echantillon Exemple Conventionnel 1 Exemple Comparatif 1 Exemple 1-1 Exemple 1-2 Exemple 1-3 Exemple 1-4 Film de silicium réfléchissant les IR Amorphous silicon Amorphous silicon Amorphous silicon Amorphous silicon Amorphous silicon Amorphous silicon Epaisseur du film de silicium réfléchissant les IR 6 11 16 21 26 31 Intensité de réflexion de la lumière réfléchie 4214 7862 11700 14879 18262 19394 Réflectance (%) 23,7 44,3 65,9 83,8 100 100 [Exemple Expérimental 2] (Exemple 2-1) Les galettes de silicium CZ de type n (dopant : phosphore) d'un diamètre de 8 pouces (203,2 mm) et d'une épaisseur de 500 μm ont été préparées pour être la galette de silicium servant de substrat de support et la couche de silicium monocristallin. Ensuite, la galette de silicium servant de substrat de support a été introduite dans le système CVD à plasma, et le degré de vide dans le système a été maintenu à 1 × 10-5 Pa ou moins. Ensuite, avec la température de l'étage maintenue à 800°C, 55 cm3STP/min (en anglais « sccm ») de gaz silane (CH3SiH3) en tant que gaz source et 110 cm3STP/min de gaz H2 en tant que gaz porteur ont été mis en circulation, pour former une couche formée d'un film de silicium polycristallin d’une épaisseur de 15 nm à la surface de la galette de silicium pour substrat de support par procédé CVD à plasma. Ensuite, la galette de silicium pour substrat de support et la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin ont toutes deux été introduites dans la chambre, et le degré de vide a été maintenu à 1 × 10-5 Pa ou moins. Ensuite, le traitement d'activation a été appliqué à la surface de la galette de silicium pour substrat de support et à la surface de la galette pour couche active en irradiant des ions d'argon à 1,4 keV pour former une zone activée (silicium amorphe) à la surface des deux galettes de silicium. Ensuite, les deux substrats ont été liés en liant ensemble les zones activées des deux galettes sous vide à température normale. Ensuite, la galette de silicium pour la couche de silicium monocristallin a été meulée et polie depuis le côté opposé de la surface liée de manière à laisser une épaisseur de 10 μm, et la galette de silicium liée a été obtenue. L'observation par MET de l'interface de liaison de la galette de silicium liée ainsi obtenue a confirmé la formation d'une zone de silicium amorphe d'une épaisseur de 1 nm en plus de la couche formée d’un film de silicium polycristallin d'une épaisseur de 15 nm. En d'autres termes, il a été trouvé qu'une zone activée d'une épaisseur d’1 nm était formée lorsque la surface de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin était soumise au traitement d'activation. (Exemple 2-2) Dans l'Exemple 2-1, une couche formée d'un film de silicium polycristallin d’une épaisseur de 15 nm a été formée à la surface de la galette de silicium servant de substrat de support par le procédé CVD au plasma. Ici, dans l'Exemple 2-2, la galette de silicium liée pour l'Exemple 2-2 a été produite dans les mêmes conditions que l'Exemple 2-1, à ceci près que l'épaisseur de la couche formée d'un film de silicium polycristallin formée était de 20 nm. (Exemple 2-3) Dans l'Exemple 2-1, une couche formée d'un film de silicium polycristallin d’une épaisseur de 15 nm a été formée à la surface de la galette de silicium servant de substrat de support par le procédé CVD au plasma. Ici, dans l'Exemple 2-3, la galette de silicium liée pour l'Exemple 2-3 a été produite dans les mêmes conditions que l'Exemple 2-1, à ceci près que l'épaisseur de la couche formée d'un film de silicium polycristallin formée était de 25 nm. (Exemple 2-4) Dans l'Exemple 2-1, une couche formée d'un film de silicium polycristallin d’une épaisseur de 15 nm a été formée à la surface de la galette de silicium servant de substrat de support par le procédé CVD au plasma. Ici, dans l'Exemple 2-3, la galette de silicium liée pour l'Exemple 2-3 a été produite dans les mêmes conditions que l'Exemple 2-1, à ceci près que l'épaisseur de la couche formée d'un film de silicium polycristallin formée était de 30 nm. (Exemple Comparatif 2) Dans l'Exemple 2-1, une couche formée d'un film de silicium polycristallin d’une épaisseur de 15 nm a été formée à la surface de la galette de silicium servant de substrat de support par le procédé CVD au plasma. Ici, dans l'Exemple Comparatif 2, la galette de silicium liée a été produite dans les mêmes conditions que l'Exemple 2-1, à ceci près que l'épaisseur de la couche formée d'un film de silicium polycristallin formée était de 10 nm. (Evaluation : Réflectance infrarouge) Dans l'évaluation de la réflectance infrarouge dans l'Exemple 2, comme dans l'Exemple 1, le dispositif de mesure d'épaisseur de films susmentionné a été utilisé pour déterminer la réflectance infrarouge. Ici, dans l'Exemple Expérimental 2, la lumière réfléchie L2 est la lumière réfléchie depuis la surface 528A de la galette de silicium liée 500, et la lumière réfléchie L3 est la lumière réfléchie depuis l'interface de la couche de silicium monocristallin 521 et de la région 530 formée de silicium polycristallin. Les résultats sont répertoriés dans le Tableau 2 ci-dessous. D'après les résultats de cette évaluation, il a été confirmé que les zones formées à partir de silicium amorphe et de silicium polycristallin dans les Exemples 2-1 à Exemple 2-4 fonctionnent en tant que films de silicium réfléchissant les infrarouges, tandis que les zones de silicium amorphe et de silicium polycristallin formées dans l'Exemple Comparatif 2 sont insuffisantes pour fonctionner en tant que films de silicium réfléchissant les infrarouges. Echantillon Exemple 2-1 Exemple 2-2 Exemple 2-3 Exemple 2-4 Exemple 2-5 Film de silicium réfléchissant les IR Silicium Polycristallin + Silicium Amorphe Silicium Polycristallin + Silicium Amorphe Silicium Polycristallin + Silicium Amorphe Silicium Polycristallin + Silicium Amorphe Silicium Polycristallin + Silicium Amorphe Epaisseur du film de silicium réfléchissant les IR 16 21 26 31 11 Intensité de réflexion de la lumière réfléchie 11993 15962 18434 18534 8936 Réflectance (%) 67,5 89,9 100 100 50,3 Selon cette divulgation, la galette de silicium liée avec une faible épaisseur et une réflectance infrarouge élevée peut être obtenue. Galette de silicium liée comprenant : une galette de silicium servant de substrat de support ; une couche de silicium monocristallin sur la galette de silicium servant de substrat de support ; et un film de silicium réfléchissant les infrarouges prévu entre la galette de silicium servant de substrat de support et la couche de silicium monocristallin ; où le film de silicium réfléchissant les infrarouges comprend du silicium amorphe, et une épaisseur du film de silicium réfléchissant les infrarouges est de 25 nm ou plus. Galette de silicium liée selon la revendication 1, dans laquelle le film de silicium réfléchissant les infrarouges est fait de silicium amorphe. Galette de silicium liée selon la revendication 1, dans laquelle le film de silicium réfléchissant les infrarouges est formé par une structure stratifiée faite de couche(s) de silicium amorphe et de couche(s) de silicium polycristallin. Galette de silicium liée selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle l’épaisseur du film de silicium réfléchissant les infrarouges est de 25 nm ou plus. Galette de silicium liée selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle l'épaisseur de la couche de silicium monocristallin est de 3 μm ou plus et de 30 μm ou moins. Procédé de production de la galette de silicium liée selon la revendication 2 comprenant les étapes de : un processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium amorphe formant une couche formée d'un film de silicium amorphe d'une épaisseur de 15 nm ou plus sur une surface de la galette de silicium pour substrat de support ; un processus de traitement d'activation soumettant une surface de la couche formée d’un film de silicium amorphe et une surface d’une galette de silicium pour couche de silicium monocristallin à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées ; un processus de liaison, suivant le processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges ; et un processus de réduction d'épaisseur, après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin. Procédé de production de la galette de silicium liée selon la revendication 2 comprenant les étapes de : un processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium amorphe formant une couche formée d'un film de silicium amorphe d'une épaisseur de 15 nm ou plus sur une surface d'une galette de silicium pour couche de silicium monocristallin ; un processus de traitement d'activation soumettant une surface de la couche formée d’un film de silicium amorphe et une surface de la galette de silicium pour substrat de support à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées ; un processus de liaison, suivant le processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges ; et un processus de réduction d'épaisseur, après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin. Procédé de production de la galette de silicium liée selon la revendication 2 comprenant les étapes de : un processus de formation d'une couche formée d'un film de silicium amorphe formant des couches formées d'un film de silicium amorphe d'une épaisseur de 16 nm ou plus sur chaque surface de la galette de silicium pour substrat de support et d’une galette de silicium pour couche de silicium monocristallin ; un processus de traitement d'activation soumettant chaque surface des couches formées d’un film de silicium amorphe formées sur chaque surface de la galette de silicium pour substrat de support et de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées ; un processus de liaison, suivant le processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges ; et un processus de réduction d'épaisseur, après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin. Procédé de production de la galette de silicium liée selon la revendication 3 comprenant les étapes de : un processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium polycristallin formant une couche formée d'un film de silicium polycristallin d'une épaisseur de 15 nm ou plus sur une surface de la galette de silicium pour substrat de support ; un processus de traitement d'activation soumettant une surface de la couche formée d’un film de silicium polycristallin et une surface d’une galette de silicium pour couche de silicium monocristallin à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées ; un processus de liaison, suivant le processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges ; et un processus de réduction d'épaisseur, après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin. Procédé de production de la galette de silicium liée selon la revendication 3 comprenant les étapes de : un processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium polycristallin formant une couche formée d'un film de silicium polycristallin d'une épaisseur de 15 nm ou plus sur une surface d’une galette de silicium pour couche de silicium monocristallin ; un processus de traitement d'activation soumettant une surface de la couche formée d’un film de silicium polycristallin et une surface de la galette de silicium pour substrat de support à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées ; un processus de liaison, suivant le processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges ; et un processus de réduction d'épaisseur, après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin. Procédé de production de la galette de silicium liée selon la revendication 3 comprenant les étapes de : un processus de formation d'une/de couche(s) formée(s) d'un film de silicium polycristallin formant des couches formées d'un film de silicium polycristallin d'une épaisseur de 16 nm ou plus sur chaque surface de la galette de silicium pour substrat de support et d’une galette de silicium pour couche de silicium monocristallin ; un processus de traitement d'activation soumettant chaque surface des couches formées d’un film de silicium polycristallin formées sur chaque surface de la galette de silicium pour substrat de support et de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin à un traitement d'activation sous vide à température normale pour rendre les deux surfaces des zones activées ; un processus de liaison, suivant le processus de traitement d'activation, mettant en contact les deux zones activées l'une avec l'autre sous vide à température normale, liant ainsi entre elles les deux zones activées pour former le film de silicium réfléchissant les infrarouges ; et un processus de réduction d'épaisseur, après le processus de liaison, réduisant l'épaisseur de la galette de silicium pour couche de silicium monocristallin, obtenant ainsi la couche de silicium monocristallin.