Brevet FR3125585A1 — publié le 20230127

L’invention concerne un micro-bolomètre d’imagerie infrarouge (10a) comprenant : - une couche de support (13) s’étendant au sein d’une membrane (20) et des bras de soutien (21) ; - des électrodes (16) disposées sur la couche de support (13), chaque électrode (16) s’étendant au sein d’un bras de soutien (21) et présentant une extrémité présente au sein de la membrane ; - un matériau thermo-résistif (18) disposé au sein la membrane (20) en contact des extrémités des électrodes (16) ; - une couche supérieure de structuration des bras de soutien (15) disposée sur les électrodes (16) et au sein desdits bras de soutien (21) ; et - une couche d’encapsulation supérieure de la membrane (31) disposée sur le matériau thermo-résistif (18) ; la couche supérieure de structuration des bras de soutien et la couche d’encapsulation supérieure de la membrane étant de nature ou d’épaisseur distinctes. Figure pour abrégé : Fig 2a MICRO-BOLOMETRE D’IMAGERIE INFRAROUGE Domaine de l’invention La présente invention a trait au domaine de la détection de rayonnements électromagnétiques et, plus précisément, à la détection de rayonnements infrarouges. L’invention concerne un micro-bolomètre d’imagerie infrarouge présentant des performances améliorées. Etat antérieur de la technique Dans le domaine des détecteurs mis en œuvre pour l’imagerie infrarouge, il est connu d'utiliser des dispositifs agencés sous forme matricielle, susceptibles de fonctionner à température ambiante, c'est-à-dire ne nécessitant pas de refroidissement à de très basses températures, contrairement aux dispositifs de détection appelés "détecteurs quantiques" qui eux, nécessitent un fonctionnement à très basse température. Ces détecteurs utilisent traditionnellement la variation d'une grandeur physique d'un matériau ou assemblage de matériaux approprié(s) en fonction de la température, au voisinage de 300K. Dans le cas particulier des détecteurs micro-bolométriques, les plus couramment utilisés, cette grandeur physique est la résistivité électrique, mais d’autres grandeurs peuvent être exploitées, telle la constante diélectrique, la polarisation, la dilatation thermique, l’indice de réfraction, etc. Un tel détecteur non refroidi associe généralement : - des moyens d'absorption du rayonnement thermique et de conversion de celui-ci en chaleur ; - des moyens d'isolation thermique du détecteur, de telle sorte à permettre à celui-ci de s'échauffer sous l'action du rayonnement thermique ; - des moyens de thermométrie qui, dans le cadre d'un détecteur micro-bolométrique, mettent en œuvre un élément résistif dont la résistance varie avec la température ; - et des moyens de lecture des signaux électriques fournis par les moyens de thermométrie. Les détecteurs destinés à l'imagerie thermique, ou infrarouge, sont classiquement réalisés sous la forme d'une matrice de détecteurs élémentaires, formant des points d’image ou pixels, selon une ou deux dimensions. Pour garantir l’isolation thermique des détecteurs, ces derniers sont suspendus au-dessus d’un substrat via des bras de soutien. Le substrat comporte usuellement des moyens d'adressage séquentiel des détecteurs élémentaires et des moyens d'excitation électrique et de pré-traitement des signaux électriques générés à partir de ces détecteurs élémentaires. Ce substrat et les moyens intégrés sont communément désignés par le terme « circuit de lecture ». Pour obtenir une scène par l'intermédiaire de ces détecteurs, cette scène est captée à travers une optique adaptée sur la matrice de détecteurs élémentaires, et des stimuli électriques cadencés sont appliqués par l'intermédiaire du circuit de lecture à chacun des détecteurs élémentaires, ou à chaque rangée de tels détecteurs, afin d'obtenir un signal électrique constituant l'image de la température atteinte par chacun desdits détecteurs élémentaires. Ce signal est traité de manière plus ou moins élaborée par le circuit de lecture, puis éventuellement par un dispositif électronique extérieur au boîtier afin de générer l'image thermique de la scène observée. Plus précisément, un détecteur élémentaire est constitué d’une membrane maintenue en suspension fixe au-dessus du substrat par les bras de soutien. La membrane intègre un matériau thermo-résistif qui réalise une transduction des rayonnements infrarouges, formant les moyens de thermométrie. La mesure de la résistance thermique du matériau thermo-résistif est réalisée par deux électrodes, par exemple métallique, s’étendant sous le matériau thermométrique et dans les bras de soutien. Outre la lecture du signal aux bornes du matériau thermo-résistif, les électrodes peuvent également avoir pour fonction d’absorber au moins une partie du flux infrarouge pour le transformer en chaleur et le transmettre au matériau thermo-résistif. Dans ce cas, la quantité de rayonnement infrarouge absorbée est dépendante de la surface de cet absorbeur. Pour optimiser l’absorption du rayonnement infrarouge, les électrodes couvrent un maximum de surface dans l’empreinte du pixel. En pratique, la surface des électrodes est limitée par celle de la membrane. L’épaisseur des électrodes est ajustée de façon à ce que son impédance effective par carré soit adaptée à celle du vide : Z 0 = 377 ohm/carré. Les figures 1a à 1f illustrent un procédé de réalisation d’un micro-bolomètre 100 de l’état de la technique, tel que par exemple décrit dans le document EP 3 182 081. Une première étape, illustrée sur la , consiste à déposer et à structurer une couche sacrificielle 12 et une couche de support 13 sur un substrat 11 intégrant le circuit de lecture. La structuration de ces deux couches 12 , 13 permet d’obtenir des ouvertures dans lesquelles des clous d’ancrage 14 peuvent être formés. Tel qu’illustré sur la , la formation des clous d’ancrage 14 dans les ouvertures vise à obtenir un plot conducteur s’étendant au moins jusqu’au niveau de l’extrémité supérieure de la couche de support 13 . Au moins deux électrodes 16 sont ensuite déposées et structurées sur la couche de support 13 et sur la partie supérieure du clou d’ancrage 14 . Un matériau thermo-résistif 18 est ensuite déposé sur la couche de support 13 et sur les électrodes 16 de sorte à assurer une continuité électrique entre les deux électrodes 16 . Une gravure de ce matériau thermo-résistif 18 permet de délimiter son emplacement au centre du micro-bolomètre 100 , c’est-à-dire dans la zone destinée à former la membrane 20 de celui-ci, tel qu’illustré sur la . La gravure du matériau thermo-résistif 18 est classiquement réalisée par gravure ionique réactive, également appelée gravure RIE pour « Reactive-Ion Etching » dans la littérature anglo-saxonne, en arrêtant la gravure sur les deux électrodes 16 . Cette étape de gravure constitue une difficulté technique car les deux électrodes 16 sont souvent particulièrement fines, avec une épaisseur classiquement inférieure à 20 nanomètres. Or, la gravure RIE utilisée pour délimiter l’emplacement du matériau thermo-résistif 18 risque, si elle n’est pas parfaitement calibrée, de détériorer les électrodes 16 et de diminuer les performances du micro-bolomètre 100 . Tel qu’illustré sur la , une couche d’encapsulation 19 0 est ensuite déposée sur les électrodes 16 et sur le matériau thermo-résistif 18 . Cette couche d’encapsulation 190 permet de former une protection supérieure et latérale au matériau thermo-résistif 18 , ainsi qu’une protection supérieure aux électrodes 16 . En effet, pour obtenir un faible coefficient de bruit basse fréquence, il est connu d’utiliser un matériau thermo-résistif 18 réalisé en oxyde de vanadium. Cependant, l’oxyde de vanadium est sensible à l’acide fluorhydrique classiquement utilisé lors de l’étape de retrait d’une couche sacrificielle 12 en dioxyde de silicium. Ainsi, il est souvent nécessaire de protéger le matériau thermo-résistif 18 , au moins pour que l’étape de retrait de la couche sacrificielle ne détériore pas le matériau thermo-résistif 18 . Pour ce faire, la couche de protection 190 est classiquement déposée pour encapsuler le matériau thermo-résistif 18 . Cette couche de protection 190 a également pour fonction d’encapsuler les électrodes 16 afin d’assurer la tenue mécanique de la membrane 20 en fonction de l’application recherchée, c’est-à-dire en fonction de la résistance aux chocs recherchée du micro-bolomètre 100 . Par ailleurs, il est recherché de limiter la conduction thermique des bras de soutien 21 pour isoler la membrane 20 de la température du substrat 11 . Ainsi, pour chaque micro-bolomètre 100 , il existe une épaisseur idéale des bras de soutien 21 et de la couche de de protection 190 pour laquelle les bras de soutien 21 présentent une épaisseur minimale et donc une conductance thermique minimale, tout en respectant les contraintes mécaniques recherchées. Cette épaisseur idéale de la couche de protection 190 se retrouve également utilisée pour encapsuler le matériau thermo-résistif 18 . Après le dépôt de cette couche de protection 190 , les couches 13 , 16 et 19 0 sont ensuite gravées selon le motif souhaité pour former les bras de soutien 21 de la membrane 20 . Enfin, l’étape 1f illustre le retrait de la couche sacrificielle 12 , libérant ainsi la membrane 20 en suspension sur les clous d’ancrage 14 par l’intermédiaire des bras de soutien 22 . Les performances du micro-bolomètre 100 ainsi obtenu dépendent de multiples facteurs et, notamment, de la conductance thermique G th des bras de soutien 21 et de la capacité thermique C th de la membrane 20 . En effet, tel que décrit dans la thèse de Jérôme MEILHAN, « Conception, modélisation et caractérisation de détecteurs micro-bolométriques pour l’imagerie sub-terahertz », publiée sur le site internet de l’INRIA, le bilan des échanges thermiques d’un micro-bolomètre 100 non refroidi peut s’écrire selon l’expression suivante : avec T fp correspondant à la température du substrat au niveau du micro-bolomètre 100 , T bol à la température de la membrane 20 et P opt au bilan radiatif de la membrane 20 avec son environnement. Tel que décrit dans la thèse précitée, cette équation différentielle suppose que la température T bol de la membrane 20 est homogène sur l’ensemble de son volume. Cette approximation repose sur la vitesse de diffusion de la chaleur au sein de la membrane 20 , qui, suite à la réception d’une quantité de chaleur prédéterminée, retrouve une température quasi-homogène en une durée très faible, de l’ordre de quelques dizaines de nanosecondes. L’homogénéisation de la température de la membrane 20 est donc très rapide vis-à-vis des échanges avec son environnement et peut donc être considérée comme un élément discret de température T bol . Suite à la réception de cette quantité de chaleur prédéterminée, le micro-bolomètre 100 atteint une température d’équilibre en une durée caractéristique donnée par la relation avec correspondant à la constante de temps thermique du micro-bolomètre 100 et R th à la résistance thermique des bras de soutien 21 , obtenue par l’inverse de la conductance thermique G th des bras de soutien 21 selon la relation Pour améliorer la vitesse de réaction du micro-bolomètre 100 , il est donc recherché de minimiser cette constante de temps , soit en diminuant C th , soit en diminuant R th . Cependant, ces caractéristiques C th et R th dépendent directement de l’épaisseur de la couche de protection 190 . Classiquement, l’épaisseur de la couche de protection 190 est en premier lieu fixée pour répondre aux contraintes mécaniques des bras de soutien 21 , si bien que l’épaisseur de cette couche de protection 190 n’est pas optimale pour encapsuler la membrane 20 . Le problème technique que l’invention entend résoudre consiste à réaliser un micro-bolomètre présentant une constante de temps réduite, c’est-à-dire un niveau de performances amélioré, sans dégrader la résistance mécanique des bras de soutien. Corolairement, l’invention vise à supprimer la dépendance des paramètres Cth et Rth due à l’épaisseur de la couche de protection 190 de l’état de l’art, afin de décontraindre la conception de ces micro bolomètres et par conséquent d’atteindre un niveau de performances amélioré. Pour répondre à ce problème technique, l’invention propose de réaliser une couche supérieure de structuration des bras de soutien sans imposer directement la capacité thermique C th de la membrane en utilisant au moins deux couches d’encapsulation distinctes pour encapsuler respectivement les bras de soutien et la membrane. Ainsi, l’invention concerne un micro-bolomètre d’imagerie infrarouge intégrant une membrane montée en suspension au-dessus d’un substrat au moyen de bras de soutien fixés sur des clous d’ancrage, le micro-bolomètre comprenant : - une couche de support s’étendant au sein de la membrane et des bras de soutien ; - des électrodes disposées sur la couche de support et au contact avec les clous d’ancrage, chaque électrode s’étendant au sein d’un bras de soutien et présentant une extrémité présente au sein de la membrane de sorte à assurer un contact électrique entre la membrane et les clous d’ancrage ; et - un matériau thermo-résistif disposé au sein de la membrane en contact des extrémités des électrodes. L’invention se caractérise en ce que le micro-bolomètre comprend également : - une couche supérieure de structuration des bras de soutien disposée sur les électrodes et au sein desdits bras de soutien ; et - une couche d’encapsulation supérieure de la membrane disposée sur le matériau thermo-résistif ; la couche supérieure de structuration des bras de soutien et la couche d’encapsulation supérieure de la membrane étant de nature distinctes. En variante, l’invention se caractérise en ce que le micro-bolomètre comprend également : - une couche supérieure de structuration des bras de soutien disposée sur les électrodes et au sein desdits bras de soutien ; - une couche d’encapsulation supérieure de la membrane disposée sur le matériau thermo-résistif ; et - une couche d’encapsulation latérale de la membrane disposée autour des bords latéraux du matériau thermo-résistif ; la couche supérieure de structuration des bras de soutien, la couche d’encapsulation supérieure de la membrane et la couche d’encapsulation latérale de la membrane étant d’épaisseurs distinctes. Au sens de l’invention, et dans la suite de la description, la « hauteur » du micro-bolomètre correspond à la dimension perpendiculaire au plan du substrat sur lequel est fixé le micro-bolomètre. Ainsi, la couche d’encapsulation « inférieure » de la membrane, appelée couche de support, correspond à la couche d’encapsulation de la membrane la plus proche du substrat et elle s’étend dans un plan inférieur de la membrane, parallèle au plan du substrat. La couche d’encapsulation « supérieure » de la membrane correspond, quant à elle, à la couche d’encapsulation de la membrane la plus éloignée du substrat et elle s’étend dans un plan supérieur de la membrane, également parallèle au plan du substrat. La couche d’encapsulation « latérale » correspond à l’épaisseur de matière présente autour du matériau thermo-résistif, entre la couche d’encapsulation inférieure et la couche d’encapsulation supérieure de la membrane. La couche d’encapsulation latérale s’étend donc dans un plan perpendiculaire aux plans de la couche d’encapsulation inférieure et de la couche d’encapsulation supérieure de la membrane. Pour les deux variantes précitées, l’invention propose de réaliser l’encapsulation de la membrane et la couche supérieure de structuration des bras de soutien par au moins deux couches distinctes de sorte à pouvoir utiliser une couche de structuration dédiée pour les bras de soutien, typiquement avec une épaisseur proche d’une épaisseur idéale pour répondre aux contraintes de tenue mécanique et de résistance thermique R th des bras de soutien. Ainsi, les couches d’encapsulation supérieure et latérale de la membrane peuvent être définies pour minimiser la capacité thermique C th de la membrane sans dégrader la résistance thermique R th des bras de soutien. La diminution de la capacité thermique C th de la membrane permet d’améliorer la constante de temps thermique c’est-à-dire la durée nécessaire pour que le micro-bolomètre atteigne la température d’équilibre. Il s’ensuit que le micro-bolomètre peut atteindre des performances améliorées. Selon un mode de réalisation, la couche d’encapsulation supérieure de la membrane est réalisée en nitrure de bore, en alumine, en carbure de silicium ou en nitrure d’aluminium. Corollairement, la couche supérieure de structuration des bras de soutien et la couche d’encapsulation latérale de la membrane sont réalisées en silicium amorphe ou à base de silicium amorphe. En variante, la couche d’encapsulation supérieure de la membrane, la couche supérieure de structuration des bras de soutien et la couche d’encapsulation latérale de la membrane sont réalisées en silicium amorphe ou à base de silicium amorphe. Le nitrure de bore, l’alumine, le nitrure d’aluminium, le carbure de silicium ainsi que le silicium amorphe présentent la propriété de résister à une gravure à base d’acide fluorhydrique (HF) classiquement utilisée pour retirer une couche sacrificielle réalisée en oxyde de silicium (SiOx). En variante, pour une couche sacrificielle réalisée en polyimide (PI) classiquement retirée par plasma oxygéné (O 2 ), il est possible d’utiliser des couches d’encapsulation réalisées en nitrure de silicium (SiN) ou en oxynitrure de silicium (SiON). Lorsque les différentes couches d’encapsulation sont réalisées dans le même matériau, il est possible de distinguer ces différentes couches par la différence d’épaisseur entre ces couches. Par épaisseur, on entend : - s’agissant de la couche d’encapsulation supérieure de la membrane et de la couche supérieure de structuration des bras de soutien, la dimension perpendiculaire au plan du substrat dans lequel s’inscrit le micro-bolomètre ; et - s’agissant de la couche d’encapsulation latérale, une dimension parallèle audit plan du substrat ; cette dernière épaisseur est typiquement mesurée à la base de la couche d’encapsulation latérale. Par ailleurs, la couche d’encapsulation latérale de la membrane peut présenter un ergot faisant saillie par rapport à la couche d’encapsulation supérieure de la membrane d’au moins 10 nanomètres. Cette forme caractéristique peut résulter de la réalisation de la couche d’encapsulation latérale indépendamment de la couche d’encapsulation supérieure de la membrane. En outre, la réalisation indépendante des couches d’encapsulation de la membrane et de la couche supérieure de structuration des bras de soutien peut permettre d’incorporer des matériaux entre ces couches. Selon un mode de réalisation, le micro-bolomètre comprend une couche d’arrêt réalisée en nitrure de bore ou en nitrure d’aluminium interposée entre la couche supérieure de structuration des bras de soutien et le matériau thermo-résistif. Ce mode de réalisation permet de disposer d’une couche d’arrêt avec une composition différente de celle de la couche supérieure de structuration des bras de soutien pour faciliter les étapes de dépôt et de structuration des couches d’encapsulation de la membrane. Cette couche d’arrêt, réalisée en nitrure de bore ou en nitrure d’aluminium, peut éventuellement être complétée par une couche d’alumine et/ou une couche de carbure de silicium. Par ailleurs, cette couche d’arrêt peut être présente ou non sur les bras de soutien. En effet, pour limiter l’épaisseur de ces derniers et ne pas trop pénaliser la résistance thermique des bras de soutien, il peut être préféré de retirer cette couche d’arrêt après le dépôt et la structuration des couches d’encapsulation de la membrane. Selon un mode de réalisation, le micro-bolomètre comprend deux couches d’isolation électrique réalisées en nitrure de bore ou en nitrure d’aluminium disposées directement au-dessus et au-dessous des électrodes, à l’exception des zones de contact entre le matériau thermo-résistif et les électrodes. Ces couches d’isolation électrique sont choisies pour deux propriétés : elles sont résistantes à la gravure de la couche sacrificielle, et elles présentent une constante diélectrique bien supérieure à celle du silicium amorphe utilisé pour structurer les bras et la membrane. Ces couches d’isolation électrique ont pour vocation d’augmenter l’isolation électrique entre les électrodes et les couches de silicium amorphe afin d’étendre la surface occupée par les électrodes sans risque de court-circuit et donc d’optimiser la sensibilité du détecteur. Ainsi, les électrodes peuvent assurer efficacement la fonction d’absorption des rayonnements. Brève description des figures L’invention sera bien comprise à la lecture de la description qui suit, dont les détails sont donnés uniquement à titre d’exemple, et développée en relation avec les figures annexées, dans lesquelles des références identiques se rapportent à des éléments identiques : illustre les étapes de réalisation d’un micro-bolomètre de l’état de la technique. illustre les étapes de réalisation d’un micro-bolomètre de l’état de la technique. illustre les étapes de réalisation d’un micro-bolomètre de l’état de la technique. illustre les étapes de réalisation d’un micro-bolomètre de l’état de la technique. illustre les étapes de réalisation d’un micro-bolomètre de l’état de la technique. illustre les étapes de réalisation d’un micro-bolomètre de l’état de la technique. est une vue schématique en section d’un micro-bolomètre selon un premier mode de réalisation de l’invention. est un agrandissement partiel de la vue schématique en section de la . est une vue schématique en section d’un micro-bolomètre selon un second mode de réalisation de l’invention. est une vue schématique en section d’un micro-bolomètre selon un troisième mode de réalisation de l’invention. est une vue schématique en section d’un micro-bolomètre selon un quatrième mode de réalisation de l’invention. est une vue schématique en section d’un micro-bolomètre selon un cinquième mode de réalisation de l’invention. est une vue schématique en section d’un micro-bolomètre selon un sixième mode de réalisation de l’invention. Micro-bolomètre d’imagerie infrarouge (10a-10f) intégrant une membrane (20) montée en suspension au-dessus d’un substrat (11) au moyen de bras de soutien (21) fixés sur des clous d’ancrage (14), le micro-bolomètre (10a-10i) comprenant : une couche de support (13) s’étendant au sein de la membrane (20) et des bras de soutien (21) ; - des électrodes (16) disposées sur la couche de support (13) et au contact avec les clous d’ancrage (14), chaque électrode (16) s’étendant au sein d’un bras de soutien (21) et présentant une extrémité présente au sein de la membrane (20) de sorte à assurer un contact électrique entre la membrane (20) et les clous d’ancrage (14) ; et - un matériau thermo-résistif (18) disposé au sein la membrane (20) en contact des extrémités des électrodes (16) ; caractérisé en ce que le micro-bolomètre (10a-10f) comprend également : - une couche supérieure de structuration des bras de soutien (15) disposée sur les électrodes (16) et au sein desdits bras de soutien (21) ; et - une couche d’encapsulation supérieure de la membrane (31) disposée sur le matériau thermo-résistif (18) ; la couche supérieure de structuration des bras de soutien (15) et la couche d’encapsulation supérieure de la membrane (31) étant de nature distinctes. Micro-bolomètre d’imagerie infrarouge (10a-10f) intégrant une membrane (20) montée en suspension au-dessus d’un substrat (11) au moyen de bras de soutien (21) fixés sur des clous d’ancrage (14), le micro-bolomètre (10a-10i) comprenant : - une couche de support (13) s’étendant au sein de la membrane (20) et des bras de soutien (21) ; - des électrodes (16) disposées sur la couche de support (13) et au contact avec les clous d’ancrage (14), chaque électrode (16) s’étendant au sein d’un bras de soutien (21) et présentant une extrémité présente au sein de la membrane (20) de sorte à assurer un contact électrique entre la membrane (20) et les clous d’ancrage (14) ; et - un matériau thermo-résistif (18) disposé au sein la membrane (20) en contact des extrémités des électrodes (16) ; caractérisé en ce que le micro-bolomètre (10a-10f) comprend également : - une couche supérieure de structuration des bras de soutien (15) disposée sur les électrodes (16) et au sein desdits bras de soutien (21) ; une couche d’encapsulation supérieure de la membrane (31, 33) disposée sur le matériau thermo-résistif (18) ; et - une couche d’encapsulation latérale de la membrane (19) disposée autour des bords latéraux du matériau thermo-résistif (18) ; la couche d’encapsulation des bras de soutien (15), la couche d’encapsulation supérieure de la membrane (31, 33) et la couche d’encapsulation latérale de la membrane (19) étant d’épaisseurs (e 1 -e 3 ) distinctes. Micro-bolomètre d’imagerie infrarouge selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la couche d’encapsulation supérieure de la membrane (31) est réalisée en nitrure de bore, en alumine, en carbure de silicium ou en nitrure d’aluminium alors que la couche supérieure de structuration des bras de soutien (15) et la couche d’encapsulation latérale de la membrane (19) sont réalisées en silicium amorphe ou à base de silicium amorphe. Micro-bolomètre d’imagerie infrarouge selon la revendication 2, dans lequel la couche d’encapsulation supérieure de la membrane (33), la couche d’encapsulation latérale de la membrane (19) et la couche supérieure de structuration des bras de soutien (15) sont réalisées en silicium amorphe ou à base de silicium amorphe. Micro-bolomètre d’imagerie infrarouge selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel la couche d’encapsulation latérale de la membrane (19) présente un ergot (50) faisant saillie par rapport à la couche d’encapsulation supérieure de la membrane (31, 33) d’au moins 10 nanomètres. Micro-bolomètre d’imagerie infrarouge selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel le micro-bolomètre (10a-10f) comprend une couche d’arrêt (30) réalisée en nitrure de bore ou en nitrure d’aluminium interposée entre la couche supérieure de structuration des bras de soutien (15) et le matériau thermo-résistif (18). Micro-bolomètre d’imagerie infrarouge selon la revendication 6, dans lequel la couche d’arrêt (30) est complétée par une couche d’alumine et/ou une couche de carbure de silicium. Micro-bolomètre d’imagerie infrarouge selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel le micro-bolomètre (10a-10f) comprend deux couches d’isolation électrique (34a-34b) réalisées en nitrure de bore ou en nitrure d’aluminium disposées directement au-dessus et au-dessus des électrodes (16), à l’exception des zones de contact entre le matériau thermo-résistif et les électrodes (16).