Brevet FR3126271A1 — publié le 20230224

Détection d'enveloppe La présente description concerne un dispositif comprenant une entrée (RFin) recevant un signal radiofréquence modulé en amplitude (Vin), un élément résistif (R1) et un transistor MOS (T1) connectés en parallèle entre l'entrée (RFin) et un noeud (100) recevant un potentiel de référence (GND), et un élément capacitif (C1) connecté entre la grille du transistor (T1) et le noeud (100). Le dispositif comprend un circuit de détection d'enveloppe (DET) fournissant une tension (Vout) d'enveloppe du signal modulé en amplitude (Vin). Le dispositif comprend un circuit de commande (AGC) du transistor (T1) fournissant un premier courant à la grille du transistor (T1) lorsque la tension d'enveloppe (Vout) est inférieure à un premier seuil (VtL), et tirant un deuxième courant de la grille du transistor (T1) lorsque la tension d'enveloppe (Vout) est supérieure à un deuxième seuil (VtH) supérieur au premier seuil (VtL). Figure pour l'abrégé : Fig. 1 Détection d'enveloppe La présente description concerne de façon générale les circuits électroniques, et, plus particulièrement les dispositifs de détection d'enveloppe d'un signal modulé en amplitude. Les récepteurs d'un signal radiofréquence modulé en amplitude sont connus. Par exemple, le signal radiofréquence est modulé en OOK ("On Off Keying" – modulation tout ou rien). Par exemple, le signal radiofréquence a une fréquence comprise entre 100 kHz et 10 GHz. Pour obtenir les données transmises par l'intermédiaire de la modulation en amplitude du signal radiofréquence, ces récepteurs radiofréquences comprennent un dispositif de détection d'enveloppe. Le but de la détection d'enveloppe est de fournir un signal représentatif de l'enveloppe du signal radiofréquence modulé en amplitude, ce signal étant représentatif des données transmises. Il existe un besoin de pallier tout ou partie des inconvénients des dispositifs de détection d'enveloppe connus, par exemple lorsque ces dispositifs de détection d'enveloppe sont mis en œuvre dans un récepteur d'un signal radiofréquence sans fil modulé en amplitude. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs de détection d'enveloppe connus, par exemple lorsque ces dispositifs sont mis en œuvre dans un récepteur d'un signal radiofréquence sans fil modulé en amplitude. Un mode de réalisation prévoit un dispositif de détection d'enveloppe comprenant : une borne d'entrée configurée pour recevoir un signal radiofréquence modulé en amplitude ; un élément résistif et un premier transistor MOS connectés en parallèle entre la borne d'entrée et un premier noeud configuré pour recevoir un potentiel de référence ; une premier élément capacitif connecté entre la grille du premier transistor MOS et le premier noeud ; un circuit de détection d'enveloppe connecté à la borne d'entrée et configuré pour fournir une tension représentative de l'enveloppe du signal modulé en amplitude ; et un circuit de commande du premier transistor MOS configuré pour : - fournir un premier courant à la grille du premier transistor MOS uniquement lorsque ladite tension est inférieure à un premier seuil ; et - tirer un deuxième courant de la grille du premier transistor MOS uniquement lorsque ladite tension est supérieure à un deuxième seuil supérieur au premier seuil. Selon un mode de réalisation, un gain du circuit de détection d'enveloppe est égal à K fois le carré du signal. Selon un mode de réalisation, le circuit de détection d'enveloppe est à gain négatif. Selon un mode de réalisation, le circuit de commande comprend : - un premier circuit configuré pour fournir le premier courant sur la grille du premier transistor MOS uniquement lorsque ladite tension est inférieure au premier seuil ; et - un deuxième circuit configuré pour tirer le deuxième courant sur la grille du premier transistor MOS uniquement lorsque ladite tension est supérieure au deuxième seuil. Selon un mode de réalisation, le deuxième circuit est en outre configuré pour fournir un troisième courant à la grille du premier transistor MOS uniquement lorsque ladite tension est inférieure au deuxième seuil. Selon un mode de réalisation, le troisième courant est du même ordre que le deuxième courant, par exemple égal au deuxième courant. Selon un mode de réalisation, le premier courant est au moins 10 fois plus grand que le deuxième courant. Selon un mode de réalisation, le circuit de commande comprend en outre un interrupteur connecté en parallèle du premier élément capacitif. Selon un mode de réalisation, le premier circuit comprend : - une première paire différentielle ayant une première entrée configurée pour recevoir ladite tension et une deuxième entrée configurée pour recevoir le premier seuil ; - une première source de courant configurée pour polariser la première paire différentielle ; et - au moins un premier miroir de courant configuré pour fournir le premier courant sur la grille du premier transistor à partir d'un courant circulant dans la première paire différentielle lorsque ladite tension est inférieure au premier seuil, dans lequel le deuxième circuit comprend : - une deuxième paire différentielle comprenant une première entrée configurée pour recevoir ladite tension et une deuxième entrée configurée pour recevoir le deuxième seuil ; - une deuxième source de courant configurée pour polariser la deuxième paire différentielle ; - au moins un deuxième miroir de courant configuré pour tirer le deuxième courant sur la grille du premier transistor à partir d'un courant circulant dans la deuxième paire différentielle lorsque ladite tension est supérieure au deuxième seuil ; et - au moins un troisième miroir de courant configuré pour fournir le troisième courant sur la grille du premier transistor à partir d'un courant circulant dans la deuxième paire différentielle lorsque ladite tension est inférieure au deuxième seuil. Selon un mode de réalisation, le premier circuit comprend : - une première paire différentielle ayant une première entrée configurée pour recevoir ladite tension et une deuxième entrée configurée pour recevoir le premier seuil ; - une première source de courant configurée pour polariser la première paire différentielle ; et - au moins un premier miroir de courant configuré pour fournir le premier courant sur la grille du premier transistor à partir d'un courant circulant dans la première paire différentielle lorsque ladite tension est inférieure au premier seuil, dans lequel le deuxième circuit comprend : - une deuxième paire différentielle comprenant une première entrée configurée pour recevoir ladite tension et une deuxième entrée configurée pour recevoir le deuxième seuil ; - une deuxième source de courant configurée pour polariser la deuxième paire différentielle ; et - au moins un deuxième miroir de courant configuré pour tirer le deuxième courant sur la grille du premier transistor à partir d'un courant circulant dans la deuxième paire différentielle lorsque ladite tension est supérieure au deuxième seuil. Selon un mode de réalisation, le premier courant est du même ordre que le deuxième courant, par exemple égal au deuxième courant. Selon un mode de réalisation, le circuit de détection d'enveloppe comprend : un transistor MOS ayant une première borne de conduction couplée à ladite borne d'entrée ; une source de tension configurée pour appliquer une tension de polarisation constante sur la grille du transistor MOS du circuit de détection d'enveloppe ; et un élément capacitif et un élément résistif connectés en parallèle entre une deuxième borne de conduction du transistor MOS du circuit de détection d'enveloppe et un deuxième noeud configuré pour recevoir un potentiel d'alimentation. Selon un mode de réalisation, la deuxième borne de conduction du transistor MOS du circuit de détection est couplée, de préférence connectée, à une sortie du circuit de détection d'enveloppe, ladite sortie étant configurée pour fournir ladite tension. Un mode de réalisation prévoit un récepteur radiofréquence de réveil comprenant un dispositif tel que décrit. Selon un mode de réalisation, le récepteur comprend en outre : une antenne de réception d'un signal radiofréquence ; et un réseau d'adaptation d'impédance couplant ladite antenne à la borne d'entrée du dispositif de détection d'enveloppe. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la représente de manière schématique un mode de réalisation d'un récepteur radiofréquence ; la représente de manière plus détaillée un exemple de mode de réalisation d'un dispositif du récepteur radiofréquence de la ; la représente de manière plus détaillée un exemple de mode de réalisation de circuits du dispositif de la ; la représente de manière plus détaillée un autre exemple d'un autre mode de réalisation de circuits du dispositif de la ; la représente de manière plus détaillée un exemple d'un autre mode de réalisation de circuits du dispositif de la ; et la représente un exemple de mode de réalisation d'un circuit du récepteur radiofréquence de la . Dispositif de détection d'enveloppe (10) comprenant : une borne d'entrée (RFin) configurée pour recevoir un signal radiofréquence modulé en amplitude (Vin) ; un élément résistif (R1) et un premier transistor MOS (T1) connectés en parallèle entre la borne d'entrée (RFin) et un premier noeud (100) configuré pour recevoir un potentiel de référence (GND) ; une premier élément capacitif (C1) connecté entre la grille du premier transistor MOS (T1) et le premier noeud (100) ; un circuit de détection d'enveloppe (DET) connecté à la borne d'entrée (RFin) et configuré pour fournir une tension (Vout) représentative de l'enveloppe du signal modulé en amplitude (Vin) ; et un circuit de commande (AGC) du premier transistor MOS (T1) configuré pour : - fournir un premier courant (I1) à la grille du premier transistor MOS (T1) uniquement lorsque ladite tension (Vout) est inférieure à un premier seuil (VtL) ; et - tirer un deuxième courant (I2) de la grille du premier transistor MOS (T1) uniquement lorsque ladite tension (Vout) est supérieure à un deuxième seuil (VtH) supérieur au premier seuil (VtL). Dispositif selon la revendication 1, dans lequel un gain du circuit de détection d'enveloppe (DET) est égal à K fois le carré du signal (Vin). Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le circuit de détection d'enveloppe (DET) est à gain négatif. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le circuit de commande (AGC) comprend : - un premier circuit (206) configuré pour fournir le premier courant (I1) sur la grille du premier transistor MOS (T1) uniquement lorsque ladite tension (Vout) est inférieure au premier seuil (VtL) ; et - un deuxième circuit (208) configuré pour tirer le deuxième courant (I2) sur la grille du premier transistor MOS (T1) uniquement lorsque ladite tension (Vout) est supérieure au deuxième seuil (VtH). Dispositif selon la revendication 4, dans lequel le deuxième circuit (208) est en outre configuré pour fournir un troisième courant (I3) à la grille du premier transistor MOS (T1) uniquement lorsque ladite tension (Vout) est inférieure au deuxième seuil (VtH). Dispositif selon la revendication 5, dans lequel le troisième courant (I3) est du même ordre que le deuxième courant (I2), par exemple égal au deuxième courant (I2). Dispositif selon la revendication 5 ou 6, dans lequel le premier courant (I1) est au moins 10 fois plus grand que le deuxième courant (I2). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 5 à 7, dans lequel le circuit de commande (AGC) comprend en outre un interrupteur (RST) connecté en parallèle du premier élément capacitif (C1). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 5 à 8, dans lequel le premier circuit (206) comprend : - une première paire différentielle (Diff1) ayant une première entrée configurée pour recevoir ladite tension (Vout) et une deuxième entrée configurée pour recevoir le premier seuil (VtL) ; - une première source de courant (S1) configurée pour polariser la première paire différentielle (Diff1) ; et - au moins un premier miroir de courant (Mirror11, Mirror12) configuré pour fournir le premier courant (I1) sur la grille du premier transistor (T1) à partir d'un courant (I1') circulant dans la première paire différentielle (Diff1) lorsque ladite tension (Vout) est inférieure au premier seuil (VtL), dans lequel le deuxième circuit (208) comprend : - une deuxième paire différentielle (Diff2) comprenant une première entrée configurée pour recevoir ladite tension (Vout) et une deuxième entrée configurée pour recevoir le deuxième seuil (VtH) ; - une deuxième source de courant (S2) configurée pour polariser la deuxième paire différentielle (Diff2) ; - au moins un deuxième miroir de courant (Mirror2) configuré pour tirer le deuxième courant (I2) sur la grille du premier transistor (T1) à partir d'un courant (I23') circulant dans la deuxième paire différentielle (Diff2) lorsque ladite tension (Vout) est supérieure au deuxième seuil (VtH) ; et - au moins un troisième miroir de courant (Mirror31, Mirror32) configuré pour fournir le troisième courant (I3) sur la grille du premier transistor (T1) à partir d'un courant (I23') circulant dans la deuxième paire différentielle (Diff2) lorsque ladite tension (Vout) est inférieure au deuxième seuil (VtH). Dispositif selon la revendication 4, dans lequel le premier circuit (206) comprend : - une première paire différentielle (Diff1) ayant une première entrée configurée pour recevoir ladite tension (Vout) et une deuxième entrée configurée pour recevoir le premier seuil (VtL) ; - une première source de courant (S1) configurée pour polariser la première paire différentielle (Diff1) ; et - au moins un premier miroir de courant (Mirror11, Mirror12) configuré pour fournir le premier courant (I1) sur la grille du premier transistor (T1) à partir d'un courant circulant dans la première paire différentielle (Diff1) lorsque ladite tension (Vout) est inférieure au premier seuil (VtL), dans lequel le deuxième circuit (208) comprend : - une deuxième paire différentielle (Diff2) comprenant une première entrée configurée pour recevoir ladite tension (Vout) et une deuxième entrée configurée pour recevoir le deuxième seuil (VtH) ; - une deuxième source de courant (S2) configurée pour polariser la deuxième paire différentielle (Diff2) ; et - au moins un deuxième miroir de courant (Mirror2) configuré pour tirer le deuxième courant (I2) sur la grille du premier transistor (T1) à partir d'un courant (I23') circulant dans la deuxième paire différentielle (Diff2) lorsque ladite tension (Vout) est supérieure au deuxième seuil (VtH). Dispositif selon la revendication 4 ou 10, dans lequel le premier courant (I1) est du même ordre que le deuxième courant (I2), par exemple égal au deuxième courant (I2). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel le circuit de détection d'enveloppe (DET) comprend : un transistor MOS (T2) ayant une première borne de conduction couplée à ladite borne d'entrée (RFin) ; une source de tension (V1) configurée pour appliquer une tension de polarisation constante (Vbias) sur la grille du transistor MOS (T2) du circuit de détection d'enveloppe (DET) ; et un élément capacitif (C2) et un élément résistif (R2) connectés en parallèle entre une deuxième borne de conduction du transistor MOS (T2) du circuit de détection d'enveloppe (DET) et un deuxième noeud (108) configuré pour recevoir un potentiel d'alimentation (Vdd). Dispositif selon la revendication 12, dans lequel la deuxième borne de conduction du transistor MOS (T2) du circuit de détection (DET) est couplée, de préférence connectée, à une sortie (106) du circuit de détection d'enveloppe (DET), ladite sortie (106) étant configurée pour fournir ladite tension (Vout). Récepteur radiofréquence de réveil (1) comprenant un dispositif (10) selon l'une quelconque des revendications 1 à 13. Récepteur selon la revendication 14, comprenant en outre : une antenne (3) de réception d'un signal radiofréquence (Vin) ; et un réseau d'adaptation d'impédance (IMP) couplant ladite antenne (3) à la borne d'entrée (RFin) du dispositif de détection d'enveloppe (10).