Brevet FR3113539A1 — publié le 20220225

Transistor bipolaire La présente description concerne un transistor bipolaire comprenant un empilement d'un émetteur (122), d'une base (112, 116) et d'un collecteur (110, 104), ladite base étant structurée comme un peigne dont les doigts (117) sont orientés dans un plan orthogonal à la direction de l'empilement. Figure pour l'abrégé : Fig. 2 Transistor bipolaire La présente description concerne de façon générale les composants électroniques et plus précisément les transistors bipolaires et leur procédé de fabrication. Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semiconducteur de la famille des transistors. Son principe de fonctionnement est basé sur deux jonctions PN, l'une polarisée en direct et l'autre en inverse. Il existe un besoin d'amélioration des transistors bipolaires connus et des procédés de fabrications des transistors bipolaires connus. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des transistors bipolaires connus et/ou des procédés de fabrication de transistors bipolaires connus. Un mode de réalisation prévoit un transistor bipolaire comprenant un empilement d'un émetteur, d'une base et d'un collecteur, ladite base étant structurée comme un peigne dont les doigts sont orientés dans un plan orthogonal à la direction de l'empilement. Selon un mode de réalisation, le transistor comprend une première tranchée isolante périphérique autour dudit transistor et une deuxième tranchée isolante délimitant au moins la surface de l'émetteur. Selon un mode de réalisation, la deuxième tranchée isolante est moins profonde que la première tranchée isolante. Selon un mode de réalisation, la deuxième tranchée isolante est enterrée dans une première partie du collecteur. Selon un mode de réalisation, le transistor comprend une deuxième partie du collecteur qui traverse la deuxième tranchée isolante en son centre, la deuxième partie du collecteur étant en contact physique avec la première partie du collecteur. Selon un mode de réalisation, la deuxième tranchée isolante est remplie d'air, d'un gaz ou d'un vide semi-partiel. Selon un mode de réalisation, la deuxième tranchée isolante est remplie d'un oxyde. Selon un mode de réalisation, la deuxième tranchée isolante est structurée en forme de peigne, la structure de la deuxième tranchée isolante étant alignée avec la structure de la base. Selon un mode de réalisation, la profondeur de la deuxième tranchée isolante est de l'ordre de 50 nm et/ou la profondeur de la première tranchée isolante est de l'ordre de 100 nm. Selon un mode de réalisation, le transistor comprend des contacts sur et en contact avec l'émetteur, avec la base et avec la première partie du collecteur. Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de réalisation comprenant une étape a) de gravure d'une base, selon un motif de peigne, de façon à former un transistor tel que défini précédemment. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend les étapes suivantes : b) former une première tranchée isolante dans un substrat ; c) former une deuxième tranchée isolante, moins profonde que la première tranchée isolante, enterrée dans une première partie d'un collecteur ; d) former une deuxième partie du collecteur à travers la deuxième tranchée isolante, au centre de la deuxième tranchée isolante, la deuxième partie du collecteur étant formée sur et en contact avec la première partie du collecteur ; e) former une première partie de la base sur la deuxième partie du collecteur ; f) former une deuxième partie de la base dans le prolongement de la première partie de la base en recouvrant en partie la deuxième tranchée isolante ; et g) former un émetteur sur la première partie de la base. Selon un mode de réalisation la deuxième tranchée isolante est formée par l'ouverture de la première partie du collecteur puis le remplissage de l'ouverture par un oxyde. Selon un mode de réalisation, les étapes c) d) sont séparées par une étape h) consistant en le dépôt pleine plaque d'une couche du matériau de la deuxième partie de la base et en l'ouverture de cette même couche, l'ouverture ayant une géométrie et une taille similaire à la géométrie et à la taille de la deuxième partie du collecteur. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape de formation de contacts sur et en contact avec l'émetteur, avec la deuxième partie de la base et avec la première partie du collecteur. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape de gravure du matériau présent dans la deuxième tranchée isolante. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 représente une vue en coupe, partielle et schématique, d'un exemple d'un transistor bipolaire ; la figure 2 représente une vue de dessus et deux vues en coupe, partielles et schématiques, d'un mode de réalisation d'un transistor bipolaire ; la figure 3 représente une vue de dessus et une vue en coupe, partielles et schématiques, d'une étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de réalisation du transistor illustré en figure 2 ; la figure 4 représente une vue de dessus et une vue en coupe, partielles et schématiques, d'une autre étape d'un mode de mise en oeuvre du procédé de réalisation du transistor illustré en figure 2 ; la figure 5 représente une vue de dessus et une vue en coupe, partielles et schématiques, d'encore une autre étape d'un mode de mise en oeuvre du procédé de réalisation du transistor illustré en figure 2 ; la figure 6 représente une vue de dessus et une vue en coupe, partielles et schématiques, d'encore une autre étape d'un mode de mise en oeuvre du procédé de réalisation du transistor illustré en figure 2 ; la figure 7 représente une vue de dessus et deux vues en coupe, partielles et schématiques, d'encore une autre étape d'un mode de mise en oeuvre du procédé de réalisation du transistor illustré en figure 2 ; la figure 8 représente une vue de dessus et deux vues en coupe, partielles et schématiques, d'un autre mode de réalisation d'un transistor bipolaire ; la figure 9 représente une vue de dessus et deux vues en coupe, partielles et schématiques, d'encore un autre mode de réalisation d'un transistor bipolaire ; la figure 10 représente une vue de dessus et une vue en coupe, partielles et schématiques, d'une étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé du transistor illustré en figure 9 ; la figure 11 représente une vue de dessus, partielle et schématique, d'encore un autre mode de réalisation d'un transistor bipolaire ; et la figure 12 représente une vue de dessus, partielle et schématique, d'encore un autre mode de réalisation d'un transistor bipolaire. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. La figure 1 représente une vue en coupe, partielle et schématique, d'un exemple de transistor bipolaire NPN 100. Le transistor 100 est formé dans et sur un substrat semiconducteur 102 en silicium. Le transistor 100 comprend un collecteur. Le collecteur comprend une première partie 104. La première partie 104 est un caisson dopé N enterré dans le substrat 102, c'est-à-dire sous une partie 108 du substrat 102. La première partie 104 est dopée avec des atomes d'arsenic ou de phosphore. Une tranchée isolante 106 est située sur une partie du caisson 104. Plus précisément, la tranchée isolante 106 traverse la partie 108 du substrat 102 de manière à atteindre le caisson 104. La tranchée isolante est une "super" tranchée isolante peu profonde ("Super Shallow Trench Isolation" – SSTI). Le collecteur comprend, en outre, une deuxième partie 110 traversant la tranchée isolante 106. La tranchée isolante 106 forme ainsi un anneau autour de la deuxième partie 110. La deuxième partie 110 du collecteur est en un matériau semiconducteur dopé N. La hauteur de la deuxième partie du collecteur est telle que la deuxième partie dépasse, en hauteur, la tranchée isolante 106. La partie inférieure de la deuxième partie 110 du collecteur, c'est-à-dire la partie entourée par la tranchée isolante 106, est en contact physique direct avec la tranchée isolante 106 en tout point. La partie inférieure de la deuxième partie 110 du collecteur et la tranchée isolante 106 ne sont pas séparées par un autre matériau. La deuxième partie 110 du collecteur est recouverte d'une base 112 et d'une couche d'encapsulation 114. La deuxième partie 110, la base 112 et la couche 114 ont des dimensions horizontales, c'est-à-dire en vue de dessus, sensiblement égales. La base est en un matériau semiconducteur dopé P à base de silicium, par exemple, en silicium-germanium dopé au bore. La couche d'encapsulation 114 est en silicium intrinsèque. Des éléments de conduction 116 en un matériau semiconducteur dopé P, sont situés sur la tranchée isolante 106 et sont en contact physique avec la base 112. Le transistor 100 comprend de plus un émetteur 122. L'émetteur 122 est en un matériau semiconducteur dopé N, par exemple, dopé d'atomes d'arsenic ou de phosphore. Des contacts 128, comprenant chacun un via 130 conducteur et un plot de contact 132, permettent le contact électrique entre différentes parties du transistor 100 et des éléments extérieurs par l'intermédiaire d'un réseau d'interconnexion. Plus précisément, des contacts 128 sont situés sur la partie 108 du substrat de manière à former un contact électrique avec le collecteur 104, 110. D'autres contacts 128 sont formés sur les éléments de conduction 116 de manière à former un contact électrique avec la base 112. D'autres contacts 128 sont formés sur l'émetteur 122 de manière à former une connexion électrique avec l'émetteur 122. Un transistor tel que décrit ci-dessus est décrit dans le document FR3087047. Il serait souhaitable, notamment pour des applications à fréquences élevées (de plusieurs GHz à plusieurs centaines de GHz), de réduire les capacités parasites qui sont présentes notamment entre la base et le collecteur. La figure 2 représente une vue A de dessus et deux vues B et C en coupe, partielles et schématiques d'un mode de réalisation d'un transistor bipolaire 200. Plus particulièrement, la vue A est une vue de dessus du transistor 200 et les vues B et C sont deux vues en coupe du transistor 200. La vue B est une vue selon le plan de coupe BB de la vue A et la vue C est une vue selon le plan de coupe CC de la vue A. Le transistor 200 illustré en figure 2 comprend des éléments similaires aux éléments du transistor 100 décrits ci-avant en relation avec la figure 1. Ces éléments ne seront pas décrits à nouveau ci-après et seules les différences entre les transistors 100 et 200 seront mises en exergue. Afin de réduire les capacités parasites et les résistances parasites présentes, le transistor 200 comprend, à la place de la tranchée isolante 106, une tranchée isolante 103 enterrée dans le caisson 104. La tranchée isolante 103 est par exemple, une tranchée isolante peu profonde (Super Shallow Trench Isolation – SSTI). La tranchée 103 a, par exemple, une profondeur comprise entre approximativement 25 nm et 100 nm, de préférence de l'ordre de 50 nm. La tranchée isolante 103 a, en vue de dessus, par exemple, une forme carrée ou rectangulaire. La tranchée isolante 103 peut, en variante, avoir en vue de dessus, une forme circulaire, triangulaire ou quelconque. La tranchée isolante 103 forme ainsi un anneau autour de la deuxième partie 110 du collecteur. Selon le mode de réalisation illustré en figure 2, la tranchée isolante 103 est comblée d'air, d'un gaz ou d'un vide partiel. La tranchée 106 permettant d'isoler le transistor 200 est conservée mais déplacée de sorte qu'elle traverse le substrat 102 et entoure le caisson 104. La tranchée périphérique isolante 106 forme ainsi un anneau autour du caisson 104. La tranchée 106 a, selon le mode de réalisation illustré en figure 2, par exemple, une profondeur supérieure à la profondeur de la tranchée 103. La profondeur de la tranchée 106 est, par exemple, comprise entre environ 50 nm et environ 150 nm. La profondeur de la tranchée 106 est, par exemple, de l'ordre de 100 nm. La base du transistor 200 comporte une première partie centrale 112 et une deuxième partie correspondant aux éléments de conduction 116 exposés en relation avec la figure 1. La deuxième partie est, selon le mode de réalisation illustré en figure 2, structurée en forme de peigne. En d'autres termes, la deuxième partie 116 de la base comprend sur deux de ses côtés, de préférence opposés, des doigts ou dents 117 s'étendant parrallèlement à la face supérieure du substrat 102. Autrement dit, la deuxième partie 116 de la base comprend, sur deux de ses côtés, des doigts 117 s'étendant orthogonalement à la direction de l'empilement de la base, la deuxième partie 110 du collecteur et l'émetteur 122. La première partie 104 est par exemple enterrée à une profondeur comprise entre environ 100 et environ 200 nm. La tranchée 106 a par exemple une hauteur comprise entre environ 50 et environ 150 nm. Selon le mode de réalisation illustré en figure 2, la deuxième partie 110 du collecteur, la première partie 112 de la base et la couche 114 ont des dimensions horizontales, c'est-à-dire en vue de dessus, sensiblement égales. Le transistor 200 comprend des contacts 128 similaires aux contacts 128 du transistor 100 exposé en relation avec la figure 1 à la différence qu'ils sont positionnés différemment à la surface du transistor 200. Le transistor 200 comprend, ainsi, des contacts 128a, 128b, 128c, 128d comprenant, par exemple, chacun un via conducteur 130a, 130b, 130c, 130d et un plot de contact 132a, 132b, 132c, 132d permettent le contact électrique entre différentes parties du transistor 200 et des éléments extérieurs, par exemple par l'intermédiaire d'un réseau d'interconnexion. Plus précisément, des contacts 128a sont situés sur le substrat 102 de manière à former un contact électrique avec la première partie 104 du collecteur. D'autres contacts 128b sont formés sur les doigts 117 de la deuxième partie 116 de la base de manière à former un contact électrique avec la base. Un autre contact 128c est formé sur l'émetteur 122 de manière à former une connexion électrique avec l'émetteur. D'autres contacts 128d sont formés sur la première partie 104 du collecteur, dans la tranchée 103 et entre deux doigts 117, de manière à former une connexion électrique avec l'émetteur. A titre d'exemple, le transistor 200 comprend autant de contacts 128b que de doigts 117 de sorte que chaque doigt 117 est en partie recouvert par un contact 128b. En variante, seulement certains des doigts 117 sont recouverts par un contact 128a. A titre d'exemple, le transistor 200 comprend un contact 128d de moins que de doigts 117. De manière générale, le transistor 200 comprend un nombre de contacts 128d inférieur ou égal au nombre de doigts 117. A titre d'exemple, le transistor 200 comprend un contact 128a en face de chaque contact 128b et 128d. En variante, le transistor comprend un contact 128a en face de tout ou partie des doigts 117 et/ou un contact 128a en face de tout ou partie des ouvertures entre deux doigts 117. Le transistor 200 illustré en figure 2 correspond à une version très schématique de l'amélioration du transistor 100 illustré en figure 1. Ainsi, certaines couches n’ont pas été représentées en figure 2 mais sont préférentiellement présentes. La figure 3 représente une vue de dessus et une vue en coupe, partielles et schématiques, d'une étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de réalisation du transistor 200 illustré en figure 2. Plus particulièrement, la figure 3 illustre deux vues d'une structure 300 de départ pour la réalisation du transistor 200. Une vue A correspond à la vue de dessus de la structure 300 et une vue B correspond à la vue en coupe de la structure 300 selon le plan de coupe BB de la vue A. La structure 300 comprend le substrat 102 dans lequel sont formées la première partie 104 du collecteur, la première tranchée isolante 106 et la deuxième tranchée isolante 103. La première partie 104 du collecteur est enterrée dans le substrat 102. La tranchée 106 est formée de sorte à entourer la première partie 104 et la tranchée 103 est formée dans la première partie 104. Selon le mode de réalisation illustré en figure 3, la tranchée 103 est comblée d'un matériau isolant, par exemple, un oxyde. Selon le mode de réalisation illustré en figure 3, la tranchée isolante 103 est, en vue de dessus (vue A), de forme rectangulaire. En variante, la tranchée isolante a une forme circulaire, carrée, triangulaire ou ovale. La figure 4 représente une vue de dessus et une vue en coupe, partielles et schématiques, d'une autre étape d'un mode de mise en oeuvre du procédé de réalisation du transistor 200 illustré en figure 2. Plus particulièrement, la figure 4 illustre une structure 400 obtenue à l'issue d'une étape de dépôt d'une couche 301 et d'un empilement 303 à la surface de la structure 300 illustrée en figure 3 et une étape de gravure des couches déposées. La figure 4 illustre deux vues de la structure 400. Une vue A correspond à la vue de dessus de la structure 400 et une vue B correspond à la vue en coupe de la structure 400 selon le plan de coupe BB de la vue A. Selon le mode de mise en oeuvre illustré en figure 4, la couche 301 d'un matériau constituant la deuxième partie 116 de la base est déposée pleine plaque à la surface de la structure 300 (figure 3). La couche 301 recouvre ainsi la tranchée isolante 106, la première partie 104 du collecteur et la tranchée isolante 103. Selon le mode de mise en oeuvre illustré en figure 4, le dépôt de la couche 301 est suivi par le dépôt de l'empilement 303 à la surface de la couche 301, c'est-à-dire sur et en contact avec la face supérieure de la couche 301. L'empilement 303 est, de préférence, multicouche. Les dépôts de la couche 301 et de l'empilement 303 sont, par exemple, réalisés par des techniques de dépôts chimiques en phase vapeur (CVD, Chemical Vapor Deposition) et, de préférence, par une technique de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition). Les dépôts de la couche 301 et de l'empilement 303 sont suivis par la réalisation d'une ouverture 305. L'ouverture 305 s'étend, par exemple, de la face supérieure de l'empilement 303, à travers l'empilement 303, la couche 301 et la tranchée isolante 103 de sorte à découvrir une partie de la face supérieure de la première partie 104 du collecteur. L'ouverture 305 a, par exemple, en vue de dessus une forme rectangulaire. La formation de l'ouverture 305 est, à titre d'exemple, réalisée par photolithogravure c'est-à-dire que l'on forme à la surface de la structure, par photolithographie, un masque en une résine organique présentant une ouverture identique à l'ouverture 305 souhaitée. Les couches 303, 301 et 104 sont alors gravées de façon à dévoiler une partie de la face supérieure de la première partie 104 du collecteur et former l'ouverture 305. Les dimensions horizontales de l'ouverture 305, c'est-à-dire les dimensions en vue de dessus, correspondent sensiblement aux dimensions de la deuxième partie 110 du collecteur que l'on cherche à former. La figure 5 représente une vue de dessus et une vue en coupe, partielles et schématiques, d'encore une autre étape d'un mode de mise en oeuvre du procédé de réalisation du transistor 200 illustré en figure 2. Plus particulièrement, la figure 5 illustre une structure 500 obtenue à l'issue d'une étape de formation de la deuxième partie 110 du collecteur, de la première partie 112 de la base, de la couche 114 et de l'émetteur 122 dans et sur la face supérieure de la structure 400 illustrée en figure 4. La figure 5 illustre deux vues de la structure 500. Une vue A correspond à la vue de dessus de la structure 500 et une vue B correspond à la vue en coupe de la structure 500 selon le plan de coupe BB de la vue A. Selon le mode de mise en oeuvre illustré en figure 5, la deuxième partie 110 du collecteur, la première partie 112 de la base, la couche 114 et l'émetteur 122 sont réalisés successivement par épitaxie dans l'ouverture 305. En d'autres termes, la deuxième partie 110 du collecteur est réalisée dans l'ouverture 305 sur et en contact avec la face supérieure de la première partie 104 du collecteur. Les faces latérales de la deuxième partie 110 du collecteur sont, ainsi, en contact avec le matériau de remplissage de la tranchée 103. De préférence, la deuxième partie 110 du collecteur est formée par un procédé comprenant au moins une gravure d'un matériau semiconducteur et une croissance épitaxiale. Ainsi au cours de l'étape, résultant en la structure 500, l'empilement 303 est partiellement gravé et la deuxième partie 110 du collecteur est formée par croissance épitaxiale. De préférence, l'épaisseur de la deuxième partie 110 du collecteur est comprise entre environ 70 nm et 110 nm, de préférence, de l'ordre de 90 nm. La première partie 112 de la base est, de préférence, réalisée, dans l'ouverture 305, sur et en contact avec la face supérieure de la deuxième partie 110 du collecteur. La première partie 112 de la base a une épaisseur, par exemple, comprise entre environ 18 nm et 26 nm, de préférence, de l'ordre de 22 nm. La couche 114 est, de préférence, réalisée, dans l'ouverture 305, sur et en contact avec la face supérieure de la première partie 112 de la base. La couche 114 a une épaisseur, par exemple, comprise entre environ 10 nm et 20 nm, de préférence, de l'ordre de 15 nm. L'émetteur 122 est, de préférence, réalisé, dans l'ouverture 305, sur et en contact avec la face supérieure de la couche 114. Les couches 110, 112, 114 et 122 sont réalisées dans l'ouverture 305 (figure 4). Elles sont donc toutes alignées latéralement. En d'autres termes, toutes les couches 110, 112, 114, 122 s'étendent horizontalement les unes sur les autres et ce de façon à être en contact avec les bords latéraux de la couche 303 dans l'ouverture 305. Les couches susmentionnées sont donc parfaitement alignées latéralement. Un avantage de ce mode de mise en oeuvre est qu'une étape postérieure de gravure n'est pas nécessaire afin d'aligner les bords latéraux des couches 110, 112, 114 et 122. La figure 6 représente une vue de dessus et une vue en coupe, partielles et schématiques, d'encore une autre étape d'un mode de mise en oeuvre du procédé de réalisation du transistor 200 illustré en figure 2. Plus particulièrement, la figure 6 illustre une structure 600 obtenue à l'issue d'une étape optionnelle de retrait de l'empilement 303 de la structure 500 illustrée en figure 5. La figure 6 illustre deux vues de la structure 600. Une vue A correspond à la vue de dessus de la structure 600 et une vue B correspond à la vue en coupe de la structure 600 selon le plan de coupe BB de la vue A. Les différentes étapes mentionnées en relation avec la figure 5 nécessitent des étapes de gravure de l'empilement 303 pour la formation des éléments 110, 112, 114 et 122. A l'issue de ces étapes, si tout ou partie de l'empilement 303 persiste, celui-ci est retiré. La figure 7 représente une vue de dessus et deux vues en coupe, partielles et schématiques, d'encore une autre étape d'un mode de mise en oeuvre du procédé de réalisation du transistor 200 illustré en figure 2. Plus particulièrement, la figure 7 illustre une structure 700 obtenue à l'issue d'une étape de gravure de la deuxième partie 116 de la base de la structure 600 illustrée en figure 6. La figure 7 illustre trois vues de la structure 700. Une vue A correspond à la vue de dessus de la structure 700 et deux vues A et B correspondent à des vues en coupe de la structure 700 respectivement selon le plan de coupe BB de la vue A et le plan de coupe CC de la vue A. La deuxième partie 116 de la base est gravée de façon à structurer la couche et former sur deux de ses côtés, de préférence deux côtés opposés, des peignes. En d'autres termes, la deuxième partie 116 est gravée de façon à former les doigts 117 d'une largeur l1 et d'une longueur L1. Les doigts 117 sont, par exemple, espacés deux à deux d'une distance d1. Le nombre de doigts 117 par côté de la deuxième partie 116 peut varier, il est, de préférence, supérieur à 3. La largeur l1 est, par exemple, comprise entre approximativement 80 nm et 150 nm. La longueur L1 est, par exemple, comprise entre approximativement 135 nm et 300 nm. La distance d1 est, par exemple, comprise entre approximativement 100 nm et 1,3 µm. A l'issue de la formation de la deuxième partie 116 de la base, la tranchée 103 de la structure 700 est gravée, c'est à dire que l'on vient retirer le matériau de remplissage de la tranchée 103. La tranchée 103 est, par exemple, gravée par une technique de chimie humide (chemical wet etching) au cours de laquelle la structure 700 est immergée dans une solution, par exemple, à base d'acide fluorhydrique, d'acide chlorhydrique et/ou d'acide citrique. Les contacts 128a, 128b, 128c, 128d sont, ensuite, formés respectivement sur la première partie 104 du collecteur, hors de la tranchée 103, sur la deuxième partie 116 de la base, sur l'émetteur 122 et sur la première partie 104 du collecteur, dans la tranchée 103. A titre d'exemple, les contacts 128a sont formés sur et en contact avec la première partie 104 du collecteur hors de la tranchée 103 et sur deux des côtés autour de la tranchée 103. Les contacts 128b sont, par exemple, formés sur et en contact avec les doigts 117 de la deuxième partie 116 de la base. Par exemple, chaque doigt 117 de la deuxième partie 116 de la base accueille un contact 128b. Le contact 128c est, par exemple, formé sur et en contact avec l'émetteur 122. Les contacts 128d sont, par exemple, formés sur et en contact avec la première partie 104 du collecteur dans la tranchée 103. De préférence, les contacts 128d sont formés dans la tranchée 103 entre deux doigts 117 de la deuxième partie 116 de la base et entre deux contacts 128b. Les contacts 128a sont, à titre d'exemple, alignés avec les contacts 128b et 128d. La structure finale correspond au transistor 200 illustré en figure 2, à partir de la structure 700 et à la suite de l'étape de gravure de la tranchée 103 et de l'étape de dépôt des contacts 128a, 128b et 128c. La figure 8 représente, une vue de dessus et deux vues en coupe, partielles et schématiques, d'un autre mode de réalisation d'un transistor bipolaire 800. Le transistor 800 illustré en figure 8 est une variante de réalisation du transistor 200 illustré en figure 2. Plus particulièrement, la vue A est une vue de dessus du transistor 800 et les vues B et C sont deux vues en coupe du transistor 800. La vue B est une vue selon le plan de coupe BB de la vue A et la vue C est une vue selon le plan de coupe CC de la vue A. Le transistor 800 illustré en figure 8 comprend l'ensemble des éléments du transistor 200 en incluant les éléments du transistor 100 non mentionnées en relation avec la figure 2. La deuxième partie 116 de la base est, alors, isolée de la deuxième partie 110 du collecteur, par exemple, par un élément isolant 118 et une poche d'air 120, par exemple, formée lors de l'épitaxie de la deuxième partie 110 du collecteur. L'émetteur 122 est isolé de la deuxième partie 116 de la base par une région isolante 124. La figure 9 représente, une vue de dessus et deux vues en coupe, partielles et schématiques, d'encore un autre mode de réalisation d'un transistor bipolaire 900. La vue A est une vue de dessus du transistor 900 et les vues B et C sont deux vues en coupe du transistor 900. La vue B est une vue selon le plan de coupe BB de la vue A et la vue C est une vue selon le plan de coupe CC de la vue A. Le transistor 900 illustré en figure 9 est une variante de réalisation des transistors 200 et 800 illustrés en figures 2 et 8. Plus particulièrement, le transistor 900 illustré en figure 9 diffère du transistor 800 en ce que la tranchée 103 est remplie d'un matériau, par exemple, un oxyde. Selon le mode de réalisation illustré en figure 9, la tranchée 103 du transistor comprend des doigts 134 sur deux de ses côtés. La tranchée 103 a, par conséquent, une structure dont les motifs sont similaires aux motifs de la structure de la deuxième partie 116 de la base. Les doigts 117 et les doigts 134 sont superposés de sorte que chaque doigt 117 recouvre en partie un doigt 134 et que chaque doigt 134 soit en partie recouvert par un doigt 117. Selon le mode de réalisation illustré en figure 9, le transistor 900 ne comprend pas de contacts 128d. Le transistor 900 peut toutefois comprendre, optionnellement, des contacts 128e, comprenant par exemple chacun un via 130e conducteur et un plot de contact 132e. Les contacts 128e sont, de préférence, formés sur la partie 108 et entre deux doigts 134, de manière à former une connexion électrique avec le collecteur. A titre d'exemple, le transistor 900 comprend un contact 128e de moins que de doigts 134. De manière générale, le transistor 900 comprend un nombre de contacts 128e inférieur ou égal au nombre de doigts 134. La figure 10 représente une vue de dessus et une vue en coupe, partielles et schématiques, d'une étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé du transistor illustré en figure 9. Plus particulièrement, la figure 10 illustre une structure 1000 de départ du mode de mise en oeuvre du procédé de réalisation du transistor 900 illustré en figure 9. Plus particulièrement, la figure 10 illustre deux vues d'une structure 1000. Une vue A correspond à la vue de dessus de la structure 1000 et une vue B correspond à la vue en coupe de la structure 1000 selon le plan de coupe BB de la vue A. Similairement à la structure 300 illustrée en figure 3, la structure 1000 comprend le substrat 102 dans lequel sont formées la première partie 104 du collecteur, la première tranchée isolante 106 et la deuxième tranchée isolante 103. Selon le mode de réalisation illustré en figure 3, la tranchée 103 est gravée de façon à structurer la couche et former sur deux de ses côtés des peignes. En d'autres termes, la tranchée 103 est gravée de façon à former des doigts 134 d'une largeur l2 et d'une longueur L2. Les doigts 134 sont, par exemple, espacés deux à deux d'une distance d2. Le nombre de doigt 134 par côté de la tranchée 103 peut varier, il est, de préférence, supérieur à 3 et est, de préférence, identique au nombre de doigts 117 par côté de la deuxième partie 116 de la base. La tranchée 103 est comblée d'un matériau isolant, par exemple, un oxyde. La largeur l2 est supérieure à la largeur l1 et est, par exemple, comprise entre approximativement 80 nm et 150 nm. La longueur L2 est supérieure à la longueur L1 et est, par exemple, comprise entre approximativement 135 nm et 300 nm. La distance d2 est supérieure à la distance d1 et est, par exemple, comprise entre approximativement 100 nm et 1,3 µm. Le procédé de réalisation du transistor 900 illustré en figure 9 est similaire au procédé de réalisation du transistor 200 décrit en relation avec les figures 3 à 7 à la différence près qu'il est basé sur la structure 1000 de départ et non pas sur la structure 300. La figure 11 représente une vue de dessus, partielle et schématique, d'encore un autre mode de réalisation d'un transistor bipolaire 1100. Plus particulièrement, le transistor 1100 est similaire au transistor 900 illustré en figure 9 à la différence près qu'il ne comprend des doigts 117 et des doigts 134 que sur un unique côté. En d'autres termes, le transistor 1100 est similaire au transistor 900 à la différence près que la deuxième partie 116 de la base et la tranchée 103 ne sont structurées que sur l'un de leurs côtés. Ainsi, le transistor 1100 ne comprend des contacts 128b et 128e que sur l'un de ses côtés. Le transistor 1100 comprend toutefois optionnellement des contacts 128a sur un ou deux de ses côtés. La figure 12 représente une vue de dessus, partielle et schématique, d'encore un autre mode de réalisation d'un transistor bipolaire 1200. Plus particulièrement, le transistor 1200 est similaire au transistor 200 illustré en figure 2 à la différence près qu'il ne comprend des doigts 117 que sur un unique côté. En d'autres termes, le transistor 1200 est similaire au transistor 200 à la différence près que la deuxième partie 116 de la base n'est structurée que sur l'un de ses côtés. Ainsi, le transistor 1200 ne comprend des contacts 128b et 128d que sur l'un de ses côtés. Le transistor 1200comprend toutefois optionnellement des contacts 128a sur un ou deux de ses côtés. Un avantage des modes de réalisation décrits, et notamment de la structure en peigne de la base, est qu’ils permettent de minimiser les capacités parasites entre collecteur et base. Un autre avantage des modes de réalisation décrits est qu’ils permettent de réduire la résistance parasite de collecteur. Les modes de réalisation décrit sont particulièrement adaptés à la réalisation de transistors pour des application de très hautes fréquences de plusieurs centaines de GHz. On notera que les modes de réalisation décrits s’appliquent aussi bien à la réalisation de transistors de type PNP qu’à celle de transistors de type NPN. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Transistor bipolaire comprenant un empilement d'un émetteur (122), d'une base (112, 116) et d'un collecteur (110, 104), ladite base étant structurée comme un peigne dont les doigts (117) sont orientés dans un plan orthogonal à la direction de l'empilement. Transistor selon la revendication 1, comprenant une première tranchée isolante (106) périphérique autour dudit transistor et une deuxième tranchée isolante (103) délimitant au moins la surface de l'émetteur (122). Transistor selon la revendication 2, dans lequel la deuxième tranchée isolante (103) est moins profonde que la première tranchée isolante (106). Transistor selon la revendication 2 ou 3, dans lequel la deuxième tranchée (103) isolante est enterrée dans une première partie (104) du collecteur. Transistor selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, dans lequel une deuxième partie (110) du collecteur traverse la deuxième tranchée isolante (103) en son centre, la deuxième partie du collecteur étant en contact physique avec la première partie du collecteur (104). Transistor selon l'une quelconque des revendications 2 à 5, dans lequel la deuxième tranchée isolante (103) est remplie d'air, d'un gaz ou d'un vide partiel. Transistor selon l'une quelconque des revendications 2 à 5, dans lequel la deuxième tranchée isolante (103) est remplie d'un oxyde. Transistor selon l'une quelconque des revendications 2 à 7, dans lequel la deuxième tranchée isolante (103) est structurée en forme de peigne, la structure de la deuxième tranchée isolante étant alignée avec la structure de la base. Transistor selon l'une quelconque des revendications 2 à 8, dans lequel la profondeur de la deuxième tranchée isolante (103) est de l'ordre de 50 nm et/ou la profondeur de la première tranchée isolante est de l'ordre de 100 nm. Transistor selon la revendication 4 et l'une quelconque des revendications 2, 3 et 5 à 9, comprenant des contacts (128a, 128b, 128c, 128d, 128e) sur et en contact avec l'émetteur (122), avec la base (116) et avec la première partie (104) du collecteur. Procédé de réalisation comprenant une étape a) de gravure d'une base (116), selon un motif de peigne, de façon à former un transistor selon l'une quelconque des revendications 1 à 10. Procédé selon la revendication 11, comprenant les étapes suivantes : b) former une première tranchée isolante (106) dans un substrat (102) ; c) former une deuxième tranchée isolante (103), moins profonde que la première tranchée isolante, enterrée dans une première partie (104) d'un collecteur ; d) former une deuxième partie (110) du collecteur à travers la deuxième tranchée isolante, au centre de la deuxième tranchée isolante, la deuxième partie du collecteur étant formée sur et en contact avec la première partie du collecteur ; e) former une première partie (112) de la base sur la deuxième partie du collecteur ; f) former une deuxième partie (116) de la base dans le prolongement de la première partie de la base en recouvrant en partie la deuxième tranchée isolante ; et g) former un émetteur (122) sur la première partie de la base. Procédé selon la revendication 12, comprenant entre l'étape c) et l'étape d) une étape h) consistant en le dépôt pleine plaque d'une couche du matériau de la deuxième partie (116) de la base et en l'ouverture de cette même couche, l'ouverture ayant une géométrie et une taille similaire à la géométrie et à la taille de la deuxième partie (110) du collecteur. Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 13, dans lequel la deuxième tranchée isolante (103) est formée par l'ouverture de la première partie (104) du collecteur puis le remplissage de l'ouverture par un oxyde. Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 14, comprenant la formation de contacts (128a, 128b, 128c, 128d, 128e) sur et en contact avec l'émetteur (122), avec la deuxième partie (116) de la base et avec la première partie (104) du collecteur. Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 15, comprenant une étape de gravure du matériau présent dans la deuxième tranchée isolante (103).