Brevet FR3126169A1 — publié le 20230217

Procédé de fabrication de composants radiofréquence La présente description concerne un procédé de fabrication d'un dispositif comportant au moins un composant radiofréquence sur un substrat semiconducteur (21) comprenant : a) un recuit laser d'une première épaisseur (27) du substrat du côté de la face supérieure du substrat ; b) la formation d'une couche isolante sur la face supérieure du substrat ; et c) la formation dudit au moins un composant radiofréquence sur la couche isolante. Figure pour l'abrégé : Fig. 4 Procédé de fabrication de composants radiofréquence La présente description concerne le domaine des composants électroniques de façon générale. Elle vise plus particulièrement le domaine des composants radiofréquence. On appelle généralement composants radiofréquence des composants dont la fréquence de fonctionnement est comprise dans la plage allant de 3 kHz à 30 GHz. Parmi les composants radiofréquence connus, on trouve des composants actifs comme les amplificateurs, les mélangeurs et les convertisseurs de données, et des composants passifs comme les condensateurs, les inductances et les antennes. Il existe un besoin d'amélioration des composants radiofréquence connus et de leurs procédés de fabrication. Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un dispositif comportant au moins un composant radiofréquence sur un substrat semiconducteur comprenant : a) un recuit laser d'une première épaisseur du substrat du côté de la face supérieure du substrat ; b) la formation d'une couche isolante sur la face supérieure du substrat ; et c) la formation dudit au moins un composant radiofréquence sur la couche isolante. Selon un mode de réalisation, le substrat a une résistivité supérieure à 3 kΩ. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, avant l'étape a), une étape de formation d'une couche d'oxyde du côté de la face supérieure du substrat. Selon un mode de réalisation, la puissance du laser lors de l'étape a) est de l'ordre de 4j/cm². Selon un mode de réalisation, le substrat est en silicium ou en nitrure de gallium. Selon un mode de réalisation, le laser a une longueur d'onde comprise entre 300 nm et 700 nm. Selon un mode de réalisation, lors de l'étape a), la première épaisseur du substrat est fondue. Selon un mode de réalisation, l'étape a) est suivie d'une étape de refroidissement du substrat. Selon un mode de réalisation, la première épaisseur est comprise entre 0,5 µm et 2 µm, par exemple, de l'ordre de 1 µm. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la est une vue en coupe illustrant un exemple de dispositif comprenant des composants radiofréquence ; la est une vue en coupe illustrant une structure obtenue à l'issue d'une étape d'un exemple d'un procédé de fabrication d'un dispositif comprenant des composants radiofréquence selon un mode de réalisation ; la est une vue en coupe illustrant une structure obtenue à l'issue d'une autre étape d'un exemple d'un procédé de fabrication d'un dispositif comprenant des composants radiofréquence selon un mode de réalisation ; la est une vue en coupe illustrant une structure obtenue à l'issue d'une autre étape d'un exemple d'un procédé de fabrication d'un dispositif comprenant des composants radiofréquence selon un mode de réalisation ; la est une vue en coupe illustrant une structure obtenue à l'issue d'une autre étape d'un exemple d'un procédé de fabrication d'un dispositif comprenant des composants radiofréquence selon un mode de réalisation ; et la est une vue en coupe illustrant une structure obtenue à l'issue d'une autre étape d'un exemple d'un procédé de fabrication d'un dispositif comprenant des composants radiofréquence selon un mode de réalisation. Procédé de fabrication d'un dispositif comportant au moins un composant radiofréquence (33) sur un substrat semiconducteur (21) comprenant : a) un recuit laser d'une première épaisseur (27) du substrat du côté de la face supérieure du substrat ; b) la formation d'une couche isolante (31) sur la face supérieure du substrat ; et c) la formation dudit au moins un composant radiofréquence sur la couche isolante. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le substrat (21) a une résistivité supérieure à 3 kΩ. Procédé selon la revendication 1 ou 2, comprenant, avant l'étape a), une étape de formation d'une couche d'oxyde (23) du côté de la face supérieure du substrat (21). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la puissance du laser lors de l'étape a) est de l'ordre de 4j/cm². Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le substrat (21) est en silicium ou en nitrure de gallium. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le laser a une longueur d'onde comprise entre 300 nm et 700 nm. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel, lors de l'étape a), la première épaisseur (27) du substrat (21) est fondue. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel l'étape a) est suivie d'une étape de refroidissement du substrat (21). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la première épaisseur (27) est comprise entre 0,5 µm et 2 µm, par exemple, de l'ordre de 1 µm.