Brevet FR3123504A1 — publié le 20221202

Titre : Dispositif optoélectronique et procédé de fabrication L’invention a pour objet une diode électroluminescente (1) à base de GaN comprenant : une région (10) d’injection d’électrons à base de GaN-n, une région (11, 11’) d’injection de trous à base de GaN-p, une région active située entre la région (10) d’injection d’électrons et la région (11, 11’) d’injection de trous, configurée pour émettre un rayonnement lumineux, une couche (12) de blocage d’hydrogène, ladite diode électroluminescente (1) étant caractérisée en ce que la région (11, 11’) d’injection de trous comprend au moins une partie activée (11’) et au moins une partie inactivée (11’’) telles que la partie activée (11’) présente une concentration d’accepteurs au moins dix fois supérieure à une concentration d’accepteurs de la partie inactivée (11’’), et en ce que ladite au moins une partie inactivée (11’’) est intercalée entre la région (10) d’injection d’électrons et la couche (12) de blocage d’hydrogène, de sorte que ladite couche (12) de blocage d’hydrogène empêche un relargage d’hydrogène depuis la partie inactivée (11’’). L’invention a également pour objet un procédé de fabrication d’une telle LED. Figure pour l’abrégé : Fig. 8 Dispositif optoélectronique et procédé de fabrication La présente invention concerne le domaine de l’optoélectronique. Elle trouve pour application particulièrement avantageuse la fabrication de dispositifs optoélectroniques, par exemple des diodes électroluminescentes à base de nanofils de GaN. ETAT DE LA TECHNIQUE Une diode électroluminescente (LED) à base de GaN comprend typiquement des régions d’injection de porteurs (électrons et trous) entre lesquelles est intercalée une région active. La région active est le lieu où se produisent des recombinaisons radiatives de paires électron-trou, qui permettent d’obtenir une émission de lumière. Cette région active se situe au niveau de la jonction PN. Elle comprend des puits quantiques, par exemple à base d’InGaN. Les régions d’injection de porteurs permettent de transporter et d’injecter un courant électrique au niveau de la région active. Pour certaines applications, notamment pour des technologies d’affichage, il est préférable de diminuer le courant d’injection dans la LED. Pour conserver un fonctionnement efficace et un rendement radiatif suffisant, il peut être nécessaire d’améliorer ces régions d’injection de porteurs. La région d’injection de trous est typiquement à base de GaN-p. Lors de sa formation, elle comprend initialement une concentration d’impuretés, par exemple du magnésium Mg, neutralisées par de l’hydrogène absorbé. Ces impuretés « inactives électriquement » doivent être activées pour former des sites accepteurs. Ainsi, pour présenter une conductivité de type p effective, une étape d’activation appliquée à la région d’injection de trous est nécessaire. Cette étape d’activation se fait typiquement par recuit thermique. Lors du recuit, l’hydrogène neutralisant les impuretés est relargué et les impuretés forment alors des sites accepteurs « actifs ». La concentration de ces sites accepteurs, dite concentration d’accepteurs, dépend de l’efficacité de l’étape d’activation. Le document « Yuka Kuwano et al 2013 Jpn . J. Appl . Phys. 52 08JK1208JK12 » divulgue une méthode pour améliorer l’efficacité de l’étape d’activation d’une région d’injection de trous ensevelie sous une couche de GaN de type N. Cette méthode comprend la formation de canaux au sein de l’empilement de couches constituant les régions d’injection de porteurs et la région active, avant activation. Cela permet notamment d’améliorer le relargage d’hydrogène au travers des canaux durant l’activation. Un inconvénient de cette méthode est que la formation des canaux engendre des défauts et/ou des états d’interface. Cela crée des courants de fuite dont les porteurs ne sont pas injectés dans la région active. Une autre solution pour améliorer l’injection et/ou le transport du courant depuis les régions d’injection de porteurs vers la région active, consiste à ajouter une ou plusieurs couches de filtrage des porteurs dans l’empilement de la LED. La LED peut ainsi comprendre une couche de blocage d’électrons, dite EBL (Electron Blocking Layer), entre la région d’injection de trous et la région active – de manière à « filtrer » les porteurs, et inversement, une couche de blocage de trous, dite HBL (Hole Blocking Layer), entre la région d’injection d’électrons et la région active. Ces couches peuvent néanmoins dégrader l’émission lumineuse. Les différentes régions et couches de la LED peuvent être disposées en empilement selon une direction longitudinale z. Une telle architecture de LED est dite axiale. Alternativement, les différentes régions et couches de la LED peuvent être disposées radialement autour de la direction longitudinale z. Une telle architecture de LED est dite radiale ou cœur-coquille. Quelle que soit l’architecture de LED visée, il existe un besoin consistant à améliorer l’injection de trous. La présente invention vise à pallier au moins partiellement les inconvénients mentionnés ci-dessus. En particulier, un objet de la présente invention est de proposer une diode électroluminescente présentant une région d’injection de trous optimisée. Un autre objet de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication d’une telle diode électroluminescente. Les autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à l'examen de la description suivante et des dessins d'accompagnement. Il est entendu que d'autres avantages peuvent être incorporés. En particulier, certaines caractéristiques et certains avantages du procédé peuvent s’appliquer mutatis mutandis au dispositif, et réciproquement. RESUME Pour atteindre les objectifs mentionnés ci-dessus, un premier aspect concerne une diode électroluminescente à base de GaN comprenant : une région d’injection d’électrons à base de GaN-n, une région d’injection de trous à base de GaN-p, une région active située entre la région d’injection d’électrons et la région d’injection de trous, configurée pour émettre un rayonnement lumineux. Avantageusement, la région d’injection de trous comprend au moins une partie activée et au moins une partie inactivée telles que la partie activée présente une concentration d’accepteurs au moins dix fois supérieure et de préférence au moins cent fois supérieure à une concentration d’accepteurs de la partie inactivée. L’au moins une partie inactivée est intercalée entre la région d’injection d’électrons et une couche de blocage d’hydrogène, configurée pour empêcher un relargage d’hydrogène depuis la partie inactivée lors d’une étape d’activation. Ainsi, seule une partie de la région d’injection de trous – la partie activée – présente une conductivité de type p effective. Cela favorise l’injection de trous dans la région active de la LED au niveau de la partie activée de la région d’injection de trous. Cela limite ou évite le passage du courant au niveau de la partie inactivée de la région d’injection de trous. Un principe sur lequel est basée la présente invention consiste à délimiter les parties les plus efficaces pour l’injection et/ou la recombinaison de porteurs, en interposant délibérément une couche de blocage d’hydrogène pour éviter l’activation des parties les moins intéressantes pour l’injection et/ou la recombinaison de porteurs. En particulier, on choisira avantageusement de limiter l’injection de trous et la recombinaison de porteurs aux régions de la LED présentant le moins de défauts. Cela permet d’éviter une perte d’efficacité énergétique due aux régions non optimales de la LED – typiquement celles qui présentent le plus de défauts –. Ces dernières sont ainsi volontairement maintenues inactivées. La couche de blocage d’hydrogène bloque la diffusion d’hydrogène. Ainsi, il est avantageux de disposer une telle couche de blocage d’hydrogène directement sur une partie de la région d’injection de trous, de façon à ce que cette partie soit une partie inactivée. En choisissant la localisation de la couche de blocage d’hydrogène, il est ainsi possible de définir quelle partie de la région d’injection de trous est inactivée. Dans le cas d’une LED 3D à base de nanofils par exemple, il est intéressant que la partie inactivée soit la partie inférieure du ou des nanofils et que la partie activée soit la partie supérieure du ou des nanofils. La partie inférieure du nanofil présente généralement un taux de défauts plus élevé que la partie supérieure. Elle présente dès lors un courant de fuite plus important. Ainsi, seule la partie supérieure participe au transport du courant. Le transport du courant est ainsi optimisé. Selon un exemple, la partie activée présente une concentration d’accepteurs supérieure ou égale à 10 19 cm -3 , et l’au moins une partie inactivée présente une concentration d’accepteurs inférieure ou égale à 10 16 cm -3 . Un deuxième aspect concerne un procédé de fabrication d’une telle diode électroluminescente. Suivant un aspect, on décrit un procédé qui comprend : Une formation d’une région d’injection d’électrons à base de GaN-n, Une formation d’une région d’injection de trous à base de GaN-p, Une formation d’une région active située entre la région d’injection d’électrons et la région d’injection de trous, ladite région active étant configurée pour émettre un rayonnement lumineux, Une activation thermique configurée pour activer la région d’injection de trous. Avantageusement, une couche de blocage d’hydrogène est formée sur une partie seulement de la région d’injection de trous, avant l’activation, de sorte que l’activation soit empêchée au niveau de ladite partie de la région d’injection de trous, dite partie inactivée, et que l’activation soit effective sur une autre partie de la région d’injection de trous, dite partie activée. La partie inactivée est intercalée entre la région d’injection d’électrons et la couche de blocage d’hydrogène. Ainsi, le procédé permet avantageusement d’éviter l’activation d’une partie de la région d’injection de trous. La couche de blocage d’hydrogène formée sur ladite partie avant l’activation thermique empêche un relargage d’hydrogène depuis cette partie lors de l’activation. Cette partie est ainsi inactivée, tandis qu’une autre partie de la région d’injection de trous, non couverte par la couche de blocage d’hydrogène, est activée à l’issue de l’activation thermique. Ce procédé peut par exemple être appliqué lors de la fabrication d’une LED à base de nanofils. La coquille du nanofil, généralement destinée à former une région d’injection de trous, est couverte sur sa partie inférieure par une couche de blocage d’hydrogène avant activation. Cette couche de blocage d’hydrogène peut ainsi se présenter sous forme de bague sur la partie inférieure du nanofil. La partie inférieure, qui est généralement la partie présentant le taux de défaut le plus élevé, est ainsi inactivée et ne participe pas au transport et à l’injection du courant vers et dans la région active. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront mieux de la description détaillée de modes de réalisation de cette dernière qui sont illustrés par les dessins d’accompagnement suivants dans lesquels : Les FIGURES 1 à 7 illustrent des étapes d’un procédé de fabrication de LED selon un mode de réalisation de la présente invention. La illustre une LED 3D, selon un premier mode de réalisation de la présente invention. La illustre une LED 2D, selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention. Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l’invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l’invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier, les dimensions des différentes parties des LED ne sont pas forcément représentatives de la réalité. Diode électroluminescente (1) à base de GaN comprenant : une région (10) d’injection d’électrons à base de GaN-n, une région (11, 11’) d’injection de trous à base de GaN-p, une région active (101) située entre la région (10) d’injection d’électrons et la région (11, 11’) d’injection de trous, configurée pour émettre un rayonnement lumineux, ladite diode électroluminescente (1) étant caractérisée en ce que la région (11, 11’) d’injection de trous comprend au moins une partie activée (11’) et au moins une partie inactivée (11’’) telles que la partie activée (11’) présente une concentration d’accepteurs au moins dix fois supérieure à une concentration d’accepteurs de la partie inactivée (11’’), et en ce que ladite au moins une partie inactivée (11’’) est intercalée entre la région (10) d’injection d’électrons et une couche (12) de blocage d’hydrogène configurée pour empêcher un relargage d’hydrogène depuis la partie inactivée (11’’) lors d’une activation de la partie activée (11’). Diode électroluminescente (1) selon la revendication précédente dans laquelle la couche (12) deblocage d’hydrogène couvre, pour la région (11) d’injection de trous, uniquement l’au moins une partie inactivée (11’’). Diode électroluminescente (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans laquelle la couche (12) deblocage d’hydrogène est directement au contact de l’au moins une partie inactivée (11’’). Diode électroluminescente (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans laquelle la partie inactivée (11’’) présente un taux de défauts supérieur au taux de défauts de la partie activée (11’). Diode électroluminescente (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre une couche (13) de passivation s’étendant au contact de la couche (12) de blocage d’hydrogène. Diode électroluminescente (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans laquelle la région active (101) se présente au sein d’une jonction PN entre les régions (11, 10) d’injection de trous et d’électrons. Diode électroluminescente (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans laquelle la couche (12) de blocage d’hydrogène est à base de l’un au moins parmi l’AlN, le GaN-n, l’AlGaN-n. Diode électroluminescente (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans laquelle les régions (10, 11) d’injection d’électrons et de trous s’étendent le long d’un plan basal (xy), et dans laquelle la couche (12) de blocage d’hydrogène présente au moins une ouverture configurée pour exposer la partie activée (11’) de la région (11) d’injection de trous. Diode électroluminescente (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans laquelle la région (10) d’injection d’électrons s’étend longitudinalement sous forme de fil selon une direction longitudinale (z) et la région (11) d’injection de trous s’étend radialement autour de la région (10) d’injection d’électrons, de sorte que la diode (1) présente une architecture dite cœur-coquille, et dans laquelle la couche (12) de blocage d’hydrogène s’étend radialement sous forme de bague autour de la partie inactivée (11’’). Diode électroluminescente (1) selon la revendication précédente dans laquelle la couche (12) de blocage d’hydrogène sous forme de bague est située au niveau d’une base de la diode (1) prenant appui sur un substrat (2). Diode électroluminescente (1) selon l’une quelconque des revendications 9 à 10 dans laquelle la couche (12) de blocage d’hydrogène présente une hauteur h 12 selon la direction longitudinale (z) comprise entre 30% et 50% d’une hauteur h d de la diode prise selon la direction longitudinale (z). Diode électroluminescente (1) selon l’une quelconque des revendications 9 à 11 comprenant en outre une couche (13) de passivation s’étendant radialement autour de la couche (12) de blocage d’hydrogène. Procédé de fabrication d’une diode électroluminescente (1) à base de GaN comprenant au moins les étapes suivantes : Une formation d’une région (10) d’injection d’électrons à base de GaN-n, Une formation d’une région (11) d’injection de trous à base de GaN-p, Une formation d’une région active (101) située entre la région (10) d’injection d’électrons et la région (11) d’injection de trous, ladite région active (101) étant configurée pour émettre un rayonnement lumineux, Une activation thermique configurée pour activer la région (11, 11’) d’injection de trous, le procédé étant caractérisé en ce qu’une couche (12) de blocage d’hydrogène est formée avant l’activation et sur une partie (11’’) seulement de la région (11) d’injection de trous, de sorte que l’activation soit empêchée au niveau de ladite partie (11’’) de la région (11) d’injection de trous, dite partie inactivée (11’’), et que l’activation soit effective sur une autre partie (11’) de la région (11) d’injection de trous, dite partie activée (11’), et que ladite partie inactivée (11’’) soit intercalée entre la région (10) d’injection d’électrons et la couche (12) de blocage d’hydrogène. Procédé selon la revendication précédente comprenant en outre, avant activation, une formation d’une couche (13) de passivation sur la couche (12) de blocage d’hydrogène. Procédé selon l’une quelconque des revendications 13 à 14 comprenant en outre, une formation d’une électrode (14) transparente conductrice sur la partie activée (11’) de la région (11) d’injection de trous. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la formation de l’électrode (14) transparente conductrice comprend un recuit thermique, et dans lequel l’activation thermique est configurée pour remplacer ledit recuit thermique. Procédé selon l’une quelconque des revendications 13 à 16 dans lequel la région (10) d’injection d’électrons est formée sous forme de fil à partir d’un substrat (2), selon une direction longitudinale (z) normale à un plan basal (xy) du substrat (2), et dans lequel la région (11) d’injection de trous est formée radialement autour de la région (10) d’injection d’électrons, de sorte que la diode (1) présente une architecture dite cœur-coquille, et dans lequel la couche (12) de blocage d’hydrogène est formée radialement sous forme de bague autour d’une partie (11’’) de la région (11) d’injection de trous située au niveau d’une base de la diode (1) au contact du substrat (2), de sorte que la partie inactivée (11’’) de la région (11) d’injection de trous soit située au niveau de ladite base de la diode (1). Procédé selon la revendication précédente dans lequel la formation sous forme de bague de la couche (12) de blocage d’hydrogène comprend les sous-étapes suivantes : un dépôt conforme de la couche (12) de blocage d’hydrogène sur la diode (1) cœur-coquille, un dépôt conforme d’une couche (13) de passivation sur la couche (12) de blocage d’hydrogène, un dépôt par centrifugation d’un matériau (22) de masquage sur une hauteur h22 autour de la couche (13) de passivation, un retrait partiel de la couche (13) de passivation au niveau d’une partie supérieure (1a) du fil, par gravure isotrope, un retrait du matériau (22) de masquage, un retrait partiel de la couche (12) de blocage d’hydrogène au niveau de la partie supérieure (1a) du fil, par gravure isotrope.