Brevet FR3121544A1 — publié le 20221007

Structure d'isolation thermique et électrique La présente description concerne un procédé de réalisation d'un dispositif électronique (1) comprenant une première plaquette (13) comportant au moins une tranchée et une deuxième plaquette, la deuxième plaquette étant collée, par collage hybride, sur la première plaquette, de sorte à former, au niveau de la tranchée au moins un espace clos (11), vide ou rempli d'un gaz. Figure pour l'abrégé : Fig. 1 Structure d'isolation thermique et électrique La présente description concerne de façon générale les structure d'isolation électrique et/ou thermique dans les dispositifs électroniques et, plus particulièrement, l'utilisation d'espaces clos, vides ou remplis d'un gaz, dans les dispositifs électroniques à des fins d'isolation électrique ou thermique. On connaît différentes structures permettant d'isoler thermiquement et/ou électriquement tout ou partie d'un dispositif électronique. Il existe un besoin d'améliorer les structures d'isolation thermique et/ou électrique et leurs procédés de fabrication. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des structures d'isolation connues. Un mode de réalisation prévoit un procédé de réalisation d'un dispositif électronique comprenant une première plaquette comportant au moins une tranchée et une deuxième plaquette, la deuxième plaquette étant collée, par collage hybride, sur la première plaquette, de sorte à former, au niveau de la tranchée au moins un espace clos, vide ou rempli d'un gaz. Un autre mode de réalisation prévoit un dispositif électronique, comprenant une première plaquette comportant au moins une tranchée, et une deuxième plaquette collée, par collage hybride, sur la première plaquette, de sorte à former, au niveau de la tranchée au moins un espace clos, vide ou rempli d'un gaz. Selon un mode de réalisation, les première et deuxième plaquettes sont en matériau semiconducteur. Selon un mode de réalisation, le collage hybride est réalisé par la mise en contact de premières régions de la deuxième plaquette avec des deuxièmes régions de la première plaquette. Selon un mode de réalisation, les premières régions et les deuxièmes régions sont des régions métalliques. Selon un mode de réalisation, les premières et deuxièmes régions font partie d'un niveau de métallisation. Selon un mode de réalisation, les régions métalliques sont en cuivre. Selon un mode de réalisation, les premières régions et les deuxièmes régions entourent les tranchées. Selon un mode de réalisation, les premières régions et les deuxièmes régions sont désalignées dans l'empilement du dispositif avec une distance d inférieure à 600 nm. Selon un mode de réalisation, les deuxièmes régions affleurent une face de la première plaquette, à partir de laquelle sont formées les tranchées. Selon un mode de réalisation, chaque dispositif comporte deux premières et deux deuxièmes régions de part et d'autre des tranchées dans une direction orthogonale à la plus grande dimension des tranchées. Selon un mode de réalisation, la deuxième plaquette comprend successivement, à partir d'un substrat semiconducteur, une couche d'oxyde, une couche en nitrure de silicium et une couche isolante comprenant les premières régions. Selon un mode de réalisation, le substrat semiconducteur et la couche d'oxyde sont éliminés de la deuxième plaquette après le collage hybride. Selon un mode de réalisation, la première plaquette comprend un substrat dans et sur lequel sont formés des transistors. Selon un mode de réalisation, la grille de chaque transistor est surmontée par un desdits espaces clos. Selon un mode de réalisation, les tranchées ont une largeur comprise entre 0,2 µm et 1 µm et s'étendent sur une hauteur comprise entre 0,2 µm et 1 µm. Selon un mode de réalisation, le dispositif est un commutateur radiofréquence. Selon un mode de réalisation, le dispositif est un amplificateur à faible bruit. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un dispositif électronique ; la est une vue de dessus dans un plan AA de la , partielle et schématique, du dispositif électronique illustré en ; la est une vue de dessus, partielle et schématique, du dispositif électronique illustré en ; la est une vue en coupe, partielle et schématique, illustrant une étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de fabrication du dispositif des figures 1 à 3 ; la est une vue en coupe, partielle et schématique, illustrant une autre étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de fabrication du dispositif des figures 1 à 3 ; la est une vue en coupe, partielle et schématique, illustrant une autre étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de fabrication du dispositif des figures 1 à 3 ; la est une vue en coupe, partielle et schématique, illustrant une autre étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de fabrication du dispositif des figures 1 à 3 ; la est une vue en coupe, partielle et schématique, illustrant une autre étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de fabrication du dispositif des figures 1 à 3 ; la est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un autre mode de réalisation d'un dispositif électronique ; la est une vue de dessus dans un plan AA de la , partielle et schématique, du dispositif électronique illustré en ; la est une autre vue de dessus, partielle et schématique, du dispositif électronique illustré en ; la est une vue en coupe, partielle et schématique, d'encore un mode de réalisation d'un dispositif électronique ; la est une vue de dessus dans un plan AA de la , partielle et schématique, du dispositif électronique illustré en ; la est une autre vue de dessus, partielle et schématique, du dispositif électronique illustré en ; la est une vue en coupe, partielle et schématique, d'encore un autre mode de réalisation d'un dispositif électronique ; et la est une vue en coupe, partielle et schématique, d'encore un autre mode de réalisation d'un dispositif électronique. Procédé de réalisation d'un dispositif électronique (1 ; 9 ; 120 ; 150 ; 160) comprenant une première plaquette (13 ; 161) comportant au moins une tranchée (51) et une deuxième plaquette (61), la deuxième plaquette étant collée, par collage hybride, sur la première plaquette, de sorte à former, au niveau de la tranchée au moins un espace clos (11 ; 11'), vide ou rempli d'un gaz. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les première (13 ; 161) et deuxième (61) plaquettes sont en matériau semiconducteur. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le collage hybride est réalisé par la mise en contact de premières régions (27, 93) de la deuxième plaquette avec des deuxièmes régions (15, 91) de la première plaquette. Procédé selon la revendication 3, dans lequel les premières régions (27, 93) et les deuxièmes régions (15, 91) sont des régions métalliques. Procédé selon la revendication 4, dans lequel les premières et deuxièmes régions font partie d'un niveau de métallisation. Procédé selon la revendication 4 ou 5, dans lequel les régions métalliques (27, 93, 15, 91) sont en cuivre. Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 à 6, dans lequel les premières régions (27) et les deuxièmes (15) régions entourent les tranchées (51). Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 à 7, dans lequel les premières régions (27, 93) et les deuxièmes régions (15, 91) sont désalignées dans l'empilement du dispositif avec une distance d inférieure à 600 nm. Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 à 9, dans lequel les deuxièmes régions (15, 91) affleurent une face de la première plaquette (13), à partir de laquelle sont formées les tranchées (51). Procédé selon la revendication 9, dans lequel chaque dispositif comporte deux premières (27) et deux deuxièmes (15) régions de part et d'autre des tranchées (51) dans une direction orthogonale à la plus grande dimension des tranchées. Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 à 10, dans lequel la deuxième plaquette (61) comprend successivement, à partir d'un substrat semiconducteur (63), une couche d'oxyde (65), une couche en nitrure de silicium (31) et une couche isolante (29) comprenant les premières régions (27). Procédé selon la revendication 11, dans lequel le substrat semiconducteur (63) et la couche d'oxyde (65) sont éliminés de la deuxième plaquette (61) après le collage hybride. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel la première plaquette (13) comprend un substrat (19, 21) dans et sur lequel sont formés des transistors (23). Procédé selon la revendication 13, dans lequel la grille (23g) de chaque transistor (23) est surmontée par un desdits espaces clos (11). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, dans lequel les tranchées (51) ont une largeur (L2) comprise entre 0,2 µm et 1 µm et s'étendent sur une hauteur (H) comprise entre 0,2 µm et 1 µm. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 15, dans lequel le dispositif est un commutateur radiofréquence. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 15, dans lequel le dispositif est un amplificateur à faible bruit. Dispositif électronique, comprenant une première plaquette (13 ; 161) comportant au moins une tranchée (51), et une deuxième plaquette (61) collée, par collage hybride, sur la première plaquette, de sorte à former, au niveau de la tranchée au moins un espace clos (11 ; 11'), vide ou rempli d'un gaz.