Brevet FR3115175A1 — publié le 20220415

DISPOSITIF D'ACQUISITION D'UNE IMAGE DE PROFONDEUR D'UNE SCENE La présente description concerne un dispositif (12) d'acquisition d'une image de profondeur d'une scène par détection d'un signal lumineux réfléchi. Le dispositif comprend un empilement d'un premier capteur (W1) et d'un deuxième capteur (W2). Le premier capteur comprend des premiers photosites de profondeur (P1) configurés pour acquérir au moins un premier échantillon de charges photogénérées pendant des premières durées. Le deuxième capteur comprend des deuxièmes photosites de profondeur (P2) disposés en regard des premiers photosites, les deuxièmes photosites étant configurés pour acquérir au moins un deuxième échantillon de charges photogénérées pendant des deuxièmes durées décalées par rapport aux premières durées d'un premier déphasage constant. Le premier capteur (W1) ou le deuxième capteur (W2) comprend en outre des troisièmes photosites (P1) configurés pour acquérir au moins un troisième échantillon pendant des troisièmes durées décalées par rapport aux premières durées d'un deuxième déphasage constant. Figure pour l'abrégé : Fig. 3 DISPOSITIF D'ACQUISITION D'UNE IMAGE DE PROFONDEUR D'UNE SCENE La présente demande concerne le domaine des dispositifs d'acquisition d'une image de profondeur d'une scène. Des dispositifs d'acquisition d'images aptes à acquérir des informations de profondeur ont été proposés. Par exemple, des détecteurs de temps de vol indirects (iTOF) agissent pour émettre un signal lumineux vers une scène, puis pour détecter le signal lumineux en retour réfléchi par des objets de la scène. Par l'évaluation du déphasage entre le signal lumineux émis et le signal réfléchi, on peut estimer la distance au dispositif d'acquisition d’images de la scène. Il est souhaitable de disposer d'un dispositif d'acquisition d'images à haute résolution, à dimensions réduites, et à cadence d'image élevée. Un mode de réalisation prévoit un dispositif d'acquisition d'une image de profondeur d'une scène par détection d'un signal lumineux réfléchi correspondant à la réflexion sur la scène d'un signal lumineux incident dans le proche infrarouge modulé en amplitude de façon périodique, le dispositif comprenant un empilement d'un premier capteur et d'un deuxième capteur, le premier capteur comprenant des premiers photosites de profondeur configurés pour acquérir au moins un premier échantillon de charges photogénérées par détection du signal lumineux réfléchi pendant des premières durées, le deuxième capteur comprenant des deuxièmes photosites de profondeur disposés en regard des premiers photosites de profondeur, les deuxièmes photosites de profondeur étant configurés pour acquérir au moins un deuxième échantillon de charges photogénérées par détection du signal lumineux réfléchi pendant des deuxièmes durées décalées par rapport aux premières durées d'un premier déphasage constant, le premier capteur ou le deuxième capteur comprenant en outre des troisièmes photosites de profondeur configurés pour acquérir au moins un troisième échantillon par détection du signal lumineux réfléchi pendant des troisièmes durées décalées par rapport aux premières durées d'un deuxième déphasage constant différent du premier déphasage. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre des moyens pour compenser la différence de quantités de photons reçus entre les premier et deuxième capteurs. Selon un mode de réalisation, le premier capteur est formé dans et sur un premier substrat semiconducteur et le deuxième capteur est formé dans et sur un deuxième substrat semiconducteur. Selon un mode de réalisation, les premier et deuxième substrats semiconducteurs sont en des matériaux différents. Selon un mode de réalisation, les épaisseurs des premier et deuxième substrats semiconducteurs sont différentes. Selon un mode de réalisation, les dimensions latérales des premiers photosites de profondeur sont différentes des dimensions latérales des deuxièmes photosites de profondeur. Selon un mode de réalisation, les premiers et troisièmes photosites de profondeur sont confondus. Selon un mode de réalisation, les premiers et troisièmes photosites de profondeur sont distincts. Selon un mode de réalisation, le premier capteur ou le deuxième capteur comprend des quatrièmes photosites de profondeur configurés pour acquérir au moins un quatrième échantillon par détection du signal lumineux réfléchi pendant des quatrièmes durées décalées par rapport aux premières durées d'un troisième déphasage constant différent des premier et deuxième déphasages. Selon un mode de réalisation, les deuxièmes et quatrièmes photosites de profondeur sont confondus. Selon un mode de réalisation, les deuxièmes et quatrièmes photosites de profondeur sont distincts. Selon un mode de réalisation, les deuxièmes durées sont supérieures aux premières durées. Selon un mode de réalisation, chaque premier et deuxième photosite de profondeur comprend une photodiode et au moins un transistor connecté à la photodiode. Selon un mode de réalisation, le premier capteur comprend, en outre, une pluralité de pixels d'image 2D, le deuxième capteur ne comprenant pas de pixels d'image 2D. Un mode de réalisation prévoit également un système d'acquisition d'une image de profondeur comprenant le dispositif d'acquisition tel que défini précédemment, une source lumineuse configurée pour émettre le signal lumineux incident dans le proche infrarouge modulé en amplitude de façon périodique, et un processeur configuré pour déterminer, à partir des premier, deuxième, et troisième échantillons, un déphasage entre le signal lumineux incident et le signal lumineux réfléchi. Selon un mode de réalisation, le processeur est configuré pour déterminer, à partir des premier, deuxième, troisième, et quatrième échantillons, un déphasage entre le signal lumineux incident et le signal lumineux réfléchi. Selon un mode de réalisation, le système comprend en outre des moyens pour compenser la différence de quantités de photons reçus entre les premier et deuxième capteurs. Selon un mode de réalisation, le processeur est configuré pour compenser par traitement numérique la différence de quantités de photons reçus entre les premier et deuxième capteurs. Selon un mode de réalisation, le système comprend des premiers amplificateurs des signaux analogiques fournis par les premiers photosites de profondeur avec un premier gain d'amplification et des deuxièmes amplificateurs des signaux analogiques fournis par les deuxièmes photosites de profondeur avec un deuxième gain d'amplification différent du premier gain d'amplification. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la représente schématiquement un mode de réalisation d'un système de formation d'une image de profondeur ; la est un graphique illustrant un exemple d’intensité lumineuse d’un signal lumineux émis et renvoyé selon un mode de réalisation ; la est une vue en coupe, partielle et schématique, illustrant un mode de réalisation d'un dispositif d'acquisition d'une image de profondeur ; la représente schématiquement un mode de réalisation d'un circuit d’un photosite apte à détecter des informations de profondeur ; la représente schématiquement un autre mode de réalisation d'un circuit d’un photosite apte à détecter des informations de profondeur ; la représente schématiquement un autre mode de réalisation d'un circuit d’un photosite apte à détecter des informations de profondeur ; la représente schématiquement un autre mode de réalisation d'un circuit d’un photosite apte à détecter des informations de profondeur ; la représente schématiquement un mode de réalisation d'agencement de photosites d'un dispositif d'acquisition d'une image de profondeur ; la représente schématiquement un autre mode de réalisation d'agencement de photosites d'un dispositif d'acquisition d'une image de profondeur ; la représente schématiquement un autre mode de réalisation d'agencement de photosites d'un dispositif d'acquisition d'une image de profondeur ; la est une vue en coupe, partielle et schématique, illustrant un mode de réalisation d'un dispositif d'acquisition d'une image 2D et d'une image de profondeur ; la représente schématiquement un mode de réalisation d'agencement de photosites d'un dispositif d'acquisition d'une image 2D et d'une image de profondeur ; la représente schématiquement un autre mode de réalisation d'agencement de photosites d'un dispositif d'acquisition d'une image 2D et d'une image de profondeur ; et la représente schématiquement un autre mode de réalisation d'agencement de photosites d'un dispositif d'acquisition d'une image 2D et d'une image de profondeur. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, la réalisation des photodiodes des pixels d'image 2D et des pixels de profondeur n'a pas été détaillée, la réalisation de tels pixels étant à la portée de la personne du métier à partir des indications de la présente description. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures ou à un dispositif d'acquisition d'une image de profondeur dans une position normale d'utilisation. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. La représente schématiquement un mode de réalisation d'un système 10 de formation d'une d’image de profondeur comprenant un dispositif 12 d'acquisition d’une image de profondeur. Le système 10 comprend par exemple un circuit d’émission de signal lumineux 14 qui pilote une source lumineuse 16, par exemple une diode électroluminescente (LED). La diode électroluminescente 16 émet par exemple un signal lumineux à une longueur d’onde dans le spectre du proche infrarouge, par exemple dans la plage de 700 nm à 1100 nm. Le signal lumineux produit par la diode électroluminescente 16 est par exemple émis vers la scène image par l’intermédiaire d’une ou plusieurs lentilles (non représentées en ). La lumière du signal lumineux réfléchie à partir de la scène image est captée par le dispositif d'acquisition d'image 12, par exemple par l’intermédiaire d’un objectif de formation d’image 17 et d’un réseau de microlentilles 18, qui focalise la lumière sur les pixels individuels du dispositif d'acquisition d'image 12. Le dispositif d'acquisition d'image 12 comprend par exemple plusieurs pixels aptes à recevoir le signal lumineux réfléchi par la scène image et à détecter la phase du signal reçu pour former une image de profondeur. Ces pixels sont appelés ci-après pixels de profondeur. Un processeur 20 du système de formation d’image 10 est par exemple couplé au dispositif d'acquisition d’image 12 et au circuit d'émission du signal lumineux 14 et détermine, sur la base des signaux captés par les pixels de profondeur du dispositif d'acquisition d'image 12 les distances correspondantes des objets dans la scène image. L’image de profondeur produite par le processeur 20 est par exemple mémorisée dans une mémoire 22 du système de formation d’image 10. La est un graphique représentant, par une courbe 30, un exemple d'évolution, en fonction du temps, de l’intensité lumineuse du signal lumineux émis par la diode électroluminescente 16 vers la scène image, et, par une courbe 32, un exemple d'évolution, en fonction du temps, de l’intensité lumineuse du signal lumineux reçu par l’un des pixels de profondeur du dispositif d'acquisition d’image 12. Bien que, pour simplifier la comparaison, ces signaux soient représentés en comme ayant la même intensité, en pratique le signal lumineux reçu par chaque pixel de profondeur est susceptible d’être notablement moins intense que le signal émis. Dans l’exemple de la , le signal lumineux a la forme d’une onde sinusoïdale. Toutefois, dans des variantes de réalisation, il pourrait avoir une forme périodique différente, par exemple constituée d’une somme d’ondes sinusoïdales, de forme triangulaire, ou en créneaux. Les pixels de profondeur de la présente description sont basés sur des photodétecteurs utilisés pour détecter la phase du signal lumineux reçu. Il y a un déphasage Δφ entre le signal lumineux émis et le signal lumineux reçu, qui représente le temps de vol (ToF) du signal lumineux en provenance de la diode électroluminescente 16 vers le dispositif d'acquisition d’image 12 par l’intermédiaire d’un objet de la scène image qui réfléchit le signal lumineux. Une estimation de la distance d à l’objet dans la scène image peut ainsi être calculée en utilisant l’équation : où c désigne la vitesse de la lumière, et f la fréquence du signal lumineux. Le déphasage Δφ est par exemple estimé sur la base d’un échantillonnage du signal capté par un pixel de profondeur pendant au moins trois fenêtres d’échantillonnage distinctes, de préférence pendant quatre fenêtres d'échantillonnage distinctes, pendant chaque période du signal lumineux. Une technique basée sur la détection de quatre échantillons par période est décrite plus en détail dans la publication de R. Lange et de P. Seitz intitulée "Solid-state TOF range camera", IEE J. on Quantum Electronics, vol. 37, No.3, March 2001. Le présent mode de réalisation est par exemple basé sur la détection de quatre échantillons par période. Les échantillons de chaque fenêtre d’échantillonnage sont par exemple intégrés sur un grand nombre de périodes par exemple sur environ 100000 périodes, ou plus généralement entre 10000 et 10 millions de périodes. Chaque fenêtre d’échantillonnage a par exemple une durée allant jusqu'à un quart de la période du signal lumineux. Ces fenêtres d’échantillonnage sont nommées C0, C1, C2, et C3 en , et, dans l’exemple de la , chaque fenêtre d’échantillonnage est d'une même durée et les quatre fenêtres d’échantillonnage ont un temps de cycle total égal à la période du signal lumineux. Plus généralement, il peut, ou non, y avoir un intervalle de temps séparant une fenêtre d’échantillonnage de la suivante et, dans certains cas, il pourrait y avoir un chevauchement entre les fenêtres d’échantillonnage. Chaque fenêtre d’échantillonnage a par exemple une durée comprise entre 15 % et 35 % de la période du signal lumineux dans le cas d’un pixel capturant quatre échantillons par période. Le minutage des fenêtres d’échantillonnage C0 à C3 est commandé de manière à être synchronisé avec le minutage du signal lumineux émis. Par exemple, le circuit d’émission de signal lumineux 14 génère un signal lumineux basé sur un signal d’horloge CLK ( ), et le dispositif d'acquisition d'image 12 reçoit le même signal d’horloge CLK pour commander le temps de fin de chaque fenêtre d’échantillonnage en utilisant par exemple des éléments de retard pour introduire les déphasages appropriés. En se basant sur les échantillons intégrés du signal lumineux, et pour une onde lumineuse purement sinusoïdale, le déphasage Δφ du signal lumineux peut être déterminé en utilisant l’équation suivante : Dans certains modes de réalisation, la fréquence f du signal lumineux est de 25 MHz, ou plus généralement comprise entre 20 MHz et 200 MHz. Dans la suite de la description, on appelle "photosite" un photodétecteur unique et l'ensemble des composants permettant l'acquisition d'au moins un échantillon de charges générées par absorption par ce photodétecteur du signal lumineux réfléchi par la scène dont on souhaite une image de profondeur et on appelle "pixel" l'ensemble des composants permettant l'acquisition de tous les échantillons nécessaires pour permettre la détermination d'une valeur de profondeur. En particulier, un pixel peut comprendre plusieurs photosites. Pour déterminer le déphasage Δφ entre le signal lumineux émis et le signal lumineux reçu par le pixel de profondeur, le signal lumineux reçu est échantillonné en transférant, successivement et à intervalle régulier, des charges photogénérées dans l’élément photosensible d'un photosite pendant la première fenêtre d’échantillonnage C 0 , des charges photogénérées dans l’élément photosensible du même photosite ou d'un autre photosite pendant la deuxième fenêtre d’échantillonnage C 1 , des charges photogénérées dans l’élément photosensible du même photosite ou d'un autre photosite pendant la troisième fenêtre d’échantillonnage C 2 , et des charges photogénérées dans l’élément photosensible du même photosite ou d'un autre photosite pendant la troisième fenêtre d’échantillonnage C 3 . Ces quatre transferts sont répétés un grand nombre de fois, par exemple 100000 fois avant que les signaux obtenus soient lus par le circuit de sortie. La est une vue en coupe illustrant de façon schématique et partielle un mode de réalisation d'un dispositif 12 d'acquisition d'image de profondeur d'une scène. Le dispositif 12 de la comprend : - un premier capteur W1, également appelé premier circuit W1, formé dans et sur un premier substrat semiconducteur 100, par exemple un substrat en silicium monocristallin, le capteur W1 comprenant une pluralité de photosites de profondeur P1, chaque photosite de profondeur P1 comprenant une photodiode ; et - un deuxième capteur W2, également appelé deuxième circuit W2, formé dans et sur un deuxième substrat semiconducteur 130, par exemple un substrat en silicium monocristallin, le capteur W2 étant accolé à la face arrière du capteur W1 et comprenant une pluralité de photosites de profondeur P2, chaque photosite de profondeur P2 comprenant une photodiode. On notera que dans la présente description, on entend respectivement par face avant et face arrière d'un élément, la face de l'élément destinée à être tournée vers la scène dont on souhaite acquérir une image, et la face de l'élément opposée à sa face avant. Dans le mode de réalisation de la , les faces avant et arrière du dispositif d'acquisition 12 sont respectivement sa face supérieure et sa face inférieure. Dans le mode de réalisation représenté, chaque photosite P1 du capteur W1 comprend une photodiode 101 comprenant une ou plusieurs régions implantées, localisées, formées dans le substrat semiconducteur 100. Dans ce mode de réalisation, la ou les régions implantées de la photodiode 101 sont disposées du côté de la face arrière du substrat 100. Chaque pixel P1 peut en outre comprendre un ou plusieurs composants supplémentaires (non représentés), par exemple des transistors à effet de champ à grille isolée, également appelés transistors MOS, formés du côté de la face arrière du substrat 100, par exemple dans le substrat 100 et sur la face arrière du substrat 100. Le capteur W1 comprend en outre un empilement d'interconnexion 110, constitué de couches diélectriques et conductrices alternées revêtant la face arrière du substrat 100, dans lequel sont formées des pistes conductrices et/ou bornes de connexion électrique 111 connectant les photosites P1 du capteur W1 à un circuit périphérique de commande et d'alimentation, non représenté. Dans le mode de réalisation représenté, le capteur W1 comprend des murs d'isolation verticaux 103 traversant le substrat 100 sur toute son épaisseur et délimitant les portions de substrat correspondant respectivement aux photosites du capteur W1. Les murs d'isolation verticaux 103 ont notamment une fonction d'isolation optique, et peuvent en outre avoir une fonction d'isolation électrique. A titre d'exemple, les murs d'isolation verticaux 103 sont en un matériau diélectrique, par exemple de l'oxyde de silicium. A titre de variante, les murs d'isolation 103 peuvent ne pas être présents. L'épaisseur du substrat 100 est par exemple comprise entre 2 µm et 10 µm, par exemple entre 3 µm et 5 µm. A titre d'exemple, en vue de dessus, la plus grande dimension de chaque photosite P1 du capteur W1 est inférieure à 10 µm, par exemple inférieure à 5 µm, par exemple inférieure à 2 µm, par exemple de l'ordre de 1 µm. Dans le mode de réalisation représenté, la face avant du substrat 100 est revêtue d'une couche de passivation 115, par exemple une couche d'oxyde de silicium, une couche de HfO 2 , une couche d'Al 2 O 3 , ou un empilement de plusieurs couches de matériaux différents pouvant avoir d'autres fonctions que la seule fonction de passivation (antireflet, filtrage, collage, etc.), s'étendant sur sensiblement toute la surface du capteur W1. A titre d'exemple, la couche 115 est disposée sur et en contact avec la face avant du substrat 100. Dans le mode de réalisation de la , chaque photosite P1 comprend un filtre 118, par exemple une couche de résine noire ou un filtre interférentiel, disposé du côté de la face avant du substrat 100, par exemple sur et en contact avec la face avant de la couche de passivation 115, en vis-à-vis de la photodiode 101 du pixel. Chaque filtre 118 est adapté à transmettre la lumière dans la gamme de longueurs d'ondes d'émission de la source lumineuse 16. De préférence, le filtre 118 est adapté à transmettre la lumière uniquement dans une bande de longueurs d'ondes relativement étroite centrée sur la gamme de longueurs d'ondes d'émission de la source lumineuse 16 du système 10, par exemple une gamme de longueurs d'ondes de largeur à mi-hauteur inférieure à 30 nm, par exemple inférieure à 20 nm, par exemple inférieure à 10 nm. Le filtre 118 permet d'éviter une génération indésirable de porteurs de charges dans la photodiode des photosites P1 et P2 sous-jacents sous l'effet d'un rayonnement lumineux ne provenant pas de la source lumineuse 16 du système 10. Selon un mode de réalisation, il n'y a pas de filtres optiques, notamment un filtre coloré ou un filtre interférentiel, interposés entre le capteur W1 et le capteur W2. Chaque photosite P1 du capteur W1 peut en outre comprendre une microlentille 122 disposée du côté de la face avant du substrat 100, par exemple sur et en contact avec le filtre 118 du photosite, adaptée à focaliser la lumière incidente sur la photodiode 101 du photosite P1 et/ou sur une photodiode 133 du photosite P2 sous-jacent. Dans le mode de réalisation représenté, la face arrière du capteur W1 est collée à la face avant du capteur W2 par collage moléculaire. Pour cela, le capteur W1 comprend une couche 126, par exemple en oxyde de silicium, revêtant sa face arrière. De plus, le capteur W2 comprend une couche 132 de même nature que la couche 126, par exemple en oxyde de silicium, revêtant sa face avant. La face arrière de la couche 126 est mise en contact avec la face avant de la couche 132 de façon à réaliser un collage moléculaire du capteur W2 au capteur W1. A titre d'exemple, la couche 126, respectivement 132, s'étend de façon continue sur toute la surface du capteur W1, respectivement W2. A titre de variante, un matériau de collage peut être ajouté entre les capteurs W1 et W2 pour permettre la fixation du capteur W1 au capteur W2. Chaque photosite P2 du capteur W2 comprend la photodiode 133 formée dans le substrat 130, en vis-à-vis d'un photosite P1 du capteur W1. La photodiode 133 comprend une ou plusieurs régions semiconductrices implantées, localisées, formées dans le substrat semiconducteur 130. Chaque photosite P2 peut en outre comprendre un ou plusieurs composants supplémentaires (non représentés), par exemple des transistors MOS, formés du côté de la face arrière du substrat 130, par exemple dans le substrat 130 et sur la face arrière du substrat 130. Le capteur W2 comprend en outre un empilement d'interconnexion 140, constitué de couches diélectriques et conductrices alternées revêtant la face arrière du substrat 130, dans lequel sont formées des pistes conductrices et/ou bornes de connexion électrique 141 connectant les photosites P2 du capteur à un circuit périphérique de commande et d'alimentation, non représenté. Dans le mode de réalisation représenté, dans chaque photosite P2 du capteur W2, la photodiode 133 du photosite est entièrement entourée par un mur d'isolation vertical 135 traversant le substrat 130 sur toute son épaisseur. Le mur 135 a notamment une fonction d'isolation optique, et peut en outre avoir une fonction d'isolation électrique. A titre d'exemple, le mur d'isolation vertical 135 est en un matériau diélectrique, par exemple de l'oxyde de silicium. A titre de variante, le mur d'isolation vertical 135 est un mur multicouche comprenant une couche intérieure en un matériau diélectrique, par exemple de l'oxyde de silicium, une ou plusieurs couches intermédiaires comprenant au moins une couche métallique, et une couche extérieure en un matériau diélectrique, par exemple de l'oxyde de silicium. Le mur d'isolation vertical 135 est par exemple situé sensiblement à l'aplomb du mur d'isolation vertical 103 entourant la portion de substrat 100 correspondante du capteur W1. Les murs 103 et 135 permettent notamment de limiter le risque que des rayons lumineux reçus par un photosite P1 voisin ne viennent perturber le photosite P2 correspondant, ce qui pourrait conduire à une mesure de profondeur erronée. Dans ce mode de réalisation, la couche d'oxyde de silicium 132 de collage du capteur W2 au capteur W1 est disposée sur et en contact avec la face avant du substrat 130 dans les zones de photodétection des photosites P2. L'épaisseur du substrat 130 est par exemple comprise entre 2 µm et 10 µm, par exemple entre 3 µm et 5 µm . On notera que l'agencement des capteurs W1 et W2 du dispositif 12 de la est avantageux en ce que l'empilement d'interconnexion 140 du capteur W2 est situé du côté du substrat 130 du capteur W2 opposé au capteur W1. La superposition des photosites P1 et P2 sur deux niveaux permet en particulier d’augmenter la résolution/la cadence image du dispositif d'acquisition 12 à encombrement équivalent. La lumière de la source lumineuse 16, qui est réfléchie par l'objet de la scène, est partiellement absorbée dans les photosites P1 du premier capteur W1. La lumière non absorbée dans le premier capteur W1 est transmise dans le deuxième capteur W2 et est absorbée dans les photosites P2 du deuxième capteur W2. Les différents phénomènes de réflexion dans l’empilement peuvent aboutir à un biais, les photosites P2 situés dans le deuxième capteur W2 recevant moins de photons, à géométries et matériaux équivalents, que les photosites P1 situés dans le premier capteur W1. Selon un mode de réalisation, le biais sur les valeurs (C0-C2) et (C1-C3) introduit par l’atténuation du signal lumineux lors du passage dans l’empilement est compensé pour permettre une évaluation correcte du déphasage Δφ. Le biais est compensé par l'un des moyens décrits ci-après ou par une combinaison de deux ou de plus de deux des moyens décrits ci-après. Selon un premier moyen, la compensation du biais est réalisée par une calibration des temps d’intégration, c’est-à-dire le nombre de périodes du signal réfléchi sur lequel les échantillons collectés par les photosites P1 sur le capteur W1, par exemple l'échantillon C 0 , sont intégrés est différent du nombre de périodes du signal réfléchi sur lequel des échantillons collectés par les photosites P2 sur le capteur W2 sont intégrés. Selon un mode de réalisation, le nombre de périodes du signal réfléchi sur lequel les échantillons collectés par les photosites P1 sur le capteur W1 sont intégrés est inférieur au nombre de périodes du signal réfléchi sur lequel des échantillons collectés par les photosites P2 sur le capteur W2 sont intégrés. Selon un deuxième moyen, pour chaque capteur W1, W2, les photosites P1, P2 du capteur sont agencés en rangées et en colonnes et la lecture des signaux mémorisés dans les photosites est réalisée rangée par rangée, les signaux étant transmis sur des lignes de bits s'étendant selon les colonnes. La compensation du biais est réalisée au niveau de la chaîne analogique, incluant un convertisseur analogique-numérique, située en pied de colonne du capteur, les propriétés des convertisseurs analogique-numérique associés aux photosites P2 du deuxième capteur W2 étant différentes des propriétés des convertisseurs analogique-numérique associés aux photosites P1 du premier capteur W1. Selon un mode de réalisation, le gain d'amplification des convertisseurs analogique-numérique associés aux photosites P2 du deuxième capteur W2 est plus important que le gain d'amplification des convertisseurs analogique-numérique associés aux photosites P1 du premier capteur W1. Selon un mode de réalisation, dans le cas où les convertisseurs analogique-numérique sont des convertisseurs à simple rampe ou à double rampe, la compensation peut être réalisée en prévoyant des pentes différentes pour les rampes des convertisseurs analogique-numérique associés aux photosites P1 du premier capteur W1 par rapport aux rampes des convertisseurs analogique-numérique associés aux photosites P2 du premier capteur W2. Selon un troisième moyen, la compensation du biais est réalisée par un traitement numérique effectué par le processeur 20 du système de formation d’image 10 sur les signaux fournis par le dispositif d'acquisition d'image 12. Selon un quatrième moyen, la compensation du biais est réalisée en prévoyant des épaisseurs d’absorption différentes entre le substrat 100 du premier capteur W1 et le substrat 130 du deuxième capteur W2, la zone d’absorption du deuxième capteur W2 étant plus épaisse que la zone d’absorption du premier capteur W1. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur du deuxième substrat 130 est supérieure de 10 %, de préférence de 20 %, par rapport à l'épaisseur du premier substrat 100. Selon un cinquième moyen, la compensation du biais est réalisée en utilisant des structures optiques (lentilles, structurations de surface de taille nanométrique, masquages, etc.) permettant d'ajuster la quantité de photons reçus par les photosites P2 du deuxième capteur W2 par rapport à la quantité de photons reçus par les photosites P1 du premier capteur W1. Selon un mode de réalisation, un miroir peut être prévu du côté de la face inférieure du substrat 130 de façon à réfléchir les photons non absorbés dans le substrat 130 et augmenter la durée de parcours des photons dans le substrat 130. Selon un mode de réalisation, les murs 135 peuvent être réfléchissants de façon à réfléchir les photons non absorbés dans le substrat 130 et augmenter la durée de parcours des photons dans le substrat 130. Selon un mode de réalisation, une structure diffractante peut être prévue du côté de la face supérieure du substrat 130 de façon à faire pénétrer les photons de façon oblique dans le substrat 130 et augmenter la durée de parcours des photons dans le substrat 130. Selon un sixième moyen, la compensation du biais est réalisée par l’ajustement de la géométrie des photosites superposés P1 et P2. A titre d'exemple, les dimensions latérales du photosite P2 peuvent être supérieures aux dimensions latérales du photosite P1 qui le recouvre, c’est-à-dire que, en vue de dessus, la section droite du photosite P2 peut être supérieure à la section droite du photosite P1. Selon un septième moyen, la compensation du biais est réalisée par l’utilisation de matériaux différents pour les substrats 100 et 130 des deux capteurs W1 et W2, le coefficient d'absorption massique du matériau composant le substrat 130 étant par exemple supérieur au coefficient d'absorption massique du matériau composant le substrat 100. Selon un mode de réalisation, le substrat 100 est en silicium monocristallin (Si) et le substrat 130 est en arséniure d'indium gallium (InGaAs). La est un diagramme de circuit illustrant un mode de réalisation de circuit 300 d'un photosite de profondeur. Le circuit 300 est apte à réaliser une mémorisation en charge. Le circuit 300 comprend un élément photosensible PD couplé entre un noeud 302 et une source d’alimentation de référence, par exemple la masse, l’élément photosensible étant par exemple une photodiode. Le noeud 302 est couplé à un noeud de détection SN par l'intermédiaire d'un circuit d’échantillonnage 304. Le circuit d’échantillonnage 304 comprend une mémoire mem 1 couplée au noeud 302 par une porte de transfert 306 qui est par exemple un transistor MOS à canal n. La mémoire mem 1 est aussi couplée au noeud de détection SN par une porte de transfert supplémentaire 308, qui est aussi par exemple un transistor MOS à canal n. La porte de transfert 306 est commandée par un signal Vmem 1 appliqué à son noeud de commande, et la porte de transfert 308 est commandée par un signal Vsn 1 appliqué à son noeud de commande. La mémoire mem 1 fournit une zone de stockage de charge dans laquelle une charge transférée depuis l’élément photosensible PD est temporairement stockée. Le circuit 300 comprend en outre un circuit de sortie formé d’un transistor à source suiveuse 310, d'un transistor de sélection 312 et d'un transistor de réinitialisation 314, ces transistors étant par exemple des transistors MOS à canal n. Le noeud de détection SN est couplé au noeud de commande du transistor 310, qui a par exemple son drain couplé à la source de tension d’alimentation Vdd, et sa source couplée à une ligne de sortie 316 du circuit de pixels 300 par le transistor 312 qui est commandé par un signal Vsel appliqué à sa grille. Le noeud de détection SN est aussi couplé à la source de tension d’alimentation Vdd à travers le transistor 314 qui est commandé par un signal Vres appliqué à sa grille. Dans des variantes de réalisation, le circuit de sortie pourrait être partagé par plusieurs photosites, le noeud de détection SN étant par exemple couplé au circuit d’échantillonnage d’un ou plusieurs photosites adjacents. Le circuit 300 comprend en outre par exemple un transistor 318 couplant le noeud 302 à la source de tension d’alimentation Vdd et permettant à la photodiode PD d’être réinitialisée. Le transistor 318 est par exemple commandé par un signal Vres PD . Il permet donc de contrôler le temps d’exposition en assurant une vidange de la photodiode PD avant un démarrage d’intégration synchrone pour toutes les photodiodes PD du capteur et d’assurer une fonction d’anti-éblouissement afin d’éviter un débordement de la photodiode dans les mémoires mem 1 lors de la lecture globale de la matrice. La est un diagramme de circuit illustrant un autre mode de réalisation de circuit 320 d'un photosite de profondeur. Un circuit analogue est décrit plus en détail dans la demande de brevet français de numéro de demande FR 15/63457 (référence du mandataire : B14596). Par exemple, un chronogramme illustrant un exemple de fonctionnement de ce circuit est présenté en de FR 15/63457, et le même exemple de fonctionnement s’applique dans le contexte de la présente demande. Le circuit 320 comprend l'ensemble des éléments du circuit 300 et comprend, en outre, un autre circuit d'échantillonnage 322 connecté entre le noeud 302 et le noeud SN et comprenant des éléments de circuit similaires au circuit d’échantillonnage 304, et en particulier le circuit 322 comprend une mémoire mem2, une porte de transfert 324 commandée par un signal Vmem2, et une porte de transfert 326 commandée par un signal Vsn2. Le circuit 320 permet de réaliser l'acquisition de deux échantillons pour une image de profondeur. L'utilisation du circuit 320 permet, de façon avantageuse, de diminuer le nombre de transistors dans un photosite. La lecture des deux mémoires mem 1 et mem 2 est réalisée de façon séquentielle. La est un diagramme de circuit illustrant un autre mode de réalisation de circuit 330 d'un photosite de profondeur. Le circuit 330 comprend l'ensemble des éléments du circuit 320 représenté en , à la différence que le circuit d'échantillonnage 322 est connecté entre le noeud 302 et un noeud SN' et qu'il comprend, en outre, un circuit de sortie formé d’un transistor à source suiveuse 332, d'un transistor de sélection 334 et d'un transistor de réinitialisation 336, ces transistors étant par exemple des transistors MOS à canal n. Le noeud de détection SN' est couplé au noeud de commande du transistor 332, qui a par exemple son drain couplé à la source de tension d’alimentation Vdd, et sa source couplée à une ligne de sortie 338 du circuit de pixels 330 par le transistor 334 qui est commandé par un signal Vsel' appliqué à sa grille. Le noeud de détection SN' est aussi couplé à la source de tension d’alimentation Vdd à travers le transistor 336 qui est commandé par un signal Vres' appliqué à sa grille. Le circuit 330 permet de réaliser l'acquisition de deux échantillons pour une image de profondeur. La lecture des deux mémoires mem1 et mem2 peut être réalisée de façon simultanée. La est un diagramme de circuit illustrant un autre mode de réalisation de circuit 340 d'un photosite de profondeur. Le circuit 340 comprend l'ensemble des éléments du circuit 300 représenté en , à la différence que le transistor 308 et la mémoire mem1 ne sont pas présents, le transistor 306 étant connecté directement au noeud de lecture SN. Dans le cas du circuit 340, les charges sont stockées directement sur le noeud de lecture SN. Il n’y a pas de stockage intermédiaire. On parle dans ce cas de mémorisation en tension. Un condensateur C peut être ajouté sur le noeud de lecture SN, connecté entre le noeud de lecture SN et la masse, pour améliorer la dynamique. La capacité de stockage au noeud de lecture SN peut aussi être constituée uniquement par les interconnexions nécessaires au système. Les cas de photosites à deux mémoires en lecture parallèle ou séquentielle pourront être aisément dérivés des photosites en charge précédemment présentés en relation avec les figures 5 et 6, en supprimant les transistors 308 et en remplaçant chaque mémoire mem 1 et mem 2 par une capacité. Selon un mode de réalisation, chaque pixel de profondeur comprend au moins un photosite P1 et un photosite P2 pour l'acquisition des échantillons nécessaires à la détermination d'une donnée de profondeur, par exemple trois échantillons, de préférence quatre échantillons C 0 , C 1 , C 2 , et C 3 . Tous les transistors 306 des photosites d'un même pixel de profondeur sont commandés de façon synchrone, les signaux de commande Vmem 1 , Vmem 2 étant déphasés les uns par rapport aux autres pour l'acquisition des échantillons C 0 , C 1 , C 2 , et C 3 . A titre d'exemple, les signaux de commande Vmem 1 , Vmem 2 des transistors 306, 324 des photosites d'un même pixel de profondeur peuvent être obtenus à partir d'un même signal périodique. De façon avantageuse, les transistors 306 des photosites d'un même pixel de profondeur sont répartis entre le capteur W1 et W2 et ne se trouvent pas tous dans le même capteur W1 ou W2. Les figures 8, 9, et 10 représentent chacune schématiquement un mode de réalisation d'agencement de photosites d'un dispositif d'acquisition d'une image de profondeur. Dans ces modes de réalisation, le dispositif d'acquisition ne comprend que des photosites P1 et P2 pour la détermination d'une image de profondeur. En particulier, le dispositif d'acquisition comprend une matrice de photosites P1 dans le capteur W1 et une matrice de photosites P2 dans le deuxième capteur W2, seule une partie de chacune de ces matrices étant représentée sur les figures 8, 9, et 10. Dans le mode de réalisation de la , chaque photosite P1 et P2 comprend deux mémoires utilisées pour faire l'acquisition de deux échantillons. Selon un mode de réalisation, pour chaque paire de photosites superposés, l'un des photosites est utilisé pour l'acquisition de deux échantillons, par exemple le photosite P1 pour les échantillons C0 et C2, et l'autre des photosites est utilisé pour l'acquisition des deux échantillons complémentaires, par exemple le photosite P2 pour les échantillons C1 et C3. Les quatre échantillons C0, C1, C2, et C3 sont captés en une seule image. Dans le mode de réalisation de la , chaque photosite P1 et P2 comprend une mémoire utilisée pour faire l'acquisition successive de deux échantillons. Selon un mode de réalisation, pour chaque paire de photosites superposés, l'un des photosites est utilisé pour l'acquisition successive de deux échantillons, par exemple le photosite P1 pour les échantillons C0 et C2, et l'autre des photosites est utilisé pour l'acquisition successive des deux échantillons complémentaires, par exemple le photosite P2 pour les échantillons C1 et C3. Les quatre échantillons C0, C1, C2, et C3 sont captés en deux images. Dans le mode de réalisation de la , chaque photosite P1 et P2 comprend une mémoire utilisée pour faire l'acquisition d'un échantillon. L'acquisition de quatre échantillons est obtenue en utilisant deux photosites P1 du premier capteur W1 et deux photosites P2 du deuxième circuit W2. Selon un mode de réalisation, les photosites P1 du premier capteur W1 sont répartis en couples. Pour chaque couple de photosites, un premier photosite P1 du couple est utilisé pour l'acquisition d'un premier échantillon, par exemple C0, et le deuxième photosite P1 du couple est utilisé pour l'acquisition d'un deuxième échantillon, par exemple C2, le photosite P2 du deuxième capteur W2 recouvert par le premier photosite P1 est utilisé pour l'acquisition d'un troisième échantillon, par exemple C1, et le photosite P2 du deuxième captur W2 recouvert par le deuxième photosite P1 est utilisé pour l'acquisition d'un quatrième échantillon, par exemple C3. Les quatre échantillons C0, C1, C2, et C3 sont captés en une seule image. En plus de faire l'acquisition d'une image de profondeur, le dispositif d'acquisition 12 du système 10 représenté en peut être apte à faire l'acquisition d'une image 2D. La est une vue en coupe illustrant de façon schématique et partielle un mode de réalisation d'un dispositif d'acquisition 12 d'une image 2D et d'une image de profondeur d'une scène. Dans le mode de réalisation de la , le capteur W1 correspond en outre à un capteur d'image 2D couleur, c'est-à-dire qu'il comprend, en plus des photosites de profondeur P1, des pixels P3 de différents types, adaptés à mesurer des intensités lumineuses dans des gammes de longueurs d'ondes visibles distinctes. Pour cela, chaque pixel P3 comprend une photodiode 102 adaptée à capter au moins une partie de la lumière visible et un filtre couleur 120, par exemple une couche de résine colorée, disposé du côté de la face avant du substrat 100, par exemple sur et en contact avec la face avant de la couche de passivation 115, en vis-à-vis de la photodiode 102 du pixel. A titre d'exemple, le capteur W1 comprend trois types de pixels P3, des premiers pixels P3 appelés pixels bleus, comprenant un filtre couleur 120 transmettant préférentiellement de la lumière bleue, des deuxièmes pixels P3 appelés pixels rouges, comprenant un filtre couleur 120 transmettant préférentiellement de la lumière rouge, et des troisièmes pixels P3 appelés pixels verts, comprenant un filtre couleur 120 transmettant préférentiellement de la lumière verte. Sur la , les différents types de pixels P3 ne sont pas différenciés. A titre de variante, le capteur W1 peut comprendre un capteur d'image 2D monochromatique, auquel cas les filtres 120 peuvent être omis. Le deuxième capteur W2 ne comprend que des photosites de profondeur P2. Chaque photosite de profondeur P2 du deuxième capteur W2 est recouvert par un photosite de profondeur P1 du premier capteur W1. Selon un mode de réalisation, les dimensions latérales des photosites de profondeur P2 du deuxième capteur W2 peuvent être égales aux dimensions latérales des photosites de profondeur P1 du premier capteur W1. Selon un autre mode de réalisation, les dimensions latérales des photosites de profondeur P2 du deuxième capteur W2 sont supérieures aux dimensions latérales des photosites de profondeur P1 du premier capteur W1. La superposition des photosites P1 et P2 sur deux niveaux permet en particulier l’intégration optimisée d’un dispositif d'acquisition d'une image de profondeur dans une matrice de pixels P3 pour l'acquisition d'une image 2D en limitant l’impact sur la résolution de l’image 2D, tout en simplifiant l’intégration des transistors de lecture de chaque pixel de profondeur. Les figures 12, 13, et 14 représentent chacune schématiquement un mode de réalisation d'agencement de photosites d'un dispositif d'acquisition d'une image 2D et d'une image de profondeur. Dans ces modes de réalisation, le dispositif d'acquisition comprend des photosites P1 et P2 pour la détermination d'une image de profondeur et des pixels P3 adaptés à capter la lumière rouge (R), verte (G), et bleue (B) pour l'acquisition d'une image 2D. En particulier, le dispositif d'acquisition comprend une matrice de photosites de profondeur P1 et de pixels P3 pour l'acquisition d'une image 2D dans le premier capteur W1 et une matrice de photosites P2 de profondeur dans le deuxième capteur W2, seule une partie de chacune de ces matrices étant représentée sur les figures 12, 13, et 14. Dans le premier capteur W1, les photosites P1 et pixels P3 peuvent être agencés selon une matrice de Bayer à la différence que les photosites de profondeur P1 sont disposés à certains des emplacements des pixels P3 captant la lumière verte (G) de la matrice de Bayer. Dans le mode de réalisation de la , chaque photosite de profondeur P1 et P2 comprend deux mémoires utilisées pour faire l'acquisition de deux échantillons. Selon un mode de réalisation, pour chaque paire de photosites de profondeur superposés, l'un des photosites de profondeur est utilisé pour l'acquisition de deux échantillons, par exemple le photosite P1 pour les échantillons C0 et C2, et l'autre des photosites de profondeur est utilisé pour l'acquisition des deux échantillons complémentaires, par exemple le photosite P2 pour les échantillons C1 et C3. Les quatre échantillons C0, C1, C2, et C3 sont captés en une seule image. Dans le mode de réalisation de la , chaque photosite de profondeur P1 et P2 comprend une mémoire utilisée pour faire l'acquisition successive de deux échantillons. Selon un mode de réalisation, pour chaque paire de photosites de profondeur superposés, l'un des photosites de profondeur est utilisé pour l'acquisition successive de deux échantillons, par exemple le photosite P1 pour les échantillons C0 et C2, et l'autre des photosites de profondeur est utilisé pour l'acquisition successive des deux échantillons complémentaires, par exemple le photosite P2 pour les échantillons C1 et C3. Les quatre échantillons C0, C1, C2, et C3 sont captés en deux images. Dans le mode de réalisation de la , chaque photosite de profondeur P1 et P2 comprend une mémoire utilisée pour faire l'acquisition d'un échantillon. L'acquisition de quatre échantillons est obtenue en utilisant deux photosites de profondeur P1 du premier capteur W1 et deux photosites P2 de profondeur du deuxième capteur W2. Selon un mode de réalisation, les photosites de profondeur P1 du premier capteur W1 sont répartis en couples. Pour chaque couple de photosites de profondeur, un premier photosite de profondeur P1 du couple est utilisé pour l'acquisition d'un premier échantillon, par exemple C0, et le deuxième photosite de profondeur P1 du couple est utilisé pour l'acquisition d'un deuxième échantillon, par exemple C2, le photosite de profondeur P2 du deuxième capteur W2 recouvert par le premier photosite de profondeur P1 est utilisé pour l'acquisition d'un troisième échantillon, par exemple C1, et le photosite de profondeur P2 du deuxième capteur W2 recouvert par le deuxième photosite de profondeur P1 est utilisé pour l'acquisition d'un quatrième échantillon, par exemple C3. Les quatre échantillons C0, C1, C2, et C3 sont captés en une seule image. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Dispositif (12) d'acquisition d'une image de profondeur d'une scène par détection d'un signal lumineux réfléchi correspondant à la réflexion sur la scène d'un signal lumineux incident dans le proche infrarouge modulé en amplitude de façon périodique, le dispositif comprenant un empilement d'un premier capteur (W1) et d'un deuxième capteur (W2), le premier capteur comprenant des premiers photosites de profondeur (P1) configurés pour acquérir au moins un premier échantillon de charges photogénérées par détection du signal lumineux réfléchi pendant des premières durées, le deuxième capteur comprenant des deuxièmes photosites de profondeur (P2) disposés en regard des premiers photosites de profondeur, les deuxièmes photosites de profondeur étant configurés pour acquérir au moins un deuxième échantillon de charges photogénérées par détection du signal lumineux réfléchi pendant des deuxièmes durées décalées par rapport aux premières durées d'un premier déphasage constant, le premier capteur (W1) ou le deuxième capteur (W2) comprenant en outre des troisièmes photosites de profondeur (P1) configurés pour acquérir au moins un troisième échantillon par détection du signal lumineux réfléchi pendant des troisièmes durées décalées par rapport aux premières durées d'un deuxième déphasage constant différent du premier déphasage. Dispositif selon la revendication 1, comprenant en outre des moyens pour compenser la différence de quantités de photons reçus entre les premier et deuxième capteurs (W1, W2). Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le premier capteur (W1) est formé dans et sur un premier substrat semiconducteur (100) et dans lequel le deuxième capteur (W2) est formé dans et sur un deuxième substrat semiconducteur (130). Dispositif selon la revendication 3, dans lequel les premier (100) et deuxième (130) substrats semiconducteurs sont en des matériaux différents. Dispositif selon la revendication 3 ou 4, dans lequel les épaisseurs des premier (100) et deuxième (130) substrats semiconducteurs sont différentes. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel les dimensions latérales des premiers photosites de profondeur (P1) sont différentes des dimensions latérales des deuxièmes photosites de profondeur (P2). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel les premiers et troisièmes photosites de profondeur sont confondus. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel les premiers et troisièmes photosites de profondeur sont distincts. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le premier capteur (W1) ou le deuxième capteur (W2) comprend des quatrièmes photosites de profondeur (P2) configurés pour acquérir au moins un quatrième échantillon par détection du signal lumineux réfléchi pendant des quatrièmes durées décalées par rapport aux premières durées d'un troisième déphasage constant différent des premier et deuxième déphasages. Dispositif selon la revendication 9, dans lequel les deuxièmes et quatrièmes photosites de profondeur sont confondus. Dispositif selon la revendication 9, dans lequel les deuxièmes et quatrièmes photosites de profondeur sont distincts. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel les deuxièmes durées sont supérieures aux premières durées. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel chaque premier et deuxième photosite de profondeur (P1, P2) comprend une photodiode (PD) et au moins un transistor (44) connecté à la photodiode. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel le premier capteur (W1) comprend, en outre, une pluralité de pixels d'image 2D (P3), le deuxième capteur (W2) ne comprenant pas de pixels d'image 2D. Système (10) d'acquisition d'une image de profondeur comprenant le dispositif d'acquisition (12) selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, une source lumineuse (16) configurée pour émettre le signal lumineux incident dans le proche infrarouge modulé en amplitude de façon périodique, et un processeur (20) configuré pour déterminer, à partir des premier, deuxième, et troisième échantillons, un déphasage entre le signal lumineux incident et le signal lumineux réfléchi. Système selon la revendication 15, dans lequel le dispositif d'acquisition (12) est selon la revendication 9, et dans lequel le processeur (20) est configuré pour déterminer, à partir des premier, deuxième, troisième, et quatrième échantillons, un déphasage entre le signal lumineux incident et le signal lumineux réfléchi. Système selon la revendication 15 ou 16, comprenant en outre des moyens pour compenser la différence de quantités de photons reçus entre les premier et deuxième capteurs (W1, W2). Système selon l'une quelconque des revendications 15 à 17, dans lequel le processeur (20) est configuré pour compenser par traitement numérique la différence de quantités de photons reçus entre les premier et deuxième capteurs (W1, W2). Système selon l'une quelconque des revendications 15 à 18, comprenant des premiers amplificateurs des signaux analogiques fournis par les premiers photosites de profondeur (P1) avec un premier gain d'amplification et des deuxièmes amplificateurs des signaux analogiques fournis par les deuxièmes photosites de profondeur (P2) avec un deuxième gain d'amplification différent du premier gain d'amplification.