Brevet FR3119956A1 — publié le 20220819

L’invention concerne un amplificateur à transimpédance, par exemple un amplificateur à transimpédance d’une antenne active comportant un cadre ou un cadre blindé. Un amplificateur à transimpédance selon l’invention comporte : un accès d’entrée (1) ayant une première borne (11) et une seconde borne (12) ; un premier dispositif d’amplification (21) comportant au moins un transistor ; un deuxième dispositif d’amplification (22) comportant au moins un transistor ; un troisième dispositif d’amplification (23) comportant au moins un transistor ; un quatrième dispositif d’amplification (24) comportant au moins un transistor ; un premier condensateur (31) ; un deuxième condensateur (32) ; un premier amplificateur différentiel (41) pour créer une première commande en boucle fermée ; un second amplificateur différentiel (42) pour créer une deuxième commande en boucle fermée ; un amplificateur de puissance (6) ; un accès de sortie (7) ayant une première borne (71) et une seconde borne (72) ; et une résistance (5) pour créer une rétroaction. Figure pour l’abrégé : Figure 1. Amplificateur à transimpédance DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION L’invention concerne un amplificateur à transimpédance, par exemple un amplificateur à transimpédance d’une antenne active comportant un cadre ou un cadre blindé. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Dans la suite, “couplé” fait toujours référence à un couplage électrique. Lorsque ce terme est appliqué à deux entités telles que des bornes, des conducteurs, des noeuds, etc, “couplé” peut indiquer que les entités sont directement couplées, c’est-à-dire connectées (ou, de façon équivalente, en contact électrique) l’une avec l’autre, et/ou que les entités sont indirectement couplées, une interaction électrique différente du couplage direct existant dans ce cas entre les entités, par exemple à travers un ou plusieurs composants. Lorsque ce terme est appliqué à deux entités à plusieurs bornes, telles que des accès, des connecteurs, etc, “couplé” peut indiquer que les entités sont directement couplées, chaque borne d’une des entités étant dans ce cas directement couplée à une et une seule des bornes de l’autre entité, et/ou que les entités sont indirectement couplées, une interaction électrique différente du couplage direct existant dans ce cas entre les bornes des entités, par exemple à travers un ou plusieurs composants. Dans la suite, en accord avec la théorie des circuits, un accès a exactement deux bornes. Les antennes de type “cadre” (appelées “loop antennas” en anglais) et de type “cadre blindé” (appelées “shielded loop antennas” en anglais) sont bien connues des spécialistes. Elles sont utilisées pour la réception radio appliquée aux mesures de champs électromagnétiques, à la radiogoniométrie et aux communications radio. Des caractéristiques et limitations de ces antennes pour ces utilisations sont expliquées dans l’article de F. Broydé et E. Clavelier intitulé “Contribution to the Theory of Planar Wire Loop Antennas Used for Reception”, publié dans la revue IEEE Transactions on Antennas and Propagation , vol. 68, no. 3, en Mars 2020. En particulier, cet article explique dans quelle mesure il est possible de considérer que ces antennes mesurent une composante d’un champ magnétique incident, c’est-à-dire une composante magnétique d’un champ électromagnétique incident. Comme indiqué dans cet article et dans le paragraphe 5-4 du chapitre 5 du livre de R.C. Johnson intitulé “Antenna Engineering Handbook, 3rd Edition”, publié par McGraw-Hill en 1993, le blindage d’un cadre blindé fonctionne typiquement comme un cadre. Les cadres blindés utilisés pour la réception radio donnent de meilleurs résultats que les cadres non blindés, car ils ne sont pas affectés par un courant de mode commun circulant sur le câble reliant l’antenne à un appareil de mesure ou un récepteur radio, induit par un champ électromagnétique incident reçu en tant que signal, ou par des perturbations électromagnétiques. On appelle facteur d’antenne (en anglais: antenna factor) un module d’un rapport d’une intensité d’un champ incident (exprimée en V/m pour un champ électrique ou en A/m pour un champ magnétique) sur une tension développée par une antenne aux bornes d’une impédance spécifiée. Pour les mesures de champs électromagnétiques, on préfère souvent, quand c’est possible, utiliser une antenne présentant un facteur d’antenne sensiblement indépendant de la fréquence, sur une large bande de fréquence. Le spécialiste sait que ce résultat peut être obtenu, dans une bande de fréquence connue, la bande de fréquence connue ayant une borne supérieure, la borne supérieure correspondant à une longueur d’onde dans le vide, en utilisant, pour la réception radio, une antenne active de l’état de l’art antérieur comportant : une antenne passive, l’antenne passive étant un cadre monospire ou un cadre blindé monospire, l’antenne passive étant petite devant ladite longueur d’onde dans le vide, l’antenne passive ayant un accès, une impédance présentée par cet accès étant appelée “impédance de l’antenne passive” ; un amplificateur, l’accès de l’antenne passive étant couplé à une entrée de l’amplificateur, l’entrée de l’amplificateur ayant une impédance appelée “impédance d’entrée de l’amplificateur”, un module de l’impédance d’entrée de l’amplificateur étant, à toute fréquence dans la bande de fréquence connue, beaucoup plus petit qu’un module de l’impédance de l’antenne passive, une tension de sortie de l’amplificateur étant, à une fréquence donnée dans la bande de fréquence connue, égale au produit d’un courant d’entrée de l’amplificateur et d’une transimpédance, un module de la transimpédance étant sensiblement indépendant de la fréquence donnée. Le spécialiste sait qu’un amplificateur convenable pourrait en principe être un amplificateur à transimpédance (en anglais: transimpedance amplifier) ou un amplificateur à transrésistance (en anglais: transresistance amplifier) similaires à ceux discutés dans le paragraphe 8.11 du livre de P. Horowitz et W. Hill intitulé “The Art of Electronics, Third Edition”, publié par Cambridge University Press en 2015, ou à ceux qui sont utilisés dans la demande internationale numéro PCT/DE2006/000415 (WO 2006/097071) intitulée “Active reception antenna system”. Un tel amplificateur à transimpédance classique, prévu pour procurer une transimpédance connue dans une bande de fréquence connue, comporte : un accès d’entrée ayant une première borne et une seconde borne, la seconde borne de l’accès d’entrée étant directement couplée à un conducteur de référence ; un amplificateur opérationnel, la première borne de l’accès d’entrée étant directement couplée à une borne d’entrée inverseuse de l’amplificateur opérationnel, une borne d’entrée non-inverseuse de l’amplificateur opérationnel étant couplée au conducteur de référence ; et un ou plusieurs moyens pour créer une rétroaction, la rétroaction déterminant la transimpédance connue dans la bande de fréquence connue, la rétroaction réduisant un module d’une impédance présentée par l’accès d’entrée dans la bande de fréquence connue. Typiquement, les dits un ou plusieurs moyens pour créer une rétroaction comportent une résistance ayant deux bornes, une borne de cette résistance étant directement couplée à une borne de sortie de l’amplificateur opérationnel, l’autre borne de cette résistance étant directement couplée à la borne d’entrée inverseuse de l’amplificateur opérationnel. Souvent, les dits un ou plusieurs moyens pour créer une rétroaction comportent aussi un condensateur de faible valeur connecté en parallèle avec la résistance. Un tel amplificateur à transimpédance classique pose malheureusement deux problèmes quand il est utilisé dans l’antenne active considérée ci-dessus, pour une bande de fréquence connue qui est la bande 9 kHz à 30 MHz : premièrement, l’accès d’entrée d’un tel amplificateur à transimpédance ne peut pas être directement couplé à l’antenne passive, car la rétroaction devient, aux basses fréquences et à la fréquence nulle, trop faible pour procurer une polarisation convenable de l’amplificateur opérationnel (en notant qu’un couplage indirect à l’antenne passive, à travers un condensateur, n’est pas une bonne option dans cette bande de fréquence connue) ; et, deuxièmement, un tel amplificateur à transimpédance est beaucoup plus bruyant que nécessaire, parce qu’il n’est pas optimisé pour l’impédance de l’antenne passive. Ainsi, pour une antenne passive qui est un cadre monospire ou un cadre blindé monospire, petit devant la longueur d’onde dans le vide correspondant à la borne supérieure de la bande de fréquence connue, l’état de l’art antérieur ne divulgue pas un amplificateur tel que : un module de l’impédance d’entrée de l’amplificateur soit, à toute fréquence dans la bande de fréquence connue, beaucoup plus petit qu’un module de l’impédance de l’antenne passive ; un module de la transimpédance de l’amplificateur soit sensiblement indépendant de la fréquence, dans la bande de fréquence connue ; l’accès d’entrée de l’amplificateur puisse être directement couplé à l’antenne passive ; et l’amplificateur produise un très faible bruit dans la bande de fréquence connue, lorsque son accès d’entrée est directement couplé à l’antenne passive. L’invention a pour objet un amplificateur à transimpédance, dépourvu des limitations mentionnées ci-dessus des techniques connues. Une base d’un transistor bipolaire est une électrode qui peut être utilisée pour contrôler un courant de collecteur du transistor et un courant d’émetteur du transistor. Ainsi, dans le brevet des États-Unis d’Amérique numéro 3851235 intitulé “Bridge circuit for controlling a direct current motor”, une base d’un transistor bipolaire est appelée “control electrode”, c’est-à-dire “électrode de contrôle” en français. Une grille d’un transistor à effet de champ (la grille est parfois appelée “porte” par certains auteurs) est une électrode qui peut être utilisée pour contrôler un courant de drain du transistor et un courant de source du transistor. Ainsi, dans le brevet des États-Unis d’Amérique numéro 5426382 intitulé “Complementary logic recovered energy circuit”, une grille d’un transistor à effet de champ est appelée “control electrode”, c’est-à-dire “électrode de contrôle” en français. Dans la suite, “électrode de contrôle” signifie soit une base d’un transistor bipolaire, soit une grille d’un transistor à effet de champ. C’est aussi le cas dans le brevet des États-Unis d’Amérique numéro 4754233 intitulé “Low noise ultra high frequency amplifier having automatic gain control”, et dans le brevet des États-Unis d’Amérique numéro 5617056 intitulé “Base current compensation circuit”. Dans la suite, en accord avec le “IEC multilingual dictionary of electricity” édité par le Bureau Central de la Commission Electrotechnique Internationale en 1983, “commande en boucle fermée” (traduction littérale de l’expression “closed-loop control” de la langue anglaise), synonyme de “commande en chaîne fermée” et de “asservissement”, signifie une commande où l’action sur le système commandé est rendue dépendante d’une mesure de la grandeur commandée. Un amplificateur selon l’invention est un amplificateur procurant une transimpédance dans une bande de fréquence connue, l’amplificateur comportant : un accès d’entrée ayant une première borne et une seconde borne, la seconde borne étant directement couplée à un conducteur de référence ; un premier dispositif d’amplification comportant un transistor, une première borne, une deuxième borne et une troisième borne, la première borne étant directement couplée à une électrode de contrôle du transistor, une tension entre la troisième borne et la deuxième borne étant positive, un courant sortant de la deuxième borne et un courant entrant dans la troisième borne étant positifs et contrôlés par une tension entre la première borne et la deuxième borne, la deuxième borne étant couplée à la première borne de l’accès d’entrée ; un deuxième dispositif d’amplification comportant un transistor, une première borne, une deuxième borne et une troisième borne, la première borne étant directement couplée à une électrode de contrôle du transistor, une tension entre la troisième borne et la deuxième borne étant négative, un courant sortant de la deuxième borne et un courant entrant dans la troisième borne étant négatifs et contrôlés par une tension entre la première borne et la deuxième borne, la deuxième borne étant couplée à la première borne de l’accès d’entrée ; un troisième dispositif d’amplification comportant un transistor, une première borne, une deuxième borne et une troisième borne, la première borne étant directement couplée à une électrode de contrôle du transistor, une tension entre la troisième borne et la deuxième borne étant négative, un courant sortant de la deuxième borne et un courant entrant dans la troisième borne étant négatifs et contrôlés par une tension entre la première borne et la deuxième borne, la première borne étant couplée à la troisième borne du premier dispositif d’amplification ; un quatrième dispositif d’amplification comportant un transistor, une première borne, une deuxième borne et une troisième borne, la première borne étant directement couplée à une électrode de contrôle du transistor, une tension entre la troisième borne et la deuxième borne étant positive, un courant sortant de la deuxième borne et un courant entrant dans la troisième borne étant positifs et contrôlés par une tension entre la première borne et la deuxième borne, la première borne étant couplée à la troisième borne du deuxième dispositif d’amplification, la troisième borne étant couplée à la troisième borne du troisième dispositif d’amplification ; un premier condensateur ayant une première borne et une seconde borne, la première borne étant couplée à la première borne du premier dispositif d’amplification, la seconde borne étant couplée au conducteur de référence ; un deuxième condensateur ayant une première borne et une seconde borne, la première borne étant couplée à la première borne du deuxième dispositif d’amplification, la seconde borne étant couplée au conducteur de référence ; un ou plusieurs moyens incluant un premier amplificateur différentiel comportant au moins deux transistors, pour créer une première commande en boucle fermée dans laquelle une grandeur commandée est une tension de polarisation entre la troisième borne du troisième dispositif d’amplification et le conducteur de référence, une sortie du premier amplificateur différentiel étant dans un premier cas couplée à la première borne du premier dispositif d’amplification, ou dans un second cas couplée à la première borne du deuxième dispositif d’amplification ; un ou plusieurs moyens incluant un second amplificateur différentiel comportant au moins deux transistors, pour créer une deuxième commande en boucle fermée dans laquelle une grandeur commandée est dans ledit premier cas une tension de polarisation entre la troisième borne du deuxième dispositif d’amplification et le conducteur de référence, ou dans ledit second cas une tension de polarisation entre la troisième borne du premier dispositif d’amplification et le conducteur de référence, une sortie du second amplificateur différentiel étant dans ledit premier cas couplée à la première borne du deuxième dispositif d’amplification, ou dans ledit second cas couplée à la première borne du premier dispositif d’amplification ; et un ou plusieurs moyens pour créer une rétroaction, la rétroaction déterminant la transimpédance dans la bande de fréquence connue, la rétroaction réduisant un module d’une impédance présentée par l’accès d’entrée dans la bande de fréquence connue. Le spécialiste comprend que, dans la phrase précédente : “tension” signifie une différence de potentiel ; et “tension de polarisation”, qui peut aussi être appelée “tension de repos”, désigne une tension continue en l’absence de signal appliqué à l’accès d’entrée de l’amplificateur selon l’invention. Le spécialiste comprend que ladite rétroaction est telle que l’amplificateur selon l’invention est un amplificateur à transimpédance. D’autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention, donnés à titre d'exemples non limitatifs, et représentés dans les dessins annexés sur lesquels : - la est un schéma-bloc d’un amplificateur à transimpédance selon l’invention (premier mode de réalisation) ; - la est un schéma-bloc d’un amplificateur à transimpédance selon l’invention (deuxième mode de réalisation) ; - la est une première partie d’un schéma d’un amplificateur à transimpédance selon l’invention (troisième mode de réalisation) ; et - la est une seconde partie du schéma d’un amplificateur à transimpédance selon l’invention (troisième mode de réalisation). EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE CERTAINS MODES DE RÉALISATION Premier mode de réalisation . Au titre d’un premier mode de réalisation d’un dispositif selon l’invention, donné à titre d’exemple non limitatif, nous avons représenté sur la le schéma-bloc d’un amplificateur à transimpédance pour une bande de fréquence connue, l’amplificateur à transimpédance comportant : un accès d’entrée (1) ayant une première borne (11) et une seconde borne (12), la seconde borne de l’accès d’entrée étant directement couplée à un conducteur de référence (masse) ; un premier dispositif d’amplification (21) comportant une première borne, une deuxième borne, une troisième borne et au moins un transistor, la première borne du premier dispositif d’amplification étant directement couplée à une électrode de contrôle du au moins un transistor du premier dispositif d’amplification, le premier dispositif d’amplification étant tel que, si une tension entre la troisième borne du premier dispositif d’amplification et la deuxième borne du premier dispositif d’amplification est supérieure à une tension positive donnée, alors un courant sortant de la deuxième borne du premier dispositif d’amplification et un courant entrant dans la troisième borne du premier dispositif d’amplification sont positifs ou nuls, et dépendent principalement d’une tension entre la première borne du premier dispositif d’amplification et la deuxième borne du premier dispositif d’amplification, la deuxième borne du premier dispositif d’amplification étant couplée à la première borne de l’accès d’entrée ; un deuxième dispositif d’amplification (22) comportant une première borne, une deuxième borne, une troisième borne et au moins un transistor, la première borne du deuxième dispositif d’amplification étant directement couplée à une électrode de contrôle du au moins un transistor du deuxième dispositif d’amplification, le deuxième dispositif d’amplification étant tel que, si une tension entre la troisième borne du deuxième dispositif d’amplification et la deuxième borne du deuxième dispositif d’amplification est inférieure à une tension négative donnée, alors un courant sortant de la deuxième borne du deuxième dispositif d’amplification et un courant entrant dans la troisième borne du deuxième dispositif d’amplification sont négatifs ou nuls, et dépendent principalement d’une tension entre la première borne du deuxième dispositif d’amplification et la deuxième borne du deuxième dispositif d’amplification, la deuxième borne du deuxième dispositif d’amplification étant couplée à la première borne de l’accès d’entrée ; un troisième dispositif d’amplification (23) comportant une première borne, une deuxième borne, une troisième borne et au moins un transistor, la première borne du troisième dispositif d’amplification étant directement couplée à une électrode de contrôle du au moins un transistor du troisième dispositif d’amplification, le troisième dispositif d’amplification étant tel que, si une tension entre la troisième borne du troisième dispositif d’amplification et la deuxième borne du troisième dispositif d’amplification est inférieure à la tension négative donnée, alors un courant sortant de la deuxième borne du troisième dispositif d’amplification et un courant entrant dans la troisième borne du troisième dispositif d’amplification sont négatifs ou nuls, et dépendent principalement d’une tension entre la première borne du troisième dispositif d’amplification et la deuxième borne du troisième dispositif d’amplification, la première borne du troisième dispositif d’amplification étant couplée à la troisième borne du premier dispositif d’amplification ; un quatrième dispositif d’amplification (24) comportant une première borne, une deuxième borne, une troisième borne et au moins un transistor, la première borne du quatrième dispositif d’amplification étant directement couplée à une électrode de contrôle du au moins un transistor du quatrième dispositif d’amplification, le quatrième dispositif d’amplification étant tel que, si une tension entre la troisième borne du quatrième dispositif d’amplification et la deuxième borne du quatrième dispositif d’amplification est supérieure à la tension positive donnée, alors un courant sortant de la deuxième borne du quatrième dispositif d’amplification et un courant entrant dans la troisième borne du quatrième dispositif d’amplification sont positifs ou nuls, et dépendent principalement d’une tension entre la première borne du quatrième dispositif d’amplification et la deuxième borne du quatrième dispositif d’amplification, la première borne du quatrième dispositif d’amplification étant couplée à la troisième borne du deuxième dispositif d’amplification, la troisième borne du quatrième dispositif d’amplification étant directement couplée à la troisième borne du troisième dispositif d’amplification ; un premier condensateur (31) ayant une première borne et une seconde borne, la première borne du premier dispositif d’amplification étant couplée à la première borne du premier condensateur, la seconde borne du premier condensateur étant couplée au conducteur de référence ; un deuxième condensateur (32) ayant une première borne et une seconde borne, la première borne du deuxième dispositif d’amplification étant couplée à la première borne du deuxième condensateur, la seconde borne du deuxième condensateur étant couplée au conducteur de référence ; un ou plusieurs moyens incluant un premier amplificateur différentiel (41) comportant au moins deux transistors, pour créer une première commande en boucle fermée dans laquelle une grandeur commandée est une tension de polarisation entre la troisième borne du troisième dispositif d’amplification et le conducteur de référence, une sortie du premier amplificateur différentiel étant couplée à la première borne du premier dispositif d’amplification ; un ou plusieurs moyens incluant un second amplificateur différentiel (42) comportant au moins deux transistors, pour créer une deuxième commande en boucle fermée dans laquelle une grandeur commandée est une tension de polarisation entre la troisième borne du deuxième dispositif d’amplification et le conducteur de référence, une sortie du second amplificateur différentiel étant couplée à la première borne du deuxième dispositif d’amplification ; un amplificateur de puissance (6) ayant, dans la bande de fréquence connue, un gain en tension supérieur à 8/10 et inférieur à 1, et une impédance d’entrée qui est bien plus grande que son impédance de sortie, une entrée de l’amplificateur de puissance étant couplée à la troisième borne du troisième dispositif d’amplification et à la troisième borne du quatrième dispositif d’amplification ; un accès de sortie (7) ayant une première borne (71) et une seconde borne (72), la première borne de l’accès de sortie étant directement couplée à une sortie de l’amplificateur de puissance, la seconde borne de l’accès de sortie étant directement couplée au conducteur de référence ; une résistance (5) pour créer une rétroaction, la rétroaction déterminant, dans la bande de fréquence connue, une transimpédance de l’amplificateur à transimpédance, la rétroaction réduisant un module d’une impédance présentée par l’accès d’entrée dans la bande de fréquence connue ; une ligne d’alimentation positive (91), une tension entre la ligne d’alimentation positive et le conducteur de référence étant rendue positive et stable par une alimentation qui n’est pas représentée dans la figure 1 ; et une ligne d’alimentation négative (92), une tension entre la ligne d’alimentation négative et le conducteur de référence étant rendue négative et stable par ladite alimentation. Le spécialiste comprend que, dans la phrase précédente, “tension de polarisation”, qui peut aussi être appelée “tension de repos”, désigne une tension continue en l’absence de signal appliqué à l’accès d’entrée de l’amplificateur à transimpédance. La première commande en boucle fermée et la deuxième commande en boucle fermée sont configurées pour être telles que : la tension entre la troisième borne du premier dispositif d’amplification et la deuxième borne du premier dispositif d’amplification est supérieure à la tension positive donnée ; le courant sortant de la deuxième borne du premier dispositif d’amplification et le courant entrant dans la troisième borne du premier dispositif d’amplification sont positifs et contrôlés par une tension entre la première borne du premier dispositif d’amplification et la deuxième borne du premier dispositif d’amplification ; la tension entre la troisième borne du deuxième dispositif d’amplification et la deuxième borne du deuxième dispositif d’amplification est inférieure à la tension négative donnée ; le courant sortant de la deuxième borne du deuxième dispositif d’amplification et le courant entrant dans la troisième borne du deuxième dispositif d’amplification sont négatifs et contrôlés par une tension entre la première borne du deuxième dispositif d’amplification et la deuxième borne du deuxième dispositif d’amplification ; la tension entre la troisième borne du troisième dispositif d’amplification et la deuxième borne du troisième dispositif d’amplification est inférieure à la tension négative donnée ; le courant sortant de la deuxième borne du troisième dispositif d’amplification et le courant entrant dans la troisième borne du troisième dispositif d’amplification sont négatifs et contrôlés par une tension entre la première borne du troisième dispositif d’amplification et la deuxième borne du troisième dispositif d’amplification ; la tension entre la troisième borne du quatrième dispositif d’amplification et la deuxième borne du quatrième dispositif d’amplification est supérieure à la tension positive donnée ; et le courant sortant de la deuxième borne du quatrième dispositif d’amplification et le courant entrant dans la troisième borne du quatrième dispositif d’amplification sont positifs et contrôlés par une tension entre la première borne du quatrième dispositif d’amplification et la deuxième borne du quatrième dispositif d’amplification. Par exemple, il est possible que le premier dispositif d’amplification soit un transistor bipolaire NPN ayant une base, un émetteur et un collecteur, la première borne du premier dispositif d’amplification étant la base du transistor bipolaire NPN, la deuxième borne du premier dispositif d’amplification étant l’émetteur du transistor bipolaire NPN, la troisième borne du premier dispositif d’amplification étant le collecteur du transistor bipolaire NPN ; et que le deuxième dispositif d’amplification soit un transistor bipolaire PNP ayant une base, un émetteur et un collecteur, la première borne du deuxième dispositif d’amplification étant la base du transistor bipolaire PNP, la deuxième borne du deuxième dispositif d’amplification étant l’émetteur du transistor bipolaire PNP, la troisième borne du deuxième dispositif d’amplification étant le collecteur du transistor bipolaire PNP. Dans ce cas, le spécialiste comprend que le premier dispositif d’amplification est un transistor NPN utilisé dans un circuit base commune, et que le deuxième dispositif d’amplification est un transistor PNP utilisé dans un circuit base commune. Par exemple, il est possible que le troisième dispositif d’amplification soit un transistor bipolaire PNP ayant une base, un émetteur et un collecteur, la première borne du troisième dispositif d’amplification étant la base du transistor bipolaire PNP, la deuxième borne du troisième dispositif d’amplification étant l’émetteur du transistor bipolaire PNP, la troisième borne du troisième dispositif d’amplification étant le collecteur du transistor bipolaire PNP ; et que le quatrième dispositif d’amplification soit un transistor bipolaire NPN ayant une base, un émetteur et un collecteur, la première borne du quatrième dispositif d’amplification étant la base du transistor bipolaire NPN, la deuxième borne du quatrième dispositif d’amplification étant l’émetteur du transistor bipolaire NPN, la troisième borne du quatrième dispositif d’amplification étant le collecteur du transistor bipolaire NPN. Dans ce cas, le spécialiste comprend que le troisième dispositif d’amplification est un transistor PNP utilisé dans un circuit émetteur commun (avec dégénération d’émetteur), et que le quatrième dispositif d’amplification est un transistor NPN utilisé dans un circuit émetteur commun (avec dégénération d’émetteur). Par exemple, si le premier dispositif d’amplification et le quatrième dispositif d’amplification sont des transistors NPN, la tension positive donnée peut être égale à un volt. Par exemple, si le deuxième dispositif d’amplification et le troisième dispositif d’amplification sont des transistors PNP, la tension négative donnée peut être égale à moins un volt. Par exemple, il est possible qu’au moins un des dits transistors bipolaires NPN soit remplacé par un circuit ayant un comportement similaire, par exemple une paire Darlington NPN, ou deux transistors NPN utilisés dans un circuit cascode. Par exemple, il est possible qu’au moins un des dits transistors bipolaires PNP soit remplacé par un circuit ayant un comportement similaire, par exemple une paire Darlington PNP, ou deux transistors PNP utilisés dans un circuit cascode. Le spécialiste comprend que, si l’accès d’entrée de l’amplificateur à transimpédance est directement couplé à une antenne passive qui est un cadre monospire ou un cadre blindé monospire, petit devant une longueur d’onde dans le vide correspondant à une borne supérieure de la bande de fréquence connue, la rétroaction créée par la résistance (5) est négative dans la bande de fréquence connue, et appropriée pour : déterminer, dans la bande de fréquence connue, la transimpédance de l’amplificateur à transimpédance, un module de la transimpédance de l’amplificateur à transimpédance étant sensiblement indépendant de la fréquence, dans la bande de fréquence connue ; et réduire, dans la bande de fréquence connue, un module d’une impédance d’entrée de l’amplificateur à transimpédance, le module de l’impédance d’entrée de l’amplificateur à transimpédance étant, à toute fréquence dans la bande de fréquence connue, beaucoup plus petit qu’un module de l’impédance de l’antenne passive. Toutefois, la rétroaction créée par la résistance (5) est, aux basses fréquences et à la fréquence nulle, trop faible pour procurer une polarisation convenable du troisième dispositif d’amplification et du quatrième dispositif d’amplification. Le spécialiste comprend que ce n’est pas un problème, parce que : la première commande en boucle fermée est telle que la tension de polarisation entre la troisième borne du troisième dispositif d’amplification et le conducteur de référence est voisine de zéro volt, par exemple zéro volt plus ou moins dix millivolts ; et la deuxième commande en boucle fermée est telle que la tension de polarisation entre la troisième borne du deuxième dispositif d’amplification et le conducteur de référence est voisine d’une tension voulue appliquée à une borne d’entrée inverseuse du second amplificateur différentiel. Ainsi, le premier dispositif d’amplification, le deuxième dispositif d’amplification, le troisième dispositif d’amplification et le quatrième dispositif d’amplification sont convenablement polarisés. Si le premier dispositif d’amplification et le quatrième dispositif d’amplification sont chacun un transistor NPN à faible bruit bien choisi, et si le deuxième dispositif d’amplification et le troisième dispositif d’amplification sont chacun un transistor PNP à faible bruit bien choisi, alors l’amplificateur à transimpédance produit un très faible bruit dans la bande de fréquence connue, lorsque son accès d’entrée est directement couplé à l’antenne passive, parce que les deux circuits base commune sont, du point de vue du bruit produit, optimisés pour l’impédance de l’antenne passive. Ainsi, pour une antenne passive qui est un cadre monospire ou un cadre blindé monospire, petit devant une longueur d’onde dans le vide correspondant à une borne supérieure de la bande de fréquence connue, l’amplificateur à transimpédance est tel que : un module de l’impédance d’entrée de l’amplificateur à transimpédance est, à toute fréquence dans la bande de fréquence connue, beaucoup plus petit qu’un module de l’impédance de l’antenne passive ; un module de la transimpédance de l’amplificateur à transimpédance est sensiblement indépendant de la fréquence, dans la bande de fréquence connue ; l’accès d’entrée de l’amplificateur à transimpédance peut être directement couplé à l’antenne passive ; et l’amplificateur à transimpédance produit un très faible bruit dans la bande de fréquence connue, lorsque son accès d’entrée est directement couplé à l’antenne passive. Par conséquent, l’amplificateur à transimpédance est une solution aux deux problèmes expliqués ci-dessus dans la section sur l’état de la technique antérieure. Deuxième mode de réalisation . Au titre d’un deuxième mode de réalisation d’un dispositif selon l’invention, donné à titre d’exemple non limitatif, nous avons représenté sur la le schéma-bloc d’un amplificateur à transimpédance pour une bande de fréquence connue, l’amplificateur à transimpédance comportant : un accès d’entrée (1) ayant une première borne (11) et une seconde borne (12), la seconde borne de l’accès d’entrée étant directement couplée à un conducteur de référence ; un premier dispositif d’amplification (21) comportant un transistor, une première borne, une deuxième borne et une troisième borne, la première borne du premier dispositif d’amplification étant directement couplée à une électrode de contrôle du transistor du premier dispositif d’amplification, une tension entre la troisième borne du premier dispositif d’amplification et la deuxième borne du premier dispositif d’amplification étant supérieure à une tension positive donnée, un courant sortant de la deuxième borne du premier dispositif d’amplification et un courant entrant dans la troisième borne du premier dispositif d’amplification étant positifs et contrôlés par une tension entre la première borne du premier dispositif d’amplification et la deuxième borne du premier dispositif d’amplification, la deuxième borne du premier dispositif d’amplification étant couplée à la première borne de l’accès d’entrée ; un deuxième dispositif d’amplification (22) comportant un transistor, une première borne, une deuxième borne et une troisième borne, la première borne du deuxième dispositif d’amplification étant directement couplée à une électrode de contrôle du transistor du deuxième dispositif d’amplification, une tension entre la troisième borne du deuxième dispositif d’amplification et la deuxième borne du deuxième dispositif d’amplification étant inférieure à une tension négative donnée, un courant sortant de la deuxième borne du deuxième dispositif d’amplification et un courant entrant dans la troisième borne du deuxième dispositif d’amplification étant négatifs et contrôlés par une tension entre la première borne du deuxième dispositif d’amplification et la deuxième borne du deuxième dispositif d’amplification, la deuxième borne du deuxième dispositif d’amplification étant couplée à la première borne de l’accès d’entrée ; un troisième dispositif d’amplification (23) comportant un transistor, une première borne, une deuxième borne et une troisième borne, la première borne du troisième dispositif d’amplification étant directement couplée à une électrode de contrôle du transistor du troisième dispositif d’amplification, une tension entre la troisième borne du troisième dispositif d’amplification et la deuxième borne du troisième dispositif d’amplification étant inférieure à la tension négative donnée, un courant sortant de la deuxième borne du troisième dispositif d’amplification et un courant entrant dans la troisième borne du troisième dispositif d’amplification étant négatifs et contrôlés par une tension entre la première borne du troisième dispositif d’amplification et la deuxième borne du troisième dispositif d’amplification, la première borne du troisième dispositif d’amplification étant couplée à la troisième borne du premier dispositif d’amplification ; un quatrième dispositif d’amplification (24) comportant un transistor, une première borne, une deuxième borne et une troisième borne, la première borne du quatrième dispositif d’amplification étant directement couplée à une électrode de contrôle du transistor du quatrième dispositif d’amplification, une tension entre la troisième borne du quatrième dispositif d’amplification et la deuxième borne du quatrième dispositif d’amplification étant supérieure à la tension positive donnée, un courant sortant de la deuxième borne du quatrième dispositif d’amplification et un courant entrant dans la troisième borne du quatrième dispositif d’amplification étant positifs et contrôlés par une tension entre la première borne du quatrième dispositif d’amplification et la deuxième borne du quatrième dispositif d’amplification, la première borne du quatrième dispositif d’amplification étant couplée à la troisième borne du deuxième dispositif d’amplification, la troisième borne du quatrième dispositif d’amplification étant couplée à la troisième borne du troisième dispositif d’amplification ; un premier condensateur (31) ayant une première borne et une seconde borne, la première borne du premier dispositif d’amplification étant couplée à la première borne du premier condensateur, la seconde borne du premier condensateur étant couplée au conducteur de référence ; un deuxième condensateur (32) ayant une première borne et une seconde borne, la première borne du deuxième dispositif d’amplification étant couplée à la première borne du deuxième condensateur, la seconde borne du deuxième condensateur étant couplée au conducteur de référence ; un ou plusieurs moyens incluant un premier amplificateur différentiel (41), pour créer une première commande en boucle fermée dans laquelle une grandeur commandée est une tension de polarisation entre la troisième borne du troisième dispositif d’amplification et le conducteur de référence, une sortie du premier amplificateur différentiel étant couplée à la première borne du deuxième dispositif d’amplification, le premier amplificateur différentiel étant un amplificateur différentiel à deux transistors ; un ou plusieurs moyens incluant un second amplificateur différentiel (42), pour créer une deuxième commande en boucle fermée dans laquelle une grandeur commandée est une tension de polarisation entre la troisième borne du premier dispositif d’amplification et le conducteur de référence, une sortie du second amplificateur différentiel étant couplée à la première borne du premier dispositif d’amplification, le second amplificateur différentiel étant un amplificateur différentiel à deux transistors ; un amplificateur de puissance (6) ayant, dans la bande de fréquence connue, un gain en tension supérieur à 9/10 et inférieur à 11/10, et une impédance d’entrée qui est bien plus grande que son impédance de sortie, une entrée de l’amplificateur de puissance étant couplée à la troisième borne du troisième dispositif d’amplification et à la troisième borne du quatrième dispositif d’amplification; un accès de sortie (7) ayant une première borne (71) et une seconde borne (72), la première borne de l’accès de sortie étant directement couplée à une sortie de l’amplificateur de puissance, la seconde borne de l’accès de sortie étant directement couplée au conducteur de référence ; un ou plusieurs moyens pour créer une rétroaction, les dits un ou plusieurs moyens pour créer une rétroaction incluant une résistance (5), la rétroaction déterminant, dans la bande de fréquence connue, une transimpédance de l’amplificateur à transimpédance, la rétroaction réduisant un module d’une impédance présentée par l’accès d’entrée dans la bande de fréquence connue ; une ligne d’alimentation positive (91), une tension entre la ligne d’alimentation positive et le conducteur de référence étant rendue positive et stable par une première pile qui n’est pas représentée dans la figure 2 ; et une ligne d’alimentation négative (92), une tension entre la ligne d’alimentation négative et le conducteur de référence étant rendue négative et stable par une deuxième pile qui n’est pas représentée dans la figure 2. Par exemple, il est possible que le premier dispositif d’amplification soit un transistor à effet de champ à canal N ayant une grille, une source et un drain, la première borne du premier dispositif d’amplification étant la grille du transistor à effet de champ à canal N, la deuxième borne du premier dispositif d’amplification étant la source du transistor à effet de champ à canal N, la troisième borne du premier dispositif d’amplification étant le drain du transistor à effet de champ à canal N ; et que le deuxième dispositif d’amplification soit un transistor à effet de champ à canal P ayant une grille, une source et un drain, la première borne du deuxième dispositif d’amplification étant la grille du transistor à effet de champ à canal P, la deuxième borne du deuxième dispositif d’amplification étant la source du transistor à effet de champ à canal P, la troisième borne du deuxième dispositif d’amplification étant le drain du transistor à effet de champ à canal P. Dans ce cas, le spécialiste comprend que le premier dispositif d’amplification est un transistor à canal N utilisé dans un circuit grille commune, et que le deuxième dispositif d’amplification est un transistor à canal P utilisé dans un circuit grille commune. Par exemple, il est possible que le troisième dispositif d’amplification soit un transistor à effet de champ à canal P ayant une grille, une source et un drain, la première borne du troisième dispositif d’amplification étant la grille du transistor à effet de champ à canal P, la deuxième borne du troisième dispositif d’amplification étant la source du transistor à effet de champ à canal P, la troisième borne du troisième dispositif d’amplification étant le drain du transistor à effet de champ à canal P ; et que le quatrième dispositif d’amplification soit un transistor à effet de champ à canal N ayant une grille, une source et un drain, la première borne du quatrième dispositif d’amplification étant la grille du transistor à effet de champ à canal N, la deuxième borne du quatrième dispositif d’amplification étant la source du transistor à effet de champ à canal N, la troisième borne du quatrième dispositif d’amplification étant le drain du transistor à effet de champ à canal N. Dans ce cas, le spécialiste comprend que le troisième dispositif d’amplification est un transistor à canal P utilisé dans un circuit source commune (avec dégénération de source), et que le quatrième dispositif d’amplification est un transistor à canal N utilisé dans un circuit source commune (avec dégénération de source). Par exemple, si le premier dispositif d’amplification et le quatrième dispositif d’amplification sont des transistors à canal N, la tension positive donnée peut être égale à deux volts. Par exemple, si le deuxième dispositif d’amplification et le troisième dispositif d’amplification sont des transistors à canal P, la tension négative donnée peut être égale à moins deux volts. Par exemple, il est possible qu’au moins un des dits transistors à effet de champ à canal N soit remplacé par un circuit ayant un comportement similaire, par exemple deux transistors à canal N utilisés dans un circuit cascode, ou par un composant ayant un comportement similaire, par exemple un MOSFET à double grille à canal N. Par exemple, il est possible qu’au moins un des dits transistors à effet de champ à canal P soit remplacé par un circuit ayant un comportement similaire, par exemple deux transistors à canal P utilisés dans un circuit cascode, ou par un composant ayant un comportement similaire, par exemple un MOSFET à double grille à canal P. Ladite transimpédance de l’amplificateur à transimpédance est une transimpédance entre l’accès d’entrée et l’accès de sortie. Le spécialiste comprend que, si l’accès d’entrée de l’amplificateur à transimpédance est directement couplé à une antenne passive qui est un cadre monospire ou un cadre blindé monospire, petit devant une longueur d’onde dans le vide correspondant à une borne supérieure de la bande de fréquence connue, la rétroaction créée par la résistance (5) est négative dans la bande de fréquence connue, et appropriée pour : déterminer, dans la bande de fréquence connue, la transimpédance de l’amplificateur à transimpédance, un module de la transimpédance de l’amplificateur à transimpédance étant sensiblement indépendant de la fréquence, dans la bande de fréquence connue ; et réduire, dans la bande de fréquence connue, un module d’une impédance d’entrée de l’amplificateur à transimpédance, le module de l’impédance d’entrée de l’amplificateur à transimpédance étant, à toute fréquence dans la bande de fréquence connue, beaucoup plus petit qu’un module de l’impédance de l’antenne passive. Toutefois, la rétroaction créée par la résistance (5) est, aux basses fréquences et à la fréquence nulle, trop faible pour procurer une polarisation convenable du troisième dispositif d’amplification et du quatrième dispositif d’amplification. Le spécialiste comprend que ce n’est pas un problème, parce que : la première commande en boucle fermée est telle que la tension de polarisation entre la troisième borne du troisième dispositif d’amplification et le conducteur de référence est voisine de zéro volt ; et la deuxième commande en boucle fermée est telle que la tension de polarisation entre la troisième borne du premier dispositif d’amplification et le conducteur de référence est voisine d’une tension voulue appliquée à une borne d’entrée inverseuse du second amplificateur différentiel. Ainsi, le premier dispositif d’amplification, le deuxième dispositif d’amplification, le troisième dispositif d’amplification et le quatrième dispositif d’amplification sont convenablement polarisés. Les dits un ou plusieurs moyens pour créer une rétroaction pourraient aussi comporter, en plus de la résistance (5), d’autres moyens, par exemple un condensateur connecté en parallèle avec la résistance (5). Le spécialiste comprend que ceci peut parfois être utile, par exemple pour améliorer une marge de phase de cette rétroaction, et/ou pour rendre le module de la transimpédance de l’amplificateur à transimpédance plus indépendant de la fréquence, dans la bande de fréquence connue. Si le premier dispositif d’amplification et le quatrième dispositif d’amplification sont chacun un transistor à canal N à faible bruit bien choisi, et si le deuxième dispositif d’amplification et le troisième dispositif d’amplification sont chacun un transistor à canal P à faible bruit bien choisi, alors l’amplificateur à transimpédance produit un très faible bruit dans la bande de fréquence connue, lorsque son accès d’entrée est directement couplé à l’antenne passive, parce que les deux circuits grille commune sont, du point de vue du bruit produit, optimisés pour l’impédance de l’antenne passive. Ainsi, pour une antenne passive qui est un cadre monospire ou un cadre blindé monospire, petit devant une longueur d’onde dans le vide correspondant à une borne supérieure de la bande de fréquence connue, l’amplificateur à transimpédance est tel que : un module de l’impédance d’entrée de l’amplificateur à transimpédance est, à toute fréquence dans la bande de fréquence connue, beaucoup plus petit qu’un module de l’impédance de l’antenne passive ; un module de la transimpédance de l’amplificateur à transimpédance est sensiblement indépendant de la fréquence, dans la bande de fréquence connue ; l’accès d’entrée de l’amplificateur à transimpédance peut être directement couplé à l’antenne passive ; et l’amplificateur à transimpédance produit un très faible bruit dans la bande de fréquence connue, lorsque son accès d’entrée est directement couplé à l’antenne passive. Par conséquent, l’amplificateur à transimpédance est une solution aux deux problèmes expliqués ci-dessus dans la section sur l’état de la technique antérieure. Troisième mode de réalisation . Au titre d’un troisième mode de réalisation d’un dispositif selon l’invention, donné à titre d’exemple non limitatif, nous avons représenté sur la et la un schéma simplifié d’un amplificateur selon l’invention procurant une transimpédance dans une bande de fréquence connue, la bande de fréquence connue étant la bande 9 kHz à 30 MHz, l’amplificateur comportant : un accès d’entrée (1) ayant une première borne (11) et une seconde borne (12), la seconde borne étant directement couplée à un conducteur de référence ; un premier dispositif d’amplification (21) comportant un transistor NPN, une première borne, une deuxième borne et une troisième borne, la première borne étant directement couplée à une base du transistor NPN, la deuxième borne étant directement couplée à un émetteur du transistor NPN, la troisième borne étant directement couplée à un collecteur du transistor NPN, la deuxième borne étant couplée à la première borne de l’accès d’entrée ; un deuxième dispositif d’amplification (22) comportant un transistor PNP, une première borne, une deuxième borne et une troisième borne, la première borne étant directement couplée à une base du transistor PNP, la deuxième borne étant directement couplée à un émetteur du transistor PNP, la troisième borne étant directement couplée à un collecteur du transistor PNP, la deuxième borne étant couplée à la première borne de l’accès d’entrée ; un troisième dispositif d’amplification (23) comportant un transistor PNP, une première borne, une deuxième borne et une troisième borne, la première borne étant directement couplée à une base du transistor PNP, la deuxième borne étant directement couplée à un émetteur du transistor PNP, la troisième borne étant directement couplée à un collecteur du transistor PNP, la première borne étant couplée à la troisième borne du premier dispositif d’amplification ; un quatrième dispositif d’amplification (24) comportant un transistor NPN, une première borne, une deuxième borne et une troisième borne, la première borne étant directement couplée à une base du transistor NPN, la deuxième borne étant directement couplée à un émetteur du transistor NPN, la troisième borne étant directement couplée à un collecteur du transistor NPN, la première borne étant couplée à la troisième borne du deuxième dispositif d’amplification, la troisième borne étant couplée à la troisième borne du troisième dispositif d’amplification ; un premier condensateur (31) ayant une première borne et une seconde borne, la première borne étant couplée à la première borne du premier dispositif d’amplification, la seconde borne étant couplée au conducteur de référence ; un deuxième condensateur (32) ayant une première borne et une seconde borne, la première borne étant couplée à la première borne du deuxième dispositif d’amplification, la seconde borne étant couplée au conducteur de référence ; un ou plusieurs moyens incluant un premier amplificateur différentiel comportant deux transistors NPN (4101) (4102) et une résistance (4103), pour créer une première commande en boucle fermée dans laquelle une grandeur commandée est une tension de polarisation entre la troisième borne du troisième dispositif d’amplification et le conducteur de référence, une sortie du premier amplificateur différentiel étant couplée à la première borne du premier dispositif d’amplification ; un ou plusieurs moyens incluant un second amplificateur différentiel comportant deux transistors PNP (4201) (4202) et une résistance (4203), pour créer une deuxième commande en boucle fermée dans laquelle une grandeur commandée est une tension de polarisation entre la troisième borne du deuxième dispositif d’amplification et le conducteur de référence, une sortie du second amplificateur différentiel étant couplée à la première borne du deuxième dispositif d’amplification ; un ou plusieurs moyens pour créer une rétroaction, les un ou plusieurs moyens pour créer une rétroaction comportant trois résistances (51) (52) (53), la rétroaction déterminant la transimpédance dans la bande de fréquence connue ; un accès de sortie (7) ayant une première borne (71) et une seconde borne (72), la seconde borne de l’accès de sortie étant directement couplée au conducteur de référence ; une ligne d’alimentation positive (91), une tension entre la ligne d’alimentation positive et le conducteur de référence étant positive et stable ; et une ligne d’alimentation négative (92), une tension entre la ligne d’alimentation négative et le conducteur de référence étant négative et stable. La et la comportent chacune trois symboles de continuation, un couplage direct existant entre symboles de continuation contenant la même lettre. Ainsi, les deux symboles de continuation contenant la lettre A (93) sont connectés l’un à l’autre, les deux symboles de continuation contenant la lettre B (94) sont connectés l’un à l’autre, et les deux symboles de continuation contenant la lettre C (95) sont connectés l’un à l’autre. Le spécialiste voit que le circuit représenté sur la est un amplificateur de puissance ayant, dans la bande de fréquence connue, un gain en tension inférieur ou égal à 1, et une impédance d’entrée qui est bien plus grande que son impédance de sortie, la première borne de l’accès de sortie étant directement couplée à une borne de sortie de l’amplificateur de puissance, une borne d’entrée de l’amplificateur de puissance étant couplée à la troisième borne du troisième dispositif d’amplification et à la troisième borne du quatrième dispositif d’amplification. Le spécialiste voit que les dits un ou plusieurs moyens incluant un premier amplificateur différentiel comportant deux transistors NPN (4101) (4102) et une résistance (4103), pour créer une première commande en boucle fermée, incluent aussi deux résistances (8101) (8102), un condensateur (8103), et ledit amplificateur de puissance. Dans ledit amplificateur de puissance, deux résistances (8104) (8105) sont utilisées pour capter, au noeud correspondant aux deux symboles de continuation contenant la lettre C (95), un potentiel très proche d’un potentiel de la troisième borne du troisième dispositif d’amplification. Le spécialiste comprend donc qu’une tension de polarisation entre la troisième borne du troisième dispositif d’amplification et le conducteur de référence est bien une grandeur commandée par la première commande en boucle fermée. Le spécialiste voit que les dits un ou plusieurs moyens incluant un second amplificateur différentiel comportant deux transistors PNP (4201) (4202) et une résistance (4203), pour créer une deuxième commande en boucle fermée, incluent aussi deux résistances (8201) (8202), et un condensateur (8203). La résistance (8201) est utilisée pour capter, à la deuxième borne du quatrième dispositif d’amplification, un potentiel présentant une différence presque constante avec un potentiel de la troisième borne du deuxième dispositif d’amplification. Le spécialiste comprend donc qu’une tension de polarisation entre la troisième borne du deuxième dispositif d’amplification et le conducteur de référence est bien une grandeur commandée par la deuxième commande en boucle fermée. Le spécialiste comprend que ladite transimpédance est mesurée entre l’accès d’entrée et l’accès de sortie. Le spécialiste comprend comment ladite rétroaction détermine la transimpédance dans la bande de fréquence connue. A n’importe quelle fréquence dans la bande de fréquence connue, la rétroaction est telle qu’un module de la transimpédance est voisin de 257 ohms. A 1 MHz, un module d’une impédance présentée par l’accès d’entrée est d’environ 78 milliohms, mais si ladite rétroaction est enlevée en enlevant la résistance (51), le module de l’impédance présentée par l’accès d’entrée est d’environ 2 ohms. Par conséquent, nous pouvons dire que la rétroaction réduit un module d’une impédance présentée par l’accès d’entrée dans la bande de fréquence connue. Le spécialiste comprend que, si l’accès d’entrée de l’amplificateur selon l’invention est directement couplé à un accès d’une antenne passive qui est un cadre monospire ou un cadre blindé monospire, petit devant une longueur d’onde dans le vide correspondant à une borne supérieure de la bande de fréquence connue, la rétroaction créée par les trois résistances (51), (52) et (53) est négative dans la bande de fréquence connue, et appropriée pour : déterminer, à toute fréquence dans la bande de fréquence connue, la transimpédance de l’amplificateur selon l’invention, un module de la transimpédance de l’amplificateur selon l’invention étant sensiblement indépendant de la fréquence, dans la bande de fréquence connue ; et réduire, à certaines fréquences dans la bande de fréquence connue, un module d’une impédance d’entrée de l’amplificateur selon l’invention, le module de l’impédance d’entrée de l’amplificateur selon l’invention étant, à toute fréquence dans la bande de fréquence connue, beaucoup plus petit qu’un module de l’impédance de l’antenne passive. Toutefois, la rétroaction créée par les trois résistances (51), (52) et (53) est, aux basses fréquences et à la fréquence nulle, trop faible pour procurer une polarisation convenable du troisième dispositif d’amplification et du quatrième dispositif d’amplification. Le spécialiste comprend que ce n’est pas un problème, parce que : la première commande en boucle fermée est telle que la tension de polarisation entre la troisième borne du troisième dispositif d’amplification et le conducteur de référence est voisine de zéro volt, par exemple zéro volt plus ou moins dix millivolts ; et la deuxième commande en boucle fermée est telle que la tension de polarisation entre la troisième borne du deuxième dispositif d’amplification et le conducteur de référence est voisine d’une tension voulue déterminée par les résistances (8201) et (8202), et par la tension entre la ligne d’alimentation positive et le conducteur de référence. Ainsi, le premier dispositif d’amplification, le deuxième dispositif d’amplification, le troisième dispositif d’amplification et le quatrième dispositif d’amplification sont convenablement polarisés. Les dits un ou plusieurs moyens pour créer une rétroaction pourraient aussi comporter, en plus des trois résistances (51), (52) et (53), d’autres moyens, par exemple un condensateur connecté en parallèle avec la résistance (51). Le spécialiste comprend que ceci peut parfois être utile, par exemple pour améliorer une marge de phase de cette rétroaction, et/ou pour rendre le module de la transimpédance de l’amplificateur selon l’invention plus indépendant de la fréquence, dans la bande de fréquence connue. Si le premier dispositif d’amplification et le quatrième dispositif d’amplification sont chacun un transistor NPN à faible bruit bien choisi, et si le deuxième dispositif d’amplification et le troisième dispositif d’amplification sont chacun un transistor PNP à faible bruit bien choisi, alors l’amplificateur selon l’invention produit un très faible bruit dans la bande de fréquence connue, lorsque son accès d’entrée est directement couplé à l’accès de l’antenne passive, parce que les circuits base commune comportant le premier dispositif d’amplification et le deuxième dispositif d’amplification sont, du point de vue du bruit produit, optimisés pour l’impédance de l’antenne passive. Ainsi, pour une antenne passive qui est un cadre monospire ou un cadre blindé monospire, petit devant une longueur d’onde dans le vide correspondant à une borne supérieure de la bande de fréquence connue, l’amplificateur selon l’invention est tel que : un module de l’impédance d’entrée de l’amplificateur selon l’invention est, à toute fréquence dans la bande de fréquence connue, beaucoup plus petit qu’un module de l’impédance de l’antenne passive ; un module de la transimpédance de l’amplificateur selon l’invention est sensiblement indépendant de la fréquence, dans la bande de fréquence connue ; l’accès d’entrée de l’amplificateur selon l’invention peut être directement couplé à l’accès de l’antenne passive ; et l’amplificateur selon l’invention produit un très faible bruit dans la bande de fréquence connue, lorsque son accès d’entrée est directement couplé à l’accès de l’antenne passive. Par conséquent, l’amplificateur selon l’invention est une solution aux deux problèmes expliqués ci-dessus dans la section sur l’état de la technique antérieure. INDICATIONS SUR LES APPLICATIONS INDUSTRIELLES L’amplificateur selon l’invention est adapté pour être utilisé dans une antenne active comportant un cadre monospire ou un cadre blindé monospire. L’amplificateur selon l’invention est aussi adapté pour être utilisé dans l’antenne active divulguée dans la demande de brevet français numéro FR2002047 du 28 février 2020, intitulée “Antenne active comportant un cadre blindé”, et pour être utilisé dans l’antenne active divulguée dans la demande de brevet français numéro FR2004969 du 18 mai 2020, intitulée “Antenne active incluant un cadre blindé”. De telles antennes actives comportant l’amplificateur selon l’invention sont particulièrement adaptées aux mesures de champs électromagnétiques, et à la radiogoniométrie. Amplificateur procurant une transimpédance dans une bande de fréquence connue, l’amplificateur comportant : un accès d’entrée (1) ayant une première borne (11) et une seconde borne (12), la seconde borne étant directement couplée à un conducteur de référence ; un premier dispositif d’amplification (21) comportant un transistor, une première borne, une deuxième borne et une troisième borne, la première borne étant directement couplée à une électrode de contrôle du transistor, une tension entre la troisième borne et la deuxième borne étant positive, un courant sortant de la deuxième borne et un courant entrant dans la troisième borne étant positifs et contrôlés par une tension entre la première borne et la deuxième borne, la deuxième borne étant couplée à la première borne de l’accès d’entrée ; un deuxième dispositif d’amplification (22) comportant un transistor, une première borne, une deuxième borne et une troisième borne, la première borne étant directement couplée à une électrode de contrôle du transistor, une tension entre la troisième borne et la deuxième borne étant négative, un courant sortant de la deuxième borne et un courant entrant dans la troisième borne étant négatifs et contrôlés par une tension entre la première borne et la deuxième borne, la deuxième borne étant couplée à la première borne de l’accès d’entrée ; un troisième dispositif d’amplification (23) comportant un transistor, une première borne, une deuxième borne et une troisième borne, la première borne étant directement couplée à une électrode de contrôle du transistor, une tension entre la troisième borne et la deuxième borne étant négative, un courant sortant de la deuxième borne et un courant entrant dans la troisième borne étant négatifs et contrôlés par une tension entre la première borne et la deuxième borne, la première borne étant couplée à la troisième borne du premier dispositif d’amplification ; un quatrième dispositif d’amplification (24) comportant un transistor, une première borne, une deuxième borne et une troisième borne, la première borne étant directement couplée à une électrode de contrôle du transistor, une tension entre la troisième borne et la deuxième borne étant positive, un courant sortant de la deuxième borne et un courant entrant dans la troisième borne étant positifs et contrôlés par une tension entre la première borne et la deuxième borne, la première borne étant couplée à la troisième borne du deuxième dispositif d’amplification, la troisième borne étant couplée à la troisième borne du troisième dispositif d’amplification ; un premier condensateur (31) ayant une première borne et une seconde borne, la première borne étant couplée à la première borne du premier dispositif d’amplification, la seconde borne étant couplée au conducteur de référence ; un deuxième condensateur (32) ayant une première borne et une seconde borne, la première borne étant couplée à la première borne du deuxième dispositif d’amplification, la seconde borne étant couplée au conducteur de référence ; un ou plusieurs moyens incluant un premier amplificateur différentiel (41) comportant au moins deux transistors, pour créer une première commande en boucle fermée dans laquelle une grandeur commandée est une tension de polarisation entre la troisième borne du troisième dispositif d’amplification et le conducteur de référence, une sortie du premier amplificateur différentiel étant dans un premier cas couplée à la première borne du premier dispositif d’amplification, ou dans un second cas couplée à la première borne du deuxième dispositif d’amplification ; un ou plusieurs moyens incluant un second amplificateur différentiel (42) comportant au moins deux transistors, pour créer une deuxième commande en boucle fermée dans laquelle une grandeur commandée est dans ledit premier cas une tension de polarisation entre la troisième borne du deuxième dispositif d’amplification et le conducteur de référence, ou dans ledit second cas une tension de polarisation entre la troisième borne du premier dispositif d’amplification et le conducteur de référence, une sortie du second amplificateur différentiel étant dans ledit premier cas couplée à la première borne du deuxième dispositif d’amplification, ou dans ledit second cas couplée à la première borne du premier dispositif d’amplification ; et un ou plusieurs moyens pour créer une rétroaction, la rétroaction déterminant la transimpédance dans la bande de fréquence connue, la rétroaction réduisant un module d’une impédance présentée par l’accès d’entrée dans la bande de fréquence connue. Amplificateur selon la revendication 1, comportant en outre un amplificateur de puissance (6), une borne d’entrée de l’amplificateur de puissance étant couplée à la troisième borne du troisième dispositif d’amplification et à la troisième borne du quatrième dispositif d’amplification. Amplificateur selon la revendication 1, comportant en outre un accès de sortie (7) ayant une première borne (71) et une seconde borne (72), la seconde borne de l’accès de sortie étant directement couplée au conducteur de référence, ladite transimpédance étant mesurée entre l’accès d’entrée et l’accès de sortie. Amplificateur selon les revendications 2 et 3, dans lequel la première borne de l’accès de sortie est directement couplée à une borne de sortie de l’amplificateur de puissance. Amplificateur selon l’une quelconque des revendications 2 ou 4, dans lequel l’amplificateur de puissance a, dans la bande de fréquence connue, un gain en tension inférieur ou égal à 1. Amplificateur selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le premier dispositif d’amplification est un transistor bipolaire NPN ayant une base, un émetteur et un collecteur, la première borne du premier dispositif d’amplification étant la base du transistor bipolaire NPN, la deuxième borne du premier dispositif d’amplification étant l’émetteur du transistor bipolaire NPN, la troisième borne du premier dispositif d’amplification étant le collecteur du transistor bipolaire NPN ; et dans lequel le deuxième dispositif d’amplification est un transistor bipolaire PNP ayant une base, un émetteur et un collecteur, la première borne du deuxième dispositif d’amplification étant la base du transistor bipolaire PNP, la deuxième borne du deuxième dispositif d’amplification étant l’émetteur du transistor bipolaire PNP, la troisième borne du deuxième dispositif d’amplification étant le collecteur du transistor bipolaire PNP. Amplificateur selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le premier dispositif d’amplification est un transistor à effet de champ à canal N ayant une grille, une source et un drain, la première borne du premier dispositif d’amplification étant la grille du transistor à effet de champ à canal N, la deuxième borne du premier dispositif d’amplification étant la source du transistor à effet de champ à canal N, la troisième borne du premier dispositif d’amplification étant le drain du transistor à effet de champ à canal N ; et dans lequel le deuxième dispositif d’amplification est un transistor à effet de champ à canal P ayant une grille, une source et un drain, la première borne du deuxième dispositif d’amplification étant la grille du transistor à effet de champ à canal P, la deuxième borne du deuxième dispositif d’amplification étant la source du transistor à effet de champ à canal P, la troisième borne du deuxième dispositif d’amplification étant le drain du transistor à effet de champ à canal P. Amplificateur selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel le troisième dispositif d’amplification est un transistor bipolaire PNP ayant une base, un émetteur et un collecteur, la première borne du troisième dispositif d’amplification étant la base du transistor bipolaire PNP, la deuxième borne du troisième dispositif d’amplification étant l’émetteur du transistor bipolaire PNP, la troisième borne du troisième dispositif d’amplification étant le collecteur du transistor bipolaire PNP ; et dans lequel le quatrième dispositif d’amplification est un transistor bipolaire NPN ayant une base, un émetteur et un collecteur, la première borne du quatrième dispositif d’amplification étant la base du transistor bipolaire NPN, la deuxième borne du quatrième dispositif d’amplification étant l’émetteur du transistor bipolaire NPN, la troisième borne du quatrième dispositif d’amplification étant le collecteur du transistor bipolaire NPN. Amplificateur selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel le troisième dispositif d’amplification est un transistor à effet de champ à canal P ayant une grille, une source et un drain, la première borne du troisième dispositif d’amplification étant la grille du transistor à effet de champ à canal P, la deuxième borne du troisième dispositif d’amplification étant la source du transistor à effet de champ à canal P, la troisième borne du troisième dispositif d’amplification étant le drain du transistor à effet de champ à canal P ; et dans lequel le quatrième dispositif d’amplification est un transistor à effet de champ à canal N ayant une grille, une source et un drain, la première borne du quatrième dispositif d’amplification étant la grille du transistor à effet de champ à canal N, la deuxième borne du quatrième dispositif d’amplification étant la source du transistor à effet de champ à canal N, la troisième borne du quatrième dispositif d’amplification étant le drain du transistor à effet de champ à canal N.