Brevet FR3115046A1 — publié le 20220415

Procédé pour la fabrication d’une mémoire 3D-NAND L’invention se rapporte à un procédé pour la fabrication d’une mémoire 3D-NAND comprenant une première étape d’électrodéposition d’un alliage de cuivre et d’un métal dopant choisi parmi le manganèse et le zinc suivie d’une deuxième étape de recuit de l’alliage pour former une première couche de cuivre et une deuxième couche comprenant le zinc ou le manganèse, par démixtion de l’alliage. Figure pour l’abrégé : Figure 3C Procédé pour la fabrication d’une mémoire 3D-NAND La présente invention concerne le domaine des dispositifs mémoires NAND tridimensionnelles et un procédé de création de lignes conductrices en cuivre dans ces dispositifs. Art Antérieur Les mémoires 3D-NAND sont formées d’un empilement horizontal alternant des couches métalliques conductrices (les lignes de mots dont le nombre est un multiple de 8) et des couches isolantes. L’empilement conducteur/isolant est percé sur toute sa hauteur par plusieurs canaux semi-conducteurs verticaux en polysilicium (drain) pour créer un réseau de cellules mémoire en trois dimensions, chaque cellule étant située à l’intersection d’un canal et d’une ligne de mots. Les lignes de mots sont électriquement connectées aux lignes de bit et aux lignes sources. Les contacts entre les lignes de bit et le drain en polysilicum sont généralement assurés par des plots ou des lignes en tungstène. La conductivité et la fiabilité des contacts métalliques sont des critères très importants pour assurer un bon transfert des électrons dans les mémoires. Or, les matériaux barrières à la diffusion du cuivre qui doivent être placés entre les lignes de cuivre et les lignes de contact en tungstène sont hautement résistifs et bloquent une partie du courant, ce qui diminue la vitesse de transfert d’information des lignes de mots vers les lignes de bit, diminue la puissance d’alimentation de la ligne source en cuivre vers les lignes de mots, et augmente la consommation de la batterie. Plus précisément, la couche barrière à la diffusion du cuivre placée entre le tungstène et le cuivre dans les dispositifs actuels souffre de nombreux désavantages. Les matériaux barrières utilisés comme le nitrure de tantale ou le nitrure de titane adhèrent mal au cuivre, si bien qu’une fine couche de tantale ou de titane est généralement intercalée entre le nitrure et le cuivre. D’autre part, la couche de tantale étant créée par dépôt physique en phase vapeur (PVD), il est nécessaire de la recouvrir d’une couche de germination de cuivre sans rupture de vide dans la chambre, pour éviter son oxydation en pentaoxyde de tantale qui est très résistif. Le procédé actuel de création des lignes de cuivre dans les mémoires 3D-NAND est donc complexe, et il est souhaitable de proposer un procédé qui soit beaucoup plus simple à mettre en œuvre, impliquant un nombre moindre de matériaux à déposer à l’interface entre les contacts en tungstène et le cuivre et, par voie de conséquence, un nombre moindre d’étapes de fabrication. Le besoin subsiste également de proposer un procédé de fabrication d’une mémoire 3D-NAND qui diminue la résistance électrique entre deux niveaux de métal, et qui est plus facile à mettre en œuvre. La mémoire 3D-NAND fabriquée selon ce procédé est moins coûteuse à fabriquer, fonctionne à une vitesse plus élevée, et consomme moins d’énergie. Enfin, la couche barrière déposée dans l’art antérieur par voie sèche, par exemple en phase vapeur, n’a pas une épaisseur uniforme sur toute la surface recouverte, son épaisseur étant plus élevée sur des surfaces concaves ou sur des arêtes. Ainsi, dans le cas particulier des contacts en tungstène placés entre les canaux de polysilicium et les lignes de bit en cuivre, une couche de nitrure de tantale ou de nitrure de titane déposée en phase vapeur, par exemple en CVD, sera plus épaisse au fond des rainures remplies de cuivre, précisément à l’endroit de passage du courant. Cette différence d’épaisseur du matériau barrière entre le fond et les parois des rainures de cuivre, ainsi que l’existence de surplombs au niveau des arêtes des rainures entraînent une résistance électrique moindre dans certaines zones impactant la fiabilité du dispositif, et une résistance accrue dans la zone de passage du courant. Pour résoudre ces problèmes, il serait souhaitable de disposer d’une barrière plus mince, plus conductrice et plus conforme pour maximiser l’espace de remplissage des tranchées, diminuer la résistance électrique dans les zones de passage du courant, et augmenter la fiabilité de la mémoire 3D-NAND. La présente invention répond à ces différents besoins en remplaçant au moins partiellement le matériau barrière utilisé dans l’art antérieur qui est très résistif et dont l’épaisseur est inégale, par une couche barrière conforme, plus fine et plus conductrice. La présente invention propose également un procédé dans lequel un matériau barrière à la diffusion du cuivre et du cuivre sont déposés dans des rainures en une seule étape de remplissage destinée à créer les lignes de bit en cuivre. Enfin, la présente invention permet de former sélectivement une couche barrière de diffusion au cuivre essentiellement sur des parties isolantes (le plus souvent en dioxyde de silicium) et dans une moindre mesure sur l’interface entre du cuivre et un contact métallique, diminuant ainsi drastiquement la résistance entre ces deux niveaux de métal et par voie de conséquence entre la ligne de bit en cuivre et le contact la reliant au canal en polysilicium de la mémoire 3D-NAND. Description générale L’invention répond à ces divers besoins en proposant un procédé de fabrication d’une mémoire 3D-NAND dans lequel une couche barrière à la diffusion du cuivre peut être déposée sur une surface isolante au cours d’une étape par voie humide, et non par voie sèche comme dans l’art antérieur. Le procédé de l’invention permet de déposer un métal dopant, précurseur d’une couche barrière à la diffusion du cuivre pendant l’étape d’électrodéposition du cuivre destiné à former les lignes de mots. Cette étape utilise un électrolyte contenant à la fois des ions cuivre et des ions du métal dopant précurseur du matériau barrière. L’invention propose un procédé comprenant une première étape d’électrodéposition d’un alliage de cuivre et d’un métal dopant choisi parmi le manganèse et le zinc, suivie d’une deuxième étape de recuit de l’alliage pour provoquer sa démixtion et former une première couche de cuivre et une deuxième couche comprenant le métal dopant et/ou un des oxydes. La présente un schéma en perspective d’une mémoire 3D-NAND de l’art antérieur comprenant un matériau barrière à base de nitrure de tantale ou de nitrure de titane. Les figures 2A-2D représentent les étapes d’un procédé de fabrication des lignes de bit en cuivre d’une mémoire 3D-NAND selon l’art antérieur. Les figures 3A-3C représentent un procédé pour la fabrication d’une mémoire 3D-NAND selon l’invention selon le mode « remplissage». Les figures 4A-4D représentent un pour la fabrication d’une mémoire 3D-NAND selon l’invention selon le mode « overburden ». Ainsi, le procédé de l’invention est un procédé pour la fabrication d’une mémoire 3D-NAND, ledit procédé comprenant une première étape d’électrodéposition d’un alliage de cuivre et d’un métal dopant choisi parmi le manganèse et le zinc, ladite première étape d’électrodéposition consistant à mettre en contact la première surface couche métallique avec un électrolyte comprenant des ions cuivre (II) et des ions du métal dopant, puis à polariser ladite première surface pendant une durée suffisante pour la recouvrir de l’alliage de cuivre et du métal dopant, ladite première étape d’électrodéposition étant suivie d’une deuxième étape de recuit de l’alliage pour provoquer sa démixtion et former une première couche de cuivre et une deuxième couche comprenant le métal dopant et/ou un de ses oxydes. La première couche de cuivre est notamment destinée à former une ligne de bit en cuivre de la mémoire 3D-NAND De façon avantageuse, l’électrolyte contenant les ions cuivre (II) et les ions du métal dopant a un pH compris entre 6.0 et 10.0, tandis que les électrolytes de l’art antérieur contenant des ions cuivre (II) utilisés pour former les lignes de bit en cuivre ont un pH bien inférieur. Par "électrodéposition" on entend ici tout procédé dans lequel un substrat est polarisé électriquement et mis au contact d’un liquide contenant des précurseurs d’un métal en vue de conduire au dépôt du métal à la surface du substrat. L'électrodéposition est réalisée par passage d'un courant entre l'anode et le substrat à revêtir constituant la cathode, dans un électrolyte contenant des ions métalliques. Selon un mode de réalisation, un alliage de cuivre-manganèse ou un alliage cuivre-zinc est déposé sur une surface d’une couche métallique conductrice, ladite couche conductrice recouvrant un matériau diélectrique qui est de préférence un oxyde minéral. On réalise ensuite un traitement thermique de l’alliage permettant une séparation du cuivre et du métal dopant, pour obtenir une deuxième couche comprenant essentiellement du manganèse, du zinc et/ou un de leurs oxydes, et une première couche comprenant essentiellement du cuivre. Par « couche comprenant essentiellement du cuivre », on entend un dépôt de cuivre comprenant moins de 1% en masse d’impuretés, les impuretés incluant tout élément à l’exception du cuivre. Par « couche comprenant essentiellement du manganèse, du zinc et/ou un de leurs oxydes», on entend un dépôt comprenant moins de 1% en masse d’impuretés, les impuretés incluant tout composé à l’exception du manganèse, du zinc et/ou un de leurs oxydes. Au cours du recuit de l’alliage, ce dernier démixe pour former une fine couche comprenant essentiellement du manganèse, du zinc et/ou un de leurs oxydes, et une couche de cuivre. Cette fine couche peut alors être interposée entre la couche de cuivre et une surface d’un matériau diélectrique. Lorsque le matériau diélectrique est un oxyde minéral, il est possible que les atomes du métal dopant forment un oxyde à partir des atomes d’oxygène présents dans le diélectrique et générer une couche ayant des propriétés de barrière à la diffusion du cuivre, ladite couche comprenant par exemple de l’oxyde de manganèse (MnO) ou de l’oxyde de zinc (ZnO). La concentration en impuretés dans le dépôt de cuivre formé après recuit de l’alliage peut être avantageusement inférieure à 1% en masse. De plus, les couches comprenant essentiellement du manganèse, du zinc et/ou un de leurs oxydes fabriquées selon le procédé de l’invention présentent l’avantage d’être conformes (la variation de leur épaisseur sur toute leur surface étant de préférence inférieure ou égale à 10%). Elles sont également de très faible épaisseur, par exemple allant de 0.1 nm à 3 nm. On peut ainsi obtenir des lignes de bit en cuivre séparées d’un matériau diélectrique par une couche fine et régulière comprenant essentiellement du manganèse, du zinc et/ou de l’un de leurs oxydes. Le procédé de l’invention permet également de réduire considérablement l’épaisseur voir de supprimer la couche barrière à la diffusion du cuivre utilisé dans l’art antérieur pour séparer les lignes de bit en cuivre des contacts électriques qui les relient aux canaux en polysilicium. Selon un mode de réalisation particulier de l’invention, la couche métallique comprend une deuxième surface qui est en contact avec une surface mixte comprenant à la fois une zone isolante et une zone conductrice, ladite zone isolante étant constituée d’un matériau diélectrique, et ladite zone conductrice étant constituée d’un métal de contact choisi parmi le tungstène, le molybdène, le cobalt et le ruthénium, ledit métal de contact étant destiné à relier une ligne de bit en cuivre et un canal en polysilicium de la mémoire 3D-NAND. Le matériau diélectrique est notamment choisi parmi le dioxyde de silicium, SiOC, SiOCH, SiN ou SiC. Selon un mode de réalisation préféré, le matériau diélectrique comprend de l’oxygène. Au cours de la deuxième étape de recuit de l’alliage, le métal dopant migre jusqu’à la surface mixte, et la deuxième couche comprenant le métal dopant et/ou un des oxydes peut ainsi recouvrir au moins la zone isolante de la surface mixte. Dans un mode de réalisation avantageux, la deuxième couche comprend un oxyde du métal dopant et remplit la fonction de barrière à la diffusion du cuivre. Selon un premier mode de réalisation du procédé de l’invention, dit mode « remplissage », la couche métallique est une couche métallique de germination constituée de cuivre, d’un alliage de cuivre, ou de tantale, ladite couche de germination ayant été déposée au contact de la surface mixte une zone isolante et une zone conductrice, au cours d’une étape préalable à la première étape d’électrodéposition. La première surface de la couche métallique est dans ce cas une surface de la couche de germination et peut être concave, définissant un creux délimité par les parois et le fond d’une tranchée. Le creux de la tranchée a par exemple une largeur moyenne à l’ouverture allant de 15 nm à 700 nm et une profondeur moyenne allant de 30 nm à 500 nm. Dans ce premier mode de réalisation du procédé de l’invention, la première étape d’électrodéposition de l’alliage du cuivre et du métal dopant peut être réalisée pendant une durée suffisante pour remplir le creux avec ledit alliage. Selon un deuxième mode de réalisation du procédé de l’invention, la couche métallique est un dépôt de cuivre qui remplit une tranchée, et la première étape d’électrodéposition de l’alliage du cuivre et du métal dopant est réalisée pendant une durée suffisante pour recouvrir le dépôt de cuivre qui remplit la tranchée, afin de former un dépôt d’alliage, qui peut être qualifié « overburden » en anglais, la première couche de cuivre formée à l’issue de la deuxième étape de recuit étant ensuite polie au cours d’une troisième étape de polissage mécano-chimique. Le dépôt de cuivre qui remplit la tranchée peut être formé par toute méthode connue de l’homme du métier, et ne contient pas de préférence un métal dopant choisi parmi le manganèse et le zinc. La première étape d’électrodéposition de l’alliage de cuivre du procédé de l’invention peut utiliser par exemple un électrolyte comprenant en solution dans l’eau : - des ions cuivre (II) en une concentration molaire comprise entre 1 mM et 120 mM ; - un agent complexant des ions cuivre choisi parmi les polyamines aliphatiques ayant 2 à 4 groupes amino, de préférence l’éthylènediamine, en une concentration molaire telle que le rapport entre la concentration molaire en agent complexant et la concentration molaire en cuivre va de 1/1 à 3/1; - des ions du métal choisi parmi le manganèse et le zinc en une concentration molaire telle que le rapport entre la concentration molaire en cuivre et la concentration molaire en métal va de 1/10 à 10/1 ; - l’électrolyte ayant un pH compris entre 6.0 et 10.0. Selon un mode de réalisation particulier, l’électrolyte est susceptible d’être obtenu par dissolution dans l’eau d’un sel de cuivre (II) choisi parmi le sulfate de cuivre, le chlorure de cuivre, le nitrate de cuivre et l'acétate de cuivre, de préférence le sulfate de cuivre, et de préférence encore le sulfate de cuivre pentahydraté. Les ions du métal peuvent être apportés par dissolution d’un sel organique, de préférence un sel d’acide carboxylique choisi parmi l’acide gluconique, l’acide mucique, l’acide tartrique, l’acide citrique et l’acide xylonique. Les ions du métal sont de préférence essentiellement complexés avec l’acide carboxylique ou sa forme carboxylate dans l’électrolyte. Selon une caractéristique particulière, les ions du cuivre sont présents au sein de la composition d'électrodéposition en une concentration comprise entre 1 mM et 120 mM, de préférence entre 10 mM et 100 mM, et de préférence encore entre 40 mM et 90 mM. L’agent complexant des ions cuivre est constitué d'un ou plusieurs composés choisis parmi les polyamines aliphatiques ayant de 2 à 4 groupes amino (-NH2). Parmi les polyamines aliphatiques susceptibles d'être utilisées, on peut citer l'éthylènediamine, la diéthylènediamine, la triéthylènetétramine et la dipropylènetriamine, et de préférence l'éthylènediamine. Le rapport entre la concentration molaire en agent complexant et la concentration molaire en ions cuivre est compris entre 1/1 et 3/1, de préférence 1.5 et 2.5, et de préférence encore entre 1.8 et 2.2. Dans l’électrolyte, les ions cuivre sont essentiellement sous forme de complexes avec l’agent complexant. Les ions du métal sont en une concentration molaire telle que le rapport entre la concentration molaire en cuivre et la concentration molaire en métal va de 1/10 à 10/1. Dans un mode de réalisation particulier de l’invention, le métal est le zinc. Dans ce cas, le rapport entre la concentration molaire en ions cuivre et la concentration molaire en ions zinc va de de préférence 1/1 à 10/1. Lorsque le métal est le manganèse, le rapport entre la concentration molaire en cuivre et la concentration molaire en manganèse peut aller de 1/10 à 10/1. Le pH de l’électrolyte peut être compris entre 6.0 et 10.0, de préférence encore de entre 6.5 et 10.0. Selon un mode de réalisation particulier, le pH est compris entre 6.5 et 7.5, de préférence entre 6.8 et 7.2, par exemple égal à 7.0 aux incertitudes de mesure prêt. Le pH de la composition peut éventuellement être ajusté dans la gamme souhaitée au moyen d'un ou plusieurs composés modificateurs de pH, comme les sels de tétra-alkylammonium, par exemple le tétra-méthylammonium ou le tétra-éthylammonium. On pourra utiliser l’hydroxyde de tétra-éthylammonium. Bien qu’il n’y ait pas de restriction de principe sur la nature du solvant (pourvu qu’il solubilise suffisamment les espèces actives de la solution et n’interfère pas avec l’électrodéposition), il s’agira de préférence d'eau. Selon un mode de mise en œuvre, le solvant comprend majoritairement de l’eau en volume. Selon un mode de réalisation particulier, la composition contient entre 40 mM et 90 mM de sulfate de cuivre, de l’éthylènediamine dans un rapport molaire avec le cuivre compris entre 1,8 et 2,2, et du gluconate de zinc en une concentration telle que le rapport entre la concentration molaire en cuivre et la concentration molaire en zinc va de 2/1 à 3/1. Son pH est de préférence de l’ordre de 7. La première étape d’électrodéposition de l’alliage de cuivre et du métal choisi peut comprendre: - une étape de mise en contact d’une surface conductrice des tranchées avec un électrolyte conforme à la description précédente, - une étape de polarisation de la surface conductrice pendant une durée suffisante pour réaliser le dépôt de l’alliage. La teneur en manganèse ou la teneur en zinc dans l’alliage déposé à l’issue de la première étape d’électrodéposition est de préférence comprise entre 0.5% atomique et 10% atomique. L’étape de polarisation est conduite pendant une durée suffisante pour former l’épaisseur d’alliage souhaitée. La surface conductrice peut-être polarisée, soit en mode galvanostatique (courant imposé fixe), soit en mode potentiostatique (potentiel imposé et fixe, éventuellement par rapport à une électrode de référence), soit encore en mode pulsé (en courant ou en tension). Dans un mode de réalisation particulier du procédé de fabrication d’une mémoire 3D-NAND selon l’invention, l’alliage de cuivre et du métal est déposé sur la surface d’une couche cuivre. La couche de cuivre peut être une couche de germination recouvrant le fond et la paroi de tranchées qui ont été gravées dans une étape préalable, ou un volume de cuivre qui remplit des tranchées et qui a été préalablement déposé selon un procédé connu de l’homme du métier. Dans un premier mode de réalisation, l’alliage est déposé pour remplir des cavités qui ont été préalablement creusées dans un substrat et dont la surface a été recouverte d’une couche d’un matériau diélectrique puis éventuellement d’une couche d’un matériau métallique, notamment une couche de germination de cuivre et/ou de tantale (mode dit « remplissage »). Dans ce premier mode de réalisation, l’alliage est déposé sur la surface conductrice des tranchées à remplir. Dans un deuxième mode de réalisation, l’alliage est déposé sur une couche de cuivre qui remplit des cavités débouchant sur la surface d’un substrat (mode dit de recouvrement ou « overburden » en anglais). La surface conductrice comprend alors une partie correspondant au dépôt de cuivre qui remplit les cavités et une partie correspondant à la surface du substrat sur laquelle débouchent les cavités. Les cavités peuvent avoir une largeur moyenne à l’ouverture comprise entre 15 nm et 700 nm et une profondeur moyenne comprise entre 100 nm et 500 nm. Dans le premier mode de réalisation, le procédé conforme à l'invention a permis de réaliser des remplissages de cuivre d'excellente qualité, sans défaut de matière et ne génère pas de contaminants en quantités importantes. La surface des cavités à remplir d’alliage est par exemple la première surface d’une couche métallique ayant une deuxième surface qui est en contact avec une couche d’un matériau diélectrique, de préférence un oxyde minéral tel que le dioxyde de silicium, généralement déposée par CVD. La couche de germination est par exemple constituée d’un seul matériau tel que le cuivre ou le tantale. Alternativement, la couche de germination est constituée de l’assemblage de deux couches dont une couche de cuivre et une couche dite « liner » intercalée entre la couche de cuivre et le matériau diélectique, qui peut permettre d’améliorer l’adhésion du cuivre sur le matériau. Le liner peut être constitué de tantale, de ruthénium, de cobalt, de titane ou d’un de leurs alliages par exemple. Dans un mode de réalisation particulier, la couche métallique est une couche de germination constituée de cuivre ayant une épaisseur allant de 4 nm à 20 nm, ou une couche de germination constituée de l’assemblage d’un liner ayant une épaisseur de 1 nm et d’une couche de germination de cuivre ayant une épaisseur de 5 nm. Selon le deuxième mode de réalisation, le remplissage des cavités a été réalisé avec du cuivre pur par toute méthode connue de l’homme du métier, que ce soit par dépôt physique (PVD, CVD, ALD), ou par voie humide (autocatalytique ou électrolytique). On entend par « cuivre pur », au sens de la présente invention du cuivre ne contenant pas un autre élément métallique, en particulier du cuivre dépourvu de zinc ou de manganèse. En particulier, on peut entendre par cuivre pur au sens de la présente invention, un dépôt de cuivre contenant avantageusement moins de 1% atomique d’éléments différents du cuivre. Parmi les impuretés peuvent notamment figurer l’oxygène, le carbone et l’azote. La première étape d’électrodéposition peut comprendre une seule ou plusieurs étapes de polarisation, dont l’homme du métier saura choisir les variables sur la base de ses connaissances générales, mises en œuvre à une température comprise entre 20°C et 30°C. Elle peut être réalisée en utilisant au moins un mode de polarisation choisi dans le groupe constitué du mode en rampe, du mode galvano-statique et du mode galvano-pulsé. Selon un mode de réalisation, la polarisation de la surface conductrice est réalisée en mode pulsé en imposant un courant par unité de surface compris dans une gamme de 3 mA/cm2 à 25 mA/cm2 à une fréquence allant 5 kHz à 15 kHz, et en exerçant des périodes à courant nul à une fréquence allant de 1 kHz à 10 kHz. La surface conductrice peut être mise en contact avec l’électrolyte soit avant la polarisation, soit après la polarisation. On préfère que la mise en contact soit effectuée avant la mise sous tension. La première étape d’électrodéposition est arrêtée lorsque le dépôt d’alliage recouvre la surface plane du substrat sur une épaisseur comprise entre 50 nm et 400 nm, par exemple comprise entre 125 nm et 300 nm. Le dépôt d’alliage correspond soit à la masse d’alliage déposée dans le volume creux des cavités sans les remplir totalement, soit à l’ensemble de la masse d’alliage qui remplit tout le volume creux des cavités et de la masse d’alliage qui recouvre la surface du substrat, soit uniquement à la masse qui recouvre la surface du substrat et la partie supérieure d’un dépôt de cuivre qui remplit les cavités et qui a été réalisé dans une étape antérieure à la première étape d’électrodéposition. La vitesse de dépôt de l’alliage de cuivre peut être comprise entre 0,1 nm/s et 6,0 nm/s, de préférence entre 1,0 nm/s et 3,0 nm/s, et de préférence encore entre 1 nm/s et 2,5 nm/s. Le procédé de l’invention comprend une deuxième étape de recuit du dépôt de l’alliage de cuivre obtenu à l’issue de la première étape d’électrodéposition. Ce traitement thermique de recuit peut être effectué à une température comprise entre 50°C et 550°C, de préférence sous gaz réducteur comme du H 2 à 4% dans du N 2 . Une faible teneur en impuretés combinée à un très faible pourcentage de vides permet d’obtenir un dépôt de cuivre de faible résistivité. Au cours de l’étape de recuit, les atomes de manganèse ou de zinc se séparent du cuivre, ce qui résulte en la formation de deux couches : une première couche comprenant essentiellement du cuivre, et une deuxième couche comprenant essentiellement du manganèse, du zinc et/ou un de leurs oxydes. La surface conductrice avec laquelle l’électrolyte est mis en contact peut être la surface d’une couche métallique de germination, laquelle couche recouvre un matériau diélectrique isolant, lui-même recouvrant du polysilicium. Dans ce mode de réalisation, les atomes de manganèse ou de zinc migrent pendant l’étape de recuit à travers la couche de germination pour atteindre l’interface entre la couche de germination et le matériau diélectrique isolant. La couche comprenant essentiellement du manganèse, du zinc et/ou un de leurs oxydes est de préférence une couche continue et conforme ayant une épaisseur moyenne allant de 0.5 nm à 2 nm. Par « continue », on entend que la couche recouvre l’intégralité de la surface du substrat diélectrique sans la laisser affleurer. Par « conforme », on entend une couche dont l’épaisseur varie de préférence de +/- 10% par rapport à son épaisseur moyenne. La teneur en impuretés totales de la première couche de cuivre obtenue par le procédé de l’invention à l’issue de la deuxième étape de recuit est avantageusement inférieure à 1% atomique. Parmi les impuretés figurent majoritairement l’oxygène, suivi par le carbone et l’azote. La teneur totale en carbone et en azote est de préférence inférieure à 300 ppm. Le procédé de l’invention peut comprendre une étape préliminaire de traitement par plasma réducteur de manière à réduire l’oxyde métallique natif présent à la surface de la couche métallique. On préfère que la première étape d’électrodéposition soit réalisée immédiatement après le traitement par plasma pour minimiser la reformation d’oxyde natif. Le procédé de l’invention peut également comprendre une étape de création du contact métallique d’un métal de contact choisi parmi le tungstène, le molybdène, le cobalt et le ruthénium, ladite étape de création du contact étant préalable au dépôt de la couche métallique décrite précédemment. Cette étape de formation du contact métallique peut être réalisée par une méthode connue de l’homme du métier. Le dispositif 3D-NAND obtenu en utilisant le procédé de l’invention peut comprendre au moins un matériau barrière à la diffusion du cuivre placé entre du cuivre et un matériau isolant, ledit matériau barrière comprenant du zinc ou du manganèse. Par « mémoire 3D-NAND » au sens de la présente invention, on entend une mémoire à intégration verticale comme par exemple les mémoires de référence commerciale Bit-Cost Scalable® (BiCS), les mémoires de référence commerciale Pipe-shape Bit-Cost Scalable® (P- BiCS), les mémoires d’un térabit en réseau de transistor de cellules (en anglais Terabit Cell Array Transistor ou TCAT) et V-NAND (Vertical NAND). Une mémoire 3D-NAND selon l’art antérieur, reproduite à la , peut comprendre - un substrat de silicium 10 recouvert d’un empilement de couches 20 situé dans un plan horizontal, ledit empilement alternant des couches de dioxyde de silicium 20a et des couches de métal conducteur constituant des lignes de mot 20b, - au moins un canal en polysilicium 30 traversant verticalement l'empilement de couches 20, et - au moins une ligne de bit en cuivre 40 située dans un plan parallèle à l’empilement de couche et située au-dessus dudit empilement, le canal en polysilicium 30 et la ligne de bit en cuivre 40 étant reliés électriquement par un contact métallique 50, le canal en polysilicium 30 et la ligne de mot 20b étant séparés par une zone de stockage de charges 60 comprenant généralement du nitrure de silicium (ONO), et la ligne de bit en cuivre 40 étant séparé du contact métallique 50 par un matériau barrière la diffusion du cuivre 90 généralement constitué de nitrure de tantale ou de nitrure de titane. L’invention consiste à proposer une méthode permettant de remplacer au moins partiellement le matériau barrière la diffusion du cuivre 90 utilisé dans l’art antérieur par un autre matériau barrière à la diffusion du cuivre comprenant du zinc, du manganèse ou un de ses oxydes. Cela permet d’augmenter la conductivité électrique entre la ligne de bit en cuivre 40 et le canal en polysilicium. Le procédé permet notamment de supprimer la couche barrière 90 de l’art antérieur. Dans un mode de réalisation particulier, le procédé de l’invention permet de déposer une couche comprenant d’un matériau à base de zinc ou de manganèse au moins sur les parois verticales, et éventuellement sur le fond des lignes de bit en cuivre, la nature du matériau déposé pouvant varier selon sa localisation à la surface de la ligne de cuivre. Par exemple, le matériau à base de zinc ou de manganèse qui aura été déposé sur les parois des lignes de cuivre pourra avoir une fonction barrière à la diffusion du cuivre. Par exemple, aucun matériau à base de zinc ou de manganèse ne sera déposé sur le fond des lignes de cuivre si bien que le cuivre sera en contact avec le contact métallique. Enfin, le matériau à base de zinc ou de manganèse pourra être déposé sur le fond des lignes de cuivre à l’interface avec le contact métallique, sans que la couche ne remplisse une fonction barrière. Toutes ces options dépendront de la nature chimique du matériau à base de zinc ou de manganèse déposé. En particulier, un oxyde de zinc ou un oxyde de manganèse remplira une fonction barrière à la diffusion du cuivre lorsqu’il aura été déposé sur une épaisseur suffisante. Une mémoire 3D-NAND dont un schéma est représenté sur la peut être fabriquée dans l’art antérieur par une méthode comprenant deux séries d’étapes. Dans une première série d’étape, on créée le contact métallique 50 sur la partie supérieure du canal de polysilicium 30, le contact métallique 50 étant généralement en molybdène, en tungstène, en cobalt ou en ruthénium, le plus généralement en tungstène. Selon un procédé particulier de l’art antérieur, la première série d’étapes consistant à créer le contact métallique comprend : - le dépôt d’une couche de dioxyde de silicium par CVD sur au moins sur la partie supérieure du canal en polysilicium 30, suivi de la gravure du dioxyde de silicium par lithographie pour former au moins une cavité, - les dépôts successifs, sur la surface de la cavité, d’une couche de germination en titane ou en tantale, par PVD, et d’une couche barrière à la diffusion du cuivre, par exemple en nitrure de titane ou en nitrure de tantale, en utilisant une méthode CVD, - le remplissage de la cavité avec du tungstène par CVD, et le polissage mécano-chimique (CMP) de l’excédent de tungstène déposé, pour obtenir le contact métallique 50. Dans une deuxième série d’étapes d’un procédé de l’art antérieur partiellement représentée sur les Figures 2A-2D, on dépose la ligne de bit en cuivre sur le contact métallique obtenu à l’issue de la première série d’étapes. La deuxième série d’étapes consistant à créer une ligne de bit en cuivre 40 sur le contact métallique 50 peut notamment comprendre : - une étape de dépôt - sur le contact métallique 50 - d’une couche de dioxyde de silicium 70 par PECVD suivie d’une étape de gravure d’au moins une tranchée 80 dans ladite couche de dioxyde de silicium 70, ladite étape de gravure laissant affleurer au fond de la tranchée 80 une surface du contact métallique 50a, comme l’illustre la Figure 2A, et - une étape de dépôt – sur les parois et le fond de la tranchée 80 - d’une couche barrière à la diffusion du cuivre 90 par PECVD, généralement du nitrure de tantale, illustrée à la Figure 2B, - une étape de dépôt d’une couche de germination de cuivre 100 par PECVD sur la couche barrière à la diffusion du cuivre 90, comme illustrée à la Figure 2C, puis - une étape de remplissage du volume vide restant dans la tranchée avec du cuivre par électrodéposition, suivie d’une étape de polissage mécano-chimique de l’excédent de cuivre déposé pour former la ligne de bit en cuivre 40 représentée à la Figure 2D. Un exemple particulier du procédé pour la fabrication d’une mémoire 3D-NAND conforme à l’invention est représenté aux Figures 3A-3C. Ces figures illustrent la première variante du procédé de l’invention décrite plus haut selon laquelle la première étape d’électrodéposition de l’alliage du cuivre et du métal dopant conduit au remplissage complet du volume d’une tranchée. Sur la Figure 3A, on se procure un substrat comprenant - un empilement de couches 20 situé dans un plan horizontal, ledit empilement alternant des couches de dioxyde de silicium 20a et des couches de métal conducteur constituant des lignes de mot 20b, - au moins un canal en polysilicium 30 traversant verticalement l'empilement de couches 20, - un contact métallique 50 situé sur la partie supérieure du canal en polysilicium 30, et une tranchée qui a été creusée dans une couche diélectrique 70, pour créer une surface mixte comprenant une surface diélectrique 70a sur les parois des tranchées, une surface diélectrique 70b à l’extérieur des tranchées, et une surface du contact métallique 50a. Ladite surface mixte est recouverte d’une fine couche métallique 101 de manière laisser un volume vide dans la tranchée 80b. Comme illustré sur la Figure 3B, un alliage de cuivre et d’un métal dopant choisi parmi le manganèse et le zinc 200 a été électrodéposé sur la couche métallique de germination 101 à l’issue d’une première étape d’électrodéposition conforme au procédé de l’invention, pour remplir le volume 80b. Sur la Figure 3C, le cuivre et le métal dopant ont été séparés par recuit de l’alliage 200 selon la deuxième étape du procédé de l’invention pour former une première couche de cuivre 110 remplissant la tranchée, et une deuxième couche comprenant le métal dopant et/ou un de ses oxydes 300 située à l’interface entre la surface diélectrique 70a et la première couche de cuivre 110. Les Figures 4A-4C illustrent la deuxième variante du procédé de l’invention décrite plus haut selon laquelle, la première étape d’électrodéposition de l’alliage de cuivre et du métal dopant est réalisée après le remplissage du volume de la tranchée 80b avec du cuivre selon un procédé de l’art antérieur. Dans cette variante, une étape préalable de remplissage de cuivre pur consiste à remplir la tranchée de cuivre, par électrodéposition par exemple, pour ensuite déposer l’alliage de cuivre et du métal - sur le cuivre remplissant la tranchée - conformément à la première étape d’électrodéposition décrite précédemment pour former un dépôt d’alliage de cuivre et de métal dopant dit « overburden ». On se procure un substrat conforme à celui représenté sur la Figure 4A et identique à celui représenté sur la Figure 3A comprenant notamment une couche métallique de germination 101 et un volume vide 80b dans la tranchée. Comme illustré sur la Figure 4B, ce volume vide 80b a été rempli avec un dépôt de cuivre 400 par une méthode connue de l’homme du métier, par exemple par électrodéposition à l’aide d’un électrolyte contenant des ions cuivre (II) identique ou différent de l’électrolyte utilisé au cours de la première étape d’électrodéposition contenant en outre un ion du métal dopant, de préférence un électrolyte contenant des ions iosn métalliques qui sont tous des ions cuivre (II) Sur la Figure 4C, un alliage de cuivre et du métal dopant 201 est déposé sur le dépôt de cuivre 400, à l’issue de la première étape d’électrodéposition conforme au procédé de l’invention. L’alliage 201 est ensuite recuit au cours d’une deuxième étape de recuit de l’alliage conforme au procédé de l’invention pour provoquer sa démixtion et former une première couche de cuivre 111 telle que représentée sur la Figure 4D qui comprend le volume de cuivre qui était contenu dans la couche de germination 101 et le volume de cuivre qui faisait partie de l’alliage 201. Le recuit permet également la formation d’une deuxième couche comprenant le métal dopant et/ou un des oxydes 301, située à l’interface entre une surface diélectrique (comprenant la surface diélectrique 70a et la surface diélectrique 70b), et la première couche de cuivre 111. La deuxième couche comprenant le métal dopant et/ou un des oxydes peut recouvrir la surface 50a du contact métallique 50, ou non. Sur la Figure 4D, le diélectrique 70 le dioxyde de silicium, et la deuxième couche comprenant le métal dopant 301 comprend de l’oxyde de zinc ou de l’oxyde de manganèse et ne recouvre pas la surface du contact métallique 50a. Le procédé de l’invention est avantageusement destiné à la création de lignes de bit en cuivre pour fabriquer un dispositif 3D-NAND et peut comprendre, préalablement à la première étape d’électrodéposition, une étape de création de canaux en polysilicium, une étape de création de lignes de mots, et une étape de création de contacts métalliques, lesdites étapes étant réalisées selon des méthodes connues de l’homme du métier. Selon un mode de réalisation avantageux du procédé de l’invention, au moins une étape de dépôt d’un matériau barrière à la diffusion du cuivre qui est réalisée par voie sèche (PVD, ALD ou CVD) dans l’art antérieur est remplacée par une étape de dépôt d’un alliage de cuivre et d’un métal dopant choisi parmi le zinc ou le manganèse, l’étape de dépôt étant conforme à la première étape d’électrodéposition décrite précédemment. Le procédé de l’invention peut comprendre, préalablement à la première étape d’électrodéposition de l’alliage de cuivre et du métal - une étape de dépôt d’une couche de dioxyde de silicium, suivie de - une étape de gravure de cette couche pour former au moins une cavité ayant une paroi latérale en dioxyde de silicium, et un fond en matériau de contact métallique, - une étape de dépôt sur la paroi et le fond de la cavité, d’une couche de germination métallique constituée de cuivre ou de l’assemblage d’une couche d’accroche métallique (dite « liner ») et d’une couche de cuivre. L’invention a également pour objet l’utilisation du zinc ou du manganèse dans un procédé de fabrication d’une mémoire 3D-NAND, pour supprimer l’intercalation d’un matériau barrière à la diffusion du cuivre ( généralement très résistif), entre un contact métallique et une ligne de bit en cuivre, ledit matériau barrière étant déposé par voie sèche et étant choisi par exemple parmi le nitrure de tantale et le nitrure de titane, ledit contact métallique reliant électriquement un canal en polysilicium et ladite ligne de bit en cuivre dans la mémoire 3D-NAND, et comprenant un métal de contact choisi parmi le tungstène, le molybdène, le cobalt et le ruthénium. L’invention est illustrée par les exemples suivants. Exemple 1: Electrodéposition et recuit d’un alliage de Cuivre et de Zinc pour le remplissage de cavités recouvertes d’une couche de germination en tantale et en cuivre, et surplombant un contact en tungstène On a rempli d’un alliage de cuivre et de zinc des tranchées de 300 nm de largeur et 600 nm de profondeur par électrodéposition sur une couche de germination en tantale/cuivre. La déposition est faite à l’aide d’une composition à pH 7 contenant un sel soufré d’ions cuivre (II) et un sel organique d’ions zinc (II) en présence d’éthylène diamine. A. - Matériel et Equipement : Substrat : Le substrat utilisé dans cet exemple était constitué d’un coupon de silicium de 4x4 cm sur lequel sont gravées des tranchées de 300 nm de largeur et 600 nm de profondeur. Sur les parois latérales, le silicium est recouvert d’oxyde de silicium qui est lui également recouvert d’une couche fine de tantale d’épaisseur 1 nm et en contact d’une couche de cuivre métallique d’épaisseur 5 nm. Tandis que sur le bas de la tranchée, le silicium est recouvert d’une couche de tungstène épaisse et en contact d’une couche de cuivre métallique d’épaisseur 5 nm. La résistivité mesurée du substrat est environ de 30 ohm/carré. Solution d’électrodéposition : Dans cette solution, le cuivre est apporté par du CuSO 4 (H 2 O) 5 à 16 g/L (64 mM de Cu 2+ ) avec deux équivalents molaires d’éthylène diamine. Le zinc est apporté par du gluconate de zinc pour obtenir 25 mM de Zn 2+ . De l’hydroxyde de tétraéthylammonium (TEAH) est ajouté pour ajuster le pH de la solution à 7. Equipement : Dans cet exemple, on a utilisé un équipement de dépôt électrolytique composé de deux parties : la cellule destinée à contenir la solution d’électrodéposition équipée d’un système de recirculation de fluide afin de contrôler l’hydrodynamique du système, et une électrode tournante équipée d’un porte échantillon adapté à la taille des coupons utilisés (4 cm x 4 cm). La cellule de dépôt électrolytique comportait deux électrodes : une anode en cuivre, et le coupon de silicium revêtu de la couche de cuivre métallique constitue la cathode. La référence étant connectée à l’anode. Des connecteurs permettaient la mise en contact électrique des électrodes qui étaient reliées par des fils électriques à un potentiostat fournissant jusqu’ à 20 V ou 2 A. B. - Protocole expérimental : Etape préliminaire : Les substrats ne nécessitent généralement pas de traitement particulier sauf si la couche d’oxyde natif de cuivre est trop importante à cause d’un âge avancé des « wafers » ou un mauvais stockage de ces derniers. Ce stockage étant normalement fait sous azote. Dans ce cas il est nécessaire d’effectuer un plasma contenant de l’hydrogène. Soit de l’hydrogène pur, soit un mélange gazeux contenant 4% d’hydrogène dans de l’azote. Première étape d’électrodéposition: La cathode était polarisée en mode galvano-pulsé dans une gamme de courant de 10 mA (ou 1,4 mA/cm 2 ) à 200 mA (ou 28,6 mA/cm 2 ), par exemple 150 mA (ou 21,4 mA/cm 2 ) avec une durée de pulse comprise entre 5 et 1000 ms en polarisation cathodique, et entre 5 et 1000 ms en polarisation nulle entre deux pulses cathodiques. Cette étape était opérée sous une rotation de 60 tours/min durant 5 minutes. Deuxième étape de Recuit : On effectue un recuit à une température de 100°C sous atmosphère hydrogénée (4% hydrogène dans l’azote) pendant 30 minutes puis 350 °C pendant 15 min, de manière à provoquer la migration du zinc sur les murs latéraux des tranchées qui est l’interface entre le SiO 2 et le cuivre. C - Résultats obtenus : Une analyse par microscopie électronique par transmission (TEM), effectuée après recuit, dévoile un remplissage sans défaut de trous sur les murs des tranchées traduisant une bonne nucléation du cuivre et aucun trou dans les structures. La couche épaisse de cuivre sur les structures est de 200 nm. Une analyse XPS avant recuit montre la présence de zinc dans l’alliage de l’ordre de 2 % atomique, uniformément. Ce même type d’analyse, après recuit, montre d’une part la migration du zinc à la fois vers l’interface SiO 2 -Ta et vers l’extrême surface mais pas vers l’interface W-cuivre. D’autre part, la contamination totale en oxygène, carbone et azote ne dépasse pas 600 ppm atomique. Cette intégration a pour avantage de diminuer les résistances des lignes et ainsi optimiser les mémoires. Exemple 2 : Electrodéposition et recuit d’un alliage de Cuivre et de Zinc pour le remplissage de cavités recouvertes d’une couche de germination en cuivre, et surplombant un contact en tungstène On a rempli d’un alliage de cuivre et de zinc des tranchées de 300 nm de largeur et 600 nm de profondeur par électrodéposition sur une couche de germination cuivre directement déposée sur SiO2. La déposition est faite à l’aide d’une composition à pH 7 contenant un sel soufré d’ions cuivre (II) et un sel organique d’ions zinc (II) en présence d’éthylène diamine. A. - Matériel et Equipement : Substrat : Le substrat utilisé dans cet exemple était constitué d’un coupon de silicium de 4x4 cm sur lequel sont gravées des tranchées de 300 nm de largeur et 600 nm de profondeur. Sur les parois latérales, le silicium est recouvert d’oxyde de silicium qui est lui également en contact directe d’une couche de cuivre métallique d’épaisseur 5 nm. Tandis que sur le bas de la tranchées, le silicium est recouvert d’une couche de tungstène épaisse et en contact d’une couche de cuivre métallique d’épaisseur 5 nm. La résistivité mesurée du substrat est environ de 30 ohm/carré. Solution d’électrodéposition : La solution d’électrodéposition utilisée est la même que dans l’exemple 1. Equipement : L’équipement utilisé est le même que dans l’exemple 1. B. - Protocole expérimental : Etape préliminaire : Le substrat ne nécessite pas de traitement particulier. Première étape d’électrodéposition de l’alliage : Elle est identique à celle de l’exemple 1. Deuxième étape de Recuit : Le recuit est le même que dans l’exemple 1. C - Résultats obtenus : Une analyse par microscopie électronique par transmission (TEM), effectuée après recuit, dévoile un remplissage sans défaut de trous sur les murs des tranchées traduisant une bonne nucléation du cuivre et aucun trou dans les structures. La couche épaisse de cuivre sur les structures est de 200 nm. Une analyse XPS avant recuit montre la présence de zinc dans l’alliage de l’ordre de 2 % atomique, uniformément. Ce même type d’analyse, après recuit, montre une migration du zinc vers l’interface SiO 2 -Cu plus importante que dans l’exemple 1. Cette intégration est optimale pour diminuer les résistances des lignes et ainsi optimiser les mémoires. Exemple 3 : Remplissage de structures avec du Cuivre suivie de l’électrodéposition et du recuit d’un alliage de Cuivre et de Zinc pour réaliser un dépôt dit « overburden » de 300 nm surplombant un contact en tungstène On a rempli de cuivre des tranchées de 300 nm de largeur et 600 nm de profondeur par électrodéposition sur une couche de germination en cuivre. La déposition est faite à l’aide d’une composition à pH 7 contenant un sel soufré d’ions cuivre (II) de l’éthylènediamine et d’acide thiodiglycolique. Ensuite, un overburden en alliage de cuivre et de zinc d’épaisseur 300 nm est déposé par électrodéposition sur le cuivre déposé lors de la première étape. L’overburden est fait à l’aide d’une composition à pH 7 contenant un sel soufré d’ions cuivre (II) et un sel organique d’ions zinc (II) en présence d’éthylène diamine. A. - Matériel et Equipement : Substrat : Le substrat utilisé est le même que l’exemple 2. Solutions d’électrodépositions : Première solution de cuivre : dans cette solution, le cuivre est apporté par du CuSO 4 (H 2 O) 5 à 16g/L (64 mM de Cu 2+ ) avec deux équivalents molaires d’éthylène diamine et de 50 ppm d’acide thiodiglycolique pour le remplissage des tranchées. Du TEAH est ajouté pour ajuster le pH de la solution à 7. Deuxième solution de cuivre et de zinc pour l’overburden : le cuivre est apporté par du CuSO 4 (H 2 O) 5 à 16g/l (64 mM de Cu 2+ ) avec deux équivalents molaires d’éthylène diamine. Le zinc est apporté à partir de Zn Gluconate pour obtenir 25 mM de Zn 2+ . Du TEAH est rajouté pour ajuster le pH de la solution à 7. Equipement : L’équipement utilisé est le même que dans l’exemple 1. B. - Protocole expérimental : Etape préliminaire : Le substrat ne nécessite pas de traitement particulier. 1- Remplissage de cuivre Le procédé se réalise de la manière suivante : la cathode était polarisée en mode rampe dans une gamme de courant de 20 mA (ou 1,4 mA/cm 2 ) à 120 mA (ou 17,1 mA/cm 2 ). Par exemple, une rampe de courant allant de 20 mA (ou 2,9 mA/cm 2 ) à 100 mA (ou 14,3 mA/cm²) avec une pente comprise entre 0,5 et 2 mA/s. 2- Première étape électrolytique de dépôt de l’alliage pour former un overburden Les conditions sont identiques à celles de l’exemple 1. 3-Deuxième étape de Recuit : Le recuit est le même que dans l’exemple 1. C - Résultats obtenus : Une analyse par microscopie électronique par transmission (TEM), effectuée après recuit, dévoile un remplissage sans défaut de trous sur les murs des tranchées traduisant une bonne nucléation du cuivre et aucun trou dans les structures. La couche épaisse de cuivre sur les structures est de 300 nm. Une analyse XPS avant recuit montre la présence de zinc dans l’alliage de l’ordre de 2 % atomique, uniformément dans la couche de cuivre épaisse. Tandis que dans les structures, le cuivre est pur. Ce même type d’analyse, après recuit, montre d’une part la migration du zinc à travers le cuivre pur pour atteindre l’interface SiO 2 -Cu et vers l’extrême surface. D’autre part, la contamination totale en oxygène, carbone et azote ne dépasse pas 600 ppm atomique. Cette solution a pour avantage de travailler sur des tranchées de dimensions plus fines. Procédé pour la fabrication d’une mémoire 3D-NAND, ledit procédé comprenant une première étape d’électrodéposition d’un alliage de cuivre et d’un métal dopant choisi parmi le manganèse et le zinc, ladite première étape d’électrodéposition consistant à mettre en contact une première surface (101a) d’une couche métallique (101, 400) avec un électrolyte comprenant des ions cuivre (II) et des ions du métal dopant, puis à polariser ladite première surface pendant une durée suffisante pour la recouvrir de l’alliage de cuivre et du métal dopant (200, 201), ladite première étape d’électrodéposition étant suivie d’une deuxième étape de recuit de l’alliage pour provoquer sa démixtion et former une première couche de cuivre (110, 111) et une deuxième couche comprenant le métal dopant et/ou un de ses oxydes (300, 301). Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première couche de cuivre (110, 111) est destinée à former une ligne de bit en cuivre de la mémoire 3D-NAND. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l’électrolyte comprenant des ions cuivre (II) et des ions du métal dopant a un pH compris entre 6.0 et 10.0. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la couche métallique (101, 400) comprend une deuxième surface qui est en contact avec une surface mixte comprenant à la fois une zone isolante (70a, 70b) et une zone conductrice (50a), ladite zone isolante (70a, 70b) étant constituée d’un matériau diélectrique, et ladite zone conductrice (50a) étant constituée d’un métal de contact choisi parmi le tungstène, le molybdène, le cobalt et le ruthénium, ledit métal de contact étant destiné à relier une ligne de bit en cuivre (40) et un canal en polysilicium (30) de la mémoire 3D-NAND. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que, au cours de la deuxième étape de recuit de l’alliage, le métal dopant migre jusqu’à la surface mixte, et en ce que la deuxième couche comprenant le métal dopant et/ou un des oxydes (300, 301) recouvre au moins la zone isolante (70a, 70b) de la surface mixte. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que la deuxième couche (300, 301) comprend un oxyde du métal dopant et remplit la fonction de barrière à la diffusion du cuivre. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que la couche métallique (101) est une couche métallique de germination constituée de cuivre, d’un alliage de cuivre, ou de tantale, ladite couche de germination ayant été déposée au contact de la surface mixte une zone isolante (70a, 70b) et une zone conductrice (50a), au cours d’une étape préalable à la première étape d’électrodéposition. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce qu’une partie de la première surface (101a) de la couche métallique de germination est concave, définissant un creux (80b) délimité par les parois et le fond d’une tranchée. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que le creux (80b) de la tranchée a une largeur moyenne à l’ouverture allant de 15 nm à 700 nm et une profondeur moyenne allant de 30 nm à 500 nm. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que la première étape d’électrodéposition de l’alliage du cuivre et du métal dopant est réalisée pendant une durée suffisante pour remplir le creux (80b) avec ledit alliage (200). Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche métallique (400) est un dépôt de cuivre qui remplit une tranchée, et en ce que la première étape d’électrodéposition de l’alliage du cuivre et du métal dopant est réalisée pendant une durée suffisante pour recouvrir le dépôt de cuivre qui remplit la tranchée (400), afin de former un dépôt d’alliage (201), la première couche de cuivre (111) formée à l’issue de la deuxième étape de recuit étant ensuite polie au cours d’une troisième étape de polissage mécano-chimique. Utilisation du zinc ou du manganèse dans un procédé de fabrication d’une mémoire 3D-NAND, pour supprimer l’intercalation d’un matériau barrière à la diffusion du cuivre (90) entre un contact métallique (50) et une ligne de bit en cuivre (40), ledit matériau barrière étant déposé par voie sèche et étant choisi parmi le nitrure de tantale et le nitrure de titane, ledit contact métallique (50) reliant électriquement un canal en polysilicium (30) et ladite ligne de bit en cuivre (40) dans la mémoire 3D-NAND, et comprenant un métal de contact choisi parmi le tungstène, le molybdène, le cobalt et le ruthénium. .