Brevet FR3120554A1 — publié le 20220916

La présente invention concerne un procédé de traitement au laser pour réaliser un traitement au laser sur une plaque (200) ayant une couche fonctionnelle (205) sur un substrat (201). Le procédé de traitement au laser comporte une étape de noircissement consistant à émettre, par un oscillateur laser, un faisceau laser pulsé dont une longueur d’onde est transparente à la couche fonctionnelle (205), et à noircir la couche fonctionnelle (205) en irradiant la couche fonctionnelle (205) avec le faisceau laser pulsé dont l’énergie est égale ou supérieure à une valeur de seuil de traitement à laquelle la couche fonctionnelle (205) est traitée, de sorte qu’un rapport de chevauchement du faisceau laser pulsé appliqué successivement à la couche fonctionnelle (205) soit égal ou supérieur à 90 % et inférieur à 100 %, et une étape de traitement de rainure consistant à former une rainure traitée au laser en irradiant la couche fonctionnelle (205) noircie avec le faisceau laser pulsé (21) et en faisant en sorte que la couche fonctionnelle (205) noircie absorbe le faisceau laser pulsé (21), après la réalisation de l’étape de noircissement. [Fig. 1] Procédé de traitement au laser Domaine de l’invention La présente invention concerne un procédé de traitement au laser qui réalise un traitement au laser sur une plaque ayant des films organiques sur un substrat. Description de l’état de l’art Au cours des dernières années, afin d’augmenter la vitesse de traitement des dispositifs à semi-conducteurs, il a été mis en pratique une plaque de semi-conducteurs dans laquelle des dispositifs à semi-conducteurs sont formés en stratifiant des films isolants intercouche formés d’un matériau organique à faible constante diélectrique (ce qui est généralement appelé matériau à faible k), le film isolant intercouche étant un film polymère à base de polyimide, un film polymère à base de Parylène, ou similaire, sur une plaque de silicium ainsi qu’une couche de circuit, et les films organiques sont ainsi stratifiés sur la surface d’un substrat formé de silicium (voir le brevet japonais publié N°. 2015-126054, par exemple). La est une vue en perspective d’une plaque à traiter par un procédé de traitement au laser selon un mode de réalisation ; La est une vue en coupe agrandie de parties principales de la plaque représentée dans la ; La est une vue en perspective représentant un exemple d’une configuration d’un appareil de traitement au laser qui réalise une partie du procédé de traitement au laser selon le mode de réalisation ; La est un diagramme schématisant une configuration d’une unité de rayonnement de faisceau laser de l’appareil de traitement au laser représenté dans la ; La est un diagramme schématisant une répartition d’énergie d’un faisceau laser pulsé, la répartition d’énergie n’ayant pas encore été formée par un masque de l’unité de rayonnement de faisceau laser représentée dans la ; La est un diagramme schématisant une répartition d’énergie du faisceau laser pulsé, la répartition d’énergie ayant été formée par le masque de l’unité de rayonnement de faisceau laser représentée dans la ; La est un organigramme représentant un déroulement du procédé de traitement au laser selon le mode de réalisation ; La est une vue de côté schématisant, partiellement en coupe, une étape de formation de film protecteur du procédé de traitement au laser représenté dans la ; La est un diagramme d’aide à l’explication schématique d’un rapport de chevauchement du faisceau laser pulsé dans le procédé de traitement au laser représenté dans la ; La est une vue de côté schématisant, partiellement en coupe, une étape de noircissement du procédé de traitement au laser représenté dans la ; et La est une vue de côté schématisant, partiellement en coupe, une étape de traitement de rainure du procédé de traitement au laser représenté dans la . Description détaillée du mode de réalisation préféré Un mode de réalisation de la présente invention sera décrit ci-après en détail en référence aux dessins. La présente invention n’est pas limitée par le contenu décrit dans le mode de réalisation suivant. En outre, les éléments constitutifs décrits dans ce qui suit comportent des éléments constitutifs facilement concevables par l’homme du métier et des éléments constitutifs essentiellement identiques. En outre, les configurations décrites dans ce qui suit peuvent être combinées entre elles, le cas échéant. En outre, diverses omissions, divers remplacements ou diverses modifications des configurations peuvent être réalisés sans s’écarter de l’esprit de la présente invention. Un procédé de traitement au laser selon un mode de réalisation de la présente invention sera décrit en référence aux dessins. La est une vue en perspective d’une plaque à traiter par le procédé de traitement au laser selon le mode de réalisation. La est une vue en coupe de parties principales de la plaque représentée dans la . La est une vue en perspective représentant un exemple d’une configuration d’un appareil de traitement au laser qui réalise une partie du procédé de traitement au laser selon le mode de réalisation. La est un diagramme schématisant une configuration d’une unité de rayonnement de faisceau laser de l’appareil de traitement au laser représenté dans la . La est un diagramme schématisant une répartition d’énergie d’un faisceau laser pulsé, la répartition d’énergie n’ayant pas encore été formée par un masque de l’unité de rayonnement de faisceau laser représentée dans la . La est un diagramme schématisant une répartition d’énergie du faisceau laser pulsé, la répartition d’énergie ayant été formée par le masque de l’unité de rayonnement de faisceau laser représentée dans la . La est un organigramme représentant un déroulement du procédé de traitement au laser selon le mode de réalisation. (Plaque) Le procédé de traitement au laser selon le mode de réalisation est un procédé consistant à réaliser un traitement au laser sur une plaque 200 représentée dans la et la . La plaque 200 à traiter par le procédé de traitement au laser selon le mode de réalisation est une plaque de semi-conducteurs en forme de disque comportant du silicium comme substrat 201. Une pluralité de lignes de démarcation prévues 203 qui se croisent sont définies sur une surface supérieure 202 de la plaque 200. Des dispositifs 204 sont formés dans les régions délimitées par les lignes de démarcation prévues 203. Les dispositifs 204 sont par exemple un circuit intégré tel qu’un circuit intégré (IC) ou qu’une intégration à grande échelle (LSI), ou un capteur d’images tel qu’un capteur d’images de dispositif à couplage de charge (CCD) ou qu’un capteur d’images semi-conducteur à oxyde de métal complémentaire (CMOS). Dans le mode de réalisation tel qu’il est représenté dans la et la , la plaque 200 a une couche fonctionnelle 205 comme films organiques sur le substrat 201. La couche fonctionnelle 205 comporte des films isolants à faible constante diélectrique (ci-après dénommés films à faible k) formés par un film à base de matériau inorganique d’oxyde de silicium fluoré (SiOF), de banc optique silicium (SiOB) (verre borosilicaté (BSG)), ou similaire, un film à base de matériau organique tel qu’un film polymère à base de polyimide ou un film polymère à base de Parylène, ou un carbone contenant de l’oxyde de silicium (SiOCH), et des couches de circuit formées par un métal conducteur d’électricité. Les films à faible k et les couches de circuit sont stratifiés les uns sur les autres pour former les dispositifs 204. Les couches de circuit constituent les circuits des dispositifs 204. Par conséquent, les dispositifs 204 sont formés par les films à faible k mutuellement stratifiés de la couche fonctionnelle 205 stratifiée sur le substrat 201, et les couches de circuit de la couche fonctionnelle 205 stratifiée entre les films à faible k. Par ailleurs, la couche fonctionnelle 205 dans les lignes de démarcation prévues 203 est formée par les films à faible k formés en une pluralité de couches, et ne comporte pas de film conducteur, à l’exception d’un groupe d’éléments d’essai (TEG). Le TEG est un élément pour une évaluation permettant trouver un problème de conception ou de fabrication se produisant dans les dispositifs 204. Dans le mode de réalisation tel qu’il est représenté dans la , la plaque 200 est supportée à l’intérieur d’une ouverture d’un cadre annulaire 210, dans un état où un ruban adhésif 209 - ayant une forme de disque d’un diamètre plus grand que le diamètre extérieur de la plaque 200 et sur une portion de bord extérieur duquel est apposé le cadre annulaire 210 - est apposé sur une surface inférieure 206 de l’autre côté de la surface supérieure 202. La plaque 200 est coupée le long des lignes de démarcation prévues 203, et est ainsi divisée en dispositifs 204 individuels. (Appareil de traitement au laser) Le procédé de traitement au laser selon le mode de réalisation est réalisé partiellement par un appareil de traitement au laser 1 représenté dans la . L’appareil de traitement au laser 1 représenté dans la est un appareil qui irradie la plaque 200 avec un faisceau laser pulsé 21 sous forme d’impulsion, et réalise ainsi un traitement au laser (correspondant à un traitement) sur la plaque 200. Comme le montre la , l’appareil de traitement au laser 1 comporte une table de serrage 10 ayant une surface de maintien 11 pour maintenir la plaque 200, une unité de rayonnement de faisceau laser 20, une unité de déplacement 30, une unité d’imagerie 40, et une unité de commande 100. La table de serrage 10 maintient la plaque 200 par la surface de maintien 11 parallèle à une direction horizontale. La surface de maintien 11 est en forme de disque formé d’une céramique poreuse ou similaire. La surface de maintien 11 est connectée à une source d’aspiration sous vide non représentée via un chemin d’aspiration sous vide non représenté. La table de serrage 10 maintient sous aspiration la plaque 200 montée sur la surface de maintien 11. Une pluralité d’unités de serrage 12 qui prennent en tenaille le cadre annulaire 210 supportant la plaque 200 à l’intérieur de l’ouverture du cadre annulaire 210 sont agencées sur la périphérie de la table de serrage 10. En outre, une unité de déplacement rotatif 34 de l’unité de déplacement 30 fait tourner la table de serrage 10 autour d’un axe parallèle à une direction d’axe Z orthogonale à la surface de maintien 11 et parallèle à une direction verticale. Une unité de déplacement sur l’axe X 31 de l’unité de déplacement 30 déplace la table de serrage 10 ainsi que l’unité de déplacement rotatif 34 dans une direction d’axe X parallèle à la direction horizontale, et une unité de déplacement sur l’axe Y 32 de l’unité de déplacement 30 déplace la table de serrage 10 ainsi que l’unité de déplacement rotatif 34 dans une direction d’axe Y parallèle à la direction horizontale et orthogonale à la direction d’axe X. L’unité de déplacement 30 déplace la table de serrage 10 entre une région de traitement en dessous de l’unité de rayonnement de faisceau laser 20 et une région de charge et de décharge dans laquelle la plaque 200 est séparée du dessous de l’unité de rayonnement de faisceau laser 20 et est chargée et déchargée. L’unité de rayonnement de faisceau laser 20 est une unité qui irradie la plaque 200 maintenue sur la table de serrage 10 avec le faisceau laser pulsé 21 sous forme d’impulsion. Dans le mode de réalisation, l’unité de rayonnement de faisceau laser 20 est un moyen de rayonnement de faisceau laser pour réaliser un traitement au laser sur la plaque 200 en appliquant le faisceau laser pulsé 21 sous forme d’impulsion, le faisceau laser ayant une longueur d’onde absorbable par le substrat 201 de la plaque 200 et étant transparent à la couche fonctionnelle 205 (laquelle longueur d’onde est de 514 nm dans le mode de réalisation, ou peut être de 355 nm ou de 266 nm dans la présente invention). Dans le mode de réalisation tel qu’il est représenté dans la , une partie de l’unité de rayonnement de faisceau laser 20 est supportée par un organe de levage et d’abaissement 4 qui est déplacé dans la direction d’axe Z par une unité de déplacement sur l’axe Z 33 de l’unité de déplacement 30, l’unité de déplacement sur l’axe Z 33 étant prévue pour une paroi dressée verticalement 3 se dressant à partir d’un corps principal d’appareil 2. Une configuration de l’unité de rayonnement de faisceau laser 20 sera ensuite décrite. Comme le montre la , l’unité de rayonnement de faisceau laser 20 comporte un oscillateur laser 22 qui fait osciller un laser sous forme d’impulsion pour traiter la plaque 200 et qui émet le faisceau laser pulsé 21, une lentille de concentration 23 qui concentre le faisceau laser pulsé 21 émis par l’oscillateur laser 22 sur la plaque 200 maintenue sur la surface de maintien 11 de la table de serrage 10, au moins une partie optique 24 qui est prévue sur un chemin optique du faisceau laser pulsé 21 entre l’oscillateur laser 22 et la lentille de concentration 23 et qui guide, vers la lentille de concentration 23, le faisceau laser pulsé 21 émis par l’oscillateur laser 22, et une unité de masque 25. Dans le mode de réalisation tel qu’il est représenté dans la , une répartition d’énergie 212 du faisceau laser pulsé 21 émis par l’oscillateur laser 22 est une répartition gaussienne dans laquelle l’énergie sur un centre 211 du chemin optique du faisceau laser pulsé 21 est la plus forte, et l’énergie diminue progressivement avec une distance croissante par rapport au centre 211. Par ailleurs, un axe des abscisses dans la indique des positions dans la direction d’axe Y, et le centre de l’axe des abscisses indique le centre 211 du chemin optique du faisceau laser pulsé 21. En outre, un axe des ordonnées dans la indique l’énergie. En outre, tandis que la représente la répartition d’énergie 212 du faisceau laser pulsé 21 à des positions parallèles à la direction d’axe Y, la répartition d’énergie 212 du faisceau laser pulsé 21 est une répartition gaussienne également à des positions parallèles à la direction d’axe X. La lentille de concentration 23 est disposée à une position opposée dans la direction d’axe Z à la surface de maintien 11 de la table de serrage 10. La lentille de concentration 23 transmet le faisceau laser pulsé 21 émis par l’oscillateur laser 22, et concentre le faisceau laser pulsé 21 vers un point de concentration 21-1. Dans le mode de réalisation, l’unité de rayonnement de faisceau laser 20 comporte, comme partie optique 24, un miroir qui réfléchit le faisceau laser pulsé 21. Cependant, dans la présente invention, la partie optique 24 ne se limite pas au miroir. L’unité de masque 25 modifie (change) la répartition d’énergie du faisceau laser pulsé 21 émis par l’oscillateur laser 22. L’unité de masque 25 est prévue sur le chemin optique du faisceau laser pulsé 21 entre l’oscillateur laser 22 et la partie optique 24. Dans le mode de réalisation tel qu’il est représenté dans la , l’unité de masque 25 comporte une paire d’organes de masque de direction d’axe Y 251, une paire d’unités de déplacement 252, une paire d’organes de masque de direction d’axe X 253, et une paire d’unités de déplacement de direction d’axe X non représentées. Les deux organes de masque de direction d’axe Y 251 sont formés par un matériau qui interrompt (c’est-à-dire qui ne transmet pas) le faisceau laser pulsé 21. Les deux organes de masque de direction d’axe Y 251 sont agencés à un intervalle l’un de l’autre dans la direction d’axe Y. Le centre 211 du chemin optique du faisceau laser pulsé 21 entre l’oscillateur laser 22 et la partie optique 24 est positionné entre les deux organes de masque de direction d’axe Y 251. Les deux organes de masque de direction d’axe Y 251 sont prévus de manière à être mobiles dans une direction les rapprochant l’un de l’autre ou les séparant l’un de l’autre dans la direction d’axe Y. Les unités de déplacement 252 déplacent les deux organes de masque de direction d’axe Y 251 dans une direction les rapprochant l’un de l’autre ou les séparant l’un de l’autre dans la direction d’axe Y. Dans le mode de réalisation, les unités de déplacement 252 sont prévues de manière à correspondre aux organes de masque de direction d’axe Y 251 un à un, et les unités de déplacement 252 déplacent les organes de masque de direction d’axe Y 251 correspondants dans la direction d’axe Y. Les deux organes de masque de direction d’axe X 253 sont formés par un matériau qui interrompt (c’est-à-dire qui ne transmet pas) le faisceau laser pulsé 21. Les deux organes de masque de direction d’axe X 253 sont agencés à un intervalle l’un de l’autre dans la direction d’axe X. Le centre 211 du chemin optique du faisceau laser pulsé 21 entre l’oscillateur laser 22 et la partie optique 24 est positionné entre les deux organes de masque de direction d’axe X 253. Les deux organes de masque de direction d’axe X 253 sont prévus de manière à être mobiles dans une direction les rapprochant l’un de l’autre ou les séparant l’un de l’autre dans la direction d’axe X. Les unités de déplacement de direction d’axe X déplacent les deux organes de masque de direction d’axe X 253 dans une direction les rapprochant l’un de l’autre ou les séparant l’un de l’autre dans la direction d’axe X. Dans le mode de réalisation, les unités de déplacement de direction d’axe X sont prévues de manière à correspondre aux organes de masque de direction d’axe X 253 un à un, et les unités de déplacement de direction d’axe X déplacent les organes de masque de direction d’axe X 253 correspondants dans la direction d’axe X. Il est à noter que la direction d’axe X et la direction d’axe Y décrites dans la description de l’unité de masque 25 se réfèrent à la direction d’axe X et la direction d’axe Y du faisceau laser pulsé 21 appliqué à la plaque 200 maintenue sur la table de serrage 10. La paire d’organes de masque de direction d’axe Y 251 et la paire d’organes de masque de direction d’axe X 253 de l’unité de masque 25 bloquent des parties du faisceau laser pulsé 21 émis par l’oscillateur laser 22, lesquelles parties sont séparées du centre 211 (parties de base de la répartition gaussienne). L’unité de masque 25 modifie ainsi la répartition d’énergie 212 représentée dans la du faisceau laser pulsé 21 émis par l’oscillateur laser 22 en une répartition d’énergie 214 représentée dans la dans laquelle l’énergie diminue fortement, allant d’une valeur 213 sur la répartition d’énergie 212 représentée dans la à zéro, à des positions séparées du centre 211 du faisceau laser pulsé 21, d’une distance 254 des organes de masque 251 et 253 par rapport au centre 211 du faisceau laser pulsé 21. En outre, l’unité de masque 25 change les positions 215 de la répartition d’énergie 214 représentée dans la dans laquelle l’énergie diminue fortement, allant de la valeur 213 sur la répartition d’énergie 212 représentée dans la à zéro, en changeant les distances 254 de la paire d’organes de masque de direction d’axe Y 251 par rapport au centre 211 du faisceau laser pulsé 21 par les unités de déplacement 252 et en changeant des distances de la paire d’organes de masque de direction d’axe X 253 par rapport au centre 211 du faisceau laser pulsé 21 par les unités de déplacement de direction d’axe X. Par ailleurs, la valeur 213 sur la répartition d’énergie 214 aux positions 215 auxquelles l’énergie diminue fortement jusqu’à zéro sera décrite ci-après comme une valeur limite. Ainsi, l’unité de masque 25 modifie la répartition d’énergie 212, représentée dans la comme la répartition gaussienne du faisceau laser pulsé 21, en la répartition d’énergie 214 représentée dans la comme une répartition dans laquelle des parties de base sont verticales. Ainsi, dans le mode de réalisation, l’unité de masque 25 définit un intervalle dans la direction d’axe X entre les deux organes de masque de direction d’axe X 253 qui est plus étroit qu’un intervalle dans la direction d’axe Y entre les deux organes de masque de direction d’axe Y 251. L’unité de masque 25 forme ainsi un spot 216 du faisceau laser pulsé 21 concentré par la lentille de concentration 23 en une forme rectangulaire ayant une direction longitudinale parallèle à la direction d’axe Y et une direction latérale parallèle à la direction d’axe X. Par ailleurs, un axe des abscisses dans la indique des positions dans la direction d’axe Y, et le centre de l’axe des abscisses indique le centre 211 du faisceau laser pulsé 21. En outre, un axe des ordonnées dans la indique l’énergie. En outre, tandis que la représente la répartition d’énergie 214 du faisceau laser pulsé 21 à des positions parallèles à la direction d’axe Y, la répartition d’énergie 214 du faisceau laser est une répartition similaire à celle de la également à des positions parallèles à la direction d’axe X. Par ailleurs, tandis que l’unité de rayonnement de faisceau laser 20 dans le mode de réalisation comporte l’unité de masque 25 comme moyen pour modifier la répartition d’énergie du faisceau laser pulsé 21, un dispositif à micromiroir numérique (DMD) peut être fourni à la place de l’unité de masque 25 comme moyen pour modifier la répartition d’énergie du faisceau laser pulsé 21 dans la présente invention. L’unité de déplacement 30 déplace l’unité de rayonnement de faisceau laser 20 et la table de serrage 10 l’une par rapport à l’autre dans la direction d’axe X, dans la direction d’axe Y, dans la direction d’axe Z, et autour d’un axe parallèle à la direction d’axe Z. La direction d’axe X et la direction d’axe Y sont des directions parallèles à la surface de maintien 11. La direction d’axe X est une direction parallèle à une ligne de démarcation prévue 203 de la plaque 200 maintenue sur la table de serrage 10, et est ce qui est généralement appelé une direction d’avance de traitement dans laquelle l’appareil de traitement au laser 1 fait avancer pour traitement la table de serrage 10 lorsque l’appareil de traitement au laser 1 réalise un traitement au laser sur la plaque 200. La direction d’axe Y est orthogonale à la direction d’axe X, et est ce qui est généralement appelé une direction d'indexation d'amenée dans laquelle l’appareil de traitement au laser 1 réalise une indexation d'amenée de la table de serrage 10 lorsque l’appareil de traitement au laser 1 réalise le traitement au laser sur la plaque 200. Telle qu’elle représentée dans la , l’unité de déplacement 30 comporte l’unité de déplacement sur l’axe X 31 comme unité d’avance de traitement qui déplace la table de serrage 10 dans la direction d’axe X, l’unité de déplacement sur l’axe Y 32 comme unité d'indexation d'amenée qui déplace la table de serrage 10 dans la direction d’axe Y, l’unité de déplacement sur l’axe Z 33 qui déplace, dans la direction d’axe Z, la lentille de concentration 23 incluse dans l’unité de rayonnement de faisceau laser 20, et l’unité de déplacement rotatif 34 qui fait tourner la table de serrage 10 autour d’un axe parallèle à la direction d’axe Z. L’unité de déplacement sur l’axe Y 32 est une unité qui fait réalise une indexation d'amenée de la table de serrage 10 et de l’unité de rayonnement de faisceau laser 20 l’une par rapport à l’autre. Dans le mode de réalisation, l’unité de déplacement sur l’axe Y 32 est installée sur le corps principal d’appareil 2 de l’appareil de traitement au laser 1. L’unité de déplacement sur l’axe Y 32 supporte une plaque de déplacement 15 supportant l’unité de déplacement sur l’axe X 31 de sorte que la plaque de déplacement 15 soit mobile dans la direction d’axe Y. L’unité de déplacement sur l’axe X 31 est une unité qui fait avancer pour traitement la table de serrage 10 et l’unité de rayonnement de faisceau laser 20 l’une par rapport à l’autre. L’unité de déplacement sur l’axe X 31 est installée sur la plaque de déplacement 15. L’unité de déplacement sur l’axe X 31 supporte une deuxième plaque de déplacement 16 supportant l’unité de déplacement rotatif 34 qui fait tourner la table de serrage 10 autour d’un axe parallèle à la direction d’axe Z, de sorte que la deuxième plaque de déplacement 16 soit mobile dans la direction d’axe X. L’unité de déplacement sur l’axe Z 33 est installée sur la paroi dressée verticalement 3, et supporte l’organe de levage et d’abaissement 4 de manière à être mobile dans la direction d’axe Z. L’unité de déplacement sur l’axe X 31, l’unité de déplacement sur l’axe Y 32 et l’unité de déplacement sur l’axe Z 33 comportent une vis à billes bien connue prévue de manière à pouvoir tourner autour d’un axe, un moteur à impulsions bien connu qui fait tourner la vis à billes autour de l’axe, et des rails de guidage bien connus qui supportent la plaque de déplacement 15 ou 16 de manière à ce qu’elle soit mobile dans la direction d’axe X ou la direction d’axe Y et qui supportent l’organe de levage et d’abaissement 4 de manière à ce qu’il soit mobile dans la direction d’axe Z. En outre, l’appareil de traitement au laser 1 comporte une unité de détection de position de direction d’axe X, non représentée, pour détecter la position dans la direction d’axe X de la table de serrage 10, une unité de détection de position de direction d’axe Y, non représentée, pour détecter la position dans la direction d’axe Y de la table de serrage 10, et une unité de détection de position de direction d’axe Z qui détecte la position dans la direction d’axe Z de la lentille de concentration 23 incluse dans l’unité de rayonnement de faisceau laser 20. Chaque unité de détection de position délivre un résultat de détection à l’unité de commande 100. L’unité d’imagerie 40 effectue une imagerie de la plaque 200 maintenue sur la table de serrage 10. L’unité d’imagerie 40 comporte un élément d’imagerie tel qu’un élément d’imagerie CCD ou qu’un élément d’imagerie CMOS qui effectue une imagerie de la plaque 200 maintenue sur la table de serrage 10. Dans le mode de réalisation, l’unité d’imagerie 40 est fixée à une extrémité distale de l’organe de levage et d’abaissement 4, et est disposée à une position alignée dans la direction d’axe X avec la lentille de concentration 23 de l’unité de rayonnement de faisceau laser 20. L’unité d’imagerie 40 effectue une imagerie de la plaque 200, obtient ainsi une image pour effectuer un alignement qui aligne la plaque 200 et l’unité de rayonnement de faisceau laser 20 l’une avec l’autre, et délivre l’image obtenue à l’unité de commande 100. En outre, dans le mode de réalisation, l’appareil de traitement au laser 1 comporte un mesureur de puissance 50. Le mesureur de puissance 50 mesure la répartition d’énergie du faisceau laser pulsé 21 appliqué par l’unité de rayonnement de faisceau laser 20 lorsque le faisceau laser pulsé 21 est appliqué par l’unité de rayonnement de faisceau laser 20. Le mesureur de puissance 50 délivre la répartition d’énergie mesurée à l’unité de commande 100. Dans le mode de réalisation, le mesureur de puissance 50 est installé sur la deuxième plaque de déplacement 16, et peut être opposé dans la direction d’axe Z à la lentille de concentration 23 de l’unité de rayonnement de faisceau laser 20 par l’unité de déplacement 30. L’unité de commande 100 fait en sorte que l’appareil de traitement au laser 1 réalise une opération de traitement au laser sur la plaque 200 en commandant chacun des éléments constitutifs décrits ci-dessus de l’appareil de traitement au laser 1. Par ailleurs, l’unité de commande 100 est un ordinateur comportant un dispositif de traitement informatique ayant un microprocesseur tel qu’une unité centrale de traitement (CPU), un dispositif de stockage ayant une mémoire telle qu’une mémoire morte (ROM) ou une mémoire vive (RAM), et un dispositif d’interface d’entrée-sortie. Le dispositif de traitement arithmétique de l’unité de commande 100 met en œuvre des fonctions de l’unité de commande 100 en réalisant un traitement arithmétique selon un programme informatique stocké dans le dispositif de stockage et en délivrant des signaux de commande pour commander l’appareil de traitement au laser 1 aux éléments constitutifs décrits ci-dessus de l’appareil de traitement au laser 1 via le dispositif d’interface d’entrée-sortie. En outre, l’unité de commande 100 est connectée avec une unité d’affichage 110 formée par un dispositif d’affichage à cristaux liquides ou similaire qui affiche un état d’une opération de traitement, une image, ou similaire et une unité d’entrée non représentée qui est utilisée lorsqu’un opérateur enregistre des informations de contenu de traitement ou similaire. L’unité d’entrée est formée par au moins l’un parmi un panneau tactile prévu pour l’unité d’affichage 110 et un dispositif d’entrée externe tel qu’un clavier. En outre, l’unité de commande 100 est également utilisée pour établir les conditions de traitement de l’appareil de traitement au laser 1. Les conditions de traitement comportent par exemple l’énergie du faisceau laser pulsé 21, une fréquence de répétition du faisceau laser pulsé 21 sous forme d’impulsion, un rapport de chevauchement qui sera décrit plus loin, une valeur de seuil de traitement de la couche fonctionnelle 205, une vitesse de déplacement dans la direction d’axe X de la table de serrage 10 à un moment de traitement au laser (laquelle vitesse de déplacement sera écrite ci-après comme une vitesse d’avance de traitement), et similaire. Par ailleurs, l’énergie du faisceau laser pulsé 21 se réfère à une énergie au centre 211 de la répartition d’énergies 212 et 214. En outre, l’unité de commande 100 a une fonction consistant à calculer une relation entre les distances 254 des organes de masque 251 et 253 par rapport au centre 211 du faisceau laser pulsé 21 et la valeur limite 213 de la répartition d’énergie 214, selon l’énergie du faisceau laser pulsé 21, une fonction consistant à calculer une largeur WX (représentée dans la ) dans la direction d’axe X du spot 216 sur la base de la valeur de seuil de traitement et similaire, et une fonction consistant à calculer la vitesse d’avance de traitement Sur la base du rapport de chevauchement, de la largeur WX, de la fréquence de répétition, et similaire et à entrer la vitesse d’avance de traitement comme une condition de traitement. Ces fonctions sont mises en œuvre par le dispositif de traitement arithmétique en exécutant un programme stocké dans le dispositif de stockage. En outre, dans la présente invention, il n’est pas nécessaire de mettre en œuvre les fonctions décrites ci-dessus en exécutant le programme, et celles-ci peuvent également être mises en œuvre par un calcul d’un opérateur. Le procédé de traitement au laser selon le mode de réalisation est un procédé consistant à réaliser un traitement au laser sur la plaque 200 ayant la couche fonctionnelle 205 comme films organiques sur le substrat 201. Le procédé de traitement au laser selon le mode de réalisation comporte une opération de traitement de l’appareil de traitement au laser 1. Comme le montre la , le procédé de traitement au laser selon le mode de réalisation comporte une étape de définition de répartition d’énergie 1001, une étape de formation de film protecteur 1002, une étape de noircissement 1003 et une étape de traitement de rainure 1004. (Étape de définition de répartition d’énergie) L’étape de définition de répartition d’énergie 1001 est une étape consistant à régler les distances des organes de masque 251 et 253 par rapport au centre 211, et ainsi à définir la valeur limite 213 de la répartition d’énergie 214. Dans l’appareil de traitement au laser 1 ayant la configuration décrite ci-dessus, l’unité de commande 100 reçoit des conditions de traitement entrées par l’opérateur en actionnant l’unité d’entrée ou similaire. Par ailleurs, les conditions de traitement comportent la valeur de seuil de traitement de la couche fonctionnelle 205 de la plaque 200, l’énergie, la fréquence de répétition et le rapport de chevauchement du faisceau laser pulsé 21 dans l’étape de noircissement 1003, l’énergie, la fréquence de répétition et le rapport de chevauchement du faisceau laser pulsé 21 dans l’étape de traitement de rainure 1004, et similaire. Dans le mode de réalisation, l’unité de commande 100 de l’appareil de traitement au laser 1 calcule les distances 254 des organes de masque 251 et 253 par rapport au centre 211, distances pour lesquelles la valeur limite 213 est la valeur de seuil de traitement de la couche fonctionnelle 205 de la plaque 200 sur la base de la valeur de seuil de traitement, de l’énergie du faisceau laser pulsé 21 dans l’étape de noircissement 1003, et similaire, et définit la distance 254 de chacun des organes de masque 251 et 253 par rapport au centre 211 comme étant la distance à laquelle la valeur limite 213 est la valeur de seuil de traitement, en commandant l’unité de déplacement 252. Par ailleurs, dans le mode de réalisation, les conditions de traitement comportent la valeur de seuil de traitement de la couche fonctionnelle 205 de la plaque 200. Cependant, dans un cas où la valeur de seuil de traitement de la couche fonctionnelle 205 n’est pas connue, la plaque 200 peut être maintenue sous aspiration sur la table de serrage 10, le faisceau laser pulsé 21 à énergies diverses pour la plaque 200 peut être appliqué avec le point de concentration 21-1 défini dans la couche fonctionnelle 205, et l’énergie du faisceau laser pulsé 21 appliqué lorsque la couche fonctionnelle 205 est carbonisée et noircie peut être définie comme la valeur de seuil de traitement. Par ailleurs, l’opérateur de l’appareil de traitement au laser 1 peut vérifier visuellement si la couche fonctionnelle 205 est noircie ou non, ou cela peut être vérifié en réalisant une imagerie par l’unité d’imagerie 40 et en réalisant un traitement d’image bien connu. Par ailleurs, lorsque la couche fonctionnelle 205 est noircie, une propriété d’absorption du faisceau laser pulsé 21 par la couche fonctionnelle 205 est améliorée plus qu’avant le noircissement de la couche fonctionnelle 205. Ainsi, la valeur de seuil de traitement mentionnée dans la présente invention se réfère à la valeur de l’énergie du faisceau laser pulsé 21, valeur à laquelle la couche fonctionnelle 205 peut être carbonisée et noircie à un degré tel qu’elle est en mesure d’absorber le faisceau laser pulsé 21, en appliquant le faisceau laser pulsé 21 dont l’énergie est égale ou supérieure à la valeur de seuil de traitement avec le point de concentration 21-1 défini dans la couche fonctionnelle 205. (Étape de formation de film protecteur) La est une vue de côté schématisant, partiellement en coupe, l’étape de formation de film protecteur du procédé de traitement au laser représenté dans la . L’étape de formation de film protecteur 1002 est une étape consistant à revêtir le côté de la surface supérieure 202 de la plaque 200 d’un film protecteur soluble dans l’eau. Dans l’étape de formation de film protecteur 1002, un appareil de revêtement de film protecteur 60 maintient sous aspiration le côté de surface inférieure 206 de la plaque 200 sur une surface de maintien 62 d’une table tournante 61 via le ruban adhésif 209, et serre le cadre annulaire 210 par des unités de serrage 63 prévues sur la périphérie de la table tournante 61. Dans l’étape de formation de film protecteur 1002, comme le montre la , l’appareil de revêtement de film protecteur 60 fait tourner la table tournante 61 autour d’un axe, et laisse couler une résine soluble dans l’eau 65 sur la surface supérieure 202 de la plaque 200 à partir d’une buse d’alimentation en résine soluble dans l’eau 64. La résine soluble dans l’eau 65 qui a coulé circule d’un côté central jusqu’à un côté de circonférence extérieure sur la surface supérieure 202 de la plaque 200 en raison d’une force centrifuge produite par la rotation de la table tournante 61. La totalité de la surface supérieure 202 de la plaque 200 est ainsi revêtue de la résine soluble dans l’eau 65. Par ailleurs, la résine soluble dans l’eau 65 est par exemple une résine soluble dans l’eau telle qu’un alcool polyvinylique (PVA) ou que la polyvinylpyrrolidone (PVP). Dans l’étape de formation de film protecteur 1002, un film protecteur soluble dans l’eau qui recouvre la totalité de la surface supérieure 202 de la plaque 200 est formé en durcissant la résine soluble dans l’eau 65 appliquée à la totalité de la surface supérieure 202 de la plaque 200. (Étape de noircissement) La est un diagramme d’aide à l’explication schématique du rapport de chevauchement du faisceau laser pulsé dans le procédé de traitement au laser représenté dans la . La est une vue de côté schématisant, partiellement en coupe, l’étape de noircissement du procédé de traitement au laser représenté dans la . On note que le film protecteur soluble dans l’eau est omis dans la . L’étape de noircissement 1003 est une étape consistant à générer, par l’oscillateur laser 22, le faisceau laser pulsé 21 dont une longueur d’onde est transparente à la couche fonctionnelle 205, et à noircir la couche fonctionnelle 205 en irradiant la couche fonctionnelle 205 avec le faisceau laser pulsé 21 dont l’énergie est égale ou supérieure à la valeur de seuil de traitement à laquelle la couche fonctionnelle 205 est traitée, de sorte que le rapport de chevauchement du faisceau laser pulsé 21 appliqué successivement à la couche fonctionnelle 205 soit égal ou supérieur à 90 % et inférieur à 100 %. Par ailleurs, le rapport de chevauchement se réfère à un rapport (%) d’une région 216-3 (indiquée par des hachures dans la ) sur la superficie de chacun des spots 216-1 et 216-2, région - de spots 216 du faisceau laser pulsé 21 représentés dans la qui sont appliqués successivement l’un après l’autre, les spots 216 se trouvant sur la couche fonctionnelle 205 de la plaque 200 - dans laquelle un spot 216 précédant (ci-après noté spot 216-1) du faisceau laser pulsé 21 et un spot 216 ultérieur (ci-après noté spot 216-2) du faisceau laser pulsé 21 se chevauchent. Ici, en considérant que S est la vitesse d’avance de traitement (mm/sec), en considérant que WX (représentée dans la ) est la largeur (mm) dans la direction d’axe X des spots 216-1 et 216-2, et en considérant que F est la fréquence de répétition (Hz) du faisceau laser pulsé 21, le rapport de chevauchement O (%) est défini par l’Équation 1 suivante. O = [1 – {S/(WX × F)}] × 100 … Équation 1 Par ailleurs, lorsque le rapport de chevauchement O est inférieur à 90 %, la couche fonctionnelle 205 ne peut pas être noircie, et le décollement du film de la couche fonctionnelle 205 du substrat 201 ne peut pas être supprimé au moment de la réalisation de l’étape de traitement de rainure 1004. En outre, lorsque le rapport de chevauchement O est de 100 %, le faisceau laser pulsé 21 continue à être appliqué à une même position à tout moment. En outre, le rapport de chevauchement O est de préférence égal ou supérieur à 95 % afin d’être en mesure de noircir la couche fonctionnelle 205 et de supprimer parfaitement le décollement du film de la couche fonctionnelle 205 du substrat 201 au moment de la réalisation de l’étape de traitement de rainure 1004. Dans l’étape de noircissement 1003, dans l’appareil de traitement au laser 1, la plaque 200 dont la surface supérieure 202 est revêtue du film protecteur soluble dans l’eau est montée sur la surface de maintien 11 de la table de serrage 10 positionnée dans la région de charge et de décharge via le ruban adhésif 209. Dans le mode de réalisation, dans l’étape de noircissement 1003, lorsque l’unité de commande 100 reçoit une instruction de démarrage d’opération de traitement de l’opérateur à partir de l’unité d’entrée, l’appareil de traitement au laser 1 démarre l’opération de traitement, maintient sous aspiration la plaque 200 sur la surface de maintien 11 de la table de serrage 10 via le ruban adhésif 209, et serre le cadre annulaire 210 par les unités de serrage 12. En outre, dans l’étape de noircissement 1003, l’unité de commande 100 de l’appareil de traitement au laser 1 calcule la largeur WX des spots 216-1 et 216-2 sur la base de la valeur de seuil de traitement, de la distance calculée 254, et similaire, et calcule la vitesse d’avance de traitement S qui satisfait l’Équation 1 sur la base du rapport de chevauchement O et de la fréquence de répétition F définis dans les conditions de traitement. Dans l’étape de noircissement 1003, dans l’appareil de traitement au laser 1, l’unité de déplacement 30 déplace la table de serrage 10 vers la région de traitement, et l’unité d’imagerie 40 effectue une imagerie de la plaque 200. L’appareil de traitement au laser 1 effectue un alignement sur la base d’une image obtenue par l’imagerie de l’unité d’imagerie 40. Dans le mode de réalisation, l’appareil de traitement au laser 1 définit le point de concentration 21-1 du faisceau laser pulsé 21 dans la couche fonctionnelle 205 sur la base des conditions de traitement, de la vitesse d’avance de traitement S calculée, et similaire, et comme le montre la , l’unité de rayonnement de faisceau laser 20 irradie une ligne de démarcation prévue 203 avec le faisceau laser pulsé 21 sous forme d’impulsion tandis que l’unité de déplacement 30 déplace la plaque 200 maintenue sur la table de serrage 10 et le point de concentration 21-1 du faisceau laser pulsé 21 appliqué par l’unité de rayonnement de faisceau laser 20 l’un par rapport à l’autre à la vitesse d’avance de traitement S calculée le long de la ligne de démarcation prévue 203 de manière à atteindre le rapport de chevauchement O défini dans les conditions de traitement. L’appareil de traitement au laser 1 réalise ainsi un traitement au laser sur la plaque 200. L’appareil de traitement au laser 1 noircit ainsi la couche fonctionnelle 205 sur toutes les lignes de démarcation prévues 203. Par ailleurs, dans le mode de réalisation, dans l’étape de noircissement 1003, la longueur d’onde du faisceau laser pulsé 21 est définie à 514 nm, et l’énergie du faisceau laser pulsé 21 est définie à 0,2 μJ ou plus et à 2 μJ ou moins (de préférence, à 0,2 μJ ou plus et à 0,5 μJ ou moins). En outre, dans le mode de réalisation, dans l’étape de noircissement 1003, le rapport de chevauchement O est par exemple de 99 % lorsque la largeur WX (représentée dans la ) dans la direction d’axe X de chacun des spots 216-1 et 216-2 est définie à 5 μm, la fréquence de répétition F du faisceau laser pulsé 21 est définie à 1 MHz, et la vitesse d’avance de traitement S est définie à 50 mm/sec. Lorsque le rapport de chevauchement O est de 99 %, une largeur 216-4 (représentée dans la ) dans la direction d’axe X de la région 216-3 est de 4,95 μm. Dans le mode de réalisation, dans l’étape de noircissement 1003, le traitement au laser est réalisé avec un rapport de chevauchement O de 99 %, par exemple. En outre, dans l’étape de noircissement 1003, le faisceau laser pulsé 21 appliqué à la couche fonctionnelle 205 est modifié de la répartition d’énergie 212 représentée dans la à la répartition d’énergie 214 représentée dans la . Ainsi, dans l’étape de noircissement 1003, parce que le faisceau laser pulsé 21 appliqué à la couche fonctionnelle 205 est modifié de la répartition d’énergie 212 représentée dans la en la répartition d’énergie 214 représentée dans la dans laquelle les parties de base sont verticales, la transmission à travers la couche fonctionnelle 205 du faisceau laser pulsé 21 dont l’énergie est inférieure à la valeur de seuil de traitement, ainsi que son application au substrat 201, sont empêchées. (Étape de traitement de rainure) La est une vue de côté schématisant, partiellement en coupe, l’étape de traitement de rainure du procédé de traitement au laser représenté dans la . On note que le film protecteur soluble dans l’eau est omis dans la . L’étape de traitement de rainure 1004 est une étape consistant à former une rainure traitée au laser 207 en irradiant la couche fonctionnelle noircie 205 avec le faisceau laser pulsé 21 et à faire en sorte que la couche fonctionnelle noircie 205 absorbe le faisceau laser pulsé 21 après la réalisation de l’étape de noircissement 1003. Dans le mode de réalisation, dans l’étape de traitement de rainure 1004, l’appareil de traitement au laser 1 retire la couche fonctionnelle 205 et la surface du substrat 201 en irradiant la couche fonctionnelle noircie 205 avec le faisceau laser pulsé 21 de sorte que le rapport de chevauchement O dépasse 0 % et soit inférieur à 80 %. L’appareil de traitement au laser 1 forme ainsi la rainure traitée au laser 207. Dans l’étape de traitement de rainure 1004, l’unité de commande 100 de l’appareil de traitement au laser 1 calcule la vitesse d’avance de traitement S satisfaisant l’Équation 1 sur la base du rapport de chevauchement O et de la fréquence de répétition F définis dans les conditions de traitement. Dans l’étape de traitement de rainure 1004, l’appareil de traitement au laser 1 définit le point de concentration 21-1 du faisceau laser pulsé 21 dans la couche fonctionnelle noircie 205 sur la base des conditions de traitement et de la vitesse d’avance de traitement S calculée, et comme le montre la , l’unité de rayonnement de faisceau laser 20 irradie une ligne de démarcation prévue 203 avec le faisceau laser pulsé 21 sous forme d’impulsion tandis que l’unité de déplacement 30 déplace la plaque 200 maintenue sur la table de serrage 10 et le point de concentration 21-1 du faisceau laser pulsé 21 appliqué par l’unité de rayonnement de faisceau laser 20 l’un par rapport à l’autre à la vitesse d’avance de traitement S calculée le long de la ligne de démarcation prévue 203 de manière à atteindre le rapport de chevauchement O défini dans les conditions de traitement. Dans l’étape de traitement de rainure 1004, l’appareil de traitement au laser 1 réalise un traitement au laser, c’est-à-dire, un traitement par ablation sur la plaque 200 le long de la ligne de démarcation prévue 203 en appliquant le faisceau laser pulsé 21 d’une longueur d’onde absorbable par la couche fonctionnelle noircie 205 et le substrat 201. L’appareil de traitement au laser 1 forme ainsi des rainures traitées au laser 207 dans toutes les lignes de démarcation prévues 203. Par ailleurs, dans le mode de réalisation, dans l’étape de traitement de rainure 1004, la longueur d’onde du faisceau laser pulsé 21 est définie à 514 nm, et l’énergie du faisceau laser pulsé 21 est définie à 5 μJ ou plus et à 10 μJ ou moins (de préférence, à 8 μJ ou plus et à 10 μJ ou moins). En outre, dans le mode de réalisation, l’étape de traitement de rainure 1004 réalise le traitement au laser avec un rapport de chevauchement O de 75 %, par exemple. En outre, tandis que dans le mode de réalisation, dans l’étape de traitement de rainure 1004, l’appareil de traitement au laser 1 applique le faisceau laser pulsé 21 dont la répartition d’énergie 214 est représentée dans la et qui forme les spots 216-1 et 216-2 en forme rectangulaire comme dans l’étape de noircissement 1003, le faisceau laser pulsé 21 qui est en forme de spot rond (circulaire) peut être appliqué dans la présente invention. Ainsi, dans l’étape de noircissement 1003, le procédé de traitement au laser selon le mode de réalisation noircit la couche fonctionnelle 205 en appliquant le faisceau laser pulsé 21 ayant un rapport de chevauchement O plus élevé et une énergie plus faible que dans l’étape de traitement de rainure 1004, et dans l’étape de traitement de rainure 1004, le procédé de traitement au laser forme les rainures traitées au laser 207 en appliquant le faisceau laser pulsé 21 ayant un rapport de chevauchement O plus faible et une énergie plus élevée que dans l’étape de noircissement 1003. Dans le mode de réalisation, l’appareil de traitement au laser 1 arrête l’application du faisceau laser pulsé 21 lorsque l’appareil de traitement au laser 1 forme les rainures traitées au laser 207 dans toutes des lignes de démarcation prévues 203 de la plaque 200. Dans le mode de réalisation, dans l’appareil de traitement au laser 1, l’unité de déplacement 30 déplace la table de serrage 10 vers la région de charge et de décharge et arrête la table de serrage 10 dans la région de charge et de décharge, la table de serrage 10 arrête de maintenir la plaque 200 sous aspiration, et les unités de serrage 12 libérèrent le serrage du cadre annulaire 210. La plaque 200 est déchargée de la surface de maintien 11 de la table de serrage 10. L’appareil de traitement au laser 1 met alors fin à l’opération de traitement et au procédé de traitement au laser. Le film protecteur soluble dans l’eau sur la plaque 200 qui a été soumise au procédé de traitement au laser selon le mode de réalisation est retiré, la plaque 200 est soumise à un traitement de découpe le long des lignes de démarcation prévues 203, et la plaque 200 est ainsi divisée en dispositifs 204 individuels. Comme décrit ci-dessus, le procédé de traitement au laser selon le mode de réalisation comporte l’étape de noircissement 1003 et l’étape de traitement de rainure 1004. Le procédé de traitement au laser dans l’étape de noircissement 1003 applique de manière répétée le faisceau laser pulsé 21 dont l’énergie est plus faible que dans l’étape de traitement de rainure 1004 avec un rapport de chevauchement O plus élevé que dans l’étape de traitement de rainure 1004. En outre, le procédé de traitement au laser dans l’étape de traitement de rainure 1004 applique le faisceau laser pulsé 21 avec le point de concentration 21-1 défini dans la couche fonctionnelle noircie 205. Par conséquent, le procédé de traitement au laser dans l’étape de traitement de rainure 1004 applique le faisceau laser pulsé 21 à la couche fonctionnelle 205 dans un état de noircissement et donc amélioré pour ce qui est de la propriété d’absorption du faisceau laser pulsé 21. Ainsi, le procédé de traitement au laser peut former les rainures traitées au laser 207 en appliquant le faisceau laser pulsé 21 sans définir le point de concentration 21-1 dans le substrat 201, c’est-à-dire dans un état où le décollement de la couche fonctionnelle 205 est supprimé. En conséquence, le procédé de traitement au laser a pour effet de former les rainures traitées au laser 207 dans la plaque 200 pendant la suppression du décollement de la couche fonctionnelle 205. La présente invention ne se limite pas aux détails du mode de réalisation préféré décrit ci-dessus. La portée de l’invention est définie par les revendications annexées, et tous les changements et modifications qui entrent dans le cadre de l’équivalence de la portée des revendications doivent donc être inclus dans l’invention. Procédé de traitement au laser pour réaliser un traitement au laser sur une plaque (200) ayant des films organiques sur un substrat (201), le procédé de traitement au laser comprenant : une étape de noircissement consistant à émettre, par un oscillateur laser, un faisceau laser pulsé (21) dont une longueur d’onde est transparente aux films organiques, et à noircir les films organiques en irradiant les films organiques avec le faisceau laser pulsé (21) dont l’énergie est égale ou supérieure à une valeur de seuil de traitement à laquelle les films organiques sont traités, de sorte qu’un rapport de chevauchement du faisceau laser pulsé (21) appliqué successivement aux films organiques soit égal ou supérieur à 90 % et inférieur à 100 % ; et une étape de traitement de rainure consistant à former une rainure traitée au laser en irradiant les films organiques noircis avec le faisceau laser pulsé (21) et en faisant en sorte que les films organiques noircis absorbent le faisceau laser pulsé (21), après la réalisation de l’étape de noircissement. Procédé de traitement au laser selon la revendication 1, dans lequel, dans l’étape de noircissement, des parties de base d’une répartition gaussienne du faisceau laser pulsé (21) appliqué aux films organiques sont modifiées en une répartition verticale, de sorte à empêcher que le faisceau laser pulsé (21) dont l’énergie est inférieure à la valeur de seuil de traitement ne soit transmis à travers les films organiques et ne soit appliqué au substrat (201).