Brevet FR3122526A1 — publié le 20221104

Titre : Dispositif microélectronique L’invention porte sur un transistor de puissance à base de GaN comprenant : - un empilement (1) de couches (10, 11, 12, 13, 14) selon une direction verticale (z), ledit empilement (1) comprenant, à partir d’une surface supérieure (100) dudit empilement : Une première barrière (11) à base d’AlGaN, Une couche (10) à base de GaN, Une deuxième barrière (12) à base d’AlGaN, - un motif de grille (20) comprenant : Une grille métallique (21) Un diélectrique de grille (22) isolant électriquement la grille métallique (21) de l’empilement (1), Ledit motif de grille (20) traversant la première barrière (11) à base d’AlGaN. Avantageusement, le motif de grille (20) du transistor traverse totalement la couche (10) à base de GaN et au moins en partie la deuxième barrière (12) à base d’AlGaN, selon la direction verticale (z). Figure pour l’abrégé : Fig.1 Dispositif microélectronique La présente invention concerne le domaine de la microélectronique. Elle trouve pour application particulièrement avantageuse la réalisation de transistors de puissance à base de GaN. Un exemple d’application particulier concerne les transistors GaN à gaz bidimensionnel d’électrons (2DEG). ETAT DE LA TECHNIQUE Dans le domaine de l’électronique de puissance, un enjeu important concerne le développement de transistors de puissance à base de semiconducteurs « grand gap » tels que le GaN. Différentes architectures ont été spécifiquement développées pour ces transistors à base de GaN. Les architectures basées sur l’utilisation d’un gaz bidimensionnel d’électrons (2DEG) permettent typiquement de fonctionner avec des tensions de polarisation source-drain élevées. Une tension de seuil positive permet avantageusement de simplifier le circuit de commande du transistor et d’assurer la sécurité du système de conversion en cas de défaillance. Le document « Miyamoto et al., Jpn. J. Appl. Phys. 59 044002, 2020 » divulgue un transistor GaN 2DEG à tension de seuil positive. Ce transistor comprend un empilement de couches selon une direction verticale (z) comprenant, à partir d’une surface supérieure dudit empilement : Une première barrière à base d’AlGaN, Un canal à base de GaN, Une deuxième barrière à base d’AlGaN. Ce transistor comprend en outre un motif de grille comprenant : Une grille métallique Un diélectrique de grille séparant la grille métallique des couches dudit empilement. Le canal à base de GaN est compris entre les première et deuxième barrières à base d’AlGaN, et le motif de grille de ce transistor traverse la première barrière à base d’AlGaN et débouche par son extrémité inférieure au sein du canal à base de GaN. Dans cette architecture, le gaz bidimensionnel d’électrons se forme par effet de polarisation piézoélectrique et spontanée sous la première barrière à base d’AlGaN, de part et d’autre du motif de grille. L’application d’une tension source-grille Vgs supérieure à la tension de seuil Vth permet aux électrons de circuler dans le canal. La tension de seuil est ici rendue positive par la présence de la deuxième barrière à base d’AlGaN, par un simple effet électrostatique. Un inconvénient de cette solution est que la valeur de la tension de seuil est relativement faible ( on à l’état passant. Il existe donc un besoin consistant à proposer une architecture de transistor de puissance GaN 2DEG surmontant les inconvénients mentionnés ci-dessus. Un objet de la présente invention est de proposer un transistor de puissance à base de GaN présentant une tension de seuil Vth positive et suffisamment élevée, typiquement Vth > 1V et de préférence Vth > 2V. Les autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à l'examen de la description suivante et des dessins d'accompagnement. Il est entendu que d'autres avantages peuvent être incorporés. RESUME Pour atteindre cet objectif, selon un mode de réalisation on prévoit un transistor de puissance à base de GaN comprenant un empilement de couches selon une direction verticale (z), ledit empilement comprenant, à partir d’une surface supérieure dudit empilement : Une première barrière à base d’AlGaN, Une couche à base de GaN, Une deuxième barrière à base d’AlGaN. Ce transistor comprend en outre un motif de grille comprenant : Une grille métallique Un diélectrique de grille isolant électriquement la grille métallique de l’empilement. Le motif de grille du transistor traverse la première barrière à base d’AlGaN. Avantageusement, le motif de grille du transistor traverse totalement la couche à base de GaN et au moins en partie la deuxième barrière à base d’AlGaN. L’extrémité inférieure du motif de grille débouche dans ladite deuxième barrière à base d’AlGaN, ou sous ladite deuxième barrière à base d’AlGaN, par exemple dans une deuxième couche à base de GaN formant un canal de conduction. Il existe ainsi une intersection entre le motif de grille et la deuxième barrière à base d’AlGaN. La tension de polarisation Vgs nécessaire au passage des électrons autour du motif de grille est ainsi augmentée. La tension de seuil Vth au-delà de laquelle le transistor se trouve à l’état passant est significativement augmentée. Cette augmentation de Vth est induite au premier ordre par la barrière physique formée par la deuxième barrière à base d’AlGaN pour le passage des électrons. La tension de seuil n’est plus seulement modulée par effet de répulsion électrostatique comme c’est le cas dans le transistor divulgué par la solution de l’art antérieur. Au contraire, la tension de seuil est ici augmentée d’une barrière de potentiel supplémentaire à franchir. La tension de seuil bénéficie également au deuxième ordre de l’effet de répulsion électrostatique induit à proximité de la deuxième barrière à base d’AlGaN. Un effet synergique est ainsi obtenu entre le premier effet, prépondérant, lié au franchissement de la deuxième barrière elle-même, et le deuxième effet, mineur, lié à la répulsion électrostatique environnant ladite deuxième barrière. Le principe d’augmentation de Vth sur lequel se base la présente invention est ainsi fondamentalement différent du principe sur lequel se base la solution de l’art antérieur. Le transistor selon la présente invention présente ainsi une tension de seuil Vth significativement plus élevée que celle du transistor selon l’art antérieur. Par ailleurs, au cours du développement de la présente invention, il est apparu que l’augmentation de résistance à l’état passant observée en mettant en œuvre la solution de l’art antérieur était due à la proximité de la deuxième barrière à base d’AlGaN vis-à-vis de la première barrière à base d’AlGaN. Le gaz bidimensionnel d’électrons formé sous la première barrière à base d’AlGaN est en effet déplété par le champ électrostatique régnant autour de la deuxième barrière. Ainsi, plus la deuxième barrière est proche de la première barrière, plus le gaz bidimensionnel d’électrons est déplété, et plus la résistance à l’état passant augmente. Selon la présente invention, le motif de grille est prolongé en profondeur au moins jusqu’à la deuxième barrière. Cela permet avantageusement d’éloigner la deuxième barrière de la première barrière, de façon à limiter voire éliminer la déplétion du gaz bidimensionnel d’électrons formé sous la première barrière à base d’AlGaN. Selon un exemple, la deuxième barrière à base d’AlGaN est séparée de la première barrière à base d’AlGaN par une couche de GaN d’épaisseur supérieure ou égale à 50 nm, de préférence supérieure ou égale à 100 nm. Cela permet de limiter significativement l’augmentation de résistance à l’état passant du transistor. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront mieux de la description détaillée de modes de réalisation de cette dernière qui sont illustrés par les dessins d’accompagnement suivants dans lesquels : La illustre schématiquement un transistor selon un premier mode de réalisation de la présente invention. La illustre schématiquement un transistor selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention. La illustre schématiquement un transistor selon un troisième mode de réalisation de la présente invention. La illustre schématiquement un transistor selon un quatrième mode de réalisation de la présente invention. La présente une courbe d’évolution de la tension de seuil Vth de la grille du transistor en fonction de la concentration d’aluminium [Al]2 dans la deuxième barrière à base d’AlGaN. La présente une courbe d’évolution de la tension de seuil Vth de la grille du transistor en fonction de l’épaisseur e12 de la deuxième barrière à base d’AlGaN. Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l’invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l’invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier, sur les schémas de principe, les épaisseurs des différentes couches, et les dimensions des différents motifs (grille, source, drain etc) ne sont pas représentatives de la réalité. Transistor de puissance à base de GaN comprenant : un empilement (1) de couches (10, 11, 12, 13, 14) selon une direction verticale (z), ledit empilement (1) comprenant, à partir d’une surface supérieure (100) dudit empilement : Une première barrière (11) à base d’AlGaN, Une couche (10) à base de GaN, Une deuxième barrière (12) à base d’AlGaN, un motif de grille (20) comprenant : Une grille métallique (21) Un diélectrique de grille (22) isolant électriquement la grille métallique (21) de l’empilement (1), ledit motif de grille (20) traversant la première barrière (11) à base d’AlGaN, ledit transistor étant caractérisé en ce que le motif de grille (20) du transistor traverse totalement la couche (10) à base de GaN et au moins en partie la deuxième barrière (12) à base d’AlGaN, selon la direction verticale (z). Transistor selon la revendication précédente dans lequel le motif de grille (20) traverse totalement selon la direction verticale (z) la deuxième barrière (12) à base d’AlGaN. Transistor selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la grille métallique (21) du motif de grille (20) présente une extrémité (210) au niveau d’un plan basal (xy) passant au sein de la deuxième barrière (12) à base d’AlGaN. Transistor selon l’une quelconque des revendications 1 ou 2 dans lequel la grille métallique (21) du motif de grille (20) présente une extrémité (210) au niveau d’un plan basal (xy) passant au sein de la couche (10) à base de GaN. Transistor selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la couche à base de GaN (10) séparant la deuxième barrière (12) à base d’AlGaN de la première barrière (11) à base d’AlGaN, présente une épaisseur e 10 supérieure ou égale à 100 nm. Transistor selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la deuxième barrière (12) à base d’AlGaN présente une concentration en aluminium [Al]2 comprise entre 2%at et 8%at. Transistor selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la deuxième barrière (12) à base d’AlGaN présente un gradient de concentration en aluminium [Al]2(z) selon la direction verticale (z). Transistor selon la revendication précédente dans lequel la concentration en aluminium [Al]2(z) présente un profil gaussien selon la direction verticale (z). Transistor selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la deuxième barrière (12) à base d’AlGaN présente une épaisseur e12 prise selon la direction verticale (z) comprise entre 20nm et 50nm. Transistor selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la deuxième barrière (12) à base d’AlGaN comprend une pluralité de couches arrangées en super-réseau. Transistor selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre une source (31) et un drain (32) de part et d’autre du motif de grille (20), ladite source (31) traversant totalement selon la direction verticale (z) la deuxième barrière (12) à base d’AlGaN.