Brevet FR3109841A1 — publié le 20211105

Pixel comprenant une zone de stockage de charges La présente description concerne un pixel (100) comprenant une zone de photoconversion (PD), une électrode verticale isolée (114) et au moins une zone de stockage de charges (mem 1 , mem 2 ), la zone de photoconversion (PD) appartenant à une première partie d'un substrat semiconducteur et chaque zone de stockage de charges (mem1, mem2) appartenant à une deuxième partie du substrat séparée physiquement de la première partie du substrat par l'électrode (114). Figure pour l'abrégé : Fig. 4 Pixel comprenant une zone de stockage de charges La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques. La présente description concerne plus particulièrement un pixel d'un capteur, notamment d'un capteur de distance fonctionnant sur le principe de la mesure de temps de vol, ou capteur TOF ("Time Of Flight" - temps de vol), et un procédé de commande d'un tel pixel. Dans un capteur TOF, une source lumineuse émet de la lumière en direction d'une scène. Un pixel de détection de temps de vol, ou pixel TOF, du capteur reçoit la lumière renvoyée par un point de la scène conjugué avec ce pixel. La mesure du temps de vol, c'est-à-dire du temps mis par la lumière pour effectuer le trajet de la source lumineuse vers le point de la scène auquel est conjugué le pixel, et de ce point jusqu'au pixel, permet de calculer la distance séparant le pixel de ce point. Dans le cas où l'on cherche à obtenir une image en relief d'une scène, le capteur TOF comprend une matrice de pixels TOF pour mesurer la distance séparant chaque pixel du point de la scène auquel ce pixel est conjugué. Cela permet d'obtenir une cartographie des distances séparant le capteur des différents points de la scène auxquels les pixels sont conjugués, et une image en relief de la scène peut alors être reconstruite à partir de cette cartographie des distances. Un pixel d'un capteur TOF comprend des zones de stockage de charges dans lesquelles des charges qui ont été photogénérées dans une zone photosensible, ou zone de photoconversion, du pixel sont ensuite temporairement stockées avant d'être lues. La précision de mesure de la distance entre un pixel d'un capteur TOF et un point de la scène auquel est conjugué ce pixel dépend au moins en partie des transferts des charges photogénérées depuis la zone de photoconversion du pixel jusqu'aux zones de stockage temporaire de charges. D'autres pixels comprennent des zones de stockage de charges, par exemple les pixels d'un capteur d'images de type à obturation globale ("global shutter"). Dans un pixel d'un capteur de type à obturation globale, la qualité de l'image obtenue avec le capteur dépend elle aussi au moins en partie des transferts des charges photogénérées depuis la zone de photoconversion du pixel jusqu'à une zone de stockage temporaire de charges. Il existe un besoin de pallier au moins certains des inconvénients des pixels connus comprenant au moins une zone de stockage de charges, notamment des pixels connus appartenant à un capteur TOF ou à un capteur d'images à obturation globale. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des pixels connus comprenant au moins une zone de stockage de charges, notamment des pixels connus d'un capteur TOF ou d'un capteur d'image à obturation globale. Un mode de réalisation prévoit un pixel comprenant une zone de photoconversion, une électrode verticale isolée et au moins une zone de stockage de charges, la zone de photoconversion appartenant à une première partie d'un substrat semiconducteur et chaque zone de stockage de charges appartenant à une deuxième partie du substrat séparée physiquement de la première partie du substrat par l'électrode. Selon un mode de réalisation, l'électrode traverse le substrat à partir d'une première face du substrat, le pixel comprenant en outre, pour chaque zone de stockage de charges : une première zone dopée, en contact avec ladite zone de stockage de charges ; une deuxième zone dopée ; une grille reposant sur la première face, entre la zone de photoconversion et ladite deuxième zone ; et une connexion électrique entre la première zone et la deuxième zone, l'électrode étant configurée, pour chaque zone de stockage, pour isoler électriquement et optiquement la première partie du substrat comprenant la zone de photoconversion et la deuxième zone de la deuxième partie du substrat comprenant la zone de stockage de charges et la première zone. Selon un mode de réalisation, pour chaque zone de stockage de charges, ladite connexion est disposée hors du substrat, au-dessus de la première face. Selon un mode de réalisation, chaque zone de stockage de charges est délimitée latéralement en largeur par deux portions de l'électrode parallèles et en vis-à-vis l'une de l'autre, la première zone en contact avec la zone de stockage de charges étant disposée à une extrémité de la zone de stockage de charges prise dans sa longueur. Selon un mode de réalisation : le substrat est dopé d'un premier type de conductivité ; la zone de photoconversion comprend une couche dopée d'un deuxième type de conductivité, disposée dans le substrat du côté de la première face ; pour chaque zone de stockage de charges, les première et deuxième zones sont disposées dans le substrat, du côté de la première face, et sont dopées du deuxième type de conductivité ; et chaque zone de stockage de charges comprend un caisson dopé du deuxième type de conductivité, disposé dans le substrat, du côté de la première face. Selon un mode de réalisation, pour chaque zone de stockage de charges : les première et deuxième zones ont un même niveau de dopage ; et/ou les première et deuxième zones ont un même niveau de dopage que la couche de la zone de photoconversion ; et/ou le caisson de la zone de stockage de charges est plus fortement dopé que la première zone. Selon un mode de réalisation, pour chaque zone de stockage de charges, ladite grille repose sur une région de canal s'étendant de la deuxième zone à la couche de la zone de photoconversion, la région de canal étant plus faiblement dopée du deuxième type de conductivité que la couche de la zone de photoconversion et que la deuxième zone. Selon un mode de réalisation, pour chaque zone de stockage de charges, la région de canal comprend une première portion et une deuxième portion plus faiblement dopée que la première portion, la deuxième portion s'étendant de la couche de la zone de photoconversion jusqu'à la première portion, et la première portion s'étendant de la deuxième portion jusqu'à la deuxième zone. Selon un mode de réalisation, pour chaque zone de stockage de charges, la deuxième zone est séparée de la couche de la zone de photoconversion par la région de canal et par une région du substrat dopée du premier type de conductivité. Selon un mode de réalisation, pour chaque zone de stockage de charges, le pixel comprend : une zone dopée de lecture disposée dans le substrat, du côté de la première face, dans la deuxième partie du substrat comprenant la zone de stockage de charges ; et une grille supplémentaire reposant sur une portion du substrat s'étendant entre la zone de stockage de charges et la zone de lecture, de préférence, la grille supplémentaire débordant sur la zone de stockage de charges. Selon un mode de réalisation, au moins deux zones de stockage de charges appartiennent à une même deuxième partie du substrat. Un autre mode de réalisation prévoit un capteur comprenant une pluralité de pixels tels que décrits. Selon un mode de réalisation, deux pixels adjacents partagent une même deuxième partie du substrat ou une même première partie du substrat. Selon un mode de réalisation, le capteur comprend un circuit configuré pour appliquer un premier potentiel de polarisation à la première partie du substrat de chaque pixel, et, pour chaque zone de stockage de charges de chaque pixel : appliquer le premier potentiel de polarisation à la deuxième partie du substrat comprenant la zone de stockage pendant chaque phase de lecture de la zone de stockage ; et appliquer un deuxième potentiel de polarisation à ladite deuxième partie en dehors des phases de lecture de ladite zone de stockage, les premier et deuxième potentiels étant, de préférence, configurés pour qu'un puits de potentiel dans la zone de stockage de charges soit plus profond quand le deuxième potentiel est appliqué à la deuxième partie du substrat que quand le premier potentiel est appliqué à la deuxième partie du substrat. Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de commande d'un pixel tel que décrit comprenant la polarisation de la première partie du substrat avec un premier potentiel, et pour chaque zone de stockage de charges : polariser avec le premier potentiel la deuxième partie du substrat comprenant la zone de stockage de charges pendant chaque phase de lecture de la zone de stockage de charges ; et polariser avec un deuxième potentiel ladite deuxième partie en dehors des phases de lecture de ladite zone de stockage, les premier et deuxième potentiels étant, de préférence, configurés pour qu'un puits de potentiel dans la zone de stockage de charges soit plus profond quand le deuxième potentiel est appliqué à la deuxième partie du substrat que quand le premier potentiel est appliqué à la deuxième partie du substrat. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 est une vue de dessus représentant schématiquement un exemple d'un capteur TOF ; la figure 2 représente un exemple d'un circuit de pixel TOF ; la figure 3 est un chronogramme illustrant un mode de commande du pixel TOF de la figure 2 ; la figure 4 représente, en vue de dessus et de manière schématique, un mode de réalisation d'un pixel du type de celui de la figure 2 ; la figure 5 est une vue en coupe schématique selon la ligne brisée AA de la figure 4 ; la figure 6 est une vue en coupe schématique selon le plan BB de la figure 4 ; la figure 7 est une vue coupe schématique selon le plan CC de la figure 4 ; la figure 8 représente, en vue de dessus et de manière schématique, une variante de réalisation du pixel des figures 4, 5, 6 et 7 ; la figure 9 représente, en vue de dessus et de manière schématique, une autre variante de réalisation du pixel des figures 4, 5, 6 et 7 ; la figure 10 représente, en vue de dessus et de manière schématique, une partie du pixel des figures 4, 5, 6 et 7 selon une variante de réalisation ; la figure 11 est une vue en coupe schématique selon la ligne brisée AA de la figure 10 ; la figure 12 est une vue en coupe schématique selon le plan BB de la figure 10 ; et la figure 13 représente, en vue de dessus et de manière schématique, un mode de réalisation d'une association de plusieurs pixels du type décrit précédemment en relation avec les figures 4 à 12. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. La figure 1 est une vue de dessus schématique d'un exemple de capteur TOF. Le capteur 1 comprend une matrice 3 de pixels TOF, par exemple une matrice de mille lignes par mille colonnes. La matrice 3 est associée à un décodeur de ligne 7 et à un décodeur de colonne 9. Le décodeur de ligne 7 fournit des signaux 11 permettant de sélectionner l'une ou l'autre des lignes de la matrice. Le décodeur de colonne 9 permet de lire les pixels d'une ligne sélectionnée. Le décodeur de ligne 7 et le décodeur de colonne 9 sont commandés par des signaux 13 fournis par des moyens de commande et de traitement 15. Les moyens de commande et de traitement 15 comprennent, par exemple, un processeur associé à une ou plusieurs mémoires. Dans cet exemple où le capteur 1 est un capteur TOF, le capteur 1 est en outre associé à une source lumineuse 17 pour illuminer une scène dont on souhaite obtenir l'image en relief. Cette source lumineuse 17 est par exemple un laser dont la longueur d'onde peut être comprise entre 500 et 1000 nm. La source lumineuse 17 est connectée aux moyens de commande et de traitement 15, pour synchroniser les signaux de commande appliqués aux pixels TOF de la matrice 3 et à la source lumineuse 17. A titre d'exemple, la source lumineuse 17 émet un signal L E périodique, par exemple sinusoïdal, dont la fréquence peut être comprise entre 20 et 100 MHz, par exemple égale à 25 MHz. Pour chaque pixel, on détermine le déphasage φ entre le signal lumineux L E émis et un signal lumineux L R reçu par ce pixel. La distance séparant le pixel de son point conjugué est ensuite déterminée à partir de ce déphasage φ. La figure 2 représente un exemple d'un circuit d'un pixel TOF, par exemple d'un pixel TOF du capteur 1 de la figure 1. Le pixel TOF comprend un élément photosensible, ou de photoconversion, PD dont une borne est connectée à un noeud 21 et dont l'autre borne est connectée à un noeud ou rail d'application d'un potentiel de référence, par exemple la masse. Le noeud 21 est couplé à un noeud de lecture SN par l'intermédiaire de plusieurs ensembles Si identiques, dans cet exemple deux ensembles S 1 et S 2 , connectés en parallèle entre les noeuds 21 et SN. Chaque ensemble S i , avec i entier égal à 1 ou à 2 dans cet exemple, comprend un transistor MOS à canal N de transfert, Tmem i , une zone de stockage de charges mem i et un transistor MOS à canal N de lecture, Tsn i . La source du transistor Tmem i est connectée au noeud 21, et le drain du transistor Tmem i est connecté à une borne de la zone de stockage mem i . Le transistor Tmem i est commandé par un signal Vmem i appliqué sur sa grille. La source du transistor Tsn i est connectée à l'autre borne de la zone de stockage mem i , et le drain du transistor Tsn i est connecté au noeud de lecture SN. Le transistor Tsn i est commandé par un signal Vsn i appliqué sur sa grille. Des modes de réalisation de zones de stockage mem i seront donnés ci-après. Le pixel TOF est associé à un dispositif de lecture qui peut être commun à plusieurs pixels, par exemple quatre pixels. Le dispositif de lecture comporte un transistor MOS à canal N de précharge, Tres, un transistor MOS à canal N monté en source suiveuse, Tsuiv, et un transistor MOS à canal N de sélection, Tsel, connectés comme représenté. Le noeud de lecture SN est couplé par le transistor Tres à un noeud ou rail d'application d'un potentiel d'alimentation Vdd, par exemple un potentiel supérieur au potentiel de référence. Le transistor Tres est commandé par un signal Vres appliqué sur sa grille. Le noeud de lecture SN est également couplé à la grille du transistor Tsuiv dont le drain est couplé au rail d'alimentation, et dont la source est couplée à un noeud ou rail de sortie 23 du circuit du pixel par l'intermédiaire du transistor Tsel, le transistor Tsel étant commandé par un signal Vsel appliqué sur sa grille. Dans cet exemple, le pixel TOF comprend, en outre, un transistor MOS à canal N, Tres PD , de remise à zéro de l'élément photosensible PD. La source du transistor Tres PD est connectée au noeud 21 et le drain du transistor Tres PD est connecté au rail d'alimentation Vdd. Le transistor Tres PD est commandé par un signal Vres PD appliqué sur sa grille. Pour déterminer le déphasage φ entre le signal lumineux L E émis et le signal lumineux L R reçu par le pixel, le signal L R est échantillonné en transférant, successivement et à intervalles réguliers, des charges photogénérées dans l'élément de photoconversion PD vers les zones de stockage mem1, puis mem2. La durée totale pour réaliser l'ensemble de ces deux transferts successifs est inférieure ou égale à une période des signaux L E et L R . En outre, l'ensemble de ces deux transferts successifs est répété un grand nombre de fois, par exemple au moins 100 000 fois. Les charges accumulées dans les zones de stockage sont ensuite lues en transférant, vers le noeud SN, les charges de la zone mem 1 , puis de la zone mem 2 . Un mode de fonctionnement du pixel TOF de la figure 2 va maintenant être décrit plus en détail en relation avec la figure 3. La figure 3 est un chronogramme du signal lumineux L E émis par la source lumineuse 17 associée au capteur 1 (figure 1), du signal lumineux L R reçu par le pixel TOF, et des signaux numériques Vres PD , Vres, Vmem i , Vsn i et Vsel. Par défaut, les signaux Vres PD , Vmem i , Vsn i , et Vsel sont à un niveau bas et le signal Vres est à un niveau haut, les transistors Tres PD , Tmem i , Tsn i et Tsel étant alors à l'état bloqué et le transistor Tres étant à l'état passant. On procède tout d'abord à une remise à zéro de l'élément photosensible PD, dans cet exemple en mettant le transistor Tres PD à l'état passant (signal Vres PD à l'état haut) entre des instants t 0 et t 1 . Un cycle d'intégration du pixel commence alors à l'instant t 1 , et est synchronisé avec le signal L E . Pendant le cycle d'intégration, on procède aux transferts des charges photogénérées dans la zone photosensible PD vers les zones de stockage mem i . Pour cela, les transistors de transfert Tmem i sont mis à l'état passant chacun à leur tour. Plus particulièrement, le transistor Tmem 1 est mis à l'état passant (Vmem 1 haut) entre des instants t 2 et t 3 , puis le transistor Tmem 2 est mis à l'état passant (Vmem 2 haut) entre des instants t 4 et t 5 . Comme indiqué précédemment, l'ensemble de ces deux transferts est ensuite répété un grand nombre de fois. Pendant toute la durée du cycle d'intégration, le signal Vres est à l'état haut, le transistor Tres est passant, et le potentiel du noeud de lecture SN est sensiblement égal au potentiel Vdd. A la fin du cycle d'intégration, à partir d'un instant t 10 , on procède à la lecture des charges stockées dans chacune des zones de stockage mem i . Pour cela, les transistors de lecture Tsn i sont mis à l'état passant chacun à leur tour, et le niveau de potentiel sur le noeud SN est mesuré et mémorisé après chaque lecture des charges stockées dans une zone de stockage mem i . Plus particulièrement, le transistor Tsel est mis à l'état passant (Vsel haut) à l'instant t 10 et le transistor de précharge Tres est mis à l'état bloqué (Vres bas) à un instant t 11 . Le transistor Tsn 1 est ensuite mis à l'état passant (Vsn 1 haut) entre des instants successifs t 12 et t 13 , puis letransistor Tsn 2 est mis à l'état passant (Vsn 2 haut) entre des instants successifs t 14 et t 15 . Des premier et deuxième niveaux de potentiel du noeud SN sont mesurés et mémorisés, respectivement entre les instants t 13 et t 14 , et entre l'instant t 15 et un instant suivant t 16 . A l'instant t 1 6 , le signal Vsel est remis à l'état bas et le signal Vres est remis à l'état haut. Un nouveau cycle d'intégration peut alors commencer. Dans ce mode de fonctionnement, les premier et deuxième niveaux de potentiel mesurés sont représentatifs des charges stockées, respectivement, dans la zone de stockage mem 1 , et dans les zones de stockage mem 1 et mem 2 . Dans une variante de réalisation, on prévoit une remise à zéro du noeud de lecture SN, par l'application d'une impulsion d'un potentiel haut sur le transistor Tres, après chaque lecture des charges accumulées dans une zone de stockage mem i . Dans ce cas, les premier et deuxième niveaux de potentiel sont représentatifs des charges stockées dans une seule zone de stockage, respectivement mem 1 et mem 2 . Ces deux niveaux de potentiel permettent de déterminer le déphasage φ entre les signaux lumineux L E et L R , et donc d'en déduire la distance séparant le pixel du point de la scène auquel le pixel est conjugué. Bien que l'on ait décrit un mode de réalisation et de commande d'un pixel TOF comprenant deux ensembles identiques S i , le déphasage φ entre les signaux L E et L R peut également être déterminé en utilisant un pixel TOF comprenant plus de deux ensembles S i , par exemple trois ou quatre ensembles S i . A titre d'exemple, la durée d'un transfert vers une zone de stockage mem i est comprise entre 5 et 30 ns. La durée séparant deux transferts vers une même zone de stockage mem i est par exemple de 40 ns quand la fréquence des signaux L E et L R est de 25 MHz. Dans ce cas, la durée d'un cycle d'intégration peut être de 10 ms environ lorsque les transferts de charges vers chacune des zones de stockage mem i sont réalisés 250 000 fois chacun. La durée d'un transfert de charges depuis une zone de stockage mem i vers le noeud de lecture SN est par exemple comprise entre 1 et 10 µs. Dans un pixel, lorsque des charges photogénérées dans l'élément de photoconversion PD sont transférées de manière non désirée vers une zone de stockage de charges mem i , c’est-à-dire que ces charges sont transférées alors que le transistor Tmem i correspondant est à l'état bloqué, cela entraîne une erreur sur la mesure de la distance entre le pixel et un point de la scène conjugué à ce pixel. Par ailleurs, si un rayon lumineux atteignant l'élément de photoconversion PD atteint ensuite une zone de stockage de charges mem i et y génère une charge par photoconversion, cela entraîne également une erreur sur la mesure de la distance entre le pixel et un point de la scène conjugué à ce pixel. De manière similaire, dans un pixel d'un capteur à obturation globale, un transfert non désiré de charges photogénérées de l'élément de photoconversion PD du pixel vers une zone de stockage de charges mem i du pixel, et/ou une génération de charges, par photoconversion, directement dans une zone de stockage de charges mem i du pixel entraînent une diminution de la qualité de l'image obtenue avec le capteur. Pour éviter les phénomènes décrits ci-dessus, les inventeurs proposent un pixel comprenant une ou plusieurs zones de stockage de charges dans lequel chaque zone de stockage de charges est isolée optiquement et électriquement de l'élément de photoconversion du pixel lorsqu'aucun transfert n'est en cours entre l'élément de photoconversion et cette zone de stockage de charges. Plus particulièrement, les inventeurs proposent ici un pixel dans lequel la zone de photoconversion du pixel est formée dans une première partie d'un substrat semiconducteur, et chaque zone de stockage de charges du pixel est formée dans une deuxième partie du substrat qui est séparée physiquement de la première partie du substrat par une électrode verticale isolée. Un mode de réalisation d'un tel pixel va maintenant être décrit en relation avec les figures 4, 5, 6 et 7. Les figures 4, 5, 6 et 7 représentent de manière schématique un mode de réalisation d'un pixel 100 comprenant au moins une zone de stockage mem i . Dans cet exemple, le pixel 100 est un pixel TOF correspondant au pixel 1 décrit en relation avec la figure 2, le pixel 100 comprenant deux zones de stockage mem 1 et mem 2 . La figure 4 est une vue de dessus du pixel 100, les figures 5, 6 et 7 étant des vues en coupe selon respectivement la ligne brisée AA de la figure 4, le plan BB de la figure 4 et le plan CC de la figure 4. Le pixel 100 comprend un substrat semiconducteur 102, par exemple en silicium. Le substrat est dopé d'un premier type de conductivité, dans cet exemple le type P. De préférence, le niveau de dopage du substrat 102 diminue en se rapprochant d'une face 104 du substrat 102, la face supérieure dans les figures 5, 6 et 7. Le pixel 100 comprend en outre une zone photosensible, ou zone de photoconversion, PD. La zone PD est disposée dans le substrat 102. La zone PD est disposée du côté de la face 104 du substrat. Dit autrement, la zone PD pénètre dans le substrat 102 à partir de sa face 104. La zone PD est configurée pour que, lorsqu'elle reçoit de la lumière, des charges soient générées dans la zone PD, par photoconversion d'un photon en une paire électron-trou, et que les électrons photogénérés ou les trous photogénérés, dans cet exemple des électrons, s'accumulent dans la zone PD jusqu'à leur transfert vers la zone de stockage mem 1 ou mem 2 . Les charges photogénérées (électrons ou trous) qui ne sont pas destinées à être transférées vers la zone mem 1 ou mem 2 , dans cet exemple les trous photogénérés, sont évacuées vers un potentiel de polarisation appliqué au substrat 102. Pour chaque zone de stockage de charges mem i , le pixel 100 comprend une zone dopée 106 i en contact avec cette zone mem i , cette zone 106 i étant dite associée à la zone mem i . Chaque zone 106 i est disposée dans le substrat 102, du côté de sa face 104. Dit autrement, chaque zone 106 i pénètre dans le substrat 102, depuis sa face 104. Dans cet exemple, le pixel 100 comprend donc une zone 106 1 en contact avec la zone de stockage de charges mem 1 et une zone 106 2 en contact avec la zone de stockage de charges mem 2 . Pour chaque zone de stockage de charges mem i , le pixel 100 comprend en outre une zone dopée 108 i et une grille Gmem i , la zone dopée 108 i et la grille Gmem i étant dites associées à cette zone mem i . Chaque zone 108 i est disposée dans le substrat 102, du côté de sa face 104. Dit autrement, chaque zone 108 i pénètre dans le substrat 102, depuis sa face 104. Les zones 108 i sont dopées du même type de conductivité que les zones 106 i , et, plus particulièrement, du type de conductivité opposé à celui du substrat 102, les zones 106 i et 108 i étant donc dopées du type N dans cet exemple. En outre, de préférence, chaque zone 108 i a le même niveau de dopage que la zone 106 i correspondante. Chaque grille Gmem i repose sur la face 104 du substrat 102, entre la zone PD et la zone mem i à laquelle la grille Gmem i est associée. Dit autrement, le substrat 102 comprend une région 126 i (voir la région 126 1 en figure 5) s'étendant depuis la zone mem i jusqu'à la zone PD, qui est recouverte, de préférence entièrement, par la grille Gmem i . La grille Gmem i correspond à la grille du transistor Tmem i , le drain et la source de ce transistor Tmem i étant formés respectivement par la zone 108 i et par la zone PD, et la région de canal de ce transistor Tmem i étant constituée par la région 126 i . Dans cet exemple d'un pixel 100 à deux zones mem 1 et mem 2 , le pixel 100 comprend donc une zone 108 1 et une grille Gmem 1 reposant sur la face 104 du substrat 102, entre la zone PD et la zone mem 1 , ainsi qu'une zone 108 2 et une grille Gmem 2 reposant sur la face 104 du substrat 102, entre la zone PD et la zone mem 2 . Pour chaque zone mem i , le pixel 100 comprend une connexion électrique 110 i entre les deux zones dopées 106 i et 108 i qui sont associées à la zone mem i . La connexion électrique 110 i a une extrémité en contact avec la zone 106 i et une extrémité en contact avec la zone 108 i . Par connexion électrique, on entend ici une connexion constituée d'un ou plusieurs éléments conducteurs, de préférence d'un ou plusieurs éléments conducteurs métalliques. Plus exactement, cette connexion électrique 110 i est mise en œuvre en dehors du substrat 102, au-dessus de sa face 104 comme cela se voit en figure 5. La connexion 110 i comprend, par exemple, deux vias en contact avec les zones respectives 106 i et 108 i , et une portion d'un niveau de métal d'une structure d'interconnexion (non représentée) reposant sur la face 104 du substrat 102, cette portion de niveau de métal connectant électriquement les deux vias entre eux. Dans l'exemple décrit ici, le pixel 100 comprend donc une connexion électrique 110 1 entre les zones dopées 106 1 et 108 1 , et une connexion électrique 110 2 entre les zones dopées 106 2 et 108 2 . De préférence, comme cela est illustré en figure 4, chaque zone 106 i et chaque zone 108 i comprend une zone de reprise de contact 112, plus fortement dopée du même type que la zone 106 i ou 108 i à laquelle elle appartient, les zones de reprise de contact étant donc dopées de type N dans cet exemple. Chaque connexion électrique 110 i est alors en contact, à chacune de ses extrémités, avec une zone 112. Le pixel 100 comprend en outre une électrode verticale isolée 114. L'électrode 114 pénètre dans le substrat 102 à partir de sa face 104, l'électrode 114 étant sensiblement orthogonale à la face 104. L'électrode 114 traverse le substrat 102, sur toute son épaisseur. Dit autrement, l'électrode 114 s'étend depuis la face 104 du substrat 102 jusqu'à une face 116 du substrat 102 (face inférieure en figures 5 et 6), opposée à la face 104. Bien que cela n'ait pas été représenté en figure 4 pour ne pas surcharger la figure, l'électrode 114 comprend, comme cela se voit en figure 5, un mur vertical conducteur, ou cœur conducteur, 1141, et une couche isolante 1142 recouvrant le mur 1141, et, plus exactement, toutes les parois latérales du mur 1141, le mur 1141 étant ainsi séparé et isolé électriquement du substrat 102. Le mur conducteur 1141 est par exemple en silicium polycristallin dopé. La couche 1142 est par exemple une couche d'oxyde de silicium ou une superposition de couches isolantes, par exemple une superposition d'une couche d'oxyde de silicium, d'une couche de nitrure de silicium et d'une couche d'oxyde de silicium formant une structure ONO (Oxyde Nitrure Oxyde). En fonctionnement, un potentiel de polarisation est appliqué à l'électrode 114. Dans cet exemple où les charges photogénérées destinées à être transférées vers les zones mem i sont les électrons photogénérées, ce potentiel de polarisation est choisi de manière à attirer des trous vers les parois de l'électrode 114. A titre d'exemple, ce potentiel de polarisation est égal à -2 V. L'électrode 114 sépare physiquement le substrat 102 en plusieurs parties. Dit autrement, l'électrode 114 définit, dans le substrat 102, plusieurs parties du substrat 102 isolées électriquement et optiquement les unes des autres par l'électrode 114. Deux parties différentes du substrat 102 sont dites isolées électriquement et optiquement l'une de l'autre, par exemple, si au moins l'une ces deux parties du substrat 102 est entièrement entourée d'une portion de l'électrode 114. Plus particulièrement, les zones PD et 108 i appartiennent à une première partie du substrat 102, et les zones mem i et 106 i appartiennent à au moins une deuxième partie du substrat 102, isolée électriquement et optiquement de la première partie du substrat 102. Dit autrement, chaque zone mem i appartient à une deuxième partie du substrat 102 isolée électriquement et optiquement de la première partie du substrat 102 comprenant la zone PD. Pour chaque zone mem i , la zone mem i et la zone 106 i en contact avec cette zone mem i appartiennent à la même deuxième partie du substrat 102. En fonctionnement, lorsque de la lumière est reçue par la zone PD et que des charges y sont photogénérées et accumulées, tant que la grille Gmem 1 ou Gmem 2 n'est pas commandée pour transférer ces charges photogénérées depuis la zone PD jusqu'à la zone 108 1 ou 108 2 respectivement, ces charges ne peuvent pas atteindre les zones mem 1 et mem 2 , du fait de l'isolation électrique mise en œuvre par l'électrode 114 entre la première partie du substrat 102 comprenant la zone PD et la ou les deuxièmes parties du substrat 102 comprenant les zones mem 1 et mem 2 . En outre, lorsqu'un rayon lumineux atteint la première partie du substrat 102 comprenant la zone PD, ce rayon lumineux est bloqué par l'électrode 114 et ne peut pas se propager jusqu'à une deuxième partie du substrat 102 comprenant la zone mem 1 et/ou la zone mem 2 , où ce rayon aurait pu générer des charges par photoconversion. Dans le mode de réalisation illustré par les figures 4, 5, 6 et 7, chaque zone mem i appartient à une deuxième partie différente du substrat 102. Dit autrement, dans cet exemple, la zone PD et les zones 108 1 et 108 2 appartiennent à une première partie du substrat, les zones mem 1 et 106 1 appartiennent à une deuxième partie du substrat 102, et les zones mem 2 et 106 2 appartiennent à une autre deuxième partie du substrat 102. Les deuxièmes parties sont isolées électriquement et optiquement de la première partie, dans cet exemple du fait que chaque deuxième partie est entièrement entourée par une portion correspondante de l'électrode 114. Chaque zone mem i du pixel 100 a, en vue de dessus ou, dit autrement, dans un plan parallèle aux faces 104 et 116, une forme rectangulaire. Chaque zone mem i est délimitée latéralement en largeur par deux portions de l'électrode 114, parallèles et en vis-à-vis l'une de l'autre. Pour chaque zone de stockage mem i , la zone 106 i qui lui est associée est, par exemple, disposée à une extrémité de la zone mem i prise dans le sens de sa longueur. De préférence, deux zones 106 i et 108 i connectées l'une à l'autre par une connexion 110 i , c'est-à-dire deux zones 106 i et 108 i associées à une même zone mem i , sont disposées respectivement de chaque côté d'une même portion de l'électrode 114, par exemple en face l'une de l'autre de chaque côté de cette portion de l'électrode 114. De préférence, comme cela est représenté en figure 4, la zone PD est au moins partiellement délimitée latéralement, c’est-à-dire dans un plan parallèle aux faces 104 et 116, par l'électrode 114. Dit autrement, l'électrode 114 est disposée sur, ou constitue, au moins une partie du contour de la zone PD. Dans l'exemple de la figure 4, la zone PD a, en vue de dessus, une forme sensiblement carrée. Comme cela est représenté en figure 4, l'électrode 114 est alors par exemple disposée sur trois côtés de la zone PD. Comme cela est représenté en figure 4, les zones 108 i sont alors de préférence disposées dans des coins de la zone PD. Dans l'exemple représenté, la zone mem 1 est disposée le long d'un premier côté de la zone PD, et la zone mem 2 est disposée le long d'un deuxième côté de la zone PD. La prévision d'une zone mem i disposée le long d'un côté de la zone PD permet qu'une portion de l'électrode 114, délimitant latéralement en largeur la zone mem i , délimite également le côté de la zone PD bordé par cette zone mem i . Cela permet au pixel 100 d'être particulièrement compact. Dans le présent mode de réalisation, les zones mem i sont des zones de stockage de charges, ou zones mémoire, pincées, et la zone PD est une photodiode pincée. Il y a donc, dans chacune des zones mem i et PD un puits de potentiel dans lequel des charges peuvent être stockées ou accumulées. La profondeur du puits d'une zone mem i ou PD dépend notamment de la polarisation appliquée à la partie du substrat 102 qui comprend cette zone mem i ou PD. Selon un mode de réalisation, en fonctionnement, un premier potentiel de polarisation est appliqué à la première partie du substrat 102 qui comprend la zone PD. En outre, pour chaque zone de stockage mem i , le premier potentiel de polarisation est appliqué à la deuxième partie du substrat 102 qui comprend la zone mem i , pendant chaque phase de lecture de la zone mem i , et, plus exactement, pendant toute la durée de chaque phase de lecture de cette zone mem i . En dehors des phases de lecture de la zone mem i , un deuxième potentiel de polarisation est appliqué à la deuxième partie du substrat 102 comprenant la zone mem i . Les premier et deuxième potentiel de polarisation sont choisis de sorte que le puits de potentiel dans une zone mem i soit plus profond quand la deuxième partie du substrat 102 qui comprend cette zone mem i est polarisée avec le deuxième potentiel que quand elle est polarisée avec le premier potentiel. Ainsi, quand la zone mem i n'est pas en train d'être lue, un plus grand nombre de charges peut être stocké dans la zone mem i . A titre d'exemple, dans le cas d'un substrat 102 dopé de type P, le premier potentiel est par exemple le potentiel de masse, le deuxième potentiel étant alors supérieur au premier potentiel, par exemple sensiblement égal à 1 V. La prévision de deux potentiels de polarisation pour la ou les deuxièmes parties du substrat 102 comprenant les zones mem i est rendue possible du fait que cette ou ces deuxièmes parties sont isolées électriquement de la première partie du substrat comprenant la zone PD par l'électrode 114. A titre d'exemple, les premier et deuxième potentiels de polarisation sont fournis par un circuit de commande du pixel 100, par exemple par un circuit de commande des pixels d'un capteur comprenant plusieurs pixels 100, par exemple un capteur similaire à celui décrit en relation avec la figure 1. Le pixel 100 comprend en outre, pour chaque zone mem i , une zone de lecture 118 i dopée disposée dans le substrat 102, du côté de sa face 104. Dit autrement, la zone 118 i pénètre dans le substrat 102 à partir de sa face 104. La zone 118 i est dite associée à cette zone mem i . La zone 118 i est dopée du même type de conductivité que les zones 106 i et 108 i , c’est-à-dire du type N dans cet exemple. Pour chaque zone mem i , le pixel 100 comprend également une grille 120 i reposant sur une portion 121 i du substrat 102 s'étendant entre la zone mem i et la zone de lecture 118 i associée à cette zone mem i . Dit autrement, la région 121 i s'étend depuis la zone mem i jusqu'à la zone 118 i qui est recouverte, de préférence entièrement, par la grille 120 i . La grille 120i est dite associée à cette zone mem i . La grille 120 i correspond à la grille du transistor Tsn i décrit en relation avec la figure 2, la zone de lecture 120 i et la zone mem i associées à cette grille 120 i formant la source et le drain du transistor Tsn i , et la portion 121 i du substrat formant la région de canal de ce transistor Tsn i . Dans l'exemple décrit ici, le pixel 100 comprend donc une zone 118 1 et une grille 120 1 associées à la zone mem 1 , ainsi qu'une zone 118 2 et une grille 120 2 associées à la zone mem 2 . Chaque zone 120 i appartient à la même deuxième partie du substrat 102 que la zone mem i à laquelle elle est associée. Comme cela est représenté en figures 4 et 5, la zone de lecture 118 i associée à une zone mem i est par exemple disposée du côté d'une extrémité de la zone mem i , prise dans le sens de sa longueur, opposée à l'extrémité de la zone mem i en contact avec la zone 106 i associée à cette zone mem i . De préférence, chaque grille 120 i déborde sur la zone de stockage de charges mem i à laquelle elle est associée, ce qui facilite le transfert de charges de la zone mem i vers la zone 118 i correspondante. La mise en œuvre des zones mem i et PD décrites précédemment va maintenant être décrite plus en détail. Comme cela est illustré en figures 5, 6 et 7, la zone PD comprend une couche 122 dopée du même type de conductivité que les zones 106 i , 108 i et 118 i , c’est-à-dire de type N dans cet exemple. De préférence, le niveau de dopage de la couche 122 est inférieur ou égal, par exemple égal, à celui des zones 106 i et 108 i . La couche 122 est disposée dans le substrat 102, du côté de sa face 104. Dit autrement, la couche 122 pénètre dans le substrat 102 à partir de sa face 104. Bien que cela ne soit pas visible sur les figures, en vue de dessus, la couche 122 s'étend latéralement sur toute la surface de la zone PD, jusqu'aux portions de l'électrode 114 délimitant la zone PD. En outre, bien que cela ne soit pas représenté dans les figures 4 à 7, de préférence, la couche 122 est revêtue, du côté de la face 104, d'une couche dopée du même type que le substrat 102, du type P dans cet exemple, cette couche étant en outre plus fortement dopée que le substrat 102. Cette couche fortement dopée de type P a une face confondue avec la face 104. De préférence, du côté de la face 104, la couche 122 est entièrement revêtue par cette couche fortement dopée de type P. Lorsque, dans une direction orthogonale à la face 104, le niveau de dopage du substrat 102 diminue en s'approchant de la surface 104, et, plus exactement, en s'approchant de la couche 122, les charges photogénérées destinées à être transférées vers une zone mem i , c’est-à-dire les électrons photogénérés dans cet exemple, sont plus facilement drainées jusqu'à la couche 122 où elles peuvent s'accumuler avant d'être transférées vers une zone mem i . Chaque zone mem i comprend un caisson 124 dopé du même type de conductivité que la couche 122, c’est-à-dire du type N dans cet exemple, disposé dans le substrat 102, du côté de la face 104. Dit autrement, le caisson 124 pénètre dans le substrat 102 à partir de sa face supérieure 104. De préférence, le niveau de dopage de chaque caisson 124 est supérieur à celui des zones 106 i et 108 i . Bien que cela ne soit pas visible sur les figures, en vue de dessus, le caisson 124 de chaque zone mem i s'étend sur toute la surface de la zone mem i . Le caisson 124 s'étend donc de l'une à l'autre des portions parallèles de l'électrode 114 qui délimitent latéralement la zone mem i en largeur. En outre, bien que cela ne soit pas représenté dans les figures 4 à 7, chaque caisson est revêtu, du côté de la face 104, d'une couche dopée du même type que le substrat 102, dans cet exemple du type P, cette couche étant en outre plus fortement dopée que le substrat 102. Cette couche fortement dopée de type P a une face confondue avec la face 104. De préférence, du côté de la face 104, chaque caisson 124 est entièrement revêtu par cette couche fortement dopée de type P, à l'exception d'une éventuelle portion du caisson 124 revêtue par la grille 120 i correspondante. De préférence, cette couche fortement dopée de type P a le même niveau de dopage que la couche fortement dopée de type P qui recouvre la couche 122, par exemple, du fait que ces couches ont été réalisées simultanément. En fonctionnement, quand l'électrode 114 est polarisée et que des charges, dans cet exemple des trous, s'accumulent le long de l'électrode 114, cela entraîne une passivation de l'interface entre d'une part la couche isolante 1142 de l'électrode 114 et d'autre part les caissons 124 et la couche 122 dopée de type N. Cette passivation évite que des charges photogénérées, et, plus particulièrement des électrons photogénérés dans cet exemple, soient piégés au niveau de cet interface. En outre, cette accumulation de trous le long de l'électrode 114 forme une couche conductrice qui se retrouve alors au même potentiel que le substrat 102 et qui borde latéralement les caissons 124 et la couche 122. Selon un mode de réalisation, comme cela est représenté en figure 5, chaque portion 126 i du substrat 102 revêtue d'une grille Gmem i et s'étendant entre la zone PD et une zone 108 i correspondante est dopée du même type de conductivité que la couche 120 et la zone 106 i , c’est-à-dire du type N dans cet exemple. Cela permet, lors d'un transfert de charges de la zone PD vers une zone mem i , de réduire, voire de rendre nul, le nombre de charges restant piégées à l'interface entre le substrat 102 et l'isolant de la grille Gmem i . En outre, dans un tel mode de réalisation, cette région de canal 126 i est de préférence moins fortement dopée que la couche 120 et que la région 108 i entre lesquelles elle s'étend. Ainsi, en dehors d'un transfert de charges, via la région 126 i , depuis la zone PD vers la zone mem i correspondante, la région de canal 126 i forme une barrière de potentiel pour les charges. Selon un mode de réalisation, comme cela est illustré en figure 5, pour chaque zone mem i , lorsque la région 126 i est dopée du type de conductivité opposé à celui du substrat 102, c’est-à-dire du type N dans cette exemple, la région 126 i comprend une première portion 1261 i et une deuxième portion 1262 i dopées du type de conductivité opposé à celui du substrat 102, c’est-à-dire du type N dans cet exemple. La deuxième portion 1262 i est plus faiblement dopée que la première portion 1261 i . La portion 1262 i s'étend de la couche 122 à la portion 1261 i , et la portion 1261 i s'étend de la portion 1262 i à la zone 108 i correspondante. La portion 1262 i forme alors, entre la portion 1261 i et la couche 122, une barrière de potentiel qui empêche les charges présentes dans la portion 1261 i de revenir vers la couche 122. Cela est particulièrement avantageux à la fin d'un transfert de charges de la zone PD vers une zone mem i , quand le potentiel appliqué sur la grille Gmem i correspondante est commuté d'une première valeur pour laquelle la région 126 i forme un puits de potentiel entre la zone 108 i et la couche 122, à une deuxième valeur pour laquelle la région 126 i forme une barrière de potentiel entre la zone 108 i et la couche 122. Pour chaque zone mem i , il n'y a aucune portion de la couche 122 en contact direct avec la zone 108 i associée à cette zone mem i , comme cela se voit notamment en figures 4, 5 et 7. La zone 108 i est, par exemple, séparée de la couche 122, non seulement par la région de canal 126 i revêtue de la grille Gmem i correspondante, mais également par une région 128 i du substrat 102, disposée de part et d'autre de la grille Gmem i . Selon un mode de réalisation, comme cela a été décrit en relation avec la figure 2, et comme cela est représenté en figures 4 et 6, le pixel 100 comprend un transistor Tres PD . Dans cet exemple, le transistor Tres PD est dit "à grille verticale". Dit autrement, le transistor Tres PD comprend une région 129 dopée du même type que la couche 122, c’est-à-dire du type N dans cet exemple, la région 129 étant plus fortement dopée que la couche 122 et étant entourée par une électrode verticale isolée 130, ou grille verticale 130, traversant le substrat 102. La grille verticale 130 comprend un mur conducteur 1301 et une couche isolante 1302 séparant et isolant le mur 1301 du substrat 102. De préférence le mur 1301 et la couche 1302 sont identiques, respectivement, au mur 1141 et à la couche 1142 de l'électrode 114. Un espace e est ménagé entre deux extrémités de l'électrode 130, en vis-à-vis l'une de l'autre (en traits en pointillé en figure 6). La couche 122 se prolonge, dans cet espace e, jusqu'à la région 129. En fonctionnement, un potentiel d'alimentation est appliqué à la région 129. En outre, selon le niveau de potentiel d'un signal de commande (Vres PD en figure 2) appliqué à la grille 130, soit une barrière de potentiel se forme dans l'espace e et empêche le passage des charges photogénérées vers la région 129 (transistor Tres PD bloqué), soit la barrière de potentiel est absente et les charges photogénérées dans la couche 122 sont évacuées de la zone PD vers le potentiel appliqué à la région 129 (transistor Tres PD passant). La figure 8 représente, en vue de dessus et de manière schématique, une variante de réalisation du pixel 100 des figures 4, 5, 6 et 7. Dans cette variante, plusieurs zones mem i appartiennent à une même deuxième partie du substrat 102 isolée optiquement et électriquement de la première partie du substrat 102 comprenant la zone PD. Seules les différences entre le pixel 100 des figures 4, 5, 6 et 7 et le pixel 100 de la figure 8 sont mises en exergue. De préférence, comme cela est illustré en figure 8, cette deuxième partie du substrat 102 commune à plusieurs zones mem i comprend une portion 132 qui n'est pas occupée par ces zones mem i , les zones 106 i et 118 i associées à ces zones mem i , et les grilles 120 i correspondantes. Ainsi, des transistors (non représentés), par exemple les transistors Tres, Tsuiv et Tsel décrits en relation avec la figure 2, peuvent être formés dans cette portion 132. Plus particulièrement, dans cet exemple, la zone mem 1 appartient à la même deuxième partie du substrat 102 que la zone mem 2 . De préférence, cette deuxième partie du substrat 102 comprend une portion 132 telle que décrite ci-dessus. Par exemple, la zone mem 1 est disposée le long d'un premier côté de la zone PD, la zone mem 2 est disposée le long d'un deuxième côté de la zone PD opposé au premier côté et la portion 132 est disposée le long d'un troisième côté de la zone PD. Ainsi, la portion de l'électrode qui délimite la région 132 du côté de la zone PD, délimite également le troisième côté de la zone PD. Cela permet que le pixel 100 soit particulièrement compact. La figure 9 représente, en vue de dessus et de manière schématique, une autre variante de réalisation du pixel 100 des figures 4, 5, 6 et 7. Seules les différences entre le pixel 100 des figures 4, 5, 6 et 7 et le pixel 100 de la figure 9 sont mises en exergue. Dans cette variante, pour chaque zone mem i , le pixel 100 comprend une zone de stockage de charges supplémentaire mem i ', identique à la zone mem i et formée dans la même deuxième partie du substrat 102 que la zone mem i , la zone mem i ' étant dite associée à la zone mem i . Contrairement à la zone mem i , la zone mem i ' n'est pas en contact avec la zone 106 i . En revanche, la zone mem i ' partage la même grille 120 i et la même zone de lecture 118 i que la zone mem i . En outre, le caisson dopé 124 (figure 5) de la zone mem i comprend un prolongement (non représenté) jusqu'au caisson dopé (non représenté) de la zone mem i '. Ce prolongement est recouvert par la grille 120 i . Ainsi, lorsque potentiel appliqué à la grille 120 i est tel que le transistor Tsn i (figure 2) est à l'état bloqué, si le nombre de charges photogénérées qui ont été transférées dans la zone mem i devient trop important, les charges en excès débordent dans la zone mem i ' où elles peuvent être stockées avant d'être lues en même temps que les charges stockées dans la zone mem i . De préférence, comme cela est représenté en figure 9, chaque zone mem i ' est disposée le long de la zone mem i avec laquelle elle est associée, de sorte qu'une des deux portions de l'électrode 114 qui délimite latéralement et en largeur la zone mem i , soit également une des deux portions de l'électrode 114 qui délimite latéralement et en largeur la zone mem i '. La figure 10 représente, en vue de dessus et de manière schématique, une partie du pixel 100 des figures 4, 5, 6 et 7 selon une variante de réalisation. La figure 11 est une vue en coupe schématique selon la ligne brisée AA de la figure 10. La figure 12 est une vue en coupe schématique selon le plan BB de la figure 10. Seules les différences entre le pixel 100 des figures 4, 5, 6 et 7 et le pixel 100 des figures 10, 11 et 12 sont mises en exergue. Les figures 10, 11 et 12, et plus particulièrement la figure 10, représentent une partie de la zone PD, une partie du transistor Tres PD , une partie de l'électrode 114, une zone mem i , les zones 106 i , 108 i et 118 i associées à cette zone mem i , et les grilles Gmem i et 120 i associées à cette zone mem i . La zone mem 1 est représentée dans cet exemple, étant entendu que ce qui est décrit ici pour la zone mem 1 s'applique à toutes les zones mem i . Dans cette variante, les zones 106 1 et 108 1 comprennent chacune une zone de reprise de contact 112. La région 112 de la zone 108 1 est séparée de la portion de l'électrode 114 avec laquelle la zone 108 1 est en contact par une tranchée isolante 134. Cela permet de limiter les couplages capacitifs entre l'électrode 114 et la région 112. A titre d'exemple, la tranchée 134 pénètre dans le substrat 102 à partir de sa face 104, moins profondément que la zone 108 i . De préférence, la région 112 de la zone 108 1 a un côté à l'aplomb d'un côté de la grille Gmem 1 , et est bordée par la tranchée 134 sur tous ses autres côtés. De manière similaire, la région 112 de la zone 106 1 peut aussi être séparée de la portion de l'électrode 114 avec laquelle la zone 106 1 est en contact par une tranchée isolante 134. A titre d'exemple, la tranchée 134 pénètre dans le substrat 102 à partir de sa face 104, moins profondément que la zone 106 i . De préférence, la région 112 de la zone 106 1 a un côté en contact avec la zone mem 1 , et est entourée de la tranchée 134 sur tous ses autres côtés. Comme cela est représenté en figures 10 et 12, de préférence, la zone 118 1 est également séparée des portions de l'électrode 114 qui l'entoure par une tranchée isolante 134. De préférence, la tranchée 134 entoure entièrement la zone 118 1 , sauf du côté de la zone 118 1 qui est à l'aplomb d'un côté de la grille 120 1 correspondante. La variante de réalisation des figures 10, 11 et 12 est compatible avec la variante de la figure 8 et/ou avec la variante de la figure 9. Par ailleurs, les variantes 8 et 9 peuvent être combinées. Lorsque le pixel 100 décrit ci-dessus fait partie d'une matrice de pixels 100 d'un capteur, par exemple un capteur TOF du type de celui décrit en relation avec la figure 1, des pixels adjacents peuvent partager des éléments communs, en particulier une première ou une deuxième partie du substrat 102. A titre d'exemple : une zone mem i d'un pixel 100 peut appartenir à une même deuxième partie du substrat 102 qu'une zone mem i d'un pixel 100 adjacent ou, dit autrement, deux pixels 100 voisins peuvent partager une même deuxième partie du substrat 102 ; et/ou deux pixels 100 voisins peuvent partager une même électrode 114 ; et/ou la zone PD d'un pixel 100 peut appartenir à la même première partie du substrat 102 que la zone PD d'un pixel voisin 100, ou, dit autrement, deux pixels 100 voisins peuvent partager une même première partie du substrat 102 ; et/ou une zone mem i d'un pixel 100 et une zone mem i d'un pixel 100 voisin peuvent être associées à une même zone de lecture 118 i ; et/ou toutes les zones mem i d'un pixel 100 peuvent appartenir à une même deuxième partie du substrat 102 que celle à laquelle appartiennent également toutes les zones mem i d'un pixel 100 voisin, cette deuxième partie du substrat pouvant comprendre une région 132 commune aux deux pixels 100 voisins. Un exemple particulier d'une association de plusieurs pixels 100 comprenant des éléments communs, ou, dit autrement, des éléments partagés par plusieurs pixels 100 adjacents, va maintenant être décrit. La figure 13 représente, en vue de dessus et de manière schématique, un mode de réalisation d'une association de plusieurs pixels 100 adjacents d'un capteur comprenant une matrice de pixels 100, par exemple le capteur 1. Plus particulièrement, la figure 13 représente trois pixels 100, ci-après référencés respectivement 100-1, 100-2 et 100-3, d'une même ligne ou d'une même colonne d'une matrice de pixels 100, de préférence d'une même colonne de la matrice. Le pixel 100-2 est par exemple disposé entre les pixels 100-1 et 100-3, chacun des pixels 100-1 et 100-3 étant adjacent au pixel 100-2. En figure 13, le pixel 100-1, partiellement représenté, est disposé en haut de la figure, le pixel 100-2, entièrement représenté, est disposé au centre de la figure, et le pixel 100-3, partiellement représenté, est disposé en bas de la figure. Dans cet exemple de mode de réalisation, comme cela a été décrit en relation avec la figure 8, chaque pixel 100-1, 100-2, 100-3 a deux zones mem 1 et mem 2 appartenant à une même deuxième partie du substrat 102, cette deuxième partie du substrat 102 comprenant une région 132. En outre, comme cela a été décrit en relation avec la figure 9, chaque zone mem i de chaque pixel 100-1, 100-2, 100-3 est associée à une zone mem i ' supplémentaire. Enfin, comme cela a été décrit en relation avec les figures 10, 11 et 12, des tranchées isolantes 134 sont prévues pour chaque zone 108 i , chaque zone 106 i et chaque zone 118 i . Dans ce mode de réalisation, tous les pixels 100-1, 100-2 et 100-3 partagent une même électrode 114. En effet, bien que la figure 13 semble représenter plusieurs électrodes 114 disjointes, ces dernières correspondent en fait à des portions d'une même électrode 114. De préférence, bien que cela ne soit pas visible en figure 13, tous les pixels 100 d'une matrice de pixels 100 d'un capteur partagent la même électrode 114. Dans ce mode de réalisation, la zone PD du pixel 100-2 appartient à la même première partie du substrat 102 que la zone PD du pixel 100-1. En revanche, la zone PD du pixel 100-3 appartient à une autre première partie du substrat 102. De préférence, comme cela est représenté en figure 13, les deux pixels 100-1 et 100-2 qui partagent une même première partie du substrat 102 partagent le même transistor Tres PD . Dans cet exemple où le transistor Tres PD est à grille verticale, l'électrode 130 comprend alors deux portions disjointes. Un espace e est ménagé, du côté de la zone PD du pixel 100-1, entre une première extrémité d'une première portion de l'électrode 130 et une première extrémité d'une deuxième portion de l'électrode 130, et un autre espace e est ménagé, du côté de la zone PD du pixel 100-2, entre une deuxième extrémité de la première portion de l'électrode 130 et une deuxième extrémité de la deuxième portion de l'électrode 130. En outre, comme les pixels 100-1 et 100-2 partagent une même première partie du substrat 102, bien que le pixel 100-1 ne partage pas ses zones 108 i avec le pixel 100-2, la tranchée 134 d'une zone 108 i du pixel 100-1 est de préférence la même tranchée 134 que celle de la zone 108 i correspondante du pixel 100-2. Dans ce mode de réalisation, les zones mem i et mem i ' du pixel 100-2 appartiennent à la même deuxième partie du substrat 102 que les zones mem i et mem i ' du pixel 100-3. En revanche, les zones mem i et mem i ' du pixel 100-1 appartiennent à une autre deuxième partie du substrat 102. Comme les pixels 100-2 et 100-3 partagent une même deuxième partie du substrat 102, la zone 132 qu'elle comprend est commune à ces deux pixels 100-2 et 100-3, comme cela est représenté en figure 13. Ainsi, les transistors qui sont formés dans cette région 132 commune, dans cet exemple les transistors Tres, Tsuiv et Tsel décrits en relation avec la figure 2, sont communs aux deux pixels 100-2 et 100-3. En outre, comme les pixels 100-2 et 100-3 partagent une même deuxième partie du substrat 102, deux zones mem i et mem i ' du pixel 100-2 peuvent être associées à la même zone 118 i que celle à laquelle sont associées deux zones mem i et mem i ' correspondantes du pixel 100-3. Autrement dit, dans cet exemple, les pixels 100-2 et 100-3 partagent une même zone 118 1 et partagent une même zone 118 2 . A titre d'exemple, comme cela est représenté en figure 13, deux zones mem i et mem i ' du pixel 100-2 ont chacune une extrémité disposée en vis-à-vis d'un même premier côté de la zone 118 i correspondante, et les deux zones correspondantes mem i et mem i ' du pixel 100-3 ont chacune une extrémité disposée en vis-à-vis d'un même deuxième côté de cette zone 118 i , ce deuxième côté étant opposé au premier côté. A titre d'exemple, l'association des trois pixels 100-1, 100-2 et 100-3 décrite ci-dessus peut être répétée dans une première direction dans laquelle les pixels 100-1, 100-2 et 100-3 se succèdent, c’est-à-dire verticalement en figure 13, par exemple pour former une colonne de pixels 100. Cette colonne de pixels est par exemple répétée dans une deuxième direction orthogonale à la première pour former une matrice de pixels. Lorsque l'association des trois pixels 100-1, 100-2 et 100-3 décrite ci-dessus est également répétée dans la deuxième direction (horizontalement en figure 13) chaque zone mem i ' d'un pixel 100 est alors de préférence délimitée latéralement en largeur par une portion de l'électrode 114 qui délimite également une zone mem i ' correspondante d'un pixel 100 voisin. Le mode de réalisation décrit en relation avec la figure 13 permet l'obtention d'une matrice de pixels 100 particulièrement compacte. On a décrit ci-dessus, en relation avec les figures 4 à 13, des modes de réalisation et variantes de réalisation d'un pixel 100 dans le cas où, à titre d'exemple, le pixel 100 comprend deux zones de stockage mem i . La personne du métier est en mesure d'adapter la description de cet exemple au cas d'un pixel 100 ne comprenant qu'une seule zone mem i ou, au contraire, plus de deux zones mem i . A titre d'exemple, un pixel 100 ne comprenant qu'une seule zone mem i est utilisé comme pixel d'un capteur d'images à obturation globale. A titre d'exemple, un pixel 100 comprenant trois zones mem i peut être utilisé dans un capteur TOF, de manière similaire à ce qui a été décrit précédemment. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, on a décrit le pixel 100 dans le cas où, à titre d'exemple, les charges photogénérées qui sont destinées à être transférées vers les zones mem i sont des électrons photogénérés. La personne du métier est en mesure d'adapter la description faite au cas où ces charges sont des trous photogénérés, notamment en inversant tous les types de conductivité indiqués à titre d'exemple et en adaptant les niveaux de potentiel de commande et de polarisation. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. En particulier, la personne du métier est en mesure de choisir les niveaux haut et bas des signaux de commande appliqués aux grilles Gmem i , 130 et 120 i et/ou le ou les niveaux de potentiel de polarisation appliqués au substrat 102 et/ou le niveau du potentiel de polarisation appliqué à l'électrode 114 et/ou les niveaux de dopage des diverses couches, zones et caissons décrits, par exemple au moyen d'un outil de simulation mis en œuvre par ordinateur. Pixel (100, 100-1, 100-2, 100-3) comprenant une zone de photoconversion (PD), une électrode verticale isolée (114) et au moins une zone de stockage de charges (mem 1 , mem 2 ), la zone de photoconversion (PD) appartenant à une première partie d'un substrat semiconducteur (102) et chaque zone de stockage de charges (mem 1 , mem 2 ) appartenant à une deuxième partie du substrat (102) séparée physiquement de la première partie du substrat (102) par l'électrode (114). Pixel selon la revendication 1, dans lequel l'électrode (114) traverse le substrat (102) à partir d'une première face (104) du substrat (102), le pixel comprenant en outre, pour chaque zone de stockage de charges (mem 1 , mem 2 ) : une première zone dopée (106 1 , 106 2 ), en contact avec ladite zone de stockage de charges (mem 1 , mem 2 ) ; une deuxième zone dopée (108 1 , 108 2 ) ; une grille (Gmem 1 , Gmem 2 ) reposant sur la première face (104), entre la zone de photoconversion (PD) et ladite deuxième zone (108 1 , 108 2 ) ; et une connexion électrique (110 1 , 110 2 ) entre la première zone (106 1 , 106 2 ) et la deuxième zone (108 1 , 108 2 ), l'électrode (114) étant configurée, pour chaque zone de stockage (mem 1 , mem 2 ), pour isoler électriquement et optiquement la première partie du substrat (102) comprenant la zone de photoconversion (PD) et la deuxième zone (108 1 , 108 2 ) de la deuxième partie du substrat (102) comprenant la zone de stockage de charges (mem 1 , mem 2 ) et la première zone (106 1 , 106 2 ). Pixel selon la revendication 2, dans lequel, pour chaque zone de stockage de charges (mem 1 , mem 2 ), ladite connexion (110 1 , 110 2 ) est disposée hors du substrat (102), au-dessus de la première face (104). Pixel selon la revendication 2 ou 3, dans lequel, chaque zone de stockage de charges (mem 1 , mem 2 ) est délimitée latéralement en largeur par deux portions de l'électrode (114) parallèles et en vis-à-vis l'une de l'autre, la première zone (106 1 , 106 2 ) en contact avec la zone de stockage de charges (mem 1 , mem 2 ) étant disposée à une extrémité de la zone de stockage de charges (mem 1 , mem 2 ) prise dans sa longueur. Pixel selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, dans lequel : le substrat (102) est dopé d'un premier type de conductivité ; la zone de photoconversion (PD) comprend une couche (122) dopée d'un deuxième type de conductivité, disposée dans le substrat (102) du côté de la première face (104) ; pour chaque zone de stockage de charges (mem 1 , mem 2 ), les première (106 1 , 106 2 ) et deuxième (108 1 , 108 2 ) zones sont disposées dans le substrat (102), du côté de la première face (104), et sont dopées du deuxième type de conductivité ; et chaque zone de stockage de charges (mem 1 , mem 2 ) comprend un caisson (124) dopé du deuxième type de conductivité, disposé dans le substrat (102), du côté de la première face (104). Pixel selon la revendication 5, dans lequel, pour chaque zone de stockage de charges (mem 1 , mem 2 ) : les première (106 1 , 106 2 ) et deuxième (108 1 , 108 2 ) zones ont un même niveau de dopage ; et/ou les première (106 1 , 106 2 ) et deuxième (108 1 , 108 2 ) zones ont un même niveau de dopage que la couche (122) de la zone de photoconversion (PD) ; et/ou le caisson (124) de la zone de stockage de charges (mem 1 , mem 2 ) est plus fortement dopé que la première zone (106 1 , 106 2 ). Pixel selon la revendication 5 ou 6, dans lequel, pour chaque zone de stockage de charges (mem 1 , mem 2 ), ladite grille (Gmem 1 , Gmem 2 ) repose sur une région de canal (126 1 , 126 2 ) s'étendant de la deuxième zone (108 1 , 108 2 ) à la couche (122) de la zone de photoconversion (PD), la région de canal (126 1 , 126 2 ) étant plus faiblement dopée du deuxième type de conductivité que la couche (122) de la zone de photoconversion (PD) et que la deuxième zone (108 1 , 108 2 ). Pixel selon la revendication 7, dans lequel, pour chaque zone de stockage de charges (mem 1 , mem 2 ), la région de canal (126 1 ) comprend une première portion (1261 1 ) et une deuxième portion (1262 1 ) plus faiblement dopée que la première portion (1261 1 ), la deuxième portion (1262 1 ) s'étendant de la couche (122) de la zone de photoconversion (PD) jusqu'à la première portion (1261 1 ), et la première portion (1261 1 ) s'étendant de la deuxième portion (1262 1 ) jusqu'à la deuxième zone (108 1 ). Pixel selon la revendication 7 ou 8, dans lequel, pour chaque zone de stockage de charges (mem 1 , mem 2 ), la deuxième zone (108 1 , 108 2 ) est séparée de la couche (122) de la zone de photoconversion (PD) par la région de canal (126 1 , 126 2 ) et par une région (128 1 , 128 2 ) du substrat (102) dopée du premier type de conductivité. Pixel selon l'une quelconque des revendications 2 à 9, dans lequel, pour chaque zone de stockage de charges (mem 1 , mem 2 ), le pixel comprend : une zone dopée de lecture (118 1 , 118 2 ) disposée dans le substrat (102), du côté de la première face (104), dans la deuxième partie du substrat (102) comprenant la zone de stockage de charges (mem 1 , mem 2 ) ; et une grille supplémentaire (120 1 , 120 2 ) reposant sur une portion (121 1 ) du substrat (102) s'étendant entre la zone de stockage de charges (mem 1 , mem 2 ) et la zone de lecture (118 1 , 118 2 ), de préférence, la grille supplémentaire (120 1 , 120 2 ) débordant sur la zone de stockage de charges (mem 1 , mem 2 ). Pixel selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel au moins deux zones de stockage de charges (mem 1 , mem 2 ) appartiennent à une même deuxième partie du substrat (102). Capteur (1) comprenant une pluralité de pixels (100, 100-1, 100-2, 100-3) selon l'une quelconque des revendications 1 à 11. Capteur selon la revendication 12, dans lequel deux pixels adjacents (100-1, 100-2) partagent une même deuxième partie du substrat (102) ou une même première partie du substrat (102). Capteur selon la revendication 12 ou 13, comprenant un circuit configuré pour appliquer un premier potentiel de polarisation à la première partie du substrat (102) de chaque pixel, et, pour chaque zone de stockage de charges (mem 1 , mem 2 ) de chaque pixel : appliquer le premier potentiel de polarisation à la deuxième partie du substrat comprenant la zone de stockage pendant chaque phase de lecture de la zone de stockage ; et appliquer un deuxième potentiel de polarisation à ladite deuxième partie en dehors des phases de lecture de ladite zone de stockage, les premier et deuxième potentiels étant, de préférence, configurés pour qu'un puits de potentiel dans la zone de stockage de charges (mem 1 , mem 2 ) soit plus profond quand le deuxième potentiel est appliqué à la deuxième partie du substrat (102) que quand le premier potentiel est appliqué à la deuxième partie du substrat (102). Procédé de commande d'un pixel (100, 100-1, 100-2, 100-3) selon l'une quelconque des revendications 1 à 11 comprenant l'étape de polariser la première partie du substrat (102) avec un premier potentiel, et pour chaque zone de stockage de charges (mem 1 , mem 2 ), les étapes de : polariser avec le premier potentiel la deuxième partie du substrat (102) comprenant la zone de stockage de charges (mem 1 , mem 2 ) pendant chaque phase de lecture de la zone de stockage de charges (mem 1 , mem 2 ) ; et polariser avec un deuxième potentiel ladite deuxième partie en dehors des phases de lecture de ladite zone de stockage (mem 1 , mem 2 ), les premier et deuxième potentiels étant, de préférence, configurés pour qu'un puits de potentiel dans la zone de stockage de charges (mem 1 , mem 2 ) soit plus profond quand le deuxième potentiel est appliqué à la deuxième partie du substrat (102) que quand le premier potentiel est appliqué à la deuxième partie du substrat (102).