Brevet FR3104318A1 — publié le 20210611

L'invention concerne un procédé de formation d'un substrat de manipulation à haute résistivité pour substrat composite, le procédé comprenant les étapes suivantes : - fournir un substrat de base en silicium ; - exposer le substrat de base à un précurseur unique de carbone à une pression inférieure à la pression atmosphérique pour former une couche de carbure de silicium polycristallin d'au moins 5 nm sur la surface du substrat de base ; et puis - faire croître une couche polycristalline de piégeage de charge sur la couche contenant du carbone. Figure à publier avec l'abrégé : Fig. 1 PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN SUPPORT DE MANIPULATION À HAUTE RÉSISTIVITÉ POUR SUBSTRAT COMPOSITE DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne un support de manipulation à haute résistivité pour substrat composite. Elle concerne aussi un procédé de formation d'un tel substrat de manipulation. CONTEXTE TECHNOLOGIQUE DE L'INVENTION Le document WO 2017 144 821 décrit un substrat de manipulation à haute résistivité pour substrat composite comprenant une couche de piégeage de charge disposée sur un substrat de base. Le substrat composite peut être, par exemple, un substrat de silicium sur isolant comprenant un film mince de silicium transféré sur le substrat de manipulation. Dans un mode de réalisation décrit dans le document susmentionné, la couche de piégeage de charge est faite d'une couche intermédiaire et d'une couche principale polycristalline. La couche intermédiaire est constituée d'un alliage de silicium et de carbone (ou de carbone) et est disposée directement sur le substrat de base. La couche principale est disposée sur, et en contact avec, la couche intermédiaire. La structure multicouche de la couche de piégeage de charge permet d'empêcher le phénomène de recristallisation de la couche polycristalline principale quand le substrat est exposé à une température élevée, par exemple pendant sa fabrication ou pendant la fabrication de dispositifs intégrés sur le substrat composite. Quand la couche de piégeage recristallise, même partiellement, les performances RF (radiofréquence) du substrat et des dispositifs intégrés qui y seront formés sont affectées, ce qui n'est évidemment pas souhaitable. Pour préparer le substrat de manipulation à haute résistivité, le document propose de placer le substrat de base dans une chambre de dépôt conventionnelle. Un flux d'un premier gaz précurseur traverse la chambre. Le premier gaz précurseur peut être un précurseur contenant du silicium, par exemple du SiH 4 , pour faire croître la couche polycristalline principale. Un second gaz précurseur comprenant du carbone est introduit dans la chambre pour former la couche intermédiaire. Ce gaz précurseur peut être composé de méthane (CH 4 ), d'éthane (C 2 H 6 ), de propane (C 3 H 8 ), d'acétylène (C 2 H 2 ), d'éthylène (C 2 H 4 )… Quand les deux gaz précurseurs pénètrent simultanément dans la chambre pour faire croître la couche intermédiaire d'alliage de silicium et de carbone, il y a un risque de formation d'un dépôt sur les parois de la chambre et sur le suscepteur sur lequel repose le substrat de base. De tels dépôts nécessitent un nettoyage à fond de la chambre, par exemple par décapage, ce qui prend du temps et réduit le flux de production. Un tel problème est par exemple décrit de façon détaillée dans la publication WO 2019 002 376. Également, des dépôts d'espèces de silicium et de carbone peuvent créer des particules qui peuvent être transportées sur les surfaces du substrat de base ou du substrat de manipulation et rendre le substrat impropre à une utilisation ultérieure. On a aussi observé que des espèces dopantes, comme le bore, pouvaient être incorporées dans la couche intermédiaire et/ou la couche principale, en particulier quand le substrat de base est un substrat standard de silicium obtenu par tirage Czochralski (c.-à-d. non conçu pour présenter des caractéristiques de résistivité élevées). Un tel substrat de silicium obtenu par tirage Czochralski comprend une certaine concentration résiduelle de bore et d'autres dopants, qui peuvent migrer vers la surface de la tranche de base pendant la croissance de la couche de piégeage de charge. Quand il est présent dans la couche de piégeage de charge, le dopant réduit la résistivité de cette couche et la performance RF globale du substrat de manipulation. OBJET DE L'INVENTION La présente invention vise à surmonter tout ou partie des inconvénients susmentionnés. Elle vise notamment à proposer un procédé de formation d'un substrat de manipulation présentant des caractéristiques de résistivité élevées et facile à fabriquer. BRÈVE DESCRIPTION DE L’INVENTION En vue d'atteindre ce but, l’objet de la présente invention propose un procédé de formation d’un substrat de manipulation à haute résistivité pour substrat composite, le procédé comprenant les étapes suivantes : - fournir un substrat de base en silicium ; - exposer le substrat de base à un précurseur unique de carbone à une pression inférieure à la pression atmosphérique pour former une couche de carbure de silicium polycristallin d'au moins 5 nm sur la surface du substrat de base ; et puis - faire croître une couche polycristalline de piégeage de charge sur la couche contenant du carbone. Selon d'autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l'invention, prises individuellement ou dans toute combinaison techniquement réalisable : - le substrat de base a une résistivité supérieure à 1000 ohm.cm ; - le substrat de base a une résistivité inférieure à 1000 ohm.cm ; - le procédé comprend en outre la formation d'une couche épitaxiale intrinsèque de silicium directement sur le substrat de base avant d'exposer le substrat de base au précurseur unique de carbone ; - la couche de piégeage de charge a une épaisseur supérieure à 5 ou 10 microns ; - la couche de piégeage de charge est faite de silicium polycristallin ; - la couche contenant le carbone polycrystallin présente une épaisseur d'au moins 10 nm ; - le précurseur unique de carbone présente une température comprise entre 700°C et 1200°C ; - le procédé comprend en outre l'exposition du substrat de base à une atmosphère réductrice à une température d'au moins 900°C pour éliminer une couche d'oxyde natif du substrat de base, avant d'exposer le substrat de base au précurseur unique de carbone. Selon un autre aspect, l'invention concerne aussi un substrat de manipulation à haute résistivité pour substrat composite comprenant : - un substrat de base en silicium ; - une couche de carbure de silicium polycristallin présentant une épaisseur d'au moins 5 nm directement sur la surface du substrat de base ; - une couche polycristalline de piégeage de charge sur la couche de carbure de silicium polycristallin. Éventuellement, la couche de carbure de silicium polycristallin peut comprendre une concentration de dopant inférieure à 10 14 atomes/cm³ et le substrat de manipulation à haute résistivité peut en outre comprendre une couche épitaxiale intrinsèque de silicium en contact avec le substrat de base, et avec la couche de carbure de silicium polycristallin. Finalement, l'invention concerne aussi un substrat composite comprenant un substrat de manipulation à haute résistivité tel que décrit précédemment et, sur le substrat de manipulation, un film mince en matériau cristallin. Avantageusement, le substrat composite comprend en outre une couche diélectrique disposée entre le substrat de manipulation et le film mince. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à partir de la description détaillée de l’invention ci-après, qui se réfère aux figures ci-jointes parmi lesquelles : La Figure 1 représente schématiquement un substrat de manipulation pour une structure semiconductrice selon l’invention ; La Figure 2 représente schématiquement un substrat composite utilisant un substrat de manipulation selon l’invention ; . Les Figures 3 et 4 sont des mesures SRP pour respectivement deux substrats de manipulation. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION La Figure 1 représente schématiquement un support de manipulation à haute résistivité pour substrat composite selon un mode de réalisation de la présente invention. Le substrat de manipulation 1 peut se présenter sous la forme d'une tranche circulaire, de taille normalisée, par exemple 200 mm ou 300 mm, voire 450 mm de diamètre. Cependant, la présente invention n'est en aucune façon limitée à ces dimensions ou à cette forme. Le substrat de manipulation 1 comprend un substrat de base 3 en silicium, ayant typiquement une épaisseur de plusieurs centaines de microns. Préférentiellement, le substrat de base en silicium présente une résistivité élevée, supérieure à 1000 ohm.cm et, plus préférentiellement supérieure à 3000 ohm.cm. De cette façon, la densité des charges, trous ou électrons susceptibles de se déplacer dans le substrat de base est limitée. Il peut s'agir par exemple d'un substrat obtenu par tirage Czochralski à faible teneur en oxygène interstitiel qui présente, comme cela est bien connu en soi, une résistivité qui peut être supérieure à 500 ohm.cm ou supérieure à 1000 ohm.cm. Cependant, l'invention ne se limite pas à un substrat de base en silicium présentant une telle résistivité et procure aussi des avantages en performances RF quand le substrat de base présente une résistivité plus habituelle, de l'ordre de quelques centaines d'ohm.cm ou moins, par exemple inférieure à 1000 ohm.cm ou inférieure à 500 ohm.cm ou encore inférieure ou égale à 10 ohm.cm. Quand le substrat de base 3 présente une résistivité plus habituelle, inférieure à 1000 ou 500 ohm.cm, il peut être avantageux d’utiliser une couche épitaxiale intrinsèque de silicium disposée directement sur le substrat de base 3. Par "intrinsèque", on entend que cette couche n'est pas intentionnellement dopée. On fait croître la couche épitaxiale de silicium pour qu’elle présente dans ce cas une résistivité supérieure à 2000 ohm.cm, préférentiellement comprise entre 2000 ohm.cm et 20000 ohm.cm. Ladite couche épitaxiale 2 a une épaisseur allant typiquement de 2 à 100 microns. Cette approche est particulièrement avantageuse quand le substrat de base est en silicium, car elle permet d’obtenir un substrat ayant une résistivité de surface appropriée, sans l'inconvénient en termes de coût et de disponibilité associé à des substrats de base qui présentent une résistivité élevée sur toute leur épaisseur. Le substrat de manipulation 1 comprend aussi, sur le substrat de base 3, une couche polycrystalline 2 de piégeage de charge. La fonction de la couche de piégeage de charge est de piéger tout porteur de charge éventuellement présent dans le substrat de manipulation 1 et de limiter sa mobilité. Pour des raisons de disponibilité et de coût, la couche 2 de piégeage de charge est préférentiellement faite à partir de silicium polycristallin. Toutefois, elle peut être constituée à partir d'un autre matériau semi-conducteur et polycristallin, ou comprendre une portion réalisée à partir d'un autre matériau semi-conducteur et polycristallin. Il peut s'agir par exemple de germanium, de silicium-germanium, etc. Dans tous les cas, la couche polycristalline 2 de piégeage de charge présente une résistivité élevée, habituellement supérieure à 3000 ohm.cm. A cet effet, cette couche n'est pas intentionnellement dopée, c'est-à-dire qu'elle présente une concentration en dopants inférieure à 10 14 atomes par centimètre cube. Elle peut être riche en azote ou en carbone pour améliorer sa caractéristique de résistivité. Le substrat de manipulation 1 à haute résistivité comprend également, interposée entre le substrat de base 3 et la couche polycrystalline 2 de piégeage de charge, une couche 4 de carbure de silicium polycristallin d'au moins 5 nm d'épaisseur, et de préférence d'au moins 10 nm d'épaisseur. Une telle épaisseur de carbure de silicium constitue une barrière efficace contre la diffusion de dopants, tels que le bore, éventuellement présents dans le substrat de base 3. Cette couche présente habituellement une résistivité supérieure à 1000 ohm.cm. Le substrat de manipulation 1 à haute résistivité est ainsi constitué du substrat de base 3 (comprenant éventuellement une couche supérieure épitaxiale intrinsèque de silicium), de la couche 4 de carbure de silicium polycristallin directement en contact avec le substrat de base 3 et d’une couche polycrystalline 2 de piégeage de charge, sur et directement en contact avec la couche polycrystalline 4 de carbure de silicium. Il n'est pas prévu, dans ce mode de réalisation, d'incorporer d'autres couches, en particulier des couches électriquement isolantes dans ou sous la couche polycrystalline 2 de piégeage de charge, qui pourraient modifier les propriétés de la structure proposée. La couche polycristalline 2 de piégeage de charge peut avoir une épaisseur supérieure à 1 micron, ou supérieure à 5 microns, voire supérieure à 10 microns. Que son épaisseur soit supérieure ou inférieure à ces limites, la couche 2 de piégeage de charge peut être composée de grains de taille comprise entre 100 et 1000 nanomètres. Finalement et comme représenté sur la Figure 1, le substrat de manipulation 1 peut éventuellement comporter une couche diélectrique 5 directement sur la couche 2 de piégeage. Cette couche diélectrique 5, qui est facultative, peut faciliter l'assemblage du substrat de manipulation 1 avec un autre substrat. Elle peut par exemple être faite d'oxyde de silicium ou de nitrure de silicium. Par souci d'exhaustivité, la Figure 2 représente un substrat composite qui comprend un substrat de manipulation 1 selon la présente invention. Comme il ressort très clairement de cette figure, le substrat composite comprend, sur le substrat de manipulation 1, un film mince 6, réalisé de préférence en matériau cristallin. Par exemple et sans limitation, le film mince 6 peut être réalisé en matériau semi-conducteur, tel que le silicium, ou en matériau piézoélectrique, tel que le tantalate de lithium (LiTaO 3 ), le niobate de lithium (LiNbO 3 ), l'oxyde d'aluminium et de lithium (LiAlO 3 ), le titanate de baryum (BaTiO 3 ), le titanate-zirconate de plomb (PbZrTiO 3 ), le niobate de potassium (KNbO 3 ), le zirconate de baryum (BaZrO 3 ), le titanate de calcium (CaTiO 3 ), le titanate de plomb (PbTiO 3 ), le tantalate de potassium (KTaO 3 ), etc. La structure de la Figure 2 peut être formée de bien des façons à partir du substrat de manipulation 1, mais avantageusement cette formation comprend une étape de transfert du film mince 6 sur le substrat de manipulation 1. Comme cela est bien connu en soi , on effectue habituellement ce transfert en assemblant la face d'un substrat donneur sur le substrat de manipulation 1. Cela peut être réalisé en présence ou non de la couche diélectrique 5. Quand le film mince 6 est réalisé en matériau piézoélectrique, son orientation cristalline est choisie en fonction de l'application prévue. Pour les filtres à ondes de surface réalisés en tantalate de lithium LiTaO 3 , il est habituel de choisir une orientation comprise entre 30° et 60° XY, ou entre 40° et 50° XY. Pour le niobate de lithium LiNbO 3 , il est courant de choisir une orientation autour de 128° XY. Mais l'invention n'est nullement limitée à une orientation cristalline particulière d'un film mince piézoélectrique. Le substrat donneur peut avoir été prélevé sur un lingot en matériau ferroélectrique de telle sorte que le substrat donneur présente l'orientation cristalline choisie. En variante, le substrat donneur peut comprendre une couche épaisse en matériau ferroélectrique assemblée à un substrat de support. Après cette étape d'assemblage, on réduit l’épaisseur du substrat donneur afin de former le film mince 6. Cette étape de réduction peut être effectuée par amincissement mécanique ou chimique. Elle peut aussi être exécutée par fracture au niveau d'une zone fragile préalablement introduite dans le substrat donneur, par exemple conformément aux principes de la technologie Smart Cut™. Des étapes de finition du film mince 6, telles qu'une étape de polissage, un traitement thermique sous atmosphère réductrice ou neutre ou une oxydation sacrificielle peuvent être enchaînées avec l'étape de réduction d'épaisseur. Quand le substrat donneur est un simple substrat, c'est-à-dire ne comprenant pas de dispositif intégré, on forme un substrat composite du type "semi-conducteur sur isolant", dans lequel le film mince 6 est une couche de semi-conducteurs vierges, comprenant le substrat de manipulation 1 selon l'invention. On peut alors utiliser le substrat composite pour réaliser des dispositifs intégrés. Quand le substrat donneur a été préalablement traité afin de réaliser des dispositifs intégrés sur sa surface, à la fin de ce procédé on dispose d’un film mince 6 qui comprend ces dispositifs. La fabrication du substrat de manipulation 1 selon la présente description est particulièrement simple et réalisable avec un équipement de dépôt standard de l'industrie. Le substrat de base 3 est fourni et placé dans une chambre de dépôt conventionnelle. Comme cela est bien connu en soi , on peut préparer le substrat de base 3 avant dépôt, par exemple afin d'éliminer de sa surface une couche d'oxyde natif. Cela peut s’effectuer en exposant le substrat de base dans la chambre à une atmosphère réductrice à une température d'au moins 900°C. Cette étape n'est cependant pas obligatoire et on peut garder cet oxyde. Il est en effet suffisamment fin, de 1 à 2 nm, pour ne pas avoir d'effet isolant (conduction à travers cette couche par effet tunnel) dans la mesure où de futurs traitements thermiques ne l'auront pas fait complètement disparaître par dissolution. On expose alors le substrat de base 3 à un seul gaz précurseur de carbone à une pression inférieure à la pression atmosphérique, comprise par exemple entre 0,01 Torr et 760 Torr. Le gaz précurseur de carbone peut être composé de méthane (CH 4 ), d'éthane (C 2 H 6 ), de propane (C 3 H 8 ), d'acétylène (C 2 H 2 ), d'éthylène (C 2 H 4 ) … Le gaz précurseur peut être introduit dans la chambre à une température comprise entre 700°C et 1200°C (ou chauffé à l’intérieur de la chambre), de telle sorte que les espèces carbonées germent sur la surface du substrat de base. Un flux de gaz de transport (tel que H 2 ) peut aussi être introduit simultanément dans la chambre, mais aucun autre gaz précurseur que le gaz précurseur de carbone ne circule sur le substrat de base 3. En évitant la réaction de l'espèce carbonée avec d'autres espèces d'un second précurseur, le dépôt de composé carboné sur la paroi de la chambre est limité et on évite la génération de particules. Il a été observé de manière surprenante que quand cette étape de dépôt s’effectue sous pression partielle de carbone réduite (c.-à-d. inférieure à la pression atmosphérique), cette nucléation de l'espèce carbonée s’effectue sur un îlot isolé sur la surface. Les atomes de silicium provenant de la plaque de base diffusent alors dans l’îlot de carbone, formant des îlots de carbure de silicium stœchiométriques ou proches de la stœchiométrie de type 3C/6H et 4H. Les îlots coalescent pour former une couche de carbure de silicium polycristallin relativement épaisse. Quand on maintient le flux de gaz précurseur de carbone pendant quelques minutes, l'épaisseur des couches polycristallines croît jusqu'à plusieurs nanomètres. Dans un exemple particulier, on introduit un gaz précurseur de carbone, du C 3 H 8 , mélangé à du H 2 dans un rapport 180sccm/5slm, on le fait circuler pendant 5 minutes à une pression de 10 Torr dans la chambre et on le chauffe à 1000°C. On a alors observé sur la surface du substrat de base 3 en silicium une couche polycristalline 4 de carbure de silicium de 10 nm. Quand l'étape de dépôt s’effectue à la pression atmosphérique ou au-dessus, un phénomène complètement différent a lieu sur la surface du substrat de base 3. Les espèces carbonées germent avec une grande densité sur la surface de la plaque de base et bloquent la diffusion des atomes de silicium à partir de cette surface. Une couche de carbone cristalline ou en partie cristalline croît alors lentement sur la surface, alignée avec le réseau de silicium, dans une structure 3C. Une telle couche présente typiquement une épaisseur de 2 nm après 10 minutes de dépôt. Il apparaît par conséquent que faire circuler un seul gaz précurseur de carbone sous pression réduite sur le substrat de base 3 est un moyen très efficace pour former une couche relativement épaisse (supérieure à 5 nm ou 10 nm) de carbure de silicium polycristallin. Une telle couche est avantageuse parce que, grâce à sa nature polycristalline, elle permet alors de préparer et de préserver la nature polycristalline de la couche de piégeage de charge que l'on fait croître sur elle. Également, l'épaisseur relativement importante de la couche polycristalline de carbure de silicium se forme assez rapidement et constitue une barrière de diffusion efficace pour éviter la migration d'espèces dopantes du substrat de base 3 vers la couche de piégeage de charge. De plus, il a été observé qu'un tel procédé de croissance, sous pression réduite, incorporait très peu de dopants (comme le bore) dans la couche intermédiaire en carbure de silicium. Des mesures ont montré une concentration en bore inférieure à 10 14 atomes/cm³ dans une telle couche de carbure de silicium. On croit que les espèces dopantes (éventuellement présentes à la surface du substrat de base ou incorporées dans celle-ci) sont diffusées hors de la couche de carbure de silicium pendant sa formation et évacuées de la chambre de dépôt avec le gaz précurseur et de transport. Après que l'on ait fait croître la couche polycristalline de carbure de silicium sur le substrat de base, la chambre est traversée par la circulation d’un second gaz précurseur, par exemple du SiH 4 , à une température de l'ordre de 1000°C, afin de former de manière conventionnelle une couche polycristalline de piégeage de charge. La durée de circulation du second gaz précurseur détermine l'épaisseur de la couche polycristalline 2 et cette durée peut être choisie de sorte à faire croître une couche de 5 microns, 10 microns ou plus. Avantageusement, la couche polycristalline de carbure de silicium et la couche polycristalline de piégeage de charge sont formées in situ , dans la même chambre de dépôt. Cela évite de contaminer l'empilement de couches par des dopants ou des contaminants provenant de l'atmosphère et préserve les caractéristiques de résistivité élevée du substrat de manipulation 1. Pour être complet, le substrat de manipulation 1 peut être pourvu d'une couche diélectrique 5, par exemple un oxyde de silicium ou un nitrure de silicium, déposée conventionnellement. Cet isolant 5 peut aussi être poli. Quand le substrat de base 3 est pourvu d'une couche épitaxiale intrinsèque de silicium, la formation de cette couche peut être réalisée in situ avec la formation de la couche polycristalline de carbure de silicium. Cette approche évite une rupture du vide dans la chambre de dépôt et améliore ainsi le temps de traitement brut et l'efficacité globale du procédé. Cela empêche aussi le substrat de manipulation d'attraper des contaminations provenant de l'atmosphère ambiante, telles que des particules ou des résidus de bore éventuellement présents dans la salle blanche. Les deux couches peuvent aussi être formées dans des chambres de dépôt séparées, mais partageant un module de transfert commun. En plus de l'avantage déjà cité, cette approche d'utilisation de chambres séparées permet de mieux gérer les nettoyages requis des chambres. Évidemment, il est aussi possible de former les deux couches dans des chambres complètement séparées. Pour illustrer l'avantage du procédé de fabrication, la Figure 3 représente une mesure SRP (SRP pour l’acronyme anglais de « Spreading Resistance Profile ») suivant la profondeur d'un substrat de manipulation selon l'invention. Dans cette mesure particulière, le substrat de base est une tranche de silicium à haute résistivité (de 3500 ohm.cm) sur lequel on a fait croître successivement une couche polycristalline de carbure de silicium de 10 nm et une couche de piégeage de charge en polysilicium de 2 microns. Comme on peut le voir à partir de cette figure, la résistivité des couches formées par croissance sur le substrat de base est supérieure à 3500 ohm.cm pour la totalité de son profil en profondeur. La Figure 4 représente une mesure par SRP d'un substrat de manipulation formé par un substrat de base présentant dans ce cas une résistivité de 4000 ohm.cm. Sur ce substrat, on a fait croître successivement une couche de carbone de 2 nm, formée à la pression atmosphérique, et une couche polycristalline de piégeage de charge en silicium de 2 microns. Il est cette fois très évident à partir de la Figure 4 que la résistivité des couches formées par croissance sur le substrat de base atteint une valeur basse au niveau et près de l'interface avec le substrat de base (moins de 10 ohm.cm). Une telle faible résistivité forme un plan conducteur dans le substrat de manipulation, ce qui affecte les performances des dispositifs. Cet exemple comparatif montre clairement l'intérêt d'exposer le substrat de base à un précurseur unique de carbone à une pression inférieure à la pression atmosphérique. Bien entendu l'invention ne se limite pas au mode de réalisation décrit et on peut y apporter des variantes de réalisation sans sortir du cadre de l'invention tel que défini par les revendications. Procédé de formation d'un substrat de manipulation (1) à haute résistivité pour substrat composite, le procédé comprenant les étapes suivantes : - fournir un substrat de base (3) en silicium ; - exposer le substrat de base (3) à un précurseur unique de carbone à une pression inférieure à la pression atmosphérique pour former une couche (4) de carbure de silicium polycristallin d'au moins 5 nm sur la surface du substrat de base ; et puis - faire croître une couche polycristalline (2) de piégeage de charge sur la couche contenant du carbone. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le substrat de base (3) a une résistivité supérieure à 1000 ohm.cm. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le substrat de base (3) a une résistivité inférieure à 1000 ohm.cm. Procédé selon la revendication 3, dans lequel le procédé comprend en outre la formation d'une couche épitaxiale intrinsèque de silicium directement sur le substrat de base (3) avant d'exposer le substrat de base (3) au précurseur unique de carbone. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couche (2) de piégeage de charge a une épaisseur supérieure à 5 ou 10 microns. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couche (2) de piégeage de charge est en silicium polycristallin. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couche (4) contenant le carbone polycrystallin présente une épaisseur d'au moins 10 nm. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le précurseur unique de carbone présente une température comprise entre 700°C et 1200°C. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre l’exposition du substrat de base à une atmosphère réductrice à une température d'au moins 900°C pour éliminer une couche d'oxyde natif du substrat de base (3), avant d'exposer le substrat de base (3) au précurseur unique de carbone. Substrat de manipulation (1) à haute résistivité pour substrat composite comprenant : - un substrat de base (3) en silicium ; - une couche (4) de carbure de silicium polycristallin présentant une épaisseur d'au moins 5 nm directement sur la surface du substrat de base (3) ; - une couche polycristalline (2) de piégeage de charge sur la couche (4) de carbure de silicium polycristallin. Substrat de manipulation (1) à haute résistivité selon la revendication 10, dans lequel la couche (4) de carbure de silicium polycristallin comprend une concentration de dopant inférieure à 10 14 atomes/cm³. Substrat de manipulation (1) à haute résistivité selon la revendication 10 ou 11, comprenant en outre une couche épitaxiale intrinsèque de silicium en contact avec le substrat de base (3) et la couche (4) de carbure de silicium polycristallin. Substrat composite comprenant un substrat de manipulation (1) à haute résistivité selon l'une quelconque des revendications 10 à 12 et, sur le substrat de manipulation (1), un film mince (6) en matériau cristallin. Substrat composite selon la revendication 13, comprenant en outre une couche diélectrique (5) disposée entre le substrat de manipulation et le film mince (6).