Brevet FR3111006A1 — publié le 20211203

Selon un aspect, il est proposé un dispositif intégré de fonction physique non-clonable comprenant : - au moins un condensateur de référence (RCD), - une pluralité de condensateurs de comparaison (CCD), le dispositif intégré comprenant en outre : - un circuit de détermination de capacité (CDC) configuré pour pouvoir déterminer la capacité dudit au moins un condensateur de référence (RCD) et de chaque condensateur de comparaison (CCD), - des moyens de comparaison (CM) configurés pour comparer la capacité déterminée de chaque condensateur de comparaison (CCD) à la capacité dudit au moins un condensateur de référence (RCD), et - des moyens de génération (GM) configuré pour générer sur une sortie du dispositif un mot numérique à partir de chaque comparaison effectuée par les moyens de comparaison (CM). Reference: Figure 1 DISPOSITIF INTÉGRÉ DE FONCTION PHYSIQUE NON-CLONABLE Des modes de réalisation et de mise en œuvre concernent les dispositifs intégrés de fonction physique non-clonable (connus également par l’acronyme « PUF » de l’anglais « Physical Unclonable Function » ). Les dispositifs intégrés de fonction physique non-clonable sont utilisés pour authentifier des circuits intégrés et générer des clés de cryptographie. Les dispositifs intégrés de fonction physique non-clonable reposent sur la variabilité des caractéristiques intrinsèques des dispositifs intégrés pouvant être obtenus par un même procédé de fabrication. La variabilité des caractéristiques intrinsèques peut alors être utilisée pour générer des mots binaires différents pour chaque dispositif intégré de fonction physique non-clonable. Il existe plusieurs solutions permettant de réaliser un dispositif intégré de fonction physique non-clonable. Par exemple, une solution connue utilise plusieurs circuits oscillateurs en anneau (connus également selon la désignation anglophone « ring oscillators » ). Un circuit oscillateur en anneau comprend des portes logiques inverseuses en nombre impair connectées en boucle fermée. Le circuit oscillateur en anneau permet ainsi de générer un signal oscillant. En particulier, chaque circuit oscillateur en anneau comprend au moins un condensateur présentant une première borne connectée entre deux portes logiques inverseuses et une deuxième borne connectée à une masse. Chaque circuit oscillateur en anneau comprend en outre, entre chaque porte logique inverseuse, une résistance reliée au condensateur disposé entre les portes logiques inverseuses entre lesquelles la résistance et placée. Chaque résistance est également reliée aux portes logiques inverseuses entre lesquelles cette résistance est placée. La fréquence de chaque circuit oscillateur en anneau est alors notamment définie par chaque résistance et par chaque condensateur de ce circuit oscillateur en anneau. En raison de la variabilité des caractéristiques intrinsèques de tels circuit oscillateur en anneau, la fréquence d’oscillation est différente entre les différents circuits oscillateurs en anneau du dispositif intégré. Il est alors possible de générer un mot numérique en comparant la fréquence de certains circuits oscillateurs en anneau, dits circuits de comparaison, à un circuit oscillateur en anneau de référence, le résultat de chaque comparaison permettant de générer un bit du mot numérique. Le mot numérique peut ensuite être utilisé pour générer des clés. Par exemple, si la fréquence du circuit de comparaison est inférieure à celle du circuit de référence, alors un ‘0’ sera alors généré. En outre, si la fréquence du circuit de comparaison est supérieure à celle du circuit de référence, alors un ‘1’ sera alors généré. Dans de tels circuits oscillateurs, les condensateurs présentent une capacité bien supérieure à une capacité interne de chaque porte inverseuse. Or, une telle capacité importante peut être mesurée par une personne mal avisée. Après avoir mesuré la capacité de chaque condensateur, cette personne mal avisée pourrait reproduire chaque circuit oscillateur en anneau. Elle pourrait ainsi fabriquer un nouveau dispositif intégré présentant les mêmes caractéristiques intrinsèques que le dispositif intégré initial sur lequel les mesures de capacités par la personne mal avisée ont été effectuées. Ce nouveau dispositif intégré pourrait alors être utilisé de façon malveillante pour générer les mêmes clés que le dispositif intégré initial, de façon à chiffrer et/ou déchiffrer des données confidentielles. Ainsi, ces solutions connues utilisant des circuits oscillateurs en anneau pour réaliser un dispositif intégré de fonction physique non-clonable ne sont pas robustes. D’autres solutions connues pour réaliser un dispositif intégré de fonction physique non-clonable présentent également des inconvénients, notamment en termes de robustesse. Il existe donc de proposer un dispositif intégré de fonction physique non-clonable robuste. Selon un aspect, il est proposé un dispositif intégré de fonction physique non-clonable comprenant : - au moins un condensateur de référence, - une pluralité de condensateurs de comparaison, le dispositif intégré comprenant en outre : - un circuit de détermination de capacité configuré pour pouvoir déterminer la capacité dudit au moins un condensateur de référence et de chaque condensateur de comparaison, - des moyens de comparaison configurés pour comparer la capacité déterminée de chaque condensateur de comparaison à la capacité dudit au moins un condensateur de référence, et - des moyens de génération configurés pour générer sur une sortie du dispositif intégré un mot numérique à partir de chaque comparaison effectuée par les moyens de comparaison. La comparaison des capacités des condensateurs de comparaison à la capacité dudit au moins un condensateur de référence permet de générer un mot numérique, notamment un mot binaire, à partir du résultat de la comparaison. Le mot numérique généré dépend ainsi de la valeur des capacités des condensateurs de comparaison et dudit au moins un condensateur de référence. La valeur des capacités des condensateurs de comparaison et dudit au moins un condensateur de référence est une caractéristique intrinsèque du dispositif intégré pouvant varier entre deux dispositifs intégrés de fonction physique non-clonable fabriqués selon un même procédé de fabrication. De ce fait, les résultats des comparaisons entre les condensateurs de comparaison et un condensateur de référence d’un dispositif intégré pourront être différentes des comparaisons entre les condensateurs de comparaison et un condensateur de référence d’un autre dispositif intégré. Ainsi, les mots numériques pouvant être générés pourront être différents pour chaque dispositif intégré fabriqué selon un même procédé de fabrication. En outre, un tel dispositif intégré peut être fabriqué simplement. De préférence, chaque condensateur de comparaison présente une même structure capacitive, dite structure capacitive unitaire. En outre, ledit au moins un condensateur de référence présente une structure capacitive choisie parmi ladite structure capacitive unitaire et un assemblage d’une pluralité de structures capacitives unitaires. Dans un mode de réalisation, ladite structure capacitive unitaire pour chaque condensateur de comparaison et pour ledit au moins un condensateur de référence présente une capacité inférieure à 500fF. De préférence, ladite structure capacitive unitaire pour chaque condensateur de comparaison et pour ledit au moins un condensateur de référence présente une capacité comprise entre 0,1fF et 200fF. Le circuit de détermination de capacité est intégré dans le dispositif intégré et permet de déterminer de faibles capacités de l’ordre de celles des condensateurs de comparaison et dudit au moins un condensateur de référence. Une telle capacité présente l’avantage de ne pas pouvoir être mesurées facilement depuis l’extérieur du dispositif intégré. Ainsi, il est rendu difficile pour une personne mal avisée de mesurer les capacités des condensateurs de comparaison et dudit au moins un condensateur de référence afin de fabriquer un dispositif intégré présentant les mêmes caractéristiques que le dispositif intégré proposé. Le dispositif intégré proposé est donc robuste. Le dispositif intégré peut comprendre un unique condensateur de référence ou bien plusieurs condensateurs de référence. En particulier, le dispositif intégré peut comprendre autant de condensateurs de référence que de condensateurs de comparaison. Chaque condensateur de comparaison peut alors être associé à un condensateur de référence donné parmi l’ensemble des condensateurs de référence. Les moyens de comparaison peuvent alors être configurés pour comparer la capacité de chaque condensateur de comparaison à celle du condensateur de référence qui est associé à ce condensateur de comparaison. Par ailleurs, il est également possible de prévoir des condensateurs de comparaison pouvant également servir de condensateurs de référence. La capacité de chaque condensateur de comparaison est alors comparée à celle d’un condensateur de comparaison servant comme condensateur de référence. L’utilisation de plusieurs condensateurs de comparaison permet de générer des mots binaires différents avec un même dispositif intégré. Avantageusement, le dispositif intégré comprend une pluralité de niveaux de métallisation séparés par des couches diélectriques, chaque niveau de métallisation étant pourvu de pistes métalliques. La structure capacitive de chaque condensateur parmi les condensateurs de comparaison et ledit au moins un condensateur de référence comprend alors deux électrodes formées chacune d’au moins une piste métallique. La capacité de chaque condensateur dépend alors de la largeur des pistes de ses électrodes et de la distance entre les pistes des deux électrodes de ce condensateur. Dans un mode de réalisation avantageux, chaque électrode de chaque condensateur de comparaison est formée d’une seule piste métallique. Néanmoins, il est également possible de prévoir des condensateurs de comparaison comprenant des électrodes formées chacune de plusieurs pistes métalliques. Il convient néanmoins de noter que généralement plus la capacité d’un condensateur est faible, plus la variabilité du condensateur est élevée. Par exemple, plus les pistes métalliques des électrodes des condensateurs sont courtes, plus la variabilité de condensateur peut être grande. En effet, plus les pistes métalliques des électrodes d’un condensateur sont courtes plus la valeur de sa capacité peut fluctuer en fonction de sa température et/ou de son vieillissement. Or, il est important d’utiliser des condensateurs de comparaison présentant une variabilité suffisante pour que le dispositif intégré puisse servir de fonction physique non-clonable. Dans un mode de réalisation avantageux, la structure capacitive dudit au moins un condensateur de référence est ladite structure capacitive unitaire. Le circuit de détermination de capacité est alors configuré pour pouvoir déterminer la capacité de ladite structure capacitive unitaire dudit au moins un condensateur de référence et de chaque condensateur de comparaison. En outre, les moyens de comparaison sont configurés pour comparer la capacité déterminée de la structure capacitive unitaire de chaque condensateur de comparaison à la capacité de la structure capacitive unitaire dudit au moins un condensateur de référence. En outre, les moyens de génération sont configurés pour générer sur une sortie du dispositif intégré un mot numérique à partir de chaque comparaison effectuée par les moyens de comparaison. Plus particulièrement, lorsque la structure capacitive dudit au moins un condensateur de référence est une structure capacitive unitaire, les électrodes dudit au moins un condensateur de référence sont formées d’autant de pistes métalliques que chaque condensateur de comparaison. Par exemple, chaque électrode de chaque condensateur de référence peut être formée d’une seule piste métallique lorsque chacune des électrodes de chaque condensateur de comparaison est également formée d’une seule piste métallique. Il est notamment avantageux que ledit au moins un condensateur de référence présente une structure au moins sensiblement identique à celle de chaque condensateur de comparaison. L’utilisation d’un tel condensateur de référence permet de simplifier la fabrication du dispositif intégré et de comparer des condensateurs présentant une structure similaire. En variante, dans un mode de réalisation, la structure capacitive dudit au moins un condensateur de référence est un assemblage de structures capacitives unitaires. Le circuit de détermination de capacité est alors configuré pour pouvoir déterminer une capacité moyenne des structures capacitives unitaires dudit au moins un condensateur de référence et une capacité de la structure capacitive unitaire de chaque condensateur de comparaison. En outre, les moyens de comparaison sont configurés pour comparer la capacité déterminée de la structure capacitive unitaire de chaque condensateur de comparaison à la capacité moyenne des structures capacitives unitaires dudit au moins un condensateur de référence. Les moyens de génération sont configurés pour générer sur une sortie du dispositif intégré un mot numérique à partir de chaque comparaison effectuée par les moyens de comparaison. En particulier, lorsque la structure capacitive dudit au moins un condensateur de référence est un assemblage de structures capacitives unitaires, le condensateur de référence comprend une première électrode formée d’au moins une piste métallique et une deuxième électrode formée d’au moins deux pistes métalliques. Par exemple, de préférence, ledit au moins un condensateur de référence peut comprendre des électrodes formées de plusieurs pistes métalliques arrangées de façon à ce que ce condensateur présente une structure correspondant à plusieurs structures capacitives unitaires de condensateurs de comparaison montées en parallèle. En particulier, plus le nombre de structures capacitives unitaires dudit au moins un condensateur de référence est grand, plus la variabilité de la capacité moyenne de ce condensateur de référence est faible. Ainsi, de préférence, chaque condensateur de référence présente une capacité moyenne de variabilité plus faible que celle des condensateurs de comparaison. La capacité totale du condensateur de référence correspond alors à la somme des capacités locales unitaires entre les pistes métalliques de chaque structure capacitive unitaire des électrodes de ce condensateur de référence. Cette capacité totale du condensateur de référence peut être obtenue à l’aide du circuit de détermination de capacité. La capacité totale peut ensuite être divisée par le nombre de capacités locales de façon à obtenir une capacité moyenne unitaire, notamment à l’aide d’un circuit électronique dédié. Cette capacité moyenne unitaire présente une faible variabilité, comme indiqué précédemment. La capacité des condensateurs de comparaison peut alors être comparée à cette capacité moyenne unitaire du condensateur de référence. Il est alors plus simple de comparer la capacité des condensateurs de comparaison à celle dudit au moins un condensateur de référence. En effet, lorsqu’on compare la capacité des condensateurs de comparaison audit au moins un condensateur de référence, on peut appliquer une marge par rapport à la capacité moyenne unitaire du condensateur de référence. La capacité de chaque condensateurs de comparaison peut alors être comparée à la capacité moyenne unitaire du condensateur de référence en prenant en considération cette marge. Les condensateurs de comparaison présentant une capacité comprise dans cette marge peuvent ne pas être pris en considération pour former le mot binaire. En effet, il peut être avantageux de ne pas prendre en considération les condensateurs de comparaison ayant une capacité trop proche de la capacité moyenne unitaire du fait que leur capacité peut fluctuer de sorte qu’elle soit supérieure par instants à la capacité moyenne unitaire du condensateur de référence et, à d’autres instants, inférieure à cette capacité moyenne unitaire. De préférence, la marge est définie entre 5% et 20% de la capacité moyenne unitaire du condensateur de référence. Ainsi, pour pouvoir générer un mot binaire présentant un nombre de bits donné, il peut être avantageux de prévoir un nombre de condensateurs de comparaison supérieur au nombre de bits du mot binaire à générer pour compenser des éventuels rejets de comparaison. Dans un mode de réalisation avantageux, le circuit de détermination de capacité comprend un unique moyen de mesure de courant entre une borne d'alimentation et une borne de masse, et, pour chaque condensateur parmi les condensateurs de comparaison et ledit au moins un condensateur de référence, au moins deux branches, la première branche comprenant un premier interrupteur disposé entre le moyen de mesure de courant et une électrode du condensateur, et un second interrupteur disposé entre cette même électrode et la borne de masse, la deuxième branche étant identique à la première et connectée à l’autre électrode du condensateur pour une mesure de la capacité entre ces deux électrodes. Selon un autre aspect, il est proposé un procédé de génération d’un mot numérique à l’aide d’un dispositif intégré de fonction physique non-clonable comprenant : - au moins un condensateur de référence, - une pluralité de condensateurs de comparaison, le procédé comprenant : - une mise sous tension du dispositif intégré de fonction physique non-clonable, - une détermination de la capacité dudit au moins un condensateur de référence et de chaque condensateur de comparaison, - des comparaisons entre la capacité déterminée de chaque condensateur de comparaison et la capacité dudit au moins un condensateur de référence, et - une génération d’un mot numérique à partir de chaque comparaison effectuée. Dans un mode de mise en œuvre avantageux, chaque condensateur de comparaison présente une même structure capacitive, dite structure capacitive unitaire. En outre, ledit au moins un condensateur de référence présente une structure capacitive choisie parmi ladite structure capacitive unitaire et un assemblage d’une pluralité de structures capacitives unitaires. Dans un mode de mise en œuvre avantageux, le dispositif intégré comprend une pluralité de niveaux de métallisation séparés par des couches diélectriques, la structure capacitive de chaque niveau de métallisation étant pourvu de pistes métalliques, chaque condensateur parmi les condensateurs de comparaison et ledit au moins un condensateur de référence comprenant deux électrodes formées chacune d’au moins une piste métallique. Dans un mode de mise en œuvre avantageux, chaque électrode de chaque condensateur de comparaison est formée d’une seule piste métallique. Dans un mode de mise en œuvre avantageux, la structure capacitive dudit au moins un condensateur de référence est ladite structure capacitive unitaire. Le procédé comprend alors : - une détermination de la capacité de ladite structure capacitive unitaire dudit au moins un condensateur de référence et de chaque condensateur de comparaison, - des comparaisons entre la capacité déterminée de la structure capacitive unitaire de chaque condensateur de comparaison et la capacité de la structure capacitive unitaire dudit au moins un condensateur de référence, et - une génération d’un mot numérique à partir de chaque comparaison effectuée par les moyens de comparaison. En variante, dans un autre mode de mise en œuvre avantageux, la structure capacitive dudit au moins un condensateur de référence est un assemblage de structures capacitives unitaires, et le procédé comprend : - une détermination d’une capacité moyenne des structures capacitives unitaires dudit au moins un condensateur de référence et d’une capacité de la structure capacitive unitaire de chaque condensateur de comparaison, - des comparaisons entre la capacité déterminée de la structure capacitive unitaire de chaque condensateur de comparaison et la capacité moyenne des structures capacitives unitaires dudit au moins un condensateur de référence, et - une génération d’un mot numérique à partir de chaque comparaison effectuée par les moyens de comparaison. Dans un mode de mise en œuvre avantageux, ladite structure capacitive unitaire pour chaque condensateur de comparaison et pour ledit au moins un condensateur de référence présente une capacité inférieure à 500fF. De préférence, ladite structure capacitive unitaire pour chaque condensateur de comparaison et pour ledit au moins un condensateur de référence présente une capacité comprise entre 0,1fF et 200fF. Dans un mode de mise en œuvre avantageux, la mesure des capacités des condensateurs est réalisée par un circuit de détermination de capacité comprenant un unique moyen de mesure de courant entre une borne d'alimentation et une borne de masse, et, pour chaque condensateur parmi les condensateurs de comparaison et ledit au moins un condensateur de référence, au moins deux branches, la première branche comprenant un premier interrupteur disposé entre le moyen de mesure de courant et une électrode du condensateur, et un second interrupteur disposé entre cette même électrode et la borne de masse, la deuxième branche étant identique à la première et connectée à l’autre électrode du condensateur pour une mesure de la capacité entre ces deux électrodes. D'autres avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront à l’examen de la description détaillée de modes de mise en œuvre et de réalisation, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels : illustrent schématiquement des modes de réalisation et de mise en œuvre de l’invention. La figure 1 illustre un dispositif intégré CI de fonction physique non-clonable selon un mode de réalisation de l’invention. Un tel dispositif intégré CI est configuré pour générer des mots numériques. Le dispositif intégré CI comprend une pluralité de niveaux de métallisation séparés par des couches diélectriques. Chaque niveau de métallisation est pourvu de pistes métalliques. Certaines pistes métalliques séparées par un matériau diélectrique permettent de former des condensateurs RCD, CCD au sein du dispositif intégré. En particulier, de préférence, le diélectrique utilisé entre les pistes métalliques des condensateurs RCD, CCD est un matériau à faible constante diélectrique (diélectrique « low-k »). Le diélectrique peut notamment être un matériau présentant une constante diélectrique inférieure ou égale à celle du SiO2. Par exemple, le diélectrique est un matériau choisi parmi les oxydes suivants : SiO2, Si3N4, SiOxHy, SiOxFy, SiOxCy. Ces condensateurs RCD, CCD présentent chacun une structure capacitive. La structure capacitive de chaque condensateur RCD, CCD comprend deux électrodes ELC formées par certaines des pistes métalliques du dispositif intégré CI. En particulier, le dispositif intégré CI comprend en particulier au moins un condensateur de référence RCD et une pluralité de condensateurs de comparaison CCD. Comme cela sera détaillé plus en détails dans la suite, le dispositif intégré CI est configuré pour comparer les condensateurs de comparaison CCD audit au moins un condensateur de référence RCD. En particulier, le dispositif intégré peut comprendre un unique condensateur de référence RCD ou bien plusieurs condensateurs de référence RCD au(x)quel(s) seront comparés les condensateurs de comparaison CCD. En particulier, le dispositif intégré peut comprendre autant de condensateurs de référence RCD que de condensateurs de comparaison CCD. Chaque condensateur de comparaison CCD peut alors être associé à un condensateur de référence donné parmi l’ensemble des condensateurs de référence RCD. Il est alors possible de comparer la capacité de chaque condensateur de comparaison à celle du condensateur de référence qui est associé à ce condensateur de comparaison. En variante, il est également possible de prévoir des condensateurs de comparaison CCD pouvant également servir de condensateurs de référence RCD. La capacité de chaque condensateur de comparaison est alors comparée à celle d’un condensateur de comparaison CCD servant comme condensateur de référence RCD. Dans le mode de réalisation représenté sur la figure 1, le dispositif intégré CI comprend un unique condensateur de référence RCD comprenant une première électrode ELC1 et une deuxième électrode ELC2. Chaque condensateur de comparaison CCD présente une même structure capacitive, dite structure capacitive unitaire. Ledit au moins un condensateur de référence RCD présentant une structure capacitive choisie parmi ladite structure capacitive unitaire et un assemblage d’une pluralité de structures capacitives unitaires. Les structures capacitives unitaires des condensateurs de comparaison et celles formant ledit au moins un condensateur de référence RCD sont sensiblement identiques et fabriquées selon un même procédé de fabrication. En outre, la capacité de ces structures capacitives unitaires est notamment définie par la distance entre ses pistes métalliques ainsi que la largeur de ces pistes métalliques et leur surface en regard. Or, bien que les structures capacitives unitaires soient formées par un même procédé de fabrication, la distance entre les pistes métalliques d’une structure capacitive ainsi que leur largeur et leur surface en regard peut légèrement varier d’une structure capacitive unitaire à une autre. De ce fait, les structures capacitives unitaires peuvent présenter des capacités différentes les unes des autres. De préférence, la structure capacitive unitaire pour chaque condensateur de comparaison CCD et pour ledit au moins un condensateur de référence RCD présente une capacité inférieure à 500fF, notamment comprise entre 0,1fF et 200fF. Les figures 2 à 5 représentent différentes structures capacitives unitaires possibles. Ces structures capacitives unitaires comprennent deux électrodes formées chacune d’une seule piste métallique. Ces structures unitaires comprennent donc deux pistes métalliques Par exemple, les deux pistes métalliques PM d’une structure capacitive unitaire peuvent s’étendre parallèlement l’une par rapport à l’autre. En particulier, ces deux pistes métalliques peuvent être situées sur un même niveau de métallisation dans le dispositif intégré, comme représenté à la figure 2, ou bien à des niveaux de métallisation différents, comme représenté aux figures 3 à 5. Lorsque les pistes métalliques PM sont situées sur deux niveaux de métallisation différents, les pistes métalliques peuvent être disposées en regard l’une de l’autre selon un axe vertical, comme représenté à la figure 3 ou bien décalées l’une par rapport l’autre, comme représenté à la figure 4. En variante, la structure capacitive unitaire peut comprendre deux pistes métalliques PM pouvant être non parallèles, notamment orthogonales, l’une par rapport à l’autre. Les deux pistes métalliques sont alors situées sur deux niveaux de métallisation différents du dispositif intégré. Un exemple de pistes métalliques orthogonales l’une par rapport à l’autre est représenté à la figure 5. Il est néanmoins possible de prévoir des structures capacitives unitaires comprenant au moins une électrode formée de plusieurs pistes métalliques. Par exemple, une structure capacitive unitaire peut comprendre une première électrode ELC1 formée d’une unique piste métallique PM 11 et une deuxième électrode ELC2 formée de quatre pistes métalliques PM 21 , PM 22 , PM 23 , PM 24 connectées électriquement disposées autour de la piste métallique de la première électrode, comme représenté à la figure 6. Les pistes métalliques de la deuxième électrode ELC2 sont donc ici disposées sur trois niveaux de métallisation différents et parallèles à la piste métallique de la première électrode. Il convient toutefois de noter que plus le nombre de pistes métalliques de chaque électrode d’un condensateur est petit, plus la variabilité du condensateur est grande. Or, il est important d’utiliser des condensateurs de comparaison CCD présentant une variabilité suffisante pour que le dispositif intégré puisse servir de fonction physique non-clonable. Ainsi, il peut être préférable de prévoir une structure capacitive unitaire présentant deux électrodes formées chacune d’une seule piste métallique. Comme vu précédemment, la structure capacitive dudit au moins un condensateur de référence RCD est formée d’une unique structure capacitive unitaire ou bien d’un assemblage de plusieurs structures unitaires. Lorsque la structure capacitive dudit au moins un condensateur de référence est formée d’un assemblage de plusieurs structures unitaires, ledit au moins un condensateur de référence comprend une première électrode comprenant au moins une piste métallique et une deuxième électrode comprenant plusieurs pistes métalliques. Ainsi, ledit au moins un condensateur de référence présente une capacité totale égale à la somme des capacités de chaque structure capacitive unitaire de ce condensateur de référence. Par exemple, le condensateur de référence RCD représenté à la figure 7 comprend une première électrodes ELC 1 formée de trois pistes métalliques PM a ,PM b , PM c connectées électriquement et une deuxième électrode ELC 2 formée de trois pistes PM d , PM e , PM f connectées électriquement. Les trois pistes métalliques d’une même électrode sont parallèles les unes par rapport aux autres et situées à un même niveau de métallisation. En outre, les pistes métalliques d’une électrode sont orthogonales aux pistes métalliques de l’autre électrode. Le fait d’utiliser un condensateur de référence formé d’un assemblage de structures capacitives unitaires permet de réduire la variabilité de la valeur d’une capacité moyenne des structures capacitives unitaires de ce condensateur de de référence. Le dispositif intégré représenté à la figure 1 comprend également une pluralité de condensateurs de comparaison CCD, dont un condensateur de comparaison ELC j comprenant les électrodes ELC j et ELC j+1 , et le condensateur de comparaison ELC n comprenant les électrodes ELC n et ELC n+1 . Le dispositif intégré comprend en outre un circuit de détermination de capacité CDC. Ce circuit de détermination de capacité CDC est configuré pour pouvoir déterminer la capacité de chaque condensateur CCD et RCD. En particulier, le circuit de détermination CDC comprend un unique moyen de mesure de courant AMP entre une borne d’alimentation AL pouvant délivrer une tension Vdd et une borne de masse GND du dispositif intégré. Le moyen de mesure de courant AMP est donc incorporé dans le dispositif intégré DI. Le moyen de mesure de courant AMP peut par exemple être un intégrateur de courant tel qu’un amplificateur de charge par exemple. Un tel amplificateur de charge est bien connu par l’homme du métier. En outre, pour chaque condensateur CCD et RCD, le circuit de détermination de capacité CDC comprend deux branches BR, notamment une branche BR pour chaque électrode du condensateur. Les branches BR sont configurées de façon similaire. En particulier, chaque branche BR comprend un premier interrupteur INT1 disposé entre le moyen de mesure de courant AMP et une électrode du condensateur, et un second interrupteur INT2 disposé entre cette même électrode et la borne de masse GND. Le premier interrupteur INT1 est un transistor PMOS et le second interrupteur INT2 est un transistor NMOS. Ces deux transistors sont donc disposés en série et leur point commun est relié à une électrode du condensateur. Un générateur d’horloge CG est configuré pour générer deux signaux d’horloge V1 et V2. Le signal d’horloge V1 recouvre temporellement le signal d’horloge V2 partiellement. Ces deux signaux d’horloge sont émis à une même fréquence définie par le générateur d’horloge CG. Une unité de contrôle UC est configurée pour utiliser ces signaux d’horloge V1 et V2 pour commander les interrupteurs INT1, INT2 du dispositif intégré en utilisant les signaux pouvant être générés par le générateur d’horloges. En particulier, ces signaux sont utilisés pour commander les grilles des transistors PMOS et NMOS (voir les signaux V 11 à V 1n+1 issus du signal V 1 , et les signaux V 21 à V 2n+1 issus du signal V 2 ). L’unité de contrôle UC peut être mise en œuvre par un microcontrôleur par exemple. En particulier, l’unité de contrôle UC est configurée pour commander les différents interrupteurs INT1, INT2 de la manière décrite par le brevet français publié sous le numéro n°2780162 pour une toute autre application que celle des fonctions logiques non-clonables. On pourra également se reporter à la publication « Ultra Low capacitance measurements in multilevel metallisation CMOS by using a buit-in Electron-meter », B. Froment et al, publiée en 1999 dans le « International Electron Devices Meeting, Technical Digest ». En particulier, l’unité de contrôle UC est configurée pour déterminer la capacité entre deux électrodes d’un condensateur CCD, RCD à partir de plusieurs mesures de courant par le moyen de mesure de courant AMP. Les mesures de courant sont effectuées pour différents états des interrupteurs INT1, INT2 des branches du circuit de détermination de capacité connectées à ces deux électrodes. En particulier, un courant I1 est mesuré en commandant le premier interrupteur de la première branche et le deuxième interrupteur de la deuxième branche dans un état passant, et en commandant le deuxième interrupteur de la première branche et le premier interrupteur de la deuxième branche dans un état bloquant. En outre, un courant I2 est mesuré en commandant le premier interrupteur de la première branche et le deuxième interrupteur de la deuxième branche dans un état bloquant, et en commandant le deuxième interrupteur de la première branche et le premier interrupteur de la deuxième branche dans un état passant. Un courant I3 est mesuré en commandant le premier interrupteur de la première branche et le premier interrupteur de la deuxième branche dans un état passant, et en commandant le deuxième interrupteur de la première branche et le deuxième interrupteur de la deuxième branche dans un état bloquant. Le circuit de détermination de capacité CDC comprend également un convertisseur analogique-numérique ADC configuré pour convertir la valeur des courants mesurés en une valeur numérique. Le circuit de détermination de capacité CDC comprend également une unité de traitement UT configurée pour déterminer une capacité entre deux électrodes d’un condensateur à partir des valeurs numériques des courants mesurées. En particulier, l’unité de traitement UT est configurée pour déterminer la capacité entre les deux électrodes d’un condensateur par la formule : où F est la fréquence du signal délivré par le générateur de fréquence et Vdd est la tension à la borne d’alimentation. La capacité moyenne du condensateur de référence RCD est obtenue en mesurant tout d’abord une capacité totale entre les électrodes du condensateur de référence. Cette capacité totale est égale à la somme des capacités des structures capacitives unitaires du condensateur de référence. Ainsi, lorsque le condensateur de référence comprend une unique structure capacitive unitaire, sa capacité totale est égale à la capacité de cette structure capacitive unitaire. L’unité de traitement est alors configurée pour pouvoir diviser cette capacité totale par le nombre de structures capacitives unitaires de ce condensateur de référence de façon à pouvoir obtenir une capacité moyenne à partir de laquelle la capacité de la structure capacitive unitaire de chaque condensateur de comparaison va pouvoir être comparée. En particulier, l’unité de traitement est configurée pour appliquer une marge par rapport à la capacité moyenne unitaire du condensateur de référence. Les capacités des condensateurs de comparaison peuvent alors être comparées à la capacité moyenne unitaire du condensateur de référence en prenant en considération cette marge. Plus particulièrement, l’unité de traitement peut être configurée pour ne pas prendre en compte les condensateurs de comparaison présentant une capacité comprise dans cette marge pour former le mot binaire. En effet, il peut être avantageux de ne pas prendre en considération les condensateurs de comparaison ayant une capacité trop proche de la capacité moyenne unitaire du fait que leur capacité peut fluctuer de sorte qu’elle soit supérieure par instants à la capacité moyenne unitaire du condensateur de référence et, à d’autres instants, inférieure à cette capacité moyenne unitaire. De préférence, la marge est définie entre 5% et 20% de la capacité moyenne unitaire du condensateur de référence. L’unité de traitement UT peut être un processeur de l’unité de contrôle UC ou bien un circuit logique dédié comprenant notamment au moins un additionneur. Le dispositif intégré comprend en outre des moyens de comparaison CM. Ces moyens de comparaisons CM sont configurés pour comparer la capacité déterminée de chaque condensateur de comparaison CCD à la capacité d’un condensateur de référence RCD. En particulier, les moyens de comparaison CM sont configurés pour déterminer, pour chaque condensateur de comparaison CCD, si la capacité de ce condensateur de comparaison CCD est inférieure ou bien supérieure à la capacité d’un condensateur de référence RCD. Les moyens de comparaison CM peuvent être mis en œuvre par l’unité de traitement UT. Le dispositif intégré CI comprend également des moyens GM de génération d’un mot numérique. Ces moyens de génération GM sont configurés pour générer un mot numérique, notamment un mot binaire, à partir de chaque comparaison effectuée par les moyens de comparaison CM. Le mot numérique pouvant être généré par ces moyens de génération GM comprend une pluralité de bits. En particulier, les moyens de génération GM sont configurés pour attribuer une valeur à chaque bit en fonction des résultats des comparaisons pouvant être effectuées par les moyens de comparaison CM. Ainsi, chaque bit du mot numérique est associé à un condensateur de comparaison CCD donné, la valeur de ce bit dépendant du résultat de la comparaison entre la valeur de la capacité de ce condensateur de comparaison CCD et le condensateur de référence RCD. Par exemple, les moyens de générations sont configurés pour attribuer une valeur ‘0’ à un bit lorsque le résultat de la comparaison du condensateur de comparaison CCD associé à ce bit et le condensateur de référence RCD permet de déterminer que la valeur de la capacité du condensateur de comparaison CCD utilisé pour cette comparaison est inférieure à la valeur de la capacité du condensateur de référence RCD utilisé pour cette comparaison, notamment en prenant également en considération ladite marge. Les moyens de générations sont alors également configurés pour attribuer une valeur ‘1’ à ce bit lorsque le résultat de ladite comparaison permet de déterminer que la valeur de la capacité de ce condensateur de comparaison CCD est supérieure à la valeur de la capacité de ce condensateur de référence RCD, notamment en prenant également en considération ladite marge. Les mots binaires pouvant être ainsi générés peuvent ensuite être utilisés pour élaborer des clés de chiffrement par exemple. Par exemple, un dispositif intégré comprenant au moins 128 condensateurs de comparaison CCD peut être utilisé afin d’obtenir un mot numérique de 128bits. Le dispositif intégré CI peut servir de fonction physique non-clonable. En effet, la valeur des capacités des condensateurs de comparaison et dudit au moins un condensateur de référence est une caractéristique intrinsèque du circuit fortement pouvant varier entre deux dispositifs intégrés CI fabriqués selon un même procédé de fabrication. En outre, les faibles capacités ne peuvent pas être facilement mesurées depuis l’extérieur du dispositif intégré. Ainsi, il est rendu difficile pour une personne mal avisée de mesurer les capacités des condensateurs de comparaison et dudit au moins un condensateur de référence afin de fabriquer un dispositif intégré présentant les mêmes caractéristiques que le dispositif intégré proposé. Ainsi, le dispositif intégré proposé est robuste. En outre, un tel dispositif intégré peut être fabriqué simplement. La figure 8 illustre un procédé de génération d’un mot numérique selon un mode de réalisation de l’invention, pouvant être mis en œuvre par le dispositif intégré CI décrit précédemment. Le procédé de génération d’un mot numérique comprend une étape 50 de mise sous tension dans laquelle on charge les condensateurs de comparaison CCD et du condensateur de référence RCD. Le procédé de génération d’un mot numérique comprend ensuite une étape 51 de détermination de capacité. Dans cette étape 51, les capacités des condensateurs de comparaison CCD et du condensateur de référence RCD sont déterminées par le circuit de détermination de capacité. En particulier, dans cette étape 51, l’unité de contrôle UC commande les interrupteurs du circuit de détermination de capacité en utilisant les signaux générés par le générateur de fréquence CG de façon à mesurer les courants I1, I2 et I3 à l’aide du moyen de mesure de courant AMP pour chaque capacité entre les lignes métalliques de chaque condensateur CCD et RCD. Le convertisseur analogique-numérique ADC convertit ensuite les valeurs des courants I1, I2 et I3 en valeurs numériques. Ces valeurs numériques sont ensuite transmises à l’unité de traitement UT qui calcule les capacités des condensateurs de comparaison CCD et la capacité moyenne unitaire du condensateur de référence RCD en utilisant la formule [Math 1]. Ensuite, le procédé de génération d’un mot numérique comprend une étape 52 de comparaison dans laquelle les moyens de comparaison CM comparent les valeurs des capacités des condensateurs de comparaison CCD à la valeur de la capacité moyenne unitaire dudit au moins un condensateur de référence RCD. Puis, le procédé de génération d’un mot numérique comprend une étape 53 de génération d’un mot numérique dans laquelle les moyens de génération GM génèrent un mot numérique à partir des résultats des comparaisons réalisées à l’étape 52. En particulier, comme vu précédemment, les moyens de générations GM attribuent une valeur à chaque bit du mot numérique. Cette valeur dépend du résultat obtenu de la comparaison entre la capacité du condensateur de comparaison CCD associé à ce bit et le condensateur de référence RCD. Le mot numérique généré peut ensuite être utilisé pour générer des clés de chiffrement comme indiqué précédemment. Dispositif intégré de fonction physique non-clonable comprenant : - au moins un condensateur de référence (RCD), - une pluralité de condensateurs de comparaison (CCD), le dispositif intégré comprenant en outre : - un circuit de détermination de capacité (CDC) configuré pour pouvoir déterminer la capacité dudit au moins un condensateur de référence (RCD) et de chaque condensateur de comparaison (CCD), - des moyens de comparaison (CM) configurés pour comparer la capacité déterminée de chaque condensateur de comparaison (CCD) à la capacité dudit au moins un condensateur de référence (RCD), et - des moyens de génération (GM) configurés pour générer sur une sortie du dispositif intégré un mot numérique à partir de chaque comparaison effectuée par les moyens de comparaison (CM). Dispositif selon la revendication 1, dans lequel chaque condensateur de comparaison (CCD) présente une même structure capacitive, dite structure capacitive unitaire, et dans lequel ledit au moins un condensateur de référence (RCD) présente une structure capacitive choisie parmi ladite structure capacitive unitaire et un assemblage d’une pluralité de structures capacitives unitaires. Dispositif selon la revendication 2, comprenant une pluralité de niveaux de métallisation séparés par des couches diélectriques, chaque niveau de métallisation étant pourvu de pistes métalliques, la structure capacitive de chaque condensateur parmi les condensateurs de comparaison (CDC) et ledit au moins un condensateur de référence (RCD) comprenant deux électrodes (ELC) formées chacune d’au moins une piste métallique (PM). Dispositif selon la revendication 3, dans lequel chaque électrode de chaque condensateur de comparaison (CCD) est formée d’une seule piste métallique. Dispositif selon l’une des revendications 2 à 4, dans lequel la structure capacitive dudit au moins un condensateur de référence est ladite structure capacitive unitaire, et dans lequel : - le circuit de détermination de capacité (CDC) est configuré pour pouvoir déterminer la capacité de ladite structure capacitive unitaire dudit au moins un condensateur de référence (RCD) et de chaque condensateur de comparaison (CCD), - les moyens de comparaison (CM) sont configurés pour comparer la capacité déterminée de la structure capacitive unitaire de chaque condensateur de comparaison (CCD) à la capacité de la structure capacitive unitaire dudit au moins un condensateur de référence (RCD), et - les moyens de génération (GM) sont configurés pour générer sur une sortie du dispositif intégré un mot numérique à partir de chaque comparaison effectuée par les moyens de comparaison (CM). Dispositif selon l’une des revendications 2 à 4, dans lequel la structure capacitive dudit au moins un condensateur de référence est un assemblage de structures capacitives unitaires, et dans lequel : - le circuit de détermination de capacité (CDC) est configuré pour pouvoir déterminer une capacité moyenne des structures capacitives unitaires dudit au moins un condensateur de référence (RCD) et une capacité de la structure capacitive unitaire de chaque condensateur de comparaison (CCD), - les moyens de comparaison (CM) sont configurés pour comparer la capacité déterminée de la structure capacitive unitaire de chaque condensateur de comparaison (CCD) à la capacité moyenne des structures capacitives unitaires dudit au moins un condensateur de référence (RCD), et - les moyens de génération (GM) sont configurés pour générer sur une sortie du dispositif intégré un mot numérique à partir de chaque comparaison effectuée par les moyens de comparaison (CM). Dispositif selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel ladite structure capacitive unitaire pour chaque condensateur de comparaison et pour ledit au moins un condensateur de référence (RCD) présente une capacité inférieure à 500fF. Dispositif selon la revendication 7, dans lequel ladite structure capacitive unitaire pour chaque condensateur de comparaison et pour ledit au moins un condensateur de référence (RCD) présente une capacité comprise entre 0,1fF et 200fF. Dispositif selon l’une des revendications 3 à 8, dans lequel le circuit de détermination de capacité (CDC) comprend un unique moyen de mesure de courant (AMP) entre une borne d'alimentation (AL) et une borne de masse (GND), et, pour chaque condensateur parmi les condensateurs de comparaison (CCD) et ledit au moins un condensateur de référence (RCD), deux branches (BR), la première branche comprenant un premier interrupteur (INT1) disposé entre le moyen de mesure de courant (AMP) et une électrode du condensateur, et un second interrupteur (INT2) disposé entre cette même électrode et la borne de masse (GND), la deuxième branche étant identique à la première et connectée à l’autre électrode du condensateur pour une mesure de la capacité entre ces deux électrodes. Procédé de génération d’un mot numérique à l’aide d’un dispositif intégré de fonction physique non-clonable (CI) comprenant : - au moins un condensateur de référence (RCD), - une pluralité de condensateurs de comparaison (CCD), le procédé comprenant : - une mise sous tension (50) du dispositif intégré de fonction physique non-clonable, - une détermination (51) de la capacité dudit au moins un condensateur de référence (RCD) et de chaque condensateur de comparaison (CCD), - des comparaisons (52) entre la capacité déterminée de chaque condensateur de comparaison (CCD) et la capacité dudit au moins un condensateur de référence (RCD), et - une génération (53) d’un mot numérique à partir de chaque comparaison effectuée. Procédé selon la revendication 10, dans lequel chaque condensateur de comparaison (CCD) présente une même structure capacitive, dite structure capacitive unitaire, et dans lequel ledit au moins un condensateur de référence (RCD) présente une structure capacitive choisie parmi ladite structure capacitive unitaire et un assemblage d’une pluralité de structures capacitives unitaires. Procédé selon la revendication 11, dans lequel le dispositif intégré de fonction physique non-clonable (CI) comprend une pluralité de niveaux de métallisation séparés par des couches diélectriques, chaque niveau de métallisation étant pourvu de pistes métalliques, la structure capacitive de chaque condensateur parmi les condensateurs de comparaison (CCD) et ledit au moins un condensateur de référence (RCD) comprenant deux électrodes (ELC) formées chacune d’au moins une piste métallique. Procédé selon la revendication 12, dans lequel chaque électrode de chaque condensateur de comparaison (CCD) est formée d’une seule piste métallique. Procédé selon l’une des revendications 11 à 13, dans lequel la structure capacitive dudit au moins un condensateur de référence est ladite structure capacitive unitaire, et le procédé comprend : - une détermination de la capacité de ladite structure capacitive unitaire dudit au moins un condensateur de référence (RCD) et de chaque condensateur de comparaison (CCD), - des comparaisons entre la capacité déterminée de la structure capacitive unitaire de chaque condensateur de comparaison (CCD) et la capacité de la structure capacitive unitaire dudit au moins un condensateur de référence (RCD), et - une génération d’un mot numérique à partir de chaque comparaison effectuée par les moyens de comparaison (CM). Procédé selon l’une des revendications 11 à 13, dans lequel la structure capacitive dudit au moins un condensateur de référence est un assemblage de structures capacitives unitaires, et le procédé comprend : - une détermination d’une capacité moyenne des structures capacitives unitaire dudit au moins un condensateur de référence (RCD) et d’une capacité de la structure capacitive unitaire de chaque condensateur de comparaison (CCD), - des comparaisons entre la capacité déterminée de la structure capacitive unitaire de chaque condensateur de comparaison (CCD) et la capacité moyenne des structures capacitives unitaires dudit au moins un condensateur de référence (RCD), et - une génération d’un mot numérique à partir de chaque comparaison effectuée par les moyens de comparaison (CM). Procédé selon l’une des revendications 10 à 15, dans lequel ladite structure capacitive unitaire pour chaque condensateur de comparaison et pour ledit au moins un condensateur de référence (RCD) présente une capacité inférieure à 500fF. Procédé selon la revendication 16, dans lequel ladite structure capacitive unitaire pour chaque condensateur de comparaison et pour ledit au moins un condensateur de référence (RCD) présente une capacité comprise entre 0,1fF et 200fF. Procédé selon l’une des revendications 12 à 17, dans lequel la mesure des capacités des condensateurs est réalisée par le circuit de détermination de capacité (CDC) comprenant un unique moyen de mesure de courant (AMP) entre une borne d'alimentation (AL) et une borne de masse (GND), et, pour chaque condensateur parmi les condensateurs de comparaison (CCD) et ledit au moins un condensateur de référence (RCD), deux branches (BR), la première branche comprenant un premier interrupteur (INT1) disposé entre le moyen de mesure de courant (AMP) et une électrode du condensateur, et un second interrupteur (INT2) disposé entre cette même électrode et la borne de masse (GND), la deuxième branche étant identique à la première et connectée à une l’autre électrode du condensateur pour une mesure de la capacité entre ces deux électrodes.