Brevet FR3106695A1 — publié le 20210730

Titre : procédé pour l’étanchéité d’un dispositif microélectronique L’invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif microélectronique comprenant la formation d’un revêtement d’étanchéité (2, 9) au contact d’une surface d’une partie du dispositif microélectronique, caractérisé en ce que la formation du revêtement d’étanchéité (2, 9) comprend la formation d’un empilement (21, 91) de couches d’oxyde sur la surface par une pluralité d’étapes de dépôt de couche atomique, directement successives, chacune configurée pour former une couche (211, 212 ; 911, 912) à base d’un ou plusieurs oxydes, et en ce qu’une première série d’au moins une étape de la pluralité d’étapes présente une vitesse de dépôt strictement inférieure à celle d’une deuxième série, directement successive à la première série, d’au moins une étape de la pluralité d’étapes. Figure pour l’abrégé : Fig.11 Procédé pour l’étanchéité d’un dispositif microélectronique La présente invention concerne le domaine des dispositifs microélectroniques et de leurs technologies de fabrication. Par dispositif microélectronique, on entend tout type de dispositif réalisé avec les moyens de la microélectronique. Ces dispositifs englobent notamment, en plus des dispositifs à finalité purement électronique, des dispositifs micromécaniques ou électromécaniques (MEMS, NEMS…) ainsi que des dispositifs optiques ou optoélectroniques (MOEMS…) ou encore des microbatteries. Sont en particulier concernés les dispositifs d’émission de lumière, dont ceux comprenant au moins une diode électroluminescente organique, aussi connue sous l’acronyme anglophone OLED. Elle trouve pour application particulièrement avantageuse le domaine des OLEDs portées par un support de nature flexible. ETAT DE LA TECHNIQUE Les diodes électroluminescentes organiques, dites OLEDs (pour Organic Light Emitting Diode) sont des dispositifs électroniques émetteurs de lumière d’ores et déjà répandus notamment dans le domaine des écrans numériques de par leur richesse de couleurs et la profondeur de leur noir. Le recours à de telles diodes permet d’éviter un rétroéclairage généralement nécessaire sur des écrans utilisant d’autres sources lumineuses. De manière classique, une OLED comprend un empilement de couches, avec deux électrodes, à savoir une anode et une cathode, et une partie intermédiaire de matériau organique au niveau de laquelle la lumière est émise lors d’une sollicitation électrique sous forme d’une différence de potentiel entre les deux électrodes. En effet, une recomposition de trous et d’électrons produit une émission photonique à ce niveau. Cette émission est propagée d’un côté du dispositif à OLED, notamment par transmission au travers d’une des deux électrodes, alors choisie suffisamment transparente dans la bande de longueurs d’ondes de la lumière à produire. Une telle organisation a l’avantage de n’engendrer qu’une très faible épaisseur globale du dispositif. Outre les questions d’encombrement et d’esthétique, cette faible épaisseur autorise des contextes de sollicitations mécaniques difficilement envisageables sur la base de sources lumineuses de technologie différente. En particulier, on commence à proposer des dispositifs électroniques pour lesquels la ou les OLEDs sont portées par un support de nature flexible, par exemple en vue de former des dispositifs d’affichage numérique flexible. Dans d’autres domaines, notamment celui de l’éclairage automobile, il convient de réaliser des OLEDs de grande dimension pouvant être courbées pour s’adapter au mieux aux conditions d’implantation au sein du véhicule. Pour s’appliquer au mieux aux applications diverses et notamment à ce type de support flexible, les OLEDs comportent malheureusement des contraintes techniques fortes, et en particulier une grande sensibilité à l’eau, et donc à l’humidité, mais aussi à l’air. Si elle est exposée à ces éléments, la partie organique des OLEDs se détériore rapidement, ce qui implique de réaliser des encapsulations dotées d’une haute capacité de protection à l’environnement extérieur. On comprend que ces contraintes techniques sont susceptibles de pénaliser la technologie des OLEDs, surtout, mais non limitativement, pour des applications à des supports flexibles pour lesquelles on comprend que les risques de défaut d’étanchéité de la partie organique sont importants, lors des déformations appliquées au support. Dans le cas des applications flexibles, les OLEDs sont généralement fabriquées sur l’un des types de substrats suivants : du verre d’épaisseur inférieure à 100 µm, un film métallique ou un film plastique. Le tableau qui suit présente les avantages et les inconvénients de chacune de ces technologies de substrats : Exigence Verre fin Film métallique Film plastique Flexibilité Oui Oui Oui Transparence Oui Non Oui Herméticité Oui Oui Non Manipulation Très Difficile Facile Facile Stabilité thermique Oui Oui Non Température maximale Forte Forte Faible Dissipation thermique Forte Forte Faible Ces substrats souffrent de différents problèmes ; ces problèmes sont notamment liés à la transparence dans le cas des films métalliques et à la stabilité thermique dans le cas des films plastiques. Dans le cas du verre, les fines épaisseurs mises en jeu pour assurer la flexibilité induisent une manipulation délicate ; cependant, même dans le cas de supports non flexibles, la manipulation pourrait être améliorée. Il existe donc un besoin pour trouver une nouvelle solution qui offrirait une structure d’un dispositif à OLED(s) améliorée, et qui, de préférence, répondrait à la fois aux conditions de transparence de support, de stabilité thermique et de facilité de manipulation. D’une manière générale, l’étanchéité de dispositifs microélectroniques devrait être améliorée ; c’est en particulier le cas lorsque des matériaux sensibles à l’environnement lors de leur fonctionnement (l’humidité notamment) sont mis en jeu. Cela se produit par exemple dans les OLEDs comme décrit ci-dessus, mais aussi dans d’autres cas en microélectronique, par exemple dans des microbatteries, où des couches d’électrolyte, d’électrode ou de collecteur peuvent s’oxyder rapidement. Un objet de la présente invention est donc de proposer une solution à au moins une des limitations techniques indiquées précédemment. Les autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à l'examen de la description suivante et des dessins d'accompagnement. Il est entendu que d'autres avantages peuvent être incorporés. RESUME Pour atteindre cet objectif, selon un mode de réalisation on prévoit un procédé de fabrication d’un dispositif microélectronique comprenant la formation d’un revêtement d’étanchéité au contact d’une surface d’une partie du dispositif microélectronique, caractérisé en ce que la formation du revêtement d’étanchéité comprend la formation d’un empilement de couches d’oxyde sur la surface par une pluralité d’étapes de dépôt de couche atomique, directement successives, chacune configurée pour former une couche à base d’un ou plusieurs oxydes, et en ce qu’une première série d’au moins une étape de la pluralité d’étapes présente une vitesse de dépôt strictement inférieure à celle d’une deuxième série, directement successive à la première série, d’au moins une étape de la pluralité d’étapes. L’utilisation d’une multicouche d’oxyde ainsi formée assure une excellente étanchéité avec un WVTR de l’ordre de 10 -5 g/m 2 /jour. Cette couche d’oxyde améliore aussi éventuellement l’adhésion de la couche conductrice et transparente sur le substrat. En réalisant les couches d’oxyde par la technique du dépôt de couche atomique (connue sous l’acronyme ALD correspondant à sa traduction anglaise : Atomic Layer Deposition) en plusieurs étapes, on peut faire évoluer la vitesse de dépôt au cours de la fabrication. Cette vitesse est avantageusement choisie plus basse au départ, pour favoriser la qualité du dépôt, en termes de régularité. Elle est ensuite augmentée pour une meilleure productivité. Par exemple, la pluralité de couches peut consister en deux couches réalisées avec des vitesses différentes, chacune des deux couches ayant son objectif propre : la régularité pour la première, la rapidité d’obtention d’une épaisseur cible pour la seconde. Dans un mode de réalisation, le revêtement comprend une couche de polymère, par exemple en polyépoxyde. Le matériau poly-époxyde possède une étanchéité moyenne autour d’un WVTR (water vapor transmission rate pour taux de transmission de vapeur d’eau) de 10 g/m 2 /jour a priori peu favorable aux OLEDs. Mais la présence de cette couche de polymère permet, d’une part, de planariser la zone de formation de l’OLED et, d’autre part, d’absorber les déformations mécaniques du support ou d’un capot de sorte à réduire leurs effets sur la couche organique. Cette solution, dans la mesure où elle met en œuvre un matériau polymère comme du type époxyde contenant de l’eau, aurait pu sembler incompatible avec la technologie des diodes électroluminescentes organiques qui sont sensibles à l’eau. Cependant, en combinant l’empilement de couches d’oxyde d’interface avec une couche polymère, l’invention résout cette difficulté. Le revêtement ici proposé peut avoir une structure en sandwich dans laquelle la couche polymère est intercalée entre deux empilements de multicouches d’oxydes. Outre la vocation de ce sandwich à améliorer encore l’étanchéité, cela peut autoriser une bonne accommodation des contraintes mécaniques. Un autre aspect concerne un dispositif pouvant être obtenu par le procédé. Il peut notamment comprendre au moins une partie recouverte par un revêtement d’étanchéité au contact de la surface de ladite partie, caractérisé en ce que le revêtement d’étanchéité comprend, de manière directement successive, un empilement de couches d’oxyde au contact de la surface, une couche à base de matériau polymère et un empilement supplémentaire de couches d’oxyde. On prévoit aussi un dispositif microélectronique comprenant une partie recouverte par un revêtement d’étanchéité au contact de la surface de ladite partie. Le revêtement d’étanchéité comprend, de manière directement successive, un empilement de couches d’oxyde au contact de la surface, une couche à base de matériau polymère et un empilement supplémentaire de couches d’oxyde. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront mieux de la description détaillée d’un mode de réalisation de cette dernière qui est illustré par les dessins d’accompagnement suivants dans lesquels : Les figures 1 à 11 présentent différentes étapes indicatives de formation d’un dispositif électronique d’émission de lumière. Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l’invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l’invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier les épaisseurs des couches ne sont généralement pas représentatives de la réalité, compte tenu du caractère très fin de ces épaisseurs. DESCRIPTION DÉTAILLÉE Avant d’entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l’invention, sont énoncées ci-après des caractéristiques optionnelles qui peuvent éventuellement être utilisées en association ou alternativement : - la formation du revêtement d’étanchéité comprend, après la formation de l’empilement de couches d’oxyde, la formation d’une couche à base d’un matériau polymère. - le matériau polymère est un polyépoxyde. - la formation du revêtement d’étanchéité comprend, après la formation de la couche à base de matériau polymère, la formation d’un empilement supplémentaire de couches d’oxyde. - la formation de l’empilement supplémentaire est opérée par une pluralité d’étapes supplémentaires de dépôt de couche atomique, directement successives, chacune configurée pour former une couche à base d’un ou plusieurs oxydes, et en ce qu’une première série supplémentaire d’au moins une étape de la pluralité d’étapes supplémentaires présente une vitesse de dépôt strictement inférieure à celle d’une deuxième série supplémentaire, directement successive à la première série supplémentaire, d’au moins une étape de la pluralité d’étapes supplémentaires. Le procédé selon l’invention comprend successivement : - la fourniture d’un support 1, - la formation d’une première électrode 6, - la formation d’une couche active, et - la formation d’une deuxième électrode 8, et dans lequel la formation d’un revêtement d’étanchéité est opérée sur une surface du support 1 avant la formation de la première électrode 6, et/ou sur une surface de la deuxième électrode 8. - la couche active est une couche organique émissive 7, de sorte à fabriquer un dispositif microélectronique émissif de lumière à couche émissive organique. - la vitesse de la première série est inférieure ou égale à 0.5 Å/s. - la vitesse de la deuxième série est supérieure ou égale à 0.6 Å/s. - le revêtement d’étanchéité présente une dimension en épaisseur inférieure ou égale à 100 nm. - les couches d’oxyde de l’empilement présentent une même dimension en épaisseur. - l’oxyde est un oxyde métallique, et de préférence un oxyde d’aluminium. - le support 1 est flexible; - le support 1 comprend une âme 11 en verre et deux couches de revêtement 12, 13 en matériau polymère, couvrant chacune une face différente de l’âme 11 ; - l’âme 11 présente une dimension en épaisseur inférieure ou égale à 100 µm, voire à 200 µm ; - au moins une des couches de revêtement 12, 13 présente une dimension en épaisseur supérieure ou égale à 10 µm et/ou inférieure ou égale à 100 µm ; - le dispositif est configuré pour émettre de la lumière depuis la portion émissive 7 organique, par une deuxième face du support, opposée à la première face ; - le dispositif comporte un premier contact électrique 4 connecté électriquement à la première couche électriquement conductrice, un deuxième contact électrique 5 connecté électriquement à la deuxième couche électriquement conductrice, le premier contact électrique 4 et le deuxième contact électrique 5 étant disposés au-dessus du support 1, et latéralement relativement à l’empilement comprenant la couche active, notamment la couche organique émissive ; - le premier contact électrique 4 et le deuxième contact électrique 5 sont disposés sur une portion de la couche d’étanchéité 3 disposée latéralement relativement à la couche polymère 22 ; - au moins l’un parmi le premier contact électrique 4 et le deuxième contact électrique 5 comprend une couche adhésive 15, à base d’un métal ne comprenant pas le cuivre, au contact du revêtement d’étanchéité 2. - le revêtement d’étanchéité 2, 9 est au contact d’une électrode d’un empilement comprenant de préférence une couche active (par exemple émissive, organique, piézoélectrique ou électroactive). Il est précisé que dans le cadre de la présente invention, les termes « sur », « surmonte », « recouvre » ou « sous-jacent » ou leurs équivalents ne signifient pas forcément « au contact de ». Ainsi par exemple, le dépôt d’une première couche sur une deuxième couche, ne signifie pas obligatoirement que les deux couches sont directement au contact l’une de l’autre, mais cela signifie que la première couche recouvre au moins partiellement la deuxième couche en étant soit directement à son contact, même si ce cas est généralement préféré, soit en étant séparée d’elle par au moins une autre couche ou au moins un autre élément. Dans le cadre de la présente invention, on entend par « flexible » ou « souple » la propriété d’un élément ainsi qualifié à se courber aisément pour notamment être disposé sur des surfaces présentant une courbure non nulle. Ainsi un substrat flexible s’entend d’un substrat apte à se déformer de manière élastique avec une flèche supérieure à l’épaisseur du substrat. Alternativement ou cumulativement, le caractère flexible peut résulter d’une capacité de déformation en flexion du moule avec un rayon de courbure de moins d’un mètre. On entend par une couche à base d’un matériau A, une couche comprenant ce matériau A et éventuellement d’autres matériaux, par exemple des éléments d’alliage. Une couche peut par ailleurs être composée de plusieurs sous-couches d’un même matériau ou de matériaux différents ; c’est par exemple le cas pour la couche à base de polymère. D’autre part, le terme « couche » ne veut pas forcément dire une répartition pleine plaque sur le support. Il est précisé que dans le cadre de la présente invention, l’épaisseur d’une couche ou d’un substrat se mesure selon une direction perpendiculaire à la surface selon laquelle cette couche ou ce substrat présente son extension maximale. De ce fait, dans la description qui suit, les épaisseurs de film sont mesurées selon des directions perpendiculaires à la surface du support ou substrat. La figure 11 présente, selon un mode de réalisation de la présente invention, un tel dispositif électronique sous forme d’un dispositif OLED. Ce dispositif comprend un support 1 doté d’une première face au-dessus de laquelle est disposé un empilement de couches comprenant successivement une première couche électriquement conductrice formant une première électrode 6, une portion émissive 7 organique configurée pour émettre de la lumière lorsqu’elle est soumise à une différence de potentiel électrique, et une deuxième couche électriquement conductrice formant une deuxième électrode 8, la première électrode 6 et la deuxième électrode 8 étant au contact de la portion émissive 7 organique. Sur cette figure sont représentés un support 1 avantageusement flexible, un empilement de couches 6, 7, 8, un capot d’encapsulation 16 et un premier et deuxième contacts électriques 4, 5. Le support 1 comprend avantageusement une face supérieure 14 et une face inférieure 10. La face supérieure est destinée à porter au moins l’empilement de couches destinées à former l’OLED, le capot d’encapsulation 16 et le premier et deuxième contacts électriques. Selon un mode de réalisation, le support 1 comprend au moins une âme 11 par exemple réalisée par une couche de verre disposée entre une première couche de revêtement 12 et une deuxième couche de revêtement 13. Avantageusement, les dimensions et les matériaux du support 1 sont choisis de sorte à ce que le support présente une flexibilité non nulle permettant de réaliser un support flexible. De préférence, la première 12 et la deuxième 13 couches de revêtement comprennent un matériau à base de polymère, pouvant ou non être identique entre la première 12 et la deuxième 13 couches de revêtement. Selon un mode de réalisation préféré, la couche de support intermédiaire ou âme 11 comprend au moins un matériau inorganique, en particulier à base d’oxyde de silicium et de préférence du verre. De manière particulièrement avantageuse, les matériaux et les épaisseurs de la première couche de revêtement 12, de la couche de support intermédiaire 11 et de la deuxième couche de revêtement 13 sont choisis afin de présenter d’une part une certaine flexibilité et d’autre part une transmittance non nulle et de préférence supérieure à 50% relativement à la longueur d’onde - ou la bande de longueurs d’ondes - de la lumière émise par le dispositif électronique. Le dispositif comprend en outre un empilement de couches propre à l’application visée, ici à l’émission de lumière. Cet empilement de couches comprend de préférence au moins une première couche conductrice électrique formant une première électrode 6, une portion émissive organique 7 comprenant au moins une couche organique et au moins une deuxième couche conductrice électrique formant une deuxième électrode 8. La portion émissive organique 7 est intercalée entre les deux électrodes et cet ensemble, lorsqu’il est soumis à un signal électrique, permet une émission de lumière selon une longueur d’onde propre aux caractéristiques physico-chimiques de la portion organique 7. Afin d’appliquer une différence de potentiel électrique, chaque électrode est connectée électriquement avec un contact électrique respectivement 4 et 5. Ainsi un premier contact électrique 4 est connecté électriquement à la première couche électriquement conductrice et un deuxième contact électrique 5 est connecté électriquement à la deuxième couche électriquement conductrice. Le premier et le deuxième contacts électriques peuvent être de même conception et comprennent avantageusement respectivement un plot de contact électrique 42, 52, de préférence en cuivre, disposé au-dessus du support et de préférence au contact respectivement d’une couche d’adhésion 41,51, intercalée. La couche d’adhésion peut être en un matériau métallique, tel que du titane, du chrome, du molybdène ou encore du nickel. Une épaisseur de 10 nm convient. Selon un mode de réalisation préféré, chaque contact électrique 4, 5 comprend respectivement une première portion 43, 53 disposée au-dessus de, et en contact électrique, avec respectivement son plot de contact électrique 42, 52. Cette première portion 43, 53 peut être réalisée en étain, suite à une soudure par exemple. Avantageusement, chaque contact électrique 4, 5 comprend aussi une deuxième portion respectivement 44, 54 disposée au-dessus de sa première portion respectivement 43, 53. Cette deuxième portion 44, 54 peut être formée par une soudure, à l’étain par exemple, de sorte à établir un contact électrique avec sa première portion respectivement 43, 53. Comme il le sera décrit ci-après, ce contact électrique est formé au travers d’une couche d’encapsulation 9 détaillée plus loin. En effet, les deuxièmes portions 44, 54 peuvent directement traverser cette couche pour ouvrir la couche d’encapsulation 9 et opérer le raccordement électrique, étant noté que ce raccordement peut aussi comprendre des fils 45, 55 eux-mêmes électriquement connectés aux portions 44, 54. La portion émissive 7 présente une grande sensibilité aux molécules d’eau et aux molécules de dioxygène, et il convient donc de l’isoler au mieux de l’environnement extérieur et de toute source de ce type de molécules. De ce fait, le dispositif électronique comprend avantageusement un capot d’encapsulation 16 disposé au-dessus des éléments sous-jacents, par l’intermédiaire d’une couche adhésive 15. À titre d’exemple, le capot 16 peut-être une fine couche de verre, par exemple d’épaisseur inférieure à 100 µm ; il peut aussi s’agir d’un film métallique ou plastique. La couche adhésive 15 est configurée pour combler les espaces résultant de variations de hauteur des différentes parties de l’empilement, de sorte à obtenir une surface exposée aussi plane que possible pour l’application du capot 16. L’épaisseur d’adhésif peut notamment être supérieure à 5 µm et/ou inférieure à 100 µm. Cependant, pour assurer une étanchéité au niveau de la surface supérieure de l’empilement comprenant la portion émissive organique, il est avantageux de disposer directement au-dessus de cet empilement une couche d’étanchéité 9 qui peut prendre la forme d’un revêtement multicouche comme mis en œuvre entre le support et la première électrode. En effet, par ailleurs, il est aussi souhaitable d’assurer une bonne étanchéité sur la première électrode 6, à son interface avec le support 1. Une première option pour l’une et/ou l’autre de ces étanchéités est de recourir à au moins une couche d’oxyde. Ainsi, une fine couche d’un oxyde, par exemple déposée par la technique de dépôt de couches atomiques (connue sous l’acronyme ALD), peut être utilisée à cette fin. Une épaisseur faible, par exemple comprise entre 25 nm et 50 nm peut suffire. On donne ci-après une indication d’oxydes utilisables : Al2O3, TiO2, ZrO2, HfO2, Ta2O5, Nb2O5, Y2O3, MgO, CeO2, SiO2, La2O3, SrTiO3, BaTiO3. Cependant, pour au moins une de ces parties de couverture d’étanchéité, il est avantageux de mettre en œuvre un revêtement d’étanchéité multicouche dont des exemples seront donnés ci-dessous. D’une manière générale, ce multicouche comprend pour le moins un empilement de couches à base d’oxyde. Il est réalisé par des dépôts successifs. Cela permet avantageusement de varier les vitesses de dépôts entre au moins deux couches successives. Une première série de dépôts (au moins un dépôt) peut avoir une première vitesse, et une deuxième série (au moins un dépôt) peut avoir une deuxième vitesse, plus élevée. Dans un cas minimal mais donnant satisfaction, le multicouches est fait de deux couches issues de deux dépôts successifs à vitesses différentes (la plus basse au départ). Une série de dépôts s’entend donc d’au moins un dépôt ; de préférence ces dépôts s’effectuent à une même vitesse, voire avec des conditions strictement identiques. Il est possible que l’empilement soit formé avec plus de deux séries d’au moins un dépôt, par exemple avec une troisième série (ou un troisième dépôt) à une vitesse plus importante que les deux précédentes. Cet empilement d’étanchéité est formé par une multicouche d’oxyde pouvant être déposée par ALD. La vitesse de dépôt de la première sous-couche d’ALD est par exemple comprise entre 0.1 Å/s et 0.5 Å/s. La vitesse de dépôt de la deuxième sous-couche d’ALD est par exemple comprise entre 0.6 Å/s et 1.2 Å/s. Pour le dépôt ALD, sur la base d’un dépôt de Al2O3, on peut utiliser deux précurseurs : le TMA (Triméthylaluminium) et la vapeur d’eau (H2O). Chaque précurseur est injecté successivement par pulse, par exemple avec un temps compris entre 15 et 1000 ms. Une purge en azote est utile entre les pulses pour éviter le dépôt CVD, de sorte à bien séparer les phases d’injection de gaz. On donne dans ce tableau un exemple de paramètres de dépôt ALD : L’oxyde déposé peut être le même dans chaque étape de dépôt, ou non. Il s’agira de préférence d’oxyde(s) métallique(s). Les exemples d’oxydes précédents conviennent : Al2O3, TiO2, ZrO2, HfO2, Ta2O5, Nb2O5, Y2O3, MgO, CeO2, SiO2, La2O3, SrTiO3, BaTiO3. Les couches de l’empilement d’oxydes peuvent être de même épaisseur. Il peut par exemple s’agir de deux épaisseurs de 40 nm chacune. Suivant une autre option, la partie issue de la première série de dépôts (ou du premier dépôt s’il n’y en a que deux), présente une épaisseur inférieure à celle issue de la deuxième série de dépôts (ou du deuxième dépôt s’il n’y en a que deux au total). Suivant une réalisation, l’empilement a une épaisseur de moins de 100 nm. De préférence, le revêtement d’étanchéité comprend une couche polymère au-dessus de l’empilement précédent. Ainsi, selon un mode de réalisation préféré de la présente invention, une couche de polymère, notamment comprenant au moins un matériau à base de polyépoxyde, est disposée au-dessus de la face supérieure de l’empilement de couches d’oxyde. La couche de polymère époxyde 22 déposée sur la multicouche d’oxyde peut posséder une étanchéité WVTR inférieure à 50 g/m 2 /j et une absorption d’eau inférieure à 5%, de préférence inférieure à 1%. La couche 22 peut présenter une dimension en épaisseur supérieure ou égale à 1 µm, de préférence à 10 µm. La couche de polymère est déposée en une ou plusieurs étapes sur la première multicouche d’oxyde. Le polyépoxyde peut être de l’époxy dont la composition comprend une concentration en solvant, de préférence en eau. De par cette quantité non négligeable de solvant, il est préférable d’isoler complètement cette couche polymère 22 relativement aux molécules d’eau et aux molécules de dioxygène. Pour cela, le dispositif comprend avantageusement au moins une couche d’oxyde supplémentaire, mais de préférence un empilement supplémentaire de couches d’oxyde, disposée au-dessus et au contact de la couche 22. Ce deuxième multicouche d’oxyde 23 est formée par plusieurs sous-couches d’oxyde superposées, avec une épaisseur totale de préférence inférieure à 100 nm. Ce revêtement d’étanchéité oxydes/polymère/oxydes pourra atteindre un taux WVTR inférieur à 10 -5 g/m 2 /j. Il est souhaitable que la couche 23 soit configurée pour couvrir l’intégralité de la couche 22, voire pour déborder au-delà de la couche 22, en isolant ainsi aussi la tranche et une zone périphérique à l’empilement de la première face 14 du support 1. Suivant une possibilité, la couche 23 peut être obtenue par la technique ALD indiquée précédemment pour l’empilement 21. Les options fournies pour l’empilement 21 sont applicables à l’empilement supplémentaire 23. D’ailleurs, l’épaisseur indicative de la couche 23 peut être similaire à l’exemple donné pour la couche 21. L’utilisation d’un empilement multicouches d’oxyde, par exemple au-dessus de la deuxième électrode, assure une excellente étanchéité avec un WVTR de l’ordre de 10-5 g/m2/jour. En effet, lors du dépôt de cet empilement d’oxyde, plusieurs défauts peuvent se former sous forme de trous dans le film final. Ces trous et défauts facilitent la diffusion des molécules d’eau dans l’empilement actif, comme celui d’une OLED. Le matériau poly-époxyde bouche ces trous. Le deuxième empilement multicouche d’oxyde permet d’encapsuler les défauts et les trous créés dans le premier empilement de couches d’oxyde. L’utilisation d’une ou plusieurs couche d’oxyde de part et d’autre de la couche de polymère poly-époxyde au-dessus de la deuxième électrode, assure une excellente étanchéité avec un WVTR potentiel de l’ordre de 10-5 g/m2/jour de sorte à protéger les couches organiques des molécules d’eau. Chaque empilement multicouche d’oxyde peut être formé par le même matériau ou de plusieurs matériaux de différente composition et de différente épaisseur. De manière avantageuse, le dispositif de l’invention est du type à émission vers le haut dit en anglais « Top emission », c’est-à-dire depuis la portion organique émissive 7, avec propagation au travers la deuxième électrode, pour une sortie de lumière à travers le capot 16 qui doit être transparent. À cet effet, l’ensemble des couches disposées sur ce trajet de la lumière présente des compositions et des épaisseurs aptes à la laisser passer au moins en partie. Un rendement d’au moins 20 % de lumière sortante, dans l’intervalle de longueurs d’onde souhaité, est de préférence à retenir. Suivant une autre possibilité, le dispositif est à émission vers le bas, c’est-à-dire depuis la portion organique émissive 7, avec propagation au travers des couches sous-jacentes, pour une sortie de lumière par la deuxième face 10 du support 1. À cet effet, l’ensemble des couches disposées sur ce trajet de la lumière présentent des compositions et des épaisseurs aptes à la laisser passer au moins en partie. Un rendement d’au moins 20 % de lumière sortante, dans l’intervalle de longueurs d’onde souhaité, est de préférence à retenir. Les figures 1 à 11 illustrent par ailleurs des étapes successives de fabrication d’un dispositif de l’invention. La figure 1 représente un support 1, tel que précédemment décrit, comprenant une face inférieure 10 portée par une première couche de revêtement 12 à base de polymère, une couche intermédiaire formant une âme 11, de préférence en verre, et une face supérieure 14 portée par une deuxième couche de revêtement 13 à base également de polymère. On choisit de préférence l’épaisseur et la nature de chacune de ces couches, pour que le support 1 présente une flexibilité souhaitée. Par exemple, l’épaisseur des couches en polymère peut être comprise entre 5 et 100 µm et l’épaisseur de verre intermédiaire peut être comprise entre 10 et 100 micromètres. On comprend par ailleurs que cette formation sandwich permet une protection du verre. D’autre part, l’adhésion de la couche d’interface s’effectue favorablement lorsque la face 14 avec laquelle elle est en contact est celle d’un matériau polymère plutôt que du verre. Le support porte un empilement 21 formant au moins en partie un revêtement d’étanchéité 2 et comportant, dans l’illustration, deux couches 211, 212 à base d’oxyde. Cet empilement a une fonction d’étanchéité et forme, ou participe à former, un revêtement d’étanchéité 2. Il est préférentiellement obtenu par dépôt ALD en deux étapes (ou autant d’étapes que de couches d’empilement), comme précédemment décrit. La figure 2 illustre la formation de la couche à base de polymère 22, de préférence à base d’époxy. Cette formation comprend au moins une étape de dépôt, de préférence localisé, d’un précurseur, de préférence monomère, et au moins une étape de réticulation de sorte à former un polymère tridimensionnel. Cette étape de formation de la couche 22 permet d’ajuster l’épaisseur, l’extension spatiale ainsi que la composition de la couche d’époxy, notamment afin de réduire les déformations mécaniques subies par l’empilement formé par la suite. Dans le cas de la figure 2, la couche 22 est localisée sur une partie seulement de la surface de l’empilement 21 et forme une protubérance (son épaisseur est avantageusement supérieure à celle de l’empilement 21, par exemple de l’ordre de 1 à 10 µm alors que l’empilement s’étend préférentiellement sur moins de 200 nm, voire moins de 100 nm. La figure 3 présente la formation d’un deuxième empilement 23, aussi appelé empilement supplémentaire. Il est de préférence obtenu par une technique de dépôt de type ALD « Atomic Layer Deposition » d’au moins une couche d’oxyde, de préférence à base d’oxyde d’aluminium, et son épaisseur est ajustée afin de former une barrière étanche aux molécules d’eau contenues dans la couche 22. Cet empilement 23 est formé au-dessus de la couche de polymère 22 et à son contact. De préférence cette couche 23 est issue d’un dépôt de type pleine plaque. En effet, elle pourra aussi servir à recevoir les contacts électriques 4, 5. De préférence, on utilise plus d’une couche d’oxyde pour l’empilement 23. Ainsi, la figure 3 montre deux couches 231, 232 déposées successivement. On pourra se référer aux parties descriptives précédentes pour le dépôt de ces couches, en particulier sur le choix de l’ALD, les matériaux, les épaisseurs et les paramètres de vitesse de dépôt. A l’issue de cette phase de fabrication, le support 1 se trouve recouvert d’un revêtement 2 formé par un sandwich d’empilements 21, 23 de couches d’oxydes entre lesquelles une couche 22 à base de polymère est intercalée. L’épaisseur localisée de la couche 22 forme un plateau 3 sur la face supérieure du revêtement 2. C’est avantageusement à ce niveau que d’autres parties du dispositif (en particulier un empilement électrode/couche active/électrode) vont être formées. La figure 4 illustre une étape de formation des futurs premier et deuxième contacts électriques 4, 5. Cette première étape comprend le dépôt d’une première couche d’adhésion 41, 51, de préférence de part et d’autre de la couche à base de polymère 22. Sur cette couche d’adhésion 41, 51 formée localement, des plots de contact, respectivement 42 et 52, de préférence en cuivre, sont réalisés. La figure 5 présente la formation d’une première couche conductrice électrique destinée à être utilisée comme électrode pour le dispositif électronique. Il pourra s’agir de l’anode. Cette couche s’étend de préférence au-dessus de la couche 22 recouverte de l’empilement supplémentaire 23, et aussi, latéralement, jusqu’au contact de l’un parmi le premier et le deuxième contact 4, 5, à savoir le contact 5 dans le cas de la figure 5. Avantageusement, cette électrode est pour le moins semi-transparente. Elle peut comprendre plusieurs sous-couches, et notamment une première couche d’un oxyde transparent, tel que de l’ITO (oxyde d’indium dopé à l’étain) ou de l’AZO (oxyde de zinc dopé à l’aluminium), une couche centrale métallique (par exemple en aluminium, en argent, en cuivre, en or) puis une deuxième couche d’oxyde transparent. Les couches d’oxyde transparent peuvent avoir une épaisseur comprise entre 10 et 100 nanomètres et la couche centrale une épaisseur entre 5 et 40 nanomètres. Cette première couche conductrice électrique présente une composition et une épaisseur lui permettant de disposer d’une transmittance non nulle relativement à la longueur d’onde de la lumière destinée à être émise par le dispositif électronique. La figure 6 illustre la formation d’une portion émissive organique 7. La composition de cette couche organique peut être ajustée de sorte à choisir la longueur d’onde de la lumière destinée à être émise par le dispositif électronique de la présente invention. Cette partie peut comporter plusieurs sous-couches, notamment avec des fonctions d’injection et de transport d’électrons et de trous, ainsi que d’émission photonique proprement dite. On pourra utiliser toute portion organique connue dans le domaine des diodes électroluminescentes organiques. Cette portion peut notamment comprendre comprend au moins un matériau pris parmi au moins : Alq3, NPB, CBP, Ir(piq)3, TCTA, TAZ, HAT-CN, LiQ, F4_TCNQ, α-NPD, TPD, Ir(ppy)3, ….. Elle est avantageusement configurée pour émettre de la lumière dans le domaine du visible, et par exemple pour émettre une lumière dont la longueur d’onde est comprise entre 450 et 750 nm, de préférence entre 450 et 700 nm et avantageusement entre 470 et 635 nm. La figure 7 présente la formation de la deuxième couche électriquement conductrice 8 destinée à être utilisée comme deuxième électrode pour le dispositif électronique. Il peut s’agir de la cathode. Cette deuxième couche électriquement conductrice 8 est formée au-dessus et au contact de la portion émissive 7, et s’étend aussi latéralement en débordement de l’empilement comprenant la couche émissive 7, de sorte à rejoindre l’autre contact, ici le contact 5. Dans le cas d’une OLED à émission vers le bas, l’épaisseur et le matériau de cette électrode ne sont pas des paramètres décisifs. On pourra mettre en œuvre une électrode en aluminium avec une épaisseur par exemple comprise entre 100 et 1000 nanomètres. La figure 8 illustre la formation de la première portion 43 du premier contact électrique 4 et de la première portion 53 du deuxième contact électrique 5. Ces premières portions sont formées au-dessus des plots de contact électriques respectivement 42,52 et à leur contact respectif. Selon un mode de réalisation, ces premières portions 43,53 sont réalisées par une étape de soudure, de préférence à base d’étain, de sorte à former des plots métalliques au-dessus des plots de contact électriques 42, 52. On notera que le caractère déporté latéralement des contacts 4, 5 relativement à la couche à base de polymère 22 et à l’empilement qu’elle supporte permet de séparer mécaniquement ces deux parties du dispositif. D’autre part, une large portion de la face 14 du support peut être libérée au bénéfice de l’empilement, de sorte à optimiser la surface d’émission de lumière. La figure 9 présente l’étape de formation d’une partie d’encapsulation 9. Avantageusement, on a recours à un revêtement d’étanchéité formé de manière similaire à l’un des modes de réalisation donnés précédemment à propos du revêtement d’étanchéité 2. C’est ce que révèle la figure 9, avec un revêtement supérieur 9 comprenant un sandwich doté d’une couche intercalée 92 à base de polymère, et de deux empilements autour de la couche 92, respectivement inférieur 91 et supérieur 93. Comme précédemment pour le revêtement 2, chaque empilement 91, 93 comprend de préférence au moins deux couches (911, 912; 931, 932) ; avantageusement, il y a une augmentation de la vitesse de dépôt, opérée par ALD dans cette suite d’étapes de dépôt. De préférence, il s’agit de dépôts de type pleine plaque (plutôt que de localiser la couche polymère 92 comme dans le cas du revêtement 2 et de sa couche 22). Ainsi, la couche 9 recouvre aussi bien certaines zones du support, de la couche d’étanchéité 3, des premières portions 43, 53 des contacts électriques 4, 5, et de l’empilement. La figure 10 illustre la formation d’une couche d’adhésif 15 destinée à autoriser le placement du capot 16. Selon un mode de réalisation, cette couche adhésive 15 et le capot 16 sont formés sans recouvrir les contacts électriques, et par exemple entre eux, autour de l’empilement comme c’est le cas sur la figure 10. Cela permet de ne pas accroître l’épaisseur du dispositif électronique en ne cumulant pas l’épaisseur du capot d’encapsulation avec les épaisseurs des contacts électriques. Cela distingue aussi ces parties, d’un point de vue mécanique, notamment lors d’une flexion du support. La figure 11 illustre la formation de la deuxième portion 44 du premier contact électrique 4 et de la deuxième portion 54 du deuxième contact électrique 5. Ces deuxièmes portions sont formées au-dessus de la couche d’encapsulation 9 et à son contact et respectivement au droit des premières portions 43,53. De manière particulièrement avantageuse, ces deuxièmes portions 44, 54 sont réalisées par une étape de soudure, de préférence à base d’étain, de sorte à former des plots métalliques en saillie au-delà du revêtement d’étanchéité 9. Lors de cette étape de formation, le procédé de soudure induit la formation d’un contact électrique entre respectivement les premières portions 43,53 et les deuxièmes portions 44,54 au travers du revêtement d’étanchéité 9. Ainsi, sous l’effet de la soudure, que cela soit dû à la chaleur ou bien à des vibrations, la première couche d’encapsulation est localement détruite. Celle-ci n’est cependant ouverte que très localement, sans impacter les faits de l’encapsulation sur l’empilement comprenant la portion organique 7. Selon un mode de réalisation cette étape peut comprendre une soudure à l’étain par exemple ou encore une soudure par laser ou micro-vibration. La présente invention permet d’accroître la longévité des OLED en réduisant leur exposition à l’environnement extérieur que cela soit d’un point de vue chimique, thermique, car le ou les revêtements d’étanchéité 2, 9 sont d’une grande efficacité sur ce plan. L’invention n’est pas limitée aux modes de réalisations précédemment décrits et s’étend à tous les modes de réalisation couverts par les revendications. Liste des références 1 support 2 revêtement d’étanchéité inférieur 21 empilement 211 première couche 212 deuxième couche 22 couche à base de polymère 23 empilement supplémentaire 231 première couche 232 deuxième couche 3 plateau 4 premier contact électrique 5 deuxième contact électrique 6 première électrode 7 portion émissive 8 deuxième électrode 9 revêtement d’étanchéité supérieur 91 empilement 911 première couche 912 deuxième couche 92 couche à base de polymère 93 empilement supplémentaire 931 première couche 932 deuxième couche 10 deuxième face 11 âme 12 première couche de revêtement 13 deuxième couche de revêtement 14 première face 15 couche adhésive 16 capot 21 face supérieure 31 face inférieure 41 couche de base 42 plot 43 portion de connecteur 44 portion de connecteur 45 fil 51 couche de base 52 plot 53 portion de connecteur 54 portion de connecteur 55 fil Procédé de fabrication d’un dispositif microélectronique comprenant la formation d’un revêtement d’étanchéité (2, 9) au contact d’une surface d’une partie du dispositif microélectronique, caractérisé en ce que la formation du revêtement d’étanchéité (2, 9) comprend la formation d’un empilement (21, 91) de couches d’oxyde sur la surface par une pluralité d’étapes de dépôt de couche atomique, directement successives, chacune configurée pour former une couche (211, 212 ; 911, 912) à base d’un ou plusieurs oxydes, et en ce qu’une première série d’au moins une étape de la pluralité d’étapes présente une vitesse de dépôt strictement inférieure à celle d’une deuxième série, directement successive à la première série, d’au moins une étape de la pluralité d’étapes. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la formation du revêtement d’étanchéité (2, 9) comprend, après la formation de l’empilement de couches d’oxyde, la formation d’une couche (22, 92) à base d’un matériau polymère. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel le matériau polymère est un polyépoxyde. Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes, dans lequel la formation du revêtement d’étanchéité (2, 9) comprend, après la formation de la couche (22, 92) à base de matériau polymère, la formation d’un empilement supplémentaire (23, 93) de couches d’oxyde. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la formation de l’empilement supplémentaire est opérée par une pluralité d’étapes supplémentaires de dépôt de couche atomique, directement successives, chacune configurée pour former une couche (231, 232 ; 931, 932) à base d’un ou plusieurs oxydes, et en ce qu’une première série supplémentaire d’au moins une étape de la pluralité d’étapes supplémentaires présente une vitesse de dépôt strictement inférieure à celle d’une deuxième série supplémentaire, directement successive à la première série supplémentaire, d’au moins une étape de la pluralité d’étapes supplémentaires. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant successivement : - la fourniture d’un support (1), - la formation d’une première électrode (6), - la formation d’une couche active, et - la formation d’une deuxième électrode (8), et dans lequel la formation d’un revêtement d’étanchéité (2, 9) est opérée sur une surface du support avant la formation de la première électrode (6), et/ou sur une surface de la deuxième électrode (8). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la couche active est une couche organique émissive (7), de sorte à fabriquer un dispositif microélectronique émissif de lumière à couche émissive organique. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la vitesse de la première série est inférieure ou égale à 0.5 Å/s. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la vitesse de la deuxième série est supérieure ou égale à 0.6 Å/s. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le revêtement d’étanchéité (2, 9) présente une dimension en épaisseur inférieure ou égale à 100 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les couches (211, 212) d’oxyde de l’empilement (21) présentent une même dimension en épaisseur. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la première série et la deuxième série ne comprennent chacune qu’une seule étape. Dispositif microélectronique obtenu par le procédé selon la revendication 4 ou la revendication 5, comprenant au moins une partie recouverte par un revêtement d’étanchéité (2, 9) au contact de la surface de ladite partie, caractérisé en ce que le revêtement d’étanchéité (2, 9) comprend, de manière directement successive, un empilement de couches (21, 91) d’oxyde au contact de la surface, une couche (22, 92) à base de matériau polymère et un empilement supplémentaire (23, 93) de couches d’oxyde. Dispositif selon la revendication précédente dans lequel les couches d’oxyde (211, 212 ; 231, 232 ; 911, 912 ; 931, 932) sont en un oxyde métallique, de préférence un oxyde d’aluminium. Dispositif selon l’une quelconque des deux revendications précédentes, comprenant successivement un support (1), une première électrode (6), une couche active, une deuxième électrode (8), le dispositif comprenant en outre un revêtement d’étanchéité (2) entre le support (1) et la première électrode (6) et/ou un revêtement d’étanchéité (9) au-dessus de la deuxième électrode (8).