Brevet FR3101138A1 — publié le 20210326

L'invention se rapporte à un dispositif de traitement thermique (10), tel qu'un four, comprenant une enceinte dans laquelle sont disposés une résistance de chauffe (12) en graphite ou en carbure de silicium, et un interne (11) en céramique qui délimite un volume formant une chambre (13), la résistance de chauffe (12) étant placée autour de l'interne (11). Le dispositif (10) comprend, en outre, un élément intermédiaire (14) en un matériau métallique, ou céramique, réfractaire, la résistance de chauffe (12), l'interne (11) et l'élément intermédiaire (14) étant cylindriques, l'élément intermédiaire (14) étant interposé entre la résistance de chauffe (12) et l'interne (11) et à distance de ces derniers. L'invention se rapporte également à un procédé de traitement thermique mettant en œuvre le dispositif (10). Figure pour l ' abrégé : FIG.1 Dispositif de traitement thermique présentant une résistance au vieillissement améliorée et procédé de traitement thermique le mettant en œuvre La présente invention s'inscrit dans le domaine du traitement thermique, que ce soit pour la réalisation d'une analyse thermique, telle qu'une analyse thermogravimétrique (ATG), une analyse thermique différentielle (ATD) ou une analyse dilatométrique, pour la réalisation d'un traitement thermique, par exemple un frittage, ou pour la réalisation d'un traitement thermochimique. La présente invention se rapporte plus particulièrement à un dispositif de traitement thermique convenant pour la mise en œuvre de l'analyse thermique ou du traitement thermique ou thermochimique considéré, ce dispositif de traitement thermique, tel qu'un four, présentant une résistance au vieillissement améliorée. La présente invention se rapporte également à un procédé de traitement thermique d'un échantillon, ce procédé mettant en œuvre le dispositif de traitement thermique mentionné précédemment. État de la technique antérieure Les traitements thermiques tels que l'analyse thermique et le traitement thermique ou thermochimique d'un échantillon de matière sont classiquement réalisés dans des dispositifs de traitement thermique, couramment appelés fours. Ces dispositifs ont tous en commun de comprendre une enceinte dans laquelle sont disposés une résistance de chauffe et un interne, ces deux éléments étant typiquement cylindriques. La résistance de chauffe est placée autour de l'interne qui délimite une chambre destinée à recevoir l'échantillon de matière à traiter ou à analyser thermiquement. Il existe toutefois un grand nombre de variantes de fours en fonction des matériaux qui forment la résistance de chauffe, d'une part, et l'interne, d'autre part. Une première variante est constituée par les fours dits "fours céramique/graphite". De tels dispositifs comprennent une résistance de chauffe en graphite et un interne en céramique, classiquement en alumine ou en mullite. Pour atteindre des températures de chauffe importantes, classiquement supérieures ou égales à 1500 °C et pouvant même dépasser 1800 °C, voire 2000 °C, l'enceinte du four est placée sous une atmosphère comprenant un gaz inerte, typiquement de l'argon, de manière à protéger la résistance de chauffe. Ces fours céramique/graphite conviennent pour un bon nombre d'applications. Toutefois, on observe que la mise en œuvre concomitante de températures élevées et de conditions d'atmosphère très réductrices, ou bien très oxydantes, conduit à un vieillissement prématuré des internes en céramique et/ou des résistances de chauffe en graphite. Il existe une deuxième variante de fours dits "fours tout métalliques" qui permettent de remédier, au moins en partie, au vieillissement prématuré des pièces des fours céramique/graphite. Comme leur nom l'indique, ces fours comprennent des internes et des résistances de chauffe uniquement constitués de métaux réfractaires tels que le tungstène et le molybdène. S'ils peuvent fonctionner dans des conditions d'atmosphère très réductrices, de tels fours ne conviennent toutefois pas pour la mise en œuvre de conditions d'atmosphère très oxydantes qui ont pour effet d'oxyder les métaux employés et, partant, d'affecter les performances ainsi que la durée de vie de ces fours. De plus, il n'est pas possible de maîtriser, de manière précise, le potentiel oxygène qui est un paramètre primordial dans certains traitements thermiques. En effet, dans certains cas, c'est le couple oxydant/réducteur MO x /MO, avec M représentant le métal constitutif de l'interne, O l'oxygène et x > 1, qui impose le potentiel oxygène. Lorsque l'interne est en molybdène, l'oxydation de ce métal peut conduire au relargage de dioxygène au cours du traitement thermique, ce qui vient perturber la pression partielle de dioxygène et peut être rédhibitoire pour des traitements thermiques qui requièrent une maîtrise fine d'une telle pression partielle. Une troisième variante de fours permet de maîtriser, de manière satisfaisante, cette pression partielle de dioxygène. Il s'agit des fours dits "fours céramique/métal" dans lesquels les résistances de chauffe sont métalliques (tungstène, molybdène,...) et les internes en céramique. Bien que convenant pour de nombreux traitements thermiques, ce type de fours s'avère relativement coûteux en termes d'investissement mais aussi de fonctionnement. En effet, des conditions de traitement thermique, conduites à de hautes températures avec, le cas échéant, des cycles thermiques de montées et de descente en température, et dans des conditions d'atmosphère souvent oxydantes, fragilisent les résistances métalliques qui doivent donc être fréquemment remplacées. La quatrième variante de fours dits "fours céramique/SiC" peut être rapprochée de la première variante dans le sens où ces fours ont une structure similaire à celle des fours céramique/graphite, à l'exception de la résistance de chauffe qui n'est pas en graphite mais en carbure de silicium SiC. Le carbure de silicium s'oxydant moins que le graphite dans les mêmes conditions opératoires, cette quatrième variante de fours permet de ne pas recourir pas à la mise en œuvre d'un gaz inerte. En revanche, les résistances en SiC ne permettent pas d'atteindre les températures très élevées qui peuvent, par contre, être atteintes avec les résistances en graphite. Comme les fours céramique/graphite, les fours céramique/SiC conviennent pour un bon nombre d'applications. Mais ces fours céramique/SiC ne permettent toutefois pas de réaliser des traitements thermiques à très haute température (typiquement à des températures supérieures ou égales à 1500 °C), ni de maîtriser, de manière précise, le potentiel oxygène au voisinage des échantillons de matière soumis au traitement thermique sans un vieillissement prématuré des internes en céramique et/ou des résistances de chauffe en SiC. Une cinquième variante de fours dits "fours spécifiques à protection des internes" est proposée. De tels fours disposent d'internes en céramique à la surface externe desquels est déposée une couche de protection métallique. Toutefois, ces fours à protection des internes n'est pas adaptée pour des traitements thermiques conduits à haute température, en raison des dilatations différentielles non négligeables qui sont générées entre l'interne en céramique et la couche de protection métallique déposée, ce qui induit des contraintes thermiques et des risques de casse importants. Le but de la présente invention est, par conséquent, de remédier aux différents inconvénients présentés par les cinq variantes de fours qui viennent d'être décrites, et de proposer un dispositif de traitement thermique, et notamment un four ("heating furnace" en anglais), qui puisse être mis en œuvre sans un vieillissement prématuré de ses éléments constitutifs que sont ses internes et/ou ses résistances de chauffe, et qui soit moins onéreux en termes d'investissement, de fonctionnement et/ou d'entretien. Cette résistance au vieillissement améliorée par rapport à celle des fours de l'état de la technique doit, de surcroît, être obtenue quelles que soient les conditions de mise en œuvre des traitements thermiques, ces traitements thermiques devant notamment pouvoir, de manière concomitante : - être conduits à de hautes températures, c'est-à-dire à des températures qui peuvent typiquement être supérieures ou égales à 1500 °C, avantageusement supérieures ou égales à 1800 °C, voire même supérieures ou égales à 2000 °C, - sur des périodes prolongées, qui peuvent aller de plusieurs heures à plusieurs centaines d'heures, - avec un nombre élevé, typiquement supérieur à 100, de cycles intermédiaires de montée et de descente en température, - dans des conditions de potentiel oxygène maîtrisées, que les conditions d'atmosphère, dans l'enceinte du four, soient réductrices ou bien, au contraire, oxydantes, et ce - avec une maîtrise particulièrement fine et contrôlée des paramètres opératoires que sont la température et la pression partielle des gaz oxydants ou réducteurs mis en œuvre. Le but, ainsi que d'autres, sont atteints, en premier lieu, par un dispositif de traitement thermique du type précité, par exemple un four, c'est-à-dire un dispositif de traitement thermique qui comprend une enceinte dans laquelle sont disposés : - une résistance de chauffe en graphite ou en carbure de silicium SiC, et - un interne en céramique qui délimite un volume formant une chambre, la résistance de chauffe étant placée autour de l'interne. Selon l'invention, le dispositif de traitement thermique comprend, en outre, un élément intermédiaire en un matériau réfractaire choisi parmi un matériau métallique réfractaire et un matériau céramique réfractaire, la résistance de chauffe, l'interne et l'élément intermédiaire étant cylindriques, l'élément intermédiaire étant interposé entre la résistance de chauffe et l'interne et à distance de ces derniers. Les inventeurs ont observé que l'interposition, entre les éléments constitutifs d'un dispositif de traitement thermique du type céramique/graphite ou céramique/SiC, d'un élément intermédiaire en un matériau réfractaire tel que défini ci-dessus permet de conserver les avantages présentés par les fours selon les première et quatrième variantes décrites précédemment, et notamment leur aptitude à être utilisés dans de nombreuses applications, mais également de préserver l'intégrité dans le temps des internes en céramique, d'une part, et des résistances de chauffe, d'autre part. En outre, le dispositif de traitement thermique selon l'invention est intéressant d'un point de vue économique, les coûts de fabrication et d'entretien étant modérés comparativement à ceux de certaines des variantes de fours décrites ci-dessus. Par ailleurs, cette interposition de l'élément intermédiaire à distance des internes en céramiques, d'une part, et des résistances de chauffe en graphite ou en SiC, d'autre part, permet, par la formation d'un vide de part et d'autre de l'élément intermédiaire, d'éviter les phénomènes délétères de dilatation thermique qui surviennent avec la mise en œuvre de fours spécifiques à protection des internes (cinquième variante ci-dessus) dans le cas de traitements thermiques conduits à haute température, en particulier à partir de 1500 °C, avantageusement à partir de 1700 °C. Ainsi, par rapport aux fours de l'art antérieur, le dispositif de traitement thermique selon l'invention permet d'envisager un nombre élevé, typiquement supérieur à 100, de cycles thermiques de montée et de descente en température, la température pouvant atteindre ces valeurs de 1500 °C, voire de 1700 °C et même au-delà, pendant une durée plus ou moins prolongée. En particulier, la durée cumulée à ces températures élevées peut aisément dépasser quelques centaines d'heures, avant qu'une dégradation du dispositif de traitement thermique selon l'invention ne soit observée. À titre de comparaison, la dégradation de l'interne d'un four du type céramique/graphite (première variante décrite ci-dessus) est notable au bout de quelques heures de traitement thermique à 1700 °C, cette dégradation étant même suivie d'une casse de l'interne après une durée cumulée d'une cinquantaine d'heures à cette température de 1700 °C. La disposition de l'élément intermédiaire entre l'interne et la résistance de chauffe peut être avantageusement optimisée pour ne pas induire de perturbations tant au niveau du traitement thermique de l'échantillon de matière placé dans la chambre de l'interne en céramique qu'au niveau de l'acquisition du signal, par exemple dans le cas d'un suivi thermique ou dilatométrique. De manière plus particulièrement avantageuse, la distance entre la surface externe de l'interne et la surface interne de l'élément intermédiaire doit être la plus faible possible, sous réserve que ces deux surfaces n'entrent pas en contact l'une avec l'autre et ce, pendant toute la durée du traitement thermique et quelle que soit la température impliquée lors de ce traitement thermique. Dans une variante avantageuse de réalisation, et pour limiter encore le risque de perturbations du traitement thermique de l'échantillon de matière placé dans la chambre de l'interne en céramique, l'élément intermédiaire a une épaisseur, notée "e", qui est choisie de manière à satisfaire un nombre de Biot, noté "Bi" (sans dimension), strictement inférieur à 0,1 (Bi avec "h" : coefficient global de transfert thermique du matériau réfractaire formant l'élément intermédiaire (en W.m -2 .K -1 ), et "λ" : conductivité thermique (en W.m -1 .K -1 ) du matériau réfractaire formant l'élément intermédiaire. Dans cette variante avantageuse, l'élément intermédiaire présente donc une épaisseur e (en m) qui répond à l'inéquation suivante : λ et h étant définis comme décrit ci-dessus. Lorsque l'épaisseur e de l'élément intermédiaire est effectivement choisie de telle sorte que Bi Dans une variante avantageuse de réalisation, l'interne, l'élément intermédiaire ainsi la résistance de chauffe du dispositif de traitement thermique sont coaxiaux et cylindriques de révolution. Dans cette variante avantageuse de réalisation, on notera respectivement r 1 et L 1 le rayon externe et la longueur de l'interne en céramique et respectivement r 2 et L 2 le rayon interne et la longueur de l'élément intermédiaire. Dans une première variante plus particulièrement avantageuse, le rapport r 2 /r 1 est tel que 1 2 /r 1 ≤ 1,5. Dans cette configuration, le rayonnement thermique rayonné par l'élément intermédiaire sur lui-même est limité. Dans une variante préférentielle, le rapport r 2 /r 1 est tel que 1 2 /r 1 ≤ 1,1 et, plus préférentiellement encore, tel que 1 2 /r 1 ≤ 1,05. Dans une seconde variante plus particulièrement avantageuse, les longueurs L 1 de l'interne en céramique et L 2 de l'élément intermédiaire étant identiques et égales à une longueur notée L (L 1 = L 2 = L), le rapport L/r 1 est tel que L/r 1 ≥ 1. Dans cette configuration, le rayonnement thermique de l'élément intermédiaire sur l'interne est optimisé. Aussi, et malgré son interposition entre la résistance de chauffe et l'interne, cet élément intermédiaire assure une transmission thermique homogène et particulièrement performante en direction de l'interne en céramique. Ce constat est d'autant plus marqué dans le cas où le matériau réfractaire de cet élément intermédiaire est un matériau métallique réfractaire qui, par définition, se caractérise par une bonne conductivité thermique. Comme on le verra dans l'exemple détaillé ci-après, cette transmission thermique se trouve même être améliorée par rapport à celle fournie par la résistance de chauffe en graphite d'un dispositif de traitement thermique similaire mais dépourvu de l'élément intermédiaire en matériau réfractaire. Dans une variante préférentielle, le rapport L/r 1 est tel que L/r 1 ≥ 5. Ces première et seconde variantes plus particulièrement avantageuses qui viennent d'être décrites peuvent être mises en œuvre indépendamment l'une de l'autre ou concomitamment. Comme indiqué précédemment, l'élément intermédiaire est en un matériau réfractaire, ce matériau réfractaire étant choisi parmi un matériau métallique réfractaire et un matériau céramique réfractaire. Lorsque le matériau réfractaire de l'élément intermédiaire est un matériau métallique réfractaire, celui-ci peut être formé soit par un métal réfractaire choisi parmi le niobium, le molybdène, le tantale, le tungstène, le rhénium et le hafnium, soit par un alliage de deux ou plusieurs des métaux réfractaires qui viennent d'être cités. Dans une variante avantageuse, le matériau métallique réfractaire de l'élément intermédiaire est le molybdène. Lorsque le matériau réfractaire de l'élément intermédiaire est un matériau céramique réfractaire, celui-ci peut être formé par un carbure ou un nitrure. Dans une variante avantageuse, lorsque le matériau céramique réfractaire est formé par un carbure, celui-ci peut être choisi parmi le carbure de bore B 4 C, le carbure de titane TiC et le carbure de tungstène WC. Dans une variante avantageuse, lorsque le matériau céramique réfractaire est un nitrure, celui-ci peut être choisi parmi le nitrure de bore BN et le nitrure de titane TiN. Bien que non indispensable, l'enceinte du dispositif de traitement thermique peut être placée sous une atmosphère spécifique. À titre d'exemple, une telle atmosphère peut comprendre un gaz inerte, de préférence l'argon. Cette atmosphère peut également comprendre de l'eau, en présence ou non d'un gaz inerte ou d'un mélange de deux ou plusieurs gaz inertes. Cette enceinte peut également être placée sous une atmosphère réductrice ou bien, au contraire, sous une atmosphère oxydante. Le choix de la nature réductrice ou oxydante de l'atmosphère de l'enceinte est directement lié à la nature du traitement thermique envisagé. L'atmosphère de l'enceinte peut bien entendu ne comprendre qu'un gaz inerte, que de l'eau, qu'un gaz oxydant ou bien qu'un gaz réducteur. Mais il peut tout à fait être envisagé que cette atmosphère comprenne également un mélange d'un ou plusieurs gaz oxydants, ou d'un ou plusieurs gaz réducteurs, avec un ou plusieurs gaz inertes et/ou de l'eau. Dans une variante avantageuse de l'invention, la céramique de l'interne est choisie parmi l'alumine, la zircone et la mullite. Le dispositif de traitement thermique selon l'invention peut également être muni d'un ou plusieurs éléments complémentaires que l'on rencontre de manière classique dans ce type de dispositifs. Ainsi, le dispositif de traitement thermique selon l'invention peut être équipé d'au moins un thermocouple, par exemple un thermocouple choisi parmi un thermocouple de suivi de la température et un thermocouple de commande de la température. Ce ou ces thermocouples peuvent être disposés au voisinage de l'interne et/ou au voisinage de la résistance de chauffe. En particulier, le thermocouple de suivi de la température est préférentiellement disposé au voisinage de l'interne pour assurer au plus près le suivi de la température à laquelle est soumis l'échantillon de matière placé dans la chambre de l'interne en céramique tandis que le thermocouple de commande de la température est préférentiellement disposé au plus près de la résistance de chauffe en graphite ou en SiC. Le dispositif de traitement thermique selon l'invention peut également être muni d'un ou plusieurs moyens de positionnement et de support visant à maintenir l'élément intermédiaire au sein de l'enceinte. Ces moyens de positionnement et de support sont avantageusement situés au niveau de l'une ou des deux parties d'extrémité de l'interne en céramique. De préférence, ces moyens de positionnement et de support sont solidaires de cet interne. Ces moyens de positionnement et de support peuvent être assurés par des pièces distinctes (comme illustré sur la figure 2 ci-après) ou bien par une seule et même pièce (comme illustré sur la figure 3). L'invention se rapporte, en deuxième lieu, à un procédé de traitement thermique d'un échantillon. Selon l'invention, ce procédé de traitement thermique d'un échantillon comprend les étapes (a) à (e) successives suivantes : (a) une mise en place de l'échantillon dans la chambre de l'interne du dispositif de traitement thermique tel que défini ci-dessus, les caractéristiques avantageuses et préférentielles de ce dispositif de traitement thermique pouvant être prises seules ou en combinaison, (b) une montée en température d'une température initiale T I jusqu'à une température de palier T P , (c) un maintien de la température à la température de palier T P pendant une durée t, (d) une descente en température depuis la température de palier T P jusqu'à une température finale T F , et (e) le retrait de l'échantillon tel qu'obtenu à l'issue de l'étape (d). Grâce à la mise en œuvre du dispositif de traitement thermique particulier, qui comprend un élément intermédiaire en un matériau réfractaire interposé entre l'interne en céramique et la résistance de chauffe en graphite ou en SiC, le procédé selon l'invention permet de réaliser un traitement thermique fiable, dans lequel la température fournie par la résistance de chauffe à l'interne et, par conséquent, à l'échantillon de matière qu'il renferme, est homogène. S'il peut bien entendu ne comprendre qu'un seul cycle thermique comprenant les étapes (b) à (d), le procédé de traitement thermique selon l'invention peut bien entendu comprendre deux, trois, voire plus, cycles thermiques successifs comprenant ces mêmes étapes (b) à (d), ces cycles thermiques successifs étant mis en œuvre préalablement à l'étape (e) de retrait de l'échantillon. En particulier, dans le complément de description qui suit, un exemple de procédé de traitement thermique comprenant six cycles thermiques successifs est décrit. Selon un mode de réalisation avantageux, le procédé de traitement thermique selon l'invention, qu'il comprenne un ou plusieurs cycles thermiques successifs, peut, en outre, comprendre, entre les étapes (a) et (b) et/ou entre les étapes (c) et (d), un ou plusieurs cycles thermiques complémentaires au cours desquels la température est portée à une température intermédiaire T i , avec T i P . La présence de l'élément intermédiaire en un matériau réfractaire interposé entre l'interne en céramique et la résistance de chauffe en graphite ou en SiC au sein du dispositif de traitement thermique assure au procédé de traitement thermique une mise en œuvre maîtrisée et fiable de nombreux cycles d'incursion, pendant une durée t plus ou moins prolongée, à la température de palier T P et ce, sans vieillissement prématuré des éléments qui forment ce dispositif de traitement thermique, notamment son interne en céramique, sa résistance de chauffe en graphite ou en SiC et ses éventuels thermocouples de suivi et/ou de commande de la température. En particulier, cette température de palier T P de l'étape (b) peut être supérieure ou égale à 1000 °C. Elle est avantageusement supérieure ou égale à 1500 °C, préférentiellement supérieure ou égale à 1700 °C et, plus préférentiellement encore, supérieure ou égale à 1800 °C. La durée t de maintien de la température à la température T P de l'étape (c) peut, quant à elle, être supérieure ou égale à 1 h. Elle est avantageusement supérieure ou égale à 5 h et, préférentiellement, comprise entre 10 h et 1000 h. La durée cumulée de maintien de la température à la température T P au cours d'étapes (c) de cycles thermiques successifs ainsi que, le cas échéant, à la température intermédiaire Ti peut aisément être supérieure ou égale à 300 h et, avantageusement, supérieure ou égale à 1000 h. Dans le cadre de la présente invention, le traitement thermique peut être un frittage, un traitement thermochimique, tel qu'un traitement d'oxydo-réduction ou une calcination, ou bien une analyse thermique, l'analyse thermique étant par exemple choisie parmi une analyse thermogravimétrique (ATG), une analyse thermique différentielle (ATD) ou une analyse dilatométrique. L'invention sera mieux comprise à la lumière du complément de description qui suit. Il est précisé que ce complément de description, qui se réfère notamment aux figures 1 à 3, 4A, 4B, 5A et 5B telles qu'annexées, n'est donné qu'à titre d'illustration de l'objet de l'invention et qu'il ne doit en aucun cas être interprété comme une limitation de cet objet. représente une vue partielle schématique en section longitudinale de l'interne, de l'élément intermédiaire et de la résistance de chauffe d'un dispositif de traitement thermique selon l'invention, les moyens de positionnement et les moyens de support de l'élément intermédiaire n'étant pas représentés. représente une vue partielle schématique en section longitudinale de l'interne et de l'élément intermédiaire d'un dispositif de traitement thermique selon l'invention, ce dispositif étant muni de moyens de positionnement et de moyens de support de l'élément intermédiaire selon une première conformation. représente une vue partielle schématique en section longitudinale de l'interne et de l'élément intermédiaire d'un dispositif de traitement thermique selon l'invention, ce dispositif étant muni de moyens de positionnement et de moyens de support de l'élément intermédiaire selon une seconde conformation. représente un graphe illustrant la puissance de chauffe (notée Q et exprimée en %) de la résistance de chauffe en fonction du programme thermique imposé, qui correspond à la température de chauffe (notée T et exprimée en °C) appliquée pendant une durée (notée t et exprimée en h), pour chacun des 6 cycles thermiques d'un dispositif de traitement thermique de référence. représente un graphe illustrant la puissance de chauffe (notée Q et exprimée en %) de la résistance de chauffe en fonction du programme thermique imposé, qui correspond à la température de chauffe (notée T et exprimée en °C) appliquée pendant une durée (notée t et exprimée en h), pour chacun des 6 cycles thermiques d'un dispositif de traitement thermique selon l'invention comprenant l'interne, l'élément intermédiaire et la résistance de chauffe qui présentent les valeurs r1 à r4 telles qu'exemplifiées lors de la description de la figure 1 et, l'élément intermédiaire étant maintenu dans l'enceinte par les moyens de positionnement et de fixation illustrés à la figure 2. représente un graphe illustrant le suivi du signal en déplacement (noté DEPL et exprimé en µm) en fonction du programme thermique imposé, qui correspond à la température de chauffe (notée T et exprimée en °C) appliquée pendant une durée (notée t et exprimée en min), pour un cycle thermique d'un dispositif de traitement thermique de référence. représente un graphe illustrant le suivi du signal en déplacement (noté DEPL et exprimé en µm) en fonction du programme thermique imposé, qui correspond à la température de chauffe (notée T et exprimée en °C) appliquée pendant une durée (notée t et exprimée en h), pour un cycle thermique d'un dispositif de traitement thermique selon l'invention comprenant l'interne, l'élément intermédiaire et la résistance de chauffe qui présentent les valeurs r1 à r4 telles qu'exemplifiées lors de la description de la figure 1, l'élément intermédiaire étant maintenu dans l'enceinte par les moyens de positionnement et de fixation illustrés à la figure 2. Il est précisé que les éléments communs aux figures 1 à 3 sont identifiés par une même référence numérique. Dispositif de traitement thermique (10, 20, 30), tel qu'un four, comprenant une enceinte dans laquelle sont disposés : - une résistance de chauffe (12) en graphite ou en carbure de silicium, et - un interne (11, 21, 31) en céramique qui délimite un volume formant une chambre (13), la résistance de chauffe (12) étant placée autour de l'interne (11, 21, 31), caractérisé en ce que le dispositif (10, 20, 30) comprend, en outre : - un élément intermédiaire (14) en un matériau réfractaire choisi parmi un matériau métallique réfractaire et un matériau céramique réfractaire, la résistance de chauffe (12), l'interne (11, 21, 31) et l'élément intermédiaire (14) étant cylindriques, l'élément intermédiaire (14) étant interposé entre la résistance de chauffe (12) et l'interne (11, 21, 31) et à distance de ces derniers. Dispositif (10, 20, 30) selon la revendication 1, dans lequel l'élément intermédiaire (14) a une épaisseur e qui répond à l'inéquation suivante : λ et h correspondant respectivement aux valeurs de conductivité thermique et de coefficient global de transfert thermique du matériau réfractaire formant l'élément intermédiaire (14). Dispositif (10, 20, 30) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'interne (11, 21, 31), l'élément intermédiaire (14) et la résistance de chauffe (12) sont coaxiaux et cylindriques de révolution, l'interne (11, 21, 31) présentant un rayon externe r 1 et une longueur L 1 et l'élément intermédiaire (14) présentant un rayon interne r 2 et une longueur L 2 . Dispositif (10, 20, 30) selon la revendication 3, dans lequel le rapport r 2 /r 1 est tel que 1 2 /r 1 ≤ 1,5, avantageusement tel que 1 2 /r 1 ≤ 1,1 et, préférentiellement, tel que 1 2 /r 1 ≤ 1,05. Dispositif (10, 20, 30) selon la revendication 3 ou 4, dans lequel L 1 = L 2 = L et le rapport L/r 1 est tel que L/r 1 ≥ 1 et, préférentiellement, tel que L/r 1 ≥ 5. Dispositif (10, 20, 30) selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le matériau métallique réfractaire de l'élément intermédiaire (14) est formé par un métal réfractaire ou par un alliage de métaux réfractaires, le ou les métaux réfractaires étant choisis parmi le niobium, le molybdène, le tantale, le tungstène, le rhénium et le hafnium, le matériau métallique réfractaire étant avantageusement le molybdène. Dispositif (10, 20, 30) selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le matériau céramique réfractaire de l'élément intermédiaire (14) est formé par un carbure, avantageusement choisi parmi B 4 C, TiC et WC, ou par un nitrure, avantageusement choisi parmi BN et TiN. Dispositif (10, 20, 30) selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel l'enceinte est placée sous une atmosphère comprenant un gaz inerte, de préférence l'argon. Dispositif (10, 20, 30) selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel l'enceinte est placée sous une atmosphère réductrice ou sous une atmosphère oxydante. Dispositif (10, 20, 30) selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la céramique de l'interne (11, 21, 31) est choisie parmi l'alumine, la zircone et la mullite. Dispositif (10, 20, 30) selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel dispositif (10, 20, 30) comprend, en outre, au moins un thermocouple, par exemple choisi parmi un thermocouple de suivi de la température et un thermocouple de commande de la température. Dispositif (20, 30) selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel l'élément intermédiaire est maintenu dans l'enceinte par un ou plusieurs moyens de positionnement et de support (21c, 21d, 22a, 22b, 23, 31c, 31d), ce ou ces moyens de positionnement et de support (21c, 21d, 22a, 22b, 23, 31c, 31d) étant avantageusement situés au niveau de l'une ou des deux parties d'extrémité (21a, 21b, 31a, 31b) de l'interne (21, 31). Procédé de traitement thermique d'un échantillon comprenant les étapes (a) à (e) successives suivantes : (a) une mise en place de l'échantillon dans la chambre (13) de l'interne (11, 21, 31) du dispositif de traitement thermique (10, 20, 30) selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, (b) une montée en température d'une température initiale T I jusqu'à une température de palier T P , (c) un maintien de la température à la température de palier T P pendant une durée t, (d) une descente en température depuis la température de palier T P jusqu'à une température finale T F , et (e) le retrait de l'échantillon tel qu'obtenu à l'issue de l'étape (d). Procédé selon la revendication 13, dans lequel la température de palier T P est supérieure ou égale à 1000 °C, avantageusement supérieure ou égale à 1500 °C, préférentiellement supérieure ou égale à 1700 °C et, plus préférentiellement encore, supérieure ou égale à 1800 °C. Procédé selon la revendication 13 ou 14, dans lequel la durée t est supérieure ou égale à 1 h, avantageusement supérieure ou égale à 5 h et, préférentiellement, comprise entre 10 h et 1000 h. Procédé selon l'une quelconque des revendications 13 à 15, dans lequel le traitement thermique est un frittage, un traitement thermochimique ou une analyse thermique, l'analyse thermique étant par exemple choisie parmi une analyse thermogravimétrique, une analyse thermique différentielle ou une analyse dilatométrique.