Brevet FR3113185A1 — publié le 20220204

La présente invention se rapporte à un système conducteur multicouche d’oxydes métalliques comprenant: i. un substrat; ii. une couche d’un oxyde métallique binaire cristallin, déposée sur le substrat (i); et iii. une couche d’un oxyde métallique conducteur cristallin ayant une structure cristalline de type pérovskite superposée sur la couche d’oxyde métallique binaire (ii); l’oxyde métallique binaire de la couche (ii) ayant un désaccord de maille local de moins de 5% par rapport à celui de l’oxyde métallique de la couche (iii) ; sous réserve que lorsque l’oxyde métallique de type pérovskite de la couche (iii) est un oxyde métallique conducteur transparent cristallin, le substrat (i) est transparent et l’épaisseur de la couche d’oxyde métallique binaire cristallin (ii) est L’invention se rapporte également à un procédé de préparation du système multicouche, un composant électronique le comprenant, ainsi qu’à l’utilisation du système multicouche dans une variété d’applications notamment en optoélectronique et les technologies solaires. L’invention se rapporte également à l’utilisation d’une couche mince d’oxyde métallique binaire cristallin comme couche de germination pour la croissance cristalline d’un oxyde métallique ayant une structure cristalline de type pérovskite, l’oxyde métallique binaire ayant un désaccord de maille local de moins de 5% par rapport à celui de l’oxyde métallique de type pérovskite. Figure abrégé : Fig. 4b Couche tampon pour la croissance cristalline d’oxydes métalliques de type pérovskite notamment sur substrats amorphes Domaine Technique de l’invention La présente invention se rapporte aux oxydes métalliques ayant une structure cristalline de type pérovskite, et un procédé permettant leur croissance cristalline sur un substrat même inadapté tel qu’un substrat amorphe. Etat de la technique Les oxydes conducteurs transparent (TCO) constituent une classe importante de matériaux avec une large gamme d’applications technologiques tels que les écrans plats et tactiles, les diodes électroluminescentes, les cellules photovoltaïques, les cellules électrochromes ou encore les antennes transparentes. Le matériau standard couramment employé est l’oxyde d’indium dopé à l’étain (In 2 O 3 – SnO 2 , ITO) qui possède d’excellentes propriétés fonctionnelles avec une transparence dans le visible de l’ordre de 80 % et une résistivité électrique typiquement en dessous de 100 µΩcm. De plus, la forme amorphe de l’ITO est conductrice ce qui permet de l’intégrer facilement dans des dispositifs complexes sans être limité par la compatibilité structurale et la nécessité de le déposer à température élevée. Par conséquent, l’ITO est le principal TCO employé dans les dispositifs industriels en raison de ses excellentes propriétés et la souplesse de son intégration. Cependant, l’utilisation d’indium est le principal inconvénient de l’ITO. Cet élément, loin d’être une ressource abondante, est sujet à d’importantes variations de prix et peut constituer une difficulté d’approvisionnement dans les dispositifs de plus en plus nombreux à faire appel aux TCO. Par conséquent, la recherche de nouveaux TCO dépourvus d’indium est un domaine très actif depuis maintenant plusieurs décennies. L’un des candidats les plus en vue est le ZnO dopé mais malgré les efforts fournis, ses propriétés n’atteignent pas celles de l’ITO. En particulier, la résistivité du ZnO dopé est l’une des limitations principales qui empêche la substitution de l’ITO dans les applications actuelles. En 2016, de nouveaux TCO basés sur des pérovskites de vanadates fortement corrélées ont été identifiés (Ref. 1) . Plus précisément, ces matériaux qui incluent SrVO 3 (SVO) et CaVO 3 (CVO), constituent des systèmes métalliques possédant de fortes corrélations électroniques qui conduisent à une augmentation de la masse effective et de ce fait, au décalage de la fréquence plasma dans le proche infrarouge en dehors du domaine visible. Avec une densité de porteurs de l’ordre de 10 22 cm -3 , bien supérieure à celle de l’ITO (jusqu’à 10 21 cm -3 ), SVO et CVO ont une très faible résistivité bien que la mobilité des porteurs de charge soit inférieure de plusieurs ordres de grandeur à celle des TCO semiconducteurs. A la fois la résistivité et la transparence optique des films minces épitaxiés se sont avérées comparables à celles de l’ITO positionnant ainsi ces TCO émergents exempts d’indium comme une alternative sérieuse à l’ITO. Toutefois, le potentiel technologique des TCO de vanadates semble être limité par leur structure cristalline. En effet, il a été montré que SVO doit impérativement être cristallisé pour posséder un comportement conducteur (Ref. 4) . De plus, la structure pérovskite n’est pas la plus stable du système Sr-V-O et ne présente les propriétés fonctionnelles recherchées que si elle est stabilisée sur un substrat adapté (Refs. 6, 19) . La croissance directe sur silicium a été reportée mais reste très difficile à reproduire (Refs. 20, 21) . La croissance sur verre qui est l’un des substrats les plus pertinents pour les TCO, n’a jamais été rapportée dans la littérature. En fait, de notre expérience, il est impossible d’induire la structure pérovskite de SVO en raison du caractère amorphe du verre. Par conséquent, l’utilisation des TCO de vanadates dans des dispositifs réels (utilisant des substrats transparents) est fortement compromise, reléguant ces nouveaux TCO hors du champ des applications possibles en dépit de leurs propriétés remarquables. Il existe donc un réel besoin de développer un moyen permettant la cristallisation des TCO de vanadates sur des substrats inadaptés comme le verre, préservant à la fois les propriétés de résistivité des TCO de vanadates et la transparence optique de l’ensemble. Ce besoin s’étend plus largement aux oxydes métalliques cristallins de type pérovskite. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES représente: (a) Diffractogrammes de rayons X de films minces amorphes de SrVO3 de 80 nm d’épaisseur déposés directement sur substrat de verre à 400 et 700°C. (b) Diffractogrammes de rayons X des couches de SrVO3/TiO2/verre de 100 nm d’épaisseur déposées entre 450 et 600°C. représente: Résistivité à 300 K en fonction de la température de dépôt des films polycristallins de SrVO3 déposés sur couche tampon de TiO2 avec une épaisseur de 100 nm (cercles gris) et 20 nm (carrés noirs), et comparaison avec des couches monocristallines de SrVO3 (30 nm, carrés vides). En insert, dépendance en température de la résistivité montrant le comportement métallique en T2 des films polycristallins SrVO3 de 100 nm d’épaisseur et comparaison avec un épi-SrVO3/LSAT déposé à 600°C. représente: Densité (a) et mobilité (b) des porteurs à 300 K pour les films polycristallins de SrVO3 déposés sur couche tampon de TiO2 avec une épaisseur de 100 nm (cercles gris) et 20 nm (carrés noirs), et comparaison avec les couches monocristallines de SrVO3 (carrés vides). représente: Spectres de transmission dans le visible des films minces de SrVO3/TiO2/verre et TiO2/verre en fonction de la température de dépôt pour des couches des SrVO3 de 100 nm (a) et 20 nm d’épaisseur (b). représente: Facteur de mérite ΦTC des films minces de SrVO3/TiO2/verre de 100 et 20 nm d’épaisseur (carrés et cercles noirs remplis), et comparaison avec des films monocristallins de SrVO3 épitaxiés sur LSAT par PLD (cercles noirs vides) (Ref. 4), de SrVO3 et CaVO3 épitaxiés sur LSAT par MBE (triangles et carrés noirs vides) (Ref. 1), d’ITO monocristallin (triangles gris remplis) (Refs. 22, 23), d’ITO polycristallins sur verre (carrés gris remplis) (Ref. 24), et sur PET (étoiles grises) (Ref. 25), d’ITO amorphe (hexagones gris) (Ref. 26) et de couches métalliques ultraminces d’or (cercles gris vides) et d’argent (losanges gris vides) (Refs. 27, 28). Définitions Pour faciliter la compréhension de l’invention, un certain nombre de termes et expressions sont définis ci-dessous: On entend par « indépendamment » au sens de la présente invention, le fait que les substituants, atomes ou groupes auxquels ce terme se réfère, sont choisis parmi la liste des variables indépendamment l'une de l'autre (à savoir, ils peuvent être identiques ou différents). Comme il sera manifestement apparent à une personne du métier, lorsque les variables énumérées sont regroupées dans un groupe, comme dans un groupe Markush, l'invention englobe non seulement tout le groupe énuméré dans son ensemble, mais chaque membre du groupe individuellement et tous les sous-groupes possibles du groupe principal. Ainsi, il est entendu que l'invention englobe non seulement le groupe principal, mais aussi le groupe principal en l'absence d'un ou de plusieurs des membres du groupe. L'invention prévoit donc l'exclusion explicite d'un ou de plusieurs membres d'un groupe récité. En conséquence, il est entendu que des disclaimers peuvent s'appliquer à l'une quelconque des catégories ou modes de réalisation divulgués dans le présent document, en vertu desquels un ou plusieurs des éléments, variantes ou modes de réalisation récités peuvent être exclus du domaine revendiqué, par exemple, par le biais d’une limitation négative explicite. DESCRIPTION DE CERTAINS MODES DE RÉALISATION AVANTAGEUX DE L’INVENTION Comme discuté précédemment, il existe un réel besoin de développer un moyen permettant la cristallisation des TCO de vanadates, et de manière générale des oxydes métalliques cristallins de type pérovskite, sur tout type de substrats, notamment des substrats inadaptés comme le verre. La présente invention répond précisément à ce besoin par le biais d’une couche tampon d’un oxyde métallique binaire favorisant la croissance cristalline des oxydes métalliques cristallins de type pérovskite. Dans le présent document, cette couche tampon est également désignée couche (ii) d’un oxyde métallique binaire cristallin. Ainsi, selon un aspect, l’invention concerne un système conducteur multicouche d’oxydes métalliques comprenant: i. un substrat; ii. une couche d’un oxyde métallique binaire cristallin, déposée sur le substrat (i); et iii. une couche d’un oxyde métallique cristallin ayant une structure cristalline de type pérovskite superposée sur la couche d’oxyde métallique binaire (ii). L’oxyde métallique binaire de la couche (ii) a de préférence un désaccord de maille local de moins de 5% par rapport à celui de l’oxyde métallique de la couche (iii). En général, le désaccord de maille local est de préférence inférieur à environ 5%. Ceci permet avantageusement d’induire le transfert de la cristallinité de l’oxyde métallique binaire cristallin de la couche (ii) vers l’oxyde métallique conducteur cristallin de type pérovskite en croissance (couche (iii)). Par « désaccord de maille local», on entend la différence entre les distances interréticulaires des orientations cristallines du film ( de la couche (iii) d’oxyde métallique de type perovskite et de l’oxyde binaire de la couche (ii) ( qui sont parallèles localement (i.e., à l’interface couche (ii)/couche (iii)). Le désaccord de maille local d est calculé à partir de l’équation (1): (Eq. 1) L'ensemble des distances interréticulaires d'un cristal est directement mesurable par diffraction (de rayons X par exemple) grâce à la loi de Bragg. Les paramètres de maille, et distances interréticulaires, des oxydes métalliques cristallins de type perovskite sont connus ou peuvent être déterminés par diffraction aux rayons X. Il en est de même pour les oxydes métalliques binaires cristallins. Ainsi, en fonction de l’oxyde métallique de type perovskite à déposer sous forme cristalline en couche mince, la personne du métier saura sélectionner les oxydes métalliques binaires adaptés, ayant des paramètres de maille proches de ceux de l’oxyde métallique cristallin de type perovskite d’intérêt. La personne du métier pourra en particulier choisir les oxydes métalliques binaires dont la distance interréticulaire des orientations cristallines dans le plan du substrat (i.e., parallèle au substrat) diffère de moins de 5% de la distance interréticulaire des orientations cristallines de l’oxyde métallique cristallin de type perovskite parallèles localement (à l’interface oxyde métallique perovskite/oxyde métallique binaire). Avantageusement, l’oxyde métallique de type pérovskite de la couche (iii) peut être un oxyde métallique conducteur cristallin ayant une structure cristalline de type pérovskite. Ceci pourra être particulièrement avantageux pour toutes les applications nécessitant/impliquant une conduction électrique telles que les capteurs ou détecteurs optiquement transparents, les capteurs ou détecteurs bioélectroniques, la micro/nano-structuration des dispositifs optiques mais également la technologie des écrans pour les écrans tactiles, les cellules solaires, les afficheurs à cristaux liquides, les diodes électroluminescentes, les diodes électroluminescentes organiques, les dispositifs de chauffage de vitres, miroirs ou lentilles etc... Selon un aspect, la présente invention appartient donc au domaine des conducteurs et notamment des conducteurs transparents dans le domaine du visible et du proche infrarouge, plus particulièrement dans le domaine du visible. Par « oxyde métallique conducteur » on entend un oxyde métallique électriquement conducteur. Dans le cadre de la présente invention, les expressions « conducteur de l'électricité » et « conducteur » sont équivalentes et peuvent être utilisées de façon interchangeable. Le caractère conducteur d’un oxyde métallique de type pérovskite selon l’invention peut être mis en évidence et caractérisé en utilisant la méthode quatre pointes (A, B, C, D) en configuration Van der Pauw. Brièvement, la résistance dépendant des différentes bornes (A, B, C, D) de chaque tension mesurée sur la couche mince est calculée. Une résistance moyenne dépendant du point A (moyenne de la résistance de Vab, Vac et Vda) et du point B (Vbc, Vcd et Vbd) appelées R A et R B sont calculées. D’après la méthode Van der Pauw, la résistance surfacique R S se déduit de la résolution de l’équation (2) en incorporant les valeurs de R A et R B : exp (-π R A /R S ) + exp (-π R B /R S ) = 1 (Eq. 2) La résistivité ρ est calculée à partir de l’épaisseur e de la couche mince, par l’équation (3) : ρ = R S . e (Eq. 3) A. Oxyde métallique conducteur cristallin de structure pérovskite ABO 3 D’une manière générale, l’oxyde métallique de la couche (iii) peut être tout oxyde métallique conducteur de structure pérovskite de formule ABO 3 . Le lecteur pourra par exemple se référer à la Ref 29 pour un enseignement sur les oxydes métalliques conducteurs de structure pérovskite de formule ABO 3. Il peut s’agir d’un oxyde métallique conducteur ou semi-conducteur. Il peut s’agir par exemple, de CaRuO 3 , SrRuO 3 , SrCrO 3 , SrFeO 3 , SrTiO 3 , SrMoO 3 , LaTiO 3 , Sr 2 VMoO 6 , LaNiO 3 , des oxydes métalliques hautement conducteurs de type pérovskite. L'oxyde métallique conducteur mis en œuvre dans le cadre de la présente invention peut être opaque ou transparent dans le visible et le proche infrarouge. Par « oxyde métallique transparent dans le visible et le proche infrarouge », on entend, dans le cadre de la présente invention, un oxyde métallique permettant la transmission d'au moins 70%, voire au moins 80%, d'une lumière présentant une longueur d'onde comprise entre environ 400 et environ 1400 nm et notamment entre environ 400 et environ 800 nm, notamment lorsque l’oxyde métallique est déposé en couche mince de quelques centaines de nanomètres d'épaisseur. La transparence du matériau peut être exprimée avec la valeur (T) de la transmission à une longueur d’onde donnée dans le visible et le proche infrarouge ( i.e. de 400 nm à 1400 nm), ou dans le domaine du visible ( i.e. de 400 nm à 800 nm). Par exemple, la transparence du matériau peut être exprimée avec la valeur (T) de la transmission à 550nm. Ainsi, un oxyde métallique sera dit transparent dans le visible et le proche infrarouge, ou dans le visible, si T ≥ 70%, voire T ≥ 80%, lorsqu’exposé en couche mince à une lumière de longueur d’onde entre 400-1400 nm, ou 400-800 nm, respectivement. Par « opaque dans le visible et le proche infrarouge », on entend, dans le cadre de la présente invention, un oxyde métallique ne permettant pas la transmission d'une lumière présentant une longueur d'onde comprise entre environ 400 et environ 1400 nm et notamment entre environ 400 et environ 800 nm, notamment lorsque l’oxyde métallique est déposé en couche mince de quelques centaines de nanomètres d'épaisseur. La transparence ou l’opacité d’un oxyde métallique peut être déterminée par spectroscopie de transmission en déposant le matériau en couche mince de 1-200 nm, voire 20-100 nm, d’épaisseur, et en mesurant le % de transmission de la lumière incidente à travers la couche mince en fonction de la longueur d’onde. Typiquement, une mesure de transmission est également réalisée avec le substrat ou substrat/couche tampon (ii) seul (sans couche mince (iii) de l’oxyde métallique étudié), puis on corrige les valeurs obtenues sur l’échantillon (substrat/couche tampon (ii)/couche mince (iii)) pour déterminer la transparence de l’oxyde métallique de la couche (iii). L’épaisseur des couches minces d’oxyde métallique peut être déterminée par des méthodes usuelles, par exemple à l’aide d’un profilomètre (pour des épaisseurs de quelques dizaines de nm à quelques centaines de nm), ou par réflectométrie de Rayons X (XRR) pour des épaisseurs de quelques nm à une centaine de nm ou par diffraction des rayons X (DRX) pour des épaisseurs de quelques dizaines de nm à quelques centaines de nm. L’épaisseur des couches minces d’oxyde métallique peut être ajustée au moment de la préparation de la couche mince, par exemple, en ajustant le nombre d’impulsions de laser sur la cible de précurseur d’oxyde métallique, lorsque la mise en œuvre de la couche mince est réalisée par ablation laser pulsée (cf. Exemples). Parmi les oxydes métalliques de type pérovskite conducteurs opaques, on pourra mentionner par exemple SrFeO 3 , Sr 2 VMoO 6 , SrCrO 3 et SrTiO 3 (SrCrO 3 et SrTiO 3 semblent devenir opaques dans la phase conductrice). On notera toutefois que certains reconnaissent la bicouche SrTiO 3 /LaAlO 3 comme conducteur transparent. Ainsi, SrTiO 3 pourrait être utilisé comme oxyde métallique conducteur transparent dans le cadre de la présente invention. Dans ce cas, on préférera l’utiliser en couche très mince afin d’assurer la transparence optique du système multicouche (e.g. l’épaisseur du SrTiO 3 peut être Préférence sera donnée aux oxydes métalliques conducteurs transparents dans le visible et le proche infrarouge de type pérovskite. Ainsi, l'oxyde métallique conducteur mis en œuvre dans le cadre de la présente invention peut être un oxyde transparent et conducteur (TCO). Le lecteur pourra par exemple se référer à la Ref 1 pour un enseignement sur les oxydes métalliques transparents conducteurs de structure pérovskite de formule ABO 3. De préférence, l’oxyde métallique de la couche (iii) peut être tout oxyde métallique conducteur transparent de structure pérovskite de formule ABO 3 dans laquelle A est choisi parmi Sr ou Ca éventuellement dopé avec La ou un autre élément des groupes des lanthanides tels que Pr, Nd, et B est choisi parmi V, Cr, Ti ou Mo. Il peut s’agir par exemple des oxydes métalliques transparents SrVO 3 , CaVO 3 , SrMoO 3 ainsi que les solutions solides (La,Sr)VO 3 et (La,Sr)CrO 3 qui sont des conducteurs transparents type p. Il est entendu que l’oxyde métallique conducteur transparent de la couche (iii) répondant à la formule ABO 3 peut être dopé sur le site A avec Ca, Sr, La, ou autres lanthanides ; et/ou sur le site B avec Ti, Cr, Mo, ou autres métaux de transition. Par exemple, SrVO 3 , SrCrO 3 et SrMoO 3 peuvent être dopés avec Ca, La, ou autres lanthanides sur le site « Sr ». CaVO 3 peut être dopé sur le site « Ca » avec Sr, La, ou autres lanthanides et/ou sur le site « V » avec Ti, Cr ou Mo. Les dopages peuvent être ajustés pour assurer la conductivité de la pérovskite. Par exemple, concernant SrVO 3 , les gammes de dopage pour avoir un conducteur peuvent être de x > 0.26 dans La 1-x Sr x VO 3 . En ce qui concerne SrCrO 3, les gammes de dopage pour avoir un conducteur peuvent être de x > 0.5 pour La 1-x Sr x CrO 3 . De manière générale, les oxydes métalliques dopés transparents conducteurs de type pérovskite sont connus, ainsi que les gammes de dopage adaptées pour obtenir un oxyde métallique transparent conducteur de type pérovskite. On pourra par exemple mentionner les Refs 1, 30, 31 . La couche (iii) d’oxyde métallique conducteur transparent peut avoir une épaisseur de 20 à 100 nm, de préférence 20 à 70 nm, plus préférentiellement 30 à 50 nm. Lorsque l’oxyde métallique de type pérovskite de la couche (iii) est un oxyde métallique conducteur transparent cristallin, le substrat (i) est de préférence transparent et l’épaisseur de la couche d’oxyde métallique binaire cristallin (ii) est de préférence Avantageusement, la couche (iii) d’oxyde métallique de type pérovskite peut être recouverte, en tout ou partie, d’une couche protectrice (cp), de préférence transparente. Il peut s’agir d’un oxyde métallique conducteur, tel que TiO 2 ou ZnO sub-stœchiométrique en O. Dans le présent document, « TiO 2 ou ZnO sub-stœchiométrique en O » se réfère à TiO 2 sub-stœchiométrique en O ou ZnO sub-stœchiométrique en O. La stœchiométrie du TiO 2 ou du ZnO peut être ajustée en adaptant les quantités de composés de départ utilisés pour sa synthèse. Il peut aussi s’agir d’un oxyde métallique isolant, tel que Al 2 O 3 , SiO 2 ou LaAlO 3. Préférence sera donnée aux couches protectrices très fines (quelques nanomètres), par exemple 1-20 nm d’épaisseur, de préférence Ainsi, un système conducteur multicouche selon l’invention peut comprendre un substrat transparent (i), une couche d’oxyde métallique binaire cristallin (ii) d’épaisseur 2 ou ZnO sub-stœchiométrique en O, ou un oxyde isolant tel que Al 2 O 3 , SiO 2 ou LaAlO 3 , la couche (ct) recouvrant tout ou partie de la couche (iii). Lorsque la couche (ct) recouvre complètement la couche (iii) d’oxyde métallique conducteur transparent, une épaisseur très fine de la couche (ct) pourra être privilégiée, pour assurer la transparence du système. Alternativement, la couche (ct) peut recouvrir une partie de la couche (iii), avec l’ouverture de contacts électriques dans la couche transparente (ct) pour assurer la conductivité de l’ensemble. Ceci pourra être particulièrement avantageux lorsque la couche (ct) comprend un oxyde métallique isolant tel que Al 2 O 3 , SiO 2 ou LaAlO 3 . La fonction principale de la couche (ct) étant de servir de couche protectrice, la couche (ct) peut être cristalline ou amorphe (l’état cristallin n’est pas indispensable). La structure cristalline des oxydes métalliques transparents conducteurs de type pérovskite ne correspond pas forcément à la structure pérovskite cubique idéale. Ces oxydes peuvent s’écarter de cette structure cubique idéale selon la nature chimique des cations A et B, par exemple en raison d’une distorsion de la maille, rotation des octaèdres autour d’un axe, etc. Ce peut être le cas par exemple des oxydes métalliques dopés sur le site A et/ou B, la substitution d’un atome par un autre de nature et de taille différente peut entraîner une distorsion de la maille. Ainsi, l’oxyde métallique binaire de la couche (ii) cristallisera de préférence dans le même type de réseau, avec un paramètre de maille très proche de celui de l’oxyde métallique de type pérovskite de la couche (iii). Comme discuté précédemment, le désaccord de maille local est de préférence inférieure à environ 5%. Avantageusement, l’oxyde métallique binaire de la couche (ii) présentera un désaccord de maille local de moins de 5% par rapport à celui l’oxyde métallique transparent conducteur ABO 3 de structure pérovskite de la couche (iii). L’oxyde métallique binaire de la couche (ii) pourra par exemple être choisi parmi TiO 2 , SnO 2 ou ZnO. Bien entendu, la couche (ii) d’oxyde métallique binaire sera avantageusement déposée dans des conditions expérimentales adaptées pour permettre le dépôt de l’oxyde métallique sous forme cristalline. Par exemple, des conditions de température adaptées seront avantageusement utilisées pour favoriser la cristallisation de l’oxyde binaire sur le substrat (i) ( Ref 32) Par exemple, si l’oxyde binaire estTiO 2 , ce dernier peut être déposé par pulvérisation cathodique radiofréquence (RF) à 600°C. Ceci peut être réalisé par exemple en pulvérisant une cible métallique de Ti dans un mélange O 2 /Ar 10/90% sous une pression adaptée (p.ex. 10ˉ² mbar). TiO 2 sub-stœchiométrique, qui a l’avantage d’être conducteur, peut être préparé en ajustant le taux de O 2 . Une couche (ii) de TiO 2 sub-stœchiométrique pourra avantageusement être mise en œuvre si une couche (ii) conductrice est souhaitée (p.ex. dans le cas des oxydes ferroélectriques C détaillés ci-dessous). Bien entendu, la couche (iii) d’oxyde métallique de type pérovskite sera avantageusement déposée dans des conditions expérimentales adaptées pour permettre la croissance cristalline de l’oxyde métallique pérovskite sur la couche (ii) d’oxyde métallique binaire cristallin. Par exemple, des conditions de température adaptées seront avantageusement utilisées pour favoriser la croissance cristalline de l’oxyde métallique pérovskite sur l’oxyde métallique binaire cristallin. Ref 33 Par exemple, l’oxyde métallique de type pérovskite peut être SrVO 3 . Sa croissance cristalline sur un oxyde binaire cristallin, tel que TiO 2 , peut être réalisée par ablation laser pulsée à une température de préférence ≥ 450°C, par exemple 450°C-600°C, par exemple 460°C-550°C, par exemple 500-550°C, voire autour de 500°C. Ceci peut être réalisé par exemple en focalisant un laser pulsé sur une cible polycristalline de Sr 2 V 2 O 7 préparée par réaction standard à l’état solide. Le taux de dépôt (en Å/impulsion) peut être avantageusement ajusté en fonction de la fréquence de répétition du laser, de la fluence sur la cible, la pression de travail, et la distance cible-substrat. (cf Exemples) L’oxyde métallique de type pérovskite peut être aussi par exemple CaVO 3 . Dans ce cas, on pourra par exemple utiliser une cible stœchiométrique en oxygène (c’est-à-dire CaVO 3 ). B. Manganite à magnétorésistance colossale de structure pérovskite Ln (1-x) A x MnO 3 D’une manière générale, l’oxyde métallique de la couche (iii) peut être toute manganite à magnétorésistance colossale (“MRC”) de structure pérovskite. Le lecteur pourra par exemple se référer à la Ref 34 pour un enseignement sur les manganites à magnétorésistance colossale (“MRC”) de structure pérovskite . L’oxyde métallique de la couche (iii) peut être toute manganite à magnétorésistance colossale (“MRC”) de structure pérovskite Ln (1-x) A x MnO 3 dans laquelle Ln représente un atome de terre rare (La, Pr, Nd, etc..). Avantageusement, A peut être choisi parmi les atomes alcalinoterreux (Ba, Sr, Ca, etc…). x représente le taux de dopage de l'alcalinoterreux dans la manganite MRC. La magnétorésistance colossale (en anglais, Colossal Magnetoresistance Effect ou CMR) est un effet quantique observé dans des matériaux avec des électrons fortement corrélés et notamment les manganites, et se manifeste sous forme d'une baisse significative de la résistance observée sous l'application d'un champ magnétique externe. Numériquement, elle est caractérisée par l’équation (4): MR = ΔR/R 0 = (R H – R 0 )/R 0 (Eq. 4) où R 0 et R H représentent les résistances de l'échantillon à une température donnée respectivement en l'absence de champ magnétique et sous un champ magnétique H. Les oxydes de manganèse Ln (1-x) A x MnO 3 présentent la structure pérovskite. Celle-ci ne correspond pas forcément à la structure pérovskite cubique idéale. La structure des oxydes de manganèse Ln (1-x) A x MnO 3 est le plus souvent de type orthorhombique et peut être décrite par une charpente tridimensionnelle d’octaèdres MnO 6 partageant leurs sommets et formant des cavités dans lesquelles sont insérés les ions Ln 3+ et A 2+ . Ainsi, l’oxyde métallique binaire de la couche (ii) cristallisera de préférence dans le même type de réseau, avec un paramètre de maille très proche de celui de l’oxyde métallique de type pérovskite de la couche (iii). Comme discuté précédemment, le désaccord de maille local est de préférence inférieur à environ 5%. Avantageusement, l’oxyde métallique binaire de la couche (ii) présentera un désaccord de maille local de moins de 5% par rapport à celui l’oxyde de manganèse Ln (1-x) A x MnO 3 de structure pérovskite de la couche (iii). L’oxyde métallique binaire de la couche (ii) pourra par exemple être choisi parmi TiO 2 , SnO 2 ou ZnO. Comme décrit dans la partie A ci-dessus, la couche (ii) d’oxyde métallique binaire sera avantageusement déposée dans des conditions expérimentales adaptées pour permettre le dépôt de l’oxyde métallique sous forme cristalline. Il est entendu que dans les manganites MRC de formule Ln (1-x) A x MnO 3 utilisables dans la couche (iii), le site A peut être un atome alcalino terreux, éventuellement dopé avec au moins un autre atome alcalinoterreux. Il peut s’agir par exemple, des manganites MRC de la série x=0,30, par exemple les manganites Pr 0,70 Ca 0,30-y Sr y MnO 3 , où y représente le taux de dopage en Sr (qui peut être nul), dont la résistance peut être diminuée de quatre à onze ordres de grandeur par application d’un champ magnétique de 6 T. On pourra mentionner par exemple les manganites MRC Pr 0,70 Ca 0,25 Sr 0,05 MnO 3 (y=0,05) et Pr 0,70 Ca 0,26 Sr 0,04 MnO 3 (y=0,04). Les manganites La 0,70 Ca 0,30-y Sr y MnO 3 et Sm 0,70 Ba 0,30-y Sr y MnO 3 , où y représente le taux de dopage en Sr (qui peut être nul), peuvent également être mentionnées, par exemple La 0,70 Ca 0,11 Sr 0,9 MnO 3 et Sm 0,70 Ba 0,30 SrMnO 3. Il peut également s’agir par exemple, des manganites MRC de la série x=0,34, par exemple les manganites Pr 0,66 Ca 0,34-y Sr y MnO 3 , où y représente le taux de dopage en Sr. On pourra mentionner par exemple les manganites MRC Pr 0,70 Ca 0,25 Sr 0,05 MnO 3 (y=0,05) et Pr 0,70 Ca 0,26 Sr 0,04 MnO 3 (y=0,04). On pourra citer également les manganites MRC de la série x=0,50 par exemple de type Ln 0,5 Sr 0,5-y Ca y MnO 3 , telles que les manganites Pr 0,5 Sr 0,5-y Ca y MnO 3 , comme Pr 0,50 Sr 0,41 Ca 0,09 MnO 3 . Il est entendu que dans les manganites MRC de formule Ln (1-x) A x MnO 3 utilisables dans la couche (iii), le site Mn peut éventuellement être dopé, par un élément de transition tel que le chrome, le cobalt ou le nickel. On pourra citer par exemple les manganites MRC de type Ln (1-x) A x Mn (1-k) Cr k O 3 où k représente le taux de dopage en Cr sur les sites Mn. Il peut s’agir par exemple de la manganite Pr 0,5 Ca0,5Mn (1-k) Cr k O 3 où k peut être compris entre 0,01 et 0,06 (par exemple, k peut être 0,01, 0,03, 0,04 ou 0,06). L’oxyde métallique de la couche (iii) de formule Ln (1-x) A x MnO 3 pourra avantageusement être ferromagnétique, notamment à la température d’opération du système multicouche selon la présente invention. Dans le cas des systèmes à manganite MRC, la transparence n’est pas nécessaire. L’oxyde métallique de la couche (iii) de formule Ln (1-x) A x MnO 3 pourra donc être opaque. Il en est de même pour le substrat (i) et la couche d’oxyde métallique binaire cristallin (ii). La couche d'oxyde métallique (iii) de formule Ln (1-x) A x MnO 3 peut présenter une épaisseur plus ou moins grande. Cette épaisseur peut être variable sur le substrat. Toutefois, une épaisseur constante sur tout le substrat peut être avantageuse. En particulier, cette épaisseur peut être comprise entre 10 et 1000 nm, notamment entre 20 et 800 nm, en particulier, entre 50 et 600 nm et, plus particulièrement, entre 100 et 400 nm. En raison de la grande sensibilité des manganites MRC au champ magnétique, les systèmes multicouche selon la présente invention dans lesquels l’oxyde métallique de la couche (iii) peut être une manganite MRC répondant à la formule Ln (1-x) A x MnO 3 telle que définie ci-dessus généralement et en différentes variantes, peuvent trouver application pour la réalisation de capteurs par exemple pour l’enregistrement magnétique ou le stockage magnétique de l’information. C. Oxyde métallique ferroélectrique de structure pérovskite ABO 3 D’une manière générale, l’oxyde métallique de la couche (iii) peut être tout oxyde métallique ferroélectrique de structure pérovskite. Le lecteur pourra par exemple se référer à la Ref 35 pour un enseignement sur les oxydes métalliques ferroélectriques de structure pérovskite. L’oxyde métallique de la couche (iii) peut être tout oxyde métallique ferroélectrique de structure pérovskite répondant à la formule ABO 3. Par exemple, A peut être choisi parmi Ba, Pb ou K, et B peut être choisi parmi Ti, Zr ou Ta. Avantageusement, A peut être choisi parmi Ba ou Pb, et B peut être choisi parmi Ti ou Zr. Par «oxyde métallique ferroélectrique», on entend les oxydes métalliques possédant une polarisation électrique intrinsèque, qu’un champ électrique extérieur peut faire basculer d’une direction à une autre. La plupart des cristaux pyroélectriques possèdent une polarisation spontanée P S dans certains domaines de température et la direction de cette P S peut être inversée par l’application d’un champ électrique externe. Ce caractère appelé « ferroélectrique » est décrit par le cycle d’hystérésis de la polarisation en fonction du champ électrique appliqué. Par «hystérésis» on entend la persistance d’un phénomène lorsque cesse la cause qui l’a provoqué. Parmi les pérovskites ferroélectriques utilisables dans le cadre de la présente invention, on pourra citer par exemple BaTiO 3 , PbTiO 3 , BaZrO 3 , PbZrO , KNbO 3 et KTaO 3 . En particulier, on pourra citer BaTiO 3 , PbTiO 3 , BaZrO 3 et PbZrO 3 . Il est entendu que dans les pérovskites ferroélectriques de formule ABO 3 utilisables dans la couche (iii), le site B peut éventuellement être dopé, par un autre atome. Il peut s’agir par exemple de Pb(Zr,Ti)O 3 (PZT). Les pérovskites ferroélectriques peuvent subir plusieurs transformations de phase en fonction de la température. En fonction de la température, on peut observer des déplacements atomiques et distorsions de la maille. Par exemple, le niobate de potassium KNbO 3 (ou KNO) cristallise dans un réseau rhomboédrique avec une polarisation suivant un axe dans son état fondamental (basse température, ≤ 263K). En dessous de sa température de Curie (708K), KNbO 3 peut adopter une structure tétragonale, orthorhombique, ou rhomboédrique, chacune favorisant une polarisation électrique suivant un axe cristallographique différent. C’est le cas pour les pérovskites ferroélectriques en général (i.e., succession de transformations de phase en fonction de la température, avec une évolution vers une structure plus symétrique en augmentant la température; BaTiO 3 montre par exemple une phase cubique à haute température). Ainsi, dans le cas où l’oxyde métallique de la couche (iii) est une pérovskite ferroélectrique de formule ABO 3 , l’oxyde métallique binaire de la couche (ii) cristallisera de préférence dans le même type de réseau, à savoir tétragonal, orthorhombique, ou rhomboédrique, en fonction de la température d’opération du système. L’oxyde métallique binaire de la couche (ii) pourra par exemple être choisi parmi TiO 2 , SnO 2 ou ZnO. Comme décrit dans la partie A ci-dessus, la couche (ii) d’oxyde métallique binaire sera avantageusement déposée dans des conditions expérimentales adaptées pour permettre le dépôt de l’oxyde métallique sous forme cristalline. Dans le cas des systèmes à oxyde métallique ferroélectrique, la transparence n’est pas nécessaire. En effet, l’utilisation d’un substrat (i) opaque et/ou d’une couche (ii) d’oxyde métallique binaire opaque n’empêche pas les applications primaires des ferroélectriques. L’oxyde métallique ferroélectrique de la couche (iii) de formule ABO 3 pourra donc être opaque. Il en est de même pour le substrat (i) la couche d’oxyde métallique binaire cristallin (ii). On notera toutefois qu’en général, les ferroélectriques sont transparents. Ainsi, la possibilité de garder la transparence de la multicouche et du substrat permettra avantageusement d’intégrer le système dans l’électronique transparente. On notera également que la transparence du système impose par contre un substrat isolant (il n’y a pas de substrats conducteurs transparents) ; dans ce cas on pourra prévoir l’utilisation d’une couche (ii) d’oxyde métallique binaire conductrice (p.ex. TiO 2 ou ZnO sub-stoechiométrique) ou d’une couche (iv) supplémentaire conductrice située entre le substrat (i) et la couche (ii) d’oxyde métallique binaire (ceci pour permettre l’élaboration d’un système multi-couche où l'oxyde métallique ferroélectrique (iii) de formule ABO 3 est avantageusement pris en sandwich entre deux couches conductrices – cf. paragraphes ci-dessous). La couche d'oxyde métallique ferroélectrique (iii) de formule ABO 3 pourra présenter une épaisseur plus ou moins grande. Cette épaisseur peut être variable sur le substrat. Toutefois, une épaisseur constante sur tout le substrat peut être avantageuse. En particulier, cette épaisseur peut être comprise entre 10 et 1000 nm, notamment entre 20 et 800 nm, en particulier, entre 50 et 600 nm et, plus particulièrement, entre 100 et 400 nm. En revanche, dans le cas des systèmes à oxyde métallique ferroélectrique, la couche d'oxyde métallique ferroélectrique (iii) de formule ABO 3 est de préférence prise en sandwich entre deux couches conductrices. Ainsi, dans une variante, dans le système conducteur multicouche selon l’invention, l’oxyde métallique de type pérovskite de la couche (iii) peut comprendre un oxyde ferroélectrique (C), et l’oxyde métallique binaire de la couche (ii) peut être un oxyde métallique binaire conducteur , le système multicouche comprenant en outre une couche conductrice (cc) superposée sur la couche (iii). Par exemple, la couche (ii) du système multicouche selon l’invention pourra de préférence comprendre un oxyde métallique binaire conducteur tel que comme le TiO 2 ou ZnO sub-stœchiométrique en O. Par ailleurs, une couche conductrice (cc) pourra avantageusement être déposée sur la couche d’oxyde métallique ferroélectrique (iii). Ainsi, lorsque l’oxyde métallique de type pérovskite de la couche (iii) comprend un oxyde ferroélectrique, la couche (ii) peut comprendre un oxyde métallique binaire conducteur tel que comme le TiO 2 ou ZnO sub-stœchiométrique en O, et le système multicouche peut comprendre en outre une couche conductrice (cc) superposée sur la couche (iii). Les couches (ii) et (cc) peuvent être composées de matériaux conducteurs identiques ou différents. Dans une variante, dans le système conducteur multicouche selon l’invention, l’oxyde métallique de type pérovskite de la couche (iii) peut comprendre un oxyde ferroélectrique (C), et l’oxyde métallique binaire de la couche (ii) peut être un oxyde métallique binaire isolant , le système multicouche comprenant en outre une couche conductrice (cc) superposée sur la couche (iii). Dans ce cas, la couche (ii) d’oxyde métallique binaire sera avantageusement fine (p.ex. Dans une autre variante, dans le système conducteur multicouche selon l’invention, l’oxyde métallique de type pérovskite de la couche (iii) peut comprendre un oxyde ferroélectrique (C), et l’oxyde métallique binaire de la couche (ii) peut être un oxyde métallique binaire isolant , le système multicouche comprenant en outre une couche conductrice (cc) superposée sur la couche (iii) et un substrat (i) isolant (p.ex. transparent). Dans ce cas, la couche (ii) d’’oxyde métallique binaire sera avantageusement fine (p.ex. 3 est avantageusement pris en sandwich entre deux couches conductrices). Dans l’une quelconque des variantes précédentes, la couche conductrice (cc) peut comprendre un matériau conducteur, tel que : - un oxyde métallique conducteur comme le TiO 2 ou ZnO sub-stœchiométrique en O; - un oxyde perovskite conducteur tel que l’un quelconque des oxydes métalliques conducteurs de structure pérovskite ABO 3 mentionnés dans la partie A) ci-dessus. Il peut s’agir notamment d’un oxyde métallique hautement conducteur de type pérovskite tel que CaRuO 3 , SrRuO 3 , SrCrO 3 , SrFeO 3 , SrTiO 3 , SrMoO 3 , LaTiO 3 , Sr 2 VMoO 6 , LaNiO 3 , ou d’un oxyde métallique conducteur transparent cristallin répondant à la formule ABO 3 dans laquelle A est choisi parmi Sr ou Ca éventuellement dopé avec La ou un autre élément des groupes des lanthanides, et B est choisi parmi V, Cr, Ti ou Mo, tel que SrVO 3 , CaVO 3 , SrCrO 3 , SrTiO 3 , SrMoO 3 ; ou - une couche métallique conductrice (p.ex. Au, Ag, Al, …). En raison de leurs propriétés ferroélectriques, les systèmes multicouche selon la présente invention dans lesquels l’oxyde métallique de la couche (iii) peut être un oxyde métallique ferroélectrique répondant à la formule ABO 3 telle que définie ci-dessus généralement et en différentes variantes, peuvent trouver de nombreuses applications en microélectronique, comme la réalisation de filtres ou de condensateurs dont les propriétés peuvent être ajustées avec la composition chimique du matériau. Par exemple, les couches minces ferroélectriques sont très utilisées sous la forme de condensateurs électrode/ferroélectrique/électrode dans les mémoires non volatiles FRAMs "non-volatile Ferroelectric Random Access Memories" et volatiles DRAMs "Dynamic Random Access Memories". La couche (iii) peut être déposée par toute méthode d’élaboration de couches minces ferroélectriques connue de l’art. Par exemple, on peut citer le dépôt par pulvérisation cathodique, l’épitaxie par jet moléculaire (molecular beam epitaxy MBE) ou des techniques de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) comme l’Épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (metalorganic chemical vapour deposition MOCVD), le dépôt de couche mince atomique (Atomic layer deposition (ALD), ou le dépôt par ablation par laser pulsé (“pld” ou “pulsed laser deposition” en anglais). -------- Ainsi, selon un aspect, la présente invention concerne un système conducteur multicouche d’oxydes métalliques comprenant: i. un substrat; ii. une couche d’un oxyde métallique binaire cristallin, déposée sur le substrat (i); et iii. une couche d’un oxyde métallique conducteur cristallin ayant une structure cristalline de type pérovskite superposée sur la couche d’oxyde métallique binaire (ii); l’oxyde métallique binaire de la couche (ii) ayant un désaccord de maille local de moins de 5% par rapport à celui de l’oxyde métallique de la couche (iii) ; sous réserve que lorsque l’oxyde métallique de type pérovskite de la couche (iii) est un oxyde métallique conducteur transparent cristallin, le substrat (i) est transparent et l’épaisseur de la couche d’oxyde métallique binaire cristallin (ii) est Pour la mise en œuvre de la présente invention, l’oxyde métallique de type pérovskite de la couche (iii) peut comprendre : A. un oxyde métallique conducteur transparent cristallin de structure pérovskite répondant à la formule ABO 3 dans laquelle A est choisi parmi Sr ou Ca éventuellement dopé avec La ou un autre élément des groupes des lanthanides, et B est choisi parmi V, Cr, Ti ou Mo ; B. une manganite à magnétorésistance colossale de structure pérovskite répondant à la formule Ln (1-x) A x MnO 3 dans laquelle Ln représente un atome de terre rare (La, Pr, Nd, etc..), A est choisi parmi les atomes alcalinoterreux (Ba, Sr, Ca, etc…) et x représente le taux de dopage de l'alcalinoterreux; ou C. un oxyde métallique ferroélectrique de structure pérovskite répondant à la formule ABO 3 dans laquelle A est choisi parmi Ba, Pb ou K, et B est choisi parmi Ti, Zr ou Ta, de préférence A est choisi parmi Ba ou Pb, et B est choisi parmi Ti ou Zr. La croissance de la couche (iii) d’oxyde métallique de type pérovskite peut être réalisée à une température ≥ 400°C. Par exemple, lorsque l’oxyde métallique de type pérovskite est le SrVO 3 , la croissance de la couche (iii) peut être réalisée à une température de préférence ≥ 450°C, par exemple 450°C-600°C, par exemple 460°C-550°C, par exemple 500-550°C, voire autour de 500°C. Lorsque l’oxyde métallique de type pérovskite de la couche (iii) est un oxyde métallique conducteur transparent cristallin, le substrat (i) est de préférence transparent et l’épaisseur de la couche d’oxyde métallique binaire cristallin (ii) est de préférence Dans tous les cas, l’oxyde métallique binaire cristallin de la couche (ii) peut être choisi parmi TiO 2 , SnO 2 ou ZnO, de préférence TiO 2 . La couche d'oxyde métallique conducteur (iii) peut présenter une épaisseur plus ou moins grande. Cette épaisseur peut être variable sur la surface de la couche (ii) d’oxyde métallique binaire supportée par le substrat. Toutefois, une épaisseur constante sur toute la surface peut être avantageuse. En particulier, sauf mention contraire, cette épaisseur peut être comprise entre 10 et 1000 nm, notamment entre 20 et 800 nm, en particulier, entre 50 et 600 nm et, plus particulièrement, entre 100 et 400 nm. Dans le cas d’un système conducteur multicouche transparent (cad substrat (i) transparent et couche (iii) = oxyde métallique conducteur transparent), l’épaisseur de la couche (iii) pourra être plus fine pour avoir un bon compromis entre la transparence optique (le plus fin, le mieux) et la résistivité (le plus épais, le mieux). Par exemple, une épaisseur de 20 à 100 nm, de préférence 20 à 70 nm, plus préférentiellement 30 à 50 nm pourra être avantageusement réalisée. L'homme du métier connait différentes techniques permettant le dépôt d'une telle couche d'un oxyde métallique sur un support, ladite couche étant en contact direct avec la surface du support. A titre d'exemples illustratifs et non limitatifs, on peut citer les techniques de dépôt de couche mince, telle que la pulvérisation cathodique sous vide, l’épitaxie par jet moléculaire (molecular beam epitaxy MBE) ou des techniques de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) comme l’Épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (metalorganic chemical vapour deposition MOCVD), le dépôt de couche mince atomique (Atomic layer deposition ALD), ou le dépôt par ablation par laser pulsé (“pld” ou “pulsed laser deposition” en anglais). L’ensemble des techniques précitées sont applicables au dépôt : - de la couche (ii) d’oxyde métallique binaire sur le substrat (i) - de la couche (iii) d’oxyde métallique de type pérovskite sur la couche (ii) - d’une éventuelle couche protectrice (cp) sur la couche (iii) ou sur la couche conductrice (cc) - d’une éventuelle couche conductrice (cc) sur la couche (iii) (cf. discussion ci-dessus des oxydes métalliques ferroélectriques de type pérovskite). Substrat Avantageusement, le substrat (i) sur lequel les différentes couches de matériau sont déposées sous forme de couche mince, peut être tout substrat adapté. Le substrat choisi dépendra de la mise en forme finale du système multicouche visé, de son procédé de préparation notamment de la température appliquée pour les opérations de manufacture du système (le substrat devant être adapté à la température à laquelle il est soumis), et de l’application envisagée. Avantageusement, le substrat peut être de préférence transparent, tel que le verre ou un plastique transparent. Cette mise en forme est particulièrement adaptée à une application nécessitant une transparence optique du système. Tout substrat adapté est utilisable dans le cadre de la présente invention, ce dernier pouvant notamment être en polymère(s) ou se présenter sous forme d'une couche inorganique. Il peut s’agir d’un substrat de silicium. Ainsi, le substrat (i) mis en œuvre dans le cadre de la présente invention i.e. le substrat à la surface duquel les différentes couches d'oxyde métallique sont déposées, peut être tout substrat solide naturel ou synthétique, notamment utilisé comme substrat d’empilement multicouche d’oxydes métalliques. Avantageusement, le substrat mis en œuvre dans le cadre de la présente invention peut être un substrat isolant (p.ex. le verre) ou conducteur ou semi-conducteur (p.ex. le silicium). Un substrat en silicium sera particulièrement avantageux pour les applications en optoélectronique, notamment aux circuits intégrés. De même, ce substrat peut être opaque ou transparent dans le visible et le proche infrarouge. Par «substrat transparent dans le visible et le proche infrarouge », on entend, dans le cadre de la présente invention, un substrat d’un matériau permettant la transmission d'au moins 50%, notamment d'au moins 60%, en particulier, d'au moins 70%, plus particulièrement d'au moins 80%, encore plus particulièrement d'au moins 85%, voire d’au moins 90%, d'une lumière présentant une longueur d'onde comprise entre environ 400 et environ 1400 nm et notamment entre environ 400 et environ 800 nm (domaine du visible). Plus particulièrement, le substrat mis en œuvre dans le cadre de la présente invention peut être un substrat en verre ou un substrat polymère transparent dans le visible et le proche infrarouge, tel qu'un substrat en polymère flexible transparent dans le visible et le proche infrarouge. Les substrats en polymère flexible transparent dans le visible et le proche infrarouge peuvent être avantageux par exemple dans les applications telles que les écrans ou la photovoltaïque flexibles. Ainsi, le substrat mis en œuvre dans le cadre de la présente invention peut être en un matériau choisi dans le groupe constitué par le verre, un polycarbonate tel que le bisphénol A polycarbonate, un polyacrylate tel que le poly(méthyl méthacrylate), un polyamide tel que le nylon, un polyester tel que le polyéthylène téréphtalate (PET), un polyarylate, un polyetherimide, un polymère sulfonique, un polyéther imide, un polyimide, un polynorbornène, un polymère oléfinique, un polymère liquide cristallin (ou LCP) tel que du polyétheréthercétone (ou PEEK), du polyphénylène éther (ou PPE) ou du polyphénylène oxyde (ou PPO) et un polymère thermodurcissable transparent. Avantageusement, le substrat transparent (i) peut être transparent. Avantageusement, le substrat transparent (i) peut être un matériau transparent amorphe ou cristallin ayant une tenue en température de 500°C, tel que le verre. Ainsi, le système multicouche selon l’invention peut être un système conducteur transparent multicouche, et peut comprendre : i. un substrat optiquement transparent, notamment dans le visible et le proche infrarouge, plus particulièrement dans le visible; ii. une couche d’un oxyde métallique binaire cristallin, déposée sur le substrat (i); et iii. une couche d’un oxyde métallique conducteur cristallin, éventuellement transparent dans le visible et le proche infrarouge, plus particulièrement dans le visible, ayant une structure cristalline de type pérovskite superposée sur la couche d’oxyde métallique binaire (ii); l’oxyde métallique binaire de la couche (ii) ayant un désaccord de maille local de moins de 5% par rapport à celui de l’oxyde métallique de la couche (iii) ; sous réserve que lorsque l’oxyde métallique de type pérovskite de la couche (iii) est un oxyde métallique conducteur transparent cristallin, le substrat (i) est transparent et l’épaisseur de la couche d’oxyde métallique binaire cristallin (ii) est Avantageusement, un tel système conducteur multicouche peut avoir une transparence optique dans le visible > 70%, de préférence ≥ 75%. Ceci peut être accompli par l’utilisation d’un substrat (i) et d’une couche (ii) d’un oxyde métallique conducteur cristallin de type pérovskite, le substrat et l’oxyde métallique étant optiquement transparents dans le visible et le proche infrarouge, plus particulièrement dans le visible. L’oxyde métallique conducteur transparent cristallin de type pérovskite peut être tels que ceux décrits dans la partie A par exemple. Composant électronique Selon un autre aspect, l’invention concerne un composant électronique comprenant un système conducteur multicouche selon l’invention, dans l’une quelconque des variantes décrites dans la présente description. Procédé de préparation Selon un autre aspect, l’invention concerne un procédé de préparation d’un système conducteur multicouche selon l’invention, comprenant: (a) le dépôt sur un substrat (i), éventuellement transparent, d’une couche (ii) d’un oxyde métallique binaire cristallin ; et (b) la croissance cristalline d’une couche (iii) d’un oxyde métallique conducteur cristallin sur la couche (ii) d’oxyde binaire cristallin obtenue à l’étape a), l’oxyde métallique conducteur ayant une structure cristalline de type pérovskite. Avantageusement, l’oxyde métallique binaire de l’étape a) a un désaccord de maille local de moins de 5% par rapport à celui de l’oxyde métallique conducteur cristallin de type pérovskite de l’étape b). Lorsque l’oxyde métallique de type pérovskite de la couche de l’étape b) est un oxyde métallique conducteur transparent cristallin, le substrat de l’étape a) peut avantageusement être transparent et l’épaisseur de la couche d’oxyde métallique binaire cristallin de l’étape a) peut être de préférence Avantageusement, l’étape a) peut être réalisée par une technique de dépôt de couche mince. Par exemple, on pourra citer à titre illustratif, la pulvérisation cathodique sous vide, l’épitaxie par jet moléculaire (molecular beam epitaxy MBE), par ablation par laser pulsé (“pld” ou “pulsed laser deposition” en anglais) ou des techniques de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) comme l’Épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (metalorganic chemical vapour deposition MOCVD) ou le dépôt de couche mince atomique (Atomic layer deposition (ALD). Avantageusement, l’étape b) peut être réalisée à une température ≥ 400°C, de préférence par ablation par laser pulsé (“pld” ou “pulsed laser deposition” en anglais), par pulvérisation cathodique sous vide, par épitaxie par jet moléculaire ou par des techniques de dépôt chimique en phase vapeur comme l’Épitaxie en phase vapeur aux organométalliques ou le dépôt de couche mince atomique, tout préférentiellement par ablation par laser pulsé ou par pulvérisation cathodique sous vide. Par exemple, lorsque l’oxyde métallique de type pérovskite est le SrVO 3 , la croissance de la couche (iii) peut être réalisée à une température de préférence ≥ 450°C, par exemple 450°C-600°C, par exemple 460°C-550°C, par exemple 500-550°C, voire autour de 500°C. Empilement avec Oxyde métallique conducteur cristallin de structure pérovskite ABO 3 (A) ou Manganite MRC de structure pérovskite Ln (1-x) A x MnO 3 (B) Eventuellement, le procédé peut comprendre en outre une étape (c) de revêtement de la couche (iii) d’oxyde métallique conducteur obtenue en b) avec une couche protectrice (cp), éventuellement transparente. La couche obtenue en c) peut recouvrir tout ou partie de la couche d’oxyde métallique conducteur obtenue en b). C’est-à-dire que la couche obtenue en c) peut recouvrir totalement la couche d’oxyde métallique conducteur obtenue en b). Alternativement, la couche de l’étape c) peut être réalisée en prévoyant des ouvertures de contacts électriques dans la couche protectrice (cp) pour assurer la conductivité de l’ensemble. Ceci pourra être avantageusement envisagé dans le cas des systèmes multicouche selon l’invention où la couche (iii) d’oxyde métallique comprend un oxyde métallique conducteur de structure pérovskite de formule ABO 3 , transparent ou opaque, tels que ceux détaillés dans la partie A, ou bien une manganite MRC de structure pérovskite de formule Ln (1-x) A x MnO 3 , telles que celles détaillées dans la partie B. Avantageusement, la couche protectrice (cp) peut comprendre un oxyde métallique, de préférence conducteur, tel que TiO 2 ou ZnO sub-stœchiométrique en O, ou un oxyde isolant tel que Al 2 O 3 , SiO 2 et LaAlO 3 . Ceci pourra avantageusement être envisagé dans le cas des systèmes multicouche selon l’invention où la couche (iii) d’oxyde métallique comprend un oxyde métallique conducteur transparent de structure pérovskite de formule ABO 3 , tels que ceux détaillés dans la partie A. Empilement avec pérovskite ferroélectrique de structure ABO 3 (C) Eventuellement, le procédé peut comprendre en outre une étape (b1) de revêtement de la couche (iii) d’oxyde métallique conducteur obtenue en b) avec une couche conductrice (cc). Ceci sera particulièrement avantageux dans le cas où l’oxyde métallique conducteur est une pérovskite ferroélectrique de structure ABO 3 , telle que celles détaillées dans la partie C. Pour le choix du matériau de la couche conductrice (cc) et sa mise en œuvre, on pourra se référer à la partie C « Oxyde ferroélectrique de structure pérovskite ABO 3 » détaillée plus haut. Eventuellement, le procédé peut comprendre en outre une étape (c1) de revêtement de la couche conductrice (cc) obtenue en b1) avec une couche protectrice (cp). La couche obtenue en c1) peut recouvrir tout ou partie de la couche conductrice (cc) obtenue en b1). C’est-à-dire que la couche obtenue en c1) peut recouvrir totalement la couche conductrice (cc) obtenue en b1). Alternativement, la couche de l’étape c1) peut être réalisée en prévoyant des ouvertures de contacts électriques dans la couche protectrice (cp) pour assurer la conductivité de l’ensemble. Couche protectrice (cp) Ainsi, quel que soit le type d’empilement considéré (système utilisant A) un oxyde métallique conducteur cristallin de structure pérovskite ABO 3 , B) une manganite MRC de structure pérovskite Ln (1-x) A x MnO 3 , ou bien C) un oxyde métallique ferroélectrique de structure pérovskite ABO 3 ), une couche protectrice (cp) peut être déposée sur l’empilement de multicouches recouvrant le substrat. La couche protectrice (cp) peut être en matériau isolant, semi-conducteur (p.ex. un semi-conducteur de type n ou de type p) ou conducteur selon l’application visée. Dans le cas d’un matériau isolant, la mise en œuvre de la couche protectrice (cp) peut être réalisée en prévoyant des ouvertures de contacts électriques dans la couche protectrice (cp) pour assurer la conductivité de l’ensemble, par exemple en apposant un ou plusieurs caches sur la surface de la couche à recouvrir avec la couche protectrice (cp), lesquels caches pouvant être retirés une fois la couche protectrice (cp) déposée. A titre d'exemples de matériaux susceptibles d'être déposés sur la couche (iii) d'oxyde métallique conducteur de type pérovskite, on peut citer par exemple l'oxyde de titane (TiO 2 ) éventuellement dopé, l'oxyde de zinc (ZnO) éventuellement dopé, l’oxyde de silicium (SiO 2 ), Al 2 O 3 , LaAlO 3 , l'oxyde de nickel (NiO), l'oxyde d'indium éventuellement dopé, l'oxyde d'étain éventuellement dopé, l'oxyde de cadmium éventuellement dopé, l'oxyde de gallium éventuellement dopé, l'oxyde de thallium éventuellement dopé, l'oxyde de plomb éventuellement dopé, l'oxyde d'antimoine éventuellement dopé, l'oxyde de magnésium éventuellement dopé, l'oxyde de niobium éventuellement dopé, l'oxyde de tungstène éventuellement dopé, l'oxyde de zirconium et leurs mélanges ; du fluorure de graphite ; du nitrure de silicium ; un matériau organique, notamment choisi dans le groupe constitué par les polymères. A titre de polymère pour l’élaboration de la couche protectrice (cp), il pourra s’agir par exemple d’un polymère transparent dans le visible et le proche infrarouge tel qu'un substrat en polymère flexible transparent dans le visible et le proche infrarouge. Le polymère peut être choisi par exemple parmi un polycarbonate tel que le bisphénol A polycarbonate, un polyacrylate tel que le poly(méthyl méthacrylate), un polyamide tel que le nylon, un polyester tel que le polyéthylène téréphtalate (PET), un polyarylate, un polyetherimide, un polymère sulfonique, un polyéther imide, un polyimide, un polynorbornène, un polymère oléfinique, un polymère liquide cristallin (ou LCP) tel que du polyétheréthercétone (ou PEEK), du polyphénylène éther (ou PPE) ou du polyphénylène oxyde (ou PPO) et un polymère thermodurcissable transparent. L'homme du métier connaît différents protocoles permettant d'obtenir le dépôt d'une couche d'un matériau tel que précédemment défini sur une couche d'oxyde métallique conducteur. A titre d'exemples illustratifs et non limitatifs de tels protocoles, on peut citer le spin-coating, le casting, l'électrogreffage, le greffage chimique et le dépôt par évaporation. Utilisations Le système multicouche selon l’invention peut avantageusement être utilisé dans une variété d’applications, notamment dans tout domaine d’application des : - oxydes métalliques conducteurs cristallins de structure pérovskite répondant à la formule ABO 3 , transparents ou opaques, tels que ceux détaillés dans la partie A) ; - manganites à magnétorésistance colossale de structure pérovskite répondant à la formule Ln (1-x) A x MnO 3 telles que celles détaillées dans la partie B) ; et/ou - oxydes métalliques ferroélectriques de structure pérovskite répondant à la formule ABO 3 tels que ceux détaillés dans la partie C). Ainsi, un système conducteur multicouche selon l’invention pourra être utilisé notamment : - en optoélectronique; - dans les technologies solaires tels que les cellules ou panneaux photovoltaïques; - dans la technologie des capteurs, tels que les capteurs tactiles; - dans les technologies d'affichage tels que les écrans à cristaux liquides, les écrans plats, les écrans plasma, et les écrans tactiles; - dans les revêtements réflecteurs à infrarouge tels que le filtres/miroirs infrarouges ou les vitres/vitrages à faible émissivité; - dans le blindage électromagnétique; - dans l’électronique transparente; - dans les antennes intégrées; et/ou - dans les substrats conducteurs pour les circuits intégrés. A titre d’exemples, la présente invention peut être mise en œuvre dans l'industrie des cellules photovoltaïques et dans l'industrie électronique en vue de fabriquer des faces avant ou des faces arrière d'écrans émissifs du type écran plat, écran dit plasma ou encore des écrans tactiles et plus généralement tout type de d'écran/vitrage susceptible de recevoir, de transmettre ou d'émettre des rayonnements, notamment de la lumière visible. Selon un autre aspect, la présente invention concerne l’utilisation d’une couche mince d’oxyde métallique binaire cristallin comme couche de germination pour la croissance cristalline d’un oxyde métallique ayant une structure cristalline de type pérovskite, l’oxyde métallique binaire ayant un désaccord de maille local de moins de 5% par rapport à celui de l’oxyde métallique de type pérovskite. Autrement dit, la présente invention concerne également un procédé de croissance cristalline d’un oxyde métallique ayant une structure cristalline de type pérovskite, comprenant la mise en œuvre d’une couche d’oxyde métallique binaire comme couche de germination, l’oxyde métallique binaire ayant un désaccord de maille local de moins de 5% par rapport à celui de l’oxyde métallique de type pérovskite. L’oxyde métallique de type pérovskite peut être choisi parmi les : - oxydes métalliques conducteurs cristallins de structure pérovskite répondant à la formule ABO 3 , transparents ou opaques, tels que ceux détaillés dans la partie A) ; - manganites à magnétorésistance colossale de structure pérovskite répondant à la formule Ln (1-x) A x MnO 3 telles que celles détaillées dans la partie B) ; ou - oxydes métalliques ferroélectriques de structure pérovskite répondant à la formule ABO 3 tels que ceux détaillés dans la partie C). EQUIVALENTS Les exemples représentatifs qui suivent sont destinés à illustrer l'invention et ne sont pas destinés à limiter la portée de l'invention, ni ne doivent être interprétés comme tels. En effet, diverses modifications de l'invention et de nombreux autres modes de réalisation de celle-ci, en plus de celles présentées et décrites ici, apparaîtront à la personne du métier à partir de l’ensemble du contenu de ce document, y compris les exemples qui suivent. Les exemples qui suivent contiennent des informations importantes supplémentaires, d’exemplification et d’enseignement qui peuvent être adaptés à la pratique de cette invention dans ses divers modes de réalisation et les équivalents de ceux-ci. Les exemples suivants sont donnés à titre indicatif et sans aucun caractère limitatif de l’invention. Des avantages autres que ceux décrits dans la présente demande pourront encore apparaître à l’homme du métier à la lecture des exemples ci-dessous donnés à titre illustratif. EXEMPLES La personne du métier dispose d’une solide littérature de la chimie des oxydes métalliques de type pérovskite de laquelle elle peut tirer parti, en combinaison avec les informations contenues dans ce document, pour des enseignements sur les méthodes de synthèse et la caractérisation des oxydes métalliques de type pérovskite, notamment les oxydes métallique transparents conducteurs de cette famille de pérovskites, lesquels peuvent être exploités pour la mise en œuvre de la présente invention. Les références citées dans le présent document fournissent des informations générales utiles sur la préparation et caractérisation des oxydes métalliques de type pérovskite, et leur mise en forme en couches minces. De plus, la personne du métier pourra se référer à l’enseignement et aux exemples spécifiques fournis dans le présent document, se rapportant à divers exemples de réalisation de couches minces d’oxyde métallique transparent conducteurs de type pérovskite, pour mettre en œuvre la présente invention dans toute sa portée. Exemple 1: Films minces de SrVO 3 Des films minces de SrVO 3 ont été déposés sur des substrats de verre Eagle XG Corning® de dimension 5 x 5 mm² et 0,5 mm d’épaisseur. Avant traitement, les substrats ont préalablement été nettoyés dans un bain à ultrasons d’acétone puis d’éthanol. Une couche tampon de TiO 2 de 5 nm d’épaisseur a ensuite été déposée par pulvérisation cathodique radiofréquence (RF) à 600°C en pulvérisant une cible métallique de Ti dans un mélange O 2 /Ar 10/90% sous une pression de 10ˉ 2 mbar. La puissance injectée sur la cible était égale à 1 W.cmˉ² et la distance cible-substrat était fixée à 4 cm. La couche de SrVO 3 a ensuite été déposée par ablation laser pulsée dans un vide limite de 1x10ˉ 7 mbar en focalisant un laser excimère KrF ( λ = 245 nm) sur une cible polycristalline de Sr 2 V 2 O 7 préparée par réaction standard à l’état solide. La fréquence de répétition du laser était de 3 Hz et la fluence sur la cible était égale à 1,6 J.cmˉ². La pression de travail était égale à 1x10ˉ 6 mbar. La distance cible-substrat était fixée à 5 cm et correspond, dans ces conditions, à un taux de dépôt de 0,09 Å/impulsion. Afin d’étudier leurs propriétés structurales, l’épaisseur des films de SrVO 3 a été fixée dans un premier temps à 100 nm en ajustant le nombre d’impulsions du laser sur la cible. L’influence de la température de croissance a été étudiée en chauffant le substrat entre 400 et 600°C au moyen d’une lampe halogène placée sous le porte-substrat. Afin de vérifier le rôle de la couche tampon de TiO 2 , deux films de SrVO 3 de 80 nm d’épaisseur ont été déposés directement sur verre à 400 et 600°C. Dans un deuxième temps, l’épaisseur des films de SrVO 3 a été réduite à 20 nm pour accroitre la transmission optique des films tout en évitant une dégradation importante de la conductivité pour des épaisseurs inférieures (ref. 1) . Les propriétés structurales et les épaisseurs des films déposés ont été contrôlées par diffraction des rayons X (DRX) à l’aide d’un diffractomètre Bruker D8 Discover fonctionnant avec un faisceau monochromatique Cu K α 1 ( λ = 1,5406 Å). Les propriétés de transport ont été étudiées entre 5 et 300 K en utilisant la méthode quatre pointes en configuration Van der Pauw au moyen d’un PPMS (Physical Properties Measurement System) de Quantum Design. Afin de déterminer la concentration et la mobilité des porteurs, des mesures de Hall ont été réalisées dans la même gamme de température en appliquant un champ magnétique variant entre -9 et 9 T perpendiculairement au plan du film. La transmission optique des échantillons a été mesurée dans l’UV-visible- proche infrarouge au moyen d’un spectrophotomètre Perkin-Elmer Lambda 1050 entre 350 nm et 850 nm. Un substrat de verre vierge Eagle XG Corning® a été utilisé comme référence pour l’ensemble des mesures otiques. Résultats Structure des couches de SrVO 3 Les diffractogrammes des films minces de SrVO 3 de 80 nm déposés directement sur substrats de verre à 400 et 600°C sont reportés dans la FIG 1a. L’absence de pics de diffraction montre que les couches restent amorphes quelle que soit la température du dépôt. Pour les films de 100 nm d’épaisseur déposés sur TiO 2 entre 450 et 600°C (FIG 1b), les diffractogrammes indiquent que la cristallisation intervient entre 450 et 500°C. A 450°C, aucun pic de diffraction n’est détectable ce qui signifie que la température n’est pas suffisante pour induire la cristallisation du film de SrVO 3 même en présence de la couche tampon de TiO 2 . Par ailleurs, l’épaisseur de TiO 2 (5 nm) est trop mince pour provoquer l’apparition de pics de diffraction dans les mesures DRX, mais la croissance cristalline du SrVO 3 dessus indique le caractère cristallin de la couche tampon. A 500°C, les pics caractéristiques de la phase pérovskite cubique SrVO 3 (groupe d’espace ) (ref. 2) apparaissent avec les réflexions les plus intenses (110) et (211) observées respectivement à 32,81(2) et 58,71(1)°. Par conséquent, le film possède une structure polycristalline induite par le caractère polycristallin de la couche tampon de TiO 2 . La structure polycristalline de la couche de SrVO 3 est confirmée à 550°C avec l’apparition d’autres réflexions caractéristiques (111), (002) et (220) observées à 40,51(8), 47,05(8) et 68,93(3)° et qui peuvent être attribuées à la phase SrVO 3 . Cependant, l’apparition d’un pic parasite à 28,90(9)° indique la présence d’une impureté attribuée à la phase suroxydée Sr 2 V 2 O 7 . La stabilité de l’intensité de ce pic en comparaison du pic principal (011) de SrVO 3 indique que la phase Sr 2 V 2 O 7 ne tend pas à se développer davantage avec la température de dépôt. La présence de cette phase entre en compétition avec la croissance de SrVO 3 uniquement à haute température et indique qu’un régime d’oxydation de SrVO 3 intervient probablement en raison de la diffusion de l’oxygène de la couche de TiO 2 vers SrVO 3 . Il s’agit d’un processus thermiquement activé suffisant pour former des traces de Sr 2 V 2 O 7 mais limité compte tenu de faible épaisseur de TiO 2 . La phase Sr 2 V 2 O 7 apparait à partir de 550°C et n’est pas observé à 500°C où seule la phase SrVO 3 est détectée. Le paramètre de maille cubique a c des couches de SrVO 3 polycristallines est compris entre 0,384(9) et 0,385(1) nm et semble être indépendant de la température de croissance des films. Ces valeurs sont similaires à la valeur reportée par Range et al. ( a c = 3,84(0) nm) pour SrVO 3 massif préparé par réaction à l’état solide (Ref. 2) . En général, la stabilisation épitaxiale nécessaire à la cristallisation de SrVO 3 sur un substrat monocristallin adapté se traduit systématiquement par l’apparition d’une contrainte épitaxiale et la déformation positive ou négative hors du plan de la maille de SrVO 3 suivant l’écart à la cohérence des paramètres films-substrat (Ref. 3) . Bien que SrVO 3 /TiO 2 /verre soit déposé sous forme de couche mince, la structure cristalline de SrVO 3 est ici indépendante de la nature du substrat et le paramètre a c similaire à celui mesuré pour le matériau massif. Par ailleurs, la structure polycristalline non texturée de SrVO 3 induite par la couche tampon de TiO 2 favorise un relâchement à courte distance des contraintes résiduelles. L’utilisation d’une couche de germination de TiO 2 pour la croissance de SrVO 3 permet donc avantageusement de limiter les effets habituellement induits par le substrat sur la structure et les propriétés électriques et optiques (Ref. 3) . Transport des couches de SrVO 3 Les résistivités des couches polycristallines mesurées à 300 K sont reportées dans la FIG 2 en fonction de la température de croissance. Les valeurs sont comparées à la résistivité de films monocristallins SrVO 3 de 30 nm d’épaisseur épitaxiés sur monocristal et déposés dans les mêmes conditions de croissance (Ref. 4) . La résistivité des films de SrVO 3 /TiO 2 de 100 nm d’épaisseur est comprise entre 1,68 et 5,12 x 10ˉ 4 Ω.cm. Ces valeurs sont excellentes et sont proches de la résistivité des films monocristallins de 30 nm sur LSAT (1,30 à 1,87 x 10ˉ 4 Ω.cm). Le caractère métallique des couches est confirmé par les courbes en insert qui montrent l’évolution de la résistivité en fonction de la température. Pour l’ensemble de la série, la résistivité suit une dépendance en ~ T ² caractéristique d’un régime de transport dominé par un processus de diffusion électro-électron dans système de type métal corrélé tel que Ca 1- x Sr x VO 3 (Ref. 5) . Par ailleurs, les courbes montrent clairement une diminution de la résistivité des couches avec l’augmentation de la température de croissance. Cet effet est attribué à l’amélioration de la cristallinité de la couche de SrVO 3 avec la température de croissance en accord avec les analyses DRX (FIG 1b) qui mettent en évidence une augmentation de l’intensité du pic (111) de la phase SrVO 3 avec la température. La présence de la phase parasite suroxydée Sr 2 V 2 O 7 observée à 500 et 600°C est connue pour posséder un caractère isolant (Ref. 6) mais ne semble pas affecter de manière significative le transport des couches de SrVO 3 déposées à ces températures. L’amélioration de la cristallinité et la percolation entre les grains de SrVO 3 sont finalement suffisantes pour observer une baisse de la résistivité avec la température. La diminution de l’épaisseur des couches de 100 à 20 nm s’accompagne d’une augmentation significative de la résistivité. Par exemple, ρ passe de 5,13 à 8,08 x 10ˉ 4 Ω.cm à 500°C et de 1,68 à 7,66 x 10ˉ 4 Ω.cm à 600°C. L’effet de l’épaisseur sur la conductivité a été largement observé et étudié dans la littérature pour des couches de SrVO 3 monocristallines. Il est admis que l’augmentation de ρ avec la diminution de l’épaisseur est attribuée à une modification du régime de conduction qui induit une transition isolante au-dessous d’une épaisseur seuil (Refs. 7, 8) . De même, la comparaison de la résistivité des films polycristallins SrVO 3 /TiO 2 de 20 nm avec les films de SrVO 3 d’épaisseur similaire (30 nm) épitaxiés sur un substrat LSAT (aluminate de lanthane - tantalate d'aluminium strontium) se traduit par une augmentation de ρ mais qui est due dans ce cas, à l’incorporation de nombreux joints de grains dans la microstructure de la couche SrVO 3 et la diminution de la mobilité des porteurs. Par ailleurs, la résistivité du film déposé sur TiO 2 /verre à 400°C qui est égale à ρ = 122 Ω.cm confirme le caractère isolant de la structure amorphe du SrVO 3 . La couche monocristalline de SrVO 3 déposée sur LSAT dans les mêmes conditions est conductrice ce qui s’explique par le fait que la cristallisation de SrVO 3 stabilisé par LSAT se produit dès 400°C (Ref. 4) . Globalement, les résistivités des couches de polycristallines SrVO 3 sur couche tampon TiO 2 /verre sont excellentes et répondent largement aux exigences requises pour un TCO polycristallin. Par exemple, la couche SrVO 3 intégrée à basse température (500°C) qui est la plus apte d’un point de vue technologique pour un transfert sur des substrats thermiquement sensibles (verre, silicium….) a donc une résistivité de 8,08 x 10ˉ 4 Ω.cm. Sa résistivité est comparable aux TCO polycristallins conventionnels : ITO (1,5 x 10ˉ 4 Ω.cm ( Ref. 9) ), SnO 2 :F (2,2 à 70 x 10ˉ 4 Ω.cm (Refs. 10, 11) ), ZnO dopé (2,7 à 56,5 x 10ˉ 4 Ω.cm (Refs. 12, 13) ) ou TiO 2 dopé (4,8 à 8,7 x 10ˉ 4 Ω.cm (Refs. 14, 15) ). Les métaux corrélés tels que SrVO 3 ont la particularité de posséder une très forte densité de porteurs (~2.2 x 10 22 cmˉ³) en comparaison des TCO semi-conducteurs à large gap comme l’ITO dont la concentration n’excède pas 3 x 10 21 cmˉ³ dans les cas les plus favorables (Ref. 16) . Un nombre de porteurs élevé a l’avantage d’augmenter la conductivité mais également l’inconvénient de diminuer la transparence du matériau en décalant la fréquence plasma de l’infrarouge vers le domaine visible. Dans le cas des vanadates, ce compromis entre conductivité et transparence est réalisé. La densité de porteurs mesurée à 300 K dans les films de SrVO 3 polycristallins sur TiO 2 est comprise entre 1,95 et 2,50 x 10 22 cmˉ³ (FIG 3a). Ces valeurs sont idéalement dispersées autour de la valeur théorique (~2.2 x 10 22 cmˉ³). Seul le film amorphe SrVO 3 /TiO 2 /verre déposé à 400°C a une densité de porteurs très fortement inférieure à cette valeur (1,05 x 10 20 cmˉ³) qui confirme le comportement isolant mesuré précédemment (FIG 2). Les densités de porteurs des films polycristallins de SrVO 3 sont légèrement supérieures aux valeurs mesurées dans les films monocristallins. La mobilité des porteurs de charges mesurée à 300 K est reportée dans la FIG 3b en fonction de la température de dépôt. Pour les échantillons d’épaisseurs comparables, la mobilité des films polycristallins est inférieure d’environ un ordre de grandeur à celle mesurée dans les films monocristallins. Par exemple, la mobilité passe de 2,63 à 0,37 cm².Vˉ 1 .sˉ 1 pour SrVO 3 à 500°C. Contrairement aux films épitaxiés sur monocristal, la présence de joints de grains dans la structure polycristalline limite la délocalisation des électrons dans le réseau cristallin et provoque la diminution de la mobilité des porteurs. Par ailleurs, l’augmentation de la mobilité avec la température de dépôt indique que la qualité structurale des couches s’améliore à plus haute température. Cette observation est cohérente avec les mesures de DRX qui montrent une augmentation de la cristallinité de SrVO 3 entre 500 et 600°C (FIG 1b). Seul l’échantillon amorphe SrVO 3 /TiO 2 déposé 400°C possède comme attendu, une mobilité bien en-dessous des exigences attendues pour un TCO. Transmission optique des couches de SrVO 3 Les spectres de transmission des films de SrVO 3 /TiO 2 /verre et d’un substrat non revêtu TiO 2 /verre ont été mesurés par spectrophotométrie UV-Visible-NIR entre 350 et 850 nm. Les spectres sont reportés dans FIGS 4a et 4b. L’échantillon de TiO 2 /verre possède une transmission supérieure à 80 % dans la totalité de la gamme du visible ce qui a peu d’influence sur la transmission globale des échantillons une fois revêtu par SrVO 3 . Les films SrVO 3 /TiO 2 /verre de 100 nm présentent une transmission comprise entre 35 % et 50 % (FIG 4a). Il est intéressant de noter que le film déposé à 600°C est le moins transparent et que la transmission est maximale pour le film déposé à 500°C. La diminution de l’épaisseur de la couche de SrVO 3 à 20 nm (FIG 4b) se traduit par une augmentation importante de la transmission qui atteint alors un plateau situé à 75% entre 450 et 850 nm. La transmission ne dépend plus de la température de croissance de la couche. La transparence des couches moins épaisses devient dans ce cas comparable aux valeurs de transmission typiquement mesurées pour les TCO polycristallins conventionnels (In 2 O 3 :Sn, SnO 2 :F, ZnO:Al…) et située autour de 80 % (Ref. 17) . Afin d’estimer les performances d’un TCO en considérant à la fois son comportement conducteur et transparent, il est utile de calculer le facteur de mérite Φ TC = T 10 / R carré où T est la transmission prise au centre du spectre visible à 550 nm et R carré est la résistance par carré de la couche (Ref. 18) . Le facteur de mérite des films est tracé en fonction de l’épaisseur (FIG 5) et comparé à différentes valeurs reportées dans la littérature pour SVO monocristallins (Ref. 1) et d’autres TCO standards. Le facteur de mérite des films de SrVO 3 /TiO 2 /verre de 100 nm d’épaisseur (carrés noirs, FIG 5) est comparable à celui d’un ITO polycristallin déposé sur verre ou sur un substrat flexible comme le poly-téréphtalate d’éthylène (PET). Malgré une transmission inférieure à 60% (FIG 4a), leur excellente conductivité permet d’atteindre un facteur de mérite intéressant. Par exemple, Φ TC = 5,54x10ˉ 4 Ωˉ 1 pour la couche déposée à 550°C, ce qui rivalise avec les poly-ITO sur verre (carrés gris). Le facteur de mérite des couches déposées à 500 et 600°C est nettement inférieur car la diminution de la transmission de seulement 10 à 15 % pour ces deux échantillons est amplifiée par l’exposant T 10 dans le calcul de Φ TC . Les films de 20 nm de SrVO 3 /TiO 2 /verre ont un Φ TC environ égal à 5,54x10ˉ 4 Ωˉ 1 (cercles noirs) ce qui est inférieur d’un ordre de grandeur aux films monocristallins épitaxiés (1,56x10ˉ 3 Ωˉ 1 (Ref. 1) ) mais reste comparable aux couches polycristallines de TCO conventionnels. Ceci s’explique par la structure polycristalline des couches de SrVO 3 sur TiO 2 . Comme il a été démontré précédemment, la présence de joints de grains qui s’oppose à la délocalisation électronique s’accompagne d’une baisse significative de la mobilité des porteurs par rapport à la mobilité dans les couches monocristallines (FIG 3b). Ce comportement est évidemment observé de façon identique entre les couches poly-ITO (carrés gris) et epi-ITO (triangles gris). Il a été démontré à travers les Exemples ci-dessus qu’une couche tampon polycristalline de faible épaisseur (5 nm) composée de l’oxyde binaire métallique TiO 2 est capable d’induire la cristallisation de la structure pérovskite de SVO. On observe que le TiO 2 cristallise sur des substrats amorphes comme le verre même à basse température et possède une transmission supérieure à 80 % dans le spectre visible qui n’entrave pas les propriétés optiques des vanadates. Cette couche tampon est relativement simple à mettre en œuvre avec les techniques de dépôt de couches minces habituellement utilisées dans l’industrie et représente par conséquent un procédé au coût limité. Dans les Exemples, il a été montré que les films polycristallins de SVO (vanadate de strontium) stabilisés grâce à une couche tampon de TiO 2 déposée sur verre ont des propriétés optiques et électriques comparables à celles de l’ITO. En considérant l’absence d’indium qui permet de diviser par 5 le coût du matériau tout en conservant les propriétés attendues pour un TCO standard, la croissance de SVO sur verre permet donc d’envisager concrètement les applications potentielles pour ce nouveaux TCO. Conclusion En l’absence d’une couche tampon, la cristallisation spontanée de SrVO 3 sur verre par ablation laser pulsée est impossible. Par ailleurs, on sait que contrairement à l’ITO amorphe, les couches de SrVO 3 doivent nécessairement être cristallisées pour être conductrices. L’utilisation d’une couche tampon polycristalline de l’ordre de 5 nm d’épaisseur composée de l’oxyde binaire métallique TiO 2 induit la cristallisation de SrVO 3 dès 500°C. Cette couche tampon est facile à déposer à basse température sur des substrats amorphes comme le verre à l’aide des techniques de dépôts standards (PLD, PVD, ALD…). Les couches de SrVO 3 synthétisées sont polycristallines et possèdent d’excellentes propriétés conductrices comparables aux TCO polycristallins conventionnels. Par exemple, une résistivité de 8,08 x 10ˉ 4 Ω.cm est obtenue pour 20 nm de SrVO 3 déposé à 500°C. A l’inverse des couches monocristallines, le transport dans les couches polycrystallines n’est pas influencé par la nature du substrat mais uniquement par la présence des joints de grains et par les conditions de dépôt. L’intégration et la reproductibilité des couches synthétisées est donc industriellement plus simple à mettre en œuvre. Enfin, la transmission des couches de 20 nm (~ 75 %) est également excellente et comparable à la transparence des TCO conventionnels comme l’ITO ou le ZnO dopé (~ 80 %). En conclusion, il a été démontré à travers les exemples que l’utilisation d’une couche tampon de TiO 2 induit la croissance de SrVO 3 à température modérée sur des substrats inadaptés comme le verre ou le silicium qui sont pourtant impératifs pour le type d’applications visées (dalles conductrices, photovoltaïque, blindages…). Le verrou technologique lié à leur intégration est ainsi levé et permettra dans le futur, de démocratiser les vanadates comme nouveaux TCO. En résumé, la présente invention permet de résoudre une problématique importante de certains oxydes métalliques de types pérovskite, notamment les TCO de vanadates. En effet, la cristallisation des TCO de vanadates sur des substrats inadaptés comme le verre étant un obstacle majeur, l’utilisation d’une couche de germination intermédiaire est une solution de premier plan qui permet d’envisager sérieusement des applications technologiques. REFERENCES 1. L. Zhang, Y. Zhou, L. Guo, W. Zhao, A. Barnes, H.-T. Zhang, C. Eaton, Y. 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Système conducteur multicouche d’oxydes métalliques comprenant: i. un substrat; ii. une couche d’un oxyde métallique binaire cristallin, déposée sur le substrat (i); et iii. une couche d’un oxyde métallique conducteur cristallin ayant une structure cristalline de type pérovskite superposée sur la couche d’oxyde métallique binaire (ii); l’oxyde métallique binaire de la couche (ii) ayant un désaccord de maille local de moins de 5% par rapport à celui de l’oxyde métallique de la couche (iii) ; sous réserve que lorsque l’oxyde métallique de type pérovskite de la couche (iii) est un oxyde métallique conducteur transparent cristallin, le substrat (i) est transparent et l’épaisseur de la couche d’oxyde métallique binaire cristallin (ii) est Système conducteur multicouche selon la revendication 1, dans lequel l’oxyde métallique de type pérovskite de la couche (iii) comprend : A. un oxyde métallique conducteur transparent cristallin répondant à la formule ABO 3 dans laquelle A est choisi parmi Sr ou Ca éventuellement dopé avec La ou un autre élément des groupes des lanthanides, et B est choisi parmi V, Cr, Ti ou Mo ; B. une manganite à magnétorésistance colossale de structure pérovskite répondant à la formule Ln (1-x) A x MnO 3 dans laquelle Ln représente un atome de terre rare (La, Pr, Nd, etc..), A est choisi parmi les atomes alcalinoterreux (Ba, Sr, Ca, etc…) et x représente le taux de dopage de l'alcalinoterreux; ou C. un oxyde métallique ferroélectrique de structure pérovskite répondant à la formule ABO 3 dans laquelle A est choisi parmi Ba, Pb ou K, et B est choisi parmi Ti, Zr ou Ta, de préférence A est choisi parmi Ba ou Pb, et B est choisi parmi Ti ou Zr. Système conducteur multicouche selon la revendication 1, dans lequel l’oxyde métallique de type pérovskite de la couche (iii) comprend un oxyde ferroélectrique (C), et : (i) l’oxyde métallique binaire de la couche (ii) est un oxyde métallique binaire conducteur; (ii) l’oxyde métallique binaire de la couche (ii) est un oxyde métallique binaire isolant, le substrat (i) est un substrat conducteur ; ou (iii) l’oxyde métallique binaire de la couche (ii) est un oxyde métallique binaire isolant, le substrat (i) est un substrat isolant éventuellement transparent, et le système comprend en outre une couche (iv) supplémentaire conductrice située entre le substrat (i) et la couche (ii) d’oxyde métallique binaire ; le système multicouche comprenant en outre une couche conductrice (cc) superposée sur la couche (iii). Système conducteur multicouche selon la revendication 3, dans lequel la couche conductrice (cc) comprend un matériau conducteur, tel que : - un oxyde métallique conducteur comme le TiO 2 ou ZnO sub-stœchiométrique en O ; - un oxyde perovskite conducteur; ou - une couche métallique conductrice, telle qu’une couche d’or, argent, ou aluminium. Système conducteur multicouche selon la revendication 1 ou 2, comprenant un substrat transparent (i), une couche d’oxyde métallique binaire cristallin (ii) d’épaisseur le système comprend en outre une couche transparente (ct) superposée sur la couche (iii) d’oxyde métallique conducteur, d’un oxyde métallique, de préférence conducteur, tel que TiO 2 ou ZnO sub-stœchiométrique en O, ou un oxyde isolant tel que Al 2 O 3 , SiO 2 et LaAlO 3 , la couche (iv) recouvrant tout ou partie de la couche (iii). Système conducteur multicouche selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel l’oxyde métallique binaire cristallin de la couche (ii) est choisi parmi TiO 2 , SnO 2 ou ZnO, de préférence TiO 2 . Système conducteur multicouche selon la revendication 5 ou 6, dans lequel la couche (iii) d’’oxyde métallique conducteur transparent a une épaisseur de 20 à 100 nm, de préférence 20 à 70 nm, plus préférentiellement 30 à 50 nm. Système conducteur multicouche selon l’une quelconque des revendications 5 à 7, dans lequel l’oxyde métallique conducteur transparent de la couche (iii) répondant à la formule ABO 3 est dopé sur le site A avec Ca, La, ou autres lanthanides ; et/ou sur le site B avec Ti, Cr, Mo, ou autres métaux de transition. Système conducteur multicouche selon l’une quelconque des revendications 5 à 8, dans lequel l’oxyde métallique conducteur transparent de la couche (iii) répondant à la formule ABO 3 est choisi parmi SrVO 3 , SrCrO 3 et SrMoO 3 éventuellement dopés avec Ca, La, ou autres lanthanides sur le site « Sr » tels que La 1-x Sr x VO 3 où x > 0.26 ou La 1-x Sr x CrO 3 où x > 0.5 ; ou bien CaVO 3 éventuellement dopé sur le site « Ca » avec Sr, La, ou autres lanthanides. Système conducteur multicouche selon l’une quelconque des revendications 5 à 9, dans lequel le substrat transparent (i) est un matériau transparent amorphe ou cristallin ayant une tenue en température de 500°C, tel que le verre. Système conducteur multicouche selon l’une quelconque des revendications 5 à 10, lequel a une transparence optique dans le visible > 70%, de préférence ≥ 75%. Composant électronique comprenant un système conducteur multicouche d’oxydes métalliques selon l’une quelconque des revendications 1 à 11. Procédé de préparation d’un système conducteur multicouche d’oxydes métalliques selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, comprenant: (a) le dépôt sur un substrat, éventuellement transparent, d’une couche d’un oxyde métallique binaire cristallin ; (b) la croissance cristalline d’une couche d’un oxyde métallique conducteur cristallin sur la couche d’oxyde binaire cristallin obtenue à l’étape a), l’oxyde métallique conducteur ayant une structure cristalline de type pérovskite; et (c) éventuellement le revêtement de la couche d’oxyde métallique conducteur obtenue en b) avec une couche protectrice (cp), éventuellement transparente, d’un oxyde métallique, de préférence conducteur, tel que TiO 2 ou ZnO sub-stœchiométrique en O, ou un oxyde isolant tel que Al 2 O 3 , SiO 2 et LaAlO 3 , la couche obtenue en c) recouvrant tout ou partie de la couche d’oxyde métallique conducteur obtenue en b); l’oxyde métallique binaire de l’étape a) ayant un désaccord de maille local de moins de 5% par rapport à celui de l’oxyde métallique conducteur cristallin de type pérovskite de l’étape b) ; sous réserve que lorsque l’oxyde métallique de type pérovskite de la couche de l’étape b) est un oxyde métallique conducteur transparent cristallin, le substrat de l’étape a) est transparent et l’épaisseur de la couche d’oxyde métallique binaire cristallin de l’étape a) est Procédé selon la revendication 13, dans lequel l’étape a) est réalisée par une technique de dépôt de couche mince, telle que la pulvérisation cathodique sous vide, l’épitaxie par jet moléculaire ou des techniques de dépôt chimique en phase vapeur comme l’Épitaxie en phase vapeur aux organométalliques ou le dépôt de couche mince atomique. Procédé selon la revendication 13 ou 14, dans lequel l’étape b) est réalisée à une température ≥ 400°C, de préférence par ablation par laser pulsé, par pulvérisation cathodique sous vide, par épitaxie par jet moléculaire ou par des techniques de dépôt chimique en phase vapeur comme l’Épitaxie en phase vapeur aux organométalliques ou le dépôt de couche mince atomique, tout préférentiellement par ablation par laser pulsé ou par pulvérisation cathodique sous vide. Utilisation d’un système conducteur multicouche d’oxydes métalliques selon l’une quelconque des revendications 1 à 11 : - en optoélectronique; - dans les technologies solaires tels que les cellules ou panneaux photovoltaïques; - dans la technologie des capteurs, tels que les capteurs tactiles; - dans les technologies d'affichage tels que les écrans à cristaux liquides, les écrans plats, les écrans plasma, et les écrans tactiles; - dans les revêtements réflecteurs à infrarouge tels que le filtres/miroirs infrarouges ou les vitres/vitrages à faible émissivité; - dans le blindage électromagnétique, - dans l’électronique transparente; - dans les antennes intégrées; et/ou - dans les substrats conducteurs pour les circuits intégrés. Utilisation d’une couche mince d’oxyde métallique binaire cristallin comme couche de germination pour la croissance cristalline d’un oxyde métallique ayant une structure cristalline de type pérovskite, l’oxyde métallique binaire ayant un désaccord de maille local de moins de 5% par rapport à celui de l’oxyde métallique de type pérovskite.