Brevet FR3103333A1 — publié le 20210521

Dispositif pour générer un courant La présente description concerne un dispositif pour générer un premier courant (Iout) à partir d'un deuxième courant (I1), comprenant : un transistor de sortie (10) configuré pour générer le premier courant (Iout) ; un premier circuit (20) configuré pour générer un troisième courant (I2) représentatif du deuxième courant (I1) et le tirer d'un premier noeud (30) ; un deuxième circuit (40) configuré pour générer un quatrième courant (I4) représentatif du premier courant (Iout) et le fournir au premier noeud (30) ; et un troisième circuit (50) recevant un cinquième courant (I5) représentatif d'une différence entre les troisième (I2) et quatrième courants (I4), et étant configuré pour générer un sixième courant (I6) représentatif du cinquième courant (I5) et le tirer d'une borne de commande (11) du transistor de sortie. Figure pour l'abrégé : Fig. 1 Dispositif pour générer un courant La présente description concerne de façon générale les circuits électroniques, notamment les circuits électroniques intégrés. La présente demande concerne plus particulièrement un dispositif pour générer un courant à partir d'un autre courant. On connaît des dispositifs pour générer un premier courant à partir d'un deuxième courant ayant une valeur commandée, plus faible que celle du premier courant, le premier courant correspondant alors au deuxième courant multiplié par un facteur positif supérieur à 1. De tels dispositifs sont par exemple utilisés comme circuits de pilotage d'un transistor MOS de puissance, le premier courant permettant alors de charger ou décharger la grille du transistor de puissance. Toutefois, ces dispositifs connus présentent des inconvénients. Il existe un besoin de pallier tout ou partie des inconvénients des dispositifs connus pour générer un premier courant à partir d'un deuxième courant, en particulier quand le deuxième courant a une valeur commandée, plus faible que celle du premier courant. Ainsi, un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs connus pour générer un premier courant à partir d'un deuxième courant, en particulier quand le deuxième courant a une valeur commandée, plus faible que celle du premier courant. Un mode de réalisation prévoit un dispositif pour générer un premier courant à partir d'un deuxième courant, dans lequel, par rapport aux dispositifs connus, une durée entre un changement de valeur du deuxième courant et un changement de valeur correspondant du premier courant est réduite, en particulier quand le deuxième courant a une valeur commandée, plus faible que celle du premier courant. Un mode de réalisation prévoit un dispositif pour générer un premier courant à partir d'un deuxième courant, dans lequel, par rapport aux dispositifs connus, la valeur du premier courant est moins sensible à une variation d'un potentiel de référence, ou masse virtuelle, du dispositif, en particulier quand le deuxième courant a une valeur commandée, plus faible que celle du premier courant. Un mode de réalisation prévoit un dispositif pour générer un premier courant à partir d'un deuxième courant, le dispositif comprenant : un transistor de sortie configuré pour générer le premier courant ; un premier circuit configuré pour générer un troisième courant représentatif du deuxième courant et pour tirer le troisième courant d'un premier noeud du dispositif ; un deuxième circuit configuré pour générer un quatrième courant représentatif du premier courant circulant dans le transistor de sortie et pour fournir le quatrième courant au premier noeud ; et un troisième circuit connecté au premier noeud pour recevoir un cinquième courant représentatif d'une différence entre les troisième et quatrième courants, le troisième circuit étant configuré pour générer un sixième courant représentatif du cinquième courant et pour tirer le sixième courant d'une borne de commande du transistor de sortie. Selon un mode de réalisation, le dispositif est configuré pour que le premier courant soit égal à j fois le deuxième courant avec j supérieur ou égal à 25, par exemple supérieur ou égal à 50, de préférence supérieur ou égal à 100. Selon un mode de réalisation, le troisième circuit est configuré pour que le sixième courant soit égal à k fois le cinquième courant, avec k compris entre 10 et 20. Selon un mode de réalisation, le dispositif est configuré pour qu'une variation du deuxième courant entraine une variation correspondante des troisième et quatrième courants, et que ladite variation du troisième courant soit plus rapide que ladite variation du quatrième courant. Selon un mode de réalisation, un miroir de courant du premier circuit comprend une première branche reliée à un deuxième noeud configuré pour recevoir le deuxième courant, et une deuxième branche connectée au premier noeud et configurée pour tirer le troisième courant du premier noeud. Selon un mode de réalisation, le premier circuit est en outre configuré pour fournir un septième courant à la borne de commande du transistor de sortie, le septième courant étant déterminé par le deuxième courant. Selon un mode de réalisation : un premier transistor du premier circuit comprend une première borne de conduction connectée à la borne de commande du transistor de sortie et déconnectée du premier noeud ; et un deuxième transistor du premier circuit comprend une première borne de conduction connectée à la première branche du miroir de courant du premier circuit, et une deuxième borne de conduction et une borne de commande connectées au deuxième noeud et à une borne de commande du premier transistor. Selon un mode de réalisation : un premier transistor du deuxième circuit comprend une borne de commande connectée à la borne de commande du transistor de sortie ; et un miroir de courant du deuxième circuit comprend une première branche connectée à une première borne de conduction du premier transistor du deuxième circuit et une deuxième branche connectée au premier noeud. Selon un mode de réalisation, un miroir de courant du troisième circuit comprend une première branche connectée au premier noeud et configurée pour recevoir le cinquième courant, et une deuxième branche connectée à la borne de commande du transistor de sortie et configurée pour tirer le sixième courant de la borne de commande du transistor de sortie. Selon un mode de réalisation, les premier, deuxième, troisième et quatrième courants sont tous positifs ou tous négatifs. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre une source de courant configurée pour fournir le deuxième courant. Selon un mode de réalisation, chacun des premier et deuxième circuits est connecté entre un noeud configuré pour recevoir un premier potentiel, et un noeud configuré pour recevoir un deuxième potentiel, le troisième circuit étant connecté au noeud configuré pour recevoir le deuxième potentiel, et le transistor de sortie ayant une borne de conduction connectée au noeud configuré pour recevoir le deuxième potentiel. Selon un mode de réalisation, ladite source de courant est connectée entre ledit noeud configuré pour recevoir le premier potentiel et le premier circuit. Selon un mode de réalisation, le premier potentiel est supérieur au deuxième potentiel. Selon un mode de réalisation, le deuxième potentiel est un potentiel de référence du dispositif. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 représente, de manière schématique et sous la forme de blocs, un mode de réalisation d'un dispositif pour générer un premier courant à partir d'un deuxième courant ; la figure 2 représente, de manière schématique et sous la forme de blocs, un mode de réalisation plus détaillé du dispositif de la figure 1 ; et la figure 3 représente, sous la forme d'un circuit, un mode de réalisation encore plus détaillé du dispositif de la figure 1. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les circuits électroniques usuels comprenant un dispositif pour générer un premier courant à partir d'un deuxième courant n'ont pas été détaillés, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec ces circuits électroniques usuels. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Dans la suite de la description, on considère sauf indication contraire, qu'un courant est plus faible qu'un autre courant lorsque la valeur absolue de ce courant donné est plus faible que la valeur absolue de l'autre courant. Par ailleurs, dans la suite de la description, on considère sauf indication contraire qu'un courant donné est un multiple d'un autre courant lorsque ce courant donné est égal au produit de l'autre courant par un facteur positif. En outre, dans la suite de la description, on considère qu'un courant, positif ou négatif, est fourni à un noeud, un circuit ou une borne, ou reçu par un noeud, un circuit ou une borne lorsque le courant circule vers ce noeud, ce circuit ou cette borne, et, à l'inverse, que le courant est tiré d'un noeud, d'un circuit ou d'une borne lorsque le courant circule depuis ce noeud, ce circuit ou cette borne. Un courant est dit généré par un circuit lorsque ce courant est fourni à un noeud ou une borne par le circuit ou tiré de ce noeud ou cette borne par le circuit. La figure 1 représente, de manière schématique et sous la forme de blocs, un mode de réalisation d'un dispositif 1 pour générer un courant Iout à partir d'un courant I1 plus faible que le courant Iout. Dit autrement, le dispositif 1 est configuré pour générer le courant Iout à partir du courant I1 de sorte que le courant Iout soit un multiple du courant I1, et plus particulièrement pour que le courant Iout soit égal à j fois le courant I1 avec j supérieur à 1. De préférence, j est supérieur ou égal à 25, par exemple supérieur ou égal à 50, voire supérieur ou égal à 100. Dans la description qui suit, le courant I1 est un courant dont la valeur est commandée, c'est-à-dire un courant dont la valeur est modifiée au moyen d'un signal de commande (non illustré). Le dispositif 1 comprend un transistor de sortie 10 configuré pour générer le courant Iout. Dit autrement, le transistor 10 est commandé de manière à ce que le courant Iout circule entre ses bornes de conduction. A titre d'exemple, le transistor 10 est un transistor MOS. Dans cet exemple, les courants I1 et Iout sont positifs et le transistor 10 est un transistor NMOS, le courant Iout circulant du drain (en haut en figure 1) vers la source (en bas en figure 1) du transistor 10. Le dispositif 1 comprend un circuit 20 configuré pour générer un courant I2 à partir du courant I1 et pour tirer le courant I2 d'un noeud 30 du dispositif 1. Le circuit 20 comprend une entrée 21 configurée pour recevoir le courant I1. Le circuit 20 comprend une sortie 23 connectée au noeud 30, le courant I2 circulant du noeud 30 vers la sortie 23. Le circuit 20 est plus particulièrement configuré pour générer un courant I2 représentatif du courant I1. Par exemple, le circuit 20 est configuré pour que le courant I2 soit un multiple du courant I1, de préférence pour que les courants I1 et I2 soient égaux. Dans cet exemple où le courant I1 est positif, le courant I2 est également positif. Le circuit 20 est en outre configuré pour fournir un courant I3 à la borne de commande 11 du transistor 10, c'est-à-dire à la grille 11 du transistor 10 lorsque ce dernier est un transistor MOS. Le circuit 20 comprend une sortie 25 connectée à la borne 11 du transistor 10, la sortie 25 étant configurée pour fournir le courant I3 à la borne 11. Le courant I3 est déterminé par le courant I1. Plus particulièrement, le circuit 20 est configuré pour que, au moins quand la valeur du courant I1 est stable ou constante (régime statique ou permanent), le courant Iout circulant dans le transistor 10 soit égal à j fois le courant I1. Dit autrement, le circuit 20 est configuré pour imposer, au moins en régime statique, un potentiel de commande sur la borne 11 du transistor 10 dont la valeur est déterminée par la valeur du courant I1, de sorte que le courant Iout circulant dans le transistor 10 soit égal à j fois le courant I1. Le dispositif 1 comprend un circuit 40 configuré pour générer un courant I4 représentatif du courant Iout circulant dans le transistor 10 et pour fournir le courant I4 au noeud 30. Le circuit 40 comprend une entrée 41 connectée à la borne 11 du transistor 10, l'entrée 41 étant par exemple configurée pour recevoir le potentiel de la borne 11. Le circuit 40 comprend une sortie 43 connectée au noeud 30, la sortie 43 étant configurée pour fournir le courant I4 au noeud 30. Le circuit 40 est plus particulièrement configuré pour générer le courant I4 à partir du potentiel sur la borne 11 du transistor 10, de préférence sans tirer ou fournir de courant à la borne 11. Dit autrement, la valeur du courant I4 est déterminée par la valeur du potentiel sur la borne 11 du transistor 10. A titre d'exemple, le circuit 40 est configuré pour que le courant I4 soit un multiple du courant Iout. De préférence, le courant I4 est plus faible que le courant Iout. De préférence, le courant I4 est au moins 10 fois plus faible, par exemple au moins 50 fois plus faible, voire au moins 100 fois plus faible que le courant Iout. En outre, de préférence, le courant I4 est inférieur à 2 fois le courant I1. Dans cet exemple où le courant Iout est positif, le courant I4 est également positif. Le dispositif 1 comprend un circuit 50 connecté au noeud 30 pour recevoir un courant I5 égal à une différence entre les courants I2 et I4, et, plus exactement, pour recevoir le courant I5 égal au courant I4 fourni au noeud 30 moins le courant I2 tiré du noeud 30. Le circuit 50 a une entrée 51 connectée au noeud 30, l'entrée 51 étant configurée pour recevoir le courant I5. Le circuit 50 est en outre configuré pour générer un courant I6 à partir du courant I5, et pour tirer le courant I6 de la borne 11 du transistor 10. Le circuit 50 a une sortie 53 connectée à la borne 11, la sortie 53 étant configurée pour tirer le courant I6 de la borne 11. Le courant I6 est un multiple du courant I5. De préférence, le courant I6 est égal à k fois le courant I5, avec k supérieur à 1, par exemple compris entre 10 et 20. Dans le dispositif 1, le transistor 10 comprend une capacité parasite entre sa borne de commande et chacune de ses bornes de conduction. En régime statique, le courant I1 est constant, ce qui entraîne que le courant I2 est constant. En outre, le courant Iout est constant, ce qui entraine que le courant I4 est constant. Du fait que les courants I2 et I4 sont constants, le courant I5 est constant, d'où il résulte que le courant I6 est également constant. En outre, en régime statique, la valeur du courant I1 impose le potentiel de la borne 11 du transistor 10, via le circuit 20, et, plus particulièrement, via le potentiel sur la sortie 25 du circuit 20. La différence de potentiel aux bornes de chacune des capacités parasites du transistor 10 est alors constante et telle que le courant Iout est égal à j fois le courant I1. Du fait qu'aucun courant n'est tiré ou fourni à la borne 11 par le circuit 40 ou le transistor 10, le courant I3 est alors égal au courant I6. Pour illustrer le fonctionnement du dispositif 1 en régime dynamique, on considère à titre d'exemple le cas où la valeur du courant I1 diminue, en valeur absolue. Suite à cette diminution du courant I1, le circuit 20 tend à diminuer le potentiel sur la borne 11 du transistor 10, de sorte que le courant Iout diminue en même temps que le courant I1. Toutefois, du fait que le transistor 10 comprend des capacités parasites entre ses bornes de conduction et sa borne 11, le potentiel sur la borne 11 diminue avec un retard par rapport à la diminution du courant I1, d'où il résulte que le courant Iout diminue avec un retard par rapport à la diminution du courant I1. Dans le même temps, le courant I2 diminue en suivant la diminution du courant I1, avec un retard plus faible que celui avec lequel le courant Iout suit la diminution du courant I1. Comme le courant Iout, donc le courant I4, diminue moins vite que le courant I2, le courant I5 augmente, d'où il résulte que le courant I6 augmente également. L'augmentation du courant I6 tiré sur la borne 11 du transistor 10 permet d'accélérer la décharge des capacités parasites du transistor 10, donc la diminution du potentiel de la borne 11, et donc la diminution du courant Iout. Le fonctionnement du dispositif 1 en régime dynamique suite à une augmentation du courant I1 se déduit du fonctionnement décrit ci-dessus, en particulier, une augmentation du courant I1 conduit à une diminution du courant I6 tiré de la borne 11, d'où il résulte une augmentation du courant chargeant les capacités parasites du transistor 10, donc une augmentation du potentiel de la borne 11 entraînant une augmentation du courant Iout. Ainsi, dans le dispositif 1, la prévision du courant I6 permet d'accélérer la vitesse à laquelle les capacités parasites du transistor 10 se chargent et se déchargent suite respectivement à une augmentation et à une diminution du courant I1, par rapport à un dispositif dans lequel le courant I6 ne serait pas tiré de la borne 11 du transistor 10. Dit autrement, le dispositif 1 permet qu'une modification du courant I1 entraîne une modification correspondante du courant Iout plus rapide que dans un dispositif où le courant I6 ne serait pas tiré de la borne 11. Le fonctionnement du dispositif 1 résulte du fait que le courant I4 est représentatif du courant Iout, le courant I2 est représentatif du courant I1, le courant I2 varie plus rapidement que le courant Iout suite à une variation du courant I1, et le courant I6 tiré de la borne 11 correspond à un multiple du courant I5 qui correspond lui-même à la différence entre les courants I4 et I2. La figure 2 représente, de manière schématique et sous la forme de blocs, un mode de réalisation plus détaillé du dispositif 1. Seules les différences entre les dispositifs 1 des figures 1 et 2 sont ici mises en exergue. En figure 2, par rapport à la figure 1, on a en outre représenté la façon dont les circuits 20, 40 et 50 sont connectés à deux conducteurs électriques, noeuds ou rails, respectivement 60 et 70, pour être alimentés. Les rails 60 et 70 sont configurés pour recevoir deux potentiels différents respectivement V60 et V70, un des deux potentiels jouant le rôle de potentiel d'alimentation du dispositif 1, l'autre des deux potentiels jouant le rôle de potentiel de référence du dispositif 1. Dans le mode de réalisation représenté, le potentiel V60 du rail 60 (en bas en figure 2) constitue le potentiel de référence du dispositif 1. En outre, le potentiel V70 du rail 70 (en haut en figure 2) constitue le potentiel d'alimentation du dispositif 1. Le potentiel V70 est alors supérieur au potentiel V60. Le transistor 10 a une borne de conduction, dans cet exemple sa source, reliée, de préférence connectée, au rail 60. Selon un mode de réalisation, lorsque le courant Iout est fourni à la grille d'un transistor MOS (non représenté), par exemple un transistor NMOS commandant par exemple une charge active telle qu'un moteur, le rail 60 est relié, de préférence connecté, à la grille de ce transistor MOS. La borne de conduction du transistor 10 qui n'est pas connectée au rail 60 est alors par exemple connectée au rail 70 (en haut en figure 2). Selon une variante de réalisation, lorsque le courant Iout est tiré de la grille d'un transistor MOS (non représenté), par exemple un transistor NMOS commandant par exemple une charge active telle qu'un moteur, le rail 60 est relié, de préférence connecté, à la source de ce transistor MOS. La borne de conduction du transistor 10 qui n'est pas connectée au rail 60 est alors par exemple connectée à la grille de ce transistor MOS. Dans ce mode de réalisation, chacun des circuits 20, 40 et 50 est connecté au rail 60. Par exemple, les circuits 20, 40 et 50 comprennent une entrée respectivement 27, 45 et 55 connectée au rail 60 pour recevoir le potentiel de référence V60. Dans ce mode de réalisation, chacun des circuits 20 et 40 est en outre connecté au rail 70. Par exemple, les circuits 20 et 40 comprennent une entrée respectivement 29 et 47 connectée au rail 70 pour recevoir le potentiel d'alimentation V70. Dans ce mode de réalisation, le circuit 50 est alimenté par le potentiel sur la borne 11 du transistor 10, via son entrée 53. Lorsque le potentiel V60 varie, la différence de potentiel entre la grille et la source du transistor 10 varie de manière correspondante. Il en résulte que, même si la valeur du courant I1 est constante, la valeur du courant Iout peut être modifiée et ne plus correspondre à la valeur attendue déterminée par la valeur du courant I1. Toutefois, comme le courant I1 n'est pas modifié, le courant I2 ne l'est pas non plus. En outre, le courant I4 suit le changement de valeur du courant Iout. Il en résulte une variation du courant I5, donc du courant I6 ce qui permet de charger ou décharger la grille du transistor 10 de manière que le courant Iout retrouve la valeur attendue déterminée par le courant I1. En particulier, le courant Iout retrouve cette valeur attendue déterminée par le courant I1 plus rapidement que dans les dispositifs connus permettant de générer un courant Iout dont la valeur est déterminée par un courant I1. Ainsi, le dispositif 1 permet de maintenir le courant Iout à une valeur déterminée par la valeur du courant I1, même lorsque le potentiel de référence V60 présente des variations de sa valeur. Cela ne serait pas le cas si le courant I6 n'était pas tiré de la borne 11. En figure 2, on a représenté une source de courant 80 configurée pour fournir le courant I1 au circuit 20, et plus particulièrement à l'entrée 21 du circuit 20. La source de courant 80 est commandée par un signal de commande non illustré, l'état ou la valeur de ce signal de commande déterminant la valeur du courant I1 fourni par la source de courant 80, donc la valeur du courant Iout. Dans ce mode de réalisation, la source de courant 80 est connectée entre le circuit 20 et le rail 70, et, plus exactement, entre l'entrée 21 du circuit 20 et le rail 70. Selon un mode de réalisation, la source de courant 80 fait partie du dispositif 1. Selon une variante de réalisation, la source de courant 80 est externe au dispositif 1. La figure 3 représente, sous la forme de circuits, un mode de réalisation encore plus détaillé du dispositif 1 des figures 1 et 2. Seules les différences entre les dispositifs 1 des figures 2 et 3 sont ici mises en exergue. En figure 3, les circuits 20, 40 et 50 sont représentés en pointillé. Selon un mode de réalisation, le circuit 20 comprend un transistor 201 et un transistor 203, par exemple des transistors MOS, par exemple des transistors NMOS dans cet exemple où le courant I1 et le courant I3 sont positifs. Le transistor 201 comprend une borne de conduction, dans cet exemple sa source, connectée à la sortie 25 du circuit 20, ou, dit autrement, à la borne 11 du transistor 10. L'autre borne de conduction du transistor 201, dans cet exemple son drain, est ici connectée à l'entrée 29 du circuit 20, ou, dit autrement, au rail 70. Le transistor 203 comprend une borne de conduction, dans cet exemple son drain, connectée à l'entrée ou noeud 21 du circuit 20 pour recevoir le courant I1. L'autre borne de conduction du transistor 203, dans cet exemple sa source, est reliée au rail 60. Plus particulièrement, comme cela est représenté en figure 3, cette autre borne de conduction du transistor 203 est connectée à un noeud 205 relié au rail 60. En outre, la borne de commande du transistor 203 est connectée à l'entrée 21 du circuit 20, et à la borne de commande du transistor 201. En fonctionnement, le courant I1 circule entre les bornes de conduction du transistor 203, du rail 70 vers le rail 60, et le courant I3 circule entre les bornes de conduction du transistor 201, du rail 70 vers la sortie 25, ou, dit autrement, vers la borne 11 du transistor 11. Le courant I1, ou, dit autrement, la source de courant 80, impose le potentiel sur la borne de commande du transistor 203, donc sur la borne de commande du transistor 201. Le courant I1 détermine donc le courant I3, ou, dit autrement, le potentiel de la sortie 25 du circuit 20, donc de la borne 11 du transistor 10. De préférence, les transistors 201 et 203 sont identiques, ou, dit autrement, ont chacun un même rapport W/L avec L la longueur de grille du transistor, et W la largeur de grille du transistor. Dans ce cas, en régime statique ou permanent, le courant I3 est égal au courant I1. Selon un mode de réalisation, le circuit 20 comprend un miroir de courant 207. Une première branche du miroir de courant 207 (à gauche en figure 3) est reliée au noeud 205 configuré pour recevoir le courant I1, de sorte que la première branche du miroir de courant reçoit le courant I1. Une deuxième branche du miroir de courant (à gauche en figure 3) est connectée à la sortie 23 du circuit 20, ou, dit autrement, au noeud 30, pour tirer le courant I2 du noeud 30. Le miroir de courant 207 est configuré pour que le courant I2 soit représentatif du courant I1, par exemple pour que le courant I2 soit un multiple du courant I1, de préférence égal au courant I1. En fonctionnement, le courant I1 circule dans la première branche du miroir de courant 207 depuis le noeud 205, le courant I2 circulant dans la deuxième branche du miroir de courant depuis le noeud 30. Dans le mode de réalisation illustré par la figure 3, la première branche du miroir de courant 207 est connectée entre le noeud 205 et le noeud 27 du circuit 20, ou, dit autrement, la première branche du miroir de courant 207 relie le noeud 205 au rail 60. En outre, la deuxième branche du miroir de courant 207 est connectée entre les noeuds 23 et 27 du circuit 20, ou, dit autrement, entre le noeud 30 et le rail 60. Dit encore autrement, la deuxième branche du miroir de courant relie le noeud 30 au rail 60. A titre d'exemple, comme cela est représenté en figure 3, les première et deuxième branches du miroir de courant 207 comprennent chacune un transistor respectivement 2071 et 2072. A titre d'exemple, les transistors 2071 et 2072 sont des transistors MOS, par exemple des transistors NMOS dans cet exemple où les courants I1 et I2 sont positifs. Le transistor NMOS 2071 a une borne de conduction, dans cet exemple son drain, connecté au noeud 205, le transistor NMOS 2072 a une borne de conduction, dans cet exemple son drain, connectée au noeud 30, l'autre borne de conduction, dans cet exemple la source, de chacun des transistors 2071 et 2072 étant connectée au rail 60. En outre, la borne de commande du transistor 2071 est connectée au noeud 205 et à la borne de commande du transistor 2072. De préférence, les transistors 2071 et 2072 sont identiques, ou, dit autrement, ont le même rapport W/L, les courants I1 et I2 étant alors égaux. Dans le circuit 20, lorsqu'une modification du courant I1 entraîne une modification correspondante du courant I2 et une modification correspondante du courant I3, ou, dit autrement, du potentiel sur la sortie 25 du circuit, la modification du courant I2 suit la modification du courant I1 plus rapidement, ou, dit autrement, avec un retard plus faible, que la modification du potentiel de la sortie 25. Cela résulte du fait que la sortie 25 est connectée aux capacités parasites du transistor MOS 10 qui ralentisse les modifications du potentiel de la sortie 25, alors que la sortie 23 est connectée au noeud 30 qui est découplé de la borne 11. En outre, les éventuelles capacités (parasites ou intrinsèques) présentent sur le noeud 30 ont des valeurs plus faibles que celles du transistor MOS 10. Selon un mode de réalisation, le circuit 40 comprend un transistor 401, par exemple un transistor MOS, par exemple un transistor NMOS dans cet exemple où le courant I4 est positif. Le transistor 401 comprend une borne de commande connectée à la borne 11 du transistor 10. En outre, le transistor 401 comprend une borne de conduction, dans cet exemple sa source, connectée à une même borne de conduction, dans cet exemple la source, du transistor 10. Dit autrement, cette borne de conduction du transistor 401 est connectée au noeud 45 du circuit 40, donc au rail 60 auquel est connectée la même borne de conduction du transistor 10. L'autre borne de conduction du transistor 401, dans cet exemple son drain, est reliée au rail 70. Par exemple, cette autre borne de conduction du transistor 401 est connectée à un noeud 403 relié au rail 70. Ainsi, dans le circuit 40, le transistor 401 est commandé par le même potentiel que celui commandant le transistor 10, à savoir le potentiel du noeud 11. Il en résulte qu'un courant I7 circulant entre les bornes de conduction du transistor 401, dans cet exemple un courant I7 positif circulant du rail 70 vers le rail 60, est représentatif du courant Iout circulant dans le transistor 10. Dit autrement, le courant I7 est un multiple du courant Iout, le courant I7 étant de préférence plus faible que le courant Iout, par exemple au moins 10 fois plus faible, par exemple au moins 50 fois plus faible, voire au moins 100 fois plus faible que le courant Iout. Le circuit 40 comprend en outre un miroir de courant 405. Le miroir de courant 405 est configuré pour générer le courant I4 à partir du courant I7. Dit autrement, le miroir de courant 405 est configuré pour générer le courant I4 de sorte qu'il soit représentatif du courant I7, donc du courant Iout. Le courant I4 est alors un multiple du courant I7, de préférence est égal au courant I7. Une première branche du miroir de courant 405 (à droite en figure 3) est connectée au noeud 403, de sorte que le courant I7 circule dans cette première branche. Dit autrement, la première branche du miroir de courant 405 est connectée entre le noeud 403 et le noeud 47, donc entre le noeud 403 et le rail 70. Une deuxième branche du miroir de courant 405 (à gauche en figure 3) est connectée au noeud 30, de sorte que le courant I4 soit fourni au noeud 30 par cette deuxième branche du miroir de courant 405. Dit autrement, la deuxième branche du miroir de courant 405 est connectée entre le noeud 47 et le noeud 43, donc entre le rail 70 et le noeud 30. A titre d'exemple, comme cela est représenté en figure 3, les première et deuxième branches du miroir de courant 405 comprennent chacune un transistor respectivement 4051 et 4052. A titre d'exemple, les transistors 4051 et 4052 sont des transistors MOS, par exemple des transistors PMOS dans cet exemple où les courant I7 et I4 sont positifs. Le transistor NMOS 4051 a une borne de conduction, dans cet exemple son drain, connecté au noeud 403, le transistor NMOS 4052 a une borne de conduction, dans cet exemple son drain, connectée au noeud 30, l'autre borne de conduction, dans cet exemple la source, de chacun des transistors 4051 et 4052 étant connectée au rail 70. En outre, la borne de commande du transistor 4051 est connectée au noeud 403 et à la borne de commande du transistor 4052. De préférence, les transistors 4051 et 4052 sont identiques, ou, dit autrement, ont le même rapport W/L, les courants I7 et I4 étant alors égaux. Selon un mode de réalisation, le circuit 50 comprend un miroir de courant 501. Le miroir de courant 501 est configuré pour générer le courant I6 à partir du courant I5. Dit autrement, le miroir de courant 501 est configuré pour générer le courant I6 de sorte qu'il soit représentatif du courant I5. Le courant I6 est alors un multiple du courant I5. De préférence, le courant I6 est supérieur ou égal à 10 fois le courant I5. De préférence, le courant I6 est inférieur ou égal à 20 fois le courant. Une première branche du miroir de courant 501 (à gauche en figure 3) est connectée au noeud 51 du circuit 50, donc au noeud 30, pour recevoir le courant I5, de sorte que le courant I5 circule dans cette première branche. Dit autrement, la première branche du miroir de courant 501 est connectée entre les noeuds 51 et 55 du circuit 50, donc entre le noeud 30 et le rail 60. Une deuxième branche du miroir de courant 501 (à droite en figure 3) est connectée au noeud 53 du circuit 50, donc à la borne 11 du transistor 10, de sorte que le courant I6 soit tiré de la borne 11 par cette deuxième branche du miroir de courant 501. Dit autrement, la deuxième branche du miroir de courant 501 est connectée entre les noeuds 53 et 55 du circuit 50, donc entre le rail 60 et la borne 11 du transistor 10. A titre d'exemple, comme cela est représenté en figure 3, les première et deuxième branches du miroir de courant 501 comprennent chacune un transistor respectivement 5011 et 5012. A titre d'exemple, les transistors 5011 et 5012 sont des transistors MOS, par exemple des transistors NMOS dans cet exemple où le miroir de courant 501 est connecté au rail 60. Le transistor NMOS 5011 a une borne de conduction, dans cet exemple son drain, connecté au noeud 30, le transistor NMOS 5012 a une borne de conduction, dans cet exemple son drain, connectée à la borne 11, l'autre borne de conduction, dans cet exemple la source, de chacun des transistors 5011 et 5012 étant connectée au rail 60. En outre, la borne de commande du transistor 5011 est connectée au noeud 30 et à la borne de commande du transistor 5012. De préférence, le rapport W/L du transistor 5012 est supérieur à celui du transistor 5011, par exemple le rapport W/L du transistor 5012 est égal à k fois celui du transistor 5011, avec k compris entre 10 et 20. A titre d'exemple de mise en oeuvre particulier, les transistors 203 et 201 ont un même rapport W/L, les transistors 2071 et 2072 ont un même rapport W/L par exemple égal à celui des transistors 201 et 203, les transistors 4052 et 4051 ont un même rapport W/L par exemple égal à celui des transistors 203 et 201, le transistor 5012 a un rapport W/L égal à k fois le rapport W/L du transistor 5011, le rapport W/L du transistor 5011 étant par exemple égal à celui des transistor 201 et 203, le transistor 10 a un rapport W/L égal à N fois celui des transistors 201 et 203, le rapport W/L du transistor 401 étant par exemple égal à celui des transistors 201 et 203. Dans cet exemple, en régime statique, les courants I1, I2, I3 et I6 sont égaux, le courant I5 est égal au courant I6 divisé par 15, et les courants I7 et I4 sont égaux à (1+1/k)*I1. En outre, les transistors 401 et 10 ayant le même potentiel de grille, et le même potentiel de source, le courant Iout est égal à N*(1+1/k)*I1. Le courant Iout est alors bien déterminé par la valeur du courant I1. Dit autrement, le courant Iout est égal à j fois le courant I1 avec j égal à N*(1+1/k). De préférence, le facteur k est choisi suffisamment grand, par exemple supérieur ou égal à 10 pour que le courant Iout soit considéré comme sensiblement égal à N*I1, de sorte que, en choisissant N égal à j, le dispositif 1 fournisse un courant Iout sensiblement égal à j*I1. En outre, de préférence, le facteur k est choisi suffisamment petit, par exemple inférieur ou égal à 20, pour éviter d'éventuelles instabilités dans le dispositif 1 qui pourraient survenir si la différence I5 entre les courants I2 et I4 était trop amplifiée par le circuit 50, et, plus précisément, par le miroir de courant 501 du circuit 50. Dans le dispositif 1 décrit en relation avec les figures 1 à 3, à chaque fois qu'un transistor a été décrit, on comprend que ce transistor peut être mis en oeuvre au moyen d'un unique transistor ou d'une pluralité de transistors connectés en parallèle. En particulier, le transistor MOS 10 peut correspondre à un unique transistor MOS dont le rapport W/L est égal à N fois celui du transistor MOS 201. Le transistor MOS 10 peut également correspondre à une pluralité de transistors MOS connectés en parallèle, c'est-à-dire ayant tous des mêmes bornes de conduction, par exemple leurs sources, connectées entre elles, des mêmes autres bornes de conduction, par exemple leurs drains, connectées entre elles, et leurs bornes de commande connectées entre elles. Par exemple, le transistor 10 peut être mis en oeuvre au moyen de N transistor MOS en parallèle ayant un rapport W/L égal à celui du transistor 201. Par ailleurs, bien que l'on ait choisi ci-dessus, par convention, un sens de circulation pour chaque courant et que l'on ait indiqué que ce courant est tiré d'un noeud ou d'une borne, ou fourni à ce noeud ou cette borne, pour le sens de circulation choisi, on aurait pu choisir d'inverser le sens de circulation du courant choisi par convention, et ce courant aurait alors été respectivement fourni à ce noeud ou cette borne, ou tiré de ce noeud ou de cette borne. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. L’homme de l’art comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaitront à l’homme de l’art. En particulier, on a décrits des modes de réalisation où les courants I1, I2, I3, I4 et Iout sont positifs pour les sens de circulation choisis pour ces courants. L'homme du métier est en mesure d'adapter ces modes de réalisation au cas où, en conservant les sens de circulation choisis pour ces courants, ces derniers sont tous négatifs, par exemple en remplaçant tous les transistors NMOS, respectivement PMOS, décrits en relation avec la figure 3, par des transistors PMOS, respectivement NMOS. En outre, bien que l'on ait décrit des modes de réalisation dans lesquels les transistors sont des transistors MOS, l'homme du métier est en mesure d'adapter ces modes de réalisation au cas où les transistors sont des transistors bipolaires. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de l’homme du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. En particulier, l'homme du métier est en mesure de dimensionner les divers transistors décrits de manière que le dispositif 1 fonctionne comme cela a été décrit précédemment, notamment de manière que, pour une valeur j choisie, le courant Iout soit égal à j fois le courant I1. Dispositif pour générer un premier courant (Iout) à partir d'un deuxième courant (I1), le dispositif comprenant : un transistor de sortie (10) configuré pour générer le premier courant (Iout) ; un premier circuit (20) configuré pour générer un troisième courant (I2) représentatif du deuxième courant (I1) et pour tirer le troisième courant (I2) d'un premier noeud (30) du dispositif ; un deuxième circuit (40) configuré pour générer un quatrième courant (I4) représentatif du premier courant (Iout) circulant dans le transistor de sortie (10) et pour fournir le quatrième courant (I4) au premier noeud (30) ; et un troisième circuit (50) connecté au premier noeud (30) pour recevoir un cinquième courant (I5) représentatif d'une différence entre les troisième (I2) et quatrième courants (I4), le troisième circuit (50) étant configuré pour générer un sixième courant (I6) représentatif du cinquième courant (I5) et pour tirer le sixième courant (I6) d'une borne de commande (11) du transistor de sortie. Dispositif selon la revendication 1, configuré pour que le premier courant (Iout) soit égal à j fois le deuxième courant (I1) avec j supérieur ou égal à 25, par exemple supérieur ou égal à 50, de préférence supérieur ou égal à 100. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le troisième circuit (50) est configuré pour que le sixième courant (I6) soit égal à k fois le cinquième courant (I5), avec k compris entre 10 et 20. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, configuré pour qu'une variation du deuxième courant (I1) entraine une variation correspondante des troisième (I2) et quatrième (I4) courants, et que ladite variation du troisième courant (I2) soit plus rapide que ladite variation du quatrième courant (I4). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel un miroir de courant (207) du premier circuit (20) comprend une première branche (2071) reliée à un deuxième noeud (21) configuré pour recevoir le deuxième courant (I1), et une deuxième branche (2072) connectée au premier noeud (30) et configurée pour tirer le troisième courant (I2) du premier noeud (30). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le premier circuit (20) est en outre configuré pour fournir un septième courant (I3) à la borne de commande (11) du transistor de sortie (10), le septième courant (I3) étant déterminé par le deuxième courant (I1). Dispositif selon les revendications 5 et 6, dans lequel : un premier transistor (201) du premier circuit (20) comprend une première borne de conduction connectée à la borne de commande (11) du transistor de sortie (10) et déconnectée du premier noeud (30) ; et un deuxième transistor (203) du premier circuit comprend une première borne de conduction connectée à la première branche (2071) du miroir de courant (207) du premier circuit (20), et une deuxième borne de conduction et une borne de commande connectées au deuxième noeud (21) et à une borne de commande du premier transistor (201). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel : un premier transistor (401) du deuxième circuit (40) comprend une borne de commande connectée à la borne de commande (11) du transistor de sortie (10) ; et un miroir de courant (405) du deuxième circuit (40) comprend une première branche (4051) connectée à une première borne de conduction du premier transistor (401) du deuxième circuit (40) et une deuxième branche (4052) connectée au premier noeud (30). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel un miroir de courant (501) du troisième circuit (50) comprend une première branche (5011) connectée au premier noeud (30) et configurée pour recevoir le cinquième courant (I5), et une deuxième branche (5012) connectée à la borne de commande (11) du transistor de sortie (10) et configurée pour tirer le sixième courant (I6) de la borne de commande (11) du transistor de sortie (10). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel les premier (Iout), deuxième (I1), troisième (I2) et quatrième (I4) courants sont tous positifs ou tous négatifs. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, comprenant en outre une source de courant (80) configurée pour fournir le deuxième courant (I1). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel chacun des premier (20) et deuxième (40) circuits est connecté entre un noeud (70) configuré pour recevoir un premier potentiel (V70), et un noeud (60) configuré pour recevoir un deuxième potentiel (V60), le troisième circuit (50) étant connecté au noeud (60) configuré pour recevoir le deuxième potentiel (V60), et le transistor de sortie (10) ayant une borne de conduction connectée au noeud (60) configuré pour recevoir le deuxième potentiel (V60). Dispositif selon les revendications 11 et 12, dans lequel ladite source de courant (80) est connectée entre ledit noeud (70) configuré pour recevoir le premier potentiel (V70) et le premier circuit (20). Dispositif selon la revendication 12 ou 13, dans lequel le premier potentiel (V70) est supérieur au deuxième potentiel (V60). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 12 à 14, dans lequel le deuxième potentiel (V60) est un potentiel de référence du dispositif (1).