Brevet FR3104174A1 — publié le 20210611

Nacelle pour dispositif de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma sur des substrats (S), comportant des plateaux (P1, P2) en matériau conducteur électrique, un châssis (12) comprenant des compartiments logeant chacun un plateau (P1, P2), chaque compartiment s’ouvrant dans au moins un face du châssis (12) pour la mise en place et le retrait d’un plateau, les compartiments comportant des moyens de maintien des plateaux orientant parallèlement les plateaux (P1, P2) les uns par rapport aux autres et à distance les uns des autres et isolant électriquement les plateaux (P1, P2) les uns des autres, lesdits moyens de maintien assurant que la première face d’une plateau voit la deuxième face d’un plateau adjacent. La nacelle comporte également des moyens de connexion électrique individuels à un circuit de connexion à générateur électrique (8) de sorte que deux plateaux (P1, P2) adjacents soient à des polarités opposées. Figure pour l’abrégé : 1. NACELLE POUR DISPOSITIF DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTE PAR PLASMA A NETTOYAGE FACILITE DOMAINE TECHNIQUE ET ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE La présente invention se rapporte à une nacelle pour dispositif de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma à nettoyage facilité. Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma ou PECVD (pour Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition en terminologie anglo-saxonne) est un procédé utilisé pour déposer des couches minces sur un substrat à partir d'un état gazeux. Ce dépôt est par exemple mis en œuvre dans le domaine de la fabrication des cellules photovoltaïques pour le dépôt de couches diélectriques sur un substrat, par exemple en silicium. Le procédé de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma se déroule de la manière suivante. Des réactions chimiques ont lieu après la formation d’un plasma à partir de gaz. Par exemple, le plasma est créé à partir d’un ou plusieurs gaz en lui ou en leur appliquant une excitation par décharge électrique générée à partir de sources radiofréquences (40 kHz à 440 kHz). Par exemple, une excitation par décharge capacitive est réalisée en appliquant un courant alternatif ou radiofréquence entre deux électrodes. Le gaz étant injecté par le haut du tube, des extinctions et allumages du plasma dans le temps permettent d’obtenir une bonne homogénéité du dépôt le long du tube. Les excitations à basse fréquence (40 kHz à 440 kHz) nécessitent plusieurs centaines de volts pour maintenir la décharge. Ces tensions importantes conduisent à un bombardement ionique à haute énergie des surfaces. La pression de travail est comprise entre 100 mTorrs et 2000 mTorrs. Dans le cas de la fabrication des cellules photovoltaïques en silicium, le dépôt par plasma est utilisé pour réaliser les passivations des surfaces avant et arrière ainsi que les couches antireflets. Le nitrure de silicium (SiN x ) est largement utilisé pour réaliser les couches antireflets déposées sur la face avant des cellules en utilisant un mélange de gaz silane (SiH 4 ) et ammoniac (NH 3 ). Un oxyde de silicium (SiO x ) peut être déposé à partir de silane et de protoxyde d’azote (N 2 O), généralement à des pressions allant de quelques centaines de millitorrs à quelques torrs. Le dépôt PECVD est également très largement utilisé afin de déposer des couches d’oxyde d’aluminium (AlO x ) afin de passiver la face arrière des cellules photovoltaïques à structure PERC (Passivated Emitter and Rear Cell en terminologie anglo-saxonne). Dans le cas d’une fabrication industrielle, on utilise par exemple une nacelle comportant une pluralité de plateaux empilés les uns sur les autres, destinés à former des électrodes, les plateaux étant isolés électriquement les uns des autres par des entretoises. Chaque plateau forme un support pour un ou plusieurs substrats sur lesquels on souhaite effectuer le ou les dépôts. Pour effectuer le dépôt, on applique des polarités opposées à deux électrodes adjacentes au moyen d’un générateur haute fréquence. Un champ électrique entre deux électrodes adjacentes est alors généré, qui permet la formation d’un plasma et le dépôt sur le ou les substrats supportés par les électrodes. Une électrode sur deux est alors polarisée positivement et une électrode sur deux est polarisée négativement. Les électrodes de polarité identique sont connectées en parallèle au générateur. Par exemple, une vis en graphite s’étendant sur tout l’empilement assure la connexion en parallèle des électrodes polarisées positivement et une autre vis en graphique s’étendant sur tout l’empilement assure la connexion en parallèle des électrodes polarisées négativement. Les deux vis sont reliées chacune à une borne du générateur par un câble. Lors du dépôt sur les substrats, il y a également un dépôt sur parties des électrodes non couvertes par les substrats. Dans le cas de dépôt de matériau diélectrique, celui-ci pose un problème de conductivité et donc de fonctionnement du dispositif de dépôt, la conduction pouvant ne plus être uniforme dans toute la nacelle. Le matériau diélectrique doit donc être retiré. Les plateaux sont nettoyés en général tous les 100 à 150 dépôts afin de garantir un bon contact électrique entre l’électrode graphite et le substrat. Il existe plusieurs techniques de nettoyage Une première technique est mise en œuvre in-situ et utilise des gaz fluorés mélangés à de l’oxygène, mais ce nettoyage réduit considérablement le temps utilisable du dispositif de dépôt. Une autre technique requiert un démontage de la nacelle graphite et de l’immersion des électrodes dans un bain décapant. Or ce démontage est très long au vu la configuration de la nacelle. Il est donc souhaitable de disposer d’une nacelle présentant une structure rendant le nettoyage des électrodes plus simple et plus rapide. C’est par conséquent un but de la présente invention d’offrir une nacelle pour dispositif de dépôt PECVD présentant un nettoyage plus rapide et plus simple. C’est également un but de la présente invention d’offrir une électrode pour nacelle de dispositif de dépôt PECVD permettant un démontage/assemblage des électrodes plus rapide et plus simple. Les buts énoncés ci-dessus sont atteints par une nacelle comportant au moins deux électrodes et un châssis comprenant des supports individuels pour chaque électrode, le châssis assurant l’isolation électrique des électrodes les unes par rapport aux autres. Les électrodes d’une polarité sont telles qu’elles sont reliées en parallèle au générateur. Le montage individuel de chaque électrode permet leur mise en place et leur retrait au sein de la nacelle rapide et leur connexion électrique en parallèle évite la mise en œuvre de vis traversant toutes les nacelles. Dans un exemple avantageux, le montage mécanique d’une électrode dans le châssis assure simultanément sa connexion électrique. De préférence, les supports individuels permettent un montage à glissière des électrodes dans le châssis. En d’autres termes, la nacelle comporte des compartiments individuels pour chaque électrode accessibles d’une face de la nacelle, chacun permettant une connexion électrique individuelle de chaque électrode, ce qui permet un retrait et un montage rapide de chaque électrode. Ainsi le démontage, le nettoyage et le remontage de la nacelle sont rendus plus rapides et plus simples. En outre la manipulation des électrodes étant simplifiée, la manipulation des substrats entre deux phases de dépôt, par exemple leur retournement pour effectuer un dépôt sur une autre face, est également simplifiée et rendue également plus rapide. En outre une manipulation individualisée est rendue possible. La présente invention a alors pour objet une nacelle pour dispositif de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma sur une pluralité de substrats, comportant au moins deux plateaux en matériau conducteur électrique, chaque plateau comportant une première et une deuxième face parallèle, au moins la première face supportant au moins un substrat. La nacelle comporte un châssis comprenant au moins deux compartiments logeant chacun un plateau, chaque compartiment s’ouvrant dans au moins une face du châssis pour la mise en place et le retrait d’un plateau, les compartiments comportant des moyens de maintien des plateaux orientant parallèlement les plateaux les uns par rapport aux autres et à distance les uns des autres et isolant électriquement les plateaux les uns des autres, lesdits moyens de maintien assurant que la première face d’une plateau voit la deuxième face d’un plateau adjacent. La nacelle comporte des moyens de connexion électrique individuelle à un circuit de connexion à un générateur électrique de sorte que deux plateaux adjacents soient à des polarités opposées. Avantageusement, ce sont les moyens de maintien qui sont isolants électriques. Dans un exemple préféré, chaque plateau coopère avec les moyens de maintien par coulissement lors de la mise en place du plateau dans le châssis. Les moyens de connexion électrique individuelle et/ou le circuit de connexion sont avantageusement tels que la connexion électrique entre chaque plateau et le circuit de connexion a lieu automatiquement lors du montage des plateaux dans le châssis. Par exemple, les moyens de maintien comportent des paires de supports en contact avec les bords latéraux parallèles des plateaux. Selon un exemple, les moyens de connexion électrique individuelle comportent au moins une partie mâle ou une partie femelle portée directement par le plateau destinée à coopérer électriquement avec une partie femelle ou une partie mâle respectivement du circuit de connexion. Les moyens de connexion électrique individuelle peuvent comporter deux parties mâles ou deux parties femelles. Selon un autre exemple, les moyens de connexion électrique individuelle comportent en regard d’au moins un des supports de la paire de supports une lame conductrice électrique, ladite lame étant connectée au circuit de connexion, de sorte que lors de la mise en place des plateaux sur les paires de supports, chaque lame soit en contact avec la première face d’un plateau. La présente invention a également pour objet un plateau de nacelle pour dispositif de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma en matériau conducteur électrique, comportant une première face destinée à supporter au moins un substrat et des moyens de connexion électrique individuelle à un circuit de connexion du dispositif de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma. Les moyens de connexion électrique individuelle comportent par exemple une partie mâle ou une partie femelle portée directement par le plateau et destinée à coopérer électriquement avec une partie femelle ou une partie mâle respectivement du circuit de connexion. De manière avantageuse, le plateau comporte des moyens pour suspendre le substrat. Les moyens pour suspendre le substrat comportent par exemple un évidement muni d’un rebord intérieur et/ou de pions destiné(s) à venir en contact avec le bord latéral du substrat. La présente invention a également pour objet un dispositif de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma sur une pluralité de substrats comportant : - une enceinte configurée pour réaliser un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, - au moins une nacelle selon l’invention, - des moyens d’alimentation en gaz et des moyens d’évacuation connectés à l’enceinte, - un générateur électrique, - un circuit de connexion électrique entre le générateur électrique et les plateaux. Le circuit de connexion électrique peut connecter en parallèle un plateau sur deux à la borne négative du générateur et connecter les autres plateaux à la borne positive. La présente invention a également pour objet un procédé de dépôt sur des substrats mettant en œuvre un dispositif selon l’invention, comportant : - mise en place d’au moins un substrat sur ou dans chaque plateau, - l’insertion de chaque plateau dans un compartiment du châssis, -la connexion de chaque plateau au circuit de connexion, - la mise en place de la nacelle dans l’enceinte, - l’alimentation en gaz, - la polarisation des plateaux, - la formation d’un plasma entre les plateaux présentant des polarités opposées, et dépôt d’une couche de matériau sur tout ou partie des substrats, - l’arrêt de la polarisation. La connexion de chaque plateau au circuit de connexion a avantageusement lieu automatiquement lors de l’insertion de chaque plateau dans son compartiment. Lors de l’insertion de chaque plateau dans un compartiment du châssis, chaque plateau coulisse avantageusement sur les moyens de maintien. La présente invention sera mieux comprise sur la base de la description qui va suivre et des dessins en annexe sur lesquels: est une représentation schématique d’un dispositif de dépôt PECVD selon un exemple de réalisation, est une vue en perspective d’un exemple de châssis pour la nacelle de la figure 1 est une vue en perspective d’une variante de réalisation d’un plateau de la nacelle de figure 1, est une vue en perspective d’une autre variante de réalisation d’un plateau de la nacelle de figure 1, est une représentation schématique en perspective du circuit de connexion électrique selon un exemple de réalisation, est une vue de détail d’un exemple de moyens de connexion électrique pouvant être mis en œuvre dans la nacelle de la figure 1, est une vue de détail d’un autre exemple de moyens de connexion électrique pouvant être mis en œuvre dans la nacelle de la figure 1. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS La description qui va suivre porte plus particulièrement sur un dispositif de dépôt PECVD dans lequel les substrats sont disposés horizontalement. L’invention s’applique également aux dispositifs PECVD dans lesquels les substrats sont disposés verticalement. Dans la présente demande l’amont et l’aval sont à considérer dans le sens d’introduction des plateaux dans le châssis de la nacelle. Les termes « électrode » et « plateau » seront utilisés indifféremment pour désigner les supports conducteurs électriques des substrats. Sur la figure 1, on peut voir une représentation schématique d’un dispositif de dépôt PECVD comportant une enceinte 2 étanche avec une porte d’accès, une nacelle 4 destinée à être logée dans l’enceinte 2 pendant les phases de dépôt et pouvant sortir de l’enceinte au moins pour charger/décharger les substrats. La nacelle 4 comporte des plateaux P1, P2, P3…Pn. Dans l’exemple représenté n = 6. En général n est de l’ordre de 70 à 100. Les plateaux sont superposés les uns sur les autres de sorte qu’un espace E1, E2,…En-1 soit ménagé entre chaque paire de plateaux. Les plateaux sont en matériau conducteur électrique et sont destinés à former des électrodes entre lesquelles un champ électrique peut apparaître. Par exemple les plateaux sont en graphite. Les plateaux sont isolés électriquement les uns des autres. La distance entre les plateaux est par exemple comprise entre 8 mm et 12 mm. Dans l’exemple représenté, la nacelle comporte au-dessus du plateau P1 un plateau P0 ne portant pas de substrat et destiné uniquement à former la deuxième électrode pour former le plasma dans l’espace E0. Le dispositif comporte également des connexions fluidiques 6.1 d’alimentation pour amener les gaz formant le plasma et effectuer le dépôt, et des connexions fluidiques 6.2 d’évacuation des gaz après la phase de dépôt. De préférence l’alimentation se fait par le haut et l’évacuation se fait par le bas assurant au gaz de traverser la nacelle. Le dispositif comporte également au moins un générateur électrique 8 pour alimenter électriquement les plateaux de la nacelle 4. Le générateur 8 est par exemple un générateur de tension radiofréquence ou un générateur de courant alternatif. Le dispositif de dépôt comporte également un circuit de connexion électrique 10 entre les bornes + et – du générateur et les plateaux de la nacelle, ainsi que l’électrode P0 qui ne supporte pas de substrat. Par exemple, la fréquence du générateur RF est comprise entre 40 kHz à 440 kHz, et la tension entre 2 électrodes est comprise entre 50 Volts et 500 Volts. La nacelle 4 comporte un châssis 12 comportant des supports 14 individuels pour chaque électrode. Dans l’exemple représente et de manière avantageuse, les supports 14 sont des consoles formant des rails sur lesquelles reposent les bords latéraux opposés des plateaux. De manière très avantageuse, les supports délimitent des compartiments et permettent un montage de type à glissière des plateaux dans le châssis facilitant leur mise en place dans le châssis. Le châssis présente une structure permettant la circulation des gaz lors des phases de dépôt. Par exemple, comme cela est représenté sur la figure 2, le châssis comporte quatre montants 16 verticaux parallèles et les supports 14 sont fixés à deux montants et assurent en outre une rigidification du châssis. Les plateaux sont isolés électriquement les uns des autres. Par exemple les supports et/ou le châssis sont en matériau isolant électrique, par exemple en alumine. Le matériau de supports est identique à ou différent de celui du châssis. Les supports sont disposés horizontalement le long de la direction verticale à distance les uns des autres de sorte qu’un espace entre deux faces en regard de deux électrodes soit ménagé, par exemple un espace compris entre 8 mm et 12 mm. Les espaces ont tous sensiblement la même hauteur. Le châssis supporte les électrodes uniquement au niveau de leurs bords latéraux de sorte que la plus grande partie de la face inférieure des plateaux soit visible par le plateau inférieure et que le plasma puisse se former uniformément dans les espaces E0 à En. Dans l’exemple représenté sur la figure 1 les plateaux comportent des logements individuels pour chaque substrat formés par des évidements 18 formés dans une face supérieure de chaque plateau. De manière avantageuse et comme cela est représenté, les évidements sont structurés de sorte à délimiter un rebord 20 pour supporter les bords latéraux des substrats. Dans l’exemple représenté, chaque plateau comporte quatre évidements. Dans la variante représentée sur la figure 3, les substrats sont supportés par des pions 23 en saillie des bords latéraux des évidements 18. Dans les exemples représentés, les évidements et les substrats sont carrés. En variante, les substrats sont de forme carrée avec les quatre coins coupés, désignés par « pseudo-square ». En variante encore les substrats sont en forme de disque et les évidements sont circulaires. De préférence, les formes des évidements sont telles que les substrats les obturent complétement. Sur la figure 4, on peut voir un autre exemple de plateau P1 pouvant être utilisé. Il comporte une face supérieure plane 22 et des picots 24 en saillie de la surface supérieure destinés à supporter les substrats. Les picots 24 sont en matériau conducteur électrique, par exemple réalisés d’un seul tenant avec le reste du plateau. Par ailleurs chaque plateau est alors connecté individuellement au circuit de connexion, qui assure une connexion électrique en parallèle des plateaux au générateur. Les moyens de connexion 10 sont représentés schématiquement sur la figure 5. Ainsi la mise en place et le retrait de chaque plateau du châssis de la nacelle sont simplifiés et rendus plus rapides en comparaison de la connexion des électrodes d’une même polarité par une vis graphite traversant ces électrodes. En outre, cette connexion en parallèle permet de réduire les pertes de charges le long de la nacelle, ce qui permet d’avoir des conditions d’apparition de plasma entre chaque paire d’électrodes sensiblement uniformes sur toute la hauteur de la nacelle, et d’obtenir des dépôts uniformes entre tous les substrats sur toute la hauteur de la nacelle. Par exemple, l’épaisseur des couches déposées est homogène et, dans le cas de la fabrication de cellules photovoltaïques l’indice de réfraction de la couche diélectrique est également homogène sur toute la hauteur de la nacelle. Les moyens de connexion sont adaptés pour supporter une température d’au moins 500°C. Sur la figure 6, on peut voir des exemples de moyens de connexion entre chaque plateau et le circuit de connexion permettant à la fois une connexion individuelle et rapide. Les moyens de connexion comportent une fiche 26 pénétrant dans une cavité 28. Dans l’exemple représenté la fiche 26 appartient au circuit de connexion et la cavité 28 est formée directement dans une face latérale du plateau. De préférence la fiche 26 et la cavité 28 présentent des sections circulaires, évitant de devoir orienter la fiche par rapport au plateau. Une bonne connexion électrique entre le plateau et le circuit de connexion est ainsi obtenue. De préférence, la connexion électrique entre la fiche 26 et la cavité 28 est encore améliorée en mettant en œuvres des moyens élastiques radialement et conducteurs électriques assurant un bon contact entre la surface extérieure de la fiche et la surface radialement intérieure de la cavité. Dans l’exemple représenté, la fiche comporte des lamelles 30 s’étendant longitudinalement et légèrement bombées radialement, elles offrent une certaine élasticité. Le diamètre extérieur de la fiche 26 est défini par celui des lamelles bombées 30, qui est choisi supérieur au diamètre intérieur de la cavité. En pénétrant dans la cavité 28. les lamelles 30 se déforment radialement vers l’intérieur et assurent un contact avec la paroi intérieure de la cavité 28. En variante la fiche est portée par le bord latéral du plateau et la cavité appartient au circuit de connexion. En variante encore les lamelles élastiques sont à l’intérieur de la cavité et la fiche est rigide. De manière très avantageuse, les moyens de connexion sont tels que la connexion électrique entre le plateau et le circuit de connexion se fait simultanément au montage des plateaux dans le châssis de la nacelle. Par exemple, dans le cas où les plateaux coulissent sur les supports, une partie des moyens de connexion, par exemple la cavité, est disposée sur le bord latéral aval du plateau dans le sens d’insertion du plateau dans le châssis et l’autre partie des moyens de connexion par exemple, la fiche est disposée sur le châssis de sorte à pénétrer dans la cavité lorsque le plateau coulisse sur les supports. En variante, les connexions entre les plateaux et le circuit de connexion sont réalisées manuellement et individuellement. De manière avantageuse et comme cela est représenté sur la figure 6, le plateau comporte deux cavités 28 disposées l’une à côté de l’autre, l’une étant destinée à une connexion à la borne positive et l’autre à une connexion à la borne négative du générateur 8. Il est alors possible d’utiliser les mêmes plateaux quel que soit le type de polarité qu’il lui est appliqué. En effet comme cela est représenté sur la figure 5, les connexions aux bornes positives et négatives du circuit de connexion sont avantageusement adjacentes. Le risque de monter un plateau à un mauvais emplacement dans le châssis de la nacelle est donc supprimé. Sur la figure 7, on peut voir un autre exemple de moyens de connexion dans lequel la connexion entre le circuit de connexion et le plateau se fait par pincement. Par exemple le circuit de connexion comporte un connecteur rapide de type « à pincement », comportant une lame conductrice électrique 32 disposée en regard d’un support 14 du châssis, un bord latéral du plateau venant s’insérer entre le support 14 et la lame 32. Le contact électrique entre le plateau et le connecteur se fait donc au niveau de la face supérieure du plateau. De manière avantageuse, la lame est déformée élastiquement lors de l’insertion de plaque dans le châssis. En variante un tel connecteur est prévu dans le fond du châssis et destiné à recevoir le bord latéral aval du plateau. Dans l’exemple représenté, les moyens de connexion à l’une des bornes du générateur, par exemple la borne -, est à gauche dans la direction d’insertion du plateau dans le châssis et les moyens de connexion à l’autre borne du générateur, la borne +, est à droite dans la direction d’insertion du plateau dans le châssis. La connexion au générateur 8 est ainsi simplifiée. En outre, l’opérateur sait facilement quelle sera la polarité du plateau inséré dans un compartiment. En variante, les moyens de connexion à l’une et l’autre des polarités sont du même côté du châssis dans le sens d’insertion des plateaux et des indications individuelles donnent la polarité de chacun des compartiments. Grâce à ces moyens de connexion, le plateau est automatiquement connecté au circuit de connexion lors de son montage dans le châssis. En outre les moyens de connexion électrique de la figure 7 assurent également un maintien mécanique de chaque plateau sur le châssis. De plus ils permettent une grande surface de contact électrique entre le plateau et le connecteur. En variante, dans le cas où les montants du châssis sont isolants électriques et assurent donc une isolation des supports les uns par rapports aux autres, les supports 14 sont conducteurs électriques et la connexion électrique entre chaque plateau et le circuit de connexion se fait directement par contact entre le plateau et le ou les supports. Au moins l’un des supports est relié au circuit de connexion. Comme cela a été indiqué ci-dessus, la présente invention s’applique également aux dispositifs PECVD dans lesquels les substrats sont à la verticale. Dans ce cas les plateaux sont verticaux et comportent des moyens pour maintenir les substrats à la verticale. Le châssis est alors positionné de sorte que son axe soit à l’horizontal et les supports soient à la verticale. Les supports forment des guides verticaux. Des moyens pour maintenir les plateaux à la verticale sont avantageusement prévus. Les moyens de connexion de la figure 7 sont particulièrement adaptés à un montage vertical des plateaux puisqu’ils assurent à la fois la connexion électrique de chaque plateau au générateur et le maintien des plateaux dans la position verticale. La nacelle selon l’invention présente une grande facilité et une grande rapidité d’assemblage, ce qui permet de nettoyer plus rapidement les électrodes et d’augmenter le temps utilisable du dispositif de PECVD. En outre l’homogénéité des dépôts entre les différents plateaux est améliorée, notamment du fait de réduction de la perte de charge le long de la nacelle. Le coût de fabrication des substrats peut alors être réduit. Il sera compris que les plateaux ne glissent pas nécessairement sur les supports 14. Les plateaux sont par exemple introduits dans le châssis dans les compartiments délimités par deux supports et ensuite mis en contact avec les supports. Par exemple, dans le cas de plateaux disposés horizontalement, les plateaux sont déplacés en translation dans un plan horizontal au-dessus des supports puis déplacés verticalement pour reposer sur les supports. Il peut alors être prévu que la connexion au circuit de connexion se fasse par le dessous du plateau par exemple la cavité 28 sera réalisée dans une face inférieure du plateau. Nacelle pour dispositif de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma sur une pluralité de substrats (S), comportant au moins deux plateaux (P1, P2) en matériau conducteur électrique, chaque plateau (P1, P2) comportant une première et une deuxième face parallèle, au moins la première face supportant au moins un substrat (S), dans laquelle la nacelle comporte un châssis (12) comprenant au moins deux compartiments logeant chacun un plateau (P1, P2), chaque compartiment s’ouvrant dans au moins une face du châssis (12) pour la mise en place et le retrait d’un plateau, les compartiments comportant des moyens de maintien des plateaux orientant parallèlement les plateaux (P1, P2) les uns par rapport aux autres et à distance les uns des autres et isolant électriquement les plateaux (P1, P2) les uns des autres, lesdits moyens de maintien assurant que la première face d’une plateau voit la deuxième face d’un plateau adjacent, et dans laquelle la nacelle comportent des moyens de connexion électrique individuelle à un circuit de connexion à un générateur électrique (8) de sorte que deux plateaux (P1, P2) adjacents soient à des polarités opposées. Nacelle selon la revendication 1, dans laquelle les moyens de maintien sont isolants électriques. Nacelle selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle chaque plateau (P1, P2) coopère avec les moyens de maintien par coulissement lors de la mise en place du plateau dans le châssis (12). Nacelle selon l’une des revendications 1 à 3, dans laquelle les moyens de connexion électrique individuelle et/ou le circuit de connexion sont tels que la connexion électrique entre chaque plateau et le circuit de connexion a lieu automatiquement lors du montage des plateaux dans le châssis. Nacelle selon l’une des revendications 1 à 4, dans laquelle les moyens de maintien comportent des paires de supports (14) en contact avec les bords latéraux parallèles des plateaux (P1, P2). Nacelle selon l’une des revendications 1 à 5, dans laquelle les moyens de connexion électrique individuelle comportent au moins une partie mâle ou une partie femelle (28) portée directement par le plateau destinée à coopérer électriquement avec une partie femelle ou une partie mâle (26) respectivement du circuit de connexion (10). Nacelle selon la revendication 6, dans laquelle les moyens de connexion électrique individuelle comportent deux parties mâles ou deux parties femelles (28). Nacelle selon la revendication 5, dans laquelle les moyens de connexion électrique individuelle comportent en regard d’au moins un des supports de la paire de supports (14) une lame conductrice électrique (32), ladite lame (32) étant connectée au circuit de connexion (10) de sorte que, lors de la mise en place des plateaux sur les paires de supports (14), chaque lame (32) soit en contact avec la première face d’un plateau. Plateau de nacelle pour dispositif de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma en matériau conducteur électrique, comportant une première face destinée à supporter au moins un substrat et des moyens de connexion électrique individuelle à un circuit de connexion du dispositif de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, les moyens de connexion individuelle étant configurés pour coopérer avec les moyens de connexion électrique individuelle de la nacelle selon l’une des revendications 1 à 8. Plateau selon la revendication 9, dans lequel les moyens de connexion électrique individuelle comportent une partie mâle ou une partie femelle (28) portée directement par le plateau et destinée à coopérer électriquement avec une partie femelle ou une partie mâle (26) respectivement du circuit de connexion (10). Plateau selon la revendication 9 ou 10, comportant des moyens pour suspendre le substrat. Plateau selon la revendication 11, dans lequel les moyens pour suspendre le substrat comportent un évidement (18) muni d’un rebord intérieur (20) et/ou de pion(s) (23) destiné(s) à venir en contact avec le bord latéral du substrat. Dispositif de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma sur une pluralité de substrats comportant : - une enceinte (2) configurée pour réaliser un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, - au moins une nacelle (4) selon l’une des revendications 1 à 8, - des moyens (6.1) d’alimentation en gaz et des moyens d’évacuation (6.2) connectés à l’enceinte, - un générateur électrique (8), - un circuit de connexion électrique (10) entre le générateur électrique et les plateaux. Dispositif selon la revendication 13, dans lequel le circuit de connexion électrique (10) connecte en parallèle un plateau sur deux à la borne négative du générateur et connecte les autres plateaux à la borne positive. Procédé de dépôt sur des substrats mettant en œuvre un dispositif selon la revendication 13 ou 14, comportant : - mise en place d’au moins un substrat sur ou dans chaque plateau, - l’insertion de chaque plateau dans un compartiment du châssis, -la connexion de chaque plateau au circuit de connexion, - la mise en place de la nacelle dans l’enceinte, - l’alimentation en gaz, - la polarisation des plateaux, - la formation d’un plasma entre les plateaux présentant des polarités opposées, et dépôt d’une couche de matériau sur tout ou partie des substrats, - l’arrêt de la polarisation. Procédé de dépôt selon la revendication 15, dans lequel la connexion de chaque plateau au circuit de connexion a lieu automatiquement lors de l’insertion de chaque plateau dans son compartiment. Procédé de dépôt selon la revendication 15 ou 16, dans laquelle lors de l’insertion de chaque plateau dans un compartiment du châssis, chaque plateau coulisse sur les moyens de maintien.