Brevet FR3111015A1 — publié le 20211203

Dispositif optoélectronique La présente description concerne un dispositif optoélectronique (10) comprenant un empilement : - d'un premier étage (14) comprenant des premières photodiodes configurées pour fonctionner dans une première gamme de longueurs d'onde ; et - d'un deuxième étage (16) comprenant des deuxièmes photodiodes configurées pour fonctionner dans une deuxième gamme de longueurs d'onde, le premier étage étant situé entre des rayonnements (12) adaptés à être reçus par le dispositif et le deuxième étage (16), les portions du premier étage situées entre le deuxième étage et les rayonnements étant en des matériaux transparents aux longueurs d'onde de la première gamme de longueurs d’onde. Figure pour l'abrégé : Fig. 1 Dispositif optoélectronique La présente description concerne de façon générale les dispositifs optoélectroniques et plus particulièrement les dispositifs optoélectroniques comprenant des photodiodes. Les dispositifs optoélectroniques comprennent une partie optique et une partie électronique. Un dispositif optoélectronique est par exemple un appareil permettant de générer des images numériques d'une scène, par exemple un appareil photo ou caméra. Dans de nombreux appareils, il est souhaitable d'obtenir des images dans plusieurs gammes de longueurs d'onde distinctes, par exemple dans le domaine du visible et de l'infrarouge. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs optoélectroniques connus. Un mode de réalisation prévoit un dispositif optoélectronique comprenant un empilement : - d'un premier étage comprenant des premières photodiodes configurées pour fonctionner dans une première gamme de longueurs d'onde ; - d'un deuxième étage comprenant des deuxièmes photodiodes configurées pour fonctionner dans une deuxième gamme de longueurs d'onde, le premier étage étant situé entre des rayonnements adaptés à être reçus par le dispositif et le deuxième étage, les portions du premier étage situées entre le deuxième étage et les rayonnements étant en des matériaux transparents aux longueurs d'onde de la première gamme de longueurs d’onde. Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique comprenant : a) la formation d'un premier étage d'un empilement comprenant des premières photodiodes configurées pour fonctionner dans une première gamme de longueurs d'onde ; b) la formation d'un deuxième étage de l'empilement comprenant des deuxièmes photodiodes configurées pour fonctionner dans une deuxième gamme de longueurs d'onde, le premier étage étant situé entre des rayonnements adaptés à être reçus par le dispositif et le deuxième étage, les portions du premier étage situées entre le deuxième étage et les rayonnements étant en des matériaux transparents aux longueurs d'onde de la première gamme. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend un troisième étage, en contact avec une face du deuxième étage opposée à une face en contact avec le premier étage. Selon un mode de réalisation, le troisième étage comprend un circuit de lecture des premières et deuxièmes photodiodes. Selon un mode de réalisation, le troisième étage a une épaisseur supérieure à 70 µm. Selon un mode de réalisation, la première gamme de longueurs d'onde correspond au domaine du visible et la deuxième gamme de longueurs d'onde correspond au domaine de l'infrarouge. Selon un mode de réalisation, les premières photodiodes sont formées dans un premier substrat en silicium ou en phosphure d'indium. Selon un mode de réalisation, les deuxièmes photodiodes sont formées dans un deuxième substrat en un alliage du type III-V. Selon un mode de réalisation, l'étape b) comprend : b1) la fixation d'un substrat au premier étage ; et b2) la formation des deuxièmes photodiodes dans ledit substrat. Selon un mode de réalisation, l'étape b) comprend la formation de transistors dans et sur le substrat. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, après les étapes a) et b), la formation du troisième étage. Selon un mode de réalisation, le troisième étage est fixé sur le deuxième étage par collage hybride. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 représente un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique ; la figure 2 représente deux modes de réalisation d'un dispositif optoélectronique ; la figure 3 représente une étape de fabrication d'une variante du mode de réalisation de la figure 1 ; la figure 4 représente une autre étape de fabrication d'une variante du mode de réalisation de la figure 1 ; la figure 5 représente une autre étape de fabrication d'une variante du mode de réalisation de la figure 1 ; la figure 6 représente une autre étape de fabrication d'une variante du mode de réalisation de la figure 1 ; la figure 7 représente une autre étape de fabrication d'une variante du mode de réalisation de la figure 1 ; la figure 8 représente une étape de fabrication d'une autre variante du mode de réalisation de la figure 1 ; la figure 9 représente une autre étape de fabrication d'une autre variante du mode de réalisation de la figure 1 ; la figure 10 représente une autre étape de fabrication d'une autre variante du mode de réalisation de la figure 1 ; et la figure 11 représente une autre étape de fabrication d'une autre variante du mode de réalisation de la figure 1. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. La figure 1 représente un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 10. Le dispositif 10 est un dispositif comprenant des photodiodes formant des pixels et est configuré pour générer des images à partir de rayonnements 12 reçus par le dispositif. Le dispositif 10 comprend des premier et deuxième étages 14 et 16. Chacun des étages 14 et 16 comprend une pluralité de photodiodes. Chacun des étages 14 et 16 est configuré pour générer, par ses photodiodes, une image. Les étages 14 et 16 du dispositif 10 peuvent donc générer deux images distinctes et différentes à partir d'une même source de rayonnements 12. Les étages 14 et 16 sont empilés l'un sur l'autre. Plus précisément, le premier étage 14 est le plus près de la source de rayonnements 12. Le deuxième étage 16 est situé sur le premier étage 14, c’est-à-dire que le premier étage est situé entre le deuxième étage et la source de rayonnements. Le premier étage reçoit donc les rayonnements 12 sur une première face 14a, par exemple par l'intermédiaire de lentilles 20. Les lentilles 20 sont situées sur la première face 14a du premier étage 14. De préférence, une lentille est située en regard de chaque photodiode du premier et du deuxième étage. De préférence, les photodiodes des premier et deuxième étages sont situées les unes au-dessus des autres. De préférence, aucune piste de métal est située entre les photodiodes et les rayonnements 12. Une deuxième face 14b du premier étage 14, opposée à la première face 14a, est située du côté du deuxième étage, de préférence en contact avec le deuxième étage 16, plus précisément en contact avec une première face 16a du deuxième étage. Les rayonnements 12 traversent donc le premier étage 14, et éventuellement les lentilles 20, avant d'atteindre le deuxième étage 16. Le premier étage 14, et plus particulièrement les photodiodes du premier étage, est de préférence configuré pour absorber une gamme de longueurs d'onde correspondant au visible, c’est-à-dire par exemple la gamme de longueurs d'onde allant de 400 nm à 800 nm. L'image générée par le premier étage 14 est donc une image représentant le visible. Le deuxième étage 16, et plus particulièrement les photodiodes du deuxième étage, est de préférence configuré pour absorber une gamme de longueurs d'onde correspondant à l'infrarouge, c’est-à-dire par exemple la gamme de longueurs d'onde allant de 900 nm à 1700 nm. L'image générée par le deuxième étage 16 est donc une image représentant l'infrarouge. Les photodiodes du deuxième étage 16 sont configurés pour absorber les rayonnements ayant des longueurs d'onde dans la gamme de l'infrarouge. Les photodiodes du deuxième étage sont donc formées en un matériau, de préférence dans un substrat en un matériau semiconducteur, absorbant les longueurs d'onde dans la gamme de l'infrarouge. Ce matériau est par exemple un alliage du type III-V, c’est-à-dire un alliage comprenant au moins un élément du groupe III et au moins un élément du groupe V. Le groupe III comprend les éléments suivants : Bore (B), Aluminium (Al), Gallium (Ga), Indium (In) et Thallium (Tl). Le groupe V comprend les éléments suivants : Azote (N), Phosphore (P), Arsenic (As), Antimoine (Sb), Bismuth (Bi). Le matériau des photodiodes du deuxième étage est donc par exemple : InGaAs, GaSb ou InGaSb. Chacune des photodiodes du deuxième étage a donc de préférence une zone active, c’est-à-dire la zone dans laquelle les rayonnements sont transformés en charges électriques, en un alliage du type III-V. Les photodiodes du premier étage 14 sont configurés pour absorber les rayonnements ayant des longueurs d'onde dans la gamme du visible. Les photodiodes du premier étage sont donc formées en un matériau, de préférence dans un substrat en un matériau semiconducteur, absorbant les longueurs d'onde dans le domaine du visible. Chacune des photodiodes du premier étage a donc de préférence une zone active, c’est-à-dire la zone dans laquelle les rayonnements sont transformés en charges électriques, en ce matériau. De plus, les matériaux du premier étage situés entre les rayonnements 12 et les photodiodes du deuxième étage sont transparents aux longueurs d'onde de fonctionnement des photodiodes du deuxième étage, par exemple les longueurs d'onde correspondant à l'infrarouge, par exemple la gamme allant de 900 nm à 1700 nm. Il s'agit par exemple de silicium (Si). Il peut aussi s'agir de phosphure d'indium (InP). Ainsi, les rayonnements ayant des longueurs d'onde dans la gamme de fonctionnement des photodiodes du deuxième étage traversent le premier étage de manière à atteindre le deuxième étage. De préférence, les photodiodes des premier et deuxième étages sont situées l'une sur l'autre. Ainsi, les matériaux des photodiodes du premier étage sont transparents à ces longueurs d'onde, par exemple en silicium (Si) ou en phosphure d'indium (InP). De préférence, le substrat du premier étage est en silicium et les photodiodes du premier étage sont en silicium et en silicium dopé. En effet, le silicium est particulièrement adapté à la formation de photodiodes fonctionnant dans le domaine du visible et est transparent aux longueurs d'onde de l'infrarouge. En outre, le courant d'obscurité généré par le silicium pour des rayonnements dans le domaine du visible est faible comparé à d'autres matériaux. On aurait pu former, à la place des premier et deuxième étages, un unique étage comprenant des photodiodes en un matériau absorbant les deux gammes de longueurs d'onde. Par exemple, l'alliage InGaAs est adapté à absorber les deux gammes de longueurs d'onde. Cependant, ce matériau n'a pas les mêmes performances et en particulier ne permet pas un aussi bon rendement pour les longueurs d'onde du visible que des photodiodes en silicium. En particulier, en l’absence de rayonnement, l'alliage InGaAs comporte un plus fort courant d'obscurité que le silicium, ce qui dégrade la qualité de l’image à faible niveau d’éclairement. Dans le mode de réalisation décrit, les rayonnements ayant des longueurs d'onde dans le domaine du visible sont absorbés dans le premier étage de manière à former une image du visible. Les rayonnements ayant des longueurs d'onde dans le domaine du visible ne traversent donc pas le premier étage et n'atteignent pas le deuxième étage. Les rayonnements ayant des longueurs d'onde dans le domaine du visible n'entrainent donc pas de signal visible parasite dans le matériau du deuxième étage, c’est-à-dire ne causent pas une augmentation du bruit sur le signal infrarouge. Les rayonnements ayant des longueurs d'onde dans le domaine de l'infrarouge traversent le premier étage sans être absorbés et atteignent le deuxième étage. Les rayonnements ayant des longueurs d'onde dans le domaine de l'infrarouge sont absorbés dans les photodiodes du deuxième étage de manière à former une image infrarouge. Les deux images sont formées, par exemple, simultanément, c’est-à-dire en parallèle. Le dispositif comprend, de préférence, un troisième étage 18. Le troisième étage est situé du côté du deuxième étage opposé au premier étage. Une deuxième face 16b du deuxième étage opposée à la premier face 16a, est en contact avec une première face 18a du troisième étage. Ainsi, l'empilement du dispositif 10 comprend, dans cet ordre à partir du côté recevant les rayonnements 12, le premier étage 14, le deuxième étage 16 et le troisième étage 18. Le troisième étage comprend par exemple un circuit de lecture des photodiodes. Le circuit de lecture est par exemple configuré pour traiter les signaux générés par les photodiodes des premier et deuxième étages, de préférence parallèlement. Les deux étages sont reliés au troisième étage de manière à pouvoir fournir ces signaux au circuit de lecture. Selon un mode de réalisation, les premier et deuxième étages ne comprennent pas d'autres composants que les photodiodes et des éléments de connexion. Les composants, par exemple des transistors, sont situés dans le troisième étage. A titre de variante, chacun des trois étages peut comprendre d'autres composants, par exemple des transistors, des condensateurs etc. Ces composants sont alors agencés de manière à ne pas être situés entre les rayonnements et les photodiodes. Le première étage a de préférence une épaisseur comprise entre 5 µm et 10 µm. Le deuxième étage a, de préférence, une épaisseur comprise entre 0,5 µm et 5 µm. Le troisième étage a, de préférence, une épaisseur supérieure à 70 µm, de préférence comprise entre 70 µm et 200 µm. Le troisième étage permet ainsi d'assurer un renfort mécanique du dispositif et d'assurer la tenue de l'empilement des premier, deuxième et troisième étages. La figure 2 représente deux modes de réalisation d'un dispositif optoélectronique. Plus précisément, la figure 2 comprend des vues A et B, représentant chacune un exemple plus précis de mise en œuvre du mode de réalisation de la figure 1. En particulier, les vues A et B représentent des exemples d'assemblage des différents étages. Ainsi, les dispositifs des vues A et B comprennent chacun les éléments du mode de réalisation de la figure 1. Le dispositif 10a de la vue A comprend ainsi les premier, deuxième et troisième étages 14, 16 et 18 décrits précédemment, ainsi que les lentilles 20. Similairement, le dispositif 10b de la vue B comprend les premier, deuxième et troisième étages 14, 16 et 18 décrits précédemment, ainsi que les lentilles 20. Dans le cas de la variante de la vue A, le deuxième étage est formé directement sur le premier étage. Ainsi, le substrat du deuxième étage est formé, ou fixé, sur le premier étage, plus précisément sur la deuxième face du premier étage. Le substrat du deuxième étage n'a par exemple subi que des étapes de dopages, par exemple une partie des étapes de dopage permettant de former les photodiodes du deuxième étage. De préférence, aucun composant n'a été formé dans le substrat du deuxième étage avant que le deuxième étage soit fixé sur le premier étage. Ainsi, si le deuxième étage comprend des composants autres que les photodiodes, ces composants sont formés dans le substrat du deuxième étage lorsque le substrat du deuxième étage est empilé sur le premier étage. Dans la variante de la vue A, le troisième étage est formé indépendamment des premier et deuxième étages. Autrement dit, au moins certains des composants du troisième étage, de préférence tous les composants, sont formés avant que le troisième étage soit fixé au deuxième étage. Le troisième étage est par exemple fixé au deuxième étage, plus précisément à la deuxième face du deuxième étage, par fixation, ou liaison, hybride, c’est-à-dire par collage moléculaire. Autrement dit, le deuxième étage comprend, du côté de sa deuxième face, c’est-à-dire la face en contact avec le troisième étage, des éléments métalliques 24 affleurant au niveau de la deuxième face. Des éléments métalliques 22 sont, de plus, situés au niveau de la première face du troisième étage, c’est-à-dire la face en contact avec le deuxième étage, et affleurent ladite première face. Les éléments métalliques 22 et 24 des deuxième et troisième étages ont des dimensions et des emplacements tels que chaque élément métallique 24 du deuxième étage est en contact avec un élément métallique 22 du troisième étage. Dans l'exemple de la vue B, les deuxième et troisième étages sont fixés par collage hybride comme décrit en relation avec la vue A. De plus, les premier et deuxième étages sont reliés eux aussi par collage hybride. Ainsi, le premier étage comprend des éléments métalliques 28 affleurant du coté de sa deuxième face, c’est-à-dire la face en contact avec le deuxième étage et le deuxième étage comprend des éléments métalliques 26 affleurant sa première face, c’est-à-dire la face en contact avec le premier étage. Ces éléments métalliques 26 et 28 sont, comme les éléments métalliques 22 et 24 de la vue A, situés de telle manière que chaque élément métallique 26 ou 28 d'un des deux étages est en contact avec un élément métallique 28 ou 26 de l'autre étage. A titre de variante, le troisième étage peut être formé sur l'empilement comprenant les premier et deuxième étages de la même manière que le deuxième étage est fixé sur le premier étage dans le cas de la vue A. Autrement dit, le substrat du troisième étage, ayant par exemple été dopé par endroit, est fixé sur le deuxième étage et les composants du troisième étage sont formés par la suite. Les figures 3 à 7 illustrent des étapes successives de fabrication d'une variante du mode de réalisation de la figure 1. La variante du mode de réalisation de la figure 1 correspondant au procédé des figures 3 à 7 est la variante dans laquelle le premier étage 14 comprend, outre les photodiodes, des transistors, et dans lequel le deuxième étage comprend des photodiodes mais pas de transistor. La figure 3 représente une étape de fabrication d'une variante du mode de réalisation de la figure 1. Plus précisément, la figure 3 comprend des vues A et B représentant chacune le résultat d'une étape de fabrication d'une variante du mode de réalisation de la figure 1. Les étapes des vues A et B peuvent être effectuées simultanément ou successivement. La vue A représente le résultat de l'étape de formation du premier étage 14. Cette étape comprend : - la formation, dans un substrat 30, de photodiodes 32 ; - la formation de transistors 34 dans et sur le substrat 30 ; - la formation d'autres composants non représentés ; - la formation de tranchées isolantes 36, par exemple entre des transistors 34 ; - la formation de pistes métalliques et de vias conducteurs 40 permettant de relier les composants et les photodiodes entre eux et/ou avec des éléments externes au premier étage ; et - la formation d'une couche isolante 42 sur le substrat 30, les transistors, les photodiodes, les pistes métalliques et les vias conducteurs. Les pistes métalliques et les vias conducteurs sont agencés pour ne pas être situés en regard des photodiodes. La première face 14a du premier étage est la face inférieure en figure 3, c’est-à-dire la face du substrat 30 non recouverte par la couche 42. La deuxième face 14b du premier étage est la face supérieure en figure 3, c’est-à-dire la face de la couche 42 non en contact avec le substrat. Comme décrit précédemment, le substrat 30 est en un matériau permettant d'assurer que les photodiodes 32 absorbent les rayonnements ayant des longueurs d'onde dans le domaine du visible et permettant d'assurer que les rayonnements ayant des longueurs d'onde dans l'infrarouge traversent le substrat. Ainsi, les photodiodes 32 et le substrat 30 sont de préférence en silicium. Les différents éléments, ici les photodiodes et la couche 42, qui seront situés en regard des photodiodes du deuxième étage sont en des matériaux transparents aux longueurs d'ondes de la gamme absorbée par les photodiodes du deuxième étage. Ainsi, dans le cas de la figure 3, la couche isolante 42 est en un matériau transparent aux longueurs d'onde du domaine de l'infrarouge. La vue B représente une étape de formation du substrat 44 du deuxième étage 16. Le substrat 44 est en un matériau permettant de former des photodiodes du deuxième étage absorbant des rayonnements dans le domaine de l'infrarouge. Le substrat est de préférence en un alliage du type III-V, de préférence en InGaAs. Le substrat 44 comprend une première face correspondant à la face 16a de la figure 1, et une deuxième face 45. L'étape de la vue B comprend la formation de couches dopées 46 et 48. La couche 46 est située au niveau de la face 16a. Ainsi, la face 16a est une face de la couche 46. La couche 48 est une couche dopée enterrée. La couche 48 est ainsi située dans le substrat 44, par exemple séparée de la couche 46 par une couche 50, de préférence non dopée, du matériau du substrat. Les couches 46 et 48 sont dopées de manière à pouvoir former des photodiodes. Ainsi, la couche 46 est de préférence dopée de type P et la couche 48 est de préférence dopée de type N. Le substrat 44 a de préférence une épaisseur comprise entre 100 µm et 150 µm. La figure 4 représente une autre étape de fabrication d'une variante du mode de réalisation de la figure 1. Au cours de cette étape, le substrat 44 de la vue B de la figure 3 est fixé, de préférence par collage moléculaire, au premier étage, représenté en vue A de la figure 3. Le substrat 44 est agencé de telle manière que la face 16a est en contact avec la face 14b du premier étage. La figure 5 représente une autre étape de fabrication d'une variante du mode de réalisation de la figure 1. Au cours de cette étape, le substrat 44 est aminci par la face 45, c’est-à-dire la face n'étant pas en contact avec le premier étage. Le substrat est de préférence aminci jusqu'à atteindre la couche 48. Ainsi, la structure résultant de cette étape comprend un empilement de couches semiconductrices 52 fixée sur la face 14b du premier étage. L'empilement 52 comprend, à partir de la face 14b, la couche 46, la couche 50, et la couche 48. L'empilement 52 est situé au moins aux endroits où l'on souhaite former des photodiodes du deuxième étage. L'empilement 52 recouvre de préférence tout le premier étage, c’est-à-dire toute la face 14b. La figure 6 représente une autre étape de fabrication d'une variante du mode de réalisation de la figure 1. Au cours de cette étape, les couches 48 et 50 de la structure de la figure 5 sont gravés partiellement de manière à ne conserver que les portions de couches 48 et 50 situées aux endroits où les photodiodes du deuxième étage seront situées, de préférence en regard des photodiodes 32 du premier étage. La figure 7 représente une autre étape de fabrication d'une variante du mode de réalisation de la figure 1. Au cours de cette étape, la couche 46 est gravée de manière à conserver les portions 46a de la couche 46 situées sous les portions des couches 48 et 50 et des portions 46b, s'étendant à partir des portions 46a et n'étant pas situées entre les portions de couches 50 et le premier étage. Au cours de cette étape, une couche 56 isolante est formée sur la face 14b du premier étage et sur les portions de couches 46, 48 et 50. De plus, des vias conducteurs 58 sont formés à travers la couche 56 de manière à atteindre les couches 46 et 48. Eventuellement, d'autres vias conducteurs peuvent être formés, par exemple des vias traversant les couches 56 et 42 de manière à atteindre les pistes métalliques du premier étage. Les figures 8 à 11 représentent des étapes, de préférence successives, de fabrication d'une autre variante du mode de réalisation de la figure 1. La figure 8 représente une étape de fabrication d'une autre variante du mode de réalisation de la figure 1. Plus précisément, la figure 8 comprend des vues A et B représentant chacune le résultat d'une étape de fabrication d'une variante du mode de réalisation de la figure 1. Les étapes des vues A et B peuvent être effectuées simultanément ou successivement. La vue A de la figure 8 est identique à la vue A de la figure 3. Le premier étage 14 est de préférence formé de la même manière que le premier étage 14 de la vue A de la figure 3. La vue B représente une étape de formation du substrat 60 du deuxième étage 16. Le substrat 60 est en un matériau permettant de former des photodiodes du deuxième étage absorbant des rayonnements dans le domaine de l'infrarouge. Le substrat 60 est de préférence en un alliage du type III-V, de préférence en InGaAs. Le substrat 60 comprend une face 62 et une face 63, opposée à la face 62. L'étape de la vue B comprend la formation d'une couche 64 sur le substrat 60. La couche 64 comprend une face en contact avec la face 63 du substrat 60. Une autre face de la couche 64, opposée à la face en contact avec le substrat 60, correspond à la face 16a. La couche 64 est, en un matériau permettant de former une couche des photodiodes du deuxième étage. La couche 64 est par exemple en phosphure d'indium. La figure 9 représente une autre étape de fabrication d'une autre variante du mode de réalisation de la figure 1. Au cours de cette étape, le substrat 60 de la vue B de la figure 8 est fixé, de préférence par collage moléculaire, au premier étage, représenté en vue A de la figure 8. Le substrat 60 est agencé de telle manière que la face 16a est en contact avec la face 14b du premier étage. Au cours de cette étape, le substrat 60 est aminci par la face 62, c’est-à-dire la face n'étant pas en contact avec le premier étage. Le substrat 60 est de préférence aminci jusqu'à une épaisseur correspondant sensiblement à l'épaisseur voulue des photodiodes. La figure 10 représente une autre étape de fabrication d'une autre variante du mode de réalisation de la figure 1. Au cours de cette étape, le substrat 60 de la structure de la figure 9 est gravé partiellement de manière à ne conserver que les portions de substrat 60 situées aux endroits où les photodiodes du deuxième étage seront situées, de préférence en regard des photodiodes 32 du premier étage, et où les transistors du deuxième étage seront situés. Au cours de cette étape, la couche 64 est gravée de manière à conserver : - des portions 64a de la couche 64 situées sous les portions du substrat 60 aux emplacements des transistors ; - des portions 64b de la couche 64 situées sous les portions du substrat 60 aux emplacements des photodiodes ; et - des portions 64c de la couche 64 s'étendant à partir des portions 64b et n'étant pas situées entre les portions du substrat 60 et le premier étage. Au cours de cette étape, des grilles 68 des transistors sont formés sur les portions du substrat 60 situées aux emplacements des transistors. La figure 11 représente une autre étape de fabrication d'une autre variante du mode de réalisation de la figure 1. Au cours de cette étape, les portions du substrat 60 situées aux emplacements des photodiodes sont dopées de manière à former une couche 70, séparée de la couche 64 par une couche 72 de substrat 60. Les photodiodes du deuxième étage comprennent donc un empilement, dans cet ordre à partir de la face 14b, des couches 64, 72 et 70. Au cours de cette étape, des portions du substrat 60 situées aux emplacements des transistors sont dopées de manière à former les zones 74 de source et de drain des transistors. Au cours de cette étape, une couche 76 isolante est formée sur la face 14b du premier étage, sur les photodiodes et sur les transistors. De plus, des vias conducteurs 78 sont formés à travers la couche 76 de manière à atteindre les couches 64 et 70, les zones 74 de drain et de source et les grilles 68 des transistors. Eventuellement, d'autres vias conducteurs non représentés peuvent être formés, par exemple des vias traversant les couches 76 et 42 de manière à atteindre les pistes métalliques du premier étage. Les étapes des vues A des figures 3 et 8 peuvent être remplacées par d'autres étapes de formation du premier étage. Par exemple, les étapes des vues A des figures 3 et 8 peuvent être remplacées par des étapes de formation d'un premier étage ne comprenant pas de transistor, comprenant par exemple que des photodiodes et des éléments de connexion. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Dispositif optoélectronique (10) comprenant un empilement : - d'un premier étage (14) comprenant des premières photodiodes configurées pour fonctionner dans une première gamme de longueurs d'onde ; et - d'un deuxième étage (16) comprenant des deuxièmes photodiodes configurées pour fonctionner dans une deuxième gamme de longueurs d'onde, le premier étage étant situé entre des rayonnements (12) adaptés à être reçus par le dispositif et le deuxième étage (16), les portions du premier étage situées entre le deuxième étage et les rayonnements étant en des matériaux transparents aux longueurs d'onde de la première gamme de longueurs d’onde. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le dispositif comprend un troisième étage (18), en contact avec une face du deuxième étage (16) opposée à une face en contact avec le premier étage (14). Dispositif selon la revendication 2, dans lequel le troisième étage (18) comprend un circuit de lecture des premières et deuxièmes photodiodes. Dispositif selon la revendication 2 ou 3, dans lequel le troisième étage (18) a une épaisseur supérieure à 70 µm. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la première gamme de longueurs d'onde correspond au domaine du visible et la deuxième gamme de longueurs d'onde correspond au domaine de l'infrarouge. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel les premières photodiodes sont formées dans un premier substrat en silicium ou en phosphure d'indium. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel les deuxièmes photodiodes sont formées dans un deuxième substrat en un alliage du type III-V. Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique comprenant : a) la formation d'un premier étage (14) d'un empilement comprenant des premières photodiodes configurées pour fonctionner dans une première gamme de longueurs d'onde ; et b) la formation d'un deuxième étage (16) de l'empilement comprenant des deuxièmes photodiodes configurées pour fonctionner dans une deuxième gamme de longueurs d'onde, le premier étage étant situé entre des rayonnements adaptés à être reçus par le dispositif et le deuxième étage, les portions du premier étage situées entre le deuxième étage et les rayonnements étant en des matériaux transparents aux longueurs d'onde de la première gamme. Procédé selon la revendication 8 appliqué à la fabrication d'un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7. Procédé la revendication 8 ou 9, dans lequel l'étape b) comprend : b1) la fixation d'un substrat au premier étage ; et b2) la formation des deuxièmes photodiodes dans ledit substrat. Procédé selon la revendication 10, dans lequel l'étape b) comprend la formation de transistors dans et sur le substrat. Procédé selon la revendication 9 ou 10 dans son rattachement à la revendication 3, comprenant, après les étapes a) et b), la formation du troisième étage. Procédé selon la revendication 12, dans lequel le troisième étage est fixé sur le deuxième étage par collage hybride.