Brevet FR3102612A1 — publié le 20210430

Un circuit intégré comprend un substrat (SBT) semiconducteur incorporant un réseau (RES) de diodes de type diode à avalanche déclenchée par photon individuel comportant au moins deux diodes (SPAD1, SPAD2) adjacentes l’une à l’autre, et un miroir de Bragg (MB) respectivement interposé entre lesdites au moins deux diodes (SPAD1, SPAD2) adjacentes, le miroir de Bragg (MB) étant adapté pour empêcher une propagation de lumière entre ces deux diodes. Figure pour l’abrégé : 2 CIRCUIT INTEGRÉ COMPRENANT UN RÉSEAU DE DIODES À AVALANCHE DÉCLENCHÉE PAR UN PHOTON UNIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN TEL CIRCUIT INTÉGRÉ Des modes de mise en œuvre et de réalisation de l’invention concernent les circuits intégrés, en particulier ceux comprenant un réseau de diodes à avalanche déclenchée par un photon unique. Les diodes à avalanche déclenchée par un photon unique sont généralement désignées par l’homme du métier par l’acronyme SPAD de l’anglais « Single-photon avalanche diode ». Les diodes SPAD sont capables de détecter des signaux de faible intensité tel qu’un unique photon, et de signaler l'instant d’arrivée de ce photon avec une résolution temporelle élevée. En particulier, les diodes SPAD exploitent le courant d’avalanche d’une jonction P – N déclenché par un rayonnement incident. Plus particulièrement, les diodes SPAD sont polarisées en inverse au-delà de leur tension de claquage. Une tension de polarisation inverse élevée génère un champ électrique suffisamment important pour qu'un seul porteur de charge introduit dans une zone de déplétion de la diode SPAD puisse provoquer une avalanche auto-entretenue via une ionisation par impact. L'avalanche est ensuite éteinte, de manière active ou passive, afin de permettre une réinitialisation de la diode SPAD pour détecter d'autres photons. Le porteur de charge initiateur peut être généré photoélectriquement par un seul photon incident frappant la région de champ élevé. Ce mode de fonctionnement de détection de photon unique est souvent appelé mode Geiger. Au cours de l'avalanche se produisant dans une diode SPAD, une grande quantité de porteurs chauds est générée. Ces porteurs chauds se relaxent en émettant dans toutes les directions une lumière parasite dans le rouge ou dans l’infrarouge proche. Dans les réseaux à diodes SPAD classiques, la lumière émise par les porteurs chauds générés dans une diode SPAD du réseau peut se propager à travers de grandes épaisseurs de silicium séparant les diodes SPAD et être absorbée par une diode SPAD adjacente. Cette absorption de lumière parasite par la diode SPAD adjacente génère alors une avalanche indésirable dans cette diode SPAD. Ce phénomène est appelé diaphonie électro-optique (généralement désignée sous le vocable anglo-saxon de « electro-optical crosstalk »). L’avalanche dans la diode SPAD adjacente résultant de la diaphonie peut entraîner une chute de tension en-dessous de la tension de claquage. De ce fait, cette diode SPAD adjacente ne peut plus détecter de photon. Il est alors nécessaire de recharger cette diode SPAD adjacente de façon à augmenter la tension de polarisation au-dessus de la tension de claquage afin que la diode SPAD puisse de nouveau détecter des photons. Cette recharge est effectuée sur une durée importante, de plusieurs nanosecondes, pendant laquelle la diode SPAD ne peut pas détecter de photon. Cette recharge résultant d’une communication non souhaitée de la lumière émise par les porteurs chauds générés par la diode SPAD adjacente réduit donc les performances du réseau de diodes SPAD. Afin d’atténuer le phénomène de diaphonie, il est classique de réduire la tension de polarisation excessive (de l’anglais « excess bias voltage ») des diodes SPAD. En effet, la réduction de la tension de polarisation excessive permet de réduire la quantité de porteurs chauds générés pendant l'avalanche. Néanmoins, cette solution entraîne une baisse des performances des diodes SPAD du réseau de diodes SPAD. Il existe donc un besoin de pouvoir, proposer un circuit intégré comprenant un réseau de diodes SPAD performant permettant de réduire voire d’éliminer le phénomène de diaphonie. Selon un aspect, il est proposé un circuit intégré comprenant un substrat semiconducteur incorporant un réseau de diodes de type diode à avalanche déclenchée par photon unique comportant au moins deux diodes adjacentes l’une à l’autre, et un miroir de Bragg respectivement interposé entre lesdites au moins deux diodes adjacentes, le miroir de Bragg étant adapté pour empêcher une propagation de lumière entre ces deux diodes. Dans la suite, le réseau de diodes SPAD est également appelé réseau photodétecteur. Le réseau photodétecteur comprend donc une pluralité de diodes SPAD. Un circuit intégré selon cet aspect peut comprendre un ou plusieurs miroirs de Bragg. Chaque miroir de Bragg présente ainsi un premier côté latéral en contact avec une première diode SPAD du réseau photodétecteur et un deuxième côté latéral, opposé au premier côté latéral, en contact avec une deuxième diode SPAD du réseau photodétecteur adjacente à la première diode SPAD. Un circuit intégré selon cet aspect est ainsi adapté pour éliminer la diaphonie entre deux diodes SPAD adjacentes entre lesquelles est interposé un miroir de Bragg. En effet, lorsqu’une diode SPAD disposée d’un côté d’un miroir de Bragg réceptionne un photon, ce miroir de Bragg permet de réfléchir et/ou d’absorber la lumière parasite incidente émise par les porteurs chauds générés lors d’une avalanche dans cette diode SPAD réceptrice. Ainsi, la lumière parasite n’est pas transmise à la diode SPAD adjacente disposée de l’autre côté du miroir de Bragg. Ces deux diodes SPAD peuvent ainsi fonctionner en même temps et ne risquent pas d’être désactivées par une lumière parasite générée par l’une de ces diodes SPAD. En outre, interposer un miroir de Bragg entre des diodes SPAD permet de maintenir une tension de polarisation excessive élevée. En effet, la quantité de porteurs chauds générés pendant l’avalanche n’a plus d’impact sur les diodes SPAD adjacentes. Il est donc ainsi possible de concevoir et fabriquer un réseau photodétecteur performant. Selon un mode de réalisation, chaque miroir de Bragg est configuré pour empêcher une propagation de la lumière ayant une longueur d’onde prise parmi les longueurs d’ondes susceptibles d’être générées par une relaxation énergétique de porteurs chauds générés par un effet d’avalanche déclenché dans l’une des deux diodes respectives. À titre indicatif, de telles longueurs peuvent être comprises entre 500nm et 2µm par exemple. De préférence, le circuit intégré comprend un miroir de Bragg interposé entre chaque diode adjacente dudit réseau photodétecteur. Ainsi, un tel circuit intégré est adapté pour éliminer tous les phénomènes de diaphonie dans l’ensemble du réseau photodétecteur. Toutes les diodes SPAD du réseau peuvent donc fonctionner en même temps et ne risquent pas d’être désactivées par une lumière parasite provenant de diodes SPAD adjacentes. De préférence, selon un mode de réalisation, chaque miroir de Bragg comporte plusieurs couches et est adapté pour réfléchir la lumière ayant un angle d’incidence compris entre 0° et 90° sur le miroir de Bragg, par rapport à un axe orthogonal à chaque couche de matériau du miroir de Bragg. Un tel miroir de Bragg est alors adapté pour empêcher la diffusion des photons les plus nuisibles. En effet, le risque de diaphonie est plus important pour les photons ayant un angle d’incidence compris entre 0° et 90°. Selon un mode de réalisation, le substrat semiconducteur a une face avant, chaque miroir de Bragg comprenant au moins trois couches alternées d’au moins deux matériaux d’indices de réfractions différents, au moins deux desdites couches s’étendant en profondeur dans le substrat depuis la face avant jusqu’à une région isolante de fond définissant le fond de chaque diode et isolant électriquement chaque diode du reste du substrat. Ainsi, chaque diode présente une hauteur définie entre la face avant du substrat, destinée à être exposée à un signal lumineux à détecter, et une face arrière du substrat en contact de la région isolante. Selon un mode de réalisation, au moins l’une desdites couches s’étend en profondeur depuis ladite face avant jusqu’à une extrémité distale située entre la face avant et la région isolante de fond. En particulier, chacune de ces couches s’étend en profondeur selon une longueur suffisante pour pouvoir réfléchir la lumière présentant un angle d’incidence inférieur à l’angle de Brewster. Avantageusement, selon un mode de réalisation, lesdits au moins deux matériaux d’indices de réfractions différents comprennent le silicium et le dioxyde de silicium. Ces matériaux possèdent des indices de réfraction permettant l’utilisation de couches de faible épaisseur tout en étant propices à la réflexion de la lumière pouvant être générée par une relaxation énergétique de porteurs chauds générés par un effet d’avalanche déclenché dans l’une des deux diodes respectives. En outre, le silicium et le dioxyde de silicium sont des matériaux maîtrisés par l’homme du métier et peu coûteux. Ainsi, la fabrication d’un miroir de Bragg avec de tel matériaux est avantageuse. Selon un mode de réalisation, le circuit intégré comprend en outre des tranchées profondes d’isolation latérale, dans lequel les couches de dioxyde de silicium et les tranchées profondes d’isolation latérale ont la même profondeur et la même structure. Selon un autre aspect, il est proposé un appareil électronique comprenant un circuit intégré tel que défini ci-dessus. Selon un autre aspect, il est proposé un procédé de fabrication d’un circuit intégré comprenant : - une formation au sein d’un substrat semiconducteur d’un réseau comprenant au moins deux diodes adjacentes les unes aux autres, les diodes étant de type diode à avalanche déclenchée par un photon unique, - une formation d’au moins un miroir de Bragg entre au moins deux diodes adjacentes l’une à l’autre dudit réseau, le miroir de Bragg étant adapté pour empêcher une propagation de lumière entre ces deux diodes. Selon un mode de mise en œuvre, ledit au moins un miroir de Bragg est formé de sorte qu’il puisse réfléchir la lumière ayant une longueur prise parmi les longueurs d’ondes susceptibles d’être générées par une relaxation énergétique de porteurs chauds générés par un effet d’avalanche déclenché dans l’une des deux diodes respectives. Selon un mode de mise en œuvre, ledit au moins un miroir de Bragg est formé de sorte qu’il soit adapté pour réfléchir la lumière ayant un angle d’incidence compris entre 0° et 90° sur le miroir de Bragg. Selon un mode de mise en œuvre, la formation des diodes du réseau comprend une formation d’une région isolante de fond définissant le fond de chaque diode et isolant électriquement chaque diode du reste du substrat. En outre, selon un mode de mise en œuvre, la formation de chaque miroir de Bragg comprend une formation d’au moins trois couches alternées d’au moins deux matériaux d’indices de réfraction différents entre lesdites deux diodes adjacentes de sorte qu’au moins deux desdites couches s’étendent en profondeur dans le substrat depuis une face avant du substrat jusqu’à la région isolante de fond. Selon un mode de mise en œuvre, la formation dudit au moins un miroir de Bragg comprend : - une formation d’un volume initial d’un premier matériau entre deux diodes adjacentes, le premier matériau présentant un premier indice de réfraction, - une gravure de plusieurs tranchées dans le volume du premier matériau, - un remplissage de chaque tranchée par un deuxième matériau présentant un deuxième indice de réfraction différent du premier indice de réfraction pour former des couches de deuxième matériau, chaque volume de premier matériau situé entre deux couches de deuxième matériau formant une couche de premier matériau. Ainsi, le miroir de Bragg comprend une alternance de couches entre des couches du premier matériau et des couches formées par le remplissage des tranchées par au moins un autre matériau. Un tel procédé de fabrication du miroir de Bragg permet de conserver un premier matériau monocristallin. En effet, chaque couche du premier matériau provient du volume initial du premier matériau. Selon ce dernier mode de mise en œuvre, au moins l’une desdites tranchées remplies de deuxième matériau s’étend en profondeur depuis ladite face avant jusqu’à une extrémité distale située entre la face avant et la région isolante de fond. Une telle tranchée peut être formée facilement et rapidement car il n’est pas nécessaire de graver le volume du premier matériau sur toute la hauteur de la diode. En variante, selon un autre mode de mise en œuvre, ladite formation d’au moins un miroir de Bragg comprend : - une formation d’un volume initial d’un premier matériau entre deux diodes adjacentes, le premier matériau présentant un premier indice de réfraction, - une gravure d’une tranchée dans ce premier matériau, la tranchée présentant deux bords latéraux délimités par le premier matériau puis - une formation d’au moins une alternance d’une couche d’un deuxième matériaux présentant un deuxième indice de réfraction différent du premier indice de réfraction, et d’une couche du premier matériau, successivement depuis les bords latéraux de la tranchée jusqu’à remplir la tranchée. Un tel procédé de fabrication du miroir de Bragg présente l’avantage de ne graver qu’une seule et unique tranchée dans le premier matériau. Selon un mode de mise en œuvre, le premier matériau et le deuxième matériau sont choisis parmi le silicium et le dioxyde de silicium. Selon un mode de mise en œuvre, le procédé de fabrication comprend en outre une formation de tranchées profondes d’isolation latérale comportant du dioxyde de silicium, et dans lequel la formation desdites couches de dioxyde de silicium est mise en œuvre simultanément avec la formation des tranchées profondes d’isolation latérales. D’autres avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront à l’examen de la description détaillée de modes de mise en œuvre et de réalisation, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels : est une représentation schématique en vue de dessus d’un circuit intégré selon un mode de réalisation de l’invention, est une représentation schématique en coupe partielle d’un circuit intégré selon un premier mode de réalisation de l’invention, est une représentation schématique en coupe partielle d’un circuit intégré selon un deuxième mode de réalisation de l’invention, est une représentation schématique d’un appareil électronique selon un mode de réalisation de l’invention. illustre des résultats d’étapes d’un procédé de fabrication d’un circuit intégré selon un premier mode de mise en œuvre de l’invention. illustre des résultats d’étapes d’un procédé de fabrication d’un circuit intégré selon un deuxième mode de mise en œuvre de l’invention. La figure 1 représente un mode de réalisation d’un circuit intégré CI selon l’invention. Le circuit intégré CI comprend un réseau photodétecteur RES. Le réseau photodétecteur RES comprend une pluralité de diodes de type diode à avalanche déclenchée par un photon unique, dites diodes SPAD. Dans les modes de réalisation représentés aux figures 2 et 3 seulement deux diodes SPAD1, SPAD2 sont représentées. De préférence, l’ensemble des diodes SPAD du réseau photodétecteur RES sont identiques. En particulier, chaque diode SPAD présente une forme de parallélogramme. De préférence, le réseau photodétecteur RES s’étend selon un plan. Les diodes SPAD permettent de détecter la lumière. En particulier, les diodes SPAD exploitent le courant d’avalanche d’une jonction P – N déclenché par un photon incident pour détecter ce photon. En particulier, dans les modes de réalisation représentés aux figures 2 et 3, chaque diode SPAD est formée dans un substrat SBT semiconducteur. Chaque diode SPAD comprend une première région REG1 de la diode SPAD. Cette première région REG1 présente un premier type de conductivité, par exemple de type N+. Cette première région REG1 est adaptée pour capter des photons incidents sur la partie d’une face, dite face avant FAV, du substrat SBT semiconducteur. Cette face avant FAV délimite notamment la première région REG1. La face avant FAV du substrat SBT semiconducteur supporte des composants du circuit intégré. En particulier, la face avant FAV est la face à partir de laquelle est fabriquée la région du circuit intégré contenant les éléments électroniques du circuit intégré, tels que des transistors et diodes. Cette région est autrement désignée par l’acronyme usuel « FEOL » pour « Front End Of Line » en anglais. Le signal de lumière à détecter par le réseau peut être reçu soit par la face avant FAV soit par une face arrière FAR du substrat SBT opposée à la face avant FAV. La première région REG1 est reliée à un contact de cathode. Chaque diode SPAD comprend en outre une deuxième région REG2 présentant un deuxième type de conductivité, par exemple de type P-. Cette deuxième région REG2 encadre latéralement la première région REG1. Chaque diode SPAD comprend également une troisième région REG3 présentant un troisième type de conductivité, par exemple de type P, reliée à un contact d’anode. Cette troisième région REG3 s’étend notamment sous la première région REG1 et la deuxième région REG2. Chaque diode SPAD comprend en outre une région profonde REG4 présentant le deuxième type de conductivité, par exemple de type P-. Cette région profonde REG4 est entourée par la troisième région REG3. Cette région profonde REG4 repose sur une région isolante de fond ISO s’étendant sous l’ensemble des diodes SPAD du réseau photodétecteur RES. Ainsi, chaque diode présente une hauteur définie entre la face avant FAV du substrat SBT adaptée pour capter des photons et la face arrière FAR du substrat SBT en contact de la région isolante de fond ISO. Chaque diode SPAD est polarisée en inverse. Par exemple, la première région REG1 de type N+ est portée à 20V et la troisième région REG3 de type P est portée à 0V. En particulier, chaque diode SPAD est polarisée en inverse au-delà de sa tension de claquage. Une tension de polarisation inverse élevée génère un champ électrique suffisamment important pour qu'un seul porteur de charge introduit dans une zone de déplétion de la diode SPAD puisse provoquer une avalanche auto-entretenue via une ionisation par impact. Au cours de l'avalanche se produisant dans une diode SPAD, une grande quantité de porteurs chauds est générée. Ces porteurs chauds se relaxent en émettant dans toutes les directions une lumière parasite dans le rouge ou dans l’infrarouge proche. Afin d’éviter un phénomène de diaphonie électro-optique entre les diodes SPAD du réseau, le réseau photodétecteur RES comprend également un miroir de Bragg MB entre chaque diode SPAD du réseau photodétecteur RES. En effet, chaque miroir de Bragg MB permet de réfléchir et/ou absorber la lumière parasite générée par une diode SPAD réceptrice de façon à éviter que cette lumière parasite soit communiquée à une diode SPAD adjacente à cette diode SPAD réceptrice. Les figures 2 et 3 montrent deux modes de réalisation d’un tel miroir de Bragg MB entre deux diodes SPAD1 et SPAD2. Dans ces deux modes de réalisation, le miroir de Bragg MB comprend une succession d’au moins deux couches CO de matériaux MAT1, MAT2 d’indices de réfraction différents. Cette succession de couches CO permettent de réfléchir et/ou absorber la lumière incidente sur le miroir de Bragg MB. En particulier, les couches CO sont orientées de façon à s’étendre verticalement, c’est-à-dire orthogonalement par rapport à la face avant FAV du substrat SBT. En outre, l’indice de réfraction d’une couche CO du miroir de Bragg MB est différent de celui des couches CO adjacentes. Chaque miroir de Bragg MB présente ainsi un premier côté latéral CL1 en contact avec une première diode SPAD1 du réseau photodétecteur RES et un deuxième côté latéral CL2, opposé au premier côté latéral CL1, en contact avec une deuxième diode SPAD2 du réseau photodétecteur RES adjacente à la première diode SPAD1. Plus particulièrement, le miroir de Bragg MB peut comprendre alors une succession alternée de couches CO de silicium et de couches CO de dioxyde de silicium, le silicium et le dioxyde de silicium présentant des indices de réfraction différents. Ces matériaux possèdent des indices de réfraction permettant l’utilisation de couches CO de faible épaisseur tout en étant propices à la réflexion de la lumière pouvant être générée par une relaxation énergétique de porteurs chauds générés par un effet d’avalanche déclenché dans l’une des deux diodes respectives. En outre, le silicium et le dioxyde de silicium sont des matériaux maîtrisés et habituels dans les dispositifs semiconducteurs. Ainsi, la fabrication d’un miroir de Bragg MB avec de tel matériaux est relativement simple à mettre en œuvre et avantageuse, notamment en matière d’économie des coûts. Plus le miroir de Bragg MB comprend de couches CO plus il est performant pour empêcher une diffusion de photons entre les deux diodes SPAD1, SPAD2 entre lesquelles le miroir de Bragg MB est interposé. Dans les modes de réalisation représentés sur les figures 2 et 3, le miroir de Bragg MB comprend cinq couches CO de dioxyde de silicium et quatre couches CO de silicium. L’épaisseur de chaque couche peut être choisie à partir de la relation de Bragg suivante : L=λ 0 /4n , où λ 0 est la longueur d’onde d’intérêt et n est l’indice de réfraction de la couche. En particulier, la longueur d’onde d’intérêt peut être calculée à partir de la formule suivante : Afin de réfléchir la lumière parasite pouvant entraîner une avalanche dans une diode SPAD adjacente d’une diode SPAD réceptrice d’un photon, λ min peut être choisi entre 500nm et 600nm (rouge) et λ max peut être choisi entre 1,1µm et 1,2µm (infrarouge proche). Ainsi, λ 0 peut être égal à 824nm. L’épaisseur des couches de dioxyde de silicium peut alors être égale à 142nm et l’épaisseur des couches de silicium peut être de 56nm. Chaque miroir de Bragg MB du réseau photodétecteur RES est au moins adapté pour réfléchir la lumière ayant un angle d’incidence compris entre 0° et 60° sur le miroir de Bragg MB. Chaque miroir de Bragg MB est alors adapté pour empêcher la diffusion des photons les plus nuisibles. En effet, le risque de diaphonie est plus important pour les photons ayant un angle d’incidence compris entre 0° et 60°. Dans le mode de réalisation décrit ci-avant en relation avec la figure 2, chacune des couches CO s’étend sur la hauteur des diodes entre lesquelles le miroir de Bragg MB est interposé. Chaque couche CO s’étend donc à partir de la face avant FAV du substrat SBT jusqu’à la région isolante de fond ISO. En variante, comme représenté à la figure 3, certaines couches CO’ du miroir de Bragg MB peuvent s’étendre uniquement sur une fraction de la hauteur des diodes entre lesquelles le miroir de Bragg MB est interposé. En particulier, dans le mode de réalisation représenté à la figure 3, deux couches CO’ de dioxyde de silicium s’étendent uniquement sur une fraction de la hauteur des diodes. En particulier, chaque couche CO’ s’étendant uniquement sur une partie de la hauteur des diodes s’étend en profondeur depuis ladite face avant FAV jusqu’à une extrémité distale située entre la face avant FAV et la région isolante de fond ISO. Chaque couche CO’ s’étendant uniquement sur une partie de la hauteur des diodes SPAD est adaptée pour empêcher la diffusion de lumière ayant un faible angle d’incidence entre les diodes, notamment un angle d’incidence compris entre 0° et l’angle de Brewster. Un circuit intégré CI selon l’invention est ainsi adapté pour éliminer la diaphonie entre deux diodes SPAD adjacentes entre lesquelles est interposé un miroir de Bragg MB. Lorsqu’une diode SPAD disposé d’un côté CL1, CL2 d’un miroir de Bragg MB réceptionne un photon, ce miroir de Bragg MB permet de réfléchir et/ou d’absorber la lumière parasite incidente émise par les porteurs chauds générés lors d’une avalanche dans cette diode SPAD réceptrice. Ainsi, la lumière parasite n’est pas transmise à la diode SPAD adjacente disposée de l’autre côté CL1, CL2 du miroir de Bragg MB. Ainsi, ces deux diodes SPAD peuvent fonctionner en même temps et ne risquent pas d’être désactivées par une lumière parasite générée par l’une de ces diodes SPAD. En outre, interposer un miroir de Bragg MB entre des diodes SPAD permet de maintenir une tension de polarisation excessive élevée. En effet, la quantité de porteurs chauds générés pendant l’avalanche n’a plus d’impact sur les diodes SPAD adjacentes. Il est donc ainsi possible de concevoir un réseau photodétecteur RES performant. Par ailleurs, le circuit intégré peut comprendre des tranchées profondes d’isolation latérale DTI comme représenté aux figures 2 et 3. Les tranchées profondes d’isolation sont bien connues par l’homme du métier sous l’acronyme « DTI » de l’anglais « Deep Trench Isolation ». La figure 4 représente un appareil électronique AE comprenant un circuit intégré CI selon l’invention. L’appareil électronique AE peut être un capteur de temps de vol ou un appareil équipé d’un capteur de temps de vol. La figure 5 illustre des résultats d’étapes d’un procédé de fabrication d’un circuit intégré selon un premier mode de mise en œuvre. La figure 6 illustre des résultats d’étapes d’un procédé de fabrication d’un circuit intégré selon un deuxième mode de mise en œuvre. Ces deux modes de mise en œuvre comprennent tout d’abord la formation d’une pluralité de diodes SPAD adjacentes les unes aux autres de façon à former un réseau photodétecteur. En particulier, on forme également entre chaque diode adjacente du réseau un volume initial d’un premier matériau MAT1, par exemple du silicium. Chaque volume initial du premier matériau MAT1 s’étend contre les diodes SPAD adjacentes à ce volume initial sur une hauteur égale à celle des diodes SPAD adjacentes. Chaque miroir de Bragg est ensuite formé à partir de ce volume de silicium. Les figures 5 et 6 illustrent ainsi deux modes de mises en œuvre pour fabriquer un miroir de Bragg à partir d’un volume du premier matériau MAT1 entre deux diodes adjacentes du réseau photodétecteur. Le mode de mise en œuvre représenté à la figure 5 comprend une étape A dans laquelle une pluralité de tranchées TR sont gravées dans le premier matériau MAT1. Dans ce mode de mise en œuvre le premier matériau MAT1 est le silicium. En particulier, sur la figure 5 uniquement deux tranchées TR sont illustrées. Néanmoins, il est possible de graver lors de l’étape A plus de deux tranchées TR. Des couches CO d’un deuxième matériau MAT2 sont ensuite formées dans les tranchées TR réalisées à l’étape B. Ce deuxième matériau MAT2 présente un indice de réfraction différent de celui du premier matériau MAT1. En particulier, le deuxième matériau MAT2 peut être du dioxyde de silicium. Ces couches de deuxième matériau MAT2 sont formées de façon à remplir chacune de ces tranchées TR. À l’étape C, une autre tranchée TR est ensuite gravée dans le volume du premier matériau MAT1 entre les couches de deuxième matériau MAT2. Puis, à l’étape D, une autre couche du deuxième matériau MAT2 est formée dans la tranchée TR réalisée à l’étape C. Cette couche de deuxième matériau MAT2 est formée de façon à remplir la tranchée TR réalisée à l’étape C. Chaque gravure de tranchée TR est donc utilisée pour former une couche de deuxième matériau MAT2. Les couches de premier matériau MAT1 sont formées entre les couches de deuxième matériau MAT2 à partir du volume initial du premier matériau MAT1. Ainsi, la largeur des tranchées TR est choisie en fonction de l’épaisseur souhaitée des couches de deuxième matériau MAT2. En particulier, la largeur de chaque tranchée TR est de 142nm lorsque le deuxième matériau MAT2 est du dioxyde de silicium. L’agencement des tranchées TR est choisi de façon à former des couches de premier matériau MAT1 de 56nm d’épaisseur lorsque le premier matériau MAT1 est du silicium. Les tranchées TR sont réalisées sur deux étapes différentes (étapes A et C) de façon à éviter de former des couches CO de premier matériau MAT1 fragiles de faible épaisseur entre les tranchées TR avant le remplissage de ces tranchées TR par le deuxième matériau MAT2. Dans ce mode de mise en œuvre, les couches de premier matériau MAT1 sont toutes formées à partir du volume initial du premier matériau MAT1. Ainsi, un tel procédé de fabrication du miroir de Bragg peut permettre de conserver des couches de premier matériau MAT1 monocristallines, notamment des couches de silicium monocristallines. En outre, dans ce mode de mise en œuvre, la formation desdites couches de dioxyde de silicium peut être mise en œuvre simultanément avec une formation de tranchées profondes d’isolation latérales. En effet, les couches de dioxyde de silicium et les tranchées profondes d’isolation latérale présentent une même structure et peuvent donc être formées dans une même étape de fabrication. En variante, le mode de mise en œuvre représenté à la figure 6 comprend à l’étape A’ une formation par gravure d’une tranchée TR de largeur suffisante pour contenir plusieurs couches CO -notamment l’ensemble des couches- du miroir de Bragg. En particulier, les couches CO de matériau MAT1, MAT2 du miroir de Bragg sont formées successivement dans la tranchée TR à partir des bords latéraux de cette tranchée TR jusqu’à ce que la tranchée TR soit remplie. Par exemple, des couches de silicium MAT1 et des couches de dioxyde de silicium MAT2 sont successivement formées dans la tranchée TR. Plus particulièrement, dans l’exemple représenté à la figure 6, une tranchée TR de 538nm est gravée dans un volume initial de silicium. Cette largeur permet de recevoir trois couches de dioxyde de silicium MAT2 de 142nm et deux couches de silicium MAT1 de 56nm. En particulier, à l’étape B’, deux couches de dioxyde de silicium MAT2 de 142nm sont formées sur chaque bord latéral de la tranchée TR au contact du silicium du volume initial de silicium. Puis à l’étape C’, deux couches de silicium MAT1 de 56nm sont formées contre les couches de dioxyde de silicium formée à l’étape B’. Enfin, à l’étape D’, une couche de dioxyde de silicium MAT2 de 142nm est formée entre les couches de silicium formées à l’étape C’. Un tel procédé de fabrication du miroir de Bragg présente l’avantage de ne graver qu’une seule et unique tranchée TR dans le premier matériau MAT1. En effet, graver plusieurs tranchées TR dans le premier matériau MAT1 fragilise ce dernier. Dans les deux modes de mise en œuvre représentés aux figures 5 et 6, la profondeur des gravures peut être choisie en fonction de la hauteur souhaitée des couches du miroir de Bragg, par exemple des couches de dioxyde de silicium. Ainsi, les gravures peuvent être formées sur la hauteur des diodes SPAD ou sur une partie de la hauteur des diodes SPAD. En particulier, les couches CO’ de dioxyde de silicium s’étendant uniquement sur une partie de la hauteur des diodes SPAD peuvent être formées facilement et rapidement. En effet, pour de telles couches de dioxyde de silicium, il n’est pas nécessaire de graver le volume du premier matériau MAT1 sur toute la hauteur de la diode et la formation de chaque couche de dioxyde de silicium est plus rapide du fait de la hauteur réduite de cette couche. Bien entendu, la présente invention est susceptible de diverses variantes et modifications qui apparaîtront à l’homme de l’art. Par exemple, en variante d’un miroir comprenant une alternance de couches de silicium et de dioxyde de silicium, rien n’empêche de prévoir un miroir de Bragg comprenant une alternance de couches de nitrure de silicium et de germanium. Circuit intégré comprenant un substrat (SBT) semiconducteur incorporant un réseau (RES) de diodes de type diode à avalanche déclenchée par photon unique comportant au moins deux diodes (SPAD1, SPAD2) adjacentes l’une à l’autre, et un miroir de Bragg (MB) respectivement interposé entre lesdites au moins deux diodes (SPAD1, SPAD2) adjacentes, le miroir de Bragg (MB) étant adapté pour empêcher une propagation de lumière entre ces deux diodes. Circuit intégré selon la revendication 1, dans lequel chaque miroir de Bragg (MB) est configuré pour empêcher une propagation de la lumière ayant une longueur d’onde prise parmi les longueurs d’ondes susceptibles d’être générées par une relaxation énergétique de porteurs chauds générés par un effet d’avalanche déclenché dans l’une des deux diodes respectives. Circuit intégré selon l’une quelconque des revendications 1 ou 2, dans lequel chaque miroir de Bragg (MB) comporte plusieurs couches et est adapté pour réfléchir la lumière ayant un angle d’incidence compris entre 0° et 90° sur le miroir de Bragg (MB), par rapport à un axe orthogonal à chaque couche de matériau du miroir de Bragg. Circuit intégré selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel le substrat (SBT) semiconducteur a une face avant (FAV), chaque miroir de Bragg (MB) comprenant au moins trois couches alternées d’au moins deux matériaux d’indices de réfractions différents, au moins deux desdites couches s’étendant en profondeur dans le substrat (SBT) depuis la face avant (FAV) jusqu’à une région isolante de fond définissant le fond de chaque diode et isolant électriquement chaque diode du reste du substrat. Circuit intégré selon la revendication 4, dans lequel au moins l’une desdites couches s’étend en profondeur depuis ladite face avant (FAV) jusqu’à une extrémité distale située entre la face avant (FAV) et la région isolante de fond. Circuit intégré selon l’une des revendications 4 ou 5, dans lequel lesdits au moins deux matériaux d’indices de réfractions différents comprennent le silicium et le dioxyde de silicium. Circuit intégré selon la revendication 6, comprenant en outre des tranchées profondes d’isolation latérale (DTI), dans lequel les couches de dioxyde de silicium et les tranchées profondes d’isolation latérale (DTI) ont la même profondeur et la même structure. Appareil électronique comprenant un circuit intégré selon l’une des revendications 1 à 7. Procédé de fabrication d’un circuit intégré (CI) comprenant : - une formation au sein d’un substrat (SBT) semiconducteur d’un réseau (RES) comprenant au moins deux diodes (SPAD1, SPAD2) adjacentes les unes aux autres, les diodes étant de type diode à avalanche déclenchée par un photon unique, - une formation d’au moins un miroir de Bragg (MB) entre au moins deux diodes (SPAD1, SPAD2) adjacentes l’une à l’autre dudit réseau (RES), le miroir de Bragg (MB) étant adapté pour empêcher une propagation de lumière entre ces deux diodes. Procédé selon la revendication 9, dans lequel ledit au moins un miroir de Bragg (MB) est formé de sorte qu’il puisse réfléchir la lumière ayant une longueur d’onde prise parmi les longueurs d’ondes susceptibles d’être générées par une relaxation énergétique de porteurs chauds générés par un effet d’avalanche déclenché dans l’une des deux diodes respectives. Procédé selon l’une quelconque des revendications revendication 9 ou 10, dans lequel ledit au moins un miroir de Bragg (MB) est formé de sorte qu’il soit adapté pour réfléchir la lumière ayant un angle d’incidence compris entre 0° et 90° sur le miroir de Bragg (MB). Procédé selon l’une des revendications 9 à 10, dans lequel : - la formation des diodes du réseau comprend une formation dans le substrat (SBT) d’une région isolante de fond définissant le fond de chaque diode et isolant électriquement chaque diode du reste du substrat, et - la formation de chaque miroir de Bragg (MB) comprend une formation d’au moins trois couches alternées d’au moins deux matériaux (MAT1, MAT2) d’indices de réfraction différents entre lesdites deux diodes adjacentes (SPAD1, SPAD 2) de sorte qu’au moins deux desdites couches s’étendent en profondeur dans le substrat (SBT) depuis une face avant (FAV) du substrat jusqu’à la région isolante de fond. Procédé selon l’une des revendications 9 à 12, dans lequel ladite formation dudit au moins un miroir de Bragg (MB) comprend : - une formation d’un volume initial d’un premier matériau (MAT1) entre deux diodes adjacentes, le premier matériau (MAT1) présentant un premier indice de réfraction, - une gravure d’une tranchée (TR) dans ce premier matériau (MAT1), la tranchée présentant deux bords latéraux délimités par le premier matériau (MAT1) puis - une formation d’au moins une alternance d’une couche d’un deuxième matériaux (MAT1) présentant un deuxième indice de réfraction différent du premier indice de réfraction, et d’une couche du premier matériau, (MAT2) successivement depuis les bords latéraux de la tranchée (TR) jusqu’à remplir la tranchée (TR). Procédé selon l’une des revendications 9 à 12, dans lequel la formation d’au moins un miroir de Bragg (MB) comprend : - une formation d’un volume initial d’un premier matériau (MAT1) entre deux diodes adjacentes, le premier matériau (MAT1) présentant un premier indice de réfraction, - une gravure de plusieurs tranchées (TR) dans le volume du premier matériau (MAT1), - un remplissage de chaque tranchée (TR) par un deuxième matériau (MAT2) présentant un deuxième indice de réfraction différent du premier indice de réfraction pour former des couches de deuxième matériau, chaque volume de premier matériau situé entre deux couches de deuxième matériau formant une couche de premier matériau. Procédé selon les revendications 12 et 14, dans lequel au moins l’une desdites tranchées remplies de deuxième matériau s’étend en profondeur depuis ladite face avant (FAV) jusqu’à une extrémité distale située entre la face avant (FAV) et la région isolante de fond. Procédé selon l’une des revendications 13 à 15, dans lequel le premier matériau et le deuxième matériau sont choisi parmi le silicium et le dioxyde de silicium. Procédé selon les revendications 14 et 16, comprenant en outre une formation de tranchées profondes d’isolation latérale (DTI) comportant du dioxyde de silicium, et dans lequel la formation desdites couches de dioxyde de silicium est mise en œuvre simultanément avec la formation des tranchées profondes d’isolation latérales.