Brevet FR3100886A1 — publié le 20210319

L’invention concerne un capteur infrarouge (10a) comportant : – une matrice de détecteurs bolométriques (11a), chaque détecteur comprenant une membrane bolométrique (60a) suspendue par des clous d’ancrage (50-51) ; et – un circuit de lecture, associé à chaque ligne ou à chaque colonne de ladite matrice, connecté auxdits clous d’ancrage et configuré pour mesurer une résistance bolométrique (Rimg1-Rimg2) de chaque détecteur bolométrique entre deux clous d’ancrage en intégrant, au moyen d’un circuit d’intégration (12a-12b), un courant traversant chaque résistance bolométrique (Rimg1-Rimg2) sur une durée d’intégration ; ledit circuit de lecture d’une même ligne ou d’une même colonne comportant : – au moins deux circuits d’intégration (12a-12b) distincts ; – un circuit d’adressage (14a-14b) constitué de transistors connectés entre les clous d’ancrage et lesdits circuits d’intégration ; et – un circuit de commande des transistors dudit circuit d’adressage configuré pour connecter au moins deux détecteurs bolométriques sur deux circuits d’intégration distincts durant une même durée d’intégration. Figure pour abrégé : Fig 3 CAPTEUR INFRAROUGE ET PROCEDE DE COMMANDE ASSOCIE L'invention concerne un capteur de rayonnements infrarouges ayant notamment vocation à fonctionner dans le domaine de l’imagerie infra-rouge dite « non-refroidie ». Ce capteur intègre un ensemble de détecteurs bolométriques formant les pixels d'une image infrarouge. L’invention concerne également un procédé de commande du circuit d’adressage d'un tel capteur infrarouge. L’invention trouve une application particulièrement avantageuse pour augmenter la définition ou le temps d’acquisition d'un capteur infrarouge. Arrière-plan technologique Dans le domaine des détecteurs infrarouges dits « thermiques », il est connu d'utiliser des matrices monodimensionnelles ou bidimensionnelles d’éléments sensibles au rayonnement infrarouge, susceptibles de fonctionner à température ambiante, c'est-à-dire ne nécessitant pas de refroidissement à de très basses températures, contrairement aux dispositifs de détection appelés « détecteurs quantiques », qui eux, nécessitent un fonctionnement à très basse température, typiquement celle de l'azote liquide. Un détecteur infrarouge thermique utilise traditionnellement la variation d'une grandeur physique d'un matériau approprié dit « thermométrique » ou « bolométrique », en fonction de sa température. Le plus couramment, cette grandeur physique est la résistivité électrique dudit matériau qui varie fortement avec la température. Les éléments sensibles unitaires du détecteur, ou « bolomètres », prennent usuellement la forme de membranes, comprenant chacune une couche en matériau thermométrique. Ce matériau thermométrique est suspendu au-dessus d’un substrat, généralement réalisé en silicium, via des bras de soutien de résistance thermique élevée. La matrice de membranes suspendues est usuellement désignée sous le terme de « rétine ». Ces membranes mettent notamment en œuvre une fonction d’absorption du rayonnement infrarouge incident, une fonction de conversion de la puissance du rayonnement absorbé en puissance calorifique, et une fonction thermométrique de conversion de la puissance calorifique produite en une variation de la résistivité du matériau thermométrique, ces fonctions pouvant être mises en œuvre par un ou plusieurs éléments distincts. Par ailleurs, les bras de soutien des membranes sont également conducteurs de l’électricité et connectés à la couche thermométrique desdites membranes. Chaque membrane est classiquement maintenue par deux ou quatre bras de soutien. En outre, ces bras de soutien sont reliés au substrat par un ou plusieurs clous. Dans une structure à deux bras de soutien montés sur deux clous, chaque membrane est indépendante des autres. Pour réduire la distance entre les membranes et, ainsi, augmenter la surface utile de captation, il est connu d’utiliser un seul clou entre deux membranes adjacentes. Cependant, dans cette architecture à un clou par membrane, les membranes sont couplées entre elles et la lecture de la valeur de chaque matériau thermométrique de chaque membrane est complexifiée. Il est usuellement ménagé, dans le substrat au-dessus duquel sont suspendues les membranes, des moyens d'adressage et de polarisation séquentiels des éléments thermométriques des membranes, et des moyens de formation des signaux électriques utilisables en formats vidéo. Ce substrat et les moyens intégrés sont communément désignés par l’expression « circuit de lecture ». Pour compenser la dérive en température du détecteur, une solution généralement mise en œuvre consiste à intégrer, dans le circuit de lecture, un élément de compensation des variations de température du substrat subies par le plan focal. Pour ce faire, un élément bolométrique est formé sur le substrat avec un comportement électrique dépendant de la température du substrat mais essentiellement insensible aux rayonnements subies par le plan focal. Ce résultat est obtenu, par exemple, au moyen de structures bolométriques dotées par construction d’une faible résistance thermique vers le substrat, et/ou en masquant ces structures derrière un écran opaque au rayonnement thermique. La mise en œuvre de ces éléments de compensation offre par ailleurs l’avantage d’éliminer l’essentiel du courant dit de mode commun issu des bolomètres d’imagerie ou « actifs ». Ce procédé est appelé « ébasage ». La figure 1 est un schéma électrique d’un capteur infrarouge 100a sans régulation de température, ou détecteur « TECless », de l’état de la technique, comprenant des détecteurs bolométriques 11a intégrant des membranes 60a suspendues par deux bras de soutien 61 , 62 sur deux clous 50 , 51 . Un tel capteur est par exemple décrit dans le document : « Uncooled amorphous silicon technology enhancement for 25μm pixel pitch achievement » ; E. Mottin et al, Infrared Technology and Application XXVIII, SPIE, vol. 4820E. La figure 2 est un schéma électrique d’un capteur infrarouge 100b comprenant des détecteurs bolométriques 11b intégrant des membranes 60b suspendues par deux bras de soutien 63 - 66 sur un clou 52 - 54 commun entre deux détecteurs bolométriques 11b consécutifs. Plus précisément, le capteur infrarouge 100a de la figure 1 comprend une matrice bidimensionnelle d’éléments unitaires de détection bolométrique 11a identiques, ou « pixels », comprenant chacun un bolomètre résistif sensible intégré dans une membrane 60a . La membrane 60a est suspendue au-dessus d’un substrat au moyen de deux clous 50 - 51 venant au droit du substrat et dont l’extrémité supérieure est reliée avec la membrane 60a par deux bras de soutien 61 , 62 . Le circuit de lecture comporte un circuit d’adressage 700a qui connecte séquentiellement chaque détecteur bolométrique 11a , représenté sous la forme d’un résistance Rimg , par l’une de ses bornes 51 à une tension constante Vdet , et par l’autre de ses bornes 51 à un transistor MOS d’injection fonctionnant en régime saturé, par exemple un transistor NMOS, réglant la tension aux bornes du détecteur bolométrique 11a au moyen d’une tension de commande de grille Fid . Pour connecter séquentiellement chaque détecteur bolométrique 11a , le circuit d’adressage 700a comporte généralement deux transistors de sélection commandés par les signaux de commande SEL1 et SEL2 et connectés de part et d’autre du transistor MOS d’injection de sorte à utiliser un MOS d’injection commun pour plusieurs lignes d’une même colonne. Le transistor MOS d’injection et les interrupteurs de sélection sont usuellement formés dans le substrat à l’aplomb de la membrane 60a du détecteur bolométrique 11a . Le circuit de lecture comporte également, en pied de chaque colonne de la matrice, un circuit de compensation 710 , également usuellement désignée sous le terme de structure d’«ébasage » ou sous l’expression anglo-saxonne « skimming ». Comme cela est décrit précédemment, la valeur de la résistance électrique des bolomètres de détection est dictée en grande partie par la température du substrat. Le courant parcourant un bolomètre de détection comporte ainsi une importante composante qui dépend de la température du substrat, et qui est indépendante de la scène observée. Le circuit de compensation 710 a pour fonction de produire un courant électrique à des fins de compensation partielle ou totale de cette composante. A cet effet, le circuit de compensation 710 comporte un bolomètre de compensation, de résistance électrique Rth , rendu insensible au rayonnement incident issu de la scène à observer. Le bolomètre de compensation est réalisé au moyen du même matériau thermométrique que les bolomètres actifs, mais présente une très faible résistance thermique vers le substrat. La résistance électrique Rth du bolomètre de compensation est ainsi essentiellement dictée par la température du substrat, le bolomètre de compensation est alors dit « thermalisé » au substrat. Le bolomètre de compensation est connecté à l’une de ses bornes à une tension constante Vsk et à l’autre de ses bornes à un transistor MOS d’ébasage fonctionnant en régime saturé, de polarité opposée à celle des transistors des pixels de détection, par exemple un transistor PMOS, réglant la tension aux bornes du bolomètre de compensation au moyen d’une tension de commande de grille Gsk . Les drains des deux transistors MOS sont connectés à un nœud d’intégration Ncom , lui-même connecté à un circuit d’intégration configuré pour intégrer le courant présent sur le nœud d’intégration Ncom et correspondant à la différence de courant entre le courant traversant la résistance bolométrique Rimg et le courant traversant le bolomètre de compensation. De manière classique, le circuit d’intégration comporte un intégrateur de type CTIA (pour l’expression anglo-saxonne « Capacitive Trans Impedance Amplifier ») réalisé, par exemple, par un amplificateur opérationnel et un unique condensateur, de capacité Cint fixe, connecté entre l’entrée inverseuse et la sortie de l’amplificateur. L’entrée inverseuse et l’entrée non-inverseuse de ce dernier sont par ailleurs connectées respectivement au nœud d’intégration Ncom et à une tension constante positive Vbus . La tension Vbus constitue ainsi une référence pour les signaux de sortie. Un interrupteur doit également être prévu en parallèle du condensateur, pour la décharge de celui-ci. Tel qu’illustré sur la figure 1, les sorties des CTIA sont, par exemple, connectées à des échantillonneurs-bloqueurs (« Sample and Hold ») respectifs pour la délivrance des tensions des CTIA en mode multiplexé au moyen d’un multiplexeur vers un ou des amplificateur(s) série de sortie. Il peut être également intégré en sortie des moyens de numérisation par convertisseurs analogique – numérique. Les échantillonneurs-bloqueurs sont préférentiellement réalisés par des mémoires analogiques, c’est-à-dire des condensateurs stockant les valeurs des tensions de sortie des CTIA. Le multiplexeur forme le signal de sortie en sélectionnant, ligne par ligne, les valeurs stockées dans les condensateurs des colonnes successives. Dans le cas de la figure 2, le capteur infrarouge 100b comprend une matrice bidimensionnelle d’éléments unitaires de détection bolométrique 11b identiques, comprenant chacun un bolomètre résistif sensible intégré dans une membrane 60b . Chaque membrane 60b est suspendue au-dessus d’un substrat par deux bras de soutien 63 - 66 , cependant un clou 52 - 54 est commun entre deux détecteurs bolométriques 11b consécutifs. Ainsi, une première membrane 60b est suspendue entre deux clous 52 et 53 au moyen de deux bras de soutien 63 et 65 . La seconde membrane 60b est liée avec le première membrane 60b car elle est montée sur le clou 53 par un bras de soutien 64 . En outre, la seconde membrane 60b est également montée sur un clou 54 au moyen d’un bras de soutien 66 . Cette structure permet de limiter le nombre de clous et la surface d’un pixel car un seul clou est nécessaire pour chaque membrane 60b supplémentaire. Le circuit de lecture est néanmoins plus complexe car, en plus des éléments précédemment décrits, le circuit d’adressage 700b requiert deux transistors de sélection SelP2 et SelP3 pour chaque résistance bolométrique Rimg . Pour lire la valeur de la résistance bolométrique Rimg montée entre les clous 53 et 54 , il faut fermer les interrupteurs SelP2 et SelP3 alors que les autres interrupteurs SelP2-1 , SelP2+1 , SelP3-1 et SelP3+1 sont ouverts. Cependant, que ce soit pour le montage de la figure 1 ou celui de la figure 2, le circuit d’adressage 700a - 700b doit sélectionner séquentiellement chaque détecteur bolométrique d’une ligne, ce qui limite le temps d’obtention d’une image, notamment lorsque l’image présente un grand nombre de pixels. Pour résoudre ce problème, la solution classique consiste à augmenter la vitesse de lecture de chaque pixel, c’est-à-dire à réduire le temps d’intégration afin de compenser l’augmentation du nombre de pixel par un temps de lecture plus court de sorte à obtenir l’image dans le même délai. La réduction de temps d’intégration a un impact négatif sur la sensibilité du circuit car cette sensibilité est proportionnelle à la racine carrée du temps d’intégration. La sensibilité du circuit est, par exemple, mesurée par le coefficient de performance connu sous l’acronyme « NETD » pour « Noise Equivalent Temperature Difference » dans la littérature anglo-saxonne. En variante, le document WO 2014/105897 propose de fusionner la lecture de plusieurs pixels simultanément afin de réduire le temps d’obtention d’une image. L’image est obtenue rapidement au prix de la dégradation de sa résolution puisque la fusion de plusieurs pixels a eu pour effet d’en limiter le nombre. Le problème technique de l’invention est d’obtenir une image présentant un grand nombre de pixels avec un temps d’acquisition comparable aux temps d’acquisition actuels, et ce, sans dégrader la qualité de l’image. L'invention propose de répondre à ce problème technique en utilisant, pour chaque ligne ou pour chaque colonne, au moins deux circuits de lecture de sorte à intégrer simultanément et de façon indépendante le courant traversant plusieurs résistances bolométriques d’une même ligne ou d’une même colonne. A cet effet, selon un premier aspect, l’invention concerne un capteur infrarouge comportant : – une matrice de détecteurs bolométriques juxtaposés en lignes et en colonnes, chaque détecteur bolométrique comprenant une membrane bolométrique suspendue au-dessus d’un substrat par des clous d’ancrage connectés électriquement à ladite membrane bolométrique ; et – un circuit de lecture, associé à chaque ligne ou à chaque colonne de ladite matrice, ledit circuit de lecture étant connecté auxdits clous d’ancrage et étant configuré pour mesurer une résistance bolométrique de chaque détecteur bolométrique entre deux clous d’ancrage en intégrant, au moyen d’un circuit d’intégration, un courant traversant chaque résistance bolométrique sur une durée d’intégration. L’invention se caractérise en ce que ledit circuit de lecture d’une même ligne ou d’une même colonne comporte : – au moins deux circuits d’intégration distincts ; – un circuit d’adressage constitué de transistors, fonctionnant en régime de commutation, connectés entre les clous d’ancrage et lesdits circuits d’intégration ; et – un circuit de commande des transistors dudit circuit d’adressage configuré pour connecter au moins deux détecteurs bolométriques sur deux circuits d’intégration distincts durant une même durée d’intégration. L’invention permet ainsi de lire la valeur d’un plus grand nombre de détecteurs bolométriques simultanément en utilisant plusieurs circuits de lecture par ligne ou par colonne au lieu d’un seul circuit de lecture pour chaque ligne ou pour chaque colonne. Le circuit d’adressage peut être configuré pour sélectionner des blocs de détecteurs bolométriques. Par exemple, dans le cas d’un capteur infrarouge comportant deux circuits d’intégration par colonne avec un premier circuit d’intégration disposé en tête de colonne et un second circuit d’intégration disposé en pied de colonne, le circuit d’adressage peut connecter successivement tous les détecteurs bolométriques disposés dans la partie supérieure de la matrice au premier circuit d’intégration, et connecter successivement, dans le même temps, tous les détecteurs bolométriques disposés dans la partie inférieure de la matrice au second circuit d’intégration. De préférence, le circuit d’adressage relie successivement tous les détecteurs bolométriques des lignes de rang pairs au premier circuit d’intégration, et tous les détecteurs bolométriques des lignes de rang impairs au second circuit d’intégration. Ce mode de réalisation permet de former plus facilement le signal en sortie du capteur infrarouge, car il n’est pas nécessaire de stocker les valeurs des résistances bolométriques mesurées, puisqu’elles sont déterminées dans l’ordre de la trame de sortie. En variante, le capteur infrarouge peut comporter plus de deux circuits d’intégration par colonne ou par ligne. Par exemple, le capteur infrarouge peut comporter quatre circuits d’intégration par colonne, le circuit d’adressage étant commandé pour connecter un détecteur bolométrique sur quatre aux quatre circuits d’intégration. L’invention permet d’obtenir un capteur infrarouge avec une plus grande définition que les capteurs infrarouges de l’art antérieur pour un même temps d’acquisition et une même sensibilité. Par exemple, pour obtenir une définition de 1280 par 1024 pixels avec une fréquence d’images de 30Hz, le temps d’intégration maximal est d’environ 32µs avec un capteur infrarouge classique. Or, la sensibilité NETD est proportionnelle à la racine carrée du temps d’intégration, celle-ci est donc forcément dégradée. L’utilisation d’au moins deux circuits d’intégration permet de doubler le temps de lecture maximal par ligne à environ 64µs, de sorte que la sensibilité peut être conservée. Il est également possible de former des images rapides en utilisant un temps d’intégration maximal par ligne d’environ 32µs avec une fréquence d’images de 60Hz. Le circuit de lecture d’un détecteur dans le domaine de l’imagerie infra-rouge non-refroidie étant beaucoup plus complexe qu’un circuit de lecture dans le domaine de l’imagerie visible, en raison du circuit d’intégration et du circuit d’ébasage notamment, il n’était pas évident de transposer les réalisations du domaine de l’imagerie visible dans le domaine de l’imagerie infra-rouge non refroidie. Cette complexité est d’autant plus exacerbée pour les détecteurs à un clou, c’est-à-dire les détecteurs bolométriques montés en suspension au-dessus du substrat par deux clous d’ancrage, au moins un clou d’ancrage étant commun à deux détecteurs bolométriques adjacents d’une même ligne ou d’une même colonne. En effet, dans cette architecture, les détecteurs bolométriques sont connectés en série dans une même colonne ou une même ligne, et le courant traversant une résistance bolométrique subit l’influence des détecteurs bolométriques précédents et suivants. Il s’ensuit qu’il est complexe de réaliser un circuit d’adressage pour lire la valeur de plusieurs résistances bolométriques et de gérer les problèmes de capacités parasites, de courants de fuite ou d’effet mémoire. De préférence, pour réaliser une lecture efficace des valeurs de plusieurs résistances bolométriques, les détecteurs bolométriques sont regroupés deux à deux avec un premier clou connecté au groupe précédent, un clou central et un dernier clou connecté au groupe suivant ; ledit circuit d’adressage comportant, pour chaque groupe de deux détecteurs bolométriques : – un transistor d’alimentation connecté entre une alimentation et ledit clou central ; – un transistor connecté entre le premier clou et une première ligne de sélection connectée à un premier circuit d’intégration ; – un transistor connecté entre le premier clou et une seconde ligne de sélection connectée à un second circuit d’intégration ; – un transistor connecté entre le dernier clou et ladite première ligne de sélection ; et – un transistor connecté entre le dernier clou et ladite seconde ligne de sélection ; les transistors connectés au premier clou correspondant aux transistors connectés au dernier clou du groupe précédent, et les transistors connectés au dernier clou correspondant aux transistors connectés au premier clou du groupe suivant ; pour réaliser la mesure de deux résistances bolométriques d’un groupe de deux détecteurs bolométriques, ledit circuit de commande des transistors étant configuré pour connecter uniquement le clou d’ancrage central du groupe sélectionné à l’alimentation, pour connecter tous les détecteurs bolométriques disposés en amont dudit clou central au second circuit d’intégration, et pour connecter tous les détecteurs bolométriques disposés en aval dudit clou central au premier circuit d’intégration. Ce mode de réalisation permet d’obtenir une mesure simultanée de deux détecteurs bolométriques consécutifs d’une même ligne ou d’une même colonne dans une architecture à un clou. Cependant, la complexité du circuit d’adressage nécessite, bien souvent, un test des transistors du circuit d’adressage avant de réaliser les détecteurs bolométriques en suspension au-dessus de l’empreinte de chaque pixel. Pour ce faire, il est connu d’utiliser un circuit de test par pixel. De préférence, le circuit de lecture comporte un circuit de test des transistors dudit circuit d’adressage associé, par exemple, à huit détecteurs bolométriques d’une même ligne ou d’une même colonne. Ce mode de réalisation permet de mutualiser plusieurs détecteurs bolométriques pour les phases de test, ce qui limite l’utilisation de la surface de chaque pixel. En outre, si le circuit de test est mutualisé sur un plus grand nombre de pixels, par exemple pour tous les détecteurs bolométriques d’une même colonne, les couplages électriques et les risques de microcoupures dans les lignes de tests sont très importants. En formant des structures identiques de huit détecteurs bolométriques, également appelées structure « octopel », ce mode de réalisation permet donc d’obtenir un bon compromis entre l’efficacité des phases de test et l’utilisation de la surface dans chaque pixel. En ce qui concerne les problèmes de capacités parasites, ils apparaissent dans les lignes des circuits d’adressage en raison d’un couplage électromagnétique entre ces lignes et de la faible puissance des signaux. Ces problèmes se résument en deux catégories. Une première catégorie de capacités parasites est liée à l’utilisation d’un pixel un clou, c’est à dire d’une chaine de micro-bolomètre. Cette chaine de micro-bolomètre présente des faibles capacités parasites qui prélèvent des charges destinées au système de lecture. En effet, le CTIA offre une amplification très importante, pour un temps d’intégration de 60µs et un condensateur d’une capacité de 6pf, l’amplification de courant est d’un facteur de 10 7 . Ainsi, le moindre courant circulant sur le nœud d’intégration et causé par une capacité en charge va venir modifier le niveau de sorti de la chaine de lecture. Le problème majeur étant que lorsque la chaine de micro-bolomètre est balayée, les deux micro-bolomètres utilisés lors de l’intégration vont être dans un environnement radicalement diffèrent. En début de chaine, le premier micro-bolomètre n’a pas de prédécesseur le second micro-bolomètre de la chaine a quant à lui tous les autres micro-bolomètres qui lui sont connectés. Les capacités parasites des lignes 1 et 2 vont donc être très différentes causant un lignage dégradant fortement la qualité du composant. Une seconde catégorie de capacités parasites est liée à la taille de la matrice. En effet, une taille de matrice importante implique des couplages cumulés importants. De plus, le détecteur doit respecter une limite de surface et une limite de consommation. Pour réduire cette seconde catégorie de capacités parasites, le circuit d’adressage comporte préférentiellement au moins deux lignes miroirs, une première ligne miroir connectée à ladite première ligne de sélection et une seconde ligne miroir connectée à ladite seconde ligne de sélection ; et des transistors connectés entre l’alimentation et lesdites lignes miroir ; le circuit de commande des transistors étant configuré pour commander les transistors desdites lignes miroir de sorte à créer des capacités parasites complémentaires avec celles des lignes de sélection en utilisant un code thermométrique. Autrement dit, une ligne miroir connectée avec une ligne de sélection présentent, à elles deux, une capacité totale sensiblement constante en entrée de chaque circuit d’intégration. Si une ligne de sélection présente de faibles capacités parasites en raison du nombre de transistors connectés sur la ligne de sélection, la ligne miroir est commandée pour présenter de fortes capacités parasites en connectant un grand nombre de transistors sur la ligne miroir. La somme des capacités parasites d’une ligne miroir et d’une ligne de sélection étant sensiblement constante, cette capacité totale peut être prise en considération dans le circuit d’intégration, évitant ainsi les fluctuations dues aux capacités parasites de la ligne de sélection. Bien que ce mode de réalisation complexifie le circuit de lecture, il permet de supprimer les variations de capacité de la ligne de sélection en amont du circuit d’intégration. De préférence, les transistors de la ligne miroir présentent également des courants de fuite complémentaires à ceux de la ligne de sélection, de sorte à supprimer également les variations des courants de fuite. En effet, compte tenu du nombre de détecteurs bolométriques de chaque colonne, par exemple pour un capteur infrarouge de 1280 pixels avec deux circuits d’intégration, un courant de fuite de 100pA par transistor de la ligne de sélection peut correspondre à une déviation de 256nA. L’intégration de ce courant parasite sur une capacité de 6pF pendant un temps d’intégration de 60us donnera une déviation finale en tension de 2.56V. En outre, lorsqu’un détecteur bolométrique est polarisé, les nœuds ne sont jamais à une valeur constante d’une ligne a l’autre sinon l’image serait uniforme. Il est donc certain qu’un effet mémoire va se produire du fait de la présence des capacités du circuit. Afin de supprimer cet effet mémoire, une précharge des nœuds du circuit en phase de reset est ajoutée à l’utilisation du code thermométrique de sorte à charger tous les nœuds parasites à une tension constante fixe unique. Cette précharge n’est malheureusement pas suffisante. En effet, les constantes de temps liées à la précharge, pourtant très faibles, ne permettent pas d’obtenir une précharge uniforme dans le cas où les lignes présentes des capacité parasites très différentes. L’utilisation d’une ligne miroir permet de résoudre également ce problème en uniformisant les capacités parasites du circuit. Cependant, même avec les lignes miroirs, il peut rester quelques faibles variations de capacités en entrée de chaque circuit d’intégration, par exemple de l’ordre du femtoFarrad. L’utilisation de deux circuits de lecture au sein d’une même colonne ajoute un autre problème lié cette fois à la seconde catégorie de capacités parasites. En effet, il existe un couplage capacitif entres les circuits au niveau du nœud d’intégration de chaque ligne du circuit de lecture. Ce couplage ne serait pas gênant si les charges aux bornes des capacités parasites restaient constantes, ce qui est le cas en fonctionnement normal dans lequel les nœuds d’intégration sont toujours à des valeurs fixes. Il peut toutefois arriver que les charges au niveau de ces nœuds d’intégration varient. En effet, si l’un des circuits de lecture sature, son montage intégrateur ne sera plus capable de maintenir le nœud d’intégration à une tension constante Vbus. En utilisant un capteur infrarouge avec 1024 lignes, un couplage capacitif de 1 fF par pixel induit un couplage total de 1024 x 1 fF, soit 1,024 pF. Avec un tel couplage, et si l’on considère que le circuit saturé fait passer le nœud d’intégration d’une tension constante Vbus à 0V, la déviation sur la sortie du circuit non saturé sera de (1.024pF/Cint) x Vbus. Avec une tension Vbus de 2.3V et une capacité d’intégration Cint de 6pF, la déviation sera de plus de 600mV. Pour éviter ce problème, le circuit de lecture comporte préférentiellement un circuit de prévention de saturation configuré pour détecter une saturation d’un circuit d’intégration et pour stopper l’intégration lorsqu’une saturation est détectée. Ce mode de réalisation permet de stopper l’intégration d’un circuit d’intégration pour éviter une dérive globale du potentiel fixe injecté en entrée du circuit d’intégration. En outre, stopper l’intégration peut être insuffisant car la saturation d’un circuit d’intégration va également impacter l’entrée du circuit d’intégration. De préférence, le circuit de prévention de saturation comporte des moyens de maintien d’une tension au niveau d’une entrée d’un circuit d’intégration, lesdits moyens étant configurés pour fixer ladite tension au niveau ladite entrée lorsqu’une saturation est détectée. Par exemple, le nœud d’intégration du montage intégrateur peut être fixé à la tension Vbus plus l’offset du montage intégrateur. Cette détection de saturation stoppe l’intégration pour éviter la dérive du courant au niveau de l’entrée du circuit d’intégration. De préférence, le circuit d’intégration comporte un condensateur d’intégration monté en contre-réaction entre la sortie et l’entrée du circuit d’intégration. Pour détecter cette dérive en courant, le circuit de prévention est préférentiellement connecté en sortie du circuit d’intégration. Ainsi, lorsqu’une ligne est intégrée et qu’une saturation basse est détectée, c’est-à-dire que la sortie du circuit d’intégration passe sous un seuil prédéterminé, par exemple de 0.3V, le circuit d’intégration est stoppé par le circuit de prévention en appliquant une remise à zéro aux bornes du condensateur d’intégration et en stockant sur la capacité d’échantillonnage en guise de signal une tension fixe Vsk ou Vdet selon le type de saturation détectée (haute ou basse). La remise à zéro du montage intégrateur restore la tension Vbus plus l’offset sur l’entrée inverseuse du montage intégrateur. Cette configuration présente un risque d’effet mémoire et de phénomène d’avalanche. En effet, imaginons que l’utilisateur cherche à détecter sur son image des points chauds. Celui-ci va naturellement polariser son détecteur proche de 0.3V c’est-à-dire la dynamique basse de celui-ci. Imaginons qu’un pixel a déclenché une saturation basse. Le montage intégrateur va être remis à zéro et Vdet (c’est-à-dire 0V) vont être stocké dans la capacité d’échantillonnage. Imaginons maintenant que le pixel suivant n’est pas saturé, mais présente un signal de 0.32V. L’échantillonnage de ce signal sur une capacité vide va occasionner, un bref instant, une chute de tension de celui-ci le faisant passer sous le seuil de détection de 0.3V et mettant en route le circuit de prévention. A nouveau le montage intégrateur va être remis à zéro et, à nouveau, Vdet va être stocké sur la capacité d’échantillonnage mais, cette fois, de façon injustifiée. Pour résoudre ce problème, il est possible d’utiliser des moyens de moyennage des condensateurs des circuits d’échantillonnage configurés pour stopper les effets d’avalanches afin de toujours se trouver dans la plage d’utilisation du détecteur, par exemple 0.3-2.7V. En variante ou en complément, il est possible de résoudre ce problème en utilisant des moyens de désactivation du circuit de prévention lorsqu’une phase d’échantillonnage est amorcée. Par ailleurs, pour obtenir un circuit d’ébasage au niveau de chaque circuit de lecture, un mode de réalisation de l’invention propose d’utiliser un circuit d’ébasage commun, comportant un bolomètre thermalisé, connecté à une entrée des circuits d’intégration. Ce mode de réalisation permet de n’utiliser qu’un seul bolomètre thermalisé pour les différents circuits d’intégration. En variante, le capteur infrarouge comporte deux circuits d’ébasage connectés respectivement à une entrée de chacun des deux circuits d’intégration, chaque circuit d’ébasage comportant un bolomètre thermalisé au substrat dudit capteur infrarouge. Selon un second aspect de l’invention, on vise un procédé de commande d’un circuit d’adressage d’un capteur infrarouge selon le premier aspect de l’invention, ledit procédé comportant les étapes suivantes : – pour chaque ligne ou pour chaque colonne de la matrice de détecteurs bolométriques, connexion de deux détecteurs bolométriques sur deux circuits d’intégration distincts ; – intégration des deux courants traversant chaque résistance bolométrique des deux détecteurs bolométriques sur une durée d’intégration ; – après ladite durée d’intégration, réalisation d’un échantillonnage des sorties desdits circuits d’intégration ; – retour à l’étape de connexion de sorte à connecter, intégrer et échantillonner, deux par deux, tous les détecteurs bolométriques d’une même ligne ou d’une même colonne ; – réalisation d’un multiplexage des sorties échantillonnées des circuits d’intégration de sorte à former une image de la scène observée par le capteur infrarouge ; et – formation d’un signal vidéo au moyen de la capture d’une succession d’images réalisée par les étapes précédentes. Description sommaire des figures La manière de réaliser l’invention, ainsi que les avantages qui en découlent, ressortiront bien de la description des modes de réalisation qui suivent, à l’appui des figures annexées dans lesquelles : La figure 1 est une représentation schématique d’un capteur infrarouge formé par des détecteurs bolométriques deux clous selon l’art antérieur ; La figure 2 est une représentation schématique d’un capteur infrarouge formé par des détecteurs bolométriques un clou selon l’art antérieur ; La figure 3 est une représentation schématique d’un capteur infrarouge formé par des détecteurs bolométriques deux clous selon l’invention ; La figure 4 est une représentation schématique d’un capteur infrarouge formé par des détecteurs bolométriques un clou selon un premier mode de réalisation de l’invention ; et La figure 5 est une représentation schématique d’un capteur infrarouge formé par des détecteurs bolométriques un clou selon un second mode de réalisation de l’invention. Capteur infrarouge (10a-10b) comportant : – une matrice de détecteurs bolométriques (11a-11b) juxtaposés en lignes et en colonnes, chaque détecteur bolométrique (11a-11b) comprenant une membrane bolométrique (60a-60b) suspendue au-dessus d’un substrat par des clous d’ancrage (50-54) connectés électriquement à ladite membrane bolométrique (60a-60b) ; et – un circuit de lecture, associé à chaque ligne ou à chaque colonne de ladite matrice, connecté auxdits clous d’ancrage (50-54) et configuré pour mesurer une résistance bolométrique (Rimg1-Rimg2) de chaque détecteur bolométrique (11a-11b) entre deux clous d’ancrage (50-54) en intégrant, au moyen d’un circuit d’intégration (12a-12b), un courant traversant chaque résistance bolométrique (Rimg1-Rimg2) sur une durée d’intégration ; caractérisé en ce que ledit circuit de lecture d’une même ligne ou d’une même colonne comporte : – au moins deux circuits d’intégration (12a-12b) distincts ; – un circuit d’adressage (14a-14b) constitué de transistors, fonctionnant en régime de commutation, connectés entre les clous d’ancrage (50-54) et lesdits circuits d’intégration (12a-12b) ; et – un circuit de commande des transistors dudit circuit d’adressage (14a-14b) configuré pour connecter au moins deux détecteurs bolométriques (11a-11b) sur deux circuits d’intégration (12a-12b) distincts durant une même durée d’intégration. Capteur infrarouge selon la revendication 1, dans lequel les détecteurs bolométriques (11a-11b) sont montés en suspension au-dessus du substrat au moyen de deux clous d’ancrage (52-54), au moins un clou d’ancrage (52-54) étant commun à deux détecteurs bolométriques (11a-11b) adjacents d’une même ligne ou d’une même colonne. Capteur infrarouge selon la revendication 2, dans lequel les détecteurs bolométriques (11a-11b) sont regroupés deux à deux avec un premier clou (52) connecté au groupe précédent, un clou central (53) et un dernier clou (54) connecté au groupe suivant ; ledit circuit d’adressage (14a-14b) comportant, pour chaque groupe de deux détecteurs bolométriques (11a-11b) : – un transistor d’alimentation (S5) connecté entre une alimentation (Vdet) et ledit clou central (53) ; – un transistor (S2) connecté entre le premier clou (52) et une première ligne de sélection (L1) connectée à un premier circuit d’intégration (12a) ; – un transistor (S1) connecté entre le premier clou (52) et une seconde ligne de sélection (L2) connectée à un second circuit d’intégration (12b) ; – un transistor (S4) connecté entre le dernier clou (54) et ladite première ligne de sélection (L1) ; et – un transistor (S3) connecté entre le dernier clou (54) et ladite seconde ligne de sélection (L2) ; les transistors (S1, S2) connectés au premier clou (52) correspondant aux transistors connectés au dernier clou du groupe précédent, et les transistors (S3, S4) connectés au dernier clou (54) correspondant aux transistors connectés au premier clou du groupe suivant ; pour réaliser la mesure de deux résistances bolométriques (Rimg1-Rimg2) d’un groupe de deux détecteurs bolométriques (11a-11b), ledit circuit de commande des transistors étant configuré : – pour connecter uniquement le clou d’ancrage central (53) du groupe sélectionné à l’alimentation (Vdet), – pour connecter tous les détecteurs bolométriques (11a-11b) disposés en amont dudit clou central (53) au second circuit d’intégration (12a) et – pour connecter tous les détecteurs bolométriques (11a-11b) disposés en aval dudit clou central (53) au premier circuit d’intégration (12b). Capteur infrarouge selon la revendication 3, dans lequel ledit circuit d’adressage (14a-14b) comporte : – au moins deux lignes miroirs (L6-L7), une première ligne miroir (L6) connectée à ladite première ligne de sélection (L1) et une seconde ligne miroir (L7) connectée à ladite seconde ligne de sélection (L2) ; et – des transistors (S6-S8) connectés entre l’alimentation (Vdet) et lesdites lignes miroirs (L6-L7) ; le circuit de commande des transistors étant configuré pour commander les transistors (S6-S8) desdites lignes miroirs (L5-L6) de sorte à créer des capacités parasites complémentaires avec celles des lignes de sélection (L1-L2) en utilisant un code thermométrique. Capteur infrarouge selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel le circuit de lecture comporte un circuit de test des transistors du circuit d’adressage (14a-14b) associé à huit détecteurs bolométriques (11a-11b) d’une même ligne ou d’une même colonne. Capteur infrarouge selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel le circuit de lecture comporte un circuit de prévention de saturation configuré pour détecter une saturation d’un circuit d’intégration (12a-12b) et pour stopper l’intégration lorsqu’une saturation est détectée. Capteur infrarouge selon la revendication 6, dans lequel le circuit de prévention de saturation comporte des moyens de maintien d’une tension au niveau d’une entrée (Ncom1-Ncom2) d’un circuit d’intégration (12a-12b), lesdits moyens étant configurés pour fixer ladite tension au niveau ladite entrée lorsqu’une saturation est détectée. Capteur infrarouge selon la revendication 6 ou 7, dans lequel le circuit de lecture comporte des circuits d’échantillonnage connectés en sortie desdits circuits d’intégration (12a-12b), chaque circuit d’échantillonnage comportant au moins un condensateur. Capteur infrarouge selon la revendication 8, dans lequel le circuit de prévention de saturation comporte des moyens d’application d’une tension constante (Vdet, Vsk) aux bornes dudit condensateur du circuit d’échantillonnage associé à un circuit d’intégration (12a-12b) lorsqu’une saturation est détectée. Capteur infrarouge selon la revendication 8 ou 9, dans lequel le circuit de lecture comporte des moyens de désactivation du circuit de prévention lorsqu’une phase d’échantillonnage est amorcée. Capteur infrarouge selon l’une des revendications 8 à 10, dans lequel le circuit de lecture comporte des moyens de moyennage des condensateurs des circuits d’échantillonnage configurés pour stopper les effets d’avalanches. Capteur infrarouge selon l’une des revendications 1 à 11, dans lequel le capteur infrarouge (10a-10b) comporte un circuit d’ébasage connecté à une entrée (Ncom1-Ncom2) des circuits d’intégration (12a-12b), ledit circuit d’ébasage comportant un bolomètre thermalisé au substrat dudit capteur infrarouge (10a-10b). Capteur infrarouge selon l’une des revendications 1 à 12, dans lequel le capteur infrarouge (10a-10b) comporte plusieurs circuits d’ébasage connectés respectivement à une entrée (Ncom1-Ncom2) de chacun des circuits d’intégration (12a-12b), chaque circuit d’ébasage comportant un bolomètre thermalisé au substrat dudit capteur infrarouge (10a-10b). Procédé de commande d’un circuit d’adressage (14a-14b) d’un capteur infrarouge (10a-10b) selon l’une des revendications 1 à 13, ledit procédé comportant les étapes suivantes : – pour chaque ligne ou à chaque colonne de ladite matrice, connexion de deux détecteurs bolométriques (11a-11b) sur deux circuits d’intégration (12a-12b) distincts ; – intégration des deux courants traversant chaque résistance bolométrique (Rimg1-Rimg2) des deux détecteurs bolométriques (11a-11b) sur une durée d’intégration ; – après ladite durée d’intégration, réalisation d’un échantillonnage des sorties desdits circuits d’intégration (12a-12b) ; – retour à l’étape de connexion de sorte à connecter, intégrer et échantillonner, deux par deux, tous les détecteurs bolométriques (11a-11b) d’une même ligne ou d’une même colonne ; – réalisation d’un multiplexage des sorties échantillonnées desdits circuits d’intégration (12a-12b) de sorte à former une image de la scène observée par ledit capteur infrarouge (10a-10b) ; et – formation d’un signal vidéo au moyen de la capture d’une succession d’images réalisée par les étapes précédentes. Procédé de commande selon la revendication 14, dans lequel ledit procédé comporte une étape de pré-charge des lignes des détecteurs bolométriques (11a-11b) avant l’étape d’intégration des courants.