Brevet FR3109936A1 — publié le 20211112

L’invention concerne un procédé de fabrication d’un microsystème électromécanique (10) comportant les étapes suivantes : – réalisation (30) d’un élément électromécanique (11) sur un substrat (13) ; – préparation (31) d’un boitier d’encapsulation (18) de sorte à former une cavité hermétique (12) intégrant ledit élément électromécanique (11), ladite cavité hermétique (12) présentant un volume inférieur à 10 mm 3 ; – dépôt (32) physique en phase vapeur d’un film getter (15) sur le substrat (13) ou sur une paroi (17) du boîtier d’encapsulation (18) de sorte que le film getter (15) présente une porosité connectée inférieure à 8 m²/g ; et – scellement (33) du boitier d’encapsulation (18) sur le substrat (13) au moyen d’un cycle thermique de scellement dont la température permet d’activer ledit film getter (15). Figure pour l’abrégé : Fig 1 PROCEDE DE FABRICATION D’UN MICROSYSTEME ELECTROMECANIQUE ET MICROSYSTEME ELECTROMECANIQUE L’invention concerne un procédé de fabrication d’un microsystème électromécanique, également appelé MEMS pour « microelectromechanical system » dans la littérature anglo-saxonne. Plus particulièrement, l’invention vise la fabrication d’un MEMS encapsulé sous vide dans un boitier hermétique de faible volume, typiquement de volume inférieur à 10 mm 3 . L’invention peut être appliquée à plusieurs types de microsystèmes électromécaniques nécessitant une encapsulation sous vide avec un faible volume, par exemple les microbolomètres des imageurs infrarouges non refroidis. Arrière-plan technologique Certains microsystèmes doivent fonctionner sous vide pour atteindre des performances optimales. C’est en particulier le cas des MEMS à la base des imageurs infrarouges non refroidis : les microbolomètres. Un microbolomètre est constitué d’un absorbeur sensible aux rayonnements infrarouges incidents dans un domaine spectral d’intérêt, typiquement compris entre 8 et 14 micromètres. L’absorbeur est relié à un thermistor, dont la fonction est de mesurer l’échauffement de l’absorbeur. Le thermistor a une résistance qui varie lorsqu’il change de température. Ainsi, le thermistor convertit la variation de température de l’absorbeur en variation de résistance. En outre, le thermistor est relié à un circuit de lecture qui mesure cette variation de résistance. En collectant les variations de résistance d’une matrice de pixels micro-bolométriques, une image infrarouge est générée à l’aide du circuit de lecture. Pour maximiser l’élévation de température de l’absorbeur, les pertes thermiques doivent être réduites au minimum, d’où la nécessité d’une fonction d’isolation thermique entre le circuit de lecture et la fonction de détection assurée par le thermistor. Pour ce faire, le microbolomètre se présente sous la forme d’une structure suspendue au-dessus du circuit de lecture, appelée « planche », qui assure les fonctions d’absorption et de détection. La planche est reliée au circuit de lecture par des bras de suspension. Cette conception suspendue répond à des impératifs optiques, mécaniques et surtout thermiques. En effet, en plaçant cette structure suspendue dans une enceinte sous atmosphère raréfiée à basse pression, le volume d’espace vide entre la planche et un substrat intégrant le circuit de lecture constitue un excellent isolant thermique. Les trois phénomènes principaux de pertes thermiques d’une structure suspendue sont constitués par la conduction solide à travers les bras reliant la planche au circuit de lecture, par la conduction à travers le gaz environnant la plaque et par le rayonnement. Aux températures d’utilisation d’un microbolomètre, le transfert thermique par rayonnement est négligeable. La conduction solide est déterminée par la géométrie de la structure suspendue. Le transfert thermique par le gaz est minimisé en abaissant la pression de gaz entre la planche bolométrique et le circuit de lecture, jusqu’à être inférieure à la conduction solide. L’isolation thermique, indispensable au fonctionnement optimal d’un microbolomètre, est donc réalisée en plaçant le microbolomètre sous vide. Une pression inférieure à 10 -2 mbar environ est nécessaire pour obtenir une sensibilité maximale. Pour atteindre un tel niveau de vide, la matrice de pixels microbolométriques est encapsulée sous vide dans une cavité. Cette encapsulation nécessite classiquement l’emploi d’une technique de scellement métallique hermétique pour maintenir le niveau de vide recherché pendant toute la durée de vie du composant. Cependant, réaliser une soudure métallique implique un échauffement du système, ce qui entraîne la désorption des molécules de gaz piégées dans ou sur les parois de la cavité. En outre, lorsque la cavité est scellée, le gaz de la cavité ne peut plus être évacué par un système de pompage externe. Un dispositif spécifique d’absorption de ce gaz doit donc être présent dans la cavité. Ce dispositif est appelé « getter ». Il s’agit d’un film mince métallique déposé dans la cavité du MEMS. Il est initialement passivé par son oxyde natif, mais lorsqu’il est chauffé, la diffusion de cette couche superficielle dans le volume rend sa surface réactive. Elle piège alors les espèces gazeuses présentes dans son environnement, abaissant ainsi la pression de la cavité. Le getter est alors dit « activé ». Le niveau de vide atteint dans une cavité est donc contrôlé par la quantité de molécules gazeuses absorbées par le film getter. Cette quantité dépend : – des propriétés intrinsèques du getter : de la nature chimique du film mince, de sa microstructure et de la surface du dépôt ; et – des conditions d’activation du getter : elles sont fixées par le cycle de scellement, puisque l’échauffement thermique du procédé de scellement métallique est classiquement utilisé pour activer le film getter, afin de réduire le coût de production. Pour fonctionner, le getter actif doit simplement être en contact avec le gaz à absorber. Le film getter est donc déposé indistinctement sur les zones inutilisées du substrat du MEMS, ou sur les parois du boîtier d’encapsulation, de manière continue ou discontinue. La recherche constante d’une miniaturisation des MEMS entraîne une diminution des volumes de la cavité. Le rapport de la surface des parois sur le volume de la cavité étant croissant avec la réduction du volume, la pression partielle des gaz désorbés dans la cavité est elle aussi croissante. Des getters de plus en plus efficaces doivent donc être mis en œuvre. Pour élaborer un getter fonctionnel, c’est-à-dire capable d’absorber toutes les molécules désorbées dans la cavité d’un MEMS lors du scellement, il existe plusieurs solutions distinctes pouvant être mises en œuvre pour les cavités de faibles volumes. Une solution, décrite dans le document US 7,998,319, consiste à utiliser un film getter poreux en déposant ledit film par pulvérisation cathodique. La porosité du film getter permet d’améliorer l’efficacité du getter en créant des micro-canaux à l’intérieur desquels les molécules peuvent être captées par le film getter. Une autre méthode de dépôt d’un film getter connue est le dépôt physique en phase vapeur. Cependant, pour des faibles volumes de cavité, le document US 7,998,319 indique que cette méthode de dépôt est mal appropriée, principalement en raison du fait que les films déposés deviennent compacts, et donc ne présentent pas les caractéristiques de grande surface effective et grande porosité nécessaires au bon fonctionnement du getter. D’autres solutions proposent d’augmenter la surface effective du film getter en réalisant un dépôt dudit film avec une surface texturée. Par exemple ces solutions sont utilisées dans les documents US 7,789,949, US 5,701,008, US 2014/0175590, US 6,923,625, US 9,637,377, US 9,511,998, US 2009/0261464, EP 2 897 162, ou US 7,871,660. Cette porosité peut également être obtenue par un film déposé sur une sous-couche, tel que décrit dans les documents US 2016/0040282 ou US 9,005,353. Dans ces solutions, les films getter devant avoir une grande surface effective, la méthode de dépôt privilégiée pour les élaborer est la pulvérisation cathodique, car elle permet d’obtenir des films poreux. En outre, pour minimiser la désorption des gaz lors du scellement et, ainsi, limiter les contraintes d’efficacité du matériau getter, le document US 9,240,362 propose de procéder à un recuit de dégazage sous vide à une température inférieure à celle d’activation du getter préalablement au scellement de la cavité. Cependant, cette méthode allonge le temps de cycle et elle n’est applicable qu’à des cas restreints de procédé d’encapsulation. En effet, si le getter est de nouveau exposé à l’air ambiant entre son pré-recuit et le cycle de scellement, sa surface poreuse piège à nouveau du gaz : le dégazage n’est donc pas efficace. En revanche, si le recuit de dégazage est effectué dans le four de scellement, et que le recuit est immédiatement suivi du cycle de scellement, alors les cordons de scellement de la cavité subissent aussi nécessairement le recuit de pré-dégazage. Or, cela peut dégrader la qualité de la soudure, en particulier pour des techniques de scellement à basse température, typiquement proches de 250°C. Le pré-dégazage dans le four de scellement n’est donc réalisable qu’avec des techniques de scellement à haute température, typiquement supérieures à 350°C, pour lesquelles la quantité de gaz désorbés dans la cavité lors du scellement est importante. Ces solutions de l’état de la technique ne permettent pas d’atteindre un niveau de vide très poussé, typiquement 5.10 -2 mbar, pour des cavités de très faibles volumes, par exemple proches de 1 mm 3 . Le problème technique que se propose de résoudre l’invention est donc de déterminer comment obtenir un niveau de vide très poussé en réduisant le volume d’une cavité d’un MEMS tout en utilisant un procédé de fabrication le plus simple possible. L’invention est issue d’une première observation selon laquelle l’argon est le gaz qui limite le niveau de vide pouvant être atteint par les solutions de l’état de la technique. Pour arriver à cette observation, les gaz désorbés dans une cavité MEMS, notamment celle d’un microbolomètre, ont été analysés après le scellement de la cavité. Cette analyse a montré que les gaz désorbés sont majoritairement constitués d’hydrogène, d’azote, d’oxydes de carbone, et de composés de carbone et d’hydrogène, tels que le méthane. Contre toute attente, cette analyse a également révélée une forte quantité d’argon. Or, parmi ces gaz, le seul gaz qui ne peut pas être capté par le getter est l’argon et ce gaz est très utilisé dans les procédés de microfabrication en salle blanche. Ainsi, après le scellement de la cavité, chaque atome d’argon désorbé augmente irrémédiablement la pression dans la cavité. Fort de cette observation, il a été recherché toutes les sources de piégeage d’argon dans le substrat ou les parois de la cavité pouvant désorber de l’argon après le scellement de la cavité. Il a été remarqué que le procédé de dépôt du getter par pulvérisation cathodique entraine l’incorporation d’argon dans le film getter lors de son dépôt. En outre, la porosité tant recherchée des films getter entraine également un piégeage des molécules d’argon présentes dans l’air. L’invention est également issue d’une seconde observation selon laquelle il est possible d’absorber toutes les molécules de gaz, autres que l’argon, dégazées dans une cavité de faible volume avec des surfaces spécifiques aussi faibles que celles obtenues par un dépôt non poreux, aussi simplement obtenu que par évaporation sur un substrat plan et non texturé. Pour répondre au problème technique, l’invention propose d’utiliser un procédé de fabrication d’un MEMS dans lequel le film getter est déposé par un dépôt physique en phase vapeur de sorte à limiter l’incorporation d’argon lors du dépôt du film getter. En outre, cette technique de dépôt permet d’obtenir un film getter très faiblement poreux limitant la captation de l’argon présent dans l’air. A cet effet, selon un premier aspect, l’invention concerne un procédé de fabrication d’un microsystème électromécanique comportant les étapes suivantes : – réalisation d’un élément électromécanique sur un substrat ; – préparation d’un boitier d’encapsulation de sorte à former une cavité hermétique intégrant ledit élément électromécanique, ladite cavité hermétique présentant un volume inférieur à 10 mm 3 ; – dépôt physique en phase vapeur d’un film getter sur ledit substrat ou sur une paroi du boîtier d’encapsulation de sorte que le film getter présente une porosité connectée inférieure à 8 m²/g ; et – scellement du boitier d’encapsulation sur le substrat au moyen d’un cycle thermique de scellement dont la température permet d’activer ledit film getter. Au sens de l’invention, la « porosité connectée » est mesurée par la méthode BET, pour Brunauer, Emmett et Teller, telle que décrite dans la publication scientifique de Françoise ROUQUEROL, Jean ROUQUEROL, Isabelle BEURROIES, Philip LLEWELLYN, et Renaud DENOYEL, « Texture des matériaux divisés - Aire spécifique des matériaux pulvérulents ou nanoporeux », Techniques de l’Ingénieur, référence P1050, 2017. Cette méthode permet de mesurer la surface spécifique d’absorption d’une quantité de gaz pour déterminer la porosité d’un solide. En outre, cette porosité connectée inférieure à 8 m²/g rend négligeable la désorption d’argon dans la cavité due à la présence du getter. Ainsi, il est possible d’estimer la porosité connectée du film getter en analysant la désorption d’argon du film getter. Pour ce faire, il est possible d’utiliser une analyse des gaz résiduels, telle que décrite dans la publication scientifique P.-L. Charvet, P. Nicolas, D. Bloch, B. Savornin, « MEMS packaging reliability assessment Residual Gas Analysis », Microelectronics Reliability 53 (2013) 1622–1627. Ce type d’analyse consiste à placer une cavité à analyser dans une enceinte sous ultravide. En perçant la cavité présente dans l’enceinte, il est possible de mesurer le volume et la nature de tous les gaz extraits de l’enceinte suite au perçage de la cavité. En chauffant un MEMS pendant 30 minutes à une température de 300°C, il est possible de forcer une désorption importante d’argon du substrat et des parois d’une cavité. Il est ainsi possible de mesurer la quantité de gaz désorbée après cette étape de chauffage pour un MEMS intégrant un film getter et pour le même MEMS exempt d’un tel film getter. Si la différence de proportion d’argon mesurée entre les deux MEMS est inférieure à 10%, l’argon désorbé par le film getter est considéré comme négligeable par rapport à l’argon désorbé par le substrat et les parois de la cavité, et il est possible de conclure que le film getter présente une porosité connectée inférieure à 8 m²/g. Le dépôt physique en phase vapeur du film getter, tel que le film getter présente une porosité connectée inférieure à 8 m²/g, permet ainsi d’obtenir une cavité avec une faible quantité d’argon. Les autres gaz pouvant être captés par le film getter, l’invention permet d’améliorer le niveau de vide pouvant être atteint dans une cavité de faible volume. L’invention remet donc en cause le préjugé technique selon lequel le niveau de vide de 10 -2 mbar peut être atteint dans une cavité de faible volume d’un MEMS uniquement en réalisant un getter poreux ou en structurant la surface du getter. En effet, le dépôt physique en phase vapeur d’un film getter permet d’obtenir un niveau de vide de 5.10 -2 mbar dans des cavités de très faible volume, par exemple inférieur à 2 mm 3 , car cette technique de dépôt limite l’incorporation d’argon lors du dépôt et permet d’obtenir un film getter très faiblement poreux, limitant le piégeage des atomes d’argon présents dans l’air lors de l’exposition inévitable du getter à l’air ambiant. L’invention est donc particulièrement avantageuse pour les MEMS intégrant des microbolomètres, pour lesquels le niveau de vide est essentiel pour maintenir leurs performances dans le temps. En outre, certaines techniques de fabrication mettent en œuvre un nettoyage du substrat avec un plasma d’argon avant de déposer le film getter sur le substrat. Il a été observé que cette technique entraine l’absorption d’argon dans le substrat avant le scellement. De préférence, pour limiter la désorption d’argon lors du scellement, le film getter est déposé sur le substrat sans nettoyage préalable du substrat impliquant un gaz noble. De préférence, le dépôt physique en phase vapeur du film getter est réalisé en chauffant un creuset contenant les charges d’évaporation par effet Joule ou grâce à un faisceau d’électrons, sous une pression inférieure à 10 -7 mbar de sorte à limiter la quantité d’argon incorporée dans la couche de getter. De préférence, le scellement est réalisé à une température comprise entre 250 et 350°C, typiquement 300°C. En utilisant une température de scellement proche de 300°C, il est possible d’utiliser les méthodes connues et éprouvées pour obtenir le scellement et l’activation du getter. De préférence, le getter comprend au moins l’un des éléments suivants : Baryum, Lanthane, Scandium, Titane, Zirconium, Niobium, Yttrium, Vanadium, Hafnium, Tantale, Fer, Cobalt, Nickel, Palladium, Platine et Aluminium, seuls ou en mélange. Par exemple, des résultats performants ont été obtenus avec un getter réalisé en alliage de Titane-Yttrium. En effet, un vide de 3.10 -2 mbar a été obtenu pour une cavité de 1 mm 3 scellée à 300°C. Selon un second aspect, l’invention concerne un microsystème électromécanique comportant : – un substrat supportant un élément électromécanique ; – un boitier d’encapsulation fixé sur ledit substrat de sorte à former une cavité hermétique intégrant ledit élément électromécanique ; et – un film getter déposé dans la cavité hermétique sur le substrat ou sur une paroi du boîtier d’encapsulation ; la cavité hermétique présentant un volume inférieur à 10 mm 3 ; le film getter présentant une porosité connectée inférieure à 8 m²/g. La porosité connectée du film getter inférieure à 8 m²/g est préférentiellement obtenue par le dépôt physique en phase vapeur précédemment décrit. En variante, tout autre dépôt permettant d’obtenir une porosité connectée inférieure à 8 m²/g peut être utilisé. Les observations ont montré que le dégazage d’argon dû à l’exposition à l’air ambiant et au piégeage d’argon dans les pores du getter est lié à la porosité connectée. Ainsi, une mesure de la porosité connectée permet de savoir si le phénomène de piégeage d’argon pourrait ou non se produire en fonction de la caractéristique de porosité connectée d’un getter spécifique. Description sommaire des figures La manière de réaliser l’invention ainsi que les avantages qui en découlent, ressortiront bien des modes de réalisation qui suivent, donnés à titre indicatif mais non limitatif, à l’appui de la figure annexée : La figure 1 est un ordinogramme des étapes du procédé de fabrication d’un microsystème électromécanique selon un mode de réalisation de l’invention. Description détaillée de l’invention Dans la suite de la description, l’invention sera décrite en référence à un composant optoélectronique 10, bien que l’invention puisse également s’appliquer à d’autres dispositifs MEMS sans changer l’invention. La figure 1 illustre les étapes de réalisation d’un composant optoélectronique 10 encapsulé dans une enceinte 12 sous une pression prédéterminée, par exemple sous une pression inférieure à 5.10 -2 mbar. L’enceinte 12 est formée par le scellement de parois latérales 17 d’un boîtier hermétique 18 sur un substrat 13 au moyen d’un joint de scellement métallique 20 . Pour ce faire, une première étape 30 consiste à réaliser l’élément électromécanique 11 sur le substrat 13 . Par exemple, le substrat 13 peut intégrer un circuit de lecture et l’élément électromécanique 11 peut correspondre à un microbolomètre non refroidi monté en suspension au-dessus du substrat 13 au moyen de plots et de bras de soutien. Pour ce faire, une ou plusieurs couches sacrificielles sont utilisées et sont structurées pour former les plots et les différentes couches de la membrane du microbolomètre. En outre, sous cette membrane, le microbolomètre 11 peut comporter un réflecteur 16 . En parallèle de cette première étape 30 , une seconde étape 31 consiste à préparer un boîtier d’encapsulation 18 destiné à former une cavité hermétique 12 autour de l’élément électromécanique 11 . Pour ce faire, des parois latérales 17 sont structurées sensiblement à la verticale d’un substrat destiné à former le dessus du boîtier d’encapsulation 18 . Une fenêtre optique 14 peut également être structurée dans ce substrat supérieur de sorte à filtrer les rayonnements électromagnétiques captés par le microbolomètre 11 . Suite à cette seconde étape 31 , une troisième étape 32 consiste à déposer un film getter 15 sur le substrat 13 ou sur une paroi du boîtier d’encapsulation 18 . Tel qu’illustré sur la figure 1, le film getter 15 peut être déposé à côté de la fenêtre optique 14 sur la paroi supérieure du boîtier d’encapsulation 18 . En variante, le film getter 15 peut-être déposé à côté du réflecteur 16 ou sur les parois latérales 17 . Dans tous les cas, le film getter 15 est destiné à être disposé à l’intérieur de l’enceinte 12 de sorte à capter les gaz désorbés dans ladite enceinte, et à maintenir un niveau de vide inférieur à 5.10 -2 mbar dans cette dernière. Selon l’invention, ce film getter 15 est déposé par un dépôt physique en phase vapeur de sorte à obtenir une porosité connectée inférieure à 8 m 2 /g. De préférence, la surface de dépôt de ce film getter 15 n’est pas nettoyée par un procédé impliquant de l’argon avant le dépôt du film getter 15 de sorte à éviter l’incorporation d’argon dans la paroi du boîtier d’encapsulation 18 ou sur le substrat 13 . De préférence, le film getter 15 comprend au moins l’un des éléments suivants Baryum, Lanthane, Scandium, Titane, Zirconium, Niobium, Yttrium, Vanadium, Hafnium, Tantale, Fer, Cobalt, Nickel, Palladium, Platine et Aluminium, seul ou en mélange. Par exemple, le film getter 15 peut être réalisé en alliage de Titane-Yttrium. Le dépôt physique en phase vapeur du film getter 15 consiste à chauffer un creuset intégrant le matériau getter de sorte à obtenir son évaporation. Cette évaporation est réalisée sous vide, de préférence à une pression inférieure à 10 -7 mbar. L’évaporation du matériau getter est contrôlée par un courant électrique ou un faisceau d’électrons de sorte que les particules du matériau getter évaporées s’agglomèrent sur la surface cible, c’est-à-dire sur une surface du substrat 13 ou d’une paroi du boîtier d’encapsulation 18 . Pour ce faire, l’évaporation par effet Joule consiste à chauffer le creuset par un courant électrique alors que l’évaporation par faisceau d’électrons consiste à appliquer un faisceau d’électrons dirigé sur le creuset. Lorsque le film getter 15 est déposé sur le substrat 13 ou sur une paroi du boîtier d’encapsulation 18 , ledit boîtier peut être scellé sur le substrat 13 , lors d’une étape 33 . Pour ce faire, un cordon de soudure métallique 20 est déposé entre le substrat 13 et l’extrémité inférieure des parois latérales 17 du boîtier d’encapsulation 18 . Ce cordon de soudure 20 est ensuite chauffé de sorte à obtenir une interface hermétique entre l’extrémité inférieure des parois latérales 17 du boîtier d’encapsulation 18 et le substrat 13 . La température de chauffe de ce cordon de soudure 20 est préférentiellement comprise entre 250 et 350°C, de sorte à permettre une activation du film getter 15 lors de la montée en température du cordon de soudure 20 . Un cycle de scellement thermique très simple peut être mis en œuvre : une première phase de montée en température, une seconde phase de stabilisation de la température à la température de chauffe pendant une durée prédéterminée, et une troisième phase de diminution progressive de la température. Dans ce cycle de scellement, le temps de stabilisation ainsi que les temps de montée et de descente de la température peuvent être ajustés en fonction du matériau getter et du matériau du cordon de soudure 20 de sorte à obtenir une activation efficace du film getter 15 et une soudure hermétique de l’enceinte 12 . En outre, il est également possible d’utiliser des cycles de scellements plus complexes avec des paliers de dégazage. L’activation du film getter est obtenue au moyen d’une migration de la couche de passivation formée à la surface du film getter 15 suite au contact entre le film getter et l’oxygène. Cette couche de passivation peut correspondre à une couche de nitrure si un procédé spécifique de recuit a été utilisé, tel que décrit dans le document US 9,051,173, ou à une fine couche métallique en or, en palladium ou en nickel, tel que décrit dans les documents US 6,923,625 et US 9,240,362. Ces différentes étapes de micro fabrication permettent d’obtenir une enceinte 12 avec un très faible niveau d’argon, puisque ces étapes de réalisation limitent la désorption d’argon dans la cavité 12 . En outre, le film getter 15 déposé par évaporation permet d’absorber toutes les autres molécules de gaz dégazées dans la cavité 12. Ce faisant, il est possible d’obtenir un niveau de vide inférieur à 5.10 -2 mbars dans une cavité hermétique 12 présentant un volume inférieur à 2 mm 3 , typiquement une cavité 12 d’un volume d’environ 1 mm³. L’invention permet ainsi d’obtenir à microsystème électromécanique 10 avec une cavité hermétique 12 de très faible volume et avec un niveau de vide poussé. Procédé de fabrication d’un microsystème électromécanique (10) comportant les étapes suivantes : – réalisation (30) d’un élément électromécanique (11) sur un substrat (13) ; – préparation (31) d’un boitier d’encapsulation (18) de sorte à former une cavité hermétique (12) intégrant ledit élément électromécanique (11), ladite cavité hermétique (12) présentant un volume inférieur à 10 mm 3 ; – dépôt physique en phase vapeur (32) d’un film getter (15) sur le substrat (13) ou sur une paroi (17) du boîtier d’encapsulation (18) de sorte que le film getter (15) présente une porosité connectée inférieure à 8 m²/g ; et – scellement (33) du boitier d’encapsulation (18) sur le substrat (13) au moyen d’un cycle thermique de scellement dont la température permet d’activer ledit film getter (15). Procédé de fabrication d’un microsystème électromécanique selon la revendication 1, dans lequel le film getter (15) est déposé sur le substrat en l’absence de tout nettoyage préalable dudit substrat impliquant un gaz noble (13). Procédé de fabrication d’un microsystème électromécanique selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le dépôt physique en phase vapeur du film getter (15) est réalisé à une pression inférieure à 10 -7 mbar. Procédé de fabrication d’un microsystème électromécanique selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel le scellement (33) est réalisé à une température comprise entre 250 et 350°C. Procédé de fabrication d’un microsystème électromécanique selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel le film getter (15) comprend au moins l’un des éléments suivants : Baryum, Lanthane, Scandium, Titane, Zirconium, Niobium, Yttrium, Vanadium, Hafnium, Tantale, Fer, Cobalt, Nickel, Palladium, Platine et Aluminium, seul ou en mélange. Procédé de fabrication d’un microsystème électromécanique selon la revendication 5, dans lequel le film getter (15) est réalisé en alliage de Titane-Yttrium. Microsystème électromécanique (10) comprenant : – un substrat (13) supportant un élément électromécanique (11) ; – un boitier d’encapsulation (18) fixé sur ledit substrat (13) de sorte à former une cavité hermétique (12) intégrant ledit élément électromécanique (11) ; et – un film getter (15) déposé dans ladite cavité hermétique (12) sur ledit substrat (13) ou sur une paroi (17) dudit boîtier d’encapsulation (18) ; caractérisé : – en ce que la cavité hermétique (12) présente un volume inférieur à 10 mm 3 ; – et en ce que le film getter (15) présente une porosité connectée inférieure à 8 m²/g. Microsystème électromécanique selon la revendication 7, dans lequel le film getter (15) comprend au moins l’un des éléments suivants : Baryum, Lanthane, Scandium, Titane, Zirconium, Niobium, Yttrium, Vanadium, Hafnium, Tantale, Fer, Cobalt, Nickel, Palladium, Platine et Aluminium, seul ou en mélange. Microsystème électromécanique selon la revendication 8, dans lequel le film getter (15) est réalisé en alliage de Titane-Yttrium. Microsystème électromécanique selon l’une des revendications 7 à 9, dans lequel la cavité hermétique (12) présente un niveau de vide inférieur à 5.10 -2 mbar. Microsystème électromécanique selon l’une des revendications 7 à 10, dans lequel la cavité hermétique (12) présente un volume inférieur à 2 mm 3 . Microsystème électromécanique selon l’une des revendications 7 à 11, dans lequel l’élément électromécanique (11) correspond à au moins un microbolomètre.