Brevet FR3102298A1 — publié le 20210423

PROCEDE DE PROTECTION D'UN DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE CONTRE LES DECHARGES ELECTROSTATIQUES La présente description concerne un procédé de protection des dispositifs optoélectroniques (Pix) contre les décharges électrostatiques. Chaque dispositif optoélectronique comprend un circuit électronique (10) comprenant au moins un composant électronique et un circuit optoélectronique (30) fixé au circuit électronique et comprenant au moins un composant optoélectronique (DEL) parmi une diode électroluminescente ou une photodiode. Le procédé comprend la formation de première et deuxième plaques (42, 44), l'une de la première ou deuxième plaque comprenant plusieurs exemplaires du circuit électronique et l'autre de la première ou deuxième plaque comprenant plusieurs exemplaires du circuit optoélectronique, la fixation de la première plaque à un support (46), la fixation de la deuxième plaque à la première plaque, et la séparation des dispositifs électroniques les uns des autres, dans lequel la première plaque et/ou la deuxième plaque comprend au moins un système de protection (52) des dispositifs optoélectroniques contre les décharges électrostatiques. Figure pour l'abrégé : Fig. 3 PROCEDE DE PROTECTION D'UN DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE CONTRE LES DECHARGES ELECTROSTATIQUES La présente description concerne de façon générale les systèmes et procédés de protection de dispositifs optoélectroniques contre les décharges électrostatiques. Par dispositifs optoélectroniques, on entend des dispositifs adaptés pour effectuer la conversion d’un signal électrique en un rayonnement électromagnétique ou inversement, et notamment des dispositifs dédiés à la détection, la mesure ou l’émission d’un rayonnement électromagnétique. Un exemple d'application concerne un écran d'affichage comprenant un support sur lequel sont fixés des dispositifs optoélectroniques distincts, chaque dispositif optoélectronique comprenant au moins une diode électroluminescente et correspondant à un pixel d'affichage. Un autre exemple d'application concerne un capteur d'images comprenant un support sur lequel sont fixés individuellement des dispositifs optoélectroniques, chaque dispositif optoélectronique comprenant au moins une photodiode pour la capture de signaux relatifs à un pixel d'image. Il est connu d'inclure, dans un dispositif électronique, un système de protection du dispositif électronique contre les décharges électrostatiques (ESD, sigle anglais pour ElectroStatic Discharge), notamment les décharges électrostatiques susceptibles de se produire au cours du procédé de fabrication et de manipulation du dispositif électronique. Toutefois, pour certaines applications, il peut ne pas être possible de prévoir un tel système de protection dans un dispositif optoélectronique, notamment dans le cas où le dispositif optoélectronique correspond à un pixel d'affichage ou à un capteur de pixel d'image, afin de limiter les dimensions du dispositif optoélectronique. Ainsi, un objet d'un mode de réalisation est de pallier au moins en partie les inconvénients des systèmes et procédés de protection de dispositifs optoélectroniques contre les ESD décrits précédemment. Un autre objet d'un mode de réalisation est de protéger les dispositifs optoélectroniques contre les ESD au cours de la fabrication des dispositifs optoélectroniques. Un autre objet d'un mode de réalisation est que les dispositifs optoélectroniques puissent être formés à une échelle industrielle et à bas coût. Un mode de réalisation prévoit un procédé de protection des dispositifs optoélectroniques contre les décharges électrostatiques, chaque dispositif optoélectronique comprenant un circuit électronique comprenant au moins un composant électronique et un circuit optoélectronique fixé au circuit électronique et comprenant au moins un composant optoélectronique parmi une diode électroluminescente ou une photodiode, le procédé comprenant la formation de première et deuxième plaques, l'une de la première ou deuxième plaque comprenant plusieurs exemplaires du circuit électronique et l'autre de la première ou deuxième plaque comprenant plusieurs exemplaires du circuit optoélectronique, la fixation de la première plaque à un support, la fixation de la deuxième plaque à la première plaque, et la séparation des dispositifs électroniques les uns des autres, dans lequel la première plaque et/ou la deuxième plaque comprend au moins un système de protection des dispositifs optoélectroniques contre les décharges électrostatiques. Selon un mode de réalisation, la première plaque et/ou la deuxième plaque comprend un circuit de protection contre les décharges électrostatiques relié électriquement par des liaisons électriques au moins aux composants électroniques de plusieurs circuits électroniques et/ou aux composants optoélectroniques de plusieurs circuits optoélectroniques, l'étape de séparation des dispositifs électroniques entraînant l'interruption des liaisons électriques entre le circuit de protection et les composants électriques et/ou entre le circuit de protection et les composants optoélectroniques. Selon un mode de réalisation, le circuit de protection est relié aux composants électriques et aux composants optoélectroniques par les pistes conductrices. Selon un mode de réalisation, les pistes conductrices sont en un métal ou en un matériau conducteur électriquement non métallique, notamment en silicium dopé, en silicium monocristallin dopé ou en silicium polycristallin. Selon un mode de réalisation, l'étape de séparation des dispositifs optoélectroniques comprend une étape de découpe des première et deuxième plaques selon des lignes de découpes et les pistes conductrices sont au moins en partie situées sur les lignes de découpe. Selon un mode de réalisation, les parties des pistes conductrices qui sont retirées à l'étape de découpe sont situées dans la première plaque. Selon un mode de réalisation, les parties des pistes conductrices qui sont retirées à l'étape de découpe sont situées dans la deuxième plaque. Un mode de réalisation prévoit également une structure pour la mise en oeuvre du procédé tel que défini précédemment, comprenant les première et deuxième plaques et au moins le système de protection des dispositifs optoélectroniques contre les décharges électrostatiques. Selon un mode de réalisation, le système de protection est commun à plusieurs dispositifs optoélectroniques. Selon un mode de réalisation, le système de protection comprend une diode. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un exemple d'un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes ; la figure 2 est une vue en coupe de la structure obtenue à une étape d'un exemple d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique de la figure 1 ; la figure 3 est une vue en coupe de la structure obtenue à une étape d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique de la figure 1 mettant en oeuvre une protection contre les ESD ; la figure 4 est une vue de dessus, partielle et schématique, de la structure représentée en figure 3 ; la figure 5 est une figure analogue à la figure 3 à une autre étape du procédé ; la figure 6 est une vue de dessus, partielle et schématique, de la structure représentée en figure 5 ; la figure 7 est une vue en coupe de la structure obtenue à une étape d'un autre mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique de la figure 1 mettant en oeuvre une protection contre les ESD ; la figure 8 est une vue en coupe de la structure obtenue à une étape d'un autre mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique de la figure 1 mettant en oeuvre un système de protection du dispositif optoélectronique contre les ESD ; la figure 9 représente un mode de réalisation d'un schéma électrique équivalent de la structure représentée sur la figure 7 ou 8 ; la figure 10 représente un mode de réalisation d'un schéma électrique équivalent de la structure représentée sur la figure 3 ; et la figure 11 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation plus détaillé de la structure d'un pixel d'affichage. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures ou à un dispositif optoélectronique dans une position normale d'utilisation. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. En outre, on considère ici que les termes "isolant" et "conducteur" signifient respectivement "isolant électriquement" et "conducteur électriquement". Des modes de réalisation de systèmes et de procédés de protection contre les ESD vont être décrits pour des dispositifs optoélectroniques correspondant à des pixels d'affichage. Toutefois, il est clair que ces modes de réalisation peuvent être mis en oeuvre pour d'autres types de dispositifs optoélectroniques, par exemple des capteurs de pixel d'image. La figure 1 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un pixel d'affichage Pix. Le pixel d’affichage Pix comprend du bas vers le haut en figure 1 : - un circuit électronique 10, appelé circuit de commande par la suite ; et - un circuit optoélectronique 30. Le circuit de commande 10 comprend une face inférieure 12 et une face supérieure 14 opposée à la face inférieure 12, les faces 12 et 14 étant de préférence parallèles. Le circuit de commande 10 comprend en outre des plots conducteurs 16 sur la face inférieure 12. Le circuit de commande 10 peut comprendre un substrat semiconducteur 18, un empilement 20 de couches isolantes recouvrant le substrat 18 et des pistes conductrices 22 de plusieurs niveaux de métallisation formées entre les couches isolantes de l'empilement 20 et connectées par des vias conducteurs non représentés. Le circuit de commande 10 peut en outre comprendre des composants électroniques, non représentés en figure 1, notamment des transistors, formés dans et/ou sur le substrat 18. Une couche isolante, non représentée, peut recouvrir le substrat semiconducteur 18 du côté opposé à l'empilement 20 et délimiter la face inférieure 12 du circuit de commande 10. Le circuit de commande 10 peut en outre comprendre des vias conducteurs traversants, non représentés, s'étendant dans le substrat 18, sur toute l'épaisseur du substrat 18, et isolés électriquement du substrat, et permettant de relier électriquement les plots 16 à la face avant du substrat 18. Le substrat semiconducteur 18 est, par exemple, un substrat en silicium, notamment en silicium monocristallin. Les composants électroniques peuvent alors comprendre des transistors à effet de champ à grille isolée, également appelés transistors MOS. Selon un autre mode de réalisation, le substrat 18 peut correspondre à un substrat non semiconducteur. Selon un mode de réalisation, les composants électroniques peuvent comprendre des transistors en couches minces, également appelés transistors TFT (sigle anglais pour Thin-Film transistor), le substrat 18 pouvant alors ne pas être présent. Le circuit optoélectronique 30 est fixé à la face supérieure 14 du circuit de commande 10. A titre de variante, notamment lorsque les composants électroniques comprennent des transistors en couches minces, également appelés transistors TFT, le circuit de commande 10 peut être formé directement sur le circuit optoélectronique 30. Le circuit optoélectronique 30 comprend un support 32 sur lequel sont formées des diodes électroluminescentes DEL, de préférence au moins trois diodes électroluminescentes. Le circuit optoélectronique 30 peut comprendre des blocs photoluminescents 34 recouvrant les diodes électroluminescentes DEL du côté opposé au circuit de commande 10. Chaque bloc photoluminescent 34 est en vis-à-vis d'au moins l'une des diodes électroluminescentes DEL. Le circuit optoélectronique 30 comprend des éléments conducteurs 36, situés dans le support 32, et connectés aux électrodes des diodes électroluminescentes DEL. Le circuit optoélectronique 30 est relié électriquement au circuit de commande 10 par des plots conducteurs, qui peuvent correspondre aux éléments conducteurs 36, et qui sont au contact de plots conducteurs du circuit de commande 10. De préférence, le circuit optoélectronique 30 comprend seulement les diodes électroluminescentes DEL et les éléments conducteurs 36 de ces diodes électroluminescentes DEL et le circuit de commande 10 comprend la totalité des composants électroniques nécessaires à la commande des diodes électroluminescentes DEL du circuit optoélectroniques 30. A titre de variante, le circuit optoélectronique 30 peut également comprendre d'autres composants électroniques en plus des diodes électroluminescentes DEL. La figure 2 est une vue en coupe d'une structure 40 obtenue à une étape d'un exemple de procédé de fabrication du pixel d'affichage Pix de la figure 1. La structure 40 comprend une plaque 42 de circuits intégrés comprenant plusieurs exemplaires du circuit de commande 10 et une plaque 44 comprenant plusieurs exemplaires du circuit optoélectronique 30, trois exemplaires du circuit de commande 10 et du circuit optoélectronique 30 étant représentés. Chaque plaque 42, 44 peut être fabriquée séparément. En particulier, la plaque 42 comprenant les circuits de commande 10 peut être fabriquée en mettant en oeuvre des techniques de fabrication de transistors CMOS. La plaque 44 comprenant les circuits optoélectroniques 30 peut alors être fixée à la plaque 42 comprenant les circuits de commande 10, par exemple par collage moléculaire hybride. Le procédé de fabrication peut comprendre la fixation temporaire de la plaque 42 à un support 46, également appelé poignée, au moyen d'une couche de colle 48. L'utilisation de la poignée 16 peut notamment être prévue après une étape de fixation de la plaque 42 à la plaque 44 suivie d'une étape d'amincissement du substrat 18. Une étape de découpe peut alors être mise en oeuvre pour individualiser les pixels d'affichage Pix. La découpe est réalisée du côté de la face supérieure 49 de la structure 40 qui est la face de la plaque 44 la plus éloignée de la poignée 46. Les pixels d'affichage Pix peuvent ensuite être retirés du support 46, et fixés à un autre support, par exemple un circuit imprimé, pour obtenir un écran d'affichage. Un écran d'affichage peut comprendre de 10 à 10 9 pixels d'affichage Pix. Chaque pixel d'affichage Pix peut occuper en vue de dessus une surface comprise entre 1 µm 2 et 100 mm 2 . L'épaisseur de chaque pixel d'affichage Pix peut être comprise entre 1 µm et 6 mm. Des décharges électrostatiques peuvent se produire au cours de la fabrication des plaques 42, 44 et au cours de la manipulation des pixels d'affichage Pix une fois individualisés. Les figures 3 et 4 sont respectivement une vue en coupe latérale et une vue de dessus, partielles et schématiques, d'une structure 50 obtenue à une étape d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication de pixels d'affichage Pix tel que représentés sur la figure 1 permettant de protéger les pixels d'affichage Pix contre les ESD pendant des étapes de fabrication des pixels d'affichage Pix jusqu'à l'individualisation des pixels d'affichage Pix. La structure 50 comprend l'ensemble des éléments de la structure 40 représentée en figure 2 et comprend, en outre, un système 52 de protection contre les ESD prévu dans la plaque 42 de circuits de commande 10. Le système de protection 52 vise à former un chemin privilégié pour le passage de courant dans le cas d'une ESD de façon à éviter une dégradation des diodes électroluminescentes DEL des circuits optoélectroniques 30 et/ou des composants électroniques des circuits de commande 10. Selon un mode de réalisation, le système de protection 52 peut comprendre un ou plusieurs composants électroniques, par exemple des diodes 54 représentées schématiquement en figure 4. Selon un autre mode de réalisation, le système de protection 52 correspond à un simple court-circuit. Les composants électroniques composant le système de protection 52 sont situés dans une portion de la plaque 42, qui après l'étape de séparation des pixels d'affichage Pix n'est plus fonctionnelle. A titre d'exemple, on a représenté en figure 4 les diodes 54 du système de protection 52 à la périphérique de la plaque 42. A titre de variante, sur une même plaque 42, les circuits électroniques 10 peuvent être disposés en groupes de circuits électroniques et des systèmes de protection peuvent être prévus pour chaque groupe de circuits électroniques. La plaque 44 peut comprendre des diodes électroluminescentes DEL en vis-à-vis de la partie de la plaque 42 dans laquelle est formée le système de protection 52, ces diodes électroluminescentes DEL n'étant pas destinées à être utilisées après l'étape de séparation des pixels d'affichage Pix. Le système de protection 52 est connecté électriquement à tous les composants électroniques de la plaque 52 ou de la plaque 44 devant être protégés contre les ESD par des liaisons électriques 55 représentées en traits épais sur les figures 3 et 4. Le système de protection 52 est en outre relié à l'un des plots conducteurs 16 de la plaque 42 qui peut être mis à la masse. La couche de colle 48 et la poignée 46 peuvent être en des matériaux conducteurs pour faciliter l'évacuation des charges passant par le système de protection 52. Selon un mode de réalisation, le système de protection 52 correspond à un court-circuit prévu entre l'un des plots conducteurs 16 et les liaisons électriques 55. Dans le présent mode de réalisation, les liaisons électriques 55 entre le système de protection 52 et les diodes électroluminescentes sont réalisées par les éléments de conducteurs 36 présents dans la plaque 44. La connexion électrique entre le système de protection 52 et les composants électroniques des circuits électroniques 10 peut être réalisée au moins en partie par les liaisons électriques entre les diodes électroluminescentes DEL et ces composants électroniques. Les figures 5 et 6 sont des figures analogues respectivement aux figures 3 et 4 illustrant la structure obtenue après la découpe des plaques 42 et 44 pour individualiser les pixels d'affichage Pix. L'étape de découpe peut être réalisée par découpe au laser ou découpe au plasma. Le système de protection 52 est disposé dans une portion de la plaque 42 qui n'est pas destinée à être utilisée comme pixels après l'étape de découpe. Les dimensions des pixels d'affichage sont sensiblement les mêmes que celles obtenues en l'absence du système de protection 52. Au moins une partie des liaisons électriques 55 utilisées pour connecter électriquement le système de protection 52 aux pixels d'affichage Pix sont disposées au niveau des chemins de découpe des plaques 42 et 44. De ce fait, après l'étape de découpe, les liaisons électriques 55 sont interrompues de sorte que les diodes électroluminescentes DEL des circuits optoélectroniques 30 et les composants électroniques des circuits électroniques 10 qui étaient mis en court-circuit par les liaisons électriques 55 ne sont plus en court-circuit. Après l'étape de découpe, la structure des pixels d'affichage Pix est modifiée le moins possible par rapport à la structure du pixel d'affichage qui serait obtenue en l'absence de la protection contre les ESD. La figure 7 est une vue en coupe d'une structure 60 obtenue à une étape d'un autre mode de réalisation d'un procédé de fabrication de pixels d'affichage Pix ayant la structure représentée en figure 1 permettant de protéger le pixel d'affichage Pix contre les ESD pendant des étapes de fabrication des pixels d'affichage Pix jusqu'à l'individualisation des pixels d'affichage. La structure 60 comprend l'ensemble des éléments de la structure 50 représentée en figure 3 à la différence que les liaisons électriques 55 entre le système de protection 52 et les composants à protéger sont réalisées par des pistes conductrices 22 formées dans la plaque 42, par exemple des pistes conductrices 22 de l'un quelconque des niveaux de métallisation, et qui peuvent être des pistes métalliques, et notamment des pistes conductrices 22 de l'un des derniers niveaux de métallisation, c'est-à-dire les niveaux les plus éloignés du substrat 18. Selon un mode de réalisation, en considérant que les plots conducteurs des circuits électroniques 10 sont formés dans le dernier niveau de métallisation des circuits électroniques 10, les pistes conductrices 22 utilisées pour former les liaisons électriques 55 peuvent être dans l'avant-dernier niveau de métallisation des circuits électroniques 10. La figure 8 est une vue en coupe d'une structure 70 obtenue à une étape d'un autre mode de réalisation de procédé de fabrication du pixel d'affichage Pix de la figure 1 permettant de protéger le pixel d'affichage Pix contre les ESD pendant les étapes de fabrication du pixel d'affichage Pix jusqu'à l'individualisation du pixel d'affichage. La structure 70 comprend l'ensemble des éléments de la structure 50 représentée en figure 3 à la différence que les liaisons électriques 55 entre le système de protection 52 et les composants à protéger sont réalisées par des pistes conductrices 22 formées dans la plaque 42, par exemple des pistes conductrices du premier niveau de métallisation, c'est-à-dire le niveau le plus proche du substrat 18, qui peuvent être des pistes conductrices en silicium polycristallin. La structure 50 représentée en figure 3 présente l'avantage que les liaisons électriques 55 entre le système de protection 52 et les pixels d'affichage Pix sont proches de la face 49 par laquelle la découpe est initiée et donc plus facilement accessibles. La structure 70 représentée en figure 8 présente l'avantage que les éléments de connexion entre le système de protection et les pixels d'affichage peuvent être en silicium polycristallin qui est un matériau qui peut être gravé plus facilement qu'un métal ou un alliage métallique. La figure 9 représente un mode de réalisation d'un schéma électrique équivalent de la structure 60 représentée sur la figure 7 ou de la structure 70 représentée sur la figure 8 et la figure 10 représente un mode de réalisation d'un schéma électrique équivalent de la structure 50 représentée sur la figure 3. Dans les figures 9 et 10, pour chaque pixel Pix, le circuit optoélectronique 30 comprend au moins trois diodes électroluminescentes DEL, les diodes électroluminescents DEL étant à électrode d'anode A commune et comprenant des électrodes de cathodes K distinctes. En outre, dans les figures 9 et 10, pour chaque pixel d'affichage Pix, le circuit de commande 10 comprend, pour chaque diode électroluminescente DEL, un circuit à transistors MOS C de commande de la diode électroluminescente DEL comprenant une borne B qui est connectée à la cathode K de la diode électroluminescente DEL lorsque la plaque 44 est fixée à la plaque 42. En outre, pour chaque pixel d'affichage Pix, le circuit de commande 10 comprend une borne A' connectée à l'électrode d'anode A commune des diodes électroluminescentes DEL lorsque la plaque 44 est fixée à la plaque 42, une borne GND destinée en fonctionnement à recevoir un potentiel de référence bas, par exemple la masse, et une borne VCC destinée à recevoir en fonctionnement un potentiel de référence haut. Les potentiels haut et bas peuvent être appliqués entre les plots conducteurs 16 du circuit de commande 10 en fonctionnement. Selon un mode de réalisation, les bornes B, A', et VCC peuvent correspondre à des pistes conductrices 22 présentes dans l'empilement 20 du circuit électronique 10. Dans le schéma électrique équivalent de la figure 9, le système de protection 52 est connecté aux bornes B, A', et VCC de tous les pixels d'affichage Pix, par exemple par des pistes conductrices de l'un des niveaux de métallisation du circuit électronique 10 et le système de protection 52 est connecté aux bornes GND de tous les pixels d'affichage Pix, par exemple par l'intermédiaire de la couche de colle conductrice 48 qui connecte électriquement les plots 16 jusqu'à l'étape de séparation des pixels d'affichage Pix. L'étape de découpe entraîne, pour chaque pixel d'affichage Pix, l'interruption des liaisons électriques 55 entre les bornes B, A', et VCC. Dans le schéma électrique équivalent de la figure 10, le système de protection 52 est connecté aux bornes A et K de tous les pixels d'affichage Pix par exemple par les éléments conducteurs des circuits optoélectroniques 30 et le système de protection 52 est connecté aux bornes GND de tous les pixels d'affichage Pix, par exemple par l'intermédiaire de la couche de colle conductrice 48 qui connecte électriquement les plots 16 jusqu'à l'étape de séparation des pixels d'affichage Pix. Le système de protection 52 peut en outre être connecté aux bornes VCC de tous les pixels d'affichage Pix, par exemple par des pistes conductrices de l'un des niveaux de métallisation des circuits électroniques pour assurer que tous les chemins possibles de circulation de courant lors de décharges électrostatiques sont protégés. L'étape de découpe entraîne, pour chaque pixel d'affichage Pix, l'interruption des liaisons électriques entre les bornes A et K. La figure 11 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation plus détaillé du pixel d'affichage Pix. Selon un mode de réalisation, le circuit de commande 10 du pixel d'affichage Pix comprend de bas en haut en figure 11 : - le substrat semiconducteur 18, par exemple du silicium monocristallin, une couche isolante 78 du côté de la face inférieure 12 et les deux plots conducteurs 16 ; - des transistors MOS 80, formés dans et sur le substrat 18 ; - l'empilement 20 de couches isolantes, par exemple en oxyde de silicium et/ou en nitrure de silicium, recouvrant le substrat 18 et les pistes conductrices 22 de plusieurs niveaux de métallisation formées entre les couches isolantes de l'empilement 20 dont notamment des plots 82 exposés sur la face supérieure 14 du circuit électronique 10, les pistes conductrices 22 du premier niveau de métallisation pouvant être en silicium polycristallin et former notamment les grilles des transistors MOS 80 et les pistes conductrices 22 des autres niveaux de métallisation pouvant être des pistes métalliques, par exemple en aluminium, en argent, en cuivre ou en zinc ; et - des vias 84 conducteurs et isolés latéralement, également appelés TSV (sigle anglais pour Through Silicon Vias) traversant le substrat 18 et reliant les plots 16 à des plots 90 du premier niveau de métallisation de l'empilement 20. Selon un mode de réalisation, le circuit optoélectronique 30 du pixel d'affichage Pix comprend de bas en haut en figure 11 : - le support 32 comprenant une face inférieure 86 au contact de la face supérieure 14 et comprenant des plots conducteurs 88 exposés sur la face inférieure 86, au contact des plots 82, et une structure isolante multicouches 92, par exemple en oxyde de silicium et en nitrure de silicium, s'étendant entre les plots 88 et recouvrant les plots 88 et comprenant des ouvertures 93 exposant des portions des plots 88 ; - des microfils ou nanofils 94, appelés fils par la suite (six fils étant représentés), chaque fil 94 étant en contact avec l'un des plots 88 au travers de l'une des ouvertures 93 ; - une couche isolante 96 s'étendant sur les flancs latéraux d'une portion inférieure de chaque fil 94 et s'étendant sur la couche isolante 92 entre les fils 94 ; - une coque 98 comprenant un empilement de couches semiconductrices recouvrant une portion supérieure de chaque fil 94 et s'étendant sur la couche isolante 96 entre les fils 94, la coque 98 comprenant notamment une couche active qui est la couche depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement fourni par la diode électroluminescente et comportant par exemple des moyens de confinement, tels que des puits quantiques multiples ; - une couche conductrice 100 et réfléchissante, s'étendant sur la coque 98 entre les fils 94 ; - une couche 102 formant une électrode recouvrant, pour chaque fil 94, la coque 98 et s'étendant, en outre, sur la couche conductrice 100 entre les fils 94, la couche d'électrode 102 étant adaptée à laisser passer le rayonnement électromagnétique émis par les diodes électroluminescentes et étant composée d'un matériau transparent et conducteur tel que de l'oxyde d'indium-étain (ou ITO, acronyme anglais pour Indium Tin Oxide), de l'oxyde de zinc dopé à l'aluminium ou au gallium, ou du graphène ; - les blocs photoluminescents 34 recouvrant certains ensembles de diodes électroluminescentes DEL ou des blocs transparents au rayonnement émis par les diodes électroluminescentes, chaque bloc photoluminescent comprenant des luminophores adaptés, lorsqu'ils sont excités par la lumière émis par les diodes électroluminescentes DEL associées, à émettre de la lumière à une longueur d'onde différente de la longueur d'onde de la lumière émise par les diodes électroluminescentes DEL associées ; - une couche isolante 106 recouvrant la face supérieure de chaque bloc 34, la couche isolante 106 pouvant ne pas être présente ; - une couche de protection 108 recouvrant les couches isolantes 106, les faces latérales des blocs 34 et la couche d'électrode 102 entre les blocs ; - des murs 110 entre les blocs , chaque mur 110 pouvant comprendre un coeur 112 entouré d'un revêtement 114 réfléchissant à la longueur d'onde du rayonnement émis par les blocs photoluminescents 34 et/ou les diodes électroluminescentes DEL ; - un filtre de couleur 116 recouvrant au moins certains des blocs photoluminescents 34 ; et - une couche d'encapsulation 118 recouvrant l'ensemble de la structure. Chaque fil 94 a par exemple un diamètre moyen, correspondant par exemple au diamètre du disque ayant la même aire que la section droite du fil 94, compris entre 5 nm et 5 µm, de préférence entre 100 nm et 2 µm, plus préférentiellement entre 200 nm et 1,5 µm et une hauteur supérieure ou égale supérieure à 1 fois, de préférence supérieure ou égale à 3 fois et encore plus préférentiellement supérieure ou égale à 5 fois le diamètre moyen, notamment supérieure à 500 nm, de préférence comprise entre 1 µm et 50 µm. Les fils 94 comprennent au moins un matériau semiconducteur. Le matériau semiconducteur peut être du silicium, du germanium, du carbure de silicium, un composé III-V, par exemple du GaN, AlN, InN, InGaN, AlGaN ou AlInGaN, un composé II-VI ou une combinaison d'au moins deux de ces composés. Selon un mode de réalisation, les diodes électroluminescentes DEL sont adaptées à émettre de la lumière bleue, c'est-à-dire un rayonnement dont la longueur d'onde est dans la plage de 430 nm à 490 nm. Selon un mode de réalisation, la première longueur d’onde correspond à de la lumière verte et est dans la plage de 510 nm à 570 nm. Selon un mode de réalisation, la deuxième longueur d’onde correspond à de la lumière rouge et est dans la plage de 600 nm à 720 nm. Selon un autre mode de réalisation, les diodes électroluminescentes DEL sont par exemple adaptées à émettre un rayonnement dans l'ultraviolet. Selon un mode de réalisation, la première longueur d’onde correspond à de la lumière bleue et est dans la plage de 430 nm à 490 nm. Selon un mode de réalisation, la deuxième longueur d’onde correspond à de la lumière verte et est dans la plage de 510 nm à 570 nm. Selon un mode de réalisation, la troisième longueur d’onde correspond à de la lumière rouge et est dans la plage de 600 nm à 720 nm. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. L’homme de l’art comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaitront à l’homme de l’art. En particulier, même si des modes de réalisation ont été décrits dans le cas de pixels d'affichage à diodes électroluminescentes comprenant des microfils ou nanofils, il est clair que ces modes de réalisation peuvent concerner un pixel d'affichage à diodes électroluminescentes comprenant des pyramides de taille micrométrique ou nanométrique, une pyramide étant une structure tridimensionnelle dont une partie est de forme pyramidale ou conique allongée. Cette structure pyramidale peut être tronquée, c’est-à-dire que le haut du cône est absent, laissant place à un plateau. La base de la pyramide est inscrite dans un polygone dont la dimension des côtés est de 100 nm à 10 µm, préférentiellement entre 1 et 3 µm. Le polygone formant la base de la pyramide peut être un hexagone. La hauteur de la pyramide entre la base de la pyramide et le sommet ou le plateau sommital varie de 100 nm à 20 µm, préférentiellement entre 1 µm et 10 µm. En outre, même si des modes de réalisation ont été décrits dans le cas de pixels d'affichage à diodes électroluminescentes comprenant des microfils ou nanofils, il est clair que ces modes de réalisation peuvent concerner un pixel d'affichage à diodes électroluminescentes planaires dans lequel chaque diode électroluminescente est formée par un empilement de couches semiconductrices planes. Procédé de protection des dispositifs optoélectroniques (Pix) contre les décharges électrostatiques, chaque dispositif optoélectronique comprenant un circuit électronique (10) comprenant au moins un composant électronique (80) et un circuit optoélectronique (30) fixé au circuit électronique et comprenant au moins un composant optoélectronique (DEL) parmi une diode électroluminescente ou une photodiode, le procédé comprenant la formation de première et deuxième plaques (42, 44), l'une de la première ou deuxième plaque comprenant plusieurs exemplaires du circuit électronique et l'autre de la première ou deuxième plaque comprenant plusieurs exemplaires du circuit optoélectronique, la fixation de la première plaque à un support (46), la fixation de la deuxième plaque à la première plaque, et la séparation des dispositifs électroniques les uns des autres, dans lequel la première plaque et/ou la deuxième plaque comprend au moins un système de protection (52) des dispositifs optoélectroniques contre les décharges électrostatiques. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la première plaque (42) et/ou la deuxième plaque (44) comprend un circuit de protection (52) contre les décharges électrostatiques relié électriquement par des liaisons électriques (55) au moins aux composants électroniques (80) de plusieurs circuits électroniques (10) et/ou aux composants optoélectroniques (DEL) de plusieurs circuits optoélectroniques (30), l'étape de séparation des dispositifs électroniques (Pix) entraînant l'interruption des liaisons électriques entre le circuit de protection et les composants électriques et/ou entre le circuit de protection et les composants optoélectroniques. Procédé selon la revendication 2, dans lequel le circuit de protection (52) est relié aux composants électriques (80) et aux composants optoélectroniques (DEL) par des pistes conductrices (22, 36). Procédé selon la revendication 3, dans lequel les pistes conductrices (22, 36) sont métalliques ou en un matériau conducteur électronique non métallique, notamment du silicium dopé. Procédé selon la revendication 3, dans lequel les pistes conductrices (22, 36) sont en un métal ou en un matériau conducteur électriquement non métallique, notamment en silicium monocristallin dopé ou en silicium polycristallin. Procédé selon la revendication 3, dans lequel l'étape de séparation des dispositifs optoélectroniques (Pix) comprend une étape de découpe des première et deuxième plaques (42, 44) selon des lignes de découpes et dans lequel les pistes conductrices (22, 36) sont au moins en partie situées sur les lignes de découpe. Procédé selon la revendication 6, dans lequel les parties des pistes conductrices (22) qui sont retirées à l'étape de découpe sont situées dans la première plaque (42). Procédé selon la revendication 6, dans lequel les parties des pistes conductrices (36) qui sont retirées à l'étape de découpe sont situées dans la deuxième plaque (44). Structure (50 ; 60 ; 70) pour la mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant les première et deuxième plaques (42, 44) et au moins le système de protection (52) des dispositifs optoélectroniques (Pix) contre les décharges électrostatiques. Structure selon la revendication 9, dans laquelle le système de protection (52) est commun à plusieurs dispositifs optoélectroniques (Pix). Structure selon la revendication 9 ou 10, dans laquelle le système de protection (52) comprend une diode.