Brevet FR3101480A1 — publié le 20210402

Tranchées isolantes pour les circuits ESD La présente description concerne une tranchée isolante (3) dans un substrat semi-conducteur (37), comportant un espace clos qui contient un gaz. Figure pour l'abrégé : Fig. 4 Tranchées isolantes pour les circuits ESD La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques et, plus particulièrement, les dispositifs électroniques de protection contre des décharges électrostatiques. On connaît différents dispositifs de prévention et de protection contre des décharges électrostatiques. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 représente, de façon très schématique, un exemple de circuit électronique de protection contre des décharges électrostatiques du type auquel s'appliquent les modes de réalisation décrits ; la figure 2 représente un exemple de caractéristique courant-tension d'un dispositif de protection contre des décharges électrostatiques ; la figure 3 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un circuit de protection contre des décharges électrostatiques réalisé sous forme intégré ; et la figure 4 représente de façon partielle et schématique, par des vues en coupe (A), (B) et (C), des étapes d'un mode de mise en œuvre d'un procédé de fabrication du circuit de la figure 3. Tranchée isolante (3) dans un substrat semi-conducteur, comportant un espace clos qui contient un gaz. Tranchée selon la revendication 1, dans lequel 60 % du volume de l'espace clos est occupé par le gaz. Procédé de fabrication d'une tranchée isolante (3) dans un substrat (37) semi-conducteur, comprenant une étape d'enfermement d'un gaz dans un espace clos. Procédé selon la revendication 3, comprenant une étape d'ouverture du substrat (37) par gravure ionique réactive profonde pour former la tranchée (3). Procédé selon la revendication 4, dans lequel la tranchée (3) est fermée par un dépôt, non-conforme, d'un premier oxyde (32) à la surface de celle-ci. Procédé selon la revendication 5, dans lequel le premier oxyde (32) est du dioxyde de silicium. Procédé selon la revendication 5 ou 6, dans lequel le dépôt non-conforme est effectué par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma. Procédé selon la revendication 5 ou 6, dans lequel le dépôt non-conforme est effectué par dépôt physique en phase vapeur. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 8, dans lequel le premier oxyde (32) a une épaisseur comprise entre 0,1 et 3 µm, de préférence entre 0,5 et 1,5 µm, l'épaisseur étant préférentiellement égale à environ 1 µm, par exemple égale à 1 µm. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 9, dans lequel les parois (301, 303, 311, 313) de la tranchée (3) sont oxydées thermiquement par un deuxième oxyde (31). Procédé selon la revendication 10, dans lequel le deuxième oxyde (31) est du dioxyde de silicium. Procédé selon la revendication 10 ou 11, dans lequel le deuxième oxyde (31) a une épaisseur comprise entre 100 et 900 nm, de préférence entre 200 et 250 nm, l'épaisseur étant préférentiellement égale à environ 215 nm, par exemple égale à 215 nm. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 12, dans lequel la tranchée (3), avant oxydation, a une largeur (L) comprise entre 0,5 et 4 µm, de préférence entre 1 et 2 µm, la largeur étant préférentiellement égale à environ 1,6 µm, par exemple égale à 1,6 µm. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 13, dans lequel la tranchée (3), avant oxydation, a une profondeur (P) comprise entre 10 et 25 µm, de préférence entre 15 et 20 µm, la profondeur étant préférentiellement égale à environ 17 µm, de préférence égale à 17 µm. Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 à 14, dans lequel le gaz est choisi parmi de l'air sec, du diazote, de l'argon ou un gaz utilisé pour la fabrication de la tranchée (3), par exemple de l'orthosilicate de tétraéthyle. Tranchée selon la revendication 1 ou 2, obtenue par la mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications 3 à 15. Dispositif de protection contre des décharges électrostatiques comprenant au moins une tranchée (3) selon l'une quelconque des revendications 1, 2 et 16. Dispositif selon la revendication 17, possédant une tension de blocage (V C ) inférieure ou égale à 30 V.