Brevet FR3105570A1 — publié le 20210625

La poignée (100), pour puces destinées à être collées par collage direct à un substrat récepteur, comporte un substrat (103) porteur et une structure (104) sacrificielle. La structure (104) sacrificielle comporte une première face (105) présentant un état adhésif tel que la première face (105) adhère au substrat (103) porteur et une deuxième face (106) opposée à la première face (105), la deuxième face (106) présentant un état adhésif et étant destinée à recevoir les puces. La structure (104) sacrificielle est configurée pour permettre à la première face (105) de passer de son état adhésif à un état de libération permettant une séparation de la première face (105) par rapport au substrat (103) porteur. La structure (104) sacrificielle est configurée pour permettre à la deuxième face (106) de passer de son état adhésif à un état de libération. Figure à publier avec l’abrégé : Fig. 1 POIGNEE POUR PUCES DESTINEES A ETRE COLLEES PAR COLLAGE DIRECT A UN SUBSTRAT RECEPTEUR Domaine technique de l’invention Le domaine de l’invention concerne une poignée pour puces, de préférence pour puces individualisées, destinées à être collées par collage direct à un substrat récepteur. État de la technique Le collage direct de puces à un substrat récepteur, tel qu’une plaque réceptrice, en utilisant une poignée temporaire est une technique de collage connue dont un exemple est notamment décrit dans le document « Advances on III-V on Silicon DBR and DFB Lasers for WDM optical interconnects and Associated Heterogeneous Integration 200mm-wafer-scale Technology » de S. Menezo et al. publié dans 2014 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS) conference. Les puces sont positionnées sur la poignée, ceci permettant de les préparer collectivement pour le collage direct, puis de coller ces puces collectivement par collage direct au substrat récepteur avant de séparer la poignée par rapport aux puces collées au substrat récepteur. La poignée peut être une poignée dite « mécanique » lorsqu’elle comporte des cavités dans lesquelles sont placées et maintenues les puces. Cela présente l’avantage qu’après collage des puces au substrat récepteur, la poignée peut être séparée des puces puis être réutilisée directement. Un autre avantage est que les puces collées au substrat récepteur n’ont pas besoin d’être nettoyées car la poignée ne laisse aucun résidu à la surface arrière des puces. Cependant, l’élaboration d’une telle poignée est chère et va dépendre de la taille des puces ainsi que du placement des puces adapté aux endroits où celles-ci devront être collées à la surface du substrat récepteur. Une solution pour ne pas dépendre de la taille des puces ni de leur placement final à la surface du substrat récepteur consiste à utiliser des techniques utilisant une poignée comportant un substrat porteur réutilisable et une structure sacrificielle formée sur le substrat porteur. Les puces étant fixées à la structure sacrificielle pour permettre le collage de ces puces au substrat récepteur. Une première technique, appelée « slide-off », consiste à utiliser un polymère thermoplastique en tant que structure sacrificielle reliant le substrat porteur aux puces. Après collage des puces au substrat récepteur par collage direct, ce polymère thermoplastique est chauffé au-delà de sa température de transition vitreuse pour séparer le substrat porteur par rapport aux puces par un mouvement de cisaillement latéral entre le substrat porteur et les puces. L’inconvénient de cette première technique est, qu’après la séparation recherchée, le polymère reste réparti sur le substrat porteur et sur les puces, obligeant un nettoyage des puces pouvant dégrader le collage de ces puces au substrat récepteur et un nettoyage du substrat porteur avant de pouvoir le réutiliser. Une deuxième technique consiste à séparer le substrat porteur par rapport aux puces par arrachement mécanique après collage des puces au substrat récepteur. Dans cette deuxième technique, l’interface d’une couche de polymère, formant la structure sacrificielle, avec le substrat porteur ou avec les puces est affaiblie pour permettre une séparation des puces par rapport au substrat porteur par une traction mécanique. La couche de polymère demeure alors présente au moins d’un côté soit sur les puces soit sur le substrat porteur, imposant une étape de nettoyage pour retirer ce polymère. Une troisième technique est, après collage des puces au substrat récepteur, de diminuer l’adhérence de l’interface entre le substrat porteur et la structure sacrificielle, alors formée par une couche de polymère, en utilisant un laser. Cela impose que le substrat porteur soit en verre ou tout autre matériau transparent à la longueur d’onde du laser utilisé pour exposer l’interface au faisceau laser. Après séparation du substrat porteur par rapport à la structure sacrificielle, la couche de polymère restant fixées aux puces doit donc encore être enlevée des puces par nettoyage. Pour ces première, deuxième et troisième techniques, la fixation des puces sur la poignée est en général réalisée en chauffant le polymère correspondant et en appliquant une pression aux faces de collage des puces, ces faces de collage devant ensuite être collées par collage direct au substrat récepteur. Garantir que l’application de la pression ne dégrade pas les capacités de collage des faces de collage est donc très délicat. Ceci rend ces première, deuxième et troisième techniques délicates à mettre en œuvre. Une quatrième technique passe par l’utilisation d’un film à libération thermique comme par exemple un film «REVALPHA » de la société Nitto Denko. Ce film à libération thermique est fixé au substrat porteur pour former la structure sacrificielle de la poignée. Le document « Temporary Wafer Bonding Materials and Processes » de M. Lueck publié dans Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, & CICMT) 2012, 001452 (2012) évalue le collage d’une plaque de puces à un substrat porteur à l’aide d’un film REVALPHA, les puces sont ensuite découpées sur le film REVALPHA avant de coller ces puces à un substrat récepteur. Le chauffage du film REVALPHA permet de le décoller des puces par rapport à la structure sacrificielle. Il est cependant encore nécessaire de recycler la poignée après le décollement des puces car le film REVALPHA adhère encore au substrat porteur. Objet de l’invention L’invention a pour but de faciliter la récupération d’un substrat porteur appartenant à une poignée comportant une structure sacrificielle, la poignée ayant été utilisée pour assembler par collage direct des puces, de préférence individualisées, à un substrat récepteur et a pour but d’éviter que des résidus provenant de la structure sacrificielle restent à la surface des puces après séparation de cette structure sacrificielle par rapport aux puces. À cet effet, l’invention est relative à une poignée pour puces destinées à être collées par collage direct à un substrat récepteur, la poignée comportant un substrat porteur et une structure sacrificielle, la structure sacrificielle comportant une première face présentant un état adhésif tel que la première face adhère au substrat porteur et une deuxième face opposée à la première face, la deuxième face présentant un état adhésif et étant destinée à recevoir les puces. Cette poignée est caractérisée en ce que la structure sacrificielle est configurée pour permettre à la première face de passer de son état adhésif à un état de libération permettant une séparation de la première face par rapport au substrat porteur et en ce que la structure sacrificielle est configurée pour permettre à la deuxième face de passer de son état adhésif à un état de libération. Une telle poignée présente l’avantage de permettre la séparation de la structure sacrificielle par rapport au substrat porteur et par rapport aux puces préalablement fixées à la deuxième face à l’aide d’un changement d’état des première et deuxième faces. Le changement d’état des première et deuxième face permet d’éviter de retrouver des résidus de la structure sacrificielle sur le substrat porteur et sur les puces. La poignée peut comporter en outre une ou plusieurs des caractéristiques suivantes : - la poignée est telle que : la première face présente, dans son état adhésif, une énergie d’adhérence caractérisée par une force de pelage nécessaire pour séparer la première face du substrat porteur supérieure ou égale à 1N/25mm ; la première face présente, dans son état de libération, une énergie d’adhérence nécessaire pour séparer la première face du substrat porteur inférieure ou égale à 0,5N/25mm ; les puces étant en contact avec la deuxième face, la deuxième face présente, dans son état adhésif, une énergie d’adhérence caractérisée par une force de pelage nécessaire pour séparer la deuxième face de chacune des puces supérieure ou égale à 1N/25mm et la deuxième face présente, dans son état de libération, une énergie d’adhérence caractérisée par une force de pelage nécessaire pour séparer la deuxième face de chacune des puces inférieure ou égale à 0,5N/25mm ; - le ratio entre la force de pelage à l’état adhésif de la première face par rapport à la force de pelage à l’état de libération de la première face est strictement supérieur à 5 ou à 10 et/ou le ratio entre la force de pelage à l’état adhésif de la deuxième face par rapport à la force de pelage à l’état de libération de la deuxième face est strictement supérieur à 5 ou à 10 ; - la structure sacrificielle comporte une première couche délimitant la première face et une deuxième couche délimitant la deuxième face ; - la poignée est telle que la première face est sensible à une première température de sorte que la première face passe de son état adhésif à son état de libération lorsque la première face atteint cette première température et la poignée est telle que la deuxième face est sensible à une deuxième température de sorte que la deuxième face passe de son état adhésif à son état de libération lorsque la deuxième face atteint cette deuxième température, la première température et la deuxième température étant identiques ou différentes ; - les première et deuxième couches sont configurées de sorte qu’une exposition de ces première et deuxième couches à un rayonnement ultraviolet provoque le passage de la première face de son état adhésif à son état de libération et le passage de la deuxième face de son état adhésif à son état de libération, le substrat porteur étant transparent au rayonnement ultraviolet ; - la structure sacrificielle est configurée de sorte que le passage de l’une des première et deuxième faces de son état adhésif à son état de libération soit provoqué par un traitement thermique et que le passage de l’autre des première et deuxième faces de son état adhésif à son état de libération soit provoqué par un traitement utilisant un rayonnement ultraviolet ; - la poignée est telle que la première couche est sensible à un rayonnement ultraviolet de sorte qu’une exposition de la première couche à ce rayonnement ultraviolet provoque le passage de la première face de son état adhésif à son état de libération et la poignée est telle que la deuxième face est sensible à une température prédéterminée de sorte que, lorsque la deuxième face atteint cette température prédéterminée, la deuxième face passe de son état adhésif à son état de libération ; - la structure sacrificielle est formée par l’assemblage d’un premier film et d’un deuxième film, le premier film comportant la première couche et le deuxième film comportant la deuxième couche. L’invention est aussi relative à un procédé de collage de puces à un substrat récepteur par collage direct, ce procédé de collage comportant : - une étape de fourniture d’une poignée telle que décrite, - une étape de positionnement des puces sur la deuxième face dans son état adhésif d’où il résulte un maintien des puces à la poignée, - une étape de collage par collage direct des puces, positionnées sur la deuxième face, au substrat récepteur, - une étape de séparation des puces par rapport à la deuxième face dans laquelle la deuxième face passe de son état adhésif à son état de libération, l’étape de séparation des puces étant mise en œuvre après l’étape de collage des puces au substrat récepteur par collage direct, - une étape de séparation du substrat porteur par rapport à la première face de la structure sacrificielle dans laquelle la première face passe de son état adhésif à son état de libération. Le procédé de collage peut comporter en outre une ou plusieurs des caractéristiques suivantes : - une étape de traitement thermique dans laquelle la structure sacrificielle est chauffée de sorte que la deuxième face passe de son état adhésif à son état de libération et que la première face passe de son état adhésif à son état de libération ; - une première étape de traitement thermique dans laquelle la structure sacrificielle est chauffée à une première température de sorte que la première face passe de son état adhésif à son état de libération et une deuxième étape de traitement thermique dans laquelle la structure sacrificielle est chauffée à une deuxième température de sorte que la deuxième face passe de son état adhésif à son état de libération, la première température étant différente de la deuxième température ; - une étape d’exposition de la structure sacrificielle à un rayonnement ultraviolet d’où il résulte que la première face passe de son état adhésif à son état de libération et que la deuxième face passe de son état adhésif à son état de libération, ledit rayonnement passant au travers du substrat porteur avant d’atteindre la structure sacrificielle ; - une étape de traitement thermique dans laquelle la structure sacrificielle est chauffée de sorte que la deuxième face passe de son état adhésif à son état de libération et une étape d’exposition de la structure sacrificielle à un rayonnement ultraviolet d’où il résulte que la première face passe de son état adhésif à son état de libération ; - une étape de traitement thermique dans laquelle la structure sacrificielle est chauffée de sorte que la première face passe de son état adhésif à son état de libération et une étape d’exposition de la structure sacrificielle à un rayonnement ultraviolet d’où il résulte que la deuxième face passe de son état adhésif à son état de libération ; - une étape de recuit thermique pour renforcer le collage direct des puces au substrat récepteur, l’étape de recuit thermique étant mise en œuvre avant l’étape de séparation des puces par rapport à la deuxième face et avant l’étape de séparation du substrat porteur par rapport à la première face. D’autres avantages et caractéristique pourront ressortir de la description détaillée qui va suivre. Description sommaire des dessins L’invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée qui va suivre, donnée uniquement à titre d’exemple non limitatif et faite en se référant aux dessins annexés et listés ci-après. La figure 1 illustre schématiquement une vue latérale d’une poignée selon un mode de réalisation de la présente invention. La figure 2 illustre la poignée de la figure 1 à laquelle ont été collées temporairement des puces. La figure 3 illustre l’utilisation de la poignée de la figure 2 pour coller les puces par collage direct à un substrat récepteur. La figure 4 illustre une étape selon un mode de réalisation particulier d’un procédé de collage selon l’invention. La figure 5 illustre la séparation d’une structure sacrificielle de la poignée par rapport à un substrat porteur de la poignée et par rapport aux puces selon un mode de réalisation particulier du procédé de collage selon l’invention. La figure 6 illustre la séparation de la poignée par rapport aux puces selon un mode de réalisation particulier du procédé de collage selon l’invention. La figure 7 illustre une étape du procédé de collage selon l’invention notamment mise en œuvre après l’étape représentée en figure 6. La figure 8 illustre la séparation du substrat de support de la poignée par rapport à la structure sacrificielle de la poignée notamment mise en œuvre après l’étape représentée en figure 7. la figure 9 illustre à titre d’exemple une séquence d’étapes du procédé de collage selon un mode de réalisation particulier de ce procédé de collage. Dans ces figures, les mêmes références sont utilisées pour désigner les mêmes éléments. Description détaillée Le collage direct correspond à un collage par adhésion moléculaire au cours duquel deux surfaces adhèrent sans application de colle intermédiaire. Dans la présente description, par « compris entre deux valeurs », il est entendu que les bornes définies par ces deux valeurs sont incluses dans la plage de valeurs considérée. Dans la présente description « l’énergie d’adhérence d’une face avec un objet » peut être vue comme l’énergie nécessaire pour séparer cette face de l’objet qui y est collé. Cette énergie d’adhérence peut être caractérisée par une force de pelage nécessaire pour peler, c’est-à-dire séparer, cette face de (et donc par rapport à) l’objet, cette force de pelage s’exprime en N/mm. Cette force de pelage est classiquement évaluée par un test de pelage. Dans la présente description, les valeurs de force de pelage sont fournies pour un angle de 90 degrés (traction perpendiculaire) pour une largeur de bande de test de 25 mm. Dans l’application considérée d’une poignée 100 décrite ci-après, une face est dite adhérente ou collante lorsque la force de pelage nécessaire pour séparer cette face de l’objet correspondant est supérieure ou égale à 1N/25mm, et cette face est considérée comme non-adhérente lorsque la force de pelage nécessaire pour séparer cette face de l’objet correspondant est inférieure ou égale à 0,5N/25mm de sorte à permettre une séparation par rupture adhésive entre la face considérée et l’objet. Par « rupture adhésive entre une face et un objet », il est entendu une rupture qui se produit à l’interface entre la face et l’objet de sorte que la séparation permet de récupérer l’objet intact et sans présence de résidus issus de la face sur cet objet. Dans la présente description l’objet évoqué précédemment peut être, le cas échéant, un substrat 103 porteur de la poignée 100 ou une puce 101. La poignée 100 au sens de la description, et dont un exemple est visible en figures 1 à 4, est un dispositif permettant de recevoir et de maintenir temporairement des puces 101, de préférence ces puces 101 sont individualisées, afin de les manipuler. Ainsi, quand les puces 101 sont maintenues à la poignée 100 (figures 2 à 4), elles peuvent être préparées collectivement en vue de réaliser un collage direct collectif de ces puces 101 à un substrat 102 récepteur. Ce collage direct peut être réalisé, par exemple, en rapprochant la poignée 100 et le substrat 102 récepteur jusqu’à la mise en contact des puces 101 avec le substrat 102 récepteur. Plus particulièrement, les puces 101 peuvent comporter chacune une face 101a de collage (figures 2 à 6) destinée à venir en contact avec le substrat 102 récepteur. De préférence, les faces 101 de collage sont planes et viennent en contact chacune avec une surface plane de collage appartenant au substrat 102 récepteur. Les surfaces planes de collage correspondent à des portions d’une même face 102a du substrat 102 récepteur. La face 102a du substrat 102 récepteur est préférentiellement plane. Les puces 101 peuvent avoir subies des étapes technologiques de la microélectronique (comme par exemple un dépôt de matériau, une photolithographie, une gravure) ou non. Par exemple une puce ayant subie des étapes technologiques de la microélectronique peut comporter un circuit et des niveaux de routage.. Les puces 101 peuvent comporter du, ou être à base de, silicium, phosphure d’indium (InP), arséniure de gallium (GaAs), carbure de silicium (SiC), silice, germanium, saphir. Ces puces 101 peuvent présenter en surface des couches de matériau comme la silice, du nitrure de silicium, un métal comme le cuivre ou le titane, et d’autres couches connues de la microélectronique comme une couche de dioxyde d’hafnium (HfO 2 ), de matériau organosilicié (SiOC), de nitrure d’aluminium (AlN) ou d’alumine (Al 2 O 3 ). Les puces peuvent être des puces électroniques aussi appelées « dies » en langue anglaise. Il est entendu par « puces 101 individualisées » que ces puces 101 ne sont pas agencées au sein d’une plaque, ou tranche, ayant par exemple permis leur formation. Les puces 101 individualisées peuvent avoir été découpées au préalable dans une ou plusieurs plaques. Ainsi, la présente invention est relative à la poignée 100 pour puces 101. De préférence, ces puces 101 sont individualisées. Les puces 101 sont destinées à être collées par collage direct au substrat 102 récepteur. Ainsi, la poignée 100 permet l’assemblage de puces 101, de préférence individualisées, au substrat 102 récepteur. La poignée 100, dont un exemple particulier est illustré en figures 1 à 4 et 6, comporte le substrat 103 porteur et une structure 104 sacrificielle. La structure 104 sacrificielle comporte une première face 105 présentant un état adhésif tel que la première face 105 adhère au substrat 103 porteur. Autrement dit, la structure 104 sacrificielle est agencée sur le substrat 103 porteur et, dans l’état adhésif de la première face 105, le substrat 103 porteur et la structure 104 sacrificielle sont solidaires en mouvement, c’est-à-dire fixe l’un par rapport à l’autre. La structure 104 sacrificielle comporte une deuxième face 106 opposée à la première face 105, la deuxième face 106 présentant un état adhésif et la deuxième face 106 étant destinée à recevoir les puces 101 de préférence individualisées. L’état adhésif de la deuxième face 106 est tel que la deuxième face 106 à l’état adhésif permet de maintenir les puces 101, notamment par collage, à cette deuxième face 106 lorsque ces puces 101 y sont positionnées. Autrement dit, l’état adhésif de la deuxième face 106 est tel qu’il permet le collage des puces 101 à la structure 104 sacrificielle via cette deuxième face 106. La structure 104 est dite sacrificielle car elle est destinée à être utilisée temporairement pour permettre le collage direct des puces 101 au substrat 102 récepteur avant d’être : - séparée des puces 101 pour récupérer un dispositif comportant les puces 101 collées au substrat 102 récepteur, et - séparée du substrat 103 porteur pour permettre de réutiliser le substrat 103 porteur avec une nouvelle structure sacrificielle pour coller d’autres puces à un autre substrat récepteur. Ainsi, la structure 104 sacrificielle est configurée pour permettre à la première face 105 de passer de son état adhésif à un état de libération permettant une séparation de la première face 105 par rapport au substrat 103 porteur. Autrement dit, afin de séparer le substrat 103 porteur de la première face 105, la première face 105 change dans un premier temps d’état en passant de son état adhésif à son état de libération, ce qui permet ensuite dans un deuxième temps de disjoindre la structure 104 sacrificielle par rapport au substrat 103 porteur (notamment par rupture adhésive entre la première face 105 et le substrat 103 porteur) pour récupérer le substrat 103 porteur en vue de sa réutilisation. La structure 104 sacrificielle est notamment disjointe du substrat 103 porteur en écartant cette structure 104 sacrificielle par rapport au substrat 103 porteur, par exemple par pelage de la structure 104 sacrificielle. La structure 104 sacrificielle est aussi configurée pour permettre à la deuxième face 106 de passer de son état adhésif à un état de libération permettant notamment de séparer les puces 101 lorsque, au préalable à ce passage à l’état de libération de la deuxième face 106, les puces 101 sont maintenues à la structure 104 sacrificielle grâce à la deuxième face 106 dans son état adhésif. Autrement dit, afin de séparer les puces 101 lorsque ces dernières sont maintenues à la deuxième face 106 dans son état adhésif, la deuxième face 106 change dans un premier temps d’état en passant de son état adhésif à son état de libération, ce qui permet ensuite dans un deuxième temps de disjoindre la structure 104 sacrificielle par rapport aux puces 101 notamment par rupture adhésive entre la deuxième face 106 et chacune de ces puces 101. La structure 104 sacrificielle est notamment disjointe des puces 101 en écartant cette structure 104 sacrificielle par rapport aux puces 101, par exemple par pelage de la structure 104 sacrificielle après le passage de la deuxième face 106 de son état adhésif à son état de libération. Par la suite, la formulation « le passage d’une face de son état adhésif à son état de libération » correspond au fait que cette face, et plus particulièrement l’état de cette face, passe de son état adhésif à son état de libération. De préférence, le passage de la première face 105 de son état adhésif à son état de libération est irréversible, et le passage de la deuxième face 106 de son état adhésif à son état de libération est irréversible. Ceci permet de prendre le temps nécessaire pour ensuite disjoindre la première face 105 par rapport au substrat 103 porteur et disjoindre la deuxième face 106 par rapport aux puces. L’état de libération de la première face 105 correspond à un état permettant de disjoindre la première face 105 du substrat 103 porteur sans laisser de matière à la surface de ce substrat 103 porteur. Ainsi, le substrat 103 porteur peut directement être réutilisé avec une nouvelle structure sacrificielle pour reformer la poignée 100 sans avoir un mettre en œuvre un procédé de nettoyage complexe de ce substrat 103 porteur. L’état de libération de la deuxième face 106 correspond à un état permettant de disjoindre la deuxième face 106 de chacune des puces 101 sans laisser de matière à la surface de ces puces 101. Ainsi, cela ne nécessite pas de nettoyer les puces 101 après leur collage au substrat 102 récepteur. Il en résulte que, globalement, le collage de puces 101 par collage direct au substrat 102 récepteur est plus simple à mettre en œuvre que dans les première à quatrième techniques décrites dans la partie état de la technique puisqu’il n’est plus nécessaire de nettoyer les puces 101 et le substrat 103 porteur après collage de ces puces 101 au substrat 102 récepteur. La substrat 103 porteur peut être une plaque de silicium, de quartz, de verre, de germanium, de carbure de silicium, de saphir, de céramique. Le substrat 103 porteur peut par exemple présenter un diamètre compris entre 100 mm et 300 mm et par exemple égal à 200 mm. Le substrat 103 porteur peut présenter une épaisseur comprise entre 500 µm et 800 µm, et par exemple égale à 725 µm. Le substrat 102 récepteur peut être une plaque. Le substrat 102 récepteur peut comporter, de préférence, des composants électroniques à lier ou à connecter, de préférence électriquement, aux puces 101 par collage direct de ces puces 101 au substrat 102 récepteur. Le substrat 102 récepteur peut être une plaquette, aussi appelée tranche, par exemple de silicium et par exemple obtenue après découpe d’un lingot de silicium, à laquelle des étapes technologiques ont été appliquées pour former les composants électroniques. Le substrat 102 récepteur comportant les composants électroniques est aussi appelé substrat fonctionnalisé. Chaque composant électronique est, par exemple, collé à une seule des puces 101. L’invention est bien entendu aussi relative à un procédé de collage des puces 101, de préférence ces puces 101 étant individualisées, au substrat 102 récepteur par collage direct. Un tel procédé de collage, dont un exemple d’enchaînement d’étapes est représenté en figure 9 et dont des étapes particulières sont représentées en figures 1 à 8, comporte une étape E1 de fourniture d’une poignée 100 telle que décrite dans la présente description (figure 1). Le procédé de collage comporte une étape E2 de positionnement des puces 101, de préférence individualisées, sur la deuxième face 106 dans son état adhésif d’où il résulte un maintien des puces 101 à la poignée 100 (figure 2). Le procédé de collage comporte une étape E3 de collage par collage direct des puces 101, positionnées sur la deuxième face 106, au substrat 102 récepteur (figure 3). Par exemple, l’étape E3 de collage est mise en œuvre en reportant la poignée 100 portant les puces 101 au-dessus du substrat 102 récepteur. Le procédé de collage comporte une étape E4 de séparation des puces 101 par rapport à la deuxième face 106 (figures 4 et 5, ou figures 4 et 6) et donc assurant la séparation des puces 101 par rapport à la structure 104 sacrificielle. Dans cette étape E4 de séparation des puces 101 par rapport à la deuxième face 106, la deuxième face 106 passe de son état adhésif à son état de libération. L’étape E4 de séparation des puces 101 par rapport à la deuxième face 106 est mise en œuvre après l’étape E3 de collage des puces 101 au substrat 102 récepteur par collage direct. Le procédé de collage comporte une étape E5 de séparation du substrat 103 porteur par rapport à la première face 105 de la structure 104 sacrificielle (figures 4 et 5, ou figures 7 et 8), et donc assurant la séparation du substrat 103 porteur par rapport à la structure 104 sacrificielle. En particulier, cette étape E5 de séparation du substrat 103 porteur par rapport à la première face 105 de la structure 104 sacrificielle est mise en œuvre après l’étape E3 de collage des puces 101 au substrat 102 récepteur par collage direct. Dans cette étape E5 de séparation du substrat 103 porteur par rapport à la première face 105, la première face 105 passe de son état adhésif à son état de libération. Le procédé de collage ainsi décrit permet donc de coller collectivement les puces 101 au substrat 102 récepteur tout en permettant : - de récupérer le substrat 103 porteur en vue de sa réutilisation pour mettre en œuvre à nouveau le procédé de collage et ce sans avoir à nettoyer le substrat 103 porteur pour y enlever des résidus issus de la structure 104 sacrificielle séparée de ce substrat 103 porteur, - de récupérer les puces 101 sans résidus issus de la structure 104 sacrificielle séparée de ces puces 101. Par ailleurs, un autre avantage d’un tel procédé de collage est que la deuxième face 106 présente, de préférence, un état adhésif tel qu’il n’est pas nécessaire de chauffer la structure 104 sacrificielle et d’appliquer une pression importante sur les puces 101 allant au-delà d’une simple pose des puces 101 au contact de la deuxième face 106 pour assurer l’adhésion des puces 101 à la deuxième face 106, cela permet donc d’éviter d’endommager les faces 101a de collage des puces 101. L’étape E2 de positionnement des puces 101 sur la deuxième face 106 peut être mise en œuvre en utilisant un dispositif de manipulation pour manipuler les puces 101, aussi appelé « pick and place machine » en langue anglaise, en ne touchant pas les faces 101a de collage de ces puces 101 allant être collées par collage direct au substrat 102 récepteur. Ce dispositif de manipulation peut comporter un outil pyramidal qui ne touche que les bords de chaque puce 101 saisie, un outil formant une pince saisissant chaque puce 101 par ses bords latéraux de découpe ou un outil utilisant l’effet Venturi pour saisir chaque puce 101. Le procédé de collage peut comporter une étape E6 de préparation des puces 101 maintenues sur la deuxième face 106 dans son état adhésif, ceci présentant l’avantage de réaliser cette préparation des puces 101 de manière collective avant l’étape E3 de collage des puces au substrat 102 récepteur. Cette étape E6 de préparation permet de préparer la face 101a de collage de chacune des puces 101 en vue d’assurer son collage direct au substrat 102 récepteur. L’étape E6 de préparation des puces 101 peut comporter un nettoyage des puces 101, notamment de leur face 101a de collage, par un traitement exposant les puces 101, notamment leur face 101a de collage, à un rayonnement ultraviolet sous une atmosphère comportant de l’ozone pour éliminer les contaminants organiques des puces 101 comme les hydrocarbures. Ce traitement peut, localement entre les puces 101, altérer les propriétés adhésives de la deuxième face 106, en particulier lorsque celle-ci est thermosensible comme cela sera vu par la suite, ceci ne posant néanmoins pas un problème pour la mise en œuvre de la suite du procédé de collage puisque l’adhésion des puces 101 à la deuxième face 106 n’est quant à elle pas modifiée à ce stade. Ensuite, toujours pour préparer les puces 101 au collage direct, l’étape E6 de préparation des puces 101 peut comporter un retrait de la contamination particulaire de ces puces 101 par traitement mégasonique. Ce traitement mégasonique peut être réalisé par en utilisant des mégasons et une solution d’eau désionisée contenant de l’ammoniaque, un tel traitement mégasonique étant connu de la personne de l’art comme le montre par exemple le document « Innovative megasonic cleaning technology evaluated through direct wafer bonding. » de F. Fournel et al., publié dans ECS Transactions, 33 (4) 495-500 (2010). Bien entendu, avant l’étape E3 de collage des puces au substrat 102 récepteur, le substrat 102 récepteur peut lui aussi être préparé de manière connue par la personne de l’art dans le but de préparer la surface du substrat 102 récepteur au collage direct. Le document « Low Temperature Wafer Bonding » de F. Fournel et al., publié dans ECS Transactions, 16 (8) 475-488 (2008) décrit notamment comment un substrat peut être préparé pour le collage direct. La préparation du substrat 102 récepteur est représentée par l’étape E7 en figure 9. Bien que cette étape E7 soit représentée comme mise en œuvre après l’étape E6 en figure 9, l’étape E7 peut aussi être mise en œuvre avant ou concomitamment à l’étape E6. Le procédé de collage peut comporter une étape E8 de recuit thermique mise en œuvre après l’étape E3 de collage. Cette étape E8 de recuit thermique permet de renforcer le collage direct des puces 101 au substrat 102 récepteur, elle est donc appliquée au moins aux puces 101 collées au substrat 102 récepteur. Cette étape E8 de recuit thermique peut être mise en œuvre : - avant ou après l’étape E4 de séparation des puces 101 par rapport à la deuxième face 106, et - avant ou après l’étape E5 de séparation du substrat 103 porteur par rapport à la première face 105 de la structure 104 sacrificielle. De préférence, l’étape E8 de recuit thermique peut être mise en œuvre en soumettant l’ensemble formé par la poignée 100, les puces 101 et le substrat 102 récepteur collé par collage direct aux puces 101 à une température prédéterminée par exemple de 120°C pendant 2 heures. Dans ce cas, l’étape E4 de séparation et l’étape E5 de séparation peuvent mises en œuvre en utilisant un traitement thermique (ceci n’étant pas une obligation) comme cela sera vu plus en détail par la suite, et la température prédéterminée de l’étape E8 de recuit thermique peut être strictement inférieure à la température utilisée pour le ou les traitement thermiques concernés si l’on ne souhaite pas que l’étape E8 de recuit soit concomitante aux étapes E4 et E5 de séparation. L’étape E8 de recuit peut être indépendante, ou simultanée aux étapes E4 et E5 de séparation, ou en partie simultanée avec l’une de ces étapes E4 et E5 de séparation. Cette étape E8 de recuit permettant le renforcement du collage direct des puces 101 au substrat 102 récepteur peut également être réalisée en deux étapes : s’il faut 2 heures de recuit à 120°C, il est possible de mettre en œuvre deux étapes distinctes de recuit de 1 heure chacune à 120°C. Ainsi, il est possible de mettre en œuvre une première étape de recuit avant les étapes E4 et E5 de séparation, et une deuxième étape de recuit après les étapes E4 et E5 de séparation. Il est aussi possible de mettre en œuvre une première étape de recuit permettant de réaliser les étapes E4 et E5 de séparation, et une deuxième étape de recuit pour finaliser le renforcement du collage direct. De préférence, la première face 105 présente, dans son état adhésif, une énergie d’adhérence caractérisée par une force de pelage nécessaire pour séparer la première face 105 du, c’est-à-dire par rapport au, substrat 103 porteur supérieure ou égale à 1N/25mm. Par ailleurs, la première face 105 présente, dans son état de libération, une énergie d’adhérence caractérisée par une force de pelage nécessaire pour séparer la première face 105 du, c’est-à-dire par rapport au, substrat 103 porteur inférieure ou égale à 0,5N/25mm. Ces valeurs d’énergie d’adhérence sont tout particulièrement adaptées dans le cadre de l’utilisation de la poignée 100 pour coller les puces 101 par collage direct tout en permettant de récupérer, après passage de la première face 105 de son état adhésif à son état de libération, le substrat 103 porteur sans laisser, à la surface de ce substrat 103 porteur, de résidus issus de la structure 104 sacrificielle. De préférence, alors que les puces 101 sont en contact avec la deuxième face 106, la deuxième face 106 présente, dans son état adhésif, une énergie d’adhérence caractérisée par une force de pelage nécessaire pour séparer la deuxième face 106 de, c’est-à-dire par rapport à, chacune des puces 101 supérieure ou égale à 1N/25mm. Par ailleurs, la deuxième face 106 présente, dans son état de libération, une énergie d’adhérence caractérisée par une force de pelage nécessaire pour séparer la deuxième face 106 de, c’est-à-dire par rapport à, chacune des puces 101 inférieure ou égale à 0,5N/25mm. Ces valeurs d’énergie d’adhérence sont tout particulièrement adaptées dans le cadre de l’utilisation de la poignée 100 pour coller les puces 101 par collage direct tout en permettant de récupérer, après passage de la deuxième face 106 de son état adhésif à son état de libération, les puces 101 collées au substrat 102 récepteur sans laisser à la surface de ces puces 101 de résidus issus de la structure 104 sacrificielle. En particulier, chaque force de pelage est appliquée à la structure 104 sacrificielle. De préférence, le ratio entre la force de pelage à l’état adhésif de la première face 105 par rapport à la force de pelage à l’état de libération de la première face 105 (autrement dit le ratio entre la force de pelage à l’état adhésif de la première face 105 et la force de pelage à l’état de libération de la première face 105) est strictement supérieur à 5 ou à 10, et/ou le ratio entre la force de pelage à l’état adhésif de la deuxième face 106 par rapport à la force de pelage à l’état de libération de la deuxième face 106 (autrement dit le ratio entre la force de pelage à l’état adhésif de la deuxième face 106 et la force de pelage à l’état de libération de la deuxième face 106) est strictement supérieur à 5 ou à 10. Ceci présente l’avantage d’avoir un écart plus significatif entre l’état adhésif et l’état de libération pour la première face 105 et/ou pour la deuxième face 106. De préférence, la structure 104 sacrificielle comporte une première couche 107 délimitant la première face 105 et une deuxième couche 108 délimitant la deuxième face 106. Ces première et deuxième couches 107, 108 sont notamment visibles en figures 1 à 8. Ceci permet de disposer de deux couches considérées comme réactives pour permettre la séparation des puces 101 par rapport à la structure 104 sacrificielle et la séparation du substrat 103 porteur par rapport à la structure 104 sacrificielle. La structure 104 sacrificielle peut être formée par l’assemblage d’un premier film 109 et d’un deuxième film 110 (figures 1 à 8), le premier film 109 comportant la première couche 107 et le deuxième film 110 comportant la deuxième couche 108. L’avantage d’utiliser des premier et deuxième films 109, 110 est qu’ils peuvent être assemblés au substrat 103 porteur par laminage, cette technique d’assemblage étant simple à mettre en œuvre. De préférence, au moins l’un des premier et deuxième films 109, 110 comporte une partie 111, 112 adhésive assurant l’assemblage des premier et deuxième films 109, 110 entre eux. Par exemple, les premier et deuxième films 109, 110 comportent chacun une partie 111, 112 adhésive, par exemple se présentant sous la forme d’une couche, et la mise en contact de ces parties 111, 112 adhésives l’une contre l’autre permet, de préférence à l’aide du laminage évoqué ci-dessus, de solidariser les premier et deuxième films 109, 110 entre eux et ainsi former la structure 104 sacrificielle. Alternativement, seul l’un des premier et deuxième films 109, 110 peut comporter une partie adhésive qui permet d’assurer le maintien des premier et deuxième films 109, 110 entre eux. Le premier film 109 peut comporter une couche 113 de support servant d’armature mécanique au premier film 109. Le deuxième film 110 peut comporter une couche 114 de support servant d’armature mécanique au deuxième film 110. La couche 113, 114 de support de chacun de ces premier et deuxième films 109, 110 peut être une couche de polyester. Lorsque le premier film 109 comporte la partie 111 adhésive et la couche 113 de support comme cela est par exemple représenté en figures 1 à 8, la couche 113 de support du premier film 109 est agencée entre la partie 111 adhésive du premier film 109 et la première couche 107. La partie 111 adhésive du premier film 109 adopte notamment la forme d’une couche. Lorsque le deuxième film 110 comporte la partie 112 adhésive et la couche 114 de support comme cela est par exemple représenté en figures 1 à 8, la couche 114 de support du deuxième film 110 est agencée entre la partie 112 adhésive du deuxième film 110 et la deuxième couche 108. La partie 112 adhésive du deuxième film 110 adopte notamment la forme d’une couche. Ainsi, le premier film 109 et le deuxième film 110 peuvent être formés chacun par un empilement de couches dont la direction d’empilement est orthogonale par rapport à la face du substrat 103 porteur contre laquelle est agencée la première face 105 de la structure 104 sacrificielle lorsque la structure 104 sacrificielle adhère au substrat 103 porteur via sa première face 105. Pour chacun des premier et deuxième films 109, 110, sa couche 113, 114 de support peut présenter une épaisseur comprise entre 25 µm et 200 µm, et sa première couche 107, le cas échéant sa deuxième couche 108, peut présenter une épaisseur comprise entre 5 µm et 50 µm. Pour chacun des premier et deuxième films 109, 110, sa partie adhésive 111, 112 peut présenter une épaisseur comprise entre 5 µm et 50 µm. Il résulte de ce qui a été décrit précédemment un besoin de trouver une solution facile à mettre en œuvre et adaptée à l’application du collage direct pour permettre, d’une part, le passage de la première face 105 de son état adhésif à son état de libération, et, d’autre part, le passage de la deuxième face 106 de son état adhésif à son état de libération. Pour réponde à ce besoin, le passage de la première face 105 de son état adhésif à son état de libération peut se faire à l’aide d’une énergie thermique ou d’un rayonnement ultraviolet, et le passage de la deuxième face 106 de son état adhésif à son état de libération peut se faire à l’aide d’une énergie thermique ou d’un rayonnement ultraviolet. Selon un premier mode de réalisation, de l’énergie thermique est utilisée pour faire passer la première face 105 de son état adhésif à son état de libération et pour faire passer la deuxième face 106 de son état adhésif à son état de libération. L’énergie thermique est tout particulièrement adaptée car elle permet en outre d’augmenter l’énergie de collage direct entre les puces 101 et le substrat 102 récepteur ce qui permet de bien s’assurer de séparer les puces 101 de la structure 104 sacrificielle et pas du substrat 102 récepteur. Cet avantage s’applique aux différents exemples décrits ci-après en relation avec ce premier mode de réalisation. Par exemple, dans le cadre de ce premier mode de réalisation, la première face 105 est sensible à une première température de sorte que la première face 105 passe de son état adhésif à son état de libération lorsque la première face 105 atteint cette première température. La deuxième face 106 est quant à elle sensible à une deuxième température de sorte que la deuxième face 106 passe de son état adhésif à son état de libération lorsque la deuxième face 106 atteint cette deuxième température. La première température et la deuxième température peuvent être identiques ou différentes. Lorsque les première et deuxième faces 105, 106 sont sensibles à la même température qui permet le passage pour chacune de ces première et deuxième faces 105, 106 de son état adhésif à son état de libération, cela présente l’avantage de permettre une séparation simultanée de la structure 104 sacrificielle par rapport aux puces 101 et par rapport au substrat 103 porteur afin de gagner du temps de traitement au cours du procédé de collage. Lorsque les première et deuxième faces 105, 106 sont sensibles à des températures différentes qui permettent le passage pour chacune de ces première et deuxième faces 105, 106 de son état adhésif à son état de libération, cela permet de choisir dans quel ordre, après l’étape E3 de collage, la structure 104 sacrificielle est séparée du substrat 103 porteur et des puces 101. Ceci présente l’avantage de permettre de provoquer d’abord une séparation entre la structure 104 sacrificielle et les puces 101 tout conservant la structure 104 sacrificielle retenue par le substrat 103 porteur. Cela permet de garantir l’absence totale de résidus de la structure 104 sacrificielle sur les puces 101. Par exemple, dans le cadre de ce premier mode de réalisation, lorsque la structure 104 sacrificielle est formée par l’assemblage des premier et deuxième films 109, 110, les première et deuxième couches 107, 108 sont dites thermosensibles de sorte que l’application adaptée de chaleur à la structure 104 sacrificielle permet de modifier les caractéristiques adhésives des première et deuxième faces 105, 106 de sorte à les rendre non-adhérentes au sens de la présente description. Selon un exemple particulier du premier mode de réalisation, les premier et deuxième films 109, 110 peuvent être des films REVALPHA la société Nitto Denko présentant chacun une couche thermosensible apte à varier d’un état adhésif à un état de libération et délimitant, le cas échéant la première face 105 ou la deuxième face 106. Par exemple, les premier et deuxième films 109, 110 peuvent être des films REVAPLHA No.3195H de la société Nitto Denko comportant chacun un support en polyester formant la couche 113, 104 de support du premier ou deuxième film 109, 110 correspondant. Pour chacun de ces films REVAPLHA No.3195H, le support en polyester présente une face couverte d’un premier adhésif formant la partie adhésive 111, 112 correspondante évoquée ci-avant et une autre face couverte d’un deuxième adhésif. Le deuxième adhésif est thermosensible et forme, le cas échéant selon que l’on considère le premier film 109 ou le deuxième film 110, la première couche 107 ou la deuxième couche 108. Le deuxième adhésif est configuré pour que sa face, opposée au support en polyester qui est au contact de ce deuxième adhésif, passe d’un état adhésif à un état de libération (non-adhérent au sens de la présente description) lorsque ledit film REVALPHA No.3195H est soumis à une température de 150°C. Le film REVALPHA No.3195H est dit à libération thermique à la température de 150°C. Il est à présent décrit un exemple de réalisation particulier du premier mode de réalisation utilisant des films REVAPLHA No.3195H en tant que premier et deuxième films 109, 110. Pour former la poignée 100, une plaque de silicium par exemple de 200 mm de diamètre et par exemple de 725 µm d’épaisseur est utilisée en tant que substrat 103 porteur. Un des films REVAPLHA No.3195H est laminé sur une face de cette plaque de silicium avec son deuxième adhésif en contact avec cette face de la plaque de silicium d’où il résulte que ce film REVALPHA No.3195H est le premier film 109 de la structure 104 sacrificielle. L’autre film REVAPLHA No.3195H est laminé sur le premier film 109 avec les premiers adhésifs des deux films REVAPLHA No.3195H en contact d’où il résulte que cet autre film REVAPLHA No.3195H est le deuxième film 110. Le procédé de collage peut être tel que les puces 101 sont des puces d’InP de section, prise orthogonalement à leur épaisseur, carrée de 5 mm de côté. L’épaisseur de chaque puce 101 mesurée entre la face 101a de collage de la puce 101 et une autre face de la puce 101 peut être comprise entre 50 µm et 1000 µm, et plus particulièrement entre 400 µm et 650 µm, cette autre face de la puce 101 étant destinée à être collée à la deuxième face 106. Ces puces 101 d’InP peuvent être découpées dans une plaque d’InP. Ensuite, les puces 101 peuvent être positionnées sur la deuxième face 106 à l’état adhésif au moyen du dispositif de manipulation évoqué précédemment. Une fois les puces 101 positionnées sur la poignée 100, elles peuvent être préparées selon les caractéristiques de l’étape E6 de préparation décrite précédemment. Le substrat 102 récepteur peut lui aussi être préparé pour le collage direct de manière connue par la personne de l’art (étape E7). Après préparation des puces 101 et, le cas échéant, du substrat 102 récepteur, les puces 101 peuvent être collées au substrat 102 récepteur par collage direct de façon collective en rapprochant la poignée 100 du substrat 102 récepteur. Après collage direct, mais avant de séparer la structure 104 sacrificielle par rapport aux puces 101 et par rapport au substrat 103 porteur, l’ensemble formé par la poignée 100, les puces 101 et le substrat 102 récepteur peut être porté à 120°C pendant 2 heures afin de renforcer le collage direct par recuit thermique (étape E8). Ensuite, l’ensemble est porté à 150°C (figure 4) ce qui permet de séparer la structure 104 sacrificielle par rapport aux puces 101 et la structure 104 sacrificielle par rapport au substrat 103 porteur, les premier et deuxième films 109, 110 de la structure 104 sacrificielle restant solidaire l’un de l’autre lors de ces séparations (figure 5). Ainsi, le substrat 103 porteur désolidarisé de la structure 104 sacrificielle peut être récupéré puis réutilisé pour y former une nouvelle structure sacrificielle pour mettre en œuvre à nouveau le procédé de collage avec d’autres puces et un autre substrat récepteur. Selon un autre exemple où l’on cherche à avoir des sensibilités des première et deuxième faces 105, 106 à des températures différentes, la structure 104 sacrificielle peut être formée en assemblant un film REVAPLHA No.3195H tel que décrit ci-dessus et un film REVALPHA No.3195V de la société Nitto Denko. Le film REVALPHA No.3195V comporte un support en polyester présentant une face couverte d’un premier adhésif formant la partie adhésive correspondante, le cas échéant, du premier film 109 ou du deuxième film 110 et une autre face couverte d’un deuxième adhésif. Le deuxième adhésif du film REVAPLHA No.3195V est thermosensible peut former, le cas échéant, la première couche 107 ou la deuxième couche 108. Le deuxième adhésif du film REVALPHA No.3195V est configuré pour que sa face, opposée au support en polyester qui est au contact de ce deuxième adhésif, passe d’un état adhésif à un état de libération (non-adhérent au sens de la présente description) lorsque ledit film REVALPHA No.3195V est soumis à une température de 170°C. Le film REVALPHA No.3195V est dit à libération thermique à la température de 170°C. Il est à présent décrit un exemple de réalisation particulier du premier mode de réalisation utilisant le film REVALPHA No.3195V et le film REVALPHA No.3195H respectivement en tant que premier film 109 et deuxième film 110. Ici, une plaque de silicium, par exemple de 200 mm de diamètre et par exemple de 725 µm d’épaisseur, est utilisée en tant que substrat 103 porteur. Le film REVAPLHA No.3195V est laminé sur une face de la plaque de silicium avec son deuxième adhésif en contact avec cette face de la plaque de silicium. Le film REVAPLHA n°3195H est laminé sur le premier film 109 formé par le film REVAPLHA No.3195V, avec les premiers adhésifs des deux films REVAPLHA n°3195V et REVALPHA n°3195H en contact pour finaliser la structure 104 sacrificielle. Le procédé de collage peut être tel que les puces 101 sont des puces d’InP de section, prise orthogonalement à leur épaisseur, carrée de 5 mm de côté. L’épaisseur de chaque puce 101 mesurée entre la face 101a de collage de la puce 101 et une autre face de la puce 101 peut être comprise entre 50 µm et 1000 µm, et plus particulièrement entre 400 µm et 650 µm, cette autre face de la puce 101 étant destinée à être collée à la deuxième face 106. Ces puces 101 d’InP peuvent être découpées dans une plaque d’InP. Ensuite, les puces 101 peuvent être positionnées sur la deuxième face 106 à l’état adhésif au moyen du dispositif de manipulation évoqué précédemment. Une fois les puces 101 positionnées sur la poignée 100, elles peuvent être préparées selon les caractéristiques de l’étape E6 de préparation décrite précédemment. Le substrat 102 récepteur peut lui aussi être préparé pour le collage direct de manière connue par la personne de l’art (étape E7). Après préparation des puces 101 et, le cas échéant, du substrat 102 récepteur, les puces 101 peuvent être collées au substrat 102 récepteur par collage direct de façon collective en rapprochant la poignée 100 du substrat 102 récepteur. Après collage direct, mais avant de séparer la structure 104 sacrificielle par rapport aux puces 101 et par rapport au substrat 103 porteur, l’ensemble formé par la poignée 100, les puces 101 et le substrat 102 récepteur peut être porté à 120°C pendant 2 heures afin de renforcer le collage direct par recuit thermique (étape E8). Ensuite, l’ensemble est porté à 150°C (figure 4) ce qui permet de séparer par rupture adhésive la structure 104 sacrificielle par rapport aux puces 101, la structure 104 sacrificielle restant solidaire du substrat 103 porteur lors de cette séparation (figure 6). Le dispositif formé par les puces 101 collées au substrat 102 récepteur par collage direct peut alors être récupéré sans nécessiter de nettoyage des surfaces des puces 101 initialement en contact avec la deuxième face 106 de la structure 104 sacrificielle. Après la séparation de la poignée 100 par rapport aux puces 101, la poignée 100 est portée à 170°C (figure 7) ce qui permet de séparer par rupture adhésive la structure 104 sacrificielle par rapport au substrat 103 porteur, les premier et deuxième films 109, 110 de la structure 104 sacrificielle restant solidaires l’un de l’autre lors de cette séparation (figure 8). Il en résulte que le substrat 103 porteur ainsi récupéré peut être réutilisé pour y former une nouvelle structure 104 sacrificielle pour mettre en œuvre à nouveau le procédé de collage avec d’autres puces et un autre substrat récepteur. Le premier mode de réalisation peut, dans le cadre du procédé de collage, être mis en œuvre de manière générale par les caractéristiques suivantes: - le procédé de collage comporte une étape de traitement thermique, par exemple dont l’énergie thermique apportée à la structure 104 sacrificielle est représentée en figure 4 par les quatre flèches F1, dans laquelle la structure 104 sacrificielle est chauffée de sorte que la deuxième face 106 passe de son état adhésif à son état de libération et que la première face 105 passe de son état adhésif à son état de libération, dans ce cas une même température de chauffe de la structure 104 sacrificielle permet le passage des états adhésifs aux états de libération pour les première et deuxième faces 105, 106, ceci permet une séparation simultanée de la structure 104 sacrificielle par rapport aux puces 101 et par rapport au substrat 103 porteur afin de gagner du temps de traitement au cours du procédé de collage, ou - le procédé de collage comporte une première étape de traitement thermique , par exemple dont l’énergie thermique apportée à la structure 104 sacrificielle est représentée en figure 4 par les quatre flèches F1, dans laquelle la structure 104 sacrificielle est chauffée à une première température de sorte que la première face 105 passe de son état adhésif à son état de libération et une deuxième étape de traitement thermique, par exemple dont l’énergie thermique apportée à la structure 104 sacrificielle est représentée en figure 7 par les quatre flèches F2, dans laquelle la structure 104 sacrificielle est chauffée à une deuxième température de sorte que la deuxième face 106 passe de son état adhésif à son état de libération, la première température étant différente de la deuxième température ; ceci peut permettre de provoquer d’abord une séparation entre la structure 104 sacrificielle et les puces 101 tout conservant la structure 104 sacrificielle retenue par le substrat 103 porteur par exemple pour garantir l’absence totale de résidus de la structure 104 sacrificielle sur les puces 101. De manière générale, l’étape de traitement thermique, ou le cas échéant la première étape de traitement thermique et la deuxième étape de traitement thermique, peuvent chacune être mise en œuvre dans un four ou une étuve. De préférence, au cours de l’étape de traitement thermique, c’est l’ensemble formé par la structure 104 sacrificielle, le substrat 103 porteur, les puces 101 et le substrat 102 récepteur qui est chauffé à la température de chauffe. Selon un deuxième mode de réalisation, le rayonnement ultraviolet, par exemple appliqué à l’aide d’une lampe adaptée, évoqué précédemment peut permettre la mise en œuvre l’étape E4 de séparation des puces 101 par rapport à la deuxième face 106 et l’étape E5 de séparation du substrat 103 porteur par rapport à la première face 105. Dans ce cas où le rayonnement ultraviolet est utilisé pour faire passer la première face 105 de son état adhésif à son état de libération et pour faire passer la deuxième face 106 de son état adhésif à son état de libération. L’utilisation du rayonnement ultraviolet, et donc de son énergie, est tout particulièrement adaptée pour éviter d’avoir à chauffer l’ensemble formé par les puces 101, la structure 104 sacrificielle, le substrat 103 porteur et le substrat 102 récepteur à de fortes températures pour provoquer les séparations recherchées. En effet, il est possible que les puces 101 et/ou le substrat 102 récepteur soient sensibles à la température, par exemple s’ils contiennent du polymère. Alternativement, il est aussi possible que les coefficients d’expansion thermique entre les puces 101 et le substrat 102 récepteur ne permettent pas de chauffer trop fort l’ensemble sans provoquer une casse des puces 101 ou du substrat 102 récepteur ou un décollement du collage direct. Cet avantage s’applique aux différents exemples décrits ci-après en relation avec ce deuxième mode de réalisation. Selon un exemple de ce deuxième mode de réalisation, les première et deuxième couches 107, 108 peuvent être configurées de sorte qu’une exposition de ces première et deuxième couches 107, 108 au rayonnement ultraviolet provoque le passage de la première face 105 de son état adhésif à son état de libération et le passage de la deuxième face 106 de son état adhésif à son état de libération. Dans ce cas, le substrat 103 porteur est transparent au rayonnement ultraviolet. Cette transparence permet au rayonnement ultraviolet de traverser le substrat 103 porteur avant d’atteindre la structure 104 sacrificielle lorsque cette dernière est solidaire du substrat 102 récepteur via les puces 101. La transparence est notamment telle qu’au moins 25% et idéalement plus de 80% du rayonnement ultraviolet atteint la structure 104 sacrificielle. Pour cela, le substrat 103 porteur peut être une plaque de quartz ou de verre. Bien entendu, la structure 104 sacrificielle est alors telle quelle autorise la propagation du rayonnement ultraviolet en son sein pour lui permettre d’atteindre les première et deuxième couches 107, 108. En reprenant l’exemple de la figure 4, le rayonnement ultraviolet peut être schématiquement représenté par les quatre flèches F1, et l’orientation de ce rayonnement ultraviolet lui permet d’atteindre la structure 104 sacrificielle en passant au préalable au travers du substrat 103 porteur. Alternativement, le substrat 102 récepteur et les puces 101 peuvent être transparents au rayonnement ultraviolet pour lui permettre d’atteindre la structure 104 sacrificielle. Bien entendu le rayonnement ultraviolet est adapté pour présenter les caractéristiques nécessaires pour faire changer d’état les première et deuxième faces 105, 106 en fonction de la composition des première et deuxième couches 107, 108. Par exemple, il peut être utilisé un assemblage de deux films UV (ultraviolet) sensible Adwill D-650 de la société LINTEC, ces deux films UV sensible comportant chacun une colle UV sensible acrylique pour former les première et deuxième couches 107, 108, la dose recommandée d’ultraviolet est alors de 160mJ/cm 2 pour assurer les changements d’états des première et deuxième faces 105, 106. Selon ce deuxième mode de réalisation, dans le cadre de l’utilisation des premier et deuxième films 109, 110 tels que décrits ci-avant, ces premier et deuxième films 109, 110 sont dits sensibles au rayonnement ultraviolet. Pour former la structure 104 sacrificielle au moins l’un des premier et deuxième films 109, 110 comporte une partie adhésive permettant d’assembler ces premier et deuxième films 109, 110 entre eux. De manière générale, les films sensibles à un rayonnement ultraviolet peuvent perdre leur propriété de libération au rayonnement ultraviolet (c’est-à-dire leur propriété de passer d’un état adhésif à un état de libération) lorsqu’ils sont chauffés au-delà de 50°C. Dans ce cas, si le procédé de collage comporte l’étape E8 de recuit thermique assurant le renforcement de l’interface de collage entre chacune des puces 101 et le substrat 102 récepteur, alors au moins l’étape E4 de séparation des puces 101 par rapport à la deuxième face 106 et mise en œuvre avant l’étape E8 de recuit thermique pour éviter de soumettre la structure 104 sacrificielle à ce recuit thermique. Si les premier et deuxième films 109, 110 sensibles au rayonnement ultraviolet ne perdent pas, lorsqu’ils sont soumis à la température de recuit de l’étape E8 de recuit thermique, leur propriété permettant aux première et deuxième faces 105, 106 de passer chacune de son état adhésif à son état de libération, alors l’étape E4 de séparation des puces 101 par rapport à la deuxième face 106 de la structure 104 sacrificielle et l’étape E5 de séparation du substrat 103 porteur par rapport à la première face 105 de la structure 104 sacrificielle peuvent être mises après l’étape E8 de recuit thermique qui peut être réalisée en soumettant l’ensemble formé par la poignée 100, les puces 101 et le substrat 102 récepteur à une température de recuit de 150°C pendant 1 heure. Selon un exemple de ce deuxième mode de réalisation, de manière générale, le procédé de collage peut comporter une étape d’exposition de la structure 104 sacrificielle au rayonnement ultraviolet d’où il résulte que la première face 105 passe de son état adhésif à son état de libération et que la deuxième face 106 passe de son état adhésif à son état de libération, ledit rayonnement passant au travers du substrat 103 porteur avant d’atteindre la structure 104 sacrificielle. Ceci permet d’éviter d’avoir à chauffer l’ensemble formé par les puces 101, la structure 104 sacrificielle, le substrat 103 porteur et le substrat 102 récepteur. Selon un troisième mode de réalisation, il peut être combiné l’utilisation de l’énergie thermique et du rayonnement ultraviolet pour permettre la mise en œuvre de l’étape E4 de séparation des puces 101 par rapport à la deuxième face 106 et de l’étape de séparation du substrat 103 porteur par rapport à la première face 105. Cette combinaison présente l’avantage de séparer les puces 101 de la structure 104 sacrificielle à froid en utilisant un rayonnement ultraviolet tout en garantissant que la structure 104 sacrificielle reste bien assemblée au substrat 103 porteur lors de la séparation pour éviter tout résidus sur les puces 101, ensuite il est utilisé une énergie thermique pour séparer la structure 104 sacrificielle du substrat 103 porteur. Cet avantage s’applique aux différents exemples décrits ci-après en relation avec ce troisième mode de réalisation. Par exemple, dans le cadre de ce troisième mode de réalisation, la structure 104 sacrificielle est configurée de sorte que le passage de l’une des première et deuxième faces 105, 106 de son état adhésif à son état de libération soit provoqué par un traitement thermique et que le passage de l’autre des première et deuxième faces 105, 106 de son état adhésif à son état de libération soit provoqué par un traitement utilisant le rayonnement ultraviolet de préférence en exposant la couche délimitant cette autre des première et deuxième faces 105, 106 audit rayonnement. Bien entendu le rayonnement ultraviolet est adapté pour présenter les caractéristiques nécessaires pour faire changer d’état de la première ou deuxième face 105, 106 concernée. Par exemple, il peut être utilisé un film UV (ultraviolet) sensible Adwill D-650 de la société LINTEC et comportant une colle UV sensible acrylique pour former la première couche 107 ou la deuxième couche 108, la dose recommandée d’ultraviolet est alors de 160mJ/cm 2 pour assurer le changement d’état de la première face 105 ou de la deuxième face 106 concernée. Par exemple, dans le cadre de ce troisième mode de réalisation, la première couche 107 qui peut être sensible au rayonnement ultraviolet de sorte qu’une exposition de la première couche 107 à ce rayonnement ultraviolet provoque le passage de la première face 105 de son état adhésif à son état de libération, et la deuxième face 106 peut être sensible à une température prédéterminée de sorte que, lorsque la deuxième face 106 atteint cette température prédéterminée, la deuxième face 106 passe de son état adhésif à son état de libération. Il est alors possible dans un premier temps de chauffer la structure 104 sacrificielle pour la séparer des puces 101, puis dans un second temps d’exposer la structure 104 sacrificielle au rayonnement ultraviolet sans nécessiter de faire passer ce rayonnement ultraviolet au travers du substrat 103 porteur : l’avantage associé est donc de ne pas être limité à un type de substrat 103 porteur transparent au rayonnement ultraviolet dans le cadre du procédé de collage. Il est à présent décrit un exemple de réalisation particulier du troisième mode de réalisation utilisant un film REVALPHA No.3195H de la société Nitto Denko tel que décrit précédemment et un film HUV-D7125-30 de la société NDS pour former la structure 104 sacrificielle. Le film HUV-D7125-30 comporte un adhésif porté par un support, cet adhésif étant sensible au rayonnement ultraviolet de sorte que son exposition au rayonnement ultraviolet lui permet de passer d’un état adhésif à un état de libération. Dans ce cas, une plaque de silicium, par exemple de 200 mm de diamètre et par exemple de 725 µm d’épaisseur, est utilisée en tant que substrat 103 porteur. Le film HUV-D7125-30 est laminé sur une face de cette plaque de silicium avec son adhésif en contact avec cette face de la plaque de silicium d’où il résulte que l’adhésif du film HUV-D7125-30 correspond à la première couche 107 et que le film HUV-D7125-30 est le premier film 109. Ensuite, le film REVAPLHA No.3195H est laminé sur le premier film 109, alors solidaire du substrat 103 porteur, avec le premier adhésif du film REVAPLHA No.3195H au contact d’une face non-adhésive du film HUV-D7125-30 d’où il résulte que le film REVAPLHA No.3195H est le deuxième film 110. Le procédé de collage peut être tel que les puces 101 sont des puces d’InP de section, prise orthogonalement à leur épaisseur, carrée de 5 mm de côté. L’épaisseur de chaque puce 101 mesurée entre la face 101a de collage de la puce 101 et une autre face de la puce 101 peut être comprise entre 50 µm et 1000 µm, et plus particulièrement entre 400 µm et 650 µm, cette autre face de la puce 101 étant destinée à être collée à la deuxième face 106. Ces puces 101 d’InP peuvent être découpées dans une plaque d’InP. Ensuite, les puces 101 peuvent être positionnées sur la deuxième face 106 de la poignée 100 au moyen du dispositif de manipulation évoqué précédemment. Une fois les puces 101 positionnées sur la poignée 100 elles peuvent être préparée selon les caractéristiques de l’étape E6 de préparation décrite précédemment. Le substrat 102 récepteur peut lui aussi être préparé pour le collage direct de manière connue par la personne de l’art (étape E7). Après préparation des puces 101 et, le cas échéant, du substrat 102 récepteur, les puces 101 peuvent être collées au substrat 102 récepteur par collage direct de façon collective en rapprochant la poignée 100 du substrat 102 récepteur. Après collage direct mais avant de séparer la poignée des puces 101, l’ensemble formé par la poignée 100, les puces 101 et le substrat 102 récepteur peut être porté à 120°C pendant 2 heures afin de renforcer le collage direct. Ensuite, l’ensemble est porté à 150°C ce qui permet la séparation de la structure 104 sacrificielle par rapport aux puces 101, la structure 104 sacrificielle restant solidaire du substrat 103 porteur. Le dispositif formé par les puces 101 collées au substrat 102 récepteur par collage direct peut alors être récupéré sans nécessiter de nettoyage des surfaces des puces 101 initialement en contact avec la deuxième face 106 de la structure 104 sacrificielle. Après la séparation de la poignée 100 par rapport aux puces 101, la poignée 100 est alors insolée par rayonnement ultraviolet à 800 mJ/cm 2 autorisant le pelage de la structure 104 sacrificielle pour la séparer du substrat 103 porteur selon une rupture adhésive : il en résulte que le substrat 103 porteur ainsi récupéré peut être réutiliser pour y former une nouvelle structure 104 sacrificielle pour mettre en œuvre à nouveau le procédé de collage avec d’autres puces et un autre substrat récepteur. De manière générale, selon un exemple du troisième mode de réalisation, le procédé de collage peut être tel qu’il comporte : - une étape de traitement thermique, par exemple dont l’énergie thermique apportée à la structure 104 sacrificielle est représentée en figure 4 par les quatre flèches F1, dans laquelle la structure 104 sacrificielle est chauffée de sorte que la deuxième face 106 passe de son état adhésif à son état de libération et une étape d’exposition de la structure 104 sacrificielle au rayonnement ultraviolet, par exemple dont l’énergie apportée à la structure 104 sacrificielle est représentée en figure 7 par les quatre flèches F2, d’où il résulte que la première face 105 passe de son état adhésif à son état de libération, ou - une étape de traitement thermique, par exemple dont l’énergie thermique apportée à la structure 104 sacrificielle est représentée en figure 7 par les quatre flèches F2, dans laquelle la structure 104 sacrificielle est chauffée de sorte que la première face 105 passe de son état adhésif à son état de libération et une étape d’exposition de la structure 104 sacrificielle au rayonnement ultraviolet d’où il résulte que la deuxième face 106 passe de son état adhésif à son état de libération. De préférence, lorsque une face (par exemple la première face 105 ou la deuxième face 106) est délimité par une couche sensible au rayonnement ultraviolet (par exemple la première couche 107 ou la deuxième couche 108) : - la force de pelage de cette couche sensible au rayonnement ultraviolet à l’état adhésif de la face peut être comprise entre 1N/25mm et 20N/25mm (c’est-à-dire avant l’exposition au rayonnement ultraviolet de la couche sensible), - la force de pelage de cette couche sensible au rayonnement ultraviolet à l’état de libération de la face peut être comprise entre 0,1N/25mm et 0,5N/25mm (c’est-à-dire après l’exposition au rayonnement ultraviolet de la couche sensible). De préférence, lorsque une face (par exemple la première face 105 ou la deuxième face 106) est délimité par une couche thermosensible (par exemple la première couche 107 ou la deuxième couche 108) : - la force de pelage de cette couche thermosensible à l’état adhésif de la face peut être comprise entre 2N/20mm et 7N/20mm (c’est-à-dire avant traitement thermique de la couche thermosensible), - la force de pelage de cette couche thermosensible à l’état de libération de la face peut être strictement inférieure à 1N/20mm (c’est-à-dire après traitement thermique de la couche thermosensible). Ici les valeurs de force de pelage sont données pour une largeur de bande de test de 20 mm. Dans la présente description, ce qui a été décrit en relation avec la poignée 100 peut s’appliquer au procédé de collage utilisant cette poignée et inversement ce qui a été décrit en relation avec le procédé de collage concernant l’utilisation de la poignée peut s’appliquer à la poignée. La poignée et le procédé de collage de puces décrits précédemment présentent une application industrielle dans le domaine de l’électronique et plus particulièrement dans le domaine de la microélectronique, où il est cherché à coller des puces, de préférence individualisées, à une plaque réceptrice formée par le substrat 102 récepteur. Poignée (100) pour puces (101) destinées à être collées par collage direct à un substrat (102) récepteur, la poignée (100) comportant un substrat (103) porteur et une structure (104) sacrificielle, la structure (104) sacrificielle comportant : une première face (105) présentant un état adhésif tel que la première face (105) adhère au substrat (103) porteur, une deuxième face (106) opposée à la première face (105), la deuxième face (106) présentant un état adhésif et étant destinée à recevoir les puces (101), caractérisée en ce que : la structure (104) sacrificielle est configurée pour permettre à la première face (105) de passer de son état adhésif à un état de libération permettant une séparation de la première face (105) par rapport au substrat (103) porteur, la structure (104) sacrificielle est configurée pour permettre à la deuxième face (106) de passer de son état adhésif à un état de libération. Poignée (100) selon la revendication 1, caractérisée en ce que : la première face (105) présente, dans son état adhésif, une énergie d’adhérence caractérisée par une force de pelage nécessaire pour séparer la première face (105) du substrat (103) porteur supérieure ou égale à 1N/25mm, la première face (105) présente, dans son état de libération, une énergie d’adhérence nécessaire pour séparer la première face (105) du substrat (103) porteur inférieure ou égale à 0,5N/25mm, et en ce que les puces (101) étant en contact avec la deuxième face (106) : la deuxième face (106) présente, dans son état adhésif, une énergie d’adhérence caractérisée par une force de pelage nécessaire pour séparer la deuxième face (106) de chacune des puces (101) supérieure ou égale à 1N/25mm, la deuxième face (106) présente, dans son état de libération, une énergie d’adhérence caractérisée par une force de pelage nécessaire pour séparer la deuxième face (106) de chacune des puces (101) inférieure ou égale à 0,5N/25mm. Poignée (100) selon la revendication 2, caractérisée en ce que : le ratio entre la force de pelage à l’état adhésif de la première face (105) par rapport à la force de pelage à l’état de libération de la première face (105) est strictement supérieur à 5 ou à 10, et/ou le ratio entre la force de pelage à l’état adhésif de la deuxième face (106) par rapport à la force de pelage à l’état de libération de la deuxième face (106) est strictement supérieur à 5 ou à 10. Poignée (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisée en ce que la structure (104) sacrificielle comporte une première couche (107) délimitant la première face (105) et une deuxième couche (108) délimitant la deuxième face (106). Poignée (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisée en ce que : la première face (105) est sensible à une première température de sorte que la première face (105) passe de son état adhésif à son état de libération lorsque la première face (105) atteint cette première température, la deuxième face (106) est sensible à une deuxième température de sorte que la deuxième face (106) passe de son état adhésif à son état de libération lorsque la deuxième face (106) atteint cette deuxième température, la première température et la deuxième température étant identiques ou différentes. Poignée (100) selon la revendication 4, caractérisée en ce que les première et deuxième couches (107, 108) sont configurées de sorte qu’une exposition de ces première et deuxième couches (107, 108) à un rayonnement ultraviolet provoque : le passage de la première face (105) de son état adhésif à son état de libération, le passage de la deuxième face (106) de son état adhésif à son état de libération, et en ce que le substrat (103) porteur est transparent au rayonnement ultraviolet. Poignée (100) selon l’une quelconque des revendication 1 à 4, caractérisée en ce que la structure (104) sacrificielle est configurée de sorte que le passage de l’une des première et deuxième faces (105, 106) de son état adhésif à son état de libération soit provoqué par un traitement thermique et que le passage de l’autre des première et deuxième faces (105, 106) de son état adhésif à son état de libération soit provoqué par un traitement utilisant un rayonnement ultraviolet. Poignée (100) selon la revendication 4, caractérisée en ce que : la première couche (107) est sensible à un rayonnement ultraviolet de sorte qu’une exposition de la première couche (107) à ce rayonnement ultraviolet provoque le passage de la première face (105) de son état adhésif à son état de libération, la deuxième face (106) est sensible à une température prédéterminée de sorte que, lorsque la deuxième face (106) atteint cette température prédéterminée, la deuxième face (106) passe de son état adhésif à son état de libération. Poignée (100) selon la revendication 4 et l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que la structure (104) sacrificielle est formée par l’assemblage d’un premier film (109) et d’un deuxième film (110), le premier film (109) comportant la première couche (107) et le deuxième film (110) comportant la deuxième couche (108). Procédé de collage de puces (101) à un substrat (102) récepteur par collage direct, caractérisé en ce qu’il comporte : une étape (E1) de fourniture d’une poignée (100) selon l’une quelconque des revendications précédentes, une étape (E2) de positionnement des puces (101) sur la deuxième face (106) dans son état adhésif d’où il résulte un maintien des puces (101) à la poignée (100), une étape (E3) de collage par collage direct des puces (101), positionnées sur la deuxième face (106), au substrat (102) récepteur, une étape (E4) de séparation des puces (101) par rapport à la deuxième face (106) dans laquelle la deuxième face (106) passe de son état adhésif à son état de libération, l’étape (E4) de séparation des puces (101) étant mise en œuvre après l’étape (E3) de collage des puces (101) au substrat (102) récepteur par collage direct, une étape (E5) de séparation du substrat (103) porteur par rapport à la première face (105) de la structure (104) sacrificielle dans laquelle la première face (105) passe de son état adhésif à son état de libération. Procédé de collage selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu’il comporte une étape de traitement thermique dans laquelle la structure (104) sacrificielle est chauffée de sorte que la deuxième face (106) passe de son état adhésif à son état de libération et que la première face (105) passe de son état adhésif à son état de libération. Procédé de collage selon la revendication 10, caractérisé en ce qu’il comporte : une première étape de traitement thermique dans laquelle la structure (104) sacrificielle est chauffée à une première température de sorte que la première face (105) passe de son état adhésif à son état de libération, une deuxième étape de traitement thermique dans laquelle la structure (104) sacrificielle est chauffée à une deuxième température de sorte que la deuxième face (106) passe de son état adhésif à son état de libération, la première température étant différente de la deuxième température. Procédé de collage selon la revendication 10, caractérisé en ce qu’il comporte une étape d’exposition de la structure (104) sacrificielle à un rayonnement ultraviolet d’où il résulte que la première face (105) passe de son état adhésif à son état de libération et que la deuxième face (106) passe de son état adhésif à son état de libération, ledit rayonnement passant au travers du substrat (103) porteur avant d’atteindre la structure (104) sacrificielle. Procédé de collage selon la revendication 10, caractérisé en ce qu’il comporte : une étape de traitement thermique dans laquelle la structure (104) sacrificielle est chauffée de sorte que la deuxième face (106) passe de son état adhésif à son état de libération et une étape d’exposition de la structure (104) sacrificielle à un rayonnement ultraviolet d’où il résulte que la première face (105) passe de son état adhésif à son état de libération, ou une étape de traitement thermique dans laquelle la structure (104) sacrificielle est chauffée de sorte que la première face (105) passe de son état adhésif à son état de libération et une étape d’exposition de la structure (104) sacrificielle à un rayonnement ultraviolet d’où il résulte que la deuxième face (106) passe de son état adhésif à son état de libération. Procédé de collage l’une quelconque des revendications 10 à 14, caractérisé en ce qu’il comporte une étape (E8) de recuit thermique pour renforcer le collage direct des puces (101) au substrat (102) récepteur, l’étape (E8) de recuit thermique étant mise en œuvre avant l’étape (E4) de séparation des puces (101) par rapport à la deuxième face (106) et avant l’étape (E5) de séparation du substrat (103) porteur par rapport à la première face (105).