Brevet FR3111016A1 — publié le 20211203

Dispositif optoélectronique et procédé de fabrication. L’invention concerne une structure tridimensionnelle (3D) pour l’optoélectronique comprenant une pyramide 21 en un premier matériau à base d’InGaN formée à partir d’un substrat 2, 2a, 2b, caractérisée en ce que ladite structure 3D 1 comprend un fil 24 en un deuxième matériau à base de GaN, différent du premier matériau, ledit fil 24 s’étendant selon une direction longitudinale perpendiculaire au plan du substrat 2, 2a, 2b entre ledit substrat 2, 2a, 2b et une embase 210 de la pyramide 21 à base d’InGaN, de sorte que la structure 3D présente une forme générale de crayon. L’invention concerne également un procédé de fabrication d’une telle structure 3D, et un dispositif optoélectronique à base d’une pluralité de ces structures 3D. Figure pour l’abrégé : Fig.3 Dispositif optoélectronique et procédé de fabrication L’invention concerne le domaine de l’optoélectronique. Elle trouve pour application particulièrement avantageuse le domaine des diodes électroluminescentes à base de nitrure de Gallium (GaN) présentant une structure tridimensionnelle. ETAT DE LA TECHNIQUE Les diodes électroluminescentes (LED) comprennent typiquement une région dite active où se produisent des recombinaisons radiatives de paires électron-trou, qui permettent d’obtenir un rayonnement lumineux présentant une longueur d’onde principale. Pour des applications d’affichage, les LED peuvent être configurées pour produire un rayonnement lumineux dont la longueur d’onde principale se situe dans le bleu, ou dans le vert, ou dans le rouge. Cette longueur d’onde principale dépend notamment de la composition de la région active. Pour produire un rayonnement lumineux dans le vert ou dans le rouge, la région active peut être typiquement à base d’InGaN. Plus la concentration d’indium [In] augmente, plus la longueur d’onde principale augmente. Il peut être ainsi nécessaire d’incorporer une concentration d’indium [In] ≥ 10%at pour obtenir une LED émettant dans le rouge. Les LED à base de GaN sont généralement fabriquées selon une technologie dite planaire, qui consiste à former sur un plan de base d’un substrat, un empilement de couches bidimensionnelles (2D) selon une direction normale au plan de base. Cet empilement peut typiquement comprendre, à partir du substrat, une région tampon en GaN, une région dopée N en GaN, la région active à base d’InGaN, une région dopée P en GaN. Une structuration de cet empilement a posteriori , par exemple par des étapes de lithographie/gravure, permet ensuite de former une pluralité de LED ou de micro-LED présentant chacune une structure en mésa comprenant typiquement une face sommitale et des parois latérales (figure 1). Pour des concentrations d’indium importantes cependant, par exemple [In] ≥ 10%at, le désaccord de paramètres de maille entre les régions à base de GaN et la région active 22 à base d’InGaN provoque des contraintes mécaniques qui engendrent in fine , par relaxation plastique, la création de défauts structuraux. Ces défauts structuraux nuisent à l’efficacité radiative des LED ou micro-LED. Il est notamment particulièrement difficile d’obtenir des LED rouges présentant un bon rendement radiatif. Un autre inconvénient de ce type de structures en mésa est lié à la structuration a posteriori . Les parois latérales 200 obtenues par gravure présentent généralement des défauts favorisant l’apparition de recombinaisons non radiatives de surface. Le rendement radiatif des LED est encore diminué. Une solution permettant de réduire les défauts des parois latérales consiste à former directement une structure tridimensionnelle (3D) à base de GaN. Ces structures 3D peuvent se présenter sous forme de pyramides telles qu’illustrées à la figure 2. Pour limiter en outre le phénomène de relaxation plastique des contraintes, ces pyramides peuvent comprendre une région massive en InGaN sous-jacente à la région active 22. Le document « Nanoscale selective area growth of thick, dense, uniform, In-rich, InGaN nanostructure arrays on GaN/sapphire template, S. Sundaram et al ., Journal of Applied Physics 116, 163105 (2014) » divulgue par exemple des régions massives pyramidales d’InGaN. Une telle région massive pyramidale 21 en InGaN est dénommée « pyramide InGaN » dans la suite. La croissance des pyramides InGaN peut se faire par épitaxie à partir d’une couche 11 en GaN partiellement recouverte par une couche de masquage 12. Un inconvénient des pyramides 21 InGaN ainsi formées est qu’elles peuvent présenter un grand nombre de défauts structuraux. La qualité cristalline de la région massive en InGaN n’est dès lors pas suffisante pour fabriquer des dispositifs optoélectroniques, en particulier des LED, présentant des performances satisfaisantes. Pour améliorer la qualité cristalline des pyramides 21 InGaN épitaxiées, une solution consiste à faire croître ces pyramides 21 à partir d’une couche 11 tampon en GaN. Une telle couche 11 tampon est notamment plus épaisse qu’une couche mince classique. La couche 11 tampon permet de confiner les défauts structuraux dans une partie inférieure de la couche 11 – au niveau d’une interface avec le support 10 sous-jacent, par exemple en silicium. Comme la concentration de ces défauts structuraux diminue généralement le long de l’épaisseur de la couche, la couche 11 tampon en GaN présente une qualité cristalline améliorée dans sa partie supérieure. Le recours à de telles couches 11 tampon en GaN épaisses génère cependant des problèmes de courbure pour un support 10 silicium sous forme de plaquette (wafer). De telles couches 11 tampon sont en outre coûteuses à produire. Un autre inconvénient de ce type de structure pyramidale est que l’incorporation d’indium dans la région massive 21 en InGaN reste limitée, même sur une couche 11 tampon en GaN. Il est en particulier difficile de former des pyramides 21 InGaN présentant une concentration d’indium [In] ≥ 10%at avec une qualité cristalline satisfaisante. Dès lors, ces structures 3D pyramidales à base d’InGaN ne permettent pas de former des micro-LED émettant dans le rouge avec un rendement radiatif satisfaisant. La présente invention vise à pallier au moins partiellement certains des inconvénients mentionnés ci-dessus. En particulier, un objet de la présente invention est de proposer une structure tridimensionnelle comprenant des pyramides InGaN avec une qualité cristalline améliorée. Un autre objet de la présente invention est de proposer un procédé de formation de pyramides InGaN permettant de réduite les coûts de fabrication et/ou d’améliorer la qualité cristalline des pyramides InGaN. Un autre objet de la présente invention est de proposer un dispositif optoélectronique, en particulier une LED 3D à base de GaN, comprenant des pyramides InGaN émettant dans le rouge ou dans le vert avec un rendement radiatif amélioré. Les autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à l'examen de la description suivante et des dessins d'accompagnement. Il est entendu que d'autres avantages peuvent être incorporés. RESUME Pour atteindre les objectifs mentionnés ci-dessus, la présente invention prévoit selon un premier aspect une structure tridimensionnelle (3D) pour l’optoélectronique comprenant une pyramide en un premier matériau à base d’InGaN formée à partir d’un substrat plan. Avantageusement, la structure 3D comprend un fil en un deuxième matériau à base de GaN, différent du premier matériau, ledit fil s’étendant selon une direction longitudinale perpendiculaire au plan du substrat entre ledit substrat et une embase de la pyramide à base d’InGaN, de sorte que la structure 3D présente une forme générale de crayon. Le fil à base de GaN a ainsi une fonction de substrat 3D pour la pyramide à base d’InGaN. Ce substrat 3D sous forme de fil remplace avantageusement un substrat plan sous forme de couche tampon épaisse en GaN. Ce substrat sous forme de fil est notamment de meilleure qualité cristalline et plus économique à produire qu’un substrat plan en GaN épais. Un tel fil à base de GaN est de préférence obtenu par croissance de bas en haut, selon une approche dite « bottom-up », plutôt que par gravure de haut en bas, selon l’approche inverse dite « top-down ». Une telle croissance « bottom-up » limite l’apparition de contraintes mécaniques au sein du GaN, notamment grâce à la présence de surfaces libres au niveau des parois du fil lors de la croissance. Cela permet de limiter l’apparition de défauts structuraux au sein du fil, et d’améliorer ainsi la qualité cristalline du fil à base de GaN. Cela permet également de limiter ou de supprimer l’apparition de défauts surfaciques sur les parois du fil, contrairement à l’approche « top-down » qui favorise l’apparition de ces défauts surfaciques. En outre, la croissance sous forme de fil présente un meilleur rendement que la croissance de couches massives. Le rapport surface sur volume d’un fil est en effet supérieur à celui d’une couche planaire. La croissance étant limitée par les phénomènes de surface, le rendement de croissance est donc supérieur dans le cas d’une croissance sous forme de fil. Cela permet de diminuer le coût de production du substrat à base de GaN de l’art antérieur en le transposant sous forme de fils. Un tel substrat sous forme de fils peut en outre être avantageusement formé sur un wafer de silicium de larges dimensions, par exemple 8 pouces ou 12 pouces, sans que ce dernier ne souffre de problèmes de courbure. Les contraintes mécaniques liées à la différence de paramètre de maille entre le silicium et un matériau à base de GaN sont largement relâchées par une croissance de ce matériau sous forme de fils, en comparaison d’une croissance de ce matériau sous forme de couche – pour une épaisseur de couche et une hauteur de fils égales par ailleurs. Un deuxième aspect de la présente invention concerne un dispositif optoélectronique à base de nitrure de gallium (GaN) comprenant une pluralité de structures tridimensionnelles (3D) selon le premier aspect de l’invention. Les structures 3D sont avantageusement espacées les unes des autres par une distance de séparation ds inférieure ou égale à 650 nm, de préférence inférieure ou égale à 600 nm. Les développements ayant menés à la présente invention ont permis d’identifier qu’une densité de fils à base de GaN élevée favorisait la croissance de structures à base d’InGaN au sommet des fils, plutôt que sur les parois des fils. Selon un préjugé technique, la croissance par épitaxie en phase vapeur à précurseurs organométalliques MOVPE produit des couches sensiblement conformes en surface d’un substrat, qu’il soit structuré ou non. Ainsi, selon ce préjugé, un dépôt MOVPE d’InGaN sur un fil à base de GaN forme une structure 3D dite radiale, présentant une couche continue d’InGaN sur les parois et le sommet du fil. Au contraire, dans le cadre du développement de la présente invention, il est apparu qu’un tel dépôt MOVPE d’InGaN sur un ensemble de fils à base de GaN suffisamment proches les uns des autres, permet d’obtenir une structure 3D dite axiale, où le matériau à base d’InGaN se situe majoritairement sur le sommet des fils. En outre, de façon inattendue, ces structures sommitales à base d’InGaN croissent sous forme de pyramides plutôt que sous forme de couches épousant la forme du fil. Selon une explication probable, la proximité des structures sommitales perturbe l’équilibre du système thermodynamique de sorte à conduire à la formation de ces pyramides. Selon un exemple particulier, il est apparu de façon surprenante que le dépôt périodique de puits d’InGaN et de barrières d’AlGaN sur un substrat sous forme de fils à base de GaN espacés les uns des autres d’environ 200 nm, conduisait in fine à l’obtention de pyramides massives à base d’InGaN au sommet des fils. Dans ces conditions de densité de fils élevée, pour des distances de séparation ds entre fils inférieures ou égales à 650 nm, l’indium se répartit donc de façon homogène lors de la formation de la structure pyramidale sommitale. L’obtention de telles pyramides massives à base d’InGaN permet avantageusement de faire croître des régions actives à base d’InGaN présentant une qualité cristalline améliorée et/ou une concentration d’indium augmentée. Les pyramides à base d’InGaN peuvent avantageusement présenter des faces inclinées correspondant à des plans semi-polaires. Ces plans semi-polaires sont par exemple de type {10-11}. De tels plans semi-polaires favorisent l’incorporation d’indium comparativement aux plans non polaires des parois des fils. Les pyramides d’InGaN sommitales peuvent ainsi présenter des concentrations d’Indium suffisantes, par exemple [In] ≥ 10%at, pour former des LED configurées pour émettre des rayonnements lumineux dans le vert ou dans le rouge, avec un rendement radiatif amélioré. Un troisième aspect de la présente invention concerne un procédé de fabrication d’une pluralité de structures tridimensionnelles (3D) pour l’optoélectronique comprenant chacune une pyramide à base d’InGaN. Ce procédé comprend les étapes suivantes : Fournir un substrat comprenant au moins une couche superficielle permettant la nucléation et la croissance du GaN, par exemple à base de GaN, AlN, et/ou autre nitrure métallique, Déposer une couche de masquage sur le substrat à base de GaN, ladite couche de masquage comprenant des ouvertures au travers desquelles est exposée la couche superficielle, Former, par épitaxie à partir des zones exposées de la couche superficielle, des fils à base de GaN s’étendant chacun depuis une base jusqu’à un sommet selon une direction longitudinale sensiblement perpendiculaire à la couche superficielle, ladite base étant connectée à la couche superficielle au travers des ouvertures, Former, par épitaxie sur les sommets des fils à base de GaN, des pyramides à base d’InGaN. Le procédé permet ainsi de former des pyramides à base d’InGaN à partir d’une couche superficielle avantageusement peu épaisse, encore appelée couche de nucléation. Les fils épitaxiés présentent une qualité cristalline supérieure à une couche massive d’épaisseur équivalente. Ces fils forment donc avantageusement un substrat 3D à base de GaN de bonne qualité cristalline pour la croissance des pyramides à base d’InGaN. La qualité cristalline des pyramides à base d’InGaN est ainsi améliorée. L’épitaxie de fils à base de GaN est en outre plus efficiente et consomme moins de précurseurs que l’épitaxie d’une couche massive à base de GaN. Le procédé permet donc in fine de réduire les coûts de fabrication des pyramides à base d’InGaN. Selon une possibilité avantageuse, les ouvertures de la couche de masquage sont régulièrement distribuées sous forme d’un réseau présentant un pas inférieur ou égal à 700 nm, par exemple compris entre 50 nm et 650 nm. Ce pas détermine en partie la distance de séparation ds entre fils. A l’issue de la croissance des fils à base de GaN, ceux-ci sont donc relativement proches les uns des autres. Cela permet de favoriser une croissance axiale d’InGaN au sommet des fils, sous forme de pyramides. Il est entendu que les caractéristiques et avantages d’un aspect de l’invention peuvent être transposés, mutatis mutandis , à un autre aspect de l’invention. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront mieux de la description détaillée de modes de réalisation de cette dernière qui sont illustrés par les dessins d’accompagnement suivants dans lesquels : La figure 1 illustre une structure de LED 3D présentant une structure en mésa selon l’art antérieur. La figure 2 illustre une structure de LED 3D comprenant des pyramides à base d’InGaN selon l’art antérieur. La figure 3 illustre une structure 3D comprenant une pyramide à base d’InGaN selon un mode de réalisation de la présente invention. La figure 4A est une image de microscopie électronique en transmission à balayage (STEM) de structures 3D selon un mode de réalisation de la présente invention. La figure 4B est une vue agrandie de l’image de la figure 4A montrant une pyramide sommitale d’une structure 3D selon un mode de réalisation de la présente invention. La figure 4C est une cartographie EDX de la figure 4B montrant la répartition d’Indium au sein d’une pyramide sommitale d’une structure 3D selon un mode de réalisation de la présente invention. La figure 5 est une image de microscopie électronique à balayage (SEM) d’un dispositif optoélectronique comprenant une pluralité de structures 3D selon un mode de réalisation de la présente invention. La figure 6 est une image de microscopie électronique à balayage (SEM) d’un dispositif optoélectronique comprenant une pluralité de structures 3D selon un autre mode de réalisation de la présente invention. La figure 7A est une image de cathodoluminescence formée pour une longueur d’onde λR du domaine de lumière rouge, en vue de dessus du dispositif optoélectronique illustré à la figure 6. La figure 7B est l’image de la figure 7A avec une plage dynamique de contraste augmentée, accentuant les différences d’intensité d’émission à la longueur d’onde λR des pyramides sommitales à base d’InGaN. La figure 7C est une image hyperspectrale montrant les spectres d’émission de cathodoluminescence associés à chaque point du profil spatial représenté en figure 7B. La figure 8 est un spectre de photoluminescence du dispositif optoélectronique illustré à la figure 6. La figure 9 est un spectre de photoluminescence d’un dispositif optoélectronique comprenant une pluralité de structures 3D selon un autre mode de réalisation de la présente invention. La figure 10A est une image de microscopie électronique à balayage (SEM) d’un dispositif optoélectronique comprenant une pluralité de structures 3D selon un autre mode de réalisation de la présente invention. La figure 10B est un spectre de photoluminescence du dispositif optoélectronique illustré à la figure 10A. Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l’invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l’invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier, les dimensions des différents éléments des structures 3D ne sont pas forcément représentatives de la réalité. DESCRIPTION DÉTAILLÉE Avant d’entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l’invention, il est rappelé que l’invention selon son premier aspect comprend notamment les caractéristiques optionnelles ci-après pouvant être utilisées en association ou alternativement. Selon un exemple, le fil présente une hauteur supérieure ou égale à 150 nm. Selon un exemple, le fil présente un diamètre supérieur ou égal à 30 nm et/ou inférieur ou égal à 500 nm. Selon un exemple, la pyramide à base d’InGaN présente un diamètre d’embase et le diamètre du fil est inférieur ou égal au diamètre d’embase. Selon un exemple, l’embase de la pyramide à base d’InGaN est sensiblement parallèle au plan du substrat. Selon un exemple, le fil à base de GaN comprend une base prenant appui sur le substrat plan, et un sommet soutenant l’embase de la pyramide à base d’InGaN, ledit sommet étant entouré par une collerette à base d’InGaN. Selon un exemple, la pyramide à base d’InGaN comprend des faces inclinées d’un angle d’environ 30 ° vis-à-vis de la direction longitudinale, ces faces inclinées correspondant sensiblement à des plans semi-polaires de type {10-11}. Selon un exemple, la structure 3D comprend en outre une région active à base d’InGaN sur au moins une face de la pyramide à base d’InGaN, ladite région active étant configurée pour émettre ou recevoir un rayonnement lumineux. Selon un exemple, la pyramide à base d’InGaN présente un taux d’indium [In] ≥ 10 %. Selon un exemple, la pyramide à base d’InGaN présente une hauteur supérieure ou égale à 50 nm et/ou inférieure ou égale à 500 nm. Selon un exemple, le diamètre du fil est supérieur à celui de l’ouverture de la couche de masquage. L’invention selon son deuxième aspect comprend notamment les caractéristiques optionnelles ci-après pouvant être utilisées en association ou alternativement : Selon un exemple, au moins une partie des structures 3D du dispositif optoélectronique est configurée pour émettre un rayonnement lumineux présentant une longueur d’onde principale, et ladite longueur d’onde principale varie en fonction d’un diamètre Φ des fils desdites structures 3D et de la distance de séparation ds séparant deux structures 3D adjacentes parmi lesdites structures 3D. Selon un exemple, la pluralité de structures 3D présente des distances de séparation ds identiques et des diamètres de fils Φ identiques, lesdites structures 3D étant configurées pour émettre un rayonnement lumineux présentant une longueur d’onde principale λ en partie déterminée par le diamètre Φ et la distance de séparation ds, notamment pour des structures 3D crues sur une même plaque (avec les mêmes conditions de croissance, notamment de la couche active). Selon un exemple, le dispositif optoélectronique comprend au moins des première, deuxième et troisième pluralités de structures 3D présentant respectivement des première, deuxième et troisième distances de séparation ds1, ds2, ds3 et des premier deuxième et troisième diamètres de fils Φ1, Φ2, Φ3 tels que ds1 Φ2 > Φ3, lesdites première, deuxième et troisième pluralités de structures 3D émettant un rayonnement lumineux présentant respectivement des première, deuxième et troisième longueurs d’onde λ1, λ2, λ3 différentes entre elles et de préférence telles que λ1 > λ2 > λ3. Selon un exemple, le dispositif optoélectronique comprend des première et deuxième pluralités de structures 3D présentant respectivement des première et deuxième distances de séparation ds1, ds2, et des premier et deuxième diamètres de fils Φ1, Φ2, tels que ds1 Φ2, lesdites première et deuxième pluralités de structures 3D émettant un rayonnement lumineux présentant respectivement des première et deuxième longueurs d’onde λ1, λ2 différentes entre elles et de préférence telles que λ1 > λ2. Selon un exemple, le dispositif optoélectronique comprend au moins une première pluralité de structures 3D présentant une première distance de séparation ds1 et un premier diamètre de fils Φ1, lesdites structures 3D émettant un rayonnement lumineux présentant une première longueur d’onde λ1 appartenant au spectre de lumière rouge. Selon un exemple, le dispositif optoélectronique comprend au moins une deuxième pluralité de structures 3D présentant une deuxième distance de séparation ds2 et un deuxième diamètre de fils Φ2, lesdites structures 3D émettant un rayonnement lumineux présentant une deuxième longueur d’onde λ2 appartenant au spectre de lumière verte. Selon un exemple, le dispositif optoélectronique comprend au moins une troisième pluralité de structures 3D présentant une troisième distance de séparation ds3 et un troisième diamètre de fils Φ3, lesdites structures 3D émettant un rayonnement lumineux présentant une troisième longueur d’onde λ3 appartenant au spectre de lumière bleue. Selon un exemple, ds1 Φ2 > Φ3. Selon un exemple, la première longueur d’onde λ1 est supérieure à 600 nm. Selon un exemple, la deuxième longueur d’onde λ2 est comprise entre 500nm et 600 nm. Selon un exemple, la troisième longueur d’onde λ3 est inférieure à 500nm. Selon un exemple, la longueur d’onde principale λ du rayonnement lumineux est supérieure ou égale à 400 nm et/ou est inférieure ou égale à 700 nm. Selon un exemple, la longueur d’onde principale λ du rayonnement lumineux est comprise entre 500 nm et 650 nm. L’invention selon son troisième aspect comprend notamment les caractéristiques optionnelles ci-après pouvant être utilisées en association ou alternativement : Selon un exemple, le procédé comprend les étapes suivantes : Fournir un substrat comprenant au moins une couche superficielle permettant la nucléation et la croissance du GaN, par exemple à base de GaN, AlN, et/ou autre nitrure métallique, Déposer une couche de masquage sur le substrat, ladite couche de masquage comprenant des ouvertures au travers desquelles est exposée la couche superficielle, Former, par épitaxie à partir des zones exposées de la couche superficielle, des fils à base de GaN s’étendant chacun depuis une base jusqu’à un sommet selon une direction longitudinale sensiblement perpendiculaire à la couche superficielle, ladite base étant connectée à la couche superficielle au travers des ouvertures, Former, par épitaxie sur les sommets des fils à base de GaN, des pyramides à base d’InGaN. Selon un exemple, la couche superficielle présente une épaisseur comprise entre 1 nm et 200 nm, de préférence entre 10 nm et 200 nm. Selon un exemple, la formation des pyramides à base d’InGaN et/ou la formation des fils à base de GaN se fait par épitaxie en phase vapeur à précurseurs organométalliques MOVPE. Selon un exemple, les ouvertures de la couche de masquage sont espacées par un pas compris entre 50 nm et 700 nm. Selon un exemple, les ouvertures de la couche de masquage sont distribuées de façon à présenter une densité surfacique supérieure ou égale à 4 µm -2 et/ou inférieure ou égale à 400 µm -2 . Selon un exemple, la formation des pyramides à base d’InGaN est configurée pour que les pyramides à base d’InGaN présentent un taux d’indium [In] ≥ 10%at. Selon un exemple, la formation des pyramides à base d’InGaN se fait à une température supérieure ou égale à 780°C. Selon un exemple, la couche de masquage comprend au moins des première, deuxième et troisième pluralités d’ouvertures présentant respectivement des premier, deuxième et troisième pas p1, p2, p3 et des premier, deuxième et troisième diamètres d’ouverture Φo1, Φo2, Φo3 tels que p1 Φo2 > Φo3, de sorte à former simultanément des première, deuxième et troisième pluralités de structures 3D configurées pour émettre un rayonnement lumineux présentant respectivement des première, deuxième et troisième longueurs d’onde λ1, λ2, λ3 différentes entre elles et de préférence telles que λ1 > λ2 > λ3. Selon un exemple, la couche de masquage comprend des première et deuxième pluralités d’ouvertures présentant respectivement des premier et deuxième pas p1, p2 et des premier et deuxième diamètres d’ouverture Φo1, Φo2 tels que p1 Φo2, de sorte à former simultanément des première et deuxième pluralités de structures 3D configurées pour émettre un rayonnement lumineux présentant respectivement des première et deuxième longueurs d’onde λ1, λ2 différentes entre elles et de préférence telles que λ1 > λ2. Sauf incompatibilité, il est entendu que la structure 3D, le procédé de fabrication, et le dispositif optoélectronique peuvent comprendre, mut a tis mutandis , l’une quelconque des caractéristiques optionnelles ci-dessus. Dans la présente invention, la structure 3D comprenant une pyramide à base d’InGaN est en particulier dédiée à la fabrication de LED 3D. L’invention peut être mise en œuvre plus largement pour différents dispositifs optoélectroniques à structure 3D, et notamment ceux comprenant une région active. On entend par région active d’un dispositif optoélectronique la région depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement lumineux fourni par ce dispositif, ou la région depuis laquelle est captée la majorité du rayonnement lumineux reçu par ce dispositif. L’invention peut donc être également mise en œuvre dans le cadre de dispositifs laser ou photovoltaïque. Sauf mention explicite, il est précisé que, dans le cadre de la présente invention, la disposition relative d’une troisième couche intercalée entre une première couche et une deuxième couche, ne signifie pas obligatoirement que les couches sont directement au contact les unes des autres, mais signifie que la troisième couche est soit directement au contact des première et deuxième couches, soit séparée de celles-ci par au moins une autre couche ou au moins un autre élément. Les étapes de formation des différents éléments s’entendent au sens large : elles peuvent être réalisées en plusieurs sous-étapes qui ne sont pas forcément strictement successives. On entend par diamètre d’un fil ou de l’embase d’une pyramide, sa dimension transverse la plus grande. Dans la présente invention, les fils ne présentent pas nécessairement une section transverse circulaire. En particulier, dans le cas de fils à base de GaN, cette section peut être hexagonale. Le diamètre correspond alors à la distance séparant deux sommets opposés de la section hexagonale. Alternativement, le diamètre peut correspondre à un diamètre moyen calculé à partir du diamètre d’un cercle inscrit dans le polygone de la section transverse et du diamètre d’un cercle circonscrit de ce polygone. Le diamètre d’une structure 3D est sensiblement égal au diamètre du fil de cette structure 3D. On entend par forme de crayon une forme comprenant un fût cylindrique, et une pointe effilée à une extrémité de ce fût. Le fût est de préférence un cylindre droit. Il peut présenter une section transverse hexagonale ou polygonale. Dans la présente demande de brevet, sa section est environ constante le long de la hauteur du cylindre. Elle peut néanmoins varier légèrement, par exemple jusqu’à 5% ou 10% de sa surface, sans que cela ne remette en cause la définition de fût cylindrique énoncée ci-dessus. Le fût cylindrique correspond au fil à base de GaN dans la présente demande de brevet. La pointe effilée prend appui sur une extrémité du fût cylindrique. Elle présente de préférence la même base que le cylindre et s’étend, de préférence de façon continue, en convergeant vers un point ou une zone sommitale. La pointe effilée peut éventuellement comprendre un ou plusieurs degrés. La pointe effilée correspond à la pyramide sommitale à base d’InGaN dans la présente demande de brevet. On entend par fil une structure 3D de forme allongée selon la direction longitudinale. La dimension longitudinale du fil, selon z sur les figures, est supérieure, et de préférence très supérieure, aux dimensions transverses du fil, dans le plan xy sur les figures. La dimension longitudinale est par exemple au moins cinq fois, et de préférence au moins dix fois, supérieure aux dimensions transverses. La densité surfacique des structures 3D dépend de la distance de séparation ds séparant deux structures 3D adjacentes. Elle peut notamment être inversement proportionnelle à cette distance ds selon k/ds 2 avec k un facteur de proportionnalité. Dans la présente demande de brevet, les termes « concentration », « taux » et « teneur » sont synonymes. Plus particulièrement, une concentration peut être exprimée en unité relative telle que les fractions molaires ou atomiques (%at), ou en unité absolue telle que le nombre d’atomes par centimètre cube (at.cm -3 ). Dans la suite, les concentrations sont des fractions atomiques exprimées en %at, sauf mention contraire. Dans la présente demande de brevet, les termes « diode électroluminescente », « LED » ou simplement « diode » sont employés en synonymes. Une « LED » peut également s’entendre d’une « micro-LED ». Dans la suite, les abréviations suivantes relatives à un matériau M sont éventuellement utilisées : M-i réfère au matériau M intrinsèque ou non intentionnellement dopé, selon la terminologie habituellement utilisée dans le domaine de la microélectronique pour le suffixe -i. M-n réfère au matériau M dopé N, N+ ou N++, selon la terminologie habituellement utilisée dans le domaine de la microélectronique pour le suffixe -n. M-p réfère au matériau M dopé P, P+ ou P++, selon la terminologie habituellement utilisée dans le domaine de la microélectronique pour le suffixe -p. On entend par un substrat, une couche, un dispositif, « à base » d’un matériau M, un substrat, une couche, un dispositif comprenant ce matériau M uniquement ou ce matériau M et éventuellement d’autres matériaux, par exemple des éléments d’alliage, des impuretés ou des éléments dopants. Ainsi, un fil à base de nitrure de gallium (GaN) peut par exemple comprendre du nitrure de gallium (GaN ou GaN-i) ou du nitrure de gallium dopé (GaN-p, GaN-n). Une pyramide à base de nitrure de gallium-indium (InGaN) peut par exemple comprendre du nitrure de gallium-aluminium (AlGaN) ou du nitrure de gallium avec différentes teneurs en aluminium et en indium (GaInAlN). Dans le cadre de la présente invention, le matériau M est généralement cristallin. Un repère, de préférence orthonormé, comprenant les axes x, y, z est représenté sur les figures annexées. Dans la présente demande de brevet, on parlera préférentiellement d’épaisseur pour une couche et de hauteur pour un dispositif. L’épaisseur est prise selon une direction normale au plan d’extension principal de la couche, et la hauteur est prise perpendiculairement au plan basal xy du substrat. Ainsi, une couche tampon ou une couche superficielle présentent typiquement une épaisseur selon z, et un fil présente une hauteur selon z. Les valeurs dimensionnelles s'entendent aux tolérances de fabrication et de mesure près. Ainsi, deux distances de séparation ds identiques ou deux diamètres de fils identiques en théorie, peuvent présenter une légère variation dimensionnelle en pratique. Les termes « sensiblement », « environ », « de l'ordre de » signifient, lorsqu’ils se rapportent à une valeur, « à 10% près » de cette valeur ou, lorsqu'ils se rapportent à une orientation angulaire, « à 10° près » de cette orientation. Ainsi, une direction sensiblement normale à un plan signifie une direction présentant un angle de 90±10° par rapport au plan. Pour déterminer la géométrie des structures 3D, les orientations cristallographiques et les compositions des différents éléments (fil, pyramide, collerette, région active notamment) de cette structure 3D, on peut procéder à des analyses de Microscopie Electronique à Balayage (MEB) ou de Microscopie Electronique en Transmission (MET ou TEM pour l’acronyme anglais de « Transmission Electron Microscopy ») ou encore ou de Microscopie Electronique en Transmission à Balayage STEM (acronyme anglais de « Scanning Transmission Electron Microscopy »). Les orientations cristallographiques des différents éléments peuvent être estimées directement à partir des images TEM ou MEB, ou peuvent être déterminées précisément par micro-diffraction au sein d’un TEM par exemple. Le TEM ou le STEM se prêtent également bien à l’observation et à l’identification des défauts structuraux, et notamment des dislocations au sein des pyramides d’InGaN. Différentes techniques listées ci-après de façon non exhaustive peuvent être mises en œuvre : l’imagerie en champ sombre (dark field) et en champ clair (bright field), en faisceau faible (weak beam), en diffraction aux grands angles HAADF (acronyme anglais de « High Angle Annular Dark Field »). Les compositions chimiques des différents éléments peuvent être déterminées à l’aide de la méthode bien connue EDX ou X-EDS, acronyme de « energy dispersive x-ray spectroscopy » qui signifie « analyse dispersive en énergie de photons X ». Cette méthode est bien adaptée pour analyser la composition de dispositifs de petites tailles telles que des LED 3D. Elle peut être mise en œuvre sur des coupes métallurgiques au sein d’un Microscope Electronique à Balayage (MEB) ou sur des lames minces au sein d’un Microscope Electronique en Transmission (MET). Les propriétés optiques des différents éléments, et notamment les longueurs d’onde principales d’émission des pyramides à base d’InGaN et/ou des régions actives à base d’InGaN, peuvent être déterminées par spectroscopie. Les spectroscopies de cathodoluminescence (CL) et de photoluminescence (PL) sont bien adaptées pour caractériser optiquement les structures 3D décrites dans la présente invention. Les techniques mentionnées ci-dessus permettent notamment de déterminer si un dispositif optoélectronique à structure 3D comprend une pyramide à base d’InGaN formée au sommet d’un fil à base de GaN, tel que décrit dans la présente invention. La présence éventuelle d’une collerette est également facilement observable à l’aide de ces techniques. Un premier mode de réalisation d’une structure 3D selon l’invention va maintenant être décrit en référence aux figures 3 et 4A à 4C. La figure 3 illustre une pluralité de structures 3D 1 adjacentes et distribuées sur un même substrat 2a. La description qui suit relative à l’une de ces structures 3D s’étend naturellement aux autres structures 3D de cette pluralité, qui sont réputées être sensiblement identiques entre elles. La structure 3D 1 comprend au moins un fil 24 et une pyramide 21 au sommet du fil 24. Elle est de préférence formée directement à partir du substrat 2a. Ce substrat 2a peut se présenter sous forme d’un empilement comprenant, selon la direction z, un support 10, une couche 13 superficielle dite couche de nucléation, et une couche de masquage 12. Le substrat 2a est sensiblement plan et parallèle au plan xy. Le support 10 peut être notamment en saphir pour limiter le désaccord de paramètre de maille avec le GaN, ou en silicium pour réduire les coûts et pour des problématiques de compatibilité technologique. Dans ce dernier cas, il peut se présenter sous forme d’un wafer de diamètre 200 mm ou 300 mm. Il sert notamment de support aux structures 3D. La couche de nucléation 13 est de préférence à base d’AlN. Elle peut être alternativement à base d’autres nitrures métalliques, par exemple GaN ou AlGaN. Cette couche de nucléation 13 peut être n’importe quelle couche permettant la nucléation et la croissance du GaN connue par l’homme du métier. Elle peut être formée sur le support 10 en silicium par épitaxie, de préférence par épitaxie en phase vapeur à précurseurs organométalliques MOVPE (acronyme de « MetalOrganic Vapour Phase Epitaxy »). Elle présente avantageusement une épaisseur inférieure ou égale à 200 nm, de préférence inférieure ou égale à 100 nm, par exemple de l’ordre de 50 nm. Cela permet de limiter les contraintes mécaniques induites par cette couche 13 sur le support 10. Cela permet d’éviter une courbure du support 10 préjudiciable. Une telle épaisseur permet en outre de limiter l’apparition de défauts structuraux dans la couche de nucléation 13. En particulier, la croissance de cette couche de nucléation 13 peut être pseudomorphe, c’est-à-dire que les contraintes d’épitaxie (liées notamment à la différence de paramètres de maille entre le Si et l’AlN, le GaN ou l’AlGaN) peuvent être relâchées élastiquement pendant la croissance. La qualité cristalline de cette couche de nucléation 13 peut ainsi être optimisée. La couche de masquage 12 est de préférence en un matériau diélectrique, par exemple en nitrure de silicium Si3N4. Elle peut être déposée par dépôt chimique en phase vapeur CVD (acronyme de « Chemical Vapor Deposition ») sur la couche de nucléation 13. Elle masque en partie la couche de nucléation 13 et comprend des ouvertures 120 de préférence circulaires exposant des zones de la couche de nucléation 13. Ces ouvertures 120 présentent typiquement une dimension, par exemple un diamètre Φo ou un diamètre moyen, comprise entre 30 nm et 500 nm. Les ouvertures 120 peuvent être distribuées de façon régulière au sein de la couche de masquage 12, par exemple sous forme d’un réseau ordonné. Le pas, i.e. la distance séparant les centres de deux ouvertures 120 adjacentes, est de préférence inférieur ou égal à 700 nm. Il peut être compris entre 50 nm et 650 nm. Les ouvertures 120 présentent avantageusement une densité surfacique supérieure à 4 µm -2 . Cela permet d’obtenir in fine des structures 3D densément réparties sur le substrat 2a. Ces ouvertures 120 peuvent être réalisées par exemple par lithographie UV ou DUV (acronyme de Deep UV), par lithographie par faisceau électronique, ou par NIL (acronyme de Nanoinprint lithography). Une telle couche de masquage 13 permet une croissance localisée d’une structure 3D au niveau de chaque ouverture 120. En particulier, lors d’une étape de croissance préliminaire appelée germination, un germe 20 à base de GaN se forme au niveau de l’ouverture 120 puis remplit ladite ouverture 120. La croissance ultérieure du fil 24 se fait alors à partir de ce germe 20, de façon localisée. Le fil 24 est à base de GaN. Il est de préférence orienté parallèlement à z selon une direction cristallographique [0001] correspondant à l’axe c d’une structure cristallographique hexagonale. La formation du fil 24 à base de GaN peut se faire par épitaxie, de préférence par épitaxie en phase vapeur à précurseurs organométalliques MOVPE (acronyme de « MetalOrganic Vapour Phase Epitaxy »), notamment comme défini dans la publication WO2012136665. La source de gallium sous forme de précurseur organométallique (précurseur III) peut typiquement être du triméthyl-gallium (TMGa) ou du triéthyl- gallium (TEGa). La source d’azote peut typiquement être de l’ammoniaque (NH3) (précurseur V). La température de croissance est de préférence supérieure à 700°C, par exemple de l’ordre de 1000°C. La pression de gaz au sein du réacteur de croissance est par exemple de l’ordre de 425 Torr. La croissance se fait de préférence sous atmosphère neutre et/ou réductrice, typiquement par ajout d’azote N2 et/ou de dihydrogène H2. Les flux des différents gaz pourront être adaptés de façon connue par l’homme du métier, en fonction notamment du volume du réacteur. La formation du fil 24 peut alternativement se faire par épitaxie par jets moléculaires MBE (acronyme anglais de « Molecular Beam Epitaxy »), par épitaxie en phase vapeur à précurseurs gazeux chlorés HVPE (acronyme de « Hydride Vapour Phase Epitaxy »), par dépôt chimique en phase vapeur CVD et MOCVD (acronyme de de « MetalOrganic Chemical Vapor Deposition »). De façon optionnelle, des étapes classiques de préparation de surface du germe 20 (nettoyage chimique, traitement thermique) peuvent être effectuées préalablement à la croissance épitaxiale du fil 24. Le fil 24 peut comprendre une région à base de GaN dopée N. De façon connue, cette région dopée N peut résulter d’une croissance, d’une implantation et/ou d’un recuit d’activation. Le dopage N peut notamment s’obtenir directement lors de la croissance, à partir d’une source de silicium ou de germanium, par exemple par addition de vapeur silane ou disilane ou germane. Les conditions de croissance requises pour la formation d’un tel fil 24 sont largement connues. Le fil 24 présente un diamètre Φ supérieur ou égal à 30 nm et/ou inférieur ou égal à 500 nm. Ce diamètre Φ peut être supérieur au diamètre de l’ouverture 120 et du germe 20 ayant donné naissance au fil 24. Dans ce cas, la base 240 du fil 24 prend appui sur la couche de masquage 12 du substrat 2a. La section transverse du fil 24, dans le plan xy, peut typiquement présenter une forme hexagonale plus ou moins régulière. Le fil 24 présente également une hauteur h supérieure ou égale à 150 nm. Le sommet 241 du fil 24 est de préférence sensiblement plan et parallèle au plan xy, de façon à accueillir l’embase 210 de la pyramide 21. Le fil 24 présente de préférence un rapport d’aspect h/Φ supérieur à 1, et de préférence supérieur à 5. Cela permet d’améliorer la qualité cristalline du fil 24 au niveau du sommet 241 de celui-ci. Cela permet également d’éloigner le sommet 241 du substrat 2a plan sous-jacent. L’environnement local au niveau du sommet 241 n’est ainsi pas perturbé par le substrat 2a plan sous-jacent. La formation de la pyramide 21 d’InGaN au sommet 241 du fil 24 ne subit donc pas l’influence du substrat 2a plan. La pyramide 21 est à base d’InGaN. Elle est de préférence orientée selon la même direction cristallographique que le fil 24. La formation de la pyramide 21 à base d’InGaN peut se faire par épitaxie, de préférence par épitaxie en phase vapeur à précurseurs organométalliques MOVPE (acronyme de « MetalOrganic Vapour Phase Epitaxy »). Les conditions de croissance requises pour la formation de la pyramide 21 diffèrent de celles requises pour la formation du fil 24. Une source d’indium sous forme de précurseur organométallique, par exemple du triméthyl-indium (TMIn) ou du triéthyl-indium (TEIn), est notamment ajoutée aux sources de gallium (TEGa), triméthyl-gallium (TMGa) et d’azote (NH3) pour faire croitre le matériau à base d’InGaN. Le rapport de l’élément précurseur d’Indium (TMIn, TEIn) sur l’ensemble des précurseurs III (TEGa,TMGa et TMIn,TEIn…) peut être de l’ordre de 0,3. La température de croissance peut être de l’ordre de 800°C. La pression de gaz au sein du réacteur de croissance est par exemple de l’ordre de 100 Torr. Le rapport V/III ou In/III, la pression et la température de croissance peuvent être ajustés en fonction de la conception du réacteur d'épitaxie et de la longueur d'onde d'émission visée. Selon une possibilité, le rapport des éléments Ga/N, peut être supérieur ou égal à 100. Cela favorise une croissance de ce matériau à base d’InGaN sous forme de pyramide. Selon une possibilité, la croissance du fil 24 est configurée pour obtenir une polarité Ga au niveau du sommet 241 du fil 24. Une telle polarité favorise également une morphologie de croissance pyramidale. L’environnement immédiat au sommet 241 du fil 24 peut également influer sur la morphologie de croissance. En particulier, la proximité d’autres fils 21 et d’autres sommets 241 adjacents peut modifier localement les conditions de croissance du matériau à base d’InGaN. Dans le cadre du développement de la présente invention, il est apparu qu’une densité de fils sur le substrat 2a élevée, notamment supérieure à 4 µm -2 , favorise la morphologie de croissance pyramidale. Il est également apparu que plus cette densité surfacique de fils 24 augmente, plus la concentration d’indium [In] incorporé dans les pyramides 21 augmente. La température de croissance de la pyramide 21 est de préférence supérieure à 700°C, préférentiellement supérieure à 750°C et avantageusement de l’ordre de 780°C. Cela permet d’améliorer la qualité cristalline de la pyramide 21. La formation de la pyramide 21 à base d’InGaN et la formation du fil 24 peuvent se faire avantageusement dans un seul et même bâti de croissance. Les figures 4A et 4B sont des images STEM-HAADF de structures 3D obtenues par MOVPE. Ces images montrent notamment que le fil 24 est pratiquement exempt de défauts structuraux, et que la pyramide 21 présente également une très bonne qualité cristalline. Structurellement, la pyramide 21 comprend une embase 210 prenant appui au sommet 241 du fil 24, et un sommet 211 opposé à l’embase 210 selon z. Le sommet 211 de la pyramide 21 peut former une pointe. Il peut éventuellement être plus ou moins tronqué ou aplati (figure 4A). L’embase 210 de la pyramide 21 présente un diamètre Φp supérieur ou égal au diamètre Φ du fil 24. Cette embase 210 présente typiquement la même forme hexagonale plus ou moins régulière que la section du fil 24. La pyramide 21 s’étend depuis l’embase 210 vers le sommet 211 en conservant une section transverse, dans le plan xy, de forme typiquement hexagonale plus ou moins régulière. La pyramide 21 comprend ainsi des flancs ou des faces 212 inclinées s’étendant depuis l’embase 210 jusqu’au sommet 211. En particulier, ces faces 212 peuvent être au nombre de six. La pyramide 21 présente une hauteur hp. Cette hauteur hp peut être de l’ordre de la hauteur h du fil 24, de préférence au moins deux fois plus petite, de préférence au moins 5 fois plus petite, par exemple environ 10 fois plus petite que la hauteur h du fil 24. La pyramide 21 présente de préférence un rapport d’aspect hp/Φp de l’ordre de 1. Cela correspond à une inclinaison des faces 212 de l’ordre de 60° par rapport au plan xy. De telles faces 212 peuvent avantageusement correspondre à des plans de type {10-11}. Cela permet de favoriser l’incorporation d’Indium dans la pyramide 21, ou dans une région active 22 formée sur ces faces 212. Selon une autre possibilité, les faces 212 peuvent être inclinées d’un angle d’environ 80° par rapport au plan xy. Une telle inclinaison des faces 212 coïncide approximativement avec des plans semi-polaires de type {20-21}. La pyramide 21 peut se prolonger sous l’embase 210, autour du sommet 241 du fil 24, sous forme d’une collerette 26 par exemple (figure 4B). Cette collerette 26 peut comprendre des facettes 262 en prolongement des faces 212 de la pyramide 21. Cette collerette 26 forme typiquement avec la pyramide 21 un capuchon recouvrant le sommet 241 du fil 24. La collerette 26 permet par exemple d’améliorer la cohésion mécanique entre le fil 24 et la pyramide 21. La collerette 26 peut présenter une hauteur significative, de l’ordre du tiers ou de la moitié de la hauteur de la pyramide par exemple. Elle peut également se prolonger vers la base 240 du fil 24, sous forme d’une couche mince de quelques nanomètres, par exemple de l’ordre de 1 à 5 nm, couvrant les parois verticales du fil 24. La collerette 26 peut comprendre une succession d’anneaux irréguliers selon z. Cette succession d’anneaux irréguliers peut ainsi présenter en coupe selon zx une section crénelée, formant des marches ou des degrés. La collerette 26 n’est pas nécessairement en continuité avec la pyramide 21. Elle peut être indépendante de celle-ci. La pyramide 21 à base d’InGaN présente une concentration d’indium de préférence supérieure ou égale à 10%at. L’indium est réparti dans tout le volume de la pyramide 21, tel que le montre la cartographie EDX de l’élément indium présentée à la figure 4C. Il est de préférence réparti de façon homogène au sein de la pyramide 21, et dans la collerette 26 le cas échéant. Pour réaliser un dispositif optoélectronique émettant ou recevant un rayonnement lumineux, la structure 3D 1 peut notamment comprendre une région active 22 sur les flancs 212 de la pyramide 21, et une région 23 à base de GaN sur ladite région active 22, comme illustré en figure 3. Dans le cas d’une LED, la région active 22 peut typiquement comprendre une pluralité de puits quantiques configurés pour émettre un rayonnement lumineux selon une longueur d’onde principale λ. Ces puits quantiques sont par exemple à base d’InGaN. Ils peuvent être classiquement séparés les uns des autres par des barrières à base d’AlGaN. La région 23 peut être à base de GaN, en particulier à base de GaN dopé P. Elle recouvre typiquement la région active 22 et permet d’injecter des porteurs dans la région active 22. La croissance de la région 23 sur la région active 22 se fait de préférence de façon à obtenir une couche conforme. L’épaisseur de cette couche est de préférence limitée à quelques dizaines de nanomètres, par exemple moins de 100 nm, voire moins de 50 nm, de façon à limiter la réabsorption du rayonnement lumineux émis par la région active 22. Les bordures de la couche formant la région 23 peuvent présenter des flancs droits parallèles à z, comme illustré sur la figure 3. Alternativement ces flancs sont inclinés et s’étendent de part et d’autre de la structure 3D. Les flancs d’une région 23 d’une structure 3D donnée peuvent éventuellement rejoindre les flancs d’une région 23 d’au moins une structure 3D adjacente. Dans ce cas, une unique région 23 sous forme d’une couche sensiblement continue peut se former sur une pluralité de structures 3D adjacentes entre elles. La longueur d’onde principale du rayonnement lumineux émis par la région active 22 dépend notamment de la concentration d’Indium des puits quantiques. Plus la teneur en Indium augmente, plus la longueur d’onde principale augmente vers le domaine de lumière rouge du spectre visible. En particulier, une concentration d’Indium supérieure à 15%at ou 20%at peut résulter en une émission de lumière rouge, présentant une longueur d’onde principale supérieure ou égale à 600 nm. Pour que cette émission soit satisfaisante dans le cadre d’une LED, il faut en outre que le rendement radiatif soit suffisamment élevé, par exemple de l’ordre de 20%. Pour atteindre un tel rendement, il est nécessaire que la région active 22 présente une bonne qualité cristalline. La pyramide 21 à base d’InGaN de la structure 3D forme avantageusement une région de transition entre le fil 24 à base de GaN et la région active 22 à base d’InGaN. La concentration d’indium incorporée peut ainsi augmenter progressivement, par exemple par paliers, depuis la pyramide 21 jusqu’à la région active 22. Cela permet de limiter l’apparition de défauts structuraux dans la région active 22. Les concentrations d’indium requises dans la région active 22 pour émettre un rayonnement lumineux dans le rouge peuvent ainsi être atteintes sans dégrader la qualité cristalline de la région active 22. Une telle structure 3D comprenant un fil 24 à base de GaN-n, une pyramide 21 à base d’InGaN, une région active 22 à base d’In(Al)GaN et une région 23 à base de GaN-p peut donc avantageusement émettre un rayonnement lumineux dans le rouge avec un rendement radiatif élevé. La figure 5 présente une pluralité de structures 3D telles que décrites précédemment, distribuées sur un réseau dense. Dans cet exemple, les structures 3D présentent un diamètre d’environ 200 nm et une densité surfacique de l’ordre de 20 µm -2 . Selon un autre exemple de réalisation, la figure 6 présente une pluralité de structures 3D présentant un diamètre d’environ 100 nm et une densité surfacique de l’ordre de 25 µm -2 . Les pyramides 21 à base d’InGaN ne sont pas recouvertes dans ces exemples. Les figures 7A à 7C présentent certaines propriétés optiques obtenues par spectroscopie de cathodoluminescence au sein d’un SEM sur les structures 3D illustrées à la figure 6. La figure 7A montre notamment une cartographie d’intensité de cathodoluminescence en vue de dessus de ces structures 3D, à une longueur d’onde d’acquisition de l’ordre de 610 nm. Il apparaît clairement que la grande majorité des pyramides à base d’InGaN émettent une lumière à cette longueur d’onde lorsqu’elles sont stimulées par le balayage du faisceau électronique du SEM. La figure 7B reprend les données de la figure 7A et les présente avec une dynamique d’intensité à contraste augmenté. Différents seuils d’intensité d’émission des pyramides à la longueur d’onde λ ≈ 620 nm sont visibles. Un profil de données matérialisé sur la cartographie de la figure 7B est extrait et présenté à la figure 7C. A chaque point du profil correspond un spectre en longueur d’onde acquis sur la plage 250 nm – 750 nm environ. Ces spectres sont rassemblés sur la figure 7C. Il apparaît que les spectres d’émission des pyramides sont tous centrés sur la longueur d’onde λ ≈ 620 nm. La largeur des pics d’émission est en outre assez faible, de l’ordre de quelques dizaines de nanomètres. Une telle pureté spectrale signifie notamment que la qualité cristalline des pyramides est bonne. La figure 8 présente un spectre de photoluminescence associé à cette pluralité de structures 3D. Le pic d’émission le plus intense est centré autour de λ ≈ 610 nm. La largeur à mi-hauteur de ce pic est d’environ 45 nm. Ce pic correspond aux pyramides d’InGaN des structures 3D. Le rendement radiatif mesuré pour ces pyramides est de l’ordre de 20%. Cela confirme que les pyramides des structures 3D obtenues selon les modes de réalisation décrits supra présentent une qualité cristalline appropriée à la réalisation de LED rouges. Une telle pluralité de structures 3D peut donc avantageusement être mise en œuvre au sein d’une LED 3D rouge. La figure 9 présente un autre exemple de spectre de photoluminescence obtenu pour des structures 3D présentant un diamètre d’environ 100 nm et une densité surfacique de l’ordre de 6 µm -2 (non illustrées). La densité surfacique des structures 3D a ici été divisée par 2 environ par rapport à l’exemple précédent. Le pic d’émission le plus intense, correspondant aux pyramides d’InGaN des structures 3D de cet exemple, est centré autour de λ ≈ 480 nm (domaine de lumière bleue). La largeur à mi-hauteur de ce pic est d’environ 20 nm. Une telle pluralité de structures 3D peut donc avantageusement être mise en œuvre au sein d’une LED 3D bleue. Un autre exemple de structures 3D est illustré à la figure 10A. La figure 10B présente un spectre de photoluminescence associé aux structures 3D de cet exemple. Le pic d’émission le plus intense est centré autour de λ ≈ 515 nm (domaine de lumière verte). La largeur à mi-hauteur de ce pic est d’environ 20 nm. Ce pic correspond aux pyramides d’InGaN des structures 3D présentées à la figure 10A. Une telle pluralité de structures 3D peut donc avantageusement être mise en œuvre au sein d’une LED 3D verte. Il apparaît ainsi au travers de ces différents exemples qu’en diminuant la densité surfacique des structures 3D pour un diamètre donné, le pic d’émission principal des structures 3D se décale vers les petites longueurs d’onde. La largeur à mi-hauteur de ce pic diminue également. A l’inverse, en augmentant le diamètre des structures 3D pour une densité surfacique donnée, le pic d’émission principal des structures 3D se décale vers les grandes longueurs d’onde. Une grande gamme de réglages en longueur d’onde peut ainsi être obtenue en variant la densité surfacique et/ou le diamètre des structures 3D. Les structures 3D selon l’invention peuvent donc être avantageusement mises en œuvre dans différents types de dispositifs optoélectroniques, en particulier dans des LED 3D rouges, des LED 3D vertes, des LED 3D bleues, en adaptant la densité surfacique et le diamètre de ces structures 3D. Des structures 3D présentant différents diamètres Φ de fils 24 et différentes distances de séparation ds peuvent être avantageusement distribuées sur un même substrat 2a de façon à former des zones émettant des rayonnements lumineux à différentes longueurs d’onde principales. Par exemple, le dispositif optoélectronique peut comprendre : une première zone comprenant des structures 3D présentant un premier diamètre Φ1 et une première distance de séparation ds1, lesdites structures 3D émettant un rayonnement lumineux à une première longueur d’onde λ1 par exemple supérieure à 600 nm (domaine de lumière rouge), une deuxième zone comprenant des structures 3D présentant un deuxième diamètre Φ2 et une deuxième distance de séparation ds2, lesdites structures 3D émettant un rayonnement lumineux à une deuxième longueur d’onde λ2 par exemple comprise entre 500nm et 600 nm (domaine de lumière verte) une troisième zone comprenant des structures 3D présentant un troisième diamètre Φ3 et une troisième distance de séparation ds3, lesdites structures 3D émettant un rayonnement lumineux à une troisième longueur d’onde λ3 par exemple inférieure à 500nm (domaine de lumière bleue). Ces première, deuxième et troisième zones peuvent être partiellement imbriquées les unes dans les autres, de sorte qu’il y ait des première, deuxième et troisième pluralités de sous-ensembles respectivement configurées pour émettre dans les domaines de lumière rouge, verte et bleue. La présente invention concerne également un procédé de fabrication d’une LED 3D tel que décrit au travers des exemples de réalisation précédents. Selon un mode de réalisation avantageux, le procédé permet de former simultanément les première, deuxième et troisième zones de structures 3D configurées pour émettre un rayonnement lumineux présentant respectivement les première, deuxième et troisième longueurs d’onde λ1, λ2, λ3. En particulier, de telles première, deuxième et troisième zones de structure 3D peuvent être formées à partir d’une couche de masquage 12 déposée sur le substrat 2b comprenant des première, deuxième et troisième pluralités d’ouvertures 120 présentant respectivement des premier, deuxième et troisième pas p1, p2, p3 et des premier, deuxième et troisième diamètres d’ouverture Φo1, Φo2, Φo3 tels que p1 Φo2 > Φo3. L’invention n’est pas limitée aux modes de réalisations précédemment décrits et s’étend à tous les modes de réalisation couverts par les revendications. Structure tridimensionnelle (3D) (1) pour l’optoélectronique comprenant une pyramide (21) en un premier matériau à base d’InGaN formée à partir d’un substrat (2, 2a, 2b) plan, caractérisée en ce que ladite structure 3D (1) comprend un fil (24) en un deuxième matériau à base de GaN, différent du premier matériau, ledit fil (24) s’étendant selon une direction longitudinale perpendiculaire au plan du substrat (2, 2a, 2b) entre ledit substrat (2, 2a, 2b) et une embase (210) de la pyramide (21) à base d’InGaN, de sorte que la structure 3D présente une forme générale de crayon. Structure 3D selon la revendication précédente dans laquelle le fil (24) à base de GaN comprend une base (240) prenant appui sur le substrat (2, 2a, 2b) plan, et un sommet (241) soutenant l’embase (210) de la pyramide (21) à base d’InGaN, ledit sommet (241) étant entouré par une collerette (26) à base d’InGaN. Structure 3D selon l’une quelconque des revendications précédentes dans laquelle l’embase (210) de la pyramide (21) à base d’InGaN est sensiblement parallèle au plan du substrat (2, 2a, 2b). Structure 3D selon l’une quelconque des revendications précédentes dans laquelle la pyramide (21) à base d’InGaN présente un diamètre d’embase Φp et le fil (24) présente un diamètre Φ, le diamètre Φ du fil étant inférieur ou égal au diamètre d’embase Φp. Structure 3D selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre une région active (22) à base d’InGaN sur au moins une face (212) de la pyramide (21) à base d’InGaN, ladite région active (22) étant configurée pour émettre ou recevoir un rayonnement lumineux. Dispositif optoélectronique à base de nitrure de gallium (GaN) comprenant une pluralité de structures tridimensionnelles (3D) (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, lesdites structures 3D (1) étant espacées les unes des autres par une distance de séparation ds inférieure ou égale à 650 nm, de préférence inférieure ou égale à 300 nm. Dispositif optoélectronique selon la revendication précédente dans lequel la pluralité de structures 3D présente des distances de séparation ds identiques et des diamètres de fils Φ identiques, lesdites structures 3D étant configurées pour émettre un rayonnement lumineux présentant une longueur d’onde principale λ en partie déterminée par le diamètre Φ et la distance de séparation ds. Dispositif optoélectronique selon l’une quelconque des deux revendications précédentes comprenant au moins des première, deuxième et troisième pluralités de structures 3D présentant respectivement des première, deuxième et troisième distances de séparation ds1, ds2, ds3 et des premier deuxième et troisième diamètres de fils (24) Φ1, Φ2, Φ3 tels que ds1 Φ2 > Φ3, lesdites première, deuxième et troisième pluralités de structures 3D (1) émettant un rayonnement lumineux présentant respectivement des première, deuxième et troisième longueurs d’onde λ1, λ2, λ3 différentes entre elles et de préférence telles que λ1 > λ2 > λ3. Procédé de fabrication d’une pluralité de structures tridimensionnelles (3D) (1) pour l’optoélectronique comprenant chacune une pyramide (21) à base d’InGaN, comprenant les étapes suivantes : Fournir un substrat (2b) comprenant au moins une couche (13) superficielle permettant la nucléation et la croissance du GaN, par exemple à base de GaN, AlN, et/ou autre nitrure métallique, , Déposer une couche de masquage (12) sur le substrat (2b), ladite couche de masquage (12) comprenant des ouvertures (120) au travers desquelles est exposée la couche (13) superficielle, Former à partir des zones exposées de la couche (13) superficielle des fils (24) à base de GaN s’étendant chacun depuis une base (240) jusqu’à un sommet (241) selon une direction longitudinale sensiblement perpendiculaire à la couche (13) superficielle, ladite base (210) étant connectée à la couche (13) superficielle au travers des ouvertures (120), Former sur les sommets (241) des fils (24) à base de GaN des pyramides (21) à base d’InGaN. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la couche (13) superficielle présente une épaisseur comprise entre 1 nm et 200 nm, de préférence entre 10 nm et 200 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications 9 à 10 dans lequel la formation des pyramides (21) à base d’InGaN et/ou la formation des fils (24) à base de GaN se fait par épitaxie en phase vapeur à précurseurs organométalliques MOVPE. Procédé selon l’une quelconque des revendications 9 à 11 dans lequel les ouvertures (120) de la couche de masquage (12) sont espacées par un pas compris entre 50 nm et 700 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications 9 à 12 dans lequel les ouvertures (120) de la couche de masquage (12) sont distribuées de façon à présenter une densité surfacique supérieure ou égale à 4 µm -2 et/ou inférieure ou égale à 400 µm -2 . Procédé selon l’une quelconque des revendications 9 à 13 dans lequel la formation des pyramides (21) à base d’InGaN est configurée pour que les pyramides (21) à base d’InGaN présentent un taux d’indium [In] ≥ 10%at. Procédé selon l’une quelconque des revendications 9 à 14 dans lequel la formation des pyramides (21) à base d’InGaN se fait à une température supérieure ou égale à 780°C. Procédé selon l’une quelconque des revendications 9 à 15 dans lequel la couche de masquage (12) comprend au moins des première et deuxième pluralités d’ouvertures (120) présentant respectivement des premier et deuxième pas p1, p2 et des premier et deuxième diamètres d’ouverture Φo1, Φo2, tels que p1 Φo2, de sorte à former simultanément des première et deuxième pluralités de structures 3D (1) configurées pour émettre un rayonnement lumineux présentant respectivement des première et deuxième longueurs d’onde λ1, λ2 différentes entre elles et de préférence telles que λ1 > λ2. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la couche de masquage (12) comprend en outre une troisième pluralité d’ouvertures (120) présentant un pas p3 et un troisième diamètre d’ouverture Φo3 tels que p1 Φo2 > Φo3, de sorte à former simultanément des première, deuxième et troisième pluralités de structures 3D (1) configurées pour émettre un rayonnement lumineux présentant respectivement des première, deuxième et troisième longueurs d’onde λ1, λ2, λ3 différentes entre elles et de préférence telles que λ1 > λ2 > λ3.