Brevet FR3107051A1 — publié le 20210813

L’invention concerne un procédé de fabrication de nanostructures (BQ) d’AlGaN comprenant les étapes suivantes: - au moins une étape de croissance épitaxiale alternée (CA), ladite étape de croissance épitaxiale alternée étant réalisée à une température d’épitaxie définie et comprenant: une sous-étape de croissance épitaxiale (CA1) de GaN; et une sous-étape de croissance épitaxiale (CA2) d’Al y Ga 1-y N réalisée après la sous-étape de croissance épitaxiale de GaN, y étant un nombre supérieur à 0 et inférieur ou égal à 1; ladite au moins une étape de croissance épitaxiale alternée conduisant à la formation de nanostructures intermédiaires (BQI) en un pseudo-alliage de Al z Ga 1-z N résultant de la combinaison des couches épitaxiées, z étant un nombre inférieur à y; - une étape de recuit à une température de recuit supérieure ou égale à 820 ± 20°C ou supérieure d’au moins 100°C par rapport à la température d’épitaxie et conduisant à la formation de nanostructures (BQ) en Al z Ga 1-z N. Figure pour l’abrégé : figure 2 Procédé de fabrication de nanostructures de nitrure d’aluminium et de gallium (AlGaN) Domaine technique de l’invention La présente invention concerne un procédé de fabrication d’îlots tridimensionnels (3D) de nitrure d’aluminium et de gallium (AlGaN) de dimensions nanométriques, appelées nanostructures. Ces nanostructures présentent deux ou trois directions dont les dimensions sont inférieures à 50 nm, et sont typiquement comprises entre 0,1 et 20 nm. Elles peuvent être des boîtes quantiques qui présentent trois directions dont les dimensions sont inférieures à 50 nm, et typiquement comprises entre 0,1 et 20 nm. De telles nanostructures peuvent être intégrées dans des hétérostructures de semi-conducteurs à base de nitrure d’aluminium et de gallium (AlGaN), utilisées dans différents composants comme les diodes électroluminescentes (LEDs) et les diodes lasers (LDs) émettant dans l’ultra-violet (UV). Les applications sont très nombreuses, allant de la purification de l’eau et de l’air (UVC: λ comprise entre 200-280 nm), la médecine, la dermatologie ou l’agriculture (UVB: λ comprise entre 280-320 nm), à la photo-polymérisation, la micro-électronique et l’émission de lumière blanche (UVA: λ comprise entre 320-400 nm). Etat de la technique La présente invention se situe dans le domaine de la fabrication d’hétérostructures de semi-conducteurs à base de nitrure d’aluminium et de gallium (AlGaN). Actuellement, il est connu de réaliser des émetteurs UV (en particulier les LEDs, et dans une bien plus faible proportion les LDs) notamment à l’aide d’alliages (Al,Ga)N sous forme de puits quantiques, dont les performances restent faibles. Ainsi, si l’on considère les LED, les rendements quantiques externes (η ext ) sont typiquement inférieurs à 4 % pour des longueurs d’onde inférieures à 350 nm. Ce rendement η ext est le rapport entre le nombre de photons émis par la LED et le nombre d’électrons injectés dans la LED. Ce rendement peut se déterminer à l’aide de la relation suivante: P opt est la puissance mesurée en sortie de la LED, λ la longueur d’onde émise, h la constante de Planck, c la vitesse de la lumière, e la charge de l’électron et I le courant électrique injecté dans la LED. Ce rendement quantique externe (η ext ) se définit également comme le produit du rendement d’injection (η inj ) par le rendement quantique interne (η int ) et le rendement d’extraction (η extract ). η inj représente la proportion d’électrons parcourant le dispositif qui sont effectivement injectés dans la région active de la LED (en général constituée de puits quantiques), η int définit le rapport entre le nombre de photons émis de la région active sur le nombre d’électrons injectés dans celle-ci et η extract définit le rapport entre le nombre de photons extraits de la LED sur le nombre de photons créés. Par conséquent, la chute de η ext des LEDs UV peut être la conséquence d’une diminution de η inj , et/ou de η int et/ou de η extract . Le rendement quantique interne peut également être désigné par IQE («Internal Quantum Efficiency» en anglais). Il est généralement déterminé via le rendement de photoluminescence (PL), plus aisément mesurable. Or, les propriétés structurales des alliages (Al,Ga)N sont un des principaux facteurs conduisant à de faibles η int (et par conséquent à de faibles valeurs de η ext ) : la fabrication des alliages (Al,Ga)N présente des difficultés (températures de croissance très élevées (1100-1400°C), faible mobilité de surface de l’aluminium) et leur qualité cristalline est généralement très médiocre. Notamment, les densités de dislocations (DDs) traversantes (c’est à dire qui se propagent selon la direction de croissance) sont généralement comprises entre quelques 10 9 et 10 11 cm -2 , typiquement pour des hétérostructures AlGaN d’épaisseurs de l’ordre de 1 µm réalisées en épitaxie sur saphir par jets moléculaires (EJM) ou épitaxie sur saphir en phase vapeur aux organo-métalliques (EPVOM)). Ces dislocations sont des centres de recombinaison non radiatifs pour les porteurs injectés dans la zone active et dégradent fortement les propriétés optiques des hétérostructures à base de (Al,Ga)N. En particulier les rendements η int des puits quantiques sont au mieux de quelques pourcents pour des densités de dislocations de quelques 10 9 cm -2 . En effet, les densités de dislocations très élevées entrainent une chute de l’intensité de photoluminescence (PL) des puits quantiques de plusieurs ordres de grandeurs (d’un facteur de 100 à 1000) entre les basses températures et la température ambiante. Les porteurs (ou «excitons») n’étant pas confinés dans le plan du puits, ils peuvent diffuser dans le plan de croissance en raison du confinement spatial selon la seule direction de croissance, et sont susceptibles de se recombiner non radiativement sur les dislocations qui sont des centres de recombinaison non radiatifs. Afin d’obtenir des hétérostructures avec de faibles DDs, il est possible d’utiliser des substrats massifs de GaN ou d’AlN. Cependant, dans le cas des hétérostructures AlGaN, il est quasiment nécessaire d’utiliser en exclusivité des substrats d’AlN. Cette nécessité vient de la contrainte entre les différents matériaux, qui a pour origine le désaccord paramétrique entre le substrat et la couche épitaxiale, qui est négatif dans le cas de la croissance de couches de (Al,Ga)N sur un substrat d’AlN mais qui est positif dans le cas de la croissance de couches de (Al,Ga)N sur un substrat de GaN de sorte qu’une couche d’(Al,Ga)N est épitaxiée en contrainte extensive sur un substrat de GaN. Ceci génère des fissures, qui apparaissent pour des épaisseurs de quelques centaines de nanomètres seulement et dont la densité augmente en fonction de l’épaisseur déposée. La conséquence dans le cas de structures LEDs en (Al,Ga)N sur substrat massif GaN, dont l’épaisseur est typiquement comprise entre 2 et 5 µm, est une très forte densité de fissures. Ces fissures rendent notamment une technologie planaire impossible (technologie de LEDs la plus couramment utilisée) car elles empêchent le passage latéral du courant électrique. En outre, si le métal utilisé pour les contacts électriques est déposé dans les fissures, la zone active des diodes peut être court-circuitée. Ainsi, les fissures peuvent rendre les LEDs inutilisables. Cependant, les substrats d’AlN sont extrêmement chers, de qualité très inégale et de très faible disponibilité. En ce qui concerne les couches d’AlN hétéroépitaxiés, les densités de dislocations sont au mieux de quelques 10 9 cm -2 pour des épaisseurs de plusieurs µm, à moins d’avoir recours à des procédés de croissance complexes et donc coûteux qui permettent alors d’atteindre des densités de dislocations comprises entre 5.10 8 cm -2 et 2.10 9 cm -2 , et d’obtenir des rendements η int de l’ordre de 10 à 40 % nécessaires à la réalisation de composants LEDs. La problématique générale de l’invention est de conduire à des rendements quantiques internes élevés (η int ou IQE), typiquement supérieurs à 10 % quelles que soient les propriétés structurales des alliages (Al,Ga)N utilisés dans la partie active de la LED ou du LD (ou plus généralement du composant). Les inventeurs ont cherché à mettre en œuvre des nanostructures, et plus particulièrement des boîtes quantiques (BQ), au lieu de puits quantiques généralement utilisés, qui permettent d’obtenir des rendements quantiques internes η int supérieurs à 10 %, même sur des couches de qualités cristallines faibles (typiquement densité de DDs supérieure à 10 10 cm -2 ) et par conséquent de s’affranchir de la nécessité d’utiliser des couches d’AlN épaisses (supérieures à 1 µm) et/ou obtenues avec des procédés technologiques complexes ou bien d’utiliser des substrats d’AlN très onéreux et de petites dimensions. En effet, un des principaux intérêts des nanostructures, et notamment des boîtes quantiques, pour les alliages (Al,Ga)N est que les rendements quantiques internes sont nettement supérieurs à ce que l’on peut obtenir avec des puits quantiques en raison de la forte localisation des porteurs (ou «excitons»). En effet, dans le cas d’une boîte quantique, le confinement à l’échelle nanométrique selon les trois directions (3D) favorise la recombinaison radiative des excitons par émission de photons. Ainsi, avec des boîtes quantiques, les rendements de photoluminescence ne baissent que très faiblement (généralement moins d’un facteur 5 en fonction de la température entre 8K et 300K). Les inventeurs ont montré qu’il était possible de faire croître des nanostructures de GaN sur une couche d’Al x Ga 1-x N pour des concentrations x en aluminium (Al) comprises entre 0,20 et 1, le tout sur substrat de saphir, pour la réalisation de dispositifs LEDs émettant dans l’UVA entre 320 et 400 nm. Au-delà d’une épaisseur critique, la couche épitaxiée de GaN passe spontanément d’une morphologie bidimensionnelle (2D), c’est à dire une couche lisse à l’échelle atomique, à une morphologie tridimensionnelle (3D) et à la formation d’îlots de GaN de tailles nanométriques (BQ), et ce, lors d’une interruption de croissance sans ammoniac (NH 3 ) qui est utilisé comme source d’azote lors de la croissance de la couche d’Al x Ga 1-x N. Les nanostructures épitaxiales sont exemptes de fissures et de dislocations, même après les étapes de fabrication des LEDs, ce qui est essentiel puisque, comme indiqué plus avant, les fissures peuvent entraîner des courts-circuits et rendre les LEDs inutilisables, et les dislocations sont des centres de recombinaison non radiatifs. Cependant, ces nanostructures épitaxiales permettent d’obtenir des émissions dans le bleu et dans l’UVA, mais pas à des longueurs d’ondes inférieures ou égales à 320 nm. Afin d’utiliser pleinement les potentialités des alliages (Al,Ga)N pour la réalisation de dispositifs fonctionnant dans une large gamme spectrale UV, les inventeurs ont cherché à épitaxier des nanostructures de Al y Ga 1-y N sur une couche d’Al x Ga 1-x N (avec y inférieur à x), qui présentent des dimensions plus faibles et des densités plus élevées que dans le cas des nanostructures de GaN, afin d’obtenir une émission dans l’UVB et l’UVC, c'est-à-dire à des longueurs d’onde inférieures à celles obtenues dans le cas des nanostructures de GaN sur une couche d’Al x Ga 1-x N telles que présentées précédemment. Le problème est que la forme des nanostructures d’Al y Ga 1-y N n’est pas aussi homogène que celle des nanostructures de GaN: elles présentent des boîtes quantiques allongées et des boîtes quantiques symétriques. Une conséquence est que le confinement des porteurs n’est pas aussi efficace que pour le GaN, avec pour corollaire une diminution des rendements de photoluminescence. Pour répondre à ce problème, les inventeurs ont développé un procédé de fabrication de nanostructures d’Al y Ga 1-y N sur une couche d’Al x Ga 1-x N (avec y inférieur à x), comprenant au moins trois étapes,ce qui permet de retrouver une forme plus homogène de boîtes quantiques, essentiellement des boîtes quantiques symétriques,et ainsi de retrouver des meilleures rendements de photoluminescence (donc de meilleurs rendements quantiques internes). Les trois étapes sont : - une étape de mise sous vide (interruption de croissance sous vide), pour supprimer le NH 3 , préalablement à la croissance des boîtes quantiques; - une étape d’épitaxie d’Al y Ga 1-y N à une température comprise entre 700 et 750°C; - une étape de recuit sous vide de la couche épitaxiée d’Al y Ga 1-y N à une température supérieure ou égale à 800°C. Cette amélioration des rendements de photoluminescence est attribuée aux dimensions latérales réduites des boîtes quantiques qui sont ici essentiellement symétriques (obtenues grâce au recuit à température plus élevée que pour l’épitaxie). Ces faibles dimensions dans les trois directions de l’espace limitent la probabilité de recombinaisons des porteurs avec des défauts non radiatifs situés au voisinage des boîtes quantiques. Il est donc nécessaire de contrôler la formation des nanostructures d’Al y Ga 1-y N et pour cela, il faut avoir recours à un procédé de recuit haute température. Ceci permet in fine d’atteindre des rendements quantiques internes élevés (η int ou IQE typiquement supérieurs à 10%). Sans un tel recuit, les rendements sont au mieux de l’ordre du pourcent, voire similaires à ceux obtenus dans le cas de puits quantiques. Il est apparu que, malgré cette optimisation du procédé de formation des nanostructures d’Al y Ga 1-y N, les propriétés optiques de celles-ci sont encore dégradées par rapport aux nanostructures de GaN, avec un rendement quantique interne des boîtes quantiques symétriques plus faible. Cette chute du rendement quantique interne des nanostructures d’Al y Ga 1-y N semble liée à la présence de défauts ponctuels au sein des nanostructures ou à l’interface entre la couche d’Al x Ga 1-x N et les nanostructures d’Al y Ga 1-y N. L’invention vise à surmonter les inconvénients précités. Plus particulièrement, elle vise à disposer d’un procédé de fabrication de nanostructures d’AlGaN permettant d’obtenir des émissions dans une large gamme spectrale UV, et ce, sans dégrader les rendements quantiques internes voire en les améliorant, quelles que soient les propriétés structurales des alliages (Al,Ga)N utilisés. L’invention vise à conduire à une forte amélioration des performances des composants, et en particulier des LEDs comportant ces nanostructures. L’invention vise en particulier à contrôler la formation des nanostructures AlGaN, notamment leur homogénéité en forme. L’invention vise en particulier à disposer d’un procédé de fabrication de nanostructures intégrées dans la partie active d’hétérostructures de semi-conducteurs à base de nitrures (Al,Ga)N, émettant dans l’ultraviolet (λ inférieure ou égale à 320 nm), ayant des rendements quantiques externes relativement élevés, même en utilisant des substrats ayant des densités de dislocations pouvant atteindre 10 11 cm -2 . Afin de minimiser l’influence des dislocations présentes dans le substrat, et donc réduire la probabilité qu’une nanostructure soit traversée par une dislocation, il est également souhaitable de former des nanostructures dont les dimensions latérales sont inférieures à la distance moyenne entre deux dislocations. En outre, de manière avantageuse, l’invention vise à disposer d’un procédé de fabrication de nanostructures d’AlGaN simple à mettre en œuvre, notamment à l’échelle industrielle, en particulier un procédé de fabrication qui puisse être mis en œuvre dans des procédés classiques de fabrication d’hétérostructures de semi-conducteurs. L’invention vise en particulier à proposer un procédé de fabrication de LEDs UV qui permettra de réduire le coût de fabrication et ainsi envisager un développement industriel à plus grande échelle. Un objet de l’invention permettant de remédier à ces inconvénients est un procédé de fabrication de nanostructures d’Al z Ga 1-z N sur une couche d’Al x Ga 1-x N comprenant les étapes suivantes: - au moins une étape de croissance épitaxiale alternée, ladite étape de croissance épitaxiale alternée étant réalisée à une température d’épitaxie définie et comprenant: une sous-étape de croissance épitaxiale de GaN; et une sous-étape de croissance épitaxiale d’Al y Ga 1-y N réalisée après la sous-étape de croissance épitaxiale de GaN, où y est un nombre supérieur à 0 et inférieur ou égal à 1; conduisant à la formation d’un pseudo-alliage de Al z Ga 1-z N nanostructuré résultant de la combinaison des couches épitaxiées, où z est un nombre inférieur à y et inférieur à x; - une étape de recuit à une température de recuit supérieure ou égale à 820 ± 20°C et/ou supérieure d’au moins 100°C par rapport à la température d’épitaxie, ladite étape de recuit conduisant à la formation de nanostructures en Al z Ga 1-z N. L’étape de recuit permet de contrôler la formation des nanostructures d’Al y Ga 1-y N, en particulier pour obtenir une majorité de boîtes quantiques symétriques. Une sous-étape de croissance épitaxiale permet de former une couche de GaN et/ou une couche d’Al y Ga 1-y N. Lorsque le nombre entier y est égal à 1, Al y Ga 1-y N prend la forme du composé binaire AlN et on forme donc une couche d’AlN. Selon l’invention, par «croissance épitaxiale alternée», on entend la croissance par épitaxie par dépôt d’au moins deux matériaux différents en au moins deux couches formées l’une après l’autre. Selon l’invention, au moins un matériau est du GaN. Il est nécessaire de former au moins une couche autre que du GaN comme dernière couche épitaxiée avant l’étape de recuit (la dernière couche épitaxiée est donc une couche d’Al y Ga 1-y N qui peut être une couche d’AlN si y peut être égal à 1) afin de protéger la couche de GaN lors de l’étape de recuit. Le procédé objet de l’invention est basé sur la formation des nanostructures par croissance épitaxiale alternée, procédé reposant sur l’épitaxie par alternance des composés GaN et/ou Al y Ga 1-y N et/ou AlN pour la fabrication d’un composé (désigné par le terme «pseudo-alliage») Al z Ga 1-z N constituant les nanostructures. L’étape de recuit permet de contrôler la formation de ces nanostructures d’Al z Ga 1 - z N. L’invention permet d’éviter la création de défauts ponctuels au sein des nanostructures d’Al z Ga 1-z N ou à l’interface entre la couche d’Al x Ga 1-x N et les nanostructures d’Al z Ga 1- z N. Les inventeurs ont en effet découvert que ces défauts pouvaient trouver une cause dans l’évaporation du GaN qui devient significative aux alentours de 800°C, température pour laquelle la vitesse d’évaporation est de l’ordre de 0,045 nm/s. Or il a été indiqué plus avant que le recuit à cette température est essentiel pour obtenir une forme homogène de boîtes quantiques en Al y Ga 1-y N, et donc de meilleurs rendements de photoluminescence dans le cas des LEDs. Pour donner un ordre de grandeur, en considérant une durée de recuit de l’ordre de 5 minutes, et une température moyenne de 820°C (vitesse d’évaporation de l’ordre de 0,1 nm/s), une épaisseur de GaN de l’ordre de 30nm peut être évaporée. Cependant, les liaisons Al-N étant extrêmement stables dans ces conditions de température et de recuit, seul le GaN se trouve évaporé lors de l’étape de recuit, de sorte que l’Al y Ga 1-y N est modifié en raison de l’évaporation locale du GaN, ce qui peut expliquer la formation de défauts ponctuels au sein du matériau Al y Ga 1-y N et/ou à l’interface entre l’Al y Ga 1-y N et l’Al x Ga 1-x N. Le procédé objet de l’invention vient anticiper et/ou compenser la perte de GaN en intercalant dans le procédé de croissance de nanostructures Al y Ga 1-y N au moins une monocouche de GaN. Ceci conduit à des nanostructures d’Al z Ga 1-z N sans les défauts ponctuels (ou du moins de densité réduite). Le procédé objet de l’invention permet ainsi d’atteindre des performances élevées en simplifiant le procédé de fabrication des hétérostructures, notamment en simplifiant les procédés de fabrication à une seule étape de croissance épitaxiale (qui est une étape de croissance épitaxiale alternée). Le procédé peut comprendre plusieurs caractéristiques complémentaires, décrites dans ce qui suit, et qui peuvent être prises de manière isolée ou en combinaison l’une avec l’autre, ou les unes avec les autres. Selon un mode de réalisation, l’étape de croissance épitaxiale alternée comprend en outre une sous-étape de croissance épitaxiale d’Al y Ga 1-y N avant la sous-étape de croissance épitaxiale de GaN. Selon un mode de réalisation, l’étape de croissance épitaxiale alternée comprend plusieurs sous-étapes de croissance épitaxiale de GaN. Selon un mode de réalisation, l’étape de croissance épitaxiale alternée comprend en outre au moins une sous-étape de croissance épitaxiale d’AlN. La couche AlN peut être formée entre deux couches de GaN et/ou entre une couche de GaN et une couche d’Al y Ga 1-y N. Il s’agit du cas où le nombre y est inférieur à 1. Selon un mode de réalisation, l’étape de croissance épitaxiale alternée comprend plusieurs sous-étapes de croissance épitaxiale d’AlN. En particulier, une sous-étape de croissance épitaxiale d’AlN peut être réalisée avant une sous-étape de croissance épitaxiale de GaN, et/ou une sous-étape de croissance épitaxiale d’AlN peut être réalisée après une sous-étape de croissance épitaxiale de GaN. En effet s’il y a plusieurs couches d’AlN et de GaN, la combinaison de ces deux variantes est possible (d’où l’expression «et/ou»). Selon un mode de réalisation, une couche de GaN présente une épaisseur comprise entre 1 et 4 monocouches de GaN, de préférence entre 2 et 4 monocouches de GaN, et de préférence égale à 2 monocouches de GaN. Selon un mode de réalisation, une couche d’Al y Ga 1-y N présente une épaisseur comprise entre 1 et 4 monocouches d’Al y Ga 1-y N, de préférence entre 2 et 4 monocouches d’Al y Ga 1-y N, et de préférence égale à 2 monocouches d’Al y Ga 1-y N. Selon un mode de réalisation, une couche d’AlN présente une épaisseur comprise entre 1 et 4 monocouches d’AlN, de préférence entre 2 et 4 monocouches d’AlN, et de préférence égale à 2 monocouches d’AlN. Par «monocouche» de GaN, on entend un plan atomique de Ga lié à un plan atomique de N, et peut être vu comme une demi-structure de la cellule unitaire du matériau cristallin GaN. La hauteur de la monocouche correspond à la moitié du paramètre de maille cristalline (c) du GaN, soit 0,26 nm pour la structure wurtzite (c est égal à 5,185Å). De même, par «monocouche» d’AlN, on entend un plan atomique d’Al lié à un plan atomique de N, et peut être vu comme une demi-structure de la cellule unitaire du matériau cristallin AlN. La hauteur de la monocouche correspond à la moitié du paramètre de maille cristalline (c) du AlN, soit 0,25 nm pour la structure wurtzite (c est égal à 4,981Å). Par «monocouche» d’Al y Ga 1-y N, on entend un plan atomique d’Al lié à un plan atomique de Ga et à un plan atomique de N, et peut être vu comme une demi-structure de la cellule unitaire du matériau cristallin Al y Ga 1-y N. La hauteur de la monocouche correspond à la moitié du paramètre de maille cristalline (c) d’Al y Ga 1-y N, soit entre 0,25 nm (AlN) et 0,26 nm (GaN) pour une structure wurtzite, la variation en fonction de la composition y de l’alliage AlGaN suivant au premier ordre une loi de Vegard de la forme: Selon un mode de réalisation, le procédé comprenant une pluralité d’étapes de croissance épitaxiale alternée conduisant à la formation de nanostructures en Al z Ga 1-z N. Une étape de croissance épitaxiale alternée peut comprendre des sous-étapes de croissance épitaxiale différentes par rapport à une autre étape de croissance épitaxiale alternée. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape préliminaire de mise sous vide, ladite étape préliminaire de mise sous basse pression ou sous vide étant réalisée avant au moins une étape de croissance épitaxiale alternée. Selon un mode de réalisation avantageux, au moins une étape de croissance épitaxiale alternée est réalisée sous une atmosphère exempte de NH 3 . Selon un mode de réalisation avantageux, la température d’épitaxie est supérieure ou égale à 650°C, et de préférence comprise entre 650°C et 750°C. Selon un mode de réalisation, l’étape de recuit est réalisée à basse pression ou sous vide. Un second objet de l’invention est un procédé de fabrication d’hétérostructures comprenant les étapes suivantes: - la fourniture d’une couche tampon en Al x Ga 1-x N; - la fabrication de nanostructures d’Al z Ga 1-z N selon le procédé de fabrication de nanostructures de l’invention; lesdites nanostructures d’Al z Ga 1-z N étant formées sur la couche tampon, et x étant un nombre supérieur à y et inférieur à 1. Selon un mode de réalisation, le procédé de fabrication d’hétérostructures comprend en outre une étape de: - dépôt d’une couche d’encapsulation en Al x’ Ga 1-x’ N sur les nanostructures d’Al z Ga 1-z N. Le nombre x’ est un nombre supérieur à 0 et supérieur à z mais inférieur à 1, et peut être égal au nombre x. Selon un mode de réalisation, la couche d’Al x Ga 1-x N est déposée sur un substrat. Le substrat peut être en saphir, en silicium (Si), en carbure de silicium (SiC), en oxyde de zinc (ZnO), ou en nitrure de bore (BN). Le substrat peut également être un matériau 2D comme le graphène. Selon un mode de réalisation, le procédé de fabrication d’hétérostructures comprend en outre une étape de dépôt d’une couche tremplin entre la couche d’Al x Ga 1-x N et le substrat. L’utilisation d’une couche tremplin (en particulier si x est inférieur à 1) permet de favoriser le dopage de type n nécessaire à la fabrication de LEDs, le matériau AlN étant très résistif et les concentrations de porteurs beaucoup plus faibles que dans AlGaN (typiquement au mieux de 10 15 cm -3 pour AlN contre 10 19 cm -3 pour AlGaN). La couche tremplin peut être en nitrure d’aluminium (AlN), en nitrure de gallium (GaN) ou en nitrure d’aluminium et de gallium (Al,Ga)N. L’invention concerne également une nanostructure en Al z Ga 1-z N obtenue par le procédé de fabrication de nanostructures selon l’invention. L’invention concerne également une hétérostructure de semi-conducteurs à base de nitrure d’aluminium et de gallium intégrant les nanostructures en Al z Ga 1-z N obtenues par le procédé de fabrication de nanostructures selon l’invention. Brève description des figures D’autres caractéristiques et avantages de l’invention apparaîtront à l’aide de la description qui suit, donnée à titre illustratif et non limitatif, faite en regard des figures annexées parmi lesquelles: représente un premier mode de réalisation du procédé selon l’invention, et une hétérostructure obtenue. représente un deuxième mode de réalisation du procédé selon l’invention, et une hétérostructure obtenue. représente un troisième mode de réalisation du procédé selon l’invention, et une hétérostructure obtenue. représente un quatrième mode de réalisation du procédé selon l’invention, et une hétérostructure obtenue. représente une variante de réalisation du procédé selon l’invention, et une hétérostructure obtenue. est une photographie d’une hétérostructure obtenue par un procédé selon l’invention. et montrent des résultats obtenus sur l’hétérostructure de la figure 5. est une vue schématique de dessus d’une diode obtenue selon le procédé de l’invention. et illustrent le fonctionnement de la diode obtenue, lorsque le paramètre y est choisi égal à 0,3 et la largeur de la diode est fixée à 310 µm. Description détaillée de l’invention Les figures 1 à 4 illustrent quatre modes de réalisation du procédé de fabrication de nanostructures d’Al z Ga 1-z N et montrent les hétérostructures intermédiaires et finales obtenues, permettant de former notamment une diode électroluminescente ou une diode laser. Bien que cela ne soit pas représenté dans les figures 1 à 4, la couche tampon CEI peut elle-même être déposée sur un substrat SUB. En outre, une couche tremplin CT peut être prévue entre le substrat SUB et la couche tampon CEI. Ceci est représenté dans la figure 5. Le substrat peut être en saphir, en silicium (Si), en carbure de silicium (SiC), en oxyde de zinc (ZnO), en nitrure de bore (BN), ou encore en un matériau 2D comme le graphène. La couche tremplin peut être en nitrure d’aluminium (AlN), en nitrure de gallium (GaN) ou en nitrure d’aluminium et de gallium (Al,Ga)N. Selon un premier mode de réalisation illustré en figure 1, le procédé de fabrication de nanostructures d’Al z Ga 1-z N comprend les étapes suivantes: - une étape de croissance épitaxiale alternée CA réalisée à une température d’épitaxie définie et comprenant (étape a): une première sous-étape de croissance épitaxiale CA1 de GaN; puis une seconde sous-étape de croissance épitaxiale CA2 d’Al y Ga 1-y N réalisé après la première sous-étape de croissance épitaxiale de GaN, où y est un nombre supérieur à 0 et inférieur ou égal à 1; ladite étape de croissance épitaxiale alternée conduisant à la formation d’un pseudo-alliage Al z Ga 1-z N nanostructuré (boîtes quantiques intermédiaires BQI) résultant de la combinaison des deux couches en Al y Ga 1-y N et GaN, où z est un nombre inférieur à y (étape b) ; - une étape de recuit à une température de recuit égale à 820 ± 20°C ou supérieure d’au moins 100°C par rapport à la température d’épitaxie, ladite étape de recuit formant les boîtes quantiques finales BQ (étape c). La couche de GaN est épitaxiée sur une couche tampon CEI en Al x Ga 1-x N, où x est un nombre supérieur à y et inférieur ou égal à 1, par exemple avec x égal à 0,7. Par exemple, y est fixé à une valeur comprise entre 0,1 et 0,5. La valeur z dépend de la quantité de matière déposée dans les deux couches CA1, CA2 et des compositions respectives de ces deux couches. Après l’étape de recuit, une couche d’encapsulation CES en Al x ’ Ga 1-x ’ N est déposée sur les nanostructures Al z Ga 1-z N (étape d). Le nombre x’ est un nombre supérieur à z et inférieur ou égal à 1, et peut être égal au nombre x. Chaque croissance épitaxiale peut être une épitaxie par Jet Moléculaire (EJM), ou une épitaxie en phase vapeur (EPV) aux organométalliques (EPVOM) ou aux hydrures (HVPE). Selon un deuxième mode de réalisation illustré en figure 2, le procédé de fabrication de nanostructures d’Al z Ga 1-z N comprend les étapes suivantes: - une étape de croissance épitaxiale alternée CA réalisée à une température d’épitaxie définie et comprenant (étape a): une première sous-étape de croissance épitaxiale CA2’ d’Al y Ga 1-y N, où y est un nombre supérieur à 0 et inférieur ou égal à 1; puis une seconde sous-étape de croissance épitaxiale CA1 de GaN; puis une troisième sous-étape de croissance épitaxiale CA2 d’Al y Ga 1-y N; ladite étape de croissance épitaxiale alternée conduisant à la formation d’un pseudo-alliage Al z Ga 1-z N nanostructuré (boîtes quantiques intermédiaires BQI) résultant de la combinaison des trois couches, où z est un nombre inférieur à y (étape b), - une étape de recuit à une température de recuit égale à 820 ± 20°C ou supérieure d’au moins 100°C par rapport à la température d’épitaxie, ladite étape de recuit formant les boîtes quantiques finales BQ (étape c). La première couche d’Al y Ga 1-y N est épitaxiée sur une couche tampon CEI en Al x Ga 1-x N, où x est un nombre supérieur à y et inférieur ou égal à 1, par exemple avec x égal à 0,7. La couche de GaN est épitaxiée sur la première couche d’Al y Ga 1 - y N. Par exemple, y est fixé à une valeur comprise entre 0,1 et 0,5. La valeur z dépend de la quantité de matière déposée dans les trois couches CA1, CA2, CA2’ et des compositions respectives de ces trois couches. Après l’étape de recuit, une couche d’encapsulation CES en Al x ’ Ga 1-x ’ N est déposée sur les nanostructures Al z Ga 1-z N (étape d). Le nombre x’ est un nombre supérieur à z et inférieur ou égal à 1, et peut être égal au nombre x. Chaque croissance épitaxiale peut être une épitaxie par Jet Moléculaire (EJM), ou une épitaxie en phase vapeur (EPV) aux organométalliques (EPVOM) ou aux hydrures (HVPE). Selon un troisième mode de réalisation illustré en figure 3, le procédé de fabrication de nanostructures d’Al z Ga 1-z N comprend les étapes suivantes: - une étape de croissance épitaxiale alternée CA réalisée à une température d’épitaxie définie et comprenant (étape a): une alternance de trois sous-étapes de croissances épitaxiales CA1, CA3, CA1’ de GaN (CA1), de AlN (CA3) et de GaN (CA1’); puis une dernière sous-étape de croissance épitaxiale CA2 d’Al y Ga 1-y N, où y est un nombre supérieur à 0 et inférieur à 1; ladite étape de croissance épitaxiale alternée conduisant à la formation de nanostructures ayant la forme de boîtes quantiques intermédiaires BQI en un pseudo-alliage de Al z Ga 1-z N résultant de la combinaison des quatre couches, où z est un nombre inférieur à y (étape b); - une étape de recuit à une température de recuit égale à 820 ± 20°C ou supérieure d’au moins 100°C par rapport à la température d’épitaxie, ladite étape de recuit formant les boîtes quantiques finales BQ (étape c). La première couche est une couche de GaN et elle est épitaxiée sur une couche tampon CEI en Al x Ga 1-x N, où x est un nombre supérieur à y et inférieur ou égal à 1, par exemple avec x égal à 0,7. Après l’étape de recuit, une couche d’encapsulation CES en Al x ’ Ga 1-x ’ N est déposée sur les nanostructures Al z Ga 1-z N (étape d). Le nombre x’ est un nombre supérieur à z et inférieur ou égal à 1, et peut être égal au nombre x. Par exemple, y est fixé à une valeur comprise entre 0,1 et 0,5. La valeur z dépend de la quantité de matière déposée dans les quatre couches CA1, CA1’, CA2, CA3 et des compositions respectives de ces quatre couches. Chaque croissance épitaxiale peut être une épitaxie par Jet Moléculaire (EJM), ou une épitaxie en phase vapeur (EPV) aux organométalliques (EPVOM) ou aux hydrures (HVPE). Selon un quatrième mode de réalisation illustré en figure 4, le procédé de fabrication de nanostructures d’Al z Ga 1-z N comprend les étapes suivantes: - une étape de croissance épitaxiale alternée CA réalisée à une température d’épitaxie définie et comprenant (étape a): une première sous-étape de croissance épitaxiale CA2’ d’Al y Ga 1-y N, où y est un nombre supérieur à 0 et inférieur à 1; puis une alternance de trois sous-étapes de croissances épitaxiales CA1, CA3, CA1’ de GaN (CA1), de AlN (CA3) et de GaN (CA1’); puis une dernière sous-étape de croissance épitaxiale CA2 d’Al y Ga 1-y N; ladite étape de croissance épitaxiale alternée conduisant à la formation d’un pseudo-alliage Al z Ga 1-z N nanostructuré (boîtes quantiques intermédiaires BQI) résultant de la combinaison des cinq couches, où z est un nombre inférieur à y (étape b) ; - une étape de recuit à une température de recuit égale à 820 ± 20°C ou supérieure d’au moins 100°C par rapport à la température d’épitaxie, ladite étape de recuit formant les boîtes quantiques finales BQ (étape c). Alternativement, la dernière sous-étape de croissance épitaxiale peut être en AlN. La première couche d’Al y Ga 1-y N est épitaxiée sur une couche tampon CEI en Al x Ga 1-x N, où x est un nombre supérieur à z et inférieur ou égal à 1, par exemple avec x égal à 0,7. La première couche de GaN est épitaxiée sur la première couche d’Al y Ga 1-y N. Par exemple, y est fixé à une valeur comprise entre 0,1 et 0,5. La valeur z dépend de la quantité de matière déposée dans les cinq couches CA1, CA1’, CA2, CA2’, CA3 et des compositions respectives de ces cinq couches. Après l’étape de recuit, une couche d’encapsulation CES en Al x ’ Ga 1-x ’ N est déposée sur les nanostructures Al z Ga 1-z N (étape d). Le nombre x’ est un nombre supérieur à y et inférieur ou égal à 1, et peut être égal au nombre x. Chaque croissance épitaxiale peut être une épitaxie par Jet Moléculaire (EJM), ou une épitaxie en phase vapeur (EPV) aux organométalliques (EPVOM) ou aux hydrures (HVPE). D’autres couches de AlN, de GaN et/ou d’Al y Ga 1-y N peut être rajoutées entre les couches décrites ci-dessus (c’est-à-dire d’autres sous-étapes de croissance épitaxiale). Selon une variante de réalisation qui s’applique notamment à l’un quelconque des quatre modes de réalisation décrits ci-dessus, on peut prévoir plusieurs (N) étapes de croissance épitaxiale alternée. En d’autres termes, les sous-étapes de l’étape de croissance épitaxiale alternée CA sont réitérées un nombre N de fois, où N est un nombre entier supérieur ou égal à 2. Cela permet de faciliter la croissance 3D et le contrôle de la fabrication de nanostructures (forme, dimensions et composition) constituée du pseudo-alliage Al z Ga 1-z N résultant des différentes couches Al y Ga 1-y N, GaN et/ou AlN déposées. Un exemple de cette variante est illustré en figure 5, dans lequel le procédé comprend: - N étapes de croissance épitaxiale alternée CA réalisée à une température d’épitaxie définie, chaque étape de croissance épitaxiale alternée comprenant (étapes a et b): une première sous-étape de croissance épitaxiale CA1 de GaN; puis une seconde sous-étape de croissance épitaxiale CA3 d’AlN; puis une troisième sous-étape de croissance épitaxiale CA2 d’Al y Ga 1-y N,où y est un nombre supérieur à 0 et inférieur à 1; lesdites N étapes de croissance épitaxiale alternée conduisant à la formation d’un pseudo-alliage Al z Ga 1-z N nanostructuré (boîtes quantiques intermédiaires BQI) résultant de la combinaison des 3N couches, où z est un nombre inférieur à y (étape c); - une étape de recuit à une température de recuit égale à 820 ± 20°C ou supérieure d’au moins 100°C par rapport à la température d’épitaxie, ladite étape de recuit formant les boîtes quantiques finales BQ (étape d). La couche de GaN est déposée sur une couche tampon CEI en Al x Ga 1-x N, où x est un nombre supérieur à y et inférieur ou égal à 1, par exemple avec x égal à 0,7. Après l’étape de recuit, une couche d’encapsulation CES en Al x’ Ga 1-x’ N est déposée sur les nanostructures Al z Ga 1-z N (étape e). Le nombre x’ est un nombre supérieur à z et inférieur ou égal à 1, et peut être égal au nombre x. Par exemple, y est fixé à une valeur comprise entre 0,1 et 0,5. La valeur z dépend de la quantité de matière déposée dans les 3N couches et des compositions respectives de ces 3N couches. En outre, la figure 5 illustre le cas où la couche tampon CEI est elle-même déposée sur un substrat SUB. En outre, une couche tremplin CT peut être comprise entre le substrat et la couche tampon CEI. Le substrat peut être du saphir, du silicium (Si), du carbure de silicium (SiC), de l’oxyde de zinc (ZnO), du nitrure de bore (BN), ou encore un matériau 2D comme le graphène. La couche tremplin peut être en AlN, GaN ou AlGaN. Cette variante et cet exemple peuvent s’appliquer à tous les autres modes de réalisation. Premier exemple de réalisation Selon un premier exemple de réalisation, l’étape de croissance épitaxiale alternée CA comprend une première sous-étape de croissance épitaxiale CA1 de GaN; puis une seconde sous-étape de croissance épitaxiale CA2 d’Al y Ga 1-y N. Toutes ces couches sont épitaxiées sur un substrat de saphir plan (0001), la couche tampon en Al x Ga 1-x N est orientée selon le plan de croissance (0001) avec une composition x égale à 0,7 et la couche d’encapsulation en Al x’ Ga 1-x’ N déposée sur les nanostructures Al z Ga 1-z N a également une composition x’ égale à x, soit 0,7. En outre, la couche d’Al y Ga 1-y N a une composition y comprise entre 0,1 et 0,5, et une épaisseur comprise entre 2 et 4 monocouches (c’est à dire entre 0,5 et 1 nanomètres). La couche de GaN a une épaisseur égale à 2 monocouches, c’est à dire de l’ordre de 0,5 nanomètres. Le pseudo-alliage Al z Ga 1-z N résulte du dépôt des deux couches GaN/Al y Ga 1-y N et du rapport entre la quantité de matière déposée pour chacune des couches et la quantité de matière totale. La température de recuit est de l’ordre de 100°C supérieure à celle de la température d’épitaxie, et/ou égale à environ 820 ± 20°C. Second exemple de réalisation Selon un second exemple de réalisation, l’étape de croissance épitaxiale alternée comprend une première sous-étape de croissance épitaxiale CA2’ d’Al y Ga 1-y N; puis une seconde sous-étape de croissance épitaxiale CA1 de GaN; puis une troisième sous-étape de croissance épitaxiale CA2 d’Al y Ga 1-y N. Toutes ces couches sont épitaxiées sur un substrat de saphir plan (0001), la couche tampon en Al x Ga 1-x N est orientée selon le plan de croissance (0001) avec une composition x égale à 0,7 et la couche d’encapsulation en Al x’ Ga 1-x’ N déposée sur les nanostructures Al z Ga 1-z N a également une composition x’ égale à x, soit 0,7. En outre, les deux couches d’Al y Ga 1-y N ont une composition y comprise entre 0,1 et 0,5, et une épaisseur comprise entre 2 et 4 monocouches (c’est à dire entre 0,5 et 1 nanomètres). La couche de GaN comprise entre les deux couches d’Al y Ga 1-y N a une épaisseur égale à 2 monocouches, c’est à dire de l’ordre de 0,5 nanomètres. La température de recuit est de l’ordre de 100°C supérieure à celle de la température d’épitaxie, et/ou égale à environ 820 ± 20°C. Le pseudo-alliage Al z Ga 1-z N résulte du dépôt des trois couches Al y Ga 1-y N/GaN/Al y Ga 1-y N et du rapport entre la quantité de matière déposée pour chacune des couches et la quantité de matière totale. Avec l’empilement d’une couche de 1 nanomètre d’Al y Ga 1-y N (4 monocouches), où y est égal à 0,2, d’une couche de 0,5 nanomètre de GaN (2 monocouches) et d’une couche de 1 nanomètre d’Al y Ga 1-y N où y est égal à 0,2, on obtient la fabrication d’un pseudo-alliage Al 0,18 Ga 0,82 N d’épaisseur 2,5 nanomètres. En déposant ces couches sur une couche d’Al x Ga 1-x N, avec x égal à 0,7, les inventeurs ont pu obtenir les nanostructures telles qu’illustrées en figure 6. Les propriétés optiques de ces nanostructures ont alors été étudiées, notamment par photoluminescence (PL) en température. Des spectres d’émission de nanostructures Al z Ga 1-z N obtenus à une température de 10K et à une température de 300K sont présentés sur la figure 7A, dans laquelle on observe une très faible diminution de l’intensité de PL, avec un rapport d’intensité de photoluminescence intégrée de 1,6 seulement entre 10K et 300K. Par ailleurs, les mesures présentées en figure 7B confirment le fort confinement des porteurs dans les nanostructures ainsi qu’un fort rendement quantique interne. Ces résultats démontrent l’intérêt du procédé de l’invention pour faire croître des nanostructures Al z Ga 1-z N émettant dans l’ultraviolet (entre 230 et 340 nm), et présentant des rendements quantiques internes élevés, pouvant atteindre des valeurs de η int de l’ordre de 30 % (malgré les densités de dislocations élevées, c'est à dire de plus de 10 10 cm -2 ). Troisième exemple de réalisation Un troisième exemple se distingue des exemples précédents en ce que la première couche d’Al y Ga 1-y N, avec y égal à 0,3, présente une épaisseur de 3 monocouches. La couche de GaN épitaxiée sur la première couche d’Al y Ga 1-y N a une épaisseur égale à 2 monocouches, et la seconde couche d’Al y Ga 1-y N épitaxiée sur la couche de GaN, avec y égal à 0,3, présente une épaisseur de 3 monocouches. Quatrième exemple de réalisation Un quatrième exemple se distingue des exemples précédents en ce que la première couche d’Al y Ga 1-y N, avec y égal à 0,5, présente une épaisseur de 3 monocouches. La couche de GaN épitaxiée sur la première couche d’Al y Ga 1-y N a une épaisseur égale à 2 monocouches, et la seconde couche d’Al y Ga 1-y N épitaxiée sur la couche de GaN, avec y égal à 0,5, présente une épaisseur de 3 monocouches. Des diodes électroluminescentes peuvent être fabriquées en intégrant les hétérostructures ainsi obtenues. La figure 8 représente une diode D formée sur le substrat SUB, et comprenant la couche tremplin CT, la couche tampon CEI, les boîtes quantiques BQ, la couche d’encapsulation CES. La diode D et donc le substrat SUB ainsi que la couche tremplin CT et la couche tampon CEI présentent une forme carrée de largeur comprise entre 40 et 810 µm, par exemple 310 µm. Les boîtes quantiques BQ et la couche d’encapsulation CES, formées sur la couche tampon CEI présentent une forme en U, en recouvrant l’ensemble de la couche tampon CEI à l’exception d’une partie s’étendant entre une région centrale et un bord de la forme carrée. La partie de la couche tampon CEI non recouverte par les boîtes quantiques BQ et la couche d’encapsulation CES est recouverte d’une couche conductrice E1 formant une première électrode de la diode D, et l’ensemble de la couche d’encapsulation CES est recouverte d’une couche conductrice formant une seconde électrode E2 de la diode D. Les figures 9 et 10 illustrent le fonctionnement de la diode, lorsque le paramètre y est choisi égal à 0,3 et la largeur de la diode est fixée à 310 µm. La figure 9 représente le spectre d’électroluminescence C1 de la diode. La courbe C1 présente un pic à environ 305 nm atteignant une valeur d’intensité lumineuse d’environ 60 (en unité arbitraire). La figure 9 présente également, à titre de comparaison, une courbe C2 obtenue avec une diode identique, soumise à une même densité de courant d’environ 100 A/cm 2 , mais pour laquelle le paramètre y a été fixé à 0,5. A environ 295 nm, la courbe C2 présente un pic atteignant une valeur d’intensité lumineuse d’environ 38. La figure 10 représente une courbe C3 de variation du rendement quantique externe de la diode en fonction de la densité de courant appliquée à la diode. La courbe C3 qui résulte de différentes mesures M1-M7, présente un maximum d’environ 0,05 % atteint lorsque la densité de courant appliquée à la diode est à environ 100 A/cm 2 . A titre de comparaison, une diode comportant des nanostructures obtenues par une croissance continue de Al y Ga 1-y N, avec y = 0,3 atteint un rendement quantique externe maximum de 10 -4 %. Le procédé décrit précédemment permet donc de multiplier le rendement quantique externe par un facteur 100. De manière générale, les différents modes et variantes présentés peuvent être combinés entre eux. En outre, la présente invention n'est pas limitée aux modes de réalisation précédemment décrits mais s'étend à tout mode de réalisation entrant dans la portée des revendications L’invention permet ainsi de réaliser des hétérostructures comprenant des couches actives à base de nanostructures AlGaN, avec des faibles épaisseurs (de l’ordre de 1 µm, voire moins), et ce, même avec des matériaux à fortes densités de dislocations (au moins 10 10 cm -2 voire plus de 10 11 cm -2 ). Elle permet de résoudre le problème technique de la chute du rendement quantique interne, qui est notamment due aux fortes densités de dislocation et qui limite fortement les performances des dispositifs optoélectroniques à base d’AlGaN (en particulier pour les LED et LD). Les couches actives à base de nanostructures AlGaN peuvent être réalisées sur différents types de substrats (saphir, silicium, carbure de silicium, oxyde de zinc, nitrure de bore, et également matériaux 2D comme le graphène). L’invention peut également être appliquée sur différentes orientations cristallographiques (plans de croissance) et structures cristallines (wurtzite, cubique). L’invention permet de s’affranchir de l’utilisation de matériaux présentant de faibles densités de défauts qui nécessitent soit d’avoir recours à des procédés technologiques complexes et coûteux, soit d’utiliser des substrats massifs d’AlN très chers, de petites dimensions et peu disponibles commercialement. L’invention permet ainsi de réaliser des composants électroniques et optoélectroniques en mettant à profit les propriétés remarquables des nanostructures AlGaN. L’invention permet d’atteindre des rendements quantiques internes élevés et donc des performances de ces composants élevées, et ce, en simplifiant le procédé de fabrication des hétérostructures et des couches actives, notamment en réduisant les épaisseurs déposées et en simplifiant les procédés de fabrication à une seule étape de croissance épitaxiale qui est une étape de croissance épitaxiale alternée pour la fabrication des nanostructures. En outre, pour le reste de la structure du composant recherché, on peut mettre en œuvre des procédés de croissance «classiques» d’épitaxie pour la fabrication des autres couches constituant la structure. En outre, elle met en œuvre des procédés couramment utilisés dans l’industrie opto-électronique et micro-électronique, et ne nécessite pas de développer des dispositifs spécifiques. L’invention peut donc être réalisée à l’échelle industrielle. Les applications visées concernent donc les composants de l’industrie micro-électronique et opto-électronique, et plus particulièrement les diodes électroluminescentes (LEDs) et lasers (LDs) à base de matériaux (Al,Ga)N émettant dans la gamme de longueurs d’onde UV. L’invention peut être appliquée sur tous les substrats utilisés pour la fabrication des couches actives AlGaN, en particulier le saphir et le silicium, ou encore l’oxyde de zinc et le nitrure de bore, ce qui offre des possibilités de suppression du substrat (par retrait sélectif). Par exemple, la très forte sélectivité de gravure du Si par rapport aux couches actives nitrures peut permettre la réalisation de (micro-)structures (membranes, micro-disques…) adaptées à la fabrication de micro-composants pour l’électronique et la photonique. Par exemple, il est possible de fabriquer des structures de type micro-disques à base de boîtes quantiques. Cela permet aussi d’utiliser des procédures de report des couches nitrures, par exemple selon latechnologie «flip-chip» ou la technique d’exfoliation (avec l’utilisation de matériaux en feuillets (ou 2D) tel que le nitrure de bore ou le graphène) et retrait sélectif du substrat sur des matériaux fortement conducteurs pour l’évacuation de la chaleur (fonctionnement des LEDs ou LDs à fortes densités de courant) ou bien pour le dépôt de miroirs de Bragg ou la réalisation de cavité lasers. Procédé de fabrication de nanostructures (BQ) d’AlGaN comprenant les étapes suivantes: - au moins une étape de croissance épitaxiale alternée (CA), ladite étape de croissance épitaxiale alternée étant réalisée à une température d’épitaxie définie et comprenant: une sous-étape de croissance épitaxiale (CA1) de GaN; et une sous-étape de croissance épitaxiale (CA2) d’Al y Ga 1-y N réalisée après la sous-étape de croissance épitaxiale de GaN, y étant un nombre supérieur à 0 et inférieur ou égal à 1; ladite étape de croissance épitaxiale alternée conduisant à la formation de nanostructures intermédiaires (BQI) en un pseudo-alliage de Al z Ga 1-z N résultant de la combinaison des couches épitaxiées en croissance alternée, z étant un nombre inférieur à y; - une étape de recuit à une température de recuit supérieure ou égale à 820 ± 20°C ou supérieure ou égale d’au moins 100°C par rapport à la température d’épitaxie conduisant à la formation de nanostructures (BQ) en Al z Ga 1-z N. Procédé de fabrication de nanostructures selon la revendication 1, l’étape de croissance épitaxiale alternée (CA) comprenant en outre une sous-étape de croissance épitaxiale préalable (CA2’) en Al y Ga 1-y N, réalisée avant la sous-étape de croissance épitaxiale (CA1) de GaN. Procédé de fabrication de nanostructures selon la revendication 1 ou la revendication 2, l’étape de croissance épitaxiale alternée (CA) comprenant plusieurs sous-étapes de croissance épitaxiale alternée (CA1, CA1’) de GaN. Procédé de fabrication de nanostructures selon l’une des revendications précédentes, l’étape de croissance épitaxiale alternée (CA) comprenant en outre une sous-étape de croissance épitaxiale (CA3) d’AlN. Procédé de fabrication de nanostructures selon la revendication 4, l’étape de croissance épitaxiale alternée (CA) comprenant plusieurs sous-étapes de croissance épitaxiale d’AlN. Procédé de fabrication de nanostructures selon l’une des revendications 4 ou 5, une sous-étape de croissance épitaxiale d’AlN étant réalisée avant une sous-étape de croissance épitaxiale de GaN. Procédé de fabrication de nanostructures selon l’une des revendications 4 à 6, une sous-étape de croissance épitaxiale d’AlN étant réalisée après une sous-étape de croissance épitaxiale de GaN. Procédé de fabrication de nanostructures selon l’une des revendications précédentes, une couche de GaN présentant une épaisseur comprise entre 1 et 4 monocouches de GaN, de préférence entre 2 et 4 monocouches de GaN, et de préférence égale à 2 monocouches de GaN. Procédé de fabrication de nanostructures selon l’une des revendications précédentes, une couche d’Al y Ga 1-y N présentant une épaisseur comprise entre 1 et 4 monocouches d’Al y Ga 1-y N, de préférence entre 2 et 4 monocouches d’Al y Ga 1-y N, et de préférence égale à 2 monocouches d’Al y Ga 1-y N. Procédé de fabrication de nanostructures selon l’une des revendications 3 à 9, une couche d’AlN présentant une épaisseur comprise entre 1 et 4 monocouches d’AlN, de préférence entre 2 et 4 monocouches d’AlN, et de préférence égale à 2 monocouches d’AlN. Procédé de fabrication de nanostructures selon l’une des revendications précédentes comprenant une pluralité (N) d’étapes de croissance épitaxiale alternée conduisant à la formation de nanostructures (BQ) en Al z Ga 1-z N. Procédé de fabrication de nanostructures selon l’une quelconque des revendications précédentes, au moins une étape de croissance épitaxiale alternée étant réalisée sous une atmosphère exempte de NH 3 . Procédé de fabrication de nanostructures selon l’une quelconque des revendications précédentes, la température d’épitaxie étant supérieure ou égale à 650°C, et de préférence comprise entre 650°C et 750°C. Procédé de fabrication d’hétérostructures comprenant les étapes suivantes: - la fourniture d’une couche tampon (CEI) en Al x Ga 1-x N; - la fabrication de nanostructures (BQ) d’Al z Ga 1-z N selon le procédé de l’une des revendications 1 à 13; lesdites nanostructures d’Al z Ga 1-z N étant formées sur la couche d’Al x Ga 1-x N, et x étant un nombre supérieur à y et inférieur à 1. Procédé de fabrication d’hétérostructures selon la revendication 14, comprenant en outre une étape de: - dépôt d’une couche d’encapsulation (CES) en Al x ’ Ga 1-x ’ N sur les nanostructures (BQ) d’Al z Ga 1-z N, x’ étant un nombre inférieur à 1 et supérieur à z. Procédé de fabrication d’hétérostructures selon la revendication 14 ou 15, la couche tampon (CEI) en Al x Ga 1-x N étant déposée sur un substrat (SUB). Procédé de fabrication d’hétérostructures selon l’une quelconque des revendications 14 à 16, comprenant une étape de dépôt d’une couche tremplin (CT) entre la couche tampon (CEI) en Al x Ga 1-x N et le substrat (SUB).