Brevet FR3098343A1 — publié le 20210108

Description Titre de l'invention : Procédé de passivation Domaine technique [0001] L'invention se rapporte au domaine technique de la passivation d'une surface d'un substrat à base de silicium cristallin. [0002] L'invention trouve notamment son application dans la fabrication de cellules photo- voltaïques à homojonction comportant au moins une couche d'oxyde transparent conducteur. État de l'art [0003] Une cellule photovoltaïque connue de l'état de la technique, comporte un empilement comprenant successivement : - un substrat à base de silicium cristallin, revêtu d'une couche de silicium amorphe, - au moins une couche d'oxyde transparent conducteur, - une électrode métallique formant un contact électrique. [0004] La ou les couches d'oxyde transparent conducteur permettent notamment d'assurer le contact électrique entre l'électrode métallique et le substrat. La ou les couches d'oxyde transparent conducteur peuvent également posséder un rôle de couche antireflet de par une épaisseur adaptée. La couche antireflet permet de réduire les pertes optiques liées aux réflexions du rayonnement lumineux, et donc d'optimiser l'absorption du rayonnement lumineux par le substrat. [0005] Toutefois, la ou les couches d'oxyde transparent conducteur ne sont pas entièrement satisfaisantes dans la mesure où elles ne permettent pas de passiver la surface du substrat, c'est-à-dire neutraliser les défauts électriquement actifs à la surface du substrat (i.e. à l'interface entre le substrat et la couche de silicium amorphe), cc qui est préjudiciable en termes de rendement de conversion de la cellule photovoltaïque. La passivation de la surface du substrat est assurée par la couche de silicium amorphe qui présente l'inconvénient d'être fortement absorbante dans les ultraviolets. Un compromis doit donc être recherché pour l'épaisseur de la couche de silicium amorphe afin de maximiser le rendement de conversion. Exposé de l'invention 100061 L'invention vise à remédier en tout ou partie aux inconvénients précités. A cet effet, l'invention a pour objet un procédé de passivation, comportant les étapes successives : a) prévoir un empilement comportant successivement un substrat à base de silicium cristallin, une couche d'oxyde de silicium, et au moins une couche d'oxyde transparent conducteur ; b) appliquer un plasma hydrogéné à l'empilement, l'étape b) étant exécutée à une 2 température adaptée de sorte que des atomes d'hydrogène du plasma hydrogéné diffusent jusqu'à l'interface entre le substrat et la couche d'oxyde dc silicium. [0007] Ainsi, un tel procédé selon l'invention permet de passivcr la surface du substrat, malgré la présence de la ou des couches d'oxyde transparent conducteur, et cc grâce à l'étape h). En effet, l'hydrogène du plasma hydrogéné diffuse sous forme atomique jusqu'à l'interface entre le substrat et la couche d'oxyde de silicium et est en particulier susceptible de saturer les liaisons pendantes à la surface du substrat. Un tel procédé selon l'invention permet de s'affranchir de la présence d'une couche de silicium amorphe pour passivcr la surface du substrat. [0008] Définitions [0009] - Par «passivation », on entend la neutralisation de défauts électriquement actifs à la surface du substrat. En effet, la surface d'un substrat en silicium cristallin présente une densité de défauts (e.g. liaisons pendantes, impuretés, discontinuité du cristal etc.) pouvant entraîner des pertes non négligeables liées à la recombinaison en surface des porteurs dans le cas d'une application photovoltaïque. [0010] - Par « substrat », on entend un support physique, autoporté, destiné à la fabrication d'une cellule photovoltaïque. Le substrat peut être une tranche (« wafer » en langue anglaise) découpée dans un lingot de silicium cristallin. [0011] - Par « cristallin », on entend la forme multicristallinc ou la forme monocristalline du silicium, excluant donc le silicium amorphe. [0012] - Par « à base de », on entend que le silicium cristallin est le matériau principal et ma- joritaire composant le substrat. [0013] - Par « oxyde de silicium », on entend le dioxyde de silicium Si02 ou ses dérivés SiO , non stoechiométriques. [0014] - Par « oxyde transparent conducteur » (TCO pour « Transparent Conductive acide » en langue anglaise), on entend un oxyde transparent dans tout ou partie du spectre solaire, et électriquement conducteur. Par exemple, l'oxyde transparent conducteur peut présenter une transmittance supérieure ou égale à 60% (de préférence supérieure ou égale à 80%) sur le spectre [300 nm, 900 nm]. [0015] - Par « plasma hydrogéné », on entend un plasma où l'espèce gazeuse comporte des atomes d'hydrogène. [0016] Le procédé selon l'invention peut comporter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes. [0017] Selon une caractéristique de l'invention, le plasma hydrogéné appliqué lors de l'étape b) comporte au moins un gaz sélectionné parmi NH3 et H2. [0018] Ainsi, un avantage procuré est la facilité de mise en oeuvre de tels plasmas hydrogéné, en particulier un plasma de NH3. [0019] Selon une caractéristique de l'invention, la température à laquelle est exécutée 3 l'étape li) est comprise entre 340°C et 600°C, préférentiellement comprise entre 400°C et 550°C, plus préférentiellement comprise entre 400°C et 500°C. [0020] Ainsi, un avantage procuré par de telles gammes de température est de permettre une diffusion des atonies d'hydrogène (activation thermique) jusqu'à l'interface entre le substrat et la couche d'oxyde de silicium, tout en évitant de dégrader la ou les couches d'oxyde transparent conducteur ainsi que la couche d'oxyde de silicium. [0021] Selon une caractéristique de l'invention, le plasma hydrogéné est appliqué lors de l'étape li) selon une densité de puissance comprise entre 10-3 W.cm-2 et 2.10-2 W.cm-2, préférentiellement comprise 5.10-3 W.cm-2 et 10-2W.cm-2. [0022] Par « puissance », on entend la puissance injectée pour créer et entretenir le plasma. [0023] Par « densité », on entend la puissance divisée par la surface développée des électrodes utilisées pour créer le plasma. [0024] Ainsi, un avantage procuré est d'améliorer la passivation de l'interface entre le substrat et la couche d'oxyde de silicium. [0025] Selon une caractéristique de l'invention, le plasma hydrogéné est appliqué lors de l'étape li) selon une pression comprise entre 1,5 Torr et 2,5 Torr, préférentiellement comprise entre 1,7 Torr et 2,2 Torr. [0026] Ainsi, un avantage procuré est d'améliorer la passivation de l'interface entre le substrat et la couche d'oxyde de silicium. [0027] Selon une caractéristique de l'invention, l'étape b) est exécutée sous une atmosphère comportant un gaz inerte sélectionné parmi Ar, N,. [0028] Ainsi, un avantage procuré est d'améliorer la stabilité et l'homogénéité du plasma hydrogéné. [0029] Selon une caractéristique de l'invention, l'étape b) est exécutée pendant une durée comprise entre 5 minutes et 90 minutes, de préférence comprise entre 10 minutes et 30 minutes. [0030] Ainsi, un avantage procuré est d'éviter d'avoir des temps d'opération trop longs, pré- judiciable pour une mise en oeuvre du procédé à l'échelle industrielle. [0031] Selon une caractéristique de l'invention, la couche d'oxyde de silicium de l'empilement prévu lors de l'étape a) présente une épaisseur inférieure ou égale à 4 nm, de préférence inférieure ou égale à 2 nm. [0032] Ainsi, un avantage procuré est de protéger le substrat sans affecter significativement la conductivité électrique de l'empilement pour le déplacement des porteurs de charge. [0033] Selon une caractéristique de l'invention, la ou les couches d'oxyde transparent conducteur présentent une épaisseur totale comprise entre 10 nm et 200 nm. [0034] Ainsi, un avantage procuré est d'obtenir un bon compromis entre conductivité électrique (pour le déplacement des porteurs de charge) et temps d'opération de dépôt de la ou des couches d'oxyde transparent conducteur. 100351 Selon une caractéristique de l'invention, l'oxyde transparent. conducteur est sé- lectionné parmi un oxyde d'indium et un oxyde de zinc ; l'oxyde d'indium étant de préférence choisi parmi l'oxyde d'indium-étain, un oxyde d'indium dopé au fluor, un oxyde d'indium hydrogéné, un oxyde d'indium dopé au tungstène ; l'oxyde de zinc étant de préférence choisi parmi un oxyde de zinc dopé à l'aluminium, un oxyde de zinc dopé au bore. [0036] Selon une caractéristique de l'invention, l'oxyde transparent conducteur est sé- lectionné parmi un oxyde de zinc, un oxyde de zinc dopé à l'aluminium, un oxyde de zinc dopé au bore. [0037] On privilégiera un oxyde de zinc dans la mesure où l'indium est coûteux avec des ressources limitées, et est de plus un contaminant susceptible de dégrader la durée de vie des porteurs de charge au sein de l'empilement. [0038] Selon une caractéristique de l'invention, l'étape a) comporte une étape al) consistant à former une couche d'alumine sur la ou les couches d'oxyde transparent conducteur. [0039] Par « alumine », on entend l'oxyde d'aluminium de formule Al,O, ou ses dérivés A10, non stoechiométriques. [0040] Ainsi, un avantage procuré est d'améliorer la passivation de l'interface entre le substrat et la couche d'oxyde de silicium. [0041] Selon une caractéristique de l'invention, l'étape ai) est exécutée dc sorte que la couche d'alumine présente une épaisseur inférieure ou égale à 20 nm, de préférence comprise entre 2 nm et 10 nm. [0042] Ainsi, de telles épaisseurs permettent d'améliorer la passivation de l'interface entre le substrat et la couche d'oxyde de silicium sans affecter significativement la conductivité électrique de l'empilement pour le déplacement des porteurs de charge. [0043] Selon une caractéristique de l'invention, l'étape ai) est exécutée par une technique de dépôt choisie parmi l'ALD, un dépôt physique en phase vapeur, et un dépôt chimique en phase vapeur. [0044] Selon une caractéristique de l'invention, l'étape a) est exécutée de sorte qu'une couche de silicium polycristallin est intercalée entre la couche d'oxyde de silicium et la ou les couches d'oxyde transparent conducteur. [0045] Ainsi, un avantage procuré est d'améliorer la passivation de l'interface entre le substrat et la couche d'oxyde de silicium. Brève description des dessins [0046] D'autres caractéristiques et avantages apparaîtront dans l'exposé détaillé de différents modes de réalisation de l'invention, l'exposé étant assorti d'exemples et de références aux dessins joints. [0047] [fig.1] Figure 1 est une vue schématique en coupe illustrant un premier mode de réa- lisation d'un empilement soumis à un procédé selon l'invention. [0048] [fig.2] Figure 2 est une vue schématique en coupe illustrant un deuxième mode de réalisation d'un empilement soumis à un procédé selon l'invention. [0049] [fig.3] Figure 3 est une vue schématique en coupe illustrant un troisième mode de réalisation d'un empilement soumis à un procédé selon l'invention. [0050] [fig.4] Figure 4 est une vue schématique en coupe illustrant un quatrième mode de réalisation d'un empilement soumis à un procédé selon l'invention. [0051] Les figures ne sont pas représentées à l'échelle pour en simplifier leur com- préhension. Exposé détaillé des modes de réalisation [0052] Les éléments identiques ou assurant la même fonction porteront les mêmes ré- férences pour les différents modes de réalisation, par souci de simplification. [0053] Un objet de l'invention est un procédé de passivation, comportant les étapes suc- cessives : a) prévoir un empilement I comportant successivement un substrat 2 à base de silicium cristallin, une couche d'oxyde de silicium 3, et au moins une couche d'oxyde transparent conducteur 4 ; b) appliquer un plasma hydrogéné à l'empilement I, l'étape b) étant exécutée à une température adaptée de sorte que des atomes d'hydrogène du plasma hydrogéné diffusent jusqu'à l'interface I entre le substrat 2 et la couche d'oxyde de silicium 3. [0054] Empilement [0055] Le substrat 2 présente préférentiellement une épaisseur strictement inférieure à 250 um. Le silicium à base duquel est réalisé le substrat 2 peut être monocristallin ou polycristallin. Le substrat 2 peut être dopé de type n ou de type p. L'empilement I peut s'intégrer en surface avant et/ou en surface arrière d'une cellule photovoltaïque à homojonction, par exemple une cellule photovoltaïque de type PERC (« Passivated D'inter and Rear Cell » en langue anglaise). [0056] La couche d'oxyde de silicium 3 de l'empilement 1 prévu lors de l'étape a) présente avantageusement une épaisseur inférieure ou égale à 4 nm, de préférence inférieure ou égale à 2 nm. De manière générale, la couche d'oxyde de silicium 3 est suffisamment fine afin de ne pas affecter significativement la conductivité électrique de l'empilement 1 pour le déplacement des porteurs de charge. L'étape a) est exécutée de sorte que la couche d'oxyde de silicium 3 est introduite entre le substrat 2 et la ou les couches d'oxyde transparent conducteurs 4. L'empilement 1 est dépourvu d'une couche de silicium amorphe. [0057] La ou les couches d'oxyde transparent conducteur 4 sont avantageusement formées sur la couche d'oxyde de silicium par une technique de dépôt choisie parmi l'ALD (« Atomie Layer Deposition » en langue anglaise), un dépôt physique en phase vapeur 6 (PVD pour « Physical Vapor Deposition » en langue anglaise), et un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD pour « Plasma Enhanced Chimical Vapor Depasitiotz » en langue anglaise). La ou les couches d'oxyde transparent conducteur 4 présentent avantageusement une épaisseur totale comprise entre 10 nm et 200 nm. L'oxyde transparent conducteur est avantageusement sélectionné parmi un oxyde d'indium et un oxyde de zinc. L'oxyde d'indium est de préférence choisi parmi l'oxyde d'indium-étain, un oxyde d'indium dopé au fluor, un oxyde d'indium hydrogéné, un oxyde d'indium dopé au tungstène. L'oxyde de zinc est de préférence choisi parmi un oxyde de zinc dopé à l'aluminium, un oxyde de zinc dopé au bore. L'oxyde transparent conducteur est avantageusement sélectionné parmi un oxyde de zinc, un oxyde de zinc dopé à l'aluminium, un oxyde de zinc dopé au bore. [0058] Une seule couche d'oxyde transparent conducteur 4 est illustrée aux figures annexées, mais il est tout à fait envisageable de prévoir un empilement de plusieurs couches d'oxyde transparent conducteur 4, pouvant être par exemple réalisées dans différents oxydes transparents conducteurs. [0059] Comme illustré aux figures 2 et 4, l'étape a) comporte avantageusement une étape a,) consistant à former une couche d'alumine 5 sur la ou les couches d'oxyde transparent conducteur 4. L'étape a,) est avantageusement exécutée de sorte que la couche d'alumine 5 présente une épaisseur inférieure ou égale à 20 nm, de préférence comprise entre 2 nm et 10 nm. L'étape al) est avantageusement exécutée par une technique de dépôt choisie parmi l'ALD (« Atomic Layer Deposition » en langue anglaise), un dépôt physique en phase vapeur (PVD pour « Physical Vapor Deposition » en langue anglaise), et un dépôt chimique en phase vapeur. Le dépôt chimique en phase vapeur peut être un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD pour « Plasma Enhanced Chimical Vapor Deposition » en langue anglaise). [0060] En l'absence de couche d'alumine 5, la ou les couches d'oxyde transparent conducteur 4 présentent avantageusement une épaisseur totale comprise entre 10 nm et 80 nm. Une telle gamme d'épaisseurs permet d'obtenir les meilleurs résultats en termes de tension en circuit ouvert implicite (« implied open circuit voltage » en langue anglaise, connue par l'acronyme iVoc) lorsque la ou les couches d'oxyde transparent conducteur 4 sont déposées par PVD ou ALD. [0061] En présence d'une couche d'alumine 5, la ou les couches d'oxyde transparent conducteur 4 présentent avantageusement une épaisseur totale comprise entre 40 nm et 200 nm. Une telle gamme d'épaisseurs permet d'obtenir les meilleurs résultats en termes de iVoc lorsque la ou les couches d'oxyde transparent conducteur 4 sont déposées par ALD. Il a été constaté que la présence d'une couche d'alumine 5 a peu d'influence sur FiVoc lorsque la ou les couches d'oxyde transparent conducteur 4 sont déposées par PVD. 7 [0062] Comme illustré aux figures 3 et 4, l'étape a) peut être exécutée de sorte qu'une couche de silicium polycristallin 6 est intercalée entre la couche d'oxyde de silicium 3 et la ou les couches d'oxyde transparent conducteur 4. [0063] Plasma hydrogéné [0064] Le plasma hydrogéné appliqué lors de l'étape b) comporte avantageusement au moins un gaz sélectionné parmi NH3 et H2. L'étape b) peut être exécutée sous une atmosphère comportant un gaz inerte sélectionné parmi Ar, N2. [0065] La température à laquelle est exécutée l'étape h) est avantageusement comprise entre 340°C et 600°C, préférentiellement comprise entre 400°C et 550°C, plus préférentiellement comprise entre 400°C et 500°C. [0066] Le plasma hydrogéné est avantageusement appliqué lors de l'étape b) selon une densité de puissance comprise entre 10 W.cm 2 et 2.10-2 W.cm-2, préférentiellement comprise 5.10-, W.cm-2 et 10-2 W.cm-2. Le plasma hydrogéné est avantageusement appliqué lors de l'étape b) selon une pression comprise entre 1,5 Torr et 2,5 Torr (c'est-à-dire comprise entre 200 Pa et 333 Pa), préférentiellement comprise entre 1,7 Torr et 2,2 Torr (c'est-à-dire comprise entre 226 Pa et 293 Pa). L'étape b) est avantageusement exécutée pendant une durée comprise entre 5 minutes et 90 minutes, de préférence comprise entre 10 minutes et 30 minutes. [0067] Fabrication d'une cellule photovoltaïque [0068] Pour une application de fabrication de cellule photovoltaïque, le procédé peut comporter une étape c) consistant à former un contact électrique sur l'empilement I. [0069] L'étape c) est exécutée après l'étape b). [0070] A titre d'exemple, le contact électrique peut être obtenu à l'aide d'une pâte de sé- rigraphie, électriquement conductrice, et formée sur la ou les couches d'oxyde transparent conducteur 4. La pâte de sérigraphie possède avantageusement une température de cuisson inférieure ou égale à 600°C. [0071] Exemple de réalisation [0072] L'empilement 1 prévu lors de l'étape a) comporte successivement un substrat 2 à base de silicium monocristallin, une couche d'oxyde de silicium 3, une couche d'oxyde transparent conducteur 4 en oxyde de zinc dopé à l'aluminium (AZO), et une couche d'alumine 5. La couche d'oxyde de silicium 3 présente une épaisseur de l'ordre de 4 nm. La couche d'oxyde transparent conducteur 4 (ci-après TCO) présente une épaisseur de 40 nm et a été déposée par ALD. La couche d'alumine 5 présente une épaisseur de 10 nm. L'étape b) est exécutée en appliquant un plasma de NH3, selon une densité de puissance de l'ordre de 9,2.10-3 W/cm2. La température à laquelle est exécutée l'étape b) est de l'ordre de 500°C. Il a été possible de constater une tension en circuit ouvert implicite (« implied open circuit voltage » en langue anglaise, connue par l'acronyme iVoc) de l'ordre de 716 mV après l'étape b), traduisant une excellente 8 passivation de l'interface 1 entre le substrat 2 et la couche d'oxyde de silicium 3. A titre de comparaison, la tension en circuit ouvert implicite de l'empilement 1 était inférieure à 580 inV avant l'étape b). [0073] Autres exemples de réalisation [0074] L'empilement 1 prévu lors de l'étape a) comporte successivement un substrat 2 à base de silicium monocristallin, une couche d'oxyde de silicium 3, une couche d'oxyde transparent conducteur 4 en oxyde de zinc dopé à l'aluminium (AZO), et le cas échéant une couche d'alumine 5. La couche d'oxyde transparent conducteur 4 (ci-après TCO) présente une épaisseur variable et a été déposée par PVD ou ALD. L'étape b) est exécutée en appliquant un plasma de NH3, selon une densité de puissance de l'ordre de 9,2.10-s W/cm2. La température à laquelle est exécutée l'étape h) est comprise entre 450°C et 500°C. Les résultats des expériences en termes de tension en circuit ouvert implicite (« implied open circuit voltage » en langue anglaise, connue par l'acronyme iVoc) sont rassemblés dans le tableau ci-après. [Tableauxl] Epaisseur totale (nm) du ou des TCO Technique de dépôt du ou des TCO Epaisseur (nm) de la couche d'alumine iVoc (mV) 20 PVD 0 632 40 PVD 0 595 80 PVD 0 570 20 PVD 10 575 40 PVD 10 585 80 PVD 10 602 20 ALD 10 670 40 ALD 10 630 120 ALD 10 705 [0075] Il a été constaté une augmentation de la valeur de iVoc (entre 14 mV et 32 mV) par rapport à un empilement 1 soumis simplement à un recuit thermique compris entre 450°C et 500°C, c'est-à-dire en l'absence d'un traitement plasma hydrogéné exécuté lors de l'étape b). Ainsi, un tel procédé selon l'invention permet (l'améliorer la passivation de la surface du substrat, malgré la présence du ou des TCO 4, et ce grâce à l'étape b). [0076] On constate de plus que la présence de la couche d'alumine 5 n'a que peu d'influence lorsque le ou les TCO 4 sont déposés par PVD. En revanche, la couche 9 d'alumine 5 permet d'améliorer les propriétés de passivation lorsque le ou les TCO 4 sont déposés par ALD. [0077] Selon un autre exemple de réalisation, l'empilement 1 prévu lors de l'étape a) comporte successivement un substrat 2 à base de silicium monocristallin, une couche d'oxyde de silicium 3, une monocouche d'oxyde transparent conducteur 4, en oxyde de zinc dopé à l'aluminium (AZO). La monocouchc en AZO est déposée par PVD et possède une épaisseur de 40 nm. L'étape b) est exécutée en appliquant un plasma de NH3, selon une densité de puissance de l'ordre de 9,2.10 W/cm2. La température à laquelle est exécutée l'étape b) est de l'ordre de 500°C. Il a été possible de constater une tension en circuit ouvert implicite de l'ordre de 597 mV après l'étape h). La même expérience a été réalisée avec une bicouche d'oxyde transparent conducteur 4 en AZO, comportant une première couche d'AZO de 20 nm déposée par ALD et une seconde couche d'AZO de 40 nm déposée par PVD. TI a été possible de constater une tension en circuit ouvert implicite de l'ordre de 630 mV après l'étape h). On peut en conclure que l'ajout de la première couche d'AZO de 20 nm déposée par ALD permet d'augmenter la tension en circuit ouvert implicite, et ainsi améliore la passivation de l'interface entre le substrat et la couche d'oxyde de silicium. [0078] L'invention ne se limite pas aux modes de réalisation exposés. L'homme du métier est mis à même de considérer leurs combinaisons techniquement opérantes, et de leur substituer des équivalents. 10 REVENDICATIONS[Revendication I] Procédé de passivation, comportant les étapes successives : a) prévoir un empilement (I) comportant successivement un substrat (2) à base de silicium cristallin, une couche d'oxyde de silicium (3), et au moins une couche d'oxyde transparent conducteur (4) ; b) appliquer un plasma hydrogéné à l'empilement (I), l'étape b) étant exécutée à une température adaptée de sorte que des atomes d'hydrogène du plasma hydrogéné diffusent jusqu'à l'interface (I) entre le substrat (2) et la couche d'oxyde de silicium (3). [Revendication 2] Procédé selon la revendication 1, dans lequel le plasma hydrogéné appliqué lors de l'étape b) comporte au moins un gaz sélectionné parmi NI-13 et H2. [Revendication 3] Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la température à laquelle est exécutée l'étape b) est comprise entre 340°C et 600°C, préférentiellement commise entre 400°C et 550°C, plus préférentiellement comprise entre 400°C et 500°C. [Revendication 4] Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel le plasma hydrogéné est appliqué lors de l'étape b) selon une densité de puissance comprise entre 103 W.cm 2 et 2.10 ' W.cm", préférentiellement comprise 5.10 W.cm ' et 102 W.cm 2. [Revendication 5] Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel le plasma hydrogéné est appliqué lors de l'étape b) selon une pression commise entre 1,5 Torr et 2,5 Ton, préférentiellement comprise entre 1,7 Torr et 2,2 Ton-. [Revendication 6] Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel l'étape b) est exécutée sous une atmosphère comportant un gaz inerte sélectionné parmi Ar, N2. [Revendication 7] Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel l'étape b) est exécutée pendant une durée comprise entre 5 minutes et 90 minutes, de préférence comprise entre 10 minutes et. 30 minutes. [Revendication 8] Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel la couche d'oxyde de silicium (3) de l'empilement (1) prévu lors de l'étape a) présente une épaisseur inférieure ou égale à 4 nm, de préférence inférieure ou égale à 2 nm. [Revendication 9] Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel la ou les couches d'oxyde transparent conducteur (4) présentent une épaisseur totale comprise entre 10 nm et. 200 nm. 11 [Revendication 10] [Revendication 11] [Revendication 12] [Revendication 13] [Revendication 14] [Revendication 15] Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel l'oxyde transparent conducteur (4) est sélectionné parmi un oxyde d'indium et un oxyde de zinc ; l'oxyde d'indium étant de préférence choisi parmi l'oxyde d'indium-étain, un oxyde d'indium dopé au fluor, un oxyde d'indium hydrogéné, un oxyde d'indium dopé au tungstène ; l'oxyde de zinc étant de préférence choisi parmi un oxyde de zinc dopé à l'aluminium, un oxyde de zinc dopé au bore. Procédé selon la revendication 10, dans lequel l'oxyde transparent conducteur (4) est sélectionné parmi un oxyde de zinc, un oxyde de zinc dopé à l'aluminium, un oxyde de zinc dopé au bore. Procédé selon l'une des revendications 1 à 11, dans lequel l'étape a) comporte une étape al) consistant à former une couche d'alumine (5) sur la ou les couches d'oxyde transparent conducteur (4). Procédé selon la revendication 12, dans lequel l'étape a,) est exécutée de sorte que la couche d'alumine (5) présente une épaisseur inférieure ou égale à 20 nrn, de préférence comprise entre 2 nrn et 10 nm. Procédé selon la revendication 12 ou 13, dans lequel l'étape a,) est exécutée par une technique de dépôt choisie parmi r ALD, un dépôt physique en phase vapeur et un dépôt chimique en phase vapeur. Procédé selon l'une des revendications 1 à 14, dans lequel l'étape a) est exécutée de sorte qu'une couche de silicium polycristallin (6) est intercalée entre la couche d'oxyde de silicium (3) et la ou les couches d'oxyde transparent conducteur (4).