Brevet FR3100330A1 — publié le 20210305

Description Titre de l'invention : Capteurs de pression à ondes acoustiques diffé- rentiels [0001] La présente invention concerne des capteurs de type à ondes acoustiques et, en par- ticulier, des capteurs de pression à ondes acoustiques de surface différentiels comprenant des cavités de résonance. [0002] Les capteurs sont d'une importance croissante et deviennent de plus en plus omni- présents dans la vie (le tous les jours. Les systèmes micro-électromécaniques (MEMS) sont une option attrayante pour répondre à la demande de performances accrues des capteurs avec des tailles et des coûts réduits. Les capteurs à ondes acoustiques de surface (SAW), et dans une moindre mesure les capteurs à ondes acoustiques de volume (BAW) ou les capteurs acoustiques à ondes de Lamb ou à ondes de Love, offrent des options particulièrement avantageuses en raison d'une grande variété dc paramètres ambiants mesurables, notamment une température, une pression, une contrainte et un couple, par exemple. [0003] Les capteurs à ondes acoustiques utilisent l'effet piézoélectrique pour convertir un signal électrique en une onde mécanique/acoustique. Les capteurs à hase de SAW sont construits sur des matériaux piézoélectriques monocristal] ins tels que du quartz (SiO2), du niohate de lithium (LiNhO3), du tantalatc de lithium (LiTaO3), du langasitc (LGS) ou des matériaux piézoélectriques polycristallins comme du nitrure d'aluminium (MN) ou dc l'oxyde de zinc (ZnO), en particulier, déposés sur du silicium, ou même sur un matériau composite de type piézoélectrique-sur-isolant (P01) comprenant une couche de matériau piézoélectrique, en particulier, un matériau monocristallin, tel que, par exemple, du tantalatc de lithium ou du niohatc dc lithium, lié à un substrat dc support comme par exemple du silicium, si nécessaire au moyen d'une couche de liaison, comme par exemple une couche d'oxyde de silicium (en général, toute combinaison d'un matériau piézoélectrique monocristallin avec des substrats non piézoélectriques peut être utilisée pour leurs propriétés spécifiques comme la stabilité thermique ou la qualité acoustique). [0004] Un transducteur, dans le cas d'un capteur à ondes acoustiques de surface un transducteur interdigité (IDT), convertit l'énergie électrique du signal électrique en énergie d'onde acoustique. L'onde acoustique se propage à travers la surface (ou le volume) d'un substrat de dispositif via ce que l'on nomme une ligne à retard jusqu'à un autre transducteur, en particulier un IDT, qui reconvertit l'onde acoustique en un signal électrique pouvant être détecté. Dans certains dispositifs, des absorbeurs mécaniques et/ou des réflecteurs sont fournis afin d'éviter des motifs d'interférence et de réduire 2 une perte d'insertion. Dans certains dispositifs, l'autre IDT (de sortie) est remplacé par un réflecteur qui réfléchit l'onde acoustique générée en arrière vers l'IDT (d'entrée) qui peut être couplé à une antenne pour une interrogation à distance du dispositif capteur. Avantageusement, les mesures peuvent être effectuées de manière complètement passive, c'est-à-dire que le capteur ne doit pas être alimenté par une source d'alimentation. [0005] Une classe particulière de capteurs à ondes acoustiques comprend des résonateurs présentant des fréquences de résonance qui varient selon des conditions ambiantes variables. La figure 1 illustre un exemple de capteur à ondes acoustiques résonant. Le résonateur à ondes acoustiques de surface comprend un transducteur interdigité IDT électroacoustique avec des électrodes C et C' en peigne interdigitées agencées entre des miroirs de Bragg M. Les électrodes en peigne sont établies à des potentiels opposés -FV et -V, respectivement. La géométrie d'électrode est définie par le pas p, c'est-à-dire la fréquence de répétition spatiale des électrodes entrelacées C et C' dans la direction de la propagation des ondes acoustiques de surface excitées, les longueurs des espaces entre les électrodes C et C' dans la direction perpendiculaire à la direction de propagation des ondes acoustiques de surface excitées, les longueurs de la région d'ouverture acoustique données par les longueurs des électrodes C et C' entre les espaces et les largeurs a des électrodes C et C' déterminant ce que l'on nomme le rapport de métallisation par comparaison au pas (a/p). L'IDT peut fonctionner dans des conditions de Bragg où la longueur d'onde X de l'onde acoustique de surface excitée est égale à deux fois le pas p, par exemple. [0006] Le dispositif capteur représenté sur la figure 1 peut également comprendre un substrat de recouvrement et une certaine étanchéité pour créer un espace qui peut être rempli d'un certain gaz inerte ou évacué pour protéger le transducteur T et les miroirs M contre la corrosion et pour fournir une référence de pression. De plus, un substrat de support comprenant un certain espace creux peut être fixé à la surface inférieure du dispositif capteur représenté sur la figure 1, où le substrat de support fournit un conduit de fluide via l'espace creux pour communiquer des fluctuations de pression au dispositif capteur pouvant être recouvert par un couvercle. [0007] À la fréquence de résonance, la condition de synchronisme entre les réflecteurs est satisfaite, en permettant ainsi d'obtenir une addition cohérente des différentes réflexions qui se produisent sous les réflecteurs. Un maximum d'énergie acoustique est alors observé dans la cavité de résonance et, d'un point de vue électrique, un maximum d'amplitude du courant admis par le transducteur est observé. En principe, des capteurs à ondes acoustiques différentiels peuvent comprendre deux résonateurs ou plus présentant des fréquences de résonance différentes ou un résonateur fonctionnant en multi-mode (plusieurs fréquences de résonance), où des différences de fréquences 3 mesurées reflètent des variations des paramètres ambiants qui doivent être mesurés (le mesurande), comme par exemple une température ou une contrainte. [0008] L'utilisation d'un capteur à ondes acoustiques tel que celui illustré à la figure 1 pour la mesure de pressions présente un intérêt particulier. Par exemple, au moyen d'un tel capteur, la pression d'un pneumatique d'un véhicule peut être détectée. Lorsque le capteur subit une certaine variation de pression par rapport à la pression de référence (donnée par le gaz inerte ou le vide du côté de la propagation), la contrainte de surface de la couche piézoélectrique change, la vitesse des ondes acoustiques excitées change et les intervalles spatiaux des électrodes du transducteur et des miroirs changent. En conséquence, la fréquence de résonance change et, sur la base de ce changement de fréquence de résonance, la pression ambiante peut être détectée. [0009] Cependant, malgré le processus d'ingénierie récent, l'ensemble du processus d'interrogation, dans lequel un dispositif d'interrogation transmet un signal radiofréquence approprié qui est reçu par le capteur à ondes acoustiques via une antenne de réception et converti par un transducteur en une onde acoustique de surface (ou une onde massif, dans le cas de dispositifs du type capteur à ondes acoustiques massif) qui est convertie en un signal radiofréquence étant transmis à nouveau via une antenne de transmission et reçu et analysé par le dispositif d'interrogation, pose encore des problèmes techniques. Particulièrement, du bruit radiofréquence présent dans les bandes ISM (industrielles, scientifiques, médicales) couramment utilisées, par exemple dans des bandes avec une fréquence centrale de 434MHz ou 2,45GHz, provoque des erreurs de lecture/interprétation affectant la qualité de la génération et de l'analyse de spectres de réponse fournis par les capteurs. [0010] Des mesures différentielles véritables basées sur une sensibilité différentielle ap- propriée des résonances du ou des résonateurs utilisés par rapport au mesurande (pression dans le cas d'un capteur de pression à ondes acoustiques) doivent être observées avec précision afin d'obtenir des résultats de mesure fiables. Cela impose de fortes exigences en matière de tolérances des processus de production et de reproductibilité de propriétés physiques d'une tranche à une autre. De plus, tout mouvement relatif entre le capteur et le dispositif d'interrogation peut fortement affecter les résultats de mesure en raison de la liaison RF formée par le dispositif capteur et le dispositif d'interrogation de manière inductive ou capacitive. D'autres influences environnementales, telles que des changements de température, dans l'environnement de mesure ont également une incidence sur la fiabilité des résultats de mesure. [0011] Par conséquent, un but de la présente invention est de fournir un capteur de pression à ondes acoustiques qui permet un rapport signal/bruit accru et des résultats de mesure plus fiables par comparaison aux dispositifs capteurs de pression à ondes acoustiques de la technique antérieure. [0012] La présente invention atteint le but ci-dessus en fournissant un dispositif capteur de pression à ondes acoustiques et, en particulier, un dispositif capteur de pression à ondes acoustiques de surface configure pour mesurer une pression, comprenant [0013] un substrat (par exemple, sous la forme d'une membrane) configure pour plier lorsque la pression à mesurer est appliquée sur le substrat de sorte qu'une zone d'un premier type de contrainte (effort) et une zone d'un second type de contrainte (effort) sont formées dans le substrat ; [0014] un transducteur interdigité (comprenant des électrodes en peigne) formé au-dessus du substrat ; [0015] un premier miroir de Bragg formé au-dessus du substrat et agencé sur un premier côté du transducteur interdigité ; [0016] un second miroir de Bragg formé au-dessus du substrat et agencé sur un autre côté du transducteur interdigité ; [0017] une première cavité de résonance (par exemple, exclusivement) formée entre le transducteur interdigité et le premier miroir de Bragg ; et [0018] une seconde cavité de résonance (par exemple, exclusivement) formée entre le transducteur interdigité et le second miroir de Bragg ; [0019] et dans lequel [0020] la première cavité de résonance est formée au-dessus de la zone du premier type de contrainte et la seconde cavité de résonance est formée au-dessus de la zone du second type de contrainte. [0021] Le substrat peut être un substrat multicouche comprenant une couche piézoélectrique (voir également description ci-dessous) ou un substrat piézoélectrique (monocouche) homogène. Le second type de contrainte est différent du premier type de contrainte. Le premier type de contrainte peut être une contrainte de compression et le second type de contrainte peut être une contrainte de traction. En variante, un certain du premier type de contrainte et du second type de contrainte peut être une contrainte de compression ou une contrainte de traction, et l'autre du premier type de contrainte et du second type de contrainte peut être sensiblement une contrainte nulle. [0022] Selon l'invention, le dispositif capteur de pression à ondes acoustiques comprend une certaine cavité de résonance formée au-dessus d'une zone d'un substrat présentant le premier type de contrainte (par exemple, une contrainte de compression) en réaction à l'application d'une pression ambiante, alors qu'une autre cavité de résonance est formée au-dessus d'une zone du substrat présentant un second type de contrainte, par exemple une contrainte de traction, en réaction à l'application de la pression ambiante. Ainsi, une mesure différentielle fiable véritable de la pression ambiante est rendue possible au moyen d'un transducteur interdigité unique et de deux structures de miroir de Bragg (chacune comprenant des électrodes allongées agencées parallèlement) qui sont voisines du transducteur d'un côté et de l'autre du transducteur, respectivement, si le transducteur fonctionne à la condition de Bragg et présente un coefficient de réflexion supérieur à 50%, de préférence supérieur à 80%. [0023] Le dispositif capteur de pression à ondes acoustiques peut être un dispositif piézo- électrique-sur-isolant (POT) comprenant un substrat multicouche, dans lequel une couche diélectrique est formée sur un substrat massif et une couche piézoélectrique est formée sur la couche diélectrique. Le substrat massif consiste en ou comprend par exemple du Si, la couche diélectrique consiste en ou comprend par exemple du SiO2, et la couche piézoélectrique consiste en ou comprend par exemple du LiNhO3 ou du LiTaO3. Dans le cas d'un dispositif POT, le transducteur interdigité et les premier et second miroirs de Bragg sont formés sur la couche piézoélectrique et les première et seconde cavités de résonance comprennent des parties de la couche piézoélectrique, et la couche piézoélectrique est configurée pour plier lorsque la pression est appliqué sur le substrat de telle sorte qu'une zone du premier type de contrainte est formée dans la couche piézoélectrique (par exemple, au-dessus d'une zone du premier type de contrainte du substrat massif), et une zone du second type de contrainte est formée dans la couche piézoélectrique (par exemple, au-dessus d'une zone du second type de contrainte du substrat massif). [0024] Le substrat est configuré pour présenter, lorsque la pression est appliquée, une zone d'inversion de contrainte dans laquelle la contrainte change du premier type de contrainte au second type de contrainte. Selon un mode de réalisation particulier, le transducteur interdigité est agencé au-dessus de la zone d'inversion de contrainte. Ainsi, il est possible de garantir que le décalage de fréquence de résonance rencontré par les cavités de résonateur lorsqu'une pression ambiante est appliquée varie véritablement de manière différentielle, en facilitant ainsi des mesures très fiables. [0025] Dans le cas d'un dispositif POI, la couche piézoélectrique (en tant que substrat) est configurée pour présenter, lorsque la pression est appliquée, une zone d'inversion de contrainte, dans laquelle la contrainte change du premier type de contrainte au second type de contrainte et le transducteur interactivité peut être agencé sur la zone d'inversion de contrainte de la couche piézoélectrique. [0026] De plus, des cavités de résonance en cascade peuvent être formées dans le dispositif capteur de pression à ondes acoustiques selon l'un des modes de réalisation décrits ci-dessus afin de réduire le nombre de résonances pour arriver à des résultats de mesure uniques. Ainsi, le dispositif capteur de pression à ondes acoustiques selon l'un des exemples décrits ci-dessus peut être configuré de sorte que la première cavité de résonance comprend des premières sous-cavités de résonance séparées les unes des autres par des premières sous-structures de réflexion du premier miroir de Bragg et/ou la seconde cavité de résonance comprend des secondes sous-cavités de résonance 6 séparées les unes des autres par des secondes sous-structures de réflexion du second miroir de Bragg. Chacunc des premières et secondes sous-structures de réflexion peut être constituée d'électrodes allongées agencées parallèlement les unes aux autres. [0027] Dans tous les modes de réalisation décrits ci-dessus, les longueurs d'extension (dans la direction de propagation des ondes acoustiques) de la première cavité de résonance et de la seconde cavité de résonance peuvent différer l'une de l'autre afin de séparer plus clairement les réponses spectrales des résonances de la première cavité de résonance et de la seconde cavité de résonance l'une de l'autre. Selon le principe de l'invention décrit ci-dessus, l'IDT lui-même peut fonctionner comme un miroir de Bragg pour les première et seconde cavités de telle sorte que les modes de chaque cavité n'interagissent pas ensemble et ne peuvent donc pas avoir un impact l'un sur l'autre. [0028] En général, le dispositif capteur de pression à ondes acoustiques selon l'un des exemples décrits ci-dessus peut être un dispositif capteur de pression à ondes acoustiques de surface passif et/ou peut comporter en outre une antenne de transmission et une antenne de réception (qui peuvent ou non être la même antenne) pour une communication avec un dispositif d'interrogation. [0029] De plus, un dispositif capteur de pression et de température à ondes acoustiques combiné, comprenant le dispositif capteur de pression à ondes acoustiques selon l'un des modes de réalisation décrits ci-dessus et un dispositif capteur à ondes acoustiques supplémentaire est fourni. Le dispositif capteur de pression à ondes acoustiques selon l'un des modes de réalisation décrits ci-dessus et le dispositif capteur à ondes acoustiques supplémentaire sont configurés pour, en particulier de manière différentielle, mesurer une température ambiante, et une surface d'une cavité de résonance du dispositif capteur à ondes acoustiques supplémentaire est physiquement et/ou chimiquement modifiée par rapport à une surface d'une cavité de résonance du dispositif capteur de pression à ondes acoustiques selon l'un des modes de réalisation décrits ci-dessus. [0030] En raison de la modification de la surface de la cavité de résonance, les caracté- ristiques de propagation des ondes acoustiques générées diffèrent par rapport à celles dans la cavité de résonance non modifiée. Ainsi, un dispositif capteur différentiel très fiable et sensible peut être fourni, pour détecter une température ambiante. La mesure de température peut être utilisée pour affiner la mesure de pression. [0031] La modification peut comporter la formation d'une couche de matériau, par exemple la formation d'une couche de métallisation ou d'une couche de passivation/diélectrique et/la formation d'un évidement. La cavité de résonance du dispositif capteur de pression à ondes acoustiques selon l'un des modes de réalisation décrits ci-dessus peut également comprendre une certaine modification physique et/ou chimique qui est 7 différente de celle de la surface de la cavité de résonance du dispositif capteur à ondes acoustiques supplémentaire. [0032] En outre, il est prévu un système pour surveiller/mesurer une pression ambiante qui comprend un dispositif d'interrogation et un dispositif capteur de pression à ondes acoustiques selon l'un des modes de réalisation décrits ci-dessus qui est couplé en communication avec le dispositif d'interrogation. [0033] Le dispositif d'interrogation pour interroger un capteur de pression à ondes acoustiques peut comprendre une antenne de transmission configure° pour transmettre un signal radiofréquence d'interrogation au dispositif capteur de pression à ondes acoustiques, une antenne de réception configurée pour recevoir un signal radiofréquence de réponse en provenance du dispositif capteur de pression à ondes acoustiques et un moyen de traitement pour traiter/analyser le signal radiofréquence de réponse reçu par l'antenne de réception afin de déterminer un paramètre ambiant qui doit être détecté. [0034] Est en outre prévu ici un procédé de fabrication d'un dispositif capteur de pression à ondes acoustiques, en particulier un dispositif capteur de pression à ondes acoustiques de surface, le procédé comprenant les étapes consistant à : [0035] fournir un substrat (c'est-à-dire un substrat multicouche comprenant une couche pié- zoélectrique ou un substrat piézoélectrique monocouche) configure pour plier lorsqu'une pression est appliquée au substrat de sorte qu'une zone d'un premier type de contrainte (effort) et une zone d'un second type de contrainte (effort) sont formées dans le substrat ; [0036] déterminer les emplacements de la zone du premier type de contrainte et de la zone du second type de contrainte ; [0037] former un transducteur interdigité au-dessus du substrat ; [0038] former un premier miroir de Bragg au-dessus du substrat sur un premier côté du transducteur interdigité de telle sorte qu'une première cavité de résonance est formée entre le transducteur interdigité, en particulier fonctionnant dans des conditions de Bragg, et le premier miroir de Bragg au-dessus de l'emplacement déterminé de la zone du premier type de contrainte du substrat ; et [0039] former un second miroir de Bragg au-dessus du substrat sur un autre côté du transducteur interdigité, en particulier fonctionnant dans des conditions de Bragg, de telle sorte qu'une seconde cavité de résonance est formée entre le transducteur interdigité et le second miroir de Bragg au-dessus de l'emplacement déterminé de la zone du second type de contrainte du substrat. [0040] A nouveau, le second type de contrainte est différent du premier type de contrainte. Le premier type de contrainte peut être une contrainte de compression et le second type de contrainte peut être une contrainte de traction. En variante, un certain type du 8 premier type de contrainte et du second type de contrainte peut être une contrainte de compression ou une contrainte de traction, et l'autre type du premier type de contrainte et du second type de contrainte peut être sensiblement une contrainte nulle. [0041] L'étape consistant à déterminer les emplacements de la zone du premier type de contrainte et de la zone du second type de contrainte du substrat peut être réalisée en mesurant les caractéristiques de flexion d'un substrat échantillon du ou des matériaux utilisés pour la formation du substrat prévu par des expériences standard comprenant l'application de pressions de test au substrat échantillon. Elle peut également être effectuée sur la hase d'une analyse théorique ou numérique (par exemple, sur la base d'une analyse par éléments finis). Les emplacements des premier et second types de contrainte peuvent être calculés à condition que les propriétés physiques des matériaux (comme des monocristaux tels que le quartz, le silicium, le tantalate de lithium ou le niobate de lithium) du dispositif soient parfaitement connues. [0042] Le procédé peut en outre comprendre la fourniture d'un substrat massif, par exemple un substrat massif de saphir ou de silicium, la formation d'une couche diélectrique, consistant notamment en ou comprenant du SiO2, sur le substrat massif, et la formation d'une couche piézoélectrique, en particulier consistant en ou comprenant du LiNb03 ou du LiTaO3, sur la couche diélectrique. Dans le mode de réalisation, le transducteur interdigité et les premier et second miroirs de Bragg sont formés sur la couche piézoélectrique et les première et seconde cavités de résonance comprennent des parties de la couche piézoélectrique, et la couche piézoélectrique est configurée pour plier lorsque la pression est appliquée au substrat de telle sorte qu'une zone du premier type de contrainte est formée dans la couche piézoélectrique (par exemple, au-dessus d'une zone du premier type de contrainte du substrat massif), et une zone du second type de contrainte est formée dans la couche piézoélectrique (pal- exemple, au-dessus d'une zone du second type de contrainte du substrat massif). [0043] Le transducteur interdigité peut être formé au-dessus d'une zone d'inversion de contrainte du substrat, la zone d'inversion de contrainte étant une zone dans laquelle, lorsque la pression est appliquée, la contrainte change du premier type de contrainte au second type de contrainte. En particulier, le transducteur interdigité peut être formé au-dessus d'une zone d'inversion de contrainte de la couche piézoélectrique, la zone d'inversion de contrainte étant une zone dans laquelle, lorsque la pression est appliquée, la contrainte change du premier type de contrainte au second type de contrainte. [0044] Le procédé peut être utilisé pour fournir un dispositif capteur comprenant des cavités de résonateur en cascade. Dans ce cas, la formation du premier miroir de Bragg comprend la formation de premières sous-structures de réflexion et/ou la formation du second miroir de Bragg comprend la formation de secondes sous-structures de 9 réflexion de sorte que la première cavité de résonance comprend des premières sous-cavités de résonance séparées les unes des autres par les premières sous-structures de réflexion du premier miroir de Bragg et/ou la seconde cavité de résonance comprend des secondes sous-cavités de résonance séparées les unes des autres par des secondes sous-structures de réflexion du second miroir de Bragg. Dans la totalité de ces modes de réalisation du procédé de formation d'un capteur de pression de pression à ondes acoustiques, les miroirs de Bragg peuvent être agencés de telle sorte que les longueurs d'extension de la première cavité de résonance et de la seconde cavité de résonance diffèrent l'une de l'autre. [0045] Il convient de noter que dans le cas de l'utilisation dc cavités de résonateur en cascade, il est possible d'utiliser un transducteur qui ne fonctionne pas dans la condition de Bragg. En réalité, dans ce cas, le transducteur n'a pas absolument besoin de présenter des propriétés dc réflexion, puisque des sous-structures dc réflexion supplémentaires remplissent cette fonction. Par exemple, le transducteur peut présenter trois ou quatre doigts par longueur d'onde ou même 5 doigts pour deux longueurs d'onde et en général toutes les structures appropriées permettant d'exciter des ondes à un synchronisme donné sans réflexion d'onde sur les électrodes d'IDT, et être entouré de deux sous-structures de réflexion avec un facteur de réflexion équivalent inférieur à 90% ou même à 80% ou même inférieur, avec une cavité formée du côté gauche et une cavité formée du côté droit du dispositif par lesdites sous-structures et, de plus, un plus grand miroir de Bragg ayant un coefficient de réflexion équivalent supérieur à 80% ou même 90%, en permettant ainsi l'établissement de résonances dans les cavités. Cette approche permet par exemple d'éliminer tout effet de directivité susceptible de générer des contributions indésirables. [0046] Des caractéristiques et avantages supplémentaires de la présente invention vont être décrits en référence aux dessins. Dans la description, il est fait référence aux figures annexées destinées à illustrer des modes de réalisation préférés de l'invention. Il est entendu que de tels modes de réalisation ne représentent pas toute la portée de l'invention. [0047] [fig.1] représente une illustration d'un dispositif capteur de pression à ondes acoustiques de surface selon un mode de réalisation de la présente invention. [0048] [fig.2a] représente une illustration de la répartition de contrainte dans un substrat massif d'un dispositif capteur de pression à ondes acoustiques de surface selon un mode de réalisation de la présente invention lorsqu'une pression ambiante est appliquée. [0049] [fig.2b] représente une autre illustration de la répartition de contrainte dans un substrat massif d'un dispositif capteur de pression à ondes acoustiques de surface selon le mode de réalisation. [0050] [fig.2c] représente une autre illustration de la répartition de contrainte dans un substrat massif d'un dispositif capteur de pression à ondes acoustiques de surface scion le mode de réalisation. [0051] [fig.3] rcprésentc un schéma de principe représentant un agencement d'un transducteur et de structures de miroir de Bragg d'un dispositif capteur de pression à ondes acoustiques de surface selon un mode de réalisation de la présente invention. [0052] [fig.4] rcprésentc un schéma de principe illustrant un dispositif capteur de pression et de température à ondes acoustiques combiné selon un mode de réalisation de la présente invention. [0053] [fig.5] rcprésentc une illustration d'une configuration de cavités de résonance en cascade d'un dispositif capteur de pression à ondes acoustiques de surface selon un mode de réalisation de la présente invention. [0054] [fig.6a] représente une illustration d'une configuration de cavités de résonance en cascade d'un dispositif capteur de pression à ondes acoustiques de surface dans laquelle le transducteur ne fonctionne pas à la condition de Bragg selon un mode de réalisation de la présente invention. [0055] [fig.611 représente une réponse spectrale obtenue par expérimentation qui a été obtenue pour le dispositif capteur de pression à ondes acoustiques de surface illustré sur la figure 6a. [0056] [fig.7a] représente une illustration d'une autre configuration de cavités de résonance en cascade d'un dispositif capteur de pression à ondes acoustiques de surface dans laquelle le transducteur ne fonctionne pas à la condition de Bragg selon un mode de réalisation de la présente invention. [0057] [fig.7b] représente une réponse spectrale obtenue par expérimentation qui a été obtenue pour le dispositif capteur de pression à ondes acoustiques de surface illustré sur la figure 7a. [0058] La présente invention fournit des dispositifs capteurs de pression à ondes acoustiques (de surface), en particulier des dispositifs capteurs SAW passifs, qui sont caractérisés par un rapport signal/bruit, une sensibilité et une fiabilité élevés du fait de mesures différentielles. Les dispositifs capteurs de pression à ondes acoustiques peuvent être interrogés par de quelconques dispositifs d'interrogation qui sont configurés pour déterminer un spectre de réponse en provenance d'un capteur à ondes acoustiques interrogé. Il va sans dire que l'invention peut être mise en oeuvre dans tout dispositif utilisant des dispositifs capteurs de pression à ondes acoustiques ou des résonateurs diélectriques, des circuits RLC, etc. [0059] Le dispositif d'interrogation interrogeant l'un des dispositifs capteurs à ondes acoustiques de l'invention peut comprendre une antenne de transmission pour transmettre un signal radiofréquence d'interrogation vers le dispositif capteur et une 11 antenne de réception pour recevoir un signal radiofréquence de réponse en provenance du dispositif capteur. Le signal radiofréquence d'interrogation transmis par l'antenne de transmission peut être généré par un générateur de signal pouvant comprendre un synthétiseur ou oscillateur radiofréquence ainsi qu'éventuellement un certain module de mise en forme de signal fournissant une transposition en fréquence et/ou une amplification appropriée du signal à transmettre par l'antenne de transmission. Le signal radiofréquence d'interrogation généré par le générateur de signal peut être un signal pulsé ou en rafale avec une fréquence sélectionnée selon la fréquence de résonance du dispositif capteur de pression à ondes acoustiques. [0060] En outre, le dispositif d'interrogation peut comprendre un moyen de traitement connecté à l'antenne de réception. Le moyen de traitement peut comprendre un moyen de filtrage et/ou d'amplification et être configure pour analyser le signal radiofréquence de réponse reçu par l'antenne de réception. Par exemple, le dispositif capteur fonctionne à une fréquence de résonance proche de 434MHz ou de 2,45GHz. [0061] Le dispositif d'interrogation peut transmettre une longue impulsion radiofréquence et, après l'arrêt de la transmission, les cavités de résonance du dispositif capteur se déchargent à leurs propres fréquences de résonance avec des constantes de temps t égales à Qf&F, où F est la fréquence centrale et Qf est le facteur de qualité, Qf correspondant au rapport entre la fréquence centrale et la largeur à la moitié du maximum de la bande passante utilisée dans le processus d'interrogation. L'analyse spectrale effectuée par le moyen de traitement du dispositif d'interrogation permet de calculer la fréquence de résonateur et, ainsi, la détection d'une pression ambiante. Le signal radiofréquence de réponse reçu peut être mélangé par le moyen de traitement avec un signal radiofréquence d'interrogation selon le protocole dit I-Q tel qu'il est connu dans la technique pour extraire les parties réelle et imaginaire (composantes en phase I = Y cos q> et composantes en quadrature Q = Y sin p avec l'amplitude de signal Y et la phase p) à partir desquelles le module et la phase peuvent ensuite être déduits. [0062] La figure 1 illustre un mode de réalisation en exemple d'un dispositif capteur de pression 10 à ondes acoustiques de surface (SAW) de l'invention qui est configuré pour mesurer une pression ambiante, par exemple la pression d'un pneumatique d'un véhicule. Le dispositif capteur de pression SAW 10 représenté sur la figure 2 comprend un transducteur interdigité T (un peigne) connecté à une antenne (non représentée sur la figure 2) pour recevoir une onde électromagnétique et convertir l'onde électromagnétique en une onde acoustique de surface. Le transducteur en peigne T comprend des électrodes interdigitées. Deux cavités de résonance SAW RI et R2 sont prévues entre le transducteur en peigne T et des miroirs de Bragg MI et M2, respectivement. Il est à noter qu'ici et dans ce qui suit qu'un dispositif capteur de pression SAW comprenant un transducteur unique et deux cavités de résonance est décrit. Un 12 transducteur unique et deux cavités de résonance suffisent pour réaliser l'invention, niais plus d'un transducteur et plus de deux cavités de résonance peuvent également être prévus. [0063] Par exemple, un autre résonateur différentiel peut être positionné près du dispositif de capteur de pression dans une région non soumise à des différences de pression. Une telle configuration permet par exemple de mesurer la température ambiante. Selon un mode de réalisation, un capteur de température/pression peut être fabriqué, par exemple, en utilisant un capteur pour lequel les deux cavités de résonance sont soumises au même effet mécanique mais équipées de conditions de surface différentes (voir description ci-dessous), en permettant ainsi une mesure de température efficace qui peut être utilisée pour affiner la mesure de pression conformément à la loi des gaz parfaits PV = NRT, par exemple. [0064] Dans le mode de réalisation illustré sur la figure 1, le dispositif capteur de pression SAW 10 comprend un substrat multicouche comprenant un substrat massif 11, par exemple un substrat de Si, formé sous la forme d'une membrane qui plie sous l'application d'une pression ambiante (indiquée par les flèches sur la figure 1). Une couche diélectrique 12, par exemple une couche de SiO2, est formée sur le substrat massif 11. Une couche piézoélectrique 13, par exemple une couche de LiNhO3 ou LiTaO3, est formée sur la couche diélectrique 12. Le substrat massif 11 peut être supporté par des montants 14. Selon un mode de réalisation, le substrat massif 11 et les montants 14 sont formés d'un seul tenant, par exemple en fournissant un substrat massif initial et en formant un évidement dans le substrat massif initial afin de former le substrat massif (membrane) 11. Le dispositif capteur de pression SAW 10 peut, en outre, comprendre un substrat de support, un couvercle et/ou des joints d'étanchéité, comme connu dans la technique. [0065] Le transducteur T de ce dispositif POI 10 convertit un signal radiofréquence d'interrogation reçu par l'antenne en une onde acoustique de surface qui est réfléchie par les miroirs de Bragg MI et M2 et les cavités de résonance Ri et R2 et reconvertie en un signal radiofréquence qui est bien sûr transmis pat- l'antenne (ou une autre antenne) en tant que signal radiofréquence de réponse. Le dispositif capteur de pression SAW 10 peut fonctionner dans des conditions de Bragg avec des longueurs d'onde des ondes acoustiques de surface excitées de quelques multiples des pas des électrodes en peigne du transducteur en peigne T. Lorsque le fonctionnement est effectué dans les conditions de Bragg, le transducteur en peigne T lui-même fonctionne essentiellement comme un miroir (avec une réflectivité d'au moins 80 %), en séparant ainsi de manière définitive les cavités de résonance R1 et R2 l'une de l'autre. [0066] Lorsqu'une certaine pression est appliquée de manière homogène au substrat massif 11 (voir les flèches sur la figure 1), le substrat massif 11 va plier et présenter ainsi une 13 zone de contrainte de compression (plus au niveau du bord du substrat massif 11) et une zone contrainte de traction (plus au niveau du centre du substrat massif 11). Ainsi, la cavité de résonance R1 va subir une contrainte de compression, et la cavité de résonance R2 va subir une contrainte de traction. Une répartition de contrainte (effort) en exemple induite dans le substrat 11 par une pression de 10 bars pour un substrat de Si d'un rayon de 2,5 mm et d'une épaisseur de 100 µm est représentée sur les figures 2a, 2h et 2c. Une contrainte correspondante va être induite dans la couche piézoélectrique 13. La figure 2a montre la répartition spatiale de contrainte Tl 1, la figure 2h montre la répartition spatiale de contrainte T33 et la figure 2c montre la répartition spatiale de contrainte T13. [0067] Les fréquences de résonance de la cavité de résonance R1 et de la cavité de résonance R2 sont modifiées respectivement par les contraintes de compression et de traction, en permettant ainsi de réaliser des mesures de pression différentielles véritables. Il est à noter que la mesure de pression différentielle selon l'invention ne se limite pas à l'apparition d'une zone de contrainte de compression et d'une zone de contrainte de traction, mais plutôt de deux zones de types de contrainte différents doivent être présentes (voir également la description ci-dessus). [0068] Les caractéristiques de flexion du substrat massif 11 ou de la configuration KM complète peuvent être déterminées à l'avance. Selon un mode de réalisation (voir figure 3), le transducteur T peut être agencé dans une zone d'inversion de contrainte induite dans le substrat massif (par exemple circulaire) 11 afin de réaliser des mesures différentielles réelles très fiables d'une pression ambiante. Ici, de même que dans l'exemple représenté sur la figure 1, les longueurs d'extension gl et g2 des cavités de résonance RI et R2, respectivement, telles que définies par les distances des miroirs MI et M2 par rapport au transducteur T diffèrent l'une de l'autre afin de séparer plus clairement les réponses spectrales des résonances de chaque côté du transducteur en peigne l'une de l'autre. [0069] En outre, il est à noter que dans des modes de réalisation décrits ci-dessus, un dispositif capteur supplémentaire, par exemple un dispositif capteur SAW supplémentaire, peut être prévu à l'extérieur du substrat (une partie) massif fléchissant 11, par exemple au-dessus des montants 14 représentés sur la figure 1, afin de mesurer une température ambiante. Ce dispositif capteur supplémentaire ne détecte aucune fluctuation de la pression ambiante et, ainsi, peut être utilisé pour obtenir des mesures de référence de fluctuations de température ambiante. Ces mesures de référence peuvent être utilisées pour compenser les résultats de mesure obtenus par le dispositif capteur de pression SAW 10 pour des effets de température. [0070] Comme déjà mentionné ci-dessus, un dispositif capteur à ondes acoustiques unique peut être complété par un ou plusieurs dispositifs capteurs à ondes acoustique supplé- 14 mentaires. Par exemple, un dispositif capteur de pression et de température à onde acoustique combiné peut ainsi être réalisé tel qu'illustré à titre d'exemple sur la figure 4. Le dispositif capteur de pression et de température à ondes acoustiques combiné représenté sur la figure 4 comprend un premier transducteur Tl d'un premier dispositif capteur et un second transducteur T2 d'un second dispositif capteur. [0071] Le premier dispositif capteur est configure pour détecter une température ambiante. Le second dispositif capteur est configuré pour détecter une pression conformément au mode de réalisation décrit ci-dessus. De plus, le second dispositif capteur est également configure pour détecter la température ambiante. En ce qui concerne la détection de la température ambiante, les premier et second dispositifs capteurs constituent un dispositif capteur de température à ondes acoustiques différentiel. [0072] Dans l'exemple représenté, le premier transducteur Tl et le second transducteur T2 partagent une structure de miroir de Bragg Ml. Le premier dispositif capteur comprend une deuxième structure de miroir de Bragg M2 qui est séparée du premier transducteur Tl par une cavité de résonance de la longueur gl. Le second dispositif capteur comprend une troisième structure de miroir de Bragg M3 qui est séparée du premier transducteur T2 par une cavité de résonance de la longueur g2 > gl . [0073] Selon le mode de réalisation illustré sur la figure 4, la surface supérieure de la cavité de résonance (de longueur gl) du premier dispositif capteur comprend une modification physique et/ou chimique par rapport à la surface supérieure de la cavité de résonance (de longueur g2) du second dispositif capteur. [0074] En raison de la modification de la surface supérieure de la cavité de résonance du premier dispositif capteur, les caractéristiques de propagation d'ondes acoustiques générées par le transducteur interdigité Ti diffèrent de celles dans la cavité de résonance du second dispositif capteur. Ainsi, un appareil capteur différentiel très fiable et sensible peut être fourni, pour capter une température ambiante. L'utilisation de trois fréquences de résonance pour déterminer les deux paramètres physiques considérés, à savoir la pression et la température, permet réellement une approche de mesure fiable, même dans le cas d'une séparation géométrique imparfaite des signatures fréquence/pression et fréquence/température. [0075] Sans modification, les première et seconde surfaces supérieures sont des surfaces libres (exposées), en particulier des surfaces libres d'une couche piézoélectrique du dispositif capteur de pression et de température à ondes acoustiques combiné (voir description ci-dessous). La modification physique et/ou chimique peut être réalisée en formant une couche de matériau (par exemple, une couche de métallisation ou une couche de passivation/diélectrique) sur la surface de la cavité de résonance du premier dispositif capteur uniquement, ou une couche de matériau sur la surface de la cavité de résonance du premier dispositif capteur et une autre couche de matériau (qui est constituée d'un matériau différent par comparaison à la couche de matériau formée sur la seconde surface supérieure) sur la surface de la cavité de résonance du second dispositif capteur. [0076] En variante ou de plus, la modification physique et/ou chimique peut comprendre un évidement de la surface de la cavité de résonance du premier dispositif capteur par rapport à la surface de la cavité de résonance du second dispositif capteur. Selon des modes de réalisation supplémentaires, la cavité de résonance du second dispositif capteur comprend une autre modification physique et/ou chimique qui est différente de celle de la cavité de résonance du premier dispositif capteur. Toutes les combinaisons des modifications indiquées sont envisagées tant que les modifications des surfaces des cavités diffèrent les unes des autres afin dc garantir des caractéristiques de résonance différentes des cavités de résonance. [0077] Dans tous les modes de réalisation décrits ci-dessus, des cavités de résonance simples sont utilisées. Cependant, tous ces modes de réalisation peuvent utiliser des cavités de résonance en cascade comprenant des structures à électrodes miroirs multiples. Un exemple de mode de réalisation utilisant des cavités dc résonance en cascade est représenté sur la figure 5. Dans cc mode de réalisation, des structures à trois électrodes miroirs séparées par des espaces g I et g2, ayant pour résultats des sous-cavités dc résonance, sont prévues de chaque côté du transducteur qui reçoit une onde électromagnétique El et convertit l'onde électromagnétique en une onde acoustique de surface Si. Différentes largeurs des sous-cavités de résonance gl et g2 peuvent avoir pour résultat une limitation du nombre de résonances appariées à 50 Q à seulement deux, ce qui diffère de plus de deux résonances qui surviennent dans les modes de réalisation décrits précédemment. La distance entre les deux résonances ainsi que le coefficient de couplage des résonances peuvent être commandés par le nombre de structures à électrodes miroirs et des sous-cavités de résonance. Comme il est décrit en référence à la figure 4, les surfaces d'une ou de plusieurs des sous-cavités de résonance peuvent comprendre une modification physique et/ou chimique afin d'ajuster la vitesse de propagation des ondes acoustiques excitées dans ces une ou plusieurs sous-cavités de résonance. [0078] Dans tous les modes de réalisation décrits ci-dessus, les transducteurs fonctionnent à la condition de Bragg. Cependant, l'invention n'est pas limitée à ce type de fonctionnement. Comme cela a été déjà mentionné dans la description générale ci-dessus, dans le cas de l'utilisation de cavités de résonance en cascade, il est possible d'utiliser un transducteur qui ne fonctionne pas à la condition de Bragg. Par exemple, le transducteur peut présenter trois ou quatre doigts par longueur d'onde ou même 5 doigts pour deux longueurs d'onde, et en général toutes les structures appropriées permettant d'exciter des ondes à un synchronisme donné sans réflexion d'onde sur les 16 électrodes d'IDT. [0079] Deux exemples de configurations possibles à cet égard sont représentés sur les figures 6a et 7a. Les figures 6h et 7h montrent des réponses spectrales correspondantes obtenues expérimentalement. Selon une première configuration (voir figure 6a), des miroirs plus petits sont agencés à proximité du transducteur et des miroirs plus grands séparés par des distances gl et g2, respectivement, des miroirs plus petits sont également prévus pour garantir des résonances dans les cavités de résonance, comme il est possible de le voir à partir de la réponse spectrale représentée sur la figure 6h. La figure 7a illustre une configuration dans laquelle, du côté gauche, aucune condition de Bragg n'est remplie pour le fonctionnement du transducteur. Là encore, la réponse spectrale (voir la figure 7h) montre que des résonances sont obtenues au moyen du plus grand miroir séparé du plus petit par la distance gl . Il convient de noter que dans les exemples représentés sur les figures 6h et 7h, certaines résonances supplémentaires sont établies dans la région d'IDT elle-même, c'est-à-dire que l'IDT fonctionne comme une cavité supplémentaire qui pourrait potentiellement être utilisée pour compléter les mesures. [0080] Dans tous les modes de réalisation décrits ci-dessus, le dispositif capteur à ondes acoustiques peut être encapsulé, par exemple par une encapsulation en céramique, et scellé hermétiquement à une certaine pression prédéterminée et avec une certaine atmosphère sélectionnée. Si des mesures de pression absolue sont souhaitées, l'atmosphère est un vide, et si des mesures relatives d'une pression ambiante sont souhaitées, une atmosphère de gaz inerte, par exemple une atmosphère d'azote, sous une pression prédéterminée peut être prévue. [0081] Tous les modes de réalisation décrits précédemment ne sont pas destinés à être li- mitatifs, mais servent d'exemples illustrant des caractéristiques et des avantages de l'invention. Il faut comprendre que tout ou partie des caractéristiques décrites ci-dessus peuvent également être combinées de différentes manières. 17 [Revendication I] [Revendication 2] [Revendication 3] [Revendication 4] REVENDICATIONSDispositif capteur de pression à ondes acoustiques configuré pour mesurer une pression, comprenant un substrat configuré pour plier lorsqu'une pression est appliquée au substrat de sorte qu'une zone d'un premier type de contrainte et une zone d'un second type de contrainte soient formées dans le substrat ; un transducteur interdigité formé au-dessus du substrat ; un premier miroir de Bragg formé au-dessus du substrat et agencé sur un premier côté du transducteur interdigité ; un second miroir de Bragg formé au-dessus du substrat et agencé sur un autre côté du transducteur interdigité ; une première cavité de résonance formée entre le transducteur interdigité et le premier miroir de Bragg ; et une seconde cavité de résonance formée entre le transducteur interdigité et le second miroir de Bragg ; et dans lequel la première cavité de résonance est formée au-dessus de la zone du premier type de contrainte et la seconde cavité de résonance est formée au-dessus de la zone du second type de contrainte. Dispositif capteur de pression à ondes acoustiques selon la revendication 1, dans lequel le substrat comprend un substrat massif ; une couche diélectrique formée sur le substrat massif et une couche piézoélectrique formée sur la couche diélectrique ; et dans lequel le transducteur interdigité et les premier et second miroirs de Bragg sont formés sur la couche piézoélectrique et les première et seconde cavités de résonance comprennent des parties de la couche piézoélectrique ; et la couche piézoélectrique est configurée pour plier lorsque la pression est appliquée au substrat, de sorte qu'une zone du premier type de contrainte est. formée dans la couche piézoélectrique et qu'une zone du second type de contrainte est formée dans la couche piézoélectrique. Dispositif capteur de pression à ondes acoustiques selon la revendication 2, dans lequel le substrat massif consiste en ou comprend du Si, la couche diélectrique consiste en ou comprend du Si02, et la couche piézoélectrique consiste en ou comprend du LiNb03 ou du LiTa03. Dispositif capteur de pression à ondes acoustiques selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le substrat est 18 [Revendication 5] [Revendication 6] [Revendication 7] [Revendication 8] [Revendication 9] [Revendication 10] configuré pour présenter, lorsque la pression est appliquée, une zone d'inversion de contrainte, dans laquelle la contrainte change du premier type de contrainte au second type de contrainte et le transducteur interdigité est agencé au-dessus de la zone d'inversion de contrainte. Dispositif capteur de pression à ondes acoustiques selon la revendication 4 en combinaison avec la revendication 2, dans lequel la couche piézoélectrique est configure° pour présenter, lorsque la pression est appliquée, une zone d'inversion de contrainte, dans laquelle la contrainte change du premier type de contrainte au second type de contrainte et le transducteur interdigité est agencé sur la zone d'inversion de contrainte de la couche piézoélectrique. Dispositif capteur de pression à ondes acoustiques selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la première cavité de résonance comprend des premières sous-cavités de résonance séparées les unes des autres par des premières sous-structures de réflexion du premier miroir de Bragg et/ou la seconde cavité de résonance comprend des secondes sous-cavités de résonance séparées les unes des autres par des secondes sous-structures de réflexion du second miroir de Bragg. Dispositif capteur de pression à ondes acoustiques selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les longueurs d'extension de la première cavité de résonance et de la seconde cavité de résonance diffèrent l'une de l'autre. Dispositif capteur à ondes acoustiques selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le dispositif capteur de pression à ondes acoustiques est un dispositif capteur de pression à ondes acoustiques de surface passif et comprend une antenne de transmission et une antenne de réception. Dispositif capteur de pression à ondes acoustiques selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le premier type de contrainte est une contrainte de compression et/ou le second type de contrainte est une contrainte de traction. Dispositif capteur de pression et de température à ondes acoustiques combiné, comprenant le dispositif capteur de pression à ondes acoustiques selon l'une quelconque des revendications précédentes et un dispositif capteur à ondes acoustiques supplémentaire, dans lequel le dispositif capteur de pression à ondes acoustiques selon l'une quelconque des revendications précédentes et le dispositif capteur à 19 [Revendication 11] [Revendication 12] [Revendication 13] ondes acoustiques supplémentaire sont configurés pour, en particulier, de manière différentielle, mesurer une température ambiante, et dans lequel une surface d'une cavité de résonance du dispositif capteur à ondes acoustiques supplémentaire est physiquement et/ou chimiquement modifiée par rapport à une surface d'une cavité de résonance du dispositif capteur de pression à ondes acoustiques selon l'une quelconque des revendications précédentes. Système pour surveiller/mesurer une pression ambiante, comprenant un dispositif d'interrogation et un dispositif capteur de pression à ondes acoustiques selon l'une quelconque des revendications précédentes qui est couplé en communication avec le dispositif d'interrogation. Procédé de fabrication d'un dispositif capteur de pression à ondes acoustiques, comprenant les étapes consistant à fournir un substrat configure pour plier lorsqu'une pression est appliquée au substrat de sorte qu'une zone d'un premier type de contrainte et une zone d'un second type de contrainte soient formées dans le substrat ; déterminer les emplacements de la zone du premier type de contrainte et de la zone du seconde type de contrainte du substrat ; former un transducteur interdigité au-dessus du substrat ; former un premier miroir de Bragg au-dessus du substrat sur un premier côté du transducteur interdigité de telle sorte qu'une première cavité de résonance est formée entre le transducteur interdigité et le premier miroir de Bragg au-dessus de l'emplacement déterminé de la zone du premier type de contrainte du substrat ; et former un second miroir de Bragg au-dessus du substrat sur un autre côté du transducteur interdigité de telle sorte qu'une seconde cavité de résonance est formée entre le transducteur interdigité et le second miroir de Bragg au-dessus de l'emplacement déterminé de la zone du second type de contrainte du substrat. Procédé selon la revendication 12, dans lequel la fourniture du substrat comprend les étapes consistant à fournir un substrat massif ; former une couche diélectrique, en particulier consistant en ou comprenant du Si02, sur le substrat massif ; et former une couche piézoélectrique, en particulier consistant en ou comprenant du LiNb03 ou du LiTaO3, sur la couche diélectrique ; et dans lequel 20 [Revendication 14] [Revendication 15] [Revendication 16] [Revendication 17] le transducteur interdigité et les premier et second miroirs de Bragg sont formés sur la couche piézoélectrique et les première et seconde cavités de résonance comprennent des parties de la couche piézoélectrique ; et la couche piézoélectrique est configure° pour plier lorsque la pression est appliquée au substrat, de sorte qu'une zone du premier type de contrainte est formée dans la couche piézoélectrique et qu'une zone du second type de contrainte est formée dans la couche piézoélectrique. Procédé selon l'une quelconque des revendications 12 et 13, dans lequel le transducteur interdigité est formé au-dessus d'une zone d'inversion de contrainte du substrat, la zone d'inversion de contrainte étant une zone dans laquelle, lorsque la pression est appliquée, la contrainte change du premier type de contrainte au second type de contrainte. Procédé selon la revendication 14 en combinaison avec la revendication 12, dans lequel le transducteur interdigité est formé sur une zone d'inversion de contrainte de la couche piézoélectrique, la zone d'inversion de contrainte étant une zone dans laquelle, lorsque la pression est appliquée, la contrainte change du premier type de contrainte au second type de contrainte. Procédé selon l'une quelconque des revendications 12 à 15, dans lequel la formation du premier miroir de Bragg comprend la formation de premières sous-structures de réflexion et/ou la formation du second miroir de Bragg comprend la formation de secondes sous-structures de réflexion de sorte que la première cavité de résonance comprend des premières sous-cavités de résonance séparées les unes des autres par les premières sous-structures de réflexion du premier miroir de Bragg et/ou la seconde cavité de résonance comprend des secondes sous-cavités de résonance séparées les unes des autres par des secondes sous-structures de réflexion du second miroir de Bragg. Procédé selon l'une quelconque des revendications 12 à 16, dans lequel les longueurs d'extension de la première cavité de résonance et de la seconde cavité de résonance diffèrent l'une de l'autre.