Brevet FR3087971A1 — publié le 20200501

DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION L'invention concerne les circuits de polarisation pour les composants de puissance. Elle trouve au moins une application particulièrement avantageuse dans le domaine des diodes Schottky à base de GaN et des transistors de type HEMT (acronyme anglais de « High Electron Mobility Transistor ») à base de GaN. ÉTAT DE LA TECHNIQUE Les diodes et les transistors sont généralement conçus pour fonctionner de façon alternative entre un état passant et un état bloqué. L'état passant permet au courant électrique de circuler entre une première et une deuxième électrode de ces composants, tandis que l'état bloqué stoppe la circulation de ce courant. Ces composants peuvent être configurés pour fonctionner avec des courants d'intensité élevée et/ou des tensions de polarisation élevées. De tels composants de puissance sont généralement à base de GaN. Pour de tels composants de puissance à base de GaN, la polarisation à l'état bloqué peut induire un piégeage P de charges négatives dans des couches d'AIGaN et de GaN, tel qu'illustré aux figures 1A et 1B. Ce piégeage P limite alors le courant à l'état passant et dégrade les caractéristiques et les performances de ces composants à l'état passant. Pour une diode Schottky 11, tel que celle illustré en figure 1A, cela se traduit notamment par une augmentation de la tension de polarisation à l'état passant. Pour un transistor HEMT 12, tel que celui illustré en figure 1B, cela se traduit notamment par une augmentation de la résistance à l'état passant. Pour ces composants, il est alors nécessaire de limiter la différence de potentiel entre la première électrode et/ou la deuxième électrode et une partie sous-jacente du substrat, du côté de la face arrière de ce substrat. Un circuit de polarisation externe peut permettre de limiter cette différence de potentiel, et de réduire ainsi le piégeage. Un inconvénient de cette solution est qu'un tel circuit de polarisation externe induit un encombrement supplémentaire pour le composant final. Un objet de la présente invention est de pallier au moins en partie certains des inconvénients mentionnés ci-dessus. Selon un aspect particulier, un objet de la présente invention est de proposer un système comprenant un composant de puissance et un circuit de 5 polarisation du composant de puissance présentant un faible encombrement. Un autre objet de la présente invention est de proposer un système comprenant un composant de puissance et un circuit de polarisation permettant d'obtenir un rapport sensiblement constant entre la différence de potentiels entre les première et deuxième électrodes et la différence de potentiels entre la 10 première électrode et la face arrière du substrat du composant de puissance. Les autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à l'examen de la description suivante et des dessins d'accompagnement. Il est entendu que d'autres avantages peuvent être 15 incorporés. RÉSUMÉ DE L'INVENTION Pour atteindre cet objectif, un premier aspect de l'invention concerne un système comprenant un composant de puissance et un circuit de polarisation 20 dudit composant de puissance. Le composant de puissance est formé en face avant d'un substrat semiconducteur présentant une face avant et une face arrière. Le composant de puissance présente un état passant et un état bloqué. Le composant de puissance comprend une première électrode présentant 25 à l'état passant un potentiel électrique V1 et une deuxième électrode présentant à l'état passant un potentiel électrique V2. Avantageusement, le circuit de polarisation comprend un pont diviseur capacitif et un pont diviseur résistif formés au moins en partie sur le substrat semiconducteur et configurés pour maintenir en face arrière du substrat 30 semiconducteur un potentiel électrique Vback tel que Vback soit sensiblement égal à k.V avec k un facteur de proportionnalité strictement compris entre 0 et 1, et V étant une tension de fonctionnement à l'état passant du composant telle que V = V1 - V2. Le circuit de polarisation est configuré pour limiter une dégradation du 5 fonctionnement à l'état passant du composant de puissance. En particulier, cette dégradation du fonctionnement est limitée lorsque le piégeage de charges est réduit. Selon l'invention et de façon particulièrement avantageuse, l'utilisation 10 d'un pont diviseur capacitif permet de maintenir le potentiel électrique Vback sensiblement constant lors d'un blocage dynamique du composant. Le piégeage de charges en situation de blocage dynamique du composant est dès lors réduit. L'utilisation d'un pont diviseur résistif permet de maintenir le potentiel 15 électrique Vback sensiblement constant lors d'un blocage statique du composant. Le piégeage de charges en situation de blocage statique du composant est dès lors réduit. La formation de ces ponts diviseurs directement sur le substrat 20 semiconducteur permet en outre de réduire l'encombrement d'un tel circuit de polarisation. La première électrode de surface S1 forme avec la face arrière du substrat un premier condensateur de capacité C1 et de résistance de fuite R1. La deuxième électrode de surface S2 forme avec la face arrière du 25 substrat un deuxième condensateur de capacité C2 et de résistance de fuite R2. Avantageusement, le circuit de polarisation selon la présente invention exploite ces premier et deuxième condensateurs pour former au moins en partie le pont diviseur capacitif et/ou le pont diviseur résistif. 30 L'invention peut présenter, de manière facultative, au moins l'une quelconque des caractéristiques optionnelles suivantes qui peuvent être mise en oeuvre de manière séparées ou combinées. Selon une possibilité préférée mais optionnelle, la formation d'une électrode additionnelle en face avant du substrat permet d'obtenir un condensateur plan additionnel. Cette électrode additionnelle est de préférence électriquement connectée à la première électrode et peut ainsi être polarisée au 5 potentiel V1. Le condensateur additionnel présente ainsi une capacité C1' et une résistance de fuite R1'. Le condensateur équivalent au premier condensateur et au condensateur additionnel présente ainsi une capacité Cl eq = Cl + Cl' et une résistance de fuite R1eq = R1.R17(R1+R1'). 10 Le pont diviseur capacitif formé par les capacités Cl eq et C2 permet ainsi de contrôler le potentiel Vback, comme illustré à la figure 2. Pour obtenir Vback = k.(V1 - V2), le pont diviseur capacitif est configuré de sorte que Cl eq = C2.k/(1 - k). Une possibilité avantageuse pour une telle configuration consiste à dimensionner l'électrode additionnelle de façon à ce 15 qu'elle présente une surface S1' telle que S1' = S2.k/(1 - k) - Si. Le circuit de polarisation selon la présente invention peut également exploiter les premier et deuxième condensateurs, et/ou le condensateur additionnel pour former au moins en partie le pont diviseur résistif. 20 En particulier, le pont diviseur résistif formé par les résistances de fuite Rleq et R2 peut permettre de contrôler le potentiel Vback, comme illustré à la figure 2. Pour optimiser R1 eq, une possibilité consiste à diminuer R1' en effectuant une gravure de la face avant du substrat semiconducteur préalablement à la 25 formation de l'électrode additionnelle. L'épaisseur de substrat entre ladite électrode additionnelle et la face arrière du substrat est alors diminuée, ce qui diminue R1'. Selon une possibilité préférée mais optionnelle, le pont diviseur résistif 30 comprend des résisteurs complémentaires formés en face avant du substrat à base de GaN. Ces résisteurs complémentaires comprennent chacun avantageusement une série d'éléments résistifs alternés, ces éléments résistifs étant formés par un élément métallique et une zone isolante adjacente. Il est ainsi possible de calibrer précisément et facilement la valeur des résistances de ces résisteurs complémentaires, en multipliant le nombre d'éléments résistifs en série. 5 Un tel résisteur en face avant d'un substrat à base de GaN constitue un aspect séparable de l'invention, et peut être exploité indépendamment du circuit de polarisation et du système selon le premier aspect de l'invention. En particulier, selon cet aspect séparable de l'invention, un résisteur en face avant d'un substrat à base de GaN comprend une série d'éléments 10 résistifs alternés, chacun de ces éléments résistifs comprenant un élément métallique en face avant du substrat bordé par une zone isolante dans le GaN. Un procédé de formation d'un tel résisteur peut comprendre une étape de formation d'une pluralité d'éléments métalliques en face avant du substrat, et une étape de formation d'une pluralité de zones isolantes dans le GaN, 15 chacune des zones isolantes de ladite pluralité de zones isolantes bordant chacun des éléments métalliques de ladite pluralité d'éléments métalliques. Selon une possibilité préférée, la pluralité de zones isolantes est formée par une implantation d'hélium dans le GaN suivie d'un recuit. 20 BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description détaillée de modes de réalisation de cette dernière qui sont illustrés par les dessins d'accompagnement suivants dans lesquels : 25 La FIGURE 1A montre un schéma en coupe d'une diode Schottky à base de GaN selon l'art antérieur ; - La FIGURE 1B montre un schéma en coupe d'un transistor HEMT à base de GaN selon l'art antérieur ; - La FIGURE 2 montre un circuit de polarisation selon un mode de 30 réalisation de la présente invention ; - La FIGURE 3A montre une vue de dessus d'une diode Schottky à base de GaN équipée d'un circuit de polarisation selon un premier mode de réalisation de la présente invention ; La FIGURE 3B montre des tensions V et Vback d'après des résultats 5 de simulation en situation de blocage statique pour une diode Schottky à base de GaN équipée d'un circuit de polarisation selon le premier mode de réalisation illustré en FIGURE 3A ; - La FIGURE 3C montre des tensions V et Vback d'après des résultats de simulation en situation de blocage dynamique pour une diode 10 Schottky à base de GaN équipée d'un circuit de polarisation selon le premier mode de réalisation illustré en FIGURE 3A ; La FIGURE 4 montre une vue de dessus d'une diode Schottky à base de GaN équipée d'un circuit de polarisation selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention ; 15 La FIGURE 5 montre une vue de dessus d'une diode Schottky à base de GaN équipée d'un circuit de polarisation selon un troisième mode de réalisation de la présente invention ; - La FIGURE 6A montre une vue de dessus d'une diode Schottky à base de GaN équipée d'un circuit de polarisation selon un quatrième mode 20 de réalisation de la présente invention ; - La FIGURE 6B montre des tensions V et Vback d'après des résultats de simulation en situation de blocage statique pour une diode Schottky à base de GaN équipée d'un circuit de polarisation selon le quatrième mode de réalisation illustré en FIGURE 6A ; 25 La FIGURE 6C montre des tensions V et Vback d'après des résultats de simulation en situation de blocage dynamique pour une diode Schottky à base de GaN équipée d'un circuit de polarisation selon le quatrième mode de réalisation illustré en FIGURE 6A ; - La FIGURE 7 illustre en vue de dessus une résistance additionnelle 30 selon un mode de réalisation de la présente invention ; - La FIGURE 8 une vue de dessus d'un transistor HEMT à base de GaN équipé d'un circuit de polarisation selon un mode de réalisation de la présente invention. 5 Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l'invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l'invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier, les épaisseurs et dimensions des différentes couches et 10 portions des dispositifs illustrés ne sont pas représentatives de la réalité. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION Avant d'entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l'invention, il est rappelé que l'invention comprend notamment les 15 caractéristiques optionnelles ci-après pouvant être utilisées en association ou alternativement : - Selon un mode de réalisation, le pont diviseur capacitif comprend un premier condensateur équivalent présentant une première capacité 20 équivalente Cl eq et un deuxième condensateur équivalent présentant une deuxième capacité équivalente C2eq telles que 0,9.C2eq.k/(1 - k) C1eq 5 1, 1.C2eq. k/(1 - k). Cela permet de maintenir une tension de polarisation Vback en blocage dynamique telle que : 0,9.k.V Vback 1 , 1 . k.V 25 Selon un mode de réalisation, le pont diviseur résistif comprend un premier résisteur équivalent présentant une première résistance équivalente R1eq et un deuxième résisteur équivalent présentant une deuxième résistance équivalente R2eq telles que 0,9.R2eq.(1 - k)/k 5 R1eq 5 1,1. R2eq. (1 - k)/k. 30 Cela permet de maintenir une tension de polarisation Vback en blocage statique telle que : 0,9.k.V Vback 1,1.k.V - Selon un mode de réalisation, le premier condensateur équivalent comprend un premier condensateur et un condensateur additionnel, le premier condensateur étant formé par le substrat et la première électrode en face avant du substrat, et présentant une première 5 capacité Cl entre la face arrière du substrat et la première électrode, telle que C1 = E S1/e avec Si une surface de la première électrode, e une épaisseur nominale du substrat, et E une permittivité du substrat, et le condensateur additionnel étant formé par le substrat et une électrode additionnelle en face avant du substrat connectée électriquement à la 10 première électrode, et présentant une capacité additionnelle Cl' entre la face arrière du substrat et l'électrode additionnelle, telle que C1' = E S1'/e avec Si' une surface de l'électrode additionnelle, e l'épaisseur nominale du substrat, et E la permittivité du substrat, de sorte que la première capacité équivalente C1eq = Cl + C1'. La permittivité 15 diélectrique E peut être une valeur moyenne entre une valeur de permittivité d'un substrat silicium (Si) comprenant des couches de nitrure (GaN/AIN/AIGaN) en surface et une valeur de permittivité d'un substrat Si sans lesdites couches. L'épaisseur nominale e peut être sensiblement égale à une épaisseur des couches de nitrure en surface 20 d'un substrat Si et une épaisseur de silicium déplété dudit substrat Si, notamment au niveau d'un point de polarisation statique du substrat. - Selon un mode de réalisation, le deuxième condensateur équivalent comprend un deuxième condensateur formé par le substrat et la deuxième électrode en face avant du substrat, et présentant une 25 deuxième capacité C2 entre la face arrière du substrat et la deuxième électrode, telle que C2 = E S2/e avec S2 une surface de la deuxième électrode, e une épaisseur nominale du substrat, et E une permittivité du substrat, de sorte que la deuxième capacité équivalente C2eq = C2. Les deux modes de réalisation précédents permettent de former le pont 30 diviseur capacitif directement au niveau du composant, en partie sur le même substrat que le composant. Cette solution est simple à mettre en oeuvre. - Selon un mode de réalisation, le premier résisteur équivalent comprend un premier résisteur et un résisteur additionnel, le premier résisteur étant formé par le substrat et la première électrode en face avant du substrat, et présentant une première résistance de fuite R1 entre la face 5 arrière du substrat et la première électrode, telle que R1 = e/s.S1 avec S1 une surface de la première électrode, e une épaisseur nominale du substrat, et s une conductivité du substrat, et le résisteur additionnel étant formé par le substrat et une électrode additionnelle en face avant du substrat connectée électriquement à la première électrode, et 10 présentant une résistance de fuite additionnelle R1' entre la face arrière du substrat et l'électrode additionnelle, telle que Ri' = e/s.S1' avec Si' une surface de l'électrode additionnelle, e l'épaisseur nominale du substrat, et s la conductivité du substrat, de sorte que la première résistance équivalente Ri eq soit telle que 1/R1eq = 1/R1 + 1/R1'. La 15 conductivité s du substrat peut notamment être prise au niveau d'un point de polarisation entre les première et deuxième résistances de fuite R1, Ri'. - Selon un mode de réalisation, le deuxième résisteur équivalent comprend un deuxième résisteur formé par le substrat et la deuxième 20 électrode en face avant du substrat, et présentant une deuxième résistance de fuite R2 entre la face arrière du substrat et la deuxième électrode, telle que R2 = e/s.S2 avec S2 une surface de la deuxième électrode, e une épaisseur nominale du substrat, et s une conductivité du substrat, de sorte que la deuxième résistance équivalente R2eq = 25 R2. Les deux modes de réalisation précédents permettent de former le pont diviseur résistif directement au niveau du composant, en partie sur le même substrat que le composant. Cette solution est simple à mettre en oeuvre. 30 - Selon un mode de réalisation, les première et deuxième électrodes présentent chacune des doigts et sont au moins partiellement 10 interdigitées au niveau d'une zone d'interdigitation et l'électrode additionnelle est située en bordure de la zone d'interdigitation. Cela permet de concevoir une électrode additionnelle en fonction du besoin, pour une même conception de composant. 5 Selon un mode de réalisation, le substrat situé entre l'électrode additionnelle en face avant et la face arrière présente une épaisseur e' strictement inférieure à l'épaisseur nominale e du substrat, de sorte que la résistance additionnelle de fuite R1' = dis.S1' soit diminuée. Cela permet d'optimiser la résistance additionnelle de fuite Rt. Cela 10 permet par exemple d'obtenir un couple R1' et C1' optimisé, compatible avec respectivement un pont diviseur résistif et un pont diviseur capacitif présentant un même facteur de proportionnalité k. - Selon un mode de réalisation, les première et deuxième électrodes présentent chacune des doigts et sont au moins partiellement 15 interdigitées au niveau d'une zone d'interdigitation, et l'électrode additionnelle présente des doigts additionnels prolongeant les doigts de la première électrode selon une direction en largeur desdits doigts, de sorte à former des doigts élargis présentant une largeur strictement supérieure, de préférence au moins cinq fois supérieure, à une largeur 20 des doigts de la deuxième électrode. Cela permet d'obtenir un circuit de polarisation compact, directement au sein du composant. Selon un mode de réalisation, le premier résisteur équivalent comprend un premier résisteur complémentaire formé en face avant du substrat et 25 présentant respectivement une première résistance complémentaire R de sorte que la première résistance équivalente R1eq soit telle que 1/R1eq = 1/R1 + 1/R1' + 1/R. - Selon un mode de réalisation, le deuxième résisteur équivalent comprend un deuxième résisteur complémentaire formé en face avant 30 du substrat et présentant une deuxième résistance complémentaire R' de sorte que la deuxième résistance équivalente R2eq soit telle que 1/R2eq = 1/R2 + 1/R'. 11 Les deux modes de réalisation précédents permettent de régler plus précisément les première et deuxième résistances équivalentes pour former un pont diviseur résistif présentant le facteur de proportionnalité k. 5 Cela permet en outre d'optimiser l'intégration de ces premier et deuxième résisteurs complémentaires lors de la formation du composant. En particulier, certaines étapes de la formation du composant et de la formation des résisteurs complémentaires peuvent être communes, ce qui diminue in fine le nombre d'étapes nécessaires 10 pour former le circuit de polarisation. - Selon un mode de réalisation, les premier et deuxième résisteurs complémentaires comprennent chacun une série d'éléments résistifs, lesdits éléments résistifs étant formés par un élément métallique et une zone isolante alternées. 15 Cela permet de former simplement les premier et deuxième résisteurs complémentaires, à partir d'étapes technologiques standard de la microélectronique. Cela permet également de régler précisément la valeur des résistances complémentaires R, R'. - Selon un mode de réalisation, le substrat semiconducteur comprend du 20 GaN en face avant et la zone isolante est formée par une implantation d'hélium dans le GaN suivie d'un recuit. Cela permet d'obtenir un comportement ohmique des résisteurs complémentaires. Selon un mode de réalisation, le facteur de proportionnalité est choisi 25 tel que 0,7 REVENDICATIONS1. Système comprenant un composant de puissance présentant un état passant et un état bloqué, et comprenant un circuit de polarisation dudit 5 composant de puissance, ledit composant de puissance étant formé en face avant d'un substrat semiconducteur (10) présentant une face avant (100) et une face arrière (101), et comprenant une première électrode (1) présentant à l'état passant un potentiel électrique V1 et une deuxième électrode (2) présentant à l'état 10 passant un potentiel électrique V2, ledit système étant caractérisé en ce que le circuit de polarisation comprend un pont diviseur capacitif et un pont diviseur résistif formés au moins en partie sur ledit substrat semiconducteur (10) et configurés pour maintenir en face arrière (101) du substrat semiconducteur (10) un potentiel électrique Vback tel que 15 Vback soit sensiblement égal à k.V avec k un facteur de proportionnalité strictement compris entre 0 et 1, et V étant une tension de fonctionnement à l'état passant du composant telle que V = V1 - V2. 2. Système selon la revendication précédente dans lequel le pont 20 diviseur capacitif comprend un premier condensateur équivalent présentant une première capacité équivalente C1eq et un deuxième condensateur équivalent présentant une deuxième capacité équivalente C2eq telles que 0,9.C2eq.k/(1 k) 3. Système selon la revendication précédente dans lequel le premier condensateur équivalent comprend un premier condensateur et un 30 condensateur additionnel, le premier condensateur étant formé par le substrat et la première électrode (1) en face avant (100) du substrat, et présentant une première capacité C1 entre la face arrière (101) du substrat (10) et la première 25 électrode (1), telle que Cl = E 51/e avec 51 une surface de la première électrode (1), e une épaisseur nominale du substrat, et E une permittivité du substrat, et le condensateur additionnel étant formé par le substrat et une électrode additionnelle (1') en face avant (100) du substrat connectée électriquement à la première électrode (1), et présentant une capacité additionnelle Cl' entre la face arrière (101) du substrat (10) et l'électrode additionnelle (1'), telle que Cl' = E S1'/e avec Si' une surface de l'électrode additionnelle (1'), e l'épaisseur nominale du substrat, et E la permittivité du substrat, de sorte que la première capacité équivalente Cl eq = Cl + Cl'. 4. Système selon l'une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel le deuxième condensateur équivalent comprend un deuxième condensateur formé par le substrat et la deuxième électrode (2) en face avant (100) du substrat, et présentant une deuxième capacité C2 entre la face arrière (101) du substrat (10) et la deuxième électrode (2), telle que C2 = E S2/e avec S2 une surface de la deuxième électrode (2), e une épaisseur nominale du substrat, et E une permittivité du substrat, de sorte que la deuxième capacité équivalente C2eq = C2. 5. Système selon l'une quelconque des trois revendications précédentes dans lequel le premier résisteur équivalent comprend un premier résisteur et un résisteur additionnel, le premier résisteur étant formé par le substrat et la première électrode (1) en face avant (100) du substrat, et présentant une première résistance de fuite R1 entre la face arrière (101) du substrat (10) et la première électrode (1), telle que R1 = e/s.S1 avec S1 une surface de la première électrode (1), e une épaisseur nominale du substrat, et s une conductivité du substrat, et le résisteur additionnel étant formé par le substrat et une électrode additionnelle (1') en face avant (100) du substrat connectée électriquement à la première électrode (1), et présentant une résistance de fuite additionnelle R1' entre la face arrière (101) du substrat (10) et l'électrode additionnelle (1'), telle que R1' = e/s.S1' avec Si' une surface de l'électrode additionnelle (1'), e l'épaisseur nominale du substrat, et s la 26 conductivité du substrat, de sorte que la première résistance équivalente R1eq soit telle que 1/R1 eq = 1/R1 + 1/R1'. 6. Système selon l'une quelconque des revendications 2 à 5 dans 5 lequel le deuxième résisteur équivalent comprend un deuxième résisteur formé par le substrat et la deuxième électrode (2) en face avant (100) du substrat, et présentant une deuxième résistance de fuite R2 entre la face arrière (101) du substrat (10) et la deuxième électrode (2), telle que R2 = e/s.S2 avec S2 une surface de la deuxième électrode (2), e une épaisseur nominale du substrat, et 10 s une conductivité du substrat, de sorte que la deuxième résistance équivalente R2eq = R2. 7. Système selon les revendications 3 à 6 en combinaison dans lequel le premier résisteur équivalent comprend un premier résisteur complémentaire 15 formé en face avant (100) du substrat (10) et le deuxième résisteur équivalent comprend un deuxième résisteur complémentaire formé en face avant (100) du substrat (10), lesdits premier et deuxième résisteurs complémentaires présentant respectivement une première résistance complémentaire R et une deuxième résistance complémentaire R' de sorte que la première résistance 20 équivalente R1 eq soit telle que 1/R1eq = 1/R1 + 1/R1' + 1/R et la deuxième résistance équivalente R2eq soit telle que 1/R2eq = 1/R2 + 1/R'. 8. Système selon la revendication précédente dans lequel les premier et deuxième résisteurs complémentaires comprennent chacun une série 25 d'éléments résistifs, lesdits éléments résistifs étant formés par un élément métallique (3) et une zone isolante alternés. 9. Système selon la revendication précédente dans lequel le substrat semiconducteur comprend du nitrure de gallium (GaN) en face avant et dans 30 lequel la zone isolante est formée par une implantation d'hélium (He) dans le GaN suivie d'un recuit. 27 10. Système selon l'une quelconque des revendications 3, 5, 7 à 9 dans lequel les première et deuxième électrodes (1, 2) présentent chacune des doigts et sont au moins partiellement interdigitées au niveau d'une zone d'interdigitation et l'électrode additionnelle (1') est située en bordure de la zone 5 d'interdigitation. 11. Système selon l'une quelconque des revendications 3, 5, 7 à 10 dans lequel le substrat (10) situé entre l'électrode additionnelle (1') en face avant et la face arrière (101) présente une épaisseur e' strictement inférieure à 10 l'épaisseur nominale e du substrat (10), de sorte que la résistance additionnelle de fuite R1' = els.S1' soit diminuée. 12. Système selon l'une quelconque des revendications 3, 5, 7 à 11 dans lequel les première et deuxième électrodes (1, 2) présentent chacune des 15 doigts et sont au moins partiellement interdigitées au niveau d'une zone d'interdigitation, et l'électrode additionnelle (1') présente des doigts additionnels prolongeant les doigts de la première électrode (1) selon une direction en largeur desdits doigts, de sorte à former des doigts élargis présentant une largeur strictement supérieure, de préférence au moins cinq fois supérieure, à 20 une largeur des doigts de la deuxième électrode (2). 13. Système selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel le facteur de proportionnalité k est choisi tel que 0,7 14. Système selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel le composant de puissance est pris parmi une diode Schottky et un transistor H EMT. 15. Système selon l'une quelconque des revendications précédentes 30 dans lequel le composant de puissance est à base de GaN.