Brevet FR3098993A1 — publié le 20210122

Description Titre de l'invention : Dispositif optoélectronique comportant des diodes électroluminescentes multicolores et son procédé de fa- brication Domaine technique 100011 La présente invention se rapporte à un dispositif optoélectronique comprenant un substrat délimitant une face de support, au moins une première diode électroluminescente et au moins une deuxième diode électroluminescente formées sur la face de support, chacune desdites première et deuxième diodes électroluminescentes ayant une forme tridimensionnelle allongée le long d'une direction longitudinale orientée transversalement à la face de support. 100021 La présente invention se rapporte également à un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique en tant que tel. ETAT DE L'ART ANTERIEUR 100031 Une diode électroluminescente est une unité électroluminescente à semi-conducteur formée par une structure empilée d'une couche semi-conductrice dopée de type n, d'une couche active réalisée en au moins un matériau semi-conducteur et d'une couche semi-conductrice dopée de type p. 100041 La structure de diode électroluminescente peut être essentiellement une structure 3D avec une architecture noyau-enveloppe ou une architecture axiale. L'architecture noyau-enveloppe est formée par un noyau de type fil essentiellement vertical réalisé en un semi-conducteur dopé ayant une première nature de dopage. Une couche active émettant la majorité de la lumière est formée sur au moins une partie du noyau. Une enveloppe réalisée en un ou une pluralité de semi-conducteur(s) dopé(s) ayant unc deuxième nature de dopage couvre partiellement ou totalement la couche active. [0005] Il est connu que la couche active d'une diode électroluminescente peut être composée d'une pluralité de sous-couches semi-conductrices ayant une bande interdite différente, telles que des sous-couches de barrières quantiques en alternance avec des sous-couches de puits quantiques. Par exemple, la couche active d'une diode électroluminescente est formée par une seule structure ou une pluralité de structures d'un semiconducteur au nitrure du groupe III formé sur un autre semi-conducteur au nitrure du groupe III. La plupart des couches actives de diodes électroluminescentes sont à hase d'un matériau en alliage InGaN. [0006] En général, afin d'accorder les longueurs d'onde dans unc diode électroluminescente à hase d'indium, le rapport de composition d'indium ou de gallium dans un composé InxGa(1-x)N de sous-couches de puits quantiques varie pour commander la longueur 2 d'onde de la lumière émise Néanmoins, il est difficile d'atteindre la quantité ciblée d'indium ou de gallium car elle peut varier selon de nombreux paramètres tels que le diamètre de la diode électroluminescente. Par conséquent, différentes diodes électroluminescentes avec différents diamètres ayant subies une croissance dans les mêmes conditions de croissance auront une quantité différente d'indium incorporée dans la couche active, conduisant à la génération de longueurs d'onde parasites. De plus, les coûts de fabrication peuvent donc être élevés pour obtenir une diode électroluminescente multicolore offrant une haute qualité d'émission car plusieurs étapes de croissance seront. nécessaires. Exposé de l'invention [0007] Ainsi, un objet de l'invention est de surmonter au moins l'un des inconvénients dcs dispositifs optoélectroniques décrits précédemment, en particulier : [0008] - proposer un dispositif optoélectronique avec des diodes électroluminescentes ayant essentiellement les mêmes diamètres et émettant différentes longueurs d'onde, [0009] - commander avec précision la quantité d'indium obtenue dans les couches actives des diodes électroluminescentes, [0010] - proposer un procédé pour obtenir un dispositif optoélectronique ayant des diodes électroluminescentes avec essentiellement les mêmes diamètres et émettant différentes longueurs d'onde, [0011] - réduire les coûts de fabrication des diodes électroluminescentes multicolores d'un dispositif optoélectronique. [0012] Cc but peut être atteint en mettant en oeuvre un dispositif optoélectronique comprenant un substrat délimitant une face de support, au moins une première diode électroluminescente et au moins une deuxième diode électroluminescente, chacune desdites première et deuxième diodes électroluminescentes étant formée sur la face de support et ayant une forme tridimensionnelle allongée le long d'une direction longitudinale D orientée transversalement à la face de support, chaque première diode électroluminescente comprenant : [0013] - une première partie semi-conductrice dopée primaire dopée selon un premier type de dopage et reliée au substrat, la première partie semi-conductrice dopée primaire délimitant une première partie latérale externe s'étendant au moins latéralement autour de la première partie semi-conductrice dopée primaire, [0014] - une première partie semi-conductrice active secondaire formée au moins par- tiellement sur une extrémité distale de la première partie semi-conductrice dopée primaire opposée, le long de la direction longitudinale D, à une extrémité proximale formée sur la face de support, [0015] - une première partie semi-conductrice dopée tertiaire dopée selon un deuxième type 3 de dopage de sorte que, lorsqu'une différence de tension est appliquée entre la première partie semi-conductrice dopée primaire et la première partie semi-conductrice dopée tertiaire, la première partie semi-conductrice active secondaire émette une première lumière composée d'une première plage de longueurs d'onde, [0016] chaque deuxième diode électroluminescente comprenant : [0017] - une deuxième partie semi-conductrice dopée primaire dopée selon le premier type de dopage et reliée au substrat, la deuxième partie semi-conductrice dopée primaire délimitant une deuxième partie latérale externe s'étendant au moins latéralement autour de la deuxième partie semi-conductrice dopée primaire, [0018] - une deuxième partie semi-conductrice active secondaire formée au moins par- tiellement sur une extrémité distale de la deuxième partie semi-conductrice dopée primaire opposée, le long de la direction longitudinale D, à une extrémité proximale formée sur la face de support, [0019] - une deuxième partie semi-conductrice dopée tertiaire dopée selon le deuxième type de dopage de sorte que, lorsqu'une différence de tension est appliquée entre la deuxième partie semi-conductrice dopée primaire et la deuxième partie semiconductrice dopée tertiaire, la deuxième partie semi-conductrice active secondaire émette une deuxième lumière composée d'une deuxième plage de longueurs d'onde, [0020] la première partie latérale externe de la première partie semi-conductrice dopée primaire étant configurée pour permettre à au moins une première espèce atomique contenant de l'indium ou du gallium de diffuser de la première pallie latérale externe à la première partie semi-conductrice active secondaire pendant la formation de la première partie semi-conductrice active secondaire jusqu'à ce que la première pallie semi-conductrice active secondaire atteigne une première concentration atomique en indium comprise entre 13% et 20%, [0021] la deuxième partie latérale externe de la deuxième pallie semi-conductrice dopée primaire étant configurée pour permettre à au moins la première espèce atomique contenant de l'indium ou du gallium de diffuser de la deuxième pallie latérale externe à la deuxième partie semi-conductrice active secondaire pendant la formation de la deuxième partie semi-conductrice active secondaire jusqu'à ce que la deuxième partie semi-conductrice active secondaire atteigne une deuxième concentration atomique en indium comprise entre 20% et 40%. [0022] Certains aspects préférés non limitatifs du dispositif optoélectronique sont décrits comme suit. [0023] La première partie latérale externe de la première partie semi-conductrice dopée primaire est configurée pour permettre à la première espèce atomique contenant de l'indium ou du gallium de diffuser de la première partie latérale externe à la première pallie semi-conductrice active secondaire ou à l'extrémité distale sur une première longueur de diffusion Ll et où la deuxième partie latérale externe de la deuxième partie semi-conductrice dopée primaire est configurée pour permettre à la première espèce atomique contenant de l'indium ou du gallium de diffuser de la deuxième partie latérale externe à la deuxième partie semi-conductrice active secondaire ou à l'extrémité distale sur une deuxième longueur de diffusion L2 différente de la première longueur de diffusion Ll . [0024] La première partie latérale externe est configurée pour présenter un premier co- efficient d'adhérence, qui représente le rapport entre une quantité de la première espèce atomique contenant de l'indium ou du gallium adsorbée sur la première partie latérale externe et une quantité totale de la première espèce atomique contenant de l'indium ou du gallium arrivant sur la première partie latérale externe, et où la deuxième partie latérale externe est configurée pour présenter un deuxième coefficient d'adhérence différent du premier coefficient d'adhérence, qui représente le rapport entre une quantité de la première espèce atomique contenant de l'indium ou du gallium adsorbée sur la deuxième partie latérale externe et une quantité totale de la première espèce atomique contenant de l'indium ou du gallium arrivant sur la deuxième partie latérale externe. [0025] La première partie latérale externe comprend au moins une première couche primaire comprenant un matériau différent de la première partie semi-conductrice dopée primaire et présentant le premier coefficient d'adhérence ou permettant à au moins la première espèce atomique contenant de l'indium ou du gallium de diffuser vers la première partie semi-conductrice active secondaire ou vers l'extrémité distale, pendant sa formation, sur la première longueur de diffusion LI. [0026] La deuxième partie latérale externe comprend au moins une deuxième couche primaire comprenant un matériau différent de la deuxième partie semi-conductrice dopée primaire et présentant le deuxième coefficient d'adhérence ou permettant à au moins la première espèce atomique contenant de l'indium ou du gallium de diffuser vers la deuxième partie semi-conductrice active secondaire ou vers l'extrémité distale, pendant sa formation, sur la deuxième longueur de diffusion L2. [0027] La première partie latérale externe comprend en outre une première couche se- condaire de la même nature que la deuxième couche primaire, la première couche primaire 110ba étant formée sur ladite première couche secondaire. [0028] La première couche primaire est réalisée au moins en un alliage SiOx où 1 w. [0096] La deuxième partie latérale externe 210h de la deuxième partie semi-conductrice dopée primaire 210a est configurée pour permettre, selon les mêmes mécanismes que ceux expliqués pour la première diode électroluminescente 110, à au moins les premières espèces atomiques contenant de l'indium ou du gallium de diffuser de la deuxième partie latérale externe 210h à la deuxième partie semi-conductrice active secondaire 210e pendant la formation de la deuxième partie semi-conductrice active secondaire 210c jusqu'à ce que la deuxième partie semi-conductrice active secondaire 210e atteigne une deuxième concentration atomique en indium comprise entre 20% et 40%. On entend par « compris entre 20% et 40% », « strictement supérieur à 20% et inférieur ou égal à 40% ». [0097] Une telle configuration de la deuxième partie latérale externe 210b est avantageuse pour commander avec précision la concentration atomique en indium dans la première partie semi-conductrice active secondaire 210c pendant sa formation. La commande de la quantité de l'espèce atomique d'indium diffusant de la deuxième partie latérale externe 210b est avantageuse pour commander la concentration atomique en indium dans la deuxième partie semi-conductrice active secondaire 210c pendant sa formation. La concentration atomique en indium ciblée pendant la formation de la deuxième partie semi-conductrice active secondaire 210c est comprise entre 20% et 40%, donc la quantité d'indium diffusant de la deuxième partie latérale externe 210b doit être maintenue supérieure à celle du cas de la première diode électroluminescente. [0098] Dans un exemple, la configuration de la deuxième partie latérale externe 210b consiste à structurer sa surface au moyen de traitements au plasma ou de réactions chimiques. Plus la deuxième partie latérale externe 210b est rugueuse ou avec du relief, plus faible est la quantité d'espèce d'indium pouvant diffuser de la deuxième partie latérale externe 210b pour participer à la formation de la deuxième partie semiconductrice active secondaire 210e. [0099] Dans un exemple, la configuration de la deuxième partie latérale externe 210b consiste à former le bon matériau avec lequel la deuxième partie latérale externe 210b 17 est réalisée. Cc matériau permettra à la première espèce atomique contenant de l'indium ou du gallium de diffuser de la deuxième partie latérale externe 210b à la deuxième partie semi-conductrice active secondaire 210e sur une deuxième longueur de diffusion L2 différente de la première longueur de diffusion Ll . La deuxième longueur de diffusion L2 est de préférence supérieure à la première longueur de diffusion Ll . La deuxième longueur de diffusion L2 peut être comprise entre 10 nm et 30 Fim afin de maintenir la longueur de diffusion L2 relativement élevée afin d'améliorer la quantité d'espèce atomique d'indium qui se diffuse de la deuxième partie latérale externe 210h à la deuxième partie semi-conductrice active secondaire 210e. En effet, la concentration atomique en indium dans la deuxième partie semiconductrice active secondaire 210e doit être maintenue entre 20% et 40%, donc il est avantageux d'avoir une longueur de diffusion L2 supérieure à la première longueur de diffusion pour permettre aux premières espèces atomiques d'indium ou de gallium, qui sont situées à une distance plus éloignée que la longueur de diffusion L2, d'atteindre la deuxième partie semi-conductrice active secondaire 210e, augmentant ainsi la quantité d'indium disponible pendant la formation de la deuxième partie semi-conductrice active secondaire 210e. [0100] Dans un exemple, la configuration de la deuxième partie latérale externe 210h consiste à former le matériau avec lequel la deuxième partie latérale externe 2101, est réalisée, de sorte que le matériau présente un deuxième coefficient d'adhérence. Le deuxième coefficient d'adhérence représente le rapport entre une quantité de la première espèce atomique contenant de l'indium ou du gallium, provenant des sources d'indium ou de gallium, adsorbée sur la deuxième partie latérale externe 210b et une quantité totale de la première espèce atomique contenant de l'indium ou du gallium arrivant sur la deuxième partie latérale externe 210b. Le deuxième coefficient d'adhérence est compris entre 0 et 1 mais est différent du premier coefficient d'adhérence. Le deuxième coefficient d'adhérence est préférentiellement maintenu supérieur au premier coefficient d'adhérence de sorte que la quantité de la première espèce atomique contenant de l'indium qui s'adsorbe sur la deuxième partie latérale externe 210b et se diffuse ensuite vers la deuxième partie semi-conductrice active secondaire 210c, conduise à une concentration atomique d'indium maintenue dans un rapport supérieur compris entre 20 et 40%. [0101] Dans un exemple, la deuxième partie latérale externe 210b comprend au moins une deuxième couche primaire 210ba comprenant un matériau différent de la deuxième partie semi-conductrice dopée primaire 210a. La deuxième couche primaire 210ba peut présenter le deuxième coefficient d'adhérence ou permettre à au moins la première espèce atomique contenant de l'indium ou du gallium de diffuser vers la deuxième partie semi-conductrice active secondaire 210c, pendant sa formation, sur la deuxième 18 longueur de diffusion L2. [0102] Dans un exemple, la deuxième couche primaire 210ha est réalisée au moins en un alliage SizNy où 1 p > w. [0127] La troisième concentration atomique en indium de la troisième partie semi- conductrice active secondaire 310e comprise entre 27% et 40% implique une génération de longueur d'onde comprise entre 550 nm et 750 nm qui correspond à une génération de couleur rouge. [0128] Dans un exemple, la troisième partie latérale externe 310b est configurée pour permettre à la première espèce atomique contenant de l'indium ou du gallium de diffuser de la troisième partie latérale externe 310b à la troisième partie semiconductrice active secondaire 310e sur une troisième longueur de diffusion L3 différente de la première longueur de diffusion Ll et de la deuxième longueur de diffusion L2. [0129] La troisième longueur de diffusion L3 est de préférence supérieure à la première longueur de diffusion Ll et à la deuxième longueur de diffusion L2. La troisième longueur de diffusion L3 peut être comprise entre 10 nm et 50 pin afin de maintenir la longueur de diffusion L3 supérieure à la deuxième longueur de diffusion L2. Afin d'augmenter la quantité d'espèce atomique d'indium qui se diffuse de la troisième partie latérale externe 310b à la troisième partie semi-conductrice active secondaire 310e ou à l'extrémité distale 310d, il est également avantageux que la troisième longueur de diffusion L3 soit supérieure à la première longueur de diffusion Ll et à la deuxième longueur de diffusion L2. En effet, la concentration atomique en indium dans la troisième partie semi-conductrice active secondaire 310c doit être maintenue entre 27% et 40%, donc il est avantageux d'avoir une longueur de diffusion L3 supérieure à la deuxième longueur de diffusion L2 pour permettre aux premières espèces atomiques d'indium ou de gallium, qui sont situées à une distance plus éloignée que la longueur de diffusion L3, d'atteindre la troisième partie semi-conductrice active secondaire 310c ou l'extrémité distale 310d, augmentant ainsi la quantité d'indium disponible pendant la formation de la troisième partie semi-conductrice active secondaire 310c. [0130] Dans un exemple, la configuration de la troisième partie latérale externe 310b consiste à former le matériau, avec lequel la troisième partie latérale externe 310b est réalisée, de sorte que le matériau présente un troisième coefficient d'adhérence. Le troisième coefficient d'adhérence représente le rapport entre une quantité de la première espèce atomique contenant de l'indium ou du gallium, provenant des sources d'indium ou de gallium, adsorbée sur la troisième partie latérale externe 310b et une quantité totale de la première espèce atomique contenant de l'indium ou du gallium arrivant sur la troisième partie latérale externe 310b. Le troisième coefficient d'adhérence est compris entre 0 et 1 mais est différent du premier coefficient d'adhérence et du deuxième coefficient d'adhérence. Le troisième coefficient d'adhérence est préférentiellement maintenu supérieur aux premier et deuxième coefficients d'adhérence de sorte que la quantité de la première espèce atomique contenant de l'indium qui s'adsorbe sur la troisième partie latérale externe 310b, et se diffuse ensuite vers la troisième partie semi-conductrice active secondaire 310c, conduise à une concentration atomique d'indium maintenue dans un rapport supérieur compris 23 entre 27 et 40%. [0131] Dans un neuvième mode de réalisation illustré sur la figure 6, la troisième partie latérale externe 310b comprend au moins une troisième couche primaire 310ba comprenant un matériau différent de la première partie semi-conductrice dopée tertiaire 310a et présentant le troisième coefficient d'adhérence ou permettant à au moins la première espèce atomique contenant de l'indium ou du gallium de diffuser de la troisième partie latérale externe 31011 à la troisième partie semi-conductrice active secondaire 310c sur la troisième longueur de diffusion L3. [0132] Dans un dixième mode de réalisation, la troisième partie latérale externe 310h comprend en outre une troisième couche secondaire 310bb de la même nature que la première couche primaire 110ba, la troisième couche primaire 310ba étant formée sur ladite troisième couche secondaire 310bb. [0133] Dans un onzième mode de réalisation, illustré dans la figure 8, la troisième partie latérale externe 310h comprend en outre une troisième couche tertiaire 310bc de la même nature que la deuxième couche primaire 210ba, la troisième couche primaire 310ba étant formée sur la troisième couche tertiaire 310bc. [0134] Dans un exemple de ce mode de réalisation, au moins une deuxième diode électrolu- minescente 210 comprend la deuxième couche primaire 210ba et au moins une première diode électroluminescente 110 comprend une première couche secondaire 11 Obb de la même nature que la deuxième couche primaire 210ba, la première couche primaire 110ba étant formée sur ladite première couche secondaire 110bb. [0135] Cet exemple est avantageux car il permet de fournir au moins trois diodes électrolu- minescentes différentes émettant trois couleurs différentes mais ayant globalement les mêmes dimensions et sur un même substrat sans aucune étape mécanique ou de transfert. [0136] Dans un exemple des neuvième à onzième modes de réalisation, la troisième couche primaire 310ba est réalisée au moins en un alliage TiOrnNn avec 0 REVENDICATIONSDispositif optoélectronique (10) comprenant un substrat (101) délimitant une face de support (101 a), au moins une première diode électroluminescente (110) et au moins une deuxième diode électroluminescente (210), chacune desdites première et deuxième diodes électroluminescentes (110, 210) étant formée sur la face de support (10h) et ayant une forme tridimensionnelle allongée le long d'une direction longitudinale (D) orientée transversalement à la face de support (101 a), chaque première diode électroluminescente (110) comprenant : - une première partie semi-conductrice dopée primaire (110a) dopée selon un premier type de dopage et reliée au substrat (101), la première partie semi-conductrice dopée primaire (110a) délimitant une première partie latérale externe (110b) s'étendant au moins latéralement autour de la première partie semi-conductrice dopée primaire (110a), - une première partie semi-conductrice active secondaire (110c) formée au moins partiellement sur une extrémité distale (110d) de la première partie semi-conductrice dopée primaire (110a) opposée, le long de la direction longitudinale (D), à une extrémité proximale formée sur la face de support (101a), - une première partie semi-conductrice dopée tertiaire (110e) dopée selon un deuxième type de dopage de sorte que, lorsqu'une différence de tension est appliquée entre la première partie semi-conductrice dopée primaire (110a) et la première partie semi-conductrice dopée tertiaire (110e), la première partie semi-conductrice active secondaire (110c) émette une première lumière composée d'une première plage de longueurs d'onde, chaque deuxième diode électroluminescente (210) comprenant : - une deuxième partie semi-conductrice dopée primaire (210a) dopée selon le premier type de dopage et reliée au substrat (101), la deuxième partie semi-conductrice dopée primaire (210a) délimitant, une deuxième partie latérale externe (210b) s'étendant au moins latéralement autour de la deuxième partie semi-conductrice dopée primaire (210a), - une deuxième partie semi-conductrice active secondaire (210c) formée au moins partiellement sur une extrémité distale (210d) de la deuxième partie semi-conductrice dopée primaire (210a) opposée, le long de la direction longitudinale (D), à une extrémité proximale formée sur la face de support (101a), 29 [Revendication 2] - une deuxième partie semi-conductrice dopée tertiaire (210e) dopée selon le deuxième type dc dopage dc sorte que, lorsqu'une différence dc tension est appliquée entre la deuxième partie semi-conductrice dopée primaire (210a) et la deuxième partie semi-conductrice dopée tertiaire (210e), la deuxième partie semi-conductrice active secondaire (210e) émette une deuxième lumière composée d'une deuxième plage de longueurs d'onde, la première partie latérale externe (1 10b) de la première partie semiconductrice dopée primaire (1 10a) étant configurée pour permettre à au moins une première espèce atomique contenant de l'indium ou du gallium de diffuser de la première partie latérale externe (110b) à la première partie semi-conductrice active secondaire (110e) pendant la formation de la première partie semi-conductrice active secondaire (110c) jusqu'à ce que la première partie semi-conductrice active secondaire (110e) atteigne une première concentration atomique en indium comprise entre 13% et 20%, la deuxième partie latérale externe (210b) de la deuxième partie semiconductrice dopée primaire (210a) étant configurée pour permettre à au moins la première espèce atomique contenant de l'indium ou du gallium de diffuser de la deuxième partie latérale externe (210h) à la deuxième partie semi-conductrice active secondaire (210e) pendant la formation de la deuxième partie semi-conductrice active secondaire (210e) jusqu'à ce que la deuxième partie semi-conductrice active secondaire (210c) atteigne une deuxième concentration atomique en indium comprise entre 20% et 40%. Dispositif optoélectronique (10) selon la revendication 1, dans lequel la première partie latérale externe (II0b) de la première partie semiconductrice dopée primaire (110a) est configurée pour permettre à la première espèce atomique contenant de l'indium ou du gallium de diffuser de la première partie latérale externe (110b) à la première partie semi-conductrice active secondaire (110e) ou à l'extrémité distale (110d) sur une première longueur de diffusion (LI) et où la deuxième partie latérale externe (210b) de la deuxième partie semi-conductrice dopée primaire (210a) est configurée pour permettre à la première espèce atomique contenant de l'indium ou du gallium de diffuser de la deuxième partie latérale externe (210b) à la deuxième partie semiconductrice active secondaire (210e) ou à l'extrémité distale (210d) sur une deuxième longueur de diffusion (L2) différente de la première 30 [Revendication 3] [Revendication 4] [Revendication 5] [Revendication 6] longueur de diffusion (L1). Dispositif optoélectronique (10) selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, dans lequel la première partie latérale externe (110b) est configurée pour présenter un premier coefficient d'adhérence, qui représente le rapport entre une quantité de la première espèce atomique contenant de l'indium ou du gallium adsorbée sur la première partie latérale externe (110b) et une quantité totale de la première espèce atomique contenant de l'indium ou du gallium arrivant sur la première partie latérale externe (110b), et où la deuxième partie latérale externe (210h) est configurée pour présenter un deuxième coefficient d'adhérence différent du premier coefficient d'adhérence, qui représente le rapport entre une quantité de la première espèce atomique contenant de l'indium ou du gallium adsorbée sur la deuxième partie latérale externe (210h) et une quantité totale de la première espèce atomique contenant de l'indium ou du gallium arrivant sur la deuxième partie latérale externe (210h). Dispositif optoélectronique (10) selon la revendication 3, dans lequel la première partie latérale externe (110b) comprend au moins une première couche primaire (110ba) comprenant un matériau différent de la première partie semi-conductrice dopée primaire (110a) et présentant le premier coefficient d'adhérence ou permettant à au moins la première espèce atomique contenant de l'indium ou du gallium de diffuser vers la première partie semi-conductrice active secondaire (110c) ou vers l'extrémité distale (110d), pendant sa formation, sur la première longueur de diffusion (L1). Dispositif optoélectronique (10) selon l'une des revendications 3 et 4, dans lequel la deuxième partie latérale externe (210b) comprend au moins une deuxième couche primaire (210ba) comprenant un matériau différent de la deuxième partie semi-conductrice dopée primaire (210a) et présentant le deuxième coefficient d'adhérence ou permettant à au moins la première espèce atomique contenant de l'indium ou du gallium de diffuser vers la deuxième partie semi-conductrice active secondaire (210c) ou vers l'extrémité distale (210d), pendant sa formation, sur la deuxième longueur de diffusion (L2). Dispositif optoélectronique (10) selon la revendication 5, dans lequel la première partie latérale externe (110b) comprend en outre une première couche secondaire (110bb) de la même nature que la deuxième couche primaire (210ba), la première couche primaire (110ba) étant formée sur 31 [Revendication 7] [Revendication 8] [Revendication 9] ladite première couche secondaire (1 l Obb). Dispositif optoélectronique (10) selon l'une quelconque des revendications 5 et 6, dans lequel : - la première couche primaire (110ba) est réalisée au moins en un alliage SiOx où 1