Brevet FR3098996A1 — publié le 20210122

Description Titre de l'invention : Capteur d'images Domaine technique [0001] La présente description concerne de façon générale les dispositifs optoélectroniques à hase de capteurs optiques à photodiodes organiques intégrées sur un substrat à transistors MOS. Technique antérieure [0002] De nombreuses techniques d'intégration de capteurs optiques sous un écran transparent sont. connues, par exemple pour l'intégration d'un capteur d'empreintes digitales dans un téléphone mobile ou pour l'intégration de capteurs optiques dans un écran d'un téléphone mobile pour la reconnaissance faciale. [0003] Certains capteurs sont intégrés sur des substrats à transistors MOS constituant l'électronique de contrôle des photodiodes. Résumé de l'invention [0004] Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs opto- électroniques connus. [0005] Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un dispositif optoélec- tronique comprenant un capteur optique à photodiodes organiques adaptées à capter un rayonnement, le capteur optique recouvrant un circuit électronique à transistors MOS, le procédé comprenant les étapes successives suivantes : a) formation, sur le capteur optique, du côté du capteur optique opposé au circuit électronique, d'une première couche transparente audit rayonnement, la première couche ayant une face plane du côté opposé au capteur optique ; et h) formation d'une deuxième couche sur ladite face, la deuxième couche étant étanche à l'oxygène et à l'eau. 100061 Selon un mode de réalisation, le circuit électronique comprend en surface au moins un plot conducteur électriquement, le procédé comprenant en outre l'étape suivante : c) formation d'au moins une première ouverture dans la première couche pour exposer ledit plot. 100071 Selon un mode de réalisation, la formation de la première ouverture est réalisée par gravure ionique réactive. 100081 Selon un mode de réalisation, la formation de la première ouverture est réalisée par ablation laser. 100091 Selon un mode de réalisation, la formation de la première ouverture est réalisée par lithographie par nanoimpression. 100101 Selon un mode de réalisation, la première couche est en un matériau photosensible à 2 un rayonnement électromagnétique et la formation de la première ouverture comprend une étape d'exposition de la première couche audit rayonnement électromagnétique. [0011] Selon un mode de réalisation, l'étape h) précède l'étape c), le procédé comprenant, entre les étapes et c), l'étape de formation d'une deuxième ouverture dans la deuxième couche, la première ouverture étant formée à l'étape c) dans le prolongement de la deuxième ouverture. [0012] Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, en outre, les étapes suivantes : former un bloc en résine photosensible en vis-à-vis dudit plot conducteur électriquement, ledit bloc comprenant un sommet et des flancs ; réaliser l'étape c), la deuxième couche recouvrant notamment le sommet dudit bloc et ne recouvrant pas complètement les flancs ; et retirer ledit bloc. [0013] Selon un mode de réalisation, l'étape c) précède l'étape h), la deuxième couche re- couvrant en outre les parois latérales de la première ouverture. [0014] Selon un mode de réalisation, la première couche est réalisée en un matériau choisi dans le groupe comprenant le polystyrène, les polyépoxydes, les polyacrylates, les résines organiques, notamment les résines photosensibles, le nitrure de silicium et le dioxyde de silicium. [0015] Selon un mode de réalisation, la première couche est déposée par : dépôt par voie liquide ; pulvérisation cathodique ; dépôt physique en phase vapeur ; dépôt en couches minces ; ou dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma. [0016] Selon un mode de réalisation, la première couche a une épaisseur moyenne comprise entre 100 nm et 15 pm, de préférence entre 500 nm et 5 pm, préférentiellement entre 1 pm et 3 pin. [0017] Selon un mode de réalisation, la deuxième couche est réalisée en un matériau choisi dans le groupe comprenant l'oxyde d'aluminium, le nitrure de silicium et le dioxyde de silicium. [0018] Selon un mode de réalisation, la deuxième couche a une épaisseur moyenne comprise entre 2 nm et 300 nm. [0019] Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, en outre, les étapes suivantes : formation d'une troisième couche antireflet et/ou filtrant les infrarouges ; et formation d'une matrice de microlentilles. [0020] Un mode de réalisation prévoit également un dispositif optoélectronique comprenant : un circuit électronique à transistors MOS ; 3 un capteur optique à photodiodes organiques adaptées à capter un rayonnement, le capteur optique recouvrant le circuit électronique ; une première couche recouvrant le capteur optique, du côté du capteur optique opposé au circuit électronique, la première couche étant transparente audit rayonnement et ayant une face plane du côté opposé au capteur optique ; et une deuxième couche plane sur la première couche. Brève description des dessins [0021] Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : [0022] [fig.1] la figure 1 est une vue en coupe, partielle et schématique, de la structure obtenue à une étape d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comportant des photodiodes organiques sur un circuit intégré à transistors MOS ; [0023] [fig.2] la figure 2 illustre une autre étape du procédé ; [0024] [fig.3] la figure 3 illustre une autre étape du procédé ; [0025] [fig.4] la figure 4 illustre une autre étape du procédé ; [0026] W8.51 la figure 5 illustre une autre étape du procédé ; [0027] [fig.6] la figure 6 illustre une autre étape du procédé ; [0028] [fig.7] la figure 7 illustre une autre étape du procédé ; [0029] [fig.8] la figure 8 illustre une autre étape du procédé ; [0030] [fig.9] la figure 9 illustre une autre étape du procédé ; [0031] [fig.10] la figure 10 illustre une autre étape du procédé ; [0032] [fig.11] la figure 11 illustre une autre étape du procédé ; [0033] [fig.12] la figure 12 illustre une autre étape du procédé ; [0034] [fig.13] la figure 13 illustre une autre étape du procédé ; [0035] [fig.14] la figure 14 est une vue en coupe, partielle et schématique, de la structure obtenue à une étape d'un autre mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comportant des photodiodes organiques sur un circuit intégré à transistors MOS ; [0036] [fig.15] la figure 15 illustre une autre étape du procédé ; [0037] [fig.16] la figure 16 illustre une autre étape du procédé ; [0038] [fig.17] la figure 17 illustre une autre étape du procédé ; [0039] [fig.18] la figure 18 illustre une autre étape du procédé ; [0040] [fig.19] la figure 19 est une vue en coupe, partielle et schématique, de la structure obtenue à une étape d'un autre mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comportant des photodiodes organiques sur un circuit intégré à transistors MOS ; [0041] [fig.20] la figure 20 illustre une autre étape du procédé ; [0042] [fig.21] la figure 21 illustre une autre étape du procédé ; [0043] [fig.22] la figure 22 illustre une autre étape du procédé ; [0044] [fig.23] la figure 23 est une vue en coupe, partielle et schématique, de la structure obtenue à une étape d'un autre mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comportant des photodiodes organiques sur un circuit intégré à transistors MOS ; [0045] [fig.24] la figure 24 illustre une autre étape du procédé ; [0046] [fig.25] la figure 25 illustre une autre étape du procédé ; [0047] [fig.26] la figure 26 illustre une autre étape du procédé ; [0048] [fig.27] la figure 27 est une vue en coupe schématique, transversale et partielle, d'un mode de réalisation d'un système comprenant le dispositif optoélectronique ; et [0049] [fig.28] la figure 28 est une vue en coupe schématique, transversale et partielle, d'un autre mode de réalisation d'un système comprenant le dispositif optoélectronique. Description des modes de réalisation [0050] De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les étapes de réalisation des photodiodes organiques et des transistors MOS sous-jacents ne sont pas détaillées. [005 I ] En outre, on considère ici que les termes "isolant" et "conducteur" signifient respec- tivement "isolant électriquement" et "conducteur électriquement". On appelle "zone active" d'une photodiode, la zone de la photodiode dans laquelle la majorité du rayonnement d'intérêt est captée par la photodiode. On appelle "rayonnement d'intérêt" le rayonnement que l'on souhaite capter par un capteur optique à photodiodes. A titre d'exemple, le rayonnement d'intérêt peut comprendre le spectre visible et le proche infrarouge, c'est-à-dire les longueurs d'onde comprises entre 400 nm et 1100 nm. La transmittance d'une couche à un rayonnement correspond au rapport entre l'intensité du rayonnement sortant de la couche et l'intensité du rayonnement entrant dans la couche, les rayons du rayonnement entrant étant perpendiculaires à la couche. Dans la suite de la description, une couche ou un film est dit opaque à un rayonnement lorsque la transmittance du rayonnement au travers de la couche ou du film est inférieure à 10 %. Dans la suite de la description, une couche ou un film est dit transparent à un rayonnement lorsque la transmittance du rayonnement au travers de la couche ou du film est supérieure à 10 %. Dans la suite de la description, un film ou une couche est dit étanche à l'oxygène lorsque la perméabilité du film ou de la couche à l'oxygène à 40 °C est inférieure à 1.10-1cm3/(m2lour). La perméabilité à l'oxygène peut être mesurée selon la méthode ASTM D3985 intitulée "Standard Test Method for Oxygen Gas Transmission Rate Through Plastic Film and Shecting Using a Coulometric Sensor". Dans la suite de la description, un film ou une couche est dit étanche à l'eau lorsque la perméabilité du film ou de la couche à l'eau à 40 nC est inférieure à1.10-1g/(m2lour). La perméabilité à l'eau peut être mesurée selon la méthode ASTM F1249 intitulée "Standard Test Method for Water Vapor Transmission Rate Through Plastic Film and Sheeting Using a Modulated Infrared Sensor". [0052] Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. [0053] Les figures 1 à 13 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de structures obtenues à des étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comportant un capteur à photodiodes organiques et des transistors MOS. [0054] La figure 1 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un exemple de circuit intégré 101 comprenant une matrice de transistors MOS 102, six transistors MOS 102 étant représentés de façon schématique par des rectangles sur les figures. Selon un mode de réalisation, le circuit intégré 101 est réalisé par des techniques classiques en microélectronique. Des plots conducteurs sont formés en surface du circuit intégré 101. Parmi ces plots conducteurs, on distingue des plots 106 formés dans une zone 105 du circuit intégré 101 et qui seront utilisés comme électrodes inférieures pour les photodiodes organiques, et, en dehors de la zone 105, par exemple à la périphérie du circuit 101, des plots 108 qui seront utilisés pour la polarisation de l'électrode supérieure des photodiodes, un seul plot 108 étant représenté sur les figures, et des plots 109 qui seront utilisés pour la polarisation du circuit intégré 101, un seul plot 109 étant représenté sur les figures. [0055] De façon classique, le circuit intégré 101 peut comprendre un substrat semi- conducteur, par exemple en silicium monocristallin, dans lequel et sur lequel sont formés les transistors à effet de champ à grille isolée, également appelés transistors MOS, par exemple des transistors MOS à canal N et à canal P. et un empilement de 6 couches isolantes recouvrant le substrat et les transistors 102, des pistes conductrices et des vias conducteurs étant formés dans l'empilement pour relier électriquement les transistors 102 et les plots 106, 108, 109. Le circuit intégré 101 peut avoir une épaisseur comprise entre 100 pm et 775 pm, de préférence entre 200 pm et 400 pm [0056] La figure 2 représente la structure obtenue après la formation sur chaque plot 106 d'une couche organique d'interface 110. Le procédé de formation utilisé peut en outre entraîner la formation de la couche organique 110 sur les plots 108 et 109. La couche d'interface 110 peut être réalisée en carbonate de césium (CsCO3), en oxyde métallique, notamment en oxyde de zinc (ZnO), ou en un mélange d'au moins deux de ces composés. La couche d'interface 110 peut comprendre une couche tnonomoléculaire auto-assemblée ou un polymère, par exemple du (polyéthyléneimine, polyéthyléneimine éthoxylé, poly[(9,9-bis(31-(N,N-dimethylamino) propyI)-2,7-fluorène)-alt-2,7-(9,9-dioctylfluorène)]. L'épaisseur de la couche d'interface 110 est de préférence comprise entre 0,1 nm et 1 pm. La couche d'interface 110 peut se greffer de façon privilégiée sur les plots 106 (et éventuellement 108 et 109), ce qui donne directement la structure représentée en figure 2. A titre de variante, la couche d'interface 110 peut être déposée sur la totalité de la structure représentée en figure 1, et être ensuite gravée en dehors des plots 106, 108, 109 pour donner le résultat illustré en figure 2. Selon une autre variante non illustrée, la couche d'interface 110 peut être déposée sur la totalité de la structure représentée en figure 1, cette couche ayant une très faible conductivité latérale de sorte qu'il n'est pas nécessaire de la retirer en dehors des plots 106. [0057] La figure 3 représente la structure obtenue après la formation d'une couche organique 111, appelée couche active, sur l'ensemble de la structure représentée en figure 2 et dans laquelle seront formées, en fonctionnement, les zones actives des photodiodes. La couche active 1 1 1 peut comprendre des petites molécules, des oligomères ou des polymères. Il peut s'agir de matériaux organiques ou inorganiques. La couche active Ill peut comprendre un matériau semiconducteur ambipolaire, ou un mélange d'un matériau semiconducteur de type N et d'un matériau semiconducteur de type P, par exemple sous forme de couches superposées ou d'un mélange intime à l'échelle nanométrique de façon à former une hétérojonction en volume. L'épaisseur de la couche active III peut être comprise entre 50 nm et 2 pm, par exemple de l'ordre de 300 nm. [0058] Des exemples de polymères semiconducteurs de type P adaptés à la réalisation de la couche active 40 sont le poly(3-hexylthiophène) (P3HT), le poly[N-9'-heptadécany1-2,7-carbazole-alt-5,5-(4,7-di-2-thiény1-2',1', 3'-benzothiadiazo le)] (PCDTBT), le poly[(4,8-bis-(2-éthylhexyloxy)-benzo[1,2-b;4,5-b1 dithiophène)-2,6-diyhalt-(4-(2-éthylhexanoy1)-thieno[3,4-b] thiophène))-2,6-diy11 (PBDTTT-C), le poly[2-méthoxy-5-(2-éthyl-hexyloxy)-1,4-phénylène-vinylène] 7 (MEH-PPV) ou le poly[2,6-(4,4-bis-(2-éthylhexyl)-4H-cyclopenta [2,1-1,;3,4-bldithiophène)-alt-4,7(2,1,3-benzothiadiazole)] (PCPDTBT). [0059] Des exemples de matériaux semiconducteurs de type N adaptés à la réalisation de la couche active 112 sont les fullerènes, notamment le C60, le [6,6]-phényl-C61-butanoate de méthyle ([60]PCBM), le [6,6]-phényl-C71-butanoate de méthyle ([70]PCBM), le pérylène diimide, l'oxyde de zinc (ZnO) ou des nanocristaux permettant la formation de boîtes quantiques (en anglais quantum dots). [0060] La figure 4 représente la structure obtenue après le dépôt d'une couche de résine pho- tosensible 112 sur la couche active 111, et la formation d'ouvertures 113 dans la couche photosensible 112, par des techniques de photolithographie, une seule ouverture 113 étant représentée en figure 4, pour exposer la couche organique 111 au-dessus des plots 108 et 109. [0061] La figure 5 représente la structure obtenue après la gravure d'ouvertures 114 dans la couche organique 111 dans le prolongement des ouvertures 113 de la couche photosensible 112, et la gravure des couches 106 pour exposer les plots 108 et 109. [0062] La figure 6 représente la structure obtenue après le retrait de la couche photosensible 112 et après le dépôt, sur l'ensemble de la structure, d'une couche d'électrode 115. La couche d'électrode 115 est notamment en contact avec les plots 108. [0063] La couche d'électrode 115 est au moins partiellement transparente au rayonnement lumineux capté par la couche active 111. La couche d'électrode 115 peut être en un matériau conducteur et transparent, par exemple en oxyde conducteur et transparent ou TCO (acronyme anglais pour Transparent Conductive Oxide), en nanotubes de carbone, en graphène, en un polymère conducteur, en un métal, ou en un mélange ou un alliage d'au moins deux de ces composés. La couche conductrice 115 peut avoir une structure monocouche ou multicouche. [0064] Des exemples de TCO adaptés à la réalisation de la couche d'électrode 115 sont l'oxyde d'indium-étain (ITO, de l'anglais Iridium Tin Oxide), l'oxyde d'aluminium-zinc (AZO, de l'anglais Aluminium Zinc Oxide) et l'oxyde de gallium-zinc (GZO, de l'anglais Gallium Zinc Oxide). Des exemples de polymères conducteurs adaptés à la réalisation de la couche conductrice 114 sont la polyaniline, également appelé PAni, et le polymère connu sous la dénomination PEDOT:PSS, qui est un mélange de poly(3,4)-éthylène-dioxythiophène et de polystyrène sulfonate de sodium. Des exemples de métaux adaptés à la réalisation de la couche d'électrode 115 sont l'argent (Ag), l'aluminium (Al), l'or (Au), le cuivre (Cu), le nickel (Ni), le titane (Ti) et le chrome (Cr). Un exemple de structure multicouche adaptée à la réalisation de la couche d'électrode 115 est une structure multicouche d'AZO et d'argent de type AZO/ Ag/AZO. De préférence, la couche d'électrode 115 est en PEDOT:PSS. [0065] L'épaisseur de la couche d'électrode 115 peut être comprise entre 10 nm et 5 pm, par 8 exemple de l'ordre de 30 nm. Dans le cas où la couche d'électrode 115 est métallique, l'épaisseur de la couche d'électrode 115 est inférieure ou égale à 20 nm, de préférence inférieure ou égale à 10 nm. [0066] La figure 7 représente la structure obtenue après le dépôt d'une couche de résine pho- tosensible 116 sur la couche d'électrode 115, et la formation d'ouvertures 117 dans la couche photosensible 116, par des techniques de photolithographie, une seule ouverture 117 étant représentée en figure 7, pour exposer la couche d'électrode 115 au-dessus des plots 109. [0067] La figure 8 représente la structure obtenue après la gravure d'ouvertures 118 dans la couche d'électrode 115 dans le prolongement des ouvertures 117 de la couche photosensible 116 pour exposer les plots 109. [0068] La figure 9 représente la structure obtenue après le retrait de la couche photosensible 116. L'empilement 103 des couches organiques 110, 111, 115 comprend une face supérieure 104. La structure comporte, dans la zone 105, une matrice de photodiodes organiques 107 formant un capteur optique, chaque photodiode 107 étant définie par la portion des couches organiques 111, 115 en vis-à-vis de l'une des électrodes 106. Dans l'exemple de la figure 9, six photodiodes organiques 107 sont représentées. En pratique, cette matrice se trouve à l'aplomb de la matrice de transistors 102 qui, en fonctionnement, peuvent être utilisés pour la commande et la lecture des photodiodes 107. Dans le présent mode de réalisation, la couche 110 est représentée discontinue au niveau des photodiodes 107 tandis que les couches organiques 1 1 1 et 115 sont représentées continues au niveau des photodiodes 107. A titre de variante, la couche d'interface 110 peut être continue au niveau des photodiodes 107. A titre de variante, les couches organiques III, 115 peuvent être discontinues au niveau des photodiodes 107. De préférence, au moins la couche active Ill et la couche d'électrode 115 sont continues au moins au niveau des photodiodes 107. Ceci permet d'éviter une étape de gravure des couches de l'empilement 103 pour délimiter les photodiodes 107. L'épaisseur de l'empilement peut être comprise entre 300 nm et 1 pm, de préférence entre 300 nm et 500 nm. [0069] Selon un mode de réalisation, les couches de l'empilement 103 formant les pho- todiodes organiques 107 peuvent être formées selon un procédé dit additif, par exemple par impression directe d'une composition fluide ou visqueuse comprenant le matériau composant chaque couche aux emplacements souhaités, par exemple par impression par jet d'encre, héliographie, sérigraphie, flexographie, revêtement par pulvérisation (en anglais spray coating) ou dépôt de gouttes (en anglais drop-casting). Le procédé de formation des couches organiques peut con-espondre à un procédé dit soustractif, dans lequel le matériau composant les couches est déposé sur la totalité de la structure et dans lequel les portions non utilisées sont ensuite retirées, par exemple 9 par photolithographie ou ablation laser. Selon le matériau considéré, le dépôt sur la totalité de la structure peut être réalisé, par exemple, par voie liquide, par pulvérisation cathodique ou par évaporation. Il peut s'agir notamment de procédés du type dépôt à la tournette, revêtement par pulvérisation, héliographie, revêtement par filière (en anglais slot-die coating), revêtement à la lame (en anglais blade-coating), flexographie ou sérigraphie. [0070] Le circuit électronique 101 peut présenter une surface supérieure comprenant des reliefs. Il en résulte la formation de différences de niveau dans l'empilement 103 dont les couches épousent la forme du circuit électronique 101, et donc la formation de reliefs sur la surface supérieure 104 de l'empilement 103. La face supérieure 104 n'est en conséquence pas plane. [0071] Lors d'un procédé de fabrication usuel d'un dispositif optoélectronique à hase de capteurs optiques à photodiodes organiques, il est nécessaire de recouvrir l'empilement 103 de couches organiques par une couche de protection, également appelée couche d'encapsulation. La couche d'encapsulation est sensiblement étanche à l'eau et à l'oxygène de l'air de façon à protéger les couches organiques de l'empilement 103. La couche d'encapsulation peut être en un matériau inorganique, par exemple en oxyde d'aluminium (A1,03), en oxyde de silicium (SiO2) ou en nitrure de silicium (Si3N4). La couche d'encapsulation peut avoir une épaisseur variant de quelques nanornetres, par exemple 2 nm, notamment lorsque la couche d'encapsulation est formée par dépôt de couches atomiques (ALD, sigle anglais pour Atomic Layer Deposition), à une épaisseur d'environ 200 nm, par exemple lorsque la couche d'encapsulation est formée par dépôt physique en phase vapeur (PVD, sigle anglais pour Physical Vapor De-position) ou par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, sigle anglais pour Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), voire jusqu'à une épaisseur de l'ordre de 10 pm, notamment lorsque la couche d'encapsulation comprend un empilement de couches organiques et inorganiques, les couches inorganiques pouvant être dans les matériaux cités précédemment pour la couche d'encapsulation et les couches organiques pouvant être en une résine époxy, en une résine acrylate, en parylène ou en caoutchouc. [0072] La présence de reliefs sur la face 104 rend difficile la réalisation d'un dépôt homogène pour former la couche d'encapsulation. Les propriétés d'étanchéité souhaitées de la couche d'encapsulation peuvent alors ne pas être atteintes localement. En outre, le procédé de fabrication de la couche d'encapsulation peut ne pas être compatible avec la nature organique des couches de l'empilement 103. A titre d'exemple la couche d'électrode 115 au sommet de l'empilement 103 peut être en PEDOT:PSS qui est un matériau hydrophyle et la formation de la couche d'encapsulation en A1,03 par ALD peut utiliser de la vapeur d'eau comme précurseur. Il y aura donc une interaction du PEDOT:PSS avec la vapeur d'eau lors de la formation de la couche d'encapsulation. Ceci peut entraîner l'apparition dc contraintes mécaniques dans l'empilement 103, d'où il peut résulter un décollement partiellement de l'empilement 103 par rapport au circuit électronique 101. [0073] La figure 10 représente la structure obtenue après la formation d'une couche inter- médiaire 201, également appelée couche tampon, transparente au rayonnement d'intérêt, sur la structure représentée en figure 9. Selon un mode de réalisation, la couche tampon 201 est auto-planarisante, c'est-à-dire qu'elle forme une face supérieure 202 sensiblement plane seulement sous l'action de la gravité. Selon un mode dc réalisation, la couche tampon 201 est obtenue par le dépôt d'un matériau liquide sur la structure représentée en figure 9, dc sorte que la face supérieure 202 sensiblement plane est obtenue automatiquement sous l'action de la gravité. La couche tampon 201 peut alors être obtenue par séchage du matériau liquide et/ou par polymérisation du matériau liquide. De préférence, la quantité de matériau liquide déposée est telle que la couche tampon 201 obtenue recouvre la totalité des reliefs présents sur la face 104 de l'empilement 103. [0074] Selon un mode de réalisation, la couche tampon 201 est une couche diélectrique, organique ou inorganique. Des exemples de matériaux organiques sont le polystyrène, les polyépoxydes, les polyacrylatcs ou les résines organiques, notamment les résines photosensibles. En particulier, la viscosité et l'épaisseur du matériau déposé sont ajustées pour obtenir la planarisation de la couche d'encapsulation. Des exemples de matériaux inorganiques sont le Si3N14 et le SiO2. Dans le cas où la couche tampon 201 est en Si3N4 ou en SiO,, son dépôt est, par exemple, effectué par pulvérisation cathodique (Sputtering), par PVD, ou par PECVD. [0075] Selon un autre mode de réalisation, dans le cas où le procédé de formation de la couche d'encapsulation ne permet l'obtention automatique de la face 202 sensiblement plane, le procédé peut comprendre une étape de planarisation de la couche tampon 201. Selon un mode de réalisation, l'étape de planarisation peut être réalisée par polissage mécano-chimique (CMP, Chemico-Mecanical Polishing). [0076] L'épaisseur moyenne de la couche tampon 201 est comprise entre 100 nm et 15 pm, de préférence entre 500 nm et 5 pm, préférentiellement entre 1 pm et 3 Mm. [0077] La figure 11 représente la structure obtenue après une étape de formation d'une couche d'encapsulation 301 sur la face 202 de la couche tampon 201. Selon un mode de réalisation, la couche d'encapsulation 301 est étanche à l'eau et à l'oxygène. De préférence, la couche tampon 201 apporte déjà une protection pour les couches organiques de l'empilement 103 contre l'eau et l'oxygène. La couche d'encapsulation 301 étant formée sur la face 202 qui est sensiblement plane, ceci permet de former la couche d'encapsulation 301 avec une épaisseur sensiblement constante, ce qui permet 11 d'assurer que les propriétés de la couche d'encapsulation 301, notamment l'étanchéité, sont sensiblement homogènes. En outre, le matériau composant la couche tampon 201 est avantageusement choisi pour être compatible avec le procédé mis en oeuvre pour la formation de la couche d'encapsulation 301. [0078] La couche d'encapsulation 301 est par exemple : une couche d'oxyde d'aluminium (A1,03), obtenue par exemple par ÀLD ; une couche de Si N4ou de SiO,, obtenue par exemple par PVD ou par PECVD ; ou une couche d'un polymère étanche à l'eau et à l'oxygène, par exemple le poly(téréphtalate d'éthylène) (PET), le poly(naphtalate d'éthylène) (PEN) ou les co- polymères à hase d'oléfines cycliques (COP). [0079] Selon un mode de réalisation, la couche d'encapsulation 301 a une épaisseur comprise entre 2 nm et 300 nm, de préférence entre 2 nm et 200 nm, plus préférentiellement entre 2 nm et 150 nm. [0080] La figure 12 représente la structure obtenue après le dépôt d'une couche de résine photosensible 401 sur la couche d'encapsulation 301 et la formation d'ouvertures 402 dans la couche de résine photosensible 401, par des techniques de photolithographie, pour exposer la couche d'encapsulation 301 au niveau des plots 109, une seule ouverture 402 étant représentée en figure 12. [0081] La figure 13 représente la structure obtenue après la gravure d'ouvertures 403 dans la couche d'encapsulation 301 en utilisant la couche photosensible 401 comme masque de gravure, les ouvertures 403 étant dans le prolongement des ouvertures 402, éventuellement le retrait de la couche photosensible 401 et la gravure d'ouvertures 404 dans la couche tampon 201 sur la totalité de l'épaisseur de la couche tampon 201 en utilisant la couche d'encapsulation 301 comme masque de gravure, les ouvertures 404 étant dans le prolongement des ouvertures 402, pour exposer les plots 109. Les ouvertures 403 peuvent être réalisées par gravure humide. Les ouvertures 404 peuvent être réalisées par gravure ionique réactive (RIE, sigle anglais pour Reactive Ion Etching). La RIE peut être réalisée avec un mélange gazeux de dioxygène et d'hexafluorure de soufre (0,-FSF,,), un mélange de d'oxygène et de méthane (02-FCH4) ou du dioxygène pur (02). Selon un autre mode de réalisation, les ouvertures 403 sont obtenues par ablation laser de la couche d'encapsulation 301. Dans ce cas, la couche photosensible 401 peut ne pas être présente. Selon un autre mode de réalisation, les ouvertures 404 sont obtenues par ablation laser de la couche tampon 201. [0082] Selon un mode de réalisation, les ouvertures 402, 403, 404, vues selon une direction perpendiculaire à la face 202, ont une superficie sensiblement supérieure à celles des plots 109. Par exemple, les ouvertures 402, 403, 404, vues selon une direction perpendiculaire à la face 202, ont des dimensions de l'ordre de 100 pm*100 pm alors que les plots 109 ont des dimensions de l'ordre de 70 pme70 mn. 12 [0083] Même si les parois latérales des ouvertures 404 ne sont pas recouvertes par la couche d'encapsulation 301, on bénéficie néanmoins des propriétés d'étanchéité de la couche tampon 201 à l'eau et à l'oxygène. En outre, les plots 109 et les ouvertures 404 peuvent être situés suffisamment loin de la matrice de photodiodes 107 de façon que la dégradation des couches organiques de l'empilement 103 au niveau des photodiodes 107 ducs à l'eau et/ou à l'oxygène soit réduite. [0084] Les ouvertures 404 peuvent être remplies d'un matériau métallique pour permettre de connecter le dispositif optoélectronique à un élément extérieur. [0085] Les figures 14 à 18 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de structures obtenues à des étapes successives d'un autre mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comportant un capteur à photodiodes organiques et des transistors MOS. [0086] La figure 14 représente la structure obtenue après la mise en oeuvre des étapes décrites précédemment en relation avec les figures 2 à 10, et après le dépôt d'une couche de résine photosensible 501 sur la couche tampon 201 et la formation d'ouvertures 502 dans la couche photosensible 501, par des techniques de photolithographie, pour exposer la couche tampon 201 au niveau des plots 109, une seule ouverture 502 étant représentée en figure 14. La couche photosensible 501 peut avoir la même composition et la même épaisseur que la couche photosensible 401 décrite précédemment. [0087] La figure 15 représente la structure obtenue après la gravure d'ouvertures 503 dans la couche tampon 201 en utilisant la couche photosensible 501 comme masque de gravure, les ouvertures 503 étant dans le prolongement des ouvertures 502, pour exposer les plots 109. Les ouvertures 503 peuvent être réalisées par RIE. La RIE peut être réalisée avec un mélange gazeux de dioxygène et d'hexafluorure (le soufre (02-FSF6 ), un mélange de dioxygène et de méthane (02-FCH4), ou du dioxygène pur (02). Selon un autre mode de réalisation, les ouvertures 503 sont obtenues par ablation laser de la couche tampon 201. [0088] Selon un mode de réalisation, les ouvertures 503, vues selon une direction perpen- diculaire à la face 202, ont une superficie sensiblement supérieure à celles des plots 109. A titre d'exemple, les ouvertures 503, vues selon une direction perpendiculaire à la face 202, ont des dimensions de l'ordre de 100 pm*100 pm alors que les plots 109 ont des dimensions de l'ordre de 70 pme70 Mm. [0089] La figure 16 représente la structure obtenue après une étape de retrait de la couche photosensible 501 et après une étape de formation d'un bloc sacrificiel 504 sur chaque plot 109. Chaque bloc sacrificiel 504 est de préférence en une résine photosensible. Les blocs sacrificiels 504 peuvent être formés par des étapes de photolithographie. Selon un mode de réalisation, comme cela est représenté en figure 16, chaque bloc sa- 13 crificicl 504 peut avoir une forme évasée en s'éloignant du plot 109 sur lequel il repose, ou un profil dit en casquette, c'est-à-dire avoir un sommet de dimensions plus importantes que la hase en contact avec le plot 109. Selon un exemple, une telle forme peut être obtenue notamment en prévoyant, lors des étapes de photolithographie, une étape de durcissement de la surface de la couche photosensible utilisée pour former les blocs 504, par exemple en plongeant la couche de résine dans un solvant aromatique, tel que le chlorobenzène. Selon un autre exemple, une telle forme peut être obtenue au cours de l'étape de développement de la couche de résine, la résine étant choisie pour présenter un taux de développement qui varie selon la direction perpendiculaire à la couche de résine, la couche de résine étant plus résistante au développement du côté de sa face supérieure libre. Selon un mode de réalisation, les dimensions de la base du bloc 504 sont supérieures à celles du plot 109 de façon à assurer que le bloc 504 recouvre la totalité du plot 109. [0090] La figure 17 représente la structure obtenue après une étape de dépôt d'une couche d'encapsulation 505 sur la structure représentée en figure 16. La couche d'encapsulation 505 a la même épaisseur et la même composition que la couche d'encapsulation 301 décrite précédemment et peut être formée par les mêmes procédés que ceux décrits précédemment pour la couche d'encapsulation 301. La couche d'encapsulation 505 s'étend sur la couche tampon 201, sur les parois latérales et le fond des ouvertures 503 et sur la face supérieure de chaque bloc sacrificiel 504. Le procédé de formation de la couche d'encapsulation 505 est de préférence un procédé de dépôt directif de sorte que, en raison de la forme évasée du bloc 504 qui est plus large à son sommet qu'à sa base, la couche d'encapsulation 505 ne se dépose pas sur au moins une partie des parois latérales du bloc 504. Toutefois, même avec un procédé de dépôt connu pour être conforme, par exemple l'ALE), la couche d'encapsulation peut ne pas se déposer sur au moins une pallie des parois latérales du bloc 504 notamment lorsque le profil en casquette du bloc 504 est prononcé et que l'épaisseur de couche d'encapsulation est très faible, par exemple inférieure à 25 nm. [0091] La figure 18 représente la structure obtenue après une étape de retrait des blocs sa- crificiels 505. Selon un mode de réalisation, ceci est réalisé par le trempage de la structure représentée en figure 17 dans un bain contenant un solvant qui dissout les blocs sacrificiels 505. [0092] Le présent mode de réalisation du procédé de réalisation du dispositif optoélec- tronique présente l'avantage que les parois latérales des ouvertures 503 sont recouvertes par la couche d'encapsulation 505. La protection des photodiodes organiques 107 contre l'eau et l'oxygène est donc augmentée. [0093] Les ouvertures 503 peuvent être remplies d'un matériau métallique pour permettre de connecter le dispositif optoélectronique à un élément extérieur. 14 [0094] Les figures 19 à 22 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de structures obtenues à des étapes successives d'un autre mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comportant un capteur à photodiodes organiques et des transistors MOS. [0095] La figure 19 représente la structure obtenue après la mise en oeuvre des étapes décrites précédemment en relation avec les figures 2 à 10. On a en outre représenté, en figure 19, un poinçon 601 comprenant des motifs 602 en relief de taille micrométrique, un seul motif 602 étant représenté en figure 19, les motifs 602 ayant sensiblement des formes complémentaires des ouvertures que l'on souhaite former dans la couche tampon 201. [0096] La figure 20 représente la structure obtenue après une étape de lithographie par na- noimpression (NIL, sigle anglais pour Nanimprint lithography) comprenant l'application du poinçon 601 contre la couche tampon 201 de façon que les motifs 602 pénètrent dans la couche tampon 201. Selon un mode de réalisation, l'application du poinçon 601 contre la couche tampon 201 est réalisée sous pression. Selon un mode dc réalisation, l'application du poinçon 601 contre la couche tampon 201 est réalisée à une température supérieure à la température de transition vitreuse du matériau composant la couche tampon 201. [0097] La figure 21 représente la structure obtenue après le retrait du poinçon 601. Des évidements 603 ayant sensiblement la forme des ouvertures souhaitées sont présents dans la couche tampon 201. Des résidus 604 indésirables de la couche tampon 201 peuvent être présents, notamment sur les plots 109 et le reste du circuit optoélectronique 101. [0098] La figure 22 représente la structure obtenue après une étape de gravure directive, par exemple de gravure au plasma, pour retirer les résidus 604. On obtient ainsi les ouvertures 605 souhaitées exposant les plots 109. [0099] Le présent procédé se poursuit par le dépôt d'une couche d'encapsulation, non re- présentée, sur la totalité de la structure et notamment dans les ouvertures 605 et sur les plots 109 et le retrait, par exemple par gravure, de la portion de la couche d'encapsulation pour exposer les plots 109, ou par la formation de blocs de résine sacrificiels sur les plots 109, par le dépôt de la couche d'encapsulation sur l'ensemble de la structure et par le retrait des blocs sacrificiels, par exemple comme cela a été décrit précédemment en relation avec les figures 16 à 18. [0100] Le présent mode de réalisation permet la formation des ouvertures 605 dans la couche tampon 201 sans l'utilisation d'un masque dont les ouvertures sont définies par des étapes de photolithographie. Ceci peut être avantageux, notamment lorsque la couche tampon 201 est épaisse, dans la mesure où la couche d'une résine photosensible déposée sur la couche tampon 201 pour une utilisation comme masque doit géné- ralement avoir une épaisseur supérieure à celles de la couche tampon 201. [0101] Les figures 23 à 26 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de structures obtenues à des étapes successives d'un autre mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comportant un capteur à photodiodes organiques et des transistors MOS. [0102] La figure 23 représente la structure obtenue après la mise en oeuvre des étapes décrites précédemment en relation avec les figures 2 à 10, et après une étape de formation d'un bloc sacrificiel 701 sur la couche tampon 201 sensiblement en vis-à-vis de chaque plot 109. Chaque bloc sacrificiel 701 est de préférence en une résine photosensible. Les blocs sacrificiels 701 peuvent être formés par des étapes de photolithographie. Selon un mode de réalisation, comme cela est représenté en figure 23, chaque bloc sacrificiel 701 peut avoir une forme évasée en s'éloignant de la couche photosensible 201 ou un profil dit en casquette, comme cela a été décrit précédemment pour les blocs 504. [0103] La figure 24 représente la structure obtenue après une étape de dépôt d'une couche d'encapsulation 702 sur la structure représentée en figure 23. Selon un mode de réalisation, la couche d'encapsulation 702 a la même épaisseur et la même composition que la couche d'encapsulation 301 décrite précédemment et peut être formée par les mêmes procédés que ceux décrits précédemment pour la couche d'encapsulation 301. La couche d'encapsulation 702 s'étend sur la couche tampon 201 et sur la face supérieure de chaque bloc sacrificiel 701. Le procédé de formation de la couche d'encapsulation 702 est un procédé de dépôt directif de sorte que, en raison de la forme évasée du bloc 701, qui est plus large à son sommet qu'à sa base, la couche d'encapsulation 702 ne se dépose pas sur au moins une partie des parois latérales du bloc 701. [0104] La figure 25 représente la structure obtenue après une étape de retrait des blocs sa- crificiels 701. Selon un mode de réalisation, ceci est réalisé par le trempage de la structure représentée en figure 24 dans un bain contenant un solvant qui dissout les blocs sacrificiels 701. A titre de variante, les blocs sacrificiels 701 peuvent être retirés par une étape de gravure RIE isotrope. El est ainsi délimité des ouvertures 703 dans la couche d'encapsulation 702 aux emplacements occupés auparavant par les blocs sacrificiels 701, une seule ouverture 703 étant représentée en figure 25. [0105] La figure 26 représente la structure obtenue après la gravure d'ouvertures 704 dans la couche tampon 201 en utilisant la couche d'encapsulation 201 comme masque de gravure, les ouvertures 704 étant dans le prolongement des ouvertures 703, pour exposer les plots 109. Les ouvertures 704 peuvent être réalisées par RIE. La RIE peut être réalisée avec un mélange gazeux de dioxygène et d'hexafluorure de soufre (0,-FSF6 ), un mélange de dioxygène et de méthane (02-FCH4), ou du dioxygène pur (02). 16 [0106] Même si les parois latérales des ouvertures 704 ne sont pas recouvertes par la couche d'encapsulation 702, on bénéficie néanmoins des propriétés d'étanchéité de la couche tampon 201 à l'eau et à l'oxygène. En outre, les plots 109 et les ouvertures 704 peuvent être situés suffisamment loin de la matrice de photodiodes 107 de façon que la dégradation des couches organiques de l'empilement 103 au niveau des photodiodes 107 ducs à l'eau et/ou à l'oxygène soit réduite. [0107] La figure 27 est une vue en coupe schématique, transversale et partielle, d'un mode de réalisation d'un système 800 comprenant un dispositif optoélectronique 801 fabriqué selon l'un des modes de réalisation de procédés de fabrication décrits précédemment. [0108] Le système 800 comprend, en outre, sur le dispositif optoélectronique 801, de bas en haut en figure 27 : une couche transparente 802 plane ; une matrice de microlentilles 803 ; une couche 804 ayant un faible indice de réfraction, la couche 804 pouvant ne pas être présente ; et un revêtement 805 antireflet et/ou filtrant les infrarouges. [0109] La couche 802, disposée sur le dispositif optoélectronique 801, peut avoir la même composition que la couche tampon 201 décrite précédemment et être formée par les mêmes procédés. La couche 802 peut avoir une épaisseur comprise entre 100 nm et 15 pm, de préférence entre 1 pm et 3 pm. [0110] La matrice de microlentilles 803 peut être déposée sur la couche 802 de sorte que chaque microlentille 803 soit en vis-à-vis d'une photodiode (non représentée). Les microlentilles 803 ont une épaisseur comprise entre 0,4 pm et 10 !_un, de préférence entre 0,4 pin et 21m, et un diamètre compris entre 0,9 pm et 15 pm, de préférence entre 0,9 pin et 3 pm. Les microlentilles 803 peuvent être réalisées en polyméthacrylate de méthyle (PMMA), en PET, en PEN, en COP, en polydiméthylsiloxane (PDMS)/silicone, ou en résine époxy. Les microlentilles 803 permettent de façon avantageuse d'augmenter la collection de rayons du rayonnement incident vers les photodiodes 107. [0111] La couche 804 est déposée sur la matrice de microlentilles 803. La couche 804 est par exemple en un matériau comprenant des particules d'oxyde de silicium (SiO,), un polymère acrylique et de la résine époxy comme liant. La couche 804 peut avoir une épaisseur comprise entre 0,4 pm et 10 mn, de préférence entre 0,4 pm et 3 pm. [0112] Selon un mode de réalisation, le revêtement 805 est formé par dépôt, de préférence d'oxynitrure de silicium (SiOXNV ou Silicon oxynitride), sur la couche 804 ou directement sur la matrice de microlentilles 803. Le revêtement 805 peut avoir une épaisseur comprise entre 50 nm et 1 pm, de préférence entre 100 nm et 250 nm. 17 [0113] La figure 28 est une vue en coupe schématique, transversale et partielle, d'un autre mode de réalisation d'un système 900 comprenant un dispositif optoélectronique 801 fabriqué selon l'un des modes de réalisation de procédés de fabrication décrits précédemment. [0114] Le système 900 comprend l'ensemble des éléments du système 800 décrit pré- cédemment, à la différence que la couche 804 n'est pas présente et que le revêtement 805 est interposé entre le dispositif optoélectronique 801 et la couche transparente 802. [0115] Le mode de réalisation de la figure 27 ou 28 est de préférence mis en oeuvre lorsque l'épaisseur totale de la couche transparente 201 et de la couche d'encapsulation 501, 505 ou 702 est supérieure à l'espacement, ou pas, entre chaque photodiodes, par exemple de l'ordre de 1 pm à 10 pm, de préférence de 1 pm à 3 pm, par exemple environ 1,1 pm. Cela permet de focaliser le rayonnement vers chaque photodiode et éviter ainsi les excitations parasites des photodiodes voisines. [0116] Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. L'homme de l'art comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d'autres variantes apparaitront à l'homme de l'art. [0117] Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de l'homme du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. En particulier, dans les étapes des modes de réalisation décrits précédemment en relation avec les figures 10 à 13 et 14 et 15, la gravure d'ouvertures 404 ou 503 dans la couche d'encapsulation 201 met en oeuvre le dépôt d'une couche de résine photosensible 401, 501 sur la couche d'encapsulation 201 et la formation d'ouvertures 402, 502 dans cette couche de résine 401, 501 par des étapes de photolithographie. Selon un autre mode de réalisation, dans le cas où la couche d'encapsulation 201 est en un matériau photosensible à un rayonnement, les ouvertures 404, 503 peuvent être formées directement dans la couche d'encapsulation par des étapes de photolithographie comprenant l'exposition de parties de la couche d'encapsulation photosensible au rayonnement. 18 REVENDICATIONS[Revendication 1] Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comprenant un capteur optique à photodiodes organiques (107) adaptées à capter un rayonnement, le capteur optique recouvrant un circuit électronique (101) à transistors MOS (102), le procédé comprenant les étapes successives suivantes : a) formation, sur le capteur optique, du côté du capteur optique opposé au circuit électronique, d'une première couche (201) transparente audit rayonnement, la première couche ayant une face (202) plane du côté opposé au capteur optique ; et b) formation d'une deuxième couche (301 ; 505 ; 702) sur ladite face, la deuxième couche étant étanche à l'oxygène et à l'eau. [Revendication 2] Procédé selon la revendication 1, dans lequel le circuit électronique (101) comprend en surface au moins un plot (109) conducteur électriquement, le procédé comprenant en outre l'étape suivante : c) formation d'au moins une première ouverture (404 ; 503 ; 605 ; 704) dans la première couche (201) pour exposer ledit plot. [Revendication 3] Procédé selon la revendication 2, dans lequel la formation de la première ouverture (404 ; 503 ; 704) est réalisée par gravure ionique réactive. [Revendication 4] Procédé selon la revendication 2, dans lequel la formation de la première ouverture (404 ; 503 ; 704) est réalisée par ablation laser. [Revendication 5] Procédé selon la revendication 2, dans lequel la formation de la première ouverture (605) est réalisée par lithographie par nanoimpression. [Revendication 6] Procédé selon la revendication 2, dans lequel la première couche (201) est en un matériau photosensible à un rayonnement électromagnétique, et dans lequel la formation de la première ouverture comprend une étape d'exposition de la première couche audit rayonnement électromagnétique. [Revendication 7] Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 6, dans lequel l'étape b) précède l'étape c), le procédé comprenant, entre les étapes b) et. c), l'étape de formation d'une deuxième ouverture (403 ; 703) dans la deuxième couche (301 ; 702), la première ouverture étant formée à l'étape c) dans le prolongement de la deuxième ouverture. [Revendication 8] Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 7, comprenant., en outre, les étapes suivantes : 19 former un bloc (504 ; 701) en résine photosensible en vis-à-vis dudit plot conducteur électriquement (109), ledit bloc comprenant un sommet et des flancs ; réaliser l'étape c), la deuxième couche (505 ; 702) recouvrant notamment le sommet dudit bloc et ne recouvrant pas complètement les flancs ; et retirer ledit bloc. [Revendication 9] Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 6, dans lequel l'étape c) précède l'étape h), la deuxième couche (505) recouvrant en outre les parois latérales de la première ouverture (503 ; 605 ; 704). [Revendication 10] Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la première couche (201) est réalisée en un matériau choisi dans le groupe comprenant le polystyrène, les polyépoxydes, les polyacrylatcs, les résines organiques, notamment les résines photosensibles, le nitrure de silicium (Si;N4) et le dioxyde de silicium (Si02). [Revendication 11] Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel la première couche (201) est déposée par : dépôt par voie liquide ; pulvérisation cathodique ; dépôt physique en phase vapeur ; dépôt en couches minces ; ou dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma. [Revendication 12] Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel la première couche (201) a une épaisseur moyenne comprise entre 100 nm et 15 pm, de préférence entre 500 nm et 5 pm, préférentiellement entre 1 pm et 3 mn. [Revendication 13] Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel la deuxième couche (301 ; 505 ; 702) est réalisée en un matériau choisi dans le groupe comprenant l'oxyde d'aluminium (A1202), le nitrure de silicium (Si2P44) et le dioxyde de silicium (Si02). [Revendication 14] Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel la deuxième couche (301 ; 505 ; 702) a une épaisseur moyenne comprise entre 2 nm et 300 nm. [Revendication 15] Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, comprenant, en outre, les étapes suivantes : formation d'une troisième couche (805) antireflet et/ou filtrant les infrarouges ; et formation d'une matrice de microlentilles (803). 20 [Revendication 16] Dispositif optoélectronique comprenant : un circuit électronique (101) à transistors MOS ; un capteur optique à photodiodes organiques adaptées à capter un rayonnement, le capteur optique recouvrant le circuit électronique (101) ; une première couche (201) recouvrant le capteur optique, du côté du capteur optique opposé au circuit électronique, la première couche étant transparente audit rayonnement et ayant une face (202) plane du côté opposé au capteur optique ; et une deuxième couche (301 ; 505 ; 702) plane sur la première couche.