Brevet FR3094561A1 — publié le 20201002

Description Titre de l'invention : Procédé de fabrication d'une structure Domaine technique [0001] La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure, et en par- ticulier un procédé d'encapsulation d'un espace d'interconnexions s'interposant entre un élément actif et un support auquel ledit élément est assemblé. Technique antérieure [0002] L'intégration à trois dimensions (« three-dimensional integration » selon la ter- minologie Anglo-Saxonne), bien connue de l'homme du métier, a permis (le nombreuses avancées technologiques, en particulier, pour l'amélioration des performances et l'augmentation de la densité des dispositifs micro-électroniques et/ou optroniques. [0003] L'intégration 3D permet notamment de diminuer les longueurs d'interconnexions, et par voie de conséquence leur densité, sans nécessairement réduire leurs dimensions latérales. [0004] Cette technologie peut faire appel à la formation de VIAs, de bosses d'interconnexions (« Bump » selon la terminologie Anglo-Saxonne), d'amincissement de substrats, d'assemblage de substrats ou d'éléments actifs, ainsi que d'encapsulation. [0005] À cet égard, l'encapsulation par une colle peut êtrc mise en oeuvre pour renforcer la tenue mécanique et la fiabilité d'un assemblage comprenant un élément actif reporté sur un support. Le support assure une fonction mécanique mais peut également comprendre des fonctions CMOS pour l'intégration de fonctions CMOS ou dc détection (dc l'élément actif) avec les fonctions CMOS dudit support. [0006] L'encapsulation permet en outre de limiter la contamination au niveau de l'interface d'assemblage. [0007] En particulier, un procédé d'encapsulation, illustré à la figure 1 et connu de l'état de la technique, comprend les étapes suivantes : al) une étape de fourniture d'un élément actif 10 pourvu d'une face avant 11 et d'une face arrière 12, parallèles entre elles et reliées par un contour 13 ; bl) une étape d'assemblage de la face avant 11 et d'une face principale 21 d'un support 20, l'une et/ou l'autre de la face avant 11 et de la face principale 21 comprenant des plots d'interconnexion 30 en projection par rapport à la ou les faces considérées ; cl) une étape de remplissage d'un espace d'interconnexions 40 ménagé, entre les plots d'interconnexion 30, entre la face avant 11 et la face principale 21, avec une colle 50. 2 [0008] L'étape cl) est généralement exécutée en faisant s'écouler par capillarité la colle dans l'espace d'interconnexions. [0009] Toutefois, ce procédé connu de l'état de la technique n'est pas satisfaisant. [0010] En effet, lorsqu'elle se répand par capillarité, la colle crée un ménisque M (figure 2) qui vient en recouvrement, au moins partiel, du contour 13. [0011] Cc ménisque génère des contraintes mécaniques susceptibles de mettre en tension les interconnexions formées par les plots d'interconnexion ainsi que l'élément actif 10, et ultimement, de provoquer une rupture, par pelage, de l'assemblage formé par l'élément actif et le support. [0012] Par ailleurs, l'élément actif 10 peut comprendre, de sa face avant 11 vers sa face arrière 12, une couche active 10a formée sur une couche poignée 10h destinée à être retirée à l'issue de l'étape cl) (figure 2 et 3). [0013] La couche active 10a peut comprendre tout type de dispositif. Notamment, la couche active 10a peut comprendre au moins un des éléments choisi parmi : un dispositif électronique, un dispositif micro-électronique, un dispositif optoélectronique, un micro système électromécanique (« MEMS » selon la terminologie Anglo-Saxonne). [0014] La couche active 10a peut, en particulier, comprendre une ou plusieurs structures électroluminescentes, par exemple sous forme de nanofils ou microfils tel que décrit dans de le document [1] cité à la fin de la description. [0015] Des étapes de fabrication additionnelles peuvent alors être mises en oeuvre au niveau de la couche active 10a ainsi découverte. [0016] Ces étapes de fabrication additionnelles peuvent notamment comprendre la formation de filtres couleurs impliquant au moins une étape de photolithographie. [0017] Toutefois, l'étape de retrait de la couche poignée, généralement exécutée par gravure chimique ou par polissage mécano chimique (« CMP » ou « Chernical Mechanical Polishing » selon la terminologie Anglo-Saxonne), laisse le ménisque M intact de sorte que la topologie associée à ce dernier rende impossible toute étape de photolithographie (figure 3). [0018] En outre, dès lors que la surface de l'élément actif est importante, et en particulier su- périeure à 1 cm2 (voire supérieure à 3 cm2), la force de capillarité destinée à activer l'écoulement de la colle entre la face avant 11 et la face principale 21 n'est plus suffisante de sorte le remplissage est incomplet, et laisse apparaître des bulles (« voids » selon la terminologie anglo-Saxonne) (figure 4). [0019] Afin de pallier le problème relatif au remplissage partiel ou à l'apparition de bulles, il a pu être proposé de procéder à des traitements plasma différentiés des faces principale et avant d'une part, et de la face arrière et du contour d'autre part (document [2] cité à la fin de la description). [0020] Ces traitements ne semblent toutefois pas répondre de manière satisfaisante à la pro- 3 blématique posée par le ménisque et notamment ne permettent pas de réduire la topologie générée par ce dernier en cas de retrait de la couche poignée. [0021] En d'autres termes, le procédé proposé dans le document [2] ne semble pas être adapté pour prévenir, ou à tout le moins limiter, le recouvrement, par le ménisque, du contour de l'élément actif. [0022] Par ailleurs, les traitements plasma ne sont stables que sur une très courte durée de temps qui n'excède généralement pas quelques minutes, et notamment sur une échelle de temps correspondant au temps de remplissage d'un espace d'interconnexion impliquant un élément actif de 1 cm2. [0023] Un but de la présente invention est donc de proposer un procédé d'encapsulation au niveau d'une interface d'assemblage pour lequel le recouvrement du contour de l'élément actif par le ménisque est réduit par rapport aux procédés connus de l'état de la technique. [0024] Un autre but de la présente invention est de proposer un procédé d'encapsulation au niveau de l'interface d'assemblage pour lequel les contraintes de temps sont moins sévères au regard du procédé décrit dans le document [2] cité à la fin de la description. [0025] Un autre but de la présente invention est de proposer un procédé d'encapsulation pour lequel le remplissage par la colle entre la face avant et la face principale est complet et sans bulles d'enrobage. Exposé de l'invention [0026] Les buts de la présente invention sont, au moins en partie, atteints par procédé de fa- brication d'une structure comprenant les étapes suivantes : a) une étape de fourniture d'un élément actif pourvu d'une face avant et d'une face arrière, parallèles entre elles et reliées par un contour perpendiculaire auxditcs faces ; c) une étape d'assemblage de la face avant et d'une face principale d'un support, l'une et/ou l'autre de la face avant et de la face principale comprenant des plots d'interconnexion en projection par rapport à la ou les faces considérées ; c) une étape de remplissage d'un espace d'interconnexions ménagé, entre les plots, entre la face avant et la face principale, avec une colle ; le procédé étant remarquable en ce qu'il comprend en outre une étape b), exécutée avant l'étape c), de formation, par une méthode autre qu'un procédé plasma, d'une première couche de passivation recouvrant le contour, et faite d'un premier composé permettant de limiter le mouillage dudit contour par la colle au regard de la face avant et de la face principale. [0027] Ainsi, une interface susceptible d'être formée entre la colle et la première couche de passivation présente une énergie d'interface supérieure à celle d'une interface susceptible d'être formée entre ladite colle et le contour dépourvu de première couche de passivation. [0028] Par conséquent, la première couche de passivation limite le recouvrement par la colle du contour. En d'autres termes, la colle mouille préférentiellement la face avant et la face principale. [0029] Selon un mode de mise en oeuvre, l'étape h) débute par un masquage de la face avant et se termine par un retrait du masquage de ladite face. [0030] Le masquage permet de conserver intacte la face avant, et ainsi préserver sa mouillabilité par la colle. Plus particulièrement, le masquage permet d'éviter la contamination des plots d'interconnexion par la première couche de passivation. [0031] Selon un mode de mise en oeuvre, la première couche de passivation est également formée sur la face arrière. [0032] Selon un mode de mise en oeuvre, la première couche de passivation comprend une mono couche auto assemblée du premier composé. [0033] Selon un mode de mise en oeuvre, le premier composé comprend une chaine ali- phatique linéaire pourvue d'au moins 6 atomes de carbone. [0034] Selon un mode de mise en oeuvre, la chaine aliphatique comprend un ou plusieurs substituants fluor. [0035] Le substituant fluor permet d'augmenter l'énergie d'interface d'une interface sus- ceptible d'être formée entre la première couche de passivation et la colle. [0036] Selon un mode de mise en oeuvre, la chaine aliphatique est terminée selon une de ces extrémités par une fonction silane. [0037] Selon un mode de mise en oeuvre, la fonction silane comprend un, deux ou trois sub- stituant chlore, avantageusement, le premier composé comprend du perfluorodecyltrichlorosilane. [0038] Selon un mode de mise en oeuvre, le procédé comprend en outre une étape d), exécutée avant l'étape e), de formation d'une seconde couche de passivation, par une méthode autre qu'un procédé plasma, sur la face avant et la face principale, et faite d'un second composé configuré pour que l'énergie d'interface entre la colle et la seconde couche de passivation soit inférieure à l'énergie d'interface entre la colle et les faces avant et principale dépourvues de ladite seconde couche de passivation. [0039] La seconde couche de passivation améliore la mouillabilité de la face avant et de la face principale par la colle, et permet ainsi de considérer un élément actif présentant une surface importante, notamment supérieure à 1 cm2, voire supérieure à 2 cm'. [0040] Selon un mode de mise en oeuvre, la seconde couche de passivation est formée selon un procédé en phase vapeur après l'étape c). [0041] Selon un mode de mise en oeuvre, la seconde couche de passivation comprend une mono couche auto assemblée du second composé. [0042] Selon un mode de mise en oeuvre, le second composé comprend une chaine ali- phatique linéaire terminée selon une de ces extrémités par une fonction époxy si la colle est à base d'époxy, par une fonction amine si la colle est à base d'amine. [0043] Selon un mode de mise en oeuvre, l'autre extrémité de la chaine aliphatique du second composé est terminée par une fonction silane. [0044] Selon un mode de mise en oeuvre, le second composé comprend de l'époxybutyltriméthoxysilanc. [0045] Selon un mode de mise en oeuvre, l'élément actif comprend de sa face avant vers sa face arrière une couche active et une couche poignée. [0046] Selon un mode de mise en oeuvre, l'étape c) est suivie d'une étape f) de retrait de la couche poignée de manière à exposer la couche active. [0047] Selon un mode de mise en oeuvre, la couche action comprend au moins une structure électroluminescente, et en particulier des nanofils ou des microfils électroluminescents. Brève description des dessins [0048] D'autres caractéristiques et avantages apparaîtront dans la description qui va suivre du procédé de fabrication d'une structure selon l'invention, donnés à titre d'exemples non limitatifs, en référence aux dessins annexés dans lesquels : [0049] [fig.1] est une représentation schématique des différentes étapes d'un procédé d'encapsulation connu de l'état de la technique, notamment le support et l'élément actif sont représentés selon un plan de coupe perpendiculaire à la face avant ; [0050] [fig.2] est une représentation de l'assemblage obtenu à l issue de l'étape cl) selon un plan de coupe perpendiculaire à la face avant ; [0051] [fig.3] est une représentation de l'assemblage de la figure 2 après retrait dc la couche poignée ; [0052] [fig.4] est une image par microscopie acoustique (« SAM » ou « Scanning Acoustic Mi- croscopy » selon la terminologie Anglo-Saxonne), vue dc la face arrière, de l'assemblage formée par l'élément actif et le support, et révélant des défauts, notamment des bulles, de remplissage ; [0053] [fig.5a] [0054] [fig.5b] [0055] [fig.5c] [0056] [fig.5d] [0057] [fig.5e] [0058] [fig.5f] 6 [0059] [fig.5g] sont des représentations schématiques des différentes étapes susceptibles d'être mises en oeuvre lors de l'exécution du procédé selon la présente invention ; [0060] [fig.6a] [0061] [fig.6b] sont des représentations schématiques d'étapes susceptibles d'être mises en oeuvre lors de l'exécution du procédé selon la présente invention, et impliquant notamment le retrait d'une couche poignée. [0062] EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS [0063] La présente invention concerne un procédé d'encapsulation par une colle d'un espace d'interconnexions s'interposant entre un élément actif et un support auquel ledit élément est assemblé. [0064] En particulier, la présente invention met en oeuvre une première couche de pas- sivation formée, par une méthode autre qu'un procédé plasma, au moins sur un contour de l'élément actif de manière à limiter le mouillage dudit contour par la colle, et ainsi prévenir le recouvrement du contour par un ménisque de colle se formant à proximité dudit contour. [0065] Les figures Sa à 5g sont des représentations schématiques des différentes étapes du procédé de fabrication selon la présente invention. [0066] Le procédé comprend notamment une étape de fourniture d'un élément actif 100 qui comprend deux faces essentiellement parallèles dites, respectivement, face avant 110 et face arrière 120 (figure Sa). [0067] La face avant 110 et la face arrière 120 sont par ailleurs reliées par un contour 130. [0068] Par « contour », on entend une surface, en rupture de pente par rapport aux faces qu'elle relie. [0069] L'élément actif peut comprendre un dispositif électronique, ou un dispositif optoélec- tronique, ou un dispositif optique. [0070] Le dispositif, dans un exemple qui sera détaillé dans la suite de l'énoncé, peut comprendre de sa face avant 110 vers sa face arrière 120 une couche active formée sur une couche poignée. [0071] La couche poignée peut comprendre un matériau semi-conducteur, notamment du silicium. [0072] Le procédé comprend également une étape b) de formation d'une première couche de passivation 140 sur le contour 130 et éventuellement sur la face arrière 120 (figure 5c). [0073] L'étape b) peut débuter par un masquage 150 (figure 5b) de la face avant 110 et se terminer par un retrait dudit masquage (figure Sd). [0074] Le procédé comprend également une étape c) d'assemblage de la face avant 110 avec une face principale 210 d'un support (figure 5e). 7 [0075] Le support 200 peut comprendre en projection par rapport à la face principale 210 des plots d'interconnexion 300. [0076] L'élément actif 100 peut comprendre des plots métalliques ou des bossages mé- talliques 310 (« UBM » ou « under bump metallurgy » selon la terminologie anglo-saxonne), en projection par rapport à la face avant 110, et en correspondance avec les plots d'interconnexion 300 (ou d'autres bossages) de sorte qu'un contact s'établisse, lors de l'assemblage, entre chaque plot et le bossage métallique lui faisant face. [0077] Les plots d'interconnexion peuvent comprendre des piliers en cuivre, des billes d'indium ou d'alliage d'indium, d'étain ou d'alliage d'étain, des micro tubes. [0078] À titre d'exemple, 450000 plots 300, de 20 pm de hauteur et selon un pas de 30 pm, sont formés sur une face principale 210 de 4 cm2. Les plots 300 comprennent notamment un empilement de cuivre, de nickel et d'un alliage étain argent (SnAg). [0079] Toujours selon cet exemple, 450000 bossages métalliques 310, comprenant un alliage de titane et de nickel ainsi que de l'or, sont formés sur une face avant 110 de 4 cm2, et selon une disposition permettant d'établir un contact électrique entre plots et bossages. [0080] Lors de l'étape d'assemblage c), la fusion de l'alliage SnAg des plots 300, provoquée par un chauffage, permet de mouiller les bossages métalliques et établir les connexions électriques entre chaque plot 300 et le bossage 310 lui faisant face. [0081] Les plots d'interconnexion 300 et les bossages métalliques 310 en projection, respec- tivement, par rapport à la face principale 210 et la face avant 110 ménagent un espace d'interconnexions 400 entre lesdites faces à l'issue de l'étape c). [0082] Cet espace d'interconnexions 400 est alors comblé par une colle 500 (étape e)). La colle 500 est notamment déposée, par exemple à l'aide d'une aiguille 600, à proximité du contour 130, sur la face principale 210, et se répand par capillarité dans l'espace d'interconnexions entre les plots d'interconnexion 300 et les bossages métalliques 310. [0083] Selon la présente invention, la première couche de passivation 140 est faite d'un premier composé permettant de limiter le mouillage du contour 130 par la colle 500 au regard de la face avant 110 et de la face principale 210. [0084] En d'autres termes, une interface susceptible d'être formée entre la colle 500 et la première couche de passivation présente une énergie d'interface supérieure à celle d'une interface susceptible d'être formée entre ladite colle 500 et le contour 130 dépourvu de première couche de passivation. [0085] Par conséquent, la première couche de passivation limite le recouvrement du contour par le ménisque de colle 500. [0086] De manière avantageuse, la première couche de passivation comprend une mono couche auto assemblée du premier composé. [0087] À cet égard, le premier composé peut comprendre une chaine aliphatique linéaire 8 pourvue d'au moins 6 atomes de carbone. Cette chainc aliphatique peut comprendre un ou plusieurs substituants fluor. [0088] La chainc aliphatique du premier composé peut être terminée selon une de ces ex- trémités par une fonction silane. La fonction silane peut comprendre un, deux ou trois substituants chlore. [0089] De manière particulièrement avantageuse, le premier composé comprend du perfluo- rodecyltrichlorosilanc (FDTS). [0090] La formation de la première couche de passivation, et notamment d'une couche faite à partir du FDTS, fait appel à des techniques connues de l'homme du métier qui sont décrites dans le document [3] cité à la fin de la description. [0091] Les couches formées par ces composés silanes, relativement stables dans le temps, permettent une meilleure gestion dc l'enchaincment des étapes de fabrication. [0092] Par ailleurs, ces mêmes couches, thermiquement résistantes, ne sont pas affectées par le chauffage susceptible d'être imposé lors de l'étape c). [0093] Le procédé selon la présente invention peut également comprendre une étape d), exécutée avant l'étape c), de formation d'une seconde couche de passivation 160 sur la face avant 110 et sur la face principale 210. [0094] La seconde couche dc passivation, formée par une méthode autre qu'un procédé plasma, est faite d'un second composé configure pour que l'énergie d'interface entre la colle 500 et la seconde couche dc passivation 160 soit inférieure à l'énergie d'interface entre la colle 500 et les faces avant 110 et principale 210 dépourvues de ladite seconde couche de passivation 160. [0095] Ainsi, la seconde couche de passivation 160 permet d'améliorer le mouillage par la colle de la face avant 110 et de la face principale 210, et par voie de conséquence favoriser l'écoulement par capillarité de la colle 500 dans l'espace d'interconnexions 400. [0096] Cette amélioration du mouillage par la colle permet également de limiter, voire de prévenir, la formation de bulles. [0097] La mise en oeuvre de la seconde couche de passivation 160 permet également de considérer un élément actif 100 de grande surface, et notamment présentant une surface comprise entre 1 cm2 et 4 cm2, voire supérieure à 4 cm2. [0098] La seconde couche de passivation 160 peut être formée selon un procédé en phase vapeur après l'étape c). [0099] La seconde couche de passivation 160 peut comprendre une mono couche auto assemblée du second composé. [0100] Le second composé peut comprendre une théine aliphatique linéaire terminée selon une de ces extrémités par une fonction époxy si la colle est à base d'époxy, par une fonction amine si la colle est à base d'amine. 9 [0101] L'autre extrémité de la chaine aliphatique du second composé peut être terminée par une fonction silane. [0102] De manière particulièrement avantageuse, le second composé comprend de l'époxyhutyltriméthoxysilanc (EBTMOS). [0103] La formation de la seconde couche de passivation, et notamment d'une couche faite à partir de l'EBTMOS, fait appel à des techniques connues de l'homme du métier qui sont décrites dans les documents [4] et [5] cités à la fin de la description. [0104] Un tel composé permet de réduire considérablement l'angle de goutte de la colle 500 sur la face avant et la face principale, et donc améliorer la mouillabilité desdites surfaces par la colle 500. [0105] À titre d'exemple, le tableau, donné ci-après, donne l'angle de goutte (en « ») pour différents types de colles époxy sur une surface recouverte d'une couche d'EBTMOS, et sur la même surface non recouverte d'une couche d'EBTMOS. [Table 1] type de colle Surface recouverte Surface non recouverte par une couche par une couche d'EBTMOS d'EBTMOS XS8410-302 17 37 PB 181084360 12 33 PB 176152 301 16 32 OD 2002 29 38 [0106] Par ailleurs, le mouillage de la première couche de passivation par le second élément est très défavorable de sorte qu'aucun masquage de la première couche n'est nécessaire lors de la formation de la seconde couche 160. [0107] Ainsi, la mise en oeuvre combinée de la première couche de passivation 140 et de la seconde couche de passivation 160 permet également de simplifier le procédé de fabrication selon la présente invention. [0108] Selon un mode de réalisation particulièrement avantageux, l'élément actif 100 peut comprendre de sa face avant 110 vers sa face arrière 120 une couche active 100a et une couche poignée 100b destinée à être retirée lors d'une étape 1), à l'issue de l'étape e), de manière à exposer la couche active 100a (figures 6a et 6b). [0109] La couche active 100a peut comprendre tout type de dispositif. Notamment, la couche active 10a peut comprendre au moins un des éléments choisi parmi : un dispositif électronique, un dispositif micro-électronique, un dispositif optoélectronique, un micro système électromécanique (« MEMS » selon la terminologie AngloSaxonne). [0110] De manière particulièrement avantageuse, la couche active 100a peut comprendre au moins une structure électroluminescente. [0111] En particulier, la structure électroluminescente peut comprendre des nano fils ou des micro fils tels que ceux décrits dans le document [1] cité à la fin de la description. [0112] Le procédé selon la présente invention permet de prévenir toute topologie induite par le ménisque à l'issue de l'étape de retrait de la couche poignée 100b. [0113] Il est ainsi possible d'exécuter des étapes de fabrication additionnelles, et notamment des étapes de photolithographie, au niveau de la couche active. Liste des documents cités [0114] [1] FR 3053530; [0115] [2] US 8,945,983; [0116] [3] G. Moulin et al., "An Efficient Proccss of Surface Modification and Patterning for LED Encapsulation", IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS, PACKAGING AND MANUFACTURING TECHNOLOGY, VOL. 8, NO. 5, MAY 2018; [0117] [4] Eva Grincnval et al., "Spatially controllcd immobilisation of biomolccules: A complete approach in green chemistry », Applicd Surface Science 289 (2014) 571580; [0118] [5] Jordi Rull et al., -Functionalization of Silicon oxide using supercritical tluid de- position of 3, 4-epoxybutyltrimethoxysilane for the immohilization of amino-modified oligonucleotide », Applied Surface Science 354 (2015) 285-297. 11 REVENDICATIONS[Revendication 1] Procédé de fabrication d'une structure comprenant les étapes suivantes : a) une étape de fourniture d'un élément actif (100) pourvu d'une face avant (110) et d'une face arrière (120), parallèles entre elles et reliées par un contour (130) ; c) une étape d'assemblage de la face avant (110) et d'une face principale (210) d'un support (200), l'une ou l'autre de la face avant (110) et de la face principale (210) comprenant des plots d'interconnexion (300, 310) en projection par rapport à la face considérée ; e) une étape de remplissage d'un espace d'interconnexions (400) ménagé, entre les plots, entre la face avant (110) et la face principale (210), avec une colle (500) ; le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape b), exécutée avant l'étape c), de formation, par une méthode autre qu'un procédé plasma, d'une première couche de passivation (140) recouvrant le contour (130), et faite d'un premier composé permettant de limiter le mouillage dudit contour (130) par la colle (500) au regard de la face avant (110) et de la face principale (210). [Revendication 2] Procédé selon revendication 1, dans lequel l'étape b) débute par un masquage de la face avant (110) et se termine par un retrait du masquage de ladite face. [Revendication 3] Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la première couche de passivation (140) est également formée sur la face arrière (120) de l'élément actif (100). [Revendication 4] Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel la première couche de passivation (140) comprend une mono couche auto assemblée du premier composé. [Revendication 5] Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel le premier composé comprend une chaine aliphatique linéaire pourvue d'au moins 6 atomes de carbone. [Revendication 6] Procédé selon la revendication 5, dans lequel la chaine aliphatique comprend un ou plusieurs substituant fluor. [Revendication 7] Procédé selon la revendication 5 ou 6, dans lequel la chaine aliphatique est terminée selon une de ces extrémités par une fonction silane. [Revendication 8] Procédé selon la revendication 7, dans lequel la fonction silane comprend un, deux ou trois substituant chlore, avantageusement, le premier composé comprend du peffluorodecyltrichlorosilane. 12 [Revendication 9] [Revendication 10] [Revendication 11] [Revendication 12] [Revendication 13] [Revendication 14] [Revendication 15] [Revendication 16] [Revendication 17] Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel le procédé comprend en outre une étape d), exécutée avant l'étape e), de formation de formation d'une seconde couche de passivation (160), par une méthode autre qu'un procédé plasma, sur la face avant (110) et la face principale (210), et faite d'un second composé configure pour que l'énergie d'interface entre la colle (500) et la seconde couche de passivation (160) soit inférieure à l'énergie d'interface entre la colle (500) et les faces avant et principale dépourvues de ladite seconde couche de passivation (160). Procédé selon la revendication 9, dans lequel la seconde couche de passivation (160) est formée selon un procédé en phase vapeur après l'étape c). Procédé selon la revendication 9 ou 10, dans lequel la seconde couche de passivation (160) comprend une mono couche auto assemblée du second composé. Procédé selon l'une des revendications 9 à 11, dans lequel le second composé comprend une chainc aliphatique linéaire terminée selon une de ces extrémités par une fonction époxy si la colle (500) est à hase d'époxy, par une fonction amine si la colle (500) est à hase d'amine. Procédé selon la revendication 12, dans lequel l'autre extrémité de la chaine aliphatique du second composé est terminée par une fonction silane. Procédé selon la revendication 13, dans lequel le second composé comprend de l'époxybutyltriméthoxysilane. Procédé selon l'une des revendications 1 à 14, dans lequel l'élément actif (100) comprend de sa face avant (110) vers sa face arrière (120) une couche active (100a) et une couche poignée (100b). Procédé selon la revendication 15, dans lequel l'étape e) est suivie d'une étape f) de retrait de la couche poignée (100b) de manière à exposer la couche active (100a). Procédé selon la revendication 16, dans lequel la couche active (100a) comprend au moins une structure électroluminescente, et en particulier des nanofils ou des microfils électroluminescents.