Brevet FR3088136A1 — publié le 20200508

DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION L'invention concerne le domaine de la photonique et de l'optoélectronique. Elle trouve au moins une application particulièrement avantageuse dans le domaine des photodétecteurs. Elle trouvera pour application avantageuse mais non limitative la réalisation de photodiodes, en particulier à base de germanium. ÉTAT DE LA TECHNIQUE Dans le domaine de la photonique sur silicium, un photodétecteur est un composant optoélectronique essentiel des systèmes de communication optiques intégrables en technologie CMOS. Un enjeu lié à la fabrication des photodétecteurs est d'augmenter la sensibilité de détection de la lumière. Un principe de détection de la lumière dans un photodétecteur ou une photodiode est le suivant : Un photon est absorbé dans la zone d'absorption de la photodiode. L'absorption de ce photon génère une paire électron-trou. L'électron et le trou, appelés porteurs de charge électrique, peuvent être ensuite collectés via des électrodes ou des zones de contact. Le courant électrique généré par ces porteurs peut ainsi être exploité pour la détection du photon à l'origine du phénomène. Une architecture de photodiode exploitant ce principe est une photodiode p-i-n comprenant une zone d'absorption en un matériau non dopé (i pour intrinsèque) intercalée entre deux zones de contact en un matériau dopé (p et n pour le type de dopage correspondant). Du fait de ses propriétés d'absorption et de conduction, et de sa compatibilité avec les technologies CMOS, le germanium (Ge) est généralement utilisé pour fabriquer des photodiodes Ge présentant une architecture classique Ge-p / Ge-i / Ge-n. Une possibilité particulièrement intéressante pour augmenter la sensibilité 30 de détection des photodiodes est d'améliorer le confinement des photons dans la zone d'absorption de la photodiode. 2 Le confinement des photons dans la zone d'absorption peut résulter d'un contraste d'indices optiques entre le matériau de la zone d'absorption et les matériaux environnants. Le document « Développement de photodiodes à avalanche en Ge sur Si 5 pour la détection faible signal et grande vitesse, L. Virot, Université Paris Sud - Paris XI, 2014 » divulgue par exemple une architecture latérale de photodiode p-i-n utilisant le silicium (Si) et le germanium (Ge). Une telle photodiode illustrée à la figure 1 présente une double hétérojonction Si-p / Ge-i / Si-n. Cette architecture permet un confinement de la 10 lumière amélioré par rapport à une photodiode Ge classique. La zone d'absorption A intercalée entre les zones de contact 1 et 2 de cette photodiode à double hétérojonction est formée par croissance du Ge 3 à partir d'une couche de germination 111 en Si. Ce procédé de fabrication induit des pertes optiques au niveau de la 15 couche de germination 111 qui nuisent au confinement optique dans la zone d'absorption A. Par ailleurs, une zone de dislocations est présente à l'interface Si/Ge entre la couche de germination 111 et la zone d'absorption A. Les dislocations traversantes, c'est-à-dire se propageant selon la 20 troisième direction, génèrent un courant d'obscurité limitant les performances de détection à basse tension de la photodiode. L'intégration d'une telle photodiode par un procédé de report sur un autre substrat est également difficile à mettre en oeuvre. L'intégration d'une telle photodiode avec d'autres composants est limitée. 25 Un objet de la présente invention est de pallier au moins en partie certains des inconvénients mentionnés ci-dessus. Selon un aspect particulier, un objet de la présente invention est de proposer un procédé de réalisation d'une photodiode latérale visant à optimiser le confinement optique dans la zone d'absorption de la photodiode. Selon un autre aspect, un objet de la présente invention est de proposer un procédé de réalisation d'une photodiode latérale visant à réduire le taux de dislocations traversantes dans la zone d'absorption de la photodiode. 3 Les autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à l'examen de la description suivante et des dessins d'accompagnement. Il est entendu que d'autres avantages peuvent être 5 incorporés. RÉSUMÉ DE L'INVENTION Pour atteindre cet objectif, un premier aspect de l'invention concerne un procédé de réalisation d'une photodiode comprenant une première zone de 10 contact, une deuxième zone de contact et une zone d'absorption juxtaposées de sorte à s'étendre parallèlement suivant une première direction, ladite zone d'absorption étant située entre les première et deuxième zones de contact selon une deuxième direction. Ce procédé comprend les étapes suivantes : 15 - Fournir un premier substrat comprenant un empilement selon une troisième direction d'une première couche à base d'un premier matériau sur une deuxième couche à base d'un deuxième matériau différant du premier matériau, Former au niveau de la première couche la première zone de contact, 20 Former au niveau de la première couche la deuxième zone de contact, Former au niveau de la première couche la zone d'absorption. Avantageusement mais non limitativement, la formation de la zone d'absorption comprend au moins une première croissance d'une couche de 25 base, dite croissance latérale, suivie d'au moins une deuxième croissance d'une couche de structure, dite croissance verticale. La première croissance comprend au moins les étapes successives suivantes : . Retirer le premier matériau dans la zone d'absorption sur toute 30 l'épaisseur de la première couche de façon à exposer une face inférieure à base du deuxième matériau, et au moins une face à base du premier matériau sensiblement normale au plan basal, dite 4 face latérale, présentant un bord au contact de ladite face inférieure exposée, - Former la couche de base en un troisième matériau par croissance épitaxiale dudit troisième matériau à partir de l'au moins une face 5 latérale, ladite croissance étant principalement dirigée selon la deuxième direction et au moins partiellement guidée par au moins une paroi parallèle au plan basal, de sorte que la couche de base couvre toute la face inférieure. la deuxième croissance comprenant les étapes successives suivantes : 10 - Exposer une face supérieure de la couche de base parallèle au plan basal, - Former la couche de structure en un quatrième matériau par croissance épitaxiale dudit quatrième matériau selon la troisième direction à partir de la face supérieure de la couche de base. 15 Ce procédé permet d'obtenir un empilement de couches, comprenant la couche de base et la couche de structure, directement au contact du deuxième matériau. La croissance épitaxiale selon la deuxième direction permettant de former 20 la couche de base est dite croissance épitaxiale latérale. La croissance épitaxiale selon la troisième direction permettant de former la couche de structure est dite croissance épitaxiale verticale. La croissance épitaxiale latérale sur toute la face inférieure à base du deuxième matériau permet avantageusement de s'affranchir d'une couche de 25 germination sur ladite face inférieure, pour la croissance du troisième matériau. La couche de base issue de cette croissance épitaxiale latérale est de préférence de faible épaisseur, par exemple comprise entre 10 nm et 50 nm, de façon à réduire le taux de dislocations de cette couche de base, c'est-à-dire de façon à optimiser la qualité cristalline de cette couche de base. 30 Selon une possibilité, le quatrième matériau est à base du troisième matériau ou identique au troisième matériau. Dès lors, la croissance épitaxiale verticale du quatrième matériau sur la face supérieure de la couche de base permet d'obtenir une couche de structure 5 présentant une épaisseur de matériau à base du troisième matériau plus importante, tout en conservant une qualité cristalline optimale pour la couche de structure. La croissance épitaxiale verticale donc peut se faire par homoépitaxie. 5 La croissance épitaxiale verticale se fait pour un quatrième matériau présentant un désaccord de maille avec le troisième matériau de préférence inférieur à 0.2%. Le taux de dislocations traversantes est ainsi réduit à la fois dans la couche de base et dans la couche de structure. 10 Avantageusement, la zone d'absorption est formée dans l'empilement des couches de base et de structure, de préférence sur toute la hauteur de l'empilement. La zone d'absorption est ainsi formée directement sur la deuxième couche du substrat, sans recourir à une couche de germination intercalaire. 15 Le confinement optique dans la zone d'absorption de la photodiode peut ainsi être amélioré en supprimant les pertes optiques induites par la couche de germination. Par ailleurs, la qualité cristalline de la zone d'absorption est optimisée. La réduction du taux de dislocations, en particulier de dislocations traversantes, 20 dans la zone d'absorption permet in fine de réduire le courant d'obscurité à basse tension des photodiodes. Selon une possibilité préférée, le troisième matériau est à base de germanium (Ge), par exemple en germanium ou en un alliage germanium-étain (GeSn). Le quatrième matériau peut être du germanium, du germanium-étain, 25 de l'arsénure de gallium, du phosphorure d'indium par exemple. Le procédé selon l'invention permet dès lors d'obtenir un empilement local de type Ge01 (selon l'acronyme anglais « Germanium On Insulator »). Le contraste d'indices optiques est ainsi optimisé et le confinement des photons dans la zone d'absorption selon la troisième direction est amélioré. 30 En outre, la disposition relative des zones de contact et d'absorption confère à la photodiode une architecture dite latérale. 6 Le procédé selon l'invention permet donc d'obtenir des photodiodes latérales p-i-n Ge01, par exemple une photodiode p-i-n à double hétérojonction Si-Ge-Si, présentant une qualité cristalline optimisée. 5 De telles photodiodes constituent également un aspect séparable de l'invention. Selon un mode de réalisation préféré de l'invention, la couche de base est crue au sein d'une cavité préalablement formée. 10 En particulier, cette cavité comprend l'au moins une face latérale, une paroi inférieure et une paroi supérieure. Les parois inférieure et supérieure sont à base d'un matériau diélectrique pris parmi un oxyde de silicium et un nitrure de silicium. La croissance épitaxiale latérale principalement selon la deuxième direction est dès lors contrainte selon la première direction. La formation de la 15 couche de base est ainsi mieux contrôlée, et sa qualité cristalline améliorée. La photodiode réalisée par le procédé selon l'invention pourra avantageusement équiper un photodétecteur dans le domaine de la photonique sur silicium. 20 Un deuxième aspect séparable de l'invention concerne une photodiode comprenant une première zone de contact, une deuxième zone de contact et une zone d'absorption formées dans une première couche à base d'un premier matériau et juxtaposées de sorte à s'étendre parallèlement suivant une 25 première direction, ladite zone d'absorption étant située entre les première et deuxième zones de contact selon une deuxième direction, la première couche étant au contact d'une deuxième couche à base d'un deuxième matériau différant du premier matériau, selon une troisième direction perpendiculaire aux première et deuxième directions. 30 Avantageusement, la zone d'absorption est formée directement au contact du deuxième matériau de la deuxième couche suivant une épaisseur de la première couche, préférentiellement sur toute une épaisseur de la première 7 couche, et comprend au moins un troisième matériau différant des premier et deuxième matériaux. Avantageusement, l'une au moins parmi les première et deuxième zones de contact présente une marche en regard de l'autre parmi les première et 5 deuxième zones de contact, ladite marche prenant appui sur la deuxième couche et étant située entre la première couche et la zone d'absorption. Une telle photodiode latérale permet d'optimiser le confinement optique dans la zone d'absorption de la photodiode. En particulier, le contraste d'indice entre le deuxième matériau et l'au 10 moins un troisième matériau peut être avantageusement plus grand que le contraste d'indice entre le premier matériau et l'au moins un troisième matériau. Selon une possibilité, le premier matériau est du silicium ou du germanium, le deuxième matériau est un matériau diélectrique tel qu'un oxyde de silicium, et l'au moins un troisième matériau est du germanium ou un alliage 15 de germanium-étain ou un alliage de silicium-germanium-étain. La photodiode selon l'invention peut donc être avantageusement une photodiode latérale Ge01 dans laquelle la zone d'absorption en Ge est directement au contact de l'oxyde de silicium de la deuxième couche sous-jacente. La photodiode selon l'invention peut ausii être une photodiode latérale 20 p-i-n à double hétérojonction Ge-GeSn-Ge dans laquelle la zone d'absorption en GeSn est directement au contact de l'oxyde de silicium de la deuxième couche sous-jacente. La marche peut avantageusement former un germe pour une croissance épitaxiale latérale du troisième matériau selon la deuxième direction. Une telle 25 croissance permet de former une couche de base en ce troisième matériau présentant un taux de dislocations réduit. Cette marche présente de préférence une épaisseur inférieure à l'épaisseur de la première couche, et de préférence comprise entre 10 nm et 50 nm. 30 Dès lors, la zone d'absorption s'étendant sur toute l'épaisseur de la première couche comprend la couche de base et au moins une couche de structure en un quatrième matériau, ou à base du troisième matériau, sur ladite couche de base de manière à obtenir l'épaisseur souhaitée. 8 Une couche de structure à base du troisième matériau peut être avantageusement réalisée par homoépitaxie du troisième matériau sur la couche de base, selon la troisième direction. Cela permet de former une couche de structure en ce troisième matériau présentant un taux de 5 dislocations réduit. Une telle photodiode comprend donc avantageusement une zone d'absorption présentant à la fois un taux de dislocations réduit et une épaisseur importante du troisième matériau, par exemple sur toute l'épaisseur de la première couche. 10 La photodiode selon l'invention peut être réalisée par le procédé selon le premier aspect de l'invention. La photodiode selon l'invention pourra avantageusement équiper un 15 photodétecteur dans le domaine de la photonique sur silicium. BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description détaillée de modes de réalisation de cette 20 dernière qui sont illustrés par les dessins d'accompagnement suivants dans lesquels : - La FIGURE 1 est une vue en coupe d'une photodiode latérale à double hétérojonction selon l'art antérieur ; Les FIGURES 2 à 13B illustrent des étapes de réalisation d'une 25 photodiode selon un premier mode de réalisation de la présente invention ; Les FIGURES 14 à 16 illustrent des étapes de réalisation d'une photodiode selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention ; 30 - La FIGURE 17 montre une vue par microscopie électronique en transmission à haute résolution (HRTEM) en coupe transverse d'une couche de base en Ge selon un mode de réalisation de la présente invention. 9 Les figures portant le même numéro indexées A et B illustrent une même étape de procédé respectivement en coupe transverse et en vue de dessus. Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de 5 l'invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l'invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier, les épaisseurs et dimensions des différentes couches et portions des photodiodes illustrées ne sont pas représentatives de la réalité. 10 DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION Avant d'entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l'invention, il est rappelé que l'invention selon son premier aspect comprend éventuellement notamment les caractéristiques optionnelles ci-après pouvant 15 être utilisées en association ou alternativement : - La première croissance comprend les sous-étapes suivantes pour retirer le premier matériau sur toute l'épaisseur de la première couche : o Retirer le premier matériau de la première couche en conservant une couche sacrificielle à base du premier matériau sur la 20 deuxième couche, ladite couche sacrificielle présentant une épaisseur résiduelle e selon la troisième direction et une largeur w selon la deuxième direction, o Encapsuler la couche sacrificielle par une couche d'encapsulation en un matériau d'encapsulation différant du premier matériau, 25 o Former au moins une ouverture au travers de la couche d'encapsulation de sorte à exposer une zone de la couche sacrificielle, o Former une cavité de largeur ws telle que ws w en retirant le premier matériau sur toute l'épaisseur résiduelle de la couche 30 sacrificielle (30) au travers de l'au moins une ouverture, de façon à exposer la face inférieure à base du deuxième matériau, l'au moins une face latérale et une face de la couche d'encapsulation, la cavité comprenant ladite au moins une face latérale, une paroi 10 inférieure formée par ladite face inférieure et une paroi supérieure parallèle au plan basal et à base du matériau d'encapsulation formée par ladite face de la couche d'encapsulation, de sorte que la croissance épitaxiale permettant de former la couche de 5 base soit au moins partiellement guidée par lesdites parois inférieure et supérieure, la couche de base présentant une épaisseur égale à l'épaisseur résiduelle e. - La formation de l'au moins une ouverture est configurée de sorte à ce que la zone exposée de la couche sacrificielle soit située en dehors de 10 la zone d'absorption, de préférence à une distance supérieure à 1 pm de la zone d'absorption. - la deuxième croissance comprend en outre, avant formation de la couche de structure, l'étape suivante : o Former au moins une couche latérale présentant des parois 15 latérales sensiblement normales au plan basal en un matériau différant du premier matériau, ladite au moins une couche latérale prenant appui sur une face parallèle au plan basal comprenant la face supérieure de la couche de base, de sorte que la croissance épitaxiale permettant de former la couche de 20 structure soit au moins partiellement guidée par lesdites parois latérales. - la deuxième croissance comprend les sous-étapes suivantes pour former l'au moins une couche latérale : o Retirer partiellement la couche d'encapsulation de façon à exposer la face parallèle au plan basal comprenant la face 25 supérieure de la couche de base, en laissant une partie du matériau d'encapsulation de façon à former l'au moins une couche latérale. - la deuxième croissance comprend les sous-étapes suivantes pour former l'au moins une couche latérale : 30 o Retirer totalement la couche d'encapsulation de façon à exposer la face parallèle au plan basal comprenant la face supérieure de la couche de base, 11 o Former l'au moins une couche latérale en un matériau pris parmi un oxyde de silicium et un nitrure de silicium. - Les premier, troisième et quatrième matériaux présentent chacun une structure cristallographique de type cubique, et la première direction 5 correspond à une orientation cristallographique de type [100], la deuxième direction correspond à une orientation cristallographique de type [010], et la troisième direction correspond à une orientation cristallographique de type [001]. - Le retrait du premier matériau lors de la formation de la cavité se fait 10 par gravure, ladite gravure étant configurée pour produire une vitesse de gravure au moins 25 % plus grande dans des directions cristallographiques [110] et [1-10] que dans des directions cristallographiques [010] et [100] du premier matériau de la première couche, et de préférence au moins 35 % plus grande. 15 - La largeur ws de la cavité est strictement inférieure à la largeur w de la couche sacrificielle, de préférence w - ws k 125 nm, de sorte que la couche sacrificielle forme au moins une marche entre la deuxième couche et la première couche. - L'au moins une couche latérale comprend une première couche latérale 20 au contact d'au moins une face de la première zone de contact sensiblement normale à la deuxième direction, ladite première couche latérale présentant une largeur w1 selon la deuxième direction supérieure ou égale à 10 nm et/ou inférieure ou égale à 100 nm. - L'au moins une couche latérale comprend une deuxième couche latérale 25 au contact d'au moins une face de la deuxième zone de contact sensiblement normale à la deuxième direction, ladite deuxième couche latérale présentant une largeur w2 selon la deuxième direction supérieure ou égale à 10 nm et/ou inférieure ou égale à 100 nm. - La couche de base présente une épaisseur e selon la troisième direction 30 supérieure ou égale à 10 nm et/ou inférieure ou égale à 50 nm. - Le premier substrat comprend une troisième couche, de sorte que la deuxième couche soit intercalée entre les première et troisième couches selon la troisième direction, le procédé comprenant en outre 12 une séquence d'étapes de retournement de la photodiode sur un deuxième substrat, ladite séquence comprenant les étapes suivantes : - Fournir un deuxième substrat, - Coller par adhésion moléculaire le deuxième substrat au premier 5 substrat selon la troisième direction, la première couche du premier substrat étant tournée en regard du deuxième substrat, - Retirer la troisième couche du premier substrat. - Le procédé comprend en outre une formation au niveau de la première couche d'un guide d'onde en couplage direct avec la zone d'absorption. 10 - L'au moins une ouverture présente un contour fermé et est distante de la première zone de contact d'une distance d selon la deuxième direction telle que 0.6 pm REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'une photodiode comprenant une première zone de contact (1), une deuxième zone de contact (2) et une zone d'absorption (A) juxtaposées parallèlement à une première direction (x) d'un plan basal, ladite zone d'absorption (A) étant située entre les première et deuxième zones de contact (1, 2) selon une deuxième direction (y) du plan basal, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : Fournir un premier substrat (101) comprenant un empilement selon une troisième direction (z) normale au plan basal d'une première couche (11) à base d'un premier matériau sur une deuxième couche (12) à base d'un deuxième matériau différant du premier matériau, Former au niveau de la première couche (11) la première zone de contact (1), Former au niveau de la première couche (11) la deuxième zone de contact (2), Former au niveau de la première couche (11) la zone d'absorption (A), ledit procédé étant caractérisé en ce que la zone d'absorption (A) est formée par au moins une première croissance d'une couche de base, dite croissance latérale, suivie d'au moins une deuxième croissance d'une couche de structure, dite croissance verticale, la première croissance comprenant les étapes successives suivantes : Retirer le premier matériau dans la zone d'absorption sur toute l'épaisseur de la première couche de façon à exposer une face inférieure (424) à base du deuxième matériau, et au moins une face à base du premier matériau sensiblement normale au plan basal, dite face latérale (421), présentant un bord au contact de ladite face inférieure (424) exposée, Former la couche de base (50) en un troisième matériau par croissance épitaxiale dudit troisième matériau à partir de l'au moins une face latérale, ladite croissance étant principalement dirigée selon la deuxième direction et au moins partiellement guidée par au moins une 36 paroi parallèle au plan basal, de sorte que la couche de base (50) couvre toute la face inférieure (424), et la deuxième croissance comprenant les étapes successives suivantes : - Exposer une face supérieure (501) de la couche de base (50) parallèle 5 au plan basal, Former la couche de structure (51) en un quatrième matériau par croissance épitaxiale dudit quatrième matériau selon la troisième direction à partir de la face supérieure (501) de la couche de base (50). 10 2. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la première croissance comprend les sous-étapes suivantes pour retirer le premier matériau sur toute l'épaisseur de la première couche : - Retirer le premier matériau de la première couche en conservant une couche sacrificielle (30) à base du premier matériau sur la deuxième 15 couche, ladite couche sacrificielle présentant une épaisseur résiduelle e selon la troisième direction et une largeur w selon la deuxième direction, - Encapsuler la couche sacrificielle (30) par une couche d'encapsulation (40) en un matériau d'encapsulation différant du 20 premier matériau, - Former au moins une ouverture (41) au travers de la couche d'encapsulation (40) de sorte à exposer une zone de la couche sacrificielle, - Former une cavité (42) de largeur ws telle que ws w en retirant le 25 premier matériau sur toute l'épaisseur résiduelle de la couche sacrificielle (30) au travers de l'au moins une ouverture (41), de façon à exposer la face inférieure (424) à base du deuxième matériau, l'au moins une face latérale (421) et une face (423) de la couche d'encapsulation, la cavité (42) comprenant ladite au moins une face 30 latérale (421), une paroi inférieure formée par ladite face inférieure (424) et une paroi supérieure parallèle au plan basal et à base du matériau d'encapsulation formée par ladite face (423) de la couche d'encapsulation (40), 37 de sorte que la croissance épitaxiale permettant de former la couche de base (50) soit au moins partiellement guidée par lesdites parois inférieure et supérieure, la couche de base (50) présentant une épaisseur égale à l'épaisseur résiduelle e. 5 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les premier, troisième et quatrième matériaux présentent chacun une structure cristallographique de type cubique, et dans lequel la première direction (x) correspond à une orientation cristallographique 10 de type [100], la deuxième direction (y) correspond à une orientation cristallographique de type [010], et la troisième direction (z) correspond à une orientation cristallographique de type [001]. 4. Procédé selon les revendications 2 et 3 en combinaison, dans lequel le 15 retrait du premier matériau lors de la formation de la cavité (42) se fait par gravure, ladite gravure étant configurée pour produire une vitesse de gravure au moins 25 % plus grande dans des directions cristallographiques [110] et [1-10] que dans des directions cristallographiques [010] et [100] du premier matériau de la première 20 couche (11), et de préférence au moins 35 % plus grande. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la deuxième croissance comprend en outre, avant formation de la couche de structure, l'étape suivante : 25 Former au moins une couche latérale (61, 62) présentant des parois latérales sensiblement normales au plan basal en un matériau différant du premier matériau, ladite au moins une couche latérale (61, 62) prenant appui sur une face parallèle au plan basal comprenant la face supérieure (501) de la couche de base (50), 30 de sorte que la croissance épitaxiale permettant de former la couche de structure (51) soit au moins partiellement guidée par lesdites parois latérales. 38 6. Procédé selon les revendications 2 et 5 en combinaison, dans lequel la deuxième croissance comprend les sous-étapes suivantes pour former l'au moins une couche latérale : Retirer partiellement la couche d'encapsulation (40) de façon à exposer 5 la face parallèle au plan basal comprenant la face supérieure (501) de la couche de base (50), en laissant une partie du matériau d'encapsulation de façon à former l'au moins une couche latérale (61, 62). 10 7. Procédé selon les revendications 2 et 5 en combinaison dans lequel la deuxième croissance verticale comprend les sous-étapes suivantes pour former l'au moins une couche latérale (61, 62) : Retirer totalement la couche d'encapsulation (40) de façon à exposer la face parallèle au plan basal comprenant la face supérieure (501) de la 15 couche de base (50), Former l'au moins une couche latérale (61, 62) en un matériau pris parmi un oxyde de silicium et un nitrure de silicium. 8. Procédé selon la revendication 2 seule ou en combinaison avec l'une 20 quelconque des revendications 3 à 7, dans lequel la largeur ws de la cavité (42) est strictement inférieure à la largeur w de la couche sacrificielle (30), de préférence w - ws a. 125 nm, de sorte que la couche sacrificielle (30) forme au moins une marche (31) entre la deuxième couche (12) et la première couche (11). 25 9. Procédé selon la revendication 5 seule ou en combinaison avec l'une quelconque des revendications 6 ou 7 dans lequel l'au moins une couche latérale (61, 62) comprend une première couche latérale (61) au contact d'au moins une face de la première zone de contact 30 sensiblement normale à la deuxième direction, ladite première couche latérale présentant une largeur wi selon la deuxième direction supérieure ou égale à 10 nm et/ou inférieure ou égale à 100 nm. 39 10. Procédé selon la revendication 5 seule ou en combinaison avec l'une quelconque des revendications 6 à 9 dans lequel l'au moins une couche latérale (61, 62) comprend une deuxième couche latérale (62) au contact d'au moins une face de la deuxième zone de contact sensiblement 5 normale à la deuxième direction, ladite deuxième couche latérale présentant une largeur w2 selon la deuxième direction supérieure ou égale à 10 nm et/ou inférieure ou égale à 100 nm. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans 10 lequel la couche de base (50) présente une épaisseur e selon la troisième direction supérieure ou égale à 10 nm et/ou inférieure ou égale à 50 nm. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans 15 lequel la formation d'au moins une parmi les première et deuxième zones de contact (1, 2) se fait par implantation ionique préalablement à la formation de la zone d'absorption. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes 20 comprenant en outre une formation au niveau de la première couche (11) d'un guide d'onde en couplage direct avec la zone d'absorption (A). 14. Procédé selon la revendication 2 seule ou en combinaison avec l'une 25 quelconque des revendications 3 à 13 dans lequel l'au moins une ouverture (41) présente un contour fermé et est distante de la première zone de contact (1) d'une distance d selon la deuxième direction (y) telle que 0.6 pm 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel le premier matériau est du silicium ou du germanium, le deuxième matériau est un matériau diélectrique, le troisième matériau est pris parmi du germanium et du germanium-étain, et le quatrième matériau est pris 40 parmi du germanium, du germanium-étain, de l'arsénure de gallium, du phosphorure d'indium. 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans 5 lequel le premier substrat (101) comprend une troisième couche (13), de sorte que la deuxième couche (12) soit intercalée entre les première et troisième couches (11, 13) selon la troisième direction (z), le procédé comprenant en outre une séquence d'étapes de retournement de la photodiode sur un deuxième substrat (102), ladite séquence comprenant 10 les étapes suivantes : - Fournir un deuxième substrat (102), - Coller par adhésion moléculaire le deuxième substrat (102) au premier substrat (101) selon la troisième direction (z), la première couche (11) du premier substrat (101) étant tournée en regard du 15 deuxième substrat (102), - Retirer la troisième couche (13) du premier substrat (101). - Former au travers de la deuxième couche du premier substrat des premier et deuxième contacts métalliques respectivement sur les première et deuxième zones de contact. 20 17. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la croissance épitaxiale permettant de former la couche de base (50) se fait à une première température T1 comprise entre 300°C et 450°C et la croissance épitaxiale permettant de former la couche de 25 structure (51) se fait à une deuxième température T2 comprise entre 300°C et 750°C. 18. Photodiode comprenant une première zone de contact (1), une deuxième zone de contact (2) et une zone d'absorption (A) formées dans une 30 première couche (11) à base d'un premier matériau et juxtaposées de sorte à s'étendre parallèlement suivant une première direction (x), ladite zone d'absorption (A) étant située entre les première et deuxième zones de contact (1, 2) selon une deuxième direction (y), la première couche 41 (11) étant au contact d'une deuxième couche (12) à base d'un deuxième matériau différant du premier matériau, selon une troisième direction (z) perpendiculaire aux première et deuxième directions (x, y), la photodiode étant caractérisée en ce que la zone d'absorption (A) est formée suivant 5 une épaisseur de la première couche (11) et comprend au moins un troisième matériau (3) différant des premier et deuxième matériaux et directement au contact du deuxième matériau de la deuxième couche (12), et en ce que l'une au moins parmi les première et deuxième zones de contact (1, 2) présente une marche en regard de l'autre parmi les 10 première et deuxième zones de contact (1, 2), ladite marche prenant appui sur la deuxième couche (12) et étant située entre la première couche (11) et la zone d'absorption (A). 19. Photodiode selon la revendication précédente dans laquelle la marche 15 présente une épaisseur e selon la troisième direction supérieure ou égale à 10 nm et/ou inférieure ou égale à 50 nm. 20. Photodiode selon l'une quelconque des deux revendications précédentes dans laquelle la marche présente une largeur wi selon la deuxième 20 direction supérieure ou égale à 10 nm et/ou inférieure ou égale à 100 nm. 21. Photodiode selon l'une quelconque des trois revendications précédentes comprenant en outre au moins une couche latérale prenant appui sur la marche et située entre la première couche (11) et la zone d'absorption 25 (A), ladite au moins une couche latérale étant en un matériau pris parmi un oxyde de silicium et un nitrure de silicium.