Brevet FR3088508A1 — publié le 20200515

817449-DD18916 DESCRIPTION TITRE : Cellule logique capacitive Domaine technique [0001] La présente demande concerne le domaine des circuits électroniques comportant des cellules mettant en oeuvre des fonctions logiques, aussi appelées cellules logiques ou portes logiques. La présente demande vise plus particulièrement des cellules logiques à faible consommation électrique, et un circuit électronique comportant de telles cellules. Technique antérieure [0002] Le demandeur a déjà proposé, dans la demande de brevet EP3182590 (B14590 - DD16568), des exemples de réalisation de cellules logiques élémentaires à base de condensateurs à capacité variable et plus particulièrement de condensateurs à capacité variable à commande électromécanique. Ces cellules peuvent être cascadées en série et/ou en parallèle pour mettre en oeuvre des fonctions logiques plus complexes. [0003] L'utilisation de cellules logiques capacitives permet de réaliser des circuits logiques à très faible consommation électrique. En effet, ceci permet d'éliminer les courants de fuite, qui sont un facteur limitant des circuits logiques classiques, et en particulier des circuits logiques réalisés à base de transistors. [0004] Toutefois, une limitation des cellules logiques décrites dans la demande de brevet EP3182590 susmentionnée réside dans la fabrication relativement complexe et/ou dans l'encombrement relativement important des condensateurs à capacité variable. Résumé de l'invention 2 817449-DD18916 [0005] Ainsi, un mode de réalisation prévoit une cellule logique, comportant : - un premier condensateur connecté entre un noeud d'application d'une tension d'alimentation de la cellule et un noeud flottant de fourniture d'un signal logique de sortie de la cellule ; et - connectée en parallèle du premier condensateur, une association en série d'un deuxième condensateur et d'un premier élément à résistance variable, le premier élément à résistance variable comportant une électrode de commande connectée à un noeud d'application d'un premier signal logique d'entrée de la cellule. [0006] Selon un mode de réalisation, le premier élément à résistance variable est un élément à variation négative de résistance. [0007] Selon un mode de réalisation, le premier élément à résistance variable est un élément à variation positive de résistance. [0008] Selon un mode de réalisation, le premier élément à résistance variable est un transistor MOS. [0009] Selon un mode de réalisation, le premier élément à résistance variable est un relai électromécanique. [0010] Selon un mode de réalisation, la cell-uie comporte en outre, connectée en parallèle du premier condensateur, une association en série d'un troisième condensateur et d'un deuxième élément à résistance variable, le deuxième élément à résistance variable comportant une électrode de commande connectée à un noeud d'application d'un deuxième signal logique d'entrée de la cellule. [0011] Selon un mode de réalisation, la cellule comporte en outre un circuit capacitif de maintien connecté entre le noeud d'alimentation et le noeud flottant de la cellule. 3 817449 - DD18916 [0012] Selon un mode de réalisation, le circuit capacitif de maintien comprend une association en série d'un condensateur et d'un élément à résistance variable. [0013] Selon un mode de réalisation, la cellule comporte en outre un circuit de réinitialisation connecté entre le noeud flottant et un noeud d'application d'un potentiel de référence de la cellule. [0014] Selon un mode de réalisation, le circuit de réinitialisation comprend un élément à résistance variable connecté entre le noeud flottant et le noeud d'application d'un potentiel de référence de la cellule. [0015] Selon un mode de réalisation, la cellule comporte en outre : - un premier condensateur additionnel connecté entre le noeud d'application de la tension d'alimentation de la cellule et un noeud flottant additionnel de fourniture d'un signal logique de sortie complémentaire de la cellule ; et - connectée en parallèle du premier condensateur additionnel, une association en série d'un deuxième condensateur additionnel et d'un premier élément à résistance variable additionnel, le premier élément à résistance variable additionnel comportant une électrode de commande connectée à un noeud d'application d'un premier signal logique d'entrée complémentaire de la cellule. [0016] Selon un mode de réalisation, la cellule comprend en outre un circuit capacitif de maintien additionnel, le circuit capacitif de maintien additionnel comprenant une association en série d'un condensateur et d'un élément à résistance variable connectée entre le noeud d'alimentation et le noeud flottant additionnel de la cellule. [0017] Selon un mode de réalisation : - l'élément à résistance variable du circuit capacitif de 4 817449 - DD18916 maintien a une borne de commande connectée au noeud flottant additionnel de la cellule ; et - l'élément à résistance variable du circuit capacitif de maintien additionnel a une borne de commande connectée au noeud flottant de la cellule. [0018] Selon un mode de réalisation, la cellule comprend en outre un circuit de réinitialisation additionnel, le circuit de réinitialisation additionnel comprenant un élément à résistance variable connecté entre le noeud flottant additionnel de la cellule et le noeud d'application d'un potentiel de référence de la cellule. [0019] Selon un mode de réalisation : - l'élément à résistance variable du circuit de réinitialisation a une borne de commande connectée au noeud flottant additionnel de la cellule ; et - l'élément à résistance variable du circuit de réinitialisation additionnel a une borne de commande connectée au noeud flottant de la cellule. [0020] Un autre mode de réalisation prévoit un circuit logique comportant une première cellule logique telle que défini ci-dessus et une deuxième cellule logique telle que définie ci-dessus cascadée en série avec la première cellule, la première cellule ayant son noeud flottant connecté au noeud d'application du premier signal logique d'entrée de la deuxième cellule. Brève description des dessins [0021] Ces caractéristiques et leurs avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : 817449-DD18916 [0022] [Fig. 1] la figure 1 est un schéma électrique d'un exemple d'une logique capacitive selon un mode de réalisation ; [0023] [Fig. 2] la figure 2 est un chronogramme illustrant un exemple d'un mode de fonctionnement de la cellule de la figure 1 ; [0024] [Fig. 3] la autre exemple d'une de réalisation ; [0025] [Fig. 4] la autre exemple d'une de réalisation ; figure 3 est un schéma électrique d'un cellule logique capacitive selon un mode figure 4 est un schéma électrique d'un cellule logique capacitive selon un mode [0026] [Fig. 5] la figure 5 est un schéma électrique illustrant plus en détail un exemple de réalisation de la cellule logique capacitive de la figure 1. [0027] [Fig. 6] la figure 6 est un schéma électrique d'un autre exemple d'une cellule logique capacitive selon un mode de réalisation ; [0028] [Fig. 7] la figure 7 est un schéma électrique d'un autre exemple d'une cellule logique capacitive selon un mode de réalisation ; [0029] [Fig. 8] la figure 8 est un schéma électrique d'un autre exemple d'une cellule logique capacitive selon un mode de réalisation ; et [0030] [Fig. 9] la figure 9 est un chronogramme illustrant un autre exemple d 'un mode de fonctionnement d'une cellule logique capacitive selon un mode de réalisation. Description des modes de réalisation [0031] De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux 6 817449 - DD18916 différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. [0032] Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les utilisations qui peuvent être faites des cellules logiques élémentaires décrites n'ont pas été détaillées, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec les utilisations usuelles de cellules logiques élémentaires dans des circuits électroniques. [0033] Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés ou couplés entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés ou couplés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. [0034] Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. [0035] Dans les exemples décrits, les signaux logiques d'entrée et de sortie d'une cellule logique correspondent à des tensions référencées par rapport à un noeud de référence GND de la cellule, dont le niveau détermine la valeur, haute ou basse, du signal logique. Sauf précision contraire, on entend par signal logique un signal ne pouvant prendre que deux valeurs, une valeur haute, correspondant par exemple à une tension proche de la tension d'alimentation de la cellule, ou une valeur basse, correspondant par exemple à une tension proche de 0 V. 7 817449 - DD18916 [0036] On s'intéresse ici plus particulièrement à la réalisation de cellules élémentaires en logique adiabatique capacitive. Dans ce cas, la tension d'alimentation de chaque cellule est une tension variable périodique et les signaux logiques d'entrée et de sortie de chaque cellule correspondent à des tensions variables périodiques dont l'amplitude détermine la valeur, haute ou basse, du signal logique. On parle aussi de logique impulsionnelle ou logique dynamique dans la mesure où les états des signaux logiques ne sont disponibles que pendant une fraction de la période d'un signal d'horloge formé par la tension d'alimentation de la cellule. A titre d'exemple, un signal logique est dit à l'état haut (1 logique) lorsque l'amplitude de la tension correspondante est proche de l'amplitude de la tension d'alimentation de la cellule, par exemple comprise entre 1 et 10 volts, et à l'état bas (0 logique) lorsque l'amplitude de la tension correspondante est proche de 0 V, par exemple inférieure à 0,5 volt. [0037] La figure 1 est un schéma électrique d'un exemple d'un mode de réalisation d'une cellule buffer 100 en logique adiabatique capacitive. [0038] La cellule 100 de la figure 1 comprend un premier condensateur CMIN ayant une première électrode reliée, par exemple connectée, à une borne al d'application d'une tension d'alimentation (pn de la cellule, référencée par rapport à un noeud GND d'application d'un potentiel de référence de la cellule, et une deuxième électrode reliée, par exemple connectée, à une borne si de fourniture d'une tension de sortie VOUT de la cellule, référencée par rapport au noeud GND. [0039] La cellule 100 de la figure 1 comprend en outre, en parallèle du condensateur CmIN, entre les bornes al et si de la cellule, une association en série d'un deuxième 8 817449-DD18916 condensateur CMAX1 et d'un élément à résistance variable Rl. L'élément à résistance variable R1 comprend deux bornes principales de conduction S et D, et au moins une borne de commande G isolée électriquement des bornes principales S et D, adaptée à recevoir un signal de commande pour faire varier la résistance RSD entre ses bornes S et D. [0040] L'élément à résistance variable RI est par exemple un transistor, par exemple un transistor MOS, les bornes S et D correspondant alors aux bornes de conduction du transistor (par exemple la source et le drain dans le cas d'un transistor MOS) et la borne G correspondant à une borne de commande du transistor (la grille dans le cas d'un transistor MOS). Dans ce cas, le signal de commande appliqué sur la borne G de l'élément R1 est référencé par rapport à la borne principale S ou D de l'élément Rl. De préférence, l'élément R1 est un transistor MOS à faible tension de seuil, par exemple présentant une tension de seuil inférieure à 0,1 V, voire une tension de seuil nulle. [0041] A titre de variante, l'élément R1 peut comprendre une deuxième borne de commande (non représentée) aussi appelée borne de commande de référence, isolée électriquement de la borne de commande G et des bornes principales S et D, le signal de commande appliqué sur la borne G de l'élément R1 étant référencé par rapport à la borne de commande de référence. Un exemple de réalisation d'un tel élément est par exemple un relai électromécanique à quatre bornes (deux bornes principales de conduction et deux bornes de commande isolées électriquement l'une de l'autre et des deux bornes principales de conduction). [0042] La borne de commande G de l'élément à résistance variable R1 est reliée, par exemple connectée, à une borne el d'application d'une tension d'entrée VIN1 de la cellule, par exemple référencée par rapport au noeud GND. 9 817449-DD18916 [0043] Dans l'exemple de la figure 1, l'élément à résistance variable Rl est un élément à variation négative de résistance, c'est-à-dire que la résistance RSD entre ses bornes principales S et D est une fonction décroissante de la tension appliquée sur son électrode de commande G. Ceci est schématisé par une flèche oblique pointant vers le bas dans la représentation de la figure 1. Les cellules décrites ci-après en relation avec les figures 3 à 8 peuvent également comprendre des éléments à variation positive de résistance, c'est-à-dire dans lesquels la résistance RSD entre les bornes principales S et D est une fonction croissante de la tension appliquée sur l'électrode de commande G. Dans la suite, ces éléments seront schématisés de façon similaire à ce qui a été représenté en figure 1, mais en remplaçant la flèche oblique pointant vers le bas par une flèche oblique pointant vers le haut. A titre d'exemple, un élément à variation négative de résistance peut être constitué par un transistor MOS à canal N et un élément à variation positive de résistance peut être constitué par un transistor MOS à canal P. [0044] Dans la cellule 100, l'élément R1 est relié en série avec le condensateur CMAX1 par ses bornes principales S et D. Plus particulièrement, dans l'exemple représenté, le condensateur CMAX1 a une première électrode reliée, par exemple connectée, à la borne al de la cellule et une deuxième électrode reliée, par exemple connectée, à la borne D de l'élément Rl, la borne S de l'élément R1 étant reliée, par exemple connectée, à la borne de sortie sl de la cellule. [0045] Sur la figure 1, un condensateur CL connecté entre la borne de sortie sl et le noeud de référence GND a été représenté, schématisant la capacité de sortie de la cellule. En pratique, la capacité de sortie CL peut ne pas comprendre de composant spécifiquement réalisé et connecté au noeud de sortie si, mais correspondre à la somme des capacités des 817449-DD18916 différents éléments reliés au noeud sl, notamment des pistes d'interconnexion, ou encore une autre cellule logique capacitive (non représentée) dont l'entrée peut être reliée au noeud si. A titre de variante, le condensateur CL peut être un composant spécifiquement ajouté. [0046] La capacité du condensateur CMIN est inférieure à la capacité du condensateur CMAX1. De préférence, la capacité du condensateur CMIN est faible devant la capacité de sortie CL de la cellule, et la capacité du condensateur CMAX1 est élevée devant la capacité CL. A titre d'exemple, la capacité du condensateur CMIN est au moins dix fois plus faible que la capacité CL et la capacité du condensateur CMAX1 est au moins dix fois plus élevée que la capacité CL. [0047] Dans l'exemple de la figure 1, la cellule buffer 100 comprend en outre un circuit de maintien H adapté à maintenir la tension de sortie VOUT de la cellule à un niveau haut lors de phases de transition de la tension d'entrée VINT de la cellule d'un niveau haut à un niveau bas. [0048] La figure 2 est un diagramme illustrant le fonctionnement de la cellule buffer 100 de la figure 1. Plus particulièrement, la figure 2 illustre l'évolution, en fonction du temps t (en abscisse), de la tension d'alimentation ou horloge-alimentation On, de la tension d'entrée VIN1, et de la tension de sortie VOUT de la cellule de la figure 1 [0049] La tension d'alimentation On est une tension variable périodique, fournie par une source de tension variable non représentée en figure 1. La tension On varie de façon périodique et continue entre une valeur basse VL, par exemple comprise entre 0 et 2 volts, et une valeur haute VH, par exemple supérieure d'au moins 1 volt à la valeur VL. Dans l'exemple représenté, la tension d'alimentation On est une 11 817449-M18916 tension trapézoïdale. Plus particulièrement, dans cet exemple, chaque période t de la tension On comprend quatre phases successives Pl, P2, P3 et P4 sensiblement de même durée T-i/4. Lors de la phase Pi, la tension On croit linéairement depuis sa valeur basse VL jusqu'à sa valeur haute VH. Lors de la phase P2, la tension On reste sensiblement constante et égale à sa valeur haute VH. Lors de la phase P3, la tension On décroît linéairement depuis sa valeur haute VH jusqu'à sa valeur basse VL. Lors de la phase P4, la tension On reste sensiblement constante et égale à sa valeur basse VL. [0050] Les tensions VIN1 et VOUT sont synchronisées sur la tension d'alimentation On, qui sert aussi de signal d'horloge. Les tensions VIN1 et VOUT présentent une variation périodique de forme sensiblement identique à celle de la tension d'alimentation variable On. Les tensions VIN1 et VOUT définissent respectivement des signaux logiques IN1 et OUT. Le signal logique IN, respectivement OUT, est à un état haut lorsque l'amplitude de la tension variable périodique VIN1, respectivement VOUT, est à un niveau haut, par exemple proche de l'amplitude de la tension d'alimentation On, et est à un niveau bas lorsque l'amplitude de la tension variable périodique VIN1, respectivement VOUT, est à un niveau bas, par exemple proche de 0 volt. La tension VIN1 présente une avance de phase de l'ordre de T=t/4 sur la tension d'alimentation On. La tension VOUT est quant à elle en phase avec la tension d'alimentation 4n. [0051] Dans l'exemple représenté en figure 2, le signal d'entrée IN1 est à l'état haut pendant deux périodes t successives du signal d'alimentation On, puis passe à l'état bas. 12 817449-DD18916 [0052] La tension de sortie VOUT dépend du rapport entre la capacité CL et la capacité équivalente de l'association en parallèle du condensateur CMIN et de la branche comprenant le condensateur CMAX1 et l'élément à résistance variable Ri. Pour un 0 logique du signai d'entrée IN1 (tension VIN1 d'amplitude proche de 0 volt), la résistance RSD de l'élément Ri est à une valeur haute (correspondant par exemple, dans le cas d'un transistor, à la résistance à l'état bloqué du transistor), de sorte que la capacité équivalente de la cellule entre les bornes al et si est relativement basse (RSD très inférieure à l'impédance du condensateur CMAX1), par exemple sensiblement égale à la capacité du condensateur CMIN seul (en considérant le temps de montée T=T/4 de la tension d'alimentation On comme étant négligeable par rapport à la constante de temps de la branche comportant l'élément R1 et le condensateur CMAX1). L'impulsion de tension VOUT transmise sur la borne de sortie si de la cellule est alors à un niveau d'amplitude bas, par exemple proche de 0 volt. Pour un 1 logique du signal d'entrée IN1 (tension VIN1 d'amplitude proche de l'amplitude de la tension d'alimentation On), la résistance RSD de l'élément R1 diminue jusqu'à une valeur basse (correspondant par exemple, dans le cas d'un transistor, à la résistance à l'état passant du transistor), de sorte que la capacité équivalente de la cellule entre les bornes al et sl augmente jusqu'à une valeur relativement haute (RSD très supérieure à l'impédance du condensateur CMAX1), par exemple sensiblement égale à la capacité du condensateur CMAX1 (en considérant la capacité du condensateur CMIN comme négligeable devant la capacité du condensateur CMAX1). On obtient alors sur la borne de sortie sl de la cellule une impulsion de tension VOUT présentant un niveau d'amplitude haut, par exemple proche de l'amplitude de la tension d'alimentation cpn. 13 817449-DD18916 [0053] Le circuit de maintien H interne à la cellule buffer permet de maintenir entre les bornes d'alimentation al et de sortie sl de la cellule, pendant la phase de décroissance de l'impulsion de niveau haut de la tension d'entrée VIN1 de la cellule (phase P3 de la tension VIN1, correspondant à la phase P2 de la tension 0n), une capacité sensiblement égale à la valeur haute de la capacité équivalente de l'association en parallèle du condensateur CMIN et de la branche comprenant le condensateur CMAX1 et l'élément à résistance variable R1, ce qui permet de fournir en sortie de la cellule une impulsion de niveau haut de même forme (trapézoidale dans cette exemple) que la tension d'alimentation 0n. [0054] Ainsi, la cellule 100 recopie sur sa borne de sortie sl un signal OUT ayant le même état logique que le signal IN1 appliqué sur sa borne d'entrée el. [0055] Dans l'exemple décrit ci-dessus d'un fonctionnement à quatre phases, dans un circuit logique comportant plusieurs cellules cascadées en série, chaque cellule reçoit, sur sa borne d'alimentation al une tension variable périodique 0n en retard de phase d'environ T-T/4 sur la tension d'alimentation de la cellule précédente. Ceci permet que, dans chaque cellule, le signal logique d'entrée de la cellule (correspondant au signal logique de sortie de la cellule précédente) soit en avance de phase d'environ T-----c/4 sur la tension d'alimentation de la cellule comme illustré en figure 2. Ainsi, dans un circuit logique comportant un nombre supérieur ou égal à 4 de cellules élémentaires cascadées en série, on prévoira quatre tensions d'alimentation 01, 02, 03 4)4 similaires, c'est-à- dire de même fréquence, de même forme et de même niveau d'amplitude, mais déphasées deux à deux d'environ n/2. 14 817449-DD18916 [0056] En pratique, les tensions d'alimentation trapézoïdales On peuvent être approximées par des tensions sinusoïdales de période T. [0057] Un avantage de la cellule buffer 100 de la figure 1 est qu'elle ne comprend pas de condensateur à capacité variable mais uniquement des condensateurs à capacité fixe et un élément à résistance variable. Ces composants peuvent être réalisés relativement aisément et de façon relativement compacte par des méthodes usuelles de réalisation de circuits intégrés, par exemple en technologie CMOS. A titre d'exemple, les condensateurs à capacité fixe CMIN et CMAX1 sont des condensateurs de type métal isolant métal. [0058] Par rapport à des cellules à base de condensateurs à capacité variable du type décrit dans la demande de brevet EP3182590 susmentionnée, l'avantage de réduction des courants de fuite est préservé dans la mesure où il n'existe pas de chemin résistif direct entre la borne d'alimentation al et la borne de référence GND de la cellule. [0059] Un autre avantage de la cellule 100 est que l'élément à résistance variable R1 peut être commandé par des tensions plus faibles que les condensateurs à capacité variable des cellules du type décrit dans la demande de brevet EP3182590 susmentionnée. L'amplitude de la tension d'alimentation On de la cellule peut ainsi être réduite. A titre d'exemple, l'amplitude de la tension d'alimentation On de la cellule 100 peut être inférieure à 5 V, voire inférieure à 2 V, ce qui permet d'obtenir des circuits logiques à très faible consommation électrique. [0060] La figure 3 est un schéma électrique d'un exemple d'un mode de réalisation d'une cellule inverseuse 300 en logique adiabatique capacitive. 817449-DD18916 [0061] La cellule 300 diffère de la cellule 100 de la figure 1 essentiellement en ce que, dans la cellule 300, l'élément à résistance variable Ri est un élément à variation positive de résistance. [0062] Ainsi, pour un 0 logique du signal d'entrée IN1 (tension VIN1 d'amplitude proche de 0 volt), la résistance RSD de l'élément Ri est à une valeur basse (correspondant par exemple, dans le cas d'un transistor, à la résistance à l'état passant du transistor), de sorte que la capacité équivalente de la cellule entre les bornes al et si est relativement haute, par exemple sensiblement égale à la capacité du condensateur CMAX1. On obtient alors sur la borne de sortie si de la cellule une impulsion de tension VOUT présentant un niveau d'amplitude haut, par exemple proche de l'amplitude de la tension d'alimentation On. Pour un 1 logique du signal d'entrée IN1 (tension VIN1 d'amplitude proche de l'amplitude de la tension d'alimentation On), la résistance RSD de l'élément R1 augmente jusqu'à une valeur haute (correspondant par exemple, dans le cas d'un transistor, à la résistance à l'état bloqué du transistor), de sorte que la capacité équivalente de la cellule entre les bornes al et sl diminue jusqu'à une valeur relativement basse, par exemple sensiblement égale à la capacité du condensateur CMIN. L'impulsion de tension VOUT transmise sur la borne de sortie si de la cellule est alors à un niveau d'amplitude bas, par exemple proche de 0 V. [0063] Ainsi, la cellule 300 fournit sur sa borne de sortie sl un signal logique OUT inverse du signal logique IN1 appliqué sur sa borne d'entrée el. [0064] La figure 4 est un schéma électrique d'un exemple d'un mode de réalisation d'une cellule 400 de type ET en logique adiabatique capacitive. 16 817449-DD18916 [0065] La cellule 400 comprend les mêmes éléments que la cellule 100 de la figure 1, agencés sensiblement de la même manière, et comprend en outre, entre les bornes al et si de la cellule, en parallèle du condensateur CMIN et de la branche comprenant le condensateur CMAX1 et l'élément R1, une association en série d'un condensateur CMAX2 et d'un élément à résistance variable R2. Le condensateur CMAX2 a par exemple sensiblement la même capacité que le condensateur CMAX1. A titre d'exemple, le condensateur CMAX2 est identique au condensateur CMAX1 aux dispersions de fabrication près. L'élément à résistance variable R2 comprend, comme l'élément R1, deux bornes principales de conduction S et D, et au moins une borne de commande G isolée électriquement de ses bornes principales S et D, adaptée à recevoir un signal de commande pour faire varier la résistance RSD entre ses bornes S et D. Dans cet exemple, l'élément R2 est, comme l'élément R1, un élément à variation négative de résistance. A titre d'exemple, l'élément R2 est identique à l'élément R1 aux dispersions de fabrication près. [0066] La borne de commande G de l'élément à résistance variable R2 est reliée, par exemple connectée, à une borne e2 d'application d'une tension d'entrée VIN2 de la cellule, par exemple référencée par rapport au noeud GND. [0067] Dans la cellule 400, l'élément R2 est relié en série avec le condensateur CMAX2 par ses bornes principales S et D. Plus particulièrement, dans l'exemple représenté, le condensateur CMAX2 a une première électrode reliée, par exemple connectée, à la borne al de la cellule et une deuxième électrode reliée, par exemple connectée, à la borne D de l'élément R2, la borne S de l'élément R2 étant reliée, par exemple connectée, à la borne de sortie sl de la cellule. [0068] La capacité du condensateur CMIN est inférieure à la somme des capacités des condensateurs CMAX1 et CMAX2. A titre 17 817449-DD18916 d'exemple, la capacité du condensateur CMIN est au moins dix fois plus faible que la somme des capacités des condensateurs CMAX1 et CMAX2. De préférence, la capacité du condensateur CMIN est faible devant la capacité de sortie CL de la cellule, et la somme des capacités des condensateurs CMAX1 et CMAX2 est élevée devant la capacité CL. De plus, de préférence, la somme des capacités des condensateurs CMAX1 et CMIN et la somme des capacités des condensateurs CMAX2 et CMIN sont inférieures à la capacité CL. [0069] Le fonctionnement de la cellule 400 de la figure 4 est similaire à ce qui a été décrit ci-dessus. En particulier, la forme de la tension d'alimentation On, des tensions d'entrée VIN1 et VIN2 et de la tension de sortie VOUT peuvent être identiques ou similaires à ce qui a été décrit précédemment. [0070] La tension de sortie VOUT dépend du rapport entre la capacité CL et la capacité équivalente de l'association en parallèle du condensateur CMIN, de la branche comprenant le condensateur CMAX1 et l'élément à résistance variable R1, et de la branche comportant le condensateur CMAX2 et l'élément à résistance variable R2. Lorsque les signaux d'entrée IN1 et 1N2 sont tous deux à l'état bas (tension VINT d'amplitude proche de 0 volt et tension VIN2 d'amplitude proche de 0 volt), la résistance RSD de l'élément R1 et la résistance RSD de l'élément R2 sont toutes deux à une valeur haute, de sorte que la capacité équivalente de la cellule entre les bornes al et sl est relativement basse, par exemple sensiblement égale à la capacité du condensateur CMIN seul. L'impulsion de tension VOUT transmise sur la borne de sortie sl de la cellule est alors à un niveau d'amplitude bas, par exemple proche de 0 volt. Lorsque les signaux d'entrée IN1 et IN2 sont respectivement à l'état haut et à l'état bas (tension \FINI d'amplitude proche de l'amplitude de la tension d'alimentation On et tension VIN2 d'amplitude proche de 0 18 817449-DD18916 volt), la résistance RSD de l'élément R1 diminue jusqu'à une valeur basse, de sorte que la capacité équivalente de la cellule entre les bornes al et sl augmente jusqu'à une valeur intermédiaire, par exemple sensiblement égale à la capacité du condensateur CMAX1 en considérant la capacité du condensateur CMIN comme négligeable devant la capacité du condensateur CMAX1. On obtient alors sur la borne de sortie sl de la cellule une impulsion de tension VOUT présentant un niveau d'amplitude intermédiaire interprété comme un niveau logique bas du signal de sortie. De façon similaire, lorsque les signaux d'entrée IN1 et IN2 sont respectivement à l'état bas et à l'état haut (tension VIN1 d'amplitude proche de 0 volt et tension VIN2 d'amplitude proche de l'amplitude de la tension d'alimentation On), la résistance RSD de l'élément R2 diminue jusqu'à une valeur basse, de sorte que la capacité équivalente de la cellule entre les bornes al et sl augmente jusqu'à une valeur intermédiaire, par exemple sensiblement égale à la capacité du condensateur CMAX2 en considérant la capacité du condensateur CMIN comme négligeable devant la capacité du condensateur CMAX2. On obtient alors sur la borne de sortie sl de la cellule une impulsion de tension VOUT présentant un niveau d'amplitude intermédiaire interprété comme un niveau logique bas du signal de sortie. Lorsque les signaux d'entrée IN1 et IN2 sont tous deux à l'état haut (tension VIN1 d'amplitude proche de l'amplitude de la tension d'alimentation On et tension VIN2 d'amplitude proche de l'amplitude de la tension d'alimentation On), la résistance RSD de l'élément R1 et la résistance RSD de l'élément R2 diminuent jusqu'à une valeur basse, de sorte que la capacité équivalente de la cellule entre les bornes al et sl augmente jusqu'à une valeur haute, par exemple sensiblement égale à la somme des capacités des condensateurs CMAX1 et CMAX2 en considérant la capacité du condensateur CMIN comme négligeable. On obtient alors sur la borne de sortie sl de la 19 817449-DD18916 cellule une impulsion de tension VOUT présentant un niveau d'amplitude haut, par exemple proche de l'amplitude de la tension d'alimentation On, interprété comme un niveau logique haut du signal de sortie. La cellule 400 réalise donc bien une fonction ET (OUT=IN1.IN2). [0071] A titre de variante, la cellule 400 de la figure 4 peut réaliser une fonction OU en modifiant les capacités des condensateurs CMAX1 et CMAX2. [0072] Plus généralement, diverses fonctions logiques de base, et en particulier les fonctions OU, NON OU et NON ET, peuvent être réalisées en jouant sur l'agencement série et/ou parallèle des condensateurs CMAX1 et CMAX2 et des éléments R1 et R2, et/ou sur le sens de variation (négative ou positive) de la résistance des éléments Ri et/ou R2. [0073] La figure 5 est un schéma électrique illustrant plus en détail un exemple de réalisation de la cellule logique capacitive de la figure 1. La figure 5 reprend les mêmes éléments que la figure 1, et illustre plus en détail un exemple de réalisation du circuit de maintien H de la cellule 100 de la figure 1. [0074] Dans cet exemple, le circuit de maintien H est constitué d'une association en série, entre les bornes al et sl de la cellule, en parallèle du condensateur CMIN et de la branche comprenant le condensateur CMAX1 et l'élément à résistance variable R1, d'un condensateur CH et d'un élément à résistance variable RH. [0075] Le condensateur CH a par exemple sensiblement la même capacité que le condensateur CMAX1. A titre d'exemple, le condensateur CH est identique au condensateur CMAX1 aux dispersions de fabrication près. L'élément à résistance variable RH comprend, comme l'élément Ri, deux bornes principales de conduction S et D, et au moins une borne de 817449-DD18916 commande G isolée électriquement de ses bornes principales S et D, adaptée à recevoir un signal de commande pour faire varier la résistance RSD entre ses bornes S et D. Dans cet exemple, l'élément RH est, comme l'élément Ri, un élément à variation négative de résistance. [0076] Dans cet exemple, l'élément RH est relié en série avec le condensateur CH par ses bornes principales S et D. Plus particulièrement, dans l'exemple représenté, le condensateur CH a une première électrode reliée, par exemple connectée, à la borne al de la cellule et une deuxième électrode reliée, par exemple connectée, à la borne D de l'élément RH, la borne S de l'élément RH étant reliée, par exemple connectée, à la borne de sortie si de la cellule. La borne de commande G de l'élément à résistance variable RH est reliée, par exemple connectée, à la borne de sortie si de la cellule. [0077] De préférence, l' élément RH est un transistor MOS à faible tension de seuil , par exemple à tension de seuil inférieure à 0,1 V et de préférence nulle, ou un relai électromécanique à quatre bornes, la quatrième borne (ou borne de commande de référence) étant reliée, par exemple connectée, au noeud GND. [0078] Lorsque la tension d'entrée VIN1 revient à sa valeur basse à la suite d'une impulsion de niveau haut (phase P3 de la tension VIN1, correspondant à la phase P2 des tensions On et VOUT), le condensateur CH se substitue au condensateur CMAX1 pour maintenir la tension VOUT à un niveau haut. [0079] Plus généralement, tout autre circuit permettant de maintenir entre les bornes al et si, pendant la phase de décroissance de l'impulsion de niveau haut de la tension d'entrée VIN1 de la cellule (phase P3 de la tension VIN1), une capacité sensiblement égale à la valeur haute de la capacité équivalente de l'association en parallèle du condensateur CMIN et de la branche comprenant le condensateur 21 817449-DD18916 CMAX1 et l'élément à résistance variable Ri, peut être utilisé en remplacement du circuit H de la figure 5. [0080] La figure 6 est un schéma électrique d'un autre exemple d'un mode de réalisation d'une cellule élémentaire 600 en logique capacitive adiabatique. La figure 6 illustre plus particulièrement un autre exemple de réalisation de la fonction de maintien, en reliant en parallèle deux cellules logiques identiques recevant des signaux logiques d'entrée complémentaires. Dans l'exemple de la figure 6, la cellule 600 est une cellule buffer/inverseur. [0081] La cellule 600 de la figure 6 comprend deux cellules buffer 100 1 et 100 2. Les cellules 100 1 et 100 2 sont identiques ou similaires à la cellule 100 de la figure 5, à ceci près que - dans chacune des cellules 100 1 et 100_2, l'élément à résistance variable RH du circuit de maintien est un élément à variation positive de résistance ; - dans la cellule 100_1, la borne de commande G de l'élément à résistance variable RH du circuit de maintien H est connectée non pas à la borne de sortie si de la cellule 100_1, mais à la borne de sortie sl de la cellule 100_2 ; et - dans la cellule 1002, la borne de commande G de l'élément à résistance variable RH du circuit de maintien H est connectée non pas à la borne de sortie sl de la cellule 100_2, mais à la borne de sortie sl de la cellule 100_1. [0082] Les cellules 100 1 et 100 2 reçoivent la même tension d'alimentation tn sur leurs bornes d'alimentation al respectives, et ont leurs noeuds GND connectés à un même noeud d'application d'un potentiel de référence. En fonctionnement, la borne d'entrée el de la cellule 100 1 reçoit une tension d'entrée VIN1 représentative d'un signal logique d'entrée INi de la cellule 600, et la borne d'entrée al de la cellule 100 2 22 817449-DD18916 reçoit une tension d'entrée NVIN1 représentative d'un signal logique NIN1 complémentaire du signal IN1. [0083] La cellule 600 fournit, sur la borne de sortie sl de la cellule 100_1, un signal logique OUT (sous la forme d'une tension variable périodique VOUT) ayant le même état logique que le signal IN1, et, sur la borne de sortie si de la cellule 100_2, un signal logique NOUT (sous la forme d'une tension variable périodique NVOUT) complémentaire du signal IN1. [0084] La figure 7 est un schéma électrique d'une variante de réalisation de la cellule buffer 100 de la figure 1. [0085] La cellule 100 de la figure 7 comprend les mêmes éléments que dans l'exemple de la figure 1, agencés sensiblement de la même manière, et comprend en outre un circuit de réinitialisation R permettant de réinitialiser à un potentiel de référence le noeud flottant de sortie sl de la cellule. Dans cet exemple, le circuit de réinitialisation R comprend un élément à résistance variable RR reliant, par ses noeuds de conduction, le noeud de sortie sl de la cellule au noeud de référence GND de la cellule (en parallèle de la capacité de sortie CL de la cellule). Dans cet exemple, l'élément RR est un élément à variation négative de capacité. L'élément RR est par exemple similaire à l'élément Rl. Toutefois, les dimensions de l'élément RR peuvent être différentes de celles de l'élément Rl. En pratique, les dimensions de l'élément RR peuvent être inférieures à celles de l'élément Rl dans la mesure où l'élément RR sert uniquement à évacuer d'éventuelles charges électriques résiduelles accumulées sur le noeud sl. [0086] La borne de conduction D de l'élément RR par exemple connectée, au noeud de sortie sl de et la borne de conduction S de l'élément RR est exemple connectée, au noeud de référence GND de La borne de commande G de l'élément RR est reliée, est reliée, la cellule, reliée, par la cellule. par exemple 23 817449-DD18916 connectée, à un noeud ri d'application d'un signal RST de commande en réinitialisation de la cellule. [0087] L'application d'un signal de commande à une valeur basse de la résistance de l'élément RR permet de réinitialiser le noeud de sortie si de la cellule sensiblement au potentiel du noeud de référence GND de la cellule. L'application d'un signal de commande à une valeur haute de la résistance de l'élément RR permet d'isoler le noeud de sortie si de la cellule du noeud de référence GND. En pratique, un cicuit de réinitialisation identique ou similaire peut être prévu dans toutes les cellules logiques capacitives décrites précédemment et en particulier dans les cellules des figures 3, 4, 5 et 6. [0088] Le circuit de réinitialisation R peut être activé à chaque période de l'horloge-alimentation, mais n'est pas nécessairement activé à chaque période de l'horloge-alimentation. Par ailleurs, l'élément RR peut être à activation positive (i.e. l'élément RR est rendu faiblement résistif par application d'un signal RST de niveau haut) ou à activation négative (i.e. l'élément RR est rendu faiblement résistif par application d'un signal RST de niveau bas). [0089] La figure 8 illustre un exemple d'un mode de réalisation d'une cellule élémentaire 800 en logique adiabatique capacitive. [0090] La cellule 800 combine les variantes de réalisation des figures 6 et 7 et utilise des transistors MOS comme éléments à résistance variable. Plus particulièrement, dans l'exemple de la figure 8, les éléments à variation de résistance négative sont des transistors MOS à canal N et les éléments à variation de résistance positive sont des transistors MOS à canal P. 24 817449-DD18916 [0091] Ainsi, dans chacune des cellules 100_1 et 1002, l'élément Ri est un transistor MOS à canal N dont la source et le drain sont connectés respectivement au noeud de sortie si de la cellule et à une électrode du condensateur CMAX1 de la cellule et dont la grille est connectée au noeud d'entrée el de la cellule. De plus, dans chacune des cellules 100_1 et 1002, l'élément RH est un transistor MOS à canal P dont la source et le drain sont connectés respectivement à une électrode du condensateur CH et au noeud de sortie sl de la cellule, la grille du transistor RH de la cellule 100_1 étant connectée au noeud de sortie sl de la cellule 100 2 et la grille du transistor RH de la cellule 100_2 étant connectée au noeud de sortie sl de la cellule 100 1. En outre, dans chacune des cellules 100_1 et 100_2, l'élément RR est un transistor MOS à canal N dont la source et le drain sont connectés respectivement au noeud de référence GND de la cellule et au noeud de sortie sl de la cellule, et dont la grille est connectée au noeud de commande ri du circuit de réinitialisation R de la cellule. (0092] Dans cet exemple, le noeud de commande rl du circuit de réinitialisation R de la cellule 100 1 est relié, de préférence connecté, au noeud de sortie sl de la cellule 100_2, et le noeud de commande rl du circuit de réinitialisation R de la cellule 100_2 est relié, de préférence connecté, au noeud de sortie sl de la cellule 100_1. Ceci permet que le noeud de sortie sl de la cellule 100 1 et le noeud de sortie si de la cellule 100_2 soient réinitialisés à chaque période du signal d'alimentation On. [0093] On a décrit ci-dessus des cellules élémentaires pour circuit logique adiabatique capacitif, compatibles avec un mode de fonctionnement du type décrit en relation avec la figure 2, permettant de cascader en série un nombre illimité de cellules en utilisant quatre signaux 817449-DD18916 d'alimentation/horloge 01, 02, 03 et 04 déphasés deux à deux de 90 degrés. Les modes de réalisation décrits ne se limitent toutefois pas à ce mode de fonctionnement particulier. A titre de variante, on pourra prévoir un circuit logique fonctionnant avec une architecture d'alimentation/horloge dite rétractable, aussi appelée architecture à cadencement de Bennett (Bennett clocking en anglais). [0094] La figure 9 est un chronogramme illustrant un exemple de fonctionnement d'un circuit logique à cadencement de Bennett. On considère dans cet exemple un circuit comprenant trois cellules A, B et C, par exemple du type décrit ci-dessus, cascadées en série. Plus particulièrement, la cellule A, dite de rang n, a une borne de sortie reliée, par exemple connectée, à une borne d'entrée de la cellule B, dite de rang n+1, et la cellule B a une borne de sortie reliée, par exemple connectée, à une borne d'entrée de la cellule C, dite de rang n+2. La cellule A reçoit sur sa borne d'alimentation al une tension d'alimentation 0n, la cellule B reçoit sur la borne d'alimentation al une tension d'alimentation 0n+1, et la cellule C reçoit sur sa borne d'alimentation al une tension 0n+2. Les tensions 0n, 011+1 et tn+2 sont représentées sur la figure 9. [0095] Chacune des tensions On, ¢n+1 et 011+2 varie de façon périodique entre une valeur basse VL et une valeur haute VH. Comme cela apparaît sur la figure 9, les tensions On, 011+1 et 0/1+2 ont sensiblement la même période T. Toutefois, les tensions 0n, 011+1 et (1)/1-1-2 n'ont pas le même rapport cyclique. Dans cet exemple, le temps de montée de la valeur basse VL à la valeur haute V2 (phase Pl) et le temps de descente de la valeur haute VH à la valeur basse VL (phase P3) est sensiblement le même pour chacune des tensions 0n, 0/1+1 et c1M+2. Toutefois, le temps de maintien au niveau haut VH de la 26 817449-DD18916 tension d'alimentation (phase P2) est plus élevé pour la tension On que pour la tension On+1 et est plus élevé pour la tension én+1 que pour la tension On+2. Plus particulièrement, la phase P2 de la tension On commence au début de la phase P1 de la tension én+1 et se termine à la fin de la phase P3 de la tension én+1, et la phase P2 de la tension én+1 commence au début de la phase P1 de la tension én+2 et se termine à la fin de la phase P3 de la tension On+2. A l'inverse, le temps de maintien au niveau bas VL de la tension d'alimentation (phase P4) est plus faible pour la tension On que pour la tension On+1 et est plus faible pour la tension én+1 que pour la tension On+2. Plus particulièrement, la phase P4 de la tension én+2 commence au début de la phase P3 de la tension én+1 et se termine à la fin de la phase Pl suivante de la tension én+1, et la phase P4 de la tension On+1 commence au début de la phase P3 de la tension On et se termine à la fin de la phase Pl suivante de la tension On. [0096] Dans ce mode de fonctionnement, le nombre de cellules logiques pouvant être cascadées en série est limité par le nombre de tensions d'alimentation On imbriquées disponibles. Toutefois, un avantage est que les circuits de maintien H des cellules logiques décrites précédemment peuvent être omis. [0097] Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. L'homme de l'art comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d'autres variantes apparaitront à l'homme de l'art. En particulier, bien que l'on ait décrit ci-dessus uniquement des exemples de réalisation basés sur des signaux logiques à deux états, les modes de réalisation décrits peuvent être adaptés à la mise en oeuvre d'une logique multi-niveau, c'est-à-dire dans 27 817449 - DD18916 laquelle les signaux de données peuvent prendre un nombre d'états discrets supérieur à 2. Pour cela, on pourra ajouter d'autres condensateurs à capacité fixe et d'autres éléments à résistance variable pour moduler le rapport capacitif entre la capacité CL et la capacité équivalente entre les noeuds d'alimentation al et de sortie sl des cellules sur un nombre de niveaux supérieur à 2. Les différents éléments à résistance variable d'une même cellule logique pourront alors avoir des tensions de basculement différentes. 28 817449-DD18916 REVENDICATIONSi Cellule logique (100 ; 300 ; 400 ; 600 ; 800), comportant - un premier condensateur (CMIN) connecté entre un noeud (al) d'application d'une tension d'alimentation (On) de la cellule et un noeud flottant (si) de fourniture d'un signal logique de sortie (VOUT) de la cellule ; et - connectée en parallèle du premier condensateur (CMIN), une association en série d'un deuxième condensateur (CMAX1) et d'un premier élément à résistance variable (R1), le premier élément à résistance variable (R1) comportant une électrode de commande (G) connectée à un noeud (el) d'application d'un premier signal logique d'entrée (VIN1) de la cellule. 2. Cellule logique (100 ; 400 ; 600 ; 800) selon la revendication 1, dans laquelle le premier élément à résistance variable (Ri) est un élément à variation négative de résistance. 3. Cellule logique (300) selon la revendication 1, dans laquelle le premier élément à résistance variable (R1) est un élément à variation positive de résistance. 4. Cellule logique (100 ; 300 ; 400 ; 600 ; 800) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle le premier élément à résistance variable (R1) est un transistor MOS. 5. Cellule logique (100 ; 300 ; 400 ; 600) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle le premier élément à résistance variable (R1) est un relai électromécanique. 6. Cellule logique (400) selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, comportant en outre, connectée en parallèle du premier condensateur (CMIN), une association 29 817449 - DD18916 en série d'un troisième condensateur (CMAX2) et d'un deuxième élément à résistance variable (R2), le deuxième élément à résistance variable (R2) comportant une électrode de commande (G) connectée à un noeud (e2) d'application d'un deuxième signal logique d'entrée (VIN2) de la cellule. 7. Cellule logique (100 ; 300 ; 400 ; 600 ; 800) selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, comportant en outre un circuit capacitif de maintien (H) connecté entre le noeud d'alimentation (al) et le noeud flottant (si) de la cellule. 8. Cellule logique (100 ; 300 ; 400 ; 600 ; 800) selon la revendication 7, dans laquelle le circuit capacitif de maintien (H) comprend une association en série d'un condensateur (CH) et d'un élément à résistance variable (RH). 9. Cellule logique (100 ; 300 ; 400 ; 600 ; 800) selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, comportant en outre un circuit de réinitialisation (R) connecté entre le noeud flottant (s1) et un noeud (GND) d'application d'un potentiel de référence de la cellule. 10. Cellule logique (100 ; 300 ; 400 ; 600 ; 800) selon la revendication 9, dans lequel le circuit de réinitialisation (R) comprend un élément à résistance variable (RR) connecté entre le noeud flottant (si) et le noeud d'application d'un potentiel de référence (GND) de la cellule. 11. Cellule logique (600 ; 800) selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, comportant en outre - un premier condensateur additionnel (CMIN) connecté entre le noeud (ai) d'application de la tension d'alimentation (0n) de la cellule et un noeud flottant additionnel (si) 30 817449-DD18916 de fourniture d'un signal logique de sortie complémentaire (NVOUll de la cellule ; et - connectée en parallèle du premier condensateur additionnel (CMIN), une association en série d'un deuxième condensateur additionnel (CMAX1) et d'un premier élément à résistance variable additionnel (R1), le premier élément à résistance variable additionnel (R1) comportant une électrode de commande (G) connectée à un noeud (el) d'application d'un premier signal logique d'entrée complémentaire (NVIN1) de la cellule. 12. Cellule logique (600 ; 800) selon la revendication 11, comprenant en outre un circuit capacitif de maintien additionnel (H), le circuit capacitif de maintien additionnel (H) comprenant une association en série d'un condensateur (CH) et d'un élément à résistance variable (RH) connectée entre le noeud d'alimentation (al) et le noeud flottant additionnel (s1) de la cellule. 13. Cellule logique (600 ; 800) selon la revendication 12 dans son rattachement à la revendication 8, dans laquelle : - l'élément à résistance variable (RH) du circuit capacitif de maintien a une borne de commande (G) connectée au noeud flottant additionnel (si) de la cellule ; et - l'élément à résistance variable (RH) du circuit capacitif de maintien additionnel a une borne de commande (G) connectée au noeud flottant (si) de la cellule. 14. Cellule logique (800) selon l'une quelconque des revendications 11 à 13, comprenant en outre un circuit de réinitialisation additionnel (R), le circuit de réinitialisation additionnel (R) comprenant un élément à résistance variable (RR) connecté entre le noeud flottant additionnel (si) de la cellule et le noeud (GND) d'application d'un potentiel de référence de la cellule. 31 817449-DD18916 15. Cellule logique (800) selon la revendication 14 dans son rattachement à la revendication 10, dans laquelle : - l'élément à résistance variable (RIH) du circuit de réinitialisation (R) a une borne de commande (G) connectée au noeud flottant additionnel (s1) de la cellule ; et - l'élément à résistance variable (RH) du circuit de réinitialisation additionnel (R) a une borne de commande (G) connectée au noeud flottant (51) de la cellule. 16. Circuit logique comportant une première cellule logique (100 ; 300 ; 400 ; 600 ; 800) selon l'une quelconque des revendications 1 à 15 et une deuxième cellule logique (100 ; 300 ; 400 ; 600 ; 800) selon l'une quelconque des revendications 1 à 15 cascadée en série avec la première cellule, la première cellule ayant son noeud flottant (s1) connecté au noeud (el) d'application du premier signal logique d'entrée de la deuxième cellule.