Brevet FR3094560A1 — publié le 20201002

Description Titre de l'invention : Prise de contact sur du germanium Domaine technique [0001] La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques, et plus particulièrement des composants électroniques comprenant du germanium et les procédés de fabrication de composants électroniques. Technique antérieure [0002] Certains composants électroniques, tels que des transistors, des diodes, etc., utilisent les propriétés du germanium. Par exemple, une photodiode de type PIN, c'est-à-dire une photodiode comprenant une région semiconductrice intrinsèque entre des régions semiconductrices dopées de types N et P, peut-être basée sur du germanium. La photodiode peut alors détecter des rayonnements optiques de longueur d'onde comprise entre 0,9 wn et 1,5 µm. [0003] Dans un tel composant, une région comprenant du germanium est destinée à être connectée électriquement à d'autres dispositifs par une liaison conductrice. Lc contact électrique entre cette région et la liaison conductrice est assuré par une zone de contact, ou prise de contact. Résumé de l'invention [0004] 11 existe un besoin de réduire les résistances et/ou d'augmenter la fiabilité des prises de contact connues sur une région semiconductrice comprenant du germanium. 100051 11 existe un besoin de simplifier les procédés connus de la réalisation de prises de contact sur une région semiconductrice comprenant du germanium. 100061 Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des prises de contact connues avec une région semiconductrice comprenant du germanium. 100071 Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des procédés connus de réalisation de prise de contact avec une région semiconductrice comprenant du germanium. 100081 Ainsi, un mode de réalisation prévoit un procédé de formation d'une prise de contact électrique avec une région semiconductrice constituée principalement de germanium, comprenant la formation d'une première zone constituée d'un premier matériau intermétallique dans lequel plus de 70 % des atomes non métalliques sont de silicium. 100091 Un mode de réalisation prévoit un dispositif électronique comprenant une région se- miconductrice constituée principalement de germanium, et une prise de contact électrique avec la région semiconductrice, la prise de contact comprenant une première zone constituée d'un premier matériau intermétallique dans lequel plus de 70 % des atomes non métalliques sont de silicium. 2 [0010] Selon un mode de réalisation, la prise de contact comprend, entre la première zone et la région semiconductrice, une deuxième zone constituée d'un deuxième matériau intermétallique dans lequel les atomes non métalliques sont principalement de germanium. [0011] Selon un mode de réalisation, les atomes métalliques de chacun des premier et deuxième matériaux intermétalliques sont principalement de nickel. [0012] Selon un mode de réalisation, chacun des premier et deuxième matériaux intermé- talliques comprend du platine et/ou du cobalt. [0013] Selon un mode de réalisation, le premier matériau intermétallique comprend du germanium. [0014] Selon un mode de réalisation, la formation de la première zone comprend succes- sivement : a) la formation d'au moins une couche semiconductrice recouvrant la région semiconductrice et comprenant au moins 70 % d'atomes de silicium ; h) la formation d'une région métallique sur ladite au moins une couche semiconductrice ; et c) la réaction de la région métallique avec au moins une partie de ladite au moins une couche semiconductrice. [0015] Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre la réaction du matériau de la région métallique avec celui de la région semiconductrice. [0016] Selon un mode de réalisation, l'étape c) comprend : un premier traitement thermique, de préférence à une température inférieure à 300°C ; un retrait de parties de la région métallique n'ayant pas réagi au cours du premier traitement thermique ; et un deuxième traitement thermique, de préférence à une température comprise entre 390°C et 420°C. [0017] Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, avant l'étape b), la formation d'une couche de protection, de préférence en nitrure de titane, sur la région métallique. [0018] Selon un mode de réalisation, le procédé comprend la formation successivement : d'une couche semiconductrice supplémentaire comprenant au moins 70 % d'atomes de silicium ; d'une couche isolante recouvrant la couche semiconductrice supplémentaire ; et d'une ouverture traversant la couche isolante et la couche semiconductrice supplémentaire, ladite au moins une couche semiconductrice étant formée dans l'ouverture et formant, avec les parties de la couche semiconductrice supplémentaire situées autour de l'ouverture, une couche continue. [0019] Selon un mode de réalisation, le procédé comprend successivement la formation : d'un multicouches de premières couches semiconductrices comprenant au moine 70 % d'atomes de silicium alternées avec des deuxièmes couches semiconductrices constituées principalement de germanium ; d'une couche isolante recouvrant le multicouches ; et d'une ouverture traversant la couche isolante et une partie du multicouches, ladite au moins une couche semiconductrice étant constituée des premières couches ayant été laissées intactes sous l'ouverture. 3 100201 Selon un mode de réalisation, le multicouche est monocristallin. [0021] Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un dispositif élec- tronique, comprenant la mise en oeuvre d'un procédé tel que défini ci-dessus. [0022] Un autre mode de réalisation prévoit une photodiode comprenant un dispositif tel que défini ci-dessus ou un dispositif obtenu par un procédé tel que défini ci-dessus. Brève description des dessins [0023] Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : [0024] [fig.1] la figure 1 est une vue en coupe, partielle et schématique, représentant une étape d'un premier mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'une prise de contact ; [0025] W8.21 la figure 2 est une vue en coupe, partielle et schématique, représentant une autre étape du premier mode de réalisation ; [0026] [fig.3] la figure 3 est une vue en coupe, partielle et schématique, représentant une autre étape du premier mode de réalisation ; [0027] [fig.4] la figure 4 est une vue en coupe, partielle et schématique, représentant une autre étape du premier mode de réalisation ; [0028] W8.51 la figure 5 est une vue en coupe, partielle et schématique, représentant une étape d'un deuxième mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'une prise de contact ; [0029] [fig.6] la figure 6 est une vue en coupe, partielle et schématique, représentant une autre étape du deuxième mode de réalisation ; [0030] [fig.7] la figure 7 est une vue en coupe, partielle et schématique, représentant une autre étape du deuxième mode de réalisation ; [0031] [fig.8] la figure 8 est une vue en coupe, partielle et schématique, représentant une étape d'un troisième mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'une prise de contact ; [0032] [fig.9] la figure 9 est une vue en coupe, partielle et schématique, représentant une autre étape du troisième mode de réalisation ; et [0033] [fig.10] la figure 10 est une vue en coupe, partielle et schématique, représentant une autre étape du troisième mode de réalisation. Description des modes de réalisation 100341 De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. [0035] Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, dans les composants électroniques, les éléments autres qu'une région semiconductrice comprenant du germanium, une prise de contact, et un conducteur électrique, n'ont pas été décrits, les modes de réalisation étant compatibles avec les composants électroniques connus comportant une région en germanium. [0036] Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés ou couplés entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés ou couplés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. [0037] Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. [0038] Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sen- siblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. [0039] Les figures 1 à 4 sont des vues en coupe partielles et schématiques représentant des étapes d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'une prise de contact sur une région comprenant du germanium. [0040] Le procédé est mis en oeuvre au cours de la fabrication d'un dispositif électronique comprenant un ou plusieurs composants comprenant du germanium ou à base de germanium. Le dispositif peut comprendre, ou être constitué par, une puce électronique de circuit intégré. Une telle puce est définie par une portion de tranche semiconductrice et des éléments, tels que des composants électroniques, intégralement situés dans et sur une face de la tranche. En particulier, le procédé peut être mis en oeuvre pour la fabrication d'une photodiode comprenant du germanium. [0041] A l'étape de la figure 1, on prévoit un substrat 100. Le substrat 100 peut être constitué par une portion de tranche semiconductrice, par exemple en germanium. Le substrat 100 peut également être constitué par une couche recouvrant la face supérieure d'un support tel que, par exemple une tranche semiconductrice. [0042] Une région semiconductrice 110 comprenant du germanium est située du côté d'une face du substrat 100, par exemple la face avant ou supérieure du substrat 100. Dans le cas où le substrat 100 comprend, ou est constitué par, du germanium, la région 110 est par exemple une région dopée du substrat. Dans le cas où le substrat 100 est en un autre semiconducteur que le germanium, par exemple en silicium, la région semiconductrice 110 peut avoir été formée par exemple dans une cavité gravée dans le substrat 100. De préférence, la région semiconductrice 110 est monocristallinc, le substrat 100 étant de préférence monocristal] in. La région semiconductrice 110 peut alors résulter d'une épitaxie. [0043] La région 110 est constituée principalement, c'est-à-dire majoritairement, de germanium. Autrement dit, la région 110 est constituée d'un matériau semiconducteur présentant un pourcentage atomique de germanium supérieur à 50 %, de préférence supérieur à 90 %. Dans un exemple préféré, la région 110 est constituée de germanium, par exemple dopé. Plus préférentiellement, la région 110 est en germanium mono-cristallin. Dans un autre exemple, la région 110 est constituée de silicium-germanium, par exemple dopé. [0044] On forme, sur la région semiconductrice 110, une couche semiconductrice 120 présentant un pourcentage atomique de silicium supérieur à 70 %. La couche 120 peut comprendre, outre le silicium, un métalloïde différent du silicium, préférentiellement du germanium. Dans un exemple préféré, la couche 120 est constituée de silicium. Dans un autre exemple, la couche 120 est constituée de silicium-germanium. [0045] De préférence, la couche semiconductrice 120 est monocristalline. Pour cela, la couche 120 peut être obtenue par épitaxic sur la région 110 monocristallinc. L'épaisseur de la couche semiconductrice 120 est inférieure à un seuil d'épaisseur permettant que la couche épitaxiée soit monocristallinc. Ce seuil d'épaisseur peut être déterminé expérimentalement en fonction de la composition de la couche semiconductrice 120 et de la région semiconductrice 110. Ce seuil est de l'ordre de 2 nm pour une couche 120 de silicium épitaxiée sur la région 110 en germanium. En variante, la couche semiconductrice 120 n'est pas monocristalline. L'épaisseur de la couche 120 peut alors être supérieure au seuil d'épaisseur. [0046] On forme ensuite une couche métallique 130 recouvrant la couche semiconductrice 120. De préférence, la couche métallique 130 comprend du nickel, par exemple est sensiblement constituée du nickel, par exemple est constituée de nickel. De préférence, la couche 130 comprend, outre le nickel, du platine et/ou du cobalt. Dans un exemple préféré, le métal de la couche 130 comprend, plus préférentiellement est constitué par, du nickel et du cobalt, le pourcentage atomique du cobalt étant compris entre 5 et 20 %. Dans un autre exemple préféré, le métal de la couche 130 comprend, plus préférentiellement est constitué par, du nickel et du platine, le pourcentage atomique du platine étant compris entre 5 et 15 %. [0047] De préférence, l'épaisseur de la couche métallique 130 est supérieure à la moitié de celle de la couche semiconductrice 120. Plus préférentiellement, la couche métallique 130 a une épaisseur comprise entre 7 et 50 nm. [0048] De préférence, avant le dépôt de la couche métallique 130, on a préalablement procédé à une préparation de la surface supérieure de la couche semiconductrice 120. 6 L'étape de préparation de surface comprend par exemple un traitement en phase liquide à base d'acide fluorhydrique, puis un traitement par plasma. Le plasma peut être à hase d'argon, ou, par exemple, de type connu sous le nom commercial SiconiTM. Le traitement par plasma et le dépôt de la couche métallique 130 sont alors effectués successivement sans rupture de vide. Ceci permet d'éviter la présence d'impuretés, telles que des oxydes, entre les couches semiconductrice 120 et métallique 130. De telles impuretés pourraient provenir d'une exposition à l'air après l'étape de dépôt de la couche 120, ou après l'étape de préparation de surface en phase liquide. Les couches semiconductrice 120 et métallique 130 sont donc directement en contact l'une sur l'autre. [0049] De préférence, après la formation de la couche métallique 130, on forme une couche de protection 140 sur la couche 130. Cette couche est alors préférentiellement formée sans rupture de vide après le dépôt de la couche métallique 130. La couche 140 est destinée à protéger les structures situées sous la couche 140 contre l'oxydation au cours d'étapes ultérieures du procédé. De préférence, la couche de protection 140 est en nitrure de titane. En variante, la couche de protection 140 peut être omise. [0050] A l'étape de la figure 2, on effectue un premier traitement thermique. Plus pré- cisément, ce traitement thermique correspond à un recuit de la structure obtenue de la figure 1. Ce premier traitement thermique est effectué à une température permettant de faire réagir partiellement le métal de la couche métallique 130 avec le matériau de la couche semiconductrice 120. On obtient ainsi une couche 220 à la place de la couche 120. La température du premier traitement thermique est de préférence inférieure ou égale à 300°C, par exemple comprise entre 250°C et 300°C, ce qui permet une réaction partielle de la couche 130 comprenant du nickel avec le matériau de la couche semiconductrice 120. [0051] De préférence, le premier traitement thermique est effectué en présence de diazote. Le diazote est de préférence à la pression atmosphérique ou à une pression supérieure de moins de 1 bar à la pression atmosphérique. La durée du premier traitement thermique est préférentiellement comprise entre 10 s et 120 s. [0052] La couche 220 comprend, de préférence est constituée par, un matériau intermé- tallique, ou composé intermétallique, c'est-à-dire l'association d'un ou plusieurs éléments chimiques métalliques et d'un ou plusieurs éléments chimiques, typiquement métalloïdes, pouvant entrer dans la composition d'un semiconducteur. De préférence, le matériau intermétallique a une structure cristalline associant les éléments chimiques métalliques et non métalliques. Dans la couche 220, les éléments chimiques non métalliques sont sensiblement constitués par le matériau de la couche semiconductrice 120. Notamment, le fait que plus de 70 % des atomes de la couche semiconductrice 120 sont de silicium implique que plus de 70 % des atomes non métalliques de la 7 couche 220 sont de silicium. Dans un exemple préféré, le matériau intermétallique de la couche 220 est un siliciure de nickel ou un siliciure comprenant du nickel. Dans un autre exemple préféré, le matériau intermétallique de la couche 220 est un germanosil iciure de nickel ou un germano-siliciure comprenant du nickel. [0053] De préférence, l'épaisseur de la couche métallique 130 choisie à l'étape de la figure 1 est suffisante pour qu'une partie du métal de la couche 130 réagisse avec une partie supérieure de la région semiconductrice 110. Cette réaction produit une couche 210 située sous la couche 220. La couche 210 comprend, de préférence est constituée par, un matériau intermétallique. Du fait que la région 110 est principalement constituée de germanium, les atomes non métalliques de la couche 210 sont principalement des atomes de germanium. Ainsi, lorsque la couche métallique 130 est en nickel ou comprend du nickel, le matériau intermétallique de la couche 210 est en germaniure de nickel ou en un germaniure comprenant du nickel. [0054] De préférence, l'épaisseur de la couche métallique 130 choisie à l'étape de la figure 1 est suffisante pour qu'une partie 230 de la couche métallique 130 ne réagisse pas avec la couche semiconductrice 120 et la région semiconductrice 110. [0055] A l'étape de la figure 3, on retire l'éventuelle couche de protection 140, ainsi que la partie 230 de la couche 130 qui n'a pas réagi. Ce retrait est sélectif vis-à-vis du matériau de la couche 220. Le retrait est par exemple effectué dans une solution de gravure à base d'acide sulfurique et de peroxyde d'hydrogène, ou encore par exemple dans une solution de gravure à base d'acide chlorhydrique et d'acide nitrique. Du fait que la couche 220 comprenne, en dehors des éléments métalliques, plus de 70 % d'atomes de silicium, ces solutions permettent de graver les matériaux des couches 130 et 140 sans retirer ou altérer la couche 220. [0056] A l'étape de la figure 4, on effectue un deuxième traitement thermique. Ce traitement thermique correspond à un recuit de la structure obtenue à l'étape de la figure 3. Ceci transforme les couches 210 et 220 en couches respectives 410 et 420. [0057] Lorsque la couche 130 comprend du nickel, la température du traitement thermique est de préférence supérieure ou égale à 390°C. Ceci permet que, après le deuxième traitement thermique, la phase du matériau intermétallique de la couche 420 présente une résistivité électrique inférieure à celle des autres phases de cet intermétallique. Notamment, ceci permet que de la couche 420 comprenne le même proportion d'atomes métalliques que d'atomes non métalliques, par exemple comprenne les mêmes proportions atomiques de nickel et du silicium (NiSi). A titre d'exemple, une partie du nickel contenu dans la couche 220 à l'étape de la figure 3 réagit avec la région semiconductrice 110 pendant le deuxième recuit. L'épaisseur de la couche 410 est alors supérieure à celle de la couche 210 (figures 2 et 3). En variante, la couche 210 n'est pas formée au cours du premier traitement thermique, et seule la couche 410 est formée au 8 cours du deuxième traitement thermique. Le fait, mentionné ci-dessus, qu'à l'étape de la figure 1 l'épaisseur de la couche métallique 130 est préférentiellement supérieure à la moitié de celle de la couche semiconductrice 120, permet d'obtenir la couche 410 au cours du deuxième traitement thermique. [0058] En outre, lorsque la couche 130 comprend du nickel, la température de traitement thermique est de préférence inférieure à 420°C. Ceci permet d'optimiser la résistivité du germaniurc de nickel de la couche 410, et d'éviter de détériorer cette résistivité par une température trop élevée. [0059] Les zones intermétalliques définies par les couches 410 et 420 ainsi obtenues constituent une prise de contact électrique 400 sur la région semiconductrice 110. [0060] On aurait pu penser former une prise de contact ne comprenant pas la couche 420. Pour cela, on aurait pu imaginer mettre en oeuvre des étapes similaires à celles des figures 1 à 4, mais sans former la couche 120 de silicium. Cependant, au cours d'une étape, telle que celle de la figure 3, de retrait de la partie d'une couche métallique n'ayant pas réagi, le contact entre le germanium et une solution de gravure aurait risqué d'oxyder le germanium et de dissoudre l'oxyde de germanium dans la solution. Ceci aurait endommagé la région semiconductrice 110. Il en aurait résulté des problèmes de fiabilité et de résistance de la prise de contact. [0061] Ainsi, la présence de la couche 420 permet d'obtenir une prise de contact 400 sur le germanium ayant une résistivité et une fiabilité meilleures qu'une prise de contact dépourvue d'une telle couche. [0062] Les figures 5 à 7 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, représentant des étapes d'un autre mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'une prise de contact sur une région semiconductrice 110 comprenant du germanium. La région semiconductrice 110 est identique ou similaire à celle décrite en relation avec la figure 1, et est préférentiellement située en partie supérieure d'un substrat 100. [0063] A l'étape de la figure 5, de préférence, on forme sur la surface supérieure de la région semiconductrice 110 une couche semiconductrice 500 comprenant du silicium. La couche 500 est constituée de silicium, ou présente un pourcentage atomique de silicium supérieur à 70 %. A titre d'exemple, on fait croître la couche 500 par épitaxie sur la surface de la région semiconductrice 110. L'épaisseur de la couche 500 est par exemple comprise entre 1 nm et 3 nm, de préférence de l'ordre de 2 nm. [0064] On forme ensuite une couche électriquement isolante 510 sur la couche semicon- ductrice 500. La couche isolante 510 peut être en dioxyde de silicium, de préférence résultant d'une hydrolyse d'orthosilicate de tétraéthyle (TEOS). De préférence, l'épaisseur de la couche isolante 510 est de l'ordre de, ou supérieure à, 100 nm. [0065] A l'étape de la figure 6, on grave une ouverture 600 traversant la couche isolante 510 de part en part à l'emplacement de la future prise de contact. De préférence, l'ouverture 9 600 est réalisée seulement au-dessus d'une partie de la région semiconductrice 110. La largeur de l'ouverture peut être comprise entre 300 nm et 1,5 nm. L'ouverture 600 est compatible avec tout procédé usuel d'obtention d'une ouverture dans une couche isolante, par exemple une photolithographie suivie d'une gravure par plasma (le masque de gravure n'est pas représenté). En pratique, l'ouverture 600 est prolongée à travers la couche 500 jusqu'à un niveau situé dans la région semiconductrice 110. La différence de niveau, c'est-à-dire la distance dans la direction orthogonale à la face supérieure du substrat 100, entre le fond 602 de l'ouverture 600 et la face supérieure 604 de la couche semiconductrice 500, est par exemple comprise entre 5 nm et 30 nm, de préférence de l'ordre de 10 nm. [0066] On fait ensuite croître une couche semiconductrice 120A par épitaxic. La couche 120A est identique par sa composition et son épaisseur à la couche semiconductrice 120 du procédé des figures 1 à 4. La couche semiconductrice 120A croît à partir du fond 602 et des parties des parois latérales de l'ouverture 600 situées en dessous du niveau supérieur 604 de la couche 500. J'en résulte que la région semiconductrice définie par la couche 120A forme, avec les portions restantes de la couche 500, une couche semiconductrice continue, c'est-à-dire dépourvue d'ouvertures, recouvrant la région semiconductrice 110, cette couche continue comprenant au moins 70 % de silicium. [0067] Après cela, on forme successivement les couches métallique 130 et éventuellement de protection 140 décrites en relation avec la figure 1. Les couches 130 et 140 recouvrent le fond de l'ouverture 600 et les portions restantes de la couche isolante 510. De préférence, l'épaisseur totale des couches métallique 130 et de protection 140 est inférieure à celle de la couche isolante 510. Dans l'exemple représenté, les couches métallique 130 et de protection 140 sont formées par dépôt non conforme, c'est-à-dire que les matériaux de ces couches ne sont déposés que sur les surfaces tournées vers le haut. Du fait que l'épaisseur de la couche métallique 130 est inférieure à celle de la couche isolante 510, il résulte une région métallique 130A sans contact avec le reste de la couche 130, et située au fond de l'ouverture 600. L'étape décrite ici n'est pas limitative, et on peut utiliser tout procédé permettant de former une région métallique 130A sur une partie seulement de la région semiconductrice 110. En variante, les couches métallique 130 et/ou de protection 140 peuvent être formées par dépôt conforme. [0068] A l'étape de la figure 7, on met en oeuvre les étapes des figures 2 à 4, à savoir, suc- cessivement, le premier traitement thermique, le retrait de l'éventuelle couche de protection 140 et des portions restantes de la couche métallique 130, et le second traitement thermique. Il en résulte, sur la région 110 constituée principalement de germanium, une prise de contact comprenant une zone intermétallique 420 formée à partir de la couche semiconductrice 120A. Parmi les atomes non métalliques de la zone 420, plus de 70 % sont des atomes de silicium. De préférence, comme pour la couche 420 de la figure 4, les atomes non métalliques de la zone 420 sont des atonies de silicium. Plus préférentiellement, la zone 420 comprend du siliciure de nickel. [0069] De préférence, comme pour le procédé des figures 1 à 4, l'épaisseur de la couche mé- tallique 130 est choisie suffisamment épaisse pour former, sous la zone 420, une zone intermétallique 410, dans laquelle les atonies non métalliques sont principalement du germanium. Plus préférentiellement, la zone 410 comprend, par exemple est constituée par, du gerrnaniurc de nickel. [0070] Ensuite, on remplit l'ouverture 600 par un conducteur électrique 700. Le conducteur 700 permet d'établir une connexion électrique avec la région semiconductrice 110. Par exemple, le conducteur 700 peut être recouvert et en contact avec une piste de liaison électrique entre composants d'une puce électronique. [0071] Un avantage du procédé des figures 5 à 7 et que la prise de contact avec la région se- miconductrice 110, constituée des régions 420 et 410, est auto-alignée avec le conducteur 700. Dans une puce électronique comprenant plusieurs prises de contact obtenues par le procédé des figures 5 à 7, ceci permet des prises de contact plus rapprochées que dans un dispositif dans lequel les prises de contact ne sont pas ainsi auto-alignées. On peut donc augmenter, c'est-à-dire améliorer, la densité des composants de la puce. [0072] Les figures 8 à 10 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, représentant des étapes d'un autre mode de réalisation d'un procédé de formation d'une zone de contact localisée sur une région semiconductrice 110 comprenant du germanium. La région semiconductrice 110 est identique à celle décrite en relation avec la figure 1. En particulier, la région semiconductrice 110 se trouve préférentiellement côté face avant d'un substrat 100. [0073] A l'étape de la figure 8, on recouvre la région semiconductrice 110 d'un multicouches 800 comprenant, en alternance, des couches 802 de silicium et des couches 804 de germanium. Plus précisément, les couches 802 présentent une proportion atomique de silicium supérieure à 70 %. De préférence, les couches 802 sont en silicium, ou en silicium-germanium présentant une proportion atomique de silicium supérieure à 70 %. Les couches 804 sont en germanium ou sont constituées principalement de germanium. De préférence, les couches 804 sont en germanium, ou en silicium-germanium constitué principalement de germanium. A titre d'exemple, l'épaisseur du multicouches 800 est supérieure à 10 nm, préférentiellement de l'ordre de 15 nm. De préférence, les couches 802 ont la même épaisseur. De préférence, les couches 804 ont la même épaisseur. Plus préférentiellement, les couches 802 et 804 ont toutes la même épaisseur. [0074] De préférence, le multicouches 800 est formé par épitaxie sur la surface supérieure 11 de la région monocristalline 110. Chacune des couches 802 et 804 a alors une épaisseur inférieure à un seuil d'épaisseur en deçà duquel la couche reste mono-cristalline. En pratique, ce seuil, ou épaisseur critique, dépend de la composition des couches 802 et 804. A titre d'exemple, chacune des couches 802 et 804 a une épaisseur de l'ordre de, ou inférieure à, 2 nm. Ainsi, le multicouches 800 obtenu est mono-cristallin. [0075] On met ensuite en oeuvre des étapes similaires à celles des figures 5 et 6, à savoir la formation successivement d'une couche isolante 510, d'une ouverture 600 traversant entièrement la couche isolante 510, d'une couche métallique 130, et d'une éventuelle couche de protection 140. En pratique, l'ouverture 600 se prolonge jusqu'à un niveau situé à l'intérieur du multicouches 800. Dans l'exemple représenté, le fond de l'ouverture 600 est situé dans une couche 804A parmi les couches 804 constituées principalement de germanium. Dans un autre exemple, le fond de l'ouverture 600 s'arrête à l'intérieur d'une des couches 802, ou à une interface entre une des couche 802 et une des couches 804. Au moins une des couches 802 comprenant au moins 70 % de silicium n'est pas atteinte par l'ouverture 600 et est donc laissée intacte. Dans l'exemple représenté, deux des couches 802 ne sont pas gravées. [0076] A l'étape de la figure 9, on a mis en oeuvre successivement les étapes des figures 2 et 3, c'est-à-dire le premier traitement thermique, et le retrait de l'éventuelle couche de protection 140 et des restes de la couche métallique 130. De préférence, l'épaisseur de la couche métallique 130 déposée à l'étape de la figure 8 est choisie suffisante pour que chacune des couches 802 et 804, ainsi qu'une partie de la région semiconductrice 110, réagisse avec le métal de la couche métallique 130. La réaction de chacune des couches 802, 804 avec le matériau de la région métallique 130A produit une zone respective 902, 904 sous l'ouverture 600. Les parties de la structure situées entre les zones 902, 904, et le reste du multicouches 800, délimitées en figure par des pointillés 910, ne sont pas représentées. [0077] De préférence, on retire également la couche 904A (représentée en pointillés), qui résulte de la réaction de la couche 804A avec le matériau de la couche métallique 130. Ce retrait est préférentiellement effectué avec la même solution de gravure que celle utilisée pour retirer les parties restantes de la région métallique 130A. Ceci est possible du fait que les atomes non métalliques de la zone 904A sont principalement des atomes de germanium. Ceci permet d'éviter de conserver la zone 904A qui aurait été endommagée par la solution de gravure. On rend ainsi accessible la face supérieure de la zone 902 qui se trouvait sous et en contact avec la zone 904A avant le retrait. Du fait que plus de 70 %, ou la totalité, des atomes non métalliques de la zone 902 sont de silicium, la solution de gravure laisse intacte la zone 902. La zone 902 n'est donc pas endommagée par la gravure. Ainsi, la région semiconductrice 110 est protégée de la 12 solution de gravure par au moins une des zones 902. [0078] A l'étape de la figure 10, on procède au deuxième traitement thermique, tel que décrit en relation avec la figure 4. Ceci transforme les zones 902 et 904 respectivement en zones 1002 et 1004. Il en résulte une prise de contact constituée, dans cet exemple, de plusieurs zones intermétalliques superposées. Les zones intermétalliques voisines sont en contact l'une avec l'autre. A partir de la région semiconductrice 110, la prise de contact comprend successivement la zone 410 résultant de la réaction d'une partie de la région semiconductrice 110 avec la couche métallique 130 ; et : - une zone 1002 ayant plus de 70% des atomes non métalliques constitués de silicium ; ou - plusieurs zones 1002 ayant plus de 70% des atomes non métalliques constitués de silicium, séparées par une ou des zones 1004 ayant leurs atomes non métalliques constitués principalement de germanium. [0079] On remplit ensuite le reste de la cavité de l'ouverture 600 par un conducteur électrique 700, de préférence métallique. La zone 1002 située en partie supérieure de la prise de contact est en contact électrique avec le conducteur 700. Du fait que la zone 902 (figure 9) supérieure n'a pas été altérée lors du retrait des parties n'ayant pas réagi de la couche métallique 130, et du fait qu'il n'y a pas de zone intermétallique provenant de la zone 904A entre la zone 1002 et le conducteur électrique 700, la résistance et la fiabilité du contact entre la prise de contact et le conducteur 700 sont optimisées. [0080] Dans le cas préféré d'un empilement 800 monocristallin, l'ensemble de la prise de contact et la région semiconductrice 110 est monocristallin. De ce fait, la résistance électrique de la prise de contact est inférieure à celle d'une prise de contact non mono-cristalline. Ceci permet une amélioration supplémentaire de la résistance électrique. [0081] Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. L'homme de l'art comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d'autres variantes apparaitront à l'homme de Fart. [0082] Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de l'homme du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. 13 REVENDICATIONS[Revendication 1] Dispositif électronique comprenant une région semiconductrice (110) constituée principalement de germanium, et une prise de contact électrique (400) avec la région semiconductrice (110), la prise de contact (400) comprenant une première zone (420) constituée d'un premier matériau intermétallique dans lequel plus de 70 % des atomes non métalliques sont de silicium. [Revendication 2] Dispositif selon la revendication 1, dans lequel la prise de contact (400) comprend, entre la première zone (420) et la région semiconductrice (110), une deuxième zone (410) constituée d'un deuxième matériau intermétallique dans lequel les atomes non métalliques sont principalement de germanium. [Revendication 3] Dispositif selon la revendication 2, dans lequel les atomes métalliques de chacun des premier et deuxième matériaux intermétalliques sont principalement de nickel. [Revendication 4] Dispositif selon la revendication 2 ou 3, dans lequel chacun des premier et deuxième matériaux intermétalliques comprend du platine et/ou du cobalt. [Revendication 5] Dispositif selon rune quelconque des revendications 2 à 5, dans lequel le premier matériau intermétallique comprend du germanium. [Revendication 6] Procédé de fabrication d'un dispositif selon rune quelconque des reven- dications 1 à 5. [Revendication 7] Procédé selon à la revendication 6, dans lequel la formation de la première zone (420) comprend successivement : a) la formation d'au moins une couche semiconductrice (120 ; 120A ; 802) recouvrant la région semiconductrice (110) et comprenant au moins 70 % d'atomes de silicium ; b) la formation d'une région métallique (130 ; 130A) sur ladite au moins une couche semiconductrice (120 ; 120A ; 802) ; et c) la réaction de la région métallique (130 ; 130A) avec au moins une partie de ladite au moins une couche semiconductrice (120 ; 120A ; 802). [Revendication 8] Procédé selon la revendication 7, comprenant en outre la réaction du matériau (le la région métallique (130 ; 130A) avec celui de la région semiconductrice (110). [Revendication 9] Procédé selon la revendication 7 ou 8, dans lequel l'étape c) comprend - un premier traitement, thermique, de préférence à une température in- 14 [Revendication 10] [Revendication 11] [Revendication 12] [Revendication 13] [Revendication 14] [Revendication 15] férieure à 300°C ; - un retrait de parties de la région métallique (230) n'ayant pas réagi au cours du premier traitement thermique ; et - un deuxième traitement thermique, de préférence à une température comprise entre 390°C et 420°C. Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, comprenant, avant l'étape h), la formation d'une couche de protection (140), de préférence en nitrure de titane, sur la région métallique (130, 130A). Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 10, comprenant la formation successivement : - d'une couche semiconductrice supplémentaire (500) comprenant au moins 70 % d'atomes de silicium ; - d'une couche isolante (510) recouvrant la couche semiconductrice supplémentaire (500) ; et - d'une ouverture (600) traversant la couche isolante (510) et la couche semiconductrice supplémentaire (500), ladite au moins une couche semiconductrice (120A) étant formée dans l'ouverture (600) et formant, avec les parties de la couche semiconductrice supplémentaire (500) situées autour de l'ouverture (600), une couche continue. Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 11, comprenant successivement la formation - d'un multicouches (800) de premières couches semiconductrices (802) comprenant au moine 70 % d'atomes de silicium alternées avec des deuxièmes couches semiconductrices (804) constituées principalement de germanium ; - d'une couche isolante (510) recouvrant le multicouches (800) ; et - d'une ouverture (600) traversant la couche isolante (510) et une partie du multicouches (800), ladite au moins une couche semiconductrice (802) étant constituée des premières couches (802) ayant été laissées intactes sous l'ouverture (600). Procédé selon la revendication 12, dans lequel le multicouche (800) est monocristallin. Procédé de fabrication d'un dispositif électronique, comprenant la mise en oeuvre d'un procédé selon l'une quelconque des revendications 6 à 13. Photodiode comprenant un dispositif selon l'une quelconque des reven- 15 dications 1 à 5 ou un dispositif obtenu par un procédé selon la revendication 14.