Brevet FR3094839A1 — publié le 20201009

Description Titre de l'invention : Capteur pour l'acquisition d'un signal lumineux modulé à une fréquence acoustique Domaine technique [0001] La présente demande concerne le domaine de l'imagerie acousto-optique, notamment pour des applications médicales. Elle vise plus particulièrement un capteur pour l'acquisition d'un signal lumineux modulé à une fréquence acoustique. Technique antérieure [0002] Dans un milieu biologique tel qu'un tissu humain ou animal, la lumière visible se propage selon un régime de diffusion. Dans ce régime, les photons empruntent des chemins optiques multiples, de sorte que leurs agencements relatifs sont modifiés tout au long de la propagation de la lumière à travers le milieu Il est alors impossible, avec un capteur d'image standard, d'acquérir une image fidèle du milieu traversé par la lumière. [0003] Pour remonter à des informations d'absorption localisée dans le milieu, on a déjà proposé des techniques dites d'imagerie acousto-optique, dans lesquelles le milieu observé est éclairé par un faisceau de lumière cohérente, typiquement un faisceau laser, et une partie du milieu observé est soumise à une onde acoustique, typiquement une onde acoustique ultrasonore. La vibration des diffuseurs le long du chemin de propagation de l'onde acoustique, aussi appelé zone de marquage acoustique ou encore colonne acoustique de marquage, module alors la phase des photons diffusés. En sortie du milieu, on retrouve des photons porteurs de la modulation acoustique, appelés photons marqués, correspondant aux photons passés par la zone de marquage acoustique, et des photons non porteurs de la modulation acoustique, appelés photons non marqués, correspondant aux photons qui ne sont pas passés par la zone de marquage acoustique. On fait alors interférer le faisceau lumineux issu du milieu, appelé faisceau objet, avec un faisceau de référence issu de la même source lumineuse mais n'ayant pas traversé le milieu diffusant. Ceci permet de démoduler le faisceau objet et. de ramener la pulsation des photons marqués à la fréquence de l'onde acoustique. Un capteur d'images est alors utilisé pour mesurer le signal lumineux modulé à la fréquence acoustique et en déduire des informations quant à l'absorption de la lumière dans la zone de marquage. [0004] Il serait souhaitable de pouvoir disposer d'un capteur pour l'acquisition d'un signal lumineux modulé à une fréquence acoustique, ce capteur palliant tout ou partie des inconvénients des capteurs connus. Résumé de l'invention 2 [0005] Pour cclà, un mode de réalisation prévoit un capteur pour l'acquisition d'un signal lumineux modulé à une fréquence acoustique, comportant unc pluralité de pixels comprenant chacun : - une photodiode ; - un circuit d'intégration configuré pour, à chaque période du signal lumineux modulé, intégrer un photocourant délivré par la photodiode successivement dans K capacités, avec K entier supérieur ou égal à 2 ; et - un circuit de détection de phase configuré pour détecter un ordre de franchissement d'un seuil prédéterminé de tension par les K capacités et générer, en fonction de l'ordre détecté, un signal représentatif de la phase du signal lumineux modulé. [0006] Selon un mode de réalisation, dans chaque pixel, le circuit de détection de phase est adapté à détecter le rang de la première des K capacités à franchir le seuil de tension, et à affecter au signal représentatif de la phase du signal lumineux modulé unc parmi K valeurs de phase prédéterminées en fonction du rang détecté. [0007] Selon un mode de réalisation, dans chaque pixel, le circuit de détection de phase est adapté à détecter le rang des P premières capacités à franchir le seuil de tension et l'ordre de franchissement du seuil de tension par lesdites P premières capacités, avec P entier supérieur ou égal à 2 et inférieur à K, et à affecter au signal lumineux modulé une parmi KP valeurs de phase prédéterminées en fonction des rangs et de l'ordre détectés. [0008] Selon un mode de réalisation, K=4. [0009] Selon un mode de réalisation, chaque pixel comprend en outre un circuit d'injection de charges commandé pour, à la fin de chaque période du signal lumineux modulé au cours de laquelle au moins l'une des K capacités franchit le seuil de tension, injecter une même contre charge dans chacune des K capacités du circuit d'intégration. [0010] Selon un mode de réalisation, dans chaque pixel, à chaque période de modulation le photocourant est intégré successivement dans les K capacités dans un ordre sélectionné en fonction d'un signal binaire représentatif d'une séquence de sauts de phase appliquée à un signal de modulation du signal lumineux. [0011] Selon un mode de réalisation, chaque pixel comprend un dispositif de contrôle de phase adapté à réémettre une partie de faisceau lumineux modulé reçu par le pixel, en introduisant dans le faisceau réémis un déphasage fonction de la valeur du signal représentatif de la phase du signal lumineux modulé, généré par le circuit de détection de phase du pixel. [0012] Selon un mode de réalisation, dans chaque pixel, le dispositif de contrôle de phase comprend une couche de cristaux liquides disposée entre des première et deuxième électrodes. [0013] Selon un mode de réalisation, dans chaque pixel, la première électrode du dispositif 3 de contrôle de phase est connectée à un noeud de fourniture du signal représentatif de la phase du signal lumineux modulé, généré par le circuit de détection de phase du pixel. [0014] Selon un mode de réalisation, dans chaque pixel, le signal représentatif de la phase du signal lumineux modulé est adapté, en fonction d'un signal de calibration, par un circuit de compensation. [0015] Selon un mode de réalisation, chaque pixel comporte son propre circuit de com- pensation. [0016] Selon un mode de réalisation, les pixels du capteur sont répartis en plusieurs sous- ensembles de pixels voisins, un même circuit de compensation étant partagé par tous les pixels d'un même sous-ensemble et des circuits dc compensation distincts étant prévus pour des sous-ensembles distincts. Brève description des dessins [0017] Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : [0018] [fig.1] la figure 1 représente de façon schématique un exemple d'un système d'imagerie acousto-optique ; [0019] [fig.2] la figure 2 est un diagramme illustrant un exemple dc fonctionnement du système de la figure 1 ; [0020] [fig.3] la figure 3 est un diagramme illustrant un autre exemple de fonctionnement du système de la figure 1 ; [0021] [fig.4] la figure 4 représente de façon schématique un autre exemple d'un système d'imagerie acousto-optique ; [0022] [fig.5] la figure 5 est une vue en perspective représentant de façon schématique un exemple de réalisation d'un pixel d'un capteur d'un système d'imagerie acousto-optique ; [0023] [fig.6] la figure 6 est un schéma électrique simplifié d'un exemple d'un mode de réalisation d'un pixel d'un capteur d'un système d'imagerie acousto-optique ; [0024] [fig.7] la figure 7 est un diagramme illustrant le fonctionnement du pixel de la figure 6 ; [0025] [fig.8] la figure 8 est un autre diagramme illustrant, le fonctionnement du pixel de la figure 6 ; [0026] [fig.9] la figure 9 est un schéma électrique simplifié d'un autre exemple d'un mode de réalisation d'un pixel d'un capteur d'un système d'imagerie acousto-optique ; et [0027] [fig.10] la figure 10 est un schéma électrique simplifié d'une variante de réalisation d'un pixel d'un capteur d'un système d'imagerie acousto-optique. Description des modes de réalisation [0028] De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels etiou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer dc propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. [0029] Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les applications d'imagerie pouvant être mises en oeuvre à partir des capteurs décrits n'ont pas été détaillées, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec les applications usuelles d'imagerie acousto-optique, dans le domaine médical ou dans d'autres domaines. [0030] Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés ou couplés entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés ou couplés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. [0031] Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs dc position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures, étant entendu que, en pratique, les dispositifs décrits peuvent être orientés différemment. [0032] Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sen- siblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. [0033] La figure 1 représente de façon schématique un exemple d'un système d'imagerie acousto-optique. [0034] Le système de la figure 1 comprend une source lumineuse 101 (L) adaptée à générer un faisceau lumineux cohérent de fréquence par exemple une source laser. Le système comprend en outre un séparateur 103, par exemple une lame 103 partiellement transparente et partiellement réfléchissante placée à 45 degrés par rapport à la direction d'émission de la source 101, permettant de diviser le faisceau produit par la source 101 en un faisceau objet O et un faisceau de référence R. Le système est agencé de façon que le faisceau objet O illumine un objet ou un échantillon 105 à analyser, et que le faisceau de référence R ne passe pas par l'objet 105. Le faisceau de référence et le faisceau objet réfléchi ou transmis par l'objet 105 sont ensuite projetés sur un capteur d'images 109 comportant une matrice de pixels (non détaillés sur la figure 1), de manière à produire une figure d'interférence dans le plan d'acquisition du capteur. [0035] Dans le système de la figure 1, une partie de l'objet ou échantillon 105 est excitée par une onde acoustique sinusoïdale de fréquence Fus, par exemple comprise entre 1 et 15 MHz. Il en résulte que la fréquence des rayons du faisceau objet passant par la partie excitée de l'échantillon est décalée à la valeur f,-FF,,s ou ft-Fus, alors que la fréquence des rayons du faisceau objet passant par les parties non-excitées de l'échantillon reste à la valeur f, . Ce décalage fréquentiel permet de "marquer" les photons du faisceau objet passés par la partie excitée de l'échantillon, appelée zone de marquage, par rapport aux autres photons du faisceau objet. On cherche alors à mesurer l'énergie portée par les photons marqués, pour en déduire des informations quant à l'absorption lumineuse dans la zone de marquage. [0036] La figure 2 est un diagramme illustrant plus en détail le principe de fonctionnement du système de la figure 1. [0037] Le diagramme de la figure 2 comprend une courbe 201 représentant l'évolution en fonction du temps t (en abscisse) de l'intensité lumineuse I (en ordonnée) reçue par un pixel du capteur 109 du système de la figure 1, lorsque le capteur 109 est éclairé par le faisceau objet et le faisceau de référence combinés. [0038] En fonctionnement, le capteur 109 voit une figure d'interférence présentant une fréquence de battement égale à la fréquence de modulation acoustique Fis. Ainsi, comme cela apparaît sur la figure 2, l'intensité I reçue par chaque pixel évolue de façon sinusoïdale autour d'une valeur moyenne ou composante continue a0, avec une amplitude de crête de valeur al, à une fréquence égale à la fréquence de modulation acoustique Fus du système. Les intensités lumineuses reçues par différents pixels du capteur 109 peuvent avoir des composantes continues a0 distinctes et/ou des amplitudes al distinctes, mais fluctuent toutes de façon sinusoïdale à la fréquence de battement Fus, avec des déphasages propres. [0039] Chaque pixel du capteur 109 comprend une photodiode fournissant un courant repré- sentatif de l'intensité lumineuse reçue par le pixel. [0040] Dans cet exemple, la mesure de la partie marquée du faisceau objet s'effectue pendant une période d'acquisition Tac, de durée N*Tus, où Tus désigne la période de modulation acoustique du système, égale à 1/Fus, et où N est un entier, supérieur ou égal à 1, par exemple compris entre 100 et 10000. 6 [0041] Chaque pixel comprend un circuit d'intégration configure pour, à chaque période de modulation acoustique Tus de la période d'acquisition T, , intégrer le photocourant délivré par la photodiode successivement dans K=4 capacités CO, Cl, C2 et C3 distinctes (non visibles sur la figure 2). Ce cycle d'intégration et d'échantillonnage à quatre phases est répété successivement N fois pendant la période Ta', étant entendu que les capacités d'intégration CO, Cl, C2 et C3 du pixel ne sont pas réinitialisées entre le début et la fin de la période T. L'accumulation des échantillons sur un nombre N élevé de périodes du signal de modulation acoustique permet d'améliorer le rapport signal sur bruit de la mesure. Le nombre N est de préférence choisi de façon que la durée de la phase d'acquisition Tui', reste inférieure à une durée caractéristique de dé-corrélation du milieu, par exemple comprise entre 0,1 et 5 ms, par exemple de l'ordre de 1 ms, correspondant au temps au-delà duquel l'amplitude et la phase du signal mesuré risquent de varier du fait de variations physiologiques du milieu observé (par exemple du fait d'un mouvement de plaquettes sanguines). [0042] Sur la figure 2, pour chacune des N périodes T,s de la phase d'acquisition T',, on a désigné par les références il i2 et i3i, les quatre périodes d'intégration successives du photocourant fourni par la photodiode du pixel, respectivement dans les quatre capacités CO, Cl, C2 et C3 du pixel, où j est un entier allant de 1 à N désignant le rang de la période de modulation acoustique T,s considérée dans la phase d'acquisition T''. Dans cet exemple, les périodes d'intégration i0i, il et i3; ont toutes sensiblement la même durée, de l'ordre de Tus/4. [0043] A la fin de la phase d'acquisition T'', chaque pixel du capteur fournit quatre valeurs IO, Il, 12 et 13 représentatives respectivement des tensions aux bornes des capacités CO, Cl, C2 et C3 du pixel. [0044] A partir de ces quatre valeurs, le champ complexe E0,, de la partie du faisceau objet marquée par la modulation acoustique peut être déterminée, pour chaque pixel du capteur, par la formule EOM = (I0-I2) + j(II-I3). La composante 10-12 correspond à la partie réelle du champ Eu), et la composante I1-13 correspond à la partie imaginaire du champ EOM. La phase P0,, et l'amplitude A0,, du faisceau objet marqué reçu par chaque pixel du capteur peuvent être déterminées par les formules suivantes : [Math. I] Pou = arctan (fol 1/123) et [Math.2] Amy = 7(10 - 12)2 + (11 - /3)2 [0045] La connaissance de l'amplitude AOM du faisceau objet marqué permet en particulier d'obtenir des informations quant à l'absorption lumineuse dans la zone de marquage 7 acoustique, par exemple en vue de détecter la présence éventuelle d'un corps absorbant, par exemple une tumeur, dans la zone de marquage. [0046] On notera que la technique d'acquisition décrite en relation avec les figures 1 et 2 permet uniquement dc déterminer l'absorption moyenne au sein de la zone de marquage, mais ne permet pas d'obtenir d'informations sur l'absorption dans des régions localisées de la zone de marquage. [0047] Pour déterminer l'absorption dans des régions localisées de la zone de marquage, une solution consiste à appliquer à l'onde acoustique de marquage des sauts de phase, par exemple selon un motif aléatoire ou pseudo-aléatoire. A titre d'exemple, à chaque nouvelle période de modulation acoustique Tus, un saut de phase de valeur 0 ou .7r, choisie de façon aléatoire ou pseudo-aléatoire, est appliqué à l'onde acoustique de marquage. Au niveau du capteur 109, après interférence du faisceau objet avec le faisceau de référence, le signal est échantillonné selon la méthode de démodulation quatre phases exposée en relation avec la figure 2, en tenant compte lors de la démodulation du motif e de sauts de phase appliqué à l'onde acoustique dc marquage. [0048] La figure 3 est un diagramme illustrant plus en détail ce principe de fonctionnement. [0049] Le diagramme de la figure 3 comprend une courbe 301 représentant l'évolution, en fonction du temps t, en abscisse, de la contribution I(Ze',,,), en ordonnée, d'une position localisée Zci,,,, de la zone de marquage, au signal lumineux objet reçu par le capteur 109 après interférence avec le signal de référence. [0050] L'intensité I(Zcible) évolue de façon sinusoïdale autour d'une valeur moyenne ou composante continue a0, avec une amplitude de crête de valeur al, à une fréquence égale à la fréquence de modulation acoustique Fus du système. Toutefois, dans l'exemple de la figure 3, à chaque nouvelle période Tus de la phase d'acquisition T',, l'intensité I(Za,,,) subit un saut de phase de 0 ou pi correspondant au motif de sauts de phase e appliqué à l'onde acoustique de marquage, retardé d'un délai At=Zei,,,c/V,,s, V,,s désignant la vitesse de propagation de l'onde acoustique de marquage dans le milieu observé. [0051] Dans chaque pixel du capteur, le circuit d'intégration est configuré pour, à chaque période de modulation acoustique T,,s de la période d'acquisition T',, intégrer le photocourant délivré par la photodiode successivement dans les quatre capacités CO, Cl, C2 et C3 (non visibles sur la figure 3), en tenant compte du motif de sauts de phase retardé (1)(1= (Nt-At) pour déterminer l'ordre dans lequel les capacités CO, Cl, C2 et C3 sont connectées à la photodiode. Plus particulièrement, dans cet exemple, à chaque période de modulation acoustique Tus de la période d'acquisition Ta', si la valeur courante de déphasage dans la séquence de sauts de phase (1)(1 est nulle, le photocourant est successivement intégré dans les capacités CO, Cl, C2 et C3 dans le même ordre qu'à la période Tus précédente. Si en revanche la valeur courante de déphasage 8 dans la séquence de sauts de phase ed est égale à rt, l'ordre d'intégration du photocourant dans les capacités CO et C2 d'une part et Cl et C3 d'autre part est inversé. [0052] A la fin de la phase d'acquisition titi, chaque pixel du capteur fournit quatre valeurs IO, T1, 12 et T3 représentatives respectivement des tensions aux bornes des capacités CO, Cl, C2 et C3 du pixel. Les valeurs TO, Tl, 12 et 13 sont représentatives principalement de la contribution au signal lumineux objet reçu par le pixel, de la position de la zone de marquage pour laquelle le motif de sauts de phase td est corrélé au signal de modulation acoustique, c'est-à-dire la position &bit.= Vus*At. [0053] A partir de ces quatre valeurs, le champ complexe E0' de la partie du faisceau objet marquée par la modulation acoustique à la position Zeil,,, de la zone de marquage peut être déterminée, pour chaque pixel du capteur, par la formule E0,' = (1042) -F j(11-13). La composante 10-12 correspond à la partie réelle du champ E0' et la composante I1-I3 correspond à la partie imaginaire du champ E0,' La phase P0,, et l'amplitude A0,, du faisceau objet marqué reçu en provenance de la position peuvent être dé- terminées par les mêmes formules Math 1 et Math 2 que dans l'exemple de la figure 2. [0054] La mesure peut être réitérée en modifiant le retard At entre la séquence 0 de sauts de phase appliquée au signal de modulation acoustique et la séquence td appliquée au capteur, de façon à mesurer le champ E0,, en provenance d'une autre position cible Z &hlc dans la zone de marquage. [0055] Dans les exemples décrits ci-dessus, la moyenne des amplitudes A0, mesurées par les différents pixels du capteur permet d'obtenir une information quant à l'absorption moyenne de la zone de marquage (figure 2) ou quant à l'absorption d'une zone localisée de la zone de marquage (figure 3). [0056] Dans certaines applications, il est en outre souhaitable de mesurer, dans chaque pixel, la phase P0,., de la partie du faisceau objet mesurée par le pixel. [0057] A titre d'exemple, chaque pixel peut comprendre un dispositif de contrôle de phase adapté à réémettre une partie de faisceau lumineux reçu par le pixel, avec un déphasage sélectionné en fonction de la phase POM du faisceau incident. A titre d'exemple, chaque pixel comprend un miroir à conjugaison de phase adapté à réfléchir une partie du faisceau incident en direction du milieu observé, avec un déphasage POM *=-P0' correspondant au conjugué de la phase P0,, du faisceau incident mesurée par le pixel. Ceci permet de refocaliser une partie de la lumière reçue sur le capteur au niveau de la zone de marquage. Une telle refocalisation du faisceau objet dans la zone de marquage peut notamment permettre d'améliorer le rapport signal sur bruit de la mesure et/ou d'activer des molécules photosensibles dans la zone de refocalisation et/ ou de détruire des cellules pathogènes par échauffement localisé du milieu [0058] La figure 4 représente de façon schématique une variante du système d'imagerie acousto-optique de la figure 1, dans laquelle chaque pixel du capteur comprend un 9 dispositif de contrôle de phase adapté à réfléchir une partie du faisceau lumineux reçu par le pixel, avec un déphasage contrôlé en fonction de la valeur de la phase Pom du faisceau incident mesurée par le pixel. [0059] Sur la figure 4, on a représenté en trait interrompu le faisceau B réfléchi en direction de l'échantillon 105 et refocalisé par le capteur 109. [0060] La figure 5 est une vue en perspective représentant de façon schématique un exemple de réalisation d'un pixel du capteur 109 de la figure 4. [0061] Le pixel de la figure 5 comprend un substrat semiconducteur 50 dans une partie su- périeure duquel est définie une zone de photodétection 52, par exemple photodiode. [0062] Le substrat 50 est surmonté d'un empilement de couches de métallisation comprenant des pistes conductrices 54 séparées par un matériau isolant 56. Par souci de clarté, les pistes conductrices des premiers niveaux de métallisation ne sont pas représentées dans la perspective de la figure 5. [0063] Dans un niveau supérieur de l'empilement d'interconnexion est définie une piste conductrice 54', au moins en partie réfléchissante à la longueur d'onde d'émission de la source lumineuse 101, qui recouvre au moins une partie du pixel. Dans l'exemple représenté, la région 54' est en un matériau opaque, par exemple dans le même matériau que les pistes conductrices des niveaux d'interconnexion inférieurs, par exemple un métal tel que l'aluminium ou le cuivre. Une ouverture 58 est définie dans la région 54' en regard de la zone de photodétection 52. Ainsi, des rayons lumineux incidents qui arrivent au niveau de l'ouverture 58 atteignent la surface de la zone de photodétection 52, tandis que des rayons lumineux incidents qui arrivent sur la région 54' sont réfléchis par celle-ci. Les surfaces relatives de la région 54' et de l'ouverture 58 sont choisies pour réfléchir une proportion souhaitée du faisceau incident, par exemple entre 40 et 50 % du flux lumineux incident du faisceau incident. [0064] En surface de l'empilement d'interconnexion est formé un empilement d'une couche de cristaux liquides 62 et d'une couche conductrice transparente 66. Dans l'exemple représenté, l'empilement comprend en outre une première couche d'alignement 60 (couche d'accroche et d'alignement pour les cristaux liquides), disposée entre la face supérieure de l'empilement d'interconnexion et la face inférieure de la couche de cristaux liquides 62, et une deuxième couche d'alignement 64 disposée entre la face supérieure de la couche de cristaux liquides 62 et la face inférieure de la couche conductrice transparente 66. L'empilement comprend en outre à titre d'exemple une plaque supérieure de verre 68. La couche conductrice transparente 66 forme une première électrode de commande des cristaux liquides de la couche 62, tandis que la région 54' forme la deuxième électrode de commande. La couche conductrice transparente 66 est en un matériau conducteur transparent à la longueur d'onde de la source lumineuse 101. A titre d'exemple, la couche conductrice transparente 66 peut être en oxyde d'indium-étain (ITO). [0065] Les éléments d'application de tensions de commande sur les électrodes 54' et 66 ne sont pas détaillés ici, la réalisation de pistes et/ou vias d'accès à des électrodes telles que les électrodes 54' et 66 étant bien connue dans les techniques de circuit intégré. [0066] L'application d'une tension entre les électrodes 54' et 66 permet de modifier la structure des cristaux liquides de la couche 62, et donc la phase du faisceau lumineux réfléchi. On notera que cet ajustement est réalisé pixel par pixel, une contre-électrode 54' étant définie indépendamment dans chacun des pixels. La tension de commande appliquée à la couche de cristaux liquides 62, et donc le déphasage introduit par la couche 62, sont choisis en fonction d'une mesure de la phase du faisceau lumineux incident détecté par la photodiode 52, ladite mesure de phase étant réalisée par un circuit de lecture interne au pixel, non détaillé sur la figure 5. [0067] Pour mesurer la phase du faisceau lumineux incident au sein de chaque pixel, une possibilité est d'appliquer la formule mathématique Math I susmentionnée. Toutefois, la mise en oeuvre d'un calcul d'arc tangente nécessite des circuits relativement complexes, difficiles à intégrer au sein d'un pixel. [0068] Ainsi, on cherche ici à réaliser un pixel simple et compact adapté à fournir un signal représentatif de la phase d'un signal lumineux modulé à une fréquence acoustique. [0069] La figure 6 est un schéma électrique simplifié d'un exemple d'un mode de réalisation d'un pixel d'un capteur d'un système d'imagerie acousto-optique, par exemple du type décrit en relation avec les figures 4 et 5. En pratique, le capteur peut comporter une pluralité de pixels identiques ou similaires, par exemple agencés en matrice selon des rangées et des colonnes. [0070] Le pixel de la figure 6 est adapté à mettre en oeuvre une démodulation à quatre phases du type décrit en relation avec les figures 2 et 3. [0071] Le pixel de la figure 6 comprend une photodiode 52 adaptée à fournir un pho- tocourant en fonction d'une intensité lumineuse reçue. [0072] Le pixel de la figure 6 comprend de plus un étage d'intégration 70 configuré pour, à chaque période Tus de la phase d'acquisition T', du signal lumineux modulé, intégrer le photocourant délivré par la photodiode successivement dans quatre capacités distinctes CO, Cl, C2 et C3. Les capacités CO, Cl, C2 et C3 de l'étage d'intégration 70 sont par exemple de même valeur. [0073] Dans cet exemple, l'étage d'intégration comprend un amplificateur opérationnel 71 ayant une entrée inverseuse (-) reliée à la cathode de la photodiode 52 par l'intermédiaire d'un interrupteur SI, et une entrée non inverseuse (+) reliée à un noeud d'application d'une tension de référence Vrer, par exemple une tension fixe continue. L'interrupteur Si a un premier noeud de conduction relié, par exemple connecté, à la cathode de la photodiode 52, et un deuxième noeud de conduction relié, par exemple 11 connecté, à l'entrée inverscuse (-) de l'amplificateur opérationnel 71. On notera que dans la suite de la description, on désignera par les mêmes références les interrupteurs des circuits décrits et les signaux de commande de ces interrupteurs. Par exemple, on parlera du signal S1 pour désigner le signal de commande de l'interrupteur Si. [0074] Dans l'exemple de la figure 6, l'étage d'intégration 70 comprend quatre interrupteurs 4h1, et 4)3 reliés en série avec les capacités CO, respectivement Cl, respec- tivement C2, respectivement C3, entre l'entrée inverseuse et la sortie de l'amplificateur opérationnel 71. Plus particulièrement, dans cet exemple, chacune des capacités CO, Cl, C2 et C3 a une première électrode connectée au noeud de sortie de l'amplificateur opérationnel 71 et une deuxième électrode reliée à l'entrée inverseuse de l'amplificateur opérationnel 71 par l'intermédiaire de l'interrupteur 4)0, respectivement 4)1, respectivement 4)2, respectivement 4)3. Chacun des interrupteurs 4)0, 4)1, 4)2 et 4)3 a un premier noeud de conduction relié, par exemple connecté, à l'entrée inverseuse de l'amplificateur opéationnel 71, et un deuxième noeud de conduction relié, par exemple connecté, respectivement à la deuxième électrode de la capacité CO, à la deuxième électrode de la capacité Cl, à la deuxième électrode de la capacité C2, et à la deuxième électrode de la capacité C3. [0075] L'étage d'intégration 70 comprend en outre un interrupteur de réinitialisation 4)rst ayant un premier noeud de conduction relié, par exemple connecté, à l'entrée in-verseuse de l'amplificateur opérationnel 71, et un deuxième noeud de conduction relié, par exemple connecté, à la sortie de l'amplificateur opérationnel 71. [0076] Le pixel de la figure 6 comprend en outre un circuit d'injection de charges 72 com- mandable pour injecter une quantité fixe prédéterminée de charges de compensation, appelée contre-charge, dans chacune des capacités CO, Cl, C2 et C3 de l'étage d'intégration 70. A titre d'exemple, le circuit d'injection de charges 72 comprend trois transistors MOS 4)FB1, 4>FB2 et REF2, par exemple des transistors MOS à canal P, reliés en série entre un noeud d'application d'une tension de référence REF1 et l'extrémité de l'interrupteur Si opposée à l'entrée inverseuse de l'amplificateur opérationnel 71. A titre d'exemple, le transistor (L)FB1 a un premier noeud de conduction connecté au noeud d'application de la tension REF1 et un deuxième noeud de conduction connecté à un premier noeud de conduction du transistor (L)FB1, et le transistor REF2 a un premier noeud de conduction connecté à l'interrupteur Si et un deuxième noeud de conduction connecté au deuxième noeud de conduction du transistor (L)FB2. Par souci de simplification, on désigne ici par les mêmes références les transistors MOS 4>FB1, 4)FB2 et REF2 et les signaux de commande de grille de ces transistors. Les signaux REF1 et REF2 sont par exemple des tensions de polarisation fixes continues, les signaux (L)FB1 et 4)FB2 étant des tensions de commande des transistors 4)FB1 et 4)FB2, chacune des tensions 4)FBI et (L)FB2 ayant un niveau bas et 12 un niveau haut définissant une barrière de potentiel à deux niveaux, étant entendu que le niveau bas, respectivement haut, de la tension 4)FB1 peut être différent du niveau bas, respectivement haut, de la tension c4FB2. [0077] Le pixel de la figure 6 comprend en outre un comparateur de tension 74 ayant une entrée positive (+) reliée, par exemple connectée, à un noeud de sortie de l'étage d'intégration 70. Plus particulièrement, dans cet exemple, l'entrée positive (+) du comparateur de tension 74 est reliée, par exemple connectée, au noeud de sortie de l'amplificateur opérationnel 71 de l'étage d'intégration 70. Le comparateur 74 a en outre une entrée négative (-) reliée, par exemple connectée, à un noeud d'application d'une tension seuil TH, par exemple une tension fixe continue. Le comparateur 74 a un noeud de sortie fournissant un signal UP, par exemple une tension, présentant un premier état, par exemple un état bas, lorsque la tension de sortie VOUT de l'étage d'intégration 70 est inférieure au seuil TH, et un deuxième état, par exemple un état haut, lorsque la tension de sortie VOUT de l'étage d'intégration 70 est supérieure au seuil TH. [0078] Le pixel de la figure 6 comprend de plus une première bascule D (DFF) 76 ayant un noeud d'entrée de donnée d relié, par exemple connecté, à un noeud d'application d'une tension de référence fixe continue Vdd, correspondant par exemple à une tension d'alimentation haute du pixel et vue comme un état logique haut par la bascule 76, et un noeud d'entrée de commande c relié, par exemple connecté, au noeud de sortie du comparateur 74. La bascule 76 comprend en outre un noeud d'entrée de réinitialisation rst. La bascule 76 comprend de plus un noeud de sortie s fournissant un signal binaire de donnée Q représentatif de la valeur binaire, haute ou basse, stockée dans la bascule 76. [0079] Le pixel de la figure 6 comprend en outre une deuxième bascule D 77 ayant un noeud d'entrée de donnée d relié, par exemple connecté, à la sortie s de la bascule 76 et un noeud d'entrée de commande c relié, par exemple connecté, à un noeud d'application d'un signal d'échantillonnage ech. La bascule 77 comprend de plus un noeud de sortie s fournissant un signal FB représentatif de la valeur binaire, haute ou basse, stockée dans la bascule 77. Le signal de sortie FB de la bascule 77 est appliqué sur le noeud d'entrée de réinitialisation rst de la bascule 76, par exemple par connexion directe du noeud de sortie s de la bascule 77 au noeud d'entrée de réinitialisation rst de la bascule 76. [0080] Le pixel de la figure 6 comprend de plus, en sortie de la bascule 77, un circuit logique 78 générant les signaux de commande cl)FB1 et (L)FB2 du circuit d'injection de charges 72 en fonction de l'état du signal binaire de sortie FB de la bascule 77. [0081] Le pixel de la figure 6 comprend de plus un circuit de détection de phase 80 adapté à générer un signal VPH, par exemple une tension, représentatif de la phase du signal lumineux modulé reçu par la photodiode 52. A titre d'exemple, le signal VPH est repré- 13 sentatif du déphasage à appliquer sur le signal réfléchi, qui dépend de la phase du signal lumineux modulé reçu par la photodiode 52. Dans l'exemple de la figure 6, le circuit de détection de phase 80 comprend quatre bascules D 82' avec i entier allant dc 0 à 3. Chacune des bascules 82; a un noeud d'entrée de donnée d recevant le signal de commande chi de l'interrupteur (pi de même rang i de l'étage d'intégration 70. A titre d'exemple, chaque bascule 82; a son noeud d'entrée de donnée d connecté au noeud de commande de l'interrupteur (pi de même rang i. Chacune des bascules 82; a en outre un noeud de commande c recevant le signal Q de sortie dc la bascule 76. A titre d'exemple, chaque bascule 82; a son noeud d'entrée c connecté au noeud de sortie de la bascule 76. Chaque bascule 82, comprend de plus un noeud de sortie s fournissant un signal binaire de donnée Phz représentatif de la valeur binaire, haute ou basse, stockée dans la bascule. Le signal Phz constitué par les quatre bits de sortie des bascules 82; est utilisé pour commander un commutateur 84 de quatre voies vers une voie du circuit de détection de phase 80. Dans cet exemple, le commutateur 84 est configure pour appliquer sur le noeud dc fourniture du signal de phase V,,, l'une parmi quatre tensions de polarisation Vpol , Vpol , Vpol et Vpol prédéterminées, par exemple des tensions fixes ou variables de niveaux distincts, en fonction de l'état du signal Phz . Plus particulièrement, dans cet exemple, le commutateur 84 comprend quatre interrupteurs 84; ayant chacun un premier noeud de conduction relié, par exemple connecté, à un noeud d'application de la tension de polarisation Vpol de même rang i, un deuxième noeud de conduction relié, par exemple connecté, au noeud de fourniture de la tension VPH, et un noeud de commande relié, par exemple connecté, au noeud de sortie s de la bascule 82; de même rang i. Dans cet exemple, les signaux de sortie des bascules 82; sont mutuellement exclusifs, c'est-à-dire que, à un instant donné, seul l'un des interrupteurs 84 peut être fermé (i.e. deux interrupteurs 84; ne peuvent pas être fermés simultanément). Ainsi, la tension de sortie VPH du circuit de détection de phase 80 peut prendre l'une des quatre valeurs de tension Vpol , Vpol , Vpol et Vpol , en fonction de l'état du signal Phz . A titre d'exemple, dans une structure de pixel du type décrit en relation avec la figure 5, la tension VPH peut être utilisée directement pour commander la couche de cristaux liquides 62 du pixel. Dans ce cas, le noeud de fourniture de la tension de sortie VpH peut être connecté à l'électrode de polarisation 54' du pixel. [0082] Le fonctionnement du pixel de la figure 6 va maintenant être décrit plus en détail en relation avec les figures 7 et 8. [0083] Les figures 7 et 8 sont des diagrammes illustrant l'évolution, en fonction du temps, de divers signaux internes et/ou de commande du pixel de la figure 6 lors d'une phase de mesure d'un signal lumineux modulé à une fréquence acoustique, par exemple un signal du type décrit précédemment en relation avec la figure 2 (signal lumineux 14 modulé à une fréquence acoustique sans sauts de phases aléatoires) ou en relation avec la figure 3 (signal lumineux modulé à une fréquence acoustique avec sauts de phases aléatoires). [0084] La figure 7 représente plus particulièrement l'évolution, en fonction du temps t (en abscisse) de la tension de sortie VOUT du circuit d'intégration 70, des tensions de commande 4)0 et 4)2 des interrupteurs 4)0 et 4)2 du circuit d'intégration 70, de la tension UP de sortie du comparateur 74, de la tension de sortie Q de la bascule 76, de la tension de sortie FB de la bascule 77, des tension de commande (1)FB1 et 4)FB2 du circuit d'injection de charges 72, et de la tension de commande ech de la bascule 77. [0085] Par souci de simplification, les tensions de commande 4)1 et 4)3 des interrupteurs 4)1 et 4)3 du circuit d'intégration 70 n'ont pas été représentées sur la figure 7. [0086] La figure 7 représente un fonctionnement en démodulation sans saut de phase, par exemple pour mesurer un signal lumineux modulé du type décrit en relation avec la figure 2. [0087] La figure 8 représente l'évolution, en fonction du temps t (en abscisse) de la tension de sortie VOUT du circuit d'intégration 70, et des tensions de commande (A, 4)1, 4)2 et (1)3 des interrupteurs de 4)1, 4)2 et 4)3 du circuit d'intégration 70. La figure 8 représente en outre l'évolution, en fonction du temps, de l'intensité lumineuse I(Zébk.) que l'on cherche à mesurer. [0088] La figure 8 représente un fonctionnement en démodulation avec sauts de phase aléatoires, par exemple pour mesurer un signal lumineux modulé du type décrit en relation avec la figure 3. [0089] Pendant toute la durée de la phase de mesure du signal lumineux, l'interrupteur SI du pixel est maintenu fermé (passant). Au début de la phase de mesure, les tensions aux bornes des capacités CO, Cl, C2 et C3 de l'étage d'intégration 70 sont toutes ramenées zéro par la fermeture simultanée des inten-upteurs 4)0, 4)1, 4)2, 4)3 et 4m-st, lors d'une phase d'initialisation That (figure 8). A la fin de la phase d'initialisation That, la phase d'acquisition proprement dite du signal lumineux modulé (phase I', des figures 2 et 3) débute. [0090] Pendant toute la durée de la phase d'acquisition T', le courant photonique généré par la photodiode est intégré séquentiellement dans les capacités CO, Cl, C2 et C3, selon le procédé de démodulation quatre phases décrit en relation avec la figure 2 ou 3. Pour cela, dans l'exemple de la figure 7, à chaque période de modulation acoustique Tus de la phase Ta' les signaux de commande 4)0, 4)1, 4)2 et 4)3 sont successivement mis à l'état haut (correspondant à un état de commande en fermeture des interrupteurs 4)0, 4)1, 4)2 et (3), dans cet ordre pendant une période de l'ordre de Tus/4. Les signaux 4)0, 4)1, 4)2 et (1)3 sont non recouvrants de façon que, pendant toute la durée de la phase d'acquisition tag, deux des interrupteurs 4)0, 4)1, 4)2 et 4)3 ne soient jamais simul- tanémcnt fermés. Dans l'exemple de la figure 8, à chaque période de modulation Tus de la phase T'., les signaux de commande 4)0, 4)1, 4)2 et 4)3 sont successivement mis à l'état haut dans un ordre choisi en fonction de la valeur courante de phase du motif de sauts de phase retardé ebd utilisé pour la démodulation. Le motif de sauts de phase retardé td appliqué pendant la phase d'acquisition peut être commun à tous les pixels du capteur, et l'ordre de commutation des interrupteurs 4)0, cpl, 4)2 et 4)3 peut être déterminé de façon commune pour tous les pixels du capteur. [0091] En pratique, le faisceau lumineux objet reçu par chaque pixel comprend des photons marqués par la modulation acoustique et des photons non marqués par la modulation acoustique. On retrouve donc dans le signal lumineux reçu par la photodiode la composante sinusoïdale de fréquence Fus, correspondant aux photons marqués, mais aussi un offset. L'énergie lumineuse associée à cet offset peut être très supérieure, par exemple plus de 100 fois supérieure, à l'énergie de la partie marquée du faisceau. [0092] Ainsi, les tensions aux bornes des capacités CO, Cl, C2 et C3 croissent progres- sivement à chaque nouvelle période de modulation acoustique T,,s de la phase d'acquisition Tacq. L'intégration du courant photonique dans les quatre capacités CO, Cl, C2 et C3 du circuit d'intégration 70 peut alors conduire à une saturation très rapide du pixel avec in fine une quantité de signal utile collectée très faible (faible rapport signal sur bruit). [0093] Le comparateur 74, les bascules 76 et 77 et le circuit d'injection de charges 72 forment un circuit de compensation de l'offset. Le comparateur 74 permet de détecter le franchissement d'un seuil de tension prédéterminé TH, par exemple de l'ordre de 2 volts, par l'une des capacités CO, Cl, C2 et C3 lors d'une phase d'intégration du photocourant dans cette capacité. Dès que le seuil TH est franchi par l'une des capacités CO, Cl, C2 et C3, le signal UP de sortie du comparateur 74 passe à l'état haut, ce qui entraine immédiatement le passage à l'état haut du signal de sortie Q de la bascule 76 (préalablement initialisée à l'état bas). [0094] Le signal ech de commande de la bascule 77 est un signal périodique en créneau de fréquence F,,s présentant un front montant au début de chaque période T,,s de la phase d'acquisition Tacq. Ainsi, le signal de sortie FB de la bascule 77 passe à l'état haut au début de la période de modulation acoustique Tus suivant la période T,,s ayant conduit au franchissement du seuil TH par l'une des capacités CO, Cl, C2 et C3. Le signal FB étant appliqué sur le noeud de réinitialisation de la bascule 76, ceci conduit à la réinitialisation de la bascule 76. Le signal Q repasse alors à l'état bas. [0095] Lors de la période Tus suivant le passage à l'état haut du signal FB, le circuit logique 78 commande le circuit d'injection de charges 72 (via les signaux 4)FB 1 et 4)FB2) et le circuit d'intégration 70 (via les signaux 4)0, 4)1, 4)2 et (3) de façon à injecter dans chacune des capacités CO, Cl, C2 et C3 du circuit d'intégration une même contre 16 charge Aq, de valeur prédéterminée. Pour cela, dans cet exemple, les signaux de commande 4)0, 4)1, 4)2 et 4)3 sont, comme décrit précédemment, commandés successivement à l'état fermé pendant une période de l'ordre de Tus/4. A chacune des quatre périodes de fermeture d'un interrupteur 4)i, les tensions 4)FB1 et 4)FB2, initialement à leurs niveaux bas respectifs, sont successivement mises à leurs niveaux hauts respectifs à quelques nanosecondes d'intervalle (par exemple à un intervalle compris entre 1 et 20 ns) en commençant par la tension 4)FB1, puis maintenues à leurs niveaux hauts respectifs pendant une première partie de la période de fermeture de l'interrupteur 4)i, par exemple pendant la première moitié de la période de fermeture de l'interrupteur La mise à l'état haut de la tension 4)FBI fait office de barrière de potentiel pour la contre charge Aq stockée dans le canal du transistor 4)FB2 de sorte que, lors du passage de la tension 4)FB2 à son niveau haut, les charges de la contre charge Aq franchissent la barrière de potentiel REF2 (avec REF2>Vref), et migrent vers la capacité Ci connectée à l'interrupteur Les tensions 4)FBI puis 4)fB2 sont ensuite basculées à leurs niveaux bas respectifs puis maintenues à leurs niveaux bas respectifs pendant la deuxième partie de la période de fermeture de l'interrupteur 4)i, afin de précharger à nouveau la région de canal du transistor 4)FB2 en vue de l'injection de la contre charge Aq suivante. [0096] Ainsi, on ajoute à chacun des quatre échantillons 10, 11, 12 et 13 de sortie du pixel une contribution commune qui peut être vue en moyenne comme un courant de compensation du courant photonique d'offset. A la fin de la phase d'acquisition T'', chacun des échantillons IO. Il, 12 et 13 sera porteur de l'intégration des N phases i0i, respectivement ni, respectivement i2, respectivement i3i, décrites précédemment, ainsi que d'un offset résiduel commun. L'offset résiduel sera annulé lors du calcul des parties réelle et imaginaire du signal objet, par différentiation des échantillons 10-12 et II-13. [0097] Au cours de la phase d'acquisition T',, l'offset étant commun à tous les échantillons IO, Il, 12 et 13, l'ordre de franchissement du seuil TH par les échantillons renseigne sur les grandeurs relatives des énergies portées par le photocourant dans chacune des périodes d'intégration i0i, Ili, 12; et i3i. Ainsi, connaissant le rang de l'échantillon ayant franchi le seuil en premier, on peut remonter à la phase du signal lumineux modulé mesuré par le pixel. [0098] En pratique, lors d'une même période de modulation acoustique T,s de la phase d'acquisition T',, le seuil TH peut être franchi par plusieurs des capacités CO, Cl, C2 et C3 du pixel. Dans ce cas, avec le fonctionnement décrit ci-dessus, il n'est pas possible, à la fin de la période de modulation Tus, de savoir lequel des échantillons IO, I2 et 13 a la valeur la plus élevée. En effet, dans le pixel de la figure 6, les quatre bascules 82; ont pour signal d'échantillonnage ou signal de commande le signal Q. Ce signal n'étant réinitialisé qu'après application de la contre charge Aq, si deux 17 échantillons ou plus venaient à franchir le seuil avant l'activation du signal FB, seul le premier signal (1)i à l'état haut lors d'un franchissement du seuil TH sera pris en compte. Ce montage garanti que seul l'un des interrupteurs 84, soit passant à la fois, les signaux (1)i étant non recouvrants. Pour l'application de refocalisation du faisceau objet décrite ci-dcssus, compte tenu de la faible résolution de quantification requise sur la phase pour l'opération de refocalisation, on peut considérer l'erreur introduite par la sélection du premier échantillon franchissant le seuil TH comme tolérable. On notera de plus qu'au cours des périodes de modulation Tus successives de la phase d'acquisition l'écart entre les valeurs des échantillons 10,11,12 et 13 allant croissant, la détermination de la valeur de phase sera de plus en plus précise. La détermination à la volée de la valeur de phase au cours de la phase d'acquisition T',, présente l'avantage, dans l'application susmentionnée à la refocalisation du faisceau objet, de permettre de commencer à polariser la couche de cristaux liquides sans attendre la fin de la mesure. Le réajustement éventuel de la valeur de phase au cours de l'acquisition du fait de l'accroissement de la différence entre les valeurs des différents échantillons sera d'autant plus rapide (du point de vue du réalignement physique des molécules de cristaux liquides) que l'estimation de la phase a une forte probabilité d'être de plus en plus stable au cours de l'acquisition, avec des variations potentielles de phase estimée n'apparaissant qu'entre des quadrants voisins, et donc des sauts de polarisation du cristal liquide de plus en plus faible (dans l'exemple d'application des figures 4 et 5). [0099] Dans l'exemple de la figure 6, le pixel réalise une quantification de la phase sur deux bits-seulement, ce qui est suffisant pour l'application de refocalisation du faisceau objet décrite ci-dessus. A titre d'exemple, la valeur de la phase du faisceau lumineux modulé peut être considérée comme étant égale à : - O lorsque le signal Phz vaut '1000' ; - 3.7[12 lorsque le signal Phz vaut '0100' ; - :7 lorsque le signal Phz vaut '0010' ; et - .7[12 lorsque le signal Phz vaut '0001'. [0100] Pour obtenir une mesure de phase quantifiée sur plus de deux bits, une possibilité est de rechercher quels sont les deux premiers échantillons à franchir le seuil TH, et dans quel ordre. Cette recherche peut être effectuée sur plusieurs périodes de modulation T us successives. La recherche du rang du deuxième échantillon à franchir le seuil TH doit être réalisée avant l'application de la contre charge Aq dans les capacités CO, Cl, C2 et C3. Le dimensionnement de l'intégrateur 70 et du seuil TH peuvent alors être choisis de façon à permettre de poursuivre sans saturation l'intégration du premier échantillon à avoir franchi le seuil jusqu'au franchissement du seuil par le deuxième échantillon. 18 [0101] La figure 9 est un schéma électrique simplifié illustrant une variante du pixel de la figure 6, adaptée pour permettre la recherche des deux premiers échantillons à avoir franchi le seuil TH, de façon à fournir une valeur de phase quantifiée sur trois bits (huit valeurs de phase possibles). [0102] Le pixel de la figure 9 diffère du pixel de la figure 6 en ce que, dans le pixel dc la figure 9, la bascule D 76 du pixel de la figure 6 est remplacée par une association de deux bascules D 85 et 86 cascadées en série partageant le même signal d'échantillonnage UP. [0103] La bascule 85 a un noeud d'entrée de donnée d relié, par exemple connecté, au noeud Vdd, et un noeud d'entrée dc commande c relié, par exemple connecté, au noeud de sortie du comparateur 74. La bascule 85 comprend de plus un noeud de sortie s fournissant un signal binaire de donnée Ql. La bascule 86 a quant à elle un noeud d'entrée de donnée d relié, par exemple connecté, au noeud de sortie s de la bascule 85, et un noeud de commande c relié, par exemple connecté, au noeud de sortie du comparateur 74. La bascule 86 comprend de plus un noeud de sortie s fournissant un signal binaire de donnée Q2. Le noeud de sortie s de la bascule 86 est relié, par exemple connecté, au noeud d'entrée de donnée d de la bascule 77. Chacune des bascules 85 et 86 comprend en outre un noeud de réinitialisation rst relié, par exemple connecté, au noeud de sortie s dc la bascule 77. [0104] Le pixel de la figure 9 diffère en outre du pixel de la figure 6 en cc que, dans le pixel de la figure 9, le circuit de détection de phase 80 du pixel de la figure 6 est remplacé par un circuit de détection de phase 90. [0105] Le circuit de détection de phase 90 est adapté à générer un signal Vp, représentatif de la phase du signal lumineux modulé reçu par la photodiode 52. Dans l'exemple de la figure 9, le circuit de détection de phase 90 comprend huit sous-circuits de détection 91 1, avec k entier allant de 0 à 7. Chaque sous-circuit de détection 91k comprend deux bascules D 92k1 et 92k', et une porte ET 93k de deux entrées al et a2 vers une sortie s. Chacune des huit bascules 92k, comprend un noeud d'entrée d recevant l'un des quatre signaux de commande 4)0, 4)1, 4)2 et (L)3, et un noeud de commande c recevant le signal de sortie QI de la bascule 85. Chacune des huit bascules 92k2 comprend un noeud d'entrée d recevant l'un des quatre signaux de commande 4)0, 4)1, 4)2 et 4)3, et un noeud de commande c recevant le signal de sortie Q2 de la bascule 85. Les connexions des signaux 1)0, 4)1, 4)2 et (1)3 aux noeuds d'entrée des 16 bascules 92k1 et 92k2 sont telles que les 8 sous-circuits de détection 91k reçoivent respectivement sur les noeuds d'entrée d de leurs bascules 92ki et 92k, les huit combinaisons possibles d'ordres de franchissement du seuil TH par deux des échantillons IO, 11,12 et 13. Plus particulièrement, dans cet exemple : - les bascules 920i et 9202 reçoivent sur leurs noeuds d respectivement les signaux 4)0 19 et (L)1 ; - les bascules 921, et 92,2 reçoivent sur leurs noeuds d respectivement les signaux 4)1 et (po ; - les bascules 922, et 9222 reçoivent sur leurs noeuds d respectivement les signaux (pl et (1)2 ; - les bascules 92,, et 92,2 reçoivent sur leurs noeuds d respectivement les signaux (1)2 et q)1 ; - les bascules 924, et 9242 reçoivent sur leurs noeuds d respectivement les signaux (1)2 et (P3 ; - les bascules 925, et 9252 reçoivent sur leurs noeuds d respectivement les signaux (1)3 et (1)2 ; - les bascules 9261 et 9262 reçoivent sur leurs noeuds d respectivement les signaux (1)3 et (po ; et - les bascules 927, et 927, reçoivent sur leurs noeuds d respectivement les signaux (po et 4)3. [0106] Dans chaque sous circuit de détection 911, la bascule 92k, a un noeud de sortie s relié, par exemple connecté, au noeud d'entrée al de la porte ET 93k et la bascule 921,2 a un noucd de sortie s relié, par exemple connecté, au noeud d'entrée a2 de la porte ET 93k. [0107] Dans chacun des sous-circuits de détection de phase 91k, le noeud de sortie s de la porte ET 93k fournit un signal binaire de donnée Phz représentatif de la combinaison logique par la porte ET 93k des valeurs binaires stockée dans les bascules 92k, et 92,2. Le signal Phz constitué par les huit bits de sortie des portes ET 931 est utilisé pour commander un commutateur 94 de huit voies vers une voie du circuit de détection de phase 90. Dans cet exemple, le commutateur 94 est configuré pour appliquer sur le noeud de fourniture du signal de phase VPH, l'une parmi huit tensions de polarisation Vpol , Vpol , Vpol , Vpol , Vpol , Vpol , Vpol et Vpol prédéterminées, par exemple des tensions fixes ou variables de niveaux distincts, en fonction de l'état du signal Phz . Plus particulièrement, dans cet exemple, le commutateur 94 comprend huit interrupteurs 94k ayant chacun un premier noeud de conduction relié, par exemple connecté, à un noeud d'application de la tension de polarisation Vpol de même rang k, un deuxième noeud de conduction relié, par exemple connecté, au noeud de fourniture de la tension VPH, et un noeud de commande relié, par exemple connecté, au noeud de sortie s de la porte ET 93k de même rang k. Dans cet exemple, les signaux de sortie des portes ET 93k sont mutuellement exclusifs, c'est-à-dire que, à un instant donné, seul l'un des interrupteurs 94k peut être fermé. Ainsi, la tension de sortie VPH du circuit de détection de phase 90 ne peut prendre que l'une des huit valeurs de tension Vpol , Vpol , Vpol , Vpol , Vpol , Vpol , Vpol et Vpol , en fonction de l'état du signal Phz . [0108] Dans le pixel de la figure 9, le signal Q1 passe à l'état haut après le franchissement du seuil TH par un premier échantillon, et le signal Q2 passe à l'état haut après le franchissement du seuil TH par un deuxième échantillon. Le signal de contre réaction FB est ensuite activé après échantillonnage de l'état haut du signal Q2 par le signal ech, dans la bascule 77. Les signaux Q1 et Q2 permettent en parallèle les échantillonnages des huit couples de signaux de commande (4)0, 4)3), (4)3, 4)0), (4)3, 4)2), (4)2, 4)3), (4)2, 4)1), (4)1, 4)2), (4)1,4)0) et (4)0, (Ln ) dans les huit sous-circuits de détection 911.. A l'issue de cet échantillonnage, seul le sous-circuit 91k ayant échantillonné deux signaux de commande à l'état haut sur les fronts montants des signaux Q1 et Q2 fournira un signal de sortie à l'état haut, permettant la sélection d'une valeur correspondante de la tension Yi,. [0109] Dans l'exemple de la figure 9, le pixel réalise une quantification de la phase sur trois bits. A titre d'exemple, la valeur de la phase du faisceau lumineux modulé est considérée comme étant égale à : - 0 lorsque le signal Phz vaut '10000000' (franchissement du seuil TH d'abord par l'échantillon 10 puis par l'échantillon 13) ; - .714 lorsque le signal Phz vaut '01000000' (franchissement du seuil TH d'abord par l'échantillon 13 puis par l'échantillon 10) ; - r/2 lorsque le signal Phz vaut '00100000' (franchissement du seuil TH d'abord par l'échantillon 13 puis par l'échantillon 12) ; - 3.7[14 lorsque le signal Phz vaut '00010000' (franchissement du seuil TH d'abord par l'échantillon 12 puis par l'échantillon 13) ; - :7 lorsque le signal Phz vaut '00001000' (franchissement du seuil TH d'abord par l'échantillon 12 puis par l'échantillon II) ; - 5.7[14 lorsque le signal Phz vaut '00000100' (franchissement du seuil TH d'abord par l'échantillon II puis par l'échantillon 12) ; - 3.7[12 lorsque le signal Phz vaut '000000010' (franchissement du seuil TH d'abord par l'échantillon II puis par l'échantillon IO) ; et - 7:7/41orsque le signal Phz vaut '00000001' (franchissement du seuil TH d'abord par l'échantillon IO puis par l'échantillon II). [0110] La figure 10 est un schéma électrique simplifié d'une variante de réalisation du circuit de détection de phase 80 du pixel de la figure 6. Cette variante permet, lors de la génération du signal de phase VpH, dans le cas d'une structure de pixel du type décrit en relation avec la figure 5, de compenser d'éventuels défauts de planéité de la couche de verre supérieure 68 ou des variations d'épaisseur de la couche de cristaux liquides 62. En effet, dans une structure du type décrit en relation avec la figure 5, la couche de verre 68 peut être commune à tous les pixels du capteur. Si la couche 68 n'est pas par- 21 faitement plane, ou si cette couche n'est pas disposée de manière strictement parallèle à la matrice de pixels 50, la non uniformité de l'épaisseur de la couche 62 peut introduire des déphasages du faisceau lumineux réfléchi différents entre différents pixels du capteur pour une même polarisation V1,11. Dans la variante de la figure 10, le circuit de détection de phase 80 est configuré pour ajuster la tension Vit, en fonction de données de calibration prédéterminées, de façon à compenser les différences de phases liées aux différences d'épaisseur de la couche 68 et/ou 62 entre différents pixels du capteur. [0111] Dans l'exemple de la figure 10, le circuit de détection de phase 80 comprend quatre bascules 82; et un commutateur 84 comportant quatre interrupteurs 84' agencés de façon similaire à ce qui a été décrit en relation avec la figure 6, à la différence près que, dans l'exemple de la figure 10, les noeuds de conduction des interrupteurs 84o, 841, 84, et 843 ne sont pas connectés directement aux noeuds d'applications des tensions de polarisation Vpol , respectivement Vpol , respectivement Vpol , respectivement Vpol , mais sont connectés à des noeuds intermédiaire no, respectivement n1, respectivement no, respectivement [0112] Le circuit de détection de phase 80 de la figure 10 comprend en outre un circuit de compensation 150 faisant interface entre les noeuds d'application des tensions de pola- risation Vpol , Vpol , Vpol et Vpol et les noeuds n0, ni, n2 et n3. [0113] Le circuit de compensation 150 comprend quatre commutateurs 152; comportant chacun quatre interrupteurs 152n , avec i' entier allant de 0 à 3. [0114] Chaque commutateur 152, est configuré pour appliquer sur le noeud ni de même rang i, l'une parmi les quatre tensions de polarisation Vpol , Vpol , Vpol et Vpol . Plus particulièrement, dans cet exemple, le commutateur 1520 comprend quatre interrupteurs 15200, 15201, 15202, 15203 ayant chacun un premier noeud de conduction relié, par exemple connecté, à un noeud d'application de la tension de polarisation Vpol , respectivement Vpol , respectivement Vpol , respectivement Vpol et un deuxième noeud de conduction relié, par exemple connecté, au noeud 110 . Le commutateur 1521 comprend quatre interrupteurs 15210, 15211, 15212, 15213 ayant chacun un premier noeud de conduction relié, par exemple connecté, à un noeud d'application de la tension de polarisation Vpol , respectivement Vpol , respectivement Vpol , respectivement Vpol et un deuxième noeud de conduction relié, par exemple connecté, au noeud n1. Le commutateur 1522 comprend quatre interrupteurs 15220, 15221, 1522,, 15223 ayant chacun un premier noeud de conduction relié, par exemple connecté, à un noeud d'application de la tension de polarisation Vpol , respectivement Vpol , respectivement Vpol , respectivement Vpol et un deuxième noeud de conduction relié, par exemple connecté, au noeud n2. Le commutateur 1523 comprend quatre interrupteurs 15230, 15231, 15232, 15233 ayant chacun un premier noeud de conduction relié, par exemple connecté, à un noeud d'application de la tension de polarisation Vpol , respectivement Vpol , respectivement Vpol , respectivement Vpol et un deuxième noeud de conduction relié, par exemple connecté, au noeud n3. [0115] Les interrupteurs 15200, 15210, 152,, et 15230 ont leurs noeuds de commande connectés à un même noeud d'application d'un signal de commande cfg0. Les interrupteurs 15201, 15211, 1522, et 1523, ont leurs noeuds de commande connectés à un même noeud d'application d'un signal de commande cfgl. Les interrupteurs 1520,, 152 12, 15222 et 15232 ont leurs noeuds de commande connectés à un même noeud d'application d'un signal de commande cfg2. Les interrupteurs 15203, 15213, 152,3 et 15233 ont leurs noeuds de commande connectés à un même noeud d'application d'un signal de commande cfg3. [0116] Les signaux de commande cfgi sont mutuellement exclusifs, c'est-à-dire qu'un seul des quatre jeux d'interrupteurs {15200, 152,0, 15220, 15230}, {15201, 15211, 152,1 , 15231 }, {15202, 15212, 15222, 152*2} et {1520.3, 152n, 152D, 15233} peut être fermé à la fois. [0117] Les signaux de commande cfgi sont générés à partir d'une valeur numérique de ca- libration codée sur deux bits calib0 et calibl, préalablement déterminés et stockés dans le pixel. Dans cet exemple, le circuit de compensation 150 comprend deux bascules D 154 et 155. La bascule D 154 comprend un noeud d'entrée de donnée d sur lequel est appliqué le signal calib0, et un noeud de commande sur lequel est appliqué à un signal CKcalib d'échantillonnage de la valeur de calihration. La bascule D 155 comprend un noeud d'entrée de donnée d sur lequel est appliqué le signal calibl, et un noeud de commande sur lequel est appliqué le signal CKcalib. Le circuit de compensation 150 de la figure 10 comprend en outre un circuit logique 160 de décodage de la valeur numérique de calibration adapté à générer les signaux de commande cfg0, cfgl, cfg2 et cfg3 à partir des valeurs binaires calib0 et calibl stockée dans les bascules 154 et 155. Dans cet exemple, le circuit 160 comporte quatre portes ET 162, 163, 164 et 165, ayant chacune deux entrées et une sortie. La porte ET 162 présente deux entrées complémentées connectées respectivement à un noeud s de sortie de la bascule 154 et à un noeud s de sortie de la bascule 155. La porte ET 163 présente une entrée non complémentée et une entrée complémentée connectées respectivement à un noeud s de sortie de la bascule 154 et à un noeud s de sortie de la bascule 155. La porte ET 164 présente une entrée complémentée et une entrée non complémentée connectées respectivement à un noeud s de sortie de la bascule 154 et à un noeud s de sortie de la bascule 155. La porte ET 165 présente deux entrées non complémentées connectées respectivement à un noeud s de sortie de la bascule 154 et à un noeud s de sortie de la bascule 155. Les sorties des portes ET 162, 163, 164 et 165 fournissent respectivement les signaux de commande cfg0, cfgl, cfg2 et cfg3 des commutateurs 1521r. [0118] A titre de variante, au lieu de prévoir un circuit de compensation 150 par pixel, les 23 pixels du capteur peuvent être répartis en plusieurs sous-ensembles de pixels voisins, un même circuit de compensation 150 étant partagé par tous les pixels d'un même sous-ensemble et des circuits de compensation distincts étant prévus pour des sous-ensembles distincts. [0119] Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. L'homme de l'art comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d'autres variantes apparaitront à l'homme de l'art. En particulier, bien que l'on ait décrit ci-dessus des exemples de pixels et de fonctionnement basés sur une démodulation à K=4 phases du signal lumineux modulé, les modes de réalisations décrits ne se limitent pas à ce cas particulier. A titre de variante, la démodulation peut être réalisé sur tout autre nombre K de phases supérieur ou égal à 2. L'homme du métier saura adapter en conséquence les circuits des pixels, notamment pour acquérir un nombre d'échantillons différent de quatre à chaque période de modulation T,,s de la phase d'acquisition T',. Les formules de reconstruction des parties réelle et imaginaire du champ complexe du faisceau objet pourront en outre être adaptées en conséquence. On notera en particulier que dans le cas d'une démodulation sur plus de quatre phases, on pourra, dans le même esprit que ce qui a été décrit en relation avec la figure 9, détecter l'ordre de franchissement du seuil TH par plus de deux échantillons, de façon à générer une valeur de phase quantifiée sur plus de trois bits. [0120] Par ailleurs, bien que l'on ait décrit ci-dessus uniquement des exemples d'application à l'imagerie acousto-optique, notamment dans le domaine médical, la solution décrite ci-dessus de génération, au sein d'un pixel, d'un signal représentatif de la phase d'un signal lumineux modulé, par détection d'un ordre de franchissement d'un seuil de tension prédéterminé par une pluralité de capacités d'intégration du pixel, peut être utilisée dans d'autres applications. A titre d'exemple, des pixels du type décrit ci-dessus peuvent être utilisés pour des applications de mesure de distance par mesure de temps de vol d'un faisceau lumineux modulé, ou, plus généralement, pour toute application nécessitant une mesure de phase d'un signal lumineux modulé en intensité à une fréquence acoustique, par exemple une fréquence comprise entre 20 kHz et 50 MHz. 24 REVENDICATIONS[Revendication 1] Capteur pour l'acquisition d'un signal lumineux modulé à une fréquence acoustique, comportant une pluralité de pixels comprenant chacun : - une photodiode (52) ; - un circuit d'intégration (70) configuré pour, à chaque période (T,,$) du signal lumineux modulé, intégrer un photocourant délivré par la photodiode successivement dans K capacités (Ci), avec K entier supérieur ou égal à 2 ; et - un circuit de détection de phase (80 ; 90) configuré pour détecter un ordre de franchissement d'un seuil prédéterminé de tension (TH) par les K capacités et générer, en fonction de l'ordre détecté, un signal (V,,,) représentatif de la phase du signal lumineux modulé. [Revendication 2] Capteur selon la revendication 1, dans lequel, dans chaque pixel, le circuit de détection de phase (80) est adapté à détecter le rang de la première des K capacités (Ci) à franchir le seuil de tension (TH), et à affecter au signal (V,,,) représentatif de la phase du signal lumineux modulé une parmi K valeurs de phase prédéterminées en fonction du rang détecté. [Revendication 3] Capteur selon la revendication 1, dans lequel, dans chaque pixel, le circuit de détection de phase (90) est adapté à détecter le rang des P premières capacités (Ci) à franchir le seuil de tension (TH) et l'ordre de franchissement du seuil de tension (TH) par lesdites P premières capacités (Ci), avec P entier supérieur ou égal à 2 et inférieur à K, et à affecter au signal lumineux modulé une parmi KP valeurs de phase prédéterminées en fonction des rangs et de l'ordre détectés. [Revendication 4] Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel K=4. [Revendication 5] Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel chaque pixel comprend en outre un circuit d'injection de charges (72) commandé pour, à la fin de chaque période (Tus) du signal lumineux modulé au cours de laquelle au moins l'une des K capacités (Ci) franchit le seuil de tension (TH), injecter une même contre charge (Ag) dans chacune des K capacités (Ci) du circuit d'intégration (70). [Revendication 6] Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel, dans chaque pixel, à chaque période de modulation (Tus) le photocourant est intégré successivement dans les K capacités (Ci) dans un ordre sélectionné en fonction d'un signal binaire représentatif d'une 25 [Revendication 7] [Revendication 8] [Revendication 9] [Revendication 10] [Revendication 11] [Revendication 12] séquence de sauts de phase appliquée à un signal de modulation du signal lumineux. Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel chaque pixel comprend un dispositif de contrôle de phase (54', 60, 62, 64, 66) adapté à réémettre une partie de faisceau lumineux modulé reçu par le pixel, en introduisant dans le faisceau réémis un déphasage fonction de la valeur du signal (V,,) représentatif de la phase du signal lumineux modulé, généré par le circuit de détection de phase du pixel. Capteur selon la revendication 7, dans lequel, dans chaque pixel, le dispositif de contrôle de phase comprend une couche de cristaux liquides (62) disposée entre des première (54) et deuxième (66) électrodes. Capteur selon la revendication 8, dans lequel, dans chaque pixel, la première électrode (54') du dispositif de contrôle de phase est connectée à un noeud de fourniture du signal (V,) représentatif de la phase du signal lumineux modulé, généré par le circuit de détection de phase du pixel. Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel, dans chaque pixel, le signal (V,) représentatif de la phase du signal lumineux modulé est adapté, en fonction d'un signal de calibration (calib0, calibl), par un circuit de compensation (150). Capteur selon la revendication 10, dans lequel chaque pixel comporte son propre circuit de compensation (150). Capteur selon la revendication 10, dans lequel les pixels du capteur sont répartis en plusieurs sous-ensembles de pixels voisins, un même circuit de compensation (150) étant partagé par tous les pixels d'un même sous-ensemble et des circuits de compensation (150) distincts étant prévus pour des sous-ensembles distincts.