Brevet FR3099009A1 — publié le 20210122

Description Titre de l'invention : Convertisseur DC/AC isolé à haute ou très haute fréquence. [0001] L'invention se situe clans le domaine de l'électronique de puissance. Elle porte plus spécifiquement sur un convertisseur électrique de tension continue (DC) vers une tension alternative (AC), à haute fréquence (HF) ou très haute fréquence (VHF). Par haute fréquence, on entend la gamme de fréquences située entre 3 et 30 MHz ; par très haute fréquence, on entend la gamme de fréquences située entre 30 et 300 MHz. [0002] Les onduleurs résonants à commutation douce présentent de nombreux avantages. La structure résonante, composée de réseaux LC résonants, permet de stocker de l'énergie au cours d'une phase de commutation du transistor, et de la restituer au cours de la phase suivante au lieu de la dissiper dans les éléments parasites du transistor. On rappelle par ailleurs que les pertes dans un transistor sont ducs au produit de la tension à ses bornes par le courant le traversant. En commutation douce (ou ZVS, pour « Zero Voltage Switching »), la tension drain-source est nulle (ou quasi-nulle) lors de chaque commutation du transistor, ce qui permet de minimiser les pertes, même pour des fréquences de commutation de l'ordre de la dizaine ou de la centaine de MHz. Pour ces gammes de fréquence, les inductances sont très petites, elles peuvent donc être imprimées sur une carte électronique. [0003] Ainsi, il est envisageable de prévoir des domaines d'application où les contraintes en niasse et en volume sont très fortes, par exemple dans le domaine satellitaire, en particulier celui des nano-satellites (ou CuheSat), dont les dimensions sont celles d'un cube d'environ 10 cm de côté. La propulsion ionique, qui permet de réduire fortement la quantité de gaz à emporter dans le satellite, est ainsi particulièrement adaptée à la propulsion des nano-satellites. Cependant, des tensions très élevées peuvent être demandées, pouvant aller jusqu'à 10 kV pour la génération de plasma servant à la propulsion ionique. [0004] Lc document « A compact RF power inverter with reduced &VII for a CubeSat elec- trothertnal micro-thruster » (W. Liang et al. 2017 I EEE 18th Workshop on Control and Modeling for Power Electronics (COMPEL), Stanford, CA, 2017, pp. 1-6) présente un convertisseur DC/AC comprenant un seul onduleur résonant à commutation douce. Un réseau d'adaptation d'impédance (Lm Cm sur la figure 12 du document) est connecté entre les bornes de sortie de l'onduleur et la charge plasma. Le convertisseur décrit n'est pas isolé (il ne contient pas de transformateur) ; il ne permet donc pas d'avoir en sortie des hautes tensions (de l'ordre du kV), pour des tensions continues d'entrée de l'ordre de la dizaine de Volts. 2 [0005] L'article « Input-output rearrangement of isolated convertery » (M. P. Madsen, M. Kovacevic, J. D. Munster, J. A. Pedersen, A. Knott and M. A. E. Andersen, "Input-output rearrangement of isolatcd converters," 2015 IEEE Power and Encrgy Conference at Illinois (PECI), Champaign, IL, 2015, pp. 1-6) décrit une technique d'association de briques de convertisseurs électriques DC/DC, permettant ainsi d'amplifier une tension (effet « stcp-up »). Deux briques de convertisseurs DC/DC sont associées, afin que leurs entrées soient connectées en parallèles à la source de tension DC, et leurs sorties soient connectées en série à la charge. Chaque brique de convertisseur DC/DC est composée d'une partie « onduleur » et d'une partie « redresseur ». L'article propose d'ajouter un condensateur entre l'onduleur et le redresseur, afin d'obtenir une isolation capacitive galvanique entre ces deux éléments. L'isolation capacitive galvanique permet d'empiler plusieurs briques de convertisseurs et donc l'obtention d'une tension élevée en sortie de cette association. Elle ne permet toutefois pas d'amplifier la tension au sein même de chaque brique de convertisseur contrairement à l'isolation inductive (avec transformateur). Ainsi pour atteindre une haute tension (désirée en sortie de l'association des convertisseurs), il faudrait un nombre plus élevé de briques de convertisseurs avec isolation capacitive galvanique, qu'avec une isolation inductive. Il faudrait donc un nombre de briques très élevé pour fournir des hautes tensions, donc plus de composants, ce qui augmente considérablement le coût du convertisseur. Par ailleurs, les capacités utilisées pour l'isolation capacitive galvanique sont difficilement imprimables sur circuit imprimé, notamment en raison de leur taille. Ainsi, le convertisseur décrit dans l'article précité n'est pas compatible avec des applications embarquées, avec de fortes contraintes en volume et en masse.. [0006] L'invention vise donc à obtenir un convertisseur DC/AC, ayant un effet survolteur (pour obtenir par exemple des tensions de sortie de l'ordre du kilovolt à partir d'une tension d'entrée de l'ordre de la dizaine de Volts), avec par ailleurs un encombrement très réduit. [0007] Un objet de l'invention est donc un convertisseur DC/AC, configuré pour recevoir en entrée une tension continue d'une source de tension continue, et pour fournir en sortie une tension alternative à haute ou très haute fréquence à une charge, comprenant : - une première et une deuxième bornes d'entrée, la première borne d'entrée et la deuxième borne d'entrée étant configurées pour être connectées à la source de tension continue; - N onduleurs résonants configurés pour fonctionner en commutation douce, où N > 2, les onduleurs étant connectés en parallèle en entrée à la première et à la deuxième bornes d'entrée, et configurés pour fonctionner en phase les uns par rapport aux autres; 3 - un étage d'isolation, comprenant N bobines primaires, chaque bobine primaire étant connectée à la sortie d'un des onduleurs, et N bobines secondaires, chaque bobine primaire étant couplée de façon magnétique à une bobine secondaire, les bobines secondaires étant connectées entre elles en série; - Une première et deuxième bornes de sortie, connectées d'une part aux extrémités de la connexion en série des bobines secondaires, et d'autre part à la charge. [0008] Avantageusement, les onduleurs sont de classe Phi2. [0009] Avantageusement, les onduleurs sont dimensionnés de façon identique les uns par rapport aux autres. [0010] Avantageusement, un réseau résonant est connecté directement à la première home de sortie et à la deuxième borne de sortie par l'intermédiaire de la charge, le réseau résonant étant configure pour résonner à la fréquence de commutation de chacun des onduleurs. [0011] Avantageusement, le réseau résonant comprend une inductance dite de désensibi- lisation et un condensateur dit de désensihilisation, l'inductance de désensihilisation et le condensateur de désensihilisation étant tous deux connectés à la première borne de sortie. [0012] Avantageusement, les onduleurs résonants comprenant un ensemble d'inductances et de condensateurs, l'inductance de désensihilisation est dimensionnée de façon à ce que sa valeur soit comprise entre 0,1 fois la valeur de l'inductance la plus faible des onduleurs et 10 fois la valeur d'inductance la plus élevée des onduleurs, et le condensateur de désensibilisation est dimensionné de façon à ce que sa capacité soit comprise entre 0,1 fois la capacité la plus faible des condensateurs et 10 fois la capacité la plus élevée des condensateurs. [0013] Avantageusement, chaque onduleur résonant comprenant une inductance dite de résonance connectée à la première borne de sortie, l'inductance de résonance et l'inductance de désensibilisation sont dimensionnées pour absorber des inductances de fuite de l'étage d'isolation. [0014] Avantageusement, les bobines primaires et les bobines secondaires sont imprimées sur une carte électronique, de part et d'autre de la carte. [0015] Avantageusement, la carte électronique comprend une couche isolante de céramique ou de kapton, disposée au moins entre les N bobines primaires et les N bobines secondaires. [0016] D'autres caractéristiques, détails et avantages de l'invention ressortiront à la lecture de la description faite en référence aux dessins annexés donnés à titre d'exemple et qui représentent, respectivement : [0017] [fig.1], un schéma bloc du convertisseur DC/AC selon l'invention; [0018] [fig.2], le schéma d'un circuit associant, selon l'invention, deux onduleurs résonants ; [0019] [fig.3], un diagramme temporel représentant la tension au primaire d'un onduleur résonant, la tension au secondaire d'un onduleur résonant, et la tension de sortie du convertisseur; [0020] [fig.4], le schéma d'un circuit illustrant un mode de réalisation dans lequel est inséré un réseau de désensibilisation ; [0021] [fig.5], un diagramme représentant le rendement du convertisseur selon l'invention, en fonction de la charge ; [0022] [fig.6], le schéma d'un circuit illustrant un mode de réalisation dans lequel les in- ductances de fuite de l'étage d'isolation sont absorbées par le circuit principal du convertisseur selon l'invention. [0023] La figure 1 représente une vue en schéma bloc du convertisseur DC/AC CONV selon l' invention. En entrée du convertisseur DC/AC CONV, une source de tension continue ST peut être, de façon non exclusive, un système photovoltaïques composé de panneaux solaires, ou encore une batterie de cellules électrochimiques. Le convertisseur DC/AC fournit une tension alternative à une charge CH, par exemple un générateur de plasma, dans le cadre de l'application citée précédemment. [0024] Le convertisseur DC/AC CONV comprend une pluralité d'onduleurs résonants OND, reliés en parallèle à la source de tension continue ST. Sur la figure 1, trois onduleurs résonants OND sont représentés, à titre d'exemple. Il doit y avoir au minimum deux onduleurs résonants OND. Le nombre d'onduleurs résonants OND est imposé notamment par la tension de sortie souhaitée, ainsi que par l'encombrement, au total, des onduleurs résonants OND. Un étage d'isolation ISO, comprend un primaire et un secondaire. L'étage d'isolation ISO applique un rapport de transformation à la tension de sortie de chacun des onduleurs OND. [0025] La figure 2 illustre plus en détail la structure du convertisseur DC/AC CONV selon l'invention. Sur cette figure, les onduleurs sont de type Phi2. La structure Phi2, est notamment décrite dans le document « A high-frequency resonant inverter topology with love-voltage stress » (Rivas et al., 2007 IEEE Power Electronics Specialists Conference, Orlando, FL, 2007, pp. 2705-2717). L'onduleur de classe Phi2 comprend un transistor capable de commuter à haute ou à très haute fréquence, par exemple, un transistor à base de nitrure de gallium (GaN). L'onduleur de classe Phi2 comprend une inductance d'entrée Lf, connectée à la source de tension continue ST par l'intermédiaire d'une première borne d'entrée BEI. L'inductance d'entrée Lf a une valeur de même ordre de grandeur que l'inductance Lr d'un réseau résonant série LrCr connecté entre le drain du transistor TR et la charge de l'onduleur OND. Il comprend par ailleurs un filtre Lmr-Cnu-, la fréquence de résonance du filtre Lmr-Cmr étant égale à deux fois la fréquence de commutation du transistor. Le filtre Lmr-Cmr est ajouté en parallèle du transistor afin de court-circuiter le second harmonique de la tension drain-source du transistor et réduire ainsi la contrainte en tension sur le transistor. Une telle structure est facilement intégrable sur circuit imprimé, du fait de la valeur réduite de r inductance d'entrée Lf. Les différentes valeurs des composants de l'onduleur sont notamment sélectionnées pour que, lors de la commutation du transistor, la tension Vds soit quasiment nulle, afin de respecter la condition de commutation douce (ZVS, ou « Zero Voltage Switching » dans la terminologie anglo-saxonne). [0026] D'autres classes d'onduleurs peuvent être utilisées dans le cadre de l'invention, à partir du moment où les onduleurs ont un fonctionnement en commutation douce, à haute ou très haute fréquence, par exemple les classes E ou E2. La classe E2 est décrite notamment dans l'article « Even Harmonie Resonant Class E Tuned Power Amplifier without RF Choke » (Twadare et al., Electronics and Communications in Japan, Part 1, Vol. 79, No. 1, 1996). Un inconvénient de la classe E par rapport à la classe Phi2 réside dans la forte contrainte en tension sur le transistor, et dans le fait que l'inductance connectée à la source de tension doit avoir une valeur élevée afin que le courant circulant dans l'onduleur soit le plus constant possible en régime permanent. La classe E2 présente également une forte contrainte en tension sur le transistor, sans avoir d'inductance de forte valeur, ce qui rend possible son intégration sur circuit imprimé. [0027] L'étage d'isolation ISO a pour rôle d'augmenter l'amplitude de la tension en sortie des onduleurs OND. Il comprend autant de bobines primaires LI qu'il y a d'onduleurs OND. Chaque bobine primaire LI est connectée d'une part au réseau résonant série LrCr, et d'autre part à la deuxième borne d'entrée BE2. La tension Vprim, sur la figure 3, correspond à la tension alternative récupérée aux bornes de chaque bobine primaire LI. [0028] L'étage d'isolation ISO comprend également des bobines secondaires L2, connectées entre elles en série. Chaque bobine secondaire L2 est couplée de façon magnétique à une bobine primaire LI. Ainsi, les bobines secondaires en extrémité de la connexion en série des bobines secondaires sont connectées d'une part à la première borne de sortie BSI et d'autre part à la deuxième borne de sortie BS2. La tension Vsec, sur la figure 3, correspond à la tension alternative récupérée aux bornes de chaque bobine secondaire L2. La tension Vout correspond à la tension aux bornes de la charge R3, obtenue en additionnant toutes les tensions Vsec aux bornes de chaque bobine secondaire L2. Il est donc important que tous les onduleurs OND fonctionnent de façon synchrone, en phase, afin que les tensions de sortie aux bornes des bobines primaires LI soient elles-mêmes bien en phase. Dans le cas contraire, le convertisseur DC/AC pourrait fonctionner, mais avec un rendement moindre. [0029] Le fonctionnement synchrone de tous les onduleurs OND peut être géré par un dispositif de commande de grille (qui n'apparaît pas sur les figures), par exemple un 6 microcontrôleur ou un micro-processeur. Le dispositif de commande de grille est relié à toutes les grilles des transistors TR. Il envoie le même signal de commutation à l'ensemble des transistors TR, afin qu'ils passent en même temps d'un état bloqué à un état passant, ou inversement. En ayant qu'un seul transistor par onduleur, la commande synchrone entre tous les onduleurs est facilitée. [0030] Le fonctionnement en phase des onduleurs OND est également conditionné par la fréquence de résonance des onduleurs OND, qui doit être la même pour tous. Une façon d'obtenir la même fréquence de résonance peut être de dimensionner de la même manière tous les onduleurs, à savoir en prenant les mêmes valeurs de composants d'un onduleur à l'autre. En variante, les valeurs d'un même composant peuvent varier d'un onduleur à l'autre, à condition que les valeurs des autres composants soient également modifiées de façon à ce que la fréquence de résonance de change pas d'un onduleur à l'autre. [0031] Dans un mode de réalisation avantageux, le convertisseur DC/AC CONV est disposé sur une carte électronique de type PCB, également appelé circuit imprimé. Tous les onduleurs OND sont disposés sur un côté de la carte, avec les bobines primaires Ll de l'étage d'isolation ISO. Les bobines de l'étage d'isolation ISO peuvent être réalisées en technologie « planar », à savoir constituées de spires réalisées en circuit imprimé. Les bobines secondaires L2 sont disposés de l'autre côté de la carte. Chaque bobine primaire Ll fait face à une bobine secondaire L2. Les deux côtés du transformateur (étage d'isolation) sont séparés par une couche isolante, qui peut être réalisée en Kapton (marque déposée), en céramique, en fibre de verre voire en FR4. Les céramiques et le Kapton présentent une bonne tenue en tension, ce qui permet d'obtenir en sortie du convertisseur jusqu'à plusieurs milliers de Volts. Le Kapton est en outre très léger, ce qui permet d'envisager des applications spatiales. [0032] Le convertisseur commute à haute ou très haute fréquence ; les valeurs d'inductances de l'étage (l'isolation sont donc très faibles (de l'ordre du pH au maximum). Ainsi, il n'est pas nécessaire d'ajouter un noyau magnétique pour augmenter le flux magnétique (qui est proportionnel à la valeur d'inductance) dans la bobine. [0033] Par ailleurs, l'absence de noyau magnétique rend l'ensemble plus léger. [0034] La couche isolante peut également faire office d'élément caloporteur du convertisseur. Cette fonction de refroidissement est particulièrement bien remplie par les céramiques. [0035] En utilisant un isolant autre que l'air, on augmente la rigidité électrique de l'étage d'isolation, à savoir la tension maximale qu'il pourra supporter avant qu'un arc électrique ne se crée. [0036] Avantageusement, l'ensemble du convertisseur DC/AC peut être noyé dans une résine isolante. 7 [0037] Le nombre de spires de chaque bobine primaire Ll et de chaque bobine secondaire L2 est limité par le fait que les bobines sont imprimées. Typiquement, le nombre de spires, au primaire ou au secondaire ne peut pas dépasser dix, en technologie « planar ». L'utilisation d'un nombre élevé d'onduleurs permet d'atteindre des tensions élevées en sortie, même avec un rapport de transformation relativement faible, et avec peu de spires à chaque bobine. Etant donné le très faible encombrement de chaque onduleur en HF ou en VHF, il est tout à fait envisageable de disposer, sur un même circuit imprimé, des centaines, voire des milliers d'onduleurs. [0038] On obtient donc un convertisseur DC/AC compact, en particulier avec des onduleurs de la classe Phi2, léger, et donc compatible avec les applications embarquées. [0039] Les onduleurs sont généralement dimensionnés pour une seule valeur de charge. Si valeur de charge change, le rendement risque de baisser. Dans l'application de génération de plasma pour la propulsion ionique, la variabilité des conditions de température et de pression influe fortement sur la valeur de la charge. Lorsque la valeur de la charge change, le fonctionnement en commutation douce des onduleurs OND peut être altéré, ce qui peut faire baisser le rendement du convertisseur. Afin d'éviter cela, un mode de réalisation de l'invention prévoit d'insérer un circuit de désensibilisation de charge. La charge CH, modélisée par la résistance R3, est modélisée par équivalence par deux résistances Ra et Ra'. Un réseau résonant RR est connecté directement à la première borne de sortie BS1 et la deuxième borne de sortie B52, par l'intermédiaire de la charge CH. Le réseau résonant RR est configuré pour résonner à la fréquence de commutation de chacun des onduleurs OND, qui est la même pour tous les onduleurs, comme mentionné précédemment. Le réseau résonant RR est donc dimensionné de façon à compenser les variations de charge, sur une gamme d'impédance prédéterminée. [0040] Avantageusement, le réseau résonant RR est composé d'une inductance de désensibi- lisation Ld, connectée à la première borne de sortie BSI, et d'un condensateur de désensibilisation Cd, également connecté à la première borne de sortie BSI. L'inductance de désensibilisation Ld et le condensateur de désensibilisation Cd sont tous deux directement connectés à la charge CH. [0041] Dans la présente demande, le terme « condensateur » englobe à la fois les condensateurs sous forme de composant électronique, ainsi que les condensateurs imprimés sur PCB. [0042] En ajoutant une inductance en série avec une première résistance, et un condensateur en série avec l'autre résistance, on réduit l'influence de la résistance dans l'impédance totale vue par l'onduleur OND. [0043] Par ailleurs, l'inductance de désensibilisation Ld et le condensateur de désensibi- lisation Cd ont des valeurs qui sont du même ordre de grandeur que les inductances et 8 les condensateurs des onduleurs. Par même ordre de grandeur, on entend que l'inductance de désensihilisation Ld peut être dimensionnée de façon à ce que sa valeur soit comprise entre 0,1 fois la valeur de l'inductance la plus faible des onduleurs OND et 10 fois la valeur d'inductance la plus élevée des onduleurs OND. De même, le condensateur de désensibilisation Cd peut être dimensionné de façon à ce que sa capacité soit comprise entre 0,1 fois la capacité la plus faible des condensateurs et 10 fois la capacité la plus élevée des condensateurs des onduleurs OND. [0044] Ce mode de réalisation permet d'éviter que des capacités interspircs, produites par l'inductance de désensihilisation Ld, ne viennent parasiter le fonctionnement de l'onduleur OND. [0045] La figure 6 illustre l'amélioration du rendement du convertisseur CONV, en présence du réseau résonant RR. Il apparaît nettement que le rendement est sensiblement constant avec le réseau résonant RR (compris entre 88% et 93%, lorsque la charge varie de 30 à 300 Ohms). Par contre, sans le réseau, le rendement est de 93% lorsque la charge prend la valeur pour laquelle le convertisseur a été dimensionné (environ 120 Ohms), et diminue lorsque la charge varie. [0046] Dans la pratique, le couplage entre la bobine primaire Ll et la bobine secondaire L2 n'est pas parfait. En effet, certaines lignes de champ magnétique ne sont pas captées par le secondaire du transformateur. Ce défaut peut être modélisé au primaire de l'étage d'isolation ISO par une inductance de fuite Lzl (inductance de fuite Lz3 pour le deuxième onduleur, et ainsi de suite), en série avec l'inductance dite de résonance Lr du réseau résonant Lr-Cr de l'onduleur, comme illustré par la figure 6. D'autre part, au secondaire de l'étage d'isolation ISO, ce défaut peut être modélisé par l'inductance de fuite Lz2, connectée entre la bobine secondaire L2 et l'inductance de désensibilisation Ld. Pour les autres étages du secondaire, à savoir ceux couplés à d'autres onduleurs, le défaut peut être modélisé par l'inductance de fuite Lz4, connectée entre la bobine secondaire L2 et la résistance Ra, elle-même connectée à l'inductance de désensibilisation Ld. [0047] Les inductances de fuite Lz1, Lz2, Lzn ne sont qu'un modèle, et ne cor- respondent pas à des composants matériels. Lors du dimensionnement du convertisseur, l'inductance de résonance Lr et l'inductance de désensibilisation Ld sont calculées en tenant compte des inductances Lz2, Lz4, afin d'absorber les inductances de fuite de l'étage d'isolation ISO : l'inductance de résonance Lr de chaque onduleur peut être entièrement ou en partie constituée de l'inductance de fuite Lzl (Lz3 pour le deuxième onduleur). De même, l'inductance de désensibilisation Ld peut être entièrement ou en partie constituée par la somme des inductances de fuite Lz2-FLz4±... présentes au secondaire. [0048] Un exemple de dimensionnement du convertisseur CONV est décrit ci-après, pour 9 une tension d'entrée de 12V DC, une tension de sortie de 400 V AC, avec une fréquence de commutation de l'onduleur égale à 40 MHz. [0049] Pour la structure Phi2, un exemple de procédé de dimensionnement de l'onduleur OND est décrit dans l'article «A high-frequency resotzatzt inverter topology with lm voltage stress » (Rivas et al., 2007 IEEE Power Electronics Spccialists Conference, Orlando, FL, 2007, pp. 2705-2717). Pour les autres classes d'onduleurs envisageables pour l'invention (classes E et E2, ou toute autre classe fonctionnant en commutation douce, à haute ou très haute fréquence), leurs procédés de dimensionnement sont connus de l'homme du métier. [0050] Le calcul des différents éléments de l'onduleur sont décrits dans l'article précité, à savoir : [0051] Lf ,Tr 2 1 .fs 2 .0 f' Lmr 1 15n 2.f22.CP Cmt= 16e-1 [0052] Où fs désigne la fréquence de commutation souhaitée du transistor TR et f2 le second harmonique de la fréquence de commutation souhaitée du transistor TR, et Cf est formée par la capacité de sortie du transistor (entre le drain et la source), ainsi qu'une capacité externe rajoutée en parallèle. [0053] Dans cet exemple fs=40MHz et f2=80MHz, en considérant que la capacité de sortie du transistor est de 140pF, nous obtenons d'après les équations ci-dessus - Lmr= 25nH, Cmr=160pF, Lf=31nH et Cf = 200pF (140pF+60pF rajoutée). [0054] La capacité Cr est une capacité de blocage de la tension continue du signal, fixée dans un premier temps à une valeur de 2 nF ; Lr et l'impédance de charge R1 de l'onduleur sont déterminés en fonction de la puissance Pout requise sur la charge RI, 5W pour cet exemple. 100551 licis I, R S Tr472 ) -Vin [0056] V lo a d - 1S = PQ1I f.R1 [0057] X s = R v Vdvl nR 1 ' - ' -v R MS [0058] Où VI oad 1 , EMS désigne la tension efficace drain-source, vioield 1. R s désigne la tension efficace aux bornes de la charge de l'onduleur, et Xs désigne la partie imaginaire de l'impédance formée par Lr et Cr. On obtient alors en substituant les bonnes valeurs : Cr= 2nF, Lr= 40nH et R1=15 ohm. [0059] Plusieurs contraintes existent sur l'étage d'isolation [0060] - Les bobines primaires Ll et secondaire L2 doivent être de valeurs assez importantes pour ne pas influer sur le fonctionnement en commutation douce des onduleurs. En même temps, elles doivent avoir une valeur suffisamment petite pour pouvoir être « imprimables » sur PCB (quelques tH au maximum). Le rapport des inductances (secondaire/primaire : L2/L1) doit être le plus grand possible afin d'amplifier le plus possible la tension en sortie de l'onduleur tout en ayant une valeur d'inductance secondaire « imprimable » sur PCB (quelques pH au maximum). [0061] En pratique, on commence par fixer la valeur de la bobine du primaire Ll par si- mulation paramétrique (1,2 pH dans cet exemple). [0062] Puis on fixe le rapport de transformation qui permet de satisfaire les contraintes de valeur d'inductances (ici n=2). [0063] Avec un rapport de transformation (nombre de spires au secondaire divisé par le nombre de spires au primaire) de n=2, on obtient une inductance au secondaire de : [0064] L2 = Ll.n2= 1,2 pH x 4 = 4,8 ,111 [0065] Ensuite, la valeur de l'impédance R2 au secondaire de l'étage d'isolation est dé- terminée de manière à ce qu'au primaire de l'étage d'isolation, on puisse voir une impédance égale à 15 Ohm (R1). [0066] La valeur de R2 est donnée par : [0067] R1n 2 ;R2 R1.r1 2 = 15x4 = 60 [0068] Chaque onduleur OND voit une charge de R2=60 Ohm, cc qui signifie que l'association des deux secondaires des bobines secondaires L2 voit R3 = 2 x R2 = 2 x 60 = 120 ohm. [0069] Puisque les tensions aux bornes des secondaires des transformateurs sont en phase, Vout est égale à la somme de ces tensions. Sur la figure 3, on constate que Vout = 48V = 2 x 24 = 2 x Vscc. [0070] La puissance aux bornes de la charge CH, matérialisée sur la figure 2 par la ré- sistance R3 est doublée également (2 x 5 W = 10W). [0071] Cette association est répétée autant de fois qu'il est nécessaire afin de générer la tension désirée en sortie (400V ou 500V d'amplitude), en multipliant la charge par «k » à chaque fois, « k » étant le nombre de transformateurs dans le circuit. [0072] Lc dimensionncment du réseau de désensibilisation tient compte du fait que l'inductance de désensibilisation Ld et le condensateur de désensibilisation Cd doivent résonner à la fréquence de commutation souhaitée des transistors (fs=40MHz), et être du même ordre de grandeur que les autres éléments passifs du circuit. Ainsi en fixant Cd = 60pF par exemple, il est possible de calculer Ld= 263nH à partir de la relation suivante : [0073] f 40 MHzs. 1 27-r-114.Cci 11 [Revendication 1] REVENDICATIONSConvertisseur DC/AC (CONV), configuré pour recevoir en entrée une tension continue d'une source de tension continue (ST), et pour fournir en sortie une tension alternative à haute ou très haute fréquence à une charge (CH, R3), comprenant : une première (BEl) et une deuxième homes d'entrée (BE2), la première borne d'entrée (BEl) et la deuxième borne d'entrée (BE2) étant configurées pour être connectées à la source dc tension continue (ST) ; N onduleurs résonants (OND) configurés pour fonctionner en commutation douce, où N > 2, les onduleurs (OND) étant connectés en parallèle en entrée à la première (BEl) et à la deuxième (BE2) bornes d'entrée, et configurés pour fonctionner en phase les uns par rapport aux autres ; un étage d'isolation (ISO), comprenant N bobines primaires (L1), chaque bobine primaire (L1) étant connectée à la sortie d'un des onduleurs (OND), et N bobines secondaires (L2), chaque bobine primaire (L1) étant couplée de façon magnétique à une bobine secondaire (L2), les bobines secondaires (L2) étant connectées entre elles en série ; Une première (BS1) et deuxième bornes de sortie (BS2), connectées d'une part aux extrémités de la connexion en série des bobines secondaires (L2), et d'autre part à la charge (CH, R3). [Revendication 2] Convertisseur selon la revendication 1, dans lequel les onduleurs (OND) sont dc classe Phi2. [Revendication 3] Convertisseur selon l'une des revendications précédentes, dans lequel les onduleurs (OND) sont dimensionnés de façon identique les uns par rapport aux autres. [Revendication 4] Convertisseur selon l'une des revendications précédentes, dans lequel un réseau résonant (RR) est connecté directement à la première borne de sortie (BS1) et à la deuxième borne de sortie (BS2) par l'intermédiaire de la charge (CH), le réseau résonant (RR) étant configuré pour résonner à la fréquence de commutation de chacun des onduleurs(OND). [Revendication 5] Convertisseur selon la revendication 4, dans lequel le réseau résonant 12 [Revendication 6] [Revendication 7] [Revendication 8] [Revendication 9] (RR) comprend une inductance dite de désensihilisation (Ld) et un condensateur dit de désensibilisation (Cd), l'inductance de désensihilisation (Ld) et le condensateur de désensihilisation (Cd) étant tous deux connectés à la première borne de sortie (BS1). Convertisseur selon la revendication 5, dans lequel, les onduleurs résonants comprenant chacun un ensemble d'inductances et de condensateurs, l'inductance de désensihilisation (Ld) est dimensionnée de façon à ce que sa valeur soit comprise entre 0,1 fois la valeur de l'inductance la plus faible des onduleurs et 10 fois la valeur d'inductance la plus élevée des onduleurs, et le condensateur de désensibilisation (Cd) est dimensionné de façon à ce que sa capacité soit comprise entre 0,1 fois la capacité la plus faible des condensateurs et 10 fois la capacité la plus élevée des condensateurs. Convertisseur selon l'une des revendications 5 ou 6, dans lequel, chaque onduleur résonant (OND) comprenant une inductance dite de résonance (Lr) connectée à la première borne de sortie (BS1), l'inductance de résonance (Lr) et l'inductance de désensibilisation (Ld) sont dimensionnées pour absorber des inductances de fuite de l'étage d'isolation (TSO). Convertisseur selon l'une des revendications précédentes, dans lequel les bobines primaires (LI) et les bobines secondaires (L2) sont imprimées sur une carte électronique, de part et d'autre de la carte. Convertisseur selon la revendication 8, dans lequel la carte électronique comprend une couche isolante de céramique ou de kapton, disposée au moins entre les N bobines primaires (Li) et les N bobines secondaires (L2).