Brevet FR3089746A1 — publié le 20200612

Description Titre de l'invention : PROCEDE D'ADAPTATION DE L'EXTRACTION LUMINEUSE D'UNE DIODE ELECTROLUMI- NESCENTE Domaine technique 100011 La présente invention concerne un procédé de fabrication de diodes électrolumi- nescentes. En particulier, la présente invention concerne un procédé de fabrication de diodes électroluminescentes permettant d'ajuster à une valeur prédéterminée, notamment à une valeur maximale, le rendement quantique externe desdites diodes. Technique antérieure [0002] Le rendement quantique externe des diodes électroluminescentes est défini par le produit du rendement quantique interne (IQE) et de l'efficacité de l'extraction lumineuse (LEE) [0003] Ce dernier terme, généralement inférieur à un, rend compte de phénomènes parasites qui ont pour conséquence de dégrader le rendement global des diodes électroluminescentes. [0004] Parmi ces phénomènes parasites, les réflexions internes et/ou réabsorptions des rayonnements lumineux par les diodes électroluminescentes jouent un rôle prépondérant dans cette dégradation. [0005] Ainsi, afin d'optimiser l'efficacité de l'extraction lumineuse, il a pu être proposé de texturer certaines surfaces des diodes afin de limiter les réflexions internes. [0006] À cet égard, le document. [1], cité à la fin de la description, propose des diodes élec- troluminescentes encapsulées pour une couche texturée, et notamment rugueuse. [0007] De manière alternative, dans le document [2] cité à la fin de la description, les diodes électroluminescentes reposent sur un réseau de structures, et notamment des structures coniques. [0008] Enfin, les documents [3] et [4], cités à la lin de la description, divulguent une tex- turation d'une surface exposée des diodes électroluminescentes. [0009] Toutefois, les procédés de texturation proposés dans l'état de la technique antérieur ne sont pas satisfaisants. [0010] En effet, les inventeurs ont noté que le rendement quantique externe d'une diode est également dépendant de la taille, et notamment du rapport de forme de b surface de ladite diode. [0011] Plus particulièrement, tel qu'illustré à la figure 1, plus la taille de la diode diminue plus le rendement quantique diminue. [0012] Par ailleurs, le rendement maximum est atteint pour des densités de courant 2 croissantes au fur et à mesure que la taille de la diode diminue. [0013] Ainsi, la texturation telle que proposée dans les documents précités rend l'atteinte d'un rendement quantique externe maximum difficile, et surtout dépendant de la taille de la diode concernée. [0014] Dans la mesure où les diodes de petite taille sont aujourd'hui abondamment mises en oeuvre dans les dispositifs optiques, et notamment dans les afficheurs haute résolution, il est essentiel de pouvoir répondre à la problématique posée par l'optimisation du rendement quantique externe. [0015] Ainsi, la présente invention a pour but de proposer un procédé d'adaptation du rendement quantique externe de diodes électroluminescentes. [0016] Un autre but de la présente invention est de proposer un procédé permettant de maximiser le rendement quantique externe de diodes électroluminescentes. Exposé de l'invention [0017] Les buts de la présente invention sont, au moins en partie, atteints par un procédé d'adaptation de l'extraction lumineuse LEE d'au moins une diode électroluminescente de surface S et de périmètre P, le procédé étant caractérisé en qu'il comprend une étape d'encapsulation de la diode électroluminescente par une couche d'encapsulation présentant un indice de réfraction N, l'indice de réfraction N étant déterminé sur la hase d'un modèle rendant compte d'un rendement quantique interne IQE de la diode électroluminescente, et de sorte que l'extraction lumineuse résultant de la mise en oeuvre de la couche d'encapsulation permette à la diode électroluminescente d'atteindre un rendement quantique externe prédéterminé EQEK. [0018] Selon un mode de mise en oeuvre, le modèle est fonction de la surface S et du périmètre P de la diode électroluminescente. [0019] Selon un mode de mise en oeuvre, le modèle rendant compte du rendement quantique interne vérifie la relation suivante : [Math I] [0020] Où : [0021] A'.P/S est un coefficient de recombinaison SRH non radiative, [0022] B est un coefficient de recombinaison radiative, [0023] C est un coefficient de recombinaison Auger non radiative, [0024] n est une densité de porteurs injectés, [0025] P est le périmètre de la diode électroluminescente, [0026] S est la surface de la diode électroluminescente. [0027] Selon un mode de mise en oeuvre, la détermination de l'indice de réfraction N 3 comprend une simulation de trajets de rayons lumineux émis par une source lambertienne encapsulée par la couche d'encapsulation. [0028] Selon un mode de mise en oeuvre, la simulation est effectuée pour une gamme d'indices de réfraction de la couche d'encapsulation. [0029] Selon un mode de mise en oeuvre, la détermination de l'indice de réfraction N comprend la construction d'un abaque mettant en relation l'extraction lumineuse permise par la couche d'encapsulation et l'extraction lumineuse requise pour que le rendement quantique externe de la diode soit égal rendement quantique externe prédéterminé EQE,,. [0030] Selon un mode de mise en oeuvre, le rendement quantique externe prédéterminé EQE correspond à une valeur maximale du rendement quantique atteignable par la diode électroluminescente. [0031] Selon un mode de mise en oeuvre, la couche d'encapsulation forme un dôme. [0032] Selon un mode de mise en oeuvre, le rapport périmètre P sur surface S est supérieur à un dixième. [0033] Selon un mode de mise en oeuvre, on adapte l'extraction lumineuse LEE d'une pluralité de diodes électroluminescentes essentiellement identiques. [0034] Selon un mode de mise en oeuvre, on adapte l'extraction lumineuse LEE d'une pluralité de diodes électroluminescentes de tailles différentes. [0035] Selon un mode de mise en oeuvre, l'au moins une diode électroluminescente comprend un empilement de matériaux semi-conducteurs III-V. Brève description des dessins [0036] D'autres caractéristiques et avantages apparaîtront dans la description qui va suivre d'un procédé d'adaptation du rendement quantique externe d'une diode électroluminescente, donnés à titre d'exemples non limitatifs, en référence aux dessins annexés dans lesquels : [0037] [fig.1] est une représentation graphique du rendement quantique externe d'une diode électroluminescente (selon l'axe vertical, en unité arbitraire avec un maximum égale à 1) en fonction de la densité de courant traversant ladite diode (axe horizontal, « A/cm2 »), les différentes courbes « a », « b », « c », « d », « e », « f », et « g » étant relatives à des diodes électroluminescentes de taille de, respectivement, 500 'lm, 200 gm, 100 pm, 50 pm, 20 pin, 15 pm et 10 pm de côté; [0038] [fig.2] est une représentation schématique d'une diode électroluminescente reposant, par sa face arrière, sur une face avant d'un substrat support, mise en oeuvre dans la cadre de la présente invention ; [0039] [fig.3] est une représentation graphique du rendement quantique externe d'une diode électroluminescente (selon l'axe vertical, unité arbitraire avec un maximum égale à 1) en fonction de la densité de porteurs traversants ladite diode (axe horizontal, « cm-3 »), obtenu par simulation, les différentes courbes « h », « i », «j », « k », et « 1 » étant relatives à des diodes électroluminescentes de taille de, respectivement, 500 pm, 100 pm, 50 pm, 10 pm et 5 pm de côté; [0040] [fig.4] est une représentation graphique du rendement quantique externe d'une diode électroluminescente (selon l'axe vertical, unité arbitraire avec un maximum égale à 1) en fonction de la densité porteurs traversants ladite diode (axe horizontal, « cm-3 »), obtenu par simulation et modulation de l'extraction lumineuse, les différentes courbes « m », « n », « o », « p », et «q » étant relatives à des diodes électroluminescentes de taille de, respectivement, 500 pm, 100 pm, 50 pm, 10 pm et 5 pm de côté; [0041] [fig.SA] [0042] [fig.SB] sont des illustrations de l'évolution du gain, la figure 5a représente notamment le rendement quantique externe d'une diode électroluminescente avec (courbe 1) et sans (courbe 2) gain relatif à la modulation de l'extraction lumineuse en fonction de la taille de ladite diode (axe horizontal, en « pm »), la figure 5h représente le gain requis appliqué pour chaque taille de diode ; [0043] [fig.6] est une représentation schématique des rayonnements lumineux issus d'une diode en-capsulée par une couche d'encapsulation ; [0044] [fig.7] est un abaque permettant, en fonction de la géométrie de la diode, de déterminer l'indice de réfraction N de la couche d'encapsulation pour que le rendement quantique externe de ladite diode soit maximum, en particulier la courbe 3 représente le gain G (axe vertical, gauche) associé à la couche d'encapsulation en fonction de l'indice de réfraction N (axe horizontal inférieur), tandis que la courbe 4 représente le gain requis Gn (axe vertical droite) en fonction du rapport périmètre P sur surface S (axe horizontal supérieur) de la diode électroluminescente [0045] [fig.8] est un abaque construit sur les mêmes principes que l'abaque de la figure 7, avec pour objectif de déterminer un indice de réfraction de la couche d'encapsulation pour lequel le rendement quantique externe de la diode est inférieur au rendement quantique externe maximum de ladite diode. [0046] EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS [0047] La présente invention concerne un procédé d'adaptation du rendement quantique externe d'une diode électroluminescente. En particulier, la présente invention concerne l'encapsulation d'une diode électroluminescente par une couche d'encapsulation dont l'indice de réfraction N est ajusté de sorte que ladite diode présente un rendement quantique externe prédéterminé, et notamment un rendement quantique externe maximum. [0048] La détermination de l'indice de réfraction met en oeuvre une modélisation des rendements quantiques interne et externe de la diode. [0049] La figure 2 est une représentation schématique d'une diode électroluminescente 10 mise en oeuvre dans le cadre de la présente invention. [0050] Par « diode électroluminescente », on entend généralement une structure qui, dès lors qu'elle est traversée par un courant, émet un rayonnement lumineux par une face dite face électroluminescente 10a. [0051] Par « rayonnement lumineux », on entend par exemple un rayonnement dans une gamme de longueurs d'ondes du domaine visible, par exemple dans une gamme de longueurs d'ondes comprise entre 400 pm et 700 pm. [0052] La diode électroluminescente comprend une face opposée à la face électrolumi- nescente 10a, et dite face arrière 10h. [0053] La diode électroluminescente repose par sa face arrière 10h sur la face avant du substrat support 11. [0054] La diode électroluminescente 10 est formée par un empilement de couches qui comprend une couche active intercalée entre une première couche de semi-conducteur et une seconde couche de semi-conducteur. [0055] La première couche de semi-conducteur peut comprendre un matériau semi- conducteur III-V dopé n, et notamment du GaN de type n (par type n, on entend dopé avec des espèces donneuses d'électrons). [0056] La seconde couche de semi-conducteur peut comprendre un matériau semi- conducteur III-V dopé p, notamment du GaN de type p (par type p, on entend dopé avec des espèces donneuses de trous). [0057] La couche active peut comprendre au moins un des matériaux choisi parmi : GaN, GaAs, InGaN, InGaA1P. La couche active peut également comprendre un alliage ternaire ou quaternaire de semi-conducteurs III-V. [0058] La couche active, la première couche de semi-conducteur et la seconde couche de semi-conducteur peuvent être formées par des techniques de dépôt de films par épitaxie sur la face avant Ila du substrat support 11. [0059] La formation desdites couches fait appel à des techniques connues de l'homme du métier et n'est donc pas décrite en détails dans la présente invention. [0060] La diode électroluminescente présente une surface S et un périmètre P. 6 [0061] Par « surface S » de la diode électroluminescente, on entend la surface de la face électroluminescente 10a. [0062] Par « périmètre P» de la diode électroluminescente, on entend le périmètre de la face électroluminescente 10a. [0063] Le procédé selon la présente invention comprend une étape d'encapsulation de la diode électroluminescente avec une couche d'encapsulation 12 d'indice N. [0064] Il est entendu, sans qu'il soit nécessaire de le préciser, que l'indice N est considéré à la longueur d'onde k du rayonnement lumineux émis par la diode électroluminescente. [0065] Selon la présente invention, l'indice N de la couche d'encapsulation est ajusté de sorte que le rendement quantique externe de la diode électroluminescente soit égal à un rendement quantique externe prédéterminé EQEk. [0066] Une méthode de détermination de l'indice N répondant à cet objectif peut faire appel à une modélisation des rendements quantiques externe et interne d'une diode électroluminescente. [0067] La suite de l'énoncé en présente un exemple, notamment pour l'atteinte d'un rendement quantique externe maximum noté EQE,'ax. Toutefois, il est important de noter que l'homme du métier, avec ses connaissances générales, et la description qui suit, pourra considérer un rendement quantique externe inférieur au rendement quantique externe maximum. [0068] Le rendement quantique externe maximum atteignable par une diode électrolumi- nescente est régi par l'empilement de couches formant cette dernière. Cependant, le rendement quantique externe maximum ne peut être atteint que dans des conditions d'extraction particulières du rayonnement lumineux émis par la diode électroluminescentes. [0069] Ainsi, tel que précisé précédemment, l'invention se propose d'ajuster l'indice de ré- fraction N de la couche d'encapsulation de sorte que le rendement quantique externe de la diode, pour une taille donnée, soit égal au rendement quantique externe maximum EQE',,,'. [0070] Le rendement quantique externe d'une diode électroluminescente vérifie la relation (1). [Math 2] EQE = IE LEE (1) [0071] Où « IQE » représente le rendement quantique interne de la diode électrolumi- nescente, et « LEE » l'efficacité de l'extraction lumineuse. [0072] Lc document [5] utilise au début un modèle de la littérature, dit modèle ABC, permettant de dériver le rendement quantique interne d'une diode électroluminescente. [0073] Toutefois, le modèle ABC, tel que proposé dans la littérature [5] ne rend pas compte 7 de l'effet de la taille de la diode électroluminescente sur le rendement quantique tel qu'illustré à la figure 1. [0074] Les inventeurs proposent donc de pallier cette lacune en modifiant le modèle ABC comme suit (équation (2)). [Math 3] IQE = (2) 100751 Où : 100761 A'.P/S est un coefficient de recombinaison SRH non radiative, adapté à la géométrie de la diode, 100771 B est un coefficient de recombinaison radiative, 100781 C est un coefficient de recombinaison Auger non radiative, 100791 n est une densité de porteurs injectés, 100801 P est le périmètre de la diode électroluminescente, 100811 S est la surface de la diode électroluminescente. 100821 Une simulation du rendement quantique externe sur la hase de ce modèle ABC modifié en fonction de la taille des diodes électroluminescentes, et rendant compte d'une extraction lumineuse de 0,14, est représentée à la figure 3. Cette simulation est conforme aux résultats expérimentaux de la figure 1, validant ainsi la relation (2). 100831 Ainsi, compte tenu de la taille de la diode électroluminescente, et via la relation (2), la valeur maximale du rendement quantique interne 1QE,';' de ladite diode vérifie la relation (3). [Math 4] (3) [0084] L'extraction lumineuse LEE, permettant à la diode électroluminescente de présenter un rendement quantique externe maximum EQE',= K, quelle que soit la taille de ladite diode, vérifie la relation (4). 'Math 51 2 avga, LEE =K [0085] Tel qu'illustré à la figure 4, la modulation de l'extraction lumineuse en fonction de la taille de la diode électroluminescente permet à cette dernière de présenter un 8 rendement quantique externe maximum quelle que soit sa taille. Néanmoins, le décalage vers les densités de courant croissantes lorsque la taille de la diode électroluminescente diminue est toujours observé. [0086] La relation (4) représente donc un gain à appliquer au rendement quantique interne d'une diode électroluminescente de manière à ce que le rendement quantique externe de cette dernière soit maximum. [0087] Les figures 5a et 5b sont des illustrations de l'évolution d'un tel gain. Notamment, la figure 5a représente le rendement quantique externe d'une diode électroluminescente avec (courbe 1) et sans (courbe 2) gain relatif à la modulation de l'extraction lumineuse en fonction de la taille de ladite diode. [0088] La figure 5h représente le gain à appliquer pour chaque taille de diode permettant d'atteindre un rendement quantique externe maximum. [0089] La connaissance du gain à appliquer, permet alors le dimensionnement de la couche d'encapsulation en termes d'indice de réfraction N de sorte que le rendement quantique externe de la diode électroluminescente soit égal au rendement quantique externe maxi muni EQE',,,'. [0090] Cc dimensionnement peut notamment comprendre une simulation optique d'une ex- traction lumineuse par la couche d'encapsulation en fonction de l'indice de réfraction de cette dernière. [0091] Cette simulation peut impliquer la détermination des différents rayons lumineux émis par une source lambertienne pour une gamme (l'indices de réfraction donnée (par exemple variant entre 1 et 2,4). La figure 6 donne un exemple d'une telle simulation en considérant une couche d'encapsulation en forme de dôme et au centre de laquelle se trouve une source de rayonnement lumineux. [0092] Un abaque (figure 7) mettant en correspondance la géométrie, et notamment le rapport périmètre P sur surface S, de la diode électroluminescente avec l'indice de réfraction N de la couche d'encapsulation peut alors être construit sur la base de cette simulation. [0093] À cet égard, la figure 7 permet, en fonction de la géométrie de la diode, de dé- terminer l'indice de réfraction N de la couche d'encapsulation nécessaire à l'atteinte d'un rendement quantique externe maximum. En particulier, la courbe 3 représente le gain G (axe vertical, gauche) associé à la couche d'encapsulation en fonction de l'indice de réfraction N (axe horizontal inférieur), tandis que la courbe 4 représente le gain requis Gn (axe vertical droite) en fonction du rapport périmètre P sur surface S de la diode électroluminescente (axe horizontal supérieur). [0094] À titre d'exemple, pour un rapport PIS= 104, le gain requis pour maximiser le rendement quantique externe de la diode est d'environ 1,8. Ce gain requis est obtenu pour une couche d'encapsulation présentant un indice de réfraction N égal à 1,7 (trajet 9 A »). [0095] Toujours à titre d'exemple, pour un rapport P/S= 103, le gain requis pour maximiser le rendement quantique externe de la diode est d'environ 1,2. Cc gain requis est obtenu pour une couche d'encapsulation présentant un indice de réfraction N égal à 1,48 (trajet « B »). [0096] L'abaque présenté à la figure 7 est relatif à un rendement quantique externe maximum. Cependant, la méthode proposée dans le cadre de la présente invention est applicable à tout autre rendement inférieur au rendement quantique externe maximum. Notamment, la figure 8 est un abaque construit sur la base d'un rendement quantique à atteindre inférieur au rendement quantique maximum. Notamment, le rendement quantique extérieur considéré à la figure 8 est égal à 0,09 au lieu d'un EQE',,,, de 0,14. [0097] Le procédé selon la présente invention peut avantageusement être mis en oeuvre pour ajuster l'extraction lumineuse d'une pluralité de diode, par exemple de manière à ce que le rendement quantique externe de ces dernières soit maximum. Ces diodes peuvent être identiques, ou présenter des tailles différentes. [0098] Dc manière avantageuse, les diodes peuvent former un afficheur. [0099] Dc manière complémentaire à la présente invention, la couche d'encapsulation peut être texturée sur sa surface exposée. Liste des documents cités [0100] [1] US 2007/018183 ; [0101] [2] US 2016/111597 ; [0102] [3] JP2033282938 ; [0103] [4] W02013179185 ; [0104] [5] F. Olivier et al.,"Shocley-Read-Hall and Auger non-radiative recombination in GaN based LEDs: A size effect stuc!» Appl. Phys. Lett. Vol. III, no. 2, p. 022104, Jul. 2017. 10