Brevet FR3097787A1 — publié le 20210101

Description Titre de l'invention : Appareil de traitement laser Arrière-plan de l'invention [0001] La présente invention concerne un appareil de traitement laser permettant de po- sitionner les taches d'un faisceau laser pulsé sur une pièce à usiner maintenue sur une table à mandrin, et d'appliquer le faisceau laser pulsé à la pièce à usiner, afin de traiter la pièce à usiner. Technique antérieure [0002] Les tranches électroluminescentes, ou plaquettes électroluminescentes, ont une couche électroluminescente comportant une couche à semi-conducteur de type n et une couche à semi-conducteur de type p, qui est formée sur la surface supérieure d'un substrat d'épitaxie, tel qu'un substrat de saphir ou un substrat de SiC, avec une couche tampon interposée entre elles, par croissance épitaxialc. Les tranches électroluminescentes ont également une pluralité de dispositifs, tels que des diodes électroluminescentes (DEL), formés dans des zones respectives, qui sont délimitées dans la couche électroluminescente par une pluralité de lignes de quadrillage projetées qui se croisent. Les tranches électroluminescentes sont ensuite divisées le long des lignes de quadrillage projetées, par un faisceau laser ou analogue, en puces DEL individuelles comportant respectivement les dispositifs (voir par exemple le brevet japonais rendu accessible if Hei 10-305420). [0003] Une technologie a été proposée, dans laquelle, afin d'augmenter la luminance des DEL et également un effet de refroidissement pour celles-ci, un substrat de replacement, tel qu'un substrat de molybdène, un substrat de cuivre, ou un substrat de silicium, est assemblé à une couche électroluminescente d'une tranche électroluminescente par un agent de liaison en indium, palladium, ou analogues, fabriquant ainsi une tranche empilée, puis un faisceau laser est appliqué d'un côté de substrat d'épitaxie à une couche tampon, afin de détruire la couche tampon, produisant une tranche où la couche électroluminescente est replacée sur le substrat de replacement (voir par exemple le brevet japonais rendu accessible n°. 2013-021225). [0004] Dans le cas où le faisceau laser pulsé est appliqué à une tranche empilée circulaire, lorsqu'il est appliqué du côté de substrat d'épitaxie à la couche tampon afin de détruire la couche tampon selon la technologie divulguée dans le brevet japonais rendu accessible n°. 2013-021225, il est habituel d'utiliser un dispositif de balayage pour balayer le faisceau laser pulsé sur la tranche empilée circulaire, en spirale, radialement, d'un côté circonférentiel extérieur vers l'intérieur vers le centre de la tranche, afin de détruire la couche tampon, formant ainsi une couche de décollement. 2 Résumé de l'invention [0005] Lorsque le faisceau laser pulsé est balayé sur la tranche empilée circulaire, en spirale, radialement, du côté circonférentiel extérieur vers l'intérieur vers le centre de la tranche empilée circulaire, et afin de garder les taches du faisceau laser pulsé espacées à intervalles constants sur la tranche, il est nécessaire d'augmenter progressivement la fréquence de fonctionnement du dispositif de balayage, qui balaye le faisceau laser pulsé sur la tranche, à mesure que le faisceau laser pulsé se déplace radialement du côté circonférentiel extérieur vers l'intérieur vers le centre de la tranche. Toutefois, même lorsque la fréquence de fonctionnement du dispositif de balayage varie pour garder les taches de faisceau laser à intervalles constants, la fréquence de récurrence du faisceau laser pulsé peut dépasser une valeur maximale admissible pour la fréquence de fonctionnement du dispositif de balayage, et la fréquence de fonctionnement réelle du dispositif de balayage risque de ne pas suivre une fréquence de fonctionnement prévue, dérangeant éventuellement les intervalles entre les taches de faisceau laser, risquant de ne pas détruire efficacement la couche tampon, ou détruisant la couche électroluminescente à la place. Par ailleurs, dans une autre application où aucune couche de décollement n'est formée dans la tranche empilée décrite ci-dessus, et où la surface supérieure d'une pièce à usiner est rectifiée, un faisceau laser pulsé est appliqué en spirale à la surface supérieure de la pièce à usiner, afin d'accélérer le processus de rectification. Cette application aussi pose problème, dans la mesure où la fréquence de fonctionnement réelle du dispositif de balayage risque de ne pas suivre une fréquence de fonctionnement prévue, donnant éventuellement lieu à un traitement laser inégal sur la surface supérieure de la pièce à usiner. Par « tache » d'un faisceau laser est compris le spot du faisceau laser. [0006] L'objet de la présente invention est donc de fournir un appareil de traitement laser pour appliquer un faisceau laser pulsé à une pièce à usiner, afin de traiter la pièce à usiner avec des taches de faisceau laser espacées à des intervalles appropriés. [0007] Un aspect de la présente invention concerne un appareil de traitement laser comportant une table à mandrin pour maintenir une pièce à usiner, une unité d'application de faisceau laser, pour appliquer un faisceau laser pulsé à la pièce à usiner maintenue par la table à mandrin tout en positionnant des taches du faisceau laser pulsé sur la pièce à usiner, traitant ainsi la pièce à usiner avec le faisceau laser pulsé, et une unité de commande pour commander le fonctionnement de l'unité d'application de faisceau laser. Dans l'appareil de traitement laser, l'unité d'application de faisceau laser comporte un oscillateur laser pour faire osciller un laser pulsé, afin d'émettre un faisceau laser pulsé, un dispositif de décimation pour décimer les impulsions du faisceau laser pulsé, afin d'ajuster une fréquence de récurrence de 3 celui-ci, un dispositif de balayage pour balayer les taches du faisceau laser pulsé sur la pièce à usiner à des intervalles prédéterminés, et une lentille f0 pour focaliser le faisceau laser pulsé, et l'unité de commande fait fonctionner le dispositif de décimation pour garder une fréquence de fonctionnement du dispositif de balayage dans une plage prédéterminée de fréquences de fonctionnement de celui-ci, afin de décimer les impulsions du faisceau laser pulsé émis par l'oscillateur laser, ajustant ainsi la fréquence de récurrence du faisceau laser pulsé délivré par le dispositif de décimation. [0008] De préférence, l'unité de commande commande le dispositif de balayage pour balayer les taches du faisceau laser pulsé sur la pièce à usiner, en spirale vers l'intérieur à partir d'une circonférence extérieure de celle-ci, et pour augmenter la fréquence de fonctionnement du dispositif de balayage à mesure que les taches du faisceau laser pulsé se déplacent vers l'intérieur sur la pièce à usiner, afin de faire diminuer le rayon d'un motif en spirale des taches, et commande le dispositif de décimation pour abaisser la fréquence de récurrence du faisceau laser pulsé, et commande le dispositif de balayage pour abaisser la fréquence de fonctionnement du dispositif de balayage avant que la fréquence de fonctionnement du dispositif de balayage ne dépasse la plage prédéterminée de fréquences de fonctionnement de celui-ci. [0009] De préférence, l'unité de commande comporte une table d'ajustement contenant des niveaux d'énergie d'impulsion correspondant respectivement à des fréquences de récurrence, ajustées par décimation d'impulsions provenant du faisceau laser pulsé par le dispositif de décimation, et établies dans la table d'ajustement, et le dispositif de décimation comporte un dispositif acousto-optique pour ajuster la fréquence de récurrence du faisceau laser pulsé émis par l'oscillateur laser et pour ajuster l'énergie d'impulsion indiquée à l'unité d'application de faisceau laser, sur la base des niveaux d'énergie d'impulsion correspondant aux fréquences de récurrence établies dans la table d'ajustement. [0010] De préférence, la pièce à usiner comporte une tranche empilée comprenant une tranche électroluminescente comportant un substrat d'épitaxie et une couche électroluminescente, avec une couche tampon interposée entre elles, et un substrat de replacement disposé sur la couche électroluminescente de la tranche électroluminescente, l'unité de commande commande l'unité d'application de faisceau laser pour appliquer le faisceau laser pulsé, tout en positionnant les taches de celui-ci sur la couche tampon, détruisant ainsi la couche tampon et remplaçant la couche tampon par une couche de décollement, et le substrat d'épitaxie est décollé de la couche électroluminescente pour replacer la couche électroluminescente sur le substrat de replacement. [0011] Selon la présente invention, même dans le cas où un faisceau laser pulsé est appliqué à une couche tampon dans une tranche empilée circulaire, en spirale à partir d'une cir- conférence extérieure de celle-ci vers le centre de celle-ci, la couche tampon peut être détruite de manière uniforme par les taches du faisceau laser pulsé balayées à des intervalles prédéterminés par un dispositif de balayage dont la fréquence de fonctionnement reste dans une plage prédéterminée de fréquences de fonctionnement ne dépassant pas une valeur admissible. L'appareil de traitement laser ne pose pas de problèmes du genre où la fréquence de fonctionnement réelle du dispositif de balayage risque de ne pas suivre une fréquence de fonctionnement prévue, dérangeant éventuellement les intervalles entre les taches de faisceau laser, risquant de ne pas détruire la couche tampon efficacement, ou détruisant la couche électroluminescente à la place, à mesure que les taches du faisceau laser pulsé vont vers l'intérieur vers le centre de la tranche empilée. Si un faisceau laser pulsé est appliqué à une surface supérieure d'une pièce à usiner avant que la surface supérieure de la pièce à usiner ne soit rectifiée, étant donné que le faisceau laser pulsé est appliqué uniformément à la surface supérieure de la pièce à usiner, le processus de rectification sur la surface supérieure de la pièce à usiner est accéléré en douceur. [0012] Les objets, caractéristiques et avantages ci-dessus, ainsi que d'autres objets, caracté- ristiques et avantages de la présente invention, et la manière de les réaliser, deviendront plus apparents, et l'invention elle-même sera mieux comprise à partir d'une étude de la description suivante et des revendications annexées, en référence aux dessins ci-joints montrant un mode de réalisation préféré dc l'invention. Brève description des dessins [0013] [fig.1] La FIG. 1 est une vue en perspective éclatée d'une tranche empilée devant être traitée par un appareil de traitement laser selon un mode de réalisation préféré dc la présente invention ; [0014] [fig.2] La FIG. 2 est une vue en perspective de l'appareil dc traitement laser dans son intégralité qui traite la tranche empilée illustrée dans la FIG. 1 ; [0015] [fig.3A-3B] La FIG. 3A est une vue schématique, en partie sous forme de blocs, d'un système optique d'une unité d'application de faisceau laser incorporée dans l'appareil de traitement laser illustré dans la FIG. 2 ; [0016] [fig.3A-3B] La FIG. 3B est un vue fragmentaire agrandie en coupe transversale illustrant la manière dont la tranche empilée est traitée par l'apixtreil de traitement laser [0017] [fig.4A-4B] Les FIGS. 4A-4B sont des vues en perspective illustrant la manière dont une étape de formation de couche de décollement est effectuée par l'appareil de traitement laser illustré dans la FIG. 2 ; [0018] [fig.5] La FIG. 5 est un schéma de principe illustrant une table d'ajustement devant être utilisée pour commander l'unité d'application de faisceau laser illustrée dans la FIG. 3A; [0019] [fig-6-7] La FIG. 6 est un graphique illustrant comment la fréquence de récurrence d'un faisceau laser pulsé et la fréquence de fonctionnement d'un dispositif de balayage varient en fonction de la distance par rapport au centre de la tranche empilée au cours de l'étape de formation de couche dc décollement ; et [0020] [fig.6-7] La FIG. 7 est une vue en perspective illustrant la manière dont un substrat de saphir est décollé de la tranche empilée. Description détaillée [0021] Un appareil de traitement laser selon un mode de réalisation préféré de la présente invention sera décrit ci-dessous en se référant aux dessins qui l'accompagnent. La FIG. 1 illustre en perspective éclatée une pièce à usiner circulaire devant être traitée par l'appareil de traitement laser selon le présent mode de réalisation. Dans la FIG. I. la pièce à usiner circulaire est illustrée sous la forme d'une tranche empilée W comportant une tranche électroluminescente 10 et un substrat de replacement 16. [0022] Comme on peut le comprendre à partir d'une section transversale fragmentaire agrandie d'une partie encerclée de la tranche électroluminescente 10 illustrée dans la FIG. 1, la tranche électroluminescente 10 comporte un substrat de saphir 12 préparé comme un substrat d'épitaxie, et une couche électroluminescente 11 et une couche tampon 13 qui sont formées sur la surface du substrat de saphir 12 par croissance épitaxiale. La couche électroluminescente 11 comporte une couche à semi-conducteur de nitrure de gallium de type n, une couche à semi-conducteur de nitrure de gallium de type p, et un motif conducteur approprié, qui ne sont pas illustrés, et dispose d'une pluralité de DEL 14 formées sur celle-ci dans des zones respectives délimitées par une grille de lignes de quadrillage projetées 15. Le matériau de la couche électroluminescente 11 ne se limite pas au nitrure de gallium (GaN) et peut être le GaP (phosphure de gallium), le GalnAs (arséniure d'indium et de ou analogues. La couche tampon 13 est faite du même semi-conducteur que la couche électroluminescente 11. La couche électroluminescente 11 fournit un côté-endroit 10a de la tranche électroluminescente 10, et le substrat de saphir 12 fournit un côté-envers 10b de la tranche électroluminescente 10. Selon le présent mode de réalisation, la tranche électroluminescente 10 a un diamètre de 100 min et une épaisseur de 600 Rm. La couche tampon 13 a une épaisseur de 1 pm, et la couche électroluminescente 11 a une épaisseur de 10 [0023] Afin de décoller la couche électroluminescente 11 du substrat de saphir 12, et de replacer ou de transférer la couche électroluminescente 11 sur le substrat de replacement ou le substrat de transfert 16, une étape d'assemblage de substrat de replacement est effectuée pour assembler le substrat de replacement 16 au côté-endroit 6 10a de la tranche électroluminescente 10, comme le montre la FIG. 1. Au cours de l'étape d'assemblage de substrat de replacement, le substrat de replacement 16, qui est un substrat de cuivre, est assemblé à la couche électroluminescente 11 qui fournit le côté-endroit 10a de la tranche électroluminescente 10, à l'aide d'une couche de liaison 17 réalisée par exemple en un agent de liaison en or-étain ou analogues. Spécifiquement, on fait évaporer l'agent de liaison mentionné ci-dessus pour former la couche de liaison 17 à une épaisseur d'environ 3 pm sur la couche électroluminescente 11 de la tranche électroluminescente 10, ou sur la surface du substrat de replacement 16, et la couche de liaison 17 et la surface du substrat de replacement 16 ou le côté-endroit 10a de la couche électroluminescente 11 sont pressés l'un contre l'autre, face à face, assemblant ainsi la tranche électroluminescente 10 et le substrat de replacement 16 l'un à l'autre par la couche de liaison 17 interposée entre eux, afin de produire une tranche empilée W. Le substrat de replacement 16 a un diamètre de 100 mm comme la tranche électroluminescente 10 et a une épaisseur de 1 mm, par exemple. La tranche empilée W illustrée sous la tranche électroluminescente 10 dans la FIG. 1 représente le côté-envers 10b, c'est-à-dire le substrat de saphir 12, tourné vers le haut et le substrat de replacement 16 tourné vers le bas, la couche électroluminescente 11 et la couche tampon 13 étant omises de l'illustration. Les dimensions illustrées dans la FIG. 1 ne représentent pas les dimensions réelles. [0024] La tranche empilée W, ainsi préparée en assemblant la tranche électroluminescente et le substrat de replacement 16 l'un à l'autre, est ensuite introduite dans un appareil de traitement laser 2 illustré dans la FIG. 2. Pour introduire la tranche empilée W dans l'appareil de traitement laser 2, comme le montre la FIG. 2, le substrat de replacement 16 de la tranche empilée W est apposé sur la surface d'un ruban adhésif T monté sur un cadre annulaire F, ce qui fait que la tranche empilée W est supportée sur le cadre annulaire F par le ruban adhésif T, avec le substrat de replacement 16 tourné vers le bas et le substrat de saphir 12 tourné vers le haut. [0025] Après que la tranche empilée W a été supportée sur le cache annulaire F par le ruban adhésif T, l'ensemble est introduit dans l'appareil de traitement laser 2. L'appareil de traitement laser 2 applique un faisceau laser pulsé à la tranche empilée W du côté du substrat de saphir 12, afin de détruire la couche tampon 13. Une composition générale de l'appareil de traitement laser 2 sera décrite ci-dessous en se référant à la FIG. 2. [0026] L'appareil de traitement laser 2 comporte une base 2A, une unité d'application de faisceau laser 8 disposée sur la base 2A pour appliquer un faisceau laser pulsé à une pièce à usiner, c'est-à-dire la tranche empilée W, une unité de maintien 22 pour maintenir la tranche empilée W, un ensemble de mécanisme de déplacement 23 disposé sur la base 2A pour déplacer l'unité d'application de faisceau laser 8 et l'unité de maintien 22 l'une par rapport à l'autre, et un cadre 26 disposé sur la base 2A laté- 7 ralcment à l'ensemble de mécanisme de déplacement 23. Le cadre 26 comporte une paroi verticale 261 érigée dans des directions Z indiquées par la flèche Z, et s'étendant perpendiculairement à des directions X indiquées par la flèche X et à des directions Y indiquées par la flèche Y, et une paroi horizontale 262 s'étendant horizontalement à partir d'une partie d'extrémité supérieure de la paroi verticale 261. [0027] La paroi horizontale 262 du cadre 26 loge, dans celle-ci, un système optique de l'unité d'application de faisceau laser 8, qui sera décrit plus tard. L'unité d'application de faisceau laser 8 comporte également un condenseur de faisceau 86 monté sur une surface inférieure d'une partie d'extrémité distalc de la paroi horizontale 262. Une unité d'alignement 90 est disposée sur une surface inférieure de la partie d'extrémité distalc de la paroi horizontale 262 à une position adjacente au condenseur de faisceau 86 dans l'une des directions X. [0028] L'unité d'alignement 90 est utilisée pour capturer une image de la tranche empilée W maintenue sur une table à mandrin 34 de l'unité de maintien 22, et pour positionner le condenseur de faisceau 86 et la tranche empilée W en alignement l'un par rapport à l'autre sur la base de l'image capturée. L'unité d'alignement 90 comporte un dispositif de capture d'image, c'est-à-dire un dispositif à couplage de charge (CCD), pour capturer une image de la surface de la tranche empilée W en utilisant un faisceau de lumière visible, un moyen d'application de rayonnement infrarouge pour appliquer un rayonnement infrarouge à la tranche empilée W, un système optique pour capturer le rayonnement infrarouge appliqué par le moyen d'application de rayonnement infrarouge, et un dispositif de capture d'image, c'est-à-dire un CCD infrarouge, pour délivrer un signal électrique représentant le rayonnement infrarouge capturé par le système optique. [0029] Comme le montre la FIG. 2, l'unité de maintien 22 comporte une plaque mobile à direction X 30 rectangulaire, montée de façon mobile sur la base 2A, pour un déplacement dans les directions X, une plaque mobile à direction Y 31 rectangulaire, montée de façon mobile sur la plaque mobile à direction X 30, pour un déplacement dans les directions Y perpendiculaires aux directions X, un montant de support 32 cylindrique creux monté de façon fixe sur une surface supérieure de la plaque mobile à direction Y 31, et une plaque de couverture 33 rectangulaire fixée à l'extrémité supérieure du montant de support 32. La table à mandrin 34 est disposée sur la plaque de couverture 33 et s'étend vers le haut dans un trou oblong défini dans la plaque de couverture 33. La table à mandrin 34 maintient la pièce à usiner circulaire et peut tourner autour de son axe central grâce à des moyens d' actionnement rotatifs non illustrés logés dans le montant de support 32. La table à mandrin 34 a une surface supérieure sur laquelle est disposé un manchin à aspiration 35 circulaire réalisé en un matériau poreux perméable à l'air et s'étendant sensiblement horizontalement. Le 8 mandrin à aspiration 35 est relié à un moyen d'aspiration non illustré, par un canal d'aspiration non illustré défini dans le montant de support 32. Quatre pinces 36, qui sont espacées à intervalles réguliers, sont disposées autour du mandrin à aspiration 35. Les pinces 36 serrent le cadre annulaire F pour maintenir fermement la tranche empilée W sur le mandrin à aspiration 35. [0030] L'ensemble de mécanisme de déplacement 23 comporte un mécanisme de dé- placement à direction X 50 et un mécanisme de déplacement à direction Y 52. Le mécanisme de déplacement à direction X 50 convertit un mouvement rotatif d'un moteur électrique 50a en un mouvement linéaire à l'aide d'une vis à billes 50b, et transmet le mouvement linéaire à la plaque mobile à direction X 30, en déplaçant la plaque mobile à direction X 30 dans les directions X le long d'une paire de rails de guidage 27 sur la base 2A. Le mécanisme de déplacement à direction Y 52 convertit un mouvement rotatif d'un moteur électrique 52a en un mouvement linéaire à l'aide d'une vis à billes 52b, et transmet le mouvement linéaire à la plaque mobile à direction Y 31, en déplaçant la plaque mobile à direction Y 31 dans les directions Y le long d'une paire de rails de guidage 37 sur la plaque mobile à direction X 30. Bien que non illustré, un moyen de détection de position est disposé sur chacun parmi la table à mandrin 34, le mécanisme de déplacement à direction X 50, et le mécanisme de déplacement à direction Y 52. Le moyen de détection de position détecte avec précision des positions de la table à mandrin 34 dans les directions X et les directions Y. et une position angulaire de la table à mandrin 34 dans des directions circonférentielles. Sur la base des positions détectées, le mécanisme de déplacement à direction X 50, le mécanisme de déplacement à direction Y 52, et les moyens d'actionnement rotatifs pour la table à mandrin 34 sont actionnés pour positionner avec précision la table à mandrin 34 dans une position souhaitée selon un angle souhaité. [0031] La FIG. 3A illustre schématiquement, en partie sous la forme de blocs, le système optique de l'unité d'application de faisceau laser 8. Comme le montre la FIG. 3, l'unité d'application de faisceau laser 8 comporte un oscillateur laser 81 pour faire osciller un laser pulsé et émettre un faisceau laser pulsé LBO ayant une fréquence de récurrence prédéterminée, qui est de 200 kHz selon le présent mode de réalisation, un dispositif de décimation 82 pour décimer des impulsions de faisceau laser provenant du faisceau laser pulsé LBO émis par l'oscillateur laser 81, à un rapport souhaité, et délivrer un faisceau laser pulsé LB qui a été ajusté à une fréquence de récurrence souhaitée, un dispositif de balayage 83 pour balayer les taches du faisceau laser pulsé LB, délivré par le dispositif de décimation 82, sur la surface supérieure de la table à mandrin 34, à des positions souhaitées dans les directions X et Y, un miroir fixe 84 pour réfléchir le faisceau laser pulsé LB délivré par le dispositif de balayage 83, afin d'amener ainsi le faisceau laser pulsé LB à parcourir un chemin optique modifié, un condenseur de 9 faisceau 86 disposant d'une lentille f0 85 pour focaliser le faisceau laser pulsé LB réfléchi par le miroir fixe 84, et pour appliquer le faisceau laser pulsé LB focalisé à la table à mandrin 34, et une unité de commande 100 pour commander le fonctionnement du dispositif de décimation 82 et le dispositif de balayage 83. L'unité de commande 100 peut également être reliée électriquement à différents actionneurs, comportant l'ensemble de mécanisme de déplacement 23 de l'appareil de traitement laser 2, pour commander ces actionneurs en plus de commander l'unité d'application de faisceau laser 8. La lentille f0 85, qui est positionnée sous le miroir fixe 84, fonctionne pour appliquer le faisceau laser pulsé LB de manière dispersée, sur toute la surface de la tranche empilée W à mesure que l'angle du faisceau laser pulsé LB balayé par le dispositif de balayage 83 varie dans une plage prédéterminée. [0032] Le dispositif de décimation 82 comporte par exemple un dispositif acousto-optique, et est relié électriquement à l'unité de commande 100. Le dispositif acousto-optique peut être un modulateur optique acoustique (A0M), par exemple. Sur la base d'un signal d'instruction envoyé de l'unité de commande 100 au dispositif de décimation 82, l'oscillateur laser 81 émet un faisceau laser pulsé LBO au dispositif de décimation 82. Le dispositif de décimation 82 décime des impulsions de faisceau laser provenant du faisceau laser pulsé LBO à un rapport souhaité ajustant ainsi la fréquence de récurrence de celui-ci, ajuste l'intensité ou l'énergie d'impulsion du faisceau laser pulsé LB à une valeur souhaitée, en fonction du signal d'instruction, et délivre un faisceau laser pulsé LB avec la fréquence de récurrence ajustée et l'énergie d'impulsion ajustée. [0033] Le dispositif de balayage 83 comporte un dispositif de balayage galvanométrique d'axe X 831 pour balayer les taches du faisceau laser pulsé LB sur la table à mandrin 34 dans les directions X, c'est-à-dire les directions vers la gauche et vers la droite dans la FIG. 3A, et un dispositif de balayage galvanométrique d'axe Y 832 pour balayer les taches du faisceau laser pulsé LB sur la table à mandrin 34 dans les directions Y, c'est-à-dire les directions perpendiculaires à la feuille de la FIG. 3A. Le dispositif de balayage galvanométrique d'axe X 831 comporte un moteur galvano-métrique d'axe X 831a et un miroir de balayage d'axe X 831b monté sur l'arbre de sortie du moteur galvanométrique d'axe X 831a. Le dispositif de balayage galvano-métrique d'axe Y 832 comporte un moteur galvanométrique d'axe Y 832a et un miroir de balayage d'axe Y 832b monté sur l'arbre de sortie du moteur galvanométrique d'axe Y 832a. Lorsque le moteur galvanométrique d'axe X 831a et le moteur galvano-métrique d'axe Y 832a sont excités pour faire tourner leurs arbres de sortie autour de leurs propres axes centraux, le miroir de balayage d'axe X 831b et le miroir de balayage d'axe Y 832b tournent sur des plages angulaires respectives, pour changer les directions dans lesquelles le faisceau laser pulsé LB est réfléchi par le miroir de balayage d'axe X 831b et le miroir de balayage d'axe Y 832b, ce qui permet de po- 10 sitionner les taches du faisceau laser pulsé LB dans des positions souhaitées sur la table à mandrin 34. L'unité de commande 100 stocke des programmes de commande pour commander le dispositif de balayage galvanométrique d'axe X 831 et le dispositif de balayage galvanométrique d'axe Y 832 et peut commander le moteur galvanométrique d'axe X 831a et le moteur galvanométrique d'axe Y 832a pour qu'ils fonctionnent dans des plages prédéterminées respectives de fréquences de fonctionnement, afin de déplacer la position de l'application du faisceau laser pulsé LB sur la table à mandrin 34 à une vitesse souhaitée. Les plages de fréquences de fonctionnement du moteur galvanométrique d'axe X 831a et du moteur galvanométrique d'axe Y 832a ont une valeur limite de 40 Hz. Les plages de fréquences de fonctionnement ont également une valeur maximale admissible de 30 Hz jusqu'à laquelle le moteur galvanométrique d'axe X 831a et le moteur galvanométrique d'axe Y 832a peuvent fonctionner pour une commande de précision sur le faisceau laser pulsé LB. [0034] Par ailleurs, l'unité d'application de faisceau laser 8 comporte un moyen d'ajustement de position de point de focalisation non illustré. Bien que des détails structurels spécifiques du moyen d'ajustement de position de point de focalisation sont omis de l'illustration, le moyen d'ajustement de position de point de focalisation peut comporter une vis à billes s'étendant dans les directions Z et enfilée dans un écrou fixé au condenseur de faisceau 86, et un moteur électrique couplé à une partie d'extrémité de la vis à billes. Le mouvement rotatif du moteur électrique est converti en mouvement linéaire par la vis à billes et l'écrou, et le mouvement linéaire est transmis au condenseur de faisceau 86 pour déplacer le condenseur de faisceau 86 le long d'un rail de guidage non illustré, s'étendant dans les directions Z, ajustant ainsi la position dans les directions Z du point de focalisation du faisceau laser LB, focalisé par le condenseur de faisceau 86. [0035] L'appareil de traitement laser 2 selon le présent mode de réalisation fait partie de l'agencement général décrit ci-dessus. Un fonctionnement de l'appareil de traitement laser 2 sera décrit ci-dessous. Pour traiter la pièce à usiner circulaire avec le faisceau laser pulsé LB sur l'appareil de traitement laser 2, la tranche empilée W supportée sur le cadre annulaire F par le ruban adhésif T est préparée comme le montre la FIG. 2. La tranche empilée W est placée sur le mandrin à aspiration 35 sur la table à mandrin 34 de l'unité de maintien 22, et le moyen d'aspiration non illustré est actionné pour appliquer des forces d'aspiration, par le canal d'aspiration, au mandrin à aspiration 35, qui maintient la tranche empilée W sous aspiration sur celui-ci. En même temps, le cadre annulaire F est serré par les pinces 36 pour maintenir fermement la tranche empilée W sur le mandrin à aspiration 35. [0036] Une fois la tranche empilée W maintenue sur le mandrin à aspiration 35, l'ensemble de mécanisme de déplacement 23 est actionné pour déplacer la table à mandrin 34 dans 11 les directions X et Y pour positionner la tranche empilée W sur la table à mandrin 34, directement sous l'unité d'alignement 90. Lorsque la tranche empilée W a été positionné directement sous l'unité d'alignement 90, l'unité d'alignement 90 capture une image de la tranche empilée W. Sur la base de l'image capturée de la tranche empilée W, l'ensemble de mécanisme de déplacement 23 déplace la table à mandrin 34 dans l'une des directions X pour positionner la tranche empilée W sous le condenseur de faisceau 86. Ensuite, le moyen d'ajustement de position de point de focalisation, non illustré, est actionné pour déplacer le condenseur de faisceau 86 dans les directions Z, en positionnant le point de focalisation du faisceau laser pulsé LB sur la couche tampon 13 à partir du côté du substrat de saphir 12 de la tranche empilée W (voir la FIG. 3B). [0037] Après que le point de focalisation du faisceau laser pulsé LB a été positionné sur la couche tampon 13 comme décrit ci-dessus, une étape de formation de couche de décollement est effectuée pour former une couche de décollement 132 en détruisant la couche tampon 13 comme le montre la FIG. 3B. Au cours de l'étape de formation de couche de décollement, spécifiquement, l'unité de commande 100 actionne le dispositif de décimation 82 et le dispositif de balayage 83 pour balayer les taches du faisceau laser pulsé LB sur la tranche empilée W, en spirale, radialement, d'un côté circonférentiel extérieur de la tranche empilée W comme indiqué par LB1, vers l'intérieur vers le centre de la tranche empilée W comme indiqué par LB2 et LB3, détruisant ainsi la couche tampon 13. [0038] Lorsque l'unité de commande 100 commande le dispositif de balayage 83 pour balayer les taches du faisceau laser pulsé LB sur la tranche empilée W, en spirale, radialement, du côté circonférentiel extérieur de celle-ci vers l'intérieur vers le centre de celle-ci, la fréquence de récurrence et l'énergie d'impulsion du faisceau laser pulsé LB sont ajustées sur la base d'une table d'ajustement 110 (voit la FIG. 5) stockée dans l'unité de commande 100. L'action de la table d'ajustement 110 sera décrite ci-dessous en se référant aux FIG. 4A à 6. [0039] Dans la table d'ajustement 110 illustrée dans la FIG. 5, toute la zone de la tranche empilée W, en partant radialement d'une position circonférentielle le plus à l'extérieur de celle-ci vers l'intérieur vers le centre de celle-ci, telle qu'elle est vue en plan, est divisée en neuf zones 1 à 9 en fonction de la distance par rapport au centre, et des valeurs d'ajustement sont établies pour les zones respectives. Les valeurs d'ajustement comportent des valeurs de la fréquence de récurrence ajustée par le dispositif de décimation 82 et des valeurs de l'énergie d'impulsion indiquée, pour délivrer des niveaux d'énergie d'impulsion appropriés en fonction des valeurs de la fréquence de récurrence. Dans la FIG. 6, l'axe horizontal représente la distance, c'est-à-dire le rayon, en millimètres, par rapport au centre de la tranche empilée W. La FIG. 6 illustre dans 12 une section inférieure comment la fréquence de fonctionnement du dispositif de balayage 83 varie en fonction de la distance, ou du rayon, par rapport au centre de la tranche empilée W, et illustre également dans une section supérieure comment la fréquence de récurrence du faisceau laser pulsé LB, ajustée par le dispositif de décimation 82, varie en fonction de la distance, ou du rayon, par rapport au centre de la tranche empilée W. Comme le montre la FIG. 6, les zones 1 à 9 sont définies de sorte que la zone 1 à partir de la position circonférentielle le plus à l'extérieur occupe la moitié de la distance entre la position circonférentielle le plus à l'extérieur et le centre de la tranche empilée W. la zone 2 à partir de la zone 1 occupe la moitié de la distance restante jusqu'au centre de la tranche empilée W, la zone 3 à partir de la zone 2 occupe la moitié de la distance restante jusqu'au centre de la tranche empilée W, et ainsi de suite. Spécifiquement, la zone 1 est définie comme allant de la position circonférentielle le plus à l'extérieur, qui est espacée de 50 mm du centre, à une position qui est espacée 25 mm du centre, la zone 2 comme allant de la position qui est espacée de 25 mm du centre, à une position qui est espacée de 12,5 mm du centre, et la zone 3 comme allant de la position qui est espacée de 12,5 mm du centre à une position qui est espacée 6,25 mm du centre. Les zones 4 à 9 restantes sont définies comme allant de la même manière jusqu'au centre de la tranche empilée W qui est couverte par la zone 9. [0040] Comme illustré dans les FIG. 4A à 6, dans le cas où un faisceau laser pulsé LB1 commence à être appliqué à la tranche empilée W à partir de la position circonférentielle le plus à l'extérieur de celle-ci, c'est-à-dire la position qui est espacée de 50 min du centre de la tranche empilée W, la fréquence de récurrence du faisceau laser pulsé LBI est réglée sur 200 kHz et l'énergie d'impulsion est réglée sur 10 pJ pour la zone 1. Comme le montre la FIG. 6, la fréquence de fonctionnement du dispositif de balayage 83, au moment où le dispositif de balayage galvanométrique d'axe X 831 et le dispositif de balayage galvanométrique d'axe Y 832 commencent à fonctionner, est réglée sur 12,74 Hz. La fréquence de fonctionnement du dispositif de balayage 83 est réglée sur 12,74 Hz pour les raisons suivantes : La tranche empilée W dont un diamètre est de 100 mm, a une circonférence extérieure de 314 min Dans le cas où les taches de faisceau laser sont espacées à des intervalles de 20 pm, le nombre de taches de faisceau laser appliquées à la circonférence extérieure est 15700. Puisque le faisceau laser pulsé est appliqué à un rythme de 200000 impulsions/seconde avec la fréquence de récurrence de 200 kHz, la fréquence de fonctionnement du dispositif de balayage 83 est calculée comme 200000/15700 = 12,74 par seconde. [0041] Selon le présent mode de réalisation, les taches du faisceau laser pulsé LBI sont balayées sur la tranche empilée W, en spirale à partir de la position circonférentielle le plus à l'extérieur vers le centre de la tranche empilée W, détruisant la couche tampon 13 et la remplaçant par la couche de décollement 132. Comme le montre la FIG. 6, à 13 mesure que le rayon du motif en spirale des taches du faisceau laser pulsé LB] se rétrécit progressivement, et que les centres des taches du faisceau laser pulsé LB] se rapprochent du centre de la tranche empilée W, il est nécessaire d'augmenter graduellement la fréquence de fonctionnement du dispositif de balayage 83 à partir de 12,74 Hz, afin de garder les taches de faisceau laser espacées à intervalles constants. Selon le présent mode de réalisation, lorsque les centres des taches de faisceau laser atteignent la position espacée de 25 mm du centre de la tranche empilée W, la fréquence de fonctionnement du dispositif de balayage 83 atteint 25,48 Hz. Comme la valeur maximale admissible pour la fréquence de fonctionnement du dispositif de balayage 83 est 30 Hz, comme décrit ci-dessus, le dispositif de décimation 82 décime la moitié des impulsions du faisceau laser pulsé LB] avant que la fréquence de fonctionnement du dispositif de balayage 83 n'atteigne 30 Hz, c'est-à-dire avant que les taches du faisceau laser pulsé LB] n'entrent dans la zone 2 définie dans la table d'ajustement 110, dans laquelle un faisceau laser pulsé LB2, dont la fréquence de récurrence a été ajustée à 100 kHz, est appliqué à la tranche empilée W. Puisque la fréquence de récurrence du faisceau laser pulsé LB2 fait la moitié, c'est-à-dire 100 kHz, de la fréquence de récurrence du faisceau laser pulsé LBO émis par l'oscillateur laser 81, la fréquence de fonctionnement du dispositif de balayage 83 n'a pas besoin d'être davantage augmentée et est ramenée de 25,48 Hz à 12.74 Hz, de nouveau, afin que les taches de faisceau laser espacées soient aux mêmes intervalles qu'avant. [0042] Selon le présent mode de réalisation, par ailleurs, dans le cas où les taches balayées en spirale entrent dans la zone 2 et où la fréquence de récurrence du faisceau laser pulsé LB2 a été ajustée sur 100 kHz, l'énergie d'impulsion du faisceau laser pulsé LB2 indiquée par l'unité de commande 100 au dispositif de décimation 82 de l'unité d'application de faisceau laser 8 est ajustée de 10 pJ à 10,5 pJ, sur la base de la valeur réglée dans la table d'ajustement 110 en fonction de la fréquence de récurrence ajustée par le dispositif de décimation 82. [0043] Même après que les taches de faisceau laser sont entrées la zone 2, les taches du faisceau laser pulsé LB2 sont balayées en spirale sur la tranche empilée W. Comme le rayon du motif en spirale se rétrécit progressivement, la fréquence de fonctionnement du dispositif de balayage 83, comportant le dispositif de balayage galvanométrique d'axe X 831 et le dispositif de balayage galvanométrique d'axe Y 832, est graduellement augmentée à partir de 12,74 Hz, de nouveau, de la même manière que dans la zone 1. Comme le montre la FIG. 6, au moment où les taches de faisceau laser atteignent la position espacée de 12,5 min du centre de la tranche empilée W dans la zone 2, la fréquence de fonctionnement du dispositif de balayage 83 atteint 25,48 Hz, proche de la valeur maximale admissible de 30 Hz. Selon le présent mode de réalisation, le dispositif de décimation 82 décime la moitié des impulsions du faisceau 14 laser pulsé LB2 avant que la fréquence de fonctionnement du dispositif de balayage 83 n'atteigne 30 Hz, c'est-à-dire avant que les taches du faisceau laser pulsé LB2 n'entrent dans la zone 3, qui est espacée de moins de 12,5 mm du centre de la tranche empilée W, dans laquelle un faisceau laser pulsé LB3, dont la fréquence de récurrence a été ajustée à 50 kHz, est appliqué à la tranche empilée W. Puisque la fréquence de récurrence du faisceau laser pulsé LB3 fait un quart, c'est-à-dire 50 kHz, de la fréquence de récurrence du faisceau laser pulsé LBO émis par l'oscillateur laser 81, la fréquence de fonctionnement du dispositif de balayage 83 n'a pas besoin d'être davantage augmentée et est ramenée de 25,48 Hz à 12,74 Hz, de nouveau, afin de que les taches de faisceau laser espacées soient aux mêmes intervalles qu'avant. [0044] En outre, dans le cas où les taches balayées en spirale entrent dans la zone 3 et où la fréquence de récurrence du faisceau laser pulsé LB3 a été ajustée à 50 kHz, l'énergie d'impulsion du faisceau laser pulsé LB3 indiquée par l'unité de commande 100 au dispositif de décimation 82 de l'unité d'application de faisceau laser 8 est ajustée de 10,5 pI à 10,8 J. sur la base de la valeur réglée dans la table d'ajustement 110 en fonction de la fréquence de récurrence ajustée par le dispositif de décimation 82. [0045] Comme décrit ci-dessus, à mesure que les taches du faisceau laser pulsé LB sont balayées sur la tranche empilée W, en spirale et en continu vers le centre de celle-ci, les taches de faisceau laser entrent dans la zone 4 à partir de la zone 3 et passent ensuite par les zones 5 à 8 avant d'entrer enfin dans la zone 9 qui couvre le centre de la tranche empilée W. À ce moment, la fréquence de récurrence du faisceau laser pulsé LB indiquée par le dispositif de décimation 82, et l'énergie d'impulsion qui en dépend, sont ajustées sur la base des valeurs d'ajustement définies dans la table d'ajustement 110 illustrée dans la FIG. 5. En appliquant ainsi le faisceau laser pulsé LB à la tranche empilée W, de la circonférence extérieure au centre de celle-ci, les taches de faisceau laser sont positionnées à intervalles constants sur toute la zone de la couche tampon 13 de la tranche empilée W, formant uniformément la couche de décollement 132 qui remplace la couche tampon 13. [0046] Les conditions de traitement laser au cours de l'étape de formation de couche de dé- collement décrite ci-dessus sont établies comme suit : Longueur d'onde : 266 nm Fréquence de récurrence : de 200 à 0,781 kHz Puissance de sortie moyenne : 2 W Énergie d'impulsion : 10 à 12,5 pJ Diamètre de tache : 50 pm Intervalle de tache : 20 'lm [0047] La limite supérieure, c'est-à-dire 25,48 Hz, de la plage de fréquences de fonc- tionnement du dispositif de balayage 83 définie dans la table d'ajustement 110, est réglée comme valeur maximale admissible du dispositif de balayage 83 comme décrit ci-dessus. La limite inférieure, c'est-à-dire 12,74 Hz, de la plage dc fréquences dc fonctionnement est d'une valeur déterminée d'elle-même, comme décrit ci-dessus lorsque le faisceau laser pulsé est appliqué à la fréquence dc récurrence de 200 kHz avant la décimation d'impulsion, pour balayer les taches de faisceau laser à l'intervalle de taches de 20 pm sur la circonférence de 314 mm, à la position circonférentielle le plus à l'extérieur de la tranche empilée W. La présente invention ne se limite donc pas à la plage numérique illustrée. [0048] Après que la couche de décollement 132 a été formée, remplaçant entièrement la couche tampon 13 dans la tranche empilée W comme décrit ci-dessus, le substrat dc saphir 12 est décollé de la tranche empilée W le long de la couche de décollement 132 par un moyen de décollement non illustré, comme le montre la FIG. 7. La couche électroluminescente 11 est à présent replacée sur le substrat de replacement 16, complétant une nouvelle tranche électroluminescente 10'. [0049] Selon le mode de réalisation décrit ci-dessus, au cours de l'étape dc formation dc couche de décollement, les réglages de l'énergie d'impulsion correspondant à la fréquence de récurrence ajustée sont établis dans la table d'ajustement 110, et l'énergie d'impulsion est ajustée sur la base des réglages dans la table d'ajustement 110. Les raisons des réglages ainsi établis et un processus pour établir les réglages dc l'énergie d'impulsion seront décrits ci-dessous. [0050] Selon le mode de réalisation ci-dessus, le faisceau laser pulsé LBO émis par l'oscillateur laser 81 est converti en faisceau laser pulsé LB dont la fréquence de récurrence est ajustée par le dispositif de décimation 82 qui décime des impulsions à un rapport prédéterminé, à partir du faisceau laser pulsé LBO, et le faisceau laser pulsé LB est appliqué à la tranche empilée W. L'énergie d'impulsion du faisceau laser pulsé LBO est ajustée à un niveau d'énergie d'impulsion souhaité par un signal d'instruction, envoyé de l'unité de commande 100 au dispositif de décimation 82. Dans le cas où l'étape de formation de couche de décollement a été effectuée avec une énergie d'impulsion non pas ajustée, mais maintenue à une valeur fixe de 10 pJ, il a été confirmé que les taches de faisceau laser balayées sur la tranche empilée W le long de la couche tampon 13 étaient espacées à intervalles constants, la fréquence de fonctionnement du dispositif de balayage 83 n'a pas dépassé la valeur maximale admissible, et la couche de décollement 132 a été formée, remplaçant entièrement la couche tampon 13. Cependant, une confirmation de l'état d'une partie de la couche de décollement 132 qui a remplacé la couche tampon 13 sur un côté circonférentiel extérieur de la tranche empilée W, et de l'état d'une partie de la couche de décollement 132 qui a remplacé la couche tampon 13 sur un côté circonférentiel intérieur de la tranche empilée W a révélé que les états de ces parties de la couche de décollement 16 132 ne concordaient pas entre eux. [0051] Le phénomène ci-dessus peut éventuellement, mais pas clairement, être causé par la capacité de suivi de commande du dispositif de décimation 82, et la réduction de la fréquence de récurrence. Au cours de l'étape de formation de couche de décollement ci-dessus, puisque la fréquence de récurrence du faisceau laser pulsé est abaissée afin de garder les taches de faisceau laser où le faisceau laser pulsé est appliqué à la tranche empilée W à intervalles constants, tandis que la fréquence de fonctionnement du dispositif de balayage 83 est maintenue en-dessous de la valeur admissible, les intervalles de temps entre des taches de faisceau laser adjacentes sont augmentés, bien que les intervalles d'espace entre les taches de faisceau laser adjacentes restent constants. Les intervalles de temps augmentés entre des taches de faisceau laser adjacentes sont considérés comme étant responsables du phénomène ci-dessus. [0052] Afin de résoudre le problème ci-dessus en ajustant l'énergie d'impulsion, les in- venteurs de la présente invention ont préparé des tranches factices, telles que des tranches de silicium, destinées à être utilisées dans les tests et les expériences menées selon le processus suivant : [0053] (1) Avec l'énergie d'impulsion réglée sur 10 p.,1, la fréquence de récurrence sur 200 kHz, et l'intervalle de taches sur 20 pm, un faisceau laser pulsé a été appliqué à l'une des tranches factices, puis une image de marques traitées au laser laissées sur la tranche factice a été capturée par une unité de capture d'images, et la couleur des marques traitées au laser a été évaluée par 256 nuances de couleur. [0054] (2) Ensuite, des faisceaux laser pulsés ayant des fréquences de récurrence variant en huit étapes de 100 kHz, 50 kHz, 25 kHz, ... 0,781 kHz, qui sont les mêmes que celles établies pour les zones 2 à 8 dans la table d'ajustement 110 décrite ci-dessus, ont été appliqués à l'intervalle de taches de 20 pm à une autre des tranches factices. L'énergie d'impulsion a varié de 0,1 p.1 pour chacun des stades dans une plage prédéterminée de 10 à 13 pJ, par exemple. Ensuite, une image de marques traitées au laser laissées sur la tranche factice a été capturée par une unité de capture d'images, et la couleur des marques traitées au laser a été évaluée par 256 nuances de couleur pour chacun des stades à chacune des variations d'énergie d'impulsion. [0055] (3) La couleur des marques traitées au laser obtenue en G) a été utilisée comme couleur de référence, et les changements de couleur dans les stades respectifs obtenus en (2), c'est-à-dire aux fréquences de récurrence respectives, ont été comparés avec la couleur de référence pour identifier des marques traitées au laser des couleurs les plus proches de la couleur de référence, aux fréquences de récurrence. Les niveaux d'énergie d'impulsion au moment où les marques traitées au laser des couleurs les plus proches ont été produites ont été sélectionnés comme niveaux d'énergie d'impulsion appropriés aux fréquences de récurrence respectives, et ont été établis dans la table 17 d'ajustement 110 illustrée dans la FIG. 5. [0056] En établissant de la sorte les niveaux d'énergie d'impulsion appropriés correspondant aux zones respectives dans la table d'ajustement 110, il a été possible de former une couche de décollement 132 plus uniforme, qui remplace la couche tampon 13 même si l'on a fait varier la fréquence de récurrence du faisceau laser pulsé LB et la fréquence de fonctionnement du dispositif de balayage 83 comme dans le mode de réalisation ci-dessus. Les processus (1) à (3) peuvent être effectués manuellement par l'opérateur, bien qu'ils puissent, en variante, être réalisés par un processus automatique effectué par un programme informatique, comportant un programme de commande basé sur une combinaison d'un programme de traitement d'images pour déterminer les couleurs, et d'autres programmes. [0057] Dans le mode de réalisation ci-dessus, la présente invention est appliquée à un exemple dans lequel le substrat de replacement 16 est assemblé à la tranche électroluminescente 10, le faisceau laser pulsé est appliqué à la tranche empilée W, tandis que le point de focalisation est positionné sur la couche tampon 13, la couche tampon 13 est détruite et remplacée par la couche de décollement 132, et le substrat de saphir 12 est décollé de la tranche empilée W le long de la couche de décollement 132, produisant la nouvelle tranche électroluminescente 10' avec la couche électroluminescente 11 replacée. Cependant, la présente invention ne se limite pas au mode de réalisation illustré et est également applicable à un processus de prétraitement précédant un processus de rectification d'une pièce à usiner, telle qu'une tranche de silicium par exemple, dans lequel un faisceau laser est appliqué en motif en spirale à une surface supérieure de la pièce à usiner afin d'accélérer le processus de rectification. [0058] La présente invention ne se limite pas aux détails du mode de réalisation préféré décrit ci-dessus. La portée de l'invention est définie par les revendications annexées et tous les changements et modifications qui entrent dans l'équivalence de la portée des revendications doivent donc être inclus dans l'invention. 18 [Revendication 1] [Revendication 2] REVENDICATIONSAppareil de traitement laser (2) comprenant : une table à mandrin (34) configurée pour maintenir une pièce à usiner ; une unité d'application de faisceau laser (8), configurée pour appliquer un faisceau laser pulsé à la pièce à usiner maintenue par la table à mandrin (34) tout en positionnant des taches du faisceau laser pulsé sur la pièce à usiner, traitant ainsi la pièce à usiner avec le faisceau laser pulsé ; et une unité de commande (100) configurée pour commander le fonctionnement de l'unité d'application de faisceau laser (8) ; dans lequel l'unité d'application de faisceau laser (8) comporte : - un oscillateur laser (81) configuré pour faire osciller un laser pulsé, afin d'émettre un faisceau laser pulsé, - un dispositif de décimation (82) configuré pour décimer les impulsions du faisceau laser pulsé, afin d'ajuster une fréquence de récurrence du faisceau laser pulsé, - un dispositif de balayage (83) configuré pour balayer les taches du faisceau laser pulsé sur la pièce à usiner à des intervalles prédéterminés, et - une lentille f0 (85) configurée pour focaliser le faisceau laser pulsé, et l'unité de commande (100) est configurée pour faire fonctionner le dispositif de décimation (82) pour garder une fréquence de fonctionnement du dispositif de balayage (83) dans une plage prédéterminée de fréquences de fonctionnement, afin de décimer les impulsions du faisceau laser pulsé émis par l'oscillateur laser (81), ajustant ainsi la fréquence de récurrence du faisceau laser pulsé délivré par le dispositif de décimation (82). Appareil de traitement laser (2) selon la revendication 1, dans lequel l'unité de commande (100) est configurée pour: - commander le dispositif de balayage (83) pour balayer les taches du faisceau laser pulsé sur la pièce à usiner, en spirale vers l'intérieur à partir d'une circonférence extérieure de celle-ci, et. pour augmenter la fréquence de fonctionnement du dispositif de balayage (83) à mesure que les taches du faisceau laser pulsé se déplacent vers l'intérieur sur la pièce à usiner, afin de réduire un rayon d'un motif en spirale des taches, et - commander le dispositif de décimation (82) pour abaisser la fréquence 19 [Revendication 3] [Revendication 4] de récurrence du faisceau laser pulsé, et commande le dispositif de balayage (83) pour abaisser la fréquence de fonctionnement du dispositif de balayage (83) avant que la fréquence de fonctionnement du dispositif de balayage (83) ne dépasse la plage prédéterminée de fréquences de fonctionnement. Appareil de traitement laser (2) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'unité de commande (100) comporte une table d'ajustement contenant des niveaux d'énergie d'impulsion correspondant respectivement à des fréquences de récurrence ajustées par décimation des impulsions provenant du faisceau laser pulsé par le dispositif de décimation (82) et établies dans la table d'ajustement, et le dispositif de décimation (82) comporte un dispositif acousto-optique configure pour ajuster la fréquence de récurrence du faisceau laser pulsé émis par l'oscillateur laser (81), et pour ajuster l'énergie d'impulsion indiquée à l'unité d'application de faisceau laser (8), sur la base des niveaux d'énergie d'impulsion correspondant aux fréquences de récurrence établies dans la table d'ajustement. Appareil de traitement laser (2) selon l'une quelconque des revendications 1 à3, dans lequel la pièce à usiner comporte une tranche empilée (W) comprenant une tranche électroluminescente (10) comportant un substrat d'épitaxie (12) et une couche électroluminescente avec une couche tampon (13) interposée entre elles, et un substrat de replacement (16) disposé sur la couche électroluminescente de la tranche électroluminescente (10), l'unité de commande (100) est configurée pour commander l'unité d'application de faisceau laser (8) pour appliquer le faisceau laser pulsé tout en positionnant les taches du faisceau laser pulsé sur la couche tampon (13), détruisant ainsi la couche tampon (13) et remplaçant la couche tampon (13) par une couche de décollement (132), et le substrat d'épitaxie (12) est décollé de la couche électroluminescente pour replacer la couche électroluminescente sur le substrat de replacement (16).