Brevet FR3092727A1 — publié le 20200821

Description Titre de l'invention : Procédé de préparation de composés de cuivre Domaine technique [0001] La présente invention concerne un procédé de préparation de composés fongicides au cuivre. Plus particulièrement, la présente invention concerne un procédé continu de production de sulfate de cuivre tribasique (TBCS). Technique antérieure [0002] Le sulfate de cuivre tribasique (TBCS, représenté par la formule Cu4(OH)6SO4) est un fongicide au cuivre bien connu qui présente une variété d'utilisations incluant, sans y être limité, la lutte contre des maladies bactériennes et fongiques des cultures de fruits, de légumes, dc fruits à coque et de grandes cultures et utilisé comme fongicide protecteur. [0003] Un procédé de production de composés du cuivre décrit dans la demande W091/01942 comprend l'étape de mise en contact de cuivre métallique avec de l'oxygène ou un gaz contenant de l'oxygène, et une solution aqueuse constituée essentiellement d'eau en solution dans laquelle se trouve, à une concentration jusqu'à sa limite dc solubilité, un sel d'ammonium soluble, avec dc l'ammoniac en une quantité telle que ladite solution est initialement alcaline, ce par quoi, en résultat de ladite mise en contact, ledit cuivre métallique est initialement dissous pour former une amine de cuivre, ladite formation d'amine se déroulant jusqu'à atteindre la concentration dc saturation de ladite amine, après quoi ladite amine se décompose en continu pour former le sel tribasique insoluble dans l'eau. [0004] Cc procédé est mis en oeuvre dans le réacteur équipé d'un agitateur à grande vitesse et à grande vélocité (vitesse minimale dc pointe dc 500 mètres/minute). Une grille sépare le cuivre et la suspension agitée. Dans ce procédé, toutes les étapes du procédé s'effectuent dans le même réacteur/récipient et l'utilisation d'un agitateur à grande vitesse crée une difficulté pour ajouter du cuivre au cours de la réaction. Cc procédé nécessite une consommation élevée d'énergie électrique. [0005] 11 existe un besoin de développer un procédé simple, rentable et viable commer- cialement pour la préparation à grande échelle de composés du cuivre. Dans une tentative pour répondre à ce besoin, la présente invention a pour objet un procédé rentable et industriellement viable pour la préparation à grande échelle de composés fongicides au cuivre, de préférence choisis parmi de l'oxyde de cuivre, de l'oxychlorure de cuivre, de l'acétate de cuivre, du carbonate de cuivre, de l'hydroxyde de cuivre, du naphténate de cuivre, de l'oléate de cuivre, du silicate de cuivre et du sulfate de cuivre tribasique. Ce procédé évite l'utilisation de méthodes compliquées et 2 coûteuses. La présente invention a notamment pour objet une préparation à grande échelle industriellement viable de composés du cuivre tels que le TBCS. La présente invention a également pour objet une formulation comprenant le composé de cuivre préparé selon le procédé de la présente invention, un kit comprenant ledit composé de cuivre, éventuellement au moins un fongicide supplémentaire et un procédé d'utilisation de celui-ci. Exposé de l'invention [0006] Selon un aspect, la présente invention a pour objet un procédé simple et économique de production de composé du cuivre ou de fongicide au cuivre. Ce procédé est aisément adaptable à une échelle commerciale. [0007] Selon un autre aspect, la présente invention a pour objet un procédé pour préparer des fongicides au cuivre, ledit procédé comprenant la réduction du pH d'un précurseur de fongicide au cuivre en l'absence dc cuivre métallique. [0008] Selon un autre aspect, la présente invention a pour objet un procédé pour préparer un fongicide au cuivre, ledit procédé comprenant : a) la réaction de cuivre métallique avec un complexe cuivre-tétrarnine pour former un complexe cuivre-diamine ; h) l'oxydation du complexe cuivre-diamine pour former le précurseur de fongicide au cuivre ; et c) la modification du pH du précurseur de fongicide au cuivre en l'absence de cuivre pour former le fongicide au cuivre. [0009] Selon un autre aspect, la présente invention a pour objet un procédé commercial de production dc composés dc cuivre comprenant la mise en oeuvre séparément des étapes réactionnelles d'attaque au cuivre et de modification du pH. [0010] Selon un autre aspect, la présente invention a pour objet un procédé pour préparer un fongicide au cuivre, ledit procédé comprenant la réduction du pH d'une suspension de complexe précurseur de fongicide au cuivre à l'aide d'un modificateur de pH. [0011] Selon un autre aspect, la présente invention a pour objet un procédé continu pour préparer un composé fongicide au cuivre comprenant la réaction de cuivre métallique avec un complexe cuivre-tétraamine pour former un complexe cuivre-diamine dans un premier récipient l'oxydation du complexe cuivre-diamine pour obtenir le précurseur de fongicide au cuivre en tant que complexe cuivre-tétraatnine ; l'extraction en continu du précurseur de fongicide au cuivre à partir d'une suspension du complexe cuivretétraamine et la modification du pH à l'aide d'un modificateur de pH approprié dans un second réacteur. [0012] Selon un autre aspect, la présente invention a pour objet une formulation fongicide comprenant : 3 (a) au moins un fongicide au cuivre préparé par le procédé comprenant la modification du pH d'un précurseur de fongicide au cuivre en l'absence de cuivre ; et (h) au moins un excipient acceptable sur le plan agrochimique. [0013] Selon encore un autre aspect, la présente invention a pour objet un procédé pour préparer une formulation fongicide, ledit procédé comprenant : a) la préparation d'un fongicide au cuivre par un procédé comprenant la modification du pH d'un précurseur de fongicide au cuivre en l'absence de cuivre ; et h) le mélange du fongicide au cuivre préparé avec au moins un excipient acceptable sur le plan agrochimiquc pour préparer la formulation fongicide. [0014] Selon un autre aspect, la présente invention a pour objet un procédé pour préparer une formulation fongicide, ledit procédé comprenant : a) la préparation d'un fongicide au cuivre par un procédé comprenant la modification du pH d'un précurseur de fongicide au cuivre en l'absence de cuivre ; h) l'ajout d'au moins une autre substance agrochimique au fongicide au cuivre ; et c) l'ajout d'au moins un excipient acceptable sur le plan agrochimique pour préparer la formulation fongicide. [0015] Selon un autre aspect, la présente invention a pour objet un kit comprenant une for- mulation fongicide, ladite formulation comprenant au moins un fongicide au cuivre préparé par le procédé comprenant la modification du pH d'un précurseur de fongicide au cuivre en l'absence de cuivre et au moins un excipient acceptable sur le plan agrochimique. [0016] Selon un autre aspect, la présente invention a pour objet un kit comprenant au moins un fongicide au cuivre choisi parmi de l'oxyde de cuivre, de l'oxychlorure de cuivre, de l'acétate de cuivre, du carbonate de cuivre, de l'hydroxyde de cuivre, du naphténate de cuivre, de l'oléate de cuivre, du silicate de cuivre et du sulfate de cuivre tribasique produit par le procédé tel que décrit ici. [0017] Selon l'un de ses aspects, l'invention concerne au moins l'un des points suivants. [0018] Point 1 : Procédé de préparation d'un fongicide au cuivre, ledit procédé comprenant les étapes consistant à réduire le pH d'un précurseur de fongicide au cuivre en l'absence de cuivre. [0019] Point 2 : Procédé comme dans le point 1, qui comprend la réduction du pH dudit précurseur de fongicide au cuivre en présence d'un agent neutralisant. [0020] Point 3 : Procédé comme dans le point 1, dans lequel ledit fongicide au cuivre est du sulfate de cuivre tribasique et ledit précurseur de fongicide au cuivre est un complexe cuivre-tétramine. [0021] Point 4 : Procédé comme dans le point 1, dans lequel : (a) le fongicide au cuivre est de l'oxychlorure de cuivre, le précurseur de fongicide au cuivre est un complexe cuivre-tétraamine et l'agent neutralisant est l'acide chlor- hydrique ; ou (h) le fongicide au cuivre est de l'acétate de cuivre, le précurseur de fongicide au cuivre est de l'oxyde de cuivre ou du carbonate de cuivre et l'agent neutralisant est l'acide acétique ; ou (c) le fongicide au cuivre est du carbonate de cuivre et l'agent neutralisant est l'acide carbonique ou le dioxyde de carbone ; ou (d) le fongicide au cuivre est du naphténate de cuivre et l'agent neutralisant est l'acide naphténiquc ; ou (e) le fongicide au cuivre est de l'oléate de cuivre et l'agent neutralisant est l'acide oléique ; ou (f) le fongicide au cuivre est du silicate de cuivre et l'agent neutralisant est l'acide sil ic igue ; ou (g) le fongicide au cuivre est du sulfate de cuivre tribasique, le précurseur de fongicide au cuivre est un complexe cuivre-tétraaminc et l'agent neutralisant est l'acide sulfurique. [0022] Point 5 : Procédé comme dans le point 1, dans lequel le fongicide au cuivre est le sulfate de cuivre tribasique, le précurseur de fongicide au cuivre est un complexe cuivre-tétraamine et l'agent neutralisant est l'acide sulfurique. [0023] Point 6 : Procédé comme dans le point 5, dans lequel ledit complexe cuivre-té- traamine est préparé en faisant réagir un complexe cuivre-diamine avec de l'oxygène en présence de cuivre. [0024] Point 7 : Procédé comme dans le point 6, dans lequel le complexe cuivre-diamine est préparé en faisant réagir un complexe cuivre-tétraamine avec du cuivre. [0025] Point 8 : Procédé comme dans le point 5, dans lequel ledit fongicide au cuivre est préparé en modifiant le pH d'un précurseur de fongicide au cuivre. [0026] Point 9 : Procédé pour préparer un fongicide au cuivre comprenant : (a) la réaction de cuivre métallique avec un complexe cuivre-tétraamine pour obtenir un complexe cuivre-diamine ; (b) l'oxydation du complexe cuivre-diamine pour obtenir le précurseur de fongicide au cuivre ; et (c) la modification du pH du précurseur de fongicide au cuivre en l'absence de cuivre pour former le fongicide au cuivre. [0027] Point 10 : Procédé comme dans le point 9, dans lequel ladite étape (c) s'effectue sé- parément en l'absence de cuivre métallique. [0028] Point 11 : Fongicide au cuivre choisi parmi de l'oxyde de cuivre, de l'oxychlorure de cuivre, de l'acétate de cuivre, du carbonate de cuivre, de l'hydroxyde de cuivre, du naphténate de cuivre, de l'oléate de cuivre, du silicate de cuivre ou du sulfate de cuivre tribasique produit par le procédé selon l'un quelconque des points 1 à 10. [0029] Point 12 : Fongicide au cuivre ayant une taille de particule D50 entre 3 jusqu'à environ 20 microns. [0030] Point 13 : Fongicide au cuivre comme dans le point 12 qui est du sulfate de cuivre tribasiquc. [0031] Point 14 : Procédé pour préparer une formulation fongicide, ledit procédé comprenant : (a) la préparation d'un fongicide au cuivre par un procédé comprenant la modification du pH d'un précurseur de fongicide au cuivre en l'absence de cuivre ; et (h) le mélange du fongicide au cuivre préparé avec au moins un excipient acceptable sur le plan agrochimiquc pour préparer la formulation fongicide. [0032] Point 15 : Procédé pour préparer une formulation fongicide, ledit procédé comprenant : (a) la préparation d'un fongicide au cuivre par un procédé comprenant la modi- fication du pH d'un précurseur de fongicide au cuivre en l'absence de cuivre ; (h) l'ajout d'au moins une autre substance agrochimiquc au fongicide au cuivre préparé à l'étape (a) ; et (c) le mélange du fongicide au cuivre préparé avec au moins un excipient acceptable sur le plan agrochimiquc pour préparer la formulation fongicide. [0033] Point 16 : Procédé comme dans le point 15, dans lequel ladite deuxième substance agrochimiquc est un fongicide. [0034] Point 17 : Formulation fongicide comprenant : (a) au moins un fongicide au cuivre préparé par un procédé comprenant la modification du pH d'un précurseur de fongicide au cuivre en l'absence de cuivre ; et (b) au moins un excipient acceptable sur le plan agrochimique. [0035] Point 18 : Formulation selon le point 17 comprenant au moins une autre substance agrochimique. [0036] Point 19 : Formulation selon le point 17 comprenant au moins un deuxième fongicide. [0037] Point 20 : Formulation comme dans le point 19, dans laquelle le deuxième fongicide est choisi parmi : (a) au moins un fongicide multisite choisi parmi : (i) du soufre élémentaire ; (ii) des fongicides au dithiocarbamate choisis parmi l'amobam, l'asomate, 1'azithiram, le carbamorph, le cutianeb, le cuprobam, le disulfiram, le ferbam, le métam, le nabam, le técoram, le thiram, l'urbacide, le ziram, le dazomet, l'étem, le milneb, le mancopper, le mancozeb, le maneb, le métiram, le polycarbamate, le propineb et le zineb ; (iii) des fongicides au phtalimide choisis parmi le folpet, le captan et le captafol ; 6 (iv) le chlorthalonil ; (y) des fongicides au sulfamide choisis parmi le dichlofluanide et le tolylfluanidc ; (vi) des fongicides à la guanidine choisis parmi la dodinc, la guazantine et l'iminoctadinc ; (vii) l'anilazinc ; (viii) le dithianon ; et (ix) des combinaisons de ceux-ci ; ou ; (h) au moins un fongicide systémique choisi parmi: (i) un inhibiteur externe de la quinone choisi parmi le fénamidonc, le famoxadone et un fongicide à la strobilurine choisi dans le groupe constitué d'azoxystrohine, mandestrohine, cournoxystrobine, énoxastrobine, flufénoxystrobinc, pyraoxystrobine, dimoxystrobinc, énestrobine, fluoxastrohine, krésoxim-méthyle, métominostrohine, orysastrohine, picoxystrobinc, pyramétostrohine, triclopyricarb, fénaminstrobinc, pyraclostrohine et trifloxystrobinc ; (ii) un inhibiteur interne de la quinone choisi parmi le cyazofamidc et l'amisulhrom ; (iii) un inhibiteur de déméthylation choisi parmi le triflumizole, le triforine, le pyridinitrile, le pyrifénox, le fénarimol, le nuari mol, le triari mol et un fongicide au conazole choisi dans le groupe constitué de cl imbazole, clotrimazole, imizalil, oxpoconazole, prochloraz, prochloraz-manganèse, triflumizole, azaconazole, bitertanolc, bromuconazole, cyproconazole, diclobutrazol, difénoconazole, diniconazole diniconazole-M, époxiconazole, étaconazole, fenbuconazole, fluotrimazole, fluquinconazole, flusilazole, flutriafol, furconazole, furconazole-cis, hexaconazole, imibenconazole, ipconazole, métconazole, myclobutanil, pencoconazole, propiconazole, prothioconazole, quinconazole, siméconazole, tébuconazole tétraconazole triadiméfon, triadiménol, triticonazole, uniconazole, perfurazoate et uniconazole-P ; (iv) un inhibiteur de succinate déshydrogénase choisi dans le groupe constitué de bénodanil, flutolanil, mépronil, fluopyram, fenfuram, carboxine, oxycarboxine, thifluzamide, bixafen, fluxapyroxad, furamétpyr, isopyrazam, penflufen, penthiopyrad, sedaxane et boscalid ; et (y) des combinaisons de ceux-ci. [0038] Point 21 : Formulation fongicide selon le point 17 comprenant au moins un troisième fongicide. [0039] Point 22 : Formulation fongicide selon le point 20, dans laquelle le fongicide systémique est une combinaison (i) d'un fongicide à la strobilurine choisi parmi la trifloxystrobine, la picoxystrobine, l'azoxystrobine ou la pyraclostrobine ; et (ii) d'un fongicide au conazole choisi parmi le prothioconazole, le tébuconazole, le cyproconazole, l'époxiconazole, le métconazole et le tébuconazole 7 100401 Point 23 : Procédé de lutte contre des champignons au niveau d'un locus, ledit procédé comprenant l'administration de la formulation fongicide selon les points 17 à 22 audit locus. [0041] Point 24 : Kit comprenant au moins un fongicide au cuivre choisi parmi de l'oxyde de cuivre, de l'oxychlorure de cuivre, de l'acétate de cuivre, du carbonate de cuivre, de l'hydroxyde de cuivre, du naphténate de cuivre, de l'oléate de cuivre, du silicate de cuivre et un sulfate de cuivre trihasique produit par le procédé selon l'un quelconque des points 1 à 16. Brève description des dessins [0042] [fig.1] représente un organigramme de procédé selon un mode de réalisation de la présente invention. [0043] W8.21 représente un modèle général du système de réaction continu pour produire du TBCS selon un aspect de la présente invention. [0044] [fig.3] représente un organigramme du procédé selon un aspect de la présente invention. Description détaillée [0045] Les présents et autres aspects, caractéristiques et avantages de la présente invention seront mieux compris et/ou illustrés en considérant la description détaillée suivante conjointement au dessin en annexe. [0046] Au sens de la description détaillée qui va suivre, il faut comprendre que l'invention peut prendre diverses variantes et séquences d'étapes, sauf indication expresse du contraire. Par ailleurs, autrement que dans tous les exemples opératoires, ou dans le cas d'une mention contraire, tous les nombres exprimant, par exemple, des quantités de matériaux/ingrédients utilisés dans la description doivent être compris comme étant modifiés en toutes circonstances par le terme « environ ». 100471 Ainsi, avant de décrire en détail la présente invention, il faut comprendre que la présente invention n'est pas limitée à des systèmes particuliers donnés à titre d'exemple ou à des paramètres de procédé qui peuvent bien entendu varier. On notera que, sauf indication contraire, tous les pourcentages indiqués dans la présente description se réfèrent à des pourcentages en poids de la composition totale. Il faut également comprendre que la terminologie utilisée ici a pour but de décrire uniquement des modes de réalisation particuliers de l'invention, et qu'elle n'est pas destinée à limiter la portée de l'invention d'une quelconque manière. L'utilisation d'exemples en tout endroit de la présente description, y compris des exemples de tous les termes considérés ici, est uniquement à des fins d'illustration, et ne limite en aucune façon la portée et la signification de l'invention ou de tout terme exemplifié_ De même, l'invention n'est pas limitée à divers modes de réalisation donnés dans la présente des- 8 cription. Sauf indication contraire, tous les termes techniques et scientifiques utilisés ici ont la même signification que celle couramment comprise par l'homme du métier auquel se rapporte la présente invention. En cas de conflit, le présent document, y compris les définitions, prévaudra. [0048] Les termes « préféré » et « préférablement » se réfèrent à des modes de réalisation de l'invention qui peuvent apporter certains avantages, dans certaines circonstances. Toutefois, d'autres modes de réalisation peuvent également être préférés, dans des circonstances identiques ou différentes. Par ailleurs, la citation d'un ou plusieurs modes de réalisation préférés n'implique pas que d'autres modes de réalisation ne sont pas utiles et n'est pas destinée à exclure d'autres modes de réalisation de la portée de l'invention. [0049] Tels qu'ils sont utilisés ici, les termes « comprenant », « incluant », « ayant », « contenant », « impliquant » et similaires doivent être compris comme étant ouverts, c'est-à-dire comme signifiant y compris, mais sans y être limité. [0050] Dans le cadre de la présente invention, on définit le terme « réacteur » comme un appareil utilisé pour réaliser une réaction chimique. [0051] Tel qu'il est utilisé ici, le terme « récipient » ou « colonne » est n'importe quel moyen à parois dans lequel un fluide est contenu et transporté. [0052] La présente invention a pour objet un procédé simple, rentable et industriellement viable pour la préparation de composés de cuivre ou de fongicides au cuivre. [0053] La présente invention a donc pour objet, sous un aspect, un procédé de préparation d'un fongicide au cuivre, ledit procédé comprenant la modification du pH d'un précurseur de fongicide au cuivre en l'absence de cuivre. [0054] Dans un mode de réalisation, la modification du pH du précurseur de fongicide au cuivre comprend la réduction du pH dudit précurseur de fongicide au cuivre en présence d'un agent neutralisant. [0055] Dans un mode de réalisation, le fongicide au cuivre est de l'oxyde de cuivre et le précurseur de fongicide au cuivre est un complexe cuivre-tétramine. [0056] Dans un mode de réalisation, la modification du pH d'un précurseur de fongicide au cuivre en l'absence de cuivre s'effectue en l'absence d'agent neutralisant. [0057] Dans un mode de réalisation, le précurseur de fongicide au cuivre est du sulfate de cuivre. [0058] Dans un mode de réalisation, le procédé s'effectue en présence d'une base. [0059] Dans un mode de réalisation, le fongicide au cuivre est de l'oxychlorure de cuivre, le précurseur de fongicide au cuivre est un complexe cuivre-tétramine et l'agent neutralisant est l'acide chlorhydrique. [0060] Dans un mode de réalisation, le fongicide au cuivre est de l'acétate de cuivre, le précurseur de fongicide au cuivre est de l'oxyde de cuivre, du sulfate de cuivre ou du 9 carbonate de cuivre et l'agent neutralisant est l'acide acétique. [0061] Dans un mode de réalisation, le fongicide au cuivre est du carbonate de cuivre et l'agent neutralisant est l'acide carbonique ou le dioxyde de carbone. [0062] Dans un mode de réalisation, le fongicide au cuivre est de l'hydroxyde de cuivre et l'agent neutralisant est de l'eau en excès. [0063] Dans un mode de réalisation, le fongicide au cuivre est du naphténate de cuivre et l'agent neutralisant est l'acide naphténique. [0064] Dans un mode de réalisation, le fongicide au cuivre est de l'oléate de cuivre et l'agent neutralisant est l'acide oléique. [0065] Dans un mode de réalisation, le fongicide au cuivre est du silicate de cuivre et l'agent neutralisant est l'acide silicique. [0066] Dans un mode de réalisation, le fongicide au cuivre est du sulfate de cuivre tribasiquc, le précurseur de fongicide au cuivre est un complexe cuivre-tétraaminc et l'agent neutralisant est l'acide sulfurique. [0067] Dans un mode de réalisation, le procédé s'effectue en l'absence de cuivre en étant effectué dans un récipient de réaction constitué d'un matériau autre que le cuivre. [0068] Dans un mode de réalisation, le complexe cuivre-tétraamine est préparé en faisant réagir un complexe cuivre-diamine avec de l'oxygène. [0069] Dans un mode de réalisation, l'étape de préparation du complexe cuivre-tétraamine s'effectue dans un récipient en cuivre. [0070] Dans un mode de réalisation, les étapes de préparation du fongicide au cuivre et du complexe cuivre-tétraamine s'effectuent séparément. [0071] Dans un mode de réalisation, le complexe cuivre-diamine est préparé en faisant réagir un complexe cuivre-tétramine avec du cuivre. [0072] Dans un mode de réalisation, l'étape de préparation du complexe cuivre-diamine s'effectue dans un récipient en cuivre. [0073] Dans un mode de réalisation, l'étape de procédé consistant à préparer le fongicide au cuivre s'effectue séparément des étapes de procédé consistant à préparer le complexe cuivre-tétraarnine ou de l'étape de procédé consistant à préparer le complexe cuivre-diamine. [0074] Dans un mode de réalisation, l'étape de procédé consistant à préparer le complexe cuivre-tétraarnine et l'étape de procédé consistant à préparer le complexe cuivre-diamine s'effectuent dans le même récipient. Dans un mode de réalisation, le récipient est un récipient en cuivre. [0075] Dans un mode de réalisation, le récipient de réaction est un réacteur à colonne à base de cuivre. [0076] Dans un mode de réalisation, le procédé comprend l'injection du complexe cuivre- tétraamine de départ au niveau de la partie inférieure du réacteur à colonne. [0077] Dans un mode de réalisation, le procédé comprend l'introduction d'oxygène au niveau de la partie inférieure du réacteur à colonne. [0078] Dans un mode de réalisation, l'une quelconque ou toutes les étapes du procédé s'effectuent dans une solution de sulfate d'ammonium. [0079] Dans un mode de réalisation, la présente invention a pour objet un procédé pour préparer un fongicide au cuivre, ledit procédé comprenant : (a) la préparation d'un complexe cuivre-diamine en faisant réagir un complexe cuivre-tétramine avec du cuivre ; (h) la réaction du complexe cuivre-diamine avec de l'oxygène pour former le complexe cuivre-tétraamine ; et (c) la modification du pH du complexe cuivre-tétraaminc de l'étape (h) en l'absence de cuivre pour former le fongicide au cuivre. [0080] Dans un mode de réalisation, les étapes (a) et (h) s'effectuent ensemble dans un récipient en cuivre. [0081] Dans un mode de réalisation, l'étape (c) s'effectue séparément en l'absence de cuivre métal I ique. [0082] Dans un mode de réalisation, la modification du pH du complexe cuivre-tétraminc comprend la réduction du pH de la solution de complexe cuivre-tétraamine en présence d'un agent neutralisant. [0083] Dans un mode de réalisation, l'étape (c) s'effectue en l'absence de cuivre en étant réalisée dans un récipient de réaction constitué d'un matériau autre que le cuivre. [0084] Dans un mode de réalisation, le fongicide au cuivre est du sulfate de cuivre tribasique et l'agent de neutralisation est l'acide sulfurique. [0085] Sous un autre aspect, la présente invention a pour objet un procédé de production de fongicide au cuivre choisi parmi de l'oxyde de cuivre, de l'oxychlorure de cuivre, de l'acétate de cuivre, du carbonate de cuivre, de l'hydroxyde de cuivre, du naphténate de cuivre, de l'oléate de cuivre, du silicate de cuivre et du sulfate de cuivre tribasique comprenant la modification du pH d'un précurseur de fongicide au cuivre en l'absence de cuivre. [0086] Sous un autre aspect, la présente invention a pour objet un procédé commercial de production de composés fongicides au cuivre, ledit procédé comprenant la mise en oeuvre des étapes de préparation du précurseur de fongicide au cuivre et de modification du pH séparément. [0087] Dans un mode de réalisation, la présente invention a pour objet un procédé de production de fongicide au cuivre, ledit procédé comprenant la mise en oeuvre de la réaction de cuivre avec un complexe de cuivre et de l'oxydation dans le récipient unique. [0088] Dans un autre mode de réalisation, le fongicide au cuivre est de l'oxyde de cuivre et 11 le précurseur de fongicide au cuivre est un complexe cuivre-tétraminc et le procédé s'effectue en l'absence d'agent neutralisant. [0089] Dans un autre mode de réalisation, le fongicide au cuivre est de l'hydroxyde de cuivre et le précurseur de fongicide au cuivre est un complexe cuivre-tétramine et le procédé s'effectue en l'absence d'agent neutralisant. [0090] Dans un mode de réalisation, le fongicide au cuivre est de l'oxychlorure de cuivre, le précurseur de fongicide au cuivre est un complexe cuivre-tétraamine et l'agent neutralisant est l'acide chlorhydrique. [0091] Dans un mode de réalisation, le fongicide au cuivre est de l'acétate de cuivre, le précurseur de fongicide au cuivre est de l'oxyde de cuivre ou du carbonate de cuivre et l'agent neutralisant est l'acide acétique. [0092] Dans un mode de réalisation, le fongicide au cuivre est du carbonate de cuivre et l'agent neutralisant est l'acide carbonique ou le dioxyde de carbone. [0093] Dans un mode de réalisation, le fongicide au cuivre est du naphténate de cuivre et l'agent neutralisant est l'acide naphténique. [0094] Dans un mode de réalisation, le fongicide au cuivre est de l'oléate de cuivre et l'agent neutralisant est l'acide oléique. [0095] Dans un mode de réalisation, le fongicide au cuivre est du silicate de cuivre et l'agent neutralisant est l'acide silicique. [0096] Dans un mode de réalisation, la présente invention a pour objet un procédé de production de fongicide au cuivre comprenant la réduction du pH d'un précurseur de fongicide au cuivre avec un modificateur de pH approprié. [0097] Sous un autre aspect, la modification du pH du complexe de cuivre comprend la réduction du pH de la suspension contenant un précurseur de fongicide au cuivre à l'aide d'un modificateur de pH approprié pour obtenir le composé de cuivre souhaité. [0098] Dans un mode de réalisation, la modification du pH du précurseur de fongicide au cuivre s'effectue en l'absence de cuivre en étant effectuée dans un récipient de réaction constitué d'un matériau autre que le cuivre. [0099] Sous un aspect, la présente invention a pour objet un procédé pour préparer un fongicide au cuivre comprenant : a) la réaction de cuivre métallique avec un complexe cuivre-tétraamine pour obtenir un complexe cuivre-diamine ; b) l'oxydation du complexe cuivre-diamine pour obtenir un précurseur de fongicide au cuivre ; et c) la modification du pH du précurseur de fongicide au cuivre en l'absence de cuivre pour former le fongicide au cuivre. [0100] Dans un mode de réalisation, l'étape de modification du pH s'effectue séparément. [0101] Dans un mode de réalisation, le fongicide au cuivre est du sulfate de cuivre tribasique 12 (TBCS). [0102] Dans un mode de réalisation, le précurseur de fongicide au cuivre est un complexe cuivre-tétraamine. [0103] Sous un aspect, la présente invention a pour objet un procédé pour préparer du sulfate de cuivre tribasique. [0104] Dans un mode de réalisation, le procédé pour préparer du sulfate de cuivre tribasiquc comprend : a) le traitement d'un complexe cuivre-tétraamine avec du cuivre métallique pour obtenir un complexe cuivre-diamine ; h) l'oxydation du complexe cuivre-diamine pour former le complexe cui c-tétraaminc ; et c) la modification du pH du complexe cuivre-tétraaminc pour obtenir du sulfate de cuivre tribasiquc. [0105] Dans un mode de réalisation, les étapes a) et h) du procédé s'effectuent dans un récipient en présence de cuivre. [0106] Dans un mode de réalisation, le complexe cuivre-tétraaminc obtenu à l'étape h) est le précurseur de fongicide au cuivre. [0107] Dans un mode de réalisation, l'étape c) de modification du pH s'effectue en l'absence de cuivre. L'étape (c) s'effectue en l'absence de cuivre en étant effectuée dans un récipient de réaction constitué d'un matériau autre que le cuivre. [0108] Dans un mode de réalisation, la modification du pH du complexe cuivre-tétramine comprend la réduction du pH de la solution de complexe cuivre-tétraamine en présence d'un agent neutralisant. [0109] Dans un mode de réalisation, le pH du précurseur de fongicide au cuivre est réduit jusqu'à 7 ou inférieur mais non moins de 5 pour obtenir du sulfate de cuivre tribasique. [0110] Dans un mode de réalisation, la préparation du fongicide au sulfate de cuivre tribasique a été déclenchée par réduction de pH, bien que le fongicide au sulfate de cuivre tribasique soit produit tout en recyclant le précurseur de fongicide au cuivre à un pH de 8 à 9. Dans ce mode de réalisation, la réduction du pH du précurseur de fongicide au cuivre à un pH entre 5 et 7 est le déclencheur appliqué à la suspension extraite du premier réacteur. Ce déclencheur conduit à la production de sulfate de cuivre tribasique à un pH maintenu entre 8,0 et 9,0. [0111] Dans un mode de réalisation, où d'autres fongicides au cuivre sont souhaités, le pH réduit du fongicide au cuivre peut être maintenu entre 5,0 et 10,0, de préférence entre un pH de 7,0 et 10,0. [0112] Ainsi, dans un mode de réalisation, le pH du précurseur de fongicide au cuivre est maintenu entre 8 et 9. [0113] Dans un mode de réalisation, le procédé comprend la préparation de sulfate de cuivre 13 tribasiquc séparément des étapes du procédé consistant à préparer le complexe cuivre-diamine et le précurseur de fongicide au cuivre. [0114] Dans un mode de réalisation, la réaction pour préparer le complexe cuivre-diamine et le précurseur de fongicide au cuivre est mise en oeuvre dans un récipient qui contient du cuivre métallique sous toute forme par exemple des flocons, des fils, des grains et similaires, ou le récipient est un récipient en cuivre. [0115] Dans un mode de réalisation, la préparation du complexe cuivre-tétraaminc et du complexe cuivre-diamine est réalisée dans le même récipient à une température dans la plage d'environ 10 à 100 cC, de préférence environ 25 à 75 et plus préférablement d'environ 40 à 60 °C. [0116] Le récipient contient du cuivre métallique ou le récipient de réaction est un réacteur à colonne rempli de cuivre. [0117] Dans un mode de réalisation, le procédé s'effectue à une température de 50 °C. [0118] Dans un mode de réalisation, le procédé de préparation de sulfate de cuivre tribasique comprend la formation de complexes du cuivre à savoir un complexe cuivre-diamine et un complexe cuivre-tétraamine et la conversion du complexe cuivre-tétraaminc en TBCS. [0119] Dans un autre mode de réalisation, la présente invention a pour objet un procédé de conversion de fongicide au cuivre en TBCS comprenant la réduction du pH d'un précurseur de fongicide au cuivre à l'aide d'un modificateur de pH approprié. [0120] Dans un mode de réalisation, le fongicide au cuivre est du sulfate de cuivre tribasique, le précurseur de fongicide au cuivre est un complexe cuivre-tétraamine et le modificateur de pH est un acide. [0121] Dans un mode de réalisation le fongicide au cuivre est du sulfate de cuivre tribasique (TBCS), le précurseur de fongicide au cuivre est un complexe cuivre-tétraamine et le modificateur de pH est l'acide sulfurique. [0122] Dans un mode de réalisation, l'étape de procédé consistant à préparer le fongicide au cuivre s'effectue séparément des étapes de procédé consistant à préparer le complexe cuivre-tétraamine ou de l'étape de procédé consistant à préparer le complexe cuivre-diamine. [0123] Selon la présente invention, le fongicide au cuivre choisi parmi de l'oxyde de cuivre, de l'oxychlorure de cuivre, de l'acétate de cuivre, du carbonate de cuivre, de l'hydroxyde de cuivre, du naphténate de cuivre, de l'oléate de cuivre, du silicate de cuivre et du sulfate de cuivre tribasique est produit par le procédé tel que décrit ici. [0124] Sous un autre aspect la présente invention a pour objet un procédé commercial pour préparer du sulfate de cuivre tribasique (TBCS) comprenant les étapes consistant à (1) soumettre un complexe cuivre-tétraamine à une attaque au cuivre pour former un complexe cuivre-diamine ; (2) oxyder le complexe cuivre-diamine et (3) modifier le 14 pH d'un complexe de cuivre ainsi obtenu à l'aide d'acide en l'absence de cuivre pour obtenir du TBCS. [0125] Dans un mode de réalisation la première étape du procédé de préparation de sulfate de cuivre tribasiquc comprend la soumission d'un complexe cuivre-tétraamine à une attaque au cuivre dans un récipient contenant du cuivre pour former un complexe cuivre-diamine et l'oxydation du complexe cuivre-diamine dans le même récipient pour obtenir un complexe cuivre-tétraaminc. Dans un mode de réalisation, cc complexe cuivre-tétraarnine est le précurseur de fongicide au cuivre lorsque le fongicide cible est le sulfate de cuivre tribasiquc. [0126] Dans un mode de réalisation, la deuxième étape du procédé de préparation du sulfate de cuivre tribasiquc comprend la modification du pH du complexe cuivre-tétraarnine en l'absence de cuivre. [0127] Dans un mode de réalisation, l'une quelconque ou toutes les étapes du procédé s'effectuent dans un système réactionnel fermé, de préférence en présence de sulfate d'ammonium et à une température de préférence dans la plage d'environ 40 à 60 °C. La pression à l'intérieur du réacteur est maintenue entre environ 0,1 et 0,4 bar. [0128] Dans un mode de réalisation, le système de réacteurs dans lequel le procédé de la présente invention s'effectue peut comprendre au moins trois récipients de réaction. Le premier réacteur est alimenté avec une suspension contenant un complexe cuivretétraamine, du TBCS et du sulfate d'ammonium. La teneur totale en cuivre dans la suspension est dans la plage de 0,1 à 20 %. Dans le premier réacteur, le pH est maintenu entre 7 et 10 avec un modificateur de pH approprié, de préférence avec de l'acide sulfurique pour former du TBCS. Le deuxième récipient est alimenté en cuivre métallique pour l'attaque au cuivre. Le deuxième récipient est muni d'une entrée pour apporter la suspension du premier réacteur et d'une entrée pour l'oxygène et d'une sortie pour le retour de la suspension dans le premier réacteur. Le complexe cuivre-diamine réagit avec l'oxygène dans le deuxième récipient pour former un complexe cuivre-tétraarnine L'extraction partielle du complexe cuivre-tétraamine du troisième réacteur et la modification du pH à l'aide d'un modificateur de pH approprié, de préférence avec de l'acide sulfurique, entraînent la formation de TBCS. [0129] Typiquement, la réaction d'attaque au cuivre est représentée ci-après, Cu + Cu(NH3)4= 2 Cu(NH3)2 [0130] L'oxydation du complexe cuivre-diamine est représentée ci-après, 2Cu(NH3)2+ 1/20, + H20 + 4NH3 = 2Cu(NH3)4 + 20H- [0131] Les réactions ci-dessus s'effectuent à une température dans une plage d'environ 45 à 55 °C, de préférence à 50 °C et le pH est maintenu entre 8 et 9. [0132] Ces réactions sont mises en oeuvre en présence de solution de sulfate d'ammonium. [0133] Typiquement, la concentration en sulfate d'ammonium est dans la plage allant de 4 à %. [0134] Dans un autre mode de réalisation, l'étape de modification du pH du procédé s'effectue à une température dans la plage d'environ 45 à 55 °C, de préférence à une température d'environ 50 °C et le pH est maintenu entre 5 et 9, de préférence entre 8 et 9. La suspension issue de l'étape de neutralisation retourne au réacteur pour l'attaque au cuivre lorsque le pH est modifié. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le procédé de préparation de TBCS est tel que représenté par l'organigramme à la figure 1. [0135] Sous un autre aspect, la présente invention a pour objet un procédé continu pour la production de composés de cuivre souhaités, de préférence du TBCS, dans lequel une attaque au cuivre d'un complexe cuivre-tétraamine et une réaction d'oxydation s'effectuent dans un récipient et une modification du pH du complexe de cuivre s'effectue dans un réacteur distinct, de préférence en l'absence de cuivre ; et le produit de réaction est séparé en continu du réacteur et un recyclage de la suspension restante pour continuer la réaction d'attaque au cuivre pour obtenir le composé de cuivre souhaité. [0136] Dans un mode de réalisation, le cycle de réaction dans le procédé se poursuit jusqu'à ce que le cuivre métallique et l'oxygène soient présents. [0137] Dans un mode de réalisation préféré, la présente invention a pour objet un procédé continu pour la préparation de TBCS, ledit procédé comprenant : (a) la formation d'une suspension de TBCS, de sulfate d'ammonium et de complexe cuivre-tétraarnine dans un premier réacteur et le maintien du pH de la suspension entre 8 et 9 ; (b) l'injection de la suspension du premier réacteur dans le deuxième récipient contenant du cuivre métallique pour l'attaque au cuivre afin de former un complexe cuivre-diamine ; (c) l'apport d'oxygène dans le deuxième récipient pour l'oxydation du complexe cuivre-diamine pour former un complexe cuivre-tétraamine ; et (d) le retour de la suspension depuis la sortie du deuxième récipient vers le premier réacteur en maintenant le pH entre 8 et 9 en présence d'acide sulfurique pour former du TBCS; (e) l'extraction en continu d'une suspension de TBCS, de sulfate d'ammonium et de complexe cuivre-tétraamine du premier réacteur vers le troisième réacteur ; (f) l'introduction en continu de sulfate d'ammonium dilué dans le premier réacteur ; (g) la neutralisation de la suspension extraite de l'étape 5 à l'aide d'acide sulfurique pour obtenir du TBCS ; et (h) la filtration et le lavage du produit. [0138] De préférence à l'étape 7, la conversion du complexe cuivre-tétraamine en TBCS est 16 mise en oeuvre en réduisant le pH dans la plage d'environ 5 à 9. [0139] La liqueur mère obtenue à l'étape 8 est introduite dans le premier réacteur contenant du sulfate d'ammonium et le procédé se déroule de façon à produire du TBCS en continu. [0140] Pendant le procédé continu la teneur en cuivre dans la suspension augmente. On effectue une dilution constante par addition de solution de sulfate d'ammonium pour garder la teneur en cuivre constante. De plus, le même volume de suspension est extrait pour garder le volume constant. La concentration typique de TBCS solide dans la suspension est d'environ 10 % en termes de cuivre. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le procédé continu de préparation de TBCS est tel que représenté par l'organigramme à la figure 2. [0141] Dans un mode de réalisation, le fongicide au cuivre produit par le présent procédé a une taille de particule D50 entre environ 3 à 20 microns. [0142] Dans un mode de réalisation, le TBCS a une taille de particules D50 entre environ 3 à 20 microns. [0143] Dans un mode de réalisation, le fongicide au cuivre produit par le présent procédé a une taille de particule D50 entre environ 5 à 15 microns. [0144] Dans un mode de réalisation, le fongicide au cuivre produit par le présent procédé a une taille de particule D50 entre environ 8 à 15 microns. [0145] Dans un mode de réalisation, le fongicide au cuivre produit par le présent procédé a une taille de particule D50 inférieure à environ 6 microns. [0146] Dans un mode de réalisation, le fongicide au cuivre produit par le présent procédé a une taille de particule D80 inférieure à environ 6 microns. [0147] Dans un mode de réalisation, le fongicide au cuivre produit par le présent procédé a une taille de particule D80 inférieure à environ 10 microns. [0148] Dans un mode de réalisation, le fongicide au cuivre produit par le présent procédé a une taille de particule D85 inférieure à environ 10 microns. [0149] Dans un mode de réalisation, le fongicide au cuivre produit par le présent procédé a une taille de particule D90 inférieure à environ 10 microns. [0150] Dans un mode de réalisation, le fongicide au cuivre est du TBCS. [0151] Sous un aspect, la présente invention a pour objet une formulation fongicide comprenant : (c) au moins un fongicide au cuivre préparé par un procédé comprenant la modification du pH d'un précurseur de fongicide au cuivre en l'absence de cuivre ; et (d) au moins un excipient acceptable sur le plan agrochimique. [0152] Dans un mode de réalisation, la formulation fongicide comprend au moins une autre substance agrochimique. [0153] Dans un mode de réalisation, la formulation fongicide comprend au moins un 17 deuxième fongicide. [0154] Dans un mode de réalisation, la présente invention a pour objet une formulation comprenant du TBCS préparé par le procédé de la présente invention. [0155] Dans un mode de réalisation, la présente invention fournit des formulations fongicides de type SC (concentré en suspension), CS (suspension de capsules), SE (suspension-émulsion) ou WG (granule hydrodispersible), ZC (formulation mixte CS et SC) hydrodispersiblcs et stables au stockage, ladite formulation comprenant un fongicide au cuivre préparé par le procédé tel que décrit ici. [0156] Dans un mode de réalisation, la formulation consiste en des formulations fongicides ZC (formulations mixtes de CS et SC). [0157] Dans un mode de réalisation, la formulation est WG (granule hydrodispersible). [0158] Typiquement, le procédé de préparation de formulation fongicide comprend des étapes de fluidisation, de broyage, de formulation avec des agents de dispersion/ mouillage, des ingrédients inertes. [0159] Dans un mode de réalisation, les formulations peuvent se présenter sous forme de suspension concentrée ou de granules mouillables (séchage par atomisation). [0160] Dans un mode de réalisation, la présente invention a pour objet un procédé pour préparer une formulation fongicide, ledit procédé comprenant : (a) la préparation d'un fongicide au cuivre par un procédé comprenant la modification du pH d'un précurseur de fongicide au cuivre en l'absence de cuivre ; et (b) le mélange du fongicide au cuivre préparé avec au moins un excipient acceptable sur le plan agrochimique pour préparer la formulation fongicide. [0161] Dans un autre mode de réalisation, la présente invention a pour objet un procédé pour préparer une formulation fongicide, ledit procédé comprenant : (a) la préparation d'un fongicide au cuivre par un procédé comprenant la modification du pH d'un précurseur de fongicide au cuivre en l'absence de cuivre ; (b) l'ajout d'au moins une autre substance agrochimique au fongicide au cuivre préparé à l'étape (a) ; et (c) le mélange du fongicide au cuivre préparé avec au moins un excipient acceptable sur le plan agrochimique pour préparer la formulation fongicide. [0162] Dans un mode de réalisation, la deuxième substance agrochimique est un fongicide. [0163] Dans un mode de réalisation, la formulation fongicide comprend un deuxième fongicide choisi parmi : (a) au moins un fongicide multisite choisi parmi : (i) du soufre élémentaire ; (ii) des fongicides au dithiocarbamate choisis parmi l'amobam, l'asomate, l'azithiram, le carbamorph, le cutianeb, le cuprobam, le disulfiram, le ferbam, le métam, le nabam, le técoram, le thiram, l'urbacide, le ziram, le dazomet, l'étem, le 18 milneh, le mancopper, le mancozeb, le maneb, le métiram, le polycarbamate, le propineh et le zinch ; (iii) des fongicides au phtalimide choisis parmi le folpct, le captan et le captafol ; (iv) le chlorthalonil ; (y) des fongicides au sulfamide choisis parmi le dichlofluanid et le tolylfluanid ; (vi) des fongicides à la guanidine choisis parmi la dodine, la guazantine et l'iminoctanadinc ; (vii) l'anilazinc ; (viii) le dithianon ; et (ix) des combinaisons de ceux-ci ; ou ; (h) au moins un fongicide systémique choisi parmi : (i) un inhibiteur externe de la quinone choisi parmi le fénamidone, le famoxadone et un fongicide à la strobilurine choisi dans le groupe constitué d'azoxystrohine, mandestrohine, coumoxystrohine, énoxastrohine, flufénoxystrohine, pyraoxystrohinc, dimoxystrobinc, énestrobine, fluoxastrohine, krésoxim-méthyle, métominostrohine, orysastrohine, picoxystrobinc, pyramétostrobine, triclopyricarb, fénaminstrobinc, pyraclostrohine et trifloxystrobinc ; (ii) un inhibiteur interne de la quinone choisi parmi le cyazofad et l'amisulhrom ; (Hi) un inhibiteur de déméthylation choisi parmi le triflumizole, le triforinc, le pyridinitrile, le pyrifénox, le fénarimol, le nuarimol, le triarimol et un fongicide au conazole choisi dans le groupe constitué de climbazole, clotrimazole, imizalil, oxpoconazole, prochloraz, prochloraz-manganèse, triflumizole, azaconazole, bitertanole, bromuconazole, cyproconazole, diclobutrazol, difénoconazole, diniconazole diniconazole-M, époxiconazole, étaconazole, fenbuconazole, fluotrimazole, fluquinconazole, flusilazole, flutriafol, furconazole, furconazole-cis, hexaconazole, imibenconazole, ipconazole, métconazole, myclobutanil, pencoconazole, propiconazole, prothioconazole, quinconazole, siméconazole, tébuconazole tétraconazole triadiméfon, triadiménol, triticonazole, uniconazole, perfurazoate et uniconazole-P ; (iv) un inhibiteur de succinate déshydrogénase choisi dans le groupe constitué de bénodanil, flutolanil, mépronil, fluopyram, fenfuram, carboxine, oxycarboxine, thifluzamide, bixafen, fluxapyroxad, furamétpyr, isopyrazam, penflufen, penthiopyrad, sedaxane et boscalid ; et (y) des combinaisons de ceux-ci. [0164] Dans un mode de réalisation, la formulation comprend au moins un troisième fongicide. [0165] Dans un mode de réalisation, le fongicide systémique est une combinaison (i) d'un fongicide à la strobilurine choisi parmi la trifloxystrobine, la picoxystrobine, 19 l'azoxystrobine ou la pyraclostrobine ; et (ii) d'un fongicide au conazole choisi parmi le prothioconazole, le tébuconazole, le cyproconazole, l'époxiconazole, le métconazole et le tébuconazole [0166] Dans un mode de réalisation, il est proposé un procédé de lutte contre des champignons au niveau d'un locus, ledit procédé comprenant l'administration de la formulation fongicide préparée selon la présente invention audit locus. [0167] Dans un autre mode de réalisation, il est proposé un kit comprenant au moins un fongicide au cuivre choisi parmi de l'oxyde de cuivre, de l'oxychlorurc de cuivre, de l'acétate de cuivre, du carbonate de cuivre, de l'hydroxyde de cuivre, du naphténate de cuivre, de l'oléate de cuivre, du silicate de cuivre et du sulfate de cuivre tribasique produit par le procédé selon la présente invention. [0168] Avantages de la présente invention 1. Ce procédé est viable économiquement et commercialement et utile pour réduire la consommation électrique. 2. Ce procédé présente une fiabilité et une stabilité améliorées évitant le dépôt de sels de cuivre sur une surface de cuivre métallique. 3. Il évite le risque de contact direct entre les lames de l'agitateur et le cuivre métallique. Le cuivre métallique peut être ajouté facilement dans la colonne. 4. Ce procédé peut être utilisé pour la production de différents composés de cuivre par exemple CuO, Cu2(OH)3C1 ou Cu(OH)2). Exemples [0169] Les exemples suivants sont fournis pour mieux illustrer la présente invention et ne doivent pas être interprétés d'une quelconque façon qui limiterait la portée de l'invention. L'homme du métier peut développer des matériaux équivalents, et des procédés sans exercer de capacité d'invention et sans sortir de la portée de l'invention. C'est l'intention des inventeurs que de telles variations soient incluses dans la portée de l'invention. [0170] Exemple 1 : Formation de complexe cuivre riamine en tant que précurseur de fongicide au cuivre [0171] Étape 1 : [A] Préparation de la suspension initiale contenant un complexe cuivre-tétraamine, du TBCS et du sulfate d'ammonium. De l'eau (70 kg) est introduite dans un réacteur. La température est portée à 50 °C et on ajoute du sulfate de cuivre (7,0 kg). Le pH est porté à 8,2 avec de l'ammoniaque (32 %, 3,0 kg). La teneur finale en cuivre soluble déterminée sur le filtrat est de 0,5 % et la concentration en sulfate d'ammonium est de 4,5 %. La teneur totale en cuivre dans la suspension est de 2,3 %. Tous les % sont exprimés en in/m. [B] Préparation de la suspension initiale contenant un complexe cuivre-tétraamine, du TBCS et du sulfate d'ammonium. En variante, une suspension initiale a été préparée sans utiliser de sulfate de cuivre. Cette préparation a été mise en oeuvre lorsque de la suspension neutre obtenue dans l'Exemple 2 était disponible. Une solution de sulfate d'ammonium (80 kg) à 4,7 % est introduite dans le réacteur. On ajoute de la suspension neutre (4,44 kg) au réacteur et la température est portée à 50 °C. Le pH est porté à 8,2 avec de l'ammoniaque (32 %, 0,59 kg). La teneur finale en cuivre soluble déterminée sur le filtrat est de 0,3 % et la concentration en sulfate d'ammonium est de 5,6 %. La teneur totale en cuivre dans la suspension obtenue est de 0,6 %. [0172] Étape 2 : La suspension obtenue à la partie [A] et/ou [B] de l'étape 1 est introduite dans le réacteur et on démarre un recyclage de la suspension par le biais d'une colonne de 83 millimètres remplie de fils de cuivre (27,14 kg). Le recyclage étant en fonctionnement, on démarre l'introduction d'02 au bas de la colonne. Le pH de la suspension dans le réacteur est maintenu entre 8 et 8,2. La régulation du pH est adaptée pour maintenir la concentration en cuivre de cuivre-tétraamine soluble dans le filtrat entre 0,3 et 0,6 % (exprimée en cuivre). La température est maintenue à environ 50 °C pendant environ 2 heures. L'augmentation de la teneur totale en cuivre dans le réacteur est présentée dans le tableau 1. [0173] [Tableauxl] % total de courre % de cuivre soluble (mesurée sur filtrat) TO 2,30 0,50 TO 4 15 min 3,73 0,52 TO 55 min 6,90 17.48 TO # 92 min 9,30 0,45 TO 1 min 9,52 tl,44 [0174] Étape 3 : Lorsque la teneur totale en cuivre dans la suspension atteint environ 10 %, la suspension est diluée avec une solution de sulfate d'ammonium (5 %) et on démarre l'extraction de la suspension depuis le réacteur. La régulation du pH est maintenue telle que dans l'étape 2. La réaction est conduite pendant 2 heures à 50 °C. Lc tableau 2 montre le de cuivre présent dans le réacteur au cours d'un procédé continu. [0175] 21 [Tablcaux2] P . ui r % de cuivre solubie (mesuré sur filtrat) TO 10,2 0,45 TO + 51 min 10,0 0,53 T 110 min 9,63 0,57 [0176] Le tableau 3 montre le % de cuivre dans la suspension extraite. [0177] [Tableaux3] % local de cuivre % de cuivre oluble I(mesuré sur fiitre Masse extraite (kg) Échantillon 1 9,63 4 Échantillon 2 9,10 9:45 [0178] Exemple 2 : Formation de fongicide au cuivre, sulfate de cuivre tribasique On introduit dans le réacteur équipé d'un agitateur et d'un mesurage de pH 79 kg de suspension extraite du procédé continu de l'étape 3 de l'Exemple 1. On ajoute 0,59 litre d'acide sulfurique (98 %) au réacteur à 50 °C en maintenant le pH de la suspension contenant le complexe cuivre-tétraamine entre 5 et 7 pour former du TBCS. La conversion complète dans les suspensions avant et après neutralisation est représentée dans le tableau 4. [0179] [Tableaux4] Avant neutralisation Après neutralisation % Cu total 10 10 % de oomplex cuivre- tétraamine $-9 5 - 7 [0180] Après la neutralisation, la suspension est filtrée pour obtenir 41,3 kg de pâte. On ajoute 33 kg d'eau pour laver la pâte, le mélange est agité et filtré pour obtenir du TBCS ayant une teneur en cuivre de 53,6 % que l'on sèche dans un four de séchage à une température de 55 °C. Les filtrats obtenus après la deuxième filtration peuvent être ajoutés dans la solution de sulfate d'ammonium et mélangés à la suspension du réacteur à l'étape 3 de l'Exemple 1 pour produire un précurseur de fongicide au cuivre et poursuivre le procédé. [0181] Exemple 3 : Formulation (WG, 40 % de cuivre) Étape 1 : Préparation d'une pâte fluidisée à partir de pâte lavée. Dans une cuve équipée d'un agitateur, on introduit 35,8 kg de pâte lavée obtenue à l'Exemple 2, 1,25 kg de polynaphtalènesulfonate de sodium et 1,88 kg d'eau. Le mélange est agité et après agitation, on obtient une pâte fluidisée qui peut être utilisée pour la fabrication de formulations de type WG. Les analyses de la pâte fluidisée sont les suivantes : Matière sèche : 56,2 % Teneur en cuivre : 28,5 % Taille de particule (D50 %) :8µm Étape 2 : Production de granules de TBCS hydrodispersibles. Dans une cuve équipée d'un agitateur, on introduit 25,24 kg de la pâte fluidisée obtenue à l'étape 1, 1,84 kg d'eau, 1,44 kg de lignosulfonate de sodium, 0,09 kg de xylènesulfonate de sodium, 0,09 kg d'un agent antimousse à hase d'émulsion de silicone et 1,71 kg de gypse. Le mélange est agité et après agitation, la suspension est broyée à l'état humide et envoyée dans une tour de séchage et des granules à 40 % de cuivre sont ainsi obtenus. L'analyse de la formulation WG est la suivante : Teneur en cuivre : 40,3 % Aptitude à la suspension : > 75 % Taille de particules (D50 %) : 2,3 !lm 23