Brevet FR3094569A1 — publié le 20201002

Description Titre de l'invention : CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE [0001] La présente invention concerne une cellule photovoltaïque. [0002] Dans le domaine des cellules photovoltaïques présentant une épaisseur inférieure à 500 nanomètres (nm), la majorité de la lumière solaire traverse la couche active sans être absorbée. [0003] Il en résulte que l'absorption sur la gamme spectrale de sensibilité de la cellule est très faible. De ce fait, il est souhaitable d'utiliser des techniques de piégeage optique pour augmenter l'absorption. [0004] En particulier, un tel piégeage optique peut être obtenu par l'utilisation de nano- structures métalliques adaptées pour générer des plasmons de surface. Un plasmon de surface correspond à l'excitation d'électrons de conduction à l'interface entre un matériau métallique et un matériau diélectrique. [0005] Des exemples de telles structures sont détaillés dans l'article de Harry A. Atwater intitulé « Plasmonics for improved photovoltaic devices » paru dans la revue Nature Materials de mars 2010 (volume 9). [0006] Toutefois, le rendement. de telles structures est encore trop faible. [0007] 11 existe donc un besoin pour une cellule photovoltaïque présentant un rendement amélioré. [0008] A cet effet, la description décrit une cellule photovoltaïque comportant un em- pilement de couches, les couches étant superposées le long d'une direction d'empilement, l'empilement comportant une couche active, un miroir, et une couche intermédiaire intercalée entre la couche active et le miroir, la couche intermédiaire étant réalisée en un premier matériau et présentant un ensemble de nanostructures agencées en réseau, au moins une nanostructure étant dépourvue d'un plan de symétrie non parallèle à la couche intermédiaire ayant une intersection réduite à un point avec la direction d'empilement, ladite au moins une nanostructure étant réalisée en un deuxième matériau, le premier matériau étant distinct du deuxième matériau. [0009] Selon des modes de réalisation particuliers, la cellule photovoltaïque présente une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prise(s) isolément ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : ladite au moins unc nanostructure comporte au plus un plan de symétrie comportant la direction d'empilement. le premier matériau présente un premier indice optique, le deuxième matériau présente un deuxième indice optique, le rapport entre le premier indice optique et le deuxième indice optique étant compris entre 1,5 et 3. le premier matériau et le deuxième matériau sont choisis dans un groupe 2 constitué des paires suivantes : {Ag, TiO2}, {8i02, AlinP}, {Si°, Au}, {TiO2 , Au}, {SiOn/Cu}, {1102, AIinP}, {SKI, AIAsSh} et }Si3N4/InAlAs}. chaque nanostructure est agencée selon des lignes parallèles. chaque nanostructure est agencée au sommet d'un hexagone ou au centre de l'hexagone, les hexagones formés par les nanostructures partageant au moins un côté. chaque nanostructure présente une forme choisie dans le groupe constitué d'un cylindre, d'un cylindre à hase triangulaire, d'une pyramide, d'une pyramide à hase carrée et d'une pyramide à hase triangulaire. un pas est défini pour le réseau, le pas étant compris entre 500 nanomètres et 700 nanomètres. il est défini une hauteur pour chaque nanostructure comme étant la dimension le long de la direction d'empilement et une longueur pour chaque nanostructure comme étant la dimension le long d'une direction perpendiculaire à la direction d'empilement, le rapport entre la hauteur et la dimension étant inférieur ou égal à 60%, de préférence supérieur ou égal à 40%. un pas est défini pour le réseau, le rapport entre la dimension et le pas étant supérieur ou égal à 80%. [0010] Des caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la des- cription qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés, sur lesquels : [0011] [fig.1] la figure 1 est une représentation schématique d'un exemple de cellule photovoltaïque comportant un empilement de couches parmi lesquelles une couche intermédiaire ; [0012] [0013] [fig.2] [0014] la figure 2 est une vue de dessus d'un exemple de couche intermédiaire ; [0015] [fig.3] la figure 3 est une vue de dessus d'un autre exemple de couche intermédiaire ; [fig.4] la figure 4 est un schéma en perspective d'un exemple de nanostructure faisant partie de la couche intermédiaire de la cellule de la figure 1 ; [fig.5] 3 la figure 5 est un schéma en perspective d'encore un autre exemple de nanostructure faisant partie de la couche intermédiaire de la cellule de la figure 1 ; [0016] [fig.6] la figure 6 est un schéma en perspective d'un autre exemple de nanostructure faisant partie de la couche intermédiaire de la cellule de la figure 1 ; [0017] [fig.7] la figure 7 est un schéma en perspective d'encore un autre exemple de nanostructure faisant partie de la couche intermédiaire de la cellule de la figure 1 ; [0018] [fig.8] la figure 8 est un graphe montrant la variation de l'absorption d'un premier exemple de cellule sur la bande spectrale de fonctionnement de la cellule ; [0019] [fig.9] la figure 9 est un graphe montrant la variation de l'absorption de deux cellules de référence sur la bande spectrale de fonctionnement des cellules ; [0020] [fig.10] la figure 10 est un graphe montrant la variation de l'absorption d'un deuxième exemple de cellule sur la bande spectrale de fonctionnement de la cellule ; [0021] [fig.11] la figure 11 est un graphe montrant la variation de l'absorption d'un troisième exemple de cellule sur la bande spectrale de fonctionnement de la cellule ; [0022] [fig.12] la figure 12 est un graphe montrant la variation de l'absorption d'un quatrième exemple de cellule sur la bande spectrale de fonctionnement de la cellule ; [0023] [fig.13] la figure 13 est un graphe montrant la variation de l'absorption d'un cinquième exemple de cellule sur la bande spectrale de fonctionnement de la cellule, et [0024] [fig.14] la figure 14 est un graphe montrant la variation de l'absorption d'un sixième exemple de cellule sur la bande spectrale de fonctionnement de la cellule. [0025] Une cellule photovoltaïque 10 est représentée schématiquement sur la figure 1. [0026] Une cellule photovoltaïque est un élément propre à convertir de l'énergie solaire incidente en énergie électrique. [0027] La cellule 10 est, par exemple, une cellule à semi-conducteurs III-V. [0028] Un semi-conducteur de type « III - V » est un semi-conducteur composite fabriqué à partir d'un ou plusieurs éléments de la colonne III du tableau périodique des éléments (bore, aluminium, gallium, indium, ...) et d'un ou plusieurs éléments de la colonne V ou pnictogènes (azote, phosphore, arsenic, antimoine ...). [0029] Dans le cas d'espèce, la cellule 10 est une cellule réalisée avec des semi-conducteurs comme le GaAs, l'InP ou l'InGaAs. [0030] En variante, la cellule 10 est une cellule à films minces de CILS ou CdTe. [0031] La cellule 10 comporte un ensemble 12 de couches. [0032] Les couches de l'ensemble 12 sont des couches planaires. [0033] Les couches sont superposées le long d'une direction d'empilement. La direction d'empilement est représentée par un axe Z sur la figure 1 et est notée direction d'empilement Z dans la suite de la description. [0034] Selon l'exemple représenté sur la figure 1, l'ensemble de couches comporte sept couches. [0035] Les sept couches de l'ensemble 12 sont maintenant décrites depuis le haut vers le bas, la couche la plus haute étant la couche qui interagit en premier avec de la lumière incidente. [0036] La première couche Cl est une couche antireflet. [0037] La première couche Cl présente une première épaisseur el. [0038] Par définition, l'épaisseur d'une couche est la dimension d'une couche le long de la direction d'empilement Z. [0039] Par exemple, la première épaisseur el est comprise entre 25 nm et 125 nm. [0040] Une grandeur X est comprise entre deux valeurs A et B lorsque la grandeur X est su- périeure ou égale à A et inférieure ou égale à B. [0041] Selon le cas représenté, la première épaisseur el est égale à 90 nm. [0042] La première couche Cl est réalisée en un premier matériau MI. [0043] Selon un exemple particulier, le premier matériau MI est du MgF2. [0044] En variante, le premier matériau Ml est du Si02, Si;N4. [0045] Le premier matériau MI présente un premier indice optique. [0046] Le premier indice optique est un faible indice. [0047] Par l'expression 'faible indice', il est entendu un matériau dont l'indice optique est inférieur ou égal à 2,0. [0048] La deuxième couche C2 est une couche servant également d'antireflets, c'est-à-dire une couche qui diminue la proportion de lumière incidente sur l'ensemble 12 et réfléchie par l'ensemble 12. [0049] La deuxième couche C2 présente une deuxième épaisseur c2. [0050] Par exemple, la deuxième épaisseur c2 est comprise entre 30 nm et 50 nm. [0051] Selon le cas représenté, la deuxième épaisseur e2 est égale à 40 nm. [0052] La deuxième couche C2 est réalisée en un deuxième matériau M2. [0053] Selon un exemple particulier, le deuxième matériau M2 est du ZnS. [0054] En variante, le deuxième matériau M2 est du TiG, ou du Si3N4. [0055] Le deuxième matériau M2 présente un deuxième indice optique. [0056] Le deuxième indice optique est un fort indice. [0057] Par l'expression 'fort indice', il est entendu un matériau présentant un indice optique supérieur ou égal à 2,0. [0058] De préférence, le deuxième indice optique est inférieur ou égal à 3,0. [0059] La troisième couche C3 sert de couche de passivation. [0060] La troisième couche C3 sert également de contacts sélectifs pour collecter les électrons et les trous dans la cellule solaire. [0061] La troisième couche C3 présente une troisième épaisseur c3. [0062] Par exemple, la troisième épaisseur e3 est comprise entre 5 nm et 15 nm. [0063] Selon le cas représenté, la troisième épaisseur c3 est égale à 10 nm. [0064] La troisième couche C3 est réalisée en un troisième matériau M3. [0065] Selon un exemple particulier, le troisième matériau M3 est de l'AlInP. [0066] En variante, le troisième matériau M3 est de l'AlAsSb ou de l'InAlAs. [0067] La quatrième couche C4 est une couche active. [0068] La quatrième couche C4 est souvent appelée absorbeur. [0069] La quatrième couche C4 présente une quatrième épaisseur e4. [0070] La quatrième épaisseur e4 est inférieure ou égale à 100 nm. [0071] En particulier, la quatrième épaisseur e4 est comprise entre 40 nm et 60 nm. [0072] Selon le cas représenté, la quatrième épaisseur e4 est égale à 50 nm. [0073] La quatrième couche C4 est réalisée en un quatrième matériau M4. [0074] Selon un exemple particulier, le quatrième matériau M4 est de l'InGaAs. [0075] En variante, d'autres matériaux semi-conducteurs III-V sont envisageables comme l'InGaAsP, le GaAs ou l'InGaP. [0076] La cinquième couche C5 a le même rôle que la troisième couche C3. [0077] La cinquième couche C5 est similaire à la troisième couche C3. Les mêmes remarques que pour la troisième couche C3 sont également valables pour la cinquième couche C5 et ne sont pas répétées ici. [0078] La sixième couche C6 est une couche intermédiaire. [0079] Il est à noter que la sixième couche C6 est intercalée entre la quatrième couche C4, c'est-à-dire la couche active, et la septième couche C7 décrite ultérieurement qui joue 6 le rôle d'un miroir. [0080] La sixième couche C6 est propre à générer l'effet de piégeage optique observé dans la quatrième couche C4. [0081] La sixième couche C6 présente une sixième épaisseur c6. [0082] Par exemple, la sixième épaisseur c6 est comprise entre 50 nm et 800 nm. [0083] Comme visible sur la figure 2, la sixième couche C6 comporte une couche de hase présentant un ensemble de nanostructures 14. [0084] La couche de base est réalisée en un matériau de hase MB. [0085] Le matériau de base MB et le matériau de nanostructures MN sont distincts. [0086] Le matériau de base MB présente un indice optique de hase MB noté nB. [0087] Le matériau de hase MB est un matériau à fort indice. [0088] De préférence, l'indice optique nB du matériau de hase MB est inférieur ou égal à 4.0. [0089] En particulier, le matériau de hase MB est un semiconducteur à grand gap non ahsorhant. [0090] Par l'expression 'grand gap', il est entendu une énergie de gap supérieure ou égale à 2 eV. [0091] Selon une variante, le matériau de hase MB est également ahsorhant et actif. [0092] Une nanostructure est, par définition, une structure dont chaque dimension est strictement inférieure à 1 micromètre. [0093] Les nanostructures 14 sont agencées en réseau. [0094] Un réseau est un ensemble régulier d'éléments. [0095] En particulier, selon l'exemple décrit, les nanostructures 14 sont agencées selon des lignes parallèles, les nanostructures d'une ligne étant équidistantes les unes des autres. [0096] La distance entre chaque ligne est appelée pas P du réseau. [0097] Le pas P du réseau est compris entre 500 nm et 700 nm. [0098] De préférence, le pas P du réseau est compris entre 550 nm et 750 nm. [0099] Selon un autre exemple, le réseau est un réseau hexagonal. [0100] Avantageusement, le réseau hexagonal est le réseau illustré à la figure 3. [0101] Dans un tel cas, chaque nanostructure 14 est agencée au sommet d'un hexagone ou au centre de l'hexagone, les hexagones formés par les nanostructures 14 partageant au moins un côté. [0102] Selon l'exemple décrit en référence à la figure 2, chaque nanostructure 14 est identique. [0103] Chaque nanostructure 14 présente une forme asymétrique. [0104] Par définition, il est entendu qu'une forme est asymétrique lorsque la forme comporte au plus un plan de symétrie comprenant la direction d'empilement Z. [0105] De préférence, la forme asymétrique comporte au plus un plan de symétrie 7 comprenant la direction d'empilement Z. [0106] Par commodité, il est possible à ce stade d'introduire une première direction transversale repérée par un axe X sur la figure 1 (et orthogonal à la feuille) ainsi qu'une deuxième direction transversale repérée par un axe Y sur la figure 1 et orthogonale à la première direction X. Chacune des directions transverses X et Y est orthogonale à la direction d'empilement Z. [0107] Dans l'exemple décrit dans la figure 2, chaque nanostructure 14 comporte un plan de symétrie comportant la direction d'empilement Z. [0108] Plus précisément, le plan de symétrie est le plan comportant la direction d'empilement Z et formant un angle de 45° avec chacune des directions transverses X et Y. [0109] Plusieurs formes sont envisageables en référence aux figures 2 à 7. [0110] Les figures 2 à 5 proposent une nanostructure 14 ayant la forme d'un cylindre. [0111] En particulier, il est proposé aux figures 2 et 3 un cylindre à base carrée. [0112] Dans le cas de la figure 4, la base du cylindre est une forme en escalier. [0113] Plus précisément, dans l'exemple représenté, l'escalier présentant un premier côté s'étendant le long de la première direction transversale X et un deuxième côté s'étendant le long de la deuxième direction transversale Y. [0114] Le premier côté et le deuxième côté de l'escalier présente la même dimension. [0115] Le premier côté et reliée au deuxième côté par une série d'étages, quatre en l'occurrence. [0116] Un étage est un ensemble d'un côté parallèle à la deuxième direction transversale Y et un côté parallèle à la première direction transversale X. [0117] Les deux côtés d'un étage sont égaux, de sorte que chaque côté est égal à la dimension du premier côté ou du deuxième côté divisée par le nombre d'étages. [0118] La base du cylindre peut présenter d'autres formes non représentées comme celle d'un « L ». [0119] La figure 5 correspond au cas d'une pyramide. [0120] Dans le cas proposé, la pyramide présente une base triangulaire et plus spéci- fiquement un triangle rectangle isocèle. [0121] En variante, la pyramide présente une base carrée. [0122] Un autre exemple de forme de nanostructure 14 est proposé à la figure 6. [0123] Dans un tel cas, la nanostructure 14 est une superposition d'escaliers comme décrits en référence à la figure 4, les escaliers présentant une taille décroissante le long de la direction d'empilement. [0124] Dans l'exemple de la figure 4, la nanostructure 14 comporte une superposition de trois escaliers. [0125] Le rapport entre les côtés d'un escalier et les côtés d'un escalier qui est en contact 8 avec lui est compris entre 50% et 75%, typiquement égal à 66%. [0126] Dans chacun des cas proposés, la forme de la nanostructurc 14 présente une face contenue dans le plan comportant la première direction transversale X et la direction d'empilement Z et une autre face contenue dans le plan comportant la deuxième direction transversale Y et la direction d'empilement Z. [0127] Pour chaque forme proposée, il est défini une première dimension selon la première direction transversale X, notée dl, une deuxième dimension selon la deuxième direction transversale Y, notée d2 et une troisième dimension selon la direction d'empilement Z et notée hauteur h. [0128] Tl est à noter que, dans chacun des cas illustrés, la première dimension dl et la deuxième dimension d2 sont égales. [0129] Par souci de simplification, on nommera longueur d la valeur de la première dimension dl et de la deuxième dimension d2. [0130] Toutefois, ce n'est pas obligatoire, en particulier dans le cas du L, la première dimension dl et la deuxième dimension d2 diffèrent. [0131] Dans un tel cas, la longueur d est prise égale à la moyenne géométrique des deux di- mensions dl et d2. [0132] La longueur d est comprise entre 400 nm et 680 nm. [0133] De préférence, la longueur d est comprise entre 400 mn et 600 nm. [0134] La hauteur h est comprise entre 100 nm et 400 nm. [0135] Selon un exemple, le rapport entre la hauteur et la longueur, dit premier rapport RI est inférieur ou égal à 60%. [0136] Le premier rapport RI est également supérieur ou égal à 20%. [0137] Selon certains cas particuliers, le premier rapport RI est supérieur ou égal à 40%. [0138] En outre, le rapport entre la longueur d et le pas P, dit deuxième rapport R2, est supérieur ou égal à 80%. [0139] Les nanostructures 14 sont réalisées en un matériau de nanostructures MN. [0140] Le matériau de nanostructures MN est un matériau diélectrique. [0141] Le matériau de nanostructures MN présente un indice optique de nano- structures nMN. [0142] Le matériau de nanostructures MN est un matériau à faible indice. [0143] De préférence, l'indice optique de nanostructures nMN est supérieur ou égal à 1,1. [0144] Le rapport entre l'indice optique de base nB et l'indice optique de nanostructures nMN, dit quatrième rapport R4, est compris entre 1,5 et 3,0. [0145] Plusieurs exemples particuliers de matériaux sont envisageables. [0146] Selon un premier exemple, le matériau de base MB est du TiO2 et le matériau de na- nostructures MN est de l'Ag. [0147] En variante, le couple pour le matériau de base MB et le matériau de nanostructures 9 MN est choisi parmi les couples suivants : Si02/Au, TiOn/Au, TiO,/Cu et SiO2/Cu. [0148] Plus généralement, selon le premier exemple, le couple choisi est un couple de SiO2 ou TiO2 avec un élément métallique. [0149] Selon un deuxième exemple, le matériau de hase MB est du SiO2 et le matériau de nanostructures MN est de l'AlInP. [0150] En variante, le couple pour le matériau de hase MB et le matériau de nanostructures MN est choisi parmi les couples suivants : Ti02/AlInP, Si0,/AlAsSb et Si3N4/InAlAs. [0151] Plus généralement, selon le deuxième exemple, le couple choisi est un couple de SiO 2 ou TiO, ou Si3N4 avec un élément semiconducteur III-V, en particulier un élément ternaire. [0152] En résumé, le couple pour le matériau de hase MB et le matériau de nanostructures MN sont choisis dans un groupe constitué des paires suivantes : {Ag, T102}, {SiO2, AlInP}, {Si02, Au}, {Ti02, Au}, {SiO,/Cu}, {Ti02, AlInP}, {Si02, AIAsSh} et {Si3N4 /InAlAs}. [0153] La septième couche C7 est un miroir. [0154] En l'espèce, la septième couche C7 est un miroir plan. [0155] La septième couche C7 présente une septième épaisseur e7. [0156] Par exemple, la septième épaisseur c7 est comprise entre 100 nm et 3 pm. [0157] La septième couche C7 est réalisée en un septième matériau M7. [0158] Le septième matériau M7 est un métal. [0159] Selon un exemple particulier, le septième matériau M7 est de l'Ag. [0160] En variante, le septième matériau M7 est de l'Au, du Cu ou de l'Al. [0161] Selon une variante, la septième couche C7 présente un espaceur. [0162] De préférence, la somme des sept épaisseurs est inférieure à 500 nanomètres. [0163] Le fonctionnement de l'empilement de couches est décrit dans ce qui suit. [0164] La lumière incidente sur la cellule 10 passe par la première couche Cl et la deuxième couche C2 qui assure que la partie transmise vers les autres couches soit maximisée. [0165] L'interaction de la lumière transmise avec les nanostructures 14 de la sixième couche C6 permet de créer un piège de lumière au niveau de la couche active C4. [0166] La lumière s'échappant vers la septième couche C7 est réfléchie pour être piégée dans la couche active C4. [0167] L'asymétrie introduite dans les nanostructures 14 permet d'augmenter le nombre de modes résonants. [0168] Un tel effet est obtenu dès qu'au moins une nanostructure 14 asymétrique est présente. Cet effet est renforcé par un nombre plus important de nanostructures asymétriques, par exemple un nombre supérieur ou égal à 50% du nombre total de nanostructures 14, avantageusement supérieur ou égal à 75% du nombre total de nanostructures 14. [0169] Une telle augmentation résulte en une augmentation de l'absorption de la cellule 10. [0170] Cela apparaît à l'étude des résultats des figures 8 à 14 résultant de simulations ef- fectuées par la demanderesse. [0171] Les simulations ont été effectuées à l'aide d'un code nommé RETTCOLO développé par l'Institut d'Optique. [0172] Chacune des figures 8 à 14 représentent l'évolution de l'absorption d'une couche avec la longueur d'onde sur une bande spectrale allant de 0 à 1,8 pm. [0173] Dans le cas de la figure 8, l'empilement de cellule simulé est l'empilement de la figure 1 avec les nanostructures 14 de la figure 2 avec d = 400 nm, p = 600 nm, h = 100 nm, le matériau de hase MB qui est du TiO2 et le matériau des nanostructures qui est de l' Ag. [0174] Les valeurs de dimension d, de pas p du réseau et de hauteur h ont été optimisées lors de la simulation pour obtenir la meilleure absorption. [0175] Dans la figure 8, la courbe A6 est la courbe d'absorption de toutes les couches de la cellule tandis que la courbe A4 est la courbe d'absorption de la couche active C4. [0176] La courbe A4 est à comparer aux courbes Al ref et A2ref de la figure 9. [0177] La courbe Alrcf correspond à l'absorption de la couche active d'une deuxième cellule de référence présentant un empilement similaire à celui de la figure 1 mais sans miroir (couche C7) et sans nanostructurc dans la sixième couche C6. La lumière fait un simple passage dans la cellule. [0178] La courbe A2ref correspond à l'absorption de la couche active d'une deuxième cellule de référence présentant un empilement similaire à celui de la figure 1 mais sans nanostructure dans la sixième couche C6. Du fait de la présence du miroir, la lumière fait un double passage dans la cellule. [0179] Comme attendu, la courbe A2ref présente une absorption supérieure à celle de la courbe Alref. [0180] Toutefois, la courbe A2ref est bien inférieure à la courbe A4, notamment pour les longueurs d'onde supérieure ou égale à 600 nm. [0181] A titre d'exemples particuliers, à 600 nm, l'absorption de l'empilement de la figure 1 est supérieur de 30% à celui de la deuxième cellule de référence tandis qu'à 1 pm, l'absorption de l'empilement de la figure 1 est supérieur de 20% à celui de la deuxième cellule de référence. [0182] Cela implique que la présence des nanostructures 14 permet d'augmenter F absorption de la cellule et donc le rendement. [0183] Les mêmes observations sont possibles dans les cas des figures 10 à 14. Ces figures correspondent aux figures 8 pour des empilements différents. [0184] Dans le cas de la figure 10, l'empilement de cellule simulé est l'empilement de la figure 1 avec les nanostructures 14 de la figure 5 avec d = 600 nm, P = 700 nm, h = 11 1 1 3 nm, le matériau de hase MB qui est du TiO2 et le matériau des nanostructures qui est de l'Ag. [0185] Il est à noter que du fait de la proximité structurelles des nanostructures de la figure 4 et de la figure 5, la simulation de la figure 10 serait aussi valable pour l'empilement de la figure 1 avec les nanostructures 14 de la figure 4 avec d = 600 nm, P = 700 nm, h = 1 1 3 nm, le matériau de hase MB qui est du TiO2 et le matériau des nanostructures qui est de l'Ag. [0186] Dans le cas de la figure 11, l'empilement de cellule simulé est l'empilement de la figure 1 avec les nanostructures 14 de la figure 7 avec d = 500 nm, P = 500 nm, h = 200 nm, le matériau de hase MB qui est du TiO2 et le matériau des nanostructures 14 qui est de r Ag. [0187] Il est à noter que du fait de la proximité structurelles des nanostructures 14 de la figure 6 et de la figure 7, la simulation de la figure 11 serait aussi valable pour l'empilement de la figure 1 avec les nanostructures 14 de la figure 7 avec d = 500 nm, P = 500 nm, h = 200 nm, le matériau de hase MB qui est du TiO2 et le matériau des nanostructures qui est de l'Ag. [0188] Dans le cas de la figure 12, l'empilement de cellule simulé est l'empilement de la figure 1 avec les nanostructures 14 de la figure 2 avec d = 515 nm, P = 560 nm, h = 230 nm, le matériau de hase MB qui est du AlinP et le matériau des nanostructures 14 qui est du SiO2. [0189] Dans le cas de la figure 13, l'empilement de cellule simulé est l'empilement de la figure 1 avec les nanostructures 14 de la figure 5 avec d = 515 nm, P = 560 nm, h = 230 nm, le matériau de base MB qui est du TiO2 et le matériau des nanostructures 14 qui est de l'Ag. [0190] Dans le cas de la figure 14, l'empilement de cellule simulé est l'empilement de la figure 1 avec les nanostructures 14 de la figure 7 avec d = 680 nm, P = 680 nm, h = 390 nm, le matériau de base MB qui est du TiO2 et le matériau des nanostructures 14 qui est de l'Ag. [0191] Dans chacun des cas, l'absorption est plus élevée. [0192] Ainsi, un tel empilement qui n'est pas une structure métallique permet de limiter l'absorption parasite due aux résonances plasmoniques par l'utilisation de nanostructures 14 asymétriques. [0193] Cela permet d'obtenir un empilement de couches permettant d'absorber 80% de la puissance lumineuse incidente dans l'absorbeur. [0194] Par ailleurs, l'absorbeur présente une bonne absorption entre 300 nm et 1,5 itm. [0195] Le rendement de la cellule 10 est donc augmenté. 12 [Revendication 1] [Revendication 2] [Revendication 3] [Revendication 4] [Revendication 5] [Revendication 6] [Revendication 7] REVENDICATIONSCellule photovoltaïque (10) comportant un empilement (12) de couches (Cl, C2, C3, C4, C5, C6, C7), les couches (Cl C2, C3, C4, C5, C6, C7) étant superposées le long d'une direction d'empilement (Z), l'empilement (12) comportant : - une couche active (C4), - un miroir (C7), et - une couche intermédiaire (C6) intercalée entre la couche active (C4) et le miroir (C7), la couche intermédiaire (C6) étant réalisée en un premier matériau (MB) et présentant un ensemble de nanostructures (14) agencées en réseau, au moins une nanostructure (14) étant dépourvue d'un plan de symétrie non parallèle à la couche intermédiaire (C6) ayant une intersection réduite à un point avec la direction d'empilement (Z), ladite au moins une nanostructure (14) étant réalisée en un deuxième matériau (MN), le premier matériau (MB) étant distinct du deuxième matériau (MN). Cellule selon la revendication 1, dans lequel ladite au moins une nanostructure (14) comporte au plus un plan de symétrie comportant la direction d'empilement (Z). Cellule selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le premier matériau (MB) présente un premier indice optique (nMB), le deuxième matériau (MN) présente un deuxième indice optique (nMN), le rapport entre le premier indice optique (nMB) et le deuxième indice optique (nMN) étant compris entre 1,5 et 3. Cellule selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le premier matériau (MB) et le deuxième matériau (MN) sont choisis dans un groupe constitué des paires suivantes : {Ag, Ti07}, {SiO2, Au}, {TiO2, Au}, {SiO2/Cu}, A1AsSb} et { Si3N4nA1As Cellule selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel chaque nanostructure (14) est agencée selon des lignes parallèles. Cellule selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel chaque nanostructure (14) est agencée au sommet d'un hexagone ou au centre de l'hexagone, les hexagones formés par les nanostructures (14) partageant au moins un côté. Cellule selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel chaque nanostructure (14) présente une _Conne choisie dans le groupe 13 [Revendication 8] constitué d'un cylindre, d'un cylindre à hase triangulaire, d'une pyramide, d'une pyramide à hase carrée et d'une pyramide à hase triangulaire. [Revendication 9] Cellule selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel un pas (P) est défini pour le réseau, le pas (P) étant compris entre 500 nanomètres et 700 nanomètres. [Revendication 10] Cellule selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel il est défini une hauteur (h) pour chaque nanostructure (14) comme étant la dimension le long de la direction d'empilement (Z) et une longueur (d) pour chaque nanostructure (14) comme étant la dimension le long d'une direction perpendiculaire à la direction d'empilement (Z), le rapport entre la hauteur (h) et la dimension (d) étant inférieur ou égal à 60%, de préférence supérieur ou égal à 40%. Cellule selon la revendication 9, dans lequel un pas (P) est défini pour le réseau, le rapport entre la dimension (d) et le pas (P) étant supérieur ou égal à 80%.