Brevet FR3097082A1 — publié le 20201211

Description Titre de l'invention : Détection d'un défaut électrique dans un dispositif électronique de puissance [0001] La présente invention se rapporte à la détection d'un défaut électrique dans un dispositif électronique de puissance. [0002] Dans le domaine de l'électronique de puissance, des composants électroniques comportant un ou plusieurs interrupteurs de puissance, tels que des modules IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) ou MOSFET (Metal-Oxide Field Effect Transistor), sont parfois associés à un dispositif de surveillance permettant de détecter l'apparition d'un défaut électrique, notamment un court-circuit, à l'intérieur du composant. [0003] Généralement, le dispositif de surveillance comporte un ou plusieurs capteurs de courant et/ou de tension associés au transistor de puissance, par exemple pour surveiller la tension VcE entre le collecteur et l'émetteur du transistor et/ou pour mesurer la variation de courant électrique en sortie du transistor lors dc la commutation du transistor. La présence d'un défaut électrique est détectée en fonction des valeurs de courant et/ou de tension mesurées. [0004] Toutefois, de telles techniques de détection ne permettent pas toujours de réagir suf- fisamment vite pour détecter le défaut et interrompre dès que possible l'alimentation électrique du composant électronique avant que ce dernier soit endommagé. Cela est généralement causé par un temps de traitement des données trop long. [0005] Il existe donc un besoin pour détecter plus rapidement un défaut électrique dans un dispositif tel qu'un dispositif électronique de puissance. [0006] A cet effet, un aspect de l'invention concerne un dispositif, notamment un dispositif électronique de puissance, comportant : [0007] - un premier interrupteur de puissance et un deuxième interrupteur de puissance connectés en série entre des première et deuxième bornes de connexion du dispositif ; [0008] - un circuit électronique de commande configure pour piloter les premier et deuxième interrupteurs de puissance ; [0009] le dispositif comprenant un appareil de détection comportant au moins une bobine associée aux première et deuxième bornes de connexion et un circuit électronique de traitement configuré pour identifier la présence d'un défaut électrique dans le dispositif en fonction d'une tension électrique mesurée par la bobine, le circuit électronique de traitement étant monté sur une plaque de support et les première et deuxième bornes de connexion étant disposées côte à côte et alignées dans un même plan géométrique, la bobine étant montée sur la plaque de support parallèlement aux première et deuxième 2 bornes de connexion pour mesurer le champ magnétique dans ledit plan. [0010] Grâce à l'invention, la mesure du champ magnétique permet de détecter une variation du courant électrique et ainsi d'identifier rapidement un comportement révélateur d'un défaut électrique, notamment un court-circuit, de préférence lorsque la commutation des interrupteurs de puissance est amorcée. [0011] Un tel défaut électrique peut ainsi être identifié plus rapidement dans le dispositif qu'avec les méthodes classiquement utilisées, ce qui permet d'interrompre l'alimentation électrique avant que le dispositif ne soit endommagé. [0012] Selon des aspects avantageux mais non obligatoires, un tel dispositif peut incorporer une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prises isolément ou suivant toute combinaison techniquement admissible : [0013] - La bobine est adjacente aux première et deuxième bornes de connexion et est configure° pour générer une tension qui est fonction du champ magnétique créé dans ledit plan géométrique par un ou des courants électriques qui circulent par les première et deuxième bornes de connexion. [0014] - Le circuit de traitement est configure pour détecter un défaut électrique lors de la commutation des interrupteurs de puissance lorsque la tension générée par la bobine est supérieure à un seuil de tension, ledit seuil de tension étant de préférence supérieur à 0 Volts. [0015] - Le dispositif comporte une deuxième bobine montée sur la plaque de support et connectée au circuit de traitement, la deuxième bobine étant adjacente aux première et deuxième bornes de connexion et placée à l'opposé de l'autre bobine par rapport aux première et deuxième bornes de connexion. [0016] - Le dispositif comporte un boîtier incluant une face principale sur laquelle sont disposées les première et deuxième bornes de connexion, la plaque de support étant fixée sur ladite face principale, les premier et deuxième interrupteurs étant logés à l'intérieur du boîtier. [0017] - La plaque de support comporte un évidement de forme complémentaire à une portion du boîtier sur laquelle sont montées les première et deuxième bornes de connexion, le circuit de commande étant de préférence monté sur la plaque de support. [0018] - Le circuit de traitement est configure pour détecter un défaut électrique lors de la commutation des interrupteurs de puissance lorsque le champ magnétique mesuré par l'appareil de détection indique que l'intensité du courant entrant par la première borne de connexion augmente dans des mêmes proportions que l'intensité du courant sortant par la deuxième borne de connexion, les sens de circulation de ces deux courants étant opposés. [0019] - Le circuit de traitement est configure pour détecter un défaut électrique lors de la commutation des interrupteurs de puissance lorsque le champ magnétique mesuré par 3 l'appareil de détection indique que l'intensité du courant entrant par la première borne de connexion augmente alors qu'aucun courant ne circule par la deuxième borne de connexion. [0020] - Le circuit de traitement est configure pour considérer qu'aucun défaut électrique n'est présent lors de la commutation des interrupteurs de puissance lorsque le champ magnétique mesuré par l'appareil de détection indique que la variation de l'intensité du courant entrant par la première borne de connexion est opposée à la variation de l'intensité du courant sortant par la deuxième borne de connexion, les sens de circulation de ces deux courants étant les mêmes. [0021] Selon un autre aspect, l'invention concerne un convertisseur de puissance comportant une pluralité de dispositifs de commutation électrique chacun tel que décrit précédemment, les interrupteurs de puissance desdits dispositifs étant raccordés dc façon à former un circuit de conversion de puissance. [0022] L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement à la lumière dc la description qui va suivre d'un mode de réalisation d'un dispositif, notamment d'un dispositif de électronique puissance, donnée uniquement à titre d'exemple et faite en référence aux dessins annexés, dans lesquels : [0023] [fig.1] la figure 1 est un schéma électrique simplifié d'un dispositif selon des modes de réalisation de l'invention ; [0024] [fig.2] la figure 2 est une représentation schématique, selon une vue isométrique, du dispositif de la figure I; [0025] [fig.3] la figure 3 représente un premier exemple de fonctionnement du dispositif de la figure 1 en présence d'un défaut électrique, notamment d'un court-circuit interne au dispositif ; [0026] [fig.4] la figure 4 représente un deuxième exemple de fonctionnement du dispositif de la figure 1 en présence d'un défaut électrique, notamment un court-circuit externe au dispositif ; [0027] [fig.5] la figure 5 représente un exemple de fonctionnement du dispositif de la figure 1 en l'absence de défaut électrique. [0028] Les figures 1 et 2 représentent un dispositif 2, notamment un dispositif électronique de puissance. [0029] Le dispositif 2 est préférentiellement destiné à être utilisé dans un circuit électrique ou un système électrique, tel qu'un convertisseur de puissance. [0030] Le dispositif 2 comporte un premier interrupteur de puissance SI et un deuxième in- terrupteur de puissance S2 connectés en série entre une première borne de connexion et une deuxième borne de connexion du dispositif 2, telles qu'une borne de phase et une borne de neutre. [0031] Par exemple, le premier interrupteur de puissance Si et le deuxième interrupteur de puissance S2 comportent chacun un transistor de puissance, respectivement notés Tl et T2. [0032] Selon des exemples, les transistors de puissance Tl et T2 sont des transistors bi- polaires à grille isolée (IGBT). [0033] Avantageusement, les transistors de puissance Ti et T2 peuvent être des transistors MOSP'LT (Metal-Oxidc Scmiconductor Field-Effect Transistor), ou en variante des transistors IFET (Junction Gate Field-Effect Transistor), ou des transistors bipolaires, ou tout autre transistor de puissance approprié. [0034] Dans l'exemple illustré, chaque interrupteur SI, 52 comporte une diode Dl, D2 connectée en parallèle du transistor de puissance Ti, T2 correspondant. [0035] Par exemple, chaque interrupteur SI, S2 comporte une électrode de grille, respec- tivement notée Cl ou 02, connectée à la grille du transistor de puissance Tl, T2 correspondant. [0036] Dans l'exemple illustré, une borne de sortie 4, également appelée home intermédiaire 4, est connectée à un point milieu P entre la source du premier transistor Tl et le drain du deuxième transistor T2. [0037] La première borne de connexion du dispositif 2 porte ici la référence 8. La deuxième borne de connexion dispositif 2 porte ici la référence 6. [0038] Avantageusement, chacune des homes de connexion 6 et 8 comporte au moins un plot de contact, par exemple pour faciliter le raccordement de ladite borne de connexion avec un élément électriquement conducteur extérieur, tel qu'un câble ou une barre de raccordement. [0039] Dans l'exemple illustré, la borne 8 comporte deux plots de contact 81, 82 et la borne 6 comporte deux plots de contact 61 et 62. [0040] Par exemple, la borne 4 comporte également un ou plusieurs tels plots de contact, ici au nombre de trois et portant les références 41, 42 et 43. [0041] Le dispositif 2 comporte également un circuit électronique de commande 10 configuré pour piloter les premier et deuxième interrupteurs de puissance SI, S2, plus particulièrement pour piloter la commutation des transistors Ti et T2 en fonction d'un signal de commande. [0042] Selon des exemples, pour piloter les interrupteurs SI et S2, le circuit de commande 10 peut être connecté à des électrodes de commande des interrupteurs Si et S2, notamment aux électrodes GI et 02. [0043] Par exemple, selon des modes de réalisation, le circuit de commande 10 comporte un microcontrôleur ou un microprocesseur programmé pour exécuter des instructions et/ ou un code logiciel stockés en mémoire dans un support lisible par ordinateur, tel qu'une mémoire non volatile, afin de mettre en oeuvre un ou plusieurs algorithmes, notamment un procédé de commande des interrupteurs Si et S2. [0044] En variante, selon d'autres modes de réalisation, le circuit de commande 10 comporte un circuit intégré dédié configure pour mettre en oeuvre ledit procédé. [0045] Selon des exemples, le circuit électronique de commande 10 est monté sur une plaque de support 16. [0046] En pratique, des composants formants ledit circuit électronique de commande 10 sont montés sur la plaque dc support et sont par exemple connectés par des câbles ou des pistes électriquement conductrices formées sur ou dans la plaque de support 16. [0047] Par exemple, la plaque de support 16 est une plaque de forme plane et de préférence rigide. TI peut s'agir d'une plaque de résine du type FR4 ou de tout autre matériau approprié. [0048] Selon des modalités de mise en oeuvre, le dispositif 2 comporte un boîtier 18. [0049] Par exemple, le boîtier 18 est réalisé en un matériau isolant tel qu'un polymère, de préférence un polymère moulé, ou un matériau composite. [0050] Les premier et deuxième interrupteurs S1 et S2 sont ici logés à l'intérieur du boîtier 18. [0051] Les bornes de connexion 6 et 8, voire éventuellement la borne 4 et les électrodes 01 et 02, sont en revanche disposées de manière à être accessibles depuis l'extérieur du boîtier. [0052] Notamment, le boîtier 18 inclut une face principale sur laquelle sont disposées les première et deuxième bornes de connexion 6 et 8. [0053] Par exemple, la face principale est une face supérieure du boîtier 18. [0054] Selon l'exemple illustré, le boîtier 18 présente une forme de pavé, par exemple avec une portion de base de forme rectangulaire. [0055] Le circuit de commande 10 est en revanche disposé à l'extérieur du boîtier 18. [0056] Par exemple, la plaque de support 16 sur laquelle est formé le circuit de commande est montée sur boîtier 18, par exemple rapportée à l'extérieur du boîtier 18 tout en étant fixée à ce dernier. [0057] Selon des modes de réalisation, le dispositif 2 est formé à partir d'un appareil électrique préformé, tel qu'un pack de puissance (« power pack » en anglais), notamment un module MOSFET, sur lequel est rajoutée la plaque de support 16. [0058] Selon des exemples, les bornes de connexion 6, 8 sont disposées côte à côte et de préférence alignées dans un même plan géométrique Pl, ici parallèle à la face principale du boîtier 18. [0059] Dans l'exemple illustré, le plan Pl est perpendiculaire à une direction verticale du boîtier 18. [0060] Par exemple, dans l'exemple illustré, les bornes de connexion 6, 8 présentent une forme rectangulaire et sont disposées parallèlement à un axe X12 passant par le plan Pl, de part et d'autre de l'axe X12, cet axe X12 étant ici horizontal et parallèle à l'un 6 des bords du boîtier 18. [0061] De préférence, les plots de contact 61,62 sont alignés parallèlement à l'axe X12, et il en va de même pour les plots de contact 81, 82. [0062] Selon des modes de mise en oeuvre, la plaque de support 16 comporte avanta- geusement un évidement de forme complémentaire à la forme de la portion du boîtier 18 sur laquelle sont montées les bornes de connexion 6 et 8. [0063] Par exemple, l'évidement présente une forme essentiellement rectangulaire ou une forme de polyèdre. On comprend que, de façon générale, la forme de l'évitement est adaptée à la forme du boîtier 18. [0064] Par exemple, sur la figure 2, la référence « cl » désigne la distance séparant un bord de l'évidement de la portion du boîtier 18 sur laquelle sont montées les bornes de connexion 6 et 8. [0065] Le dispositif 2 comporte également un appareil de détection pour détecter un défaut électrique tel qu'un court-circuit, survenant par exemple à l'intérieur du dispositif 2, par exemple dans ou entre les interrupteurs 51 et 52. [0066] L'appareil de détection comporte au moins une bobine 12 associée aux bornes de connexion 6, 8 ainsi qu'un circuit électronique de traitement 14 configure pour identifier la présence d'un défaut électrique dans le dispositif en fonction de la tension électrique mesurée par la bobine 12, cette tension électrique étant représentative du champ magnétique mesuré par la bobine 12. [0067] Par exemple, la bobine 12 est agencée pour mesurer le champ magnétique créé dans le plan P1 par un ou des courants électriques qui circulent par les bornes 6 et/ou 8. [0068] A cet effet, la bobine 12 est montée sur la plaque de support 16 parallèlement aux bornes de connexion 6, 8 pour mesurer le champ magnétique dans ledit plan PI. [0069] Plus précisément, la bobine 12 est configurée pour générer une tension qui est fonction du champ magnétique créé dans ledit plan géométrique P1 par un ou des courants électriques qui circulent par les première et deuxième bornes de connexion 6, 8. [0070] Selon des modes de réalisation, comme illustré sur la figure 2, l'appareil de détection comporte deux bobines 12. [0071] Par exemple, une première bobine 12 est adjacente aux bornes de connexion 6 et 8. Une deuxième bobine 12, elle aussi adjacente aux homes de connexion 6 et 8 est placée à l'opposé de la première bobine 12 par rapport aux bornes de connexion 6 et 8. [0072] Dans l'exemple illustré, les bobines 12 sont alignées selon l'axe X12. [0073] Par exemple, les bobines 12 sont placées de part et d'autre de l'entaille ou évidement, de préférence avec une disposition symétrique. [0074] En variante, les bobines 12 peuvent être orientées différemment. En pratique, l'orientation de chaque bobine 12 est choisie en fonction de la configuration du 7 dispositif de manière à améliorer la détection magnétique par les bobines 12. [0075] En variante, l'appareil de détection peut ne comporter qu'une seule des deux bobines 12. [0076] Selon des exemples, chaque bobine 12 comporte un ou plusieurs enroulements d'un conducteur électrique. Les bobines 12 peuvent être des bobines préformées, par exemple pré-enroulées sur un support préconstruit, qui sont ensuite montées ou soudées sur la plaque de support 16. [0077] En variante, la ou les bobines 12 sont formées directement sur la plaque de support 16, par exemple par dépôt ou impression ou gravure d'un matériau électriquement conducteur dans ou sur la plaque de support 16. [0078] Le circuit de traitement 14 est également formé sur la plaque de support 16. [0079] Par exemple, selon des modes de réalisation, le circuit de traitement 14 comporte un microcontrôleur ou un microprocesseur programmé pour exécuter des instructions et/ ou un code logiciel stockés en mémoire dans un support lisible par ordinateur, tel qu'une mémoire non volatile, afin de mettre en oeuvre un ou plusieurs algorithmes, notamment un procédé de détection d'un défaut électrique. [0080] En variante, selon d'autres modes de réalisation, le circuit de traitement 14 comporte un circuit intégré dédié ou un composant logique programmable configure pour mettre en oeuvre ledit procédé. [0081] Dans certains modes de réalisation, au moins une partie des fonctions du circuit de traitement 14 peuvent être implémentées par le circuit de commande 10. [0082] En d'autres termes, le circuit de traitement 14 et le circuit de commande 10 peuvent alors ne former qu'un seul et même circuit électronique ou ensemble de circuits électroniques. [0083] Selon des exemples, le circuit de traitement 14 est programmé pour identifier la présence d'un défaut électrique notamment lors de la commutation d'un ou des deux interrupteurs Si et S2, c'est-à-dire lorsqu'un des deux transistors Tl et T2 ou les deux transistors Ti et T2 est/sont commutés. [0084] Plus précisément, le circuit de traitement 14 est par exemple configuré pour détecter un défaut électrique lors de la commutation des interrupteurs de puissance SI, S2 lorsque la tension générée par la bobine 12 est supérieure à un seuil de tension, ledit seuil de tension étant de préférence strictement supérieur à 0 Volts. [0085] Les figures 3, 4 et 5 présentent différentes modalités d'identification d'un défaut électrique ou d'absence de défaut électrique selon certains scénarios prédéfinis, par exemple grâce à une programmation spécifique du circuit de traitement 14. [0086] Ces modes de mise en oeuvre ne sont toutefois donnés qu'à titre d'exemple illustratif et on comprend qu'en variante, le circuit de traitement 14 pourrait être programmé différemment pour identifier de tels défauts électriques. 8 [0087] Selon un premier exemple illustré par la figure 3, le circuit de traitement 14 est configure pour détecter un défaut électrique lors de la commutation des interrupteurs de puissance Si. S2 lorsque le champ magnétique mesuré par l'appareil de détection indique que l'intensité du courant 1+ entrant par la première borne de connexion 8 augmente dans des mêmes proportions que l'intensité du courant!- sortant par la deuxième borne de connexion 6, les sens de circulation de ces deux courants étant opposés par rapport à la home de connexion respective qu'ils traversent (l'un entre dans la borne 8, l'autre sort de la borne 6). [0088] Un tel défaut correspond notamment à un court-circuit interne au boîtier 18, dans le sens où la première borne de connexion 8 est en court-circuit avec la deuxième borne de connexion 6, c'est-à-dire que les première et deuxième bornes sont reliées électriquement par un élément assimilable à un fil électrique conducteur, c'est-à-dire via les transistors Ti et T2 qui sont simultanément dans l'état passant. [0089] Sur la figure 3, la sous-figure (a) représente schématiquement les bornes 6 et 8 du dispositif 2 selon une vue de dessus. [0090] Sur ce schéma, la référence C+ désigne une ligne de champ magnétique dans le plan Pl correspondant au champ magnétique induit par la circulation du courant I-i- passant par la borne 8, par exemple entrant dans le dispositif 2. [0091] La référence C- désigne une ligne de champ magnétique dans le plan Pl cor- respondant au champ magnétique induit par la circulation du courant 1- passant par la borne 6, par exemple sortant du dispositif 2. [0092] Ce premier exemple correspond à un défaut électrique de type court-circuit survenant lors de la commutation des interrupteurs SI et S2, c'est-à-dire lorsque les transistors Ti et T2 sont dans leur état passant en même temps ou qu'un élément assimilable à un fil relie les bornes de connexion 6 et 8, alors qu'une tension continue est appliquée entre les bornes 6 et 8. Un courant électrique de court-circuit circule au travers des transistors Ti et T2 entre les bornes 6 et 8 alors que l'un des transistors Ti ou T2 devraient normalement être dans l'état bloquant. [0093] Comme illustré par le graphique sur la sous-figure (b), un courant LF entrant circule au travers de la borne 8 et un courant I-, de même amplitude et de signe opposé, circule au travers de la borne 6. Leurs amplitudes, notées sur l'axe des ordonnées « I », augmentent en valeur absolue au cours du temps, noté « t », à partir de l'instant tscl. [0094] La tension mesurée par la ou les bobines 12 augmente rapidement à l'instant tsc, puis reste stable lorsque les amplitudes des courants I+ et I- continuent à augmenter. [0095] Selon un deuxième exemple illustré par la figure 4, le circuit de traitement 14 est configuré pour détecter un défaut électrique lors de la commutation des interrupteurs de puissance Si, S2 lorsque le champ magnétique mesuré par l'appareil de détection indique que l'intensité du courant I+ entrant par la borne de connexion 8 augmente 9 alors qu'aucun courant ne circule par la borne de connexion 6. [0096] Un tel défaut correspond notamment à un court-circuit externe au boîtier 18, dans le sens où cela signifie notamment que le courant transitant par la borne de sortie augmente alors qu'il devrait être globalement stable. Un tel défaut intervient par exemple lorsque la borne de sortie est reliée à la terre alors que la première borne 8 est à un potentiel élevé. [0097] Sur la figure 4, la sous-figure (a) représente schématiquement les bornes 6 et 8 du dispositif 2 selon une vue de dessus. [0098] Sur ce schéma, la référence C+ désigne une ligne de champ magnétique dans le plan PI correspondant au champ magnétique induit par la circulation du courant I-i- passant par la borne 8, par exemple entrant dans le dispositif 2. [0099] Ce deuxième exemple correspond à un défaut électrique de type court-circuit survenant lorsqu'un courant électrique de court-circuit circule au travers du transistor Ti puis par la borne 4 sans passer par le transistor T2. [0100] Comme illustré par le graphique sur la sous-figure (h), un courant 1+ entrant circule au travers de la borne 8 puis au travers du transistor T1 et un courant lp de même amplitude sort par la borne 4. L'amplitude du courant lp, sensiblement égale à celle du courant 1+, notée sur l'axe des ordonnées REVENDICATIONSDispositif (2), notamment un dispositif électronique de puissance, comportant : - un premier interrupteur de puissance (S1) et un deuxième interrupteur de puissance (52) connectés en série entre des première et deuxième bornes de connexion (8, 6) du dispositif ; - un circuit électronique de commande (10) configuré pour piloter les premier et deuxième interrupteurs de puissance (SI, S2) ; le dispositif étant caractérisé en cc qu'il comprend un appareil de détection comportant au moins une bobine (12) associée aux première et deuxième bornes de connexion et un circuit électronique de traitement (14) configuré pour identifier la présence d'un défaut électrique dans le dispositif en fonction d'une tension électrique mesurée par la bobine (12), le circuit électronique de traitement (14) étant monté sur une plaque de support (16) et les première et deuxième bornes de connexion (8, 6) étant disposées côte à côte, et de préférence alignées, sensiblement dans un même plan géométrique (Pl), la bobine étant montée sur la plaque de support (16) parallèlement aux première et deuxième bornes de connexion pour mesurer le champ magnétique dans ledit plan. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel la bobine (12) est adjacente aux première et deuxième bornes de connexion et est configurée pour générer une tension qui est fonction du champ magnétique créé dans ledit plan géométrique par un ou des courants électriques qui circulent par les première et deuxième bornes de connexion. Dispositif selon la revendication 2, dans lequel le circuit de traitement (14) est configuré pour détecter un défaut électrique lors de la commutation des interrupteurs de puissance (Si, S2) lorsque la tension générée par la bobine est supérieure à un seuil de tension, ledit seuil de tension étant de préférence supérieur strictement. à 0 Volts. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, lequel comporte une deuxième bobine (12) montée sur la plaque de support (16) et connectée au circuit de traitement (14), la deuxième bobine étant adjacente aux première et deuxième bornes de connexion et placée à l'opposé de l'autre bobine par rapport aux première et deuxième bornes de connexion. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, lequel 14 [Revendication 6] [Revendication 7] [Revendication 8] [Revendication 9] [Revendication 10] comporte un boîtier (18) incluant une face principale sur laquelle sont disposées les première et deuxième bornes de connexion (8, 6), la plaque de support (16) étant fixée sur ladite face principale, les premier et deuxième interrupteurs (S1, S2) étant logés à l'intérieur du boîtier. Dispositif selon la revendication 5, dans lequel la plaque de support (16) comporte un évidement de forme complémentaire à une portion du boîtier (18) sur laquelle sont montées les première et deuxième bornes de connexion (8, 6), le circuit de commande étant de préférence monté sur la plaque de support. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le circuit de traitement (14) est configure pour détecter un défaut électrique lors de la commutation des interrupteurs de puissance (S1, S2) lorsque le champ magnétique mesuré par l'appareil de détection indique que l'intensité du courant (1+) entrant par la première borne de connexion (8) augmente dans des mêmes proportions que l'intensité du courant (1-) sortant par la deuxième home de connexion (6), les sens de circulation de ces deux courants étant opposés. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le circuit de traitement (14) est configure pour détecter un défaut électrique lors de la commutation des interrupteurs de puissance (S1, S2) lorsque le champ magnétique mesuré par l'appareil de détection indique que l'intensité du courant (I+) entrant par la première borne de connexion (8) augmente alors qu'aucun courant ne circule par la deuxième borne de connexion (6). Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le circuit de traitement (14) est configuré pour considérer qu'aucun défaut électrique n'est présent lors de la commutation des interrupteurs de puissance (SI, S2) lorsque le champ magnétique mesuré par l'appareil de détection indique que la variation de l'intensité du courant (I+) passant par la première borne de connexion (8) est opposée à la variation de l'intensité du courant (I-) passant par la deuxième borne de connexion (6), les sens de circulation de ces deux courants étant les mêmes. Convertisseur de puissance comportant une pluralité de dispositifs de commutation électrique (2) chacun conforme à l'une quelconque des revendications précédentes, les interrupteurs de puissance (Si, S2) (lesdits dispositifs étant raccordés de façon à former un circuit de conversion de puissance.