Brevet FR3098914A1 — publié le 20210122

Description Titre de l'invention : PROCEDE DE DETECTION D'HUMIDITE DANS UN CIRCUIT INTEGRE ET CIRCUIT INTEGRE ASSOCIE [0001] Des modes de mise en oeuvre et de réalisation de l'invention concernent les circuits intégrés, et en particulier la détection d'un risque de défaillance des circuits intégrés imprégnés d'humidité. [0002] Un circuit intégré est soumis durant sa vie à des conditions d'utilisation de dif- férentes natures susceptibles notamment de laisser pénétrer de l'humidité dans une région d'interconnexion (connue par l'homme du métier sous la dénomination anglo-saxonne BEOL « Back End Of Line ») du circuit intégré. [0003] L'humidité altère le matériau diélectrique entre les pistes conductrices de la région d'interconnexion, se traduisant par des courants de fuite traversant le matériau diélectrique engendrant des connexions électriques parasites entre des pistes dans la région d'interconnexion lorsque le taux d'humidité dans la région d'interconnexion dépasse un seuil autorisant la conduction électrique et/ou le couplage dans le matériau diélectrique. [0004] Les connexions électriques parasites sont susceptibles d'entraîner une défaillance du circuit intégré, conduisant à des problèmes de fiabilité du système intégrant le circuit intégré. [0005] Dans par exemple des applications automobiles requérant une fiabilité élevée, par exemple un circuit intégré de commande d'un système d'antiblocage des roues d'un véhicule (« ABS »), une défaillance du circuit intégré peut entraîner une perte de contrôle du véhicule. [0006] Il est nécessaire de prévenir une défaillance du circuit intégré causée par l'humidité. [0007] Afin de garantir un taux de fiabilité élevé du circuit intégré, on connaît, de l'état de la technique, des méthodes préventives visant à se prémunir contre les effets de l'humidité. Ces méthodes englobent notamment la mise en place d'étapes de contrôle et de tests d'humidité au cours de la fabrication du circuit intégré, et une définition fonctionnelle et structurelle du circuit intégré de manière à minimiser l'effet de l'humidité, notamment l'encapsulation du circuit intégré dans un boîtier minimisant, la pénétration d'humidité. [0008] Cependant, il est très difficile de prévoir la pénétration d'humidité dans le circuit, intégré au cours de la vie du circuit intégré de sorte que les méthodes préventives ne sont pas toujours efficaces. [0009] 11 existe un besoin de se prémunir plus efficacement contre les effets de l'humidité 2 dans un circuit intégré. [0010] Il est avantageusement proposé, au lieu d'appliquer des mesures préventives ou en complément de ces mesures préventives, de détecter la présence d'humidité dans le circuit intégré une fois fabriqué et opérationnel, en particulier lorsque cette humidité est susceptible d'entraîner une défaillance du circuit intégré. [0011] Selon des modes de mises en oeuvre et de réalisation, il est avantageusement proposé de détecter la présence d'humidité dans le circuit intégré en mesurant un courant, et de comparer le courant mesuré à un ou des seuils de référence pour notamment prévenir de la défaillance du circuit intégré si le courant mesuré est supérieur au(x) scuil(s) de référence. [0012] En outre, il est proposé selon des modes de mises en oeuvre et de réalisation de chauffer au moins une partie de la région d'interconnexion du circuit électrique si le courant mesuré est supérieur au(x) seuil(s) de référence pour rendre le circuit intégré fonctionnel ou repousser sa défaillance s'il est toujours fonctionnel. [0013] Selon un aspect, il est proposé un procédé comprenant une détection d'humidité dans un circuit intégré, ladite détection étant effectuée de façon autonome par le circuit intégré lui-même. [0014] Cette détection est avantageusement effectuée sur un circuit intégré totalement fabriqué ou réalisé et opérationnel ou fonctionnel. [0015] Cette détection peut être effectuée avant, après ou pendant le fonctionnement opé- rationnel du circuit intégré. [0016] Selon un mode de mise en oeuvre, ladite détection comprend -une application d'au moins une différence de potentiel entre au moins une première piste située dans au moins un niveau de métal d'une région d'interconnexion du circuit intégré et au moins une deuxième piste située dans ledit au moins un niveau de métal de ladite région d'interconnexion et séparée de la première piste par un matériau diélectrique, -une mesure d'au moins un courant susceptible de circuler dans l'une des première et deuxième pistes, ledit au moins un courant éventuel étant généré à partir de ladite au moins une différence de potentiel en présence d'une humidité rendant moins isolant ledit matériau diélectrique, et -une comparaison dudit au moins courant mesuré à au moins un premier seuil. [0017] On peut détecter la progression de l'humidité dans une région d'interconnexion du circuit intégré en suivant la dérive d'un seul paramètre (courant de fuite ou courant mesuré), la détection étant effectuée de manière autonome par ledit circuit. [0018] Selon un mode de mise en oeuvre, le procédé comprend une comparaison dudit au moins un courant mesuré à un deuxième seuil, le deuxième seuil étant supérieur au premier seuil. 3 [0019] Selon un autre mode de mise en oeuvre, le procédé comprend l'émission d'une première notification lorsque le courant mesuré est supérieur audit premier seuil. [0020] Le circuit intégré avertit ainsi qu'il est probablement défaillant ou qu'il est amené à l'être prochainement. [0021] Selon un autre mode de mise en oeuvre, le procédé comprend l'émission d'une deuxième notification lorsque le courant mesuré est supérieur au deuxième seuil. [0022] Selon un mode de mise en oeuvre, on réitère les étapes d'application de la différence de potentiel, de mesure du courant et de comparaison à intervalle régulier tant que le courant est inférieur au premier seuil. [0023] La détection d'humidité dans le circuit intégré s'effectue alors avantageusement de manière régulière dans le temps. [0024] Selon un autre mode de mise en oeuvre, chaque niveau de métal comprend une première piste et une deuxième piste, l'ensemble des premières pistes étant reliées entre elles en série ou en parallèle et l'ensemble des deuxièmes pistes étant reliées entre elles en série ou en parallèle, et le procédé comprend l'application de la différence de potentiel entre l'ensemble des premières pistes et l'ensemble des deuxièmes pistes, et la mesure du courant éventuel circulant dans l'ensemble des premières ou deuxièmes pistes. [0025] La détection d'humidité s'effectue alors avantageusement sur toute la hauteur de la région d'interconnexion. [0026] Selon un autre mode de mise en oeuvre, chaque niveau de métal comprend une première piste et une deuxième piste, lesdites premières pistes n'étant pas reliées entre elles et lesdites deuxièmes pistes n'étant pas reliées entre elles, et le procédé comprend l'application de la différence de potentiel entre chaque première piste et chaque deuxième piste, et la mesure du courant éventuel circulant dans chacune des première ou deuxième pistes. [0027] La détection permet alors avantageusement d'identifier dans quel niveau de métal est située l'humidité. [0028] Selon un autre mode de mise en oeuvre, chaque niveau de métal comprend une première piste et une deuxième piste, lesdites premières pistes n'étant pas reliées entre elles et lesdites deuxièmes pistes étant reliées entre elles en série ou en parallèle, le procédé comprenant l'application de la différence de potentiel entre chaque première piste et l'ensemble des deuxièmes pistes, et la mesure du courant éventuel circulant dans chacune des premières pistes. [0029] Selon un mode de mise en oeuvre, le procédé comprend une application simultanée de la différence de potentiel entre l'ensemble des premières et des deuxièmes pistes. Il est possible d'effectuer une application en continu de la différence de potentiel entre au moins une première piste et au moins une deuxième piste. [0030] En variante on peut effectuer une application de la différence de potentiel entre au moins une première piste et au moins une deuxième piste à intervalles de temps réguliers pendant une première durée. [0031] La consommation énergétique du circuit intégré est ainsi réduite. [0032] On peut par exemple disposer les premières et deuxièmes pistes sur le pourtour du circuit intégré. [0033] L'ensemble de la région d'interconnexion du circuit intégré est ainsi surveillé. [0034] Selon un mode de mise en oeuvre, le procédé comprenant, lorsque le courant mesuré dans au moins une première ou une deuxième piste est supérieur au premier seuil, une injection d'un courant additionnel dans au moins une troisième piste située dans la région d'interconnexion et au-dessus ou en dessous des premières et deuxièmes pistes, de façon à chauffer au moins une partie du circuit intégré afin d'évaporer l'humidité. [0035] Selon un mode de mise en oeuvre, le procédé comprend, lorsque le courant mesuré dans au moins une première ou une deuxième piste est supérieur au premier seuil, une injection d'un courant additionnel dans au moins une troisième piste située dans la région d'interconnexion et située dans le même niveau de métal que les premières et deuxièmes pistes de façon à chauffer au moins une partie du circuit intégré afin d'évaporer l'humidité. [0036] L'injection du courant additionnel peut s'effectuer pendant une deuxième durée dans la troisième piste. [0037] Selon un autre mode de mise en oeuvre, le procédé comprend, lorsque le courant mesuré dans au moins une première ou une deuxième piste est supérieur au premier seuil, une injection pendant une troisième durée d'un courant supplémentaire dans les premières et/ou deuxièmes pistes de façon à chauffer au moins une partie du circuit intégré afin d'évaporer l'humidité. [0038] Selon encore un autre mode possible de mise en oeuvre, le procédé comprend, lorsque le courant mesuré dans au moins une première ou une deuxième piste est supérieur au premier seuil, une activation pendant une quatrième durée d'un dispositif de chauffage therrniquement couplé à ladite partie d'interconnexion de façon à chauffer une partie du circuit intégré afin d'évaporer l'humidité. [0039] Le procédé peut comprendre une réitération de l'application de la différence de potentiel, de la mesure du courant, de la comparaison et de l'injection d'un courant ou de l'activation du dispositif de chauffage tant que le courant mesuré est supérieur au premier seuil ou tant que le courant mesuré est supérieur au premier seuil et tant que le nombre de réitération est inférieur à un nombre de tentatives prédéterminé. [0040] Selon un autre aspect, il est proposé un circuit intégré, incorporant des moyens de détection configurés pour détecter de façon autonome une humidité éventuelle dans le circuit intégré. [0041] Selon un mode de réalisation, le circuit intégré comprend une région d'interconnexion comportant dans au moins un niveau de métal, au moins une première piste et au moins une deuxième piste séparées par un matériau diélectrique, et les moyens de détection comportent -des moyens d'application de potentiel configurés pour appliquer au moins une différence de potentiel entre ladite au moins une première piste et ladite au moins une deuxième piste, -des moyens de mesure de courant configurés pour mesurer au moins un courant susceptible de circuler dans ladite au moins première ou deuxième piste, ledit au moins un courant éventuel étant généré à partir de ladite au moins une différence de potentiel en présence d'une humidité rendant moins isolant ledit matériau diélectrique, et -des moyens de comparaison reliés aux moyens de mesure et aptes à comparer ledit au moins un courant mesuré à au moins un premier seuil. [0042] Selon un mode de réalisation, les moyens de détection comprennent en outre des moyens de communication aptes à émettre une notification lorsque le courant mesuré est supérieur audit premier seuil. [0043] Selon un mode de réalisation, les moyens de communication sont en outre aptes à émettre une notification lorsque le courant mesuré est supérieur audit deuxième seuil. [0044] Selon un mode de réalisation, -chaque niveau de métal de la région d'interconnexion comprend une première piste et une deuxième piste, l'ensemble des premières pistes étant reliées entre elles en série ou en parallèle et l'ensemble des deuxièmes pistes étant reliées entre elles en série ou en parallèle, -les moyens d'application de potentiel sont configurés pour appliquer la différence de potentiel entre l'ensemble des premières et des deuxièmes pistes, et -les moyens de mesure du courant sont configurés pour effectuer la mesure du courant éventuel circulant dans l'ensemble des premières ou deuxièmes pistes. [0045] Selon un mode de réalisation, -chaque niveau de métal comprend une première piste et une deuxième piste , l'une des première et deuxième pistes étant reliée aux moyens de mesure, lesdites premières pistes n'étant pas reliées entre elles et lesdites deuxièmes pistes n'étant pas reliées entre elles, -les moyens d'application de potentiel étant configurés pour appliquer la différence de potentiel entre chaque première piste et chaque deuxième piste, et -les moyens de mesure du courant étant configurés pour effectuer la mesure du courant éventuel circulant dans chaque première ou deuxième piste. [0046] Selon un mode de réalisation, chaque niveau de métal comprend une première piste reliée aux moyens de mesure et une deuxième piste, lesdites premières pistes n'étant 6 pas reliées entre elles et lesdites deuxièmes pistes étant reliées entre elles en parallèle ou en série, les moyens d'application de potentiel étant configurés pour appliquer la différence de potentiel entre chaque première piste et l'ensemble des deuxièmes pistes, et les moyens de mesure du courant étant configurés pour effectuer la mesure du courant éventuel circulant dans chaque première piste. [0047] Selon un mode de réalisation, les moyens d'application de potentiel sont configurés pour appliquer la différence dc potentiel en continu entre au moins une première piste et au moins une deuxième piste. [0048] Selon un mode de réalisation, les moyens d'application de potentiel sont configurés pour appliquer la différence dc potentiel à intervalles de temps réguliers pendant une première durée entre au moins une première piste et au moins une deuxième piste. [0049] Selon un mode de réalisation, les premières et deuxièmes pistes sont disposées sur le pourtour du circuit intégré. [0050] Selon un mode de réalisation, le circuit intégré comprend en outre des moyens dc chauffage configurés pour chauffer au moins une partie du circuit intégré afin d'évaporer l'humidité lorsque le courant mesuré dans au moins une première piste ou au moins une deuxième piste est supérieur audit premier seuil. [0051] Les moyens de chauffage sont avantageusement configurés pour déplacer l'humidité à l'intérieur du circuit intégré de sorte que l'humidité n'entraîne pas de défaillance du circuit. [0052] Selon un mode de réalisation, les moyens de chauffage comprennent des moyens d'injection de courant et au moins une troisième piste située dans la région d'interconnexion et au-dessus ou en dessous des premières et deuxièmes pistes, les moyens d'injection de courant étant configurés pour injecter un courant additionnel dans la troisième piste de façon à échauffer la troisième piste par effet Joule. [0053] Selon un mode de réalisation, les moyens de chauffage comprennent des moyens d'injection de courant et au moins une troisième piste située dans la région d'interconnexion et située dans le même niveau de métal que les premières et deuxièmes pistes, les moyens d'injection de courant étant configurés pour injecter un courant additionnel dans la troisième piste de façon à échauffer la troisième piste par effet Joule. [0054] Ces troisièmes pistes, ou pistes de chauffage, rajoutées dans la région d'interconnexion sont avantageusement dimensionnées pour assurer un chauffage optimal. [0055] Selon un mode de réalisation, les moyens d'injection de courant sont configurés pour injecter le courant additionnel pendant une deuxième durée. [0056] Selon un mode de réalisation, les moyens de chauffage comprennent des moyens d'injection de courant configurés pour, lorsque le courant mesuré dans au moins une 7 première ou une deuxième piste est supérieur audit premier seuil, échauffer par effet Joule les premières et deuxièmes pistes pendant une troisième durée. [0057] Comme les premières et deuxièmes pistes sont ici utilisées pour chauffer la région d'interconnexion, l'encombrement des moyens de chauffage dans la région d'interconnexion est réduit. [0058] Selon un mode de réalisation, les moyens de chauffage comprennent un dispositif de chauffage thermiquement couplé à la partie d'interconnexion du circuit intégré et des moyens de commande configurés pour commander le dispositif de chauffage. [0059] Selon un mode de réalisation, les moyens de comparaison comprennent une mémoire non volatile contenant une valeur de référence dudit au moins un premier seuil. [0060] Selon un autre aspect, il est proposé un appareil incorporant un circuit intégré tel que défini ci-avant. [0061] D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront à l'examen de la description détaillée de modes de réalisation, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels : [0062] [fig.1] [0063] [fig.2] [0064] [fig.3] [0065] [fig.4] [0066] [fig.5] [0067] [fig.6] [0068] [fig.7] [0069] [fig.8] [0070] [fig.9] [0071] [fig.10], et [0072] [fig.11] illustrent différents modes de réalisation et de mise en oeuvre de l'invention. [0073] On se réfère aux figures 1 et 2 qui représentent un exemple d'un premier mode de réalisation d'un circuit intégré CI, et à la figure 3 qui illustre une vue partielle en coupe selon la ligne de coupe de la figure 2, le circuit intégré CI étant incorporé dans un appareil électronique CP, par exemple un dispositif de contrôle d'un système antiblocage des roues pour un véhicule automobile. [0074] Le circuit intégré CI incorpore des moyens de détection configurés pour détecter de façon autonome une humidité éventuelle dans le circuit intégré. [0075] Plus précisément, et selon un mode de réalisation le circuit intégré comporte ici (figure 2) au moins une première piste, ou piste d'émission, 1, et au moins une deuxième piste, ou piste de réception, 3, séparée de ladite au moins une première piste 1 par un matériau électriquement isolant (ou diélectrique). [0076] Par ailleurs les moyens de détection comportent 8 -des moyens d'application de potentiel 2 reliés à la piste d'émission 1 et à la piste de réception 3, et configurés pour appliquer une différence de potentiel Vref entre les pistes 1 et 3, -des moyens de mesure de courant 4 reliés à ladite au moins une piste de réception 3 et configurés pour mesurer un courant IN1, ou courant de fuite, susceptible de circuler dans ladite au moins une piste de réception 3, ce courant éventuel étant généré à partir de ladite au moins une différence de potentiel en présence d'une humidité rendant moins isolant ledit matériau diélectrique, et -des moyens de comparaison 5 reliés aux moyens de mesure de courant 4 et configurés pour comparer le courant mesuré dans ladite au moins une piste de réception 3 à un premier seuil Si. [0077] En variante, la piste d'émission 1 peut être reliée aux moyens de mesure de courant 4 de manière à mesurer un courant de fuite éventuel généré à partir de la différence de potentiel. [0078] Les moyens de comparaison 5 peuvent être configurés pour comparer le courant IN1 mesuré à un deuxième seuil S2 supérieur au premier seuil Sl. [0079] Bien entendu, les moyens de comparaison 5 peuvent être configurés pour comparer le courant IN1 à plus de deux seuils. [0080] Les pistes d'émission 1 et de réception 3 sont situées dans une région d'interconnexion INT (connue par l'homme du métier sous l'acronyme anglo-saxon BEOL : « Back End Of Line ») et sont par exemple disposées sur le pourtour du circuit intégré CI. [0081] L'ensemble du circuit intégré CI est ainsi avantageusement surveillé. [0082] En variante, les pistes 1 et 3 peuvent être disposées sur une partie du pourtour du circuit CI ou sur toute autre région du circuit CI. [0083] Les moyens de détection peuvent comprendre en outre des moyens de commu- nication 6 reliés aux moyens de comparaison 5 et configurés pour émettre une notification lorsque le courant mesuré INI est supérieur par exemple au premier seuil Si, par exemple en allumant un voyant (non représenté). [0084] Si le courant mesuré INI est supérieur au deuxième seuil S2, les moyens de commu- nication 6 sont par exemple configurés pour émettre un message textuel sur un écran. [0085] Comme illustré sur la figure 2, le circuit intégré CI comporte un substrat semi- conducteur 7, dans lequel sont intégrés les moyens d'application de potentiel 2, les moyens de mesure de courant 4, les moyens de comparaison 5 et les moyens de communication 6. [0086] Les moyens d'application de potentiel 2 comprennent par exemple une source de tension de potentiel Vref reliée à la piste d'émission 1 et une borne de masse reliée à la 9 piste de réception 3, et les moyens de comparaison 5 comprennent par exemple une mémoire non volatile 8 contenant la valeur du seuil S1 et la valeur du seuil S2. [0087] Le seuil S1 est par exemple déterminé en mesurant, pour une différence de potentiel donnée Vrcf appliquée entre la piste d'émission 1 et de réception 3, le courant IN1 mesuré dans la piste de réception 3 par les moyens de mesure 4 lorsque le circuit intégré CI sort de la ligne de production, c'est-à-dire lorsqu'il ne contient pas d'humidité. [0088] En variante, le seuil S1 peut être déterminé par des mesures effectuées en laboratoire. [0089] Selon encore une autre variante, le seuil Si est égal à une mesure effectuée par les moyens de mesure de courant 4. [0090] La différence de potentiel Vref est déterminée de manière à obtenir un champ électrique générant un courant IN1 mesurable par des moyens de mesure 4 compacts. La différence de potentiel Vref est par exemple comprise entre 0.1 Volts et 10 Volts de manière à générer un champ de l'ordre du MVolt/cm. [0091] Pour des produits automobiles en technologie 90 nm, le premier seuil S1 est par exemple égal à 10 à 100 fois la valeur mesurée du courant IN1 lorsque le circuit Cl sort de la ligne de production. [0092] Le deuxième seuil S2 est par exemple égal à 10 fois le premier seuil S1 de sorte que si le courant IN1 mesuré atteint le deuxième seuil S2, le circuit intégré CT est par exemple considéré comme défaillant. [0093] Le substrat 7 est surmonté par la région d'interconnexion INT qui comporte ici plusieurs niveaux de métal NI, N2, N3, N4 et N5 comportant chacun une piste d'émission 1 et une piste de réception 3 enrobées dans le matériau diélectrique (« Intermetal dielectric » selon une dénomination anglo-saxonne bien connue de l'homme du métier). [0094] Chaque piste de réception 3 est donc située dans un même plan que la piste d'émission 1, ledit plan étant parallèle aux niveaux de métal. [0095] Les pistes d'émission 1 de l'ensemble des niveaux de métal NI, N2, N3, N4 et N5 sont reliées entre elles en série par des vias VI et l'ensemble des pistes de réception de l'ensemble des niveaux de métal Ni, N2, N3, N4 et N5 sont reliées entre elles en série par des vias V2. [0096] Les pistes reliées en série entre elles sont reliées entre elles par une seule connexion. [0097] En variante, les pistes d'émission 1 de l'ensemble des niveaux de métal sont reliées en parallèle, c'est-à-dire que lesdites pistes sont reliées entre elles par au moins deux connexions. Bien entendu, les pistes de réception 3 de l'ensemble des niveaux de métal peuvent aussi être reliées en parallèle. [0098] Comme chaque niveau de métal NI à N5 comprend une piste d'émission 1 et une piste de réception 3, la détection de l'humidité s'effectue sur l'ensemble de la hauteur de la région d'interconnexion INT. [0099] En variante, le circuit intégré CI peut comporter une seule piste d'émission 1 et une seule piste de réception 3 dans un niveau de métal choisi, de préférence dans le niveau de métal supérieur ou N5 dans cet exemple plus sensible à l'humidité. [0100] On sc réfère à la figure 4 qui illustre un exemple de mode de mise en oeuvre du premier mode de réalisation du circuit intégré CI. [0101] On suppose que le niveau de métal N5 contient un taux d'humidité supérieur au taux d'humidité correspondant au seuil Si. [0102] Dans une étape 8, les moyens d'application de potentiel 2 appliquent la différence de potentiel Vref entre les pistes d'émission 1 et de réception 3. [0103] Les moyens d'application de potentiel 2 peuvent appliquer la différence de potentiel Vref en continu ou à intervalles de temps réguliers pendant une première durée Ti. [0104] L'application de la différence de potentiel Vref par intermittence permet de réduire la consommation énergétique du circuit CI par rapport à l'injection de la tension Vref en continu. [0105] Les moyens de mesure 4 mesurent le courant IN1 circulant dans les pistes de réception 3 et les moyens de comparaison comparent le courant IN1 au premier seuil S1 (étape 9). [0106] Si la valeur du courant IN1 est inférieure ou égale au premier seuil Sl, on réitère l'étape 8, la réitération pouvant avoir lieu immédiatement ou après une durée de réitération prédéterminée de par exemple vingt-quatre hem-es. [0107] Dans le cas où le niveau N5 contient de l'humidité, le matériau diélectrique enrobant les pistes 1 et 3 présente une conductivité supérieure à celle du matériau diélectrique ne contenant pas d'humidité, et la valeur du courant IN1 est supérieure au premier seuil SI. [0108] Les moyens de mesure 4 mesurent le courant INI circulant dans les pistes de réception 3 et les moyens de comparaison comparent le courant INI au deuxième seuil S2 (étape 10). [0109] Si le courant IN1 n'est pas supérieur au deuxième seuil S2, on poursuit alors à l'étape 11. [0110] A l'étape 11, les moyens de communication 6 notifient la présence d'humidité dans le circuit intégré CI avertissant de la probable défaillance du circuit CI. [0111] Cette première notification avertit par exemple l'utilisateur d'un véhicule incorporant le circuit CI dans un système d'antiblocage des roues que le système d'antiblocage des roues ne sera plus fonctionnel prochainement et l'incite à faire réparer le véhicule. [0112] Si le courant IN1 est supérieur au deuxième seuil S2, on poursuit alors à l'étape 12. [0113] A l'étape 12, les moyens de communication 6 notifient la présence d'humidité dans le circuit intégré CI avertissant de la défaillance avérée du circuit CI. 11 [0114] Cette deuxième notification avertit par exemple l'utilisateur du véhicule que le système d'antiblocagc des roues que le système d'antiblocage des roues n'est plus fonctionnel. [0115] La figure 5 illustre un deuxième mode de réalisation du circuit intégré CI. [0116] On retrouve les niveaux de métal N1 à N5 comprenant chacun une piste d'émission 1 et une piste de réception 3, et les moyens d'application de potentiel 2, les moyens de mesure de courant 4, les moyens de comparaison 5 et les moyens de communication 6 intégrés dans le substrat 7. [0117] Ce mode de réalisation du circuit CI diffère du premier mode de réalisation illustré aux figures 1 à 3 en ce que chaque piste d'émission 1 de chaque niveau de métal Ni à N5 est reliée aux moyens d'application de potentiel 2 et aux moyens de mesure 4 par des vias indépendants V3 à V7, et chaque piste de réception 3 de chaque niveau de métal Ni à N5 est reliée aux moyens d'application de potentiel 2 par des vias indépendants V8 à V12, les différentes pistes d'émission n'étant pas reliées entre elles et les différentes pistes de réception n'étant pas reliées entre elles. [0118] Le courant de fuite dans chaque niveau de métal NI à N5 est mesuré et comparé aux seuils S1 et S2 indépendamment des autres niveaux de métal, permettant d' identifier dans quel niveau de métal est situé un taux de concentration d'humidité supérieur au(x) taux d'humidité de référence. [0119] Des seuils S1 et S2 de valeur différente peuvent être associés à chaque niveau de métal N1 à N5 pour tenir compte des caractéristiques géométriques différentes des pistes 1 et 3 dans chaque niveau de métal Ni à N5, par exemple l'épaisseur des pistes, la longueur des pistes, la largeur des vias V3 à V12. [0120] La détermination du niveau de métal « défaillant » permet plus facilement de dé- terminer par exemple quelle(s) étape(s) du procédé de fabrication du circuit intégré a/ ont présenté au moins une anomalie [0121] La figure 6 illustre un troisième mode de réalisation du circuit intégré CI. [0122] On retrouve les niveaux de métal N1 à N5 comprenant chacun une piste d'émission 1 et une piste de réception 3, et les moyens d'application de potentiel 2, les moyens de mesure de courant 4, les moyens de comparaison 5 et les moyens de communication 6 intégrés dans le substrat 7. [0123] Ce mode de réalisation du circuit CI diffère du premier mode de réalisation illustré aux figures 1 à 3 en ce que chaque piste d'émission 1 de chaque niveau de métal N1 à N5 est reliée aux moyens d'application de potentiel 2 et aux moyens de mesure de courant 4 par des vias indépendants V3 à V7. [0124] Le courant de fuite circulant dans chaque piste d'émission 1 dans chaque niveau de métal N1 à N5 est mesuré et comparé aux seuils Si et S2 indépendamment des autres niveaux de métal, permettant d'identifier dans quel niveau de métal est situé un taux 12 d'humidité supérieur au(x) taux d'humidité de référence. [0125] Des seuils S1 et S2 de valeur différente peuvent être associés à chaque niveau de métal Ni à N5 pour tenir compte des caractéristiques géométriques différentes des pistes 1 et 3 dans chaque niveau de métal Ni à N5, par exemple l'épaisseur des pistes, la longueur des pistes, la longueur des vias V3 à V12. [0126] La détermination du niveau de métal « défaillant » permet plus facilement de dé- terminer par exemple quelle(s) étape(s) du procédé de fabrication du circuit intégré a/ ont présenté au moins une anomalie, tout en étant plus compact que dans le cas du deuxième mode de réalisation du circuit Cl illustré à la figure 5. [0127] En outre, comme les pistes de réception 3 sont reliées en série ou en parallèle, la connexion des pistes 3 aux moyens d'application de potentiel 2 est plus simple à réaliser que dans le deuxième mode de réalisation du circuit intégré Cl. [0128] En variante, les pistes d'émission 1 sont reliées entre elles en série ou en parallèle et chaque piste de réception 3 est reliée aux moyens d'application de potentiel 2 et aux moyens de mesure de courant 4 par des vias indépendants, le courant de fuite circulant dans chaque piste de réception étant mesuré. [0129] Les modes de réalisation du circuit intégré CI décrits précédemment permettent de détecter de l'humidité dans le circuit CI susceptible d'entraîner sa défaillance. [0130] Les modes de réalisation du circuit intégré CI décrits dans ce qui suit comprennent en outre des moyens de chauffage configurés pour chauffer au moins une partie du circuit intégré CI afin d'évaporer l'humidité lorsque le courant mesuré dans au moins une piste de réception 3 est supérieur au premier seuil Si. [0131] Les moyens de chauffage sont configurés pour chauffer l'ensemble du circuit intégré CI. [0132] Les moyens de chauffage sont configurés pour par exemple redistribuer l'humidité présente à l'intérieur du circuit intégré CI de sorte que l'humidité n'entraîne pas de défaillance du circuit intégré CI. [0133] La figure 7 illustre un quatrième mode de réalisation du circuit intégré CI comprenant un premier mode de réalisation des moyens de chauffage. [0134] On retrouve la piste d'émission 1, la piste de réception 3, les moyens d'application de potentiel 2, les moyens de mesure de courant 4, les moyens de comparaison 5 et les moyens de communication 6. [0135] Le circuit intégré comprend en outre les moyens de chauffage comportant des moyens supplémentaires d'injection de courant 11, par exemple une source de courant. [0136] Les moyens supplémentaires d'injection de courant 11 sont reliés aux pistes 1 et 3, et aux moyens de comparaison 5. [0137] Ce mode de réalisation des moyens de chauffage est implémenté dans le circuit CI seulement si la section des pistes 1 et 3 est suffisante pour que le courant IN2 délivré 13 par les moyens d'injection de courant 11 soit suffisant pour échauffer par effet Joule les pistes de réception et d'émission pendant une durée T3. [0138] Comme les pistes 1 et 3 sont utilisées pour chauffer la région d'interconnexion INT, l'encombrement des moyens de chauffage dans la région d'interconnexion est réduit. [0139] La durée T3 est déterminée par exemple en fonction de la section des pistes 1 et 3, et de la valeur du courant délivré par moyens d'injection de courant 11 de sorte que l'énergie thermique dégagée par les pistes 1 et 3 pendant la durée T3 soit suffisante pour rendre le circuit CI à nouveau fonctionnel. [0140] Les moyens d'injection de courant 11 délivrent le courant 1N2 pendant la durée T3 lorsque les moyens de comparaison 5 ont déterminé que le courant IN1 est supérieur au seuil Sl. [0141] Les figures 8 et 9 illustrent un cinquième mode de réalisation du circuit intégré CI comprenant un deuxième mode de réalisation des moyens de chauffage, la figure 8 étant une vue partielle représentant les niveaux de métal N3 à N5 et le substrat 7. [0142] On retrouve la piste d'émission 1, la piste de réception 3, les moyens d'application de potentiel 2, les moyens de mesure de courant 4, les moyens de comparaison 5, les moyens de communication 6 et les moyens d'injection de courant 11. [0143] Cc mode de réalisation du circuit CI diffère du troisième mode de réalisation du circuit CI illustré à la figure 6 en ce que le circuit CI comporte en outre des troisièmes pistes, ou pistes de chauffage, 12 situées dans la région d'interconnexion INT et situées au-dessus et/ou en dessous et/ou dans le même niveau de métal que les pistes d'émission 1 et de réception 3, les pistes de chauffage 12 étant reliées aux moyens d'injection de courant 11 configurés pour échauffer les pistes de chauffage 12 par effet Joule lorsque le courant mesuré dans au moins une première ou au moins une deuxième piste est supérieur audit seuil Sl. [0144] Les pistes de chauffage 12 rajoutées dans la région d'interconnexion INT sont di- mensionnées pour assurer un chauffage optimal. [0145] Les moyens de chauffage comprennent ici les moyens d'injection de courant 11 et les pistes de chauffage 12. [0146] Les moyens d'injection 11 d'un courant alimentent en courant les pistes de chauffage 12 pendant une durée T2 déterminée en fonction de la section des pistes de chauffage 12 et de la valeur du courant IN3 délivré par les moyens d'injection de courant 11 de sorte que l'énergie thermique dégagée par les pistes de chauffage 12 pendant la durée T2 soit suffisante pour rendre le circuit CI à nouveau fonctionnel. [0147] On se réfère à la figure 10 qui illustre une vue partielle du niveau de métal N5 et du substrat 7 d'un sixième mode de réalisation du circuit intégré CI comprenant un troisième mode de réalisation des moyens de chauffage. [0148] Les moyens de chauffage comprennent un dispositif de chauffage 13 et des moyens 14 de commande 14 du dispositif de chauffage. [0149] Le dispositif de chauffage 13 est thermiquement couplé à la partie d'interconnexion et est à cet égard par exemple disposé au-dessus de la face supérieure de la partie d'interconnexion du circuit intégré CI, par exemple au-dessus du niveau de métal N5, et comprend par exemple une résistance chauffante. [0150] Cette résistante chauffante est électriquement isolée de la partie d'interconnexion INT. [0151] Le dispositif de chauffage disposé à l'extérieur de la partie d'interconnexion, permet d'optimiser les dimensions du circuit intégré CI, notamment la région d'interconnexion INT. [0152] Les moyens de commande 14 sont situés par exemple dans le substrat 7 et sont reliés au dispositif de chauffage 13 par l'intermédiaire de vias V13 et V14 traversant la région d'interconnexion INT, et sont configurés pour commander le dispositif de chauffage 13 de sorte qu'il chauffe le circuit CI pendant une durée T4. [0153] La durée T4 est choisie de sorte qu'à l'issue de la durée de chauffe T4, le circuit CI soit fonctionnel. [0154] La figure 11 illustre un exemple de mise en oeuvre des moyens de chauffage décrits précédemment. [0155] On suppose que le niveau de métal N5 contient de l'humidité de sorte que le courant mesuré 1N1 est supérieur au premier seuil S1 et inférieur au seuil S2. [0156] On retrouve les étapes 8, 9, 10, 11 et 12. [0157] On poursuit à l'étape 11, puis à l'étape 13. [0158] A l'étape 13, si le circuit intégré CI comprend les moyens de chauffage selon le premier mode de réalisation décrit à la figure 7, les moyens d'injection de courant 11 alimentent en courant IN2 les pistes 1 et 3 pendant la durée T3. [0159] Si le circuit intégré CI comprend les moyens de chauffage selon le deuxième mode de réalisation décrit aux figures 8 et 9, les moyens d'injection d'un courant 11 alimentent en courant IN3 les pistes de chauffage 12 pendant la durée T2. [0160] Si le circuit intégré CI comprend les moyens de chauffage selon le troisième mode de réalisation décrit à la figure 10, les moyens de commande 14 contrôlent le dispositif de chauffage 13 de sorte qu'il chauffe le circuit CI pendant la durée T4. [0161] Puis à l'issue de l'une des durées T2, T3 ou T4, on réitère l'étape 8, la réitération pouvant avoir lieu immédiatement ou après une durée de réitération prédéterminée de par exemple vingt-quatre heures. [0162] En variante, on réitère l'application de la différence de potentiel, la mesure du courant, la comparaison et de l'injection d'un courant ou de l'activation du dispositif de chauffage tant que le courant mesuré est supérieur au premier seuil et tant que le nombre de réitération est inférieur à un nombre de tentatives prédéterminé. [0163] Les moyens de réalisation du circuit intégré CI décrits précédemment permettent au circuit intégré CI de détecter la progression de l'humidité dans la région d'interconnexion INT en suivant la dérive d'un seul paramètre (courant de fuite ou courant mesuré) de manière autonome, et d'avertir de sa probable défaillance. [0164] Si le circuit intégré comprend des moyens de chauffage, le circuit intégré CI peut repousser l'humidité de manière à rétablir l'ensemble de ses fonctionnalités, prolongeant ainsi la durée de vie du circuit intégré CI. [0165] La réalisation du circuit intégré CI tel que défini ci-avant ne nécessite par la réa- lisation de masque supplémentaire. 16 REVENDICATIONS[Revendication I] Procédé, comprenant une détection d'humidité éventuelle dans un circuit intégré (Cl), ladite détection étant effectuée de façon autonome par le circuit intégré lui-même. [Revendication 2] Procédé selon la revendication 1, dans lequel ladite détection comprend une application d'au moins une différence de potentiel (Vref) entre au moins une première piste (I) située dans au moins un niveau de métal (N 1, N2, N3, N4, N5) d'une région d'interconnexion (INT) du circuit intégré et au moins une deuxième piste (3) située dans ledit au moins un niveau de métal de ladite région d'interconnexion et séparée de la première piste par un matériau diélectrique, une mesure d'au moins un courant (IN1) susceptible de circuler dans l'une des première et deuxième pistes, ledit au moins un courant éventuel étant généré à partir de ladite au moins une différence de potentiel en présence d'une humidité rendant moins isolant ledit matériau diélectrique, et une comparaison dudit au moins courant mesuré à au moins un premier seuil (S1). [Revendication 3] Procédé selon la revendication 2, comprenant une comparaison dudit au moins un courant mesuré (IN1) à un deuxième seuil (S2), le deuxième seuil étant supérieur au premier seuil (S1). [Revendication 4] Procédé selon l'une des revendications 2 ou 3, comprenant l'émission d'une première notification lorsque le courant mesuré (IN1) est supérieur audit premier seuil (S1). [Revendication 5] Procédé selon la revendication 3, comprenant l'émission d'une deuxième notification lorsque le courant mesuré est supérieur au deuxième seuil (S2). [Revendication 6] Procédé selon l'une des revendications 2 à 5, dans lequel on réitère les étapes d'application de la différence de potentiel, de mesure du courant et de comparaison à intervalle régulier tant que le courant est inférieur audit premier seuil. [Revendication 7] Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel chaque niveau de métal (N1, N2, N3, N4, N5) comprend une première piste (1) et une deuxième piste (3), l'ensemble des premières pistes étant reliées entre elles en série ou en parallèle et l'ensemble des deuxièmes pistes étant reliées entre elles en série ou en parallèle, le procédé comprenant l'application de la différence de potentiel (Vrel) entre l'ensemble des premières pistes et l'ensemble des deuxièmes pistes, et la mesure du 17 courant éventuel circulant dans l'ensemble des premières ou deuxièmes pistes. [Revendication 8] Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel chaque niveau de métal (N1, N2, N3, N4, N5) comprend une première piste (1) et une deuxième piste (3), lesdites premières pistes n'étant pas reliées entre elles et lesdites deuxièmes pistes n'étant pas reliées entre elles, le procédé comprenant l'application de la différence de potentiel entre chaque première piste et chaque deuxième piste, et la mesure du courant éventuel circulant dans chacune des première ou deuxième pistes. [Revendication 9] Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel chaque niveau de métal (N1, N2, N3, N4, N5) comprend une première piste (1) et une deuxième piste (3), lesdites premières pistes n'étant pas reliées entre elles et lesdites deuxièmes pistes étant reliées entre elles en série ou en parallèle, le procédé comprenant l'application de la différence de potentiel entre chaque première piste et l'ensemble desdites deuxièmes pistes, et la mesure du courant éventuel circulant dans chacune des premières pistes. [Revendication 10] Procédé selon l'une des revendications 8 et 9, comprenant une ap- plication simultanée de la différence de potentiel (Vrcf) entre l'ensemble des premières et des deuxièmes pistes. [Revendication 11] Procédé selon l'une des revendications 2 à 10, comprenant une ap- plication en continu de la différence de potentiel (Vref) entre au moins une première piste (1) et au moins une deuxième piste (3). [Revendication 12] Procédé selon l'une des revendications 2 à 10, comprenant une ap- plication de la différence de potentiel (Vref) entre au moins une première piste et au moins une deuxième piste à intervalles de temps réguliers pendant une première durée prédéterminée (Tl). [Revendication 13] Procédé selon l'une des revendications 2 à 12, comportant une dis- position des premières (1) et deuxièmes (3) pistes sur le pourtour du circuit intégré (CI). [Revendication 14] Procédé selon l'une des revendications 2 à 13, comprenant, lorsque le courant mesuré dans au moins une première ou une deuxième piste est supérieur au premier seuil (S1), une injection d'un courant additionnel (1N3) dans au moins une troisième piste (12) située dans la région d'interconnexion (INT) et au-dessus ou en dessous des premières (1) et deuxièmes (3) pistes, de façon à chauffer au moins une partie du circuit intégré afin d'évaporer l'humidité. [Revendication 15] Procédé selon l'une des revendications 2 à 13, comprenant, lorsque le 18 [Revendication 16] [Revendication 17] [Revendication 18] [Revendication 19] [Revendication 20] [Revendication 21] courant mesuré dans au moins une première ou une deuxième piste est supérieur au premier seuil (S1), une injection d'un courant additionnel (IN3) dans au moins une troisième piste (12) située dans la région d'interconnexion (INT) et située dans le même niveau de métal que les premières (1) et deuxièmes (3) pistes de façon à chauffer au moins une partie du circuit intégré afin d'évaporer l'humidité. Procédé selon l'une des revendications 14 ou 15, comprenant l'injection du courant additionnel (IN3) pendant une deuxième durée (T2) dans la troisième piste (12). Procédé selon l'une des revendications 2 à 13, comprenant, lorsque le courant mesuré dans au moins une première ou une deuxième piste est supérieur audit premier seuil (S1), une injection pendant une troisième durée (T3) d'un courant supplémentaire (IN2) dans les premières (1) et/ ou deuxièmes (3) pistes de façon à chauffer au moins une partie du circuit intégré afin d'évaporer l'humidité. Procédé selon l'une des revendications 2 à 13, comprenant, lorsque le courant mesuré dans au moins une première (1) ou une deuxième piste (3) est supérieur au premier seuil (SI), une activation pendant une quatrième durée (T4) d'un dispositif de chauffage (13) thermiquement couplé à ladite partie d'interconnexion de façon à chauffer une partie du circuit intégré afin d'évaporer l'humidité. Procédé selon l'une des revendications 16 à 18, comprenant une réitération de l'application de la différence de potentiel (Vret), de la mesure du courant, de la comparaison et de l'injection d'un courant ou de l'activation du dispositif de chauffage tant que le courant mesuré est supérieur au premier seuil (S1) ou tant que le courant mesuré est supérieur au premier seuil et tant que le nombre de réitération est inférieur à un nombre de tentatives prédéterminé. Circuit intégré, incorporant des moyens de détection configurés pour détecter de façon autonome une humidité éventuelle dans le circuit intégré (CI). Circuit intégré selon la revendication 20, comprenant une région d'interconnexion (INT) comportant dans au moins un niveau de métal (N1, N2, N3, N4, N5), au moins une première piste (1) et au moins une deuxième piste (3) séparées par un matériau diélectrique, et dans lequel les moyens de détection comportent des moyens d'application de potentiel configurés pour appliquer au moins une différence de potentiel (Vret) entre au moins la première piste et la deuxième piste, des moyens 19 [Revendication 22] [Revendication 23] [Revendication 24] [Revendication 25] [Revendication 26] de mesure de courant (4) configurés pour mesurer au moins un courant (IN1) susceptible de circuler dans ladite au moins la première ou la deuxième piste, ledit au moins un courant éventuel étant généré à partir de ladite au moins une différence de potentiel en présence d'une humidité rendant moins isolant ledit matériau diélectrique, et des moyens de comparaison (5) reliés aux moyens de mesure et aptes à comparer ledit au moins un courant mesuré à au moins un premier seuil (S1). Circuit intégré selon la revendication 21, dans lequel les moyens de comparaison sont en outre aptes à comparer ledit au moins un courant mesuré à un deuxième seuil (S1) supérieur au premier seuil. Circuit intégré selon l'une des revendications 21 ou 22, dans lequel les moyens de détection comprennent en outre des moyens de communication (6) aptes à émettre une notification lorsque le courant mesuré est supérieur audit premier seuil (S1). Circuit intégré selon la revendication 22, dans lequel les moyens de communication (6) sont en outre aptes à émettre une notification lorsque le courant mesuré est supérieur audit deuxième seuil (S2). Circuit intégré selon l'une des revendications 21 à 24, dans lequel chaque niveau de métal (N1, N2, N3, N4, N5) de la région d'interconnexion (INT) comprend une première piste (1) et une deuxième piste (3), l'ensemble des premières pistes étant reliées entre elles en série ou en parallèle et l'ensemble des deuxièmes pistes étant reliées entre elles en série ou en parallèle, les moyens d'application de potentiel étant configurés pour appliquer la différence de potentiel (Vret) entre l'ensemble des premières et des deuxièmes pistes et les moyens de mesure du courant étant configurés pour effectuer la mesure du courant éventuel circulant dans l'ensemble des premières ou deuxièmes pistes. Circuit intégré selon l'une des revendications 21 à 24, dans lequel chaque niveau de métal (Ni, N2, N3, N4, N5) comprend une première piste (1) et une deuxième piste (3), l'une des première et deuxième pistes étant reliée aux moyens de mesure (4), lesdites premières pistes n'étant pas reliées entre elles et lesdites deuxièmes pistes n'étant pas reliées entre elles, les moyens d'application de potentiel étant configurés pour appliquer la différence de potentiel entre chaque première piste et chaque deuxième piste, et les moyens de mesure du courant étant configurés pour effectuer la mesure du courant éventuel circulant dans 20 [Revendication 27] [Revendication 28] [Revendication 29] [Revendication 30] [Revendication 31] [Revendication 32] [Revendication 33] chaque première ou deuxième piste. Circuit intégré selon l'une des revendications 21 à 24, dans lequel chaque niveau de métal (Ni, N2, N3, N4, N5) comprend une première piste (1) reliée aux moyens de mesure (4) et une deuxième piste (3), lesdites premières pistes n'étant pas reliées entre elles et lesdites deuxièmes pistes étant reliées entre elles en série ou en parallèle, les moyens d'application de potentiel étant configurés pour appliquer la différence de potentiel entre chaque première piste et l'ensemble desdites deuxièmes pistes, et les moyens de mesure du courant étant configurés pour effectuer la mesure du courant éventuel circulant dans chaque première piste. Circuit intégré selon l'une des revendications 21 à 27, dans Icqucl les moyens d'application de potentiel (2) sont configurés pour appliquer la différence de potentiel en continu entre au moins une première piste et au moins une deuxième piste. Circuit intégré selon l'une des revendications 21 à 27, dans Icqucl les moyens d'application de potentiel (2) sont configurés pour appliquer la différence de potentiel à intervalles de temps réguliers pendant une première durée (Tl) ) entre au moins une première piste et au moins une deuxième piste. Circuit intégré selon l'une des revendications 21 à 27, dans lequel les premières (1) et deuxièmes (3) pistes sont disposées sur le pourtour du circuit intégré (CI). Circuit intégré selon l'une des revendications 21 à 30, comprenant en outre des moyens de chauffage configurés pour chauffer au moins une partie du circuit intégré (CI) afin d'évaporer l'humidité lorsque le courant mesuré dans au moins une première ou une deuxième piste est supérieur audit seuil (S1). Circuit intégré selon la revendication 31, dans lequel les moyens de chauffage comprennent des moyens d'injection de courant (11) et au moins une troisième piste (12) située dans la région d'interconnexion (NT) et au-dessus ou en dessous des premières (1) et deuxièmes (3) pistes, les moyens d'injection de courant étant configurés pour injecter un courant additionnel (IN3) dans la troisième piste de façon à échauffer la troisième piste par effet Joule. Circuit intégré selon la revendication 31, dans lequel les moyens de chauffage comprennent des moyens d'injection de courant (11) et au moins une troisième piste (12) située dans la région d'interconnexion 21 [Revendication 34] [Revendication 35] [Revendication 36] [Revendication 37] [Revendication 38] (INT) et située dans le même niveau de métal que les premières (1) et deuxièmes (3), les moyens d'injection de courant étant configurés pour injecter un courant additionnel (IN3) dans la troisième piste de façon à échauffer la troisième piste par effet Joule. Circuit intégré selon l'une des revendications 33 et 34, dans lequel les moyens d'injection de courant (11) sont configurés pour injecter le courant additionnel (IN3) pendant une deuxième durée (T2). Circuit intégré selon la revendication 31, dans lequel les moyens de chauffage comprennent des moyens d'injection d'un courant (11) configurés pour, lorsque le courant (IN1) mesuré dans au moins une première ou une deuxième piste est supérieur au premier seuil, échauffer par effet Joule les premières (1) et deuxièmes (3) pistes pendant une troisième durée (T3). Circuit intégré selon la revendication 31, dans lequel les moyens de chauffage comprennent un dispositif de chauffage (13) thermiquement couplé à la partie d'interconnexion du circuit intégré (CT) et des moyens de commande (14) configurés pour commander le dispositif de chauffage. Circuit intégré selon l'une des revendications 21 à 36, dans lequel les moyens de comparaison (5) comprennent une mémoire non volatile (8) contenant une valeur de référence du au moins un premier seuil (SI). Appareil (CP) incorporant un circuit intégré (CI) selon l'une des revendications 20 à 37.