Brevet FR3077284A1 — publié le 20190802

PROCEDE D'ENCAPSULATION D'UN DISPOSITIF MICROELECTRONIQUE, PAR DES SUBSTRATS FINS OU ULTRAFINS, FACILEMENT MANIPULABLES DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE La présente invention se rapporte à un procédé d'encapsulation d'un dispositif microélectronique, par des substrats fins ou ultrafins facilement manipulables. La présente invention concerne également une structure mircroélectronique, obtenue par un tel procédé. Ces dernières années, les composants microélectroniques, et plus particulièrement, les microbatteries tout solides en couches minces sont devenues incontournables dans le développement des systèmes intelligents embarqués. Ces systèmes intelligents sont, par exemple, utilisés, dans les applications dites internet des objets (« Internet of Things »), le stockage d'énergie, la récupération de l'énergie, l'électronique organique et inorganique, ou encore le domaine de la puissance. Le développement de ces systèmes intelligents doit mener vers une miniaturisation des composants microélectroniques, et parallèlement à l'utilisation de substrats de support de plus en plus fins. Les substrats utilisés pour ces systèmes doivent être fins (typiquement ayant une épaisseur inférieure à 100um) voire même ultrafins (épaisseur inférieure à 50um). Les dispositifs microélectroniques, et notamment les microbatteries au lithium, présentent une très forte sensibilité aux éléments atmosphériques tels que l'oxygène et la vapeur d'eau. Ces dispositifs doivent donc être encapsulés pour garantir leur intégrité électronique ou électrochimique mais aussi mécanique dans le temps. Les performances des systèmes d'encapsulation sont fréquemment exprimées en termes de vitesses de transmission de la vapeur d'eau (WVTR pour « Water Vapor Transmission Rate ») ou encore en vitesse de transmission de l'oxygène (OTR pour « Oxygen Transmission Rate »). Dans le cas particulier des microbatteries au lithium, les niveaux WVTR et OTR requis sont respectivement de l'ordre de le g/m2/j et de 10-4 cm3/m2/j. 2 Sur le plan pratique, pour répondre aux critères de miniaturisation des dispositifs microélectroniques, le capot doit également être fin ou ultrafin tout en garantissant un niveau de protection suffisant. Afin de faciliter la manipulation des substrats fins et ultrafins, une 5 première solution consiste à utiliser les substrats fragiles (dit « front-end ») en association avec un substrat de rigidification, aussi appelé support rigide ou de renfort pour faciliter leur manipulation et leur maniement durant les étapes technologiques. Cependant, cette solution nécessite de mettre en oeuvre une étape de collage, soit directe, sans couche intermédiaire (par exemple comme décrit dans le document FR-A-2893750), soit indirecte 10 avec une couche intermédiaire de nature diélectrique, métallique, polymère ou autre (par exemple comme décrit dans le document US-A-2011/0048611), ainsi qu'une étape de désolidarisation du substrat fin de son support rigide à la fin du procédé, par exemple, en insérant une lame entre le substrat et le support temporaire ou encore en appliquant une force de cisaillement ou de traction sur le substrat. De plus, certaines solutions de collage 15 temporaire ne sont pas adaptées aux dispositifs microélectroniques dont les procédés nécessitent des budgets thermiques avec des températures supérieures à 300°C. Finalement, de telles étapes de collage et de désolidarisation conduisent à une augmentation des coûts de fabrication et/ou des délais de production. Une deuxième solution consiste à amincir, par voie chimique ou par voie 20 mécanique, des substrats rigides standards à la fin des procédés de réalisation des dispositifs. La technique d'amincissement par voie chimique est une technique plus douce que la technique d'amincissement par voie mécanique. Cependant, cette solution présente plusieurs inconvénients pour les étapes devant être réalisées en fin de procédé (étapes dites « back-end »). En effet, le problème majeur concerne la manipulation des 25 substrats après amincissement. Les substrats initialement rigides deviennent très fragiles après amincissement, et il est difficile de les manipuler pour réaliser les étapes ultérieures de découpe des composants et/ou après d'intégration avec d'autres composants. 3 EXPOSÉ DE L'INVENTION C'est, par conséquent, un but de la présente invention de proposer un procédé d'encapsulation remédiant aux inconvénients de l'art antérieur et, en particulier, de proposer un procédé d'encapsulation de dispositifs microélectroniques sensibles à l'air 5 et/ou aux températures élevées avec un substrat et/ou un capot fin ou ultrafin, le procédé devant être facile à mettre en oeuvre, ne nécessitant pas d'étape de désolidarisation comme dans l'art antérieur et, notamment, permettant de manipuler facilement le substrat et/ou le capot fin ou ultrafin. Ce but est atteint par un procédé d'encapsulation d'un dispositif 10 microélectronique, disposé sur un substrat de support, avec un capot d'encapsulation comprenant les étapes successives suivantes : a) Fourniture d'un substrat de support, en un premier matériau, comprenant une première face principale sur laquelle est disposé un dispositif microélectronique, une seconde face principale opposée à la première face principale, et 15 une face latérale, b) dépôt d'une couche de collage, en un deuxième matériau, sur la première face du substrat, autour du dispositif microélectronique, c) positionnement d'un capot d'encapsulation, en un troisième matériau, comprenant une première face principale, une seconde face principale, 20 opposée à la première face principale, et une face latérale, sur la couche de collage, de manière à fixer le capot d'encapsulation sur le substrat de support, et de manière à encapsuler le dispositif microélectronique, d) dépôt d'une couche de protection latérale en un quatrième matériau sur la face latérale du substrat support, sur la face latérale du capot 25 d'encapsulation, sur le pourtour de la seconde face du capot d'encapsulation, et sur le pourtour de la seconde face du substrat support, la couche de protection latérale délimitant une zone protégée, 4 e) amincissement de la seconde face principale du substrat de support et/ou de la seconde face principale du capot d'encapsulation en dehors de la zone protégée, par gravure chimique. Le procédé selon l'invention est simple à mettre en oeuvre et nécessite 5 peu d'étapes technologiques. Le procédé de l'invention ne met pas en oeuvre d'étapes de solidarisation temporaire et de désolidarisation. A la fin du procédé d'encapsulation, le dispositif microélectronique est encapsulé, d'une part, avec un substrat, pouvant être fin ou ultrafin, et, d'autre part, par un capot pouvant être fin ou ultrafin. Par fin, on entend une épaisseur inférieure à 200um, et de préférence 10 inférieure à 100um, et par ultrafin, on entend une épaisseur inférieure à 50u.m. Le procédé d'amincissement permet de réduire l'épaisseur du substrat et/ou du capot tout en conservant une zone de préhension au niveau du pourtour du substrat et du capot. Au final, la structure obtenue peut être aisément transférée vers des équipements de découpe permettant ainsi une séparation des dispositifs 15 microélectroniques. L'amincissement est réalisé par gravure chimique. Ces conditions de gravure sont bien contrôlées par rapport à une gravure mécanique. Le procédé de la présente invention permet d'obtenir des dispositifs miniaturisés dont les dispositifs microélectroniques sont protégés de l'air et de ses 20 oxydants. Avantageusement, le premier matériau et/ou le troisième matériau sont choisis parmi le verre et le silicium. Ces matériaux présentent de bonnes propriétés barrières. Selon une première variante avantageuse, le premier matériau et le 25 troisième matériau sont identiques. L'amincissement du substrat support et du capot d'encapsulation peuvent être réalisés simultanément et à la même vitesse de gravure, par exemple, en immergeant, ou aspergeant, l'ensemble avec une solution de gravure chimique. L'amincissement peut être contrôlé en fonction du temps d'immersion ou d'aspersion et de la composition chimique des liquides utilisés. 5 Selon une deuxième variante avantageuse, le premier matériau et le troisième matériau sont différents. Il est possible de graver uniquement le capot d'encapsulation ou le substrat de support ou de les graver à vitesses différentes. Selon un mode de réalisation particulièrement avantageux, lors de 5 l'étape b), la couche de collage recouvre totalement le dispositif microélectronique. Selon un autre mode de réalisation particulièrement avantageux, lors de l'étape b), la couche de collage forme un cordon de scellement autour du dispositif microélectronique. Avantageusement, le deuxième matériau et/ou le quatrième matériau 10 est un matériau polymère choisi parmi les époxydes, les éthers, les polysiloxanes, les acryliques, un de leurs copolymères, et le polyéthylène téraphtalate. Avantageusement, à l'issue de l'étape e), le capot d'encapsulation (400) et/ou le substrat de support (200) ont une épaisseur inférieure ou égale à 100um, et de préférence, inférieure à 50u.m. 15 Avantageusement, la couche de protection recouvre le pourtour de la première face principale du substrat de support et/ou le pourtour de la première face principale du capot d'encapsulation. Avantageusement, la couche de protection latérale recouvre le pourtour de la seconde face du substrat support et/ou de la seconde face du capot d'encapsulation 20 sur une longueur allant de 1mm à 5mm. Avantageusement, la couche de protection latérale recouvre le pourtour de la seconde face du substrat support et/ou de la seconde face du capot d'encapsulation sur une longueur allant de 1mm à 5mm. Avantageusement, le composant microélectronique est un dispositif 25 électrochimique telle qu'une microbatterie au lithium. Avantageusement, plusieurs dispositifs microélectroniques, identiques ou différents, sont disposés sur la première face du substrat de support et/ou sur la première face principale du capot d'encapsulation. 6 Le procédé selon l'invention autorise plusieurs configurations en termes de nombre et de positionnement des dispositifs microélectroniques. Par exemple, il est possible d'empiler deux microbatteries. L'invention concerne également une structure microélectronique, 5 obtenue par le procédé tel que défini précédemment, comprenant : - un dispositif microélectronique, par exemple, un dispositif électrochimique telle qu'une microbatterie au lithium, - un substrat de support, en un premier matériau, comprenant une première face principale sur laquelle est disposé le dispositif microélectronique, une 10 seconde face principale opposée à la première face principale, et une face latérale, - une couche de collage, en un deuxième matériau, disposée sur la première face du substrat, autour du dispositif microélectronique, - un capot d'encapsulation, en un troisième matériau, comprenant une première face principale, une seconde face principale, opposée à la première face 15 principale, et une face latérale, fixé sur la couche de collage, et positionner de manière à encapsuler le dispositif microélectronique, - une couche de protection latérale en un quatrième matériau recouvrant la face latérale du substrat support, la face latérale du capot d'encapsulation, le pourtour de la seconde face du capot d'encapsulation, et le pourtour de la seconde 20 face du substrat support, la couche de protection latérale délimitant une zone protégée, l'épaisseur du substrat de support et/ou du capot d'encapsulation en dehors de la zone protégée étant inférieure, respectivement, à l'épaisseur du substrat de support et/ou du capot de manipulation au niveau de la zone protégée. Les caractéristiques liées au procédé se retrouvent pour la structure 25 microélectronique. Une telle structure est facile à manipuler pour réaliser les étapes ultérieures de découpe et/ou après d'intégration avec d'autres composants microélectroniques. 7 BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise sur la base de la description qui va suivre et des dessins en annexe sur lesquels : - la figure 1, est une représentation schématique, en coupe et de profil, 5 d'une microbatterie sur un substrat support, selon un mode de réalisation particulier de l'invention, - la figure 2 est une représentation schématique, en trois dimensions, d'un substrat support sur lequel sont disposés plusieurs dispositifs microélectroniques, selon un autre mode de réalisation particulier de l'invention, 10 - les figures 3A et 3B représentent le positionnement d'une couche de collage sur un substrat comportant des dispositifs microélectroniques, selon différents modes de réalisation du procédé de l'invention, - les figures 4A et 4B représentent des dispositifs microélectroniques, disposés sur un substrat, encapsulés par une couche de collage et un capot de protection, 15 selon différents modes de réalisation du procédé de l'invention, - les figures 5A et 5B représentent un substrat, comprenant des dispositifs microélectroniques, encapsulés par une couche de collage et un capot de protection, et dont les faces latérales du substrat et du capot sont protégées par une couche de protection latérale, selon différents modes de réalisation du procédé de 20 l'invention, - les figures 6A et 6B représentent des systèmes miniaturisés facilement manipulables, comprenant des dispositifs microélectroniques, sur un substrat, encapsulés par un capot de protection, obtenus après amincissement du capot et du substrat, selon différents modes de réalisation du procédé de l'invention, 25 - les figures 7A et 7B représentent des clichés photographiques d'un assemblage comprenant un substrat sur lequel sont disposés des dispositifs microélectroniques, une couche de collage et un capot d'encapsulation, respectivement, avant et après l'étape d'amincissement, 8 - la figure 8 est un cliché obtenu au microscope de l'assemblage de la figure 7B après amincissement. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. 5 Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) doivent être comprises comme n'étant pas exclusives les unes des autres et pouvant se combiner entre elles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Le procédé d'encapsulation d'au moins un composant 10 microélectronique 300, par exemple, sensible à l'air (au dioxygène et à la vapeur d'eau), disposé sur un substrat de support 200, avec un capot d'encapsulation 400, va maintenant être décrit. Le procédé comprend les étapes successives suivantes : a) fourniture d'un substrat de support 200, en un premier matériau, comprenant une première face principale 201 sur laquelle est disposée un dispositif 15 microélectronique 300, une seconde face principale 202 opposée à la première face principale 201, et une face latérale, b) dépôt d'une couche de collage 500, en un deuxième matériau, sur la première face 201 du substrat 200, autour du dispositif microélectronique 300, c) positionnement d'un capot d'encapsulation 400, en un troisième 20 matériau, comprenant une première face principale 201, une seconde face principale 202, opposée à la première face principale 201, et une face latérale, sur la couche de collage 500, de manière à fixer le capot d'encapsulation 400 sur le substrat de support 200, par l'intermédiaire de la couche de collage 500, et de manière à encapsuler le dispositif microélectronique 300, 25 d) dépôt d'une couche de protection latérale 600, en un quatrième matériau, à la fois sur la face latérale du substrat support 200, sur la face latérale du capot d'encapsulation 400, sur le pourtour de la seconde face 402 du capot d'encapsulation 400 et sur le pourtour de la seconde face 202 du substrat support 200, la couche de protection latérale 600 délimitant une zone protégée, 9 e) amincissement de la seconde face principale 202 du substrat de support 200 et/ou de la seconde face principale 402 du capot d'encapsulation 400 en dehors de la zone protégée, par gravure chimique. A l'issue de l'étape e), le substrat de support 200 et/ou le capot 5 d'encapsulation 400 ont été amincis, par exemple, jusqu'à une épaisseur inférieure à 200p.m, de préférence, jusqu'à une épaisseur inférieure à 100pm tout en présentant une zone de préhension, non gravée, au niveau de la zone protégée par la couche de protection latérale, permettant de les manipuler facilement. Substrat de support 200 et capot d'encapsulation 400 : 10 Le substrat de support 200, aussi appelé substrat hôte ou substrat support, fourni à l'étape a), est de préférence un substrat rigide. Le capot d'encapsulation 400, fourni à l'étape c), est de préférence un capot d'encapsulation rigide. Par exemple, le substrat rigide et/ou le capot d'encapsulation ont une 15 épaisseur supérieure à 200p.m, par exemple de 500pm à 1mm. Ils ont, par exemple, une épaisseur de 500p.m. Par rigide, nous entendons tout support aisément utilisable en microélectronique ayant une épaisseur supérieure à 200p.m. Par exemple, le substrat 200 et/ou le capot d'encapsulation 400 ont initialement une épaisseur supérieure à 250p.m, 20 par exemple de 500p.m. De préférence, le substrat 200 et le capot 400, fournis aux étapes a) et c), ont initialement une épaisseur supérieure à 200pm et sont tous les deux amincis lors de l'étape e) ou lors de l'étape e) et d'une étape ultérieure. Le substrat 200 et le capot d'encapsulation 400 peuvent avoir des épaisseurs identiques ou différentes. L'épaisseur du capot peut être inférieure à celle du 25 substrat 200 ou inversement. Cette éventuelle configuration permet de réaliser des dispositifs microélectroniques dont le capot d'encapsulation est plus fin que le substrat 200 ou inversement. Comme représenté sur les figures 1 et 2, le substrat 200 comporte une première face principale 201, et une seconde face principale 202, opposée à la première face principale du substrat. La première face comprend au moins un composant 10 microélectronique 300. Il s'agit de la face dite active. Le substrat comprend également une face latérale allant de la première face à la deuxième face. Le capot 400 comprend une première face principale 401, et une seconde face principale 402, opposée à la première face principale 401, et une face 5 latérale allant de la première face 401 à la seconde face 402. Sur la première face principale 401, peuvent être disposés des dispositifs électroniques identiques ou différents de ceux du substrat hôte. Le substrat 200 et le capot d'encapsulation 400 peuvent avoir des formes géométriques identiques ou différentes. Il est possible par exemple d'utiliser des 10 formats circulaires type wafers ou des formats feuilles, c'est-à-dire rectangulaires. Le substrat support 200 est en un matériau identique ou différent de celui du capot d'encapsulation. Le substrat 200 et/ou le capot d'encapsulation 400 ont, avantageusement, les performances requises pour l'encapsulation des microbatteries au 15 lithium. Ils sont élaborés en un matériau ayant des niveaux de barrière WVTR et OTR au plus, respectivement, de 10-4 g/m2/j et de 10-4 cm3/m2/j pour garantir des propriétés d'étanchéité suffisantes à la cellule de scellement vis-à-vis de l'air et de la vapeur d'eau. Le substrat support 200 et le capot d'encapsulation 400 peuvent être choisis parmi les verres, le silicium (monocristallin ou polycristallin), les céramiques, le 20 mica, et le quartz. De préférence, ils sont en verre. Ils peuvent être en un verre de la même famille ou de familles différentes. Les verres peuvent être des borosilicates (comme les D263 LA, D263®M, D263®T, MEMpax® ou encore le Borofloat® commercialisés par la société SCHOTT®), des dérivés de borosilicates comme les verres alkali-free borosilicates (AF32®, 25 AF45, Corning®Willow....) ou encore des verres alkaline earth boro-aluminosilcates (Corning LotusTM, EAGLE XG®...). De préférence, le capot 400 est transparent aux longueurs d'onde des lasers classiquement utilisés pour figer des cordons de scellement (typiquement pour des cordons de scellement en pâte de verre, autour de 940nm). Par transparent, on entend 11 que le capot laisse passer au moins 50% de la lumière émise par le laser de manière à pouvoir chauffer le cordon de scellement à travers le capot 400. De préférence, le substrat de support 200 et le capot d'encapsulation 400 ont des épaisseurs identiques et sont en un même matériau. 5 Dispositif microélectronique 300 à encapsuler : Le procédé permet d'encapsuler simultanément un dispositif ou plusieurs dispositifs microélectroniques 300. Le dispositif microélectronique 300, ou composant microélectronique, a une épaisseur allant de 5um à 30um, et de préférence de 10 à 15um. 10 Sur la première face principale 201 du substrat 200, peuvent être disposés un ou plusieurs dispositifs électroniques 300 de même nature ou de natures différentes. Cette configuration offre la possibilité de réaliser des empilements fonctionnels par intégration 3D. Le capot d'encapsulation 400 peut être un élément passif ou actif, i.e. la 15 première face 401 du capot 400 peut comporter des dispositifs microélectroniques 300 de même nature ou de natures différentes de celles du substrat 200, pouvant remplir d'autres fonctionnalités. Le substrat support 200 et/ou le capot d'encapsulation 400 peuvent comporter un ou plusieurs dispositifs microélectroniques 300 pour multiplier les 20 performances électrochimiques par une mise en parallèle ou en série des dispositifs microélectroniques. Les dispositifs microélectroniques peuvent être, par exemple, choisis parmi les microbatteries, les capacités, les supra-capacités, les dispositifs photovoltaïques, les transistors, les antennes ou tout autre dispositif jugé nécessaire pour la réalisation d'objets connectés. 25 Avantageusement, les dispositifs microélectroniques du substrat et du capot sont positionnés en vis-à-vis afin de pouvoir les associer selon une approche d'empilement 3D. Par composant microélectronique 300, on entend, par exemple, un MEMS (microsystème électromécanique), un MOEMS (microsystème opto-électro- 30 mécanique), ou encore un micro-détecteur infrarouge, ou même un transistor. Plus 12 généralement, par composant microélectronique, on entend tout dispositif destiné à être encapsulé sous atmosphère contrôlée. Par la suite, même si la description fait en particulier référence à une microbatterie, et plus particulièrement à une microbatterie au lithium, l'invention est 5 transposable à tout composant microélectronique nécessitant une protection vis-à-vis des oxydants. Il peut s'agir, par exemple d'un empilement capacitif ou d'un composant électrochrome. Le composant microélectronique 300, ici la microbatterie, est disposée sur une des faces 201 (première face principale) du substrat 200. Comme représenté sur 10 la figure 1, la microbatterie comprend des collecteurs de courant cathodique 301 et anodique 302, disposés sur le substrat 200. Deux couches actives, l'une formant l'électrode négative 303, et l'autre formant l'électrode positive 304, sont séparées par une couche d'électrolyte 305. Chaque couche active 303, 304 est en contact avec l'un des collecteurs de courant 301, 302. 15 Les collecteurs de courant 301, 302 sont, avantageusement, métalliques. A titre illustratif, ils peuvent être en titane, or, aluminium, platine, ou en tungstène. L'électrode positive 304 (cathode) est en un matériau ayant une bonne conductivité électronique et ionique (par exemple TiOS, TiS2, LiTiOS, LiTiS2, LiCoO2, 20 V205...). On choisira de préférence une électrode positive en oxyde de cobalt. Ce type de cathode est considéré comme l'une des couches les plus performantes pour les microbatteries et en même temps les plus contraintes lors des étapes de réalisation. En effet, les contraintes mécaniques engendrées après formation de la couche cathodique (Coefficient d'expansion thermique entre 10x10-6PC et 15x10-6PC et un module de Young 25 entre 100 et 500 GPa) peuvent influer sur le comportement des substrats rigides une fois amincis. L'électrolyte 305 est un isolant électronique avec une forte conductivité ionique (par exemple LiPON, LiPONB, LiSiCON...). L'électrode négative 303 (anode) est une couche qui peut être du 30 lithium métallique ou un matériau lithié. 13 Optionnellement et selon les configurations, les couches actives peuvent être protégées par un système d'encapsulation primaire, non représenté, comprenant une ou plusieurs couches barrières élémentaires dont le rôle principal est de garantir une intégrité des dispositifs microbatteries pendant les différentes phases du 5 procédé. La microbatterie sera réalisée par les techniques connues de l'homme du métier. Les dispositifs microélectroniques 300 sont positionnés en dehors du contour périphérique du substrat support et/ou du capot d'encapsulation pour les 10 protéger, lors de l'étape de gravure. Avantageusement, cette distance géométrique D par rapport au bord du substrat de support et/ou du capot d'encapsulation sera choisie de manière à être au moins égal au double de l'épaisseur initiale du substrat et/ou du capot. Par exemple, elle est de 5mm. Cette distance est représentée par la lettre D sur les figures 2 à 5B. 15 Couche de collage 500 : Comme représenté sur les figures 3A et 3B, lors de l'étape b), une couche de collage 500 est positionnée sur la première face 201 du substrat support 200, de part et d'autre du dispositif microélectronique 300. La couche de collage 500 entoure le composant microélectronique 300, 20 de manière à former, après le report du capot d'encapsulation 400 une barrière de protection autour du composant microélectronique 300. De façon avantageuse, la couche de collage 500 permet, en outre, d'absorber mécaniquement les mouvements d'expansion volumique engendrés par le fonctionnement de la microbatterie correspondant à l'insertion/désinsertion du lithium 25 lors des cycles de charge et de décharge. De façon avantageuse, elle protège les microbatteries des oxydants présents dans l'air (oxygène et vapeur d'eau). Elle peut également avoir des propriétés de résistance par rapport à la gravure, et notamment par rapport à la solution de gravure chimique, pour empêcher le 14 risque d'infiltration des produits chimiques vers les couches actives lors de l'étape d'amincissement. La couche de collage 500 a une épaisseur supérieure ou égale à celle du ou des dispositifs microélectroniques 300 à encapsuler. 5 Selon un premier mode de réalisation, représenté sur la figure 3A, la couche de collage 500 recouvre la première face 201 du substrat 200, à l'exception du pourtour de la première face 201. On positionnera, avantageusement, la couche de collage 500 a une distance géométrique, notée L, par rapport au bord du substrat et/ou du capot. La valeur L est telle que L REVENDICATIONS1. Procédé d'encapsulation d'un dispositif microélectronique (300), disposé sur un substrat de support (200), avec un capot d'encapsulation (400) comprenant les étapes successives suivantes : a) fourniture d'un substrat de support (200), en un premier matériau, comprenant une première face principale (201) sur laquelle est disposée un dispositif microélectronique (300), une seconde face principale (202) opposée à la première face principale (201), et une face latérale, b) dépôt d'une couche de collage (500), en un deuxième matériau, sur la première face (201) du substrat (200), autour du dispositif microélectronique (300), c) positionnement d'un capot d'encapsulation (400), en un troisième matériau, comprenant une première face principale (401), une seconde face principale (402), opposée à la première face principale (401), et une face latérale, sur la couche de collage (500), de manière à fixer le capot d'encapsulation (400) sur le substrat de support (200), et de manière à encapsuler le dispositif microélectronique (300), d) dépôt d'une couche de protection latérale (600) en un quatrième matériau sur la face latérale du substrat support (200), sur la face latérale du capot d'encapsulation (400), sur le pourtour de la seconde face (402) du capot d'encapsulation (400), et sur le pourtour de la seconde face (202) du substrat support (200), la couche de protection latérale (600) délimitant une zone protégée, e) amincissement de la seconde face principale (202) du substrat de support (200) et/ou de la seconde face principale (402) du capot d'encapsulation (400), en dehors de la zone protégée, par gravure chimique. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le premier matériau et/ou le troisième matériau sont choisis parmi le verre et le silicium. 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le premier matériau et le troisième matériau sont identiques. 28 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le premier matériau et le troisième matériau sont différents. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, 5 caractérisé en ce que lors de l'étape b), la couche de collage (300) recouvre totalement le dispositif microélectronique (300). 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que lors de l'étape b), la couche de collage (600) forme un cordon de 10 scellement autour du dispositif microélectronique (300). 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le deuxième matériau et/ou le quatrième matériau est un matériau polymère choisi parmi les époxydes, les éthers, les polysiloxanes, les acryliques, un de 15 leurs copolymères, et le polyéthylène téraphtalate. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que, à l'issue de l'étape e), le capot d'encapsulation (400) et/ou le substrat de support (200) ont une épaisseur inférieure ou égale à 100um, et de 20 préférence, inférieure à 50um. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le composant microélectronique (300) est un dispositif électrochimique telle qu'une microbatterie au lithium. 25 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que plusieurs dispositifs microélectroniques (300), identiques ou différents, sont disposés sur la première face (201) du substrat de support (200) et/ou sur la première face principale (401) du capot d'encapsulation (400). 30 29 11. Structure microélectronique, obtenue par le procédé tel que défini dans l'une quelconque des revendications 1 à 10, comprenant : - un dispositif microélectronique (300), par exemple, un dispositif électrochimique telle qu'une microbatterie au lithium, 5 - un substrat de support (200), en un premier matériau, comprenant une première face principale (201) sur laquelle est disposé le dispositif microélectronique (300), une seconde face principale (202) opposée à la première face principale (201), et une face latérale, - une couche de collage (500), en un deuxième matériau, disposée 10 sur la première face (201) du substrat (200), autour du dispositif microélectronique (300), - un capot d'encapsulation (400), en un troisième matériau, comprenant une première face principale (401), une seconde face principale (402), opposée à la première face principale (401), et une face latérale, fixé sur la couche de collage (500), et positionner de manière à encapsuler le dispositif microélectronique 15 (300), - une couche de protection latérale (600) en un quatrième matériau recouvrant la face latérale du substrat support (200), la face latérale du capot d'encapsulation (400), le pourtour de la seconde face (402) du capot d'encapsulation (400), et le pourtour de la seconde face (202) du substrat support (200), la couche de 20 protection latérale (600) délimitant une zone protégée, - l'épaisseur du substrat de support (200) et/ou du capot d'encapsulation (400) en dehors de la zone protégée étant inférieure, respectivement, à l'épaisseur du substrat de support (200) et/ou du capot de manipulation (400) au niveau de la zone protégée. 25 12. Structure selon la revendication 11, caractérisée en ce que le premier matériau et/ou le troisième matériau sont choisis parmi le verre et le silicium. 30 13. Structure selon l'une des revendications 11 et 12, caractérisée en ce que la couche de collage (300) recouvre totalement le dispositif microélectronique (300). 5 14. Structure selon l'une des revendications 11 et 12, caractérisée en ce que la couche de collage (600) forme un cordon de scellement autour du dispositif microélectronique (300). 15. Structure selon l'une quelconque des revendications 11 à 14, 10 caractérisée en ce que le capot d'encapsulation (400) et/ou le substrat de support (200) ont une épaisseur inférieure ou égale à 100um, et de préférence, inférieure à 50um, en dehors de la zone protégée. 16. Structure selon l'une quelconque des revendications 11 à 15, 15 caractérisée en ce que la couche de protection latérale (600) recouvre le pourtour de la première face principale (201) du substrat de support (200) et/ou le pourtour de la première face principale (401) du capot d'encapsulation (400). 17. Structure selon l'une quelconque des revendications 11 à 16, 20 caractérisée en ce que la couche de protection latérale (600) recouvre le pourtour de la seconde face (202) du substrat support (200) et/ou de la seconde face (402) du capot d'encapsulation (400) sur une longueur allant de 1mm à 5mm. 18. Structure selon l'une quelconque des revendications 11 à 17, 25 caractérisée en ce que en ce que la couche de protection latérale (600) recouvre le pourtour de la première face (201) du substrat support (200) et/ou de la première face (401) du capot d'encapsulation (400) sur une longueur allant de 1mm à 5mm. 30