Brevet FR3077424A1 — publié le 20190802

Description Titre de l'invention : STRUCTURE DE COUCHE D'ISOLATION POUR PRODUIT SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ DE PRÉ- PARATION DE STRUCTURE DE COUCHE D'ISOLATION [0ool] DOMAINE [0002] La présente invention concerne la préparation de matériaux semi-conducteurs, et plus particulièrement une structure de couche d'isolation destinée à un produit semiconducteur et un procédé de préparation de la structure de couche d'isolation qui est formée à l'aide d'un processus de liaison. [0003] CONTEXTE [0004] Dans l'art antérieur, un dispositif muni d'une structure SOI (silicium sur isolant) peut réduire la capacité de jonction et le courant de fuite, augmenter une vitesse de commutation et réduire une consommation d'énergie sensiblement due à la supériorité unique de la structure SOI, et, ainsi, permettre un fonctionnement à grande vitesse et à faible consommation d'énergie. Par conséquent, l'utilisation de ce dispositif est bien meilleure qu'un dispositif et un circuit en silicium classique. Aujourd'hui, l'application du dispositif SOI est progressivement passée du secteur militaire, aérospatial et industriel à celui du traitement des données, des communications, de l'électronique grand public et similaires. La technologie SOI, qui est la technologie de circuit intégré à base de silicium nouvelle génération, est largement utilisée non seulement dans la plupart des secteurs de la micro-électronique, mais également dans d'autres domaines tels que l'optoélectronique et les MEMS. Ainsi, la technologie SOI fait l'objet de nombreuses recherches en raison des avantages ci-dessus et de ses nombreuses applications, et est connue comme « la technologie de circuit intégré en silicium du 21ème siècle ». [0005] Les matériaux SOI présentent également les limitations suivantes, bien qu'ils puissent être appliqués à des produits de circuits intégrés à grande vitesse et à faible consommation d'énergie. [0006] (1) Il reste des limitations en matière d'application des dispositifs à température élevée et à forte puissance (comme les automobiles, les appareils ménagers, les installations électriques, et similaires). L'un des principaux problèmes est l'effet de chauffage spontané, à savoir une défaillance du dispositif pour cause de surchauffe provoquée par une moins bonne conductivité thermique de la couche isolante de Si02 (sa conductivité thermique n'est égale qu'à environ 1% de celle du silicium). [0007] (2) Un dispositif SOI classique présente de mauvaises performances de circuit à une fréquence élevée en raison de l'existence d'une capacité parasite et d'un courant de 2 fuite, et il est difficile d'obtenir de meilleures performances RF même si la résistivité d'un substrat est augmentée. [0008] Il est donc souhaitable d'obtenir une structure de couche d'isolation destinée à un produit semi-conducteur et un procédé de préparation de la structure de couche d'isolation qui présentent un excellent effet technique. [0009] RÉSUMÉ [0010] Un objet de la présente invention est de prévoir une structure de couche d'isolation destinée un produit semi-conducteur et un procédé de préparation de la structure de couche d'isolation qui présentent d'excellents effets techniques. [0011] Une structure de couche d'isolation destinée à un produit semi-conducteur et prévue par la présente invention comprend un substrat de dispositif 1, un substrat de support 2 et une couche de film mince 3. Le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2 sont des tranches de silicium ; et la/les couche(s) de film mince 3 est/sont prévue(s) sur le substrat de dispositif 1 et/ou le substrat de support 2, et est/sont l'une d'une couche de dioxyde de silicium, d'une couche d'oxynitrure de silicium, d'une couche de nitrure de silicium, d'une couche de polysilicium et d'une couche de silicium amorphe. [0012] Le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2 sont liés ensemble par le biais de la couche de film mince 3 prévue sur au moins l'un du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2 afin de former une structure SOI multicouches intégrale (silicium sur isolant). [0013] Le contenu de protection préférable de structure de couche d'isolation destinée à un produit semi-conducteur est le suivant. [0014] Au moins une couche intermédiaire 4 est prévue sur la couche de film mince 3 sur au moins l'un du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2, et est l'une des suivantes ou une combinaison des suivantes : une couche de dioxyde de silicium, une couche d'oxynitrure de silicium, une couche de nitrure de silicium, une couche de polysilicium et une couche de silicium amorphe. [0015] Une couche intermédiaire 4 est prévue sur la couche de film mince 3 sur au moins l'un du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2 ; et le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2 sont liés ensemble par le biais de la couche de film mince 3 prévue sur au moins l'un du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2 et de la couche intermédiaire 4 sur la couche de film mince 3 afin de former une structure SOI multicouches intégrale. [0016] La structure de couche d'isolation destinée au produit semi-conducteur respecte l'une de ou une combinaison des exigences suivantes : [0017] tout d'abord, la résistivité d'une tranche de silicium utilisée comme substrat de dispositif 1 et/ou substrat de support 2 est comprise entre 0,1 et 10000 ohm.cm ; [0018] ensuite, lorsque la couche de film mince 3 ou la couche intermédiaire 4 est une 3 couche de dioxyde de silicium, l'épaisseur de la couche de dioxyde de silicium est comprise entre 0 et 5 [Lm, et l'épaisseur des structures de couches suivantes, comprenant la couche d'oxynitrure de silicium, la couche de nitrure de silicium, la couche de polysilicium et la couche de silicium amorphe, en guise de couche de film mince 3 ou de couche intermédiaire 4, est comprise entre 0,01 et 10 [Lm ; [0019] ensuite, le diamètre de la tranche de silicium est de 150 mm, ou 200 mm, ou 300 mm ; et [0020] ensuite, la/les couche(s) de film mince 3 prévue(s) sur le substrat de dispositif 1 et/ou le substrat de support 2 et la/les couche(s) intermédiaire(s) 4 prévue(s) sur la/les couche(s) de film mince sont liées ensemble afin de former la structure SOI multicouches intégrale. [0021] La présente invention concerne également un procédé de préparation d'une structure de couche d'isolation destinée un produit semi-conducteur. Les exigences du procédé de préparation sont les suivantes. [0022] Tout d'abord, un substrat de dispositif 1 et un substrat de support 2 d'une structure de couche d'isolation destinée à un produit semi-conducteur sont préparés ; et une couche de film mince 3 sur au moins l'une des surfaces du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2 est préparée. Le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2 sont des tranches de silicium. La/les couche(s) de film mince 3 est/sont prévue(s) sur le substrat de dispositif 1 et/ou le substrat de support 2, et est/sont l'une d'une couche de dioxyde de silicium, d'une couche d'oxynitrure de silicium, d'une couche de nitrure de silicium, d'une couche de polysilicium et d'une couche de silicium amorphe. [0023] Ensuite, le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2 sont liés ensemble par le biais de la couche de film mince 3 prévue sur au moins l'un du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2 afin de former une structure SOI multicouches intégrale. [0024] Le procédé de préparation de la structure de couche d'isolation destinée au produit semi-conducteur est caractérisé en ce que, avant la liaison, au moins une couche intermédiaire 4 est prévue au préalable sur la couche de film mince 3 d'au moins l'un du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2, et est l'une de ou une combinaison de ce qui suit : la couche de dioxyde de silicium, la couche d'oxynitrure de silicium, la couche de nitrure de silicium, la couche de polysilicium et la couche de silicium amorphe. [0025] La liaison respecte les exigences suivantes : la couche de film mince et la couche in- termédiaire 4 sont successivement disposées sur un corps de base d'au moins l'un du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2 avant la liaison ; et l'autre du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2 à lier est un corps de base sans la couche de film mince 3 ou la couche intermédiaire 4, ou un corps de muni uniquement de la couche de film mince 3, ou un corps de base muni de la couche de film mince 3 4 et de la couche intermédiaire 4. [0026] Le procédé de préparation de la structure de couche d'isolation destinée au produit semi-conducteur est caractérisé en ce que [0027] le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2 sélectionnés, avant la liaison, sont des tranches de silicium qui présentent une résistivité de 0,1 à 10000 ohm.cm ; [0028] lorsque la couche de film mince 3 est la couche de dioxyde de silicium, l'épaisseur de la couche de dioxyde de silicium est comprise entre 0 et 5 [Lm ; [0029] lorsqu'au moins une couche intermédiaire 4 est prévue sur la/les couche(s) de film mince (3) sur le substrat de dispositif 1 et/ou le substrat de support 2, l'épaisseur de la couche intermédiaire 4 est comprise entre 0,01 et 10 pm ; et la couche intermédiaire 4 est l'une de la couche d'oxynitrure de silicium, de la couche de nitrure de silicium, de la couche de polysilicium et de la couche de silicium amorphe. [0030] Le diamètre de la tranche de silicium est de 150 mm, ou 200 mm, ou 300 mm. [0031] La/les couche(s) de film mince 3 prévue(s) sur le substrat de dispositif 1 et/ou le substrat de support 2 et la/les couche(s) intermédiaire(s) 4 prévue(s) sur la/les couche(s) de film mince sont liées ensemble afin de former la structure SOI multicouches intégrale. [0032] Les étapes préférables du procédé de préparation de la structure de couche d'isolation destinée au produit semi-conducteur sont les suivantes. [0033] Tout d'abord, une tranche de silicium qui présente n'importe quelle phase cristalline, n'importe quel type de conductivité, un diamètre de 150 mm, ou de 200 mm ou de 300 mm, et une résistivité de 0,1 à 10000 ohm.cm est choisie comme substrat de dispositif 1 et substrat de support 2. [0034] Ensuite, le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2 sont successivement nettoyés par ultrasons à l'aide d'une solution mixte de HF, de H2SO4 et de H202 et d'eau désionisée afin d'éliminer une couche d'oxyde naturelle et les contaminants sur les surfaces du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2 afin d'obtenir les tranches de silicium avec des surfaces de grande qualité ; le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2 sont essorés après le nettoyage ; et le substrat de dispositif 1 et/ ou le substrat de support 2 à développer avec une couche de film mince 3 est/sont placé(s) dans une chambre de réaction d'un appareil de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma ou de dépôt chimique en phase vapeur sous pression réduite. [0035] Ensuite, un nettoyage au plasma in situ est effectué sur le substrat de dispositif 1 et/ ou le substrat de support 2 avec un débit d'hydrogène de 20 à 200 sccm et une durée de nettoyage de 5 à 20 minutes. [0036] Ensuite, la couche de film mince 3 est déposée sur un corps de base d'au moins l'un du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2, et, selon les différents matériaux des couches de film mince 3, les gaz utilisés pour le dépôt sont de l'oxygène, de l'hydrogène, de l'azote, du silane, du protoxyde d'azote, de l'hydrogène et de l'argon avec des débits de 0 à 20 slm, 0 à 10 slm, 0 à 1 slm, 0 à 25 sccm, 0 à 20 sccm, 0 à 50 sccm et 0 à 60 sccm, respectivement ; une pression de dépôt est comprise entre 0 et 10 Pa ; l'épaisseur de dépôt d'une couche de dioxyde de silicium en guise de couche de film mince 3 est comprise entre 0 et 5 [Lm ; et une épaisseur de dépôt d'une couche d'oxynitrure de silicium, d'une couche de nitrure de silicium, d'une couche de polysilicium ou d'une couche de silicium amorphe en guise de couche de film mince 3 est comprise entre 0 et 10 [Lm. [0037] Ensuite, un nettoyage au plasma in situ est effectué sur le substrat de dispositif 1 et/ ou le substrat de support 2 avec un débit d'hydrogène de 20 à 200 sccm et une durée de nettoyage de 5 à 20 minutes. [0038] Ensuite, une couche intermédiaire 4 est déposée sur la surface de la couche de film mince 3 sur le substrat de dispositif 1 et/ou le substrat de support 2, et, selon les différents matériaux de la couche intermédiaire 4, les gaz utilisés pour le dépôt sont du silane, du protoxyde d'azote, de l'hydrogène, de l'argon et de l'ammoniaque avec des débits de 0 à 25 sccm, 2 à 20 sccm, 10 à 50 sccm, 30 à 60 sccm, respectivement ; une pression de dépôt est comprise entre 5 et 10 Pa ; et l'épaisseur de dépôt est comprise entre 0,01 et 10 [um. [0039] Ensuite, une gravure au plasma d'hydrogène est effectuée une fois que la couche in- termédiaire 4, en guise de couche de film mince, a été déposée avec un débit d'hydrogène de 30 à 120 sccm et une durée de gravure de 0,5 à 10 minutes. [0040] Ensuite, une autre couche intermédiaire 4 est déposée sur la surface de la couche in- termédiaire 4 préparée aux étapes ci-dessus, et cette étape est répétée n (n>0) fois jusqu'à ce que l'épaisseur de dépôt totale soit conforme à une exigence. [0041] Ensuite, le substrat de dispositif 1 et/ou le substrat de support 2 traité(s) par les étapes ci-dessus est/sont traité(s) selon une manière I ou II afin d'obtenir un matériau SOI avec une couche enfouie d'isolation spéciale, la manière I comprenant : la réalisation d'une liaison sous vide à basse température sur le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2, et le meulage et le polissage d'une tôle collée obtenue à l'étape ci-dessus afin d'obtenir le matériau SOI ayant une épaisseur de silicium supérieur comprise entre 1,5 et 250 [Lm ; et [0042] La manière II comprend : l'injection d'ions d'hydrogène dans le substrat de dispositif 1 avec une profondeur d'injection de 100 à 1500 nm, la réalisation d'une liaison sous vide à basse température sur le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2 afin d'obtenir une tôle collée, la réalisation d'un processus de recuit à basse température sur la tôle collée à une température de recuit de 150 à 300°C, la réalisation d'une séparation par micro-ondes ou par laser sur cette tôle collée afin de former un matériau de structure SOI, et la réalisation d'un processus de planarisation chimico-mécanique 6 sur la structure SOI afin de former le matériau SOI ayant une épaisseur de couche supérieure comprise entre 0,02 et 1,5 [Lm. [0043] La séparation par micro-ondes présente les exigences suivantes : une puissance de micro-ondes est comprise entre 1 et 4 KW ; une durée de micro-ondes est comprise entre 2 et 5 minutes ; et une température des micro-ondes est comprise entre 70 et 400°C. La séparation par laser présente les exigences suivantes : un laser infrarouge est adopté ; une taille de point laser est comprise entre 0,5 et 2 mm ; une puissance laser est comprise entre 100 mw et 100 w ; une durée de chauffage est comprise entre 10 et 30 s ; un trajet de balayage laser est situé le long de la direction de diamètre de la tranche de silicium ; le nombre de balayages de la tranche de silicium est compris entre 8 et 28 ; un faisceau laser balaie la tranche de silicium à un angle d'incidence compris entre 45° et 135° ; et la température de surface de la tranche de silicium augmente rapidement par chauffage laser afin de permettre aux ions d'hydrogène de la tranche de silicium de s'accumuler afin de réaliser la séparation. [0044] Le procédé de préparation de la structure de couche d'isolation destinée au produit semi-conducteur respecte l'une de ou une combinaison des exigences suivantes. Tout d'abord, pendant le processus de dépôt de la couche intermédiaire 4, une étape de gravure au plasma d'hydrogène est ajoutée, de sorte qu'une liaison fragile Si-N soit rompue tout en remplissant une liaison pendante de silicium par le biais d'un effet de gravure du plasma d'hydrogène, et qu'une nouvelle liaison Si-N stable soit reformée. Dans le même temps, une activité de surface du film mince est augmentée et l'énergie de nucléation est réduite afin de préparer un film de nitrure de silicium de grande qualité en guise de couche intermédiaire 4. [0045] Ensuite, un changement de déformation du SOI provoqué par la différence de coef- ficients de dilatation thermique après le recuit à haute température est réduit en ajustant les épaisseurs du film d'oxynitrure de silicium et du film de nitrure de silicium dans la couche intermédiaire 4. [0046] Lors du processus de séparation par laser, le laser agit sur la surface de la tranche de silicium afin de chauffer la surface de la tranche de silicium, de sorte que le H+ injecté soit accumulé en molécules de gaz qui remplissent les fissures afin de former des microbulles d'hydrogène ; et, avec l'accumulation continue des molécules d'hydrogène, une couche d'hydrogène est finalement décollée afin de procéder à la séparation, et, ainsi, une structure de SOI est formée. En comparaison avec la technologie de séparation par micro-ondes, la séparation par chauffage au laser présente les avantages suivants : un défaut cristallin et une inclusion de métal provoqués par la couche d'injection d'ions d'hydrogène sont éliminés, un matériau d'absorption de surface est éliminé, et la rugosité de surface est améliorée. [0047] Les instructions complémentaires ci-dessus sont les suivantes. 7 [0048] Le problème de limitation du matériau de SOI de l'art antérieur peut être résolu en modifiant la structure de la couche d'isolation. [0049] (1) Le film de SiO2 dans la couche d'isolation est remplacé par un film de nitrure de silicium ou un film d'oxynitrure de silicium. Le film de nitrure de silicium ou le film d'oxynitrure de silicium peut devenir un matériau susceptible de remplacer le SiO2 comme couche enfouie d'isolation, et peut permettre une industrialisation du fait de sa conductivité thermique élevée, de son excellente capacité d'isolation, de sa constante diélectrique élevée, de son coefficient de dissipation thermique élevé, de sa structure compacte, de ses propriétés chimiques stables, de son processus de préparation simple, de sa grande compatibilité de processus, de son faible coût, et similaires. [0050] (2) La couche de SiO2 de la couche d'isolation est remplacée par un film de poly- silicium ou un film de silicium amorphe qui peut efficacement se combiner avec l'oxyde de silicium afin de supprimer efficacement la conductance parasite de surface du substrat de silicium, de limiter le changement de capacitance et de réduire la puissance des harmoniques générés. Ainsi, la caractéristique de radiofréquence est améliorée. [0051] (3) Un film de nitrure de silicium déposé par le biais du procédé LPCVD/PECVD classique contient de nombreux défauts tels que des dislocations, des états de surface et des liaisons pendantes, ce qui réduit considérablement la qualité du film de nitrure de silicium. Pendant le processus de dépôt de la couche intermédiaire 4, une étape de gravure au plasma d'hydrogène est ajoutée, de sorte qu'une liaison fragile Si-N soit rompue tout en remplissant une liaison pendante de silicium par le biais d'un effet de gravure du plasma d'hydrogène, et qu'une nouvelle liaison Si-N stable soit reformée. Dans le même temps, une activité de surface du film mince est augmentée et l'énergie de nucléation est réduite afin de préparer un film de nitrure de silicium de grande qualité en guise de couche intermédiaire 4. En outre, un changement de déformation du SOI provoqué par la différence de coefficients de dilatation thermique après le recuit à haute température est réduit en ajustant les épaisseurs du film d'oxynitrure de silicium et du film de nitrure de silicium dans la couche intermédiaire 4. [0052] (4) Le procédé de séparation par laser mentionné dans la présente invention est avantageux pour la préparation du SOI de grande qualité. Le laser agit sur la surface de la tranche de silicium afin de chauffer la surface de la tranche de silicium, de sorte que le H+ injecté soit accumulé en molécules de gaz qui remplissent les fissures afin de former des microbulles d'hydrogène ; et, avec l'accumulation continue des molécules d'hydrogène, une couche d'hydrogène est finalement décollée afin de procéder à la séparation, et, ainsi, une structure de SOI est formée. En comparaison avec la technologie de séparation par micro-ondes, la séparation par chauffage au laser présente les avantages suivants : un défaut cristallin et une inclusion de métal 8 provoqués par la couche d'injection d'ions d'hydrogène sont éliminés, un matériau d'absorption de surface est éliminé, et la rugosité de surface est améliorée. [0053] La présente invention adopte un processus de liaison afin de former une structure de couche d'isolation spéciale qui est diverse et respecte les exigences de conception des dispositifs MEMS, radiofréquence et optiques. [0054] La structure préparée par la présente invention est diverse. Plus particulièrement, la diversité de la structure est illustrée dans les modes de réalisation. Cette diversité de la structure multicouches peut être conforme aux exigences de conception des différents dispositifs et présente de grands avantages techniques. [0055] La présente invention présente les avantages suivants. [0056] 1. Le procédé prévu par la présente invention forme la structure de couche d'isolation spéciale par le biais du processus de liaison. Dans cette structure, par le biais du processus de liaison, une couche d'oxynitrure de silicium, une couche de nitrure de silicium, une couche de dioxyde de silicium ou une couche de polysilicium qui est formée sur la tranche de silicium à l'aide d'un procédé tel qu'un dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma ou un dépôt chimique en phase vapeur sous pression réduite est combinée avec une tranche de silicium et une tranche de dioxyde de silicium, une tranche d'oxynitrure de silicium, une tranche de nitrure de silicium, une tranche de polysilicium, ou une couche de silicium amorphe afin de former une structure SOI multicouches. [0057] 2. La structure formée par le procédé de la présente invention est diverse et peut respecter les exigences de conception de différents dispositifs. [0058] 3. L'une des innovations de la solution technique de la présente invention est que la couche de nitrure de silicium ou la couche d'oxynitrure de silicium est utilisée pour remplacer la couche de dioxyde de silicium en guise de couche d'isolation, de sorte que le problème de fort chauffage spontané d'un dispositif SOI existant qui utilise le film de dioxyde de silicium comme couche enfouie d'isolation soit résolu. [0059] 4. Le procédé de la présente invention utilise également de manière créative du poly- silicium ou du silicium amorphe pour remplacer le dioxyde de silicium en guise de matériau de couche d'isolation, de sorte que le problème de mauvaise caractéristique de radiofréquence du dispositif SOI existant qui utilise le film de dioxyde de silicium comme couche enfouie d'isolation soit résolu. [0060] 5. Le processus de préparation du matériau de couche d'isolation utilisé dans le procédé de la présente invention est simple, très compatible avec d'autres processus, et peu coûteux. [0061] 6. Le matériau de couche d'isolation utilisé dans le procédé de la présente invention présente une forte sélectivité et peut servir de couche barrière contre la corrosion thermique et la corrosion acide. 9 [0062] 7. Le matériau SOI qui présente l'excellente conductivité thermique est préparé par le procédé de la présente invention, de sorte que les problèmes de fort chauffage spontané d'un dispositif SOI existant qui utilise le film de SiO2 comme couche enfouie d'isolation et de forte déformation de ce SOI provoquée par le recuit à haute température soient résolus. Dans le même temps, avec l'introduction de la technologie de séparation par laser, les défauts de densité de couche du dispositif sont réduits, si bien que le rendement de production et la qualité du produit sont améliorés. [0063] En résumé, la structure de couche d'isolation prévue par la présente invention présente une valeur économique et sociale prévisible relativement plus élevée. Brève description des dessins [0064] La figure 1 est une vue schématique d'une structure de couche d'isolation destinée à un produit semi-conducteur selon le mode de réalisation 1 ; [0065] La figure 2 est une vue schématique d'une autre structure de couche d'isolation destinée au produit semi-conducteur selon le mode de réalisation 2 ; [0066] La figure 3 est une vue schématique d'une autre structure de couche d'isolation destinée au produit semi-conducteur selon le mode de réalisation 3 ; [0067] La figure 4 est une vue schématique d'une autre structure de couche d'isolation destinée au produit semi-conducteur selon le mode de réalisation 4 ; et [0068] La figure 5 est une vue schématique d'une autre structure de couche d'isolation destinée au produit semi-conducteur selon le mode de réalisation 5. Description des modes de réalisation [0069] Mode de réalisation 1 [0070] Une structure de couche d'isolation destinée à un produit semi-conducteur comprend un substrat de dispositif 1, un substrat de support 2 et une couche de film mince 3. Le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2 sont des tranches de silicium ; et la/ les couche(s) de film mince 3 est/sont prévue(s) sur le substrat de dispositif 1 et/ou le substrat de support 2, et est/sont l'une d'une couche de dioxyde de silicium, d'une couche d'oxynitrure de silicium, d'une couche de nitrure de silicium, d'une couche de polysilicium et d'une couche de silicium amorphe. [0071] Le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2 sont liés ensemble par le biais de la couche de film mince 3 prévue sur au moins l'un du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2 afin de former une structure SOI multicouches intégrale (silicium sur isolant). [0072] La structure de couche d'isolation destinée au produit semi-conducteur respecte une combinaison des exigences suivantes : [0073] tout d'abord, la résistivité d'une tranche de silicium utilisée comme substrat de dispositif 1 et/ou substrat de support 2 est comprise entre 0,1 et 10000 ohm.cm ; [0074] ensuite, lorsque la couche de film mince 3 ou la couche intermédiaire 4 est une couche de dioxyde de silicium, l'épaisseur de la couche de dioxyde de silicium est comprise entre 0 et 5 [Lm, et l'épaisseur des structures de couches suivantes, comprenant une couche d'oxynitrure de silicium, une couche de nitrure de silicium, une couche de polysilicium et une couche de silicium amorphe, en guise de couche de film mince 3 ou de couche intermédiaire 4, est comprise entre 0,01 et 10 [Lm ; [0075] ensuite, le diamètre de la tranche de silicium est de 150 mm, ou 200 mm, ou 300 mm ; et [0076] ensuite, la/les couche(s) de film mince 3 prévue(s) sur le substrat de dispositif 1 et/ou le substrat de support 2 et la/les couche(s) intermédiaire(s) 4 prévue(s) sur la/les couche(s) de film mince sont liées ensemble afin de former une structure SOI multicouches intégrale. [0077] La présente invention concerne également un procédé de préparation d'une structure de couche d'isolation destinée un produit semi-conducteur. Les exigences du procédé de préparation sont les suivantes. [0078] Tout d'abord, un substrat de dispositif 1 et un substrat de support 2 d'une structure de couche d'isolation destinée à un produit semi-conducteur sont préparés ; et une couche de film mince 3 est préparée sur au moins l'une des surfaces du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2. Le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2 sont des tranches de silicium. La/les couche(s) de film mince 3 est/sont prévue(s) sur le substrat de dispositif 1 et/ou le substrat de support 2, et est/sont l'une d'une couche de dioxyde de silicium, d'une couche d'oxynitrure de silicium, d'une couche de nitrure de silicium, d'une couche de polysilicium et d'une couche de silicium amorphe. [0079] Ensuite, le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2 sont liés ensemble par le biais de la couche de film mince 3 prévue sur au moins l'un du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2 afin de former une structure SOI multicouches intégrale. [0080] Au moins une couche intermédiaire 4 est prévue sur la couche de film mince 3 sur au moins l'un du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2 avant la liaison, et est l'une de ou une combinaison de ce qui suit : la couche de dioxyde de silicium, la couche d'oxynitrure de silicium, la couche de nitrure de silicium, la couche de polysilicium et la couche de silicium amorphe. [0081] La liaison respecte les exigences suivantes : la couche de film mince et la couche in- termédiaire 4 sont successivement disposées sur un corps de base d'au moins l'un du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2 avant la liaison ; et l'autre du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2 à lier est un corps de base sans la couche de film mince 3 et la couche intermédiaire 4, ou un corps de muni uniquement de la couche de film mince 3, ou un corps de base muni de la couche de film mince 3 et de la couche intermédiaire 4. 11 [0082] Le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2 sélectionnés, avant la liaison, sont des tranches de silicium qui présentent une résistivité de 0,1 à 10000 ohm.cm. [0083] Lorsque la couche de film mince 3 est la couche de dioxyde de silicium, l'épaisseur de la couche de dioxyde de silicium est comprise entre 0 et 5 [Lm. [0084] Lorsqu'au moins une couche intermédiaire 4 est prévue sur la/les couche(s) de film mince (3) sur le substrat de dispositif 1 et/ou le substrat de support 2, l'épaisseur de la couche intermédiaire 4 est comprise entre 0,01 et 10 pm ; et la couche intermédiaire 4 est l'une de la couche d'oxynitrure de silicium, de la couche de nitrure de silicium, de la couche de polysilicium et de la couche de silicium amorphe. [0085] Le diamètre de la tranche de silicium est de 150 mm, ou 200 mm, ou 300 mm. [0086] La/les couche(s) de film mince 3 prévue(s) sur le substrat de dispositif 1 et/ou le substrat de support 2 et la/les couche(s) intermédiaire(s) 4 prévue(s) sur la/les couche(s) de film mince sont liées ensemble afin de former la structure SOI multicouches intégrale. [0087] Les étapes particulières du procédé de préparation de la structure de couche d'isolation destinée au produit semi-conducteur sont les suivantes. [0088] Tout d'abord, une tranche de silicium qui présente n'importe quelle phase cristalline, n'importe quel type de conductivité, un diamètre de 150 mm, ou de 200 mm ou de 300 mm, et une résistivité de 0,1 à 10000 ohm.cm est choisie comme substrat de dispositif 1 et substrat de support 2. [0089] Ensuite, le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2 sont successivement nettoyés par ultrasons à l'aide d'une solution mixte de HF, de H2SO4 et de H202 et d'eau désionisée afin d'éliminer une couche d'oxyde naturelle et les contaminants sur les surfaces du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2 afin d'obtenir les tranches de silicium avec des surfaces de grande qualité ; le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2 sont essorés après le nettoyage ; et le substrat de dispositif 1 et/ ou le substrat de support 2 à développer avec une couche de film mince 3 est/sont placé(s) dans une chambre de réaction d'un appareil de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma ou de dépôt chimique en phase vapeur sous pression réduite. [0090] Ensuite, un nettoyage au plasma in situ est effectué sur le substrat de dispositif 1 et/ ou le substrat de support 2 avec un débit d'hydrogène de 20 à 200 sccm et une durée de nettoyage de 5 à 20 minutes. [0091] Ensuite, la couche de film mince 3 est déposée sur un corps de base d'au moins l'un du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2, et, selon les différents matériaux des couches de film mince 3, les gaz utilisés pour le dépôt sont de l'oxygène, de l'hydrogène, de l'azote, du silane, du protoxyde d'azote, de l'hydrogène et de l'argon avec des débits de 0 à 20 slm, 0 à 10 slm, 0 à 1 slm, 0 à 25 sccm, 0 à 20 sccm, 0 à 50 sccm et 0 à 60 sccm, respectivement ; une pression de dépôt est comprise entre 0 et 10 12 Pa ; l'épaisseur de dépôt d'une couche de dioxyde de silicium en guise de couche de film mince 3 est comprise entre 0 et 5 [Lm ; et une épaisseur de dépôt d'une couche d'oxynitrure de silicium, d'une couche de nitrure de silicium, d'une couche de polysilicium ou d'une couche de silicium amorphe en guise de couche de film mince 3 est comprise entre 0 et 10 [Lm. [0092] Ensuite, un nettoyage au plasma in situ est effectué sur le substrat de dispositif 1 et/ ou le substrat de support 2 avec un débit d'hydrogène de 20 à 200 sccm et une durée de nettoyage de 5 à 20 minutes. [0093] Ensuite, une couche intermédiaire 4 est déposée sur les surfaces de la couche de film mince 3 sur le substrat de dispositif 1 et/ou le substrat de support 2, et, selon les différents matériaux de la couche intermédiaire 4, les gaz utilisés pour le dépôt sont du silane, du protoxyde d'azote, de l'hydrogène, de l'argon et de l'ammoniaque avec des débits de 5 à 25 sccm, de 2 à 20 sccm, de 10 à 50 sccm, de 30 à 60 sccm et de 5 à 20 sccm, respectivement ; une pression de dépôt est comprise entre 5 et 10 Pa ; et l'épaisseur de dépôt est comprise entre 0,01 et 10 [Lm. [0094] Ensuite, une gravure au plasma d'hydrogène est effectuée une fois que la couche in- termédiaire 4, en guise de couche de film mince, a été déposée avec un débit d'hydrogène de 30 à 120 sccm et une durée de gravure de 0,5 à 10 minutes. [0095] Ensuite, une autre couche intermédiaire 4 est déposée sur la surface de la couche in- termédiaire 4 préparée aux étapes ci-dessus, et cette étape est répétée n (n>0 et est un entier) fois jusqu'à ce que l'épaisseur de dépôt totale soit conforme à une exigence. [0096] Ensuite, le substrat de dispositif 1 et/ou le substrat de support 2 traité(s) par les étapes ci-dessus est/sont traité(s) par une manière I ou II afin d'obtenir un matériau SOI avec une couche enfouie d'isolation spéciale, la manière I comprenant : la réalisation d'une liaison sous vide à basse température sur le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2, et le meulage et le polissage d'une tôle collée obtenue à l'étape ci-dessus afin d'obtenir le matériau SOI ayant une épaisseur de silicium supérieur comprise entre 1,5 et 250 [Lm. [0097] La manière II comprend : l'injection d'ions d'hydrogène dans le substrat de dispositif 1 avec une profondeur d'injection de 100 à 1500 nm, la réalisation d'une liaison sous vide à basse température sur le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2 afin d'obtenir une tôle collée, la réalisation d'un processus de recuit à basse température sur la tôle collée à une température de recuit de 150 à 300°C, la réalisation d'une séparation par micro-ondes ou par laser sur cette tôle collée afin de former un matériau de structure SOI, et la réalisation d'un processus de planarisation chimico-mécanique sur la structure SOI afin de former le matériau SOI ayant une épaisseur de couche supérieure comprise entre 0,02 et 1,5 [Lm. [0098] La séparation par micro-ondes présente les exigences suivantes : une puissance de 13 micro-ondes est comprise entre 1 et 4 KW ; une durée de micro-ondes est comprise entre 2 et 5 minutes ; et une température des micro-ondes est comprise entre 70 et 400°C. La séparation par laser présente les exigences suivantes : un laser infrarouge est adopté ; une taille de point laser est comprise entre 0,5 et 2 mm ; une puissance laser est comprise entre 100 mw et 100 w ; une durée de chauffage est comprise entre 10 et 30 s ; un trajet de balayage laser est situé le long de la direction de diamètre de la tranche de silicium ; le nombre de balayages de la tranche de silicium est compris entre 8 et 28 ; un faisceau laser balaie la tranche de silicium à un angle d'incidence compris entre 45° et 135° ; et la température de surface de la tranche de silicium augmente rapidement par chauffage laser afin de permettre aux ions d'hydrogène de la tranche de silicium de s'accumuler afin de réaliser la séparation. [0099] Le procédé de préparation de la structure de couche d'isolation destinée au produit semi-conducteur respecte une combinaison des exigences suivantes. [0100] Tout d'abord, pendant le processus de dépôt de la couche intermédiaire 4, une étape de gravure au plasma d'hydrogène est ajoutée, de sorte qu'une liaison fragile Si-N soit rompue tout en remplissant une liaison pendante de silicium par le biais d'un effet de gravure du plasma d'hydrogène, et qu'une nouvelle liaison Si-N stable soit reformée. Dans le même temps, une activité de surface du film mince est augmentée et l'énergie de nucléation est réduite afin de préparer un film de nitrure de silicium de grande qualité en guise de couche intermédiaire 4. [0101] Ensuite, un changement de déformation du SOI provoqué par la différence de coef- ficients de dilatation thermique après le recuit à haute température est réduit en ajustant les épaisseurs du film d'oxynitrure de silicium et du film de nitrure de silicium dans la couche intermédiaire 4. [0102] Lors du processus de séparation par laser, le laser agit sur la surface de la tranche de silicium afin de chauffer la surface de la tranche de silicium, de sorte que le H+ injecté soit accumulé en molécules de gaz qui remplissent les fissures afin de former des microbulles d'hydrogène ; et, avec l'accumulation continue des molécules d'hydrogène, une couche d'hydrogène est finalement décollée afin de procéder à la séparation, et, ainsi, une structure de SOI est formée. En comparaison avec la technologie de séparation par micro-ondes, la séparation par chauffage au laser présente les avantages suivants : un défaut cristallin et une inclusion de métal provoqués par la couche d'injection d'ions d'hydrogène sont éliminés, un matériau d'absorption de surface est éliminé, et la rugosité de surface est améliorée. [0103] Les instructions complémentaires ci-dessus sont les suivantes. [0104] Le problème des limitations du matériau de SOI de l'art antérieur peut être résolu en modifiant la structure de la couche d'isolation. [0105] (1) Le film de SiO2 dans la couche d'isolation est remplacé par un film de nitrure de 14 silicium ou un film d'oxynitrure de silicium. Le film de nitrure de silicium ou un film d'oxynitrure de silicium peut devenir un matériau susceptible de remplacer le SiO2 comme couche enfouie d'isolation, et peut permettre une industrialisation du fait de sa conductivité thermique élevée, de son excellente capacité d'isolation, de sa constante diélectrique élevée, de son coefficient de dissipation thermique élevé, de sa structure compacte, de ses propriétés chimiques stables, de son processus de préparation simple, de sa grande compatibilité de processus, de son faible coût, et similaires. [0106] (2) La couche de SiO2 de la couche d'isolation est remplacée par un film de poly- silicium ou un film de silicium amorphe qui peut efficacement se combiner avec l'oxyde de silicium afin de supprimer efficacement la conductance parasite de surface du substrat de silicium, de limiter le changement de capacitance et de réduire la puissance des harmoniques générés. Ainsi, les caractéristiques de radiofréquence sont améliorées. [0107] (3) Un film de nitrure de silicium déposé par le biais du procédé LPCVD/PECVD classique contient de nombreux défauts tels que des dislocations, des états de surface et des liaisons pendantes, ce qui réduit considérablement la qualité du film de nitrure de silicium. Pendant le processus de dépôt de la couche intermédiaire 4 du présent mode de réalisation, une étape de gravure au plasma d'hydrogène est ajoutée, de sorte qu'une liaison fragile Si-N soit rompue tout en remplissant une liaison pendante de silicium par le biais d'un effet de gravure du plasma d'hydrogène, et qu'une nouvelle liaison Si-N stable soit reformée. Dans le même temps, une activité de surface du film mince est augmentée et l'énergie de nucléation est réduite afin de préparer un film de nitrure de silicium de grande qualité en guise de couche intermédiaire 4. En outre, un changement de déformation du SOI provoqué par la différence de coefficients de dilatation thermique après le recuit à haute température est réduit en ajustant les épaisseurs du film d'oxynitrure de silicium et du film de nitrure de silicium dans la couche intermédiaire 4. [0108] (4) Le procédé de séparation par laser mentionné dans le présent mode de réalisation est avantageux pour la préparation du SOI de grande qualité. Le laser agit sur la surface de la tranche de silicium afin de chauffer la surface de la tranche de silicium, de sorte que le H+ injecté soit accumulé en molécules de gaz qui remplissent les fissures afin de former des microbulles d'hydrogène ; et, avec l'accumulation continue des molécules d'hydrogène, une couche d'hydrogène est finalement décollée afin de procéder à la séparation, et, ainsi, une structure de SOI est formée. En comparaison avec la technologie de séparation par micro-ondes, la séparation par chauffage au laser présente les avantages suivants : un défaut cristallin et une inclusion de métal provoqués par la couche d'injection d'ions d'hydrogène sont éliminés, un matériau d'absorption de surface est éliminé, et la rugosité de surface est améliorée. [0109] Le présent mode de réalisation adopte un processus de liaison afin de former une structure de couche d'isolation spéciale qui est diverse et respecte les exigences de conception des dispositifs MEMS, radiofréquence et optiques. [0110] La structure préparée par la présente invention est diverse. Plus particulièrement, la diversité de la structure est illustrée dans les modes de réalisation. Cette diversité de la structure multicouches peut être conforme aux exigences de conception des différents dispositifs et présente de grands avantages techniques. [0111] Le présent mode de réalisation présente les avantages suivants. [0112] 1. Le procédé prévu par le présent mode de réalisation forme la structure de couche d'isolation spéciale par le biais du processus de liaison. Dans cette structure, par le biais du processus de liaison, une couche d'oxynitrure de silicium, une couche de nitrure de silicium, une couche de dioxyde de silicium, une couche de polysilicium ou une couche de silicium amorphe qui est formée sur la tranche de silicium à l'aide d'un procédé tel qu'un dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma ou un dépôt chimique en phase vapeur sous pression réduite est combinée avec une tranche de silicium, une tranche de dioxyde de silicium, une tranche d'oxynitrure de silicium, une tranche de nitrure de silicium, une tranche de silicium polycristallin, ou une couche de silicium amorphe afin de former une structure SOI multicouches. [0113] 2. La structure formée par le procédé du présent mode de réalisation est diverse et peut respecter les exigences de conception de différents dispositifs. [0114] 3. L'une des innovations de la solution technique du présent mode de réalisation est que la couche de nitrure de silicium ou la couche d'oxynitrure de silicium est utilisée pour remplacer la couche de dioxyde de silicium en guise de couche d'isolation, de sorte que le problème de fort chauffage spontané d'un dispositif SOI existant qui utilise le film de dioxyde de silicium comme couche enfouie d'isolation soit résolu. [0115] 4. Le procédé du présent mode de réalisation utilise également de manière créative du polysilicium ou du silicium amorphe pour remplacer le dioxyde de silicium en guise de matériau de couche d'isolation, de sorte que le problème de mauvaise caractéristique de radiofréquence du dispositif SOI existant qui utilise le film de dioxyde de silicium comme couche enfouie d'isolation soit résolu. [0116] 5. Le processus de préparation du matériau de couche d'isolation utilisé dans le procédé du présent mode de réalisation est simple, très compatible avec d'autres processus, et peu coûteux. [0117] 6. Le matériau de couche d'isolation utilisé dans le procédé du présent mode de réa- lisation présente une forte sélectivité et peut servir de couche barrière contre la corrosion thermique et la corrosion acide. [0118] 7. Le matériau SOI qui présente l'excellente conductivité thermique est préparé par le procédé du présent mode de réalisation, de sorte que les problèmes de fort chauffage 16 spontané d'un dispositif SOI existant qui utilise le film de SiO2 comme couche enfouie d'isolation et de forte déformation du SOI provoquée par le recuit à haute température soient résolus. Dans le même temps, avec l'introduction de la technologie de séparation par laser, les défauts de densité de couche du dispositif sont réduits, si bien que le rendement de production et la qualité du produit sont améliorés. [0119] En résumé, le présent mode de réalisation présente une valeur économique et sociale prévisible relativement plus élevée. [0120] Mode de réalisation 2 [0121] Le contenu du présent mode de réalisation est quasiment identique à celui du mode de réalisation 1, et la différence entre ceux-ci est la suivante. [0122] La structure de couche d'isolation destinée au produit semi-conducteur est illustrée sur la figure 1. La structure de couche d'isolation destinée au produit semi-conducteur comprend un substrat de dispositif 1, un substrat de support 2 et une couche de film mince 3. Le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2 sont des tranches de silicium. La/les couche(s) de film mince 3 est/sont prévue(s) sur le substrat de dispositif 1 et/ou le substrat de support 2, et est/sont une/des couche(s) de dioxyde de silicium. [0123] Au moins une couche intermédiaire 4 est prévue sur la couche de film mince 3 sur au moins l'un du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2, et est l'une de ce qui suit : une couche d'oxynitrure de silicium, une couche de nitrure de silicium, une couche de polysilicium et une couche de silicium amorphe. [0124] Une couche intermédiaire 4 est prévue sur la couche de film mince 3 sur au moins l'un du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2 ; et le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2 sont liés ensemble par le biais de la couche de film mince 3 prévue sur au moins l'un du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2 et de la couche intermédiaire 4 sur la couche de film mince 3 afin de former une structure SOI multicouches intégrale. [0125] Mode de réalisation 3 [0126] Le contenu du présent mode de réalisation est quasiment identique à celui du mode de réalisation 1, et la différence entre ceux-ci est la suivante. [0127] La structure de couche d'isolation destinée au produit semi-conducteur est illustrée sur la figure 2. La structure de couche d'isolation destinée au produit semi-conducteur comprend un substrat de dispositif 1, un substrat de support 2 et une couche de film mince 3. Le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2 sont des tranches de silicium. La/les couche(s) de film mince 3 est/sont prévue(s) sur le substrat de dispositif 1 et/ou le substrat de support 2, et est/sont une/des couche(s) de nitrure de silicium. Le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2 sont liés ensemble par le biais de la couche de film mince 3 prévue sur au moins l'un du substrat de dispositif 1 17 et du substrat de support 2 afin de former une structure SOI multicouches intégrale (silicium sur isolant). [0128] Mode de réalisation 4 [0129] Le contenu du présent mode de réalisation est quasiment identique à celui du mode de réalisation 1, et la différence entre ceux-ci est la suivante. [0130] La structure de couche d'isolation destinée au produit semi-conducteur est illustrée sur la figure 3. La structure de couche d'isolation destinée au produit semi-conducteur comprend un substrat de dispositif 1, un substrat de support 2 et une couche de film mince 3. Le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2 sont des tranches de silicium. La couche de film mince 3 est prévue sur le substrat de dispositif 1 et est une couche de dioxyde de silicium. [0131] Au moins une couche intermédiaire 4 est prévue sur la couche de film mince 3 sur au moins l'un du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2, et est une couche de nitrure de silicium. [0132] Une couche intermédiaire 4 est prévue sur la couche de film mince 3 sur au moins l'un du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2 ; et le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2 sont liés ensemble par le biais de la couche de film mince 3 prévue sur au moins l'un du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2 et de la couche intermédiaire 4 sur la couche de film mince 3 afin de former une structure SOI multicouches intégrale. [0133] Mode de réalisation 5 [0134] Le contenu du présent mode de réalisation est quasiment identique à celui du mode de réalisation 1, et la différence entre ceux-ci est la suivante. [0135] La structure de couche d'isolation destinée au produit semi-conducteur est illustrée sur la figure 4. La structure de couche d'isolation destinée au produit semi-conducteur comprend un substrat de dispositif 1, un substrat de support 2 et une couche de film mince 3. Le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2 sont des tranches de silicium. La couche de film mince 3 est prévue sur le substrat de dispositif 1 et est une couche de dioxyde de silicium. [0136] Au moins une couche intermédiaire 4 est prévue sur la couche de film mince 3 sur au moins l'un du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2, et est une couche de polysilicium. [0137] Une couche intermédiaire 4 est prévue sur la couche de film mince 3 sur au moins l'un du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2 ; et le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2 sont liés ensemble par le biais de la couche de film mince 3 prévue sur au moins l'un du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2 et de la couche intermédiaire 4 sur la couche de film mince 3 afin de former une structure SOI multicouches intégrale. 18 [0138] Mode de réalisation 6 [0139] Le contenu du présent mode de réalisation est quasiment identique à celui du mode de réalisation 1, et la différence entre ceux-ci est la suivante. [0140] La structure de couche d'isolation destinée au produit semi-conducteur est illustrée sur la figure 5. La structure de couche d'isolation destinée au produit semi-conducteur comprend un substrat de dispositif 1, un substrat de support 2 et une couche de film mince 3. Le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2 sont des tranches de silicium. La couche de film mince 3 est prévue sur le substrat de dispositif 1 et est une couche d'oxynitrure de silicium et une couche de film mince composite de nitrure de silicium. [0141] Le substrat de dispositif 1 et le substrat de support 2 sont liés ensemble par le biais de la couche de film mince 3 prévue sur au moins l'un du substrat de dispositif 1 et du substrat de support 2 afin de former une structure SOI multicouches intégrale (silicium sur isolant). 19 [Revendication 1] [Revendication 2] [Revendication 3]