Brevet FR3083368A1 — publié le 20200103

Interconnexion monolithique de modules photovoltaïques en face arrière Le domaine de l'invention est celui des énergies renouvelables photovoltaïques. La présente invention porte plus particulièrement sur une architecture d'interconnexion de cellules photovoltaïques, en particulier dans le domaine des modules en couches minces où la couche active présentant les propriétés photovoltaïque peut être à base d'un alliage de type CIGS ou encore de CdTe, ou encore des pérovskites, ou autres. Le sigle « CIGS » désigne usuellement l'alliage Cuivre-Indium et/ou gallium - soufre et/ou sélénium, de stoechiométrie CulnxGai.xSe2,S2.2y, avec x et y compris entre 0 et 1, et concerne plus généralement ci-après un alliage chalcopyrite I-III-VI2. De même, l'alliage CdTe est considéré plus généralement ci-après comme étant du type II-VI à propriétés photovoltaïques. Dans ces technologies, les zones inactives (ou « mortes ») d'un module photovoltaïque sont habituellement les parties ombrées, abrasées, et/ou non contactées électriquement. Ces zones ne contribuent pas à la production de courant, ce qui pose un problème de rendement photovoltaïque de l'assemblage des cellules ainsi interconnectées. On connait à titre d'exemple une technique d'interconnexion monolithique dite « P1P2P3 » décrite ci-après. Les étapes de fabrication d'une telle structure, par exemple pour un module à base de CIGS, sont les suivantes (l'empilement final étant représenté sur la figure 1) : - Dépôt de molybdène Mo (contact arrière de la cellule) sur toute la surface d'un substrat (par exemple en verre sodocalcique SLG), - puis gravure du molybdène jusqu'au verre sous forme de lignes espacées d'environ l Omm (gravure dite « P1 »), dépendant de la conductivité électrique des matériaux utilisés, Dépôt de la couche active CIGS (y compris sur la gravure PI), - Dépôts habituels, sur la couche CIGS, d'une couche souvent de type CdS pour réaliser une jonction PN (la couche active de CIGS étant le semi-conducteur de type p, et le CdS, le semi-conducteur de type n), ainsi que, optionnellement, d'une 2 couche transparente souvent à base de ZnO non dopé, sur toute la surface, puis gravure de cet empilement jusqu'au molybdène non inclus (gravure dite «P2 »), - Puis dépôt d'une couche d'oxyde, transparente conductrice (dite TCO ci-après pour « Oxyde Transparent Conducteur ») qui joue le rôle de contact avant de la 5 cellule, sur toute la surface, - Puis gravure de l'empilement complet jusqu'au molybdène non inclus (gravure dite « P3 »). L'empilement CIGS, CdS, et éventuellement ZnO non dopé est classiquement appelé « pile ». En effet, en généralisant cette technique à tout type de cellule solaire en couche 10 mince, on dépose une couche conductrice, puis une ou plusieurs couches constituant la « pile » et incluant la couche active à propriétés photovoltaïques, et enfin une autre couche conductrice (et transparente) vers la face destinée à recevoir la lumière. Les dénominations de gravures PI, P2, P3 sont habituellement attribuées aux gravures respectives intervenant dans l'ordre des étapes du procédé de fabrication de la cellule (i.e. 15 la première gravure PI, puis la deuxième P2, puis la troisième P3). La surface requise pour effectuer ces interconnexions est dite « inactive » car elle ne permet pas la génération de courant. Habituellement, il s'agit d'une zone morte (référencée DA sur la figure 1) qui fait de 200 à 500 itm de large à chaque interconnexion, soit environ 5% de la surface totale d'un module photovoltaïque. D'un autre côté, 20 augmenter la taille des cellules individuelles (c'est-à-dire diminuer le nombre d'interconnexions Pl P2P3) génère des pertes résistives importantes généralement liées à la faible conductivité de la couche transparente conductrice (souvent à base d'oxyde dopé type TCO). Ce sont deux des raisons principales qui font actuellement que les performances des 25 modules à l'échelle industrielle sont nettement inférieures à celles des cellules record fabriquées en laboratoire. Il est décrit ci-après quelques réalisations connues à base de gravures similaires à Pl, P2, P3, admettant toutefois de légères variantes d'adaptation. 3 Dans une première réalisation dite « Back-end Interconnexion » (illustrée sur la figure 2), l'ensemble des couches est déposé sur la totalité de la surface du substrat. Puis, une série de trois gravures est réalisée - la première gravure G1 jusqu'au métal de face arrière inclus (Mo), 5 - la deuxième G2 et la troisième 03 jusqu'au métal Mo non inclus. Ensuite, une pâte isolante est déposée dans les première et troisième gravures (en noir) et une pâte conductrice est déposée dans la deuxième gravure (en gris) et au-dessus de l'isolant de la première gravure pour connecter en série deux cellules consécutives. Ce procédé permet de ne pas alterner les phases de gravures et de dépôt, contrairement à la 10 technique classique P1P2P3 de la figure 1. Une deuxième réalisation connue concerne la combinaison de l'interconnexion monolithique et d'une grille métallique. On connecte en série plusieurs cellules individuelles de taille plus importante que dans le cas de l'interconnexion P1P2P3 grâce à 15 l'ajout d'une grille métallique GRNI à la surface de chaque cellule individuelle (comme illustré sur la figure 3), ce qui permet de s'affranchir en partie des problèmes de pertes résistives et ainsi de moduler les caractéristiques (courant et tension) du module en faisant varier le nombre et/ou la taille des cellules individuelles, mais en augmentant le taux d'ombrage. 20 Comme dans les cas précédents, la surface de la zone morte peut atteindre environ 5% de la surface du module. Une troisième réalisation connue concerne la fabrication de cellules individuelles avec report de contact avant en face arrière et interconnexion en série. Comme dans la deuxième 25 réalisation, l'ensemble des couches des cellules (par exemple Mo/CIGS/CdS/ZnO) est déposé sur un substrat métallique, en particulier flexible (typiquement un rouleau d'aluminium) puis des cellules individuelles sont découpées, puis mises en série. Comme illustré sur la figure 4, le courant généré transit du TCO vers une autre couche d'aluminium ajoutée en face arrière de la cellule (et isolée électriquement de la première couche 4 d'aluminium par un matériau isolant) par des trous créés au travers de la cellule et remplis d'une pâte conductrice (noté « via » sur la figure 4). Ainsi, on peut s'affranchir en grande partie des pertes résistives du TCO, sans grille métallique en surface de la cellule, en diminuant ainsi fortement la surface de zone morte. En pratique, les trous ont un diamètre 5 important (de l'ordre du mm) et une grille métallique doit être ajoutée en surface, ce qui crée des zones inactives importantes. Ce procédé est difficilement compatible avec les substrats en verre, majoritairement utilisés en industrie. Le problème des zones mortes est un problème bien connu et le développement du procédé P1P2P3, le plus répandu, consiste à optimiser chaque gravure et l'espace entre chaque gravure afin de diminuer les zones mortes. Cette surface occupe encore en moyenne 5% de la surface actuelle d'un module, quelque soit la réalisation utilisée. Typiquement, l'alternative « combinaison de l'interconnexion monolithique et d'une grille métallique » (selon la deuxième réalisation) permet d'apporter une certaine flexibilité 15 quant à la gestion du courant, mais la surface des zones mortes (ombrage de la grille et zones mortes entre cellules individuelles) reste importante, de l'ordre de 5%. La présente invention vient améliorer cette situation. Elle propose à cet effet une structure de cellules photovoltaïques interconnectées sur un 20 même substrat, cette structure comportant un empilement de couches incluant au moins : - une première couche de métal conducteur (Mt, comme illustré sur l'exemple de réalisation de la figure 6), - une couche conductrice transparente (TCO), et - une couche active (Pile), à propriétés photovoltaïques, entre la première couche de métal 25 (M1) et la couche transparente (TCO). En particulier, l'empilement de cette structure comporte en outre : - Une deuxième couche de métal conducteur (IV12) 5 - Une couche isolante (ISL) entre les première (M1) et deuxième (M2) couche de métal conducteur. La couche active (Pile) est ainsi adjacente à la couche transparente (TCO) (ces deux couches (Pile, TCO) pouvant être séparées par une ou plusieurs couches, mais qui ne sont 5 pas introduites ici car non pertinentes par rapport à l'exposé de l'invention). La couche transparente (TCO) est celle destinée à être face à un éclairement provoquant l'effet photovoltaïque. La deuxième couche de métal (M2) et la couche transparente (TCO) sont ainsi à des faces respectives opposées de l'empilement. Par ailleurs, la structure comporte en outre, pour une séparation en au moins deux cellules 10 (Cel n, Cel n+1) et assurer des interconnexions entre ces deux cellules: - une première gravure (référence P3 de la figure 6 ; référence P1 de la figure 8 dans un autre exemple) à travers la première couche de métal (Ml), la couche active (Pile) et la couche transparente (TCO), avec préférentiellement une partie de la couche isolante (ISL) affleurant en au moins un bord de la première gravure, pour séparer et isoler 15 électriquement les deux cellules, - une deuxième gravure (P2) à travers la couche isolante (ISL) pour connecter la première couche de métal (MI) de l'une des deux cellules à la deuxième couche de métal (1v12) de l'autre des deux cellules, et interconnecter ainsi les deux cellules par les couches de métal (M1, M2), 20 - une troisième gravure (Pl - Fig.6 ; P3 - Fig.8) dans la deuxième couche métallique (M2), avec une partie de la couche isolante (ISL) affleurant en au moins un bord de la troisième gravure, pour séparer et isoler électriquement les deux cellules relativement à la deuxième couche de métal (1\42), et - au moins un trou (T) dans chaque cellule, à travers la couche active (Pile), la première 25 couche de métal (M1) et la couche d'isolant (ISL), comblé par une excroissance de la deuxième couche métallique (M2) et/ou par une excroissance de la couche conductrice transparente (TCO) pour assurer un transfert de charges de la couche conductrice transparente (TCO) vers la deuxième couche de métal (M2). 6 On entend par les termes « une partie de la couche isolante (1ST) affleurant en au moins un bord de la première gravure » le fait que cette gravure est arrêtée idéalement à la surface de l'isolant. Néanmoins, il est possible, dans les faits, de graver aussi l'isolant tout au plus jusqu'à la surface de la deuxième couche métallique (M2) puisqu'ainsi, on isolerait aussi 5 bien les cellules électriquement. Néanmoins, il est préféré de conserver sous cette première gravure au moins une partie de la couche isolante pour éviter d'éventuels risques de court-circuit. Par ailleurs, comme indiqué précédemment, les dénominations de gravures Pl, P2, P3 sont 10 habituellement attribuées aux gravures respectives intervenant dans l'ordre de fabrication d'une cellule (i.e. la première gravure Pl dans le procédé, puis la deuxième P2, puis la troisième P3). En revanche, dans la présentation de l'invention donnée ici, les première, deuxième, et troisième gravures ne respectent pas nécessairement un ordre de fabrication dans le procédé mais simplement une énumération des gravures par ordre d'apparition 15 dans cette description de la structure au sens de de l'invention. La première gravure précitée permet de dé-court-circuiter deux cellules entre elles par la face de la structure destinée à recevoir la lumière. La troisième gravure précitée permet de dé-court-circuiter deux cellules entre elles par la face de la structure opposée à celle destinée à recevoir la lumière. 20 La deuxième gravure précitée permet d'interconnecter deux cellules entre elles par leurs couches métalliques respectives (MI, M2), donc par la face de la structure opposée à celle destinée à recevoir la lumière. On comprendra ainsi que les trous précités (T) contribuent aussi (outre au transfert des charges de la couche transparente vers le métal M2) à la connexion des cellules 25 successives entre elles, via la connexion entre la couche transparente conductrice (TCO) et la deuxième couche métallique (M2). Finalement, en comptant le nombre de gravures, seule la première gravure précitée (P3 sur la figure 6 ou Pl sur la figure 8) coupe la couche active (Pile). En outre, cette couche active (Pile) n'est jamais occultée, même localement, par une couche de métal quelconque (qui est optiquement opaque). Seuls quelques trous locaux sont réalisés. Toutefois, les 7 gravures, notamment la première gravure précitée, s'étendent sur des tranchées parallèlement à une direction de la structure, et ce tout le long d'un module que forme l'ensemble de cellules, alors que les trous sont locaux et sont de diamètres ayant des dimensions comparables à celle d'une largeur de tranchée. Plus particulièrement, dans une forme de réalisation, la structure comporte, pour chaque cellule, un réseau de trous (T), et les gravures (PI, P2, P3) forment des tranchées parallèles dans une direction de la structure (cette direction est perpendiculaire au plan de la figure 6), et chaque cellule a la forme d'une bande allongée le long de cette direction. Typiquement, la première gravure (P3 , Pl), seule gravure à traverser la couche active (Pile), peut avoir une largeur inférieure à 50 jon, tandis que les trous (T) formés dans chaque cellule sont de diamètre inférieur à 100gm 15 Avantageusement et grâce à de telles dispositions, chaque cellule peut alors comporter une surface active pour produire l'effet photovoltaïque qui est supérieure à 95%. Enoncé autrement, la surface photovoltaïquement inactive de chaque cellule dans la structure au sens de l'invention reste limitée à moins de 5%. 20 Dans une forme de réalisation telle qu'illustrée sur la figure 6 (la réalisation de la figure 8 étant une alternative décrite plus loin), c'est la deuxième couche de métal (M2) de l'empilement qui est déposée sur le substrat (SUB). Une telle réalisation dite « structure de type substrat » est avantageuse dans une technologie où la couche active (Pile) est à base d'un alliage de de type I-III-VI2 (type 25 CIGS). Dans une telle réalisation, la couche active (Pile) comporte alors un tel alliage. On notera que dans une alternative encore à la réalisation de la figure 6 et toujours dans une structure de type « substrat », la deuxième couche de métal (M2) peut correspondre simplement au substrat lui-même, ce substrat étant en particulier métallique pour être 5 10 8 conducteur comme le métal M2 de la figure 6. Ainsi, la couche isolante (ISL) peut être déposée directement sur le substrat (SUB), lequel peut comporter alors une ou plusieurs découpes formant la troisième gravure précitée (équivalente de Pl sur la figure 6). Pour tenir le substrat avec une telle découpe, on peut prévoir de réaliser la découpe Pl par la 5 face arrière en fin de process et éventuellement une encapsulation dans une matrice polymère ou autre. La présente invention vise aussi un procédé de fabrication d'une structure de ce type en « substrat » et comportant (en référence à la figure 7), à partir de ladite deuxième couche 10 de métal (M2) : Former (S2) ladite troisième gravure (Pl) dans la deuxième couche de métal (M2) (soit sous la forme d'une couche déposée M2 sur substrat (SUB) avec gravure Pl dans cette couche, soit sous la forme d'un substrat lui-même métallique (SUB) avec découpe dans ce substrat), 15 Déposer (S3) la couche isolante (ISL) sur la deuxième couche de métal (M2), Former (S4) ladite deuxième gravure (P2) dans la couche isolante (ISL) jusqu'à la surface de la deuxième couche de métal (M2), Déposer (S5) la première couche de métal (M1) sur la couche isolante (ISL), Graver (S6) au moins une ébauche de trou (T) dans la première couche de métal 20 (1\11) jusqu'à la surface de la couche isolante (ISL), Déposer (S7) la couche active (Pile) sur la première couche de métal (Mt), Poursuivre (S8) la gravure du trou (T) dans la couche active (Pile) jusqu'à la surface de la deuxième couche de métal (M2), dans l'ébauche de trou, Déposer (S9) la couche transparente conductrice (TCO) pour finaliser 25 l'empilement, Former (S10) ladite première gravure (P3) depuis la couche transparente conductrice (TCO) au moins jusqu'à la surface de la couche isolante (ISL), préférentiellement, et tout au plus jusqu'à la surface de la deuxième couche de métal (M2). 30 9 Ici, l'ébauche du trou est formée initialement avec un diamètre supérieur à celui de la poursuite du trou. La présente invention vise aussi un module de panneau photovoltaïque, comprenant une 5 pluralité de cellules comportant la structure définie ci-avant. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée d'exemples de réalisation de l'invention donnés ci-après, et à l'examen des dessins annexés sur lesquels : 10 - la figure 1 illustre schématiquement l'interconnexion monolithique dans un module à base de CIGS de l'art antérieur, - la figure 2 illustre schématiquement les interconnexions de type « Back-end » de l'art antérieur, - la figure 3 illustre schématiquement une interconnexion en série du type utilisant une 15 grille métallique recouvrant les cellules, - la figure 4 illustre une architecture de cellule solaire à trous développée sur substrat souple, - la figure 5 illustre un exemple d'empilement de couches minces, de base, pour y appliquer un procédé selon l'invention, en vue d'obtenir une structure au sens de 20 l'invention, - la figure 6 illustre une telle structure au sens de l'invention permettant l'interconnexion monolithique en face arrière avec mise en série de deux cellules individuelles ici Cel n et Cel n+1, - la figure 7 illustre un procédé au sens de l'invention, pour obtenir une structure du type 25 illustré sur la figure 6, 10 - la figure 8 illustre une structure au sens de l'invention, alternative de celle présentée sur la figure 6. On propose dans l'exemple de réalisation décrit ci-après à titre d'exemple une adaptation 5 du principe de l'invention exposé ci-avant à une structure typique de cellules solaires dite « structure substrat » Il s'agit d'une structure le plus souvent utilisée pour les cellules à base de CIGS. En référence à la figure 5, on dépose sur un substrat SUB (comme du verre par exemple) une couche de métal Ml qui assurera la collecte des charges. Le métal M1 peut être du 10 molybdène habituellement. La couche photovoltaïque active peut être réalisée elle-même d'un empilement comportant au moins: - une couche d'un matériau dit « absorbeur » (de photons) qui est typiquement un semiconducteur de type p ou n (par exemple du CIGS pour le type p), et, par-dessus, 15 - une couche d'un autre matériau semi-conducteur, respectivement de type n ou p (tel que du sulfure de cadmium (CdS) pour le type n). L'association de ces deux couches de CIGS et CdS sera noté par la suite « Pile » notamment dans les figures 5 à 7. Ensuite, toujours en référence à la figure 7, une couche transparente conductrice TCO est 20 déposée sur la couche Pile, pour assurer la collecte des charges de signe opposé aux charges collectées par la couche de métal Ml. Le matériau de cette couche TCO peut être un oxyde transparent conducteur comme par exemple de l'oxyde de zinc (ZnO), dopé pour être conducteur (par exemple à l'aluminium, au bore, au chlore, ou autre). On indique ici que plus le dopage de la couche TCO augmente et moins elle est 25 transparente, ce qui diminue alors la quantité de lumière que peut convertir la couche Pile. D'un autre côté, diminuer son dopage rend la couche TCO moins conductrice. On comprend alors l'avantage d'améliorer la conductivité de la couche TCO grâce aux trous précités puisque cette conduction peut être assurée alors par la deuxième couche M2. 11 Dans ce contexte de structure « substrat » à titre d'exemple, l'invention consiste en particulier à ajouter : - une deuxième couche de métal (notée M2 par la suite) et 5 - une couche d'un matériau électriquement isolant (par exemple du Si02, du Sil\lx, de l' A1203, ou autres), noté ISL, entre le substrat SUB et la couche de métal M1 La couche de métal M1 peut être réalisée en molybdène pour accueillir ensuite le dépôt de la couche Pile, le dépôt de CILS (Pile) sur molybdène (Ml) pouvant être réalisé par une technique connue, bien maîtrisée (par exemple par électrolyse puis recuit). La deuxième couche de métal M2 peut être réalisée quant à elle à base de nickel ou d'aluminium ou d'un alliage de ces deux métaux, ou encore de zinc. Alternativement, il peut s'agir du substrat lui-même SUB, celui-ci étant conducteur, par exemple métallique tel que du cuivre ou autre, et découpé pour former une « gravure » Pl . En effet, plusieurs étapes de structuration ensuite permettent de connecter directement la 15 couche TCO avec le métal M2 en face arrière et d'effectuer l'interconnexion métallique entre les différentes cellules individuelles par l'intermédiaire des couches de métal MI et 1\42 Le schéma global décrivant cette structure est présenté sur la figure 6. La structure de la figure 6 peut être obtenue par les étapes de fabrication illustrées sur la figure 7 et qui sont par exemple les suivantes : 20 Dépôt de la couche de métal M2 sur le substrat SUB (étape S1), Gravure Pl (par exemple une gravure linéaire pour un assemblage 2D de cellules) dans le métal M2 (étape S2), Dépôt de l'isolant ISL sur le métal M2 (étape S3), Gravure (linéaire) P2 (parallèle à Pl) dans l'isolant ISL jusqu'à la surface du métal 25 M2 (étape S4), Dépôt du métal M1 sur l'isolant 1SL (étape S5), Gravure de trous T (un réseau de trous en 2D) dans le métal Ml jusqu'à la surface de l'isolant ISL (avec un diamètre de trou choisi, noté dl) (étape S6), 12 Dépôt de la couche active Pile sur le métal Ml (étape S7), Poursuite de la gravure de trous T dans la couche Pile jusqu'à la surface du métal M2 dans les trous précédemment gravés (diamètre de trou d2 avec d2 REVENDICATIONS1. Structure de cellules photovoltaïques interconnectées sur un e substrat, la structure comportant un empilement de couches incluant au moins - une première couche de métal conducteur (MI), - une couche conductrice transparente (TCO), et - une couche active (Pile), à propriétés photovoltaïques, entre la première. couche de métal (M1) et la couche transparente (TCO), La structure étant caractérisée en ce que l'empilement comporte en outre iJne deuxième che de métal conducteur (M2), et 10 Une couche électriquement isolante (ISL) entre les première (M1) et deuxième (M2) couche de métal conducteur, La couche active (Pile) étant ainsi adjacente à la couche transparente (TCO), ladite couche transparente (TCO) étant destinée à être face à un éclairement provoquant l'effet photovoltaïque, et 15 La deuxième couche de métal (M2) et la couche transparente (TCO) étant respectives opposées de l'empilement, Et en ce que la structure comporte en outre, pour une séparation en au moins deux (Cel n, Cel n+1) et assurer des interconnexions entre les deux cellules: - une première gravure (P3 ; Pi) à travers la première couche de métal (Ml), la couche 20 active (Pile) et la couche transparente (TCO), avec une partie de la couche isolante (ISL) affleurant en au moins un bord de la première gravure, pour séparer et isoler électriquement les deux cellules, - une deuxième gravure (P2) à travers la couche isolante (ISL) pour connecter la première couche de métal (M1) de l'une des deux cellules à la deuxième couche de métal (M2) de 25 l'autre des deux cellules, et interconnecter ainsi les deux cellules par les couches de métal (IVI 1, M2), 18 - une troisième gravure (PI ; P3) dans la deuxième couche métallique (M2), pour séparer et isoler électriquement les deux cellules relativement à la deuxième couche de métal (M2), et -- au moins un trou (T) dans chaque cellule, à travers la couche active (Pile), la première couche de métal (Mi) ) et la couche d'isolant (ISL), comblé par une excroissance de la deuxième couche métallique (M2) etfou par une excroissance de la couche conductrice transparente (TCO) pour assurer un transfert de charges de la couche conductrice transparente (TCO) vers la deuxième couche de métal (M2), Structure selon la revendication I, caractérisée en ce qu'elle comporte, pour chaque cellule, un réseau de trous (T), lesdites gravures (Pl, P2, P3) formant des tranchées parallèles dans une direction de la structure, et chaque cellule ayant la forme d'une bande allongée le long de ladite direction, 15 3. Structure selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisée en ce que la première gravure (P3 ; PI), seule gravure à traverser la couche active (Pile), a une largeur inférieure à 50 um, tandis que les trous (T) formés dans chaque cellule sont de diamètre inférieur à I 00p.m. 20 4. Structure selon la revendication 3, caractérisée en ce que chaque cellule comporte une surface active pour produire l'effet photovoltaïque qui est supérieure à 95%. 5. Structure selon l'une des revendications pré nes, caractérisée en ce que la deuxième couche de métal (M2) de l'empilement est déposée sur un substrat ( SUB). 25 6. Structure selon l'une des revendications I à 4, caractérisée en ce que la deu couche de métal (M2) forme un substrat métallique (SUB) sur lequel est déposée la couche 19 isolante le substrat (SUB) comportant une découpe formant ladite troisième gravure (P I ). 7. Structure selon l'une des revendications 5 et b, caractérisée en ce que la couche acti (Pile) comporte un alliage de type 1-111-V12. 8. Module de panneau photovoltaïque, comprenant une pluralité de cellules comportant la structure selon l'une des revendications précédentes. 9. Procédé de fabrication d'une structure selon l'une des revendications 5 à 7, car en ce qu'il comporte, à partir de ladite. deuxième couche de métal (M2) : Foi nier (52) ladite troi me gravure (PI) dans la deuxième couche de métal ( 2), Déposer (53) la couche isolante (ISI..) sur la deuxième couche de métal (M2). Former (54) ladite deuxième gravure (P2) dans la couche isolante (ISL) jusqu'à surface de la deuxième couche de métal (M2), Déposer (S5) la première couche de métal (MI) sur la couche isolante (TST.,), (haver (56) au moins une ébauche de trou (T) dans la première couche de métal (MI) jusqu'à la surface de la couche isolante (ISL), Déposer (57) la couche active (Pile) sur la première couche de métal (MI), Poursuivre (58) la gravure du trou (T) dans la couche active (Pile) jusqu'à la surface de la deuxième couche de métal (M2), dans l'ébauche de trou. Déposer (S9) la couche transparente conductrice (TCO) pour finaliser l'empilement, Former (S10) ladite première gravure (P3) depuis la couche transparente conductrice (TCO) au moins jusqu'à la surface de la couche isolante (1SL). 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'ébauche du trou est formée avec un diamètre supérieur à celui de la poursuite du trou.