Brevet FR3086452A1 — publié le 20200327

B17422 - 18-RO-0151 DESCRIPTION TITRE : Cellule à mémoire résistive Domaine technique [0001] La présente description concerne de façon générale les dispositifs mémoire et plus précisément les dispositifs à mémoire résistive, par exemple les dispositifs mémoire à changement de phase. Technique antérieure [0002] Les mémoires sont généralement sous forme de matrices, comprenant des lignes de mot ("wordline") et des lignes de bit ("bitline"), c'est-à-dire des lignes et des colonnes. Une cellule mémoire, contenant une information binaire, se situe à chaque croisement d'une ligne et d'une colonne. [0003] Dans une mémoire à changement de phase, par exemple, chaque cellule mémoire comprend une couche de matériau à changement de phase qui est en contact avec un élément résistif. Les matériaux à changement de phase sont des matériaux qui et une phase augmentation de la température de l'élément lequel on fait passer un courant électrique. peuvent basculer entre une phase cristalline amorphe. Ce basculement est provoqué par une résistif dans La différence de résistance électrique entre la phase amorphe du matériau et sa phase cristalline est utilisée pour définir au moins deux états de mémoire, arbitrairement 0 et 1. [0004] L'information contenue dans une cellule d'une mémoire à changement de phase est par exemple accédée, ou lue, en mesurant la résistance entre la ligne de bit et la ligne de mot de la cellule mémoire. [0005] Les cellules mémoire sont généralement associées à un élément de sélection, par exemple un transistor de sélection. Lors de l'écriture ou de la lecture d'une cellule, l'élément de sélection permet le passage du courant dans l'élément 2 B17422 - 18-RO-0151 résistif de cette cellule. L'élément de sélection permet aussi de limiter le courant traversant les autres cellules mémoire (non sélectionnées) et qui pourrait perturber la lecture ou l'écriture de la cellule. [0006] Les éléments de sélection sont généralement formés dans et/ou sur un substrat semiconducteur. Un inconvénient est que les cellules mémoire sont alors limitées en densité et en emplacement par la densité et les emplacements possibles des éléments de sélection dans le substrat. Résumé de l'invention [0007] Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des cellules mémoire connues. [0008] Un mode de réalisation prévoit une cellule mémoire résistive, comprenant un empilement d'un sélecteur, d'un élément résistif et d'une couche de matériau à changement de phase, le sélecteur n'étant pas en contact physique avec le matériau à changement de phase. [0009] Selon un mode de réalisation, l'élément résistif a une section sensiblement en forme de L. [0010] Selon un mode de réalisation, le sélecteur repose au moins partiellement sur une piste conductrice. [0011] Selon un mode de réalisation, le sélecteur a une forme sensiblement plane. [0012] Selon un mode de réalisation, le sélecteur comprend un empilement de couches, les couches inférieure et supérieure de l'empilement étant des couches conductrices. [0013] Selon un mode de réalisation, les couches conductrices sont en carbone. [0014] Selon un mode de réalisation, chaque sélecteur comprend une couche en un alliage à base de germanium et de sélénium. 3 B17422 - 18-RO-0151 [0015] Un autre mode de réalisation prévoit un dispositif mémoire comprenant une pluralité de cellules mémoire telles que précédemment décrites, dans lequel chaque cellule est située entre des niveaux d'un réseau d'interconnexion. [0016] Selon un mode de réalisation, la distance entre la face inférieure du sélecteur et la face supérieure d'une couche conductrice reposant sur la couche de matériau à changement de phase est sensiblement égale à un multiple de l'épaisseur d'un niveau du réseau d'interconnexion. [0017] Selon un mode de réalisation, un dispositif comprend au moins deux ensembles de cellules mémoire, chaque ensemble étant situé entre deux niveaux du réseau d'interconnexion. [0018] Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication de cellules mémoire à changement de phase, comprenant la formation d'empilements d'un sélecteur, d'un élément résistif et d'une couche de matériau à changement de phase, les sélecteurs n'étant pas en contact mécanique avec le matériau à changement de phase. [0019] Selon un mode de réalisation, un procédé comprend une étape de formation d'une couche plane de sélecteurs recouvrant un niveau inférieur de pistes conductrices. [0020] Selon un mode de réalisation, un procédé comprend : a) former une couche isolante au-dessus de la couche de sélecteurs ; b) former une cavité traversant la couche isolante et dont une paroi est en regard d'une piste conductrice du niveau inférieur de pistes conductrices ; c) déposer une couche résistive sur le fond et les parois de la cavité ; et d) graver au moins partiellement la partie des couches résistives et de sélecteurs située au fond de la cavité. 4 B17422 - 18-RO-0151 [0021] Selon un mode de réalisation, un procédé comprend avant l'étape a), la gravure de la couche de sélecteurs de manière à former une bande s'étendant d'une piste conductrice à l'autre. [0022] Selon un mode de réalisation, la cavité comprend deux parois sensiblement parallèles, chaque paroi étant en regard d'une piste conductrice. [0023] Brève description des dessins [0024] Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : [0025] [Fig. 1] la figure 1 représente schématiquement un mode de réalisation d'un dispositif mémoire ; [0026] [Fig. 2] la figure 2 représente schématiquement le résultat d'étapes de fabrication du mode de réalisation de la figure 1 ; [0027] [Fig. 3] la figure 3 représente schématiquement le résultat d'autres étapes de fabrication du mode de réalisation de la figure 1 ; [0028] [Fig. 4] la figure 4 représente schématiquement le résultat d'autres étapes de fabrication du mode de réalisation de la figure 1 ; [0029] [Fig. 5] la figure 5 représente schématiquement le résultat d'autres étapes de fabrication du mode de réalisation de la figure 1 ; et [0030] [Fig. 6] la figure 6 représente schématiquement un autre mode de réalisation d'un dispositif mémoire. Description des modes de réalisation [0031] De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les B17422 - 18-R0-0151 éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. [0032] Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. [0033] Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés ou couplés entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés ou couplés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. [0034] Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. [0035] Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. [0036] La figure 1 représente schématiquement un mode de réalisation d'un dispositif mémoire. [0037] Le dispositif mémoire comprend une matrice de cellules mémoire 100 situées entre deux niveaux Mx et Mx+1 de pistes conductrices d'un réseau d'interconnexion. Les cellules mémoire ne sont donc pas en contact mécanique avec un 6 B17422 - 18-RO-0151 substrat et, plus précisément, elles ne comprennent pas d'éléments dans et/ou sur un substrat semiconducteur. [0038] Par niveau Mx et Mx+1 du réseau d'interconnexion, on désigne les niveaux de pistes conductrices numéro x et x+1 à partir d'un substrat, x étant un nombre quelconque. [0039] Chaque niveau Mx et Mx+1 comprend des pistes conductrices (désignées par la référence 102 pour le niveau Mx et par la référence 104 pour le niveau Mx+l) et des vias conducteurs (non représentés pour le niveau Mx et désignés par la référence 116 pour le niveau Mx+1). Les vias conducteurs permettent une connexion électrique avec des éléments conducteurs situés sous le niveau considéré, généralement les pistes conductrices d'un autre niveau du réseau d'interconnexion ou, dans le mode de réalisation décrit, des cellules mémoires. Les pistes conductrices et les vias conducteurs sont entourés par une couche isolante (désignée par la référence 105 pour le niveau Mx et la référence 117 pour le niveau Mx+1). [0040] Dans le mode de réalisation de la figure 1, les cellules mémoire 100 d'une même ligne de la matrice sont interconnectées par une des pistes conductrices 102 du niveau Mx, et les cellules mémoire 100 d'une même colonne de la matrice sont interconnectées par une des pistes conductrices 104 du niveau Mx+1. Il est bien entendu que les interconnexions des lignes et des colonnes pourraient être inversées. Les pistes conductrices 104 (ou 102) interconnectant les colonnes (ou les lignes) sont sensiblement parallèles les unes aux autres. [0041] En figure 1, deux cellules mémoire 100 sont représentées. Ces deux cellules mémoire font partie d'une même colonne de la matrice. Elles sont donc interconnectées par la même piste conductrice 104. Ces deux cellules mémoire font partie de deux lignes adjacentes de la matrice. Ces 7 B17422 - 18-RO-0151 deux cellules sont donc connectées à des pistes conductrices 102 distinctes. [0042] Chaque cellule mémoire comprend un empilement 106 d'un sélecteur 108, d'un élément résistif 110, d'une couche 112 de matériaux à changement de phase, et d'une couche conductrice 114. La couche 112 de matériau à changement de phase et la couche conductrice 114 sont communes aux cellules mémoire d'une même colonne. Les sélecteurs 108 et les éléments résistifs 110 sont séparés les uns des autres par des régions isolantes 124. Les régions isolantes 124 séparent aussi les couches 112 et 114 des différentes colonnes les unes des autres. [0043] Le sélecteur 108 comprend, de préférence, un empilement de trois couches, une première couche conductrice 118 en contact avec au moins une partie de la piste conductrice 102 correspondante, une deuxième couche 120 en un chalcogénure, par exemple un alliage à base de germanium et de sélénium, et une troisième couche 122 conductrice, permettant d'empêcher la diffusion du matériau de la couche 120. Les couches conductrices 118 et 122 sont par exemple en carbone. La couche conductrice 118 permet de limiter la diffusion du matériau de la couche 105 vers la couche 120. [0044] Le sélecteur 108 comprend deux états : un premier état dans lequel le sélecteur 108 a une résistance suffisamment élevée pour que le courant le traversant soit sensiblement nul, et un deuxième état dans lequel le sélecteur a une résistance suffisamment faible pour laisser passer un courant. Le sélecteur 108 passe du premier état au deuxième état lorsque la tension appliquée entre sa face supérieure et sa face inférieure dépasse un seuil. La valeur du seuil dépend par exemple des caractéristiques de la couche en chalcogénure et est choisie à partir de la valeur de la tension qui sera fournie à la cellule mémoire lors de la 8 B17422 - 18-RO-0151 lecture ou de l'écriture. Plus précisément, la valeur du seuil est choisie de telle manière que le sélecteur 108 de la cellule mémoire 100 dans laquelle on cherche à lire ou écrire est dans le deuxième état et que les sélecteurs 108 de toutes les autres cellules, recevant à leurs bornes une tension plus faible, sont dans le premier état. [0045] Les sélecteurs sont des composants passifs, c'est-à- dire qu'ils ne reçoivent pas de courant de commande. De plus, ils ne sont pas situés dans le substrat. [0046] Le sélecteur 108 de chaque cellule mémoire est de préférence sensiblement plan. Le sélecteur 108 est en contact électrique et physique avec la piste conductrice 102 connectant les cellules mémoire 100 de la ligne considérée et avec l'élément résistif 110. Le sélecteur 108 n'est pas en contact physique avec la couche de matériau à changement de phase 112. Le sélecteur 108 est relié électriquement à cette couche 112 par l'élément résistif 110. [0047] L'élément résistif 110 a par exemple une section en forme de L. La partie horizontale de l'élément résistif 110 repose sur le sélecteur 108. La partie verticale de l'élément résistif 110 s'étend du sélecteur 108 à la couche 112 de matériau à changement de phase. La forme en L de l'élément résistif lui permet d'avoir un large contact avec le sélecteur 108 et un contact fin avec le matériau à changement de phase. La partie supérieure de l'élément résistif est donc plus résistive que la partie inférieure, et la zone de chauffe est donc principalement au niveau de la partie supérieure de l'élément résistif. [0048] La couche conductrice 114 est en contact, par l'intermédiaire de vias conducteurs 116 du niveau Mx+l, à la piste conductrice 104 interconnectant les cellules mémoire de la colonne considérée. 9 B17422 - 18-RO-0151 [0049] De préférence, la distance entre la face inférieure du sélecteur et la face supérieure de la couche conductrice 114 est sensiblement égale à un multiple de l'épaisseur d'un niveau du réseau d'interconnexion. Ainsi, les niveaux Mx et Mx+1 peuvent ne pas être des niveaux successifs. Par exemple, si la distance entre la face inférieure du sélecteur et la face supérieure de la couche conductrice 114 est sensiblement égale à deux fois l'épaisseur d'un niveau du réseau d'interconnexion, les niveaux désignés en figure 1 par les références Mx et Mx+1 peuvent être des niveaux Mx et Mx+2. Un avantage est que les régions du réseau d'interconnexion comprenant des mémoires et les parties n'en comprenant pas ont des niveaux coplanaires. [0050] Les figures 2 à 5 illustrent des étapes successives de fabrication du mode de réalisation de la figure 1. [0051] La figure 2 représente schématiquement le résultat d'étapes de fabrication du mode de réalisation de la figure 1 au cours desquelles le niveau Mx du réseau d'interconnexion est formé. Cela comprend la formation d'une couche isolante 105 dans laquelle sont gravées des cavités qui sont ensuite remplies de matériau conducteur de manière à former les pistes conductrices 102. De préférence, des couples de deux pistes conductrices 102 adjacentes, parallèles l'une à l'autre, ont été formées. Un seul couple de pistes conductrices 102 est représenté en figure 1. Chacune de ces pistes conductrices est destinée à interconnecter une ligne de cellules mémoire de la matrice mémoire. [0052] Une couche de sélecteurs 108, c'est-à-dire un empilement des couches formant les sélecteurs 108, est ensuite formée sur le niveau Mx. Par exemple, la couche conductrice 118, la couche 120 en un chalcogénure et la couche conductrice 122 sont formées sur le niveau Mx. B17422 - 18-RO-0151 [0053] Les couches conductrices 118 et 122 ont par exemple une épaisseur comprise entre environ 1 et environ 5 nm. La couche 120 a par exemple une épaisseur comprise entre environ 7 et 50 nm, par exemple 10 nm. [0054] La couche de sélecteurs 108 est ensuite gravée de manière à former des bandes dont la direction principale, définie par la plus grande dimension, est parallèle à la direction principale des pistes conductrices 102. Plus précisément, chaque bande s'étend entre deux pistes conductrices 102 parallèles. Chaque bande recouvre au moins partiellement les deux pistes conductrices 102 et recouvre la partie de la couche isolante 105 située entre les deux pistes conductrices 102 considérées. Une unique bande est représentée en figure 2. [0055] La figure 3 représente schématiquement le résultat d'autres étapes de fabrication du mode de réalisation de la figure 1. [0056] Au cours de ces étapes, une couche isolante, qui formera les régions isolantes 124, est formée sur la couche de sélecteurs 108 et sur les portions du niveau Mx qui ne sont pas recouvertes par la couche de sélecteurs 108. L'épaisseur de cette couche isolante est sensiblement égale à la distance souhaitée entre un sélecteur et la couche de matériau à changement de phase d'une cellule mémoire 100, c'est-à-dire la hauteur de l'élément résistif. Cette couche isolante est ensuite gravée de manière à former une cavité 300 en regard de chaque bande de la couche de sélecteurs 108. Une unique cavité 300 est représentée en figure 3. Chaque cavité 300 traverse la couche isolante de manière à atteindre la couche de sélecteurs 108. Chaque cavité 300 comprend deux parois 302 parallèles l'une à l'autre, chaque paroi 302 étant située en regard d'une des pistes conductrices 102. Les parois 302 ont donc une direction principale, c'est-à-dire 11 B17422 - 18-RO-0151 définie par la plus grande dimension de la paroi, parallèle à la direction principale de la piste conductrice 102 associée. [0057] Une couche 304 en un matériau résistif est ensuite formée sur la couche isolante 124 et sur les parois et le fond des cavités 300. La couche 304 a par exemple une épaisseur comprise entre environ 3 et environ 8 nm. [0058] La figure 4 représente schématiquement le résultat d'autres étapes de fabrication du mode de réalisation de la figure 1. [0059] Au cours de ces étapes, des espaceurs 400 sont formés au niveau des parois de chaque cavité 300, recouvrant les parois et une partie du fond de la cavité au pied des parois. Lors de la gravure des espaceurs 400, les parties de la couche 304 de matériau résistif n'étant pas recouvertes par les espaceurs 400 sont retirés, formant ainsi les éléments résistifs 110 en forme de L. La gravure est maintenue dans le fond des cavités 300 jusqu'à atteindre le niveau Mx. [0060] Chaque bande de la couche de sélecteurs 108 est divisée en deux bandes, chacune étant au moins partiellement en regard d'une des pistes conductrices 102 et s'étendant dans une direction principale parallèle à la direction principale de la piste conductrice 102. [0061] Des deuxièmes espaceurs 402 sont formés sur les premiers espaceurs et sur les parois de la couche de sélecteurs 108 découvertes lors de l'étape de gravure précédemment décrite. [0062] La face supérieure de la partie verticale de chaque élément résistif 110 reste découverte et est sensiblement coplanaire avec les faces supérieures des régions isolantes 124. 12 B17422 - 18-RO-0151 [0063] La figure 5 représente schématiquement le résultat d'autres étapes de fabrication du mode de réalisation de la figure 1. [0064] Au cours de ces étapes, chaque cavité 300 est remplie de matériau isolant de manière à former une région isolante 124 dont la face supérieure est coplanaire avec la face supérieure des autres régions 124. [0065] La couche 112 de matériau à changement de phase et la couche conductrice 114 sont formées sur l'ensemble de la structure obtenue après le remplissage de la cavité 300. [0066] Des tranchées non représentées s'étendant à travers l'empilement 106, c'est-à-dire de la couche conductrice 114 à la face supérieure du niveau Mx, sont ensuite gravées. Ces tranchées, situées dans des plans parallèles au plan de coupe de la figure 5, individualisent les différentes cellules mémoire des lignes de la matrice. Ainsi, chaque ligne comprend une pluralité de cellules mémoire séparées par les tranchées non représentées. Ces tranchées sont ensuite remplies d'un matériau isolant de manière à former des régions isolantes 124. [0067] Une étape de formation du niveau Mx+1 est ensuite effectuée. Cette étape comprend par exemple la formation d'une ou plusieurs couches isolantes dans lesquelles des cavités ayant la forme des vias conducteurs 116 et des pistes conductrices 104 sont gravées. Ces cavités sont remplies de matériau conducteur. [0068] A titre de variante, l'étape de gravure permettant l'individualisation des cellules mémoire de chaque ligne peut être effectuée avant la formation des couches 112 et 114. Les couches 112 et 114 sont alors formées et gravées postérieurement. Il est alors possible de former des éléments 13 B17422 - 18-RO-0151 résistifs de largeur différente, par exemple inférieure, à la largeur de la bande de matériau à changement de phase. [0069] On aurait pu choisir de former la couche de sélecteurs 108 après la formation de la cavité 300. Chaque sélecteur 108 aurait alors une forme sensiblement en L et serait situé entre l'élément résistif 110 et les parois de la cavité 300. Cependant, il y aurait alors un contact mécanique entre la face supérieure de la partie verticale du sélecteur 108 et la couche de matériau à changement de phase 112. Un courant de fuite pourrait alors passer du sélecteur à la couche de matériau à changement de phase sans traverser l'élément résistif, ce qui entrainerait une perte d'énergie. De plus, la hausse de température, lors d'une opération de lecture ou d'écriture de la cellule, entrainerait de l'interdiffusion entre les matériaux de la couche de matériau à changement de phase 112 et le sélecteur 108, et donc une modification de la composition de la couche 112. [0070] La figure 6 représente schématiquement un autre mode de réalisation d'un dispositif mémoire. [0071] Le dispositif mémoire comprend des première et deuxième matrices mémoire 600 et 602 similaires à la matrice mémoire décrite en relation avec la figure 1. La première matrice mémoire 600 est située entre des niveaux Mx et Mx+1 d'un réseau d'interconnexion et la deuxième matrice mémoire 602 est située entre les niveaux Mx+1 et Mx+2 du réseau d'interconnexion. [0072] Chaque piste conductrice 102 du niveau Mx interconnecte les cellules d'une même ligne de la matrice 600. Chaque piste conductrice 104 du niveau Mx+1 interconnecte les cellules d'une même colonne de la matrice 600 et interconnecte les cellules mémoire d'une même ligne de la matrice 602. Chaque piste conductrice 604 du niveau Mx+2 interconnecte les cellules mémoire d'une même colonne 14 B17422 - 18-RO-0151 de la matrice 602. Ainsi, la matrice 602 est tournée de 90° par rapport à la matrice 600. [0073] De manière plus générale, un mode de réalisation d'un dispositif mémoire peut avoir un nombre quelconque de matrices mémoire, comprenant chacune un ensemble de cellules mémoire, chaque matrice étant située entre deux niveaux de pistes conductrices du réseau d'interconnexion. Les matrices mémoire peuvent être séparées de plus d'un niveau de pistes conductrices consécutives. [0074] A titre de variante, le nombre et la densité de cellules mémoire peut varier d'une matrice à une autre. [0075] A titre de variante, les modes de réalisation décrits sont aussi applicables à des cellules mémoire résistives autres que les cellules mémoire à changement de phase. [0076] Un avantage des modes de réalisation décrits est qu'il est possible d'augmenter le nombre de cellules mémoire sans augmenter la surface en vue de dessus, et donc la surface de substrat. [0077] Un autre avantage des modes de réalisation décrits est qu'ils permettent de libérer de l'espace dans le substrat pour y placer d'autres composants. [0078] Un autre avantage des modes de réalisation décrits est que les matériaux du sélecteur ne risquent pas de se diffuser dans le matériau à changement de phase et ne risquent donc pas de le détériorer. [0079] Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. L'homme de l'art comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d'autres variantes apparaitront à l'homme de l'art. [0080] Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de l'homme REVENDICATIONS1. Cellule mémoire (100) résistive, comprenant un empilement d'un sélecteur (108), d'un élément résistif (110) et d'une couche de matériau à changement de phase (112), le sélecteur n'étant pas en contact physique avec le matériau à changement de phase. 2. Cellule (100) selon la revendication 1, dans laquelle l'élément résistif (110) a une section sensiblement en forme de L. 3. Cellule (100) selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle le sélecteur (108) repose au moins partiellement sur une piste conductrice (102, 104). 4. Cellule (100) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle le sélecteur (108) a une forme sensiblement plane. 5. Cellule (100) selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans laquelle le sélecteur (108) comprend un empilement de couches (118, 120, 122), les couches inférieure (118) et supérieure (122) de l'empilement étant des couches conductrices. 6. Cellule (100) selon la revendication 5, dans laquelle les couches conductrice (118, 122) sont en carbone. 7. Cellule (100) selon la revendication 5 ou 6, dans laquelle chaque sélecteur (108) comprend une couche (120) en un alliage à base de germanium et de sélénium. 8. Dispositif mémoire comprenant une pluralité de cellules mémoire (100) selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel chaque cellule (100) est située entre des niveaux (Mx, Mx+1, Mx+2) d'un réseau d'interconnexion. 17 B17422 - 18-RO-0151 9. Dispositif selon la revendication 8, dans lequel la distance entre la face inférieure du sélecteur (108) et la face supérieure d'une couche conductrice (114) reposant sur la couche de matériau à changement de phase (112) est sensiblement égale à un multiple de l'épaisseur d'un niveau du réseau d'interconnexion. 10. Dispositif selon la revendication 8 ou 9, comprenant au moins deux ensembles de cellules mémoire (100), chaque ensemble étant situé entre deux niveaux (Mx, Mx+1, Mx+2) du réseau d'interconnexion. 11. Procédé de fabrication de cellules mémoire à changement de phase, comprenant la formation d'empilements d'un sélecteur (108), d'un élément résistif (110) et d'une couche de matériau à changement de phase (112), les sélecteurs n'étant pas en contact mécanique avec le matériau à changement de phase. 12. Procédé selon la revendication 11, comprenant une étape de formation d'une couche plane de sélecteurs (108) recouvrant un niveau inférieur de pistes conductrices (102, 104). 13. Procédé selon la revendication 11 ou 12, comprenant : a) former une couche isolante (124) au-dessus de la couche de sélecteurs (108) ; b) former une cavité traversant la couche isolante et dont une paroi est en regard d'une piste conductrice (102, 104) du niveau inférieur de pistes conductrices ; c) déposer une couche résistive (304) sur le fond et les parois de la cavité ; et 18 B17422 - 18-RO-0151 d) graver au moins partiellement la partie des couches résistives (304) et de sélecteurs (108) située au fond de la cavité. 14. Procédé selon la revendication 13, comprenant, avant l'étape a), la gravure de la couche de sélecteurs (108) de manière à former une bande s'étendant d'une piste conductrice à l'autre. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 14, dans lequel la cavité comprend deux parois (302) sensiblement parallèles, chaque paroi étant en regard d'une piste conductrice (102, 104).