Brevet FR3084774A1 — publié le 20200207

Procédé de réalisation de contact ohmique stable thermiquement sur semi-conducteur InP ou InGaAs Le domaine de l'invention est celui des composants comprenant des semiconducteurs III-V utilisés par exemple en électronique de puissance, pour la réalisation de transistors à effet de champ ou de lasers IR pouvant être à base de matériaux tels que l'In P ou l'InGaAs, et notamment réaliser des lasers intégrés sur une plateforme photonique silicium. La figure 1 illustre un exemple de structure laser en matériau semiconducteur III-V comprenant plus précisément : - un substrat 10 par exemple en InP dopé n avec un taux de dopage de 2.1018 cm-3; - deux contacts électriques 11 sur le substrat InP ; - une structure active à puits quantiques 12 pouvant comprendre un empilement de couches de différents matériaux III-V permettant d'ajuster la longueur d'onde d'émission ; - une couche 13 d'InP de type p ; - une couche 14 de contact en InGaAs dopé p avec un taux de dopage élevé (3.1019 cm-3) permettant de réaliser un bon contact électrique ; - un contact électrique supérieur 15. Ce type de structure laser est connu et disponible sur le marché. Pour ces produits, les contacts électriques sont à base de métaux nobles (Au, Pd, Pt...) Par ailleurs, on s'oriente de plus en plus vers l'intégration de tels lasers sur des plateformes photoniques silicium, permettant de coupler les lasers IR directement à des circuits photoniques sur silicium et comprenant les composants passifs (guide d'onde), modulateur et photodétecteurs. Un exemple de type d'ensemble ainsi constitué est illustré en figure 2 qui montre, schématiquement, l'intégration du laser IR illustré en figure 1, sur un circuit photonique. Ce dernier est obtenu par des techniques de report en utilisant un substrat SOI. On peut distinguer le circuit photonique 20 sur un substrat de Si 24, avec les guides d'ondes en silicium 21, les interconnections cuivre 22, le modulateur 23. 2 Ces circuits photoniques sont actuellement produits dans un environnement « microélectronique silicium » et il en sera de même pour l'intégration du laser. Dans ces conditions, il n'est pas du tout admis d'utiliser, pour les contacts 11 et 15, des métaux, tel que l'Au, considérés comme 5 hautement contaminants en microélectronique. Pour mener à bien les procédés d'intégration, il est donc nécessaire de remplacer les métallisations en Au (ou autres métaux nobles) par des métaux plus conventionnels comme par exemple le Ni, ou Ti ou Tungstène, déjà utilisés en microélectronique et permettant des fabrications de masse à bas coût. 10 La structure laser peut être avantageusement à base de InP qui est un semiconducteur bien adapté aux longueurs d'onde télécom (1.3 et 1.55 pm). Pour la réalisation de ces contacts, Il est nécessaire de prévoir des opérations ne nécessitant pas de budget thermique dépassant des 15 températures de l'ordre de 450°C en raison de la présence de d'interconnections en Cu 22. En pratique, la structure laser intégrée sur une plateforme photonique silicium (figure 2) doit être planarisée comme indiqué sur la figure 3. Cette planarisation nécessite le dépôt d'un diélectrique 30 suivi de 20 procédés standards de gravure et de réalisation de plots de contact couramment dénommés plugs, par exemple en Tungstène, 31. Ces étapes de planarisation et de réalisation de plots de contact mettent en jeu un budget thermique de 450°C pendant plusieurs dizaines de minutes (typiquement 30 minutes). Il est donc important que les contacts sur le laser 25 résistent à ce budget thermique et ne souffrent d'aucune dégradation. Le contact 11 est réalisé sur de l'InP de type n et le contact 15 est réalisé sur de l'InGaAs de type p. Idéalement on cherche à privilégier l'emploi du même métal (pour des raisons de coût, de complexité, de défectivité,). Ces contacts doivent être ohmiques avec la résistivité (ou la résistance de 30 contact) la plus faible possible (il est à noter qu'avec de l'InP moins dopé que l'InGaAs, cela est plus difficile). La figure 4 illustre le comportement d'un contact métal/semiconducteur par l'analyse des variations du courant en fonction de la tension appliquée au contact. Pour un niveau de dopage Nd = 1016 cm-3 et 35 une barrière de potentiel de 0.5 eV (Fig. 4a) le contact est rectifiant (ou 3 Schottky). Si la barrière de potentiel est réduite à 0.4 eV, le contact est toujours de type Schottky (Fig. 4b), mais avec plus de courant (en particulier en inverse). Si en plus de la diminution de la barrière de potentiel on augmente le dopage à 5x1018 cm-3, par exemple, (Fig. 4c) le contact devient 5 ohmique (variation linéaire du courant en fonction de la tension). Réduire la résistance de contact revient à augmenter le courant (ou la pente de la droite de la Fig. 4c). Le dopage étant dans le cas présent fixé, le seul moyen d'augmenter le courant et d'obtenir un contact ohmique est de réduire encore plus la barrière de potentiel en choisissant un métal approprié. 10 Les caractéristiques d'un laser à semiconducteurs sont très sensibles à la température. Ainsi, une élévation de la température de seulement 40°C (de 20 à 60°C, par exemple) entraîneune diminution de la puissance laser (pouvant être divisée par 3) et un décalage en longueur d'onde de fonctionnement. Or la résistance de contact est une source 15 importante de la dissipation par effet Joule. En effet, pour une densité de courant, dans le laser, voisine de 100A/cm2, la puissance dissipée par effet joule est de 1 W pour une résistance de contact pc = 10-4 0.cm2 et de seulement 10 mW pour une résistance de contact pc = 10-60.cm2. Pour le bon fonctionnement du laser, il est donc primordial de réaliser des contacts 20 électriques dont la résistance est voisine de pc = 10-60.cm2. Les valeurs de résistance de contact sur l'InP pour les métaux tels que Ni, Ti, W, TiW s'étalent sur une vaste gamme allant de pc = 10-80.cm2 à pc = 10-3 0.cm2. Cette dispersion est probablement liée à la non maitrise ou à des différences importantes des conditions expérimentales (Nettoyage, 25 technique de dépôt, extraction de pc ...). Le Demandeur a essayé de reproduire certaines d'entre elles sans succès. Mais globalement, les valeurs classiques de l'état de l'art sont de l'ordre de 10-4 à 10-3 0.cm2. On peut citer l'article : « Silicon fab-compatible contacts to n-In P and p-InGaAs for photonic applications » de S. Jain, M. Sysak, M. Swaidan 30 and J. Bowers publié dans Applied Physics Letters 100 (2012) 201103 qui fournit les valeurs suivantes : - avec un contact en Ti/VV/AI, on obtient un contact ohmique sur p-InGaAs (pc = 3.3x10-6 W.cm2) et un contact Schottky sur nInP ; 4 - avec un contact en Pd/Ge/Pd/VV/AI, on obtient un contact ohmique sur p-InGaAs (p, = 7.8x10-8 W.cm2) et un contact ohmique sur n-InP (p, = 7.2x10-8 W.cm2). Il apparaît clairement que pour obtenir un contact de faible 5 résistance sur InP et InGaAs, ces auteurs ont été amenés à utiliser un empilement complexe et faisant intervenir un métal noble (Pd) que l'on veut éviter. D'autres auteurs (Ashish K. Baraskar, Vibhor Jain, Mrk A. Wistey, Evan Lobisser, Brian J. Thiebeault, Yong J. Lee, Arthur C., Gossard, and 10 Mark J. W. Rodwell) dans l'article « In-situ Ohmic contacts to p-InGaAs », présenté à l'Electronic Materials Conference en Juin 2010 à Notre Dame en Indiana aux USA, ont publié une valeur de résistance de contact remarquablement faible (p, = 2,5 x10-8 O.cm2) avec l'empilement ci-après : - un substrat en InP ; 15 - une couche de 100nm de In0,52A10.48As intrinsèquement non dopée ; - une couche de 100 nm de In0,53Ga0.47As dopée p ; - une couche de 20 nm in-situ de Mo ; - une couche de 20 nm ex-situ de Ti ; 20 - une couche de 500 nm ex-situ de Au ; - une couche de 50 nm ex-situ de Ni. Le dépôt de Mo sous ultravide in-situ après épitaxie InGaAs permet ainsi d'obtenir une très faible résistance de contact, en présence d'Au avec un recuit à une température de 250°C et avec w dopage élevé : 25 1.1x1020 cm-3. Même si la valeur de la résistance de contact, obtenue par ces auteurs, est remarquablement faible, leur procédé est loin de celui que l'on recherche. En effet, le dépôt du premier métal de contact (Mo), nécessite des conditions d'ultravide (inhabituelles en microélectronique pour le dépôt des métaux). Par ailleurs, ils utilisent une couche d'Au entre le Ni et le Ti que l'on 30 veut éviter. Dans ce contexte, le Demandeur a cherché à obtenir une solution de contact ohmique répondant à l'ensemble des critères recherchés : réaliser un contact ohmique avec des métaux conventionnels de la microélectronique, à bas coûts, présentant une résistance de contact la plus faible possible, nécessitant des budgets thermiques peu élevés et 5 supportant, sans dégradation, un budget thermique de 450°C pendant plusieurs dizaines de minutes (typiquement 30 minutes). L'invention a ainsi pour objet un procédé de réalisation d'un contact ohmique stable thermiquement sur un matériau III-V, plus 5 précisément de l'InP de type n et de l'InGaAs de type p caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : - le dépôt d'une couche en Ni d'épaisseur comprise entre 3 nm et 8 nm à la surface dudit matériau III-V ; le dépôt d'une couche en Ti d'épaisseur d'au moins quelques 10 nanomètres à la surface de ladite couche en Ni ; - une opération de recuit à une température de recuit comprise entre 200°C et 500°C. Selon des variantes de l'invention, l'opération de recuit est effectuée à une température de recuit comprise entre 300°C et 450°C. 15 Selon des variantes de l'invention, l'opération de recuit présente une durée de recuit comprise entre quelques dizaines de secondes et une dizaine de minutes ou par recuit rapide (RTA : Rapid Thermal Anneal) Selon des variantes de l'invention, la couche de Ti présente une épaisseur d'environ 30 nm. 20 Avantageusement, le procédé de l'invention comprend une étape préalable de préparation de la surface de matériau III-V comportant un traitement à base de HCI. Typiquement, l'opération de traitement de surface peut comprendre : 25 une première opération de traitement de surface avec une solution de 0,25 M H202/ 1 M HCI pendant 5 minutes. - une seconde opération de traitement de surface avec une solution de 2M HCI pendant 3 minutes. L'invention a aussi pour objet un procédé de fabrication d'un laser 30 III-V, comprenant le procédé de réalisation de contact selon l'invention. Selon des variantes de l'invention, le procédé de fabrication du laser comprend : o le procédé de réalisation d'au moins un premier contact ohmique selon l'invention sur un substrat en matériau III-V dopé 35 d'un premier type ; 6 o la réalisation d'une structure active émettrice ; o le procédé de réalisation d'au moins un second contact ohmique selon l'invention sur une couche en matériau III-V dopé d'un second type. 5 Selon des variantes de l'invention, le procédé de fabrication du laser concerne un substrat est en InP dopé n, la couche en matériau III-V dopé d'un second type étant en InGaAs dopé p. La couche en matériau III-V dopé d'un second type peut être en InGaAs dopé p et peut être située à la surface d'une couche en InP dopé p. 10 Selon des variantes de l'invention, le laser III-V est à la surface d'un substrat de Silicium. Selon des variantes de l'invention, le procédé de fabrication du laser comprend : l'encapsulation dudit laser dans un diélectrique ; 15 la réalisation de plots de contacts au travers dudit diélectrique de manière à contacter ledit au moins premier contact et ledit au moins second contact. Les plots de contact peuvent être en tungstène. 20 L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre donnée à titre non limitatif et grâce aux figures annexées parmi lesquelles : - la figure 1 illustre un exemple de structure laser en matériau semiconducteur III-V selon l'art connu ; 25 - la figure 2 montre l'intégration d'un laser IR tel qu'illustré en figure 1, sur un substrat contenant des circuits photoniques sur silicium selon l'art connu ; - la figure 3 illustre un exemple de structure intégrée sur plateforme photonique Si avec une encapsulation dans un 30 diélectrique et des plots de reprise de contacts ; - les figures 4a, 4b et 4c illustrent des exemples de comportements de contacts de type Schottky ou Ohmique selon l'art connu ; - les figures 5a et 5b schématisent des contacts avec métal non 35 réactif et avec métal réactif sur semiconducteur ; 7 - la figure 6 illustre l'évolution de la résistance de contact avec la température de recuit pour un contact en Ni sur InP ; - la figure 7 illustre l'évolution de la résistance de contact avec un recuit à 350°C, en fonction du temps pour un contad en Ni sur 5 InP ; - les figures 8a, 8b, 8c, 8d, 8e illustrent les pics de diffraction des espèces cristallines en présence, après le recuit d'un contact Ni/InP à des températures de recuit respectivement de 250°C, 300°C, 350°C ; 450°C et 550°C ; 10 - la figure 9 illustre l'évolution de la résistance de contact en fonction de la température de recuit dans le cas d'un contact Ni sur InP et dans le cas d'un contact Ti sur InP ; - la figure 10 illustre l'évolution de la résistance de contact en fonction du temps de recuit pour une opération de recuit 15 effectuée à 350°C dans le cas d'un contact Ni sur hP et dans le cas d'un contact Ti sur InP ; - les figures 11a, 11b, 11c, 11d, 11e illustrent les pics de diffraction des espèces cristallines en présence d'un contact Ti/InP, dès le dépôt et après un recuit à des températures de 20 recuit respectivement de 250°C, 350°C, 450°C et 550C ; - les figures 12a et 12b schématisent la formation des composés intermétalliques dans le cas d'un contact Ti sur InP encore stable et instable après une opération de recuit à 550°C ; - la figure 13 (profils Auger) donne la répartition des espèces en 25 présence en fonction de la profondeur dans le contact Ti sur InP pour un recuit de 1 minute à 450°C; - la figure 14 illustre la réaction des deux couches de Ni et Ti dans le procédé de l'invention lors de l'opération de recuit ; - les figures 15a, 15b, 15c, 15d, 15e illustrent les pics de 30 diffraction des espèces cristallines en présence d'un contact Ti/Ni/InP selon l'invention, dès le dépôt et après un recuit à des températures de recuit respectivement de 250°C, 350°C, 450°C et 550°C ; 8 - la figure 16 (profils Auger) donne la concentration des espèces en présence en fonction de la profondeur dans le contact Ni/Ti sur InP recuit pendant 1 minute à 450°C ; - la figure 17 illustre l'évolution de la résistance de contact en 5 fonction de la température de recuit pour un contact Ni sur InP, un contact Ti sur InP et un contact réalisé selon l'invention Ti/Ni sur InP ; - la figure 18 illustre l'évolution de la résistance de contact en fonction de la durée de recuit pour un recuit opéré à 350°C 10 dans le cadre d'un contact Ni sur InP, dans la cadre d'un contact Ti sur InP et dans le cadre d'un contact de l'invention Ni/Ti sur InP ; - la figure 19 illustre l'évolution de la résistance de contact en fonction du temps d'une opération de recuit effectuée à 450°C 15 dans la cadre d'un contact de l'invention Ni/Ti sur InP ; - la figure 20 illustre l'évolution de la résistance de contact en fonction de la température de recuit dans le cadre d'un contact de l'invention Ni/Ti sur InGaAs de type p ; - la figure 21 compare l'évolution de la résistance de contact en 20 fonction de la température de recuit pour un contact selon l'invention de Ni/Ti sur InGaAs de type p et pour un contact selon l'invention de Ni/Ti sur InP de type n. Le procédé de la présente invention est décrit ci-après dans le 25 cadre d'un substrat en InP, de manière non limitative, ledit procédé pouvant également être appliqué dans le cadre d'un substrat en InGaAs. Dans une première phase de recherche, le Demandeur a réalisé des expériences permettant de comprendre les différents comportements de différents métaux tels que Ni et Ti accessibles en terme de coût et de 30 compatibilité avec un environnement « microélectronique » et pouvant être utilisés comme contact sur de l'InP. De manière générale, concernant la réalisation de contact, il est possible de réaliser un contact sans réaction tel que représenté en figure 5a qui montre une couche de contact 200 sur un semiconducteur 201 et un 35 contact avec réaction créant une couche d'intermétallique 202 tel que 9 représenté en figure 5b, le Demandeur a cherché à privilégier ce type de contact plus reproductible. Pour assurer une reproductibilité des résultats, il est intéressant de préparer la surface du semiconducteur sur lequel on veut réaliser le 5 contact. On réalise une étape préalable de traitement chimique de surface avec du HCI. On maintient le Ph de la solution supérieure à 2, sinon on assiste à une forte décomposition de l'InP avec dégagement PH3 (phosphine) et une surface riche en In. 10 On procède à deux opérations de chimie, dénommées Chimie 1 et Chimie 2 : - Chimie 1: 0.25 M H202/1 M HCI (pendant 5 minutes) ; - Chimie 2: 2M HCI (pendant 3 minutes). La chimie 1 est utilisée pour oxyder la surface du semiconducteur 15 (grâce à la présence de H202). Après ce traitement, pendant 5 minutes, il en résulte une surface de semiconducteur hydrophile témoignant d'une surface oxydée. La chimie 2 est utilisée pour dissoudre l'oxyde formé pendant le traitement par la chimie 1. Après un traitement de 3 minutes dans la chimie 2 20 on aboutit à une surface hydrophobe témoignant de la dissolution de l'oxyde et d'éventuelles impuretés piégées dans cet oxyde. Concernant le choix du métal, il est intéressant de choisir un métal réactif avec l'InP. Le Demandeur a étudié l'influence de l'épaisseur de la couche de 25 contact, de la température de recuit et de la durée de recuit pour comprendre les différents phénomènes en jeu. Avec un dépôt de 30 nm de Ni par pulvérisation cathodique (PVD) et un recuit sous N2 durant 60 secondes à différentes températures de recuit allant jusqu'à 550°C. La figure 6 montre une évoluton passant par une zone 30 de résistance de contact minimale pour des températures comprises entre 300°C et 400°C et une remontée problématique pour ts températures supérieures à 400°C. Concernant l'influence du temps de recuit pour une température de recuit de 350°C, la figure 7 qui illustre l'évolition de la résistance de 35 contact en fonction du temps de recuit, met en évidence une dégradation à 10 partir de 300 secondes de recuit. Le choix de Ni montre ainsi que l'on peut obtenir une résistance de contact faible et satisfaisante mais instable. Les variations de la résistance de contact en fonction de la température ainsi que son instabilité sont liées à l'évolution des phases en 5 présence dans le système Ni/InP. Afin de déterminer ces différentes phases, Le Demandeur a mené une étude, par diffraction RX (XRD), afin d'identifier les différentes phases en présence après chaque recuit. La forte réactivité chimique du Ni vis-à-vis de l'InP est très connue. Ainsi, il apparait qu'avant même d'avoir commencé à procéder à une 10 opération de recuit, le métal Ni réagit dès qu'on le dépose et conduit à la formation d'une couche amorphe, à l'interface Ni/InP, constituée de composés intermétalliques de phosphures de Ni : Ni2P, Ni3P, Ni5P, phénomène notamment décrit dans la littérature. (T.Kendelewicz et al. Phys.Rev.B 32(1985) 6 p.3758). 15 D'autres auteurs ont également mis en évidence l'existence de composés NixP (S.E. Mohney et aL Journal of Applied Physics 78 (1995) n°2 p.1342). Le Demandeur a étudié le phénomène de contact en fonction de la température de recuit et les espèces en présence. Il a ainsi mis en 20 évidence les résultats suivants en fonction des températures de recuit d'une couche en Ni déposée à la surface d'un substrat en InP. Avec un recuit à 250°C, le résultat d'analyse par dffraction X montre comme illustré en figure 8a, des pics représentatifs des espèces InP et Ni, aucune nouvelle phase cristalline n'est détectée. La couche résultant 25 de la réaction du Ni avec l'InP avant recuit étant amorphe ne peut donc être détectée par la diffraction des RX. Avec un recuit à 300°C, le résultat d'analyse par dffraction X montre comme illustré en figure 8b, des pics représentatifs de la présence d'espèces Ni2P, Ni2InP, Ni3P, formées à partir de la diffusion du Ni et réaction 30 avec InP : 2Ni+InP Ni2P + In 3Ni+InP Ni3P + In 2Ni+InP-> Ni2InP Après 60 secondes de recuit tout le Ni a réagi et on assiste à la 35 présence d'In dissout. 11 Avec un recuit à 350°C, le résultat d'analyse par dffraction X montre comme illustré en figure 8c, des pics représentatifs de la présence d'espèces Ni2P, Ni2lnP, Ni3P avec la réorganisation des phases existantes conduisant à l'apparition de nouveaux pics, mais aucune nouvelle phase. La 5 résistance de contact est minimum (identique à celle obtenue avec un recuit à 300 °C). Avec un recuit à 450°C, le résultat d'analyse par dffraction X montre comme illustré en figure 8d, une diminution des pics relatifs aux espèces Ni2lnP, Ni3P, l'apparition d'une phase In avec agglomération et 10 précipitation. On assiste par ailleurs à une dégradation de la résistance de contact (et la présence de contact Schottky). Avec un recuit à 550°C, le résultat d'analyse par dffraction X montre comme illustré en figure 8e, la présence de la décomposition de la couche de contact et une forte agglomération : 15 Ni2lnP fond à 526°C et se décompose ; Ni3P se décompose : 2Ni2InP+2Ni3P+InP -> 5 Ni2P + 31n La composition finale est : Ni2P + In et l'on observe une dégradation de la résistance de contact (contact Schottky). 20 En parallèle, le Demandeur a également étudié le comportement d'une couche de Ti de 30nm d'épaisseur déposée par pulvérisation cathodique (PVD) à la surface d'un substrat en InP, en fonction de la température de recuit RTA (Rapid Thermal Anneal) durant 60 secondes. La figure 9 montre l'évolution de la résistance de contact exprimée 25 en 0.cm2 en fonction de la température de recuit pour un contact réalisé avec une couche déposée en Ni et une couche déposée en Ti. La résistance de contact est 10 fois plus élevée dans le cas de la couche de Ti que dans le cas de la couche de Ni (ID, = 4 x 10 -5 0.CM2). Jusqu'à une température de recuit 450 °C, le contact demeure 30 plus stable dans le cas de la couche en Ti en comparaison avec le cas d'une couche en Ni. Le Demandeur a également analysé l'évolution de la résistance de contact en fonction de la durée de l'opération de recuit effectué à une température de 350°C. Les résultats sont illustrés en figure 10. Il apparait 12 que le contact obtenu à partir d'une couche en Ti est plus stable que celui obtenu avec une couche en Ni. Le Demandeur a cherché à comprendre l'origine de cette stabilité en réalisant des mesures par Diffraction RX (XRD), TEM (analyse par 5 microscopie en transmission) et Spectroscopie Auger. La spectroscopie Auger est une technique de microanalyse des surfaces qui permet l'identification des éléments constituant les premières couches atomiques (quelques nanomètres) de la surface des solides. Sa mise en oeuvre s'effectue dans un équipement analogue à celui d'un 10 microscope électronique à balayage, doté de l'ultravide et équipé d'un analyseur d'électrons. Après dépôt d'une couche de Ti à la surface d'un matériau InP, on obtient un contact de type Schottky, l'analyse par RX montre comme illustré en figure 11a, la présence de pics relatifs aux espèces InP et Ti. 15 Avec un recuit à 250°C, le résultat d'analyse par diffraction X montre comme illustré en figure 11 b, des pics représentatifs d'espèces InP, Ti et Ti2In5, le contact est alors un contact ohmique (pc > 5 x 10 -5 0.cm2). Avec un recuit à 350°C, le résultat d'analyse par diffraction X montre comme illustré en figure 11c, des pics représentatifs d'espèces InP, 20 Ti, Ti2In5 et TiP, le contact est alors un contact ohmique qui chute (pc 2 Ti + 5In. Le composé Ti2In5 est sans doute la barrière de diffusion. En effet, après sa décomposition, le Ti est libre de diffuser vers l'InP où il se produit sa réaction totale: Ti + InP -> TiP + In. Il se produit également des réactions de précipitation, 10 fusion, solidification de l'In et une dégradation du contact, comme schématisé en figure 12b. Le Demandeur a également réalisé des études de la métallurgie du contact Ti par des analyses TEM et Auger. La figure 13 met en évidence les résultats obtenus en termes de concentration en fonction de la 15 profondeur exprimée en nanomètres pour les différentes espèces en présence : Ti, In, P, O et C. Cette analyse permet de comprendre à quelle profondeur sont situées les différentes espèces précitées. Ainsi l'espèce Ti présente lors du dépôt initial, réagit au début et conduit à deux phases : Ti2In5 et TiP. La couche TiP est en contact avec l'InP. La couche de Ti2In5 20 est située entre cette couche de TiP et le Ti et empêche la diffusion du Ti vers l'InP dans le cadre de températures de recuit jusqu'à 450°C permettant d'assurer un contact stable. Partant de l'analyse des comportements de couches de contact en 25 Ni et de couche de contact en Ti, en fonction des valeurs de résistance de contact et de stabilité en fonction de températures de recuit, on obtient en synthèse les conclusions suivantes : - la dégradation du contact est due à la formation d'une phase d'In ; 30 - dans le cas du système Ni/InP, le Ni réagit complètement avec l'InP dès 250°C. L'In résultant de cette réaction, reste sous forme d'atomes libres dans la couche. Pendant les recuits successifs, ces atomes d'In bougent et s'agglomèrent, dès 400 - 450°C, pour former une phase d'In qui dégrade la résistance 35 du contact. La qualité de ce contact (faible résistance de 14 contact) est due à la présence d'espèces NiXP en contact avec l'InP. Son instabilité est liée à la présence d'In libre dès le début des recuits ; - dans le cas du système Ti/InP, le Ti réagit avec l'InP, 5 partiellement, dès 250°C. Cette réaction conduit àla formation d'une couche de TiP, en contact avec l'InP. L'In qui en résulte réagit avec le Ti pour former une couche de Ti2In5 qui constitue une barrière stoppant la diffusion du Ti et donc sa réaction avec l'InP. Dans ce système il n'y a pas d'atomes d'In libres jusqu'à 10 450°C et donc aucune phase d'In. Cela explique la Sabilité du contact avec Ti jusqu'à 450°C. A plus haute tempéraure (550°C), la barrière Thln5 se décompose et ainsi le Ti est libre de diffuser et de réagir avec l'InP conduisant à la formation d'une phase d'In qui dégrade le contact. La stabilité du contact 15 Ti/InP est due à l'absence d'In libre jusqu'à 450°C La valeur relativement élevée de la résistance de contact est liée à la présence de TiP, en contact avec l'InP et qui est moins performant que NiXP. 20 Dans le cadre de la présente invention, le Demandeur a analysé le comportement d'un contact de dépôt bicouche Ni/Ti avec les avantages de la combinaison des comportements des de ces deux métaux. Ainsi à partir d'un tel bicouche à la surface d'un matériau en InP, l'opération de recuit conduit comme illustré en figure 14, à la formation d'une 25 couche NiXP au-dessus de laquelle est formé le composé Ti2In5 à l'interface entre la couche supérieure de Ti. Le Demandeur a montré qu'il est particulièrement intéressant de réaliser une couche de Ni très fine afin de limiter la formation de ln tout en assurant une épaisseur néanmoins suffisante pour être continue sur toute la surface de InP à recouvrir. 30 Typiquement une épaisseur de Ni comprise entre environ 3 nm et 8 nm (par exemple 5 nm) est adaptée. 15 Exemple de réalisation de procédé de l'invention et caractérisation du contact obtenu après des opérations de recuit effectuées à des températures comprises entre 250°C et 550°C : 5 1) Traitement préalable de la surface du matériau InP : On utilise une solution de 0,25 M H202/ 1 M HCI pendant 5 minutes. Puis une solution de 2M HCI pendant 3 minutes. 10 2) On procède au dépôt d'une couche de Ni de 5nm d'épaisseur à la surface du matériau d'InP. 3) On procède au dépôt d'une couche de Ti suffisamment épaisse, typiquement d'épaisseur de l'ordre de 30 nm 15 4) On procède à une opération de recuit rapide, typiquement durant par exemple 60 secondes à une température comprise entre 250°C et 550°C. 20 5) Le contact ainsi obtenu est caractérisé par diffraction X, mesures Auger et des mesures électriques sont effectuées pour mesurer et caractériser la résistance de contact. Après le dépôt des deux couches Ni et Ti, le résultat d'analyse 25 par diffraction X montre comme illustré en figure 15a, des pics représentatifs d'espèces InP, Ti. Avec un recuit à 250°C, le résultat d'analyse par diffraction X montre comme illustré en figure 15b, des pics représentatifs d'espèces InP, il reste du métal Ti, tout le métal Ni a réagi (aucun composé n'est détecté car 30 étant à l'état amorphe) et l'on observe la formation de la barrière en Ti2In5. Avec un recuit à 350°C, le résultat d'analyse par diffraction X montre comme illustré en figure 15c, des pics représentatifs d'espèces InP, Ti (il reste du Ti), Ti2In5 (présence de cette barrière efficace), et des composés Ni cristallisés : Ni2InP, Ni2P, Ni3P. 16 Avec un recuit à 450°C, le résultat d'analyse par diffraction X montre comme illustré en figure 15d, des pics représentatifs des mêmes espèces que celles observées avec un recuit à 350°C: InP, Ti, Ti21n5, Ni2lnP, Ni2P, Ni3P. Le système obtenu est encore stable. 5 Avec un recuit à 550°C, le résultat d'analyse par diffraction X montre comme illustré en figure 15e, des pics représentatifs des espèces : InP, In, TiP, Ni2P : tout le métal Ti a réagi en TiP générant l'apparition d'une phase In (avec une dégradation de la résistance de contact). En analysant la concentration des espèces en fonction du temps o d'abrasion ionique, comme présenté en figure 16 qui montre l'évolution des concentrations des espèces : Ti, In, Ni et P impliqués dans les différents composés intermétalliques, on observe la formation sur le matériau InP : de NixP et Ni2lnP (identique à ce qui est observé dans le cas de dépôt de Ni seul) et grâce à l'existence de la barrière en Ti21n5 : le maintien d'un contact 15 stable. Les valeurs des contacts en fonction de la température de recuit sont illustrés en figure 17 (les mêmes valeurs de contact sont également reprises dans le cas de Ni seul et de Ti seul). Cette figure apporte la confirmation d'un contact stable pour des 20 températures de recuit jusqu'à 450°C, une résistance de contact suffisamment faible dans le cas de la présente invention : environ 3 x 10 -6 Q. cm 2 (aussi faible qu'avec Ni seul) et une résistance de contact aussi stable qu'avec Ti seul. Le Demandeur a également mis en évidence un résultat 25 particulièrement intéressant et nouveau concernant la résistance de contact obtenu dans le cadre de la présente invention. En effet, la résistance de contact varie très peu avec le temps pour une opération de recuit effectuée à 350°C, reniant cette température de recuit particulièrement intéressante comme le montre les résultats de la 30 figure 18 (résultat similaire à celui obtenu avec un contact de Ti seul) alors que le contact obtenu dans le cadre de l'utilisation du Ni seul, présente une dégradation notable au court du temps lors de l'opération de recuit. Le Demandeur a également effectué des mesures de contact en fonction du temps de recuit pour une opération de recuit à 450°C illustré en 35 figure 19. Il apparait que la résistance de contact est stable même à 450°C. 17 On assiste à une légère augmentation de la valeur de résistance de contact à parti de 600 secondes. On obtient donc un contact compatible pour une intégration d'intégration sur des circuits photoniques. 5 La présente invention a été décrite en détail dans le cadre d'un semiconducteur InP, le Demandeur a également validé le concept de la présente invention dans le cadre d'un matériau III-V de InGaAs qui est généralement plus stable thermiquement que l'InP. 10 Des mesures ont été effectuées avec de l'InGaAs dopé : 3x 1019 cm3. Il apparait en figure 20 qui fournit l'évolution de la résistance de contact en fonction de la température de recuit, que le contact formé reste sable jusqu'à une température de recuit de l'ordre de 550°C. A titre de comparaison, la figure 21 illustre les valeurs de 15 résistance de contact en fonction de la température de recuit dans le cadre des deux matériaux InGaAs et InP. Il apparait que même si le contact est plus stable dans le cadre de InGaAs, on observe des valeurs intéressantes pour ces deux matériaux avec des opérations de recuit menées à des températures comprises entre 300°C et 450°C. 20 Aucun changement n'est observé après un recuit à 450°C pendant au moins 30 minutes, la valeur de contact obtenue étant de l'ordre REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'un contact ohmique stable thermiquement sur un matériau III-V de InP dopé ou de InGaAs dopé caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : - le dépôt d'une couche en Ni d'épaisseur comprise entre 3 nm et 8 nm à la surface dudit matériau III-V ; - le dépôt d'une couche en Ti d'épaisseur d'au moins quelques nanomètres à la surface de ladite couche en Ni ; - une opération de recuit à une température de recuit comprise entre 200°C et 500°C. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'opération de recuit est effectuée à une température de recuit comprise entre 300°C et 450°C. 3. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel l'opération de recuit présente une durée de recuit comprise entre quelques dizaines de secondes et une dizaine de minutes. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel la couche de Ti présente une épaisseur d'environ 30 nm. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, comprenant une étape préalable de préparation de la surface de matériau III-V comportant un 25 traitement à base de HCI. 6. Procédé selon la revendication 5, comprenant : - une première opération de traitement de surface avec une solution de 0,25 M H202/ 1 M HCI pendant 5 minutes ; 30 - une seconde opération de traitement de surface avec une solution de 2M HCI pendant 3 minutes. 7. Procédé de fabrication d'un laser III-V, comprenant le procédé de réalisation de contact selon l'une des revendications 1 à 6. 35 19 8. Procédé de fabrication d'un laser selon la revendication 7, comprenant : o la réalisation d'au moins un premier contact ohmique sur un substrat en matériau III-V dopé d'un premier type ; 5 o la réalisation d'une structure active émettrice ; o la réalisation d'au moins un second contact ohmique sur une couche en matériau III-V dopé d'un second type. 9. Procédé de fabrication d'un laser selon l'une des revendications 10 7 ou 8, dans lequel le substrat est en InP dopé n, la couche en matériau III-V dopé d'un second type étant en InGaAs dopé p. 10. Procédé de fabrication selon la revendication 9, dans lequel ladite couche en matériau III-V dopé d'un second type étant en InGaAs dopé 15 p est située à la surface d'une couche en InP dopé p. 11. Procédé de fabrication d'un ensemble comprenant un laser III-V selon l'une des revendications 7 à 10, à la surface d'un substrat de type zo SOI. 12. Procédé de fabrication selon la revendication 11, comprenant : - l'encapsulation dudit laser dans un diélectrique ; - la réalisation de plots de contacts au travers dudit diélectrique de manière à contacter ledit au moins premier contact et ledit au moins second contact. 13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel les plots de contact sont en tungstène.30