Brevet FR3075483A1 — publié le 20190621

Dispositif radiofrequence passif, et procede de fabrication Domaine technique [0001] La prosente invention concerne un procede de fabrication additive de dispositif radiofrequence passif, et un dispositif radiofrequence passif fabrique selon ce procede. Etat de la technique [0002] Les dispositifs radiofrequence passifs servent a propager ou a manipuler des signaux radiofrequence sans utiliser de composants electroniques actifs. Les dispositifs radiofrequence passifs comportent par exemple des guides d'onde passifs bases sur le guidage d'ondes a rinterieur de canaux motalliques creux, des filtres, des antennes, des convertisseurs de mode, etc. De tels dispositifs peuvent etre utilises pour le routage de signal, le filtrage frequentiel, la separation ou recombinaison de signaux, remission ou la reception de signaux dans ou depuis l'espace libre, etc. [0003] Un exemple d'un tel dispositif radiofrequence passif conventionnel est illustre sur la figure 1. Dans cet exemple, le dispositif est constitue par un guide d'onde forme d'un tube creux, dont la forme et les proportions determinent les caracteristiques de propagation pour une longueur d'onde donnoe du signal electromagnotique. Les guides d'onde classiques utilises pour les signaux radiofrequence ont des ouvertures internes de section rectangulaire ou circulaire. Ils permettent de propager des modes electromagnotiques correspondant a differentes distributions de champ electromagnotique le long de leur section. Dans ('exemple illustre le guide d'onde a une hauteur b le long de l'axe y et une largeur a le long de l'axe z. [0004] Les dispositifs radiofrequence sont typiquement utilises a rexterieur, par exemple dans raerospatial (avion, holicoptere, drone) pour oquiper un 25 engin spatial dans l'espace, sur un bateau en mer ou sur un engin sous-marin, sur des engins ovoluant dans le desert ou en haute montagne, a chaque fois 2 dans des conditions hostiles voire extremes. Dans ces milieux, les dispositifs radiofrequence sont notamment exposés a : des pressions et des temperatures extremes qui varient de fawn importante ce qui induit des chocs therm iques *Dotes ; 5 un stress mocanique, le guide d'ondes otant integre dans un engin qui subit des chocs, des vibrations et des charges qui impactent le guide d'ondes ; des conditions metoorologiques et environnementales hostiles dans lesquels ovoluent les engins equipos de guide d'ondes (vent, gel, 10 hum iditos, sable, sels, champignons/bacteries). [0005] Pour repondre a ces contraintes, on connait des guides d'ondes formes par assemblage de plaques motallique prealablement usinees, qui permettent de fabriquer des guides d'ondes aptes a ovoluer dans des 15 environnements hostiles. En revanche, la fabrication de ces guides d'ondes est souvent difficile, coOteuse et difficilement adaptable a la fabrication de guide d'ondes logers et aux formes complexes. [0006] US2012/0033931A1 docrit u guide d'onde forme d'une piece avec une section en U et d'un couvercle recouvrant cette piece. Les deux 20 composants sont assembles et soudos entre eux. [0007] Des travaux recents ont demontre la possibilito de realiser des dispositifs radiofrequence passifs, y compris des antennes, des guides d'ondes, des filtres, des convertisseurs, etc, a l'aide de mothodes de fabrication additives, par exemple d'impression 3D. On connait en particulier la fabrication additive de guides d'ondes comportant a la fois des materiaux non conducteurs, tels que des polymeres ou des coramiques, et des motaux conducteurs. [0008] Des guides d'ondes comportant des parois coramiques ou polymeres fabriquees par une mothode additive puis recouvertes d'un placage motallique ont notamment oto suggeros. Les surfaces internes du guide d'ondes doivent en effet etre conductrices electriquement pour operer. L'utilisation d'une ame non conductrice permet d'une part de roduire le poids et le coOt du dispositif, d'autre part de mettre en oeuvre des mothodes d'impression 3D adaptees aux 3 polymeres ou aux coramiques et permettant de produire des pieces de haute precision avec une faible rugosite. [0009] A titre d'exemple, ('article de Mario D'Auria et al, "3-D PRINTED METAL-PIPE RECTANGULAR WAVEGUIDES", 21 aoOt 2015, IEEE 5 Transactions on components, packaging and manufacturing technologies, Vol. 5, No 9, pages 1339-1349, docrit au paragraphe III un procede de fabrication de l'ame d'un guide d'onde par depot de fil en fusion (FDM, Fused deposition modeling). [0010] On connalt par exemple des guides d'ondes 1 realises par 10 fabrication additive et comportant une ame non conductrice fabriquoe par exemple par stereolithographie, par selective laser melting, par selective laser sintering, ou par un autre procede additif. Cette ame comporte typiquement une ouverture interne pour la propagation du signal radiofrequence. Les parois internes de l'ame autour de l'ouverture peuvent etre revetues d'un revetement 15 electriquement conducteur, par exemple d'un placage metallique. [0011] La fabrication additive de dispositifs radiofrequence passifs permet de realiser des dispositifs de forme complexe qu'il serait difficile ou meme impossible de realiser par usinage. La fabrication additive possede cependant ses propres contraintes et ne permet pas la fabrication de certaines formes ou 20 de pieces de grandes dimensions. D'autre part, des operations de reprise apres fabrication, par exemple des nettoyages, des polissages, des percages, etc, qui sont difficiles a realiser a l'interieur de pieces concaves, par exemple a l'interieur d'un canal de guide d'onde. [0012] US2012/0084968A1 docrit un procede de fabrication de guides 25 d'ondes passifs en plusieurs pieces realisees par impression 3D puis motallisees avant d'être assemblees. La fabrication en plusieurs pieces rend le procede plus flexible et permet de realiser des pieces de forme complexe qu'il serait impossible d'imprimer en une seule operation. Cependant, ce procede croe des discontinuitos de la couche metallique au niveau de la jonction entre 30 les differentes pieces motallisees, qui perturbent la transmission du signal dans le guide d'onde. D'autre part, l'ajustement précis des differentes pieces est 4 difficile a garantir, et ne peut guere etre amoliore en polissant ou ajustant la couche motallique qui est generalement trop fine. Bref résumé de l'invention [0013] Un but de la prosente invention est de proposer un dispositif radiofrequence passif exempt ou minimisant les limitations des dispositifs 5 connus. [0014] Un but de l'invention est notamment de fournir un dispositif radiofrequence passif, par exemple un guide d'ondes, realise par fabrication additive. [0015] Selon l'invention, ces buts sont atteints notamment au moyen d'un 10 dispositif radiofrequence passif comprenant: -une ame formoe par assemblage de plusieurs pieces en contact direct les unes contre les autres, au moins une desdites pieces comportant un logement pour la colle, au moins certaines desdites pieces otant fabriquees individuellement par fabrication additive; 15 -une enveloppe conductrice motallique entourant ladite ame sans separer lesdites pieces les unes des autres. [0016] Ce dispositif prosente l'avantage d'une enveloppe conductrice qui peut etre deposee apres assemblage des pieces, ce qui garantit une couche 20 conductrice depourvue de discontinuitos. [0017] Le collage des pieces formant l'ame garantit leur maintien rigide. [0018] La presence de logements pour la colle permet d'eviter la presence d'un film de colle entre les surfaces principales des pieces assemblees, ce qui garantir un positionnement relatif précis et indopendant de l'opaisseur ou de la 25 planoito du film de colle. 5 [0019] Le logement peut etre constitue par une rainure, une gorge, ou un trou borgne de section ronde, carroe ou rectangulaire, formant une cavito concave sur une surface de la piece destinoe a etre mise en contact avec une autre piece lors de l'assemblage. 5 [0020] Les pieces peuvent etre collees entre elles au moyen d'une colle chargoe de particules motalliques ou coramiques pour faciliter l'assemblage. [0021] Les differentes pieces formant l'ame peuvent etre alignees entre elles a l'aide d'au moins une vis ou goupille. [0022] La ou les goupilles peuvent s'etendre perpendiculairement a la 10 surface de la piece destinee a etre mise en contact avec une autre piece lors de l'assemblage, et s'inserer dans un trou borgne provu dans la surface correspondante de la piece assembloe. [0023] La ou les goupilles peuvent etre motalliques ou faites d'autres materiaux. Elles peuvent etre chassees dans la piece apres la fabrication 15 additive. [0024] Les differentes pieces formant l'ame peuvent etre vissees entre elles a l'aide d'au moins une vis. La ou les vis peuvent etre motalliques ou faites d'autres materiaux. [0025] Les vis peuvent etre inserees lors de l'assemblage. 20 [0026] Les vis peuvent etre retirees apres durcissement de la colle et avant la deposition de l'enveloppe conductrice. Cela permet d'eviter la deposition d'une couche conductrice sur les tetes de vis, et ainsi de garantir une meilleure planoito de l'enveloppe conductrice. [0027] Les differentes pieces formant l'ame peuvent etre soudoes entre 25 elles. 6 [0028] Les differentes pieces formant ('ame peuvent etre fusionnees sans apport de matiere entre elles, par exemple en terminant leur durcissement apres assemblage. Par exemple, dans le cas de pieces realisees par impression 3D de polymere, les pieces peuvent etre jointes par un 5 durcissement therm ique ou UV apres leur assemblage. [0029] Dans un mode de realisation, l'enveloppe conductrice motallique recouvre toutes les faces de l'ame de maniere ininterrompue. [0030] Dans un autre mode de realisation, le dispositif est constitue par un guide d'onde muni de parois latorales avec des surfaces externes et internes, 10 les surfaces internes delimitant un canal, ladite enveloppe conductrice recouvrant ladite surface interne mais pas la totalito de la surface externe. [0031] L'opaisseur de la couche conductrice motallique est avantageusement au moins ogale a cinq fois la profondeur de peau 6, de preference au moins vingt fois la profondeur de peau O. Cette opaisseur 15 importante n'est pas nocessaire pour la transmission du signal, mais contribue a la rigidito du dispositif, qui est ainsi garantie par l'enveloppe motallique malgre une ame en plusieurs pieces potentiellement moins rigide qu'une ame monolithique. [0032] La profondeur de peau d est definie comme: 2 6 = 2fff 20 dans laquelle m est la permeabilito magnotique du metal plaque, f est la frequence radio du signal a transmettre et s est la conductivito electrique du metal plaque. Intuitivement, it s'agit de l'opaisseur de la zone ou se concentre le courant dans le conducteur, a une frequence donnoe. [0033] Cette solution prosente notamment l'avantage par rapport a l'art 25 anterieur de fournir des guides d'ondes assembles par fabrication additive qui 7 sont plus resistants aux contraintes auxquelles ils sont exposés (contraintes therm iques, mocaniques, motoorologiques et environnementales). [0034] Dans les dispositifs radiofrequence assembles par fabrication additive selon les mothodes existantes, les proprietes structurelles, 5 mocaniques, therm iques et chimiques dependent essentiellement des proprietes de l'ame. Typiquement, on connait des guides d'ondes dans lequel la couche conductrice deposee sur l'ame est tres mince, inferieure a Ia profondeur de peau du metal constituant Ia couche conductrice. Ainsi, i1 otait generalement admis que pour amoliorer les proprietes structurelles et mocaniques des guides 10 d'ondes i1 fallait augmenter l'opaisseur et/ou Ia rigidito de l'ame. II otait aussi admis qu'il faut roduire l'epaisseur de la couche pelliculaire conductrice, afin d'alloger la structure. [0035] En augmentant l'opaisseur de la couche conductrice pour que cette derniere atteigne une opaisseur au moins cinq fois ogale a la profondeur de 15 peau 6 du metal de la couche conductrice, de preference au moins ogale a vingt fois cette profondeur, les proprietes structurelles, mocaniques, therm iques et chimiques du guide d'onde dependent majoritairement, voire quasi exclusivement, de la couche conductrice. Ce comportement surprenant est observe bien que l'opaisseur de la couche conductrice reste significativement 20 inferieure a l'opaisseur de l'ame. [0036] Ce mode de realisation permet de dim inuer, voire de supprimer, la rugosito de la surface conductrice. Cela permet ogalement de renforcer la resistance en traction, en torsion, en flexion du dispositif, par exemple la rigidito du guide d'ondes. 25 [0037] Au moins deux differentes pieces formant l'ame peuvent etre separees l'une de l'autre selon un plan. Cela facilite l'ajustement précis des deux pieces grace a la fabrication de deux surfaces planes. [0038] Au moins deux differentes pieces formant l'ame peuvent etre separees l'une de l'autre selon une surface non plane. Cette surface peut par 8 exemple etre employee pour maintenir les deux pieces entre elles, par exemple a l'aide d'un assemblage de type chevron-mortaise. [0039] Le plan de separation entre deux pieces de l'ame peut etre perpendiculaire a la direction de propagation du signal. II est par exemple ainsi 5 possible de fabriquer un guide d'one allonge a partir de plusieurs segments lineaires consocutifs. [0040] Le plan de separation entre deux pieces de l'ame peut etre parallele a la direction de propagation du signal [0041] Le dispositif peut comporter une couche de lissage destinoe a lisser 10 au moins partiellement les irregularites de la surface de l'ame. L'enveloppe conductrice est deposee par-dessus la couche de lissage. [0042] A ('issue de la fabrication additive de l'ame, it a oto observe que le processus de fabrication additive cree une forte rugosito (par exemple des creux et des bosses), notamment sur les bords et surface de l'ame, notamment 15 sur les bords en biais. Ces creux et bosses peuvent prendre la forme de marches d'escalier, chaque marche reprosentant l'ajout d'une couche de materiau non conducteur lors de la fabrication additive. II a oto observe qu'apres recouvrement de Lame par une couche conductrice fine, la rugosito de l'ame persistait de sorte que la surface apres motallisation prosentait encore 20 une rugosito qui perturbait la transmission du signal RF. Dans ce cas, l'ajout d'une couche de lissage entre l'ame et la couche conductrice permet de diminuer, voire de supprimer, cette rugosito ce qui amoliore la transmission du signal RF. La couche de lissage peut etre en materiau conducteur ou non conducteur. 25 [0043] L'opaisseur de cette couche de lissage est de preference comprise entre 5 et 500 microns, de preference entre 10 et 150 microns, de preference entre 20 et 150 microns. Dans le cas d'une fabrication de l'ame par stereolithographie, par selective laser melting, ou par selective laser sintering, cette opaisseur permet de lisser efficacement les irregularites de surface dues 30 au procede d'impression. 9 [0044] L'opaisseur de Ia couche de lissage est de preference superieure ou egale a Ia rugosito (Ra) de l'ame. [0045] L'opaisseur de Ia couche de lissage est de preference superieure ou egale a la resolution du procede de fabrication de l'ame. 5 [0046] Lorsque la couche de lissage comprend un materiau faiblement conducteur, par exemple le Nickel, la transmission du signal RF est assuroe essentiellement par la couche conductrice metallique externe, ('influence de la couche de lissage est negligeable, et dans ce cas la couche conductrice externe doit avoir une epaisseur au moins cinq fois egale a ladite profondeur de 10 peau 6, de preference au moins 20 fois egale a cette profondeur de peau. [0047] Dans un mode de realisation, la couche de lissage peut entourer l'ame sans separer lesdites pieces les unes des autres. II est ainsi possible de la deposer apres l'assemblage des differentes pieces formant l'ame, et avant la deposition de l'enveloppe metallique. 15 [0048] Dans un mode de realisation, la couche de lissage entoure l'ame en separant lesdites pieces les unes des autres. Elle est alors deposee avant l'assemblage des pieces formant l'ame. Elle permet d'amoliorer la precision de positionnement des pieces en lissant les irregularites de surface des pieces a la jonction. 20 [0049] La couche de lissage peut etre formoe de nickel. [0050] Le dispositif peut comporter une couche d'accrochage (ou d'amorcage) deposee apres assemblage de l'ame de maniere a la recouvrir de maniere ininterrompue, l'enveloppe conductrice otant deposee par-dessus la couche de lissage. 25 [0051] La couche d'accrochage peut etre en materiau conducteur ou non conducteur. La couche d'accrochage permet d'amoliorer ('adhesion de la couche conductrice sur l'ame. Son opaisseur est de preference inferieure a la rugosito Ra de l'ame, et inferieure a la resolution du procede de fabrication additive de l'ame. 10 [0052] Dans un mode de realisation, l'enveloppe externe du dispositif comprend successivement une ame non conductrice realisee en fabrication additive, une couche d'accrochage, une couche de lissage et une couche conductrice. Ainsi, la couche d'accrochage et la couche de lissage permettent 5 de diminuer la rugosito de la surface du canal guide d'ondes. La couche d'accrochage permet d'amoliorer ('adhesion de l'ame, conductrice ou non conductrice, avec la couche de lissage et la couche conductrice. [0053] Dans un mode de realisation, la couche motallique formant l'enveloppe conductrice comprend plusieurs sous-couches de motaux. Lorsque 10 la couche conductrice comprend plusieurs couches successives de motaux fortement conducteurs, par exemple Cu, Au, Ag, la profondeur de peau d est determinee par les proprietes des materiaux de toutes les couches dans lesquelles se concentre le courant pelliculaire. [0054] Dans un mode de realisation, la couche d'accrochage comprend au 15 choix un metal choisi parmi Cu, Au, Ag, Ni, Al, acier inoxydable, laiton, zincate, un materiau non conducteur par exemple un polymere ou une coramique ou une combinaison de ces choix. [0055] Dans un mode de realisation, la couche de lissage comprend au choix un metal choisi parmi Cu, Au, Ag, Ni, Al, acier inoxydable, laiton, un 20 materiau non conducteur, par exemple un polymere ou une coramique ou une combinaison de ces choix. [0056] Lame du dispositif peut etre formoe d'un materiau polymere. [0057] Lame du dispositif peut etre formoe d'un metal ou d'un alliage, par exemple d'aluminium, de titane ou d'acier. 25 [0058] Lame du dispositif peut etre formoe de coramique. [0059] Lame du dispositif peut etre realisee par stereolithographie, par selective laser melting ou par selective laser sintering. 11 [0060] La couche motallique formant I'enveloppe peut comprendre au choix un metal choisi parmi Cu, Au, Ag, Ni, Al, acier inoxydable, laiton ou une combinaison de ces motaux. [0061] La resistance du dispositif choisie parmi la resistance en traction, en 5 torsion, en flexion ou une combinaison de ces resistances peut etre conferee majoritairement par la couche conductrice. [0062] La resistance du dispositif choisie parmi la resistance en traction, en torsion, en flexion ou une combinaison de ces resistances peut etre conferee majoritairement par la couche conductrice et par la couche de lissage. 10 [0063] L'invention a aussi pour objet un procede de fabrication d'un dispositif radiofrequence passif cornprenant: Fabrication additive de plusieurs pieces, au moins une piece comportant un logement ; Insertion de colle dans ledit logement ; 15 Assemblage des pieces entre elles, de maniere a constituer une ame du dispositif, au moins deux pieces otant en contact direct entre elles ; Deposition sur l'ame d'une couche conductrice, sans separer lesdites pieces les unes des autres. 20 [0064] Ce procede permet la fabrication de dispositifs complexes par assemblage de pieces realisees par fabrication additive. La motallisation apres assemblage garantit une enveloppe conductrice sans discontinuitos. [0065] Comme on le verra, cette fabrication en plusieurs pieces permet aussi un nettoyage ou un polissage des pieces avant leur assemblage, ce qui 25 permet de nettoyer ou de polir des portions difficilement accessibles du dispositif. [0066] Comme on le verra, cette fabrication en plusieurs pieces permet aussi une polymerisation des pieces avant leur assemblage, ce qui permet d'exposer aux rayons ultraviolets des portions a durcir difficilement accessibles 30 du dispositif. 12 [0067] Selon un mode de realisation, le depot de la couche conductrice sur l'ame est effectue par depot electrolytique ou galvanoplastie, depot chimique, depot sous vide, depot physique par phase vapeur (PVD), depot par impression, depot par frittage. 5 [0068] Dans un mode de realisation du procede, la couche conductrice comprend plusieurs couches de motaux et/ou de non motaux deposees successivement. [0069] La fabrication de l'ame comporte une otape de fabrication additive. On entend par « fabrication additive » tout procede de fabrication de pieces par 10 ajout de matiere, selon des donnees informatiques stockees sur un support informatique et definissant un modele de la piece. Outre la stereolithographie et le selective laser melting, ('expression dosigne aussi d'autres mothodes de fabrication par durcissement ou coagulation de liquide ou de poudre notamment, y compris sans limitation des mothodes basees sur des jets 15 d'encre (binder jetting), DED (Direct Energy Deposition), EBFF (Electron beam freeform fabrication), FDM (fused deposition modeling), PFF (plastic freeforming), par aerosols, BPM (ballistic particle manufacturing), lit de poudre, SLS (Selective Laser Sintering), ALM (additive Layer Manufacturing), polyjet, EBM (electron beam melting), photopolymerisation, etc. La fabrication par 20 stereolithographie ou par selective laser melting est cependant preforee car elle permet d'obtenir des pieces avec des otats de surface relativement propres, a faible rugosite. [0070] Le procede peut comporter une otape de deposition d'une couche de lissage autour de l'ame. 25 [0071] La couche de lissage peut etre deposee avant assemblage et separant ainsi lesdites pieces les unes des autres. [0072] La couche de lissage peut etre deposee apres assemblage ; dans ce cas, elle ne separe donc pas les pieces de l'ame les unes des autres. 13 [0073] La fabrication de l'ame peut comporter une otape de fabrication additive par stereolithographie, par selective laser melting ou par selective laser sintering. [0074] La fabrication de l'ame peut comporter une otape de polissage avant 5 assemblage. [0075] La fabrication de l'ame peut comporter une otape de nettoyage avant assemblage. [0076] La fabrication de l'ame peut comporter une otape de durcissement avant assemblage. 10 [0077] La fabrication de l'ame peut comporter une otape de durcissement apres assemblage. [0078] La fabrication de l'ame peut comporter une otape de pro- durcissement avant assemblage, et une otape de durcissement definitif apres assemblage. Le durcissement definitif peut etre utilise pour fusionner les pieces 15 entre elles. [0079] Le procede peut comporter la deposition d'une couche d'accrochage autour de l'ame. [0080] Dans le contexte de l'invention, les termes « couche conductrice », « revetement conducteur », « couche conductrice motallique » et « couche 20 motallique » sont synonymes et interchangeables. Breve description des figures [0081] Des exemples de mise en oeuvre de l'invention sont indiquos dans la description illustroe par les figures annexoes dans lesquelles : 14 - La figure 1A illustre une vue en perspective de deux pieces destinees a etre assemblees selon un plan de jonction perpendiculaire a la direction de propagation du signal afin de former une ame de guide d'onde. - La figure 1B illustre une vue en perspective des deux pieces de la 5 figure 1A apres assemblage afin de former une ame de guide d'onde. - La figure 1C illustre une vue en perspective d'un dispositif comportant une ame en deux pieces assemblees et recouvertes d'une enveloppe conductrice sur les parois internes et externes. - La figure 1D illustre une vue en coupe longitudinale d'un dispositif 10 comportant une ame en deux pieces assemblees et recouvertes d'une enveloppe conductrice sur les parois internes et externes. - La figure 2A illustre une vue en perspective de deux pieces destinees a etre assemblees selon un plan de jonction parallele a la direction de propagation du signal, afin de former une ame de guide d'onde. 15 - La figure 2B illustre une vue en perspective des deux pieces de la figure 2A apres assemblage afin de former une ame de guide d'onde. - La figure 2C illustre une vue en coupe transversale d'un dispositif comportant une ame en deux pieces assemblees et recouvertes d'une enveloppe conductrice sur les parois internes et externes. 20 - La figure 3A illustre une vue en coupe transversale d'un dispositif selon l'invention, comportant une ame en deux pieces revetue d'une couche de lissage et d'une enveloppe conductrice. - La figure 3B illustre une vue en coupe longitudinale d'un dispositif comportant une ame en deux pieces assemblees et recouvertes d'une couche 25 de lissage et d'une enveloppe conductrice sur les parois internes et externes. Exemple(s) de mode de realisation de l'invention [0082] La figure 1A illustre deux pieces 1A et 1B destinees a etre assemblees entre elles pour former l'ame 3 d'un dispositif radiofrequence passif, ici un guide d'onde. Les pieces sont munies d'une ouverture longitudinale 2 de section rectangulaire definissant un canal pour la 30 transmission du signal radiofrequence. La section de l'ouverture est determinee selon la frequence du signal electromagnotique a transmettre. Les dimensions de ce canal interne et sa forme sont determinees en fonction de la frequence operationnelle du dispositif 1, c'est-a-dire la frequence du signal 15 electromagnotique pour lequel le dispositif est fabrique et pour laquelle un mode de transmission stable et optionnellement avec un minimum d'attenuation est obtenu. [0083] Les deux pieces 1A et 1B sont destinees dans cet exemple a etre 5 juxtaposees l'une apres l'autre dans le sens de transmission du signal, formant ainsi un canal longitudinal continu. Les surfaces 31 destinees a etre mises en contact sont planes et perpendiculaires a la direction de transmission du signal radiofrequence. Au moins un de ces surfaces comporte un ou plusieurs logements 30 pour y loger de la colle afin de maintenir les deux pieces 1A, 1B 10 collees l'une a l'autre. Les logements 30 sont provus sur la surface 31 d'une piece (ici la piece 1B) destinoe a etre mise en contact avec une autre piece (1A) lors de ('assemblage. Ces logements ne debouchent de preference pas sur les faces externes ni internes destinees a etre recouvertes d'une deposition motallique. Ainsi, la couche motallique est deposee uniquement sur l'ame, et 15 pas sur la colle, ce qui garantit une deposition reguliere. [0084] Cette ame 3 deft ite un canal interne 2 destine au guidage d'ondes. [0085] Les pieces 1A, 1B destinees a former l'ame 3 peuvent etre par exemple en polymere, en epoxy, en coramique, en materiau organique ou en metal (de preference aluminium, titane, acier, ou invar). 20 [0086] Les pieces 1A et 1B sont fabriquees par fabrication additive, de preference par stereolithographie ou par selective laser melting afin de roduire la rugosito de la surface. Le materiau de l'ame peut etre non conducteur ou conducteur. L'opaisseur des parois est par exemple entre 0,5 et 3 mm, de preference entre 0,8 et 1,5 mm. 25 [0087] La forme des pieces 1A, 1B peut etre determinee par un fichier informatique stocke dans un support de donnees informatique et permettant de commander un dispositif de fabrication additive. [0088] Apres fabrication, et avant assemblage, chacune des pieces 1A, 1B peut etre sochee, nettoyoe et/ou polie pour amoliorer l'etat de surface. Elle est 16 en outre durcie, au moins partiellement. Le sochage, nettoyage, polissage et/ou durcissement avant assemblage permet d'accoder plus aisement aux portions du dispositif difficilement accessibles apres assemblage, par exemple au centre du canal 2. Comme on le verra, il est aussi possible de deposer une couche de 5 lissage avant assemblage. [0089] La figure 1B illustre les deux pieces 1A, 1B apres assemblage de maniere a former une ame 3. Les pieces sont maintenues par collage au moyen de colle deposee dans les logements de colle 30. On ovite de preference la presence de colle sur les surfaces de contact 31, ce qui amoliore la precision 10 d'assemblage. On choisira cependant de preference une colle qui permet la deposition de metal avec les procedes de deposition retenu ; ainsi, l'eventuelle presence de traces de colle pres de la jonction entre deux colles ne provoquera pas d'irregularites dans la deposition. [0090] Dans un mode de realisation, les differentes pieces formant l'ame 15 sont produrcies, par exemple par chauffage et/ou exposition a un rayonnement ultraviolet, avant leur assemblage. Elles sont ensuite juxtaposees, puis une otape de durcissement finale est effectuoe en mettant a nouveau les pieces sous un rayonnement ultraviolet ou dans un four. Cette solution permet de fusionner les pieces 1A, 1 B entre elles pour faciliter leur assemblage. 20 [0091] Au moins une goupille 34 est de preference inseree dans un logement pour goupille dans une des surfaces de contact 31, de maniere a s'etendre perpendiculairement a cette surface de contact. Cette goupille est de preference chassoe dans le logement, et destinoe a s'inserer dans un logement provu dans la face de contact de la piece 1A en regard. Cette ou ces goupilles 25 garantit un alignement des pieces 1A, 1 B entre elles. [0092] Des vis (non illustrees peuvent aussi etre prevues pour maintenir les deux pieces entre elles, au moins pendant le collage. [0093] Un assemblage mocanique par emboitement dans un assemblage clipse ou de type tenon-mortaise, peut aussi etre employe pour fixer les pieces 30 1A, 1B entre elles. 17 [0094] La figure 1C illustre le dispositif forme en revetant cette ame 3 d'une deposition motallique formant une enveloppe conductrice 4, 5 sur les surfaces internes et externes de l'ame 3. La figure illustre les differentes couches sur la face transversale 32 a ('avant du dispositif ; dans un autre mode de realisation, 5 cette face avant est ogalement motallisee en sorte que les couches internes 3,4 ne sont pas visibles. [0095] Dans ce mode de realisation illustre, la surface interne et la surface externe de l'ame 3 sont recouvertes d'une couche motallique 4 conductrice, par exemple de cuivre, d'argent, d'or, de nickel etc, plaque par deposition chimique 10 sans courant electrique. L'opaisseur de cette couche est par exemple comprise entre 1 et 20 micrometres, par exemple entre 4 et 10 micrometres. [0096] L'opaisseur de ce revetement conducteur 4 doit etre suffisante pour que la surface soit conductrice electriquement a la frequence radio choisie. Ceci est typiquement obtenu a l'aide d'une couche conductrice dont l'opaisseur est 15 superieure a la profondeur de peau 6 . [0097] Cette epaisseur est de preference sensiblement constante sur toutes les surfaces internes afin d'obtenir une piece finie avec des tolerances dimensionnelles pour le canal precises. [0098] La deposition de metal conducteur 4,5 sur les faces internes et 20 oventuellement externes se fait en immergeant l'ame 3 apres assemblage des pieces 1A, 1B dans une serie de bains successifs, typiquement 1 a 15 bains. Chaque bain implique un fluide avec un ou plusieurs reactifs. La deposition ne nocessite pas d'appliquer un courant sur l'ame a recouvrir. Un brassage et une deposition reguliere sont obtenus en brassant le fluide, par exemple en 25 pompant le fluide dans le canal de transmission et/ou autour du dispositif ou en vibrant l'ame 3 et/ou le bac de fluide, par exemple avec un dispositif vibrant a ultrasons pour creer des vagues ultrasoniques. [0099] Dans un mode de realisation, l'opaisseur de cette couche 4 est au moins vingt fois superieure a la profondeur de peau afin d'amoliorer les 30 proprietes structurelles, mecaniques, thermiques et chimiques du dispositif. Les 18 courants superficiels se concentrent ainsi majoritairement, voire presque exclusivement, dans cette couche. [00100] L'application d'une deposition motallique sur les surfaces externes ne contribue pas a la propagation du signal radiofrequence dans le canal 2, 5 mais a cependant l'avantage de proteger le dispositif des agressions thermiques, mocaniques, ou chimiques. Dans un mode de realisation non illustre, seule la surface interne de l'ame, autour du canal 2, est recouverte d'une enveloppe motallique ; les surfaces externes sont nues, ou recouvertes d'un revetement different. 10 [00101] La figure 1D illustre une vue en coupe longitudinale du dispositif selon le plan A-A de la figure 1C. On voit notamment les deux pieces 1A, 1B maintenues l'une contre l'autre par collage dans les logements de colle 30. Le maintien est ogalement assure par l'enveloppe motallique 4 continue sur les surfaces internes et externes de l'ame. 15 [00102] Les figures 2A a 2C illustrent une variante de dispositif ; toutes les caracteristiques et otapes docrites plus haut en relation avec les figures 1A a 1D s'appliquent aussi a cette variante, sauf lorsque cela est indique autrement. [00103] La figure 2A illustre une variante de dispositif dans lequel l'ame est formoe par assemblage de deux pieces 1A et 1B selon un plan de separation 20 qui s'etend longitudinalement dans le sens de propagation du signal a travers le canal 2. Dans cet exemple, la piece 1A a une section en forme de U et la piece 1B a une section rectangulaire formant un couvercle au-dessus de la piece 1A. II est aussi possible de realiser un guide d'onde a section rectangulaire avec deux pieces en U montees tete beche l'une sur l'autre. 25 [00104] La surface de contact 31 d'une des pieces 1A comporte des logements 30 pour y loger de la colle destinoe au maintien des pieces entre elles. [00105] Les deux pieces 1A, 1B sont alignees entre elles au moyen de goupilles 34 s'etendant en saillie depuis la surface d'une des pieces 1A et 19 penetrant dans un trou borgne dans l'autre piece 1B. Les goupilles sont ainsi cachoes apres assemblage. [00106] La figure 2B montre l'ame du dispositif apres assemblage et collage des deux pieces 1A et 1B. 5 [00107] Les deux pieces 1A, 1B sont de preference maintenues serrees entre elles au moyen de vis 35 traversant des trous 36 a travers l'une des pieces 1A et engagoes dans des trous 37 taraudos dans l'autre piece. Ces vis peuvent etre inserees avant collage, et retirees apres durcissement de la colle. Dans une variante, it est possible e conserver des vis qui ne derangent pas la 10 deposition de l'enveloppe motallique. [00108] La figure 2C montre une vue en coupe transversale du dispositif apres revetement des faces internes et externes de l'ame 3 par une enveloppe metallique. [00109] II est possible de realiser une ame de dispositif radiofrequence passif 15 en assemblant plus de deux pieces. II est possible d'assembler des pieces selon des plans qui ne sont ni longitudinaux, ni transversaux, ou selon des surfaces non planes. [00110] Les figures 32A a 3B illustrent une variante de dispositif ; toutes les caracteristiques et otapes docrites plus haut en relation avec les figures 1A a 20 1D et 2A a 2C s'appliquent aussi a cette variante, sauf lorsque cela est indique autrement. [00111] La figure 3A montre une vue en coupe transversale d'une autre variante de dispositif dans lequel l'ame 3 est revetue par une premiere couche de lissage 9, 6 puis par la couche conductrice 4, 5. La figure 3A montre une vue 25 en coupe longitudinale de ce dispositif. [00112] Dans le mode de realisation illustre sur la figure 3A, les surfaces de l'ame 3 sont recouvertes apres assemblage d'une couche de lissage 9, par 20 exemple une couche en Ni. L'opaisseur de la couche de lissage 9 est au moins ogale a la rugosito Ra de Ia surface de l'ame, ou au moins ogale a la resolution du procede d'impression 3D utilise pour fabriquer l'ame (Ia resolution du procede d'impression 3D determinant Ia rugosito Ra de Ia surface). Dans un 5 mode de realisation, l'opaisseur de cette couche est comprise entre 5 et 500 micrometres, de preference entre 10 et 150 micrometres, de preference entre 20 et 150 micrometres. Cette couche de lissage determine egalement les proprietes mecaniques et thermiques du dispositif 1. La couche de Ni 9 est ensuite recouverte de Ia couche conductrice 4, par exemple en cuivre, en 10 argent, en or etc. [00113] La couche de lissage permet de lisser la surface de l'ame et donc de roduire les pertes de transmission dues a la rugosito de la surface interne. [00114] Dans ce mode de realisation, l'ame 3 est donc recouverte d'une couche metallique 4+9 formoe d'une couche de lissage 9 et d'une couche 15 conductrice 4. L'opaisseur totale de cette couche 4+9 est de preference superieure ou ogale a cinq fois, de preference vingt fois la profondeur de peau O. La valeur du module de Young du dispositif 1 est conferee majoritairement par cette couche conductrice 4+9. L'opaisseur de la couche conductrice 4 peut aussi a etre seule etre superieure ou ogale a vingt fois la profondeur de peau 20 6 . La couche la plus conductrice est de preference deposee en dernier, a la poriphorie. [00115] La couche de lissage illustroe sur cet exemple est deposee apres assemblage des differentes pieces 1A, 1B formant l'ame ; elle ne separe donc pas les pieces, et n'est pas deposee sur les surfaces de jonction 31 entre 25 pieces. [00116] Dans un mode de realisation non Must* la couche de lissage est deposee avant assemblage des differentes pieces 1A, 1B formant l'ame ; elle separe donc les pieces, en recouvrant les surfaces de jonction 31 entre pieces. Ce mode de realisation permet d'obtenir des surfaces de jonction 31 entre 30 pieces 1A, 1B de l'ame plus lisses, et donc d'amoliorer la precision et la rigidito de ('assemblage. 21 [00117] Dans un mode de realisation non illustre, le dispositif 1 comprend une couche d'accrochage, par exemple une couche en Cu, par-dessus la surface interne et oventuellement externe de ('ame 3 ; cette couche d'accrochage facilite Ia deposition ulterieure de Ia couche de lissage 9 si une 5 telle couche est provue, ou de Ia couche conductrice 4. L'opaisseur de cette couche est avantageusement inferieure a 30 micrometres. Cette couche d'accrochage est de preference deposee apres assemblage, et ne recouvre donc pas les surfaces de jonction 31 entre pieces. [00118] II est aussi possible de realiser des dispositifs radiofrequence passifs 10 comprenant une ame formoe par assemblage de plusieurs pieces sans collage, au moins certaines desdites pieces otant fabriquees individuellement par fabrication additive et alignees a l'aide de goupilles, une enveloppe conductrice motallique otant deposee sur ladite ame sans separer lesdites pieces les unes des autres. Les autres caracteristiques de l'invention docrite ci-dessus, horm is 15 le collage, peuvent aussi s'appliquer a ces dispositifs. [00119] II est aussi possible de realiser des dispositifs radiofrequence passifs comprenant une ame formoe par assemblage de plusieurs pieces, au moins certaines desdites pieces otant fabriquees individuellement par fabrication additive et alignees a l'aide de goupilles, une enveloppe conductrice motallique 20 otant deposee sur ladite ame sans separer lesdites pieces les unes des autres, une couche de lissage otant deposee sur lesdites pieces avant leur assemblage. Les autres caracteristiques de l'invention docrite ci-dessus, avec ou sans collage, peuvent aussi s'appliquer a ces dispositifs. 22 Numeros de reference employes sur les figures 1 Dispositif radiofrequence passif 2 Canal guide d'onde 3 Ame 30 Logement pour colle 31 Surface de contact 32 Face externe 34 Goupille Vis 36 Trou traversant 37 Trou borgne, REVENDICATIONS1. Dispositif radiofrequence passif (1) corn prenant: -une ame (3) formee par assemblage de plusieurs pieces (1A, 1B) en contact direct les unes contre les autres, au moins une desdites pieces comportant un 5 logement (30) pour la colle, au moins certaines desdites pieces otant fabriquees individuellement par fabrication additive; -une enveloppe conductrice motallique (4) entourant ladite ame (3) sans separer lesdites pieces (1A, 1 B) les unes des autres. 10 2. Dispositif selon la revendication 1, lesdites pieces (1A, 1B) otant collees entre elles au moyen d'une colle chargoe de particules motalliques ou coramiques pour faciliter ('assemblage. 3. Dispositif selon rune des revendications 1 ou 2, lesdits logements (30) ne debouchant pas sur la surface de ('ame (3) destinoe a la deposition de ladite 15 enveloppe motallique. 4. Dispositif selon rune des revendications 1 a 3, lesdites pieces (1A, 1B) otant collees entre elles au moyen d'une colle permettant une deposition de metal. 5. Dispositif selon l'une des revendications 1 a 4, lesdites pieces (1A, 1B) 20 otant alignees entre elles a l'aide d'au moins une goupille s'etendant perpendiculairement a la surface de collage. 6. Dispositif selon l'une des revendications 1 a 5, lesdites pieces (1A, 1B) otant munies de trous de vissage (36, 37) pour le maintien desdites pieces entre elles au moins pendant le collage. 25 7. Dispositif selon l'une des revendications 1 a 6, lesdites pieces (1A, 1B) otant clipsees entre elles. 24 8. Dispositif selon rune des revendications 1 a 7, lesdites pieces (1A, 1B) otant fusionnees entre elles. 9. Dispositif selon l'une des revendications 1 a 8, ladite enveloppe conductrice motallique (4, 5) recouvrant les faces de l'ame de maniere 5 ininterrompue et sans joint entre lesdites pieces. 10. Dispositif selon l'une des revendications 1 a 9, l'opaisseur de ladite couche conductrice motallique (4,5) otant au moins ogale a cinq fois ladite profondeur de peau O. 11. Dispositif selon l'une des revendications 1 a 10, lesdites pieces (1A, 1 B) 10 otant separees les unes des autres dans un plan. 12. Dispositif selon la revendication 11, ledit plan otant perpendiculaire a la direction de propagation du signal. 13. Dispositif selon la revendication 11, ledit plan otant parallele a la direction de propagation du signal. 15 14. Dispositif selon l'une des revendications 1 a 13, comportant une couche de lissage (6, 9) destinoe a lisser au moins partiellement les irregularites de la surface de l'ame (3), l'enveloppe conductrice (4, 5) otant deposee par-dessus la couche de lissage(6, 9). 15. Dispositif selon la revendication 14, ladite couche de lissage (6, 9) 20 entourant ladite ame sans separer lesdites pieces (1A, 1 B) les unes des autres. 16. Dispositif selon la revendication 14, ladite couche de lissage (6, 9) entourant ladite ame (3) en separant lesdites pieces les unes des autres. 17. Dispositif selon l'une des revendications 1 a 16, comportant une couche d'accrochage deposee apres assemblage de l'ame (3) de maniere a la recouvrir 25 de maniere ininterrompue, I'enveloppe conductrice (4, 5) otant deposee pardessus la couche d'accrochage. 18. Procede de fabrication d'un dispositif radiofrequence passif (1), le procede corn prenant: -fabrication additive de plusieurs pieces (1A, 1B), au moins une desdites pieces comportant un logement (30) destine a de la colle ; -insertion de colle dans ledit logement (30) ; -assemblage des pieces (1A, 1B) entre elles, de maniere a constituer une ame (3) du dispositif, au moins deux pieces (1A, 1B) otant en contact direct 10 entre elles ; -deposition sur ('ame (3) d'une couche conductrice (4,5), sans separer lesdites pieces les unes des autres. 19. Procede selon la revendication 18, ladite colle otant inseree uniquement 15 dans le ou lesdits logements (30), sans deboucher sur la surface de ('ame destinoe a la deposition de ladite enveloppe motallique. 20. Procede selon l'une des revendications 18 ou 19, comportant une otape d'insertion d'au moins une goupille (34) dans une des pieces (1A, 1B) avant ledit assemblage, ladite goupille (34) permettant d'aligner les pieces 20 assemblees. 21. Procede selon l'une des revendications 18 a 10, comportant une otape de vissage des pieces (1A, 1B) entre elles lors de ('assemblage, puis de retrait de vis (35) apres sochage de la colle. 22. Procede selon l'une des revendications 18 a 21, comportant une otape 25 de deposition d'une couche de lissage (6, 9) autour de ladite ame. 23. Procede selon la revendication 22, ladite couche de lissage (6, 9) otant deposee avant assemblage et separant ainsi lesdites pieces (1A, 1B) les unes des autres. 26 24. Procede selon la revendication 22, ladite couche de lissage (6, 9) otant deposee apres assemblage et ne separant ainsi pas lesdites pieces (1A, 1B) les unes des autres. 25. Procede selon l'une des revendications 18 a 24, comportant la deposition 5 d'une couche d'accrochage autour de ladite ame (3). 26. Procede selon l'une des revendications 21 a 25, la fabrication de l'ame (3) comportant une otape de pro-durcissement avant assemblage, et une otape de durcissement definitif apres assemblage. 27. Procede selon l'une des revendications 18 a 26, comportant une otape de nettoyage d'une dite piece (1A, 1B) avant assemblage.