Brevet FR3077930A1 — publié le 20190816

DOMAINE TECHNIQUE AUQUEL SE RAPPORTE L'INVENTION La présente invention concerne de manière générale le domaine des dispositifs photovoltaïques (PV) destinés à recevoir un faisceau lumineux et à le convertir en courant électrique. Elle concerne plus particulièrement un dispositif de cellule solaire photovoltaïque (PV) ou un photodétecteur. Elle concerne aussi un procédé de fabrication de dispositif photovoltaïque à jonction électronique à base de silicium cristallin ou de panneau photovoltaïque comprenant plusieurs dispositifs photovoltaïques reliés électriquement entre eux. ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE Lors des quatre dernières décennies, on a cherché constamment à améliorer l'efficacité des cellules solaires tout en réduisant les coûts de production industrielle. A cet effet, différents matériaux semiconducteurs sont évalués et différentes architectures de cellules solaires ont été développées. De nombreuses cellules solaires sont basées sur une mono-jonction électronique. Par convention, la face avant d'un dispositif photovoltaïque est destinée à être exposée directement à la lumière incidente et la face arrière est opposée à la face avant. Les cellules solaires à base de substrat de silicium cristallin ont un faible coefficient d'absorption dans l'infrarouge. Dans le présent document, on entend par rayonnement infrarouge un rayonnement lumineux ayant une longueur d'onde comprise entre environ 900 nm et 1200 nm dans le vide. On cherche à augmenter le piégeage et l'absorption de rayonnement infrarouge dans une cellule solaire à base de silicium cristallin tout en réduisant l'épaisseur de silicium, afin de réduire les coûts de fabrication. Dans le but d'augmenter l'efficacité d'une cellule solaire sur substrat de silicium cristallin, tout en réduisant l'épaisseur de silicium, on a proposé une architecture dite à émetteur passive contact arrière ou PERC (pour Passivated Emitter Rear Contact). Une cellule PERC comporte une couche supplémentaire disposée en face arrière. Cette couche diélectrique de passivation réfléchit une partie de la lumière non absorbée lors d'un premier passage à travers la cellule solaire. Toutefois, dans le cas d'une cellule monofaciale, une couche métallique réfléchissante recouvre généralement la face arrière et contribue aussi à réfléchir 2 une partie de la lumière non absorbée. Quelle que soit l'épaisseur de l'absorbeur en silicium cristallin une partie de la lumière est réfléchie en face arrière. La quantité de lumière réfléchie dépend de l'épaisseur de silicium cristallin et de la longueur d'onde. Pour une cellule de 200 pm d'épaisseur, la réflexion en face 5 arrière devient importante pour des longueurs d'ondes supérieures à 1 pm. Pour une cellule de 100 pm d'épaisseur, la réflexion en face arrière devient importante pour des longueurs d'ondes supérieures à 950nm. Dans la catégorie des cellules PERC, on trouve différentes variantes telles que PERL, PERT ou PERF. Une cellule PERT (passivated emitter with rear 10 totally diffused, en terminologie anglo-saxone) comporte, en face arrière, une couche entièrement diffusée en contact électrique avec une couche métallique. Une cellule PERL (passivated emitter with rear locally diffused, en terminologie anglo-saxone) comporte, en face avant, une couche émetteur passive et, en face arrière, des zones de diffusion limitées aux contacts métalliques. Une cellule 15 PERF (Passivated Emitter, Rear Floating-junction, en terminologie anglo-saxone) comporte une couche émetteur passive en face avant et en face arrière une junction p-n flottante. De manière générale, on cherche à augmenter l'absorption de rayonnement infrarouge dans un dispositif PERC monofacial, c'est à dire destiné à 20 être exposé à un rayonnement uniquement en face avant, ou dans un dispositif PERC bifacial, destiné à être exposé à un rayonnement en face avant et en face arrière. En particulier, dans un dispositif PERC monofacial comprenant une couche métallique réfléchissante sur la face arrière du dispositif, on cherche à 25 réduire l'absorption parasite de rayonnement infrarouge dans la couche métallique ou l'absorption des plasmon-polaritons de surface à l'interface entre la couche métallique et le substrat de silicium. Une première approche pour augmenter l'absorption de rayonnement infrarouge dans une cellule solaire de type PERC consiste à déposer par 30 évaporation thermique une couche de fluorure de magnésium (MgF2) ayant une épaisseur comprise entre 200 nm et 500 nm. Une couche de passivation est formée entre le substrat et une couche de fluorure de magnésium. La couche de fluorure de magnésium est déposée entre le substrat passive et une couche métallique en face arrière pour réfléchir le rayonnement infrarouge dans le 3 substrat. Cette couche de fluorure de magnésium permet d'augmenter la réflexion à l'interface entre la couche de passivation et la couche de fluorure de magnésium et ainsi d'augmenter l'absorption de rayonnement infrarouge dans la cellule et par conséquent le gain de la cellule. Toutefois, cette approche reste difficile à 5 industrialiser. La figure 1 illustre une autre approche basée sur le dépôt d'une couche de nitrure de silicium (SiNx) ayant une épaisseur comprise entre 70 nm et 200 nm. La couche de nitrure de silicium 3 est disposée entre le substrat de silicium cristallin 1 et la couche métallique 2 en face arrière 12 d'une cellule solaire. Le 10 substrat de silicium a un indice de réfraction compris entre 3.5 et 3.6 dans une gamme de longueur d'onde supérieure à 900 nm, tandis que la couche de nitrure de silicium 3 a un indice de réfraction égal à environ 1.9 dans cette gamme. La couche de nitrure de silicium 3 permet de réfléchir un faisceau lumineux 100 non absorbé et qui se propage vers l'interface avec la couche métallique. Ainsi, les 15 faisceaux lumineux 110, respectivement 120, réfléchis à l'interface entre le substrat de silicium cristallin 1 et la couche de nitrure de silicium 3, respectivement la couche métallique 2, sont renvoyés vers le substrat 1. De plus, la couche de nitrure de silicium 3 permet de limiter l'absorption parasite d'ondes évanescentes 300 dans la couche métallique 2 formant le contact arrière. Cependant, l'utilisation 20 d'une couche épaisse de nitrure de silicium est incompatible avec la passivation d'une surface dopée p ou p+. D'autre part, dans le but d'augmenter l'efficacité des cellules solaires, des dispositifs multi-jonction sont proposés, dans lesquels plusieurs jonctions électroniques sont superposées dans un même dispositif. Chaque jonction 25 électronique d'un dispositif multi-jonction est adaptée pour absorber et convertir une partie du spectre du rayonnement incident. Un cas particulier de cellule à hétérojonction est celui d'une cellule tandem qui comporte deux jonctions électroniques, une première jonction électronique étant disposée en face avant et une seconde jonction électronique étant disposée en face arrière de la cellule 30 tandem. Récemment, on a développé une cellule solaire à hétérojonction de type HiT (heterojunction with intrinsic thin-layer) à contacts arrière interdigités (HiTIBC). Une cellule solaire HiT comporte au moins une couche mince de silicium amorphe hydrogéné intrinsèque ((i) a-Si:H) d'environ 5 nm d'épaisseur déposée 4 sur la face avant. Une telle couche mince de silicium amorphe hydrogéné intrinsèque permet de passiver la face avant de la cellule HiT à bas coût. Les cellules solaires de type HiT ont permis d'accroitre notablement l'efficacité de conversion. Une possibilité pour améliorer encore l'absorption d'une cellule solaire 5 de type HiT dans l'infrarouge est de déposer en face arrière une couche d'oxyde d'indium et d'étain (ITO pour indium tin oxide) ayant une épaisseur d'au moins 150 nm. Toutefois, un compromis doit être trouvé entre l'absorption parasite de rayonnement IR dans la couche d'ITO due aux porteurs libres et la conduction électrique de l'ITO pour réduire les pertes de résistance en série. De plus, cette 10 approche ne semble pas pérenne du fait du coût de l'ITO et des incertitudes sur l'approvisionnement en indium. Un des buts de l'invention est de proposer une méthode de fabrication et un dispositif photovoltaïque, de type émetteur passive contact arrière, présentant une absorption élevée dans le domaine de longueur d'onde compris entre 900 nm 15 et 1200 nm, en particulier pour une cellule solaire sur plaque de silicium cristallin de faible épaisseur et/ou dans un dispositif de type cellule tandem. OBJET DE L'INVENTION Afin de remédier aux inconvénients précités de l'état de la technique, la présente invention propose un dispositif photovoltaïque ou photodétecteur de type 20 émetteur passive contact arrière, le dispositif comprenant un substrat de silicium cristallin, et le dispositif ayant une face avant destinée à être exposée à un faisceau lumineux et une face arrière. Plus particulièrement, on propose selon l'invention un dispositif photovoltaïque ou photodétecteur de type émetteur passive contact arrière dans 25 lequel la face arrière du dispositif comporte une couche poreuse de silicium, la couche poreuse de silicium ayant une surface texturée, la surface texturée comprenant des pores de dimensions comprises entre environ 20 nm et 1000 nm, lesdits pores formant des ouvertures orientées vers la face arrière du dispositif, et le dispositif comportant en outre une couche mince de passivation conforme à au 30 moins une partie de la surface texturée, et au moins une électrode métallique formée sur la face arrière du dispositif, l'électrode métallique étant adaptée pour former un contact électrique via une ouverture de contact en face arrière du dispositif. L'ouverture de contact est dépourvue de couche poreuse et de couche 5 mince de passivation afin d'obtenir un contact électrique ayant une résistance de contact la plus faible possible. Le dispositif de l'invention permet d'augmenter l'absorption de rayonnement infrarouge dans le dispositif photovoltaïque ou photodétecteur de 5 type émetteur passive contact arrière. De plus, l'invention permet également de réduire l'absorption de plasmon-polaritons de surface à l'interface entre l'électrode métallique en face arrière et le substrat de silicium. L'ajout de cette couche poreuse de silicium n'entraîne pas un surcoût prohibitif du dispositif. Cette nouvelle architecture permet d'augmenter l'absorption dans 10 l'infrarouge d'où une augmentation du courant de court-circuit, autrement dit, un gain en Jsc (qui additionne le courant issu de l'absorption à toutes les longueurs d'onde), tout en réduisant l'absorption parasite de plasmon-polaritons de surface à l'interface avec l'électrode métallique en face arrière du dispositif. D'autres caractéristiques non limitatives et avantageuses du dispositif 15 conforme à l'invention, prises individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles, sont les suivantes : - les pores ont une profondeur (h) comprise entre 100 nm et 1000 nm, les ouvertures des pores ont une dimension (L2) comprise entre 20 nm et 1000 nm et une distance (L1) entre pores adjacents est 20 comprise entre 20 nm et 1000 nm ; - la couche poreuse de silicium présente une porosité comprise entre 25% et 75%; - la couche poreuse de silicium a une épaisseur moyenne comprise entre 100 nanomètres et 2 micromètres ; 25 - la couche poreuse de silicium a un indice de réfraction équivalent d'environ 1,4. Selon un mode de réalisation particulier et avantageux, la surface texturée de la couche poreuse de silicium présente une structure périodique ayant une première période spatiale dans une gamme comprise entre 20 nm et 500 nm. 30 Selon un mode de réalisation particulier la surface texturée de la couche poreuse de silicium forme une structure doublement périodique comprenant une deuxième période spatiale dans une gamme comprise entre 900 nm et 1.5 pm, la couche poreuse de silicium formant une structure à cristal photonique. Selon un aspect particulier et avantageux, la face arrière du dispositif 6 comporte en outre des micro-pyramides, la couche poreuse de silicium étant formée en surface d'au moins une facette des micro-pyramides. Dans le cas d'un dispositif monofacial, l'électrode métallique comporte avantageusement une couche métallique réfléchissante recouvrant la face arrière 5 du dispositif. De façon avantageuse, le dispositif est multi-jonction et la couche poreuse de silicium est disposée en face arrière du dispositif multi-jonction. Selon un mode de réalisation particulier, le dispositif multi-jonction forme une cellule tandem. 10 Dans un mode de réalisation particulier, la face avant du dispositif comporte une autre couche poreuse de silicium, l'autre couche poreuse de silicium ayant une autre surface texturée, l'autre surface texturée formant d'autres pores de dimensions comprises entre environ 20 nm et 2000 nm, lesdits autres pores formant d'autres ouvertures orientées vers la face avant du dispositif. 15 L'invention propose également un panneau photovoltaïque comprenant une pluralité de dispositifs photovoltaïques selon l'un des modes de réalisation décrits, reliés électriquement entre eux. L'invention propose également un procédé de fabrication d'un dispositif photovoltaïque ou photodétecteur de type émetteur passive contact arrière ou d'un 20 panneau photovoltaïque comprenant une pluralité de dispositifs photovoltaïques de type émetteur passive contact arrière reliés électriquement entre eux, le procédé comprenant les étapes suivantes : - texturation de la face arrière d'un substrat de silicium cristallin de manière à former une couche poreuse de silicium, la couche 25 poreuse de silicium ayant une surface texturée, la surface texturée comprenant des pores de dimensions comprises entre environ 20 nm et 1000 nm, lesdits pores formant des ouvertures orientées vers la face arrière du dispositif ; - formation d'au moins une couche mince de passivation conforme 30 à la surface texturée, et - formation d'au moins une électrode métallique sur la face arrière du dispositif, l'électrode métallique étant adaptée pour former un contact électrique via une ouverture de contact en face arrière du dispositif. 7 L'étape de texturation de la face arrière est de faible coût et ne requiert pas l'utilisation de matériaux coûteux supplémentaires. Selon un aspect particulier, l'étape de texturation comporte une étape de gravure anisotrope de la face arrière du substrat de silicium, l'étape de gravure 5 anisotrope étant de type gravure par ions réactifs éventuellement dans un réacteur plasma à couplage inductif, gravure chimique assistée par métal, gravure électrochimique ou gravure laser. Selon un mode de réalisation particulier et avantageux, l'étape de texturation comporte une étape supplémentaire de masquage avant l'étape de 10 gravure, l'étape de masquage étant adaptée pour former un masque sur la face arrière du substrat de silicium, le masque comportant un motif périodique ayant au moins une première période spatiale dans une gamme comprise entre 20 nm et 500 nm. En option, le motif périodique du masque comporte une deuxième période spatiale dans une gamme comprise entre 900 nm et 1,5 pm, de manière à 15 former une structure à cristal photonique dans la couche poreuse. Selon un aspect particulier, le procédé comporte en outre, avant l'étape de texturation, une étape supplémentaire de suppression de défauts de sciage du substrat de silicium cristallin, de polissage de la face arrière du substrat de silicium cristallin et/ou de formation de micro-pyramides sur la face arrière du substrat de 20 silicium. Selon un autre aspect particulier, l'étape de formation d'au moins une électrode métallique comporte une étape de dépôt de l'électrode métallique par impression, par sérigraphie, par dépôt physique en phase vapeur ou par électrodéposition. 25 Selon encore un autre aspect particulier et avantageux, le procédé comprend en outre une étape de texturation de la face avant du substrat de manière à former une couche de silicium noir ou une autre couche poreuse de silicium en face avant du dispositif, l'autre couche poreuse de silicium ayant une autre surface texturée, l'autre surface texturée comprenant d'autres pores de 30 dimensions comprises entre environ 20 nm et 2000 nm, lesdits autres pores formant d'autres ouvertures orientées vers la face avant du dispositif. DESCRIPTION DETAILLEE D'UN EXEMPLE DE REALISATION La description qui va suivre en regard des dessins annexés, donnés à titre d'exemples non limitatifs, fera bien comprendre en quoi consiste l'invention et 8 comment elle peut être réalisée. Sur les dessins annexés : - la figure 1 illustre schématiquement l'effet d'une couche diélectrique entre le substrat de silicium et une couche métallique sur la face arrière d'un 5 dispositif photovoltaïque ou photodétecteur de type émetteur passive contact arrière selon l'art antérieur ; - les figures 2 à 5 représentent schématiquement une vue en coupe de la face arrière de différentes variantes de cellules PERC selon un premier mode de réalisation comprenant un substrat absorbeur, une couche poreuse de silicium 10 texturé et une électrode métallique en face arrière ; - les figures 6 à 9 représentent schématiquement une vue en coupe de la face arrière de différentes variantes de cellules PERC comprenant une couche poreuse de silicium texturé selon un deuxième mode de réalisation, la couche poreuse de silicium texturée étant formée sur des micro-pyramides ; 15 - les figures 10 à 13 représentent schématiquement une vue en coupe de la face arrière de différentes variantes de cellules PERC comprenant une couche poreuse de silicium texturée selon un troisième mode de réalisation, la couche poreuse de silicium texturée formant une structure à cristal photonique ; - la figure 14 représente schématiquement une vue détaillée de la 20 couche poreuse de silicium texturée à structure à cristal photonique des figures 10 à 13; - la figure 15 illustre schématiquement une méthode de formation d'une couche poreuse de silicium texturée par gravure plasma ; - la figure 16 illustre schématiquement une autre méthode de formation 25 d'une couche poreuse de silicium texturée par gravure chimique assistée par métal (Metal Assisted Chemical Etching ou MACE) ; - la figure 17 illustre schématiquement une autre méthode de formation d'une couche poreuse de silicium texturée par un procédé électrochimique ; - la figure 18 illustre schématiquement une autre méthode de formation 30 d'une couche poreuse de silicium texturée par faisceau laser femtoseconde (fs). Dispositif La présente divulgation propose une nouvelle architecture de cellule solaire ayant une face arrière texturée pour former une couche poreuse de silicium. Cette architecture s'applique à une cellule solaire mono-jonction. Cette 9 architecture s'applique aussi à une jonction électronique disposée en face arrière d'une cellule solaire multi-jonction, notamment dans une cellule tandem. Sur les figures 2 à 13, on a représenté schématiquement la face arrière d'un dispositif photovoltaïque ou photodétecteur de type émetteur passive contact 5 arrière selon différents modes de réalisation. La face avant du dispositif n'est pas représentée sur les figures 2-13. Plus précisément, les figures 2, 4, 6, 8, 10 et 12 représentent la face arrière d'une cellule de type PERC, PERL ou PERF comprenant une couche poreuse de silicium. Les figures 3, 5, 7, 9, 11 et 13 représentent la face arrière 10 d'une cellule de type PERT comprenant une couche poreuse de silicium. Dans le présent document, on entend par silicium cristallin du silicium monocristallin (c-Si) ou multi-cristallin (mc-Si). Le substrat 1 est généralement dopé, entre 1-2 ohm.cm pour une cellule PERC et entre 2-10 Ohm.cm pour une cellule de type PERT. 15 La face arrière du substrat 1 de silicium est supposée initialement plane et s'étend dans un plan XY d'un repère orthonormé (XYZ). Dans le premier mode de réalisation, la face arrière du substrat 1 de silicium cristallin est de préférence préalablement gravée pour enlever les défauts de sciage et/ou polie. 20 Sur la figure 2, on a représenté schématiquement une vue en coupe de la face arrière d'un substrat 1 de silicium cristallin d'une cellule PERC, PERL ou PERF selon un premier mode de réalisation. Sur la figure 2, la face arrière d'une cellule PERC, PERL ou PERF comporte une couche métallique 2. La couche métallique 2 face arrière est par exemple en argent, aluminium, nickel, cuivre ou 25 un alliage nickel-silicium. La couche métallique 2 est par exemple formée par sérigraphie, dépôt physique en phase vapeur (PVD ou Physical Vapor Deposition), électro-déposition ou pulvérisation. Selon la technique de dépôt, l'épaisseur de la couche métallique 2 est généralement comprise respectivement entre 10 pm et 50 pm en sérigraphie, entre 1 pm et 10 pm en PVD ou en électro- 30 déposition. De préférence, la couche métallique est formée par pulvérisation d'un alliage d'aluminium et de silicium (avec 1% ou 2% de silicium) du fait du faible coût de l'aluminium (AI) comparé à celui de l'argent (Ag). La pulvérisation permet d'obtenir un meilleur coefficient de réflexion que la sérigraphie. Cependant, l'aluminium présente un plus fort coefficient d'absorption que l'argent, notamment 10 dans l'infrarouge. La couche métallique 2 face arrière forme une électrode qui permet d'extraire les charges électriques générées dans la cellule photovoltaïque, généralement en combinaison avec d'autres électrodes en face avant de la cellule. De façon avantageuse, dans le cas d'une cellule monofaciale, la couche 5 métallique 2 recouvre la face arrière 12 du dispositif. La couche métallique 2 forme aussi une couche réfléchissante qui contribue à renvoyer une partie du rayonnement lumineux non absorbé en direction du substrat absorbeur. Dans le cas d'une cellule de type PERC (illustrée en figure 2), le substrat 1 est en contact avec la couche métallique 2 via une ou plusieurs ouvertures de 10 contact 23, 24. Dans le cas d'une cellule de type PERL ou PERF (aussi illustrée en figure 2), la cellule comporte en outre des zones 6 dopées localement en contact avec la couche métallique 2 via les ouvertures de contact 23, 24. Par exemple, dans le cas d'un substrat 1 de silicium dopé n, les zones 6 sont en silicium dopé p ou p+ formées par diffusion locale dans le substrat. Les zones 6 15 dopées localement forment des émetteurs locaux face arrière de la cellule PERL ou PERF. Selon la présente divulgation, la face arrière du substrat 1 de silicium cristallin comporte une couche poreuse 4 de silicium. Plus précisément, la face arrière du substrat 1 est nano-texturée en dehors des ouvertures de contact 23, 20 24. Toutefois, les ouvertures de contact 23, 24 de la face arrière sont formés sur une portion de surface du substrat qui ne comporte pas de couche poreuse nanotexturée ni de couche de passivation (par exemple une portion de surface de silicium plane et/ou polie ou encore comprenant des micro-pyramides). Plus précisément, la couche poreuse 4 de silicium présente une surface 25 nano-texturée, la surface nano-texturée comprenant des pores de dimensions comprises entre environ 20 nm et 1000 nm. Les pores ont des ouvertures orientées vers la face arrière 12 du dispositif. Les pores ont une profondeur (h) comprise entre 100 nm et 1000 nm, les ouvertures des pores ont une dimension transverse (L2) comprise entre 20 nm et 1000 nm et la distance (L1) entre pores 30 adjacents est comprise entre 20 nm et 1000 nm. La couche poreuse 4 de silicium a une épaisseur moyenne comprise entre 100 nanomètres et 2 micromètres et de préférence entre 100 nm et 200 nm. La couche poreuse 4 de silicium a une porosité spatialement homogène. On entend ici par épaisseur moyenne, l'épaisseur de la couche poreuse moyennée sur sa surface. La valeur de cette 11 porosité est comprise dans un domaine entre 25% et 75%. Dans certains cas, la couche poreuse 4 de silicium inclue des nano-bulles d'air. La couche poreuse 4 a un indice de réfraction équivalent d'environ 1,4 ± 0,2 dans l'infrarouge. De plus, une couche mince de passivation 5 est déposée ou formée par 5 croissance de manière conforme à au moins une partie de la surface nanotexturée de la couche poreuse 4. De préférence, la couche mince de passivation 5 recouvre la couche poreuse 4 sur la face arrière de la cellule tout en laissant ouvertes, autrement dit sans refermer, les ouvertures des pores en face arrière de la cellule. L'empilement constitué par la couche poreuse 4 et la couche mince de 10 passivation 5 forme ainsi une couche poreuse passivée. La couche mince de passivation 5 comporte une couche mince de silicium amorphe (a-Si), de nitrure de silicium (SiNx), d'alumine (A1203), d'oxyde de silicium (5i02) ou d'un oxyde d'un autre métal de transition. De façon optionnelle, la couche mince de passivation 5 est constituée d'un empilement d'au moins deux 15 couches minces indiquées ci-dessus. La couche mince de passivation 5 a une épaisseur totale comprise entre 50 nm et 200 nm. La couche mince de passivation 5 peut être déposée par l'une ou l'autre des méthodes classiques de dépôt et/ou de croissance de couche minces telles que par exemple : le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD 20 pour Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) ou par dépôt de couche atomique (ALD pour Atomic Layer Deposition). De façon avantageuse, la couche mince de passivation 5 est formée sur toute la face arrière de la cellule. Des ouvertures de contact 23, 24 sont ensuite réalisées localement à travers la couche mince de passivation 5 pour permettre un 25 meilleur contact électrique entre, d'une part, la couche métallique 2 et, d'autre part, le substrat 1, ou respectivement les zones 6 dopées localement et favoriser ainsi une meilleure extraction des porteurs de charge. On définit une fraction de contact comme étant le rapport entre la surface ouverte avec contact de métallisation sur la surface non ouverte. Ces ouvertures de contact 23, 24 locales 30 correspondent à une fraction de contact comprise entre 1% et 10 %. Les ouvertures de contact 23, 24 locales dans la couche mince de passivation 5 sont par exemple effectuées par laser, par gravure sèche ou par gravure en pâte. De façon optionnelle, on forme un alliage nickel-silicium (Ni-Si) ou aluminium-silicium (Al-Si) à l'interface entre le substrat 1 de silicium et la couche métallique 2. Ces 12 ouvertures de contact 23, 24 locales ont une dimension suivant la direction X et/ou Y comprise généralement entre 500 microns et 2 mm. Ainsi, la couche poreuse passivée recouvre la face arrière du substrat 1 de silicium en dehors des ouvertures de contact 23, 24. 5 Sur la figure 2, la couche métallique 2 est en contact électrique avec le substrat 1 de silicium au travers des ouvertures de contact 23, 24. D'autre part, la couche métallique 2 est en contact avec la couche poreuse passivée en dehors des ouvertures de contact 23, 24. Ainsi, la couche métallique 2 vient refermer les ouvertures des pores orientées vers la face arrière. Selon la technique utilisée 10 pour former la couche métallique 2, le matériau de la couche métallique 2 peut ou non remplir les pores de la couche poreuse passivée dont les ouvertures sont orientées vers la face arrière. De façon avantageuse, la couche métallique 2 ne rentre pas dans les pores de la couche poreuse passivée, qui restent vides ou remplis de gaz, par exemple d'air. 15 Sur la figure 3, on a représenté la face arrière d'une cellule de type PERT à base d'un substrat 1 de silicium cristallin et d'une couche métallique 2 selon le premier mode de réalisation. Les mêmes signes de référence désignent les mêmes éléments que sur la figure 2. La cellule PERT comporte en outre une couche 7 de silicium dopé formée par diffusion en face arrière du substrat 1 de 20 silicium cristallin. Par exemple, dans le cas d'une cellule n-PERT, le substrat 1 de silicium est dopé n et la couche 7 est en silicium dopé p ou p+ par diffusion sur toute la face arrière. La couche 7 forme un émetteur face arrière de la jonction électronique de la cellule n-PERT. La face arrière de la couche 7 de silicium dopée est nano-texturée en dehors des ouvertures de contact 23, 24. Plus 25 précisément, la face arrière de la couche 7 comporte une couche poreuse 4 de silicium. Dans ce cas, la couche poreuse 4 de silicium comporte le même dopant que la couche 7. Ainsi, dans le cas d'une cellule n-PERT, la couche poreuse 4 de silicium est dopée p. La couche poreuse 4 de silicium de la cellule illustrée en figure 3 présente par ailleurs les mêmes caractéristiques et propriétés que la 30 couche 4 de silicium de la cellule illustrée en figure 2, et peut être fabriquée suivant les mêmes techniques. De manière analogue à l'exemple illustré en figure 2, le dispositif de la figure 3 comporte une couche mince de passivation 5 déposée ou formée par croissance de manière conforme à au moins une partie de la surface nano- 13 texturée de la couche poreuse 4 de silicium. La couche mince de passivation 5 a une épaisseur totale comprise entre 5 nm et 100 nm. De préférence, la couche mince de passivation 5 recouvre la couche poreuse 4 sur la face arrière de la cellule tout en laissant ouvertes les ouvertures des pores en face arrière de la 5 cellule. De plus, la couche mince de passivation 5 de la cellule PERT comporte des ouvertures de contact 23, 24 pour permettre un contact électrique direct entre la couche métallique 2 et la couche 7 dopée et entièrement diffusée. Une cellule à émetteur passive contact arrière ayant une face arrière recouverte d'une couche métallique 2 réfléchissante, comme illustrée sur les 10 figures 2 et 3, trouve des applications en particulier dans des dispositifs photovoltaïques ou photodétecteurs utilisés en monofacial. Les figures 4 et 5 illustrent des variantes du premier mode de réalisation, dans lesquelles l'électrode métallique en face arrière ne recouvre pas toute la face arrière mais comporte des contacts métalliques 21, 22 localisés et limités 15 spatialement aux ouvertures de contact 23, 24. Ainsi, les contacts métalliques 21, 22 localisés sont en contact électrique avec le substrat au travers des ouvertures de contact 23, 24. Par ailleurs, les mêmes signes de référence désignent les mêmes éléments que sur les figures 2 et 3. Une cellule à émetteur passive contact arrière ayant une face arrière 20 comportant des contacts métalliques localisés, comme illustrée sur les figures 4 et 5, trouve des applications en particulier dans des dispositifs photovoltaïques ou photodétecteurs utilisés en bifacial. Sur la figure 4, la face arrière d'une cellule PERC, PERL ou PERF comporte des contacts métalliques 21, 22 localisés formant une ou plusieurs 25 électrodes en face arrière. De manière analogue au dispositif décrit en lien avec la figure 2, un dispositif PERC en lien avec la figure 4 comporte une couche poreuse 4 de silicium sur la face arrière du substrat 1 de silicium cristallin en dehors des ouvertures de contact 23, 24. La couche poreuse 4 de silicium présente une surface nano-texturée comprenant des pores ayant des ouvertures orientées vers 30 la face arrière 12 du dispositif. De manière analogue, une couche mince de passivation 5 est déposée ou formée par croissance de manière conforme à au moins une partie de la surface nano-texturée de la couche poreuse 4. L'empilement constitué par la couche poreuse 4 et la couche mince de passivation 5 forme ainsi une couche poreuse passivée en dehors des ouvertures de contact 14 23, 24. Sur la figure 5, on a représenté la face arrière d'une cellule de type PERT à base d'un substrat 1 de silicium cristallin, d'une couche 7 formant un émetteur face arrière et de contacts métalliques 21, 22 localisés formant une ou 5 plusieurs électrodes en face arrière selon une autre variante du premier mode de réalisation. De manière analogue au dispositif décrit en lien avec la figure 3, un dispositif PERC en lien avec la figure 5 comporte une couche poreuse 4 de silicium sur la face arrière de la couche 7 formant l'émetteur face arrière. Comme décrit plus haut, la couche poreuse 4 est limitée spatialement en dehors des 10 ouvertures de contact 23, 24. De manière analogue au dispositif décrit en lien avec la figure 4, une couche mince de passivation 5 conforme à au moins une partie de la surface nano-texturée de la couche poreuse 4 permet d'obtenir une couche poreuse passivée en dehors des ouvertures de contact 23, 24. Sur les figures 4 et 5, les contacts métalliques 21, 22 localisés sont 15 constitués des mêmes matériaux que ceux utilisés dans la fabrication de la couche métallique 2 décrite en lien avec les figures 2 et 3, en utilisant des techniques classiques de dépôt et/ou de gravure appliquées localement. A la différence des dispositifs décrits en lien avec les figures 2 et 3, dans le cas de contacts métalliques 21, 22 localisés aux ouvertures de contact 23, 24, 20 comme illustré sur les figures 4 et 5, la couche poreuse passivée n'est pas recouverte par une couche métallique mais reste en contact avec l'air ambiant. Ainsi, dans le premier mode de réalisation, illustré en figure 2 à 5, le rayonnement transmis à travers la cellule incident sur l'empilement formé par la couche poreuse 4 de silicium et la couche mince de passivation 5 est réfléchi vers 25 le substrat 1 de silicium pour y être absorbé. L'indice de réfraction équivalent de 1,4 de la couche poreuse 4 permet de réduire l'absorption parasite par la ou les électrodes métalliques en face arrière, notamment dans l'infrarouge. La couche poreuse 4 de silicium permet d'augmenter la réflexion interne vers le substrat 1. Dans le cas d'une cellule comportant une couche métallique 2 recouvrant la face 30 arrière, cette couche métallique 2 permet d'augmenter encore plus la réflexion de lumière vers le substrat absorbeur. De plus, la couche poreuse passivée permet de réduire l'absorption parasite dans la couche métallique 2 notamment dans l'infrarouge. Le premier mode de réalisation permet d'augmenter la réflexion dans l'infrarouge, et, par conséquent, d'augmenter le courant de court-circuit (ou gain 15 en Jsc). De plus, la couche poreuse 4 de silicium permet de limiter les ondes évanescentes excitant des plasmon-polaritons de surface dans la ou les électrodes métalliques en face arrière. La couche poreuse 4 de silicium permet ainsi d'améliorer le piégeage de la lumière, notamment infrarouge, dans le 5 dispositif photovoltaïque. Ces améliorations sont particulièrement importantes dans une cellule tandem ou dans une cellule PV ayant un substrat de faible épaisseur. Les figures 6 à 9 illustrent un deuxième mode de réalisation, dans lequel le dispositif photovoltaïque ou photodétecteur de type émetteur passive contact 10 arrière, comporte en outre des micro-pyramides 8 en face arrière entre le substrat 1 et la couche poreuse 4 de silicium. Les figures 6 et 7 représentent la face arrière de dispositifs PERC dans lesquels l'électrode métallique face arrière comporte une couche métallique 2 recouvrant entièrement la face arrière, notamment pour une utilisation en 15 monofacial. Les figures 8 et 9 représentent la face arrière de dispositifs PERC dans lesquels l'électrode métallique face arrière comporte des contacts métalliques 21, 22 localisés et limités aux ouvertures de contact 23, 24, notamment pour une utilisation en bifacial. Dans le cas d'une cellule de type PERC, PERL ou PERF 20 illustrée sur la figure 6 ou 8, la face arrière du substrat 1 de silicium cristallin est préalablement texturée pour présenter des micro-pyramides 8 sur toute sa surface. Les micro-pyramides 8 ont en général des dimensions comprises entre 1 à 10 pm. Ainsi, dans le cas d'une cellule de type PERC, les ouvertures de contacts 23, 24 à l'interface entre les contacts métalliques 21, 22 et le substrat 1 25 de silicium cristallin sont texturées par des micro-pyramides 8. Dans le cas d'une cellule de type PERL ou PERF, les ouvertures de contact 23, 24 à l'interface entre les contacts métalliques 21, 22 et les zones 6 dopées localement sont texturées par des micro-pyramides 8. Dans le cas d'une cellule de type PERT illustrée sur la figure 7 ou 9, la 30 face arrière de la couche 7 dopée entièrement diffusée est préalablement texturée pour présenter des micro-pyramides 8 sur toute sa surface. Ainsi, les interfaces entre les contacts métalliques 21, 22 et la couche 7 dopée sont texturées par des micro-pyramides 8. Dans le deuxième mode de réalisation, illustré en figures 6 à 9, la face arrière est doublement texturée en dehors des ouvertures de contact 23, 16 24. Plus précisément, la face arrière comporte ici une couche poreuse 4 de silicium en surface des facettes des micro-pyramides 8. Ainsi, la face arrière comporte des micro-pyramides à facettes nanotexturées 9. Autrement dit, la couche poreuse 4 est doublement texturée par les micro-pyramides et par les 5 pores. La couche poreuse 4 de silicium de la cellule illustrée en figure 6, 7, 8 ou 9 présente par ailleurs, localement sur chaque facette de micro-pyramide, les mêmes caractéristiques et propriétés que la couche 4 de silicium de la cellule illustrée en figure 2 et peut être fabriquée suivant les mêmes techniques. De manière analogue au premier mode de réalisation, une couche mince de 10 passivation 5 est déposée ou formée par croissance de manière conforme à au moins une partie de la surface doublement texturée de la couche poreuse 4 de silicium. De préférence, la couche mince de passivation 5 recouvre la couche poreuse 4 sur la face arrière de la cellule tout en laissant ouvertes les ouvertures des pores en face arrière de la cellule. La couche mince de passivation 5 15 comporte aussi des ouvertures de contact 23, 24 pour permettre un contact électrique direct entre, d'une part, l'électrode métallique face arrière et, d'autre part, le substrat 1 pour une cellule PERC, respectivement les zones dopées 6 localement diffusées pour une cellule PERL ou PERF, ou la couche dopée entièrement diffusée 7 pour une cellule PERT. 20 Dans un dispositif photovoltaïque ou photodétecteur de type émetteur passive contact arrière décrit en lien avec la figure 6 ou 7, la couche métallique 2 recouvre non seulement les ouvertures de contact 23, 24 mais aussi la couche poreuse passivée et doublement texturée. Ainsi, la couche poreuse passivée et doublement texturée combinée à la couche métallique 2 réfléchissante contribuent 25 à l'accroissement de la réflexion de lumière non absorbée vers le substrat absorbeur. De plus, la couche poreuse passivée doublement texturée réduit les pertes par couplage de plasmons-polaritons dans la couche métallique 2. Dans un dispositif photovoltaïque ou photodétecteur de type émetteur passive contact arrière décrit en lien avec la figure 8 ou 9, l'électrode métallique 30 face arrière comporte des contacts métalliques 21, 22 qui sont généralement limités aux ouvertures de contact 23, 24. Dans ces variantes du deuxième mode de réalisation, la couche poreuse passivée et doublement texturée est en contact avec l'air ambiant en face arrière. L'indice de réfraction équivalent de la couche poreuse 4 étant d'environ 1,4 ± 0.2 dans l'infrarouge, la couche poreuse passivée 17 et doublement texturée permet néanmoins d'augmenter la réflexion de lumière non absorbée vers le substrat absorbeur. Dans le deuxième mode de réalisation, illustré sur les figures 6, 7, 8 et 9, la combinaison des micro-pyramides 8, de la couche poreuse 4 et de la couche de 5 passivation 5 en face arrière du dispositif permet d'augmenter encore la réflexion interne vers le substrat 1, notamment dans l'infrarouge. Dans le cas d'une structure comportant une électrode métallique recouvrant la couche poreuse passivée et doublement texturée en face arrière, cette structure permet en outre de réduire l'absorption parasite dans la couche métallique 2, tout en limitant les 10 ondes évanescentes susceptibles de générer des plasmon-polaritons de surface dans la couche métallique 2. L'augmentation de réflexion de lumière non absorbée vers le substrat 1 et la réduction de l'absorption parasite dans la couche métallique contribuent à un gain en courant de court-circuit (Jsc). Les figures 10 à 13 illustrent un troisième mode de réalisation, dans 15 lequel le dispositif photovoltaïque ou photodétecteur de type émetteur passive contact arrière, comporte une couche poreuse 4 ayant une structure de cristal photonique et une couche de passivation 5. Les figures 10 et 11 représentent la face arrière de dispositifs PERC dans lesquels l'électrode métallique face arrière comporte une couche métallique 20 2 recouvrant entièrement la face arrière, notamment pour une utilisation en monofacial. Sur la figure 10, on a représenté la face arrière d'un dispositif de type PERC dans lequel la couche métallique 2 est en contact avec le substrat 1 de silicium au travers des ouvertures de contact 23, 24. 25 Sur la figure 11, on a représenté la face arrière d'un dispositif de type PERT dans lequel la couche métallique 2 est en contact via au les ouvertures de contact 23, 24 avec la couche 7 de silicium dopé formée par diffusion. Les figures 12 et 13 représentent la face arrière de dispositifs PERC dans lesquels l'électrode métallique face arrière comporte des contacts 30 métalliques 21, 22 localisés et limités aux ouvertures de contact 23, 24, notamment pour une utilisation en bifacial. Sur la figure 12, on a représenté la face arrière d'un dispositif de type PERC dans lequel les contacts métalliques 21, 22 localisés sont en contact avec le substrat 1 de silicium au travers des ouvertures de contact 23, 24. 18 Sur la figure 13, on a représenté la face arrière d'un dispositif de type PERT dans lequel les contacts métalliques 21, 22 localisés sont en contact via au les ouvertures de contact 23, 24 avec la couche 7 de silicium dopé formée par diffusion. 5 Dans le troisième mode de réalisation, la couche poreuse 4 de silicium a une structure comprenant une première période spatiale, notée L1, et, de préférence, une deuxième période spatiale, notée LG. La figure 14 représente une vue en coupe d'un détail de la structure de la couche poreuse des figures 10, 11, 12 ou 13. La couche poreuse 4 de silicium 10 comporte des pores 41, 42, 43, ...4n formant des ouvertures 51, 52, 53, ... 5n en face arrière de la cellule. Plus précisément, la couche poreuse 4 comporte au moins un bloc de n pores 41,..., 4n, où n est un nombre entier naturel compris entre 10 et 30. Les pores 41,..., 4n d'un même bloc sont espacés de la première période spatiale L1 suivant la direction X. On note h la profondeur des pores 15 suivant la direction Z et L2 l'ouverture des pores suivant la direction X. La première période spatiale L1 est inférieure à 1000 nm et de préférence située dans une gamme comprise entre 20 nm et 500 nm. La profondeur (h) des pores est comprise entre 100 nm et 1000 nm. La dimension transverse (L2) des ouvertures de pores est comprise entre 20 nm et 1000 nm. La géométrie des pores dépend 20 du procédé de fabrication. Les pores 41,..., 4n peuvent être de section sphérique, carrée, rectangulaire, en forme de tranchée ou de maille (mesh). De façon avantageuse, le bloc de pores est répété périodiquement avec un espace entre blocs noté LG. Selon une variante, l'espace entre blocs, LG, est égal à L1 Selon une autre variante, la distance entre blocs, LG, est située dans une gamme 25 comprise entre 900 nm et 1,5 pm. Selon encore une autre variante, le bloc de pores est répété avec une distance aléatoire entre blocs. Ainsi, dans le troisième mode de réalisation, la couche poreuse 4 de silicium forme en face arrière une structure à cristal photonique particulièrement bien adaptée pour réfléchir le rayonnement dans le proche infrarouge. La structure à cristal photonique s'étend 30 en deux dimensions suivant les directions X et Y en dehors des ouvertures de contact 23, 24. De manière analogue aux premier et deuxième modes de réalisation, une couche mince de passivation 5 est déposée ou formée par croissance de manière conforme à la surface texturée de la couche poreuse 4 de silicium. De 19 préférence, la couche mince de passivation 5 recouvre la couche poreuse 4 à structure de cristal photonique sur la face arrière de la cellule tout en laissant ouvertes les ouvertures des pores en face arrière de la cellule. De façon avantageuse, la couche mince de passivation 5 est formée de manière à s'étendre 5 sur toute la face arrière de la cellule. Dans le cas d'une cellule PERC, respectivement PERL ou PERT, les ouvertures de contact 23, 24 sont ensuite réalisées localement à travers la couche mince de passivation 5 pour permettre un meilleur contact entre, d'une part, le substrat 1, respectivement les zones dopées 6 localement ou la couche dopée 7 entièrement diffusée et, d'autre part, la couche 10 métallique 2 ou les contacts métalliques 21, 22 localisés et favoriser une meilleure extraction des porteurs de charge. Les ouvertures de contact 23, 24 ont une dimension comprise entre 500 pm et 2 mm suivant une direction X parallèle à la surface du substrat 1 de silicium. La structure à cristal photonique du troisième mode de réalisation agit comme un cristal photonique pour augmenter la réflexion 15 de rayonnement infrarouge vers la partie active de la cellule photovoltaïque. Dans un dispositif photovoltaïque ou photodétecteur de type émetteur passive contact arrière décrit en lien avec les figures 10 ou 11, la couche métallique 2 recouvre non seulement les ouvertures de contact 23, 24 mais aussi la couche poreuse passivée ayant une structure de cristal photonique. Ainsi, la 20 couche poreuse passivée à structure de cristal photonique combinée à la couche métallique 2 réfléchissante contribue fortement à l'accroissement de la réflexion de lumière non absorbée vers le substrat absorbeur. De plus, la couche poreuse passivée à structure de cristal photonique réduit les pertes par couplage de plasmons-polaritons dans la couche métallique 2. 25 Dans un dispositif photovoltaïque ou photodétecteur de type émetteur passive contact arrière décrit en lien avec la figure 12 ou 13, l'électrode métallique face arrière comporte des contacts métalliques 21, 22 qui sont généralement limités aux ouvertures de contact 23, 24. Dans ces variantes du troisième mode de réalisation, la couche poreuse passivée à structure de cristal photonique est en 30 contact avec l'air ambiant en face arrière. La structure de cristal photonique de la couche poreuse 4 permet néanmoins d'augmenter la réflexion de lumière non absorbée vers le substrat absorbeur. Selon une variante combinant le deuxième et le troisième mode de réalisation, la couche poreuse à structure de cristal photonique est formée sur une 20 surface texturée par des micro-pyramides. Dans les différents modes de réalisation décrits ci-dessus, l'architecture de dispositif photovoltaïque ou photodétecteur de type émetteur passive contact arrière comportant une couche poreuse en face arrière permet d'augmenter la 5 réflexion de lumière non absorbée, en particulier infrarouge, vers le substrat absorbeur, tout en réduisant l'absorption parasite de plasmon-polaritons de surface à l'interface avec l'électrode métallique en face arrière du dispositif. Ces améliorations permettent d'augmenter le courant de court-circuit (d'où un gain en Jsc). 10 Cette architecture de cellule solaire s'applique à une cellule solaire mono-jonction ou à la face arrière d'une cellule solaire multi-jonction, et en particulier à une cellule tandem. On propose ainsi une cellule tandem comportant une première jonction en face avant et une seconde jonction en face arrière texturée selon l'un quelconque des modes de réalisation décrits ci-dessus. Ainsi, 15 la seconde jonction en face arrière est particulièrement bien adaptée pour absorber le rayonnement infrarouge. De préférence, la première jonction en face avant de la cellule tandem est adaptée pour absorber le rayonnement bleu et/ou ultraviolet (UV). Ainsi, l'efficacité de la cellule tandem s'en trouve accrue. Selon une variante de l'un quelconque des modes de réalisation décrits 20 ci-dessus, le dispositif photovoltaïque ou photodétecteur de type émetteur passive contact arrière comporte en outre une autre texturation de surface en face avant. Toutefois, la géométrie de la texturation de surface en face avant est différente de celle de la texturation de surface en face arrière. La texturation de la face avant est de préférence une texturation de forme conique de 50 nm à 1 pm de haut, ou 25 en forme de pyramides de dimensions comprises entre 1 pm et environ 10 pm ou de colonnes ou encore une texturation adaptée pour former une surface de silicium noir (black silicon ou b-Si). De façon avantageuse, la texturation de la face avant est adaptée pour limiter le coefficient de réflexion et/ou pour former une surface anti-réfléchissante. Selon une variante, la texturation de la face avant 30 comprend la formation d'une autre couche poreuse de silicium dopé en face avant, l'autre couche poreuse de silicium dopé ayant une autre surface texturée, l'autre surface texturée formant d'autres pores ayant une première période spatiale L1 comprise entre environ 20 nm et 2000 nm, une profondeur h comprise entre 100 nm et 2000 nm, lesdits autres pores formant d'autres ouvertures 21 orientées vers la face avant du dispositif. De préférence, l'autre couche poreuse de silicium recouvre toute la surface en face avant du dispositif. L'invention concerne aussi un panneau photovoltaïque comprenant une pluralité de cellules photovoltaïques reliées électriquement entre elles, la pluralité 5 de cellules photovoltaïques comprenant au moins une cellule photovoltaïque selon l'un quelconque des modes de réalisation décrits ci-dessus. Un tel panneau photovoltaïque permet d'offrir un meilleur rendement sans surcoût notable. Procédé La couche poreuse 4 de silicium peut être fabriquée par différents 10 procédés. De préférence, la surface arrière de la cellule photovoltaïque est préalablement gravée pour enlever les défauts de sciage et/ou polie. Le substrat 1 de silicium cristallin est généralement formé d'une plaque de silicium monocristallin ou multi-cristallin. 15 Dans le cas d'une cellule de type PERC, la face arrière 12 est initialement celle du substrat 1 de silicium cristallin. De façon optionnelle, on texture la face arrière du substrat 1 de silicium cristallin pour former des micro-pyramides 8, selon le deuxième mode de réalisation. 20 Dans le cas d'une cellule de type PERL ou PERF, on forme des zones 6 dopées localement par diffusion locale de dopant dans le substrat 1 de silicium, à travers la face arrière éventuellement texturé par des micro-pyramides 8. Dans le cas d'une cellule de type PERT, on forme la couche 7 dopée entièrement diffusée par diffusion de dopant sur toute la face arrière du substrat 1 25 de silicium, éventuellement texturé par des micro-pyramides. On forme ensuite la couche poreuse 4 de silicium. La figure 15 illustre un premier exemple de procédé basé sur une gravure plasma. A titre d'exemple on utilise un plasma à ions réactifs (RIE). De préférence, on utilise un réacteur plasma à couplage inductif pour générer le plasma à ions réactifs (ICP-RIE). Les 30 conditions opérationnelles du plasma de gravure sont ajustées pour obtenir une nano-texturation de la surface conduisant à la formation de pores ouverts en face arrière du substrat, optionnellement texturé par des micro-pyramides. Dans un exemple, on utilise comme précurseurs gazeux un mélange d'hexafluorure de soufre (SF6) et de dioxygène (02). Par exemple, on utilise un système gravure 22 RIE, basée sur un mélange SF6/02 avec un ratio de 1.3 et un flux total de 140 sccm à une pression de 30 mTorr et une puissance de gravure de 55 W pendant 30 min. Ce procédé permet de nano-texturer la face arrière 12 de la cellule pour former une couche poreuse 4 de silicium. La durée et les conditions du plasma 13 5 sont sélectionnées pour que la porosité de la couche soit comprise entre 25% et 75%. La face avant 11 de la cellule est généralement protégée vis-à-vis du plasma. Selon une variante, on applique une autre étape de gravure par plasma à la face avant 11 de la cellule pour texturer la face avant. Dans une variante, on dépose un masque pour protéger les zones 10 destinées à former les ouvertures de contact 23, 24 vis-à-vis du plasma de gravure. Ce masque est ensuite retiré pour former les ouvertures de contact 23, 24 en face arrière de la cellule. Dans une autre variante, la gravure plasma est appliquée sur toute la face arrière 12 de la cellule et on applique une étape supplémentaire de gravure locale pour enlever la couche poreuse localement 15 former les ouvertures de contact 23, 24. Ainsi, la couche métallique 2 ou les contacts métalliques 21, 22 sont en contact électrique direct via les ouvertures de contact 23, 24 avec le substrat 1 de silicium dans une cellule PERC, ou respectivement, avec les zones 6 dopées localement dans une cellule PERL ou PERF, ou respectivement, avec la couche 7 20 dopée entièrement diffusée dans une cellule PERT. Lorsque le plasma 13 est appliqué sans masque à la face arrière de la cellule, le procédé basé sur une gravure plasma est adapté pour le premier mode de réalisation de l'invention. De façon optionnelle, avant les étapes de dopage et de gravure par 25 plasma, la face arrière de la cellule est préalablement texturée en forme de micro- pyramides. L'étape de texturation en forme de micro-pyramides est par exemple réalisée en phase liquide dans un mélange classique KOH/IPA/eau ou KOH/eau/additif. Le plasma de gravure est ensuite appliqué à la face arrière micro-texturée en forme de micro-pyramides, pour former en surface des micro- 30 pyramides 8 la couche poreuse 4 de silicium selon le deuxième mode de réalisation. Selon une autre option, avant l'étape de gravure par plasma, on dépose un masque sur la face arrière de la cellule, le masque ayant un motif correspondant au négatif du motif souhaité. L'application du procédé de gravure 23 sélectif permet d'obtenir une couche poreuse selon le troisième mode de réalisation. La figure 16 illustre un autre exemple de procédé basé sur une technique de gravure chimique assistée par métal (Metal Assisted Chemical Etching ou 5 MACE). Le procédé de la figure 16 est particulièrement adapté pour la formation d'une couche poreuse ayant une structure à cristal photonique selon le troisième mode de réalisation de l'invention. On dépose un film d'un métal noble 14 par pulvérisation à travers un masque sur la face arrière d'un substrat de silicium. De préférence, le métal noble 14 est choisi parmi de l'or (Au) et de l'argent (Ag). Le 10 masque est configuré pour former le motif souhaité comprenant un bloc de n pores espacés de la première période L1 et, le cas échéant, un espace entre blocs, LG. Puis on dispose le substrat de silicium dans une cuve 10 comprenant une solution 16 composée de 50% de fluorure d'hydrogène (HF) et de 50 % de dioxygène (H202) de manière à graver la face arrière 12 de la cellule 15 photovoltaïque. La gravure agit sélectivement dans les zones où est déposé le film d'argent 14, avec une sélectivité de 10:1. On grave ainsi le silicium sur une profondeur h d'environ 350 nm de manière à former des pores 41. Dans un bloc de n=10 pores, l'ouverture L2 d'un port 41 est d'environ 60 nm, la distance entre pores adjacents (i.e. la première période spatiale) L1 est d'environ 175 nm, et la 20 distance entre blocs de pores, LG est d'environ 1100 nm. On obtient ainsi une couche poreuse 4 de silicium ayant une porosité de 60 %. Le procédé MACE permet de fabriquer une couche poreuse 4 ayant une structure à cristal photonique peu coûteuse. Le procédé MACE est aussi adapté pour la formation d'une couche 25 poreuse selon le premier et/ou le deuxième mode de réalisation. Dans ce cas, on dépose directement des particules de métal noble 14 sur la face arrière d'un substrat de silicium, sans utiliser de masque à motif périodique. L'étape de gravure MACE permet de laisser au fond des pores de silicium, le métal noble 14 qui sert de catalyseur à la réaction de dissolution du 30 silicium. De façon avantageuse, la technique MACE utilise un métal noble, par exemple de l'argent, qui peut ensuite servir de point de nucléation pour un contact électrique. Dans une variante, on dépose ensuite du nickel conforme à la géométrie interne d'un pore. Selon une variante l'étape de gravure MACE est appliquée 24 simultanément à la face arrière et la face avant du dispositif photovoltaïque, avec un motif adapté pour former une couche poreuse en face arrière telle que décrite ci-dessus, et un autre motif en face avant. A cet effet, on pulvérise un autre métal sur la face avant avec un motif périodique ayant une période spatiale L1 comprise 5 entre 20 nm et 1000 nm sur toute la face avant. L'autre métal est sélectionné de manière à ce que la profondeur h des pores en face avant soit comprise entre 100 nm et 2000 nm. On fabrique ainsi dans la même cuve 10 et avec la même solution 16, une couche poreuse en face arrière réfléchissante dans l'infrarouge et une autre couche poreuse formant une couche antireflet, en particulier dans le 10 domaine UV-visible, en face avant du dispositif photovoltaïque. De préférence, l'étape de gravure MACE est suivie d'un nettoyage comprenant une étape de rinçage dans de l'eau déionisée, une étape de lavage dans un mélange de fluorure d'hydrogène (HF) et de chlorure d'hydrogène (HCI), une autre étape de rinçage et une étape de séchage. Les plaques de silicium ainsi 15 gravées puis nettoyées suivent ensuite un procédé de traitement de passivation de la face arrière de la cellule. Le procédé de passivation de surface comporte par exemple une étape de dépôt d'une couche d'alumine (A1203) par un dépôt de couche atomique (ALD) comprenant 60 cycles à 200 °C suivi d'une étape de dépôt PECVD d'une couche de nitrure de silicium (SiNx) ayant une épaisseur 20 d'environ 110 nm en face arrière de la cellule. Une autre étape de lavage dans du fluorure d'hydrogène (HF) et une étape de rinçage sont appliquées à la face avant, suivies d'une étape de dépôt PECVD d'une couche de nitrure de silicium (SiNx) en face avant de la cellule. Ainsi, la cellule photovoltaïque est entièrement passivée, en face avant 25 et en face arrière. Lorsque la cellule est entièrement passivée, on utilise un laser picoseconde (ps), par exemple à 532 nm ou 355 nm, pour générer des ouvertures de contact 23, 24 à travers la couche de passivation en face arrière. Dans un exemple, le laser ps génère des ouvertures de contact 23, 24 de 20 pm de 30 dimension avec une période de répétition de 1 mm suivant la direction X formant des ouvertures de contact 23, 24 correspondant à 2% de la surface arrière. On génère ensuite les contacts métalliques par impression et séchage d'une pâte d'argent sur la face avant puis par impression d'une pâte d'argent sans fritte de verre sur la face arrière. Enfin, un procédé de cocuisson est appliqué dans un four 25 à bande transporteuse à une température de 750 °C. La figure 17 illustre un autre exemple de procédé de formation d'une couche poreuse de silicium texturée basé sur une électrolyse. Un contact par pâte d'aluminium 19 est appliqué sur la face avant d'une cellule PV. La cellule PV est 5 disposée dans une cuve 10 comprenant une solution électrolytique 17. La solution électrolytique 17 est par exemple composée de fluorure d'hydrogène (HF). Un générateur de courant 18 est relié au contact d'aluminium 19 et à la solution électrolytique 17 de manière à graver la face arrière de la cellule PV pour former la couche poreuse 4 de silicium. 10 Le procédé par électrolyse s'applique particulièrement bien sur une surface lisse correspondant au premier mode de réalisation. Selon une variante, la face arrière est préalablement micro-texturée en forme de micro-pyramides. Le procédé électrolytique conduit ainsi à la formation d'une couche poreuse de silicium sur micro-pyramides selon le deuxième mode 15 de réalisation de l'invention. Selon une autre variante, la face arrière est préalablement métallisée localement, avec un motif périodique. Le procédé électrolytique conduit ainsi à la formation d'une couche poreuse à structure photonique selon le troisième mode de réalisation de l'invention. 20 La figure 18 illustre un autre exemple de procédé de formation d'une couche poreuse de silicium basé sur une texturation par faisceau laser. On applique un faisceau 20 d'impulsions laser femtoseconde (fs) sur la face arrière 12 d'une cellule photovoltaïque, le faisceau laser étant adapté pour former une couche poreuse 4 de silicium. 25 Le procédé de formation d'une couche poreuse 4 de silicium décrit ci- dessus, par gravure plasma, gravure chimique assistée par métal, gravure électrochimique ou gravure laser, permet aisément d'ajuster les dimensions et la profondeur des pores et ainsi d'ajuster précisément la porosité de la couche poreuse de silicium. Ces procédés de gravure sont peu coûteux et le coût du 30 dispositif photovoltaïque résultant est faiblement impacté. Le procédé de formation, par l'une des techniques décrite ci-dessus, d'une couche poreuse 4 de silicium et d'une couche de passivation est généralement appliqué sur toute la face arrière du substrat 1 de silicium cristallin pour une cellule de type PERC, PERL ou PERF, ou, respectivement, sur toute la 26 face arrière de la couche 7 dopée entièrement diffusée d'une cellule de type PERT. De manière analogue, selon le troisième mode de réalisation, suite à l'étape de formation d'une structure à cristal photonique et d'une couche de 5 passivation, la face arrière du substrat 1 ou respectivement, de la couche 7 dopée, est entièrement texturée par la structure à cristal photonique passivée. Suite à cette étape de passivation, on forme des ouvertures de contact 23, 24 dans la structure à cristal photonique passivée. Ainsi, la couche métallique 2 ou, respectivement, les contacts métalliques 21, 22, sont en contact électrique direct 10 avec le substrat 1 de silicium cristallin d'une cellule PERC, ou, respectivement, avec les zones 6 dopées localement d'une cellule PERL ou PERF, ou encore, avec la couche 7 dopée entièrement diffusée d'une cellule PERT. La face avant de la cellule peut aussi être texturée par un procédé basé sur l'une des techniques décrites ci-dessus, par exemple de gravure plasma, et 15 dans d'autres conditions opérationnelles adaptées pour produire une texturation de la face avant de type conique, pyramidale, en silicium noir ou pour former une autre couche poreuse en face avant. Le procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque ou d'un photodétecteur sur substrat de silicium cristallin s'applique à une cellule mono- 20 jonction ou multi-jonction, notamment à la face arrière d'une cellule tandem. Le procédé de fabrication selon l'une ou l'autre des techniques décrites ci-dessus s'applique également à la fabrication d'un REVENDICATIONS1. Dispositif photovoltaïque ou photodétecteur de type émetteur passive contact arrière, le dispositif comprenant un substrat de silicium cristallin (1), et le dispositif ayant une face avant (11) destinée à être exposée à un faisceau lumineux et une face arrière (12), caractérisé en ce que : - la face arrière (12) du dispositif comporte une couche poreuse (4) de silicium, la couche poreuse (4) de silicium ayant une surface texturée, la surface texturée comprenant des pores (41, 42, 43, 44, 4n) de dimensions comprises entre environ 20 nm et 1000 nm, lesdits pores formant des ouvertures (51, 52, 53, 54, 5n) orientées vers la face arrière (12) du dispositif, et en ce que le dispositif comporte en outre : - une couche mince de passivation (5) conforme à au moins une partie de la surface texturée, et - au moins une électrode métallique (2, 21, 22) formée sur la face arrière (12) du dispositif, l'électrode métallique (2, 21, 22) étant adaptée pour former un contact électrique via une ouverture de contact (23, 24) en face arrière (12) du dispositif. 2. Dispositif selon la revendication 1 dans lequel les pores (41, 42, 43, 44, 4n) ont une profondeur (h) comprise entre 100 nm et 1000 nm, les ouvertures (51, 52, 53, 54, 5n) des pores ayant une dimension (L2) comprise entre 20 nm et 1000 nm et une distance (L1) entre pores (51, 52) adjacents étant comprise entre 20 nm et 1000 nm. 3. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 2 dans lequel la couche poreuse (4) de silicium a une porosité comprise entre 25% et 75%. 4. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 3 dans lequel la couche poreuse (4) de silicium a une épaisseur moyenne comprise entre 100 nanomètres et 2 micromètres. 28 5. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 4 dans lequel la couche poreuse (4) de silicium a un indice de réfraction équivalent d'environ 1,4. 5 6. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5 dans lequel la surface texturée de la couche poreuse (4) de silicium présente une structure périodique ayant une première période spatiale (L1) dans une gamme comprise entre 20 nm et 500 nm et/ou une deuxième période spatiale 10 (LG) dans une gamme comprise entre 900 nm et 1.5 pm, la couche poreuse (4) de silicium formant une structure à cristal photonique. 7. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 6 dans lequel la face arrière (12) du dispositif comporte en outre des micro-pyramides (8), 15 la couche poreuse (4) de silicium étant formée en surface d'au moins une facette des micro-pyramides (8). 8. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 7 dans lequel l'électrode métallique (2, 21, 22) comporte une couche métallique (2) 20 réfléchissante recouvrant la face arrière du dispositif. 9. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 8, le dispositif étant multi-jonction et dans lequel la couche poreuse (4) de silicium est disposée en face arrière du dispositif multi-jonction. 25 10. Dispositif photovoltaïque selon la revendication 9 dans lequel le dispositif multi-jonction forme une cellule tandem. 11. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 10 dans lequel la face 30 avant (11) du dispositif comporte une couche de silicium noir ou une autre couche poreuse de silicium dopé, l'autre couche poreuse de silicium dopé ayant une autre surface texturée, l'autre surface texturée formant d'autres pores de dimensions comprises entre environ 20 nm et 2000 nm, lesdits autres pores formant d'autres ouvertures orientées vers la face avant (11) du dispositif. 29 12. Panneau photovoltaïque comprenant une pluralité de dispositifs selon l'une des revendications 1 à 11 reliés électriquement entre eux. 5 13. Procédé de fabrication d'un dispositif photovoltaïque ou photodétecteur de type émetteur passive contact arrière ou d'un panneau photovoltaïque comprenant une pluralité de dispositifs photovoltaïques de type émetteur passive contact arrière reliés électriquement entre eux, le procédé comprenant les étapes 10 suivantes : - texturation de la face arrière (12) d'un substrat (1) de silicium cristallin de manière à former une couche poreuse (4) de silicium, la couche poreuse (4) de silicium ayant une surface texturée, la surface texturée comprenant des pores (41, 42, 43, 44, 4n) de 15 dimensions comprises entre environ 20 nm et 1000 nm, lesdits pores (41, 42, 43, 44, 4n) formant des ouvertures (51, 52, 53, 54, 5n) orientées vers la face arrière (12) du dispositif, - formation d'au moins une couche mince de passivation (5) conforme à la surface texturée, et 20 - formation d'au moins une électrode métallique (2, 21, 22) sur la face arrière (12) du dispositif, l'électrode métallique (2, 21, 22) étant adaptée pour former un contact électrique via une ouverture de contact (23, 24) en face arrière (12) du dispositif. 25 14. Procédé selon la revendication 13 dans lequel l'étape de texturation comporte une étape de gravure anisotrope de la face arrière du substrat de silicium, l'étape de gravure anisotrope étant de type gravure par plasma (13) à couplage inductif, gravure chimique assistée par métal, gravure électrochimique ou gravure laser (20). 30 15. Procédé selon la revendication 14 dans lequel l'étape de texturation comporte une étape supplémentaire de masquage avant l'étape de gravure, l'étape de masquage étant adaptée pour former un masque sur la face arrière du substrat de silicium, le masque comportant un 30 motif périodique ayant au moins une première période spatiale dans une gamme comprise entre 20 nm et 500 nm, et/ou une deuxième période spatiale dans une gamme comprise entre 900 nm et 1,5 pm, de manière à former une structure à cristal photonique dans la 5 couche poreuse.