Brevet FR3087297A1 — publié le 20200417

DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION L'invention concerne le domaine des microtechnologies et de la microélectronique. Elle trouve pour application particulièrement avantageuse le transfert d'un film mince semiconducteur sur un substrat flexible. ÉTAT DE LA TECHNIQUE Dans le domaine de la microélectronique, un moyen de générer une contrainte mécanique dans une couche mince d'un matériau semiconducteur est de transférer cette couche mince sur un substrat flexible, puis de déformer le substrat flexible. En déformant le substrat flexible dans un plan d'extension principale de la couche mince, il est ainsi possible de soumettre la couche mince à un état de tension biaxiale, par exemple. La couche mince peut être issue d'un substrat de type « Silicium sur Isolant » (SOI pour l'acronyme anglais « Silicon On Insulator »). Elle peut correspondre en particulier à la couche supérieure en silicium, dénommée top Si, de ce substrat SOI. Le transfert de la couche mince sur le substrat flexible est une phase critique. Le document « Transfer of Ultra-Thin Semi-Conductor Films onto flexible substrates, Montméat et al., 2017 » divulgue un procédé de transfert de couche mince sur substrat flexible, comprenant un premier collage en face avant du SOI sur un substrat porteur, un rognage et des gravures en face arrière du SOI afin d'exposer le top Si, et un deuxième collage du top Si exposé sur le substrat flexible. Après retrait du substrat porteur, une couche mince de Si sur un substrat flexible est ainsi obtenue. Comme illustré aux figures 1A et 1B, un tel procédé permet de transférer un top Si 11 monocristallin de 200 nm d'épaisseur sur un substrat flexible 40 sans générer de fissures (figure 1 B). Pour un nombre d'applications croissant, il serait cependant préférable de transférer une couche mince de Si présentant une épaisseur inférieure à 200 nm. 2 Par exemple, les travaux du demandeur montrent que le procédé mentionné ci-dessus ne permet pas de transférer un top Si monocristallin de 20 nm d'épaisseur sur un substrat flexible de façon satisfaisante (figure 2A). Pour une telle épaisseur, des fissures apparaissent après transfert, tel 5 qu'illustré en figure 2B. En particulier, ce procédé utilise la couche intermédiaire en oxyde de silicium du substrat SOI, dénommée BOX (acronyme anglais « Burried OXide »), comme couche d'arrêt pour la gravure face arrière. Cette couche d'arrêt doit être suffisamment épaisse pour éviter la gravure 10 du top Si, et suffisamment mince pour éviter l'apparition des fissures. Une telle couche d'arrêt est cependant incompatible avec le procédé décrit ci-dessus. Un objet de la présente invention est de pallier au moins en partie ces inconvénients. 15 En particulier, un objet de la présente invention est de proposer un procédé de transfert de couche permettant de transférer une couche mince d'un matériau semiconducteur sur un substrat flexible sans générer de fissures dans la couche mince, notamment pour une épaisseur de couche mince inférieure à 200 nm. 20 RÉSUMÉ DE L'INVENTION Pour atteindre cet objectif, la présente invention prévoit un procédé de transfert de couche comprenant les étapes suivantes : fournir un premier substrat présentant une face avant et une face 25 arrière et comprenant un support formant la face arrière et un empilement sur le support, ledit empilement comprenant une première couche en un premier matériau, semiconducteur, formant la face avant, et une deuxième couche en un deuxième matériau, diélectrique, - fournir un deuxième substrat présentant une face libre et comprenant 30 une couche en un matériau polymère formant la face libre, - coller les premier et deuxième substrats au niveau d'une interface entre la face avant du premier substrat et la face libre du deuxième substrat, 3 - retirer le support puis la deuxième couche du premier substrat, de sorte à exposer la première couche collée sur la couche en un matériau polymère. Avantageusement, le premier substrat est formé avec au moins un 5 empilement supplémentaire comprenant une troisième couche en un troisième matériau et une quatrième couche en un quatrième matériau, ledit au moins un empilement supplémentaire étant intercalé entre le support et l'empilement du premier substrat, de sorte que la quatrième couche soit du côté du support et que la troisième couche soit du côté de la deuxième couche de l'empilement. 10 Le procédé comprend en outre au moins une étape supplémentaire configurée pour retirer la quatrième couche puis la troisième couche. Le recours à un tel empilement supplémentaire permet de contrôler plus progressivement et plus finement la façon dont les différentes couches sont 15 retirées. En particulier, cet empilement supplémentaire constitue une zone tampon ou une zone de transition vers la couche d'arrêt. Cet empilement supplémentaire peut être vu comme un empilement d'arrêt, multicouches. 20 Il permet de protéger la première couche, dite couche supérieure. Il permet en outre de relâcher une partie des contraintes mécaniques de la couche supérieure. Les différentes couches de cet empilement supplémentaire peuvent en effet absorber ou emmagasiner en partie les contraintes mécaniques de la 25 couche supérieure. Lors du retrait de ces différentes couches, la relaxation des contraintes, principalement au niveau des surfaces libres, se fait de façon progressive, ce qui évite in fine l'apparition de fissures dans la couche supérieure. Cet empilement supplémentaire comprenant au moins deux couches de 30 nature différente permet également un meilleur contrôle du retrait de ces différentes couches. 4 Le procédé proposé par la présente invention permet ainsi d'éviter un retrait ou une gravure trop rapide de la deuxième couche, dite couche d'arrêt. Cet empilement supplémentaire rend le procédé proposé par la présente invention compatible avec une couche d'arrêt de faible épaisseur, typiquement 5 une couche d'arrêt présentant une épaisseur de l'ordre de 40 nm ou 50 nm. Le procédé selon l'invention permet dès lors, par exemple pour une couche d'arrêt de 40 nm environ, de transférer une couche supérieure de 20 nm environ ou moins sur une couche en un matériau polymère d'un substrat flexible sans générer de fissures dans ladite couche supérieure. 10 BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description détaillée de modes de réalisation de cette dernière qui sont illustrés par les dessins d'accompagnement suivants dans 15 lesquels : La FIGURE 1A schématise en coupe transverse une couche supérieure de 200 nm d'épaisseur environ sur un substrat flexible obtenue par un procédé de transfert selon l'art antérieur ; La FIGURE 1B montre en vue de dessus une couche supérieure en Si 20 de 200 nm d'épaisseur environ sur un substrat flexible obtenue par le procédé de transfert selon l'art antérieur illustré à la figure 1A ; La FIGURE 2A schématise en coupe transverse une couche supérieure de 20 nm d'épaisseur environ sur un substrat flexible obtenue par un procédé de transfert selon l'art antérieur ; 25 La FIGURE 2B montre en vue de dessus une couche supérieure en Si de 20 nm d'épaisseur environ sur un substrat flexible obtenue par le procédé de transfert selon l'art antérieur illustré à la figure 2A ; La FIGURE 3A illustre en coupe transverse un substrat comprenant un empilement supplémentaire selon un mode de réalisation de 30 l'invention ; 5 - La FIGURE 3B illustre en coupe transverse un substrat comprenant un empilement supplémentaire selon un autre mode de réalisation de l'invention ; Les FIGURES 4 à 10B illustrent en coupe transverse des étapes du 5 procédé de transfert selon un mode de réalisation de l'invention. Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l'invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l'invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier, les 10 épaisseurs relatives des différentes couches et plaques ne sont pas représentatives de la réalité. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION Avant d'entamer une revue détaillée de modes de réalisation de 15 l'invention, sont énoncées ci-après des caractéristiques optionnelles qui peuvent éventuellement être utilisées en association ou alternativement : Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre une deuxième étape de transfert après que la deuxième couche du premier substrat soit retirée, cette deuxième étape comprenant la fourniture 20 d'un substrat flexible et le collage de ce substrat flexible sur une face exposée de la première couche, opposée à la face avant, puis une séparation, par exemple par arrachement mécanique, de la première couche et de la couche en un matériau polymère de sorte à exposer la face avant de la première couche collée sur le substrat flexible. 25 Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la première couche est choisie strictement inférieure à l'épaisseur de la troisième couche. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la deuxième couche est choisie strictement inférieure à l'épaisseur de la quatrième couche. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la première couche est 30 choisie au moins deux fois inférieure à l'épaisseur de la troisième couche. 6 Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la deuxième couche est choisie au moins deux fois inférieure à l'épaisseur de la quatrième couche. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la première couche est 5 choisie strictement inférieure à I 'épaisseur de la deuxième couche. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la troisième couche est choisie strictement inférieure à I 'épaisseur de la quatrième couche. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la première couche est choisie au moins deux fois inférieure à l'épaisseur de la deuxième 10 couche. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la troisième couche est choisie au moins deux fois inférieure à l'épaisseur de la quatrième couche. Selon un mode de réalisation, le support est partiellement retiré par 15 rognage sur au moins 90%, et de préférence sur au moins 95%, de son épaisseur. Selon un mode de réalisation, le support est partiellement retiré par rognage, ledit rognage étant configuré pour laisser une couche résiduelle du support présentant une épaisseur résiduelle inférieure ou 20 égale à 50 dam. Selon un mode de réalisation, la couche résiduelle est retirée par une première gravure présentant une sélectivité vis-à-vis du quatrième matériau supérieure à 5. Selon un mode de réalisation, la quatrième couche est retirée par une 25 deuxième gravure présentant une sélectivité vis-à-vis du troisième matériau supérieure à 5. Selon un mode de réalisation, la troisième couche est retirée par une troisième gravure présentant une sélectivité vis-à-vis du deuxième matériau supérieure à 5. 30 Selon un mode de réalisation, la deuxième couche est retirée par une quatrième gravure présentant une sélectivité vis-à-vis du premier matériau supérieure à 5. 7 Selon un mode de réalisation, la première gravure et la troisième gravure sont des gravures en solution présentant une même composition, de préférence à base d'un mélange d'acide acétique/d'acide nitrique HNO3 70%/ d'acide fluorhydrique HF, et de 5 préférence à base d'un mélange d'acide acétique/HNO3 concentré à 70%/HF concentré à 49% en proportion 3/3/4. Selon un mode de réalisation, la deuxième gravure et la quatrième gravure sont des gravures en solution présentant une même composition, de préférence à base d'acide fluorhydrique HF, par 10 exemple à base d'HF dilué à 10%. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la deuxième couche est inférieure ou égale à 100 nm, de préférence inférieure ou égale à 50 nm. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la première couche est 15 inférieure à 100 nm, de préférence inférieure ou égale à 50 nm. Selon un mode de réalisation, le matériau polymère est un matériau thermoplastique. Selon un mode de réalisation, les premier et troisième matériaux sont au moins l'un parmi du silicium, du germanium et un alliage de silicium- 20 Germanium Selon un mode de réalisation, les deuxième et quatrième matériaux sont au moins l'un parmi un oxyde de silicium et un nitrure de silicium. Selon un mode de réalisation, le support est en silicium et les premier et troisième matériaux sont seulement du silicium. 25 Selon un mode de réalisation, les deuxième et quatrième matériaux sont seulement un oxyde de silicium. Il est précisé que, dans le cadre de la présente invention, le rognage se fait de préférence par meulage. Le meulage est un procédé d'enlèvement ou 30 d'amincissement généralement purement mécanique. Le meulage consiste à abraser un matériau par frottement avec des grains ou des particules coupantes agglomérées par un liant au moins en surface d'un 8 outil. En particulier, une roue diamantée mise en rotation sur une meule permet d'effectuer un tel usinage par abrasion. Le meulage peut être assisté par un flux d'eau de manière à limiter un 5 échauffement des matériaux en frottement, et/ou de manière à charrier, par une action physique, des particules de matériau abrasé. Le meulage, dans le cadre de la présente invention, peut être mis en oeuvre avec l'ajout d'abrasif libre, ou de solution de gravure chimique. Dans la suite, les termes « rognage », « meulage » et « usinage par 10 abrasion » sont synonymes. Alternativement ou en combinaison, le rognage peut également comprendre un procédé de polissage mécano-chimique (CMP pour l'acronyme anglais « Chemical-Mechanical Polishing ») combinant des actions chimiques 15 et mécaniques, en mélangeant généralement un abrasif libre à une solution de gravure humide. Dans le cadre de la présente invention, la gravure se fait de préférence par voie humide. Il n'est cependant pas exclu que certaines étapes, voire toutes 20 les étapes de gravure puissent se faire par voie sèche, par exemple par des gravures de type RIE (acronyme anglais de « Reactive Ion Etching ») ou plasma (par exemple ICP « Inductively Coupled Plasma » ou CCP « Capacitively Coupled Plasma »). 25 On entend par « gravure sélective vis-à-vis de » ou « gravure présentant une sélectivité vis-à-vis de » une gravure configurée pour enlever un matériau A ou une couche A vis-à-vis d'un matériau B ou d'une couche B, et présentant une vitesse de gravure du matériau A supérieure à la vitesse de gravure du matériau B. La sélectivité est le rapport entre la vitesse de gravure du matériau 30 A sur la vitesse de gravure du matériau B. 9 On entend par un film, une couche, « à base » d'un matériau A, un film, une couche comprenant ce matériau A uniquement ou ce matériau A et éventuellement d'autres matériaux, par exemple des éléments d'alliage, des impuretés ou des éléments dopants. On entend par une interface entre une couche A et une couche B une zone intercalaire entre ces deux couches A et B. Cette zone intercalaire peut être la zone de formation du contact, ou peut comprendre une couche C, par exemple une couche antiadhésive. Dans la présente demande de brevet, l'épaisseur est prise selon une direction perpendiculaire aux faces principales des couches. Sur les figures en coupe transverse, l'épaisseur est prise selon la verticale. 15 Les termes « sensiblement », « environ », « de l'ordre de » signifient en tenant compte des tolérances de fabrication et/ou de mesure et peut notamment correspondre « à 10% près ». Le procédé de transfert selon l'invention va maintenant être décrit en 20 référence aux figures annexées à la présente demande. Comme illustré aux figures 3A et 3B, le principe de l'invention est de préparer de façon spécifique avant transfert un substrat 1 comprenant une couche à transférer 11 formant un empilement 10 avec une couche d'arrêt 12. 25 Cet empilement 10, également dénommé empilement terminal ou encore empilement supérieur, est sur une couche 30 massive. La couche à transférer 11 est dénommée couche supérieure 11. La couche d'arrêt 12 est également dénommée couche d'arrêt terminale. L'empilement terminal 10 peut donc être constitué de deux couches. Il 30 forme dès lors un bicouche 10. Selon une possibilité, l'empilement 10 peut comprendre trois couches ou 5 10 plus. 10 La préparation spécifique du substrat 1 consiste à former au moins un empilement 20 supplémentaire intercalé entre l'empilement terminal 10 et la couche 30 massive. Cet empilement 20 supplémentaire comprend de préférence deux 5 couches 21, 22. Il forme dès lors un bicouche 20. Selon une possibilité, l'empilement 20 supplémentaire peut comprendre trois couches ou plus. Cet empilement 20 supplémentaire forme ainsi une zone tampon entre la couche 30 massive et la couche d'arrêt 12 de l'empilement 10. Cette zone tampon permet avantageusement d'améliorer le contrôle des 10 gravures destinées à retirer la couche d'arrêt 12 et à conserver la couche à transférer 11. L'empilement 20 supplémentaire est donc un empilement d'arrêt, multicouches. Le substrat 1 peut comprendre une pluralité de bicouches 20 intercalés 15 entre la couche 30 et le bicouche 10. Les épaisseurs de chacune des couches au sein de chaque bicouche 10, 20 sont de préférence décroissantes depuis la face arrière 101 vers la face avant 100. Les épaisseurs de chaque bicouche 10, 20 sont de préférence 20 décroissantes depuis la face arrière 101 vers la face avant 100. Avantageusement, les bicouches 10, 20 sont de même nature et/ou composition chimique. En particulier, le bicouche 10 peut comprendre une couche à transférer 11 en un matériau semiconducteur et une couche d'arrêt 12 en un matériau 25 diélectrique, et le bicouche 20 peut comprendre une couche 21 en ce même matériau semiconducteur et une couche 22 en ce même matériau diélectrique. Cela simplifie avantageusement les étapes technologiques du procédé de transfert. Cela simplifie en particulier les étapes de formation des bicouches 10, 20, et les étapes de gravure de ces bicouches 10, 20. 30 Les couches, de préférence en un matériau diélectrique et les couches de préférence en un matériau semiconducteur de deux bicouches 10, 20 adjacents sont de préférence alternées. 11 L'épaisseur du bicouche 10 est avantageusement strictement inférieure à l'épaisseur du bicouche 20, de préférence d'un facteur cinq, voire d'un facteur dix. Selon un exemple illustré à la figure 3A, la couche à transférer 11 est au 5 moins deux fois moins épaisse que la couche 21 du bicouche 20. La couche à d'arrêt 12 est au moins deux fois moins épaisse que la couche 22 du bicouche 20. Selon un exemple illustré à la figure 3B, la couche 21 du bicouche 20 est au moins deux fois moins épaisse que la couche 22 du bicouche 20. La couche 10 à transférer 11 est au moins deux fois moins épaisse que la couche d'arrêt 12. Le rapport entre les épaisseurs de la couche en un matériau semiconducteur et de la couche en un matériau diélectrique au sein d'un bicouche 10, 20 peut donc être sensiblement égal à 2. Ce rapport est de préférence compris entre 1 et 3. 15 Les modes de réalisation de ces exemples peuvent être combinés. Les épaisseurs des différents bicouches 10, 20 sont choisies avantageusement de manière à pouvoir transférer une couche à transférer 11 mince, c'est-à-dire présentant une épaisseur inférieure à 200 nm, par exemple comprise entre 20 nm et 50 nm. 20 Par exemple, le bicouche 10 peut présenter une épaisseur comprise entre 50 nm et 200 nm, et le bicouche 20 peut présenter une épaisseur comprise entre 500 nm et 2 pm. Le bicouche 20 d'arrêt est ainsi suffisamment épais pour protéger le bicouche 10 terminal lors de la gravure visant à exposer la couche à transférer 25 11. Un tel substrat 1 comprenant entre sa face arrière 101 et sa face avant 100 successivement une couche 30 massive, le bicouche 20 d'arrêt épais et le bicouche 10 terminal fin, permet avantageusement une progressivité des étapes de retrait et/ou de gravure depuis la face arrière 101 vers la face avant 30 100 visant à exposer la couche à transférer 11. Les épaisseurs de chacune des couches du substrat 1 sont de préférence décroissantes depuis la face arrière 101 vers la face avant 100. 12 En référence aux figures 4 à 10, le procédé de transfert selon l'invention prévoit une étape de collage de la face avant 100 du substrat 1 sur la face libre 102 d'une couche 40 en un matériau polymère, dite couche polymère, d'un deuxième substrat (figure 4). 5 De façon optionnelle, une couche antiadhésive peut être déposée sur la face avant 100 de la couche à transférer 11, avant mise en contact du substrat 1 et de la couche 40 respectivement au niveau de la face avant 100 et de la face libre 102. La couche à transférer 11 est dès lors au contact de ou en interface avec 10 la couche polymère 40 (figure 5). Les étapes suivantes du procédé de transfert consistent à retirer successivement, à partir de la face arrière 101 du substrat 1, d'abord la couche 30 massive, puis la couche 22, puis la couche 21, et ensuite la couche d'arrêt 12 afin d'exposer la couche à transférer 11. 15 Le retrait de la couche 30 massive se fait principalement par rognage. L'abrasion mécanique permet de retirer rapidement la majeure partie de la couche 30 massive, sur au moins 90% de son épaisseur. Le rognage peut être configuré pour laisser une épaisseur résiduelle de couche 30 d'environ 25 pm ou avantageusement 50pm. Une gravure d'appoint permet de retirer la couche 20 30 sur toute l'épaisseur résiduelle. Cette gravure d'appoint est configurée pour s'arrêter dans la couche 22, de préférence au niveau de l'interface entre la couche 30 massive et la couche 22 (figure 6). En particulier, la sélectivité de la gravure d'appoint du matériau de la couche 30 massive vis-à-vis du matériau de la couche 22 est de préférence supérieure à 10, et de préférence supérieure 25 à 100. La couche 30 massive est ainsi totalement retirée. La couche 22 est ensuite retirée par une première gravure (figure 7). Cette première gravure est configurée pour s'arrêter dans la couche 21, de préférence au niveau de l'interface entre la couche 22 et la couche 21. Elle présente une sélectivité de gravure vis-à-vis du matériau de la couche 21 de 30 préférence supérieure à 10, et de préférence supérieure à 100. La couche 21 est ensuite retirée par une deuxième gravure (figure 8). 13 Avantageusement, la couche 21 et la couche 30 massive sont composées du même matériau. Dès lors, la solution de gravure de la gravure d'appoint peut être à nouveau mise en oeuvre de façon à retirer la couche 21 par cette deuxième 5 gravure. La deuxième gravure est configurée pour s'arrêter dans la couche d'arrêt 12, de préférence au niveau de l'interface entre la couche 21 et la couche d'arrêt 12. Elle présente une sélectivité de gravure vis-à-vis du matériau de la couche d'arrêt 12 de préférence supérieure à 10, et de préférence supérieure 10 à 100. La couche d'arrêt 12 est ensuite retirée par gravure (figure 9). Avantageusement, la couche 22 est composée du même matériau que la couche d'arrêt 12, et la couche 21 est composée du même matériau que la couche à transférer 11. 15 Dès lors, la solution de gravure de la première gravure peut être à nouveau mise en oeuvre de façon à retirer la couche d'arrêt 12. Cette gravure de la couche d'arrêt 12 est configurée pour s'arrêter sensiblement au niveau de l'interface entre la couche d'arrêt 12 et la couche à transférer 11. Une face 103 de la couche à transférer 11, opposée à la face 20 avant 100, est ainsi exposée. Cette face est simplement dénommée « face opposée 103 » dans la suite. La couche à transférer 11 est ainsi reportée sur la couche polymère 40 du deuxième substrat. De façon optionnelle la couche polymère 40 surmontée de la couche 25 supérieure 11 peut ensuite être séparée du substrat porteur 41 et/ou maintenue par un anneau de structure 42 (figure 10A). Alternativement, la face exposée de la couche supérieure 11 peut être mise en contact et/ou collée sur un autre substrat flexible 50, puis séparée de la couche polymère 40, par exemple par arrachement mécanique (figure 10B). Dans ce dernier cas, la face avant 100 de 30 la couche supérieure 11 est de nouveau exposée. Cela permet avantageusement d'obtenir une couche supérieure 11 sur un substrat flexible 50 présentant l'état de surface initial de la face avant 100. 14 L'état de surface de la face avant 100, généralement obtenu par CMP, peut être d'une qualité supérieure à l'état de surface de la face opposée 103 obtenu par gravure de la couche d'arrêt 12. Le procédé de transfert permet ainsi de transférer une couche à transférer 5 11 sur une couche polymère 40 par l'intermédiaire d'un retrait progressif et contrôlé des différentes couches 30, 22, 21, 12. Avantageusement, la couche 30 massive est en un matériau semiconducteur et les bicouches 10, 20 présentent toutes respectivement une couche 11, 21 en ce même matériau semiconducteur alternée avec une 10 couche 12, 22 en un même matériau diélectrique. Cela permet de mettre en oeuvre uniquement deux solutions de gravure pour graver alternativement les couches 30, 21 en matériau semiconducteur et les couches 12, 22 en matériau diélectrique. Le matériau semiconducteur peut être à base de silicium ou de 15 germanium ou d'AIN ou d'AsGa ou d'InP. Le matériau diélectrique peut être à base d'oxyde de silicium ou de nitrure de silicium ou de carbone amorphe ou de TiN ou de TaN Les étapes de gravure successives de ce procédé sont ainsi simplifiées. Selon une possibilité, d'autres solutions de gravure peuvent être utilisées 20 alternativement ou en combinaison. Par exemple, un troisième type de gravure peut être utilisé pour la gravure des couches les plus fines, de façon à diminuer la vitesse de gravure si nécessaire. Selon un premier mode de réalisation, le substrat 1 est de préférence de 25 type SOI (acronyme de « Silicon On Insulator » signifiant silicium sur isolant ; mais des matériaux autres que le silicium sont aussi possibles). Les procédés d'obtention d'un substrat SOI sont connus. Ces procédés sont généralement utilisés pour obtenir un bicouche sur substrat massif. Ils permettent également d'obtenir un deuxième bicouche sur un premier bicouche. Ces procédés ne sont 30 pas l'objet de la présente invention. 15 La couche à transférer 11 est en silicium, également dénommée top Si (signifiant silicium supérieur) dans la suite. Elle présente de préférence une épaisseur comprise entre 10 nm et 100 nm, par exemple de l'ordre de 20 nm. La couche d'arrêt 12 est en dioxyde de silicium, également dénommée 5 BOX (acronyme de « Burried Oxide » signifiant oxyde enterré). Elle présente de préférence une épaisseur comprise entre 30 nm et 200 nm, par exemple de l'ordre de 40 nm. La couche 21 est en silicium. Elle présente de préférence une épaisseur comprise entre 50 nm et 200 nm, par exemple de l'ordre de 100 nm. 10 La couche 22 est en dioxyde de silicium. Elle présente de préférence une épaisseur comprise entre 200 nm et 600 nm, par exemple de l'ordre de 400 nm. La couche 30 est en silicium. Elle présente typiquement une épaisseur de plusieurs centaines de pm et peut être également dénommée Si bulk (signifiant silicium massif) dans la suite. 15 Ce substrat 1 peut présenter un diamètre de 200 mm ou 300 mm. La face avant 100 de ce substrat 1 peut être préalablement préparée par une étape de préparation de surface. Selon une possibilité, une couche d'antiadhésif 3MTM NovecTM 2072 est déposée sur cette face avant 100, par exemple par centrifugation. 20 Cette couche antiadhésive facilite avantageusement un retrait ultérieur de la couche à transférer 11, en particulier un retrait par arrachement mécanique. Une couche 40 présentant une épaisseur de 40pm environ de polymère BrewerBOND® 305 est de préférence déposée par centrifugation sur une 25 plaque 41 de silicium pour former le deuxième substrat 2. La face avant 100 du substrat 1 et la face libre 102 du deuxième substrat 2 sont tournées en regard l'une de l'autre et mises en contact. Les substrats 1, 2 sont ensuite collés à 210°C sous vide. 30 Un rognage, ou meulage, de la couche 30 de silicium est effectué. 16 Ce meulage est configuré pour enlever rapidement une majeure partie de l'épaisseur de la couche 30, par exemple avec un taux d'enlèvement compris entre 10 pm.min-1 et 100 pm.m in-1. Cette étape de meulage est par exemple réalisée par une meule de 5 marque Okamoto®, modèle 254B 3W5X J 75BA 325 40SB8, avec une roue diamantée présentant une taille de grain 16000/325 pm. Le meulage de de la couche 30 peut être arrêté de façon à laisser une épaisseur résiduelle de silicium par exemple de 50 pm environ. 10 L'épaisseur résiduelle de silicium est ensuite retirée par gravure humide. Une solution chimique à base d'acide acétique/HNO3 70%/HF 49% en proportion 3/3/4 permet avantageusement de retirer ces 50 pm en quelques minutes (par exemple moins de 10 minutes, voire moins de 5 minutes et avantageusement moins de 3 minutes). 15 Une telle solution est plus efficace qu'une solution de gravure standard à base de TMAH à 25 % effectuée à une température de 80 T. Retirer 50 [am de silicium par la solution de gravure standard TMAH 25% à 80°C nécessite environ 5 heures d'attaque en immersion. La couche 40 de polymère BrewerBOND® 305 épaisse de 40 pm ne peut pas supporter une attaque aussi 20 longue. La couche 22 d'oxyde de silicium est ensuite retirée par gravure humide avec une solution typique de HF 50%. La couche 21 de silicium épaisse est ensuite retirée par la gravure en 25 solution d'acide acétique/HNO3 70%/HF 49%, en immersion pendant un temps très court, par exemple de moins de 2 secondes et de préférence de l'ordre de la seconde, de sorte à arrêter la gravure dans la fine couche d'arrêt 12 d'oxyde de silicium. La couche d'arrêt 12 (BOX) est ensuite retirée par gravure humide avec 30 une solution typique de HF 10%. A l'issue de cette étape de gravure, la face opposée 103 de la fine couche supérieure 11 (top Si) de silicium est exposée (figure 9). 17 Selon une possibilité préférée, un film polymère 50 maintenu par un anneau métallique de découpe 42 est collé sur la face opposée 103 du top Si 11. Le deuxième substrat 2 est ensuite retiré par arrachement mécanique, de 5 sorte à ne conserver que le top Si 11 sur le film polymère 50, avec la face avant 100 libre (figure 10B). D'autres modes de réalisation du procédé selon l'invention peuvent être envisagés. Seules les caractéristiques distinctes du premier mode de 10 réalisation sont décrites ci-après, les autres caractéristiques non décrites étant réputées identiques à celles du premier mode de réalisation. Selon un deuxième mode de réalisation, l'épaisseur résiduelle de silicium après rognage de la couche 30, par exemple de l'ordre de 50 dam, est retirée, 15 cela peut se faire par gravure humide notamment à base d'acide acétique/HNO3 70%/HF 49% en proportion 3/3/4 comme dans le premier mode de réalisation. La couche 22 d'oxyde de silicium est ensuite retirée par gravure humide 20 avec une solution typique de HF 10 %. La couche 21 de silicium épaisse est ensuite retirée par une gravure en solution cette fois à base de TMAH à 12 % effectuée à une température de 80 °C, pendant un temps de quelques minutes, par exemple moins de 10 minutes, voire moins de 5 minutes, de préférence moins de 3 minutes, de sorte à arrêter 25 la gravure dans la fine couche d'arrêt 12 d'oxyde de silicium. Avec un temps aussi court, le polymère 40 résiste à l'attaque chimique. Cette gravure présente une vitesse de gravure inférieure à celle de la gravure à base d'acide acétique/HNO3 70%/HF 49% en proportion 3/3/4. Par conséquent, la tolérance sur le temps de gravure est plus grande. La mise en 30 oeuvre de cette étape est facilitée. Par ailleurs, la sélectivité de cette gravure entre le silicium et l'oxyde de silicium Ssysio2 est supérieure à 500:1. Cela permet avantageusement de préserver l'intégrité de la couche d'arrêt 12. 18 La couche d'arrêt 12 (BOX) est ensuite retirée par gravure humide avec une solution typique de HF 10%. A l'issue de cette étape de gravure, la face opposée 103 de la fine couche supérieure 11 (top Si) de silicium est exposée (figure 9). 5 Selon une possibilité préférée, un film polymère 50 maintenu par un anneau métallique de découpe 42 est collé sur la face opposée 103 du top Si 11. Le deuxième substrat 2 est ensuite retiré par arrachement mécanique, de sorte à ne conserver que le top Si 11 sur le film polymère 50, avec la face avant 10 100 libre (figure 10B). L'invention n'est pas limitée aux modes de réalisations précédemment décrits et s'étend à tous les modes de réalisation couverts par les revendications. 15 Par exemple, certaines étapes de gravure peuvent être effectuées par voie sèche. Les couches les plus épaisses de l'empilement REVENDICATIONS1. Procédé de transfert de couche comprenant les étapes suivantes : fournir un premier substrat (1) présentant une face avant (100) et une face arrière (101) et comprenant un support (30) formant la face arrière (101) et un empilement (10) sur le support (30), ledit empilement (10) comprenant une première couche (11) en un premier matériau, semiconducteur, formant la face avant (100), et une deuxième couche (12) en un deuxième matériau, diélectrique, fournir un deuxième substrat (2) présentant une face libre (102) et comprenant une couche en un matériau polymère (40) formant la face libre (102), - coller les premier et deuxième substrats (1, 2) au niveau d'une interface entre la face avant (100) du premier substrat (1) et la face libre (102) du deuxième substrat (2), - retirer le support (30) puis la deuxième couche (12) du premier substrat (1), de sorte à exposer la première couche (11) collée sur la couche en un matériau polymère (40), le procédé étant caractérisé en ce que : le premier substrat (1) est formé avec au moins un empilement supplémentaire (20) comprenant une troisième couche (21) en un troisième matériau et une quatrième couche (22) en un quatrième matériau, ledit au moins un empilement supplémentaire (20) étant intercalé entre le support (30) et l'empilement (10) du premier substrat (1), de sorte que la quatrième couche (22) soit du côté du support (30) et que la troisième couche (21) soit du côté de la deuxième couche (12) de l'empilement (10), le procédé comprenant en outre au moins une étape supplémentaire configurée pour retirer la quatrième couche (22) puis la troisième couche (21). 2. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel l'épaisseur de la première couche (11) est choisie strictement inférieure à l'épaisseur de la 20 troisième couche (21), et dans lequel l'épaisseur de la deuxième couche (12) est choisie strictement inférieure à l'épaisseur de la quatrième couche (22). 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, 5 dans lequel l'épaisseur de la première couche (11) est choisie strictement inférieure à l'épaisseur de la deuxième couche (12), et dans lequel l'épaisseur de la troisième couche (21) est choisie strictement inférieure à l'épaisseur de la quatrième couche (22). 10 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel le support (30) est partiellement retiré par rognage, ledit rognage étant configuré pour laisser une couche résiduelle du support (30) présentant une épaisseur résiduelle inférieure ou égale à 50 dam. 15 5. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la couche résiduelle est retirée par une première gravure présentant une sélectivité vis-à-vis du quatrième matériau supérieure à 5. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, 20 dans lequel la quatrième couche (22) est retirée par une deuxième gravure présentant une sélectivité vis-à-vis du troisième matériau supérieure à 5. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la troisième couche (21) est retirée par une troisième gravure 25 présentant une sélectivité vis-à-vis du deuxième matériau supérieure à 5. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la deuxième couche (12) est retirée par une quatrième gravure présentant une sélectivité vis-à-vis du premier matériau supérieure à 5. 30 21 9. Procédé selon les revendications 5 et 7 en combinaison, dans lequel la première gravure et la troisième gravure sont des gravures en solution présentant une même composition. 5 10. Procédé selon les revendications 6 et 8 en combinaison, dans lequel la deuxième gravure et la quatrième gravure sont des gravures en solution présentant une même composition. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, 10 dans lequel l'épaisseur de la deuxième couche (12) est inférieure ou égale à 100 nm. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel l'épaisseur de la première couche (11) est inférieure à 50 nm. 15 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel le matériau polymère est un matériau thermoplastique et/ou les premier et troisième matériaux sont au moins l'un parmi du silicium, du germanium et un alliage de silicium-Germanium, et/ou les deuxième et 20 quatrième matériaux sont au moins l'un parmi un oxyde de silicium et un nitrure de silicium. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel le support (30) est en silicium, les premier et troisième matériaux 25 sont seulement du silicium et les deuxième et quatrième matériaux sont seulement un oxyde de silicium.