Brevet FR3079532A1 — publié le 20191004

Procédé de fabrication d'une couche monocristalline de matériau AIN et substrat pour croissance par épitaxie d'une couche monocristalline de matériau AIN DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une couche monocristalline de matériau Nitrure d'Aluminium (AIN) ainsi qu'un substrat pour la croissance par épitaxie d'une telle couche monocristalline de matériau AIN. ETAT DE LA TECHNIQUE Certains matériaux ne sont pas actuellement disponibles sous forme de substrat monocristallin en forme de tranche en grand diamètre. Et certains matériaux sont éventuellement disponibles en grand diamètre mais pas selon certaines caractéristiques ou spécifications en terme de qualité, en particulier vis-à-vis la densité de défauts ou encore les propriétés électriques ou optiques requises. EXPOSE DE L'INVENTION La présente invention vise à pallier ces limitations de l'état de la technique en proposant un procédé de fabrication d'une couche monocristalline de matériau AIN ainsi qu'un substrat pour la croissance par épitaxie d'une telle couche monocristalline de matériau AIN. Par ceci il est possible de remédier au problème de taille des substrats monocristallins de matériau AIN actuellement disponibles. L'invention concerne un procédé de fabrication d'une couche monocristalline de matériau AIN comprenant le transfert d'une couche germe 30 monocristalline de matériau SiC-6t4 sur un substrat support de matériau 2 silicium suivi d'une croissance par épitaxie de la couche monocristalline de matériau AIN. Dans des modes de réalisation avantageux la couche germe monocristalline 5 a une épaisseur inférieure à 10 pm, de préférence inférieure à 2 pm, et plus préférentiellement inférieure à 0,2pm. Dans des modes de réalisation avantageux le transfert de la couche germe monocristalline de matériau SiC-6H sur le substrat support de matériau 10 silicium comprend une étape d'assemblage d'un substrat monocristallin de matériau SiC-6H sur le substrat support suivi d'une étape d'amincissement dudit substrat monocristallin de matériau SiC-6H. Dans des modes de réalisation avantageux l'étape d'amincissement 15 comprend la formation d'une zone de fragilisation délimitant une portion du substrat monocristallin de matériau SiC-6H destinée à être transférée sur le substrat support de matériau silicium. Dans des modes de réalisation avantageux la formation de la zone de 20 fragilisation est obtenue par implantation d'espèces atomiques et/ou ioniques. Dans des modes de réalisation avantageux l'étape d'amincissement comprend un détachement au niveau de la zone de fragilisation de manière 25 à transférer ladite portion du substrat monocristallin de matériau SiC-6H sur le substrat support de matériau silicium, en particulier le détachement comprend l'application d'une contrainte thermique et/ou mécanique. Dans des modes de réalisation avantageux l'étape d'assemblage est une 30 étape d'adhésion moléculaire. 3 Dans des modes de réalisation avantageux la couche de germe monocristalline de matériau SiC-6H se présente sous la forme d'une pluralité de pavés transférés chacun sur le substrat support de matériau silicium. 5 Dans des modes de réalisation avantageux le substrat support de matériau silicium comprend une interface démontable configurée pour être démontée par une technique de décollement par laser et/ou une attaque chimique et/ou par une sollicitation mécanique. 10 L'invention concerne aussi un substrat pour croissance par épitaxie d'une couche monocristalline de matériau AIN caractérisé en ce qu'il comprend une couche germe monocristalline de matériau SiC-6H sur un substrat support de matériau silicium. 15 Dans des modes de réalisation avantageux la couche germe monocristalline de matériau SIC-6H se présente sous la forme d'une pluralité de pavés. Dans des modes de réalisation avantageux le substrat support de matériau 20 silicium comprend une interface démontable configurée pour être démontée par une technique de décollement par laser et/ou une attaque chimique et/ou par une sollicitation mécanique. L'invention concerne aussi un procédé de fabrication d'une couche 25 monocristalline de matériau AlxlnyGazAsIP,,N,, ayant un paramètre de maille proche de celui du matériau AIN comprenant le transfert d'une couche germe monocristalline de matériau SrTiO3 sur un substrat support de matériau silicium suivi d'une croissance par épitaxie d'une couche monocristalline de matériau AlxlnyGazAsiPmNn. 4 L'invention concerne aussi un procédé de fabrication d'une couche monocristalline de matériau AlxlnyGazAsIP,-,,Nr, ayant un paramètre de maille proche de celui du matériau AIN comprenant le transfert d'une couche germe monocristalline de matériau YSZ ou Ce02 ou MgO ou A1203, sur un 5 substrat support de matériau silicium suivi d'une croissance par épitaxie d'une couche monocristalline de matériau AlxlnyGazAsiPmNn. L'invention concerne aussi un substrat pour croissance par épitaxie d'une couche monocristalline de matériau AlxlnyGazAsIP,,Nr, ayant un paramètre 10 de maille proche de celui du matériau AIN caractérisé en ce qu'il comprend une couche germe monocristalline de matériau SrTiO3 ou YSZ ou Ce02 ou MgO ou A1203 sur un substrat support de matériau silicium. 15 DESCRIPTION DES FIGURES D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description détaillée qui va suivre, en référence aux dessins 20 annexés sur lesquels : - La figure 1 illustre un procédé de fabrication d'une couche monocristalline de matériau AIN selon un mode de réalisation de l'invention ainsi qu'un substrat pour la croissance par épitaxie d'une 25 telle couche monocristalline de matériau AIN selon ce mode de réalisation de l'invention ; - La figure 2 illustre un procédé de fabrication d'une couche monocristalline de matériau AIN selon un autre mode de réalisation 30 de l'invention ainsi qu'un substrat pour la croissance par épitaxie 5 d'une telle couche monocristalline de matériau AIN selon cet autre mode de réalisation de l'invention ; - La figure 3 illustre un procédé de fabrication d'une couche 5 monocristalline de matériau AIN selon encore un autre mode de réalisation de l'invention ainsi qu'un substrat pour la croissance par épitaxie d'une telle couche monocristalline de matériau AIN selon cet autre mode de réalisation de l'invention ; 10 - La figure 4 illustre un procédé de fabrication d'une couche monocristalline de matériau AIN selon encore un autre mode de réalisation de l'invention ainsi qu'un substrat pour la croissance par épitaxie d'une telle couche monocristalline de matériau AIN selon cet autre mode de réalisation de l'invention ; 15 - La figure 5 illustre un procédé de fabrication d'une couche monocristalline de matériau AIN selon encore un autre mode de réalisation de l'invention ainsi qu'un substrat pour la croissance par épitaxie d'une telle couche monocristalline de matériau AIN selon cet 20 autre mode de réalisation de l'invention ; Pour favoriser la lisibilité des figures, les différentes couches ne sont pas nécessairement représentées à l'échelle. 25 DESCRIPTION DETAILLEE DE MODES DE REALISATION DE L'INVENTION La figure 1 illustre un substrat support 100 de matériau silicium sur lequel on 30 transfère une couche germe monocristalline 200 de matériau SiC-6H. Le substrat support 100 de matériau silicium peut aussi être remplacé par un 6 substrat support 100 de matériau saphir. L'utilisation du silicium a l'avantage d'ouvrir le champ d'application des films de matériau AIN non seulement a des équipements de grande taille type 300 mm mais aussi rendre compatible l'industrie microélectronique pour laquelle les exigences en 5 terme d'acceptance sur la ligne de production de matériau exotique autre que silicium, en particulier AIN, sont élevées. L'étape d'assemblage 1' de la couche germe monocristalline 200 de matériau SiC-6H sur le substrat support 100 de matériau silicium se fait préférentiellement par une étape d'adhésion moléculaire. Cette étape d'adhésion moléculaire comprend une 10 étape de collage, préférentiellement à température ambiante, et est suivie d'un recuit de consolidation de l'interface de collage qui se fait usuellement à des températures élevées jusqu'à 900°C voire 1100°C pendant une durée de quelques minutes à quelques heures. En ce qui concerne un substrat support de matériau saphir, l'étape d'assemblage 1' de la couche germe 15 monocristalline sur le substrat support se fait aussi préférentiellement par une étape d'adhésion moléculaire utilisant des conditions typiques du même ordre de grandeur que mentionné ci-dessus. La figure 1 représente schématiquement l'étape d'assemblage 1' d'un 20 substrat monocristallin 20 de matériau SiC-6H sur le substrat support 100 de matériau silicium. Il suit une étape d'amincissement 2' du substrat monocristallin 20 de matériau SiC-6H après avoir été assemblé sur le substrat support 100 de matériau silicium. La figure 1 représente schématiquement l'étape d'amincissement 2' qui peut être mise en oeuvre 25 par exemple par gravure chimique et/ou mécanique (polissage, meulage, fraisage, ..). Ainsi on peut obtenir la couche germe monocristalline 200 de matériau SiC-6H qui va servir comme germe monocristalline d'une étape de croissance 3' par épitaxie de la couche monocristalline 300 de matériau AIN faite sur le substrat pour croissance par épitaxie d'une couche 30 monocristalline de matériau AIN 10 représenté schématiquement dans la figure 1. L'homme de métier saurait ajuster les paramètres utilisés pour une 7 croissance par épitaxie d'une couche monocristalline de matériau AIN usuellement utilisé lors d'une homoépitaxie ou hétéroépitaxie sur un substrat bulk monocristallin afin d'optimiser l'étape de croissance 3' par épitaxie de la couche monocristalline 300 de matériau AIN faite sur le substrat pour 5 croissance par épitaxie d'une couche monocristalline de matériau AIN 10 de la présente invention. L'épitaxie du matériau AIN se fait donc par MOCVD ou MBE ou HVPE connus par l'homme de métier. La présente invention n'est d'ailleurs pas limitée à une épitaxie du matériau AIN mais s'étend à à certains composites de type AlxlnyGazAsIP,,,Nn ayant un paramètre de maille 10 proche de celui du matériau AIN. Il est à noter que le coéfficient thermique d'expansion du substrat support 100 prédomine le comportement thermique du substrat pour croissance par épitaxie d'une couche monocristalline de matériau AIN 10 lors de l'étape de 15 croissance 3' par épitaxie de la couche monocristalline 300 de matériau AIN. Ceci est due à l'épaisseur mince, de préférence inférieure à 1 pm, de la couche germe monocristalline 200 de matériau SiC-6H par rapport à l'épaisseur totale du substrat pour croissance par épitaxie d'une couche monocristalline de matériau AIN 10 qui est de l'ordre de plusieurs dizaines à 20 centaines de pm. Le matériau SiC-6H est d'ailleurs choisi pour fournir une couche germe monocristalline ayant un paramètre de maille le plus proche possible du paramètre de maille choisi pour la couche monocristalline 300 de matériau AIN, de préférence du paramètre de maille en état relaxé afin de permettre une croissance par épitaxie induisant le moins de défauts 25 possible dans la couche monocristalline 300 de matériau AIN. Le matériau du substrat support 100 a avantageusement d'ailleurs un coéfficient thermique d'expansion particulièrement proche du coefficient thermique d'expansion du matériau AIN pour les mêmes raisons de diminution de défauts dans la couche monocristalline 300 obtenu par épitaxie. 30 Préférentiellement on utiliserait donc un substrat support 100 de matériau saphir pour la présente invention. 8 La figure 2 représente schématiquement un mode de réalisation du procédé de fabrication d'une couche monocristalline de matériau AIN qui se différencie du mode de réalisation décrit en lien avec la figure 1 en ce que le 5 substrat monocristallin 20' de matériau SiC-6H subit une étape d'implantation 0" d'espèces atomiques et/ou ioniques afin de former une zone de fragilisation délimitant une portion 200' du substrat monocristallin 20' de matériau SiC-6H destinée à être transférée sur le substrat support 100' de matériau silicium, et en ce que l'étape d'amincissement 2" 10 comprend un détachement au niveau de cette zone de fragilisation de manière à transférer ladite portion 200' du substrat monocristallin 20' de matériau SiC-6H sur le substrat support 100' de matériau silicium, en particulier ce détachement comprend l'application d'une contrainte thermique et/ou mécanique. L'avantage de ce mode de réalisation est ainsi 15 de pouvoir récupérer la partie restante 201 du substrat monocristallin 20' de matériau SiC-6H de départ qu'on peut ainsi utiliser de nouveau pour faire subir le même procédé de nouveau et ainsi réduire les coûts. Le substrat pour croissance par épitaxie d'une couche monocristalline de matériau AIN 10' ainsi illustré dans la figure 2 sert pour l'étape de croissance 3" de la 20 couche monocristalline 300' de matériau AIN comme déjà décrit lors du procédé décrit en lien avec la figure 1. De manière générale l'étape d'implantation 0" se fait avec des ions hydrogène. Une alternative intéressante bien connue de l'homme de l'art consiste à remplacer tout ou partie des ions hydrogène par des ions helium. Une dose d'implantation 25 d'hydrogène sera typiquement comprise entre 6x1016 cm-2 et 1x1017 cm-2. L'énergie d'implantation sera typiquement comprise entre entre 50 à 170 keV. Ainsi le détachement se fait typiquement à des températures entre 550 et 750°C. On obtient ainsi des épaisseurs de la couche germe monocristalline de l'ordre de 200 nm à 1,5 pm. Juste après l'opération de 30 détachement, des étapes technologiques additionnelles sont avantageusement ajoutées dans le but soit de renforcer l'interface de 9 collage, soit de récupérer une bonne rugosité, soit de guérir les défauts éventuellement générés pendant l'étape d'implantation ou encore pour préparer la surface de la couche germe à la reprise d'épitaxie. Ces étapes sont par exemple un polissage, une gravure chimique (humide ou sèche), un 5 recuit, un nettoyage chimique. Ils peuvent être utilisés seuls ou en combinaison que l'homme de l'art saura ajuster. La figure 3 se différencie des modes de réalisation décrits en lien avec la figure 1 et figure 2 en ce que le substrat pour croissance par épitaxie d'une 10 couche monocristalline de matériau AIN (10, 10') comprend une interface démontable 40' configurée pour être démontée. Dans le cas d'un substrat support 100 de matériau silicium il peut s'agir d'une surface rugueuse par exemple du matériau silicium assemblée avec la couche germe monocristalline lors de l'étape d'assemblage. Ou encore une interface 15 rugueuse peut être présente au sein du substrat support 100 de matériau silicium, ce dernier par exemple obtenu par assemblage de deux plaques de silicium. Un autre mode de réalisation serait d'introduire au niveau de la face à assembler avec la couche germe monocristalline une couche de silicium poreux susceptible de fracturer lors de l'application d'une contrainte 20 mécanique et/ou thermique, par exemple par insertion d'une lame au bord de plaque connu par l'homme de métier ou encore par l'application d'un recuit. Bien évidemment cette interface est choisie de sorte à résister aux autres contraintes mécaniques et/ou thermiques subies lors du procédé de la présente invention (p.ex. détachement, croissance par épitaxie,...). Dans 25 le cas d'un substrat support de matériau saphir il peut s'agir d'un empilement d'oxyde de silicium, de nitrure de silicium et d'oxyde de silicium (structure dite de type ONO) réalisé sur la face du saphir à assembler avec la couche germe monocristalline. Un tel empilement est susceptible de subir un détachement au niveau de la couche de nitrure de silicium lors d'une 30 application laser traversant le substrat support de saphir (détachement ou décollement de type « laser lift off »). L'homme de métier saura identifier 10 d'autres méthodes de réalisations de cette interface démontable. Ces différentes configurations de démontage permettent ainsi soit un report de la couche épitaxiée sur un support final qui n'est pas compatible avec les paramètres de croissance soit la préparation d'un film épais de matériau AIN 5 de type autoporté. La figure 4 représente schématiquement un mode de réalisation du procédé de fabrication d'une couche monocristalline de matériau AIN qui se différencie des modes de réalisation décrits en lien avec la figure 1, la figure 10 2 et la figure 3 en ce que la couche de germe monocristalline 2000' de matériau SiC-6H se présente sous la forme d'une pluralité de pavés (2001', 2002', 2003') transférés chacun sur le substrat support 100" de matériau silicium. Les différents pavés peuvent se présenter sous une forme quelconque (carré, hexagonale, bandes,...) et avec des tailles différentes 15 variant de quelques mm2 à plusieurs cm2. L'espacement entre les puces peut également varier significativement selon que l'on cherche une densité maximum de couverture (dans ce cas on choisira préférentiellement un espacement inférieur à 0,2 mm) ou au contraire une dissémination maximum des pavés au sein du substrat (dans ce cas l'espacement peut 20 être de plusieurs millimètres et même centimètres). Pour chaque pavé l'homme de métier saurait appliquer le transfert qu'il souhaite et n'est pas limité à une méthode particulière. Ainsi on pourrait envisager d'appliquer les renseignements techniques décrits en lien avec le procédé illustré schématiquement dans la figure 1 ou les renseignements techniques décrits 25 en lien avec le procédé illustré schématiquement dans la figure 2 , voir même une combinaison des deux. Ainsi il est possible d'assembler 1" des substrats monocristallins (2001, 2002, 2003) de matériau SiC-6H qui ont une taille inférieure à la taille du substrat support 100" afin de créer par amincissement 2' sur ce dernier les couches germe monocristallines 30 (2001', 2002', 2003') pour la croissance par épitaxie 3' d'une couche monocristalline (3001, 3002, 3003) de matériau AIN sur chaque pavé du 11 substrat pour croissance par épitaxie d'une couche monocristalline de matériau AIN 10". Les différents modes de réalisation décrites en lien avec les figures 1 à 4 5 ouvrent ainsi la possibilité de co-intégration de composants faits dans la couche monocristalline de matériau AIN avec des composants fait dans le substrat support de matériau silicium. Ce dernier peut être simplement un substrat silicium mais il peut aussi s'agir d'un substrat de type SOI comprenant une couche d'oxyde de silicium séparant un substrat silicium 10 d'une couche fine de silicium. Dans le cas des modes de réalisation décrits en lien avec les figures 1 à 4 l'accès au substrat support peut se faire simplement par lithographie et gravure connu par l'homme de métier. Dans le cas du mode de réalisation décrit en lien avec la figure 4 on peut aussi simplement choisir les emplacements des pavés ainsi que leur espacement. 15 La figure 5 représente schématiquement un mode de réalisation qui se différencie du mode de réalisation décrit en lien avec la figure 4 en ce que le substrat support 100" ainsi que par la suite le substrat pour croissance par épitaxie d'une couche monocristalline de matériau AIN 10" comprend une 20 interface démontable 40 configurée pour être démontée, par exemple par une technique de décollement par laser (« laser lift off ») et/ou une attaque chimique et/ou par une sollicitation mécanique. Ceci permettrait d'enlever une partie du substrat support 100" comme déjà évoqué en lien avec la figure 3. Un exemple serait l'utilisation d'un substrat support 100 de type SOI 25 comprenant une couche d'oxyde de silicium séparant un substrat silicium d'une couche fine de silicium. Cette couche d'oxyde pourrait être utilisée comme interface démontable 40 par une gravure sélective de cette couche d'oxyde, par exemple par immersion dans un bain d'acide fluorhydrique (HF). Cette option de démontage par gravure chimique d'une couche 30 enterrée est particulièrement intéressante lorsqu'elle vient en combinaison du traitement d'une pluralité de petits substrats. En effet, le rayon d'action 12 des sous-gravures est généralement limité à quelques centimètres voire quelques millimètres si l'on souhaite conserver des conditions et des temps de traitement industriellement raisonnables. Le traitement d'une pluralité de petits substrats autorise le démarrage de plusieurs fronts de gravure 5 chimique grâce à un accès possible de la couche enterrée entre chaque pavé, et non plus seulement sur les bords extrêmes des substrats qui peuvent aller jusqu'à 300mm de diamètre. Dans le cas d'un substrat support de type SOI il est ainsi possible d'enlever en partie la couche fine de silicium entre les pavés afin de permettre le démarrage de plusieurs fronts de 10 gravure. La fine couche de silicium ayant une épaisseur prédéterminée (pouvant varier entre 5 nm à 600 nm, voir plus épais en fonction de l'application visée) pourrait ainsi servir pour former des composants micro-électronique et ainsi 15 permettre la co-intégration de composants à base de matériaux AIN dans un même substrat. Ainsi après avoir élaboré par épitaxie la couche monocristalline (3001, 3002, 3003) on pourrait aussi imaginer un assemblage de cette structure sur un 20 substrat final et démonter au niveau de l'interface démontable 40 une partie du substrat support 100". Le substrat final peut ainsi fournir des fonctionnalités supplémentaires qui sont par exemple incompatibles avec des paramètres de la croissance effectuée auparavant (par exemple substrat final de type plastique flexible ou encore substrat final comportant 25 des lignes métalliques). Par ailleurs et de manière générale l'interface démontable ne se situe pas forcément à l'intérieur du substrat support mais peut également se trouver à l'interface avec la couche germe de matériau SiC-6H assemblée sur ce substrat support (par exemple un empilement d'une couche de nitrure de silicium entre deux couches d'oxyde de silicium 30 permet un décollement par laser, REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une couche monocristalline (300, 300', 3001, 5 3002, 3003) de matériau AIN comprenant le transfert d'une couche germe monocristalline (200, 200', 2000') de matériau SiC-6H sur un substrat support (100, 100', 100") de matériau silicium suivi d'une croissance par épitaxie de la couche monocristalline (300, 300', 3001, 3002, 3003) de matériau AIN. 10 2. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la couche germe monocristalline (200, 200', 2000') a une épaisseur inférieure à 10 pm, de préférence inférieure à 2 pm, et plus préférentiellement inférieure à 0,2pm. 15 3. Procédé selon une des revendications précédentes dans lequel le transfert de la couche germe monocristalline (200, 200', 2000') de matériau SiC-6H sur le substrat support (100, 100', 100") de matériau silicium comprend une étape d'assemblage (1', 1", 1"') d'un substrat monocristallin (20, 20', 2001, 2002, 2003) de matériau SiC-6H sur le substrat support (100, 20 100', 100") suivi d'une étape d'amincissement (2', 2", 2'") dudit substrat monocristallin (20, 20', 2001, 2002, 2003) de matériau SiC-6H. 4. Procédé selon la revendication précédente dans lequel l'étape d'amincissement (2") comprend la formation d'une zone de fragilisation 25 délimitant une portion (200') du substrat monocristallin (20') de matériau SiC-6H destinée à être transférée sur le substrat support (100, 100', 100") de matériau silicium. 5. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la formation de la 30 zone de fragilisation est obtenue par implantation (0") d'espèces atomiques et/ou ioniques. 14 6. Procédé selon les revendications précédentes 4 à 5 dans lequel l'étape d'amincissement (2") comprend un détachement au niveau de la zone de fragilisation de manière à transférer ladite portion (200') du substrat monocristallin (20') de matériau SiC-6H sur le substrat support (100, 100', 100") de matériau silicium, en particulier le détachement comprend l'application d'une contrainte thermique et/ou mécanique. 7. Procédé selon les revendications précédentes 3 à 6 dans lequel l'étape d'assemblage (1', 1", 1"') est une étape d'adhésion moléculaire. 8. Procédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel la couche de germe monocristalline (200, 200', 2000') de matériau SiC-6H se présente sous la forme d'une pluralité de pavés (2001', 2002', 2003') 15 transférés chacun sur le substrat support (100, 100', 100") de matériau silicium. 9. Procédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel le substrat support (100, 100', 100") de matériau silicium comprend une 20 interface démontable (40, 40') configurée pour être démontée par une technique de décollement par laser et/ou une attaque chimique et/ou par une sollicitation mécanique. 10. Substrat pour croissance par épitaxie d'une couche monocristalline (300, 25 300', 3001, 3002, 3003) de matériau AIN caractérisé en ce qu'il comprend une couche germe monocristalline (200, 200', 2000') de matériau SiC-6H sur un substrat support (100, 100', 100") de matériau silicium. 11. Substrat pour croissance par épitaxie d'une couche monocristalline (300, 30 300', 3001, 3002, 3003) de matériau AIN selon la revendication précédente dans lequel la couche germe monocristalline (200, 200', 2000') de matériau SiC-6H se présente sous la forme d'une pluralité de pavés (2001', 2002', 2003'). 12. Substrat pour croissance par épitaxie d'une couche monocristalline (300, 5 300', 3001, 3002, 3003) de matériau AIN selon l'une des revendications 10 ou 11 dans lequel le substrat support (100, 100', 100") de matériau silicium comprend une interface démontable (40, 40') configurée pour être démontée par une technique de décollement par laser et/ou une attaque chimique et/ou par une sollicitation mécanique. 10