Brevet FR3082055A1 — publié le 20191206

B16781 - laser cutting 1 DISPOSITIF OPTOELECTRONIWE ET SON PROCEDE DE FABRICATION Domaine La présente description concerne de façon générale les dispositifs optoélectroniques et leurs procédés de fabrication et, plus particulièrement, les dispositifs comprenant un écran 5 d'affichage et/ou un capteur d'images. Exposé de l'art antérieur De nombreux ordinateurs, tablettes tactiles, téléphones portables, montres connectées, sont équipés d'un capteur d'images. La figure 1 représente, de façon partielle et 10 schématique, un capteur d'images 10. Le capteur d'images 10 comprend une matrice 11 d'éléments de détection 12, appelée matrice optique par la suite. Les éléments de détection 12 peuvent être agencés en rangées et en colonnes. Chaque élément de détection 12 comprend un photodétecteur 14, par exemple une 15 photodiode, et un élément de sélection 16, par exemple un transistor dont la source ou le drain est relié à une première électrode de la photodiode 14, par exemple la cathode. Le capteur d'images 10 comprend un circuit de sélection 18 comprenant, pour chaque rangée, une piste conductrice 20 reliée aux grilles des 20 transistors 16 de sélection. Le capteur d'images 10 comprend en outre un circuit de lecture 22 comprenant, pour chaque colonne, une piste conductrice 24 reliée à la source ou au drain des B16781 - laser cutting 2 transistors 16 de sélection de la colonne. En outre, les deuxièmes électrodes des photododiodes 14, par exemple les anodes, peuvent être reliées par des pistes conductrices 26 à une source 28 d'un potentiel de référence. Il est connu de réaliser les éléments de détection 12 au moins en partie en matériaux organiques. La matrice optique 11 peut alors être réalisée séparément sur un substrat et le circuit de sélection 18, le circuit de lecture 22 et la source de potentiel 28 peuvent correspondre à des circuits externes qui sont connectés à la matrice optique 11. La matrice optique 11 comprend généralement un empilement de couches recouvert par un revêtement protégeant notamment les photodiodes organiques 14 contre l'eau et l'oxygène contenu dans l'air. Le revêtement peut correspondre à un film qui est fixé à la matrice optique par l'intermédiaire d'une couche adhésive. Une étape de découpe du film est alors prévue après la fixation du film sur la matrice optique, notamment pour exposer des plots de contact de la matrice optique 11 destinés à être connectés au circuit de sélection 18, au circuit de lecture 22 et à la source de potentiel 28. L'étape de découpe peut être réalisée au moyen d'un laser. Un inconvénient d'un tel procédé de fabrication est que le réglage du laser est difficile de sorte que l'étape de découpe par laser peut entraîner une détérioration indésirable des pistes conductrices 22, 24, 26 situées au niveau du passage du faisceau laser. En outre, lorsque le substrat est en plastique, il peut être absorbant aux longueurs d'ondes du laser de sorte que l'étape de découpe par laser peut entraîner une détérioration indésirable du substrat au niveau du passage du faisceau laser. Résumé Un objet d'un mode de réalisation est de pallier tout ou partie des inconvénients des dispositifs optoélectroniques décrits précédemment et de leurs procédés de fabrication. Un autre objet d'un mode de réalisation est que le procédé de fabrication du dispositif optoélectronique comprend 35 une étape de découpe, notamment une étape de découpe par laser. B16781 - laser cutting 3 Un autre objet d'un mode de réalisation est que le dispositif optoélectronique comprend des pistes conductrices qui ne sont pas détériorées. Un autre objet d'un mode de réalisation est que le 5 dispositif optoélectronique comprend un substrat qui n'est pas détérioré. Un autre objet d'un mode de réalisation est de prévoir un dispositif optoélectronique comprenant un écran d'affichage et/ou un capteur d'images. 10 Un autre objet d'un mode de réalisation est que le capteur d'images est, au moins en partie, réalisé avec des matériaux semiconducteurs organiques. Un autre objet d'un mode de réalisation est que tout ou partie du dispositif optoélectronique puisse être réalisé par des 15 dépôts successifs de couches par des techniques d'impression, par exemple par jet d'encre, par héliographie, par sérigraphie, par flexographie ou par enduction. Ainsi, un mode de réalisation prévoit un dispositif optoélectronique comprenant un substrat, une matrice de composants 20 optoélectroniques recouvrant le substrat, des premières pistes conductrices reliées aux composants optoélectroniques, une couche adhésive recouvrant une partie de la matrice et un revêtement au contact de la couche adhésive, le revêtement comprenant un pourtour, le dispositif comprenant en outre une deuxième piste 25 réfléchissant et/ou absorbant un rayonnement à une longueur d'onde comprise entre 335 nui et 10,6 gm et s'étendant, de façon alignée avec le pourtour selon une direction donnée, entre les premières pistes conductrices et le revêtement. Selon un mode de réalisation, la deuxième piste est 30 choisie dans le groupe comprenant : un métal ou un alliage métallique, par exemple de l'argent (Ag), de l'or (Au), du plomb (Pb), du palladium (Pd), du cuivre (Cu), du nickel (Ni), du tungstène (W), du molybdène (Mo), de l'aluminium (Al), ou du chrome (Cr) ou un alliage de magnésium et d'argent (MgAg) ; B16781 - laser cutting 4 des nanof ils de carbone, d'argent et de cuivre ; du graphène ; une résine colorée ou noire, par exemple une résine SU-8 colorée ou noire ; et 5 un mélange d'au moins deux de ces matériaux. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend une première couche isolante électriquement et, pour chaque composant optoélectronique, une électrode au contact du composant optoélectronique, reposant sur la première couche isolante et au 10 contact de la première couche isolante, la deuxième piste reposant sur la première couche isolante et au contact de la première couche isolante. Selon un mode de réalisation, la deuxième piste est du même matériau que les électrodes. 15 Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend une deuxième couche isolante électriquement, et pour chaque composant optoélectronique, un transistor à effet de champ et des troisièmes pistes conductrices reliant le transistor au composant optoélectronique, reposant sur la deuxième couche isolante et au 20 contact de la deuxième couche isolante, la deuxième piste étant du même matériau que les troisièmes pistes, reposant sur la deuxième couche isolante et au contact de la deuxième couche isolante. Selon un mode de réalisation, la deuxième piste est 25 interposée entre la couche adhésive et le revêtement. Selon un mode de réalisation, les composants optoélectroniques comprennent des photodétecteurs organiques. Selon un mode de réalisation, les composants optoélectroniques comprennent des composants électroluminescents 30 organiques. Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique tel que défini précédemment. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend les étapes suivantes : B16781 - laser cutting 5 former la matrice de composants optoélectroniques recouvrant le substrat et les premières pistes conductrices reliées aux composants optoélectroniques ; recouvrir la partie de la matrice de la couche 5 adhésive ; appliquer un film au contact de la couche adhésive ; et découper le film en utilisant un faisceau laser s'étendant selon une direction donnée pour obtenir le revêtement, le procédé comprenant en outre la formation de la 10 deuxième piste réfléchissant et/ou absorbant le faisceau laser et s'étendant de façon alignée avec le pourtour du revêtement selon ladite direction donnée entre les premières pistes conductrices et le revêtement. Brève description des dessins 15 Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1, décrite précédemment, représente un schéma 20 électrique d'un exemple de capteur d'images ; les figures 2 et 3 sont respectivement une vue en coupe et une vue de dessus, partielles et schématiques, d'un exemple de matrice optique d'un capteur d'images ; les figures 4A à 4C sont des vues en coupe, partielles 25 et schématiques, des structures obtenues à des étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication de la matrice optique représentée sur les figures 2 et 3 ; les figures 5 et 6 sont respectivement une vue en coupe et une vue de dessus, partielles et schématiques, d'un mode de 30 réalisation d'une matrice optique ; et les figures 7 à 9 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de modes de réalisation d'une matrice optique. Description détaillée De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes 35 références aux différentes figures. Par souci de clarté, seules B16781 - laser cutting 6 les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation qui vont être décrits ont été représentés et seront détaillés. En particulier, le fonctionnement d'un écran d'affichage et d'un capteur d'images n'a pas été détaillé, les 5 modes de réalisation décrits étant compatibles avec les écrans d'affichage et les capteurs d'images usuels. De plus, les autres constituants du dispositif optoélectronique intégrant un écran d'affichage et/ou un capteur d'images n'ont pas non plus été détaillés, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec 10 les autres constituants usuels des dispositifs optoélectroniques à écran d'affichage et/ou à capteur d'images. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans élément intermédiaire autre que des conducteurs, 15 et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés ou couplés entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être directement reliés (connectés) ou reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsqu'on fait référence 20 aux termes "de l'ordre de" et "sensiblement", cela signifie à 10 % près, de préférence à 5 % près. Par ailleurs, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "haut", "bas", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., il est fait 25 référence, sauf précision contraire, à l'orientation des figures. On appelle région active d'un composant optoélectronique, notamment un composant électroluminescent ou un photodétecteur, la région depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement électromagnétique fourni par le composant 30 optoélectronique ou est captée la majorité du rayonnement électromagnétique reçu par le composant optoélectronique. Dans la suite de la description, un composant optoélectronique est dit organique lorsque la région active du composant optoélectronique est en majorité, de préférence en totalité, en au moins un matériau 35 organique ou un mélange de matériaux organiques. B16781 - laser cutting 7 Un mode de réalisation va maintenant être décrit pour une matrice optique dans le cas où les composants optoélectroniques de la matrice optique sont des photodiodes organiques. Toutefois, il est clair les composants 5 optoélectroniques peuvent correspondre à des composants électroluminescents. La figure 2 est une vue latérale en coupe, partielle et schématique, d'un exemple d'une matrice optique 30 dont le schéma électrique équivalent peut correspondre à la matrice optique 11 10 représentée en figure 1. La matrice optique 30 comprend du bas vers le haut en figure 2 : un substrat 32 ; un empilement 34 dans lequel sont formés des transistors 15 en couches minces, un seul transistor T étant représenté en figure 2; des électrodes 36, chaque électrode 36 étant reliée à l'un des transistors T, une seule électrode 36 étant représentée en figure 2 ; 20 des photodétecteurs 38, par exemple des photodiodes organiques, également appelées OPD (sigle anglais pour Organic Photodiode), une seule photodiode 38 étant représentée en figure 2, chaque photodiode 38 étant au contact de l'une des électrodes 36 ; 25 une électrode 40 au contact de toutes les photodiodes organiques 38 ; une couche d'un matériau adhésif 42 ; et un revêtement 44. Selon un mode de réalisation, chaque photodiode 38 30 comprend une région active 46, les électrodes 36 et 40 étant au contact de la région active 46. A titre de variante, chaque photodiode organique 38 peut comprendre une première couche d'interface au contact de l'une des électrodes 36, la région active 46 au contact de la première couche d'interface, et une B16781 - laser cutting 8 deuxième couche d'interface au contact de la région active 46, l'électrode 40 étant au contact de la deuxième couche d'interface. Selon le présent mode de réalisation, l'empilement 34 comprend : 5 des pistes conductrices électriquement 50, 51 reposant sur le substrat 32, les pistes 50 formant les conducteurs de grille des transistors T et les pistes 51 étant reliées aux drains ou aux sources des transistors T ; une couche 52 d'un matériau diélectrique recouvrant les 10 pistes 50, 51 et le substrat 32 entre les pistes 50, 51 et formant les isolants de grille des transistors T ; des régions actives 54 reposant sur la couche diélectrique 52 en vis-à-vis des conducteurs de grille 50 ; des pistes conductrices électriquement 56 s'étendant sur 15 la couche diélectrique 52, certaines de ces pistes étant au contact des régions actives 54 et formant les contacts de drain et de source des transistors T, certaines des pistes 56 étant reliées électriquement aux pistes 51 par l'intermédiaire de vias conducteurs électriquement 57 s'étendant au travers de la couche 20 52 ; et une couche 58 d'un matériau diélectrique recouvrant les régions actives 54 et les pistes conductrices électriquement 56, les électrodes 36 reposant sur la couche 58 et étant connectées à certaines des pistes conductrices 56 par des vias conducteurs 60 25 traversant la couche isolante 58 et l'électrode 40 étant connectée à certaines des pistes conductrices 51 par des vias conducteurs, non représentés en figure 2, traversant les couches isolantes 58 et 52. A titre de variante, les transistors T peuvent être du 30 type à grille haute. Lorsqu'au moins une couche d'interface est présente au contact de la région active 46, cette couche d'interface peut correspondre à une couche injectrice d'électrons ou à une couche injectrice de trous. Le travail de sortie de chaque couche 35 d'interface est adapté à bloquer, collecter ou injecter des trous B16781 - laser cutting 9 et/ou des électrons suivant que cette couche d'interface joue le rôle d'une cathode ou d'une anode. Plus précisément, lorsque la couche d'interface joue le rôle d'anode, elle correspond à une couche injectrice de trous et bloqueuse d'électrons. Le travail 5 de sortie de la couche d'interface est alors supérieur ou égal à 4,5 eV, de préférence supérieur ou égal à 5 eV. Lorsque la couche d'interface joue le rôle de cathode, elle correspond à une couche injectrice d'électrons et bloqueuse de trous. Le travail de sortie de la couche d'interface est alors inférieur ou égal à 4,5 eV, de 10 préférence inférieur ou égal à 4,2 eV. Dans le présent mode de réalisation, l'électrode 36 ou 40 joue de façon avantageuse directement le rôle de couche injectrice d'électrons ou de couche injectrice de trous pour la photodiode 38 et il n'est pas nécessaire de prévoir, pour la 15 photodiode 38, de couche d'interface au contact de la région active 46 et jouant le rôle d'une couche injectrice d'électrons ou d'une couche injectrice de trous. Le substrat 32 peut être un substrat rigide ou un substrat flexible. Le substrat 32 peut avoir une structure 20 monocouche ou correspondre à un empilement d'au moins deux couches. Un exemple de substrat rigide comprend un substrat en silicium, en germanium ou en verre. De préférence, le substrat 32 est un film flexible. Un exemple de substrat flexible comprend un film en PEN (polyéthylène naphtalate), PET (polyéthylène 25 téréphtalate), PI (polyimide), TAC (triacétate de cellulose), COP (copolymère cyclo-oléfine) ou PEEK (polyétheréthercétone). L'épaisseur du substrat 32 peut être comprise entre 5 gm et 1000 pin. Selon un mode de réalisation, le substrat 32 peut avoir une épaisseur de 10 pin à 300 pin, de préférence entre 75 pin et 30 250 pin, notamment de l'ordre de 125 pin, et présenter un comportement flexible, c'est-à-dire que le substrat 32 peut, sous l'action d'une force extérieure, se déformer, notamment se plier, sans se casser ou se déchirer. Le substrat 32 peut comprendre au moins une couche sensiblement étanche à l'oxygène et à l'humidité 35 afin de protéger les couches organiques de la matrice optique 30. B16781 - laser cutting 10 Il peut s'agir d'une couche ou de couches déposées par un procédé de dépôt de couches minces (ALD, sigle anglais pour Atomic Layer Deposition), par exemple une couche en A1203. Selon un mode de réalisation, le matériau composant les 5 électrodes 36, 40 est choisi parmi le groupe comprenant : un oxyde conducteur transparent (TCO, sigle anglais pour Transparent Conductive Oxide), notamment de l'oxyde d'indium dopé à l'étain (ITO, sigle anglais pour Indium Tin Oxide), un oxyde de zinc et d'aluminium (AZO, acronyme anglais pour Aluminium Zinc 10 Oxide), un oxyde de gallium et de zinc (GZO, acronyme anglais pour Gallium Zinc Oxide), un alliage ITO/Ag/ITO, un alliage ITO/Mo/ITO, un alliage AZO/Ag/AZO ou un alliage ZnO/Ag/ZnO ; un métal ou un alliage métallique, par exemple de l'argent (Ag), de l'or (Au), du plomb (Pb), du palladium (Pd), du 15 cuivre (Cu), du nickel (Ni), du tungstène (W), du molybdène (Mo), de l'aluminium (A1), ou du chrome (Cr) ou un alliage de magnésium et d'argent (MgAg) ; des nanofils de carbone, d'argent et/ou de cuivre ; du graphène ; et 20 un mélange d'au moins deux de ces matériaux. Le matériau composant l'électrode 40 peut en outre être choisi dans le groupe comprenant le polymère PEDOT:PSS, qui est un mélange de poly(3,4)-éthylènedioxythiophène et de polystyrène sulfonate de sodium, ou une polyaniline, l'oxyde de tungstène 25 (1»03), l'oxyde de nickel (NiO), l'oxyde de vanadium (V205), ou l'oxyde de molybdène (Mo03). Lorsque la matrice optique 30 est exposée à un rayonnement lumineux, ce-dernier atteint les photodiodes 38 au travers du revêtement 44, l'électrode 40 et le revêtement 44 sont 30 au moins en partie transparents au rayonnement électromagnétique capté par les photodiodes 38. L'électrode 40 est par exemple en TCO. Les électrodes 36 et le substrat 32 peuvent alors être opaques au rayonnement électromagnétique capté par les photodiodes 38. Lorsque le rayonnement atteint les photodiodes 38 au travers du 35 substrat 32, les électrodes 36 et le substrat 32 sont un matériau B16781 - laser cutting 11 au moins en partie transparent au rayonnement électromagnétique capté par les photodiodes 38. Les électrodes 36 sont par exemple en TCO. L'électrode 40 peut alors être opaque au rayonnement électromagnétique capté par les photodiodes 38. 5 Chaque couche isolante 52, 58 peut avoir une structure monocouche ou multicouche et comprendre au moins une couche réalisée en nitrure de silicium (SiN), en oxyde de silicium (Si02) ou en un polymère, notamment une résine. La couche de matériau adhésif 42 est transparente ou 10 partiellement transparente à la lumière visible. La couche de matériau adhésif 42 est de préférence sensiblement étanche à l'air et à l'eau. Le matériau composant la couche de matériau adhésif 42 est choisi dans le groupe comprenant un polyépoxyde ou un polyacrylate. Parmi les polyépoxydes, le matériau composant la 15 couche de matériau adhésif 42 peut être choisi parmi le groupe comprenant les résines époxy au bisphénol A, notamment le diglycidyléther du bisphénol A (DGEBA) et les diglycidyléther du bisphénol A et du tétrabromobisphénol A, les résines époxy au bisphénol F, les résines époxy novolaques, notamment les résines 20 époxy-phénol-novolaques (EPN) et les résines époxy-crésolnovolaques (ECN), les résines époxy aliphatiques, notamment les résines époxy à groupes glycidiles et les époxydes cycloaliphatiques, les résines époxy glycidylamine, notamment les éthers de glycidyle de la méthylène dianiline (TGMDA), et un 25 mélange d'au moins deux de ces composés. Parmi les polyacrylates, le matériau composant la couche de matériau adhésif 42 peut être réalisé à partir de monomères comprenant l'acide acrylique, le méthylméthacrylate, l'acrylonitrile, les méthacrylates, l'acrylate de méthyle, l'acrylate d'éthyl, le 2-chloroéthyl vinyl 30 éther, l'acrylate de 2-éthylhexyle, le méthacrylate d'hydroxyéthyl, l'acrylate de butyle, le méthacrylate de butyle, le triacrylate de triméthylolpropane (TMPIA) et des dérivés de ces produits. Lorsque la couche de matériau adhésif 42 comprend au 35 moins un polyépoxyde ou un polyacrylate, l'épaisseur de la couche 316781 - laser cutting 12 de matériau adhésif 42 est comprise entre 1 gm et 50 pin, de préférence entre 5 pin et 40 pin, notamment de l'ordre de 15 pm. Le revêtement 44 est un film flexible. Un exemple de film flexible comprend un film en PEN (polyéthylène naphtalate), 5 PET (polyéthylène téréphtalate), PI (polyimide), TAC (triacétate de cellulose), COP (copolymère cyclo-oléfine) ou PEEK (polyétheréthercétone). L'épaisseur du revêtement 44 peut être comprise entre 5 gm et 1000 pin. Selon un mode de réalisation, le substrat 32 peut avoir 10 une épaisseur de 10 pin à 300 pin, de préférence entre 25 pin et 100 pin, notamment de l'ordre de 50 pin, et présenter un comportement flexible, c'est-à-dire que le revêtement peut, sous l'action d'une force extérieure, se déformer, notamment se plier, sans se casser ou se déchirer. Le revêtement 44 peut comprendre 15 au moins une couche sensiblement étanche à l'oxygène et à l'humidité afin de protéger les couches organiques de la matrice optique 30. Le revêtement 44 peut comprendre au moins une couche de SiN, par exemple déposée par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, sigle anglais pour Plasma-Enhanced 20 Chemical Vapor Deposition) et/ou une couche d'oxyde d'aluminium (A1203), par exemple déposée par ALD. La région active 46 comprend au moins un matériau organique et peut comprendre un empilement ou un mélange de plusieurs matériaux organiques. La région active 46 peut 25 comprendre un mélange d'un polymère donneur d'électrons et d'une molécule accepteuse d'électrons. La zone fonctionnelle de la région active 46 est délimitée par le recouvrement entre l'électrode inférieure 36 et l'électrode supérieure 40. Les courants traversant la zone fonctionnelle de la région active 46 30 peuvent varier de quelques femtoampères à quelques microampères. L'épaisseur de la région active 46 recouvrant l'électrode inférieure 36 peut être comprise entre 50 nm et 5 pin, de préférence entre 300 nm et 2 pin, par exemple de l'ordre de 500 nm. La région active 46 peut comprendre des petites 35 molécules, des oligomères ou des polymères. Il peut s'agir de B16781 - laser cutting 13 matériaux organiques ou inorganiques. La région active 46 peut comprendre un matériau semiconducteur ambipolaire, ou un mélange d'un matériau semiconducteur de type N et d'un matériau semiconducteur de type P, par exemple sous forme de couches 5 superposées ou de mélange intime à l'échelle nanométrique de façon à former une hétérojonction en volume. Des exemples de polymères semiconducteurs de type P adaptés à la réalisation de la région active 42 sont le poly(3- hexylthiophène) (P3HT), le poly[N- 9'-heptadécany1-2,7-carbazole10 alt-5,5-(4,7-di-2-thiény1-2',1',3'-benzothiadiazole)] (PCDTBT), le Poly[(4,8-bis-(2-éthylhexyloxy)-benzo[1,2-b;4,5- b']dithiophène)-2,6-diyl-alt-(4-(2-éthylhexanoy1)-thie-no[3,4- b]thiophène))-2,6-diy1];4,5-bl]dithi-ophène)-2,6-diyl-alt-(5,5'- bis(2-thiény1)-4,4,-dinony1-2,2'-bithiazole)-5',5"-diy1] 15 (PBDTTT-C), le poly[2-méthoxy-5-(2-éthyl-hexyloxy)-1,4-phénylène-vinylène] (MEH-PPV) ou le Poly[2,6-(4,4-bis-(2-éthylhexyl)- 4H-cyclopenta [2,1-b;3,4-b']dithiophène)-a/t-4,7(2,1,3-benzo- thiadiazole)] (PCPDTBT). Des exemples de matériaux semiconducteurs de type N 20 adaptés à la réalisation de la région active 42 sont les fullerènes, notamment le 060, le [6,6]-phényl-C 61-butanoate de méthyle ([60]PCBM), le [6,6]-phényl-C71-butanoate de méthyle ([70]PCBM), le pérylène diimide, l'oxyde de zinc (ZnO) ou des nanocristaux permettant la formation de boîtes quantiques, en 25 anglais quantum dots. Dans le cas où une couche d'interface est présente et que la couche d'interface joue le rôle d'une couche injectrice d'électrons, le matériau composant la couche d'interface est choisi parmi le groupe comprenant : 30 un oxyde métallique, notamment un oxyde de titane ou un oxyde de zinc ; un système hôte/dopant moléculaire, notamment les produits commercialisés par la société Novaled sous les appellations NET-5/NDN-1 ou NET-8/MDN-26 ; B16781 - laser cutting 14 un polymère conducteur ou semiconducteur dopé, par exemple le polymère PEDOT:Tosylate qui est un mélange de poly(3,4)-éthylènedioxythiophène et de tosylate ; un carbonate, par exemple du CsCO3 ; 5 un polyélectrolyte, par exemple du poly[9,9-bis(3'- (N,N-diméthylamino)propy1)-2,7-fluorène-alt-2,7-(9,9- dioctyfluorène)] (PFN), du poly[3- (6- triméthylammoniumhexyl) thiophène] (P3TMAHT) ou du poly[9,9-bis(2-éthylhexyl) fluorène]- b-poly[3-(6- triméthylammoniumhexyl] thiophène (PF2/6-b- 10 P3TMAHT) ; un polymère de polyéthylèneimine (PET) ou un polymère de polymère de polyéthylèneimine éthoxylée (PEIE), propoxylée et/ou butoxylée ; le MgAg ; 15 le tris(8-hydroxyquinoléine)aluminium(III) (A1q3) ; le 2-(4-Biphényly1)-5-(4-tert-butylphény1)-1,3,4- oxadiazole (Bu-PBD) ; et un mélange de deux ou de plus de deux de ces matériaux. Dans le cas où une couche d'interface est présente et 20 que la couche d'interface joue le rôle d'une couche injectrice de trous, le matériau composant la couche d'interface peut être choisi parmi le groupe comprenant : un polymère conducteur ou semiconducteur dopé, notamment les matériaux commercialisés sous les appellations Plexcore OC 25 RG-1100, Plexcore OC RG-1200 par la société Sigma-Aldrich, le PEDOT:PSS ; un système hôte/dopant moléculaire, notamment les produits commercialisés par la société Novaled sous les appellations NHT-5/NDP-2 ou NHT-18/NDP-9 ; 30 un polyélectrolyte, par exemple le Nafion ; un oxyde métallique, par exemple un oxyde de molybdène, un oxyde de vanadium, de l'ITO, ou un oxyde de nickel ; le Bis[(1-naphthyl)-N-phényl]benzidine (NPB) ; les triarylamines (TPD) ; et 35 un mélange de deux ou de plus de deux de ces matériaux. 316781 - laser cutting 15 De préférence, dans le cas où la couche d'interface joue le rôle d'une couche injectrice de trous, le matériau composant la couche d'interface est un polymère conducteur ou semiconducteur dopé. 5 Dans le cas où la matrice optique comprend des composants électroluminescents, notamment des diodes électroluminescentes organiques, la région active de la diode électroluminescente est par exemple en un matériau électroluminescent. Le matériau électroluminescent peut être un 10 matériau électroluminescent polymérique, tel que décrit dans la publication intitulée "Progress with Light-Emitting Polymers" de M.T. Bernius, M. Inbasekaran, J. O'Brien and W. Wu (Advanced Materials, 2000, Volume 12, Issue 23, pages 1737-1750) ou un matériau électroluminescent de faible poids moléculaire tel que 15 l'aluminium trisquinoline, comme cela est décrit dans le brevet US 5 294 869. Le matériau électroluminescent peut comprendre un mélange d'un matériau électroluminescent et d'un colorant fluorescent ou peut comprendre une structure en couches d'un matériau électroluminescent et d'un colorant fluorescent. Les 20 polymères émetteurs de lumière comprennent le polyfluorène, le polybenzothlazole, la polytriarylamine, le poly (phénylènevinylène) et le polythophène. Les polymères émetteurs de lumière préférés comprennent les homopolymères et les copolymères de 9,9-di-n-octylfluorène (F8), de N, N-bis (phényl) 25 -4-sec-butylphénylamine (TFB), de benzothiadiazole (ET) et de 4,4'-N,N'-dicarbazo1e-biphényl (CEP) dopé avec du tris(2- phénylpyridine) d'iridium (Ir(ppy)3). L'épaisseur de la région active 46 est comprise entre 1 nia et 100 nia. Les pistes conductrices 50, 51, 56 peuvent être du même 30 matériau que les électrodes 36 ou 40. L'épaisseur des pistes conductrices 50, 51 peut être inférieure à 50 Les régions actives 54 peuvent être en silicium polycristallin, notamment du silicium polycristallin déposé à basse température (LTPS, sigle anglais pour Low Temperature 35 Polycristalline Silicon), en silicium amorphe (aSi), en oxyde de B16781 - laser cutting 16 zinc-gallium-indium (IGZO), en polymère ou comprendre des petites molécules utilisées de façon connue pour la réalisation de transistors organiques en couches minces (OTFr, sigle anglais pour Organic Thin Film Transistor). 5 Chaque couche isolante 52, 58 peut être en SiN, en Si02 ou en un polymère organique. La couche isolante 52 peut avoir une épaisseur comprise entre 10 nm et 4 gm et la couche isolante 58 peut avoir une épaisseur comprise entre 10 nm et 4 lm. La matrice optique 30 peut en outre comprendre un filtre 10 polarisant, disposé par exemple sur le revêtement 44. La matrice optique 30 peut en outre comprendre des filtres de couleur en vis-à-vis des photodétecteurs 38 pour obtenir une sélection en longueur d'onde du rayonnement atteignant les photodétecteurs 38. La figure 3 est une vue de dessus, partielle et 15 schématique, de la matrice optique 30 représentée en figure 2. En figure 3, on a représenté par des traits pointillés 60 le contour de la zone dans laquelle sont formées les photodiodes 38, et par des traits pleins et des traits pointillés 62 les contours des zones dans lesquelles sont formées les pistes conductrices 50 et 20 51. On a en outre représenté par un trait plein le pourtour 64 du revêtement 44. Comme cela apparaît sur la figure 3, une partie des zones 62, représentée en traits pleins, n'est pas recouverte par le revêtement 44 de façon à permettre la connexion aux pistes conductrices 50, 51 du circuit de sélection 18, du circuit de 25 lecture 22 et de la source de potentiel 28, non représentés en figure 3. Les figures 4A à 4C sont des vues en coupe, partielles et schématiques, des structures obtenues à des étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication de la matrice 30 optique 30. La figure 4A représente la structure obtenue après la formation de l'empilement de couches comprenant les transistors T, les électrodes 36, les photodétecteurs 38, l'électrode 40 et la couche du matériau adhésif 42. B16781 - laser cutting 17 Selon les matériaux considérés, le procédé de formation des couches de la matrice optique peut correspondre à un procédé dit additif, par exemple par impression directe du matériau composant les couches organiques aux emplacements souhaités 5 notamment sous forme de sol-gel, par exemple par impression par jet d'encre, héliographie, sérigraphie, flexographie, revêtement par pulvérisation (en anglais spray coating) ou dépôt de gouttes (en anglais drop-casting). Selon les matériaux considérés, le procédé de formation des couches de la matrice optique peut 10 correspondre à un procédé dit soustractif, dans lequel le matériau composant les couches organiques est déposé sur la totalité de la structure et dans lequel les portions non utilisées sont ensuite retirées, par exemple par photolithographie ou ablation laser. Selon le matériau considéré, le dépôt sur la totalité de la 15 structure peut être réalisé par exemple par voie liquide, par pulvérisation cathodique ou par évaporation. Il peut s'agir notamment de procédés du type dépôt à la tournette, revêtement par pulvérisation, héliographie, revêtement par filière (en anglais slot-die coating), revêtement à la lame (en anglais blade- 20 coating), flexographie ou sérigraphie. Lorsque les couches sont métalliques, le métal est, par exemple, déposé par évaporation ou par pulvérisation cathodique sur l'ensemble du support et les couches métalliques sont délimitées par gravure. De façon avantageuse, au moins certaines des couches de 25 la matrice optique peuvent être réalisées par des techniques d'impression. Les matériaux de ces couches décrites précédemment peuvent être déposés sous forme liquide, par exemple sous forme d'encres conductrices, semiconductrices ou isolantes à l'aide d'imprimantes à jet d'encre. Par matériaux sous forme liquide, on 30 entend ici également des matériaux en gel déposables par des techniques d'impression. Des étapes de recuit sont éventuellement prévues entre les dépôts des différentes couches, mais les températures de recuit peuvent ne pas dépasser 150°C, et le dépôt et les éventuels recuits peuvent être réalisés à la pression 35 atmosphérique. B16781 - laser cutting 18 La figure 4B représente la structure obtenue après le dépôt d'un film 68 du même matériau que le revêtement 44 souhaité. Ceci peut être réalisé par une étape de lamination dans laquelle le film 68 est appliqué contre la couche adhésive 42, 5 éventuellement sous pression et avec chauffage. La figure 4C représente la structure obtenue après une étape de découpe du film 68 pour former le revêtement 44. L'étape de découpe peut être une étape de découpe par laser. A titre d'exemple, le laser est un laser continu de type CO2 avec une 10 longueur d'onde comprise entre 9,4 gra et 10,6 pin. A titre d'exemple, la puissance du laser est comprise entre 1 W et 100 W, la vitesse de déplacement comprise entre 1 um/s et 10 m/s. Une alternative est d'utiliser un laser continu en azote avec une longueur d'onde de 337,1 nm ou un laser pulsé Yag de longueurs 15 d'onde 1050 nm à 1070 nmn, 1550 nm ou 2100 nm. La découpe est de préférence faite avec un laser CO2. Le parcours suivi par le faisceau laser est indiqué de façon schématique en figure 4C par des flèches 64. Les inventeurs ont mis en évidence que l'étape de 20 découpe par laser peut entraîner une détérioration des pistes conductrices 50, 51 par le faisceau laser, et notamment une interruption localisée des pistes conductrices 50, 51 sur le parcours du laser. En outre, dans le cas où le substrat 32 est en un matériau plastique, le substrat 32 peut absorber le faisceau 25 laser, ce qui peut entraîner une détérioration localisée du substrat 32 sur le parcours du laser. Les inventeurs ont mis en évidence que les détériorations dues à l'étape de découpe par laser peuvent être évitées en prévoyant une piste d'un matériau réfléchissant le 30 rayonnement laser et/ou d'un matériau absorbant le rayonnement laser sur le parcours du laser lors de l'étape de découpe, cette piste étant interposée entre le faisceau laser d'une part et les pistes conductrices 50, 51 et le substrat 32 d'autre part. De préférence, la largeur de cette piste est supérieure à 500 gra, de 35 préférence supérieure à 1 mm. B16781 - laser cutting 19 Les figures 5 et 6 sont respectivement une vue en coupe et une vue de dessus, partielles et schématiques, d'un mode de réalisation d'une matrice optique 70 comprenant une protection pour l'étape de découpe. La matrice optique 70 comprend l'ensemble 5 des éléments de la matrice optique 30 représentée en figure 2 et comprend, en outre, au moins une piste réfléchissante 72 reposant sur la couche isolante 58 sur le trajet de découpe du film 68. Selon un mode de réalisation, la piste réfléchissante 72 est une piste conductrice électriquement réalisée simultanément avec les 10 électrodes 36 et du même matériau que les électrodes 36 lorsque les électrodes 36 sont en matériau réfléchissant. La figure 7 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'une matrice optique 75 comprenant une protection pour l'étape de découpe. La matrice 15 optique 75 comprend l'ensemble des éléments de la matrice optique 30 représentée en figure 2 et comprend, en outre, une piste réfléchissante 76 reposant sur la couche isolante 52 sur le trajet de découpe du film 68. Selon un mode de réalisation, la piste réfléchissante 76 est une piste conductrice électriquement 20 réalisée simultanément avec les pistes 56 et du même matériau que les pistes 56. Selon un mode de réalisation, le matériau composant la piste 72 ou 76 est choisi dans le groupe comprenant : un métal ou un alliage métallique, par exemple de 25 l'argent (Ag), de l'or (Au), du plomb (Pb), du palladium (Pd), du cuivre (Cu), du nickel (Ni), du tungstène (W), du molybdène (Mo), de l'aluminium (Al), ou du chrome (Cr) ou un alliage de magnésium et d'argent (MgAg) ; un empilement ITO/Mo/ITO ; 30 des nanof ils de carbone, d'argent et/ou de cuivre ; du graphène ; et un mélange d'au moins deux de ces matériaux. L'épaisseur de la piste 72 ou 76 peut être comprise entre 10 nm et 10 pin. B16781 - laser cutting 20 Lorsque la piste 72, 76 est conductrice électriquement, elle peut être reliée, lors du fonctionnement de la matrice optique, à une source d'un potentiel de référence bas, par exemple la masse, à la source de potentiel 28 ou à une source du potentiel 5 commandant la fermeture des transistors T. La figure 8 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'une matrice optique 80 comprenant une protection pour l'étape de découpe. La matrice optique 80 comprend l'ensemble des éléments de la matrice optique 10 30 représentée en figure 2 et comprend, en outre, une piste 82 d'un matériau absorbant le rayonnement du laser et reposant sur la couche isolante 58 sur le trajet de découpe du film 68. La piste 82 peuvent être en résine colorée, par exemple une résine SU-8 colorée ou noire. Dans le présent mode de réalisation, la 15 piste 82 est formée sur la couche isolante 58 avant le dépôt de la couche adhésive 42, par exemple selon l'une des techniques de procédés additifs ou soustractifs décrits précédemment. L'épaisseur de la piste 82 peut être comprise entre 100 nm et 50 pm. 20 La figure 9 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'une matrice optique 85 comprenant une protection pour l'étape de découpe. La matrice optique 85 comprend l'ensemble des éléments de la matrice optique 30 représentée en figure 2 et comprend, en outre, une piste 86 25 d'un matériau absorbant le rayonnement du laser reposant sur la couche adhésive 42 sur le trajet de découpe du revêtement 44. La piste 86 peut être du même matériau que la piste 82. Dans le présent mode de réalisation, la piste 86 est formée sur la couche adhésive 42 avant l'application du film formant le revêtement 44 30 par exemple selon l'une des techniques de procédés additifs ou soustractifs décrits précédemment. Divers modes de réalisation avec diverses variantes ont été décrits ci-dessus et diverses variantes et modifications apparaissent à l'homme de l'art. On note que l'homme de l'art peut 35 combiner divers éléments de ces divers modes de réalisation et B16781 - laser cutting 21 variantes sans faire preuve d'activité inventive. En particulier, REVENDICATIONS1. Dispositif optoélectronique comprenant un substrat (32), une matrice (70 ; 75 ; 80 ; 85) de optoélectroniques (38) recouvrant le substrat, des pistes conductrices (50, 51) reliées aux optoélectroniques, une couche adhésive (42) recouvrant de la matrice et un revêtement (44) au contact de composants premières composants une partie la couche adhésive (42), le revêtement comprenant un. pourtour (64), le dispositif comprenant en outre une deuxième piste (72 ; 76 ; 82 ; 86) réfléchissant et/ou absorbant un rayonnement à une longueur 10 d'onde comprise entre 335 nm et 10,6 pin et s'étendant, de façon alignée avec le pourtour, selon une direction donnée entre les premières pistes conductrices et le revêtement: 2. Dispositif optoélectronique selon la revendication lequel la deuxième piste (72 ; 76 ; 82 ; 86) est choisie 15 groupe comprenant : un métal ou un alliage métallique ; des nanofils de carbone, d'argent et/ou de cuivre ; du graphène une résine colorée ou noire, par exemple une résine SU- 20 8 colorée ou noire ; et un mélange d'au moins deux de ces matériaux. 3. Dispositif optoélectronique selon la revendication 1 ou 2, comprenant une première couche isolante électriquement (58) et, pour chaque composant optoélectronique, une électrode 25 (36) au contact du composant optoélectronique (38), reposant sur la première couche isolante et au contact de la première couche isolante, la deuxième piste (72 ; 82) reposant sur la première couche isolante et au contact de la première couche isolante. 4. Dispositif optoélectronique selon la revendication 30 3, dans lequel la deuxième piste (72) est du même matériau que les électrodes (36). 5. Dispositif optoélectronique selon la revendication 1 ou 2, comprenant une deuxième couche isolante électriquement (52), et pour chaque composant optoélectronique (38), un 1, dans dans le B16781 - laser cutting 23 transistor à. effet de champ (T) et des troisièmes pistes conductrices (56) reliant le transistor au composant optoélectronique, reposant sur la deuxième couche isolante et au contact de la deuxième couche isolante, la deuxième piste (76) étant du même matériau que les troisièmes pistes, reposant sur la deuxième couche isolante et au contact de la deuxième couche isolante. 6. Dispositif optoélectronique selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la deuxième piste (86) est interposée entre 10 la couche adhésive (42) et le revêtement (44). 7. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel les composants optoélectroniques (38) comprennent des photodétecteurs organiques. 15 8. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel les composants optoélectroniques (38) comprennent des composants électroluminescents organiques. 9. Procédé de fabrication du. dispositif 20 optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, comprenant les étapes suivantes : former la matrice (70 ; 75 ; 80 ; 85) de composants optoélectroniques (38) recouvrant le substrat (32) et les premières pistes conductrices (50, 51) reliées aux composants 25 optoélectroniques ; recouvrir la partie de la matrice de la couche adhésive (42) ; appliquer un film (68) au contact de la couche adhésive (42) ; et 30 découper le film en utilisant un faisceau laser s'étendant selon la direction donnée pour obtenir le revêtement (44), le procédé comprenant en outre la formation de la deuxième piste (72 ; 76 ; 82 ; 86) réfléchissant et/ou absorbant le faisceau laser et s'étendant de façon alignée avec le pourtour B16781 - laser cutting 24 du revêtement (44) selon ladite direction donnée entre les premières pistes conductrices et le revêtement.