Brevet FR3076081A1 — publié le 20190628

CELLULE ELEMENTAIRE COMPORTANT UNE MEMOIRE RESISTIVE ET UN SELECTEUR, ETAGE ET MATRICE D'ETAGES COMPORTANT UNE PLURALITE DE CES CELLULES ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION Le domaine technique de l'invention est celui des mémoires résistives non volatiles. La présente invention concerne une cellule élémentaire comportant une mémoire résistive et un sélecteur, un étage comportant une pluralité de ces cellules et une matrice comportant une pluralité de ces étages. La présente invention concerne également le procédé de fabrication permettant d'obtenir cet étage et cette matrice. ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L'INVENTION Pour des applications qui nécessitent un stockage de l'information même lorsque la tension est coupée, des mémoires non volatiles de type EEPROM ou FLASH qui réalisent un stockage de charges sur des grilles flottantes de transistors à effet de champ, sont classiquement utilisées. Ces mémoires présentent toutefois des inconvénients : - temps d'écriture longs (quelques microsecondes), - densité limitée car la réduction de la taille des transistors conduit à une diminution du signal de lecture, c'est-à-dire une baisse de la différence entre les deux états du point mémoire, et une réduction de la durée de rétention de l'information, - nombre de cycles d'écriture limité car la capacité de rétention de l'information diminue au fur et à mesure des cycles d'écriture à cause de la création de défauts dans l'oxyde de grille des transistors, permettant aux électrons de s'échapper de la grille flottante. Ainsi, ce type de mémoires ne présente pas les caractéristiques requises pour supporter le développement de nouvelles technologies telles que les mémoires SCM (pour « Storage Class Memory ») qui connaissent un essor important notamment grâce à leur capacité à augmenter les performances des ordinateurs tout en réduisant leur consommation. 2 Plus récemment, d'autres types de mémoires non volatiles réinscriptibles sont apparus, basés sur des matériaux actifs tels que des matériaux à conduction ionique (mémoires CBRAM ou « Conductive Bridging RAM »), à oxydes métalliques (mémoires OxRAM ou « Oxide Resistive RAM »), ferroélectriques 5 (mémoires FERAM ou « Ferroelectric RAM »), magnétiques (mémoires MRAM ou « Magnetic RAM), magnétiques à transfert de spin (mémoires STTRAM ou « Spin Torque Transfer RAM ») ou encore à changement de phase (mémoires PCRAM ou « Phase Change RAM »). Ces mémoires sont des mémoires de type résistive (c'est-à-dire qu'elles peuvent présenter au moins deux états « OFF» ou « ON» 10 correspondant au passage d'un état résistif (état « OFF ») à un état moins résistif (état « ON »)). Les mémoires résistives ont besoin de deux électrodes pour fonctionner. Par exemple, les mémoires CBRAM comportent une zone active basée sur un matériau à conduction ionique formant un électrolyte solide à conduction ionique disposé 15 entre une électrode formant une cathode inerte et une électrode comportant une portion de métal ionisable, c'est-à-dire une portion de métal pouvant facilement former des ions métalliques, et formant une anode. Le fonctionnement des mémoires CBRAM est basé sur la formation, au sein de l'électrolyte solide, d'un ou plusieurs filaments métalliques (appelés également « dendrites ») entre ses deux 20 électrodes lorsque ces électrodes sont portées à des potentiels appropriés. La formation du filament permet d'obtenir une conduction électrique donnée entre les deux électrodes. En modifiant les potentiels appliqués aux électrodes, il est possible de modifier la répartition du filament, et de modifier ainsi la conduction électrique entre les deux électrodes. 25 Les mémoires PCRAM comportent une zone active basée sur un matériau chalcogénure. Le fonctionnement des mémoires PCRAM est basé sur la transition de phase du matériau chalcogénure, induite par l'échauffement de ce matériau sous l'effet d'impulsions électriques spécifiques générées par ses deux électrodes. Cette transition se fait entre une phase cristalline, ordonnée, de faible résistance et 30 thermodynamiquement stable et une phase amorphe, désordonnée, de résistance élevée et thermodynamiquement instable. 3 Les mémoires résistives présentent notamment l'intérêt de pouvoir s'intégrer avec de fortes densités, via une intégration de type « cross-bar » (désignée également par la terminologie « cross-point »). Une telle architecture 200 est illustrée sur la figure 1 et comporte une pluralité de 5 lignes d'accès 201, 202, 203 et 204 et une pluralité de cellules mémoires (ici quatre cellules C11, C21, C22 et C12) de type non volatiles réinscriptibles basées sur des matériaux actifs (par exemple des cellules CBRAM). Les lignes d'accès sont formées par des lignes de bits 201 et 202 parallèles supérieures et des lignes de mots 203 et 204 inférieures perpendiculaires aux lignes de bits, les cellules 10 élémentaires C11, C21, C22 et C12 étant prises en sandwich à l'intersection entre les lignes de bits 201 et 202 et les lignes de mots 203 et 204. L'architecture 200 forme ainsi un réseau où chaque cellule mémoire est adressable individuellement, en sélectionnant la bonne ligne de bits et la bonne ligne de mots. Ce type d'architecture présente toutefois certains inconvénients. Ainsi, la phase de 15 lecture de l'état d'une cellule est réalisée par la polarisation de la ligne et de la colonne souhaitées ; il est alors possible d'observer un courant de fuite parasite passant par les cellules adjacentes. Nous faisons ici l'hypothèse que : - La cellule C11 est à l'état OFF (état haute résistance) ; - La cellule C21 est à l'état ON (état basse résistance) ; 20 - La cellule C22 est à l'état ON (état basse résistance) ; - La cellule C12 est à l'état ON (état basse résistance). La lecture de l'état résistif de la cellule C11 implique de polariser respectivement la ligne de bits 201 et la ligne de mots 204 (application d'une différence de potentiel Vbias entre ces deux lignes). En théorie, le courant de mesure devrait circuler 25 uniquement selon la flèche 205 représentée en pointillés. En pratique, du fait que les trois autres cellules sont à l'état ON, un courant de fuite parasite, représenté par la flèche 206, passe par les cellules non résistives C21, C22 et C12. Ce courant de fuite, en particulier dans le cas défavorable où les éléments adjacents de la cellule à mesurer sont à l'état ON, peut perturber la mesure jusqu'à empêcher la 30 discrimination entre l'état ON et l'état OFF de la cellule à mesurer. Une solution connue à ce problème consiste à rajouter, en série avec chacune des cellules, une diode à jonction p/n 207 pour jouer le rôle de sélecteur. Une telle 4 architecture 300 est illustrée en figure 2. Les éléments communs portent les mêmes numéros de référence sur les figures 1 et 2, étant entendu que les cellules Cl 1, C21, C22 et C12 de la figure 2 sont dans le même état résistif que les cellules Cl 1, C21, C22 et C12 de la figure 1. Dans ce cas, les diodes 207 étant unipolaires, elles 5 bloquent le passage du courant parasite, autorisant ainsi uniquement le courant représenté par la flèche 210 induit par la polarisation de la ligne de bits 201 et la ligne de mots 204 (application d'une différence de potentiel Vbias entre ces deux lignes). L'architecture telle qu'illustrée en figure 2 pose toutefois également certaines 10 difficultés liées en particulier au fait que les diodes présentent des intensités de courant en mode passant qui restent limitées. Ainsi, actuellement, pour une surface de silicium donnée, il n'est pas possible de réaliser une diode de même surface que la cellule mémoire et ayant un courant passant ION suffisant (densité de courant des diodes trop faible) et dans le même temps un courant de fuite loFF assez faible. Une 15 telle situation pose notamment de sérieuses difficultés dans le cas de l'utilisation d'une diode en série avec une cellule de type à changement de phase PCRAM qui nécessite des courants de commutation importants. C'est pourquoi plusieurs solutions alternatives ont été étudiées ces dernières 20 années. Dans la littérature, on retrouve différents types de sélecteur comme les FAST (pour « Field Assisted Superlinear Threshold »), les MIEC (pour « Mixedlonic-Electronic Conduction ») et les OTS (pour « Ovonic Threshold Switching »). Un dispositif sélecteur est composé de deux électrodes et d'un matériau actif, les électrodes étant disposées de part et d'autre du matériau actif et permettant 25 d'appliquer une tension à ce matériau actif. Dans le cas d'un sélecteur de type OTS, le matériau actif peut être un alliage chalcogène. Le principe de base du fonctionnement d'un dispositif sélecteur est représenté à la figure 3. Le dispositif est très résistif dans l'état OFF. Dès qu'on lui applique une tension supérieure à une tension de seuil, le courant augmente rapidement pour atteindre l'état ON du 30 dispositif, un état bassement résistif. Dès que le courant ou la tension est réduit au- dessous d'une valeur spécifique dite de maintien ou de « holding », le dispositif redevient OFF. 5 Pour pouvoir être intégré avec une mémoire résistive, un sélecteur doit présenter plusieurs spécificités. En effet, il doit avoir : - une dimension proche de celle de la mémoire co-intégrée ; - un faible courant de fuite loFF : quand le sélecteur est dans son état « OFF » 5 donc à faible champ, la résistance du sélecteur doit être très élevée. Cette caractéristique est atteignable en réduisant, par exemple, la surface de contact entre le sélecteur et son électrode supérieure ou en augmentant l'épaisseur du matériau actif du sélecteur, l'épaisseur du matériau actif du sélecteur étant la dimension du matériau actif du sélecteur selon une direction orthogonale au 10 plan formé par la surface de contact entre le sélecteur et son électrode supérieure ; - une faible tension de seuil : ceci est obtenue en réduisant au contraire l'épaisseur du matériau actif du sélecteur. 15 Pour améliorer encore la densité d'intégration des mémoires résistives, une solution classique est de diminuer la taille de la surface entre le matériau actif de la mémoire résistive et son électrode inférieure pour permettre une réduction du courant de programmation de la mémoire résistive. 20 En général donc, à la fois pour le dispositif de mémoire et pour le sélecteur, la réduction de la surface, notamment la surface de contact entre le sélecteur et son électrode supérieure et la surface de contact entre le matériau actif de la mémoire et son électrode inférieure, permet de répondre à toutes les caractéristiques recherchées à savoir : 25 - la réduction de la taille du dispositif complet que nous désignerons par la suite par le terme « cellule élémentaire » ; - la réduction du courant de fuite loFF ; - la réduction du courant de programmation de la mémoire ; - l'augmentation de la densité d'intégration de la mémoire. 30 L'intégration proposée dans cette invention est en particulier dédiée à la co- intégration entre mémoire PCRAM et sélecteur OTS, mais elle peut s'étendre à 6 d'autres types de mémoires résistives comme les OxRAM ou les CBRAM et d'autres types de sélecteurs comme les FAST et les MIEC. Une solution pour réduire à la fois la surface du sélecteur OTS et de la mémoire 5 PCRAM est décrite dans le brevet US20150123066A1. On y propose de graver les deux dispositifs en même temps en réalisant des opérations lithographiques dans les deux directions du plan. Cette solution présente de nombreux désavantages dont les plus importants sont : - le besoin d'une lithographie très agressive pour atteindre des courants de 10 fuite et de programmation raisonnablement faibles ; - un problème mécanique de stabilité des structures après gravure - le besoin d'une chimie de gravure apte à graver les deux matériaux PCM et OTS, sans abîmer l'un pendant la gravure de l'autre, ce qui entraîne une limitation dans le choix de la composition des matériaux. 15 Il existe donc un besoin de réduire les dimensions du sélecteur OTS et de réduire la surface de contact entre la mémoire PCRAM et son électrode inférieure au sein d'un dispositif présentant une architecture de type « cross-bar », sans que celui-ci ne rencontre de problèmes de stabilité à l'issue de sa fabrication et sans limiter le 20 choix des matériaux le composant. RESUME DE L'INVENTION L'invention offre une solution aux problèmes évoqués précédemment, en proposant une cellule mémoire élémentaire adaptée pour être intégrée dans un dispositif avec 25 une architecture de type « cross-bar » présentant un sélecteur et une surface de contact entre la cellule mémoire et son électrode inférieure de dimensions réduites par rapport aux structures « cross-bar » classiques tout en ne limitant pas le choix des matériaux et en ne dégradant pas la stabilité du dispositif final. 30 Un premier aspect de l'invention concerne une cellule élémentaire comportant une mémoire vive résistive non volatile montée en série avec un dispositif sélecteur volatile, ladite mémoire comportant : 7 - une électrode supérieure, - une électrode inférieure, - une couche réalisée dans un premier matériau actif, dite couche active mémoire, 5 ladite mémoire passant d'un état fortement résistif à un état faiblement résistif par application d'une tension seuil entre les première et seconde électrodes, ledit dispositif sélecteur comportant : - une électrode supérieure, - une électrode inférieure, 10 - une couche réalisée dans un second matériau actif, dite couche active sélectrice, ledit dispositif sélecteur passant d'un état fortement résistif à un état faiblement résistif par application d'une tension seuil entre les première et seconde électrodes, ledit dispositif sélecteur repassant à l'état fortement résistif dès que le courant le 15 traversant ou la tension aux bornes des première et seconde électrodes redevient respectivement inférieur à un courant ou une tension de maintien, ladite cellule étant caractérisée en ce qu'elle comporte un élément conducteur monobloc comportant : - une première branche sensiblement en forme de parallélépipède rectangle, 20 ladite première branche présentant une face en contact avec la surface inférieure de la couche active mémoire afin de former l'électrode inférieure de la mémoire, - une seconde branche sensiblement en forme de parallélépipède rectangle, ladite seconde branche présentant une face en contact avec la surface 25 supérieure de la couche active sélectrice afin de former l'électrode supérieure du dispositif sélecteur. Grâce à l'invention, les dimensions du dispositif sélecteur sont définies par : - les dimensions de la seconde branche de l'élément conducteur monobloc ; 30 - l'épaisseur de la couche active sélectrice, c'est-à-dire la dimension de la couche active sélectrice selon une direction orthogonale au plan défini par la 8 surface de contact entre la couche active sélectrice et la seconde branche de l'élément conducteur monobloc. Les dimensions de la surface de contact entre la mémoire et son électrode inférieure sont définies par les dimensions de la première branche de l'élément conducteur 5 monobloc. Les dimensions des deux branches de l'élément conducteur monobloc étant indépendantes les unes des autres, les enjeux sur la réduction de la surface de contact entre la mémoire et son électrode inférieure sont séparés des enjeux de la réduction des dimensions du dispositif sélecteur, ce qui permet de ne pas limiter le 10 choix des matériaux. De plus, cela évite d'avoir à graver la mémoire résistive et le dispositif sélecteur en même temps ce qui déstabiliseraient le dispositif final. Outre les caractéristiques qui viennent d'être évoquées dans le paragraphe précédent, le dispositif électronique selon un aspect de l'invention peut présenter 15 une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles. Avantageusement, le dispositif sélecteur comporte un élément sélecteur monobloc 20 comportant : - une première branche sensiblement en forme de parallélépipède rectangle, ladite première branche présentant une face en contact avec une face de la première branche de l'élément conducteur monobloc - une seconde branche sensiblement en forme de parallélépipède rectangle 25 constituée de la couche active sélectrice, de manière à ce que l'élément sélecteur monobloc épouse les contours extérieurs de l'élément conducteur monobloc. Ainsi, la première branche de l'élément sélecteur monobloc permet une meilleure isolation de l'élément conducteur monobloc. 30 Avantageusement, l'angle entre les deux branches de l'élément conducteur monobloc est sensiblement droit. 9 Avantageusement, le dispositif sélecteur est de type OTS, FAST ou MIEC. 5 Avantageusement, la mémoire résistive est de type PCRAM, OxRAM ou CbRAM. Avantageusement, un étage comporte une pluralité de cellules selon un premier aspect de l'invention réparties le long de plusieurs droites parallèles entre elles. 10 Avantageusement, une matrice comporte une pluralité d'étages agencés les uns sur les autres et la direction des droites selon lesquelles sont réparties les cellules d'un étage alternent d'un étage à l'autre de manière à ce que la direction des droites d'un étage soit perpendiculaire à la direction des droites de l'étage immédiatement en dessous et/ou au-dessus. 15 Ainsi, l'étage et la matrice d'étages permettent d'intégrer les mémoires résistives avec de fortes densités. De plus, cela permet une intégration compacte des cellules. Un deuxième aspect de l'invention concerne un procédé de fabrication d'un étage comportant : 20 - une étape de dépôt conforme d'une couche de matériau conducteur d'électrode inférieure du dispositif sélecteur sur un substrat puis de dépôt conforme d'une première couche de matériau diélectrique sur la couche de matériau conducteur d'électrode inférieure du dispositif sélecteur ; - une étape de gravure d'une pluralité de tranchées parallèles entre elles dans 25 la première couche de matériau diélectrique avec arrêt sur la couche de matériau conducteur d'électrode inférieure du dispositif sélecteur ; - une étape de dépôt conforme d'une couche active sélectrice afin de recouvrir les tranchées et les parties de la première couche de matériau diélectrique qui n'ont pas été gravées lors de l'étape de gravure, puis de dépôt conforme 30 d'une couche de matériau d'élément conducteur monobloc sur la couche active sélectrice puis de dépôt conforme d'une deuxième couche de 10 diélectrique sur la couche de matériau d'élément conducteur monobloc, de manière à ce que les tranchées ne soient pas comblées ; - une étape de gravure anisotrope selon la direction des tranchées avec arrêt sur la couche de matériau conducteur d'électrode inférieure du dispositif 5 sélecteur au fond des tranchées et avec arrêt sur les parties de la première couche de matériau diélectrique n'ayant pas été gravées lors de l'étape de gravure afin d'obtenir chaque élément conducteur monobloc des cellules élémentaires ; - une étape de remplissage par une troisième couche de matériau diélectrique 10 de manière à combler les tranchées ; - une étape de lithographie réalisant plusieurs tranchées lithographiques suivant une direction perpendiculaire à la direction des tranchées précédemment gravées et dans le plan de la troisième couche de matériau diélectrique, avec arrêt sur le substrat ; 15 - une étape de remplissage par une quatrième couche de matériau diélectrique de manière à combler les tranchées lithographiques ; - une étape de planarisation avec arrêt sur les parties de la première couche de matériau diélectrique n'ayant pas été gravées ; - une étape de dépôt conforme d'une couche active mémoire puis de dépôt 20 conforme d'une couche de matériau conducteur d'électrode supérieure de mémoire résistive sur la couche active mémoire. Ainsi, le procédé selon un deuxième aspect de l'invention permet d'obtenir un étage de cellules selon un premier aspect de l'invention. 25 Avantageusement, un procédé de fabrication d'une matrice reprend les mêmes étapes que le procédé selon un deuxième aspect de l'invention pour chaque étage de la matrice de manière à ce que la direction des tranchées d'un étage soit perpendiculaire à la direction des tranchées de l'étage immédiatement en dessous et/ou au-dessus. 30 Ainsi, ce procédé permet d'obtenir une matrice d'étages de cellules selon un premier aspect de l'invention. 11 Avantageusement, un procédé de fabrication d'une matrice d'étages de cellules selon un premier aspect de l'invention comporte une étape de gravure de plusieurs tranchées finales selon la direction des tranchées gravées à l'étape de gravure de réalisation du dernier étage, gravure de tranchées finales dans la couche active 5 mémoire et la couche de matériau conducteur d'électrode supérieure de mémoire résistive du dernier étage de manière à ne conserver la couche active mémoire et la couche de matériau conducteur d'électrode supérieure de mémoire résistive qu'au niveau des surfaces de contact entre la couche active mémoire et la couche de matériau d'élément conducteur monobloc. 10 Un troisième aspect de l'invention concerne un procédé de fabrication d'au moins une cellule élémentaire comportant une mémoire vive résistive non volatile montée en série avec un dispositif sélecteur volatile, ladite mémoire comportant : - une électrode supérieure, 15 - une électrode inférieure, - une couche réalisée dans un premier matériau actif, dite couche active mémoire, ladite mémoire passant d'un état fortement résistif à un état faiblement résistif par application d'une tension seuil entre les première et seconde électrodes, ledit 20 dispositif sélecteur comportant : - une électrode supérieure, - une électrode inférieure, - une couche réalisée dans un second matériau actif, dite couche active sélectrice, 25 ledit dispositif sélecteur passant d'un état fortement résistif à un état faiblement résistif par application d'une tension seuil entre les première et seconde électrodes, ledit dispositif sélecteur repassant à l'état fortement résistif dès que le courant le traversant ou la tension aux bornes des première et seconde électrodes redevient respectivement inférieur à un courant ou une tension de maintien, 30 le procédé étant caractérisée en ce qu'il comporte les étapes suivantes : - une étape de dépôt conforme d'une couche de matériau conducteur d'électrode inférieure du dispositif sélecteur sur un substrat puis de dépôt 12 conforme d'une première couche de matériau diélectrique sur la couche de matériau conducteur d'électrode inférieure du dispositif sélecteur ; - une étape de gravure d'au moins une tranchée, tranchées parallèles entre elles, dans la première couche de matériau diélectrique avec arrêt sur la 5 couche de matériau conducteur d'électrode inférieure du dispositif sélecteur; - une étape de dépôt conforme d'une couche active sélectrice afin de recouvrir chaque tranchée et les parties de la première couche de matériau diélectrique qui n'ont pas été gravées lors de l'étape de gravure, puis de dépôt conforme d'une couche de matériau d'élément conducteur monobloc 10 sur la couche active sélectrice puis de dépôt conforme d'une deuxième couche de diélectrique sur la couche de matériau d'élément conducteur monobloc, de manière à ce que chaque tranchée ne soit pas comblée ; - une étape de gravure anisotrope selon la direction de la ou des tranchées avec arrêt sur la couche de matériau conducteur d'électrode inférieure du 15 dispositif sélecteur au fond de la ou des tranchées et avec arrêt sur les parties de la première couche de matériau diélectrique n'ayant pas été gravées lors de l'étape de gravure afin d'obtenir au moins un élément conducteur monobloc ; - une étape de remplissage par une troisième couche de matériau diélectrique 20 de manière à combler les tranchées ; - une étape de lithographie réalisant au moins une tranchée lithographique suivant une direction perpendiculaire à la direction de la ou des tranchées précédemment gravées et dans le plan de la troisième couche de matériau diélectrique, avec arrêt sur le substrat ; 25 - une étape de remplissage par une quatrième couche de matériau diélectrique de manière à combler la ou les tranchées lithographiques ; - une étape de planarisation avec arrêt sur les parties de la première couche de matériau diélectrique n'ayant pas été gravées ; - une étape de dépôt conforme d'une couche active mémoire puis de dépôt 30 conforme d'une couche de matériau conducteur d'électrode supérieure de mémoire résistive sur la couche active mémoire. 13 L'invention et ses différentes applications seront mieux comprises à la lecture de la description qui suit et à l'examen des figures qui l'accompagnent. 5 BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les figures sont présentées à titre indicatif et nullement limitatif de l'invention. ^ La figure 1 représente une première architecture d'adressage d'une pluralité de cellules mémoires selon l'état de la technique ; ^ La figure 2 représente une deuxième architecture d'adressage d'une 10 pluralité de cellules mémoires selon l'état de la technique ; ^ La figure 3 montre un graphe explicitant le principe de fonctionnement d'un dispositif sélecteur. ^ La figure 4 montre une représentation schématique 2D d'une cellule élémentaire électronique selon un premier aspect de l'invention. 15 - Les figures 5 à 14 illustrent les différentes étapes du procédé de fabrication d'un ou plusieurs étages intégrant une pluralité de cellules selon la figure 4. ^ La figure 15 montre l'organigramme des étapes du procédé illustrées aux figures 5 à 14. 20 DESCRIPTION DETAILLEE D'AU MOINS UN MODE DE REALISATION DE L'INVENTION Sauf précision contraire, un même élément apparaissant sur des figures différentes présente une référence unique. 25 Les figures 1 à 3 ont déjà été décrites en référence à l'état de la technique. Un premier aspect de l'invention illustré à la figure 4 concerne une cellule élémentaire 500 permettant l'adressage d'une mémoire résistive 510 non-volatile 30 quand elle est intégrée au sein d'une architecture de type cross-bar. La cellule élémentaire 500 comporte : 14 - Une couche de matériau conducteur d'électrode supérieure de mémoire résistive 509 , - Une couche réalisée dans un premier matériau actif, dite couche active mémoire 508 ; 5 - Un élément conducteur monobloc 504 comportant : - Une première branche 504a formant l'électrode inférieure de la mémoire résistive 510 ; - Une seconde branche 504b formant l'électrode supérieure du dispositif sélecteur 511; 10 - Un élément sélecteur monobloc 503 comportant : - Une première branche 503a; - Une couche réalisée dans un second matériau actif, dite couche active sélectrice formant une seconde branche 503b; - Une couche de matériau conducteur d'électrode inférieure du dispositif 15 sélecteur 501. Le premier matériau actif est apte à former une mémoire résistive 510 et le second matériau actif est apte à former un dispositif sélecteur 511, le dispositif sélecteur 511 et la mémoire résistive 510 nécessitant chacun une électrode supérieure et une 20 électrode inférieure pour assurer leur fonctionnement. On définit une électrode supérieure d'un dispositif comme l'électrode située au-dessus de ce dispositif et l'électrode inférieure d'un dispositif comme l'électrode située en dessous de ce dispositif, les électrodes étant situées de part et d'autre du dispositif. Bien entendu, les adjectifs « supérieure » et « inférieure » sont ici relatifs 25 à l'orientation de l'ensemble incluant l'électrode supérieure, le dispositif et l'électrode inférieure si bien qu'en retournant cet ensemble, l'électrode précédemment qualifiée de supérieure devient l'électrode inférieure et l'électrode précédemment qualifiée d'inférieure devient l'électrode supérieure. 30 L'élément conducteur monobloc 504 comporte deux branches 504a et 504b présentant sensiblement une forme de parallélépipède rectangle. Les deux branches 504a et 504b sont agencées de manière à présenter une forme en « L ». 15 Préférentiellement, l'angle E)1 entre ces deux branches est compris entre 70 et 110° et plus préférentiellement entre 90° et 110°. Encore plus préférentiellement, l'angle E)1 entre ces deux branches est sensiblement droit, tel que représenté à la figure 4, la première branche 504a définissant une direction X1 et la seconde branche 504b 5 définissant une direction Y1. Une direction Z1 permet alors de définir un repère orthogonal (X1 ; Y1 ; Z1). Les couches s'étendent selon un plan contenant les directions Y1 et Z1. Préférentiellement, la dimension de la première branche 504a de l'élément conducteur monobloc 504 selon la direction X1 est égale ou plus grande que la dimension de la seconde branche 504b de l'élément conducteur 10 monobloc 504 selon la direction Y1. L'élément sélecteur monobloc 503 présente également une forme en « L » avec deux branches 503a et 503b. Préférentiellement, l'angle 02 entre ces deux branches est compris entre 70 et 110° et plus préférentiellement entre 90° et 110°. 15 Encore plus préférentiellement, l'angle 02 entre ces deux branches est sensiblement droit, tel que représenté à la figure 4, une première branche 503a de l'élément sélecteur monobloc 503 étant selon la direction X1 et possédant une dimension selon la direction X1 strictement plus grande que la dimension de la première branche 504a de l'élément conducteur monobloc 504 selon la direction X1 20 et une seconde branche 503b de l'élément sélecteur monobloc 503 étant selon la direction Y1 et possédant une dimension selon la direction Y1 strictement plus grande que la dimension de la seconde branche 504b de l'élément conducteur monobloc 504 selon la direction Y1. Préférentiellement, la dimension de la première branche 503a de l'élément sélecteur monobloc 503 selon la direction X1 est égale 25 ou plus grande que la dimension de la seconde branche 503b de l'élément sélecteur monobloc 503 selon la direction Y1. L'élément conducteur monobloc 504 et l'élément sélecteur monobloc 503 sont agencés de manière à former un unique « L », l'élément sélecteur monobloc 503 30 épousant les contours extérieurs du « L » que constitue l'élément conducteur monobloc 504. L'ensemble E formé de l'élément conducteur monobloc 504 et de 16 l'élément sélecteur monobloc 5031 comporte donc deux branches d'ensemble étant sensiblement perpendiculaires, une première branche d'ensemble étant selon la direction X1 et possédant une dimension selon la direction X1 égale à la dimension de la première branche 503a de l'élément sélecteur monobloc 503 selon la direction 5 X1 et une seconde branche d'ensemble étant selon la direction Y1 et possédant une dimension selon la direction Y1 égale à la dimension de la seconde branche 503b de l'élément sélecteur monobloc 503 selon la direction Y1. La couche de matériau conducteur d'électrode supérieure de mémoire résistive 509 10 et l'ensemble E incluant l'élément conducteur monobloc 504 et l'élément sélecteur monobloc 503 sont situés de part et d'autre de la couche active mémoire 508, l'ensemble E étant en contact avec la couche active mémoire 508 au niveau de l'extrémité de la première branche d'ensemble, selon un plan contenant les directions Y1 et Z1. 15 La couche active mémoire 508 est donc en contact avec une électrode inférieure au niveau de la surface Si de contact entre la couche active mémoire 508 et l'extrémité de la première branche 504a de l'élément conducteur monobloc 504 et avec une électrode supérieure au niveau de la surface de contact entre la couche active mémoire 508 et la couche de matériau conducteur d'électrode supérieure de 20 mémoire résistive 509, l'ensemble formé par l'élément conducteur monobloc 504 la couche active mémoire 508 et la couche de matériau conducteur d'électrode supérieure de mémoire résistive 509 formant une mémoire résistive 510. L'ensemble E est en contact avec la couche de matériau conducteur d'électrode 25 inférieure du dispositif sélecteur 501 au niveau de la face de l'ensemble E définie selon un plan contenant les direction Y1 et Z1, la plus éloignée de la couche active mémoire 508. L'élément sélecteur monobloc 503 est donc en contact avec une électrode supérieure au niveau de la surface S2 de contact entre la seconde branche 503b 30 de l'élément sélecteur monobloc 503 et la seconde branche 504b de l'élément conducteur monobloc 504 et avec une électrode inférieure au niveau de la surface de contact entre la seconde branche 503b de l'élément sélecteur monobloc 503 et 17 la couche de matériau conducteur d'électrode inférieure du dispositif sélecteur 501, l'ensemble formé par l'élément conducteur monobloc 504, l'élément sélecteur monobloc 503 et la couche de matériau conducteur d'électrode inférieure du dispositif sélecteur 501 formant le dispositif sélecteur 511. 5 L'élément sélecteur monobloc 503 pourrait ne pas présenter une forme en « L ». En effet, seule la seconde branche ou couche active sélectrice 503b, en contact à la fois avec l'élément conducteur monobloc 504 et la couche de matériau conducteur d'électrode inférieure du dispositif sélecteur 501 participe au fonctionnement du 10 dispositif sélecteur 511. La première branche 503a de l'élément sélecteur monobloc 503 n'est pas impliquée dans le fonctionnement de la cellule 500 mais, le matériau de la première branche 503a étant peu conducteur, il permet une meilleure isolation de l'élément conducteur monobloc 504. 15 Le matériau de la couche active mémoire 508 est choisi en fonction du type de mémoire désiré, par exemple, une mémoire de type PCRAM, OxRAM ou encore CBRAM : ce choix conditionne alors le choix des matériaux conducteurs des électrodes de la mémoire. En effet, par exemple, pour qu'une CBRAM fonctionne, il lui faut deux électrodes disposées de part et d'autre de son matériau actif à 20 conduction ionique, dont une électrode comportant une portion de métal ionisable, c'est-à-dire une portion de métal pouvant facilement former des ions métalliques. Le matériau de l'élément conducteur monobloc 503 est choisi en fonction du type de dispositif sélecteur désiré, par exemple, un sélecteur de type OTS, FAST ou encore MIEC. Pour une mémoire PCRAM, le matériau de la couche active 25 mémoire 508 est par exemple du GeSbTe, du SbTe ou encore du GeTe. Pour un sélecteur OTS, le matériau de l'élément conducteur monobloc 503 est par exemple du GeSe, du GeSiAsSe, du GeSiAsTe, du AsTe ou encore du GeSeSbN. Dans le cas d'un sélecteur de type OTS et d'une mémoire résistive de type PCRAM, le matériau utilisé pour l'élément conducteur monobloc 504 est par exemple du TiN, 30 du TaN, du W, du TiWN, du TiSiN ou encore du WN. 18 Ainsi, la surface de contact entre la couche active mémoire 508 et l'électrode inférieure de la mémoire résistive 510 dépend de la dimension selon la direction Y1, de l'extrémité de la première branche 504a de l'élément conducteur monobloc 504 et les dimensions du dispositif sélecteur 511 dépendent de la dimension selon la 5 direction Y1, de la face de la seconde branche 504b de l'élément conducteur monobloc 504 étendue selon un plan contenant les directions Y1 et Z1, la plus éloignée de la couche active mémoire 508, ainsi que de la dimension selon la direction X1 de la seconde branche 503b de l'élément conducteur monobloc 503. La forme en « L » de l'élément conducteur monobloc 504 permet donc de découpler 10 les problématiques liées à la réduction de la surface de contact entre la mémoire résistive 510 et son électrode inférieure de celles de la réduction des dimensions du dispositif sélecteur 511. Les figures 5 à 14 illustrant les différentes étapes 401 à 412 (organigramme de la 15 figure 15) du procédé 400 pour la réalisation d'un ou plusieurs étages 600, chaque étage 600 intégrant une pluralité de cellules 500 selon l'invention. Le procédé 400 permet de fabriquer un étage 600 référencé à la figure 13 comportant une pluralité de cellules élémentaires 500 selon un premier aspect de l'invention et conforme à la cellule 500 de la figure 4, l'étage 600 étant 20 préférentiellement de forme parallélépipédique rectangle. L'étape 401 de dépôt représentée à la figure 5 consiste à réaliser un dépôt conforme d'une couche de matériau conducteur d'électrode inférieure du dispositif sélecteur 602 sur un substrat 601, puis un dépôt conforme d'une première couche de 25 matériau diélectrique 603 sur la couche de matériau conducteur d'électrode inférieure du dispositif sélecteur 602, dépôt conforme signifiant que le matériau est déposé de manière uniforme sur l'ensemble de la surface du substrat 601 définissant la surface sur laquelle sera formée l'étage 600. Le substrat 601 est constitué d'une ou de plusieurs couches : il comprend, par exemple, une couche 30 avec des lignes en cuivre exposées permettant d'établir des contacts métalliques avec une couche métallique supérieure, non représentée ici. Il comprend ainsi toute la logique nécessaire pour permettre la connexion avec les lignes des couches 19 supérieures. Le plan selon lequel s'étend le substrat 601 contient la direction Y1 et la direction Z1. Le repère orthogonal (X1 ; Y1 ; Z1) définit les côtés de l'étage 600 s'il est de forme parallélépipédique rectangle. La dimension des couches selon la direction X1 est appelée épaisseur. Ainsi, la première couche de matériau 5 diélectrique 603 possède une épaisseur h. Le matériau diélectrique de la première couche de matériau diélectrique 603 est par exemple du SiN, du Si02, du SiC, du SiON, du SiCN ou encore SiHN. Les dépôts de cette étape comme ceux des étapes suivantes peuvent être des dépôts CVD (pour « Chemical Vapor Deposition ») ou ALD (pour « Atomic Layer Deposition »). 10 L'étape 402 de gravure représentée à la figure 6 consiste à graver plusieurs tranchées 605 dans la première couche de matériau diélectrique 603 avec arrêt sur la couche de matériau conducteur d'électrode inférieure du dispositif sélecteur 602. La gravure est par exemple réalisée par photogravure. Les tranchées 605 sont ici 15 suivant la direction Z1. Les tranchées 605 sont toutes parallèles entre elles. Une tranchée 605 est gravée de manière à ce que les bords de cette tranchée 605 soient sensiblement de même hauteur et que les flancs de la tranchée 605 soient compris dans des plans orthogonaux au fond de la tranchée 605 contenant la direction X1 et sensiblement parallèles entre eux. La profondeur de gravure est sensiblement la 20 même pour toutes les tranchées 605. L'étape 403 de dépôt est représentée à la figure 7. Dans un premier temps, une couche active sélectrice 606 est déposée de manière conforme c'est-à-dire sur les tranchées gravées à l'étape de gravure 402 et sur les parties de la première couche 25 de matériau diélectrique n'ayant pas été gravées 604 à l'étape de gravure 402. Ensuite, une couche de matériau d'élément conducteur monobloc 607 est déposée de manière conforme sur la couche active sélectrice 606, puis une deuxième couche de matériau diélectrique 608 est déposée de manière conforme sur la couche de matériau d'élément conducteur monobloc 607. La somme de l'épaisseur 30 de la couche active sélectrice 606, de l'épaisseur de la couche de matériau d'élément conducteur monobloc 607 et de l'épaisseur de la deuxième couche de 20 matériau diélectrique 608 est notée e. Ces épaisseurs doivent préférentiellement respecter certaines conditions. Ainsi, il est préférable que : - la somme de l'épaisseur de la couche active sélectrice 606 et de la couche de matériau d'élément conducteur monobloc 607 soit strictement inférieure 5 à l'épaisseur h de la première couche de matériau diélectrique 603 pour que l'élément conducteur monobloc 607 puisse présenter une forme en « L» après l'étape de gravure anisotrope 404. - la somme des épaisseurs e soit strictement inférieure à l'épaisseur h de la première couche de matériau diélectrique 603 pour que les tranchées ne 10 soient pas comblées après les trois dépôts. Le matériau utilisé pour la deuxième couche de matériau diélectrique 608 est par exemple du SiN, du Si02, du SiC, du SiON, du SiCN ou encore SiHN. L'étape 404 de gravure anisotrope représentée à la figure 8 consiste à réaliser une 15 gravure anisotrope selon la direction Z1 sur la deuxième couche de matériau diélectrique 608. Au fond des tranchées 605, cette gravure permet un arrêt sur la couche de matériau conducteur d'électrode inférieure du dispositif sélecteur 602 et sur les parties de la première couche de matériau diélectrique qui n'ont pas été gravées 604 lors de l'étape 402 de gravure, un arrêt sur la première couche de 20 diélectrique 603. Il n'y a pas de gravure sur les flancs des tranchées 605 qui restent donc orthogonales au fond des tranchées 605. Cette gravure anisotrope est par exemple, une gravure sèche de type gravure ionique réactive RIE (pour « ReactiveIon Etching »). 25 L'étape 405 de remplissage représentée à la figure 9 consiste à remplir les tranchées 605 précédemment gravées et à recouvrir les parties de la première couche de matériau diélectrique n'ayant pas été gravées 604 à l'étape de gravure 402 avec une troisième couche de matériau diélectrique 609. Le matériau de la troisième couche de matériau diélectrique 609 est par exemple du SiN, du Si02, du 30 SiC, du SiON, du SiCN ou encore SiHN. 21 L'étape 406 de lithographie représentée à la figure 10 consiste à graver plusieurs tranchées lithographiques 612 suivant une direction, ici suivant Y1, perpendiculaire à Z1, de manière à graver la couche de matériau conducteur d'électrode inférieure du dispositif sélecteur 602, c'est-à-dire avec arrêt sur le substrat 601. La profondeur 5 de gravure est sensiblement la même pour toutes les tranchées lithographiques 612 et les flancs des tranchées lithographiques 612 sont sensiblement de même hauteur. De plus, les flancs sont orthogonaux au fond des tranchées lithographiques 612, flancs étendus selon des plans contenant la direction X1. 10 L'étape 407 de remplissage représentée à la figure 11 consiste à remplir les tranchées lithographiques 612 et à recouvrir les parties de la troisième couche de matériau diélectrique n'ayant pas été gravées 611 avec une quatrième couche de matériau diélectrique 613. Le matériau diélectrique de la quatrième couche de matériau diélectrique 613 est par exemple du SiN, du Si02, du SiC, du SiON, du 15 SiCN ou encore SiHN. L'étape 408 de planarisation représentée à la figure 12 consiste à retirer de la matière avec arrêt sur les parties de la première couche de matériau diélectrique n'ayant pas été gravées 610 lors de l'étape de gravure 402 et de lithographie 406 20 de manière à obtenir une couche plane, dans un plan contenant les directions Y1 et _ Z1. La planarisation est par exemple un polissage planarisant. L'étape 409 de dépôt représentée à la figure 13 consiste à réaliser un dépôt conforme d'une couche active mémoire 615 sur les parties de la première couche 25 de matériau diélectrique n'ayant pas été gravées 610 lors de l'étape de gravure 402 et de lithographie 406 puis un dépôt conforme d'une couche de matériau conducteur d'électrode supérieure de mémoire résistive 616 sur la couche active mémoire 615. On obtient ainsi un étage 600 comportant une pluralité de cellules élémentaires 500, 30 réparties le long de lignes qui correspondent aux flancs des tranchées 605 gravées à l'étape 402 de gravure mais non continument réparties sur ces mêmes lignes à cause des tranchées lithographiques 612 de l'étape 406 de lithographie venues 22 intersecter perpendiculairement les tranchées 605 gravées à l'étape 402 de gravure. Ainsi, une cellule 500 élaborée sur le flanc d'une tranchée 605 a un vis-à-vis sur le flanc opposé de la même tranchée 605 et est séparé d'une autre cellule 500 agencée sur le même flanc de la tranchée 605 par la quatrième couche de 5 matériau diélectrique 614 ayant servi à combler les tranchées lithographiques 612. Pour réaliser un deuxième étage 600, on dépose la première couche de matériau diélectrique 603 sur la couche de matériau conducteur d'électrode supérieure de mémoire résistive 616 du premier étage 600, c'est-à-dire en considérant la couche 10 de matériau conducteur d'électrode supérieure de mémoire résistive 616 de l'étage 600 précédent comme la couche de matériau conducteur d'électrode inférieure du dispositif sélecteur 602 et en considérant le reste de l'étage comme substrat 601. On réalise ensuite les mêmes opérations que pour le premier étage 600 excepté le fait que les directions de gravure sont alternées c'est-à-dire que les tranchées 605 15 de l'étape 402 de gravure sont gravées selon la direction Y1 et les tranchées lithographiques 612 de l'étape 406 de lithographie selon la direction Z1. Autrement dit, si on numérote les étages 600 de la matrice 700, tous les étages numérotés par un multiple de 2 ont des tranchées 605 gravées à l'étape 402 de gravure selon la direction Y1 et les tranchées lithographiques 612 selon la direction Z1 et tous les 20 autres étages ont des tranchées 605 gravées à l'étape 402 de gravure selon la direction Z1 et les tranchées lithographiques 612 selon la direction Y1. Une matrice 700 est un dispositif présentant une pluralité d'étages 600. 25 Quand le nombre désiré d'étages a été réalisé, une étape de gravure 410 représentée à la figure 14 vient finaliser la matrice. Dans le cas de la figure 14, la matrice 700 comprend deux étages 600. On grave des tranchées finales 619 dans la couche active mémoire 615 et la couche de matériau conducteur d'électrode supérieure de mémoire résistive 616 du dernier étage 600 de manière à ne 30 conserver la couche active mémoire 615 et la couche de matériau conducteur d'électrode supérieure de mémoire résistive 616 qu'au niveau des surfaces de contact entre cette couche active mémoire 615 et les ensembles E formés de 23 l'élément conducteur monobloc 504 et de l'élément sélecteur monobloc 503 de chaque cellule 500 du dernier étage 600. Les cellules 500 du dernier étage 600 sont réparties le long des flancs des tranchées 605 gravées à l'étape 402 de gravure de réalisation du dernier étage 600 donc la direction de gravure des tranchées finales 5 619 est la même que celles des tranchées 605 réalisées à l'étape 402 de gravure de réalisation du dernier étage 600. Sur la figure 14, les zones de contact entre la couche active mémoire 615 et l'ensemble E incluant l'élément conducteur monobloc 504 et l'élément sélecteur monobloc 503} REVENDICATIONS1. Cellule (500) élémentaire comportant une mémoire vive résistive (510) non volatile montée en série avec un dispositif sélecteur (511) volatile, ladite mémoire 5 (510) comportant : une électrode supérieure (509), une électrode inférieure, une couche réalisée dans un premier matériau actif, dite couche active mémoire (508), 10 ladite mémoire (510) passant d'un état fortement résistif à un état faiblement résistif par application d'une tension seuil entre les première et seconde électrodes, ledit dispositif sélecteur (511) comportant : - une électrode supérieure, - une électrode inférieure (501), 15 - une couche réalisée dans un second matériau actif, dite couche active sélectrice (503b), ledit dispositif sélecteur (511) passant d'un état fortement résistif à un état faiblement résistif par application d'une tension seuil entre les première et seconde électrodes, ledit dispositif sélecteur (511) repassant à l'état fortement résistif dès 20 que le courant le traversant ou la tension aux bornes des première et seconde électrodes redevient respectivement inférieur à un courant ou une tension de maintien, ladite cellule (500) étant caractérisée en ce qu'elle comporte un élément conducteur monobloc (504) comportant : 25 une première branche (504a) sensiblement en forme de parallélépipède rectangle, ladite première branche (504a) présentant une face en contact avec la surface inférieure de la couche active mémoire (508) afin de former l'électrode inférieure de la mémoire, une seconde branche (504b) sensiblement en forme de parallélépipède 30 rectangle, ladite seconde branche (504b) présentant une face en contact avec la surface supérieure de la couche active sélectrice (503b) afin de former l'électrode supérieure du dispositif sélecteur (511). 25 2. Cellule (500) selon la revendication 1, caractérisé en ce que le dispositif sélecteur (511) comporte un élément sélecteur monobloc (503) comportant : une première branche (503a) sensiblement en forme de parallélépipède rectangle, ladite première branche (503a) présentant une face en contact avec une face de la première branche (504a) de l'élément conducteur monobloc (504), une seconde branche (503b) sensiblement en forme de parallélépipède rectangle constituée de la couche active sélectrice (503b), de manière à ce que l'élément sélecteur monobloc (503) épouse les contours 10 extérieurs de l'élément conducteur monobloc (504). 3. Cellule (500) selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que l'angle entre les deux branches de l'élément conducteur monobloc (504) est sensiblement droit. 15 4. Cellule (500) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le dispositif sélecteur (511) est de type OTS, FAST ou MIEC. 5.Cellule (500) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la mémoire résistive (510) est de type PCRAM, OxRAM ou CbRAM. 20 6. Etage (600) comportant une pluralité de cellules (500) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les cellules (500) sont réparties le long de plusieurs droites parallèles entre elles. 25 7. Matrice (700) comportant une pluralité d'étages (600) selon la revendication 6, caractérisé en ce que les étages (600) sont agencés les uns sur les autres et la direction des droites selon lesquelles sont réparties les cellules (500) d'un étage (600) alternent d'un étage à l'autre de manière à ce que la direction des droites d'un étage (600) soit perpendiculaire à la direction des droites de l'étage (600) 30 immédiatement en dessous et/ou au-dessus. 26 8. Procédé de fabrication (400) d'un étage (600) selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il comporte : une étape (401) de dépôt conforme d'une couche de matériau conducteur d'électrode inférieure du dispositif sélecteur (602) sur un substrat (601) puis de dépôt conforme d'une première couche de matériau diélectrique (603) sur la couche de matériau conducteur d'électrode inférieure du dispositif sélecteur (602) ; une étape (402) de gravure d'une pluralité de tranchées (605) parallèles entre elles dans la première couche de matériau diélectrique (603) avec arrêt sur la couche de matériau conducteur d'électrode inférieure du dispositif sélecteur (602) ; une étape (403) de dépôt conforme d'une couche active sélectrice (606) afin de recouvrir les tranchées (605) et les parties de la première couche de matériau diélectrique qui n'ont pas été gravées (604) lors de l'étape de gravure (402), puis de dépôt conforme d'une couche de matériau d'élément conducteur monobloc (607) sur la couche active sélectrice (606) puis de dépôt conforme d'une deuxième couche de diélectrique (608) sur la couche de matériau d'élément conducteur monobloc (607), de manière à ce que les tranchées (605) ne soient pas comblées ; une étape (404) de gravure anisotrope selon la direction des tranchées (605) avec arrêt sur la couche de matériau conducteur d'électrode inférieure du dispositif sélecteur (602) au fond des tranchées (605) et avec arrêt sur les parties de la première couche de matériau diélectrique n'ayant pas été gravées (604) lors de l'étape de gravure (402) afin d'obtenir chaque élément conducteur monobloc (504) des cellules élémentaires (500) ; une étape (405) de remplissage par une troisième couche de matériau diélectrique (609) de manière à combler les tranchées (605) ; une étape (406) de lithographie réalisant plusieurs tranchées lithographiques (612) suivant une direction perpendiculaire à la direction des tranchées (605) précédemment gravées et dans le plan de la troisième couche de matériau diélectrique (609), avec arrêt sur le substrat (601) ; 27 une étape (407) de remplissage par une quatrième couche de matériau diélectrique (613) de manière à combler les tranchées lithographiques (612); une étape (408) de planarisation avec arrêt sur les parties de la première couche de matériau diélectrique n'ayant pas été gravées (610) ; 5 une étape (409) de dépôt conforme d'une couche active mémoire (615) puis de dépôt conforme d'une couche de matériau conducteur d'électrode supérieure de mémoire résistive (616) sur la couche active mémoire (615). 9. Procédé de fabrication d'une matrice (700) reprenant les mêmes étapes que le procédé selon la revendication 8 pour chaque étage (600) de la matrice (700), caractérisé en ce que, la direction des tranchées (605) d'un étage (600) est perpendiculaire à la direction des tranchées (605) de l'étage (600) immédiatement en dessous et/ou au-dessus. 10. Procédé de fabrication d'une matrice (700) selon la revendication 9, caractérisé en qu'il comporte une étape de gravure de plusieurs tranchées finales (619) selon la direction des tranchées (605) gravées à l'étape de gravure (402) de réalisation du dernier étage (600), gravure de tranchées finales dans la couche active mémoire (615) et la couche de matériau conducteur d'électrode supérieure de mémoire résistive (616) du dernier étage (600) de manière à ne conserver la couche active mémoire (615) et la couche de matériau conducteur d'électrode supérieure de mémoire résistive (616) qu'au niveau des surfaces de contact entre la couche active mémoire (615) et la couche de matériau d'élément conducteur monobloc (607). 11. Procédé de fabrication d'au moins une cellule élémentaire comportant une mémoire vive résistive (510) non volatile montée en série avec un dispositif sélecteur (511) volatile, ladite mémoire (510) comportant : une électrode supérieure (509), une électrode inférieure, une couche réalisée dans un premier matériau actif, dite couche active mémoire (508), 28 ladite mémoire (510) passant d'un état fortement résistif à un état faiblement résistif par application d'une tension seuil entre les première et seconde électrodes, ledit dispositif sélecteur (511) comportant : une électrode supérieure, 5 une électrode inférieure (501), une couche réalisée dans un second matériau actif, dite couche active sélectrice (503b), ledit dispositif sélecteur (511) passant d'un état fortement résistif à un état faiblement résistif par application d'une tension seuil entre les première et seconde 10 électrodes, ledit dispositif sélecteur (511) repassant à l'état fortement résistif dès que le courant le traversant ou la tension aux bornes des première et seconde électrodes redevient respectivement inférieur à un courant ou une tension de maintien, le procédé étant caractérisée en ce qu'il comporte les étapes suivantes : 15 une étape (401) de dépôt conforme d'une couche de matériau conducteur d'électrode inférieure du dispositif sélecteur (602) sur un substrat (601) puis de dépôt conforme d'une première couche de matériau diélectrique (603) sur la couche de matériau conducteur d'électrode inférieure du dispositif sélecteur (602) ; 20 une étape (402) de gravure d'au moins une tranchée (605), tranchées parallèles entre elles, dans la première couche de matériau diélectrique (603) avec arrêt sur la couche de matériau conducteur d'électrode inférieure du dispositif sélecteur (602) ; une étape (403) de dépôt conforme d'une couche active sélectrice (606) afin 25 de recouvrir chaque tranchée (605) et les parties de la première couche de matériau diélectrique qui n'ont pas été gravées (604) lors de l'étape de gravure (402), puis de dépôt conforme d'une couche de matériau d'élément conducteur monobloc (607) sur la couche active sélectrice (606) puis de dépôt conforme d'une deuxième couche de diélectrique (608) sur la couche 30 de matériau d'élément conducteur monobloc (607), de manière à ce que chaque tranchée (605) ne soit pas comblée ; 29 une étape (404) de gravure anisotrope selon la direction de la ou des tranchées (605) avec arrêt sur la couche de matériau conducteur d'électrode inférieure du dispositif sélecteur (602) au fond de la ou des tranchées (605) et avec arrêt sur les parties de la première couche de matériau diélectrique 5 n'ayant pas été gravées (604) lors de l'étape de gravure (402) afin d'obtenir au moins un élément conducteur monobloc (504) ; une étape (405) de remplissage par une troisième couche de matériau diélectrique (609) de manière à combler les tranchées (605) ; une étape (406) de lithographie réalisant au moins une tranchée 10 lithographique (612) suivant une direction perpendiculaire à la direction de la ou des tranchées (605) précédemment gravées et dans le plan de la troisième couche de matériau diélectrique (609), avec arrêt sur le substrat (601) ; une étape (407) de remplissage par une quatrième couche de matériau 15 diélectrique (613) de manière à combler la ou les tranchées lithographiques (612); une étape (408) de planarisation avec arrêt sur les parties de la première couche de matériau diélectrique n'ayant pas été gravées (610) ; une étape (409) de dépôt conforme d'une couche active mémoire (615) puis 20 de dépôt conforme d'une couche de matériau conducteur d'électrode supérieure de mémoire résistive (616) sur la couche active mémoire (615).