Brevet FR3077926A1 — publié le 20190816

Dispositif de détection, en particulier incorporé dans un pH-mètre, et procédé de réalisation correspondant. Des modes de mise en oeuvre et de réalisation de l'invention concernent les circuits intégrés, et plus particulièrement les circuits intégrés capables de détecter de faibles variations de potentiel électrique, induites par exemple mais non limitativement par la détection de molécules cibles par un capteur spécifique dans un laboratoire sur puce (« lab on chip »). Un laboratoire sur puce comprend classiquement un capteur de molécules connecté à un circuit électronique configuré pour convertir sous forme électrique les données relatives au contenu d'un fluide (un liquide ou un gaz). Cette donnée peut être la présence ou non d'une molécule cible dans le fluide, par exemple dans le cadre d'une recherche de virus dans un échantillon de sang, ou encore la valeur du pH d'une solution. On connaît des laboratoires sur puce utilisant des transistors à effet de champ, dans lesquels un capteur de molécules est électriquement connecté à la grille d'un transistor. Ainsi, la variation de potentiel induite par la détection de la molécule cible du capteur entraîne une variation du courant de drain du transistor. La figure 1 illustre un dispositif de détection DIS existant, comportant un substrat Sb dans et sur lequel est réalisé un module de détection MD1, surmonté d'une partie d'interconnexion INT1 (Connue sous l'acronyme anglo-saxon BEOL : « Back End Of Line »), et sur le dernier niveau de laquelle est réalisé un étage de détection, ou capteur, couplé au module de détection. Dans ce dispositif de détection, l'étage de détection se présente sous la forme d'une région isolante 500, réalisée dans un matériau isolant sur une partie conductrice 100, par exemple un plot de contact en cuivre, couplée à une interface d'entrée IE1 du module de détection. Afin que la détection puisse être réalisée avec précision, il convient de ne pas laisser la partie conductrice 100, c'est à dire l'interface d'entrée du module de détection à un potentiel flottant. 2 Ainsi, le dispositif DIS1 comprend un étage de polarisation comprenant une électrode 200 réalisée sur une partie de la couche isolante, couplée à des moyens de polarisation MP1 permettant de fixer le potentiel du plot de contact 100 par couplage capacitif. 5 Cela étant, la réalisation de l'électrode 200 sur la région isolante 500 présente des inconvénients, car d'une part elle expose la région isolante aux étapes de gravures lors du procédé de réalisation du dispositif, ce qui risque de dégrader ou de contaminer le matériau isolant, et d'autre part elle réduit la surface recevant le produit à 10 analyser. Il existe donc un besoin de proposer un dispositif de détection dont l'interface d'entrée n'est pas à un potentiel flottant, et dont la surface de détection n'est pas diminuée. Selon un mode de réalisation, il est proposé un dispositif intégré 15 de détection dont le procédé de fabrication est simplifié et dont la sensibilité est améliorée. Selon un aspect, il est proposé un dispositif électronique de détection, comprenant un étage de détection comportant une région isolante destinée à 20 recueillir un élément à détecter et une région électriquement conductrice, la région isolante étant disposée au-dessus de la région électriquement conductrice, un étage de polarisation configuré pour polariser ladite région électriquement conductrice par couplage capacitif, et 25 un module de détection possédant une interface d' entrée électriquement couplée à ladite région électriquement conductrice et configuré pour détecter une variation de potentiel sur ladite interface en présence dudit élément sur la région isolante, dans lequel 30 la région électriquement conductrice comporte une partie inférieure couplée à ladite interface d'entrée, une partie supérieure située sous ladite région isolante et une partie de liaison entre les parties inférieure et supérieure, et dans lequel 3 l'étage de polarisation comporte une couche isolante supplémentaire s'étendant de part et d'autre de la partie de liaison entre ladite partie inférieure et ladite partie supérieure, et au moins une première région supplémentaire électriquement conductrice située au même 5 niveau que ladite partie inférieure et en couplage capacitif avec ladite partie supérieure par l'intermédiaire de la couche isolante supplémentaire. Ainsi, en réalisant la région supplémentaire au même niveau que la partie inférieure, on peut polariser par effet capacitif la partie 10 supérieure par le dessous. L'absence de moyens de polarisation sur la surface de détection permet d'obtenir une surface de détection plus grande. En outre, le procédé de réalisation de tels moyens de polarisation ne nécessite pas d'étapes de procédé supplémentaires par-dessus la 15 région isolante, comme il sera vu ci-après. On évite ainsi une contamination ou une détérioration de région isolante. Selon un mode de réalisation, le dispositif est incorporé dans un circuit intégré comportant un substrat surmonté par une partie d'interconnexion comportant plusieurs niveaux de métallisation, 20 plusieurs niveaux de vias et des couches isolantes inter-métal entre les différents niveaux de métallisation, dans lequel ladite partie inférieure comporte une première portion métallique d'un niveau de métallisation et ladite au moins une région supplémentaire comporte au moins une portion métallique supplémentaire située audit niveau de métallisation, 25 ladite première portion métallique et ladite au moins une portion métallique supplémentaire étant séparées par une zone de matériau isolant. Ledit niveau de métallisation est avantageusement le dernier niveau de métallisation de la partie d'interconnexion. 30 Selon un mode de réalisation, la partie supérieure comprend une deuxième portion métallique, la partie de liaison est une partie analogue à un via, et la couche isolante supplémentaire est analogue à une partie de couche isolante inter-métal. 4 Le dispositif peut comporter un module de détection qui comprend au moins un transistor dont la grille est couplée à l'interface d'entrée, et ladite au moins une première région supplémentaire peut être couplée à une autre borne du module de détection. 5 L'étage de polarisation peut comporter en outre une deuxième région supplémentaire située au même niveau que ladite partie inférieure et en couplage capacitif avec ladite partie supérieure par l'intermédiaire de la couche isolante supplémentaire. Ainsi, il est possible de polariser l'interface d'entrée par effet 10 capacitif par l'intermédiaire de deux capacités, formées par la partie supérieure, la première couche isolante, et les deux régions supplémentaires. Cela permet une polarisation plus homogène de la borne d' entrée. 15 Le dispositif peut comprendre des moyens de polarisation aptes a polariser la première région supplémentaire et/ou la deuxième région supplémentaire. Selon un aspect, il est proposé un système comprenant un dispositif tel que décrit précédemment et un moyen de délivrance du 20 résultat le système pouvant être par exemple un pH-mètre. Selon un autre aspect, il est proposé un procédé de réalisation d'un dispositif de détection, comportant une réalisation d'un étage de détection comprenant une réalisation d'une région isolante destinée à recueillir un élément à détecter, et 25 d'une région électriquement conductrice, une réalisation d'un étage de polarisation configuré pour polariser ladite région électriquement conductrice par couplage capacitif, et une réalisation d'un module de détection possédant une interface d'entrée électriquement couplée à ladite région électriquement 30 conductrice et configuré pour détecter une variation de potentiel sur ladite interface en présence dudit élément sur la région isolante, dans lequel - la réalisation de la région électriquement conductrice comporte une réalisation d'une partie inférieure couplée à ladite interface 5 d'entrée, d'une partie supérieure située sous ladite région isolante et d'une partie de liaison entre les parties inférieure et supérieure, et dans lequel la réalisation de l'étage de polarisation comporte une réalisation 5 d'une couche isolante s'étendant de part et d'autre de la partie de liaison entre ladite partie inférieure et ladite partie supérieure et d'au moins une première région électriquement conductrice supplémentaire au même niveau que ladite partie inférieure et en couplage capacitif avec ladite partie supérieure par l'intermédiaire 10 de la couche isolante. Ainsi, on s'affranchit de toute étape de réalisation par-dessus la région isolante, ce qui permet avantageusement de préserver son intégrité. Selon un mode de mise en oeuvre, on couple des moyens de 15 polarisation à la première région supplémentaire. Selon un mode de mise en oeuvre le dispositif comporte un circuit intégré comportant un substrat surmonté par une partie d'interconnexion comportant plusieurs niveaux de métallisation, plusieurs niveaux de vias et des couches isolantes inter-métal entre les différents niveaux de 20 métallisation, dans lequel la réalisation de ladite partie inférieure comporte une réalisation d'une première portion métallique dans un niveau de métallisation et la réalisation de ladite au moins une première région supplémentaire 25 comporte au moins une réalisation d'une première portion métallique supplémentaire située dans le niveau de métallisation, le procédé comprenant en outre le dépôt d'un matériau isolant entre ladite portion métallique au moins une portion métallique supplémentaire. 30 La réalisation de l'étage de détection peut comporter une réalisation de la couche isolante supplémentaire recouvrant la partie inférieure, et recouvrant au moins une partie de ladite au moins une région supplémentaire, 6 une gravure locale de la couche isolante supplémentaire de façon à réaliser une zone gravée qui découvre une partie de la partie inférieure, un dépôt d'une couche conductrice de façon à recouvrir la couche 5 isolante supplémentaire, et de façon à combler la zone gravée afin de former la partie de liaison, un dépôt d'une deuxième couche isolante de façon à recouvrir ladite couche conductrice. une gravure de la deuxième couche isolante et de la couche 10 conductrice à l'exception d'une zone centrée sur la partie inférieure, qui comprend la partie inférieure et au moins une partie de ladite au moins une région supplémentaire. On peut réaliser en outre une deuxième région électriquement conductrice supplémentaire au même niveau que ladite partie inférieure 15 et en couplage capacitif avec ladite partie supérieure par l'intermédiaire de la couche isolante. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront à l'examen de la description détaillée de modes de mise en oeuvre et de réalisation de l'invention, nullement limitatifs, et des 20 dessins annexés sur lesquels la figure 1, décrite précédemment, illustre un dispositif de détection de l'art antérieur, les figures 2 à 7 illustrent des modes de mise en oeuvre et réalisation de l'invention, 25 Sur la figure 2, la référence DIS désigne un dispositif électronique de détection comportant un substrat Sb surmonté par une partie d'interconnexion INT (« BEOL »). Cette partie d'interconnexion comporte classiquement de façon connue des niveaux de métallisation, séparés par des régions de diélectrique inter-métal, reliés par des 30 niveaux de vias. Les vias connectent des pistes métalliques de niveaux de métallisation adjacents. Le dispositif DIS comporte un module de détection MD comportant un ou plusieurs composants électroniques, et configuré pour 7 détecter une variation de potentiel sur une interface d'entrée TE du module de détection MD. Par exemple, le module de détection MD peut comprendre un transistor MOS TR, dont la grille forme l'interface d'entrée TE. 5 Il serait également possible que l'interface d'entrée soit formée par une grille arrière d'un transistor MOS réalisé dans une technologie de type silicium sur isolant (SOI : « Silicon On Insulator » en langue anglaise), par une diode de protection couplée à une grille ou à une grille arrière d'un transistor MOS, ou encore par la grille d'un transistor 10 bipolaire. L'homme du métier saura choisir le mode de réalisation approprié en fonction de l'application envisagée. Le dispositif comporte en outre un étage de détection ED, couplé à l'interface d'entrée TE et apte à recevoir un produit à analyser, ledit 15 produit entraînant ladite variation de potentiel sur l'interface d'entrée TE. L'étage de détection ED comporte une région électriquement conductrice 10, comportant ici une partie inférieure électriquement conductrice 1, réalisée ici au dernier niveau de métallisation Mn de la 20 partie d'interconnexion INT, c'est-à-dire ici dans le niveau de métal le plus éloigné du substrat, et électriquement couplée à une partie supérieure 11 réalisée au-dessus de la partie inférieure 1 par une partie de liaison 12. La partie supérieure 11 peut s'apparenter à une piste métallique 25 d'un niveau de métallisation qui serait au-dessus du niveau Mn. La partie de liaison 12 peut s'apparenter alors à un via entre ces deux pistes métalliques. L'étage de détection ED comporte en outre une région isolante 5 réalisée sur la partie supérieure 11 qui comporte ici un matériau 30 diélectrique, par exemple de l'oxyde d'aluminium. La partie supérieure 11 et la région isolante 5 sont réalisées ici selon des profils coïncidents de façon à s'étendre au-dessus d'une même surface du circuit intégré CI. 8 La région isolante 5 forme une surface de détection du dispositif DIS et est apte à recevoir tout élément à analyser, par exemple un liquide en vue d'une mesure de pH, d'une détection de molécule, ou de toute autre application propre aux détecteurs biologiques, et à transmettre une 5 variation de potentiel induite par ledit liquide à l'interface d'entrée JE du module de détection. La présence du liquide sur la région isolante 5 fait varier le potentiel sur l'interface d'entrée par effet capacitif. Le dispositif de détection DIS comporte en outre un étage de 10 polarisation EP apte à polariser la région électriquement conductrice 10. L'étage de polarisation EP comporte deux régions électriquement conductrices supplémentaires 2 et 3, réalisées au dernier niveau de métallisation Mn de la partie d'interconnexion INT, c'est à dire au même niveau que la partie inférieure 1, et une couche isolante 15 4. La couche isolante 4 recouvre la première région supplémentaire 2 et la deuxième région supplémentaire 3. La couche 4 comprend un matériau diélectrique, par exemple ici du dioxyde de silicium. La couche 4 s'étend de part et d'autre de la partie de liaison 12 et en partie entre 20 la partie inférieure 1 et la partie supérieure 11. La couche isolante 4 s'apparente ici à une couche de matériau diélectrique inter-métal. Ici, la partie supérieure 11 et la région isolante 5 s'étendent au-dessus d'une zone Z rectangulaire centrée sur la partie inférieure 1, et 25 qui comporte la partie inférieure 1, une partie de la première région supplémentaire 2 et une partie de la deuxième région supplémentaire 3. Le dispositif présente donc une superposition d'une portion de la première région supplémentaire 2, d'une portion de la couche isolante 4, et d'une portion de la partie supérieure 1. 30 De façon analogue, le dispositif présente une superposition d'une portion de la deuxième région supplémentaire 3, d'une portion de la couche isolante 4 et d'une portion de la partie supérieure 1. 9 La première région supplémentaire 2 et la deuxième région supplémentaire 3 sont donc en couplage capacitif avec la région électriquement conductrice 10 via la couche isolante 4. Afin qu'une variation de potentiel sur l'interface d'entrée, 5 induite par exemple par la présence d'un liquide à analyser placé sur la région isolante 5, puisse être mesurée, il est préférable de connaître le potentiel initial sur l'interface d'entrée TE, et donc que ce potentiel ne soit pas flottant. A cette fin, le dispositif DIS comporte des moyens de 10 polarisation MP couplés à la première région supplémentaire 2 et la deuxième région supplémentaire 3, par exemple par l'intermédiaire de via et de pistes métalliques de la partie d'interconnexion INT. Par exemple, les moyens de polarisation MP peuvent comprendre une borne d'alimentation apte à être couplée à une source d'alimentation 15 délivrant une tension de référence. Les moyens de polarisation MP sont configurés ici pour délivrer une tension de un volt. Il serait possible que la zone Z ne s'étende pas sur la deuxième région supplémentaire 3. Dans ce cas, l'étage de polarisation serait en couplage capacitif avec la région conductrice 10 uniquement via la 20 deuxième région supplémentaire 2. La partie inférieure 1, la première région supplémentaire 2 et la deuxième région supplémentaire 3 sont séparées les unes des autres par un matériau isolant, par exemple ici de l'oxyde de silicium 6. La partie inférieure 1 est couplée à la grille du transistor MOS 25 TR. La première région supplémentaire 2 et la deuxième région supplémentaire 3 sont ici couplées à d'autres bornes du module de détection MD, par exemple ici mais non limitativement respectivement au drain et à la source du transistor MOS TR. Les moyens de polarisation MP sont donc ici aptes à polariser 30 les électrodes du transistor MOS TR. Il serait toutefois possible que les première et deuxième régions supplémentaires 2 et 3 ne soient couplées à aucune borne du module de détection MD, ou qu'une seule soit couplée au module de détection MD. 10 La partie inférieure 1, la première région supplémentaire 2 et la troisième région supplémentaire 3 sont couplées au module de détection MD par l'intermédiaire de pistes métalliques et de vias de la partie d'interconnexion (non représentés à des fins de simplification). 5 Ainsi, il est possible de polariser l'interface d'entrée TE, c'est à dire ici la grille du transistor MOS TR du module de détection MD par l'intermédiaire du couplage capacitif entre les régions supplémentaires 2 et 3 et la partie supérieure 11. Cela permet avantageusement d'éviter que la borne d'entrée du 10 dispositif DIS ne soit flottante. En outre, la polarisation par l'intermédiaire des régions supplémentaires 2 et 3, réalisées au dernier niveau de métal de la partie d'interconnexion INT, et donc sous la région isolante 5, permet avantageusement d'augmenter la surface dédiée à la détection par 15 rapport à une surface de détection sur laquelle serait réalisée une électrode, comme décrit précédemment en lien avec la figure 1. Les inventeurs ont observé qu'un tel dispositif de détection peut être jusqu'à trois fois plus sensible qu'un dispositif de l'art antérieur. Les figures 3 à 6 illustrent des étapes d'exemple de procédé de 20 fabrication du dispositif DIS décrit précédemment en lien avec la figure 2. La figure 3 représente le module de détection en cours de fabrication. Le substrat Sb, le module de détection MD, la partie d'interconnexion INT, la partie inférieure 1, et les régions 25 supplémentaires 2 et 3 ont été réalisés par des étapes classiques de fabrication, qui ne seront pas détaillées à des fins de simplification. Les termes tels que « première étape », « deuxième étape », etc., se rapportent donc uniquement aux étapes de procédé réalisées après lesdites étapes classiques, et non pas à la première et deuxième étapes 30 réelles du procédé de fabrication du dispositif DIS. Lors des étapes de réalisation classiques du module de détection MD et de la partie d'interconnexion INT, on a couplé les moyens de polarisation MP à la première région supplémentaire 1 et à la deuxième 11 région supplémentaire 3 par l'intermédiaire de vias et de pistes métalliques de la partie d'interconnexion INT. Lors d'une première étape de procédé illustrée sur la figure 3, on a déposé la première couche isolante 4, comprenant ici du nitrure de 5 silicium, de façon à recouvrir la partie inférieure 1, les régions supplémentaires 2 et 3, et le matériau isolant 6. Par exemple, le dépôt de la première couche isolante 4 peut comprendre des étapes de dépôt chimique en phase vapeur (CVD, « chemical vapor deposition », selon l'acronyme bien connu de l'homme 10 du métier) et des étapes de polissage mécano chimique. L'homme du métier saura choisir les méthodes les mieux adaptées au dépôt des couches de matériau du procédé de fabrication décrit ici. Il convient de noter ici que les figures illustrent le dispositif de 15 façon schématique, et qu'en pratique la couche isolante 4 ne s'étend pas nécessairement sur la totalité de la surface du dispositif. Par exemple, il serait possible que le dispositif DIS comprenne des pistes métalliques situées dans le même niveau de métallisation que la partie inférieure 1 et que les régions supplémentaires 2 et 3, et que la 20 couche isolante 4 ne recouvre pas ces pistes métalliques. Lors d'une deuxième étape de procédé illustrée sur la figure 4, on réalise une gravure localisée 8 de la première couche isolante 4, au-dessus d'une portion de la partie inférieure 1, de façon à réaliser une zone gravée 80 qui découvre ladite portion de la partie inférieure 1. 25 La gravure localisée peut être réalisée par exemple par une ou plusieurs étapes de photolithographie employant des masques de gravures, par exemple en résine suivi de gravure plasma. On a réalisé ensuite (figure 5) un dépôt d'un matériau conducteur 110, de préférence un matériau conducteur identique à celui formant la 30 partie inférieure 1, ici du cuivre ou de l'aluminium. Le dépôt est réalisé de telle sorte qu'il remplisse la zone gravée 80, de façon à former la partie de liaison 12, et de telle sorte qu'il recouvre au moins toute la première couche isolante 4 de façon à former une couche conductrice 110. 12 On a réalisé ensuite une deuxième couche isolante 50 par dépôt d'un matériau diélectrique, ici de l'oxyde d'aluminium, de façon à recouvrir la couche conductrice 110. Lors d'une dernière étape (figure 6), on a réalisé une gravure 9 5 de la deuxième couche isolante 50 et de la couche 110, à l'exception de la zone Z rectangulaire centrée sur la partie inférieure 1, qui comprend la partie inférieure 1, une partie de la première région supplémentaire 2, et une partie de la deuxième région supplémentaire 3. Il serait toutefois possible que la zone Z ne comprenne aucune 10 partie de la deuxième région supplémentaire 3. Dans ce cas, les moyens de polarisation MP ne seraient pas couplés à la deuxième région supplémentaire. On délimite par cette gravure la région isolante 5 dans la deuxième couche isolante 50, et la partie supérieure 11 dans la première 15 couche conductrice 11. Le dispositif de détection tel que décrit précédemment peut être incorporé dans tout type de système contenant un dispositif de détection et des moyens de délivrance, par exemple des moyens d'affichage MAF, du résultat de la détection. 20 Le système peut être par exemple un pH-mètre PM, tel qu'illustré REVENDICATIONS1. Dispositif électronique de détection, comprenant un étage de détection (ED) comportant une région isolante (5) destinée à recueillir un élément à détecter et une région électriquement conductrice (10), la région isolante étant disposée au-dessus de la région électriquement conductrice, un étage de polarisation (2) configuré pour polariser ladite région électriquement conductrice (10) par couplage capacitif, et un module de détection possédant une interface d'entrée (TE) électriquement couplée à ladite région électriquement conductrice et configuré pour détecter une variation de potentiel sur ladite interface (TE) en présence dudit élément sur la région isolante (5), dans lequel la première région électriquement conductrice (10) comporte une partie inférieure (1) couplée à ladite interface d'entrée (TE), une partie supérieure (11) située sous ladite région isolante et une partie de liaison (12) entre les parties inférieure (1) et supérieure (11), et dans lequel l'étage de polarisation comporte une couche isolante (4) supplémentaire s'étendant de part et d'autre de la partie de liaison (12) entre ladite partie inférieure (1) et ladite partie supérieure (11), et au moins une première région supplémentaire (2) électriquement conductrice située au même niveau que ladite partie inférieure (1) et en couplage capacitif avec ladite partie supérieure (5) par l'intermédiaire de la couche isolante supplémentaire (4). 2. Dispositif selon la revendication 1, incorporé dans un circuit intégré comportant un substrat (Sb) surmonté par une partie d'interconnexion (INT) comportant plusieurs niveaux de métallisation, plusieurs niveaux de vias et des couches isolantes inter-métal entre les différents niveaux de métallisation, dans lequel ladite partie inférieure (1) comporte une première portion métallique d'un niveau de métallisation et ladite au moins une première région supplémentaire (2) comporte au moins une portion métallique supplémentaire située audit 14 niveau de métallisation, ladite première portion métallique et ladite au moins une portion métallique supplémentaire étant séparées par un zone de matériau isolant (6). 3. Dispositif selon la revendication 2, dans lequel ledit niveau 5 de métallisation est le dernier niveau de métallisation de la partie d'interconnexion (INT). 4. Dispositif selon la revendication 3, dans lequel la partie supérieure (5) comprend une deuxième portion métallique, la partie de liaison (12) est une partie analogue à un via, et la couche isolante 10 supplémentaire (4) est analogue à une partie de couche isolante inter- métal. 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le dispositif (DIS) comporte un module de détection (MD) qui comprend au moins un transistor dont la grille est couplée à 15 l'interface d'entrée (JE), et dans lequel ladite au moins une première région supplémentaire (2) est couplée à une autre borne du module de détection (MD). 6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, comportant des moyens de polarisation (MP) apte à polariser ladite au 20 moins une région supplémentaire (2). 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel l'étage de polarisation comporte en outre une deuxième région supplémentaire (3) située au même niveau que ladite partie inférieure (1) et en couplage capacitif avec ladite partie supérieure (5) 25 par l'intermédiaire de la couche isolante supplémentaire (4). 8. Système comprenant un dispositif (DIS) selon l'une quelconque des revendications 1 à 7 et un moyen de délivrance (MAF) du résultat. 9. Système selon la revendication 8, le système étant un PH- 30 mètre (PM). 10. Procédé de réalisation d'un dispositif de détection, comportant 15 une réalisation d'un étage de détection comprenant une région isolante (5) destinée à recueillir un élément à détecter, et une région électriquement conductrice (10), une réalisation d'un étage de polarisation configuré pour polariser 5 ladite région électriquement conductrice (10) par couplage capacitif, et une réalisation d'un module de détection (MD) possédant une interface d'entrée (TE) électriquement couplée à ladite région électriquement conductrice et configuré pour détecter une variation 10 de potentiel sur ladite interface (TE) en présence dudit élément sur la région isolante (5), dans lequel la réalisation de la région électriquement conductrice (10) comporte une réalisation d'une partie conductrice inférieure (1) couplée à 15 ladite interface d'entrée (TE), d'une partie conductrice supérieure (11) située sous ladite région isolante et d'une partie de liaison (12) entre les parties inférieure (1) et supérieure (11), et la réalisation de l'étage de polarisation comporte une réalisation d'une couche isolante (4) s'étendant de part et d'autre de la partie 20 de liaison (12) entre ladite partie inférieure (1) et ladite partie supérieure (11) et d'au moins une première région électriquement conductrice supplémentaire (2) au même niveau que ladite partie inférieure (1) et en couplage capacitif avec ladite partie supérieure (5) par l'intermédiaire de la couche isolante (4). 25 11. Procédé selon la revendication 10, dans lequel on couple des moyens de polarisation (MP) à la première région supplémentaire (2). 12. Procédé de réalisation selon la revendication 10 ou 11, dans lequel le dispositif comporte un circuit intégré comportant un substrat (Sb) surmonté par une partie d'interconnexion (INT) comportant 30 plusieurs niveaux de métallisation, plusieurs niveaux de vias et des couches isolantes inter-métal entre les différents niveaux de métallisation, dans lequel 16 la réalisation de ladite partie inférieure (1) comporte une réalisation d'une première portion métallique dans un niveau de métallisation et la réalisation de ladite au moins une première région supplémentaire 5 comporte au moins une réalisation d'une première portion métallique supplémentaire située dans le niveau de métallisation, le procédé comprenant en outre le dépôt d'un matériau isolant entre ladite portion métallique au moins une portion métallique supplémentaire. 10 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 12, dans lequel la réalisation de l'étage de détection comporte une réalisation de la couche isolante supplémentaire (4) recouvrant la partie inférieure (1), et recouvrant au moins une partie de la région supplémentaire (2), 15 une gravure locale (8) de la couche isolante supplémentaire (4) de façon à réaliser une zone gravée (Z) qui découvre une partie de la partie inférieure (1), un dépôt d'une couche conductrice (110) de façon à recouvrir la couche isolante supplémentaire (4), et de façon à combler la zone 20 gravée afin de former la partie de liaison (12), un dépôt d'une deuxième couche isolante (50) de façon à recouvrir ladite couche conductrice (110). une gravure de la deuxième couche isolante (50) et de la couche conductrice (110) à l'exception d'une zone (Z) centrée sur la partie 25 inférieure (1), qui comprend la partie inférieure (1) et au moins une partie de la première région supplémentaire (2). 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 13, dans lequel on réalise en outre une deuxième région supplémentaire (3) électriquement conductrice au même niveau que ladite partie inférieure 30 (1) et en couplage capacitif avec ladite partie supérieure (5) par l'intermédiaire de la couche isolante supplémentaire (4).