Brevet FR3085565A1 — publié le 20200306

Description Titre de l'invention : Circuit électronique et son procédé de gestion Domaine de l'invention [0001] La présente invention sc rapporte à un circuit électronique comportant un com- mutateur commandé notamment un commutateur semi-conducteur ainsi qu'une installation de commande pour commander le commutateur semi-conducteur. [0002] L'invention se rapporte également à un procédé de gestion d'un tel circuit élec- tronique comportant un commutateur commandé, notamment un commutateur semiconducteur et de son installation de commande. Etat de la technique [0003] On connaît déjà un tel circuit selon le document DE 10 2008 042 352 A 1. Ce circuit connu, calcule le temps de passage et/ou le temps de coupure du commutateur commandé en utilisant un champ de caractéristiques ou une fonction mathématique. Cela nécessite une mise en oeuvre relativement importante de moyens pour commander le commutateur et se traduit par une consommation d'énergie électrique conséquente. [0004] But de l'invention [0005] La présente invention a pour but de développer un circuit du type défini ci-dessus pour l'améliorer et remédier aux inconvénients cités. [0006] Exposé et avantages de l'invention [0007] A cet effet, l'invention a pour objet un circuit électronique du type défini ci-dessus, caractérisé en ce qu'il comporte un commutateur commandé, notamment semiconducteur ainsi qu'une installation de commande pour commander le commutateur semi-conducteur, qui dans une première plage de temps d'une demi-onde prédéfinie, de préférence négative, d'une tension électrique périodique appliquée au chemin de charge du commutateur semi-conducteur, active le commutateur semi-conducteur en fonction de la tension appliquée au chemin de charge et libère la désactivation du commutateur semi-conducteur en fonction de la tension appliquée au chemin de charge, seulement dans une seconde plage de temps qui suit la première plage de temps. [0008] Cc circuit électronique selon l'invention permet une activation fiable du com- mutateur semi-conducteur dans la première plage de temps (par exemple lors du dépassement vers le bas de la tension prédéfinie appliquée au chemin de charge dans la première plage de temps) ; en même temps, en libérant la désactivation dépendant de la tension, seulement dans la seconde plage de temps qui fait suite à la première plage de temps, on évite toute désactivation du commutateur semi-conducteur, non voulue (trop précoce par rapport à la demi-onde considérée, dans la première plage de temps ; cela pourrait se produire, par exemple, à cause des variations de la tension appliquée au 2 chemin de charge (notamment à cause de la mise en oeuvre du commutateur semiconducteur). [0009] Selon d'autres formes de réalisation préférentielle, le commutateur commandé est un transistor à effet de champ. Le chemin de charge correspond alors, par exemple, au chemin drain-source du transistor à effet de champ. [0010] Selon une forme de réalisation préférentielles, le commutateur commandé est un transistor bipolaire ou un transistor IGBT (transistor bipolaire avec électrode de porte isolée). Dans ce cas, le chemin de charge correspond, par exemple, au chemin collecteur-émetteur du transistor bipolaire ou du transistor IGBT. [0011] Selon d'autres formes de réalisation préférentielles, l'installation de commande détermine une première grandeur caractérisant la durée de la demi-onde prédéfinic et en fonction de cette première grandeur de commande, elle détermine un premier instant caractérisant le passage entre la première plage de temps et la seconde plage de temps. Cette grandeur correspond, par exemple, à la demi-période de la tension périodique. [0012] Selon d'autres formes de réalisation préférentielles, dans la seconde plage de temps, l'installation commande le fonctionnement du commutateur semi-conducteur en fonction de la tension appliquée au chemin de charge. [0013] Selon d'autres formes de réalisation préférentielles, l'installation de commande détermine si la tension appliquée au chemin de charge dépasse un premier seuil prédéfini. [0014] Selon d'autres formes de réalisation préférentielles, l'installation de commande désactive le commutateur semi-conducteur au moins partiellement (c'est-à-dire le fait passer à un état fortement ohmique) si la tension appliquée au chemin de charge dépasse le premier seuil prédéfini. [0015] Selon d'autres formes de réalisation préférentielles, le commutateur semi-conducteur ou au moins un commutateur semi-conducteur et l'installation de commande sont sur le même substrat semi-conducteur. [0016] Selon d'autres formes de réalisation préférentielles, il est prévu une installation de coupure de sécurité pour désactiver le commutateur semi-conducteur si la tension appliquée au chemin de charge est positive et dépasse un second seuil prédéfini ; l'installation de coupure de sécurité est notamment conçue pour désactiver le commutateur serai-conduction en fonction de l'état de fonctionnement instantané de l'installation de commande. [0017] De manière particulièrement préférentielle, la commande du commutateur semi- conducteur par l'installation de coupure de sécurité a une priorité supérieure à la commande du commutateur semi-conducteur par l'installation de commande. Cela garantit qu'indépendamment de l'état de fonctionnement actuel ou de l'état de défaut 3 de l'installation de commande, on garantit la désactivation du commutateur semiconducteur dans des états de fonctionnement non souhaitables (par exemple, une tension positive appliquée au chemin de charge qui serait supérieure au second seuil). [0018] Selon d'autres formes de réalisation préférentielles, on réalise un circuit redresseur actif comportant au moins un circuit tel que défini ci-dessus. A titre d'exemple, pour des formes de réalisation préférentielles pour redresser une tension alternative polyphasée ou brancher chaque fois deux éléments redresseurs en série par phase, les éléments redresseurs étant avantageusement constitués par un commutateur semiconducteur ou un circuit selon les formes de réalisation présentées ci-dessus. [0019] Selon d'autres formes de réalisation préférentielles, pour des tensions négatives ap- pliquées au chemin de charge, le commutateur semi-conducteur redresseur (pour un MOSI4LT, par exemple avec une tension drain-source négative) sont par exemple, à l'état conducteur et pour des tensions positives appliquées au chemin de charge (par exemple, une tension drain-source positive) ils sont à l'état bloqué. On arrive efficacement à cet état avec l'installation de commande selon les formes de réalisation. Des états de défaut non souhaitables seront évités avantageusement à l'aide de l'installation de coupure de sécurité telle que définie ci-dessus. [0020] Selon d'autres développements, l'invention a pour objet un procédé de gestion d'un circuit électronique comportant un commutateur commandé, notamment un commutateur semi-conducteur notamment un commutateur semi-conducteur (110) ainsi qu'une installation de commande (120) pour commander le commutateur semiconducteur (110), qui [0021] active (200) le commutateur semi-conducteur (110) en fonction de la tension (UL, KI, K2, K3) appliquée au chemin de charge (112) dans une première plage de temps (T1) d'une demi-onde (HW) prédéfinie, de préférence négative, d'une tension électrique périodique (UL, KI, K2, K3) appliquée au chemin de charge (112) du commutateur semi-conducteur (110), et [0022] libère (210) la désactivation du commutateur semi-conducteur (110) en fonction de la tension (UL, KI, K2, K3) appliquée au chemin de charge (112), seulement dans une seconde plage de temps (T2) qui suit la première plage de temps (T1). [0023] Selon d'autres formes de réalisation préférentielles, l'installation de commande détermine une première grandeur caractérisant la durée de la demi-onde prédéfinie et en fonction de cette première grandeur, elle détermine un premier instant caractérisant le passage entre la première plage de temps et la seconde plage de temps. [0024] Selon d'autres formes de réalisation préférentielles, l'installation de commande assure dans le fonctionnement du commutateur semi-conducteur, la commande dans la seconde plage de temps en fonction de la tension appliquée au chemin de charge. [0025] Selon d'autres formes de réalisation préférentielles, l'installation de commande détermine si la tension appliquée au chemin de charge dépasse un premier seuil prédéfini. [0026] Selon d'autres formes de réalisation préférentielles, l'installation de commande désactive au moins partiellement le commutateur semi-conducteur si la tension appliquée au chemin de charge dépasse le premier seuil prédéfini. [0027] D'autres formes de réalisation concernent l'application du procédé tel que défini ci- dessus pour la gestion d'un circuit redresseur actif comportant notamment un circuit tel que défini ci-dessus. Présentation des dessins [0028] La présente invention sera décrite ci-après, de manière plus détaillée à l'aide d'exemples de circuits électroniques représentés dans les dessins annexés dans lesquels [0029] [fig.1] schéma bloc simplifié d'un mode de réalisation d'un circuit électronique, [0030] [fig.2] ordinogramme simplifié schématique d'un procédé selon un mode de réa- lisation, [0031] [fig.3] schéma simplifié d'un autre mode de réalisation d'un circuit électronique, [0032] [fig.4A] chronogramme des grandeurs dc fonctionnement d'un mode de réalisation, [0033] [fig.4B] vue de détail des chronogrammes dc la figure 4A, [0034] [fig.5] schéma simplifié d'un autre mode de réalisation d'un circuit électronique, [0035] [fig.6] schéma simplifié d'un autre mode de réalisation d'un circuit électronique, [0036] [fig.7] schéma bloc simplifié d'un autre mode de réalisation, [0037] [fig.8] chronogramme des grandeurs de fonctionnement d'un autre mode de réa- lisation, [0038] [fig.9] schéma bloc simplifié d'un autre mode de réalisation, [0039] [fig.10] chronogramme des grandeurs de fonctionnement d'un autre mode de réa- lisation, [0040] [fig.11] chronogrammes des grandeurs de fonctionnement d'un autre mode deréa- lisation. [0041] [fig.12] chronogrammes des grandeurs de fonctionnement d'un autre mode deréa- lisation. [0042] [fig.13] schéma simplifié d'un autre mode de réalisation d'un circuit électronique. [0043] Description du mode de réalisation de l'invention [0044] La figure 1 montre un schéma par blocs, simplifié, d'un circuit électronique 100 selon un mode de réalisation. Le circuit 100 a un commutateur commandé 110 qui est ici un commutateur semi-conducteur, par exemple, un MOSFET (transistor à effet champ-métal-oxyde-semi-conducteur) de type n. Dans d'autres modes de réalisation, le commutateur commandé 110 peut également être un autre MOSFET, par exemple, de type p ou encore un transistor bipolaire ou un composant IGBT ou un moyen analogue. Le commutateur semi-conducteur 110 a une borne de source (électrode de source) S reliée à un premier potentiel électrique de référence BP1, par exemple, le potentiel de niasse. Le semi-conducteur 110 a une home de drain ("électrode de drain") D reliée à un second potentiel électrique de référence BP2. Le second potentiel de référence BP2 est, par exemple, une tension périodique, notamment une tension de phase K1 (voir ci-après figure 4A) d'un générateur 400 (voir ci-après figure 9). Le commutateur semiconducteur 110 a en outre une borne de porte (électrode de porte) G sur laquelle agit une installation de commande 120 associée au commutateur semi-conducteur 110 pour commander le fonctionnement du commutateur semi-conducteur 110. Par exemple, l'installation de commande 120 applique un potentiel prédéfini à la borne de porte G pour être le chemin de charge 112 du commutateur semi-conducteur 110 qui est constitué ici comme chemin drain-source, dans un état élcctro-conducteur ("état faiblement ohmique") ou un autre état bloqué (état fortement ohmique) et le cas échéant dans un état intermédiaire entre l'état conducteur et l'état bloqué. Dans l'état conducteur, le commutateur à semi-conducteur 110 ou un chemin de charge 112 représente une résistance électrique ("RDS,on" relativement faible, par exemple, de 0,1 Ohm ou moins de sorte qu'un courant de charge peut passer par le chemin de charge 112 et l'état bloqué dans lequel le chemin de charge 112 a une résistance électrique relativement élevée. [0045] Pour les formes de réalisation, préférentielles, l'installation de commande 120 est conçue pour activer, dans une première plage de temps, d'une demi-onde prédéfinie, de préférence négative, une tension électrique périodique UL appliquée au chemin de charge 112 du commutateur semi-conducteur 110, en fonction de la tension UL appliquée au chemin de charge 112 et désactiver le commutateur semi-conducteur 110 en fonction de la tension UL appliquée au chemin de charge 112, le commutateur semi-conducteur est seulement libéré dans une seconde plage de temps qui fait suite à la première plage de temps. Il en résulte une activation fiable du commutateur semiconducteur 110 dans la première plage de temps (par exemple, par le dépassement en-dessous d'un niveau de tension prédéfini appliqué au chemin de charge 112 au début de la demi-onde négative prise en compte à titre d'exemple), et en même temps, la libération d'une désactivation dépendant de la température est évitée seulement pendant la seconde plage de température qui suit la première plage de températures de sorte que, dans la première plage de températures, rapportée, (par exemple, à la demi-onde négative considérée) on aura déjà désactivé le commutateur semi-conducteur 110 comme cela se produira par ailleurs, par exemple, du fait des variations de la tension (par exemple fin de l'activation du commutateur semi-conducteur) au chemin de charge. 6 [0046] La figure 2 montre schématiquement un ordinogramme simplifié d'un procédé selon une forme de réalisation. Dans une première étape 200, l'installation de commande 120 (figure 1) active le commutateur semi-conducteur 110 dans une première plage de temps d'une demi-onde prédéfinie d'une tension électrique périodique UL appliquée au chemin de charge 112 du commutateur semi-conducteur 110 ; cette tension est fonction de la tension UL appliquée au chemin de charge 112. Dans une deuxième étape 210 (fig. 2) l'installation dc commande 120 libère la désactivation du commutateur semi-conducteur 110 dépendant de la tension UL appliquée par le chemin de charge seulement dans une seconde plage de temps qui fait suite à la première plage. En d'autres termes, on active 200, c'est-à-dire on rend passant (commutation faiblement ohmique) le semi-conducteur 110 seulement dans la première plage dc temps dans l'étape 200, de façon dépendante de la tension, par exemple, si la tension UL appliquée au chemin de charge 112 passe en dessous d'un seuil prédéfini. [0047] La figure 4A montre à cet effet, à titre d'exemple, sous la forme d'une première courbe K1, le chronogramme de la tension dc phase périodique du générateur, par exemple, du générateur du véhicule. Dans le sens de ce qui a été développé ci-dessus en relation avec le second potentiel dc référence BP2 décrit à la figure 1, cette tension est appliquée à la home de drain D du commutateur à semi-conducteur 110. La figure 4A montre à cet effet, à titre d'exemple, sous la forme d'une première courbe K1, le chronogramme d'une tension de phase périodique d'un générateur (par exemple, le générateur de puissance du véhicule) qui applique le second potentiel de référence BP2 la borne de drain D du commutateur semi-conducteur 110 ; ce second potentiel de référence BP2 est celui décrit ci-dessus à la figure 1. La figure 4A montre que les demi-ondes positives HWO reprennent le saut de phase, par exemple, la valeur de la tension comprise entre 0 V et environ 10 V. Les demi-ondes négatives HW ne peuvent pas de développer avec la même amplitude car le commutateur semi-conducteur 110 est branché dans les intervalles HW par l'installation de commande 120 ; le branchement est faiblement ohmique et il est avantageusement utilisé comme diode de redressement active pour la tension de phase du générateur. Ainsi, la première courbe KI dans les durées correspondant à une demi-onde négative HW prend des niveaux de tension dans une plage comprise entre OV et environ -400 mV (millivolt) (voir également la seconde courbe K2 qui est à la même échelle sur l'axe du temps t que la première courbe KI mais à une autre échelle pour la tension de phase sur l'axe vertical de la figure 4A. [0048] La figure 4B montre schématiquement la forme de courbe K3 selon une vue de détail du chronogramme de la figure 4A ; la plage de temps ZB représentée à la figure 4B est, pour l'essentiel, une demi-onde négative HW de la tension de phase du générateur. A l'instant tl, la tension de phase passe en dessous de la valeur OV. 7 [0049] Selon d'autres formes de réalisation préférentielle, l'installation de commande 120 active le commutateur semi-conducteur 110 lorsque la tension de phase K3 passe en dessous d'un seuil d'activation U SW ON qui est, par exemple, d'environ -200 mV. Cela est le cas ici à l'instant tl '. A cet instant, commence, l'activation du commutateur semi-conducteur 110. L'activation du commutateur semi-conducteur 110 se termine à un second instant tl". Du fait de l'activation du commutateur semi-conducteur 110, la différence de tension K3 s'effondre ; (comparez le tracé sur la courbe K3 entre les instants tl tl "). La suite du développement de la courbe K3 à partir de l'instant tl " découle de la courbe du courant de phase correspondant à la tension de phase dans le chemin de charge 112 (figure 1) du commutateur semi-conducteur 110, par rapport à sa résistance de branchement (RDS,on). [0050] Dès que la tension de phase K3 à l'instant t2' atteint un premier seuil U SW OFF prédéfini que l'on peut appeler seuil de désactivation, selon d'autres formes de réalisation préférentielles, le commutateur semi-conducteur 110 sera de nouveau désactivé totalement ou en option également partiellement. Ainsi, à l'instant t2' on a une désactivation partielle du commutateur semi-conducteur 110 par une commande appropriée de son électrode de porte G par l'installation de commande 120. Cette désactivation partielle augmente la résistance du chemin de charge 112 du commutateur semiconducteur et la tension de phase K3 chute de nouveau, de façon correspondante, à l'instant t2' pour alors remonter, selon son comportement périodique, jusqu'à l'instant t3' pour atteindre de nouveau le premier seuil prédéfini U_SW_OFF. A ce moment, le commutateur semi-conducteur 110 sera complètement désactivé et son chemin de charge 112 est commuté dans le sens fortement ohmique. L'instant t3 correspond au passage par zéro de la tension de phase K3 repassant aux valeurs positives de tension ; ainsi commence la demi-onde positive HWO à suivante. En variante du procédé décrit ci-dessus qui correspond tout d'abord à la désactivation partielle du commutateur semi-conducteur 110, on peut également, dès l'instant t2', c'est-à-dire la première fois que l'on atteint le premier seuil prédéfini U_SW_OFF, désactiver totalement le commutateur semi-conducteur 110. Dans le scénario de désactivation décrit ci-dessus (tout d'abord partiel) en référence à la figure 4B, on a néanmoins une plus grande efficacité car on peut utiliser encore l'intervalle entre les instants t2' jusqu'à t3' pour le passage du courant de phase (optimisation de la récupération de puissance. [0051] Après l'instant t3 on a demi-onde positive HWO (fig. 4A) puis le déroulement décrit ci-dessus reprend à partir de l'instant t4 jusqu'à l'instant t6 de façon analogue à la plage comprise entre les instants t2 et t3 (fig. 4B) ; l'instant t5 est de nouveau avantageusement un passage caractéristique de la première période de la demi-onde négative à la seconde période de la demi-onde négative. [0052] Comme déjà indiqué ci-dessus, l'installation de commande 120 (fig. 1) selon des 8 formes de réalisation préférentielles est conçue pour que, dans une première plage Tl (fig. 4B) de la demi-onde HW considérée (ici la demi-onde négative) de la tension électrique périodique K3 (fig. 4B) applicable au chemin de charge 112 du commutateur semi-conducteur 110 (fig. 1) on active le commutateur semi-conducteur 110 en fonction de la tension K3, appliquée au chemin de charge 112 (par exemple, en dépassant vers le bas le seuil d'activation U SW ON ; on libère une tension K3, UL appliquée au chemin de charge 112 et dépendant de la désactivation du commutateur semi-conducteur 110 (seulement dans une seconde période T2 qui suit la première période Tl ). Il en résulte une activation fiable du commutateur semi-conducteur 110 (ici à l'instant tl '). En même temps par la libération de la désactivation dépendant de la tension, ce n'est que dans la seconde plage T2 sui suit la première plage Ti que l'on évite que, déjà dans la première plage Tl on ait une désactivation non souhaitée (notamment trop tôt par rapport à la demi-onde-11W considérée) du commutateur semiconducteur 110. Cela pourrait se produire, par exemple, du fait des variations de la tension (par exemple, occasionnées par l'agitation du commutateur semi-conducteur) sur le chemin de charge. Comme cela apparaît à la figure 4B, la tension de phase K3 dépasserait le premier seuil U SW OFF entre l'instant tl' et l'instant tl " ce qui conduirait à une désactivation prématurée, non voulue du commutateur à semiconducteur 110. C'est pourquoi, selon le principe des formes de réalisation, on a une désactivation dépendant de la tension du commutateur semi-conducteur 110 (comparer le premier seuil prédéfini U_SW_OFF), de façon avantageuse avec la seconde plage de temps T2, libérée c'est-à-dire autorisée. [0053] Ainsi, selon les formes de réalisation particulièrement préférentielles, on permet une activation commandée en tension du commutateur semi-conducteur 110 à l'instant tl' qui caractérise en même temps le début de la première plage de temps T1 (il caractérise, en variante, déjà le passage par zéro de la tension de phase K3 vers les valeurs négatives de la tension jusqu'à l'instant tl pour le début de la première plage de temps T1). On aura ensuite un fonctionnement commandé par le temps pour le restant de la première plage T1 jusqu'à l'instant t2 qui caractérise le passage vers la seconde plage de temps T2. Dans la première plage de temps T 1 , on a en effet à l'exception de l'activation 200, (Fig. 2) à l'instant tl' (Fig. 4B), aucune (autre) commande dépendant de la tension du commutateur semi-conducteur 110 qui serait autorisée ou libérée. La libération pour une commande dépendant de la tension du semi-conducteur 110 se fait bien plus seulement lorsqu'on atteint la seconde plage de temps T2, c'est-à-dire à l'instant t2 ou après celui-ci, de sorte que la désactivation totale ou tout d'abord partielle dépendant de la tension comme déjà décrit se fera à partir de l'instant t2'. [0054] Selon d'autres formes de réalisation préférentielles, l'installation de commande 120 9 (Fig. 1) est conçue pour déterminer une première grandeur caractérisant la durée ZB (Fig. 4B) de la demi-onde prédéfinie HW et en fonction de cette première grandeur, on détermine le premier instant t2 qui caractérise le passage de la première plage de temps Ti vers la seconde plage de temps T2. Selon d'autres formes de réalisation préférentielles, le premier instant t2 peut-être, par exemple, choisi pour qu'il corresponde sensiblement à la moitié de la durée de la demi-onde prédéfinic HW. [0055] Selon d'autres formes de réalisation préférentielles, il est prévu que l'installation de commande 120 (Fig. 1) est réalisée pour que dans la seconde plage temps T2 (Fig. 4B) le fonctionnement du commutateur semi-conducteur 110 soit commandé selon la tension (K3), UL appliquée au chemin de charge 112. [0056] Selon d'autres formes de réalisation préférentielles, l'installation de commande 120 détermine si la tension appliquée au chemin de charge 112 dépasse un premier seuil prédéfini U SW OFF, ce qui permet comme cela a été déjà décrit ci-dessus de désactiver, par commande de tension, le commutateur semi-conducteur 110. [0057] Selon d'autres formes de réalisation préférentielles, l'installation de commande 120 désactive au moins partiellement le commutateur semi-conducteur 110 si la tension (K3), UL appliquée au chemin de charge 112 dépasse un premier seuil prédéfini. Cela correspond au scénario de fonctionnement décrit ci-dessus en référence à la figure 4B. [0058] La figure 3 montre une autre forme de réalisation d'un schéma simplifié de circuit électronique 100a. Une logique de commande 122 qui fait, par exemple, partie d'une installation de commande 120a du commutateur semi-conducteur 110 fournit les signaux (le commande SOF, SO2' agissant sur les commutateurs SOI, SO2 par l'intermédiaire desquels l'électrode de porte G du commutateur semi-conducteur 110 se recharge à un potentiel de référence correspondant, de sorte que le commutateur semi-conducteur 110 sera activé ou désactivé ou partiellement désactivé. La fonctionnalité de l'installation de commande 120a peut se décrire, par exemple, de manière comparable à la fonctionnalité de l'installation de commande 120 décrite ci-dessus en référence à la figure 1. [0059] En option, l'installation de commande 120a, selon d'autres formes de réalisation pré- férentielles, comporte une diode DO1 et un condensateur CO1 qui sont branchés en série entre la borne de de drain D et le premier potentiel de référence BP1 comme cela apparaît à la figure 3. Ainsi, le condensateur CO1 peut être rechargé lorsqu'un potentiel positif par rapport au premier potentiel de référence BP1 est appliqué à la borne de drain D (par exemple pendant une demi-onde positive HWO (Fig. 4A) d'une tension de phase KI, K2, K3, appliquée à la borne de drain D. En, d'autres termes, le condensateur CO1 pourra être rechargé pendant une demi-onde positive HWO de la tension de phase. La charge électrique fonctionnelle stockée dans le condensateur SOl peut ainsi être transférée à l'électrode de porte G du commutateur semi-conducteur 110, avantageusement pendant la demi-onde négative HWqui suit la demi-onde positive HWO de la tension de phase appliquée à la borne de de drain D, en fonction de la commande du commutateur S01 pour ainsi activer le commutateur semi-conducteur (par exemple, commander en tension ; comparer à l'instant tl ' selon la figure 4B). On supprime ainsi avantageusement, une alimentation en énergie électrique externe pour commander l'électrode de porte G. [0060] En outre, en option, l'installation de commande 120a pourra comporter, selon d'autres formes de réalisation préférentielles, un circuit de stabilisation de la tension 124 (par exemple une diode Zoner) qui stabilise la tension de charge du condensateur C01. [0061] La figure 5 montre un schéma simplifié d'un circuit électronique correspondant à un autre mode de réalisation. Le circuit présenté à la figure 5 comporte une première horloge 1200a, une seconde horloge 1200b et une logique de combinaison 1200e qui fournit d'une manière particulièrement efficace, du point de vue énergétique, les signaux de commande SOI', SO2' pour la commande du commutateur semi-conducteur 110 de la figure 3. Les composants 1200a, 1200h, 1200e ou leur fonctionnalité décrite ci-dessus en référence à la figure 5, pourront avantageusement être prévus pour d'autres formes de réalisation préférentielles dans la logique de commande 122 selon la figure 3. L'alimentation électrique de la logique de commande 122 peut également se faire avantageusement à partir du condensateur C01, cc qui rend inutile une installation d'alimentation en énergie électrique, distincte, pour le fonctionnement de la logique de commande. Cela s'applique également à d'autres formes de réalisation pour les composants de circuit décrits ensuite en référence à la figure 6. [0062] La première horloge 1200a selon la figure 5 comporte une première source de courant II qui, sous la commande du commutateur SI, charge le condensateur Cl et une seconde source de courant 12 qui, "sous la commande du second commutateur S2, décharge le condensateur Cl. De façon préférentielle, les deux sources de courant 12 sont réalisées chacune comme une source de courant constant. L'intensité du courant fourni par la seconde source de courant 12 est double de l'intensité du courant fourni par la première source de courant I1 (le sens du courant est opposé) pour permettre, selon l'opération décrite ci-dessus, la charge ou la décharge du condensateur Cl. La tension appliquée au condensateur Cl conespond, à titre d'exemple, au chronogramme de la courbe K4 à la figure 8. La fin d'opération de décharge du condensateur Cl correspond, comme cela apparaît à l'instant prédéfini t2 au passage de la première plage de temps Tl (Fig. 4B) à la seconde plage de temps T2, pendant qu'une opération de charge se poursuit au-delà de la durée totale ZB d'une demi-onde négative HW (voir l'intervalle t4-t6 à la figure 8. Selon les formes de réalisation préférentielles, la charge du condensateur CI (figure 5) correspond à un "apprentissage de la 11 durée ZB" ou de l'intervalle de temps t4-t6 selon la figure 8, qui, du fait de la vitesse de rotation variable du générateur fournissant la tension de phase, oscille de façon correspondante. La décharge du condensateur Cl se fait à une vitesse double rapportée à la vitesse de charge (par le doublement en amplitude du courant de charge le plus grand possible (voir la source de courant 12) qui fixe ainsi l'instant prédéfini t2 ou t5 (Fig. 8) au milieu de la durée ZB de la demi-onde HW (Fig. 4B). [0063] A l'aide d'un déclencheur de Schmitt A6 (Fig. 5) et d'un élément ET-8A en aval, en fonction de la tension du condensateur Cl et du signal décharger, on génère un signal logique A8' appliqué à la logique de combinaison 1200c. Les commutateurs Sl, S2 de la première horloge 1200a sont ici, à titre d'exemple, commandés en fonction des signaux A charger, A décharger, qui, comme décrit ci-après, à titre d'exemple sont déterminés de nouveau très efficacement du point de vue énergétique à l'aide du circuit de la figure 6. [0064] La figure 6 montre un déclencheur de Schmitt Al dont l'entrée reçoit la tension de phase (voir, par exemple, la référence K3 à la figure 4B) représentant le signal de phase ; il génère ainsi un signal binaire Ph ncg qui indique quand une demi-onde négative 11W (figure 4B). En d'autres termes, le signal Ph neg a, par exemple, la valeur logique un si une demi-onde négative HW de la tension de phase est présente. Le signal de phase peut, dans ce cas venir d'un chemin LS côté bas de la home de drain D (figure 3) du commutateur semi-conducteur 110 dans le cas d'un chemin HS côté haut de la borne de source S (figure 3). [0065] La figure 6 montre en outre un composant compteur A2, notamment un compteur al- ternatif qui est, par exemple, réalisé sous la forme d'un Fliptlop. Comme signal d'horloge CLK, on applique au compteur A2 le signal Ph_neg pour obtenir ainsi deux signaux de sortie Count_2, Count_2'. [0066] En fonction des signaux Ph_neg, Count_2, Count_2', à l'aide de deux éléments ET A3, A4, on forme les signaux A_charger, A_décharger, B_charger, B_décharger ; les deux signaux A_charger, A_décharger sont utilisés comme décrit ci-dessus pour le fonctionnement de la première horloge 1200a. [0067] La seconde horloge 1200b a une structure comparable à celle de la première horloge 1200a et elle sert à générer le signal logique A9' qui, avec les autres signaux A8', Ph_neg, seront transformés à l'aide des éléments logiques A10, A5 en signaux de commande SO1', SO2' complémentaires pour commander l'électrode de porte G du commutateur semi-conducteur 110. [0068] Selon des formes de réalisation préférentielles, la charge du condensateur C2 de la seconde horloge 1200b (Fig. 5) correspond à un "apprentissage" de la durée ZB dans l'intervalle tl-t3 selon la figure 8 ; la décharge du condensateur C2 se fait à une vitesse double de la celle de la charge (source de courant 13) (par un courant de charge 12 d'intensité double, voire la source de courant 14) et fixe ainsi l'instant prédéfini t5 ou t2 (Fig. 8) au milieu de la durée ZB de la demi-onde HW (Fig. 4B). [0069] Les horloges 1200a, 1200b décrites ci-dessus peuvent également être appelées horloges de période ou horloges PD car une première horloge PD apprend, la durée ZB de la demi-onde HW, pendant la première demi-onde HW considérée (demi-onde négative) de la tension de phase K3, alors que, pendant cette même demi-onde HW la seconde horloge PD est utilisée pour commander le commutateur semi-conducteur 110. [0070] Selon d'autres formes de réalisation, les temps d'apprentissage (par exemple les instants tl-t3 ou t4-t6) et les temps de commande (par exemple, l'instant tl jusqu'à t2 ou t4 jusqu'à t5) ne sont pas égaux mais le temps de commande st en général plus court que le temps d'apprentissage. Cela est avantageux car, de période en période, on peut réduire la durée de la période (et ainsi également la durée ZB d'une demi-onde négative 11W prise à titre d'exemple) que l'on prévoit par une fenêtre de redresseur passif (par exemple, par une variation de la vitesse de rotation ou une variation de l'intensité du générateur). Selon d'autres formes de réalisation préférentielles, le rapport chronologique entre le temps d'apprentissage et le temps de commande correspond, de façon caractéristique, à un rapport entre 50% jusqu'à environ 99%. Selon d'autres formes de réalisation, on fixe le temps d'apprentissage par la différence de temps entre les instants t3, tl selon la figure 4B alors que le temps de commande est fixé par la différence de temps entre les instants t2, tl. En d'autres termes, selon des formes de réalisation préférentielles, le temps d'apprentissage correspond à la somme de la première plage de temps T1 et de la seconde plage de temps T2 alors que le temps de commande, correspond en fonction du temps à la première plage de temps Tl et il est notamment utilisé pour déterminer l'instant t2. [0071] Le principe selon les formes de réalisation, permet avantageusement, lorsqu'on atteint le premier instant t2 (Fig. 4B) d'utiliser un procédé commandé par la tension pour désactiver le commutateur semi-conducteur 110. En particulier, selon les formes de réalisation préférentielles, le commutateur semi-conducteur 110 sera en outre commandé, c'est-à-dire restera activé aussi longtemps que la tension de phase appliquée est inférieure au premier seuil U_SW_OFF. [0072] En appliquant le principe selon les formes de réalisation avec une combinaison d'une commande par le temps (première plage de temps T1 commençant par l'activation du commutateur semi-conducteur 110) et d'une commande en tension (seconde plage de temps T2, désactivation du commutateur semi-conducteur 110) on garantit avantageusement même pour des courant de phase faibles, une commande minimale du commutateur semi-conducteur 110 et pour des courants de phase plus importants, la fenêtre de temps T2 de la commande active est encore étendue (notamment- l'extension du 13 maintien de l'activation du commutateur semi-conducteur dans la plage de temps (t2'-t3'). [0073] La réalisation des horloges PD 1200a, 1200b décrites à titre d'exemple ci-dessus en référence à la figure 5 est particulièrement avantageuse car par la charge / décharge des condensateurs Cl, C2 concernés à l'aide des sources de courant constants 11, 12, 13,14, on a une relation linéaire entre la tension des condensateurs et le temps. En variante ou en complément, selon d'autres formes de réalisation, on peut charger / décharger les condensateurs Cl, C2 sur une résistance (non représentée), ce qui donne une relation non linéaire entre la tension et le temps. [0074] En variante ou en complément, selon d'autres formes de réalisation, on utilise un compteur (non représenté) avec une commande discrète dans le temps par un générateur d'horloge. Les différentes formes de réalisation ci-dessus permettent avantageusement de déterminer, de façon précise, le premier instant t2 qui caractérise le passage entre la première plage de temps T1 vers la seconde plage de temps T2. [0075] On décrira ci-après d'autres formes de réalisation avantageuses. Selon une autre forme de réalisation préférentielle, il est proposé de faire un contrôle de plausibilité. Pour cela, on se réfère aux chronogrammes des tensions de condensateur des horloges PD 1200a, 1200b (fig. 5). La courbe K4 selon la figure 8 représente le chronogramme de la tension sur le condensateur Cl de la première horloge PD 1200a, la courbe K5 représente le chronogramme de la tension sur le condensateur C2 de la seconde horloge PD 1200b. Des essais faits dans le cadre de l'invention appliquée à un système réel (par exemple, le générateur d'un véhicule automobile) ont montré que, de façon caractéristique, il n'y a que certaines durées minimales ou maximales déterminées (par exemple des durées des périodes de tensions de phase ou une durée correspondante respective, par exemple, une demi-onde négative HW (Fig. 4B)) en fonction d'une plage possible de vitesse de rotation et du nombre de paires polaires du générateur. [0076] Selon une autre forme de réalisation préférentielle, on définit une tension minimale corrélée U_PD-T_MIN (Fig. 8) et une tension maximale U_PD-T_MAX. La tension minimale U_PD-T_MIN est ici en corrélation avec la vitesse de rotation maximale du générateur et la tension maximale U_PD-T_MAX est en corrélation avec la vitesse de rotation minimale du générateur car la durée ZB (Fig. 4B) de la fenêtre de commande diminue avec l'augmentation de al vitesse de rotation du générateur. La valeur maximale ZB est ZB = 30 / (n'PP), relation dans laquelle PP est le nombre de paires polaires et (n) est la vitesse de rotation du générateur (1/min) Selon d'autres formes de réalisation préférentielles, il est proposé de considérer comme non-plausibles, les tensions des condensateurs Cl, C2 des horloges PD 1200a, 1200b situées à l'extérieur de la plage de tension comprise entre la tension maximale U_PD-T_MAX et la tension minimale U_PD-T_MIN. En option, on met à zéro ; le redressement de la tension de 14 phase après un dépassement vers le haut ou vers le bas de la plage de tension entre la tension maximale U PD-T MAX et la tension minimale U PD-T MIN dans la période suivante de la tension de phase se fait, par exemple, de manière purement passive, c'est-à-dire, par une diode parasite (non représentée) du commutateur semiconducteur 110. Un circuit logique correspondant (non représenté) pour contrôler la plausibilité peut, par exemple, prévu également dans l'installation de commande 120. [0077] Selon d'autres formes de réalisation préférentielles, on peut également utiliser avan- tageusement cette fonction pour mesurer une température ("température de la puce") du substrat semi-conducteur ("puce") du commutateur semi-conducteur 110 car la chute de tension sur la diode parasite (non représentée) du commutateur semiconducteur 110 est en corrélation avec la température de la puce. Dc telles mesures peuvent s'utiliser selon d'autres formes de réalisation préférentielles, par exemple, pour déterminer la liaison thermique ("R th") dans un cycle de production. Pour de telles mesures de température on garantit de préférence que la commande active du commutateur semi-conducteur 110 est coupée. Cela peut se faire selon d'autres formes de réalisation préférentielles, par exemple, en prédéfinissant une fenêtre de commande au-delà de la plage de plausibilité U PD-T Min jusqu'à U PD-T MAX indiquée ci-dessus. [0078] La figure 7 montre un schéma-bloc simplifié d'une autre forme de réalisation. La référence 300 se rapporte à un substrat semi-conducteur sur lequel il y a à la fois le commutateur semi-conducteur 110 et l'installation de commande 120 du circuit 100. On a ainsi une structure particulièrement petite. Par exemple, le substrat semiconducteur 300 avec les composants 110, 120 aura un encombrement tellement faible que les diodes redresseuses passives, classiques d'un système de destination correspondant (par exemple, un redresseur actif) pourront être remplacées par le substrat semi-conducteur 300 avec le circuit électronique 100 selon ces formes de réalisation. On a ainsi, de façon avantageuse, la possibilité d'un redressement actif qui, grâce à la faible résistance passante du chemin de charge 112 du commutateur semi-conducteur 110, génère, dans son état actif, c'est-à-dire son état passant, des pertes ohmiques beaucoup plus faibles que le fonctionnement des diodes redresseuses usuelles. EN outre, le circuit 100 du substrat semi-conducteur 300 permet une construction simple, un montage simple et un encombrement réduit offrant une grande robustesse mécanique à un prix de fabrication relativement faible. [0079] Le circuit 100, 100a, selon les formes de réalisation peut être avantageusement sous la forme d'un bipôle électrique dont la première borne est, par exemple, l'électrode de drain D (Fig.1) et la seconde borne, par exemple la borne de masse (électrode de source S) pour le branchement sur le premier potentiel de référence BPI. Prévoir en option le condensateur COI selon la figure 3 garantit un fonctionnement en autarcie, sur du circuit 100a même pendant les demi-ondes négatives HW de la tension de phase du commutateur semi-conducteur 110 appliquée au chemin de charge 112. De manière particulièrement préférentielle, selon d'autres formes de réalisation, on choisira une capacité de condensateur CO1 relativement faible, par exemple, de l'ordre de la capacité de l'électrode de porte G du commutateur semi-conducteur 110 ou, par exemple, dans une plage de 40% jusqu'à environ 150% de la capacité de l'électrode de porte G du commutateur semi-conducteur 110. Des essais faits dans le cadre de l'invention ont montré que cette capacité était suffisante pour une commande sûre et complète du commutateur semi-conducteur 110 pendant une demi-onde HW (par exemple négative) de la tension de phase (y compris, par exemple, le fonctionnement des composants du circuit selon les figures 5, 6). Pour une commande innovante dans le cadre d'une autre demi-onde suivant (par exemple négative) e la tension de phase, le condensateur COl peut être chargé par une demi-onde positive correspondante HWO (Fig. 4A) qui suit la première demi-onde HW et ainsi de suite (principe Bootstrap). [0080] Selon d'autre formes de réalisation avantageuse, on peut envisager plusieurs com- mutateurs semi-conducteurs 110 et intégrer les installations de commande correspondantes 120 sur le même substrat semi-conducteur 300 (voir figure 7). Par exemple, on peut intégrer deux commutateurs semi-conducteur 110 analogues ou différents avec leur installation de commande 120 sur le même substrat semi-conducteur 300, le premier commutateur semi-conducteur 110 intégré constituant un commutateur "côté haut" et le second commutateur semi-conducteur intégré 110 constituant un commutateur "côté bas". [0081] D'autres formes de réalisation préférentielles concernent un circuit redresseur actif 500 avec au moins un circuit 100, 100a selon les formes de réalisation. La figure 9 montre un schéma par blocs simplifié. La figure montre un générateur 400, par exemple, un générateur de véhicule automobile comportant trois enroulements 402, 404, 406 pour les phases et qui sont branchés en triangle. L'ensemble de tous les enroulements 402, 404, 406 forme, par exemple, l'enroulement de stator du générateur 400. Un enroulement d'excitation 408 sollicité de façon connue par le courant d'excitation IErr est associé au rotor (non représenté) du générateur 400. La rotation du rotor et ainsi celle de l'enroulement d'excitation 408 par rapport à l'enroulement de stator du générateur 400 induit dans les trois enroulements de phase 402, 404, 406 une tension de phase correspondante qui est appliquée par l'intermédiaire des noeuds de circuit 410, 411, 412 au circuit redresseur actif 500 (voir également la référence 413). [0082] Le circuit redresseur actif 500 a un premier montage en série 421 formé des deux circuits électroniques 100b_1, 100b_2 qui ont, respectivement, par exemple, la configuration 100 ou 100a selon les figures 1 à 8. Ils fonctionnent comme décrit précédemment en référence aux figures 1 à 8 comme redresseurs actifs. Le premier 16 montage en série 421 est associé à la première phase du générateur 400 (voir également le noeud associé à la première phase du générateur 400 (voir également le noeud de circuit 410). Un second montage en série 422 formé de dipôles comparables 100b 100b_4 (chaque fois analogues ou identiques à la configuration 100 ou 100a) est associé de manière comparable à la seconde phase du générateur 400 (voir également le noeud de circuit 411). Un troisième montage en série 423 formé de dipôles comparables 100b 100b_6 (chaque fois analogues ou identiques à la confi- guration 100 ou 100a) est associé de façon comparable à la troisième phase du générateur 400. Ainsi, entre les bornes 502, 504, on a la tension de sortie UA redressée de façon active par le circuit redresseur 500. [0083] Selon d'autres formes de réalisation particulièrement préférentielles, le circuit 100, 100a, 100b_1 100b_6 selon les formes de réalisation, utilise avantageusement à la place des diodes passives, par exemple, des diodes serties pour réaliser un circuit redresseur actif 500. De manière particulièrement avantageuse, en s'appuyant sur les formes de réalisation décrites aux figures 1 à 8, il n'est pas nécessaire d'avoir un circuit logique de commande, distinct, car chaque circuit 100, 100a selon les formes de réalisation, comporte sa propre installation de commande 120 qui est avantageusement sur le même substrat que le semi-conducteur 110 correspondant du circuit 100, 100a. [0084] La figure 10 montre schématiquement les chronogrammes des grandeurs de fonc- tionnement selon une autre forme de réalisation avec deux commutateurs semiconducteurs 110 tels que prévus ci-dessus, branchés l'un derrière l'autre, par exemple, pour redresser une phase d'une tension alternative, de façon comparable au montage en série 100b_1,100b_2 de la figure 9. De façon analogue à la figure 8, les références K4, K5 de la figure 10 correspondent au chronogramme des tensions K4', K5' des condensateurs CI, C2 des horloges PD 1200a, 1200b de la figure 5. La courbe K6 donne le chronogramme d'une tension sur le chemin de charge 112 (figure 1) du commutateur semi-conducteur 110 (c'est-à-dire la tension drain-source UDS dans le cas d'un MOSFET 110) et la courbe K6' correspond à la courbe K6 avec une autre échelle sur l'axe vertical. Les courbes K7a, K7b donnent les "courants de diode" impulsionnnels dans le chemin de charge du semi-conducteur concerné. Les chronogrammes de la figure 10 correspondent, de façon générale, à un fonctionnement correct. [0085] La figure 11 montre un scénario comparable à celui de la figure 10 avec toutefois une commande trop longue par le passage par zéro de l'horloge PD pour le signal à redresser (voir l'instant tIO et la courbe K4'). La coupure du commutateur semiconducteur considéré se fait seulement à la fin de l'horloge PD, à savoir à l'instant t1 1>t10 et le courant dans le chemin de charge du commutateur semi-conducteur concerné atteint, dans le sens inverse, des valeurs Ipk allant jusqu'à environ -60A. Cela correspond à une situation de défaut car le courant passe dans le chemin de charge 17 dans la "mauvaise direction" par rapport à la direction redressée, recherché. Une telle commande longue peut se traduire, par exemple, par un défaut dans l'installation de commande 120 (Fig. 1). [0086] C'est pourquoi, selon d'autres formes de réalisation préférentielles, on prévoit une installation de coupure de sécurité 130 (Fig. 13) conçue pour désactiver le commutateur semi-conducteur 110 (Fig. 1) si la tension appliquée au chemin de charge 112 est positive et dépasse un second seuil prédéfini. Cela permet d'éviter avec certitude le défaut décrit ci-dessus en référence à la figure 12. De façon particulièrement préférentielle, l'installation de coupure de sécurité 130 est conçue pour désactiver le commutateur semi-conducteur 110 indépendamment de l'état de fonctionnement instantané (par exemple, une première plage de temps Ti, une seconde plage de temps T2 voir figure 4B) de l'installation de commande 120 (Fig. 1). Ainsi, en cas de défaut, on pourra désactiver en sécurité le commutateur semi-conducteur 1 1 0 quelque soit l'état de fonctionnement de l'installation de commande 120. De façon particulièrement préférentielle, la commande du commutateur semi-conducteur 110 par l'installation de coupure de sécurité 130 a une priorité plus élevée que la commande du commutateur semi-conducteur 110 par l'installation de commande 120. Cela garantit qu'indépendamment de l'état de fonctionnement actuel ou de l'état de défaut de l'installation de commande 120, la désactivation du commutateur semi-conducteur 110 sera garantie pour des états de fonctionnement non souhaitable (par exemple, une tension positive sur le chemin de charge 112 supérieure au second seuil). [0087] L'installation de coupure de sécurité 130 (voir figure 13) a, par exemple, un com- parateur 132 qui reçoit la tension actuelle 131 dans le chemin de charge 112 (Fig. 1) et compare cette tension 131 au second seuil prédéfini. Le second seuil prédéfini a, par exemple, une valeur comprise entre environ 10 mV et environ 25 mV, et de préférence entre, environ 18 mV et environ 22 mV, de sorte que l'installation de coupure de sécurité 130 pour être sollicitée suffisamment tôt en cas de défaut. La sortie du comparateur 132 agit sur le commutateur 133 qui fournit un signal de commande OFF à la borne 134 de l'installation de coupure de sécurité 130 pour couper le commutateur semi-conducteur 110. La borne 134 est reliée, de préférence directement, à la borne de commande, c'est-à-dire à la borne de porte (électrode de porte) G du commutateur semi-conducteur 110 (par exemple en plus du branchement de l'installation de de commande 120 sur l'électrode de porte G) ; ainsi le signal OFF agit directement sur l'électrode de porte G et peut désactiver le commutateur semi-conducteur 110 (passé à l'état fortement ohmique). D'une manière particulièrement préférentielle, l'installation de coupure de sécurité 130 est conçue pour désactiver de façon garantie le commutateur semi-conducteur 110 avec le signal de commande OFF lorsque l'installation de commande 120 commande elle-même, par exemple, la cause d'un défaut, 18 l'électrode de porte G pour que le commutateur semi-conducteur 110 ne soit pas désactivé. Cela s'obtient, par exemple, en ce que le signal de commande OFF change de charge l'électrode de porte G du commutateur semi-conducteur 110 avec une intensité suffisamment grande qui correspond à la désactivation (passage à l'état fortement ohmique) du commutateur semi-conducteur 110, indépendamment du signal de commande fourni éventuellement par l'installation de commande 120 à l'électrode de porte G, ce signal de commande peut, par exemple être généré par les commutateurs S01, SO2 (Fig. 3). [0088] La figure 12 montre schématiquement un scénario comparable à celui de la figure 11 dans lequel toutefois, l'installation de coupure de sécurité 130 décrite à l'aide de la figure 13 ci-dessus, effectue une coupure de sécurité du commutateur semi-conducteur considéré, en cas de défaut ; on évite ainsi une montée gênante de l'intensité du courant en sens inverse dans le chemin de charge du commutateur semi-conducteur concerné. Là encore, le commutateur semi-conducteur concerné est commandé par défaut trop longtemps par l'horloge-PD K4", et, contrairement à la figure 11, dans le scénario de la figure 12, à l'instant tl 2 il y aura coupure forcée du commutateur semiconducteur 110 lorsqu'on atteint le second seuil prédéfini Uoff qui correspond, par exemple, à une tension positive relativement petite de l'ordre de + 20 mV. l'intensité du courant dans la direction inverse K7a dans le chemin de charge 112 (Fig. 1) sera limitée à une valeur de pointe Tpk d'environ -13,3A, c'est-à-dire d'intensité considérablement plus faible que dans le scénario de la figure 11. [0089] D'une manière particulièrement préférentielle, on peut également avoir l'installation de coupure de sécurité 130 et le commutateur semi-conducteur 110 ou au moins un commutateur semi-conducteur 110 et l'installation de commande 120 sur le même substrat semi-conducteur. [0090] D'autres formes de réalisation préférentielles concernent également l'utilisation du procédé selon les formes de gestion d'un circuit redresseur actif 500, ce circuit redresseur actif 500 comportant notamment au moins un circuit 100, 100a, 100b_1,..., 100b_6 selon les formes de réalisation. [0091] Le principe, selon les formes de réalisation, peut être utilisé avantageusement pour avoir des circuits redresseurs actifs sous la forme d'un dipôle 100, 100a ou de circuits redresseurs polyphases 500. D'une manière particulièrement avantageuse, on réalise ainsi des circuits redresseurs actifs pour des générateurs, notamment des générateurs alternatifs (à une ou plusieurs phases) par exemple, pour des véhicules. Le principe selon les formes de réalisation peut également s'utiliser pour redresser des tensions électriques de n'importe quelle source alternative, par exemple, des transformateurs ou des installations analogues. Il en résulte également, des avantages comparables. [0092] Le principe selon les formes de réalisation peut en outre être appliqué de façon 19 avantageuse comme dipôle actif 100, 100a pour tous les circuits, notamment les circuits électroniques de puissance qui nécessitent une diode de roue libre, par exemple, pour les redresseurs impulsionnels qui sont, par exemple, équipés d'un composant IGBT (transistor bipolaire à électrode de porte isolée). Le circuit électronique 100, 100a peut ainsi s'utiliser comme diode active dans le sens d'une diode de roue libre pour le ou les transistors IGBT. [Revendication 1] [Revendication 2] [Revendication 3] [Revendication 4] [Revendication 5] [Revendication 6]