Brevet FR3085389A1 — publié le 20200306

PROCÉDÉ DE GRAVURE D'UN COPOLYMÈRE À BLOCS COMPRENANT UNE ÉTAPE DE DÉPÔT SÉLECTIF DOMAINE TECHNIQUE La présente invention est relative aux techniques d'auto-assemblage dirigé de copolymères à blocs (« Directed Self-Assembly », DSA) permettant de générer des motifs de très hautes résolution et densité. L'invention concerne plus particulièrement un procédé de gravure permettant de retirer une première phase d'un copolymère à blocs sélectivement par rapport à une deuxième phase du copolymère à blocs. ÉTAT DE LA TECHNIQUE 10 La limite de résolution de la lithographie optique conduit à développer de nouvelles techniques pour réaliser des motifs dont la dimension critique (CD) est inférieure à 22 nm. L'auto-assemblage dirigé de copolymères à blocs (DSA) est considéré comme l'une des techniques de lithographie émergentes les plus prometteuses, en raison de sa simplicité et du faible coût de sa mise en oeuvre. 15 Les copolymères à blocs sont des polymères dans lesquels deux unités de répétition, un monomère A et un monomère B, forment des chaînes liées entre elles par une liaison covalente. Lorsque l'on donne suffisamment de mobilité aux chaînes, par exemple en chauffant ces copolymères à blocs, les chaînes de monomère A et les chaînes de monomère B ont tendance à se séparer en phases ou blocs de polymère 20 et à se réorganiser en domaines, dont la forme dépend notamment du ratio entre le monomère A et le monomère B. En fonction de ce ratio, on peut obtenir des sphères de A dans une matrice de B, des cylindres de A dans une matrice de B ou des lamelles de A et des lamelles de B intercalées. La taille des domaines du bloc A (respectivement du bloc B) est directement proportionnelle à la longueur des chaînes du monomère A 25 (respectivement du monomère B). Les copolymères à blocs ont donc la propriété de former des structures de polymère qui peuvent être contrôlés grâce au ratio des monomères A et B. Les techniques d'auto-assemblage dirigé de copolymères à blocs permettent de réaliser différents types de motifs dans un substrat de circuit intégré. Après dépôt et I assemblage du copolymère à blocs sur le substrat, l'un des deux blocs du copolymère est retiré sélectivement par rapport à l'autre, formant ainsi des motifs dans la couche restante de copolymère. Par exemple, si les domaines du bloc A sont des cylindres, les motifs obtenus après retrait du bloc A sont des trous cylindriques. Par contre, si les domaines du bloc A sont des lamelles, on obtient des motifs en forme de tranchées. Puis, ces motifs sont transférés par gravure à la surface du substrat, en se servant de la couche de copolymère restante (formée du bloc B) comme d'un masque. Pour effectuer un transfert de motifs avec un minimum de défauts (une absence de transfert et une déformation du motif sont les défauts les plus fréquents) et/ou pour 10 obtenir dans le substrat des motifs avec un facteur de forme élevé, il est nécessaire que le masque de copolymère soit suffisant épais. Cela suppose de retirer le bloc A du copolymère sélectivement par rapport au bloc B. En effet, il n'est pas possible de simplement augmenter l'épaisseur de la couche de copolymère (et donc du masque) sans se heurter à des problèmes d'effondrement des structures de polymère après ts retrait d'un des blocs. Il existe plusieurs techniques permettant de retirer l'un des blocs d'un copolymère sélectivement par rapport à l'autre bloc du copolymère. Ces techniques se répartissent en deux catégories : la gravure humide et la gravure sèche. Les techniques de gravure humide présentent en général une très forte sélectivité 20 entre les deux blocs du copolymère (typiquement supérieure à 20 dans le cas du copolymère PS-b-PMMA avec retrait du bloc PMMA dans un bain d'acide acétique). Toutefois, avec ces techniques, des résidus de gravure se redéposent sur la couche de copolymère gravée, bouchant une partie des motifs obtenus par la gravure ce qui empêche leur transfert ultérieur. En outre, dans le cas de domaines en forme de 25 lamelles, la gravure humide peut provoquer un effondrement des structures de polymère dû aux forces de capillarité importantes. La gravure sèche au plasma ne souffre pas de ces inconvénients et présente un intérêt économique fort, car l'étape de transfert des motifs qui suit l'étape de retrait du bloc est également une gravure par plasma. Par conséquent, le même équipement peut 30 être utilisé successivement pour ces deux étapes. La gravure par plasma s'effectue cependant avec une sélectivité bien inférieure à celle de la gravure humide (par 3 exemple environ égale à 2 dans le cas du copolymère PS-b-PMMA avec retrait du bloc PMMA par un plasma Ar/02 et comprise entre 4 et 5 pour les plasmas CO/H2 et H2/N2). La demande internationale W02017/042312 décrit un procédé de gravure sèche d'un copolymère à blocs assemblé à la surface d'un substrat. Dans le cas du copolymère PS-b-PMMA, ce procédé vise à retirer la phase de polyméthacrylate de méthyle (PMMA) avec une sélectivité élevée par rapport à la phase de polystyrène (PS). Il comporte deux étapes successives 511 et S12 représentées respectivement par les figures 1A et 1B. La première étape 511 (cf. Fig.1A) est une étape de gravure de la couche de copolymère à blocs 10, au moyen d'un plasma présentant une sélectivité quasi-infinie entre les phases 10A-10B du copolymère mais qui est limité en termes de profondeur de gravure. Cette étape 511 permet de graver partiellement la phase de PMMA 10A et déposer simultanément une couche carbonée 11 sur la phase de PS 10B. Le plasma de l'étape S11 est formé à partir de monoxyde de carbone (CO) ou d'un mélange de gaz comprenant un gaz de gravure fluorocarboné (CxFy) et un gaz dépolymérisant (choisi parmi H2, N2, 02. Xe, Ar et He). La deuxième étape S12 (cf. Fig.1B) est une étape de gravure au moyen d'un plasma moins sélectif (entre les deux phases 10A-10B) mais ne connaissant aucune limite en termes de profondeur de gravure. La gravure de la phase de PMMA 10A se poursuit, tandis que la phase de PS 10B est protégée de la gravure par la couche carbonée 11 déposée lors de la première étape S11. La couche carbonée 11 est en partie ou totalement consommée pendant la deuxième étape S12. La gravure de la deuxième étape S12 n'est donc pas sélective par rapport à la couche carbonée 11. Suivant l'épaisseur de la couche de copolymère à graver, les étapes S11 et S12 peuvent être répétées sous la forme de plusieurs cycles consécutifs. Un inconvénient de ce procédé de gravure est que le dépôt carboné n'est pas uniforme sur toute la profondeur des motifs. Le dépôt est moins important contre les flancs des domaines de polystyrène et au fond des motifs qu'au sommet des domaines de polystyrène. Il en résulte une gravure latérale des domaines de polystyrène lors de la première étape de gravure S11 et de la deuxième étape de gravure S12. Cette gravure 4 latérale donne un aspect triangulaire aux motifs à transférer. RÉSUMÉ DE L'INVENTION L'invention a pour but de procurer un meilleur contrôle de la forme et des dimensions des motifs lors de la gravure sélective d'un copolymère à blocs assemblé. Selon l'invention, on tend vers cet objectif en prévoyant un procédé de gravure d'une couche de copolymère à blocs assemblé comprenant des première et deuxième phases de polymère, le procédé de gravure comportant : une étape de dépôt sélectif réalisée au moyen d'un premier plasma de façon à déposer un matériau protecteur sur la première phase de polymère en laissant fo intacte la deuxième phase de polymère ; et une étape de gravure de la deuxième phase de polymère sélectivement par rapport au matériau protecteur au moyen d'un deuxième plasma. L'expression « en laissant intacte la deuxième phase de polymère » signifie que la deuxième phase de polymère n'est pas gravée lors du dépôt du matériau protecteur, 15 à la différence du procédé de gravure selon l'art antérieur. Autrement dit, l'intégrité de la deuxième phase de polymère est préservée. En dissociant le dépôt du matériau protecteur et la gravure de la deuxième phase de polymère, il est possible d'optimiser les conditions pour chacune de ces opérations et ainsi obtenir sur la première phase de polymère une couche de matériau protecteur 20 d'épaisseur constante qui recouvre entièrement les domaines de la première phase. La première phase est alors complétement protégée, y compris au fond des motifs obtenus par la gravure de la deuxième phase. Comme l'étape de gravure de la deuxième phase est en outre sélective par rapport au matériau protecteur, les domaines de la première phase ne subissent aucune gravure. Leur forme et leurs 25 dimensions sont donc préservées. Par ailleurs, en ne gravant pas la deuxième phase lors du dépôt du matériau protecteur, on évite de révéler des défauts d'assemblage du copolymère à blocs, tels que des résidus de la première phase situés dans les domaines de la deuxième phase. Ces résidus sont appelés communément défauts de type « bridge », car ils forment 5 des ponts entre les domaines de la première phase. En restant enfouis lors de l'étape de dépôt sélectif, ces défauts ne risquent pas d'être recouverts de matériau protecteur, ce qui aurait pour effet de ralentir voire bloquer la gravure de la deuxième phase. Le procédé de gravure selon l'invention est donc plus tolérant aux défauts d'assemblage de type bridge que le procédé de gravure de l'art antérieur. Dans un mode de mise en oeuvre préférentiel du procédé de gravure selon l'invention, le deuxième plasma présente une sélectivité de gravure de la deuxième phase de polymère par rapport à la première phase de polymère comprise entre 1 et 3. La sélectivité de gravure entre deux matériaux est définie comme le rapport entre les 10 vitesses de gravure de ces deux matériaux. En utilisant un deuxième plasma non sélectif ou peu sélectif entre les deux phases du copolymère, certains défauts d'assemblage du copolymère à blocs peuvent être supprimés, en particulier les défauts de type bridge. Le procédé selon l'invention peut également présenter une ou plusieurs des 15 caractéristiques ci-dessous, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : les étapes de dépôt sélectif et de gravure sélective sont mises en oeuvre dans un même réacteur de gravure sèche, de préférence de type ICP-RIE ; le matériau protecteur comprend du silicium ou du carbone ; 20 le premier plasma est formé à partir d'un premier gaz réactif contenant du carbone ou du silicium, tel que SiCI4, SiF4, CH4, CH3F, CHF3, CH2F2, C4FS, C4F6, CF3I ou CF4 ; le premier gaz réactif est mélangé à un gaz de dilution (par exemple Ar, He) ou à un gaz servant à modifier la résistance à la gravure du matériau protecteur 25 (par exemple N2, HBr, 02, H2, 012, NF3, NH3) ; le deuxième plasma est formé à partir d'un deuxième gaz réactif choisi parmi 02, N2, H2, HBr, SF6, NF3, CF4 et Cl2 ; le deuxième gaz réactif est mélangé à un gaz permettant d'améliorer la sélectivité de gravure entre la deuxième phase de polymère et le matériau 30 protecteur (par exemple Ar, N2, HBr, un gaz carboné ou un gaz contenant du 6 silicium) ; le procédé de gravure comporte une pluralité de cycles de dépôt-gravure, chaque cycle permettant de retirer une portion de la deuxième phase de polymère et comprenant les étapes de dépôt sélectif et de gravure sélective ; 5 le deuxième plasma présente une sélectivité de gravure de la deuxième phase de polymère par rapport au matériau protecteur supérieure ou égale à 5 ; le matériau protecteur est déposé sur la première phase de polymère sous la forme d'une couche d'épaisseur comprise entre 5 nm et 20 nm ; la première phase de polymère contient plus d'atomes d'oxygène que la to deuxième phase de polymère et la deuxième phase de polymère contient plus d'atomes de carbone que la première phase de polymère ; et le matériau protecteur est déposé sur la deuxième phase de polymère sous la forme d'une couche d'épaisseur inférieure à 2 nm. BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES 15 D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront clairement de la description qui en est donnée ci-dessous, à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux figures annexées, parmi lesquelles : les figures 1A et 1B, précédemment décrites, représentent les étapes d'un procédé de gravure de copolymère à blocs assemblé selon l'art antérieur ; 20 la figure 2 représente une couche de copolymère à blocs assemblé, avant la mise en oeuvre du procédé de gravure selon l'invention ; les figures 3A et 3B représentent des étapes du procédé de gravure selon l'invention, respectivement une étape de dépôt sélectif et une étape de gravure sélective ; et 25 les figures 4A à 4D représentent l'évolution de la couche de copolymère de la figure 2 au cours de deux cycles de dépôt-gravure, chaque cycle comprenant les étapes des figures 3A-3B. Pour plus de clarté, les éléments identiques ou similaires sont repérés par des signes de référence identiques sur l'ensemble des figures. 7 DESCRIPTION DÉTAILLÉE D'AU MOINS UN MODE DE RÉALISATION La figure 2 montre une couche 20 formée d'un copolymère à blocs assemblé, avant qu'elle ne soit gravée grâce au procédé de gravure selon l'invention. La couche de copolymère 20 comprend une première phase de polymère 20A et une deuxième 5 phase de polymère 20B. Les première et deuxième phases de polymère 20A-20B sont organisées en domaines. Une façon d'obtenir cette couche de copolymère 20 consiste à déposer et assembler le copolymère à blocs sur un substrat 21 recouvert d'une couche de neutralisation 22. La couche de neutralisation 22 facilite l'organisation des phases 20A-20B en domaines io lors de l'étape d'assemblage du copolymère à blocs. Elle est par exemple formée d'une couche de copolymère statistique. De préférence, les domaines de la deuxième phase 20B sont orientés perpendiculairement à la surface du substrat 21 (sur laquelle est déposé le copolymère à blocs) et s'étendent sur toute l'épaisseur de la couche de copolymère 20. Suivant le ratio de monomère dans le copolymère à blocs, les 15 domaines de la deuxième phase 20B peuvent être en forme de cylindres (on parle alors de copolymère à blocs cylindrique) ou de lamelles (copolymère à blocs lamellaire). La surface de la couche de copolymère 20 est avantageusement plane. Le procédé de gravure sèche décrit ci-après en relation avec les figures 3A-3B permet de graver la deuxième phase 20B sélectivement par rapport à la première phase 20A. 20 Il comporte deux étapes successives S21-S22 qui forment ensemble un cycle de dépôt-gravure. Un seul cycle de dépôt-gravure (i.e. une seule itération de chacune des étapes S21-S22) peut ne pas suffire à graver entièrement la deuxième phase 20B si l'épaisseur de la couche de copolymère 20 est trop importante. Dans ce cas, le procédé de gravure comporte avantageusement plusieurs cycles de dépôt-gravure 25 successifs, chaque cycle permettant de retirer une portion de la deuxième phase 20B et comprenant les deux étapes S21-S22. La première étape S21 du procédé de gravure, illustrée par la figure 3A, est une étape de dépôt sélectif réalisée au moyen d'un premier plasma. Elle s'effectue dans un réacteur de gravure sèche, de préférence un réacteur de gravure ionique réactive 30 (RIE, pour cc Réactive-Ion Etching » en anglais) à couplage inductif (ICP, cc Inductive Coupled Plasma »). Le premier plasma est formé à partir d'au moins un gaz réactif. s Ce gaz et les conditions du dépôt (telles que le débit de gaz, la pression, la température, la puissance bias et la puissance source) sont choisis de façon à déposer un matériau protecteur 23 sur la première phase 20A en laissant intacte la deuxième phase 20B. L'épaisseur de la couche de matériau protecteur 23 (appelée ci-après 5 « couche protectrice ») sur la première phase 20A est constante et supérieure ou égale à 5 nm. Elle de préférence comprise entre 5 nm et 20 nm (bornes incluses), afin de limiter la durée de la première étape S21. La sélectivité du dépôt naît d'un contraste chimique entre les phases 20A-20B du copolymère à blocs (autrement dit les phases 20A-20B ont des affinités chimiques 10 différentes). Ce contraste chimique résulte d'une différence dans les espèces d'atomes dominantes des phases 20A-20B. Par exemple, la première phase 20A contient des atomes d'oxygène alors que la deuxième phase 20B en est dépourvue. Les copolymères à blocs assemblés présentent intrinsèquement ce contraste chimique, car il constitue un prérequis pour que les phases s'organisent en domaines 15 lors de l'assemblage. Le contraste chimique entre les deux phases du copolymère se traduit par des conditions d'apport d'énergie différentes pour déposer le matériau protecteur 23. Le gaz réactif à partir duquel est formé le premier plasma contient de préférence du carbone ou du silicium. Il est par exemple choisi parmi les gaz suivants : SiCI4, SiF4, 20 CH4, CH3F, CHF3, CH2F2. C4F8, C4Fs, CF3I et CF4. Le matériau protecteur 23 est alors un matériau, de préférence polymère, comprenant du silicium ou du carbone. Le gaz réactif peut être mélangé à un gaz de dilution (par exemple Ar, He) ou à un gaz servant à modifier la résistance à la gravure du matériau protecteur 23 (par exemple N2, HBr, 02, H2, C12, NF3, NH3). 25 Les conditions dans lesquelles est réalisée l'étape de dépôt sélectif S21 sont de préférence choisies de façon à déposer du matériau protecteur 23 uniquement sur la première phase 20A, comme cela est illustré sur la figure 3A. Alternativement, les conditions du dépôt peuvent être choisies de façon à déposer du matériau protecteur 23 sur les deux phases 20A-20B du copolymère. L'épaisseur de 30 la couche protectrice sur la deuxième phase 20B est alors plus faible que celle sur la première phase 20A, et de préférence inférieure à 2 nm. 9 Avantageusement, l'épaisseur du matériau protecteur 23 déposé sur la première phase 20A est supérieure à deux fois l'épaisseur du matériau protecteur 23 déposé sur la deuxième phase 20B, et préférentiellement supérieure à dix fois l'épaisseur du matériau protecteur 23 déposé sur la deuxième phase 20B. 5 La deuxième étape S22 du procédé, illustrée par la figure 3B, consiste à graver la deuxième phase 20B sélectivement par rapport au matériau protecteur 23 au moyen d'un deuxième plasma. Cette deuxième étape est également effectuée dans un réacteur de gravure sèche, de préférence de type RIE-ICP. Les étapes S21 et S22 sont avantageusement accomplies dans le même réacteur, afin d'éviter une rupture 10 du vide (gain de temps important) et une contamination du substrat. La gravure par plasma de la deuxième phase 20B présente une forte anisotropie, avec une direction préférentielle de gravure verticale, c'est-à-dire perpendiculaire au substrat 21 (dont la surface est plane). Autrement dit, le deuxième plasma grave la deuxième phase 20B plus rapidement dans la direction verticale que dans la direction 15 horizontale (ou latérale). Pendant toute la durée de la deuxième étape S22, la première phase 20A est préservée de cette gravure anisotrope grâce au matériau protecteur 23. Le matériau protecteur 23 est donc choisi pour sa résistance à la gravure par le deuxième plasma. De préférence, le deuxième plasma présente une sélectivité de gravure entre la 20 deuxième phase 20B et le matériau protecteur 23 supérieure ou égale à 5. Autrement dit, la vitesse de gravure de la deuxième phase 20B divisée par la vitesse de gravure du matériau protecteur 23 est supérieure ou égale à 5. Cette sélectivité provient du fait que le matériau protecteur 23 est à base de silicium ou de carbone. Après retrait complet de la deuxième phase 20B, une couche résiduelle 20' composée 25 uniquement de la première phase 20A est obtenue sur le substrat 21. Cette couche résiduelle 20' peut ensuite servir de masque de lithographie lors d'une étape de transfert des motifs dans le substrat 21 (après ouverture de la couche de neutralisation 22, le cas échéant). Les domaines de la première phase 20A constituent les parties pleines du masque 20', tandis que les motifs en creux obtenus par le retrait 30 de la deuxième phase 20B constituent les ouvertures du masque 20'. 10 Ainsi, dans le procédé de gravure selon l'invention, le dépôt du matériau protecteur 23 et la gravure de la deuxième phase 20B sont réalisées indépendamment l'un de l'autre, contrairement au procédé de l'art antérieur. L'étape de dépôt sélectif S21 peut dès lors être optimisée afin d'améliorer (entre autres) le caractère conforme du dépôt. 5 Lorsque du matériau protecteur 23 recouvre les deux phases 20A-20B et que l'épaisseur du matériau protecteur sur la deuxième phase 20B est inférieure à 2 nm, le deuxième plasma grave la deuxième phase 20B à travers cette fine couche de matériau protecteur. Autrement dit, la gravure de la deuxième phase 20B a lieu comme si la couche de matériau protecteur sus-jacente était transparente au deuxième 10 plasma. Lorsque l'épaisseur du matériau protecteur sur la deuxième phase 20B est supérieure ou égale à 2 nm, la couche protectrice est d'abord gravée dans son ensemble (à la même vitesse quelle que soit la phase sous-jacente), puis la deuxième phase 20B est gravée sélectivement par rapport au matériau protecteur restant sur la première phase 20A. 15 Dans un mode de mise en oeuvre préférentiel du procédé de gravure selon l'invention, le deuxième plasma présente une sélectivité de gravure entre les phases 20A-20B comprise entre 1 et 3. Un deuxième plasma non sélectif (sélectivité égale à 1) ou peu sélectif (sélectivité > 1 et 3) entre les phases 20A-20B permet de graver les résidus de la première phase 20A qui se situent dans les domaines de la deuxième phase 20B. 20 Ce mode de mise en oeuvre est donc particulièrement efficace pour éliminer les défauts d'assemblage de type bridge. La défectivité des techniques d'auto-assemblage de copolymère à blocs peut ainsi être grandement améliorée. Pour obtenir une sélectivité comprise entre 1 et 3, le deuxième plasma est de préférence généré à partir d'au moins un gaz réactif (avec le polymère de la deuxième 25 phase 20B) choisi parmi 02, N2, H2, HBr, Cl2 (pour tout type de polymère) et NF3, SF6, CF4 pour les polymères contenant du silicium ou un métal). Ce gaz réactif peut être mélangé à un gaz permettant d'améliorer la sélectivité de gravure entre la deuxième phase 20B et le matériau protecteur 23, tel que Ar, N2, HBr, un gaz carboné ou un gaz contenant du silicium. 30 La durée de l'étape de dépôt sélectif S21 et la durée de l'étape de gravure sélective S22 sont déterminées en fonction notamment de la sélectivité du deuxième 11 plasma vis-à-vis du matériau protecteur et de l'épaisseur de la couche de copolymère à graver. Il convient en effet de déposer à l'étape S21 une couche protectrice d'épaisseur suffisante pour qu'elle ne soit pas totalement consommée à l'étape S22. Des cycles de dépôt-gravure seront privilégiés lorsque le deuxième plasma est non 5 sélectif ou peu sélectif. Chaque étape de gravure S22 (excepté celle du premier cycle) est ainsi précédée d'une étape de dépôt sélectif S21 permettant de recouvrir de matériau protecteur 23 les flancs des domaines de la première phase 20A. Les figures 4A à 4D représentent deux cycles consécutifs de dépôt-gravure, notés respectivement 01 et C2. Chaque cycle de dépôt-gravure 01, C2 comprend les 10 étapes S21-S22 décrites ci-dessus en relation avec les figures 3A-3B. La durée de l'étape de gravure sélective S22 est choisie de façon à minimiser la gravure latérale des domaines de la première phase 20A. Elle est de préférence comprise entre 10 s et 60 s. La durée de chaque cycle 01, C2 est avantageusement inférieure à 2 min, de préférence inférieure ou égale à 1 min. 15 À la fin de la deuxième étape S22 du premier cycle Cl (cf. Fig.4B), seule une portion de la deuxième phase 20B a été gravée. Les flancs des domaines de la première phase 20A sont alors partiellement découverts (sur une hauteur correspondant à l'épaisseur de la portion gravée). Ils sont ensuite recouverts de matériau protecteur 23 au cours de la première étape S21 du cycle suivant C2 (cf. Fig.4C). Lorsqu'on procède 20 ensuite à une nouvelle étape de gravure S22 (cf. Fig. 4D), la partie des flancs recouverte pas le matériau protecteur 23 n'est pas exposée au deuxième plasma et ne subit donc aucune gravure. Grâce à ces cycles de dépôt-gravure successifs, la forme et les dimensions initiales des domaines de la première phase 20A peuvent être encore plus facilement 25 préservées. De façon générale, si la deuxième phase 20B peut être retirée en un seul cycle de dépôt-gravure (une seule itération des étapes S21-S22), alors la seule contrainte qui pèse sur le choix du deuxième plasma (étape de gravure sélective S22) est qu'il doit être sélectif par rapport au matériau protecteur 23. Si au contraire plusieurs cycles de 30 dépôt-gravure sont nécessaires (suivant l'épaisseur de matériau protecteur déposé 12 et/ou l'épaisseur de la couche de copolymère à graver), le deuxième plasma doit en outre ne pas modifier le contraste chimique d'une façon qui rendrait impossible le dépôt sélectif sur la première phase 20A. Plusieurs exemples de mise en oeuvre du procédé de gravure selon l'invention vont 5 maintenant être décrits. Exemple n°1 : Dans ce premier exemple, le copolymère à blocs utilisé est le PS-b-PMMA, un copolymère di-blocs composé de polyméthacrylate de méthyle (PMMA) et de polystyrène (PS). La phase PS est essentiellement composée d'atomes de carbone et 10 d'hydrogène (cycle aromatique). La phase PMMA est composée d'atomes de carbone, d'hydrogène et d'oxygène (0-C=0). Un matériau protecteur à base de silicium est recherché, car il résiste aux chimies oxydantes. Ces chimies sont les plus adaptées pour éliminer les défauts d'assemblage (en raison de leur très faible sélectivité). 15 Le gaz réactif utilisé à l'étape de dépôt sélectif S21 est donc un gaz contenant du silicium, par exemple SiC14. Le dépôt de silicium par plasma est nettement favorisé par la présence d'atomes d'oxygène. Le dépôt s'effectue préférentiellement sur le PMMA, car celui-ci contient de l'oxygène contrairement au PS. Le gaz SiCla réagit avec l'oxygène du PMMA pour former du SiOCI. 20 Le dépôt sélectif du SIOCI étant contrôlé par les ions, il est préférable de fonctionner à faible flux d'ions et de radicaux (pression REVENDICATIONS1. Procédé de gravure d'une couche (20) de copolymère à blocs assemblé comprenant des première et deuxième phases de polymère (20A, 20B), le procédé de gravure comportant : une étape (S21) de dépôt sélectif réalisée au moyen d'un premier plasma de façon à déposer un matériau protecteur (23) sur la première phase de polymère (20A) en laissant intacte la deuxième phase de polymère (20B) ; et une étape (S22) de gravure de la deuxième phase de polymère (20B) sélectivement par rapport au matériau protecteur (23) au moyen d'un deuxième plasma. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le deuxième plasma présente une sélectivité de gravure de la deuxième phase de polymère (20B) par rapport à la première phase de polymère (20A) comprise entre 1 et 3. 3. Procédé selon l'une des revendications 1 et 2, dans lequel les étapes de dépôt 15 sélectif (S21) et de gravure sélective (S22) sont mises en oeuvre dans un même réacteur de gravure sèche, de préférence de type ICP-RIE. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le matériau protecteur (23) comprend du silicium ou du carbone. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le premier 20 plasma est formé à partir d'un premier gaz réactif contenant du carbone ou du silicium, tel que SiCI4, SiF4, CH4, CH3F, CHF3, CH2F2, C4Fs, C4F6, CF3I ou CF4. 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel le premier gaz réactif est mélangé à un gaz de dilution ou à un gaz servant à modifier la résistance à la gravure du matériau protecteur (23). 25 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le deuxième plasma est formé à partir d'un deuxième gaz réactif choisi parmi 02, N2, H2, HBr, SF6, N F3, CF4 et C12. 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel le deuxième gaz réactif est mélangé 18 à un gaz permettant d'améliorer la sélectivité de gravure entre la deuxième phase de polymère (20B) et le matériau protecteur (23). 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, comportant une pluralité de cycles (C1, C2) de dépôt-gravure, chaque cycle permettant de retirer une portion 5 de la deuxième phase de polymère (20B) et comprenant les étapes de dépôt sélectif et de gravure sélective (S21, S22). 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le deuxième plasma présente une sélectivité de gravure de la deuxième phase de polymère (20B) par rapport au matériau protecteur (23) supérieure ou égale à 5. io 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le matériau protecteur (23) est déposé sur la première phase de polymère (20A) sous la forme d'une couche d'épaisseur comprise entre 5 nm et 20 nm. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel la première phase de polymère (20A) contient plus d'atomes d'oxygène que la deuxième 15 phase de polymère (20B) et la deuxième phase de polymère (20B) contient plus d'atomes de carbone que la première phase de polymère (20A).