Brevet FR3083467A1 — publié le 20200110

DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION L'invention concerne le domaine des procédés de collage par brasure de pièces entre elles avec un alliage eutectique. De tels procédés peuvent encore être qualifiés de procédés de scellement eutectique. L'invention concerne plus particulièrement un procédé de scellement de pièces entre elles avec un alliage eutectique à base d'aluminium. De tels procédés trouvent pour application l'élaboration de microsystèmes électromécaniques. ÉTAT DE LA TECHNIQUE Un collage par brasure avec un alliage eutectique est un type particulier de collage métallique. La couche intermédiaire de collage présente entre des surfaces de pièces collées entre elles est composée d'un alliage d'éléments pouvant donner lieu, sous conditions de température et de composition, à une microstructure eutectique. Dans ce type particulier de collage métallique, les constituants sont déposés sur au moins une de deux surfaces des pièces à coller entre elles en respectant la composition de l'eutectique. Lorsque les surfaces sont maintenues en contact et qu'on élève la température au-dessus du point de fusion de l'alliage eutectique, on forme un liquide à la composition de l'eutectique. En refroidissant, le liquide forme une structure particulière constituée d'une alternance des phases de chacun des constituants et dont on espère qu'elle ferme mécaniquement l'interface pour former un assemblage par scellement des pièces entre elles. Dans la littérature, il existe de nombreux exemples de collage par brasure de pièces entre elles avec un alliage eutectique. Ainsi, l'on sait comment obtenir une interface de collage : Cu-Sn [Cf. Y.-H. Ko, M.-S. Kim, J. Bang, T.-S. Kim, C.-W. Lee, Journal of ELECTRONIC MATERIALS (2015) ], - Au-Si [Cf. R.F. Wolffenbuttel, K.D. Wise, Sensors and Actuators A, 43 (1994) 223-229], - Au-Sn [Cf. A. Garnier, X. Baillin, F. Hodaj, J Mater Sci : Mater Electron (2013) 24 :5000-5013], et - Al-Ge [Cf. S. Sood, R. Hergert, O. Treichel, Advancing Microelectronics 41(5), pp. 30-37 (2014)]. 2 Plus particulièrement, il existe des procédés de scellement eutectique de pièces entre elles avec un alliage eutectique à base d'aluminium. Chacun de ces procédés met en oeuvre des configurations de couches des composants de l'alliage eutectique différentes entre elles. 5 Selon une première configuration, dite symétrique, illustrée sur la figure 1A, une bicouche 4, 5 des deux éléments de l'alliage est déposée sur chacune des surfaces 1a, 2a des pièces 1, 2 à assembler. Après solidification, on obtient un scellement entre les deux pièces 1, 2 par une microstructure à base d'un alliage eutectique 3 comprenant de l'aluminium 3a et du germanium 3b ; on 10 observe une fissure 10 continue à l'interface de scellement entre les deux bicouches, comme illustré sur la figure 1B. L'on suppose que les deux bicouches ont fondu séparément, en s'oxydant à leur surface. Des pellicules d'oxydes ont été piégées à l'interface et ont donné lieu à la formation de cette fissure 10. Cette structure est donc insatisfaisante puisque ce défaut est critique 15 vis-à-vis de l'herméticité des structures. Selon une deuxième configuration, asymétrique, illustrée sur la figure 2A, une bicouche 4, 5 des deux éléments de l'alliage est déposée uniquement sur une 1a des deux surfaces 1a, 2a des pièces 1, 2 à assembler. Après assemblage, et comme illustré sur la figure 2B, on obtient un scellement entre 20 les deux pièces 1, 2 par une microstructure à base d'un alliage eutectique 3 comprenant de l'aluminium 3a et du germanium 3b ; on note une faible adhésion de l'alliage eutectique 3 sur la pièce 2 supérieure du fait de l'apparition de nombreuses cavités 11. Bien que l'adhérence de l'alliage eutectique soit meilleure sur la pièce 1 inférieure que sur la plaque 2 25 supérieure, cette architecture n'est pas non plus satisfaisante. Selon une troisième architecture, illustrée sur la figure 3, les deux éléments de l'alliage eutectique sont déposés séparément, chacun sur une des surfaces 1a, 2a des pièces 1, 2 à assembler. Plus particulièrement, une couche 4 à base du premier élément est déposée sur la surface 1a de la première 30 pièce 1 et une couche 5 à base du deuxième élément est déposée sur la surface 2a de la deuxième pièce 2. On assure ainsi l'adhésion de la brasure sur les surfaces 1 a, 2a et la fusion complète des deux éléments. De plus, l'élévation de la température, jusqu'à la température de l'eutectique, n'ayant lieu 3 que lorsque les surfaces à coller sont mises en contact via les deux éléments de l'alliage, une seule phase liquide est présente, ce qui permet de réduire le risque de formation d'une fissure. Cependant, cette configuration implique la présence des oxydes natifs des éléments constitutifs de l'alliage eutectique au 5 niveau de l'interface entre ces éléments, ce qui peut bloquer la fusion de l'alliage. Dans le cas des scellements Al-Ge, la présence d'oxyde natif d'aluminium bloque le scellement. Dans la littérature, il est alors recommandé de presser très fort (on exerce une pression supérieure à 10MPa par exemple) [Cf. X.-H. Huang et al., ECS Transactions, vol. 50, n° 7 (2013)]. Cette pression 10 peut être trop importante pour certains dispositifs qui se trouvent éventuellement sur les pièces que l'on souhaite coller. Il est alors impossible d'utiliser un scellement eutectique Al-Ge pour coller ces surfaces. Il existe, dans la littérature, des alternatives pour faire ce collage à basse pression. On peut par exemple utiliser un bombardement d'atomes d'argon sur les surfaces de 15 pièces à assembler [Cf. G. L. Chua, B. Chen, N. Singh, 17th Electronics Packaging and Technology Conference (EPTC), IEEE (2015)]. Toutefois, cette alternative n'est pas forcément compatible non plus avec la conservation de l'intégrité de certains dispositifs éventuellement présents sur les pièces à assembler. 20 Par ailleurs, il est connu, dans la littérature, un type d'empilement particulier permettant de réaliser un scellement Au-Sn par interdiffusion solide-liquide (SLID) [T. A. Tollefsen, A. Larsson, O. M. Lovvik, K. Aasmundtveit, Metallurgical and Materials Transactions B, vol. 43B, pp. 397-405 (2012)]. Ce type d'empilement particulier comprend une fine couche d'or déposée sur l'étain 25 sans que ce dernier soit remis à l'air, et donc sans que l'étain ne puisse s'oxyder. La couche d'or a effectivement pour rôle d'empêcher l'oxydation de l'étain. Un objet de la présente invention est de proposer un procédé de scellement de pièces entre elles avec un alliage eutectique à base d'aluminium 30 qui permette de pallier au moins en partie les inconvénients des procédés existants. Plus particulièrement, un objet de la présente invention est de proposer un tel procédé de scellement qui permette de préserver l'intégrité de dispositifs ou 4 éléments microélectroniques formés sur l'une et/ou l'autre des pièces préalablement à leur assemblage. Les autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à l'examen de la description suivante et des dessins 5 d'accompagnement. Il est entendu que d'autres avantages peuvent être incorporés. RÉSUMÉ DE L'INVENTION Pour atteindre cet objectif, selon un premier aspect, la présente invention prévoit un procédé de scellement de pièces entre elles avec un alliage 10 eutectique à base d'aluminium. Le procédé comprend les étapes suivantes : Fournir au moins deux pièces, chaque pièce présentant une surface d'assemblage par scellement à au moins une autre pièce parmi lesdites au moins deux pièces, Déposer au moins une première couche à base d'aluminium au moins 15 sur la surface d'assemblage d'une première pièce parmi lesdites au moins deux pièces, Oxyder au moins une surface libre de la première couche, puis Déposer une deuxième couche à base d'un élément propre à former, avec de l'aluminium, ledit alliage eutectique, au moins sur la première 20 couche, et Déposer une couche complémentaire à base dudit élément propre à former, avec de l'aluminium, ledit alliage eutectique au moins sur la surface d'assemblage d'une deuxième pièce parmi lesdites au moins deux pièces, puis 25 Mettre en contact et sous pression les surfaces d'assemblage de la première pièce et de la deuxième pièce entre elles, la deuxième couche étant directement au contact de la couche complémentaire, et Appliquer un recuit jusqu'à atteindre, voire dépasser, une température de fusion Tf propre audit alliage eutectique, 30 de sorte à former, à partir des première et deuxième couches et de la couche complémentaire, une brasure à base dudit alliage eutectique entre les première et deuxième pièces. 5 De préférence, la première couche est déposée directement sur la surface d'assemblage de la première pièce, ou directement sur une sous-couche préalablement déposée, potentiellement directement, sur la surface d'assemblage de la première pièce, cette sous-couche n'étant pas à base 5 d'aluminium, voire étant exempte d'aluminium. Lorsque la température est, selon le procédé introduit ci-dessus, supérieure ou égale à la température de fusion de l'alliage eutectique, l'élément constitutif de la couche déposée sur la surface d'aluminium oxydée migre à travers l'oxyde d'aluminium et forme, avec l'aluminium, un film liquide de 10 composition eutectique. Dans un domaine différent, qui concerne la recristallisation du germanium à des températures inférieures à la température de fusion de l'eutectique, l'antériorité « K. Nakazawa, K. Toko, N. Usami, T. Suemasu, Japanese Journal of Applied Physics 53, 04EHO1 (2014) » mentionne la possibilité pour le 15 germanium de migrer par diffusion atomique à travers l'oxyde natif d'aluminium sous l'effet de la température. Dans le cadre du développement de la présente invention, il a été constaté qu'une telle diffusion atomique à travers l'oxyde natif d'aluminium sous l'effet de la température en phase solide pouvait enclencher la formation d'un 20 liquide et entrainer l'ensemble des éléments de l'alliage eutectique des première et deuxième couches et de la couche complémentaire dans la formation d'un liquide de composition eutectique. C'est ce phénomène qui est mis ici à profit pour obtenir une interface de scellement entre les première et deuxième pièces, l'interface prenant la forme d'une brasure à base des 25 éléments constitutifs de l'alliage eutectique. La brasure obtenue est plus particulièrement exempte de fissuration et de cavité. Le procédé selon l'invention permet ainsi de surmonter l'obstacle, que présentent les procédés selon l'art antérieur, cet obstacle étant lié à la formation d'alumine à la surface de la couche à base d'aluminium. En effet, 30 grâce au procédé selon l'invention, il n'est plus nécessaire d'éviter cette formation d'alumine ; les contraintes associées à cette nécessité peuvent donc être relâchées, voire supprimées. En particulier, les conditions de température et de pression applicables menant à la formation de la brasure selon l'invention 6 peuvent être telles qu'elles permettent de préserver l'intégrité d'éventuels dispositifs ou éléments de dispositifs microélectroniques formés sur les pièces préalablement à leur assemblage. En outre, notons que la brasure ainsi obtenue peut permettre d'assurer une conduction électrique entre les deux 5 substrats au travers de l'interface. Par exemple, lorsque l'élément propre à former, avec de l'aluminium, ledit alliage eutectique est à base de germanium, l'étape de recuit peut être réalisée à une température strictement inférieure à 450°C, tout en étant supérieure à la température de l'eutectique de l'aluminium et du germanium, cette dernière 10 étant égale à 424°C. De manière facultative, le procédé selon l'invention peut comprendre au moins l'une quelconque des caractéristiques optionnelles ci-dessous prises séparément ou en combinaison. L'étape de mise en contact et sous pression est au moins en partie 15 concomitante à l'étape d'application d'un recuit. Les étapes de mise sous pression et de recuit s'appliquent au moins sur chacune parmi les première et deuxième couches et la couche complémentaire. Elles permettent de transformer, en les chauffant, ces trois couches en un liquide à la composition eutectique, puis elles permettent de transformer, en le refroidissant, ce liquide à 20 la composition eutectique en une microstructure eutectique. L'étape d'oxydation de la surface libre de la première couche comprend au moins l'une des étapes suivantes : permettre l'oxydation et réaliser l'oxydation. L'étape d'oxydation peut résulter en la formation d'une couche superficielle d'oxyde d'aluminium par oxydation de la première couche. La 25 couche superficielle peut présenter par exemple une épaisseur comprise entre 1 et 10 nm. De préférence, la couche d'oxyde d'aluminium n'est pas réalisée volontairement, par une action positive, mais il n'est pas nécessaire de s'opposer à la formation spontanée de cette couche d'oxyde. En effet, l'oxydation de l'aluminium est spontanée au contact de l'air ; il se forme 30 instantanément une couche d'oxyde de quelques nanomètres qui est très stable et dont l'épaisseur n'évolue plus par la suite si les conditions ne changent pas. 7 De préférence, la deuxième couche est déposée directement sur la première couche, et plus particulièrement directement sur la couche superficielle d'oxyde d'aluminium. De préférence, la couche complémentaire est déposée directement sur la 5 surface d'assemblage de la deuxième pièce, ou directement sur une sous-couche préalablement déposée, potentiellement directement, sur la surface d'assemblage de la deuxième pièce. Cette sous-couche n'est de préférence pas à base dudit élément propre à former, avec de l'aluminium, ledit alliage eutectique ; potentiellement, cette sous-couche est exempte dudit élément 10 propre à former, avec de l'aluminium, ledit alliage eutectique. Selon un deuxième aspect, la présente invention concerne un système microélectronique comprenant au moins des première et deuxième pièces et une brasure à base d'un alliage eutectique comprenant de l'aluminium entre les 15 première et deuxième pièces, la brasure étant exempte de fissuration et de cavité. En outre, au moins l'une des pièces dudit système peut comprendre au moins un dispositif ou élément microélectronique, par exemple un cordon de soudure, dont la fonctionnalité serait impactée négativement s'il était exposé à une température supérieure à 500°C, voire supérieure à 450°C. 20 BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description détaillée d'un mode de réalisation de cette dernière qui est illustré par les dessins d'accompagnement suivants dans 25 lesquels la figure lA représente schématiquement une première configuration de scellement de deux pièces entre elles selon l'art antérieur, avant la mise en contact et sous pression d'une pièce contre l'autre ; la figure 1B représente une vue en section obtenue par FIB-SEM (pour 30 « microscope électronique et à balayage à faisceau d'ions focalisé ») d'un scellement obtenu via la première configuration illustrée sur la figure 1A; 8 - la figure 2A représente schématiquement une deuxième configuration de scellement de deux pièces entre elles selon l'art antérieur, avant la mise en contact et sous pression d'une pièce contre l'autre ; la figure 2B à droite représente une vue en section obtenue par FIB- 5 SEM d'un scellement obtenu via la deuxième configuration illustrée sur la figure 2A à gauche ; la figure 3 représente schématiquement une troisième configuration de scellement de deux pièces entre elles selon l'art antérieur, avant la mise en contact et sous pression d'une pièce contre l'autre ; 10 la figure 4 représente des graphiques d'évolution temporelle de la température et de la pression durant la mise en oeuvre du procédé selon un mode de réalisation de l'invention ; la figure 5 représente un ordinogramme d'étapes du procédé selon un mode de réalisation de l'invention ; 15 la figure 6A représente schématiquement une configuration de scellement de deux pièces entre elles selon un mode de réalisation de l'invention, avant la mise en contact et sous pression d'une pièce contre l'autre ; et la figure 6B représente une vue en section obtenue par FIB-SEM d'un 20 scellement obtenu via la configuration illustrée sur la figure 6A. Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l'invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l'invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier, les 25 épaisseurs relatives des différentes couches ne sont pas représentatives de la réalité. Sur la figure 5, certaines étapes ne sont que optionnelles et ne sont pas indispensables. Tel est par exemple le cas des étapes du procédé encadrées par des traits discontinus. 30 DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION Avant d'entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l'invention, sont énoncées ci-après des caractéristiques optionnelles du premier 9 aspect de l'invention qui peuvent éventuellement être utilisées en association ou alternativement : - les étapes de dépôt de la première couche, de la deuxième couche et de la couche complémentaire peuvent être paramétrées de sorte que le 5 ratio entre o une épaisseur de la première couche et o une épaisseur cumulée de la deuxième couche et de la couche complémentaire, respecte une composition eutectique de l'alliage eutectique, à plus ou 10 moins 10% près, de préférence à plus ou moins 5% près. Ainsi, l'on s'assure de former une brasure de qualité en contrôlant les paramètres de dépôt des différentes couches ; de préférence, la température atteinte lors du recuit ne dépasse pas une valeur seuil prédéterminée au-dessus de laquelle l'une quelconque 15 parmi les première et deuxième pièces, voire parmi lesdites au moins deux pièces, serait fonctionnellement et négativement impactée. Ainsi, le procédé permet de conserver l'intégrité fonctionnelle, voire structurelle, des pièces à assembler entre elles. lors de l'étape de fourniture, au moins une pièce parmi lesdites au 20 moins deux pièces peut comprendre au moins un dispositif ou élément microélectronique, par exemple un cordon de soudure, et la température atteinte lors du recuit ne dépasse pas une valeur seuil prédéterminée au-dessus de laquelle ledit au moins un dispositif ou élément microélectronique serait fonctionnellement et négativement 25 impacté. Ainsi, le procédé permet de conserver l'intégrité fonctionnelle, voire structurelle, des éventuels dispositifs ou éléments microélectroniques portés par les pièces à sceller entre elles ; - selon l'une quelconque des deux caractéristiques qui précèdent, ladite valeur seuil prédéterminée de température est égale à 500°C, et de 30 préférence égale à 450°C ; l'étape de dépôt de la deuxième couche et l'étape de dépôt de la couche complémentaire peuvent être paramétrées de sorte qu'une épaisseur cumulée de la deuxième couche et de la couche 10 complémentaire soit supérieure à 10 nm. Ainsi, l'on s'assure notamment d'un brassage satisfaisant des éléments constitutifs de l'alliage eutectique ; l'étape de dépôt de la deuxième couche et l'étape de dépôt de la 5 couche complémentaire peuvent en outre être paramétrées de sorte qu'une épaisseur de la couche complémentaire soit supérieure à une épaisseur de la deuxième couche, de préférence au moins trois fois supérieure ; l'étape d'oxydation peut résulter en la formation d'une couche 10 superficielle d'oxyde d'aluminium par oxydation de la première couche, et l'étape de dépôt de la deuxième couche peut être paramétrée de sorte qu'une épaisseur de la deuxième couche soit supérieure à une épaisseur de la couche superficielle, de préférence supérieure au double de l'épaisseur de la couche superficielle. Ainsi, l'on s'assure de 15 la formation d'un liquide aux proportions de l'eutectique, du seul fait de l'élévation de la température jusqu'à atteindre, voire dépasser, la température de fusion Tf, et potentiellement avant même que les pièces soient mises en contact et sous pression l'une contre l'autre. Plus particulièrement, l'élément propre à former, avec de l'aluminium, 20 l'alliage eutectique, va migrer à travers (ou dans) la couche d'oxyde d'aluminium, former un liquide avec l'aluminium non oxydé de la première couche et la couche d'oxyde natif d'aluminium est morcelée et dispersée dans le liquide ; - au moins l'une parmi les première et deuxième pièces, voire parmi 25 lesdites au moins deux pièces, est à base de l'un au moins parmi les matériaux suivants : le silicium, la silice, le verre, le saphir, l'alumine, le germanium, le phosphure d'indium, le nitrure de gallium, le sulfure de gallium, l'arséniure de gallium, le nitrure de gallium et le carbure de silicium. Le procédé permet de sceller entre elles des pièces de toute 30 nature. En effet, la nature des pièces à sceller entre elles n'influe pas sur les caractéristiques de la brasure obtenue par mise en oeuvre du procédé ; 11 - le procédé peut comprendre en outre au moins l'une des étapes suivantes : o Avant l'étape de dépôt de la première couche, former une sous-couche, de préférence chimiquement inerte, au moins sur la 5 surface d'assemblage de la première pièce et o Avant l'étape de dépôt de la couche complémentaire, former une sous-couche, de préférence chimiquement inerte, au moins sur la surface d'assemblage de la deuxième pièce. Ainsi, le procédé permet le cas échéant de s'assurer de ce que la 10 nature des pièces à sceller entre elles n'influe pas sur les caractéristiques de la brasure obtenue par mise en oeuvre du procédé en prévoyant une sous-couche permettant d'isoler physiquement et chimiquement la brasure et les surfaces d'assemblage des pièces. En outre, lorsque l'élément propre à former, avec de l'aluminium, ledit 15 alliage eutectique et la nature de la pièce sur laquelle la couche complémentaire est destinée à être déposée sont identiques, la sous-couche permet ainsi de ne pas créer une source quasi-infinie dudit l'élément propre à former, avec de l'aluminium, ledit alliage eutectique, de sorte à pouvoir respecter la composition de l'eutectique ; 20 l'étape de dépôt de la première couche peut être paramétrée de sorte que la première couche présente une épaisseur comprise entre 50 nm et 10 pm, de préférence comprise entre 500 nm et 5 pm. L'on s'assure ainsi d'obtenir un scellement eutectique constitué d'une quantité de matière permettant d'une part de s'affranchir des défauts, notamment 25 de type topographique, que présentent les pièces à sceller entre elles, d'autre part de minimiser la taille de l'assemblage. En outre, les particules d'oxyde d'aluminium, chacune de taille nanométrique, présentent ainsi une taille inférieure, de préférence inférieure d'un ordre de grandeur, par rapport à l'épaisseur du scellement eutectique, qui est 30 de préférence supérieure à 100 nm ; chacune parmi les première et deuxième pièces, voire parmi les dites au moins deux pièces, comprend une tranche à base d'un matériau semi-conducteur, chaque tranche présentant deux faces circulaires 12 opposées, par exemple d'un diamètre égal à 200 mm, et les surfaces d'assemblages des première et deuxième pièces peuvent être chacune formée par une desdites faces circulaires, et l'étape de mise en contact et sous pression des surfaces d'assemblage peut comprendre l'une au 5 moins parmi : o l'application d'au moins un niveau de pression d'une des deux pièces sur l'autre selon une direction perpendiculaire à leurs surfaces d'assemblage, ledit niveau de pression étant compris entre 0,05 Mpa et 3 Mpa, de préférence compris entre 0,1 Mpa et 10 0,5 Mpa, et o l'application d'au moins un niveau de force de compression d'une des deux pièces sur l'autre selon une direction perpendiculaire à leurs surfaces d'assemblage, ledit niveau de force étant compris entre 2 kN et 90 kN, de préférence compris entre 2 kN et 90 kN. 15 Le procédé est ainsi parfaitement adapté au scellement de tranches entre elles, notamment en vue de la réalisation de dispositifs microélectroniques comprenant plusieurs tranches ou parties de tranches superposées entre elles ; chacune des deux pièces peut comprendre une tranche à base d'un 20 matériau semi-conducteur, et les surfaces d'assemblage des première et deuxième pièces sont chacune formée par une desdites faces circulaires, et les étapes de mise en contact et sous pression et d'application d'un recuit peuvent comprendre au moins l'un parmi : Pendant une première durée t1, de préférence comprise entre 10 et 25 30 min, et par exemple égale à 20 min : o l'application d'un premier niveau de pression P1, par exemple égal à 0,1 MPa, d'une des deux pièces sur l'autre selon une direction perpendiculaire à leurs surfaces d'assemblage et o une montée en température depuis l'ambiante jusqu'à une 30 première température seuil Ti inférieure à la température de fusion Tf dudit alliage eutectique, par exemple la première température seuil Ti étant inférieure à la température de fusion Tf 13 d'une valeur au plus égale à 10%, de préférence au plus égale à 5%, de la valeur de ladite température de fusion Tf, puis - Pendant une deuxième durée t2-t1, de préférence comprise entre 5 min et 10 h, par exemple égale à 1 h : 5 o l'application d'un deuxième niveau de pression P2 supérieur au premier niveau de pression P1, par exemple un deuxième niveau de pression P2 égal à 0,5 MPa, d'une des deux pièces sur l'autre selon une direction perpendiculaire à leurs surfaces d'assemblage et 10 o un maintien de la première température seuil T1, puis Pendant une troisième durée t3-t2, de préférence comprise entre 2 et 10 min, o un maintien du deuxième niveau de pression P2, o une montée en température depuis la première température seuil 15 T1 jusqu'à une deuxième température seuil T2 supérieure ou égale à la température de fusion Tf dudit alliage eutectique, par exemple la deuxième température seuil T2 étant supérieure à la température de fusion Tf d'une valeur au plus égale à 10%, de préférence au plus égale à 5%, de la valeur de ladite température 20 de fusion, - Pendant une quatrième durée t4-t3, de préférence comprise entre 1 min et 1 h, le maintien du deuxième niveau de pression P2 et de la température T2, puis Pendant une cinquième durée t5-t4, de préférence comprise entre 10 et 25 30 min : o au moins l'un parmi le maintien du deuxième niveau de pression P2 et l'application d'un niveau de pression inférieur au niveau de pression P2, le cas échéant l'application du niveau de pression inférieur au niveau de pression P2 succédant au maintien du 30 deuxième niveau de pression P2, par exemple le niveau de pression inférieur étant égal au premier niveau de pression P1, et o un refroidissement jusqu'à l'ambiante ; 14 - le procédé peut comprendre en outre, avant les étapes de mise en contact et sous pression et d'application d'un recuit, une étape de rinçage à l'eau déionisée, puis une étape de séchage, d'au moins l'une parmi au moins une surface libre de la deuxième couche et au moins 5 une surface libre de la couche complémentaire, ces étapes étant paramétrées de sorte à éliminer au moins une partie d'un oxyde natif de l'élément propre à former, avec de l'aluminium, ledit alliage eutectique, les étapes de mise en contact et sous pression et d'application d'un recuit étant ensuite réalisées en évitant de préférence toute exposition 10 prolongée des pièces à de l'oxygène ; - au moins l'une des pièces est fournie de sorte à comprendre au moins un dispositif ou élément microélectronique, par exemple un cordon de soudure ; - les étapes de mise en contact et sous pression et l'étape d'application 15 d'un recuit sont réalisées sous vide, à une pression comprise entre 0-3 et 10-7 mbar, par exemple égale à 5.10-5 mbar ; l'élément propre à former, avec de l'aluminium, ledit alliage eutectique peut être choisi parmi : le germanium, le silicium, l'or, le cuivre ; et - au moins l'une parmi les première et deuxième pièces peut comprendre 20 au moins des premier et deuxième morceaux de pièce et une brasure à base d'un alliage eutectique comprenant de l'aluminium entre les deux morceaux, ladite brasure scellant entre eux les deux morceaux et ayant été obtenue par mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes avec les premier et deuxième morceaux en 25 lieu et place des première et deuxième pièces. On entend par une couche à base d'un matériau A, une couche comprenant ce matériau A et éventuellement d'autres matériaux, ces autres matériaux étant par exemple dans une proportion équivalente à celle du 30 matériau A ou en moindre proportion. On entend faire référence par « composition » ou « proportions » (par exemple eutectique(s)) d'un alliage à la composition ou aux proportions de cet alliage telle(s) que représentée(s) par la fraction molaire des éléments qui le 15 composent. Les éléments considérés étant ici des atomes, on parle équivalemment de fraction atomique et de pourcentage atomique (noté % at). Une variation allant de -10% à +10% autour d'une composition donnée signifie que la fraction atomique de chacun des éléments de l'alliage varie autour de 5 ladite valeur donnée dans une gamme de valeurs s'étendant - i) depuis ladite valeur donnée moins 10% de cette valeur, - ii) jusqu'à ladite valeur donnée plus 10% de cette valeur. Une variation de la fraction atomique d'un élément de l'alliage implique une variation opposée dans les mêmes proportions des autres éléments de 10 l'alliage. On entend généralement par alliage « eutectique » un alliage dont la composition est telle que sa température de fusion est inférieure à la température de fusion des éléments purs constituant l'alliage. L'alliage de composition eutectique (binaire, ternaire, quaternaire, quinaire) fond et se 15 solidifie à une température déterminée et constante. Cette température dite de fusion est plus basse que la température de fusion de l'un quelconque des éléments qui le composent, voire d'un autre alliage eutectique que l'on pourrait obtenir en mélangeant les mêmes éléments dans des proportions différentes. Ici, on entend plus particulièrement par alliage « eutectique » un alliage 20 dont la composition est telle que sa température de fusion Tf est strictement inférieure à une température seuil que l'on souhaite ne pas dépasser. Ainsi, s'il est préconisé de faire en sorte de respecter au mieux les proportions de l'eutectique, afin de bénéficier au mieux du phénomène physico-chimique exploité par la présente invention (et décrit plus bas) et afin de pouvoir abaisser 25 au maximum la valeur de la température seuil à ne pas dépasser, il doit être noté qu'un alliage eutectique selon l'invention ne s'entend pas uniquement d'un alliage dont la composition est telle que sa température de fusion est minimale, mais s'étend à tout alliage présentant une composition proche de la stricte composition eutectique. On peut ainsi estimer qu'une composition égale à la 30 stricte composition eutectique à plus ou moins 10% près, de préférence à plus ou moins 5% près, caractérise un alliage eutectique selon la présente invention. Ainsi, lorsque par la suite, il est fait mention d'une « composition eutectique » ou de « proportions eutectiques », ces mentions bénéficient de la même 16 largesse d'interprétation que celle associée à toute mention d'un alliage eutectique tel que défini dans le cadre de la présente invention. On entend par « bicouche » un multicouche comportant deux (mono)couches différentes entre elles, par exemple par le(s) matériau(x) à base 5 desquelles sont constituées ces (mono)couches, et superposées, de préférence directement, l'une à l'autre. On entend par « recuit » un cycle de chauffage comprenant en une étape de montée graduelle en température suivie d'un refroidissement contrôlé. On fait référence, en parlant de « microstructure », à un ensemble de 10 caractéristiques géométriques des éléments qui composent la structure d'un matériau, à une échelle où ils ne sont observables qu'à l'aide de microscopes ou de techniques spécialisées. Lorsqu'il est utilisé dans le mot « microstructure », le préfixe « micro- » ne fait pas référence à des mesures précises. Ainsi, la microstructure d'un matériau peut comporter des éléments de 15 taille nanométrique. Toutefois, les dimensions d'une microstructure sont généralement calculées en micromètres. On entend par « couche inerte chimiquement » une couche à base d'un matériau défini en ce qu'il ne réagit pas chimiquement avec au moins un autre matériau destiné à être au contact, notamment direct, de la couche inerte 20 chimiquement. L'aspect « inerte chimiquement » de la couche est à évaluer au regard de la fonction de ladite couche inerte chimiquement. Par exemple, la couche est inerte chimiquement au moins dans des conditions de dépôt dudit au moins un autre matériau sur ladite couche inerte chimiquement. Par exemple, la couche est inerte chimiquement dans des conditions d'utilisation 25 d'un dispositif microélectronique comprenant le matériau de la couche inerte chimiquement et ledit au moins un autre matériau. On entend par « inférieur » et « supérieur », respectivement « inférieur ou égal » et « supérieur ou égal ». L'égalité est exclue par l'usage des termes « strictement inférieur » et « strictement supérieur ». 30 On entend par « au moins un ordre de grandeur supérieur (ou inférieur) », au moins 10 fois supérieur (ou inférieur). On entend par « température ambiante », la température de l'air à l'emplacement où le procédé est destiné à être mis en oeuvre. 17 Il est précisé que dans le cadre de la présente invention, le terme « sur », « surmonte », « recouvre » ou « sous-jacent » ou leurs équivalents ne signifient pas forcément « au contact de ». Ainsi par exemple, le dépôt d'une première couche sur une deuxième couche, ne signifie pas obligatoirement que les deux 5 couches sont directement au contact l'une de l'autre mais cela signifie que la première couche recouvre au moins partiellement la deuxième couche en étant soit directement à son contact, soit en étant séparée d'elle par au moins une autre couche ou au moins un autre élément. Par dispositif ou élément de dispositif microélectronique, on entend tout 10 type de dispositif ou d'élément réalisé avec des moyens de la microélectronique. Ces dispositifs englobent notamment en plus des dispositifs à finalité purement électronique, tel qu'un cordon de soudure, des dispositifs micromécaniques ou électromécaniques (MEMS, NEMS...) ainsi que des dispositifs optiques ou optoélectroniques (MOEMS...). 15 Par système microélectronique, on entend tout type de systèmes fonctionnels comprenant au moins un dispositif microélectronique. Ces systèmes englobent notamment en plus des systèmes à finalité purement électronique, des systèmes micromécaniques ou électromécaniques (MEMS, NEMS...) ainsi que des systèmes optiques ou optoélectroniques (MOEMS...). 20 Dans la présente demande de brevet, l'épaisseur est prise selon une direction perpendiculaire aux surfaces d'assemblage des pièces à assembler. Sur les figures 1A, 1B, 2A, 2B, 3, 6A et 6B, l'épaisseur est prise selon la verticale. Les valeurs données ci-dessous sont données à une marge de tolérance 25 près. Cette marge de tolérance peut être définie comme s'étendant de -10 % à +10 % de la valeur donnée, de préférence de -5 % à +5 % de la valeur donnée. L'invention vise notamment à réaliser un scellement eutectique entre deux pièces à une température strictement inférieure à une valeur seuil prédéterminée au-dessus de laquelle l'une des pièces à assembler serait 30 fonctionnellement et négativement impactée. Par exemple, ladite valeur seuil prédéterminée est égale à 500°C, de préférence à 450°C. En ne dépassant pas cette température seuil, les dispositifs ou éléments de dispositifs 18 microélectroniques que comprendrait éventuellement une des pièces peuvent avantageusement être préservés dans leur intégrité. En référence aux figures 4, 5, 6A et 6B, le procédé de scellement 100 selon un mode de réalisation de l'invention est décrit ci-dessous. 5 Le procédé comprend tout d'abord une étape consistant à fournir 110 au moins deux pièces 1,2. Chaque pièce fournie 110 présente une surface d'assemblage 1a, 2a par scellement à au moins une autre pièce. Les surfaces d'assemblage la et 2a des pièces 1, 2 sont destinées à permettre l'assemblage des pièces entre elles. Elles sont de préférence sensiblement complémentaires 10 l'une de l'autre. Chaque pièce peut être à base de n'importe quels matériaux. Elle est par exemple à base de l'un au moins parmi les matériaux suivants : le silicium, la silice, le verre, le saphir, l'alumine, le germanium, le phosphure d'indium, le nitrure de gallium, le sulfure de gallium, l'arséniure de gallium, le nitrure de 15 gallium et le carbure de silicium. Cependant, il peut également s'agir d'une pièce métallique, par exemple en acier, en fer, ou en cuivre. Chaque pièce peut plus particulièrement comprendre une tranche à base d'un matériau semi-conducteur (ou « wafer » selon la terminologie anglo-saxonne). Généralement, chaque tranche présente deux faces circulaires 20 opposées l'une à l'autre. Une face circulaire de chaque pièce est susceptible de jouer le rôle de surface d'assemblage à la face circulaire d'une autre pièce. Les tranches ont généralement un diamètre égal à 200 mm ou à 300 mm. Si la configuration illustrée sur la figure 6A schématise deux tranches 1 et 2 de même diamètre, il est envisageable d'implémenter le procédé de scellement 25 selon l'invention pour sceller entre elles deux tranches de diamètre différent. Par ailleurs, au moins une des pièces fournies 110 peut comprendre au moins un dispositif ou élément microélectronique, par exemple un cordon de soudure. Il est envisagé de former 115, 116 une sous-couche 6, de préférence 30 chimiquement inerte, au moins sur la surface assemblage de l'une parmi une première pièce 1 et une deuxième pièce 2. Dans cette éventualité, le procédé tel qu'illustré sur la figure 5 peut plus particulièrement comprendre, avant l'étape de dépôt 120 de la première couche 4 à base d'aluminium, une étape de 19 formation 115 d'une couche inerte chimiquement 6 au moins sur la surface d'assemblage 1a de la première pièce 1 (surface 1a sur laquelle la première couche 4 à base d'aluminium est destinée à être déposée 120). De même, le procédé peut comprendre, avant l'étape de dépôt 140 de la couche 5 complémentaire 5a, une étape de formation 116 d'une couche inerte chimiquement 6 au moins sur la surface d'assemblage 2a de la deuxième pièce 2 (surface 2a sur laquelle la couche complémentaire 5a est destinée à être déposée). Lorsqu'au moins l'une des première et deuxième pièces 1, 2 est à base de 10 silicium, la couche inerte chimiquement 6 peut être formée 115, 116 à base d'oxyde de silicium, par oxydation de surface de la pièce ou à base de nitrure de titane (TiN) par exemple par dépôt physique en phase vapeur. Chaque couche inerte chimiquement peut avoir au moins l'une ou l'autre des deux fonctions suivantes : i) éviter que le matériau de la pièce ne réagisse, 15 notamment chimiquement, avec le matériau de la couche destinée à être déposée sur la pièce et ii) préparer l'état de surface de la pièce afin de pouvoir y déposer le matériau de la couche destinée à être déposée sur la pièce. Dans le cas particulier où le matériau de la couche destinée à être déposée sur la pièce est identique au matériau à base duquel la pièce est 20 constituée, il est encore possible que la sous-couche couche 6 vise à isoler la pièce de la couche destinée à être déposée sur la pièce, de sorte que le phénomène physico-chimique exploité par le procédé selon l'invention ne soit pas influencé. Plus particulièrement, du fait que le phénomène physico-chimique exploité repose en partie sur le respect de proportions des différents 25 matériaux en jeu au niveau de l'interface de scellement, une pièce constituée en un matériau identique à celui de la couche destinée à être déposée sur la pièce pourrait apparaître comme une source quasi-infinie et par là influencer le phénomène physico-chimique que l'on souhaite exploiter. Isoler la pièce de la couche via une couche inerte chimiquement 6 permet d'éviter ce type 30 d'influence. Une telle influence n'est pas nécessairement à éviter, mais peut résulter en un contrôle moins fin du phénomène physico-chimique exploité. Suite à l'étape de fourniture 110 des deux pièces 1,2, et éventuellement à l'étape de formation 115 d'une couche inerte chimiquement 6, le procédé 20 comprend une étape consistant à déposer 120 au moins une première couche 4 à base d'aluminium au moins sur la surface d'assemblage 1a de la première pièce 1. Cette étape de dépôt 120 est de préférence paramétrée de sorte que la première couche 4 présente une épaisseur comprise entre 50 nm et 10 pm, 5 plus particulièrement comprise entre 60 nm et 10 pm, de préférence comprise entre 500 nm et 5 pm. L'un des avantages du scellement eutectique est de s'affranchir des défauts topographiques des surfaces à assembler. Pour que le liquide à la composition eutectique « recouvre » ces défauts, il est préférable d'avoir suffisamment de liquide. Les gammes d'épaisseur indiquées ci-dessus 10 permettent de s'en assurer. Cependant, outre le fait de minimiser la taille de l'assemblage, il n'y a pas d'avantage à respecter la borne supérieure de ces gammes. Par ailleurs, l'épaisseur de la couche d'oxyde d'aluminium étant de quelques nanomètres, les particules nanométriques générées par le morcellement et la dispersion de la couche d'oxyde d'aluminium doivent de 15 préférence représenter une fraction faible, voire très faible, du joint de brasure. En conséquence, une épaisseur totale du joint de brasure supérieure à 100 nm parait raisonnable. Dès lors, l'épaisseur de la première couche 4 à base d'aluminium ne devrait pas de préférence être inférieure à 50 ou 60 nm. De nombreuses techniques de dépôt de la première couche 4 sont 20 envisageables parmi lesquelles : des techniques de dépôt physique en phase vapeur (PVD pour « Physical Vapor Deposition ») telles que, par exemple, l'évaporation par faisceau d'électrons ou la pulvérisation cathodique, des techniques de dépôt chimique en phase vapeur (CVD pour « Chemical Vapor Deposition ») telles que, par exemple, la CVD à pression sous-atmosphérique 25 (SACVD pour « Sub-Atmospheric CVD »), la CVD assistée par plasma (PECVD pour « Plasma Enhanced CVD »), etc. Dans son acception la plus large, le procédé selon l'invention n'est pas limité à l'utilisation d'une technique de dépôt spécifique. Le procédé selon le mode de réalisation illustrée sur la figure 5 comprend 30 ensuite une étape consistant à déposer 130 une deuxième couche 5 à base de germanium au moins sur la première couche 4. L'étape de dépôt 130 de la deuxième couche 5 peut alors être paramétrée de sorte que la deuxième couche présente une épaisseur comprise entre 10 nm et 100 nm. 21 Le mode de réalisation présentement décrit prévoit effectivement que la deuxième couche 5 soit à base de germanium en tant qu'élément propre à former, avec de l'aluminium, un alliage eutectique. Toutefois, d'autres éléments propres à former, avec de l'aluminium, un autre alliage eutectique sont 5 également envisagées parmi lesquels le silicium, l'or, et le cuivre. Le zinc, le magnésium et le calcium sont également des éléments propres à former avec l'aluminium un alliage eutectique, mais ce sont des éléments extrêmement oxydables et très volatils, ce qui peut les rendre impropres à une utilisation dans le procédé selon l'invention. L'on peut donc requérir de tout élément 10 propre à former un alliage eutectique avec de l'aluminium qu'il soit en outre moins oxydable et/ou moins volatil, au moins dans les conditions de scellement eutectique, que chacun des éléments parmi le zinc, le magnésium et le calcium. Il en existe d'autres éléments propres à former avec l'aluminium un alliage eutectique, mais les températures de fusion des eutectiques associées 15 excèdent celle de l'eutectique Al-Si, à savoir 577 °C. Notons ici que la température de fusion d'un alliage Al-Ge à la composition eutectique est égale à 424°C. En outre, les proportions strictes de l'eutectique Al-Ge sont de 29,5 % at de Ge et 70,5 % at d'Al. Ainsi, en vue de respecter les proportions de l'eutectique Al-Ge, la première couche 4 à base d'aluminium est 20 nécessairement plus épaisse que la deuxième couche 5 à base de germanium. Chacune des techniques de dépôt énoncées ci-dessus relativement au dépôt de la première couche 4 est susceptible d'être implémentée pour déposer la deuxième couche 5. Le dépôt d'une bicouche comprenant une couche d'aluminium et une 25 couche de germanium sur la couche d'aluminium peuvent être réalisées de sorte que l'aluminium ne soit pas remis en contact avec du dioxygène. Toutefois, ceci nécessite des équipements spéciaux. Et généralement, les étapes de dépôt de la couche à base d'aluminium et de la couche à base de germanium ne sont pas réalisées dans une même enceinte hermétique, ce qui 30 se traduit par la mise en contact de l'aluminium de la première couche 4 avec l'oxygène de l'atmosphère, et donc par une oxydation en surface de la première couche 4 à base d'aluminium, avant le dépôt de la deuxième couche à base de germanium. C'est ainsi que la couche de germanium est généralement 22 déposée sur une couche d'aluminium ayant été remise en contact avec du dioxygène et présentant par conséquent une couche superficielle d'oxyde d'aluminium. C'est notamment cette couche superficielle d'oxyde d'aluminium qui explique que les configurations envisagées dans l'art antérieur sont 5 insatisfaisantes. En effet, comme vu en introduction, l'oxydation de l'aluminium, même limitée à la surface d'une couche à base d'aluminium, ne favorise pas la formation d'une interface de collage hermétique entre deux pièces à assembler. Dans l'absolu, le procédé selon l'invention ne nécessite pas pour pouvoir être implémenté, et permettre l'obtention d'une interface de collage hermétique, 10 qu'une couche superficielle d'oxyde d'aluminium 5a soit formée. Cependant, c'est dans ce contexte que le procédé selon l'invention présente toute l'étendue de son intérêt. Ainsi, comme illustré sur la figure 5, le procédé de scellement 100 selon l'invention peut avantageusement comprendre une étape consistant à oxyder 15 au moins une surface libre de la première couche 4. L'étape d'oxydation de la surface libre de la première couche 4 peut être spontanée ou pilotée. Plus particulièrement, elle peut consister soit à permettre l'oxydation, soit à la réaliser par un acte positif. Permettre l'oxydation consiste simplement à laisser la première couche 4 exposée à l'oxygène de 20 l'atmosphère, tandis que réaliser l'oxydation peut consister à exposer la première couche 4 à de l'oxygène, par exemple en l'insérant dans une enceinte à atmosphère contrôlé comprenant de l'oxygène. Qu'elle soit spontanée ou pilotée, l'étape d'oxydation résulte en la formation d'une couche superficielle d'oxyde d'aluminium 4a par oxydation en surface de la première couche 4. La 25 couche superficielle 4a présente généralement une épaisseur comprise entre 1 et 10 nm. La deuxième couche 5 est ainsi déposée directement sur la première couche 4, et plus particulièrement directement sur la couche superficielle 4a d'oxyde d'aluminium. 30 De préférence, l'étape de dépôt 130 de la deuxième couche 5 et l'étape de dépôt 140 de la couche complémentaire 5a sont paramétrées de sorte qu'une épaisseur cumulée de la deuxième couche 5 et de la couche complémentaire 5a soit supérieure à 10 nm. Ainsi, le matériau à base duquel la 23 deuxième couche 5 et de la couche complémentaire 5a sont constituées va migrer à travers (ou dans) la couche d'oxyde natif, former un liquide avec l'aluminium et l'oxyde natif d'aluminium est morcelé et dispersé dans ce liquide. Notons que la dissolution de l'oxyde natif d'aluminium dans le liquide est 5 pratiquement nulle. En complément ou en alternative, il est envisagé que l'étape de dépôt 130 de la deuxième couche 5 soit paramétrée de sorte que l'épaisseur de la deuxième couche 5 soit au moins égale, de préférence supérieure, à l'épaisseur de la couche superficielle 4a d'oxyde d'aluminium. Par exemple l'épaisseur de la deuxième couche 5 est égale ou supérieure au 10 double de l'épaisseur de la couche superficielle 4a. Toutefois, la répartition de l'épaisseur cumulée de la deuxième couche 5 et de la couche complémentaire 5a entre les couches 5 et 5a n'est pas limitante du moment qu'il y en a des deux côtés, avec une épaisseur minimale de 10 nm pour la plus fine des 2. En référence aux figures 5 et 6A, l'étape de dépôt 140 d'une couche 15 complémentaire 5a à base de germanium au moins sur la surface d'assemblage 2a de la deuxième pièce 2 est décrite ci-dessous en référence aux figures 5 et 6A. Cette étape de dépôt 140 n'implique aucunement la première pièce 1. Dès lors les étapes de dépôt 120 et 130 d'une part et l'étape de dépôt 140 d'autre 20 part peuvent être implémentées de façon décorrélée en temps et/ou en espace. Les mêmes techniques de dépôt que celles énoncées ci-dessus relativement au dépôt de la première couche 4 sont envisageables pour réaliser le dépôt 140 de la couche complémentaire 5a. L'étape de dépôt 140 de la couche complémentaire 5a est paramétrée, 25 relativement à l'étape de dépôt 130 de la deuxième couche 5, de sorte qu'une épaisseur de la couche complémentaire 5a soit supérieure, de préférence au moins trois fois supérieure, à une épaisseur de la deuxième couche 5. En complément ou en alternative, les étapes de dépôt 130 et 140 de la deuxième couche 5 et de la couche complémentaire 5a sont paramétrées, 30 relativement à l'étape de dépôt 120 de la première couche 4, de sorte que le ratio entre : - une épaisseur de la première couche 4 et 24 - une épaisseur cumulée de la deuxième couche 5 et de la couche complémentaire 5a, respecte une composition eutectique de l'alliage Al-Ge. Un tel ratio de l'épaisseur cumulée de la deuxième couche 5 et de la couche 5 complémentaire 5a à base de germanium sur l'épaisseur de la première couche 4 à base d'aluminium permet de respecter relativement précisément la composition eutectique de l'alliage Al-Ge lorsqu'il est égal à 0,59. Cependant, cette contrainte peut être relâchée notamment en dépassant, lors des étapes de mise en contact et sous pression 150 et d'application d'un recuit 160 (qui 10 seront décrites plus bas), la température de fusion Tf minimale de l'alliage eutectique Al-Ge. En effet, de part et d'autre de la composition eutectique stricte, des compositions d'alliage existent dont les températures de fusion Tf associées restent inférieures à la température seuil que l'on souhaite ne pas dépasser. Ainsi, il est tout à fait envisageable, y compris lorsqu'une des pièces 15 1, 2 à assembler comprend au moins un dispositif ou élément de dispositif microélectronique susceptible d'être endommagé à une température supérieure à ladite température seuil, que la composition eutectique stricte de l'alliage ne soit respectée qu'à plus ou moins 10% près. De préférence, la composition eutectique stricte sera respectée à plus ou moins 5% près. 20 En référence à la figure 5, le procédé de scellement 100 selon le mode de réalisation illustré peut en outre comprendre, avant de mettre en contact et sous pression 150 les pièces 1, 2 l'une avec l'autre et d'appliquer un recuit 160, une étape de rinçage 145 à l'eau déionisée, puis une étape de séchage 146, de l'une au moins parmi la surface libre de la deuxième couche 5 est la surface 25 libre de la couche complémentaire 5a. Ces étapes sont paramétrées pour éliminer au moins une partie d'oxyde natif de germanium. Un tel oxyde natif est en effet susceptible de se former entre d'une part le dépôt 130, 140 de chaque couche de germanium 5, 5a et d'autre part les étapes de mise en contact et sous pression140 et d'application d'un recuit 160. Ces dernières sont réalisées 30 de préférence au plus tôt après les étapes de rinçage et de séchage, afin d'éviter tout contact prolongé des substrats 1, 2 avec de l'oxygène. 25 En référence aux figures 5 et 6B, le procédé de scellement 100 de pièces 1, 2 entre elles via un alliage eutectique 3 à base d'aluminium 3a comprend ensuite les étapes suivantes : - Mettre en contact et sous pression 150 les surfaces d'assemblage la, 2a 5 de la première pièce 1 et de la deuxième pièce 2 entre elles par l'intermédiaire des première et deuxième couches 4, 5 et de la couche complémentaire 5a, la deuxième couche 5 étant au contact, voire directement au contact, de la couche complémentaire 5a, et - Appliquer un recuit 160 jusqu'à atteindre, voire dépasser, une 10 température de fusion Tf propre audit alliage eutectique 3, L'on forme ainsi, à partir des première et deuxième couches 4, 5 et de la couche complémentaire 5a, une brasure 3ab, telle qu'illustrée sur la figure 6B, à base dudit alliage eutectique 3 entre les première et deuxième pièces 1, 2. L'étape de mise en contact et sous pression 150 est au moins en partie 15 concomitante à l'étape d'application d'un recuit 160. Ceci a été illustré sur la figure 5 par la disposition des cadres référencés 150 et 160 dans un cadre plus grand les incluant et par l'absence de flèche entre les cadres 150 et 160. Par ailleurs, les étapes de mise sous pression 150 et de recuit 160 s'appliquent au moins sur chacune parmi les première et deuxième couches 4, 5 et la couche 20 complémentaire 5a. Elles permettent de transformer, en les chauffant, ces trois couches 4, 5 et 5a en un liquide à la composition eutectique, puis elles permettent de transformer, en le refroidissant, ce liquide à la composition eutectique en une microstructure eutectique. Lorsque chacune des deux pièces comprend des éléments de dispositifs 25 microélectroniques, il peut être nécessaire de soigner l'alignement des pièces entre elles, lors de leur mise en contact et sous pression 140, de sorte à placer correctement les éléments de dispositifs microélectroniques les uns par rapport aux autres. En particulier dans ce contexte, la mise en contact et sous pression 140 30 des deux pièces entre elles peut être réalisée, par une machine de manipulation d'au moins une des pièces 1, 2, cette machine étant équipée par exemple d'un système de repérage par laser pour contrôler l'alignement des 26 pièces entre elles. De façon plus générale, la mise en contact 140 des deux pièces 1, 2 peut être réalisée par un opérateur. Lorsque chacune des deux pièces 1, 2 comprend une tranche présentant un diamètre égal à 200 mm, les étapes de mise sous pression 150 et de recuit 5 160 peuvent comprendre l'une au moins parmi : l'application d'au moins un niveau de pression d'une des deux pièces 1,2 sur l'autre selon une direction perpendiculaire à leurs faces circulaires la, 2a mises en contact 150, la pression étant comprise entre 0,05 Mpa et 3 Mpa, de préférence comprise entre 0,1 Mpa et 10 0,5 Mpa, et l'application d'au moins un niveau de force de compression d'une des deux pièces 1,2 sur l'autre selon une direction perpendiculaire à leurs faces circulaires 1 a, 2a mises en contact 150, la norme de la force étant comprise entre 2 kN et 90 kN. 15 Lorsque chacune des deux pièces présente des couches à base de germanium 5 et 5a relativement planes, et présentant plus particulièrement une rugosité de surface inférieure à 100 nm PV (pour « peak-to-valley » selon la terminologie anglo-saxonne), l'application d'un niveau de pression telle qu'énoncée ci-dessus peut être équivalente à l'application du niveau de force 20 telle qu'énoncée ci-dessus. Au contraire, lorsque l'une au moins des deux pièces présente des couches à base de germanium 5 et 5a ayant une rugosité de surface plus importante, par exemple due à la présence d'éléments de dispositifs microélectroniques, tels que des cordons de soudure, la pression qu'exerce une force de compression donnée d'une pièce sur l'autre n'est pas 25 répartie de manière homogène à l'interface de contact entre les pièces 1, 2. Dans ce cas, il peut être préférable de considérer le critère de niveau de force de compression, plutôt que le critère de niveau de pression. Il est à noter en outre que, si les gammes de valeurs de niveau de pression et/ou de niveau de force de compression données ci-dessus sont adaptées à des substrats se 30 présentant sous la forme de plaques de diamètre égal à 200 mm, elles sont réputées pouvoir être adaptées à d'autres dimensions de plaques au prix d'un effort raisonnable de réflexion, par exemple en effectuant des essais de routine. 27 La mise en contact et sous pression 150 comprend donc l'application d'une pression, et plus particulièrement d'une évolution de pression déterminée, d'une des pièces 1, 2 sur l'autre ; et l'application d'un recuit 160 comprend la soumission des pièces et des couches 4, 5 et 5a (et 6 le cas échéant) 5 intercalées à une température déterminée, et plus particulièrement à une évolution de température déterminée. Plus particulièrement, la pression et la température appliquées peuvent varier lors des étapes de mise sous pression 150 et de recuit 160 dans les gammes de valeurs définies plus haut. Les étapes de mise sous pression 150 et de recuit 160 sont en outre 10 réalisées sous vide. De préférence, ce vide est un vide poussé, correspondant à une pression comprise entre 10-3 et 10-7 mbar, par exemple égale à 5.10-5 mbar. Un exemple de réalisation des étapes de mise sous pression 150 et de recuit 160 en termes d'évolution de pression et de température appliquées est 15 illustré sur la figure 4. Selon cet exemple, appliqué à des pièces prenant la forme de tranches et à un alliage eutectique Al-Ge, les étapes de mise sous pression 150 et de recuit 160 peuvent comprendre au moins l'une des phases suivantes : - une première phase, de préférence d'une durée t1 comprise entre 10 et 20 30 min, et par exemple égale à 20 min, durant laquelle : o un premier niveau de pression P1, par exemple égal à 0,1 MPa, d'une des deux pièces 1, 2 sur l'autre est appliqué selon une direction perpendiculaire à leurs faces circulaires la, 2a et o la température est accrue depuis l'ambiante jusqu'à une première 25 température seuil T1, par exemple égale à 415°C ; - une deuxième phase, de préférence d'une durée t2-t1 comprise entre 5 min et 10 h, par exemple égale à 1 h, durant laquelle : o un deuxième niveau de pression P2, par exemple égal à 0,5 MPa, d'une des deux pièces 1, 2 sur l'autre est appliqué toujours selon la 30 direction perpendiculaire aux faces circulaires 1 a, 2a, et o la première température seuil T1 est maintenue ; - une troisième phase, de préférence d'une durée t3-t2 comprise entre 10 et 30 min, durant laquelle : 28 o le deuxième niveau de pression P2 est maintenu et o la température est accrue depuis la première température seuil T1 jusqu'à une température 12 comprise entre 424°C et 450°C ; - une quatrième phase, de préférence d'une durée t4-t3 comprise entre 5 1 min et 1h, par exemple égale à 10 min, durant laquelle le deuxième niveau de pression P2 et la température T2 sont maintenus ; - une cinquième phase, de préférence d'une durée t544 comprise entre 10 et 30 min, durant laquelle : o le deuxième niveau de pression P2 est maintenue et 10 o la température est abaissée depuis la dernière température T2 jusqu'à la température T1, par exemple avec une rampe de 1°C par minute ; - une sixième phase, de préférence d'une durée t5-t5 comprise entre 10 et 30 min, durant laquelle : 15 o le premier niveau de pression P1 est appliquée et o la température est abaissée depuis la température T1 jusqu'à la température ambiante, par exemple avec une rampe de 20°C par minute. Lorsque la température à laquelle les pièces 1, 2 et les couches 20 intercalées entre ces pièces sont soumises à la température T2 comprise entre 424°C et 450°C, le germanium déposé sur la première couche 4 à base d'aluminium migre à travers la couche d'oxyde d'aluminium 4a et forme avec l'aluminium un film liquide de composition eutectique. Plus particulièrement, lorsque chacune des deux pièces présente un 25 diamètre égal à 200 mm, le premier niveau de pression P1 est de préférence égal à 0,1 MPa et le deuxième niveau de pression P2 est compris entre 0,5 MPa et 3 MPa. Le diamètre des pièces peut également être égal à 300 mm, auquel cas les valeurs des premier et deuxième niveaux de pression pourront être identiques à celles énoncées ci-dessus en augmentant la force (en kN) 30 appliquée pour exercer chacun desdits niveaux de pression. Une fois la température redevenue égale à l'ambiante, la pression exercée par l'une des deux pièces sur l'autre est relâchée et l'ensemble formé des deux pièces 1, 2 scellées entre elles par la microstructure eutectique 3ab à base 29 d'aluminium et de germanium peut être récupéré. Cet ensemble peut alors subir éventuellement d'autres traitements et potentiellement conduire in fine à la fabrication d'un système microélectronique. En observant la figure 6B et en la comparant aux figures 1B et 2B, il 5 apparaît clairement que la brasure 3ab obtenue est exempte de fissuration et de cavité. L'exemple donné ci-dessus de réalisation des étapes de mise sous pression 150 et de recuit 160 illustré sur la figure 4 n'est pas limitatif de l'invention. Plus particulièrement, il est également possible d'appliquer une 10 température T2 supérieure à la température de fusion de l'alliage tactique, avant même que les pièces soient mises en contact et sous pression 150 entre elles. Auquel cas un film liquide se forme à la surface de la première couche 4 à base d'aluminium à partir d'une partie de la première couche 4 à base d'aluminium et de la deuxième couche 5 à base de germanium. Ladite partie de la première 15 couche 4 à base d'aluminium peut s'étendre sur toute la surface de la première couche 5 et sur une épaisseur déterminée de cette couche. Ladite épaisseur déterminée est proportionnelle à l'épaisseur de la deuxième couche 5 à base de germanium. Suite à la formation de ce film liquide, les pièces 1, 2 sont mises en contact et sous pression 150, par exemple un niveau de pression égal à 20 0,16 Mpa (pour des substrats de 200mm de diamètre) pendant 10 min. Pendant ce temps, les phases solides de germanium et d'aluminium encore présentes de part et d'autres du film liquide diffusent dans le film liquide (en passant éventuellement à travers ce qui reste des couches d'oxyde natif), et ce jusqu'à la fusion complète de l'empilement Al/Ge. L'ensemble est ensuite refroidit et la 25 solidification de l'alliage eutectique Al-Ge scelle l'interface entre les deux pièces 1, 2. EXEMPLE DE RÉALISATION Selon un exemple de réalisation, un scellement eutectique Al-Ge a été réalisé en utilisant le procédé décrit ci-dessus en référence aux figures 4, 5 et 30 6A. Selon cet exemple, des tranches ou plaques 1, 2 de silicium de 200 mm de diamètre sont d'abord recouvertes de 50 nm de TiN déposé par PVD, en 30 tant que sous-couche 6. Ensuite, une première couche 4, d'aluminium et d'une épaisseur de 1000 nm, est déposée par évaporation sur une première plaque 1. La surface de la première couche 4 d'aluminium est ensuite remise à l'air et un oxyde natif se forme sur l'aluminium. Une deuxième couche 4, de germanium et 5 d'une épaisseur de 10 nm, est ensuite déposée par évaporation sur la première couche 4 d'aluminium oxydée en surface. Sur la deuxième plaque, une couche complémentaire 5a, de germanium et d'une épaisseur de 590 nm, est déposée sur le TiN par évaporation. Juste avant le scellement, les plaques 1, 2 sont rincées 145 à l'eau 10 déionisée puis séchées 146 pour éliminer l'oxyde natif de germanium. Les deux plaques 1, 2 sont ensuite placées dans un équipement de scellement sous vide, à 5.10-5 mbar. L'équipement de scellement peut être celui développée et commercialisé par la société Süss® sous l'appellation commerciale CBB. La température est alors élevée jusqu'à 450 °G, par exemple 15 avec une rampe de 20 °C/min. Ensuite, les plaques 1, 2 sont mises en contact et une pression de 0,2 MPa est appliquée sur les faces circulaires arrières des plaques. Cette pression est maintenue constante jusqu'à la fin du procédé. La température est maintenue constante pendant 10 min, puis le refroidissement s'effectue jusqu'à 400 °C, par exemple avec une rampe de 1 °C/min. Enfin, les 20 plaques sont refroidies jusqu'à la température ambiante, par exemple avec une rampe de 20 °C/min. L'invention n'est pas limitée aux modes de réalisations précédemment décrits et s'étend à tous les modes de réalisation couverts par les revendications. 25 L'on peut citer, parmi les modes de réalisation couverts, celui selon lequel le procédé de scellement 100 comprend la fourniture 110 de trois plaques, voire plus, destinées à être mises en contact et sous pression 150 deux à deux en un même empilement. Les plaques destinées à avoir une position intermédiaire entre deux autres plaques peuvent être traités (ou « processés ») de sorte que : 30 une première couche 4 à base d'aluminium soit déposée sur une de leurs faces circulaires et que chaque première couche 4 à base 31 d'aluminium soit recouverte d'une deuxième couche 5 à base de germanium, et Une couche complémentaire 5a soit déposée sur l'autre de leurs faces circulaires. 5 Un tel mode de réalisation aboutit donc à la formation d'une pluralité d'interface de scellement 3ab, chacune de ces interfaces de scellement 3 étant située entre deux substrats premiers voisins entre eux dans l'empilement. Selon un autre exemple, une pièce 1, 2 fournie 110 peut comprendre deux morceaux et une brasure 3ab à base d'un alliage eutectique comprenant 10 de l'aluminium entre les deux morceaux. La brasure 3ab scelle entre eux les deux morceaux et a été obtenue par mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel les deux morceaux jouent le rôle des première et deuxième pièces 1, REVENDICATIONS1. Procédé de scellement (100) de pièces (1, 2) entre elles avec un alliage eutectique (3) à base d'aluminium (3a), le procédé comprenant les 5 étapes suivantes - Fournir (110) au moins deux pièces (1,2), chaque pièce présentant une surface d'assemblage (1 a, 2a) par scellement à au moins une autre pièce parmi lesdites au moins deux pièces, - Déposer (120) au moins une première couche (4) à base d'aluminium au 10 moins sur la surface d'assemblage (1a) d'une première pièce (1) parmi lesdites au moins deux pièces, - Oxyder au moins une surface libre de la première couche (4), puis - Déposer (130) une deuxième couche (5) à base d'un élément (3b) propre à former, avec de l'aluminium (3a), ledit alliage eutectique (3), au 15 moins sur la première couche (4), et - Déposer (140) une couche complémentaire (5a) à base dudit élément (3b) propre à former, avec de l'aluminium (3a), ledit alliage eutectique (3) au moins sur la surface d'assemblage (2a) d'une deuxième pièce (2) parmi lesdites au moins deux pièces, puis 20 - Mettre en contact et sous pression (150) les surfaces d'assemblage (1a, 2a) de la première pièce (1) et de la deuxième pièce (2) entre elles, la deuxième couche (5) étant directement au contact de la couche complémentaire (5a), et - Appliquer un recuit (160) jusqu'à atteindre, voire dépasser, une 25 température de fusion Tf propre audit alliage eutectique (3), de sorte à former, à partir des première et deuxième couches (4, 5) et de la couche complémentaire (5a), une brasure (3ab) à base dudit alliage eutectique (3) entre les première et deuxième pièces (1, 2). 30 2. Procédé (100) selon la revendication précédente, dans lequel l'étape d'oxydation (125) résulte en la formation d'une couche superficielle (4a) d'oxyde d'aluminium par oxydation de la première couche (4), la couche superficielle (4a) présentant par exemple une épaisseur comprise entre 1 et 10 nm. 33 3. Procédé (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les étapes de dépôt (120, 130, 140) de la première couche (4), de la deuxième couche (5) et de la couche complémentaire (5a) sont paramétrées de sorte que le ratio entre - une épaisseur de la première couche (4) et - une épaisseur cumulée de la deuxième couche (5) et de la couche complémentaire (5a), respecte une composition eutectique de l'alliage eutectique (3), à plus ou moins 10 10% près, de préférence à plus ou moins 5% près. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la température atteinte lors du recuit (160) ne dépasse pas une valeur seuil prédéterminée au-dessus de laquelle l'une quelconque parmi les 15 première et deuxième pièces (1, 2), voire parmi lesdites au moins deux pièces, serait fonctionnellement et négativement impactée. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel, lors de l'étape de fourniture (110), au moins une pièce (1, 2) parmi 20 lesdites au moins deux pièces comprend au moins un dispositif ou élément microélectronique, par exemple un cordon de soudure, et dans lequel la température atteinte lors du recuit (160) ne dépasse pas une valeur seuil prédéterminée au-dessus de laquelle ledit au moins un dispositif ou élément microélectronique serait fonctionnellement et négativement impacté. 25 6. Procédé selon l'une quelconque des deux revendications précédentes, dans lequel ladite valeur seuil prédéterminée de température est égale à 500°C, et de préférence égale à 450°C. 30 7. Procédé (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'étape de dépôt (130) de la deuxième couche (5) et l'étape de dépôt (140) de la couche complémentaire (5a) sont paramétrées de 34 sorte qu'une épaisseur cumulée de la deuxième couche (5) et de la couche complémentaire (5a) soit supérieure à 10 nm. 8. Procédé (100) selon l'une quelconque des revendications 5 précédentes, dans lequel l'étape d'oxydation (125) résulte en la formation d'une couche superficielle (4a) d'oxyde d'aluminium par oxydation de la première couche (4), et dans lequel l'étape de dépôt (130) de la deuxième couche (5) est paramétrée de sorte qu'une épaisseur de la deuxième couche (5) soit supérieure à une épaisseur de la couche superficielle (4a), de préférence supérieure au double de l'épaisseur de la couche superficielle (4a). 9. Procédé (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel au moins l'une parmi les première et deuxième pièces (1, 2), voire parmi lesdites au moins deux pièces, est à base de l'un au moins parmi les matériaux suivants : le silicium, la silice, le verre, le saphir, l'alumine, le germanium, le phosphure d'indium, le nitrure de gallium, le sulfure de gallium, l'arséniure de gallium, le nitrure de gallium et le carbure de silicium. 10. Procédé (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre au moins l'une des étapes suivantes : - Avant l'étape de dépôt (120) de la première couche (4), former (115) une sous-couche (6), de préférence chimiquement inerte, au moins sur la surface d'assemblage (1 a) de la première pièce (1) et - Avant l'étape de dépôt (140) de la couche complémentaire (5a), former (116) une sous-couche (6), de préférence chimiquement inerte, au moins sur la surface d'assemblage (2a) de la deuxième pièce (2). 11. Procédé (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'étape de dépôt (120) de la première couche (4) est 30 paramétrée de sorte que la première couche (4) présente une épaisseur comprise entre 50 nm et 10 pm, de préférence comprise entre 500 nm et 5 pm. 35 12. Procédé (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel chacune parmi les première et deuxième pièces (1, 2), voire parmi les dites au moins deux pièces, comprend une tranche à base d'un matériau semi-conducteur, chaque tranche présentant deux faces 5 circulaires opposées, par exemple d'un diamètre égal à 200 mm, et dans lequel les surfaces d'assemblages (1a, 2a) des première et deuxième pièces (1, 2) sont chacune formée par une desdites faces circulaires, et l'étape de mise en contact et sous pression (150) des surfaces d'assemblage (la, 2a) comprend l'une au moins parmi : 10 l'application d'au moins un niveau de pression d'une des deux pièces (1,2) sur l'autre selon une direction perpendiculaire à leurs surfaces d'assemblage (la, 2a), ledit niveau de pression étant compris entre 0,05 Mpa et 3 Mpa, de préférence compris entre 0,1 Mpa et 0,5 Mpa, et l'application d'au moins un niveau de force de compression d'une des 15 deux pièces (1,2) sur l'autre selon une direction perpendiculaire à leurs surfaces d'assemblage (1a, 2a), ledit niveau de force étant compris entre 2 kN et 90 kN, de préférence compris entre 2 kN et 90 kN. 13. Procédé (100) selon l'une quelconque des revendications 20 précédentes, dans lequel chacune des deux pièces (1, 2) comprend une tranche à base d'un matériau semi-conducteur, et dans lequel les surfaces d'assemblages (1 a, 2a) des première et deuxième pièces (1, 2) sont chacune formée par une desdites faces circulaires, et les étapes de mise en contact et sous pression (150) et d'application d'un recuit (160) comprennent : 25 Pendant une première durée t1, de préférence comprise entre 10 et min, et par exemple égale à 20 min : o l'application d'un premier niveau de pression P1, par exemple égal à 0,1 MPa, d'une des deux pièces (1, 2) sur l'autre selon une direction perpendiculaire à leurs surfaces d'assemblage (1a, 2a) et 30 o une montée en température depuis l'ambiante jusqu'à une première température seuil T1 inférieure à la température de fusion Tf dudit alliage eutectique, par exemple la première température seuil T1 étant inférieure à la température de fusion Tf d'une valeur au plus 36 égale à 10%, de préférence au plus égale à 5%, de la valeur de ladite température de fusion Tf, puis - Pendant une deuxième durée t2-t1, de préférence comprise entre 5 min et 10 h, par exemple égale à 1 h : 5 o l'application d'un deuxième niveau de pression P2 supérieur au premier niveau de pression P1, par exemple un deuxième niveau de pression P2 égal à 0,5 MPa, d'une des deux pièces (1, 2) sur l'autre selon une direction perpendiculaire à leurs surfaces d'assemblage (1a, 2a) et 10 o un maintien de la première température seuil T-1, puis Pendant une troisième durée t3-t2, de préférence comprise entre 2 et 10 min, o un maintien du deuxième niveau de pression P2, o une montée en température depuis la première température seuil 15 Ti jusqu'à une deuxième température seuil 12 supérieure ou égale à la température de fusion Tf dudit alliage eutectique, par exemple la deuxième température seuil T2 étant supérieure à la température de fusion Tf d'une valeur au plus égale à 10%, de préférence au plus égale à 5%, de la valeur de ladite température 20 de fusion, puis - Pendant une quatrième durée t4-t3, de préférence comprise entre 1 min et 1 h, le maintien du deuxième niveau de pression P2 et de la température T2, Pendant une cinquième durée t5-t4, de préférence comprise entre 10 et 25 30 min : o au moins l'un parmi le maintien du deuxième niveau de pression P2 et l'application d'un niveau de pression inférieur au niveau de pression P2, le cas échéant l'application du niveau de pression inférieur au niveau de pression P2 succédant au maintien du 30 deuxième niveau de pression P2, par exemple le niveau de pression inférieur étant égal au premier niveau de pression P1, et o un refroidissement jusqu'à l'ambiante. 37 14. Procédé (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les étapes de mise en contact et sous pression (150) et l'étape d'application d'un recuit (160) sont réalisées sous vide, à une pression comprise entre 10-3 et 10-7 mbar, par exemple égale à 5.10-5 mbar. 15. Procédé (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'élément (3b) propre à former, avec de l'aluminium (3a), ledit alliage eutectique (3) est choisi parmi : le germanium, le silicium, l'or, le cuivre. 5 10