Brevet FR3079350A1 — publié le 20190927

B16845 - DD18591 1 DISPOSITIF D'AFFICHAGE EMISSIF A LED ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF Domaine La présente demande concerne le domaine des dispositifs optoélectroniques. Elle concerne plus particulièrement un dispositif d'affichage émissif à diodes électroluminescentes (LED), aussi appelé micro-écran à LED, et un procédé de fabrication d'un tel dispositif. Exposé de l'art antérieur On a déjà proposé un dispositif d'affichage émissif comportant un ensemble de plusieurs LED, par exemple au nitrure 10 de gallium, et un circuit de contrôle permettant de commander individuellement les LED pour afficher des images. On s'intéresse ici plus particulièrement au cas où le circuit de contrôle est intégré dans et sur un substrat semiconducteur, par exemple un substrat de silicium, par exemple 15 en technologie CMOS. Pour réaliser un tel dispositif, on peut prévoir de fabriquer séparément le circuit de contrôle et l'ensemble de LED, puis de les connecter l'un à l'autre pour former le dispositif d'affichage. Du côté d'une de ses faces, le circuit de contrôle 20 comprend une pluralité de plots métalliques, chaque plot étant destiné à être connecté à une électrode d'une LED de l'ensemble B16845 - DD18591 2 de LED, pour pouvoir commander les LED individuellement. L'ensemble de LED est par exemple réalisé de façon monolithique sur un substrat de support, puis rapporté sur le circuit de contrôle de façon que chaque LED ait une électrode (anode ou 5 cathode) connectée à l'un des plots métalliques du circuit de contrôle. Une difficulté réside dans la nécessité d'aligner précisément le circuit de contrôle et l'ensemble de LED lors de l'étape d'assemblage de ces deux éléments, de façon que chaque LED vienne bien se positionner sur le plot métallique qui lui correspond dans le circuit de contrôle. Cet alignement est notamment difficile à réaliser lorsque le pas des pixels diminue, et constitue un frein à l'augmentation de la résolution et/ou de la densité d'intégration des pixels. Résumé Ainsi, un mode de réalisation prévoit un dispositif d'affichage comprenant un premier circuit intégré comportant : un ensemble de plusieurs diodes électroluminescentes, chaque diode comportant un empilement vertical d'une première 20 couche semiconductrice d'un premier type de conductivité et d'une deuxième couche semiconductrice du deuxième type de conductivité, et les diodes étant séparées les unes des autres par des tranchées pour chaque diode, une première électrode disposée sur 25 et en contact avec la face de la deuxième couche opposée à la première couche ; une deuxième électrode commune à ladite pluralité de diodes, la deuxième électrode s'étendant dans les tranchées et à la périphérie de la pluralité de diodes et étant en contact, dans 30 chaque diode, avec la première couche semiconductrice ; et du côté d'une face du premier circuit opposée à la première couche semiconductrice, une structure de connexion comprenant une couche diélectrique dans laquelle sont disposés une pluralité de plots de connexion identiques ou similaires, 35 régulièrement répartis sur toute la surface du premier circuit, B16845 - DD18591 3 chaque diode ayant sa première électrode en contact avec au moins un plot de la structure de connexion, et la deuxième électrode étant en contact avec plusieurs plots de la structure de connexion en périphérie de la pluralité de diodes. 5 Selon un mode de réalisation, le dispositif comporte en outre un deuxième circuit intégré formé dans et sur un substrat semiconducteur, le deuxième circuit comportant, pour chaque diode du premier circuit, un plot métallique destiné à être connecté à la première électrode de la diode, et une électrode métallique 10 destinée à être connectée à la deuxième électrode du premier circuit. Selon un mode de réalisation, les premier et deuxième circuits sont fixés l'un à l'autre par collage direct hybride de façon que chaque première électrode du premier circuit soit 15 connectée électriquement à un plot métallique du deuxième circuit, et que la deuxième électrode du premier circuit soit connectée électriquement à l'électrode du deuxième circuit. Selon un mode de réalisation, le deuxième circuit comprend une structure de connexion comprenant une couche diélectrique dans laquelle sont disposés une pluralité de plots de connexion identiques ou similaires, régulièrement répartis sur toute la surface du deuxième circuit, chaque plot métallique du deuxième circuit étant en contact avec au moins un plot de connexion de la structure de connexion du deuxième circuit, et l'électrode du deuxième circuit étant en contact avec plusieurs plots de connexion de la structure de connexion du deuxième circuit dans une région périphérique de l'électrode du deuxième circuit. Selon un mode de réalisation, le deuxième circuit comprend, pour chaque plot métallique du deuxième circuit, une cellule élémentaire de contrôle comportant un ou plusieurs transistors, permettant de contrôler le courant circulant dans la diode correspondante du premier circuit et/ou une tension appliquée aux bornes de la diode correspondante du premier circuit. B16845 - DD18591 4 Selon un mode de réalisation, le deuxième circuit est réalisé en technologie CMOS. Selon un mode de réalisation, les diodes du premier circuit sont des diodes au nitrure de gallium. 5 Selon un mode de réalisation, dans le premier circuit, chaque diode électroluminescente comprend en outre une couche émissive entre les première et deuxième couches semiconductrices de la diode. Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de 10 fabrication d'un dispositif d'affichage tel que défini ci-dessus, dans lequel la formation du premier circuit comprend les étapes successives suivantes : a) déposer successivement, sur une face d'un substrat de support, un empilement vertical comprenant, dans l'ordre à 15 partir de ladite face du substrat, les première et deuxième couches semiconductrices et une couche métallique ; b) former, depuis la face de l'empilement opposée au substrat de support, des tranchées traversant ledit empilement sur toute sa hauteur et délimitant les différentes diodes du 20 premier circuit ; et c) former, dans lesdites tranchées, une métallisation en contact, au niveau de chaque diode, avec la première couche semiconductrice de l'empilement. Selon un mode de réalisation, l'étape b) comprend une 25 première étape de formation partielle des tranchées jusqu'à un niveau intermédiaire de la première couche semiconductrice, suivie d'une étape de dépôt d'une couche isolante sur les flancs des tranchées, suivie d'une étape de prolongement des tranchées jusqu'à la face inférieure de la première couche semiconductrice. 30 Selon un mode de réalisation, la métallisation formée à l'étape c) s'étend sur toute la hauteur de la tranchée. Selon un mode de réalisation, la métallisation formée à l'étape c) s'étend sur une partie seulement de la hauteur des tranchées, jusqu'à un niveau intermédiaire de la première couche B16845 - DD18591 5 semiconductrice, la partie supérieure des tranchées étant comblée par un matériau isolant. Brève description des dessins Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, 5 seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : les figures LA et 1B sont des vues en coupe illustrant de façon schématique et partielle des étapes successives d'un 10 exemple d'un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage émissif à LED ; les figures 2A et 2B sont des vues en coupe illustrant de façon schématique et partielle des étapes successives d'un exemple d'un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage 15 émissif à LED selon un mode de réalisation ; les figures aA, 3B, 3C, 3D, 3E, 3F et 3G sont des vues en coupe illustrant plus en détail des étapes successives d'un exemple d'un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage émissif à LED selon un mode de réalisation ; et 20 les figures 4A, 4B, 4C, 4D, 4E et 4F sont des vues en coupe illustrant des étapes successives d'un autre exemple d'un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage émissif à LED selon un mode de réalisation. Description détaillée 25 De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures et, de plus, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. Par souci de clarté, seuls les éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En 30 particulier, la réalisation d'un circuit intégré de contrôle de LED n'a pas été détaillée, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec les structures et procédés de fabrication usuels de tels circuits de contrôle. De plus, la composition et l'agencement des différentes couches d'un empilement actif de LED 35 n'ont pas été détaillés, les modes de réalisation décrits étant B16845 - DD18591 6 compatibles avec les empilements actifs usuels de LED. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, 5 tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence à l'orientation des figures, étant entendu que, en pratique, les dispositifs et assemblages décrits peuvent être orientés 10 différemment. Sauf précision contraire, les expressions "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Les figures LA et 1B sont des vues en coupe illustrant de façon schématique et partielle des étapes successives d'un 15 exemple d'un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage émissif à LED. La figure LA illustre une étape initiale au cours de laquelle on fabrique, de manière séparée, un premier circuit intégré 100 comportant une pluralité de LED, et un deuxième 20 circuit intégré 150, correspondant au circuit de contrôle des LED. Le circuit 100 comprend un substrat de support 101, par exemple en saphir, en silicium, en nitrure de gallium (GaN), ou en tout autre matériau sur lequel un empilement actif de LED peut être déposé. Le circuit 100 comprend en outre une pluralité de 25 LED 103, par exemple identiques ou similaires, disposées sur la face supérieure du substrat de support 101. Vu de dessus, les LED 103 sont par exemple disposées en matrice selon des rangées et des colonnes, par exemple régulièrement réparties sur la face supérieure du substrat 101. Chaque LED 103 comprend un empilement 30 vertical comprenant, dans l'ordre à partir de la face supérieure du substrat 101, une première couche semiconductrice 105 dopée d'un premier type de conductivité, par exemple de type N, une couche émissive 107, et une deuxième couche semiconductrice 109 dopée du deuxième type de conductivité, par exemple de type P. 35 Les couches 105 et 109 sont par exemple en nitrure de gallium. La B16845 - DD18591 7 couche émissive 107 est par exemple constituée par un empilement d'une ou plusieurs couches émissives formant chacune un puit quantique, par exemple à base de GaN, InN, InGaN, AlGaN, AlN, AlInGaN, GaP, AlGaP, AlInGaP, ou d'une combinaison d'un ou 5 plusieurs de ces matériaux. A titre de variante, la couche émissive 107 peut être une couche de nitrure de gallium intrinsèque, c'est-à-dire non intentionnellement dopée. Plus généralement, l'homme du métier saura choisir le ou les matériaux de la couche émissive 107 en fonction de la longueur d'onde 10 d'émission souhaitée, par exemple pour une émission dans le domaine visible, dans le domaine ultraviolet, ou dans le domaine infrarouge. Dans cet exemple, la face inférieure de la couche émissive 107 est en contact avec la face supérieure de la couche 15 105, et la face supérieure de la couche émissive 107 est en contact avec la face inférieure de la couche 109. En pratique, selon la nature du substrat 101, un empilement d'une ou plusieurs couches tampon (non représentées) peut faire interface entre le substrat de support 101 et la couche semiconductrice 105. 20 Les LED élémentaires 103 du circuit 100 sont séparées les unes des autres par des tranchées verticales s'étendant, dans cet exemple, sur toute l'épaisseur de l'empilement des couches 105, 107 et 109 et débouchant sur la face supérieure du substrat de support 101 ou, le cas échéant, de la couche tampon (non 25 représentée) séparant le substrat de support 101 de la couche semiconductrice 105. Plus particulièrement, dans cet exemple, les tranchées de séparation des LED forment, vu de dessus, un quadrillage tel que chaque maille du quadrillage comprenne une unique LED 103, et tel que chaque LED 103 soit disposée dans une 30 maille du quadrillage. Le circuit 100 comprend, pour chaque LED 103, une électrode métallique 111 disposée sur et en contact avec la face supérieure de la couche semiconductrice 109 de la LED. Dans cet exemple, l'électrode 111 s'étend sur toute la surface supérieure 35 de la couche semiconductrice 109 de la LED. B16845 - DD18591 8 Le circuit 100 comprend de plus une électrode métallique 113 commune à l'ensemble des LED 103. L'électrode 113 s'étend dans les tranchées séparant les LED 103 et à la périphérie de l'ensemble de LED 103. Vu de dessus, l'électrode 113 forme une grille continue 5 telle que chaque maille de la grille contienne une unique LED 103, et tel que chaque LED 103 soit disposée dans une maille de la grille. Dans chaque LED 103, la couche semiconductrice inférieure 105 de la LED est en contact avec l'électrode commune 113. Plus particulièrement, dans l'exemple représenté, dans chaque LED 103, 10 l'électrode 113 est en contact avec une partie inférieure des flancs de la couche semiconductrice 105 de la LED, sur toute la périphérie de la LED. Dans cet exemple, chaque LED 103 comprend en outre, dans une partie supérieure de la LED, un mur d'isolation périphérique 115, en un matériau diélectrique, en contact, sur 15 toute la périphérie de la LED, avec les flancs de l'électrode supérieure 111, de la couche semiconductrice 109 et de la couche émissive 107 de la LED, ainsi qu'avec une partie supérieure des flancs de la couche semiconductrice 105 de la LED. Le mur d'isolation périphérique 115 permet notamment d'isoler 20 électriquement l'électrode 113 de l'électrode 111 et des couches 109 et 107 de la LED. Dans cet exemple, la face supérieure de l'électrode 113, les faces supérieures des électrodes 109, et les faces supérieures des murs d'isolation 115 sont sensiblement au même niveau (c'est- 25 à-dire sensiblement coplanaires) et définissent une surface continue sensiblement plane, formant la face de connexion du circuit 100. Ainsi, la face de connexion du circuit 100 comprend une alternance de régions métalliques (les électrodes 111 et 113) et de régions diélectriques (les murs d'isolation 115). 30 Le circuit de contrôle 150 est formé dans et sur un substrat semiconducteur 151, par exemple un substrat en silicium. Dans cet exemple, le circuit de contrôle 150 comprend, du côté de sa face supérieure, pour chacune des LED du circuit 100, un plot métallique de connexion 161 destiné à être connecté à l'électrode 35 111 de la LED, de façon à pouvoir commander un courant circulant B16845 - DD18591 9 dans la LED et/ou appliquer une tension aux bornes de la LED. Le circuit de contrôle 150 comprend par exemple, pour chaque LED, connectée au plot métallique 161 dédié à la LED, une cellule élémentaire de contrôle (non détaillée) comportant un ou plusieurs 5 transistors, permettant de contrôler le courant circulant dans la LED et/ou une tension appliquée aux bornes de la LED. Le circuit de contrôle 150 est par exemple réalisé en technologie CMOS. Dans l'exemple représenté, le circuit de contrôle 150 comprend en outre, du côté de sa face supérieure, une électrode 10 métallique 163 destinée à être connectée à l'électrode commune 113 du circuit de LED 100. Chaque cellule élémentaire de contrôle du circuit 150 est par exemple connectée à l'électrode 163. Dans l'exemple représenté, les plots 161 et l'électrode 163 du circuit intégré 150 ont, en vue de dessus, sensiblement 15 les mêmes dimensions et la même disposition que les électrodes 111 et 113 du circuit de LED 100. Autrement dit, dans cet exemple, vu de dessus, l'électrode 163 forme une grille continue telle que chaque maille de la grille contienne un unique plot 161, et tel que chaque plot 161 soit disposé dans une maille de la grille. 20 Les plots 161 sont séparés latéralement de l'électrode 163 par un anneau 165 en matériau diélectrique, par exemple de l'oxyde de silicium. Dans cet exemple, les anneaux 165 ont, vu de dessus, sensiblement les mêmes dimensions de la même disposition que les murs d'isolation 115 du circuit 100. 25 Dans cet exemple, la face supérieure de l'électrode 163, les faces supérieures des plots 161, et les faces supérieures des anneaux d'isolation 165 sont sensiblement au même niveau (c'est-à-dire sensiblement coplanaires) et forment ensemble une surface continue sensiblement plane, formant la face de connexion du 30 circuit 150. Ainsi, la face de connexion du circuit 150 comprend une alternance de régions métalliques (les plots 161 et l'électrode 163) et de régions diélectriques (les régions 165), formant un motif identique ou similaire au motif formé par les régions métalliques et diélectriques de la face de connexion du 35 circuit 100. B16845 - DD18591 10 La figure 1B illustre une étape postérieure à la réalisation des circuits 100 et 150 de la figure 1B, au cours de laquelle le circuit de LED 100 est rapporté sur le circuit de contrôle 150, face de connexion tournée vers la face de connexion 5 du circuit de contrôle 150. Lors de cette étape, la face de connexion du circuit de LED 100 (à savoir sa face inférieure dans l'orientation de la figure 1B) est fixée à la face de connexion du circuit de contrôle 150 (à savoir sa face supérieure dans l'orientation de la figure 1B) de façon que chaque électrode 111 10 du circuit de LED 100 soit en contact mécaniquement et électriquement avec un plot métallique 161 du circuit de contrôle 150, et que l'électrode commune 113 du circuit de LED 100 soit en contact mécaniquement et électriquement avec l'électrode 163 du circuit de contrôle 150. 15 Dans cet exemple, la face de connexion du circuit de LED 100 est fixée à la face de connexion du circuit de contrôle 150 par collage direct hybride, c'est-à-dire par collage direct métal-métal des électrodes 111 du circuit 100 sur les plots de connexion 161 du circuit 150 et de l'électrode 113 du circuit 100 sur 20 l'électrode 163 du circuit 150, et par collage direct diélectrique-diélectrique des murs d'isolation 115 du circuit 100 sur les anneaux isolants 165 du circuit 150. Par collage direct, on entend ici un collage de type moléculaire, sans apport de matière adhésive ou de brasure à l'interface entre le circuit de 25 LED 100 et le circuit de contrôle 150. La figure 1B illustre en outre une étape postérieure au collage du circuit de LED 100 sur le circuit de contrôle 150, au cours de laquelle le substrat de support 101 du circuit de LED 100 est retiré. Si une couche tampon était prévue entre le substrat 30 de support 101 et la couche semiconductrice 105 du circuit de LED 100, la couche tampon peut également être retirée lors de cette étape, de façon à exposer la face de la couche semiconductrice 105 opposée au circuit de contrôle 150 (à savoir sa face supérieure de l'orientation de la figure 1B). Dans cet exemple, le dispositif 35 d'affichage est en effet destiné à émettre de la lumière du côté B16845 - DD18591 11 de sa face opposée au circuit de contrôle 150, à savoir sa face supérieure dans l'orientation de la figure 1B. La prévision d'un collage direct hybride entre le circuit de LED 100 et le circuit de contrôle 150 est avantageuse 5 en ce qu'elle permet d'obtenir un alignement particulièrement précis du circuit de LED 100 par rapport au circuit de contrôle 150. En effet, dans le cas d'un collage direct, une fois les deux circuits alignés, une simple mise en contact des circuits suffit à figer la position finale du circuit de LED 100 par rapport au 10 circuit de contrôle 150. Autrement dit, le collage est instantané. Ceci constitue une différence par rapport à un collage avec apport de matière, par exemple par brasure, dans lequel une étape de compression et/ou de chauffage doit être mise en oeuvre après l'alignement et la mise en contact des deux circuits, ce qui peut 15 conduire à un désalignement des circuits. Un problème qui se pose dans le procédé décrit en relation avec les figures LA et 1B est que le taux d'occupation de la face de connexion du circuit de LED 100 par du métal (et par conséquent le taux d'occupation de la face de connexion du 20 circuit de contrôle 150 par du métal, les faces de connexion des deux circuits étant symétriques) est relativement élevé, typiquement supérieur à 70%, et par exemple supérieur à 80%. En effet, la face de connexion du circuit de LED 100 est constituée essentiellement par le métal des électrodes 111 et 113 des LED, 25 le matériau diélectrique des murs d'isolation 115 n'occupant qu'une faible portion de la face de connexion. De plus, la répartition du métal sur la face de connexion du circuit de LED 100 (et par conséquent la répartition du métal sur la face de connexion du circuit de contrôle 150) n'est pas 30 homogène. En effet, comme cela apparaît sur les figures LA et 1B, la grille métallique formant l'électrode commune 113 du circuit de LED 100 peut comprendre un cadre périphérique relativement large, par exemple de largeur (distance entre le bord extérieur et le bord intérieur du cadre) supérieure au pas inter-pixels 35 (c'est-à-dire la distance centre à centre entre deux LED 103 B16845 - DD18591 12 voisines) du dispositif, par exemple de largeur supérieure à deux fois le pas inter-pixels du dispositif. Il en résulte que le taux d'occupation de la face de connexion du circuit de LED 100 par du métal est plus élevé à la périphérie de l'ensemble de LED qu'à 5 l'intérieur de la matrice de LED. Pour obtenir un collage direct hybride de bonne qualité, il serait préférable que le taux d'occupation des faces de connexion des circuits 100 et 150 soit moins élevé, et que la répartition du métal sur les faces de connexion des circuits 100 10 et 150 soit plus homogène. En effet, préalablement à l'étape de collage proprement dite, les faces de connexion des circuits 100 et 150 sont planarisées par polissage mécano-chimique (CMP). La planéité de surface obtenue lors de cette étape conditionne la qualité du collage direct hybride des deux circuits. Toutefois, 15 pour obtenir une bonne planéité de surface, il est préférable que le taux d'occupation de la face de connexion par du métal soit relativement faible, et que la distribution du métal sur la face de connexion soit la plus homogène possible. Les figures 2A et 2B sont des vues en coupe illustrant 20 de façon schématique et partielle des étapes successives d'un exemple d'un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage émissif à LED selon un mode de réalisation. La figure 2A illustre une étape initiale au cours de laquelle on fabrique, de manière séparée, un premier circuit 25 intégré 200 comportant une pluralité de LED, et un deuxième circuit intégré 250, correspondant au circuit de contrôle des LED. Le circuit de LED 200 de la figure 2A comprend les mêmes éléments que le circuit de LED 100 de la figure LA, agencés sensiblement de la même manière. Ces éléments ne seront pas 30 détaillés à nouveau ci-après. Le circuit de LED 200 de la figure 2A diffère du circuit de LED 100 de la figure LA principalement en ce qu'il comprend en outre, du côté de sa face supérieure, une structure de connexion 201, s'étendant sur sensiblement toute la surface du circuit. B16845 - DD18591 13 La structure de connexion 201 comprend une couche diélectrique 203 revêtant la face supérieure de l'électrode commune 113, des électrodes individuelles 111, et des murs d'isolation 115 du circuit (correspondant à la face supérieure ou 5 face de connexion du circuit 100 de la figure LA). A titre d'exemple, la face inférieure de la couche diélectrique 203 est en contact avec la face supérieure de l'électrode commune 113, avec la face supérieure des électrodes individuelles 111, et avec la face supérieure des murs d'isolation 115. 10 La structure de connexion 201 comprend en outre une pluralité de plots de connexion métalliques élémentaires 205 disjoints, identiques ou similaires, disposés dans des cavités traversantes formées dans la couche diélectrique 203. Les plots de connexion 205 s'étendent verticalement de la face inférieure à 15 la face supérieure de la couche diélectrique 203. Dans cet exemple, la face supérieure de la couche diélectrique 201 et les faces supérieures des plots métalliques 205 sont sensiblement au même niveau (c'est-à-dire sensiblement coplanaires) et définissent une surface continue sensiblement plane, formant la 20 face de connexion du circuit 200. Dans cet exemple, les seuls éléments métalliques visibles en face supérieure de la structure de connexion 201 sont les plots 205. Les plots de connexion 205 sont régulièrement répartis sur toute la surface du circuit 200. En vue de dessus, les plots de connexion 205 sont par exemple 25 disposés en matrice selon des rangées et des colonnes. A titre d'exemple, en vue de dessus, un même motif élémentaire constitué d'un plot 205 entouré par une portion de la couche diélectrique 203 est répété de façon périodique sur toute la surface supérieure du circuit, dans la direction des rangées et des colonnes de la 30 matrice de LED. A titre d'exemple, le pas inter-plots pl (c'est-à-dire la distance centre à centre entre deux plots 205 voisins de la structure de connexion 201) est sensiblement identique dans la direction des rangées et des colonnes de la matrice, et est sensiblement identique sur toute la surface de la matrice. De 35 préférence, vu de dessus, le taux d'occupation de la structure de B16845 - DD18591 14 connexion 201 par les plots métallique est compris entre 5 et 50%, par exemple de l'ordre de 25%. Dans chaque LED 103 du circuit de LED 200 de la figure 2A, l'électrode 111 de la LED est en contact, par sa face 5 supérieure, avec la face inférieure d'au moins un plot de contact 205 de la structure de connexion 201. De plus, l'électrode commune 113 du circuit de LED est en contact, en périphérie de l'ensemble de LED 103, avec plusieurs plots 205 de la structure de connexion 201. Dans cet exemple, un même plot 205 de la structure de 10 connexion n'est en contact qu'avec une électrode 111 ou 113 du circuit de LED. Dans l'exemple représenté, le pas inter-plots pl de la structure de connexion 201 est inférieur au pas inter-pixels p2 du circuit 200, de façon que, à l'intérieur de l'ensemble de LED 15 103, l'électrode commune 113 du circuit soit en contact avec des plots 205 de la structure de connexion 201. Les modes de réalisation décrits ne se limitent toutefois pas à ce cas particulier. A titre de variante, le pas inter-plots pl de la structure de connexion 201 peut être égal ou sensiblement égal au 20 pas inter-pixels p2 du circuit 200, auquel cas l'électrode commune 113 du circuit n'est en contact avec des plots 205 qu'a la périphérie de l'ensemble de LED 103, et non à l'intérieur de l'ensemble de LED 103. Chaque plot de connexion 205 a par exemple, en vue de dessus, une surface inférieure à la surface de 25 l'électrode 111 d'une LED du circuit. A titre d'exemple, le pas inter-pixels p2 du dispositif est compris entre 2 et 30 pin, et la largeur des LED élémentaires est comprise entre 0,5 et 25 pin. Le circuit de contrôle 250 de la figure 2B est similaire au circuit de contrôle 150 de la figure 1B, à ceci près que, dans 30 l'exemple de la figure 2B, la face de connexion du circuit de contrôle est adaptée pour présenter le même motif métallique et diélectrique que la face de connexion du circuit de LED 200. A titre d'exemple, le circuit de contrôle 250 de la figure 2B comprend les mêmes éléments que le circuit de contrôle 35 150 de la figure 1B, agencés sensiblement de la même manière, et B16845 - DD18591 15 comprend en outre, du côté de sa face supérieure, une structure de connexion 251 similaire à la structure de connexion 201 du circuit de LED 200, s'étendant sur sensiblement toute la surface du circuit de contrôle 250. 5 En particulier, la structure de connexion 251 comprend une couche diélectrique 253 revêtant la face supérieure de l'électrode commune 163, des électrodes individuelles 161, et des anneaux d'isolation 165 du circuit (correspondant à la face supérieure ou face de connexion du circuit 150 de la figure LA). 10 A titre d'exemple, la face inférieure de la couche diélectrique 253 est en contact avec la face supérieure de l'électrode commune 163, avec la face supérieure des électrodes individuelles 161, et avec la face supérieure des anneaux d'isolation 165. La structure de connexion 251 comprend en outre une 15 pluralité de plots de connexion métalliques élémentaires 255 disjoints, identiques ou similaires, disposés dans des cavités traversantes formées dans la couche diélectrique 253. Les plots de connexion 255 s'étendent verticalement de la face inférieure à la face supérieure de la couche diélectrique 253. Dans cet 20 exemple, la face supérieure de la couche diélectrique 251 et les faces supérieures des plots métalliques 255 sont sensiblement au même niveau (c'est-à-dire sensiblement coplanaires) et définissent une surface continue sensiblement plane, formant la face de connexion du circuit 250. Dans cet exemple, les seuls 25 éléments métalliques visibles en face supérieure de la structure de connexion 251 sont les plots 255. En vue de dessus, les dimensions et la répartition des plots de connexion 255 de la structure de connexion 251 du circuit de contrôle 250 sont identiques ou similaires aux dimensions et à 30 la répartition des plots de connexion 205 de la structure de connexion 201 du circuit de LED 200. Ainsi, chaque plot 161 du circuit de contrôle 250 de la figure 2A est en contact, par sa face supérieure, avec la face inférieure d'au moins un plot de contact 255 de la structure de 35 connexion 251. De plus, la partie périphérique de l'électrode B16845 - DD18591 16 commune 163 du circuit de contrôle 250 est en contact avec plusieurs plots 255 de la structure de connexion 251. La figure 2B illustre une étape postérieure à la réalisation des circuits 200 et 250 de la figure 2A, au cours de 5 laquelle le circuit de LED 200 est rapporté sur le circuit de contrôle 250, face de connexion tournée vers la face de connexion du circuit de contrôle 250. Lors de cette étape, la face de connexion du circuit de LED 200 (à savoir sa face inférieure dans l'orientation de la figure 2B) est fixée à la face de connexion 10 du circuit de contrôle 250 (à savoir sa face supérieure dans l'orientation de la figure 2B) de façon que chaque plot de connexion 205 du circuit de LED 200 soit en contact mécaniquement et électriquement avec un plot de connexion 255 du circuit de contrôle 250. 15 Dans cet exemple, la face de connexion du circuit de LED 200 est fixée à la face de connexion du circuit de contrôle 250 par collage direct hybride, c'est-à-dire par collage direct métal-métal des plots de connexion 205 du circuit 200 sur les plots de connexion 255 du circuit 250, et par collage direct diélectrique- 20 diélectrique de la couche diélectrique 203 du circuit 200 sur la couche diélectrique 253 du circuit 250. La figure 2B illustre en outre une étape postérieure au collage du circuit de LED 200 sur le circuit de contrôle 250, au cours de laquelle le substrat de support 101 du circuit de LED 25 100, et, le cas échéant, une couche tampon (non représentée) prévue entre le substrat 101 et la couche semiconductrice 105, sont retirés de façon à exposer la face de la couche semiconductrice 105 opposée au circuit de contrôle 250. Un avantage du mode de réalisation des figures 2A et 2B 30 réside dans la prévision, côté circuit LED 200, d'une structure de connexion 201, et, côté circuit de contrôle 250, d'une structure de connexion correspondante 251, permettant d'obtenir, au niveau des faces de connexion des deux circuits, une répartition des motifs métalliques mieux adaptée à la réalisation 35 d'un collage direct hybride de bonne qualité que la répartition B16845 - DD18591 17 imposée, dans l'exemple des figures LA et 1B, par les contraintes de distribution du courant et/ou de chaleur dans le circuit LED. En particulier, la structure de connexion 201 permet que le taux d'occupation de la face de connexion du circuit de LED 200 (et 5 par conséquent le taux d'occupation de la face de connexion du circuit de contrôle 250 par du métal) soit inférieur au taux d'occupation par du métal au niveau de la face supérieure des électrodes métalliques 111 et 113 du circuit de LED. De plus, la structure de connexion 201 permet que la répartition du métal sur 10 la face de connexion du circuit de LED 200 (et par conséquent la répartition du métal sur la face de connexion du circuit de contrôle 250) soit plus homogène que la répartition du métal au niveau de la face supérieure des électrodes métalliques 111 et 113 du circuit de LED. 15 Les figures aA, 3B, 3C, 3D, 3E, 3F et 3G sont des vues en coupe illustrant plus en détail des étapes successives d'un exemple d'un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage émissif à LED selon un mode de réalisation. Les figures aA, 3B, 3C, 3D, 3E, 3F et 3G illustrent plus particulièrement des étapes 20 successives d'un exemple d'un procédé de fabrication du circuit de LED 200 décrit en relation avec la figure 2A. La figure aA illustre une étape au cours de laquelle on dépose successivement, sur la face supérieure du substrat de support 101, la couche semiconductrice 105, la couche émissive 25 107 et la couche semiconductrice 109 formant un empilement actif de LED. A ce stade, les couches 105, 107 et 109 s'étendent de façon continue sur sensiblement toute la surface supérieure du substrat de support 101. Les couches 105, 107 et 109 sont par exemple déposées par épitaxie sur la face supérieure du substrat 30 de support 101. En pratique, selon la nature du substrat 101, un empilement d'une ou plusieurs couches tampon (non représentées) peut faire interface entre le substrat de support 101 et la couche semiconductrice inférieure 105. La figure aA illustre en outre une étape de dépôt, sur 35 et en contact avec la face supérieure de la couche semiconductrice B16845 - DD18591 18 109, d'une couche métallique 111 formant une électrode supérieure de l'empilement actif de LED. Dans cet exemple, la couche métallique 111 est déposée de façon continue sur sensiblement toute la surface supérieure de la couche 109. La couche métallique 5 111 est par exemple déposée par dépôt physique en phase vapeur (PVD). A titre d'exemple, la couche métallique 111 est en cuivre ou en titane. La figure 3B illustre une étape de formation de tranchées 301 s'étendant verticalement dans l'empilement de 10 couches obtenu à l'issue des étapes de la figure aA, depuis la face supérieure de l'empilement, c'est-à-dire depuis la face supérieure de la couche métallique 111. Les tranchées 301 traversent entièrement les couches 111, 109 et 107 et s'interrompent à un niveau intermédiaire de la couche 15 semiconductrice inférieure 105. En vue de dessus, les tranchées 301 forment un quadrillage continu délimitant les différentes LED 103 du circuit. La figure 3C illustre une étape de dépôt d'une couche diélectrique 115, par exemple en oxyde de silicium, sur toute la 20 surface supérieure de la structure obtenue à l'issue des étapes des figures aA et 3B, c'est-à-dire sur les flancs et sur le fond des tranchées 301 et sur la face supérieure des électrodes supérieures 111 des LED 103. La couche 115 est de préférence déposée par une méthode de dépôt conforme, par exemple par dépôt 25 en couches monoatomiques successives (JUD). A titre d'exemple, l'épaisseur de la couche isolante 115 est comprise entre 10 nm et 1 pin. La figure 3D illustre une étape de retrait de la couche diélectrique 115 au fond des tranchées 301 et sur la face 30 supérieure des électrodes 111 des LED 103. Lors de cette étape, la couche 115 est conservée sur les parois latérales des tranchées 301. Pour cela, la couche 115 est par exemple gravée par gravure anisotrope verticale. La figure 3D illustre de plus une étape de retrait, par 35 gravure, des portions de la couche semiconductrice inférieure 105 B16845 - DD18591 19 situées au fond des tranchées 301, de façon à prolonger les tranchées 301 jusqu'à la face supérieure du substrat 101, ou le cas échéant, jusqu'à la face supérieure de la couche tampon faisant interface entre le substrat 101 et la couche 5 semiconductrice 105. A l'issue de cette étape, les différentes LED 103 sont entièrement isolées électriquement les unes des autres par les tranchées 301. La figure 3E illustre une étape de dépôt d'une métallisation 113, par exemple en cuivre ou en titane, sur les 10 parois latérales et sur le fond des tranchées 301 obtenues à l'issue des étapes de la figure 3D. Dans l'exemple représenté, la métallisation 113 comble entièrement les tranchées 301. A titre d'exemple, la métallisation 113 est réalisée par un procédé de type damascène, comprenant une étape de dépôt d'une couche 15 métallique sur toute la surface supérieure de l'assemblage, sur une épaisseur suffisante pour combler les tranchées 301, suivie d'une étape de polissage mécanochimique de la face supérieure de l'assemblage pour planariser la face supérieure du dispositif et retirer les portions de la couche métallique surmontant les LED 20 103, jusqu'à exposer la face supérieure des murs d'isolation 115 (de façon à isoler l'électrode commune 113 des électrodes 111). La figure 3F illustre une étape de dépôt de la couche diélectrique 203 de la structure de connexion 201, sur et en contact avec la face supérieure de la structure obtenue à l'issue 25 des étapes de la figure 3E. La couche diélectrique 203 est par exemple en oxyde de silicium ou en nitrure de silicium. La couche 203 est par exemple déposée par dépôt chimique en phase vapeur (PVD), ou par toute autre méthode de dépôt adaptée. La couche diélectrique 203 est initialement déposée de façon continue sur 30 sensiblement toute la surface supérieure de la structure obtenue à l'issue des étapes de la figure 3E, c'est-à-dire sur la face supérieure des électrodes 113 et 111 et sur la face supérieure des murs d'isolation 115 du circuit. La figure 3F illustre en outre une étape de gravure 35 localisée de la couche diélectrique 203, pour former dans la B16845 - DD18591 20 couche 203 des ouvertures traversantes 303 débouchant sur les faces supérieures des électrodes 111 et 113 et destinées à contenir les plots de connexion 205 de la structure de connexion 201. 5 La figure 3G illustre une étape de remplissage des ouvertures 303 par du métal, par exemple du titane ou du cuivre, pour former les plots de connexion 205 de la structure de connexion 201. A titre d'exemple, les plots de connexion 205 sont réalisés par un procédé de type damascène, comprenant une étape de dépôt 10 d'une couche métallique sur toute la surface supérieure de la structure obtenue à l'issue des étapes de la figure 3F, sur une épaisseur suffisante pour combler les ouvertures 303, suivie d'une étape de polissage mécanochimique de la face supérieure de la structure pour planariser la face supérieure du circuit et retirer 15 les portions de la couche métallique surmontant la couche diélectrique 203 entre les ouvertures 303, de façon à isoler les plots de connexion 205 les uns des autres. A l'issue de cette étape, on obtient un circuit de LED 200 identique ou similaire à celui de la figure 2A, dont la face supérieure ou face de connexion 20 est sensiblement plane et comprend une alternance de régions métalliques (les plots 205) et de régions diélectriques (les portions de la couche 203 entourant latéralement les plots 205). Les figures 4A, 4B, 4C, 4D, 4E et 4F sont des vues en coupe illustrant des étapes successives d'un autre exemple d'un 25 procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage émissif à LED selon un mode de réalisation. Les figures 4A, 4B, 4C, 4D, 4E et 4F illustrent plus particulièrement des étapes successives d'un exemple d'un procédé de fabrication d'une variante de réalisation du circuit de LED 200 décrit en relation avec la figure 2A. 30 La figure 4A illustre une étape identique ou similaire à l'étape décrite en relation avec la figure aA, au cours de laquelle on dépose successivement, sur la face supérieure du substrat de support 101, la couche semiconductrice 105, la couche émissive 107 et la couche semiconductrice 109, formant un 35 empilement actif de LED, puis la couche métallique d'électrode B16845 - DD18591 21 111 sur et en contact avec la face supérieure de la couche semiconductrice 109. La figure 4B illustre une étape de formation de tranchées 401 s'étendant verticalement dans l'empilement de 5 couches obtenu à l'issue des étapes de la figure 4A, depuis la face supérieure de l'empilement, c'est-à-dire depuis la face supérieure de la couche métallique 111. Dans cet exemple, les tranchées 401 traversent entièrement les couches 111, 109, 107 et 105 et s'interrompent sur la face supérieure du substrat de 10 support 101, ou, le cas échéant, sur la face supérieure d'une couche tampon faisant interface entre le substrat 101 et la couche semiconductrice 105. En vue de dessus, les tranchées 401 forment un quadrillage continu délimitant les différentes LED 103 du circuit. On notera que dans cet exemple, les étapes de formation 15 d'un mur d'isolation périphérique 115 en partie supérieure des LED 103, décrites en relation avec les figures 3B, 3C et 3D, ne sont pas prévues. Ainsi, à l'issue de l'étape de formation de tranchées de la figure 4B, les flancs des couches 111, 109, 107 et 105 des LED sont exposés sur toute leur hauteur. 20 La figure 4C illustre une étape de remplissage partiel des tranchées 401 par une couche métallique 403. Plus particulièrement, dans cet exemple, la couche métallique 403 comble le fond des tranchées, jusqu'à un niveau inférieur à la face supérieure de la couche semiconductrice 105. Autrement dit, 25 dans chaque LED 103, la couche métallique 403 est en contact avec une partie inférieure des flancs de la couche semiconductrice 105 de la LED, sur toute la périphérie de la LED. La couche métallique 403 n'est en revanche pas en contact avec la partie supérieure des flancs de la couche 105, ni avec les flancs des couches 107, 30 109 et 111 des LED 103. La figure 4D illustre une étape au cours de laquelle on finit de remplir les tranchées 401 par un matériau isolant 405, par exemple de l'oxyde de silicium. A titre d'exemple, une couche du matériau isolant 405 est déposée sur toute la surface 35 supérieure de la structure obtenue à l'issue des étapes de la B16845 - DD18591 22 figure 4C, c'est-à-dire sur et en contact avec la face supérieure de la couche métallique 403, sur et en contact avec la partie supérieure des flancs de la couche 105 et les flancs des couches 107, 109 et 111 des LED 103, et sur et en contact avec la face 5 supérieure des électrodes 111 des LED 103. A titre d'exemple, la couche du matériau 405 est déposée sur une épaisseur supérieure à la profondeur de la partie supérieure des tranchées 401 non remplie par la couche métallique 403, de façon à combler entièrement les tranchées 401, puis une étape de polissage mécano- 10 chimique est mise en oeuvre pour planariser la face supérieure de la structure et exposer la face supérieure des électrodes 111 des LED 103. La figure 4E illustre une étape de reprise d'un contact électrique sur la couche métallique 403. Pour cela, on forme 15 d'abord dans la couche isolante 405, depuis sa face supérieure, une ouverture traversante débouchant sur la face supérieure de la couche métallique 413, par exemple en périphérie de l'ensemble de LED 103 du circuit. L'ouverture est ensuite remplie d'un métal 407, par exemple par un procédé de type damascène, de façon à 20 ramener le contact au niveau de la face supérieure du circuit. Dans l'exemple représenté, la métallisation de reprise de contact 407 est disposée en périphérie de l'ensemble de LED 103 et entoure entièrement l'ensemble de LED 103, mais ne s'étend pas à l'intérieur de l'ensemble de LED 103. A titre de variante, la 25 métallisation de reprise de contact 407 peut avoir un motif en forme de grille, similaire à celui de la couche métallique 403, s'étendant non seulement en périphérie de l'ensemble de LED 103 mais aussi à l'intérieur de l'ensemble de LED 103, entre des LED voisines du circuit. A l'issue de cette étape, les métallisations 30 403 et 407 définissent l'électrode commune 113 du circuit de LED. La figure 4F illustre une étape de dépôt de la couche diélectrique 203 de la structure de connexion 201, sur et en contact avec la face supérieure de la structure obtenue à l'issue des étapes de la figure 4E, puis de formation des plots de 35 connexion métalliques 205 dans la couche diélectrique 203, de B16845 - DD18591 23 façon similaire à ce qui a été décrit en relation avec les figures 3F et 3G (formation d'ouvertures traversantes débouchant sur les faces supérieures des métallisations 111 et 407, et remplissage des ouvertures par du métal pour former les plots 205). 5 A l'issue de cette étape, on obtient un circuit de LED 200' similaire au circuit 200 de la figure 2A, à la différence près que, dans le circuit 200', un isolant 405 plus épais que les murs d'isolation périphériques 115 du circuit 200 sépare les LED 103 les unes des autres. 10 Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas à l'exemple particulier décrit ci-dessus dans lequel les LED du dispositif sont à base de nitrure de gallium. Plus 15 généralement, REVENDICATIONS1. Dispositif d'affichage comprenant un premier circuit intégré (200 ; 200') comportant : un ensemble de plusieurs diodes électroluminescentes (103), chaque diode comportant un empilement vertical d'une 5 première couche semiconductrice (105) d'un premier type de conductivité et d'une deuxième couche semiconductrice (109) du deuxième type de conductivité, et les diodes étant séparées les unes des autres par des tranchées (301 ; 401) ; pour chaque diode, une première électrode (111) disposée 10 sur et en contact avec la face de la deuxième couche (109) opposée à la première couche (105) ; une deuxième électrode (113) commune à ladite pluralité de diodes, la deuxième électrode s'étendant dans les tranchées (301 ; 401) et à la périphérie de la pluralité de diodes et étant 15 en contact, dans chaque diode, avec la première couche semiconductrice (105) ; et du côté d'une face du premier circuit opposée à la première couche semiconductrice (105), une structure de connexion (201) comprenant une couche diélectrique (203) dans laquelle sont 20 disposés une pluralité de plots de connexion (205) identiques ou similaires, régulièrement répartis sur toute la surface du premier circuit, chaque diode (103) ayant sa première électrode (111) en contact avec au moins un plot (205) de la structure de connexion (201), et la deuxième électrode (113) étant en contact avec 25 plusieurs plots (205) de la structure de connexion (201) en périphérie de la pluralité de diodes. 2. Dispositif selon la revendication 1, comportant en outre un deuxième circuit intégré (250) formé dans et sur un substrat semiconducteur (151), le deuxième circuit comportant, 30 pour chaque diode du premier circuit (200), un plot métallique (161) destiné à être connecté à la première électrode (111) de la diode, et une électrode métallique (163) destinée à être connectée à la deuxième électrode (113) du premier circuit (200 ; 200'). B16845 - DD18591 25 3. Dispositif selon la revendication 2, dans lequel les premier (200 ; 200') et deuxième (250) circuits sont fixés l'un à l'autre par collage direct hybride de façon que chaque première électrode (111) du premier circuit (200 ; 200') soit connectée électriquement à un plot métallique (161) du deuxième circuit (250), et que la deuxième électrode (113) du premier circuit (200 ; 200') soit connectée électriquement à l'électrode (163) du deuxième circuit (250). 4. Dispositif selon la revendication 2 ou 3, dans lequel le deuxième circuit (250) comprend une structure de connexion (251) comprenant une couche diélectrique (253) dans laquelle sont disposés une pluralité de plots de connexion (255) identiques ou similaires, régulièrement répartis sur toute la surface du deuxième circuit, chaque plot métallique (161) du deuxième circuit étant en contact avec au moins un plot de connexion (255) de la structure de connexion (251) du deuxième circuit (250), et l'électrode (163) du deuxième circuit étant en contact avec plusieurs plots de connexion (255) de la structure de connexion (251) du deuxième circuit (250) dans une région périphérique de l'électrode (163) du deuxième circuit. 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, dans lequel le deuxième circuit (250) comprend, pour chaque plot métallique (161) du deuxième circuit, une cellule élémentaire de contrôle comportant un ou plusieurs transistors, permettant de contrôler le courant circulant dans la diode (103) correspondante du premier circuit et/ou une tension appliquée aux bornes de la diode (103) correspondante du premier circuit. 6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 5, dans lequel le deuxième circuit (250) est réalisé en 30 technologie CMOS. 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel les diodes (103) du premier circuit (200 ; 200') sont des diodes au nitrure de gallium. 8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 35 1 à 7, dans lequel, dans le premier circuit (200 ; 200'), chaque B16845 - DD18591 26 diode électroluminescente (103) comprend en outre une couche émissive (107) entre les première (105) et deuxième (109) couches semiconductrices de la diode. 9. Procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage 5 selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la formation du premier circuit (200 ; 200') comprend les étapes successives suivantes : a) déposer successivement, sur une face d'un substrat de support (101), un empilement vertical comprenant, dans l'ordre 10 à partir de ladite face du substrat, les première (105) et deuxième (109) couches semiconductrices et une couche métallique (111) ; b) former, depuis la face de l'empilement opposée au substrat de support (101), des tranchées (301 ; 401) traversant ledit empilement sur toute sa hauteur et délimitant les 15 différentes diodes (103) du premier circuit ; et c) former, dans lesdites tranchées (301 ; 401), une métallisation en contact, au niveau de chaque diode (103), avec la première couche semiconductrice (105) de l'empilement. 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel 20 l'étape b) comprend une première étape de formation partielle des tranchées (301) jusqu'à un niveau intermédiaire de la première couche semiconductrice (105), suivie d'une étape de dépôt d'une couche isolante (115) sur les flancs des tranchées (301), suivie d'une étape de prolongement des tranchées jusqu'à la face 25 inférieure de la première couche semiconductrice (105). 11. Procédé selon la revendication 10, dans lequel la métallisation formée à l'étape c) s'étend sur toute la hauteur de la tranchée (301). 12. Procédé selon la revendication 9, dans lequel la métallisation formée à l'étape c) s'étend sur une partie seulement de la hauteur des tranchées (401), jusqu'à un niveau intermédiaire de la première couche semiconductrice (105), la partie supérieure des tranchées (401) étant comblée par un matériau isolant (405).