Brevet FR3082998A1 — publié le 20191227

- DD18354 1 DISPOSITIF ET PROCEDES POUR LE REPORT DE PUCES D'UN SUBSTRAT SOURCE VERS UN SUBSTRAT DESTINATION Domaine La présente demande concerne le domaine des techniques de transfert de puces d'un substrat source vers un substrat destination, pour la fabrication de dispositifs électroniques ou 5 optoélectroniques, et en particulier pour la fabrication d'un dispositif d'affichage d'images comportant une pluralité de puces électroniques élémentaires montées sur un même substrat de report. La présente demande vise plus particulièrement un dispositif pour le report de puces d'un substrat source vers un substrat 10 destination, un procédé de fabrication d'un tel dispositif, et une méthode de transfert de puces d'un substrat source vers un substrat destination au moyen d'un tel dispositif. Exposé de l'art antérieur Il a déjà été proposé, dans la demande de brevet français 15 n°1561421 déposée le 26 novembre 2015, un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage d'images comportant une pluralité de puces électroniques élémentaires disposées en matrice sur un même substrat de report. Selon ce procédé, les puces et le substrat de report sont fabriqués séparément. Chaque puce élémentaire comprend 20 un empilement d'une diode électroluminescente (LED) et d'un circuit de commande de la LED. Le circuit de commande comprend 316534 - DD18334 2 une face de connexion opposée a la LED, comprenant une pluralité de plages de connexion électrique destinées à être connectées au substrat de report pour la commande de la puce. Le substrat de report comprend quant a lui une face de connexion comportant, pour chaque puce, une pluralité de plages de connexion électrique destinées a être connectées respectivement aux plages de connexion électrique de la puce. Les puces sont ensuite reportées sur le substrat de report, faces de connexion tournées vers la face de connexion du substrat de report, et fixées sur le substrat de report de façon a connecter les plages de connexion électrique de chaque puce aux plages de connexion électrique correspondantes du substrat de report. Lors de la mise en oeuvre de l'étape de report, les puces élémentaires individualisées sont disposées sur un substrat de support, ou substrat source, chaque puce étant fixée au substrat source par sa face opposée a sa face de connexion électrique. Les puces sont ensuite positionnées en vis-à-vis des zones de connexion correspondantes du substrat de report, ou substrat destination, faces de connexion des puces tournées vers la face de connexion du substrat destination, en se servant du substrat source comme poignée. Les puces sont ensuite fixées sur le substrat destination de façon a mettre en contact les plages de connexion électrique de chaque puce avec les plages de connexion électrique correspondantes du substrat destination. Les puces sont alors détachées du substrat source, et ce dernier est retiré. En pratique, le pas des puces élémentaires sur le substrat source peut être inférieur au pas du dispositif final, c'est-à-dire au pas des puces sur le substrat destination. Dans ce cas, on prévoit, a chaque étape de transfert, de reporter une partie seulement des puces du substrat source sur le substrat destination, au pas du substrat source, puis, si besoin, de décaler le substrat source avec les puces restantes pour reporter une autre partie des puces, et ainsi de suite jusqu'à ce que 316534 - DD18354 3 toutes les puces du dispositif d'affichage aient été fixées sur le substrat destination. Une difficulté qui se pose dans un tel procédé est que l'énergie d'adhésion entre les puces élémentaires et le substrat 5 source doit être précisément maitrisée. En particulier, l'énergie d'adhésion entre les puces élémentaires et le substrat source doit être suffisamment élevée pour maintenir les puces en place lors du positionnement des puces en vis-à-vis des zones de réception correspondantes du substrat destination, mais suffisamment faible 10 pour que, une fois fixées au substrat destination, les puces se détachent du substrat source lors du retrait de ce dernier. Le contrôle, de façon précise et reproductible, de l'énergie d'adhésion entre les puces élémentaires et le substrat source, est délicat à réaliser, ce qui pose des problèmes 15 pratiques lors de la fabrication du dispositif d'affichage. Cette difficulté se trouve encore accentuée lorsque l'on souhaite pouvoir détacher les puces du substrat source de façon sélective pour réaliser un changement de pas entre le substrat source et le substrat destination tel que décrit ci-dessus. 20 Plus généralement, ce problème peut se poser dans d'autres domaines applicatifs nécessitant de transférer des puces élémentaires d'un substrat source vers un substrat destination. La demande de brevet internationale W02015/193435 décrit un dispositif et un procédé pour transférer des micro-objets tels 25 que des puces électroniques d'un substrat source vers un substrat destination. Dans ce document, les micro-objets sont reliés au substrat source par des attaches mécaniques sécables prévues pour rompre lorsqu'une contrainte mécanique prédéterminée leur est appliquée. Les micro-objets sont d'abord prélevés sur le substrat 30 source au moyen d'un substrat de transfert intermédiaire de type film élastomère (entrainant la rupture des attaches sécables), puis reportés sur le substrat destination au moyen du substrat de transfert intermédiaire. La solution proposée dans ce document présente toutefois divers inconvénients. En particulier, un inconvénient est que les attaches mécaniques sécables liant les 316534 - DD18334 micro-objets au substrat source occupent une surface relativement Importante sur le substrat source, ce qui restreint la densité surfacique de micro-objets pouvant être prévus sur le substrat source. De plus, ce document ne décrit pas la réalisation de 5 connexions électriques entre les micro-objets et le substrat source. Un autre inconvénient est lie a l'utilisation d'un substrat de transfert intermédiaire, qui rend la mise en oeuvre de l'opération de transfert relativement complexe (avec notamment le risque de dégrader les couches en contact avec l'outil de 10 transfert). Il serait souhaitable de pouvoir disposer d'une solution permettant de reporter des puces d'un substrat source sur un substrat destination, cette solution palliant au moins partiellement un ou plusieurs des inconvénients des solutions 15 connues. Il serait en particulier souhaitable de pouvoir disposer d'une solution de report adaptée a la fabrication d'un dispositif d'affichage du type décrit dans la demande de brevet français n°1561421 susmentionnée. 20 Assume Ainsi, un mode de réalisation prévoit un dispositif pour le report de puces d'un substrat source vers un substrat destination, comportant : un substrat source ayant une face inférieure et une face 25 supérieure ; et une pluralité de puces élémentaires disposées sur la face supérieure du substrat source, dans lequel chaque puce élémentaire est suspendue au-dessus du substrat source par au moins une attache mécanique 30 sécable, ladite au moins une attache mécanique sécable ayant une face inférieure fixée à la face supérieure du substrat source et une face supérieure fixée à la face inférieure de la puce. Selon un mode de réalisation, pour chaque puce, ladite au moins une attache mécanique sécable reliant la puce au substrat 35 source est située en totalité sous la puce. 316334 - DD18334 Selon un mode de réalisation, pour chaque puce, ladite au moins une attache mécanique sécable reliant la puce au substrat source est située en partie seulement sous la puce. Selon un mode de réalisation, pour chaque puce 5 élémentaire, une partie seulement de la face inférieure de la puce est en contact avec ladite au moins une attache mécanique sécable, la partie restante de la face inférieure de la puce étant séparée de la face supérieure du substrat source par une région libre de tout matériau solide. 10 Selon un mode de réalisation, chaque puce élémentaire comprend une ou plusieurs bornes de connexion électrique à un dispositif extérieur disposées du côté de sa face opposée au substrat source. Selon un mode de réalisation, chaque puce élémentaire 15 comprend en outre une ou plusieurs bornes de connexion électrique à un dispositif extérieur disposées du côté de sa face tournée vers le substrat source. Selon un mode de réalisation, la face supérieure du substrat source présente une rugosité de surface supérieure à 20 5 nm. Selon un mode de réalisation, chaque puce élémentaire comprend une LET. Selon un mode de réalisation, chaque puce élémentaire comprend un empilement d'une LET et d'un circuit élémentaire de 25 commande de la LET, le circuit élémentaire de commande étant disposé du côte de la LED opposé au substrat source. Selon un mode de réalisation, chaque puce élémentaire est un élément de conversion de longueur d'onde. Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de 30 fabrication d'un dispositif tel que défini ci-dessus, comportant les étapes successives suivantes : a) former sur la face supérieure du substrat source un premier empilement comprenant une alternance d'au moins une couche solide permanente et d'au moins une couche sacrificielle de façon 35 a définir les attaches mécaniques sécables du dispositif ; 316534 - DD18334 6 b) rapporter sur la face supérieure du premier empilement une couche fonctionnelle ; c) former des tranchées de singularisation traversant la couche fonctionnelle et délimitant les puces élémentaires du 5 dispositif ; et d) graver ladite au moins une couche sacrificielle de l'empilement de liaison sans retirer ladite au moins une couche solide permanente. Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de 10 fabrication d'un dispositif tel que défini ci-dessus, comportant les étapes successives suivantes : a) former une couche fonctionnelle sur une face d'un substrat de support temporaire ; b) former, sur la face de la couche fonctionnelle 15 opposée au substrat de support temporaire, un empilement de liaison comprenant une alternance d'au moins une couche solide permanente et d'au moins une couche sacrificielle de façon à définir les attaches mécaniques sécables du dispositif ; c) rapporter l'ensemble comprenant le substrat de 20 support temporaire, la couche fonctionnelle et l'empilement de liaison sur la face supérieure du substrat source, de façon que le substrat de support temporaire soit disposé du côté de l'empilement de liaison opposé au substrat source, puis retirer le substrat de support temporaire ; 25 d) former des tranchées de singularisation traversant la couche fonctionnelle et délimitant les puces élémentaires du dispositif ; et e) graver ladite au moins une couche sacrificielle de l'empilement de liaison sans retirer ladite au moins une couche 30 solide permanente. Selon un mode de réalisation, ladite au moins une couche solide permanente est en oxyde de silicium, et ladite au moins une couche sacrificielle est en silicium polycristallin. Selon un mode de réalisation, l'étape de gravure de 35 ladite au moins une couche sacrificielle de l'empilement de 316334 - DD18334 7 liaison sans retirer ladite au moins une couche solide permanente est réalisée par gravure à base de di-fluorure de xénon. Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de transfert de puces élémentaires d'un substrat source sur un 5 substrat destination au moyen d'un dispositif tel que défini ci-dessus, comprenant les étapes successives suivantes : positionner les puces élémentaire en vis-à-vis de zones de report correspondantes du substrat destination en se servant du substrat source comme poignée ; 10 fixer les puces élémentaires sur le substrat destination par leur face opposée au substrat source ; et éloigner le substrat source du substrat destination de façon à rompre les attaches mécaniques sécables reliant au substrat source les puces élémentaires désormais solidaires du 15 substrat destination. Selon un mode de réalisation, l'étape de fixation des puces élémentaires sur le substrat destination comprend la connexion électrique de bornes de connexion électrique préalablement formées sur la face des puces élémentaires opposée 20 au substrat source, à des bornes de connexion électrique correspondantes du substrat destination. Selon un mode de réalisation, le pas des puces élémentaires sur le substrat source est inférieur au pas des puces élémentaires sur le substrat destination. 25 Brève description des dessins Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : 30 les figures 1A, 1B, 10, 13, 1E, 1F et 1G sont des vues en coupe illustrant des étapes d'un exemple d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif pour le report de puces d'un substrat source sur un substrat destination ; la figure 2 est une vue en perspective partielle du 35 dispositif réalisé par le procédé des figures lk à 1G ; 316534 - DD18354 8 les figures 3A, 3B, 30, 3D, 3E, 3F et 3G sont des vues en coupe illustrant des étapes d'un exemple d'un autre mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif pour le report de puces d'un substrat source sur un substrat destination ; 5 et les figures 4A, 4B et 4C sont des vues en coupe illustrant des étapes d'un exemple d'un mode de réalisation d'un procédé de report de puces d'un substrat source sur un substrat destination au moyen d'un dispositif réalisé par le procédé des 10 figures lA à 1G ou par le procédé des figures 3A à 3G. Description détaillée De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures et, de plus, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. Par souci de clarté, 15 seuls les éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les structures et les fonctionnalités des puces élémentaires que l'on cherche à pouvoir transférer d'un substrat source vers un substrat destination n'ont pas été détaillées, les 20 modes de réalisation décrits étant compatibles avec toutes ou la plupart des structures et fonctionnalités de puces connues. De plus, les structures et les fonctions des dispositifs électroniques ou optoélectroniques que l'on cherche à réaliser n'ont pas été détaillées, les modes de réalisation décrits étant 25 compatibles avec la réalisation de tout dispositif nécessitant pour sa fabrication le report d'une ou plusieurs puces d'un substrat source vers un substrat destination. On notera que par puce, on entend ici une microstructure en couches minces, par exemple une structure dont toutes 30 les dimensions horizontales (c'est-à-dire les dimensions en vue de dessus) sont inférieures à 5 mm, par exemple inférieures à 1 mm, par exemple inférieures à 0,5 mm, par exemple inférieures à 0,1 mm, par exemple inférieures à 50 mm, et dont l'épaisseur est inférieure à 1 mm, par exemple inférieure à 0,5 mm, par exemple 35 inférieure à 0,1 mm, par exemple inférieure à 50 lm. Au sens de 316534 - DD18334 9 la présente description, une puce peut comprendre un ou plusieurs composants électroniques actifs et/ou passifs, et/ou un ou plusieurs composants optoélectroniques, et/ou un ou plusieurs composants optiques. 5 Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs 10 d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence à l'orientation des figures, étant entendu que, en pratique, les structures décrites peuvent être orientées différemment. Sauf précision contraire, les expressions "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" 15 signifient à 10 -(= près, de préférence à 5 (7, près. On prévoit ici de réaliser un assemblage comportant un substrat source ayant une face inférieure et une face supérieure, et une pluralité de puces élémentaires disposées sur la face supérieure du substrat source, chaque puce étant maintenue 20 suspendue au-dessus du substrat source par au moins une attache ou liaison mécanique sécable. Selon un aspect d'un mode de réalisation, chaque attache mécanique sécable a une face inférieure fixée à la face supérieure du substrat source et une face supérieure fixée à la face inférieure de la puce 25 correspondante. Ainsi, chaque attache mécanique sécable est située au moins en partie sous (à l'aplomb de) la puce correspondante. Ceci constitue une différence par rapport aux solutions décrites dans la demande de brevet internationale W02015/193435 susmentionnée, dans lesquelles les attaches mécaniques sécables 30 sont situées à côté des puces et fixées aux faces latérales des puces, ce qui limite la densité surfacique de puces (nombre de puces par unité de surface) pouvant être prévue sur la face supérieure du substrat source. Dans un mode de réalisation particulièrement avantageux, chaque attache mécanique sécable est 35 située en totalité sous la puce correspondante, de façon à 316534 - DD18334 10 maximiser la densité surfacique de puces pouvant être prévue sur la face supérieure du substrat source. Les figures 1A, 1B, 10, 13, 1E, 13 et 1G sont des vues en coupe schématiques et partielles illustrant des étapes 5 successives d'un exemple d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif pour le report de puces d'un substrat source sur un substrat destination. Plus particulièrement, les figures lA à 1G Illustrent des étapes d'un procédé de fabrication d'un dispositif comportant un substrat source 100, et une 10 pluralité de puces élémentaires 150, par exemple identiques ou similaires, suspendues au-dessus de la face supérieure du substrat 100, chaque puce 150 étant reliée au substrat 100 par au moins une attache sécable (deux dans l'exemple des figures 1A à 1G) reliant la face supérieure du substrat source 100 à la face 15 Inférieure de la puce 150. Par souci_ de simplification, une seule puce 150, ainsi que la portion correspondante du substrat 100, sont représentés sur les figures lA à 1G, étant entendu que, en pratique, un grand nombre de puces 150 peuvent être formées simultanément sur la face supérieure du substrat 100. 20 La figure lA illustre une étape de dépôt, sur la face supérieure du substrat source 100, par exemple un substrat en silicium, d'une couche de protection 102, par exemple en oxyde de silicium. La couche 102 est par exemple en contact avec la face supérieure du substrat 100. A titre d'exemple, la couche 102 25 s'étend de façon continue sur toute la surface supérieure du substrat 100. A titre d'exemple, la couche 102 présente une épaisseur comprise entre 0,1 et 1 pin. La figure lA Illustre en outre une étape de dépôt d'une couche sacrificielle 104 sur la face supérieure de la couche de 30 protection 102, par exemple en contact avec la face supérieure de la couche de protection 102. La couche 104 est en un matériau gravable de façon sélective par rapport au matériau de la couche 102. A titre d'exemple, la couche 104 est en silicium polycristallin. La couche 104 a par exemple une épaisseur comprise 35 entre 100 et 500 mn. La couche 104 comprend des ouvertures 316534 - DD18334 11 traversantes 105 débouchant sur la face supérieure de la couche de protection 102, définissant des zones d'ancrage des attaches mécaniques sécables a la face supérieure de la couche de protection 102. Dans cet exemple, pour chaque puce élémentaire 5 150, deux ouvertures 105 disjointes sont formées dans la couche sacrificielle 104, correspondant respectivement aux zones d'ancrage des deux attaches mécaniques sécables reliant la puce 150 au substrat 100. A titre d'exemple, la couche sacrificielle est d'abord déposée de façon continue sur toute la surface 10 supérieure de la couche de protection 102, puis retirée localement par photolithographie et gravure pour former les ouvertures 105. Les ouvertures 105 sont par exemple disposées sous les (a l'aplomb des) futures puces 150 du dispositif. A titre d'exemple, pour chaque puce 150 du dispositif, les ouvertures 105 ont la forme de 15 deux bandes parallèles, par exemple rectilignes, disposées sous deux moitiés distinctes de la puce 150. A titre d'exemple, chaque ouverture 105 a une longueur (non visible sur la figure 1P) sensiblement égale a la dimension horizontale de la puce 150 dans la direction longitudinale de la bande. Chaque ouverture 105 a 20 par exemple une largeur comprise entre 0,1 et 10 pin, par exemple entre 0,2 et 2 lm. La figure 18 illustre une étape de dépôt, sur et en contact avec la face supérieure de la couche sacrificielle 104, d'une couche 106 d'un matériau tel que le matériau de la couche 25 104 soit gravable de façon sélective par rapport aux matériaux des couches 102 et 106. A titre d'exemple, la couche 106 est en le même matériau que la couche 102. La couche 106 est déposée sur une épaisseur supérieure a celle de la couche sacrificielle 104, de manière à combler entièrement les ouvertures 105 préalablement 30 formées dans la couche sacrificielle 104. La couche 106 peut ensuite être planarisée, par exemple par polissage mécano-chimique (CMP), de façon qu'une épaisseur non nulle de la couche 106 subsiste au-dessus de la face supérieure de la couche sacrificielle 104 à l'issue de l'étape de planarisation. A titre 35 d'exemple, a l'issue de l'étape de planarisation, l'épaisseur de 316534 - DD18354 12 la couche 106 au-dessus de la face supérieure de la couche sacrificielle 104 est comprise entre 50 et 500 mm, par exemple entre 100 et 200 nm. Dans cet exemple, les attaches mécaniques sécables 5 reliant les puces 150 au substrat 100 sont formées dans la couche 106. La couche 106 comprend, pour chaque puce 150, une ou plusieurs ouvertures traversantes 107 débouchant sur la face supérieure de la couche sacrificielle 104 et délimitant au moins partiellement la ou les attaches mécaniques sécables destinées a relier la puce 10 150 au substrat 100. Dans l'exemple représenté, pour chaque puce 150, la couche 106 comprend deux ouvertures traversantes 107 disjointes ayant, en vue de dessus, la forme de bandes rectilignes parallèles aux ouvertures 105 préalablement formées dans la couche 104 (figure 1A). Plus particulièrement, dans cet exemple, vu de 15 dessus, les deux ouvertures 107 sont disposées entre les deux ouvertures 105, par exemple respectivement juxtaposées aux deux ouvertures 105. A titre d'exemple, chaque ouverture 107 a une longueur supérieure ou égale a la dimension horizontale de la puce 150 dans la direction longitudinale de la bande. Chaque ouverture 20 107 a par exemple une largeur comprise entre 0,05 et 10 lm, par exemple entre 0,1 et 1 lm. A titre d'exemple, la couche 106 est d'abord déposée de façon continue sur toute la surface de la structure obtenue a l'Issue des étapes de la figure 1A, puis retirée localement par photolithographie et gravure pour former 25 les ouvertures 107. La figure 1C Illustre une étape de dépôt d'une deuxième couche sacrificielle 108 sur et en contact avec la face supérieure de la couche 106. La couche 108 est en un matériau tel que la couche 108 soit gravable sélectivement par rapport aux couches 30 102 et 106. A titre l'exemple, la couche 108 est en le même matériau que la couche 104. L'épaisseur de la couche 108 est supérieure a l'épaisseur de la couche 106 au-dessus de la couche sacrificielle 104, de façon que la couche 108 comble entièrement les ouvertures 107 préalablement formées dans la couche 106 316534 - DD18334 13 (figure 1B). A titre d'exemple, l'épaisseur de la couche 108 est comprise entre 100 et 500 nm. La couche 108 est par exemple déposée sur toute la surface supérieure de la structure obtenue a l'issue des étapes 5 des figures lA et 13, puis retirée localement, par exemple par photolithographie et gravure, pour définir des zones 109 d'ancrage des attaches mécaniques sécables à la puce 150. Plus particulièrement, dans cet exemple, chaque zone d'ancrage 109 est disposée, en vue de dessus, a distance d'une ouverture 105 (figure 10 1A) préalablement formée dans la couche sacrificielle inférieure 104 (c'est-à-dire non juxtaposée a une ouverture 105), du côté de l'ouverture 105 oppose a l'ouverture 107 (figure 13) préalablement formée dans la couche 106. Dans l'exemple représenté, la couche 108 est en outre retirée en regard d'une partie centrale 111 de 15 la puce située, en vue de dessus, entre les deux ouvertures 107 préalablement formées dans la couche 106. La figure 13 illustre une étape de dépôt d'une couche de protection supérieure 112 sur et en contact avec la face supérieure de la structure obtenue a l'issue des étapes des 20 figures 1A, 13 et 1C. La couche 112 s'étend sur toute la surface supérieure de la structure, c'est-à-dire sur et en contact avec la face supérieure de la couche 108 et sur et en contact avec la face supérieure de la couche 106 dans les régions 109 et 111 dans lesquelles la couche 108 a été retirée. La couche 112 est en un 25 matériau tel que les couches 104 et 108 soient gravables sélectivement par rapport à la couche 112. A titre d'exemple, la couche 112 est en le même matériau que la couche 102 ou que la couche 106. La couche 112 est déposée sur une épaisseur supérieure a celle de la couche sacrificielle 108, de manière à combler 30 entièrement les ouvertures 109 et 111 préalablement formées dans la couche 108. La couche 112 peut ensuite être planarisée, par exemple par polissage mécano-chimique (CMP). A -Litre d'exemple, a l'issue de l'étape de planarisation, une épaisseur non nulle de la couche 112 subsiste au-dessus de la face supérieure de la 316534 - DD18334 14 couche sacrificielle 108, par exemple une épaisseur comprise entre 50 mm et 5 pm, par exemple entre 100 nm et 1 "rn. A ce stade, des attaches mécaniques sécables 120 du dispositif sont définies. Plus particulièrement chaque attache 5 mécanique sécable 120 comprend : - au niveau d'une ouverture 105 formée dans la couche sacrificielle 104 (figure 1A), une première portion 120a de la couche 106 dont la face inférieure est en contact avec la face supérieure de la couche de protection inférieure 102, et dont la 10 face supérieure est séparée de la couche de protection supérieure 112 par la couche sacrificielle 108 ; - au niveau d'une ouverture 109 formée dans la couche sacrificielle 108 (figure 1C), une deuxième portion 120b de la couche 106 dont la face supérieure est en contact avec la face 15 inférieure de la couche de protection supérieure 112 et dont la face inférieure est séparée de la couche de protection inférieure 102 par la couche sacrificielle 102 ; et - entre l'ouverture 105 et l'ouverture 109, une troisième portion 120c de la couche 106 s'étendant horizontalement 20 depuis un bord latéral de la première portion 120a jusqu'à un bord latéral de la deuxième portion 120b. La zone de rupture de chaque attache mécanique sécable 120 correspond par exemple à sa portion horizontale 120c, ou à la jonction entre sa portion horizontale 120c et sa portion verticale 25 120a. L'énergie à appliquer pour rompre les attaches 120 peut être contrôlée de façon précise en adaptant le dimensionnement des attaches, et en particulier l'épaisseur de la couche 106 et les dimensions de la portion horizontale 120c de l'attache. Un traitement thermique de normalisation peut 30 éventuellement être prévu après la réalisation de la couche de protection supérieure 112, par exemple un recuit à une température de l'ordre de 1000°C d'une durée comprise entre 0,5 et 2 heures, par exemple de l'ordre de 1 heure, ou un recuit à une température de l'ordre de 1200°C d'une durée comprise entre 1 et 10 secondes, 35 par exemple de l'ordre de 3 secondes. 316334 - DD18334 15 La figure lE illustre une étape de réalisation des puces élémentaires 150 sur la face supérieure de la couche de protection 112. La figure lE illustre plus particulièrement une étape de report d'une couche fonctionnelle 130 sur la face supérieure de 5 la couche de protection 112, et de réalisation des puces élémentaires 150 dans et/ou sur la couche fonctionnelle 130. La réalisation des puces élémentaires 150 n'est pas détaillée, les solutions proposées étant compatibles avec la plupart des structures usuelles de puces élémentaires. 10 A titre d'exemple, la couche 130 est une couche de silicium, les puces élémentaires 150 étant des puces de circuit intégré réalisées dans et sur la couche de silicium 130, par exemple en technologie CMOS. Dans un autre exemple de réalisation, la couche 130 est 15 une couche d'un matériau semiconducteur III-V, par exemple du nitrure de gallium, les puces élémentaires 150 étant des diodes électroluminescentes réalisées dans et sur la couche 130. Dans un autre exemple de réalisation, la couche 130 est une couche de silicium, les puces élémentaires 150 étant des 20 cellules photovoltaïques réalisées dans et sur la couche de silicium 130. Dans les exemples susmentionnés, chaque puce élémentaire 150 peut comporter, sur sa face supérieure, c'est-à-dire sur sa face opposée au substrat source 100, une ou plusieurs bornes 132 25 de connexion électrique de la puce à un dispositif extérieur (deux bornes 132 dans l'exemple représenté), par exemple sous la forme de plages métalliques affleurant la face supérieure des puces 150. Dans l'exemple représenté, la couche 130 est revêtue, du côté de sa face supérieure, d'une couche isolante 131, par exemple en 30 oxyde de silicium, les plages métalliques 132 étant disposées dans des ouvertures formées dans la couche isolante 131. La figure 1E illustre en outre une étape optionnelle de formation de microstructures conductrices 134 sur la face supérieure des bornes de connexion électrique 132, en vue de 35 faciliter la mise en oeuvre d'une étape ultérieure de fixation et 316534 - DD18334 16 de connexion électrique des puces à un dispositif extérieur. A titre d'exemple, les microstructures 134 sont des microtubes métalliques, par exemple en tungstène, formes par un procédé du type décrit dans la demande de brevet US2011/094789. A titre de 5 variante, les microstructures 132 sont des micropointes du type décrit dans la demande de brevet U52008/190655. Dans les exemples susmentionnés, chaque puce élémentaire peut en outre comporter, sur sa face inférieure, c'est-à-dire sur sa face tournée vers le substrat source 100, une ou plusieurs 10 bornes (non visibles sur les figures) de connexion électrique de la puce 150 a un dispositif extérieur, par exemple sous la forme de plages métalliques affleurant la face inférieure de la puce. A titre de variante de réalisation, la couche 130 est une couche de conversion de longueur d'onde, par exemple une 15 couche de phosphore, ou une couche d'une matrice comprenant des boîtes quantiques, ou un empilement de puits quantiques multiples, les puces élémentaires 150 étant alors des éléments de conversion de couleur. Dans ce cas, les puces élémentaires 150 peuvent ne pas comprendre de borne de connexion électrique. Plus 20 généralement, dans le cas où les puces élémentaires 150 comprennent uniquement des composants optiques passifs, ces dernières peuvent ne pas comporter de borne de connexion électrique. Lors de 1T étape de report de la couche fonctionnelle 130 25 sur la face supérieure de la couche de protection supérieure 112, la face inférieure de la couche 130 peut être fixée a la face supérieure de la couche 112, éventuellement par l'intermédiaire d'une ou plusieurs couches intermédiaires, par exemple par collage moléculaire, par thermocompresslon, ou par toute autre méthode de 30 fixation adaptées. La figure 1F illustre une étape de gravure, depuis la face supérieure de l'assemblage obtenu à l'issue des étapes des figures lA à 1E, de tranchées 140 de singularisation des puces élémentaires 150. Plus particulièrement, dans l'exemple 35 représenté, les tranchées 140 s'étendent verticalement depuis la 316534 - DD18334 17 face supérieure de l'assemblage, traversent entièrement la couche fonctionnelle 130 et la couche supérieure de protection 112, et débouchent sur la face supérieure de la couche sacrificielle 104. Les tranchées 140 entourent entièrement chaque puce élémentaire 5 150 de l'assemblage, de façon a séparer les puces élémentaires les unes des autres. Les tranchées 140 sont par exemple réalisées par gravure réactive ionique (RIE). La figure 1G illustre une étape de retrait des couches sacrificielles 104 et 108, par gravure sélective des couches 104 10 et 108 par rapport aux autres éléments de l'assemblage. Le retrait des couches 104 et 108 est par exemple réalisé par gravure a base de di-fluorure de xénon (XeF2). D'autres procédés de gravure peuvent toutefois être utilisés, par exemple une gravure chimique humide, auquel cas une étape de séchage peut être prévue a l'issue 15 de l'étape de gravure, par exemple un séchage supercritique au 002. Lors de cette étape la gravure de la couche 108 est réalisée via les zones de raccordement entre la couche 104 et la couche 108 définies par les ouvertures 107 de la figure 13. La gravure des couches sacrificielles 104 et 108 conduit a libérer les puces 20 150 et les attaches mécaniques sécables 120. On notera que selon le procédé de gravure utilisé, une passivation des flancs des puces peut être réalisée préalablement a la gravure, pour éviter que le substrat de la puce ne soit attaque pendant la gravure des couches sacrificielles. 25 A l'issue de cette étape, on obtient un assemblage comportant une pluralité de puces élémentaires 150 suspendues au-dessus de la face supérieure du substrat source 100 par des attaches mécaniques sécables 120. Dans cet exemple, la couche de protection supérieure 112 et la portion centrale de la couche 106 30 (la portion de la couche 106 située, en vue de dessus, entre les ouvertures 107 formées dans la couche 106 a l'étape décrite en relation avec la figure 1B) sont considérées comme faisant partie de la puce élémentaire 150. A ce stade, seules les attaches mécaniques sécables 120 relient la puce 150 au substrat source 35 100. Chaque attache 120 a une face inférieure fixée à la face 316534 - DD18334 18 supérieure du substrat source 100 (par l'intermédiaire de la couche de protection inférieure 102 solidaire du substrat 100 dans cet exemple) et une face supérieure fixée a la face inférieure de la puce 150. Pour chaque puce élémentaire 150, la surface des 5 attaches 120 en contact avec la face inférieure de la puce est inférieure à la surface totale de la face inférieure de la puce, par exemple inférieure a la moitié de la surface totale de la face inférieure de la puce, par exemple inférieure a 20' de la surface totale de la face inférieure de la puce, par exemple inférieure a 10 5% de la surface totale de la face inférieure de la puce. Le reste de la surface de la face inférieure de la puce est séparée de la face supérieure du substrat tout matériau solide. Dans source 100 par une région libre de l'exemple décrit ci-dessus, chaque attache mécanique sécable 120 est entièrement située sous (a 15 l'aplomb de) la puce 150 a laquelle elle est associée, ce qui permet de maximiser la densité surfacique de puces pouvant être prévue sur la face supérieure du substrat source. La figure 2 est une vue en perspective illustrant les attaches mécaniques sécables 120 réalisées par le procédé décrit 20 ci-dessus. Par souci de clarté, la puce 150 n'a pas été représentée sur la figure 2. Comme cela apparaît sur la figure 2, chaque attache 120 a, vu de dessus, la forme d'une bande rectiligne, et, en section transversale, une forme en L couché, la barre verticale du L couché ayant son extrémité libre fixée à la face supérieure 25 du substrat source 100 et la barre horizontale du L couché ayant son extrémité libre fixée a la face inférieure de la puce 150. On notera que les modes de réalisation décrits ne se limitent pas a l'exemple décrit ci-dessus dans lequel chaque puce est relise au substrat par deux attaches mécaniques sécables en 30 forme de bande rectiligne (en vue de dessus). Plus généralement, le nombre d'attaches peut être différent de deux (au moins une attache). A titre de variante, chaque puce peut être reliée au substrat par quatre attaches mécaniques sécables disposées respectivement en vis-à-vis de quatre coins de la puce. De plus, 35 la largeur de la partie horizontale des attaches (largeur des 316534 - DD18334 19 bandes dans l'exemple de la figure 2) peut être variable. A titre d'exemple, en vue de dessus, les attaches mécaniques sécables peuvent avoir une forme triangulaire, une forme en V (qui peut être favorable à une concentration des contraintes au moment de 5 l'arrachement ce qui permet de rompre plus facilement l'attache), ou toute autre forme adaptée. Les figures 3A, 3B, 30, 3D, 3E, 3F et 3G sont des vues en coupe illustrant des étapes d'un exemple d'un autre mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif pour le 10 report de puces d'un substrat source sur un substrat destination. Plus particulièrement, les figures 3A a 3G illustrent des étapes d'un procédé de fabrication d'un dispositif comportant un substrat source 300, et une pluralité de puces élémentaires 350, par exemple identiques ou similaires, suspendues au-dessus de la face 15 supérieure du substrat 300, chaque puce 350 étant reliée au substrat 300 par au moins une attache mécanique sécable (une seule attache dans l'exemple des figures 3A à 3G) reliant la face supérieure du substrat source 300 a la face inférieure de la puce 350. Par souci de simplification, seules deux puces 350, ainsi 20 que la portion correspondante du substrat 300, sont représentés sur les figures 3A à 3G, étant entendu que, en pratique, un grand nombre de puces 350 peuvent être formées simultanément sur la face supérieure du substrat 300. Dans cet exemple, chaque puce élémentaire 350 comprend 25 un empilement d'une LED a base d'un matériau semiconducteur III-V tel que le nitrure de gallium, et d'un circuit de commande de la LED, par exemple un circuit CMOS. A titre d'exemple, les puces élémentaires 350 sont des puces du type décrit dans la demande de brevet français n°1561421 susmentionnée. Les modes de réalisation 30 décrits ne se limitent toutefois pas à ce cas particulier. Plus généralement, le procédé des figures 3A à 3G peut être adapté a tout autre type de puces semiconductrices, par exemple des puces comportant uniquement une LED (sans circuit de contrôle CMOS), des puces comportant uniquement un circuit CMOS, des puces 35 photovoltaïques, etc. 316534 - DD18334 20 La figure 3A illustre une étape de réalisation d'un assemblage comportant un empilement d'un substrat de support temporaire 310, d'un substrat semiconducteur 320, par exemple en silicium, dans et sur lequel sont formés une pluralité de circuits 5 de commande élémentaires 321 correspondant respectivement aux circuits de commande des différentes puces élémentaires 350, et d'un substrat semiconducteur 330, par exemple en un matériau semiconducteur III-V, par exemple en nitrure de gallium, dans et sur lequel sont formées une pluralité de LED 331 correspondant 10 respectivement aux LEI) des différentes puces élémentaires 350. Dans cet exemple, la face inférieure du substrat semiconducteur 320 repose sur la face supérieure du substrat de support 310, et la face inférieure du substrat semiconducteur 330 repose sur la face supérieure du substrat semiconducteur 320. 15 A titre d'exemple, le substrat 320 est d'abord reporté seul sur la face supérieure du substrat de support 310, puis traité pour réaliser les circuits de commande élémentaire 321, par exemple en technologie CMOS. Chaque circuit de commande élémentaire 321 comprend par exemple un ou plusieurs transistors 20 adaptés à commander le courant et/ou la tension appliqués à la LEI) 331 de la puce. Chaque circuit de commande élémentaire 321 comprend, du côté de sa face opposée au substrat de support 330, c'est-à-dire du côté de sa face supérieure dans l'exemple représenté, au moins une borne de connexion électrique du circuit 25 321 à la LED 331. Le substrat 330 peut quant à lui être formé séparément sur un substrat de croissance (non représenté), puis traité pour réaliser les LEI) élémentaires 331. Le substrat 330 est ensuite reporté sur la face supérieure du substrat 320 de façon à connecter 30 chaque LEI) élémentaire 331 du substrat 330 au circuit de commande élémentaire 321 correspondant du substrat 320. Le substrat de croissance est alors retiré de façon à obtenir l'empilement représenté sur la figure 3A. A titre de variante, l'empilement de couches semiconductrices constitutives des LEI) peut être rapporté 35 sur le substrat 320 avant individualisation des LEI) élémentaires 316534 - DD18334 21 331. Le substrat de croissance de l'empilement de couches semiconductrices constitutives des LED est alors retiré pour permettre l'individualisation des LED. A l'issue des étapes de la figure 3A, les puces 5 élémentaires 350 de l'assemblage ne sont pas encore individualisées. Les traits interrompus verticaux des figures 3A a 3E délimitent les bords latéraux des futures puces élémentaires individualisées. Les figures 33 a 3D illustrent des étapes de fabrication 10 des attaches mécaniques sécables destinées à relier les puces élémentaires 350 au substrat source 300. La figure 3B Illustre plus particulièrement une étape de dépôt, sur la face supérieure du substrat 330, d'une couche d'ancrage inférieure 302, par exemple en oxyde de silicium. La 15 couche 302 est par exemple en contact avec la face supérieure du substrat 330. La couche 302 comprend des ouvertures traversantes 303 débouchant sur la face supérieure du substrat 330. Dans cet exemple, pour chaque puce élémentaire 350, la couche 302 comprend une ouverture 303 s'étendant sur toute la surface de la puce, sauf 20 au niveau d'une partie d'une région périphérique de la puce dans laquelle la couche 302 déborde sur la face supérieure de la puce. Plus particulièrement, dans cet exemple, pour chaque puce élémentaire 350, l'ouverture 303 s'étend sur toute la surface de la puce sauf au niveau d'un bord latéral de la puce, où une portion 25 302a de la couche 302 forme une languette a cheval sur le bord de la puce, c'est-à-dire ayant une partie de sa surface inférieure en contact avec la face supérieure de la puce et une autre partie de sa surface inférieure en contact avec la face supérieure du substrat 330 dans une région du substrat 330 externe et adjacente 30 a la puce. Au niveau d'au moins une autre partie de la périphérie de chaque puce, par exemple du côté du bord latéral de la puce oppose a la région 302a, l'ouverture 303 s'étend au-delà du bord latéral de la puce. Autrement dit, chaque ouverture 303 comprend une portion 303a s'étendant, en vue de dessus, au-dessus d'une 35 région du substrat 330 externe et adjacente a la puce. A titre 316534 - DD18334 22 d'exemple, la couche 302 est d'abord déposée de façon continue sur toute la surface supérieure du substrat 330, puis retirée localement par photolithographie et gravure pour former les ouvertures 303. 5 La figure 30 illustre une étape de dépôt d'une couche sacrificielle 304 sur la face supérieure de l'assemblage obtenu a l'issue des étapes des figures 3A et 33. La couche 304 est en un matériau gravable de façon sélective par rapport au matériau de la couche 302. A titre d'exemple, la couche 304 est en silicium 10 polycristallin. Plus généralement, tout autre matériau sacrificiel adapte peut être utilise, par exemple de l'aluminium. La couche 304 s'étend notamment sur et en contact avec la face supérieure des puces 350 au fond des ouvertures 303, et s'étend en outre sur et en contact avec la couche 302, en dehors des 15 ouvertures 303, et en particulier sur les portions 302a de la couche 302. La couche 304 comprend, pour chaque puce 350, une ouverture traversante 305 débouchant sur la face supérieure de la languette 302a de la couche 302 associée a la puce. En vue de dessus, l'ouverture 305 est située a l'extérieur de la puce 350 20 et a distance du bord latéral de la puce. A titre d'exemple, la couche 304 est d'abord déposée de façon continue sur toute la surface supérieure de l'assemblage obtenu à l'issue des étapes des figures 3A et 33, puis retirée localement par photolithographie et gravure pour former les ouvertures 305. 25 La figure 3D illustre une étape de dépôt, sur la face supérieure de l'assemblage obtenu a l'issue des étapes de figures 3A, 33 et 30, d'une couche d'ancrage supérieure 306 en un matériau tel que la couche sacrificielle 304 soit gravable de façon sélective par rapport aux couches 302 et 306. A titre d'exemple, 30 la couche 306 est en le même matériau que la couche 302. Dans cet exemple, la couche 306 s'étend de façon continue sur toute la surface supérieure de l'assemblage, c'est-à-dire sur et en contact avec la couche sacrificielle 304 en dehors des ouvertures 305 formées dans la couche sacrificielle a l'étape précédente, et sur 35 et en contact avec la couche d'ancrage inférieure 302 dans les 316534 - DD18334 23 ouvertures 305. La couche 306 est par exemple déposée sur une épaisseur supérieure à celle de la couche sacrificielle 305 de façon à combler entièrement les ouvertures 305 préalablement formées dans la couche sacrificielle 304, puis planarisée, par 5 exemple par polissage mécano-chimique (CMP). A titre d'exemple, à l'issue de l'étape de planarisation, une épaisseur non nulle de la couche 306 subsiste au-dessus de la face supérieure de la couche sacrificielle 304, par exemple une épaisseur comprise entre 50 et 500 nm, par exemple entre 100 et 200 nm. 10 La figure 3E illustre une étape de report de la structure obtenue à l'issue des étapes des figures 3A à 3D sur un substrat de support 300, correspondant au substrat source du dispositif final, puis de retrait du substrat de support temporaire 310. Lors de cette étape, la face de la couche 306 opposée aux substrats 15 330, 320 et 310 (c'est-à-dire la face inférieure de la couche 306 dans l'orientation de la figure 3E) est collée, par exemple par collage moléculaire, à une face (la face supérieure dans l'orientation de la figure 3E) du substrat source 300. Le substrat temporaire 310 est ensuite retiré, par exemple par meulage et 20 gravure chimique, de façon à libérer l'accès à la face du substrat 320 opposée au substrat 330 (c'est-à-dire la face supérieure du substrat 320 dans l'orientation de la figure 3E). La figure 3E illustre en outre une étape postérieure au retrait du substrat 310, de réalisation, sur la face supérieure 25 des puces 350, de bornes 342 de connexion électrique de la puce 150 à un dispositif extérieur (deux bornes 342 par puce dans l'exemple représenté). A titre d'exemple, les bornes 342 sont des plages métalliques affleurant la face supérieure des puces 350. Dans l'exemple représenté, la face supérieure du substrat 320 est 30 revêtue d'une couche isolante 341, par exemple en oxyde de silicium, les plages métalliques 342 étant disposées dans des ouvertures formées dans la couche isolante 341. La figure 3E illustre en outre une étape optionnelle de formation de microstructures conductrices 344 sur la face 35 supérieure des bornes de connexion électrique 342, en vue de 316534 - DD18334 24 faciliter la fixation ultérieure des micropuces à un dispositif extérieur, par exemple des microtubes ou des micropointes du type décrit en relation avec la figure 1E. La figure 3F illustre une étape de gravure, depuis la 5 face supérieure de l'assemblage obtenu à l'issue des étapes des figures 3A à 3E, de tranchées 370 de singularisation des puces élémentaires 350. Plus particulièrement, dans l'exemple représenté, les tranchées 370 s'étendent verticalement depuis la face supérieure de l'assemblage, traversent entièrement la couche 10 341 et les substrats 320 et 330, et débouchent sur la face supérieure de la couche 302 (au niveau des régions d'ancrage 302a) et de la couche sacrificielle 304 (au niveau des régions de débordement 303a de l'ouverture 303 de la figure 3E). Les tranchées 370 sont par exemple réalisées par gravure réactive 15 ionique (RIE). La figure 3G illustre une étape de retrait de la couche sacrificielle 304, par gravure sélective de la couche 304 par rapport aux autres éléments de l'assemblage. Le retrait de la couche 304 est par exemple réalisé par gravure à base de di- 20 fluorure de xénon (Xe72) dans le cas d'une couche sacrificielle en silicium polycristallin. A l'issue de cette étape, on obtient un assemblage comportant une pluralité de puces élémentaires 350 disposées sur la face supérieure du substrat source 300, chaque puce 350 25 comportant un empilement d'une LED 331 disposée côté substrat source 300, et d'un circuit de commande 321 disposé du côté de la face de la LED 331 opposée au substrat source 300. Dans chaque puce, la LED 331 est connectée électriquement au circuit de commande 321, et le circuit de commande 321 comprend, sur sa face 30 opposée à la LED, des bornes de connexion de la puce à un dispositif extérieur. Chaque puce 350 est maintenue suspendue au-dessus du substrat source 300 par une attache mécanique sécable formée par la région 302a de la couche 302 fixée à la face inférieure de la puce. Plus particulièrement, chaque attache 302a 35 forme une languette comprenant : 316334 - DD18334 25 - une première région située sous la puce 350, dont la face supérieure est fixée à la face inférieure de la puce et dont la face inférieure est séparée de la face supérieure de la couche 306 par une région libre de tout matériau solide ; 5 - une deuxième région opposée à la première région, située, en vue de dessus, à distance de la puce et de la première région, dont la face inférieure est fixée à la face supérieure de la couche 306 ; et - une troisième région intermédiaire reliant la première 10 région à la deuxième région, la troisième région ayant sa face inférieure séparée de la face supérieure de la couche 306 par une couche libre de tout matériau solide. La zone de rupture de chaque attache mécanique sécable 302a correspond à sa troisième région, c'est-à-dire à la portion 15 horizontale de la couche 302 située entre la région de fixation de la languette à la face supérieure de la couche 306 et la région de fixation de la languette à la face inférieure de la puce. L'énergie à appliquer pour rompre les attaches 302a peut être contrôlée en adaptant le dimensionnement des attaches (et des 20 zones 304). Là encore, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas à l'exemple décrit ci-dessus dans lequel chaque puce est reliée au substrat par deux attaches mécaniques sécables en forme de bande rectiligne (en vue de dessus). Plus généralement, 25 le nombre d'attaches mécaniques sécables peut être différent de deux (au moins une attache) et la forme des attaches peut être différente de ce qui a été décrit précédemment. Les figures 4A, 43 et 4C sont des vues en coupe illustrant des étapes d'un exemple d'un mode de réalisation d'un 30 procédé de report de puces d'un substrat source sur un substrat destination au moyen d'un dispositif réalisé par le procédé des figures 3A à 3G, étant entendu qu'un procédé de report similaire peut être mis en oeuvre à partir d'un dispositif réalisé par le procédé des figures lk à 1G. 316534 - DD18334 26 A titre d'exemple, le procédé des figures 4A à 40 peut être mis en oeuvre lors de la fabrication d'un dispositif d'affichage émissif à LED. Dans cet exemple, le substrat source correspond au substrat 300 du dispositif de la figure 3G, et le 5 substrat destination 400 comprend une plaque ou une feuille de support 401 en un matériau isolant, sur laquelle sont disposés des éléments de connexion électrique, par exemple des pistes et plages conductrices. Le substrat destination 400 est par exemple un substrat passif, c'est-à-dire qu'il comprend uniquement des 10 éléments de connexion électrique pour l'amenée des signaux de commande et d'alimentation des puces élémentaires 350 (correspondant à des pixels du dispositif d'affichage). A titre de variante, les puces élémentaires du dispositif sont des LED simples, sans circuit de commande intégré, auquel cas le substrat 15 destination 400 peut être un substrat actif, par exemple un circuit =5, intégrant des circuits de commande des LED. Le substrat destination 400 comprend une face de connexion, sa face supérieure dans l'exemple représenté, destinée à recevoir les puces 350. Pour chaque puce du dispositif final, le substrat 20 destination 400 comprend, sur sa face de connexion, une pluralité de plages de connexion électrique 402 (une par borne de connexion électrique de la puce) destinées à être connectées respectivement aux bornes de connexion électrique de la puce. La figure 4A illustre une étape au cours de laquelle, 25 après avoir formé séparément les puces 350 sur le substrat source 300, et le substrat destination 400, on vient positionner les puces 350 en vis-à-vis des zones de report correspondantes du substrat destination 400, faces de connexion des puces 350 tournées vers la face de connexion du substrat 400, en se servant 30 du substrat source 300 comme poignée. Par souci de simplification des figures, les puces 350 n'ont pas été détaillées sur les figures 4A à 40. Seules les plages de connexion électrique 342 des puces sont visibles sur ces figures. 316534 - DD18354 27 Les puces 350, attachées au substrat source 300 par leurs LED 331 (figure 3G) via les attaches mécaniques sécables 302a (figure 3G), sont amenées en vis-à-vis de zones de réception correspondantes du substrat destination 400, faces de connexion 5 tournées vers la face de connexion du substrat 400. La figure 4E Illustre une étape au cours de laquelle les puces 350 sont fixées sur le substrat destination 400 et connectées électriquement au substrat destination 400, par fixation et connexion des plages de connexion électrique 342 des 10 puces sur les plages de connexion électrique 402 correspondantes du substrat 400. A titre d'exemple, les plages de connexion électrique 342 des puces sont revêtues de microtubes 344 tel que décrit en relation avec la figure 3G, et les plages de connexion électrique correspondantes 402 du substrat 400 sont en 15 protubérance. L'ensemble comprenant le substrat source 300 et les puces 350 est alors pressé contre le substrat destination 400, faces de connexion des puces 350 tournées vers la face de connexion du substrat 400. Pour chaque puce dont les plages de connexion électrique 342 sont en vis-à-vis de plages de connexion électrique 20 402 du substrat 400, les microtubes 344 de la puce pénètrent dans les plages de connexion électrique correspondantes 402 du substrat 400. Les modes de réalisation décrits ne se limitent toutefois pas à ce mode de connexion particulier. A titre de variante, les puces 350 peuvent être fixées par collage direct des plages de 25 connexion électrique 342 des puces sur les plages de connexion électrique correspondantes 402 du substrat 400, par soudure ou brasure des plages 342 sur les plages 402, ou par toute autre méthode de fixation adaptée. La figure 4C Illustre une étape au cours de laquelle le 30 substrat source 300 est retiré, ce qui entraine la rupture des attaches mécaniques sécables reliant au substrat source 300 les puces 350, désormais solidaires du substrat destination. En pratique, le pas p300 des puces sur le substrat source 300, par exemple de l'ordre de 10 à 50 pin, peut être inférieur au 35 pas P400 du dispositif final après report sur le substrat 400, 316534 - DD18354 28 par exemple compris entre 15 lm et 1 mm, par exemple de l'ordre de 100 à 500 lm. Dans l'exemple décrit en relation avec les figures 4A à 40, le pas p400 des puces 400 sur le substrat destination 400 est 5 un multiple du pas p300 des puces sur le substrat source 300. A titre d'exemple, p400=N*p300, avec N entier compris dans la plage allant de 1 à 10. Ainsi, on prévoit de reporter seulement une partie des puces 350 du substrat 300 sur le substrat 400, au pas du substrat 400 (soit une puce sur n avec n = P400/P300 ), puis, 10 si besoin, de décaler le substrat 300 avec les puces restantes pour reporter une autre partie des puces du substrat 300 sur le substrat 400, et ainsi de suite jusqu'à ce que toutes les puces du dispositif d'affichage aient été fixées sur le substrat destination 400. 15 A chaque itération, les puces 350 sont détachées sélectivement du substrat source 300. Le substrat source 300 et les puces 350 restantes sont ensuite retirés comme illustré par la figure 40. La prévision des attaches mécaniques sécables reliant 20 les puces 350 au substrat source 300 permet aisément de détacher sélectivement les puces 350 du substrat source 300. En effet, lors du retrait du substrat source 300, seules les puces fixées au substrat destination 400 sont détachées du substrat source 300, par rupture de leurs attaches mécaniques sécables, les autres 25 puces restant fixées au substrat source du fait de l'absence de liaison entre ces puces et le substrat destination. On notera que la prévision, côté substrat destination 400, de plages de connexion électrique en protubérance de la face supérieure du substrat 400, permet de faciliter la fixation sélective des puces 30 sur le substrat destination 400, et donc le détachage sélectif des puces du substrat source 300 lors du retrait du substrat 300. Par rapport aux procédés de transfert décrits dans la demande de brevet internationale W02015/193435 susmentionnée, un avantage du procédé décrit en relation avec les figures 4A à 40 35 est que le transfert est réalisé directement du substrat source 316534 - DD18334 29 au substrat destination, sans passer par un substrat de transfert intermédiaire, ce qui facilite la mise en oeuvre du transfert. Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de 5 l'art. En particulier, les modes de réalisation décrits ne se limitent ni aux exemples de procédés de fabrication des attaches mécaniques sécables décrits en relation avec les figures lA à 1G et 3A à 3G, ni aux exemples de formes des attaches mécaniques sécables décrits en relation avec les figures 1A à 1G et 3A à 3G. 10 Plus généralement, les attaches mécaniques sécables peuvent être réalisées par tout procédé comprenant une alternance d'au moins une étape de dépôt d'une couche solide permanente, par exemple en oxyde de silicium, et d'au moins une étape de dépôt d'une couche solide sacrificielle, par exemple en silicium polycristallin, ou 15 en un métal gravable sélectivement, par exemple en gravure humide, par rapport aux autres matériaux de la structure. Les couches solides permanentes et sacrificielles successives peuvent comprendre des ouvertures, par exemple réalisées par photolithographie et gravure, en particulier pour définir la forme 20 des attaches mécaniques sécables et pour permettre le retrait total de la ou des couches sacrificielles une fois les puces solidarisées au substrat source et individualisées. On notera par ailleurs que dans un dispositif de report du type décrit en relation avec la figure 1G ou 3G, du fait de la 25 faible distance séparant chaque puce élémentaire du substrat source, il peut arriver que la face arrière de la puce (la face inférieure dans l'orientation des figures 1G et 3G) vienne se plaquer contre la face supérieure du substrat source, notamment lorsqu'une pression verticale est appliquée sur la face avant de 30 la puce. Dans ce cas, pour éviter que la puce ne reste collée, par collage moléculaire, à la face supérieure du substrat source, on peut prévoir de conférer une certaine rugosité à la face supérieure du substrat source (la face supérieure de la couche 102 dans l'exemple de la figure 1G ou la face supérieure de la 316534 - DD18334 30 couche 306 dans l'exemple de la figure 3G), par exemple une rugosité supérieure à ' mn. De plus, REVENDICATIONS1. Dispositif pour le report de puces d'un substrat source vers un substrat destination, comportant : un substrat source (100 ; 300) ayant une face inférieure et une face supérieure ; et une pluralité de puces élémentaires (150 ; 350) disposées sur la face supérieure du substrat source, dans lequel chaque puce élémentaire (150 ; 350) est suspendue au-dessus du substrat source (100 ; 300) par au moins une attache mécanique sécable (120 ; 302a), ladite au moins une 10 attache mécanique sécable ayant une face inférieure fixée à la face supérieure du substrat source (100 ; 300) et une face supérieure fixée à la face inférieure de la puce (150 ; 350). 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel, pour chaque puce (150), ladite au moins une attache mécanique 15 sécable (120) reliant la puce au substrat source est située en totalité sous la puce. 3. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel, pour chaque puce (350), ladite au moins une attache mécanique sécable (302a) reliant la puce au substrat source est située en 20 partie seulement sous la puce. 4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel, pour chaque puce élémentaire (150 ; 350), une partie seulement de la face inférieure de la puce est en contact avec ladite au moins une attache mécanique sécable (120 ; 302a), 25 la partie restante de la face inférieure de la puce étant séparée de la face supérieure du substrat source (100 ; 300) par une région libre de tout matériau solide. 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel chaque puce élémentaire (150 ; 350) comprend 30 une ou plusieurs bornes de connexion électrique (132 ; 342) à un dispositif extérieur disposées du côté de sa face opposée au substrat source (100 ; 300). 6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel chaque puce élémentaire (150) comprend en outre 316534 - DD18334 32 une ou plusieurs bornes de connexion électrique à un dispositif extérieur disposées du côté de sa face tournée vers le substrat source (100 ; 300). 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 5 1 à 6, dans lequel la face supérieure du substrat source (100 ; 300) présente une rugosité de surface supérieure à 5 nm. 8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel chaque puce élémentaire (350) comprend une LED (331). 9. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel chaque puce élémentaire (350) comprend un empilement d'une LED (331) et d'un circuit élémentaire (321) de commande de la LED, le circuit élémentaire de commande (321) étant disposé du côté de la LED (331) opposé au substrat source (300). 10. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel chaque puce élémentaire (350) est un élément de conversion de longueur d'onde. 11. Procédé de fabrication d'un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, comportant les étapes 20 successives suivantes : a) former sur la face supérieure du substrat source (100) un premier empilement comprenant une alternance d'au moins une couche solide permanente (102, 106, 112) et d'au moins une couche sacrificielle (104, 108) de façon à définir les attaches 25 mécaniques sécables (120) du dispositif ; b) rapporter sur la face supérieure du premier empilement une couche fonctionnelle (130) ; c) former des tranchées de singularisation (140) traversant la couche fonctionnelle (130) et délimitant les puces 30 élémentaires (150) du dispositif ; et d) graver ladite au moins une couche sacrificielle de l'empilement de liaison sans retirer ladite au moins une couche solide permanente. 316534 - DD18354 33 12. Procédé de fabrication d'un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, comportant les étapes successives suivantes : a) former une couche fonctionnelle (320, 330) sur une 5 face d'un substrat de support temporaire (310) ; b) former, sur la face de la couche fonctionnelle (320, 330) opposée au substrat de support temporaire (310), un empilement de liaison comprenant une alternance d'au moins une couche solide permanente (302, 306) et d'au moins une couche 10 sacrificielle (304) de façon à définir les attaches mécaniques sécables (302a) du dispositif ; c) rapporter l'ensemble comprenant le substrat de support temporaire (310), la couche fonctionnelle (320, 330) et l'empilement de liaison sur la face supérieure du substrat source 15 (300), de façon que le substrat de support temporaire (310) soit disposé du côté de l'empilement de liaison opposé au substrat source (300), puis retirer le substrat de support temporaire (310) ; d) former des tranchées de singularisation (370) 20 traversant la couche fonctionnelle (320, 330) et délimitant les puces élémentaires (350) du dispositif ; et e) graver ladite au moins une couche sacrificielle de l'empilement de liaison sans retirer ladite au moins une couche solide permanente. 25 13. Procédé selon la revendication 11 ou 12, dans lequel ladite au moins une couche solide permanente (102, 106, 112 ; 302, 306) est en oxyde de silicium, et dans lequel ladite au moins une couche sacrificielle (104, 108 ; 304) est en silicium polycristallin. 30 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 13, dans lequel l'étape de graver ladite au moins une couche sacrificielle de l'empilement de liaison sans retirer ladite au moins une couche solide permanente est réalisée par gravure à base de di-fluorure de xénon (XeF2). 316534 - DD18354 34 15. Procédé de transfert de puces élémentaires (350) d'un substrat source (300) sur un substrat destination (400) au moyen d'un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 a 10, comprenant les étapes successives suivantes : 5 positionner les puces élémentaire (350) en vis-à-vis de zones de report correspondantes du substrat destination (400) en se servant du substrat source (300) comme poignée ; fixer les puces élémentaires (350) sur le substrat destination (400) par leur face opposée au substrat source 10 (300) ; et éloigner le substrat source (300) du substrat destination de façon à rompre les attaches mécaniques sécables reliant au substrat source (300) les puces élémentaires (350) désormais solidaires du substrat destination. 15 16. Procédé selon la revendication 15, dans lequel l'étape de fixation des puces élémentaires (350) sur le substrat destination (400) comprend la connexion électrique de bornes de connexion électrique (342) préalablement formées sur la face des puces élémentaires (350) opposée au substrat source (300), a des bornes de connexion électrique correspondantes (402) du substrat destination (400). 17. Procédé selon la revendication 15 ou 16, dans lequel le pas (p300) des puces élémentaires (350) sur le substrat source (300) est inférieur au pas (p400) des puces élémentaires (350) sur le substrat destination.