Brevet FR3083045A1 — publié le 20191227

- Fab smart pixel 1 DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE A DIODES ELECTROLUMINESCENTES Domaine La présente demande concerne un dispositif optoélectronique, notamment un écran d'affichage ou un dispositif de projection d'images, comprenant des diodes électroluminescentes, à base de matériaux semiconducteurs, et leurs procédés de fabrication. Exposé de l'art antérieur Un pixel d'une image correspond à l'élément unitaire de l'image affichée par le dispositif optoélectronique. Lorsque le dispositif optoélectronique est un écran d'affichage d'images couleur, il comprend en général pour l'affichage de chaque pixel de l'image au moins trois composants, également appelés sous-pixels d'affichage, qui émettent chacun un rayonnement lumineux sensiblement dans une seule couleur (par exemple, le rouge, le vert et le bleu). La superposition des rayonnements émis par ces trois sous-pixels d'affichage fournit à l'observateur la sensation colorée correspondant au pixel de l'image affichée. Dans ce cas, on appelle pixel d'affichage du dispositif optoélectronique l'ensemble formé par les trois sous-pixels d'affichage utilisés pour l'affichage d'un pixel d'une image. Chaque sous-pixel d'affichage peut comprendre une source lumineuse, notamment une diode électroluminescente par exemple à 316684 - Fab smart pixel 2 base de matériaux semiconducteurs. Un procédé connu de fabrication d'un dispositif optoélectronique, notamment un écran d'affichage ou un dispositif de projection d'images, comprenant des diodes électroluminescentes, appelé procédé "pick and place", consiste à 5 fabriquer les diodes électroluminescentes sous la forme de composants distincts, et à placer chaque diode électroluminescente à une position souhaitée sur un support qui peut comprendre des pistes conductrices pour la connexion électrique des diodes électroluminescentes. 10 Un inconvénient d'un tel procédé est qu'il nécessite généralement de placer avec précision les diodes électroluminescentes sur le support. Ceci nécessite la mise en oeuvre de procédés d'alignement d'autant plus complexes que les dimensions des diodes électroluminescentes sont réduites. 15 Un autre inconvénient d'un tel procédé est qu'une augmentation de la résolution du dispositif optoélectronique se traduit par une augmentation du nombre de transferts de diodes électroluminescentes sur le support et donc une augmentation de la durée de la fabrication du dispositif optoélectronique qui peut 20 ne pas être compatible avec une fabrication à une échelle industrielle. Pour la réalisation d'un grand écran à diodes électroluminescentes composé de diodes électroluminescentes unitaires assemblées, les diodes électroluminescentes doivent être assemblées avec des circuits de commande qui contrôlent un certain nombre de diodes électroluminescentes. Les ensembles comprenant les circuits de commande et les diodes électroluminescentes sont alors reliés entre eux par des fils. Cet assemblage réduit la quantité de données pouvant être transmise et il peut être difficile d'afficher un flux vidéo. Pour les écrans comprenant des diodes électroluminescentes de taille micrométrique, par exemple pour les formats type TV, tablette, téléphone intelligent (en anglais smart phone) qui sont en cours de développement par plusieurs industriels, une matrice active est nécessaire pour afficher un 316684 - Fab smart pixel 3 flux vidéo avec une haute résolution. Actuellement, les matrices actives pour les écrans sont réalisées avec des transistors en couches minces, ou TFT (sigle anglais pour Thin Film Transistor). Les TFT utilisent généralement des dépôts de silicium amorphe ou 5 polycristallin sur de grandes surfaces de verre et nécessitent l'utilisation de procédés de microélectronique complexes sur de grandes surfaces. Il serait souhaitable de pouvoir réaliser des pixels d'affichage dits intelligents intégrant avec les diodes 10 électroluminescentes, notamment de taille micrométrique, de l'électronique de commande pourrait de façon a réaliser des matrices actives sans TFT. Ces matrices actives pourraient être réalisées sur de très grandes surfaces car elles s'appuient sur des circuits électroniques embarques sous le pixel. D'autre part 15 ces circuits électroniques pourraient profiter des performances des technologies a base de silicium. Résumé Ainsi, un objet d'un mode de réalisation est de pallier au moins en partie les inconvénients des dispositifs 20 optoélectroniques comprenant des diodes électroluminescentes décrits précédemment. Un autre objet d'un mode de réalisation est de réduire le nombre de transferts de composants sur le support du dispositif optoélectronique lors de la fabrication du dispositif 25 optoélectronique. Un autre objet d'un mode de réalisation est de réduire les contraintes de précision lors du placement de composants sur le support du dispositif optoélectronique. Un autre objet d'un mode de réalisation est que les 30 dispositifs optoélectroniques puissent être fabriqués à une échelle industrielle et à bas coût. Un autre objet d'un mode de réalisation est que le dispositif optoélectronique comprend une matrice active sans TFT. Ainsi, un mode de réalisation prévoit un dispositif 35 optoélectronique comprenant : 316684 - Fab smart pixel un support ; au moins une première couche conductrice électriquement recouvrant le support ; des circuits de pixel d'affichage comprenant des 5 première et deuxième faces opposées, fixés à la première couche conductrice électriquement, chaque circuit de pixel d'affichage comprenant un circuit électronique comprenant la première face et une troisième face opposée à la première face, la première face étant fixée à la première couche conductrice électriquement, et 10 un circuit optoélectronique fixé à la troisième face et comprenant au moins deux diodes électroluminescentes, au moins l'une des électrodes de chaque diode électroluminescente étant connectée au circuit électronique par la troisième face, le circuit optoélectronique comprenant en outre des blocs photoluminescents 15 recouvrant les diodes électroluminescentes et des murs, conducteurs électriquement ou semiconducteurs, entourant les blocs photoluminescents ; et au moins une deuxième couche conductrice électriquement reliée électriquement à au moins l'un des circuits de pixel 20 d'affichage. Selon un mode de réalisation, la deuxième couche conductrice électriquement recouvre au moins partiellement ledit au moins l'un des circuits de pixel d'affichage. Selon un mode de réalisation, la deuxième couche 25 conductrice électriquement est reliée électriquement aux murs dudit au moins l'un des circuits de pixel d'affichage. Selon un mode de réalisation, la deuxième couche conductrice électriquement est, pour ledit au moins l'un des circuits de pixel d'affichage, au contact d'un plot conducteur 30 électriquement du circuit électronique situé du côté de la troisième face. Selon un mode de réalisation, la deuxième couche conductrice électriquement s'étend sur le support et la deuxième couche conductrice électriquement est, pour ledit au moins l'un 35 des circuits de pixel d'affichage, au contact d'un plot conducteur 316684 - Fab smart pixel électriquement du circuit électronique situé du côté de la première face. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre une première couche isolante électriquement recouvrant la 5 première couche conductrice électriquement entre les circuits de pixel d'affichage et interposée entre la première couche isolante électriquement et la deuxième couche conductrice électriquement. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre, pour chaque circuit de pixel d'affichage, une deuxième 10 couche isolante électriquement recouvrant les flancs du circuit de pixel d'affichage. Selon un mode de réalisation, pour chaque circuit de pixel d'affichage, le circuit optoélectronique du circuit de pixel d'affichage comprend une première couche semiconductrice sur 15 laquelle reposent les murs et les blocs photoluminescents et, pour chaque diode électroluminescent, un empilement reposant sur la première couche semiconductrice du côté opposé aux blocs photoluminescents et comprenant une deuxième couche semiconductrice dopée d'un premier type de conductivité, une 20 couche active et une troisième couche semiconductrice dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité, les empilements étant distincts. Selon un mode de réalisation, chaque circuit de pixel d'affichage comprend, pour chaque empilement, un plot conducteur 25 au contact de la première couche semiconductrice et fixé au circuit électronique du circuit de pixel d'affichage. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend au moins deux premières couches conductrices électriquement disjointes et recouvrant le support, des circuits de pixel 30 d'affichage parmi les circuits de pixel d'affichage étant fixés à chaque première couche conductrice électriquement, le dispositif comprenant, en outre, au moins deux deuxièmes couches conductrices électriquement chacune étant reliée électriquement à des circuits électroniques parmi les circuits de pixel d'affichage. 316684 - Fab smart pixel 6 Selon un mode de réalisation, les deux premières couches conductrices électriquement et les deux deuxièmes couches conductrices électriquement ont la forme de bandes parallèles. Un mode de réalisation prévoit également un procédé de 5 fabrication d'un dispositif optoélectronique comprenant les étapes suivantes : a) fabriquer des circuits de pixel d'affichage comprenant des première et deuxième faces opposées et comprenant chacun un circuit électronique comprenant la première face et une 10 troisième face opposée à la première face, et un circuit optoélectronique fixé à la troisième face et comprenant au moins deux diodes électroluminescentes, au moins l'une des électrodes de chaque diode électroluminescente étant connectée au circuit électronique par la troisième face, le circuit optoélectronique 15 comprenant en outre des blocs photoluminescents recouvrant les diodes électroluminescentes et des murs, conducteurs électriquement ou semiconducteurs, entourant les blocs photoluminescents ; b) fabriquer un support recouvert d'au moins une 20 première couche conductrice électriquement ; c) fixer la première face du circuit électronique de chaque circuit de pixel d'affichage à la première couche conductrice électriquement ; et d) former au moins une deuxième couche conductrice 25 électriquement reliée électriquement à au moins l'un des circuits de pixel d'affichage. Selon un mode de réalisation, la deuxième couche conductrice électriquement recouvre au moins partiellement ledit au moins l'un des circuits de pixel d'affichage. 30 Selon un mode de réalisation, la deuxième couche conductrice électriquement est reliée électriquement aux murs dudit au moins l'un des circuits de pixel d'affichage. Selon un mode de réalisation, la deuxième couche conductrice électriquement est, pour ledit au moins l'un des 35 circuits de pixel d'affichage, au contact d'un plot conducteur 316684 - Fab smart pixel 7 électriquement du circuit électronique situé du côté de la troisième face. Selon un mode de réalisation, la deuxième couche conductrice électriquement s'étend sur le support et la deuxième 5 couche conductrice électriquement est, pour ledit au moins l'un des circuits de pixel d'affichage, au contact d'un plot conducteur électriquement du circuit électronique situé du côté de la première face. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, entre 10 les étapes c) et d), l'étape de formation d'une première couche isolante électriquement recouvrant la première couche conductrice électriquement entre les circuits de pixel d'affichage et interposée entre la première couche isolante électriquement et la deuxième couche conductrice électriquement. 15 Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, avant l'étape c), l'étape de formation, pour chaque circuit de pixel d'affichage, en outre, d'une deuxième couche isolante électriquement recouvrant les flancs du circuit de pixel d'affichage. 20 Selon un mode de réalisation, l'étape a) comprend la formation, pour chaque diode électroluminescent, d'un empilement reposant sur une première couche semiconductrice et comprenant une deuxième couche semiconductrice dopée d'un premier type de conductivité, une couche active et une troisième couche 25 semiconductrice dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité, les empilements étant distincts. Brève description des dessins Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de 30 réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : les figures 1 et 2 sont respectivement une vue en coupe latérale et une vue de dessus, partielles et schématiques, d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique ; 316684 - Eab smart pixel 8 la figure 3 est une vue en coupe d'un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique ; la figure 4A est un schéma électrique équivalent d'un pixel d'affichage du dispositif optoélectronique représenté sur 5 les figures 1 et 3 ; les figures 43 et 4C sont des schémas électriques analogues à la figure 4A incluant des modes de réalisation du circuit de commande du dispositif optoélectronique ; la figure 5 est une vue de dessus, partielle et 10 schématique, du dispositif optoélectronique représenté sur les figures 1 et 3 illustrant un avantage du procédé de fabrication du dispositif optoélectronique ; la figure 6 est un schéma illustrant la commande du dispositif optoélectronique représenté sur les figures 1 ou 3 ; 15 les figures 7 à 11 sont des vues de dessus, partielles et schématiques, d'autres modes de réalisation d'un dispositif optoélectronique ; les figures 12A à 12L sont des vues en coupe latérales, partielles et schématiques, de structures obtenues à des étapes 20 successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique représenté sur la figure 1 ; les figures 13A à 13E sont des vues en coupe latérales, partielles et schématiques, de structures obtenues à des étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication 25 du dispositif optoélectronique représenté sur la figure 3 ; la figure 14 est une vue en coupe de la structure obtenue à une étape d'un autre mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique représenté sur la figure 1 ou 3 ; 30 la figure 15 est une vue en coupe d'un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique ; les figures 16A à 16K sont des vues en coupe latérales, partielles et schématiques, de structures obtenues à des étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication 35 du dispositif optoélectronique représenté sur la figure 15 ; 316684 - Fab smart pixel 9 la figures 17 et 18A sont respectivement une vue en coupe et une vue de dessus, partielles et schématiques, d'un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique ; la figure 183 est une variante de la figure 18A ; et 5 les figures 19A à 19J sont des vues en coupe latérales, partielles et schématiques, de structures obtenues à des étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique représenté sur les figures 17 et 18. 10 Description détaillée Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, comme cela est habituel dans la représentation des circuits électroniques, les diverses figures ne sont pas tracées à 15 l'échelle. En outre, seuls les éléments utiles à la compréhension de la présente description ont été représentés et sont décrits. En particulier, la structure d'une diode électroluminescente est bien connue de l'homme de l'art et n'est pas décrite en détail. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait 20 référence à des qualificatifs de position relative, tels que les termes "dessus", "supérieur", "inférieur", etc., il est fait référence à l'orientation des figures ou à un dispositif optoélectronique dans une position normale d'utilisation. Sauf indication contraire, les termes "sensiblement", "environ", et 25 "de l'ordre de" signifient "à 10 ; près", de préférence à 5 -(= près. En outre, on appelle "zone active" d'une diode électroluminescente la région de la diode électroluminescente depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement électromagnétique fourni par la diode électroluminescente. 30 Les figures 1 et 2 représentent un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 10, par exemple correspondant à un écran d'affichage ou à un dispositif de projection d'images, comprenant des pixels d'affichage. La figure 1 est une coupe de la figure 2 selon la ligne I-I et la figure 2 est une coupe de la 35 figure 1 selon la ligne II-II. 316684 - Fab smart pixel 10 Le dispositif 10 comprend du bas vers le haut en figure 1 : un support 12 comprenant des faces inférieure et supérieure opposées 14, 16, de préférence parallèles ; 5 une première couche d'électrode 18 comprenant une couche conductrice électriquement recouvrant la face supérieure 16 ; des pixels d'affichage Pix, également appelés circuits de pixel d'affichage par la suite, reposant sur la couche d'électrode 18 et au contact de la couche d'électrode 18, deux 10 pixels d'affichage Pix étant représentés en figure 1 et trois pixels d'affichage Pix étant représentés en figure 2, chaque pixel d'affichage Pix comprenant une face inférieure 20 et une face supérieure 22 opposée à la face inférieure 20, chaque circuit de pixel d'affichage comprenant des diodes électroluminescentes LED 15 émettant de la lumière par la face supérieure 22 ; une couche isolante électriquement 24 recouvrant la couche d'électrode 18 entre les pixels d'affichage Pix et recouvrant les flancs latéraux des pixels d'affichage Pix ; et une deuxième couche d'électrode 26 comprenant une couche 20 conductrice électriquement au moins partiellement transparente aux rayonnements émis par les diodes électroluminescentes LED, la couche conductrice 26 recouvrant chaque pixel d'affichage Pix et recouvrant la couche isolante 24 entre les pixels d'affichage Pix, la couche conductrice 26 étant au contact de la face supérieure 25 22 de chaque pixel d'affichage Pix. Chaque pixel d'affichage Pix comprend du bas vers le haut en figure 1 : un circuit électronique 30, appelé circuit de commande par la suite ; et 30 un circuit optoélectronique 40. Le circuit de commande 30 comprend la face inférieure 20 et une face supérieure 32 opposée à la face inférieure 20, les faces 20 et 32 étant de préférence parallèles. La face inférieure 20 est fixée à la couche d'électrode 18, et est par exemple 35 délimitée par un plot conducteur électriquement 34 reliée 316684 - Eab smart pixel 11 électriquement à la couche d'électrode 18. Le circuit de commande 30 comprend en outre des plots conducteurs électriquement 36 du côté de la face supérieure 32. Le circuit optoélectronique 40 est fixé à la face 5 supérieure 32 du circuit de commande 30. Il comprend des empilements 41 de couches semiconductrices formant les diodes électroluminescentes LEI), de préférence au moins trois diodes électroluminescentes. Le circuit optoélectronique 40 est relié électriquement au circuit électronique 30 par des plots 10 conducteurs électriquement 42 au contact des plots conducteurs électriquement 36. Le circuit optoélectronique 40 comprend des blocs photoluminescents 44 recouvrant les diodes électroluminescentes LEI) du côté opposé au circuit de commande 30 et séparés latéralement par des murs 46 conducteurs 15 électriquement. De préférence, chaque bloc photoluminescent 44 est en vis-à-vis de l'une des diodes électroluminescentes LEI). Les murs 46 sont au contact de l'empilement 41 et au contact de la deuxième couche d'électrode 26. En figure 2, les diodes électroluminescentes LEI) et les blocs photoluminescents 44 de 20 chaque pixel d'affichage Dix ont été représentées de façon alignée. Toutefois, il est clair que la disposition des diodes électroluminescentes LED et des blocs photoluminescents 44 peut être différente. A titre d'exemple, chaque pixel d'affichage Dix peut avoir, en vue de dessus, une forme sensiblement carrée, les 25 diodes électroluminescentes LEI) et les blocs photoluminescents 44 étant agencés à trois des coins du carré. Une couche d'encapsulation, non représentée, peut recouvrir la deuxième couche d'électrode 26. La face inférieure 20 du circuit électronique 30 peut 30 être fixée à la couche d'électrode 18 par un matériau de collage qui_ est de préférence conducteur électriquement. Chaque diode électroluminescente LEI) peut correspondre à une diode électroluminescente dite bidimensionnelle comprenant un empilement de couches semiconductrices sensiblement planes dont 35 la couche active est la couche depuis laquelle est émise la 316684 - Fab smart pixel 12 majorité du rayonnement fourni par la diode électroluminescente LED. Selon un mode de réalisation, toutes les diodes électroluminescentes LED du circuit optoélectronique 40 émettent de préférence un rayonnement lumineux sensiblement à la même 5 longueur d'onde. Selon un mode de réalisation, l'empilement 41 comprend, pour chaque diode électroluminescente LED, une couche semiconductrice 48 dopée d'un premier type de conductivité, par exemple dopé de type P, au contact d'un plot conducteur 42, une 10 couche active 50 au contact de la couche semiconductrice 48 et une couche semiconductrice 52 dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité, par exemple dopée de type N, au contact de la couche active 50. Le =cuit optoélectronique 40 comprend, en outre, une couche semiconductrice 15 54 au contact des couches semiconductrices 52 des diodes électroluminescentes et sur laquelle repose les murs 46. La couche semiconductrice 54 est, par exemple, du même matériau que les couches semiconductrices 52. Selon un mode de réalisation, chaque circuit optoélectronique 40 comprend, pour chaque diode 20 électroluminescente, un plot conducteur 42 reliant la couche semiconductrice 48 au =cuit électronique 30, et au moins un plot semiconducteur 42 reliant la couche semiconductrice 54 directement au circuit électronique 30. Pour chaque diode électroluminescente LED, la couche 25 active 50 peut comporter des moyens de confinement. A titre d'exemple, la couche 50 peut comprendre un puits quantique unique. Elle comprend alors un matériau semiconducteur différent du matériau semiconducteur formant les couches semiconductrices 48 et 52 et ayant une bande interdite inférieure à celle du matériau 30 formant les couches semiconductrices 48 et 52. La couche active 50 peut comprendre des puits quantiques multiples. Elle comprend alors un empilement de couches semiconductrices formant une alternance de puits quantiques et de couches barrières. Pour chaque pixel d'affichage Pix, le =cuit 35 optoélectronique 40 peut être fixé au circuit de commande 30 par 316684 - Fab smart pixel 13 une liaison de type "Flip-Chip". Les éléments conducteurs fusibles non représentés, par exemple des billes de soudure ou des billes d'indium, qui relient le circuit optoélectronique 40 au circuit de commande 30 assurent la liaison mécanique entre le circuit 5 optoélectronique 40 et le circuit de commande 30 et assurent, en outre, la connexion électrique de chaque diode électroluminescente LED du circuit optoélectronique 40 au circuit de commande 30. Selon un autre mode de réalisation, le circuit optoélectronique 40 peut être fixé au circuit de commande 30 par collage direct. 10 fi peut s'agir d'un collage direct hétérogène. Ceci signifie que des éléments métalliques du circuit optoélectronique 40 sont en contact avec des éléments métalliques du circuit de commande 30 et des éléments diélectriques du circuit optoélectronique 40 sont en contact avec des éléments diélectriques du circuit de commande 15 30. Selon un mode de réalisation, chaque bloc photoluminescent 44 est situe en vis-à-vis de l'une des diodes électroluminescentes LED Chaque bloc photoluminescent 44 comprend des luminophores adaptes, lorsqu'ils sont excites par la 20 lumière émis par la diode électroluminescente LED associée, a émettre de la lumière à une longueur d'onde différente de la longueur d'onde de la lumière émise par la diode électroluminescente LED associée. Selon un mode de réalisation, chaque pixel d'affichage Pix comprend au moins deux types de blocs 25 photoluminescents 44. Le bloc photoluminescent 44 du premier type est adapte a convertir le rayonnement fourni par les diodes électroluminescentes LED en un premier rayonnement à une première longueur d'onde et le bloc photoluminescent 44 du deuxième type est adapte a convertir le rayonnement fourni par les diodes 30 électroluminescentes LED en un deuxième rayonnement à une deuxième longueur d'onde. Selon un mode de réalisation, chaque pixel d'affichage Pix comprend au moins trois types de blocs photoluminescents 44, le bloc photoluminescent 44 du troisième type étant adapté à convertir le rayonnement fourni par les diodes 35 électroluminescentes LED en un troisième rayonnement a une E16684 - Eab smart pixel 14 troisième longueur d'onde. Les première, deuxième et troisième longueurs d'ondes peuvent être différentes. Selon un mode de réalisation, la première longueur d'onde correspond a de la lumière bleue et est dans la plage de 5 430 nm a 490 nm. Selon un mode de réalisation, la deuxième longueur d'onde correspond a de la lumière verte et est dans la plage de 510 nm a 570 nm. Selon un mode de réalisation, la troisième longueur d'onde correspond a de la lumière rouge et est dans la plage de 600 nm a 720 nm. Les diodes électroluminescentes 10 LED sont par exemple adaptées a émettre un rayonnement dans l'ultraviolet. Selon un mode de réalisation, chaque pixel d'affichage Pix comprend un bloc photoluminescent 44 d'un quatrième type adapte a convertir le rayonnement fourni par les diodes 15 électroluminescentes LED en un quatrième rayonnement a une quatrième longueur d'onde. Les première, deuxième, troisième et quatrième longueurs d'ondes peuvent être différentes. Selon un mode de réalisation, la quatrième longueur d'onde correspond a de la lumière jaune et est dans la plage de 570 nm a 600 nm. Selon 20 un autre mode de réalisation, le quatrième rayonnement correspond a un rayonnement dans le proche infrarouge, notamment a une longueur d'onde entre 700 nm et 980 nm, a un rayonnement ultraviolet, ou a de la lumière blanche. Chaque circuit de commande 30 peut comprendre des 25 composants électroniques, non représentés, notamment des transistors, utilises pour la commande des diodes électroluminescentes. Chaque circuit de commande 30 peut comprendre un substrat semiconducteur dans lequel et/ou sur lequel sont formes les composants électroniques. La face inférieure 20 30 du circuit de commande 30 peut alors correspondre a la face arrière du substrat opposée a la face avant du substrat du côte de laquelle sont formés les composants électroniques. Le substrat semiconducteur est, par exemple, un substrat en silicium, notamment en silicium monocristallin. 316684 - Fab smart pixel 15 De préférence, les circuits optoélectroniques 40 comprennent seulement des diodes électroluminescentes et des éléments de connexion de ces diodes électroluminescentes et les circuits de commande 30 comprennent la totalité des composants 5 électroniques nécessaires à la commande des diodes électroluminescentes des circuits optoélectroniques 40. A titre de variante, les circuits optoélectroniques 40 peuvent également comprendre d'autres composants électroniques en plus des diodes électroluminescentes. 10 Le dispositif optoélectronique 10 peut comprendre de 10 à 109 pixels d'affichage Pix. Chaque pixel d'affichage Pix peut occuper en vue de dessus une surface comprise entre 1 pm2 et 100 mm2. L'épaisseur de chaque pixel d'affichage Pix peut être comprise entre 1 um et 6 mm. L'épaisseur de chaque circuit 15 électronique 30 peut être comprise entre 0,5 gm et 3000 mut. L'épaisseur de chaque circuit optoélectronique 40 peut être comprise entre 0,2 pin et 3000 mut. Le support 12 peut être en un matériau Isolant électriquement, comprenant par exemple un polymère, notamment une 20 résine époxy, et en particulier le matériau FR4 utilisé pour la fabrication de circuits imprimés, ou en un matériau métallique, par exemple de l'aluminium. L'épaisseur du support 12 peut être comprise entre 10 lm et 10 mm. La couche conductrice 18 correspond, de préférence à une 25 couche métallique, par exemple en aluminium, en argent, en cuivre ou en zinc. L'épaisseur de la couche conductrice 18 peut être comprise entre 0,5 mm et 1000 mm. La couche isolante 24 peut être en un matériau diélectrique, par exemple en oxyde de silicium (5102), en nitrure 30 de silicium (SixNy, où x est environ égal à 3 et y est environ égal à 4, par exemple du SI3N4), en oxynitrure de silicium (SiOxNy où x peut être environ égal à 1/2 et y peut être environ égal à 1, par exemple du 5i20N2), en oxyde d'aluminium (A1203), ou en oxyde d'hafnium (Hf02). L'épaisseur maximale de chaque portion 35 Isolante 24 peut être comprise entre 0,2 mm et 1000 pin. De 316684 - Fab smart pixel 16 préférence, la couche isolante 24 est opaque aux rayonnements émis par les circuits optoélectroniques 40. La couche isolante 24 peut correspondre a une résine blanche, a une résine noire ou a une résine transparente chargée, notamment en particules de d'oxyde 5 de titane. Chaque plot conducteur 34, 36, 42 peut être au moins en partie en un matériau choisi dans le groupe comprenant le cuivre, le titane, le nickel, l'or, l'étain, l'aluminium et les alliages d'au moins deux de ces composes. 10 La couche conductrice 26 est adaptée a laisser passer le rayonnement électromagnétique émis par les circuits optoélectroniques 40. Le matériau formant la couche conductrice 26 peut être un matériau transparent et conducteur tel que de l'oxyde d'indium-étain (ou ITO, acronyme anglais pour Indium Tin 15 Oxide), de l'oxyde de zinc dope a l'aluminium ou au gallium, ou du graphene. L'épaisseur minimale de la couche conductrice électriquement 26 sur les pixels d'affichage Dix peut être comprise entre 0,05 pm et 1000 pm. Les couches semiconductrices 48, 52, 54 sont, au moins 20 en partie, formées a partir d'au moins un matériau semiconducteur. Le matériau semiconducteur est choisi parmi le groupe comprenant les composes III-V, par exemple un compose III-N, les composes II-VI ou les semiconducteurs ou composes du groupe IV. Des exemples d'éléments du groupe III comprennent le gallium (Ga), 25 l'indium (In) ou l'aluminium (Al). Des exemples de composes TIN sont GaN, AIN, InN, InGaN, AlGaN ou AlInGaN. D'autres éléments du groupe V peuvent également être utilises, par exemple, le phosphore ou l'arsenic. Des exemples d'éléments du groupe II comprennent des éléments du groupe IIA, notamment le béryllium 30 (Be) et le magnésium (Mg) et des éléments du groupe IIB, notamment le zinc (Zn), le cadmium (Cd) et le mercure (Hg). Des exemples d'éléments du groupe VI comprennent des éléments du groupe VIA, notamment l'oxygène (0) et le tellure (Te). Des exemples de composes II-VI sont ZnO, ZnMg0, CdZnO, CdZnMg0, CdHgTe, CdTe ou 35 HgTe. Des exemples de matériaux semiconducteurs du groupe IV sont 316684 - Pab smart pixel 17 le silicium (Si), le carbone (C), le germanium (Ge), les alliages de carbure de silicium (SIC), les alliages silicium-germanium (SiGe) ou les alliages de carbure de germanium (GeC). Selon un mode de réalisation, chaque bloc 5 photoluminescent 44 comprend des particules d'au moins un matériau photoluminescent. Un exemple d'un matériau photoluminescent est le grenat d'yttrium et d'aluminium CLAC) activé par l'ion cérium trivalent, également appelé YAG:Ce ou YAG:Ce3t. La taille moyenne des particules des matériaux photoluminescents classiques est 10 généralement supérieure à 5 gm. Selon un mode de réalisation, chaque bloc photoluminescent 44 comprend une matrice dans laquelle sont dispersées des particules monocristallines de taille nanométrique d'un matériau semiconducteur, également appelées nanocristaux 15 semiconducteurs ou particules de nanoluminophores par la suite. Le rendement quantique interne Oint d'un matériau photoluminescent est égal au rapport entre le nombre de photons émis et le nombre de photons absorbés par la substance photoluminescente. Le rendement quantique interne QYint des 20 nanocristaux semiconducteurs est supérieur à 5 î, de préférence supérieur à 10 î, plus préférentiellement supérieur à 20 1. Selon un mode de réalisation, la taille moyenne des nanocristaux est dans la plage de 0,5 nm et 1000 un, de préférence de 0,5 nu à 500 nm, encore plus préférentiellement de 1 nu à 25 100 un, notamment de 2 nm à 30 un. Pour des dimensions inférieures à 50 mu, les propriétés de photoconversion des nanocristaux semiconducteurs dépendent essentiellement de phénomènes de confinement quantique. Les nanocristaux semiconducteurs correspondent alors à des boîtes quantiques. 30 Selon un mode de réalisation, le matériau semiconducteur des nanocristaux semiconducteurs est choisi parmi le groupe comprenant le séléniure de cadmium (CdSe), le phosphure d'indium (InP), le sulfure de cadmium (CdS), le sulfure de zinc (ZnS), le séléniure de zinc (ZnSe), le tellurure de cadmium (CdTe), le 35 tellurure de zinc (ZnTe), l'oxyde de cadmium (CdO), l'oxyde de 316684 - Fab smart pixel 18 zinc et de cadmium (ZnCd0), le sulfure de zinc et de cadmium (CdZnS), le seleniure de zinc et de cadmium (CdZnSe), le sulfure d'argent et d'indium (AgInS2), les perovskltes du type PbScX3, ou X est un atome d'halogène, notamment l'iode (I), le brome (Br) ou 5 le chlore (Cl), et un mélange d'au moins deux de ces composes. Selon un mode de réalisation, le matériau semiconducteur des nanocristaux semiconducteurs est choisi parmi les matériaux cites dans la publication au nom de Le Blevenec et al. de Physica Status Solldi (RRL) - Rapid Research Letters Volume 8, No. 4, pages 349- 10 352, avril 2014. Selon un mode de réalisation, les dimensions des nanocristaux semiconducteurs sont choisies selon la longueur d'onde recherchée du rayonnement émis par les nanocristaux semiconducteurs. A titre d'exemple, des nanocristaux de CdSe dont 15 la taille moyenne est de l'ordre de 3,6 nm sont adaptes a convertir de la lumière bleue en lumière rouge et des nanocristaux de CdSe dont la taille moyenne est de l'ordre de 1,3 nm sont adaptes a convertir de la lumière bleue en lumière verte. Selon un autre mode de réalisation, la composition des nanocristaux 20 semiconducteurs est choisie selon la longueur d'onde recherchée du rayonnement émis par les nanocristaux semiconducteurs. La matrice est en un matériau au moins en partie transparent. La matrice est, par exemple, en silice. La matrice est, par exemple, en n'importe quel polymère au moins en partie 25 transparent, notamment en silicone, en époxy ou en acide polyacetique (PLA). La matrice peut être en un polymère au moins en partie transparent utilise avec les imprimantes tridimensionnelles, tels que le PLA. Selon un mode de réalisation, la matrice contient de 2 1 a 90 ,, de préférence de 10 -(= a 60 30 en pouls de nanocristaux, par exemple environ 30 . en poids de nanocristaux. L' épaisseur des blocs photoluminescents 44 dépend de la concentration de nanocristaux et du type de nanocristaux utilise. La hauteur des blocs photoluminescents 44 est de préférence 35 inférieure ou égale a la hauteur des murs 46. Dans la vue de la 316684 - Fab smart pixel 19 figure 2, l'aire de chaque bloc photoluminescent 44 correspond à l'aire d'un carré ayant un côté mesurant de 1 gm à 100 um, de préférence de 3 mm à 15 lm. Les murs 46 sont au moins en partie en au moins un 5 matériau semiconducteur ou conducteur. Le matériau semiconducteur ou conducteur métallique peut être le silicium, le germanium, le carbure de silicium, un composé III-V, un composé II-VI, l'acier, le fer, le cuivre, l'aluminium, le tungstène, le titane, l'hafnium, le zirconium ou une combinaison d'au moins deux de ces 10 composés. De préférence, les murs 46 sont formés en un matériau semiconducteur compatible avec les procédés de fabrication mis en oeuvre en microélectronique. Les murs 46 peuvent être fortement dopés, légèrement dopés ou non dopés. De préférence, les murs 30 sont formés en silicium monocristallin. 15 La hauteur des murs 46, mesurée selon une direction perpendiculaire à la face 14, est dans la plage de 300 nm à 200 mm, de préférence de 5 mm à 30 pin. L'épaisseur des murs 46, mesurée selon une direction parallèle à la face 14, est dans la plage de 100 nm à 50 mm, de préférence de 0,5 mm à 10 mm. 20 Selon un mode de réalisation, les murs 46 peuvent être formés d'un matériau réfléchissant ou recouverts d'un revêtement réfléchissant à la longueur d'onde du rayonnement émis par les blocs photoluminescents 44 et/ou les diodes électroluminescentes LET). 25 De préférence, les murs 46 entourent les blocs photoluminescents 44. Les murs 46 réduisent alors la diaphonie entre blocs photoluminescents 44 adjacents. La couche d'encapsulation peut être réalisée en un matériau isolant au mollis partiellement transparent. La couche 30 d'encapsulation peut être réalisée en un matériau Inorganique au moins partiellement transparent. A titre d'exemple, le matériau Inorganique est choisi parmi_ le groupe comprenant les oxydes de silicium du type SIOx où x est un nombre réel compris entre 1 et 2 ou SiOY Nz où y et z sont des nombres réels compris entre 0 et 1 35 et les oxydes d'aluminium, par exemple A1203. La couche 316684 - Fab smart pixel 20 d'encapsulation peut être réalisée en un matériau organique au moins partiellement transparent. A titre d'exemple, la couche d'encapsulation est un polymère silicone, un polymère époxyde, un polymère acrylique ou un polycarbonate. 5 Selon un mode de réalisation, une grille métallique peut être formée au-dessus de la couche conductrice et transparente 26 et en contact avec la couche conductrice et transparente 26, les pixels d'affichage Pix étant situés au niveau d'ouvertures de la grille métallique. Ceci permet d'améliorer la conduction 10 électrique sans entraver le rayonnement émis par les pixels d'affichage Pix. Selon un mode de réalisation, une grille métallique peut être formée le long et en contact de la couche conductrice et transparente 26, de manière à avantageusement favoriser la 15 conduction du courant électrique sans bloquer les rayons lumineux. Selon un mode de réalisation, en fonctionnement, une tension VE est appliquée entre les couches d'électrode 26 et 18 pour l'alimentation des pixels d'affichage Pix, notamment des diodes électroluminescentes des circuits optoélectroniques 40 des 20 pixels d'affichage Pix. La figure 3 est une vue analogue à la figure 1 d'un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 55 comprenant l'ensemble des éléments du dispositif optoélectronique 10 et dans lequel, chaque pixel d'affichage Pix comprend en outre 25 une couche Isolante électriquement 56 recouvrant les flancs du pixel d'affichage Pix. L'épaisseur minimale de la couche isolante 56 peut être comprise entre 2 nm et 1 mm. La couche d'électrode 26, en plus de recouvrir la face supérieure 22 de chaque pixel d'affichage Pix, peut recouvrir une partie de la couche isolante 30 56 du pixel d'affichage Pix. Les couches isolantes 56 peuvent être en oxyde de silicium (5102), en nitrure de silicium (SixNy, où x est environ égal à 3 et y est environ égal à 4, par exemple du Si3N4), en oxynitrure de silicium (SiOxNy où x peut être environ égal à 1/2 et y peut être environ égal à 1, par exemple du Si2ON2), 316684 - Fab smart pixel 21 en oxyde d'aluminium (A1203), en oxyde d'hafnium (Hf02) ou en oxyde de zirconium (Zr02). La figure 4A représente un schéma électrique équivalent du pixel d'affichage Pix représenté sur les figures 1 et 3. Une 5 première électrode, par exemple la cathode, de chaque diode électroluminescente LEI) est connectée au circuit de commande 30 du pixel d'affichage Pix tandis que la deuxième électrode de chaque diode électroluminescente LEI), par exemple l'anode, est connectée à la couche d'électrode 26, elle-même reliée à une 10 source d'un potentiel de référence bas GND, par exemple la masse. Le circuit de commande 30 est connecté à la couche d'électrode 18 qui est reliée à une source d'un potentiel de référence haut VCC. Le pixel d'affichage Pix est connecté entre les couches d'électrode 18 et 26 et reçoit la tension VE. Le circuit 30 15 commande les diodes électroluminescentes LEI) du circuit optoélectronique 40. La figure 43 est une figure analogue à la figure 4A dans laquelle le circuit de commande 30 est représenté avec une région active 53 disposée du côté de la face inférieure 20. La région 20 active 53 est la région du circuit de commande 30 dans et sur laquelle sont formés les composants électroniques du circuit de commande 30. Le circuit de commande 30 comprend, en outre, des vias 57 s'étendant au travers du circuit de commande 30, isolés latéralement par rapport au reste du circuit de commande et 25 reliant électriquement des pistes conductrices formées du côté de la face inférieure 20 du circuit de commande 30 aux plots conducteurs 36 situés du côté de la face supérieure 32 du circuit de commande 30. En particulier, l'un des vias 57 permet de ramener le potentiel fourni par la source du potentiel de référence bas 30 GND jusqu'à la région active 53. La figure 40 est une figure analogue à la figure 4A dans laquelle le circuit de commande 30 est représenté avec la région active 53 disposée du côté de la face supérieure 32. Le circuit de commande 30 comprend, en outre, au moins un via 57 s'étendant 35 au travers du circuit de commande 30 et reliant électriquement le 316684 - Fab smart pixel 22 plot conducteur 34 situé du côté de la face inférieure 20 du circuit de commande 30 au plot conducteur 36 situé du côté de la face supérieure 32 du circuit de commande 30. Ce via 57 permet de ramener le potentiel de la source du potentiel de référence haut 5 VCC jusqu'à la région active 53. Dans le présent mode de réalisation, la couche conductrice 18 est en contact avec tous les pixels d'affichage Dix du dispositif optoélectronique 10, 55 et la couche conductrice 26 est en contact avec tous les pixels d'affichage Dix du 10 dispositif optoélectronique 10, 55. Un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique 10 ou 55 comprend la fabrication des pixels d'affichage Dix et la mise en place séparément de chaque pixel d'affichage Dix sur la couche d'électrode 18. Selon un mode 15 de réalisation, les couches d'électrode 18 et 26 étant communes à tous les pixels d'affichage Dix, la connexion des pixels d'affichage Dix est simplifiée et il n'est pas nécessaire que le placement de chaque pixel d'affichage Dix sur la couche d'électrode 18 soit réalisé avec une précision élevée. Ceci permet 20 de façon avantageuse de mettre en oeuvre des techniques plus rapides et à coûts réduits pour disposer les pixels d'affichage Dix sur la couche d'électrode 18. En outre, comme les diodes électroluminescentes de chaque pixel d'affichage sont intégrées au circuit optoélectronique 40 du pixel d'affichage Dix, le nombre 25 de transferts à réaliser lors du montage du dispositif optoélectronique 10 ou 55 est réduit. Dans le présent mode de réalisation, chaque pixel d'affichage Dix peut comprendre une mémoire dans laquelle est stockée un identifiant du pixel. Le procédé de fabrication peut comprendre une phase d'étalonnage dans 30 laquelle la position de chaque pixel d'affichage Dix est récupérée en fonction de son identifiant. En fonctionnement, des données peuvent alors être transmises aux pixels en fonction de leur identifiant. La figure 5 représente une vue de dessus schématique du 35 dispositif optoélectronique 10 ou 55 illustrant le fait que les 316684 - Fab smart pixel 23 pixels d'affichage Pix peuvent ne pas être disposés de façon très précise, par exemple parfaitement alignés en rangées et en colonnes, et que certains pixels d'affichage Pix peuvent être inclinés par rapport aux directions des rangées et des colonnes. 5 Dans les modes de réalisation décrits précédemment, la couche d'électrode 18 est connectée à tous les pixels d'affichage Pix et se présente sous la forme d'une couche ininterrompue s'étendant sur la majorité, voire la totalité du support 12. Pour chaque pixel d'affichage Pix, le circuit de 10 commande 30 est adapté à recevoir des signaux de commande et à commander, à partir des signaux de commande reçus, les diodes électroluminescentes du pixel d'affichage, notamment la teinte, la saturation et la luminosité de la lumière émise par le pixel d'affichage. 15 Selon un mode de réalisation, les signaux de commande peuvent être transmis aux circuits de commande 30 des pixels d'affichage Pix par une modulation de la tension "VE. La figure 6 représente de façon très schématique un module de traitement 58 recevant des signaux de commande COM et 20 adapté à fournir au dispositif optoélectronique 10 ou 55 une tension "VE d'alimentation des pixels d'affichage Pix qui est modulée avec les signaux de commande COM. Le module de traitement 58 peut correspondre à un circuit dédié ou peut comprendre un processeur, par exemple un microprocesseur ou un microcontrôleur, 25 adapté à exécuter des instructions d'un programme d'ordinateur stocké dans une mémoire. Le circuit de commande 30 de chaque pixel d'affichage Pix peut extraire les signaux de commande COM par démodulation de la tension VE. Le circuit de commande 30 peut alors déterminer si 30 les signaux de commande COM lui sont destinés. A titre d'exemple, un identifiant peut être associé à chaque pixel d'affichage Pix et les signaux de commande COM obtenus par démodulation de la tension VE peuvent comprendre l'identifiant du pixel d'affichage auquel ces signaux de commande sont destinés. 316684 - Fab smart pixel 24 De façon avantageuse, un adressage actif des pixels d'affichage Dix peut être réalisé. En effet, chaque circuit de commande 30 peut commander le maintien des propriétés d'affichage, notamment la teinte, la saturation et la luminosité, du pixel 5 d'affichage jusqu'à ce qu'il reçoive de nouveaux signaux de commande. La figure 7 représente une vue de dessus schématique d'un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 60 comprenant l'ensemble des éléments du dispositif 10 optoélectronique 10 ou 55 dans lequel la couche d'électrode 18 est divisée en bandes conductrices électriquement 62 parallèles s'étendant sur le support 12, trois bandes 62 étant représentées a titre d'exemple sur la figure 7. Au moins une rangée de pixels d'affichage Dix est repartie sur chaque bande conductrice 62. De 15 préférence, plusieurs rangées de pixels d'affichage Dix sont reparties sur chaque bande conductrice 62, trois rangées de pixels d'affichage Dix étant représentées par une bande conductrice 62 a titre d'exemple sur la figure 7. Selon un autre mode de réalisation, la couche 20 d'électrode 18 et/ou la couche d'électrode 26 peut être divisée en bandes d'électrode distinctes. Selon un autre mode de réalisation, la couche d'électrode 26 peut également être divisée en bandes parallèles et conductrices électriquement. Lorsque les couches d'électrode 18 et 26 sont chacune divisées en bandes, les 25 bandes de la couche d'électrode 18 ont de préférence sensiblement les mêmes dimensions que les bandes de la couche d'électrode 26 et chaque bande de la couche d'électrode 26 recouvre sensiblement une seule des bandes de la couche d'électrode 18. Selon un autre mode de réalisation, l'une des électrodes 18 ou 26 peut être 30 commune aux pixels d'affichage Dix tandis que l'autre électrode 18 ou 26 est divisée en bandes parallèles et conductrices électriquement. Dans le mode de réalisation dans lequel les couches d'électrode 18, 26 sont divisées en bandes superposées prenant en sandwich des ensembles de pixels d'affichage, 35 différents signaux de commande peuvent être transmis en parallèle 316684 - Fab smart pixel 25 en modulant différemment la tension VE pour chaque ensemble de pixels d'affichage. Ceci permet de transmettre en parallele les signaux de commande pour chaque ensemble de pixels d'affichage Pix. Ceci permet de réduire la fréquence de modulation du 5 rayonnement électromagnétique et/ou d'augmenter le débit de données transmises. La figure 8 est une vue de dessus partielle et schématique d'un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 65 dans lequel la couche d'électrode 18 est 10 divisée en bandes conductrices 62 s'étendant selon la direction des rangées et dans lequel la couche d'électrode 26 est divisée en bandes conductrices électriquement 66 s'étendant selon la direction des colonnes, et appelées électrodes de colonne. Au moins un pixel d'affichage Pix est disposé à l'intersection, en 15 vue de dessus, entre chaque électrode de rangée 62 et chaque électrode de colonne 66 et est connecté a l'électrode de rangée 62 et a l'électrode de colonne 66. A titre d'exemple, en figure 8, trois pixels d'affichage Pix sont prévus à l'intersection, en vue de dessus, entre chaque électrode de rangée 62 et chaque 20 électrode de colonne 66. Selon un mode de réalisation, les pixels d'affichage Pix à l'intersection de chaque électrode de rangée 62 et de chaque électrode de colonne 66 peuvent former un pixel de l'image à afficher. Ceci permet d'avoir une redondance au cas où l'un des pixels d'affichage Pix est défectueux. Il est à noter 25 que, pour chaque pixel d'affichage Pix, la totalité de la face inférieure du pixel d'affichage Pix n'est pas nécessairement en contact avec l'une des électrodes de rangée 62 et/ou la totalité de la face supérieure du pixel d'affichage Pix n'est pas nécessairement en contact avec l'une des électrodes de colonne 30 66. Ceci signifie que le pixel d'affichage Pix peut être a cheval entre l'une des électrodes de rangée 62 et la région inter-bande adjacente et/ou que le pixel d'affichage Pix peut être à cheval entre l'une des électrodes de colonne 66 et la région inter-bande adjacente. 316684 - Fab smart pixel 26 Selon un autre mode de réalisation, les bandes transparentes 66, pour lesquelles le dépôt sur de grandes longueurs/surfaces continues peut être complique, peuvent être constituées de zones discontinues, où sont connectés les pixels 5 d'affichage, ces zones discontinues étant connectées entre elles par des pistes métalliques. Cela permet avantageusement de faciliter la formation des électrodes supérieures et d'améliorer la conductivité électrique. La figure 9 est une vue de dessus partielle et 10 schématique d'un mode de réalisation du dispositif optoélectronique 65 dans lequel un seul pixel d'affichage Pix est prévu à l'intersection de chaque électrode de rangée 62 et de chaque électrode de colonne 66. Comme cela apparaît sur la figure 9, la largeur de chaque 15 bande conductrice 66 est de préférence supérieure à la dimension du pixel d'affichage Pix mesurée selon la direction des colonnes et la largeur de chaque bande conductrice 62 est supérieure à la dimension du pixel d'affichage Pix mesurée selon la direction des rangées, notamment pour éviter un court-circuit. De ce fait, pour 20 chaque rangée, les pixels d'affichage Pix appartenant a la rangée peuvent ne pas être parfaitement alignes. De même, pour chaque colonne, les pixels d'affichage Pix appartenant a la colonne peuvent ne pas être parfaitement alignés. La figure 10 est une vue de dessus, partielle et 25 schématique, d'une variante du dispositif optoélectronique 65 dans laquelle une grille métallique 67 est formée au-dessus de chaque bande conductrice supérieure et transparente 66 et en contact avec la bande conductrice et transparente 66, les pixels d'affichage Pix étant situés au niveau d'ouvertures 68 de la grille métallique 30 67. Ceci permet d'améliorer la conduction électrique sans entraver le rayonnement émis par les pixels d'affichage Pix. La figure 11 est une vue de dessus, partielle et schématique, d'une autre variante du dispositif optoélectronique 65 dans laquelle une grille métallique 69 est formée le long et 35 en contact de chaque bande conductrice et transparente 66, de 316684 - Bab smart pixel 27 manière à avantageusement favoriser la conduction du courant électrique sans bloquer les rayons lumineux. Les figures 12A à 12L sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de structures obtenues à des étapes successives 5 d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique 10 représenté sur la figure 1. La figure 12A représente la structure obtenue après la formation sur un support 70 d'un empilement 71 de couches semiconductrices, comprenant, du bas vers le haut en figure 12A, 10 une couche semiconductrice 72, une couche active 74 et une couche semiconductrice 76. La couche semiconductrice 72 peut avoir la même composition que les couches semiconductrices 52, 54 décrites précédemment. La couche active 74 peut avoir la même composition que la couche active 50 décrite précédemment. La couche 15 semiconductrice 76 peut avoir la même composition que la couche semiconductrice 48 décrite précédemment. Une couche de nucléation peut être prévue entre le support 70 et la couche semiconductrice 72. De préférence, il n'y a pas de couche de nucléation entre le support 70 et la couche semiconductrice 72. 20 La figure 12B représente la structure obtenue après la délimitation des diodes électroluminescentes LED des circuits optoélectroniques 40 et la formation des plots conducteurs 42. Les diodes électroluminescentes LED peuvent être délimitées en gravant la couche semiconductrice 72, la couche active 74 et la 25 couche semiconductrice 76 pour délimiter, pour chaque diode électroluminescente LED de chaque circuit optoélectronique 40 la couche semiconductrice 52, la couche active 50 et la couche semiconductrice 48. La gravure mise en oeuvre peut être une gravure sèche, par exemple utilisant un plasma à base de chlore 30 et de fluor, une gravure ionique réactive (RIE). La partie non gravée de la couche semiconductrice 72 forme la couche semiconductrice 54 décrite précédemment. Les plots conducteurs 42 peuvent être obtenus en déposant une couche conductrice sur l'ensemble de la structure obtenue et en retirant la partie de la 35 couche conductrice en dehors des plots conducteurs 42. On obtient 316684 - Fab smart pixel 28 un circuit optoélectronique 78 comprenant plusieurs exemplaires, non encore achevés, du circuit optoélectronique 40, deux exemplaires étant représentés en figure 12E. La figure 12C représente la structure obtenue après la 5 fabrication d'un circuit électronique 80 comprenant plusieurs exemplaires, non complètement achevés, du circuit de commande 30 souhaite, notamment par des étapes classiques d'un procédé de fabrication d'un circuit intégré, et juste avant la fixation du circuit électronique 80 au circuit optoélectronique 78. Les 10 méthodes d'assemblage du circuit électronique 80 au circuit optoélectronique 78 peuvent comprendre des opérations de brasage ou de collage moléculaire. La figure 123 représente la structure obtenue après la formation des murs 46 dans le support 70. Les murs 46 peuvent être 15 formes en gravant des ouvertures 82 dans le support 70. La figure 12E représente la structure obtenue après la formation des blocs photoluminescents 44. Les blocs photoluminescents 44 peuvent être formes en remplissant certaines ouvertures 82 avec une dispersion colloïdale de nanocristaux 20 semiconducteurs dans une matrice de liaison, par exemple par un procédé dit additif, éventuellement en obturant certaines ouvertures 82 avec de la résine. Le procédé dit additif peut comprendre l'impression directe de la dispersion colloïdale aux emplacements souhaités, par exemple par impression par jet 25 d'encre, impression par aérosol, microtamponnage, photogravure, sérigraphie, flexographie, revêtement par pulvérisation, ou dépôt de gouttes. Selon un autre mode de réalisation, les blocs photoluminescents 44 peuvent être formes avant la fabrication des murs 46. 30 La figure 12F représente la structure obtenue après la fixation de la structure représentée en figure 12E, du côte des blocs photoluminescents 44, a un support 84, également appelé poignée, en utilisant un matériau de liaison 85. 316684 - Fab smart pixel 29 La figure 12G représente la structure obtenue après avoir aminci le substrat du circuit électronique 80 du côté opposé a la poignée 84. La figure 12H représente la structure obtenue après la 5 formation des plots conducteurs 34 des circuits de commande 30 sur le circuit électronique 80 du côte oppose à la poignée 84. La figure 121 représente la structure obtenue après la séparation des circuits de commande 30 dans le circuit électronique 80 et des circuits optoélectroniques 40 dans le 10 circuit optoélectronique 78. Les pixels d'affichage Pix sont ainsi délimités tout en restant fixés a la poignée 84. La figure 12J représente la structure obtenue après la fixation de certains des pixels d'affichage Pix au support 12. Dans le présent mode de réalisation, on a représenté deux bandes 15 conductrices 62 sur le support 12. Les pixels d'affichage Pix qui sont en contact avec les bandes conductrices 62 se fixent aux bandes conductrices 62. Les pixels d'affichage Pix qui ne sont pas au contact de bandes conductrices 62 ne sont pas fixes au support 12. A titre d'exemple, chaque pixel d'affichage Pix peut 20 être fixe à l'une des bandes conductrices 62 par collage moléculaire ou par l'intermédiaire d'un matériau de collage, notamment une colle époxy conductrice électriquement. La figure 12K représente la structure obtenue après la séparation de la poignée 84 des pixels d'affichage Pix fixes au 25 support 12. Cette séparation peut être réalisée par ablation laser. Le mode de réalisation illustré sur les figures 12J et 12K permet la fixation simultanée de plusieurs pixels d'affichage Pix au support 12. A titre de variante, après l'étape illustrée sur la 30 figure 121, les pixels d'affichage Pix peuvent être sépares de la poignée 84 et un procédé "pick and place" peut être mis en oeuvre consistant a placer séparément chaque pixel d'affichage Pix sur le support 12. La figure 12L représente la structure obtenue après la 35 formation de la couche isolante 24 et de la deuxième couche 1316684 - Fab smart pixel 30 d'électrode 26. La couche isolante 24 peut être déposée par dépôt chimique en phase vapeur (CVD, sigle anglais pour Chemical Vapor Deposition), dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, sigle anglais pour Plasma Enhanced Chemical Vapor 5 Deposition), ou pulvérisation cathodique. La couche d'électrode 26 peut être déposée par CVD, PECVD, ALD, pulvérisation cathodique ou évaporation. Les figures 13A à 13E sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de structures obtenues à des étapes successives 10 d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique 55 représenté sur la figure 3. La figure 13A représente la structure obtenue après la mise en oeuvre des étapes décrites précédemment en relation avec les figures 12A à 121. 15 La figure 13B représente la structure obtenue après la formation, pour chaque pixel d'affichage Pix, de la couche Isolante 56 sur les flancs du pixel d'affichage Pix. La couche Isolante 56 peut être déposée par dépôt chimique en phase vapeur (CVD, sigle anglais pour Chemical Vapor Déposition), dépôt 20 chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, sigle anglais pour Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), dépôt de couches minces atomiques (ALD, sigle anglais pour Atomic Layer Déposition) ou pulvérisation cathodique. Il peut s'agir d'un dépôt conforme suivi d'une gravure sélective. 25 La figure 13C représente la structure obtenue après la fixation des pixels d'affichage Pix sur le support 12, par exemple par la mise en oeuvre des étapes décrites précédemment en relation avec les figures 12J et 12K. La figure 13D représente la structure obtenue après la 30 formation de la couche isolante 24, par exemple comme cela a été décrit précédemment en relation avec la figure 12L. La figure 13E représente la structure obtenue après la formation de la deuxième couche d'électrode 26, par exemple comme cela a été décrit précédemment en relation avec la figure 12L. De 35 façon avantageuse, la présence de la couche isolante 56 sur les 316684 - Fab smart pixel 31 flancs de chaque pixel d'affichage Pix permet d'empêcher la formation d'un contact électrique entre la couche d'électrode 26 et un élément conducteur, qui en l'absence de la couche isolante 56, serait exposé sur les flancs du pixel d'affichage Pix. 5 L'épaisseur de la couche isolante 24 n'a alors pas besoin d'être définie avec précision. La figure 14 représente la structure obtenue pour une variante d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique 10, dans lequel, après l'étape décrite 10 précédemment en relation avec la figure 12H, la poignée 84 est retirée et des bandes conductrices électriquement 86 sont formées aux extrémités des murs 46 opposés aux diodes électroluminescentes LED. Ceci permet d'améliorer la liaison électrique entre les murs 46 et la couche d'électrode 26. Les bandes conductrices 86 sont, 15 par exemple, au moins en partie en aluminium, en argent, en cuivre ou en zinc. L'épaisseur des bandes conductrices 86 peut être comprise entre 50 nm et 2 mm. La figure 15 est une vue analogue à la figure 3 d'un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 90 20 comprenant l'ensemble des éléments du dispositif optoélectronique 55 à la différence que la couche d'électrode 26 ne recouvre pas les pixels d'affichage Pix et que le plot conducteur 36 connecté à la couche semiconductrice 54 est remplacé par un élément de connexion 92 formant un via isolé latéralement et traversant la 25 couche semiconductrice 48 et la couche active 50 et s'arrêtant dans la couche semiconductrice 54 et qui se prolonge, à l'extérieur de la couche semiconductrice 48, par un plot conducteur. En outre, chaque pixel d'affichage Pix comprend une couche isolante 94 recouvrant les blocs photoluminescents 44 et 30 les extrémités des murs 46 opposées à la couche semiconductrice 54, l'un des plots conducteurs 36 du circuit de commande 30 étant en contact avec la deuxième couche d'électrode 26 et le circuit de commande 30 comprenant un via 57 reliant le plot conducteur 34 à l'un des plots conducteurs 36. 316684 - Eab smart pixel 32 Le présent mode de réalisation permet de relier la deuxième couche d'électrode 26 à la source du potentiel de référence haut VDD et la couche d'électrode 18 à la source du potentiel de référence bas tout en utilisant un circuit de 5 commande 30 dont la région active est située du côté de la face supérieure 32 du circuit de commande 30. En effet, le potentiel de référence bas GND est amené jusqu'aux cathodes des diodes électroluminescentes LEI) par l'intermédiaire du via traversant 57 qui relie le plot conducteur 34 au plot conducteur 36 connecté à 10 l'élément de connexion 92 et le potentiel de référence haut VCC est amené à la région active du circuit de commande 30 par le plot conducteur 36 connecté à la couche d'électrode 26. Les figures 16A à 16K sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de structures obtenues à des étapes successives 15 d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique 90 représenté sur la figure 15. Le présent mode de réalisation du procédé de fabrication comprend les étapes suivantes : - formation des couches semiconductrices 72, 74, 76 sur 20 le support 70 (figure 16A) comme cela a été décrit précédemment en relation avec la figure 12A ; - formation des diodes électroluminescentes LED et des plots conducteurs 42 (figure 163) comme cela a été décrit précédemment en relation avec la figure 123 et formation de 25 l'élément de connexion 92 ; - fixation du circuit électronique 80 (figure 160) comme cela a été décrit précédemment en relation avec la figure 120 ; - formation des murs 46 (figure 163) comme cela a été décrit précédemment en relation avec la figure 123 et séparation 30 des circuits optoélectroniques 40 ; - formation des blocs photoluminescents 44 (figure 16E) comme cela a été décrit précédemment en relation avec la figure 12E ; 316684 - Fab smart pixel 33 - formation de la couche isolante 56 sur les parois latérales de chaque circuit optoélectronique 40 (figure 167) comme cela a été décrit précédemment en relation avec la figure 13B ; - formation de la couche isolante 94 recouvrant, pour 5 chaque circuit optoélectronique 40, les blocs photoluminescents 44 et les murs 46 et fixation d'une poignée 84 (figure 16G) comme cela a été décrit précédemment en relation avec la figure 127 ; - amincissement du substrat du circuit électronique 80, formation du via 57 et formation des plots conducteurs 34 (figure 10 16K) comme cela a été décrit précédemment en relation avec les figures 12G et 12H ; - séparation des circuits électroniques 30 (figure 161) et formation de couches isolantes 56 sur les parois latérales des circuits électroniques 30 comme cela a été décrit précédemment en 15 relation avec la figure 13B ; - fixation de certains des pixels d'affichage Pix au support 12 (figure 16J) comme cela a été décrit précédemment en relation avec la figure 12J ; et - formation de la couche isolante 24 et de la couche 20 d'électrode 26 (figure 16K) de manière analogue à ce qui a été décrit précédemment en relation avec la figure 12L à la différence que la couche d'électrode 26 ne recouvre pas les circuit optoélectroniques 40 des pixels d'affichage Pix. Les figures 17 et 18A sont respectivement une vue en 25 coupe et une vue de dessus, analogues aux figures 1 et 2, d'un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 95. Le dispositif 95 comprend l'ensemble des éléments du dispositif optoélectronique 90 à la différence que les bandes conductrices 66 sont disposées sur le substrat 12 comme les bandes conductrices 30 62, les bandes conductrices 62 et 66 étant par exemple parallèles. La couche isolante 24 peut alors ne pas être présente. Pour chaque pixel d'affichage Pix, le circuit de commande 30 du pixel d'affichage 30 comprend un via traversant 96 s'étendant au travers du circuit de commande 30, isolés latéralement par rapport au 35 reste du circuit de commande et reliant électriquement une piste 1316684 - Fab smart pixel 34 conductrices 98 formée du côté de la face inférieure 20 du circuit de commande 30 à une zone conductrice 100 située du côté de la face supérieure 32 du circuit de commande 30 mais recouverte d'une couche isolante 102. Ce via 96 permet de ramener le potentiel 5 fourni par la source du potentiel de référence haut VCC jusqu'à la face supérieure 32 du circuit de commande 30. La figure 18B est une variante de la figure 18A dans laquelle les bandes conductrice 62 sont agencées selon les rangées de pixels d'affichage Pix et les bandes conductrices 66 sont 10 agencées selon les rangées de pixels d'affichage Pix. Des blocs 97 isolants électriquement sont interposés entre les bandes conductrices 62 et 66 aux intersections entre les bandes conductrices. Les figures 19A à 19J sont des vues en coupe, partielles 15 et schématiques, de structures obtenues à des étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique 95 représenté sur les figures 17, 18A et 18B. Le présent mode de réalisation du procédé de fabrication comprend les étapes suivantes : 20 - formation des couches semiconductrices 72, 74, 76 sur le support 70 (figure 19A) comme cela a été décrit précédemment en relation avec la figure 14A ; - formation des diodes électroluminescentes LED et des plots conducteurs 42 (figure 19B) comme cela a été décrit 25 précédemment en relation avec la figure 143 et formation de l'élément de connexion 92 ; - fixation du circuit électronique 80 (figure 190) comme cela a été décrit précédemment en relation avec la figure 140, le circuit électronique 80 comprenant notamment la zone conductrice 30 100 du côté de la face 32 ; - formation des murs 46 (figure 19D) comme cela a été décrit précédemment en relation avec la figure 14D et séparation des circuits optoélectroniques 40 ; 316684 - Fab smart pixel 35 - formation des blocs photoluminescents 44 (figure 19E) comme cela a été décrit précédemment en relation avec la figure 14E ; - formation de la couche isolante 56 sur les parois 5 latérales de chaque circuit optoélectronique 40 (figure 197) comme cela a été décrit précédemment en relation avec la figure 15B ; - formation de la couche isolante 94 recouvrant, pour chaque circuit optoélectronique 40, les blocs photoluminescents 44 et les murs 46 et fixation d'une poignée 84 (figure 19G) comme 10 cela a été décrit précédemment en relation avec la figure 147 ; - amincissement du substrat du circuit électronique 80, formation des vias 57 et 96, et formation des plots conducteurs 34 et 98 (figure 19H) comme cela a été décrit précédemment en relation avec les figures 14G et 14H ; 15 - séparation des circuits électroniques 30 (figure 191) et formation de couches isolantes 56 sur les parois latérales des circuits électroniques 30 comme cela a été décrit précédemment en relation avec la figure 15B ; et - fixation de certains des pixels d'affichage Pix au 20 support 12 (figure 19J) comme cela a été décrit précédemment en relation avec la figure 14J à la différence que les plots conducteurs 34 viennent au contact des bandes conductrices 62 et que les plots conducteurs 98 viennent au contact des bandes conductrices 66. 25 Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En outre, REVENDICATIONS1. Dispositif optoélectronique (10 ; 55) comprenant : un support (12) ; au moins une première couche conductrice électriquement (18) recouvrant le support ; des circuits de pixel d'affichage (Pix) comprenant des première et deuxième faces opposées (20, 22), fixés à la première couche conductrice électriquement, chaque circuit de pixel d'affichage comprenant un circuit électronique (30) comprenant la première face et une troisième face (32) opposée à la première face, la première face étant fixée à la première couche conductrice électriquement, et un circuit optoélectronique (40) fixé à la troisième face et comprenant au moins deux diodes électroluminescentes (LET)), au moins l'une des électrodes de chaque diode électroluminescente étant connectée au circuit électronique par la troisième face, le circuit optoélectronique comprenant en outre des blocs photoluminescents (44) recouvrant les diodes électroluminescentes et des murs (46), conducteurs électriquement ou semiconducteurs, entourant les blocs photoluminescents ; et au moins une deuxième couche conductrice électriquement (26) reliée électriquement à au moins l'un des circuits de pixel d'affichage. 2. Dispositif optoélectronique selon la revendication 1, dans lequel la deuxième couche conductrice électriquement (26) 25 recouvre au moins partiellement ledit au moins l'un des circuits de pixel d'affichage (Pix). 3. Dispositif optoélectronique selon la revendication 2, dans lequel la deuxième couche conductrice électriquement (26) est reliée électriquement aux murs (46) dudit au moins l'un des 30 circuits de pixel d'affichage. 4. Dispositif optoélectronique selon la revendication 1, dans lequel la deuxième couche conductrice électriquement (26) est, pour ledit au moins l'un des circuits de pixel d'affichage 316684 - Fab smart pixel 37 (Dix), au contact d'un plot conducteur électriquement (36) du circuit électronique (30) situé du côté de la troisième face (32). 5. Dispositif optoélectronique selon la revendication 1, dans lequel la deuxième couche conductrice électriquement (26) 5 s'étend sur le support (12) et dans lequel la deuxième couche conductrice électriquement (26) est, pour ledit au moins l'un des circuits de pixel d'affichage (Dix), au contact d'un plot conducteur électriquement (98) du circuit électronique (30) situé du côté de la première face (20). 10 6. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant en outre une première couche isolante électriquement (24) recouvrant la première couche conductrice électriquement (18) entre les circuits de pixel d'affichage (Dix) et interposée entre la première couche isolante 15 électriquement et la deuxième couche conductrice électriquement (26). 7. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 a 6, comprenant en outre, pour chaque circuit de pixel d'affichage (Pix), une deuxième couche isolante 20 électriquement (56) recouvrant les flancs du circuit de pixel d'affichage. 8. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 a 7, dans lequel, pour chaque circuit de pixel d'affichage (Dix), le circuit optoélectronique (40) du circuit de pixel d'affichage comprend une première couche semiconductrice (54) sur laquelle reposent les murs (46) et les blocs photoluminescents (44) et, pour chaque diode électroluminescent, un empilement (41) reposant sur la première couche semiconductrice du côte oppose aux blocs photoluminescents et comprenant une deuxième couche semiconductrice (52) dopée d'un premier type de conductivité, une couche active (50) et une troisième couche semiconductrice (48) dopée d'un deuxième type de conductivité oppose au premier type de conductivité, les empilements étant distincts. 316684 - Fab smart pixel 38 9. Dispositif optoélectronique selon la revendication 8, dans lequel chaque circuit de pixel d'affichage (Dix) comprend, pour chaque empilement (41), un plot conducteur (42) au contact de la première couche semiconductrice (54) et fixé au circuit 5 électronique (30) du =cuit de pixel d'affichage. 10. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, comprenant au moins deux premières couches conductrices électriquement (62) disjointes et recouvrant le support (12), des circuits de pixel d'affichage (Dix) parmi 10 les circuits de pixel d'affichage étant fixés à chaque première couche conductrice électriquement, le dispositif comprenant, en outre, au moins deux deuxièmes couches conductrices électriquement (66) chacune étant reliée électriquement à des circuits électroniques (30) parmi les circuits de pixel d'affichage. 15 11. Dispositif optoélectronique selon la revendication 10, dans lequel les deux premières couches conductrices électriquement (62) et les deux deuxièmes couches conductrices électriquement (66) ont la forme de bandes parallèles. 12. Procédé de fabrication d'un dispositif 20 optoélectronique (10 ; 55) comprenant les étapes suivantes : a) fabriquer des circuits de pixel d'affichage (Dix) comprenant des première et deuxième faces opposées (20, 22) et comprenant chacun un circuit électronique (30) comprenant la première face et une troisième face (32) opposée à la première 25 face, et un =cuit optoélectronique (40) fixé à la troisième face et comprenant au moins deux diodes électroluminescentes (LEP), au moins l'une des électrodes de chaque diode électroluminescente étant connectée au circuit électronique par la troisième face, le circuit optoélectronique comprenant en outre des blocs 30 photoluminescents (44) recouvrant les diodes électroluminescentes et des murs (26), conducteurs électriquement ou semiconducteurs, entourant les blocs photoluminescents ; b) fabriquer un support (12) recouvert d'au moins une première couche conductrice électriquement (18) ; 316684 - Fab smart pixel 39 c) fixer la première face du circuit électronique (20) de chaque circuit de pixel d'affichage à la première couche conductrice électriquement ; et d) former au moins une deuxième couche conductrice 5 électriquement (34) reliée électriquement à au moins l'un des circuits de pixel d'affichage. 13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel la deuxième couche conductrice électriquement (26) recouvre au moins partiellement ledit au moins l'un des circuits de pixel 10 d'affichage (Pix). 14. Procédé selon la revendication 13, dans lequel la deuxième couche conductrice électriquement (26) est reliée électriquement aux murs (46) dudit au moins l'un des circuits de pixel d'affichage. 15 15. Procédé selon la revendication 12, dans lequel la deuxième couche conductrice électriquement (26) est, pour ledit au moins l'un des circuits de pixel d'affichage (Pix), au contact d'un plot conducteur électriquement (36) du circuit électronique (30) situé du côté de la troisième face (32). 20 16. Procédé optoélectronique selon la revendication 13, dans lequel la deuxième couche conductrice électriquement (26) s'étend sur le support (12) et dans lequel la deuxième couche conductrice électriquement (26) est, pour ledit au moins l'un des circuits de pixel d'affichage (Pix), au contact d'un plot 25 conducteur électriquement (98) du circuit électronique (30) situé du côté de la première face (20). 17. Procédé selon l'une quelconque des revendications 13 à 15, comprenant, entre les étapes c) et d), l'étape de formation d'une première couche isolante électriquement (24) recouvrant la 30 première couche conductrice électriquement (18) entre les circuits de pixel d'affichage (Pix) et interposée entre la première couche isolante électriquement et la deuxième couche conductrice électriquement (26). 18. Procédé selon l'une quelconque des revendications 13 35 à 17, comprenant, avant l'étape c), l'étape de formation, pour 316684 - Fab smart pixel 40 chaque circuit de pixel d'affichage (Pix), en outre, d'une deuxième couche isolante electriguement (52) recouvrant les flancs du circuit de pixel d'affichage. 19. Procédé selon l'une quelconque des revendications 13 5 a 18, dans lequel l'étape a) comprend la formation, pour chaque diode électroluminescent (LED), d'un empilement (41) reposant sur une première couche semiconductrice (54) et comprenant une deuxième couche semiconductrice (52) dopée d'un premier type de conductivité, une couche active (50) et une troisième couche 10 semiconductrice (48) dopée d'un deuxième type de conductivité oppose au premier type de conductivité, les empilements étant distincts.