Brevet FR3079036A1 — publié le 20190920

B16805 - 17-GR3-0676 1 DISPOSITIF DE FILTRAGE DANS UN GUIDE D'ONDE Domaine La présente demande concerne le domaine des guides d'onde, et plus particulièrement les guides d'onde de circuits intégrés photoniques (optiques et/ou optoélectroniques). Exposé de l'art antérieur Dans un circuit intégré photonique, un signal lumineux peut être transmis à l'aide d'un guide d'onde. Les dimensions de la section transversale du guide d'onde sont couramment choisies de telle sorte qu'un mode optique donné du signal, généralement le mode fondamental transverse électrique (TE) et/ou transverse magnétique (TM), soit le seul mode guidé se propageant dans le guide d'onde. Toutefois, lorsqu'un tel mode guidé se propage dans le guide d'onde, des inhomogénéités dans le matériau du guide d'onde et/ou des variations de la géométrie du guide d'onde, par exemple quand le guide d'onde présente un coude ou est couplé à un autre guide d'onde, peuvent entraîner l'apparition de modes optiques parasites dans le guide d'onde, c'est-à-dire de modes optiques d'ordre supérieur quand le seul mode guidé est le mode fondamental. Ces modes parasites peuvent perturber le fonctionnement du circuit intégré, notamment du fait qu'ils ne sont pas guidés et rayonnent hors du guide d'onde. B16805 - 17-GR3-0676 2 Pour éviter de telles perturbations, le guide d'onde peut être associé à un dispositif de filtrage des modes parasites. Un tel dispositif de filtrage doit avoir un impact relativement limité, voire nul, sur la transmission du mode optique guidé. 5 Résumé Il serait souhaitable de disposer d'un dispositif de filtrage des modes parasites d'un signal se propageant dans un guide d'onde qui pallie au moins certains inconvénients des dispositifs de filtrage connus. En particulier, il serait 10 souhaitable de disposer d'un tel dispositif de filtrage pour un guide d'onde formé dans une couche isolante d'une structure d'interconnexion d'un circuit intégré photonique. Ainsi, un mode de réalisation prévoit un dispositif comprenant un guide d'onde et des vias métalliques disposés le 15 long et de part et d'autre d'une portion du guide d'onde. Selon un mode de réalisation, les dimensions de la section transversale de ladite portion du guide d'onde sont sensiblement égales aux dimensions d'une section transversale correspondant à une aire effective minimale d'un mode optique 20 guidé destiné à être propagé dans le guide d'onde. Selon un mode de réalisation, les vias métalliques sont configurés pour absorber moins de 5 % de la puissance d'un mode optique guidé destiné à être propagé dans le guide d'onde. Selon un mode de réalisation, dans un plan orthogonal aux vias, la distance entre les vias et ladite portion du guide d'onde est inférieure à une distance maximale au-delà de laquelle la puissance d'un mode optique parasite est inférieure à environ -60 dB, de préférence à -60 dB, quand un signal lumineux se propage dans le guide d'onde. Selon un mode de réalisation, dans un plan orthogonal aux vias, la distance entre les vias et ladite portion du guide d'onde est inférieure à une distance maximale environ égale à 1,7 pin, de préférence à 1,7 pin. B16805 - 17-GR3-0676 3 Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend également des vias métalliques le long et de part et d'autre du guide d'onde en amont et en aval de ladite portion du guide d'onde. Selon un mode de réalisation, les vias qui longent le 5 guide d'onde en amont et en aval de ladite portion du guide d'onde sont configurés pour que l'indice effectif d'un mode optique guidé destiné à être propagé dans le guide d'onde varie progressivement jusqu'à ladite portion du guide d'onde. Selon un mode de réalisation, les vias sont orthogonaux 10 à un même plan, ledit plan étant orthogonal à la section transversale de ladite portion du guide d'onde. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre une bande métallique parallèle à un plan orthogonal aux vias, disposée au moins en partie en regard de ladite portion du 15 guide d'onde et configurée pour absorber au moins en partie un mode optique parasite rayonné à partir de ladite portion du guide d'onde quand un signal lumineux se propage dans le guide d'onde. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre une bande d'un matériau absorbant aux longueurs d'onde d'un 20 signal lumineux destiné à être transmis par le guide d'onde, ladite bande du matériau absorbant étant parallèle à un plan orthogonal aux vias, disposée au moins en partie en regard de ladite portion du guide d'onde et configurée pour absorber au moins en partie un mode optique parasite rayonné à partir de 25 ladite portion du guide d'onde quand le signal lumineux se propage dans le guide d'onde. Selon un mode de réalisation, les vias métalliques longeant ladite portion du guide d'onde sont configurés pour absorber au moins en partie un mode optique parasite rayonné à 30 partir de ladite portion du guide d'onde quand un signal lumineux se propage dans le guide d'onde. Selon un mode de réalisation, ladite portion du guide d'onde s'étend entre deux portions du guide d'onde, les deux portions étant configurées pour que l'indice effectif d'un mode B16805 - 17-GR3-0676 4 optique guidé destiné à être propagé dans le guide d'onde varie progressivement jusqu'à ladite portion du guide d'onde. Un autre mode de réalisation prévoit un circuit intégré photonique comprenant un dispositif tel que défini ci-dessus. 5 Selon un mode de réalisation, le circuit comprend une structure d'interconnexion, le guide d'onde étant noyé dans une couche isolante de la structure d'interconnexion. Selon un mode de réalisation, le guide d'onde est en nitrure de silicium et la couche isolante est en oxyde de silicium. 10 Brève description des dessins Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : 15 la figure 1 est une vue en coupe schématique d'un exemple de circuit intégré photonique ; les figures 2A et 2B représentent schématiquement un mode de réalisation d'un dispositif de filtrage ; et les figures aA et 3B représentent schématiquement une 20 variante de réalisation du dispositif des figures 2A et 2B. Description détaillée De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures et, de plus, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. Par souci de clarté, 25 seuls les éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les circuits intégrés photoniques dans lesquels peuvent être prévus des dispositifs de filtrage n'ont pas été détaillés, les dispositifs de filtrage décrits par la suite étant 30 compatibles avec les guides d'onde des circuits photoniques usuels. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", 35 etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", B16805 - 17-GR3-0676 5 "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "approximativement", "sensiblement", 5 "environ" et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à une section transversale d'un guide d'onde, cette section transversale est orthogonale à la direction longitudinale 10 du guide d'onde. La figure 1 est une vue en coupe, schématique et partielle, d'un circuit intégré photonique. Le circuit intégré photonique comprend divers composants optoélectroniques et/ou optiques, par exemple un modulateur de 15 phase 1 et un réseau de couplage 3, réalisés à partir d'une couche semiconductrice 5 de type SOI reposant sur une couche isolante 7 disposée sur un support 9 tel qu'un substrat en silicium. Les composants 1, 3 du circuit sont disposés sur la couche isolante 7 et sont recouverts d'une couche isolante 11. 20 Une structure d'interconnexion 13 revêt la couche 11 pour relier électriquement des composants du circuit entre eux et/ou à des plots de contact 15, par exemple disposés au niveau de la face supérieure de la structure d'interconnexion 13. La structure d'interconnexion 13 comprend des portions 17 de couches 25 métalliques séparées par des couches isolantes 19, et des vias métalliques 21 traversant certaines couches isolantes 19 pour relier électriquement des portions 17 entre elles, à des composants du circuit intégré et/ou aux plots de contact 15. Dans cet exemple, la structure d'interconnexion 13 comprend quatre 30 niveaux de métallisations, chaque niveau de métallisation comprenant les portions 17 d'une même couche métallique. Un guide d'onde 23, par exemple à section rectangulaire, est disposé dans la couche 19 séparant les composants 1, 3 du circuit photonique du niveau de métallisation inférieur de la B16805 - 17-GR3-0676 6 structure d'interconnexion, c'est-à-dire le niveau de métallisation le plus proche de ces composants. A titre d'exemple, dans la suite de la description, on considère un guide d'onde comprenant, perpendiculairement à sa 5 direction longitudinale, une section transversale rectangulaire de largeur mesurée entre les deux faces latérales du guide d'onde, et de hauteur mesurée entre les faces supérieure et inférieure du guide d'onde. On considère également que le guide d'onde est configuré pour guider le mode optique fondamental transverse 10 électrique et/ou transverse magnétique d'un signal lumineux dont la ou les longueurs d'onde sont comprises dans le domaine du proche infra-rouge, par exemple entre 1 et 2 pin, de préférence égales à environ 1,3 pin ou environ 1,55 pin, par exemple égales à 1,3 gm ou 1,55 pin. 15 Les figures 2A et 2B représentent schématiquement un mode de réalisation d'un dispositif de filtrage associé au guide d'onde 23 de la figure 1. La figure 2A est une vue de dessus du dispositif, la figure 2B étant une vue en coupe dans le plan BB de la figure 2A. 20 Le guide d'onde 23 comprend, dans le sens de sa longueur, une portion 23B entre des portions 23A et 23C, les portions 23A, 23B et 23C (délimitées par des pointillés verticaux en figures 2A et 2B) étant en contact deux à deux. Dans cet exemple, les portions 23A, 23B et 23C ont la même hauteur (mesurée verticalement en 25 figures 1 et 2A). En outre, la portion 23B a ici une section transversale constante sur toute sa longueur. Les dimensions de la section transversale de la portion 23B sont sensiblement égales à celles d'une section transversale correspondant à une aire effective minimale pour le mode optique 30 guidé considéré, c'est-à-dire à un confinement maximal de ce mode optique, l'une de ces dimensions pouvant être fixée comme c'est le cas de la hauteur dans cet exemple. L'aire effective Aeff d'un mode optique est définie par : [ ff 7), I E (x, y)12 dxdy]2 ef = oo " j ff I E (x, y)14dxdy B16805 - 17-GR3-0676 7 avec x et y les dimensions du guide d'onde dans un plan transversal (ici la largeur et la hauteur du guide d'onde) et E la distribution du champ électrique du mode optique considéré. Des vias 21B sont disposés de part et d'autre de la 5 portion 23B, le long de cette dernière. Dans cet exemple, une série de vias 21B est disposée le long de chacune des faces latérales de la portion 23B. Les vias 21B sont par exemple sensiblement orthogonaux au plan de la figure 2A, c'est-à-dire à un plan orthogonal aux vias 21B et aux sections transversales du 10 guide d'onde 23 dans cet exemple. De préférence, les vias 21B s'étendent en longueur sur au moins toute la hauteur de la portion 23B. De préférence, dans le plan de la figure 2A, une distance sensiblement constante, de préférence constante, sépare deux vias 21B successifs. 15 On tire ici profit du fait que les vias 21B peuvent être identiques aux vias 21 (figure 1) entre le niveau de métallisation inférieur de la structure d'interconnexion 13 et les composants du circuit photonique. Ainsi, les vias 21B et 21 peuvent être formés simultanément, sans prévoir d'étapes supplémentaires de 20 fabrication par rapport à celles utilisées dans la fabrication du circuit de la figure 1. Les vias 21B sont de préférence disposés à une distance de la portion 23B telle qu'une quantité minime, par exemple moins de 5 %, de préférence moins de 1 %, de la puissance du mode guidé 25 considéré est absorbée par les vias 21B quand un signal lumineux se propage dans la portion 23B. Les vias 21B sont disposés à une distance de la portion 23B telle que tout ou partie de la puissance des modes parasites rayonnés à partir de la portion 23B, en particulier à partir des faces latérales de la portion 23B, est 30 absorbée par les vias 21B quand un signal lumineux se propage dans la portion 23B. Par exemple, dans le plan de la figure 2A, les vias 21B sont disposés à une distance du guide d'onde 23 inférieure ou égale à une distance maximale au-delà de laquelle on considère que les vias n'ont plus d'impact sur le ou les modes parasites rayonnés à filtrer, par exemple une distance maximale au-delà de B16805 - 17-GR3-0676 8 laquelle la puissance du ou des modes parasites considérés est inférieure à environ -60 dB, de préférence à -60 dB. A titre d'exemple, cette distance maximale est égale à environ 1,7 lm, de préférence à 1,7 pin. 5 Ainsi, quand un signal lumineux se propage dans la portion 23B, le mode guidé est relativement peu perturbé par les vias 21B du fait de son confinement dans la portion 23B. En outre, la puissance d'un mode parasite à filtrer diminue au fur et à mesure que le signal parcourt la portion 23B du fait que ce mode 10 parasite rayonne à partir de cette portion et qu'il est au moins partiellement absorbé par les vias 21B. Il en résulte que ce mode parasite est filtré par la portion 23B et les vias 21B. Dans le mode de réalisation représenté en figure 2A et 2B, la section transversale de chacune des portions 23A et 23C, 15 décroît vers la portion 23B. Autrement dit, au moins une des dimensions de la section transversale, dans cet exemple la largeur de la section transversale, décroît jusqu'à l'extrémité 25. En effet, on choisira généralement un guide d'onde 23 de section transversale ayant des dimensions, ici une largeur, supérieures à 20 celles de la portion 23B afin de limiter les pertes de propagations qui sont plus élevées dans une section transversale correspondant à une aire effective minimale pour le mode optique guidé considéré. Dans ce mode de réalisation, des vias 21A sont disposés 25 de part et d'autre et le long du guide d'onde 23, en amont de la portion 23B, par exemple de part et d'autre et le long de la portion 23A, et des vias 21C sont disposés de part et d'autre et le long du guide d'onde, en aval de la portion 23B, par exemple de part et d'autre et le long de la portion 23C. Plus 30 particulièrement dans cet exemple, une série de vias 21A est disposée le long de chacune des faces latérales de la portion 23A et une série de vias 21C est disposée le long de chacune des faces latérales de la portion 23C. De préférence, les séries de vias 21A et 21C sont disposées dans le prolongement des séries de vias 35 23B. Les vias 21A et 21C sont par exemple sensiblement orthogonaux B16805 - 17-GR3-0676 9 au plan de la figure 2A. Les vias 21A et 23C sont de préférence identiques aux vias 21B et peuvent alors être formés en même temps que les vias 21 (figure 1). A titre d'exemple, dans le plan de la figure 2A, une distance sensiblement constante, de préférence 5 constante, sépare deux vias successifs 21A ou 21C, cette distance étant par exemple égale à celle qui sépare deux vias successifs 21B. De préférence, les dimensions de la portion 23A et/ou la disposition des vias 21A par rapport à cette portion 23A, sont 10 telles que l'indice effectif du mode optique guidé se propageant dans la portion 23A, en direction de la portion 23B, varie progressivement jusqu'à la portion 23B. De manière similaire, les dimensions de la portion 23C et/ou la disposition des vias 21C par rapport à cette portion 23C sont de préférence telles que 15 l'indice effectif du mode optique guidé se propageant dans la portion 23C, depuis la portion 23B, varie progressivement depuis la portion 23B. L'indice optique d'un mode optique est défini comme le rapport de la constante de propagation de ce mode optique sur le vecteur d'onde dans le vide à la longueur d'onde considérée. 20 La variation progressive de l'indice effectif jusqu'à la portion 23B permet de réduire la puissance du mode optique guidé qui est réfléchie par la portion 23B et de limiter, voire supprimer, l'apparition de modes optiques parasites dans le dispositif. A titre d'exemple, dans le plan de la figure 2A, la distance entre 25 les vias 21A, respectivement 21C, et la portion 23A, respectivement 23C, augmente en s'éloignant de la portion 23B, les vias 21A et 21C étant par exemple disposés de manière à suivre le contour d'une fonction circulaire. Les dimensions des portions 23A, 23B et 23C, ainsi que 30 la disposition des vias 23A, 23B et 23C par rapport à ces portions peuvent être déterminées par l'homme du métier à partir des indications fonctionnelles fournies ci-dessus. Pour cela, l'homme du métier peut utiliser des outils de simulation, par exemple des outils de simulation exploitant des calculs de différences finies 35 dans le domaine temporel (FDTD - "Finite Difference lime B16805 - 17-GR3-0676 10 Domaine"). Un exemple d'un tel outil de simulation est fourni par la société désignée sous l'appellation "Lumerical". Les figures aA et 3B représentent schématiquement une variante de réalisation du dispositif des figures 2A et 2B, la 5 figure aA étant une vue de dessus et la figure 3B étant une vue en coupe dans le plan BB de la figure aA. Par rapport au dispositif des figures 2A et 2B, le dispositif des figures aA et 3B comprend en outre une bande 27 (non visible en figure aA) en un matériau absorbant la lumière 10 aux longueurs d'onde considérées, par exemple du germanium, du silicium dopé ou un siliciure. La bande 27 est disposée au moins en partie en vis-à-vis de la portion 23B, dans cet exemple sous la portion 23B en vis-à-vis de la face inférieure de la portion 23B. La bande 27 est ici parallèle au plan de la figure aA, c'est- 15 à-dire un plan orthogonal aux vias 21B et aux sections transversales du guide d'onde. La bande 27 s'étend en longueur parallèlement à la direction longitudinale de la portion 23B, sur au moins une partie de la longueur de la portion 23B, de préférence sur au moins toute la longueur de cette portion 23B. 20 On tire ici profit du fait que la bande 27 peut être réalisée à partir de la couche semiconductrice 5 (figure 1) déjà présente sous le guide d'onde 23. Par exemple, une bande 27 en germanium peut être réalisée par épitaxie à partir de la couche 5. Une bande 27 en silicium dopé peut par exemple être réalisée 25 en dopant une portion de la couche 5 lorsque cette dernière est en silicium. Une bande 27 en un siliciure peut par exemple être réalisée par siliciuration d'une portion de la couche 5. Ainsi, la bande 27 peut être réalisée en ne prévoyant que peu d'étapes supplémentaires, voire aucune étape supplémentaire, par rapport à 30 celles déjà utilisées dans la fabrication du circuit de la figure 1. La bande 27 est de préférence disposée à une distance de la portion 23B telle qu'une quantité minime, par exemple moins de 5 %, de préférence moins de 1 %, de la puissance du mode guidé 35 se propageant dans le guide d'onde est absorbée par la bande 27. B16805 - 17-GR3-0676 11 La bande 27 est disposée à une distance de cette portion 23B telle que toute ou partie de la puissance d'un mode parasite rayonné à partir de la portion 23B, en particulier à partir de la face inférieure de la portion 23B dans cet exemple, est absorbée par 5 la bande 27. Le dispositif des figures aA et 3B comprend aussi une bande métallique 29 absorbant la lumière aux longueurs d'onde considérées. La bande 29 est disposée au moins en partie en vis-à-vis de la portion 23B, dans cet exemple au-dessus de la portion 10 23B. La bande 29 est ici parallèle au plan de la figure aA. La bande 29 s'étend en longueur parallèlement à la direction longitudinale de la portion 23B, sur au moins une partie de la longueur de la portion 23B, de préférence sur au moins longueur de cette portion 23B. toute la 15 On tire ici profit du fait que la bande 29 peut l'un des 1), par correspondre à une portion 17 de couche métallique de niveaux de métallisation de la structure 13 (figure exemple de l'un des deux niveaux de métallisation les plus proches des composants 1, 3 du circuit photonique, de préférence le 20 deuxième niveau de métallisation le plus proche de ces composants. Ainsi, la bande 29 peut être réalisée en ne prévoyant aucune étape supplémentaire par rapport à celles déjà nécessaires à la fabrication du circuit de la figure 1. La bande 29 est de préférence disposée à une distance 25 de la portion 23B telle qu'une quantité minime, par exemple moins de 5 %, de préférence moins de 1 %, de la puissance du mode optique guidé considéré se propageant dans le guide d'onde est absorbée par la bande 29. La bande 29 est disposée à une distance de cette portion 23B telle que toute ou partie de la puissance d'un mode 30 parasite rayonné à partir de la portion 23B, en particulier à partir de la face supérieure de la portion 23B dans cet exemple, est absorbée par la bande 29. Comme pour le mode de réalisation des figures 2A et 2B, l'homme du métier est en mesure de déterminer les dimensions et 35 la disposition relative des éléments du dispositif de filtrage B16805 - 17-GR3-0676 12 des figures aA et 3B, à partir des indications fonctionnelles fournies ci-dessus. Un mode optique transverse électrique est ici défini tel que son champ électrique oscille dans un plan parallèle au plan 5 représenté en figures 2A et aA, autrement dit parallèle à la face supérieure du substrat 9 (figure 1), et de manière perpendiculaire à la direction de propagation du signal dans le guide d'onde. Un mode optique transverse magnétique est ici défini tel que son champ électrique oscille dans un plan perpendiculaire au plan 10 représenté en figures 2A et aA, autrement dit perpendiculaire à la face supérieure du substrat 9 (figure 1), et de manière perpendiculaire à la direction de propagation du signal dans le guide d'onde. Le mode de réalisation décrit en relation avec les figures 2A et 2B est particulièrement adapté au cas où le signal 15 lumineux destiné à se propager dans le guide d'onde 23 est sous la forme d'un mode optique transverse électrique. Le mode de réalisation décrit en relation avec les figures aA et 3B est particulièrement adapté au cas où le signal lumineux destiné à se propager dans le guide d'onde 23 est sous la forme d'un mode 20 optique transverse électrique et/ou transverse magnétique. En effet, dans le mode de réalisation des figures aA et 3B, la bande 27 et/ou la bande 29 absorbent au moins en partie les modes parasites transverses magnétiques. A titre d'exemple, le guide d'onde 23 est en nitrure de 25 silicium, la couche 19 dans laquelle le guide est noyé étant par exemple en oxyde de silicium. Un avantage d'un tel guide d'onde est qu'il est moins sensible aux variations de fabrication et de température, ce guide d'onde étant par exemple particulièrement adapté à la réalisation de multiplexeurs et/ou de démultiplexeurs 30 optiques. A titre d'exemple particulier de réalisation, on prévoit un guide d'onde 23 en nitrure de silicium noyé dans une couche 19 d'oxyde de silicium avec les dimensions suivantes : B16805 - 17-GR3-0676 13 - largeur maximale des portions 23A et 23C comprise entre 180 nia et 5 pin, de préférence égale à environ 700 nia, par exemple égale à 700 nia ; - largeur de la portion 23B comprise entre 180 nia et 5 pin, de 5 préférence égale à environ 500 nia, par exemple égale à 500 nia ; - hauteur des portions 23A, 23B et 23C comprise entre 200 nia et 2 pin, de préférence égale à environ 600 nia, par exemple égale à 600 nia ; - longueur des portions 23A et 23C comprise entre 500 nia et 10 200 pin, de préférence égale à environ 10 pin, par exemple égale à 10 gm ; - longueur de la portion 23B comprise entre 500 nia et 200 pin, de préférence égale à environ 25 pm, par exemple égale à 25 gm ; - dans un plan orthogonal aux vias, distance entre deux vias 21A, 15 21B et/ou 21C successifs comprise entre 100 nia et 5 pin, de préférence environ égale à 360 nia, par exemple égale à 360 nia ; - dans un plan orthogonal aux vias, distance entre chaque vias 21A, 21B, 21C et le guide d'onde 23 comprise entre 100 nia et 5 gm, de préférence égale à environ 500 nia (par exemple égale à 500 nia) 20 entre les vias 21B et la portion 23B, et allant de préférence jusqu'à environ 1,7 gm (par exemple jusqu'à 1,7 pin) entre les vias 21A, 21C et les portions respectives 23A et 23C ; - largeur de la bande 29 comprise entre 50 nia et 1 pin, par exemple égale à environ 200 nia, de préférence à 200 nia ; et 25 - largeur de la bande 27 inférieure ou égale à celle de la portion 23B, par exemple égale à environ 400 nia, de préférence à 400 nia. Un tel dispositif de filtrage est adapté à des longueurs d'onde comprises dans le domaine du proche infra-rouge, par exemple comprises entre 1 et 2 pin, de préférence égales à environ 30 1,3 gm ou environ 1,55 pin, par exemple égales à 1,3 gm ou 1,55 pin. Des simulations ont montré que, lorsque le mode fondamental d'un signal de longueurs d'onde dans le proche infrarouge, polarisé selon un mode transverse électrique, se propage de manière guidé dans le guide d'onde des figures 2A-2B ayant les 35 dimensions indiquées ci-dessus à titre d'exemple, moins de 0,1 % B16805 - 17-GR3-0676 14 de la puissance du mode fondamental transverse électrique est absorbée par le dispositif, et moins de 10-3 % de la puissance de ce mode est réfléchie par le dispositif. Des simulations ont également montré que, lorsque le 5 mode fondamental d'un signal de longueurs d'onde dans le proche infra-rouge, polarisé selon un mode transverse électrique, se propage dans le guide d'onde des figures 3A-3B ayant les dimensions indiquées ci-dessus à titre d'exemple, moins de 1,5 % de la puissance du mode fondamental transverse électrique est 10 absorbée par le dispositif, et moins de 10-3 % de la puissance de ce mode est réfléchie par le dispositif. Lorsque le signal est polarisé selon un mode transverse magnétique plutôt que transverse électrique, moins de 3 % de la puissance du mode fondamental transverse magnétique est absorbée par le dispositif, et moins de 15 10-4 % de la puissance de ce mode est réfléchie par le dispositif. Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, bien que l'on ait décrit en relation avec les figures aA et 3B un dispositif comprenant une bande 27 et une 20 bande 29, ce dispositif peut ne comprendre que la bande 27 ou la bande 29. La bande 27 peut être en un autre matériau que ceux indiqués ci-dessus à titre d'exemple dès lors que ce matériau absorbe la lumière aux longueurs d'onde considérées. 25 Les vias 21A, 21B et/ou 21C, la bande 27 et/ou la bande 29 peuvent être connectés électriquement à un potentiel, typiquement la masse, ou être laissés flottants. Les modes de réalisation décrits ci-dessus ne se limitent pas au cas d'un guide d'onde tel qu'illustré en figure 30 1, ce guide d'onde pouvant être formé dans une autre couche isolante de la structure d'interconnexion. Plus généralement, l'homme du métier est en mesure d'appliquer ces modes de réalisation à d'autres guides d'onde d'un circuit intégré photonique, notamment à des guides d'onde en d'autres matériaux 35 que ceux indiqués ci-dessus à titre d'exemple. Par exemple, ces B16805 - 17-GR3-0676 15 modes de réalisation s'appliquent à un guide d'onde en silicium amorphe noyé dans de l'oxyde de silicium, du nitrure de silicium, du nitrure d'oxyde de silicium (SiON), du nitrure d'aluminium (A1N), du nitrure de carbone de silicium (SiCN) ou encore des 5 oxydes de silicium dopés. Par ailleurs, les modes de réalisation décrits peuvent être adaptés à des longueurs d'onde différentes de celles indiquées ci-dessus à titre d'exemple, par exemple à des longueurs d'onde compatibles avec un circuit photonique classique, par 10 exemple comprises entre environ 400 nm et environ 5 lm, par exemple entre 400 nm et 5 um, l'homme du métier étant en mesure d'adapter les dimensions du guide d'onde et la position des vias, de la bande 27 et/ou de la bande 29 par rapport au guide d'onde en fonction de la longueur d'onde considérée. 15 Divers modes de réalisation avec diverses variantes ont été décrits ci-dessus. On notera que l'homme de l'art pourra combiner divers éléments de ces divers modes de réalisation et variantes sans faire preuve d'activité REVENDICATIONS1. Dispositif comprenant un guide d'onde (23) et des vias métalliques (21B) disposés le long et de part et d'autre d'une portion (23B) du guide d'onde. 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel les dimensions de la section transversale de ladite portion (23B) du guide d'onde (23) sont sensiblement égales aux dimensions d'une section transversale correspondant à une aire effective minimale d'un mode optique guidé destiné à être propagé dans le guide d'onde (23). 3. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel les vias métalliques (21B) sont configurés pour absorber moins de 5 % de la puissance d'un mode optique guidé destiné à être propagé dans le guide d'onde (23). 4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel, dans un plan orthogonal aux vias (21B), la distance entre les vias (21B) et ladite portion (23B) du guide d'onde (23) est inférieure à une distance maximale au-delà de laquelle la puissance d'un mode optique parasite est inférieure à environ -60 dB, de préférence à -60 dB, quand un signal lumineux se propage dans le guide d'onde (23). 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel, dans un plan orthogonal aux vias (21B), la distance entre les vias (21B) et ladite portion (23B) du guide d'onde (23) est inférieure à une distance maximale environ égale à 1,7 pin, de préférence à 1,7 pin. 6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, comprenant également des vias métalliques (21A, 21C) le long et de part et d'autre du guide d'onde (23, 23A, 23C) en amont et en aval de ladite portion (23B) du guide d'onde (23). 7. Dispositif selon la revendication 6, dans lequel les vias (21A, 21C) qui longent le guide d'onde (23, 23A, 23C) en amont et en aval de ladite portion (23B) du guide d'onde (23) sont configurés pour que l'indice effectif d'un mode optique guidé B16805 - 17-GR3-0676 17 destiné à être propagé dans le guide d'onde (23) varie progressivement jusqu'à ladite portion (23B) du guide d'onde (23). 8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel les vias (21A, 21B, 21C) sont orthogonaux à un 5 même plan, ledit plan étant orthogonal à la section transversale de ladite portion (23B) du guide d'onde (23). 9. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, comprenant en outre une bande métallique (29) parallèle à un plan orthogonal aux vias (21A, 21B, 21C), disposée au moins en 10 partie en regard de ladite portion (23B) du guide d'onde (23) et configurée pour absorber au moins en partie un mode optique parasite rayonné à partir de ladite portion (23B) du guide d'onde (23) quand un signal lumineux se propage dans le guide d'onde. 10. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 15 1 à 9, comprenant en outre une bande (27) d'un matériau absorbant aux longueurs d'onde d'un signal lumineux destiné à être transmis par le guide d'onde (23), ladite bande du matériau absorbant étant parallèle à un plan orthogonal aux vias (21A, 21B, 21C), disposée au moins en partie en regard de ladite portion (23B) du guide 20 d'onde (23) et configurée pour absorber au moins en partie un mode optique parasite rayonné à partir de ladite portion (23B) du guide d'onde (23) quand le signal lumineux se propage dans le guide d'onde (23). 11. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 25 1 à 10, dans lequel les vias métalliques (21B) longeant ladite portion (23B) du guide d'onde (23) sont configurés pour absorber au moins en partie un mode optique parasite rayonné à partir de ladite portion (23B) du guide d'onde (23) quand un signal lumineux se propage dans le guide d'onde (23). 30 12. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel ladite portion (23B) du guide d'onde (23) s'étend entre deux portions (23A, 23C) du guide d'onde (23), les deux portions (23A, 23C) étant configurées pour que l'indice effectif d'un mode optique guidé destiné à être propagé dans le B16805 - 17-GR3-0676 18 guide d'onde (23) varie progressivement jusqu'à ladite portion (23B) du guide d'onde (23). 13. Circuit intégré photonique comprenant un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 12. 5 14. Circuit selon la revendication 13, comprenant une structure d'interconnexion (13), le guide d'onde (23) étant noyé dans une couche isolante (19) de la structure d'interconnexion. 15. Circuit selon la revendication 14, dans lequel le guide d'onde (23) est en nitrure de silicium et la couche isolante 10 (19) est en oxyde de silicium.