Brevet FR3074574A1 — publié le 20190607

CAPTEUR DE MOTIF THERMIQUE A CAPACITE PYROELECTRIQUE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTERIEUR L'invention se rapporte a un capteur de motifs thermiques, exploitant les proprietes de pyroelectricite d'un materiau, et formant avantageusement un capteur d'empreinte digitale. La detection d'empreinte digitale peut etre realisee par des capteurs dits « passifs » exploitant une difference de temperatures entre celle du doigt et celle du capteur, comme decrit dans les documents US 4 394 773, US 4 429 413 et US 6 289 114. Au niveau des cretes de l'empreinte, le doigt est en contact physique direct avec le capteur. Un transfert thermique entre la peau et la surface de contact du capteur s'effectue par conduction, ce qui conduit a une premiere variation temporelle de temperature. Au niveau des vallees de l'empreinte, le doigt n'est pas en contact physique direct avec le capteur, le transfert thermique s'effectue donc a travers l'air qui est plutot un isolant thermique, ce qui conduit a une seconde variation temporelle de temperature, moins importante. La difference entre ces deux variations temporelles de temperature se traduit par une difference entre des signaux mesures par les capacites pyroelectriques, selon qu'elles se trouvent sous une vallee ou sous une crete de l'empreinte. L'image de l'empreinte presente donc un contraste qui depend de cette difference. Cependant, ces capteurs ont pour inconvenient de realiser une mesure qui depend uniquement de la difference entre la temperature du doigt et la temperature du capteur. Ainsi, apres quelques seconder a peine, la temperature du doigt et la temperature de la surface de contact du capteur s'homogeneisent, et it n'est plus possible d'obtenir un contraste satisfaisant. II peut egalement arriver que le niveau du signal obtenu soit nul lorsque le doigt et le capteur sont a la merne temperature, ou encore que le contraste des images capturees varie, ce qui pose alors des problemes lors du traitement ulterieur des images 2 obtenues (par exemple, une inversion des temperatures entraine une inversion de l'image obtenue). Un autre type de capteur, de type actif, offre une solution a ce probleme grace a l'ajout d'elements chauffants sous la surface de contact du capteur. Un 5 tel capteur est decrit par exemple dans la demande de brevet EP 2 385 486 Al. Les elements chauffants dissipent une certaine quantite de chaleur dans chaque pixel du capteur et l'echauffement des pixels est mesure au bout d'un certain temps. La variation de temperature obtenue est donc importante au niveau des vallees de l'empreinte, ou la chaleur est transferee au doigt a travers l'air, et plus faible au niveau des cretes de 10 l'empreinte, ou la chaleur est transferee directement au doigt, par conduction. Cela conduit a une temperature finale plus faible dans le cas d'un pixel en presence d'une crete de l'empreinte, ou la chaleur est absorbee par la peau, par rapport a un pixel en presence d'une vallee de l'empreinte. Cela permet d'ameliorer et de conserver au cours du temps, le contraste d'une image acquire a l'aide dudit capteur. 15 Les elements decrits ci-dessus pour la detection d'empreinte digitale s'appliquent egalement a la detection d'un motif thermique autre qu'une empreinte digitale, ('element dont le motif thermique a detecter etant dispose sur le capteur lors de la mesure. Un capteur de motifs thermiques comporte des moyens de detection 20 thermique qui peuvent etre des elements pyroelectriques, des diodes, des thermistances ou tout autre element sensible a la temperature permettant de convertir une variation de temperature en une variation de potentiel ou de courant electrique. Plus particulierement, un capteur de type pyroelectrique comporte une matrice de capacites pyroelectriques disposees sur un substrat, par exemple en verre. 25 Chaque capacite pyroelectrique comporte une portion en materiau pyroelectrique, disposee entre une electrode inferieure et une electrode superieure. Une electrode est portee a un potentiel constant, et forme une electrode de reference. L'autre electrode collecte des charges pyroelectriques, generees par le materiau pyroelectrique en reponse a une variation de temperature. 3 Le materiau pyroelectrique peut etre par exemple un poly(fluorure de vinylidene-trifluoroethylene) (note P(VDF-TrFE)), un polyfluorure de vinylidene (PVDF), une ceramique telle que du PZT (titano-zirconate de plomb, ou « Lead Zirconate Titanate » en anglais), de l'AIN, du BaTiO3 ou encore du ZnO. D'autres materiaux 5 pyroelectriques sont possibles, a savoir tour ceux qui produisent des charges electriques en fonction d'un parametre pyroelectrique. L'electrode superieure est recouverte d'une couche de protection sur laquelle ('element dont le motif thermique est mesure, par exemple un doigt, est destine a etre dispose lors de la mesure. Dans le cas d'un capteur thermique actif, le capteur est egalement muni 10 d'un element chauffant generalement realise a partir de la merne couche electriquement conductrice que celle servant a realiser ('electrode superieure. Cet element chauffant est par exemple realise sous la forme d'un serpentin entourant partiellement les electrodes superieures et permettant de chauffer lateralement les capacites pyroelectriques, au niveau des electrodes superieures. 15 Chaque capacite pyroelectrique forme un transducteur qui traduit une variation temporelle de temperature en un signal electrique tel qu'une difference de potentiels electriques. Lorsque le capteur doit etre realise avec une surface importante ou avec un faible cout, le capteur est avantageusement realise en technologie dite imprimee, ou 20 depot par impression, moins onereuse que la lithographie sur semi-conducteur. Les differentes portions conductrices formant les elements des pixels du capteur peuvent dans ce cas etre realisees avec des encres conductrices suffisamment stables pour ne pas necessiter d'encapsulation tres performante. La realisation du capteur est envisageable par impression, par exemple sur des substrata plastiques simples tels que des films de 25 poly(terephtalate d'ethylene) (PET), de poly(naphtalate d'ethylene) (PEN) ou de polycarbonate (PC). Dans un tel capteur realise par depot par impression, le materiau pyroelectrique imprime presente plusieurs defauts inherents aux techniques d'impression tels qu'une certaine porosite et des effets de bord generant des courants de fuites importants, entre les electrodes des capacites, pouvant empecher le bon fonctionnement 4 du capteur. Par exemple, pour des capteurs comprenant des capacites pyroelectriques formees d'empilements du type Au/PVDF/poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (aussi appele PEDOT) ou Au/PVDF/Ag, les courants de fuite sont de l'ordre d'1 p.A, ce qui est trop important etant donne que les courants pyroelectriques obtenus sont de l'ordre du 5 nA. Un tel courant de fuite est obtenu en raison des porosites importantes (diametre de l'ordre de 5 p.m) formees dans le PVDF. Ce courant de fuite defavorise fortement l'etape de polarisation du PVDF devant etre mice en ceuvre. En effet, la couche de PVDF-TrFe ou de PVDF poreuse peut etre fragilisee, voire completement endommagee (claquage), lors de ('application de la forte tension d'environ 150V/p.m necessaire a la polarisation. 10 EXPOSE DE L'INVENTION Un but de la presente invention est de proposer un capteur de motif thermique dont la structure soit compatible avec la realisation d'un capteur de type passif ou actif, et dont les courants de fuite sont diminues par rapport a l'art anterieur. Pour cela, la presente invention propose un capteur de motif thermique 15 comportant plusieurs pixels disposes sur un substrat, chaque pixel comprenant une capacite pyroelectrique, la capacite pyroelectrique comprenant une couche en materiau pyroelectrique poreux, disposee entre une premiere electrode electriquement conductrice et une seconde electrode electriquement conductrice, des particules en un premier materiau remplissant au moins partiellement les pores de la 20 couche en materiau pyroelectrique poreux, le premier materiau etant electriquement isolant et ayant des proprietes pyroelectriques. L'invention se distingue fondamentalement de l'art anterieur en ce que des particules electriquement isolantes (typiquement ayant une resistivite electrique superieure a 109ohm, et de preference superieure ou egale a 1019ohm) et ayant des 25 proprietes pyroelectriques (typiquement ayant un coefficient pyroelectrique superieur a 5p.C/m2K) remplissent au moins partiellement les pores du materiau pyroelectrique poreux, ce qui reduit fortement le courant de fuite et ameliore la polarisation generale du dispositif. L'integration de ces particules dans le materiau pyroelectrique densifie au moins localement la couche en materiau pyroelectrique sans changer ses proprietes 5 pyroelectriques. Le coefficient pyroelectrique de la capacite et le transfert thermique entre les deux electrodes sont ameliores par rapport a une capacite comprenant, par exemple, du PVDF seul sans particules. Par remplir au moins partiellement les pores, on entend que le volume 5 des pores est au moins partiellement remplis par les particules et/ou qu'au moins une partie du nombre total de pores est remplis par les particules. Les particules peuvent etre situees au niveau des ouvertures des pores et/ou penetrer dans le volume des pores. Les particules peuvent boucher completement une partie des pores ou la totalite des pores. Avantageusement, une couche en un second materiau est disposee 10 entre la couche en materiau pyroelectrique poreux et la seconde electrode, le second materiau etant electriquement isolant et ayant des proprietes pyroelectriques. Cette couche forme une couche dielectrique qui ameliore la densification de la couche de materiau pyroelectrique sous la seconde electrode, sans modifier ses proprietes pyroelectriques. La couche en un second materiau peut etre une couche de particules ou 15 une couche dense non poreuse. Le premier materiau et le second materiau peuvent etre identiques ou differents. Avantageusement, le premier materiau et/ou le second materiau sont en ZnO stcechiornetrique, et/ou en un mélange de Zn(OH)2 et de ZnO, stcechiornetrique 20 et/ou non stcechiornetrique, et/ou en AIN, et/ou en un mélange de AIN et de Zn(OH)2 et/ou de ZnO stcechiornetrique et/ou non stcechiornetrique. Le ZnO stcechiornetrique est isolant electriquement et presente de bonnes proprietes pyroelectriques. Le ZnO non stcechiornetrique est electriquement semi-conducteur et 25 presente de bonnes proprietes pyroelectriques. L'hydroxyde de zinc est electriquement isolant et ne presente pas de proprietes pyroelectriques. Le mélange ZnO/Zn(OH)2 presente une faible conductivite electrique et de bonnes proprietes pyroelectriques, ce qui permet de limiter les courants de fuite tout en assurant une continuite de proprietes pyroelectriques entre la couche en materiau pyroelectrique et la seconde electrode. 6 On choisira, de preference, du ZnO non stcechiornetrique qui est moins cher a produire que le ZnO stcechiornetrique qui necessite une etape de traitement thermique dans un reacteur a haute temperature. De plus, le ZnO stcechiornetrique est moins stable sous rayonnement ultra-violet et a tendance a se degrader en ZnO non 5 stcechiornetrique. Par particules en un mélange de ZnO/Zn(OH)2, on entend un mélange de particules en ZnO et/ou de particules en Zn(OH)2 et/ou de particules en un mélange de ZnO/Zn(OH)2. Le nitrure d'aluminium AIN est un tres bon isolant electrique (de l'ordre 10 de 1014 ohm.cm , c'est-a-dire une resistance superieure a 101° ohm) et presente de bonnes proprietes pyroelectriques. Ce materiau presente egalement une tres bonne conductivite thermique (de l'ordre de 140-180 W.m-1K-1). Avantageusement, le premier materiau et/ou le second materiau sont en un mélange de AIN et de ZnO/Zn(OH)2 comprenant 50% massique de AIN. Un tel 15 materiau est facile a elaborer. Avantageusement, le materiau pyroelectrique est du polyfluorure de vinylidene, un copolymere de polyfluorure de vinylidene, tel que le poly(fluorure de vinylidene-trifluoroethylene), une ceramique, telle que du PZT, de l'AIN, du BaTiO3 ou encore du ZnO. L'invention est particulierement pertinente dans le cas du PVDF qui 20 presente plusieurs defauts inherents aux techniques d'impression (porosite et effets de bord generant des courants de fuites importants) empechant le bon fonctionnement des dispositifs. Avantageusement, le materiau pyroelectrique a une porosite surfacique superieure a 15% de la surface totale du materiau pyroelectrique. 25 Avantageusement, la couche en materiau pyroelectrique a une epaisseur allant de 20nm a 5p.m, et de preference, de 2p.m a 4p.m. Avantageusement, le capteur comporte en outre au moins un element chauffant isole electriquement des electrodes electriquement conductrices et dispose en regard d'au moins une partie de la couche en materiau pyroelectrique tel que la couche 30 en materiau pyroelectrique soit disposee entre ('element chauffant et le substrat. 7 Avantageusement, le capteur est un capteur d'empreinte digitale. L'invention concerne egalement un procede de fabrication d'un capteur de motif thermique tel que defini precedemment comprenant les etapes successives suivantes : 5 a) fourniture d'un substrat, recouvert par une premiere electrode, et une couche en materiau pyroelectrique poreux, b) depot de particules en un premier materiau de maniere a remplir au moins partiellement les pores de la couche en materiau pyroelectrique poreux, c) eventuellement, depot d'une couche en un second materiau sur la 10 couche en materiau pyroelectrique poreux, d) formation d'une seconde electrode, e) eventuellement depot d'une couche dielectrique et formation d'un element chauffant, f) eventuellement, depot d'une couche de protection, 15 le premier materiau etant electriquement isolant et ayant des proprietes pyroelectriques, le second materiau etant electriquement isolant et ayant des proprietes pyroelectriques. De preference le premier materiau et le second materiau sont identiques, ce qui simplifie le procede d'elaboration, les particules et la couche sur la couche pyroelectrique pouvant etre realisees en une seule et merne etape. 20 Avantageusement, entre l'etape b) et l'etape d), et/ou eventuellement entre l'etape c) et l'etape d), le procede comporte une etape additionnelle dans laquelle un traitement thermique a une temperature allant de 120°C a 180°C est realise. Le recuit permet d'evaporer completement les residus de solvant et/ou de former un materiau pyroelectrique cristallin, ce qui ameliore ses proprietes pyroelectriques, notamment dans 25 le cas de particules de ZnO ou de ZnO/Zn(OH)2. Avantageusement, avec des particules de AIN, la matiere est auto-organisee en sortie du depot et it n'y a pas besoin de realiser d'etapes de recuit et/ou de polarisation. Avantageusement, l'etape b) est realisee en deposant une solution contenant des particules de ZnO, stcechiornetrique, et/ou en un mélange de Zn(OH)2 et de 30 ZnO, stcechiornetrique ou non stcechiornetrique, et un solvant, de preference choisi 8 parmi l'acetate de butyle, l'acetate de propyle, l'isopropanol, l'ethanol, le methanol, le methoxyethanol, l'ethoxyethanol, l'hexane, et le cyclohexane. Avantageusement, Ia solution contenant les particules est deposee par depot a Ia tournette ou par serigraphie. Un depot par serigraphie permet de deposer 5 localement les particules. Avantageusement, Ia solution contient de 5mg/mL a 100mg/mL, et de preference de 10mg/mL a 50mg/mL de particules. Avantageusement, les particules sont obtenues en realisant les etapes successives suivantes : 10 - preparation et mélange d'une solution comprenant de l'acetate de zinc, du KOH, et un solvant dans lequel le ZnO et/ou le ZnO/Zn(OH)2 sont insolubles, - chauffage de Ia solution a Ia temperature d'ebullition du solvant, sous reflux, l'acetate de zinc et le KOH reagissant pour former du ZnO et/ou du ZnO/Zn(OH )2, 15 - decantation de Ia solution obtenue a l'etape precedente, - de preference, ajout d'un surfactant pour disperser les particules. Avantageusement, Ia couche en materiau pyroelectrique poreux est deposee par une technique d'impression telle que Ia serigraphie. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS 20 La presente invention sera mieux comprise a la lecture de la description d'exemples de realisation donnes a titre purement indicatif et nullement limitatif en faisant reference aux dessins annexes sur lesquels : - la figure 1 represente, de maniere schernatique, une vue en coupe d'un pixel d'un capteur de motif thermique, selon un premier mode de realisation 25 particulier de l'invention, - la figure 2 represente de maniere schernatique, une vue en coupe d'un pixel d'un capteur de motif thermique, selon un deuxierne mode de realisation particulier de l'invention, 9 - la figure 3 est un graphique representant la capacitance et la conductance en fonction de la frequence, d'un materiau pyroelectrique recouvert par une couche de ZnO/Zn(OH)2, - la figure 4 est un graphique representant le cycle d'hysteresis de la 5 capacite, pour un materiau pyroelectrique seul et pour un materiau pyroelectrique recouvert par des couches de ZnO/Zn(OH)2 de differentes epaisseurs, - la figure 5 est un graphique representant les epaisseurs de couches de ZnO/Zn(OH)2 obtenues en deposant une solution contenant des particules de ZnO/Zn(OH)2, par depot a la tournette, en fonction de la concentration massique en 10 particules et de la vitesse de depot, - la figure 6 represente plusieurs clichés de diffraction des rayons X d'une couche de ZnO/Zn(OH)2 avant et apres recuit a 150°C, pendant 15 minutes, - les figures 7A a 7C representent des clichés, obtenus par microscopie electronique a balayage, d'une couche de ZnO/Zn(OH)2 avant (figures 7A et 7B) et apres 15 (figure 7C) recuit a 150°C, pendant 15 minutes. Les differentes parties representees sur les figures ne le sont pas necessairement selon une echelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. Les differentes possibilites (variantes et modes de realisation) doivent etre comprises comme n'etant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner 20 entre elles. EXPOSE DETAILLE DE MODES DE REALISATION PARTICULIERS On se refere tout d'abord aux figures 1 et 2 qui representent des vues en coupe d'une partie d'un pixel 102 d'un capteur de motif thermique, selon differents modes de realisation. 25 Le substrat 104 : Le pixel 102 est realise sur un substrat 104 par exemple en verre ou en materiau semi-conducteur (par exemple du silicium). 10 Le substrat 104 peut egalement etre un substrat couple, par exemple a base de polyimide, de PEN (polyethylene naphtalate), de PET (polyethylene terephtalate), ou de polycarbonate (PC), sur lequel les elements electroniques du capteur, tell que des transistors en couches minces (TFT pour « Thin Film Transistor »), sont realises par 5 technologie electronique imprimee (par exemples via une realisation avec des tetes d'ecriture de type jet d'encre, serigraphie, offset et heliogravure) ou par lithographie. Les pixels 102 : Un seul pixel est represents sur le substrat 104 represents a la figure 1, 10 pour plus de lisibilite, mais le substrat d'un capteur de motif thermique comporte une pluralite de pixel 102. Les pixels 102 du capteur sont disposes en formant une matrice de plusieurs lignes et plusieurs colonnes de pixels 102. Le pas des pixels 102, dans le plan du substrat 104, est par exemple compris entre environ 50 p.m et 100 p.m. Dans le cas d'un capteur de resolution egale a 500 dpi (« dot per inch »), le pas des pixels 102 est egal a 15 50,8 p.m. Chacun des pixels 102 du capteur comporte des moyens de mesure, ou de detection, thermique formes par une capacite pyroelectrique. Chaque capacite pyroelectrique comporte successivement, depuis le substrat 104, une electrode inferieure 108, un materiau pyroelectrique 200 et une electrode superieure 110. La capacite est 20 decrite ici et par la suite comme etant une capacite verticale, mais it pourrait egalement s'agir d'une capacite horizontale. Le materiau pyroelectrique 200 : La couche en materiau pyroelectrique 200 est une couche poreuse. La 25 couche comprend une premiere face principale en contact avec la premiere electrode. Par en contact, on entend que ces elements sont adjacents. La seconde face principale est en regard de la seconde electrode. Le materiau pyroelectrique est, par exemple, du polyfluorure de vinylidene ou un copolymere de polyfluorure de vinylidene, tel que le copolymere 30 polyfluorure de vinylidene et de trifluoroethylene P(VDF-Trfe). Differentes compositions en TrFe dans le P(VDF-TrFe) sont envisageables, afin d'obtenir des fortes valeurs de 11 coefficient pyroelectrique. Ces compositions peuvent correspondre a un pourcentage en mole allant de 10 % a 50 % pour le TrFe et allant de 90 % a 50 % pour le PVDF. Preferentiellement, le pourcentage en mole est d'environ 20 % pour le TrFe et d'environ 80 % pour le PVDF, ce qui permet d'obtenir de meilleures caracteristiques en 5 cristallisation du materiau pyroelectrique. Le PVDF presente, par exemple, une permittivite dielectrique de l'ordre de 10. L'homme du métier pourra choisir tout materiau pyroelectrique poreux qui produit des charges electriques en fonction d'un parametre pyroelectrique. L'epaisseur de la couche en materiau pyroelectrique 200 va par exemple 10 de 20 nm a 5 p.m, et de preference de 1p.m a 5p.m. Elle est, par exemple, de 2p.m. De preference, elle va de 100 nm a 3 p.m, plus preferentiellement de 100 nm a 2 p.m et par exemple egal a environ 1 p.m. L'epaisseur de materiau pyroelectrique 200 deposee est controlee car cette epaisseur correspond a l'epaisseur de la capacite pyroelectrique (distance entre les electrodes) et intervient directement dans le calcul de la valeur de la 15 capacite pyroelectrique C. La taille des pores du materiau pyroelectrique, va par exemple de 1p.m a 10p.m, et de preference de 2p.m a 10p.m. On choisira par exemple des tailles de pores de l'ordre de 5p.m. Afin de limiter les courants de fuite, les pores de la couche en materiau 20 pyroelectrique sont au moins partiellement remplis par des particules 210 en un premier materiau electriquement isolant et ayant des proprietes. Les particules 210 peuvent etre localisees au niveau des ouvertures des pores, situees sur la seconde face de la couche en materiau pyroelectrique poreux. Elles peuvent partiellement ou completement boucher les ouvertures des pores. Elles peuvent egalement etre localisees dans le volume des 25 pores. Elles peuvent etre localisees, par exemple, dans le premier tiers ou dans la premiere moitie de l'epaisseur de la couche en materiau pyroelectrique poreux a partir de la seconde principale de ladite couche. La seconde face principale peut etre en contact avec la seconde electrode. Par particules, on entend des elements de taille nanometrique, ou 30 micrometrique et de forme spherique, cylindrique, ou ovoIde. 12 Les particules ont, par exemple, une plus grande dimension allant de 20nm a 111m, et de preference de 20nm a 100nm. Les particules 210 peuvent etre, partiellement ou totalement, recouverte par une couche de residus organiques provenant de Ia synthese desdites 5 particules. De preference, une couche 220 en un second materiau, identique ou different du premier materiau, recouvre, en plus, la couche de materiau pyroelectrique. La couche 220 en un second materiau est en contact avec la seconde electrode. La couche 220 peut etre une couche de particules, en contact les unes 10 avec les autres, ou une couche dense, pleine (non particulaire). La couche 220 a une epaisseur allant de 10nm a 500nm, par exemple de 10nm a 300nm, et de preference de 50nm a 500nm. De preference, le premier materiau et/ou le second materiau sont en ZnO stcechiometrique et/ou en un melange de Zn(OH)2 et de ZnO, stcechiometrique ou 15 non stcechiometrique, et/ou en AIN, et/ou en un mélange de AIN et de Zn(OH)2 et/ou de ZnO stoechiometrique et/ou non stoechiornetrique. La resistance de tels materiaux est superieure a 109 ohm.cm, de preference superieure a 1010ohm.cm, encore plus preferentiellement superieure a 1014 ohm.cm. Ceci permet d'eviter les courants fuites entre les deux electrodes. 20 Comme represents sur la figure 3, Ia presence d'une couche 220 en ZnO/Zn(OH)2 de 100nm d'epaisseur sur une couche pyroelectrique en PVDF dont les pores sont partiellement remplis par des particules 210 en ZnO/Zn(OH)2 ne modifie pas la capacite. On mesure une valeur d'environ 1nF pour une surface de 30mm2. Les caracteristiques electriques de couches pyroelectriques avec et sans 25 couche/particules de ZnO/Zn(OH)2 ont ete comparees (figure 4). Apr& avoir polarise le PVDF, on remarque que les proprietes pyroelectriques sont ameliorees grace a Ia presence de Ia couche et des particules de ZnO/Zn(OH)2. Le cycle hysteresis ne change pas quelle que soft l'epaisseur de la couche en ZnO/Zn(OH)2 (de 100 a 500nm). 30 13 Les electrodes 108, 110 : L'electrode inferieure (ou premiere electrode) 108 et ('electrode superieure (ou seconde electrode) 110 comportent chacune au moins un materiau electriquement conducteur. Les electrodes 108, 110 peuvent comporter au moins l'un 5 des materiaux suivants : Ti, Pt, Ni, Au, Al, Mo, Ag, MoCr, AISi, AICu. L'une des electrodes 108, 110, avantageusement ('electrode superieure 110, ou chacune des deux electrodes 108, 110, peut etre formee par un empilement de plusieurs materiaux electriquement conducteurs, par exemple un empilement Ti/TiN, Ti/TiN/AICu, ou Ti/Au. L'epaisseur de chacune des electrodes 108, 110 est par exemple 10 comprise entre environ 0,01 p.m et 1 p.m. L'epaisseur de chacune des electrodes 108, 110 peut etre plus importante, allant par exemple jusqu'a environ 5 p.m, notamment lorsque ces electrodes sont realisees par impression en utilisant des materiaux tell que ('argent, le cuivre, le carbone ou encore le PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene). Une couche d'or deposee par photolithographie a, par exemple, une epaisseur de 50nm. 15 A titre illustratif et non limitatif, ('electrode superieure 110 et/ou ('electrode inferieure 108 est une couche d'epaisseur egale a environ 0,2 p.m, en titane et/ou en molybdene et/ou en aluminium et/ou en un oxyde conducteur tel que de l'ITO (oxyde d'indium et detain) et/ou un polymere conducteur. A titre illustratif et non limitatif, ('electrode superieure 110 et/ou 20 ('electrode inferieure 108 est formee d'un ou plusieurs empilements de type Ti/TiN avec une epaisseur de Ti comprise entre environ 50 nm et 500 nm et une epaisseur de TiN comprise entre environ 10 nm et 500 nm. On pourra egalement utiliser un empilement Ti/Au avec une epaisseur de Ti de 5nm et une epaisseur de Au de 50 nm, ou une couche d'or de 50nm d'epaisseur, ou encore un alliage MoCr de 50 nm d'epaisseur. On pourra 25 combiner, par exemple, une electrode inferieure en Ti/Au, par exemple deposee par photolithographie, et une electrode superieure en PEDOT-PSS de 1p.m d'epaisseur. L'electrode superieure 110 et/ou ('electrode inferieure 108 est, par exemple, sous la forme de lignes metalliques paralleles les unes aux autres. De telles lignes sont, par exemple, en or. L'electrode inferieure 108 peut egalement etre en or, et 14 ('electrode superieure 110 peut etre en PEDOT-PPS et peut avoir, par exemple, une epaisseur de 1p.m. La couche dielectrique 112 : 5 L'electrode superieure 110 est recouverte par une couche dielectrique 112. L'epaisseur de la couche dielectrique va par exemple de 0,1p.m a 5 p.m. La couche dielectrique est, par exemple, en polyimide Elle permet d'isoler electriquement ('electrode superieure 110 des elements chauffants 114. 10 Les elements chauffants 114 : Dans le mode de realisation ou le capteur est apte a realiser une detection thermique active, en plus des elements precedemment decrits, le capteur comporte egalement des elements chauffants 108 dissipant une certaine quantite de chaleur dans les pixels 102, et notamment dans le materiau pyroelectrique 200. Ces 15 elements chauffants 108 sont par exemple formes par des portions electriquement conductrices issues de la merne couche que celle servant a la realisation des electrodes superieures 110 ou des electrodes inferieures 108. Le ou les materiaux servant a la realisation de ('element chauffant 114 peuvent etre choisis parmi mes materiaux suivants : Ti, Pt, Ni, Au, Al, Ag, AISi, AICu. Les elements chauffants 114 sont par exemple 20 realises par un depot d'une encre metallique, comprenant par exemple de ('argent, deposee par impression. Les elements chauffants 114 sont, par exemple, sous Ia forme de lignes metalliques paralleles les unes aux autres. Comme represents sur Ia figure 5, les lignes formant les elements chauffants peuvent etre perpendiculaires aux lignes de ('electrode inferieure 108. 25 L'element chauffant 114 peut comprendre une couche en Ti ayant une epaisseur allant d'environ 30 nm a 100 nm et une autre couche electriquement conductrice en AISi ou en AICu et ayant une epaisseur allant de 100 nm a 700 nm. Dans une telle configuration, Ia couche d'AISi ou d'AICu protege Ia couche de titane ou de TiAu contre l'oxydation. 30 Les elements chauffants 114 ont, par exemple, une epaisseur allant de 0,5p.m a 10p.m, et de preference allant de 1p.m a 5pm. 15 Chacun des elements chauffants 114 forme un element metallique resistif (resistance electrique par exemple comprise entre environ 10 0 et 100 0) associe a un pixel 102 et qui permet de chauffer ce pixel 102 independamment des elements chauffants 114 associes aux autres pixels 102. Les elements chauffants 114 permettent, 5 lors d'une detection mice en ceuvre par le dispositif, de dissiper une certaine qua ntite de chaleur dans les pixels 102, et notamment dans le materiau pyroelectrique de la couche 113. Dans chaque pixel 102, le chauffage de la portion 200 de materiau pyroelectrique est obtenu en faisant circuler un courant dans ('element chauffant 114 formant la resistance de chauffage de chacun des pixels 102. 10 Le chauffage du materiau pyroelectrique 200 est obtenu en faisant circuler un courant dans ('element chauffant 114 formant la resistance de chauffage de chacun des pixels 102. Afin d'obtenir une bonne sensibilite a la detection, traduisant une forte difference de temperatures entre un pixel en contact avec une crete de l'empreinte et un pixel en contact avec une vallee de l'em preinte, les puissances electriques injectees 15 dans ('element chauffant peuvent aller de 0,5 mW/pixel a 5 mW/pixel dans le cas de pixels ayant des cotes de dimension egale a environ 50 p.m (comme c'est le cas pour un capteur d'empreinte digitale standard de resolution egale a 500 dpi). La couche de protection 116 : 20 Les elements chauffants 114 ainsi que les parties de la couche dielectrique 112 sur lesquelles les elements chauffants 114 ne sont pas presents sont, avantageusement, recouverts par une couche de protection 116, correspondant par exemple a une couche laminee de PET ou de tout autre materiau adapte a la realisation de cette couche. D'autres materiaux sont aussi envisageables pour cette couche 116, 25 comme par exemple du polyimide, du PVDF et/ou de ses copolymeres, du PMMA, etc. Le ou les materiaux utilises ainsi que l'epaisseur de la couche sont choisis pour obtenir un bon transfert de la chaleur depuis la face avant 116 vers la capacite pyroelectrique. Ainsi, la couche de protection 116 est realisee telle qu'elle ne soit ni trop thermiquement resistive (car la chaleur ne la traverserait pas), ni trop thermiquement conductrice (car la 30 chaleur partirait dans ce cas sur les cotes, vers les autres pixels, provoquant de la 16 diathermie au rein du capteur), ni trop epaisse (pour avoir un transfert de chaleur s'operant depuis la face avant de la couche de protection 116 vers la capacite pyroelectrique), ni trop fine (l'epaisseur de la couche 116 doit tout de merne etre suffisante pour que son role de protection soit rempli). L'epaisseur de la couche de 5 protection 116 peut aller de quelques microns (par exemple 5 p.m) a environ 100 p.m. L'epaisseur est par exemple de l'ordre de 10p.m. De maniere alternative, la couche de protection 116 peut correspondre a une couche de DLC (« Diamond Like Carbon ») d'epaisseur inferieure a environ 1 p.m. La face superieure de la couche de protection 116 correspond a la 10 surface sur laquelle se trouve le motif thermique destine a etre detect& par exemple un doigt dont l'empreinte est destinee a etre detectee. La partie d'un doigt 300 avec les creux et les bosses de l'empreinte sont representees sur la figure 1. Procede de fabrication et de depot des particules en ZnO ou en 15 ZnO/Zn(OH)2 La synthese des particules 210 est obtenue en realisant les etapes successives suivantes : i. preparation d'une premiere solution comprenant de ('acetate de zinc et un premier solvant dans lequel le ZnO et/ou le ZnO/Zn(OH)2 sont insolubles et 20 chauffage de la solution a la temperature d'ebullition du premier solvant, sous reflux, ii. preparation d'une seconde solution contenant du KOH dans un second solvant, miscible avec le premier solvant et dans lequel le ZnO et/ou le ZnO/Zn(OH)2 sont insolubles, et chauffage de la solution a la temperature d'ebullition du second solvant, sous reflux, 25 iii. mélange de la premiere solution avec la seconde solution, ('acetate de zinc et le KOH reagissant pour former du ZnO et/ou du ZnO/Zn(OH)2 insoluble dans le methanol, et maintien du chauffage a la temperature d'ebullition du solvant ayant la temperature d'ebullition la plus elevee, pendant plusieurs heures sous reflux, iv. decantation de la solution obtenue a l'etape precedente, 30 v. ajout d'un surfactant. 17 De preference, le premier solvant et le second solvant sont compatibles avec la couche pyroelectrique, notamment dans le cas dune couche pyroelectrique en PVDF ou en copolymere de PVDF. On choisira le premier solvant et le solvant, independamment l'un de l'autre, parmi l'acetate de butyle, l'acetate de propyle, 5 l'isopropanol, ('ethanol, le methanol, le methoxyethanol, l'ethoxyethanol, l'hexane, et le cyclohexane. De preference, le premier et le second solvant sont identiques. Encore plus preferentiellement, it s'agit du methanol. L'etape iii peut etre realisee pendant de 1h a 10h, par exemple 3h. 10 La decantation de l'etape iv peut etre realisee pendant plusieurs heures, par exemple pendant une duree allant de 2h a 10h, par exemple 4h. Entre l'etape iv et l'etape v, le surnageant peut etre enleve et remplace un volume identique ou different du solvant ou du mélange de solvant. On peut, par exemple, rajouter 50mL de solvant ou de mélange de solvant. 15 Le surfactant a pour role de disperser les particules 210 afin de rendre la solution homogene et transparente. Une solution homogene facilitera l'obtention un depot homogene. On peut rajouter de 1% a 10% molaire, par exemple, 5% molaire, de surfactant a la quantite de particules 210. Le surfactant est, de preference, choisi parmi l'acide methoxy ethoxy 20 acetique (MEA), l'acide methoxybenzoIque, l'acide (ethylthio)benzolque, l'acide dimethoxybenzolque, l'acide deca ncique, l'acide nitrobenzoIque, l'acide trifluoromethylbenzoIque, ou un de leurs mélanges. A titre illustratif et non limitatif, les particules de ZnO et/ou de ZnO/Zn(OH)2 210 sont obtenues en : 25 - melangeant 1,5 grammes d'acetate de Zinc et environ 60m1 de methanol dans un ballon bicol, - melangeant, un ballon monocol environ 0,75 grammes d'hydroxyde de potassium et 30m1 de methanol. - chauffant les deux ballons une dizaine de minutes a 60°C 30 (temperature d'ebullition du methanol), 18 - melangeant le contenu du premier ballon avec le contenu du second ballon, pendant 3h sous reflux, - laissant decanter la solution obtenue a l'etape precedente pendant 4h, 5 - retirant le surnageant, le remplacant par 50mL de methanol, puis en laissant decanter une nuit, - ajoutant 5% molaire d'acide methoxy ethoxy acetique par rapport a la quantite molaire de particules. La solution est ensuite deposee par toute technique d'impression 10 adaptee mettant en jeu des encres liquides (serigraphie, heliogravure, jet d'encre, flexogravure, offset gravure) ou d'enduction. Par exemple, la solution est deposee par depot a la tournette (ou « spin-coating »). La figure 5 represente l'epaisseur de la couche 220 en particules en fonction de la concentration massique en particules dans la solution et en fonction de la 15 vitesse de depot. Par exemple, pour avoir une epaisseur de 35nm, on utilisera une vitesse de depot d'environ 1000 tour/min et une concentration en particules de 10mg/mL. Avantageusement, un traitement thermique est realisee apres depot des particules. Le recuit est realise in situ sur les couches sous-jacentes du capteur de motifs thermiques. 20 Le traitement thermique est realise a une temperature, de preference, allant de 120°C a 180°C, par exemple a une temperature de 150°C. De teller temperatures pourront, avantageusement, etre utilisees pour des recuits sur des substrata en plastique. L'etape de recuit permet d'eliminer partiellement ou totalement les composes organiques provenant de la synthese (par exemple les additifs et/ou le 25 solvant), qui peuvent influencer les proprietes pyroelectriques et/ou la permittivite de la couche. Lorsque les composes organiques ne sont pas totalement elimines, les particules sont recouvertes localement ou partiellement par une couche de residus organiques. L'etape de recuit permet egalement de former du ZnO cristallin. Le materiau apres recuit contient du ZnO cristallin, et de l'hydroxyde Zn(OH)2 (figure 6). 19 Comme represents sur les figures 7A et 7B, on remarque un arrangement compact des particules de ZnO avant l'etape de recuit. Apres un traitement thermique a 150°C pendant 15 minutes, on observe une diminution de Ia rugosite et de Ia taille des grains de Ia couche de ZnO. La couche de ZnO 220 est densifiee. Apres recuit, on 5 obtient une couche de ZnO 220 ayant une conductivite thermique du ZnO = 6w.m4K-1 et un coefficient pyroelectrique de 20-30 u.C/m2K (pour comparaison, le coefficient pyroelectrique du PVDF est de 25 u.C/m2K). La conductivite thermique est sensiblement identique (ici du merne ordre de grandeur) apres densification. La densification peut etre, par exemple, quantifiee par rayon X par mesure de reflectivite. 10 Le recuit peut etre realise pendant une duree allant de quelques minutes (par exemple 5 minutes) a quelques heures (par exemple 2 heures). On peut, par exemple, realiser un recuit a 150°C pendant 15 minutes. Le recuit peut etre realise dans un four. II peut egalement etre realise par absorption de lumiere intense (laser, 15 xenon flash, infrarouge ou photonique), ce qui ameliore la dernixtion des differents oxydes. Procede de fabrication du capteur de motif thermique : Un procede de fabrication d'un capteur de motif thermique comprenant de teller capacites pyroelectriques va maintenant etre decrit. 20 Le capteur est realise a partir du substrat 104. Le materiau du substrat 104 (verre, semi-conducteur, plastique, etc.) est choisi selon la technologie avec laquelle les differents elements electroniques du capteur sont realises. Le substrat 104 est tout d'abord nettoye afin d'eliminer les residus organiques presents sur celui-ci. Le type de nettoyage mis en ceuvre sera fonction du materiau du substrat 104. 25 La deuxierne etape consiste a deposer sur la face avant du substrat 104 une premiere couche electriquement conductrice, par exemple metallique, a partir de laquelle ('electrode 108 est destinee a etre realisee. La couche peut etre deposee en phase vapeur PVD par evaporation (« sputtering » en anglais), serigraphie, pulverisation (« spray » en anglais) ou merne par jet d'encre, selon les materiaux et les epaisseurs 30 destines a etre deposes. Lorsque la couche est formee par un depot PVD, l'epaisseur de la 20 couche va, par exemple d'environ 100 nm a 2 urn. De maniere generale, l'epaisseur de la couche est superieure ou egale a environ 100 nm. D'autres types de depot peuvent permettre Ia realisation d'une couche d'epaisseur superieure a environ 2 p.m. La structure des electrodes 108 peut etre definie en mettant en ceuvre une etape de 5 photolithographie et de gravure de Ia couche. La couche en materiau pyroelectrique 200 est ensuite forme sur Ia premiere electrode 108. Le materiau pyroelectrique en PVDF ou en I'un de ses copolymeres peut etre depose par « spin coating » (depot a Ia tournette). D'autres types de depots localises peuvent etre utilises comme Ia serigraphie ou Ia pulverisation ou 10 merne le depot par jet d'encre. Une etape d'irradiation du materiau pyroelectrique peut ensuite etre mise en ceuvre pour cristalliser au moins Ia seconde face de Ia couche en materiau pyroelectrique, pour ameliorer les performances pyroelectriques. Cette irradiation est par exemple mise en ceuvre avec une lumiere flash UV, avec une duree du flash, ou de 15 ('impulsion, comprise entre environ 500 us a 2 ms, une fluence (energie delivree par unite d'aire) comprise entre environ 15 J/cm2 et 25 J/cm2, et avec une lumiere de Iongueur d'onde comprise entre environ 200 nm et 380 nm. Le nombre de flashs, ou impulsions, de lumiere UV realises lors de cette irradiation varie en fonction de l'epaisseur sur laquelle le materiau pyroelectrique doit etre cristallise. Par exemple, pour une epaisseur de 20 P(VDF-TrFe) egale a environ 2 p.m, ('irradiation peut etre mise en ceuvre avec une fluence egale a environ 17 J/cm2, une duree d'impulsion egale a environ 2 ms et un nombre d'impulsions egal a 5. Le materiau pyroelectrique ayant eventuellement subi une precedente cristallisation est ensuite soumis a un recuit, par exemple realise a environ 130°C pendant 25 environ 60 min, pour finaliser Ia cristallisation totale du materiau pyroelectrique. La cristallisation du materiau pyroelectrique peut donc etre realisee en deux temps : tout d'abord ('irradiation par impulsion lumineuse UV pour bien cristalliser Ia seconde face de Ia couche en materiau pyroelectrique afin d'augmenter sa conductivite thermique, puis un recuit thermique achevant Ia cristallisation pour le reste de materiau 30 pyroelectrique non cristallise par Ia precedente irradiation. 21 Lorsque le materiau pyroelectrique est un copolymere a base de P(VDF-TrFe), it est necessaire de mettre en ceuvre, avant la premiere utilisation du capteur pour detecter un motif thermique, une etape de polarisation initiale du materiau pyroelectrique en appliquant une tension electrique continue a ses bornes, via les 5 electrodes 108, 110, afin d'ameliorer le coefficient pyroelectrique de ce materiau. Cette polarisation est realisee une seule foil pour toute la duree de vie du materiau pyroelectrique. Cette polarisation par courant continue peut se faire a une temperature ambiante ou a chaud (jusqu'a environ 100°C). Lorsque la polarisation est realisee a une temperature ambiante, it est possible d'appliquer une tension continue jusqu'a environ 10 150V/p.m d'epaisseur de la couche pyroelectrique pendant une duree par exemple comprise entre quelques seconder et quelques minutes. Par exemple, on appliquera une tension de 120V/p.m pendant 20s. Lorsque la polarisation est realisee a chaud, par exemple a une temperature d'environ 90°C, une tension continue par exemple comprise entre environ 50 V et 80 V par micron d'epaisseur de la couche pyroelectrique peut etre 15 appliquee pendant une duree par exemple comprise entre environ 1 min et 5 min. La temperature est ensuite abaissee jusqu'a atteindre la temperature ambiante, puis le champ electrique appliqué sur le materiau pyroelectrique, via la tension continue appliquee, est stoppe. De teller polarisations permettent au PVDF d'atteindre des coefficients pyroelectriques compris entre environ 20 et 45 p.C/(m2.K). 20 Les molecules a l'interieur de la couche pyroelectrique 200 restent orientees ainsi, merne lorsque le materiau nest plus soumis a ce champ electrique. Le materiau peut etre ainsi polarise en appliquant une tension de polarisation initiale aux bornes des electrodes 108, 110. On choisira, de preference, une epaisseur de materiau pyroelectrique inferieure ou egale a environ 2 p.m afin de favoriser la polarisation du 25 materiau pyroelectrique de cette capacite, et le niveau de la tension electrique appliquee entre les electrodes 108, 110 pour realiser la polarisation initiale du materiau pyroelectrique (lorsque le materiau pyroelectrique doit etre initialement polarise). Les particules 210 de ZnO et/ou de ZnO/Zn(OH)2 sont ensuite deposees sur la couche en materiau pyroelectrique 200, de maniere au moins a remplir 30 partiellement ou totalement les pores de la seconde face principale de ladite couche 22 pyroelectrique 200, et eventuellement, pour former en plus une couche en ZnO 220 sur ladite couche pyroelectrique 200. Comme precedemment decrit, les particules de ZnO et/ou de ZnO/Zn(OH)2 210 peuvent etre deposees par toute technique d'impression mettant en jeu 5 des encres liquides (serigraphie, heliogravure, jet d'encre, flexogravure, offset gravure). Lorsque la couche en materiau pyroelectrique 200 est recouverte par une couche pleine en ZnO 220, cette couche peut etre deposee par une technologie sous vide, telle que la deposition de couche atomique (ALD pour « Atomic Layer Deposition »), par depot physique en phase vapeur (PVD pour (« Physical Vapor Deposition ») ou par 10 pulverisation phase cathodique. Des portions du materiau pyroelectrique 200 sont definies par la mise en ceuvre d'une photolithographie et d'une gravure du materiau pyroelectrique. Lorsque la gravure mise en ceuvre correspond a une gravure plasma, un plasma 02 peut etre utilise seul ou en combinaison avec du SF6 (hexafluorure de soufre). Les portions de 15 materiau pyroelectrique conservees apres la mise en ceuvre de cette gravure correspondent aux portions du materiau pyroelectrique localisees au niveau des pixels 102 du capteur. En variante, les portions peuvent etre realisees directement, sans etape de gravure, par un depot localise correspondant par exemple a un depot par spray a 20 ultrasons, ou par jet d'encre ou par serigraphie. La seconde electrode, ou electrode superieure, 110 est ensuite deposee, selon des techniques de depot qui peuvent etre identiques ou differentes de celles utilisees pour deposer la premiere electrode. Une ou plusieurs deuxiernes couches electriquement conductrices 25 destinees a former les elements chauffants 118 sont ensuite deposees sur la structure obtenue a ce stade du procede. L'element chauffant 118 est ensuite forme en gravant la ou les couches electriquement conductrices precedemment deposees selon le motif de l'element chauffant 118, par exemple sous forme d'un serpentin ou sous la forme d'une ligne rectangulaire. Une etape de photolithographie suivie d'une etape gravure plasma ou 23 en humide sont par exemple miser en ceuvre pour la formation de ('element chauffant 118. La couche est gravee, par exemple via la mise en ceuvre d'une gravure plasma. Le ou les materiaux destines a former la couche de protection 116 est ou sont ensuite deposes sur ('ensemble de la structure precedemment realisee. Selon le 5 ou les materiaux deposes, le ou les depots peuvent se faire par voie physique (par exemple PVD) a faible temperature ou par voie liquide (par exemple par centrifugation, pulverisation ou jet d'encre). Lorsque ce ou ces materiaux de protection sont deposes de maniere localisee, comme par exemple par pulverisation ou par jet d'encre, la couche de protection 116 est formee des le depot de maniere localisee sur ('element chauffant 118 10 et les eventuelles parties de materiau pyroelectrique non recouvertes par ('element chauffant 118 (comme c'est le cas lorsque ('element chauffant 118 forme un serpentin localise uniquement au-dessus des portions 200), et it nest pas necessaire de mettre en ceuvre une gravure du ou des materiaux deposes pour former la couche 116. Dans le cas contraire, le ou les materiaux sont deposes egalement a cote 15 des portions de materiau pyroelectrique, une gravure, par exemple par plasma, est ensuite mise en ceuvre afin de supprimer les parties du ou des materiaux deposes a cote des portions, permettant ainsi l'acces aux extremites. Dans les differents exemples decrits precedemment, le capteur est utilise en tant que detecteur d'empreinte digitale. Toutefois, le capteur peut etre utilise 20 pour realiser une detection de motifs thermiques autres que des empreintes digitales, du fait que chaque pixel 102 du capteur lit la capacite calorifique placee au-dessus de lui et cela quelle que soit la nature du motif thermique. Par exemple, le capteur peut egalement servir a la realisation d'un imageur infrarouge non refroidi. Les pixels 102 du capteur sont dans ce cas integres sur 25 un circuit integre de type CCD ou CMOS collectant les charges electriques generees par le capteur. Un tel imageur comporte en outre une lentille infrarouge filtrant la lumiere arrivant sur le capteur. Afin que le capteur puisse etre soumis a une difference de temperatures (necessaire compte tenu de la mesure realisee par les capacites pyroelectriques), l'imageur comporte un dispositif permettant successivement de bloquer 30 la lumiere infrarouge arrivant sur le capteur puis de laisser passer cette lumiere. Un tel 24 dispositif peut correspondre a un « chopper », c'est-a-dire une roue munie d'un trou et tournant devant le capteur. Un element absorbeur peut etre ajoute sur le materiau pyroelectrique afin d'ameliorer ('absorption REVENDICATIONS1. Capteur de motif thermique comportant plusieurs pixels (102) disposes sur un substrat (104), chaque pixel (102) comprenant une capacite pyroelectrique, la capacite pyroelectrique comprenant une couche en materiau pyroelectrique (200) poreux, disposee entre une premiere electrode electriquement conductrice (108) et une seconde electrode electriquement conductrice (110), caracterise en ce que des particules (210) en un premier materiau remplissent au moins partiellement les pores de la couche en materiau pyroelectrique (200) poreux, le premier materiau etant electriquement isolant et ayant des proprietes pyroelectriques. 2. Capteur selon la revendication 1, caracterise en ce qu'une couche (220) en un second materiau est disposee entre la couche en materiau pyroelectrique (200) et la seconde electrode (110), le second materiau etant electriquement isolant et ayant des proprietes pyroelectriques. 3. Capteur selon l'une des revendications 1 et 2, caracterise ce que le premier materiau et/ou le second materiau sont en ZnO stcechiornetrique et/ou en un mélange de Zn(OH)2 et de ZnO, stcechiornetrique et/ou non stcechiornetrique, et/ou en AIN, et/ou en un mélange de AIN et de Zn(OH)2 et/ou de ZnO stcechiornetrique et/ou non stcechiornetrique. 4. Capteur selon la revendication precedente, caracterise en ce que le premier materiau et/ou le second materiau sont en un mélange de AIN et de ZnO/Zn(OH)2 comprenant 50% massique de AIN. 5. Capteur selon l'une des revendications 2 a 4, caracterise en ce que la couche (220) en un deuxierne materiau a une epaisseur allant de 10nm a 500nm, par exemple de 10nm a 300nm, et de preference de 50nm a 500nm. 26 6. Capteur selon I'une quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce que le materiau pyroelectrique est du polyfluorure de vinylidene, un copolymere de polyfluorure de vinylidene, tel que le poly(fluorure de vinylidenetrifluoroethylene), une ceramique, telle que du PZT, de I'AIN, du BaTiO3 ou encore du 5 ZnO. 7. Capteur selon I'une quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce que le materiau pyroelectrique a une porosite superieure a 15% de la surface totale du materiau pyroelectrique. 10 8. Capteur selon I'une quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce que la couche en materiau pyroelectrique (200) a une epaisseur allant de 20nm a 5p.m, et de preference, de 2p.m a 4p.m. 15 9. Capteur selon l'une quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce qu'il comporte en outre au moins un element chauffant (118) isole electriquement des electrodes electriquement conductrices (108, 110) et dispose en regard d'au moins une partie de la couche en materiau pyroelectrique (200) tel que la couche en materiau pyroelectrique (200) soit disposee entre ('element chauffant (118) et 20 le substrat (104). 10. Capteur selon ('une des revendications precedentes, dans lequel le capteur est un capteur d'empreinte digitale. 25 11. Procede de fabrication d'un capteur de motif thermique, tel que defini dans l'une quelconque des revendications 1 a 10, comprenant les etapes successive suivantes : a) fourniture d'un substrat (104), recouvert par une premiere electrode (108), et une couche en materiau pyroelectrique (200) poreux, 27 b) depot de particules (210) en un premier materiau, electriquement isolante et ayant des proprietes pyroelectriques, sur la couche en materiau pyroelectrique (200) poreux de maniere a remplir au moins partiellement les pores de ladite couche (200), 5 c) eventuellement, depot d'une couche (220) en un deuxierne materiau sur la couche en materiau pyroelectrique (200), d) formation d'une seconde electrode (110), e) eventuellement depot d'une couche dielectrique (112) et formation d'un element chauffant (114), 10 f) eventuellement, depot d'une couche de protection (116), le premier materiau etant en un materiau electriquement isolant et ayant des proprietes pyroelectriques, le second materiau etant en un materiau electriquement isolant et ayant des proprietes pyroelectriques, le second materiau etant de preference identique 15 au premier materiau. 12. Procede selon la revendication precedente, caracterise en ce que, entre l'etape b) et l'etape d), et/ou eventuellement entre l'etape c) et l'etape d), le procede comporte une etape additionnelle dans laquelle un traitement thermique a une 20 temperature allant de 120°C a 180°C est realise. 13. Procede selon l'une des revendications 11 et 12, caracterise en ce que l'etape b) est realisee en deposant une solution contenant des particules (210) en ZnO et/ou en un mélange de ZnO, stcechiornetrique et/ou non stoechiornetrique, et de 25 Zn(OH)2 et un solvant, de preference choisi parmi ('acetate de butyle, ('acetate de propyle, l'isopropanol, ('ethanol, le methanol, le methoxyethanol, l'ethoxyethanol, ('hexane, et le cyclohexane. 14. Procede selon la revendication precedente, caracterise en ce que 30 la solution contenant les particules (210) est deposee par depot a la tournette. 28 15. Procede selon l'une des revendications 13 et 14, caracterise en ce que la solution contient de 5mg/mL a 100mg/mL, et de preference de 10mg/mL a 50mg/mL de particules (210). 5 16. Procede selon l'une quelconque des revendications 11 a 15, caracterise en ce que les particules (210) sont obtenues en realisant les etapes successives suivantes : - preparation et mélange d'une solution comprenant de ('acetate de zinc, du KOH, et un solvant dans lequel le ZnO et/ou le ZnO/Zn(OH)2 sont insolubles, 10 - chauffage de la solution a la temperature d'ebullition du solvant, sous reflux, ('acetate de zinc et le KOH reagissant pour former des particules de ZnO et/ou de ZnO/Zn(OH)2, - decantation de la solution obtenue a l'etape precedente, - de preference, ajout d'un surfactant pour disperser les particules. 17. Procede selon l'une quelconque des revendications 11 a 16, caracterise en ce que la couche en materiau pyroelectrique (200) poreux est deposee par une technique d'impression telle que la serigraphie. 15 20