Brevet FR3070021A1 — publié le 20190215

PROCEDE DE POLISSAGE MECANO-CHIMIQUE POUR TUNGSTENE Domaine de l'invention La présente invention concerne le domaine du polissage mécano-chimique de tungstène pour au moins inhiber l'emboutissage (« dishing ») du tungstène. La présente invention concerne plus spécifiquement un procédé pour le polissage mécano-chimique de tungstène pour au moins inhiber l'emboutissage du tungstène en fournissant un substrat contenant du tungstène, dans lequel les éléments de tungstène présentent des dimensions de 100 pm ou inférieures ; la fourniture d'une composition de polissage, contenant, comme constituants initiaux : de l'eau, un agent oxydant ; de l'arginine ou des sels de celle-ci dans des quantités suffisantes pour au moins inhiber l'emboutissage des éléments de tungstène ; un acide dicarboxylique, une source d'ions fer ; un abrasif de silice colloïdale ; et, éventuellement, un agent d'ajustement du pH ; et éventuellement, un tensioactif ; et, éventuellement, un biocide ; la fourniture d'un tampon de polissage mécano-chimique, ayant une surface de polissage ; la création de contact dynamique à une interface entre le tampon de polissage et le substrat ; et la distribution de la composition de polissage sur la surface de polissage à ou à proximité de l'interface entre le tampon de polissage et le substrat où une certaine quantité du tungstène est éliminée par polissage du substrat et au moins l'emboutissage des éléments de tungstène est inhibée. Arrière-plan de l'invention Dans la fabrication de circuits intégrés ou d'autres dispositifs électroniques, de multiples couches de matériaux conducteurs, semiconducteurs et diélectriques sont déposées sur ou éliminées d'une surface d'une galette de semiconducteur. De minces couches de matériaux conducteurs, semiconducteurs, et diélectriques peuvent être déposées par de nombreuses techniques de dépôt. Des techniques de dépôt classiques dans un traitement moderne comprennent le dépôt physique en phase vapeur (PVD), également connu comme pulvérisation cathodique, le dépôt 2 chimique en phase vapeur (CVD), le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD), et le plaquage électrochimique (ECP). Comme les couches de matériaux sont déposées et éliminées successivement, la surface supérieure de la galette devient non-plane. 5 Comme le traitement subséquent du semiconducteur (par exemple métallisation) exige que la galette présente une surface plane, la galette doit être planarisée. La planarisation est utile pour éliminer une topographie de surface et des défauts de surface non souhaités, tels que des surfaces rugueuses, des matériaux agglomérés, une détérioration du 10 réseau cristallin, des éraflures, et des couches ou matériaux pollués. La planarisation mécano-chimique, ou polissage mécano-chimique (CMP), est une technique classique utilisée pour planariser des substrats, tels que des galettes de semiconducteurs. Dans un CMP classique, une galette est montée sur un dispositif de support et 15 positionnée en contact avec un tampon de polissage dans un appareil CMP. Le dispositif de support fournit une pression réglable à la galette, la pressant contre le tampon de polissage. Le tampon est déplacé (par exemple mis en rotation) par rapport à la galette par une force de commande externe. Simultanément avec ceci, une composition de 20 polissage ("suspension") ou une autre solution de polissage est fournie entre la galette et le tampon de polissage. La surface de galette est ensuite polie et rendue plane par l'action chimique et mécanique de la surface de tampon et de la suspension. Cependant, il existe une grande complexité induite dans le CMP. Chaque type de matériau exige une 25 composition de polissage unique, un tampon de polissage mis au point de manière appropriée, des réglages de procédé optimisés pour à la fois polir et nettoyer après le CMP et d'autres facteurs qui doivent être individuellement dimensionnés pour l'application de polissage d'un matériau particulier. 30 Le polissage mécano-chimique est devenu un procédé préféré pour polir du tungstène pendant la formation d'interconnexions et de fiches de contact en tungstène dans des conceptions de circuits intégrés. Le tungstène est fréquemment utilisé dans des conceptions de circuits intégrés pour des fiches de contact/vias. Typiquement, un contact ou trou 3 traversant est formé à travers une couche diélectrique sur un substrat pour exposer des régions d'un composant sous-jacent, par exemple, une métallisation ou une interconnexion de premier niveau. Le tungstène est un métal dur et le CMP de tungstène fonctionne à des réglages 5 relativement agressifs qui imposent des défis uniques pour le CMP de tungstène. Malheureusement, plusieurs suspensions de CMP utilisées pour polir du tungstène, en raison de leur nature agressive, occasionnent le problème de surpolissage et d'emboutissage résultant en des surfaces non-uniformes ou non-planes. Le terme "emboutissage" fait référence à une 10 élimination excessive (non souhaitée) de métal, tel que de tungstène, à partir de précurseurs d'interconnexions en métal ou d'autres éléments sur des semiconducteurs pendant le CMP, occasionnant par-là des cavités non souhaitées dans le tungstène. L'emboutissage est indésirable puisque, en plus d'occasionner des surfaces non-planes, il affecte négativement la 15 performance électrique du semiconducteur. La sévérité de l'emboutissage peut varier mais il est typiquement assez sévère pour occasionner une érosion des matériaux diélectriques sous-jacents, tels que de dioxyde de silicium (TEOS). L'érosion est indésirable puisque la couche diélectrique doit être idéalement sans défaut et exempte de cavités pour assurer une 20 performance électrique optimale du semiconducteur. Les défauts topographiques qui peuvent résulter de tels emboutissage et érosion peuvent de plus mener à une élimination non-uniforme de matériaux supplémentaires à partir de la surface de substrat, telle qu'un matériau de couche barrière disposé sous le matériau 25 conducteur ou matériau diélectrique et produisent une surface du substrat ayant une qualité moindre que celle souhaitée qui peut négativement impacter la performance de circuits intégrés du semiconducteur. De plus, comme les éléments sur la surface des semiconducteurs deviennent de plus en plus miniaturisés, il devient de plus en plus difficile de polir avec 30 succès les surfaces des semiconducteurs. Un autre problème associé au polissage de tungstène est la corrosion. La corrosion du tungstène est un effet secondaire classique du CMP. Pendant le procédé CMP, la suspension de polissage de métal qui reste sur la surface du substrat continue à corroder le substrat au-delà des 4 effets du CMP. La corrosion est quelquefois souhaitée ; cependant, dans la plupart des procédés de semi-conducteurs, la corrosion doit être réduite ou inhibée. Il existe par conséquent un besoin pour un procédé de polissage 5 et une composition CMP pour du tungstène qui au moins inhibe l'emboutissage de tungstène. Résumé de l'invention La présente invention fournit un procédé de polissage mécano- 10 chimique de tungstène, comprenant : la fourniture d'un substrat comprenant du tungstène et un diélectrique, dans lequel les éléments de tungstène présentent des dimensions de 100 pm ou inférieures ; la fourniture d'une composition de polissage mécano-chimique, comprenant, comme constituants initiaux : de l'eau ; un agent oxydant ; de l'arginine ou 15 des sels de celle-ci dans des quantités de 10 à 500 ppm ; un abrasif de silice colloïdale ; un acide dicarboxylique ou un sel de celui-ci ; une source d'ions fer (III) ; et, éventuellement, un agent d'ajustement du pH ; et, éventuellement, un tensioactif ; et éventuellement, un biocide ; la fourniture d'un tampon de polissage mécano-chimique, présentant une 20 surface de polissage ; la création de contact dynamique à une interface entre le tampon de polissage mécano-chimique et le substrat ; et la distribution de la composition de polissage mécano-chimique sur la surface de polissage du tampon de polissage mécano-chimique à ou à proximité de l'interface entre le tampon de polissage mécano-chimique et le substrat ; 25 dans lequel une certaine quantité du tungstène est éliminée par polissage du substrat, et au moins l'emboutissage des éléments de tungstène ayant des dimensions de 100 pm ou inférieures est réduite. La présente invention fournit un procédé mécano-chimique de polissage de tungstène, comprenant : la fourniture du substrat comprenant 30 du tungstène et un diélectrique, dans lequel les éléments de tungstène présentent des dimensions de 100 pm ou inférieures ; la fourniture d'une composition de polissage mécano-chimique, comprenant, comme constituants initiaux : de l'eau ; un agent oxydant ; de l'arginine ou des sels de celle-ci dans des quantités de 10 à 500 ppm, de préférence de 30 à 5 500 ppm ; un abrasif de silice colloïdale ayant de préférence un potentiel zéta négatif ; un acide dicarboxylique ou un sel de celui-ci ; une source d'ions fer (III) ; et, éventuellement, un agent d'ajustement du pH, et, éventuellement, un tensioactif ; et éventuellement, un biocide ; la 5 fourniture d'un tampon de polissage mécano-chimique, ayant une surface de polissage ; la création de contact dynamique à une interface entre le tampon de polissage mécano-chimique et le substrat ; et la distribution de la composition de polissage mécano-chimique sur la surface de polissage du tampon de polissage mécano-chimique à ou à proximité de l'interface 10 entre le tampon de polissage mécano-chimique et le substrat ; dans lequel une certaine quantité du tungstène est retirée par polissage du substrat et au moins l'emboutissage des éléments de tungstène présentant des dimensions 100 pm ou inférieures est réduite ; dans lequel la composition de polissage mécano-chimique fournie présente une vitesse de retrait de 15 tungstène de 1 000 knnin, de préférence 1 500 Â/min avec une vitesse de platine de 80 tours par minute, une vitesse de support de 81 tours par minute, un débit de composition de polissage mécano-chimique de 125 mL/min, une force descendante nominale de 21,4 kPa sur une machine de polissage de 200 mm ; et, dans lequel le tampon de polissage 20 mécano-chimique comprend une couche de polissage en polyuréthane contenant des nnicroparticules à noyaux creux polymères et un sous-tampon non tissé imprégné de polyuréthane. La présente invention fournit un procédé mécano-chimique de polissage de tungstène, comprenant : la fourniture d'un substrat 25 comprenant du tungstène et un diélectrique, dans lequel les éléments de tungstène présentent des dimensions 100 pnn ou inférieures ; la fourniture d'une composition de polissage mécano-chimique, comprenant, comme constituants initiaux : de l'eau ; un agent oxydant ; de l'arginine ou des sels de celle-ci dans des quantités de 30 à 500 ppm ; un abrasif de silice 30 colloïdale ayant un potentiel zéta négatif ; de l'acide malonique ou un sel de celui-ci ; une source d'ions fer (III) ; et, éventuellement, un agent d'ajustement du pH ; et, éventuellement, un tensioactif ; éventuellement, un biocide ; la fourniture d'un tampon de polissage mécano-chimique, ayant une surface de polissage ; la création de contact dynamique à une 6 interface entre le tampon de polissage mécano-chimique et le substrat et au moins l'emboutissage des éléments de tungstène ayant des dimensions de 100 pm ou inférieures est réduite ; et la distribution de la composition de polissage mécano-chimique sur la surface de polissage du tampon de 5 polissage mécano-chimique à ou à proximité de l'interface entre le tampon de polissage mécano-chimique et le substrat ; dans lequel une certaine quantité du tungstène est éliminée par polissage du substrat ; dans lequel la composition de polissage mécano-chimique fournie présente une vitesse de retrait de tungstène de 1 000 Â/min, de préférence 1 500 krnin 10 avec une vitesse de platine de 80 tours par minute, une vitesse de support de 81 tours par minute, un débit de composition de polissage mécano-chimique de 125 mL/min, une force descendante nominale de 21,4 kPa sur une machine de polissage de 200 mm ; dans lequel le tampon de polissage mécano-chimique comprend une couche de polissage en polyuréthane 15 contenant des microparticules à noyaux creux polymères et un sous-tampon non tissé imprégné de polyuréthane. La présente invention fournit un procédé de polissage mécano-chimique de tungstène, comprenant : la fourniture du substrat comprenant du tungstène et un diélectrique, dans lequel les éléments de tungstène 20 présentent des dimensions de 100 pm ou inférieures ; la fourniture d'une composition de polissage mécano-chimique, comprenant, comme constituants initiaux : de l'eau ; de 0,01 à 15 °h en masse d'un agent oxydant, dans lequel l'agent oxydant est le peroxyde d'hydrogène ; de 30 ppm à 500 ppm d'arginine ou un sel de celle-ci ; de 0,01 à 10 % en 25 masse, de préférence de 0,01 à 15°/0 en masse, d'un abrasif de silice colloïdale ayant de préférence un potentiel zéta négatif ; de 1 à 2600 ppm d'un acide dicarboxylique ou d'un sel de celui-ci, de préférence de 100 à 1 400 ppm d'acide malonique ou d'un sel de celui-ci ; de 100 à 1 100 ppm d'une source d'ions fer (III), dans lequel la source d'ions fer (III) est le 30 nitrate ferrique ; et, éventuellement, un agent d'ajustement du pH ; éventuellement un tensioactif ; éventuellement un biocide ; dans lequel la composition de polissage mécano-chimique présente un pH de 1 à 7 ; la fourniture d'un tampon de polissage mécano-chimique, ayant une surface de polissage ; la création de contact dynamique à une interface entre le 7 tampon de polissage mécano-chimique et le substrat ; et la distribution de la composition de polissage mécano-chimique sur la surface de polissage du tampon de polissage mécano-chimique à ou à proximité de l'interface entre le tampon de polissage mécano-chimique et le substrat ; dans lequel 5 une certaine quantité du tungstène est éliminée par polissage du substrat et au moins l'emboutissage des éléments de tungstène est réduit. La présente invention fournit un procédé de polissage mécano-chimique de tungstène, comprenant : la fourniture d'un substrat comprenant du tungstène et un diélectrique, dans lequel les éléments de 10 tungstène présentent des dimensions de 100 pm ou inférieures ; la fourniture d'une composition de polissage mécano-chimique, comprenant, comme constituants initiaux : de l'eau ; de 1 à 3 °h en masse d'un agent oxydant, dans lequel l'agent oxydant est le peroxyde d'hydrogène ; de 30 ppm à 500 ppm d'arginine ou un sel de celle-ci ; de 0,2 à 5 % en masse 15 d'un abrasif de silice colloïdale ayant de préférence une charge de surface négative ; de 120 à 1 350 ppm d'acide malonique ; de 150 à 700 ppm d'une source d'ions fer (III), dans lequel la source d'ions fer (III) est le nitrate ferrique, et, éventuellement, un agent d'ajustement du pH ; et, éventuellement un tensioactif de sulfate d'éther anionique ; et 20 éventuellement, un biocide ; dans lequel la composition de polissage mécano-chimique présente un pH de 2 à 3 ; la fourniture d'un tampon de polissage mécano-chimique, ayant une surface de polissage ; la création de contact dynamique à une interface entre le tampon de polissage mécano-chimique et le substrat ; et la distribution de la composition de 25 polissage mécano-chimique sur la surface de polissage du tampon de polissage mécano-chimique à ou à proximité de l'interface entre le tampon de polissage mécano-chimique et le substrat ; dans lequel une certaine quantité du tungstène est éliminée par polissage du substrat et au moins l'emboutissage des éléments de tungstène est réduit. 30 Les précédents procédés de la présente invention utilisent une composition de polissage mécano-chimique comprenant de l'arginine ou des sels de celle-ci dans des quantités de 10 à 500 ppm ; un agent oxydant ; un abrasif de silice colloïdale ; un acide dicarboxylique ou un sel de celui-ci ; une source d'ions fer (III) ; de l'eau ; et, éventuellement, un 8 agent d'ajustement du pH ; et, éventuellement, un tensioactif ; et, éventuellement un biocide pour polir du tungstène et simultanément au moins inhiber l'emboutissage du tungstène pour fournir une surface de tungstène pratiquement plane. En plus d'inhiber l'emboutissage, les 5 compositions de polissage mécano-chimique de la présente invention peuvent inhiber la corrosion du tungstène. Les compositions de polissage mécano-chimique de la présente invention présentent également une bonne sélectivité tungstène à dioxyde de silicium. Des compositions de polissage mécano-chimique particulières, utilisées 10 dans ces procédés sont avantageusement choisies parmi : Une composition comprenant, comme constituants initiaux : l'eau ; de 0,01 à 10 °AD en masse de l'agent oxydant, où l'agent oxydant est le peroxyde d'hydrogène ; de 30 à 500 ppm de l'arginine ou un sel de 15 celle-ci ; de 0,01 à 15 % en masse de l'abrasif de silice colloïdale ; de 1 à 2 600 ppm de l'acide dicarboxylique ou d'un sel de celui-ci ; de 100 à 1 100 ppm de la source d'ions fer (III), où la source d'ions fer (III) est le nitrate ferrique ; et, éventuellement, l'agent d'ajustement du pH ; éventuellement, le tensioactif ; éventuellement, le biocide ; la composition 20 de polissage mécano-chimique présentant de préférence un pH de 1 à 7. Une composition comprenant, comme constituants initiaux : l'eau ; de 0,1 à 5 % en masse de l'agent oxydant, où l'agent oxydant est le peroxyde d'hydrogène ; de 30 à 250 ppm de l'arginine ou un sel de celle-ci 25 ; de 0,05 à 10 % en masse de l'abrasif de silice colloïdale ; de 100 à 1 400 ppm de l'acide dicarboxylique ou d'un sel de celui-ci ; de 150 à 1 000 ppm de la source d'ions fer (III) ; où la source d'ions fer (III) est le nitrate ferrique ; et, éventuellement, l'agent d'ajustement du pH ; éventuellement, un tensioactif de sulfate d'éther anionique ; la composition de polissage 30 mécano-chimique présentant de préférence un pH de 1,5 à 4,5. Une composition comprenant, comme constituants initiaux : l'eau ; de 0,1 à 3 % en masse de l'agent oxydant, où l'agent oxydant est le peroxyde d'hydrogène ; de 30 à 250 ppm de l'arginine ou un sel de celle-ci; 9 de 0,1 à 5 % en masse de l'abrasif de silice colloïdale ; de 120 à 1 350 ppm de l'acide dicarboxylique ou d'un sel de celui-ci, où l'acide dicarboxylique est l'acide malonique ; de 150 à 850 ppm de la source d'ions fer (III), où la source d'ions fer (III) est le nitrate ferrique ; et, 5 éventuellement, l'agent d'ajustement du pH ; éventuellement, un tensioactif de sulfate d'éther anionique ; la composition de polissage mécano-chimique présentant de préférence un pH de 1,5 à 3,5. Les compositions de polissage mécano-chimique particulières 10 susmentionnées utilisées dans le procédé de l'invention présentent une vitesse de retrait de tungstène de 1 500 Â/min avec une vitesse de platine de 80 tours par minute, une vitesse de support de 81 tours par minute, un débit de composition de polissage mécano-chimique de 125 mL/min, une force descendante nominale de 21,4 kPa sur une machine de 15 polissage de 200 mm ; et, le tampon de polissage mécano-chimique utilisé dans le procédé comprend une couche de polissage en polyuréthane contenant des microparticules à noyaux creux polymères et un sous-tampon non tissé imprégné de polyuréthane. 20 Description détaillée de l'invention Comme utilisé tout au long de cette description les abréviations suivantes ont les significations suivantes, à moins que le contexte n'indique autre chose : °C = degrés Centigrade ; g = grammes ; L = litres ; mL = 25 millilitres ; p = pm = microns ; kPa = kilopascal ; Â = angstreims ; mV = millivolts ; DI = désionisé ; ppm = parties par million ; mm = millimètres ; cm = centimètre ; min = minute ; tr/min = tours par minute ; lbs = livres ; kg = kilogrammes ; W = tungstène ; PO = oxyde de propylène ; EO = oxyde éthylène ; ICP-OES = spectroscopie d'émission optique à plasma à 30 couplage inductif ; DLS = diffusion dynamique de la lumière ; % en masse = pourcent en masse ; VR = vitesse de retrait. Le terme "polissage mécano-chimique" ou "CMP" fait référence à un procédé où un substrat est poli au moyen de forces chimiques et mécaniques seules et se distingue d'un polissage mécano-électrochimique 10 (ECMP) où une polarisation électrique est appliquée au substrat ; le terme "arginine" indique l'acide a-aminé arginine et comprend la L-arginine (forme naturelle la plus classique). Le terme "TEOS" indique le dioxyde de silicium formé à partir de la décomposition d'orthosilicate de tétraéthyle 5 (Si(0C2H5)4). Le terme "plan" indique une surface pratiquement plane ou une topographie plane ayant deux dimensions de longueur et largeur. Le terme "dimensions" fait référence à des largeurs de lignes. Le terme "un" et "une" fait référence à la fois au singulier et au pluriel. Tous les pourcentages sont en masse, sauf indication contraire. Tous les intervalles 10 numériques sont inclusifs et combinables dans un ordre quelconque, à l'exception du cas où il est logique que de tels intervalles numériques s'additionnent obligatoirement jusqu'à 100 %. Le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention utilise une composition de polissage mécano-chimique contenant un agent 15 oxydant ; de l'arginine ou des sels de celle-ci dans des quantités de 10 ppm à 500 ppnn ; un abrasif de silice colloïdale ; un acide dicarboxylique ou un sel de celui-ci ; une source d'ions fer (III) ; de l'eau ; et, éventuellement, un agent d'ajustement du pH et, éventuellement, un tensioactif ; et éventuellement un biocide pour fournir le retrait de 20 tungstène à partir de la surface du substrat tout en inhibant au moins l'emboutissage du tungstène. Le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention comprend de préférence : la fourniture du substrat, dans lequel le substrat comprend du tungstène et un diélectrique, dans lequel les éléments de 25 tungstène présentent des dimensions de 100 pm ou inférieures, de préférence, de 100 pm à 0,25 pm, encore mieux, de 50 pm à 0,25 pm, bien mieux encore, de 10 pm à 0,25 pm et particulièrement de préférence de 9 pm à 0,25 pm ou, dans l'alternative, encore mieux de préférence de 7 pm à 0,25 pm ; la fourniture d'une composition de polissage mécano- 30 chimique, comprenant, (de préférence, consistant en), comme constituants initiaux : de l'eau ; un agent oxydant, de préférence dans des quantités d'au moins 0,01 °h en masse à 10 °h en masse, encore mieux, dans des quantités de 0,1 °h en masse à 5 % en masse, bien mieux encore de 1 °h en masse à 3 % en masse ; de l'arginine ou des sels de celle-ci 11 ou de leurs mélanges dans des quantités de 10 ppm à 500 ppm, de préférence, de 30 ppm à 500 ppm ; un abrasif de silice colloïdale, de préférence dans des quantités de 0,01 % en masse à 15 °A) en masse, encore mieux de 0,05 °h en masse à 10 % en masse, bien mieux encore 5 de 0,1 % en masse à 7,5 °h en masse, particulièrement de préférence de 0,2 % en masse à 5 % en masse ; un acide dicarboxylique, un sel de celui-ci ou des mélanges de ceux-ci, de préférence, dans des quantités de 100 ppm à 1 400 ppm, encore mieux de 120 ppm à 1 350 ppm ; une source d'ions fer (III), de préférence, dans lequel la source d'ions fer 10 (III) est le nitrate ferrique ; et, éventuellement, un agent d'ajustement du pH ; dans lequel la composition de polissage mécano-chimique présente un pH de 1 à 7 ; de préférence, de 1,5 à 4,5 ; encore mieux de 1,5 à 3,5 ; particulièrement de préférence, de 2 à 3 ; et, éventuellement, un tensioactif ; et, éventuellement, un biocide, la fourniture d'un tampon de 15 polissage mécano-chimique, ayant une surface de polissage ; la création de contact dynamique à une interface entre le tampon de polissage mécano-chimique et le substrat ; et la distribution de la composition de polissage mécano-chimique sur la surface de polissage du tampon de polissage mécano-chimique à ou à proximité de l'interface entre le tampon 20 de polissage mécano-chimique et le substrat ; dans lequel au moins une certaine quantité du tungstène est éliminée par polissage du substrat et au moins l'emboutissage des éléments de tungstène est réduit, et, de préférence, l'emboutissage des éléments de tungstène est réduite et la corrosion du tungstène est inhibée. 25 Le substrat fourni est de préférence un substrat de semiconducteur comprenant du tungstène et un diélectrique, tel que TEOS. Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, l'eau contenue, comme un constituant initial, dans la 30 composition de polissage mécano-chimique fournie est de préférence au moins une de désionisée et distillée pour limiter les impuretés incidentes. De préférence, dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie contient, comme un constituant initial, un agent oxydant, dans lequel 12 l'agent oxydant est choisi dans le groupe constitué de peroxyde d'hydrogène (H202), monopersulfates, iodates, perphtalate de magnésium, acide peracétique et autres per-acides, persulfate, bromates, perbromate, persulfate, acide peracétique, periodate, nitrates, sels de fer, sels de 5 cérium, sels de Mn (III), Mn (IV) et Mn (VI), sels d'argent, sels de cuivre, sels de chrome, sels de cobalt, halogènes, hypochlorites et un mélange de ceux-ci. L'agent oxydant est encore mieux choisi dans le groupe constitué de peroxyde d'hydrogène, perchlorate, perbromate, periodate, persulfate et acide peracétique. L'agent oxydant est bien mieux encore le peroxyde 10 d'hydrogène. De préférence, dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie contient, comme un constituant initial, de 0,01 à 10 °h en masse, encore mieux, de 0,1 à 5 % en masse ; bien mieux encore, de 1 à 3 % en masse 15 d'un agent oxydant. Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie contient, de préférence, comme un constituant initial, une source d'ions fer (III). Dans le procédé de la présente invention, la composition de polissage 20 mécano-chimique fournie contient, encore mieux comme un constituant initial, une source d'ions fer (III), dans lequel la source d'ions fer (III) est choisie dans le groupe constitué de sels de fer (III). Dans le procédé de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie contient bien mieux encore, comme un constituant initial, une source 25 d'ions fer (III), dans lequel la source d'ions fer (III) est le nitrate ferrique (Fe(NO3)3). Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie contient de préférence, comme un constituant initial, une source d'ions 30 fer (III) suffisante pour introduire de 1 à 250 ppm, de préférence, de 5 à 200 ppm, encore mieux de 7,5 à 150 ppm, bien mieux encore de 10 à 100 ppm d'ions fer (III) dans la composition de polissage mécano-chimique. 13 Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie contient de préférence, comme un constituant initial, une source d'ions fer (III). 5 Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie contient encore mieux, comme un constituant initial, de 100 à 1 100 ppm, de préférence, de 125 à 1 000 ppm, encore mieux, de 150 à 850 ppm et, bien mieux encore, de 175 à 700 ppm d'une source d'ions fer (III). Dans le procédé 10 de polissage d'un substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie contient bien mieux encore, comme un constituant initial, de 100 à 1 100 ppm, de préférence, de 150 à 1 000 ppm, encore mieux, de 150 à 850 ppm, bien mieux encore de 175 à 700 ppm d'une source d'ions fer (III), dans lequel la source d'ions fer (III) 15 est le nitrate ferrique (Fe(NO3)3). Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie contient de préférence, comme un constituant initial, de l'arginine (L-arginine), des sels d'arginine, ou des mélanges de ceux-ci. Les sels d'arginine 20 comprennent, le L-arginine HCI, le malate d'arginine et un sel d'acétate de N-méthyl-L-arginine mais ne sont pas limités à ceux-ci. Les sels d'arginine sont de préférence choisis parmi le L-arginine HCI et l'acétate de N-méthylL-arginine, le sel d'arginine est encore mieux le L-arginine HCI. De préférence, dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente 25 invention, l'arginine (L-arginine), à la place de ses sels et mélanges, est incluse dans la composition de polissage mécano-chimique de la présente invention. Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie contient, comme un constituant initial, de 10 ppm à 500 ppm, de préférence, de 30 30 ppm à 500 ppm, encore mieux, de 50 ppm à 500 ppm, bien mieux encore, de 30 ppm à 350 ppm ; particulièrement de préférence, de 30 ppm à 250 ppm, particulièrement encore mieux, de 30 ppm à 150 ppm (par exemple 30-50 ppm, 50-100 ppm ou 50-150 ppnn) d'une ou plusieurs d'arginines (L-arginine) et de sels de celles-ci. 14 Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie contient de préférence un abrasif de silice colloïdale ayant un potentiel zéta négatif. 5 Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie contient encore mieux un abrasif de silice colloïdale ayant un potentiel zéta négatif permanent, dans lequel la composition de polissage mécano-chimique présente un pH de 1 à 7, de préférence, de 1,5 à 4,5 ; encore mieux, de 1,5 à 3,5 ; bien 10 mieux encore, de 2 à 3 ; particulièrement de préférence, de 2 à 2,5. Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie contient bien mieux encore un abrasif de silice colloïdale ayant un potentiel zéta négatif permanent, dans lequel la composition de polissage mécano-chimique 15 présente un pH de 1 à 7, de préférence, de 1,5 à 4,5 ; encore mieux, de 1,5 à 3,5 ; bien mieux encore, de 2 à 3 ; particulièrement de préférence, de 2 à 2,5 comme indiqué par un potentiel zéta de -0,1 mV à -20 mV. Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie contient 20 de préférence, comme un constituant initial, un abrasif de silice colloïdale, dans lequel l'abrasif de silice colloïdale présente une taille moyenne de particules 100 nm, de préférence, de 5 à 100 nm ; encore mieux, de 10 à 90 nm ; bien mieux encore, de 20 à 80 nm comme mesurée par des techniques de diffusion dynamique de la lumière. 25 Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie contient de préférence de 0,01 à 15 °h en masse, de préférence, de 0,05 à 10 (Yo en masse, encore mieux, de 0,1 à 7,5 % en masse, bien mieux encore de 0,2 à 5 % en masse, particulièrement de préférence, de 0,2 à 2 °h en 30 masse d'un abrasif de silice colloïdale. L'abrasif de silice colloïdale présente de préférence un potentiel zéta négatif. Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie peut contenir un abrasif de silice colloïdale mixte, dans lequel l'abrasif de silice 15 colloïdale mixte comprend des abrasifs de silice colloïdale de petites particules comprenant des particules de tailles médianes (moyennes) (comme mesurées par DLS) de 40-50 nm, de préférence, de 42-45 nm, encore mieux, de 44-45 nm, de préférence dans des quantités de 0,01 à 5 7,5 °A3 en masse, de préférence, de 0,05 à 5 % en masse, encore mieux, de 0,5 à 2 °À) en masse, bien mieux encore, de 0,5 à 1,5 °h en masse, particulièrement de préférence, de 0,5 à 1 % en masse, et comprend des abrasifs de grandes particules comprenant de particules de tailles médianes (moyennes) de 70-100 nm, de préférence, de 75-80 nm, encore 10 mieux, de 75-76 nm, de préférence dans des quantités de 0,01 à 7,5 % en masse, encore mieux, de 0,05 à 5 % en masse, bien mieux encore, de 0,5 à 2 °h en masse, particulièrement de préférence, de 0,5 à 1,5 % en masse, particulièrement encore mieux de 0,5 à 1 % en masse. Les abrasifs de silice colloïdale présentent de préférence un potentiel zéta négatif. 15 Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie contient de préférence, comme un constituant initial, un acide dicarboxylique, dans lequel l'acide dicarboxylique comprend l'acide malonique, l'acide oxalique, l'acide succinique, l'acide adipique, l'acide maléique, l'acide malique, l'acide 20 glutarique, l'acide tartarique, des sels de ceux-ci ou mélanges de ceux-ci mais n'est pas limité à ceux-ci. Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie contient encore mieux, comme un constituant initial, un acide dicarboxylique, dans lequel l'acide dicarboxylique est choisi dans le groupe 25 consistant en acide malonique, acide oxalique, acide succinique, acide tartarique, sels de ceux-ci et mélanges de ceux-ci. La composition de polissage mécano-chimique fournie contient bien mieux encore, comme un constituant initial, un acide dicarboxylique, dans laquelle l'acide dicarboxylique est choisi dans le groupe consistant en acide malonique, 30 acide oxalique, acide succinique, sels de ceux-ci et mélanges de ceux-ci. Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie contient bien mieux encore, comme un constituant initial, l'acide malonique ou des sels de celui-ci, en tant qu'acide dicarboxylique. 16 Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie contient de préférence, comme un constituant initial, de 1 à 2 600 ppm, de préférence, de 100 à 1 400 ppm, encore mieux, de 120 à 1 350 ppm, bien 5 mieux encore, de 130 à 1 100 ppm, d'un acide dicarboxylique, dans lequel l'acide dicarboxylique comprend l'acide malonique, l'acide oxalique, l'acide succinique, l'acide adipique, l'acide maléique, l'acide malique, l'acide glutarique, l'acide tartarique, des sels de ceux-ci ou des mélanges de ceux-ci mais n'est pas limité à ceux-ci. Dans le procédé de polissage d'un 10 substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano- chimique fournie contient de préférence, comme un constituant initial, de 1 à 2 600 ppm d'acide malonique, de sel de celui-ci ou de mélanges de ceux-ci. Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie contient encore mieux, 15 comme un constituant initial de 100 à 1 400 ppm, encore mieux, de 120 à 1 350 ppm, bien mieux encore, de 130 à 1 350 ppm, de l'acide malonique ou d'un sel de celui-ci, en tant qu'acide dicarboxylique. Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie présente 20 de préférence un pH de 1 à 7. Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie présente encore mieux un pH de 1,5 à 4,5. Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie présente bien mieux encore un pH de 25 1,5 à 3,5. Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie, présente bien mieux encore un pH de 2 à 3 ; et, particulièrement de préférence, un pH de 2 à 2,5. Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente 30 invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie, contient, éventuellement, un agent d'ajustement du pH. L'agent d'ajustement du pH est de préférence choisi dans le groupe consistant en agents d'ajustement du pH inorganiques et organiques. L'agent d'ajustement du pH est de préférence choisi dans le groupe consistant en acides inorganiques et 17 bases inorganiques. L'agent d'ajustement du pH est encore mieux choisi dans le groupe consistant en acide nitrique et hydroxyde de potassium. L'agent d'ajustement du pH est bien mieux encore l'hydroxyde de potassium. 5 Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie contient éventuellement un tensioactif. Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, le tensioactif est de préférence un tensioactif contenant PO ou E0 ou P0/E0. Dans le procédé de polissage d'un substrat 10 de la présente invention, le tensioactif est encore mieux un tensioactif de PO ou E0 ou P0/E0 contenant un groupe fonctionnel anionique. Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, le tensioactif est bien mieux encore un sulfate d'éther anionique ayant la formule (I) : CM2n+/0-P0x-E0y-S03- 15 où n peut être égal à 12, 15, 18, 20, 22, 25, 28, 30, 35, 38, 40, 42, ou 44; x peut être égal à 0, 2, 5, 8, 10, 12, 14, 16, 18, 20, 30, 40 ou 50 ; et y peut être égal à 0, 5, 10, 15, 20, 25, 30, 35, 40, 45, 50, 55, 60, 65, 70, 80, 90 ou 100 à condition que x et y ne peuvent pas être simultanément égaux à 0, et un contre-ion peut être de préférence un ion de métal alcalin, tel 20 que qu'un cation sodium ou cation potassium ; ou un cation ammonium. Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, le sulfate d'éther anionique est de préférence le lauryléther sulfate de sodium (SLES). Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente 25 invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie peut contenir, comme un constituant initial, de 50 ppm à 1 000 ppm, de préférence, de 100 ppm à 900 ppm, encore mieux, de 120 ppm à 600 ppm, bien mieux encore, de 140 ppm à 250 ppm, d'un sulfate d'éther anionique. Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente 30 invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie contient encore mieux, comme un constituant initial, de 50 à 1 000 ppm, encore mieux de 100 ppm à 900 ppm, bien mieux encore de 120 ppm à 600 ppm, particulièrement de préférence de 140 ppm à 250 ppm, d'un sel de métal alcalin d'un tensioactif de sulfate d'éther anionique. Dans le procédé de 18 polissage d'un substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie contient bien mieux encore, comme un constituant initial, de préférence de 50 ppm à 1 000 ppm, de préférence de 100 ppm à 900 ppm, encore mieux, de 120 ppm à 600 ppm, bien mieux encore, de 140 ppm à 250 ppm, de lauryléther sulfate de sodium. La composition de polissage peut éventuellement contenir un ou plusieurs biocides, tel que KORDEXNID MLX (9,5-9,9 °h de méthy1-4- isothiazolin-3-one, 89,1-89,5 % d'eau et % de produit de réaction lié) ou KATHONNID ICP III contenant des ingrédients actifs de 2-méthy1-4- 10 isothiazoline-3-one et 5-chloro-2-méthy1-4-isothiazoline-3-one, chacun fabriqué par The Dow Chennical Company, (KATHONN1D et KORDEXNID sont des marques déposées de The Dow Chemical Company). De tels biocides peuvent être inclus dans les compositions de polissage mécano-chimique de la présente invention dans des quantités classiques, comme connu de 15 l'homme de l'art. Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, le tampon de polissage mécano-chimique fourni peut être de préférence tout tampon de polissage approprié connu dans la technique. L'homme de l'art sait choisir un tampon de polissage mécano-chimique 20 approprié pour une utilisation dans le procédé de la présente invention. Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, le tampon de polissage mécano-chimique fourni est encore mieux choisi parmi des tampons de polissage tissés et non tissés. Dans le tampon de polissage d'un substrat de la présente invention, le tampon de polissage 25 mécano-chimique fourni comprend bien mieux encore une couche de polissage en polyuréthane. Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, le tampon de polissage mécano-chimique fourni comprend bien mieux encore une couche de polissage de polyuréthane contenant des microparticules à noyaux creux polymères et un sous- 30 tampon non tissé imprégné de polyuréthane. Le tampon de polissage mécano-chimique fourni présente de préférence au moins une rainure sur la surface de polissage. Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie est de 19 préférence distribuée sur une surface de polissage du tampon de polissage mécano-chimique fourni à ou à proximité d'une interface entre le tampon de polissage mécano-chimique et le substrat. Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente 5 invention, un contact dynamique est de préférence créé à l'interface entre le tampon de polissage mécano-chimique fourni et le substrat avec une force descendante de 0,69 à 34,5 kPa perpendiculaire à une surface du substrat qui est polie. Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente 10 invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie présente de préférence une vitesse de retrait de tungstène de 1 000 Â/min ; de préférence de k. 1 500 Â/min ; bien mieux encore, de 1 700 Â/min. Dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, dans lequel la composition de polissage mécano-chimique fournie présente 15 encore mieux, une vitesse de retrait de 1 000 Â/min ; de préférence de ?. 1 500 Â/min ; bien mieux encore, de 1 700 Â/min ; et une sélectivité W/TEOS 2. Dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, dans lequel le tungstène est retiré du substrat à une vitesse de retrait de tungstène de k 1 000 Â/min ; de 20 préférence, de 1 500 Â/min, bien mieux encore, de 1 700 Â/min ; et une sélectivité W/TEOS de 2,5 à 15. Dans le procédé de polissage du substrat de la présente invention, le tungstène est bien mieux encore retiré du substrat à une vitesse de retrait 1 500 Â/min ; de préférence, 1 700 Â/min ; et une sélectivité W/TEOS de 7 à 8 et avec une vitesse de 25 platine de 80 tours par minute, une vitesse de support de 81 tours par minute ; un débit de composition de polissage mécano-chimique de 125 mL/min, une force descendante nominale de 21,4 kPa sur une machine de polissage de 200 mm ; et, le tampon de polissage mécano-chimique comprend une couche de polissage de polyuréthane contenant 30 des microparticules à noyaux creux polymères et un sous-tampon non tissé imprégné de polyuréthane. De préférence, dans le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention, la composition de polissage mécano-chimique fournie comprend des abrasifs colloïdaux mixtes de petites tailles 20 moyennes de particules en combinaison avec de grandes tailles moyennes de particules, et le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention présente de préférence une vitesse de retrait de tungstène de 5 1 900 Â/min ; de préférence, de 2 000 Â/min ; encore mieux, de 2 040 Â/min ; et une sélectivité W/TEOS 11. Les exemples suivants ont pour but d'illustrer la performance d'inhibition d'emboutissage de la composition de polissage mécano-chimique de la présente invention sur le tungstène, la performance 10 d'inhibition de corrosion de la composition de polissage mécano-chimique de la présente invention sur le tungstène et la sélectivité W/TEOS d'un ou plusieurs modes de réalisation de la présente invention mais n'ont pas l'intention de limiter son domaine. 15 Exemple 1 Formulations de suspensions On a préparé les compositions de polissage mécano-chimique de cet Exemple en combinant les constituants dans les quantités listées dans le Tableau 1 avec le reste étant de l'eau désionisée (DI) et en 20 ajustant le pH des compositions au pH final listé dans le Tableau 1 avec de l'hydroxyde de potassium à 45 % en masse. Tableau 1 Suspension Abrasif' Arginine2 Fe(NO3)3 Acide H202 pH de (°/0 e n (PPm) (PPrn) malonique (Vo en polissage masse) (ppm) masse) n° Témoin 2 362 1 320 2 2,5 PS-1 2 30 362 1 320 2 2,5 PS-2 2 150 362 1 320 2 2,5 1 suspension d'abrasif de potentiel zéta(-) KLEBOSOLTM 1598-B25 fabriquée 25 par AZ Electronics Materials, disponible chez The Dow Chemical Company ; et 2 disponible chez Sigma-Aldrich comme L-arginine. 21 Exemple 2 Polissage mécano-chimique - Performance d'emboutissage de 5 suspensions CMP d'arginine On a réalisé les expériences de polissage sur des galettes d'ébauches (blanket wafers) de 200 mm installées sur une machine de polissage Applied Materials 200 mm MIRRATM. On a réalisé 10 les expériences de vitesse de retrait de polissage sur des galettes de feuilles de TEOS d'épaisseur 15 e d'ébauches de 200 mm de chez Novellus et sur des galettes d'ébauches de W, Ti, et TIN disponibles chez WaferNet Inc., Silicon Valley Microelectronics ou SKW Associates, Inc. On a réalisé toutes les expériences de polissage 15 en utilisant un tampon de polissage en polyuréthane IC1O1OTM couplé avec un sous-tampon SP2310 (disponible dans le commerce chez Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.) avec une pression descendante typique de 21,4 kPa (3,1 psi), un débit de composition de polissage mécano-chimique de 125 mL/min, une vitesse de rotation 20 de table de 80 tr/min et une vitesse de rotation de support de 81 tr/min à moins d'être sinon spécifié. On a utilisé un conditionneur de tampon au diamant Kinik PDA33A-3 (disponible dans le commerce chez Kinik Company) pour préparer le tampon de polissage. On a rodé le tampon de polissage avec le conditionneur en utilisant une 25 force descendante de 9,0 lbs (4,1 kg) pendant 15 minutes et de 7,0 lbs (3,2 kg) pendant 15 minutes à 80 tr/min (platine)/36 tr/min (conditionneur). On a de plus conditionné le tampon de polissage ex-situ avant le polissage en utilisant une force descendante de 7 lbs (3,2 kg) pendant 24 secondes. On a déterminé les taux 30 d'emboutissage de W en utilisant un outil de métrologie KLA-Tencor RS100C. Les galettes présentaient différentes caractéristiques de largeurs de lignes standards comme représenté dans le Tableau 2. 22 Tableau 2 Suspension 100 pm 50 pm 10 pm 9 pm 7 pm 0,25 pm de Emboutissa Emboutissa Emboutissa Emboutissa Emboutissa Emboutissa polissage ge ge ge ge ge ge no (Â) (Â) (Â) (Â) (Â) (Â) Témoin 1 600 1 500 772 298 491 182 PS-1 1 093 1 037 636 300 427 152 PS-2 1 173 1 045 519 86 219 86 Comme représenté par les résultats de polissage, les deux suspensions de la présente invention présentaient globalement un 5 emboutissage abaissé de l'élément de W au contraire de la suspension témoin qui excluait l'arginine. Exemple 3 Vitesse de retrait de W, TEOS et température de polissage 10 maximum de W, TEOS On a réalisé les expériences de polissage pour les vitesses de retrait de W et TEOS pratiquement comme décrit dans l'Exemple 2 en utilisant les mêmes appareil et paramètres. On a déterminé les vitesses de retrait de TEOS en mesurant l'épaisseur de film avant et après le polissage 15 en utilisant un outil de métrologie KLA-Tencor FX200. On a déterminé les vitesses de retrait de W en utilisant un outil de métrologie KLA-Tencor RS100C. Les galettes étaient de WaferNet Inc., ou Silicon Valley Microelectronics. Les résultats se trouvent dans le Tableau 3. Tableau 3 Suspension RR de W RR de TEOS Sélectivité Tennp. Temp. de de de W TEOS polissage n° (Â/nnin) (Â/nnin) W/TEOS (°C) (°C) Témoin 1 887 193 9,8 36 33 PS-1 1 729 211 8,2 39 34 PS-2 1 572 210 7,5 40 33 20 Les compositions de polissage mécano-chimique d'arginine de la présente invention présentaient une bonne RR de W supérieure à 1 500 kmin, une RR de TEOS supérieure à 200 kmin et une bonne sélectivité W/TEOS entre 7 et 9. 23 Exemple 4 Formulations de suspensions 5 On a préparé les compositions de polissage mécano-chimique de cet Exemple en combinant les constituants dans les quantités listées dans les Tableaux 4-6 avec le reste étant de l'eau DI et en ajustant le pH des compositions au pH final listé dans les Tableaux 4-6 avec de 10 l'hydroxyde de potassium à 45 % en masse. Tableau 4 Suspension Abrasif' 2 Fe(NO3)3 Acide H202 pH de (% en Arginine (PPrn) malonique (% en polissage n° masse) (PPrn) (ppm) masse) Témoin 2 362 1 320 2 2,5 PS-3 2 50 362 1 320 2 2,5 PS-4 2 500 362 1 320 2 2,5 suspension d'abrasif de potentiel zéta(-) KLEBOSOLTM 1598-B25 fabriquée par AZ Electronics Materials, disponible chez The Dow Chemical Company ; 15 et 2 disponible chez Sigma-Aldrich comme L-Arginine. Tableau 5 Suspension Abrasif' Arginine , Fe(NO3)3 mr, .' r Acide H202 pH de polissage (% en HCI3 (PPrn) malonique (% en n° masse) (ppm) (ppm) masse) Témoin 2 362 1 320 2 2,5 PS-5 2 50 362 1 320 2 2,5 PS-6 2 500 362 1 320 2 2,5 1 suspension d'abrasif de potentiel zéta(-) KLEBOSOLTM 1598-B25 fabriquée 20 par AZ Electronics Materials, disponible chez The Dow Chemical Company ; et 3 disponible chez Sigma-Aldrich comme hydrochlorure de L-Arginine. 24 Tableau 6 Suspension Abrasif' Acétate Fe(NO3)3 Acide H202 pH de (°/0 en de N- \ nn alonique (°/0 en polissage n° masse) méthyl- (PPI11) (ppm) masse) arginine4 (PPrn) Témoin 2 362 1 320 2 2,5 PS-7 2 50 362 1 320 2 2,5 PS-8 2 500 362 1 320 2 2,5 1 suspension d'abrasif de potentiel zéta(-) KLEBOSOLTM 1598-B25 fabriquée par AZ Electronics Materials, disponible chez The Dow Chemical Company ; et 5 4 disponible chez Sigma-Aldrich comme acétate de N-méthyl-L-arginine. Exemple 5 Performances d'inhibition de vitesse de corrosion de suspensions CMP d'arginine 10 On a réalisé les tests de corrosion en immergeant des galettes d'ébauches de W (1 cm x 4 cm) dans des échantillons de suspensions de 15 g. On a retiré les galettes de W des suspensions testées après 10 min. On a ensuite centrifugé les solutions pendant 20 min à 9 000 tr/min pour éliminer les particules de suspension. On a analysé la matière surnageante 15 par ICP-OES pour déterminer la quantité de tungstène en masse. On a converti la vitesse de corrosion (Â/min) à partir de la masse de W en supposant une surface spécifique de décapage de galette de 4 cm2. Les résultats des tests de corrosion se trouvent dans le Tableau 7. 20 Tableau 7 Numéro de suspension Vitesse de corrosion de W (Â/min) Témoin 33 PS-3 10 PS-4 2,7 PS-5 10 PS-6 3,2 PS-7 14 PS-8 9 25 Les résultats des tests de vitesse de corrosion ont montré que les suspensions de polissage mécano-chimique contenant de la L-arginine, de l'hydrochlorure de L-arginine et de l'acétate de 5 N-méthyl-L-arginine ont significativement réduit la corrosion de W sur des galettes au contraire du témoin qui excluait l'arginine et ses sels. Exemple 6 10 Formulations de suspensions avec des abrasifs mixtes et non mixtes On a préparé les compositions de polissage mécano-chimique de cet Exemple en combinant les constituants dans les quantités listées 15 dans les tableaux ci-dessous avec le reste étant de l'eau DI et en ajustant le pH des compositions au pH final = 2,5 avec de l'hydroxyde de potassium à 45 °h en masse, de l'acide nitrique, ou des mélanges de ceux-ci. 20 Tableau 8 Suspension Abrasif'. Abrasif2 de grand diamètre (°/0 en masse) 3 Fe(NO3)3 Acide H202 de d e petit diamètre (°/0 en masse) Arginine (PPm) (PPm) malonique (°/0 en polissage (ppm) masse) n° Témoin 1 2 30 362 1 320 2 Témoin 2 2 30 362 1 320 2 1 suspension d'abrasif de potentiel zéta(-) KLEBOSOLTM 1598-B25 fabriquée par AZ Electronics taille moyenne de particules = 45 nm. 2 Suspension d'abrasif de potentiel zéta(-) KLEBOSOLTM 1498-B50 25 fabriquée par AZ Electronics taille moyenne de particules = 76 nm Matériaux disponibles chez The Dow Chennical Company ; et 3 disponible chez Sigma-Aldrich comme L-Arginine 26 Tableau 9 Suspension Abrasif' de petit diamètre (°/0 en masse) Abrasif' de grand diamètre (°/0 en masse) Arginine3 Fe(NO3)3 Acide H202 Taille de , \ f malonique (°/0 en moyenne polissage n° `PPmi `PPrri) (ppm) masse) de particule (nm) PS-9 1,5 0,5 50 362 1 320 2 61 PS-10 1,0 1,0 50 362 1 320 2 68 PS-11 0,5 1,5 50 362 1 320 2 73 1 suspension d'abrasif de potentiel zéta(-) KLEBOSOLTM 1598-B25 fabriquée par AZ Electronics taille moyenne de particules = 45 nm. 2 Suspension d'abrasif de potentiel (-) KLEBOSOLTM 1498-B50 fabriquée 5 par AZ Electronics taille moyenne de particules = 76 nm Matériaux disponibles chez The Down Chemical Company ; et 3 disponible chez Sigma-Aldrich comme L-Arginine Exemple 7 10 Sélectivité W/TEOS d'abrasifs mixtes versus non mixtes On a réalisé les expériences de polissage sur des galettes d'ébauches de 200 mm installées sur une machine de polissage Applied Materials 200 mm Mira®. On a réalisé les expériences de vitesse de retrait de polissage sur des galettes de feuilles d'orthosilicate 15 de tétraéthyle (TEOS) d'épaisseur 15 e d'ébauches de 200 mm à partir de galettes d'ébauches de tungstène (W) Novellus plus, toutes disponibles chez Wafernet. On a réalisé toutes les expériences de polissage en utilisant un tampon de polissage en polyuréthane IC1O1OTM couplé à un sous-tampon SP2310 (disponible dans le commerce chez Rohm and Haas 20 Electronic Materials CMP Inc.) avec une pression descendante typique de 21,4 kPa (3,1 psi), un débit de composition de polissage mécano-chimique de 125 mL/min, une vitesse de rotation de table de 80 tr/min et une vitesse de rotation de support de 81 tr/min sauf indication contraire. On a utilisé un conditionneur de tampon au diamant Kinik 25 PDA33A-3 (disponible dans le commerce chez Kinik) pour préparer le tampon de polissage. On a rodé le tampon de polissage avec le conditionneur en utilisant une force descendante de 9,0 lbs (4,1 kg) pendant 15 minutes et de 7,0 lbs (3,2 kg) pendant 15 minutes à 80 tr/min 27 (platine)/36 tr/min (conditionneur). On a de plus conditionné le tampon de polissage ex-situ avant le polissage en utilisant une force descendante de 7 lbs (3,2 kg) pendant 24 secondes. On a déterminé les vitesses de retrait de TEOS en mesurant l'épaisseur de film avant et après le polissage en 5 utilisant un outil de métrologie KLA-Tencor FX200. On a déterminé les vitesses de retrait de tungstène (W) en utilisant un outil de métrologie KLA-Tencor RS100C. Tableau 10 Suspension VR de W VR de TEOS Sélectivité Temp. Temp de (Â/min) (Â/min) W/TEOS de W de TEOS polissage (°C) (°C) n° Témoin 1 1 729 211 8,2 42 38 Témoin 2 2 347 261 9,0 45 40 PS-9 2 044 172 11,9 44 36 PS-10 2 019 172 11,8 44 37 P5-11 1 954 176 11,1 44 37 10 Les compositions de polissage mécano-chimique d'arginine de la présente invention avec les abrasifs mixtes (tailles moyennes de particules = 61 nm, 68 nm et 73 nm, respectivement) présentaient de bonnes VR de W supérieures à 1 900 Â/min, et une sélectivité W/TEOS améliorée 15 supérieure à 11 au contraire des compositions de polissage mécano- chimique d'arginine qui comprenaient un abrasif de petite taille moyenne de particules (45 nm) ou un abrasif de grande taille moyenne de particules (76 REVENDICATIONS1. Procédé de polissage mécano-chimique de tungstène, comprenant : la fourniture d'un substrat comprenant du tungstène et un diélectrique, dans lequel les éléments de tungstène présentent des dimensions de 100 pm ou inférieures ; la fourniture d'une composition de polissage mécano-chimique, comprenant, comme constituants initiaux : de l'eau ; un agent oxydant ; de l'arginine ou un sel de celle-ci dans des quantités de 10 à 500 ppm ; un abrasif de silice colloïdale ; un acide dicarboxylique ou un sel de celui-ci ; une source d'ions fer (III) ; et, éventuellement, un agent d'ajustement du pH ; éventuellement, un tensioactif ; éventuellement, un biocide ; la fourniture d'un tampon de polissage mécano-chimique, présentant une surface de polissage ; la création de contact dynamique à une interface entre le tampon de polissage mécano-chimique et le substrat ; et la distribution de la composition de polissage mécano-chimique 25 sur la surface de polissage du tampon de polissage mécano-chimique à ou à proximité de l'interface entre le tampon de polissage mécano-chimique et le substrat pour retirer au moins une certaine quantité du tungstène et réduire l'emboutissage des éléments de tungstène. 30 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'abrasif de silice colloïdale présente un potentiel zéta négatif. 29 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la composition de polissage mécano-chimique fournie comprend, comme constituants initiaux : l'eau ; 5 de 0,01 à 10 °A) en masse de l'agent oxydant, où l'agent oxydant est le peroxyde d'hydrogène, de 30 à 500 ppm de l'arginine ou un sel de celle-ci ; de 0,01 à 15 °h en masse de l'abrasif de silice colloïdale ; de 1 à 2 600 ppm de l'acide dicarboxylique ou d'un sel 10 de celui-ci ; de 100 à 1 100 ppm de la source d'ions fer (III), où la source d'ions fer (III) est le nitrate ferrique ; et, éventuellement, l'agent d'ajustement du pH ; éventuellement, le tensioactif ; 15 éventuellement, le biocide ; et, caractérisé en ce que la composition de polissage mécano-chimique présente un pH de 1 à 7. 4. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la 20 composition de polissage mécano-chimique fournie comprend, comme constituants initiaux : l'eau ; de 0,1 à 5 % en masse de l'agent oxydant, où l'agent oxydant est le peroxyde d'hydrogène ; de 30 à 250 ppm de l'arginine ou un sel de celle-ci ; de 0,05 à 10 % en masse de l'abrasif de silice colloïdale ; de 100 à 1 400 ppm de l'acide dicarboxylique ou d'un sel de celui-ci ; de 150 à 1 000 ppm de la source d'ions fer (III) ; où la source d'ions fer (III) est le nitrate ferrique ; et, éventuellement, l'agent d'ajustement du pH ; éventuellement, un tensioactif de sulfate d'éther anionique ; et en ce que la composition de polissage mécano-chimique présente un pH de 1,5 à 4,5. 30 5. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la composition de polissage mécano-chimique fournie comprend, comme constituants initiaux : 5 l'eau ; de 0,1 à 3 °h en masse de l'agent oxydant, où l'agent oxydant est le peroxyde d'hydrogène ; de 30 à 250 ppm de l'arginine ou un sel de celle-ci ; de 0,1 à 5 % en masse de l'abrasif de silice colloïdale ; 10 de 120 à 1 350 ppm de l'acide dicarboxylique ou d'un sel de celui-ci, où l'acide dicarboxylique est l'acide malonique ; de 150 à 850 ppm de la source d'ions fer (III), où la source d'ions fer (III) est le nitrate ferrique ; et, éventuellement, l'agent d'ajustement du pH ; 15 éventuellement, un tensioactif de sulfate d'éther anionique ; et en ce que la composition de polissage mécano-chimique présente un pH de 1,5 à 3,5. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, 20 caractérisé en ce que la composition de polissage mécano-chimique fournie présente une vitesse de retrait de tungstène de 1 500 Â/min avec une vitesse de platine de 80 tours par minute, une vitesse de support de 81 tours par minute, un débit de composition de polissage mécano-chimique de 125 mL/rnin, une force descendante 25 nominale de 21,4 kPa sur une machine de polissage de 200 mm ; et en ce que le tampon de polissage mécano-chimique comprend une couche de polissage de polyuréthane contenant des microparticules à noyaux creux polymères et un sous-tampon de non tissé imprégné de polyuréthane. 30 7. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'abrasif de silice colloïdale est un abrasif de silice colloïdale mixte comprenant des particules de petites tailles moyennes en combinaison avec des particules de grandes tailles moyennes. 31 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'abrasif de silice colloïdale comprend des particules de petites tailles 5 moyennes de 40-50 nm et des particules de grandes tailles moyennes de 70-100 nm.