Brevet FR3067034A1 — publié le 20181207

Domaine de l'invention Cette invention concerne d'une façon générale la préparation d'une formulation de polissage de semi- conducteur non de type oxyde et, plus particulièrement, une 5 barbotine de polissage chimique-mécanique rapide du carbure de silicium qui est utile pour le polissage de tranches en carbure de silicium. Arrière-plan de l'invention Les dispositifs d'alimentation au carbure de silicium 10 (SiC) offrent de meilleures performances à température élevée et de bien meilleures performances de rupture électrique qui ont récemment fortement attiré l'attention. Qu'ils soient utilisés seuls ou utilisés en combinaison avec d'autres couches de semi-conducteurs non oxydes tels 15 que le nitrure de gallium (GaN) pour améliorer la performance des dispositifs d'alimentation, ils sont couramment utilisés en pratique dans la fabrication de dispositifs. La première étape pour la fabrication de tels dispositifs consiste à préparer une surface serai-20 conductrice plate et propre pour que le procédé de fabrication puisse se dérouler, ou à récupérer une surface mal traitée de façon que le procédé souhaité puisse être répété et poursuivi. Une surface de SiC plate peut être préparée par exemple par un traitement de polissage 25 chimique-mécanique (CMP). Les brevets US 7 998 866 et 7 678 700 enseignent comment des oxydants solubles dans l'eau peuvent efficacement polir du SiC en présence de particules abrasives dispersées dans de l'eau. Bien qu'efficace, cette technique ne traite pas les problèmes 30 potentiels des déchets toxiques et de coloration des outils qui peuvent survenir durant le traitement, même avec la 3067034 2 meilleure des compositions de barbotine de polissage chimique-mécanique proposées. En particulier, les oxydants tels que le permanganate, le chromate, et le nitrate d'ammonium-cérium, qui sont les composants clés de la 5 technique antérieure, par exemple, sont toxiques pour l'environnement et également provoquent une coloration des pièces de l'outil pour CMP, lorsqu'ils sont en contact étroit avec les outils durant l'opération de polissage. La coloration la plus évidente survient sur les tampons de 10 rodage, en ayant pour résultat des marques sombres qui requièrent un nettoyage à l'acide fréquent et fastidieux. Le chromate présente un risque biologique, voir Bioremediation of Heavy Metal Toxicity-With Special Reference To Chromium, S. Ray et M.K. Ray, Al Ameen, J. 15 Med. Soi. (2009) 2 (2) Special : 57-63. Les sels de manganèse sont toxiques et constituent une toxine des neurones connue, voir Manganese in Drinking-water, document de contexte pour le développement des directives de l'OMS sur la qualité de l'eau de boisson, 2001. Le brevet 20 US 8 557 133 enseigne une approche différente en utilisant du dichromate ou du permanganate indirectement, pour générer des particules souples servant d'accélérateur pour augmenter l'élimination de SiC durant un CMP. Une autre demande de brevet US, US 2008/0305718, montre comment les 25 sels chlorites, chlorates et perchlorates testés échouent à réaliser une élimination de SiC significative durant un CMP, dans les conditions de test publiées. Dans encore un autre brevet, le brevet US 8 247 328, les inventeurs montrent comment les barbotines de polissage du SiC à base 30 d'oxydant peuvent être encore améliorées par addition de quantités significatives de catalyseurs à base de métal lourd, comme le cobalt ou le platine, pour augmenter 3067034 3 l'élimination de SiC. Ce faisant, les barbotines vont devenir encore plus toxiques et plus coûteuses, à cause de la présence de métaux lourds et nobles ajoutés en plus dans les produits. Il est par conséquent souhaitable de pouvoir disposer de formulations de CMP alternatives n'utilisant pas d'oxydants contenant des métaux lourds, produisant moins de coloration de l'outil, économiquement rentable, ne requérant pas de traitement spécial des déchets après utilisation, et tout en réalisant une bonne performance de polissage de SiC par CMP. Bref résumé de l'invention Il est divulgué une formulation de polissage utile pour le polissage de tranches non oxyde, qui comprend un mélange comprenant au moins un agent de gravure de formule MX02 ; et une dispersion de particules abrasives de haute pureté ayant une dureté Mohs d'au moins 7, dans une formulation aqueuse à un pH approprié, avec un rapport de mélange approprié de l'agent de gravure à l'abrasif, et à des concentrations appropriées de l'agent de gravure et de l'abrasif. L'inventeur a découvert une série d'agents de gravure du carbure de silicium à base d'halites solubles dans l'eau de formule générale MX02, dans laquelle M est un métal ou l'ammonium, choisi dans l'ensemble constitué par les cations monovalents, les cations divalents et les cations trivalents ; de préférence M est choisi dans le groupe constitué par le sodium, le potassium, l'ammonium, le lithium, et leurs mélanges. Mieux encore M est choisi dans le groupe constitué par le sodium, le potassium et 30 leurs mélanges ; et X est choisi dans le groupe des halogènes constitué par le chlore, le brome, l'iode, et leurs mélanges. Les sels halites MX02 peuvent, à un certain 3067034 4 pH et en présence de certaines particules abrasives, accélérer le polissage de SiC durant un CMP, avec moins d'effets indésirables de coloration des tampons de rodage et avec moins d'effets indésirables sur l'environnement 5 après polissage. Un des MX02 les plus économiquement rentables est par exemple le chlorite de sodium, Na0102, qui peut être aisément réduit en sels moins nocifs lorsqu'il est traité par addition de sulfite de sodium dans le flux de déchets après utilisation. Les déchets 10 neutralisés résultants contiennent uniquement du chlorure de sodium (sel de table) non toxique et du sulfate de sodium après élimination de l'alumine. Ces sels de sodium bénins peuvent être facilement jetés, ce qui est en contraste frappant avec les sels toxiques de manganèse, de 15 chrome et de cérium qui étaient utilisés dans les formulations de la technique antérieure. Description détaillée de l'invention Les directives suivantes ont été établies avant la mise en oeuvre de tests de criblage pour la formation d'une 20 barbotine efficace de CMP pour le SiC I. Une vitesse d'élimination dé matériau (MRR) élevée, au moins > 500 nm/h pour le plan Si[0001] d'une tranche en 6H-SiC ou 4H-SiC monocristallin. 2. Une compatibilité avec les procédés actuels de 25 polissage de semi-conducteurs non oxyde (par exemple SiC et GaN). 3. Pas de nécessité d'un nettoyage corrosif du tampon de CMP après polissage. 4. Un fini de surface lisse (rugosité de 30 surface 200 nm/h). Dans une demande de brevet US antérieure, 15 US 2008/0305718, par exemple, le chlorite de sodium a été testé dans des conditions spécifiques (pH - 8,8, avec 40 % de silice colloïdale et une concentration de 10 g/1 de NaC102), qui ont eu pour résultat une élimination extrêmement faible de SiC (MRR = 6,6 nm/h) durant le 20 polissage. Bien que cela ne soit pas nécessaire pour la mise en pratique des modes de réalisation de cette invention, l'inventeur propose un mécanisme plausible pour expliquer la vitesse d'élimination de SiC augmentée de façon 25 inattendue en présence des halites dans la barbotine de polissage. Il est proposé que la décomposition d'anions halites sous une pression tribo-mécano-chimique extrême en présence de particules abrasives dures, telles que l'alumine alpha de taille nanométrique durant un procédé CMP, est la raison de la meilleure vitesse d'élimination de SiC. La réaction de gravure du SiC se déroule conformément 3067034 7 à l'exemple qui suit, comme cela est mis en évidence par l'anion chlorite : 5C102- + 511+ -* 4C102 + HC1 + 2H20 El] 2SiC 4C102 -* Si02 + SiC14 + 2CO2 + 02 [2] 5 L'équation [1] se déroule facilement en phase en solution, sous acidité élevéepH 4, il n'est pas évident de détecter optiquement la présence de dioxyde de chlore libre, en raison de sa faible concentration dans la solution. Les données de taux d'élimination de SiC révèlent 15 que la vitesse d'élimination de matériau (MRR) maximale est obtenue quand il n'y a pas de présence évidente de dioxyde de chlore libre dans les barbotines pour travail rapide. Ceci suggère que la gravure optimale de SiC est obtenue quand le dioxyde d'halogène généré est à proximité étroite 20 des surfaces de polissage dans des conditions tribomécaniques spécifiques, c'est-à-dire en présence de particules abrasives de taille nanométrique sous pression, et avec une quantité suffisante d'ions halites à proximité, à un pH relativement élevé de la solution. Dans ces 25 conditions, l'agent de gravure à base de dioxyde d'halogène généré in situ est toujours en contact étroit tant avec l'abrasif qu'avec les surfaces de carbure de silicium, où la gravure du SiC se déroule le plus efficacement par l'équation [2] ci-dessus. 30 L'homme du métier comprend par conséquent qu'un agent de polissage de SiC peut être formulé sous diverses formes du moment qu'il satisfait aux exigences clés suivantes : 3067034 8 1. Un sel halite à une concentration suffisante dans la barbotine ; 2. Un pH approprié de la solution de barbotine, auquel la majorité de l'halite dans la formulation de 5 polissage peut être induite de manière à libérer l'agent de gravure actif, le dioxyde d'halogène, par une action tribomécanique et/ou tribochimique 3. Un agent abrasif ayant une taille et une dureté appropriées à une concentration suffisamment élevée pour 10 déclencher la réaction tribomécanique ou tribochimique requise durant un procédé de polissage chimique-mécanique avec des tranches de SiC ou d'autres tranches non oxydes. On sait bien que le dioxyde de chlore libre peut être toxique et réactif, par conséquent de préférence toutes les 15 formulations de barbotine doivent éviter de générer ce gaz réactif durant l'utilisation et le stockage. Heureusement, le pH optimal (pH > 4) auquel la barbotine devient active est bien supérieur à celui auquel le dioxyde de chlore libre peut s'accumuler à un niveau dangereux. Néanmoins, 20 des mesures de sécurité telles qu'une ventilation adéquate, une acidification avant utilisation, et l'évitement d'une exposition à la lumière du soleil sont des pratiques habituelles qui sont couramment pratiquées par l'homme du métier pour une manipulation sans danger des solutions de 25 dioxyde d'halogène. Ainsi, dans la présente description, l'acidité (pH) du mélange peut être comprise entre pH 3 et pH 8 ; et de préférence elle va de pH 4 à pH 6. D'autres formes de formulations de polissage, comme celles inspirées par le brevet US 8 673 297, avec une 30 poudre abrasive et un sel halite conditionnés dans des conditions anhydres et sous vide sous une forme de comprimé appropriée, constituent aussi une alternative pratique à la 3067034 9 réduction des risaues de libération accidentelle de dioxyde de chlore durant le stockage d'une formulation de polissage. Des tests de performance de barbotines ont également 5 révélé la nécessité d'une concentration minimale d'anion halite dans la formulation de polissage, en-deçà de laquelle pratiquement aucune élimination de SiC ne peut être effectuée. Ici, la concentration de MX02 peut être comprise entre 11 g et 200 g/1, et de préférence entre 20 10 et 100 g/1. Des données de tests indiquent que cette concentration minimale est d'environ 20 a/1 pour le chlorite de sodium. Ceci est une découverte importante parce que la plupart des barbotines pour CMP du commerce sur le marché ne contiennent pas de biocides pour réguler 15 la croissance bactérienne dans les formulations de polissage. L'un des biocides les plus efficaces utilisés dans les formulations de barbotines conventionnelles (bien qu'aucune pour des applications CMP de SiC) est le chlorite de sodium, en raison de son efficacité à de faibles 20 concentrations en tant que biocide, voir par exemple les brevets US 6 750 257 et 6 447 563. Les concentrations de chlorite de sodium dans les formulations de polissage à des fins biocides sont comprises entre 50 et 1 200 ppm, voir 68th JECFA par Ecolab Inc., USA, décembre 2006. Ceci ne 25 doit pas être confondu avec la présente invention, dans laquelle une forte concentration (jusqu'à plus de cent grammes par litre) de chlorite de sodium est utilisée pour l'obtention de vitesses de polissage de SiC souhaitables durant un CMP. 30 La formulation de polissage de la présente invention, qui est basée sur une solution aqueuse de sels halites et une dispersion de poudre abrasive, bien que fonctionnant 3067034 10 bien telle quelle, peut éventuellement être encore modifiée sans s'écarter de la portée de la présente invention. Ici, le rapport de l'agent de gravure de formule MX02 aux particules abrasives de haute pureté dans le mélange n'est 5 pas particulièrement limité, et peut être compris entre 1/1 et 1/10 sur une base en poids, ou entre 1/1 et 1/3 sur une base en poids. L'abrasif préféré est l'alumine, mais n'importe quel abrasif de haute pureté ayant une dureté Mohs d'au moins 7, et de préférence ayant une dureté Mohs 10 de 8 et plus, va convenir. En particulier, des particules fines (diamètre de 10 à 1 000 nm) d'autres abrasifs tels que le diamant, le nitrure de bore cubique, et le carbure de bore, le carbure de silicium, Si02, Cr203, ZrO2, Ce02, peuvent aussi être mélangés dans les formulations de 15 polissage contenant de l'alumine pour améliorer la performance tribomécanique de la barbotine contenant de l'halite. Par exemple, des particules de diamant (dureté Mohs 10) ont été largement utilisées dans le rodage de SiC (dureté Mohs 9) avec une vitesse élevée d'élimination, mais 20 engendrent une surface rugueuse fortement rayée qui devrait normalement requérir de nombreuses heures d'un autre polissage CMP fin pour atteindre une surface de travail lisse. Bien qu'une surface polie bien plus lisse puisse être obtenue par utilisation de diamant ultra-dispersé de 25 taille nanométrique, voir par exemple le brevet US 9 343 321, ceci pourrait constituer un inconvénient du point de vue du coût de la fabrication. D'autre part, si une alumine alpha plus douce (dureté Mohs 8) est utilisée sans sel halite dans la barbotine, aucun polissage 30 significatif de SiC ne va avoir lieu. Toutefois, en présence de chlorite de sodium, même l'alumine alpha plus douce peut efficacement polir la surface plus dure du 3067034 11 carbure. Dans certains modes de réalisation, les particules abrasives de haute pureté sent constituées d'alumine alpha ayant une dureté Mohs de 8. La surface polie a généralement une faible rugosité de surface (Ra 99,9 %) et qui a été soumise à une température de frittage supérieure à 1 100 °C, après quoi la masse volumique de l'alumine est supérieure à 25 3,85 g/cm3, avec une surface spécifique BET inférieure à 25 m2/g. La granulométrie de l'alumine alpha est comprise entre 1 nm et 1000 nm, avec une granulométrie préférée de 10 à 1 000 nm et une granulométrie tout spécialement préférée de 50 à 400 nm. Dans un mode de réalisation, 30 l'alumine alpha de haute pureté a une granulométrie de 200 nm et une surface spécifique de 6 m2/g. Dans un autre mode de réalisation, l'alumine alpha de haute pureté a une 3067034 12 granulométrie de 50 nm et une surface spécifique de 15 m2/g. Dans encore un autre mode de réalisation, l'alumine alpha de haute pureté a une granulométrie de 300 nm et une surface spécifique de 5,5 m2/g. Ceci 5 constitue de bons arguments pour sélectionner une alumine ayant de telles spécifications précises pour le polissage d'une surface de semi-conducteur de type non oxyde, qui englobe SiC et GaN, pour les raisons qui suivent : (1) L'alumine de moindre pureté ne fait pas que 10 simplement contaminer la surface de polissage, elle présente une moindre dureté du fait de la formation d'une phase vitreuse plus douce d'impuretés durant la transformation de la phase gamma en la phase alpha. (2) La conversion obtenue en l'alumine dure de phase 15 alpha souhaitée est d'autant plus complète que la température de frittage est élevée. (3) L'alumine alpha pure a une masse volumique de 3,97 g/cm3. La concentration de l'alumine en phase alpha dans la formulation est d'autant plus élevée que la masse 20 volumique de l'alumine utilisée dans la formulation de polissage est élevée. (4) La surface spécifique BET est un indicateur de la porosité interne de l'alumine. Plus la surface spécifique BET est élevée, moins la performance de polissage est 25 bonne, parce que la force destinée à abraser la surface de SiC est utilisée pour broyer les grains d'alumine en raison de la porosité excessive qui affaiblit le grain. Une alumine de taille nanométrique ayant une surface spécifique BET inférieure à 25 m2/g est considérée comme étant une 30 alumine ayant une porosité interne acceptable. Les surfaces spécifiques des poudres d'alumine alpha évaluées dans cette invention sont toutes inférieures à 25 m2/g. De façon 3067034 13 spécifique, l'alumine de 50 nm présente une surface spécifique SET de 15 m2/g ; l'alumine de 200 nm présente une surface spécifique SET de 6 m2/g ; et l'alumine de 300 nm présente une surface spécifique SET de 5,5 m2/g. 5 La granulométrie réelle de l'abrasif à base d'alumine alpha utilisé dans cette invention peut être significativement différente de la granulométrie indiquée dans les modes de réalisation préférés, en raison de l'agglomération des particules. Une modélisation théorique 10 indique que la vitesse d'élimination de matériau (MRR) est plus élevée avec de l'alumine de plus petite taille, quand les autres paramètres de polissage sont maintenus constants. Toutefois, les données expérimentales peuvent ne pas être corrélées à la prédiction théorique. Une poudre 15 d'alumine ayant une granulométrie inférieure à 50 nm tend à s'agglomérer, ce qui peut introduire d'autres contraintes de formulation de barbotine. La granulométrie (D50) est normalement bien supérieure à la granulométrie du même échantillon d'alumine testé. Par exemple, l'alumine alpha 20 ayant une granulométrie de 200 nm utilisée dans cette invention présente une granulométrie (D50) de 3,19 pm lors d'une mesure par diffraction de laser. Une alumine de granulométrie plus élevée (> 1 000 nm) peut ne pas satisfaire aux exigences spécifiques de MRR et de qualité 25 de surface de polissage pour la production, mais les vitesses de polissage CMP globalement plus élevées sont toujours très significatives quand une alumine alpha ayant une granulométrie bien plus élevée est utilisée dans les formulations de CMP en présence des agents de gravure de 30 type sel halite. La forme physique des compositions de polissage peut être une barbotine aqueuse fluide ou un gel de type 3067034 14 dentifrice épais, en fonction des exigences souhaitées pour le polissage CMP, Quand une barbotine ayant une teneur en solides extrêmement élevée (par exemple une concentration d'alumine d'environ 1 100 g/1) est nécessaire pour un 5 polissage en établi d'une petite surface, une pompe à piston peut être utilisée pour sa distribution. Pour la plupart des autres opérations CMP habituelles, une pompe péristaltique installée à l'intérieur d'un récipient de barbotine équipé d'un agitateur de barbotine du type à 10 hélice va suffire. D'autres formulations spéciales, telles qu'un mélange dans lequel un halogénure, une alumine et un agent d'ajustement du pH sont prémélangés, sous la forme d'un comprimé solide, peuvent être préparées par l'homme du métier de façon qu'elles satisfassent aux exigences 15 d'application de CMP à du SiC. Le chlorite de sodium convenant pour les formulations de polissage peut être sous la forme d'une solution ou sous la forme d'un solide sec à 80 %. La forme en solution est avantageuse parce qu'elle contient habituellement moins 20 d'impuretés de type chlorate de sodium, nominalement moins de 0,5 %. Pour cette raison, il est plus écologique d'utiliser du chlorite en solution du point de vue de l'évacuation des eaux de déchets. Le chlorite de sodium solide, tel que celui commercialisé par Occidental Chemical 25 Co., Dallas, TX, a été utilisé dans les expériences de formulation. En résumé, l'inventeur conclut qu'une barbotine de polissage de SiC efficace constituée de mélanges d'alumine-halite peut être formulée avec un pH d'environ 3 à 8 (de 30 préférence de 4 à 6 ; et tout spécialement de 4,6 à 5,6). Les sels halites, MX02, peuvent être présents à des concentrations d'environ 11 g/1 à 200 g/1, ou mieux encore 3067034 15 d'environ 20 g/1 à 100 g/l. Dans certains modes de réalisation, la concentration de MX02 est de 48 g/1. La suspension aqueuse de particules abrasives de haute pureté telles que de l'alumine alpha de taille nanométrigue peut 5 être d'environ 11 g/1 à 1 100 g/1, ou de préférence de 11 g/1 à 600 g/1, ou mieux encore de 20 g/1 à 300 g/l. Dans certains modes de réalisation, les particules abrasives de haute pureté sont présentes à raison de 86 g/l. Tout en fonctionnant adéquatement avec les paramètres de 10 formulation clés ci-dessus, d'autres ingrédients non essentiels augmentant les performances tels que d'autres oxydants, des dispersants, des anti-moussants, des agents mouillants et des tampons de pH peuvent aussi être incorporés dans les formulations de polissage pour 15 amplifier davantage la performance de polissage. Exemples Les exemples non limitatifs qui suivent mettent en évidence les performances de l'invention. Le terme « charge » signifie la présence de sel halite, en 20 particulier de chlorite de sodium, dans la formulation de polissage. Une « faible charge » signifie 10 g/1 de chlorite de sodium dans la barbotine, une « charge moyenne » signifie 11 à 30 g/1 de chlorite de sodium dans la barbotine, une « forte charge » signifie > 30 g/1 de 25 chlorite de sodium dans la barbotine. Toutes les expériences de polissage, à l'exception de celle de l'exemple 17, sont effectuées avec l'utilisation d'un polisseur barbotine SpeedFAWN 50SPAW (Kanagawa, Japon) à barbotine CMP avec l'une des quatre broches qui supporte 30 trois tranches de 4 pouces de SiC 4H-N (Si vers le bas), une rotation à 60 t/min et une force descendante de 0,445 kg/om2, à un débit de la barbotine de 60 ml/min. Le 3067034 16 tampon SUBA800XYTM (Dow Chemical, USA) est utilisé dans toutes les expériences. Le support de la barbotine est équipé d'un agitateur à hélice pour empêcher la sédimentation des particules d'alumine dans le mélange de 5 polissage. Les temps de polissage sont d'environ 60 minutes, Les vitesses d'élimination de SiC (MRR) sont mesurées par la perte de poids et normalisées aux vitesses horaires. Seule la MRR la plus élevée parmi les trois tranches chargées est indiquée. La température du test est 10 réglée à REVENDICATIONS1. Formulation de polissage utile pour le polissage de tranche non oxyde, comprenant un mélange contenant au moins un agent de gravure de formule MX02, où M est un métal ou 5 l'ammonium, X est un halogène, 0 est l'oxygène, et une dispersion de particules abrasives de haute pureté ayant une dureté Mohs d'au moins 7, dans une formulation aqueuse à un pH compris entre pH 3 et pH 8, avec un rapport de l'agent de gravure de formule MX02 aux particules abrasives de haute 10 pureté dans le mélange compris entre 1/1 et 1/10 sur une base en poids, et à une concentration de l'agent de gravure de formule MX02 comprise entre 11 g et 200 g/1, et celle des particules abrasives de haute pureté comprise entre 11 g et 600 g/l. 15 2. Formulation de polissage selon la revendication 1, dans laquelle l'agent de gravure de formule MX02 est un chlorite métallique (MC102), où M est un métal alcalin ou l'ammonium (NH4), et X est le chlore. 3. Formulation de polissage selon la revendication 1, 20 dans laquelle l'agent de gravure de formule MX02 est un bromite métallique (MBr02), où M est un métal alcalin ou l'ammonium (NH4), et X est le brome. 4. Formulation de polissage selon la revendication 1, dans laquelle l'agent de gravure de formule MX02 est un 25 mélange comprenant : du chlorite de sodium (NaC102), du chlorite de potassium (KC102), du bromite de sodium (NaBr02), du bromite de potassium (KBr02), ou une combinaison de ceux-ci. 5. Formulation de polissage selon la revendication 1, 30 dans laquelle le rapport de l'agent de gravure de formule MX02 3067034 29 aux particules abrasives de haute pureté dans le mélange est compris entre 1/1 et 1/3 sur une base en poids. 6. Formulation de polissage selon la revendication 1, dans laquelle la concentration de l'agent de gravure de formule MX02 est comprise entre 20 et 100 g/1, et celle des particules abrasives de haute pureté est comprise entre 20 et 300 g/l. 7. Formulation de polissage selon la revendication 1, dans laquelle la concentration de l'agent de gravure de 10 formule MX02 est de 48 g/1 et celle des particules abrasives de haute pureté est de 86 g/l. 8. Formulation de polissage selon la revendication 1, dans laquelle l'acidité (pH) du mélange est comprise entre pH 4 et pH 6. 15 9. Formulation de polissage selon la revendication 1, dans laquelle les particules abrasives de haute pureté sont constituées d'alumine alpha ayant une dureté Mohs de 8. 10. Formulation de polissage selon la revendication 1, dans laquelle les particules abrasives de haute pureté sont 20 constituées de silice ayant une dureté Mohs de 7. 11. Formulation de polissage selon la revendication 9, dans laquelle les particules abrasives de haute pureté sont constituées d'alumine alpha et ont une pureté supérieure à 99,9 %. 25 12. Formulation de polissage selon la revendication 9, dans laquelle les particules abrasives de haute pureté ont une granulométrie comprise entre 10 et 1000 nm. 3067034 30 13. Formulation de polissage selon la revendication 12, dans laquelle les particules abrasives de haute pureté ont une granulométrie de 200 nm et une surface spécifique de 6 m2/g. 14. Formulation de polissage selon la revendication 12, 5 dans laquelle les particules abrasives de haute pureté ont une granulométrie de 50 nm et une surface spécifique de 15 m2/g. 15. Formulation de polissage selon la revendication 10, dans laquelle les particules abrasives de haute pureté sont constituées de silice colloïdale. 16. Formulation de polissage selon la revendication 12, dans laquelle les particules abrasives de haute pureté ont une granulométrie de 300 nm et une surface spécifique de 5,5 m2/g.