Brevet FR3068148A1 — publié le 20181228

ETALONNAGE DE PETITS MOTIFS ELEMENTAIRES EN LITHOGRAPHIE ELECTRONIQUE A FAISCEAU FORME L'invention porte sur un procédé d'étalonnage de petits motifs élémentaires (« shots ») en lithographie électronique à faisceau formé, ainsi 5 qu'à l'application d'un tel étalonnage à la préparation de données de lithographie électronique. La lithographie électronique est utilisée pour transférer sur un substrat, avec une résolution élevée, des motifs géométriques (« pattern » en anglais) formant un dessin (« layout » en anglais). Un faisceau d'électrons est 10 utilisé pour insoler une résine déposée sur le substrat suivant le dessin à transférer. La résine insolée subit une transformation chimique qui permet son enlèvement sélectif, exposant certaines régions du substrat qui peuvent alors être gravées ou subir un dépôt ou une implantation ionique (alternativement, c'est la résine non insolée qui est enlevée sélectivement). 15 L'application principale de la lithographie électronique est la fabrication des masques de photolithographie qui sont utilisés pour la réalisation de circuits intégrés. D'autres applications sont la fabrication directe de circuits intégrés, de composants électroniques ou photoniques, de nanostructures. 20 L'exposition de la résine peut être effectuée point par point, au moyen d'un faisceau électronique très étroit, mais cela prend beaucoup de temps. Pour cette raison on a généralement recours à une autre technique, dite « à faisceau formé » (« variable shape beam », ou « VSB » en anglais), dont le principe est illustré par les figures 1A, 1B et 2. Comme on peut le voir 25 sur les figures 1A et 1B, un faisceau d'électrons FE relativement large, généré par une source d'électrons SE, passe à travers deux ouvertures successives 01, 02. La forme du faisceau après la traversée des ouvertures dépend de la forme de ces dernières, qui est variable. On obtient ainsi un motif élémentaire (dans la littérature en langue anglaise on parle de « shot », 30 littéralement « coup ») ME, ME', dont la forme correspond approximativement à celle du faisceau, qui est transféré « en un seul coup » sur le substrat. Dans 2 le cas de la figure 1A, le motif élémentaire ME est carré ou rectangulaire ; dans celui de la figure 1B, le motif élémentaire ME' est triangulaire. En réalité, la forme et les dimensions du motif élémentaire effectivement transféré sur le substrat ne correspondent pas exactement à celles du faisceau, et dépendent aussi des motifs proches (pour cette raison on parle de « effets de proximité »). Cela est principalement dû à la diffusion des électrons dans la résine et à leur rétrodiffusion par le substrat. Pour déterminer le motif effectivement transféré sur le substrat on applique à un motif « nominal » : - un modèle physique, qui représente la répartition des électrons dans la résine, généralement au moyen d'une fonction d'étalement du point (PSF, de l'anglais « Point Spread Function ») ; et - un modèle de la résine - généralement un simple modèle à seuil : la résine est considérée comme insolée dès lors que la dose 15 électronique qu'elle a reçue dépasse un seuil. D'une manière connue en soi, cela permet de déterminer des corrections à apporter au motif nominal afin que le motif transféré soit aussi proche que possible de celui souhaité. On parle de « préparation de données » car cette opération aboutit à la création d'un fichier de données qui 20 est fourni à la machine VSB pour contrôler l'exécution du processus de lithographie afin d'obtenir le transfert du motif voulu. Typiquement, les machines VSB permettent d'obtenir des motifs élémentaires carrés ou rectangulaires, voire en forme de triangle rectangle isocèle, présentant une orientation de 00, ±45° ou 90° par rapport à 25 une direction prise comme référence. Ces différentes formes élémentaires sont illustrées sur la figure 2. On comprend aisément qu'elles permettent de réaliser de manière simple et rapide certains motifs, par exemple des lignes suivant ces quatre orientations prédéfinies. On peut voir par exemple sur les figures 3A et 3B que des lignes horizontales (90° rar rapport à la direction de 30 référence, verticale) ou à 45° peuvent être obtenues à partir d'un nombre limité de motifs élémentaires présentant sensiblement la même dimension critique que la ligne elle-même, corrigée pour tenir compte des effets de 3 proximité (la « dimension critique » est la plus petite dimension d'un motif : la largeur d'une ligne, le côté d'un carré..). Une ligne présentant une orientation différente, par contre, doit être décomposée en un nombre plus important de motifs élémentaires sensiblement plus petits que sa dimension critique 5 (largeur) - cela est illustré par la figure 3C. Or, il est connu que lorsqu'on réalise par lithographie électronique à faisceau formé des motifs élémentaires de très petites dimensions (typiquement 100 nm ou moins), les dimensions des motifs effectivement transférés sur le substrat diffèrent de celles attendues à partir 10 des seuls modèles physique et de la résine. Par exemple, la figure 4 montre la dimension critique (largeur) mesurée CD, d'une ligne droite de dimension critique nominale CD0 égale à 120 nm, obtenue par lithographie électronique VSB en fonction de son orientation. On peut vérifier que la dimension critique mesurée CD, s'écarte peu de sa valeur nominale, donnée par un modèle physique (ligne horizontale), pour une orientation de 0°, 45°, 90°, 135°, car dans ces cas il n'est pas nécessaire d'utiliser des motifs élémentaires plus petits que la dimension critique. Par contre, pour des orientations intermédiaires, la dimension critique mesurée de la ligne peut excéder 130 nm, soit une erreur d'environ 10%. Cet effet est connu de la littérature scientifique : - H. C. Pfeiffer et al. « Recent Advances in Electron-Beam Lithography for the High-Volume Production of VLSI devices », IEEE transaction on electron devices, Vol. ED-26 4, 663 (1979) ; - S. Nishimura et al., « Evaluation of Shaping Gain 25 Adjustment Accuracy Using Atomic Force Microscope in Variably Shaped Electron-Beam Writing Systems », J. Appl. Phys. 36, 7517 (1997) ; - J. Choi et al., « Requirements of e-beam size and position accuracy for photomask of sub-32 nm HP device », SPIE Vol. 7748, 77481 9 1 (2010) ; 30 - S. Park et al., « Requirements of the e-beam shot quality for mask patterning of the sub-1X device », SPIE Vol. 9777, 977716-1 (2016). 4 Cependant, il n'existe pas de méthode permettant de corriger de manière simple et systématique les erreurs associées à l'utilisation de « petits » motifs élémentaires, c'est-à-dire de motifs élémentaires plus petits que la dimension critique du motif à transférer. 5 L'invention vise à surmonter cette limitation de l'art antérieur. Plus précisément, elle vise à procurer un procédé d'étalonnage des motifs élémentaires en lithographie électronique à faisceau formé utilisable en préparation des données de manière à réduire sensiblement les erreurs associées à l'utilisation de « petits » motifs élémentaires. Elle vise également 10 à procurer au moins un tel procédé de préparation de données. Par ailleurs, les inventeurs se sont également rendu compte du fait que les erreurs associées à l'utilisation de « petits » motifs élémentaires affectent défavorablement l'estimation du modèle physique de répartition des électrons (PSF). Un mode de réalisation de l'invention permet 15 de remédier à ce problème qui était passé inaperçu jusqu'à présent. Un objet de l'invention est donc un procédé d'étalonnage de motifs élémentaires en lithographie électronique à faisceau formé comprenant les étapes suivantes : a. réaliser, par lithographie électronique à faisceau formé, au 20 moins un motif d'étalonnage comprenant des figures géométriques ayant chacune une dimension critique nominale, fractionnées en motifs élémentaires de dimensions plus petites que chaque dite dimension critique nominale, les motifs élémentaires de chaque figure géométrique présentant des dimensions identiques et ceux de figures géométriques distinctes présentant des dimensions différentes ; b. mesurer la dimension critique réelle de chaque dite figure géométrique ; et c. appliquer une méthode de régression à partir des dimensions critiques réelles ainsi déterminées pour construire un modèle 30 mathématique exprimant : - soit une variation de dimensions desdits motifs élémentaires, 5 - soit une erreur de dose d'exposition desdits motifs élémentaires produisant un effet équivalent à ladite variation de dimensions, en fonction des dimensions des motifs élémentaires. Selon des modes de réalisation particuliers d'un tel procédé : 5 - Ladite étape c. peut comprendre les sous-étapes suivantes : cl. déterminer une expression de ladite variation de dimensions desdits motifs élémentaires ou de ladite erreur de dose en fonction des dimensions des motifs élémentaires et d'une pluralité de 10 paramètres à évaluer ; c2. Calculer les valeurs desdits paramètres à évaluer par minimisation d'une fonction représentative d'un écart moyen entre les dimensions mesurées lors de l'étape b et celles calculées à l'aide de l'expression déterminée lors de la sous-étape cl. 15 - Les figures géométriques d'un même motif d'étalonnage peuvent être des lignes droites parallèles entre elles. - Lesdits motifs élémentaires peuvent être choisis parmi des motifs rectangulaires et des motifs triangulaires. - Lesdits motifs élémentaires peuvent être en forme de 20 triangle rectangle isocèle, et les figures géométriques d'un même motif d'étalonnage sont de lignes droites parallèles entre elles et à un cathète desdits motifs élémentaires. - Chaque dite forme géométrique peut être fractionnée en motifs élémentaires identiques, juxtaposés sans recouvrement. 25 - Lesdits motifs élémentaires peut être en forme de triangle rectangle isocèle, lesdites figures géométriques peuvent être des lignes droites parallèles entre elles et à un côté des motifs élémentaires correspondants, et ledit motif d'étalonnage peut comprendre : - des lignes formées de deux sous-ensembles de 30 motifs élémentaires identiques en forme de triangle rectangle isocèle juxtaposés sans recouvrement, lesdits sous-ensembles étant superposés avec un décalage spatial ; et 6 - des lignes formées de motifs élémentaires en forme de triangle rectangle isocèle présentant des orientations complémentaires, juxtaposées sans recouvrement. - Ledit modèle mathématique peut être un modèle 5 polynomial. Un autre objet de l'invention est un procédé de préparation de données pour lithographie électronique à faisceau formé comprenant une étape de correction d'une variation de dimensions d'au moins un motif élémentaire d'un dessin à transférer sur un substrat par lithographie 10 électronique à faisceau formé, ladite étape étant mise en oeuvre par l'utilisation d'un modèle mathématique exprimant ladite variation, ou une erreur de dose d'exposition produisant un effet équivalent à ladite variation, en fonction des dimensions dudit motif élémentaire. Selon des modes de réalisation particuliers : 15 - Le procédé de préparation des données peut comprendre une étape préalable de détermination dudit modèle mathématique au moyen d'un procédé d'étalonnage tel que défini ci-dessus. - Ledit modèle mathématique peut exprimer ladite variation de dimensions d'au moins un motif élémentaire en fonction de ses 20 dimensions, le procédé comprenant les étapes suivantes : i. recevoir, en tant que donnée d'entrée, un dessin à transférer sur un substrat par lithographie électronique à faisceau formé ; ii. fractionner ledit dessin en motifs élémentaires et utiliser un modèle physique de répartition des électrons pour effectuer une correction 25 géométrique et/ou en dose d'exposition de chaque dit motif élémentaire ; iii. appliquer ledit modèle mathématique pour calculer une variation de dimensions de chaque dit motif élémentaire ; iv. calculer, pour chaque dit motif élémentaire, une dose d'exposition corrigée en tenant compte de la variation de dimensions 30 correspondante ; et 7 v. appliquer les doses d'expositions corrigées calculées lors de l'étape iv aux motifs élémentaires corrigés, tels que déterminés à l'issue de l'étape ii. - Ledit modèle mathématique peut exprimer ladite variation 5 de dimensions d'au moins un motif élémentaire en fonction de ses dimensions, le procédé comprenant les étapes suivantes : I. recevoir, en tant que donnée d'entrée, un motif géométrique à transférer sur un substrat par lithographie électronique à faisceau formé ; 10 II. fractionner ledit dessin en motifs élémentaires et utiliser un modèle physique de répartition des électrons pour effectuer une correction géométrique et/ou en dose d'exposition de chaque dit motif élémentaire ; III. appliquer ledit modèle mathématique pour calculer une variation de dimensions de chaque dit motif élémentaire, et modifier lesdits 15 motifs élémentaires pour corriger cette variation ; IV. appliquer à nouveau ledit modèle mathématique pour calculer une nouvelle variation de dimensions de chaque dit motif élémentaire, en prenant compte la correction effectuée lors de l'étape III ; V. calculer, pour chaque dit motif élémentaire, une dose 20 d'exposition corrigée en tenant compte de la variation de dimensions correspondante calculée lors de l'étape IV ; et VI. appliquer les doses d'expositions corrigées calculées lors de l'étape V aux motifs élémentaires tel que modifiés lors de l'étape III. - Ledit modèle mathématique peut exprimer ladite une 25 erreur de dose d'exposition produisant un effet équivalent à une variation de dimensions d'au moins un motif élémentaire de lithographie électronique en fonction de ses dimensions, le procédé comprenant une étape de correction de ladite erreur de dose d'exposition. Encore un autre objet de l'invention est un procédé de 30 transfert d'un dessin sur un substrat par lithographie électronique à faisceau formé, comprenant : 8 - une étape de préparation de données, mise en oeuvre par un procédé tel que défini ci-dessus ; et - une étape de lithographie électronique à faisceau formé utilisant des dimensions et doses d'exposition de motifs élémentaires 5 obtenues par ledit procédé. Encore un autre objet de l'invention est un procédé d'estimation d'un modèle physique de répartition des électrons dans un procédé de lithographie électronique à faisceau formé, comprenant : A. le transfert d'un dessin sur un substrat au moyen dudit 10 procédé de lithographie électronique à faisceau formé, ledit dessin étant composé d'une pluralité de motifs élémentaires ; B. une estimation dudit modèle physique de répartition des électrons par comparaison entre des dimensions simulées et des dimensions mesurées dudit dessin transféré sur le substrat ; 15 C. la mise en oeuvre d'un procédé d'étalonnage tel que défini plus haut pour construire un modèle mathématique exprimant une variation des dimensions desdits motifs élémentaires en fonction desdites dimensions ; et D. le calcul de nouvelles dimensions simulées du dessin 20 transféré sur le substrat par application dudit modèle mathématique ; et les étapes B. à D. étant mises en oeuvre de manière itérative. D'autres caractéristiques, détails et avantages de l'invention ressortiront à la lecture de la description faite en référence aux dessins annexés donnés à titre d'exemple et qui représentent, respectivement : 25 - Les figures 5A, 5B et 5C, des variations dimensionnelles de petits motifs élémentaires de formes différentes ; - Les figures 6A, 6B, 6C, 6D et 6E, le fractionnement en motifs élémentaires de différents motifs d'étalonnage en forme de ligne ; - Les figures 7A, 7B, 7C, 7D et 7E, des graphiques illustrant 30 la dépendance de la dimension critique d'un motif d'étalonnage (ligne) en fonction des dimensions des motifs élémentaires le composant ; 9 - Les figures 8A, 8B et 8C, des organigrammes de différents procédés de préparation de données selon des modes de réalisation de l'invention ; et - La figure 9 un organigramme d'un procédé itératif 5 d'estimation d'un modèle physique de répartition des électrons selon un autre mode de réalisation de l'invention. La partie gauche de la figure 5A montre un motif élémentaire (ou « shot ») « nominal » MEN de forme rectangulaire dont les côtés, respectivement perpendiculaires et parallèles à la direction de référence 10 (« orientation à 00 »), présentent des longueurs Wo et Ho. Le motif réellement transféré sur le substrat, autrement dit l'empreinte du faisceau sur la résine, est désigné par la référence MET et présente des côtés de longueur W0+AW0 et H0+AH0. On suppose que le centre de gravité du motif élémentaire transféré est inchangé par rapport à celui du motif nominal, ce qui est vérifié 15 avec une bonne approximation, mais cette hypothèse simplificatrice peut être relâchée facilement. Les écarts AW0 et AH0 peuvent, en principe, être positifs ou négatifs ; Dans la suite, on considérera uniquement le cas où ces écarts sont positifs, ce qui signifie que le motif élémentaire effectivement transféré est plus grand que le motif nominal correspondant, mais cela n'est pas 20 essentiel. Ce qui est important est que ces écarts dépendent des dimensions nominales Wo et Ho. On peut ainsi écrire : AW0 = AW(Wo, Ho) AH0 = AH(Wo, Ho) On fait l'hypothèse que les fonctions exprimant les écarts dimensionnels en fonction des dimensions nominales dépendent d'un nombre 25 fini de paramètres. Par exemple on peut considérer que les fonctions AW(W, H) et AH(W, H) sont polynomiales de degré N, de sorte que l'on peut écrire : (1) 10 lAW(Wo, Ho) = Xi°,iHoi Woi i=0 j=0 N N-i A1-1(W0, Ho) = MpioW(i) i=0 j=0 où x° et A° sont respectivement les deux matrices (NxN) de coefficients des lois polynomiales de degré N, définissant ce que l'on peut appeler le « modèle des motifs élémentaires » pour le cas d'un rectangle d'orientation 00 . 5 Le cas d'un motif élémentaire rectangulaire orienté à 45° par rapport à la direction de référence (figure 5B) est tout à fait similaire. Le modèle des motifs élémentaires correspondant est défini par deux autres matrices NxN : x45 et A45. La figure 5C se rapporte au cas d'un motif élémentaire en 10 forme de triangle rectangle isocèle, présentant un côté (cathète) de longueur nominale Lo et une longueur réelle Lo+ALo. Un modèle polynomial d'ordre N exprimant la variation dimensionnelle AL° en fonction de la dimension nominale Lo peut donc s'écrire : AL(L0) = el_o FiLio (3) 15 où F est un vecteur de coefficients de dimension N. En fait, il existe quatre orientations possibles pour un motif élémentaire triangulaire (voir la partie inférieure de la figure 2), il faut donc définir quatre de ces vecteurs : 1-4, F2, F3, F4. Ainsi, pour un appareil de lithographie électronique VSB 20 présentant les motifs élémentaires de la figure 2, un modèle polynomial d'ordre N des petits motifs élémentaires comprend 4N2+4N paramètres (4 matrices NxN :x° ,A°, X45, A45 et 4 vecteurs Nxl : Fl,F2,F3,F4). Dans certains cas, il sera possible de simplifier ce modèle, par exemple en prenant Wo = AW(W0) et Allo = A1-1(110), hypothèse qui réduit le nombre de paramètres à 25 8N. N N-i (2) 11 Le choix d'un modèle polynomial n'est pas exclusif. Par ailleurs, différentes machines VSB peuvent présenter des motifs élémentaires différents de ceux de la figure 2, ce qui impacte la structure du modèle. Il est également possible ne pas considérer directement les 5 variations dimensionnelles AW, AH, AL, mais des variations équivalentes AD de la dose D, qui induiraient indirectement ces mêmes variations dimensionnelles. Dans le cas d'un motif élémentaire triangulaire, par exemple, on peut alors écrire : AD(L0) = El% biLio (4) 10 Les paramètres 6i formant un vecteur Ô à N composantes. Le cas des motifs rectangulaires est tout à fait similaire sauf que, comme dans l'équation 2, le modèle comprend N2 paramètres. Dans tous les cas, on aboutit à un modèle exprimant une variation dimensionnelle, ou une variation de dose équivalente, en fonction 15 des dimensions nominales d'un motif élémentaire, de sa forme et d'un nombre fini de paramètres. Se pose donc le problème d'estimer ces paramètres. Pour ce faire, il est nécessaire de transférer sur le substrat des motifs d'étalonnage obtenus à partir de motifs élémentaires de dimensions critiques nominales identiques à l'intérieur d'un même motif 20 d'étalonnage. Dans les modes de réalisation décrits ci-après, les motifs d'étalonnage présentent tous des dimensions critiques nominales identiques, mais cela n'est pas essentiel. On utilise des motifs d'étalonnage différents pour différents motifs élémentaires. 25 Pour des motifs élémentaires rectangulaires avec une orientation « 00 » (cf. figure 5A), les motifs d'étalonnage sont des lignes verticales MCV ou horizontales MCH de largeur (dimension critique) nominale CD°, fractionnées en motifs élémentaires MEN identiques, de dimensions H et W. La largeur nominale CD° de chaque ligne est un multiple entier de la largeur (pour les lignes verticales) ou de la hauteur (pour les lignes verticales) des motifs élémentaires constitutifs ; autrement dit, pour les motifs 12 d'étalonnages MCV : CD0=n-W et pour les motifs d'étalonnage MCH : CD0=n.H, n étant un entier. Le cas d'un motif d'étalonnage constitué par une ligne verticale est représenté sur la figure 6A, celui d'un motif en forme de ligne horizontale sur la figure 6B. 5 En revanche, la hauteur (H) ou la largeur (W) des motifs élémentaires d'une ligne verticale ou horizontale, respectivement, n'a pas de contrainte de quantification spécifique. La largeur et la hauteur maximale des motifs élémentaires sont toutefois limitées par la machine VSB. Il est intéressant de choisir une valeur de CD0 telle que la discrétisation de la 10 largeur ou de la hauteur des motifs élémentaires soit la plus fine possible. Par exemple pour un CD0 de 120 nm, les largeurs entières des motifs élémentaires accessibles sont [120, 60, 40, 30, 24, 20, 15, 12, 10, 8, 6, 5, 4, 3, 2, 1] nm. En pratique, on retiendra les motifs élémentaires dont la largeur est proportionnelle au pas de grille minimal d'un dessin d'entrée de la 15 machine VSB. On remarque que plus la CD0 du motif d'étalonnage est grande, plus le nombre de motifs élémentaires différents possibles répondant aux critères précédents est grand. La figure 6C montre, à titre d'exemple, un motif d'étalonnage en forme de ligne verticale fractionné en motifs élémentaires de hauteur fixe et de largeur W égale à CD0, CD0/2, CD0/3 et 20 CD0/4. Pour les motifs élémentaires en forme de rectangle orienté à 45° on utilise des motifs d'étalonnage MCO en forme de ligne présentant la même orientation. Le cas des motifs élémentaires en forme de triangle est plus 25 complexe. En effet, une ligne droite constituée de triangles rectangles identiques et de même orientation ne serait remplie qu'à moitié (voir la partie gauche de la figure 6E). La dose moyenne serait donc la moitié que dans le cas de motifs élémentaires rectangulaires, ce qui fausserait l'étalonnage. Une solution possible consiste à utiliser des triangles complémentaires, mais cela 30 implique d'étalonner conjointement les modèles des motifs élémentaires distincts. Il est donc préférable de superposer deux sous-motifs constitués de triangles identiques juxtaposés et décalés d'une demi-période, c'est-à-dire 13 d'une longueur L0/2. Cela est illustré sur la figure 6E. Chaque sous-motif constitué de triangles identiques présente un taux de remplissage de 50%, tandis que le motif constitué par leur superposition est de 100%. Il est également possible d'utiliser conjointement les deux approches, comme cela 5 sera expliqué en détail plus loin. D'une manière plus générale, un motif d'étalonnage comprend des lignes dont la direction correspond à une orientation des motifs élémentaires pouvant être produits par l'appareil VSB à étalonner. Une telle ligne peut être constituée uniquement de motifs élémentaires d'un même type 10 (ayant une même forme, une même orientation et des dimensions nominales identiques) ou de motifs élémentaires de même forme et dimensions, mais pouvant avoir des orientations différentes, en particulier opposées. Les motifs d'étalonnage sont d'abord transférés dans la résine, puis leurs dimensions critiques réelles sont mesurées par des 15 méthodes connues, par exemple par microscopie électronique ou microscopie à force atomique. Par exemple, les figures 7A à 7E sont des graphiques des dimensions critiques mesurées, CD,, de motifs d'étalonnage en forme de lignes verticales d'une largeur nominale CD° de 120 nm, fractionnés en motifs élémentaires rectangulaires ayant des hauteurs Ho de 4 nm (fig. 7A), 8 nm 20 (fig. 7B), 10 nm (fig. 7C), 12 nm (fig. 7D) et 15 nm (fig. 7E) et différentes valeurs de largeur Wo comprises entre 4 nm et 120 nm. On remarque que l'utilisation de motifs d'étalonnage de « grandes » dimensions, constitués de plusieurs « petits » motifs élémentaires, amplifie la variation dimensionnelle que l'on cherche à étalonner. Par exemple, dans le cas d'un motif 25 d'étalonnage fracturé en motifs élémentaires carrés de 4 nm x 4 nm, l'erreur de dimension critique ACD=(CD, - CD0) atteint 160 nm -120 nm = 40 nm (soit 30%), alors que la variation de largeur AM d'un motif élémentaire isolé serait sub-nanométrique et difficilement quantifiable. Il ne faut pas croire, cependant, que si CD0=n.W0, alors ACD=n.AW0. La relation entre ACD et AW0(ou AH0, ou 30 AL0) est plus complexe car elle dépend des effets de proximité. 14 L'étape successive du processus d'étalonnage du modèle des petits motifs élémentaires consiste à calculer la dimension critique attendue, ou « théorique », des motifs d'étalonnage. Pour ce faire il faut d'abord calculer le champ de dose, c'est-à-dire la répartition spatiale des électrons ; cela 5 nécessite l'utilisation du modèle physique ; ensuite la dimension critique est obtenue en appliquant le modèle de résine. En principe, le champ de dose D(r) pour un motif d'étalonnage est donné par la somme, sur tous les motifs élémentaires, du produit de convolution entre un motif élémentaire ME; et la fonction d'étalement du point 10 PSF (supposée la même pour tous les motifs élémentaires) : D(Ï) = Do Ei fmE, PSF(IIÉ> - 1->11) (5) où Do est la dose d'exposition de chaque motif élémentaire, É> et i des vecteurs position. Lorsque la PSF est exprimée par une somme de gaussiennes (ce qui est fréquent), sa convolution avec un motif élémentaire 15 rectangulaire peut être calculée analytiquement. Dans les autres cas on a généralement recours à un calcul approché par la méthode des éléments finis, c'est-à-dire en approchant l'intégrale de convolution par une somme discrète sur des sous-éléments de chaque motif élémentaire. Précisément, pour une géométrie rectangulaire, chaque motif 20 élémentaire peut être divisé en sous-éléments virtuels de surface dx.dy. La taille du maillage considéré doit être choisie de telle sorte que la variation de la PSF au sein de chaque cellule du maillage est négligeable. Dans le cas où la largeur ou la hauteur d'un motif élémentaire ne sont pas multiples du pas de grille, les sous-éléments situés aux bordures du motif sont diminuées en 25 conséquence pour ne pas dépasser. La densité de dose s'écrit comme une double somme sur les motifs élémentaires ME; et sur leurs sous-éléments j : (6) où MEii correspond à l'aire du sous-élément j du motif élémentaire i et et le vecteur de positionnement d'un point de ce sous D(i) = Do Ei MEtiPSF(IV 01) 15 élément pris comme origine. Dans le cas d'un motif élémentaire triangulaire, le calcul du champ de dose peut être réalisé numériquement en discrétisant le motif élémentaire en des sous-éléments rectangulaires ou triangulaires dont la taille caractéristique est petite par rapport à la variation de la PSF. 5 Une fois le champ de dose calculé, l'on applique le modèle de la résine. Ce dernier est le plus souvent du type à seuil ; il s'agit alors de déterminer le contour défini par D(i->)=Dseuii, où Dseuil est le seuil d'exposition, au-delà duquel la résine est considérée comme parfaitement insolée. A cause du fractionnement du motif d'étalonnage, ce contour 10 n'est généralement pas droit, mais présente des ondulations ; la dimension critique théorique CDtheo est donc obtenue en calculant la largeur moyenne du motif sur toute la longueur de la ligne (ou, au minimum, sur une longueur beaucoup plus grande que l'échelle des ondulations). Lors du calcul de la dimension critique théorique CDtheo, il ne 15 faut pas se limiter à considérer les motifs élémentaires nominaux, mais leur appliquer les variations dimensionnelles introduites par le modèle des petits motifs élémentaires à étalonner afin de trouver, par une méthode de régression, les valeurs optimales des paramètres de ces modèles - c'est-à-dire celles qui minimisent l'écart entre les dimensions critiques théoriques et 20 mesurées. Plus précisément, le calcul de CDtheo doit être répété pour toutes les dimensions nominales des motifs élémentaires utilisés dans la partie expérimentale du procédé d'étalonnage et, pour chaque dimension ou combinaison de dimensions nominales (par exemple Wo et Ho), en attribuant différentes valeurs aux paramètres du modèle des petits motifs élémentaires. 25 Ainsi, dans le cas de motifs élémentaires rectangulaires, pour chaque paire de dimensions nominales (Wo, Ho) utilisée pour la réalisation de motifs d'étalonnage, il faut explorer l'espace de paramètres (x,A), calculer les variations dimensionnelles AW, AH correspondant à chaque ensemble de paramètres, puis la dimension critique CDtheo correspondante. Le plus 30 souvent, un échantillonnage complet de l'espace de paramètre serait trop coûteux en termes de temps de calcul. Ainsi, de manière préférentielle, l'on utilisera des méthodes classiques, telles que l'algorithme de descente du 16 gradient, pour balayer partiellement et de manière optimale cet espace (dans le cas d'une descente de gradient, par exemple, seuls les paramètres au voisinage d'un chemin de convergence sont pris en compte). Typiquement, on procèdera par minimisation d'une fonction 5 de coût telle qu'une erreur quadratique moyenne. Dans le cas de motifs élémentaires rectangulaires, l'étalonnage consiste alors à trouver les matrices de coefficients x et A qui minimisent : rectangle 1CDtheo (w0 + AINi(Wi° , HP), HP + , HP)) f 2 (7) - CDm(Wi, Hi)1 . où l'indice i désigne un motif élémentaire d'un motif d'étalonnage spécifique. Les lois polynomiales du modèle peuvent être contraintes à 10 partir de considérations physiques ce qui permet un meilleur conditionnement du problème d'optimisation : - Comme cela a été évoqué plus haut, on peut supposer que la variation 4W ne dépend pas de la hauteur H des motifs élémentaires mais de W seulement. Le même raisonnement peut 15 être appliqué à AH qui ne dépend pas de W mais de H seulement. De sorte que : N 1 AW(W0) = XiWol i=0 N AI -I (Ho) = Ail-4 - Le modèle concerne les petits motifs élémentaires. Il existe donc une taille de référence W'f x H'f à partir de laquelle la dimension critique mesurée est intégralement expliqué par le modèle 20 physique. Il est donc possible de considérer que pour une taille Wo > W'f et Ho H'f, les variations AW et AH sont nulles. (8) i=0 17 - Une contrainte supplémentaire revient à imposer la dérivée des lois AW(W0) et AH(H0) à zéro aux tailles de référence Wref et H'f. Pour les motifs triangulaires, il est possible de procéder de manière 5 tout à fait équivalente en utilisant le motif d'étalonnage de la figure 6E. Il est également possible d'étalonner de manière conjointe des paires de motifs complémentaires, par exemple (triangle rectangle isocèle avec angle droit en bas à gauche - triangle rectangle isocèle avec angle droit en haut à droite). Pour ce faire, on réalise deux motifs d'étalonnage du type de la figure 6E pour 10 les deux sortes de triangles, et un motif additionnel utilisant des paires de triangles complémentaires forment des carrés. On obtient ainsi trois fonctions de coût élémentaires que l'on somme, éventuellement de manière pondérée, pour trouver une fonction de coût globale dont la minimisation fournit deux vecteurs de paramètres Fl, F2. On peut opérer de la même façon pour extraire 15 les vecteurs de paramètres F3,F4 associés aux deux autres motifs triangulaires complémentaires. On a considéré ici le cas d'un modèle des motifs élémentaires exprimé en termes de variations dimensionnelles. Dans le cas d'un modèle exprimé en termes de variation de dose (équation (4)), il suffit de remplacer 20 dans les équations (5) ou (6) la valeur de dose Do par celle fournie par le modèle des motifs élémentaires et exprimée en fonction des paramètres à déterminer. La figure 8A illustre, de manière très générale, un procédé de préparation de données selon un mode de réalisation de l'invention. Ce 25 procédé est mis en oeuvre par ordinateur. Les données fournies en entrée définissent le dessin à transférer, qui correspond par exemple à un masque de photolithographie pour la réalisation d'un circuit intégré. Comme cela a été expliqué plus haut, si on utilisait directement ce dessin « nominal » pour commander la machine VSB on n'obtiendrait pas le résultat escompté à cause 30 d'une part des effets de proximité et d'autre part, dans certains cas, des effets liés au fractionnement en petits motifs élémentaires. Il est donc nécessaire d'appliquer des corrections géométriques et en dose d'exposition pour obtenir 18 un dessin corrigé. Ce dessin corrigé diffère du dessin nominal mais il est tel que, lorsqu'il est utilisé pour commander la machine VSB, il aboutit au transfert sur le substrat d'un dessin « réel » qui constitue une bonne approximation (idéalement, la meilleure possible) du dessin nominal fourni en 5 entrée. Ces corrections sont calculées en appliquant un modèle physique pour corriger les effets de proximité (ce qui est conventionnel) et un modèle des petits motifs élémentaires (ce qui constitue un apport de la présente invention). Lorsque le modèle des petits motifs élémentaires est exprimé 10 en termes de variation de dose (équation (4)), il fournit directement une correction de dose qui doit être prise en compte lors de l'application du modèle physique. Plus précisément, pour chaque motif élémentaire, la dose réellement appliquée via le modele des petits motifs élémentaires est de Do + AD, AD étant fonction des paramètres géométriques. Pour corriger cet effet il 15 suffit donc d'assigner à chaque motif élémentaire la dose Do - AD. Le cas d'un modèle des petits motifs élémentaires exprimé en termes de variations dimensionnelles (équations (2) et (3)) est plus complexe. Deux modes de réalisation seront décrits en référence aux figures 8B et 8C. Dans le mode de la réalisation de la figure 8B : 20 - Un fichier informatique décrivant le dessin (« layout ») à transférer sur substrat est fourni comme donnée d'entrée (étape i). - Les motifs constituant ce dessin sont fracturés en motifs élémentaires ayant des dimensions nominales prédéfinies, et le modèle physique est utilisé, de manière tout à fait conventionnelle, pour effectuer une 25 première correction géométrique et en dose (étape ii). Cette correction conduit à un dessin corrigé constitué par un ensemble de motifs à exposer dont les dimensions diffèrent de celles des motifs « nominaux » fournis en entrée, et à une répartition de dose {Do} associée à chaque motif élémentaire. - On applique ensuite le modèle des motifs élémentaires, 30 de manière à déterminer la géométrie des motifs qui sont réellement exposés (étape iii). 19 - Les modifications géométriques affectent la répartition de dose d'une manière qui peut être calculée (étape iv). La dose D1 « réelle » d'un motif élémentaire peut être reliée à la dose initiale Do par la loi de conservation de l'énergie : D1 = D0(S0/S1), où S0/S1 correspond au rapport 5 des surfaces entre un motif élémentaire initial (tenant compte uniquement des corrections destinées à compenser les effets de proximité) et le même motif tel que modifié au cours de l'étape iii. Cette loi de conservation de l'énergie est naturelle pour garder les effets de proximité à longue portée inchangés. En effet, le champ de dose 10 loin du motif élémentaire d'intérêt est le même dans le cas d'un changement de géométrie ou de dose respectant l'équation de conservation de l'énergie. Par contre, pour des structures petites par rapport à la variation spatiale de la PSF, par exemple de type contact, une simple application de la loi de conservation d'énergie ne fournit pas des résultats satisfaisants. Il faut donc 15 avoir recours à une correction globale tenant compte des motifs élémentaires avoisinants. Cette correction globale de la dose des motifs élémentaires peut être réalisée à l'étape iv). Elle peut utiliser un algorithme semblable à celui mis en oeuvre dans l'étape ii), mais ne modifiant que la dose et laissant la géométrie inchangée. 20 - La dernière étape (v) consiste à appliquer la dose D1 aux motifs élémentaires « à exposer », déterminés lors de l'étape ii. Formellement, cela consiste à effectuer une transformation géométrique inverse à celle appliquée lors de l'étape iii, mais en pratique il n'est pas nécessaire de calculer cette transformation car la géométrie d'arrivée est déjà connue. 25 Le procédé de la figure 8C se différencie de celui de la figure 8B en ce qu'il comprend une étape (référence III sur la figure) de pré-compensation des effets des petits motifs élémentaires. Dans ce procédé : - Un fichier informatique décrivant le dessin à transférer sur substrat, est fourni comme donnée d'entrée (étape I, équivalente à l'étape i du 30 procédé de la figure 8B). - Le dessin à transférer est fracturé en motifs élémentaires et le modèle physique est utilisé, de manière tout à fait conventionnelle, pour 20 effectuer une première correction géométrique et en dose (étape II, équivalent à l'étape ii du procédé de la figure 8B). Cette correction conduit à un dessin constitué par un ensemble de motifs élémentaires dont les dimensions diffèrent de celles des motifs « nominaux » fournis en entrée, et à une 5 répartition de dose {Do} associée à chaque motif élémentaire. Ces motifs élémentaires, cependant, ne sont pas ceux qui seront effectivement utilisés pour effectuer la lithographie ; on peut les qualifier de motifs élémentaires « provisoires ». - Le modèle des motifs élémentaires est utilisé pour 10 calculer et appliquer une correction des motifs élémentaires provisoires, de manière à obtenir les motifs à exposer (étape III). Typiquement, si un motif élémentaire « provisoire » présente une dimension Ho on prendra un motif élémentaire corrigé (« à transférer ») de dimension 1-10-AF10, de telle sorte que la dimension du motif réellement transféré au substrat donnée par le modèle 15 des motifs élémentaires sera de Ho. En pratique, la dimension I-10-AH0 du motif élémentaire corrigé est arrondie au plus proche multiple du pas de grille minimal d'un dessin d'entrée de la machine VSB. - On applique ensuite le modèle des motifs élémentaires, de manière à déterminer la géométrie des motifs qui sont réellement exposés 20 (étape IV, équivalente à l'étape iii du procédé de la figure 8B, sauf que les motifs élémentaires utilisés sont pré-corrigés). - A ce point, la dose D1 réelle est calculée comme dans l'étape iv du procédé de la figure 8B (IV), - Puis cette dose D1 est appliquée aux motifs déterminés 25 lors de l'étape III (VI). Dans une machine VSB, les données d'entrée peuvent être re-fracturées au niveau des bordures des zones de champs de la machine. Dans le flot standard de préparation des données, s'appuyant sur un seul modèle PSF, cette étape de post-fracturation n'altère pas la correction. En 30 revanche, dans le cas du modèle des petits motifs élémentaires, la post-fracturation des motifs élémentaires peut conduire à des erreurs de correction. Il est donc préférable de prendre en compte cette « fracturation machine ». 21 Cela peut être fait en introduisant une correction « en avance de phase », intégrée à l'étape ii) du procédé de la figure 8B ou à l'étape III) du procédé de la figure 8C. Le procédé de préparation de données de la figure 8A (dont 5 les figures 8B et 8C constituent des modes de réalisation particuliers) nécessite la prise en compte d'un modèle physique de répartition des électrons, exprimé par une fonction d'étalement du point PSF. D'une manière connue en soi, la PSF est déterminée par étalonnage à partir de motifs réalisés par lithographie VSB. Or ces motifs, surtout lorsqu'ils sont de petite 10 taille, peuvent être affectés par les variations dimensionnelles discutées plus haut. A présent, cela n'est pas pris en compte. Ainsi, les effets des petits motifs élémentaires induisent des erreurs dans l'estimation de la PSF. A leur tour, ces erreurs affectent la précision de l'étalonnage des paramètres du modèle des motifs élémentaires. En conclusion, les deux modèles utilisés 15 pour calculer les corrections géométriques et de dose selon un procédé du type illustré par la figure 8A sont affectés par des erreurs. Cela a tendance à augmenter l'écart entre le motif effectivement transféré sur le substrat et le motif « nominal », ou « cible ». Pour pallier cet inconvénient, l'invention propose de procéder 20 à une estimation itérative de la PSF, comme illustré par la figure 9. Premièrement, la PSF est estimée de manière conventionnelle, en comparant la simulation d'un premier dessin « nominal » d'étalonnage (dessin 1) avec des mesures obtenues sur le dessin effectivement transféré sur un substrat. La PSF ainsi obtenue est utilisée pour 25 effectuer un étalonnage du modèle des motifs élémentaires comme cela a été décrit en détail plus haut, à partir d'un deuxième dessin d'étalonnage (dessin 2). Le modèle des motifs élémentaires ainsi obtenu est appliqué au premier dessin d'étalonnage. Le premier dessin d'étalonnage modifié par la prise en compte des effets des petits motifs élémentaires est utilisé pour calculer une 30 nouvelle estimation de la PSF, et ainsi de suite jusqu'à la convergence. 22 Une fois la préparation de données achevée, le transfert du motif sur le substrat se fait de manière conventionnelle, en utilisant les géométries et les doses calculées conformément à l'invention. REVENDICATIONS1. Procédé d'étalonnage de motifs élémentaires en lithographie électronique à faisceau formé comprenant les étapes suivantes : a. réaliser, par lithographie électronique à faisceau formé, au moins un motif d'étalonnage (MCO, MCH, MCV) comprenant des figures géométriques ayant chacune une dimension critique nominale (CD0), fractionnées en motifs élémentaires (ME) de dimensions plus petites que chaque dite dimension critique nominale, les motifs élémentaires de chaque figure géométrique présentant des dimensions identiques et ceux de figures géométriques distinctes présentant des dimensions différentes ; b. mesurer la dimension critique réelle (CD,,) de chaque dite figure géométrique ; et c. appliquer une méthode de régression à partir des dimensions 15 critiques réelles ainsi déterminées pour construire un modèle mathématique exprimant : - soit une variation de dimensions (AH, AW, AL) desdits motifs élémentaires, - soit une erreur de dose d'exposition desdits motifs élémentaires 20 produisant un effet équivalent à ladite variation de dimensions, en fonction des dimensions (Ho, Wo, Lo) des motifs élémentaires. 2. Procédé selon la revendication 1 dans lequel ladite étape c. comprend les sous-étapes suivantes : 25 cl. déterminer une expression de ladite variation de dimensions desdits motifs élémentaires ou de ladite erreur de dose en fonction des dimensions des motifs élémentaires et d'une pluralité de paramètres à évaluer ; c2. Calculer les valeurs desdits paramètres à évaluer par minimisation d'une fonction représentative d'un écart moyen entre les dimensions 30 mesurées lors de l'étape b et celles calculées à l'aide de l'expression déterminée lors de la sous-étape cl. 24 3. Procédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel les figures géométriques d'un même motif d'étalonnage sont des lignes droites parallèles entre elles. 5 4. Procédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel lesdits motifs élémentaires sont choisis parmi des motifs rectangulaires et des motifs triangulaires. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2 dans lequel 10 lesdits motifs élémentaires sont en forme de triangle rectangle isocèle, et dans lequel les figures géométriques d'un même motif d'étalonnage sont de lignes droites parallèles entre elles et à un cathète desdits motifs élémentaires. 6. Procédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel 15 chaque dite forme géométrique est fractionnée en motifs élémentaires identiques, juxtaposés sans recouvrement. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2 dans lequel lesdits motifs élémentaires sont en forme de triangle rectangle isocèle, lesdites 20 figures géométriques sont de lignes droites parallèles entre elles et à un côté des motifs élémentaires correspondants, et ledit motif d'étalonnage comprend : des lignes formées de deux sous-ensembles de motifs élémentaires identiques en forme de triangle rectangle isocèle juxtaposés sans recouvrement, lesdits sous-ensembles étant superposés avec un décalage spatial ; 25 et des lignes formées de motifs élémentaires en forme de triangle rectangle isocèle présentant des orientations complémentaires, juxtaposées sans recouvrement. 30 8. Procédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel ledit modèle mathématique est un modèle polynomial. 9. Procédé de préparation de données pour lithographie électronique à faisceau formé comprenant une étape de correction d'une variation de 25 dimensions d'au moins un motif élémentaire d'un dessin à transférer sur un substrat par lithographie électronique à faisceau formé, ladite étape étant mise en oeuvre par 'l'utilisation d'un modèle mathématique exprimant ladite variation, ou une erreur de dose d'exposition produisant un effet équivalent à ladite variation, en fonction des 5 dimensions dudit motif élémentaire, ledit modèle mathématique étant obtenu au moyen d'un procédé d'étalonnage selon l'une des revendications 1 à 8. 10. Procédé de préparation de données pour lithographie électronique à faisceau formé selon la revendication 9 comprenant une étape 10 préalable de détermination dudit modèle mathématique au moyen d'un procédé d'étalonnage selon l'une des revendications 1 à 8. 11. Procédé de préparation de données pour lithographie électronique à faisceau formé selon l'une des revendications 9 ou 10 dans lequel ledit modèle mathématique exprime ladite variation de dimensions d'au moins un motif élémentaire en fonction de ses dimensions, le procédé comprenant les étapes suivantes : i. recevoir, en tant que donnée d'entrée, un dessin à transférer sur un substrat par lithographie électronique à faisceau formé ; ii. fractionner ledit dessin en motifs élémentaires et utiliser un modèle physique de répartition des électrons pour effectuer une correction géométrique et/ou en dose d'exposition de chaque dit motif élémentaire ; iii. appliquer ledit modèle mathématique pour calculer une variation de dimensions de chaque dit motif élémentaire ; iv. calculer, pour chaque dit motif élémentaire, une dose d'exposition corrigée en tenant compte de la variation de dimensions correspondante ; et v. appliquer les doses d'expositions corrigées calculées lors de l'étape iv aux motifs élémentaires corrigés, tels que déterminés à l'issue de l'étape ii. 12. Procédé de préparation de données pour lithographie électronique à faisceau formé selon l'une des revendications 9 ou 10 dans lequel ledit modèle mathématique exprime ladite variation de dimensions d'au moins un 26 motif lémentaire en fonction de ses dimensions, le procédé comprenant les étapes suivantes : I. recevoir, en tant que donnée d'entrée, un motif géométrique à transférer sur un substrat par lithographie électronique à faisceau formé ; 5 Il. fractionner ledit dessin en motifs élémentaires et utiliser un modèle physique de répartition des électrons pour effectuer une correction géométrique et/ou en dose d'exposition de chaque dit motif élémentaire ; III. appliquer ledit modèle mathématique pour calculer une variation de dimensions de chaque dit motif élémentaire, et modifier lesdits motifs 10 élémentaires pour corriger cette variation ; IV. appliquer à nouveau ledit modèle mathématique pour calculer une nouvelle variation de dimensions de chaque dit motif élémentaire, en prenant compte la correction effectuée lors de l'étape III ; V. calculer, pour chaque dit motif élémentaire, une dose 15 d'exposition corrigée en tenant compte de la variation de dimensions correspondante calculée lors de l'étape IV; et VI. appliquer les doses d'expositions corrigées calculées lors de l'étape V aux motifs élémentaires tel que modifiés lors de l'étape III. 20 13. Procédé de préparation de données pour lithographie électronique à faisceau formé selon l'une des revendications 9 ou 10 dans lequel ledit modèle mathématique exprime une erreur de dose d'exposition produisant un effet équivalent à une variation de dimensions d'au moins un motif élémentaire de lithographie électronique en fonction de ses dimensions, le procédé comprenant une 25 étape de correction de ladite erreur de dose d'exposition. 14. Procédé de transfert d'un dessin sur un substrat par lithographie électronique à faisceau formé, comprenant : - une étape de préparation de données, mise en oeuvre par un 30 procédé selon l'une des revendications 9 à 13; et - une étape de lithographie électronique à faisceau formé utilisant des dimensions et doses d'exposition de motifs élémentaires obtenues par ledit procédé. 27 15. Procédé d'estimation d'un modèle physique de répartition des électrons dans un procédé de lithographie électronique à faisceau formé, comprenant : A. le transfert d'un dessin sur un substrat au moyen dudit 5 procédé de lithographie électronique à faisceau formé, ledit dessin étant composé d'une pluralité de motifs élémentaires ; B. une estimation dudit modèle physique de répartition des électrons par comparaison entre des dimensions simulées et des dimensions mesurées dudit dessin transféré sur le substrat ; 10 C. la mise en oeuvre d'un procédé d'étalonnage selon la revendication 2 pour construire un modèle mathématique exprimant une variation des dimensions desdits motifs élémentaires en fonction desdites dimensions ; et D. le calcul de nouvelles dimensions simulées du dessin transféré sur le substrat par application dudit modèle mathématique ; et les étapes B. à D. 15 étant mises en oeuvre de manière itérative.