Brevet FR3064083A1 — publié le 20180921

B15606 - DD17641JB 1 FILTRE INTERFERENTIEL Domaine La présente demande concerne un filtre interférentiel, notamment pour un capteur d'images, et un procédé de fabrication d'un tel filtre interférentiel. Exposé de l'art antérieur Il est connu de réaliser des matrices de filtres interférentiels, en particulier pour les capteurs d'images, également appelés imageurs, dans le domaine du visible, de 1' infra-rouge (notamment de 650 nia à 1050 nm) et/ou de l'ultraviolet, qui nécessitent de séparer plusieurs plages de fréquence. Une telle matrice de filtres est également appelée filtre pixellisé, un pixel de filtre, ou filtre élémentaire, correspondant au plus petit élément du filtre ayant les mêmes propriétés de filtrage. Un exemple d'application d'un filtre pixélisé correspond à un capteur d'images couleur. Le filtre pixélisé peut alors comprendre des premiers pixels de filtre laissant passer la lumière rouge, des deuxièmes pixels de filtre laissant passer la lumière verte et des troisièmes pixels du filtre laissant passer la lumière bleue. Les pixels du filtre peuvent alors avoir sensiblement les mêmes dimensions latérales que les sites de photodétection du capteur. 3064083 B15606 - DD17641JB 2 Un autre exemple d'application d'un filtre pixélisé correspond à un capteur d'images à compensation du décalage spectral sous incidence spatialement variable. En effet, le rayonnement qui atteint le capteur peut avoir une incidence, par 5 rapport à la face exposée du capteur, qui augmente au fur et à mesure que l'on s'éloigne du centre de cette face. Le filtre pixélisé peut alors comprendre différents pixels de filtre recevant le rayonnement à des incidences différentes, les réponses spectrales de chaque pixel de filtre étant sensiblement identiques 10 quelle que soit l'incidence. Un filtre interférentiel est réalisé par un empilement de plusieurs couches. A titre d'exemple, un filtre interférentiel peut comprendre un empilement de couches semi-réfléchissantes métalliques séparées par des couches diélectriques et/ou une 15 alternance de couches diélectriques ayant des indices de réfraction différents, également appelés indices optiques par la suite. Les épaisseurs des couches du filtre dépendent des propriétés de filtrage souhaitées. La réalisation d'un filtre pixélisé requiert la 20 réalisation de couches diélectriques ayant des épaisseurs différentes selon le pixel de filtre considéré. Le procédé de fabrication du filtre pixélisé comprend alors généralement le dépôt d'une couche diélectrique sur l'ensemble de la structure et la gravure de la couche diélectrique pour ne conserver la couche diélectrique que sur certains pixels de filtre. La couche diélectrique ou métallique suivante est alors déposée sur une surface présentant des reliefs ou marches, ce qui entraîne un report de ce relief de couche en couche jusqu'au sommet de l'empilement. De façon générale, les dépôts de couches sont au moins partiellement conformes, c'est-à-dire que la couche se dépose non seulement sur les surfaces horizontales dans le plan des couches, mais également sur les flancs des couches précédemment gravées. Il se forme ainsi un espaceur latéral, ou zone de transition, à chaque dépôt successif dès qu'un relief est présent. La dimension 3064083 B15606 - DD17641JB 3 latérale de la zone de transition entre deux pixels de filtre adjacents augmente donc au fur et à mesure des dépôts, entre le relief initial et le haut de l'empilement. Un inconvénient est que si une partie de la lumière 5 parvient sur les espaceurs, cela entraîne une perte de signal par diffusion et/ou une distorsion des réponses spectrales des pixels de filtre. Ces pertes peuvent devenir importantes lorsque la largeur des espaceurs n'est pas négligeable par rapport à la dimension latérale, ou taille, du pixel de filtre. Ceci peut 10 notamment se produire dans le cas de petits pixels de filtre, dont la dimension latérale est inférieure à 2 pin, même lorsque les couches du filtre interférentiel ont une épaisseur de quelques centaines de nanométres. Ceci peut également se produire pour des pixels de filtre plus gros, dont la dimension latérale est 15 supérieure à 2 pin, avec des couches du filtre interférentiel de quelques micromètres. Le document US8933389B2 décrit un filtre optique comprenant des plots de dimensions nanométriques réalisés dans un premier matériau diélectrique et noyés dans une couche d'un 20 deuxième matériau diélectrique ayant un indice de réfraction différent, l'espace entre les plots et les dimensions latérales des plots étant ajustés en fonction du filtrage souhaité. Un inconvénient d'un tel filtre est que l'écart entre les plots doit être nettement inférieur à la longueur d'onde du rayonnement 25 filtré. La fabrication des plots requiert alors des procédés de lithographie à haute résolution, par exemple des procédés de lithographie par immersion ou des procédés de lithographie électronique. Toutefois, les procédés de lithographie par immersion ne sont généralement utilisés à une échelle industrielle 30 que pour les premières étapes de fabrication d'un circuit intégré, notamment pour la fabrication de transistors MOS. En outre, les procédés de lithographie électronique ont généralement des vitesses d'écriture trop faibles pour une application à une échelle industrielle. 3064083 B15606 - DD17641JB 4 Résumé Un objet d'un mode de réalisation est de pallier tout ou partie des inconvénients des filtres interférentiels et de leurs procédés de fabrication décrits précédemment. 5 Un autre objet d'un mode de réalisation est que le filtre interférentiel peut être fabriqué avec des équipements standards de lithographie optique. Un autre objet d'un mode de réalisation est que les dimensions latérales des espaceurs du filtre interférentiel sont 10 réduites. Ainsi, un mode de réalisation prévoit un filtre interférentiel comprenant : une première couche d'interface plane, métallique ou comprenant un empilement d'au moins deux couches diélectriques 15 avec une différence d'indices de réfraction supérieure ou égale à 0,5 ; une première portion diélectrique d'un premier matériau diélectrique ou de premiers matériaux diélectriques, la première portion diélectrique ayant une première épaisseur et reposant sur 20 la première couche d'interface à un premier emplacement ; une deuxième portion diélectrique du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques, la deuxième portion diélectrique reposant sur la première couche d'interface à un deuxième emplacement, la deuxième portion diélectrique ayant 25 une deuxième épaisseur supérieure à la première épaisseur ; une troisième portion diélectrique d'un deuxième matériau diélectrique, l'indice de réfraction du deuxième matériau optique à une longueur d'onde de fonctionnement du filtre étant inférieure à l'indice de réfraction du premier matériau ou des 30 premiers matériaux à ladite longueur d'onde, la troisième portion diélectrique ayant une troisième épaisseur et reposant sur la première portion diélectrique, la somme de la première épaisseur et de la troisième épaisseur étant égale à la deuxième épaisseur ; et 3064083 B15606 - DD17641JB 5 une deuxième couche d'interface plane, métallique ou comprenant un empilement d'au moins deux couches diélectriques avec une différence d'indices de réfraction supérieure ou égale à 0,5, reposant sur les deuxième et troisième portions diélectriques 5 au contact des deuxième et troisième portions diélectriques. Selon un mode de réalisation, le filtre interférentiel comprend, en outre, une quatrième portion diélectrique du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques, la quatrième portion diélectrique reposant sur la première couche 10 d'interface à un troisième emplacement, la quatrième portion diélectrique ayant une quatrième épaisseur entre la première épaisseur et la deuxième épaisseur. Selon un mode de réalisation, le filtre interférentiel comprend, en outre, une cinquième portion diélectrique du deuxième 15 matériau diélectrique, la cinquième portion diélectrique ayant une cinquième épaisseur et reposant sur la quatrième portion diélectrique, la somme de la quatrième épaisseur et de la cinquième épaisseur étant égale à la deuxième épaisseur. Selon un mode de réalisation, le filtre interférentiel 20 comprend, en outre, une sixième portion diélectrique du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques, la sixième portion diélectrique reposant sur la première couche d'interface à un quatrième emplacement, la sixième portion diélectrique ayant une sixième épaisseur entre la quatrième 25 épaisseur et la deuxième épaisseur. Selon un mode de réalisation, le filtre interférentiel comprend, en outre, une septième portion diélectrique du deuxième matériau diélectrique, la septième portion diélectrique ayant une septième épaisseur et reposant sur la sixième portion 30 diélectrique, la somme de la sixième épaisseur et de la septième épaisseur étant égale à la deuxième épaisseur. Selon un mode de réalisation, le premier matériau diélectrique ou les premiers matériaux diélectriques sont choisis parmi le groupe comprenant le nitrure de silicium, le silicium 35 amorphe, l'oxyde d'hafnium, l'oxyde d'aluminium, un film à base 3064083 B15606 - DD17641JB 6 d'aluminium, d'oxygène et d'azote, un film à base de silicium, d'oxygène, de carbone et d'azote, le nitrure de silicium, l'oxyde de niobium, l'oxyde de tantale, l'oxyde de titane, le silicium amorphe hydrogéné et les mélanges d'au moins deux de ces composés. 5 Selon un mode de réalisation, le deuxième matériau diélectrique est choisi parmi le groupe comprenant le dioxyde de silicium, le fluorure de magnésium, l'oxyde de silicium, l'oxynitrure de silicium, l'oxyde d'hafnium, l'oxyde d'aluminium, un film à base d'aluminium, d'oxygène et d'azote, un film à base 10 de silicium, d'oxygène, de carbone et d'azote, le nitrure de silicium et les mélanges d'au moins deux de ces composés. Un mode de réalisation prévoit également un capteur d'images comprenant le filtre interférentiel tel que défini précédemment et le filtre interférentiel comprend un premier 15 filtre élémentaire comprenant la première portion et la troisième portion et un deuxième filtre élémentaire comprenant la deuxième portion. Selon un mode de réalisation, le capteur est un capteur d'images couleur, le premier filtre élémentaire est un filtre 20 passe-bande centré sur une première longueur d'onde et le deuxième filtre élémentaire est un filtre passe-bande centré sur une deuxième longueur d'onde. Selon un mode de réalisation, le capteur est un capteur d'images couleur, le premier filtre élémentaire est un filtre 25 passe-bande centré sur une troisième longueur d'onde pour un rayonnement à une première incidence par rapport au filtre interférentiel et le deuxième filtre élémentaire est un filtre passe-bande centré sur la troisième longueur d'onde à 1 % près pour le rayonnement à une deuxième incidence par rapport au filtre 30 interférentiel. Un mode de réalisation prévoit également un procédé de fabrication d'un filtre interférentiel tel que défini précédemment, comprenant les étapes successives suivantes : 3064083 B15606 - DD17641JB 7 a) dépôt d'une première couche diélectrique du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques sur la première couche d'interface ; b) gravure de la première couche diélectrique pour 5 retirer la première couche diélectrique au premier emplacement et conserver la première couche au deuxième emplacement ; c) dépôt d'une deuxième couche du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques sur la première couche d'interface au première emplacement et sur la 10 première couche diélectrique au deuxième emplacement ; et d) formation de la troisième portion sur la deuxième couche au premier emplacement. Selon un mode de réalisation, l'étape d) comprend les étapes suivantes : 15 dépôt d'une troisième couche diélectrique du deuxième matériau diélectrique sur la deuxième couche ; et gravure de la troisième couche diélectrique jusqu'à atteindre la deuxième couche diélectrique au deuxième emplacement. Selon un mode de réalisation, la gravure de la troisième 20 couche diélectrique comprend une étape de polissage mécano-chimique. Brève description des dessins Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de 25 réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : les figures 1 et 2 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de modes de réalisation d'un filtre interférentiel ; 30 les figures aA à 3G sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de structures obtenues à des étapes successives du mode de réalisation d'un procédé de fabrication du filtre interférentiel de la figure 1 ; 3064083 B15606 - DD17641JB 8 les figures 4 à 7 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de modes de réalisation d'un capteur d'images comprenant un filtre interférentiel ; la figure 8 est une vue en coupe, partielle et 5 schématique, d'un mode de réalisation d'un filtre interférentiel pour un capteur d'images couleur et infra-rouge ; la figure 9 représente des courbes de transmission de pixels de filtre du filtre de la figure 8 ; les figures 10 et 11 sont des figures analogues aux 10 figures 8 et 9 d'un exemple de comparaison d'un filtre interférentiel pour un capteur d'images couleur et infra-rouge ; la figure 12 représente des courbes de transmission de quatre pixels d'un autre mode de réalisation d'un filtre pour un capteur d'images couleur et infra-rouge ; 15 la figure 13 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un filtre interférentiel pour un capteur infra-rouge à compensation d'inclinaison ; la figure 14 représente des courbes de transmission de pixels de filtre du filtre de la figure 13 ; et 20 les figures 15 et 16 sont des figures analogues aux figures 12 et 13 d'un exemple de comparaison d'un filtre interférentiel pour un capteur infra-rouge à compensation d'inclinaison. Description détaillée 25 Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, comme cela est habituel dans la représentation des circuits électroniques, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. En outre, seuls les éléments utiles à la compréhension 30 de la présente description ont été représentés et sont décrits. En particulier, les moyens de traitement des signaux fournis par les capteurs décrits ci-après sont à la portée de l'homme de l'art et ne sont pas décrits. Dans la suite de la description, sauf indication contraire, les termes "sensiblement", "environ" et "de 35 l'ordre de" signifient "à 10 % près". En outre, dans la suite de 3064083 B15606 - DD17641JB 9 la description, on appelle taille ou dimension latérale d'un élément d'un capteur, la dimension maximale de cet élément dans un plan perpendiculaire à la direction d'empilement des couches formant le capteur. 5 Dans la suite de la description, l'indice de réfraction du matériau signifie l'indice de réfraction du matériau sur la plage de fonctionnement du filtre interférentiel en considérant que l'indice de réfraction du matériau est sensiblement constant sur la plage de longueurs d'ondes de fonctionnement du filtre 10 interférentiel ou l'indice de réfraction moyen du matériau sur la plage de fonctionnement du filtre interférentiel dans le cas où l'indice de réfraction du matériau varie sur la plage de longueurs d'ondes de fonctionnement du filtre interférentiel. La figure 1 représente un mode de réalisation d'un 15 circuit optoélectronique 1 comprenant un filtre interférentiel 5 reposant sur un support 10. Le support 10 peut correspondre à un capteur d'images comprenant, par exemple, deux photodétecteurs PH' et PH2. Dans le présent mode de réalisation, le filtre 5 comprend deux pixels de filtre F1 et F2, le pixel de filtre F1 20 recouvrant le photodétecteur PH' et le pixel de filtre F2 recouvrant le photodétecteur PH2. En outre, dans le présent mode de réalisation, le filtre 5 comprend un niveau de filtrage N1. Le niveau de filtrage N1 comprend du bas vers le haut en figure 1 : une première couche d'interface CI' ; 25 des portions P1 et P2 d'un premier matériau diélectrique ayant un indice de réfraction haut nH reposant sur la couche d'interface CII, de préférence au contact de la couche d'interface CI', la portion P1 ayant une épaisseur el et étant située au niveau du pixel de filtre F1 et la portion P2 ayant une épaisseur 30 e2, supérieure strictement à l'épaisseur el, et étant située au niveau du pixel de filtre F2, la portion P2 délimitant une surface S2 sensiblement plane, opposée à la couche d'interface CI' ; une portion P'1 d'épaisseur e'l d'un deuxième matériau diélectrique ayant un indice de réfraction bas nB, inférieur 35 strictement à l'indice de réfraction nH, reposant sur la portion 3064083 B15606 - DD17641JB 10 Pl, de préférence en contact avec la portion Pl, et délimitant une surface S1 sensiblement plane, opposée à la couche réfléchissante CI' sensiblement coplanaire avec la surface S2 ; et 5 une deuxième couche d'interface Cl2 reposant sur les portions P'1 et P2, de préférence au contact des portions P'1 et P2- Le premier matériau diélectrique est, en outre, de préférence transparent, c'est-à-dire avec un coefficient 10 d'extinction inférieure à 5.10-3, dans la plage de fonctionnement des pixels de filtre F1 et F2. Le deuxième matériau diélectrique est, en outre, de préférence transparent, c'est-à-dire avec un coefficient d'extinction inférieure à 5.10-3, dans la plage de fonctionnement des pixels de filtre F1 et F2. 15 Chaque couche d'interface CI' et Cl2 peut correspondre à une couche unique (en un matériau diélectrique ou métallique), ou à un empilement de deux couches ou de plus de deux couches (en matériaux diélectriques). L'ensemble comprenant l'empilement de la partie de la 20 couche d'interface CI' sous la portion P1 du premier matériau diélectrique, de la portion P1 du premier matériau diélectrique, de la portion P'1 du deuxième matériau diélectrique et de la partie de la couche d'interface Cl2 sur la portion P'1 du deuxième matériau diélectrique forme le pixel de filtre Fl. L'ensemble 25 comprenant l'empilement de la partie de la couche d'interface CI' sous la portion P2 du premier matériau diélectrique, de la portion P2 du premier matériau diélectrique, et de la partie de la couche d'interface Cl2 reposant sur la portion P2 du deuxième matériau diélectrique forme le pixel de filtre F2. 30 Le filtre 5 reçoit un rayonnement incident Rin. Le filtre 5 fournit au support 10 un premier rayonnement R01 au photodétecteur PH' qui correspond à la partie du rayonnement incident Rin filtrée par le pixel de filtre Fl. Le filtre 5 fournit au support 10 un deuxième rayonnement R02 au photodétecteur PH2 3064083 B15606 - DD17641JB 11 qui correspond à la partie du rayonnement incident Rin filtrée par le pixel de filtre F2. La figure 2 représente un autre mode de réalisation d'un circuit optoélectronique 15 comprenant un filtre interférentiel 5 20 qui correspond à une généralisation du filtre interférentiel 5 à plus de deux pixels de filtre. Dans le présent mode de réalisation, le niveau de filtrage Ni comprend N pixels de filtre Fi à FN, où N est un nombre entier variant de 2 à 20. Chaque pixel de filtre Fi, i variant de 1 à N-1, comprend 10 un empilement, pris en sandwich entre les couches d'interface CIi et Cl2, d'une portion Pi d'épaisseur ei du premier matériau diélectrique recouverte d'une portion P'i d'épaisseur e'i du deuxième matériau diélectrique, la portion P'i délimitant une surface Si en contact avec la couche d'interface Cl2. Le pixel de 15 filtre FN comprend seulement une portion PN du premier matériau diélectrique prise en sandwich entre les couches d'interface CIi et Cl2, la portion PN délimitant une surface SN en contact avec la couche d'interface Cl2. Pour i variant de 1 à N-2, l'épaisseur ei+1 est supérieure strictement à l'épaisseur ei et l'épaisseur 20 e'i+i est inférieure strictement à l'épaisseur e'i. Pour i variant de 1 à N-1, la somme des épaisseurs ei et e'i est également à l'épaisseur eN. De ce fait, les surfaces Si à SN sont sensiblement coplanaires. Selon un mode de réalisation, chaque portion Pi est 25 formée par l'empilement de Ci à Ci couches du premier matériau diélectrique. Selon un mode de réalisation, la couche Ci s'étend sur tous les pixels de filtre Fi à FN et la couche CN s'étend seulement sur le pixel de filtre FN. La couche Ci s'étend sur les pixels de filtre Fi à FN et ne s'étend pas sur les pixels de 30 filtre Fi à FN_i. A titre de variante, les couches Ci à Ci peuvent ne pas être toutes dans le même premier matériau diélectrique. Elles sont toutefois toutes en un matériau diélectrique dont l'indice de réfraction est supérieur strictement à l'indice de réfraction nB. 3064083 B15606 - DD17641JB 12 Dans les modes de réalisation décrits précédemment, le filtre interférentiel comprend un seul niveau de filtrage N1. Toutefois, le filtre interférentiel peut comprendre un empilement de deux niveaux de filtrage ou un empilement de plus de deux 5 niveaux de filtrage, chaque niveau de filtrage pouvant avoir la structure décrite précédemment en relation avec la figure 2, une couche d'interface pouvant être commune à deux niveaux de filtre successifs. Les inventeurs ont mis en évidence qu'il est possible 10 d'obtenir un filtre pixélisé 20 comprenant des pixels de filtre correspondant à des filtres passe-bandes adaptés à globalement filtrer un rayonnement entre deux longueurs d'onde ki et k2, lorsque l'écart entre l'indice de réfraction nH à la longueur d'onde k2 et l'indice de réfraction bas nB à la longueur d'onde 15 ki est supérieur à un seuil donné. En particulier, lorsque les couches d'interface CI', Cl2 sont des couches semi-réfléchissantes métalliques, les inventeurs ont mis en évidence qu'il est possible d'obtenir un filtre pixélisé 20 comprenant des pixels de filtre correspondant à des filtres passe-bandes adaptés à globalement 20 filtrer un rayonnement entre deux longueurs d'onde ki et k2, lorsque l'indice de réfraction nH à la longueur d'onde k2 et l'indice de réfraction bas nB à la longueur d'onde ki vérifient la relation suivante : nH(k2)/nB(k1) k2/ki 25 Selon un mode de réalisation, les première et deuxième couches d'interface CI', Cl2 sont des couches semiréfléchissantes, par exemple des couches métalliques, notamment en argent (Ag), éventuellement dopé pour améliorer la résistance mécanique ou réduire les effets de vieillissement. En particulier, 30 dans le cas d'une utilisation du filtre interférentiel pour un capteur couleur ou un capteur couleur et infrarouge, les couches d'interface CI', Cl2 sont de préférence des couches semiréfléchissantes métalliques. Selon un mode de réalisation, chaque couche d'interface 35 CI', Cl2 comprend au moins deux couches diélectriques d'indices 3064083 B15606 - DD17641JB 13 de réfraction différents avec un contraste d'indice d'au moins 0,5. L'indice de réfraction nH peut être compris entre 1,8 et 3,8. L'indice de réfraction nB peut être compris entre 1,3 et 5 2,5. Le premier matériau diélectrique peut être choisi parmi le groupe comprenant le nitrure de silicium (SiN), le silicium amorphe (aSi), l'oxyde d'hafnium (Hf0x), l'oxyde d'aluminium (A10x), un film à base d'aluminium, d'oxygène et d'azote (A10xNy), 10 un film à base de silicium, d'oxygène, de carbone et d'azote (SiOxCyNz), le nitrure de silicium (SiNx), l'oxyde de niobium (NbOx), l'oxyde de tantale (Ta0x), l'oxyde de titane (TiOx), le silicium amorphe hydrogéné (aSiH) et les mélanges d'au moins deux de ces composés. Chaque couche Ci peut avoir une épaisseur 15 comprise entre 5 nia et 100 nia. L'épaisseur eN peut être comprise entre 50 nia et 150 nia. Le deuxième matériau diélectrique peut être choisi parmi le groupe comprenant le dioxyde de silicium (Si02), le fluorure de magnésium (vIgF2), l'oxyde de silicium (Si0x), l'oxynitrure de 20 silicium (SiOxNy), l'oxyde d'hafnium (Hf0x), l'oxyde d'aluminium (A10x), un film à base d'aluminium, d'oxygène et d'azote (A10xNy), un film à base de silicium, d'oxygène, de carbone et d'azote (SiOxCyNz), le nitrure de silicium (SiNx) et les mélanges d'au moins deux de ces composés. L'épaisseur e'l peut être comprise 25 entre 50 nia et 150 nia. Les figures aA à 3G sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de structures obtenues à des étapes successives d'un autre mode de réalisation du filtre interférentiel 5 de la figure 1. 30 Dans ce mode de réalisation, le procédé comprenant les étapes successives suivantes : - formation de la couche d'interface CI' sur le support 10 (figure aA) ; 3064083 B15606 - DD17641JB 14 - formation de la couche C2 d'épaisseur e2-e1 du premier matériau diélectrique sur la première couche d'interface CI' (figure 3B) ; - gravure de la couche C2, avec arrêt de gravure sur la 5 couche d'interface CI' à l'emplacement du premier pixel de filtre F1 de façon à ne conserver la couche C2 qu'à l'emplacement du deuxième pixel de filtre F2 (figure 3C) ; - formation de la couche C1 d'épaisseur el du premier matériau diélectrique sur la première couche d'interface CI' et 10 sur la couche C2 (figure 3D). Il est alors obtenu la portion P1 du premier matériau diélectrique à l'emplacement du premier pixel de filtre F1 et la portion P2 du deuxième matériau diélectrique à l'emplacement du deuxième pixel de filtre F2 ; - formation d'une couche 30 d'épaisseur e'l du deuxième 15 matériau diélectrique sur la couche C1 (figure 3E) ; - gravure de la couche 30, avec arrêt de gravure sur la partie de la couche C1 se trouvant à l'emplacement du deuxième pixel de filtre F2, ce qui délimite la portion P'1 du deuxième matériau diélectrique à l'emplacement du premier pixel de filtre 20 F1 (figure 3F) ; et - formation de la couche d'interface Cl2 sur la portion P'1 du deuxième matériau diélectrique et la portion P2 du premier matériau diélectrique (figure 3G). A titre de variante, il peut être prévu une couche 25 supplémentaire, non représentée sur les figures, d'un matériau diélectrique ou métallique, recouvrant la couche d'interface CI' et jouant, par exemple, le rôle d'une couche de protection contre l'oxydation et/ou d'une couche améliorant l'adhérence des dépôts suivants. C'est cette couche qui sert alors de couche d'arrêt de 30 gravure lors de la gravure de la couche C2. A titre de variante, la formation de la couche d'interface Cl2 peut être précédée par la formation d'une couche supplémentaire, non représentée sur les figures, d'un matériau diélectrique ou métallique, jouant, par exemple, le rôle d'une couche améliorant l'adhérence de la couche 35 d'interface Cl2. 3064083 B15606 - DD17641JB 15 De façon générale, dans le cas du filtre interférentiel 20 comprenant N pixels de filtre F1 à FN, un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du filtre interférentiel 20 comprend les étapes suivantes : 5 1) formation de la couche d'interface CI' sur le support 10 ; répétition pour i décroissant de N à 2 des étapes 2) et 3) suivantes : 2) formation de la couche Ci d'épaisseur ei-ei_l du 10 premier matériau diélectrique sur la totalité de la structure 3) gravure de la couche Ci formée à l'étape 2), avec arrêt de gravure sur la couche d'interface CI' à l'emplacement des pixels de filtre F1 à Fi_i de façon à laisser la couche Ci formée à l'étape 2) aux emplacements des pixels de filtre Fi à 15 FN ; 4) formation d'une couche d'épaisseur e'l du deuxième matériau diélectrique sur la structure obtenue après la répétition des étapes 2) et 3) ; 5) gravure de la couche du deuxième matériau 20 diélectrique, avec arrêt de gravure sur le premier matériau diélectrique à l'emplacement du pixel de filtre FN de façon à délimiter les portions P'1 à P'N-1 du deuxième matériau diélectrique à l'emplacement des pixels des filtre F1 à FN_i_ ; et 6) formation de la couche d'interface Cl2 sur la 25 structure obtenue à l'étape 5). Selon un mode de réalisation, l'étape de gravure à l'étape 5) peut être une étape de polissage mécano-chimique (CMP, sigle anglais pour Chemical-Mechanical Planarization), auquel cas la couche 30 est de préférence déposée avec une épaisseur d'au 30 moins deux fois e'l. Selon un autre mode de réalisation, les étapes 5) et 6) décrites précédemment sont remplacées par une étape de dépôt d'un matériau diélectrique polymère à l'emplacement des pixels de filtre F1 à FN_1. Dans ce cas, l'étape de polissage mécano-chimique peut ne pas être présente. 3064083 B15606 - DD17641JB 16 De façon avantageuse, les espaceurs du filtre interférentiel 20 ont des dimensions latérales inférieures de préférence à 50 nm. Le filtre pixélisé selon les modes de réalisation 5 décrits précédemment peut être utilisé dans un capteur d'images. Le capteur d'images peut alors comprendre des capteurs de photons ou photodétecteurs adaptés à détecter des rayonnements dans des plages de longueurs d'ondes différentes ou adaptés à détecter des rayonnements dans la même plage de longueurs d'ondes. 10 Dans ce dernier cas, c'est seulement la présence des pixels de filtre qui pe=t la détection de rayonnements dans des plages de longueurs d'ondes différentes. Chaque pixel de filtre peut alors recouvrir au moins un photodétecteur du capteur et jouer le rôle d'un filtre passe-bande du rayonnement incident qui atteint le 15 capteur pour fournir un rayonnement adapté à la plage de longueurs d'ondes détectées par le photodétecteur associé. Les dimensions latérales des pixels de filtre peuvent être égales aux dimensions latérales des photosites du capteur d'images ou égales à un multiple des dimensions latérales des photosites du capteur 20 d'images. La disposition des pixels de filtre peut suivre celle des photosites du capteur d'images. A titre d'exemple, les pixels de filtre peuvent être disposés selon une matrice de Bayer. Les dimensions réduites des espaceurs du filtre interférentiel 20 permet notamment l'utilisation du filtre interférentiel 20 avec 25 des capteurs d'images dont les photosites ont une taille inférieure à 1,5 pin. Le capteur d'images peut être un capteur couleur ou un capteur couleur et infrarouge. Les inventeurs ont mis en évidence que le filtre pixélisé selon les modes de réalisation décrits précédemment 30 permet, de façon surprenante, de réaliser un filtrage dans une plage de longueurs d'ondes aussi étendue que celle nécessaire pour un capteur couleur ou un capteur couleur et infrarouge. En effet, la présence des portions P'i augmente le chemin optique de tous les pixels de filtre sauf le pixel FN. Pour conserver les mêmes 35 longueurs d'ondes filtrées par les pixels de filtre que pour un 3064083 B15606 - DD17641JB 17 filtre pixélisé classique, il suffit de conserver le même chemin optique dans chaque pixel de filtre que pour un filtre pixélisé classique. Toutefois, un calcul simplifié montrerait, par exemple en considérant l'indice de réfraction du nitrure de silicium pour 5 l'indice de réfraction haut nH et l'indice de réfraction du dioxyde de silicium pour l'indice de réfraction bas nB, que la plage de longueurs d'ondes accessibles irait seulement du bleu au vert. Les inventeurs ont mis en évidence que les portions P'i de faible indice de réfraction nB entraînait un déphasage favorable 10 à la réflexion sur les couches d'interface semi-réfléchissantes et qu'une plage de longueurs d'ondes allant de 450 nm à 600 nm était accessible lorsque l'écart entre l'indice de réfraction haut nH et l'indice de réfraction bas nB était supérieur ou égal à 0,5. L'ajout dans au moins un pixel de filtre d'un matériau 15 diélectrique supplémentaire ayant un indice de réfraction supérieure à l'indice de réfraction haut nH permet d'agrandir encore la plage de longueurs d'ondes accessibles jusqu'à l'infrarouge, notamment jusqu'à la longueur d'onde 900 rua. Le capteur peut être adapté à la détection d'une image 20 sur une plage de longueurs d'onde donnée, par exemple dans le domaine infrarouge. Le filtre pixélisé selon les modes de réalisation décrits précédemment peut alors être utilisé pour compenser les variations de l'inclinaison du rayonnement qui atteint le capteur. Chaque pixel de filtre est alors situé à un 25 emplacement qui dépend de l'inclinaison du rayonnement reçu par le capteur. Chaque pixel de filtre peut alors jouer le rôle d'un filtre passe-bande du rayonnement avec une inclinaison donnée centré sensiblement sur la même longueur d'onde. Les figures 4 à 7 représentent des modes de réalisation 30 de capteurs d'images comprenant un filtre interférentiel selon les modes de réalisation décrits précédemment. Dans les modes de réalisation représentés sur les figures 4 à 7, le support 10 correspond à un circuit intégré comprenant un substrat 42 dans lequel et/ou sur lequel sont formés 35 des capteurs de photons, trois capteurs de photons PH', PH2, PH3 3064083 B15606 - DD17641JB 18 étant représentés sur les figures 4 à 7. Le support 10 comprend, en outre, un empilement 44 de couches isolantes électriquement recouvrant le substrat 42 dans lequel sont formés des éléments 46 conducteurs électriquement, qui permettent notamment une 5 connexion électrique des capteurs de photons. Dans les modes de réalisation représentés sur les figures 4 à 7, le filtre interférentiel 20 comprend, à titre d'exemple, trois pixels de filtres Fl, F2 et F3 et un seul niveau de filtre N1. En outre, les capteurs d'images comprennent des lentilles 48, par exemple 10 une lentille 48 pour chaque capteur de photons PH', PH2, PH3. La figure 4 représente un mode de réalisation d'un capteur d'images 50 dans lequel le filtre interférentiel 20 est disposé du côté de l'empilement 44 opposé au substrat 42. Ce type d'agencement est appelé montage en face avant, dans la mesure où 15 le rayonnement indicent atteint les capteurs PH', PH2, PH3 du côté de l'empilement 44. En figure 4, le filtre interférentiel 20 est fixé directement à l'empilement 44, par exemple par l'intermédiaire d'un matériau de collage ou de préférence, en étant déposé directement sur l'empilement 44. Dans ce mode de 20 réalisation, les lentilles 48 reposent sur le filtre interférentiel 20, du côté du filtre interférentiel 20 opposé au support 10. La figure 5 représente un mode de réalisation d'un capteur d'images 55 dans lequel le filtre interférentiel 20 est 25 disposé en face avant et dans lequel les lentilles 48 sont disposées entre le support 10 et le filtre interférentiel 20 et reposent sur l'empilement 44. Un film d'air 56 est prévu entre les lentilles 48 et le filtre interférentiel 20. Le procédé de fabrication du capteur d'images 55 peut comprendre la formation 30 du filtre interférentiel 20 sur un substrat 58 sensiblement transparent au rayonnement incident et la fixation, par exemple par collage, du filtre interférentiel 20 à l'empilement 44, le film d'air 56 étant maintenu, par exemple par l'utilisation d'une entretoise, non représentée, interposée entre l'empilement 44 et 35 le filtre 20, à la périphérie de l'empilement 44. Selon une 3064083 B15606 - DD17641JB 19 variante non représentée, le filtre interférentiel 20 est déposé par-dessus les lentilles 48 sans lame d'air, auquel cas il est nécessaire de planariser au préalable les lentilles 48 par le dépôt d'une couche de très bas indice de réfraction, par exemple 5 en un polymère d'indice de réfraction 1,2. La figure 6 représente un mode de réalisation d'un capteur d'images 60 dans lequel le filtre interférentiel 20 est disposé du côté du substrat 42. Ce type d'agencement est appelé montage en face arrière, dans la mesure où le rayonnement indicent 10 atteint les capteurs PH', PH2, PH3 du côté du substrat 42. En figure 6, le filtre interférentiel 20 est fixé directement au substrat 42, éventuellement par l'intermédiaire d'un matériau de collage. Dans le présent mode de réalisation, les lentilles 48 reposent sur le filtre interférentiel 20, du côté du filtre 15 interférentiel 20 opposé au support 10. La figure 7 représente un mode de réalisation d'un capteur d'images 65 dans lequel le filtre interférentiel 20 est disposé en face arrière et dans lequel les lentilles 48 sont disposées entre le support 10 et le filtre interférentiel 20 et 20 reposent sur le substrat 42. Comme pour le capteur d'images 55, un film d'air 66 est prévu entre les lentilles 48 et le filtre interférentiel 20. Le procédé de fabrication du capteur d'images 65 peut être analogue à ce qui a été décrit pour le capteur d'images 55. 25 Dans les modes de réalisation décrits précédemment, le capteur d'images peut comprendre une couche antireflet non représentée. Dans les modes de réalisation décrits précédemment en relation avec les figures 5 et 7, l'utilisation du filtre 30 interférentiel 20 est particulièrement avantageuse dans la mesure où, dans ces modes de réalisation, le rayonnement incident qui atteint le filtre interférentiel 20 n'a pas été encore focalisé par les lentilles 48 et traverse nécessairement les espaceurs entre les pixels de filtre. Les dimensions réduites de ces 35 espaceurs améliorent le fonctionnement du capteur. 3064083 B15606 - DD17641JB 20 La figure 8 représente un mode de réalisation d'un filtre interférentiel 70 dont la réponse spectrale a été déterminée par simulation. Le filtre interférentiel 70 comprenait deux niveaux de filtrage N1 et N2, chaque niveau de filtrage 5 comprenant quatre pixels de filtre Filtre B, Filtre G, Filtre _R et Filtre IR correspondant respectivement à un filtre laissant passer seulement la lumière bleue B, à un filtre laissant passer seulement la lumière verte G, à un filtre laissant passer seulement la lumière rouge R et à un filtre laissant passer 10 seulement le rayonnement infrarouge IR centré sensiblement sur la longueur d'onde de 800 nm. Les épaisseurs et les matériaux composant les couches du filtre interférentiel 70 sont regroupés dans le tableau I ci-dessous en fonction des pixels de filtre Filtre B, Filtre G, 15 Filtre R et Filtre IR. Dans la suite de la description, une couche est indiquée avec une épaisseur nulle pour un pixel de filtre donné si elle n'est pas présente pour ce pixel de filtre. Filtre _B Filtre _G Filtre _R Filtre IR N° couche Matériau Epaisseur (nm) Al SiN 42 A2 Ag 22 A3 TiO2 5 AA aSi 0 0 0 25 A5 SiN 0 0 33 33 A6 SiN 0 32 32 32 A7 SiN 6 6 6 6 AE Si02 91 59 25 0 A9 SiN 5 A10 Ag 33 Ail TiO2 5 Al2 aSi 0 0 0 25 A13 SiN 0 0 33 33 A14 SiN 0 32 32 32 Al5 SiN 6 6 6 6 3064083 B15606 - DD17641JB 21 A16 Si02 91 59 25 0 A17 SiN 5 A18 Ag 16 A19 SiN 46 Tableau I Le filtre 70 a été fabriqué en déposant successivement chaque couche Al à A19 et en gravant les couches AA à A6 et Al2 à A14 aux emplacements où elles ne sont pas présentes et en prévoyant 5 une étape de planarisation après le dépôt des couches A8 et A16 jusqu'à atteindre les couches sous-jacentes. Les couches A3 et Ail de TiO2 servent à la fois d'encapsulation de la couche d'Ag A2 et A10 sous-jacente respectivement et de couche d'arrêt de gravure lors de la gravure 10 des couches de aSi et SiN ultérieures. L'indice de réfraction du SiN sur la plage de longueur d'onde de 450 nia à 600 nia est sensiblement constant est égal à 2,0 et l'indice de réfraction du Si02 sur la plage de longueur d'onde de 450 nia à 600 nia est sensiblement constant est égal à 1,46. L'indice de réfraction du 15 silicium amorphe (aSi) sur la plage de longueur d'onde de l'infrarouge est sensiblement constant est égal à 3,7. L'épaisseur totale du filtre 70 était de 0,37 pin. L'épaisseur du filtre 70 étant faible par rapport à la taille des pixels, le phénomène de diaphonie optique est peu prononcé. 20 La figure 9 représente des courbes d'évolution de la transmission respectivement du pixel de filtre Filtre _B (courbe CAB), du pixel de filtre Filtre _G (courbe CAG), du pixel de filtre Filtre _R (courbe CAR) et du pixel de filtre Filtre IR (courbe CAIR) pour le filtre interférentiel 70. 25 La figure 10 représente un exemple de comparaison d'un filtre interférentiel 75 dont la réponse spectrale a été déterminée par simulation. Le filtre interférentiel 75 avait la même structure que le filtre 70 à la différence que les couches de Si02 A8 et A16 n'étaient pas présentes et que les épaisseurs 30 des autres couches pouvaient être modifiées. 3064083 B15606 - DD17641JB 22 Les épaisseurs et les matériaux composant les couches du filtre interférentiel 75 sont regroupés dans le tableau II ci-dessous en fonction des pixels de filtre Filtre B, Filtre G, Filtre R et Filtre IR. Filtre _B Filtre _G Filtre _R Filtre IR N° couche Matériau Epaisseur (nm) B1 SiN 41 B2 Ag 22 B3 TiO2 5 B4 aSi 0 0 0 19 B5 SiN 0 0 20 20 B6 SiN 0 24 24 24 B7 SiN 48 48 48 48 B8 SiN 5 B9 Ag 33 B10 TiO2 5 BU aSi 0 0 0 20 B12 SiN 0 0 21 21 B13 SiN 0 26 26 26 B14 SiN 47 47 47 47 B15 SiN 5 B16 Ag 17 B17 SiN 70 5 Tableau II Le filtre 75 a été fabriqué en déposant successivement chaque couche Al à Al9 et en gravant les couches B4 à B6 et BU à B13 aux emplacements où elles ne sont pas présentes. La figure 11 représente des courbes d'évolution de la 10 transmission respectivement du pixel de filtre Filtre _B (courbe CBB), du pixel de filtre Filtre _G (courbe CBG), du pixel de filtre Filtre _R (courbe CBR) et du pixel de filtre Filtre IR (courbe CBIR) pour le filtre interférentiel 75. Les courbes de transmission du filtre 70 sont sensiblement identiques aux courbes 15 de transmission du filtre 75. Les réponses spectrales des filtres 3064083 B15606 - DD17641JB 23 70 et 75 sont donc sensiblement identiques. Toutefois, la dimension latérale maximale des espaceurs du filtre 75 est supérieure à celle des espaceurs du filtre 70. En effet, entre les pixels de filtre Filtre IR et Filtre R, la dimension latérale 5 maximale des espaceurs du filtre 75 est par exemple de l'ordre de 250 nia alors qu'elle est de l'ordre de 50 nm pour le filtre 70. Le filtre 70 est donc particulièrement adapté à une utilisation avec un capteur d'images dont la taille des photosites est inférieure au micromètre. 10 Il est possible de centrer le pixel de filtre Filtre IR à une longueur d'onde supérieure à celle du filtre 70 décrit précédemment, par exemple en introduisant une couche de aSi dans le pixel de filtre Filtre R. Le remplacement d'une couche de SiN par une couche de aSi de plus haut indice de réfraction dans le 15 pixel de filtre Filtre _R permet de réduire l'épaisseur de la marche entre le pixel de filtre Filtre _G et le pixel de filtre Filtre R, et la différence d'épaisseur peut être utilisée pour décaler le pixel filtre Filtre IR vers les hautes longueurs d'onde. Toutefois, comme l'épaisseur totale de chaque pixel de 20 filtre doit être maintenue identique à celle du filtre Filtre B, l'épaisseur du pixel de filtre Filtre IR ne peut pas être indéfiniment augmentée. La réponse spectrale d'un tel filtre interférentiel a été déterminée par simulation avec du aSi dans les pixels de 25 filtres Filtre IR et Filtre R. L'empilement du filtre a une épaisseur totale de 0,39 pin, les hauteurs de marche entre le pixel de filtre Filtre _B et le pixel de filtre Filtre G, entre le pixel de filtre Filtre _G et le pixel de filtre Filtre _R et entre le pixel de filtre Filtre _R et le pixel de filtre Filtre IR étaient 30 respectivement de 38 rua, 8 rua, et 38 rua. La largeur maximale des espaceurs est par exemple de l'ordre de 60 nm aux transitions entre le pixel de filtre Filtre _R et le pixel de filtre Filtre IR. Les épaisseurs et les matériaux composant les couches du filtre interférentiel sont regroupés dans le tableau III ci- 3064083 B15606 - DD17641JB 24 dessous en fonction des pixels de filtre Filtre B, Filtre G, Filtre R et Filtre IR. Filtre B Filtre G Filtre R Filtre IR N° couche Matériau Epaisseur (nm) Cl SiN 75 C2 Ag 18 C3 TiO2 5 C4 aSi 0 0 0 38 C5 aSi 0 0 8 8 C6 SiN 0 38 38 38 C7 SiN 5 5 5 5 C8 Si02 85 47 38 0 C9 SiN 5 C10 Ag 31 Cll TiO2 5 C12 aSi 0 0 0 38 C13 aSi 0 0 8 8 C14 SiN 0 38 38 38 C15 SiN 5 5 5 5 C16 Si02 85 47 38 0 C17 SiN 5 C18 Ag 16 C19 SiN 47 Tableau III La figure 12 représente des courbes d'évolution de la 5 transmission respectivement du pixel de filtre Filtre _B (courbe CCB), du filtre Filtre _G (courbe CCG), du filtre Filtre _R (courbe CCR) et du filtre Filtre IR (courbe CCIR) pour le filtre interférentiel défini par le tableau III. Un pixel de filtre Filtre IR centré sur une longueur d'onde de 900 nm environ a été 10 obtenu. La figure 13 représente un mode de réalisation d'un filtre interférentiel 80 à compensation du décalage spectral sous incidence spatialement variable dont réponse spectrale a été 3064083 B15606 - DD17641JB 25 déterminée par simulation. Le filtre interférentiel 80 comprenait quatre pixels de filtre Fl, F2, F3 et F4. Les pixels de filtre Fl, F2, F3 et F4 sont destinés à recevoir un rayonnement ayant une incidence respectivement comprise entre 0° et 14°, entre 14° 5 et 21°, entre 21° et 26° et entre 26° et 30°. Les épaisseurs et les matériaux composant les couches du filtre interférentiel 80 sont regroupés dans le tableau rv ci-dessous en fonction des pixels de filtre. Filtre B Filtre G Filtre R Filtre IR N° couche Matériau Epaisseur (nm) Dl aSi 85 D2 Si02 34 D3 aSi 162 D4 Si02 142 D5 aSi 68 D6 Si02 172 D7 aSi 56 D8 Si02 19 D9 aSi 321 D10 Si02 169 Dlla aSi 0 0 0 19 Dllb aSi 0 0 19 19 Dllc aSi 0 19 19 19 Dlld aSi 33 33 33 33 Dlle SiN 10 10 10 10 D12a Si02 57 38 19 0 D12b Si02 131 D13 aSi 99 D14 Si02 46 D15 aSi 161 D16 Si02 62 D17 aSi 97 Tableau TV 3064083 B15606 - DD17641JB 26 Le filtre 80 a été fabriqué en déposant successivement chaque couche Dl à D17 et en gravant les couches Dlla à Dllc aux emplacements où elles ne sont pas présentes et en prévoyant une étape de planarisation après le dépôt de la couche D12a jusqu'à 5 atteindre la couche sous-jacente. La figure 14 représente des courbes d'évolution, pour le filtre 80, de la transmission respectivement du pixel de filtre P1 recevant un rayonnement sous incidence nulle (courbe D0°), du pixel de filtre P1 recevant un rayonnement sous incidence égale à 10 30° (courbe D30°1) et du pixel de filtre P4 recevant un rayonnement sous incidence égale à 30° (courbe D30° 2). La réponse spectrale du pixel de filtre P4 est sensiblement centrée sur 940 nm comme la réponse spectrale du pixel de filtre Pl. La figure 15 représente un exemple de comparaison d'un 15 filtre interférentiel 85 à compensation du décalage spectral sous incidence spatialement variable dont la réponse spectrale a été déterminée par simulation. Le filtre interférentiel 85 avait la même structure que le filtre 80 à la différence que la couche de Si02 D12a n'était pas présente et que les épaisseurs des autres 20 couches pouvaient être modifiées. Les épaisseurs et les matériaux composant les couches du filtre interférentiel 80 sont regroupés dans le tableau rv ci-dessous en fonction des pixels de filtre. Filtre B Filtre G Filtre R Filtre IR N° couche Matériau Epaisseur (nm) El aSi 85 E2 Si02 33 E3 aSi 162 E4 Si02 147 E5 aSi 65 E6 Si02 150 E7 aSi 95 E8 Si02 10 E9 aSi 302 El0 Si02 163 3064083 B15606 - DD17641JB 27 Ella aSi 0 0 0 16 Ellb aSi 0 0 16 16 Ellc aSi 0 16 16 16 Elld aSi 45 45 45 45 E12 Si02 144 E13 aSi 103 E14 Si02 45 E15 aSi 158 E16 Si02 72 E17 aSi 95 Tableau TV Le filtre 85 a été fabriqué en déposant successivement chaque couche El à E17 et en gravant les couches Ella à Ellc aux emplacements où elles ne sont pas présentes. 5 La figure 16 représente des courbes d'évolution, pour le filtre 85, de la transmission respectivement du pixel de filtre P1 recevant un rayonnement sous incidence nulle (courbe E0°), du pixel de filtre P1 recevant un rayonnement sous incidence égale à 30° (courbe E30°1) et du pixel de filtre P4 recevant un 10 rayonnement sous incidence égale à 30° (courbe E30° 2). La réponse spectrale du pixel de filtre P4 est sensiblement centrée sur 940 nm comme la réponse spectrale du pixel de filtre Pl. Les courbes de transmission du filtre 85 sont sensiblement identiques aux courbes de transmission du filtre 80. 15 Les réponses spectrales des filtres 85 et 80 sont donc sensiblement identiques. Pour le filtre 85, la hauteur de marche entre les pixels de filtre F3 et F4 pour les couches Ella à Ellc est de 16 nm. Toutefois, cette structure est recouverte par six couches 20 d'épaisseur totale égale à 660 nia, ce qui génère un espaceur dont la dimension latérale est de l'ordre de 500 nm au-dessus de chaque marche entre les pixels de filtre F3 et F4. Comme l'espaceur est nettement plus large que la hauteur de marche, le relief se lisse au fur et à mesure des six derniers dépôts. Toutefois, il n'est 25 alors pas possible de maîtriser avec précision les épaisseurs 3064083 B15606 - DD17641JB 28 déposées dans les zones de transition. De ce fait, les signaux mesurés sur les pixels de l'imageur sous la matrice de filtre, en regard des marches, peuvent être perturbés, jusqu'à des tailles de pixels de plusieurs micromètres. 5 Pour le filtre 80, la hauteur de marche entre les pixels de filtre F3 et F4 pour les couches Dlla à Dllc est de 19 nm. Toutefois, les couches ultérieures D12b à D17 sont déposées sur une surface plane. La dimension latérale maximale des espaceurs du filtre 85 est de l'ordre de 50 nia, c'est-à-dire inférieure à 10 celle du filtre 85. Divers modes de réalisation avec diverses variantes ont été décrits ci-dessus. On note que l'homme de l'art peut combiner divers éléments de ces divers modes de réalisation et variantes sans faire preuve d'activité inventive. REVENDICATIONS1. Filtre interférentiel (20) comprenant : une première couche d'interface (CI') plane, métallique ou comprenant un empilement d'au moins deux couches diélectriques avec une différence d'indices de réfraction supérieure ou égale à 0,5; une première portion diélectrique (P1) d'un premier matériau diélectrique ou de premiers matériaux diélectriques, la première portion diélectrique ayant une première épaisseur (el) et reposant sur la première couche d'interface à un premier emplacement ; une deuxième portion diélectrique (P2) du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques, la deuxième portion diélectrique reposant sur la première couche d'interface à un deuxième emplacement, la deuxième portion diélectrique ayant une deuxième épaisseur (e2) supérieure à la première épaisseur ; une troisième portion diélectrique (P'1) d'un deuxième matériau diélectrique, l'indice de réfraction du deuxième matériau optique à une longueur d'onde de fonctionnement du filtre étant inférieure à l'indice de réfraction du premier matériau ou des premiers matériaux à ladite longueur d'onde, la troisième portion diélectrique ayant une troisième épaisseur (e'l) et reposant sur la première portion diélectrique, la somme de la première épaisseur et de la troisième épaisseur étant égale à la deuxième épaisseur ; et une deuxième couche d'interface (Cl2) plane, métallique ou comprenant un empilement d'au moins deux couches diélectriques avec une différence d'indices de réfraction supérieure ou égale à 0,5, reposant sur les deuxième et troisième portions diélectriques (P2, P'1) au contact des deuxième et troisième portions diélectriques. 2. Filtre interférentiel selon la revendication 1, comprenant, en outre, une quatrième portion diélectrique du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux 3064083 B15606 - DD17641JB 30 diélectriques, la quatrième portion diélectrique reposant sur la première couche d'interface à un troisième emplacement, la quatrième portion diélectrique ayant une quatrième épaisseur entre la première épaisseur (el) et la deuxième épaisseur (e2). 5 3. Filtre interférentiel selon la revendication 2, comprenant, en outre, une cinquième portion diélectrique du deuxième matériau diélectrique, la cinquième portion diélectrique ayant une cinquième épaisseur et reposant sur la quatrième portion diélectrique, la somme de la quatrième épaisseur et de la 10 cinquième épaisseur étant égale à la deuxième épaisseur (e2). 4. Filtre interférentiel selon la revendication 3, comprenant, en outre, une sixième portion diélectrique du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques, la sixième portion diélectrique reposant sur la première couche la sixième portion entre la quatrième 15 d'interface diélectrique épaisseur et 5. comprenant, à un quatrième emplacement, ayant une sixième épaisseur la deuxième épaisseur (e2). Filtre interférentiel selon la en outre, une septième portion revendication 4, diélectrique du 20 deuxième matériau diélectrique, la septième portion diélectrique ayant une septième épaisseur et reposant sur la sixième portion diélectrique, la somme de la sixième épaisseur et de la septième épaisseur étant égale à la deuxième épaisseur (e2). 6. Filtre interférentiel selon l'une quelconque des 25 revendications 1 à 5, dans lequel le premier matériau diélectrique ou les premiers matériaux diélectriques sont choisis parmi le groupe comprenant le nitrure de silicium (SiN), le silicium amorphe (aSi), l'oxyde d'hafnium (Hf0x), l'oxyde d'aluminium (A10x), un film à base d'aluminium, d'oxygène et d'azote (A10xNy), 30 un film à base de silicium, d'oxygène, de carbone et d'azote (SiOxCyNz), le nitrure de silicium (SiNx), l'oxyde de niobium (NbOx), l'oxyde de tantale (Ta0x), l'oxyde de titane (TiOx), le silicium amorphe hydrogéné (aSiH) et les mélanges d'au moins deux de ces composés. 3064083 B15606 - DD17641JB 31 7. Filtre interférentiel selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le deuxième matériau diélectrique est choisi parmi le groupe comprenant le dioxyde de silicium (Si02), le fluorure de magnésium (MgF2), l'oxyde de 5 silicium (Si0x), l'oxynitrure de silicium (SiOxNy), l'oxyde d'hafnium (Hf0x), l'oxyde d'aluminium (A10x), un film à base d'aluminium, d'oxygène et d'azote (A10xNy), un film à base de silicium, d'oxygène, de carbone et d'azote (SiOxCyNz), le nitrure de silicium (SiNx) et les mélanges d'au moins deux de ces composés. 10 8. Capteur d'images (50 ; 55 ; 60 ; 65) comprenant le filtre interférentiel selon l'une quelconque des revendications 1 à 7 et dans lequel le filtre interférentiel (20) comprend un premier filtre élémentaire (F1) comprenant la première portion (P1) et la troisième portion (P'1) et un deuxième filtre 15 élémentaire (F1) comprenant la deuxième portion (P2). 9. Capteur d'images selon la revendication 8, dans lequel le capteur est un capteur d'images couleur, dans lequel le premier filtre élémentaire (F1) est un filtre passe-bande centré sur une première longueur d'onde et dans lequel le deuxième filtre 20 élémentaire (F2) est un filtre passe-bande centré sur une deuxième longueur d'onde. 10. Capteur d'images selon la revendication 8, dans lequel le capteur est un capteur d'images couleur, dans lequel le premier filtre élémentaire (F1) est un filtre passe-bande centré 25 sur une troisième longueur d'onde pour un rayonnement à une première incidence par rapport au filtre interférentiel (20) et dans lequel le deuxième filtre élémentaire (F2) est un filtre passe-bande centré sur la troisième longueur d'onde à 1 % près pour le rayonnement à une deuxième incidence par rapport au filtre 30 interférentiel (20). 11. Procédé de fabrication d'un filtre interférentiel (20) selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, comprenant les étapes successives suivantes : 3064083 B15606 - DD17641JB 32 a) dépôt d'une première couche diélectrique (CN) du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques sur la première couche d'interface (CI') ; b) gravure de la première couche diélectrique pour 5 retirer la première couche diélectrique au premier emplacement et conserver la première couche au deuxième emplacement ; c) dépôt d'une deuxième couche (C2) du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques sur la première couche d'interface au première emplacement et sur la 10 première couche diélectrique au deuxième emplacement ; et d) formation de la troisième portion (P'1) sur la deuxième couche au premier emplacement. 12. Procédé selon la revendication 11, dans lequel l'étape d) comprend les étapes suivantes : 15 dépôt d'une troisième couche diélectrique (30) du deuxième matériau diélectrique sur la deuxième couche (C2) ; et gravure de la troisième couche diélectrique jusqu'à atteindre la deuxième couche diélectrique (C2) au deuxième emplacement. 20 13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel la gravure de la troisième couche diélectrique (30) comprend une étape de polissage mécano-chimique.