Brevet FR3074612A1 — publié le 20190607

Composant micro-ondes et procede de fabrication associe La presente invention concerne un composant micro-onde comportant un guide d'onde comprenant au moins une couche superieure presentant au moins une surface electriquement conductrice, une couche inferieure presentant au moins une surface electriquement conductrice, et une couche centrale interposee entre la couche superieure et la couche inferieure, lesdites couches definissant une zone de propagation d'une onde electromagnetique, la zone de propagation s'etendant le long d'un axe de propagation, et comprenant une cavite, la cavite etant delimitee par la couche superieure, par la couche inferieure, et, lateralement, par deux bords lateraux opposes de la couche centrale. A l'heure actuelle, une problematique importante de l'industrie des telecoms, notamment pour les stations de base 5G, de l'industrie des radars millimetriques pour drones, des voitures autonomes et plus generalement de tout type de robot, est de reduire les pertes dans les systemes de facon drastique, a l'heure 0E1 l'economie d'energie est essentielle pour les applications de demain. Ces niveaux de pertes sont en effet redhibitoires pour les equipements comme les equipements en amont d'une antenne d'emission et de reception (equipement de type « front-end RF »). Pour reduire les pertes, it est connu de concevoir des structures electroniques passives en ayant recours a la technologie de Guide d'onde Integre au Substrat creux rempli d'air ou vide (AFSIW ou ESIW en anglais). La structure passive forme alors une ligne de transmission micro-ondes. Cependant, pour certaines applications, la bande passante offerte par de telles structures n'est pas entierement satisfaisante. Un objet de l'invention est donc de fabriquer et de fournir, a faibles coOts, un composant micro-ondes adapte pour fonctionner dans le domaine des longueurs d'onde millimetriques, le composant presentant une bonne bande passante et etant a faibles pertes. A cet effet, l'invention a pour objet un composant micro-ondes du type precite, caracterise en ce que le guide d'onde comprend au moins un barreau dielectrique dispose dans la zone de propagation, le barreau dielectrique etant delimite dans l'une de la couche superieure et de la couche inferieure ou etant dispose dans la cavite a l'ecart des bords lateraux de la cavite. Le composant selon l'invention peut comprendre l'une ou plusieurs des caracteristiques suivantes, prise(s) isolement ou suivant toutes combinaisons techniquement possibles : 2 - le barreau dielectrique s'etend suivant une direction longitudinale parallele a I'axe de propagation, et est centre sur un plan median des deux bords lateraux ou est decale lateralement du plan median des deux bords lateraux ; - ledit barreau dielectrique est dispose dans Ia cavite a l'ecart des bords lateraux 5 de Ia cavite, le guide d'onde comprenant un composant d'attache fonctionnel, le composant d'attache fonctionnel etant forme par une pluralite d'attaches dielectriques venues de matiere avec le barreau dielectrique, cheque attache dielectrique s'etendant a partir d'un des bords lateraux, les attaches dielectriques etant configurees pour realiser une fonction de filtre pour une onde electromagnetique se propageant dans Ia zone de 10 propagation ; - ledit barreau dielectrique est dispose dans Ia cavite a l'ecart des bords lateraux de Ia cavite, Ia couche centrale comprenant au moins une sous-couche dielectrique, Ia cavite etant delimitee selon I'axe de propagation entre une extremite avant et une extremite arriere de Ia couche centrale, le barreau dielectrique s'etendant de l'extremite 15 avant a l'extremite arriere et etant venu de matiere avec ladite sous-couche dielectrique de Ia couche centrale ; - ledit barreau dielectrique est dispose dans Ia cavite a l'ecart des bords lateraux de Ia cavite, ledit barreau dielectrique etant un premier barreau dielectrique, le guide d'onde comprenant en outre un deuxieme barreau dielectrique, le deuxieme barreau 20 dielectrique etant dispose dans Ia cavite, a l'ecart dudit premier barreau dielectrique, et a l'ecart des bords lateraux de Ia cavite ; - le barreau dielectrique est delimite dans I'une de Ia couche superieure et de Ia couche inferieure, ledit barreau dielectrique presentant une surface delimitant Ia cavite ; - ledit barreau dielectrique est un premier barreau dielectrique, le guide d'onde 25 comprenant en outre un deuxieme barreau dielectrique dispose dans Ia zone de propagation, le deuxieme barreau dielectrique etant delimite dans I'une de Ia couche superieure et de Ia couche inferieure, a l'ecart du premier barreau dielectrique, et presentant une surface delimitant Ia cavite ; - le guide d'onde comprend en outre un autre barreau dielectrique, ledit autre 30 barreau dielectrique etant dispose dans Ia cavite, a l'ecart des bords lateraux de Ia cavite ;- le barreau dielectrique est forme dans une sous-couche dielectrique de I'une de Ia couche superieure et de Ia couche inferieure, et est delimite par une partie d'une souscouche electriquement conductrice de ladite couche et, lateralement entre deux frontieres laterales. 35 L'invention a egalement pour objet un procede de fabrication d'un composant micro-ondes comprenant les etapes suivantes 3 - fourniture d'une couche superieure et d'une couche inferieure presentant respectivement au moins une surface electriquement conductrice ; - fourniture d'une couche centrale presentant un ou une pluralite d'evidement(s), ledit evidement ou ladite pluralite d'evidements etant destine(e) a former une cavite 5 delimitee lateralement par des bords lateraux opposes formes par la couche centrale ; puis, - assemblage des couches de telle sorte que la couche centrale snit interposee entre la couche superieure et la couche inferieure, les couches definissant une zone de propagation d'une onde electromagnetique, la zone de propagation s'etendant le long 10 d'un axe de propagation et comprenant une cavite, la cavite etant formee par ledit evidement ou ladite pluralite d'evidements en etant delimitee par la couche superieure, par la couche inferieure, et, lateralement, par lesdits bords lateraux de la couche centrale ; l'etape de fourniture d'au moins une des couches comprenant la realisation d'un 15 barreau dielectrique, ledit barreau dielectrique etant dispose ou destine a etre dispose dans ladite couche, de telle sorte qu'apres l'etape d'assemblage, le barreau dielectrique est dispose dans la zone de propagation et est delimite dans l'une de la couche superieure et de la couche inferieure, ou de telle sorte qu'apres l'etape d'assemblage, le barreau dielectrique est dispose dans la zone de propagation et dans la cavite a l'ecart 20 des bords lateraux de la cavite. Le procede de fabrication selon ('invention peut comprendre l'une ou plusieurs des caracteristiques suivantes, prise(s) isolement ou suivant toutes combinaisons techniquement possibles : - l'etape de la fourniture de la couche centrale comprend la realisation du barreau 25 dielectrique, ledit barreau dielectrique etant dispose ou destine a etre dispose dans ladite couche centrale, de telle sorte qu'apres l'etape d'assemblage, le barreau dielectrique est dispose dans la zone de propagation et dans la cavite a l'ecart des bords lateraux de la cavite, le barreau dielectrique etant destine a etre dispose entre un plan defini par une surface superieure de la couche centrale et un plan defini par une surface inferieure de la 30 couche centrale ; - l'etape de fourniture de la couche centrale comprend : * la fourniture d'une couche initiale, la couche initiale etant destinee a former la couche centrale, comprenant au moins une sous-couche dielectrique initiale et etant depourvue d'evidement, 35 * la decoupe, dans la couche initiale, de ladite pluralite d'evidements destinee a former la cavite, 4 l'etape de realisation du barreau dielectrique etant mise en oeuvre lors de la decoupe de ladite pluralite d'eyidements, ladite pluralite d'eyidements decoupee delimitant ledit barreau dielectrique, le barreau dielectrique presentant une longueur, prise selon l'axe de propagation, egale a la longueur de la cayite, prise 5 selon l'axe de propagation ; - l'etape de fourniture de Ia couche centrale comprend : * Ia fourniture d'une couche initiale, Ia couche initiale etant destinee a former Ia couche centrale, comprenant au moins une sous-couche dielectrique initiale et etant depouryue d'eyidement, 10 * Ia decoupe, dans Ia couche initiale, de ladite pluralite d'eyidements destinee a former Ia cayite, l'etape de realisation du barreau dielectrique etant mise en oeuvre lors de Ia decoupe de ladite pluralite d'eyidements, ladite pluralite d'eyidements decoupee etant destinee a delimiter Ia cayite, et delimitant le barreau dielectrique et des 15 moyens d'attache du barreau dielectrique, les moyens d'attache comprenant une pluralite d'attaches dielectriques reliant le barreau dielectrique a au moins un des bords lateraux ; - l'etape de realisation du barreau dielectrique comprend Ia fourniture d'un barreau dielectrique et de moyens d'attache du barreau dielectrique, les moyens d'attache 20 comprenant une pluralite d'attaches dielectriques solidaire dudit barreau dielectrique, le barreau dielectrique et les moyens d'attache etant fournis a l'ecart de Ia couche centrale ; - l'etape d'assemblage des couches comprend Ia fixation de Ia couche centrale a Ia couche inferieure, puis le retrait des moyens d'attache, par leur decoupe, une fois Ia couche centrale fixee a Ia couche inferieure ; 25 - l'etape de fourniture de l'une de Ia couche superieure et de Ia couche inferieure comprend Ia realisation du barreau dielectrique, ledit barreau dielectrique etant dispose ou destine a etre dispose dans ladite couche, de telle sorte qu'apres l'etape d'assemblage, le barreau dielectrique est dispose dans Ia zone de propagation et est delimite dans ladite couche ; 30 - le plan median aux bords lateraux de Ia cayite forme un plan de symetrie de ('ensemble forme par les attaches dielectriques ; - les attaches dielectriques ne s'etendent qu'a partir d'un seul des bords lateraux ; - au moins une partie des moyens d'attache n'est pas retiree lors de l'etape d'assemblage des couches, ladite partie des moyens d'attache formant alors un 35 composant d'attache fonctionnel, les attaches dielectriques non retirees etant configurees 5 pour realiser une fonction de filtre pour une onde electromagnetique se propageant dans la zone de propagation ; - le procede comprend une etape d'alimentation du composant micro-ondes avec une onde electromagnetique se propageant dans la zone de propagation, l'onde 5 electromagnetique presentant au moins un mode de propagation presentant deux maximums de champs electriques, le ou cheque barreau dielectrique etant localise dans la cavite au niveau d'un desdits maximums ; - le barreau dielectrique est un premier barreau dielectrique, l'etape de realisation etant une etape de realisation du premier barreau dielectrique et d'un deuxierne barreau 10 dielectrique, l'etape de realisation du premier barreau dielectrique et du deuxierne barreau dielectrique etant mise en ceuvre lors de la decoupe de ladite pluralite d'evidements ; ladite pluralite d'evidements decoupee delimitant le premier barreau dielectrique, le deuxierne barreau dielectrique et des moyens d'attache du premier barreau dielectrique et du deuxierne barreau dielectrique ; les moyens d'attache comprenant une pluralite de 15 premieres attaches dielectriques reliant le premier barreau dielectrique a l'un des bords lateraux et une pluralite de deuxiernes attaches dielectriques reliant le deuxierne barreau dielectrique a l'autre des bords lateraux ; - apres assemblage, le barreau dielectrique presente une surface delimitant la cavite ; 20 - l'etape de fourniture de !'une de la couche superieure et de la couche inferieure comprend la fourniture d'une couche initiale, la couche initiale etant destinee a former ladite couche et comprenant au moins une sous-couche dielectrique, une sous-couche superieure electriquement conductrice, et une sous-couche inferieure electriquement conductrice ; la realisation du barreau dielectrique comprenant !Implementation de 25 frontieres laterales dans ladite couche initiale et la suppression d'au moins une partie d'une des sous-couches electriquement conductrices de la couche initiale s'etendant entre les deux frontieres laterales ; et, - le barreau dielectrique est un premier barreau dielectrique, une etape de fourniture de la couche superieure ou de la couche inferieure comprenant la realisation 30 d'un deuxierne barreau dielectrique. L'invention sera mieux comprise a la lecture de la description qui va suivre, donnee uniquement a titre d'exemple, et faite en se referant aux dessins annexes, sur lesquels : - la figure 1 est une vue schernatique en section de dessus d'un premier 35 composant micro-ondes selon !'invention, ladite section passant par le barreau dielectrique ; 6 - la figure 2 est une vue schematique en section transversale du premier composant de la figure 1 ; - la figure 3 est une vue schematique en section transversale du premier composant lors du premier procede de fabrication ; 5 - la figure 4 est une vue schematique en section de dessus du premier composant lors d'un premier mode de realisation d'un procede de fabrication selon l'invention, ladite section passant par le barreau dielectrique ; - la figure 5 est une vue schematique en section de dessus du premier composant lors d'une variante du procede de fabrication du premier composant selon l'invention, 10 ladite section passant par le barreau dielectrique ; - la figure 6 est une vue schematique en section transversale d'un deuxierne composant micro-ondes selon l'invention ; - la figure 7 est une vue schematique en section de dessus d'un troisierne composant micro-ondes selon l'invention, ladite section passant par le barreau 15 dielectrique ; - la figure 8 est une vue schematique en section de dessus d'un quatrieme composant selon l'invention, ladite section passant par le barreau dielectrique ; - la figure 9 est une vue schematique en section de dessus d'un cinquieme composant micro-ondes selon l'invention, ladite section passant par le barreau 20 dielectrique ; - la figure 10 est une vue schematique en section transversale du cinquieme composant de la figure 9 ; - les figures 11 a 17 sont respectivement des vues schematiques en section d'un sixierne, d'un septierne, d'un huitierne, d'un neuvierne, d'un dixierne, d'un onzierne et 25 d'un douzierne composants selon l'invention. Un premier composant micro-ondes 10A selon l'invention est illustre sur les figures 1 et 2. Le premier composant 10A est par exemple un filtre, notamment un filtre microondes passe-bande, passe-bas, passe-haut ou coupe-bande. En variante, le premier 30 composant micro-ondes 10A est par exemple une ligne de transmission, un multiplexeur, un coupleur, un diviseur, un combineur, une antenne, un oscillateur, un amplificateur, une charge, un circulateur, un resonateur, un decaleur de phase ou encore un isolateur. Le premier composant 10A est ici du type « a guide integre au substrat ». Le premier composant 10A comporte un guide d'onde 12 propre a guider une 35 onde electromagnetique le long d'un axe de propagation X-X, I'onde electromagnetique 7 presentant notamment une longueur d'onde superieure ou egale a une longueur d'onde minimale predeterminee. Le guide d'onde 12 comprend une couche superieure 14, une couche inferieure 16, et une couche centrale 18 interposee entre la couche superieure 14 et la couche 5 inferieure 16, lesdites couches 14, 16, 18 definissant une zone de propagation 19 de l'onde electromagnetique, la zone de propagation 19 s'etendant le long de l'axe de propagation X-X. Le guide d'onde 12 comprend en outre au moins un barreau dielectrique 28 dispose dans la zone de propagation 19. 10 Par la suite, par « element dielectrique », on entend que ledit element presente une permittivite dielectrique relative superieure ou egale a 1. Le materiau dielectrique peut avoir des proprietes absorbantes, c'est-a-dire un coefficient de tangente de perte superieur a 0.004, pour realiser une fonction d'attenuateur. 15 Chacune des couches superieures 14, inferieures 16 et centrales 18 s'etend parallelement a un plan XY, defini par l'axe de propagation X-X et par un axe transverse Y-Y orthogonal a l'axe de propagation X-X. Chacune des couches superieure 14, inferieure 16 et centrale 18 presente une surface superieure 20A, 20B, 20C et une surface inferieure 21A, 21B, 21C. 20 Dans le premier composant 10A, chacune desdites surfaces superieures 20A, 20B, 20C et chacune desdites surfaces inferieures 21A, 21B, 21C sont electriquement conductrices. Par la suite, par « element electriquement conducteur », on entend que ledit element presente une conductivite electrique superieure a 1*106 S.rn-1, de preference 25 equivalente a celle d'un metal de type cuivre, argent, aluminium ou or. La couche inferieure 16 et la couche superieure 14 sont disposees a distance l'une de l'autre, de part et d'autre de la couche centrale 18, au contact de la couche centrale 18. En particulier, la surface inferieure 21A de la couche superieure 14 est au contact 30 de la surface superieure 20C de la couche centrale 18. De merne, la surface inferieure 21C de la couche centrale 18 est au contact de la surface superieure 20B de la couche inferieure 16. Ainsi, la couche superieure 14, la couche inferieure 16 et la couche centrale 18 forment un empilement. 35 La surface inferieure 21A de la couche superieure 14 est electriquement reliee a la surface superieure 20C de la couche centrale 18. De merne, la surface inferieure 21C de 8 la couche centrale 18 est electriquement reliee a la surface superieure 20B de la couche inferieure 16. Dans la suite de la description, on appellera « direction transverse » Y-Y une direction parallele a I'axe transverse Y-Y. 5 Une direction transverse est donc une direction orthogonale a I'axe de propagation X-X et parallele a Ia surface inferieure 21A de Ia couche superieure 14. Dans un mode de realisation prefere, chacune des couches superieure 14, inferieure 16 et centrale 18 forme un substrat. Chacune des couches superieure 14, inferieure 16 et centrale 18 comprend ainsi 10 une sous-couche superieure 22A, 22B, 22C electriquement conductrice, une sous-couche inferieure 24A, 24B, 24C electriquement conductrice et une sous-couche centrale 26A, 26B, 26C dielectrique, presentant une premiere constante dielectrique, interposee entre Ia sous-couche superieure 22A, 22B, 22C et Ia sous-couche inferieure 24A, 24B, 24C. De plus, Ia sous-couche inferieure 24A de Ia couche superieure 14 est 15 electriquement reliee a Ia sous-couche superieure 22C de Ia couche centrale 18. De meme, Ia sous-couche inferieure 24C de Ia couche centrale 18 est electriquement reliee a Ia sous-couche superieure 22B de Ia couche inferieure 16. Les sous-couches superieures 22A, 22B, 22C et les sous-couches inferieures 24A, 24B, 24C sont par exemple realisees en cuivre. 20 Les sous-couches centrales 26A, 26B, 26C sont par exemple realisees en resine epoxyde ou en teflon. La zone de propagation 19 correspond a une zone dans laquelle est confinee I'onde electromagnetique lors de sa propagation dans le guide d'onde 12. Dans le premier composant 10A des figures 1 et 2, Ia zone de propagation 19 est 25 delimitee par Ia sous-couche inferieure 24A electriquement conductrice de Ia couche superieure 14, Ia sous-couche superieure 22B electriquement conductrice de Ia couche inferieure 16 et deux frontieres laterales centrales 30 amenagees chacune dans Ia couche centrale 18 et espacees I'une de I'autre. En outre, Ia zone de propagation 19 comprend une cavite 32 delimitee par Ia 30 couche superieure 14, par Ia couche inferieure 16, et, lateralement, par Ia couche centrale 18. Les frontieres laterales centrales 30 de la zone de propagation 19 sont propres a empecher le passage d'une onde electromagnetique presentant une longueur d'onde superieure ou egale a la longueur d'onde minimale predeterminee. 9 Chaque frontiere laterale centrale 30 connecte electriquement la sous-couche inferieure 24A de la couche superieure 14 et la sous-couche superieure 22B de la couche superieure 14 entre elles. Les frontieres laterales centrales 30 s'etendent parallelement a l'axe de 5 propagation X-X et sont ici paralleles l'une par rapport a l'autre. Elles s'etendent notamment selon la direction Z-Z orthogonale a l'axe de propagation X-X et a l'axe transverse Y-Y. Par la suite, les termes « au-dessus » et « en-dessous » seront compris vis-a-vis de la direction Z-Z. 10 Les frontieres laterales centrales 30 s'etendent notamment sur toute l'epaisseur de la couche centrale 18. Elles sont en particulier disposees lateralement de part et d'autre de la cavite 32, par exemple ici a l'exterieur de la cavite 32. Dans le mode de realisation des figures 1 et 2, chaque frontiere laterale centrale 15 30 comprend une rangee de vias 34 electriquement conducteurs, amenages au moins a travers la couche centrale 18. Par « via », on entend un trou, amenage au moins a travers la couche centrale 18, presentant des parois recouvertes d'un revetement electriquement conducteur, par exemple metallise. Plus precisement, chaque via 34 s'etend selon la direction Z-Z orthogonale a l'axe 20 de propagation X-X et a l'axe transverse Y-Y, en traversant au moins la couche centrale 18. Chaque via 34 connecte electriquement la sous-couche inferieure 24A de la couche superieure 14 et la sous-couche superieure 22B de la couche superieure 14 entre elles. 25 L'ecartement entre deux vias 34 successifs d'une frontiere laterale centrale 30 est inferieur a la longueur d'onde minimale predeterminee, notamment inferieur a un dixierne de la longueur d'onde minimale predeterminee, de preference inferieur a un vingtieme de la longueur d'onde minimale predeterminee. Dans ('exemple illustre sur les figures 1 et 2, la cavite 32 est delimitee par la 30 surface inferieure 21A de la couche superieure 14, la surface superieure 20B de la couche inferieure 16 et des bords lateraux 36 de la couche centrale 18. La cavite 32 est remplie d'un fluide 38 presentant une deuxierne constante dielectrique par exemple inferieure a la premiere constante dielectrique. Le fluide 38 est par exemple de ('air. En variante, dans le cas 0E1 la cavite 32 35 definit un volume ferme etanche, elle est remplie d'air, d'azote ou est vide de fluide. 10 Comme illustre sur la figure 1, les bords lateraux 36 de la couche centrale 18 s'etendent parallelement a l'axe de propagation X-X. Les bords lateraux 36 de la couche centrale 18 s'etendent notamment orthogonalement et a l'axe transverse Y-Y. 5 Les bords lateraux 36 de la couche centrale 18 longent les frontieres laterales centrales 30. Par « longer », on entend que les bords lateraux 36 sont en contact avec lesdites frontieres laterales centrales 30 ou disposes a une distance, par exemple constante, desdites frontieres laterales centrales 30, cette distance etant de preference inferieure a 100 pm. 10 Dans le premier composant 10A illustre sur les figures 1 et 2, le barreau dielectrique 28 est dispose dans la cavite 32, a l'ecart des bords lateraux 36 de la cavite 32. En particulier, le barreau dielectrique 28 est dispose dans la zone de propagation 19 tel que, en projection sur la surface superieure 20B de la couche inferieure 16, ledit 15 barreau dielectrique 28 est a l'ecart des bords lateraux 36 de la cavite 32. Le barreau dielectrique 28 est dispose entre les bords lateraux 36 de la cavite 32. Le barreau dielectrique 28 presente ici une forme allongee et s'etend suivant une direction longitudinale parallele a l'axe de propagation. En outre, le barreau dielectrique 28 s'etend ici orthogonalement a l'axe transverse Y-Y. 20 Dans l'exemple illustre sur la figure 1, le barreau dielectrique 28 presente une largeur comprise notamment entre 1% et 90% de la largeur de la cavite 32. Par « largeur d'un element », on entend la distance bord a bord de ('element, prise suivant l'axe transverse Y-Y. La largeur du barreau dielectrique 28 est par exemple constante le long de l'axe 25 de propagation X-X, comme illustre sur la figure 1. Le barreau dielectrique 28 est ici centre sur un plan median des deux bords lateraux 36. Le barreau dielectrique 28 presente dans cet exemple une epaisseur inferieure a la hauteur de la cavite 32. Par « epaisseur d'un element » ou « hauteur d'un element », 30 on entend la distance bord a bord de ('element, prise selon la direction Z-Z orthogonale a l'axe de propagation X-X et a l'axe transverse Y-Y. II est ici dispose a l'ecart de la surface inferieure 21A de la couche superieure 14 et de la surface superieure 20B de la couche inferieure 16. Le barreau dielectrique 28 est fixe a la surface superieure 20B de la couche 35 inferieure 16 par l'intermediaire d'une sous-couche inferieure de contact 40. Plus precisement, it est fixe a la sous-couche inferieure de contact 40, la sous-couche 11 inferieure de contact 40 etant fixee a la surface superieure 20B de la couche inferieure 16. La sous-couche inferieure de contact 40 est electriquement conductrice. Le barreau dielectrique 28 est en outre fixe a la surface inferieure 21A de la couche superieure 14 par l'intermediaire d'une sous-couche superieure de contact 42. 5 Plus precisement, il est fixe a Ia sous-couche superieure de contact 42, Ia sous-couche superieure de contact 42 etant fixee a Ia surface inferieure 21A de Ia couche superieure 14. La sous-couche superieure de contact 42 est electriquement conductrice. Un premier procede de fabrication relatif a Ia fabrication du premier composant 10A selon ('invention va maintenant etre decrit, en reference aux figures 3 et 4. 10 Le premier procede comprend Ia fourniture de Ia couche superieure 14 et de Ia couche inferieure 16. II comprend aussi Ia fourniture de Ia couche centrale 18, Ia couche centrale 18 etant fournie en presentant ici une pluralite d'evidements 44, ladite pluralite d'evidements 44 etant destinee a former Ia cavite 32 du premier composant 10A. 15 La couche superieure 14, Ia couche inferieure 16 et Ia couche centrale 18 sont fournies a l'ecart les unes des autres. Dans le premier procede, l'etape de fourniture de Ia couche centrale 18 comprend Ia fourniture d'une couche initiale 46, Ia couche initiale 46 etant destinee a former Ia couche centrale 18. 20 La couche initiale 46 comprend ainsi au moins une sous-couche dielectrique initiale 48, presentant Ia premiere constante dielectrique, qui est notamment destinee a former Ia sous-couche centrale 26C de Ia couche centrale 18. En particulier, Ia couche initiale 46 comprend aussi une sous-couche superieure initiale 50 electriquement conductrice destinee a former Ia sous-couche superieure 22C 25 de Ia couche centrale 18, et une sous-couche inferieure initiale 52 electriquement conductrice destinee a former Ia sous-couche inferieure 24C de Ia couche centrale 18. La couche initiale 46 est fournie en etant depourvue d'evidement. L'etape de fourniture de Ia couche centrale 18 comprend alors Ia decoupe, dans Ia couche initiale 46 de Ia pluralite d'evidements 44 destinee a former Ia cavite 32. 30 La decoupe est mise en oeuvre dans toute l'epaisseur de Ia couche initiale 46. Avant ou apres ladite etape de decoupe, le premier procede comprend une etape d'implementation des frontieres laterales centrales 30. Par exemple, !Implementation des frontieres laterales centrales 30 comprend Ia realisation desdites rangee de vias 34. 35 Dans le premier procede, l'etape de fourniture de Ia couche centrale 18 comprend en outre Ia realisation du barreau dielectrique 28. 12 La realisation du barreau dielectrique 28 est ici mise en oeuvre lors de la decoupe de ladite pluralite d'evidements 44. Ladite pluralite d'evidements 44 est alors destinee a delimiter la cavite 32, le barreau dielectrique 28 et des moyens d'attache 54 du barreau dielectrique 28. 5 Lors de la decoupe, le barreau dielectrique 28 est plus precisement forme par une partie de la sous-couche dielectrique initiale 48 de la couche initiale 46. Le barreau dielectrique 28 est ainsi dispose dans la couche initiale 46. Au droit du barreau dielectrique 28, les sous-couches superieure et inferieure initiales 50, 52 electriquement conductrices de la couche initiale 46 respectivement au-dessus et en- 10 dessous du barreau dielectrique 28 forment respectivement la sous-couche superieure de contact 42 et la sous-couche inferieure de contact 40 du premier composant 10A. Comme illustre sur la figure 4, les moyens d'attache 54 comprennent une pluralite d'attaches dielectriques 56 reliant le barreau dielectrique 28 a au moins un des bords lateraux 36 de la cavite 32. 15 Ainsi, le barreau dielectrique 28, les attaches dielectriques 56 et les bords lateraux 36 de la cavite 32 sont venus de matiere. Comme illustre sur la figure 4, chaque attache dielectrique 56 presente une forme de barre rectiligne, et s'etend ici perpendiculairement a partir d'un des bords lateraux 36. Dans l'exemple illustre sur la figure 4, au moins une attache dielectrique 56 20 s'etend a partir de chacun des bords lateraux 36. Les attaches dielectriques 56 sont ecartees les unes des autres. Dans le premier procede, comme illustre sur la figure 4, recartement separant deux attaches dielectriques 56 adjacentes est egal pour toutes les attaches dielectriques 56. 25 En projection sur l'axe de propagation X-X, chaque attache dielectrique 56 s'etend d'un des bords lateraux 36 est disposee sensiblement au milieu de deux attaches dielectriques 56 adjacentes s'etendant du bord lateral oppose 36. La realisation du barreau dielectrique 28 comprend par exemple la suppression des sous-couches superieure et inferieure initiales 50, 52 electriquement conductrices au 30 droit des attaches dielectriques 56, notamment au-dessus et en-dessous des attaches dielectriques 56. Les attaches dielectriques 56 presentent dans cet exemple une epaisseur inferieure a la hauteur de la cavite 32. A ('issue de l'etape de realisation du barreau dielectrique 28 et de l'etape de 35 decoupe, la couche initiale 46 forme la couche centrale 18. 13 A ('issue de l'etape de realisation, le barreau dielectrique 28 est dispose entre un plan defini par la surface superieure 20C de la couche centrale 18 et un plan defini par une surface inferieure 21C de la couche centrale 18. Le barreau dielectrique 28 est ainsi destine a etre dispose dans la cavite 32, entre 5 les bords lateraux 36. Par la suite, le premier procede comprend l'assemblage de la couche superieure 14, de la couche inferieure 16 et de la couche centrale 18, de telle sorte que la couche centrale 18 snit interposee entre la couche superieure 14 et la couche inferieure 16. Pendant tout le procede de fabrication, les couches 14, 16, 18 sont alignees les 10 unes par rapport aux autres par l'intermediaire de plots de centrage ou par camera avec des mires. Comme illustre sur la figure 3, l'assemblage comprend tout d'abord la fixation de la couche centrale 18 a la couche inferieure 16. Cette fixation est par exemple realisee par collage. 15 Lors de cette etape de fixation, le barreau dielectrique 28 est de meme fixe a la couche inferieure 16. Pendant toute la duree de cette fixation, le barreau dielectrique 28 est maintenu en position par rapport a la couche centrale 18 et a la couche inferieure 16 par les attaches dielectriques 56. Le positionnement du barreau dielectrique 28 est donc fres précis et 20 choisi lors de l'etape de decoupe. Dans le premier procede, l'assemblage comprend ensuite le retrait des moyens d'attache 54, une fois la couche centrale 18 fixee a la couche inferieure 16, en particulier une fois le barreau dielectrique 28 fixe a la couche inferieure 16. Ce retrait est mis en oeuvre par la decoupe des moyens d'attache 54, et en 25 particulier par la decoupe des attaches dielectriques 56. L'etape precedente de suppression des sous-couches superieure et inferieure initiales 50, 52 electriquement conductrices permet de faciliter cette etape de decoupe des attaches dielectriques 56. Cette decoupe est par exemple realisee par manuellement avec un scalpel, avec une fraiseuse numerique, ou avec un laser. 30 Chaque attache dielectrique 56 est de preference decoupee en affleurant le bord lateral 36 a partir duquel elle s'etend. En outre, chaque attache dielectrique 56 est avantageusement decoupee en affleurant le barreau dielectrique 28. Par la suite, l'assemblage comprend la fixation de la couche superieure 14 a la 35 couche centrale 18. Cette fixation est par exemple realisee par collage. 14 Lors de cette fixation, la cavite 32 est alors formee par ladite pluralite d'evidements 44 en etant delimitee par la couche superieure 14, par la couche inferieure 16, et lateralement, par lesdits bords lateraux opposes 36 de la couche centrale 18. Apres assemblage, le premier composant 10A est forme. En particulier, les 5 couches 14, 16, 18 definissent la zone de propagation 19 d'une onde electromagnetique. La zone de propagation 19 est alors delimitee par la sous-couche inferieure 24A electriquement conductrice de la couche superieure 14, la sous-couche superieure 22B electriquement conductrice de la couche inferieure 16 et les frontieres laterales centrales 30. 10 Cette zone de propagation 19 comprend la cavite 32. Apres l'etape d'assemblage, le barreau dielectrique 28 est dispose dans la cavite 32 a l'ecart des bords lateraux 36 de la cavite 32. En particulier, apres l'etape d'assemblage, le barreau dielectrique 28, dispose dans la couche centrale 18, est dispose dans la zone de propagation 19, et, en projection 15 sur la surface superieure 20B de la couche inferieure 16, a l'ecart des bords lateraux 36 de la cavite 32. En utilisation, le premier procede comprend une etape d'alimentation du premier composant 10A micro-ondes avec une onde electromagnetique se propageant dans la zone de propagation 19. L'onde electromagnetique presente au moins un mode de 20 propagation presentant un maximum de champ electrique. Le barreau dielectrique 28 est positionne dans la cavite 32 a une position predeterminee telle que, lors de cette etape d'alimentation du premier composant 10A, la position predeterminee corresponde au niveau dudit maximum de champ electrique. Plus precisement, lors de I'etape de realisation du barreau dielectrique 28, les 25 dimensions des attaches dielectriques 56 sont predeterminees pour que, apres assemblage, le barreau dielectrique 28 soit localise dans la cavite 32 a la position predeterminee. Le barreau dielectrique 28 presente ainsi un effet sur ledit mode de propagation. En particulier, le barreau diOlectrique 28 charge le guide d'onde 12 de facon a elargir la 30 bande passante monomode. De plus, en utilisation, la structure comprenant trois couches 14, 16, 18 permet de rendre le premier composant 10A compact et flexible. En variante non representee du premier composant 10A, le guide d'onde 12 comprend une premiere couche electriquement isolante entre la sous-couche inferieure 35 24A de la couche superieure 14 et la sous-couche superieure 22C de la couche centrale 18, et/ou une deuxierne couche electriquement isolante entre la sous-couche inferieure 15 24C de la couche centrale 18 et la sous-couche superieure 22B de la couche inferieure 16. La ou les couches isolantes sont par exemple realisees en prepreg. Chaque frontiere laterale centrale 30, et en particulier chaque via 34, traverse la 5 ou les couches isolantes. En variante non representee du premier composant 10A, le barreau dielectrique 28 n'est pas centre sur un plan median des deux bords lateraux 36 mais est decale lateralement dudit plan median. Un tel decalage lateral permet d'apporter un controle des modes de propagation desire de l'onde electromagnetique se propageant dans le guide 10 d'onde 12. En variante non representee du premier composant 10A, la largeur du barreau dielectrique 28 varie le long de l'axe de propagation. En variante non representee du premier composant 10A, le guide d'onde 12 comprend des fils electriquement conducteurs traversant la cavite 32 de part en part, et 15 connectant electriquement la sous-couche inferieure 24A de la couche superieure 14 a la couche superieure 22B de Ia couche inferieure 16. Ces fils permettent de realiser une adaptation d'impeclance a un autre circuit. En variante non representee du premier composant 10A, le guide d'onde 12 comprend des fils electriquement conducteurs traversant Ia cavite 32, etant connecte 20 electriquement a Ia sous-couche inferieure 24A de Ia couche superieure 14, et presentant une extremite libre a l'ecart de Ia couche superieure 22B de Ia couche inferieure 16. Ces fils permettent de realiser des plots capacitifs permettant de faire un reglage de proprietes de filtrage du composant. Une variante du premier procede de fabrication du premier composant 10A est 25 illustree sur Ia figure 5. Cette variante differe du premier procede decrit en ce que le plan median des deux bords lateraux 36 est un plan de symetrie des attaches dielectriques 56. En outre, chaque attache dielectrique 56 ne s'etend pas perpendiculairement a partir d'un des bords lateraux 36. 30 Au moins deux attaches dielectriques 56 s'etendent a partir d'un meme bord lateral 36, en se joignant au niveau du barreau dielectrique 28. Comme illustre sur Ia figure 5, ces deux attaches dielectriques 56 forment un motif qui se repete le long de l'axe de propagation. Plus generalement, pour chaque attache dielectrique 56, une autre attache 35 dielectrique 56 s'etend a partir du meme bord lateral 36, en se joignant au niveau du barreau dielectrique 28. 16 En variante non representee du premier procede de fabrication, la realisation du barreau dielectrique 28 ne comprend pas la suppression des sous-couches superieure et inferieure initiales 50, 52 electriquement conductrices au droit des attaches dielectriques 56. Ces sous-couches 50, 52 sont supprimees lors du retrait des moyens d'attache 54. 5 En variante non representee du premier procede de fabrication, les attaches dielectriques 56 s'etendent a partir d'un seul des bords lateraux 36. Un deuxierne composant 10B micro-ondes va maintenant etre decrit, en reference a la figure 6. Ce deuxierne composant 10B differe du premier composant 10A en ce que le 10 barreau dielectrique 28 et la surface inferieure 21A de la couche superieure 14 delimitent un espace libre entre eux. Le barreau dielectrique 28 n'est ainsi pas fixe a la surface inferieure 21A de la couche superieure 14 par l'intermediaire de la sous-couche superieure de contact 42. Le guide d'onde 12 est alors depourvu de ladite sous-couche superieure de 15 contact 42. Un deuxierne procede de fabrication relatif a la fabrication du deuxierne composant 10B differe du premier procede en ce que la realisation du barreau dielectrique 28 comprend la suppression de la sous-couche superieure initiale 50 electriquement conductrice au-dessus du barreau dielectrique 28. 20 Un troisierne composant 10C micro-ondes va maintenant etre decrit, en reference a la figure 7. Ce troisierne composant 10C differe du premier composant 10A en ce que le guide d'onde 12 comprend en outre un composant d'attache fonctionnel 58. Le composant d'attache fonctionnel 58 est forme par une pluralite d'attaches 25 dielectriques 56 venues de matiere avec le barreau dielectrique 28, chaque attache dielectrique 56 s'etendant a partir d'un des bords lateraux 36. Lesdites attaches dielectriques 56 presentent des caracteristiques identiques aux attaches dielectriques decrites dans le premier procede. Dans le troisierne composant 10C illustre sur la figure 7, les attaches dielectriques 30 56 s'etendent a partir d'un seul des bords lateraux 36. Le barreau dielectrique 28 est donc a l'ecart des bords lateraux 36 dans au moins une region du barreau dielectrique 28. En outre, les attaches dielectriques 56 sont configurees pour realiser une fonction de filtre pour une onde electromagnetique se propageant dans la zone de propagation 19. 35 En particulier, la repartition, recartement entre deux attaches dielectriques 56 adjacentes, et leurs dimensions sont predeterminees pour realiser ladite fonction. 17 Un troisierne procede de fabrication relatif a la fabrication du troisierne composant 100 differe du premier procede en ce qu'au moins une partie des moyens d'attache 54 n'est pas retiree lors de l'etape d'assemblage. La couche superieure 14 est fixée a la couche centrale 18 sans retirer toutes les 5 attaches dielectriques 56. Ladite partie des moyens d'attache 54 forment alors le composant d'attache fonctionnel 58, les attaches dielectriques 56 non retirees etant configurees pour realiser la fonction de filtre pour une onde electromagnetique se propageant dans la zone de propagation 19. 10 En particulier, lors de l'etape de realisation du barreau dielectrique 28, la repartition, recartement entre deux attaches dielectriques 56 adjacentes, et leurs dimensions sont predeterminees pour realiser ladite fonction. En variante non representee du troisierne composant 100, la largeur du barreau dielectrique 28 varie le long de l'axe de propagation. 15 Dans une variante non representee du troisierne composant 100, la largeur du barreau dielectrique 28 est constante entre deux attaches dielectriques 56 adjacentes, et la largeur du barreau dielectrique 28 entre un couple d'attaches dielectriques 56 adjacentes est differente pour au moins deux couples d'attaches dielectriques 56 adjacentes. 20 Dans une autre variante non representee du troisierne composant 100, la largeur du barreau dielectrique 28 prise au niveau d'une attache dielectrique 56 est differente de la largeur du barreau dielectrique 28 prise au niveau d'une attache adjacente dielectrique 56. Le cote du barreau dielectrique 28 joignant lesdites deux attaches dielectriques 56 adjacentes presentant alors en vue de dessus un profil predetermine choisi parmi : une 25 ligne droite ou une courbe. Un quatrieme composant 10D selon ('invention est illustre sur la figure 8. Ce quatrieme composant 10D differe du premier composant 10A en ce que le barreau dielectrique 28 est realise dans un materiau dielectrique different du materiau dans lequel est realisee la sous-couche centrale 26C de la couche centrale 18. 30 Le barreau dielectrique 28 est en contact avec la surface superieure 20B de la couche inferieure 16. En particulier, le barreau dielectrique 28 est fixe a la surface superieure 20B de la couche inferieure 16, par exemple par collage. Dans cet exemple, le barreau dielectrique 28 est en contact avec la surface 35 inferieure 21A de la couche superieure 14. En d'autres termes, it presente une epaisseur egale a la hauteur de la cavite 32. 18 En particulier, le barreau dielectrique 28 est fixe a la surface inferieure 21A de la couche superieure 14, par exemple par collage. En variante non representee du quatrieme composant 10D, le barreau dielectrique 28 et la surface inferieure 21A de la couche superieure 14 delimitent un espace libre entre 5 eux. En d'autres termes, le barreau dielectrique 28 est depourvu de contact avec la surface inferieure 21A de la couche superieure 14. L'epaisseur du barreau dielectrique 28 est donc inferieure a l'epaisseur de la couche centrale 18. En variante non representee du quatrieme composant 10D, le guide d'onde 12 comporte un composant d'attache fonctionnel 58 similaire au composant d'attache 10 fonctionnel 58 du troisierne composant 10C. Un quatrieme procede de fabrication relatif a Ia fabrication du quatrieme composant 10D va maintenant etre decrit. Le quatrieme procede differe du premier procede en ce que le barreau dielectrique 28 et les moyens d'attache 54 ne sont pas decoupes dans Ia couche centrale 18, et en ce 15 que l'etape de realisation du barreau dielectrique 28 comprend Ia fourniture du barreau dielectrique 28 et de moyens d'attache 54 du barreau dielectrique 28, le barreau dielectrique 28 et les moyens d'attache 54 etant fournis a l'ecart de Ia couche centrale 18. La couche centrale 18 est fournie en presentant un evidement 44 destine a former a Iui seul Ia cavite 32. 20 Les moyens d'attache 54 presentent des caracteristiques identiques aux moyens d'attache du premier procede mais different de ces derniers en ce que les attaches dielectriques 56 ne sont pas venues de matiere avec les bords lateraux 36 de Ia cavite 32. Les moyens d'attache 54 comprennent ainsi Ia pluralite d'attaches dielectriques 56 solidaires du barreau dielectrique 28, les attaches dielectriques 56 etant solidaires du 25 barreau dielectrique 28, par exemple venues de matiere avec le barreau dielectrique 28. Le barreau dielectrique 28 et les attaches dielectriques 56 sont de preference realises dans un materiau dielectrique different du materiau dans lequel est realisee Ia sous-couche centrale 26C de Ia couche centrale 18. En variante, ils sont realises dans le merne materiau que celui de Ia sous-couche centrale 26C de Ia couche centrale 18. 30 Lors de ('assemblage, le barreau dielectrique 28 est fixe a Ia couche inferieure 16. Le barreau dielectrique 28 est maintenu en position par rapport a Ia couche inferieure 16, par les attaches dielectriques 56 pendant toute Ia duree necessaire a sa fixation a Ia couche inferieure 16. Par Ia suite, Ia couche centrale 18 est fixee a Ia couche inferieure 16, le barreau 35 dielectrique 28 etant alors dispose dans l'evidement 44. Un cinquieme composant 10E selon ('invention est illustre sur les figures 9 et 10. 19 Ce cinquieme composant 10E differe du premier composant 10A en ce que la cavite 32 est delimitee selon I'axe de propagation entre une extremite avant 60 et une extremite arriere 62 de Ia couche centrale 18, le barreau dielectrique 28 s'etendant de ('extremite avant 60 a ('extremite arriere 62. 5 La cavite 32 presente, en projection sur Ia surface superieure 20B de Ia couche inferieure 16, un contour exterieur ferme. Comme illustre sur Ia figure 9, le cinquieme composant 10E comprend en outre deux lignes de transmission annexes 64, disposees longitudinalement de part et d'autre de Ia cavite 32, Ia zone de propagation 19, et les frontieres laterales centrales 30, se 10 prolongeant dans chacune de ces deux lignes de transmission annexes 64. Cheque ligne de transmission annexe 64 comprend une couche annexe superieure 66 electriquement conductrice, identique a Ia couche superieure 14 et venue de matiere avec Ia couche superieure 14, une couche annexe inferieure electriquement conductrice, identique a Ia couche inferieure 16 et venue de matiere avec Ia couche 15 inferieure 16, et une couche annexe centrale dielectrique 68, identique a Ia couche centrale 18 et venue de matiere avec Ia couche centrale 18. Les lignes de transmission annexes 64 sont depourvues de cavite 32. L'ecartement, pris selon ('axe transversal Y-Y, entre les frontieres laterales centrales 30 est superieur dans Ia cavite 32 a leur ecartement dans les lignes de 20 transmission annexes 64. Le barreau dielectrique 28 est solidaire avec Ia sous-couche centrale 26C de Ia couche centrale 18. En particulier, le barreau dielectrique 28 est ici venu de matiere avec Ia sous-couche centrale 26C de Ia couche centrale 18. Le barreau dielectrique 28 est ainsi notamment venu de matiere avec Ia couche 25 annexe centrale 68 de chacune des lignes de transmission annexes 64. Le barreau dielectrique 28 presente une Iongueur egale a Ia Iongueur de Ia cavite 32. Par « Iongueur d'un element », on entend Ia distance bord a bord de ('element, prise selon ('axe de propagation. En outre, le mode de realisation du cinquieme composant 10E illustre sur Ia figure 30 10 differe du premier composant 10A en ce que, dans au moins une tranche de Ia cavite 32, prise selon ('axe transverse Y-Y, le barreau dielectrique 28 delimite respectivement avec Ia surface inferieure 21A de Ia couche superieure 14 et Ia surface superieure 20B de Ia couche inferieure 16 un espace libre. Plus precisement, les couches annexes superieures 66 et les couches annexes 35 inferieures font saillie dans Ia cavite 32 respectivement au-dessus et en-dessous du barreau dielectrique 28. En projection sur Ia surface superieure 20B de Ia couche 20 inferieure 16, lesdites saillies dans la cavite 32 des couches annexes superieures 66 et des couches annexes inferieures presentent une forme en pointe. Un cinquieme procede de fabrication relatif a la fabrication du cinquieme composant 10E va maintenant etre decrit. 5 Le cinquieme procede differe du premier procede en ce que lors de la decoupe de ladite pluralite d'evidements 44, ladite pluralite d'evidements 44 est destinee a delimiter la cavite 32, selon !'axe de propagation, entre une extremite avant 60 et une extremite arriere 62 de la couche centrale 18. Lors de la decoupe, ladite pluralite d'evidements 44 est destinee a delimiter la 10 cavite 32 telle qu'elle presente, en projection sur la surface superieure 20B de la couche inferieure 16, un contour exterieur ferme. Ladite pluralite d'evidements 44 decoupee delimite le barreau dielectrique 28, le barreau dielectrique 28 s'etendant de !'extremite avant 60 a !'extremite arriere 62, et presentant en particulier une longueur egale a la longueur de la cavite 32. 15 Par exemple, ladite pluralite d'evidements 44 delimite le barreau dielectrique 28 sans delimiter d'attaches dielectriques 56 reliant le barreau dielectrique 28 au reste de la couche centrale 18. En outre, !Implementation des frontieres laterales centrales 30 est mise en oeuvre telle que, apres assemblage, la zone de propagation 19 se prolonge longitudinalement de 20 part et d'autre de la cavite 32. La couche superieure 14, la couche inferieure 16 et la couche centrale 18 definissent alors, de part et d'autre de la cavite 32, les deux lignes de transmission annexes 64. En utilisation, lors de l'etape d'alimentation du cinquieme composant 10E microondes avec une onde electromagnetique, l'onde se propage dans la zone de propagation 25 19 dans une des lignes de transmission annexe 64. Les saillies des couches annexes superieures 66 et inferieures permettent d'assurer une bonne transition electromagnetique pour l'onde se propageant dans la zone de propagation 19 entre les lignes de transmission annexes 64 et la cavite 32. Un sixierne composant 1OF micro-ondes va maintenant etre decrit, en reference a 30 la figure 11. Ce sixierne composant 1OF differe des precedents modes de realisation en ce que les frontieres laterales centrales 30 ne comprennent pas de rangees de vias 34. Chaque frontiere laterale centrale 30 comprend une paroi laterale continue electriquement conductrice 70. 21 Ladite paroi laterale continue 70 est notamment formee par un revetement electriquement conducteur, par exemple metallique. Ledit revetement est ici appliqué sur les bords lateraux 36 de la cavite 32. Par « paroi laterale continue », on entend que le revetement metallique est 5 appliqué sur toute la hauteur et la longueur des bords lateraux 36. Les frontieres laterales centrales 30 sont en particulier depourvues de vies. Un sixierne procede de fabrication relatif a la fabrication du sixierne composant 1OF va maintenant etre decrit. Le sixierne procede differe du premier procede en ce que l'etape d'implementation 10 des frontieres laterales centrales 30 est mise en oeuvre apres l'etape de decoupe de ladite pluralite d'evidements 44. Cette etape d'implementation des frontieres laterales centrales 30 comprend la realisation d'une paroi laterale continue electriquement conductrice 70, par ('application d'un revetement electriquement conducteur, par exemple metallique, sur des bords de 15 ladite pluralite d'evidements 44, ces bords etant destines a former les bords lateraux 36 de la cavite 32. Un septierne composant 10G selon ('invention va maintenant etre decrit en regard des figures 12. Ce septierne composant 10G differe du premier composant 10A en ce que le 20 barreau dielectrique 28 est un premier barreau dielectrique 28, et en ce que le guide d'onde 12 comprend en outre un deuxierne barreau dielectrique 72. Le deuxierne barreau dielectrique 72 est dispose dans la cavite 32, a l'ecart dudit premier barreau dielectrique 28, et a l'ecart des bords lateraux 36 de la cavite 32. En particulier, le deuxierne barreau dielectrique 72 est dispose dans la zone de 25 propagation 19 tel que, en projection sur la surface superieure 20B de la couche inferieure 16, ledit deuxierne barreau dielectrique 72 est a l'ecart des bords lateraux 36 de la cavite 32. Le deuxierne barreau dielectrique 72 est dispose entre les bords lateraux 36 de la cavite 32. 30 Le premier barreau dielectrique 28 et le deuxierne barreau dielectrique 72 s'etendent respectivement suivant une direction longitudinale parallele a l'axe de propagation X-X. En outre, ils s'etendent ici orthogonalement a l'axe transverse Y-Y. Le premier barreau dielectrique 28 et le deuxierne barreau dielectrique 72 sont decales lateralement du plan median des deux bords lateraux 36. 22 Dans l'exemple illustre sur la figure 12, le deuxierne barreau dielectrique 72 est au moins dispose en partie entre le premier barreau dielectrique 28 et l'un des bords lateraux 36. Le deuxierne barreau dielectrique 72 est sensiblement similaire au premier 5 barreau dielectrique 28. Le deuxierne barreau dielectrique 72 presente une largeur comprise notamment entre 1% et 90% de la largeur de la cavite 32. La largeur du deuxierne barreau dielectrique 72 est par exemple constante le long de l'axe de propagation X-X. En variante, la largeur du deuxierne barreau dielectrique 72 10 varie le long de l'axe de propagation. Le deuxierne barreau dielectrique 72 presente dans cet exemple une epaisseur inferieure a la hauteur de la cavite 32. II est ici dispose a l'ecart de la surface inferieure 21A de la couche superieure 14 et de la surface superieure 20B de la couche inferieure 16. 15 Le deuxierne barreau dielectrique 72 est fixe a la surface superieure 20B de la couche inferieure 16 par l'intermediaire d'une deuxierne sous-couche inferieure de contact 74. Plus precisement, il est fixe a la deuxierne sous-couche inferieure de contact 74, la deuxierne sous-couche inferieure de contact 74 etant fixee a la surface superieure 20B de la couche inferieure 16. La deuxierne sous-couche inferieure de contact 74 est 20 electriquement conductrice. Le deuxierne barreau dielectrique 72 est en outre fixe a la surface inferieure 21A de la couche superieure 14 par l'intermediaire d'une deuxierne sous-couche superieure de contact 76. Plus precisement, il est fixe a la deuxierne sous-couche superieure de contact 76, la deuxierne sous-couche superieure de contact 76 etant fixee a la surface 25 inferieure 21A de la couche superieure 14. La deuxierne sous-couche superieure de contact 76 est electriquement conductrice. Un septierne procedO de fabrication relatif a la fabrication du septierne composant 10G va maintenant etre decrit. Le septierne procede differe du premier procede en ce que l'etape de fourniture de 30 la couche centrale 18 comprend une etape de realisation du premier barreau dielectrique 28 et du deuxierne barreau dielectrique 72. La realisation du premier barreau dielectrique 28 et du deuxierne barreau dielectrique 72 etant ici mise en oeuvre lors de la decoupe de ladite pluralite d'evidements 44. 35 Lors de la decoupe de ladite pluralite d'evidements 44, ladite pluralite d'evidements 44 est destinee a delimiter le premier barreau dielectrique 28, le deuxierne 23 barreau dielectrique 72 et des moyens d'attache 54 du premier barreau dielectrique 28 et du deuxieme barreau dielectrique 72. Lors de la decoupe, le premier barreau dielectrique 28 et le deuxieme barreau dielectrique 72 sont plus precisement formes par une partie de la sous-couche 5 dielectrique initiale 48 de la couche initiale 46. Au droit du deuxieme barreau dielectrique 72, les sous-couches superieure et inferieure initiales 50, 52 electriquement conductrices de la couche initiale 46, respectivement au-dessus et en-dessous du deuxieme barreau dielectrique 72, forment respectivement la deuxieme sous-couche superieure de contact 76 et la deuxieme sous- 10 couche inferieure de contact 74 du premier composant 10A. Les moyens d'attache 54 comprennent une pluralite de premieres attaches dielectriques reliant le premier barreau dielectrique 28 a l'un des bords lateraux 36 de la cavite 32. Ils comprennent en outre une pluralite de deuxiernes attaches dielectriques reliant le deuxieme barreau dielectrique 72 a l'autre des bords lateraux 36 de Ia cavite 32. 15 Par exemple, les moyens d'attache 54 comprennent une pluralite d'attaches dielectriques intermediaires reliant le premier barreau dielectrique 28 au deuxieme barreau dielectrique 72. Les premieres attaches dielectriques, les deuxiernes attaches dielectriques et les attaches dielectriques intermediaires presentent des caracteristiques sensiblement 20 identiques aux attaches dielectriques 56 decrites dans le premier procede. Comme dans le premier procede, en utilisation, le septierne procede comprend une etape d'alimentation du septierne composant 10G micro-ondes avec une onde electromagnetique se propageant dans Ia zone de propagation 19. L'onde electromagnetique presente ici au moins un premier et un deuxieme modes 25 de propagation, le deuxieme mode de propagation presentant deux maximums de champ electrique. Le premier barreau dielectrique 28 et le deuxieme barreau dielectrique 72 sont respectivement positionnes dans Ia cavite 32 a une premiere position predeterminee et a une deuxieme position predeterminee telles que, lors de cette etape d'alimentation du 30 septierne composant 10G, Ia premiere position predeterminee et Ia deuxieme position predeterminee correspondent respectivement aux niveaux desdits maximums de champ electrique. Plus precisement, lors de l'etape de realisation du barreau dielectrique 28, les dimensions des premieres attaches et des deuxiemes attaches sont predeterminees pour 35 que, apres assemblage, le premier barreau dielectrique 28 et le deuxieme barreau 24 dielectrique 72 soient respectivement localises dans la cavite 32 au niveau desdits maximums de champs electriques. Le premier barreau dielectrique 28 et le deuxierne barreau dielectrique 72 presentent ainsi un effet sur le deuxierne mode de propagation. En particulier, ils 5 diminuent la bande monomode du septierne composant 10G pour obtenir une structure bi mode controlee. Un huitierne composant 10H va maintenant etre decrit, en reference a la figure 13. Ce huitierne composant 10H differe du quatrieme composant 10D en ce que le barreau dielectrique 28 est un premier barreau dielectrique 28, et en ce que le guide 10 d'onde 12 comprend au moins un autre barreau dielectrique 72. Dans I'exemple illustre sur la figure 13, le guide d'onde 12 comprend au moins trois autres barreaux dielectriques 72. Chaque autre barreau dielectrique 72 est dispose dans Ia cavite 32, a l'ecart dudit premier barreau dielectrique 28, a l'ecart de chaque autre barreau dielectrique 72 et a 15 l'ecart des bords lateraux 36 de Ia cavite 32. En particulier, chaque autre barreau dielectrique 72 est dispose dans Ia zone de propagation 19 tel que, en projection sur Ia surface superieure 20B de Ia couche inferieure 16, ledit autre barreau dielectrique 72 est a l'ecart des bords lateraux 36 de Ia cavite 32. 20 Chaque autre barreau dielectrique 72 est dispose entre les bords lateraux 36 de Ia cavite 32. Le premier barreau dielectrique 28 et chaque autre barreau dielectrique 72 s'etendent respectivement suivant une direction longitudinale parallele a I'axe de propagation X-X. En outre, ils s'etendent ici orthogonalement a l'axe transverse Y-Y. 25 Le premier barreau dielectrique 28 et chaque autre barreau dielectrique 72 sont decales lateralement du plan median des deux bords lateraux 36. En projection sur Ia surface superieure 20B de Ia couche inferieure 16, le premier barreau dielectrique 28 et chaque autre barreau dielectrique 72 definissent respectivement un contour exterieur circulaire. Le terme « barreau » est donc ici a 30 prendre dans un sens large. Dans l'exemple illustre sur Ia figure 13, chaque autre barreau dielectrique 72 est sensiblement similaire au premier barreau dielectrique 28. En particulier, ils presentent ici un diametre sensiblement identique. Le premier barreau dielectrique 28 et chaque autre barreau dielectrique 72 35 presentent alors respectivement une permittivite dielectrique superieure a 6. 25 Un huitierne procede de fabrication relatif a la fabrication du huitierne composant 10H va maintenant etre decrit. Le huitierne procede differe du quatrieme procede en ce qu'il comprend une etape de realisation de chaque autre barreau dielectrique 72. L'etape de realisation de chaque 5 autre barreau dielectrique 72 comprend la fourniture dudit autre barreau dielectrique 72 et de moyens d'attache dudit autre barreau dielectrique 72, ledit autre barreau dielectrique 72 et les moyens d'attache etant fournis a l'ecart de la couche centrale 18. Lors de ('assemblage, chaque autre barreau dielectrique 72 est fixe a Ia couche inferieure 16, notamment avant que Ia couche centrale 18 soit fixee a Ia couche inferieure 10 16. En variante du huitierne composant 10H, en projection sur la surface superieure 20B de la couche inferieure 16, au moins un du premier barreau dielectrique 28 et de chaque autre barreau dielectrique 72 definit un contour exterieur presentant une forme rectangle, carre, ou ovale. 15 Dans encore une variante du huitierne composant 10H, en projection sur la surface superieure 20B de la couche inferieure 16, au moins un du premier barreau dielectrique 28 et de chaque autre barreau dielectrique 72 definit une forme en anneau, presentant un contour exterieur de forme circulaire, rectangulaire, carre, ou ovale, et un contour interieur de forme circulaire, rectangulaire, carre, ou ovale. 20 Dans encore une autre variante du huitierne composant 10H, au moins deux barreaux parmi le premier barreau dielectrique 28 et les autres barreaux dielectriques 72 sont realises dans des materiaux differents. Le huitierne procede de fabrication decrit permet de monter simultanement plusieurs barreaux 28, 72 realises dans des materiaux differents. 25 En variante du huitieme composant 10H, le guide d'onde 12 comprend en outre un composant d'attache fonctionnel forme par une pluralite d'attaches dielectriques venues de matiere avec au moins un des barreaux 28, 72, chaque attache dielectrique s'etendant a partir d'un des bords lateraux 36. Dans le procede de fabrication associe a cette variante, au moins une partie des moyens d'attache n'est pas retiree lors de l'etape 30 d'assemblage. Un neuvierne composant 101 selon ('invention va maintenant etre decrit en regard de Ia figure 14. Ce neuvierne composant 101 differe du premier composant 10A en ce que le barreau dielectrique 28 n'est pas dispose dans Ia cavite 32. 26 Le barreau dielectrique 28 est dispose dans la zone de propagation 19 et est delimite dans la couche superieure 14. Le barreau dielectrique 28 est ainsi forme dans la couche superieure 14. Le barreau dielectrique 28 est forme dans la sous-couche centrale 26A de la 5 couche superieure 14 et est delimite par une partie de la sous-couche superieure 22A electriquement conductrice de la couche superieure 14 et, lateralement entre deux frontieres laterales superieures 78. Le barreau dielectrique 28 debouche sur la cavite 32. Comme illustre sur la figure 14, le barreau dielectrique 28 presente une surface 80 10 delimitant la cavite 32. Le barreau dielectrique 28 est dispose entre un plan definit par une surface superieure 20C de la couche centrale 18 et un plan definit par une surface superieure 20A de la couche superieure 14. La couche superieure 14 est depourvue de sous-couche inferieure 24A, dans au 15 moins une partie de la couche superieure 14 entre les deux frontieres laterales superieures 78. En particulier, dans I'exemple illustre sur la figure 14, la couche superieure 14 est entierement depourvue de sous-couche inferieure 24A, entre les deux frontieres laterales superieures 78. Le barreau dielectrique 28 est ici dispose dans Ia zone de propagation 19, tel que, 20 en projection sur Ia surface superieure 20B de Ia couche inferieure 16, le barreau dielectrique 28 est a l'ecart des bords lateraux 36 de Ia cavite 32. Comme dans le premier composant 10A, Ia zone de propagation 19 est delimit& par Ia sous-couche superieure 22B electriquement conductrice de Ia couche inferieure 16 et les deux frontieres laterales centrales 30 amenagees chacune dans Ia couche centrale 25 et espacees I'une de I'autre. En outre, dans le neuvierne composant 101, Ia zone de propagation 19 est delimit& par Ia partie de Ia sous-couche superieure 22A de Ia couche superieure 14 s'etendant au-dessus du barreau dielectrique 28, par une partie de Ia souscouche inferieure 24A electriquement conductrice de Ia couche superieure 14, et par les frontieres laterales superieures 78, les frontieres laterales superieures 78 joignant lesdites 30 parties. Les frontieres laterales superieures 78 sont propres a empecher le passage d'une onde electromagnetique presentant une Iongueur d'onde superieure ou egale a Ia Iongueur d'onde minimale predeterminee. Les frontieres laterales superieures 78 sont chacune amenagees dans Ia couche 35 superieure 14. 27 Les frontieres laterales superieures 78 s'etendent parallelement a l'axe de propagation X-X et sont ici paralleles l'une par rapport a l'autre. Elles s'etendent notamment sur toute l'epaisseur de la couche superieure 14. Les frontieres laterales superieures 78 sont espacees I'une de I'autre. 5 Elles sont notamment ici symetriques I'une de I'autre par rapport au plan median des bords lateraux 36. Le barreau dielectrique 28 est ainsi ici centre sur le plan median des bords lateraux 36. Une section transversale de Ia zone de propagation 19 presente sensiblement une forme en T retourne. 10 Dans l'exemple illustre sur Ia figure 14, en projection sur Ia surface superieure 20B de Ia couche inferieure 16, les frontieres laterales superieures 78 sont disposees a l'ecart et entre les bords lateraux 36. Chaque frontiere laterale superieure 78 connecte electriquement Ia sous-couche inferieure 24A de Ia couche superieure 14 et Ia sous-couche superieure 22A de Ia couche 15 superieure 14 entre elles. Les frontieres laterales superieures 78 et les frontieres laterales centrales 30 connectent electriquement Ia sous-couche superieure 22B de Ia couche inferieure 16 a Ia sous-couche superieure 22A de Ia couche superieure 14, respectivement de part et d'autre de Ia cavite 32. 20 Dans le mode de realisation de Ia figure 14, chaque frontiere laterale superieure 78 comprend une rangee de vias 34 electriquement conducteurs, amenages a travers Ia couche superieure 14. Plus precisement, chaque via 34 s'etend selon Ia direction Z-Z, en traversant Ia couche superieure 14. Chaque via 34 connecte electriquement Ia sous-couche inferieure 24A de Ia 25 couche superieure 14 et Ia sous-couche superieure 22A de Ia couche superieure 14 entre elles. L'ecartement entre deux vias 34 successifs d'une frontiere laterale superieure 78 est inferieur a la longueur d'onde minimale predeterminee, notamment inferieur a un dixierne de la longueur d'onde minimale predeterminee, de preference inferieur a un 30 vingtieme de la longueur d'onde minimale predeterminee. Un neuvierne procede relatif a la fabrication du neuvierne composant 101 va maintenant etre decrit. Le neuvierne procede differe du premier procede en ce que le barreau dielectrique 28 n'est pas decoupe dans Ia couche centrale 18 et n'est pas dispose dans Ia cavite 32. 35 En outre, aucun moyen d'attache tel que decrit dans le premier procede n'est decoupe dans Ia couche centrale 18. Dans ce mode de realisation, aucune attache n'est 28 utilisee comparativement aux modes de realisation permettant de disposer le barreau dielectrique 28 dans la cavite 32. La couche centrale 18 est fournie en presentant un evidement 44 destine a former a lui seul la cavite 32. 5 La fourniture de la couche superieure 14 comprend la fourniture d'une couche initiale superieure, la couche initiale superieure etant destinee a former la couche superieure 14. La couche initiale superieure comprend ainsi au moins une sous-couche dielectrique initiale, destinee a former la sous-couche centrale 26A de la couche 10 superieure 14, une sous-couche superieure electriquement conductrice, destinee a former la sous-couche superieure 22A de la couche superieure 14, et une sous-couche inferieure electriquement conductrice, destinee a former la sous-couche inferieure 24A de la couche superieure 14. Dans le neuvierne procede, l'etape de fourniture de la couche superieure 14 15 comprend Ia realisation du barreau dielectrique 28. La realisation du barreau dielectrique 28 comprend !Implementation des frontieres laterales superieures 78 et Ia suppression d'au moins une partie, avantageusement de I'integralite, de Ia sous-couche inferieure electriquement conductrice de Ia couche initiale superieure s'etendant entre les deux frontieres laterales superieures 78. 20 La partie de Ia sous-couche centrale dielectrique de Ia couche initiale superieure delimitee entre les frontieres laterales superieures 78 forme ledit barreau dielectrique 28. A ('issue de l'etape de realisation du barreau dielectrique 28, Ia couche initiale superieure forme Ia couche superieure 14. Lors de ('assemblage, Ia couche centrale 18 est fixee a Ia couche inferieure 16 et 25 Ia couche superieure 14 est fixee a Ia couche centrale 18 pour former le neuvierne composant 101. Ainsi, apres assemblage, Ia zone de propagation 19 comprend le barreau dielectrique 28 delimite dans Ia couche superieure 14, le barreau dielectrique 28 presentant une surface delimitant Ia cavite 32. 30 En variante non representee du neuvierne composant 101, le barreau dielectrique 28 est delimite dans Ia couche inferieure 16. Dans le procede de fabrication associe, l'etape de fourniture de Ia couche inferieure 16 comprend Ia realisation du barreau dielectrique 28. En variante non representee du neuvierne composant 101, le barreau dielectrique 35 28 n'est pas centre sur le plan median des bords lateraux 36. En particulier, le barreau dielectrique 28 est lateralement decale par rapport au plan median des bords lateraux 36. 29 Les frontieres laterales superieures 78 sont alors depourvues de symetrie par rapport au plan median des bords lateraux 36. Un dixieme composant 10J selon ('invention va maintenant etre decrit en regard de la figure 15. 5 Ce dixieme composant 10J differe du neuvieme composant 101 en ce que ledit barreau dielectrique 28 est un premier barreau dielectrique 28. Le guide d'onde 12 comprend en outre un deuxieme barreau dielectrique 72 dispose dans Ia zone de propagation 19 et delimite dans Ia couche inferieure 16, a l'ecart du premier barreau dielectrique 28. 10 Le deuxieme barreau dielectrique 72 est ainsi forme dans Ia couche inferieure 16 notamment a l'ecart du premier barreau dielectrique 28. Le deuxieme barreau dielectrique 72 est forme dans Ia sous-couche centrale 26B de Ia couche inferieure 16 et est delimite par une partie de Ia sous-couche inferieure 24B electriquement conductrice de Ia couche inferieure 16 et, lateralement entre deux 15 frontieres laterales inferieures 82. Le deuxieme barreau dielectrique 72 debouche sur Ia cavite 32. Comme illustre sur Ia figure 15, le deuxieme barreau dielectrique 72 presente une surface 84 delimitant Ia cavite 32. Le deuxieme barreau dielectrique 72 est dispose entre un plan definit par une 20 surface inferieure 21C de Ia couche centrale 18 et un plan definit par une surface inferieure 21 B de Ia couche inferieure 16. La couche inferieure 16 est depourvue de sous-couche superieure 22B, dans au moins une partie de Ia couche inferieure 16 entre les deux frontieres laterales inferieures 82. En particulier, dans l'exemple illustre sur Ia figure 15, Ia couche inferieure 16 est 25 entierement depourvue de sous-couche superieure 22B, entre les deux frontieres laterales inferieures 82. Le deuxieme barreau dielectrique 72 dispose dans Ia zone de propagation 19, tel que, en projection sur Ia surface superieure 20B de Ia couche inferieure 16, ledit deuxieme barreau dielectrique 72 est a l'ecart des bords lateraux 36 de Ia cavite 32. 30 Comme dans le neuvieme composant 101, Ia zone de propagation 19 est delimitee par une partie de Ia sous-couche inferieure 24A electriquement conductrice de Ia couche superieure 14, une partie Ia sous-couche superieure 22A electriquement conductrice de Ia couche superieure 14 et les frontieres laterales superieures 78 joignant lesdites parties. La zone de propagation 19 est aussi delimitee lateralement par les deux frontieres 35 laterales centrales 30 amenagees chacune dans Ia couche centrale 18 et espacees l'une de l'autre. 30 En outre, dans le dixierne composant 10J, la zone de propagation 19 est delimitee par la partie de la sous-couche inferieure 24B electriquement conductrice de la couche inferieure 16 s'etendant en-dessous du deuxierne barreau dielectrique 72, par une partie de la sous-couche superieure 22B electriquement conductrice de la couche inferieure 16, 5 et par les frontieres laterales inferieures 82, les frontieres laterales inferieures 82 joignant lesdites parties. Les frontieres laterales inferieures 82 de la zone de propagation 19 sont propres a empecher le passage d'une onde electromagnetique presentant une longueur d'onde superieure ou egale a la longueur d'onde minimale predeterminee. 10 Les frontieres laterales inferieures 82 sont amenagees chacune dans la couche inferieure 16. Les frontieres laterales inferieures 82 s'etendent parallelement a I'axe de propagation X-X et sont ici paralleles I'une par rapport a I'autre. Elles s'etendent notamment sur toute l'epaisseur de Ia couche inferieure 16. 15 Les frontieres laterales inferieures 82 sont espacees I'une de I'autre. Elles sont notamment ici symetriques I'une de I'autre par rapport au plan median des bords lateraux 36. Le deuxierne barreau dielectrique 72 est ainsi ici centre sur le plan median des bords lateraux 36. Une section transversale de Ia zone de propagation 19 presente sensiblement une 20 forme en croix. En particulier, les frontieres laterales inferieures 82 s'etendent par exemple ici respectivement dans le prolongement des frontieres laterales superieures 78. En outre, dans I'exemple illustre sur Ia figure 15, en projection sur Ia surface superieure 20B de Ia couche inferieure 16, les frontieres laterales inferieures 82 sont 25 disposees a l'ecart et entre les bords lateraux 36. Chaque frontiere laterale inferieure 82 connecte electriquement Ia sous-couche superieure 22B de Ia couche inferieure 16 et Ia sous-couche inferieure 24B de Ia couche inferieure 16 entre elles. Les frontieres laterales inferieures 82, les frontieres laterales superieures 78 et les 30 frontieres laterales centrales 30 connectent electriquement Ia sous-couche inferieure 24B de Ia couche inferieure 16 a Ia sous-couche superieure 22A de Ia couche superieure 14 respectivement de part et d'autre de Ia cavite 32. Dans le mode de realisation de Ia figure 15, chaque frontiere laterale inferieure 82 comprend une rang& de vias 34 electriquement conducteurs, amenages a travers Ia 35 couche inferieure 16. Plus precisement, chaque via 34 s'etend selon Ia direction Z-Z, en traversant Ia couche inferieure 16. 31 Chaque via 34 connecte electriquement la sous-couche superieure 22B de la couche inferieure 16 et la sous-couche inferieure 24B de la couche inferieure 16 entre elles. L'ecartement entre deux vias 34 successifs d'une frontiere laterale inferieure 82 5 est inferieur a la longueur d'onde minimale predeterminee, notamment inferieur a un dixieme de la longueur d'onde minimale predeterminee, de preference inferieur a un vingtieme de la longueur d'onde minimale predeterminee. Un dixieme procede relatif a la fabrication du dixieme composant 10J va maintenant etre decrit. 10 Le dixieme procede differe du neuvieme procede en ce que l'etape de realisation decrite du barreau dielectrique 28 correspond a la realisation du premier barreau dielectrique 28. Dans le dixieme procede, l'etape de fourniture de la couche inferieure 16 comprend la realisation du deuxieme barreau dielectrique 72. 15 La fourniture de la couche inferieure 16 comprend la fourniture d'une couche initiale inferieure, la couche initiale inferieure etant destinee a former la couche inferieure 16. La couche initiale inferieure comprend ainsi au moins une sous-couche dielectrique initiale, destinee a former Ia sous-couche centrale 26B de Ia couche inferieure 20 16, une sous-couche superieure electriquement conductrice, destinee a former Ia sous- couche superieure 22B de Ia couche inferieure 16, et une sous-couche inferieure electriquement conductrice, destinee a former Ia sous-couche inferieure 24B de Ia couche inferieure 16. La realisation du deuxieme barreau dielectrique 72 comprend !Implementation des 25 frontieres laterales inferieures 82 et la suppression d'au moins une partie, avantageusement de I'integralite, de la sous-couche superieure electriquement conductrice de la couche initiale inferieure s'etendant entre les deux frontieres laterales inferieures 82. La partie de la sous-couche centrale dielectrique de la couche initiale inferieure 30 delimitee entre les frontieres laterales inferieures 82 forme !edit deuxieme barreau dielectrique 72. A !'issue de l'etape de realisation du deuxieme barreau dielectrique 72, la couche initiale inferieure forme la couche inferieure 16. Lors de !'assemblage, la couche centrale 18 est fixee a la couche inferieure 16 et 35 la couche superieure 14 est fixee a la couche centrale 18 pour former le dixieme composant 10J. 32 Ainsi, apres assemblage, la zone de propagation 19 comprend un deuxieme barreau dielectrique 72 delimite dans la couche inferieure 16, le deuxieme barreau dielectrique 72 etant a l'ecart du premier barreau dielectrique 28. En variante du dixieme composant 10J, le deuxieme barreau dielectrique 72 n'est 5 pas centre sur le plan median des bords lateraux 36. En particulier, le deuxieme barreau dielectrique 72 est lateralement decale par rapport au plan median des bords lateraux 36. Les frontieres laterales inferieures 82 sont alors depourvues de symetrie par rapport au plan median des bords lateraux 36. Un onzieme composant 10K selon ('invention va maintenant etre decrit en regard 10 de la figure 16. Le onzieme composant 10K differe du neuvieme composant 101 en ce que ledit barreau dielectrique 28 est un premier barreau dielectrique 28. Le guide d'onde 12 comprend en outre un deuxieme barreau dielectrique 72 dispose dans Ia zone de propagation 19 et delimite dans Ia couche superieure 14, a 15 l'ecart du premier barreau dielectrique 28. Le deuxieme barreau dielectrique 72 est ainsi forme dans Ia couche superieure 14, notamment a l'ecart du premier barreau dielectrique 28. Le premier barreau dielectrique 28 et le deuxieme barreau dielectrique 72 sont chacun formes dans Ia sous-couche centrale 26A de Ia couche superieure 14 et sont 20 respectivement delimites par une partie de Ia sous-couche superieure 22A electriquement conductrice de Ia couche superieure 14 et, lateralement entre une frontiere laterale superieure inferieure 86 et une frontiere laterale superieure exterieure 88. Le premier barreau dielectrique 28 et le deuxieme barreau dielectrique 72 debouchent chacun au moins en partie sur Ia cavite 32. 25 Comme illustre sur Ia figure 16, le premier barreau dielectrique 28 et le deuxieme barreau dielectrique 72 presentent chacun une surface 90A, 90B delimitant Ia cavite 32. Entre une frontiere laterale superieure inferieure 86 et Ia frontiere laterale superieure exterieure 88 qui lui est adjacente, Ia couche superieure 14 est depourvue de sous-couche inferieure 24A, dans au moins une partie de Ia couche superieure 14. Par 30 « une frontiere laterale superieure inferieure et une frontiere laterale superieure exterieure adjacentes », on entend qu'aucune frontiere laterale superieure inferieure 86 n'est interposee entre lesdites frontieres. Comme dans le premier composant 10A, Ia zone de propagation 19 est delimitee par Ia sous-couche superieure 22B electriquement conductrice de Ia couche inferieure 16 35 et les deux frontieres laterales centrales 30 amenagees chacune dans Ia couche centrale 18 et espacees l'une de l'autre. 33 En outre, dans le onzierne composant 10K, la zone de propagation 19 est delimitee par la partie de la sous-couche superieure 22A de la couche superieure 14 s'etendant au-dessus du premier barreau dielectrique 28 et du deuxierne barreau dielectrique 72, par une partie de la sous-couche inferieure 24A electriquement 5 conductrice de la couche superieure 14, et par les frontieres laterales superieures interieures 86 et par les frontieres laterales superieures exterieures 88, les frontieres laterales superieures interieures 86 et exterieures 88 joignant lesdites parties. Les frontieres laterales superieures interieures 86 et exterieures 88 sont propres a empecher le passage d'une onde electromagnetique presentant une longueur d'onde 10 superieure ou egale a la longueur d'onde minimale predeterminee. Les frontieres laterales superieures interieures 86 et exterieures 88 sont amenagees chacune dans la couche superieure 14. Les frontieres laterales superieures interieures 86 et exterieures 88 s'etendent parallelement a I'axe de propagation X-X et sont ici paralleles I'une par rapport a I'autre. 15 Elles s'etendent notamment sur toute l'epaisseur de Ia couche superieure 14. Les frontieres laterales superieures interieures 86 et exterieures 88 sont espacees les unes des autres. Les frontieres laterales superieures interieures 86 et exterieures 88 connectent respectivement electriquement Ia sous-couche inferieure 24A de Ia couche superieure 14 20 et Ia sous-couche superieure 22A de Ia couche superieure 14 entre elles. Les frontieres laterales superieures exterieures 88 et les frontieres laterales centrales 30 connectent electriquement Ia sous-couche superieure 22B de Ia couche inferieure 16 a Ia sous-couche superieure 22A de Ia couche superieure 14, respectivement de part et d'autre de Ia cavite 32. 25 Dans I'exemple illustre sur Ia figure 16, les frontieres laterales superieures exterieures 88 sont respectivement disposees dans le prolongement des frontieres laterales centrales 30. En variante, elles sont lateralement decalees par rapport aux frontieres laterales centrales 30. Les frontieres laterales superieures exterieures 88 sont ici symetriques I'une de 30 I'autre par rapport au plan median des bords lateraux 36. Les frontieres laterales superieures interieures 86 sont disposees entre les frontieres laterales superieures exterieures 88. Les frontieres laterales superieures interieures 86 sont ici symetriques I'une de I'autre par rapport au plan median des bords lateraux 36. 35 Le premier barreau dielectrique 28 et le deuxierne barreau dielectrique 72 sont chacun lateralement decales par rapport au plan median des bords lateraux 36. 34 Dans I'exemple illustre sur la figure 16, en projection sur la surface superieure 20B de Ia couche inferieure 16, les frontieres laterales superieures interieures 86 sont disposees a l'ecart et entre les bords lateraux 36. La sous-couche inferieure 24A de Ia couche superieure 14 connecte 5 electriquement les frontieres laterales superieures interieures 86 entre elles. Entre les frontieres laterales superieures interieures 86, Ia sous-couche inferieure 24A de Ia couche superieure 14 est continue. Par « continue », on entend que Ia souscouche inferieure 24A de Ia couche superieure 14 est depourvue d'ouverture traversante. Dans le mode de realisation de Ia figure 16, chacune des frontieres laterales 10 superieures interieures 86 et exterieures 88 comprend une rangee de vias 34 electriquement conducteurs, amenages a travers Ia couche superieure 14. Plus precisement, chaque via s'etend selon Ia direction Z-Z, en traversant Ia couche superieure 14. Chaque via connecte electriquement la sous-couche inferieure 24A de la couche 15 superieure 14 et la sous-couche superieure 22A de la couche superieure 14 entre elles. L'ecartement entre deux vias 34 successifs d'une frontiere laterale superieure inferieure 86 ou exterieure 88 est inferieur a la longueur d'onde minimale predeterminee, notamment inferieur a un dixierne de la longueur d'onde minimale predeterminee, de preference inferieur a un vingtieme de la longueur d'onde minimale predeterminee. 20 Un onzierne procede relatif a la fabrication du onzierne composant 10K va maintenant etre decrit. Le onzierne procede differe du neuvierne procede en ce que l'etape de fourniture de la couche superieure 14 comprend la realisation du premier barreau dielectrique 28 et la realisation du deuxierne barreau dielectrique 72. 25 L'etape de realisation comprend !Implementation des frontieres laterales superieures interieures 86 et exterieures 88 dans la couche superieure 14, et la suppression d'au moins une partie de la sous-couche inferieure electriquement conductrice de la couche initiale superieure s'etendant entre les frontieres laterales superieures interieures 86 et exterieures 88 adjacentes les unes aux autres. 30 Les parties de la sous-couche centrale dielectrique de la couche initiale superieure delimitees entre les frontieres laterales superieures inferieure 86 et exterieure 88 adjacentes forment le premier barreau dielectrique 28 et le deuxierne barreau dielectrique 72. Un douzierne composant 10L selon ('invention va maintenant etre decrit en regard 35 de la figure 17. 35 Le douzierne composant 10L differe du onzierne composant 10K en ce que le guide d'onde 12 comprend en outre un autre barreau dielectrique 28, ledit autre barreau dielectrique 28 etant dispose dans la cavite 32, a l'ecart des bords lateraux 36 de la cavite 32. 5 Ledit autre barreau dielectrique 28 est similaire au barreau dielectrique du premier composant 10A. Le douzierne composant 10L permet d'elargir la bande monomode et d'obtenir egalement des caracteristiques de propagation interessante pour le domaine d'application radiofrequences. 10 Un douzierne procede relatif a la fabrication du douzierne composant 10L va maintenant etre decrit. Le douzierne procede differe du onzierne procede en ce qu'il comprend en outre une etape de realisation de l'autre barreau dielectrique 28. Cette etape de realisation de l'autre barreau dielectrique 28 est sensiblement 15 similaire a l'etape REVENDICATIONS1.- Composant micro-ondes (10) comportant un guide d'onde (12) comprenant au moins une couche superieure (14) presentant au moins une surface electriquement conductrice, une couche inferieure (16) presentant au moins une surface electriquement conductrice, et une couche centrale (18) interposee entre la couche superieure (14) et la couche inferieure (16), lesdites couches definissant une zone de propagation (19) d'une onde electromagnetique, la zone de propagation (19) s'etendant le long d'un axe de propagation, et comprenant une cavite (32), la cavite (32) etant delimitee par la couche superieure (14), par la couche inferieure (16), et, lateralement, par deux bords lateraux opposes (36) de la couche centrale (18), caracterise en ce que le guide d'onde (12) comprend au moins un barreau dielectrique (28) dispose dans la zone de propagation (19), le barreau dielectrique (28) etant delimite dans I'une de la couche superieure (14) et de la couche inferieure (16) ou etant dispose dans Ia cavite (32) a l'ecart des bords lateraux (36) de Ia cavite (32). 2.- Composant selon Ia revendication 1, dans lequel le barreau dielectrique (28) s'etend suivant une direction longitudinale parallele a I'axe de propagation, et est centre sur un plan median des deux bords lateraux (36) ou est decale lateralement du plan median des deux bords lateraux (36). 3.- Composant selon I'une quelconque des revendications 1 ou 2, dans lequel ledit barreau dielectrique (28) est dispose dans Ia cavite (32) a l'ecart des bords lateraux (36) de Ia cavite (32), le guide d'onde (12) comprenant un composant d'attache fonctionnel (58), le composant d'attache fonctionnel (58) etant forme par une pluralite d'attaches dielectriques (56) venues de matiere avec le barreau dielectrique (28), chaque attache dielectrique (56) s'etendant a partir d'un des bords lateraux (36), les attaches dielectriques (56) etant configurees pour realiser une fonction de filtre pour une onde electromagnetique se propageant dans Ia zone de propagation (19). 4.- Composant selon I'une quelconque des revendications 1 a 3, dans lequel ledit barreau dielectrique (28) est dispose dans Ia cavite (32) a l'ecart des bords lateraux (36) de Ia cavite (32), Ia couche centrale (18) comprenant au moins une sous-couche dielectrique (26C), Ia cavite (32) etant delimitee selon I'axe de propagation entre une extremity avant (60) et une extremite arriere (62) de Ia couche centrale (18), le barreau dielectrique (28) s'etendant de l'extremite avant (60) a l'extremite arriere (62) et etant venu de matiere avec ladite sous-couche dielectrique (26C) de Ia couche centrale (18). 37 5.- Composant selon l'une quelconque des revendications 1 a 4, dans lequel ledit barreau dielectrique (28) est dispose dans Ia cavite (32) a l'ecart des bords lateraux (36) de Ia cavite (32), ledit barreau dielectrique (28) etant un premier barreau dielectrique (28), le guide d'onde (12) comprenant en outre un deuxierne barreau dielectrique (72), le 5 deuxierne barreau dielectrique (72) etant dispose dans Ia cavite (32), a l'ecart dudit premier barreau dielectrique (28), et a l'ecart des bords lateraux (36) de Ia cavite (32). 6.- Composant selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, dans lequel le barreau dielectrique (28) est delimite dans l'une de Ia couche superieure (14) et de Ia couche inferieure (16), ledit barreau dielectrique (28) presentant une surface (80, 84, 90A, 10 90B) delimitant Ia cavite (32). 7.- Composant selon Ia revendication 6, dans lequel ledit barreau dielectrique (28) est un premier barreau dielectrique (28), le guide d'onde (12) comprenant en outre un deuxierne barreau dielectrique (72) dispose dans Ia zone de propagation (19), le deuxierne barreau dielectrique (72) etant delimite dans l'une de Ia couche superieure (14) 15 et de Ia couche inferieure (16), a l'ecart du premier barreau dielectrique (28), et presentant une surface (80, 84, 90A, 90B) delimitant Ia cavite (32). 8.- Composant selon l'une quelconque des revendications 6 ou 7, dans lequel le guide d'onde (12) comprend en outre un autre barreau dielectrique (28), ledit autre barreau dielectrique (28) etant dispose dans Ia cavite (32), a l'ecart des bords lateraux 20 (36) de Ia cavite (32). 9.- Procede de fabrication d'un composant micro-ondes comprenant les etapes suivantes : - fourniture d'une couche superieure (14) et d'une couche inferieure (16) presentant respectivement au moins une surface electriquement conductrice ; 25 - fourniture d'une couche centrale presentant un ou une pluralite d'evidement(s), ledit evidement (44) ou ladite pluralite d'evidements (44) etant destine(e) a former une cavite (32) delimitee lateralement par des bords lateraux opposes (36) formes par Ia couche centrale (18) ; puis, - assemblage des couches de telle sorte que Ia couche centrale (18) snit 30 interposee entre Ia couche superieure (14) et Ia couche inferieure (16), les couches definissant une zone de propagation (19) d'une onde electromagnetique, Ia zone de propagation (19) s'etendant le long d'un axe de propagation et comprenant une cavite (32), Ia cavite (32) etant formee par ledit evidement (44) ou ladite pluralite d'evidements (44) en etant delimitee par Ia couche superieure (14), par Ia couche inferieure (16), et, 35 lateralement, par lesdits bards lateraux (36) de Ia couche centrale (18) ; 38 l'etape de fourniture d'au moins une des couches (14, 16, 18) comprenant la realisation d'un barreau dielectrique (28), ledit barreau dielectrique (28) etant dispose ou destine a etre dispose dans ladite couche (14, 16, 18), de telle sorte qu'apres l'etape d'assemblage, le barreau dielectrique (28) est dispose dans Ia zone de propagation (19) 5 et est delimite dans l'une de Ia couche superieure (14) et de Ia couche inferieure (16), ou de telle sorte qu'apres l'etape d'assemblage, le barreau dielectrique (28) est dispose dans Ia zone de propagation (19) et dans Ia cavite (32) a l'ecart des bords lateraux (36) de Ia cavite (32). 10.- Procede selon Ia revendication 9, dans lequel l'etape de Ia fourniture de Ia 10 couche centrale (18) comprend Ia realisation du barreau dielectrique (28), ledit barreau dielectrique (28) etant dispose ou destine a etre dispose dans ladite couche centrale (18), de telle sorte qu'apres l'etape d'assemblage, le barreau dielectrique (28) est dispose dans Ia zone de propagation (19) et dans Ia cavite (32) a l'ecart des bords lateraux (36) de Ia cavite (32), 15 le barreau dielectrique (28) etant destine a etre dispose entre un plan defini par une surface superieure (20C) de Ia couche centrale (18) et un plan defini par une surface inferieure (21C) de Ia couche centrale (18). 11.- Procede selon Ia revendication 10, dans lequel l'etape de fourniture de Ia couche centrale (18) comprend : 20 - Ia fourniture d'une couche initiale (46), Ia couche initiale (46) etant destinee a former Ia couche centrale (18), comprenant au moins une sous-couche dielectrique initiale (48) et etant depourvue d'evidement, - Ia decoupe, dans Ia couche initiale (46), de ladite pluralite d'evidements (44) destinee a former Ia cavite (32), 25 l'etape de realisation du barreau dielectrique (28) etant mise en oeuvre lors de Ia decoupe de ladite pluralite d'evidements (44), ladite pluralite d'evidements (44) decoupee delimitant ledit barreau dielectrique (28), le barreau dielectrique (28) presentant une longueur, prise selon I'axe de propagation, egale a Ia longueur de Ia cavite (32), prise selon I'axe de propagation. 30 12.- Procede selon Ia revendication 10, dans lequel l'etape de fourniture de Ia couche centrale (18) comprend : - Ia fourniture d'une couche initiale (46), Ia couche initiale (46) etant destinee a former Ia couche centrale (18), comprenant au moins une sous-couche dielectrique initiale (48) et etant depourvue d'evidement, 35 - Ia decoupe, dans Ia couche initiale (46), de ladite pluralite d'evidements (44) destinee a former Ia cavite (32), 39 l'etape de realisation du barreau dielectrique (28) etant mise en oeuvre lors de la decoupe de ladite pluralite d'evidements (44), ladite pluralite d'evidements (44) decoupee etant destinee a delimiter Ia cavite (32), et delimitant le barreau dielectrique (28) et des moyens d'attache (54) du barreau dielectrique (28), 5 les moyens d'attache (54) comprenant une pluralite d'attaches dielectriques (56) reliant le barreau dielectrique (28) a au moins un des bords lateraux (36). 13.- Procede selon Ia revendication 10, dans lequel l'etape de realisation du barreau dielectrique (28) comprend Ia fourniture d'un barreau dielectrique (28) et de moyens d'attache (54) du barreau dielectrique (28), les moyens d'attache (54) 10 comprenant une pluralite d'attaches dielectriques (56) solidaire dudit barreau dielectrique (28), le barreau dielectrique (28) et les moyens d'attache (54) etant fournis a l'ecart de Ia couche centrale (18). 14.- Procede selon I'une quelconque des revendications 12 ou 13, dans lequel l'etape d'assemblage des couches comprend Ia fixation de Ia couche centrale (18) a Ia 15 couche inferieure (16), puis le retrait des moyens d'attache (54), par leur decoupe, une fois Ia couche centrale (18) fixee a Ia couche inferieure (16). 15.- Procede selon Ia revendication 9, dans lequel l'etape de fourniture de I'une de Ia couche superieure (14) et de Ia couche inferieure (16) comprend Ia realisation du barreau dielectrique (28), ledit barreau dielectrique (28) etant dispose ou destine a etre 20 dispose dans ladite couche (14, 16), de telle sorte qu'apres l'etape d'assemblage, le barreau dielectrique (28) est dispose dans Ia zone de propagation (19) et est delimite dans ladite couche (14, 16).