Brevet FR3062981A1 — publié le 20180817

STRUCTURE DE BLINDAGE ÉLECTROMAGNÉTIQUE POUR CARTES ÉLECTRONIQUES DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE La présente invention concerne une structure de blindage électromagnétique pour cartes électroniques et son procédé de réalisation. Les cartes électroniques ou circuits imprimés sont formés de différents composants électroniques, tels que des microprocesseurs, des mémoires, ou des bus, par exemple, disposés sur une plaque et reliés électriquement entre eux. Pour protéger les composants électroniques du champ électromagnétique, des radiofréquences et des parasites électriques, un blindage électromagnétique est déposé sur la carte électronique. Le blindage électromagnétique forme une barrière physique, électriquement conductrice, entre la source électromagnétique et les éléments potentiellement sensibles à protéger. Les dispositifs de blindage sont, classiquement, sous la forme de boitiers de blindages (aussi appelés « cages » de blindage). Les boitiers sont réalisés en utilisant des feuilles de métal ou des grilles de métal qui recouvrent les éléments sensibles. Les boitiers peuvent être fixés sur les cartes électroniques, par exemple avec des clips de fixation ou de vissage, ou encore grâce à une soudure. Ces systèmes de fixation nécessitent généralement une mise en oeuvre complexe et longue. De plus, ce type de boitiers présente un encombrement assez important et est plutôt adapté pour des cartes électroniques présentant une surface plane et une forme géométrique simple, par exemple carrée ou rectangulaire. EXPOSÉ DE L'INVENTION C'est, par conséquent, un but de la présente invention de proposer une structure de blindage électromagnétique peu encombrante et légère. C'est un autre but de la présente invention de proposer une structure de blindage pouvant être disposée sur des cartes électroniques de tailles et formes variées. 3062981 comprenant : 2 Ces buts sont atteints par une structure de blindage électromagnétique - une couche électriquement isolante en un premier matériau polymère, 5 - un film de blindage électriquement conducteur formé d'un matériau composite comprenant des nanofils métalliques et un deuxième matériau polymère. Par « matériau polymère », on entend un matériau formé d'un polymère ou d'un copolymère. Par « nanofils métalliques », on entend qu'il y a au moins 90 % de 10 nanofils métalliques. Il peut y avoir jusqu'à 10 % massique d'éléments additionnels. Les éléments additionnels sont électriquement conducteurs. Par exemple, le film de blindage peut comprendre, en plus des nanofils métalliques, des nanotubes de carbone et/ou du graphène. Les nanofils forment un réseau percolant conducteur électrique semi- 15 transparent. Par réseau percolant, on entend que les nanofils forment un chemin continu tout au long du film de blindage de manière à pouvoir conduire électriquement les charges d'un bout à l'autre du film de blindage. Par semi-transparent, on entend que le réseau de nanofils a une transmittance supérieure à 50 % dans le domaine visible, i.e. de 350nm à 750nm, et de préférence supérieure à 70 % dans le domaine visible. 20 Les nanofils sont des nanofils d'un métal noble, ou d'un alliage de métaux nobles, d'un métal, ou d'un alliage de métaux, ou encore d'un alliage d'un métal et d'un métal noble. Préférentiellement, les nanofils sont des nanofils d'argent, d'or, de cuivre ou de nickel. Par nanofils d'argent, par exemple, on entend que plus de 80 % des 25 nanofils sont des nanofils d'argent. Par exemple, pour les nanofils dits « d'argent », 90 % des nanofils peuvent être des nanofils d'argent, et 10 % de nanofils peuvent être des nanofils d'un autre métal, comme le cuivre. Par matériau composite, on entend que le réseau de nanofils est disposé, et dispersé de manière homogène, au sein du matériau polymère. La cohésion 3062981 3 du réseau de nanofils est assurée par le matériau polymère. Les trous du réseau de nanofils peuvent être remplis par le matériau polymère. Avantageusement, la masse surfacique de nanofils est de 50mg/m2 à 5000mg/m2, plus avantageusement de 200mg/m2 à 2000mg/m2, ce qui permet de réduire 5 la quantité de matière première utilisée, notamment dans le cas des métaux précieux. Le coût de fabrication est alors réduit tout en offrant une bonne conduction électrique, et un blindage électromagnétique efficace. Avantageusement, le diamètre moyen des nanofils est inférieur à 200nm, et de préférence inférieur à 100 nm, et la longueur moyenne des nanofils est de 10 1um à 500u.m. Avantageusement, le deuxième matériau polymère est le chitosan, une cellulose ou un de ses dérivés, un polysiloxane, un polyépoxyde, un polyacrylique, un polystyrène ou un polyuréthane. La structure de blindage peut comprendre une couche de protection en 15 un troisième matériau polymère, le film de blindage étant disposé entre la couche électriquement isolante et la couche de protection. Avantageusement, la couche de protection protège les nanofils de l'atmosphère, et plus particulièrement des risques de dégradation chimique, par exemple des réactions d'oxydation ou de sulfuration. Avantageusement, le troisième matériau polymère est un polysiloxane, 20 un polyépoxyde, un polyacrylique ou un polyuréthane. Avantageusement, le premier matériau polymère est un polysiloxane, un polyépoxyde, un polyacrylique ou un polyuréthane. Avantageusement, la couche électriquement isolante et la couche de protection ont une épaisseur allant de 1um à 5000um, et de préférence, de 1um à 25 1000um. Avantageusement, la structure de blindage est semi-transparente. Il est donc possible de visualiser les éléments sensibles à travers la structure de blindage. Le matériau polymère ainsi que l'épaisseur de la couche électriquement isolante et de la couche de protection seront choisis de telle sorte que ces couches aient la transparence voulue. 3062981 4 L'invention concerne également un support comprenant une zone de composants électroniques à protéger et une piste de masse, recouvert par la structure de blindage telle que définie ci-dessus, la couche électriquement isolante recouvrant au moins la zone de 5 composants électroniques à protéger, le film de blindage électromagnétique étant disposé sur la zone de composants électroniques et se prolongeant jusqu'à la piste de masse, de manière à réaliser une prise de contact sur la piste de masse, le film de blindage électromagnétique étant électriquement isolé de la zone de composants électroniques à protéger par la 10 couche électriquement isolante. Avantageusement, le support est une carte électronique. L'invention concerne également un procédé de réalisation d'une structure de blindage électromagnétique sur un support comprenant une zone de composants électroniques à protéger et une piste de masse, ledit procédé comprenant au 15 moins les étapes successives suivantes : a) fourniture d'un support comprenant une zone de composants électroniques et une piste de masse, b) formation d'une couche électriquement isolante en un premier matériau polymère au moins sur la zone de composants électroniques, 20 c) formation d'un film de blindage électriquement conducteur sur la zone de composants électroniques et jusqu'à la piste de masse, la formation du film de blindage étant réalisée par dépôt et séchage ou par dépôt, polymérisation et séchage d'une solution contenant : - des nanofils métalliques, 25 - un solvant, - un second matériau polymère ou un précurseur du second matériau polymère associé à un initiateur de polymérisation, - éventuellement, un additif, tel que des particules de silice ou d'alumine. 3062981 5 Le procédé peut comprendre une étape d) ultérieure dans laquelle une couche de protection en un troisième matériau polymère est formée sur le film de blindage. Avantageusement, les nanofils métalliques représentent de 0.01 % à 5 50 % massique de la solution, et de préférence de 0.1 % à 20 % massique de la solution, et encore plus préférentiellement de 0.5 % à 10 % massique. La solution est, avantageusement, homogène, les nanofils sont bien dispersés dans le solvant, ce qui garantit la qualité du réseau percolant formé après évaporation du solvant. Le film de blindage peut être formé localement sur la zone de 10 composants électroniques à travers un masque ou par dépôt par pulvérisation localisé. Seule, la zone à protéger est recouverte, ce qui limite la consommation de nanofils et les coûts de réalisation. Avantageusement, la couche électriquement isolante et/ou la couche de protection sont formées par une technique de dépôt sans contact, tel qu'un dépôt par 15 pulvérisation ou par enduction en rideau. La formation de la couche peut être réalisée en dispersant le polymère dans le solvant, en appliquant la solution sur un support et en évaporant le solvant. De manière très avantageuse, un tel procédé peut être réalisé à température ambiante et à pression ambiante, ce qui facilite sa mise en oeuvre et 20 autorise l'utilisation de substrat plastique ou polymère. Par température ambiante, on entend une température de l'ordre de 20-25°C et par pression ambiante, on entend une pression de l'ordre de 1bar. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise sur la base de la description 25 qui va suivre et des dessins en annexe sur lesquels: - la figure 1 est une vue, en coupe et de profil, d'un support comprenant une zone de composants protégée par une structure de blindage électromagnétique selon un premier mode de réalisation de l'invention, 3062981 6 - la figure 2 est une vue, en coupe et de profil, d'un support comprenant une zone de composants protégée par une structure de blindage électromagnétique selon un deuxième mode de réalisation de l'invention, - la figure 3 est une vue de dessus d'un support comprenant une zone 5 de composants non protégée et deux zones de composants protégées chacune par une structure de blindage électromagnétique selon un troisième mode de réalisation de l'invention, - la figure 4 est une vue de dessus d'un support comprenant deux zones de composants protégées par une même structure de blindage électromagnétique 10 selon un quatrième mode de réalisation de l'invention, - la figure 5 est une vue, en coupe et de profil, d'un support comprenant deux zones de composants protégées par une même structure de blindage électromagnétique selon un cinquième mode de réalisation de l'invention, - la figure 6 est une vue de dessus d'un réseau de nanofils métalliques, 15 selon un mode de réalisation particulier de l'invention. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) doivent être comprises comme n'étant pas exclusives les unes des autres et pouvant se combiner 20 entre elles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS On se réfère tout d'abord aux figures 1 à 5 qui représentent une structure de blindage électromagnétique 100 sur un support 200 comportant au moins une zone de composants 201, dits « sensibles », à protéger. 25 Le support 200 Le support 200 comprend des composants à protéger et une piste de masse 202. 3062981 7 Le support 200 a, par exemple, une forme rectangulaire. Il pourrait, cependant, avoir une autre forme, carrée par exemple. Le support 200 peut être plan. Selon une variante, il n'est pas plan, c'est-à-dire que le support 200 présente des courbures, des inégalités de niveau, indépendamment de la présence des composants 5 électroniques. Le support 200 est, par exemple, une carte électronique. Les composants de la carte électronique peuvent être par exemple des microprocesseurs, des mémoires, des composants d'entrée et de sortie, des condensateurs, des résistances, des convertisseurs, ou des bus. Les composants peuvent être de même taille ou de tailles 10 différentes. Le support 200 peut comporter une seule zone de composants 201 à protéger (figures 1, 2) ou une pluralité de zones de composants à protéger (figures 3, 4, 5). La zone à protéger peut comporter un seul composant ou une pluralité de composants. La zone de composants 201 à protéger peut représenter une surface de 15 quelques mm2 ou de quelques cm2 selon le nombre de composants présents dans la zone. Il est parfois nécessaire de recouvrir tous les composants électroniques, ce qui peut représenter une surface de quelques dm2. Le support peut également comporter une ou plusieurs zones de composants qui n'ont pas besoin d'être protégées 203 (figure 3). 20 Chaque zone 201 à protéger peut être recouverte par sa propre structure de blindage 100 (figure 3) ou par une structure de blindage 100 commune (figures 4 et 5). Chaque structure de blindage 100 est connectée à la piste de masse 202. La piste de masse 202 est reliée à la masse du support 200. La piste de masse 202 est, par exemple, un anneau métallique, appelé anneau de garde. La piste de 25 masse 202 est, par exemple, en or. Comme représenté sur les figures 1 à 5, la piste de masse 202 suit tout le contour du support. Elle pourrait, selon une variante non représentée, ne suivre qu'une partie du pourtour. Sur les différentes figures, la piste de masse 202 est sur le support 200, selon une variante, elle pourrait être incrustée dans le support 200. 30 3062981 8 La structure de blindage électromagnétique 100 La structure de blindage électromagnétique 100 est formée successivement par, et de préférence constituée par : - une couche électriquement isolante 101 en un premier matériau 5 polymère, - un film de blindage 102 électriquement conducteur formé d'un matériau composite comprenant des nanofils métalliques et un deuxième matériau polymère, - et, éventuellement, une couche de protection 103 en un troisième 10 matériau polymère. La structure de blindage électromagnétique 100 pourrait contenir des couches additionnelles. Par exemple, elle pourrait comprendre deux couches de protection au lieu d'une seule. Selon un premier mode préférentiel, la structure de blindage 100 est 15 constituée par la couche électriquement isolante 101 et le film de blindage 102. Selon un deuxième mode préférentiel, la structure de blindage 100 est constituée par la couche électriquement isolante 101, le film de blindage 102 et la couche de protection 103. La structure de blindage électromagnétique 100 a, avantageusement, 20 une transmittance, ou transparence, supérieure à 50 % dans le domaine visible (de 350nm à 750nm), et de préférence supérieure à 70 %. On parle de couche semitransparente. La structure 100 selon l'invention permet la visualisation des composants contrairement aux structures de blindage de l'art antérieur de type boitiers. 25 La couche électriquement isolante 101 La couche 101 a pour fonction d'isoler électriquement les composants du support 200 du film de blindage 102 électriquement conducteur. La couche 101 peut recouvrir une seule zone 201 de composants (figures 1, 2 et 3) ou une pluralité de zones 201 de composants (figures 4 et 5). Elle peut recouvrir tout le support, excepté la piste de 30 masse 202. 3062981 9 Le polymère formant la couche de protection 101 est, par exemple, un polysiloxane (aussi appelé silicone), un polyacrylique, un polyuréthane ou un polyépoxyde (aussi appelé époxy). La couche 101 a, par exemple, une épaisseur allant de 1um à 5000um et 5 de préférence, une épaisseur allant de 1um à 1000um pour recouvrir tout type de composants, de toutes formes géométriques, même ceux présentant des reliefs, et ceux de taille importante. La couche 101 de polymère a, avantageusement, une transparence ou transmittance supérieure à 70 % dans le domaine visible. Il est possible de visualiser les 10 composants à travers la couche 101, ce qui facilite le dépôt localisé du film de blindage électromagnétique 102 sur la ou les zones 201 de composants à protéger. Le film de blindage électromagnétique 102 Le film de blindage électromagnétique 102 protège les composants 15 électroniques du support des parasites électromagnétiques. Le film de blindage 102 recouvre sur la zone 201 de composants électroniques à protéger et se prolonge jusqu'à la piste de masse 202, de manière à réaliser une prise de contact sur la piste de masse 202. Selon un mode de réalisation représenté sur la figure 1, le support 200 20 n'est pas en contact avec le film de blindage 102, la couche électriquement isolante 101 est interposée entre le support 200 et le film de blindage 102. Selon une variante représentée à la figure 2, une partie du support 200 peut être en contact avec le film de blindage 102. Cette variante est, avantageusement, réalisée, si la partie du support 200 en contact avec le film de blindage 102 est 25 électriquement isolante et/ou si elle ne comporte pas de composants ou de pistes électriques. Le film de blindage 102 peut prendre contact sur une partie de la piste de masse 202 (figures 1, 2, 3 et 4) ou sur tout le pourtour du support 200 (figure 5). La masse surfacique de nanofils est de 50 à 5000mg/m2, de préférence 30 de 200 à 2000mg/m2 pour permettre un blindage efficace tout en étant semi-transparent. 3062981 10 Les nanofils peuvent être des nanofils d'argent, d'or, de nickel ou de cuivre. Le diamètre moyen des nanofils est, avantageusement, inférieur à 200nm, et, encore plus avantageusement, inférieur à 100nm. Le diamètre des nanofils 5 est, de préférence, de 15nm à 200nm, encore plus préférentiellement de 20nm à 80nm et de manière encore plus préférentielle de 40nm à 80nm. La longueur moyenne des nanofils est, avantageusement, comprise entre 1um et 500um, de préférence la longueur va de 2um à 25um, et encore plus préférentiellement la longueur est de l'ordre de 10um. Une représentation schématique d'une couche de nanofils est donnée 10 sur la figure 6. Les nanofils forment un réseau percolant en trois dimensions, c'est-à-dire que les nanofils sont agencés de telle sorte qu'ils permettent le transport d'électrons. Le réseau tridimensionnel forme des trous. Le film de blindage peut comprendre plusieurs épaisseurs de nanofils, avantageusement jusqu'à trois épaisseurs. Le film de blindage 102 a, par exemple, une 15 épaisseur de 200nm à 1000um, de préférence de 500nm à 100um. Le film de blindage 102 peut comprendre, en outre, des nanotubes de carbone et/ou du graphène pour améliorer la conductivité électrique du film de blindage 102. Le polymère peut être électriquement isolant. Selon une variante, le 20 polymère peut participer aux transports des charges vers la piste de masse. Le matériau polymère est, avantageusement, choisi parmi le chitosan, une cellulose ou un de ses dérivés (comme la carboxyméthylcellulose), un polysiloxane, un polyépoxyde, un polyacrylique, un polystyrène ou un polyuréthane. 25 La couche de protection 103 La couche de protection 103 ajoute un maintien mécanique additionnel aux nanofils du film de blindage électromagnétique 102. Avantageusement, elle joue également le rôle de barrière de diffusion en protégeant les nanofils de l'atmosphère, notamment du dioxygène, et du soufre, ce qui évite leur oxydation ou sulfuration. Les 30 risques de dégradation chimique sont ainsi limités et les performances de blindage 3062981 11 électromagnétique améliorées. Elle est, avantageusement, électriquement isolante. Néanmoins, sa présence est facultative. La structure de blindage électromagnétique 100 représentée sur les figures 3 et 4 ne comporte pas de couche de protection 103. La couche de protection est représentée sur les figures 1, 2 et 5. Elle 5 recouvre le film électromagnétique 102. Elle peut le recouvrir intégralement. Avantageusement, on laissera une accessibilité à la piste de masse 202. La couche de protection 103 est, par exemple, en polysiloxane, en polyépoxyde, en polyacrylique ou en polyuréthane. La couche de protection 103 a une épaisseur allant de 1um à 5000um 10 et, de préférence, de 1um à 1000um, et encore plus préférentiellement de 1um à 500um. La couche de protection 103 est semi-transparente. Un procédé de réalisation d'une structure de blindage va maintenant être décrit. La structure de blindage électromagnétique 100 est réalisée sur un support comprenant une zone de composants électroniques à protéger 201 et une piste de masse 15 202. Lors d'une première étape, la couche électriquement isolante 101 est formée au moins sur la zone de composants électroniques 201. Lors d'une deuxième étape, le film de blindage 102 électriquement conducteur est formé, par-dessus la couche électriquement isolante 101, sur la zone de 20 composants électroniques 201 et jusqu'à la piste de masse 202. Le film de blindage 102 est formé en déposant et en séchant une solution contenant : - des nanofils métalliques, - un solvant, - un matériau polymère 25 - éventuellement, un additif, tel que des particules de silice ou d'alumine. Selon une variante, le matériau polymère, en solution, est remplacé par un précurseur du matériau polymère associé à un initiateur de polymérisation. Par précurseur du matériau polymère, on entend des monomères et/ou des oligomères et/ou 30 des pré-polymères menant à la formation du polymère. L'initiateur de polymérisation est, 3062981 12 par exemple, un photoinitiateur ou un amorceur radicalaire. Le film de blindage est formé en déposant, polymérisant et séchant la solution. Le solvant est choisi parmi l'eau, un solvant organique et un de leur mélange. Préférentiellement, le solvant est choisi parmi l'eau, un alcool et un mélange 5 eau/alcool. L'alcool a, par exemple, de 1 à 4 atomes de carbone. Selon une variante, un solvant organique tel que l'acétone, la méthyléthylcétone, le diméthylsufoxyde, le nméthylpyrrolidone, le cyclohexane, ou le pentane, est utilisé. L'additif permet, avantageusement, de disperser les charges en solution. L'additif est, par exemple, des particules de silice ou d'alumine. La proportion d'additif, 10 dans la solution, ne dépassera pas 8 % massique. Préférentiellement, les nanofils métalliques représentent de 0.01 % à 50 % massique de la solution, plus préférentiellement, ils représentent de 0.1 % à 20 % massique et, encore plus préférentiellement, de 0.5 % à 10 % massique de la solution. Le film de blindage électromagnétique 102 peut être formé localement 15 sur la zone de composants électroniques 201, par exemple, à travers un masque dont les orifices laissent accessibles les zones 201 d'intérêt ou par dépôt par pulvérisation localisé. Le film de blindage électromagnétique 102 peut être élaboré en réalisant un ou plusieurs dépôts. Il peut être formé d'une monocouche ou de multicouches empilées. 20 Le procédé peut comprendre une troisième étape dans laquelle une couche de protection 103 est formée sur le film de blindage 102. La couche électriquement isolante 101 et/ou la couche de protection 103 sont, avantageusement, formées par voie liquide. Par exemple, la couche électriquement isolante 101 et la couche de protection 103 sont formées par dépôt d'une 25 solution contenant un polymère, avantageusement, dispersé dans un solvant. Ces couches sont, de préférence, déposées par une technique de dépôt sans contact. Le dépôt sans contact évite de toucher les composants du support 200, qui peuvent présenter des hauteurs très variées, en particulier au moment de la réalisation de la couche électriquement isolante 101. Il peut s'agir, par exemple, d'un dépôt par 30 pulvérisation (« spray coating ») ou encore de toute technique d'enduction, telle que 3062981 13 l'enduction en rideau (« curtain coating » ou « flow-coating ») ou l'enducation centrifuge (« spin-coating »). Le procédé est, avantageusement, réalisé à température et à pression ambiante. Le procédé est, avantageusement, réalisé sous air, il n'y a pas besoin de 5 travailler sous atmosphère contrôlée. Il est néanmoins possible de chauffer le substrat lors des dépôts, par exemple jusqu'à une température de 100°C, et, de préférence, jusqu'à une température de 70°C. EXEMPLE ILLUSTRATIF ET NON LIMITATIF D'UN MODE DE RÉALISATION 10 Le support 200 est une carte électronique, comprenant une zone d'intérêt à protéger 201 et un anneau de garde 202. La carte électronique est préalablement nettoyée. Un matériau polyacrylique est déposé sur la carte électronique par dépôt à la tournette (« spin coating ») pour former la couche isolante 101. Il s'agit d'un 15 vernis électriquement isolant et transparent commercialisé par la société 3M sous la référence Scotch® 1601. Une étape de séchage est réalisée à 90°C pendant 60s afin d'évaporer les traces de solvant résiduelles. Les zones ne contenant pas de composants électroniques à protéger sont recouvertes d'un masque. Le masque est formé d'adhésifs plastifiés et de cordons en 20 silicone. Une solution de méthanol contenant des nanofils d'argent (400 mg/L), est élaborée selon le protocole expérimental de la publication intitulée : « Improvements in purification of silver nanowires by decantation and fabrication of flexible transparent electrodes. Application to capacitive touch sensors, Céline Mayousse et al., 25 Nanotechnology 2013, 24, 215501). Le méthanol est évaporé jusqu'à obtention d'une pâte. Parallèlement, des nanofils de cuivre sont élaborés selon le protocole expérimental décrit dans la publication intitulée « Synthesis and purification of long copper nanowires. Application to high performance flexible transparent electrodes with 3062981 14 and without PEDOT: PSS", Céline Mayousse et al., Nano Research 2014, 7(3), 315-324. Les nanofils de cuivre sont ajoutés, à la pâte d'argent, à hauteur de 10 % massique par rapport à l'argent. Parallèlement du chitosan, présentant un taux de déacétylation 5 supérieur à 95 %, est dispersé dans de l'eau à hauteur de 2 % massique. Une quantité équimolaire d'acide acétique (par rapport au nombre d'unités ose) est ajoutée sous forte agitation. La pâte de nanofils métalliques est mélangée à la solution de chitosan, la proportion massique de nanofils après élimination des espèces volatiles étant de 4 % 10 massique. Cette solution est déposée par enduction en rideau (« flow coating ») sur la carte électronique. Après dépôt et séchage pendant 60 minutes à 70°C, les protections sont enlevées. Le dépôt du composite à base de nanofils métalliques est localisé sur la zone de composants à protéger et est déporté jusqu'à l'anneau de garde, permettant la mise à la masse de la couche de blindage. 15 Une résine polysiloxane, commercialisée par la société lsochem, sous la référence Varnish 300-1, est diluée dans du n-butanol, et déposée par pulvérisation sur les nanofils. Elle est ensuite chauffée à 70 °C durant 2 heures, pour former la couche de protection 103. L'épaisseur de la couche de protection 103 est d'environ 3 um. L'ensemble des trois couches 101, 102, 103 présente une transmittance 20 globale de 63 % dans le spectre visible, ce qui permet de visualiser aisément l'ensemble des éléments présents sur la carte électronique. Une structure de blindage électromagnétique 100 a été formée sur un substrat en verre afin d'estimer l'atténuation des ondes électromagnétiques. Les mesures ont été réalisées dans une chambre anécho'ique. L'échantillon est positionné à environ 25 10cm d'un émetteur et à environ 80cm d'un récepteur. Il a été mesuré une atténuation du signal (S21) de plus de 15dB sur l'ensemble de la gamme 100 MHz- 20 GHz. REVENDICATIONS1. Structure de blindage électromagnétique (100) comprenant : une couche électriquement isolante en un premier matériau polymère (101), - un film de blindage (102) électriquement conducteur formé d'un matériau composite comprenant des nanofils métalliques et un deuxième matériau polymère. 2. Structure (100) selon la revendication 1, caractérisée en ce que la structure de blindage (102) comprend une couche de protection en un troisième matériau polymère (103), le film de blindage (102) étant disposé entre la couche électriquement isolante (101) et la couche de protection (103). 3. Structure (100) selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisée en ce que le deuxième matériau polymère du film de blindage (102) est le chitosan, une cellulose ou un de ses dérivés, un polysiloxane, un polyépoxyde, un polyacrylique, un polystyrène ou un polyuréthane. 4. Structure (100) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisée en ce que la masse surfacique de nanofils est de 50mg/m 2 à 5000mg/m2, et de préférence de 200mg/m 2 à 2000mg/m2. 5. Structure (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que les nanofils sont des nanofils d'argent, d'or, de nickel ou de cuivre. 6. Structure (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que le diamètre moyen des nanofils est inférieur à 200nm, et de préférence inférieur à 100nm, la longueur moyenne des nanofils étant comprise entre 1um et 500u.m. 3062981 16 7. Structure (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que le film de blindage (102) comprend, en outre, des nanotubes de carbone et/ou du graphène. 5 8. Structure (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que la structure (100) a une transmittance supérieure à 50 % dans le domaine visible, et de préférence supérieure à 70 %. 9. Structure (100) selon l'une quelconque des revendications 2 à 8, 10 caractérisée en ce que la couche électriquement isolante et/ou la couche de protection (103) est en polysiloxane, en polyépoxyde, en polyacrylique ou en polyuréthane. 10. Structure (100) selon l'une quelconque des revendications 2 à 9, caractérisée en ce que la couche électriquement isolante et/ou la couche de protection 15 (103) a une épaisseur allant de 1um à 5000um, et, de préférence, allant de 1um à 1000um. 11. Support (200) comprenant une zone de composants électroniques à protéger (201) et une piste de masse (202), recouvert par une structure (100) telle que 20 définie dans l'une quelconque des revendications précédentes, la couche électriquement isolante (101) recouvrant au moins la zone de composants électroniques (201) à protéger, le film de blindage électromagnétique (102) étant disposé sur la zone de composants électroniques (201) et se prolongeant jusqu'à la piste de masse (202), de 25 manière à réaliser une prise de contact sur la piste de masse (202), le film de blindage électromagnétique (102) étant électriquement isolé de la zone de composants électroniques à protéger (201) par la couche électriquement isolante (101). 12. Support selon la revendication précédente, caractérisé en ce que 30 le support est une carte électronique. 3062981 17 13. Procédé de réalisation d'une structure de blindage électromagnétique (100), selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, sur un support (200) comprenant une zone de composants électroniques à protéger (201) et une piste de masse (202), ledit procédé comprenant au moins les étapes successives 5 suivantes : a) fourniture d'un support (200) comprenant une zone de composants électroniques (201) et une piste de masse (202), b) formation d'une couche électriquement isolante (101) en un premier matériau polymère au moins sur la zone de composants électroniques (201), 10 c) formation d'un film de blindage (102) électriquement conducteur sur la zone de composants électroniques (201) et jusqu'à la piste de masse (202), la formation du film (102) étant réalisée par dépôt et séchage ou par dépôt, polymérisation et séchage d'une solution contenant : - des nanofils métalliques, 15 - un solvant, - un second matériau polymère ou un précurseur du second matériau polymère associé à un initiateur de polymérisation, - éventuellement, un additif, tel que des particules de silice ou d'alumine. 20 14. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le procédé comprend une étape d) ultérieure dans laquelle une couche de protection (103) en un troisième matériau polymère est formée sur le film de blindage (102). 25 15. Procédé selon l'une des revendications 13 et 14, caractérisé en ce que la couche électriquement isolante (101) et/ou la couche de protection (103) sont formées par une technique de dépôt sans contact, tel qu'un dépôt par pulvérisation ou par enduction en rideau. 3062981 18 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications 13 à 15, caractérisé en ce que le film de blindage (102) est formé localement sur la zone de composants électroniques (201) à travers un masque ou par dépôt par pulvérisation localisé. 17. Procédé selon l'une quelconque des revendications 13 à 16, caractérisé en ce que les nanofils métalliques représentent de 0.01 % à 50 % massique de la solution, et de préférence de 0.1 % à 20 % massique de la solution, et encore plus préférentiellement de 0.5 % à 10 % massique. 5 10 18. Procédé selon l'une quelconque des revendications 13 à 17, caractérisé en ce que le procédé est réalisé à température ambiante et à pression ambiante. 15