Brevet FR3066044A1 — publié le 20181109

DÃTECTEUR DE RAYONNEMENT ÃLECTROMAGNÃTIQUE, ENCAPSULÃ PAR REPORT DE COUCHE MINCE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE L'invention concerne le domaine de l'encapsulation du ou des Ã©lÃ©ment(s) sensible(s) d'un dÃ©tecteur Ã©lectromagnÃ©tique, pour placer ce ou ce(s) Ã©lÃ©ment(s) sensible(s) Ã l'intÃ©rieur d'une cavitÃ© fermÃ©e. Chaque Ã©lÃ©ment sensible est ici une membrane, suspendue au-dessus d'un substrat, pour absorber un rayonnement Ã©lectromagnÃ©tique et le convertir en chaleur. La cavitÃ© fermÃ©e, de prÃ©fÃ©rence sous vide, garantit une bonne isolation thermique entre la ou les membrane(s), et le substrat. ÃTAT DE LA TECHNIQUE ANTÃRIEURE On connaÃ®t dans l'art antÃ©rieur diffÃ©rentes solutions pour encapsuler la ou les membrane(s) suspendue(s) d'un dÃ©tecteur Ã©lectromagnÃ©tique de type dÃ©tecteur Ã micro- bolomÃ¨tre(s). Dans le document US 2004/0140570, il est dÃ©crit le dÃ©pÃ´t d'un capot Ã©pais au-dessus des pixels d'un dÃ©tecteur matriciel, pour fermer une cavitÃ©. L'Ã©paisseur du capot est de 500 um, avec des tranchÃ©es dans lesquelles cette Ã©paisseur est de seulement 100 um. Des ouvertures d'Ã©vacuation de gaz sont percÃ©es dans le capot, au niveau des tranchÃ©es. Un tel capot prÃ©sente cependant plusieurs inconvÃ©nients. En premier lieu, du fait de son Ã©paisseur importante, il prÃ©sente une transmission rÃ©duite, puisqu'une partie du signal optique est absorbÃ©e lors de la traversÃ©e du capot. Cela impose d'utiliser des matÃ©riaux de haute qualitÃ© optique et donc relativement chers. 3066044 2 En second lieu, les tranchÃ©es ne doivent pas se trouver au-dessus des Ã©lÃ©ments sensibles du dÃ©tecteur, pour ne pas perturber la dÃ©tection. Elles sont donc positionnÃ©es en pÃ©riphÃ©rie de ces Ã©lÃ©ments sensibles, ce qui augmente l'encombrement total du dÃ©tecteur avec son capot. 5 En outre, du fait de son Ã©paisseur importante, le capot complique l'accÃ¨s aux plots de connexion Ã©lectrique, dits Â« plots de bonding Â», disposÃ©s en bordure des pixels du dÃ©tecteur et assurant une connexion avec des dispositifs Ã©lectroniques annexes. L'accÃ¨s aux plots de connexion Ã©lectrique n'est obtenu que par gravure de la totalitÃ© de l'Ã©paisseur du capot. Outre la difficultÃ© de rÃ©aliser cette Ã©tape de gravure, la forte Ã©paisseur du capot 10 impose d'Ã©loigner les plots de bonding du bord du capot pour pouvoir rÃ©aliser l'Ã©tape de wirebonding (interconnexion), ce qui augmente l'encombrement du dÃ©tecteur. D'autres procÃ©dÃ©s de rÃ©alisation d'un capot sont connus, mettant en oeuvre un dÃ©pÃ´t de couche mince sur une couche sacrificielle entourant les membranes d'un dÃ©tecteur Ã©lectromagnÃ©tique de type dÃ©tecteur Ã micro-bolomÃ¨tre(s). 15 Un tel procÃ©dÃ© est dÃ©crit par exemple dans la demande de brevet FR 2 966 595. On peut ainsi obtenir un capot d'Ã©paisseur rÃ©duite, et sans tranchÃ©e. Un inconvÃ©nient de cette solution est cependant que l'Ã©tape de dÃ©pÃ´t de couche mince peut impliquer des tempÃ©ratures susceptibles de dÃ©tÃ©riorer les Ã©lÃ©ments sensibles du dÃ©tecteur. 20 Un objectif de la prÃ©sente invention est de proposer une solution d'encapsulation d'au moins une membrane suspendue d'un dÃ©tecteur de rayonnement Ã©lectromagnÃ©tique, qui ne prÃ©sente pas les inconvÃ©nients de l'art antÃ©rieur. EXPOSÃ DE L'INVENTION 25 Cet objectif est atteint avec un procÃ©dÃ© d'encapsulation d'au moins un Ã©lÃ©ment sensible d'un dÃ©tecteur de rayonnement Ã©lectromagnÃ©tique, comportant les Ã©tapes suivantes : a) rÃ©alisation d'un empilement, dit empilement capteur, comportant : - un premier substrat, dit substrat principal ; 3066044 3 au moins une membrane s'Ã©tendant au-dessus du substrat principal, formant l'au moins un Ã©lÃ©ment sensible du dÃ©tecteur de rayonnement Ã©lectromagnÃ©tique, et configurÃ©e pour absorber et convertir en chaleur un rayonnement Ã©lectromagnÃ©tique incident ; 5 des parois de soutien, s'Ã©tendant au-dessus du substrat principal et encadrant l'au moins une membrane ; et une premiÃ¨re couche de scellement, mÃ©tallique, situÃ©e au-dessus des faces supÃ©rieures des parois de soutien, du cÃ´tÃ© opposÃ© au substrat principal; 10 b) dÃ©pÃ´t, au-dessus d'un second substrat dit substrat de report, d'une couche dite couche de capot, transparente dans une plage de sensibilitÃ© spectrale du dÃ©tecteur de rayonnement Ã©lectromagnÃ©tique, et d'Ã©paisseur infÃ©rieure ou Ã©gale Ã 10 11m; c) rÃ©alisation, sur la couche de capot, d'une deuxiÃ¨me couche de scellement, mÃ©tallique ; 15 d) report du substrat de report sur le substrat principal, de faÃ§on Ã aligner et coller l'une sur l'autre, la premiÃ¨re et la deuxiÃ¨me couches de scellement ; et e) retrait du substrat de report. On rÃ©alise ainsi un dÃ©tecteur de rayonnement Ã©lectromagnÃ©tique comportant : 20 au moins une membrane, suspendue au-dessus d'un substrat, configurÃ©e pour absorber et convertir en chaleur un rayonnement Ã©lectromagnÃ©tique incident ; et un capot, transparent dans une plage de sensibilitÃ© spectrale du dÃ©tecteur de rayonnement Ã©lectromagnÃ©tique, et fermant une cavitÃ© hermÃ©tique recevant l'au moins une membrane ; 25 et dans lequel : le capot prÃ©sente une Ã©paisseur infÃ©rieure ou Ã©gale Ã 10 11m; le capot est suspendu au-dessus du substrat, en appui au moins sur des parois de soutien encadrant la ou les membrane(s) ; et 3066044 4 le dÃ©tecteur prÃ©sente des premiÃ¨re et des seconde couches de scellement, mÃ©talliques, intercalÃ©es l'une sur l'autre entre le capot et les parois de soutien, et entre lesquelles s'Ã©tend une zone pÃ©riphÃ©rique de collage. 5 Le substrat du dÃ©tecteur de rayonnement Ã©lectromagnÃ©tique correspond au substrat principal, citÃ© dans l'Ã©noncÃ© du procÃ©dÃ©. L'idÃ©e Ã la base de l'invention est de rÃ©aliser un capot par dÃ©pÃ´t de couche mince, sur un substrat de report, distinct du substrat recevant la ou les membrane(s) du dÃ©tecteur de rayonnement Ã©lectromagnÃ©tique. 10 Ainsi, aucune prÃ©caution particuliÃ¨re n'est requise pour le dÃ©pÃ´t de couche mince, celui-ci n'Ã©tant pas rÃ©alisÃ© directement au-dessus de l'au moins une membrane du dÃ©tecteur de rayonnement Ã©lectromagnÃ©tique. L'invention offre donc une solution d'encapsulation par un capot fin, dans laquelle la ou les membrane(s) ne sont pas soumises Ã des tempÃ©ratures Ã©levÃ©es (la tempÃ©rature reste 15 infÃ©rieure 400Â°C, voire mÃªme infÃ©rieure Ã 300Â°C, lors du procÃ©dÃ© d'encapsulation). La couche mince dans laquelle est rÃ©alisÃ© le capot n'est pas manipulÃ©e seule, mais conjointement avec le substrat de report. Elle peut ainsi prÃ©senter une Ã©paisseur rÃ©duite, infÃ©rieure ou Ã©gale Ã 10 um et mÃªme encore plus prÃ©fÃ©rentiellement infÃ©rieure ou Ã©gale Ã 5 um. Cette faible Ã©paisseur Ã©vite l'absorption de signal incident par le capot. 20 La faible Ã©paisseur du capot facilite la rÃ©alisation d'ouvertures de petite taille pour l'Ã©vacuation des gaz, ou Ã©vents, et ne nÃ©cessite pas de tranchÃ©es. En outre, le dÃ©tecteur de rayonnement Ã©lectromagnÃ©tique peut ainsi offrir un accÃ¨s facile aux plots de connexion Ã©lectrique, et un encombrement minimal. Le procÃ©dÃ© selon l'invention met en oeuvre le collage d'une seconde couche de 25 scellement sur une premiÃ¨re couche de scellement, pour solidariser la couche mince formÃ©e sur le substrat de report, du restant du dÃ©tecteur de rayonnement Ã©lectromagnÃ©tique. Ces deux couches de scellement, superposÃ©s et collÃ©es l'une sur l'autre, sont donc caractÃ©ristiques de l'invention. 3066044 5 Le dÃ©tecteur selon l'invention peut, en outre, prÃ©senter l'une ou plusieurs des caractÃ©ristiques ci-dessous. Le capot peut Ãªtre suspendu au-dessus du substrat, en appui sur les parois de soutien, et sur des piliers de soutien situÃ©s entre les parois de soutien, le dÃ©tecteur comprenant 5 alors des paires de premier et second plots de scellement, mÃ©talliques, chaque paire Ã©tant situÃ©e entre le capot et l'un des piliers de soutien, les premier et second plots de scellement de chaque paire Ã©tant superposÃ©s et sÃ©parÃ©s par une zone interne de collage respective. Le dÃ©tecteur peut prÃ©senter une pluralitÃ© de membranes suspendues au-dessus du substrat, un pas de rÃ©partition des membranes Ã©tant Ã©gal Ã un pas de rÃ©partition des piliers 10 de soutien, dans chaque dimension du plan du substrat. La ou les membrane(s) peuvent Ãªtre suspendue(s) au-dessus du substrat, en appui chacune sur des piliers d'appui, et pour chaque membrane, l'un des piliers d'appui est surmontÃ© par une paire de premier et second plots de scellement, de sorte que ledit pilier d'appui forme Ã©galement un pilier de soutien pour le capot. 15 Le capot peut prÃ©senter une ou plusieurs ouverture(s) traversante(s). La ou les membrane(s) peuvent Ãªtre suspendue(s) au-dessus du substrat, en appui chacune sur des piliers d'appui, et pour chaque membrane, l'un des piliers d'appui est surmontÃ© d'une ouverture traversante du capot. Une Ã©paisseur cumulÃ©e des premiÃ¨re et des seconde couches de scellement peut Ãªtre 20 comprise entre 1,5 um et 2,5 um. De la mÃªme faÃ§on, le procÃ©dÃ© selon l'invention peut, en outre, prÃ©senter l'une ou plusieurs des caractÃ©ristiques ci-dessous. L'empilement capteur peut comporter en outre des piliers de soutien, s'Ã©tendant entre les parois de soutien, et surmontÃ©s chacun par un premier plot de scellement 25 respectif, l'Ã©tape c) comprenant Ã©galement la rÃ©alisation, sur la couche de capot, de seconds plots de scellement, et l'Ã©tape d) rÃ©alisant Ã©galement l'alignement et le collage deux Ã deux, des premiers plots de scellement avec les seconds plots de scellement. Le procÃ©dÃ© peut comprendre en outre une Ã©tape de gravure de la couche de capot, pour dÃ©limiter le contour externe d'un capot destinÃ© Ã fermer une cavitÃ© recevant l'au moins une membrane, et pour former dans ce capot au moins une ouverture traversante. 3066044 6 L'Ã©tape de gravure de la couche de capot peut Ãªtre mise en oeuvre aprÃ¨s l'Ã©tape e) de retrait du substrat de report. L'Ã©tape de gravure de la couche de capot peut Ãªtre mise en oeuvre aprÃ¨s l'Ã©tape b) de dÃ©pÃ´t de la couche de capot et avant l'Ã©tape d) de report du substrat de report, l'Ã©tape 5 de gravure de la couche de capot Ã©tant suivie d'une Ã©tape de remplissage des rÃ©gions gravÃ©es par une couche en matÃ©riau sacrificiel, dite couche sacrificielle de capot, et la couche sacrificielle de capot Ã©tant Ã©vacuÃ©e aprÃ¨s l'Ã©tape e) de retrait du substrat de report. Le procÃ©dÃ© peut comprendre des Ã©tapes de dÃ©pÃ´t de couches en matÃ©riau sacrificiel, dites couches sacrificielles d'arrÃªt, de sorte qu'avant l'Ã©tape d) de report du substrat de 10 report, la premiÃ¨re couche de scellement et la deuxiÃ¨me couche de scellement soient situÃ©es chacune dans l'une de ces couches sacrificielles d'arrÃªt, l'Ã©tape d) mettant en oeuvre un collage hybride, et les couches sacrificielles d'arrÃªt Ã©tant Ã©vacuÃ©es aprÃ¨s l'Ã©tape e) de retrait du substrat de report. Dans l'empilement capteur, Ã l'issue de l'Ã©tape a), l'au moins une membrane peut 15 s'Ã©tendre au-dessus d'une couche en matÃ©riau sacrificiel, dite couche sacrificielle de membrane, la couche sacrificielle de membrane Ã©tant Ã©vacuÃ©e aprÃ¨s l'Ã©tape e) de retrait du substrat de report. Le procÃ©dÃ© peut Ãªtre mis en oeuvre simultanÃ©ment pour plusieurs empilements capteur partageant le mÃªme substrat principal, et Ã l'aide d'un unique substrat de report 20 et d'une unique couche de capot, une Ã©tape de gravure de la couche de capot dÃ©limitant les contours externes de plusieurs capots destinÃ©s chacun Ã recouvrir l'un parmi les plusieurs empilements capteur. BRÃVE DESCRIPTION DES DESSINS 25 La prÃ©sente invention sera mieux comprise Ã la lecture de la description d'exemples de rÃ©alisation donnÃ©s Ã titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant rÃ©fÃ©rence aux dessins annexÃ©s sur lesquels : la figure lA illustre de maniÃ¨re schÃ©matique, selon une vue en coupe, un dÃ©tail d'un premier mode de rÃ©alisation d'un dÃ©tecteur de rayonnement Ã©lectromagnÃ©tique 30 selon l'invention ; 3066044 7 - la figure 1B illustre de maniÃ¨re schÃ©matique et selon une vue de dessus, le dÃ©tecteur de la figure lA ; - les figures 2A Ã 2C illustrent de maniÃ¨re schÃ©matique un pixel d'un deuxiÃ¨me mode de rÃ©alisation d'un dÃ©tecteur selon l'invention, dans lequel un Ã©vent de libÃ©ration de 5 couche sacrificielle et un pilier de soutien du capot sont placÃ©s de maniÃ¨re particuliÃ¨rement astucieuse ; les figures 3A et 3B illustrent les Ã©tapes d'un procÃ©dÃ© selon l'invention, pour fabriquer un dÃ©tecteur de rayonnement Ã©lectromagnÃ©tique selon l'invention ; les figures 4 et 5 illustrent deux variantes du procÃ©dÃ© illustrÃ© aux figures 3A et 10 3B ; et les figures 6A et 6B illustrent la mise en oeuvre d'un procÃ©dÃ© selon l'invention, pour fabriquer simultanÃ©ment plusieurs dÃ©tecteurs selon l'invention. EXPOSÃ DÃTAILLÃ DE MODES DE RÃALISATION PARTICULIERS 15 Dans la description qui suit, les termes Â« sur Â», Â« au-dessus Â», Â« supÃ©rieur Â», Â« sous Â», Â« dessous Â», Â« infÃ©rieur Â», se rapportent Ã l'orientation des figures correspondantes. Pour plus de clartÃ©, on a reprÃ©sentÃ© sur certaines des figures les axes (Ox), (Oy) et/ou (Oz) d'un repÃ¨re orthonormÃ©. La figure 1A illustre de maniÃ¨re schÃ©matique, et selon un vue en coupe, un dÃ©tail d'un 20 dÃ©tecteur de rayonnement Ã©lectromagnÃ©tique selon un premier mode de rÃ©alisation de l'invention. La figure 1B illustre ce dÃ©tecteur de maniÃ¨re schÃ©matique, et selon une vue de dessus. Le dÃ©tecteur de rayonnement Ã©lectromagnÃ©tique 100 est un dÃ©tecteur infrarouge, 25 ou tÃ©ra-Hertz, fonctionnant Ã tempÃ©rature ambiante. Il comprend un substrat 101, par exemple en silicium, dans lequel sont intÃ©grÃ©s des circuits de lecture rÃ©alisÃ©s par exemple en technologie CMOS. Le substrat 101 est recouvert ici d'une couche intermÃ©diaire 102, optionnelle, constituÃ©e d'un matÃ©riau Ã©lectriquement isolant. 3066044 8 La couche intermÃ©diaire 102 est recouverte ici d'une fine couche de protection 103, optionnelle, qui protÃ¨ge les circuits de lecture lors d'une Ã©tape de libÃ©ration de la membrane, si nÃ©cessaire. Le dÃ©tecteur 100 comprend Ã©galement une matrice de membranes 108, suspendues 5 chacune au-dessus du substrat 101. Les membranes 108 sont rÃ©parties ici en lignes et colonnes au-dessus du substrat. Elles dÃ©finissent chacune un pixel du dÃ©tecteur 100. Chaque membrane 108, ou planche suspendue, est constituÃ©e d'un matÃ©riau prÃ©sentant une forte absorption dans l'infrarouge (longueurs d'onde comprises entre 10 0,8 um et 100 um) et/ou le tÃ©rahertz (longueurs d'onde comprises entre 100 um et 5 mm). Chaque membrane est associÃ©e Ã un Ã©lÃ©ment thermomÃ©trique (non reprÃ©sentÃ©), pour mesurer sa tempÃ©rature. Les Ã©lÃ©ments thermomÃ©triques des membranes 108 sont connectÃ©s Ã©lectriquement aux circuits de lecture du substrat 101. 15 Chaque Ã©lÃ©ment thermomÃ©trique peut Ãªtre formÃ© par un Ã©lÃ©ment thermo-rÃ©sistif, accolÃ© Ã la membrane, et dont la rÃ©sistance Ã©lectrique est fonction de la tempÃ©rature. L'Ã©lÃ©ment thermomÃ©trique dÃ©finit alors, avec la membrane, la planche bolomÃ©trique d'un micro-bolomÃ¨tre. En variante, chaque Ã©lÃ©ment thermomÃ©trique peut Ãªtre formÃ© par un transistor ou 20 une diode accolÃ© Ã la membrane, un courant dans ce transistor ou cette diode Ã©tant fonction de la tempÃ©rature. Le cas Ã©chÃ©ant, la membrane peut former l'un des Ã©lÃ©ments du transistor (ou de la diode). L'Ã©lÃ©ment thermomÃ©trique dÃ©finit alors, avec la membrane, la planche suspendue d'un capteur semblable Ã un micro-bolomÃ¨tre, exceptÃ© que la tempÃ©rature de la 25 membrane se traduit par une variation d'un courant dans un transistor ou dans une diode, et non une variation de la rÃ©sistance d'un Ã©lÃ©ment thermo-rÃ©sistif. Dans la suite, on utilise l'expression Â« capteur de type micro-bolomÃ¨tre Â», pour dÃ©signer l'une ou l'autre de ces variantes. On ne dÃ©crira pas ici plus en dÃ©tail les capteurs de type micro-bolomÃ¨tre, ces derniers 30 Ã©tant bien connus de l'homme du mÃ©tier. 3066044 9 Des structures verticales s'Ã©tendent dans un Ã©tage situÃ© entre les membranes 108 et le substrat 101. Les structures sont dites verticales, car elles s'Ã©tendent chacune selon l'axe (Oz), orthogonales au plan du substrat 101. Elles comprennent : des parois de soutien 106, pour supporter un capot tel que dÃ©crit dans la suite ; 5 des piliers de soutien 104, Ã©galement pour supporter le capot ; des piliers d'appui 105, pour supporter des membranes 108 telles que dÃ©crites dans la suite, et servant aussi Ã connecter Ã©lectriquement chaque membrane avec les circuits de lecture du substrat ; et des blocs de surÃ©lÃ©vation 107, sur lesquels sont formÃ©s des plots de connexion 10 Ã©lectrique. Ici, les diffÃ©rentes structures verticales prÃ©sentent toutes la mÃªme hauteur H selon l'axe vertical (Oz), et sont constituÃ©es d'un mÃªme matÃ©riau ou d'un mÃªme ensemble de matÃ©riaux. 15 Elles sont constituÃ©es par exemple en silicium, notamment un silicium amorphe ou un poly silicium, ou d'un empilement de couches mÃ©talliques (nitrure de titane et cuivre, ou nitrure de titane et tungstÃ¨ne, ...). Les piliers d'appui 105 prÃ©sentent chacun un diamÃ¨tre D de l'ordre du micromÃ¨tre, compris par exemple entre 0,4 um et 1,5 um, en particulier 1 um. 20 Ils prÃ©sentent chacun une base horizontale 1051 qui s'Ã©tend dans un plan parallÃ¨le au substrat, en traversant la couche 102 Ã©lectriquement isolante. Chaque membrane est en appui sur au moins deux piliers d'appui 105. Les parois de soutien 106 entourent la matrice de membranes 108. Elles comprennent ici quatre parois verticales, dÃ©limitant au-dessus du substrat 101 25 une surface carrÃ©e ou rectangulaire. Pour Ã©viter les contraintes mÃ©caniques dans les angles Ã 90Â°, le nombre de parois peut Ãªtre augmentÃ© de faÃ§on Ã augmenter un nombre d'angles saillants entre les parois (angles supÃ©rieurs Ã 90Â°). Les parois de soutien dÃ©limitent alors une surface en forme de polygone. Les parois de soutien 106 comprennent ici plusieurs parois Ã©lÃ©mentaires de soutien 30 1061. 3066044 10 Les parois Ã©lÃ©mentaires de soutien 1061 dÃ©limitent des surfaces imbriquÃ©es les unes dans les autres et concentriques. Les parois Ã©lÃ©mentaires 1061 dites internes, disposÃ©es Ã l'intÃ©rieur de la structure formant les parois de soutien 106, peuvent dÃ©limiter une surface de maniÃ¨re discontinue. 5 Au contraire, les parois Ã©lÃ©mentaires externes dÃ©limitent une surface prÃ©fÃ©rentiellement de maniÃ¨re continue. Les parois Ã©lÃ©mentaires 1061 sont espacÃ©es les unes des autres, et prÃ©sentent chacune une largeur L, par exemple Ã©gale au diamÃ¨tre D. Les espaces entre deux parois Ã©lÃ©mentaires 1061 voisines sont remplis par un 10 matÃ©riau dit sacrificiel 1062, qui n'aura pas Ã©tÃ© Ã©vacuÃ© Ã l'issue des Ã©tapes de fabrication du dÃ©tecteur 100 selon l'invention. En variante, les parois de soutien ne sont pas constituÃ©es de parois Ã©lÃ©mentaires entre lesquelles se trouve un matÃ©riau sacrificiel, mais de parois larges. Les parois de soutien 106 prÃ©sentent Ã©galement une base horizontale 1063 et un 15 plateau supÃ©rieur 1064, qui s'Ã©tendent chacun dans un plan parallÃ¨le au substrat. Les piliers de soutien 104 prÃ©sentent par exemple la mÃªme section que les piliers d'appui 105, ou une section plus rÃ©duite. Ici, ils prÃ©sentent chacun une base horizontale 1041, et un plateau supÃ©rieur 1042, s'Ã©tendant chacun d'un seul tenant dans un plan parallÃ¨le au substrat. 20 Les piliers de soutien 104 s'Ã©tendent Ã l'intÃ©rieur du volume dÃ©limitÃ© par les parois de soutien 106. Ils s'Ã©tendent ici entre les membranes 108, selon le mÃªme pas de rÃ©partition P que les membranes, dans chacune des dimensions du plan du substrat. Ce pas est par exemple compris entre 5 um et 17 um, par exemple 10 um. 25 Selon chacune des dimensions du plan du substrat, il y a Nx et Ny membranes, et Mx et My piliers de soutien, avec par exemple Mx=Nx et My=Ny (un pilier de soutien par pixel), ou Mx=Nx-1 et My=Ny-1. Le pas de rÃ©partition des piliers de soutien 104 peut Ã©galement Ãªtre un multiple du pas P des membranes, respectivement n(x)*P et n(y)*P selon les directions x et y, n(x) et 30 n(y) Ã©tant des nombres entiers. Selon chacune des dimensions du plan du substrat, il y a 3066044 11 alors Nx et Ny membranes, et Mx et My piliers de soutien, avec par exemple Mx=Nx/n(x) et My=Ny/n(y) (selon chaque dimension x et y, un pilier de soutien par n(x), respectivement n(y) pixels) ou Mx=[Nx/n(x)]-1 et My=[Ny/n(y)]-1. Les piliers de soutien 104 et les parois de soutien 106 participent ensemble Ã 5 supporter un capot 110. Les piliers de soutien 104 ne sont pas forcÃ©ment nÃ©cessaires pour des dÃ©tecteurs prÃ©sentant un nombre rÃ©duit de pixels (c'est-Ã -dire ici un nombre rÃ©duit de membranes). Les blocs de surÃ©lÃ©vation 107 comprennent ici plusieurs parois ou piliers Ã©lÃ©mentaires 1071, prÃ©sentant par exemple chacun une largeur, respectivement un 10 diamÃ¨tre, Ã©gal(e) au diamÃ¨tre D. Les espaces entre deux parois ou piliers Ã©lÃ©mentaires 1071 sont remplis par un matÃ©riau dit sacrificiel 1072, qui n'aura pas Ã©tÃ© Ã©vacuÃ© Ã l'issue des Ã©tapes de fabrication du dÃ©tecteur 100 selon l'invention. En variante, les blocs de surÃ©lÃ©vation ne sont pas formÃ©s de parois ou piliers 15 Ã©lÃ©mentaires sÃ©parÃ©s par un matÃ©riau sacrificiel, mais par un pilier large, de diamÃ¨tre supÃ©rieur Ã D. Ici, les blocs de surÃ©lÃ©vation 107 prÃ©sentent chacun une base horizontale 1073, et un plateau supÃ©rieur 1074, s'Ã©tendant chacun dans un plan parallÃ¨le au substrat. Les blocs de surÃ©lÃ©vation 107 sont surmontÃ©s chacun par un plot de connexion 20 Ã©lectrique 109, connectÃ© Ã©lectriquement Ã des circuits de lecture intÃ©grÃ©s dans le substrat 101. Les plots de connexion Ã©lectrique 109, ou plots de bonding, fournissent des points de connexion Ã©lectrique aux circuits de lecture intÃ©grÃ©s dans le substrat 101, pour des circuits Ã©lectroniques annexes. 25 Ici, chaque plot de connexion Ã©lectrique 109 s'Ã©tend en contact physique direct avec le plateau supÃ©rieur 1074 d'un bloc de surÃ©lÃ©vation 107. Les plots de connexion Ã©lectrique sont par exemple en aluminium. Comme illustrÃ© en figure 1B, les plots de connexion Ã©lectrique s'Ã©tendent par exemple selon deux colonnes parallÃ¨les, situÃ©es de part et d'autre de la matrice de 3066044 12 membranes, Ã l'extÃ©rieur du volume dÃ©limitÃ© par les parois de soutien 106. Les plots de connexion Ã©lectrique peuvent Ã©galement Ãªtre prÃ©sents sur les quatre cÃ´tÃ©s de la matrice. Le capot 110 s'Ã©tend dans un plan parallÃ¨le au substrat 101, et prÃ©sente une Ã©paisseur E constante comprise entre 0,5 um et 10 um bornes incluses, de prÃ©fÃ©rence entre 5 0,5 um et 5 um bornes incluses, par exemple 2 um. Le capot 110 est transparent aux longueurs d'onde dÃ©tectÃ©es par les capteurs de type bolomÃ©triques du dÃ©tecteur 100. Il prÃ©sente par exemple un coefficient de transmission supÃ©rieur ou Ã©gal Ã 70% Ã au moins une longueur d'onde dÃ©tectÃ©e par le dÃ©tecteur 100. GrÃ¢ce Ã sa faible Ã©paisseur, le capot peut remplir cette condition de transparence, 10 tout en Ã©tant constituÃ© d'un matÃ©riau prÃ©sentant des propriÃ©tÃ©s de transmission mÃ©diocres. Il peut par exemple Ãªtre constituÃ© d'un matÃ©riau autre qu'un silicium haute qualitÃ©. L'invention offre donc une grande libertÃ© de choix de matÃ©riau pour le capot, d'autant que ce dernier est dÃ©posÃ© sans contrainte de tempÃ©rature ni de conformitÃ© (voir plus loin). 15 Le capot 110 est constituÃ© par exemple de silicium ou de germanium. Il s'Ã©tend au-dessus des membranes, sans dÃ©passer jusqu'au-dessus des plots de connexion 109. Il peut cependant dÃ©passer lÃ©gÃ¨rement relativement aux parois de soutien 106. Les contours externes du capot 110 sont reprÃ©sentÃ©s en traits pointillÃ©s sur la figure 18. 20 Le capot peut prÃ©senter des rÃ©gions texturÃ©es 1101 situÃ©es au regard des membranes 108, rÃ©alisÃ©es par exemple par lithographie. Ces textures servent Ã filtrer le rayonnement incident ou servent d'antireflet pour le rayonnement de faÃ§on Ã amÃ©liorer la transmission optique vers la membrane 108. Le capot 110 prÃ©sente Ã©galement des ouvertures traversantes 1102, ou Ã©vents, ou 25 trous. Chaque ouverture traversante 1102 est par exemple de forme rectangulaire ou oblongue, oÃ¹ la petite dimension est infÃ©rieure Ã 0,8 um, par exemple environ 0,5 um. Il est aussi possible de prÃ©voir, tel que dÃ©crit ci-aprÃ¨s, des ouvertures traversantes circulaires dont le diamÃ¨tre est infÃ©rieur Ã 0,811m, par exemple 0,511m. 3066044 13 Elles sont rÃ©parties rÃ©guliÃ¨rement au-dessus du substrat, de prÃ©fÃ©rence selon un motif prÃ©sentant le mÃªme pas de rÃ©partition P que les membranes, dans chacune des dimensions du plan du substrat. De prÃ©fÃ©rence, chaque pixel du dÃ©tecteur 100 comprend au moins une ouverture 5 traversante 1102. Les ouvertures traversantes 1102 permettent notamment d'Ã©vacuer un matÃ©riau sacrificiel utilisÃ© pour la fabrication du dÃ©tecteur 100. Elles sont ensuite rebouchÃ©es, ici par une couche de bouchage 111, transparente, recouvrant le capot (sans recouvrir les plots de connexion). 10 La couche de bouchage 111 peut prÃ©senter Ã©galement une fonction optique, par exemple une fonction anti-reflet ou de filtrage spectral. Selon des variantes non reprÃ©sentÃ©es, des couches minces, distinctes de la couche de bouchage 111, peuvent s'Ã©tendre au-dessus du capot 110, par exemple une couche de traitement antireflet, et/ou un filtre spectral. 15 Les ouvertures traversantes 1102 s'Ã©tendent de prÃ©fÃ©rence au regard de rÃ©gions situÃ©es entre les membranes 108. Ce positionnement Ã©vite toute dÃ©gradation des membranes lors d'une Ã©tape de rebouchage des ouvertures traversantes 1102, une partie du matÃ©riau de rebouchage pouvant tomber sur les membranes si ces derniÃ¨res se trouvent au regard des ouvertures 20 traversantes. Ce positionnement implique un Ã©cartement entre les membranes 108, au moins Ã©gal au diamÃ¨tre d'une ouverture traversante 1102. Or, le diamÃ¨tre d'une ouverture traversante 1102 peut Ãªtre trÃ¨s faible, par exemple 0,5 um, grÃ¢ce Ã l'Ã©paisseur rÃ©duite du capot 110. Le diamÃ¨tre minimal d'une ouverture 25 traversante est en effet fonction de l'Ã©paisseur du capot, le rapport de l'Ã©paisseur divisÃ©e par ledit diamÃ¨tre minimal Ã©tant environ Ã©gal Ã 10. On peut ainsi obtenir un fort taux d'occupation surfacique par les membranes 108, tout en ayant un faible pas de rÃ©partition des membranes, et des ouvertures traversantes 1102 au regard des espaces entre les membranes. 3066044 14 Le faible diamÃ¨tre d'une ouverture traversante permet Ã©galement d'Ã©viter toute perturbation optique d'un rayonnement Ã©lectromagnÃ©tique Ã dÃ©tecter, le diamÃ¨tre de celle-ci restant faible comparÃ© aux longueurs d'onde dÃ©tectÃ©es par le dÃ©tecteur 100. Le dÃ©tecteur 100 comprend en outre une premiÃ¨re couche de scellement 112A et 5 une deuxiÃ¨me couche de scellement 112B. Les deux couches de scellement 112A, 112B sont en mÃ©tal, superposÃ©es et collÃ©es l'une sur l'autre. Par Â« collÃ©es Â», on entend fixÃ©es l'une sur l'autre, par exemple par collage hybride ou par collage impliquant une fusion de matÃ©riau. 10 Ce collage se traduit par une zone de collage 112C, dite pÃ©riphÃ©rique, entre ces deux couches. Les deux couches de scellement 112A, 112B s'Ã©tendent entre la paroi de soutien 106 et le capot 110. En particulier, la premiÃ¨re couche de scellement 112A s'Ã©tend en contact physique 15 direct avec une face supÃ©rieure de la paroi de soutien 106, ici une face supÃ©rieure du plateau supÃ©rieur 1064, du cÃ´tÃ© opposÃ© au substrat 101. La premiÃ¨re couche de scellement 112A s'Ã©tend selon un chemin en boucle fermÃ©e, et dÃ©limite au-dessus du substrat 101 la mÃªme surface que celle dÃ©limitÃ©e par les parois de soutien 106. 20 La seconde couche de scellement 112B s'Ã©tend ici en contact physique direct avec une face infÃ©rieure du capot 110. Elle n'est sÃ©parÃ©e de la premiÃ¨re couche de scellement 112A que par la zone de collage pÃ©riphÃ©rique 112C. La zone de collage pÃ©riphÃ©rique 112C est constituÃ©e par exemple d'une fine couche 25 mÃ©tallique, d'un mÃ©tal diffÃ©rent de celui des premiÃ¨re et seconde couches de scellement, ou d'une fine couche du mÃ©tal desdites couches de scellement ayant fondu lors d'une Ã©tape de collage. Le cas Ã©chÃ©ant, les deux couches de scellement peuvent Ãªtre en contact physique direct l'une avec l'autre, la zone de collage pÃ©riphÃ©rique correspondant simplement Ã une interface entre ces deux couches, collÃ©es l'une sur l'autre sans couche 30 intermÃ©diaire de collage. 3066044 15 La seconde couche de scellement 112B est superposÃ©e Ã la premiÃ¨re couche de scellement 112A, et s'Ã©tend selon le mÃªme chemin. Elle s'Ã©tend donc selon un chemin en boucle fermÃ©e, et dÃ©limite au-dessus du substrat 101 la mÃªme surface que celle dÃ©limitÃ©e par les parois de soutien 106. 5 Les premiÃ¨re et seconde couches de scellement 112A, 112B forment ensemble un cordon pÃ©riphÃ©rique, autour des membranes 108. Elles sont en mÃ©tal, composÃ©es d'un seul mÃ©tal ou d'un alliage mÃ©tallique, ou composÃ©s d'un empilement de mÃ©taux ou alliages mÃ©talliques. Elles comprennent un ou plusieurs mÃ©taux tels que par exemple le cuivre, le nitrure de titane, le nitrure de tantale, 10 le nickel, l'or, l'indium, l'Ã©tain ou un alliage Ã base d'Ã©tain tel que le CuSn ou l'AuSn. L'Ã©paisseur cumulÃ©e des deux couches de scellement 112A, 112B est de l'ordre de 2 iim. Cette Ã©paisseur correspond ici Ã la distance entre les membranes 108 et le capot 110, notÃ©e Â« e Â» sur la figure 1A. 15 De la mÃªme maniÃ¨re, le dÃ©tecteur comporte des paires de premier et second plots de scellement 114A, 114B. Chaque paire s'Ã©tend entre le capot et un pilier de soutien 104, tous les piliers de soutien 104 Ã©tant surmontÃ©s par l'une de ces paires. Comme prÃ©cisÃ© Ã propos des piliers de soutien 104, ces plots de scellement ne sont 20 pas forcÃ©ment nÃ©cessaires, pour des dÃ©tecteurs prÃ©sentant un nombre rÃ©duit de pixels. Dans chaque paire, les premier et second plots de scellement 114A, 114B sont superposÃ©s, et fixÃ©s l'un Ã l'autre par collage. Ils prÃ©sentent la mÃªme composition, mÃ©tallique, que les deux couches de scellement. Ils prÃ©sentent Ã©galement la mÃªme Ã©paisseur cumulÃ©e que les deux couches de 25 scellement. Les premier et second plots de scellement 114A, 114B prÃ©sentent chacun une section de diamÃ¨tre sensiblement Ã©gal Ã celui d'un pilier de soutien, par exemple 1 iim, et en tout Ã©tat de cause moins de 3 iim. 3066044 16 Chaque premier plot de scellement 114A s'Ã©tend en contact physique direct avec un pilier de soutien 104, en particulier une face supÃ©rieure du plateau supÃ©rieur 1041 de ce pilier de soutien. Chaque second plot de scellement 114B s'Ã©tend en contact physique direct avec le 5 capot 110. Chaque second plot de scellement 114B est sÃ©parÃ© du premier plot de scellement correspondant par une zone de collage interne 114C, de mÃªme nature que la zone de collage pÃ©riphÃ©rique 112C. Le capot est supportÃ© en appui sur les premiÃ¨re et seconde couches de scellement 10 112A, 112B, situÃ©es elles-mÃªmes sur les parois de soutien, et sur les premier et second plots de scellement 114A, 114B, situÃ©s eux-mÃªmes sur les piliers de soutien. Les premiÃ¨re et seconde couches de scellement 112A, 112B dÃ©finissent, avec les parois de soutien 106, les parois latÃ©rales d'une cavitÃ© hermÃ©tique 115 recevant les membranes 108. 15 Du cÃ´tÃ© opposÃ© au substrat, cette cavitÃ© hermÃ©tique 115 est fermÃ©e par le capot 110. Les premiÃ¨re et seconde couches de scellement 112A, 112B, participent Ã l'hermÃ©ticitÃ© de la cavitÃ© 115, en plus de leur fonction de support mÃ©canique. Le vide est fait dans la cavitÃ© hermÃ©tique 115 par les ouvertures traversantes 1102, avant leur bouchage par la couche 111. 20 L'Ã©paisseur cumulÃ©e des premiÃ¨re et seconde couches de scellement, telle que mentionnÃ©e ci-avant, est suffisamment Ã©levÃ©e pour que l'Ã©limination par gravure des matÃ©riaux entre la membrane et le capot ne pose pas de difficultÃ©s. On remarque ici que cette Ã©paisseur est Ã©galement suffisamment fine pour que la rÃ©alisation des premiÃ¨re et seconde couches de scellement, et des premier et second plots 25 de scellement, ne pose pas de difficultÃ© technologique. Cette Ã©paisseur permet par exemple l'utilisation de procÃ©dÃ©s de Polissage MÃ©cano-Chimique (CMP). Ici, un matÃ©riau getter 113 est disposÃ© contre le capot 110, Ã l'intÃ©rieur de la cavitÃ© 115, pour maintenir la qualitÃ© du vide au cours du temps dans la cavitÃ© 115. 3066044 17 Un matÃ©riau getter, ou piÃ¨ge Ã gaz, limite l'apparition de gaz dans une enceinte. Il peut s'agir d'un mÃ©tal facilement oxydable tel que du titane, ou du vanadium, du zirconium, du cobalt, du fer, du manganÃ¨se, de l'aluminium ou un alliage de ces mÃ©taux. Le matÃ©riau getter 113 s'Ã©tend dans la cavitÃ© 115. 5 Il forme par exemple deux barres parallÃ¨les entre elles, s'Ã©tendant le long de deux bords opposÃ©s de la matrice de membranes, les plots de connexion 109 s'Ã©tendant le long des deux autres bords de la matrice de membranes. Cet exemple n'est pas limitatif. Le matÃ©riau getter peut Ã©galement, par exemple, Ãªtre positionnÃ© du cÃ´tÃ© du substrat. Par simple souci d'illustration, le matÃ©riau getter n'est pas positionnÃ© de la mÃªme 10 faÃ§on en figure 1A, afin de pouvoir l'illustrer en mÃªme temps que les plots de connexion 109. Le dÃ©tecteur 100 est adaptÃ© Ã dÃ©tecter un rayonnement Ã©lectromagnÃ©tique se propageant orthogonal au plan du substrat 101, et incident sur les membranes depuis le cÃ´tÃ© opposÃ© au substrat 101. 15 Les figures 2A Ã 2C illustrent un deuxiÃ¨me mode de rÃ©alisation d'un dÃ©tecteur selon l'invention. La figure 2A reprÃ©sente de maniÃ¨re schÃ©matique un pixel d'un tel dÃ©tecteur, selon une vue de dessus. 20 Chaque pixel reÃ§oit une unique membrane 108, en appui sur deux piliers d'appui 105. La figure 2B reprÃ©sente une vue en coupe simplifiÃ©e de ce pixel, dans un plan vertical BB' passant un premier pilier d'appui 105. La figure 2C reprÃ©sente une vue en coupe simplifiÃ©e de ce pixel, dans un plan vertical CC' parallÃ¨le au plan BB' et passant par l'autre pilier d'appui 105. 25 Selon ce deuxiÃ¨me mode de rÃ©alisation, dans chaque pixel, l'un des piliers d'appui 105 de la membrane forme Ã©galement un pilier de soutien 104, pour supporter le capot 110. En pratique, l'un des piliers d'appui 105 est simplement surmontÃ© par un premier et un second plots de scellement 114A, 114B tels que dÃ©crits ci-avant. 3066044 18 De prÃ©fÃ©rence, tous les piliers de soutien sous le capot forment Ã©galement un pilier d'appui pour une membrane. Ainsi, un taux de remplissage surfacique par les membranes 108 n'est pas limitÃ© par l'encombrement de piliers de soutien 104 distincts des piliers d'appui des membranes. 5 Selon ce mode de rÃ©alisation, une isolation Ã©lectrique est nÃ©cessaire, pour Ã©viter de relier Ã©lectriquement les membranes 108, par l'intermÃ©diaire du capot 110 et des paires de premier et second plots de scellement 114A, 11413. Un plot 116 d'isolation Ã©lectrique s'Ã©tend donc au regard de chaque paire de premier et second plots de scellement 114A, 11413. 10 Ici, un plot d'isolation 116 respectif s'Ã©tend sous chaque paire de premier et second plots de scellement 114A, 11413. Le plot d'isolation 116 s'Ã©tend ici entre le pilier de soutien 104 (Ã©galement pilier d'appui) et le premier plot de scellement. Selon une variante non reprÃ©sentÃ©e, le plot d'isolation 116 s'Ã©tend entre le capot 110 et le second plot de scellement 11413. 15 Le plot d'isolation 116 est par exemple en matÃ©riau diÃ©lectrique, par exemple le SiC, SiCN, SiOC, A1203, AIN, etc. Il s'agit de prÃ©fÃ©rence d'un matÃ©riau rÃ©sistant Ã une gravure mise en oeuvre pour l'Ã©vacuation d'une couche sacrificielle, lors de la fabrication du dÃ©tecteur, en particulier un matÃ©riau rÃ©sistant Ã la gravure par vapeur d'acide fluorhydrique (HF). 20 Selon le second mode de rÃ©alisation illustrÃ© aux figures 2A Ã 2C, chaque pixel comporte un unique event 1102, situÃ© au-dessus de l'autre des piliers d'appui 105 supportant la membrane 108. L'event, ou ouverture traversante 1102, ne dÃ©passe pas latÃ©ralement relativement au pilier de soutien, ce qui est possible grÃ¢ce au faible diamÃ¨tre de l'Ã©vent, lui-mÃªme rendu 25 possible par la faible Ã©paisseur du capot. En particulier, le diamÃ¨tre du pilier d'appui 105 est de l'ordre de 1 um. Le diamÃ¨tre de l'event est de l'ordre de 0,5 um, et une prÃ©cision d'alignement de l'un relativement Ã l'autre peut Ãªtre infÃ©rieure Ã 0,2 um. La membrane 108 est suspendue en appui sur les piliers d'appui 105, par 30 l'intermÃ©diaire de bras 1081, qui s'Ã©tendent latÃ©ralement, parallÃ¨les au plan du substrat 3066044 19 101. Par consÃ©quent, chaque ouverture traversante 1102 ainsi positionnÃ©e ne s'Ã©tend pas au regard d'une membrane. Ce positionnement des ouvertures traversantes 1102 permet que le taux de remplissage surfacique par les membranes 108 ne soit pas limitÃ© par la prÃ©sence des 5 ouvertures traversantes 1102. Selon des variantes non reprÃ©sentÃ©es, le dÃ©tecteur peut ne prÃ©senter que la caractÃ©ristique relative au positionnement des ouvertures traversantes, ou que la caractÃ©ristique relative aux piliers de soutien. 10 Les figures 3A et 3B illustrent les Ã©tapes d'un procÃ©dÃ© de fabrication d'un dÃ©tecteur selon l'invention. On a reprÃ©sentÃ© sur la gauche, des Ã©tapes mises en oeuvre au-dessus d'un premier substrat, dit substrat principal 101, correspondant au substrat tel que dÃ©crit en rÃ©fÃ©rence Ã la figure 1. 15 Dans une premiÃ¨re Ã©tape 31, on rÃ©alise un empilement, comportant superposÃ©s : le substrat principal 101, comportant des circuits de lecture ; la couche intermÃ©diaire 102, telle que dÃ©crite en rÃ©fÃ©rence Ã la figure 1A ; la couche de protection 103, telle que dÃ©crite en rÃ©fÃ©rence Ã la figure 1A ; les diffÃ©rentes structures verticales telles que dÃ©crites en rÃ©fÃ©rence Ã la figure 20 1A (piliers d'appui 105, piliers de soutien 104, parois de soutien 106, et blocs de surÃ©lÃ©vation 107), formÃ©es dans une couche sacrificielle 120 dite couche sacrificielle de membrane ; et les membranes 108 et les plots de connexion 109 tels que dÃ©crits en rÃ©fÃ©rence Ã la figure 1. 25 Les structures verticales sont formÃ©es par gravure de tranchÃ©es dans la couche sacrificielle 120, et dÃ©pÃ´t de matÃ©riau pour remplir les tranchÃ©es. Les parois de soutien 106 et les blocs de surÃ©lÃ©vation peuvent Ãªtre formÃ©s chacun par gravure de plusieurs tranchÃ©es dans la couche sacrificielle 120, pour obtenir in fine des 30 structures telles que dÃ©crites en rÃ©fÃ©rence Ã la figure 1A. On peut ainsi rÃ©aliser des 3066044 20 structures plus larges que les piliers de soutien et piliers d'appui, Ã l'aide de la mÃªme Ã©tape de gravure que pour lesdits piliers. La couche sacrificielle 120 s'Ã©tend jusqu'Ã hauteur des faces infÃ©rieures des membranes 108, du cÃ´tÃ© opposÃ© au substrat principal 101. 5 Les membranes 108 sont rÃ©alisÃ©es par lithographie et gravure, au-dessus de la couche sacrificielle 120. La rÃ©alisation de l'empilement ne sera pas dÃ©crite ici plus avant, puisqu'elle correspond Ã des Ã©tapes connues de fabrication d'un dÃ©tecteur de type bolomÃ©trique, exceptÃ© que l'on rÃ©alise d'autres structures verticales en plus des piliers d'appui pour les 10 membranes. Ensuite, on dÃ©pose une nouvelle couche sacrificielle, dite premiÃ¨re couche sacrificielle d'arrÃªt 121, recouvrant les membranes 108 et les plots de connexion 109 (Ã©tape 32). Puis, dans une Ã©tape 33, la premiÃ¨re couche sacrificielle d'arrÃªt 121 est gravÃ©e au- 15 dessus des piliers de soutien 104 et des parois de soutien 106, et les ouvertures gravÃ©es sont remplies de mÃ©tal pour former les premiers plots de scellement 114A, et la premiÃ¨re couche de scellement 112A. Le procÃ©dÃ© de rÃ©alisation des premiers plots de scellement et de la premiÃ¨re couche de scellement 112A, 114A met en oeuvre des procÃ©dÃ©s dits damascÃ¨nes, avec dÃ©pÃ´t de 20 mÃ©tal puis planarisation pour obtenir des plots et couche affleurant Ã la surface de la premiÃ¨re couche sacrificielle d'arrÃªt 121, du cÃ´tÃ© opposÃ© au substrat 101. L'empilement obtenu Ã l'issue de l'Ã©tape 33 est dit empilement capteur 117. IndÃ©pendamment des Ã©tapes 31 Ã 33, on met en oeuvre une deuxiÃ¨me sÃ©rie d'Ã©tapes, impliquant un second substrat, dit substrat de report 130. 25 Le substrat de report 130 est par exemple en silicium, ou en verre, et ne comporte aucun circuit intÃ©grÃ©. A l'Ã©tape 34, on dÃ©pose une couche sacrificielle intermÃ©diaire 131 sur le substrat 130, puis une couche dite de capot 132 sur la couche sacrificielle intermÃ©diaire 131. Le matÃ©riau et l'Ã©paisseur de la couche de capot correspondent au matÃ©riau et Ã 30 l'Ã©paisseur du capot dÃ©crite en rÃ©fÃ©rence Ã la figure 1A. 3066044 21 En variante, les couches 130, 131 et 132 peuvent Ãªtre issues d'un substrat SOI (silicium sur isolant) ou GOI (germanium sur isolant). A l'Ã©tape 35, la couche de capot 132 est gravÃ©e, puis une nouvelle couche sacrificielle 133, dite couche sacrificielle de capot, est dÃ©posÃ©e pour remplir les ouvertures gravÃ©es 5 dans la couche de capot 132. La gravure consiste Ã dÃ©limiter les contours externes du capot tel que dÃ©crit en rÃ©fÃ©rence Ã la figure 1A, et Ã former les ouvertures traversantes 1102 du capot. On dÃ©limite en particulier un capot configurÃ© pour ne pas recouvrir les plots de connexion 109, Ã l'issue des Ã©tapes de fabrication du dÃ©tecteur selon l'invention. 10 La couche sacrificielle de capot 133 et la couche de capot gravÃ©e forment ensemble une surface plane, du cÃ´tÃ© opposÃ© au substrat de report 130. A l'issue de l'Ã©tape 35, on a donc rÃ©alisÃ©, au-dessus du substrat de report 130, une couche 134 comportant des rÃ©gions en matÃ©riau sacrificiel et des rÃ©gions de capot transparentes Ã des longueurs d'onde Ã dÃ©tecter. 15 Les rÃ©gions en matÃ©riau sacrificiel sont destinÃ©es Ã former des ouvertures traversantes dans le capot, respectivement des rÃ©gions d'accÃ¨s aux plots de connexion 109. Dans une Ã©tape 36, on dÃ©pose au-dessus de la couche 134 une seconde couche sacrificielle d'arrÃªt 135. Dans une Ã©tape 37, la seconde couche sacrificielle d'arrÃªt 135 est gravÃ©e aux 20 emplacements de la seconde couche de scellement et des seconds plots de scellement tels que dÃ©crits en rÃ©fÃ©rence Ã la figure 1A, puis les ouvertures gravÃ©es sont remplies de mÃ©tal pour former lesdits plots et couche 114B, 112B. LÃ -encore, des procÃ©dÃ©s damascÃ¨nes connus de l'homme du mÃ©tier sont mis en oeuvre, pour obtenir des plots et couche affleurant Ã la surface de la seconde couche 25 sacrificielle d'arrÃªt 135, du cÃ´tÃ© opposÃ© au substrat de report 130. Les ouvertures gravÃ©es sont positionnÃ©es de faÃ§on Ã se retrouver au-dessus de la premiÃ¨re couche de scellement, respectivement des premiers plots de scellement, lorsque le substrat de report est retournÃ© et placÃ© au-dessus du substrat principal 101. On obtient Ã l'issue de l'Ã©tape 37 un empilement dit empilement de report 136. 3066044 22 Les Ã©tapes 31 Ã 33 d'une part, et 34 Ã 37 d'autre part, peuvent Ãªtre mises en oeuvre en parallÃ¨le, ou les unes aprÃ¨s les autres, d'abord les Ã©tapes 31 Ã 33 ou d'abord les Ã©tapes 34 Ã 37. Les diffÃ©rentes couches sacrificielles sont de prÃ©fÃ©rence en matÃ©riau diÃ©lectrique, en 5 particulier en dioxyde de silicium Si02. Les deux couches sacrificielles d'arrÃªt dÃ©finissent la hauteur des couches et plots de scellement 114A, 112A, 114B, 112B. Elles servent Ã©galement de couche d'arrÃªt pour les procÃ©dÃ©s damascÃ¨nes, et participent Ã la dÃ©finition d'un support mÃ©canique plan pour le report ultÃ©rieur du capot. 10 La figure 3B illustre les Ã©tapes ultÃ©rieures du procÃ©dÃ©. A l'Ã©tape 38, on retourne l'empilement de report 136 et on le dÃ©pose sur l'empilement capteur 117, de sorte que les premiÃ¨re et seconde couches de scellement 112A, 112B, et les premiers et seconds plots de scellement 114A, 114B, soient alignÃ©s deux Ã deux, et en contact physique direct deux Ã deux. 15 La couche 134 telle que dÃ©crite ci-avant s'Ã©tend au-dessus de l'empilement capteur 117 de sorte que les rÃ©gions de capot s'Ã©tendent au-dessus des membranes 108, et les rÃ©gions en matÃ©riau sacrificiel s'Ã©tendent au-dessus des plots de connexion 109 ainsi qu'aux emplacements des futures ouvertures traversantes dans le capot. La prÃ©cision d'alignement est de l'ordre de 0,2 um. 20 L'empilement capteur 117 et l'empilement de report 136 sont fixÃ©s ensemble par un collage sans couche intermÃ©diaire adhÃ©sive, dit collage hybride, ou en anglais Â« hybrid bonding Â». La fixation met en oeuvre des forces attractives telles que les forces de Van der Waals et les liaisons hydrogÃ¨ne. 25 La fixation n'implique pas nÃ©cessairement un chauffage Ã haute tempÃ©rature. En particulier, la tempÃ©rature reste strictement infÃ©rieure Ã 300Â°C. Ce collage est dit Â« hybride Â», car il implique Ã la fois le matÃ©riau des premiÃ¨re et seconde couches sacrificielles d'arrÃªt, et le matÃ©riau des couches et plots de scellement 112A, 112B, 114A; 114B. 3066044 23 Le collage hybride cuivre sur cuivre et dioxyde de silicium sur dioxyde de silicium est connu de l'homme du mÃ©tier, et ne sera pas dÃ©crit plus amplement dans la suite. Si besoin, l'homme du mÃ©tier pourra se reporter par exemple Ã l'article suivant : Â« Adyance Toward Reliable High Density Cu-Cu Interconnects by Cu-Si02 Direct Hybrid 5 Bonding Â», Y Beilliard & al., publiÃ© dans 3D Systems Integration Conference (3DIC), 2014 International, IEEE. Dans une Ã©tape 39, on retire le substrat de report 130, par exemple par polissage mÃ©canique (grinding) et gravure humide. Ensuite, Ã l'Ã©tape 40, les diffÃ©rentes couches sacrificielles sont gravÃ©es, ici par gravure 10 Ã l'acide fluorhydrique en phase valeur, et Ã©vacuÃ©es. En particulier, on grave : la couche sacrificielle intermÃ©diaire 131, formÃ©e Ã l'Ã©tape 34; la couche sacrificielle de capot 133, formÃ©e Ã l'Ã©tape 35; les premiÃ¨re et seconde couches sacrificielles d'arrÃªt 121, 135, formÃ©es aux 15 Ã©tapes 32, respectivement 36; et - la couche sacrificielle de membrane 120, formÃ©e Ã l'Ã©tape 31. Toutes ces couches sacrificielles sont gravÃ©es et Ã©vacuÃ©es, exceptÃ©, le cas Ã©chÃ©ant, des portions de la couche sacrificielle de membrane 120, situÃ©es entre des parois 20 Ã©lÃ©mentaires des parois de soutien, et entre des parois ou piliers Ã©lÃ©mentaires des blocs de surÃ©lÃ©vation. On grave en particulier la couche sacrificielle de capot, pour qu'il ne reste que le capot. En d'autres termes, on supprime les rÃ©gions en matÃ©riau sacrificiel situÃ©es au-dessus des plots de connexion, et le matÃ©riau sacrificiel situÃ© dans les ouvertures traversantes 25 1102. Les portions de couches sacrificielles situÃ©es sous le capot 110 sont gravÃ©es et Ã©vacuÃ©es au travers des ouvertures 1102 formÃ©es dans le capot 110. Ainsi, une mÃªme Ã©tape de gravure et Ã©vacuation de matÃ©riau sacrificiel permet Ã la fois de libÃ©rer l'espace sous le capot, au-dessus et en-dessous des membranes, et de libÃ©rer 30 des rÃ©gions au-dessus des plots de connexion. 3066044 24 Le procÃ©dÃ© comprend ensuite des Ã©tapes classiques, non reprÃ©sentÃ©es, de mise sous vide, et dÃ©pÃ´t d'une couche de bouchage sur le capot pour fermer les ouvertures traversantes 1102. Un matÃ©riau getter, non reprÃ©sentÃ©, peut Ãªtre dÃ©posÃ© sur la couche 134, avant 5 l'Ã©tape 38 de report de substrat. Ce matÃ©riau getter doit Ãªtre recouvert d'une couche de protection lors de la gravure des couches sacrificielles, la couche de protection pouvant ensuite Ãªtre retirÃ©e. Des Ã©tapes de texturation et/ou dÃ©pÃ´t de couches de traitement (filtre optique, anti- reflet, etc.) peuvent Ãªtre mises en oeuvre sur le capot, avant l'Ã©tape 38 de report de substrat 10 et/ou aprÃ¨s l'Ã©tape 39 de retrait du substrat 130. Bien que cet exemple ne soit pas limitatif, l'invention concerne de prÃ©fÃ©rence un dÃ©tecteur rÃ©alisÃ© Ã l'aide de couches sacrificielles minÃ©rales gravÃ©es par vapeur d'acide fluorhydrique. Selon l'invention, le capot est donc dÃ©posÃ© non pas directement au-dessus des 15 Ã©lÃ©ments sensibles, mais au-dessus d'un substrat de report. Par consÃ©quent, une tempÃ©rature de dÃ©pÃ´t de la couche mince formant le capot n'est pas susceptible d'endommager ces Ã©lÃ©ments sensibles. Le choix des matÃ©riaux pouvant constituer le capteur n'est donc pas limitÃ© par une tempÃ©rature de dÃ©pÃ´t. En particulier, il n'est pas nÃ©cessaire de se limiter Ã des matÃ©riaux prÃ©sentant une tempÃ©rature de dÃ©pÃ´t rÃ©duite, par 20 exemple infÃ©rieure Ã 400Â°C voire mÃªme infÃ©rieure Ã 300Â°C. Le capot selon l'invention est rÃ©alisÃ© par dÃ©pÃ´t de couche sur une surface plane. Ainsi, le choix de matÃ©riau(x) constituant le capot n'est pas non plus limitÃ© par une exigence de conformitÃ© relativement Ã une surface de dÃ©pÃ´t non plane. 25 La figure 4 illustre une variante du procÃ©dÃ© illustrÃ© aux figures 3A et 3B, dans laquelle, lors de l'Ã©tape de report du substrat 130 au-dessus des membranes 108, les premiers couche et plots de scellement 112A, 114A ne sont pas entourÃ©s de matÃ©riau sacrificiel et sont entourÃ©s par le milieu gazeux environnant. 3066044 25 De la mÃªme faÃ§on, lors de cette Ã©tape de report du substrat 130, les seconds couche et plots de scellement 112B, 114B ne sont pas entourÃ©s de matÃ©riau sacrificiel et sont entourÃ©s par le milieu gazeux environnant. Dans ce cas, le collage entre les couches de scellement et entre les plots de 5 scellement n'est pas un collage hybride, mais une hybridation classique par fusion ou thermocompression, utilisant des plots d'indium ou d'Ã©tain. Il s'agit cependant toujours d'un collage sans chauffage Ã 300Â°C ou plus. Cette variante, moins prÃ©fÃ©rÃ©e, peut Ãªtre avantageuse notamment lorsque la couche sacrificielle de membrane, et la couche sacrificielle de capot sont formÃ©es d'un matÃ©riau 10 organique comme un polyimide, et gravÃ©es ensuite par plasma d'oxygÃ¨ne. Selon une autre variante, non illustrÃ©e, la couche sacrificielle de membrane est Ã©vacuÃ©e avant report du substrat 130. La figure 5 illustre une autre variante du procÃ©dÃ©, dans laquelle, la couche de capot 15 132 n'est pas gravÃ©e avant l'Ã©tape de report du substrat 130, mais aprÃ¨s retrait de ce substrat. Enfin, les figures 6A et 6B illustrent de maniÃ¨re schÃ©matique la rÃ©alisation simultanÃ©e de plusieurs dÃ©tecteurs selon l'invention. 20 La figure 6A illustre, selon une vue de dessus, une couche 134 comportant des rÃ©gions en matÃ©riau sacrificiel et des rÃ©gions de capot, dÃ©limitant ensemble une matrice de capots. Chaque zone hachurÃ©e correspond Ã un capot transparent. La figure 6B illustre, selon une vue en coupe, un empilement comportant un substrat de report 130, une couche sacrificielle intermÃ©diaire, et ladite couche 134. 25 On rÃ©alise ainsi plusieurs empilements de report tels que dÃ©crits ci-avant, partageant un mÃªme substrat de report, et dÃ©posÃ©s ensemble au-dessus de plusieurs empilements capteurs partageant un mÃªme substrat principal. L'alignement entre le substrat principal et le substrat de report est rÃ©alisÃ© une seule fois, pour fabriquer plusieurs dÃ©tecteurs selon l'invention. 3066044 26 L'invention offre donc une solution astucieuse de packaging hermÃ©tique pour un dÃ©tecteur de rayonnement Ã©lectromagnÃ©tique Ã membrane(s) suspendue(s). Il s'agit d'un packaging dit Â« wafer level Â», dans lequel, si le dÃ©tecteur comporte plusieurs membranes, celles-ci sont encapsulÃ©es ensemble dans une mÃªme cavitÃ© 5 hermÃ©tique. L'invention est particuliÃ¨rement avantageuse dans le cadre de membranes suspendues rÃ©alisÃ©es Ã l'aide d'une couche sacrificielle minÃ©rale libÃ©rÃ©e par gravure HF. L'invention n'est pas limitÃ©e aux exemples dÃ©crits ici, et de nombreuses variantes peuvent Ãªtre mises en oeuvre sans sortir du cadre de l'invention. 10 Par exemple, le nombre de piliers de soutien sous le capot peut Ãªtre ajustÃ© en fonction de la rigiditÃ© du capot et de la hauteur de la cavitÃ© sous le capot. Le dÃ©tecteur selon l'invention peut ne pas prÃ©senter de piliers de soutien ni de premier et second plots de scellement, en particulier si la rigiditÃ© du capot est suffisante au regard de ses dimensions latÃ©rales. 15 Le dÃ©tecteur 100 selon l'invention peut former un imageur infrarouge, un imageur thermique (thermographie), un capteur infrarouge (pouvant alors ne comporter qu'un unique pixel), un capteur tÃ©ra-Hertz, un dÃ©tecteur de gaz (par mesure d'une absorption optique dans le spectre infrarouge), un dÃ©tecteur de personnes ou objets, un appareil de reconnaissance de personnes ou objets, un dÃ©tecteur de mouvement dans le spectre 20 infrarouge (par exemple pour rÃ©aliser une dÃ©tection d'activitÃ© humaine), etc. REVENDICATIONS1. DÃ©tecteur (100) de rayonnement Ã©lectromagnÃ©tique comportant : au moins une membrane (108) suspendue au-dessus d'un substrat (101), configurÃ©e pour absorber et convertir en chaleur un rayonnement Ã©lectromagnÃ©tique incident ; et un capot (110), transparent dans une plage de sensibilitÃ© spectrale du dÃ©tecteur de rayonnement Ã©lectromagnÃ©tique, et fermant une cavitÃ© hermÃ©tique (115) recevant l'au moins une membrane ; caractÃ©risÃ© en ce que : le capot (110) prÃ©sente une Ã©paisseur (E) infÃ©rieure ou Ã©gale Ã 10 11m; le capot est suspendu au-dessus du substrat, en appui au moins sur des parois de soutien (106) encadrant la ou les membrane(s) ; le dÃ©tecteur (100) prÃ©sente des premiÃ¨re et des seconde couches de scellement (112A, 112B), mÃ©talliques, intercalÃ©es l'une sur l'autre entre le capot et les parois de soutien, et entre lesquelles s'Ã©tend une zone pÃ©riphÃ©rique de collage (112C). 2. DÃ©tecteur (100) selon la revendication 1, caractÃ©risÃ© en ce que : le capot (110) est suspendu au-dessus du substrat, en appui sur les parois de soutien (106), et sur des piliers de soutien (104) situÃ©s entre les parois de soutien ; et le dÃ©tecteur comprend des paires de premier et second plots de scellement (114A, 114B), mÃ©talliques, chaque paire Ã©tant situÃ©e entre le capot et l'un des piliers de soutien (104), les premier et second plots de scellement de chaque paire Ã©tant superposÃ©s et sÃ©parÃ©s par une zone interne de collage respective (114C). 3. DÃ©tecteur (100) selon la revendication 2, caractÃ©risÃ© en ce qu'il prÃ©sente une pluralitÃ© de membranes (108) suspendues au-dessus du substrat, un pas (P) de rÃ©partition 3066044 28 des membranes Ã©tant Ã©gal Ã un pas de rÃ©partition des piliers de soutien (104), dans chaque dimension du plan du substrat. 4. DÃ©tecteur (100) selon la revendication 2 ou 3, caractÃ©risÃ© en ce que la ou les 5 membrane(s) (108) sont suspendue(s) au-dessus du substrat, en appui chacune sur des piliers d'appui (105), et en ce que pour chaque membrane, l'un des piliers d'appui est surmontÃ© par une paire de premier et second plots de scellement (114A, 114B), de sorte que ledit pilier d'appui forme Ã©galement un pilier de soutien (104) pour le capot. 10 5. DÃ©tecteur (100) selon l'une quelconque des revendications 1 Ã 4, caractÃ©risÃ© en ce que le capot (1110) prÃ©sente une ou plusieurs ouverture(s) traversante(s) (1102). 6. DÃ©tecteur (100) selon la revendication 5, caractÃ©risÃ© en ce que la ou les membrane(s) (108) sont suspendue(s) au-dessus du substrat, en appui chacune sur des 15 piliers d'appui (105), et en ce que pour chaque membrane, l'un des piliers d'appui (105) est surmontÃ© d'une ouverture traversante (1102) du capot. 7. DÃ©tecteur (100) selon l'une quelconque des revendications 1 Ã 6, caractÃ©risÃ© en ce qu'une Ã©paisseur cumulÃ©e des premiÃ¨re et des seconde couches de scellement (112A, 20 112B) est comprise entre 1,5 um et 2,5 um. 8. ProcÃ©dÃ© d'encapsulation d'au moins un Ã©lÃ©ment sensible d'un dÃ©tecteur (100) de rayonnement Ã©lectromagnÃ©tique, caractÃ©risÃ© en ce qu'il comporte les Ã©tapes suivantes : a) rÃ©alisation d'un empilement, dit empilement capteur (117), comportant : 25 un premier substrat (101), dit substrat principal ; au moins une membrane (108) s'Ã©tendant au-dessus du substrat principal, formant l'au moins un Ã©lÃ©ment sensible du dÃ©tecteur de rayonnement Ã©lectromagnÃ©tique, et configurÃ©e pour absorber et convertir en chaleur un rayonnement Ã©lectromagnÃ©tique incident ; 3066044 29 des parois de soutien (106), s'Ã©tendant au-dessus du substrat principal et encadrant l'au moins une membrane ; et une premiÃ¨re couche de scellement (112A), mÃ©tallique, situÃ©e au-dessus des faces supÃ©rieures des parois de soutien, du cÃ´tÃ© opposÃ© au substrat 5 principal; b) dÃ©pÃ´t, au-dessus d'un second substrat (130) dit substrat de report, d'une couche dite couche de capot (132), transparente dans une plage de sensibilitÃ© spectrale du dÃ©tecteur de rayonnement Ã©lectromagnÃ©tique, et d'Ã©paisseur 10 infÃ©rieure ou Ã©gale Ã 10 11m; c) rÃ©alisation, sur la couche de capot, d'une seconde couche de scellement (112B), mÃ©tallique ; 15 d) report du substrat de report (130) sur le substrat principal (101), de faÃ§on Ã aligner et coller l'une sur l'autre, la premiÃ¨re couche de scellement (112A) et la seconde couche de scellement (112B) ; et e) retrait du substrat de report (130). 20 9. ProcÃ©dÃ© selon la revendication 8, caractÃ©risÃ© en ce que : l'empilement capteur (117) comporte en outre des piliers de soutien (104), s'Ã©tendant entre les parois de soutien, et surmontÃ©s chacun par un premier plot de scellement respectif (114A) ; 25 l'Ã©tape c) comprend Ã©galement la rÃ©alisation, sur la couche de capot, de seconds plots de scellement (114B) ; et l'Ã©tape d) rÃ©alise Ã©galement l'alignement et le collage deux Ã deux, des premiers plots de scellement (114A) avec les seconds plots de scellement (114B). 3066044 10. ProcÃ©dÃ© selon la revendication 8 ou 9, caractÃ©risÃ© en ce qu'il comprend en outre une Ã©tape de gravure de la couche de capot (132), pour dÃ©limiter le contour externe d'un capot (110) destinÃ© Ã fermer une cavitÃ© recevant l'au moins une membrane, et pour former dans ce capot au moins une ouverture traversante (1102). 5 11. ProcÃ©dÃ© selon la revendication 10, caractÃ©risÃ© en ce que l'Ã©tape de gravure de la couche de capot est mise en oeuvre aprÃ¨s l'Ã©tape e) de retrait du substrat de report. 12. ProcÃ©dÃ© selon la revendication 10, caractÃ©risÃ© en ce que : 10 l'Ã©tape de gravure de la couche de capot est mise en oeuvre aprÃ¨s l'Ã©tape b) de dÃ©pÃ´t de la couche de capot (132) et avant l'Ã©tape d) de report du substrat de report (130) ; l'Ã©tape de gravure de la couche de capot est suivie d'une Ã©tape de remplissage des rÃ©gions gravÃ©es par une couche en matÃ©riau sacrificiel, dite couche sacrificielle de 15 capot (133) ; et la couche sacrificielle de capot (133) est Ã©vacuÃ©e aprÃ¨s l'Ã©tape e) de retrait du substrat de report. 13. ProcÃ©dÃ© selon l'une quelconque des revendications 8 Ã 12, caractÃ©risÃ© en ce que : 20 le procÃ©dÃ© comprend des Ã©tapes de dÃ©pÃ´t de couches en matÃ©riau sacrificiel, dites couches sacrificielles d'arrÃªt (121, 135), de sorte qu'avant l'Ã©tape d) de report du substrat de report, la premiÃ¨re couche de scellement (112A) et la deuxiÃ¨me couche de scellement (112B) soient situÃ©es chacune dans l'une de ces couches sacrificielles d'arrÃªt ; 25 l'Ã©tape d) met en oeuvre un collage hybride ; et les couches sacrificielles d'arrÃªt (121, 135) sont Ã©vacuÃ©es aprÃ¨s l'Ã©tape e) de retrait du substrat de report. 3066044 31 14. ProcÃ©dÃ© selon l'une quelconque des revendications 8 Ã 13, caractÃ©risÃ© en ce que dans l'empilement capteur (117), Ã l'issue de l'Ã©tape a), l'au moins une membrane (108) s'Ã©tend au-dessus d'une couche en matÃ©riau sacrificiel, dite couche sacrificielle de membrane (120), la couche sacrificielle de membrane Ã©tant Ã©vacuÃ©e aprÃ¨s l'Ã©tape e) de 5 retrait du substrat de report. 15. ProcÃ©dÃ© selon l'une quelconque des revendications 8 Ã 14, caractÃ©risÃ© en ce qu'il est mis en oeuvre simultanÃ©ment pour plusieurs empilements capteur (117) partageant le mÃªme substrat principal (101), et Ã l'aide d'un unique substrat de report (130) et d'une 10 unique couche de capot (132), une Ã©tape de gravure de la couche de capot dÃ©limitant les contours externes de plusieurs capots (110) destinÃ©s chacun Ã recouvrir l'un parmi les plusieurs empilements capteur.