Brevet FR3068172A1 — publié le 20181228

DISPOSITIF ELECTRONIQUE A LARGEUR DE CANAL MODULABLE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTÉRIEUR L'invention porte sur un dispositif électronique à largeur de canal modulable ou variable. Ce dispositif permet notamment la réalisation d'un bloc reconfigurable assimilable à un transistor FET (transistor à effet de champ) dont la largeur de canal est paramétrable en fonction des besoins du circuit. La partie radiofréquence, ou RF, d'un objet communicant sans fil est l'une des parties consommant le plus d'énergie. En effet, la plupart des récepteurs RF sans fil sont conçus pour fonctionner quel que soit l'état du canal de transmission que l'information traverse. Or, ce canal de transmission est rarement dans le pire cas qui nécessite le plus d'énergie. Beaucoup d'énergie est donc perdue. Chaque circuit électronique est conçu pour fonctionner de manière optimale à une certaine valeur de densité de courant, en u.A/u.m. Ainsi, en fonction de cette valeur donnée du courant destiné à circuler dans le circuit, les transistors sont dimensionnés (choix de la largeur W des transistors) afin d'avoir un FOM (facteur de mérite, qui est représentatif des performances du transistor) qui soit maximal pour cette valeur donnée du courant, et fonctionner ainsi à la densité de courant désirée. Ce FOM est parfois donné pour un transistor FET selon la formule suivante : FOM = gm.f-r/ID, avec gm la transconductance du transistor, f-r la fréquence de transition du transistor, et ID le courant de drain circulant dans le transistor. Lorsque la valeur du courant traversant le transistor, c'est-à-dire le courant ID, change, la valeur du FOM de ce transistor diminue puisqu'il n'est pas optimisé pour fonctionner avec cette nouvelle valeur du courant. Ainsi, un circuit électronique comprenant des transistors et ayant plusieurs modes de fonctionnement n'est pas optimisé pour tous ces modes. Autrement dit, le FOM des transistors de ce circuit n'est pas maximisé pour chacun de ces modes. 2 Le document de S. Sen et al., "Orthogonally tunable inductorless RF LNA for adaptive wireless systems,", 2011 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), 2011, pp. 285-288, décrit un LNA (amplificateur faible bruit) dont le gain et le facteur de bruit d'une part, et la linéarité RF d'autre part, sont reconfigurables de 5 façon orthogonale, c'est-à-dire indépendamment l'un de l'autre. Une modification d'une seule spécification est donc possible sans avoir à modifier l'autre spécification du LNA. Ce LNA reconfigurable est basé sur une architecture de type « current reused » comprenant deux transistors MOSFET montés en source commune, sur laquelle sont ajoutés des éléments de contrôle permettant de moduler le courant dans l'étage d'amplification via 10 l'ajout de transistors polarisés par des tensions appliquées sur ces éléments de contrôle. Bien que l'ajout des éléments de contrôle permette la reconfigurabilité orthogonale des performances du circuit, ces performances sont dégradées quelle que soit la configuration du circuit car en ajoutant des transistors dans le chemin de conduction du circuit traversé par le courant amplifié, du bruit est ajouté et la linéarité est dégradée, et 15 cela pour tous les modes de fonctionnement du circuit. Le document de T. Taris et al., "A 60 uW LNA for 2.4 GHz wireless sensors network applications,", 2011 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC), 2011, pp. 1-4, propose un LNA reconfigurable avec trois modes de fonctionnement. Ce LNA est réalisé selon l'architecture de type « current reused ». Un 20 DAC (convertisseur numérique-analogique) est utilisé pour permettre une variation de la tension d'alimentation, et donc du courant consommé et partagé par les deux transistors du LNA. Ce LNA reconfigurable permet d'avoir de bonnes performances dans le mode de plus faible consommation pour lequel il a été optimisé. Cependant, les autres modes proposés sont obtenus par une simple augmentation de la tension d'alimentation du LNA. 25 Ces autres modes ne sont donc pas optimisés car les transistors sont dans une configuration telle que le FOM n'est pas maximisé pour ces autres modes. Le document de K. Ghosal et al., « A power-scalable RF CMOS receiver for 2.4 GHz wireless sensor network application », Electronics, Circuits and Systems (ICECS), 2012 19th IEEE International Conference on, pp. 161-164, décrit un LNA reconfigurable de type source commune en dégénérescence inductive. Dans ce LNA, 3 plusieurs transistors forment ensemble le transistor d'entrée du LNA et des commutateurs formés par d'autres transistors sont reliés en cascode pour commander le passage ou non du courant dans chacun de ces transistors se trouvant en entrée. Plusieurs modes de fonctionnement sont possibles en fonction du nombre de transistors 5 utilisés en entrée. Toutefois, l'ajout des transistors formant les commutateurs dans le chemin du courant amplifié diminue fortement la dynamique de sortie du circuit, ce qui dégrade de façon significative la linéarité du circuit. De plus, l'utilisation de plusieurs inductances n'est pas adaptée à la conception de récepteurs reconfigurables sur une faible surface. 10 Le document de A. Larie et al., « A 60 GHz 28 nm UTBB FD-SOI CMOS Reconfigurable Power Amplifier with 21% PAE, 18.2dBm Pidg and 74mW Pix », ISSCC 2015 IEEE, pp. 48-50, décrit un amplificateur de puissance pouvant fonctionner selon deux modes différents. Le passage d'un mode de fonctionnement à l'autre s'effectue en changeant la classe de fonctionnement des transistors afin d'obtenir, selon le mode de 15 fonctionnement choisi, plus de gain ou une meilleure linéarité. Toutefois, un tel amplificateur de puissance ne propose pas des performances optimales pour n'importe quel mode de fonctionnement en raison du gain des transistors quelle que soit leur classe de fonctionnement. EXPOSÉ DE L'INVENTION 20 Un but de la présente invention est de proposer une solution pour qu'un circuit électronique puisse fonctionner de manière optimale dans différents modes de fonctionnement, et notamment dont le FOM des transistors soit maximisé pour les différents modes de fonctionnement. Pour cela, l'invention propose un dispositif électronique à largeur de 25 canal modulable, comprenant au moins : - un groupe de transistors de type FET comportant chacun une source, un drain, une grille avant et une grille arrière, et reliés électriquement les uns aux autres tels que les sources des transistors soient reliées électriquement entre elles, que les drains des transistors soient reliés électriquement entre eux et à une sortie du dispositif, 4 et que les grilles avant des transistors soient reliées électriquement entre elles et à une entrée du dispositif, et dont une largeur de canal totale est égale à la somme des largeurs de canal des transistors se trouvant à l'état passant ; - un circuit de commande relié à chacune des grilles arrière des 5 transistors, apte à appliquer sur chacune des grilles arrière un potentiel électrique de commande mettant à l'état passant ou à l'état bloqué le transistor sur lequel ledit potentiel électrique de commande est appliqué, et à configurer le groupe de transistors selon différents modes chacun associé à une largeur de canal totale différente de celles des autres modes, 10 et dans lequel, en fonction de la valeur, ou pour une valeur donnée, d'un courant ID destiné à traverser les canaux du groupe de transistors, le circuit de commande est apte à configurer le groupe de transistors selon un des modes pour lequel la valeur d'un facteur de mérite du dispositif, représentatif du rapport gain/bruit entre l'entrée et la sortie du dispositif, soit supérieure à celles obtenues lorsque le groupe de 15 transistors est configuré selon chacun des autres modes. Dans un tel dispositif, les transistors FET sont mis en parallèle les uns des autres afin que leurs largeurs de canal puissent s'additionner. Selon l'état passant ou bloqué de chacun de ces transistors, la largeur de canal totale, ou globale, de ce groupe de transistors est égale à la somme des largeurs de canal des transistors du groupe qui se 20 trouvent à l'état passant. En adaptant ainsi la largeur de canal totale du groupe de transistors en fonction du courant circulant à travers le groupe de transistors, le dispositif électronique peut fonctionner dans différents modes et par exemple à densité de courant constante ou sensiblement constante, ou tel que le FOM soit maximisé pour la valeur de courant traversant le groupe de transistors. 25 L'un des avantages de ce dispositif par rapport à ceux proposés dans l'art antérieur est de ne pas avoir de performances dégradées par rapport à un mode non reconfiguré. Autrement dit, ce dispositif ne comporte pas d'élément supplémentaire ajouté dans le chemin de conduction du dispositif, ce qui ne dégrade pas les performances du circuit, quelle que soit la largeur de canal totale du dispositif. 5 Grâce à l'utilisation des grilles arrière pour mettre à l'état passant ou bloqué les transistors, les performances du dispositif ne sont pas dégradées à cause de la perte d'un VDs_sat dans le chemin de conduction du dispositif ou bien à cause de l'ajout d'un transistor de commande dans ce chemin de conduction. De plus, la résistance 5 d'entrée du dispositif n'est pas impactée par le caractère modulable de la largeur de canal totale du dispositif, contrairement aux solutions proposant un ajout de transistors de commande reliés aux grilles avant des transistors remplissant la fonction d'amplification pour commander le passage ou non du courant à travers ces transistors. Enfin, ce dispositif forme une solution compacte car aucun transistor 10 servant uniquement d'interrupteur n'est ajouté dans le dispositif. Un tel dispositif électronique peut correspondre à un élément d'une chaîne de réception RF dont l'architecture est adaptable selon les besoins de son environnement, et forme par exemple le LNA d'une telle chaîne. Ce dispositif électronique peut faire partie d'un circuit intégré 15 analogique/RF reconfigurable en performances et optimisé pour tous ses modes de fonctionnement, ou bien faire partie d'un circuit numérique. Ce dispositif s'applique notamment à la réalisation de circuits de capteurs communicants sans fil à très faible consommation, s'adaptant selon l'environnement dans lequel ils se trouvent. 20 De manière avantageuse, les valeurs des largeurs de canal des transistors peuvent être telles que, pour un nombre n de valeurs données du courant ID, le circuit de commande soit apte à configurer le groupe de transistors selon un parmi n modes pour lesquels la valeur du facteur de mérite du dispositif soit maximale pour les n valeurs données du courant ID, avec n nombre entier compris entre 2 et le nombre 25 maximum de modes selon lesquels le groupe de transistors peut être configuré. Dans cette configuration, les transistors sont donc dimensionnés pour que, pour chacune des n valeurs du courant ID, il existe un mode de configuration des transistors permettant d'obtenir la valeur maximale du FOM. Dans ce cas, le dispositif électronique peut fonctionner à densité de courant constante ou sensiblement constante car pour chacune 30 des n valeurs du courant ID, il existe un mode de configuration des transistors permettant 6 d'avoir la largeur de canal totale idéale, optimisée et adaptée à cette valeur du courant ID pour que la valeur du FOM soit maximale. Le dispositif peut comporter plusieurs groupes de transistors couplés au circuit de commande tels que chaque groupe de transistors soit apte à être configuré par 5 le circuit de commande. Le dispositif peut former un amplificateur faible bruit comprenant au moins : - des premier et deuxième groupes de transistors chacun apte à être configuré par le circuit de commande ; 10 - une alimentation électrique ; - un premier élément résistif comprenant une première borne reliée à l'alimentation électrique et une deuxième borne reliée aux drains des transistors du premier groupe et à une sortie de l'amplificateur faible bruit ; - un deuxième élément résistif comprenant une première borne reliée 15 à l'alimentation électrique et une deuxième borne reliée aux grilles avant des transistors du premier groupe et aux drains des transistors du deuxième groupe ; - une source de courant de polarisation reliée aux sources des transistors du premier groupe, aux grilles avant des transistors du deuxième groupe et à une entrée de l'amplificateur faible bruit ; 20 et dans lequel, en fonction de la valeur des courants ID destinés à traverser les canaux des transistors des premier et deuxième groupes, le circuit de commande peut être apte à configurer les premier et deuxième groupes de transistors selon un des modes pour lequel la valeur d'un facteur de mérite de l'amplificateur faible bruit, représentatif du rapport gain/bruit entre l'entrée et la sortie de l'amplificateur 25 faible bruit, soit supérieure à celles obtenues lorsque les premier et deuxième groupes de transistors sont configurés selon chacun des autres modes. Un tel amplificateur faible bruit peut donc fonctionner de manière optimale selon plusieurs modes de fonctionnement. De manière avantageuse, les valeurs des largeurs de canal des 30 transistors peuvent être telles que, pour un nombre m de valeurs données des courants 7 ID, le circuit de commande soit apte à configurer les premier et deuxième groupes de transistors selon un parmi m modes pour lesquels la valeur du facteur de mérite de l'amplificateur faible bruit soit maximale pour les m valeurs données des courants ID, avec m nombre entier compris entre 2 et le nombre maximum de modes selon lesquels les 5 premier et deuxième groupes de transistors peuvent être configurés. Dans cette configuration, les transistors sont donc dimensionnés pour que, pour chacune des m valeurs des courants ID, il existe un mode de configuration des transistors permettant d'obtenir la valeur maximale du FOM de l'amplificateur faible bruit. Dans ce cas, le dispositif électronique peut fonctionner à densité de courant constante ou sensiblement 10 constante car pour chacune des m valeurs des courants ID, il existe un mode de configuration des transistors permettant d'avoir la largeur de canal totale idéale, optimisée et adaptée à ces valeurs des courants ID pour que la valeur du FOM de l'amplificateur faible bruit soit maximale. En variante, le dispositif peut former un amplificateur de puissance dans 15 lequel le groupe de transistors peut faire partie d'un étage de sortie de l'amplificateur de puissance. Un tel amplificateur de puissance peut proposer, grâce au caractère modulable de la largeur de canal totale des transistors, plusieurs niveaux de puissance de sortie. En alternative, le dispositif peut former un mélangeur ou un amplificateur à gain variable ou un amplificateur contrôlé en tension ou un oscillateur en 20 anneau. Un tel mélangeur peut proposer plusieurs niveaux de gain en fonction du besoin de la chaîne dans laquelle il se trouve. Un tel amplificateur à gain variable peut devenir modulable en fonction du gain additionnel nécessaire. Enfin, un tel oscillateur en anneau permet de moduler sa fréquence de fonctionnement en modulant la taille de canal totale d'un ou de plusieurs de ses groupes de transistors. 25 Le circuit de commande peut comporter une pluralité de commutateurs dont chacune des sorties est reliée à la grille arrière d'un des transistors, chacun des commutateurs comprenant au moins deux entrées configurées pour recevoir des potentiels électriques aptes à mettre les transistors à l'état passant ou à l'état bloqué. 8 Dans ce cas, le circuit de commande peut comporter en outre un bus de données série relié aux commutateurs et sur lequel des signaux de commande des commutateurs sont destinés à circuler. Les transistors peuvent être de type FDSOI, c'est-à-dire totalement 5 désertés et réalisés sur un substrat de type SOI (silicium sur isolant). L'utilisation de la technologie FDSOI, par exemple 28 nm, est ici particulièrement avantageuse. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif en 10 faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - la figure 1 représente un dispositif électronique à largeur de canal modulable, objet de la présente invention, selon un premier mode de réalisation ; - la figure 2 représente le FOM obtenu selon différentes configurations du dispositif selon le premier mode de réalisation ; 15 - la figure 3 représente un dispositif électronique à largeur de canal modulable, objet de la présente invention, selon un deuxième mode de réalisation. Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures décrites ci-après portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. 20 Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) doivent être comprises comme n'étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles. 25 EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS On se réfère tout d'abord à la figure 1 qui représente schématiquement un dispositif 100 à largeur de canal modulable, selon un premier mode de réalisation. 9 Le dispositif 100 comporte une entrée 102 sur laquelle un signal d'entrée est destiné à être appliqué, et une sortie 104 sur laquelle un signal de sortie est destiné à être obtenu. Le dispositif 100 comporte également un groupe de transistors 106. Les 5 transistors 106 sont de type FET (ici de type MOSFET) et comportent chacun une grille arrière 108. Sur l'exemple de la figure 1, le groupe de transistors 106 comporte trois transistors 106.1 à 106.3 dont les grilles arrière comportent les références 108.1 à 108.3. Chacun des transistors 106 comporte également une grille avant 110 (référencées 110.1 à 110.3 sur la figure 1), un drain 112 (référencés 112.1 à 112.3 sur la 10 figure 1) et une source 114 (référencées 114.1 à 114.3 sur la figure 1). Les grilles avant 110 des transistors 106 sont reliées électriquement entre elles et à l'entrée 102. Les drains 112 des transistors 106 sont reliés électriquement entre eux et à la sortie 104. Les sources 114 des transistors 106 sont reliées électriquement entre elles. Le dispositif 100 comporte également un circuit de commande 116 relié 15 à chacune des grilles arrière 108 des transistors 106, et apte à appliquer sur chacune des grilles arrière 108 une tension de commande mettant à l'état passant ou à l'état bloqué le transistor 106 sur lequel ladite tension de commande est appliquée. Sur la figure 1, le circuit de commande 116 comporte des commutateurs 118 (trois commutateurs référencés 118.1 à 118.3), la sortie de chacun des commutateurs 118 étant reliée à l'une 20 des grilles arrières 108. Chacun des commutateurs 118 comporte deux entrées. Un potentiel électrique VH, apte à mettre à l'état passant un des transistors 106 lorsque ce potentiel est appliqué sur la grille arrière 108 de ce transistor, est appliqué sur l'une des deux entrées de chaque commutateur 118. Un potentiel électrique VL, apte à mettre à l'état bloqué un des transistors 106 lorsque ce potentiel est appliqué sur la grille arrière 25 108 de ce transistor, est appliqué sur l'autre des deux entrées de chaque commutateur 118. Les commutateurs 118 sont reliés à un bus de données série, par exemple de type SPI (interface périphérique série), sur lequel circulent les signaux de commande des commutateurs 118. Sur l'exemple représenté sur la figure 1, les trois commutateurs 118.1 à 118.3 sont reliés au potentiel électrique VH, les trois transistors 106.1 à 106.3 étant 30 donc tous à l'état passant. 10 Le groupe de transistors 106 forme un transistor dont la largeur de canal totale W est modulable. En effet, chacun des transistors 106 a une largeur de canal, par exemple nommées W1, W2 et W3 pour chacun des transistors 106.1, 106.2 et 106.3, de valeur fixe. Suivant l'état passant ou bloqué de chacun des transistors 106.1 à 106.3, la 5 largeur de canal totale W du groupe de transistors 106 varie. Ainsi, sur l'exemple de la figure 1, les trois transistors 106.1 à 106.3 étant à l'état passant, la largeur de canal totale W du groupe de transistors 106 est égale à W1 + W2 + W3. Le tableau ci-dessous donne la valeur de W obtenue en fonction des transistors se trouvant à l'état passant (les autres transistors non mentionnés étant à l'état bloqué). Dans cet exemple, le groupe de 10 transistors 106 peut donc être configuré selon 7 modes différents. Transistors à l'état passant W 106.1 Wi. 106.2 W2 106.3 W3 106.1 et 106.2 WI. + W2 106.1 et 106.3 WI. + W3 106.2 et 106.3 W2 + W3 106.1, 106.2 et 106.3 WI. + W2 + W3 Grâce à la possibilité de modulation de la largeur de canal globale du groupe de transistors 106, le dispositif 100 forme donc un bloc reconfigurable qui peut 15 être optimisé pour différents modes de fonctionnement correspondant à des utilisations avec différentes puissances consommées. En effet, un transistor est optimisé pour fonctionner à une certaine densité de courant. Etant donné que la largeur du canal de ce transistor est fixe, ce transistor est donc optimisé pour fonctionner avec une valeur donnée du courant ID qui le 20 traverse. Du fait que le transistor soit optimisé pour cette valeur donnée du courant ID, le FOM du transistor a une valeur maximale pour cette valeur donnée du courant ID. La valeur du FOM du transistor dépend principalement de la valeur de la transconductance 11 gm du transistor, et également, dans une moindre mesure, de celle de sa fréquence de transition fr, et varie en fonction de la valeur de son courant ID. Dans le dispositif 100, le FOM global du groupe de transistors 106 est représentatif du rapport gain / bruit entre l'entrée 102 du dispositif 100 sur laquelle un 5 signal d'entrée est reçu par le groupe de transistors 106, et la sortie 104 sur laquelle un signal de sortie est délivré et correspond au signal d'entrée amplifié. Le bruit considéré ici correspond notamment au bruit kTC, ou bruit de réinitialisation, et au bruit en 1/f ou bruit blanc. Ainsi, lorsque le courant traversant les canaux des transistors 106 10 augmente ou diminue, il est possible d'augmenter ou de diminuer d'autant la largeur W globale du groupe de transistors 106 afin de garder une densité de courant constante ou la plus proche possible de la densité de courant optimale du dispositif 100, ce qui revient à maximiser le FOM du dispositif 100. En reprenant l'exemple de réalisation de la figure 1 et en considérant 15 que les largeurs W1, W2 et W3 des transistors 106 sont similaires, la largeur globale W du groupe de transistors 106 peut donc prendre trois valeurs différentes égales à W1, 2W1 et 3W1 selon l'état passant ou bloqué de chacun des transistors 106. Il y a dans ce cas 3 modes de configuration possibles des transistors 106. La courbe 10 représentée sur la figure 2 correspond à la valeur du FOM 20 du dispositif 100 en fonction du courant ID du groupe de transistors 106, lorsque W = W1. De même, les courbes 12 et 14 correspondent à cette valeur du FOM du dispositif 100 lorsque W = 2W1 et 3W1 respectivement. Lorsque la puissance consommée par le dispositif 100 implique la circulation d'un courant de valeur égale à ID1, seul l'un des transistors 106 est mis à l'état 25 passant afin d'avoir W = W1, les deux autres transistors 106 étant mis à l'état bloqué. Lorsque cette puissance implique la circulation d'un courant de valeur égale à ID2, deux des transistors 106 sont mis à l'état passant afin d'avoir W = 2W1. Enfin, lorsque cette puissance implique la circulation d'un courant de valeur égale à ID3, les trois transistors 106 sont mis à l'état passant afin d'avoir W = 3W1. On voit sur les courbes 10 à 14 30 représentées sur la figure 2 que le FOM du dispositif est maximum (égal à FOMmax) pour 12 chacune des valeurs lin, ID2 et ID3 grâce au changement de configuration du groupe de transistors 106. En connaissant les différentes valeurs du courant ID avec lesquelles le dispositif 100 est destiné à fonctionner (c'est-à-dire les valeurs de lin, ID2 et ID3 dans 5 l'exemple décrit ci-dessus), les valeurs des largeurs de chacun des transistors 106 peuvent être choisies, lors de la conception du dispositif 100, pour que le FOM soit maximal à ces différentes valeurs du courant ID, dans les différents modes de fonctionnement. Ainsi, les valeurs des largeurs de canal des transistors 106 sont telles que, pour un nombre n=3 de valeurs données du courant ID (c'est-à-dire ID1, ID2 et ID3), le circuit de commande 116 est 10 apte à configurer le groupe de transistors 106 selon un parmi les n modes pour lesquels la valeur du FOM du dispositif 100 soit maximale pour les n valeurs données du courant ID. n est un nombre entier compris entre 2 et le nombre maximum de modes selon lesquels le groupe de transistors 106 peut être configuré. Toutefois, cette modulation de la largeur W globale du groupe de 15 transistor 106 permet également d'optimiser le FOM du dispositif 100 quelle que soit la valeur du courant ID. En reprenant l'exemple ci-dessus décrit en lien avec les courbes de la figure 2, le FOM du dispositif 100 est maximisé en configurant le groupe de transistors 106 tel qu'un seul des transistors 106 soit à l'état passant lorsque ID ID4, que deux des transistors 106 soient à l'état passant lorsque ID4 ID ID5, et que les trois transistors 106 20 soient à l'état passant lorsque ID5 ID. Ainsi, en fonction de la valeur du courant ID destiné à traverser les canaux du groupe de transistors 106, le circuit de commande 116 est apte à configurer le groupe de transistors 106 selon un des 3 modes (n = 3) pour lequel la valeur du FOM du dispositif 100, représentatif du rapport gain / bruit entre l'entrée 102 et la sortie 104 du dispositif 100, soit supérieure à celles obtenues lorsque le groupe de 25 transistors 106 est configuré selon chacun des autres modes. Dans le dispositif 100, chaque transistor 106 se trouvant à l'état passant contribue aux performances obtenues en raison de la transconductance de ce transistor qui est optimisée en fonction de la valeur du courant le traversant. De plus, la mise à l'état bloqué d'un des transistors 106 via sa grille arrière a pour avantage de limiter son 13 courant de fuite, et de ne pas, ou peu, rajouter de gain. Ainsi, le blocage d'un ou plusieurs des transistors 106 ne dégrade pas les performances globales du dispositif 100. La figure 3 représente schématiquement un dispositif 100 à largeur de canal modulable selon un deuxième mode de réalisation et qui correspond ici à un 5 amplificateur faible bruit (LNA). Le dispositif 100 comporte une alimentation électrique 120. Cette alimentation électrique 120 est reliée à une première borne d'un premier élément résistif 122 et à une première borne d'un deuxième élément résistif 124. Une deuxième borne du premier élément résistif 122 est reliée aux drains des transistors d'un premier groupe de 10 transistors 126 (comprenant par exemple trois transistors) ainsi qu'a une sortie 128 du dispositif 100 sur laquelle un signal Vont amplifié par le dispositif 100 est délivré. Une deuxième borne du deuxième élément résistif 124 est reliée aux grilles avant des transistors 126 et aux drains des transistors d'un deuxième groupe de transistors 130 (comprenant par exemple quatre transistors). Le dispositif 100 comporte en outre une 15 entrée 132 sur laquelle un signal V,n destiné à être amplifié par le dispositif 100 est appliqué. Cette entrée 132 est reliée aux sources des transistors 126 ainsi qu'aux grilles avant des transistors 130. Les sources des transistors 130 sont reliées à un potentiel électrique de référence, par exemple la masse du dispositif 100. Une source de courant de polarisation 134 est reliée aux grilles avant des transistors 130, aux sources des 20 transistors 126 et à l'entrée 132. Enfin, les grilles arrière des transistors 126 et des transistors 130 sont reliées au circuit de commande 116 qui est par exemple réalisé comme dans le premier mode de réalisation précédemment décrit, c'est-à-dire à partir de commutateurs commandés permettant l'application de potentiels adéquates pour mettre à l'état passant ou bloqué chacun des transistors 126 et 130. Sur la figure 3, le circuit de 25 commande 116 est représenté sous la forme de deux parties distinctes mais ces deux parties correspondent en réalité à un seul élément. La largeur de canal totale de chacun des groupes de transistors 126, 130 est modulable indépendamment l'une de l'autre. Ainsi, chaque groupe de transistors 126, 130 forme un bloc indépendant reconfigurable. 14 L'amplificateur faible bruit formé par le dispositif 100 de la figure 3 est par exemple destiné à fonctionner selon deux modes différents : un premier mode basse puissance, ou faible consommation, dans lequel l'alimentation électrique 120 applique une tension faible (par exemple égale à 0,6 V) sur les premières bornes des premier et 5 deuxième éléments résistifs 122, 124, et un deuxième mode forte puissance, ou hautes performances, dans lequel l'alimentation électrique 120 applique une forte tension (par exemple égale à 1,2 V) sur les premières bornes des premier et deuxième éléments résistifs 122, 124. Dans le premier mode, le FOM du dispositif 100 est maximisé en 10 mettant à l'état passant un seul des transistors 126 et un seul des transistors 130. La largeur de canal de chacun des transistors 126 étant égale à W1 et celle de chacun des transistors 130 étant égale à W2, la largeur de canal totale du premier groupe de transistors 126 est égale à W1 et celle du deuxième groupe de transistors 130 est égale à W2. La puissance consommée dans ce premier mode est de 300 u.W, le facteur de bruit 15 obtenu est de 7 dB, le gain est de 18,8 dB. Dans le deuxième mode, le FOM du dispositif 100 est maximisé mettant à l'état passant tous les transistors 126 et tous les transistors 130. La largeur de canal totale du premier groupe de transistors 126 est donc égale à 3W1 et celle du deuxième groupe de transistors 130 est égale à 4W2. La puissance consommée dans ce deuxième 20 mode est de 1,7 mW, le facteur de bruit obtenu est de 3,5 dB, le gain est de 27 dB. Entre ces deux modes, plusieurs autres modes de fonctionnement du dispositif 100 sont possibles. Dans ce cas, pour chacun de ces autres modes de fonctionnement, la largeur de canal totale de chacun des groupes de transistors 126, 130 est adaptée afin de maximiser le FOM du dispositif 100. 25 La dispositif 100 selon le premier mode de réalisation précédemment décrit peut être utilisé pour former d'autres types de dispositif, comme par exemple un amplificateur de puissance dans lequel le groupe de transistors 106 fait partie d'un étage de sortie de l'amplificateur de puissance afin que différentes puissances de sortie puissent être obtenues en fonction du nombre de transistors 106 se trouvant à l'état 30 passant. Le dispositif 100 est également adapté à la réalisation d'un mélangeur, d'un 15 amplificateur à gain variable, d'un amplificateur contrôlé en tension, ou encore d'un oscillateur en anneau. De manière générale, le nombre de transistors utilisé au sein d'un REVENDICATIONS1. Dispositif (100) électronique à largeur de canal modulable, comprenant au moins : - un groupe de transistors (106, 126, 130) de type FET comportant chacun une source (114), un drain (112), une grille avant (110) et une grille arrière (108), et reliés électriquement les uns aux autres tels que les sources (114) des transistors (106, 126, 130) soient reliées électriquement entre elles, que les drains (112) des transistors (106, 126, 130) soient reliés électriquement entre eux et à une sortie (104, 128) du dispositif (100), et que les grilles avant (110) des transistors (106, 126, 130) soient reliées électriquement entre elles et à une entrée (102, 132) du dispositif (100), et dont une largeur de canal totale est égale à la somme des largeurs de canal des transistors (106, 126, 130) se trouvant à l'état passant ; - un circuit de commande (116) relié à chacune des grilles arrière (108) des transistors (106, 126, 130), apte à appliquer sur chacune des grilles arrière (108) un potentiel électrique de commande mettant à l'état passant ou à l'état bloqué le transistor (106, 126, 130) sur lequel ledit potentiel électrique de commande est appliqué, et à configurer le groupe de transistors (106, 126, 130) selon différents modes chacun associé à une largeur de canal totale différente de celles des autres modes, et dans lequel, en fonction de la valeur d'un courant ID destiné à traverser les canaux du groupe de transistors (106, 126, 130), le circuit de commande (116) est apte à configurer le groupe de transistors (106, 126, 130) selon un des modes pour lequel la valeur d'un facteur de mérite du dispositif (100), représentatif du rapport gain / bruit entre l'entrée (102, 132) et la sortie (104, 128) du dispositif (100), soit supérieure à celles obtenues lorsque le groupe de transistors (106, 126, 130) est configuré selon chacun des autres modes. 2. Dispositif (100) selon la revendication 1, dans lequel les valeurs des largeurs de canal des transistors (106, 126, 130) sont telles que, pour un nombre n de valeurs données du courant ID, le circuit de commande (116) est apte à configurer le 17 groupe de transistors (106, 126, 130) selon un parmi n modes pour lesquels la valeur du facteur de mérite du dispositif (100) soit maximale pour les n valeurs données du courant ID, avec n nombre entier compris entre 2 et le nombre maximum de modes selon lesquels le groupe de transistors (106, 126, 130) peut être configuré. 5 3. Dispositif (100) selon l'une des revendications précédentes, comportant plusieurs groupes de transistors (126, 130) couplés au circuit de commande (116) tels que chaque groupe de transistors (126, 130) soit apte à être configuré par le circuit de commande (116). 10 4. Dispositif (100) selon la revendication 3, formant un amplificateur faible bruit comprenant au moins : - des premier et deuxième groupes de transistors (126, 130) chacun apte à être configuré par le circuit de commande (116) ; 15 - une alimentation électrique (120) ; - un premier élément résistif (122) comprenant une première borne reliée à l'alimentation électrique (120) et une deuxième borne reliée aux drains des transistors du premier groupe (126) et à une sortie (128) de l'amplificateur faible bruit ; - un deuxième élément résistif (124) comprenant une première borne 20 reliée à l'alimentation électrique (120) et une deuxième borne reliée aux grilles avant des transistors du premier groupe (126) et aux drains des transistors du deuxième groupe (130) ; - une source de courant de polarisation (134) reliée aux sources des transistors du premier groupe (126), aux grilles avant des transistors du deuxième groupe 25 (130) et à une entrée (132) de l'amplificateur faible bruit ; et dans lequel, en fonction de la valeur des courants ID destinés à traverser les canaux des transistors des premier et deuxième groupes (126, 130), le circuit de commande (116) est apte à configurer les premier et deuxième groupes de transistors (126, 130) selon un des modes pour lequel la valeur d'un facteur de mérite de 30 l'amplificateur faible bruit, représentatif du rapport gain / bruit entre l'entrée (132) et la 18 sortie (134) de l'amplificateur faible bruit, soit supérieure à celles obtenues lorsque les premier et deuxième groupes de transistors (126, 130) sont configurés selon chacun des autres modes. 5 5. Dispositif (100) selon la revendication 4, dans lequel les valeurs des largeurs de canal des transistors (126, 130) sont telles que, pour un nombre m de valeurs données des courants ID, le circuit de commande (116) est apte à configurer les premier et deuxième groupes de transistors (126, 130) selon un parmi m modes pour lesquels la valeur du facteur de mérite de l'amplificateur faible bruit soit maximale pour 10 les m valeurs données des courants ID, avec m nombre entier compris entre 2 et le nombre maximum de modes selon lesquels les premier et deuxième groupes de transistors (106, 126, 130) peuvent être configurés. 6. Dispositif (100) selon l'une des revendications 1 à 3, formant un 15 amplificateur de puissance, et dans lequel le groupe de transistors (106) fait partie d'un étage de sortie de l'amplificateur de puissance. 7. Dispositif (100) selon l'une des revendications 1 à 3, formant un mélangeur ou un amplificateur à gain variable ou un amplificateur contrôlé en tension ou 20 un oscillateur en anneau. 8. Dispositif (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le circuit de commande (116) comporte une pluralité de commutateurs (118) dont chacune des sorties est reliée à la grille arrière (108) d'un des transistors (106, 126, 130), 25 chacun des commutateurs (118) comprenant au moins deux entrées configurées pour recevoir des potentiels électriques aptes à mettre les transistors (106, 126, 130) à l'état passant ou à l'état bloqué. 9. Dispositif (100) selon la revendication 8, dans lequel le circuit de 30 commande (116) comporte en outre un bus de données série relié aux commutateurs 19 (118) et sur lequel des signaux de commande des commutateurs (118) sont destinés à circuler. 10. Dispositif (100) selon l'une des revendications précédentes, dans 5 lequel les transistors (106, 126, 130) sont du type FDSOI.