Brevet FR3068516A1 — publié le 20190104

B16082 - LRED 1 DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE COMPRENANT DES DIODES ELECTROLUMINESCENTES Domaine La présente invention concerne un dispositif optoélectronique, notamment un écran d'affichage ou un dispositif de projection d'images, comprenant des diodes électroluminescentes à base de matériaux semiconducteurs et leurs procédés de fabrication. Exposé de l'art antérieur Un pixel d'une image correspond à l'élément unitaire de l'image affichée par un dispositif optoélectronique. Lorsque le dispositif optoélectronique est un écran d'affichage d'images couleur, il comprend en général pour l'affichage de chaque pixel de l'image au moins trois composants, également appelés sous-pixels d'affichage, qui émettent chacun un rayonnement lumineux sensiblement dans une seule couleur (par exemple, le rouge, le vert et le bleu). La superposition des rayonnements émis par ces trois sous-pixels d'affichage fournit à l'observateur la sensation colorée correspondant au pixel de l'image affichée. On appelle dans ce cas pixel d'affichage de l'écran d'affichage l'ensemble formé par les trois sous-pixels d'affichage utilisés pour l'affichage d'un pixel d'une image. B16082 - LRED 2 Il existe des dispositifs optoélectroniques comprenant des diodes électroluminescentes à base de matériaux semiconducteurs, chaque diode comprenant un empilement de couches semiconductrices comportant par exemple majoritairement au moins 5 un élément du groupe III et un élément du groupe V, appelé par la suite composé III-V, notamment le nitrure de gallium (GaN), ou comportant majoritairement au moins un élément du groupe II et un élément du groupe VI, par exemple l'oxyde de zinc (Zn0), appelé par la suite composé II-VI. 10 Pour certaines applications, il est souhaitable que les dimensions latérales du pixel d'affichage, appelées également pas de pixel, soient inférieures à 10 pin. Toutefois, les diodes électroluminescentes connues comprenant un empilement de couches semiconductrices, par exemple comprenant un composé III-V ou II- 15 VI, présentent une efficacité quantique interne (IQE) faible pour des structures classiques à base de III-V ou II-VI, notamment lorsque le pas de pixel est inférieur à 10 gra en raison des effets de recombinaison de surface, notamment pour la LED rouge. En outre, la fabrication de pixels d'affichage rouges, verts et bleus 20 performants par des étapes d'épitaxie peut être complexe. Résumé Ainsi, un objet d'un mode de réalisation est de pallier au moins en partie les inconvénients des dispositifs optoélectroniques comprenant des diodes électroluminescentes 25 décrits précédemment. Un autre objet d'un mode de réalisation est que l'efficacité quantique interne des diodes électroluminescentes rouges du dispositif optoélectronique soit augmentée. Un autre objet d'un mode de réalisation est que les 30 diodes électroluminescentes comprennent un empilement de couches semiconductrices, par exemple comprenant majoritairement un composé ou II-VI. Un autre objet d'un mode de réalisation est que le pas de pixel du dispositif optoélectronique soit inférieur à 10 pin. B16082 - LRED 3 Un autre objet d'un mode de réalisation est de simplifier le procédé de fabrication du dispositif optoélectronique mettant en oeuvre des étapes d'épitaxie. Un autre objet d'un mode de réalisation est que le 5 dispositif optoélectronique puisse être formé à une échelle industrielle et à bas coût. Ainsi, un mode de réalisation prévoit un dispositif optoélectronique comprenant : un premier circuit comprenant un substrat comprenant des 10 première et deuxième faces opposées, le premier circuit comprenant des pixels d'affichage, chaque pixel d'affichage comprenant, du côté de la première face, une première diode électroluminescente comprenant une première région active adaptée à émettre un premier rayonnement et, s'étendant depuis la deuxième face, une deuxième 15 diode électroluminescente comprenant une deuxième région active adaptée à émettre un deuxième rayonnement, l'aire, vue selon une direction perpendiculaire à la première face, de la première région active étant au moins égale à deux fois l'aire, vue selon ladite direction, de la deuxième région active ; et 20 un deuxième circuit collé au premier circuit du côté de la première diode électroluminescente et relié électriquement aux première et deuxième diodes électroluminescentes. Selon un mode de réalisation, la première diode électroluminescente a une structure plane. Selon un mode de réalisation, la deuxième diode électroluminescente a une structure tridimensionnelle. Selon un mode de réalisation, la deuxième diode électroluminescente a une structure plane. Selon un mode de réalisation, le premier circuit 30 comprend en outre une couche conductrice électriquement recouvrant la deuxième diode électroluminescente et connectée électriquement à la deuxième diode électroluminescente. Selon un mode de réalisation, le substrat comprend une ouverture, la couche conductrice électriquement étant connectée B16082 - LRED 4 électriquement à la première diode électroluminescente au fond de l'ouverture. Selon un mode de réalisation, la première diode électroluminescente et la deuxième diode électroluminescente 5 comprennent au moins un puits quantique. Selon un mode de réalisation, chaque pixel d'affichage comprend un élément conducteur électriquement s'étendant depuis la première face au travers d'au moins une partie du substrat et relié électriquement à la deuxième diode électroluminescente et 10 au deuxième circuit. Selon un mode de réalisation, chaque pixel d'affichage comprend en outre un mur au moins partiellement en un matériau réfléchissant au moins pour le deuxième rayonnement, ledit mur délimitant une ouverture opposée à la deuxième diode 15 électroluminescente. Selon un mode de réalisation, chaque pixel d'affichage comprend un bloc photoluminescent opposé à la deuxième diode électroluminescente. Selon un mode de réalisation, la deuxième diode 20 électroluminescente s'étend au moins en partie au travers du substrat. Selon un mode de réalisation, chaque pixel d'affichage comprend en outre, s'étendant depuis la deuxième face, une troisième diode électroluminescente comprenant une troisième 25 région active adaptée à émettre un troisième rayonnement, l'aire, vue selon une direction perpendiculaire à la première face, de la première région active étant au moins égale à deux fois l'aire, vue selon ladite direction, de la troisième région active. Selon un mode de réalisation, la première longueur 30 d'onde est comprise entre 600 nm et 720 nm, la deuxième longueur d'onde est comprise entre 510 nm et 570 nm et la troisième longueur d'onde est comprise entre 430 nm et 490 nm. Selon un mode de réalisation, l'aire, vue selon une direction perpendiculaire à la première face, de la première 316082 - LRED 5 région active est au moins égale à cinq fois l'aire, vue selon ladite direction, de la deuxième région active. Un mode de réalisation prévoit également un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comprenant les 5 étapes suivantes : a) former un premier circuit comprenant un substrat comprenant des première et deuxième faces opposées, le premier circuit comprenant des pixels d'affichage, chaque pixel d'affichage comprenant, du côté de la première face, une première 10 diode électroluminescente comprenant une première région active adaptée à émettre un premier rayonnement et, s'étendant depuis la deuxième face, une deuxième diode électroluminescente comprenant une deuxième région active adaptée à émettre un deuxième rayonnement, l'aire, vue selon une direction perpendiculaire à la 15 première face, de la première région active étant au moins égale à deux fois l'aire, vue selon ladite direction, de la deuxième région active ; et b) coller un deuxième circuit au premier circuit du côté de la première diode électroluminescente, le deuxième circuit 20 étant, après l'étape b), relié électriquement aux première et deuxième diodes électroluminescentes. Brève description des dessins Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de 25 réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : les figures 1 et 2 sont respectivement une vue en coupe et une vue de dessus, partielles et schématiques, d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique ; les figures 3 et 4 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, d'une diode électroluminescente plane et d'une diode électroluminescente tridimensionnelle ; les figures 5 et 6 sont respectivement une vue en coupe et une vue de dessus, partielles et schématiques, d'un autre mode 35 de réalisation d'un dispositif optoélectronique ; B16082 - LRED 6 les figures 7 à 13 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, d'autres modes de réalisation de dispositifs optoélectroniques ; les figures 14A à 14H sont des coupes, partielles et 5 schématiques, des structures obtenues à des étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique de la figure 5 ; et les figures 15A à 15L sont des coupes, partielles et schématiques, des structures obtenues à des étapes successives 10 d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique de la figure 9. Description détaillée Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, comme 15 cela est habituel dans la représentation des circuits électroniques, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. En outre, seuls les éléments utiles à la compréhension de la présente description ont été représentés et sont décrits. En particulier, les circuits de comande d'une diode 20 électroluminescente sont bien connus et ne sont pas décrits en détail. Dans la suite de la description, sauf indication contraire, les termes "sensiblement", "environ" et "de l'ordre de" signifient "à 10 % près". En outre, la "région active" d'une 25 diode électroluminescente désigne la région depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement électromagnétique fourni par la diode électroluminescente. En outre, lorsqu'un premier élément est dit relié à un deuxième élément par une relation d'épitaxie, ceci signifie que le premier élément est formé à partir d'une 30 première couche et que le deuxième élément est formé à partir d'une deuxième couche que l'on fait croître par épitaxie sur la première couche ou inversement. Une diode électroluminescente est dite avoir une structure plane ou bidimensionnelle lorsque la région active de 35 la diode électroluminescente est formée sur une couche plane. Une B16082 - LRED 7 diode électroluminescente est dite avoir une structure tridimensionnelle lorsque la région active de la diode électroluminescente recouvre exemple un microfil ou un nan un élément tridimensionnel, par ofil. 5 Le terme "microfil' "nanofil" désigne une structure tridimensionnelle de forme allongée selon une direction privilégiée dont au moins deux dimensions, appelées dimensions mineures, sont comprises entre 5 nm et 5 pin, de préférence entre 100 nm et 2gm, la troisième dimension, appelée dimension majeure, 10 étant supérieure ou égale à 1 fois, de préférence supérieure ou égale à 3 fois et encore plus préférentiellement supérieure ou égale à 5 fois, la plus grande des dimensions mineures. Dans certains modes de réalisation, les dimensions mineures peuvent être inférieures ou égales à environ 5 pin, de préférence comprises 15 entre 100 nm et 5 pin, plus préférentiellement entre 200 nm et 1,5 pin. Dans certains modes de réalisation, la hauteur de chaque micron' ou nanofil peut être supérieure ou égale à 500 nm, de préférence comprise entre 1 gm et 50 pin. Dans la suite de la description, on utilise le terme "fil" pour signifier "micron' 20 ou nanofil". La section droite des fils peut avoir différentes formes, par exemple, une forme ovale, circulaire ou polygonale, notamment triangulaire, rectangulaire, carrée ou hexagonale. On comprendra que le terme "diamètre" utilisé en relation avec une 25 section droite d'un fil désigne une quantité associée avec l'aire du fil dans cette section droite, correspondant, par exemple, au diamètre du disque ayant la même aire que la section droite du fil. Selon un mode de réalisation, pour chaque pixel 30 d'affichage du dispositif optoélectronique, la diode électroluminescente rouge est recouverte par les autres diodes électroluminescentes de sorte que l'aire de la région active de la diode électroluminescente peut être supérieure aux aires des régions actives des autres diodes électroluminescentes, par exemple égale à l'aire du pixel d'affichage. L'efficacité B16082 - LRED 8 quantique de la diode électroluminescente rouge reste donc élevée, par exemple supérieure à 10 %, même lorsque le pas de pixel est inférieur à 10 pin. Les figures 1 et 2 représentent un mode de réalisation 5 d'un pixel d'affichage Pix d'un dispositif optoélectronique 10, correspondant par exemple à un écran d'affichage ou à un dispositif de projection d'images. Le dispositif 10 comprend deux circuits intégrés 12, 14. Le premier circuit intégré 12 comprend, pour chaque pixel 10 d'affichage Pix, au moins trois diodes électroluminescentes 16, 18, 20 et est appelé circuit optoélectronique ou puce optoélectronique dans la description qui suit. Le deuxième circuit intégré 14 comprend des composants électroniques, non représentés, en particulier des transistors, utilisés pour commander les diodes 15 électroluminescentes 16, 18, 20 de la puce optoélectronique 12. Le deuxième circuit intégré 14 est appelé circuit de commande ou puce de commande dans la description qui suit. Le circuit optoélectronique 12 est fixé au circuit de commande 14. Selon le type de collage, des plots de liaison 22 peuvent être présents 20 entre la puce optoélectronique 12 et la puce de commande 14. Selon un mode de réalisation, la puce optoélectronique 12 comprend pour chaque pixel d'affichage Pix : un substrat 30 ayant deux faces opposées 32, 34, de préférence planes ; 25 une première diode électroluminescente 16 recouverte par une couche réfléchissante 36 du côté de la face 32, et reliée à la face 32 par un milieu de liaison 38 ; des tranchées isolées verticales 40, 42 traversant le substrat 30 de la face 32 jusqu'à la face 34 et traversant la 30 diode électroluminescente 16, en contact à une extrémité avec les plots de liaison 22, la tranchée isolée verticale 40 étant reliée électriquement à l'autre extrémité avec la diode électroluminescente 18 et la tranchée isolée verticale 42 étant reliée électriquement à l'autre extrémité avec la diode 35 électroluminescente 20, chaque tranchée isolée verticale 40, 42 B16082 - LRED 9 comprenant un coeur conducteur électriquement 44 séparé du substrat 30 et de la diode électroluminescente 16 par une paroi isolante électriquement 46 ; deux plots de germination 48, 50 sur les extrémités des 5 tranchées isolées verticales 38, 40 du côté de la face 34 ; la deuxième diode électroluminescente 18 sur le plot de germination 48 ; la troisième diode électroluminescente 20 sur le plot de germination 50 ; 10 une ouverture 52 traversant le substrat 30 de la face 32 à la face 34 ; et une couche conductrice électriquement 54 recouvrant les deuxième et troisième diodes électroluminescentes 18, 20, la face 34 entre les deuxième et troisième diodes électroluminescentes 15 18, 20 et les parois de l'ouverture 52 et en contact avec la première diode électroluminescente 18 au fond de l'ouverture 52. Le dispositif optoélectronique 12 peut comprendre une tranchée isolée verticale, non représentée, traversant le substrat 30 et la diode électroluminescente 16 et en contact à une extrémité 20 avec le plot de liaison 22 et en contact à l'extrémité opposée avec la couche conductrice 54. A titre de variante, les tranchées 40, 42 peuvent ne pas traverser la diode électroluminescente 16 et le circuit optoélectronique 12 peut comprendre des ouvertures traversant la 25 diode électroluminescente 16 et exposant des extrémités des tranchées 40, 42, les plots 22 étant en contact avec les tranchées 40, 42 au travers des ouvertures. Dans le présent mode de réalisation, les diodes électroluminescentes 18, 20 ont une structure tridimensionnelle 30 et la diode électroluminescente 16 a une structure plane. En outre, dans le présent mode de réalisation, la couche conductrice 54 est une électrode coRmune pour les diodes électroluminescentes 16, 18, 20. En fonctionnement, des tensions sont appliquées entre 35 les plots conducteurs 22 reliés aux diodes électroluminescentes B16082 - LRED 10 16, 18, 20 et la couche conductrice 54, de sorte que, pour chaque pixel Pix, la région active de chaque diode électroluminescente 16, 18, 20 émet de la lumière avec une intensité qui dépend de la tension ou du courant appliqué entre le plot conducteur 22 associé 5 avec ladite diode électroluminescente 16, 18, 20 et la couche conductrice 54. Dans le présent mode de réalisation, les pixels d'affichage Pix peuvent être arrangés selon une matrice et un procédé d'adressage par matrice active peut être mis en oeuvre. La lumière émise par les diodes électroluminescentes 18, 10 20 s'échappe vers le haut en figure 1 comme cela est représenté par les flèches 56, 58. La lumière émise par la diode électroluminescente 16 s'échappe de la puce optoélectronique 12 par l'ouverture 52 comme cela est représenté par les flèches 60. La couche réfléchissante 36 permet que la lumière émise par la 15 région active de la diode électroluminescente 16 soit guidée dans la diode électroluminescente 16 jusqu'à l'ouverture 52. Une couche réfléchissante, non représentée, peut être présente sur la face de la diode électroluminescente 16 en contact avec les plots de liaison 22 ou sur la face du circuit de commande 14 opposée au 20 circuit optoélectronique 12 pour augmenter l'effet de guide d'onde dans la diode électroluminescente 16. A titre de variante, la couche réfléchissante 36 peut ne pas être présente. Dans le présent mode de réalisation, le substrat 30 peut être opaque à la lumière émise par la diode électroluminescente 16. 25 La figure 2 est une vue de dessus du pixel d'affichage Pix et représente de façon schématique, par des surfaces hachurées 62, 64, 66, les surfaces du pixel Pix depuis lesquelles la lumière, émise respectivement par les diodes électroluminescentes 16, 18, 20, s'échappe du pixel Pix. Dans le présent mode de réalisation, 30 le pixel d'affichage Pix a, en vue de dessus, une forme circulaire, triangulaire, hexagonale, carrée ou rectangulaire. Le pas de pixel P peut correspondre au grand côté du rectangle dans lequel est inscrit le pixel d'affichage Pix en vue de dessus. Le pas de pixel P peut être compris entre 3 gm et 100 pin. Selon un mode de 35 réalisation, l'aire vue selon une direction orthogonale à la face B16082 - LRED 11 32 de la région active de la diode électroluminescente 16 est égale à au moins deux fois, de préférence à au moins cinq fois, plus préférentiellement à au moins dix fois, l'aire vue selon ladite direction de la région active de la diode 5 électroluminescente 18 ou 20. Selon un mode de réalisation, l'aire vue selon une direction orthogonale à la face 32 de la région active de la diode électroluminescente 16 est sensiblement égale à l'aire du pixel d'affichage P. Selon un mode de réalisation, dans la vue de dessus de la figure 2, chaque surface 62, 64, 66 10 peut être inscrite dans un cercle ayant un diamètre compris entre 1 gm et 100 pin, de préférence entre 3 gm et 15 gm. La configuration de la diode électroluminescente 16 plane et de la diode électroluminescente 18, 20 tridimensionnelle intégrées ensemble permet d'obtenir un pas de pixel P plus fin. 15 Selon un mode de réalisation, la diode électroluminescente 16 est adaptée à émettre de la lumière à une première longueur d'onde par pompage optique. La diode électroluminescente 18 est adaptée à émettre de la lumière à une deuxième longueur d'onde par pompage optique. La diode 20 électroluminescente 20 est adaptée à émettre de la lumière à une troisième longueur d'onde par pompage optique. Selon un mode de réalisation, les première, deuxième et troisième longueurs d'onde sont différentes. Selon un mode de réalisation, la première longueur d'onde correspond à de la lumière rouge et est comprise 25 entre 600 nm et 720 mn. Selon un mode de réalisation, la deuxième longueur d'onde correspond à de la lumière verte et est comprise entre 510 nm et 570 mn. Selon un mode de réalisation, la troisième longueur d'onde correspond à de la lumière bleue et est comprise entre 430 nm et 490 mn. 30 Selon un mode de réalisation, chaque pixel Pix du circuit optoélectronique 12 comprend une diode électroluminescente supplémentaire sur la face 34, ayant une structure générale analogue aux diodes électroluminescentes 18, 20 et adaptée à émettre de la lumière à une quatrième longueur 35 d'onde par pompage optique. Selon un mode de réalisation, la B16082 - LRED 12 quatrième longueur d'onde correspond à de la lumière jaune et est comprise entre 570 nui et 600 nui. La figure 3 représente un mode de réalisation d'une diode électroluminescente 16 plane. 5 La diode électroluminescente 16 comprend, du bas vers le haut en figure 3 : une première couche d'électrode 62, par exemple une électrode métallique ; une couche semiconductrice 64 d'un matériau 10 semiconducteur dopé d'un premier type de conductivité en contact avec l'électrode 62 ; une région active 66 ayant la forme d'une couche recouvrant la couche semiconductrice 64 et en contact avec la couche semiconductrice 64 ; 15 une couche semiconductrice 68 d'un matériau semiconducteur dopé d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité et recouvrant la région active 66 et en contact avec la région active 66 ; et une deuxième couche d'électrode 70, par exemple une 20 électrode métallique, recouvrant la couche semiconductrice 28 et en contact avec la couche semiconductrice 68. La deuxième électrode 70 peut correspondre à la couche réfléchissante 36 décrite précédemment. La figure 4 représente un mode de réalisation d'une 25 diode électroluminescente tridimensionnelle 18. La diode électroluminescente 20 peut avoir la même structure. La diode électroluminescente 18 comprend, du bas vers le haut en figure 4 : un élément semiconducteur tridimensionnel 72, qui 30 correspond dans le présent mode de réalisation à un fil d'axe D, comprenant une portion inférieure, dopée du premier type de conductivité, par exemple de type N, en contact avec le plot de germination 48, et une portion supérieure, dopée du premier type de conductivité ou non intentionnellement dopée ; B16082 - LRED 13 une couche isolante électriquement 74 recouvrant les parois latérales de la portion inférieure du fil 72 et s'étendant entre la couche conductrice 54 et le substrat 30 ; une région active 76 recouvrant la portion supérieure 5 du fil 72 ; et une couche semiconductrice 78 d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité, recouvrant la région active 76. La couche conductrice 54 recouvre la couche 10 semiconductrice 78 et est en contact avec la couche semiconductrice 78. A titre de variante, la couche isolante 74 peut n'être présente qu'autour des parois latérales de la portion inférieure du fil 72. Dans ce cas, une couche isolante électriquement est interposée entre le substrat 30 et la couche 15 conductrice 50 et comprend une ouverture dans laquelle est formé le plot de germination 48. A titre de variante, la couche isolante 74 peut recouvrir en partie la couche semiconductrice 78. La couche isolante 74 peut être formée avant ou après la couche semiconductrice 78. 20 Le substrat 30 est au moins en partie en au moins un matériau semiconducteur ou un matériau isolant. Le matériau semiconducteur peut être le silicium, le germanium, le carbure de silicium, un composé III-V, un composé II-VI, ou une combinaison d'au moins deux de ces composés. Un exemple de matériau isolant 25 est le saphir. Le substrat 30, les fils 72 et les couches semiconductrices 64, 68, 78, et les couches actives 66, 76 peuvent être, au moins en partie, formés à partir de matériaux semiconducteurs comportant majoritairement un composé III-V, par 30 exemple un composé III-N ou un composé à base de phosphure. Des exemples d'éléments du groupe III comprennent le gallium (Ga), l'indium (In) ou l'aluminium (Al). Des exemples de composés III-N sont GaN, AIN, InN, InGaN, AlGaN ou AlInGaN. Des exemples d'éléments à base de phosphure comprennent l'aluminium (Al), le 35 gallium (Ga), l'indium (In) et le phosphore (P). Des exemples de B16082 - LRED 14 composés à base de phosphure sont AlInGaP, InGaP, GaP ou AlGaP. On peut faire croître les composés à base de phosphure sur un substrat hôte à base de GaAs, et le substrat hôte en GaAs est ensuite retiré après la croissance pour empêcher l'absorption. 5 D'autres éléments du groupe V peuvent également être utilisés, par exemple, le phosphore ou l'arsenic. De façon générale, les éléments dans le composé III-V peuvent être combinés avec différentes fractions molaires. Le substrat 30, les fils 72 et les couches 10 semiconductrices 64, 68, 78, et les couches actives 66, 76 peuvent être formès à partir de matériaux semiconducteurs comportant majoritairement un composé II-VI. Des exemples d'éléments du groupe II comprennent des éléments du groupe IIA, notamment le béryllium (Be) et le magnésium (Mg) et des éléments du groupe IIB, 15 notamment le zinc (Zn), le cadmium (Cd) et le mercure (Hg). Des exemples d'éléments du groupe VI comprennent des éléments du groupe VIA, notamment l'oxygène (0) et le tellure (Te). Des exemples de composés II-VI sont ZnO, ZnMg0, CdZnO, CdZnMg0, CdHgTe, CdTe ou HgTe. De façon générale, les éléments dans le 20 composé II-VI peuvent être combinés avec différentes fractions molaires. L'épaisseur du substrat 30 est comprise entre 0 et 1 mm, de préférence entre 10 gm et 1 mm. L'épaisseur de la diode électroluminescente 16 est comprise entre 0,1 gm et 1 mm. 25 Les plots de germination 48, 50 sont en un matériau favorisant la croissance des fils 72. A titre d'exemple, le matériau composant les plots de germination 48, 50 peut être un nitrure, un carbure ou un borure d'un métal de transition de la colonne IV, V ou VI du tableau périodique des éléments ou une 30 combinaison de ces composés. A titre d'exemple, la couche de germination 16 peut être en nitrure d'aluminium (A1N), en bore (B), en nitrure de bore (BN), en titane (Ti), en nitrure de titane (TiN), en tantale (Ta), en nitrure de tantale (TaN), en hafnium (Hf), en nitrure d'hafnium (HfN), en niobium (Nb), en nitrure de 35 niobium (NbN), en zirconium (Zr), en borate de zirconium (ZrB2), B16082 - LRED 15 en nitrure de zirconium (ZrN), en carbure de silicium (SiC), en nitrure et carbure de tantale (TaCN), ou en nitrure de magnésium sous la forme MgxNy, où x est environ égal à 3 et y est environ égal à 2, par exemple du nitrure de magnésium selon la forme Mg3N2 5 ou du nitrure de magnésium et de gallium (MgGaN), en tungstène (W), en nitrure de tungstème (WN) ou en une combinaison de ces composés. Les plots de germination 48, 50 peuvent être dopés du même type de conductivité que le substrat 30. Chaque plot de germination 48, 50 peut avoir une structure monocouche ou peut 10 correspondre à un empilement de deux couches ou de plus de deux couches. Les plots de germination 48, 50 peuvent être remplacés par une couche de germination. La région active 66 de la diode électroluminescente 16 est la couche depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement 15 fourni par la diode électroluminescente 16. Selon un exemple, la région active 66 peut comporter des moyens de confinement. La région active 66 peut comprendre un puits quantique unique, des puits quantiques multiples ou une hétérostructure double. Elle peut alors comprendre un matériau semiconducteur différent du 20 matériau semiconducteur formant les couches semiconductrices 64 et 68 et ayant une bande interdite inférieure à celle des couches semiconductrices 64 et 68. La région active 66 peut comprendre des puits quantiques multiples. Elle comprend alors un empilement de couches semiconductrices formant une alternance de puits 25 quantiques et de couches barrières. La région active 76 peut comprendre un puits quantique unique, des puits quantiques multiples ou une hétérostructure double comme cela est décrit précédemment pour la région active 66. La couche conductrice 54 peut être en un matériau 30 conducteur et transparent tel que le graphène ou un oxyde conducteur et transparent (TCO), par exemple l'oxyde d'indium-étain (ITO), l'oxyde de zinc-gallium (GZO) ou l'oxyde de zinc-aluminium (AZO). A titre d'exemple, la couche conductrice 54 a une épaisseur comprise entre 5 nm et 1000 nm, de préférence entre B16082 - LRED 16 20 nm et 50 nm. La couche réfléchissante 36 est par exemple une couche métallique ou un réflecteur de Bragg distribué. Les coeurs conducteurs 44 et les couches d'électrode 62, 70 sont en un matériau conducteur, par exemple un métal tel que 5 l'aluminium, l'argent, le cuivre ou le zinc. Les parois isolantes 46 et la couche isolante 74 peuvent être en un matériau diélectrique, par exemple en oxyde de silicium (Si02), en nitrure de silicium (SixNy, où x est environ égal à 3 et y est environ égal à 4, par exemple du Si3N4), en oxynitrure 10 de silicium (notamment de formule générale SiOxNy, par exemple du Si2ON2), en oxyde d'aluminium (A1203), en oxyde d'hafnium (Hf02) ou en une combinaison de matériaux diélectriques. Le milieu de liaison 38 peut être un matériau à base diélectrique (c'est à dire Si02 à Si02), un matériau à base d'un 15 métal eutectique (c'est à dire AuSn, CuSn) ou un matériau à base métal-métal (c'est-à-dire Cu à Cu). Le milieu de liaison 38 peut également être un polymère, par exemple un matériau à base de silicone ou un polymère organique, par exemple une résine époxy. Les figures 5 et 6 représentent un autre mode de 20 réalisation d'un dispositif optoélectronique 80 comprenant tous les éléments du dispositif optoélectronique 10 à la différence que la couche conductrice 54 est isolée électriquement du substrat 30 par une couche isolante électriquement 82, qu'il comprend une ouverture 84 traversant le substrat 30 de la face 32 jusqu'à la 25 face 34, que le substrat 30 est divisé en deux portions distinctes 83 par la couche isolante 82 s'étendant à l'intérieur des ouvertures 52 et 84, les portions de substrat 83 étant reliées électriquement aux diodes électroluminescentes 18, 20 et que les tranchées isolées verticales 40, 42 sont reliées électriquement 30 aux portions de substrat 83, les tranchées isolées verticales 40, 42 s'étendant depuis la face 32 et s'arrêtant dans l'une des portions de substrat 83. Dans la figure 5, un bloc de support 85 est représenté entre le substrat 30 et le milieu de liaison 38. En outre, selon 35 le matériau composant le substrat 30, les plots de germination B16082 - LRED 17 48, 50 peuvent ne pas être présents et le substrat 30 peut être en contact direct avec les diodes électroluminescentes 18, 20. Dans le mode de réalisation représenté en figure 5, le substrat 30, la couche conductrice 54, la couche isolante 82 et 5 le bloc de support 85, lorsqu'il est présent, sont au moins en partie transparents à la lumière émise par la diode électroluminescente 16. Le bloc de support 85 est en un matériau adapté à la formation des diodes électroluminescentes 18, 20. Le bloc de 10 support 85 est par exemple un substrat conducteur électriquement, semiconducteur ou isolant, tel qu'un substrat en saphir, en carbure de silicium, en oxyde de zinc, en verre, en nitrure-de gallium ou en nitrure d'aluminium. Comme pour le dispositif optoélectronique 10, dans le 15 dispositif optoélectronique 80, la couche conductrice 54 est une électrode commune pour les diodes électroluminescentes 16, 18, 20 et un procédé d'adressage par matrice active peut être mis en oeuvre. La figure 6 représente de façon schématique, par des 20 surfaces hachurées 86, 64 et 66, les surfaces du pixel Pix depuis lesquelles la lumière, émise respectivement par les diodes électroluminescentes 16, 18, 20, s'échappe du pixel Pix. Dans le présent mode de réalisation, la surface du pixel Pix depuis laquelle la lumière émise par la diode électroluminescente 16 25 s'échappe du pixel Pix associé est sensiblement égale à l'aire du pixel d'affichage Pix. La figure 7 représente un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 90 comprenant tous les éléments du dispositif optoélectronique 80 à la différence que les diodes 30 électroluminescentes 18, 20 sont remplacées par des diodes électroluminescentes planes 92, 94, comprenant des couches semiconductrices ayant une relation d'épitaxie avec le substrat 30. Chaque diode électroluminescente 92, 94 peut avoir la même structure que celle représentée en figure 3 et, en particulier, 35 peut comprendre un puits quantique unique ou des puits quantiques B16082 - LRED 18 multiples. Chaque diode électroluminescente 92, 94 est prise en sandwich entre le substrat 30 et la couche conductrice 54. Dans le mode de réalisation représenté en figure 7, les diodes électroluminescentes 92, 94 émettent une lumière à la même 5 longueur d'onde. Le procédé de fabrication du dispositif optoélectronique 90 est alors simplifié. Le dispositif optoélectronique 90 comprend un bloc photoluminescent 96 reposant sur la couche conductrice 54 et opposé à la diode électroluminescente 92 et adapté à convertir par pompage optique 10 le rayonnement émis par la diode électroluminescente 92 dans un rayonnement souhaité. Le bloc photoluminescent 96 peut comprendre des moyens de confinement. Le bloc photoluminescent 96 peut comprendre un puits quantique unique ou des puits quantiques multiples. Les matériaux des couches du bloc photoluminescent 96 15 dépendent de la longueur d'onde souhaitée du rayonnement émis par le bloc photoluminescent 96 et de la longueur d'onde du rayonnement reçu par le bloc photoluminescent 96. La hauteur du bloc photoluminescent 96, mesurée selon une direction perpendiculaire à la face 34, est comprise entre 50 nm et 500 pin. 20 Le bloc photoluminescent 96 peut être manipulé et transféré sur le dispositif optoélectronique 90. Comme pour le dispositif optoélectronique 10, dans le dispositif optoélectronique 90, la couche conductrice 54 est une électrode commune pour les diodes électroluminescentes 16, 92, 94 25 et un procédé d'adressage par matrice active peut être mis en oeuvre. La figure 8 représente un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 100 comprenant tous les éléments du dispositif optoélectronique 90 à la différence que le bloc 30 photoluminescent 96 comprend une matrice contenant des particules photoluminescentes micrométriques ou des particules monocristallines nanométriques d'un matériau semiconducteur, également appelées nanocristaux semiconduteurs, dispersées dans celle-ci. Le bloc photoluminescent 96 peut être entouré par un 35 mur 102. Selon un mode de réalisation, la taille moyenne des B16082 - LRED 19 nanocristaux est comprise entre 0,5 nm et 1000 nm, de préférence entre 0,5 nm et 500 nm, plus préférentiellement entre 1 nm et 100 nm, en particulier entre 2 nm et 30 nm. Pour des dimensions inférieures à 50 nm, les propriétés de photoconversion des 5 nanocristaux semiconducteurs dépendent sensiblement de phénomènes de confinement quantique. Les nanocristaux semiconducteurs correspondent alors à des boîtes quantiques ou points quantiques. Selon un mode de réalisation, le matériau semiconducteur des nanocristaux semiconducteurs est choisi parmi le groupe 10 comprenant le séléniure de cadmium (CdSe), le phosphure d'indium (InP), le sulfure de cadmium (CdS), le sulfure de zinc (ZnS), le séléniure de de zinc (ZnSe), le tellure de cadmium (CdTe), le tellure de zinc (ZnTe), l'oxyde de cadmium (CdO), l'oxyde de cadmium et de zinc (ZnCd0), le sulfure de cadmium et de zinc 15 (CdZnS), le séléniure de cadmium et de zinc (CdZnSe), le sulfure d'indium et d'argent (AgInS2), le nitrure d'indium et de gallium (InGaN) et un mélange d'au moins deux de ces composés. La matrice est en un matériau au moins en partie transparent. La matrice est par exemple en silice. La matrice est par exemple en un matériau 20 plastique au moins en partie transparent, notamment en un polymère au moins en partie transparent, en particulier en silicone, en acide polyacétique (PLA), en polymères acryliques, par exemple le poly(méthacrylate de méthyle) (PMMA). La matrice peut être en un polymère au moins en partie transparent utilisé avec des 25 imprimantes tridimensionnelles, tel que le PLA. Selon un mode de réalisation, le mur 102 peut être en un matériau réfléchissant ou recouvert par un revêtement réfléchissant pour les longueurs d'onde des rayonnements émis par le bloc photoluminescent 96. En outre, le mur 102 peut être opaque 30 à la lumière émise par la diode électroluminescente 94. Le mur 102 peut être en un matériau conducteur, par exemple un métal tel que l'aluminium, l'argent, le cuivre ou le zinc. La hauteur du mur 102, mesurée selon une direction perpendiculaire à la face 34, est comprise entre 1 gm et 200 gm, de préférence entre 5 gm 35 et 30 pin. L'épaisseur du mur 102, mesurée selon une direction B16082 - LRED 20 parallèle à la face 34, est comprise entre 100 nm et 50 pin, de préférence entre 1 lm et 10 pin. Comme pour le dispositif optoélectronique 10, dans le dispositif optoélectronique 100, la couche conductrice 54 est une 5 électrode commune pour les diodes électroluminescentes 16, 92, 94 et un procédé d'adressage par matrice active peut être mis en oeuvre. La figure 9 représente un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 105 comprenant tous les éléments du 10 dispositif optoélectronique 10 à la différence que le substrat 30 est en un matériau isolant électriquement. En outre, les tranchées 40, 42 ne sont pas présentes et la diode électroluminescente 18, 20 s'étend au travers du substrat 30 de la face 32 jusqu'à la face 34. En outre, les faces latérales de chaque diode 15 électroluminescente 18, 20 sont entourées par une couche transparente et conductrice électriquement 106 et en contact avec la couche conductrice 106, les couches conductrices 106 étant en contact avec les plots de liaison 22 au travers des ouvertures 107 prévues dans la diode électroluminescente 16. En outre, la 20 face 34 est recouverte d'une couche isolante électriquement 108 interposée entre la couche conductrice 54 et la couche conductrice 106, chaque diode électroluminescente 18, 20 étant en contact avec la couche conductrice 54 par l'intermédiaire de la couche isolante 108. 25 En fonctionnement, de la lumière est émise vers le bas par le circuit optoélectronique 12 en figure 9. Comme pour le dispositif optoélectronique 10, dans le dispositif optoélectronique 105, la couche conductrice 54 est une électrode pour les diodes électroluminescentes 16, 18, 20 et un 30 d'adressage par matrice active peut être mis en oeuvre. procédé La figure 10 représente un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 110 comprenant tous les éléments du dispositif optoélectronique 80 à la différence que les diodes électroluminescentes 18, 20 sont des diodes tridimensionnelles 35 dans lesquelles les régions actives sont formées sur des éléments commune B16082 - LRED 21 semiconducteurs tridimensionnels de formes différentes. Dans le mode de réalisation représenté en figure 10, la diode électroluminescente 18 a une forme pyramidale et la diode électroluminescente 20 a une forme de fil. Les formes des éléments 5 semiconducteurs peuvent être choisies de sorte que les plans cristallins des régions actives sont les plus adaptés pour l'émission de lumière selon la longueur d'onde de la lumière émise. Comme pour le dispositif optoélectronique 10, dans le dispositif optoélectronique 110, la couche conductrice 54 est une 10 électrode commune pour les diodes électroluminescentes 16, 18, 20 et un procédé d'adressage par matrice active peut être mis en oeuvre. La figure 11 représente un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 115 comprenant tous les éléments 15 du dispositif optoélectronique 10 à la différence que le substrat 30 est en un matériau isolant électriquement, que les diodes électroluminescentes 18, 20 sont remplacées par des composants optoélectroniques 116, 118 fixés au substrat 30, par exemple par un procédé de manipulation et placement. Les diodes 20 électroluminescentes 116, 118 peuvent être des diodes électroluminescentes planes ayant la structure représentée en figure 3. Comme pour le dispositif optoélectronique 10, dans le dispositif optoélectronique 115, la couche conductrice 54 est une électrode commune pour les diodes électroluminescentes 16, 18, 20 25 et un procédé d'adressage par matrice active peut être mis en oeuvre. La figure 12 représente un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 120 comprenant tous les éléments du dispositif optoélectronique 80 à la différence que la couche 30 conductrice 54 est remplacée par des couches conductrices électriquement 122, 124, 126, la couche conductrice 122 étant en contact avec la diode électroluminescente 16 au fond de l'ouverture 52, la couche conductrice 124 étant en contact avec la diode électroluminescente 18 et la couche conductrice 126 étant 35 en contact avec la diode électroluminescente 20. La diode B16082 - LRED 22 électroluminescente 120 peut en outre comprendre des murs 128 s'étendant depuis la face 34 et interposés entre l'ouverture 52, la diode électroluminescente 18 et la diode électroluminescente 20. 5 Selon un mode de réalisation, les murs 128 peuvent être en un matériau réfléchissant ou recouverts par un revêtement réfléchissant pour les longueurs d'onde des rayonnements émis par les diodes électroluminescentes 18, 20. Les murs 128 peuvent être en un matériau conducteur, par exemple un métal tel que 10 l'aluminium, l'argent, le cuivre ou le zinc. La hauteur des murs 128, mesurée selon une direction perpendiculaire à la face 34, est comprise entre 1 lm et 200 pin, de préférence entre 5 um et 30 pin. L'épaisseur des murs 128, mesurée selon une direction parallèle à la face 34, est comprise entre 100 nm et 50 pin, de 15 préférence entre 1 um et 10 gra. Dans le dispositif optoélectronique 120, un procédé d'adressage par matrice passive peut être mis en oeuvre. A titre de variante, les diodes électroluminescentes 18, 20 peuvent être remplacées par les diodes électroluminescentes 92, 94. En outre, lorsque le substrat 30 ou 20 le bloc de support 85, lorsqu'il est présent, n'est pas transparent à la lumière émise par la diode électroluminescente 16, un miroir réfléchissant peut être prévu comme dans le dispositif optoélectronique 10. La figure 13 représente un autre mode de réalisation 25 d'un dispositif optoélectronique 130 comprenant tous les éléments du dispositif optoélectronique 80, chaque diode électroluminescente 18, 20 étant en outre entourée par une gaine 132 en contact avec la couche conductrice 54. Les gaines 132 peuvent être métalliques. Les gaines 132 permettent d'empêcher le 30 pompage optique parasite. Une couche isolante électriquement, non représentée, peut être interposée entre la couche conductrice 54 et les gaines 132 pour réduire l'absorption due à l'effet de guide d'onde. Les figures 14A à 14H sont des coupes, partielles et 35 schématiques, des structures obtenues à des étapes successives B16082 - LRED 23 d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique représenté en figure 5. Un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique représenté en figure 5 comprend les 5 étapes successives suivantes, réalisées pour chaque pixel d'affichage Pix : a) Formation des diodes électroluminescentes 18, 20 sur la face 34 du substrat 30, de préférence en utilisant un procédé de croissance à faible température (figure 14A). Les 10 couches des diodes électroluminescentes 18, 20 peuvent être formées par un procédé tel que le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou le dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD), également connu sous le nom d'épitaxie organométallique en phase vapeur (MOVPE). Toutefois, des procédés tels que 15 l'épitaxie par jets moléculaires (MBE), la MBE à source de gaz (GSMBE), la MBE organométallique (MOMBE), la MBE assistée par plasma (PAMBE), l'épitaxie par couche atomique (ALE), l'épitaxie en phase vapeur aux hydrures (HVPE) peuvent être utilisés ainsi qu'un procédé de dépôt de couche mince atomique (jUD). En outre, 20 des procédés électrochimiques peuvent être utilisés, par exemple le dépôt en bain chimique (CBD), les procédés hydrothermiques, la pyrolise d'aérosol liquide, l'électrodépôt ou la pulvérisation cathodique. Selon un mode de réalisation, au moins une couche des diodes électroluminescentes 18, 20 est reliée au substrat 30 par 25 une relation d'épitaxie. b) Fixation de la diode électroluminescente 16 au bloc de support 85, lorsqu'il est présent, ou à la face 32 du substrat 30, lorsque le bloc de support 85 n'est pas présent, par le milieu de liaison 38 (figure 14B). La diode électroluminescente 30 16 peut être formée en utilisant un substrat hôte, par exemple un substrat hôte en GaAs, qui est ensuite retiré, avant ou après le collage de la diode électroluminescente 16 au bloc de support 85, pour éviter l'absorption par celui-ci. c) Formation des tranchées isolées verticales 40, 42 35 au travers de la diode électroluminescente 16, du milieu de B16082 - LRED 24 liaison 38, du bloc de support 85 et partiellement au travers du substrat 30 (figure 140). Les tranchées isolées verticales 40, 42 peuvent être formées par gravure d'ouvertures 134 au travers de la diode électroluminescente 16, du bloc de support 85 et 5 partiellement du substrat 30, formation des parois isolantes 46 à l'intérieur des ouvertures et formation des coeurs conducteurs 44 entre les parois 46. La gravure mise en oeuvre peut être une gravure sèche, par exemple par l'intermédiaire d'un plasma à base de 012 ou une gravure ionique réactive (RIE). 10 d) Formation des ouvertures 84 au travers du substrat 30 jusqu'au bloc de support 85 et formation des ouvertures 52 dans le substrat 30, le bloc de support 85 et le milieu de liaison 38 jusqu'à la diode électroluminescente 16 pour délimiter les portions de substrat 83 (figure 14D). 15 e) Formation de la couche isolante 82 sur la face 34, dans l'ouverture 84 et sur les faces latérales de l'ouverture 52 (figure 14E). A titre d'exemple, la couche isolante 82 est formée sur la totalité de la structure représentée en figure 14D et des portions de la couche isolante 82 recouvrant les diodes 20 électroluminescentes 18, 20 et la portion de la couche isolante 82 au fond de l'ouverture 52 sont retirées. f) Formation de la couche conductrice 54 sur la structure représentée en figure 14E du côté de la face 34, notamment sur la couche isolante 82, sur les diodes 25 électroluminescentes 18, 20 et au fond de l'ouverture 52 en contact avec la diode électroluminescente 16 (figure 14F). g) Formation des plots de liaison 22 en contact avec la diode électroluminescente 16 et avec les tranchées isolées verticales 40, 42 (figure 14G). 30 h) Collage de la puce de commande 14 au circuit optoélectronique 12 (figure 14H). Dans le présent mode de réalisation, le collage de la puce de commande 14 à la diode électroluminescente 16 est réalisé en utilisant des inserts tels que les plots de liaison 22. A titre de variante, le collage de 35 la puce de commande 14 à la diode électroluminescente 16 peut être B16082 - LRED 25 réalisé par liaison directe, sans utilisation d'inserts. La liaison directe peut comprendre une liaison directe métal à métal de régions métalliques de la puce de commande 14 et de régions métalliques de la diode électroluminescente 16 et des tranchées 5 verticales isolées 40, 42 et une liaison diélectrique à diélectrique de régions diélectriques à la surface de la diode électroluminescente 16 et de régions diélectriques à la surface de la puce de commande 14. La liaison de la puce de commande 14 à la diode électroluminescente 16 peut être réalisée par un procédé 10 de thermocompression dans lequel la diode électroluminescente 16 est appliquée contre la puce de commande 14, avec compression et chauffage. Les figures 15A à 15L sont des coupes, partielles et schématiques, des structures obtenues à des étapes successives 15 d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique 105 représenté en figure 9. Un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique 105 représenté en figure 9 comprend les étapes successives suivantes, réalisées pour chaque pixel 20 d'affichage Pix : a') fournir un substrat 140 recouvert d'une couche de germination 142 et d'une couche isolante électriquement 108, former des ouvertures 146 dans la couche isolante 108 et former des diodes électroluminescentes 18, 20 sur la couche de 25 germination 142 dans les ouvertures 146 (figure 15A) ; b') former une couche conductrice et transparente 148 sur la structure représentée sur la figure 15A (figure 15B) ; c') délimiter les couches conductrices électriquement et transparentes 106 dans la couche 148 (figure 15C) ; 30 d') former le substrat 30 (figure 15D) ; e') coller la diode électroluminescente 16 à la face 32 du substrat 30 (figure 15E) ; f') former les ouvertures 107 dans la diode électroluminescente 16 opposées aux diodes électroluminescentes 35 18, 20 (figure 15F) ; E16082 - LRED 26 g,) former, dans les ouvertures 107, des ouvertures 152 dans le substrat 30 pour exposer les diodes électroluminescentes 18, 20 et former les plots de liaison 22 en contact avec les diodes électroluminescentes 16, 18, 20 (figure 5 15G) ; h') fixer la puce de commande 14 au circuit optoélectronique 12 (figure 15H) ; i') retirer le substrat 140 (figure 151) ; j') retirer la couche de germination 142 (figure 10 15J) ; k') former l'ouverture 52 au travers de la couche isolante 108 et du substrat 30 jusqu'à la diode électroluminescente 16 (figure 15K) ; et 1') former la couche conductrice 54 sur la structure 15 représentée en figure 15K sur la face 34, notamment sur la couche isolante 108, en contact avec les diodes électroluminescentes 18, 20 et au fond de l'ouverture 52 en contact avec la diode électroluminescente 16 (figure 15L). Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. 20 Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, même si dans les modes de réalisation décrits précédemment, les murs 128 ont des parois latérales qui sont sensiblement perpendiculaires à la face 34, les parois latérales des murs 128 peuvent être profilées, par exemple 25 inclinées par rapport à la face 34. En outre, divers modes de réalisation avec diverses variantes ont été décrits ci-dessus. On note que divers éléments de ces divers modes de réalisation et variantes peuvent être combinés. A titre d'exemple, les diodes électroluminescentes 18, 30 20 du dispositif optoélectronique 10 peuvent être remplacées par les diodes électroluminescentes 92, REVENDICATIONS1. Dispositif optoélectronique (10 ; 80 ; 90 ; 100 ; 105 ; 110 ; 115 ; 120 ; 130) comprenant : un premier circuit (12) comprenant un substrat (30) comprenant des première et deuxième faces opposées (32, 34), le premier circuit comprenant des pixels d'affichage (Pix), chaque pixel d'affichage comprenant, du côté de la première face, une première diode électroluminescente (16) comprenant une première région active (66) adaptée à émettre un premier rayonnement et, s'étendant depuis la deuxième face, une deuxième diode électroluminescente (18, 20 ; 92, 94) comprenant une deuxième région active (76) adaptée à émettre un deuxième rayonnement, l'aire, vue selon une direction perpendiculaire à la première face, de la première région active étant au moins égale à deux fois l'aire, vue selon ladite direction, de la deuxième région 15 active ; et un deuxième circuit (14) collé au premier circuit du côté de la première diode électroluminescente et relié électriquement aux première et deuxième diodes électroluminescentes. 20 2. Dispositif optoélectronique selon la revendication 1, dans lequel la première diode électroluminescente (16) a une structure plane. 3. Dispositif optoélectronique selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la deuxième diode électroluminescente (18) a 25 une structure tridimensionnelle. 4. Dispositif optoélectronique selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la deuxième diode électroluminescente (18) a une structure plane. 5. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque 30 des revendications 1 à 4, dans lequel le premier circuit (12) comprend en outre une couche conductrice électriquement (54) recouvrant la deuxième diode électroluminescente (18, 20 ; 92, 94) et connectée électriquement à la deuxième diode électroluminescente (18, 20). B16082 - LRED 28 6. Dispositif optoélectronique selon la revendication 5, dans lequel le substrat (30) comprend une ouverture (52), la couche conductrice électriquement étant connectée électriquement à la première diode électroluminescente (16) au fond de 5 l'ouverture. 7. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la première diode électroluminescente (16) et la deuxième diode électroluminescente (18, 20 ; 92, 94) comprennent au moins un puits quantique. 10 8. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel chaque pixel d'affichage (Pix) comprend un élément conducteur électriquement (40, 42) s'étendant depuis la première face (32) au travers d'au moins une partie du substrat (30) et relié électriquement à la deuxième diode électroluminescente (18, 20 ; 92, 94) et au deuxième circuit (14). 9. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel chaque pixel d'affichage (Pix) comprend en outre un mur (128) au moins partiellement en un 20 matériau réfléchissant au moins pour le deuxième rayonnement, ledit mur délimitant une ouverture opposée à la deuxième diode électroluminescente (18, 20). 10. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel chaque pixel d'affichage 25 (Pix) comprend un bloc photoluminescent (96) opposé à la deuxième diode électroluminescente (92). 11. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel la deuxième diode électroluminescente (18, 20) s'étend au moins en partie au travers 30 du substrat (30). 12. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel chaque pixel d'affichage (Pix) comprend en outre, s'étendant depuis la deuxième face (34), une troisième diode électroluminescente (20) comprenant une 35 troisième région active (76) adaptée à émettre un troisième B16082 - LRED 29 rayonnement, l'aire, vue selon une direction perpendiculaire à la première face (32), de la première région active (66) étant au moins égale à deux fois l'aire, vue selon ladite direction, de la troisième région active. 5 13. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel la première longueur d'onde est comprise entre 600 nm et 720 nm, dans lequel la deuxième longueur d'onde est comprise entre 510 nm et 570 nm et dans lequel la troisième longueur d'onde est comprise entre 430 nm et 490 nm. 10 14. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel l'aire, vue selon une direction perpendiculaire à la première face (32), de la première région active (66) est au moins égale à cinq fois l'aire, vue selon ladite direction, de la deuxième région active (76). 15 15. Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (10 ; 80 ; 90 ; 100 ; 105 ; 110 ; 115 ; 120 ; 130) comprenant les étapes suivantes : a) former un premier circuit (12) comprenant un substrat (30) comprenant des première et deuxième faces opposées (32, 34), le premier circuit comprenant des pixels d'affichage (Pix), chaque pixel d'affichage comprenant, du côté de la première face, une première diode électroluminescente (16) comprenant une première région active (66) adaptée à émettre un premier rayonnement et, s'étendant depuis la deuxième face, une deuxième 25 diode électroluminescente (18, 20) comprenant une deuxième région active (76) adaptée à émettre un deuxième rayonnement, l'aire, vue selon une direction perpendiculaire à la première face, de la première région active étant au moins égale à deux fois l'aire, vue selon ladite direction, de la deuxième région active ; et 30 b) coller un deuxième circuit (14) au premier circuit du côté de la première diode électroluminescente, le deuxième circuit étant, après l'étape b), relié électriquement aux première et deuxième diodes électroluminescentes.