Brevet FR3072515A1 — publié le 20190419

Dispositif et procédé de mise en veille d'un système électrique Des modes de réalisation et de mise en oeuvre de l'invention concernent la veille de systèmes électroniques, notamment des intervalles réguliers de mise en veille de durée déterminée. De tels systèmes sont par exemple incorporés dans des systèmes autonomes sans fil connectés connus par l'homme du métier par l'acronyme anglo-saxon IoT («Internet of Things »). La figure 1 montre un exemple d'un système SYS1 autonome sans fils connu de l'état de la technique comportant une source de puissance électrique. Le système SYS1 comporte en outre la source de puissance électrique BATT1, un module de gestion de la puissance électrique 1, une unité de traitement 2, un module de transmission radio 3, une antenne ANT et un module opérationnel 4. Une borne de connexion B BATT1 de la source BATT1 est reliée à une entrée El du module de gestion 1. Une borne S12 du module de gestion 1 est reliée à une borne d'entrée E2 de l'unité de traitement 2, et une borne Ecl du module 1 est reliée à une borne Sc21 de l'unité 2. Des bornes S13 et S14 sont respectivement reliées à des bornes E3 du module de transmission radio 3 et E4 du module opérationnel 4. Une borne S3 du module 3 est reliée à l'antenne ANT. Le module de traitement 2 comprend en outre deux bornes Sc23 et Sc24 respectivement reliées aux bornes Ec3 du module de transmission et Ec4 du module opérationnel. La source de puissance électrique BATT1 est par exemple une batterie incorporée dans le système SYS1. L'unité opérationnelle 4 comprend par exemple un capteur de température CT relevant une mesure de température et transmettant la valeur relevée à l'unité de traitement 2 par l'intermédiaire de la borne Ec4. 2 Lors de la phase de fonctionnement du système SYS1, l'unité de traitement 2 traite la valeur relevée par le capteur CT et transmet la valeur conditionnée au module de transmission 3 par l'intermédiaire de la borne Sc23. Le module de transmission 3 conditionne l'information 5 transmise par l'unité 2 et transmet la valeur relevée par l'intermédiaire de l'antenne ANT. L'unité de traitement 2 et les modules 3 et 4 sont alimentés en puissance électrique par le module de gestion de puissance électrique 1 relié à la source BATT1. 10 Le module 1 alimente l'unité de traitement 2 par l'intermédiaire de la borne S12, les modules 3 et 4 respectivement par l'intermédiaire des bornes S13 et S14. Le module 1 est contrôlé par l'unité 2 par l'intermédiaire de la borne Ecl. 15 L'unité de traitement 2 est par exemple un microcontrôleur configuré pour piloter le module de gestion d'énergie 1 et les modules 3 et 4. Afin de diminuer la consommation énergétique de la source BATT1 et ainsi augmenter la durée de fonctionnement du système 20 SYS1, une mesure de température est effectuée à intervalle régulier, par exemple toutes les minutes, et pendant la durée durant laquelle aucune mesure et aucune transmission de signal par l'antenne ANT ne sont effectuées, l'unité 2 pilote le module de gestion 1 de telle sorte que l'alimentation électrique des modules 3 et 4 soit coupée. Il s'agit 25 d'une phase de veille du système SYS1. L'unité de traitement 2 comprend ici des moyens MT de calcul d'une durée, par exemple un quartz ou un oscillateur, afin de contrôler la durée de la mise en veille des modules 3 et 4. Les moyens MT peuvent être à l'extérieur de l'unité de 30 traitement 2, notamment incorporés dans le module 1. Il est nécessaire que l'unité de traitement 2 soit alimentée pendant la phase de mise en veille pour que les moyens MT fonctionnent. 3 Par conséquent le système SYS1 consomme de la puissance électrique en mode veille et réduit d'autant l'autonomie de la source de puissance électrique. Il existe un besoin que lors des phases de veille de durée 5 déterminée d'un système électrique autonome alternant à intervalle régulier avec des phases de fonctionnement, celui-ci ne consomme plus de puissance électrique. Selon des modes de mise en oeuvre et de réalisation, il est avantageusement proposé d'utiliser un circuit permettant de retenir des 10 charges électriques de façon contrôlable pour une mesure temporelle pour contrôler l'alimentation électrique d'un système électrique. Selon un aspect, il est proposé un procédé de mise en veille d'un système alimenté par une source d'alimentation électrique comprenant : 15 - a) une première étape de charge d'un élément capacitif de stockage par une tension de charge obtenue à partir de la tension délivrée par la source d'alimentation ; - b) une seconde étape de déconnexion ou découplage de la source d'alimentation électrique du système lorsque la valeur de la 20 tension aux bornes de l'élément capacitif de stockage est supérieure à un seuil inférieur à la tension de charge, de façon à mettre le système en veille; - c) une étape de décharge de l'élément capacitif de stockage pendant une durée de décharge de façon à ce que la valeur de la 25 tension aux bornes de l'élément capacitif de stockage devienne inférieure au seuil inférieur à la tension de charge ; et - d) une étape de reconnexion ou recouplage de la source d'alimentation électrique au système à l'issue de la durée de décharge. Avantageusement, le procédé comporte un réglage de la durée 30 de décharge. De préférence, le réglage de la durée de décharge comprend un ajustement de la tension de charge. Selon un mode de mise en oeuvre, la décharge de l'élément capacitif de stockage s'effectue au travers d'un élément capacitif 4 d'écoulement et le réglage de la durée de décharge comprend un ajustement de la valeur capacitive de l'élément capacitif d'écoulement. Selon un autre mode de mise en oeuvre, la décharge de l'élément capacitif de stockage s'effectue au travers d'un élément 5 capacitif d'écoulement et dans la première étape l'élément capacitif de stockage se décharge partiellement à travers l'élément capacitif d' écoulement. Selon encore un autre mode de mise en oeuvre, le procédé comporte une exécution cyclique des étapes a) à d). 10 Selon un autre aspect, il est proposé un dispositif électronique, destiné à une mise en veille d'un système alimenté par une source d'alimentation électrique, comprenant : - une entrée de charge destinée à être connectée ou couplée à une tension de charge obtenue à partir de la tension délivrée par la 15 source d'alimentation ; - une première entrée destinée à être connectée ou couplée à la source d'alimentation ; - une sortie d'alimentation destinée à être connectée ou couplée au système ; 20 - un élément capacitif de stockage connecté ou couplé à l'entrée de charge et configuré pour être chargé par la tension de charge ; - des moyens de commutation connectés ou couplés entre la première entrée et la sortie d' alimentation et configurés pour 25 déconnecter ou découpler la sortie de la première entrée lorsque la valeur de la tension aux bornes de l'élément capacitif est supérieure à un seuil inférieur à la tension de charge ; - des moyens de décharge, configurés pour décharger l'élément capacitif de stockage pendant une durée de décharge de 30 façon à ce que la valeur de la tension aux bornes de l'élément capacitif de stockage devienne inférieure au seuil ; les moyens de commutation étant en outre configurés pour reconnecter ou recoupler la première entrée à la sortie d'alimentation à l'issue de la durée de décharge. 5 Selon un mode de réalisation, les moyens de décharge comportent un élément capacitif d'écoulement connecté ou couplé entre une première borne de l'élément capacitif de stockage et une masse. 5 Avantageusement, le dispositif comporte en outre un élément capacitif d'initialisation relié ou couplé entre une première borne de l'élément capacitif de stockage et l'entrée de charge. Selon un autre mode de réalisation, les moyens de commutation comprennent un transistor à appauvrissement dont la grille est couplée 10 à la première borne de l'élément capacitif de stockage, la source est couplée à la source d'alimentation et le drain est couplé à la sortie du dispositif, le seuil étant égal à la tension de seuil du transistor. De préférence, le transistor à appauvrissement comprend un transistor PMOS. 15 Selon encore un autre aspect, il est proposé un circuit électronique comprenant un dispositif électronique tel que défini précédemment et un système destiné à être alimenté par une source d'alimentation, le système étant connecté ou couplé à l'entrée de charge du dispositif et à la sortie d'alimentation du dispositif. 20 Avantageusement, le circuit comporte des moyens de réglage configurés pour régler la durée de décharge. De préférence, le circuit comporte des moyens d'ajustement pour ajuster la valeur capacitive de l'élément capacitif d'écoulement. Selon un mode de réalisation, le circuit comporte en outre des 25 moyens de commande configurés pour activer cycliquement la charge de l'élément capacitif de stockage. Selon un autre mode de réalisation, le système est un système autonome sans fil connecté. D' autres avantages et caractéristiques de l' invention 30 apparaîtront à l'examen de la description détaillée de modes de réalisation, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels : - la figure 1, précédemment décrite, illustre un système autonome sans fil ; 6 - les figures 2 à 5 illustrent schématiquement des modes de mise en oeuvre et de réalisation de l'invention. On se réfère à la figure 2 qui représente un exemple d'un mode de réalisation d'un circuit électrique CI comprenant un système SYS et 5 un dispositif électronique DISP de mise en veille du système SYS. Le système est ici un système autonome sans fil connecté. Le système SYS comporte une source de puissance électrique BATT, un module de gestion de la puissance électrique 10, une unité de traitement 20, un module de transmission radio 30, une antenne 10 ANT et un module opérationnel 40. Le dispositif électronique DISP est ici incorporé dans le module de gestion de la puissance électrique 10. Une borne de connexion B BATT de la source BATT est reliée à une première entrée El0 du module de gestion 10. La source de puissance électrique BATT fournit la puissance 15 électrique nécessaire au fonctionnement du système SYS et est par exemple une batterie LiOn. Une borne S102 du module de gestion 10 est reliée à une borne d'entrée E20 de l'unité de traitement 20, et une borne Ec10 du module 10 est reliée à une borne Sc201 de l'unité 20. 20 Des bornes S103 et S104 du module de gestion 10 sont respectivement reliées à des bornes E30 du module de transmission radio 30 et E40 du module opérationnel 40. Une borne S30 du module 30 est reliée à l'antenne ANT. L'antenne ANT reçoit et émet des signaux, notamment des 25 signaux radio. Le module de traitement 20 comprend en outre deux bornes Sc203 et Sc204 respectivement reliées aux bornes Ec30 du module de transmission 30 et Ec40 du module opérationnel 40 et incorpore des moyens de réglage comprenant des moyens de contrôle PWR et des 30 moyens de commande MC configurés pour activer cycliquement la charge de l'élément capacitif de stockage Cl. L'unité opérationnelle 40 est configurée pour réaliser une ou plusieurs actions. Elle incorpore par exemple un capteur de pression 7 relevant une mesure de pression et transmet la valeur relevée à l'unité de traitement 20 par l'intermédiaire de la borne Ec40. Lorsque le système fonctionne en mode réception, c'est-à-dire lorsque l'antenne ANT reçoit un signal, le module de transmission 5 radio 30 est configuré pour démoduler le signal reçu selon des techniques bien connues de l'homme du métier et transmet les informations reçues à l'unité de traitement 20 configurée pour piloter le module opérationnel 40 selon le signal reçu. Lorsque le système fonctionne en mode transmission, c'est-à- 10 dire lorsque l'antenne ANT émet un signal, le module de transmission radio 30 est configuré pour moduler le signal reçu de l'unité de traitement 20 configurée pour traiter les données fournies par le module opérationnel 40 selon des techniques bien connues de l'homme du métier. 15 Le module de gestion de puissance électrique 10 est configuré pour alimenter l'unité de traitement 20 et les modules 30 et 40 lors des phases de fonctionnement du système SYS en mode réception et transmission, et mettre le système SYS en mode veille lors des phases de veille à intervalle régulier, par exemple toutes les 10 secondes. 20 Le module 10 comprend ici le dispositif DISP et un répartiteur de puissance électrique 50 configuré pour alimenter l'unité 20 et les modules 30 et 40 en puissance électrique. Le dispositif DISP comprend une première borne de connexion E reliée à la borne E10, une deuxième borne Ec reliée à la borne Ec10 25 et une borne d'alimentation S reliée à une borne E50 du répartiteur 50. La deuxième borne Ec est une entrée de charge. Le répartiteur 50 comprend des bornes S52, S53 et S54 reliées respectivement aux bornes S102, S103 et S104. Le répartiteur 50 peut par exemple comprendre des moyens 30 d'adaptation de la tension et/ou d'intensité d'alimentation selon les caractéristiques électriques de chacun des modules 30 et 40 et de l'unité 20. Le dispositif DISP comporte en outre des moyens de commutation T qui vont permettre soit de connecter le système SYS à 8 la source d'alimentation BATT pour alimenter le système, soit déconnecter le système de la source d'alimentation pour le mettre en veille. La figure 3 illustre un exemple de réalisation du dispositif 5 DISP. Le dispositif DISP comprend des moyens de décharge MD, un élément capacitif de stockage Cl, un élément capacitif d'initialisation C2, les moyens de commutation T et une source de potentiel Vcc. Une première borne de l'élément capacitif de stockage Cl est 10 couplée d'une part à l'entrée de charge Ec par l'intermédiaire d'un élément capacitif d'initialisation C2, et d'autre part, à une entrée EMD des moyens de décharge MD. En variante, la première borne de l'élément capacitif de stockage Cl pourrait être couplée directement à l'entrée de charge Ec. 15 L'entrée de charge Ec est reliée à la borne B BATT de la source d'alimentation BATT par l'intermédiaire des moyens de contrôle PWR. Les moyens PWR sont configurés pour piloter la tension de charge VcH de l'élément de stockage Cl pendant une durée TCH, par 20 exemple d'une seconde, et sont par exemple incorporés sous forme logicielle dans l'unité 20. Les moyens PWR peuvent être réalisés par exemple à partir d'un microcontrôleur, mais il peut s'agir de tout dispositif apte à piloter la tension de charge de l'élément Cl. 25 L'unité 20 est en outre configurée pour piloter les moyens de contrôle PWR. L'unité de traitement 20 est réalisée par exemple à partir d'un microcontrôleur, mais il peut s'agir de tout dispositif apte à traiter les données fournies par les modules 30 et 40, apte à piloter le module 40 30 et à fournir des informations au module 30, et incorporant dans le mode de réalisation décrit le module PWR. Il peut notamment s'agir d'un microprocesseur. 9 Les moyens de décharge MD sont configurés pour décharger l'élément capacitif de stockage Cl par effet tunnel pendant une durée To, comprise par exemple entre une minute et vingt quatre heures. Les moyens de commutation T comportent ici de préférence un 5 transistor PMOS à appauvrissement. Cela étant l'utilisation d'un transistor NMOS appauvrissement serait également possible. La première borne de l'élément capacitif de stockage Cl est reliée à la grille G du transistor T. 10 Le transistor T est passant lorsque la valeur de sa tension de seuil VGs est inférieure à un seuil Vseuil par exemple 3 volts. Le transistor est bloqué lorsque la tension VGs est supérieure au seuil Vseuil. La source ST du transistor T est reliée à la borne El0 et le 15 drain du transistor T est relié à la borne S. Les moyens de commutation sont connectés entre la première entrée E et la sortie d'alimentation S et sont configurés pour déconnecter la sortie S de la première entrée E lorsque la valeur de la tension Vci aux bornes de l'élément Cl est supérieure au seuil Vseuil. 20 Les moyens de commutation sont en outre configurés pour reconnecter l'entrée El0 à la sortie S lorsque la tension Vci aux bornes de l'élément Cl est inférieure au seuil Vseuil. Une deuxième borne de l'élément capacitif de stockage Cl est reliée à une source de potentiel variable Vcc. 25 Les moyens de décharge MD comprennent un élément capacitif d'écoulement C3 dont une première borne B1 est reliée à une masse GND et dont une deuxième borne B2 est reliée à l'entrée Emp. L'élément capacitif Cl présente une capacité de rétention de charges supérieure à celle de C3, et l'élément capacitif C2 présente 30 une capacité de rétention de charges supérieure à celle de C3, mais inférieure à celle de l'élément Cl. Les éléments capacitifs Cl, C2 et C3 forment un circuit permettant de retenir des charges électriques de façon contrôlable pour une mesure temporelle. Les capacités des éléments Cl, C2 et C3 10 dépendent de la technologie mise en oeuvre. A titre d'exemple la capacité de l'élément capacitif de stockage Cl est comprise entre 10 et 100 picofarads, la capacité de l'élément capacitif d'initialisation C2 est comprise entre 10 et 100 femtofarads et la capacité de l'élément 5 capacitif d'écoulement C3 est comprise entre 1 et 5 femtofarads. Un rôle de l'élément capacitif de stockage Cl est de stocker des charges électriques. Un rôle de l'élément capacitif d'initialisation C2 est de permettre une injection de charges dans l'élément capacitif de 10 stockage Cl, en évitant les contraintes qui résulteraient, pour l'élément d'écoulement C3, d'une charge directe de l'élément de stockage Cl par l'application d'une tension d'alimentation à ses bornes. Un rôle de l'élément capacitif d'écoulement C3 est de 15 décharger l'élément de stockage Cl relativement lentement par rapport à une connexion directe de l'élément Cl à la masse GND. L'élément C3 est adapté pour laisser fuir des charges par effet tunnel. La figure 4 montre un exemple de réalisation de l'élément d'écoulement C3 tel que décrit dans la demande de brevet française 20 publiée sous le n°2 981 190. L'élément C3 est réalisé à partir d'un substrat semi-conducteur 200, par exemple du silicium, surmonté d'une couche isolante 201, par exemple en oxyde de silicium du type tranchée peu profonde (« Shallow Trench Isolation », STI en anglais). 25 La couche 201 est surmontée d'un premier niveau de silicium polycristallin Pl comprenant une électrode inférieure 202 et une prise de connexion B2. L'électrode 202 est revêtue d'une couche diélectrique 203 comprenant un empilement diélectrique oxydenitrure-oxyde par exemple de type ONO (oxyde de silicium - nitrure 30 de silicium- oxyde de silicium) dont au moins une région 203b est de plus faible épaisseur que les autres régions 203a et 203c de la couche 203, et adaptée à laisser circuler des charges par effet tunnel. 11 La couche 203 est surmontée d'un second niveau de silicium polycristallin P2 comprenant une électrode supérieure 204 et une prise de connexion Bi. L'épaisseur des régions de diélectrique 203a, 203b et 203c de 5 la couche 203 conditionne la durée de décharge de l'élément capacitif de stockage Cl. L'homme du métier saura ajuster l'épaisseur des régions de la couche 203 en fonction de la valeur de la capacité des éléments Cl et C2 et de la tension de charge de l'élément Cl délivrée par les moyens 10 PWR de telle sorte que la tension VGs soit supérieure au seuil Vseuil pendant la durée To puis inférieure au seuil Vseuil pendant une durée To plus TCH. La figure 5 illustre un exemple de mode de mise en oeuvre du dispositif DISP en illustrant la consommation énergétique P du 15 système SYS selon le temps t. On suppose que l'élément de stockage Cl est déchargé à l'instant initial, c'est-à-dire à t égal à 0. La tension VGs est inférieure à Vseuil, le transistor T est passant et la source BATT alimente le système SYS. 20 Dans une première étape de charge de l'élément capacitif de stockage Cl par la source d'alimentation BATT, de durée TcH, les moyens de contrôle PWR chargent l'élément capacitif de stockage Cl en appliquant la tension de charge VcH supérieure au seuil Vseuil, par exemple une tension de 12 volts. Le potentiel Vcc est par exemple la 25 masse. Pendant cette étape, l'élément capacitif de stockage Cl se décharge partiellement à travers l'élément capacitif d'écoulement C3. Cette décharge partielle conduit à une augmentation de la durée TcH pour atteindre le seuil Vseuil. 30 Selon un autre mode de mise en oeuvre possible, pour charger l'élément Cl, le potentiel à la borne Ec et le potentiel Vcc peuvent prendre respectivement des valeurs positive et négative par rapport à la masse GND, par exemple respectivement +6 volts et -6 volts. 12 Pendant cette étape, la source BATT délivre au système SYS une puissance Pl égale par exemple à quelques milliwatts. Dans une seconde étape de déconnexion de la source d'alimentation électrique BATT, lorsque la valeur de la tension Vci 5 aux bornes de l'élément capacitif de stockage Cl est supérieure au seuil Vseuil à l'instant TcH, le transistor T se bloque. La source BATT est électriquement déconnectée du système SYS au courant de fuite 'OFF du transistor T près. Par conséquent, la source BATT délivre une puissance PO au système SYS correspondant au courant 'OFF et 10 inférieure à la puissance nominale d'alimentation du système SYS. Le système SYS n'est plus alimenté, il est en mode mise en veille. L'élément Cl n'est plus alimenté par les moyens PWR. La consommation de puissance PO du système SYS est réduite à quelques dixièmes de microwatts. 15 Puis dans une étape de décharge de l'élément capacitif de stockage Cl, l'élément de stockage Cl se décharge de façon contrôlée à travers l'élément d'écoulement C3. La tension de charge VcH, les capacités des éléments capacitifs Cl, C2 et C3, et la tension de seuil du transistor T ont été 20 dimensionnées de sorte que la tension Vci aux bornes de l'élément Cl soit inférieure au seuil Vseuil à l'expiration d'une durée To à compter du début de l'étape de décharge, c'est-à-dire à l'instant To plus TcH. Dans une étape de reconnexion de la source d'alimentation électrique lorsque la valeur de la tension Vci aux bornes de l'élément 25 capacitif de stockage Cl est inférieure au seuil Vseuil, à l'instant To plus TcH, le transistor T est passant. La source BATT est électriquement reconnectée au système SYS. La source BATT délivre une puissance Pl au système SYS. Lorsque l'élément capacitif de stockage Cl est entièrement 30 déchargé à travers l'élément capacitif d'écoulement C3, les moyens PWR chargent l'élément capacitif de stockage Cl en appliquant la tension VCH. Pendant cette période le système est en mode réception, et reçoit par exemple des instructions de mesure d'une pression. 13 A l'instant T1, le système SYS passe en mode transmission et émet la valeur de la mesure de pression. Le système SYS consomme à cet instant une puissance PT, par exemple de quelques watts. La durée d'émission est très brève par rapport à la durée Tch. 5 Lorsque la valeur de la tension Vci aux bornes de l'élément capacitif de stockage Cl est supérieure au seuil Vseuil à l'instant To plus deux fois TcH, le transistor T se bloque et un nouveau cycle recommence. La durée To est ajustée en fonction de l'utilisation du système 10 SYS. Pour une configuration donnée d'éléments Cl, C2 et C3, la durée To est ajustable en modifiant la tension de charge de l'élément capacitif Cl. L'unité de traitement 20 est configurée pour modifier la tension de charge. 15 Selon un autre mode de mise en oeuvre, la durée To est modifiable en modifiant la tension de seuil VGS du transistor T, notamment en polarisant le transistor T. Selon un autre mode de mise en oeuvre, la durée To est modifiable en remplaçant l'élément capacitif d'écoulement C3 par un 20 réseau d'éléments capacitifs d'écoulement commutés. L'unité de traitement 20 comprend des moyens d'ajustement MA pour raccorder en série les éléments capacitifs d'écoulement commutés. Plus le nombre d'éléments raccordés en série est important, plus la durée To sera importante. 25 Bien entendu, l'unité de traitement 20 peut forcer le fonctionnement continu du système SYS, c'est-à-dire piloter les moyens PWR de telle sorte que la tension Vci reste inférieure à Vseuil. Avantageusement, aucune horloge n'est nécessaire pour 30 compter la durée To et redémarrer le système à l'issue de cette durée. Le dispositif DISP déconnecte la source d'alimentation électrique BATT du système SYS pendant la phase de mise en veille d'une durée To réduisant considérablement la consommation du système SYS. Le dispositif forme ainsi un « pseudo » générateur de 14 signal d'horloge dont les impulsions ont une durée TH et sont espacées de To. En outre, on a décrit ci-avant un élément capacitif d'écoulement C3 permettant une décharge partielle de l'élément 5 capacitif de stockage Cl pendant l'étape de charge. On aurait aussi pu déconnecter l'élément capacitif d'écoulement C3 pendant l'étape de charge et reconnecter l'élément C3 pendant l'étape REVENDICATIONS1, Procédé de mise en veille d'un système alimenté par une source d'alimentation électrique (BATT) comprenant : - a) une première étape de charge d'un élément capacitif de stockage (Cl) par une tension de charge obtenue à partir de la tension délivrée par la source d'alimentation ; - b) une seconde étape de découplage de la source d'alimentation électrique du système lorsque la valeur de la tension aux bornes de l'élément capacitif de stockage est supérieure à un seuil (Vseuil) inférieur à la tension de charge (Vc}i), de façon à mettre le système en veille ; - c) une étape de décharge de l'élément capacitif de stockage pendant une durée de décharge (T0) de façon à ce que la valeur de la tension aux bornes de l'élément capacitif de stockage devienne inférieure au seuil ; et - 6) une étape de recouplage de la source d'alimentation électrique au système à l'issue de la durée de décharge. 2. Procédé selon la revendication 1, comprenant un réglage de la durée de décharge (T0). 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel le réglage de la durée de décharge (T) comprend un ajustement de la tension de charge (Vcu). 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la décharge de l'élément capacitif de stockage (Cl) s'effectue au travers d'un élément capacitif d'écoulement (C3) et le réglage de la durée de décharge (T0) comprend un ajustement de la valeur capacitive de l'élément capacitif d'écoulement (C3). 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la décharge de l'élément capacitif de stockage (Cl) s'effectue au travers d'un élément capacitif d'écoulement (C3) et dans la première étape l'élément capacitif de stockage (Cl) se décharge partiellement à travers l'élément capacitif d'écoulement (C3). 16 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, comportant une exécution cyclique des étapes a) à d). 7. Dispositif électronique (DISP), destiné à une mise en veille d'un système (SYS) alimenté par une source d'alimentation électrique 5 (BATT), comprenant : - une entrée de charge (Ec) destinée à être couplée à une tension de charge (VcH) obtenue à partir de la tension délivrée par la source d'alimentation (BATT) ; - une première entrée (E) destinée à être couplée à la source 10 d' alimentation ; - une sortie d'alimentation (S) destinée à être couplée au système ; - un élément capacitif de stockage (Cl) couplé à l'entrée de charge (Ec) et configuré pour être chargé par la tension de charge ; 15 - des moyens de commutation (T) couplés entre la première entrée et la sortie d'alimentation et configurés pour découpler la sortie de la première entrée lorsque la valeur de la tension aux bornes de l'élément capacitif de stockage est supérieure à un seuil (Vseuil) inférieur à la tension de charge (Vcii) ; 20 - des moyens de décharge (MD) configurés pour décharger l'élément capacitif de stockage pendant une durée de décharge de façon à ce que la valeur de la tension aux bornes de l'élément capacitif de stockage devienne inférieure à au seuil (Vseuil) ; les moyens de commutation étant en outre configurés pour 25 recoupler la première entrée à la sortie d'alimentation à l'issue de la durée de décharge. 8. Dispositif selon la revendication 7, dans lequel les moyens de décharge (MD) comportent un élément capacitif d'écoulement (C3) couplé entre une première borne de l'élément capacitif de stockage et 30 une masse (GND). 9. Dispositif selon l'une des revendications 7 ou 8, comportant en outre un élément capacitif d'initialisation (C2) couplé entre une première borne de l'élément capacitif de stockage (Cl) et l'entrée de charge (Ec). 17 10. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, dans lequel les moyens de_ commutation comprennent un transistor (T) à appauvrissement dont la grille est couplée à la première borne de l'élément capacitif de stockage (Cl), la source est couplée à la source 5 d'alimentation (BATT) et le drain est couplé à la sortie (S) du dispositif (DISP), le seuil (Vseuil) étant égal à la tension de seuil (VGs) du transistor. 11. Dispositif selon la revendication 10, dans lequel le transistor (T) à appauvrissement comprend un transistor PMOS. 10 12. Circuit électronique comprenant un dispositif selon l'une quelconques des revendications 7 à 11 et un système (SYS) destiné- à être alimenté par la source d'alimentation, le système étant couplé à l'entrée de charge (Ec) du dispositif et à la sortie d'alimentation (S) du dispositif. 15 13. Circuit selon la revendication 12, comportant des moyens de réglage configurés pour régler la durée de décharge (T0). 14. Circuit selon l'une des revendications 12 ou 13, comportant des moyens d'ajustement (MA) pour ajuster la valeur capacitive de l'élément capacitif d'écoulement (C3). 20 15. Circuit selon l'une quelconque des revendications 12 à 14, comprenant en outre des moyens de commande (MC) configurés pour activer cycliquement la charge de l'élément capacitif de stockage (Cl). 16. Circuit selon l'une quelconque des revendications 12 à 15, dans lequel le système (SYS) est un système autonome sans fil 25 connecté.