Brevet FR3069103A1 — publié le 20190118

DOMAINE Le mode de réalisation de l'invention se rapporte à un détecteur de rayonnement. ARRIÈRE-PLAN Il existe un détecteur de rayons X à titre d'exemple d'un détecteur de rayonnement. Le daecLeur de rayons X est pourvu, par exemple, d'un substrat 10 matriciel comportant une pluralité de parties de conversion photoélectrique, et un scintillateur placé sur la pluralité de parties de conversion photoélectrique et convertissant un rayon X en fluorescence. La partie de conversion photoélectrique est pourvue d'un élément de conversion photoélectrique convertissant la fluorescence issue du scintillateur en une charge, d'un transistor en couches minces 15 effectuant la commutation de stockage et de libération de la charge, d'un condensateur de stockage stockant la charge, et analogues. En général, le détecteur de rayons X lit des données d'image de la manière suivante. Tout d'abord, le détecteur reconnaît Vincidence d'un rayon X à partir d'un signal appliqué depuis l'extérieur. Ensuite, le détecteur lit la charge stockée sous 20 forme de données d'image, en mettant à l'état passant un transistor en couches minces de la partie de conversion photoélectrique effectuant la lecture après l'écoulement d'un temps prédéterminé. Cependant, de cette façon, du fait que le début de l'opération du détecteur de rayons X est fonction d'un signal provenant de l'extérieur, il se pose un problème 25 consistant en ce qu'un temps de traitement devient plus long en raison d'un retard ou analogue. Ici, lorsque le transistor en couches minces d'un élément à semi-conducteurs est exposé au rayon X, un courant circule entre une électrode de drain et une électrode de source, même si ie transistor en couches minces est à 30 l'état biociu'±'. L'électrode de drain du transistor en couches minces est électriquement reliée à une ligne de données. Ainsi, il est proposé une technique selon laquelle le transistor en couches minces est mis à l'état bloqué, puis en fonction d'une différence entre une valeur du courant parcourant la ligne de données lorsque le rayon X est émis et une valeur du 35 courant parcourant la ligne de données lorsque le rayon X n'est pas émis, un instant de début de l'incidence du rayon X est détecté. Toutefois, la valeur du courant parcourant la ligne de données lorsque le transistor en couches minces est à l'état bloqué devient extrêmement faible. En 2 outre, dès lors que l'exposition d'un corps humain à une grande quantité de rayonnement X a un effet néfaste sur la santé, l'exposition du corps humain au rayonnement X est limitée au minimum nécessaire. Par conséquent, dans le cas du détecteur de rayons X utilisé à des fins médicales, l'intensité du rayon X incident est extrêmement faible, et la valeur du courant parcourant la ligne de données devient encore plus faible lorsque le transistor en couches minces est à l'état bloqué. En conséquence, il est à craindre que même si la valeur du courant parcourant la ligne de données lorsque le transistor en couches minces est à l'état bloqué est détectée, il soit difficile de détecter avec précision l'instant de début de 10 l'incidence du rayon X. Dès lors, il est nécessaire de mettre au point un détecteur de rayonnement apte à détecter avec précision l'instant de début de l'incidence du rayonnement. OBJET ET RESUME DE L'INVENTION L'invention propose un détecteur de rayonnement comprenant un substrat ; une pluralité de lignes de commande disposées sur le substrat et s'étendant dans une première direction ; une pluralité de lignes de données disposées sur le substrat et s'étendant dans une seconde direction croisant la première direction ; une pluralité de parties de détection comportant un transistor en couches minces électriquement relié aux lignes de commande correspondantes et aux lignes de données correspondantes, et détectant un rayonnement directement ou en coopération avec un scintillateur ; un circuit de commande commutant un état passant et un état bloqué du transistor en couches minces ; un circuit de détection de signaux lisant des données d'image à l'état passant du transistor en couches minces ; et une partie de détection de rayonnement incident déterminant un instant de début d'incidence de rayonnement sur la base d'une valeur des données d'image lues à l'état passant du transistor en couches minces. Selon un mode de réalisation particulier, le circuit de détection de signaux lit en outre des données de correction, à l'état bloqué du transistor en couches minces. Selon un mode de réalisation particulier, le circuit de détection de signaux lit les données de correction avant de lire les données d'image et/ou après avoir lu les données d'image et/ou avant de lire les données d'image et après avoir lu les données d'image. Selon un mode de réalisation particulier, le circuit de commande applique un signal de commande commutant l'état passant et l'état bloqué du transistor en couches minces, à chaque ligne de la pluralité de lignes de commande, et le circuit de détection de signaux lit les données de correction à chaque fois que le signal de commande est appliqué. Selon un mode de réalisation particulier, le détecteur de rayonnement comporte en outre : une partie de traitement d'image configurant une image radiologique sur la base des données d'image, la partie de traitement d'image corrigeant les données d'image à l'aide des données de correction. Selon un mode de réalisation particulier, le circuit de détection de signaux attribue des indices d'image permettant de coupler : les données d'image et les données de correction lues avant la lecture des données d'image pertinentes et/ou après la lecture des données d'image pertinentes et/ou avant la lecture des données d'image pertinentes et après la lecture des données d'image pertinentes. Selon un mode de réalisation particulier, la partie de traitement d'image extrait les données de correction sur la base d'indices d'image, et corrige les données d'image à coupler, à l'aide des données de correction extraites. Selon un mode de réalisation particulier, le circuit de détection de signaux convertit une sortie différentielle entre lcs données d'image lues et les données de correction lues, en un signal numérique. Selon un mode de réalisation particulier, lorsque la partie de détection de rayonnement incident détermine que l'incidence du rayonnement commence, le circuit de détection de signaux lit en outre des données d'image à l'état passant du transistor en couches minces. Selon un mode de réalisation particulier, un temps d'échantillonnage aux fins de la lecture des données d'image et un temps pendant lequel le transistor en couches minces est à l'état passant après que l'incidence du rayonnement a été détectée sont plus longs qu'un temps d'échantillonnage aux fins de la lecture des données d'image et un temps d'échantillonnage aux fins de la lecture des données de correction avant que l'incidence du rayonnement ne soit détectée. 4 DESCRIPTION BRÈVE DES DESSINS La figure 1 est une vue en perspective schématique destinée à Wustrer un détecteur de rayons X ; la figure 2 est un schéma fonctionnel du détecteur de rayons X ; la figure 3 est un schéma de circuits d'un substrat matriciel ; la figure 4 est un chronogramme destiné à illustrer la lecture de données d'image et de données de correction ; la figure 5 est une vue schématique destinée à illustrer un courant parcourant une ligne de données, lorsque le rayon X est émis ; 10 la figure 6 est un organigramme destiné à illustrer un processus dans ie. détecteur de rayons X; et la figure 7 est un organigramme destiné à illustrer un autre processus. DESCRIPTION DÉTAILLÉE 15 Selon un mode de réalisation de l'invention, un détecteur de rayonnement comporte un substrat, une pluralité de lignes de commande disposées sur le substrat et s'étendant dans une première direction, une pluralité de lignes de données disposées sur le substrat et s'étendant dans une seconde direction croisant la première direction, une pluralité de parties de détection comportant un transistor en 20 couches minces électriquement relié aux lignes de commande correspondantes et aux lignes de données correspondantes, et détectant un rayonnement directement ou en coopération avec un scintillateur, un circuit de commande commutant un état passant et un état bloqué du transistor en couches minces, un circuit de détection de signaux lisant des données d'image à l'état passant du transistor en couches minces, 25 et une partie de détection de rayonnement incident déterminant un instant de début d'incidence de rayonnement, sur la base d'une valeur des données d'image lues à l'état passant du transistor en couches minces. Le mode de réalisation est décrit ci-dessous en référence aux dessins annexés. Sur les dessins, des composants similaires sont désignés par les mêmes 30 références numériques et selon qu'il convient, une description détaillée en est omise. Le détecteur de rayonnement selon le mode de réalisation peut être appliqué à divers rayonnements, tels qu'un rayon y, outre un rayon X. Le cas du rayon X comme étant représentatif des rayonnements est décrit ici à titre d'exemple. Par conséquent, il est également possible d'appliquer In détecteur à un autre 35 rayonnement, en remplaçant « rayon X » dans les modes de réalisation suivants, par « autre rayonnement ». Le détecteur de rayons X 1 illustré ci-dessus est un capteur plan de rayons X détectant une image radiologique qui est une image de rayonnement. Le capteur plan de rayons X inclut d'une manière générale un procédé de conversion directe et un procédé de conversion indirecte. Le procédé de conversion directe est un procédé consistant en ce qu'une charge photoélectrique (charge) engendrée à l'intérleur d'un film photoconducteur par l'incidence du rayon X est introduite directement dans un condensateur de stockage à des fins de stockage de la charge. Le procédé de conversion indirecte est un procédé consistant en ce que le rayon X est converti en fluorescence (lumière visible) par un scintillateur, la fluorescence est convertie en charge par un élément de conversion photoélectrique, 10 tel qu'une photodiode, et la charge est introduite dans le condensateur de stockage. Dans ce qui suit, le détecteur de rayons X 1 selon le procédé de conversion indirecte est illustré à titre d'exemple, mais l'invention peut s'appliquer également au détecteur de rayons X selon le procédé de conversion indirecte. Plus précisément, le détecteur de rayons X peut être une partie de détection 15 pour autant qu'il inclue une partie de détection convertissant le rayon X en informations électriques. La partie de détection de rayons X peut être, par exemple, un détecteur qui détecte le rayon X directement ou en coopération avec le scintillateur. Dès lors qu'une technique déjà connue peut être appliquée au détecteur de 20 rayons X selon le procédé de conversion directe, une description détaillée en est omise. Le détecteur de rayons X 1 peut être utilisé, par exemple, à des fins médicales ou analogues, et son application n'est pas limitée. La figure 1 est une vue en schématique destinée à illustrer le détecteur de 25 rayons X 1. Sur la figure 1, une ligne de polarisation 23 ou analogue est omise. La figure 2 est un schéma fonctionnel du détecteur de rayons X 1. La figure 3 est un schéma de circuits d'un substrat matriciel 2. Comme le montrent les figures 1 à 3, le détecteur de rayons X 1 est pourvu 30 du substrat matriciel 2, d'une partie de traitement de signaux 3, d'une partie de traitement d'image 4, d'un scintillateur 5, d'une partie de détection de rayons X incidents 6 et d'une mémoire 7. Le substrat matriciel 2 convertit la fluorescence obtenue par conversion du rayon X par le scintillateur 5, en un signal électrique. 35 Le substrat matriciel 2 comporte un substrat 2a, une partie de conversion photoélectrique 2b, une ligne de commande (ou ligne de grille) 2c1, une ligne de données (ou ligne de signaux) 2c2, une ligne de polarisation 2c3, une plage de connexion 2d1, une plage de connexion 2d2, et une couche de protection 2f ou 6 analogue. Dans le mode de réalisation, la partie de conversion photoélectrique 2b sert de partie de détection détectant le rayon X en coopération avec le scintillateur 5. Le nombre de la partie de conversion photoélectrique 2b, de la ligne de commande 2c1, de la ligne de données 2c2 et de la ligne de polarisation 2c3 ou analogues ne se limite pas à celui de l'illustration. Le substrat 2a est de forme plate, et est constitué d'un matériau transmettant la lumière, tel qu'un verre non alcalin. La partie de conversion photoélectrique 2b est disposée en une pluralité sur 10 une surface du substrat 2a. La partie de conversion photoélectrique 2b se trouve dans une région définie par la ligne de commande 2c1 et la ligne de données 2c2. La pluralité de parties de conversion photoélectrique 2b est disposée en une matrice. Une partie de conversion photoélectrique 2b correspond à un élément 15 d'image (pixel) sur l'image radiologique. Chaque partie de la pluralité de parties de conversion photoélectrique 2b est pourvue d'un élément de conversion photoélectrique 2b1 et d'un transistor en couches minces (TFT, thin film transistor) 2b2. Ainsi que l'illustre la figure 3, un condensateur de stockage 2b3 auquel est 20 fournie la charge convertie par l'élément de conversion photoélectrique 2b1 peut être mis en place. Le condensateur de stockage 2b3 est par exemple, de forme rectangulaire plate, et peut être placé sous le transistor en couches minces respectif 2b2. Cependant, en fonction d'une capacité de l'élément de conversion photoélectrique 2b1, l'élément de conversion photoélectrique 2b1 peut faire office de 25 condensateur de stockage 2b3. Dans le cas où l'élément de conversion photoélectrique 2b1 fait office de condensateur de stockage 2b3 (le cas où le condensateur de stockage 23 est omis), le stockage et la libération de la charge sont réalisés dans l'élément de conversion photoélectrique 2b1. 30 Dans ce cas, la charge est libérée depuis la partie de conversion photoélectrique 2b par mise à l'état passant du transistor en couches minces 2b2, et la charge est stockée par mise à l'état bloqué du transistor en couches minces 2b2. Dans le cas où le condensateur de stockage 2b3 est mis en place, une charge définie est stockée dans le condensateur de stockage 2b3 à partir de la ligne 35 de polarisation 2c3 si le transistor en couches minces 2b2 est mis à l'état bloqué, et la charge stockée dans le condensateur de stockage 2b3 est libérée si le transistor en couches minces est mis à l'état passant. Le cas où le condensateur de stockage 2b3 est mis en place est illustré dans J ce qui suit, à titre d'exemple. L'élément de conversion photoélectrique 2b1 peut être par exemple, une photodiode ou analogue. Le transistor en couches minces 2b2 effectue la commutation de stockage et de libération de la charge sur le condensateur de stockage 2b3. Le transistor en couches minces 2b2 peut inclure un matériau semi-conducteur tel que le silicium amorphe (a-Si) ou le polysilicium (p-Si). Le transistor en couches minces 2b2 comporte une électrode de grille 2b2a, une électrode de drain 2b2b et une électrode de source 2b2c. L'électrode de grille 2b2a du transistor en couches minces 2b2 est 10 électriquement reliée à la ligne de commande correspondante 2c1. L'électrode de drain 2b2b du transistor en couches minces 2b2 est électriquement reliée à la ligne de données correspondante 2c2. En d'autres termes, le transistor en couches minces 2b2 est électriquement relié à la ligne de commande correspondante 2c1 et à la ligne de données 15 correspondante 2c2. L'électrode de source 2b2c du transistor en couches minces 2b2 est électriquement reliée à l'élément de conversion photoélectrique correspondant 2b1 et au condensateur de stockage 2b3. Le condensateur de stockage 2b3 et le côté anode de l'élément de conversion photoélectrique 2b1 sont électriquement reliés à la ligne de polarisation correspondante 2c3 (voir la figure 3). 20 La ligne de commande 2c1 est disposée en une pluralité de lignes destinées à être parallèles les unes aux autres, selon un espacement prescrit. Les lignes de commande 2c1 s'étendent, par exemple, dans une direction de rangées (correspondant à un exemple de première direction). Une ligne de commande 2c1 est électriquement reliée à une plage parmi une 25 pluralité de plages de connexion 2d1 se trouvant à proximité de la périphérie du substrat 2a. Une plage de connexion 2d1 est électriquement re iée à un câblage de la pluralité de câblages se trouvant sur la carte de circuit imprimé souple 2e1. D'autres extrémités de la pluralité de câblages se trouvant sur la carte de circuit imprimé souple 2e1 sont électriquement reliées à un circuit de commande 31 se 30 trouvant dans la partie de traitement de signaux 3, respectivement. La ligne de données 2c2 est disposée en une pluralité de lignes destinées à être parallèles les unes aux autres, selon un espacement prescrit. Les lignes de données 2c2 s'étendent, par exemple, dans une direction de colonnes (correspondant à un exemple de seconde direction) orthogonale à la direction des 35 rangées. Une ligne de données 2c2 est électriquement reliée à une plage parmi une pluralité de plages de connexion 2d2 se trouvant à proximité de la périphérie du substrat 2a. Un câblage de la pluralité de câblages se trouvant sur la carte de circuit imprimé souple 2e2 est électriquement relié à une plage de connexion 2d2. D'autres extrémités de la pluralité de câblages se trouvant sur la carte de circuit imprimé souple 2e2 sont électriquement reliées à un circuit de détection de signaux 32 se trouvant dans la partie de traitement de signaux 3, respectivement. Ainsi que le montre la figure 3, la ligne de polarisation 2c3 est disposée parallèlement à la ligne de données 2c2, entre la ligne de données 2c2 et la ligne de données 2c2, La ligne de polarisation 2c3 est électriquement reliée à une source d'alimentation de polarisation non représentée. La source d'alimentation de 10 polarisation non représentée peut être placée, par exemple, sur la partie de traitement de signaux 3 ou analogue. La ligne de polarisation 2c3 n'est pas toujours nécessaire, mais peut être mise en place si nécessaire. Dans le cas où la ligne de polarisation 2c3 n'est pas mise en place, le condensateur de stockage 2b3 et le côté anode de l'élément de 15 conversion photoélectrique 2b1 sont électriquement reliés à la terre au lieu de la ligne de polarisation 2c3. La ligne de commande 2c1, la ligne de données 2c2 et la ligne de polarisation 2c3 peuvent être formées à partir, par exemple, d'un métal à faible résistance tel que l'aluminium et le chrome ou analogues. 20 Une couche de protection 2f recouvre la partie de conversion photoélectrique 2b, la ligne de commande 2c1, la ligne de données 2c2 et la ligne de polarisation 2c3. La couche de protection 2f contient, par exemple, au moins un matériau parmi un matériau isolant de type oxyde, un matériau isolant de type nitrure, un 25 matériau isolant de type oxynitrure et un matériau de type résine. La partie de traitement de signaux 3 se trouve d'un côté du substrat matriciel 2 opposé au scintillateur 5. La partie de traitement de signaux 3 est pourvue du circuit de commande 31 et du circuit de détection de signaux 32. 30 Le circuit de commande 31 commute entre l'état passant et l'état bloqué le transistor en couches minces 2b2. Ainsi que le montre la figure 2, le circuit de commande 31 comporte une pluralité de circuits d'attaque de grille 31a et un circuit de sélection de colonnes 31b. Un signal de commande Si est appliqué depuis la partie de traitement 35 d'image 4 ou analogue, au circuit de sélection de colonnes 31b, Le circuit de sélection de colonnes 31b applique le signal de commande Si au circuit d'attaque de grille correspondant 31a, conformément à une direction de balayage de l'image radiologique. Le circuit d'attaque de grille 31a applique le signal de commande 51 à la ligne de commande correspondante 2c1. Par exemple' le circuit de commande 31 applique le signal de commande Si de façon séquentielle, à chaque ligne de commande 2c1, par le biais de la carte de circuit imprimé souple 2e1. Le transistor en couches minces 2b2 est mis à l'état passant par le signal de commande Si appliqué à la ligne de commande 2c1, et la charge (signal de données d'image 52) provenant de la partie de conversion photoélectrique 2b (condensateur de stockage 2b3) peut être reçue. Dans le mémoire, les données lues lorsque le transistor en couches 10 minces 2b2 est à l'état passant sont dénommées « données d'image S2 » et les données lues lorsque le transistor en couches minces 2b2 est à l'état bloqué sont dénommées « données de correction ». Le circuit de détection de signaux 32 lit la charge (données d'image 52) dans la partie de conversion photoélectrique 2b (condensateur de stockage 2b3) 15 lorsque le transistor en couches minces 2b2 est à l'état passant. Le circuit de détection de signaux 32 convertit de façon séquentielle les données d'image lues S2 (signal analogique) en signaux numériques. Le circuit de détection de signaux 32 lit en outre les données de correction S3, lorsque le transistor en couches minces 2b2 est à l'état bloqué. Le 20 circuit de détection de signaux 32 convertit de façon séquentielle les données de correction lues 53 (signal analogique) en signaux numériques. Le circuit de détection de signaux 32 peut lire les données de correction 53 soit avant de lire les données d'image 52, soit après avoir lu les données d'image 52, soit encore avant de lire les données d'image 52 et après avoir lu les données 25 d'image 52. Le circuit de commande 31 peut appliquer le signal de commande Si commutant l'état passant et l'état bloqué du transistor en couches minces 2b2 pour chaque ligne de la pluralité de lignes de commande 2c1. Le circuit de détection de signaux 32 peut lire les données de correction 53 30 à chaque fois que le signal de commande Si est appliqué. Le circuit de détection de signaux 32 peut attribuer un indice d'image permettant de coupler les données d'image 52 aux données de correction lues 53, soit avant de lire les données d'image pertinentes 52, soit après avoir lu les données d'image pertinentes 52, soit encore avant de lire les données d'image pertinentes 52 35 et après avoir lu les données d'image pertinentes 52. Le circuit de détection de signaux 32 peut également convertir une sortie différentielle des données d'image lues 52 et des données de correction lues 53, en signal numérique et le transmettre à la partie de traitement d'image 4. 10 De cette façon, dès lors que les données d'image corrigées peuvent être introduites dans la partie de traitement d'image 4, les performances en temps réel peuvent être améliorées. Dans le cas où la partie de détection de rayonnement incident 6 détermine que l'incidence du rayon X commence, le circuit de détection de signaux 32 peut en outre lire les données d'image 52 lorsque le transistor en couches minces 2b2 est à l'état passant. Les données d'image 52, les données de correction S3 et l'indice d'image seront décrits dans le détail ultérieurement. Comme décrit précédemment, au cours de l'incidence du rayon X, le courant provenant du transistor en couches minces 2b2 à l'état bloqué circule. Par conséquent, au cours de l'incidence du rayon X, un temps d'échantillonnage (temps du premier signal d'échantillonnage 21) de lecture des données d'image S2 et un temps d'échantillonnage (temps du second signal d'échantillonnage 22) de lecture des données de correction S3 sont de préférence courts. En revanche, après la fin de l'incidence du rayon X, le courant provenant du transistor en couches minces 2b2 à l'état bloqué ne circule pas. Par conséquent, après la fin de l'incidence du rayon X, même si le temps d'échantillonnage de lecture des données d'image 52 et un temps pendant lequel le transistor en couches minces 2b2 est à l'état passant sont allongés, une tache image ne se produit pas. Si le temps d'échantillonnage de lecture des données d'image S2 et le temps pendant lequel le transistor en couches minces 2b2 est à l'état passant sont allongés, la qualité de l'image radiologique peut être améliorée. Dans ce cas, dès lors que le temps d'émission du rayon X est court, le temps d'échantillonnage de lecture des données d'image S2 et le temps pendant lequel le transistor en couches minces 2b2 est à l'état passant après la détection de l'incidence du rayon X peuvent être allongés davantage que le temps d'échantillonnage de lecture des données d'image S2 et le temps d'échantillonnage de lecture des données de correction 53 avant la détection du rayon X. De cette façon, l'apparition de la tache image peut être supprimée et la qualité de l'image radiologique peut être améliorée. La mémoire 7 est électriquement connectée entre le circuit de détection de signaux 32 et la partie de traitement d'image 4. La mémoire 7 sauvegarde temporairement les données d'image 52 et les données de correction 53 converties en signal numérique. À ce stade, il est possible que les données d'image et les données de correction S3 auxquelles un indice d'image est attribué soient sauvegardées. La partie de traitement d'image 4 configure l'image radlologique sur la base 11 des données d'image 52 sauvegardées dans la mémoire 7. La partie de traitement d'image 4 corrige les données d'image 52 à l'aide des données de correction S3. À ce stade, la partie de traitement d'image 4 extrait les données de correction 53 sur la base de l'indice d'image, et peut corriger les données d'image 52 se couplant aux données de correction 53, à l'aide des données de correction extraites SI La partic de traitement d'image 4, la mémoire 7 et la partie de détection de rayons X incidents 6 peuvent être intégrées à la partie de traitement de signaux 3. Le scintillateur 5 se trouve sur une pluralité d'éléments de conversion photoélectrique 2b1 et convertit le rayon X incident en fluorescence. Le 10 scintillateur 5 est mis en place de manière à recouvrir une région (région de pixels effectifs) où se trouve une pluralité de parties de conversion photoélectrique sur le substrat 21). Le scintillateur 5 peut être formé par exemple, à partir d'iodure de césium (CsI)--thailium (Tl), ou d'iodure de sodium (NaI)-thallium (Tl) ou analogues. 15 Dans ce cas, si le scintillateur 5 est formé au moyen d'un procédé de dépôt sous vide ou analogue, le scintillateur 5 constitué d'une pluralité d'agrégations de cristaux colonnaires est formé, Le scintillateur 5 peut également être formé, par exemple, au moyen d'oxysulfure de gadolinium (Gd202S) ou analogue. Dans ce cas, une partie rainure 20 peut être ménagée dans une matrice, de manière à procurer le scintillateur prismatique quadrangulaire 5 à chaque partie de la pluralité de parties de conversion photoélectrique 2b. La partie rainure peut être remplie de gaz atmosphérique (air) ou d'un gaz inactif tel que l'azote gazeux antioxydant. La partie rainure peut également se trouver dans un état sous vide. 25 Par ailleurs, afin d'accroître une efficacité d'utilisation de la fluorescence et d'améliorer des caractéristiques de sensibilité, une couche de réflexion non représentée peut être mise en place de manière à recouvrir un côté de surface (côté de surface d'incidence de rayon X) du scintillateur 5. Afin d'éviter la dégradation des caractéristiques du scintillateur 5 et des 30 caractéristiques de la couche de réflexion du fait de la vapeur d'eau contenue dans l'air, il est possible de mettre en place un corps résistant à l'humidité, non représenté, recouvrant le scintillateur 5 et la couche de réflexion. Ici, le détecteur de rayons X 1 peut configurer l'image radiologique de la manière suivante. 35 Tout d'abord, le circuit de commande 3 fait passer le transistor en couches minces 2b2 à l'état bloqué. Le transistor en couches minces 2b2 passe à l'état bloqué et la charge définie est donc stockée dans le condensateur de stockage 2b3 par le biais de la ligne de polarisation 2c3. Ensuite, lorsque le rayon X est émis, le 12 rayon X est converti en fluorescence par le scintillateur 5. Lorsque la fluorescence est incidente sur l'élément de conversion photoélectrique 2b1, des charges (électron et trou) sont produites par l'effet photoélectrique, les charges produites et les charges stockées (charge hétérogène) se combinent et les charges stockées diminuent. Puis le circuit de commande 31 fait passer les transistors en couches minces 2b2 à l'état passant, de façon séquentielle. Le circuit de détection de signaux 32 lit la charge stockée données d'image 52) dans chaque condensateur de stockage 2b3 en conformité avec le signal d'échantillonnage, par le biais de la ligne de données 2c2. Le circuit de détection de signaux 32 convertit de façon séquentielle 10 les données d'image lues S2 (signal analogique) en signal numérique. Le circuit de détection de signaux 32 convertit une valeur du courant parcourant la ligne de données 2c2, lorsque le transistor en couches minces 2b2 est à l'état bloqué. La mémoire 7 sauvegarde temporairement les données obtenues à l'état passant du transistor en couches minces 2b2, en tant que données d'image S2. La 15 mémoire 7 sauvegarde les données obtenues à l'état bloqué du transistor en couches minces 2b2, en tant que données de correction Si La partie de traitement d'image 4 configure l'image radiologique sur la base des données d'image 52 sauvegardées dans la mémoire 7. La partie de traitement d'image 4 effectue une correction destinée à supprimer la tache image décrite 20 ultérieurement, à l'aide des données de correction S3 sauvegardées dans la mémoire 7, lors de la configuration de l'image radiologique. Les données de l'image radiologique faisant effectuer la correction destinée à supprimer la tache image sont délivrées en sortie de la partie de traitement d'image 4 à un équipement externe ou analogue. 25 Ici, dans un détecteur de rayons X général, l'opération sur l'image commence de la manière suivante. Tout d'abord, l'incidence du rayon X dans le détecteur de rayons X est reconnue au moyen du signal provenant de l'équipement externe, tel qu'une source de rayons X. Ensuite, le transistor en couches minces 2b2 de la partie de conversion photoélectrique 2b effectuant la lecture est mis à l'état 30 passant après l'écoulement d'un temps prédéterminé, et la charge stockée est lue. En d'autres termes, dans le détecteur de rayons X général, l'incidence réelle du rayon X dans le détecteur de rayons X n'est pas détectée. Par conséquent, il est nécessaire de ménager un temps prescrit entre un instant où le signal provenant de l'équipement externe est appliqué et un instant où 35 l'opération de lecture démarre. De ce fait, il se produit un retard ou analogue et un temps de traitement est allongé. Si le transistor en couches minces 2b2 d'un élément à semi-conducteurs est exposé au rayon X, un courant circule entre une électrode de drain 2b2b et une 13 électrode de source 2b2c, même si le transistor en couches minces 2b2 est à l'état bloqué. L'électrode de drain 2b2b du transistor en couches minces 2b2 est électriquement reliée à une ligne de données 2c2. Par conséquent, en fonction d'une différence entre une va tuer du courant parcourant la ligne de données 2c2 lors de l'émission du rayon X et une valeur du courant parcourant la ligne de données 2c2 sans émission de rayon X, un instant de début d'incidence du rayon X peut être détecté. Si l'instant de début de Vincidence du rayon X peut être détecté directement, le retard ou analogue ne se produit pas, et il est donc possible d'éviter d'allonger le temps de traitement. 10 Toutefois, la valeur du courant parcourant la ligne de données 2c2 lorsque le transistor en couches minces 2b2 est à l'état bloqué devient extrêmement faible. En outre, dès lors que l'exposition d'un corps humain à une grande quantité de rayonnement X a un effet néfaste sur la santé, l'exposition du corps humain au rayonnement X est limitée au minimum nécessaire. Par conséquent, dans le cas du 15 détecteur de rayons X utilisé à des fins médicales, l'intensité du rayon X incident est extrêmement faible, et la valeur du courant parcourant la ligne de données 2c2 devient encore plus faible lorsque le transistor 2b2 en couches minces est à l'état bloqué. En conséquence, il est à craindre que si l'instant de début de l'incidence du 20 rayon X est détecté sur la base de la valeur du courant parcourant la ligne de données 2c2 lorsque le transistor en couches minces 2b2 est à l'état bloqué, il soit difficile de détecter avec précision l'instant de début de l'incidence du rayon X. Dès lors, le détecteur de rayons X 1 selon le mode de réalisation est pourvu de la partie de détection de rayons X incidents 6 suivante. 25 La partie de détection de rayons X incidents 6 e.st électriquement reliée au circuit de détection de signaux 32. La partie de détection de rayons X incidents 6 détermine l'instant de début de l'incidence du rayon X sur la base de la valeur du courant parcourant la ligne de données 2c2 électriquement reliée au transistor en couches minces 2b2, lorsque le transistor en couches minces 2b2 est à l'état passant. 30 Plus précisément, la partie de détection de rayons X incidents 6 détermine l'instant de cVbut de l'incidence du rayon X sur la base de la valeur des données d'image 52 lues à l'état passant du transistor en couches minces. Par exemple, la partie de détection de rayons X incidents 6 peut déterminer que le rayon X est incident, dans le cas où la partie de détection de rayons X 6 détecte le courant parcourant la ligne 35 de données 2c2 connectée au transistor en couches minces 2b2 à l'état passant, et où la valeur du courant détecté dépasse une valeur de seuil prescrite. La valeur prescrite peut être réglée au préalable sur la base d'une différence entre la valeur du courant parcourant la ligne de données 2c2 lors de l'émission du rayon X et la valeur 14 du courant parcourant la ligne de données 2c2 sans émission de rayon X. Si le transistor en couches minces 2b2 est à l'état passant, une résistance électrique peut être faible comparativement au cas de l'état bloqué, et la valeur du courant parcourant la ligne de données 2c2 devient donc élevée. Par conséquent, il est aisé de détecter l'instant de début du rayon X. Comme décrit ci-dessus, dans le cas du détecteur de rayons X utilisé à des fins médicales, l'intensité du rayon X incident est extrêmement faible. Cependant, si l'instant de début de l'incidence du rayon X est détecté à l'état passant du transistor en couches minces 2b2, il est possible de détecter avec précision l'instant de début d'incidence du rayon X. 10 Toutefois, dès lors que le courant provenant d'un autre transistor en couches minces 2b2 à l'état bloqué parcourt égaiement la ligne de données 2c2 connectée au transistor en couches minces 2b2 à l'état passant, il se pose un nouveau problème lié à l'apparition de la tache image. Dans ce cas, le courant provenant de l'autre transistor en couches 15 minces 2b2 ne parcourt pas la ligne de données 2c2 connectée au transistor en couches minces 2b2 mis à l'état passant après que l'émission du rayon X s'est terminée. Par conséquent, la tache image peut être supprimée si les données au début de l'incidence du rayon X sont rejetées et que l'image radiologique ne soit configurée qu'à l'aide de données postérieures à l'achèvement de l'émission du 20 rayon X. Néanmoins, de cette façon, du fait que les données au début de l'incidence du rayon X sont perdues, H en résulte une baisse de qualité de l'image radiologique. Ainsi, la partie de détection de rayons X incidents 6 détecte le courant parcourant la ligne de données 2c2 à l'état bloqué avant de faire passer le transistor en couches minces 2b2 à l'état passant et/ou à l'état bloqué après avoir fait passer 25 le transistor en couches minces 2b2 à l'état passant. Comme décrit précédemment, il est considéré que l'apparition de la tache image est principalement causée par le courant provenant du transistor en couches minces 2b2 à l'état bloqué. Par conséquent, si le courant parcourant la ligne de données 2c2 connectée au transistor en couches minces 2b2 à l'état passant est détecté à l'état bloqué avant et/ou après 30 l'état passant, et que les données d'image acquises à l'état passant soient corrigées par les données de correction 53 acquises à l'état bloqué, la tache image peut être radicalement supprimée. De cette façon, du fait que les données d'image 52 au début de l'incidence du rayon X peuvent être utilisées, la baisse de qualité de l'image radiologique peut être supprimée. 35 En d'autres termes, si la partie de détection de rayons X incidents 6 est mise en place, l'instant de début de l'incidence du rayon X peut être détecté et la dégradation de la qualité de l'image radiologique peut être supprimée. La figure 4 est un chronogramme destiné à illustrer la lecture des données 15 d'image S2 et des données de correction 53. La figure 4 représente le cas où n lignes de commande 2c1 et m lignes de données 2c2 sont disposées. Tout d'abord, le premier signal d'échantillonnage 21 est appliqué au circuit 5 de détection de signaux 32 depuis la partie de traitement d'image 4 ou analogue. Comme le montre la figure 4, le premier signai d'échantillonnage 21 est activé et le circuit de détection de signaux 32 démarre donc l'échantillonnage, de la ligne de données (1) à la ligne de données (m). Le premier signal d'échantillonnage 21 est désactivé après l'écoulement du temps prescrit. 10 Par ailleurs, tandis que le premier signal d'échantillonnage 21 est activé, le signal de commande 51 est appliqué à la ligne de commande (1) depuis la partie de traitement d'image 4 ou analogue par le biais du circuit de commande 31. Le signal de commande Si est activé, puis le transistor en couches minces 2b2 électriquement relié à la ligne de commande (1) est mis à ['état passant. Le signal de commande Si 15 est désactivé après l'écoulement du temps prescrit. Le circuit de détection de signaux 32 lit les données d'image 52 de façon séquentielle, de la ligne de données (1) à la ligne de données (m), lorsque le transistor en couches minces 2b2 est à l'état passant. La partie de détection de rayons X incidents 6 détermine l'instant de début 20 de l'incidence du rayon X sur la base de la valeur du courant parcourant la ligne de données 2c2, lorsque le premier signal d'échantillonnage 21 est activé. Ensuite' après que le premier signal d'échantillonnage 21 a été désactivé, le second signal d'échantillonnage 22 est appliqué au circuit de détection de signaux 32 depuis la partie de traitement d'image 4 ou analogue. Le second signal 25 d'échantillonnage 22 est activé, puis le circuit de détection de signaux 32 démarre l'échantillonnage, de la ligne de données (1) à la ligne de données (m). Le second signal d'échantillonnage 22 est désactivé après l'écoulement du temps prescrit. Dans ce cas, le signal de commande Si n'est pas appliqué à la ligne de commande (1), et le transistor en couches minces 2b2 électriquement relié à la ligne 30 de commande (1) reste à l'état bloqué. Le circuit de détection de signaux 32 détecte le courant parcourant la ligne de données (1) à la ligne de données (m), lorsque le transistor en couches minces 2b2 est à l'état bloqué. Ensuite, la procédure ci-dessus est mise en oeuvre de la ligne de 35 commande (2) à la ligne de données (n). Les données ainsi acquises sont sauvegardées dans la mémoire 7. Les données acquises lorsque le transistor en couches minces 2b2 est à l'état passant servent de données d'image 52 de n rangées et m colonnes. Les données acquises 16 lorsque le transistor en couches minces 2b2 est à l'état bloqué servent de données de correction 53 de n rangées et m colonnes. Le cas où les données d'image 52 et les données de correction 53 sont sauvegardées dans la même mémoire 7 est illustré, mais les données d'image 52 et les données de correction 53 peuvent être sauvegardées dans des mémoires séparec.:s. Lorsque les données servant de données d'image 52 et les données servant de données de correction 53 sont sauvegardées dans la mémoire 7, les indices d'image peuvent être attribués. Dans le cas illustré sur la figure 4, un indice 10 d'image TFTon1 est attribué aux données d'image S2, et un indice d'image TFToff1 est attribué aux données de correction S3 se couplant aux données d'image 52. Dans ce cas, l'indice d'image TFTonl représente les données d'image S2 acquises en premier lieu, et TFToff1 représente les données de correction 53 se couplant à celles-ci. Les indices d'image peuvent être attribués aux données, de la ligne de 15 commande (1) à la ligne de commande (n), respectivement. Sur la figure 4, le second signal d'échantillonnage 22 est activé après que le premier signal d'échantillonnage 21 a été désactivé, mais le premier signal d'échantillonnage 21 peut être activé après que le second signal d'échantillonnage 22 a été désactivé. En d'autres termes, sur la figure 4, les données 20 de correction 53 sont acquises après l'acquisition des données d'image 32, mais les données d'image S2 peuvent être acquises après l'acquisition des données de. correction S3. Lorsque le signal de commande Si est appliqué à une ligne de commande, le second signal d'échantillonnage 22, le premier signal d'échantillonnage 21 et le 25 second signal d'échantillonnage 22 peuvent être appliqués au circuit de détection de signaux 32, de façon séquentielle. Dans ce cas, ii est possible que lorsque le signal de commande Si est appliqué à la ligne de signaux suivante, seul le premier signal d'échantillonnage 21 soit appliqué au circuit de détection de signaux 32, et que lorsque le signal de commande 51 est appliqué à la ligne de commande suivante 30 encore, le second signal d'échantillonnage 22, le premier signai d'échantillonnage 21 et le second signal d'échantillonnage 22 puissent être appliqués au circuit de détection de signaux 32, de façon séquentielle. En d'autres termes, il suffit que le premier signal d'échantillonnage 21 et le second signal d'échantillonnage 22 soient appliqués en alternance. 35 Sur la figure 4, ie premier signal d'échantillonnage 21 est activé avant que le signal de commande 51 soit activé, mais le signal de commande Si et le premier signal d'échantillonnage peuvent être activés simultanément, et le premier signal d'échantillonnage 21 peut être activé après l'activation du signal de commande 51. 17 Sur la figure 4, le premier signal d'échantillonnage 21 est désactivé après la désactivation du signal de commande Si, mais le signal de commande Si et le premier signal d'échantillonnage 21 peuvent être désactivés simultanément, et le premier signal d'échantillonnage 21 peut être désactivé avant la désactivation du signal de commande Si. L'application alternée du premier signal d'échantillonnage 21 et du second signal d'échantillonnage 22 (lecture alternée des données d'image S2 et des données de correction 53) est décrite ensuite plus en détail ci-dessous. La figure 5 est une vue schématique destinée à illustrer le courant 10 parcourant la ligne de données 2c2 lorsque le rayon X est émis. Sur la figure 5, un cercle représente un positionnement temporel où le premier signal d'échantillonnage 21 est activé, et une croix représente un positionnement temporel où le second signal d'échantillonnage 22 est activé. Lorsque le détecteur de rayons X 1 est exposé au rayon X, une onde de 15 courant telle qu'illustrée sur la figure 5 parcourt la ligne de données 2c2. Dans ce cas, une variation de valeur de courant par unité de temps devient forte dans une région A ou dans une région C. En revanche, une variation de valeur de courant par unité de temps devient faible dans une région B. Ici, les données de correction 53 décrites précédemment sont acquises 20 favorablement dans la même condition que les données d'image 52, si possible. Par conséquent, le premier signal d'échantillonnage 21 et le second signal d'échantillonnage 22 sont appliqués favorablement dans la région B. Cependant, dès lors que l'on ignore où se situe l'instant de début de l'incidence du rayon X, il est difficile d'appriquer le premier signal 25 d'échantillonnage 21 et le second signal d'échantillonnage 22 dans la région B. Ainsi, dans le détecteur de rayons X 1 selon le mode de réalisation, le premier signal d'échantillonnage 21 et le second signal d'échantillonnage 22 sont appliqués en alternance. Par exemple, dans le cas illustré sur la figure J, comme le montre la figure 4, 30 le premier signal d'échantillonnage 21 se rapportant à la ligne de commande (1) est appliqué, et par la suite le second signal d'échantillonnage 22 est appliqué. Ensuite, le premier signal d'échantillonnage 21 se rapportant à là ligne de commande (2) est appliqué, et par la suite le second signal d'échantilion.nage 22 est appliqué. 35 Au-dessous, de ;a même manière, iC premier signal d'échantillonnage 21 et le second signal d'échantiiionnage 22 sont appliqués en alternance. De cette façon, par rapport à des données d'image, il est possible d'obtenir les données de correction S3 antérieures ou postérieures à celle-ci. Si les données 18 de correction antérieures et postérieures 53 peuvent être acquises, par exemple, une valeur moyenne peut être déterminée. Par conséquent, même si la variation de la valeur de courant par unité de temps est forte, la condition d'acquisition des données de correction 53 peut être proche de la condition d'acquisition des données d'image S2. De ce fait, dès lors que la précision de correction peut_ être améliorée, la tache image peut être aisément supprimée. La figure 6 est un organigramme destiné à illustrer le processus mis en oeuvre par le détecteur de rayons X 1. Comme le montre la figure 6, au cours d'un processus de lecture 28, la ligne 10 de commande 2c1 est balayée, et les données d'image S2 sont lues à l'état passant du transistor en couches minces 2b2. Les données de correction 53 sont lues à l'état bloqué du transistor en couches minces 2b2. Les données d'image S2 et les données de correction 53 de chaque ligne de commande 2c1 sont sauvegardées dans la mémoire 7 avec affectation des indices 15 d'image. Ensuite, l'incidence du rayon X est déterminée sur la base des données d'image S2 sauvegardées dans la mémoire 7. Par exemple, lorsque les numéros d'image dépassant une valeur de seuil prédéterminée sont comptés et que les numéros d'image atteignent une valeur de 20 comptage prédéterminée, il peut être déterminé que le rayon X est incident. Dans ce qui précède, la détermination de l'incidence du rayon X est réalisée à l'aide des données d'image S2, lorsque le transistor en couches minces 2b2 est à l'état passant, mais le signal de la période d'intégration dans le processus de lecture des données d'image 52 à l'état passant du transistor en couches minces 2b2 et la 25 recharge de la charge peuvent être utilisés pour déterminer l'incidence du rayon X. De cette façon, l'incidence du rayon X peut être connue à un stade plus précoce. Lorsqu'il est déterminé que le rayon X n'est pas incident, l'indice d'image est mis à jour et le balayage de la ligne de commande 2c1 est réinitialisé. En d'autres termes, le balayage démarre à partir de la ligne de commande (1) et la procédure 30 ci-dessus est répétée. Lorsqu'il est déterminé que le rayon X est incident, après que le balayage de la ligne de commande 2c1 au cours de la période suivante s'est terminé, au stade où les données d'image 52 et les données de correction 53 sont sauvegardées dans la mémoire 7, la sauvegarde dans la mémoire 7 est interrompue. La sauvegarde dans la 35 mémoire 7 est interrompue, ce qui permet d'éviter que des données d'image S2 déjà sauvegardées et les données de correction 53 ne soient écrasées. Par la suite, les données d'image 52 et les données de correction 53 après l'incidence du rayon X sont extraites sur la base de l'indce d'image attribué au cours. 19 de la période où il est déterminé que le rayon X est incident, et l'image radiologique est configurée par la partie de traitement d'image 4. À ce stade, la tache image est supprimée par correction des données d'image S2 à l'aide des données de correction 53. La suppression de la tache image est décrite ci-dessous plus en détail. Comme décrit précédemment, lorsque la ligne de commande 2c1 est balayée de façon séquentielle à l'état passant du transistor en couches minces 2b2 et que l'incidence du rayon X est déterminée d'après les données d'image 52 obtenues, la tache image se produit. La tache image est considérée comme étant principalement 10 due à ce qui suit. Une pluralité de transistors en couches minces est électriquement reliée à une ligne de données 2c2. Dans le cas où la ligne de commande 2c1 est balayée et où le transistor en couches minces 2b2 électriquement relié à la ligne de commande souhaitée 2c1 est à l'état passant, les transistors en couches minces 2b2 électriquement reliés à d'autres lignes de commande 2c1 sont à l'état bloqué. Si le 15 transistor en couches minces 2b2 est à l'état bloqué, un courant ne circule pas entre l'électrode de source 2b2c et l'électrode de drain 2b2b. Cependant, quand le transistor en couches minces 2b2 est exposé au rayon X ou à la fluorescence convertie par le scintillateur 5, la valeur de résistance entre l'électrode de source 2b2c et l'électrode de drain 2b2 diminue. Si la valeur de résistance diminue, 20 une partie des charges stockées dans le condensateur de stockage 2b3 est libérée vers la ligne de données 2c2 et fait office de courant parcourant la ligne de données 2c2. Il est considéré que la tache image se produit du fait de ce courant. Ici, la valeur de résistance entre l'électrode de source 2b2c et l'électrode de drain 2b2b varie en fonction de la puissance du rayon X incident sur le détecteur de 25 rayons X 1. Par exemple, la puissance du rayon X incident sur le détecteur de rayons X 1 varie considérablement à l'instant de début ou à l'instant de fin de l'incidence du rayon X. Par conséquent, la valeur de résistance entre l'électrode de source 2b2c et l'électrode de drain 2b2b varie elle aussi considérablement à l'instant de début ou à l'instant de fin de l'incidence du rayon X. Dans ce cas, ainsi que 30 l'illustre la figure 5, le courant parcourant la ligne de données 2c2 varie lui aussi considérablement. Afin de supprimer efficacement la tache image, dans le cas où ie transistor en couches minces 2b2 électriquement relié à la liane de commande souhaitée 2c1 est à l'état passant, il est nécessaire de connaître la variation de valeur de résistance 35 du transistor en couches minces 2b2 à l'état bloqué, électriquement relié à d'autres lignes de commande 2c1. Comme décrit précédemment, si à un positionnement temporel antérieur et postérieur à la mise à l'état passant du transistor en couches minces 2b2 (activation 20 du premier signal d'échantillonnage), tous les transistors en couches minces 2b2 sont à l'état bloqué, que le second signal d'échantillonnage 22 soit activé, et que des courants parcourant toutes !es lignes de données 2c2 soient détectés, il est possible de connaître la variation de valeur de résistance. Si [es données de correction S3 produites à partir des courants sur toutes les lignes de données 2c2 sont utilisées, la tache image peut être supprimée efficacement. Le nombre de lignes de données 2c2 du détecteur de rayons X général n'est pas inférieur à 500, mais bon nombre de transistors en couches minces 2b2 sont à 10 l'état bloqué, et la tache image peut donc être corrigée avec précision. Si la correction est apportée au cours de la procédure ci-dessus, il est possible de corriger la tache image en temps réel. Si le temps d'activation du premier signal d'échantillonnage 21 et du second signal d'échantillonnage 22 est modifié, la valeur de l'intégrale de courant illustrée 15 sur la figure 5 varie. En revanche, la valeur de l'intégrale de courant illustrée sur la figure 5 est sans rapport avec une durée pendant laquelle le transistor en couches minces 2b2 est à l'état passant (temps d'activation du signal de commande 51 Lorsque le premier signal d'échantillonnage 21 est activé, l'intégration du courant parcourant la ligne de données 2c2 commence, et lorsque le premier signal 20 d'échantillonnage 21 est désactivé, l'intégration prend fin. La valeur de courant qui circule pendant le temps d'activation du premier signal d'échantillonnage 21 est intégrée pour être délivrée sous forme de signal numérique (valeur d'intégrale de courant). Il est à craindre que la qualité de l'image radiologique se dégrade, à moins 25 que le temps pendant lequel le transistor en couches minces 2b2 est à l'état passant ne soit allongé dans une certaine mesure. Toutefois, pendant que le rayon X est émis, il n'est pas nécessaire d'allonger le temps au cours duquel le transistor en couches minces 2b2 est à l'état passant, et il est préférable de raccourcir le temps au cours duquel le transistor en couches minces 2b2. est à l'état passant et de diminuer la 30 valeur de l'intégrale de courant afin de diminuer l'influence du courant de fuite. En revanche, après que l'émission du rayon X s'est achevée, il n'y a pas de courant de fuite, et il est donc préférable d'allonger le temps au cours duquel le transistor en couches minces 2b2 est à l'état passant. Dans ce cas, dès lors que le temps d'émission du rayon X est court, le temps 35 d'échantillonnage aux fins de la lecture des données d'image S2 et le temps pendant lequel le transistor en couches minces 2b2 est à l'état passant après que l'incidence du rayon X a été détectée peuvent être plus longs que le temps d'échantillon.nage aux fins de la lecture des données d'image S2 et le temps d'échantillonnage aux fins 21 de la lecture des données de correction 53 avant que l'incidence du rayon X ne soit détectée. De cette façon, l'apparition de la tache image peut être supprimée et la qualité de l'image radiologique peut être améliorée. La figure 7 est un organigramme destiné à illustrer un autre processus. Comme le montre la figure 7, dans le cas où il est détermine que le rayon X n'est pas incident, un processus d'attente 29 destiné à attendre pendant un temps défini peut être mis en oeuvre avant le retour à un processus de lecture 28. Au cours du processus d'attente 29, le balayage de la ligne de 10 commande 2c1 et l'acquisition des données d'image S2 ainsi que des données de correction S3 sont interrompus. Dans le cas où le rayon X est émis dans l'état du processus d'attente 29, la ligne de commande 2c1 n'est pas balayée, et la tache image due à la variation de la valeur de résistance décrite ci-dessus ne se produit pas. Dans ce cas, il est possible 15 de décider si la correction des données d'image S2 est nécessaire ou non, sur la base des données de correction S3 au cours du processus de lecture 28. Bien que certains modes de réalisation aient été décrits, ces modes de réalisation n'ont été présentés qu'à titre d'exemple, et ne sont pas destinés à limiter la portée des inventions. En effet, les nouveaux modes de réalisation décrits ici 20 peuvent être mis en oeuvre sous diverses autres formes ; en outre, diverses omissions, substitutions et modifications sont possibles relativement à la forme des modes de réalisation décrits ici, sans s'écarter de l'esprit des inventions. Les revendications annexées et leurs équivalents sont destinés à couvrir les formes ou modifications qui s'inscrivent dans la portée et l'esprit de l'invention. En outre, REVENDICATIONS1. Détecteur de rayonnement comprenant : un substrat (2) ; une pluralité de lignes de commande (2c1) disposées sur le substrat et s'étendant dans une première direction ; une pluralité de lignes de données (2c2) disposées sur le substrat et s'étendant dans une seconde direction croisant la première direction ; une pluralité de parties de détection (2b) comportant un transistor en couches minces (2b2) électriquement relié aux lignes de commande correspondantes et aux lignes de données correspondantes, et détectant un rayonnement directement ou en coopération avec un scintillateur (5) ; un circuit de commande (31) commutant un état passant et un état bloqué du transistor en couches minces ; un circuit de détection de signaux (32) lisant des données d'image à l'état passant du transistor en couches minces ; et une partie de détection de rayonnement incident (6) déterminant un instant de début d'incidence de rayonnement sur la base d'une valeur des données d'image lues à l'état passant du transistor en couches minces. 2. Détecteur de rayonnement selon la revendication 1, dans lequel : le circuit de détection de signaux lit en outre des données de correction, à l'état bloqué du transistor en couches minces. 3. Détecteur de rayonnement selon la revendication 2, dans lequel : le circuit de détection de signaux lit les données de correction avant de lire les données d'image et/ou après avoir lu les données d'image. 4. Détecteur de rayonnement selon la revendication 2 ou 3, dans lequel : le circuit de commande applique un signal de commande commutant l'état passant et l'état bloqué du transistor en couches minces, à chaque ligne de la pluralité de lignes de commande, et le circuit de détection de signaux lit les données de correction à chaque fois que le signal de commande est appliqué. Détecteur de rayonnement selon l'une des revendications 1 à 4, 23 comprenant en outre : une partie de traitement d'image configurant une image radiologique sur la base des donnes d'image, la partie de traitement d'image corrigeant les données d'image à l'aide des données de correction. 6. Détecteur de rayonnement selon l'une des revendications 2 à 5, dans lequel : le circuit de détection de signaux attribue des indices d'image permettant de coupler : les données d'image et les données de correction lues avant la lecture des données d'image pertinentes et/ou après la lecture des données d'image pertinentes et/ou avant la lecture des données d'image pertinentes et après la lecture des données d'image pertinentes, 7. Détecteur de rayonnement selon la revendication 6, dans lequel la partie de traitement d'image extrait les données de correction sur la base d'indices d'image, et corrige les données d'image à coupler, à l'aide des données de correction extraites. 8. Détecteur de rayonnement selon l'une des revendications 2 à 4, dans lequel le circuit de détection de signaux convertit une sortie différentielle entre les données d'image lues et les données de correction lues, en un signal numérique. 9. Détecteur de rayonnement selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel : lorsque la partie de détection de rayonnement incident détermine que l'incidence du rayonnement commence, le circuit de détection de signaux lit en outre des données d'image à l'état passant du transistor en couches minces. 10. Détecteur de rayonnement selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel un temps d'échantillonnage aux fins de la lecture des données d'image et un temps pendant lequel le transistor en couches minces est à l'état passant après que l'incidence du rayonnement a été détectée sont plus longs qu'un temps d'échantillonnage aux fins de la lecture des données d'image et un temps d'échantillonnage aux fins de la lecture des données de correction avant que l'incidence du rayonnement ne soit détectée.