Brevet FR3055063A1 — publié le 20180216

PROCEDE DE TRANSFERT D'UNE COUCHE UTILE DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne un procédé de transfert d'une couche utile. ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L'INVENTION On connaît du document FR3020175 un procédé de transfert d'une couche utile 3 sur un substrat support 4, représenté sur la figure 1, ce procédé comprenant les étapes principales 15 suivantes : - dans une étape a), la formation d'un plan de fragilisation 2 par implantation d'espèces légères dans un premier substrat 1 de manière à former une couche utile 3 entre ce plan et une surface du premier 20 substrat ; - dans une étape b), l'application du support 4 sur la surface du premier substrat 1 pour former un ensemble à fracturer 5 présentant deux faces exposées Sl, S2 ; - dans une étape c), le traitement thermique de 25 fragilisation de l'ensemble à fracturer 5 ; - dans une étape d), l'initiation et propagation auto- entretenue d'une onde de fracture dans le premier substrat 1 le long du plan de fragilisation 2. 30 Selon ce document, des vibrations acoustiques sont émises lors de l'initiation et/ou lors de la propagation de l'onde de fracture. L'interaction entre la propagation de l'onde de fracture et ces vibrations acoustiques, conduit à la formation de motifs périodiques de variations d'épaisseur de la couche 35 utile formée, qui s'étendent sur toute la surface de cette couche. En d'autres termes, l'onde de fracture est déviée verticalement de son plan de progression selon l'état des contraintes instantanées du matériau qu'elle traverse, cet 3055063 2 état de contrainte étant influencé par l'onde acoustique. La figure 2 représente ainsi les motifs de variations d'épaisseur d'une couche utile transférée selon le procédé qui vient d'être présenté. Dans l'exemple représenté, les motifs 5 comprennent des motifs latéraux et circulaires (respectivement désignés a et b sur cette figure). Ces motifs ont été rendus apparents par la mesure de bruit de fond diffus (« haze » selon la terminologie anglo-saxonne communément employée) correspondant à l'intensité de la lumière diffusée par la 10 surface de la couche, à l'aide de l'outil d'inspection SurfscanTM de la société KLA-Tencor. On pourra se référer à l'article « Seeing through the haze », de F. Holsteyns, Yield Management Solution, Spring 2004, pp50-54 pour une information plus complète sur cette technique d'inspection. Pour remédier à ce problème, le document précité prévoit de munir l'ensemble à fracturer d'élément absorbant pour capter et dissiper l'onde acoustique émise, et prévenir ou limiter la formation de ces motifs de variation d'épaisseur de la couche utile. Bien que ce procédé soit tout à fait efficace, il nécessite toutefois la mise en oeuvre d'un élément absorbant sur l'une au moins des faces de l'ensemble à fracturer, ce qui complexifie le procédé de transfert de la couche utile. OBJET DE L'INVENTION Un but de l'invention est de proposer un procédé simple 30 de transfert d'une couche utile, cette couche utile présentant un motif de variations d'épaisseur d'étendue réduite. BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION 35 En vue de la réalisation de ce but, l'objet de l'invention propose un procédé de transfert d'une couche utile sur un support comprenant les étapes suivantes de : 3055063 3 - formation d'un plan de fragilisation par implantation d'espèces légères dans un premier substrat, de manière à former une couche utile entre ce plan et une surface du premier substrat ; 5 - application du support sur la surface du premier substrat pour former un ensemble à fracturer; - traitement thermique de fragilisation de l'ensemble à fracturer; - initiation et propagation d'une onde de fracture dans le 10 premier substrat le long du plan de fragilisation. Le procédé est remarquable en ce que l'initiation de l'onde de fracture est située dans une zone centrale du plan de fragilisation et en ce que la vitesse de propagation de 15 l'onde de fracture est contrôlée pour présenter une vitesse suffisante et limiter les interactions de l'onde de fracture avec des vibrations acoustiques émises lors de son initiation et/ou de sa propagation. 20 L'invention permet de confiner la formation des motifs périodiques de variation d'épaisseur à une partie seulement de la couche utile. 25 Selon d'autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l'invention, prises seules ou selon toute combinaison techniquement réalisable : - le premier substrat est en silicium et la propagation de l'onde de fracture est contrôlée pour présenter une vitesse supérieure à 2 km/s ; - la propagation de l'onde de fracture est contrôlée pour présenter une vitesse comprise entre 2km/s et 4,5km/s, préférentiellement entre 3,8km/s et 4,2km/s ; - l'initiation de l'onde de fracture est obtenue par application d'un traitement thermique et le contrôle de 3055063 4 la vitesse de propagation est obtenu en choisissant la température de ce traitement thermique ; - la température de traitement thermique de fragilisation 5 est supérieure à 400° ou à 500°C ; - l'initiation de l'onde de fracture est provoquée par une amorce de fracture disposée dans la zone centrale du plan de fragilisation, ou à proximité de cette zone centrale ; 10 - l'amorce de fracture est formée d'un volume présentant un excès d'espèces légères comparativement à la concentration moyenne dans le plan de fragilisation ; 15 - l'amorce de fracture est formée d'une cavité ou d'un corps disposé à l'interface entre le premier substrat et le support au droit de la zone centrale du plan de fragilisation ; 20 - l'onde de fracture est initiée par un apport d'énergie localisée au niveau de la zone centrale du plan de fragilisation ; - les interactions de l'onde de fracture avec les 25 vibrations acoustiques forment des motifs périodiques de variation d'épaisseur de la couche utile qui sont confinés dans une zone périphérique de la couche utile ; - le premier substrat est formé d'une plaquette en forme de 30 disque, et dans lequel la zone centrale comprend le centre géométrique de la plaquette ; - la zone périphérique est formée d'une zone annulaire dont le rayon du cercle interne est supérieur à 2/3, et 35 préférentiellement supérieure à 80%, du rayon du premier substrat ; 3055063 5 - la zone périphérique est entièrement comprise dans une zone d'exclusion de la couche utile. 5 BREVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description détaillée de l'invention qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquels : 10 - La figure 1 représente un procédé de transfert d'une couche utile selon l'état de la technique ; - la figure 2 représente une vue du bruit de fond diffus 15 émis par une couche utile de l'état de la technique faisant apparaître les motifs périodiques de variation d'épaisseur; - la figure 3 représente un graphe de la relation 20 expérimentale reliant la vitesse de l'onde de fracture et la vitesse de l'onde acoustique ; - La figure 4 représente un procédé de transfert d'une couche utile conforme à l'invention ; 25 - La figure 5a représente une vue du bruit de fond diffus émis par une couche utile obtenue par un procédé conforme à l'invention ; 30 - La figure 5b représente une vue d'une couche utile obtenue par simulation d'un procédé conforme à l'invention. 35 DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION Les inventeurs de la présente demande ont étudié avec grande précision les phénomènes décrits en relation avec la 3055063 6 présentation de l'état de la technique pour proposer un procédé original de transfert d'une couche utile. Selon cette approche originale, il n'est pas recherché de limiter le développement de l'onde acoustique, par exemple en la captant 5 et/ou en l'absorbant, mais de limiter son interaction avec l'onde de fracture. On confine ainsi la formation des motifs périodiques de variation d'épaisseur à une partie seulement de cette couche. 10 Les inventeurs ont ainsi noté que l'onde acoustique se propageait, à partir du point d'initiation de la fracture, à une vitesse supérieure à celle de l'onde de fracture, et que l'origine du motif ondulatoire provenait des interférences issues de la rencontre entre l'onde de fracture et les 15 réflexions, sur les extrémités de l'ensemble à fracturer, de l'onde acoustique. Pour limiter ces interférences, l'invention propose d'une part d'éloigner le point d'initiation de la fracture des 20 extrémités de l'ensemble à fracturer, c'est-à-dire de placer ce point d'initiation à distance des bords des substrats, au niveau d'une zone centrale du plan de fragilisation. On retarde ainsi, à partir du moment d'initiation de fracture, l'instant auquel l'onde acoustique réfléchie rencontre l'onde 25 de fracture. Simultanément, l'invention propose de contrôler la vitesse de propagation de l'onde de fracture. Celle-ci est choisie suffisamment élevée pour que la zone de rencontre 30 entre l'onde de fracture et l'onde acoustique réfléchie (qui présentera les motifs périodiques de variation d'épaisseur de la couche utile) soit confinée dans une zone périphérique de l'ensemble à fracturer. Dans les situations les plus favorables, en particulier si la vitesse de l'onde de fracture 35 est suffisamment élevée, cette zone périphérique peut être comprise dans une zone d'exclusion de la couche utile, c'est-à-dire une zone où il n'est généralement pas prévu de former des composants. Cette zone d'exclusion peut avoir une étendue 3055063 7 de 0,5 à 2 ou 3 millimètres en périphérie de la couche utile. La surface de la couche utile non comprise dans la zone périphérique est quant à elle essentiellement exempte de motifs périodiques et présente donc les caractéristiques 5 requises d'uniformité d'épaisseur. On notera que le principe de l'invention repose sur l'hypothèse, vérifiée par les inventeurs de la présente demande, que la vitesse de propagation de l'onde acoustique 10 n'est pas directement liée (par exemple proportionnellement) à la vitesse de propagation de l'onde de fracture. En effet, si on considère un ensemble à fracturer de contour circulaire et de rayon R, que l'on note Vg la vitesse 15 de l'onde acoustique dans le plan défini par l'ensemble à fracturer et Vf la vitesse de l'onde de fracture, alors la distance d entre le centre de l'ensemble à fracturer (d'où s'initie la fracture) et le lieu de rencontre des deux ondes satisfait l'équation : 20 d/Vf = (2R-d)/Vg en posant qu'au lieu de rencontre, l'onde de fracture a parcouru une distance d à la vitesse Vf et l'onde acoustique 25 réfléchie a parcouru la distance (2R - d) à la vitesse Vg. On peut ainsi déterminer que cette distance d satisfait l'équation : d =2R/(1+Vg/Vf) 30 On note donc que cette distance d peut être contrôlée et s'approcher au plus près de R, dans la mesure où le ratio Vg/Vf peut-être lui-même contrôlé pour s'approcher de 1. 35 La figure 3 présente des résultats d'expérimentation réalisée par les inventeurs en préparation de la présente invention, présentant le rapport Vg/Vf pour différentes vitesses Vf de l'onde de fracture. Ces mesures ont été 3055063 8 obtenues lorsque le procédé de transfert de couche est appliqué à un premier substrat en silicium. On observe qu'il est possible de choisir le ratio Vg/Vf 5 dans une large gamme comprise entre 1 et 2, en choisissant la valeur de la vitesse de l'onde de fracture Vf. Pour une faible vitesse de l'onde de fracture, de l'ordre de lkm/s, la vitesse de l'onde acoustique est près de 2 fois supérieure (Vg/Vf proche de 2). En conséquence, la zone de rencontre est une 10 zone annulaire dont le rayon interne est égal à 2/3 du rayon R de l'ensemble à fracturer. Pour une vitesse élevée de l'onde de fracture, la vitesse de l'onde acoustique est légèrement supérieure à celle 15 de l'onde de fracture (Vg/VF proche de 1). La zone de rencontre est alors confinée à une zone annulaire dont le rayon interne est très proche du rayon R de l'ensemble à fracturer, et donc quasiment inexistant. 20 Sur la base de cette étude, l'invention propose un procédé de transfert d'une couche utile 3 sur un support 4 comprenant les étapes représentées sur les figures 4a à 4d. 25 Dans une première étape a), représentée sur la figure 4a, on forme un plan de fragilisation 2, par exemple par implantation d'espèces légères dans le premier substrat 1. Le premier substrat 1 peut être en silicium, ou en tout autre matériau semi-conducteur ou non. Il peut s'agir par exemple de 30 germanium, de nitrure de gallium, de tantalate de lithium, de saphir. Des couches peuvent avoir été disposées préalablement en surface par dépôt ou par traitement thermique. Il peut s'agir d'une couche de dioxyde de silicium, obtenue par oxydation thermique d'une plaquette en silicium ou d'une 35 couche obtenue par dépôt épitaxial de toute nature : SiGe ; InGaN ; AlGaN, Ge, etc. 3055063 9 Le premier substrat 1 peut avoir la forme d'une plaquette, circulaire, de dimension normalisée, par exemple de 200 mm ou 300 mm, voire 450 mm de diamètre. Mais l'invention n'est nullement limitée à ces dimensions ou à cette forme. 5 Quant aux espèces légères, il peut s'agir de toutes espèces aptes à fragiliser le premier substrat 1 au niveau de son plan de fragilisation. Il peut notoirement s'agir d'hydrogène et/ou d'hélium. 10 Le plan de fragilisation 2 délimite avec une surface du premier substrat la couche utile 3. Dans une seconde étape b), on applique ensuite un 15 support 4 sur la surface du premier substrat 1 pour former l'ensemble à fracturer 5. Le support peut être constitué d'une plaquette de silicium, ou d'un substrat en tout autre matériau et de toute forme, par exemple en saphir ou en verre. Comme pour le premier substrat 1, le support 4 peut avoir été 20 préalablement muni de couches superficielles de toute nature. L'application du support 4 sur la surface du premier substrat peut être réalisée par toute méthode d'assemblage direct : par adhésion moléculaire, par thermo compression, par 25 collage électrostatique, etc. Il peut également comprendre l'application d'une couche adhésive sur le support 4 et/ou le premier substrat 1, telle qu'une colle. L'application du support 4 peut également correspondre au dépôt d'un matériau à la surface du premier substrat 1, la couche déposée formant le 30 support 4. Dans une étape suivante c), on applique ensuite à l'ensemble à fracturer 5 un traitement thermique de fragilisation. Ce traitement thermique fragilise le premier 35 substrat 1 au niveau de son plan de fragilisation 2, et fournit l'énergie suffisante pour que l'onde de fracture, une fois initiée, se propage de manière auto-entretenue. Ce traitement thermique est typiquement compris entre 150°C et 3055063 10 600°C pendant une durée de 30 minutes à 8 heures, par exemple pendant 4 heures à 400°C. Dans une première variante de mise en oeuvre, le 5 traitement thermique est suffisant à lui seul pour initier l'onde de fracture. A l'issue du traitement thermique, la couche utile 3 est entièrement détachée du premier substrat 1, comme représenté sur la figure 4d. 10 Dans une seconde variante de mise en oeuvre, correspondant à la figure 4c', le procédé comprend un apport additionnel localisé, après ou pendant le traitement thermique de fragilisation, pour initier l'onde de fracture. Cette énergie peut être d'origine mécanique, thermique ou de toute 15 autre origine. Il peut s'agir par exemple d'un chauffage localisé réalisé par un laser, ou d'un apport d'énergie par ultrasons. Quelle que soit la variante mise en oeuvre, l'onde de 20 fracture, une fois initiée, se propage de manière auto-entretenue pour détacher et transférer la couche utile 2 sur le support 4, comme cela est représenté en étape d) de la figure 4. 25 Selon l'invention, l'initiation de l'onde de fracture qui se produit au cours d'une des étapes représentées sur les figures 4c et 4c', est située dans une zone centrale du plan de fragilisation 2. Cette initiation dans la zone centrale est symbolisée sur ces figures par des flèches épaisses. 30 Il n'est pas nécessaire que l'onde de fracture soit précisément initiée au centre géométrique de ce plan 2. Ainsi, la zone centrale d'initiation peut correspondre à une surface circulaire centrée sensiblement sur le centre géométrique du 35 plan de fragilisation. Cette surface peut correspondre à 20%, 10 % ou 5 % de la surface totale du plan de fragilisation 2. Comme on l'a présenté précédemment, lorsque la fracture est initiée au niveau d'un point de cette zone, elle est 3055063 11 suffisamment distante des bords de l'ensemble à fracturer 5 pour retarder l'instant auquel l'onde de fracture interagit avec l'onde acoustique réfléchie. 5 Plusieurs approches sont possibles pour provoquer l'initiation de la fracture dans cette zone centrale. Il est ainsi possible de disposer une amorce de fracture dans cette zone ou à proximité de cette zone, dans une étape préalable à l'étape de traitement thermique. Au cours de cette étape, 10 l'amorce de fracture forme un lieu privilégié d'initiation de cette fracture. Cette amorce peut ainsi être formée en introduisant des espèces légères dans le premier substrat 1 au niveau de la 15 zone centrale du plan de fragilisation 2. On forme de la sorte un volume, définissant l'amorce, présentant un excès d'espèces légères comparativement à la concentration moyenne du plan de fragilisation 2. Cet excès d'espèces légères peut être introduit avant, pendant ou après l'étape de formation du plan 20 de fragilisation 2. L'amorce peut présenter une dimension principale de 10 nm à quelques millimètres. Les espèces en excès peuvent être introduites dans le premier substrat 1 par implantation localisée, avec ou sans masquage préalable de ce substrat 1. À titre d'exemple, une implantation localisée 25 d'hydrogène sur une surface de 1 mm de diamètre, d'une dose (additionnelle à celle formant le plan fragilisation) de 1e16 at/cm2 permet d'y initier la fracture au cours de l'étape de traitement thermique de fragilisation, précisément au niveau de cette zone surimplantée formant l'amorce. 30 L'amorce peut également être formée au niveau de l'interface d'assemblage du premier substrat 1 et du support 4, au droit de la zone centrale du plan de fragilisation 2. Elle peut consister en une cavité, par exemple formée par 35 gravure, en surface du premier substrat 1 ou du support 4, ou encore en un corps de dimensions réduites disposé à cette interface. La présence de ce corps ou de cette cavité engendre des contraintes locales au cours du traitement thermique de 3055063 12 fragilisation favorisant l'initiation de l'onde de fracture dans la zone centrale, comme cela est par exemple exposé dans le document US2010330779. 5 Dans le cas où l'onde de fracture est provoquée au cours de l'étape de traitement thermique de fragilisation par la présence d'une amorce, ce traitement thermique peut être appliqué uniformément à l'ensemble à fracturer 5. 10 Dans une variante à l'insertion d'une amorce de fracture, ou en complément, l'initiation peut être provoquée par un apport local d'énergie au niveau de la zone centrale pendant ou après l'étape de traitement thermique de fragilisation. Il peut ainsi s'agir de configurer l'équipement 15 de traitement thermique pour que la zone centrale reçoive, pendant ce traitement, une énergie thermique supérieure à celle reçue par la zone périphérique. Il peut également s'agir d'appliquer localement 20 l'énergie par un faisceau lumineux (un laser par exemple) ou un faisceau de particules (ions, électrons). Il peut s'agir encore d'appliquer au niveau de la zone centrale un apport d'énergie d'origine mécanique comme par 25 exemple des vibrations transmises par un générateur ultrason, par exemple piézo-électrique. Dans ces deux derniers exemples, l'application locale d'énergie peut être réalisée au cours de l'étape de traitement 30 thermique de fragilisation ou au cours d'une éventuelle étape additionnelle dédiée à cette application locale d'énergie. Quel que soit le mode de mise en oeuvre choisi pour initier la fracture au niveau de la zone centrale du plan de 35 fragilisation 2, l'invention comprend également le contrôle de la vitesse de propagation de l'onde de fracture pour qu'elle présente une vitesse suffisante, limitant les interactions 3055063 13 avec les vibrations acoustiques émises lors de son initiation et/ou de sa propagation. Comment on l'a exposé précédemment, une vitesse 5 suffisante permet de confiner ces interactions dans une zone périphérique. On confine de la sorte les motifs périodiques de variation d'épaisseur à cette zone périphérique de la couche utile 3. Ainsi, lorsque le premier substrat est en silicium, il est avantageux que la propagation de l'onde de fracture 10 soit contrôlée pour présenter une vitesse supérieure à 2 km/s et préférentiellement compris entre 2 et 4,5 km/s ou encore plus préférentiellement égale ou proche de 4 km/s, par exemple entre 3,8 et 4,2 km/s. 15 Suivant la méthode d'initiation de fracture qui a été choisie (thermique et/ou mécanique) on pourra choisir les paramètres opérationnels de cette méthode pour contrôler la vitesse de propagation de l'onde de fracture. À ce titre on pourra se faire aider du dispositif de mesure de la vitesse 20 d'onde de fracture décrit dans le document W02013140065. Ainsi, lorsque l'initiation de la fracture est obtenue en température, on pourra par exemple se référer au document « fracture dynamics in implanted silicon » de D. Massy et Al, 25 Applied Physics Letters 107 (2015), pour choisir la température permettant d'obtenir la vitesse d'onde de fracture visée. En particulier, on pourra choisir une température supérieure à 400°C ou à 500°C. Ce document présente une méthodologie permettant de relier la vitesse de propagation de 30 l'onde de fracture suivant les paramètres opérationnels de fragilisation et/ou d'initiation de l'onde. Il rapporte en particulier que, dans le cas d'un premier substrat en silicium, la vitesse de propagation de l'onde de fracture peut être contrôlée entre environ 1 km/s et 4 km/s lorsque la 35 température au moment de l'initiation de la fracture varie entre environ 300° et 700°. 3055063 14 La figure 5a représente une vue du bruit de fond diffus émis par une couche utile obtenue par un procédé conforme à l'invention. 5 La couche utile 3 de la figure 5a résulte d'un procédé comprenant une étape de formation d'une amorce de fracture par implantation d'une dose de 1.10^16 at/cm2 d'hydrogène au centre géométrique d'un premier substrat constitué d'une plaquette de silicium. Après assemblage à un support également constitué 10 d'une plaquette de silicium, la fracture s'est initiée au niveau de l'amorce au cours d'un traitement thermique de fragilisation mené à 350°C pendant 30 heures. L'onde de fracture s'est propagée à une vitesse de l'ordre de 2.8 km /s. 15 On observe que la couche utile représentée sur cette figure 5a présente des motifs périodiques de variation d'épaisseur qui sont confinés à une zone annulaire périphérique dont le rayon du cercle intérieur est plus grand 20 que 80% du rayon de la couche utile. La surface centrale de la couche utile est quant à elle exempte de motifs périodiques de variation d'épaisseur. La figure 5b représente quant à elle une vue d'une 25 couche utile obtenue par simulation d'un procédé conforme à l'invention, lorsque l'onde de fracture est propagée à 4km/s. On observe sur cette représentation de la couche utile 3, que celle-ci présente en périphérie, une zone annulaire 30 très étroite comprenant les motifs périodiques de variation d'épaisseur. Cette dernière figure illustre parfaitement le bénéfice qu'il est possible de retirer de la présente invention pour 35 former une couche utile présentant des propriétés d'uniformité améliorées. REVENDICATIONS1 Procédé de transfert d'une couche utile (3) sur un support (4) comprenant les étapes suivantes de : - formation d'un plan de fragilisation (2) par implantation d'espèces légères dans un premier substrat (1), de manière à former une couche utile (3) entre ce plan (2) et une surface du premier substrat (1) ; - application du support (4) sur la surface du premier substrat (1) pour former un ensemble à fracturer (5); - traitement thermique de fragilisation de l'ensemble à fracturer (5) ; - initiation et propagation d'une onde de fracture dans le premier substrat (1) le long du plan de fragilisation (2) ; le procédé étant caractérisé en ce que l'initiation de l'onde de fracture est située dans une zone centrale du plan de fragilisation (2) et en ce que la vitesse de propagation de l'onde de fracture est contrôlée pour présenter une vitesse suffisante et limiter les interactions de l'onde de fracture avec des vibrations acoustiques émises lors de son initiation et/ou de sa propagation. 2. Procédé selon la revendication 1 dans lequel le premier substrat (1) est en silicium et dans lequel la propagation de l'onde de fracture est contrôlée pour présenter une vitesse supérieure à 2 km/s. 3. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la 30 propagation de l'onde de fracture est contrôlée pour présenter une vitesse comprise entre 2km/s et 4,5km/s. 4. Procédé selon la revendication 2 dans lequel la propagation de l'onde de fracture est contrôlée pour présenter une 35 vitesse comprise entre 3,8km/s et 4,2km/s. 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel l'initiation de l'onde de fracture est obtenue par 3055063 16 application d'un traitement thermique et dans lequel le contrôle de la vitesse de propagation est obtenu en choisissant la température de ce traitement thermique. 5 6. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la température de traitement thermique de fragilisation est supérieure à 400° ou à 500°C. 7. Procédé selon l'une de revendications précédentes dans lequel 10 l'initiation de l'onde de fracture est provoquée par une amorce de fracture disposée dans la zone centrale du plan de fragilisation (2), ou à proximité de cette zone centrale. 8. Procédé selon la revendication précédente dans lequel 15 l'amorce de fracture est formée d'un volume présentant un excès d'espèces légères comparativement à la concentration moyenne dans le plan de fragilisation (2). 9. Procédé selon la revendication 7 dans lequel l'amorce de 20 fracture est formée d'une cavité ou d'un corps disposé à l'interface entre le premier substrat (1) et le support (5) au droit de la zone centrale du plan de fragilisation (2). 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6 dans lequel 25 l'onde de fracture est initiée par un apport d'énergie localisée au niveau de la zone centrale du plan de fragilisation (2). 11. Procédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel les interactions de l'onde de fracture avec les vibrations acoustiques forment des motifs périodiques de variation d'épaisseur de la couche utile qui sont confinés dans une zone périphérique de la couche utile (3). 12. Procédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel le premier substrat (1) est formé d'une plaquette en forme de disque, et dans lequel la zone centrale comprend le centre géométrique de la plaquette. 3055063 17 13. Procédé selon les revendications 11 et 12 dans lequel la zone périphérique est formée d'une zone annulaire dont le rayon du cercle interne est supérieur à 2/3, et 5 préférentiellement supérieure à 80%, du rayon du premier substrat (1). 14. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la zone périphérique est entièrement comprise dans une zone 10 d'exclusion de la couche utile (3).