Brevet FR3055944A1 — publié le 20180316

CONVERTION LUMINEUSE POUR UNE SOURCE LUMINEUSE DE HAUTE RESOLUTION DOMAINE DE L'INVENTION L'invention se rapporte au domaine des modules lumineux de véhicule terrestre, c'est-à-dire des modules pouvant être intégrés à un dispositif lumineux du véhicule et permettant, lors de l'utilisation du véhicule, de projeter de la lumière éclairant la route ou l'habitacle et/ou permettant au véhicule de se rendre plus visible. Des exemples de tels dispositifs lumineux sont les feux de position ou les feux de croisement et/ou route (communément appelés « phares »). ARRIERE-PLAN Un véhicule terrestre est équipé de dispositifs lumineux, notamment d'éclairage et/ou de signalisation, tels que des projecteurs avants ou feux arrières, destinés à illuminer la route devant le véhicule, la nuit ou en cas de luminosité réduite. Ils peuvent aussi servir à éclairer l'habitacle du véhicule. Ces dispositifs lumineux peuvent comprendre un ou plusieurs modules lumineux. Chaque fonction d'éclairage peut être assurée par un ou des module(s). Dans ces modules lumineux de véhicules terrestres, des sources de lumières électroluminescentes sont de plus en plus fréquemment utilisées. Ces sources lumineuses peuvent être constituées par des diodes électroluminescentes ou LEDs (acronyme anglais pour « Light Emitting Diode »), par des diodes électroluminescentes organiques ou OLEDs (acronymes anglais pour « organic lightemitting diodes », ou encore par des diodes électroluminescentes polymériques ou PLED (acronymes anglais pour « polymer light-emitting diodes »). On connait depuis peu des sources de lumière électroluminescentes monolithique ; par exemple une source lumineuse monolithique à état solide (également connues sous le nom de « matrice monolithique de LEDs », traduction de l'expression anglaise « monolithic array of LEDs »). Une source de lumière monolithique comprend des centaines ou des milliers de DELs qui sont situées sur un même substrat, les DELs étant séparées des autres par des lignes (ou encore « lanes » en anglais) ou des rues (ou encore « streets » en anglais). Dans ce 3055944 2 contexte, les DELs sont également appelées pixels. Ces sources de lumière sont dites à haute densité de DELs parce que le nombre de pixels est important, par plusieurs centaines de DELs par cm2. Chacune des DELs est indépendante électriquement des autres et éclaire donc de manière autonome des autres DEL de 5 la matrice. Ainsi, chaque DEL de la matrice est commandée individuellement par le circuit électronique qui gère son alimentation électrique (circuit appelé « driver » en anglais). Dans ces modules lumineux de véhicules terrestres, une substance luminophore est présente sous la forme d'une couche déposée sur la surface de la 10 source de lumière. Le but de cette couche est de convertir la longueur d'onde de la lumière émise, par exemple la lumière bleue (avec une longueur d'onde comprise entre 400 et 480 nanomètre (nm) émise par les DELs est transformée en lumière blanche. La couche déposée peut être une couche luminophore. Cependant, les matériaux utilisés aujourd'hui pour la conversion de la 15 lumière émise par la source lumineuse de ne sont pas adaptés pour les sources de lumière monolithiques. En effet, les dimensions DELs de ces sources monolithiques sont très nettement réduites afin de pouvoir loger un nombre très important de DELs par unité de surface, et la réduction des dimensions des DELs rend les matériaux de conversion utilisés inopérants. En outre, le nombre important de DELs 20 cause un phénomène de diaphonie (appelé en anglais « cross talk ») qui perturbe l'émission de la lumière : la lumière émise par un élément électroluminescent interfère avec au moins la lumière émise par les éléments électroluminescents de son voisinage. En d'autres termes, les luminophores utilisés aujourd'hui ne permettent pas de convertir convenablement la lumière émise tout en conservant 25 la pixellisation du faisceau lumineux créé par une source monolithique. RESUME DE L'INVENTION On propose pour cela un module lumineux comprenant un matériau semiconducteur servant de source électroluminescente, une couche recouvrant le matériau semi-conducteur qui modifie le spectre de la lumière émise par le 30 matériau semi-conducteur, la couche ayant une épaisseur inférieure à 100 iim. 3055944 3 Selon différents modes de réalisation, le module lumineux peut comprendre l'une ou plusieurs des caractéristiques suivantes combinées entre elles : - la couche recouvrant le matériau semi-conducteur comprend des particules qui modifient le spectre de la lumière émise par le matériau semi-conducteur ; 5 - les particules ont un diamètre qui est inférieur à une valeur comprise entre 1 et 5 µm; - la couche recouvrant le matériau semi-conducteur a une épaisseur comprise entre 5 et 20 um ; - les particules sont des particules luminophores ; 10 - les particules sont des points quantiques ; - la couche est un crystal de grenat d'ytrium et d'aluminium ; - le matériau semi-conducteur servant de source électroluminescente est une matrice monolithique d'éléments électroluminescents ; - les éléments électroluminescents sont des diodes électroluminescentes ; 15 - la densité d'éléments électroluminescents est égale ou supérieure à 2500 éléments électroluminescents par cm2 ; - le spectre de la lumière émise par le matériau semi-conducteur est modifié pour produire de la lumière blanche. On propose également un dispositif lumineux, notamment d'éclairage et/ou 20 de signalisation de préférence de véhicule terrestre, comprenant le module lumineux ci-dessus. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Différents modes de réalisation de l'invention vont maintenant être décrits, à titre d'exemples nullement limitatifs, en se référant aux dessins annexés dans 25 lesquels : - La figure 1 montre schématiquement un exemple de source monolithique électroluminescente à haute densité de pixels ; - Les figures 2 à 4 montre schématiquement des exemples de modules lumineux ; et 30 - La figure 5 montre un exemple de couche pouvant recouvrir une source lumineuse ; 3055944 4 - Les figures 6 et 7 montrent schématiquement d'autres exemple modules lumineux. DESCRIPTION DETAILLEE Le module lumineux comprend un matériau semi-conducteur servant de 5 source électroluminescente. Le module lumineux comprend donc une source de lumière électroluminescente. La source électroluminescente comprend des éléments électroluminescents, qui peuvent avoir des dimensions millimétriques, voire submillimétriques. La source comprend en outre un substrat sur lequel sont épitaxiés les éléments électroluminescents. Les éléments électroluminescents 10 utilisent l'électroluminescence pour émettre de la lumière. L'électroluminescence est un phénomène optique et électrique durant lequel un matériau émet de la lumière en réponse à un courant électrique qui le traverse, ou à un fort champ électrique. Cela est à distinguer de l'émission de lumière en raison de la température (incandescence) ou de l'action des produits chimiques 15 (chimiluminescence). La source électroluminescente peut être une source électroluminescente monolithique qui est une source de lumière électroluminescente comprenant en général un nombre élevé d'éléments électroluminescents. Un exemple de source électroluminescente monolithique est une matrice monolithique de DELs 20 (traduction de l'expression anglaise « monolithic array of LEDs »). Les éléments électroluminescents sont situés sur un même substrat, et de préférence sur une même face du substrat qui peut être par exemple du saphir. Les éléments électroluminescents sont déposés sur ou s'étendant à partir d'au moins une face du substrat. Les éléments électroluminescents de la matrice monolithique sont 25 séparées les uns des autres par des lignes (nommée « lanes » en anglais ou des rues (nommées « streets » en anglais). Ces lignes ou rues sont des espaces, en principe vides de matière, séparant les éléments électroluminescents. La source électroluminescente monolithique forme une grille d'éléments électroluminescents ou encore une matrice d'éléments électroluminescents. Chacun des éléments 30 électroluminescents de la source électroluminescente monolithique est indépendant électriquement des autres et émet ou non de la lumière 3055944 5 indépendamment des autres éléments de la matrice. Chaque élément de la matrice est commandé individuellement par un circuit électronique appelé « driver » en anglais. Le driver gère l'alimentation électrique de la matrice monolithique, ce qui revient à dire qu'il gère individuellement l'alimentation électrique de chaque 5 élément électroluminescent. Alternativement, des éléments électroluminescents peuvent être regroupés électriquement, par exemple en les alimentant électriquement à l'aide d'un montage en parallèle ou en série, afin de diminuer le nombre d'éléments à gérer. Par exemple, les groupes peuvent comprendre entre deux et quatre éléments électroluminescents, ce nombre permettant de conserver 10 un faisceau lumineux suffisamment pixélisé. Le driver est donc un dispositif électronique qui est apte à commander les éléments d'une matrice monolithique d'éléments électroluminescents. Plusieurs drivers peuvent être utilisés pour piloter les éléments électroluminescents de la matrice. Un élément électroluminescent peut être, mais n'est pas limité à, une diode 15 électroluminescente (LED), une diode électroluminescente organique (OLED), une diode électroluminescente polymérique (PLED). La source électroluminescente est donc une lumineuse à semi-conducteur et elle comporte un substrat à partir sur lequel sont placés les éléments électroluminescents. Un élément électroluminescent est plus généralement appelé pixel. Par conséquent, la source 20 lumineuse comprend une pluralité de pixels déposés sur ou s'étendant à partir de la première face du substrat. Les pixels (c'est-à-dire les éléments électroluminescents) émettent de la lumière lorsque le matériau semi-conducteur est alimenté en électricité. On peut donc parler de pixel allumé lorsqu'un élément électroluminescent émet de la lumière. 25 La source électroluminescente monolithique est une source lumineuse à haute densité d'éléments lumineux, c'est-à-dire qu'elle comprend un nombre très important d'éléments électroluminescents. Par nombre très élevé, il faut entendre que le substrat de la source lumineux comprend au moins 500 éléments électroluminescents sur le même substrat. Par exemple, si les pixels ont une taille 30 inférieure à 100 iim (micromètres) et que le pitch est de 200 iim, la densité de pixels est alors de 2500 éléments électroluminescents par centimètre carré (cm2). 3055944 6 La densité de pixels d'une source électroluminescente monolithique à haute densité est de préférence supérieure à 2500 pixels par cm2, c'est à dire que le pitch est égal ou inférieur à 200 iim. La figure 1 montre une vue de haut d'un exemple de source 5 électroluminescente monolithique 100 à haute densité d'éléments électroluminescent. La figure 2 montre une partie de la vue de côte de l'exemple de la figure 1. Les éléments électroluminescents 102 ont été déposés sur un substrat 110, par exemple du saphir. Les éléments électroluminescents 102 sont dans ces exemples des DELs. Les DELs ont été placées de sorte qu'elles forment une grille de 10 DELs encore appelée matrice de DELs. Les DELs sont séparées par les lignes ou rues rectilignes disposées verticalement 104a et horizontalement 104b. Le motif régulier ainsi formé est parfaitement intégré dans les processus de fabrication actuels de sources lumineuses électroluminescentes. Toujours dans les exemples des figures 1 et 2, les DELs ont une forme 15 (sensiblement) carré et ont une dimension de 40 iim. On comprend que toute forme peut être envisagée, par exemple les pixels ont une forme rectangulaire. Cette dimension se rapporte à l'un des côtés du carré 106. Les lignes/rues 104a, 104b ont toute largeur de 10 iim. Le pitch 108 entre les DELs est donc de 50 iim. Le pitch est la distance entre le centre d'un premier pixel et le centre d'un deuxième 20 pixel voisin du premier ; cette distance est également appelée « pixel pitch » en anglais. Le pitch dépend donc de la dimension des pixels et de la largeur des lignes/rues. Les éléments électroluminescents 102 ont également une hauteur 109 qui dépend de la de la technologie utilisée pour leur fabrication. La hauteur d'un élément électroluminescent se mesure à partir de la surface du substrat sur laquelle 25 l'élément électroluminescent est déposé ou s'étend. Par exemple, les DELs peuvent avoir une hauteur de 100 iim. En pratique, toutes les DELs ont des dimensions qui sont égales ou sensiblement égales ; de même pour toutes les lignes/rues. On comprend que les DELs peuvent avoir d'autres formes, dépendant de la technologie utilisée pour leur fabrication. Dans ce cas la définition du terme 30 dimension peut varier. Par exemple, si les DELs ont une forme rectangulaire, on 3055944 7 peut par convention décider que la dimension d'une DEL est la distance du côté le plus court du rectangle. Les éléments électroluminescents sont chacun semi-conducteur, c'est-à-dire qu'ils comportent chacun au moins un matériau semi-conducteur. Les éléments 5 électroluminescents peuvent être majoritairement en matériau semi-conducteur. Ce matériau semi-conducteur peut être le même que ou différent du matériau semi-conducteur du substrat. Les éléments électroluminescents peuvent plus généralement être tous réalisés dans le ou les mêmes matériaux. Les éléments électroluminescents peuvent être de même nature, par exemple sensiblement 10 identiques ou similaires. Tous les éléments électroluminescents peuvent être positionnés pour former un motif régulier, par exemple une grille. Le module lumineux peut comprendre une ou plusieurs sources électroluminescentes monolithiques. Plusieurs modules lumineux comprenant une telle source électroluminescente monolithique peuvent être intégrés au dispositif 15 lumineux selon l'invention. Le terme « module lumineux » désigne donc au moins une source électroluminescente monolithique. Le module lumineux comprend de plus une couche recouvrant le matériau semi-conducteur. Cette couche modifie le spectre de la lumière émise par le matériau semi-conducteur. Le spectre est défini par un continuum de longueurs 20 d'onde, et la couche modifie donc les longueurs d'onde des rayonnements électromagnétiques formant le spectre de la lumière émise. Recouvrir signifie que la couche est agencée par rapport au matériau semi-conducteur de sorte que la lumière qu'il émet passe au travers de la couche. Cette dernière peut être en contact avec au moins la surface du matériau semi-conducteur par laquelle la 25 lumière produite par le matériau semi-conducteur s'échappe. Alternativement, un matériau tiers peut servir d'interface entre la couche et la surface du matériau semi-conducteur par laquelle la lumière produite par le matériau semi-conducteur s'échappe ; ce matériau tiers peut être du silicone qui est un polymère. La figure 2 montre un premier exemple dans lequel chaque élément électroluminescent est 30 individuellement recouvert par la couche 120. Plus précisément, la couche est en contact avec la surface de l'élément électroluminescent par laquelle les photons 3055944 8 émis par le matériau semi-conducteur s'échappent. Le parcours des photons émis est représenté par les flèches en pointillés. La figure 3 montre un deuxième exemple dans lequel le recouvrement des éléments électroluminescents par la couche 120 n'est plus individuel. Plus 5 précisément, une seule couche est en contact avec les surfaces des éléments électroluminescents par lesquelles les photons émis par le matériau semiconducteur s'échappent. Le parcours des photons est représenté par les flèches en pointillés. Dans cet exemple, la couche ne vient pas en contact avec les surfaces des éléments électroluminescents qui se situent contre les lignes/rues. Dépendant de la 10 technologie utilisée, les lignes/rues 104a peuvent être partiellement ou totalement remplies par la couche. La figure 4 montre un troisième exemple dans lequel le recouvrement des éléments électroluminescents par la couche 120 n'est pas individuel. Il se différencie de celui de la figure 3 par le fait que la couche s'est légèrement insérée 15 lors de son dépôt dans les lignes/rues 104a de sorte que la surface de la couche 120 présente des légers creux au niveau des lignes ou rues. La couche est sur le parcours des photons émis par les éléments électroluminescents : les photons passent au travers de la couche afin que le spectre de la lumière émise soit modifié et qu'elle produise de la lumière blanche. 20 Le spectre de la lumière émise par le matériau semi-conducteur est défini par un continuum de longueurs d'onde qui est modifié par la couche qui produit également un continuum de longueurs d'onde. La lumière produite par la couche est une lumière blanche, c'est-à-dire que les longueurs d'onde du spectre sont sensiblement comprises entre 380 et 700 nm. La lumière blanche est obtenue par 25 synthèse additive, ce qui sous-entend que la couche ne modifie pas certaine longueurs d'onde du spectre de la lumière émise par le matériau semi-conducteur. Ou en d'autres termes, la couche n'absorbe pas toute la lumière émise par la source lumineuse. Par exemple, la lumière bleue n'est pas convertie par la couche afin que la lumière jaune produite par la couche, en s'additionnant avec la lumière bleue, 30 produise une lumière sensiblement blanche. 3055944 9 La couche recouvrant le matériau semi-conducteur a une épaisseur 122 qui est inférieure à 100 iim. L'épaisseur de la couche est sensiblement la même pour les éléments électroluminescents ; des variations de l'épaisseur peuvent localement intervenir, pour des raisons structurelles comme par exemple expliqué sur la figure 5 4 ou encore pour des raisons de procédé de fabrication. Dans tous les cas, l'épaisseur n'est pas supérieure à 100 iim. Une épaisseur inférieure à 100 iim donne à la couche un facteur de forme qui est favorable pour extraire la lumière et transformer le spectre lumineux d'une source lumineuse à haute densité d'éléments électroluminescents, et notamment lorsque la densité de d'éléments 10 électroluminescents par unité de surface est égale ou supérieur à 2500 pixels par cm2. Le facteur de forme pouvant être considéré est le ratio entre l'épaisseur 122 de la couche et le pitch 108 de ces derniers. Ce ratio est de préférence inférieure ou égale à 1, c'est-à-dire l'épaisseur de la couche est inférieure ou égale au pitch du pixel. 15 La couche recouvrant le matériau semi-conducteur peut comprendre des particules qui modifient le spectre de la lumière émise par le matériau semiconducteur. Dans ce cas, la couche comprend lesdites particules et un liant qui permet d'agglomérer les éléments électroluminescents sur le matériau semiconducteur. De préférence, le liant sélectionné doit avoir des caractéristiques 20 physico-chimiques lui permettant de résister à l'énergie transmise sous forme de chaleur émise par les éléments électroluminescents, à l'irradiation produite par les photons de la lumière émise sur une plage de longueurs d'onde qui couvre tout ou partie les ultraviolets et/ou la lumière visible et/ou l'infrarouge. En outre, les caractéristiques physico-chimiques du liant doivent favoriser le passage de la 25 lumière, c'est à dire favoriser le passage du flux lumineux. La composition du liant peut être, mais n'est pas limitée à, une résine de silicone, une résine fluorée, de l'époxy... Le liant n'affecte pas, dans la mesure du possible, le passage de la lumière et ce sont les particules qui modifient les longueurs d'onde du spectre de la lumière 30 émise. Les dimensions des particules ont un diamètre qui est inférieur à 30 iim. De cette manière, il est possible de d'assurer que la couche d'une épaisseur de 100 iim 3055944 10 puisse comprendre au moins trois sous-couches de particules, lesdites au moins trois sous-couches étant disposées les unes sur les autres. Le terme sous-couche définit des particules disposées les unes contre les autres sur un plan de l'espace (par exemple le plan déterminé par les surfaces émissives des éléments 5 électroluminescents), ou encore voisines les unes entre les autres avec une distance les séparant inférieure à leur diamètre. Une telle configuration permet de maximiser la quantité de lumière dont le spectre est modifié. Les particules ont de préférence une forme générale sphérique, étant entendu que toute autre forme peut être envisagée. Dans ce dernier cas, la distance maximale bord à bord est de 10 100 Les particules ont de préférence un diamètre qui est inférieur à une valeur comprise entre 1 et 5 micromètres (i.J.m), bornes inclues. Ce dimensionnement des particules est particulièrement adapté aux sources lumineuses à haute densité d'éléments électroluminescents qui ont des dimensions inférieures ou égales à 200 15 En effet, on obtient ainsi une densité suffisante de particules dans la couche recouvrant le matériau semi-conducteur pour modifier le spectre de la lumière émise, tout en diminuant l'épaisseur totale de la couche. Ainsi, l'épaisseur de la couche peut être comprise entre 5 et 20 offrant un facteur de forme qui est favorable pour transformer le spectre de la lumière émise. 20 On comprend que le diamètre des particules peut être inférieur à 1 et que l'épaisseur de la couche peut être inférieure et comprise entre 100nm et 10nm. La figure 5 illustre un exemple d'une couche recouvrant le matériau semiconducteur (non représenté) qui comprend trois sous-couches de particules disposées une sur l'autre. 25 La couche peut comprendre tout matériau permettant de transformer le spectre de la lumière. Par exemple, la couche peut être un mono-crystal de grenat d'ytrium et d'aluminium (« Single crystal YAG » en anglais) qui est un luminophore particulièrement adapté pour transformer le spectre lumineux des DELs en InGaN qui émettent de la lumière bleue. 30 La couche peut comprendre des particules sélectionnées parmi des particules luminophores qui peuvent être par exemple des nano particules des grenats 3055944 11 d'Yttrium Aluminium, des points quantiques. De manière intéressante, les points quantiques permettent d'optimiser des paramètres tels que le spectre d'absorption et/ou d'émission de la lumière. Leur taille est de préférence comprise entre 1 et 10 nm, bornes incluses, pour émettre de la lumière blanche. 5 La figure 6 montre schématiquement un exemple d'un module lumineux de véhicule automobile. Le module lumineux 10 comprend une source électroluminescente monolithique 12 à haute densité sur laquelle une couche déposée sur le matériau semi-conducteur comme celle discutée par exemple en référence aux figures 1 à 5, un PCB 14 qui supporte la source 12 et un dispositif 19 10 qui commande les éléments électroluminescents de la source lumineuse monolithique 12. Tout autre support qu'un PCB peut être envisagé. Le module lumineux peut en outre comprendre au moins un dissipateur thermique 18 qui est peut être agencé directement ou indirectement sur la source 12. Dans cet exemple, le dissipateur thermique 18 est agencé indirectement sur la source puisque le PCB 15 14 et une interface thermique 16 sont situés entre le dissipateur thermique 18 et la source 12. Le dissipateur thermique permet le transfert de la chaleur de la source électroluminescente que cette dernière transmet au PCB lors de l'utilisation d'un module lumineux. Le dissipateur thermique permet une dissipation de chaleur via une coopération avec le support 14 de la source électroluminescente monolithique, 20 c'est-à-dire que le dissipateur thermique reçoit la chaleur produite par la source électroluminescente. Le dissipateur thermique 18 est ainsi en communication de chaleur avec le PCB 14 qui est lui-même en communication de chaleur la source 12. La transmission peut être assurée par le fait que le dissipateur thermique est dans un exemple agencé directement contre le PCB 14. Cela signifie que le dissipateur 25 thermique est en contact physique (i. e. de matériau) avec l'interposeur. Le dissipateur thermique 18 peut toutefois être alternativement agencé sur l'interposeur via un élément intermédiaire qui améliore le transfert thermique. Cet élément intermédiaire est aussi appelé interface thermique 16. L'élément intermédiaire 16 peut comprendre par exemple de la pâte thermique ou un 30 matériau à changement de phase. L'élément intermédiaire peut comprendre du cuivre, par exemple l'interface thermique 16 est une plaque de cuivre. 3055944 12 Le module selon l'invention peut comprendre une source électroluminescente monolithique à haute densité d'éléments électroluminescents appelée source électroluminescente « 3D », c'est-à-dire que les éléments électroluminescents ne sont pas uniquement déposés sur le substrat de la source : ils s'étendent à partir du 5 substrat de la source. Les éléments peuvent être regroupés en un ou plusieurs ensembles. Chaque ensemble est constitué de plusieurs éléments s'étendant à partir d'une portion respective de la première face du substrat. Les éléments électroluminescents peuvent donc être répartis dans différentes zones d'émission lumineuse. Dans un exemple, ces différentes zones peuvent être activables 10 sélectivement. Les éléments peuvent présenter une forme générale de bâtonnet et être ainsi appelés « bâtonnets ». Les éléments électroluminescents peuvent être alimentés en électricité via le substrat d'un côté (e. g. le substrat formant par exemple la cathode) et via une couche de matériau électriquement conducteur qui lie électriquement les éléments électroluminescents entre eux de l'autre côté (e. g. 15 la couche de matériau électriquement conducteur formant par exemple l'anode). Le contact entre le matériau semi-conducteur de chaque élément électroluminescent et le matériau semi-conducteur du substrat peut donc être adapté à une conduction électrique. La couche de matériau électriquement conducteur peut recouvrir les éléments électroluminescents. La couche de matériau électriquement conducteur 20 peut également recouvrir chaque portion de surface du substrat à partir de laquelle les éléments électroluminescents s'étendent, ou toute une surface ou face du substrat à partir de laquelle les ensembles d'éléments électroluminescents s'étendent. La couche de matériau électriquement conducteur peut être isolée électriquement du matériau semi-conducteur du substrat par tout moyen. Cela 25 permet d'alimenter les éléments électroluminescents en électricité par le substrat. Ainsi, on peut alimenter les éléments électroluminescents en électricité simplement, c'est-à-dire en alimentant le matériau conducteur du substrat avec une polarité et la couche de matériau électriquement conducteur avec l'autre polarité. La source électroluminescente « 3D » peut être fabriquée par un procédé 30 comprenant au moins une étape de fourniture du substrat, puis une étape de formation intégrale des bâtonnets avec le substrat, par croissance à partir du 3055944 13 substrat. La couche de matériau électriquement conducteur peut être réalisée par une étape de dépose d'une finition métal, par exemple de cuivre pour assurer le pilotage des bâtonnets. Cette étape peut également comprendre la création de pads en aluminium ou cuivre sur une face du substrat, aptes à du câblage par fil 5 entre la source et le composant de pilotage. Le câblage par fil ou « pontage » (également appelé « wirebonding » ou « wire bonding » de l'anglais ou encore ribbon bonding...) est une des techniques utilisées pour effectuer les connexions électriques entre la source électroluminescente et le dispositif d'alimentation de la source. Le câblage est simplement réalisé par un fil (ou pont) soudé entre les deux 10 plots de connexion prévus à cet usage sur chacun des éléments. La soudure peut être réalisée par ultrasons. Le matériau du fil peut être de l'aluminium, de l'or ou du cuivre. Le diamètre du fil peut être de l'ordre de 20 iim. Un fil de section rectangulaire peut aussi être utilisé. La figure 7 présente un exemple d'une telle source lumineuse 15 électroluminescente monolithique dite « 3D ». La source lumineuse S, ici représentée en coupe, comprend un substrat 210 à partir duquel s'étendent selon une direction privilégiée des bâtonnets 211, 212. Ce substrat 210 est, notamment dans cet exemple, du silicium, ce qui représente un coût bien moindre à celui des LEDs classiques, dans lesquelles les substrats sont en saphir. Les bâtonnets 211, 20 212, peuvent être obtenus par croissance cristalline sur ce substrat 210. Les bâtonnets 211, 212, sont agencés de manière à former des bâtonnets en un matériau semi-conducteur électroluminescent. Les bâtonnets 211, 212, peuvent par exemple être formés essentiellement de nitrure de gallium. Par exemple, ces bâtonnets 211, 212, comprennent une âme en matériau 25 semi-conducteur apte à être dopé en électrons, autour de laquelle est formée une première couche en matériau semi-conducteur apte à présenter des déficits en électrons, dans ce cas on parle parfois de couche dopé en « trous » ou en charges positives. A l'interface de cette âme et de cette première couche, se forme une couche intermédiaire où se recombinent les électrons et les déficits en électrons. 30 Ainsi, chaque bâtonnet 211, 212, est un élément semi-conducteur électroluminescent. 3055944 14 Une couche de nucléation 219 est formée sur le substrat 210 et autour des bâtonnets 211, 212. Les bâtonnets 211, 212, sont ici distants d'environ 30 um et ont chacun une hauteur, prise depuis la couche de nucléation 219 jusqu'à leur sommet, de 2,5 um. 5 Leur diamètre est de 1,5 um. La source lumineuse S comprend donc essentiellement un substrat 210 formant une plaque hérissée d'une multitude de petits bâtonnets 211, 212, électroluminescents et submillimétriques, à savoir dont la plus grande dimension est inférieure au millimètre. 10 La source lumineuse S est divisée en plusieurs zones lumineuses 201, 202 séparées par des murets 221, correspondant à une répartition de l'ensemble des bâtonnets 211, 212. Entre chaque bâtonnet 211, 212 d'une même zone 201, 202 est déposée une couche électriquement conductrice, joignant électriquement ces bâtonnets, 15 formant ainsi une anode distincte 225, 226, pour chacune des zones lumineuses 201, 202. Les quatre anodes 225, 226, ainsi formées sont en contact avec la couche de nucléation 219, qui elle-même est en contact avec la cathode formée par le substrat 210. 20 Ainsi, en connectant les anodes 225, 226 et la cathode 210 à une source d'alimentation, on peut alimenter en électricité indépendamment chacune des différentes zones lumineuses 201, 202. Selon une réalisation, chaque anode est connectée à une ou plusieurs bornes positives d'un moyen de connexion 220, destiné à être connectée à la borne 25 positive d'une source d'alimentation électrique (non représentée) d'un véhicule. De même, la cathode 210 est connectée à la borne négative du moyen de connexion 220. Le moyen d'activation permet donc l'alimentation électrique de chacune de ces zones lumineuses 201, 202. Il est donc possible de piloter cette source lumineuse S, par activation 30 sélective de ses zones lumineuses 201, 202, via le moyen d'activation 220. 3055944 15 Le pilotage peut être réalisé par un moyen spécifique distinct du dispositif lumineux, ou bien, comme dans cet exemple réalisé par un dispositif de pilotage 229 intégré au dispositif lumineux. Dans cet exemple, le pilotage est réalisé directement par un dispositif de 5 pilotage 229. Ce dernier est relié d'une part au moyen de connexion 220 et d'autre part au connecteur C. le moyen de connexion 220 est lui relié à chaque anode 225, 226, via des conducteurs électriques. Le dispositif de pilotage 229 et la source lumineuse S sont montés sur une même carte de circuit imprimé, non représentée. Les conducteurs électriques sont 10 formés par des pistes électroniques de cette carte de circuit imprimé. De même, d'autres pistes électroniques relient le moyen de connexion 220 au dispositif de pilotage 229. Le rendement lumineux des zones lumineuses 201, 202peut être amélioré en déposant une couche réfléchissante 217, 218, sur la couche de nucléation 219. 15 Cette couche réfléchissante 217, 218, est par exemple déposée sur la couche de nucléation 219 avant croissance des bâtonnets, puis des trous sont ménagés dans cette couche réfléchissante 217, 218, ainsi que dans la couche de nucléation, avant croissance des bâtonnets 211, 212, 213, 214, sur le substrat 10. Pour avoir un meilleur rendement lumineux, les bâtonnets des zones 20 lumineuses peuvent avoir les caractéristiques ci-dessous : - un diamètre compris entre 1,4 iim et 1,6 iim, par exemple 1 iim, - une hauteur comprise entre 2 iim et 10 iim, par exemple 8 iim, - une distance entre chaque bâtonnet comprise entre 3 et 10 iim. La source lumineuse S comprend une couche 223 qui est un convertisseur de 25 spectre lumineux agencé au-dessus des bâtonnets 211, 212. Le matériau de la couche peut par exemple être du YAG dopé au Cérium ou à l'europium. L'épaisseur de la couche est inférieure à 100 iim ; par exemple, la couche à une épaisseur de 5 iim et comprend des particules luminophores de 1µm de diamètre. 30 REVENDICATIONS1. Module lumineux comprenant : - un matériau semi-conducteur servant de source électroluminescente ; - une couche recouvrant le matériau semi-conducteur qui modifie le spectre de la lumière émise par le matériau semi-conducteur, la couche ayant une épaisseur inférieure à 100 iim. 2. Module lumineux selon la revendication 1, dans lequel la couche recouvrant le matériau semi-conducteur comprend des particules qui modifient le spectre de la lumière émise par le matériau semi-conducteur. 3. Module lumineux selon la revendication 2, dans lequel les particules ont un diamètre qui est inférieur à une valeur comprise entre 1 et 5 iim. 4. Module lumineux selon la revendication 3, dans lequel la couche recouvrant le matériau semi-conducteur a une épaisseur comprise entre 5 et 20 iim. 5. Module lumineux selon l'une des revendications 2 à 4, dans lequel les particules sont des particules luminophores. 6. Module lumineux selon l'une des revendications 2 à 4, dans lequel les particules sont des points quantiques. 7. Module lumineux selon la revendication 1, dans lequel la couche est un crystal de grenat d'ytrium et d'aluminium. 8. Module lumineux selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel le matériau semi-conducteur servant de source électroluminescente est une matrice monolithique d'éléments électroluminescents. 3055944 17 9. Module lumineux selon la revendication 8, dans lequel les éléments électroluminescents sont des diodes électroluminescentes. 10. Module lumineux selon l'une des revendications 8 à 9, dans lequel la densité 5 d'éléments électroluminescents est égale ou supérieure à 2500 éléments électroluminescents par cm2. 11. Module lumineux selon l'une des revendications 1 à 10, dans lequel le spectre de la lumière émise par le matériau semi-conducteur est modifié pour produire de 10 la lumière blanche. 12. Dispositif lumineux, notamment d'éclairage et/ou de signalisation de préférence de véhicule terrestre, comprenant un module lumineux selon l'une des revendications 1-11. 15