Brevet FR3051968A1 — publié le 20171201

PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR À HAUTE RÉSISTIVITÉ La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'un substrat semiconducteur à haute résistivité par transfert de couche et concerne en particulier l'amélioration des substrats du type silicium sur isolant à haute résistivité et à forte concentration en oxygène interstitiel. Il est généralement admis que l'utilisation de substrats semi-conducteurs à haute résistivité (soit « HR ») du type silicium sur isolant (soit « SOI », de l'anglais « Silicon-OnInsulator ») à forte concentration en oxygène interstitiel (soit « High [0i] » ou encore « HiOi ») nécessite l'emploi de traitements thermiques visant à stabiliser l'oxygène présent dans le silicium (nucléation, précipitation) afin de rendre le substrat hautement résistif. Dans ce contexte, par « haute résistivité » il est entendu environ 750 Q.m ou plus, et par « forte concentration en oxygène interstitiel » il est entendu environ 25 ppma ou plus, soit environ 12,5 x 1017 atomes-cm-3 ou plus. L'étape de stabilisation susmentionnée est traditionnellement réalisée lors de l'étape d'oxydation sacrificielle du SOI suivant un transfert de couche réalisé par exemple par la technique SmartCut® connue. De manière conventionnelle, l'étape de stabilisation est plus particulièrement réalisée après un recuit de lissage postérieur au transfert de couche, qui est généralement un recuit rapide, soit RTA (de l'anglais « Rapid Thermal Anneal »). La demande de brevet publiée FR 2 858 462 Al divulgue une telle étape de stabilisation postérieure à une étape de recuit rapide après le transfert de couche. En réalisant la caractérisation électrique de ces matériaux (pseudo MOS), des densités d'état d'interface anormalement élevées, atteignant typiquement des valeurs d'au moins 20 x 1011 cm-2-eV-1, conduisant à une mauvaise mobilité des porteurs dans le SOI, typiquement d'environ 400 cm2-V-1-s-1 ou moins pour les électrons, ont été mises en évidence. Des analyses complémentaires (caractérisation C(V) d'une capacité MOS) après enlèvement du film de SOI et contact aluminium sur oxyde enterré ont révélé des valeurs de charge fixe dans l'oxyde enterré d'au moins 5 x 1010 cm-2, et des densités d'état d'interface de crête d'au moins 2 x 1011 cm-2-eV-1, montrant ainsi que l'origine de cette mauvaise qualité d'interface provenait de l'interface sous l'oxyde enterré. 3051968 2 Une hypothèse émise est que le recuit de lissage (type RTA) entraîne la modification de la répartition de l'oxygène non stabilisé dans le substrat, engendrant ainsi une augmentation de la quantité de pièges sous l'oxyde enterré. Une solution pour palier à ce problème réside dans l'utilisation de substrats HR à 5 très faible concentration d'oxygène interstitiel (soit « Low [0i] »), à savoir en dessous d'environ 12 ppma, soit en dessous d'environ 6 x 1017 atomes.cm-3, qui ne nécessitent pas de recuit de stabilisation de l'oxygène dans le silicium (nucléation, précipitation). En effet, ce type de substrat est naturellement hautement résistif sans avoir à réaliser de traitement particulier. 10 Cependant, l'inconvénient des substrats HR Low [0i] est la très forte sensibilité à la propagation des dislocations lors de traitements thermiques. De ce fait, il est très difficile d'obtenir des SOI sans défaut de type plan de glissement en utilisant de tels substrats. Par conséquent, une amélioration de la qualité des substrats HR High [0i] reste 15 désirable. Un objectif de la présente invention est donc de fournir un procédé de fabrication d'un substrat semi-conducteur à haute résistivité permettant, notamment pour un substrat du type silicium sur isolant à forte concentration en oxygène interstitiel, d'obtenir des substrats de qualité améliorée par rapport à l'état de l'art connu. L'objectif susmentionné est atteint par un procédé de fabrication d'un substrat 20 semi-conducteur à haute résistivité, comprenant les étapes suivantes : prévoir un premier substrat avec une couche fragilisée en profondeur ; prévoir un deuxième substrat avec une couche d'un oxyde en surface ; attacher le premier substrat au deuxième substrat de manière à former un substrat composé comprenant une couche d'oxyde enterrée ; et cliver le substrat composé au niveau de la couche fragilisée. Le procédé comprend en 25 outre au moins une étape de stabilisation, en particulier un traitement thermique de stabilisation, du deuxième substrat avec la couche d'oxyde avant l'étape de clivage au niveau de la couche fragilisée. L'art antérieur, tel que représenté en particulier par FR 2 858 462 A1, enseigne la réalisation d'une étape de stabilisation postérieure à une étape de recuit de lissage, qui 30 est une étape intervenant après le clivage du substrat composé au niveau de la couche fragilisée. Cependant, l'art antérieur n'enseigne pas la réalisation d'au moins une étape de stabilisation avant le recuit de lissage, et en particulier avant la séparation de la couche fragilisée. 3051968 3 De manière surprenante, il s'est avéré qu'en réalisant au moins un traitement thermique de stabilisation de l'oxygène interstitiel dans le silicium (nucléation, précipitation, croissance des précipités) avant l'étape de clivage au niveau de la couche fragilisée, c'est-à-dire avant de réaliser le recuit de lissage de type RTA, il est possible 5 d'améliorer les propriétés électriques (notamment d'interface) du substrat résultant, en particulier dans le cas d'une forte concentration en oxygène interstitiel. Préférablement, ladite au moins une étape de stabilisation peut donc être une étape de nucléation, précipitation et croissance des précipités, en particulier un traitement thermique comprenant plusieurs paliers de température. 1 0 Autrement dit, la présente invention propose de réaliser les traitements visant à rendre un substrat à forte concentration en oxygène interstitiel hautement résistif (nucléation, précipitation) avant tout traitement de lissage de type RTA, en particulier avant l'étape de clivage, lors de la réalisation d'un substrat de type SOI. La présente invention permet ainsi d'obtenir des caractéristiques électriques compatibles avec la 15 réalisation de transistors de type CMOS sur de tels substrats. Par conséquent, la solution proposée par la présente invention permet avantageusement d'utiliser des substrats à forte concentration en oxygène interstitiel dans la réalisation de substrat SOI pour des applications de type RF, photonique, imagerie, digitale, etc. sans avoir recours à des substrats à très faible concentration en oxygène 20 interstitiel qui sont très sensibles aux traitements thermiques en termes de déformations et défauts induits. Suivant des variantes de modes de réalisation possibles de la présente invention, et de manière non limitative : Dans certains modes de réalisation, la couche fragilisée peut être prévue par 25 implantation ionique dans le premier substrat. Il est donc possible de réaliser le transfert de couche par une technique du type SmartCut®. Dans certains modes de réalisation, ladite au moins une étape de stabilisation du deuxième substrat avec la couche d'oxyde peut être réalisée préférablement avant l'étape d'attachement des deux substrats. Ainsi, ladite au moins une étape de stabilisation peut 30 dans tous les cas être réalisée avant le clivage et donc avant tout recuit de lissage ultérieur au clivage. 3051968 4 Dans certains modes de réalisation, le premier substrat, autrement dit le substrat donneur dans un transfert de couche, peut comprendre un matériau semi-conducteur, en particulier du silicium, du germanium, ou un composé de silicium et de germanium. Plus généralement, le substrat donneur peut comprendre un ou plusieurs alliages de semi- 5 conducteurs III-V et/ou un ou plusieurs alliages de semi-conducteurs du groupe IV. Dans certains modes de réalisation, le deuxième substrat peut comprendre du silicium, en particulier à forte concentration en oxygène interstitiel. Préférablement le deuxième substrat peut comprendre du silicium avec une concentration en oxygène interstitiel d'au moins environ 12 x 1017 atomes-cm-3. 10 Dans certains modes de réalisation, ladite au moins une étape de stabilisation est un traitement thermique comprenant plusieurs paliers à des températures comprises dans la plage d'environ 650 °C à environ 1200 °C. Dans certains modes de réalisation, la durée d'un palier de température est comprise dans la plage allant d'environ 30 min à environ 10 h, préférablement dans la 15 plage allant d'environ 1 h à environ 8 h. Dans certains modes de réalisation, l'atmosphère d'un palier de température peut être de type oxydante, en particulier à base d'eau et d'oxygène, ou de type de non-oxydante, en particulier neutre avec un gaz à base d'argon. Les paramètres ci-dessus pour les paliers de température ont donné des résultats 20 permettant d'améliorer les propriétés électriques (notamment d'interface) du substrat résultant, en particulier dans le cas d'une forte concentration en oxygène interstitiel. Dans certains modes de réalisation, le procédé peut comprendre en outre au moins une étape de recuit de lissage, en particulier un recuit thermique rapide, après l'étape de clivage du substrat composé au niveau de la couche fragilisée. Il est donc 25 possible d'améliorer la rugosité de surface du substrat après le transfert de couche. Dans certains modes de réalisation, ladite au moins une étape de recuit de lissage peut être réalisée à une température comprise dans la plage d'environ 1075 °C à environ 1250 °C, préférablement d'environ 1175 °C à environ 1230 °C, en particulier une température d'environ 1200 °C. 3051968 5 Dans certains modes de réalisation, ladite au moins une étape de recuit de lissage peut être réalisée pendant une durée comprise dans la plage d'environ 15 s à environ 120 s, préférablement d'environ 20 s à environ 90 s, en particulier une durée d'environ 30 s. Dans certains modes de réalisation, ladite au moins une étape de recuit de lissage 5 peut être réalisée sous une atmosphère du type non-oxydante, en particulier comprenant de l'argon et/ou de l'hydrogène dans une composition pouvant aller de 0 % à environ 50 (3/0 d'hydrogène. Dans certains modes de réalisation, le procédé peut comprendre en outre une étape de recyclage d'un résidu du premier substrat après l'étape de clivage du substrat 10 composé au niveau de la couche fragilisée. Il est donc possible de réutiliser le résidu à nouveaux en tant que substrat donneur pour d'autres procédés de transfert de couche. L'invention sera expliquée plus en détail dans la suite au moyen de modes de réalisation avantageux et en s'appuyant sur les figures d'accompagnement suivantes, dans lesquelles : 15 la Fig. 1 illustre schématiquement des étapes d'un procédé de fabrication d'un substrat semi-conducteur à haute résistivité selon un premier mode de réalisation exemplaire de la présente invention ; et la Fig. 2 illustre schématiquement des étapes d'un procédé de fabrication d'un substrat semi-conducteur à haute résistivité selon un deuxième mode de 20 réalisation exemplaire de la présente invention. Dans la description suivante de modes de réalisation exemplaires d'un procédé de fabrication d'un substrat semi-conducteur à haute résistivité selon la présente invention, des signes de référence analogues pourront être utilisés pour désigner les mêmes éléments repris dans les différents modes de réalisation. De plus, la description 25 d'éléments déjà décrits pourra être omise par souci de concision. Un premier mode de réalisation exemplaire d'un procédé de fabrication d'un substrat semi-conducteur à haute résistivité va être décrit à présent en se référant à la Fig. 1. Dans ce mode de réalisation, le transfert d'une couche d'un matériau semiconducteur va être réalisé d'un substrat donneur vers un substrat récepteur. 30 Tel qu'illustré à l'étape (I) de la Fig. 1, un substrat donneur 101 comprenant une couche fragilisée en profondeur 102 est prévu en vue d'effectuer un transfert de couche 3051968 6 vers un substrat récepteur. Le substrat 101 peut-être un matériau semi-conducteur, par exemple du silicium, du germanium, ou un composé de silicium et de germanium. Plus généralement, le substrat donneur peut comprendre un ou plusieurs alliages de semiconducteurs 111-V et/ou un ou plusieurs alliages de semi-conducteurs du groupe IV. 5 Tel qu'illustré à l'étape (11) de la Fig. 1, un substrat 103 comprenant une couche d'oxyde 104 en surface est également prévu en vue de recevoir une couche semiconductrice transférée. Le substrat 103 peut comprendre du silicium, et en particulier de l'oxygène interstitiel avec une concentration d'au moins environ 12 x 1017 atomes-cm-3. La couche d'oxyde 104 peut être une couche d'un oxyde naturel, une couche de SiO2, 10 obtenue par croissance ou bien déposée. La couche 104 peut également être, par exemple, un isolant utilisé en semi-conducteur de type alumine (A1203) ou encore de type nitrure, tel que le Si3N4. Tel qu'illustré à l'étape (III) de la Fig. 1, avant le transfert d'une couche depuis le substrat donneur 101, et en particulier avant d'être attaché à celui-ci, le substrat 103 15 comprenant la couche d'oxyde 104 en surface est soumis à au moins une étape de traitement de stabilisation de l'oxygène interstitiel. Cette étape peut donc être une étape de nucléation, précipitation et croissance des précipités. Il peut donc s'agir d'un traitement thermique comprenant plusieurs paliers de température. Ce traitement, en particulier un palier de température, peut être effectué sous une atmosphère de type oxydante, en 20 particulier à base d'eau et d'oxygène, ou bien sous une atmosphère de type de non- oxydante, en particulier neutre avec un gaz à base d'argon. Le substrat 103 comprenant la couche d'oxyde 104 peut donc être soumis à une température, en particulier à des paliers de température, dans la plage d'environ 650 °C à environ 1200 °C. De plus, ce traitement, en particulier chaque palier de température, peut durer d'environ 30 min à 25 environ 10 h, préférablement d'environ 1 h à environ 8 h. Ensuite, après le traitement de stabilisation, tel qu'illustré à l'étape (IV) de la Fig. 1, le substrat donneur 101 est attaché, en particulier collé, par exemple par adhésion moléculaire ou toute autre méthode de collage de semi-conducteurs, au substrat récepteur 103 par la couche d'oxyde 104 de manière à former un substrat composé 105 30 du type SOI avec une couche d'oxyde 104 enterrée. Ensuite, après l'étape de collage, tel qu'illustré à l'étape (V) de la Fig. 1, une partie 1012 du substrat donneur 101 est détachée du substrat composé 105 par clivage au niveau de la couche fragilisée en profondeur 102 de manière à laisser une couche 3051968 7 transférée 1011 du substrat donneur 101 attachée au substrat récepteur 103 par la couche d'oxyde 104, formant ainsi un nouveau substrat composé 106 comprenant la couche transférée 1011. Il est alors possible d'améliorer la rugosité de surface de la couche transférée 1011 en soumettant le substrat composé 106 à un ou plusieurs 5 traitements thermiques de lissage, en particulier du type recuit rapide, soit RTA. De plus, le résidu 1012 du substrat donneur 101 peut être recyclé pour former un nouveau substrat donneur dans un autre procédé de transfert de couche. Dans tous les cas, les substrats composés 105 et 106 sont tous les deux des substrats de type SOI HR HiOi, à savoir du type silicium sur isolant à haute résistivité et à 10 haute concentration en oxygène interstitiel. Étant donné que ladite au moins une étape de stabilisation de l'oxygène interstitiel a été réalisée avant le transfert de couche, autrement dit avant l'étape de clivage, et donc avant tout recuit de lissage, il est possible d'obtenir des substrats SOI HR HiOi avec des densités d'état d'interface inférieures à 5 x 1011 cm2-eV-1, et des mobilités des porteurs dans le SOI supérieures à 700 cm2-V-1-s-1 pour les 15 électrons. Après enlèvement du film de SOI et contact aluminium sur oxyde enterré, les valeurs de charge fixe dans l'oxyde enterré peuvent alors être inférieures à 3 x 1010 cm-2, et les densités d'état d'interface de crête peuvent être inférieures à 5 x 1010 cm-2-eV-1. Autrement dit, les propriétés électriques (notamment d'interface) des substrats composés 105 et 106 sont très nettement améliorées par rapport à des substrats SOI HR 20 HiOi obtenus par des méthodes conventionnelles, c'est-à-dire pour lesquels l'étape de stabilisation aurait été réalisée après le(s) recuit(s) de lissage. Un deuxième mode de réalisation exemplaire d'un procédé de fabrication d'un substrat semi-conducteur à haute résistivité va être décrit à présent en se référant à la Fig. 2. Le deuxième mode de réalisation reprend toutes les caractéristiques du premier 25 mode de réalisation et détaille en outre des étapes de procédé optionnelles. Tel qu'illustré à l'étape (I) de la Fig. 2, un substrat donneur 201, qui peut être le même que le substrat donneur 101 du premier mode de réalisation, est tout d'abord fourni. Le substrat 201 peut-être donc également être un matériau semi-conducteur tel que du silicium, du germanium, ou un composé de silicium et de germanium. Plus 30 généralement, le substrat donneur peut comprendre un ou plusieurs alliages de semi- conducteurs III-V et/ou un ou plusieurs alliages de semi-conducteurs du groupe IV. L'étape (II) de la Fig. 2 illustre que le substrat donneur 201 peut ensuite être soumis à une étape de fragilisation en profondeur afin de prévoir une couche fragilisée en 3051968 8 profondeur 202 en vue d'effectuer un transfert de couche vers un substrat récepteur, comme dans le premier mode de réalisation. Cette étape peut être réalisée notamment par implantation ionique, en particulier d'espèces ioniques telles que H+ et/ou He+. Tel qu'illustré à l'étape (III) de la Fig. 2, un substrat 203 comprenant une couche 5 d'oxyde 204 en surface est également prévu en vue de recevoir une couche semi- conductrice transférée. Tout comme le substrat 103 du premier mode de réalisation, le substrat 203 du deuxième mode de réalisation peut donc comprendre du silicium, et en particulier de l'oxygène interstitiel avec une concentration d'au moins environ 12 x 1017 atomes-cm-3. Toujours de manière analogue au premier mode de réalisation, la couche 10 d'oxyde 204 peut être encore une fois une couche d'un oxyde naturel, une couche de SiO2, obtenue par croissance ou bien déposée, ou encore un isolant utilisé en semiconducteur de type alumine (A1203) ou de type nitrure, tel que le Si3N4. Tel qu'illustré à l'étape (IV) de la Fig. 2, avant le transfert d'une couche depuis le substrat donneur 201, et en particulier avant d'être attaché à celui-ci, le substrat 203 15 comprenant la couche d'oxyde 204 en surface est soumis à au moins une étape de traitement de stabilisation de l'oxygène interstitiel. De manière analogue au premier mode de réalisation, dans le deuxième mode de réalisation le traitement de stabilisation peut être une étape de nucléation, précipitation et croissance des précipités. Il peut donc s'agir d'un traitement thermique comprenant plusieurs paliers de température. Ce traitement, en 20 particulier un palier de température, peut être effectué sous une atmosphère de type oxydante, en particulier à base d'eau et d'oxygène, ou bien sous une atmosphère de type de non-oxydante, en particulier neutre avec un gaz à base d'argon. Le substrat 203 comprenant la couche d'oxyde 204 peut donc également être soumis à une température, en particulier à des paliers de température, dans la plage d'environ 650 °C à environ 1200 25 °C. De plus, ce traitement, en particulier chaque palier de température, peut durer d'environ 30 min à environ 10 h, préférablement d'environ 1 h à environ 8 h. Après le traitement de stabilisation, tel qu'illustré à l'étape (V) de la Fig. 2, de manière analogue à l'étape de collage du premier mode de réalisation, le substrat donneur 201 et le substrat récepteur 203 sont collés au niveau de la couche d'oxyde 204 30 de manière à former un substrat composé 205 du type SOI avec la couche d'oxyde 204 enterrée. Ici aussi, le collage peut être réalisé par adhésion moléculaire ou toute autre méthode de collage de couches semi-conductrices. 3051968 9 Ensuite, tel qu'illustré à l'étape (VI) de la Fig. 2, l'étape de collage est également suivie d'une étape de clivage dans laquelle une partie 2012 du substrat donneur 201 est détachée du substrat composé 205 par clivage au niveau de la couche fragilisée en profondeur 202 de manière à laisser une couche transférée 2011 du substrat donneur 201 5 attachée au substrat récepteur 203 par la couche d'oxyde 204, formant ainsi un nouveau substrat composé 206 comprenant la couche transférée 2011. Une telle étape de clivage peut être réalisée en soumettant le substrat composé 205 à une température dans une plage d'environ 300 °C à environ 600 °C pendant une durée d'environ 30 min à environ 5 h, sous une atmosphère neutre de N2 ou d'Ar. 10 Ensuite, après l'étape de clivage, l'étape (VII) de la Fig. 2 illustre une étape optionnelle ultérieure de lissage permettant d'améliorer la rugosité de la surface 207 exposée de la couche transférée 2011. Cette étape peut être réalisée en effectuant un traitement thermique comprenant un ou plusieurs recuits, de préférence un ou plusieurs recuits rapides, soit RTA. Le substrat composé 206 peut alors être exposé à une 15 température dans une plage d'environ 1075 °C à environ 1250 °C, préférablement d'environ 1175 °C à environ 1230 °C, en particulier une température d'environ 1200 °C, et ce pendant une durée comprise dans la plage d'environ 15 s à environ 120 s, préférablement d'environ 20 s à environ 90 s, en particulier une durée d'environ 30 s, sous une atmosphère du type non-oxydante, en particulier comprenant de l'argon et/ou de 20 l'hydrogène dans une composition pouvant aller de 0 % à environ 50 % d'hydrogène. Enfin, comme mentionné précédemment, le résidu 2012 du substrat donneur 201 peut aussi être recyclé pour former un nouveau substrat donneur dans un autre procédé de transfert de couche. Ainsi, de manière analogue au premier mode de réalisation, dans le deuxième 25 mode de réalisation, il est possible d'obtenir des substrats composés 205 et 206 de type SOI HR HiOi, à savoir du type silicium sur isolant à haute résistivité et à haute concentration en oxygène interstitiel. En particulier, étant donné que ladite au moins étape de stabilisation de l'oxygène interstitiel a été réalisée avant le transfert de couche, autrement dit avant l'étape de clivage, et donc avant tout recuit de lissage, tout comme 30 dans le premier mode de réalisation, dans le deuxième mode de réalisation, il est possible d'obtenir des substrats SOI HR HiOi avec des densités d'état d'interface inférieures à 5 x 1011 cm-2-eV-', et des mobilités des porteurs dans le SOI supérieures à 700 cm2-V-'-s-1 pour les électrons. Après enlèvement du film de SOI et contact aluminium sur oxyde enterré, les valeurs de charge fixe dans l'oxyde enterré peuvent alors être inférieures à 3 3051968 10 x 1010 cm-2, et les densités d'état d'interface de crête peuvent être inférieures à 5 x 1010 cm-2-eV-1. Autrement dit, tout comme celles des substrats composés 105 et 106, les propriétés électriques (notamment d'interface) des substrats composés 205 et 206 sont 5 également très nettement améliorées par rapport à des substrats SOI HR HiOi obtenus par des méthodes conventionnelles, c'est-à-dire pour lesquels l'étape de stabilisation aurait été réalisée après le(s) recuit(s) de lissage. De plus, les différents exemples de modes de réalisation de la présente invention peuvent être combinés entre eux afin de créer d'autres modes de réalisation toujours 10 selon la présente invention. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un substrat semi-conducteur à haute résistivité, comprenant les étapes suivantes : prévoir un premier substrat (101) avec une couche fragilisée (102) en profondeur ; prévoir un deuxième substrat (103) avec une couche d'un oxyde (104) en surface ; attacher le premier substrat (101) au deuxième substrat (103) de manière à former un substrat composé (105) comprenant une couche d'oxyde (104) enterrée ; et cliver le substrat composé (105) au niveau de la couche fragilisée (102) ; caractérisé en ce que le procédé comprend en outre au moins une étape de stabilisation, en particulier un traitement thermique de stabilisation, du deuxième substrat (103) avec la couche d'oxyde (104) avant l'étape de clivage au niveau de la couche fragilisée (102). 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel ladite au moins une étape de stabilisation est une étape de nucléation, précipitation et croissance des précipités, en particulier un traitement thermique comprenant plusieurs paliers de température. 3. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel la couche fragilisée (102) est prévue par implantation ionique dans le premier substrat (101). 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel ladite au moins une étape de stabilisation du deuxième substrat (103) avec la couche d'oxyde (104) est réalisée avant l'étape d'attachement des deux substrats (101, 103). 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le premier substrat (101) comprend un matériau semi-conducteur, en particulier du silicium, du germanium, un composé de silicium et de germanium, et/ou un ou plusieurs alliages de semi-conducteurs III-V, et/ou un ou plusieurs alliages de semi-conducteurs du groupe IV. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le deuxième substrat (103) comprend du silicium, en particulier à forte 3051968 12 concentration en oxygène interstitiel, préférablement du silicium avec une concentration en oxygène interstitiel d'au moins environ 12 x 1017 atomes-cm-3. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite au moins une étape de stabilisation est un traitement thermique comprenant 5 plusieurs paliers à des températures comprises dans la plage d'environ 650 °C à environ 1200 °C. 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel la durée d'un palier de température est comprise dans la plage allant d'environ 30 min à environ 10 h, préférablement dans la plage allant d'environ 1 h à environ 8 h. 10 9. Procédé selon l'une des revendications 7 ou 8, dans lequel l'atmosphère d'un palier de température peut être de type oxydante, en particulier à base d'eau et d'oxygène, ou de type de non-oxydante, en particulier neutre avec un gaz à base d'argon. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre au moins une étape de recuit de lissage, en particulier un recuit 15 rapide, après l'étape de clivage du substrat composé (105) au niveau de la couche fragilisée (102). 11. Procédé selon la revendication 10, dans lequel ladite au moins une étape de recuit de lissage est réalisée à une température comprise dans la plage d'environ 1075 °C à environ 1250 °C, préférablement d'environ 1175 °C à environ 1230 °C, en particulier 20 une température d'environ 1200 °C. 12. Procédé selon l'une des revendications 10 ou 11, dans lequel ladite au moins une étape de recuit de lissage est réalisée pendant une durée comprise dans la plage d'environ 15 s à environ 120 s, préférablement d'environ 20 s à environ 90 s, en particulier une durée d'environ 30 s. 25 13. Procédé selon l'une des revendications 10 à 12, dans lequel ladite au moins une étape de recuit de lissage est réalisée sous une atmosphère du type non-oxydante, en particulier comprenant de l'argon et/ou de l'hydrogène dans une composition de 0 % à environ 50 % d'hydrogène. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre une étape de recyclage d'un résidu (1012) du premier substrat (101) 3051968 13 après l'étape de clivage du substrat composé (105) au niveau de la couche fragilisée (102).