Brevet FR3060849A1 — publié le 20180622

PtIce(s) multip6 ,) de puissance mtégrant d.° .anière monolithique des PO 1.314De de decoupagE:' asymétriques et niipid:idie' - de puils,isance inulti-i..Alasie utifisarit la ou Ousieurs desdites pucies rnultiri-e) La drese rite t.ivicnt'o.") c,D n :: e NI e d ei.;-.i, pi,,:::;es r intégrarri i.7.e manière monolith'que cls cellules de deco-Jpage et conciiiime des modules de puissance multi-phase pour convertisseurs électroniques do puissance utilisant une :7Y:..1 plusieurs desdites onceiii multdpele(e) puisrice. Le domaine dia la présente invention est l'électronique de 10 qui permet de convedir l'énergie i:lectrio in entre un gdnéraddur el un récepteur qui sont . us souverd de .11 :a i'd VE ç:3ifférentes. Il convient alors d'adaptdir les caractéristiques i. d'4"ieren'.-es formes de l'énerge éled continue ou alternative). Les i.:ionvertsseurs éleCriques utilises sont le DL..s souvent réalisés i:iiV,:2,C.ds interlioteurs à base ce composants semi-concid:.deurs .-- des COM f" êrm,:f. ....erructeu.r ciiocttonique IGBT-LS 0 assoc é:, dans une dotEderrie puce n; -noPtniquei 42 et 35 connecté vers un cule dit infériuir L en ang'sis Low Sido deuxième n Gi31:è fià L-;" si...ow Sida) de la deuxième prorrier intemnteur electonique, triasse 3060849 4 puce 42, à une électrode de masse 44. Le deuxième interrupteur électronique IGBT-LS 40 et la deuxième diode-HS 34 sont interconnectés en une home de point milieu 46 au travers de deux deux.:àrnes connexions filaires 48, 50. 5 Suivant la Figure 1C, un circuit de découpage 52 d'un troisième type est un circuit 54 de type « Bras de pont complet » dans lequel un circuit 5,-, de premier type « Buck » et un circuit 58 de deuxième type « Boost » sont fusionnés e' parallèle.. Le circuit de bras de pont complet 54 est formé d'une part, par un 10 premier interrupteur Mectronique IGBT-HS 60 et une deuxième diode HS 62, interconnecV.s en antiparallèle et intégrés dans une première puce monolithique 64, cette première paire 64 de composants consistant en le prt.7)n.iier interrupteur électronique IGBT-HS 60 et la deuxième diode HS 62 étant connectée vers un côté dit supérieur HS (en anglais High Side) de le 15 première puce à une électrode d'alimentation de bus 66. Le circuit de bras de pont complet 54 est formé d'autre part, par une première diode-LS 68 et un deuxième interrupteur électronique !GBT-LS 70, interconnectés en antiparallèle et intégrés dans une deuxième puce monolithique 72, cette deuxième paire 72 de composants consistant en la 20 première diode LS 68 et le deuxième interrupteur électronique IGF..T-LS. 70 étant connectée vers un coté dit inférieur LS (en anglais Low Sicle) de la deuxième puce 72, à une électrode de masse 74. La première paire 64 des composants IGBT-HS 60 et diode FIS 62 et la deuxième paire 72 des composants IGBT-LS 70 et diode LS 68 sont 25 interconnectées en une borne de point milieu 76 au travers de deux troisièmes connexions filaires 78, 80. Le premier interrupteur électronique GET-HS 60 et la première diode LS 68 du circuit de bras complet 54, connectées en série entre l'électrode d'alimentation de bus 66 et l'électrode de masse 74, forme le circuit 56 de 30 type « buck » tandis que la deuxième diode HS 62 et le deuxième interrupteur électronique IGBT-LS 70, connectées en série entre l'électrode d'alimentation de bus 66 et réiectrode d masse 74, forme le circuit 58 de type « boost ». Chaque connexion flaire constitue un facteur de limitation des 35 performances électriques, une augmentation du stress électrique et un 3060849 5 risque de détéricralion de la fiabilité do la fonctionnalité. Comme l'indique les Fin 11\, ' 3. I C l! est d'isr.;:igii,.-73 d condensateur de decouplaee su bernes d e'.rnertet'on nes cituit dénoupage. Ce condensateur penni..)t de con nerse r ;es effets d-irledion des cornectiors Inc.!Joves en 5 amont de la de oecoupagii mals da UCUrer:: rna.î« eye Cc d ensaleur ne permet de compenser les effets inductifs crées ;,iar ies coerffliens en aval de adite cei!ule, au niveau des pnces, ce qui constitue dr deuxième verrou. Le pdcteme technique est de lever les premier deux;erne verrous décrits ci-dessus, ff,:)r i'intgretion et';;-,.is:.3,(.:,c..reb'age des 10 convertisseurs électroniques de pu ace pour répondre ajx applications exigeantes dc damaina de la convere.on èlectronkaio ste :que à haute performance uà doivent être atteintes en rrè'Krie temps des pc liormances de fiabilité, de compacité, de comportement eleetridee intrinsèque, et de co(n de fabrication réduit en terme. de chim, des matériaux utses et de complexité 15 des procédés utsés. OVE ...Ucn a pour objet une puce mei .e d'un module de ssa Il Ceno pdases comportant un substrat semi-conducteur, délimité par une oredèrc faci eere, et cas deid>,:,ème face inférieure, mutuellement opposées p est cara.ctdtle en eeee 20 .- elle CO rnporte un nornnrc entke rc.érieur ou égal. à deux, de nellu'es de commutation intégrées veinicéfiz.xnent de manière rnoneithleue dans le substrat semi-conducteur suivant une direction verticale et éperdes én&errent dans le même substrat de manière compacte suivant un plan d'extension ide,pend'culaire à la d reCtiOn verticale d'intégration, et 25 . - chaque neildlic de coreenntnion est one ceiluie doulïe-comr.wtirrentée par un mur csencoie,:e isniant non traversent et comporte une stedetere de déco u.:re fcrrrèc par une dinCk: ilterupteu, eiectronieue commandé, dinqie et nterro.nt5....' électronique comrlandé étant resl: etivement dans un onyrier volume du substrat semi-conducteur et un 30 dc.:xcre volume du substrat semi-conducteur, les premier et deuxième vo mes de la cellule de commetation étant voisins, séparés et entourés per la r d'encelete «salant non traverseni. et cheque ceuIe de con-nutation comporte une borne de polarfté éectr!que d'un bus et une bone de masse é!ectrlque, séparées et disposées, au 35 niveau de id unEdnière face supérieure, respectivement sur le premier volume 3060849 6 et le deuxième volume lorsque le substrat semi-conducteur est de type N et respectivernent '-'4"r b deuxième volume et le premier volume lorsoue . substuct es.: ci-acue c.':E.Olue Cle: comr.1,utation comporte une borne de point mu - d'un 5 seul .,.erilant, O'spose., en dessous du premier volume O du deuxième VO'....:.:17e co.mespondants et au niveau ou or dessous et en rebeit do la deuxième face inférieure du subsfrat pour raccorder une anode de la diode à une anode de l'interrupteur commandé teu:,?..que 'e substfal semi-conductou- est de type N, ou une cati-a-y:Je de a diode à une cauode de l'interrupteur commandé 10 lorsque l,i.; substrat semi-concsuctour est de tyne ,,) Suv,2,.r..:t des mi::u1:e7,.; p,..5.5::.uiles de réalisation, la puce multl-pdle d'un moduP de puissarq:e mi-phases comprend l'une ou plusieurs des canacténsticimMA'Neî-qes .- chaque oellu'o de comm "talion comporte une zone semi- 15 conductrice, de dltfUSiOn de tne corn '' fientaire ,,.-: ;.,,/pe du substrat sert conducteur ferterlent :::) f, ; >,, COnbc et invrposée verticaion-lerv. entre la borne ,de cont rn"isn.i d'u:rt seul tenant et l'ensemble formé par ces faces inférieures des premier et deuxième volumes du substrat semi-conducter, ia zone semi-conductidre de diffusion de type complémentaire et fortement 20 dopé formant ai:logement la diode en dessous du premier volume et partleildment l'interru ---- électronique commandé en dessous du deuxième volume ; la zone se....i-conductrlde de diffusion de type complémentaire et fortement dopé est une zone obtenue par un dopage de type 25 complémentaire a celui du substrat semi-conducteur eu une zone obtenue par gravure dr substrat rnitir de type complémentaire et fortement dopé sur lequel 9 été pravé su prdssLe le substrat semi-conducteur ; - la zone seni-(nrmutdde do diffusion de type complémentaire et fortement euee en dessous du cleuxie le volume, est ponctuée 30 latdraement na une zone semi-conductrice nterméctiaire incluse, de même type de bopace que le substrat conducteur et follement dopé, de sorte que le deuxième voli..rj11.? de substrat et la .z.::me semUond,..1ctrice intermédlaire forment une diode supplémentaire monté en ant'parallele avec l'interrupteur électronique command, 3060849 7 .- la puce multipôle décrite ci-dessus cempoi:e deux cellules dacentes, séparées latéralement par une portion substrat serti- Ccfldte 'Id er7,1Y(.... niveau bOrric.,,s S E-V, de Pus et le niveau c. eS tX)ne. des fiE. Une pOrtiOn suostmt semi- conducteur entre le niveau des bornes de masse E4 de bus et sensiblement le niveau inférieur de pron-ile Ve UrrIeS ; la zone semi-conductric:::e dor,:::,iérpentiire est uns zone -ibtanue par gravira d'un SUbStrP erlie" de type com einE;.:ntaire sur lequel été ,rave au ,n,:ia'able K-3 substrat semi-conducteur de 10 substrat semi-conducteur oui sépare les deux cellties ad9i'.:;ente,S domo évidement au niveau des zones setni-conclurrices de type complémentaires, l'évidement étant rempli par un matériau solide isolant ou un gaz isolant ou le vide ; le mur denceinte, d'un seul lamant estobtenu à ,,artir dune 15 tranchée cont'nue et non traversante, romp mer au soient ou un matériau semi-conducteur de type comp émentà.re ,elui du ,,,Litystrat se.cil- conducteu:, ou à partir d'une tranchée discrète, traversante eu non traversante, remplie par un matériau semi-conductei.ir de type complémentaire à celui du substrat semi-conducteur, et par un rer.;.%.2't de 20 ditusior consécutif au remplissage. L'invention a É.:Ei.:,:prernet nour ()bet une D,, ce n o'Lin module rse puissance multi-pnases :-:>,oxrrportart suni,.;tnyi, semi-conducteur ne typo N, délimité par une première face supieriiiire et une deux'eme face inférieure, mutuellement sées. La puce multipôle est caractérisée en ce 25 que : elle comporte un nombre entier X, s. égal é deux,de cellules de commutatii: grées veiiicalement de rnarie,W., monolithim dans le substrat s,;:..n.--i-danductear la'Aràlerrant dans e mà'ne substrat de rranière corripaCt.2 ::M.siatrit un pian 30 d'etension cerna-Coula:ré à le dr:reQn ve:=0.irà.: egraton, et .- chaque cellule Ce coron-Mai-ion es'L ueeci51Le t,,nertée par un mur d'enceWitii;? Sciarrt non traversart et comporte une pdF.,:miere u,tru Cure de circu. de i;:lécomnage et _nue deuxième stn.idt,ure de (..,:rdiju: intégrés de maniere partaoée dans un premor volume. dusubstrat se:rd35 conducteur et un deuxième volume du substrat semi-conducteur, les premier ;.. 3060849 8 et deuxiaine volumes de la cellule de commutation étant voisins, séparés et entourés par le mur d'enceinte isolant non traversant, et .- chaque cellule da coermutation comporte une borm? c. polarité électriou, dun bus et une borne de masse électrique .arees et disposées 5 respectivement sur le premier VC.à..elle et le deuxième volume au niveau de ta première face supérieure, et chaque cellule de. commutation comporte une borne de point milieu d'un seul tenant divisée en deux sous-bornes sepa-ées, disposée, en dessous du iffemier V)Iit (- dèrae inteerupteur car:m.-rand _rouvre une première zone done Ne une deuxiè- zone , -', latéralement adjacentes eiliff,73 elles, et .* la sous-borne de i lilleirie de r3C)hlt, wilieu' située en dessous Ou deuxième to volume de substral: eh tl..:irrriarq .'i cet o'. de la det...ixierne. diode ii:4 'a cathode du premier interruptei..ir i:;:ommece riecoi'.,vre Urie 4-"Sièl'ne ZOrie dopé P et une quatrième zone - lateraE."1.::inf. a .,",' ,,,,--q:(:-M, eir-ito elles. Suivant une première forme .Oe rÉi:elisation i mvention a écaler-rient pour objet un module de ssa ri ,i..; e rne pour un convertisseur 15 électronique re çue.sace, comportant une première puce rim.iitioi5liiii-i et une &cuxièrrie pu(..;.e, miirtipôle. Le module de puissance muni-phase est Ca:"3( -*,! 1",n ce Crie : ..lil- ;..irerrière puce raultipele comporte un prem:er substrat seraicor,rdtemce type N, délimité par une première face seeérieure EI une 20 di,MiXiérfle face ;rif.:',HeLwe, mutuellement opposées, 1 orerri!ere puce mutipàe comporte un nombre eMiEn' riel prerriéreS eelues de corni>,-;Aatiort, tèqres vectenent de manière raienolillnioue i.enis premier substrat senti-conducteur suivant une direction verticale et epares latieraerniett :Jans le même premier substrat de manière 25 compace sk...ivant un plan cl':.:wiension pefpendiculaiw à la direction verticale d'in , .-eue piamière cellule de commutalon est une cellule double -compartimentée p;.,,sur un premier mur dienceiniz,ii isolant non traversant et comporte une première structure Ce découniags forme par une prerni&e 30 diode et premier interrupteur éiectroricue ain-Îrlandé, intégrés reSpeC'Vemert dans n remer prerr ier. )/0jrne dL -..;u')strat semi- cordur:eur et un viroler de...i.xiiiimei vmie de substrat serni-o.i..)nouctour, . premier premier volueni, et le premier deuxi/É:rne volumEs de la c&uk de commutation étant voisins, séparés et entourés par le premier mur d'enceinte 35 isolant non traversant, et 3060849 .- chaque première cellule de commutation comporte une première borne de polarité électrique de bus et une premiè re borne de masse électrique, séparées et disposées, au niveau de la première première face supérieure, respecivement sur le premier premier volume et le premier deuxième 5 volume, et .- chaque première cellule de commutation comporte une première borne de point milieu d'un seul tenant: disposée en dessous du premier volume et du deuxième volume et au niveau ou en dessous et en retrait de le (:ânixièrn,c face inférieure du substrat pour raccorder une première anode de première 10 diode à une première anode du premie- interrupteur commandé ; .- chaque première celiuie de commutation comporte une zone semiconductrice de diffusion de type corripWirnentaire au type du premier substrat semi-conducteur et fortement dopé. en contact et interposée verticalement entre la première borne de point eu d'un seul tenant et l'ensemble formé 15 par des faces inférieures des premier et deuxième volumes du premier substrat semi-conducteur, la zone semi-conductrice de diffusion de type complémentaire et fortement dopé formant partiellement la première diode en dessous du premier volume et partiellement le premier interrupteur électronique commandé en dessous du deuxième volume ; 20 .* la deuxième puce iHu J,DC,Ce ocrapcut un deuxième substrat semi- conducteur, délimité par une deuxièmei , Hère face supérieure et une deuxième deuxième face inférieure, mutuellement opposées, et .- la dr;?.uxième puce multipôle comporte un même nombre entier X, supérieur ou ruai à deux, de deuxièmes cellules de commutation, intégrées 25 verticalement de manière monolithique dans le deuxième substrat semiconducteur suivant une direction verticale et réparties latéralement dans le mémo deuxième substrat de manière compacte suivant un plan d'extension perpendiculaire à la direction verticale d'intégration, et .- chaque deuxième cellule de commutation est une cellule double- 30 compartimentée par un deuxième mur d'enceinte isolant non traversant et comporte une deuxième structure de découpage formée par une deuxième diode et un deuxième interrupteur électronique commandé, intégrés respectivement dans un deuxième premier volume du deuxième substrat semi-conducteur et un deuxième deuxième volume du deuxième substrat 35 semi-conducteur, les deuxième premier et deuxième deuxième volumes de 3060849 11 dieunième cellule de commulanion étant voisins, séparés et entourés deuxième mur d'encei73 T31- traversant, c+ deuxième c1cue de cddynutation dornpoild une de pola. .e toue de bwisi et, LidEii dedx.iiâme borne masse séparées et ,i'..ilsopsees, de 'aexjve prerii'Mre i'ade superieure, reFneolvernent sir e deuxième pfemier vo:urno et le C.77.01jegne, deuxième volume, et - chacue deuxième cellule de commutation comporte une deuxième borne de point niPieu dun ;:.eu tenarn, disposée en dessous du deuxième premier 10 voiume et du de',Xiècne vo joie et au niveau ou en (..k.5..:±'SOUS et en de la deuxième oe,..ixieme lace inférieure d- deux Omo sa.ics7.rei:oour raccorder une cathode ce la deuxième diode à une cathode du deuxième intodupteur commandé - choiue euxième cellule de commutation componte une zone semi 15 conductrice de dittt,sion, de type compémoenteire au type ceume e substrat: i-:;erni-n;entiticrei..ir et fortement contact laie-posée deuxième born,..i point d'uri se..., toi-rant et l'ensembic formé rtu des faces inférieures des premier et deuxième volumes du deux'errie substrat somi-conducteun la zone semi-corductrice de .diffusion 20 ct.>rrnlémentaire et fortement dopé formant neiniellement la deuxième diode en idi.:-:sscus cid premier volume et partiellement le premier inierruptentr eectronidi_.:e commandé en dessous du deuxième VOLYMe. Suivant une m.iet.xième tOrrflt:: ne realissition, 1"nivention a ériacoient pU%S.iriCe pour ot 25 U.ectr:[..)Motie detXà'..P.nta fn.r till-phase pour un converlisseur :fflioninari: une première duce multid- une t. Ur e ;r0i;:Àé.rilt.3 puce mtiePôle. LE:3 module de puissance -nultnchase est caractérisé un ce due .* la p.emière OLîC5 multi61e couic, premier substrat semi- conducteur de ',:ypie N délimité par une otemnide face supérieure et une 30 den.ixi?:ime face "nfeneure, mutuellement opposée: la premY.:ire puce mt.ti' pôle comporte un nombre entier X, supérieur ou égal à deo :...TernièreS ceiluies neminutatien intégrées vericaloment de r.nanLière dans le premier substrat 55ï -i-condi...r::1.eur suivant une direction verticale et réparties latéralement dans le premier substrat serte 3060849 12 conducteur de manière compacte suivant un plan d'extension perpendiculaire à la dieect.ion verticale C'intégration, et chaque première cellule de commt,tation est une cer:ule doublecompsytimentee par iri premier mur d'enteinte isolant non traversan1. et comporte une première structure, de découpage formé par .Âriei première diode et premier interrupteur électronique commandé, intégrés respectivement dans un premier premier volume du substrat semiconducteur et un premier deuxième volume du substrat semi-conducteur, les premier premier et premier deuxième vr..Yi.ffneS do la cellule de commutation 10 étant vc).sins ares et entourés par le orern'er mur d'enceinte isolant non traversent .... chaque première cellule de commute - cornt e pti.,;1-nM.re borne de polarité electnque Ce bus et une orernre ()orne de masse éeeTicue, séparées et disposées, au niveau do - prem'èri.,:, vernié,o face supérieure, 15 respectivement sur le premier prent'er voiorie i, prorriiir deuxième volume, et chaque première cellule de COMMUbl.iOn C;OrnpOde une première borne de point ritieU d'un seul touent, d..sposée en dessous du premier volurN: et du deuxième, volume et au niveau re, n dessous de la dei..D.len-K, Lace i-lerieure 20 du substrat pour raccorder une pre'riiere anode de ,, ,.,.er-r:è'..e diode à une prorrière anode du pri:::.,iimier interrupteur pommer,- UCa-4.,,' e:;> I: ,:, V L,,,,;': comporte n deuxième substrat serti , conducteu-de. bine N, dè nité cer une deuxième première fz.,icie :...4..3 .-u-,9 et une deux'kile di.,.,,i,7/ :m-ie 4.0:>;":: infereure, mutue.'ernent opposées ' X 25 de;...F>Mmeft,. --i.orrupteurs CrjrrirriaP ca'e et répardes ati.;.,q- mrrutal..,t&ta rsonoPt11/, orern;er cut.istrai. sen,-con(....P.2oteur survant une .;:ateraoment dans e. n-...erne premier substrat de 'manière un plan d'extnnori rpendiculaire à la vertoi-.3.;e , et 15 ha .; P.i>.,;j1.1ite: de car muiation est une celble double- cornpF.1.4.ji,,en'y' d'enr.;:einte isolant non tra-,Jers[nt et comporte raPoPer>iiere stru:::tun,..?: r.:Wy:2,cupage formé par une première interrupte,.. .tilE:ctronique comrrandé, réqrés re:qpoc;t",,,erneni. dan,. prenT,:y- preri-jr volume 20 corouctexet. unpnerne, deuxième valu nie dusut.t."-at mkandaiw, les preîniE e 51'',, d e: cotei 5 et .e roto rès par le premler mur c.fericelrite lsolant non rrvpr;r.1 Chaque pri.,,,I..,tère cellule de commutation comporte une première borne de 25 )O:r ÉrlP t.tS jt Fectftie, PI dlspose,.e, SU VPU CIP pronilère preriena lace rril ;"i;1,1' le premier prerner volume et le premier deuxième volume .- chaque premiere cellule de commutation coin yolo une première, borne de 30 pOirt.m d'-n seul tenant, es:posée eu dee,..-;;out...: du premier vo;unle et du vciume et au niveau n :a xlerne face infèrle.Ure du st.,,,.:).sUat pour raccordal. ,,T;(:;,:re anode de a. première (Iode une prem'ère anode du prem:or inte:rrupteur commandé -t 3060849 18 . a deuxième puce multipôle comporte un deuxième substrat somiconduct.ii de type N délimilie. par uneeuxkiii:ime premiritii face si - eeiiiiure et unie OeLème deuxième face inférieure, reutuiaiieneet opposées, .- - deiex.ieine puce mu/Jodle comporte un même nombre ertie, de cut ni es cules os commutation, intéorees vieiiitcalement de meeière monolithique does e dieii. xiiiiiime substrat semi-conducteur suivant une direction veriiicafe t...parte s latéraieniien: dans le même deuxième si..,bstrat de manière compacte suivant un :len C:exiiension Perpendiculaire ` la direction verticale n'ir , et 10 .- cheque deuddne celiuie de commutation est une ceruie doube compartimentée par , deuxième mur d'enceinte isolent non t'aversarrt et corail:rie -ene deuxième etructure de découpage onde po......ne deuxième diode un deuxième ir)5:;W . Leur éIectrcnquo comisnde, iZOré5 respectivement, dans un deuxième eremier volume du deuxième sebstrat 15 semiiiciondueteur et un deuxième deuxième volume du dei,..ixienties substrat sernieiiif..iiridiiipei.,ir, les deuxiiiin,:, piemier et deuxième C4:n.l.e.Urk. vc,i..;,-rices de la deuxième ceiiiie, de commutation étant voisins, séparés et entourés par le deuxième mur d'enceinte isciiant non traversant , et &ore deuxième, cellule de commutation comporte une deuxième borne 20 de inaSSO &9C ''' Une deuxième borne, de polariite é eet dpus de bus., séparées et disposties, au niveau de la det..txterne orerrie,e fève :,:c .,i eure, respectivement sur le Ceitniiiièree preripier volume et :e deuxième deuxième volume. et .- chaque deuxièrre ciiii:de de commutation comporte une deuxième borne 25 de point miiieu cun seei tenent, disposée en dessous du deuxtême premier VOiUr-P e': du det...>errie deit,ixie (Da volume et au niveau ou en dessous et en retrait (.4:if i deuxième face inférieure du substrat serni-conducteu- isiiotir accorde r:'vie deuxième catecde de la deuxième dioce à une deux:ente cathode du (W.1Xiàrne interrupteur commandé. 30 Suivant Irte s'xième forme de eiiialisation, l'invention a également pour i. un .'--- ....3 d U e de puissance mi,iltephase pour un convertisseur électro, de psi lesai-ce, comportent une unique puce mu:tipôk Le module de euissance meiti-phase est caractérisé en ce que : 3060849 19 .- la puce multipôle comporte, substrat semi-conducteur do type N, délimité par uno prem'ùro face supérieure et ut.te dE..12.:b7.1e -race infériet. mutuellement o :posées. - la To?pciorte un nombre entier X, supérieur ou éci à deux, 5 de cellules de commuaYor intégrées verticakmnent de rdartière dans esubstrat serrii-conducteur suivant une direction verticale é; latenAernrit. dans frërne s'..ibstrat de manière compacte sui,,,arit d'exts:wsion oendencicuk,:ïlre à 'a direction verticale d'intégration, - cha.cui commodelon est une double-compartirriont; .3 par 10 un rpur fi.Encillirte isolant r or traversant compor:e une r,:nerriiere structure de dre;j1,..:,e découpage et eiru,:t s.i.ructure (je. C1r:3A int de manière paao.à d a S iDrefliar volume du substrat conducteur et un deuxième volume du si,..ibe:Tat somi-conducteu.n. et deuxième vo;u,des cr acs;..,»i''ile Cie CellITIUtatiori étant voisins oar'4,s 15 entoures on:g le rnur dnceinte i.5.-:;olant non trave,esant, - chaque, cellule de cr>rninctation Gorrporit: t:',OUI.3 d 00:a rlté é I e Ctr d'un bus une borne de masse deokue, eàes et disposes respectivement sur le premier voumo et le deuxiénie volume au n'veau de la première face supérieure, et 20 .- chaque cellule de ....,ornrnutation comporte une nome de point milieu dm seul tenant divisée en dem sous-bornes separefi.)s, iilliiposee en dessous du premier volume et eu deuxième Vc.:::Lirrie et au niveau de la deuxième face inférieure du sJbstà-at semi-conducteur, et pour chaque cellule de, comm..f.ation, 25 .- la première structure de circuit de découpage comporte une première diode et un prernier interrupteur commandé, l'.-tedrés respectivement dans le premier volume du substn'Ed serr'-conCucieur r deuxième volume du semi-conducteur, re de la première diode et :aoode du premier interrupteur commandé etard connectées respectivement à. a sous-borne 30 de la borne de point mliou situÉeen deSSOLS du premier volume de substrat et à in sous-borne de l borne de point nilieu située en dessous du deuxième volume de substral':et struoture Co circuit de découpaoe comporte une deuxième diode et Un deuxlerne irderr4teur commende, intégrés respeCivernent dans 35 le dowdeme, volume du substrat semi-conducteur 4 le premier volume du 3060849 20 substrat semi-conducteur, !a cathode de la deuxième diode et k cathode du deuxième interrupteur commandé formant respectivement la sous-borne de la borne de pont milieu 5.-iuée en cessous rft. deuxème volume de substrat et a sous-borne de la borne de point milieu située en dessous du premier 5 volume de substrat. L'inventlon sera mieux comprise à la lecture de la description de plusieurs formes de réalisation qui va suivre, donnée unigmeme3nt à titre d'exemple et faite en se ràféranL. aux dessTns sur lesque's : .- les FigL MS 1 A, lb at 1C sent des schémas électriques de circuits 10 de découpage, resnectivement de type « buck », de type « boost .» et de type «bras.. de pont compk,2t »; intégrés de manière classique sur deux puces séparées, interconnectées en des points milieux au travers de liaisons f Ires ; .- les Figures 2A, 2B et 2C sont respectivement un schéma électrique 15 d'un module de puissance multi-phasc. composé d'une pluralité X ;:iie r..;ircuits de découpage de type « boost », une coupe verticale d'une puce mu!I'pôle d'un module de puissance multi-phase selon une première variante d'un premier mode de réallsation de l'invent:on implément.-.et 'e schéma électrique de la Figure 2A, et une coupe voilicale d'une puce n uhpôle d'un module de 20 puissance multi-phsse selon une deuxième variante de premier mode de é%ation de l'invention implémentant le sch&ra Mectrique de la Figure 2A, es puces des Figures 2E3 et 2C utilisant chaçurie un substrat de type. N; .- les Figures 2D et 2E sont respectivement une vue d'une séquence de la fabrication suivant un premier mode de rÉiaîsation d'un mur d'enceinte, 25 limité par souci de simplification à une dem!-celluie d'une tpuc(.., de la Figure 2B, et d'une vue de dessus du masque de gravure du Mir d'enceinte correspondant; .- les Figures 217 et 2G sont respeclivement une vue de dessus et une coupe verticale d'un mur d'enceinte au stade de sa gravure d'une dem 30 cellu'e d'une puce de la Figure 2C, .7.3. gravure étant une étape d'une séquence de la fabrication suivant un deuxiàne mode de réalisation dudit mur d'en;-,ein, , .- le:, flgures 3A, .''',G et 3C sont respectivement un schéma électrique d'un moduie de pubsance multi-phases composé d'une pluralité X de 35 circuits de découpage de typo « buck », une coupe vertiaia d'une puce 3060849 21 multlpote d'un modiiie de puissance selon une première variante d'un deUXi:nre rsation de l'invEruion implémentant le schéma électrique de et une coupe verticale d'um puce multipele d'un module de c...lissarv.:;e rriulti-phase selon une deuxerrie 5varia,r..e ceu.xlerre snode de -eiesation ce l'invention implémentant le mérve 3A les :..u.'ices de Figures 3B et 3C usant cnk:.:icune un subsiusit Ce P les .4B et 4C sont respectivement un schéma électrique d'un mod'.i:e de ssr nu?:i-phase composé dune pluralité de circus 10 de ilécoupage de tyoo doost augmenté » ayant chacun une deux.ième diode tranchée en antparal'ele sur l'interrupteur électronique commandé côté inédeurcoi.reï-ie,?o-,dant uns, coupe verticale d'une suce mupÙ.o d'un rnodule Ce MUW KiSe selon une prem'en:- variante d'un troisiènle Iode dereeSal.;On ne 'inventior irp'ifyiei-itant eria électrique de la 15 Fkue 4A Ot ure coupe vehcale d'une puce multioôle d'un flocule de pussan multi-phase scion ',n.e deuxième variante de troisième mède de réalisation de l'invention flOéfl1Oflt2flt le mémo schéma électrique de la Figure 4A, les puces des .Fures 4E: et 4C utilisant chacune un substrat de type N 20 ,r*3 SA, et 5C son', respectivement un schéma électrique d'un nrodule de riussa.rice composé d'une plura"U.:2':- de circuits de découpage de tvee buck augmenté » ayant chacun une ds:uxierne diode branchée en arrt'peralleie sur l'interrn .ourE.Meotronique comman côté supérieur correscord:ant, une vue en coupe d'une puce mur d'un 25 Mr.X.it.de 7i 1.0 nrenIèmevfflinatis d'un quatrième rrcice de alisation de l'invention floiÉlfl.nontaritk schéma elect'.o 5A et une vue en coco d': :e puce ri)ui d'un modtie $szi-ce, sElon Lins dei...!xième variante de quatrième mode dere'L.,i:sation de ;invention implàmontant le mâne scoéma électrique 30 de la Figure SA, les puces des Figures 5b et 5C utilisant cl-ac.:ne un substrat d e type P; .- les Ui!:jures 6A et OB sont respectivemern un sc:-.érna é ectrique d'un modu:e do p...fiSsIi>.::3 rrni'til:".1aSe composé Ch...riepidté de drcui';!,D Ce découpa,' de type « bras ce pont corn, - intécrant chacun un circuit de 35 tyoe « boost » et un circuit de type « buck », et une vue on Coupe d'une puce 3060849 22 . Y ultirxit, d'un module de puissance multi-phase selon un cinquième mode de reailsation implémentant 9 SChérria électrique d la Figure 6A, la puce utiLanti'.i un substrat d type N - les ....;Y .73 sont respectrvement un schéma électrique et 5 une vue de l'assemb% , ,l'Ufl Module de puissance multi-phase suivant une première forme de réalisation, le module de puissance multi-pbase com.::;:xttant ure première puce multipôle, identique à ia puce multioéle de la Figure 2C. une deuxième puce n ultïpôe identique à la puce multipôle de la Figi.ut 30 a première puce. multipdie utilisant un substrat do type N et la 10 deuxième oucEi usant un substrat de type P ; .- les Figures 8A e18 sont respectivement un schéma eIt1que et une vue de l'assert., 'un module de puissance multi-phase suivant une deUXièrrle forme de réali...aJon, le module - puissance comportant une première puce multipôle, identique à la puce m-e de la Figure 2C, et 15 des deuxième et troisième puces mult.'pôles, les puces étant de les Figures 9A et tDB sont repectivement- sueetna te eetnque et une vue de l'assembla d'un module de puissance multi-phase suivant une troisième forme de réalisation, ¶e nodule de puissance comportant une première puce multipôle, identic, à ! ftd.ir',e multipôle de la Figure 4C, et 20 une deuxième puce multipôle, 5t os doux puces utilisant chacune un substrat de N ; .- les Figures 10A et 10B sont respectivement un schéma électrique et une vue de l'assemblage d'un module de puissance multi-phase suivant une quatrième forme de réalisation, le module de puissance comportant une 25 première puce multipôle, identique à ia puce multipôle de la Figure 5C, et une deuxième puce multipôle, et les deux puces utilisant chacune un substrat de .- les Fpu r.i.3s 11A et:. 11B sont respectivement un schéma électrique et une vue de l'assemblage d'un module de puissance multi-phase suivant une 30 cinquième forme fie réalisation, le module de puissance comportant une premièr puce murit;" it:k.,ntique à la puce multipôle de la Figure 2C, et une d eux le e puce ' pôle, et les deux puces utilisant chacune un substrat de tyoe N ; .- les Figures 12A el: 12E3 sont respectivement un schéma éL.'7.jrque 35 et une vue de réalisation matérielle d'un module de puissance rraill-1" sise 3060849 23 SUiVan'. une sixième ferme de réalisat:on, le nodule de puissancc: comportant une t..n , identique à h puce !IL >rdMe de e 6B et utilisant un :su'f>:.;tra': N. Les p diredàlces (.12 cru.rt sur e. d...4inition 5 de structues de cellules rrionoil,.. -ces, t.,:lemeritalre:- 'es pat. la suite par cellues. Ces cellules cor .:?e pour constit.ter , moins rune des puces parmi runique, les deux ou tes trois puces réaiisytt un 'nodue de puissance 1-m.0.5-D:des:é pour conved:isseur electro.tqq..'ie ce puissadoc, et perrneten niveau élémentaire au sein de ladite au rridin.e. une ctice do 10 levsr les 7.)rerrr er et deuxième verroue. Afin de lever re:nier verrou, l'invention propose de fisionner les interrupteurs, c'estàde les transistors 1::`,Vir." 'es d cd rek-e code de d&-.::ciund Lp-te see:le puce efeiéseecE:,;, d 0 ri P r0: Lf I ' à G sens a 15 filaire intE.,-re, SLW,i'ant. cette 'dee, d edy tort--,es sont obterii...:,s orct'- st.ibstrat et le type Ni, ta urerrlereno ad: 'substred , nt un circuit elt,.yrierrair Uecléodupaife de Iv' . BO f*,,t d r,lc UXLÈTri j![atîC substrat de br,Tie P étant un circuit 20 élérre.eta,re de découpage, de yue « bec* » sulvent la prerniero lien de puce boost » obtenue.:,:' sur base d'un substrat de IGBT est t)esltionne du coté ; potrtntiel le plus f aiole du bus Calirrientetion et connecté rl'rectetnent à une borne du bus :1t potend& plus faible, clest-à-dré le ceese, tandis dce 25 diode est placée b. ctÉe dti potentiel --ôme bus d'airnentel'on et connectée à une borne jt 1..) tin h ee OIUS élevé. la dELkx;érne de ut CP d.tte e n. Ck » obtenue sur la ta.;a sei dun : en net d .:rans-sto.:- 1GB>i est ;Dee:ion:le du côté du potentiel .ous d'alimentatlon el: connecté directement à 30 une borne du bus tt.k te.:.'"d: le plus élevé, la diode est ",.):aCée du côté du po crifie: k pr.:s feibe du même bue C.f,airrentadon et connectée à une home du bus audit r tel le plus léibie, c'estàdne une nasse électrique. Il est à remarquer que les deux vesdaéen f:';'S ations ,;') é:à-rient:aires utilisent une tranchée partiska borgne, .clest-à-dire qui e r 3060849 24 déboucha pas du côté inférieur ce !a puce, rempli par un matériau del dopage opposé cu CO rn. e a celui a substrat ou rempli prr un rneerau ari:..fe:acture tete par i'utilieation de cette franc partiele borgne est bien sus facile à fabriquer que cele présentée if,-4T3 la dennde 5 de breVet WO 2013/054033 A1, ce qui constitue un pont majeur de la présente invention. Afin de lever le deux:bmt, verrou, l'absence, d'Werconnex;on entre les élemciints transistor et diode. na'ritenian - dune même puce, confère un abaissemero rnoriolithiquement au sein f)rtarit cl a rirvesiu e stress tecouplacie placé à proximité 10 élSC1UE3. En outre, un condensa:eu- immediatifi de cette puce permettra de compenser directement et aiséinent les connexions ind...ictives en amont. Les deux configurations "buck" et "boost" de l'invention pemiettent ainsi de rénondre à des aboi ations ne mettant en jeu aucune réversibilité 15 er puissance, Dans ::;2e où une réversibilité est requise, les deux configurations peuvent être i:iissociées en parade de manière directe, Le. par une connexion en parallie'e "bornes à bornes" des deux puces. Cette opération ne pose aucun ..irob'ernei technique. sec Lehips mort devant "Ire entre les e etne uts c ÉP:a'.: des trans'...ors, et n'indut 5.2cune 20 pénalité sur 'es performances et iffitabffité desdits trfiinsistors cr. perdent le même nomaine Ce-,; deux sont sèDarées, Suiw%r 2P St re f è'"e. Va r a flte.t.j n'ode do réalisation, une puce multindle t02 rifia'ise un circuit éiethque 104, illustré sur la Fleure 2A, d'une partie ou de la totalitfii d'un rrieclule de puissance 25 nase pour un convertisseur électronique de puissance. suivant la Figure 2A, le circuit aliectr'que 104 est composé d'une pluralité dun nombre. X de circuits elenienti.:iires 106, 1002, 1063, 106x, identiques de cie(a.m..ipage de type « bcost branchés en parallèle entre une première borne 108 à trio tension la plus haute VBus dun bus .cilsilimentation 30 et une deuxième borne 110 à une tension ln Plus basse (7,!:.i rriërru., bus d'alirne.ntadon, c'est-é-d:Fe 1061, 1062, 1063 , reliant en série leur diode masse 'lest:ria Les circuits élèneirUaires 'mprennent chacs transistor correspondants, les pOfre;S séearé L7arife.-, étant respectivement désignés par PMI, FM2, FM3, PMX. 3060849 25 Suivant la Figure 2E3, la puce multipele 102 comporte un substrat semi-conducteur 112 de type N, délimi1é par une premEêm l'ace supérieure 1 4 et ° Jeuxièrre face 6, -n,..Àtuellerlerr dposees, pré -riere l'ace supérieure 114 jXléme face inférleu 46 étant ?:r ailleurs et reî.,,pecthé.5.,:::>rc.: cornme une première face,:,,, avant et une deuxième fce arra lors de l'assemlage de la puce exemple POE anglais Printed Circuit F.rd) de duîssanee '132 comporte X celluies de comr-ii'-haCon 10 Ve Mer (.? Fria r rconolihique dans le substrat serni-conducte,' 112 suivant ana direction vertcale D1, illustrée sur la l."'igun.) 2 par uneche 118, et reparties latéralement dans le même premier SU:.:)Stred de manière corno3cte suivant un plan d'extenson P1 cE=rcendicu'aire è la direction verticale EY d'intég. ion, c bout 2B suivant une 15 4."YreCt'Ori Dong qui ccrre-,,::cond nient compact des celfu:es de comm., al'on entre elles. Ici, sur la . 2B sei.les ceux pollues de concnn..Àt:,,,:ffion 1221, 1222, adjacentes suivand la oin.:7,,,ction ,ongitudinale Dlor. sont reaèent6.e sur a Figure 2B par souci de ;3:implicite de lecturci de la Les deux de 20 cornutaten correspoldent ici respectivement lux circuits eiàrrerhkes 1061 et Chaque ce;iue de commubt:on 12,1, 1222 est une cel:ule double- compartimentée resoectverneot par d'e.;.,n1Ceinte iSOb-"'1. -.1cn traversant 1241, 1242, et comporte 'es pecfivelt une dierilentaire 128 1282 25 dc circuit de i.:Mcoupe t ce boa s. -rmee bar u-n diode 1301, 302 et an interrupteur , ce ....:mandé1321, 1322. diode 1331 et reseecivement l'intern..inteur électronique corrrnarKle 1321, sont lutée - C:anSun p'"! r011irle 1361 du s car,raI. sami conductew- c,'.:.,r.,.'nutation partagée 1221. La Clone 1002 et 30 rhlterr -5te,n- éleerClnig:ie cornmancié 1322, sont intégrés resectivemc:nt dans p deuxième volume 1362 du substrat seuil- conducteur C e cc nutatIon oertacée 1222. Le vernier 1'.2.,12 et le CeLxleme y:diurne 1361, 1362 d'une même cellule de, commutation 1221, 1222 sont vois:ns, séparés et entourés 3060849 2 par le premie.. mur d'enceinte isolant non traversant 1241, 1242 correspondant de ladite même ce iule de commutation 1221, 1222. Cr É1Q1..M.::. celitie do commutation 1221, 1222 comporte une borne de polarité Mort:tg:Je dei 1)0;31381 1382 el une boire de. masse électrique 1401, 5 1402, séparées et dii3pcsées, au ili\i':.?.i31..1 de la prerniere face si.ipérieure 114, respectivement sur ki premier volume 1341, 1342 et. le deuxième voiul'ne 1361, 1362. Chaque celluie de commutation 1221, 1222 comporte respectiveruent une borne de point rrdeld 141i, 1412 d'un seul tenant, disposée er dessous 10 du premier vo _me 1341, 1342 et du deuxième volume 1361, 1362, et au niveau de a Oeuxiei-ne face inférieure 116 du substrat Sern:-conducteur 112 pour raccorde- :-e2:pecti,,Lernent une anode de 'a diode 1301, 1302 à une anode de !Interrupteur commande 132,1.322. Chaque cellule de commutation 1221, 1222 comporte respectivement 15 une zone semi-conductrice de diffusion 1421, 1422, de type P complémentaire au type du premier substrat semi-conducteur et fortement dopé P+, en contact et interposée verticalornsint entre la borne de point milieu 1411, 1412 d'un seul tenant, associée à la cellule de commutation, et l'ensemble formé par des faces inférieures 1441, 1461 ; 1442, 1462 des 20 premier et deuxième volumes 1361; 1342 , 1362 du substrat sen conducteur 112. La ie..one serhi-conductrice de diffusion 1421, 1422 de type complémentaire e.i. fortement dopé P+ d'une même cellule de commutation 1221, 1222 forme padrmert la diode 1301, 1302 en dessous du premier volume 1341, 1 34 et snartiel!ement l'interrupteur électn.nkue commandé 25 1321, 1322. en dessous du dot i volume '''33. 1362. En pratique et de manière orififérée, oFirtir d'un substrat épais de type N- monochstailin et tormant ici le subst ai: semi-condLcteur 112, des zones semi-conduetrices Oe diffusion de type complémentaire et forte:nent dopé P+ sont fabriquées par un dopage de type complémenta're P+ en face 30 arrière du substrat 112 N- et en en des Z.0 ri e 3 sélectionnées et délimitées par masquage. , ' deux cellules quo :sionotios, -adiaceriles entre elles sont séparées la réra lerft:y r une portion du substrali st...rrii-conducteur 146 qui s'étend entre le ni,,R...au des bornes d2 masse 1401, 1402 et de bus 138i, 1332 et le 35 niveau des bornes 1411, 1412 des deux points milieux PMI, PM2. 3060849 27 Suivatet 'a Figure 2C et une deuxième variante CrUl premier mode de réalisation, ene rne4 P32 1e4 illustré sur la u!ssance muti-phase pot de La La puce ',a Figure 2C est similaire à in euce 102 do la '-'iqure 2B a,..,te 1:.5n Si-Uore quasi-identique mais c.:1'17:,;re par les c.a cté st. ct-1 i'lulti-pôle 152 corpc.re un substrat semi- CO OU5-OJ d2 .;`:Irat se,shconducteur 112 en ce qu'il est 10 slél...rtri uhe l'ace irefàrl Are 166 conl'odse avec les faces ir.:6Ieures 1441, 1442, 1461, 1462 dee r:.temier et de,.,x.e.ve 136, 1362 du substrat semi-cr.mduc;:eur 162. Ainel face infereure 16l.:5 du subeat semi-conducteur 162 de la faces in"..éneures 1441, 1442, 1401, 15 1341, a/ , 1332 bedis que Shi isChe d Ule;le IrÎS.'ueau que, ies deuxième volumes i'it'érieure 116 du substrat 2B est s'tue en retrait, à un niveau strictement in.leeur s. iiveau des faces inférieures 144, 1442, 146, 1462 des preqUer bstrxleTie ,,,,eluJines 1341, 1342 , 136, 1362. Ainsi, cl-i,7.7e;'..;e borne se eouh 1, 1412 d'ur :seul tenen',-. est disposée en 20 éssous du r.3FP.e O;'C'rie 1341,1342 et du deuxième volume 1361, 13 lui est , dessous à ...01 niveau strleternent inférieur de 'e deuxième tes,e leferlet 166 d..0 serserdm:rleur 162. Deuxièrriernee, bs,ce .52 de le variante de ..a puce 102 de la première yariaintE.: en ce que daL X cellukh.', codeues, rOrtES 25 entre elles, son";. s.éseéas ler.:,:e.3,erneat: --r un conducteur 107 çu.s'etend -3C' C.C; aSi:.5.;e 1 401 4 02 et de .)us 138 ss-:nelbiernent sul:Arie;ur au niveau inférbsuruje: ralara et deurx:(..enues v Thes 134i, 134.2, 1362. En p,atique et de inaniqre aé.e, les zones seni-conductrices P+ 30 de type cc.PTipierrentaire du typa N du substrat 162 des cellules de somrouletles, sent des zones dbl.enues ce gravure 4 un su4sl.ret prlmitif meri0CriStellir de typerauuk rr:E::Pre sur1enuel o été ç rave au pnàaiab'e 2-:;:edstrat se-cl-concsicteur N évïtexré (Jeude :substrat serbleccneucteur 197 qui sépare chaque paire de celu:es adjacentes 3060849 comporte un évidement 19.3 au niveau ds zones semi-corductrices 1421, 1422 de type cern plémentafte P+ L'évidement 198 est rempli ici par un rnatérlau solide dieectrique. De mane générale, l'évidement est rempli par un matériau solide 5 isolant ou un gaz isolant ou le vide. De manière générale et indépendamment de la venante utilisée, le mur d'enceints: d'un seul tenant d'une cellule de commutation des puces 102, 152 peut être obteriu à partir d'une tranchée continue et non traversante, remplk::1:;ar un matériau i.i.olant ou un matériau semi-conducteir lo de fine complémentaire à celui du substrat semi-conducteur, ou à partir d'une flanchée discràte, au choix traversante ou non traversante, remplie par un matériau semi-conducteur d imolementaire à celui du substrat semi-conducteur, et par un recuit de diffus on consênitz au rernp, ,,, qqa. En pratique, pour la réalisation de s puce '102 5E:Ofl P3 première 15 variante du premier mode de réalisation de .,. puce, il est de réaliser le mur d'enceinte d'un seul tenant .;tir d'une tranchée discrète et non traversante, remplie par un matériau semi-conducteur de type P+ complémentaire à celui N- du substrat semi-conducteur, et par un recuit de drrusion consécutif au remplissage, en raison de la faible àpasscur de. la 20 zone de diffusion P+ inférieure. Suivant les Figures 2D et 2E, un aperçu d'un procédé de fabrication 202 du mur d'enceinte 204, ici limité à une demi-cellule ou à la s.artie externe d'une cellule entière, est fourni dans lequel une tranchée 206 discrète et non traversante est rempile 208 par un matériau semi-conducteur, par exemple 25 du silicium poly-cristallin fortement depé en bore, de type complémentaire à celui du substrat ssm-cndsuceur, pa . exemple en silicium monocristallin, et per un recuit de diffusion 210 cionsécutif au remplissage 208. Ici, la zone de diffusion P+ infériguiie nes pas représentée, étant fabriquée par la suite dans le procédé de fe-brcatcn de. ie. 'Jupe, 30 En pratigiug, pour Is realii7 ition de !a puce 152 selon la deuxième variante du premier mode de réaUsab.un de a PUC.)e, il est préféré de réaliser le mur d'ence'rte d'un seu ensn rdr d'une tranchée continue et non traversante, rernae par un n.etériau ipoiant ou un mafédsu semi-conducteur de type. P+ complémentaire à celui N- du substrat semi-conducteur. 3060849 29 Suivant les Ficures 2F et 2G, un aperçu d'un procédé d .abraion du mur d'encsiMe, à vie deml-ce:;ule ou à la pti: - fou cuoi ene tranchée 220 c.-.2g1t1,M73 ":`,`" traversante remplle par ur: rPi:11,-ÉHausm ccr par u S id LM 5 forterno conducff:::,er monocristaiiin Ocre, de type complérrismtaire à celui eu substrai. efflimple en sclur: ,ronoonstallin, ici, un substrat rahriic es zir..ffries de diffusion P+ ev sur le le,cp.iel éq.....C.a Xev fl a 10 dans une mre p tare cohabiter 1,:52 cin,,3-3.3 part sune rorifi7ne'-si, cellue, la Oicids et le traies. IGBT à conduction inverse t'aman': ,edite cellule, et d'autiuiet au s23n de la puce, deux cellules .mites quelconques. En ete du îa c,es diFfâceries oess"aes entre les deux sections associées , diode e nsistor. 15 cellule, interactions oe la structure gaie de kcelietsiotégrée, li tégcaoe no structure de dode n structure IGEi",!- conduction inverse murant un circuit de découpage ;- po « boost » n'est -d l'homme du métier. 20 ivsnt la Figure 3B et une première 3ieuxième mode de réalisation, une puce rriolitipèle 202 réalise illustré sur !a Fi Di re rn..r par:ie ou de la tota.':'!à puissance multi-ohase un co-,vortisseur électronique ee puissance. Suivant 3'A te cdi uu1t ë.;*:Uque 304 est composé d'une 25 pluralité d'un nornbre ec"i' suaeiUaur on ês a e, de circuits élémerffalres ,. 2, 30(33 de i2!ei3r earje de type ra n Ch és en parallèle en.,riD oYeimiere borne 3é8 é une tension "a plus inkm.ite VBus d'un bus clalimr.rliffion et ci usdsjxérae terne 310 à une tension la plus uesse du rnFêre, bus d'alimentation, c'est-à-dire une masse 30 électrique. Les cceuts. e!fimverMaireis 3061, 3062, 3063 m, 305x, comprennent chacun un point ', e re:ànt en série eur diode et irarKstor ccrrespendaq 'fs; mlieux séparés étant respectivement (lki, -às per PMIPM2, P M3, PMX. P Figure 3, la puce meiry51e 302 compoée un :substrat 35 semi-conducteur 312 de typa P, délimité par une premià,e, face supérieure 04, 3060849 30 314 et une deuxième face inférlet.ire 316, mutuellement opposées, prentiiire face supérieure 314 el. la deuxième face infe&irieure l'.316 f:litarit consjclérées par a:Heurs et respectivement comme prie î.e-einiè:Te face avant et une deuxième face arrière 'ors de llassern)lage de la puce sui. par 5 exemple un circuit lrecrlmé PCB .'ion anglais Printed Circuit Board) du mou e de puissance muiti-phase. La puce multloêle 302 comporte X cellules de commutatlon, intégrées verticalement de manière monolitnique dans le substrat sernbconducteur 312 suivant une direCion vertica e D2.. 'l,ustrée sur le FigUre 3F une une flèche 10 318, et 7.èCiartieS ï:.d:É:f"a'(..',Ir'eï...i.. dans "--, même pq.`j`Mier :,i..J*Ariat de manière compacte suivant i ' o'ar d'extension P2, perpendiculaire te direction verticale D2 d'in ..gration, et illustre de bout sur le F. na 3E sLpvant une direction longitudinale qu correspond à un ullrement compact des cellules de commutation entre elJr,e. 15 Ici, sur la He 3E ..!:,:eues deux cellules de cornmutat'on 3221, 3222, adjacentes s:JiVi2.Clt dbeclon longitudinale Dion22 sont représentées sur la Figure 3E Dar souci de. sHcïté de lecture de la Figure 3[3: Los deux cellubs de crnrlutaYon. 322, 3222 correspondent ici respectivement aux circLiit,.:; eérneitta'res 3001 et 3062. 20 Ch;,-,:;t..'E' ,;'-e'°1Uk7: de commutation 3221, 3222 eSt. une celLne doube compartentee respt;:n-e'vernent par un me- r encelnte isc'ent r on traverent co,lport., t-ept,:.,K;,-,ivernent une Str'jCtUre élerrentalre 32ï!.-1, 3282 .,x buc,.;y, touéepar une ollopie 3301, 3302 3241, circuit de deccenage t un irten-uptei..ir elocteirligLie coirimer:dé 3321, 3322. La diode 3301 et 25 lInter: e éke.::ir,-..nque comrpandé 3321, sont intégrés respectivement dans un premier velurrie 3341 et un deuxième volume 3361 du substra sem:- conclue:eu, ce la cellife ce commutation partagée 3221. La diode 3:302 et l'interrupteur électronique normande 3322, sont intégrés respectivement dans un premier volume 3342 et un deuxième volume 3362 du substral same 30 conducteur de a cellule de commutation partagée 3222. Le premier volume 3341, 3342 et le rie..ixème volume 33o1, 3362 d'une même cellule de cornmetadon 3221, 3222 sont voisins, sép:rés et entourés par le mur dericeirite i,s:;o'arn non traversent 3241, 3242 correspondant de ladite même cellule de commutation 3221, 3222. 3060849 31 Chaque cellule de commu.tOr 3221, 32.22 coorte une borne de niasse e cu 373 n t:32 et une borne de polarité é,.actque dbi..is 3401, en -.?sees niveau de la prei-niero race supérieure 314, i-esoectivi.mnerY; oremle- volume 3341, 3342 et le deuxième volurne 3361, 5 33.32. Choque ceiiula de con; publion 3221, 3222 comporte une borne do 'airdnej 3411, 3412 d'un aeu, tenant, disposée en Ce.ssoui.-.,i Ou prernie7 voiLirre. 3341, 3342 et du deaxieir 336' niveau de la .serni-concli..'cte..,i, 312 pour 10 !*aCCOFder une catbeoe ne e diode 3301, 3302 à une cathode do l'intenupteur comniandé 3321, 3322, Chaque cellule de commutation 3221, 3222 comporte une oe sem conductniaa de diffaelon 3421, N complifintentaire P du 312 .:'o -nt dopé N+, en contact et 15 milieu 3411, 3412 dun ..iseu' tenant, assooà:a ed.de de cmnnutaton 3221, 3222, et l'ensemci,e rnï nar des 3461 ; 3442, deuxième 3 'l vre subitnri: de ne corrir.2mernaire, et un seTrli-CO r d LYCIrrce 20 f0flemnt: Line de ton 3221, 3222 innme ça 90(. ornent diode 3 330 e O coseoue prender volume 334 et et [...iontelernent dew(eme volume En pratique en de reniera onéférée, à partir d'un épais do 25 type P- monocristal:in .lbrrharf. subs.h.al: somi-conductour zones , do: soni fn.brnLeespau un °age, ment:ail:é . iace arriê,e d. si.,ibe,17at 312 P- - 'des zones eèlectiennées et r"IrMes par msquaa. 30 Ici deux cellules quelconques, acj.centes entre elles sont séparées atérelemert par uni,: rtim aemconducle'.e 343 s'élend des bornem.; 3332 et Ce bus le niveau ., deux poin,,, milieux PM PM2. ---?' - uxiame \Pana:rite dun deuxième mode 35 de réalisai:ie.n, une p e multioûle 352 cuit élect Tique 304, illustre i:ii.:onrimiancié 3321, 3322 en deSSOUS dU 3060849 32 sur la Figure 3C, d'une partie ou de la totalité d'un module de puissance multi-phase pour un convertisseur électronique de puissance. L pUCe MU:tipô'e 352 de la Figure 2C est similaire la puce 302 de !e figure 3E en ayart. une structure quasi-identique mais en diffère par !es 5 caactértues suivantes. Premièrement, la puce 352 comporte un substrat semi- conducteur 362 qui d:frère du substra.t semi-conducteur 312 en ce qu'il est dé imité par une surface in.érieure 360 confondue avec es faces inférieures 34, 34.4, 3401, 3462 des premier et deuxième voit:mer; 3341, 3342 , 3361, 10 3332 du substrat semi-conducteur 362. Ainsi ia face ie riférieure 366 du substrat semi-conducieur 362 de la Figure 3C est au même niveau que es faces l'férieures 3441, 3442, 3431, 3462 des premier et deuxième volumes 3341, 334 'Dol tandis que la face la plus inférieure 316 du substrat semi-conducteur 312 de !a i"'gure 38 est situé en retrait à un niveau 15 strictement inférieur au niveau des faces inférieures 3441, 3442, 34Gi 3462 des premier et deuxième .volumes 3341, 334, , 3351, 3362. Ainsi, chaque borne de point milieu 3411, 3412 d'un seul tenant est disposée ici en dessous du premier volume 3341, 3342 et du deuxième volume 3361, 3362 qui lui sont asso s et au dessous à un niveau strictement nférieur de la: deuxième 20 face .'eure 366 du substrat semi-conducteur 362. lxièmement, aouce 352 de la deuxième variante diffère de la puce 302 de la première wriante en ce que deux cellules quelconques, adjacentes entre eues, sont séparées iatéralernent par une portion du substrat semiconducteur 307 qu s'étend entre o niveau des bornes de masse 3381, 3382 25 et de bus 340i, 3402 et un niveau identique ou sensiblement supérieur au niveau inférieur des premiers et deuxièmes veiumes 3341, 3342, 3361, 3362. En pratique et de manière préférée, les zones semi-conductrices N+ de type cern ureentaire du type P- du substrat 362 des cellules de commutation sont des zones obtenues par gravure d'un substrat primitif 30 monocristallin de type N+ con- o'émentaire sur isouel a été gravé au préalaUe le substrat sem-conducteur P- épitaxié. La portion de substrat semi-conducteur 3g7 qui sèpare chaque paire de requIes adjacentes comporte un évidement 39 au niveau des zones sevni-corductrices 3421, 3422 de type compièmentar'D N+ 35 L'évidement 39'8 est romp ici par un matériau solide diélectrique. 3060849 33 Do rnanè ,lenérp.,,,, l'évidement ee rempli par un matériau solide isolart o'', un isolar t. o:.1 le \Aie, rr. nérale et h:.ariniTierit ,,arlan.l.e le mur denc.E.::nt.f.,:.; ,i1::;î3ultenant dune ic c0Trn'itatlon y, puces 302, 5 352 peut à partir d'une tranchée c-cïtraversante, rempliÉ:.3 par un matériau isolant ou ur ,duC.e'Ar e type corrolérnen;Uie à celui du subF.,;tt i7.,atr d'une dsci'' au chcx .....vite' ilaversarite, reinolqa par un bsrat semi 10 conduct.::rx, de dhusi CO Y; Sê t'f ssaoe. Ei pratique, poi..ir oflla première variante, du premier P:,-..)de dE.? réalisa.ili...;ri de de rélliser le mur d'enceirri.g..:- d'iirie tranchée. cre.,..,.,,Frop--.5-,e,, . 1322. Suivant:-. et 1d prerpierip variante d(2 rénlisatior, c»,:»: plu:dipôle 502 '.....64? cl.a:»...1 él(.:::ctins,3e 504, illustd. sur LI. A, d'une part.:E.s. t222',,2,:: ç'ncule de puissance n...n, ' :oe un cervi?».tisset.,/,' (E.,:, .,.,..r,,,:;.m..1-',ie, de pLence. 1 5[: \ ia '''.:''i. t.: É:iif2'1:e ':.,=:':.,k51> (.';5::'., 'MI pq:)Sé d'une ). -, .c,..nis >::::»e, ,.ei.i',..e».,2,,.-::.; ,:.,:;:-.,.', identki5, ES ,.., ':::-.:g .':.>,', ( i'; « ' i:»::::',c, ::-Y...':.p.r.'t::..?.': i": il'1.',;hé:::::, en parallèle la to:us Paute Vgus d'un bus ,tatîon ';r.K.:.ign la plus 1:ja3;7,.: du Mânit):....OE; " 604 , 30,4 de la Figure 3, pu,7,es, 3(.)2 et 352 du modo et çt4LU 304- cr.), s - 5063 506x so 25 bock » 3061 3062.. 306:. ... 306x di::.f.r.s ® s une de-e ,,:ème 5101, 6102, 51 , 510x est branchee en avec rinterrup commandé duc.Ft f,;:m1,-.m.3,pf-,:n(h- nt 3C 3C63,..., Suivant :14âle 502 est dériv&7,.., de la puce 30 multipôle ,J,.;::-mt la première varl&nts, de:rne mode de :aysn: une structure quasi-identique à cette sltue-.;:f,; en -nesscus qek.....rme vournes 3461, ,-9nE des, 35 Ze,r:4S serni-condrJetrices de 5421, 5422 ponctuées ch:_ine 3060849 36 latéralement par une zone semi-conductrice intermédre incluse 5461, 5462, &..: rriième type oe .ire P qui:: ,e substrat serri-coneucteur 312 et fortement r , Fi.'..' f. e. so 'tie que k::i deuxième vo''irb:: 33:,,31, 3362 de substrat 302, . .:;-cene semi-conductrice internédiaire 5461, 5462 fourrent la seconde 5 d iOd e 51 01, 5102, rnotée en antiparallèle avec l'interrupteur électronique commandé correspo-idant 3321, 3322. Suivant la Figure 5C et une deuxième variante du quatrième mode do r&alisalon, ure puce mule .li.52 e..cs; rivre i:tr:. z, puce rn ,-, 352 cl e la Figure 3C Suivant la deuxiime .,,,,,ariarite di..i (leu ièrne «c«,Je r réalisation en 10 ayant une structure :ilentique a cens dernière et diffère .seiSerne'2 ladite puce 352 f '.:;ue les zones :semi-conductrices de diffusion 3421, 3422 de type con .nentare et fortement Copiée N+, situéez:) en dessous des deuxlEllime volumes 3461, 34' »rit des zones semi-conductrices de d'ffusion r t:».;r22 poncituià.im,i chau.,vie i;:::éra ement o.ai- une zone seMi° 15 CendUniCe ÎntE:'!":",1àdiaire .4::U.Jse 2:-.59, e même tyoo de dopage N que .0 subatre serri-oonducteur 362 et .l,:,:e-leriert ,Qfl P, de sorte que le deuxleme volume 336, 33 , substra': :362, la zone serni-conductrice intermédiaire 596i, 5962 formert seconde diode 5101, 5102, irentée en antiparal4.:qe avec l'interrupt ,i ir ei,ict,onicius commandé correspondai-it 3321, 20 3322. Suivant la Figure 6B e -n e.:irici rre mode de réal:séton, une puce mupôle 602 -éalise un circuit elec1flqe 604, illustné sur la Figwo 6A, dun module de puissance multi-ohase r un convertisseur électronique de puissance, 25 SUiVEI ri'. ' iure 6A, le &cuit électrique 604 est obtenu en comb:nent le cirimilt éiectrique "i0z.l. de la Figure 2A et le circult electriqi..is 304 ce le Figure 3A CO'resooridanti respectivement à un module ML.ML''.):1aSe de X circuits de découpage de type « bocet» et à Un ITIOdUk3 multi-phase de X circuits de découpage de type « buck », X étant un nombre entier supérie...r 30 ou égal à 2. Suivant la Figure 6A le circuit électrique 604 est démon d'une pluralité d'un nornbre 'cuits élémentaires 6061, 6062 Mer .igLies de découpage réversible, de type « bras de on nt compiet », brarchés parallèle enfle une première borne 608 à une tension le plus haute VBus 35 d'un bus d'alimentation et une Ceuxième borne 610 à une tension ;a plus 3060849 37 basse du mre bus d'alimente:en, c'est-à-de une masse éleclrique. Les circu:ts el.érne.taires Ca déccuoag .;;i"..;:,61, 0 comnrennent chave,...ï sr iiUeu sépsr iMaret nés par `PM2, Chaeue circuit 5érién,ici.42,K:,,, CYJ6. "062 se, 606x formant un bras i..e 'ont ccmpat, est la fusion d'un &cuit de elécouna"3.3 de tvoe « boost » et d'un circuit -- découpage de ty.o..s buck en DareP::::e. 6B, i.e. pro 002 comporte un substrat ne type é ' r erniere supérieure 10 614 et une cesx'erse f 4i 3.:ut..'..,1e,1k7srien opposées, la premlése tare spaeure 614 et . desuderne face 616 étant s;heurs et respectivemeni ocsrme une première face avant et une deuxlenie face arrlere °ors (3e l'assemblage de la puce sur pa exerre srirflrrï Pe7J s Pr'nted Circuit Board) du 15 de issas-a>a O 602 c.-pri:.?c, cenrimutaton, int ver-l1caersient do nanie.re rsonclithique dans le subertum 0e3i1econdur.,1e...: $12 direesier verUsa:s D1, illustrée sur la tB oerféoh,D 618 'ateri:Venent dans le même s;:.,.3sb-at. de rnari:ers senlpacte 20 suvartun pan`f.'eX.t.WSie.:::)il P1, perpendiculaire .:;; la (1'reC:01 D1 d'intégration, et illustré de bout sur la 6B svest ne clestion longliudinale Diong qui correspond à un a' -.. ont compact des cellules de corannutation entre elles. sur la Flgure 6B deules deux cellules de ccmscutation 6221, , 25 prites suivant la direction D1 soni résen45es eur la Figure 63 par souc de simplicité de .Uscture de la uure 6B.. tes deux cela de cv-qm,talion 6221, 6222 correspondent ici respectiverent aux circuit: étemenIaires 6062. Chape de cornmutation 6221, 6222 est une cellule double 30 compartirnerree respect'vernern pa, un mur d'eesente solaaf non traversant 6241, -,noqe ern ect\çvnent une p'er u-e eiernedtalre de circu[t de M(...:0Upag 7A (.:{..FX& ne c.-Jrcutt de découpage cenuesensinegec premier volume 530,, 6302 du subst.at sesneccnducteur 02 rieuxièrne volume 632 au qnv 35 substrat semi-conducteur 612, le pn.WE.n. volume 6301, 6302 et le deteseries 3060849 38 volume 6321, 6322 correspondart àlire même .cellu!e de commutation 6221, 6222 étant voisins, et entoui.és par le mur d'enceinte isolant non traversant correspereed 6; 024.2, ChaC,L.F; cf..(: d commuMon e221, 6222 comporte une borne ce 5 polar de bus 6341, 6342 et une borne d niasse électrique 6361, 0362, séparées et disposées, au niveau de la première face supérieure 614, respentverrmt _ premier volume 6301, 6302 et le deuxième volume 6321, 3322. Chaque cellule de commutation 6221, 6222 comporte une double 10 borne de point milieu 6381, 6382 di,,,,isée en une première sous-borne séparée 6401, 6402 et une Jel..rx, cy.3-borne séparée 6421, 6422 disposées respectivement en clE--ssoLis d!:4 premier volume 6301, 6302 et du deuxrui volume 6321, 6322, et eu niveaa de!a deuxième face Întéroure 616 du substrat semi-conducteur 612. 15 Pour cel:ule de cOMilljtalion 6221, 6222, la première structure eié circuit de aécoupage de typo « boost » 6261, 6262 comporte une première diode 6501, 6502, et un premier interrupteur commandé 652, 0522, illtégréS respeavergent dans le premier volume 6301, 6302 du substrat semi-conducteur et le deuarne volume 6321, (322 du substrat semi- 20 conducteur 612. L'anode de epremière diode b5ù1, 6502 et l'anode du prûmr nte7upteur commande 6521, 6522 forment respectivement la premiee sous-nome 6401, de point milieu, située en dessous du premier volume 6301, 3302 de substrat semi-conducteur 612 et la deuxième sous-borne 6421, 6422 de point milieu, située en dessous du deuxÀème 25 volume 6321, 6322 de substrat semi-conducteur 612, Je première sous-borne 6401, 6402 et la deuxième sous-borne 6421, 6422 d'une même cellule de commutation 6221, 6222 étant correctées eu plus près pour former la borne de point milieu d'un seul tenant 638 6382de ladite cellule de commutation 6221, 6222. 30 Pour cheque cellule de commutation 6221, 6222, la deuxième structure É*iérnertafte de circuit de découpage de type « buck » 6281, 6282 comporte une deuxième diode 6601, 6602 et un deuxième interrupteur commandé 6621, 6622: int,,,:grés respectivement dans le deuxième volume 632,' 6322 Hl subs:rat semi-conducteur 612 et epremier volume 6301, :302 du substrat 35 semi-conducteur 612. La cathode m a deuxième diode 6601, 6602 et la 3060849 39 cathode du deuxiem nterruote...p commandé 0621, 6622 forment resp 1ivement deu,3Berne sous-bore 642i, 6422 de point milieu, située Xlerre voiurn et la première sous- borne , 6402 5 6301, 6302 deuxième sous-borrie b -? étant connectées aupi f.essious du premier 60i, 6402 et la FPe de ,:-.......wornutaton 6221, 5c2e cE3 t.)cht milieu d'un seul tenant 6381, 63 de ladite cE e de commutation 6221, 6222: ici, pour chaci..ie comiri.?t-Kion 6221, 6222, 10 cor:,rinand 122 b,p0".aire. °Caf," (onductio,", nvers., Ç4 ci aes 512ca. 'tic ure let-oc ;r :ost, i ia c ixèrre inte, 662, est -aussi:or t.,.00intre isolée semi-conciiic::eur c2trCJCiE3 ion-gant la commandé 6621, -1MOS) à conduction 15 inverse rea,i,:m::} dans le Sibt,:trat: seiri-oondui:-;tou 612 ne type Nt-, et cornpoi-te une deux '.',:me électrode de cathode t:Orniarv., ro-mère sous-borre 6401, e point milieu, située en dosso-es o 1.raear volume 6301, 630- de substrat 612. La borne de bus 6341, 6342 formarm la cathode de la r Inière diode 6501, 6502 et l'airoda du Ceuxierre rdarieur-nmandeO%2., OS22 20 recouvre une première, zo. iateralernerit point milieu, d volume de substrat 6 et formant canope de ,a c3aècie olode 6601, 6632 et la catnole du ',,-irernier ifltejcuL..aur commandé %P2, 6522, reco..ivra iine to dérae. zone 25 dopé P et une raicistme zoné do, icerrtes ent:- De ma eé néale, et Îildépnc!arrinnieq de variante et du mode de réalisation, selon , aindri .102, 1 2, 302, 352, 402, 452, 502, 552, et 602, corresocruant respectivement Egures 2B, 2C, 3B, 3C, 4,3, 4C, 5B, 5C, 6, sont une puce selor. l'invention qui possède les 30 caractéristiques sulvantes. De une puce multipôte selon l'invention d'un module Ce ou'ssari,-..e coniporte un substrat sern-conducteur, crernie,e t>asoo Ft une in'érieure, mutuellement opposées. La DUCi.3 mol:pôle comporte egalerrelt nornh-o 35 entièr X, supérieur ou égcua ce , de cellules de commutatlon,tc;nes ,:rites entre eeS. C p b rri , 6322 3060849 verticnlement de manière monolithique dans le substrat semi-conducteur suivant une direction Vel'tiCae et réparties latèra fanent dans le même substrat de manière ctgrpacte suivant un plan d'extension perpendiculaire à 'a direction verticale d'ir tion. 5 C hsçque cellule dG commutition est ' --.4 cellule double,- comi limentéi::. - un mur d'enceinte isolant non traversant et comporte urt,:i i,..t'ucti.ii-f. de découpagei, formée par une diode et un interrupteur électrci ,.- commandé, la diode et l'interrupteur e..Eictrcin que commandé: étant ' riTtspFtctivement d a Fls un premier volume citi subetrat serni 10 conducteur et un deuxième volume du substrat semi-conducteur, les prf.:gnier et deuxième volumes de la cellule de commutation étant voisins, séparés et entourffi...i par isi, mur d'enceinte isolant non traversent. cham.:e cellule de commutation comporte tille borne de polarité élection d'un bUS et une borne de masse 'électrique, séparées Ot 15 d jr: E:i.., niveau de la première face supérieure, respectivement sur le premier volume et le deuxième, voitime lorsque le substnat semiesoniiiticteur est de type N et respectivement sur Io deuxième volume et le premier volume lorsque lii3 substrat est de t}®e P. Chaque peule de commutation comporte line borne de point milieu 20 d'un se u tenant, disposée en dessous du premier volume et du deuxième volume et au niveau ou en dessous en retrait de la deuxième face inférieure du substrat pour raccorder une anode de - diode â une anode de l'interrupteur commandé lorsque le substrat semi-conducteur est de type N, ou une cathode de la diode à une cathode de l'interrupteur commandé 25 lorsque le substrat semi-conducteur est de type P. SulTant les Figures 7A à 7B et une première forme de réalisation, un module u,' puissance muni-phase 1100 selon l'invention pour un convertisseur électronique de puissance comporte une première puce multipôle 1102 et une deuxième puce multipôle 1104. 30 La première puce mu:fi-pôle 1102 est ici une puce identique à la puce 152 de la Figure 2C et comporte un premier substrat semi-conducteur 1112 de type N-, délimité par uns première face supérieure 1114 et une deux face inférieure 1116, mutuellement opposées. La première puce rnuttitti3le 1102 comporte un nombre entier X, 35 supérieur ou égal à deux, premières CeillffiàS de commutation 11221, 3060849 41 11222, ..., 1122x, intégrées verbalement de manière monciiitilique dans le premier substrat seirrii-conducte,...r ;:,irie direction Dl et lateraleenent dans le mérnir;:i prenr sirttn,..-rit 1112 c ccnneect:e oten d'extension Pl percendicl'ierei à la direction 5 vetrlicale d'ii rein Dl. Chaque ;priern'fÉ:ii.e cellule de comnrAntion 11221, 11 t une cellule double-ccfru,:;::rt..irnentée par un prernbr mur d'enceirte isr)lant non traversa-1 11241, 1124 corni.rorte une premkii,re structunrc fcirrii:7. par une prenlière (1 t(1: 261, 11262 uri tt;ieupteur 10 commande 11281, ,21,2..,2, intéo 'es,...ipectivernint Caris un premier. on::.rrrier volume 11301, 11...'02 du substrat semi-condecteur 1112 et un orerrtier deuxième volurre 11311, 11312 - -; substrat senii-conductsur, les premier premier et deuxième volumes 11301, 11311; 11- 11312 de !a cellule de irxenrriWerbon 11222 tant voisins, FiàParéS et eritou par le 15 premie! rniir creric.;eirrie li'aversant 11241,1 '1242. Char;iue celiuie: die commutation 11221, 11222 coi-Er:pores 1,..ne ordre:ère bcrne rie eecir..icue: de bus 11321, 11322 et une première borne de rnasse é:ore-igue 11341, 11342, séparées et disposées, su niveau de la pre:riere première face supérieure 1114, reseoci:vee.-Eint sur ie premier 20 renier volume 11301, 11302 et le orer.iier eei.ixiéri...e volume 1 Chaque première cellule de comrni..'treon 11221, 1122.? correir)ïte ;me première berne, de point milieu 11361, I362 d'un seul tenant dlsposéeen dessous du premier premier volurirre -11301, 11302 et du prerr'er deuxième volume 11311, 11312 et en dessous en retrait de !a deuxième face inférieure 25 1116 du substrat 1112 pciLir raccorder enePre anode Ce oirrière dio':le 11261, 11262 à Urie prcrnie. .'., ore -nier interrupteur corrnnaridé 11281, 1122. Caqua première ceiluic de oc nmotai n I 1221, 11222 comporte ure zone se.-;errii-r;oncluctrice de diffusion 11481, de type P comiernentritne 30 dà ty0E -rentier substrat semiiicct7clur-liur - emerit coritact t ii,rons,,e ei eq:::"e vriPàrïà bOrri r'T 11361, 1136 seuli»ro e' or na des faces des preme al. 1112, la zone screecor,ductrice de dirt con...ipérriya,re et 35 fortement dopé 11481, 11482 formant [e première diode 11261, en 3060849 42 11252 en dessous du premier premier volume 11301, 11302 et partiellement le premier intefrupteur électronique coreirnï.iridé 11281, 11282 en dessous du prei.trerdeuxie,np.;:; iisoli...ime 11311, 113-'' La deuxième .il.icie multipôle 1104 t:Jst ici une puce identique à la puce 5 352 de: la Figuna 3,0 corrip:ifte un clxièrne substrat sernt-conducteur 1102 de type P, délimi'A par k.ii-.:f .ice de diffusion 11881, 'Y-832de type N complémentaire au type P du deuxième substrat semi-conductetr 1162 E:t. fortern,ent dopé N+, en contact eÉ Interposée verdcaleitient erre ;.,J bet.ixièree P:::irne de point milieu 11861, 11862 dun Se..L: teri,anl. et l'enseteile forme ea. r ces faces Hférieures des premiers e deuxièmes velurries 11831, 1V02. 11'2' .1.1812 10 du deuxième substrat .enrciuisleur 1102, liEt. zone semi-condeende de diffusion de type corn:1énerare et fortement dopé N+ 1131, 11882 formant padieliement la deuxième Code 11761, 11762 en dessous du deuxième prentier volume 11801, 11 et partiellernent le premier interr.,ipteur électronique commande; en desso;..is du deuxième! deuxième volume 11811, 15 11812. La reailsation du rnoeele de pssancE:: me: -du:ise. 1100 est, effectué par lsseraqe des neex cures ''1'n( ...;:VreS, le prem ers pics 1102 et la deuxième puce lit .i.' sur ue ;.:;ubstrat . - type PC5 ou DBC (en anglais Direct Bond Co )er) xemple. Les deux euees 1102, 1104 sont 20 repor':ées sut leurs faces Suivent les Hçrs 8A à 8i3 et une del...xième rerme de réalisadon, un mu:Joie 0- 'issenee multi-pheee 1230 selon l'inveetion id:;:ur un convertisseur éiei..;trenique de pul:?.,;sencie comporte une orerritere puce mt.itleide 1202, une deuxième puce jie 1204, et une trois;ème puce 25 multipôle 1206. La premèms ,Dut.:ei multiple 1202 est ici une puce identique à l puce 152 de la Figure 2G et à te puce 1102 de la Figure 76. La deuxième puce multipôle 1204 comporte un deuxième substrat semi-conducteur 1212 de type N-, délimité par une deuxième preni?re face 30 supérbure 1214 et une deuxièrrr. 17.!e..wiè,rne face inférieure 1216, mutuellement opposées, et X de ....res Int,:irrupteua's cortnandé:','; '2241, 12242, ; d55; vertilernent de remière ino n o)th pie dans ie deuxième substrat semi-conducteur 1212 eu vert une d'rectien verdcale 02 et réparties latéralement dans le même deuxième substrat de manière compacte suivant 3060849 44 un plan d'extension P2 perpendiculahD à la i'irection verticale d'int,gration D2. La deuxième puce multiele 1204 compote une électrode de polanté do bus d'alimentation 1232, part8née par les deuxièmes inen.ipteurs 5 commandés 12241, 12242 et formant les anodes des d,:,1uxièrnes interrupteurs commandés, et chaque dE7n.xièrre interrup p- commandé 12241, 12242 comporte au niveau de ia deuxième première face stip:: ure 1214, une borne de cathode 12341, 12342 formant une borre séparée de point milieu PM1, PM2. 10 La troisième puce mult pôle 1206 comporte un troisième substrat: semi-conducteur 1252 de type N-, dee:imité par une troisième première face supérieure 1254 et une troisième deuxième face êrieure 1256, mutLCernerlt opposées, et X troisièmes diodes 1262 12; ..., 1262, intégrées verticalement de manière monolithique dans e roiGWere substrat 15 semi-conducteur 1252 suivant une direction vertcae D3 et réparties latéralement dans le même troisième substrat 1252 de rnaniià.7e compacte suivant un plan d'extension P3 perpendiculaire à !a direction verticale D3 d'intégration. .i-oisième puce mu;t:i-pôte 1206 comporte immédiatement en 2a dessy...J3 de o ro'sième deuxième ''co inférieure 1256 du troPme substrat serniconducl.eur 1252 une troisième zone de diffusion 126z, ne type P+ compiërnentairE. ou type N- du aLbstrat 1252 n fortement dopé, et en dessous ce a troSième zone de &fusion Pi- 1.264. une troisième électrode de masse .docdque 1266, la troisième zone de difiiision P+ 1264 et la 25 trois'évn2 é)ectrrde de masse électrique -'266 étant partagées troisièmes :-Iodes 12621, 12622, et la troisiéme ecLrcde de masse électrique 1266 formant les anodes desdites troisièmes diodes12621, 12622. Chaque troisième diode 12621, 12622 comporte un troisième mur d'enceinte 12721, 12722 isolant non traversant d'un seul tenant et d'isolation électrique, J dàlimitant respectivement un troisième volume 12821, 12822 de substrat semi-conducteur 1152. Chaque troisième diode 12621, 12622 comporte respectivement une électrode de poirt milieu séparé 12841, 12842 disposée sur le treis..:em volume 12821, 12822 correspondant. L'avantage de cette deux;ôrre forme de réalisation réside dans le fait 35 que les substrats semi-conducteurs des trois puces 1202, 1204, 1206 sort 3060849 de type N e, présentent de ce t de meilleu..ires performances à l'ét:i7.11 passant q -d'Ir; substrat de t'vd:. vue [é.intiO C'S;; ';',.:`"';;n V( )S3 R77î sont sur une (b:Ci3 de la claqueté nj \e,,fafer :;Y:emière et d..xdencss 5 1202, 1204 ot1 e Lacie utliiser n suUstpat épitaxié. optimise eqniert un retournement n-chip) des deuxierie et troisième puces 1204, 1206. s Figure 9A 913 une troisième forme de réalisation, un Trv),,Jle: 1300 selon l'invention pour un 10 CerierUs.:,..En..p- comporte une première puce multipêle1302.. et une oeddrnn scnr. iple 1304. Le c)-,errosps cui>:) ici une puce i';:lepnitiP :aa puce 452 de le, .p.ctieme puce 1704 est iderq deuxième ouce1204 15 Ce Yrs 1302 c.c.,',.:Pc)re rerniep. M tyx tS une se.rdrn onrrn ace sup;.1.p1eure 1314 et une premlePn deuxième face iriférieurs 1316, opposées. La première cuce muliticle 1302 cpdmporte un norr*...'..re entier X, 20 supérieur ou égal de-x de conim..itation 13221, 13222, intégrées ::71; (2,n `17à15.;;:: substrat semi-concl..s..PA:.;,,i `Va n. nlrestior, vediceie 1 et répudies lai,:".'.i.A.Mrfer:t. dcn ?e .p rrà.? r Ocp:Tpacte suivant un d',:;)xtension P1 .dit.ecton verticlo D1 25 d'iej première cellule de co..nm,..'.tallon 1322, 13222 est une cellulp cloptile-conipartimentée par un mur d'enceinte :salant non truh:::?rs..an'i. 13241, 132 cornbortene premiillue structure de circuit de déceLcnuus, orniée premlés- code, un prs.,,.,rnier errupteur électrorpu cornu-raide et 30 irn deumi.:.:yme diode, la oremien.: paire fornr.)e rer e premier r::,`'",") et s cl dE montée en 13321, 13322 su supstret edl-concli...:pieur 1312 3341, 13342 du substrat serniccndecteur 1312, ks. - ,rernlor c "'Duxièrnu: vciumes 13321, 13341;13322 3060849 46 13312 C cellule de commutation 13221, 13222 étant voisins, séparés et entourés par is PMier ni...ir d'enceinte isoiard son traversant 13241, 13s (due i:Wernière iiiieilip!si sie commutation 13221, 13222 comporte uno première some pi polarité alectiiinue de bi....s 13421, 13422 o',: une, première 5 borne de. 42,e.pares iiid disposées, au niveau Cie ia nrerrilere imiiniiiess face si.,ii iiii'iiiiire 1314, res-5E.ctive-rie-e, sur f:.; prâmier volume .13321, I 2sit le deuxième volume 13341, 13342 Chaque iirireirilere ce'.ile de commutation 13221, 13222 comporte une premiêiie borne de point milieu 13461, 13462 dun seul tenant, disposés en 10 dessous du premier volume 13321, 13322 et du deuxième volume 13341, 13342 et en dessous en retrait de la premièriiii,i première face infèneure 1316 du substrat 1312 pour raccorder une première anocie de la première diode ` une première anode du ..-) mier inteirupteur comnapdé; C'VelLie PreMière '''' I ,;,! de commutation 13221, 13222 corp u.... ure 15 zona erri-conducu; ..:;ile serncondpictrice interisediaire incluse 13561, '3562 , de même , dopage N que le substrat semi-conducteur et feston-sant dopé N+, Je sorte que le (Jeuxième 30 volume de substrat 13341, 1334, la zone semi-conductrice jutai psi:lb:Mire 13561, 13562 forme lia seconde dodc montée en antiparallèle avec l'item, pf.isr électronique commence.. I...iavantagei da cette deuxième forme de réalisation réside dans le fait que les substrats Serli-CandJCteun.--; de trois puces sont de type N et 35 présentent de ce fait de meilleures performances à l'état passars qu'un 3060849 47 substrat de type R D'un -oint de, vii.e technologique, la réalisoton est simple car les tansistors MC,Y=.3 iGFT etune face (ou wafer an4.J'als) 1332.. 3a4 eocile dutiJs- 'ri ,ss.l.rut é exè orsr.;:n5 :-,:.,:isse.::rntilage est o misé un 5 retournement >, de la première ducal 302 est requis. Toutefois d'autres modes d'asserrolàge sont poss:r..3s ScuS réserve du des connexions entre les bornes de points rr..i.s,ux. PM sI. PlY2 des preTqère sI beuxième, pbcx.:s1302. 1304, elfre ies bernes de tension Vb.,,*, cies pnarliÉ:ire el deux'.,àrib:::: puces 10 es19i3 C.P,iatrièMe l'orine oc rès.:,:zlion, un 400 sien l'inventer pour un ,:;de une prenier puce multp5le 1402 et bre 1e..sIème pw mu:1V.51e 1401, première puc ........ueéIe1432 est ici une puce L'!entique à la suce 15 7:52 de la Figure 5C. La première puce rn.,,,Moi,5le 1402 comporte un premier substTat semi- conducteur 1412 de type 7 une première pren.._e eos supéreure 1414 et une nère deuxïècne face inférieure 1416, test opposées. 20 Le p-ernière puce - pôle 1402 compce en nombre entier X, supé,iEyJr eu égal à Ce ty.E:imières cellL ce co,nriutation 14221, 14222, 1.422x de manière rnono:ithic,.,re ;11-n 3 le premier 57;ulbstr3 iccndjc2u 4 2 s'.,:mt une direu.ion verticak2.; D1 et répartio,L.Ç latéralement dans le rrie.)rr , premier substrat de manière compacte 25 Slii V7.! ! d'extension L1. peri.:.:i.mJculaire à la di!-ection verticale D1 Chaque verrirec celluk: de corrixo.,:it,,:don 1 ;221, 1422 est une cellule double-corripartimeniée par inur d'enc&Me traversant 1424, 14242 corridor e [..)re-ilere structure dn c",c:lit dede.,icoupage 30 'buck aecn Tl' sI. psire formée par :4e u. comirance - deu:> : CO' ri falblement dé par une 5 (.3,2ux,ènc pe,::;::.,,-le;re :aces..6rieure 1484 et une deux'erre deu.ye'o-ne face opposées, et X d(....n.xetns commonoe's 1472 ,'.erticalement e 3.tfrnorK.ehique dans le detre'.c.;,.,rnep 462 direction verticale D2 et repa-`[,es lal.:eruieynent dans t.ri'ere. 10 manière compa:::',- à "a direction Ti(r La dety,.eri .Juce mu:t)pdke 404 ca busd'..,:.V.rnen':ation 1482, par- ,es de.d. commandés. 14721, 14722 et formant :es W.),..:des des (eux( 15 commandés 14721, 14722,e :;n.:-.adue late,,rn..q.)1.eur commande 14721, 14722comere su Ve;UV'.1de s. leux'èrr '.7emière si.ipÉleuere 1464, une borne de cathode 148'4 , 1442 formant une borne ée de peint mHfr PM1, nro2. cette ciatÊôrre fo-rnie a réalisaJciti réside dans le fait 20 que ef.c.,,al'seC,..3n est. s:Froie ctLes transsos MCX.3 IGBT sont sur une Se U1E'; pour les on:::mière et deuxléri 1402, u-- sjbsrsut Lorsc es.t se ur re',0:»IY:Crn... v p e" pv C7 es rf...;?.Quis uefo.s ;.-Pc..iies ..asFern.obge 25 sem Ne) "ÉJ rnieXiOnS r(C. ';')C nes de l'")M2 on3rniere et deux iexons entre "s b rP.f-,",S ce treson b.s Vbus des prer ciet.,:y'leme 1402, 1434. Suvant Figure il lA 7..11B e.5: y .,rme de éesation, 30 un rriod!...1:3 sa puissance rflu -15.0ti51 nverition pour un élect-onique ,.esence comporfie une première vice une de....dème puce n 4ipôk 504. puce vr. 1502 est une puce dent que e la puce 152 de Frgur:9 2C aysn tn ort-:be entier X, supc':rieur à 2, de 35 premières cellules. 3060849 La deuxième puce muitipôle 1504 comporte un deuxièrrie substrat 1562 de type N-, démite par une deuxième première face suoédeure 1564 et une deuxième deuxième face inférieure 1566, La il'ixierno puce 1504 comporte X cluuLlérries cellules de 5 commutation 15721, 15722, ..., 1572x, intégrées verticalement de manière monolithique dans le deuxième substrat semi-conducteur 1562 suivant une direction verticale D2 et reoar!les iatil,lea errent dans le même deuxième supsuat 1562 ne rnanière compacte suivant un plan d'extension P2 perpendiculaire à la direction 'verticale o'ir -7-.ilori 02. 10 Ci' q e deUXièrre cellule de commutation 15721, 15722 es': une cellule doubleeconspartimentee p;..u- Lin deuxième mur d'enceinte isolant non traversant 15741, 15742 et comporte une defiXtà."Tle structure oe dècouP68e formée par une deuxième clied(.., eit un CieU R.2011P. interrUpteUr 6ectro due commandé, intégrés respecdvme ut cars un deuxième premir7e volume 15 15?21, 15822 du deuxière f,..;ut.stat semi-conducteur 1562 et un dedxième diurne voiume 15841, 15842 Cu deuxième substrat semi-conducteur 1562, les deuxième premier et deuxième deuxième vo:umes 15821, 15841; 15822, 15842 de la deuxième {:..e.iule de commutation 15721, 15722 étant voisins, séparés et eriteLiréé p le deuxième mur d':DricE.Dinte isolant non traversant 20 15741 i57L. Ch sue ',.7W.s.,ixème cellule de commutation 15721, 15722 comporte deuxième borne de masse idectrique 15861, 15862 et une deuxiérrie borne de polarité électrique de bus 15881, 15882, séparées et disposées, au niveau de deuxième première face supérieure 1664, respectivement sur le 25 deuxième premier volume 15821, 15822 et le deuxième deuxième volume 1584- 15842 que neuxième cellule de commubtion 15721, 15722 corruorte une deuxième borne de p(D'nt milieu 15901, 15902 doublement séparée, disposée en dessous du demierrie premier volume 15821, 15822 et du deuxième 30 deuxième volume 15841 1 FQ(...., ....su niveau de ia deuxième .ace inférieure 1566 du substrat pou- raccorc er une rieux ène cathode de la deuxième diode à une de'ixiil,rne 0.,,:1:..thcid(:34:1u deueene ,nterruptecur commandé. Lavantage de cette cinquième forme de rx..zitafior réside dans le fait que le réalisation est 11tE car les transistors MOS iGF3.1" sont sur une seule 35 face de la plaquette (ou wafer en anglais) pour les vernière et deuxième 3060849 puces 150_, 1504. En pa.ticulier !7 prorrv.?re puce 1502 un substrat épitaxlé retournerrent (en ar3e: prer.iièrr 150 1 uneSXéC 1600 .;E.:'.lon v.n.r.lon pour un modu!e convertisseur ..:lectronio'...ie de puissance ccrn,i .:v-v..,:istors l(1-.:BT, appelée anglais river , e!.)lectrod par son électror'..e,'. Pou'. cellule: type nl.7,Licirs", tontes .,es -fies scr. eee es n rt à une sec] iyotentiel p:otentlisl 20 haut VBUS es e.U"'":1E:riatio7. lin circuit driver seule uans ce cas J. cellule de t':.3 2,nlAr1.55. S groles sont 7eI dr. gral.,.on'01ee de coût et do lé 25 ;e3 30 est qi t.Ainsi, si X d ;es iJe parallèle mu « buck » Ces et X selon Ï 11voies ê OE'L1O se..de source d'ellnienta::jon Slagissa1. d aetisse,..(1. multiph',,,,;es à X phases, un convortisse syrnetnqi..iesie _ans une alion 35 optimisée en to.:Tnes de nomre, C drivers o .llmentaions, stSe 3060849 52 nécessairement X+1 drivers et X+1 sources d'alimentation isolées ou flottente:s tandis gt,î'ul conver::isseur symétique se:on l'invention comme celui des Figures 7A-73 utilisani. daux puces monolithiques asymétdques se'on l'invention (celle de la Figure 23 ou 2C et celle c',e la Figure 3B d,i 3C) 5 nécessitera de;..a( circuits driver mu/oies (un driver [nult:voie par puce) et deux aliment:L:0ns (une elimentaqpn par puce). Une eux.ème prery,' k. eSt re'ative à l'immunité. a .,Jrbations électromagn fixée per des exigences Et\:,IC dE:' compabi'.Alté éleuIrcinac .,.; Eilm;'..ro.- ,, ,1 Cie CompailopPe' n '..I I eS 10 réte .r.e:I 1 Ce S C.I e potentiels (fi.,.:s c'rcuits-,.,,o"it rois a des pup,,n-W-s fixes ou lentement vs ebes. ces eiences -te :,,9Ï-01-,S {t:: at.1(2..U`; pi.turbation en civicit (vaeation teinp)rEa9 ipii.d:.entenée de 'a tE.iipeion) 'iée au découpage de la puce, t.quP est , peK'qe '('irnrri.jr1M E M C.; I''° aussi de eia::.)iit(,'... Cette deuxième propPetê E déChtG ' mnère a,.-ogue bacs i'ai-oe de A. 15 Kadave,lu 9 i..; et al., 1.'1..itulé. « Eva,ui.ki:ori {:. 1!,:.i (',:1 `'(".', '',,I.-. i:7:',IT ana P-lGr3T for complementary inverter topology witp zero dvkt stress an çeb.e e Pvers, » 2013 IEEE Energy Conversion Congref:e: end E.xnosbon, Denver, CO, 2013, pp. 2522-2577, podr un convertisseur è: tronque ue puissance où des transistors IGST en carbure clE., silicium SiC sont intégrés seuls sous forme 20 discrète et de manière clas7iigi - 25 3060849 53 RE.7,1rrtmlc,e,:no s 1. PUCE' :::::":1.11ipôe d'un un su s2-4. 5 face s , aces comportant -elfrrl par une cieuxiefre face infér'eure (116, ; 166; 316 ftJ on ce que 10 &j'a, deux, de jUbCI:Ors: àteraiernent de manière conlpa'.:::.5e pàn dextension a la ire verticale d Jon. -ri (1221, 1222; 3221, 15 mur d'enceii-ib (1 2.4., 242 ; 324,, 3242) et cc nr:302 une ur',..r.ode (130,, 1302; 330,, 3302) et un i7.4i 8,cir,s,roan4A (1321, 1322; 3321, 3322), la diode (1301, 1302; 330,, 3302) et cornmu-lcié (132,, 1322 ; 332,, 3322) étant tfitégri,',JG 20 q..Y.Arne (134,, 1342; 3341, 3342) du subst,...> 162 deuxlime volufne (1361, 1...i.v'32; 3361 du ( 2. 42, 312, 362), ';es pro.nor volumes (1341 136, ; 1342, 1352; 3341, 336,, 3342, 3362) cellu",e do cc -i-rçkean (1221; 1222 ; 3221; 3222) r.'.,tant voisins' 25 erlbt.g....:';; triwen;.,,ant (1241, 1242 ; 3241, ! 221, 12 22) comporte une , jus (1381, 136 3402) et une iectpue (1401, ; 3381, 3382), sép. et disposées, 30 ou r'Oveau de la premiero face su rf,ïsu.,:re.. (114, 314), ::.q.',tement SUU le pes,.m;:er volume (134, 13 et e Je 42me volunus,.. iubeÇ.et2gMi-conductour (122 1 42 ee ee tyee N -t aspectveroen ver k. Oeuy1èra:::: volume (1361, prenier vclurne (3341, 3342) loreçue le E,U5Steat (312, 362) et de type P, et 3060849 54 chaque cellule de commutation (1221, 1222; 3221, 3222) contlpo.... une borne d- Mej (1411, 1412 ; 3411, 3412) d'un seul lenant, disposée er dessede r VeirrEP et: du deuxIkne vc*Jme correspondants (1341., 3341, 3361, 3342, 3302)e{..: ai niveau ou en (Éous 5 et en de la deux'eme face inférieure (116, 166 ; 316, 36) substrat (112, 'i 62 ; 312, 262) pc,e- raccorder nefs enode de la diode (1301, 1302) à une anode de l'interrupteur comi.rert'.::é (1321, 1322) lorsque serni-cordueteu7 (112, 162) est de tyde ou 10 ure cathode de la diode (3301, 33C2) â 6.: ca.:riede de l'intereepte..Ir commandé (3321, 3322) lorsque :e substrat semi-conducteur (312, 302) est de type P. 2. Puce multiple d'un module de puissance muR-. es selon 15 revc.elde-ation 1, rris lequelle chaque c e de commu.`.ation (1221, 1222; 3221, 3222) comporte une zone semi-conductrice du d'ffusion (1421, 1422; 342, 3422; 4421, 4422; 4921, 4922; 5421, 5422 ; 5921, 5922) dc type comp!ércterte)re du type du subelsat serr.:-conductee..ir (112, 162 ; 312, 352) et forierneeT.:eeaé. r ontact et le'. ve-tice!eecert entre a e peint mPieu d'n eu enant (1411, prerr;e> Verserni..-AE forme par des faces in:'éheures des 3302) du subst'at 1361, 1342, 1362, 334.1, 3361, 33f "7.3e Mi-C:rni r:,tre d diffusion (1421, 1122; 3421, '3..122; 4421, 25 1422 4 m, 5922 ) (je type comp'érrece.aireet Ue-rent ..Aement la diode (1301, 1302; 3O.0 eu dessous prc,,li(.r VOi rn , 1342 ; 3341, 33 rtie;;ernent decbencbje ^->r, fï (1321, 1322; 3321, 3322) en desse._ du deuxième volume (1361, 1362 ; 3361, 3362) 30 3. Puce rniepôle d'un mcdul.::: de puissance peulti-pheses seàn a revendicel'on 2, dans leieuel!e la zone semi-conductrice de diffusion (1421, 1422; 3421, 3422 ; 4421, 4422 ; 4921, 4922 ; 5421, 5422 ; 5921, 5922) de type comp:èmentaire 35 fortement dopé est une zone: o'r..)t..a.nue par un dopage de '.:ypie 3060849 con '-nentaire à celui du substrat s ni-conductotir ou Une zéro obtenue, psw atiavare d'un substrat cri al corrolérneribine foritemerti: Clopé sur lecii n. ore:ai:able aubstia.ti. 5 itnoa.ule d :TaSeS Selon l'une 'tics revendications 2 à 3, dans (aga:alla.; la zone semi-conductric'E. c diffusion 492, 4922; 5421, 5422. iniiiiiirent dopée, située en dessaais nigaude 10 la , une zone 4402; 4',.:16 ,CL12 ; 5461, ï..4, 561, 2-,,A5.r.,e type ce page que le substra co555r....leur (112, 162 ; 312, 362.) edO. de sorte que le deuxième volume (1361, 1532 et la zone ,'-".terrné.ilaire (4461, 5961, 15 59(32) f(iintrant sia.ipitileinnitatteire marnéen antii. able avec l'inten-ruptour électronique COnu"5:ary, 5. Puce multipeic d'un module de puissance. multnpnaisos selon l'une quelconque dre ininaandicationa 1 a 4, componant doux dein:bai iintiinontiss 20 (122, 1222) , "-t et dans laquelle les nen..n(,-:e -ntes (1221, 1222) ; (3221, 3222) sont sé5:.e5es latiaralerneni.. nr une ocria 146 substric(i sernéconducteur qui s'étend onde le niventi des bornes de masse et de bus et le niveau des bornes Ces deux 25 eoint nieu, ou une .:Jon (192 ; 397) du subsiriirli anti(iotceur setend entre nije masse et de bus et sensiblement le niveau inéreur Ie premier et deuxième volte-nias. 30 6. Puce mrdute une module de puissance multi-phases.. selon la zoina serninii(inntica"inci, type cc:r;451:et:taire est une zone obtenue par gravaie alun aubain:rt pYàÈgf dia ine complémentaire sur leicit, grevéau préalable le substrat serd-conductour, et. 3060849 56 la portion de substrat semi-conducteur cui sépare les deux cellules adjcentes comprrte un évidement (19838,au niveau ie, zones seinicericbctrices de type i:moérientes' l'évidement ; 398) tart rerpli par un matériau solide isolant ou un gaz isolant ou le Ode. 7. Puce multipôle d'un redule de puissance multi-phases selon l'une quek;onque des revendicatif:ms 6, dis laquee le mur d'enceinte dun (1241 1242 ; 3241, 3242) est c:t::i4.ieriu 10 pairt.r d'une trancWK.::. COrthlUe et non traversante, rem par un matériau isolant ou un matériau semi-conducteur de type comp:érner.taire celui du s....)strat semi-conducteur, oe,1 à partir d'une tranchée discrète et non 'traversante, remplie par un matériau seni-conducte...ir de type comp imnentaire à d:0'W du substrat senti-15 conducteur, e par un recuit de diffusion consecJi:d au MM esage. 8. Puce multipô e d'un module de pu enee m phesns comportant un substrat serni-conducteur (612.) de type N, délitnite P une première face supérieure (614) et une deuxième face inférieure (616), mutuellerent 20 opposées, le puce mut. cd étant cadadtedsée on ce que .- elle comporte u nombre entier X, s. édeur ou ege à deux, de cellules de commutation 6222), infàdr wirticaiement de manière monolithique dans le substrat sernî-condu,cte uivant une direction 25 verticale et rewarties latera'ement dans mem sudstn,E:it de manière compacte suivaàt un plan d'extension à direction vertica.e Ch6! chacue cellule de commutec (0221 6222) est une celltUe double compartMerààà par un mur d'enceinte ischarit non traversant (6241, 6242) et 30 comporte une première structure de circuit de découpage (6261, 6262) et une deuxiere structure de. circuit de découpage (6281, 8282), intégrés de ma nid; re pa 6é.s dO5 un preinier vet...me ri " substrat semiconducteur (6391. de.'Q.cè-ne ,,>,oJtime du substrat ita,miconducieur (6321, 6322), les premier et deuxième veumes (6301, 6321 ; 6302, 6322) de la ce::u.e 3060849 57 de cent:mutation (6221, 6222) étant voisins, p7irés et entcurés par le mur d'enceint:3 li;:f:.17;.nt non traversant (G241, 6242), et - ch.0e cellule de commutation (6221, 6222) corrinorw une borne d'un bur. 6342) et d (63t61, ,aree et o ,srt°.:'res; nespectrv,:irnonl: (6301, 6302) eL ,-.e-,...n0errie volume (6321, 6322) au remiere face supérieure - chaque cellule Oc commutation (8221, 6222) cc te point rrilliou d'un seul tenant. (63d..' cl 10(6401, 6421 ; 6402, 6422) UpUes - voume (636, 63 ceiVU volume ' la deuxiel 6) du sunstne (- .- la r..,',r:-.-2..nr..'r 15 Une _ n, 6262) comporte p,ern-q.cr (6521, tei3301, substrat semi-conduclor..7« !'xièrne ',.T'i,321, 6322) di.r semi-conducteur, l'anod 1a première (6501, 6502) et l'anode du premier interrupteur nraande (6521. ) connr.,r04ns tiOrrM +3 point rnilieu (601, 6302) de l bc,...rv::?: 1"y, 63b2) située ',10.3.,0"0;"3 ciér:.:onage (6281, 6282) item!. çc' UT (1,Y62': C622), 30 f07'.'.0::"J.:1): y olnt 03:C rnll'écu (6331 6332) sitoée ur.,:;;,ssous eu ptemor volume de et?bstrr.r,i'f (6301, 0302). 20 25 CCirrr":::)f: (6321; - ' 3060849 58 9. Puce multipô e d'un module de puissance muni- ,hases selon I a revendicetion 8 dans la fte pour chaque celILde cern:nul:et:en Y22i, 6222), le premier interrupteur :',.erilrnalle (5521, 6522) est un transistor 5 bipolaire à grille isolée (IGBT) ::endection inverse réalisé dans 'e substrat semi-conducteur (612) de type comporte une première eieckrode de cetnode formant la borne de messe associée (6361, 630,) , (..îeq.,ixière inte:Tupteur =,:',ornriandé (621, tin VariS.Ster t lainet idée ' CO-d ..i(".":-bn inverse ré dans ie substrat 10 sernkuoilductelir et comporte !,.ine deuxième .Elloci:rode cathode formant la sous-borne (6401 6402) de fa borne de point milieu (638 6382), située en dessous du ptemier volume de subst.n:.:it (6301, 6302), la borne de bus (634,, u,') Orrrant 13 cathode de la première Coca (6501, 6502) et anode du deuxième interrupteur coirncie (5621, 6622), 15 recouvre zone doè N+ et une deuxième zone dopé P, 1,sté-eerrioni..:;.antes entre elos, sous-borne (6421, 6422) de la, borne de point milieu (6331, 6382), située en dessous du deuxième volume de substrat (6321, 6322) et fermant la cathode de ;Fi diode (6601, 6602) et la cathode du ;:irernier 20 interrupteur commande (6521, 6522), recouvre une t'osiéne .zone dopé P et une quatrième, zone c2é A+, latéralement adjacentes entre alias. 10. Mcdu u de Puissance multi-pi...ase pour un convertisseur électronique de YASa ce, comportant une première puc(:: rnu:tipôle (1102) 25 et une deuxième puce Ïr 104), le module dO PUS5aflG2rnu'i-phase étant can,-,icté'ise .* la ce que .ère puce (1102) comporte emier si')bstrat semi-conducteur (1112) de type ' délimité par une première face supérieure (1114) et une deuxième face Ultérieure (1116), mutueLement oppesk':,;=es, et 30 la prerfMre puce mu pèk- (1102) comporte un nombre entier X, supérieur 1é7OS cellules r commutation (11221, 1122;. 7n )I dans le premier substrat .f.:,..e-scriductet,,r suivant une directiop VertîCàE.3 e"f réparties latéralement cars le même premier substrat de manière compacte suivant 35 un plan d'extension perpendiculaire à la oirection verticale d'intégration, et 3060849 59 .- chaque prerrjà7e ce,lule de com=tation (11221, 11222) est. une cellu!edouble-comparEment&: d'enCei716 iSerar'i traves,ivnt (11241, 1124 rrp C, crernier rospectivernon"; subst:.tt et un prernie'' i..i'llconducteur, le miier volume voiurrir:.;.s do le cellt.le, de corrirowei...ion voisins, espères et ontotirés r omier mur d'enceinte non traversant (11241, 11242), 10 et chac,! Y. ocd,i-e.i.fi.ation (11221, 11222) i..r. rTArte, bus (11321, 113 t une bore , i1usse 7 11212), .;-!O prereer eee.e e:tive'nt sur le une première nf:PZ?; 15 uno premro borne i... en uessous du prerdier dessous et ee reit de le veuçee. et (11221, 11222) comporte, 1, 11362), disposée dièuxièreeiVC ee o.-d niveau ou en taos inferieure (111 pour 20 mi...corder tirie prernièrE:,! de la première diode à u 7-emi&-o erocie du premier interrupteur coryirriap.ijà ; ;:ia commutation (11221, 11222) comporte une zone semi-condlr: cornotémentare eutyp 25 fo::12rreffl: borne dffuc,-, (11481, 11482) de, type 5.:.i.,,-.i!did-corducteur (1112) viterposbe prenlere erisoi2c.,' t elo:teu d'un nt (1 f.D ;:17.) sureeonoeo,'.etzt zerte sernt.eoni....1'ue, .,,,;.,:, JecJ:',-;',,..,s::01 ,22) de type - .fet,-,-,::atn.:.7.!:et treefnerll tO","'"P::.EÉ partiellerrieni. e j:;reu-rdère 30 ro. e ne i::3oet,.; ,:, nie, .io:. ,e.,.. , -ètietiement le premier intoi-, ipteur 35 Opp0,. deuxième volume; 104) comporte un deuxâm,7 ,J.y.strat une deuxième p ed eface - re; OLIX!t) Me '7ace inférieure (11U), mutuellement 3060849 - la deuxleine puce multipele (1104) comporte un même nombre entier X, Stip are., à t.,1',Ddfàrne.si cellules de commutation (11721, 11722), in '1"éeS verticalement de maniere monolititmue dans le deuxième substrat seml -enducttiiitir (1162) suivant une direcitua verticale et. 5 réparties latéralerneru dans 7"nêrne deUXièMe substrat de maniere compacte suivant d'extension perpendiculaire à la direction verticale d'intégration, et - chactie deuxième cellule de commutation '(11721, 11722) est une cellule double-coi-4: iiéepaf de,IXk:;:lne mur d'enceinte isolant non to traversant (1174.1, comporte une cleuxièrrie structure de découpage fontrée par une de.ixleirie diode (11761, 11762) et un deuxième interrupteur électronique commandé (11781, 11782), inté!,7rés respectivemant dars un deuxième premier volume du deuxième substrat semiconducteur (1-62) et un deuxième deuxième volume d... deux:Omo substrat semi-conduceur 15 (1162), es deu.x.ns premier deuxième deuxième volumes de la deuxième eomtn.fl.ïeiri (1172, 11722) étant vosins, séparés et ente e deuxième mur d'enceinte isolant non traversant (11741, .- chaque deuxième cellule de con-mutation (11721, 11722) comporte 20 M'a deuxième borne de polarlté électrique de bus (11841, 11842) et une dételé:11e borne de messe électrique (11e' séparées et disposées, au niveau de la deLuderne première face superieu snectivement sur le deuxieire premier \.s0':yjnie et le det>qlre dejXièMe volume, et - criaque oelititt:::de °ce-routai. on 1721, 11722) comporte 25 une deuutierne bornec 362) d'un seul tenant, - dessoJs f») deextiire premier vo urne ci du deuxième volume et au nveau ou c.: t dessous et en .r"de ili dfUXï5 face interiounu dleuxierre substrat pour raccorder iAne cathode de la CP:CU:dème diode unis oathou a ou deuxième inte.rrupteur commandé 30 .- chaque deuxième cetute rie commutation comporte une zone SeMi- condLctrice de di-. 68 11 fi.6j, de type complémentaire .au type du deuxième substrat saint-conducteur 162) et fortement dopé N+, en contact et ln msée verticaiertiset cotre a deuxième borne de point milieu C n seul tena ..861. 11862) et l'ensenibie fermé per des faces intérieures des 35 premier e deuxième volumes du deb,Mme substrat semi-conducteur (11G2), 3060849 61 la zone semiconducrcoe diffusion (118P,i, 1'1882) ic yne complémentaire et todement dc ' 1rr;.nt ::)artiellement la -:.ieuxierne diode en ciessoius du premler voit:ile ti9:P'-'";enli " premier interrupteur électronique commet" en dessous ou deuxlen.ie volume. 11. Module de puissance rrulti-pluese pour un convertisseur électronique Ce puissance, comood.ent une première puce rnuiltil,:éle (1232), une neuxièmt. puce mulpôle (1204) et une .voisileme puce rfluP.J.De.):e 1)6), le module rie pulssance multiphoe elaut (.:.';arecer,..: er de due 10 .* la ort,Arleu:i, puce mulepôe (120 ,cmporte ..1!-1 ver% - subs).;-at sem-corciurie ( èlindté par une pu mière face supérieure f;':. ,,..ne deuxième face inlérieore, tuellement opposées, et '- la vernie e puce rr..ôk (1202) combo:te un nombre entier X, leur ou é - ';:l> nières Pendes de :ii;ornpriutation, res 15 verteler:tent rconco. 'ib;cn..:e dans n.,n- sub:,;.;'...rïlt semi- conductur F.;:.1îint onr. c:ccdn. '''C:.j atéraiernent disru.,i, le ouérriler substrat semi-conducteurdo.nuelière compacte suivant un plan dxtenson pervmd.*:3irE',drcc,-;virï VeliCae dlinî,éntlon, et chaque pm .;:;de do comniuta',ion est une cele doube 20 compartiMentéiD pë.u.. lyen'Yer mur i,lencenté isolant non traversant et cornç.r, 4. E J..,rerière !2.dri.J.c..1J.e de f. eubuosige .çrmé par un ,,,mdlere diode , :j.;v...e,1.k.ip;,:;i: , èlectronique commande, AOrèS respecti (1.;:qe ,....!,'-..rs,s ' pretr-ii:".. cordtmeE,h',ir t--, i. 1 prem'er deJ,xièrn- .'» AJrne du substrat semi-conducteur, les 25 prem ,iciu,e'e prerniti.ir deuxième vo:unes de la cellule do comniutation voes, séparés et entourés par lo prernler mur d'enceinte isolant non l.raveu;aut crec-..,,,... :.,c7.n-nière cellule commutat:on comporte une première borne as Cii.:,' cis"2. r ', (lir" us 9 .'' e de masse 30 élect. ,3É.:Ï..,..*Àrées ,.,È ri ,i-- osées. e o n;veu...,:i.., de le u -nière Pfe.'nère eace ;:.v.:H,..:)ii:::,':'....'-.1.,,,,..il , pr..:Kni,',.:..,;.' on,--.,,:rnler volume et dmixierflO Cri.i.'ra".:'U e,:::.: p l''''U'n.ière; i,'".;(.." e oe., cerner, eation compone us premiète borne de pe r ii.D',..... _. ,:: ,:..É tenant, u e .cs::,,,e en. dr;n7i:s`À:W.':1.- du :premier 35 VO:Laie ut du deux:eine volume et au niveau ou en dessous de ia deuxième ,.)rernier volume du substrat semi- 3060849 e2 face inférieure du substrat pour raccorder une [première anode de 'a première diode à une pfenfere anode cf..i premier interrupteur commandé ; et 2' la deuxième puce multioôle (1204) comporte t.in deuxième substrat semi-conducte,ur (1212) de type N, délimité par unis d e .X.:è rne pre .7e.5. face 5 supérieure (1214) ist une deuxième deuxièmEi face inférieure (1216), mutuellement OPPCiSt--ES. t X Ceuxierns interr'i pleurs c:0 M arides (12241, 12242) in visnicalschent :de rnackiire monisilth. dans le deuxième substrat serni-conducteu 212) :,;ui,:iant une ,ctf:'ec':i(e verticaleE.répandes latéralement dans dème iiiiiisciérte SU Strat manière corripacae vant 10 un pi CCM er Si( pencendiculaire à la ii:raciHip-i verticale d'intégration, et la deuxième u'ice multipôle (120n) cornoorte une électrode de polarité de bus daisinentation (1232), rée'Dar les deuxièmes interrunteurs corrimisiiidés (12241, 12242) Çiimant les anodes des deuxmmias Interruniikiors cornmandés' e ca.qie deuxième interrupteur 15 CO MME:: t>1 d é (12241: 122 m o.° ne au r iveau de is deuxième d e:'Ii)::iernei swface une borne de cathode forrnart unis borne séparée de poirtosa et .* la trolsième puce fnultipôle comporte un troisième substrat semiconducteur (1252) de type N, délimité par une troisième première supérieure (1254) et une troisième deuxième face inférieure 20 mutuellement opposées, et X osè e.s diodes (12621, 12622), jréOs verticalement de mairiere monolithique dans troisième substrat semi- conducteur (1252) suivant 'une direction veftcaie et réparties Iiiidierafement, dans le troisièrnii:ii substrat (1252) de manière compacte suivant un pian perperidici.ifaI,e à a direction voiliciste d'intégration, et 25 fce orriîsorie une troisième électrode de masse electil, u 1266'3, oertaqée par les troisièmes diodes (12621, 12622) et formant les anodeis desdites troisièmes diodes (12621, 12622). 12. Module de oLiIssianise multi-phase nour un convertisseur électronique c sce, comportant are premiers. puce multipôle (13l)2) et une i.i.!otixièrne puce mutk..âle (1 le morfeie de puissance mi ase étant caractérisé en ce que * la première puce mi impefte ÇiO premier substrat semi-conducteur (1312) de type N, délimité par -:ne première première face 3060849 63 rcurc..,:: (1314) ct une premiC.,,re deuxième face inférieure (1316), mutuejkrienl. opposées, et ;-.)Loo muiôÇe (1302) comporte un ner:ye entier X, àgal à de cellules de corr.:;.)',tat,c)-1 (13221, 5 vnnifiiernent derrial;èrE-; !noncUhic,tie riier substrat semi-conduofee.- (1312) suivant une direction verticale et reparties latéraneini dans ie er subf.ifrat (1312) de manière con-pacte ii;vat un 1.7.1!..."01 ..FIC::..Ma'.J,-,a à la director. (1324n :3242) ü".-: CO,Ïïper'w Frê::.e structure de clucefiii. de founee par ue prEn3ie premier interrupt e!ecti'cnique cor mandé. el: une deuxième d i,C(..à:J diode ei; deuxième die 15 antipara grés resbeetn(erifse ',Il premier 321 13322) du sefrificonéi.y.i.teuir et un dieii,iierne voii..ime (13341, 13242) du substrat 9S premn ut deuxième vclumes (13341, 13361; 1 le cellule (13221, 13222) étant par . premier ,ur d'enceinte isolant non de coriruLcin (13221, 13222) cempoile une Ce bus (1242i., 1322) ed bevie de vice éiectrique (13141, 13442), séparées au fljj de emière face supérieure (1314), res4..i4.i,ifàvement 25 ie premier .volune e 5e deuxième volume(13341, 13231 ; 13342, 1 2), et - chaque première crttn de commutaifi.n (13221, 13222) cameerte une praire-- dorrse de d'un seul tei-ent (13401, 13462), disposée er) VORYTieut du deuxièr.iiii el: au niveau eu ea'.." 30 d ()us bt(f-k..:f:.,q-c, (1316) du suitistrat (1312) pour raccorder iiieuère anode de a ;.iii-Ei.r.ifiere diode à une n, riière anode du premier interriigitit..if - chaque de ediffiiinui:efon (1322, 13222) CCM,' une zone siiiirnficoridi:.iiitrice ne i:Lii.i'ïusien (13321, 13522) de 35 combiementaire au type du pre'r.iiiiir substrat semi-conrii'icteur et fi,:iri.e-nent p.rerp;à.-2n .,yi.!utatiofl 10 Celh. iiirrieritiffe d'enceinte -R.si.von3aint cor VCnS, 20 traVel'a 3060849 64 dopé, en contact et interpesée verliiinlernent entre la première borne de point d'un seul terprit (134r , I 343 et l'ensemb:o id-trié par des faces infieiei.reis nes premier et deux:erne volumes du pron.:ier substrat semi condi...:cte 312), la zone serni-conductrice de diffusion (13' de typo co:riplénentaire et fortement dopé formant partiellement :a :::)romière diode en dessous du premier volume (13321, 13322) et partiellernen, le premier interrupteur É:: 9CtrOn commandé en dessous du cleuxième volume ('`.3341, 133(2), et la zone semi-cold'crice de rd. n (13521, 13522) de type 10 complérnerilalre et fortement ipée:?,;;stt en a du deuxième volume (1334 1.334), est ponctuée lateralemer Dar rpzone sen-i-conouctce inlerinedlaire incluse (13561, 13562), oeisot - inêtrqe tvp rec onag,!,;, et fortement dope, de sorte nue !e deuxième vol'..2rne do s,,ic,".;?trat 1334) et la zone somi-conductrb:?: intermédialne lscluse (13,Jui, 1 =rrnont la 15 seconde diode, mordee en antinerol:dlo avec l'interrupteur éknque commandé ; et .* la deuxième puce multipôle (1304) comporte un deuxième s..ibstrat semi-conducteur de tyne N, délimité par une deuxkrne r n1:ère face supérieure .',,,exièrne face inférieuie: xietuelen ei. 20 opposées, inter-uolieJrs command, verticalement de nrilère mort cons le deuxième substrat seul- conducteur suivan.t ure direCio') %/enicale et réparties latéralement. dans ka même deuxième substrat de manière compacte suivant un plan U'extension perpendiculaire à la direction v.iitice Pt une deuxième 25 .- la deuxième puce électrode de polarb.l.,., de bus Ci'alirperuî,atky, Dartai. rar ies deuxièmes int e r ,IPte u rs commandés interri'pteurs cona... r oeuxlènne électrode de t.cerié étant sur et contact eo, uxleme prerPere "face chaut 30 de? r_X:èrr.:::? co....cmear dé con...porJe su niveau ce fa deu.;,..lerre deuxième surface trfdsieure une borne de catbode formant -ne borne séparée de point milieu. formant les anooes des ,,leuxemes 3060849 13. !tglocit:to .uissance multi-phase pour un converlisur électrenice p c.:,m;.-àorta prrière uc mOipôre (1402) el une ue.tp, puce '.; 10 U fleeaece ,t,,t'eets -teeacttty.",se tte t'e este cotntette:e un pearelei: une première première face supértet une rttreti:-.:itte tet.xième face inférieure (1416), mutuellereent cos - , titiiere put 6n 402) compo!i...:: Le nombre entier X, 10 supérieur ou cellules de commAation (14221, 14222), vnnnmn d anière n....Dnolith:que dans L prcmier substrat une direction verticnk? ct rr;les laté,rat,rr (...karj:::;r rteeitte ttetrat: (1412) cle reanlére nnn un plan d'ens, a alej. 15 chaque e'rerrd:",rE., 1:::onytt,0atitto 14.-t etV. 'sine cellule double-COP1P reg" eersant (1,424,1, 14242) et corripttre unts., r ""- , formée par une preettere CO rrtrn. ean!..C1 {.7:1-:U r. ret:ttt ttterr,tt,:et.. et: 20 pi.ertvet, tntetntttte tix.treirranele, et la cfi.',.?.e,t-.:;,t,.,t,te Detéte en triteti.t`te étant riîtept:,:,c';.ivement dans ort.:, et, e ,etu,.t tee (14321, 14a2 du substrat :,,..t,ent,-..::.(teetettet:. et un deuxt :i. ii,,r.i).-tpiis du .i.yi.artiller substr2t ser le cndi:pdur (1412): :a .one sem:-condpel. `::E':, e,-.kH U4521 14522) de e, coppplerreptaire et fortement dopê Nii fiyirnent ppin.iipièment la premier C. > CeEr2OUS du premier volume (>'.'"'? ; ,,,, et partiellement (a 'premier ,nterrupbur électm.n.'qt..:e commandéendessous du deux:erne volume (14341, 14342), et 15 .- la zone esmdccnd.eci.dce diffsion (1452, 14522) de celippAmentaire te nen dopée sY:i.uési en dessous du deuxième volume, est ponctué latera,errion pat une zone semi-conductrice 41te-rediaire incluse i:::,E:risii:Dierrient dc même épaisseur quo l'épasseur de la zone serni-conductrce de &fusion de type cemp'âmentaire, 20 ayant it7.: rnëme type de dopage et forterner».: dopé P+, de sorte que le deuxe volume de substmt (14341, 14362) et la zone SemL-conductrice intermédiaire incluse (1456.;, 14502) forment la seconde diode, agencée en antiparallèle avec le. premier interrupteur électronique commandé ; et .* la deuxième puce i tl! ,e3ie (1404) comporte un deuxième substrat 25 semi-conducteur (1462) devpeID et ifatiernent dopé, délimité par une deuxième premlere face .ire (1454) et une clis..r,ia.ffi deuxième face inférieure (146 mutueemeni opposées, et X .:euxi noe ietcrneours COMM9ndéS 14721, 14722), h.V.!:.rde verticalement r er,?(:n0P..h' CP.)E' 'i ans le deuxièmest.octrst semPcceducteur suivant une 30 C.:ne:::.fr- 't vertionie et réparties latieraleiinentclans ;f''; même deuxième subst74 ile m'aptère comuacte suivant un plan d>extension orpondiculaire à la direction vertica '5.. d'inteagra"ion, et .- la deuxième puce nultipéle (14u, rnporte une deuxième électrode de poi:.;:uiti:', de 5..is d'alimentation 432) partagée par les 35 deuxièmes interrupl.eups commandes (14721, 14722) et formant les anodes 3060849 67 des deuxièmes interruotdi..»-s cc,tarandés, la deuxième électrode de polarité (141 » étan'r dispos.je sur e4 (;orii21. aveC ci,e...1xAme face rfLP tel i`qp Mip-fd é. ( 1, ?21, 14722) corinceni', rilvesu de ie rierLixlèrrie preri'É&C.-; (12:54) une 5 borrvï:?,de catheile e borne sépe point milieu (484i 14842). 14. Module Cè Quinconce mupleiusis pour un convertisse-Jr électioninue t.isi puissance, '..iorriporteint une prenlere puce mu!tipôle (1502) et une ise...iidi:b-ne cuce n,tiu 10 c 7.ro.:.)d;..;.e. de v.'issar,ce élarr caractérisé en ce dici .* la prerriéns puce mn senti-crin e2) compc ..ibstrat té par unis pri.ernière prefie face supérien t de:U>:»kle face im'erieire, mutueliement opposée 15 pycfc cornue le un [iomisne entier X, suï.: ou nial à ceux eeiern,eres cellules de VertîOabl`r..Cnt de man:ere monol:(i-s,i dans le pieninsr sur:ici:rat sem- coridt..oteur suivant une direction vertic.».«:::, 9t reparties latÉiraierrient dans le même reme- su5strat dei maniere con-pacte an nreidension 20 peroi,.::e.m.r cci-npepla-ner- par rriCEnr;r e ,J2::::Jrnrflutor) e.St une cellule Cot:;::le- première cIr solant non travennt et necouisige formé par une pAre ::,ler,itrinrilcue commandé, inéqrés CHOde premier irnisnalprissui 25 respect),feinenti dans premier 'Yerri,:> volume du substral, senti E.4 pi-e-nlEr ç rlci volume eu .:::n..135.3siat seminconducteun premier premier et premier nenxiel de Gehi.i,ie rie cern-nutation étant voisins, séparés et entourés par Se p'en'de u mur d'enceinte isolant non traversant, et 30 .- cheque prr:mre cellule Ge r-mnintetion comporte une première C*.11ière borne de masse eJectrin séparées ciDosées eu r'vcau de a preriepv,:,:o.Y.1:àre face st ) leurs:, respectivement sur e premier premier VO,]Me et ie premier deuxième volume, et 3060849 chaque première cellule u commutation compci e une premiene borneç nt milieu d'un seul terant, SpOSée en dessous du d'en''Ier volume Ef: deUXièn.le E? ai r,,:,):7,iL9. O cu.lxème face in-frrleure ou o..traccDreltr Une nrefilière anode pre(Yière, 5 diode à une DrifYin';ef. ntorupte,F con-mandé ; .* la CietWièrle LtîÉ);5E: un deuxième sutistrat semi-conductew '37) une cle:'exième première face supérieure (1564) f. r!F.:" deuxième OeUX*110 face inférieure (1585), MLtueiP.::rriet.::.1?prJosées, ,.1(r.i.1,,e.'èrne rnutipô:e (1504) comporte un mêm: ,re entier Ce de:,.1Xiè7.14,9 Cell,IfeS de commutation (15721, 15722), fr rées verticaièment de maniè,re clorottiioue dans 'ED Ge:.,fgîèMe substrat s:::1-eti- conducteur (1562) SUVEUT tVE teralornent dans :e même dejxièrn,, man;ere C.'3Fr'sDat"..te sundarit un plan 15 dextension perpendicuaire à a cirectien d'ini:eFation,et .- chaque deuxiern5 cerule de comm .:nation (15721, 15722) est une cellule double-compartimentée par un dEmix,ierne mur d'enceinte isolant non traversant (15741, 15742) et comporte une deuxième structure de découpage formée r.-;r une deuxième eode et un cememe 'nterruoteur élecisonque 20 commandé, intégrés respectivement dans un deux'èrne premier vo'urne (15821, 15822) du dli-ne substrat semi-conducteur et un deuxième deuxième volterne 1584 deUX.Wele substrat semi-conducteur (1552), es deunerne ors' :er e. deuxième deuxième volumes de la cleux:iiimie cellule de commutation (15721, 15722) étant voisins, séparés et 25 entourés par deuxième mur d'enceinte isoiant non traversant (15741, 15742) , et - chaque deuxier , cellu.e de commutation (15721, 15722) co -porte une deuxième borne de masse électrique (15801, 158(32) et une ckiy..ixème borne de no ante éiectdque do bus (15331, 15882), sapa -des et dsposées, 30 au niveau de la deuxiem,,, première face supérieure (1564), reoectiverrent sur le deuxkiree pre"nie volume (15821, 15822) et le deuxième deux me volume (1584h - chaqi'e oeux.ieme cellule de commutation (15721, 15722) comporte une deuxième borne d point milieu ( 5901, 15902) sen: tenant, 35 disposée en dessous:, du deuxième parer-der volume et eu deuxième 3060849 69 Oeuxlème volume et au n5feau c egsbes M'Ira ' !a deuxième face irdérieure (15h si'ibete et r raccorder une doexième cathode. ce ('i0-,Kième diode à uge deuxîême cathode eJ 5 nie ineic'.,:m,.,',iy commandé. 15. Modulo de polos hce phase pour un convertisseur efectron!b,..;e pe':ssance' ber..:-.t une unique puce multioôle (1602), rrlu,>".nme ' f t c:oresterisi, mstrat satnueoutd: uné Cd égal e 0, mono e211 né face stipe, c et morte un nombre entier X, superleereU s intégrées verl:lcalement de tutos t.'haîtn-y' sul-ccticucteur d'..;.">,,q:W:1 Und Oli.tt:eY,upn 10 type 15 et regiartee Cals le même subet(.:,,ç,:; de m... suive....., er. plan perpendiculaine à la directicn ve-idlcale d'inttégratlon, et chaque de commutation est une cellule demble- compaï1.:rrEtnée se un mur cienbeiryq.y thnt tt,r-P,(:i:::usant, et corn:::Kirte 20 une pr re de cin.t:.tn Je structure de ne découpage, infeene..s prerrr v-y,,Jyrqz.:csded eemce edetee Gt. du substrat teuxierne volumes ,C cellule de sei,s,ahÉ:e et entourés par le mur dencelh'.,.. 25 non iray,Ff.r.I.:,.mÈ ce:eee: ce ee de commutation compare uns homo e e polarité "'rd d: de Pes el: disposées respectiverue,1 ee psi. r volume nt le cleu.,:xlerne velu e au niveau de la prernl.e,re fz>..na e netl.tt, et 30 .- chaque r r-n,rutation comporte rine borne de peet milieu d de SOL :eesr dlviseedx eéoeèes, disT en o.eeçe et du deuxle're volurne et au niveau cle la inforleure de substrat. tt,ecc..rndotete", pu.ir cl-rzilua cellule do commutatiiyi 3060849 .-la remière structure de. circuit de, découpage comporta une première prern"or 'nterruoteur curnrnan:: ê,;n'Aar resi.:)ecti',,,en"lerit (ladspeErVOit."1"-e deuxième vokure du substrat c:.:;ernk::onducte' node de JrernlèrE, diode 5 et l'anode u premier intem- ieur cor Man( étant connectées reF.vactivement la sous-borno borne de pd,ro- Ired située en dessous du prere volume de substrat et sous-borne de la borne do point IrCiet.i (jeGsous du de. xérie voiurne ao substrat, et d.etente dro'rii. -ctcmipage comporte une 10 deuxième diode deuxlèrne irr,euteu: corrtnancié lntégres respectivement dans deux:errK) vOI.S'ie' dO SObStOdserni !,:on,.:-.!;.,c'r.e.ur et premier voki ,..3crni,;;;D:'.1(:;,.,;te1W, 12 cathode de la clete,leine diode et la ::;::thocie mninianclé fouoant respectivement la sous-borne de s boa :c.!de milieu s':uée dessous 15 du euxièrne volume de substrat et la >.--,,:y's-borne de la borne do point située en dessous du premier volur-e 20