Brevet FR3057088A1 — publié le 20180406

B15181 - 16-R0-0289 1 DETECTEUR LASER PICOSECONDES Domaine de l'invention La présente description concerne le domaine des circuits intégrés protégés contre des attaques par laser. Exposé de l'art antérieur Certains dispositifs, couine des puces de cartes de paiement et des cartes SIM (module d'identité d'abonné), sont susceptibles de stocker ou de traiter des données sensibles qui doivent être tenues secrètes. Des exemples de données sensibles comprennent des clés de chiffrement ou d'autres données traitées pendant une opération cryptographique. Un fraudeur tentant d'accéder aux données sensibles peut utiliser un laser, appliqué en général au côté arrière du circuit intégré, pour introduire des perturbations électriques dans le circuit pendant son fonctionnement, ce qui permet ensuite de découvrir des informations concernant les données sensibles. On a déjà proposé de prévoir des dispositifs de détection pour détecter la présence de telles attaques laser. Lorsqu'une attaque est détectée par un tel dispositif de détection, une contremesure peut être déclenchée, qui peut par exemple impliquer une réinitialisation du dispositif et/ou la destruction des données sensibles. Le dispositif peut même être 3057088 B15181 - 16-R0-0289 2 désactivé de façon permanente si par exemple un certain nombre d'attaques sont détectées dans un intervalle de temps relativement court. Un inconvénient des dispositifs de détection existants 5 pour détecter des attaques laser est qu'ils ont tendance à être inefficaces pour certains types d'attaques laser, et/ou à occuper une surface de puce relativement grande. Résumé Un objet de modes de réalisation de la présente 10 description est de résoudre au moins partiellement un ou plusieurs inconvénients de l'art antérieur. Selon un aspect, on prévoit un dispositif de détection de laser pour protéger un circuit intégré, le dispositif comprenant : une cellule de détection comportant un canal enterré 15 d'un premier type de conductivité s'étendant dans un substrat du circuit intégré, le substrat étant d'un deuxième type de conductivité, une première connexion électrique couplant un premier point dans le canal enterré à un rail de tension d'alimentation, et une deuxième connexion électrique couplée à un 20 deuxième point dans le canal enterré ; et un circuit de détection couplé au deuxième point dans le canal enterré par l'intermédiaire de la deuxième connexion électrique et adapté à détecter une chute de la tension au niveau du deuxième point. Selon un mode de réalisation, le canal enterré a une 25 largeur égale ou inférieure à 1,5 dam. Selon un mode de réalisation, le deuxième point du canal enterré est connecté au premier point par l'intermédiaire d'une première portion du canal enterré, et à une deuxième portion du canal enterré. 30 Selon un mode de réalisation, la deuxième portion a la forme d'une spirale. Selon un mode de réalisation, le canal enterré est à une profondeur d'au moins 3 um. Selon un mode de réalisation, le circuit de détection 35 comprend un chemin à grande résistance entre la deuxième connexion 3057088 B15181 - 16-RO-0289 3 électrique et le rail de tension d'alimentation, et un transistor ayant son noeud de commande couplé à la deuxième connexion électrique. Selon un mode de réalisation, le chemin à grande 5 résistance comprend au moins une diode. Selon un mode de réalisation, la cellule de détection a une surface inférieure à 100 pm2. Selon un autre aspect, on prévoit un circuit intégré comprenant une pluralité des dispositifs de détection de laser 10 susmentionnés répartis dans le circuit intégré. Selon un mode de réalisation, le circuit intégré comprend en outre : une première couche de caissons de type N et de type P comprenant des dispositifs de transistors ; et des caissons enterrés du premier type de conductivité formés dans une 15 autre couche à une profondeur supérieure à celle de la première couche, le canal enterré étant à une profondeur supérieure à celle de l'autre couche. Selon un mode de réalisation, le circuit de détection est mis en oeuvre dans la première couche. 20 Selon un mode de réalisation, le circuit intégré comprend en outre un circuit de protection couplé à une sortie du circuit de détection de chaque dispositif de détection de laser et adapté à mettre en oeuvre une contremesure si un laser est détecté par l'un des dispositifs de détection. Selon un autre aspect, on prévoit un procédé de formation d'un dispositif de détection de laser pour un circuit intégré, le procédé comprenant : former un canal enterré d'un premier type de conductivité s'étendant dans un substrat du circuit intégré, le substrat étant d'un deuxième type de 30 conductivité ; former une première connexion électrique couplant un premier point dans le canal enterré à un rail de tension d'alimentation ; former une deuxième connexion électrique pour coupler un deuxième point dans le canal enterré à un circuit de détection adapté à détecter une chute de la tension au niveau du 35 deuxième point. 3057088 B15181 - 16-RO-0289 4 Selon un mode de réalisation, le canal enterré est formé avec une largeur égale ou inférieure à 1,5 um. Brève description des dessins Les caractéristiques et avantages susmentionnés, et 5 d'autres, apparaîtront clairement avec la description détaillée suivante de modes de réalisation, donnée à titre d'illustration et non de limitation, en faisant référence aux dessins joints dans lesquels : les figures lA et 1B sont des vues à plat d'un circuit 10 intégré protégé contre des attaques laser ; la figure 2A est une vue à plat d'une cellule de détection selon un exemple de réalisation ; la figure 2B est une vue en coupe de la cellule de détection de la figure 2A selon un exemple de réalisation ; 15 la figure 3 illustre schématiquement un circuit de détection selon un exemple de réalisation ; la figure 4 est un graphique représentant une détection de laser en fonction de l'amplitude et de la durée des impulsions selon un exemple de réalisation ; 20 la figure 5 illustre schématiquement un circuit intégré protégé contre les attaques laser selon un exemple de réalisation ; la figure 6A est une vue à plat du circuit intégré de la figure 5 selon un exemple de réalisation ; 25 la figure 6B est une vue en coupe de la structure de la figure 6A selon un exemple de réalisation ; et la figure 7 est un organigramme illustrant des étapes dans un procédé de formation d'un dispositif de détection de laser selon un exemple de réalisation. Description détaillée Dans la description qui suit, le terme "connecté" est utilisé pour désigner une connexion directe entre des éléments d'un circuit, alors que le terme "couplé" est utilisé pour désigner une connexion qui peut être directe, ou qui peut se faire par l'intermédiaire d'un ou plusieurs éléments intermédiaires 3057088 B15181 - 16-RO-0289 5 comme des résistances, des condensateurs ou des transistors. Le terme "approximativement" est utilisé pour désigner une tolérance de plus ou moins 10 % par rapport à la valeur en question. Les termes relatifs qui dépendent de l'orientation du 5 dispositif comme "haut", "bas", "au-dessus", "en dessous", "vertical" et "horizontal", doivent être interprétés ici avec le dispositif orienté comme cela est représenté dans les figures. La figure lA est une vue à plat d'un circuit intégré 100 comprenant des circuits de détection de laser 102 disposés à 10 intervalles réguliers sur sa surface. Par exemple, les circuits de détection de laser 102 sont espacés avec des distances comprises entre 50 et 100 itm. Chaque circuit 102 est par exemple capable de détecter une impulsion laser frappant le circuit intégré dans une zone correspondante représentée par des cercles 15 104 en figure 1A, dans le cas d'une impulsion laser ayant une durée d'environ 100 ns. On peut voir que la grande majorité de la surface du circuit intégré est couverte par les zones de détection des circuits de détection 102. La figure 1B est une vue à plat du circuit intégré 100 20 et des circuits de détection de laser 102 de la figure 1A, dans laquelle des zones de détection 106 de chaque circuit de détection 102 correspondent au cas d'une impulsion laser relativement courte d'environ 30 ps. En effet, les présents inventeurs ont découvert que des attaques laser utilisant des impulsions laser relativement 25 courtes sont détectables seulement à proximité relative du point d'impact. Le résultat est qu'une partie significative de la surface du circuit intégré n'est plus couverte par les zones de détection 106 des circuits de détection 102. Pour résoudre ce problème, une option qui pourrait être 30 considérée serait simplement d'augmenter la densité des circuits de détection. Toutefois, cela aurait pour conséquence une plus grande surface occupée sur la puce, ce qui laisserait moins de surface de puce disponible pour mettre en oeuvre les fonctions souhaitées du circuit. 3057088 B15181 - 16-R0-0289 6 La figure 2A est une vue à plat d'une cellule de détection 200 d'un dispositif de détection de laser selon un exemple de réalisation. La cellule de détection 200 comprend par exemple un canal dopé 202 constitué d'un caisson de type N enterré 5 dans un substrat de silicium 203, qui est par exemple un substrat de type P. La cellule de détection 200 a par exemple des dimensions de largeur et de longueur comprises entre 2 et 10 pin, par exemple d'environ 5 pin. Ainsi la surface de la cellule de détection 200 est par exemple inférieure à 100 pin2. Le canal de type N 202 a 10 par exemple une largeur w d'environ 1 pin, par exemple comprise entre 0,8 et 1,5 gm, et les intervalles g entre les portions du canal sont d'environ 1 pin, par exemple compris entre 0,8 et 1,5 gm. Deux points le long du canal de type N 202 sont par exemple électriquement connectés à un circuit de détection (non 15 illustré en figure 2A). Par exemple, un premier point le long du canal est connecté au circuit de détection par l'intermédiaire d'un caisson de type N 204 et d'un contact 206. Un deuxième point le long du canal est par exemple connecté au circuit de détection par l'intermédiaire d'un caisson de type N 208 et d'un contact 20 210. La longueur 1 du canal de type N entre les caissons de type N 204 et 208 est par exemple comprise entre 2 et 15 gm. Le canal de type N entre les caissons de type N 204, 208 assure par exemple un chemin d'une résistance relativement grande entre les contacts 206, 210, par exemple d'au moins 1 kilo-ohm. 25 Dans l'exemple de la figure 2A, le canal de type N 202 a la forme d'une spirale, bien que dans d'autres modes de réalisation d'autres formes soient possibles. La spirale de la figure 2A est par exemple constituée de sections droites, ce qui facilite l'étape d'implantation utilisée pour former le canal de 30 type N 202. Les points au niveau desquels le canal 202 est connecté au circuit de détection sont par exemple situés à des extrémités opposées d'une portion droite 212 de la spirale. Une autre portion 214 de la spirale s'étend à partir du caisson de type N 208 jusqu'à un point d'extrémité 216 de la spirale proche du centre de la 35 cellule de détection 200. 3057088 B15181 - 16-RO-0289 7 En fonctionnement, une tension d'alimentation VDD est par exemple appliquée au contact 206, et le contact 210 est par exemple fixé à une tension égale ou proche de la tension d'alimentation VDD par l'intermédiaire d'un chemin à grande 5 résistance. Au vu de la similarité entre les tensions sur les contacts 206, 210, seulement un courant relativement faible va passer dans le canal de type N dans des conditions normales, et la tension sur le contact 210 va ainsi rester proche de la tension VDD. Toutefois, lorsqu'un faisceau laser passe à travers le 10 substrat de silicium au voisinage de la cellule de détection 200, des paires électron-trou vont être générées. Les trous vont être conduits à la masse par l'intermédiaire du substrat de type P, et les électrons vont être attirés vers le canal de type N 202, provoquant l'écoulement d'un courant à partir du contact 210 vers 15 la masse par l'intermédiaire de la portion 214 du canal. Cela va à son tour conduire à une chute de tension au niveau du contact 210, qui peut être détectée par le circuit de détection. En effet, la tension sur le contact 210 va être égale à VDD-R*I, R étant la résistance entre les contacts 206, 210, et I étant le courant 20 généré. Dans l'exemple où R est égal à environ 3 kilo-ohms, un courant généré de 200 gA dans le canal va ainsi entrainer une tension sur le contact 210 d'environ 0,6 V en dessous de VDD. La forme du canal de type N 202 est par exemple telle qu'il y a des régions de type N et de type P se trouvant 25 relativement proches dans la cellule de détection 200, ce qui facilite la conduction du courant, et ce qui procure ainsi un dispositif relativement sensible. Une formation en spirale permet d'obtenir un tel agencement donnant des régions de type N et de type P situées dans une proximité rapprochée, mais d'autres 30 manières de former un ou plusieurs canaux de type N s'étendant dans la cellule 200 seraient aussi possibles. La figure 2B est une vue en coupe de la structure de la figure 2A prise suivant une ligne A-A passant le long de la portion 212 et à travers les caissons de type N 204, 208. 3057088 B15181 - 16-R0-0289 8 Le haut du canal de type N enterré 202 est par exemple à une profondeur dl comprise entre 3 et 6 pm en dessous de la surface de la structure de silicium. Le canal 202 a par exemple une épaisseur tl comprise entre 1 et 3 pin. Le canal enterré 202 5 est par exemple couplé au contact 206 par l'intermédiaire d'un caisson de type N enterré 217, et du caisson de type N 204. De façon similaire, le canal enterré 202 est par exemple couplé au contact 210 par l'intermédiaire d'un caisson de type N enterré 218 et du caisson de type N 208. Les caissons de type N enterrés 10 217, 218 ont par exemple une épaisseur t2 comprise entre 1 et 3 gm, et les caissons de type N 204, 208 ont par exemple une épaisseur t3 comprise entre 1 et 2 gm. Les caissons de type N 204, 208 sont par exemple formés dans une couche 220 comprenant des caissons de type P et de type 15 N du circuit intégré, dans laquelle des dispositifs de transistors sont formés (non illustrés dans les figures). Par exemple, les caissons de type N 204, 208 sont séparés par des caissons de type P 221, 222 voisinant respectivement les caissons 204, 208, et par un caisson de type N 224 séparant les caissons de type P 221, 222. 20 Dans des variantes de réalisation, les caissons de type N 204, 208 pourraient être séparés par un seul caisson de type P. Un intervalle d'espacement 226, entre le canal de type N enterré 202 et le caisson de type N 224 et dans lequel le substrat de type P 203 est par exemple présent, assure une 25 isolation électrique entre ces régions de type N. Cet espacement est par exemple d'au moins 1 pm. Les caissons de type N enterrés 217, 218 connectant les caissons de type N 204, 208 respectivement au canal enterré 202 sont par exemple dans une couche 226 située entre la couche 220 et une couche 228 du canal enterré. 30 La figure 3 illustre schématiquement un circuit de détection 300 selon un exemple de réalisation. Le canal enterré 202 est représenté par des résistances 212 et 214 représentant respectivement la portion de canal 212 entre les contacts 206, 210, et la portion de canal 214 couplée au contact 210. Le contact 35 206 est par exemple couplé à un rail de tension d'alimentation 3057088 B15181 - 16-RO-0289 9 VDD, et le contact 210 est par exemple bridé au rail de tension d'alimentation VDD par l'intermédiaire d'une ou plusieurs diodes. Dans l'exemple de la figure 3, il y a deux diodes de la sorte, 302, 304, couplées en série, l'anode de la diode 302 étant 5 connectée au rail d'alimentation VDD, et la cathode de la diode 304 étant connectée au contact 210. Dans certains modes de réalisation, les diodes 302, 304 sont formées verticalement dans le caisson de type N 208. Dans des variantes de réalisation, le chemin à grande résistance entre le contact 210 et le rail 10 d'alimentation VDD pourrait être mis en oeuvre par des moyens alternatifs, comme par une résistance ayant une valeur de résistance relativement élevée. Le contact 210 est aussi couplé au noeud de commande d'un transistor 306. Par exemple, le transistor 306 est un transistor 15 MOS à canal P, et le contact 210 est connecté à sa grille. Le transistor 306 est par exemple couplé par ses noeuds de conduction principaux entre le rail d'alimentation VDD et un autre noeud 308. Le noeud 308 est par exemple couplé à un rail de masse par l'intermédiaire des noeuds de conductions principaux d'un 20 transistor de réinitialisation 310, et à l'entrée d'horloge d'une bascule de type D 312. Une entrée de données D de la bascule 312 est par exemple couplée au rail d'alimentation VDD, et la sortie Q de la bascule est connectée à une ligne 314 fournissant un signal d'alerte lorsqu'un laser est détecté. 25 En fonctionnement, en l'absence de faisceau laser, la tension sur le contact 210 va rester proche de la tension d'alimentation VDD, et le transistor 306 va être non conducteur. La tension 308 est par exemple basse, ayant été réinitialisée par le transistor de réinitialisation 310. Lorsqu'un rayon laser 30 frappe la cellule de détection 200, un courant va être conduit par le canal de type N 202, passant à travers les portions 212, 214 du canal. Ainsi la tension sur le contact 210 va être tirée vers le bas, et le transistor 306 va être activé, ce qui provoque une montée de la tension sur le noeud 308. La bascule 312 va ainsi 35 échantillonner le niveau logique haut présent sur son entrée de 3057088 B15181 - 16-RO-0289 10 données D et le transférer sur sa sortie de données Q, déclenchant le signal d'alerte. La figure 4 est un graphique illustrant un exemple des performances de la cellule de détection 200 des figures 2A et 2B, 5 telles qu'observées par les présents inventeurs. Une courbe 400 indique les niveaux minimum de l'amplitude et de la durée d'impulsions de courant générées par un faisceau laser qui vont déclencher le circuit de détection. Conne cela est illustré, la plupart des impulsions ayant une durée d'au moins 50 ps sont 10 détectées, et pour des impulsions ayant une amplitude d'au moins 100 laA, une durée d'impulsion aussi faible que 20 ps peut être détectée. La figure 5 illustre schématiquement un circuit intégré 500 comprenant une distribution régulière de dispositifs de 15 détection de laser tels que décrits ici. Comme cela est illustré, chaque dispositif de détection de laser comprend une cellule de détection 200, couplée à un circuit de détection 300 par l'intermédiaire des contacts 206, 210. En outre, les lignes de sortie des circuits de détection 300 sont par exemple couplées à 20 un circuit de protection 502. Par exemple, les sorties des circuits de détection 300 sont couplées au circuit de protection 502 par l'intermédiaire d'un arbre de portes OU. Le circuit de protection 502 est par exemple agencé pour mettre en oeuvre une contremesure si un ou plusieurs des circuits de détection 300 25 détectent une attaque laser. La contremesure peut par exemple impliquer une réinitialisation de la totalité ou d'une partie du circuit intégré, la destruction de données sensibles, etc. La figure 6A est une vue à plat des cellules de détection 200 du circuit intégré 500 de la figure 5 selon un exemple de 30 réalisation dans lequel les canaux de type N enterrés ont une forme autre qu'une spirale. Toutefois, comme dans le mode de réalisation en spirale, les contacts 210 de chaque cellule de détection sont par exemple positionnés au niveau d'un noeud intermédiaire entre les portions 212 et 214 du canal. 3057088 B15181 - 16-RO-0289 11 Un avantage de la cellule de détection 200 proposée ici est qu'elle est formée dans un niveau de silicium situé en dessous des dispositifs standards du circuit intégré, et qu'ainsi les cellules de détection 200 peuvent être formées relativement 5 proches les unes des autres sans réduire de façon significative la surface disponible sur la puce. Par exemple, les cellules sont séparées entre elles d'un intervalle s de seulement un ou plusieurs pm. La figure 6B est une vue en coupe de la structure de la 10 figure 6A prise suivant une ligne B-B passant à travers la portion 212 du canal enterré de chaque cellule de détection. Chaque cellule de détection 200 présente une coupe similaire à celle représentée en figure 2B, et ne sera pas décrite de nouveau en détail. Dans l'exemple de la figure 6B, les caissons de type N 15 204, 208 de chaque cellule de détection sont par exemple séparés des caissons de type N 208, 204 des cellules adjacentes par un seul caisson de type P 602. La figure 7 est un organigramme illustrant un exemple d'étapes dans un procédé de formation d'un dispositif de détection 20 de laser pour un circuit intégré selon un exemple de réalisation de la présente description. Dans une étape 701, un ou plusieurs canaux de type N enterrés sont formés, qui se trouvent par exemple à une profondeur supérieure à celle des caissons de type N du circuit intégré, et 25 par exemple au moins 1 pm en dessous des caissons de type N. Dans une étape 702, des connexions électriques sont formées avec des premier et deuxième points du canal enterré. Par exemple, des caissons de type N enterrés sont formés pour coupler chacun des premier et deuxième points à un caisson de surface de 30 type N du circuit intégré, et des contacts 206, 210 sont formés comme cela a été décrit précédemment. Dans une étape 703, les premier et deuxième points du canal enterré sont couplés, par l'intermédiaire des connexions électriques, à un circuit de détection adapté à détecter une chute 35 de tension au niveau du deuxième point. 3057088 B15181 - 16-R0-0289 12 Un avantage des modes de réalisation décrits ici est que la cellule de détection du dispositif de détection de laser est particulièrement sensible, et peut être déclenchée par des impulsions laser relativement courtes. En outre, on peut former 5 une densité de dispositifs de détection relativement grande tout en maintenant une grande surface de puce disponible pour d'autres dispositifs du circuit intégré. Avec la description ainsi faite d'au moins un mode de réalisation illustratif, diverses altérations, modifications et 10 améliorations apparaîtront facilement à l'homme de l'art. Par exemple, alors que les modes de réalisation décrits ici comprennent un canal de type N enterré dans un substrat de type P, il apparaîtra clairement à l'homme de l'art que dans des variantes de réalisation on pourrait utiliser les types de 15 conductivité opposés pour le canal enterré et le substrat, le canal étant du type P et le substrat étant du type N. En outre, il apparaîtra clairement à l'homme de l'art que bien que les figures 5 et 6 décrivent un circuit intégré comportant dix dispositifs de détection de laser, en pratique le 20 nombre de dispositifs de détection dépendra de la taille du circuit intégré, et pourrait être égal à des centaines, des milliers, ou même des dizaines de milliers de dispositifs de détection répartis dans le circuit intégré. REVENDICATIONS1. Dispositif de détection de laser pour protéger un circuit intégré, le dispositif comprenant : une cellule de détection (200) comportant : - un canal enterré (202) d'un premier type de 5 conductivité s'étendant dans un substrat (203) du circuit intégré, le substrat étant d'un deuxième type de conductivité ; - une première connexion électrique (204, 206, 217) couplant un premier point dans le canal enterré à un rail de tension d'alimentation (VDD) ; et 10 - une deuxième connexion électrique (208, 210, 218) couplée à un deuxième point dans le canal enterré ; et un circuit de détection (300) couplé au deuxième point dans le canal enterré par l'intermédiaire de la deuxième connexion électrique et adapté à détecter une chute de la tension au niveau 15 du deuxième point. 2. Dispositif de détection de laser selon la revendication 1, dans lequel le canal enterré (202) a une largeur égale ou inférieure à 1,5 }un. 3. Dispositif de détection de laser selon la 20 revendication 1 ou 2, dans lequel le deuxième point du canal enterré est connecté au premier point par l'intermédiaire d'une première portion (212) du canal enterré, et à une deuxième portion (214) du canal enterré. 4. Dispositif de détection de laser selon la 25 revendication 3, dans lequel la deuxième portion (214) a la forme d'une spirale. 5. Dispositif de détection de laser selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le canal enterré (202) est à une profondeur d'au moins 3 um. 30 6. Dispositif de détection de laser selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le circuit de détection (300) comprend un chemin à grande résistance (302, 304) entre la deuxième connexion électrique et le rail de tension 3057088 B15181 - 16-R0-0289 14 d'alimentation (VDD), et un transistor (306) ayant son noeud de colla ande couplé à la deuxième connexion électrique. 7. Dispositif de détection de laser selon la revendication 6, dans lequel le chemin à grande résistance 5 comprend au moins une diode (302, 304). 8. Dispositif de détection de laser selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la cellule de détection (200) a une surface inférieure à 100 lim2. 9. Circuit intégré comprenant une pluralité des 10 dispositifs de détection de laser de l'une quelconque des revendications 1 à 8, répartis dans le circuit intégré. 10. Circuit intégré selon la revendication 9, comprenant en outre : une première couche (220) de caissons de type N et de 15 type P comprenant des dispositifs de transistors ; et des caissons enterrés du premier type de conductivité formés dans une autre couche (226) à une profondeur supérieure à celle de la première couche, le canal enterré (202) étant à une profondeur supérieure à celle de l'autre couche (226). 20 11. Circuit intégré selon la revendication 10, dans lequel le circuit de détection (300) est mis en oeuvre dans la première couche (220). 12. Circuit intégré selon l'une quelconque des revendications 9 à 11, comprenant en outre un circuit de 25 protection (502) couplé à une sortie du circuit de détection (300) de chaque dispositif de détection de laser et adapté à mettre en oeuvre une contremesure si un laser est détecté par l'un des dispositifs de détection. 13. Procédé de formation d'un dispositif de détection 30 de laser pour un circuit intégré, le procédé comprenant : former un canal enterré (202) d'un premier type de conductivité s'étendant dans un substrat (203) du circuit intégré, le substrat étant d'un deuxième type de conductivité ; 3057088 B15181 - 16-R0-0289 15 former une première connexion électrique (204, 206, 217) couplant un premier point dans le canal enterré à un rail de tension d'alimentation (VDD) ; former une deuxième connexion électrique (208, 210, 218) 5 pour coupler un deuxième point dans le canal enterré à un circuit de détection (300) adapté à détecter une chute de la tension au niveau du deuxième point. 14. Procédé selon la revendication 13, dans lequel le canal enterré (202) est formé avec une largeur égale ou inférieure 10 à 1,5 P"-