Brevet FR3059827A1 — publié le 20180608

COMPOSANT OPTOÉLÉCTRONIQUE À ABSORPTION AMÉLIORÉE DOMAINE TECHNIQUE La présente description concerne un composant optoélectronique à absorption améliorée et un procédé de fabrication d'un tel composant optoélectronique. La présente description concerne notamment un composant photovoltaïque à simple jonction. ETAT DE L'ART Il est connu que le rendement de conversion photon/électron des cellules solaires simple jonction est limité principalement par les pertes spectrales dues à l'inadéquation entre l'énergie des photons incidents et celle du gap (ou bande interdite) du matériau absorbant. Si l'énergie du photon incident est inférieure à celle du gap, le photon n'est pas absorbé ; pour les photons d'énergie supérieure à celle du gap (ou photons de basses longueurs d'onde), une grande partie de l'énergie est perdue par thermalisation. Il est ainsi possible de déterminer pour une cellule solaire simple jonction donnée une limite théorique du rendement ; cette limite théorique est connue sous le nom de limite de Shockley-Queisser. La FIG. 1 A illustre ainsi le rendement de conversion maximal théorique d'une cellule solaire simple jonction en fonction de l'énergie de gap du matériau absorbant, à 300 K sous un éclairement standard sans concentration de la lumière incidente (courbe 10). Il est calculé dans le cas idéal où les recombinaisons radiatives sont les seuls mécanismes de recombinaison des paires électrons trous photo-générées dans la jonction. La courbe 10 résulte de la prise en considération des échanges d'énergie entre le soleil et la cellule solaire, considérés comme des corps noirs, des recombinaisons radiatives et des pertes spectrales. On observe sur la courbe 10 une variation du rendement de conversion maximal en fonction de la valeur du gap du matériau. En effet, en ce qui concerne les photons ayant une énergie inférieure à celle du gap du matériau, ceux-ci ne sont pas absorbés et sont donc perdus par transmission ; En ce qui concerne les photons ayant une énergie supérieure à celle du gap du matériau, la cellule solaire ne permet pas de convertir en énergie électrique la différence d'énergie entre l'énergie apportée par le photon absorbé et l'énergie du gap du matériau, le surplus est donc perdu sous forme de chaleur par thermalisation. Le choix du matériau absorbant implique également une limitation de la différence de potentiel à laquelle les charges pourront être extraites, soit le voltage maximal aux bornes de la cellule. La valeur de ce dernier est limitée par le fait que son produit avec la charge élémentaire (q x V) ne peut pas 3059827 2 excéder le gap du matériau, les recombinaisons contribuant à sa limitation. Finalement, on observe sur la courbe 10 que le rendement de conversion théorique est limité autour de 32% pour une valeur du gap intermédiaire proche de 1.4 eV, qui permet de concilier l'absorption d'un maximum de photons avec une différence de potentiel la plus élevée possible. Dans la 5 pratique, les records expérimentaux de rendement pour des cellules simple-jonction (représentés par des points sur la FIG. 1) connus à ce jour sont de 25,6% pour une cellule en silicium cristallin, 28,8% pour une cellule en GaAs (voir M. Green et al., « Solar cell efficiency tables (version 48) », Progress in Photovoltaics, 4, 7, pp. 905-913 (2016)) et 22,6% pour une cellule en CIGS ( voir « ZSW Sets New World Record for Thin:film Solar Cells », 10 Press release 09/2016, ZSW). Pour surmonter la limite de Shockley-Queisser, il est connu de former des cellules à jonctions multiples (cellules « multi-jonctions ») dans lesquelles une succession de gaps d'énergies différentes permet de limiter les pertes par thermalisation tout en absorbant le plus possible de photons. Aujourd'hui, cette solution est commercialement disponible sous la 15 forme de cellules avec un rendement record en laboratoire de 46% et des systèmes de concentration de la lumière. Cependant, les surcoûts engendrés par cette technologie beaucoup plus compliquée à mettre en oeuvre restent très élevés pour la filière des cellules photovoltaïques. Des solutions actuellement proposées dans la littérature pour augmenter le rendement 20 des cellules solaires simple jonction sont basées sur la mise en oeuvre de phénomènes de conversion spectrale des photons (ou « photon management »), de telle sorte que les photons parviennent dans l'absorbeur avec une longueur d'onde correspondant le plus possible à celle du gap. Il peut s'agir de conversion vers les basses énergies (mécanismes de « downshifting » et de « down-conversion ») ou de conversion vers les hautes énergies (mécanismes 25 de « up-conversion »). Plus précisément, dans le cas du « down-shifting », un photon très énergétique est transformé en un photon moins énergétique. Dans le cas de la « downconversion », un photon très énergétique est transformé en deux photons moins énergétiques. Dans le cas de l' « up-conversion », à l'inverse, deux photons de basse énergie (i.e. inférieure au gap de l'absorbeur considéré) sont transformés en un photon plus énergétique capable 30 d'être absorbé dans la cellule solaire. A travers ces mécanismes de conversion spectrale, l'effet principal recherché est l'augmentation du rendement de conversion à travers une augmentation du courant de la cellule solaire. Le transfert d'un certain nombre de photons incidents d'une plage spectrale pour laquelle la réponse spectrale (ou EQE selon l'expression anglo-saxonne « External 3059827 3 Quantum Efficiency ») de la cellule est nulle vers une autre plage spectrale pour laquelle la réponse spectrale est proche de 1 entraine en effet une augmentation du nombre de charges photo-générées dans la cellule photovoltaïque. Ainsi, il a été démontré que ces solutions de management spectral offrent des perspectives de rendement de conversion maximal de 40% 5 pour la down-conversion et 48% pour l'up-conversion. Les procédés d'up-conversion et de down-conversion sont des procédés non-linéaires qui impliquent plusieurs photons. L'efficacité de ces procédés augmente fortement avec l'intensité du champ électromagnétique autour des centres optiquement actifs permettant la photo-conversion. 10 Ainsi, J. C Goldschmidt et al. (« Record Efficient Upconverter Solar Cell Devices », 29th European PV Solar Energy Conference and Exhibition, 22 - 26 september 2014, Amsterdam, The Netherlands) a décrit différents moyens pour améliorer l'efficacité du mécanisme de conversion vers les hautes énergies (« up conversion ») d'une cellule solaire dont l'utilisation de structures photoniques pour augmenter l'intensité du champ 15 électromagnétique autour des centres optiquement actifs et améliorer ainsi le rendement de photo-conversion du matériau actif. La FIG. 1B reproduit le schéma d'un dispositif photovoltaïque tel que suggéré par J. C Goldschmidt et al. Le dispositif photovoltaïque comprend outre la cellule solaire 11 une couche arrière 12 dopée avec un matériau actif pour l'up conversion. Une structure 20 photonique 13 est proposée en face arrière de la couche active 12 pour augmenter l'efficacité de l'up conversion. Ainsi, comme cela est schématisé sur la FIG. 1B, la partie L2 du flux solaire Li qui n'est pas absorbée par la cellule solaire 11 est convertie au moins partiellement en un flux lumineux L3 à une longueur d'onde inférieure proche de la longueur d'onde d'absorption de la cellule solaire puis renvoyée vers la cellule solaire pour pouvoir être 25 utilisée. La présente description se base sur les travaux de l'art antérieur et propose une architecture améliorée de piégeage optique en face arrière pour un composant optoélectronique et plus précisément un composant photovoltaïque, qui permette d'augmenter significativement le rendement de conversion en mettant en oeuvre au moins l'un des 30 mécanismes de conversion spectrale. RE SUME La présente description a pour objet, selon un premier aspect, un composant optoélectronique présentant une face avant, et comprenant : 3059827 4 - un ensemble de couches en contact, dont au moins une couche de conversion optoélectronique formée d'un matériau absorbant de gap donné; - au moins un premier et un deuxième contacts électriques adaptés à la collection ou l'injection de charges dans la couche de conversion optoélectronique; et 5 - une couche réfléchissante avec une première face formant une face arrière du composant, opposée à la face avant; et dans lequel : - la couche réfléchissante présente une deuxième face en contact avec ledit ensemble de couches, nanostructurée sur une épaisseur inférieure au micron pour former un 10 ensemble d'îlots réfléchissants et de nano-cavités entre les îlots réfléchissants, la dimension maximale d'une nano-cavité ou d'un îlot réfléchissant et la distance maximale entre deux nano-cavités ou deux îlots réfléchissants étant inférieure au micron; - lesdites nano-cavités sont remplies d'un matériau diélectrique dopé avec au moins un 15 premier composé optiquement actif adapté pour au moins une première photo- conversion d'une première bande spectrale (ou bande spectrale d'absorption) vers une deuxième bande spectrale (ou bande spectrale d'émission), la deuxième bande spectrale étant au moins partiellement comprise dans la bande spectrale d'absorption de la couche de conversion optoélectronique. 20 Le « gap » (ou bande interdite) d'un matériau absorbant de gap donné est la différence d'énergie entre la bande de valence et la bande de conduction du matériau. A un gap donné correspond une longueur d'onde de coupure au-delà de laquelle des photons ne sont plus absorbés. En pratique, dans la présente description, on s'intéressera à des matériaux présentant 25 des longueurs d'onde de coupure comprises entre 0,25 i_tm et 10 i_tm, en fonction de l' application recherchée. Pour un matériau absorbant de gap donné, on pourra définir une bande spectrale d'absorption comprenant l'ensemble des longueurs d'onde inférieures ou égales à la longueur d'onde de coupure, ou en énergie, l'ensemble des énergies de photons supérieures ou égales 30 au gap. Plus précisément dans la présente description, on pourra définir pour un ensemble de couches d'épaisseur d donnée, une bande spectrale utile comprise dans la bande spectrale d'absorption, et définie, en énergie, par l'ensemble des énergies de photons pour lesquelles 3059827 5 l'absorption à travers l'ensemble de couches, en simple passage et à incidence normale, est inférieure ou égale à 90%. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, la couche de conversion optoélectronique comprend un matériau semi-conducteur. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, le 5 matériau semi-conducteur est à gap direct, choisi par exemple dans une famille parmi la famille du CIGS, la famille du CdTe, la famille des semi-conducteurs III-V. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, la couche de conversion optoélectronique comprend l'un au moins des matériaux choisi dans le groupe comprenant : des pérovskites, des semi-conducteurs organiques, des polymères photosensibles, des matériaux absorbants 10 amorphes. Les déposants ont montré que la structuration originale de la couche réfléchissante, ou « miroir arrière », sur la seule face en contact avec l'ensemble de couches et le remplissage des nano-cavités ainsi formées avec un matériau diélectrique dopé pour la conversion spectrale rend possible à la fois l'augmentation des interactions entre la lumière et le composé 15 actif du matériau diélectrique dopé mais aussi une amélioration de l'absorption dans le composant optoélectronique grâce à la possibilité de résonances localisées dans la couche de conversion optoélectronique. Le rendement de conversion du dispositif optoélectronique se trouve ainsi accru par rapport aux dispositifs de l'art antérieur. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, au moins une partie des couches de 20 l'ensemble de couches forme une simple jonction. Par simple jonction, on entend une jonction qui n'est pas une jonction multiple. Il s'agit par exemple d'une jonction p-n ou p-i-n, par exemple une homojonction ou une hétérojonction, ou d'une jonction Schottky. La simple jonction contribue avec les premier et deuxième contacts électriques à la collection ou l'injection des charges. 25 Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, l'ensemble de couches forme une couche de conversion optoélectronique passivée, de telle sorte que la fonction de séparation des charges est assurée par les seuls contacts électriques. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, le matériau diélectrique dopé comprend au moins un premier composé optiquement actif permettant une photo-conversion dite « up- 30 conversion » d'une première bande spectrale présentant une première fréquence centrale vers une deuxième bande spectrale présentant une deuxième fréquence centrale supérieure à celle de la première fréquence centrale. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, le matériau diélectrique dopé comprend au moins un premier composé optiquement actif permettant une photo-conversion de type 3059827 6 « down-conversion » ou « down-shifting », d'une première bande spectrale présentant une première fréquence centrale vers une deuxième bande spectrale présentant une deuxième fréquence centrale inférieure à celle de la première fréquence centrale. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, le matériau diélectrique dopé comprend 5 au moins un premier composé optiquement actif et un deuxième composé optiquement actif permettant de combiner différents mécanismes de photo-conversion (up-conversion, downconversion et/ou down-shifting). Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, ledit ensemble de couches est ultrafin, ce qui permet de favoriser les résonances dans la couche de conversion optoélectronique grâce à 10 des mécanismes de réflexion totale interne, de réduire la quantité de matériau formant la couche de conversion optoélectronique et de limiter le nombre de défauts dans l'ensemble de couches. Par « ultrafin » on entend dans la présente description un ensemble de couches suffisamment fin pour que la bande spectrale utile, en énergie de photons, soit comprise entre 15 l'énergie de gap (Eg) et 1,3 fois l'énergie de gap (1,3 Eg). Un ensemble de couches ultrafin est particulièrement avantageux dans le cas de mise en oeuvre d'un mécanisme de photo-conversion vers les basses énergies (mécanismes dits de « down-shifting » ou « down-conversion »), car seuls les photons non absorbés par ledit ensemble de couches sont susceptibles d'interagir avec le composé actif du matériau 20 diélectrique dopé. Dans le cas de l'utilisation d'un matériau semi-conducteur à gap direct pour la couche en matériau absorbant, par exemple un matériau de la famille du CIGS ou de la famille des matériaux semi-conducteurs III-V, l'épaisseur de l'ensemble de couche ultrafin pourra avantageusement être inférieure à quelques centaines de nanomètres, par exemple inférieure à 25 500 nm, avantageusement inférieure à 300 nm. Le composant optoélectronique peut être, selon un ou plusieurs exemples de réalisation, un composant photovoltaïque, auquel cas : - la face avant est une face de réception d'un flux solaire incident ; - la bande spectrale d'absorption est comprise dans le spectre solaire ; par exemple 30 le gap du matériau absorbant est compris entre 0,5 et 2,5 eV ; les premier et deuxième contacts électriques sont adaptés à la collection des charges ; ainsi, en fonctionnement, le flux lumineux solaire incident sur la face de réception du composant photovoltaïque est converti en un courant électrique entre les premier et deuxième contacts électriques. 3059827 7 Le composant optoélectronique peut être, selon un ou plusieurs exemples de réalisation, un détecteur adapté à la détection dans une ou plusieurs bandes spectrales de détection, la ou les bandes spectrales de détection pouvant recouvrir, tout ou partiellement, ou ne pas recouvrir, la bande spectrale d'absorption du matériau constituant la couche de conversion 5 optoélectronique. Dans ce cas, ledit composé optiquement actif du matériau diélectrique dopé est adapté pour effectuer une photo-conversion depuis les bandes spectrales de détection du détecteur vers la bande spectrale d'absorption du matériau absorbant, avantageusement vers des longueurs d'onde inférieures et proches de la longueur d'onde de coupure du matériau formant la couche de conversion optoélectronique. 10 Par ailleurs, dans le cas d'un détecteur, comme dans l'application composant photovoltaïque, la face avant est une face de réception d'un flux lumineux incident et, en fonctionnement, le flux lumineux incident sur la face de réception du détecteur est converti en un courant électrique entre les premier et deuxième contacts électriques. Le composant optoélectronique peut être, selon un ou plusieurs exemples de réalisation, 15 une diode électroluminescente ou une diode laser. Dans ce cas, les premier et deuxième contacts électriques sont adaptés à l'injection de charges et en fonctionnement, un courant électrique appliqué entre les premier et deuxième contacts électriques est converti en un flux lumineux émis par la face avant de la diode électroluminescente. La face avant est ainsi une face d'émission de la diode électroluminescente. 20 Le ou les composés optiquement actifs du matériau diélectrique dopé sont choisis en fonction de l'application, notamment de la bande spectrale d'absorption de la couche de conversion optoélectronique et plus précisément de la bande spectrale utile du composant. Un composant optiquement actif est caractérisé notamment par sa bande spectrale d'absorption et sa bande spectrale d'émission. Il est adapté pour la photo-conversion d'une première bande 25 spectrale (i.e. sa bande spectrale d'absorption) vers une deuxième bande spectrale (i.e. la bande spectrale d'émission), avantageusement comprise au moins partiellement dans la bande spectrale utile. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, au moins un composé optiquement actif est choisi parmi un colorant, par exemple un phosphore ou un fluorophore, qui contient par exemple des nanoparticules semi-conductrices (CdSe, PbS, 30 PbSe...), des éléments de la famille des Lanthanides (Nd, Eu, Er, Yb...), des éléments de la famille des fluorophores organiques (Lumogen, éosine, fluorescéine,...), ou des éléments de la famille des organométalliques (complexes Ru(III),...). Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, la deuxième face nanostructurée du miroir arrière comprend des îlots réfléchissants de dimensions maximales inférieures au 3059827 8 micron, agencés de façon périodique ou pseudopériodique selon deux dimensions, les nano-cavités étant formées entre les îlots métalliques, ou la deuxième face nanostructurée comprend des nano-cavités de dimensions maximales inférieures au micron, agencées de façon périodique ou pseudopériodique selon deux dimensions, les îlots réfléchissants étant formés entre les nano-cavités. 5 Selon un ou plusieurs exemples de réalisations, la deuxième face nanostructurée comprend des plots métalliques agencés de façon apériodique selon deux dimensions, les nano cavités étant formées entre les plots métalliques, ou des nano-cavités agencées de façon apériodique selon deux dimensions, les plots métalliques étant formés entre les nano-cavités. Par « pseudopériodique », on comprend que les nanostructures sont légèrement décalées par 10 rapport à leurs positions dans un arrangement périodique, les distances entre les nanostructures étant en moyenne celles d'un réseau périodique. Une nano-structuration périodique (ou pseudopériodique) de la deuxième face de la couche réfléchissante permet notamment d'optimiser des résonnances de modes guidés dans l'ensemble de couches. Une nano-structuration apériodique permet de privilégier la diffusion par les nanostructures. 15 Dans le cas d'une nano-structuration périodique ou pseudopériodique, selon un ou plusieurs exemples de réalisation, la période est choisie identique selon chacune des directions, ce qui a pour effet de limiter la dépendance de la réponse optique en fonction de la polarisation. De façon générale, une période plus petite aura pour effet d'empêcher la diffraction dans l'espace libre sur une plus grande bande spectrale, alors qu'une période plus grande favorisera un plus grand 20 nombre de résonances dans la bande spectrale utile. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, la période est choisie inférieure à une borne inférieure de la bande spectrale utile (en longueur d'onde) ; avantageusement, elle est choisie le plus proche possible de cette borne inférieure. Les déposants ont montré qu'en général, la période peut-être choisie inférieure, voire bien inférieure au micron. Cela aura pour effet d'empêcher les pertes par 25 diffraction dans l'espace libre pour des longueurs d'onde plus grandes que la période du réseau, et pour un flux à incidence normal, tout en permettant les résonances par couplage à des modes guidés dans l'ensemble de couches. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, les îlots réfléchissants ou les nano-cavités sont de forme sensiblement parallélépipédique rectangle. 30 Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, les îlots réfléchissants ou les nano-cavités présentent une section sensiblement carrée. Dans ce cas, lorsque les îlots réfléchissants, ou les nanocavités, sont agencés de façon périodique selon deux dimensions, avec une période identique selon chacune des directions, la nano-structuration se trouve parfaitement symétrique dans deux axes orthogonaux du plan ce qui permet une indépendance de la réponse optique par rapport à la polarisation de la lumière. Cet agencement est 3059827 9 avantageux dans le cas d'un composant photovoltaïque absorbant la lumière naturelle du soleil, qui n'est pas polarisée. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, les îlots réfléchissants ou les nanocavités présentent une forme sensiblement en « L », ou plus généralement toute forme 5 permettant d'avoir un seul axe de symétrie. Cette configuration permet de disposer de paramètres de dimensionnement multiples pour les îlots réfléchissants ou les nano-cavités et par conséquent permet de définir des mécanismes de couplage résonant à des longueurs d'onde multiples. Cette configuration permet ainsi d'optimiser le composant sur une plus grande bande spectrale. 10 Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, les dimensions maximales des ilots réfléchissants ou des nano-cavités sont comprises entre la moitié de la période, et les deux tiers de la période, correspondant à un ratio compris entre 0.5 et 0.66. Ce ratio permet d'optimiser l'effet de diffraction du réseau dans l'ensemble de couches, et ainsi la formation et l'excitation de résonances par couplage à des modes guidés dans l'ensemble de couches. Là 15 encore, les déposants ont montré que les dimensions maximales des îlots ou nano-cavités se trouvaient inférieures au micron. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, les dimensions des nano-cavités sont inférieures ou égales à ka/(2nd) et/ou inférieures ou égales à ke/(2nd), où nd est l'indice de réfraction du matériau diélectrique, et ka (respectivement Xe) est la plus grande longueur 20 d'onde d'absorption (respectivement d'émission) du composé optiquement actif. Ce dimensionnement permet de créer un ou plusieurs mécanismes résonants dans l'ilot réfléchissant ou la nano-cavité afin de renforcer l'effet du matériau actif convertisseur de photons. Dans la suite de la description, on appelle « plus grande longueur d'onde d'absorption 25 (ou d'émission) d'un composé optiquement actif la longueur d'onde correspondant à la borne supérieure de la bande spectrale d'absorption (ou d'émission). Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, l'épaisseur de la nano-structuration, choisie généralement inférieure au micron, est déterminée en fonction de ses dimensions latérales afin de favoriser une ou plusieurs résonances aux longueurs d'onde de photo- 30 conversion, et afin d'optimiser le couplage avec des modes guidés aux longueurs d'onde « utiles ». L'épaisseur de la nano structuration peut être comprise selon un ou plusieurs exemples de réalisation entre ka /(4 nd) et ka /(2 nd), et/ou entre Xe /(4 nd) et Xe /(2 nd) où nd est l'indice de réfraction du matériau diélectrique, et ka (respectivement Xe) est la plus grande longueur d'onde d'absorption (respectivement d'émission) du composé optiquement actif 3059827 10 Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, les îlots réfléchissants (ou les nanocavités) sont agencés de façon apériodique. Dans ce cas, selon un ou plusieurs exemples de réalisation, les déposants ont montré que les dimensions maximales des nanostructures, ilots ou nano-cavités, peuvent être 5 avantageusement choisies inférieures à Xu/2ne, où Xt, est la borne inférieure de la bande utile, mesurée en longueur d'onde et ne est l'indice moyen de l'empilement de couches. Avantageusement, l'épaisseur hg des nanostructures sera choisie de dimension similaire à la dimension des nanostructures, et dans tous les cas inférieure au micron. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, la couche réfléchissante est formée d'un 10 ou plusieurs matériaux métalliques, par exemple de l'argent, de l'or, de l'aluminium ou du cuivre, ou est formée d'un matériau diélectrique présentant une forte variation d'indice avec la couche de l'ensemble de couche avec lequel il est en contact, par exemple un matériau diélectrique de type TiO2, SiC ; Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, la couche réfléchissante comprend une association d'au moins un matériau diélectrique et un matériau 15 métallique, par exemple une fine couche métallique d'épaisseur supérieure ou égale à l'épaisseur de peau du métal, déposée sur un matériau diélectrique et en contact avec l'ensemble de couches, ou un ensemble de couches alternées métal/diélectrique, ou une couche réfléchissante structurée diélectrique de type cristal photonique. La présente description a pour objet, selon un deuxième aspect, un procédé de 20 fabrication d'un composant optoélectronique selon le premier aspect comprenant : - le dépôt de l'ensemble de couches sur un substrat initial; - le dépôt du matériau diélectrique dopé sous forme d'une couche nanostructurée à l'endroit des nano-cavités recherchées pour le composant optoélectronique final ; 25 - le dépôt d'une couche réfléchissante ; - le retrait du substrat initial pour dégager la face avant et le dépôt d'un ou plusieurs contacts en contact avec l'ensemble de couches pour former les contacts électriques avant. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, le procédé comprend en outre le dépôt 30 d'un ou plusieurs contacts électriques sur l'ensemble de couches avant le dépôt du matériau diélectrique pour former les contacts électriques arrière. 3059827 11 BREVE DESCRIPTION DES FIGURES D'autres avantages et caractéristiques de la technique présentée ci-dessus apparaîtront à la lecture de la description détaillée ci-dessous, faite par référence aux figures dans lesquelles: La FIG. 1 A (déjà décrite), une courbe représentant le rendement de conversion 5 maximal en fonction du gap du matériau formant la couche de conversion optoélectronique (cas d'un matériau semi-conducteur); La FIG. 1B (déjà décrite), un exemple de composant photovoltaïque selon l'art antérieur ; Les FIGS. 2A et 2B illustrent des courbes montrant l'absorption dans un ensemble 10 de couches, en fonction de l'énergie de photons, pour plusieurs valeurs de l'épaisseur de l'ensemble de couches, respectivement dans le cas où la couche de conversion optoélectronique est formée en GaAs (FIG. 2A) et dans le cas où la couche de conversion optoélectronique est formée en CIGS (FIG. 2B); Les FIGS. 3A - 3C, des schémas montrant différents éléments d'un exemple de 15 composant optoélectronique selon la présente description ; Les FIGS. 4A à 4F, des schémas illustrant différents exemples de miroirs arrière d'un composant optoélectronique selon la présente description ; Les FIGS. 5A et 5B, des courbes numériques illustrant l'absorption calculée dans différentes régions du composant respectivement dans un exemple de composant 20 optoélectronique selon la présente description avec des composés optiquement actifs adaptés pour l'up-conversion (FIG. 5A) et avec des composés actifs adaptés pour la downconversion (FIG. 5B); Les FIGS. 6A et 6B, des schémas illustrant un composant optoélectronique de type composant photovoltaïque et un composant optoélectronique de type DEL selon la 25 présente description ; Les FIGS. 7A à 7E, des schémas illustrant des étapes d'un exemple de procédé de fabrication d'un un composant optoélectronique selon la présente description. DESCRIPTION DETAILLEE Dans la présente description, pour un matériau absorbant de gap donné, on définit la 30 bande spectrale d'absorption comme l'ensemble des longueurs d'onde inférieures ou égales à la longueur d'onde de coupure, ou, en énergie, l'ensemble des énergies de photons supérieures ou égales au gap. 3059827 12 Par ailleurs, on pourra définir pour un ensemble de couches d'épaisseur d donnée, une « bande spectrale utile », comprise dans la bande spectrale d'absorption par l'ensemble des énergies de photons pour lesquelles l'absorption à travers l'ensemble de couches, en simple passage et à incidence normale, est inférieure ou égale à 90%. A la bande spectrale utile 5 mesurée en énergie correspond une bande spectrale utile mesurée en longueur d'onde dont la bande inférieure est noté Xu et la bande supérieure correspond à la longueur d'onde de coupure xg. En pratique, pour un composant optoélectronique selon la présente description, on pourra mesurer l'absorption simple passage en reproduisant l'empilement de couches ou en 10 isolant l'ensemble de couches du composant photovoltaïque puis en mesurant sur l'ensemble du spectre en énergie la transmission et la réflexion afin d'en déduire l'absorption. On pourra également calculer l'absorption simple passage sur la base de la connaissance des matériaux formant les couches et des épaisseurs de couche. Les FIGS. 2A et 2B illustrent ainsi des courbes montrant l'absorption dans un ensemble 15 de couches, en fonction de l'énergie de photons, pour plusieurs valeurs de l'épaisseur de l'ensemble de couches, respectivement dans le cas où la couche de conversion optoélectronique est formée en GaAs (FIG. 2A) et dans le cas où la couche de conversion optoélectronique est formée en CIGS (FIG. 2B). A noter que les courbes illustrées sur les FIGS. 2A et 2B ont été calculées pour des valeurs de l'épaisseur de la couche de conversion 20 optoélectronique, en faisant l'hypothèse que les autres couches de l'ensemble de couches étaient négligeables à la fois en termes d'épaisseur et d'absorption. En pratique, lorsque l'ensemble de couches comprend d'autres couches dont l'épaisseur ou l'absorption n'est pas négligeable par rapport à l'épaisseur ou l'absorption de la couche de conversion optoélectronique, on pourra en tenir compte pour la détermination de l'épaisseur qui rend 25 l'ensemble de couches « ultrafin » et mesure l'absorption simple passage de l'ensemble, comme décrit ci-dessus. Ainsi, les courbes d'absorption simple passage (ASP) pour une couche sont calculées selon l'équation : ASP = 1 - e-oe(E)d 30 Où a(E) est le coefficient d'absorption en fonction de l'énergie des photons incidents du matériau formant la couche, c'est-à-dire GaAs (FIG. 2A) et CIGS (FIG. 2B), et d est l'épaisseur de la couche de conversion optoélectronique. 3059827 13 Dans le cas d'un ensemble de plusieurs couches d'épaisseur di et de coefficients d'absorption cc,(E), la courbe d'absorption simple passage (ASP) pourra être calculée selon l' équation : 1-a,(E)cli ASP =1- e ' 5 Plus précisément, les courbes 21, 22, 23, 24 sur la FIG. 2A correspondent respectivement à des épaisseurs de la couche en GaAs égales à d = 1 i_tm, d = 200 nm, d = 100 nm, d = 50 nm. Une couche de conversion optoélectronique en GaAs est ultrafine (selon notre définition) pour une épaisseur inférieure à 725 nm, c'est-à-dire que l'absorption simple passage d'une couche de 725 nm est de 90% pour une énergie de photon de 1.3 *Eg, soit 1.846 10 eV (= 672 nm en longueur d'onde). Pour du GaAs, la bande spectrale utile pour une couche de 725 nm d'épaisseur sera en énergie [Eg, Eg*1.3] correspondant en longueur d'onde à [X,, = 672 nm, 4 = 870 nm] et elle sera plus grande pour une couche plus fine. Par ailleurs, les courbes 25, 26, 27, 28 sur la FIG. 2B correspondent respectivement à des épaisseurs de la couche en CIGS égales à d = 1 i_tm, d = 300 nm, d = 200 nm, d = 100 nm. 15 Une couche de conversion optoélectronique en CIGS est ultrafine (selon notre définition) pour une épaisseur inférieure à 565 nm, c'est-à-dire que l'absorption simple passage d'une couche de 565 nm est de 90% pour une énergie de photon de 1.3*Eg, soit 1.508 eV (= 822 nm en longueur d'onde). Pour du CIGS, la bande spectrale utile pour une couche de 565 nm d'épaisseur sera [Eg, Eg*1.3] correspondant en longueur d'onde à [X' = 822 nm, 4 = 1070 20 nm], et elle sera plus grande pour une couche plus fine. Les FIGS. 3A à 3C représentent différents éléments d'un exemple de composant optoélectronique 30 selon la présente description. Plus précisément, la FIG. 3A représente un exemple de couche réfléchissante avec sa face nanostructurée, sans le matériau diélectrique dopé ; la FIG. 3B représente un exemple de « miroir arrière » 32 comprenant la couche 25 réfléchissante avec sa face nanostructurée et le matériau diélectrique dopé dans les nano- cavités. La FIG. 3C illustre un exemple de composant comprenant outre le miroir arrière, l'ensemble de couches 31 en contact avec la face nanostructurée du miroir arrière. A noter que sur ces figures, les contacts électriques ne sont pas représentés. Plus précisément, comme illustré sur la FIG. 3A, la couche réfléchissante comprend une 30 première face 320, continue, destinée à former la face arrière du composant optoélectronique. La couche réfléchissante comprend une deuxième face nanostructurée sur une épaisseur hg inférieure au micron et formant dans l'exemple de la FIG. 3A un ensemble d'îlots réfléchissants 323 et de nano-cavités 322 entre les îlots réfléchissants. Dans cet exemple, les îlots réfléchissants sont de forme parallélépipédique, de dimensions wx et wy selon chacune 3059827 14 des dimensions, et sont agencés de façon périodique, respectivement avec une période px et une période py selon chacune des dimensions. La dimension maximale d'un îlot réfléchissant et la distance maximale entre deux îlots réfléchissants est inférieure au micron. Comme illustré sur la FIG. 3B, les nano-cavités 322 sont remplies d'un matériau diélectrique dopé 5 avec au moins un premier composé optiquement actif adapté pour au moins une première photo-conversion d'une première bande spectrale du flux lumineux incident vers une deuxième bande spectrale. L'ensemble de la face réfléchissante 320 et des nano-cavités 322 remplies du matériau diélectrique dopé forme le miroir arrière 32. Comme montré sur la FIG. 3C, la face nanostructurée du miroir arrière est en contact 10 avec l'ensemble de couches 31 comprenant dans cet exemple une couche de conversion optoélectronique 310, et de part et d'autre de la couche de conversion optoélectronique 310 des couches ou ensembles de couches 309 et 311 adaptées par exemple pour former avec la couche de conversion optoélectronique 310 une jonction p-i-n. Une couche antireflet 308 peut-être déposée sur l'ensemble des couches 311+310+309 formant la jonction p-i-n. 15 Bien que 4 couches seulement soient représentées dans l'exemple de la FIG. 3C, le composant optoélectronique peut comprendre d'autres couches. Il est par exemple possible d'introduire des couches de contacts dopées de chaque côté de la jonction pour faciliter l'extraction des charges en dehors de la couche de conversion optoélectronique. Il est également envisageable d'introduire des couches se comportant comme des barrières (qui 20 peuvent elles-mêmes comprendre des couches distinctes dont le dopage peut varier) pour un type de charge permettant d'éviter des recombinaisons non-radiatives sur les contacts non représentés sur la FIG. 3C. La couche de conversion optoélectronique 310 présente une bande spectrale d'absorption définie comme l'ensemble des longueurs d'onde inférieures ou égales à la 25 longueur d'onde de coupure. La bande spectrale d'émission du composé optiquement actif est au moins partiellement comprise dans la bande spectrale d'absorption de la couche de conversion optoélectronique, avantageusement dans la bande spectrale utile. Selon un ou plusieurs exemples de la présente description, les nano-cavités et les nanostructures réfléchissantes sont dimensionnées pour permettre simultanément (i) des 30 mécanismes de piégeage optique dans l'ensemble de couches sur la bande d'absorption de la couche de conversion optoélectronique, et plus précisément sur la bande spectrale utile et (ii) des mécanismes de piégeage optique au sein des nano-cavités qui constituent le siège du mécanisme de photo-conversion. Le couplage entre la lumière incidente ou photo-convertie et 3059827 15 la couche de conversion optoélectronique est ainsi amélioré, conduisant à une hausse de l'efficacité du composant optoélectronique. A noter que par principe de retour inverse de la lumière, la structure se comporte de la même manière suivant que l'on souhaite absorber la lumière, partiellement photo-convertie, 5 dans la couche de conversion optoélectronique (fonctionnement en cellule photovoltaïque ou en détecteur) ou que l'on souhaite émettre de la lumière dans la couche de conversion optoélectronique, puis la renvoyer vers l'espace libre après qu'une partie de cette lumière ait subi une photo-conversion (fonctionnement en LED). Le fonctionnement du composant optoélectronique dans ces différents exemples sera décrit dans la suite de la description, en 10 référence aux FIGS. 6A et 6B. Selon un ou plusieurs exemples de la présente description, la conception du composant photovoltaïque comprend le choix d'un matériau absorbant pour la couche de conversion optoélectronique 310 de l'ensemble de couches 31, l'épaisseur de l'ensemble de couches, le choix d'au moins un composé optiquement actif capable de réaliser au moins une photo- 15 conversion et le dimensionnement de la nano-structuration du miroir arrière 32. Choix du matériau absorbant Le matériau absorbant pour la couche de conversion optoélectronique est généralement choisi en fonction de l'application visée. 20 Pour les cellules solaires, on pourra choisir un matériau avec un gap proche de 1.4 eV, pour se placer dans des conditions proches de l'optimum de rendement pour des cellules solaires simple jonction (limite de Shockley Queisser) décrit sur la FIG. 1. Typiquement, l'ensemble des matériaux dont la structure électronique présente des bandes électroniques similaires à une bande de valence et une bande de conduction séparées par une énergie de 0.5 25 à 2.5 eV peuvent présenter un intérêt (semiconducteurs, pérovskites, matériaux organiques, polymères photo-sensibles). Le composant optoélectronique selon la présente description permet l'absorption de l'énergie de photons qui n'aurait normalement pas été absorbée par la cellule (grâce au mécanisme d'up-conversion) ou dont l'énergie aurait été en partie perdue par thermalisation (grâce au mécanisme de down-conversion par exemple). 30 Pour les applications de détection, le matériau absorbant est choisi en premier lieu pour sa fiabilité et la maîtrise des procédés de fabrication. Les matériaux III-V sont pressentis comme étant les plus efficaces pour ce type d'application, et ceux dont les techniques de fabrication sont les mieux maîtrisées. Le choix du matériau est rendu plus facile dans un composant optoélectronique selon la présente description car, grâce aux mécanismes de 3059827 16 conversion spectrale, on peut s'affranchir de la contrainte de recouvrement entre la bande spectrale d'absorption et la ou les longueurs d'onde d'intérêt qui composent le signal que l'on souhaite détecter. Pour l'application LED, il est également possible grâce au composant optoélectronique 5 selon la présente description de décorréler le gap du matériau absorbant de la longueur d'onde d'émission du dispositif. Le matériau de la couche de conversion optoélectronique responsable de l'émission de la lumière pourra être choisi pour son coût, sa facilité de fabrication ou d'exploitation. La photo-conversion pourra être choisie pour partiellement modifier le spectre d'émission. 10 Choix de l'épaisseur pour l'ensemble de couches L'architecture originale du composant optoélectronique selon la présente description, avec un miroir arrière présentant une face nanostructurée en contact avec l'ensemble de couches, autorise les phénomènes d'absorption résonante de la lumière simultanément dans la 15 couche de conversion optoélectronique et au niveau des photo-convertisseurs, à des longueurs d'onde distinctes. Avantageusement, l'ensemble de couches est ultrafin comme décrit ci-dessous. En effet, le caractère ultrafin de l'ensemble de couches présente l'intérêt de former une cavité dans laquelle les photons peuvent effectuer plusieurs aller-retour sans être absorbés et ainsi 20 contribuer à la création de phénomènes d'interférences du champ électromagnétique plus intenses dans la structure. Dans le cas de structures plus épaisses, la propagation des ondes parvenant jusqu'au miroir nanostructuré ou réfléchies sur ce dernier est limitée et les interférences beaucoup moins marquées. En particulier dans le cas des applications de downshifting, le caractère ultrafin permet qu'une partie des photons possédant une énergie élevée 25 parvienne au miroir nanostructuré. Par « ultrafin » on entend dans la présente description un ensemble de couches suffisamment fin pour que la bande spectrale utile, en énergie de photons, soit comprise entre l'énergie de gap (Eg) et 1,3 fois l'énergie de gap (1,3 Eg). Ainsi dans les exemples des FIGS 2A et 2B, si l'on fait l'hypothèse que l'épaisseur de 30 l'ensemble de couches peut être assimilée à l'épaisseur de la couche de conversion optoélectronique, on observe que pour une épaisseur de 1µm de GaAs (courbe 21) ou de CIGS (courbe 25), la gamme spectrale utile est comprise entre Eg (1.42eV) et 1.23*Eg (1.75eV) pour le GaAs, respectivement Eg (1.16eV) et 1.15*Eg (1.33eV) pour le CIGS, ce qui ne correspond pas au critère de couche ultrafine. A l'inverse, les bornes des gammes 3059827 17 spectrales utiles obtenues pour des épaisseurs de 200 nm (courbe 22), 100 nm (courbe 23) et 50 nm (courbe 24) pour le Ga As sont respectivement 1.77*Eg (2.51eV), 1.95*Eg (2.77eV) et 2.03 *Eg (2.88eV), ce qui est conforme à la définition de couches ultrafines. Les bornes des gammes spectrales utiles obtenues pour des épaisseurs de 300 nm (courbe 26), 200 nm 5 (courbe 27) et 100 nm (courbe 28) sont respectivement 1.66*Eg (1.92eV), 2*Eg (2.32eV) et 2.43*Eg (2.88eV), ce qui est conforme à la définition de couches ultrafines. Le caractère ultrafin présente par ailleurs un intérêt économique. La diminution des quantités de matériau permet des gains importants en termes de coûts des matières premières, et particulièrement du temps de croissance ou de dépôt des couches semi-conductrices dans le 10 cas d'utilisation de matériaux semi-conducteurs, ce qui contribue à faire diminuer le coût de revient d'un dispositif. Le caractère ultrafin présente des intérêts à la fois pour le fonctionnement d'une cellule solaire, d'un détecteur ou d'une diode électroluminescente. La diminution des volumes de matériau permet de diminuer le nombre de défauts dans le matériau et donc de limiter le taux 15 de recombinaisons non-radiatives (pertes électroniques) dans le dispositif. La limitation des pertes aux phénomènes radiatifs permet par ailleurs de se rapprocher des conditions idéales de fonctionnement, et de profiter des effets de recyclage de photons dans la structure. Par exemple, dans le cas d'une cellule photovoltaïque, ceci se traduit par une augmentation du voltage aux bornes de la cellule. 20 En pratique, la « finesse » de l'ensemble de couches est déterminée par l'épaisseur de la couche de conversion optoélectronique, les autres couches éventuelles de l'ensemble de couches absorbant peu ou très peu. Ainsi, les déposants ont montré qu'en pratique, avec une épaisseur de la couche de conversion optoélectronique généralement inférieure à 700 nm dans le cas d'utilisation d'un 25 matériau de type III-V (GaAs, InP,...), correspondant à un ensemble de couches d'épaisseur généralement inférieur à 800 nm, ou avec une épaisseur de la couche de conversion optoélectronique généralement inférieure à 500 nm dans le cas d'un matériau de type chalconégnure (CIGS,...), correspondant à un ensemble de couches d'épaisseur inférieure à 600 nm, on répondait au critère ultrafin. 30 Choix du/des matériaux pour la photo-conversion Le matériau diélectrique dopé qui remplit les nano-cavités comme illustré dans la FIG. 3B contient le/les composé(s) optiquement actif(s) nécessaire(s) pour réaliser au moins une photo-conversion vers une bande spectrale recouvrant au moins partiellement la bande 3059827 18 spectrale d'absorption, et plus précisément la bande spectrale utile. La photo-conversion entraîne une augmentation de l'efficacité quantique du dispositif à la longueur d'onde de réémission du matériau dans la bande spectrale d'absorption. Le mécanisme de photo-conversion est sensiblement amélioré par l'augmentation de 5 l'intensité lumineuse due aux interférences constructives dans les nano-cavités aux longueurs d'onde d'intérêt pour la photo-conversion. Il est possible de choisir pour un matériau diélectrique dopé plusieurs composés optiquement actifs responsables d'au moins une photo-conversion chacun pour augmenter l'efficacité globale du dispositif. Le système fait alors appel à des photo-convertisseurs 10 intermédiaires qui permettent de convertir une partie des photons parvenant sur le miroir arrière pour qu'ils soient mieux absorbés par un autre photo-convertisseur qui les convertit à son tour en des photons dont l'énergie est dans la bande spectrale utile du composant optoélectronique. Il est également envisageable de combiner un mécanisme d'up-conversion avec un mécanisme de down-conversion, ces mécanismes bénéficiant potentiellement chacun 15 d'une résonance optique à une longueur d'onde de fonctionnement distincte. A titre d'exemple, des composants optiquement actifs qui peuvent être utilisés dans un composant optoélectronique selon la présente description comprennent des terres rares comme les éléments de la famille des Lanthanides (Er, Eu, Yb, Nd...), dont les transitions entre niveaux électroniques des électrons de la couche électronique f sont responsables de 20 phénomènes de luminescence efficaces, des particules semi-conductrices, ou des molécules luminescentes comme la protéine fluorescente verte (GFP). Plus précisément, pour des applications photovoltaïques utilisant des phénomènes d'upconversion, on pourra choisir selon un ou plusieurs exemples de réalisation, un ensemble de composés optiquement actifs permettant de ramener des photons de trop faible énergie vers 25 des photons de plus hautes énergies, si possible proches du gap du matériau. Par exemple, on pourra utiliser des ions Er (Erbium) pour convertir des photons de longueur d'onde proche de 2.7 pm, 1.5 pm, 980 nm, 805 nm vers des longueurs d'onde proches de 805 nm, 670 nm, 550 nm, 530 nm, et 410 nm, ces dernières étant généralement comprises dans la bande spectrale d'absorption désirée. On pourra réaliser un co-dopage Er/Yb (Erbium/Ytterbium), les ions Yb 30 pouvant servir de sensibilisateur en absorbant des photons à 978 nm ou 1064 nm puis en transférant les électrons photo-générés aux hauts niveaux d'énergie des ions Er. La désexcitation des électrons en passant d'une couche électronique de haute énergie à une couche électronique de basse énergie de l'Er conduit à l'émission de photons autour de 670 3059827 19 nm, 550 nm et 530 nm. Ces longueurs d'onde sont généralement celles où la réponse spectrale des cellules (EQE) est la meilleure. Pour des applications photovoltaïques utilisant des phénomènes de down-shifting ou de down-conversion, on pourra par exemple utiliser de manière similaire des ions Eu 5 (Europium), avec une forte absorption entre 300 et 350 nm et une réémission autour de 610 nm. Pour l'application détecteur, on pourra par exemple choisir de convertir les photons d'un signal constitué de différentes longueurs d'onde (spectre d'émission d'une molécule) vers la bande spectrale d'absorption d'un matériau choisi parmi ceux qui sont les plus faciles 10 à fabriquer, en s'affranchissant potentiellement de problème de bruit sur le signal dû à l'absorption parasite d'autres plages de longueurs d'onde (ce qui pourrait avoir lieu dans un matériau à petit gap pour les applications infrarouge). Pour l'application LED, des phosphores utilisés comme composés optiquement actifs peuvent par exemple permettre de réémettre des photons émis à très courte longueur d'onde 15 dans la couche de conversion optoélectronique vers le visible. Motifs et dimensionnement des nano-structurations Les mécanismes d'interférences et de résonances qui permettent de placer des maxima d'intensité lumineuse à proximité de la couche de conversion optoélectronique dépendent de 20 la géométrie du miroir nanostructuré, principalement de la distance entre les nanostructures, de leur taille et de leur arrangement. On dimensionnera le miroir pour utiliser, en particulier, le couplage à des modes guidés par diffraction dans le cas d'un miroir périodique, ou les propriétés de diffusion des nanostructures et la réflexion totale interne de la lumière diffusée aux grands angles dans le cas d'un miroir constitué d'un arrangement apériodique de 25 nanostructures. Nano-structurations agencées de façon périodique ou pseudopériodique Dans le cas de nanostructures périodiques ou pseudopériodiques, les îlots ou nanocavités diffractent la lumière transmise après un simple passage dans des directions bien déterminées (phénomène de diffraction par un réseau). 30 Si la période est plus petite que la longueur d'onde de la lumière incidente, les photons diffractés sont totalement réfléchis sur la face avant de l'ensemble de couches par réflexion totale interne, ils sont ainsi piégés et guidés dans la couche. Dans le cas de couches ultrafines, on parle préférentiellement de couplage à des modes guidés plutôt que d'onde guidée par réflexion totale interne. Un phénomène d'absorption totale de la lumière incidente peut être 3059827 20 obtenu en optimisant la géométrie et la dimension des nano-structurations à l'aide d'un calcul électromagnétique exact basé par exemple sur une méthode FDTD ou RCWA (voir S. Collin, «Nanostructure arrays in free-space: optical properties and applications », Reports on Progress in Physics, 77, 126402, 2014). Cette optimisation permet de régler finement 5 l'efficacité de diffraction de la structure périodique, autrement dit le couplage entre l'onde incidente et les modes guidées dans l'ensemble de couches. Si la période est plus grande que la longueur d'onde de la lumière incidente, la réflexion des ondes diffractées sur la face avant n'est pas nécessairement totale, mais elle permet également d'allonger le chemin optique et donc l'absorption de la lumière dans la couche de 10 conversion optoélectronique. Avantageusement, on choisira la période inférieure à une borne inférieure Xt, de la bande spectrale utile (en longueur d'onde), avantageusement le plus proche possible de cette borne inférieure, ce qui a pour effet d'empêcher les pertes par diffraction dans l'espace libre pour des longueurs d'onde plus grandes que la période du réseau, et pour un flux à incidence 15 normal, tout en permettant les résonances par couplage à des modes guidés dans l'ensemble de couches. De manière générale, les déposants ont ainsi montré que les distances entre les nanostructures qui conduisent aux meilleures performances sont inférieures au micron, typiquement entre 400 et 800 nm dans le cas où l'absorbeur est du GaAs, typiquement entre 20 500 et 900 nm dans le cas où l'absorbeur est un chalcogénure (CIGS) et typiquement entre 600 et 1000 nm dans le cas où l'absorbeur serait du Si. En utilisant plusieurs nano-structurations par période, il est par ailleurs possible d'améliorer le couplage à des modes guidés en augmentant le nombre de degrés de liberté disponible pour l'optimisation de la réponse optique. En brisant certains plans de symétrie à 25 l'aide de structure ayant la forme d'un L, par exemple, il est possible de lever la dégénérescence de certains modes résonants et ainsi d'augmenter le nombre de résonances permettant une absorption exaltée. De façon générale, les déposants ont montré que les dimensions maximales des ilots réfléchissants ou des nano-cavités peuvent être comprises entre la moitié de la période, et les 30 deux tiers de la période, correspondant à un ratio compris entre 0.5 et 0.66. Ce ratio permet d'optimiser l'effet de diffraction du réseau dans l'ensemble de couches, et ainsi la formation et l'excitation de résonances par couplage à des modes guidés dans l'ensemble de couches. Des exemples de structures périodiques sont donnés sur les FIGS. 4A, 4B, 4C, 4D, 4E. 3059827 21 Plus précisément, la FIG. 4A représente un réseau de nanostructures 423 sensiblement carrées disposées périodiquement suivant deux dimensions orthogonales dans le plan horizontal. Les nanostructures 423 forment la face nanostructurée de la couche réfléchissante 420 destinée à former la face arrière des cellules solaires. Les périodes px et py sont 5 sensiblement les mêmes suivants les deux dimensions et les nanostructures ont une largeur wx et une longueur wy égales à une demi-période. Les nano-cavités formées entre ces nanostructures sont remplies du matériau optiquement actif 422 sur toute leur hauteur hg. La figure 4A peut être considérée comme la représentation d'un cas particulier de structure telle que décrite dans la FIG. 3C. 10 La figure 4B représente le cas particulier d'une nanogrille constituée du matériau réfléchissant dans laquelle des nano-cavités 424 de coupe sensiblement carrée ont été disposées périodiquement suivant deux dimensions orthogonales dans le plan horizontal. Ces nano-cavités sont remplies du matériau optiquement actif sur toute la hauteur hg de la nanogrille en contact avec la couche réfléchissante 420. On peut dire que la FIG. 4B constitue 15 un schéma de nano-structuration complémentaire à celui de la FIG. 4A. Les nanostructures 423 ne sont pas nécessairement carrées, comme cela est montré sur les FIGS. 4C et 4E. La FIG. 4E décrit par exemple le cas de nanostructures 423 parallélépipédiques rectangles disposés dans un réseau périodique suivant deux dimensions orthogonales du plan horizontal. Les périodes px et py et les facteurs de remplissage wx et wy 20 sont distincts suivant les deux directions x et y. La FIG. 4C montre un exemple de nano- structuration non parallélépipédique, les nanostructures 423 étant disposées suivant une période carrée (px=py) et ayant une coupe horizontale formant un L, avec un axe de symétrie correspondant à la diagonale d'un motif. Cette forme de nanostructure offre la possibilité de recourir à un plus grand nombre de cavités distinctes entre les nanostructures. 25 La coupe horizontale des nanostructures n'est pas nécessairement identique sur toute la hauteur hg de la nano-structuration. La FIG. 4D décrit une situation où les nanostructures sont des pyramides 426. Dans le cas décrit, les pyramides sont à base triangulaire, les périodes px et py formant deux côtés de la base et hg leur hauteur. Les espaces compris entre les nanopyramides et une éventuelle couche supérieure forment des nano-cavités qui sont remplies du 30 matériau actif 427. Dans le cas où les périodes suivant les deux dimensions sont égales (px=py), les nanostructures sont symétriques avec un axe de symétrie correspondant à la diagonale du motif (plan à 45° entre les deux axes x et y). Les nanostructures symétriques suivant deux axes perpendiculaires se comporteront de la même manière suivant la polarisation de la lumière incidente. Cette indépendance peut être 3059827 22 recherchée pour des applications photovoltaïques puisque le flux lumineux solaire n'est pas polarisé. Dans ce cas, les structures symétriques ont plus de chances d'absorber un maximum d'énergie suivant les deux directions de polarisation. Les structures pseudopériodiques consistent à décaler les nanostructures de quelques 5 nanomètres voire quelques dizaines de nanomètres par rapport à la position exacte qu'elles occuperaient dans un réseau parfaitement périodique. La distance entre les nanostructures est alors en moyenne celle du réseau parfaitement périodique, le décalage pouvant varier autour de zéro selon une loi de probabilité symétrique, par exemple une loi de probabilité gaussienne, par exemple avec un écart type de l'ordre d'une dizaine de nanomètres ou 10 quelques dizaines de nanomètres. Cette structure a l'avantage de conserver les propriétés propres aux structures périodiques tout en introduisant une brisure de périodicité permettant le couplage de la lumière dans des modes antisymétriques ou d'autres modes que des modes guidés. Un exemple de structure pseudopériodique est présenté en FIG. 4F. 15 La figure 4F présente en effet des nanostructures 423 de coupe horizontale circulaire séparées par une matrice de matériau actif 422 et disposées sur la couche réfléchissante 420 de telle sorte que les distances moyennes entre les centres des nanostructures correspondent bien à des périodes px et py suivant deux directions orthogonales du plan horizontal. Chaque nanostructure est en fait simplement décalée d'un vecteur dx et dy par rapport à la position 20 qu'elle devrait avoir dans un réseau parfaitement périodique dessiné en pointillés. Ce type de structure peut permettre une augmentation de l'absorption de certaines résonances à l'intérieur du dispositif final. Quelle que soit la géométrie des nanostructures, l'épaisseur hg des nanostructures joue également un rôle dans l'efficacité de diffraction du réseau. Si hg est trop faible, l'intensité 25 portée par les ondes réfléchies par le miroir nanostructuré sera faible et la figure d'interférences présentera des résonances de faible intensité. La répartition du champ électromagnétique dans la structure n'est alors pas optimisée. A l'inverse, une épaisseur hg élevée peut faire augmenter les pertes électromagnétiques par absorption dans la couche réfléchissante, notamment lorsque cette dernière est constituée de métal. 30 L'épaisseur de la nano structuration peut être comprise selon un ou plusieurs exemples de réalisation entre ka /(4 nd) et ka /(2 nd), et/ou entre Xe /(4 nd) et ke /(2 nd) où nd est l'indice de réfraction du matériau diélectrique, et ka (respectivement Xe) est la plus grande longueur d'onde d'absorption (respectivement d'émission) du composé optiquement actif 3059827 23 Ainsi, typiquement, l'épaisseur la plus efficace dans le cas de cellules en GaAs avec un miroir arrière constitué d'une couche réfléchissante en Ag et d'un matériau actif à base de TiO2 est comprise entre 80 nm et 150 nm. Quel que soit la géométrie d'agencement des nanostructures, les nano-cavités remplies 5 du matériau diélectrique dopé pour la photo conversion pourront également être elles-mêmes le siège de résonances localisées. Une résonance de cavité sera typiquement obtenue pour des dimensions de l'ordre de ka/2nd ou Xe/2nd (résonance de type Fabry-Perot), où nd est l'indice de réfraction du matériau diélectrique, et ka (respectivement Xe) est la plus grande longueur d'onde d'absorption (respectivement d'émission) du composé optiquement actif. Mais la 10 forme de la cavité et l'utilisation de métaux (plasmons de surface) permettent de modifier les conditions de résonances et de diminuer la taille de la cavité par rapport à la longueur d'onde ka (respectivement Xe). Ces résonances peuvent être calculées précisément à l'aide d'un code de modélisation électromagnétique exact afin d'optimiser les longueurs d'onde de résonance et de renforcer les mécanismes de photo conversion. 15 A noter quand dans le cas des FIGS 3C ou 4A par exemple, on pourra définir les dimensions des nano-cavités par px - wx, py - wy. Une fois déterminées grossièrement l'épaisseur hg, la distance moyenne entre les nanostructures et la taille des nano cavités en utilisant les principes évoqués précédemment, les paramètres géométriques de la structure sont optimisés à l'aide d'un calcul exact de 20 l'intensité du champ électromagnétique dans la structure. Ceci requiert un logiciel de modélisation du champ électromagnétique ou de résolution des équations de Maxwell dans des structures multicouches à l'échelle nanométrique. Les codes basés sur les méthodes FDTD (Finite Difference Time Domain - méthode de calcul de différences finies dans le domaine temporel), ou RCWA (Rigorous coupled-wave analysis - méthode de calcul des 25 modes optiques des différentes couches puis propagation des champs par application des conditions de continuité aux interfaces) sont les plus couramment utilisés. Une étude paramétrique autour des valeurs déterminées à l'aide des modèles précédemment décrits permet d'obtenir les paramètres géométriques optimaux pour la structure, ainsi que la réalisation d'études de sensibilité et de tolérances. 30 Les FIGS. 5A et 5B montrent des courbes numériques illustrant l'absorption calculée dans différentes régions du composant respectivement dans un exemple de composant optoélectronique selon la présente description avec des composés optiquement actifs adaptés pour l'up-conversion (FIG. 5A) et avec des composés actifs adaptés pour la down-conversion (FIG. 5B). 3059827 24 Les spectres d'absorption des FIGS. 5A et 5B ont été obtenus en utilisant RETICOLO, un code RCWA fonctionnant sur une plateforme de calcul Matlab, développé par l'équipe de P. Lalanne à l'Institut d'Optique (« Reticolo software for grating analysis » - .113 Hugonin, P Lalanne - Institut d'Optique, Orsay, France, 2005). 5 Pour ces deux exemples, on suppose un composant optoélectronique du type de la FIG. 3C, et dans le cas d'une application à un composant photovoltaïque conversion optoélectronique. L'ensemble de couches comprend une couche de conversion optoélectronique 310 en GaAs de 120 nm d'épaisseur, et, de part et d'autre de la couche de conversion optoélectronique, des couches barrière (309, 311) de 25 nm d'épaisseur en 10 A1GaAs (modélisé par un indice réel n = 3,3). L'ensemble de couches comprend également une couche 308 en SiNx formant un antireflet (modélisé par un indice réel n = 2). La couche réfléchissante 32 est en argent et comprend sur la face nanostructurée des îlots réfléchissants de forme parallélépipédique avec une section carrée de 300 nm de côté, agencés périodiquement selon deux directions avec une période de 600 nm dans chaque direction. 15 Dans l'exemple de la FIG. 5A (cas de l'up-conversion), on s'intéresse essentiellement aux longueurs d'onde pour lesquelles le GaAs n'absorbe pas et on cherche à comparer l'absorption dans le métal vs l'absorption dans le matériau diélectrique dopé. Le matériau diélectrique dopé est décrit comme un matériau possédant un indice optique proche de celui du TiO2 cristallin avec un composé photo-actif modélisé par un oscillateur de Drude-Lorentz 20 centré à 1.51.1m (longueur d'onde d'intérêt correspondant à l'absorption des atomes d'Erbium décrits comme up-convertisseurs dans la littérature). Le calcul est effectué à l'aide du logiciel RETICOLO décrit précédemment. La courbe 51 représente l'absorption totale par le miroir arrière et peut être décomposée en une courbe 52 qui représente la partie absorbée par le matériau diélectrique dopé et une courbe 53 qui représente la partie absorbée par les 25 nanostructures métalliques. On peut observer que le matériau diélectrique dopé n'absorbe pas aux courtes longueurs d'onde (courbe 52 tend vers 0) tandis que les courbes 51 et 53 sont confondues. Par contre, le matériau diélectrique dopé absorbe une portion significative de la lumière incidente sur le dispositif pour les longueurs d'onde supérieures à 1 pm. On observe par ailleurs aux courtes longueurs d'onde jusque 700 nm des valeurs très 30 faibles d'absorption dans le miroir arrière nanostructuré, ce qui traduit la bonne absorption du composant photovoltaïque au niveau de la couche de conversion optoélectronique. De 700 à 900 nm, les creux que l'on peut observer correspondent à des résonances d'absorption dans la couche de conversion optoélectronique générées par la nano-structuration. Sans le miroir nanostructuré, ces résonances n'apparaissent pas. 3059827 25 Simultanément à ces résonances d'absorption dans la couche de conversion optoélectronique, le spectre d'absorption dans le matériau diélectrique dopé présente une résonance à la longueur d'onde d'intérêt pour l'up-conversion de 1.5 um. L'absorption a pratiquement lieu uniquement dans le matériau diélectrique (courbe 52) avec des pertes 5 limitées dans le métal (courbe 53). Cette résonance indique une amélioration de l'absorption de la lumière par des particules up-convertrices modélisées par un oscillateur de Lorentz, et donc une amélioration du processus de photo-conversion. Dans l'exemple de la FIG. 5B (down-conversion), c'est le matériau de conversion optoélectronique qui limite principalement l'absorption dans les particules down-convertrices 10 et on s'intéresse aux pertes en absorption pour les mécanismes de down-conversion. Le matériau diélectrique dopé est décrit comme un matériau possédant un indice optique proche de celui du TiO2 cristallin avec un composé photo-actif modélisé par un oscillateur de DrudeLorentz centré à 480 nm (longueur d'onde d'intérêt correspondant à l'absorption des atomes d'Europium décrits comme down-convertisseurs dans la littérature). La courbe 54 représente 15 l'absorption totale par le composant photovoltaïque et se décompose en une courbe 55 décrivant l'absorption dans le GaAs et une courbe 56 décrivant l'absorption dans le matériau diélectrique dopé. On observe que la présence du miroir arrière nanostructuré engendre deux phénomènes. Tout d'abord une augmentation de l'absorption dans la couche de conversion 20 optoélectronique en GaAs qui se traduit par les pics de résonance visibles pour des longueurs d'onde comprises entre 700 nm et 900 nm ; Ensuite la présence d'un pic d'absorption du matériau down-convertisseur à 480 nm. Les photons arrivant à cette longueur d'onde sur le composant photovolatïque et parvenant en face arrière nanostructurée du dispositif pourront être convertis puis absorbés dans la couche de conversion optoélectronique à des longueurs 25 d'onde proche du gap du semi-conducteur utilisé (ici, GaAs avec un gap à 870 nm). Notons que plus l'ensemble de couches comprenant la couche de conversion optoélectronique est fin, plus le nombre de photons disponibles pour la photo conversion est important. Bien entendu, et comme expliqué précédemment, une optimisation des paramètres pour obtenir une absorption optimisée dans les différentes régions du composant peut être faite en 30 fonction de l'application recherchée, pour différents matériaux absorbants et avec différents composés optiquement actifs de la couche en matériau diélectrique dopé. Nano-structurations agencées iliçle fa on apériodique 3059827 26 Dans le cas de structures non périodiques, les îlots ou nano-cavités diffusent la lumière transmise après un simple passage dans l'ensemble de couches dans toutes les directions (voir E. Yablonovitch, Statistical ray optics, J. Opt. Soc. Am., 72, 899-907, 1982 ; M. A. Green, « Lambertian light trapping in textured solar cells and light-emitting diodes: analytical 5 solutions », Progress in Photovoltaics: Research and Applications, 10, 235-241, 2002). De manière similaire au cas des structures périodiques, une partie de ces ondes sera réfléchie sur la face avant et ainsi guidée dans l'ensemble de couches, permettant une exaltation de l'absorption dans la couche de conversion optoélectronique. La géométrie et la dimension des nanostructures du miroir arrière permettent d'optimiser la diffusion de la lumière, par 10 exemple pour obtenir une diffusion lambertienne. Les déposants ont montré que les dimensions maximales des nanostructures, ilots ou nano-cavités seront avantageusement choisies inférieures à Xu/2ne, où Xu est la borne inférieure de la bande utile, mesurée en longueur d'onde et ne est l'indice moyen de l'empilement de couches. Avantageusement, l'épaisseur hg des nanostructures sera choisie de 15 dimension similaire à la dimension des nanostructures. Les FIGS. 6A et 6B illustrent schématiquement et de façon fonctionnelle respectivement un composant optoélectronique de type composant photovoltaïque et un composant optoélectronique de type DEL selon la présente description. Dans la FIG. 6A, le composant photovoltaïque 60 comprend un premier contact 20 électrique 61 pour la collection des électrons 601, un absorbeur 63 correspondant à l'ensemble de couches comprenant la couche de conversion optoélectronique selon la présente description, un deuxième contact électrique 62 pour la collection des trous 602 et un miroir arrière 64 conforme à la présente description, en contact avec l'absorbeur 63. L'absorption d'un photon dans la couche de conversion optoélectronique de l'absorbeur 63 entraine la 25 génération d'une paire électron-trou. L'électron peut alors être collecté par le premier contact électrique 61 tandis que le trou peut être collecté par le deuxième contact électrique 62 entrainant la séparation de ces charges et la création d'un potentiel aux bornes du dispositif 60. Lorsqu'un circuit électrique est branché aux bornes du dispositif 60, la différence de potentiel entraine l'apparition d'un flux de charges, en particulier d'un flux d'électrons F, 30 entre les deux contacts 61 et 62. Quand il est éclairé, le composant photovoltaïque 60 se comporte alors comme un générateur de courant continu I, capable d'alimenter une charge électrique 65. Plus précisément dans l'exemple de la FIG. 6A conforme à la présente description, un flux lumineux Li entre dans le composant photovoltaïque par la face avant ou face de 3059827 27 réception du flux lumineux. Une partie L2 du flux incident Li n'est pas absorbé lors du premier passage de la lumière à travers l'absorbeur 63, arrive jusqu'à sa face arrière et peut interagir avec le miroir arrière nanostructuré 64. Les photons du flux L2 sont réfléchis ou convertis grâce au matériau diélectrique dopé contenu dans les nano-cavités pour former un 5 flux de photons L3. Les photons du flux de photons L3 capables d'être absorbés par la couche de conversion optoélectronique sont piégés grâce aux résonances créées entre le miroir arrière et l'absorbeur (64+63) ; ainsi, leur absorption par le dispositif se trouve augmentée. Dans le cas de l'up-conversion, les photons peu énergétiques du flux L2 peuvent notamment subir au moins une photo-conversion améliorée par la nano-structuration du 10 miroir 64 et les photons issus de cette conversion former le flux de photons L3 dont les photons peuvent être absorbés dans la couche de conversion optoélectronique et participer au courant photo-généré. Dans le cas de la down-conversion, les photons très énergétiques du flux de photons L2 peuvent subir au moins une photo-conversion améliorée par la nanostructuration du miroir arrière 64 et les photons issus de cette conversion former le flux de 15 photons L3 dont les photons peuvent être absorbés dans la couche de conversion optoélectronique avec des pertes par thermalisation moins importantes dans le dispositif, contribuant à un rendement de conversion plus élevé. La FIG. 6B illustre le principe d'une diode électroluminescente 61, fonctionnant de manière symétriquement opposée au composant photovoltaïque illustré sur la FIG. 6A. Cette 20 fois, des électrons 601 créés par un générateur de courant extérieur 66 débitant un courant I et créant un flux d'électrons F sont injectés à l'intérieur du composant 61 comprenant comme dans l'exemple précédent, un premier contact électrique 61 pour la collection des électrons 601, un deuxième contact électrique 62 pour la collection des trous 602, un absorbeur 63 formé selon la présente description d'un ensemble de couches comprenant au moins une 25 couche de conversion optoélectronique, et un miroir arrière nanostructuré 64 conforme à la présente description. L'injection des charges (électrons 601 à travers le premier contact électrique 61 et trous 602 à travers le deuxième contact électrique 62) entraine de nombreuses recombinaisons radiatives à l'intérieur de l'absorbeur 63, la recombinaison d'un électron avec un trou se traduisant par l'émission d'un photon dont l'énergie est proportionnelle à la 30 différence de potentiel entre les deux contacts. Les photons sont émis dans toutes les directions. Au moins une partie des photons émis vers le miroir arrière nanostructuré forment un flux lumineux L4. Ces photons peuvent alors interagir avec le matériau actif dans une configuration optimisée pour maximiser les processus de photo-conversion. Une partie des photons issus de cette photo-conversion sont réfléchis par le miroir arrière nanostructuré 64 et 3059827 28 forment un flux lumineux L5, dont une partie L6 n'est pas absorbée par l'absorbeur 64 et sort du composant 61. En particulier, si des photons très énergétiques sont émis dans l'absorbeur, ils pourront être convertis en photons moins énergétiques, dont une partie pourra sortir du composant 61 et se propager dans l'espace libre. 5 Ainsi dans une diode électroluminescente selon la présente description, le composé optiquement actif du matériau diélectrique dopé permet la photo-conversion des photons émis avec l'énergie du gap du matériau formant la couche de conversion optoélectronique à d'autres énergies et donc à d'autres longueurs d'onde. 10 Les FIGS. 7A à 7E représentent des schémas illustrant des étapes d'un exemple de procédé de fabrication d'un composant optoélectronique selon la présente description. Dans une première étape (FIG. 7A), l'ensemble de couches 71 comprenant la couche de conversion optoélectronique 710 et dans cet exemple deux couches 709 et 711 pouvant elles-mêmes être constituées de plusieurs couches, est déposé sur un substrat initial 701 et 15 éventuellement séparé de ce substrat par une couche ou un ensemble de couches 702 dite couche de séparation. Dans le cas de la formation d'une simple jonction, les couches 709, 711 regroupent par exemple des couches barrières pour les charges, des couches de collection (ou d'injection) de charges ou des couches dopées pour une amélioration du contact électrique. Dans cet exemple, un ou plusieurs contacts 73 sont pris sur la face supérieure de 20 l'ensemble de couches 71, ces contacts pouvant contenir plusieurs sous-ensembles comprenant par exemple une couche en semi-conducteur très dopé pour réaliser un contact ohmique avec l'ensemble de couches. Alternativement, il peut s'agir d'un contact Schottky. Dans une deuxième étape (FIG. 7B), on dépose le matériau diélectrique dopé sous forme d'une couche nanostructurée à l'endroit des nano-cavités recherchées pour le 25 composant final. Le dépôt de la couche en matériau diélectrique dopé est réalisé par exemple par nano-impression. Par exemple, le matériau diélectrique est un sol-gel, par exemple un sol gel de TiO2, dopé avec des photo-convertisseurs, par exemple des lanthanides Eu ou Er ou co-dopé avec des ions de la même famille. Le sol-gel est déposé dans cet exemple sous forme liquide sur l'ensemble de couche 71 par spin-coating. Immédiatement après le dépôt, un 30 moule flexible de nano-impression 80 est appliqué à la surface du dispositif pour embosser la couche de matériau diélectrique dopé. Selon un exemple de réalisation, le moule 80 comprend une première couche 81 relativement fine (quelques microns), fabriquée dans un matériau dur, par exemple en PDMS (poly(diméthylsiloxane)) dur pour assurer une grande conformité des motifs nanostructurés transférés lors de l'embossage ainsi qu'une bonne réplicabilité. La 3059827 29 seconde couche 82 est une couche en matériau flexible, par exemple en PDMS flexible 750, qui permet une manipulation facile du moule de nano-impression dans son ensemble. Ainsi se trouvent formées les nano-cavités 722, la forme des nano-cavités étant complémentaire du motif défini par le moule après son retrait illustré en FIG. 7B. 5 Dans le cas où des contacts 73 sont déposés à la surface de l'ensemble de couches 71, leur présence n'est pas gênante pour la nano-impression car la distance qui sépare des contacts est généralement grande devant les dimensions typiques relatives à la nanostructuration. De manière générale, il existe à la fin de l'étape de nano-impression une couche résiduelle de matériau actif 730 qui peut potentiellement être retirée pour autoriser un contact 10 direct de la couche réfléchissante arrière avec l'ensemble de couches 71. En l'absence de contact 73, ce retrait permet d'utiliser la couche réfléchissante comme contact arrière du dispositif. L'étape de nano-structuration est suivie par le dépôt d'une couche réfléchissante 720 (FIG. 7C). En pratique, on peut réaliser cette couche en déposant un premier métal, par 15 exemple de l'argent, puis une couche de protection, par exemple du chrome, permettant la protection de l'argent et évitant son oxydation. Le dépôt est réalisé par exemple par évaporation, le porte-substrat étant en rotation, et formant un angle par rapport à la direction de la source métallique utilisée, par exemple d'environ 60°, pour permettre un remplissage optimal des nanostructures délimitées par les nano-cavités 722. Selon un exemple de 20 réalisation, une couche d'adhésion 703 est déposée sur la couche réfléchissante 720 ainsi formée pour transférer l'ensemble du système avec sa couche réfléchissante sur un substrat hôte 704. Ce substrat permet de manipuler l'ensemble des couches avec son miroir arrière plus facilement pour les étapes de fabrication suivante et dans l'utilisation du dispositif final. Le substrat initial 701 sur lequel l'ensemble de couches 71 avait été fabriqué est ensuite 25 retiré (FIG. 7D), éventuellement à l'aide de la couche de séparation 702. Cette étape rend la surface avant de l'ensemble de couches 71 libre pour la finalisation du dispositif illustrée en FIG. 7E. Dans cette étape, un ou plusieurs contacts électriques avant 74 sont déposés pour pouvoir collecter ou injecter un type de charge sur la face avant du dispositif, tandis que le contact électrique 73 remplit cette fonction pour la face arrière. Dans 30 le cas où la face nanostructurée de la couche réfléchissante 720 est directement en contact avec l'ensemble de couches 71, la face nanostructurée peut servir de contact arrière. Bien entendu, de nombreuses variantes sont possibles pour le procédé précédemment décrit. 3059827 30 Par exemple, l'étape de nano-structuration décrit sur la FIG. 7B peut être remplacée par un procédé de lithographie électronique. Une résine électro sensible est alors insolée dans un masque électronique pour définir la nano-structuration. Cette étape est suivie de développement de la résine électro sensible puis du dépôt du matériau optiquement actif avant 5 une étape de lift-off pour le retirer aux endroits où l'on souhaite disposer les nanostructures. La même étape de nano-structuration peut faire intervenir une technique de lithographie holographique. Dans ce cas, on pourra choisir une résine photosensible qui constitue le matériau optiquement actif lui-même. Le dépôt de la couche réfléchissante pourrait alors suivre directement l'étape de développement de cette résine. 10 Bien que décrite à travers un certain nombre d'exemples de réalisation, le composant optoélectronique et le procédé de fabrication de ce composant comprennent différentes variantes, modifications et perfectionnements qui apparaîtront de façon évidente à l'homme de l'art, étant entendu que ces différentes variantes, modifications et perfectionnements font partie de la portée de l'invention telle que définie par les revendications qui suivent. 15 REVENDICATIONS1. Composant optoélectronique (30, 70) présentant une face avant (35, 75), et comprenant : un ensemble de couches en contact (31, 71) dont au moins une couche de conversion optoélectronique (310, 710) formée d'un matériau absorbant de gap donné; au moins un premier et un deuxième contacts électriques (73, 74) adaptés à la collection ou l'injection de charges dans la couche de conversion optoélectronique; et une couche réfléchissante (32, 72) avec une première face formant une face arrière (36, 76) du composant, opposée à la face avant; et dans lequel : la couche réfléchissante présente une deuxième face en contact avec ledit ensemble de couches (31), nanostructurée sur une épaisseur (hg) inférieure au micron pour former un ensemble d'îlots réfléchissants (323) et de nano-cavités (322) entre les îlots réfléchissants, la dimension maximale d'une nano-cavité ou d'un îlot réfléchissant et la distance maximale entre deux nano-cavités ou deux îlots réfléchissants étant inférieure au micron; lesdites nano-cavités sont remplies d'un matériau diélectrique dopé avec au moins un premier composé optiquement actif adapté pour au moins une première photo-conversion d'une première bande spectrale vers une deuxième bande spectrale, la deuxième bande spectrale étant au moins partiellement comprise dans la bande spectrale d'absorption de la couche de conversion optoélectronique. 2. Composant optoélectronique selon la revendication 1, dans lequel ledit ensemble de couches est ultrafm, c'est-à-dire d'épaisseur inférieure ou égale à une épaisseur permettant d'obtenir une bande spectrale utile comprise entre 1 et 1,3 fois le gap, la bande spectrale utile étant définie par l'ensemble des énergies de photons pour lesquelles l'absorption à travers l'ensemble de couches, en simple passage et à incidence normale, est inférieure ou égale à 90%. 3059827 2 , 3. Composant optoélectronique selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel au moins une partie de l'ensemble de couches forme une simple jonction. 4. Composant optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 5 précédentes, dans lequel le matériau diélectrique dopé permet au moins une photo-conversion d'une première bande spectrale présentant une première fréquence centrale vers une deuxième bande spectrale présentant une deuxième fréquence centrale inférieure à celle de la première fréquence centrale. 5. Composant optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 10 précédentes, dans lequel le matériau diélectrique dopé permet au moins une photo-conversion d'une première bande spectrale présentant une première fréquence centrale vers une deuxième bande spectrale présentant une deuxième fréquence centrale supérieure à celle de la première fréquence centrale. 6. Composant optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 15 précédentes, dans lequel la deuxième face nanostructurée comprend des plots métalliques agencés de façon périodique ou pseudopériodique selon deux dimensions, les nano cavités étant formées entre les plots métalliques, ou des nano-cavités agencées de façon périodique ou pseudopériodique selon deux dimensions, les plots métalliques étant formés entre les nanocavités. 20 7. Composant optoélectronique selon la revendication 6, dans lequel la période est identique selon chacune des directions. 8. Composant optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 6 ou 7, dans lequel la période est inférieure à la borne inférieure (ku) de la bande spectrale utile. 9. Composant optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 6 à 8, 25 dans lequel la dimension maximale des plots métalliques ou la dimension maximale des nanocavités est comprise entre la moitié et les deux tiers de la période. 10. Composant optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la deuxième face nanostructurée comprend des plots métalliques agencés de façon 3059827 3 apériodique selon deux dimensions, les nano cavités étant formées entre les plots métalliques, ou des nano-cavités agencées de façon apériodique selon deux dimensions, les plots métalliques étant formés entre les nano-cavités. 11. Composant optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 5 précédentes formant un composant photovoltaïque, dans lequel : la face avant (35) est une face de réception d'un flux solaire incident ; la bande spectrale d'absorption est comprise dans le spectre solaire ; les premier et deuxième contacts électriques (73, 74) sont adaptés à la collection des charges de telle sorte qu'en fonctionnement, le flux lumineux solaire incident sur la face 10 de réception du composant photovoltaïque est converti en un courant électrique entre les premier et deuxième contacts électriques. 12. Composant optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 10 formant un détecteur adapté à la détection dans une ou plusieurs bandes spectrales de détection, dans lequel : 15 la face avant (35) est une face de réception d'un flux lumineux incident ; le matériau diélectrique dopé est adapté pour effectuer une photo-conversion depuis les bandes spectrales de détection du détecteur vers des longueurs d'onde de la bande d'absorption de la couche de conversion optoélectronique; les premier et deuxième contacts électriques (73, 74) sont adaptés à la collection des 20 charges de telle sorte qu'en fonctionnement, le flux lumineux incident sur la face de réception du détecteur est converti en un courant électrique entre les premier et deuxième contacts électriques. 13. Composant optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 10 formant une diode électroluminescente, dans lequel : 25 la face avant (35) est une face d'émission ; les premier et deuxième contacts électriques (73, 74) sont adaptés à l'injection de charges de telle sorte qu'en fonctionnement, un courant électrique appliqué entre les premier et deuxième contacts électriques est converti en un flux lumineux émis par la face avant de la diode électroluminescente. 3059827 4 14. Procédé de fabrication d'un composant optoélectronique selon l'une quelconque des revendications précédentes comprenant : le dépôt de l'ensemble de couches (71) sur un substrat initial (701) ; le dépôt du matériau diélectrique dopé sous forme d'une couche nanostructurée 5 (722) à l'endroit des nano-cavités recherchées pour le composant optoélectronique final ; le dépôt d'une couche réfléchissante (720); le retrait du substrat initial (701) pour dégager la face avant et le dépôt d'un ou plusieurs contacts (74) en contact avec l'ensemble de couches pour former les 10 contacts électriques avant.