Brevet FR3050868A1 — publié le 20171103

Structure de transistor MOS, en particulier pour des hautes tensions dans une technologie du type silicium sur isolant Des modes de réalisation de l'invention concernent les circuits intégrés, notamment les structures de transistor MOS réalisées sur un substrat du type « silicium sur isolant » communément désigné par l'homme du métier sous l'acronyme anglosaxon « SOI » (« Silicon On Insulator »), par exemple sur un substrat du type « silicium partiellement déserté sur isolant », connu par l'homme du métier sous l'acronyme anglosaxon « PDSOI » (« Partially Depleted Silicon On Insulator »), ou bien du type « silicium totalement déserté sur isolant », connu par l'homme du métier sous l'acronyme anglosaxon « FDSOI » (« Fully Depleted Silicon On Insulator ») et plus particulièrement les structures de transistors MOS réalisées sur de tels substrats et capables de tenir une haute tension, c'est-à-dire une tension supérieure à 1,8 volts, par exemple une tension de 5 volts ou au-delà. Un substrat du type silicium sur isolant comporte un film semiconducteur, par exemple en silicium ou en alliage de silicium, situé au-dessus d'une couche isolante enterrée, communément désignée sous l'acronyme anglosaxon de « BOX » (« Buried Oxide ») elle-même située au-dessus d'un substrat porteur, par exemple un caisson semiconducteur. Dans une technologie FDSOI, le film semiconducteur est totalement déserté, c'est-à-dire qu'il est composé du matériau semiconducteur intrinsèque. Son épaisseur est généralement de quelques nanomètres. Par ailleurs, la couche isolante enterrée est elle-même généralement fine, de l'ordre de la dizaine de nanomètres. Actuellement, les transistors MOS réalisés dans une technologie du type SOI, en particulier FDSOI, comportent classiquement en tant qu'oxyde de grille, un matériau à forte constante diélectrique K (matériau « high K ») par exemple de l'oxynitrure de silicium-hafnium (HfSiON). La région de grille isolée du transistor 3050868 2 comporte par ailleurs par exemple au-dessus de cette couche d'oxyde de grille un empilement métallique lui-même surmonté de silicium amorphe. De tels transistors présentent des performances améliorées, 5 notamment en termes de vitesse et de fréquence. Cela étant, dans certaines applications, comme par exemple dans les mémoires non volatiles ou les interfaces haute tension, il peut être nécessaire de réaliser des transistors dits « haute tension », c'est-à-dire capables de tenir des tensions élevées. Dans une technologie 10 SOI, en particulier FDSOI, une tension élevée est typiquement une tension généralement supérieure à 1,8 volts. Or, les matériaux du type « high K » ne sont pas prévus pour travailler sous haute tension. De ce fait, actuellement, on ne sait pas réaliser des transistors MOS haute tension dans une technologie SOI, en particulier une 15 technologie FDSOI, sans réaliser de nombreuses opérations spécifiques supplémentaires. Selon un mode de réalisation et de mise en oeuvre, il est par conséquent proposé de réaliser de façon simple une structure de transistor MOS dans une technologie SOI, en particulier FDSOI, qui 20 soit capable de tenir une haute tension, c'est-à-dire une tension typiquement supérieure à 1,8 volts, par exemple 5 volts. Selon un mode de mise en oeuvre et de réalisation, il est proposé de réaliser une telle structure sans dégrader les autres transistors MOS du circuit intégré qui sont réalisés avec des régions de 25 diélectrique de grille du type « high K ». Les inventeurs ont observé que l'on pouvait à cet égard avantageusement utiliser la couche isolante enterrée (BOX) du substrat de type SOI, comme oxyde de grille de la structure de transistor MOS capable ainsi de tenir une haute tension. 30 La tension de seuil d'un tel transistor MOS est réglée par l'épaisseur de l'oxyde de grille, c'est-à-dire par l'épaisseur de la couche isolante enterrée. Selon un aspect, il est ainsi proposé un circuit intégré, comprenant un substrat du type silicium sur isolant, en particulier du 3050868 3 type silicium partiellement ou totalement déserté sur isolant, comportant un substrat porteur surmonté d'un empilement d'une couche isolante enterrée et d'un film semiconducteur. Selon une caractéristique générale de cet aspect, le circuit 5 intégré comprend au moins une première région dépourvue dudit empilement et séparant une deuxième région dudit empilement d'une troisième région dudit empilement. Le circuit intégré comporte alors au moins un transistor MOS dont la région diélectrique de grille comporte la portion de couche 10 isolante enterrée de ladite deuxième région dudit empilement et dont la région de grille comporte la portion de film semi-conducteur de ladite deuxième région dudit empilement. Par ailleurs, le substrat porteur incorpore au moins une partie des régions de source et de drain de ce transistor. 15 Différents modes de réalisation d'un telle structure de transistor MOS sont possibles comme cela sera décrit plus en détail ci-après. Cela étant, quel que soit le mode de réalisation utilisé, le circuit intégré peut comprendre également avantageusement, en outre 20 au moins un autre transistor MOS, avantageusement un transistor MOS ayant une région de diélectrique de grille comportant un matériau à forte constante diélectrique, cet autre transistor étant réalisé dans et sur la portion de film semiconducteur située dans ladite troisième région de l'empilement. 25 D' autres avantages et caractéristiques de l' invention apparaîtront à l'examen de la description détaillée de modes de réalisation, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels : -les figures 1 à 5 illustrent schématiquement différents modes de réalisation d'un circuit intégré selon l'invention. 30 Dans les modes de réalisation qui vont suivre, on décrira dans certains cas des transistors NMOS et dans d'autres cas des transistors PMOS. Bien entendu ce sui est décrit pour un transistor NMOS peut s'appliquer de façon duale pour un transistor PMOS et inversement. 3050868 4 Sur la figure 1, la référence CI désigne un circuit intégré comprenant un substrat du type silicium sur isolant, par exemple du type silicium totalement déserté sur isolant, comprenant une structure de transistor MOS TR capable notamment de fonctionner sous haute 5 tension, par exemple 5Volts. De façon classique la structure de transistor TR est latéralement isolée par des régions isolantes, par exemple de type tranchée peu profonde (STI : « Shallow Trench Isolation »), non représentées ici à des fins de simplification de la figure. 10 Le substrat de type SOI ou FDSOI comporte un substrat porteur 1, par exemple un substrat de silicium dopé P-, surmonté d'un empilement comportant une couche isolante enterrée 2 (BOX) et d'un film semiconducteur 3, par exemple en silicium. Selon la technologie utilisée, du type SOI ou FDSOI, 15 l'épaisseur de la couche isolante enterrée peut varier de même que l'épaisseur du film semiconducteur 3. Ainsi, à titre d'exemple, l'épaisseur de la couche isolante enterrée 2 peut être comprise entre environ 12 nm et environ 100 nm tandis que l'épaisseur du film semiconducteur peut être comprise entre 20 7 nm environ et environ 100 nm. Comme illustré sur la figure 1, le circuit intégré comporte ici une première région R1 dépourvue dudit empilement 2, 3. Dans l'exemple de la figure 1, cette première région R1 comporte deux zones de séparation ZSP10 et ZSP11. 25 La première région R1 sépare ainsi une deuxième région R2 dudit empilement, d'une troisième région R3 de l'empilement. Plus précisément, dans l'exemple de la figure 1, les deux zones de séparation ZSP10 et ZSP11 séparent respectivement deux faces de la deuxième région R2 de l'empilement, de deux faces de la troisième 30 région de l'empilement. Ainsi, la zone de séparation ZSP10 sépare la face FS20 de la deuxième région de l'empilement, de la face FS30 de la troisième région de l'empilement tandis que la zone de séparation ZSP11 sépare 3050868 5 la face FS21 de la deuxième région de l'empilement, de la face FS31 de la troisième région de l'empilement. Ainsi, la deuxième région R2 de l'empilement comporte une portion 22 de couche isolante enterrée et une portion 32 de film semi- 5 conducteur. La région de diélectrique du transistor MOS TR comprend la portion 22 de couche isolante enterrée et la région de grille du transistor TR comprend la portion 32 de film semi-conducteur. La troisième région R3 de l'empilement comporte une portion 23 de couche isolante enterrée et une portion 33 de film 10 semiconducteur. La largeur de chaque zone de séparation, c'est-à-dire la distance entre les deux faces en vis-à-vis de l'empilement, peut varier entre 80 et 300 nm selon le noeud technologique utilisé. Les régions de source et de drain du transistor TR comportent 15 des zones dopées ZDP10 et ZDP11 situées dans le substrat porteur respectivement en regard des deux zones de séparation ZSP10 et Z SP11. Dans l'exemple décrit ici, puisque le transistor TR est un transistor PMOS, les zones dopées ZDP10 et ZDP11 sont des zones 20 dopées 13+ situées dans un caisson semiconducteur CS, de type de conductivité N, situé en partie sous la région diélectrique 22 du transistor TR. Par ailleurs, chaque zone de séparation comporte une région électriquement conductrice venant contacter la zone 25 dopée de la région correspondante de source ou de drain, et une région isolante disposée entre cette région électriquement conductrice et les faces correspondantes de la deuxième région et de la troisième région dudit empilement. Plus précisément, dans l'exemple illustré sur la figure 1, 30 chaque région électriquement conductrice comporte un contact électriquement conducteur CT10 (CT11), par exemple en tungstène, venant contacter, par l'intermédiaire d'une zone siliciurée (non représentée ici à des fins de simplification) la zone dopée ZDP10 (ZDP11) de source ou de drain. Le contact CT10 (CT11) s'étend 3050868 6 jusqu'au premier niveau de métallisation M1 du circuit intégré pour venir par exemple au contact d'une piste métallique PST10 (PST11). Quant à la région isolante disposée entre chaque contact et les faces correspondantes FS21, FS20 de la deuxième région et les faces 5 FS30 et FS31 de la troisième région, elle comporte ici des espaceurs ESP20, ESP30, ESP30, ESP31 situés, en ce qui concerne la zone de séparation ZSP10 sur les faces FS20 et FS30, respectivement, et en ce qui concerne la zone de séparation ZSP11, sur les faces FS31 et FS21 respectivement. Ces espaceurs sont formés par des étapes classiques 10 d'un procédé de fabrication CMOS. Par ailleurs, les régions isolantes comportent également une portion 40, 41 d'une couche de matériau diélectrique 4, connue par l'homme du métier sous l'acronyme PMD (« Pré-métal diélectric »), qui s'étend jusqu'au premier niveau de métallisation Ml. 15 Le transistor TR comporte également un contact de grille CT32 venant contacter la portion 32 de film semiconducteur et s'étendant jusqu'à une piste métallique PST32 du niveau de métallisation Ml. Là encore, la zone siliciurée sur laquelle le contact CT32 vient se positionner n'a pas été représentée, à des fins de simplification. 20 En fonction du noeud technologique utilisé, et en fonction de l'épaisseur du film 3, il peut être nécessaire, préalablement à la réalisation du contact CT32, d'augmenter l'épaisseur du film 32 par une ré-épitaxie localisée suivie d'une siliciuration de façon à éviter que le contact CT32 ne vienne percer la région semiconductrice de 25 grille 32. C'est le cas notamment pour une technologie FDSOI 14 nm. Si le procédé CMOS le prévoit, il est possible d'effectuer également une ré-épitaxie localisée suivie d'une siliciuration des zones dopées ZDP10 (ZDP11) de source ou de drain. Mais cela n'est 30 aucunement obligatoire. La réalisation d'un tel transistor TR s'effectue par exemple en utilisant des étapes de fabrication classiques d'un procédé de fabrication CMOS. 3050868 7 Ainsi, dans un noeud techndlogique 28 nm, après avoir défini dans la plaque (« wafer ») du type SOI, les régions d'isolation, par exemple du type tranchée peu profonde (STI : « Shallow Trench Isolation »), on forme de façon classique par implantation les 5 différents caissons N et P. Puis, on procède, par une gravure classique, au retrait de l'empilement BOX+film semiconducteur dans les zones de séparation ZSP10 et ZSP11. Puis, on effectue la formation standard des espaceurs isolants 10 prévue dans le procédé CMOS, typiquement par dépôt conforme de dioxyde de silicium par exemple, et gravure anisotrope. On dépose ensuite la couche de matériau diélectrique 4 et, après gravure localisée de façon à former dans cette couche 4 les orifices destinés à recevoir les contacts CT10, CT11 et CT32, on 15 procède au remplissage de ces orifices par du métal, par exemple du tungstène. L'ordre de ces étapes peut être modifié selon le noeud technologique. Ainsi, dans un noeud technologique plus avancé, par exemple 14 nm, l'étape de gravure locale de l'empilement BOX+film 20 semiconducteur peut être effectuée avant la gravure des tranchées d'isolation du type STI. Dans une variante de réalisation illustrée sur la figure 2, chaque région électriquement conductrice comporte une région semiconductrice ZEP10, ZEP11. La région électriquement conductrice 25 qui vient contacter les zones dopées ZDP10 et ZDP11 peut comporter une zone épitaxiée ZEP10, ZEP11, par exemple dans le cas présent dopée P+, venant combler les zones de séparation ZSP10 et ZSP11 entre les espaceurs isolants. Les contacts CT100, CT110 viennent alors contacter des zones 30 siliciurées (non représentées à des fins de simplification) de ces zones épitaxiées ZEP10 et ZEP11, et s'étendent dans la couche de diélectrique 4 jusqu'aux pistes métalliques correspondantes du niveau de métallisation Ml. 3050868 8 Dans le mode de réalisation de la figure 2, il peut exister, dans certains cas, un risque de court-circuit entre les régions épitaxiées ZEP10 et ZEP11 et le film semiconducteur 32 ou 33 voisin. De façon à. éviter un tel risque de court-circuit, on peut prévoir 5 d'utiliser le mode de réalisation illustré sur la figure 3 ou celui illustré sur la figure 4. Sur la figure 3, les éléments analogues aux éléments illustrés sur la figure 1 ont des références identiques à celles de la figure 1. Seules les différences entre la figure 1 et la figure 3 seront maintenant 10 décrites. Dans le mode de réalisation de la figure 3, chaque zone de séparation comporte une première tranchée isolante au contact d'une première face de la deuxième région de l'empilement, cette première tranchée isolante s'étendant dans le substrat porteur. 15 Chaque zone de séparation comporte également une deuxième tranchée isolante au contact d'une première face de la troisième région de l'empilement, cette deuxième tranchée isolante s'étendant également dans le substrat porteur. Plus précisément, la zone de séparation ZSP10 comporte une 20 première tranchée isolante RIS100, par exemple du type tranchée peu profonde (STI), au contact de la première face FS20 de la deuxième R2 de l'empilement 22, 32, cette première tranchée isolante RIS100 s'étendant dans le substrat porteur. La zone de séparation ZSP10 comporte également la deuxième 25 tranchée isolante RIS101, également par exemple du type tranchée peu profonde, au contact de la première face FS30 de la troisième région R3 de l'empilement 23, 33, cette deuxième tranchée isolante RIS101 s'étendant également dans le substrat porteur L La zone de séparation ZSP11 comporte également une première 30 tranchée isolante RIS110 au contact d'une première face FS21 de la deuxième région R2 de l'empilement 22, 32, cette première tranchée isolante RIS110 s'étendant dans le substrat porteur 1. La zone de séparation ZSP11 comporte également une deuxième tranchée isolante RIS111 au contact d'une première face 3050868 9 FS31 de la troisième région R3 de l'empilement 23, 33, cette deuxième tranchée isolante RIS111 s'étendant également dans le substrat porteur 1. Par ailleurs, là encore, les régions de source et de drain du 5 transistor comportent des zones dopées situées dans le substrat porteur 1 respectivement en regard des deux zones de séparation ZSP10 et ZSP1 Mais, dans ce mode de réalisation, la zone dopée de la région correspondante de source ou de drain s'étend également en partie dans 10 la région de substrat porteur située sous la région de diélectrique de grille 22 du transistor. Plus précisément, l'une des régions de source ou de drain du transistor comporte ici, puisque l'on est en présence d'un transistor TR de type NMOS, un caisson CS10 de type de conductivité N situé dans 15 le substrat porteur 1 et s'étendant en regard de la zone de séparation ZSP10 et également en regard de la partie droite de la région diélectrique 22 du transistor TR. Cette région de source ou de drain comporte également une zone ZP10 plus fortement dopée, de type N+ ainsi qu'une zone 20 siliciurée ZS 10. L'autre des régions de source ou de drain comporte par analogie un caisson semiconducteur CS11 de type de conductivité N s'étendant en regard de la zone de séparation ZSP11 et également en regard de la partie gauche de la région de diélectrique 22 du transistor 25 TR. Là encore, cette autre région de source ou de drain comporte une zone plus fortement dopée ZP11, de type N+, ainsi qu'une zone siliciurée ZS11. Le transistor TR comporte également ici un caisson CS2, de 30 type de conductivité P, donc plus fortement dopé que le substrat porteur 1, ce caisson CS2 étant situé entre les caissons CS10 et CS11. Dans le mode de réalisation illustré sur la figure 3, les zones siliciurées ZS10 et ZS11 sont électriquement reliées aux pistes métalliques PST10 et PST11 du niveau de métallisation Ml par les 3050868 10 deux contacts métalliques CT10 et CT11 enrobés dans le matériau diélectrique 4 et notamment les portions 40 et 41 de ce matériau diélectrique 4. Dans l'exemple décrit ici, dans lequel l'épaisseur du film 5 semiconducteur 32 est particulièrement faible, on a représenté, comme expliqué ci-avant, la zone de silicium ré-épitaxiée 320 surmontée d'une zone siliciurée 321 sur laquelle vient le contact métallique de grille CT32. Il convient de noter que l'on obtient ici une bonne isolation 10 entre la grille 32 de transistor TR et les régions de source ou de drain grâce aux régions d'isolation RIS100 et RIS110, avantageusement du type tranchée, qui peuvent par exemple avoir une largeur de l'ordre de 50 nm. Par ailleurs, on obtient un passage de courant de forte 15 résistivité entre la région de canal et les régions de source ou de drain du transistor grâce à la présence des régions isolantes RIS110 et RIS100 qui s'enfoncent dans les caissons CS10 et CS11 et grâce à la diffusion latérale des caissons implantés CS10 et CS11. Par ailleurs, cette résistivité peut être modulée en agissant sur 20 la largeur des régions isolantes RIS110 et RIS100. Par analogie à ce qui a été décrit en référence à la figure 2, il est possible, comme illustré sur la figure 4, de prévoir un mode de réalisation du transistor TR dans lequel chaque zone de séparation. ZSP10, ZSP11 comporte en outre une région semi-conductrice 25 additionnelle ZEP10, ZEP11 située entre la première tranchée isolante RIS100, RIS110 et la deuxième tranchée isolante RIS101, RIS111 et recouvrant le substrat porteur CS10, CS11. La partie inférieure du contact CT10 (CT11) est remplacée par une région semicondtictrice additionnelle ZEPIO (ZEP11) obtenue par 30 ré-épitaxie à partir du caisson CS10 (CS11). La partie supérieure de cette région épitaxiée ZEP10 (ZEP11) comporte une région surdopée ZP10 (ZP11) elle-même surmontée de la zone siliciurée ZS10 (ZS11). Dans l'exemple décrit ici, les régions ZEP10, ZP10, ZEP11, ZP11 ont le type de conductivité M 3050868 11 La encore, par analogie avec la figure 2, si le procédé CMOS le prévoit, il est possible d'effectuer également une ré-épitaxie localisée suivie d'une siliciuration des zones dopées ZEP10 et ZEP11 de source ou de drain. Mais cela n'est aucunement obligatoire. 5 On évite par ailleurs le court-circuit entre la partie supérieure de la zone ZEP10 et ZEP11 avec le film semi-conducteur 32 ou 33 par la présence des régions isolantes RIS100 et RIS110, ou RIS101 et RIS1 11, avantageusement du type tranchée. Là encore, les étapes de fabrication d'un tel transistor TR sont 10 des étapes classiques de fabrication de procédé CMOS et l'on retrouve essentiellement le même type d'étape que celui décrit pour la fabrication du transistor TR de la figure 1, à l'exception des étapes relatives à la formation des espaceurs ESP. Sur la figure 5, le circuit intégré CI comprend en outre au 15 moins un autre transistor MOS TRA réalisé dans et sur la portion 33 de film semi-conducteur située dans ladite troisième région R3 de l'empilement, cet autre transistor TRA ayant une région de diélectrique de grille comportant un matériau à forte constante diélectrique. 20 Et, ce mode de réalisation est bien entendu compatible quelle que soit la structure de transistor MOS TR réalisée dans la région R2 de l'empilement. Par ailleurs, la structure de transistor MOS TR haute tension et son procédé de fabrication sont parfaitement compatibles avec le 25 procédé de fabrication qui prévoit la réalisation des transistors de type TRA avec une région de diélectrique de grille comportant un matériau « high K ». En effet, après dépôt de la couche de matériau diélectrique « high K » sur l'ensemble de la plaquette, il suffit, par un masque approprié, de supprimer cette couche de matériau « high K » dans les 30 régions R1 et R2 de façon à pouvoir procéder à la réalisation du transistor TR avec des étapes habituelles de gravure des grilles qui ne vont pas dégrader la couche de matériau diélectrique « high K » dans le reste du circuit. REVENDICATIONS1. Circuit intégré, comprenant un substrat du type silicium sur isolant comportant un substrat porteur (1) surmonté d'un empilement d'une couche isolante enterrée (2) et d'un film semi-conducteur (3), caractérisé en ce qu'il comprend au moins une première région (R1) dépourvue dudit empilement et séparant une deuxième région (R2) dudit empilement, d'une troisième région (R3) dudit empilement, et un transistor MOS (TR) dont la région diélectrique de grille comporte la portion (22) de couche isolante enterrée de ladite deuxième région dudit empilement, dont la région de grille comporte la portion (32) de film isolant de ladite deuxième région dudit empilement, et le substrat porteur (1) incorporant au moins une partie (ZDP10, ZDP11, CS10, CS11) des régions de source et de drain du transistor. 2. Circuit intégré selon la revendication 1, dans lequel la première région (R1) comporte deux zones de séparation (ZSP10, ZSP11) séparant respectivement deux faces (FS20, FS21) de ladite deuxième région (R2) dudit empilement, de deux faces (FS30, FS31) de ladite troisième région (R3) de l'empilement, et les régions de source et de drain du transistor comportent des zones dopées situées dans le substrat porteur respectivement en regard des deux zones de séparation (ZSP10, ZSP11). 3. Circuit intégré selon la revendication 2, dans lequel chaque zone de séparation (ZSP10, ZSP11) comporte une région électriquement conductrice (CT10, CT11, ZEP10, ZEP11) venant contacter la zone dopée (ZDP10, ZDP11) de la région correspondante de source ou de drain et une région isolante (ESP20, ESP21, ESP30, ESP31, 40, 41) disposée entre ladite région électriquement conductrice et les faces correspondantes de la deuxième région (R2) et de la troisième région (R3) dudit empilement. 3050868 13 4. Circuit intégré selon la revendication 3, dans lequel chaque région électriquement conductrice comporte un contact électriquement conducteur (CT10, CT11). 5. Circuit intégré selon la revendication 3, dans lequel chaque 5 région électriquement conductrice comporte une région semi- conductrice (ZEP10, ZEP11). 6. Circuit intégré selon la revendication 2, dans lequel chaque zone de séparation (ZSP10, ZSR11) comporte une première tranchée isolante (RIS100, RIS110) au contact d'une première face (FS20, 10 FS21) de la deuxième région (R2) de l'empilement et s'étendant dans le substrat porteur (CS10, CS11), une deuxième tranchée isolante (RIS101, RIS111) au contact d'une première face (FS30, FS31) de la troisième région (R3) de l'empilement et s'étendant dans le substrat porteur (CS10, CS11), et la zone dopée (CS10, CS11) de la région 15 correspondante de source ou de drain s'étend également en partie dans la portion de substrat porteur située sous la région de diélectrique de grille (22) du transistor (TR). 7. Circuit intégré selon la revendication 6, dans lequel chaque zone de séparation (ZSP10, ZSP11) comporte en outre une région 20 semi-conductrice additionnelle (ZEP10, ZEP11) située entre la première tranchée isolante (RIS100, RIS110) et la deuxième tranchée isolante (RIS101, RIS111) et recouvrant le substrat porteur (CS10, CS11). 8. Circuit intégré selon l'une des revendications précédentes, 25 dans lequel l'épaisseur de la couche isolante enterrée (2) est comprise entre environ 12 nm et environ 100 nm et l'épaisseur du film semiconducteur (3) est comprise entre environ 7 nm et environ 100 nm. 9. Circuit intégré selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le substrat est du type silicium totalement déserté sur 30 isolant. 10. Circuit intégré selon l'une des revendications précédentes, comprenant en outre au moins un autre transistor MOS (TRA) réalisé dans et sur la portion (33) de film semi-conducteur située dans ladite troisième région (R3) de l'empilement, et ayant une 3050868 14 région de diélectrique de grille comportant un matériau à forte constante diélectrique.