Brevet FR3056432A1 — publié le 20180330

PROCEDE DE FACONNAGE DE LA SURFACE DE TAMPONS DE POLISSAGE MECANO-CHIMIQUE La présente invention concerne des procédés pour une utilisation dans la fourniture d'une microtexture de surface de tampon pour des tampons de polissage utilisés pour une planarisation mécano-chimique (CMP) de substrats, tels qu'un substrat de semi-conducteur, un substrat magnétique, et un substrat optique, ainsi que des tampons de polissage mécano-chimique présentant une microtexture de surface de tampon consistante. La présente invention concerne plus particulièrement des procédés comprenant le meulage de la surface d'une couche de polissage CMP avec une meuleuse rotative ayant une surface de meulage d'un matériau abrasif poreux pour former une interface entre la surface de la couche de polissage CMP et le matériau abrasif poreux, le matériau de couche de polissage CMP étant maintenu en place sur une surface de platine plate, telle que par le vide ou un adhésif sensible à la pression. La fabrication de tampons de polissage destinés à une utilisation dans une planarisation mécano-chimique est connue comme comprenant le moulage et le durcissement d'un polymère expansé ou poreux, tel qu'un polyuréthane, dans un moule ayant le diamètre souhaité du tampon de polissage final, suivis par le démoulage et la découpe du polymère durci dans une direction parallèle à la surface de haut du moule pour former une couche ayant une épaisseur souhaitée, par exemple, par écroûtage, et ensuite par façonnage de la couche résultante, par exemple, par meulage, traçage ou gaufrage d'une conception de surface finale dans la face supérieure d'un tampon de polissage. Auparavant, les procédés connus de façonnage de telles couches en des tampons de polissage comprenaient le moulage par injection des couches, l'extrusion des couches, le ponçage des couches avec une courroie abrasive fixée et/ou le surfaçage des couches jusqu'à une épaisseur et une planéité souhaitées. Ces procédés présentent des aptitudes limitées pour réaliser une micro-texture de surface de tampon consistante nécessaire pour une faible défectivité dans des substrats polis et un retrait uniforme de matériau des substrats. En fait, les procédés créent en général une conception visible, telle que des rainures d'une largeur et profondeur données et une texture visible mais inconsistante. Un procédé d'écroûtage n'est par exemple pas 3056432 2 fiable pour le façonnage de surface de tampon puisque la rigidité du moule change avec l'épaisseur du moule et que la lame du dispositif d'écroûtage s'use en continu. Des techniques de surfaçage à point unique étaient incapables de produire une microstructure de surface de tampon 5 consistante en raison de l'usure continue des outils et de la précision de positionnement du dispositif d'usinage rotatif. Des tampons fabriqués par des procédés de moulage par injection manquent d'uniformité en raison d'un écoulement de matériau inconsistant à l'intérieur du moule ; de plus, les moulages ont tendance à se déformer lorsque le tampon prend en 10 masse et durcit puisque le durcisseur et le reste du matériau moulé peuvent s'écouler à des vitesses différentes pendant l'injection dans une zone confinée, particulièrement à des températures élevées. Des procédés de lustrage ou de ponçage ont également été utilisés pour des tampons de polissage mécano-chimique lisses présentant 15 une surface plus dure. Dans un exemple d'un procédé de ponçage, le brevet U.S. 7 118 461 au nom de West et al. décrit des tampons lisses pour une planarisation mécano-chimique et des procédés de fabrication des tampons, les procédés comprenant le ponçage ou le polissage de la surface des tampons avec une courroie abrasive pour éliminer du matériau 20 de la surface du tampon. Le ponçage était dans un exemple suivi par une étape de ponçage subséquente utilisant un abrasif plus fin. Le produit resultant de ces procédés présente une capacité de planarisation améliorée par comparaison au même produit de tampon qui n'a pas été lissé. Malheureusement, alors que les procédés de West et al. peuvent 25 lisser un tampon, ils ne fournissent pas une microtexture de surface de tampon consistante et ne peuvent pas être utilisés pour traiter un tampon plus souple (dureté Shore D selon ASTM D2240-15 (2015) de tampon ou de matrice polymère de tampon de 40 ou inférieure). Les procédés de West et al. éliminent de plus une quantité telle de matériau que la durée 30 utile des tampons de polissage résultants peut être désavantageusement affectée. Il reste souhaitable de fournir un tampon de polissage mécano-chimique avec une microtexture de surface consistante sans limiter la durée utile du tampon. Le traitement ou conditionnement d'un tampon de polissage 35 mécano-chimique est semblable au ponçage, dans lequel les tampons sont en général conditionnés dans une utilisation avec une roue abrasive 3056432 3 rotative ayant une surface qui ressemble à du papier de verre fin. Un tel conditionnement mène à une efficacité de planarisation améliorée après une période d"'interruption" pendant laquelle le tampon n'est pas utilisé pour le polissage. Il reste souhaitable d'éliminer l'interruption dans la 5 période et de fournir un tampon pré-conditionné qui peut être utilisé directement pour le polissage. Les présents inventeurs ont recherché des procédés de fabrication de tampons CMP pré-conditionnés qui présentent une microtexture de surface de tampon consistante tout en conservant leur 10 topographie de surface d'origine. ENONCE DE L'INVENTION 1. Selon la présente invention, des procédés pour fournir des 15 tampons de polissage mécano-chimique (CMP) pré-conditionnés ayant une couche de polissage CMP faite d'un ou plusieurs polymères, de préférence d'un polyuréthane, la couche de polissage CMP ayant un rayon, et ayant une rugosité de surface de 0,01 pm à 25 pm, Sq, et ayant une microtexture de surface de tampon efficace pour le polissage 20 comprennent le meulage de la surface polymérique faite, de préférence, d'un polyuréthane ou d'une mousse de polyuréthane, d'une couche de polissage CMP, encore mieux d'une couche de polissage CMP poreuse, avec une meuleuse rotative alors que la couche de polissage CMP est maintenue en place sur une surface de platine à fond plat, par exemple au 25 moyen d'un adhésif sensible à la pression ou, de préférence, un vide, la meuleuse rotative comprenant un rotor et présentant une surface de meulage disposée parallèlement à ou pratiquement parallèlement à la surface de la platine à fond plat et constituée d'un matériau abrasif poreux pour former une interface entre la surface de la couche de polissage CMP 30 et le matériau abrasif poreux. 2. Selon les procédés de la présente invention comme cités dans l'article 1, ci-dessus, où la couche de polissage CMP présente un rayon s'étendant à partir de son point central vers sa périphérie externe et la meuleuse rotative présente un diamètre supérieur ou égal au rayon de la 35 couche de polissage CMP ou, de préférence, égal au rayon de la couche de polissage CMP. 3056432 4 3. Selon les procédés de la présente invention comme cités dans l'article 2, ci-dessus, où la meuleuse rotative est disposée de sorte que sa périphérie externe reste directement sur le centre de la couche de polissage CMP pendant le broyage. 5 4. Selon les procédés de la présente invention comme cités dans l'un des articles 1, 2 ou 3, ci-dessus, où la meuleuse rotative et la couche de polissage CMP et la platine à fond plat tournent chacune pendant le meulage de la couche de polissage CMP. La platine à fond plat tourne de préférence dans la direction opposée à celle de la meuleuse rotative. 10 5. Selon les procédés de la présente invention comme cités dans l'article 4, ci-dessus, où la meuleuse rotative tourne à une vitesse de 50 à 500 tr/min ou, de préférence, de 150 à 300 tr/min et la platine à fond plat tourne à une vitesse de 6 à 45 tr/min ou, de préférence, de 8 à 20 tr/min. 6. Selon les procédés de la présente invention comme cités dans 15 l'un des articles 1, 2, 3, 4 ou 5, ci-dessus, où la meuleuse rotative est disposée au-dessus de la couche de polissage CMP et la platine à fond plat pendant le meulage, et la meuleuse rotative est introduite vers le bas à partir d'un point juste au-dessus de la surface de couche de polissage CMP à une vitesse de 0,1 à 15 pm/tour ou, de préférence, de 0,2 à 10 pm/tour, 20 c'est-à-dire pour rétrécir l'interface entre la surface de la couche de polissage CMP et la surface de meulage de la meuleuse rotative et meuler la surface supérieure de la couche de polissage CMP. 7. Selon les procédés de la présente invention dans l'un des articles 1, 2, 3, 4, 5, ou 6, ci-dessus, où avant le meulage, le tampon de 25 polissage CMP est formé par moulage du polymère et écroûtage du polymère moulé pour former la couche de polissage CMP pour une utilisation comme tampon, ou, de préférence, est formé par moulage du polymère et écroûtage du polymère moulé pour former la couche de polissage CMP suivis par l'empilement de la couche de polissage CMP sur 30 la surface supérieure d'un sous-tampon ou d'une sous-couche ayant le même diamètre que la couche de polissage CMP pour former le tampon de polissage CMP. 8. Selon les procédés de la présente invention comme cités dans l'un des articles 1, 2, 3, 4, 5, 6, ou 7, ci-dessus, où le matériau abrasif 35 poreux est un composite d'une phase continue de matériau poreux présentant dispersées dans celui-ci des particules abrasives non poreuses 3056432 5 finement divisées, telles que des particules de carbure de silicium, nitrure de bore, ou, de préférence diamant. 9. Selon les procédés de la présente invention comme cités dans l'article 8, ci-dessus, où le matériau abrasif poreux présente un diamètre 5 moyen de pores de 3 à 240 pm ou, de préférence, de 10 à 80 pm. 10. Selon les procédés de la présente invention comme cités dans l'un des articles 8 ou 9, ci-dessus, où la phase continue poreuse du matériau abrasif poreux comprend une céramique, de préférence, une céramique frittée, telle que l'alumine ou l'oxyde de cérium. 10 11. Selon les procédés de la présente invention comme cités dans l'un des articles 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 ou 10, ci-dessus, où pendant le meulage, le procédé comprend de plus le soufflage d'un gaz inerte ou d'air comprimé de manière intermittente ou, de préférence, en continu, dans l'interface entre la surface du matériau de couche de polissage CMP 15 et la surface de meulage de la meuleuse rotative afin de frapper le matériau abrasif poreux, de préférence, à partir d'un point au-dessus du point central de la couche de polissage CMP à travers l'interface entre la surface du matériau de couche de polissage CMP et la surface de meulage de la meuleuse rotative ou, encore mieux à partir d'un point au-dessus du 20 point central de la couche de polissage CMP à travers l'interface entre la surface du matériau de couche de polissage CMP et la surface de meulage de la meuleuse rotative et, séparément, le soufflage du gaz ou de l'air vers le haut à partir d'un point juste sous la périphérie de la meuleuse rotative, par exemple, où la périphérie de la couche de polissage CMP et la 25 périphérie de la meuleuse rotative se rencontrent afin de frapper le matériau abrasif poreux. Le soufflage du gaz ou de l'air comprimé peut également se faire avant ou après le meulage. 12. Selon les procédés de la présente invention comme cités dans l'un des articles 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, ou 11, ci-dessus, où la 30 couche de polissage CMP comprend un polymère poreux ou un matériau polymère poreux contenant une charge qui présente une dureté Shore D selon ASTM D2240-15 (2015) de 20 à 80, ou par exemple de 40 ou inférieure. 13. Selon les procédés de la présente invention comme cités 35 dans l'un des articles 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, ou 12, ci-dessus, où la couche de polissage CMP comprend de plus une ou plusieurs sections 3056432 6 de fenêtres transparentes non poreuses, telles que celles comprenant un polyuréthane non poreux ayant une température de transition vitreuse (DSC) de 75 à 105°C, telles que des sections de fenêtres ne s'étendant pas sur le point central de la couche de polissage CMP. 5 14. Selon les procédés de la présente invention comme cités dans l'un des articles 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12 ou 13, ci-dessus, où la couche de polissage CMP est striée et comprend plusieurs pores ou microéléments, de préférence des microsphères polymères ayant une taille moyenne de particule de 10 à 60 pm. 10 15. Selon les procédés de la présente invention comme cités dans l'article 14, ci-dessus, où la couche de polissage CMP présente des bandes annulaires alternant de densité plus élevée et de densité plus faible s'étendant vers l'extérieur à partir du point central de la couche de polissage CMP vers sa périphérie externe. 15 16. Selon les procédés de la présente invention comme cités dans l'article 15, ci-dessus, où les bandes annulaires de densité plus élevée présentent une densité supérieure de 0,01 à 0,2 g/cm3 aux bandes annulaires de densité plus faible. 17. Dans un autre aspect de la présente invention, des tampons 20 de polissage mécano-chimique (CMP) comprennent une couche de polissage CMP, de préférence, une couche de polissage CMP poreuse, faite d'un ou plusieurs polymères, la couche de polissage CMP ayant un rayon et ayant une rugosité de surface d'au moins 0,01 pm à 25 pm, Sq, ou, de préférence, de 1 pm à 15 pm, Sq, et ayant une série d'arcs se coupant 25 visiblement sur la surface de la couche de polissage et ayant un rayon de courbure supérieur ou égal à la moitié, de préférence égal à la moitié du rayon de courbure de la couche de polissage CMP. La série des arcs se coupant visiblement s'étend de préférence sur toute la trajectoire autour de la surface de la couche de polissage dans une symétrie radiale autour 30 du point central de la couche de polissage. 18. Selon les tampons de polissage de la présente invention comme cités dans l'article 17, ci-dessus, où la couche de polissage CMP présente des bandes annulaires alternant de densité plus élevée et de densité plus faible s'étendant vers l'extérieur à partir du point central de la 35 couche de polissage CMP vers sa périphérie externe. 3056432 7 19. Selon les tampons de polissage de la présente invention comme cités dans l'un des articles 17 ou 18, ci-dessus, où les tampons de polissage ont une ou plusieurs sections de fenêtres transparentes et non poreuses, telles que celles formées par un polyuréthane non poreux ayant 5 une température de transition vitreuse (DSC) de 75 à 105°C, ne s'étendant pas sur le point central du tampon de polissage CMP, où les une ou plusieurs sections de fenêtres présentent une surface supérieure définie par une fenêtre avec un pic-vallée de 50 dam ou inférieur sur la dimension la plus grande de la fenêtre, telle que le diamètre d'une fenêtre 10 ronde, ou la plus grande de la longueur ou largeur d'une fenêtre rectangulaire. 20. Selon les tampons de polissage de la présente invention comme cités dans l'un des articles 17, 18 ou 19, ci-dessus, où l'épaisseur du tampon de polissage est inclinée pour devenir plus grande à proximité 15 de son point central, ou est inclinée pour devenir plus grande en s'éloignant de son point central. 21. Selon les tampons de polissage de la présente invention comme cités dans l'un des articles 17, 18, 19, ou 20, ci-dessus, où la couche de polissage CMP est empilée sur un sous-tampon ou une sous- 20 couche, telle qu'un polymère, de préférence, un tapis non tissé imprégné de polyuréthane. 22. Selon les tampons de polissage de la présente invention comme cités dans l'un des articles 17, 18, 19, 20, ou 21, ci-dessus, où la couche de polissage CMP comprend un polymère poreux ou un matériau 25 polymère poreux chargé qui présente une dureté Shore D selon ASTM D2240-15 (2015) de 20 à 80, ou, par exemple de 40 ou inférieure. 23. Dans un autre aspect de la présente invention, des procédés de fourniture d'un tampon de polissage (CMP) mécano-chimique pré-conditionné ayant un rayon et une couche de polissage CMP faite d'un ou 30 plusieurs polymères avec une microtexture de surface de tampon efficace pour le polissage comprennent : le meulage de la surface de la couche de polissage CMP avec une meuleuse rotative alors que la couche de polissage CMP est maintenue en place sur une surface de platine à fond plat, la meuleuse 35 rotative ayant une surface de meulage disposée parallèlement à ou pratiquement parallèlement à la surface de la platine à fond plat et 3056432 8 constituée d'un matériau abrasif poreux pour former une interface entre la surface et la couche de polissage CMP et le matériau abrasif poreux, caractérisé en ce que la couche de polissage CMP résultante présente une rugosité de surface de 0,01 pm à 25 pm, Sq. 5 24. Selon les procédés de la présente invention comme cités dans l'article 23, où la couche de polissage CMP est maintenue en place sur la surface de platine à fond plat par le vide. 25. Selon les procédés de la présente invention comme cités dans l'article 23 ou 24, où la couche de polissage CMP présente un rayon 10 s'étendant à partir de son point central jusqu'à sa périphérie externe et la meuleuse rotative présente un diamètre supérieur ou égal au rayon de la couche de polissage CMP. 26. Selon les procédés de la présente invention comme cités dans l'un des articles 23 à 25, où la meuleuse rotative est positionnée de 15 sorte que sa périphérie externe reste directement sur le centre de la couche de polissage CMP pendant le meulage. 27. Selon les procédés de la présente invention comme cités dans l'un des articles 23 à 26, où la meuleuse rotative et la couche de polissage CMP et la platine à fond plat tournent chacune pendant le 20 meulage de la couche de polissage CMP. 28. Selon les procédés de la présente invention comme cités dans l'article 27, où la platine à fond plat tourne dans la direction opposée à celle de la meuleuse rotative. 29. Selon les procédés de la présente invention comme cités 25 dans l'article 27 ou 28, où la meuleuse rotative tourne à une vitesse de 50 à 500 tr/min et la platine à fond plat tourne à une vitesse de 6 à 45 tr/min. 30. Selon les procédés de la présente invention comme cités dans l'un des articles 23 à 29, où la meuleuse rotative est positionnée au- 30 dessus de la couche de polissage CMP et de la platine à fond plat pendant le meulage, et où la meuleuse rotative est introduite vers le bas à partir d'un point juste au-dessus de la surface de la couche de polissage CMP à une vitesse de 0,05 à 10 pm/tr pour rétrécir l'interface entre la surface de la couche de polissage CMP et la surface de meulage de la meuleuse 35 rotative et meuler la surface supérieure de la couche de polissage CMP. 3056432 9 31. Selon les procédés de la présente invention comme cités dans l'un des articles 23 à 30, où avant le meulage, la couche de polissage CMP est formée par moulage du polymère et écroûtage du polymère moulé pour former la couche de polissage CMP. 5 32. Selon les procédés de la présente invention comme cités dans l'un des articles 23 à 31, où avant le meulage, un tampon de polissage CMP est formé par moulage du polymère et écroûtage du polymère moulé pour former la couche de polissage CMP, puis par empilement de la couche de polissage CMP sur la surface supérieure d'un 10 sous-tampon ou d'une sous-couche présentant le même diamètre que la couche de polissage CMP pour former le tampon de polissage CMP. 33. Selon les procédés de la présente invention comme cités dans l'un des articles 23 à 32, où le matériau abrasif poreux est un composite d'une phase continue de matériau poreux présentant 15 dispersées dans celui-ci des particules abrasives non poreuses finement divisées. 34. Selon les procédés de la présente invention comme cités dans l'article 33, où le matériau abrasif poreux est un composite d'une phase continue de matériau poreux présentant dispersées dans celui-ci 20 des particules de diamant finement divisées. 35. Selon les procédés de la présente invention comme cités dans l'un des articles 23 à 34, où pendant le meulage, le procédé comprend de plus le soufflage de gaz inerte ou d'air comprimé de manière intermittente ou en continu dans l'interface entre la surface de la couche 25 de polissage CMP et la surface de meulage de la meuleuse rotative afin de frapper le matériau abrasif poreux. Sauf indication contraire, les conditions de température et de pression sont la température ambiante et la pression atmosphérique. Tous les intervalles cités sont inclusifs et combinables. 30 Sauf indication contraire, tout terme contenant des parenthèses fait référence, autrement, au terme entier comme si aucune parenthèse n'était présente et au terme sans celles-ci, et aux combinaisons de chaque alternative. Le terme "(poly)isocyanate" fait ainsi référence à l'isocyanate, au polyisocyanate, ou à des mélanges de ceux-ci. 3056432 10 Tous les intervalles sont inclusifs et combinables. Le terme "un intervalle de 50 à 3 000 cPs, ou de 100 cPs ou plus" inclurait par exemple chacun de 50 à 100 cPs, 50 à 3 000 cPs et 100 à 3 000 cPs. Le terme "ASTM" fait référence aux publications de ASTM 5 International, West Conshohocken, PA. L'expression "variation d'épaisseur" indique la valeur déterminée par la variation maximale dans l'épaisseur du tampon de polissage. L'expression "pratiquement parallèle" fait référence à un angle formé par la surface de meulage de la meuleuse rotative et la surface 10 supérieure de la couche de polissage CMP ou, plus particulièrement, un angle de 178° à 182°, ou, de préférence, de 179° à 181° qui est défini par l'intersection d'un premier segment de ligne parallèle à la surface de meulage de la meuleuse rotative et se terminant en un point au-dessus du point central de la couche de polissage CMP et d'un second segment de 15 ligne allant de l'extrémité du premier segment de ligne et parallèle à la surface supérieure de la platine à fond plat et se terminant sur la périphérie externe de la platine à fond plat, où les premier et second segments de lignes se trouvent dans un plan qui est perpendiculaire à la platine à fond plat et qui passe par le point central de la couche de 20 polissage CMP et le point sur la périphérie de la surface de meulage de la meuleuse rotative disposé le plus loin du point central de la couche de polissage CMP. Le terme "Sq." lorsqu'il est utilisé pour définir la rugosité de surface indique la moyenne quadratique des valeurs de rugosités de 25 surface en nombre indiquées mesurées à des points indiqués sur la surface d'une couche de polissage CMP donnée. L'expression "rugosité de surface" indique la valeur déterminée en mesurant la hauteur d'une surface par rapport au meilleur plan d'ajustement qui représente une surface horizontale parallèle à et 30 disposée sur la surface supérieure d'une couche de polissage CMP donnée en tout point donné sur cette surface supérieure ; « Svk » fait référence aux profondeurs de vallées mesurées dans des zones basses ; et « Spk » fait référence aux pics mesurés dans des zones hautes. Une rugosité de surface acceptable est de 0,01 pm à 25 pm, Sq, ou, de préférence, de 35 1 pm à 15 pm, Sq. L'expression "AD en masse" indique le pourcentage en masse. 3056432 11 Brève description des dessins Figure 1 représente un mode de réalisation de la meuleuse rotative de la présente invention d'une platine à fond plat, et d'une couche 5 de polissage CMP contenant une fenêtre transparente. Figure 2 représente une couche de polissage CMP présentant sur sa surface une microtexture consistante de sillons définie par des arcs se coupant où chaque arc présente un rayon de courbure égal ou légèrement supérieur au rayon de la couche de polissage CMP. 10 Selon la présente invention, les procédés de meulage améliorent la microtexture de surface de couches de polissage CMP, incluant la surface supérieure tampons de polissage et de couches de polissage CMP. Les procédés créent une microtexture de surface consistante caractérisée par une série d'arcs se coupant dans la surface de couche de polissage 15 CMP et présentant le même rayon de courbure qu'un cercle défini par la périphérie externe de la surface de meulage de la meuleuse rotative et par une rugosité de surface sur la surface supérieure de la couche de polissage CMP de 0,01 à 25 pm, Sq. Les présents inventeurs ont trouvé que des couches de polissage CMP fabriquées selon les procédés de la 20 présente invention fonctionnent bien avec peu ou pas de conditionnement, c'est-à-dire, qu'elles sont pré-conditionnées. La microtexture de surface de tampon de couches de polissage CMP de la présente invention permet de plus un polissage amélioré des substrats. Les procédés de la présente invention permettent d'éviter des irrégularités dans la morphologie de 25 tampon occasionnées par l'écroûtage, lequel peut occasionner des défauts de surface, tels que des stries, dans des tampons de polissage mécano-chimique ainsi que la formation de bulles dans les matériaux de fenêtres qui sont plus souples que le reste de la couche de polissage CMP. Les procédés de la présente invention aident de plus à minimiser les impacts 30 négatifs occasionnés par une déformation de la couche de polissage pendant l'empilement de tampons dans lequel deux ou plusieurs couches de tampons passent à travers des pinces ajustées à une distance d'éloignement fixe et dont il résulte des ondes linéaires. Ceci est particulièrement important avec des couches de polissage CMP souples et 35 compressibles. Les procédés de la présente invention et les tampons qu'ils fournissent permettent de plus une microtexture de surface optimisée, 3056432 12 une défectivité plus faible et un retrait de matériau uniforme amélioré à travers une surface de substrat, par exemple une surface de semiconducteur ou de galette (« wafer » en anglais). Les présents inventeurs ont découvert que le meulage avec un 5 matériau abrasif poreux permet un meulage sans encrassement du milieu de meulage et sans occasionner une détérioration du substrat de couche de polissage CMP. Les pores dans le matériau abrasif poreux sont assez grands pour stocker les particules qui sont éliminées du substrat de couche de polissage CMP ; et la porosité du matériau abrasif poreux est 10 suffisante pour stocker le vrac du matériau éliminé pendant le meulage. Le soufflage d'air comprimé à travers l'interface entre la surface du matériau de couche de polissage CMP (en dessous) et la surface de meulage de la meuleuse rotative (au-dessus) permet de préférence de plus à éliminer les matières de meulage et éviter l'encrassement de l'équipement de 15 meulage. Le matériau abrasif poreux est de préférence rainuré ou comprend des discontinuités ou espaces autour de la périphérie de la meuleuse rotative. De tels espaces aident à refroidir la surface de meulage du matériau abrasif poreux et du substrat de couche de polissage CMP 20 pendant le meulage et à éliminer les matières de meulage dans le procédé. Les espaces permettent également le soufflage de gaz ou d'air comprimé dans l'interface entre la surface de la couche de polissage CMP et la surface de meulage de la meuleuse rotative pendant le meulage pour éliminer les matières de meulage. 25 Les procédés de la présente invention peuvent varier pour compenser des profils d'usure de substrat CMP non souhaités, par exemple lorsque des procédés CMP résultent en des profils d'usure inconsistants, tels que trop peu ou trop de retrait sur le bord d'un substrat. Ceci peut également allonger la durée de vie du tampon. Dans 30 de tels procédés, la surface de meulage de la meuleuse rotative est ajustée afin qu'elle soit pratiquement parallèle mais pas exactement parallèle à la surface de haut de la platine à fond plat ou de la couche de polissage CMP. Par exemple, la surface de meulage de la meuleuse rotative peut être ajustée pour produire un centre épais (l'angle entre la 35 surface de meulage de la meuleuse rotative et un rayon de platine à fond plat dans un plan qui est perpendiculaire à la platine à fond plat et qui 3056432 13 passe par le point central de la couche de polissage CMP et le point sur la périphérie de la surface de meulage de la meuleuse rotative qui est disposé le plus loin du point central de la couche de polissage CMP est supérieur à 180°) ou un centre mince (l'angle est inférieur à 180°). 5 Les procédés de la présente invention peuvent être réalisés dans un environnement humide, tel qu'en association avec de l'eau ou une suspension aqueuse abrasive, telle qu'une suspension de silice ou d'oxyde de cérium. Les procédés de la présente invention peuvent être 10 dimensionnés pour adapter des couches de polissage CMP à différentes tailles, puisque la dimension de l'élément de meuleuse rotative peut varier. Selon les procédés de la présente invention, la platine à fond plat doit être plus large que la couche de polissage CMP ou, de préférence, d'une dimension ayant un rayon qui est égal à ou jusqu'à 10 cm plus long que le 15 rayon de la couche de polissage CMP. Les procédés peuvent ainsi être dimensionnés pour traiter des couches de polissage CMP ayant un rayon de 100 mm à 610 mm. Les procédés de la présente invention éliminent la surface supérieure de la couche de polissage CMP pour former la microtexture de 20 surface de tampon consistante et peuvent être utilisés pour éliminer de 1 à 300 pm, ou, de préférence, de 15 à 150 pm, ou, encore mieux, de 25 pm ou plus de matériau de tampon à partir de la surface supérieure de la couche de polissage CMP. Les procédés de la présente invention permettent la fourniture 25 de couches ou de tampons de polissage CMP qui ne souffrent pas de saillies et de défauts de fenêtre occasionnés par l'écroûtage. Ainsi, selon la présente invention, une couche de polissage CMP peut être formée par moulage d'un polymère pour former un moulage poreux ayant un diamètre ou rayon souhaité, lequel sera la dimension des tampons 30 fabriqués à partir de celui-ci, par écroûtage subséquent du moulage jusqu'à une épaisseur souhaitée, laquelle sera l'épaisseur cible d'un tampon fabriqué selon la présente invention, suivi par le meulage du tampon ou de la couche de polissage CMP pour fournir la microtexture de surface de tampon souhaitée sur sa surface de polissage. 35 Les procédés de la présente invention peuvent être réalisés sur une seule couche ou des tampons solo, ainsi que sur des tampons empilés 3056432 14 présentant une couche de sous-tampon. De préférence, dans le cas de tampons empilés, les procédés de meulage sont réalisés après que les tampons sont empilés de sorte que le meulage peut aider à éliminer des déformations dans des tampons empilés. 5 Les procédés de la présente invention comprennent la formation de rainures dans des tampons, telles qu'en soumettant les tampons à un usinage rotatif, après meulage de ceux-ci. Les couches de polissage CMP appropriées pour une utilisation selon les procédés de la présente invention comprennent de préférence un 10 polymère poreux ou un matériau polymère poreux contenant une charge qui présente une dureté Shore D selon ASTM D2240-15 (2015) de 20 à 80. Les procédés de la présente invention peuvent être réalisés sur tout tampon, incluant ceux fabriqués à partir de polymères souples et 15 trouvent une utilisation particulière dans le traitement de tampons souples ayant une dureté Shore D de 40 ou inférieure. Les tampons peuvent de préférence être poreux. Les pores peuvent être fournis par des espaces dans la matrice polymère de tampon ou par des agents de formation de pores ou des microéléments ou charges qui contiennent des vides ou des 20 pores. Les couches de polissage CMP appropriées pour une utilisation selon les procédés de la présente invention peuvent de plus comprendre une ou plusieurs sections de fenêtres transparentes non poreuses, telles que celles comprenant un polyuréthane non poreux ayant une 25 température de transition vitreuse (DSC) de 75 à 105°C, telles que des sections de fenêtres ne s'étendant pas sur le point central de la couche de polissage CMP. Dans de telles couches de polissage CMP, les une ou plusieurs sections de fenêtres présentent une surface supérieure définie par une variation d'épaisseur de fenêtre de 50 pm ou inférieure sur la 30 dimension la plus grande de la fenêtre, telle que le diamètre d'une fenêtre ronde, ou la plus grande de la longueur ou largeur d'une fenêtre rectangulaire. Les couches de polissage CMP appropriées pour une utilisation avec les procédés de la présente invention peuvent de plus comprendre 35 plusieurs pores ou microéléments, de préférence microsphères polymères, ayant une taille moyenne de particule de 10 à 60 pm. 3056432 15 Selon la présente invention, des couches de polissage CMP souples présentant une surface de polissage avec une dureté Shore D de 40 ou inférieure présentent également une microtexture de surface de tampon consistante, incluant une série d'arcs se coupant visiblement sur la 5 surface de polissage et présentant un rayon de courbure supérieur ou égal, de préférence égal au rayon de la couche de polissage. Les séries d'arcs se coupant visiblement s'étendent de préférence sur toute la trajectoire autour de la surface de la couche de polissage dans une symétrie radiale avec le point central de la couche de polissage. 10 Comme représenté à la Figure 1, les procédés de la présente invention sont réalisés sur la surface d'une platine à fond plat (1) avec des orifices de vide, non représentés. Une couche ou un tampon de polissage CMP (2) est placé sur la platine à fond plat (1) de sorte que le point central de la platine à fond plat (1) et de la couche de polissage CMP (2) 15 sont alignés. La platine à fond plat (1) à la Figure 1 présente des orifices de vide (non représentés) pour maintenir la couche de polissage CMP (2) en place. Dans la Figure 1, la couche de polissage CMP (2) présente une fenêtre (3). Le mécanisme de meulage de la présente invention comprend un assemblage de meuleuse rotative (roue) (4) ou un rotor présentant 20 fixé sur le côté inférieur de sa périphérie un milieu de meulage comprenant un matériau abrasif poreux (5) lequel, comme représenté, est disposé dans plusieurs segments s'étendant autour du côté inférieur de périphérie du rotor (4). Les segments du matériau abrasif poreux présentent de petits espaces entre ceux-ci. Dans la Figure 1, l'assemblage 25 de meuleuse rotative (4) est disposé comme souhaité avec sa périphérie juste au-dessus du point central de la couche de polissage CMP (2) ; l'assemblage de meuleuse rotative (4) présente de plus la dimension souhaitée de sorte que son diamètre est grossièrement égal au rayon de la couche de polissage CMP (2). 30 L'appareil de meulage utilisé dans les procédés de la présente invention comprend un assemblage de meuleuse rotative et son boîtier de commande, incluant un moteur et une liaison par engrenage, ainsi que la platine à fond plat. L'appareil comprend de plus des conduits pour conduire du gaz ou de l'air comprimé dans l'interface entre le matériau 35 abrasif poreux fixé à l'assemblage de meuleuse rotative et la couche de polissage CMP. L'appareil entier est enfermé à l'intérieur d'une enceinte 3056432 16 étanche à l'air, où l'humidité est de préférence contrôlée à un RH (taux d'humidité relative) de 50 % ou inférieur. L'assemblage de meuleuse rotative de l'appareil de meulage utilisé dans les procédés de la présente invention tourne sur un axe 5 vertical qui s'étend dans un boîtier de commande et se connecte via une liaison mécanique, telle qu'un engrenage ou une courroie de commande, à un moteur ou à un dispositif d'actionnement rotatif dans le boîtier de commande. Le boîtier de commande comprend de plus un ensemble radial de deux ou plusieurs dispositifs d'actionnement pneumatique ou 10 électronique disposés de manière adjacente au-dessus de l'assemblage de meuleuse rotative, sur quoi l'assemblage de meuleuse rotative peut être élevé ou abaissé, comme par introduction de celui-ci vers le bas à une vitesse lente, incrémentée et incliné. Les dispositifs d'actionnement permettent de plus l'inclinaison de l'assemblage de meuleuse rotative de 15 sorte que sa surface de meulage est pratiquement mais pas exactement parallèle à la surface de haut de la platine à fond plat ; ceci permet au meulage de créer des tampons à centre épais ou à centre mince. L'assemblage de meuleuse rotative contient un ensemble d'attaches à pinces, d'éléments de fixation, ou un anneau élastique à 20 ressort latéral dans lequel un anneau du matériau abrasif poreux s'adapte sans jeu ni serrage sur le côté inférieur de l'assemblage de meuleuse rotative. Le matériau abrasif poreux est supporté sur un seul anneau de support qui s'adapte dans et se fixe sur le côté inférieur de l'assemblage 25 de meuleuse rotative. Le matériau abrasif poreux peut comprendre un ensemble radial de segments se faisant face vers le bas, habituellement de 10 à 40 segments du matériau abrasif poreux présentant des espaces entre ceux-ci ou un anneau perforé constitué du matériau abrasif poreux présentant des perforations périodiques dans celui-ci. Les espaces ou 30 perforations permettent le soufflage de gaz ou d'air comprimé dans l'interface entre la surface de la couche de polissage CMP et la couche de polissage CMP pour nettoyer le matériau abrasif poreux avant, pendant ou après l'utilisation. La microtexture de surface de tampon de couches de polissage 35 CMP traitées selon les procédés de la présente invention est proportionnelle à la rugosité de surface de la couche de polissage CMP et 3056432 17 à la dimension des particules abrasives non poreuses finement divisées sur la surface de meulage de la meuleuse rotative. Une rugosité de surface de 1pm, Sq. correspond par exemple à des particules abrasives non poreuses finement divisées qui présentent un diamètre moyen de particule (X50) 5 légèrement inférieur à 1 pm. La platine à fond plat dans l'appareil de la présente invention contient plusieurs petits trous, par exemple de diamètre de 0,5 à 5 mm, à travers lesquels la platine est connectée à un vide. Les trous peuvent être disposés d'une manière appropriée quelconque pour maintenir le substrat 10 de couche de polissage CMP en place pendant le meulage, tel que par exemple, le long d'une série de rayons s'étendant vers l'extérieur à partir du point central de la platine à fond plat ou en une série d'anneaux concentriques. EXEMPLES : Dans les exemples suivants, sauf indication contraire, toutes 15 les unités de pression sont la pression atmosphérique (- 101 kPa) et toutes les unités de température sont la température ambiante (21-23°C). Exemple 1 : On a réalisé des essais avec deux versions d'une couche ou d'un tampon de polissage CMP VP5000111 (Dow Chemical, Midland, MI (Dow)) ayant un rayon de 330 mm (13 pouces). Les tampons 20 ne présentaient pas de fenêtre. Dans l'exemple 1-1, la couche de polissage CMP comprenait un tampon de polyuréthane poreux unique qui présentait une épaisseur de 2,03 mm (80 mils), et où le polyuréthane présentait une dureté Shore D de 64,9. Dans l'exemple 1-2, la couche de polissage CMP comprenait un tampon de tamponpolyuréthane identique à 25 celui de l'exemple 1-1 empilé, en utilisant un adhésif sensible à la pression, sur un sous-tampon SUBA IVTM constitué à partir d'un tampon de polyester (Dow). Les exemples comparatifs dans les exemples 1-A et 1-B étaient les mêmes tampons, respectivement, que dans les exemples 1-1 et 1-2 30 mais non traités selon les procédés de la présente invention. Le tampon empilé présentait un sous-tampon SIV. Tous les tampons présentaient 1010 rainures (un motif à rainures de cercles concentriques avec une profondeur de 0,0768 cm (0,030 pouce), une largeur de 0,0511 cm (0,020 pouce), un pas de 0,307 35 cm (0,120 pouce)), et aucune fenêtre. 3056432 18 La matière abrasive poreuse était une matière abrasive de diamant poreux, vitrifiée ayant une taille moyenne d'abrasif de 151 pm. Afin de meuler le substrat, l'assemblage de meuleuse rotative était disposé parallèlement au haut de la platine à fond plat et tournait dans le sens 5 contraire aux aiguilles d'une montre à 284 tr/min et la platine à fond plat d'aluminium tournait dans le sens des aiguilles d'une montre à 8 tr/min. En démarrant à partir d'un point auquel le matériau abrasif poreux commence juste à toucher le substrat de couche de polissage CMP, l'assemblage de meuleuse rotative a été introduit vers le bas vers la 10 platine à fond plat à une vitesse d'incréments de 5,8 pm (0,0002 pouce) tous les 3 tours de tampons. De l'air sec comprimé (CDA) a été soufflé pendant ce temps dans l'interface entre la surface du matériau abrasif poreux et la couche de polissage CMP à partir de 2 buses, une disposée juste au-dessus du point central de la couche de polissage CMP et l'autre 15 disposée à approximativement 210 mm (8,25 pouces) du centre de tampon sur le côté de déplacement du matériau abrasif poreux. Le meulage a été prolongé pendant approximativement 5 min. Les tampons résultants de l'exemple 1 ont été évalués dans des tests de polissage pour le taux de retrait, la non-uniformité et les marques 20 d'usinage (défectivité), comme suit : Taux de retrait : Il a été déterminé sur un substrat de tétraéthoxysilicate (TEOS) de dimension 200 mm par planarisation des substrats en utilisant les tampons indiqués et une suspension aqueuse de silice pyrolysée ILD3225TM (Dow) à un débit de 200 ml/min. On a fait 25 varier la pression de polissage d'une force descendante de 0,11, 0,21 et 0,32 kg/cm2 (1,5, 3,0, 4,5 psi) à 93/87 tr/min platine/support de substrat, en utilisant un outil de polissage Mire (Applied Materials, Santa Clara, CA). On a conditionné avant le test tous les tampons de polissage pendant 40 minutes à 3,2 kg (7 livres) en utilisant comme dispositif de 30 conditionnement un disque SAESOCI 8031C1 (surface de poussières de diamant abrasé, 10,16 cm de diamètre, Saesol Diamond Ind. Co., Ltd., Corée). On a continué pendant le test le même conditionnement des tampons. On a testé un total de 18 galettes par tampon et on a obtenu les moyennes. 35 Non-uniformité : Elle a été déterminée sur le même substrat de TEOS planarisé dans un test de taux de retrait et de la manière décrite 3056432 19 dans le test de taux de retrait, à l'exception que les données ont été obtenues par observation de la variation d'épaisseur de galette. On a testé un total de 18 galettes par tampon et on a obtenu les moyennes. Marques d'usinage ou comptage de défauts : Il a été déterminé 5 sur le même substrat de TEOS planarisé dans un test de taux de retrait et de la manière décrite dans le test de taux de retrait, à l'exception que les données ont été obtenues en observant le nombre total de défauts CMP. On a testé un total de 18 galettes par tampon et on a obtenu les moyennes. 10 Les tampons résultants présentaient une microtexture de surface de tampons comprenant des arcs se coupant ayant un rayon de courbure égal à celui de la périphérie de l'assemblage de meuleuse rotative. Egalement, comme présenté dans le tableau 1, ci-dessous, les tampons de l'invention de l'exemple 1-1 et 1-2 ont fourni les mêmes taux 15 de planarisation sur un substrat que les tampons comparatifs des exemples 1-A (solo) et 1-B (empilé) ; simultanément, les tampons de l'invention de l'exemple 1-1 et 1-2 ont produit une défectivité significativement abaissée et nettement moins de marques d'usinage dans le substrat que les tampons des exemples comparatifs 1-A et 1-B qui n'ont 20 pas été soumis au procédé de meulage de la présente invention. Tableau 1 : Morphologie et performance de polissage - petits tampons *Exemple 1-A Exemple 1-1 *Exemple 1-B Exemple 1-2 N° d'échantillons 5 5 4 4 Taux de retrait, Â/min 3515 3468 3762 3737 Non-uniformité, % 4,5 3,7 4,2 3 Comptage de défauts, marques d'usinage (0,11 kg/cm2) 144 100 91 61 Comptage de défauts, marques d'usinage (0,21 kg/cm2) 369 173 118 42 Comptage de défauts, marques d'usinage (0,32 kg/cm2) 425 216 218 100 3056432 20 * - Indique un exemple comparatif. Exemple 2 : On a réalisé des essais avec des tampons de polyuréthane monocouche IC1000rm de grand rayon 419 mm (16,5 pouces)(Dow) ayant une dureté Shore D de 61,0, avec le tampon de 5 l'exemple 2 traité de la même manière que dans l'exemple 1 ci-dessus, à l'exception que l'assemblage de meuleuse rotative a été introduit vers le bas vers la platine à fond plat à une vitesse d'incréments de 20,3 pm (0,0007 pouce) tous les 8 tours de tampons et le meulage a été prolongé pendant 5,5 min. Le tampon de l'exemple comparatif 2-A était le même 10 tampon que dans l'exemple 2 non traité selon les procédés de la présente invention. Des essais ont été réalisés sur 14 tampons et les résultats moyens ont été donnés pour la variation d'épaisseur, laquelle a été testée, comme suit : 15 Variation d'épaisseur: Elle a été déterminée en utilisant une machine de coordonnée-mesure à travers la surface des tampons de polissage. On a recueilli par tampon un total de 9 positions de mesures discrètes à partir du centre de tampon vers le bord. On a calculé la variation d'épaisseur en soustrayant la mesure la plus mince de la mesure 20 la plus épaisse. Les résultats sont présentés dans le tableau 2, ci-dessous. Les tampons de l'invention résultants présentaient la microtexture de surface de tampon caractéristique. Les tampons de l'invention de l'exemple 2 présentaient une variation moyenne d'épaisseur moindre et sont ainsi plus consistants dans leur forme que le tampon de 25 l'exemple comparatif 2-A. Tableau 2 : Morpho ogie - Tampons plus grands Exemple 2-A* Exemple 2 N° d'échantillon 10 10 Variation moyenne d'épaisseur, pm 17,66 7,42 * - Indique l'exemple comparatif. 30 Exemple 3 : On a mesuré la rugosité de surface sur les tampons de l'exemple 2, ci-dessus, en comparaison avec des tampons IC1000Tm disponibles dans le commerce (Dow). Le tampon de l'exemple comparatif 3056432 21 2 était le même tampon que dans l'exemple 2-A mais n'a pas été traité selon les procédés de la présente invention. On a mesuré la rugosité de surface en 5 points régulièrement espacés à partir du centre de tampon vers le bord sur chacun des 5 2 tampons et les résultats moyens sont cités pour la rugosité de surface dans le tableau 3 ci-dessous. Tableau 3 : Rugosité de surface Exemple 3-A* Exemple 3 N° d'échantillon 1 1 Moyenne quadratique, (Sq) pm 12,52 5,48 Profondeur de rugosité de noyau, Sk, pm 14,82 10,17 Hauteur de pic réduite, (Spk), pm 7,60 4,93 Profondeur de vallée réduite, (Skv), pm 26,44 9,78 * - Indique l'exemple comparatif. 10 Comme présenté dans le tableau 3, ci-dessus, les couches de polissage CMP de la présente invention dans l'exemple 3 présentent une microtexture de surface de tampon définie et une rugosité de surface définie caractérisée par une profondeur de vallée réduite. 15 Exemple 4 : On a réalisé des essais avec des tampons de poly- uréthane monocouche IK2060HTI" de grand rayon 419 mm (16,5 pouces) (Dow) ayant une dureté Shore D de 33,0, avec les tampons des exemples 4-1, 4-2, 4-3 traités de la même manière que dans l'exemple 2, ci-dessus, à l'exception que l'assemblage de meuleuse rotative a été 20 introduit vers le bas vers la platine à fond plat et arrêté à différentes hauteurs pour réaliser une microtexturisation de surface légère (au moins un meulage, interrompu après retrait de 12,7 pm (0,5 mils) du tampon comme mesuré à partir du pic le plus haut sur la surface de tampon où la surface de meulage touche en premier le tampon), moyenne (interrompue 25 après retrait de 50,8 pm (2 mils) du tampon comme mesuré à partir du pic le plus haut sur la surface de tampon), et complète (le meulage le plus important, interrompu après retrait de 101,6 pm (4 mils) du tampon comme mesuré à partir du pic le plus haut sur la surface de tampon). Le 3056432 22 tampon de l'exemple comparatif 4-A était le même tampon que dans l'exemple 4-1, 4-2, et 4-3 mais n'a pas été traité selon les procédés de la présente invention. Tous les tampons présentaient 1010 rainures (un motif à 5 rainures de cercles concentriques avec une profondeur de 0,0768 cm (0,030 pouce), une largeur de 0,0511 cm (0,020 pouce), unpas de 0,307 cm (0,120 pouce)), et aucune fenêtre. Les tampons résultants de l'exemple 4 ont été évalués dans des tests de polissage pour le taux de retrait et la défectivité, comme suit : 10 Taux de retrait : Il a été déterminé sur un substrat de tétra- éthoxysilicate (TEOS) de dimension 200 mm par planarisation des substrats en utilisant les tampons indiqués et une suspension aqueuse de silice AP5105TM (Dow) à un débit de 200 ml/min. La pression de polissage était constante à une force descendante de 0,11 kg/cm2 (1,5 psi) à 15 93/87 tr/min platine/support de substrat, en utilisant un outil de polissage MirraTM (Applied Materials, Santa Clara, CA). On n'a pas réalisé de conditionnement de rodage de tampon avant le polissage de galette. Tous les tampons de polissage ont été conditionnés complètement in-situ à 3,2 kg (7 livres) en utilisant comme dispositif de conditionnement un 20 disque SAESOLTM 8031C1 (surface de poussières de diamant abrasé, diamètre de 10,16 cm, Saesol Diamond Ind. Co., Ltd., Corée). On a continué pendant le test le même conditionnement des tampons. On a testé un total de 76 galettes par tampon avec un sous-jeu choisi de 6 galettes mesurées (galettes n° 1, 7, 13, 24, 50 et 76) ; les moyennes à 25 partir du sous-jeu mesuré ont été obtenues et sont citées ci-dessous pour le comptage de défauts et le taux de retrait. Les mesures de la galette n° 24 sont également citées ci-dessous. Comptage de défauts : Il a été déterminé sur le même substrat de TEOS planarisé dans le test du taux de retrait et de la manière décrite 30 dans le test du taux de retrait, à l'exception que les données ont été obtenues par observation du nombre total de défauts CMP. On a testé un total de 76 galettes par tampon avec un sous-jeu de 6 galettes mesuré et on a obtenu les moyennes. Comme présenté dans le tableau 4, ci-dessous, les tampons de 35 l'invention de l'exemple 4-2 et 4-3 ont fourni des taux de planarisation significativement plus élevés sur un substrat que le tampon comparatif de 3056432 23 l'exemple 4-A ; simultanément, les tampons de l'invention de l'exemple 42 et 4-3 ont produit une défectivité significativement plus faible sur le substrat que le tampon de l'exemple comparatif 4-A qui n'a pas été soumis aux procédés de meulage de la présente invention. Les exemples 4-2 et 5 4-3 en comparaison avec l'exemple 4-1 ont montré qu'un meulage plus important du tampon améliore sa performance de polissage au moins jusqu'au retrait de - 51 microns de matériau de la surface de tampon. Tableau 4 : Performance de polissage - Tampons souples *Exemple 4-A Exemple 4-1 Exemple 4-2 Exemple 4-3 Texture de meulage Aucune Légère Moyenne Complète N° d'échantillon 6 6 6 6 Taux de retrait moyen, A/min 674 680 700 726 Taux de retrait de la galette 24, A/min 693 681 723 759 Comptage moyen de défauts 12116 12919 8902 7016 Comptage de défauts de la galette 24 13311 13444 6614 4309 10 * - Indique l'exemple comparatif. REVENDICATIONS1. Procédé de fourniture d'un tampon de polissage (CMP) mécano-chimique pré-conditionné ayant un rayon et une couche de 5 polissage CMP faite d'un ou plusieurs polymères avec une microtexture de surface de tampon efficace pour le polissage comprenant : le meulage de la surface de la couche de polissage CMP avec une meuleuse rotative alors que la couche de polissage CMP est maintenue en place sur une surface de platine à fond plat, la meuleuse 10 rotative ayant une surface de meulage disposée parallèlement à ou pratiquement parallèlement à la surface de la platine à fond plat et constituée d'un matériau abrasif poreux pour former une interface entre la surface de la couche de polissage CMP et le matériau abrasif poreux, caractérisé en ce que la couche de polissage CMP résultante présente une 15 rugosité de surface de 0,01 pm à 25 pm, Sq. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de polissage CMP est maintenue en place sur la surface de platine à fond plat par le vide. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que 20 la couche de polissage CMP présente un rayon s'étendant à partir de son point central jusqu'à sa périphérie externe et la meuleuse rotative présente un diamètre supérieur ou égal au rayon de la couche de polissage CMP. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en 25 ce que la meuleuse rotative est positionnée de sorte que sa périphérie externe reste directement sur le centre de la couche de polissage CMP pendant le meulage. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la meuleuse rotative et la couche de polissage CMP et la platine à 30 fond plat tournent chacune pendant le meulage de la couche de polissage CMP. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que la platine à fond plat tourne dans la direction opposée à celle de la meuleuse rotative. 3056432 25 7. Procédé selon la revendication 5 ou 6, caractérisé en ce que la meuleuse rotative tourne à une vitesse de 50 à 500 tr/min et la platine à fond plat tourne à une vitesse de 6 à 45 tr/min. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en 5 ce que la meuleuse rotative est positionnée au-dessus de la couche de polissage CMP et de la platine à fond plat pendant le meulage, et la meuleuse rotative est introduite vers le bas à partir d'un point juste au-dessus de la surface de la couche de polissage CMP à une vitesse de 0,05 à 10 pm/tr pour rétrécir l'interface entre la surface de la couche de 10 polissage CMP et la surface de meulage de la meuleuse rotative et meuler la surface supérieure de la couche de polissage CMP. 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu'avant le meulage, la couche de polissage CMP est formée par moulage du polymère et écroûtage du polymère moulé pour former la 15 couche de polissage CMP. 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce qu'avant le meulage, un tampon de polissage CMP est formé par moulage du polymère et écroûtage du polymère moulé pour former la couche de polissage CMP, puis par empilement de la couche de polissage 20 CMP sur la surface supérieure d'un sous-tampon ou d'une sous-couche présentant le même diamètre que la couche de polissage CMP pour former le tampon de polissage CMP. 11. Procédé selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que le matériau abrasif poreux est un composite d'une phase 25 continue de matériau poreux présentant dispersée dans celui-ci des particules abrasives non poreuses finement divisées. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que le matériau abrasif poreux est un composite d'une phase continue de matériau poreux présentant dispersées dans celui-ci des particules de 30 diamant finement divisées. 13. Procédé selon l'une des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que pendant le meulage, le procédé comprend de plus le soufflage de gaz inerte ou d'air comprimé de manière intermittente ou en continu dans l'interface entre la surface de la couche de polissage CMP et la 35 surface de meulage de la meuleuse rotative afin de frapper le matériau abrasif poreux.