Brevet FR3061625A1 — publié le 20180706

STRUCTURE ELECTRONIQUE COMPRENANT UNE MATRICE DE DISPOSITIFS ELECTRONIQUES PRESENTANT DES PERFORMANCES THERMIQUES AMELIOREES DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION La présente invention concerne les structures électroniques comprenant des dispositifs électroniques agencés sous la forme d'une matrice, et plus particulièrement l'amélioration des performances thermiques d'une telle structure. La présente invention s'applique particulièrement, mais non exclusivement, aux structures de dispositifs émetteurs de lumière destinées à un fonctionnement à haute tension. ARRIÈRE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L'INVENTION Il existe des structures de diodes électroluminescentes destinées à un fonctionnement à haute tension, c'est-à-dire pouvant être directement alimentées par une tension d'alimentation alternative délivrée par un réseau d'alimentation électrique, tel que le réseau domestique. Une telle structure 1 est illustrée en vue de dessus sur la figure 1. La structure 1 comporte une pluralité de diodes électroluminescentes 111 agencées sous la forme d'une matrice 11 comprenant un nombre N de lignes Li d'indice i, i étant un nombre entier naturel compris entre 1 et N. Par exemple, le nombre N de lignes dans la matrice 11 de la figure 1 est égal à 8. Les diodes électroluminescentes 111 de chaque ligne Li sont connectées en série. De plus, les lignes Li peuvent être connectées en série au moyen de commutateurs 112 disposés en bout de ligne, comme illustré sur la figure 1. La figure 2 est une vue en coupe de la structure 1 selon le plan de coupe 1-1 de la figure 1. La structure 1 comporte un dispositif de contrôle 12 configuré pour piloter les commutateurs 112 de manière dynamique. Les deux composants que sont la matrice 11 et le dispositif de contrôle 12 sont fabriqués indépendamment l'un de l'autre avant d'être assemblés l'un sur l'autre au moyen d'une couche d'interconnexion 13, ce qui explique cette dénomination de structure. La couche d'interconnexion 13 comporte 3061625 2 des billes 131 d'un matériau fusible qui forment des connexions électriques, mécaniques et thermiques entre la matrice 11 et le dispositif de contrôle 12. Ce type d'assemblage, dit « à puce retournée » ou « flip-chip » en anglais, est connu de l'industrie microélectronique. Les billes 131 agissent comme des drains thermiques 5 afin d'évacuer la chaleur générée par les diodes électroluminescentes 111 qui sont la principale source de chaleur dans la structure 1. Le dispositif de contrôle 12 détermine la valeur de la tension d'alimentation fournie en entrée de la structure 1 et, en fonction de cette valeur, alimente autant de 10 lignes Li que possible en les connectant en série. Lorsque la tension d'alimentation augmente, les lignes Li de la matrice 11 sont connectées en série en suivant un ordre croissant des indices i des lignes Li, c'est-à-dire en commençant par la première ligne Li pour terminer par la dernière ligne LN. Lorsque la tension d'alimentation diminue, les lignes Li sont déconnectées en suivant l'ordre inverse, c'est-à-dire en 15 commençant par la dernière ligne LN pour terminer par la première ligne Li. Par conséquent, la première ligne Li est plus souvent alimentée que la dernière ligne LN. Il en résulte une consommation d'énergie électrique qui n'est pas répartie de façon homogène entre les différentes lignes Li de la matrice 11, ce qui se traduit par des écarts de températures au sein de la matrice 11. Ce phénomène est illustré sur la 20 figure 3. La figure 3 est une cartographie de la température en surface de la matrice 11 de la figure 1. Les diodes électroluminescentes 111 présentent une température limite de fonctionnement d'environ 150 °C, température au-delà de laquelle elles sont 25 endommagées. La figure 3 montre qu'une température maximale Tmax d'environ 130 °C, proche de la température limite, est atteirte au niveau de la première ligne Li. Les diodes électroluminescentes 111 de la première ligne Li risquent donc de se dégrader. 30 La figure 3 montre également qu'une température minimale Tmin d'environ 33 °C est obtenue au niveau de la dernière ligne LN. Les écarts de températures auxquels la matrice 11 est soumise sont importants, avec un gradient thermique pouvant atteindre presque 100 °C. Ce gradient thermique élevé impliqw des conséquences thermomécaniques dommageables pour la matrice 11. En effet, les zones chaudes de 306 1 6 2 5 3 la matrice 11 vont davantage se dilater que les zones froides, ce qui peut aboutir à la formation de fissures dans la matrice 11, ou dans le pire des cas à une rupture de la matrice 11. 5 Ce phénomène de gradient thermique est accentué par des contraintes liées à l'assemblage de la matrice 11 sur le dispositif de contrôle 12. Idéalement, une bille 131 devrait être disposée sous chaque diode électroluminescente 111 pour dissiper un maximum de chaleur. En pratique, il n'est cependant pas possible de placer une bille 131 sous certaines diodes électroluminescentes 111, par exemple lorsque la zone 10 du dispositif de contrôle 12 située en vis-à-vis comporte un élément sensible, pour des problématiques de densité d'intégration, de contraintes de dessin de circuit, ou encore de contraintes de passage de pistes d'alimentation. La couche d'interconnexion 13 présente des emplacements libres 132 dépourvus de bille, comme illustré sur les figures 1 et 2. C'est le cas en particulier de la première ligne Li dont la température est 15 la plus élevée. Il apparaît donc un besoin de perfectionner la structure de diodes électroluminescentes pour réduire les écarts de températures dans la matrice de diodes électroluminescentes. 20 RÉSUMÉ DE L'INVENTION La présente invention vise à améliorer la répartition de la charge thermique dans une matrice de dispositifs électroniques appartenant à une structure électronique. 25 Selon l'invention, ce but est atteint en prévoyant une structure électronique comprenant une pluralité de dispositifs électroniques agencés sous la forme d'une matrice comportant un premier nombre de lignes, les dispositifs électroniques de chaque ligne étant connectés en série, les lignes de la matrice étant réparties en un 30 deuxième nombre de groupes, chaque groupe étant destiné à être alimenté par un courant d'alimentation électrique, les courants d'alimentation étant sensiblement identiques entre les groupes, au moins l'un des groupes comportant au moins deux lignes connectées en parallèle de manière à répartir le courant d'alimentation dudit au moins un groupe entre lesdites au moins deux lignes. 3061625 4 On entend par « structure électronique » un dispositif comportant au moins deux composants électronique fabriqués séparément et assemblés l'un sur l'autre par l'intermédiaire d'une couche d'interconnexion comprenant des billes de soudures. Un 5 tel assemblage est dit « à puce retournée » ou « flip-chip » en anglais. Les groupes de la matrice présentent chacun une surface active qui dépend du nombre de lignes qu'ils comportent. Plus ce nombre est élevé, plus la surface active du groupe est grande. Grâce à l'invention, il est possible d'affecter la surface active 10 souhaitée à un groupe pour améliorer la répartition de la puissance électrique injectée dans ce groupe. Dans la suite de la description, le terme « taille », lorsqu'il est utilisé en référence à un groupe de lignes, désigne indifféremment la surface active du groupe 15 ou le nombre de lignes que comporte le groupe. Dans une structure de l'art antérieur, il est possible de considérer que les groupes sont tous constitués d'une seule ligne. Tous les groupes ont donc la même taille. Au contraire, dans la structure selon l'invention, les groupes ont des tailles qui 20 peuvent être différentes. Un autre avantage de l'invention est donc de définir des groupes de tailles différentes tout en conservant une matrice régulière, c'est-à-dire en faisant en sorte que les dispositifs électroniques aient tous sensiblement les mêmes dimensions. Cela permet de faciliter la mise en oeuvre de l'assemblage à puce retournée, qui est préférablement effectuée avec une matrice régulière. 25 Selon un mode de réalisation, la matrice comporte une pluralité de commutateurs et la structure comporte un dispositif de contrôle pilotant les commutateurs pour connecter en série les groupes selon un ordre prédéterminé. Chaque groupe comporte un nombre de lignes connectées en parallèles décroissant 30 selon l'ordre dans lequel les groupes sont connectés en série. Un avantage est d'adapter la surface active de chaque groupe en lui attribuant plus ou moins de lignes en fonction d'une puissance électrique injectée dans le groupe et du nombre total de groupes sur la puce. 3061625 5 Selon un mode de réalisation, les groupes sont formés par des lignes adjacentes. Un avantage est de faciliter la réalisation des connexions en parallèle des lignes, et donc la fabrication de la matrice. 5 Selon un mode de réalisation, la matrice comporte au moins deux fois plus de lignes que de groupes. Un avantage est d'avoir un ratio entre le nombre de lignes et le nombre de groupes suffisamment élevé pour permettre de faciliter la répartition. Selon un mode de réalisation, le premier nombre de lignes de la matrice est un 113 deuxième nombre multiple entier du nombre de groupes. Selon un mode réalisation, la matrice consomme une puissance électrique totale, le premier nombre de lignes de la matrice étant suffisamment élevé pour que chaque groupe consomme une puissance électrique telle que l'écart entre la 15 puissance totale divisée par le nombre de groupes et la puissance de chaque groupe est inférieur à 40%. Un avantage est de maintenir le gradient thermique présent dans la matrice sous une valeur prédéterminée. Selon un mode de réalisation, les dispositifs électroniques sont des dispositifs 20 émetteurs de lumière. Selon un mode de réalisation, les dispositifs émetteurs de lumière sont des diodes électroluminescentes planaires. 25 Selon un mode de réalisation, les dispositifs émetteurs de lumière sont des diodes électroluminescentes à nano ou à micro-fils. BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES L'invention et ses différentes applications seront mieux comprises à la lecture 30 de la description qui suit et à l'examen des figures qui l'accompagnent, parmi lesquelles : - la figure 1 est une vue de dessus schématique d'une structure de diodes électroluminescentes selon l'art antérieur ; 3061625 6 - la figure 2 est une vue schématique en coupe de la structure de la figure 1 selon le plan de coupe 1-1 ; - la figure 3 est une cartographie de la température en surface d'une matrice de diodes électroluminescentes appartenant à la structure de la figure 1 ; 5 - la figure 4 est une vue de dessus schématique d'une structure de diodes électroluminescentes selon l'invention ; - la figure 5 est une vue schématique en coupe de la structure de la figure 4 selon le plan de coupe IV-IV; - la figure 6 représente un exemple d'une tension d'alimentation de la structure 10 de la figure 4 ; - la figure 7 représente la densité moyenne de courant électrique présente dans chaque groupe de la structure de la figure 4 et dans chaque ligne de la structure de la figure 1, les deux structures étant alimentées par la tension d'alimentation de la figure 6, 15 - la figure 8 est une cartographie de la température en surface d'une matrice de diodes électroluminescentes appartenant à la structure de la figure 4 ; Les figures ne sont présentées qu'à titre indicatif et nullement limitatif de l'invention. Pour plus de clarté, les éléments identiques ou similaires sont repérés par des 20 signes de référence identiques sur toutes les figures. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE MODES DE REALISATION DE L'INVENTION Un mode de réalisation d'une structure électronique 4 selon l'invention va 25 maintenant être décrit en référence aux figures 4 et 5. La structure 4 comporte un premier composant 41, en l'occurrence une matrice 41 de diodes électroluminescentes 411, et un deuxième composant 42, en l'occurrence un dispositif de contrôle 42 permettant d'adresser la matrice 41. Ces deux composants 41, 42 sont fabriqués indépendamment l'un de l'autre, chacun sur son propre substrat, par 30 exemple en silicium. La matrice 41 et le dispositif de contrôle 42 fonctionnent de manière complémentaire et sont assemblés au moyen d'une couche d'interconnexion 43 disposée entre la matrice 41 et le dispositif de contrôle 42. 3061625 7 Chaque diode électroluminescente 411 forme un pixel 411 de la matrice 41. Les diodes électroluminescentes 411 peuvent être des diodes planaires, également dites diodes en deux dimensions (2D), ou des diodes à nano ou à micro-fils. Les diodes électroluminescentes 411 sont de préférence identiques. 5 La matrice 41 comporte un premier nombre N1 de lignes Li (j étant un nombre entier naturel compris entre 1 et N1) s'étendant selon une première direction X. Par exemple, le nombre N1 de lignes Li de la matrice 41 de la figure 4 est égal à 16. Les lignes Li sont disposées les unes à côté des autres selon une deuxième direction Y 10 orthogonale à la première direction X. Les pixels 411 présentent une première dimension, appelée « largeur », selon la première direction X et une deuxième dimension, appelée « hauteur » selon la deuxième direction Y. Les diodes électroluminescentes 411 de chaque ligne Li sont connectées en série. Les lignes Li de la matrice 41 de la figure 4 comportent un même nombre de pixels, par exemple 15 égal à 12. Les lignes Li de la matrice 41 sont réparties en un deuxième nombre N2 de groupes Gk (k étant un nombre entier naturel compris entre 1 et N2), chaque groupe Gk comportant soit une seule ligne, soit plusieurs lignes connectées en parallèle. Les 20 lignes Li constituant les groupes Gk sont connectées en parallèle de manière figée, c'est-à-dire lors de la fabrication de la matrice 41. De préférence, les lignes Li que comporte chaque groupe Gk sont adjacentes. Ainsi, la connexion en parallèle de telles lignes est simple à réaliser, ce qui facilite la fabrication de la matrice 41. Par exemple, le nombre N2 de groupes Gk dans la matrice 41 de la figure 4 est égal à 8, les deux 25 premiers groupes Gi et G2 comportant chacun 3 lignes Li connectées en parallèle, les groupes G3 à G6 comportant chacun 2 lignes Li connectées en parallèle, et les deux derniers groupes G7 et G8 ne comportant chacun qu'une seule ligne Li. La manière selon laquelle est effectuée cette répartition sera décrite plus en détail par la suite. 30 La matrice 41 comporte également des commutateurs 412 commandés de manière dynamique par le dispositif de contrôle 42 pour connecter en série les groupes Gk. Les commutateurs 412 sont disposés en bout de ligne, tel qu'illustré sur la figure 4. 3061625 8 La couche d'interconnexion 43 comporte de préférence des billes de soudures 431 disposées sous les pixels de la matrice selon un motif d'interconnexion prédéterminé lié aux contraintes d'assemblage de la matrice sur le dispositif de contrôle. Du fait de ces contraintes, la couche d'interconnexion 43 présente des 5 emplacements libres 432 dépourvus de bille. La couche d'interconnexion 43 comporte également un matériau de remplissage 433 qui comble l'espace libre entre les billes 431. Le matériau de remplissage 433 peut être un matériau organique, tel qu'une résine époxy ou du silicone, chargé ou non. Le matériau de remplissage 433 assure la tenue mécanique de l'assemblage. 10 Chaque bille 431 forme une connexion mécanique et thermique entre la matrice 41 et le dispositif de contrôle 42. Il est à noter que les emplacements libres 432 offrent une dissipation thermique plus faible que les billes 431, dans un rapport de l'ordre de 5. Les billes 431 sont formées à partir d'un matériau fusible conducteur 15 électriquement. Une couche de passivation (non représentée) est avantageusement intercalée entre les billes 431 et la matrice 41 pour isoler électriquement la matrice du dispositif de contrôle 42. La couche de passivation comporte des ouvertures situées sous certains pixels. En plus d'une connexion mécanique et thermique, une bille placée en correspondance avec une ouverture forme également une connexion 20 électrique entre la matrice 41 et le dispositif de contrôle 42. Des ouvertures sont notamment présentes sous les pixels 411 disposés en bout de ligne, ces pixels 411 constituant des points d'entrée et de sortie du courant électrique. En fonctionnement, la structure 4 est alimentée par une tension d'alimentation 25 alternative. La tension d'alimentation V(t) peut provenir d'un réseau d'alimentation électrique tel que le réseau domestique. La figure 6 montre un exemple d'une tension d'alimentation sinusoïdale V(t) appliquée à la structure 4, cette tension V(t) présentant une période T et une amplitude A. De préférence, la tension d'alimentation V(t) est redressée avant d'être appliquée en entrée de la structure 4. 30 Le dispositif de contrôle 42 est par exemple un circuit intégré à application spécifique (ASIC pour « Application-Specific Integrated Circuit » en anglais). Il a notamment pour fonction de déterminer le nombre de groupes Gk à alimenter en fonction de la valeur de la tension d'alimentation à un instant donné. Chaque groupe Gk 306 1 6 2 5 9 présente une tension seuil Vk (k étant un nombre entier naturel compris entre 1 et N2) que le dispositif de contrôle 42 doit fournir à la matrice 41 pour alimenter le groupe Gk. Selon le mode de réalisation de la figure 4, toutes les lignes Li de la matrice 41 comportent le même nombre de pixels. Par conséquent, tous les groupes Gk ont 5 sensiblement la même tension seuil Vo. A chaque fois que la tension d'alimentation atteint un multiple de la tension seuil Vo, un groupe supplémentaire est alimenté en étant connecté en série, par l'intermédiaire des commutateurs 412, avec les groupes déjà alimentés. 10 De façon plus détaillée, lorsque la tension d'alimentation atteint Vo, le premier groupe Gi est alimenté. Ensuite, lorsque la tension d'alimentation atteint 2Vo, le premier groupe Gi et le deuxième groupe G2 sont connectés en série et alimentés. Il en va ainsi jusqu'à l'alimentation de tous les groupes Gk de la matrice 41. Lorsque la tension d'alimentation est strictement comprise entre Vo et 2Vo, la valeur de tension 15 appliquée au premier groupe Gi est maintenue à Vo. De manière générale, la tension appliquée à chaque ligne Li est limitée par le dispositif de contrôle 42 à la tension seuil Vo. La figure 6 montre ainsi la répartition de la puissance électrique Pk injectée dans 20 chaque groupe Gk sur une demi-période de la tension d'alimentation. Les valeurs numériques de cette puissance, exprimées en Watts, sont reportées dans la table 1 ci-dessous, chaque groupe recevant un courant d'alimentation de 50 mA. La table 1 donne également les valeurs du rapport cyclique de l'alimentation de chaque groupe Gk. Cette grandeur traduit la durée, ramenée sur une période T de la tension 25 d'alimentation V(t), pendant laquelle chaque groupe Gk est alimenté. Groupe Rapport cyclique (%) Puissance moyenne (W) Gi 91 1.7 G2 84 1.6 G3 76 1.4 G4 68 1.3 G5 60 1.1 G6 51 0.9 3061625 10 G7 40 0.7 G8 26 0.5 Table 1 La puissance électrique injectée dans chaque groupe Gk est directement lié à la fréquence à laquelle il est alimenté. En effet, les groupes Gk ont la même tension 5 seuil Vo et reçoivent un courant électrique qui a sensiblement la même valeur pour tous les groupes Gk. Une partie de la puissance électrique est convertie par les diodes électroluminescente 411 en puissance thermique. Autrement dit, lorsqu'elles sont alimentées, les diodes électroluminescente 411 chauffent, et plus elles sont alimentées souvent, plus elles chauffent. Le but de l'invention est d'améliorer la 10 répartition de la puissance électrique injectée dans la matrice 41, et donc d'améliorer la répartition de la chaleur générée par les diodes électroluminescente 411. Pour ce faire, on forme des groupes Gk de tailles différentes en connectant en parallèle les lignes Li de la matrice 41. A puissance égale, une plus grande taille implique une densité de puissance réduite, donc un échauffement moindre. 15 Les groupes Gk sont connectés en série dans un ordre prédéterminé, du premier groupe Gi au dernier groupe GN2. Par conséquent, plus l'indice k d'un groupe Gk est faible, plus la puissance électrique injectée dans ce groupe Gk est élevée. Inversement, plus l'indice k d'un groupe Gk est élevé, plus la puissance 20 électrique injectée dans ce groupe Gk est faible. Selon le mode de réalisation de la figure 4, le nombre de lignes Li que comporte chaque groupe Gk diminue en même temps que l'indice k du groupe Gk augmente. Ainsi, la taille et la puissance électrique injectée de chaque groupe Gk suivent une même courbe de progression. 25 La figure 7 montre une comparaison des densités moyennes de courant électrique Dl présentes dans les groupes Gk de la structure 4 selon l'invention et dans les lignes Li la structure 1 de l'art antérieur décrite en référence à la figure 1, en fonction de l'indice Idx de la ligne ou du groupe. La comparaison est d'autant plus appropriée que les matrices 11, 41 des deux structures 1, 4 ont la même taille. La hauteur des 30 pixels 411 de la structure 4 selon l'invention a été divisée par 2 par rapport à la hauteur des pixels 111 de la structure 1 de l'art antérieur, mais la structure 4 compte deux fois plus de lignes (16) que la structure 1 (8). On constate que l'écart entre le maximum et 306 1 6 2 5 11 le minimum de la densité de courant Dl dans les différentes groupes Gk de la structure 4 est plus réduit que dans les différentes lignes Li dans la structure 1. L'invention permet donc d'homogénéiser la consommation électrique de diodes électroluminescente 411, et donc la charge thermique. 5 Le gain obtenu au niveau des températures présentes en surface de la matrice 41 de la structure 4 est illustré sur la figure 8. La température maximale Tmax est d'environ 86 °C et la température minimale -Filin est d'environ 58 °C. Une meilleure répartition de la chaleur est donc constatée, avec un gradient thermique faible, 10 inférieur à 30°C dans ce cas. Grâce à l'invention, il est remédié au problème de répartition la charge thermique en allouant à chaque groupe Gk une surface adaptée à sa consommation d'énergie électrique tout en conservant une matrice régulière comportant des pixels 15 de dimensions constantes. En effet, l'assemblage de la matrice 41 sur le dispositif de contrôle 42 est préférablement réalisé sur une matrice 41 régulière. Par exemple, une taille de pixels constante permet de disposer des billes de soudures de tailles identiques, ce qui assure la planéité de la structure 1. 20 La matrice 41 consomme une puissance totale qui peut être calculée. En divisant cette puissance totale par le nombre de groupe Gk, on obtient une puissance moyenne par groupe. Avantageusement, les lignes Li, sont réparties dans les groupes Gk de manière à minimiser l'écart entre la puissance moyenne par groupe et la puissance effectivement injectée dans chaque groupe Gk afin de répartir la 25 puissance de façon optimale. De préférence, cet écart est fixé inférieur à 40%, et plus préférentiellement encore inférieur à 20%. Plus le nombre N1 de lignes Li que comporte la matrice 41 est élevé, plus il est possible d'approcher la puissance injectée dans chaque groupe Gk de la puissance moyenne. 30 Naturellement, l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisations décrits en référence aux figures et des variantes pourraient être envisagées sans sortir du cadre de l'invention. En particulier, bien que l'invention ait été décrite en relation avec une structure de diodes électroluminescentes, l'invention peut être appliquée à d'autres types de structures électroniques comportant des dispositifs électroniques agencés 3061625 12 sous la forme d'une matrice, ces structures présentant des problématiques similaires de distribution d'énergie au sein de la matrice. REVENDICATIONS1. Structure électronique (4) comprenant une pluralité de dispositifs électroniques (411) agencés sous la forme d'une matrice (41) comportant premier nombre (N1) de lignes (14, les dispositifs électroniques de chaque ligne étant connectés en série, la structure étant caractérisée en ce que les lignes de la matrice sont réparties en un deuxième nombre (N2) de groupes (Gk), chaque groupe étant destiné à être alimenté par un courant d'alimentation électrique, les courants d'alimentation étant sensiblement identiques entre les groupes, au moins l'un des groupes comportant au moins deux lignes connectées en parallèle de manière à répartir le courant d'alimentation dudit au moins un groupe entre lesdites au moins deux lignes. 2. Structure (4) selon la revendication 1 caractérisée en ce que la matrice (41) comporte une pluralité de commutateurs (412), la structure comportant un dispositif de contrôle (42) pilotant les commutateurs pour connecter en série les groupes (Gk) selon un ordre prédéterminé, chaque groupe comportant un nombre de lignes (L1) connectées en parallèles décroissant selon l'ordre dans lequel les groupes sont connectés en série. zo 3. Structure (4) selon l'une quelconque des revendications 1 et 2 caractérisée en ce que les groupes (Gk) sont formés par des lignes (L1) adjacentes. 4. Structure (4) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3 caractérisée en ce que la matrice (41) comporte au moins deux fois plus de lignes (14) que de groupes 25 (Gk). 5. Structure (4) selon l'une quelconque des revendications 1 à 4 caractérisée en ce que le premier nombre (N1) de lignes (14) de la matrice (41) est un nombre multiple entier du deuxième nombre (N2) de groupes (Gk). 30 6. Structure (4) selon l'une quelconque des revendications 1 à 5 caractérisée en ce que la matrice (41) consomme une puissance électrique totale, le premier nombre (N1) de lignes (14) de la matrice (41) étant suffisamment élevé pour que chaque groupe (Gk) consomme une puissance électrique moyenne telle que l'écart entre la puissance 3061625 14 totale divisée par le nombre de groupes et la puissance de chaque groupe est inférieur à 40%. 7. Structure (4) selon l'une quelconque des revendications 1 à 4 caractérisée en 5 ce que les dispositifs électroniques (411) sont des dispositifs émetteurs de lumière. 8. Structure (4) selon l'une quelconque des revendications 1 à 4 caractérisée en ce que les dispositifs émetteurs de lumière (411) sont des diodes électroluminescentes planaires. 9. Structure (4) selon l'une quelconque des revendications 1 à 4 caractérisée en ce que les dispositifs émetteurs de lumière (411) sont des diodes électroluminescentes à nano ou à micro-fils. 10