Brevet FR3049769A1 — publié le 20171006

B15069 - 15-T0-0746FR02 1 COMPOSANT DE PUISSANCE VERTICAL Domaine La présente demande concerne un composant de puissance vertical susceptible de supporter une tension élevée à l'état bloqué, et vise plus particulièrement la structure de la 5 périphérie d'un tel composant. Exposé de l'art antérieur On a proposé diverses façons de constituer la périphérie d'un composant de puissance vertical, pour protéger les bords du composant, et en particulier pour assurer une tenue en tension 10 élevée du composant et limiter les courants de fuite. Les structures connues de périphéries de composants de puissance verticaux présentent toutefois des inconvénients. Il existe donc un besoin pour une structure périphérique de composant de puissance vertical palliant tout ou partie des 15 inconvénients des structures connues. Résumé Ainsi, un mode de réalisation prévoit un composant de puissance vertical comportant : un substrat en silicium dopé d'un premier type de conductivité ; un caisson localisé du second type 20 de conductivité s'étendant depuis une face supérieure du substrat ; et du côté de la face supérieure du substrat, une structure de passivation revêtant une région périphérique du 3049769 B15069 - 15-T0-0746FR02 2 substrat entourant le caisson, ladite structure de passivation comportant, sur et en contact avec ladite région périphérique de substrat, une première région en un premier matériau de passivation et une deuxième région en un deuxième matériau de passivation, la deuxième région étant apte à générer, dans une région superficielle du substrat en contact avec ladite deuxième région, une augmentation localisée de la concentration des porteurs majoritaires dans le substrat. Selon un mode de réalisation, la deuxième région est en 10 verre phosphosilicaté. Selon un mode de réalisation, la deuxième région est en un matériau apte à générer des charges fixes positives à l'interface avec le silicium. Selon un mode de réalisation, la deuxième région est en 15 silicium polycristallin semi-isolant. Selon un mode de réalisation, la deuxième région est en nitrure de silicium. Selon un mode de réalisation, la première région est en oxyde de silicium. 20 Selon un mode de réalisation, la première région est en verre chargé en plomb. Selon un mode de réalisation, l'une des première et deuxième régions de la structure de passivation est une couche revêtant ladite région périphérique du substrat, interrompue par 25 une ouverture annulaire disposée en regard d'une partie centrale de ladite région périphérique du substrat, l'autre région de la structure de passivation étant une bande annulaire disposée dans ladite ouverture. Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de 30 fabrication d'un composant de puissance vertical dans et sur un substrat en silicium dopé d'un premier type de conductivité, comportant les étapes suivantes : former un caisson localisé du second type de conductivité s'étendant depuis une face supérieure du substrat ; et former, du côté de la face supérieure du substrat, 35 une structure de passivation revêtant une région périphérique du 3049769 B15069 - 15-T0-0746FR02 3 substrat entourant le caisson, ladite structure de passivation comportant, sur et en contact avec ladite région périphérique de substrat, une première région en un premier matériau de passivation et une deuxième région en un deuxième matériau de 5 passivation, la deuxième région étant apte à générer, dans une région superficielle du substrat en contact avec ladite deuxième région, une augmentation localisée de la concentration des porteurs majoritaires dans le substrat. Selon un mode de réalisation, la deuxième région est en verre phosphosilicaté, la formation de la deuxième région comprenant une étape de dépôt de verre phosphosilicaté à la surface de ladite région périphérique du substrat, suivie d'une étape de recuit à une température supérieure à 500°C. Selon un mode de réalisation, la deuxième région est en silicium polycristallin semi-isolant, la formation de la deuxième région comprenant une étape de dépôt de silicium polycristallin semi-isolant à la surface de ladite région périphérique du substrat, suivie d'une étape de recuit à une température comprise entre 200 et 400°C, ou à une température supérieure à 700°C. Selon un mode de réalisation, la deuxième région est en nitrure de silicium, la formation de la deuxième région comprenant une étape de dépôt de nitrure de silicium à la surface de ladite région périphérique du substrat, par dépôt chimique en phase vapeur sous un flux gazeux comprenant un mélange de silane et d'ammoniac, avec un rapport R entre le taux d'ammoniac et le taux de silane dans le mélange inférieur à 100 ou supérieur à 900. Brève description des dessins Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de 30 réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 est une vue en coupe d'un exemple d'un composant vertical de puissance ; 3049769 B15069 - 15-T0-0746FR02 4 la figure 2 est une vue en coupe d'un exemple d'un composant vertical de puissance selon un premier mode de réalisation ; et la figure 3 est une vue en coupe d'un exemple d'un 5 composant vertical de puissance selon un deuxième mode de réalisation. Description détaillée De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, les diverses 10 figures ne sont pas tracées à l'échelle. Par souci de clarté, seuls les éléments qui sont utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les diverses utilisations qui peuvent être faites d'un composant vertical de puissance n'ont pas été détaillées, 15 les modes de réalisation décrits étant compatibles avec les applications usuelles des composants verticaux de puissance, par exemple le contrôle de moteurs, ou le contrôle d'appareils électroménagers tels que des compresseurs de réfrigérateurs, des aspirateurs, des climatiseurs, des machines à laver, etc. Dans la 20 description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes 25 "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence à l'orientation des figures, étant entendu que, en pratique, les composants décrits peuvent être orientés différemment. Sauf précision contraire, les expressions "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Dans la présente description, on entend par composant vertical de puissance un composant comportant des première et deuxième électrodes de conduction disposées sur des faces opposées d'un substrat de silicium, ce composant étant adapté, à l'état bloqué, à tenir une tension élevée, par exemple supérieure à 100 V 3049769 B15069 - 15-T0-0746FR02 5 et typiquement supérieure à 500 V, entre ses première et deuxième électrodes de conduction. On s'intéresse ici en particulier aux commutateurs verticaux de puissance adaptés à tenir des tensions élevées entre leurs bornes de conduction quelle que soit la 5 polarité de la tension appliquée, aussi appelés commutateurs bidirectionnels en tension. Les commutateurs bidirectionnels en tension peuvent être bidirectionnels en courant, par exemple des triacs, ou unidirectionnels en courant, par exemple des thyristors ou certains IGBT. 10 La figure 1 est une vue en coupe d'un composant vertical de puissance, illustrant une façon de constituer la périphérie d'un tel composant en technologie dite "planar" pour protéger les bords du composant. Le composant représenté dans cet exemple est un triac. 15 Il comprend un substrat de silicium 1 dopé de type N (N-), et, s'étendant dans le substrat 1 depuis sa face supérieure, un caisson localisé 3 dopé de type P (P). Le caisson 3 s'étend, en vue de dessus, sur une partie seulement de la surface du substrat 1, par exemple sur plus de la moitié de la surface du substrat 1. 20 Le caisson 3 est disposé dans une partie non périphérique du substrat 1, c'est-à-dire qu'il ne s'étend pas jusqu'à la périphérie du substrat 1. Le composant de la figure 1 comprend en outre, s'étendant dans le substrat 1 depuis sa face inférieure, une couche 5 dopée de type P (P). La couche 5 s'étend, en vue de 25 dessous, sur sensiblement toute la surface du substrat 1. Plus particulièrement, la couche 5 s'étend jusqu'à un mur périphérique d'isolement 11 dopé de type P (P), décrit plus en détail ci-après. Le caisson supérieur 3 contient, du côté de sa face supérieure, une région 4 dopée de type N (N+), de niveau de dopage 30 supérieur à celui du substrat 1. La couche inférieure 5 contient, du côté de sa face inférieure, une région 6 dopée de type N (N+), de niveau de dopage supérieur à celui du substrat 1, par exemple sensiblement de même niveau de dopage que la région 4, située dans une zone sensiblement complémentaire (en vue de dessus) de celle 35 occupée par la région 4. Le caisson supérieur 3 contient en outre, 3049769 B15069 - 15-T0-0746FR02 6 du côté de sa face supérieure, une région 8 dopée de type N (N+), non adjacente à la région 4, de niveau de dopage supérieur à celui du substrat, par exemple sensiblement de même niveau de dopage que la région 4. 5 Du côté de la face inférieure du composant, une électrode de conduction A2 revêt et est en contact avec sensiblement toute la surface inférieure de la couche 5. Du côté de la face supérieure du composant, une électrode de conduction Al revêt et est en contact avec la région 4 et une partie du 10 caisson 3. L'électrode Al n'est en revanche pas en contact avec la région périphérique du substrat 1 entourant le caisson 4. Par ailleurs, du côté de la face supérieure du composant, une électrode de gâchette G distincte de l'électrode Al revêt et est en contact avec la région 8 et une partie du caisson 3. 15 Du côté de la face supérieure du composant, une couche isolante de passivation 9 en oxyde de silicium revêt les parties de la face supérieure du substrat non recouvertes par des électrodes, et en particulier la jonction PN entre le caisson 3 et le substrat 1 et la région périphérique du substrat 1 entourant 20 le caisson 3. La couche d'oxyde de silicium 9 peut être surmontée par d'autres couches de passivation non représentées, inorganiques (par exemple du nitrure de silicium) ou organiques (par exemple à base de polyimides). Quelle que soit la polarité de la tension appliquée 25 entre les électrodes A2 et Al, si une commande de gâchette est fournie, le composant devient passant. La conduction se fait de l'électrode A2 vers l'électrode Al par un thyristor vertical comprenant les régions 5, 1, 3 et 4, ou de l'électrode Al vers l'électrode A2 par un thyristor vertical comprenant les régions 30 3, 1, 5 et 6. L'épaisseur et le niveau de dopage du substrat 1 sont calculés pour que le triac, à l'état bloqué, puisse tenir des tensions élevées, par exemple des tensions de l'ordre de 600 à 800 volts. Dans l'exemple représenté, le triac est entièrement 35 entouré par un mur diffusé 11 dopé de type P (P) formé à partir 3049769 B15069 - 15-T0-0746FR02 7 des faces inférieure et supérieure du substrat et s'étendant sur toute l'épaisseur du substrat. Du côté de la face inférieure du composant, la couche 5 s'étend latéralement jusqu'au mur diffusé 11, et du côté de la face supérieure, le caisson 3 s'arrête avant 5 le mur diffusé 11. Le mur 11 a notamment pour fonction d'isoler les faces latérales du substrat 1 et d'éviter ainsi d'éventuels courts-circuits du composant par des remontées de soudure lorsque l'électrode inférieure A2 du composant est soudée à une plage de contact d'un dispositif extérieur. 10 Pour éviter que des claquages ne se produisent au niveau des bords du composant, une certaine distance doit être prévue entre la limite du caisson 3 de type P et le mur diffusé 11. Compte tenu de la relative instabilité de l'interface entre l'oxyde de silicium de la couche 9 et le silicium du substrat 15 1 (états d'interface, électrons chauds, etc.), le composant comprend en outre un anneau d'arrêt de canal 13 dopé de type N (N+), de niveau de dopage supérieur à celui du substrat 1, par exemple sensiblement de même niveau de dopage et de même profondeur que la région 4, disposé dans la région périphérique 20 de substrat 1 située entre le caisson 3 et le mur 11 (non adjacent au caisson 3 et au mur 11 dans l'exemple représenté). L'anneau d'arrêt de canal 13 s'étend dans le substrat 1 depuis sa face supérieure, et entoure, en vue de dessus, le caisson 3. L'anneau d'arrêt de canal 13 permet d'empêcher la formation d'un canal 25 parasite de type P dans la zone superficielle de substrat située sous la couche d'oxyde de silicium 9. En l'absence de l'anneau d'arrêt de canal 13, un tel canal parasite pourrait notamment apparaître dans des conditions de forte instabilité des états d'interface oxyde de silicium/silicium, typiquement lorsque le 30 composant est maintenu à l'état bloqué à une température relativement élevée. La prévision de l'anneau d'arrêt de canal 13 permet à la fois d'améliorer la tenue en tension du composant, et de réduire les courants de fuite. A titre de variante non représentée, pour uniformiser le potentiel sur l'ensemble de 35 l'anneau 13, l'anneau 13 peut être contacté sur toute sa longueur 3049769 B15069 - 15-T0-0746FR02 8 par une métallisation flottante (non connectée) disposée dans une ouverture préalablement formée dans la couche 9 et débouchant sur la face supérieure de l'anneau 13. A titre d'exemple, le substrat 1 présente un niveau de 5 dopage compris entre 1014 et 2*1014 atomes/cm3, les régions dopées de type P 3, 5, et 11 présentent un niveau de dopage compris entre 1018 et 1019 atomes/cm3, et les régions dopées de type N 4, 6, 8 et 13 présentent un niveau de dopage compris entre 1019 et 2*1020 atomes/cm3. 10 En pratique, on observe que la présence de l'anneau d'arrêt de canal 13 conduit à dégrader les performances en commutation du composant. Cette dégradation résulte notamment du fait que l'anneau d'arrêt de canal constitue, autour de la partie active du composant, un chemin annulaire périphérique dans lequel 15 la mobilité des électrons est importante, ce qui conduit à des transferts d'électrons indésirables entre le premier thyristor, formé par les régions 5, 1, 3 et 4 (partie gauche de la figure) et le deuxième thyristor, formé par les régions 3, 1, 5 et 6 (partie droite de la figure), entrainant une dégradation des 20 performances en commutation du composant. La figure 2 est une vue en coupe d'un exemple d'un composant vertical de puissance selon un premier mode de réalisation. La figure 2 représente un triac comprenant les mêmes 25 éléments que le triac de la figure 1, à l'exception de l'anneau d'arrêt de canal 13. Dans le mode de réalisation de la figure 2, la couche de passivation 9 en oxyde de silicium est discontinue. Plus particulièrement, la couche 9 est interrompue par une ouverture annulaire entourant (vu de dessus) le caisson 3, cette 30 ouverture étant disposée en regard d'une partie centrale de la région périphérique de substrat 1 entourant le caisson 3, et présentant une largeur inférieure à celle de ladite région périphérique de substrat. L'ouverture annulaire formée dans la couche de passivation 9 est remplie par un deuxième matériau de 35 passivation, un verre phosphosilicaté (PSG) dans l'exemple de la 3049769 B15069 - 15-T0-0746FR02 9 figure 2. Ainsi, la couche 9 d'oxyde de silicium revêtant la région périphérique du substrat 1 est interrompue par une bande annulaire 21 en verre phosphosilicaté, disposée sur et en contact avec la face supérieure de la région périphérique de substrat 1 5 entourant le caisson 3. Dans l'exemple représenté, pour des raisons de fiabilité, du verre phosphosilicaté est en outre déposé sur sensiblement toute la surface de la couche 9 d'oxyde de silicium. En d'autres termes, la bande annulaire 21 est une portion d'une couche plus étendue 22 de verre phosphosilicaté, 10 revêtant sensiblement toute la surface de la couche 9, et étant en contact avec la face supérieure du substrat 1 au niveau de l'ouverture annulaire formée dans la couche 9. Le procédé de fabrication de la structure de passivation de la figure 2 comprend : 15 la formation de la couche de passivation 9 en oxyde de silicium, par exemple par oxydation thermique de la surface supérieure du substrat 1 ; la réalisation, dans la couche 9, d'une ouverture traversante annulaire entourant (vu de dessus) le caisson 3 ; 20 le dépôt d'un verre phosphosilicaté de façon à remplir l'ouverture préalablement formée dans la couche d'oxyde de silicium 9 ; et après le dépôt du verre phosphosilicaté dans l'ouverture, un recuit de stabilisation, par exemple à une 25 température supérieure à 500°C, par exemple à une température de l'ordre de 900°C. Lors du recuit de stabilisation, des atomes de phosphore provenant du verre phosphosilicaté diffusent depuis la bande annulaire 21 dans une région superficielle de substrat située sous 30 la bande annulaire 21, par exemple jusqu'à une profondeur comprise entre 10 et 100 nm à partir de la face supérieure du substrat. Ceci revient à réaliser un léger surdopage de type N de la région superficielle de substrat située sous la bande annulaire de passivation 21. Il se produit par conséquent une accumulation 35 d'électrons dans la région superficielle du substrat 1 située sous 3049769 B15069 - 15-T0-0746FR02 10 la bande annulaire 21. Cette accumulation localisée d'électrons permet d'empêcher la formation d'un canal parasite de type P dans la région périphérique du substrat 1 entourant le caisson 3. Du fait de la faible profondeur de la région superficielle de 5 substrat impactée par le surdopage de type N, et/ou du fait de la densité d'électrons surfacique relativement faible, par exemple comprise entre 5*1015 et 5*1016 e-/cm2, par exemple de l'ordre de 1016 e-/cm2, dans cette région, la mobilité des électrons dans cette région reste relativement faible par rapport à la mobilité 10 des électrons dans l'anneau d'arrêt de canal 13 du composant de la figure 1. Ainsi, la structure de passivation de la figure 2 permet d'assurer une bonne tenue en tension du composant et de limiter les courants de fuite, tout en évitant la dégradation des performances en commutation observée dans les structures du type 15 décrit en relation avec la figure 1. En pratique, la profondeur du dopage au phosphore ainsi que la concentration en dopants est fonction de la température et de la durée du recuit de stabilisation, ainsi que de la teneur en phosphore du verre phosphosilicaté, par exemple comprise entre 2 et 10%. 20 La figure 3 est une vue en coupe d'un exemple d'un composant vertical de puissance selon un deuxième mode de réalisation. La figure 3 représente un triac. Le triac de la figure 3 diffère du triac de la figure 2 essentiellement en ce que, dans 25 l'exemple de la figure 3, la bande annulaire de passivation 21 en verre phosphosilicaté du triac de la figure 2 a été remplacée par une bande annulaire de passivation 31 en un matériau de passivation apte à générer des charges fixes positives stables à l'interface avec le silicium, et par conséquent à générer une 30 accumulation d'électrons dans la région superficielle du substrat 1 située sous la bande annulaire 31. Là encore, ceci permet d'empêcher la formation d'un canal parasite de type P dans la région périphérique du substrat 1 entourant le caisson 3, et ainsi de bénéficier d'une bonne tenue en tension et de courants 35 de fuite réduits. De plus, du fait de la faible profondeur, par 3049769 B15069 - 15-T0-0746FR02 11 exemple comprise entre 1 et 25 nm de la région superficielle de substrat dans laquelle s'accumulent les électrons, et/ou du fait de la densité d'électrons relativement faible, par exemple comprise entre 5*1018 et 5*1019 e-/cm3, par exemple de l'ordre de 5 1018 e-/cm3, dans cette région, la mobilité des électrons reste relativement faible par rapport à la mobilité des électrons dans l'anneau d'arrêt de canal 13 du composant de la figure 1. Ainsi, la structure de passivation de la figure 3 permet d'améliorer les performances en commutation par rapport à une structure du type 10 décrit en relation avec la figure 1. En pratique, la profondeur de la zone d'accumulation d'électrons et la densité d'électrons dépend de la concentration en charges à l'interface, par exemple comprise entre 1011 et 1013, par exemple de l'ordre de 1012 charges/cm2. De même que dans l'exemple de la figure 2, dans 15 l'exemple représenté, pour des raisons de fiabilité, le deuxième matériau de passivation est en outre déposé sur sensiblement toute la surface de la couche 9 d'oxyde de silicium. En d'autres termes, la bande annulaire 31 est une portion d'une couche plus étendue 32 du deuxième matériau de passivation, revêtant sensiblement 20 toute la surface de la couche 9, et étant en contact avec la face supérieure du substrat 1 au niveau de l'ouverture annulaire formée dans la couche 9. A titre d'exemple, le deuxième matériau de passivation formant la bande annulaire 31 est du SIPOS (de l'anglais "Semi- 25 Insulating Polycrystalline Silicon" - silicium polycristallin semi-isolant), ou du nitrure de silicium. Des exemples de procédé permettant de former une couche de SIPOS ou de nitrure de silicium sur un substrat de silicium, de manière à générer des charges positives fixes à l'interface SIPOS/silicium ou nitrure/silicium, 30 sont décrits dans l'article intitulé "The correlation between the breakdown voltage of power devices passivated by semi-insulating polycrystalline silicon and the effective density of interface charges" de Edmund P. Burte et Günter H. Schulze. 3049769 B15069 - 15-T0-0746FR02 12 A titre d'exemple, la bande annulaire 31 est en SIPOS et le procédé de fabrication de la structure de passivation comprend : la formation de la couche de passivation 9 en oxyde de 5 silicium, par exemple par oxydation thermique de la surface supérieure du substrat 1 ; la réalisation, dans la couche 9, d'une ouverture traversante annulaire entourant (vu de dessus) le caisson 3 ; le dépôt de SIPOS de façon à remplir l'ouverture 10 préalablement formée dans la couche d'oxyde de silicium 9 ; et après le dépôt du SIPOS, un recuit de stabilisation à une température comprise entre 200 et 400°C, par exemple de l'ordre de 300°C, ou à une température supérieure à 700°C, par exemple de l'ordre de 900°C. 15 A titre de variante, la bande annulaire 31 est en nitrure de silicium et le procédé de fabrication de la structure de passivation comprend : la formation de la couche de passivation 9 en oxyde de silicium, par exemple par oxydation thermique de la surface 20 supérieure du substrat 1 ; la réalisation, dans la couche 9, d'une ouverture traversante annulaire entourant (vu de dessus) le caisson 3 ; et le dépôt de nitrure de silicium de façon à remplir l'ouverture préalablement formée dans la couche d'oxyde de 25 silicium 9, par dépôt chimique en phase vapeur sous un flux gazeux comprenant un mélange de silane (SiH4) et d'ammoniac (NH3), avec un rapport R entre le taux d'ammoniac et le taux de silane dans le mélange inférieur à 100 ou supérieur à 900. Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. 30 Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, dans les modes de réalisation des figures 2 et 3, la couche 9 d'oxyde de silicium peut être remplacée par une couche en un autre matériau de passivation, par exemple un verre apte à générer des charges fixes négatives à l'interface 35 avec le silicium, par exemple un verre au plomb. 3049769 B15069 - 15-T0-0746FR02 13 En outre, dans le mode de réalisation de la figure 2, les matériaux de passivation de la couche 9 et de la bande annulaire 21 peuvent être intervertis. De même, dans le mode de réalisation de la figure 3, les matériaux de passivation de la 5 couche 9 et de la bande annulaire 31 peuvent être intervertis. De plus, les modes de réalisation décrits peuvent être adaptés à des composants réalisés dans et sur un substrat de silicium 1 dopé de type P. Dans ce cas, tous les types de conductivité peuvent être inversés. Le deuxième matériau de 10 passivation, formant respectivement la bande annulaire 21 dans l'exemple de la figure 2 et la bande annulaire 31 dans l'exemple de la figure 3, sera alors choisi adapté à générer une accumulation de trous dans la zone superficielle de substrat sous-jacente, de manière à empêcher la formation d'un canal de type N dans la 15 région périphérique du substrat 1 entourant le caisson 3. Ainsi, un point commun entre les modes de réalisation décrits ci-dessus est que la structure de passivation revêtant la région périphérique du substrat 1 entourant le caisson 3, comprend une alternance de deux régions en des matériaux de passivation 20 distincts, l'un des deux matériaux étant adapté à générer, dans une zone superficielle du substrat 1 en contact avec le matériau, une accumulation ou surconcentration localisée de porteurs de même type que les porteurs majoritaires dans le substrat 1, à savoir des électrons dans le cas d'un substrat de type N et des trous 25 dans le cas d'un substrat de type P. Par matériau de passivation, on entend ici un matériau isolant ou semi-isolant, par exemple de conductivité électrique inférieure à 10-8 S.cm-1 à 25°C. Par ailleurs, les modes de réalisation décrits ci-dessus peuvent être adaptés à des composants verticaux de puissance 30 autres que des triacs, par exemple des thyristors, des transistors, des IGBT, etc. En outre, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas aux exemples représentés dans lesquels le composant comporte un mur diffusé s'étendant à la périphérie du composant 35 sur toute l'épaisseur du substrat. REVENDICATIONS1. Composant de puissance vertical comportant : un substrat (1) en silicium dopé d'un premier type de conductivité un caisson localisé (3) du second type de conductivité 5 s'étendant depuis une face supérieure du substrat ; et du côté de la face supérieure du substrat (1), une structure de passivation revêtant une région périphérique du substrat (1) entourant le caisson (3), ladite structure de passivation comportant, sur et en contact avec ladite région 10 périphérique de substrat, une première région (9) en un premier matériau de passivation et une deuxième région (31) en un deuxième matériau de passivation, la deuxième région (31) étant apte à générer des charges fixes positives à l'interface avec le silicium, de façon à générer, dans une région superficielle du 15 substrat (1) en contact avec ladite deuxième région, une augmentation localisée de la concentration des porteurs majoritaires dans le substrat (1). 2. Composant selon la revendication 1, dans lequel la deuxième région (31) est en silicium polycristallin semi-isolant 20 (SIPOS). 3. Composant selon la revendication 1, dans lequel la deuxième région (31) est en nitrure de silicium. 4. Composant selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la première région (9) est en oxyde de silicium. 25 5. Composant selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la première région (9) est en verre chargé en plomb. 6. Composant selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel l'une des première (9) et deuxième (31) régions 30 de la structure de passivation est une couche revêtant ladite région périphérique du substrat (1), interrompue par une ouverture annulaire disposée en regard d'une partie centrale de ladite région périphérique du substrat (1), l'autre région de la 3049769 B15069 - 15-T0-0746FR02 15 structure de passivation étant une bande annulaire disposée dans ladite ouverture. 7. Procédé de fabrication d'un composant de puissance vertical dans et sur un substrat (1) en silicium dopé d'un premier 5 type de conductivité, comportant les étapes suivantes : former un caisson localisé (3) du second type de conductivité s'étendant depuis une face supérieure du substrat ; et former, du côté de la face supérieure du substrat, une 10 structure de passivation revêtant une région périphérique du substrat (1) entourant le caisson (3), ladite structure de passivation comportant, sur et en contact avec ladite région périphérique de substrat, une première région (9) en un premier matériau de passivation et une deuxième région (31) en un deuxième 15 matériau de passivation, la deuxième région (31) étant apte à générer des charges fixes positives à l'interface avec le silicium, de façon à générer, dans une région superficielle du substrat (1) en contact avec ladite deuxième région, une augmentation localisée de la concentration des porteurs 20 majoritaires dans le substrat (1). 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel la deuxième région (31) est en silicium polycristallin semi-isolant (SIPOS), la formation de la deuxième région (31) comprenant une étape de dépôt de silicium polycristallin semi-isolant (SIPOS) à 25 la surface de ladite région périphérique du substrat (1), suivie d'une étape de recuit à une température comprise entre 200 et 400°C, ou à une température supérieure à 700°C. 9. Procédé selon la revendication 7, dans lequel la deuxième région (31) est en nitrure de silicium, la formation de 30 la deuxième région (31) comprenant une étape de dépôt de nitrure de silicium à la surface de ladite région périphérique du substrat (1), par dépôt chimique en phase vapeur sous un flux gazeux comprenant un mélange de silane (SiH4) et d'ammoniac (NH3), avec un rapport R entre le taux d'ammoniac et le taux de silane dans 35 le mélange inférieur à 100 ou supérieur à 900.