Brevet FR3061606A1 — publié le 20180706

Procédé d'ablation laser de couches minces pour la réalisation de modules photovoltaïques serai-transparents 3 La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication de modules photovoltaïques par ablation laser de cellules photovoltaïques en couches minces. Elle vise plus spécialement un procédé laser permettant l'obtention de cellules photovoltaïques semi-transparentes dont le taux de transparence est obtenu par la 10 création d'un réseau plus ou moins dense de zones de transparences géométriques dans la structure desdites couches minces. ETAT DE LA TECHNIQUE 15 On distingue dans la littérature plusieurs familles de matériaux photovoltaïques tels que les matériaux solides cristallisés, les matériaux à petites molécules organique, les couches minces solides. Les couches minces solides sont particulièrement adaptées à la technologie photovoltaïque serai-transparente dtr fait de leurs très faibles épaisseurs. Les temps de mise en oeuvre du procédé selon ladite 20 technologie en sont considérablement réduits. Les dispositifs photovoltaïques en couches minces sont composés d'un empilement de plusieurs couches de matériaux, d'épaisseurs pouvant aller de quelques nanornètres à quelques micromètres. Le matériau absorbant la lumière peut être du silicium amorphe ou un alliage de cuivre, d'indium, de galium et de sélénium selon les 25 technologies. Le matériau photovoltaïque qui résulte dudit alliage est appelé ci après « CIGS ». Dans la technokxjle à couches minces CIGS, la cellule photovoltaïque est composée : - d'un substrat transparent, par exemple du verre ou un polymère (d'épaisseur comprise entre quelques centaines de pm à environ 3mm); 3061606 2 - d'une électrode en face arrière composée d'une fine couche métallique par exemple du molybdène (Mc) Jouant te rôle de contact arrière. Cette électrode est aussi appelée « back contact » (BC) en terminologie anglo-saxonne; - d'une couche photo-active généralement appelée « absorbeur », par 5 exemple du CIGS (épaisseur d'environ 1.2 lm); - d'une couche tampon appelée aussi « Buffer Layer » en terminologie anglo-saxonne, constituée par exemple par du sulfure de cadmium (OIS) ou du sulfure d'indium (1n2S3) (épaisseur de quelques dizaines de nm); - d'une électrode transparente en face avant appelée ee front contact » en 10 terminologie anglo-saxonne, généralement un oxyde métallique transparent par exemple de l'oxyde de zinc (Zno). La transparence des cellules photovoltaïques est très recherchée dans l'industrie du bâtiment. Elle peut être obtenue par des procédés de gravure, de 15 lithographie etjou d'ablation laser. La transparence obtenue par lithographie permet d'obtenir d'excellents résultats mais le procédé de lithographie associé est lent et couteux en termes d'investissement. Ce procédé comporte plusieurs étapes d'Insolation et de gravure selon les différentes couches (gravures par voie sèche ou par voie humkle avec une chimie adaptée), Les étapes sont successives et peuvent 20 englober Jusqu'à 8 étapes. De plus, ce procédé est difficile à mettre en oeuvre sur des grandes surfaces (supérieures au mètre carré) qui sont nécessaires au monde du bâtiment. La transparence obtenue par ablation laser présente quant à elle de nombreux 25 avantages : - une plus grande simplicité de mise en oeuvre, - un investissement moins coûteux, - des cadences de production plus élevées. 30 L'état de la technique fait apparaftre des méthodes d'ablation laser de couches successives tel que décrites dans te brevet de Nexpower (L 2009/0151783 Al). La 3061606 3 méthode d'ablabbn laser décrite dans ce brevet pour limiter les court-circuit entre couches associe un laser et un masque pour réaliser des trous de diamètres différents dans les différentes couches. Cependant, ce document ne précise pas la nature du laser utilisé ni les dimensions recherchées. L'état de la technique fait également apparaître des procédés réalisant des gravures fines ( 100i.xn). Cependant, dans le cas de vitrages photovoltaiques, lorsqu'elles sont réalisées 10 selon un motif en bandes par exemple, les zones de transparence peuvent présenter une largeur importante de l'ordre de quelques millimètres. Deux types de laser peuvent être utilisés pour réaliser ce type d'ablation : les lasers à impulsion courtes tels que les lasers picosecondes et femto secondes, et les lasers à Impulsions plus longues tels que les lasers nanosecondes. Les faisceaux des lasers picosecondes et femto secondes ont 15 un diamètre inférieur à la centaine de microns et de fait ne sont pas adaptés en termes de cadences de production pour la réalisation de zones de transparence à larges bandes (>100 pm). Par exemple, un laser de diamètre 50 prn nécessiterait plus de dix passes de gravures pour obtenir une bande transparente de 500 pm de large, En conséquence, la cadence d'un procédé utilisant un tel laser serait très faible. 20 Les iasers nanosecondes, dont le faisceau peut être mis en forme pour l'obtention d'un diamètre supérieur à 100 pm, présentent quant à eux la particularité de concentrer des énergies très importantes pouvant induire un effet thermique néfaste entretient une dégradation des couches minces impactées. Cette dégradation se traduit en général par l'apparition de résistances de fuite appelées ci-après « shunt » 25 aux abords des zones gravées. Ces shunts sont à l'origine de la baisse des performances des cellules photovoltaîques ayant subi des ablations lasers dans le but de les rendre serrer-transparentes. En effet, les shunts ont un impact direct sur la tension en circuit ouvert (Voc) et donc sur la puissance électrique produite par le module photovoltaïque composé 30 desdites cellules photovoltaîques connectées en mode série et/ou parallèle, Dans la 3061606 4 suite du document, le terme module photovoltaïque se réfère è une pluralité de cellules photovoltaïques connectées entre elles en mode série et/ou parallèle. BUT DE L'INVENTION s De façon générale, la présente invention vise à proposer un procédé de fabrication permettant de maximiser les performances des modules photovoltaïques serti-transparents en minimisant l'apparition des shunts au sein des cellules photovoltaïques ablatées, tout en permettant une cadence de production élevée. oftlers DE L'INVENTION Lliwention a pour objet général un procédé d'ablation laser en plusieurs étapes. La première étape a pour objectif la création d'un réseau plus ou moins dense de zones i s de transparences géométriques dans la structure desdites couches minces. Les étapes suivantes ont pour objectif de supprimer les shunts générés par la première étape. L'invention a plus spécifiquement pour objet un procédé de fabrication de modules photovoltaïques serai-transparents par ablation laser de couches minces, lesdits modules comportant au moins un substrat transparent, un premier matériau 20 électriquement conducteur déposé sur une des faces dudit substrat transparent et jouant le aile de contact arrière, une couche photo-active appelée absorbeur déposée sur ledit premier matériau conducteur, une couche tampon optionnelle, et un second matériau électriquement conducteur jouant le rôle de contact avant, le procédé comportant les opérations de gravure laser suivantes 25 - une première étape consistant à graver à l'aide d'un premier faisceau laser de fluence Fi une première tranchée de largeur Ll par ablation simultanée des couches de matériau situées au-dessus du substrat, une deuxième étape consistant à graver à l'aide d'un deuxième faisceau laser de fluente F2 une deuxième tranchée de largeur 12 sur un premier bard de la 30 première tranchée, par ablation simultanée de la couche d'absorbeur, de la couche tampon éventuelle, et de la couche du contact avant, 3061606 5 une troisième étape consistant à graver à l'aide d'un troisième faisceau laser de fluence F3 une troisième tranchée de largeur L3 sur un second bord de la première tranchée, par ablation simultanée dudit absorbeur de la couche tampon éventuelle et de la couche du contact avant, 5 le procédé étant caractérisé en ce que les fiuences Fe F2 et F-3 des trois faisceaux laser sont choisies telles que F2 L2 et Li > Dans le cas de l'application du procédé à un module en CIGS, les cellules en couches minces comportent au moins - un substrat transparent par exemple du verre ou un polymère (d'épaisseur comprise entre quelques centaines de pm à environ 3rnm), un premier matériau conducteur par exemple une électrode métallique en face amère composée au moins d'une fine couche de molybdène (Mo) jouant le rôle de contact arrière aussi appelée « back contact » (BC), une couche photo-active généralement appelée « absorbeur » par exemple du CIGS (1-2 hum), une couche tampon appelée aussi « Buffer Layer * par exemple du sulfure de cadmium (CdS) ou du sulfure d'Indium (In253) (épaisseur de quelques dizaines de nm), - un second matériau conducteur tel qu'une électrode transparente en face avant appelée « front contact » généralement un oxyde métallique transparent par exemple de l'oxyde de zinc (2n0). La première étape a pour objectif la création d'un réseau plus ou moins dense de zones de transparences géométriques dans la structure desdites couches minces. 30 Avantageusement, l'ablation laser s'effectue au travers du substrat permettant ainsi une expulsion plus facile de la matière comparée aux techniques classiques de gravure 3061606 6 laser. L'expulsion se fait donc du contact arrière vers le contact avant. Le rayonnement laser est principalement absorbé dans le ledit contact arrière qui expulse les couches supérieures lors de son ablation. Avantageusement, l'ablation s'effectue au travers d'un substrat de verre afin de permettre une meilleure expulsion des poussières et de 5 permettre de limiter la conicité des trous obtenus lorsque la gravure est réalisée en face avant. Les deuxièmes et troisièmes étapes ont pour objectif de supprimer les shunts générés par la première étape sur les bords de ladite première tranchée. Les fluences mises en jeu sont telles que F2 5pm et L3 > 5pm. En particulier, par exemple pour 20 une ablation laser de fluence Fi = 3.5 .3/cme' pour une largeur Li de lmm, la zone thermique affectée s'étend sur une largeur environ égale à 160pm. Les largeurs des deuxième et troisièmes tranchées doivent donc être supérieure à 160prn c'est-à-dire L2> 160 prn et L3> 160 pm. Les deuxième et troisième étapes n'induisent pas de modification physico25 chimique du substrat et de l'électrode arrière car les zones de focalisation du laser sont dans l'absorbeur, la couche tampon et le contact avant L'énergie du faisceau laser traversant le substrat n'est donc pas focalisée dans le substrat ni dans l'électrode arrière et n'induit pas de modification de leur structure. L'énergie reçue par unité surface par le substrat et par les couches 2,3,4 et 5 qui subsistent est inférieure à l'énergie seuil par unité de surface générant une modification physico chimique. 3061606 7 Les deuxième et troisième étapes permettent de conserver le contact arrière sur les largeurs L2 et 1-3 tout en retirant les couches supérieures et évitent ainsi la formation de court-circuit entre les électrodes avant et arrière. Les tranchées sont fermées par une pluralité de tirs laser formant un sillon 5 continu. Les tirs laser sont réalisés selon des Impacts se recouvrant partiellement afin de former une tranchée uniforme. Le recouvrement partiel des impacts est défini par la surface commune d'un ou de plusieurs impacts. Lorsque les tranchées sont des lignes ou des courbes faiblement incurvées et que l'énergie du tir laser est répartie de manière uniforme, les zones thermiques affectées sont de largeur équivalente de part I o et d'autre de la première tranchée. Les largeurs de la deuxième et de la troisième tranchée sont idéalement égales. Il faut dans ce cas utiliser le même laser avec la même fluence (F2-.= F3) pour la deuxième et la troisième étape. Les lasers peuvent être des lasers nanosecondes ou picoseconcles. 15 Avantageusement, les faisceaux laser sont de type dg top-hat c'est-à-dire avec un profil d'intensité rectangulaire au niveau de la zone de focalisation. Les lasers de la première, deuxième et troisième étape peuvent être les mêmes lasers ou des lasers différents. La longueur d'onde principale desdits lasers est comprise entre 800 et 1200 nm (lasers Infra-rouges) ou entre 500 et S6Onin (lasers verts). 20 Avantageusement, la première étape d'ablation laser est réalisé avec un laser nanoseconde infra-rouge dont la fluente Fi est comprise entre 2 et 1031cm2. La deuxième et la troisième étapes sont réalisées avec un laser nanoseconde infra-rouge dont les fluentes F2 et h sontt comprises entre 0.8 et 2)/cm2. Selon un mode de réalisation du procédé, le recouvrement partiel des impacts 25 des tirs laser de la deuxième et de la troisième étape est identique. Selon un mode de réalisation du procédé, le substrat transparent est en verre ou en polymère, par exemple de type PMMA, PET ou poly-imIde. Selon un mode de réalisation du procédé, fabsorbeur est un alliage de cuivre, d'indium et de sélénium (CIS) ou un alliage de cuivre, d'indium, de galium et de 30 sélénium (CILS). La couche tampon est du sulfure de cadmium (CdS) ou du sulfure dlndium (In2S3) ou du sulfure de zinc (ZnS). 3061606 8 DESCRIPTION DEIAILLEE L'invention est maintenant décrite plus en détail à l'aide de la description des figures 1 à 7. 5 La figure lA représente un schéma d'une vue en coupe d'une portion de cellule photovoltaïque à base de CIGS. La figure 18 représente un schéma d'une vue en coupe d'une portion de cellule photovoltaïque à base de CIGS traversée par un faisceau laser focalisant au sein des zones à graver, 10 La figure 2A représente un schéma d'une vue en coupe d'une portion de cellule photovoliziïque à base de CIGS dont la zone centrale a été abiatée. La figure 28 représente un schéma d'une vue de dessus d'une portion de cellule photovoltaïque à base de CIGS dont la zone centrale a été ablatée comme représenté en figure 2A. 5 La figure 3A représente un schéma d'une vue en coupe d'une portion de cellule photovoltaïque à base de CIGS dont une deuxième zone a été ablatée. La figure 38 représente un schéma d'une vue de dessus d'une portion de cellule photovoltaïque à base de CIGS dont une deuxième zone a été ablatée comme représenté en figure 3A. 20 La figure 4A représente un schéma d'une vue en coupe d'une portion de cellule photovoltaïque à base de CIGS dont une deuxième zone a été ablatée. La figure 48 représente un schéma d'une vue de dessus d'une portion de cellule photovoltaïque à base de CIGS dont une deuxième zone a été ablatée comme représenté en figure 4A. 25 Les figures SA, 56 et 5C sont des schémas explicitant la formation de tranchées par tirs lasers successifs. La figure 6A est un schéma représentant un exemple de module photovoltaïque après réalisation de zones de transparence en bandes. La figure 68 est un schéma représentant un exemple de module photovoltaïque 30 après réalisation de zones de transparence en courbes continues. 3061606 9 La figure 7 est une courbe IV de mesure des performances électriques illustrant les améliorations obtenues grâce au procédé selon la présente invention. La cellule photovoltaïque de la figure lA est composée S - d'un substrat 1 en verre, - d'une première électrode 2 en face arrière constituée au moins d'une fine couche métallique, par exemple en molybdène, - d'une couche photo-active 3 ou absorbeur, constituée par exemple de CIGS, - d'une couche tampon 4 constituée par exemple de sulfure d'indium ou de 10 sulfure de cadmium. Cette couche est optionnelle. - d'une seconde électrode 5 en face avant, constituée d'un oxyde métallique transparent, par exemple l'oxyde de zinc. Dans une première étape du procédé, un faisceau laser 10 d'une nuance Fi représenté dans la figure 113 traverse le substrat 1 et se focalise le long des bords 61 15 et 62 au sein des couches 2, 3, 4 et S. L'interaction entre le faisceau laser 10 et la matière des couches 2,3,4,5 a pour effet de réaliser l'ablation desdites couches pour former une première tranchée 6 de largeur Li, délimitée par ses bords 61, 62, comme cela est visible en figure 2A. Avantageusement, le faisceau laser 10 est absorbé principalement dans la couche 20 d'électrode 2 et permet l'expulsion de la matière vers l'extérieur de la cellule de la couche 2 vers la couche 5 comme Illustré par le sens de la flèche 60. La figure 28 permet de se rendre compte de la transparence ainsi générée par cette première étape. En vue de dessus de la cellule, on observe une tranchée 6 au fond de laquelle reste uniquement le substrat transparent 1, et de part et d'autre de 25 ladite tranchée, on observe les couches de la cellule photovoltaïque non gravées. Compte tenu de sa puissance, le faisceau laser 10 a pu affecter les matériaux des couches 2,3,4,S jouxtant la tranchée 6, et créer des court-circuit localisés entre ces couches 2,3,4,5, le long des bords de la tranchée 6. Afin de supprimer ces court-circuit, on procède à deux autres tirs laser comme expliqué cl-dessous. 30 Dans une deuxième étape, un faisceau laser plus fin et moins puissant (non représenté) que le premier tir, d'une fluente F2, est appliqué le long du bord 61 de la 3 06 16 06 10 tranchée 6. Il est réglé pour traverser le substrat 1 et le contact arrière 2 et pour se focaliser dans les couches 3, 4, 5 de la première tranchée 6, le long de son bord 61, afin d'extraire la matière qui a été thermiquement affectée dans les couches 3,4,5 responsables des shunts. 5 Le résultat de cette deuxième ablation, représenté schématiquement aux figures 3A et 38, est une deuxième tranchée (7) éliminant le bord 61 de la tranchée 6 initiale au niveau des couches 3,4,5. Avantageusement, la largeur 1.2 de ladite deuxième tranchée 7 est calculée pour être légèrement supérieure à la largeur de la zone thermiquement affectée par la première ablation laser le long du bord (61). Comme la 10 fluence F2 du second faisceau laser est inférieure è la fluence du premier faisceau, le second faisceau laser ne détruit pas la couche d'électrode 2, de sorte qu'il reste au niveau du bord 61 de la tranchée 6, une zone 63 de la couche 2 non ablatée. Dans une troisième étape, on procède comme dans la deuxième étape, pour enlever les shunts éventuels de long du bord 62 de la tranchée 6. A cet effet, un 15 faisceau laser (non représenté) d'une fluente Fe traverse le substrat 1 et le contact arrière 2 et se focalise dans les couches 3, 4, 51e long de l'autre bord 62 de la première tranchée 6, afin d'extraire la matière qui a été thermiquement affectée dans les couches 3, 4, 5 responsables des shunts. Le résultat de cette troisième ablation, représenté schématiquement aux figures 20 4A et 48, est une troisième tranchée 8 similaire à la seconde tranchée 7. Avantageusement, la largeur 1-3 de ladite troisième tranchée 8 est supérieure è la largeur de la zone thermiquement affectée par la première ablation laser. La figura 48 permet de visualiser la zone de transparence au travers du substrat de verre 1 via la première tranchée et une portion de la couche métallique de molybdène 2 de part et 25 d'autre de la première tranchée 6. De préférence, les tranchées 6,7,8 sont réalisées grâce à des tirs lasers successifs se recouvrant partiellement, afin d'éviter qu'il ne reste des zones de shunt. La figure SA représente une succession de tirs laser formant une tranchée simple. Une tranchée simple se définit comme un sillon continu formé par une continuité de 30 tirs lasers se recouvrant partiellement avec uniquement deux tirs voisins. Par exemple, un tir laser 11 se superpose avec un deuxième tir laser 12 selon un recouvrement 3 06 1606 11 partiel 112 défini par son pourcentage de recouvrement Le troisième tir 13 se superpose avec le deuxième tir laser 12 selon un recouvrement partiel 113. Le deuxième tir laser 12 ne se recouvre qu'avec le premier tir laser 11 et le troisième tir laser 13. Le résultat obtenu par ces tirs laser formant une tranchée simple peut être 5 une ligne droite comme dans l'exemple de la figure 5A, ou une ligne incut-vée comme dans l'exemple de la figure 58. Des tranchées multiples peuvent être réalisées à partir du même principe, plusieurs tranchées simples sont alors combinées. Dans l'exemple de la figure 5C, trois tranchées débutant par le tir 11 pour la première tranchée, par le tir 21 pour la 10 deuxième tranchée, et par le tir 31 pour la troisième tranchée, se recouvrent partiellement pour former une tranchée multiple dont la largeur dépend du diamètre du faisceau laser et du taux de recouvrement entre les tranchées. Les tranchées permettent de réaliser dans les cellules photovoltaïques des zones de transparence en bandes rectilignes comme le schématise la figure 6A, ou des zones 15 de transparence ayant la forme de lignes courbes continues, dont un exemple est représenté à la figure 613. EXEMPLE DE REALISATION 20 Le procédé objet de l'invention a fait l'objet d'un test pratique, réalisé dans le but de produire des modules photovoltaïques ayant 50% de transparence obtenue avec des tranchées rectilignes transparentes de largeur totale (Li-i-L2+L3) de 4mm. la filière technologique utilisée Misait appel à des couches minces à base de cre. Le résultat est illustré en figure Z qui décrit deux courbes IV de mesure des 25 performances électriques obtenues. La première courbe IV 100 représente les performances obtenues dans le cas d'une transparence réalisée par une unique étape de gravure (Li=4mm), conformément à l'état de la technique, avec un laser nanoseconde infrarouge de fluence Fi. La tension de circuit ouvert Voc est représentée en abscisse, le courant est 30 en ordonnée. La droite 101 représente la tangente à la courbe 100. Comme cela est 3061606 12 connu de l'homme du métier, la tangente est un Indicateur de la performance de la cellule photovoltaïque en termes de Voc. La seconde courbe IV 300 représente les performances d'un module photovoltaïque dont la zone de transparence (L1+1.2+13=4mm) a été obtenue par le $ procédé en trois étapes de gravure laser selon l'invention, avec le même laser et 3 étapes de gravure mettant en oeuvre des fluente Fi et Fr=a La droite 301 représente la tangente à la courbe 300 et est un indicateur de la performance du module. La tangente 301 est plus parallèle à l'axe des abscisses que la tangente 1011 ce qui de façon connue signifie que les performances du module réalisé selon le procédé de 10 l'invention sont bien meilleures. REVENDICATIONS1 - Procédé de fabrication de modules photovoltaïques semi-transparents par ablation laser de couches minces, lesdits modules comportant au moins un 5 substrat (1) transparent, un premier matériau électriquement conducteur (2) déposé sur une des faces dudit substrat transparent (1) et jouant le rôle de contact arrière, une couche photo-active appelée absorbeur (3) déposée sur ledit premier matériau conducteur (2), une couche tampon (4) optionnelle, et un second matériau électriquement conducteur (5) jouant le rôle de contact avant, le procédé 10 comportant les opérations de gravure laser suivantes : - une première étape consistant à graver à l'aide d'un premier faisceau laser de fluence F1 une première tranchée (6) de largeur L1 par ablation simultanée des couches de matériau (2, 3,4,5) situées au-dessus du substrat (1), - une deuxième étape consistant à graver à l'aide d'un deuxième faisceau 15 laser de fluence F2 une deuxième tranchée (7) de largeur L2 sur un premier bord (61) de la première tranchée (6), par ablation simultanée de la couche (3) d'absorbeur, de la couche tampon (4) et de la couche (5) du contact avant, - une troisième étape consistant à graver à l'aide d'un troisième faisceau laser de fluence F3 une troisième tranchée de largeur L3 sur un second bord (62) de 20 la première tranchée (6), par ablation simultanée dudit absorbeur (3) de la couche tampon (4) et de la couche (5) du contact avant (5), - le procédé étant caractérisé en ce que les fluences F1, F2 et F3 des trois faisceaux laser sont choisies telles que F2 2 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les valeurs des fluences F2 et F3 sont en outre choisies pour que les deuxième et troisième étapes de gravure laser n'induisent pas de modification physico-chimique des bords des seconde et troisième tranchées (7,8). 3061606 14 3 - Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que les largeurs des trois tranchées (6,7,8) correspondant aux trois étapes de gravure laser sont telles que > L et L1 > L3. 4 - Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que toutes les opérations de gravure laser des couches minces (2,3,4,5) sont réaliste à travers le substrat transparent (1). S - Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, 10 caractérisé en ce que les trois tranchées (6,7,8) sont formées par une succession de tirs laser formant un sillon continue 6 - Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les tirs laser successifs sont réalisés selon des impacts qui se 1$ recouvrent partiellement. 7 - Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que le recouvrement partiel des impacts des tirs laser de la deuxième et de la troisième étape est identique. 20 8 - Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que lesdits faisceaux laser sont de type « top hat ». 9 Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la longueur d'onde principale des lasers utilisés est comprise 25 entre 800 et 1200 nm. - Procédé selon les revendications 1 à 8, caractérisé en ce que la longueur d'onde principale des lasers utilisés est comprise entre 500 et 560 nm. 3061606 11 - Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les premier, deuxième et troisième faisceaux lasers sont issus d'un seul et même laser nanoseconde. 5 12 - Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les fluences F2, F3 des faisceaux laser utilisés pour les deuxième et troisième étapes sont égales. 13 - Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, 10 caractérisé en ce que l'opération de gravure de la première étape est réalisée à l'aide d'un laser ayant une fluence F1 comprise entre 2 et 10 J/cm2. 14 - Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les opérations de gravure des deuxième et troisième étapes 15 sont réalisées à l'aide d'un faisceau laser ayant des fluences F2, F3 comprises entre 0.8 et 2 3/cm2. 15 - Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le substrat transparent (1) est en verre ou en polymère, par 20 exemple de type PMMA, PET ou poly-imide. 16 - Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit contact arrière (2) est une électrode métallique comprenant au moins un film de molybdène (Mo). 25 17 - Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit absorbeur (3) est un alliage de cuivre, d'indium et de sélénium (CIS) ou un alliage de cuivre, d'indium, de galium et de sélénium (CIGS). 3061606 16 18 - Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que ladite couche tampon (4) est du sulfure de cadmium (CdS) ou du sulfure d'indium (In2S3) ou du sulfure de zinc (ZnS). 5 19 - Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que matériau du contact avant (5) est un matériau transparent, par exemple un oxyde métallique transparent tel que l'oxyde de zinc (Zn0). 10 15