Brevet FR3057100A1 — publié le 20180406

DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention est relative à un condensateur film à très haute capacité, ainsi qu'à un procédé de fabrication d'un tel condensateur. ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L'INVENTION Un condensateur film est constitué de deux structures, en général métalliques, porteuses de charges, séparées par un isolant diélectrique. Cet isolant se présente sous la forme d'au moins un film, en général un film polymère autosupporté, qui est caractérisé par une épaisseur moyenne [ef] avec 0.05 [Inn 1. La capacité d'un condensateur film étant proportionnelle à Ef et inversement proportionnelle à ef, on peut obtenir un condensateur film de très haute capacité (ci-après dénommé en abrégé "CFTHC") en utilisant un isolant diélectrique de faible épaisseur (ef « 10 [Inn, le signe « « » signifiant "inférieur voire très inférieur à") et de permittivité diélectrique relative élevée (Ef » 10, le signe « » » signifiant "supérieur voire très supérieur à"). La rugosité de ce film et/ou la configuration de l'empilement décrit ci-dessus font que, dans la plupart des cas, des zones remplies d'air peuvent être présentes. Leur épaisseur reste cependant faible au regard de ef (s 1 [Inn et s 10% ef typiquement). Ce phénomène est connu et mis à profit dans le cas des condensateurs imprégnés où l'air est alors remplacé par un imprégnant, en général un liquide diélectrique de permittivité diélectrique relative [Ed proche de Ef (I Ef Ed 2 typiquement). Dans le cas des condensateurs non imprégnés (appelés "condensateurs secs"), l'air de permittivité diélectrique relative [£air] pratiquement égale à 1, se retrouve alors localement en série avec l'isolant diélectrique principal. Du fait de l'épaisseur effective des zones contenant l'air, cette présence dans l'empilement a peu d'influence sur le fonctionnement du condensateur lorsque Ef « 10. Mais ce n'est plus le cas dans un CFHTC où Ef » 10. Plus globalement, lorsque le gradient de fonctionnement devient élevé 50 V/urn), la présence de ces zones où les caractéristiques diélectriques sont différentes et généralement moindres vis à vis de celles de l'isolant 3057100 2 principal, peut entraîner des décharges partielles, voire des claquages intempestifs, dommageables pour le condensateur ou, a minima, pour ses performances (résistance d'isolement et courant de fuite typiquement). Et cela est d'autant plus vrai que Ef est élevée. 5 Par ailleurs, les dispositifs de stockage d'énergie électrique les plus courants sont les condensateurs, les supercondensateurs et les batteries. Les condensateurs sont de plusieurs types (film, céramique, électrochimique, etc.) mais stockent tous l'énergie par effet capacitif : la charge stockée [Q] est proportionnelle à la capacité [C] du dispositif de stockage et à la 10 tension [U] aux bornes de ce dispositif, de sorte que Q = C x U. Même si la tension peut être très élevée (U » 1000 V), la capacité est très faible (C « 1 F) et la quantité de charges stockées est donc également faible (Q « 10-3 Ah). Par contre, le temps de réponse [t] est très rapide (t « 10-3 s), ce qui permet au condensateur de répondre à des pics de puissance. 15 Le condensateur est donc rarement utilisé comme un dispositif de stockage d'énergie, ou seulement lorsque la quantité d'énergie en jeu est très faible et/ou la puissance demandée élevée (comme par exemple le flash d'une lampe). Les supercondensateurs sont des dispositifs électrochimiques qui 20 stockent l'énergie principalement par effet capacitif. De par leur nature électrochimique, la tension est faible (U « 10V). Par contre, de par leur structure, la capacité est très élevée (C » 1 F) et le temps de réponse est rapide (t z 1 s). Le supercondensateur est donc utilisé pour stocker une quantité 25 d'énergie ou de charges moyenne (Q z 1 Ah) à utiliser sur un temps court (quelques dizaines de secondes) ou sous des puissances élevées (comme le démarrage d'un moteur par exemple). Les batteries sont des dispositifs électrochimiques qui stockent l'énergie principalement par réaction électrochimique : la charge stockée est 30 proportionnelle à la quantité de matière qui réagit. De par leur nature électrochimique, la tension est faible (U « 10 V) et le temps de réponse lent (t » 1 s), mais la quantité de charges stockées peut être très élevée (Q » 10 Ah). La batterie est donc utilisée pour stocker une grande quantité 35 d'énergie (quelques milliers Ah) à utiliser sur un temps moyen à long (quelques 3057100 3 heures) et avec des appels de puissance modérés (comme le fonctionnement d'un moteur par exemple). Condensateurs et supercondensateurs ne faisant intervenir que des mouvements de charges, ils présentent des temps de réponse courts, un 5 comportement symétrique en charge et décharge, et une grande aptitude à répéter des cycles (plus de plusieurs millions de cycles typiquement). Ce n'est pas le cas des batteries où les charges se déplacent mais surtout participent à une réaction électrochimique. Cette dernière limite le temps de réponse, provoque une dissymétrie dans le comportement en charge et 10 décharge, et réduit fortement l'aptitude à répéter des cycles (moins de quelques milliers de cycles typiquement). Les condensateurs film à très haute capacité, à base de films diélectriques présentant des permittivités diélectriques relatives [E] très élevées (Ef 10), réalisent une rupture technologique. Ils présentent les avantages de 15 chacune des technologies de stockage d'énergie électrique citées plus haut (haute tension, temps de réponse rapide, quantité de charges élevée, forte aptitude à répéter des cycles), sans leurs inconvénients. Ils constituent en eux-mêmes une nouvelle classe de dispositifs pouvant remplacer chacun des dispositifs conventionnels de stockage d'énergie 20 électrique. En particulier, il est possible d'adapter les valeurs de Ef et ef au domaine d'application. Par exemple, dans le cas d'une application typique de batterie, on cherchera à obtenir une capacité surfacique très élevée, en utilisant une épaisseur faible (ef 2 [Inn) et une permittivité diélectrique relative très élevée 25 (Ef 2000). Dans ce cas, le dispositif aura une surface raisonnable, en accord avec les puissances demandées par l'application (il existe pour une technologie donnée une limite puissance/surface au-delà de laquelle la technologie n'est plus viable, en grande partie pour des raisons thermiques). Dans le cas d'une application typique de supercondensateur, où les 30 puissances demandées sont significativement supérieures alors que l'énergie demandée est moindre, il sera obligatoire de travailler avec des surfaces plus importantes. Cela nécessite donc d'utiliser un film diélectrique de plus forte épaisseur (1 [Inn s ef s 5 [Inn) ou de plus faible permittivité diélectrique relative (100 s Ef 2000). 35 Dans le cas d'une application typique de condensateur, où l'énergie n'est pas un critère mais où la tension de fonctionnement est souvent élevée, on 3057100 4 pourra travailler avec un film diélectrique de forte épaisseur (ef 5 [Inn) et de faible permittivité diélectrique relative (10 s Ef s 100) tout en gagnant en surface par rapport aux matériaux diélectriques conventionnellement utilisés. 5 RESUME DE L'INVENTION La conception des condensateurs film tels que décrits plus haut n'est pas adaptée pour des condensateurs film à très haute capacité [CFTHC] 10 utilisant des films diélectriques qui présentent des permittivités diélectriques relatives [E] très élevées (Ef 10), que ce soit dans une configuration sèche ou imprégnée. Dans les deux cas, l'existence inévitable de zones présentant des caractéristiques diélectriques très inférieures à celle du film diélectrique 15 principal empêche le fonctionnement correct du condensateur, en particulier : - en diminuant la capacité réelle via une diminution de la permittivité diélectrique relative locale ; - en augmentant le courant de fuite via la présence de décharges partielles locales ; 20 - en dégradant la tension de claquage via une diminution de la rigidité diélectrique locale. La présente invention vise à apporter une solution à ces problèmes. Un premier objet de la présente invention porte donc sur un 25 condensateur film de très haute capacité utilisant au moins un isolant diélectrique de permittivité relative Ef 10 et dans lequel la présence éventuelle de zones où la permittivité diélectrique relative est localement très inférieure à Ef n'entraîne pas de dégradation des performances du condensateur. Ainsi, un premier aspect de l'invention se rapporte à un 30 condensateur film à très haute capacité qui comporte une couche diélectrique constituée d'au moins un film diélectrique, chaque film diélectrique de cette couche diélectrique présentant les paramètres suivants : une permittivité diélectrique relative [Efi] telle que Efi 10, une épaisseur [ef'] telle que 0.05 [Inn s ef' s 50 [Inn, une rigidité diélectrique [Ef'] telle que Efi 50 V/urn, 3057100 5 paramètres dans lesquels "f' signifie "film" et i 1, "i" désignant le "iè"" film diélectrique de ladite couche diélectrique, cette couche diélectrique séparant une première structure porteuse de charges électroniques d'une deuxième structure porteuse de charges électroniques, ces deux structures ayant une surface en regard S séparée par la couche diélectrique, caractérisé par le fait que : A/ l'interface entre la couche diélectrique et la première structure répond aux exigences suivantes : - la portion de la surface en regard où ladite première structure est directement en contact avec ladite couche diélectrique est supérieure à 90%, - dans l'ensemble des zones de l'interface où la couche diélectrique n'est pas directement en contact avec ladite première structure, elles sont séparées localement par N épaisseurs (avec N 1) de diélectriques "parasites", chaque épaisseur présentant une permittivité diélectrique relative [Epi] et une rigidité diélectrique [Epi] qui vérifient la relation : Epi Epi Min(Efi Ef') où "p" signifie "épaisseur de diélectrique parasite" et "j" désigne la "e"" épaisseur, avec 1 j N, B/ l'interface entre la couche diélectrique et la deuxième structure répond aux exigences suivantes : - la portion de la surface en regard où ladite deuxième structure est directement en contact avec ladite couche diélectrique est supérieure à 90%, - dans l'ensemble des zones de l'interface où la couche diélectrique n'est pas directement en contact avec ladite deuxième structure, elles sont séparées localement par M épaisseurs (avec M 1) de diélectriques "parasites", chaque épaisseur présentant une permittivité diélectrique relative [Epk] et une rigidité diélectrique [Epk] qui vérifient la relation : epk Epk > min(efk Efk) où "p" signifie "épaisseur de diélectrique parasite" et "k" désigne la "0"" épaisseur, avec 1 k M, 3057100 6 avec la condition supplémentaire suivante : C/ quand ladite couche diélectrique est constituée de plus d'un film diélectrique, alors toute interface I entre deux films diélectriques satisfait aux conditions suivantes : - la portion de la surface en regard où les deux films diélectriques sont directement en contact est supérieure à 90%, - dans l'ensemble des zones de l'interface I où les deux films diélectriques ne sont pas directement en contact, ces films sont séparés localement par PI épaisseurs (avec PI 1) de diélectriques "parasites", chaque épaisseur présentant une permittivité diélectrique relative [Epe] et une rigidité diélectrique [Epe] qui vérifient la relation : El! El! Min(Ef' Ef') où "p" signifie "épaisseur de diélectrique parasite" et "e" désigne la "eiè"" épaisseur, avec 1 s ef Ef ; - l'on fait usage d'un film support métallisé sur ses deux faces, et 5 qu'à l'étape d), on fait coïncider la surface métallisée de ladite couche diélectrique avec celle d'une des faces de ladite couche de support ; - l'on fait usage d'un film support métallisé sur une de ses faces et qu'à l'étape d), on fait coïncider la surface métallisée de ladite couche diélectrique avec celle de ladite couche de support ; 10 - l'on utilise une couche de support dont la permittivité électrique relative [Ef] est inférieure ou égale à 10 ; - l'on procède à la mise en oeuvre de l'étape d) en opérant sous vide ou sous une pression inférieure ou égale à 10 mbar ; - à l'étape d), on procède à un plaquage d'un nouvel ensemble sur 15 le précédent en appliquant une pression, notamment via un rouleau presseur, ou par contrôle de l'angle d'embarrage ; - le procédé présente les étapes suivantes : a) on dépose ladite couche diélectrique sur un film de support constitué d'un feuillard métallique ; 20 b) on dépose l'ensemble issu de l'étape a) sur une couche diélectrique de support ; c) on dépose l'ensemble issu de l'étape b) sur un deuxième film de support constitué d'un feuillard métallique ; d) on procède au bobinage sur lui-même de l'ensemble issu de 25 l'étape c) ou à l'empilage de plusieurs ensembles issus de l'étape c) ; - lesdites couches diélectriques de support sont identiques ; - lesdits films de support sont des feuillards métalliques identiques ; - entre lesdites étapes a) et b), on soumet la face de ladite couche 30 diélectrique qui est restée libre, à une métallisation ; - entre lesdites étapes b) et c), on soumet la face de ladite couche diélectrique de support qui est restée libre, à une métallisation ; - l'on procède à la mise en oeuvre de l'étape d) en opérant sous vide ou sous une pression inférieure ou égale à 10 mbar ; 3057100 8 - à l'étape d), on procède à un plaquage d'un nouvel ensemble sur le précédent en appliquant une pression, notamment via un rouleau presseur, ou par contrôle de l'angle d'embarrage ; - l'on fait usage de feuillards poreux ; 5 - l'on fait usage de feuillards qui intègrent des fusibles ; - l'on procède à l'intégration desdits fusibles en faisant usage de l'une ou l'autre des techniques suivantes : a) enlèvement de matière audit feuillard, de sorte que la matière restante constitue lesdits fusibles, enlèvement qui est réalisé par une technique 10 telle que la vaporisation du métal, le poinçonnage ou le perçage mécanique du métal, la dissolution ou l'attaque chimique du métal ; b) ajout de matière audit feuillard, de sorte que la matière rajoutée constitue lesdits fusibles, ajout réalisé par une technique telle que la soudure, le brasage, le clinchage ou le matriçage. 15 BREVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront 20 à la lecture de la description suivante d'un mode de réalisation préféré de l'invention. Cette description est faite en référence aux dessins annexés dans lesquels : - la figure 1 est une vue tridimensionnelle et très schématique d'un condensateur film à très haute capacité (CFTHC) comprenant un seul film 25 diélectrique à titre de couche diélectrique, condensateur représenté selon une configuration dite "idéale"; - la figure 2 est une vue du condensateur de la figure 1, selon le plan de coupe P ; - la figure 3 est une vue analogue à la figure 1 dans laquelle le 30 condensateur est représenté selon une configuration réelle où des diélectriques "parasites" sont présents ; - la figure 4 est une vue du condensateur de la figure 3, selon le plan de coupe P ; - les figures 4a et 4b sont des vues agrandies des régions de la 35 figure 4 repérées par des cercles ; 3057100 9 - la figure 5 est une vue analogue à la figure 1, toujours dans une configuration idéale, la couche diélectrique étant constituée de plusieurs films diélectriques ; - la figure 6 est une vue du condensateur de la figure 5, selon le 5 plan de coupe P ; - la figure 7 est une vue analogue à la figure 5 dans laquelle le condensateur est représenté selon une configuration réelle où des diélectriques "parasites" sont présents ; - la figure 8 est une vue du condensateur de la figure 7, selon le 10 plan de coupe P ; - les figures 8a, 8b et 8c sont des vues agrandies des régions de la figure 8 repérées par des cercles ; - la figure 9 est une vue en coupe verticale d'un empilement obtenu à l'issue de la première étape de fabrication d'un condensateur film tel 15 que celui représenté dans les figures précédentes (avec un film diélectrique qui n'est pas autosupporté) ; - la figure 10 est une vue en coupe verticale d'un empilement obtenu à l'issue de la deuxième étape qui fait suite à celle illustrée à la figure 9 ; - la figure 11 est une vue en coupe verticale d'un empilement 20 obtenu à l'issue d'une variante de la deuxième étape illustrée à la figure 10 ; - la figure 12 est une vue en coupe verticale d'un empilement obtenu à l'issue de la première étape d'un autre mode de réalisation de fabrication d'un condensateur film tel que celui représenté sur les figures 1 à 8c ; - la figure 13 est une vue analogue à la figure 12, montrant une 25 variante de réalisation ; - la figure 14 est une vue en coupe verticale d'un empilement obtenu à l'issue de la deuxième étape qui fait suite à celle illustrée à la figure 12; - la figure 15 est une vue en coupe verticale d'un empilement 30 obtenu à l'issue de la deuxième étape qui fait suite à celle illustrée à la figure 13; - les figures 16 et 17 sont respectivement des vues en coupe verticale de variantes des empilements des figures 14 et 15 ; - la figure 18 est une vue en coupe verticale d'un film 35 autosupporté qui a été métallisé sur ses deux faces, obtenu à l'issue d'une première étape de fabrication d'un condensateur ; 3057100 10 - la figure 19 est une vue en coupe verticale d'un empilement obtenu à l'issue d'une étape qui fait suite à celle illustrée à la figure 18 ; - la figure 20 est une vue analogue à la figure 19 mais montrant une variante de réalisation du procédé issu de cette étape ; 5 - la figure 21 est aussi une vue analogue à la figure 19 montrant encore une autre variante ; - la figure 22 est une vue en coupe verticale d'un empilement obtenu selon un autre mode de réalisation ; - la figure 23 est une vue en coupe verticale du procédé obtenu à 10 l'issue d'une première étape d'une variante du mode de réalisation de la figure 22 ; - enfin, la figure 24 est une vue verticale de l'empilement obtenu suite à une seconde étape qui fait suite à l'étape de la figure 23. 15 DEFINITIONS Au sein de la présente demande et sauf mention contraire, les définitions suivantes seront valables. On appelle "condensateur tout film" un condensateur film dans 20 lequel les structures porteuses de charges électroniques (ci-après désignées en abrégé "SPCE") sont des feuilles métalliques indépendantes de la couche diélectrique. Les feuilles métalliques sont typiquement constituées d'aluminium ou de cuivre, ou de tout autre métal ou alliage métallique pouvant être mis sous forme de feuille d'épaisseur inférieure ou égale à 100 [Inn typiquement. 25 On appelle "condensateur film métallisé" un condensateur film dans lequel les SPCE sont des couches métalliques déposées sur au moins une face de la couche diélectrique. Le dépôt métallique est constitué notamment d'aluminium, de zinc, de cuivre, d'argent, d'or, de platine, de chrome, d'alliage de deux ou plus de ces métaux, de couches successivement déposées de ces 30 métaux ou alliages de métaux typiquement, ou de tout autre métal, alliage de métaux ou succession de couches métalliques pouvant être déposé selon une technique classique de métallisation, de type évaporation sous vide, dépôt physicochimique sous vide ou autre. L'un des intérêts majeurs de la technologie "film métallisé" est la 35 possibilité d'auto-régénération du condensateur en présence d'un défaut. Ainsi, lorsqu'un défaut devient critique, le condensateur part en "claquage", c'est-à-dire 3057100 11 qu'il se crée un court-circuit interne via le défaut entre les deux SPCE. Le condensateur n'est alors plus fonctionnel. La puissance très localisée dégagée par le court-circuit (qui prend généralement la forme d'un micro arc électrique) induit une démétallisation par vaporisation thermique des deux SPCE autour du 5 défaut. La distance d'établissement du court-circuit augmente donc au fur et à mesure de la démétallisation. A un certain moment (qui dépend de très nombreux paramètres dont la nature et l'épaisseur de la couche métallisée, la nature et l'épaisseur de la couche diélectrique, la nature "AC"(courant alternatif) ou "DC" (courant continu) et la valeur de la tension de fonctionnement, la 10 pression de bobinage, etc.), la distance d'établissement devient trop grande pour que le court-circuit se maintienne. Le claquage s'arrête et le condensateur redevient fonctionnel : il est "régénéré". Ce phénomène est pratiquement impossible dans un condensateur tout film car l'épaisseur des SPCE est trop importante par rapport à la puissance 15 locale disponible pour qu'il y ait une démétallisation suffisante autour du défaut. Par ailleurs, ce phénomène n'a rien de systématique dans un condensateur film métallisé : la puissance dégagée par le court-circuit ne fait pas que démétalliser les SPCE autour du défaut et elle échauffe également le volume de condensateur autour du défaut. Cette élévation de température peut déclencher un 20 phénomène d'avalanche thermique par écroulement des propriétés diélectriques (dont principalement la rigidité diélectrique) et thermomécaniques (on peut aller jusqu'à la fusion) des matériaux compris dans le volume impacté. Le défaut "diffuse" alors de proche en proche à travers le condensateur dont l'énergie totale devient insuffisante à régénérer le défaut. 25 On regroupe sous le terme "extrusion" tout procédé thermomécanique permettant de transformer une matière plastique au sens mécanique du terme en un film autosupporté ou non, via une technique de compression, passage par une filière, et éventuellement étirage et/ou réticulation et/ou dépôt sur un substrat. 30 On regroupe sous le terme "enduction" tout procédé de dépôt d'un film fluide sur un substrat, suivi généralement d'un séchage et éventuellement d'une réticulation, pour obtenir un film autosupporté ou non. On appelle "condensateur bobiné" tout condensateur film obtenu par bobinage d'une structure "SPCE 1 / Couche diélectrique 1 / SPCE 2 / Couche 35 diélectrique 2" sur elle-même. Il est à noter que les couches diélectriques 1 et 2 peuvent être réellement constituées de plusieurs films diélectriques distincts 3057100 12 bobinés en parallèle. "SPCE 1" et "SPCE 2" constituent alors les deux pôles électriquement isolés du condensateur. On appelle "condensateur stacké" (en anglais "stacked capacitor") ou "condensateur empilé", tout condensateur film obtenu par empilement d'une 5 structure "SPCE 1 / Couche diélectrique 1 / SPCE 2 / Couche diélectrique 2" sur elle-même. Il est à noter que les couches diélectriques 1 et 2 peuvent être réellement constituées de plusieurs films diélectriques distincts empilés les uns sur les autres. "SPCE 1" et "SPCE 2" constituent alors les deux pôles électriquement isolés du condensateur. 10 On étend ces deux dernières appellations au concept de "condensateur multipistes" (bobiné ou "stacké") pour lequel une ou plusieurs SPCE intermédiaires, isolées les unes des autres ainsi que de SPCE 1 et SPCE 2, et coplanaires à SPCE 1 ou SPCE 2, sont introduites dans la structure de telle sorte que chaque SPCE intermédiaire appartient à deux condensateurs et assure de 15 proche en proche la mise en série de l'ensemble des condensateurs ainsi formés entre les pôles principaux SPCE 1 et SPCE 2. L'intérêt d'une structure multipistes est d'optimiser la mise en série de condensateurs au sein même d'une structure bobinée ou "stackée" et donc, sans avoir à ajouter des moyens de conditionnement ou de connectique 20 supplémentaires. On remarquera que dans le cas où il y a un nombre impair de SPCE intermédiaires, SPCE 1 et SPCE 2 deviennent coplanaires dans la mesure où ils désignent les deux pôles du condensateur multipistes. Enfin, dans un condensateur bobiné, il existe plusieurs moyens de 25 contrôler la pression de bobinage afin de garantir un bon plaquage des films bobinés les uns sur les autres. Le premier est d'utiliser un rouleau presseur qui appuie avec une pression constante sur la bobine à l'endroit du bobinage. Cette pression est égale à la pression de bobinage et est constante sur l'ensemble de l'enroulement. 30 Le deuxième est de contrôler la pression de bobinage de chaque film bobiné par la tension de bobinage (via la force de traction exercée sur le film) et l'angle de bobinage (appelé aussi "angle d'embarrage"). La pression de bobinage est alors liée aux caractéristiques mécaniques de chaque film bobiné, ainsi qu'au rayon de bobinage, et varie donc non seulement d'un film bobiné à 35 l'autre, mais également au travers de l'enroulement. 3057100 13 DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION Un premier objet de la présente invention est un condensateur film à très haute capacité [CFTHC]. 5 Un exemple d'un tel CFTHC 1 est représenté à la figure 1 annexée. Ce condensateur 1 est formé d'au moins un film diélectrique 100, également appelé - couche » (en l'occurrence, un seul film 100a est représenté ici), qui sépare une première structure porteuse de charges 200 (en abrégé SPCE), d'une deuxième structure porteuse de charges 300. 10 Sur les figures, les SPCE 200 et 300 ont été représentées de telle manière qu'elles ne sont pas intégralement en regard l'une de l'autre. Cela constitue une représentation accentuée de ce qui se passe en réalité. En effet, même s'il existe généralement un décalage pour éviter les arcs électriques en bord de métallisation, ce décalage est bien moins grand que celui qui est 15 représenté. Idéalement, les zones d'interface entre le film diélectrique 100a et les deux SPCE sont dénuées de toute imperfection, de sorte que leur adhésion est parfaite. Mais cela ne représente qu'un cas théorique. 20 Dans la pratique et comme illustré à la figure 3, les faces en regard du film 100a et des deux SPCE sont irrégulières, de sorte qu'elles sont séparées localement par au moins une épaisseur de diélectrique parasite. En se reportant maintenant à la figure 4, on a représenté à simple titre d'exemple, deux zones Z1 et Z2 où l'on a affaire à au moins une épaisseur de 25 diélectrique parasite. Ainsi, la zone Z1 se situe à l'interface entre le film 100a et la SPCE supérieure 200. On y voit une première épaisseur de diélectrique parasite 400a intercalée entre une saillie présente à la surface de la SPCE 200 et un creux à la 30 surface du film 100a. On y distingue également, mais à un autre endroit, deux épaisseurs successives 400b et 400c au niveau de l'interface. Quant à la zone Z2, elle se situe à l'interface entre le film 100a et la SPCE inférieure 300. 3057100 14 On y voit une première épaisseur de diélectrique parasite 500a intercalée entre une saillie présente à la surface du film 100a et un creux à la surface de la SPCE 300. On y distingue également, mais à un autre endroit, deux épaisseurs 5 successives 500b et 500c au niveau de l'interface. Il s'agit bien sûr de vues d'artiste très simplifiées données à titre d'illustration. Ni la géométrie (largeur, épaisseur, forme, etc.), ni la position à l'interface, ni la constitution (une ou deux épaisseurs de diélectrique parasite) ne sont représentatives de la réalité. 10 Ces épaisseurs peuvent être constituées d'air et/ou de corps étrangers qui peuvent avoir une répercussion néfaste sur les paramètres du CFTHC ainsi constitué. Or, le présent demandeur a mis en avant le fait qu'il est possible d'obtenir un CFTHC de qualité pour autant que le film diélectrique 100a présente 15 les paramètres suivants : une permittivité diélectrique relative [E] telle que £ 1 0 , une épaisseur [e] telle que 0.05 [Inn s es 50 [Inn, une rigidité diélectrique [E] telle que E 50 V/urn, et que 20 A/ l'interface entre le film diélectrique 100a et la première structure 200 réponde aux exigences suivantes : - la portion de la surface en regard S où ladite première structure 200 est directement en contact avec ledit film diélectrique 100a est supérieure à 25 90%, - dans l'ensemble des zones de l'interface où le film diélectrique 100a n'est pas directement en contact avec ladite première structure 200, elles sont séparées localement par N épaisseurs (avec N 1) de diélectriques "parasites" 400a, ..., 400c, chaque épaisseur présentant une permittivité 30 diélectrique relative [Epi] et une rigidité diélectrique [Epi] qui vérifient la relation : Epi Epi > £ E où "p" signifie "épaisseur de diélectrique parasite" et "j" désigne la "e"" épaisseur, avec 1 j N, 35 3057100 15 B/ l'interface entre le film diélectrique 100 et la deuxième structure 300 réponde aux exigences suivantes : - la portion de la surface en regard S où ladite deuxième structure 300 est directement en contact avec le film diélectrique 100 est supérieure à 5 90%, - dans l'ensemble des zones de l'interface où le film diélectrique 100 n'est pas directement en contact avec ladite deuxième structure 300, elles sont séparées localement par M épaisseurs (avec M 1) de diélectriques "parasites" 500a,..., 500c, chaque épaisseur présentant une permittivité 10 diélectrique relative [Epi] et une rigidité diélectrique [Epi] qui vérifient la relation : Epk Epk £ E où "p" signifie "épaisseur de diélectrique parasite" et "k" désigne la "kiè"" épaisseur, avec 1 min(efk Efk) où "p" signifie "épaisseur de diélectrique parasite" et "k" désigne la "0"" épaisseur, avec 1 k M, 20 avec la condition supplémentaire suivante : C/ quand ladite couche diélectrique 100 est constituée de plus d'un film diélectrique 100i, alors toute interface I entre deux films diélectriques 25 100a satisfait aux conditions suivantes : - la portion de la surface en regard S où les deux films diélectriques 100a sont directement en contact est supérieure à 90%, - dans l'ensemble des zones de l'interface I où les deux films diélectriques 100a ne sont pas directement en contact, ces films sont séparés 30 localement par PI épaisseurs (avec PI 1) de diélectriques "parasites" 600, chaque épaisseur présentant une permittivité diélectrique relative [Epe] et une rigidité diélectrique [Epe] qui vérifient la relation : Epe Epe Min(Efi Ef') où "p" signifie "épaisseur de diélectrique parasite" et "e" désigne la 35 " eième" épaisseur, avec 1 s 3057100 18 En d'autres termes, la conception de l'empilement qui constitue le condensateur est faite pour que, dans la zone correspondant à la surface en regard des deux structures porteuses de charges, au mieux 100% de la surface d'un film diélectrique soit en contact soit avec une structure porteuse de charges 5 soit avec un autre film diélectrique, pour éviter la présence de zones diélectriques parasites aux différentes interfaces. L'avantage d'avoir une couche diélectrique constituée de plusieurs films diélectriques est de minimiser l'influence d'un défaut dans un film diélectrique. En effet, il est statistiquement peu probable que N défauts se 10 superposent dans un empilement de N films diélectriques (N 2). La présence d'un défaut dans un film diélectrique n'est donc pas rédhibitoire par rapport à l'empilement. En présence d'un film unique, le défaut est par nature rédhibitoire. On décrira ci-après un procédé qui permet d'obtenir un condensateur tel que présenté ci-dessus. 15 Exemple 1: Dans le cadre de cet exemple, on prend en compte les hypothèses suivantes : 20 - Le film diélectrique principal 100, de permittivité diélectrique Ef 10, n'est pas autosupporté. Il ne peut qu'être fabriqué, par extrusion ou enduction par exemple, selon une épaisseur 0.05 [Inn à 50 [Inn, sur une couche de support 101. - La couche de support 101 (figure 9) est un film diélectrique 25 métallisé sur au moins de ses faces, de permittivité diélectrique relative [Ef] et d'épaisseur [ef]. - Le film diélectrique 100 est déposé sur une face métallisée de la couche de support 101 de telle sorte que le film diélectrique 100 soit en contact direct avec la face métallisée de la couche de support 101, au sens défini plus 30 haut dans la description. - Le film diélectrique principal 100, avec sa couche de support 101, est capable de subir un procédé classique de métallisation, de type évaporation sous vide, par exemple. Dans l'ensemble de cet exemple et sur les figures 9 à 17, les faces 35 métallisées sont désignées M. 3057100 19 Ce procédé est mis en oeuvre par une première étape de métallisation de la face libre du film diélectrique principal 100 pour obtenir la configuration de base telle que définie plus haut dans la description. Ainsi, le film diélectrique 100 est directement en contact avec deux structures porteuses 5 de charges électroniques en regard. La figure 9 illustre le résultat de la mise en oeuvre de cette étape. Une deuxième étape consiste à fabriquer le condensateur lui-même. Pour cela, il faut bobiner sur lui-même le film diélectrique métallisé 100 10 pourvu de sa couche de support 101 ou empiler plusieurs structures identiques de ce type. Le caractère diélectrique de la couche de support 101 joue alors le rôle d'isolant complémentaire entre les deux SPCE (en l'occurrence les faces métallisées bobinées ou empilées). Il est donc nécessaire de respecter la relation 15 suivante : ef' Ef' > ef Ef pour que le condensateur puisse fonctionner indépendamment de tout claquage au travers de la couche de support 101. 20 Pour ce faire, une première variante consiste à utiliser une couche de support 101 métallisée sur ses deux faces opposées en prenant garde de faire coïncider la métallisation de la face libre avec celle du film diélectrique principal 100 (cela signifie que les métallisations sont mises en miroir l'une de l'autre). Ainsi, les deux faces métallisées coïncident au moment du bobinage ou 25 de l'empilage, de sorte qu'elles se comportent alors comme une seule et même SPCE. On peut se reporter à la figure 10 qui illustre le résultat de cette première variante mise en oeuvre en opérant un empilement. 30 Une deuxième variante consiste à utiliser une couche de support 101 qui est métallisée seulement sur une face. Dans ces conditions, la face non métallisée de la couche de support 101 n'est a priori pas en contact direct avec la face métallisée du film diélectrique 100, au sens défini plus haut dans la description. Des zones 35 diélectriques "parasites" peuvent donc exister au niveau de l'interface. 3057100 20 Dans ce cas, il est avantageux d'utiliser une couche de support 101 de permittivité diélectrique relative Ef s 10, tout en respectant les principes classiques de fabrication d'un condensateur film métallisé (traitement thermique par exemple). 5 La figure 11 illustre le résultat obtenu en mettant en oeuvre cette deuxième variante, dans le cadre d'un empilement. Il s'agit là encore d'une vue d'artiste très simplifiée donnée à titre d'illustration. En particulier, l'espacement représenté est exagéré et n'est pas représentatif de la réalité. 10 Une autre variante serait de prendre les précautions suivantes : Une première précaution est d'effectuer les opérations de bobinage ou d'empilage sous vide (pression s 10 mbar typiquement). Une deuxième précaution, indépendante de la précédente, est d'utiliser, à titre de couche métallisée ou en complément de celle-ci, des 15 feuillards métalliques poreux qui, en laissant échapper l'air au moment du bobinage ou de l'empilage, garantiront un contact direct entre SPCE et films diélectriques. Une troisième précaution, complémentaire des précédentes, est d'assurer un bon plaquage de chaque nouvelle couche sur les précédentes lors du 20 bobinage ou de l'empilage, par l'application d'une pression via un rouleau presseur par exemple, ou par un contrôle pertinent de l'angle d'embarrage dans la mise en oeuvre du bobinage. Exemple 2 : 25 Dans le cadre de cet exemple, on prend en compte les hypothèses suivantes : - Le film diélectrique principal 100, de Ef 10, n'est pas autosupporté. Il ne peut qu'être fabriqué, par extrusion ou enduction par 30 exemple, selon une épaisseur de 0.05 [Inn à 50 [Inn, sur une couche de support 300. - La couche de support 300 est un feuillard métallique. - Le film diélectrique 100 est déposé sur au moins une face de la couche de support 300, de telle sorte que le film diélectrique 100 soit en contact 35 direct avec le film de support 300, au sens défini plus haut dans la description. 3057100 21 - Le film diélectrique principal 100, avec sa couche de support 300, n'est a priori pas capable de subir de procédé classique de métallisation. A la figure 12 est représenté un tel film diélectrique reposant sur 5 un feuillard métallique 300, tandis qu'à la figure 13 est représenté la structure de la figure 12, reposant elle-même sur un autre film diélectrique 101. Il apparaît assez clairement que cette dernière configuration est très proche de la configuration précédente, si ce n'est que les films 100 et 300 sont à considérer comme une entité unique, et doit suivre les mêmes 10 recommandations que celle exprimées plus haut. On gagnera à utiliser comme films 101 et 301 (figure 14), un assemblage de même nature que les films 100 et 300, ce qui permet de doubler la capacité volumique du condensateur. Ceci est réalisé de fait si le film diélectrique 100 est déposé sur les deux faces de la couche de support 300, qui s'identifie alors au film 101. 15 A la figure 14 est représenté un empilement de plusieurs structures telle que celle représentée à la figure 12, tandis qu'à la figure 15 est représenté un empilement de plusieurs structures telle que celle représentée à la figure 13. Dans la figure 15, la SPCE 301, qui constitue le deuxième pôle du CFTHC, est représentée sans autre dépôt dans l'empilement, les films 20 diélectriques 100 et 101, chargés de l'isolation électrique entre les deux SPCE, étant déjà portés par l'autre SPCE 300. De nouveau, une variante importante réside dans le fait que le film diélectrique principal 100, avec son film support 300, est capable de subir un procédé classique de métallisation, de type évaporation sous vide par exemple. 25 Cette variante suit les mêmes recommandations que celles plus haut (recommandations décrites à la fin de l'exemple 1 - autre variante), que ce soit dans le cas d'une métallisation d'une face (comme le montre l'empilement de la figure 16) ou dans le cas d'une métallisation des deux faces (comme le montre l'empilement de la figure 17). Sur ces figures 16 et 17 comme pour la figure 24, 30 les couches sont représentées avec des ondulations pour représenter l'absence d'uniformité et de régularité de leur surface. Mais encore une fois, il s'agit simplement d'une vue de l'esprit. Dans les exemples qui ont été décrits plus haut, on a pris le cas 35 dans lequel le film diélectrique principal n'était pas autosupporté. 3057100 22 Or, on peut aussi fabriquer un condensateur film conforme à l'invention, avec un film diélectrique principal qui est autosupporté. Cet aspect sera décrit en détail ci-après, en référence aux figures 18 et suivantes. 5 Exemple 3 : Dans le cadre de cet exemple, on prend en compte les hypothèses suivantes : 10 - Le film diélectrique principal 100, de Ef 10, est autosupporté. Il peut être fabriqué, par extrusion ou enduction par exemple, selon une épaisseur de 0.05 [Inn à 50 [Inn. - Le film autosupporté est capable de subir un procédé classique de métallisation, de type évaporation sous vide par exemple. 15 Le procédé est mis en oeuvre par une première étape de métallisation des deux faces d'un film autosupporté 100 pour obtenir la configuration de base telle que définie plus haut dans la description. Ainsi, le film diélectrique est directement en contact avec deux structures porteuses de 20 charges électroniques en regard. La figure 18 illustre le résultat de la mise en oeuvre de cette étape. Sur cette figure et les suivantes, les couches de métallisation sont référencées M. 25 Une deuxième étape consiste à fabriquer le condensateur lui- même. Pour cela, il est nécessaire de bobiner le film diélectrique métallisé sur ses deux faces 100 ou empiler plusieurs structures identiques de ce type. Il est toutefois nécessaire d'isoler les deux faces métallisées l'une de l'autre lors du bobinage ou de l'empilage, par l'introduction d'un deuxième film diélectrique 30 200. Pour ce faire, une première variante consiste à utiliser un film diélectrique 200 métallisé sur ses deux faces en prenant garde de faire coïncider les faces métallisées (de telle sorte que les films sont mis en miroir l'un de l'autre). Ainsi, les deux faces qui coïncident au moment du bobinage ou de 35 l'empilage agissent alors comme une seule et même SPCE. 3057100 23 Dans ce cas, on prendra avantage du fait qu'utiliser des films 100 et 200 de même nature permet de doubler la capacité volumique du condensateur. En revanche, si l'on utilise un film diélectrique 200 de nature 5 différente (d'épaisseur [ef], et de rigidité diélectrique [Ef]), il faudra alors obligatoirement respecter la règle suivante : ef' Ef' > ef Ef de telle sorte que le condensateur puisse fonctionner indépendamment de tout claquage au travers du deuxième film diélectrique 200. 10 On peut se reporter à la figure 19 qui illustre le résultat de cette première variante mise en oeuvre dans le cadre d'un empilement. Une deuxième variante consiste à utiliser un film diélectrique 200 métallisé sur une seule face en prenant garde de faire coïncider la face 15 métallisée avec l'une de celles du film diélectrique 100. Ainsi, la métallisation du film diélectrique 200 est mise en miroir avec l'une des métallisations du film diélectrique 100, et les deux faces coïncidentes au moment du bobinage ou de l'empilage agissent alors comme une seule et même SPCE. Cependant, la face non métallisée du film diélectrique 200 n'est a 20 priori pas en contact direct avec la deuxième face métallisée du film diélectrique 100, au sens défini plus haut dans la description. Des zones diélectriques "parasites" peuvent donc exister à l'interface. Dans ce cas, il est avantageux d'utiliser un film diélectrique 200 de permittivité diélectrique relative Ef s 10 tout en respectant les principes 25 classiques de fabrication d'un condensateur film métallisé (traitement thermique par exemple). On peut se reporter à la figure 20 qui illustre le résultat de cette deuxième variante mise en oeuvre dans le cadre d'un empilement. Il s'agit là encore d'une vue d'artiste très simplifiée donnée à titre 30 d'illustration. En particulier, l'espacement représenté est exagéré et n'est pas représentatif de la réalité. Une autre variante serait d'utiliser les principes présentés plus haut, à la fin de l'exemple 1. 35 Une troisième variante consiste à utiliser un film diélectrique 200 non métallisé. 3057100 24 Dans ce cas, aucune des faces du film diélectrique 200 n'est a priori en contact direct avec les faces métallisées du film diélectrique 100, au sens défini plus haut dans la description. Des zones diélectriques "parasites" peuvent donc exister à chaque interface. 5 Dans ce cas, il est avantageux d'utiliser un film diélectrique 200 de permittivité diélectrique relative Ef s 10 tout en respectant les principes classiques de fabrication d'un condensateur film métallisé (traitement thermique par exemple). Le résultat de la mise en oeuvre de cette variante est illustré à la figure 21, avec les mêmes réserves de représentativité que celles relevées à la 10 figure 20. Une autre variante serait d'utiliser les principes présentés plus haut, à la fin de l'exemple 1. Exemple 4 : 15 Dans le cadre de cet exemple, on prend en compte les hypothèses suivantes : Le film diélectrique principal 100, de Ef 10, est autosupporté. On peut fabriquer des films de ce matériau, de 0.05 [Inn à 50 [Inn d'épaisseur [ef], par 20 extrusion ou par enduction par exemple. Le film diélectrique principal 100 n'est a priori pas capable de subir un procédé classique de métallisation. Le procédé est alors réalisé par bobinage (pour la version condensateur bobiné) ou par empilage (pour la version condensateur stacké) : 25 - d'un premier feuillard métallique 300 qui constitue la première SPCE, - d'un premier film diélectrique principal 100, - d'un deuxième feuillard métallique 400 qui constitue la deuxième SPCE, 30 - d'un deuxième film diélectrique 200 (d'épaisseur [ef], et de rigidité diélectrique [Ef]) pour isoler les deux SPCE. Dans le cas d'un empilement, on obtient alors une structure telle que celle représentée à la figure 22. 35 Il est avantageux d'utiliser des films 100 et 200 de même nature, ce qui permet de doubler la capacité volumique du condensateur. Si l'on utilise 3057100 25 un film diélectrique 200 de nature différente (d'épaisseur [ef], et de rigidité diélectrique [Ef]), il faudra obligatoirement respecter la règle suivante : ef' Ef' > ef Ef de telle sorte que le condensateur puisse fonctionner 5 indépendamment de tout claquage au travers du film diélectrique 200. Une autre possibilité est d'utiliser les principes présentés plus haut, à la fin de l'exemple 1. Une variante est envisageable quand le film diélectrique principal 100 est capable de subir un procédé classique de métallisation, de type 10 évaporation sous vide par exemple. En effet, l'utilisation d'une configuration condensateur tout film peut être rendue nécessaire si la puissance demandée par l'application est trop importante pour être transportée par une simple métallisation. Dans ce cas, le procédé selon l'invention est réalisé par 15 métallisation des deux faces du film diélectrique principal 100 pour obtenir la configuration de base telle que définie plus haut dans la description. Ainsi, un film diélectrique est directement en contact avec deux SPCE en regard. Le procédé issu de cette étape est représenté à la figure 23. Une deuxième étape consiste à fabriquer le condensateur lui-20 même. Pour cela, il suffit d'appliquer le procédé décrit ci-dessus. Dans le cas d'un empilement, on obtient alors une structure telle que celle représentée à la figure 24. Cependant, dans la mesure où chaque face métallisée va être en contact électrique avec un feuillard métallique, les SPCE finales sont constituées du dépôt métallique et du feuillard métallique en 25 contact. Le film diélectrique principal reste donc bien en contact direct avec les deux SPCE. A titre de remarque, la métallisation des deux faces du film diélectrique 200 est recommandée mais non nécessaire en fonction de sa nature. De même, on peut envisager un procédé mixte où seule une face du film 30 diélectrique principal 100 serait métallisée. Il faut dans ce cas suivre les précautions requises par le plus contraignant des procédés envisagés. Remarques générales : 35 Les techniques connues inhérentes à la sécurisation des condensateurs à film métallisé (métallisation haute résistivité, métallisation à 3057100 26 résistivité variable, métallisation avec fusibles intégrés, etc.) sont applicables avantageusement à l'ensemble des configurations à film métallisé décrites ci-dessus, sans pour autant avoir besoin d'être détaillées spécifiquement. Cependant, ces techniques peuvent permettre de diminuer le seuil 5 de 90% de contact direct ou autoriser la présence, dans les zones hors contact direct, de diélectriques ne vérifiant pas les conditions définies plus haut. Ce faisant, il y aura des claquages localisés sur l'ensemble des zones en question. Mais, sous réserve d'un dimensionnement correct des sécurités, ces claquages devraient être eux-mêmes sécuritaires. La conséquence est un isolement 10 électrique de fait des zones en question et l'obtention d'une configuration idéale avec 100% de contact direct entre film diélectrique et SPCE. Cela se fait au détriment de la surface connectée en regard, qui aura diminué de la surface totale des zones mises en sécurité. La technique connue inhérente à la sécurisation des condensateurs 15 à film métallisé qui utilise des fusibles intégrés dans la métallisation fonctionne sur le principe d'une adéquation entre l'énergie localement stockée dans le condensateur (c'est-à-dire dans un environnement raisonnablement proche d'un point de vue électrique du fusible) et l'énergie nécessaire pour faire fonctionner (c'est-à-dire démétalliser) ledit fusible et, éventuellement, la zone environnante. 20 Une telle technique n'est pas applicable dans un condensateur tout film traditionnel, c'est-à-dire utilisant un isolant diélectrique de permittivité relative Ef peu élevée (Ef REVENDICATIONS1. Condensateur film à très haute capacité (1) qui comporte une couche diélectrique (100) constituée d'au moins un film diélectrique (100a, ..., 100i), chaque film diélectrique (100a, ..., 100i) de cette couche diélectrique 5 (100) présentant les paramètres suivants : une permittivité diélectrique relative [Efi] telle que Efi 10, une épaisseur [ef'] telle que 0.05 prn efi 50 pm, une rigidité diélectrique [Ef'] telle que Efi 50 V/pm, paramètres dans lesquels "f' signifie "film" et i 1, "i" désignant le "iè"" film 10 diélectrique (100i) de ladite couche diélectrique (100), cette couche diélectrique (100) séparant une première structure porteuse de charges électroniques (200) d'une deuxième structure porteuse de charges électroniques (300), ces deux structures ayant une surface en regard (S) séparée par la couche diélectrique (100), 15 caractérisé par le fait que : A/ l'interface entre la couche diélectrique (100) et la première structure (200) répond aux exigences suivantes : 20 - la portion de la surface en regard (S) où ladite première structure (200) est directement en contact avec ladite couche diélectrique (100) est supérieure à 90%, - dans l'ensemble des zones de l'interface où la couche diélectrique (100) n'est pas directement en contact avec ladite première structure (200), elles sont 25 séparées localement par N épaisseurs (avec N 1) de diélectriques "parasites" (400), chaque épaisseur présentant une permittivité diélectrique relative [Ei] et une rigidité diélectrique [Epi] qui vérifient la relation : Epi Epi Min(Efi Ef') où "p" signifie "épaisseur de diélectrique parasite" et "j" désigne la "e"" 30 épaisseur, avec 1 j N, B/ l'interface entre la couche diélectrique (100) et la deuxième structure (300) 3057100 29 répond aux exigences suivantes : - la portion de la surface en regard (S) où ladite deuxième structure (300) est directement en contact avec ladite couche diélectrique (100) est supérieure à 90%, - dans l'ensemble des zones de l'interface où la couche diélectrique (100) n'est pas directement en contact avec ladite deuxième structure (300), elles sont séparées localement par M épaisseurs (avec M 1) de diélectriques "parasites" (500), chaque épaisseur présentant une permittivité diélectrique relative [Epi] et une rigidité diélectrique [Epi] qui vérifient la relation : epk Epk > min(efk Efk) où "p" signifie "épaisseur de diélectrique parasite" et "k" désigne la "0"" épaisseur, avec 1 2. Condensateur film selon la revendication 1, caractérisé par le 30 fait que ladite couche diélectrique (100) n'est pas autosupportée. 3. Procédé de fabrication d'un condensateur film selon la revendication 2, caractérisé par le fait que l'on utilise une couche diélectrique (100) qui n'est pas autosupportée. 3057100 30 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé par le fait qu'il présente les étapes successives suivantes : a) on fait usage d'une deuxième couche diélectrique (101) dite "couche de support", de permittivité diélectrique relative [Ef] et 5 d'épaisseur [ef], qui est métallisée sur au moins une de ses deux faces opposées, et de rigidité diélectrique [Ef'] ; b) on dépose ladite couche diélectrique (100) sur ladite couche de support (101) de telle sorte qu'elle soit en contact avec une face métallisée de cette couche de support ; 10 c) on procède à la métallisation de la face de ladite couche diélectrique (100) qui est restée libre à l'issue de l'étape b) ; d) on procède au bobinage sur lui-même de l'ensemble issu de l'étape c) ou à l'empilage de plusieurs ensembles issus de l'étape c) ; 15 lesdites couche diélectrique (100) et couche de support (101) respectant la relation suivante : ef' Ef' > ef Ef 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé par le fait que l'on fait usage d'un film support (101) métallisé sur ses deux faces, et qu'à l'étape 20 d), on fait coïncider la surface métallisée de ladite couche diélectrique (100) avec celle d'une des faces de ladite couche de support (101). 6. Procédé selon la revendication 4, caractérisé par le fait que l'on fait usage d'un film support (101) métallisé sur une de ses faces et qu'à l'étape d), on fait coïncider la surface métallisée de ladite couche diélectrique 25 (100) avec celle de ladite couche de support (101). 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé par le fait que l'on utilise une couche de support (101) dont la permittivité électrique relative [Ef] est inférieure ou égale à 10. 8. Procédé selon l'une des revendications 4 à 7, caractérisé par le 30 fait que l'on procède à la mise en oeuvre de l'étape d) en opérant sous vide ou à une pression inférieure ou égale à 10 mbar. 9. Procédé selon l'une des revendications 4 à 8, caractérisé par le fait qu'à l'étape d), on procède à un plaquage d'un nouvel ensemble sur le précédent en appliquant une pression, notamment via un rouleau presseur, ou 35 par contrôle de l'angle d'embarrage. 3057100 31 10. Procédé selon la revendication 3, caractérisé par le fait qu'il présente les étapes suivantes : a) on dépose ladite couche diélectrique (100) sur un film de support (300) constitué d'un feuillard métallique ; 5 b) on dépose l'ensemble issu de l'étape a) sur une couche diélectrique (101) de support ; c) on dépose l'ensemble issu de l'étape b) sur un deuxième film de support (400) constitué d'un feuillard métallique ; d) on procède au bobinage sur lui-même de l'ensemble issu de 10 l'étape c) ou à l'empilage de plusieurs ensembles issus de l'étape c). 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé par le fait que lesdites couches diélectriques (100, 101) de support sont identiques. 12. Procédé selon les revendications 10 ou 11, caractérisé par le 15 fait que lesdits films de support (300, 400) sont des feuillards métalliques identiques. 13. Procédé selon l'une des revendications 10 à 12, caractérisé par le fait que, entre lesdites étapes a) et b), on soumet la face de ladite couche diélectrique (100) qui est restée libre, à une métallisation. 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé par le fait que, entre lesdites étapes b) et c), on soumet la face de ladite couche diélectrique (100) de support qui est restée libre, à une métallisation. 15. Procédé selon l'une des revendications 10 à 14, caractérisé par le fait que l'on procède à la mise en oeuvre de l'étape d) en opérant sous vide ou 25 à une pression inférieure ou égale à 10 mbar. 16. Procédé selon l'une des revendications 10 à 15, caractérisé par le fait qu'à l'étape d), on procède à un plaquage d'un nouvel ensemble sur le précédent en appliquant une pression, notamment via un rouleau presseur, ou par contrôle de l'angle d'embarrage. 30 17. Procédé selon l'une des revendications 10 à 16, caractérisé par le fait que l'on fait usage de feuillards poreux. 18. Procédé selon l'une des revendications 10 à 17, caractérisé par le fait que l'on fait usage de feuillards qui intègrent des fusibles. 19. Procédé selon la revendication 18, caractérisé par le fait que 35 l'on procède à l'intégration desdits fusibles en faisant usage de l'une ou l'autre des techniques suivantes : 3057100 32 - enlèvement de matière audit feuillard, de sorte que la matière restante constitue lesdits fusibles, enlèvement qui est réalisé par une technique telle que la vaporisation du métal, le poinçonnage ou le perçage mécanique du métal, la dissolution ou l'attaque chimique du métal ; - ajout de matière audit feuillard, de sorte que la matière rajoutée constitue lesdits fusibles, ajout réalisé par une technique telle que la soudure, le brasage, le clinchage ou le matriçage.