Brevet FR3056431A1 — publié le 20180330

DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne un appareil destiné à être utilisé pour produire une microtexture de surface de tampon dans les tampons de polissage, comme les tampons polymériques, utilisés pour la 5 planarisation mécano-chimique (CMP) de substrats, comme des substrats semi-conducteurs, des substrats magnétiques ou des substrats optiques, ainsi que des procédés l'utilisant. Plus particulièrement, la présente invention concerne un appareil pour meuler la surface d'une couche de polissage de CMP comprenant une meule rotative ayant une surface de 10 meulage en un matériau abrasif poreux pour former une interface entre la surface de la couche de polissage de CMP et le matériau abrasif poreux, ainsi qu'un plateau à fond plat pour maintenir la couche de polissage de CMP en place. 15 ETAT DE LA TECHNIQUE On sait que la fabrication des tampons de polissage destinés à être utilisés dans la planarisation mécano-chimique inclut le moulage et le durcissement d'un polymère expansé ou poreux, comme un polyuréthane, dans un moule ayant le diamètre souhaité pour le tampon de polissage 20 final, puis le démoulage et la coupe du polymère durci dans une direction parallèle à la surface supérieure du moule pour former une couche ayant l'épaisseur souhaitée, par exemple par tronçonnage, et le façonnage de la couche résultante, par exemple par meulage, fraisage ou profilage pour former un motif de surface final sur le tampon de polissage. Jusqu'à 25 présent, les procédés connus pour façonner de telles couches afin d'obtenir des tampons de polissage incluaient le moulage par injection des couches, l'extrusion des couches, le ponçage des couches avec une courroie abrasive fixée et/ou le dressage des couches jusqu'à une épaisseur et une planéité souhaitées. Ces procédés ont une capacité 30 limitée à réaliser une microtexture de surface de tampon uniforme qui est 3056431 2 nécessaire pour obtenir une faible défectivité dans les substrats polis et un retrait uniforme de matériau des substrats. En fait, ces procédés créent généralement un motif visible, comme des rainures ayant une largeur et une profondeur données, et une texture visible mais non uniforme. Par exemple, un processus de tronçonnage n'est pas fiable pour façonner la surface des tampons car la rigidité change avec l'épaisseur du produit moulé et la lame de tronçonnage s'use de manière continue. Les techniques de dressage localisé sont incapables de produire une microtexture de surface de tampon uniforme du fait de l'usure continue des outils et de la précision de positionnement du tour. Les tampons produits par des processus de moulage par injection ont une uniformité insuffisante du fait de l'écoulement non uniforme de matériau dans le moule; de plus, les produits moulés ont tendance à se déformer quand les tampons se solidifient et durcissent car l'agent de durcissement et le reste du matériau moulé peuvent s'écouler à des vitesses différentes pendant l'injection dans une zone confinée, en particulier à des températures élevées. Des procédés de ponçage ont aussi été utilisés pour rendre lisses les tampons de polissage mécano-chimique qui ont une surface plus dure. Dans un exemple de procédé de ponçage, le brevet U.S. no. 7118461 au nom de West et al. décrit des tampons lisses pour la planarisation mécano-chimique et des procédés pour produire ces tampons, les procédés comprenant le ponçage ou le polissage de la surface des tampons avec une courroie abrasive pour retirer du matériau de la surface des tampons. Dans un exemple, le ponçage est suivi par une étape de ponçage subséquente utilisant un abrasif plus fin. Le produit obtenu au moyen de ces procédés présente une capacité de planarisation améliorée par rapport à un tampon identique qui n'a pas été rendu lisse. Malheureusement, alors que les procédés de West et al. permettent de rendre un tampon lisse, ils ne produisent pas une microtexture de surface 3056431 3 de tampon uniforme et ne peuvent pas être utilisés pour traiter un tampon plus mou (dureté Shore D selon ASTM D2240-15 (2015) du tampon ou de la matrice polymère du tampon de 40 ou moins). En outre, les procédés de West et al. retirent une quantité de matériau si importante que la 5 durée de vie utile des tampons de polissage résultants peut être affectée négativement. Il demeure souhaitable de produire un tampon de polissage mécano-chimique ayant une microtexture de surface uniforme sans que la durée de vie utile du tampon soit limitée. Le conditionnement d'un tampon de polissage mécano- 10 chimique est apparenté au ponçage, et généralement les tampons sont conditionnés lors de leur utilisation au moyen d'une roue abrasive rotative ayant une surface qui ressemble à du papier de verre fin. Un tel conditionnement conduit à une efficacité de planarisation améliorée après une période de rodage au cours de laquelle le tampon n'est pas utilisé 15 pour le polissage. Il demeure souhaitable d'éliminer la période de rodage et de produire un tampon préconditionné qui peut être utilisé directement pour le polissage. La présente demanderesse a conçu un appareil pour produire des tampons de CMP préconditionnés qui ont une microtexture de surface 20 de tampon uniforme tout en conservant leur topographie de surface initiale. EXPOSE DE L'INVENTION Ainsi, la présente invention concerne ce qui suit : 25 1. Un appareil pour produire des tampons ou couches de polissage mécano-chimique (CMP) polymériques préconditionnés, de préférence polymériques poreux, en polyuréthane ou en mousse de polyuréthane, ayant une microtexture de surface de tampon efficace pour le polissage qui comprend un ensemble formant meule rotative ayant un 30 rotor ou roue avec une surface de meulage en un matériau abrasif poreux, 3056431 4 et un plateau à fond plat pour maintenir la couche de polissage de CMP en place, par exemple au moyen d'un adhésif sensible à la pression ou, de préférence, au moyen d'un vide, la surface de meulage de la meule rotative étant disposée au-dessus de et parallèlement ou sensiblement 5 parallèlement à la surface du plateau à fond plat pour former une interface entre la surface de la couche de polissage de CMP et le matériau abrasif poreux. Un appareil pour produire des tampons ou couches de polissage mécano-chimique (CMP) polymériques préconditionnés ayant une 10 microtexture de surface de tampon et pour polir un substrat comprenant un ensemble formant meule rotative ayant un rotor ou roue avec une surface de meulage en un matériau abrasif poreux, un plateau à fond plat pour maintenir la couche de polissage de CMP en place, la surface de meulage de la meule rotative étant disposée au-dessus de et 15 parallèlement ou sensiblement parallèlement à la surface du plateau à fond plat pour former une interface entre la surface de la couche de polissage de CMP et le matériau abrasif poreux, et un support de substrat situé au-dessus de et parallèlement à une surface supérieure du plateau à fond plat de manière à ne pas chevaucher la zone au-dessus de laquelle 20 l'ensemble formant meule rotative est disposé et auquel un substrat de CMP est fixé, pour créer ainsi une interface de polissage entre la surface du substrat et la couche de polissage de CMP, où le support de substrat tourne indépendamment de l'ensemble formant meule rotative et du plateau à fond plat. 25 L'appareil dans lequel le plateau à fond plat maintient la couche de polissage de CMP en place au moyen d'un vide. 2. L'appareil selon la présente invention tel qu'il est décrit au point 1, ci-dessus, où la couche de polissage de CMP a un rayon qui s'étend de son centre à sa périphérie externe et la surface de meulage du 30 rotor ou roue de l'ensemble formant meule rotative a un diamètre égal ou 3056431 5 supérieur au rayon de la couche de polissage de CMP, de préférence, égal au rayon de la couche de polissage de CMP. 3. L'appareil selon la présente invention tel qu'il est décrit au point 2, ci-dessus, où le rotor ou roue de l'ensemble formant meule 5 rotative est positionné de telle manière que la périphérie externe de sa surface de meulage repose directement sur le centre de la couche de polissage de CMP pendant le meulage. 4. L'appareil selon la présente invention tel qu'il est décrit dans l'un quelconque des points 1, 2 ou 3, ci-dessus, où le rotor ou roue de 10 l'ensemble formant meule rotative et la couche de polissage de CMP et le plateau à fond plat tournent chacun pendant le meulage de la couche de polissage de CMP. De préférence, le plateau à fond plat tourne dans le sens opposé à l'ensemble formant meule rotative. 5. L'appareil selon la présente invention tel qu'il est décrit au 15 point 4, ci-dessus, où le rotor ou roue de l'ensemble formant meule rotative tourne à une vitesse de 50 à 500 tr/min ou, de préférence, de 150 à 300 tr/min, et le plateau à fond plat tourne à une vitesse de 6 à 45 tr/min ou, de préférence, de 8 à 20 tr/min. 6. L'appareil selon la présente invention tel qu'il est décrit dans 20 l'un quelconque des points 1, 2, 3, 4 ou 5, ci-dessus, où le rotor ou roue de l'ensemble formant meule rotative est positionné au-dessus de la couche de polissage de CMP et du plateau à fond plat pendant le meulage, et la meule rotative est abaissée depuis un point juste au-dessus de la surface de la couche de polissage de CMP à raison de 0,1 à 15 25 pm/tour ou, de préférence, de 0,2 à 10 pm/tour, pour réduire l'espace entre la surface de la couche de polissage de CMP et le matériau abrasif poreux et les amener en contact. 7. L'appareil selon la présente invention tel qu'il est décrit dans l'un quelconque des points 1, 2, 3, 4, 5, ou 6, ci-dessus, où l'ensemble 30 formant meule rotative comprend un boîtier d'entraînement incluant un 3056431 6 moteur ou dispositif d'actionnement rotatif, comme un moteur électrique ou un servomoteur, et un axe disposé verticalement relié à et entraîné par le moteur ou dispositif d'actionnement rotatif, par exemple via un engrenage ou une courroie d'entraînement, qui s'étend dans le boîtier 5 d'entraînement et est relié à son extrémité inférieure via une liaison mécanique, comme un engrenage ou une courroie d'entraînement, au rotor ou roue de telle manière qu'il tourne à un nombre souhaité de tours par minute (tr/min). 8. L'appareil selon la présente invention tel qu'il est décrit au 10 point 7, ci-dessus, où, dans le boîtier d'entraînement, l'axe disposé verticalement comprend une vis à billes ou un servomoteur secondaire situé à l'endroit où l'axe est relié au moteur ou dispositif d'actionnement rotatif, au niveau de la liaison mécanique de l'axe avec le rotor ou roue, ou aux deux endroits, de sorte que le rotor ou roue de l'ensemble formant 15 meule rotative peut être abaissé à une vitesse incrémentielle fixée. 9. L'appareil selon la présente invention tel qu'il est décrit au point 8, ci-dessus, où le rotor ou roue comprend un ou plusieurs dispositifs d'actionnement excentrés qui peuvent être pneumatiques, comme des cylindres, électroniques, ou de type moteur, comme des servomoteurs, de 20 préférence trois à huit dispositifs d'actionnement de ce type agencés dans une succession radiale autour du rotor ou roue, de sorte que le rotor ou roue peut être incliné de telle manière que sa surface de meulage est sensiblement parallèle à la surface supérieure du plateau à fond plat, de manière à permettre un meulage pour créer des tampons ou des couches 25 de polissage de CMP épais au centre ou minces au centre. 10. L'appareil selon la présente invention, où l'ensemble formant meule rotative a un rotor ou roue comportant l'agent de meulage constitué par un matériau abrasif poreux, de préférence porté sur un seul anneau de support, l'agent de meulage étant fixé sur le côté inférieur de 30 sa périphérie, par exemple via une succession radiale d'agrafes, d'attaches 3056431 7 ou au moyen d'un anneau de retenue chargé par ressort latéralement, situé sur le côté inférieur de l'ensemble formant meule rotative et dans lequel la périphérie d'un anneau de matériau abrasif poreux s'adapte étroitement. 5 11. L'appareil selon la présente invention tel qu'il est décrit au point 10, ci-dessus, où l'agent de meulage constitué par un matériau abrasif poreux est disposé en une pluralité de segments qui s'étendent sur le côté inférieur de la périphérie de l'ensemble formant meule rotative et avec des interstices entre les segments. 10 12. L'appareil selon la présente invention tel qu'il est décrit dans l'un quelconque des points 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10 ou 11, ci-dessus, où le matériau abrasif poreux est un composite d'une phase continue poreuse dans laquelle sont dispersées des particules abrasives non poreuses finement divisées, comme des particules de nitrure de bore 15 ou, de préférence des particules de diamant. 13. L'appareil selon la présente invention tel qu'il est décrit au point 12, ci-dessus, où la phase continue poreuse du matériau abrasif poreux a un diamètre de pore moyen de 3 à 240 pm ou, de préférence, de 10 à 80 pm. 20 14. L'appareil selon la présente invention tel qu'il est décrit dans l'un quelconque des points 12 ou 13, ci-dessus, où la phase continue poreuse du matériau abrasif poreux comprend une céramique, de préférence une céramique frittée, comme l'alumine ou l'oxyde de cérium. 15. L'appareil selon la présente invention tel qu'il est décrit 25 dans l'un quelconque des points 1 à 14, ci-dessus, où le plateau à fond plat contient une pluralité de petits trous, par exemple de 0,5 à 5 mm de diamètre, traversant le plateau, qui sont reliés à un vide. Les trous peuvent être disposés d'une manière appropriée quelconque pour maintenir le substrat formé par la couche de polissage de CMP en place 30 pendant le meulage, par exemple le long d'une série de rayons qui 3056431 8 s'étendent vers l'extérieur depuis le centre du plateau à fond plat ou en une série d'anneaux concentriques. 16. L'appareil selon la présente invention tel qu'il est décrit dans l'un quelconque des points 1 à 15, ci-dessus, comprenant en outre 5 un conduit, tuyau, buse ou valve pour insuffler un gaz inerte comprimé ou de l'air comprimé de manière intermittente ou, de préférence, de manière continue, et positionné pour insuffler le gaz inerte comprimé ou l'air comprimé dans l'interface entre la surface du matériau de la couche de polissage de CMP et le matériau abrasif poreux de manière à frapper le 10 matériau abrasif poreux pendant le meulage, de préférence, depuis un point adjacent au centre de la couche de polissage de CMP sur le plateau à fond plat à travers l'interface entre la couche de polissage de CMP et le matériau abrasif poreux ou, de préférence encore, un conduit, tuyau, buse ou valve positionné pour insuffler le gaz inerte ou l'air comprimé depuis un 15 point adjacent au centre de la couche de polissage de CMP sur le plateau à fond plat à travers l'interface entre la couche de polissage de CMP et le matériau abrasif poreux de manière à frapper le matériau abrasif poreux et, séparément, un second conduit, tuyau ou valve pour insuffler un gaz inerte comprimé ou de l'air comprimé vers le haut depuis un point situé 20 juste sous la périphérie de l'ensemble formant meule rotative de manière à frapper le matériau abrasif poreux pendant le meulage, par exemple, à l'endroit où la périphérie de la couche de polissage de CMP et la périphérie de la meule rotative se rejoignent. 17. L'appareil selon la présente invention tel qu'il est décrit 25 dans l'un quelconque des points 1 à 16, ci-dessus, comprenant en outre un support de substrat situé au-dessus de et parallèlement à la surface supérieure du plateau à fond plat de manière à ne pas chevaucher la zone au-dessus de laquelle l'ensemble formant meule rotative est disposé et auquel un substrat de CMP, comme un substrat semi-conducteur ou 30 galette, un substrat magnétique ou un substrat optique est fixé, par 3056431 9 exemple par serrage, en créant une interface de polissage entre la surface du substrat et la couche de polissage de CMP, où le support de substrat tourne indépendamment de l'ensemble formant meule rotative et du plateau à fond plat, par exemple, à une vitesse individuelle de 1 à 200 5 tr/min ou, de préférence, de 10 à 100 tr/min. 18. L'appareil selon la présente invention tel qu'il est décrit au point 17, ci-dessus, où le support de substrat a un diamètre plus petit que le rayon de la couche de polissage de CMP ou du tampon maintenu sur le plateau à fond plat et, en outre, où le support de substrat est lié 10 mécaniquement à ou monté sur un premier dispositif d'actionnement, comme un servomoteur, pour faire tourner le support de substrat autour d'un axe central, et un second dispositif d'actionnement, comme un second servomoteur ou une vis à billes à axe Z, pour presser le support de substrat contre la couche de polissage ou le tampon de CMP. 15 19. L'appareil selon la présente invention tel qu'il est décrit dans l'un quelconque des points 1 à 18, ci-dessus, où l'ensemble de l'appareil est inclus dans une enceinte étanche à l'air, comme une enceinte où l'humidité relative (HR) peut varier de 5 à 100%, par exemple, de 5 à 50%. 20 Sauf indication contraire, les conditions de température et de pression sont la température ambiante et la pression standard. Sauf indication contraire, tout terme contenant des parenthèses peut désigner le terme entier contenant des parenthèses et le terme sans parenthèses, et les combinaisons de chaque alternative. Ainsi le terme 25 "(poly)isocyanate" signifie isocyanate, polyisocyanate, ou leurs mélanges. Toutes les plages indiquées sont inclusives et combinables. Par exemple, le terme "une plage de 5x10-2 à 3 Pa.s (50 à 3000 cP), ou de 10-1 Pa.s (100 cP) ou plus" inclut 5x10-2 à 10-1 Pa.s (50 à 100 cP), 5x10-2 à 3 Pa.s (50 à 3000 cP) et 10-1 à 3 Pa.s (100 à 3000 cP). 3056431 10 Tel qu'il est utilisé ici, le terme "ASTM" désigne les publications de ASTM International, West Conshohocken, PA. Tel qu'il est utilisé ici, le terme "variation d'épaisseur" signifie la valeur déterminée par la variation maximum de l'épaisseur d'un tampon 5 de polissage de CMP. Tel qu'il est utilisé ici, le terme "sensiblement parallèle" désigne l'angle formé par la surface de meulage de la meule rotative et la surface supérieure de la couche de polissage de CMP ou, plus particulièrement, un angle de 178° à 182°, ou, de préférence, de 179° à 181°, qui est défini 10 par l'intersection d'un premier segment de droite qui est parallèle à la surface de meulage de la meule rotative et qui se termine en un point situé au-dessus du centre de la couche de polissage de CMP et d'un second segment de droite qui s'étend depuis l'extrémité du premier segment de droite et qui est parallèle à la surface supérieure du plateau à 15 fond plat et qui se termine au niveau de la périphérie externe du plateau à fond plat, où les premier et second segments de droite sont situés dans un plan qui est perpendiculaire au plateau à fond plat et qui passe par le centre de la couche de polissage de CMP et le point sur la périphérie de la surface de meulage de la meule rotative situé le plus loin du centre de la 20 couche de polissage de CMP. Tel qu'il est utilisé ici le terme "Sq.", quand il est utilisé pour définir la rugosité de surface, signifie la moyenne quadratique d'un nombre indiqué de valeurs de rugosité de surface mesurées à des points indiqués sur la surface d'une couche de polissage de CMP donnée. 25 Tel qu'il est utilisé ici, le terme "rugosité de surface" signifie la valeur déterminée en mesurant la hauteur d'une surface par rapport au plan du meilleur ajustement qui représente une surface horizontale parallèle à et située au niveau de la surface supérieure d'une couche de polissage de CMP donnée en un point quelconque sur cette surface 30 supérieure; Sk désigne la profondeur de rugosité centrale, Svk désigne la 3056431 11 hauteur de vallée éliminée, et Spk désigne la hauteur de crête réduite. Une rugosité de surface acceptable va de 0,01 pm à 25 pm, Sq, ou, de préférence, de 1 pm à 15 pm, Sq. Tel qu'il est utilisé ici, le terme "% en masse" signifie pourcent 5 en masse. DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 représente un appareil à meule rotative selon la présente invention et montre un plateau à fond plat, et une couche de 10 polissage de CMP comportant une fenêtre transparente. La figure 2 représente une couche de polissage de CMP traitée avec l'appareil selon la présente invention et ayant sur sa surface une microtexture uniforme de sillons définis par des arcs sécants, où chaque arc a un rayon de courbure égal à ou légèrement plus grand que le rayon 15 de la couche de polissage de CMP. La figure 3 représente une meule rotative et un appareil de polissage selon la présente invention ayant un support de substrat adapté pour planariser ou polir un substrat, comme un substrat semi-conducteur. 20 DESCRIPTION DETAILLEE L'appareil de meulage selon la présente invention améliore la microtexture de surface des couches de polissage de CMP, y compris la surface supérieure des tampons de polissage de CMP et des couches de 25 polissage. L'appareil crée une microtexture de surface uniforme caractérisée par une série d'arcs sécants dans la surface de la couche de polissage de CMP qui ont le même rayon de courbure qu'un cercle défini par la périphérie externe de la surface de meulage de la meule rotative et par une rugosité de surface de la surface supérieure de la couche de 30 polissage de CMP de 0,01 à 25 pm, Sq. La demanderesse a constaté que 3056431 12 les couches de polissage de CMP traitées avec la meule rotative selon la présente invention fonctionnent de manière satisfaisante avec peu ou pas de conditionnement, c'est-à-dire qu'elles sont préconditionnées. En outre, la microtexture de surface de tampon des couches de polissage de CMP 5 traitées avec la meule rotative permet un polissage amélioré des substrats. L'appareil de la présente invention contribue à éviter les irrégularités dans la morphologie des tampons qui sont causées par le tronçonnage, et qui peuvent entraîner des défauts de surface, comme des stries, dans les tampons de polissage mécano-chimique ainsi que le 10 cloquage des matériaux de fenêtres qui sont plus mous que le reste de la couche de polissage de CMP. En outre, l'appareil de la présente invention contribue à réduire au minimum les impacts négatifs dus à la déformation de la couche de polissage pendant l'empilement de tampons au cours duquel deux couches de tampon ou plus sont amenées à franchir des 15 lignes de contact séparées par une distance fixée, de sorte qu'il en résulte des ondulations linéaires. Ceci est particulièrement important dans le cas des couches de polissage de CMP molles et compressibles. De plus, l'appareil de la présente invention et les tampons traités qu'il produit permettent une microtexture de surface optimisée, une plus faible 20 défectivité et un retrait uniforme de matériau amélioré sur la surface d'un substrat, par exemple la surface d'un semi-conducteur ou d'une galette. La demanderesse a constaté que le meulage d'une couche de polissage de CMP avec un matériau abrasif poreux permet un meulage sans encrassement de l'agent de meulage et sans détérioration du 25 substrat formé par la couche de polissage de CMP. Les pores dans le matériau abrasif poreux sont d'une taille suffisante pour stocker les particules qui sont retirées du substrat formé par la couche de polissage de CMP, et la porosité du matériau abrasif poreux est suffisante pour stocker tout le matériau retiré pendant le meulage. De préférence, l'air 30 comprimé insufflé au niveau de l'interface entre le matériau abrasif poreux 3056431 13 et le substrat formé par la couche de polissage de CMP favorise le retrait des résidus de meulage et empêche l'encrassement de l'appareillage de meulage. Dans tout procédé d'utilisation de l'appareil de la présente 5 invention, l'insufflation de gaz comprimé ou d'air comprimé peut aussi avoir lieu avant ou après le meulage. L'appareil de la présente invention comprend une meule rotative et un plateau à fond plat. La meule rotative est abaissée à une vitesse fixée ou vitesse d'alimentation sur une couche de polissage de 10 CMP qui repose sur le plateau à fond plat. Comme le montre la figure 1, l'appareil de la présente invention meule la surface d'une couche de polissage de CMP positionnée sur la surface d'un plateau à fond plat 1 équipé d'orifices à vide, non représentés. La couche de polissage ou tampon de CMP 2 est placée sur le 15 plateau à fond plat 1 de telle manière que le centre du plateau à fond plat 1 et celui de la couche de polissage de CMP 2 sont alignés. Le plateau à fond plat 1 sur la figure 1 a des trous à vide (non représentés) pour maintenir couche de polissage de CMP 2) en place. Sur la figure 1, la couche de polissage de CMP 2 a une fenêtre 3. Le mécanisme de meulage 20 de la présente invention comprend un ensemble formant meule rotative (rotor) 4 ou roue comportant un agent de meulage comprenant un matériau abrasif poreux 5 qui est fixé sur le côté inférieur de sa périphérie, et qui, comme cela est représenté, est disposé en une pluralité de segments qui s'étendent sur le côté inférieur de la périphérie du rotor 25 4. Les segments sont séparés par de petits interstices. Sur la figure 1, l'ensemble formant meule rotative 4 est positionné comme on le souhaite avec sa périphérie juste au-dessus du centre de la couche de polissage de CMP 2; en outre, l'ensemble formant meule rotative 4 a la taille souhaitée de sorte que son diamètre est sensiblement égal au rayon de la couche de 30 polissage de CMP 2. 3056431 14 L'appareil de la présente invention peut, de préférence, comprendre une meule/conditionneur et un appareil de polissage dans lequel un tampon de polissage de CMP est monté sur le plateau à fond plat et l'ensemble formant meule rotative et, indépendamment, un support 5 de substrat sont abaissés sur le tampon de polissage de CMP pour former chacun une interface entre eux et le dessus de la couche de polissage de CMP. Le support de substrat est lié mécaniquement à ou monté sur un premier dispositif d'actionnement, comme un servomoteur, pour faire tourner le support de substrat autour d'un axe central; et un second 10 dispositif d'actionnement, comme un second servomoteur ou une vis à billes à axe Z, pour presser le support de substrat contre le tampon de polissage de CMP. Comme le montre la figure 3, l'appareil de la présente invention polit un substrat tout en meulant la surface d'une couche de polissage de 15 CMP positionnée sur la surface d'un plateau à fond plat 1. La couche de polissage ou tampon de CMP 2 est placée sur le plateau à fond plat 1 de telle manière que le centre du plateau à fond plat (1) et celui de la couche de polissage de CMP 2 sont alignés. Le plateau à fond plat 1 sur la figure 3 a des trous à vide (non représentés) pour maintenir la couche de 20 polissage de CMP 2 en place. Sur la figure 3, la couche de polissage de CMP 2 a une fenêtre 3. Le mécanisme de meulage de la présente invention comprend un ensemble formant meule rotative (rotor) 4 ou roue comportant un agent de meulage comprenant un matériau abrasif poreux 5 qui est fixé sur le côté inférieur de sa périphérie, et qui, ainsi que cela 25 est représenté, est disposé en une pluralité de segments qui s'étendent autour du côté inférieur de la périphérie du rotor 4. De plus, un support de substrat 6 ou support de galette décalé par rapport à l'ensemble formant meule rotative 4 maintient une galette de 300 mm 7 sur son côté inférieur. 3056431 15 L'appareil de meulage et de polissage fonctionne de la manière suivante : le substrat, par exemple, une galette de semi-conducteur, est maintenu sur la surface inférieure du support de substrat, et pressé contre le tampon de polissage de CMP sur la surface supérieure du plateau à 5 fond plat. Le plateau à fond plat et le support de substrat sont entraînés en rotation l'un par rapport à l'autre de sorte que la surface inférieure du substrat vient en contact de glissement avec le tampon de polissage. A ce moment, une buse à liquide abrasif (non représentée) apporte un liquide abrasif, comme une suspension aqueuse de silice ou de particules d'oxyde, 10 de carbure ou de nitrure abrasif, au tampon de polissage. La surface inférieure du substrat est polie par une combinaison d'une action de polissage mécanique de la part des grains abrasifs présents dans le liquide abrasif et de la surface de la couche de polissage de CMP. La meule rotative de la présente invention comprend un 15 ensemble formant meule rotative rond ou rotor à la périphérie duquel est fixé un matériau abrasif poreux, de préférence un matériau abrasif qui est entaillé ou qui comprend des discontinuités ou des interstices autour de la périphérie de la meule rotative. Le côté inférieur du matériau abrasif poreux est la surface de meulage de la meule rotative. Le matériau abrasif 20 poreux peut être sous forme d'un anneau ou de segments d'anneau qui s'adaptent dans ou sont fixés au côté inférieur de l'ensemble formant meule rotative. Le matériau abrasif poreux peut former une succession radiale de segments tournés vers le bas, habituellement de 10 à 40 segments, ayant des interstices entre eux, ou être sous forme d'un 25 anneau perforé dans lequel se trouvent des perforations périodiques. Les interstices ou perforations permettent d'insuffler un gaz comprimé ou de l'air comprimé dans l'interface entre la surface de la couche de polissage de CMP et le matériau abrasif poreux pour retirer les résidus de meulage et nettoyer le matériau abrasif poreux avant, pendant ou après le 30 meulage. De plus, les entailles ou interstices dans le matériau abrasif 3056431 16 poreux contribuent au refroidissement des surfaces du matériau abrasif poreux et du substrat formé par la couche de polissage de CMP pendant le meulage. L'appareil de la présente invention peut être positionné pour 5 compenser les profils d'usure de substrat de CMP indésirables, par exemple quand les processus de CMP conduisent à des profils d'usure non uniformes, comme un retrait trop faible ou trop important au bord du substrat. Ceci peut prolonger la durée de vie d'un tampon. Dans de telles positions, la surface de meulage de l'ensemble formant meule rotative 10 peut être ajustée de manière qu'elle soit sensiblement parallèle mais pas exactement parallèle à la surface supérieure du plateau à fond plat ou de la couche de polissage de CMP. Par exemple, la surface de meulage de la meule rotative peut être ajustée pour donner un centre épais (l'angle entre la meule rotative et un rayon du plateau à fond plat dans un plan 15 qui est perpendiculaire au plateau à fond plat et passe par le centre de la couche de polissage de CMP et le point sur la périphérie de la surface de meulage de la meule rotative qui est situé le plus loin du centre de la couche de polissage de CMP est supérieur à 180°) ou un centre mince (l'angle est inférieur à 180°). 20 L'appareil de la présente invention peut être utilisé dans un environnement humide, par exemple en combinaison avec de l'eau ou une suspension aqueuse abrasive, comme une suspension de silice ou d'oxyde de cérium. Il est possible de modifier l'échelle de l'appareil de la présente 25 invention pour qu'il s'adapte à des couches de polissage de CMP de différentes tailles, car la taille de l'élément à meule rotative peut être modifiée. Dans l'appareil selon la présente invention, le plateau à fond plat devrait être plus grand que la couche de polissage de CMP ou, de préférence, avoir un rayon qui est égal ou supérieur de jusqu'à 10 cm au 30 rayon de la couche de polissage de CMP. Ainsi, il est possible de modifier 3056431 17 l'échelle de l'appareil pour traiter des couches de polissage de CMP ayant un rayon de 100 mm à 610 mm. Différents ensembles formant meule rotative peuvent être utilisés séparément avec l'appareil selon la présente invention. L'ensemble 5 formant meule rotative est choisi de telle manière que son diamètre coïncide avec ou est légèrement plus grand que le rayon de la couche de polissage de CMP qui est meulée. À titre d'alternative, l'ensemble formant meule rotative est adapté pour permettre la fixation sur le côté inférieur de sa périphérie d'un anneau ou plateau, de préférence d'un anneau de 10 support unique, de matériau d'agent de meulage abrasif, poreux pouvant avoir différents diamètres. Différents supports de substrat peuvent être utilisés séparément avec l'appareil selon la présente invention. Le support de substrat est choisi de telle manière que son diamètre est plus petit que le 15 rayon de la couche de polissage de CMP qui est utilisée pour le polissage et plus grand que le diamètre du substrat qui est poli. L'appareil de la présente invention permet de produire des couches de polissage de CMP ou tampons qui sont dépourvus de renflements de fenêtre et de défauts provoqués par le tronçonnage. Ainsi, 20 selon un procédé d'utilisation de l'appareil de la présente invention, une couche de polissage de CMP peut être formée par moulage d'un polymère pour former un produit moulé poreux ayant un diamètre ou rayon souhaité, qui sera la taille des tampons produits, tronçonnage du produit moulé à une épaisseur souhaitée, qui sera l'épaisseur cible d'un tampon 25 produit selon la présente invention, puis meulage du tampon ou de la couche de polissage de CMP pour produire la microtexture de surface de tampon souhaitée sur la surface de polissage du tampon. Dans les procédés d'utilisation de l'appareil de la présente invention, le meulage peut être accompli sur des tampons à une seule 30 couche ou tampons solos, ainsi que sur des tampons empilés ayant une 3056431 18 couche de sous-tampon. De préférence, dans le cas de tampons empilés les procédés comprennent le meulage de la couche de polissage de CMP après que les tampons ont été empilés de telle manière que le meulage peut contribuer à éliminer les défauts dans les tampons empilés. 5 Des tampons de polissage de CMP appropriés peuvent être formés par moulage du polymère et tronçonnage du polymère moulé pour former la couche de polissage de CMP destinée à être utilisée comme tampon, ou, de préférence, par moulage du polymère et tronçonnage du polymère moulé pour former la couche de polissage de CMP puis 10 empilement de la couche de polissage de CMP sur le dessus d'un sous-tampon ou d'une sous-couche ayant le même diamètre que la couche de polissage de CMP pour former le tampon de polissage de CMP. Les procédés d'utilisation de l'appareil de la présente invention peuvent comprendre la formation du tampon de polissage de CMP, la 15 formation de rainures dans le tampon, par exemple par tournage du tampon, puis le meulage du tampon de polissage de CMP avec la meule rotative pour former une microtexture de surface de tampon, incluant une série d'arcs visiblement sécants sur la surface de polissage et ayant un rayon de courbure égal à ou plus grand que, de préférence, égal au rayon 20 de la couche de polissage, tout en planarisant simultanément un substrat avec le tampon de polissage de CMP. Dans de tels procédés, les tampons de polissage de CMP sont conditionnés et resurfacés pendant leur utilisation. Les procédés d'utilisation de l'appareil de la présente invention 25 peuvent comprendre la formation d'un tampon de polissage de CMP, le meulage du tampon de polissage de CMP avec la meule rotative pour former une microtexture de surface de tampon, incluant une série d'arcs visiblement sécants sur la surface de polissage et ayant un rayon de courbure égal à ou plus grand que, de préférence, égal au rayon de la 30 couche de polissage, tout en planarisant simultanément un substrat avec 3056431 19 le tampon de polissage de CMP, puis la formation de rainures dans le tampon, par exemple par tournage du tampon. De plus, l'appareil de la présente invention peut être utilisé comme outil de polissage ou de planarisation de CMP, c'est-à-dire comme 5 appareil de meulage et de polissage. Dans un autre aspect, la présente invention concerne un procédé d'utilisation de l'appareil de meulage et de polissage de la présente invention. Selon le procédé d'utilisation de l'appareil de meulage et de polissage de la présente invention, un tampon de polissage de CMP 10 est fixé à la surface supérieure du plateau à fond plat et le substrat, comme une galette de semi-conducteur à polir, est fixé par serrage au support de substrat de telle manière que son côté inférieur peut être abaissé sur le tampon de polissage de CMP qui est sur le plateau à fond plat, puis le plateau à fond plat, l'ensemble formant meule rotative et le 15 support de substrat sont entraînés en rotation. Dans le procédé d'utilisation de l'appareil de meulage et de polissage de la présente invention, un liquide abrasif contenant des grains abrasifs, comme des grains de silice, d'oxyde de cérium ou d'alumine ou de mélanges de ceux-ci, est apporté sur le tampon de polissage et y est 20 maintenu. Pendant le fonctionnement, le support de substrat exerce une pression d'appui souhaitée de 2 à 69 kPa, de préférence, de 3 à 48 kPa sur le plateau à fond plat, et la surface du substrat maintenu contre le tampon de polissage de CMP est ainsi planarisée tandis que le support de substrat et le plateau à fond plat sont entraînés en rotation. 25 De préférence, dans les procédés de polissage d'un substrat selon la présente invention, le support de substrat et le plateau à fond plat sont entraînés en rotation dans le même sens. Les couches de polissage de CMP appropriées destinées à être utilisées selon les procédés d'utilisation de l'appareil de la présente 30 invention comprennent un polymère, de préférence un polymère poreux, 3056431 20 une mousse de polymère ou un polymère poreux contenant une charge qui a une dureté Shore D selon ASTM D2240-15 (2015) de 20 à 80, ou, par exemple, de 40 ou moins. De préférence, les procédés de la présente invention peuvent 5 être mis en oeuvre sur tout tampon de polissage de CMP, y compris ceux qui sont faits de polymères relativement mous, et peuvent être utilisés en particulier dans le traitement de tampons mous ayant une dureté Shore D de 40 ou moins. Les couches de polissage de CMP appropriées destinées à être 10 utilisées selon les procédés d'utilisation de l'appareil de la présente invention peuvent comprendre en outre une ou plusieurs sections de fenêtre transparentes non poreuses, comme celles comprenant un polyuréthane non poreux ayant une température de transition vitreuse (T9) de 75 à 105°C, comme les sections de fenêtre qui ne s'étendent pas 15 au-dessus du centre de la couche de polissage de CMP. Dans de telles couches de polissage de CMP, la ou les sections de fenêtre ont une surface supérieure définie par une variation d'épaisseur de fenêtre de 50 pm ou moins sur la plus grande dimension de la fenêtre, comme le diamètre d'une fenêtre ronde, ou la plus grande dimension parmi la 20 longueur et la largeur d'une fenêtre rectangulaire. En outre, les couches de polissage de CMP appropriées destinées à être utilisées avec les procédés d'utilisation de l'appareil de la présente invention peuvent comprendre une pluralité de pores ou microéléments, de préférence des microsphères polymériques, ayant une 25 taille de particule moyenne de 10 à 60 pm. De préférence, une telle couche de polissage de CMP comporte des bandes annulaires de plus grande masse volumique et de plus faible masse volumique qui alternent et qui s'étendent vers l'extérieur à partir du centre de la couche de polissage de CMP en direction de sa périphérie externe. Par exemple, les 30 bandes annulaires de plus grande masse volumique ont une masse 3056431 21 volumique supérieure de 0,01 à 0,2 g/cm3 à celle des bandes de plus faible masse volumique. Ainsi, les tampons de polissage mécano-chimique (CMP) produits selon les procédés d'utilisation de l'appareil de la présente 5 invention comprennent une couche de polissage de CMP polymérique poreuse ayant un rayon et ayant une rugosité de surface d'au moins 0,01 pm à 25 pm, Sq, ou, de préférence, de 1 pm à 15 pm, Sq, et ayant une série d'arcs visiblement sécants sur la surface de la couche de polissage et ayant un rayon de courbure égal à ou plus grand que la moitié, de 10 préférence, égal à la moitié du rayon de courbure de la couche de polissage. De préférence, la série d'arcs visiblement sécants s'étend sur toute la surface de la couche de polissage selon une symétrie radiale autour du centre de la couche de polissage. Les tampons de polissage de CMP produits selon les procédés 15 d'utilisation de l'appareil de la présente invention ont un centre et un rayon. De tels tampons de polissage peuvent avoir une épaisseur telle que les tampons comportent une pente si bien que l'épaisseur augmente à proximité du centre des tampons, ou en s'éloignant de leur centre. EXEMPLES 20 Dans les exemples suivants, sauf indication contraire, la pression est la pression standard (,-101 kPa) et la température est la température ambiante (21 - 23°C). Exemple 1 : des tests ont été réalisés avec deux versions d'une couche de polissage ou tampon de CMP VP5000TM (Dow Chemical, 25 Midland, MI (Dow)) ayant un rayon de 330 mm (13 pouces). Les tampons n'avaient pas de fenêtres. Dans l'exemple 1-1, la couche de polissage de CMP formait un seul tampon en polyuréthane poreux qui était épais de 2,03 mm (80 mil (1 mil=10-3 pouce)), et dans lequel le polyuréthane avait une dureté Shore D de 64,9. Dans l'exemple 1-2, la couche de polissage 30 de CMP formait un tampon empilé ayant le même tampon en 3056431 22 polyuréthane que celui de l'exemple 1-1 empilé au moyen d'un adhésif sensible à la pression sur un sous-tampon SUBA IV TM en feutre de polyuréthane (Dow). Les exemples comparatifs 1-A et 1-B concernaient les mêmes 5 tampons, respectivement, que dans les exemples 1-1 et 1-2, mais qui n'étaient pas traités selon les procédés de la présente invention. Le tampon empilé avait un sous-tampon SIV. Tous les tampons avaient 1010 rainures (un motif de rainures circulaires concentriques ayant les dimensions suivantes : 0,0768 cm 10 (0,030 pouce) de profondeur x 0,0511 cm (0,020 pouce) de largeur x 0,307 cm (0,120 pouce) de pas), et étaient dépourvus de fenêtre. Le matériau abrasif poreux était un abrasif de type diamant poreux vitrifié, ayant une taille d'abrasif moyenne de 151 pm. Pour meuler le substrat, l'ensemble formant meule rotative était positionné 15 parallèlement au sommet du plateau à fond plat et était entraîné en rotation en sens inverse des aiguilles d'une montre à 284 tr/min, et le plateau à fond plat en aluminium était entraîné en rotation dans le sens des aiguilles d'une montre à 8 tr/min. En partant d'un point où le matériau abrasif poreux commence juste à toucher le substrat formé par la couche 20 de polissage de CMP, l'ensemble formant meule rotative était abaissé en direction du plateau à fond plat selon des incréments de 5,8 pm (0,0002 pouce) tous les trois tours de tampon. Pendant ce temps de l'air sec comprimé (ASC) était insufflé dans l'interface entre la surface du matériau abrasif poreux et la couche de polissage de CMP depuis deux buses, l'une 25 située juste au-dessus du centre de la couche de polissage de CMP et l'autre située à approximativement 210 mm (8,25 pouces) du centre du tampon sur le côté arrière du matériau abrasif poreux. Le meulage était maintenu pendant approximativement 5 min. 3056431 23 Les tampons résultants provenant de l'exemple 1 ont été évalués dans des tests de polissage en ce qui concerne la vitesse de retrait, la non-uniformité et les stries (défectivité), comme suit : Vitesse de retrait : a été déterminée sur un substrat en 5 tétraéthoxysilicate (TEOS) d'une taille de 200 mm par planarisation du substrat au moyen des tampons indiqués et d'une suspension aqueuse de silice fumée ILD3225TM (Dow) à un débit de 200 ml/min. La pression de polissage pour produire une force d'appui a été amenée à présenter les valeurs de 0,11, 0,21 et 0,32 kg/cm2 (1,5, 3,0, 4,5 psi), à des vitesses de 10 rotation de 93 et 87 tr/min pour le plateau et le support de substrat, respectivement, au moyen d'un outil de polissage MirraTM (Applied Materials, Santa Clara, CA). Avant les tests, tous les tampons de polissage ont été conditionnés pendant 40 minutes à 3,2 kg (7 lbs) au moyen d'un conditionneur constitué par un plateau SAESOLTM 8031C1 (surface de fine 15 poudre de diamant brasée, de 10,16 cm de diamètre, Saesol Diamond Ind. Co., Ltd., Corée). Pendant les tests, le même conditionnement des tampons a été continué. Au total 18 galettes ont été testées par tampon et les moyennes ont été calculées. Non-uniformité : a été déterminée sur le même substrat en 20 TEOS planarisé que dans les tests concernant la vitesse de retrait et de la manière décrite dans les tests concernant la vitesse de retrait, à ceci près que les données ont été obtenues en observant la variation d'épaisseur sur chaque galette. Au total, 18 galettes ont été testées par tampon et les moyennes ont été calculées. 25 Nombre de stries ou de défauts : a été déterminé sur le même substrat en TEOS planarisé que dans les tests concernant la vitesse de retrait et de la manière décrite dans les tests concernant la vitesse de retrait, à ceci près que les données ont été obtenues en observant le nombre total de défauts de CMP. Au total, 18 galettes ont été testées par 30 tampon et les moyennes ont été calculées. 3056431 24 Les tampons résultants avaient une microtexture de surface de tampon comprenant des arcs sécants ayant un rayon de courbure égal à celui de la périphérie de l'ensemble formant meule rotative. En outre, ainsi que cela est représenté dans le tableau 1, ci-dessous, les tampons des 5 exemples 1-1 et 1-2 selon l'invention donnaient les mêmes vitesses de planarisation sur un substrat que les tampons comparatifs des exemples 1-A (solo) et 1-B (empilé); en même temps, les tampons des exemples 11 et 1-2 selon l'invention produisaient une défectivité sensiblement moindre et beaucoup moins de stries dans le substrat que les tampons 10 des exemples comparatifs 1-A et 1-B qui n'ont pas été soumis aux procédés de meulage de la présente invention. Tableau 1 : Morphologie et performances de polissage - petits tampons *Exemple Exemple *Exemple 1-B Exemple 1-A 1-1 1-2 Nombre 5 5 4 4 d'échantillons Vitesse de retrait, Â (104° m)/min 3515 3468 3762 3737 Non-uniformité, 0/0 4,5 3,7 4,2 3 Nombre de 144 100 91 61 défauts, stries (0,11 kg/cm2) Nombre de 369 173 118 42 défauts, stries (0,21 kg/cm2) Nombre de 425 216 218 100 défauts, stries (0,32 kg/cm2) * -désigne un exemple comparatif. 15 Exemple 2 : des tests ont été conduits avec des tampons en polyuréthane à une seule couche ayant un grand rayon de 419 mm (16.5") IC1000 TM (Dow) et ayant une dureté Shore D de 61,0, le tampon de l'exemple 2 étant traité de la même manière que dans l'exemple 1 ci-dessus, à ceci près que l'ensemble formant meule rotative était abaissé en 3056431 25 direction du plateau à fond plat à une vitesse correspondant à des incréments de 20,3 pm (0,0007") tous les huit tours de tampon et que le meulage a été continué pendant 5,5 min. Le tampon de l'exemple comparatif 2-A était le même que dans l'exemple 2 mais non traité selon 5 les procédés de la présente invention. Les tests ont été réalisés sur 14 tampons et les résultats moyens concernant la variation d'épaisseur sont représentés. La variation d'épaisseur a été testée comme suit : Variation d'épaisseur : a été déterminée au moyen d'une 10 machine de mesure des coordonnées sur la surface des tampons de polissage. Au total, neuf emplacements discrets du centre au bord des tampons ont fait l'objet de mesures par tampon. La variation d'épaisseur a été calculée en soustrayant la mesure correspondant à la plus petite épaisseur de la mesure correspondant à l'épaisseur la plus grande. Les 15 résultats sont présentés dans le tableau 2 ci-dessous. Les tampons selon la présente invention résultants comportaient la microtexture de surface de tampon caractéristique. Les tampons de l'exemple 2 selon l'invention présentaient une variation d'épaisseur moyenne moindre de sorte qu'ils ont une forme plus uniforme 20 que le tampon de l'exemple comparatif 2-A. Tableau 2 : Morphologie- tampons de plus grande taille Exemple 2-A* Exemple 2 Nombre d'échantillons 10 10 Variation d'épaisseur moyenne, pm 17,66 7,42 * - désigne un exemple comparatif. 25 Exemple 3 : la rugosité de surface a été mesurée sur les tampons de l'exemple 2, ci-dessus, par comparaison avec des tampons IC1000TM disponibles dans le commerce (Dow). Le tampon de l'exemple 3056431 26 comparatif 3-A était le même que celui de l'exemple 3 mais il n'a pas été traité selon les procédés de la présente invention. La rugosité de surface a été mesurée en cinq points régulièrement espacés depuis le centre du tampon jusqu'au bord du 5 tampon sur deux tampons, et les résultats moyens sont indiqués dans le tableau 3, ci-dessous. Tableau 3 : Rugosité de surface Exemple 3-A* Exemple 3 Nombre d'échantillons 1 1 Moyenne quadratique, 12,52 5,48 (Sq) pm Profondeur de rugosité 14,82 10,17 centrale, Sk, pm Hauteur de crête réduite, (Spk), pm 7,60 4,93 Hauteur de vallée 26,44 9,78 éliminée, (Svk), pm * - Désigne un exemple comparatif. 10 Ainsi que cela est représenté dans le tableau 3 ci-dessus, les couches de polissage de CMP de la présente invention dans l'exemple 3 ont une microtexture de surface de tampon définie et une rugosité de surface définie caractérisée par une profondeur de vallée réduite. REVENDICATIONS1. Appareil pour produire des tampons ou couches de polissage mécano-chimique (CMP) polymériques préconditionnés ayant une microtexture de surface de tampon et pour polir un substrat, l'appareil comprenant un ensemble formant meule rotative (4) ayant un rotor ou roue avec une surface de meulage en un matériau abrasif poreux (5), un plateau à fond plat (1) pour maintenir la couche de polissage de CMP (2) en place, la surface de meulage de la meule rotative étant disposée au- dessus de et parallèlement ou sensiblement parallèlement à la surface du plateau à fond plat pour former une interface de la surface de la couche de polissage de CMP et du matériau abrasif poreux, et un support de substrat (6) situé au-dessus de et parallèlement à une surface supérieure du plateau à fond plat de manière à ne pas chevaucher la zone au-dessus de laquelle l'ensemble formant meule rotative est disposé et auquel un substrat de CMP (7) est fixé, pour créer ainsi une interface de polissage entre la surface du substrat et la couche de polissage de CMP, où le support de substrat tourne indépendamment de l'ensemble formant meule rotative et du plateau à fond plat. 2. Appareil selon la revendication 1, dans lequel le plateau à fond plat (1) maintient la couche de polissage de CMP (2) en place au moyen d'un vide. 3. Appareil selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, dans lequel la couche de polissage de CMP (2) a un rayon qui s'étend de son centre à sa périphérie externe et la surface de meulage du rotor ou roue de l'ensemble formant meule rotative(4) a un diamètre égal ou supérieur au rayon de la couche de polissage de CMP (2). 4. Appareil selon la revendication 3, dans lequel le diamètre de l'ensemble formant meule rotative (4) est égal au rayon de la couche de polissage de CMP (2). 3056431 28 5. Appareil selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le rotor ou roue de l'ensemble formant meule rotative (4) est positionné de telle manière que la périphérie externe de sa surface de meulage repose directement sur le centre de la couche de 5 polissage de CMP (2) pendant le meulage. 6. Appareil selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel caractérisé en ce que le rotor ou roue de l'ensemble formant meule rotative (4) et la couche de polissage de CMP (2) et le plateau à fond plat (1) tournent chacun pendant le meulage de la 10 couche de polissage de CMP (2). 7. Appareil selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'ensemble formant meule rotative (4) comprend un boîtier d'entraînement incluant un moteur ou dispositif d'actionnement rotatif et un axe disposé verticalement relié à et entraîné par le moteur ou 15 dispositif d'actionnement rotatif qui s'étend dans le boîtier d'entraînement et est relié à son extrémité inférieure via une liaison mécanique au rotor ou roue de telle manière qu'il tourne à un nombre souhaité de tours par minute (tr/min). 8. Appareil selon la revendication 7, dans lequel, dans le boîtier 20 d'entraînement, l'axe disposé verticalement comprend une vis à billes ou un servomoteur secondaire situé à l'endroit où l'axe est relié au moteur ou dispositif d'actionnement rotatif, au niveau de la liaison mécanique de l'axe avec le rotor ou roue, ou aux deux endroits, de sorte que le rotor ou roue de l'ensemble formant meule rotative peut être abaissé à une vitesse 25 incrémentielle fixée. 9. Appareil selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre un conduit, tuyau, buse ou valve pour insuffler un gaz inerte comprimé ou de l'air comprimé de manière intermittente ou de manière continue, et positionné pour insuffler le gaz 30 inerte comprimé ou l'air comprimé dans l'interface entre la surface du 3056431 29 matériau de la couche de polissage de CMP et le matériau abrasif poreux de manière à frapper le matériau abrasif poreux pendant le meulage, et, séparément, un second conduit, tuyau ou valve pour insuffler un gaz inerte comprimé ou de l'air comprimé vers le haut depuis un point situé 5 juste sous la périphérie de l'ensemble formant meule rotative de manière à frapper le matériau abrasif poreux pendant le meulage. 10. Appareil selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le support de substrat a un diamètre plus petit que le rayon de la couche de polissage ou tampon de CMP maintenu sur le 10 plateau à fond plat et, en outre, en ce que le support de substrat est lié mécaniquement à ou monté sur un premier dispositif d'actionnement pour faire tourner le support de substrat autour d'un axe central, et un second dispositif d'actionnement pour presser le support de substrat contre la couche de polissage ou tampon de CMP. 15 11. Appareil selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'ensemble de l'appareil est inclus dans une enceinte étanche à l'air.