Brevet FR3056859A1 — publié le 20180330

Procédé de pilotage d'un transistor du type IGBT et dispositif de pilotage associé La présente invention concerne un procédé de pilotage d'un transistor du type IGBT et un dispositif de pilotage associé. De manière connue en soi, un transistor du type IGBT (de l'anglais « Insulated Gate Bipolar Transistor ») appelé également transistor bipolaire à grille isolée, comprend trois bornes ou contacts électriques, à savoir une grille, un collecteur et un émetteur. Un transistor du type IGBT est particulièrement utilisable comme interrupteur électrique. En effet, un tel transistor définit un état passant dans lequel le collecteur est connecté électriquement à l'émetteur et un état bloqué dans lequel ils sont isolés électriquement l'un de l'autre. La commutation entre les deux états est pilotée par une tension de consigne appliquée sur la grille par des moyens de commande adaptés. En particulier, la commutation entre l'état bloqué et l'état passant comprend une phase de commutation à l'amorçage consistant à commuter le transistor de l'état bloqué vers l'état passant, et une phase de commutation au blocage consistant à commuter le transistor de l'état passant vers l'état bloqué. Chacune de ces phases comprend plusieurs étapes intermédiaires correspondant à différents états intermédiaires du transistor entre l'état bloqué et l'état passant. Généralement, le pilotage du transistor est adapté pour assurer un bon déroulement de ces étapes intermédiaires et garantir une vitesse constante de la commutation. Pour ce faire, les moyens de commande associés au transistor appliquent différents courants à la grille en fonction de chaque étape intermédiaire en cours. Il est donc important de pouvoir détecter chacune de ces étapes intermédiaires pour assurer le pilotage d'un transistor. Selon des méthodes connues dans l'état de la technique, la détection des étapes intermédiaires est effectuée en mesurant la tension entre le collecteur et l'émetteur, et l'intensité du courant électrique passant via le collecteur. Toutefois, afin de déterminer précisément les moments de transition entre les étapes intermédiaires, il est nécessaire de fournir aux moyens de commande des mesures de tension et d'intensité du courant passant par le transistor de manière particulièrement précise. On conçoit alors que ceci rend la structure du circuit électrique associé au transistor plus complexe. Ce problème dévient particulièrement pertinent pour des transistors utilisés dans le domaine ferroviaire et fonctionnant alors sur la haute tension. 3056859 2 La présente invention a pour but de proposer un procédé de pilotage d'un transistor du type IGBT permettant de piloter efficacement les étapes intermédiaires lors de la commutation du transistor entre l'état bloqué et l'état passant sans complexifier la structure du circuit électrique associé au transistor. 5 À cet effet, l'invention a pour objet un procédé de pilotage d'un transistor du type IGBT, le transistor comportant une grille, un collecteur et un émetteur, et définissant un état passant dans lequel un courant principal s'écoule entre le collecteur et l'émetteur et un état bloqué dans lequel le collecteur est isolé électriquement de l'émetteur. Le procédé comporte une phase de commutation entre l'état passant et l'état 10 bloqué comprenant la génération d'un courant de consigne dont l'intensité sur la grille du transistor prend des valeurs de consignes différentes, au moins certaines des valeurs de consignes étant choisies en fonction du signe de la dérivée temporelle du courant principal, chaque valeur de consigne étant choisie dans un ensemble de valeurs de consigne prédéterminées. 15 Suivant d'autres aspects avantageux de l'invention, le procédé comprend une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prise(s) isolément ou suivant toutes les combinaisons techniquement possibles : - la phase de commutation comprend en outre la mesure de la tension du courant électrique entre la grille et l'émetteur et la comparaison de cette tension avec au moins un 20 seuil de tension prédéterminé ; - au moins une valeur de consigne est choisie lorsque ladite tension entre la grille et l'émetteur atteint le seuil de tension prédéterminé ; - au moins une valeur de consigne est choisie en fonction du temps écoulé à partir du moment qu'une valeur de consigne précédente a été choisie ; 25 - la phase de commutation est une phase de commutation à l'amorçage consistant à commuter le transistor de l'état bloqué vers l'état passant ou est une phase de commutation au blocage consistant à commuter le transistor de l'état passant vers l'état bloqué ; - la phase de commutation à l'amorçage comprend les étapes suivantes mises en 30 oeuvre de manière consécutive : + étape préliminaire d'amorçage consistant à recevoir un ordre de commutation du transistor de l'état bloqué vers l'état passant ; + première étape de commutation consistant à générer le courant de consigne d'intensité égale à une première valeur de consigne jusqu'à ce que la 35 tension du courant électrique entre la grille et l'émetteur atteigne un seuil de tension d'amorçage prédéterminé, ou la dérivée temporelle du courant principal 3056859 3 devienne positive, ou le temps écoulé depuis le début de la première étape de commutation atteigne un premier seuil temporel prédéterminé ; + deuxième étape de commutation consistant à générer le courant de consigne d'intensité égale à une deuxième valeur de consigne jusqu'à ce que la 5 dérivée temporelle du courant principal devienne négative, ou le temps écoulé depuis le début de la deuxième étape de commutation atteigne un deuxième seuil temporel prédéterminé ; et + troisième étape de commutation consistant à générer le courant de consigne d'intensité égale à une troisième valeur de consigne jusqu'à ce que le 10 temps écoulé à depuis le début de la première étape de commutation atteigne un seuil temporel d'amorçage prédéterminé ; - la phase de commutation au blocage comprend les étapes suivantes mises en oeuvre de manière consécutive : + étape préliminaire de blocage consistant à recevoir un ordre de 15 commutation du transistor de l'état passant vers l'état bloqué ; + quatrième étape de commutation consistant à générer le courant de consigne d'intensité égale à une quatrième valeur de consigne jusqu'à ce que la tension du courant électrique entre la grille et l'émetteur atteigne un seuil de tension de blocage prédéterminé, ou la dérivée temporelle du courant principal 20 devienne négative, ou le temps écoulé depuis le début de la quatrième étape de commutation atteigne un quatrième seuil temporel prédéterminé ; + cinquième étape de commutation consistant à générer le courant de consigne d'intensité égale à une cinquième valeur de consigne jusqu'à ce que le temps écoulé depuis le début de la cinquième étape de commutation atteigne un 25 cinquième seuil temporel prédéterminé ; et + sixième étape de commutation consistant à générer le courant de consigne d'intensité égale à une sixième valeur de consigne jusqu'à ce que le temps écoulé depuis le début de la quatrième étape de commutation atteigne un seuil temporel de blocage prédéterminé ; 30 - la phase de commutation à l'amorçage comprend en outre une étape de détection d'un court-circuit comprenant la détection d'un court-circuit en fonction du signe de la dérivée temporelle du courant principal dans une fenêtre temporelle d'observation de longueur prédéterminée ; - le procédé comporte au moins deux phases de commutation entre l'état passant 35 et l'état bloqué, qui sont la phase de commutation à l'amorçage et la phase de commutation au blocage. 3056859 4 L'invention a également pour objet un dispositif de pilotage d'un transistor du type IGBT, le transistor comportant une grille, un collecteur et un émetteur, et définissant un état passant dans lequel un courant principal s'écoule entre le collecteur et l'émetteur et un état bloqué dans lequel le collecteur est isolé électriquement de l'émetteur. 5 Le dispositif est apte à générer un courant de consigne dont l'intensité sur la grille du transistor prend des valeurs de consignes différentes, au moins certaines des valeurs de consignes étant choisies en fonction du signe de la dérivée temporelle du courant principal, chaque valeur de consigne étant choisie dans un ensemble de valeurs de consigne prédéterminées. 10 Ces caractéristiques et avantages de l'invention apparaitront à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés, sur lesquels : - la figure 1 est une vue schématique d'un circuit électrique intégrant notamment un transistor du type IGBT et un dispositif de pilotage de ce transistor selon l'invention ; 15 - la figue 2 est un organigramme d'une phase de commutation à l'amorçage d'un procédé de pilotage selon l'invention mis en oeuvre par le dispositif de pilotage de la figure 1 ; - la figure 3 est une vue schématique illustrant différentes étapes de la phase de commutation à l'amorçage de la figure 2 ; 20 - la figue 4 est un organigramme d'une phase de commutation au blocage du procédé de pilotage ; - la figure 5 est une vue schématique illustrant différentes étapes de la phase de commutation au blocage de la figure 4 ; - la figure 6 est un organigramme d'une étape de détection d'un court-circuit mise 25 en oeuvre lors de la phase de commutation à l'amorçage de la figure 2 ; et - la figure 7 est une vue schématique illustrant l'étape de détection d'un court-circuit de la figure 6. Le circuit électrique 10 de la figure 1 est utilisable pour commander au moins en partie le fonctionnement d'un composant de puissance 12 comportant notamment deux 30 bornes Eaux et Ep. Le circuit électrique 10 et le composant de puissance 12 sont notamment utilisables dans le domaine ferroviaire et sont, par exemple, embarqués dans un véhicule ferroviaire. En référence à la figure 1, le circuit électrique 10 comprend un transistor 14 35 connecté au composant de puissance 12 et associé à une diode 15, un module de 3056859 5 mesure de tension 16, un module de détection de changement de courant 18 et un dispositif de pilotage 20 du transistor 14 selon l'invention. Le transistor 14 est un transistor du type IGBT (de l'anglais « Insulated Gate Bipolar Transistor ») appelé également transistor bipolaire à grille isolée. 5 Le transistor 14 est connu en soi et comporte en particulier trois bornes ou contacts électriques, à savoir, une grille G, un collecteur C et un émetteur E. L'émetteur E est connecté notamment à la borne Eaux du composant de puissance 12. Le transistor 14 définit un état passant dans lequel un courant électrique lc, appelé 10 par la suite courant principal, s'écoule entre le collecteur C et l'émetteur E et un état bloqué dans lequel le collecteur C est isolé électriquement de l'émetteur E. Par ailleurs, la diode 15 permet le passage d'un courant électrique de l'émetteur E vers le collecteur C quel que soit l'état du transistor 14. Le module de mesure de tension 16 est connecté d'une part à la grille G et 15 de l'autre part à l'émetteur E du transistor 14 et permet de mesurer une tension VGE entre la grille G et l'émetteur E. Le module de mesure de tension 16 présente par exemple un voltmètre de type adapté. Le module de mesure de changement de courant 18 est connecté aux bornes Eaux 20 et Ep du composant de puissance 12 et permet de détecter tout changement de l'intensité du courant principal le passant par le composant électrique 12. Autrement dit, le module 18 permet de détecter toute croissance ou toute décroissance de valeurs d'intensité du courant principal le dans le temps. Encore autrement dit, le module 18 permet de détecter le signe de la dérivée 25 temporelle dlcidt du courant principal Ic. Pour ce faire, le module 18 est apte à mesurer la tension U entre les bornes Eaux et Ep du composant de puissance 12. Le signe de la dérivée temporelle dlcidt du courant principal le est déterminé par le signe de la tension U car la dérivée temporelle dlcidt et la tension U sont linéairement dépendantes. En effet, la tension U est égale au produit de la 30 dérivée temporelle dlcidt et de l'inductance du composant de puissance 12. Le dispositif de pilotage 20 est connecté à la grille G du transistor 14 et permet de piloter le fonctionnement de ce transistor 14 en appliquant une tension de consigne et un courant de consigne sur la grille G selon un procédé de pilotage 100 décrit plus en détail par la suite. 35 Le dispositif de pilotage 20 est connecté en outre aux modules 16 et 18 pour récupérer des mesures respectivement de la tension VGE et du signe de dlcidt et à une 3056859 6 source d'alimentation (non-illustré) fournissant une tension de consigne positive et une tension de consigne négative. La tension de consigne positive est par exemple sensiblement égale à +15 V. La tension de consigne négative est par exemple sensiblement égale à -15 V. 5 Le dispositif de pilotage 20 comprend par exemple un circuit de commande et un calculateur connecté au circuit de commande et permettant de traiter numériquement des mesures issues des modules 16 et 18 pour mettre en oeuvre au moins certaines étapes du procédé de pilotage 100. Finalement, le dispositif de pilotage 20 est apte à recevoir un ordre d'amorçage et 10 un ordre de blocage du transistor 14 issus par exemple d'un calculateur central (non- illustré). Le procédé de pilotage 100 du transistor 14 sera désormais expliqué en détail. Le procédé de pilotage 100 comprend une phase de commutation à l'amorçage, une phase d'amorçage, une phase de commutation au blocage et une phase de blocage. 15 Lors de la phase d'amorçage, le dispositif de pilotage 20 maintient le transistor 14 dans l'état passant en appliquant la tension de consigne positive sur la grille G. Lors de la phase de blocage, le dispositif de pilotage 20 maintient le transistor 14 dans l'état bloqué en appliquant la tension de consigne négative sur la grille G. La phase de commutation à l'amorçage est une phase transitoire entre la phase 20 de blocage et la phase d'amorçage et permet notamment de faire passer le transistor 14 de l'état bloqué à l'état passant. Un organigramme de cette phase de commutation à l'amorçage est illustré sur la figure 2. Ainsi, en référence à cette figure 2, la phase de commutation à l'amorçage 25 comprend une étape initiale 101 lors de laquelle le dispositif de pilotage 20 reçoit un ordre d'amorçage. Dans ce cas, le dispositif de pilotage 20 met en oeuvre les étapes 110 à 135. Lors d'une première étape de commutation 110, le dispositif de pilotage 20 applique à la grille G du transistor 14 la tension de consigne positive avec un courant de 30 consigne d'intensité égale à une première valeur de consig ne 1cl. Lors d'une étape 115 mise en oeuvre en parallèle avec la première étape de commutation 110, le dispositif de pilotage 20 reçoit des mesures issues des modules 16 et 18, et en utilisant ces mesures, vérifie des conditions d'arrêt de la première étape de commutation 110. 35 En particulier, lors de cette étape 115, le dispositif de pilotage 20 continue à exécuter l'étape 110 jusqu'à ce que l'une des conditions d'arrêt suivantes soit réalisée : 3056859 7 - la tension du courant électrique entre la grille et l'émetteur VGE atteigne un seuil de tension d'amorçage VON prédéterminé ; - la dérivée temporelle dlcidt du courant principal le devienne positive ; - le temps écoulé depuis le début de la première étape de commutation 110 5 atteigne un premier seuil temporel Ti prédéterminé. Le seuil de tension d'amorçage VON est paramétrable par le dispositif de pilotage 20 et réglable préalablement à la mise en oeuvre du précédé 100 par exemple entre 1 V et 20 V. Ce seuil VON est de préférence égal à 5 V. Le premier seuil temporel Ti est paramétrable par le dispositif de pilotage 20 et 10 réglable préalablement à la mise en oeuvre du précédé 100 par exemple entre 1 ps et 8 ps. La première valeur de consigne Id est paramétrable par le dispositif de pilotage 20 et réglable préalablement à la mise en oeuvre du précédé 100 par exemple entre 0,2 A et 20 A. 15 Puis, le dispositif de pilotage 20 exécute une deuxième étape de commutation 120 lors de laquelle il applique à la grille G du transistor 14 la tension de consigne positive avec un courant de consigne d'intensité égale à une deuxième valeur de consigne lc2. Lors d'une étape 125 mise en oeuvre en parallèle avec la deuxième étape de commutation 120, le dispositif de pilotage 20 reçoit des mesures issues du module 18, et 20 en utilisant ces mesures, vérifie des conditions d'arrêt de la deuxième étape 120. En particulier, lors de cette étape 125, le dispositif de pilotage 20 continue à exécuter l'étape 120 jusqu'à ce que l'une des conditions d'arrêt suivantes soit réalisée : - la dérivée temporelle dlcidt du courant principal le devienne négative ; - le temps écoulé depuis le début de la deuxième étape de commutation 120 25 atteigne un deuxième seuil temporel T2 prédéterminé. Le deuxième seuil temporel T2 est paramétrable par le dispositif de pilotage 20 et réglable préalablement à la mise en oeuvre du précédé 100 par exemple entre 1 ps et 4 ps. La deuxième valeur de consigne 1,2 est paramétrable par le dispositif de pilotage 30 20 et réglable préalablement à la mise en oeuvre du précédé 100 par exemple entre 0,2 A et 20 A. Puis, le dispositif de pilotage 20 exécute une troisième étape de commutation 130 lors de laquelle il applique à la grille G du transistor 14 la tension de consigne positive avec un courant de consigne d'intensité égale à une troisième valeur de consigne 1,3. 3056859 8 Lors d'une étape 135 mise en oeuvre en parallèle avec la deuxième étape 130, le dispositif de pilotage 20 vérifie une condition d'arrêt de la troisième étape de commutation 130. En particulier, lors de cette étape 135, le dispositif de pilotage 20 continue à 5 exécuter l'étape 130 jusqu'à ce que le temps écoulé depuis le début de la première étape de commutation 110 atteigne un seuil temporel d'amorçage TON prédéterminé. Le seuil temporel d'amorçage TON est paramétrable par le dispositif de pilotage 20 et réglable préalablement à la mise en oeuvre du précédé 100 par exemple entre 3 ps et 20 ps. 10 La troisième valeur de consigne 1,3 est paramétrable par le dispositif de pilotage 20 et réglable préalablement à la mise en oeuvre du précédé 100 par exemple entre 0,2 A et 20 A. On conçoit alors que lors de la mise en oeuvre de la phase de commutation à l'amorçage, chaque valeur de consigne 1,1 à 1,3 est choisi dans un ensemble de valeurs de 15 consigne prédéterminées. Ces valeurs sont prédéterminées avant la mise en oeuvre du procédé de pilotage. Par ailleurs, les valeurs de consigne 1,1 à 1,3 sont différentes entre elles. Dans l'exemple décrit, les valeurs de consigne 1,1 à 1,3 sont positives de sorte que la troisième valeur de consigne 1,3 est inférieure à la première valeur de consigne 1,1 et 20 supérieure à la deuxième valeur de consigne 1c2. La figure 3 illustre le comportement du courant principal 1G, de la tension VGE entre la grille G et l'émetteur E, de la dérivée temporelle dIG/dt du courant principal 1G et du courant de consigne IG à la grille G dans un exemple de la mise en oeuvre des étapes 110 à 130 de la phase de commutation à l'amorçage. 25 La phase de commutation au blocage est une phase transitoire entre la phase d'amorçage et la phase de blocage et permet notamment de faire passer le transistor 14 de l'état passant à l'état bloqué. Un organigramme de cette phase de commutation au blocage est illustré sur la figure 4. 30 Ainsi, en référence à cette figure 4, la phase de commutation au blocage comprend une étape initiale 139 lors de laquelle le dispositif de pilotage 20 reçoit un ordre de blocage. Dans ce cas, le dispositif de pilotage 20 met en oeuvre les étapes 140 à 165. Lors d'une quatrième étape de commutation 140, le dispositif de pilotage 20 35 applique à la grille G du transistor 14 la tension de consigne négative avec un courant de consigne d'intensité égale à une quatrième valeur de consigne Ica. 3056859 9 Lors d'une étape 145 mise en oeuvre en parallèle avec la quatrième étape de commutation 140, le dispositif de pilotage 20 reçoit des mesures issues des modules 16 et 18, et en utilisant ces mesures, vérifie des conditions d'arrêt de la quatrième étape de commutation 140. 5 En particulier, lors de cette étape 145, le dispositif de pilotage 20 continue à exécuter l'étape 140 jusqu'à ce que l'une des conditions d'arrêt suivantes soit réalisée : - la tension du courant électrique VGE entre la grille G et l'émetteur E atteigne un seuil de tension de blocage VOFF prédéterminé ; - la dérivée temporelle clic/oit du courant principal le devienne négative ; 10 - le temps écoulé depuis le début de la quatrième étape de commutation 140 atteigne un quatrième seuil temporel T4 prédéterminé. Le seuil de tension de blocage VOFF est paramétrable par le dispositif de pilotage 20 et réglable préalablement à la mise en oeuvre du précédé 100 par exemple entre 0,5 V et 20 V. Ce seuil VOFF est de préférence égal à 2 V. 15 Le quatrième seuil temporel T4 est paramétrable par le dispositif de pilotage 20 et réglable préalablement à la mise en oeuvre du précédé 100 par exemple entre 1 ps et 10 ps. La valeur absolue de la quatrième valeur de consigne 1,4 est paramétrable par le dispositif de pilotage 20 et réglable préalablement à la mise en oeuvre du précédé 100 par 20 exemple entre 0,2 A et 20 A. Puis, le dispositif de pilotage 20 exécute une cinquième étape de commutation 150 lors de laquelle il applique à la grille G du transistor 14 la tension de consigne négative avec un courant de consigne d'intensité égale à une cinquième valeur de consigne Ic5- Lors d'une étape 155 mise en oeuvre en parallèle avec la cinquième étape 150, le 25 dispositif de pilotage 20 vérifie une condition d'arrêt de la cinquième étape de commutation 150. En particulier, lors de cette étape 155, le dispositif de pilotage 20 continue à exécuter l'étape 150 jusqu'à ce que le temps écoulé depuis le début de la cinquième étape de commutation 150 atteigne un cinquième seuil temporel T5 prédéterminé. 30 Le cinquième seuil temporel T5 est paramétrable par le dispositif de pilotage 20 et réglable préalablement à la mise en oeuvre du précédé 100 par exemple entre 0,5 ps et 2 ps. La valeur absolue de la cinquième valeur de consigne 1,5 est paramétrable par le dispositif de pilotage 20 et réglable préalablement à la mise en oeuvre du précédé 100 par 35 exemple entre 0,2 A et 20 A. 3056859 10 Puis, le dispositif de pilotage 20 exécute une sixième étape de commutation 160 lors de laquelle il applique à la grille G du transistor 14 la tension de consigne négative avec un courant de consigne d'intensité égale à une sixième valeur de consigne 1c6. Lors d'une étape 165 mise en oeuvre en parallèle avec la sixième étape de 5 commutation 160, le dispositif de pilotage 20 vérifie une condition d'arrêt de la sixième étape de commutation 160. En particulier, lors de cette étape 165, le dispositif de pilotage 20 continue à exécuter l'étape 160 jusqu'à ce que le temps écoulé depuis le début de la quatrième étape 140 atteigne un seuil temporel de blocage 'OFF prédéterminé. 10 Le seuil temporel de blocage 'OFF est paramétrable par le dispositif de pilotage 20 et réglable préalablement à la mise en oeuvre du précédé 100 par exemple entre 3 ps et 20 ps. La valeur absolue de la sixième valeur de consigne 1,6 est paramétrable par le dispositif de pilotage 20 et réglable préalablement à la mise en oeuvre du précédé 100 par 15 exemple entre 0,2 A et 20 A. On conçoit alors que lors de la mise en oeuvre de la phase de commutation au blocage, chaque valeur de consigne 1,4 à 1,6 est choisie dans un ensemble de valeurs de consigne prédéterminées. Ces valeurs sont prédéterminées avant la mise en oeuvre du procédé de pilotage 100. 20 Par ailleurs, les valeurs de consigne 1,4à1,6 sont différentes entre elles. Dans l'exemple décrit, les valeurs de consigne 1,4 à 1,6 sont négatives de sorte que la sixième valeur de consigne 1,6 est inférieure à la cinquième valeur de consigne 1,5 et supérieure à la quatrième valeur de consigne Ica. La figure 5 illustre le comportement du courant principal 1G, de la tension VGE entre 25 la grille G et l'émetteur E, de la dérivée temporelle dIG/dt du courant principal 1G et du courant de consigne IG à la grille G dans un exemple de la mise en oeuvre des étapes 140 à 160 de la phase de commutation au blocage. En complément, la phase de commutation à l'amorçage comprend une étape de détection 170 d'un court-circuit dans le circuit électrique 10. Cette étape 170 est mise en 30 oeuvre en parallèle aux étapes 110 à 135. En particulier, cette étape de détection 170 comprend plusieurs sous-étapes dont l'organigramme est illustré sur la figure 6. Lors d'une sous-étape 171, le dispositif de pilotage 20 observe le signe de la dérivée temporelle dIG/dt du courant principal 1G dans une fenêtre temporelle d'observation 35 Tubs. 3056859 11 Le début de la fenêtre temporelle d'observation -robs correspond au début de la phase de commutation à l'amorçage. Si la dérivée temporelle dlcidt du courant principal le est positive lors d'une période de test Tt prédéterminée, le dispositif 20 détecte la présence d'un court-circuit lors d'une 5 sous-étape 172. Dans le cas contraire, le dispositif de pilotage 20 déduit qu'un court- circuit ne peut pas avoir lieu. Avantageusement, l'étape 170 comprend en outre une sous-étape 173 lors de laquelle le dispositif 20 confirme la présence du court-circuit détecté. En particulier, lors de cette sous-étape 173, le dispositif de pilotage 20 confirme la 10 présence du court-circuit lorsque la dérivée temporelle dlc/dt du courant principal Ic reste supérieure ou égale à zéro pendant une période complémentaire suivant la période de test Tt. Dans le cas contraire, le dispositif de pilotage 20 déduit que le court-circuit n'a pas eu lieu. La période complémentaire débute à la fin de la période de test Tt et se termine 15 par exemple avec la fenêtre temporelle d'observation -robs. Lorsqu'un court-circuit a été détecté, le dispositif de pilotage 20 signale alors un court-circuit et maintien le transistor 14 dans l'état bloqué au moins pendant une période de blocage prédéterminé. La période de test Tt est paramétrable par le dispositif de pilotage 20 et réglable 20 préalablement à la mise en oeuvre du précédé 100 par exemple entre 1 ps et 10 ps. La longueur de la fenêtre d'observation -robs est paramétrable par le dispositif de pilotage 20 et réglable préalablement à la mise en oeuvre du précédé 100 par exemple entre 1 ps et 20 ps. La période de test Tt et la période complémentaire sont comprises dans la fenêtre 25 d'observation Tobs. La figure 7 illustre le comportement du courant principal le et de la dérivée temporelle dlcidt du courant principal le dans deux exemples de la mise en oeuvre de la phase de commutation à l'amorçage. Dans le premier exemple correspondant aux traits continus des courbes le et 30 dlcidt, aucun court-circuit ne s'est produit. Dans ce cas, la dérivée dlcidt a changé le signe lors de la période de test Tt et le dispositif de pilotage 20 n'a donc détecté aucun court-circuit. Dans le deuxième exemple correspondant aux traits interrompus des courbes le et dlcidt, un court-circuit a apparu. Dans ce cas, la dérivée dlcidt a été positive lors de la 35 période de test Tt et égale à zéro en dehors de cette période. Le dispositif de pilotage 20 a donc détecté un court-circuit. 3056859 12 On conçoit alors que la présente invention présente un certain nombre d'avantages. Le procédé de pilotage selon l'invention utilise uniquement des mesures de la tension VGE entre la grille G et l'émetteur E, et le signe de la dérivée dlcidt du courtant 5 principal le pour piloter les différentes étapes intermédiaires lors de la commutation du transistor entre l'état bloqué et l'état passant. Il est à noter qu'aucune mesure de la valeur du courant principal le ni celle de sa dérivée dlcidt n'est nécessaire pour mettre en oeuvre le procédé. Ainsi, seul le signe de la dérivée dlcidt est important pour le pilotage du transistor ce qui permet de simplifier les 10 exigences imposées à des différents moyens de mesure dans le circuit électrique. Ceci simplifie alors considérablement la structure du circuit électrique intégrant le transistor. En outre, le signe de la dérivée dlcidt du courant principal le est utilisé comme moyen de réglage pour limiter la surtension au blocage du composant de puissance. 15 Ainsi, aucun circuit de contre-réaction et en particulier, aucun circuit lié à la tension aux bornes du composant de puissance n'est nécessaire pour limiter la surtension au blocage. Ceci constitue alors un avantage particulier de l'invention. REVENDICATIONS1.- Procédé de pilotage (100) d'un transistor (14) du type IGBT, le transistor (14) comportant une grille (G), un collecteur (C) et un émetteur (E), et définissant un état passant dans lequel un courant principal (Io) s'écoule entre le collecteur (C) et l'émetteur (E) et un état bloqué dans lequel le collecteur (C) est isolé électriquement de l'émetteur (E) ; le procédé (100) comportant une phase de commutation entre l'état passant et l'état bloqué comprenant la génération d'un courant de consigne dont l'intensité sur la grille du transistor (14) prend des valeurs de consignes (1,1,...,1,6) différentes, au moins certaines des valeurs de consignes (1,1,...,1,6) étant choisies en fonction du signe de la dérivée temporelle (dlo/dt) du courant principal (Io), chaque valeur de consigne (I ,- - - ,Ic6) étant choisie dans un ensemble de valeurs de consigne (1,1,...,Ic6) prédéterminées. 2.- Procédé (100) selon la revendication 1, dans lequel la phase de commutation comprend en outre la mesure de la tension (VGE) du courant électrique entre la grille (G) et l'émetteur (E) et la comparaison de cette tension avec au moins un seuil de tension (VoN, VoFF) prédéterminé. 3.- Procédé (100) selon la revendication 2, dans lequel au moins une valeur de consigne (1,1,...,1,6) est choisie lorsque ladite tension (VGE) entre la grille (G) et l'émetteur (E) atteint le seuil de tension (VoN, VoFF) prédéterminé. 4.- Procédé (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel au moins une valeur de consigne (I,1,...,1,6) est choisie en fonction du temps écoulé à partir du moment qu'une valeur de consigne (1,1,...,Ic6) précédente a été choisie. 5.- Procédé (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la phase de commutation est une phase de commutation à l'amorçage consistant à commuter le transistor (14) de l'état bloqué vers l'état passant ou est une phase de commutation au blocage consistant à commuter le transistor (14) de l'état passant vers l'état bloqué. 6.- Procédé (100) selon la revendication 5, dans lequel la phase de commutation à l'amorçage comprend les étapes suivantes mises en oeuvre de manière consécutive : 3056859 14 - étape préliminaire (101) d'amorçage consistant à recevoir un ordre de commutation du transistor (14) de l'état bloqué vers l'état passant ; - première étape de commutation (110) consistant à générer le courant de consigne d'intensité égale à une première valeur de consigne (Ici) jusqu'à ce que la 5 tension du courant électrique (VGE) entre la grille (G) et l'émetteur (E) atteigne un seuil de tension d'amorçage (VON) prédéterminé, ou la dérivée temporelle (dlo/dt) du courant principal (Io) devienne positive, ou le temps écoulé depuis le début de la première étape de commutation (110) atteigne un premier seuil temporel (Tl) prédéterminé ; - deuxième étape de commutation (120) consistant à générer le courant de 10 consigne d'intensité égale à une deuxième valeur de consigne (1,2) jusqu'à ce que la dérivée temporelle (dlo/dt) du courant principal (Io) devienne négative, ou le temps écoulé depuis le début de la deuxième étape de commutation (120) atteigne un deuxième seuil temporel (T2) prédéterminé ; et - troisième étape de commutation (130) consistant à générer le courant de 15 consigne d'intensité égale à une troisième valeur de consigne (1,3) jusqu'à ce que le temps écoulé depuis le début de la première étape de commutation (110) atteigne un seuil temporel d'amorçage (TON) prédéterminé. 7.- Procédé (100) selon la revendication 5 ou 6, dans lequel la phase de 20 commutation au blocage comprend les étapes suivantes mises en oeuvre de manière consécutive : - étape préliminaire (139) de blocage consistant à recevoir un ordre de commutation du transistor de l'état passant vers l'état bloqué ; - quatrième étape de commutation (140) consistant à générer le courant de 25 consigne d'intensité égale à une quatrième valeur de consigne (1,4) jusqu'à ce que la tension (VGE) du courant électrique entre la grille (G) et l'émetteur (E) atteigne un seuil de tension de blocage (VoFF) prédéterminé, ou la dérivée temporelle (dlo/dt) du courant principal (Io) devienne négative, ou le temps écoulé depuis le début de la quatrième étape de commutation (140) atteigne un quatrième seuil temporel (T4) prédéterminé ; 30 - cinquième étape de commutation (150) consistant à générer le courant de consigne d'intensité égale à une cinquième valeur de consigne (1,5) jusqu'à ce que le temps écoulé depuis le début de la cinquième étape de commutation (150) atteigne un cinquième seuil temporel (T5) prédéterminé ; et - sixième étape de commutation (160) consistant à générer le courant de consigne 35 d'intensité égale à une sixième valeur de consigne (1,6) jusqu'à ce que le temps écoulé 3056859 15 depuis le début de la quatrième étape de commutation (140) atteigne un seuil temporel de blocage (ToFF) prédéterminé. 8.- Procédé (100) selon l'une quelconque des revendications 5 à 7, dans lequel la 5 phase de commutation à l'amorçage comprend en outre une étape (170) de détection d'un court-circuit comprenant la détection d'un court-circuit en fonction du signe de la dérivée temporelle (dlo/dt) du courant principal (Io) dans une fenêtre temporelle d'observation de longueur (-robs) prédéterminée. 10 9.- Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 8, dans lequel le procédé comporte au moins deux phases de commutation entre l'état passant et l'état bloqué, qui sont la phase de commutation à l'amorçage et la phase de commutation au blocage. 15 10.- Dispositif de pilotage (20) d'un transistor (14) du type IGBT, le transistor (14) comportant une grille (G), un collecteur (C) et un émetteur (E), et définissant un état passant dans lequel un courant principal (Io) s'écoule entre le collecteur (C) et l'émetteur (E) et un état bloqué dans lequel le collecteur (C) est isolé électriquement de l'émetteur (E) ; 20 le dispositif étant apte à générer un courant de consigne dont l'intensité sur la grille du transistor (14) prend des valeurs de consignes (1,1,...,1,6) différentes, au moins certaines des valeurs de consignes (I,1,...,1,6) étant choisies en fonction du signe de la dérivée temporelle (dlo/dt) du courant principal (Io), chaque valeur de consigne (Ic,,---,lc6) étant choisie dans un ensemble de valeurs de consigne (1,1,...,6) prédéterminées. 25