Brevet FR3060846A1 — publié le 20180622

PROCÉDÉ D'INTÉGRATION DE PUCES DE PUISSANCE ET DE BUS BARRES FORMANT DISSIPATEURS THERMIQUES [001] L'invention concerne de manière générale le domaine de l'électronique de puissance. Plus particulièrement, l'invention se rapporte à un procédé d'intégration de puces électroniques de puissance et d'interconnexion de bus barres formant dissipateurs thermiques dans des dispositifs électroniques de puissance tels que des convertisseurs et des modules de puissance. L'invention se rapporte aussi à des dispositifs électroniques de puissance obtenus par la mise en oeuvre du procédé susmentionné. [002] Les dispositifs électroniques de puissance, tels que les convertisseurs de puissance, sont très présents dans de nombreux domaines d'activité comme les transports, les industries, l'éclairage, le chauffage, etc. Avec la transition énergétique souhaitée vers des sources d'énergie renouvelables et moins productrices d'émissions de CO2, l'électronique de puissance est appelée à se généraliser encore davantage et devra répondre à des contraintes économiques et technologiques croissantes. [003] Les recherches et développements actuels se concentrent sur la réduction des coûts, l'augmentation de la densité de puissance, l'augmentation de la fiabilité, la réduction des éléments parasites et le transfert thermique de l'énergie dissipée. [004] Dans l'état actuel de la technique, il est habituel de faire appel à la technologie dite HDI, de « High Density Interconnect » en anglais, pour augmenter le niveau d'intégration et réduire la taille des circuits de puissance. La technologie HDI implémentée généralement sur des circuits imprimés dit PCB, de « Printed Circuit Board » en anglais, est fondée sur une optimisation de l'implantation spatiale des composants en utilisant notamment des rubans et des plaques de céramiques portant un circuit de traces en cuivre, dit « lead frames », pour interconnecter des composants montés en surface ou, dans une technologie plus avancée, des micro-trous dits « microvias » remplis de cuivre pour interconnecter des composants encastrés. Il est utilisé le perçage par rayon laser ainsi que différentes techniques de soudure telles que par exemple le brasage, la soudure 3060846 2 en phase liquide transitoire dite soudure TLP ou le frittage de poudre de nanoparticules métalliques. [005] La technologie HDI trouve cependant ses limites face aux réductions de coût qui sont nécessaires pour des productions de masse, et à l'augmentation du 5 niveau d'intégration et de la compacité. Le niveau d'intégration qu'il est possible d'obtenir est limité par le volume occupé par les interconnexions avec rubans et microvias. Les interconnexions avec rubans ou câbles introduisent des inductances parasites qui s'opposent à des fréquences de découpage ou de commutation plus élevées. Or l'augmentation des fréquences de commutation est 10 généralement favorable à la compacité, notamment dans les convertisseurs de puissance. La réduction des inductances parasites est nécessaire aussi pour réduire la chaleur générée, protéger les circuits par rapport à des surtensions potentiellement destructrices et améliorer la maîtrise des rayonnements électromagnétiques. 15 [006] Un refroidissement performant est nécessaire pour maintenir les températures les composants actifs et passifs en dessous de valeurs critiques, pour atteindre un équilibre thermique et garantir la fiabilité des circuits de puissance. La disponibilité de puces en silicium ayant des surfaces de plus en plus réduites et les nouveaux semi-conducteurs de puissance, comme le carbure de 20 silicium, autorisent des densités de courant supérieures et une augmentation de la fréquence de découpage, ce qui permet une compacité encore supérieure des circuits de puissance. Mais pour cela, l'architecture des circuits de puissance et la technologie utilisée doivent assurer une extraction de l'énergie dissipée au plus près des composants. Il est nécessaire d'optimiser le chemin thermique entre les 25 sources de chaleur constituées des composants et les puits de chaleur constitués des moyens de dissipation thermique. [007] Dans les technologies connues, la chaleur doit traverser différentes couches comme la soudure, le substrat diélectrique plaqué de cuivre, la plaque métallique de base, le matériau d'interface thermique et la masse du dissipateur de 30 chaleur, avant d'être transférée dans l'air ou dans un liquide de refroidissement. 3060846 3 [008] II apparaît aujourd'hui nécessaire de proposer une technologie nouvelle pour la fabrication de dispositifs électroniques de puissance ayant des performances supérieures de dissipation thermique et autorisant une meilleure optimisation par rapport aux différentes contraintes qui s'appliquent. 5 [009] Selon un premier aspect, l'invention concerne un procédé d'intégration de puces électroniques de puissance et de bus barres formant dissipateurs thermiques pour la réalisation d'un circuit électronique de puissance. Conformément à l'invention, le procédé comprend : - une réalisation d'une ébauche intégrant au moins une puce électronique 10 comprise entre des couches internes stratifiées isolantes et/ou conductrices ; - une fixation mécanique, par l'intermédiaire de portions diélectriques de préimprégné de résine, de tronçons de bus barre en métal à des emplacements espacés prédéterminés sur des faces opposées haute et basse de l'ébauche ; et - pour chacune des faces opposées haute et basse, une interconnexion par 15 dépôt électrolytique de couche de métal des tronçons de bus barre fixés sur la face considérée et d'une électrode de la puce électronique, formant ainsi le circuit électronique de puissance comportant des bus barres formant dissipateurs thermiques. [0010] Selon une caractéristique particulière du procédé de l'invention, la 20 réalisation de l'ébauche comporte une étape de stratification de deux stratifiés ayant des couches diélectriques de préimprégné de résine comprenant entre elles la puce électronique, et des faces extérieures des stratifiés étant formées d'une feuille en métal. [0011] Selon une autre caractéristique particulière, la réalisation de l'ébauche 25 comporte une étape de retrait de matière par usinage pour réaliser au moins une cavité dans l'ébauche et dégager au moins une face de contact de la puce électronique. 3060846 4 [0012] Selon encore une autre caractéristique particulière, la réalisation de l'ébauche comporte une étape de dépôt électrolytique d'une couche conforme de métal. [0013] Selon encore une autre caractéristique particulière, la réalisation de 5 l'ébauche comporte une étape de dépôt électrolytique de remplissage de métal. [0014] Selon encore une autre caractéristique particulière, la réalisation de l'ébauche comporte une étape de définition précise de motifs de connexion par photolithographie et gravure humide. [0015] Selon un autre aspect, l'invention concerne un circuit électronique de 10 puissance obtenu par la mise en oeuvre du procédé tel que décrit brièvement ci-dessus, le métal utilisé pour les différentes étapes de fabrication du procédé étant le cuivre. [0016] Selon encore un autre aspect, l'invention concerne un dispositif électronique de puissance comprenant au moins deux circuits tels que mentionnés 15 ci-dessus, un premier circuit dit haut étant empilé sur un deuxième circuit dit bas, les circuits haut et bas étant liés mécaniquement et électriquement par leurs bus barres respectifs, au moins un espace central de circulation de liquide de refroidissement étant situé entre les circuits haut et bas, et l'espace central de circulation de liquide de refroidissement étant formé entre des tronçons des bus 20 barres. [0017] Selon une caractéristique particulière, le dispositif comprend également au moins un espace haut de circulation de liquide de refroidissement qui est situé dans une partie haute du dispositif, et l'espace haut de circulation de liquide de refroidissement étant formé entre des tronçons d'un bus barre haut du circuit haut 25 et une couche diélectrique haute. [0018] Selon une autre caractéristique particulière, le dispositif comprend également au moins un espace bas de circulation de liquide de refroidissement qui est situé dans une partie basse du dispositif, et l'espace bas de circulation de liquide de refroidissement étant formé entre des tronçons d'un bus barre bas du 30 circuit bas et une couche diélectrique basse. 3060846 5 [0019] D'autres avantages et caractéristiques de la présente invention apparaîtront plus clairement à la lecture de la description détaillée ci-dessous de plusieurs formes de réalisation particulières de l'invention, en référence aux dessins annexés, dans lesquels : 5 les Figs.1 à 13 sont des vues en coupe simplifiées montrant des étapes du procédé d'intégration de puces électroniques de puissance et de bus barres formant dissipateurs thermiques selon l'invention ; et les Figs.14 et 15 sont des vues en coupe simplifiées montrant des première et deuxième formes de réalisation d'un dispositif électronique de puissance selon 10 l'invention, avec une dissipation thermique par air et par liquide de refroidissement. [0020] Un mode de réalisation particulier du procédé selon l'invention est maintenant décrit ci-dessus dans le cadre de la réalisation d'un dispositif ou module électronique de puissance sous la forme d'une branche de pont, ou demi-pont, de commutation à transistors. De manière classique, la branche de pont 15 comprend un transistor haut et un transistor bas, dits respectivement «low side» et «high side» en anglais, et des diodes associées. De tels dispositifs peuvent être associés pour former des ponts complets de commutation ou associés en parallèle pour passer le courant voulu. [0021] De manière générale, il est utilisé dans l'invention des techniques de 20 fabrication connues et bien maîtrisées des circuits imprimés pour l'intégration des puces électroniques. Ainsi, il pourra être fait appel dans le procédé selon l'invention à une combinaison de différentes techniques de fabrication comprenant la stratification, la photolithographie, le dépôt électrolytique de métal et la gravure humide. Le dépôt électrolytique de métal sera notamment utilisé pour 25 l'interconnexion des puces électroniques et des bus barres. [0022] En référence aux Figs.1 à 13, il est maintenant décrit en détail différentes étapes de fabrication intervenant dans le procédé d'intégration de puces électroniques de puissance et d'interconnexion de bus barres selon l'invention. 3060846 6 [0023] Les Figs.1 et 2 montrent une étape initiale de fabrication d'un stratifié LA1 formé d'une couche diélectrique CD1 revêtue d'une feuille métallique conductrice FC1. [0024] La couche diélectrique CD1 est une feuille épaisse de préimprégné 5 composée typiquement d'un diélectrique en fibres de verre tissées enduit d'une résine de type époxy et partiellement polymérisé. La feuille métallique conductrice FC1 est typiquement une feuille de cuivre qui est stratifiée sur la couche diélectrique CD1, comme montré à la Fig.2. [0025] A l'étape de la Fig.3, des puces de composants, par exemple, sous la 10 forme d'un transistor de puissance MT et d'une diode MD, sont reportées sur la couche diélectrique CD1 du stratifié LA1 à des emplacements prédéterminés. Des moyens d'indexation, non représentés, sont utilisés ici pour la mise en place des puces. [0026] L'étape de la Fig.4 montre la stratification du stratifié LA1 portant les puces 15 MT et MD avec un autre stratifié LA2 obtenu par les étapes des Figs.1 et 2. A ce stade, les couches diélectriques CD1 et CD2 ne sont encore que partiellement polymérisées. Les puces MT et MD sont alors prises en sandwich entre les stratifiés LA1 et LA2, plus précisément entres les couches diélectriques CD1 et CD2 des stratifiés. La stratification entre eux des stratifiés LA1 et LA2 est 20 typiquement obtenue par pressage et passage au four de stratification sous vide. [0027] En sortie du four de stratification sous vide, à la Fig.5, il est obtenu une ébauche EB1 dans laquelle les puces MT et MD sont enterrées dans une couche diélectrique CD, totalement polymérisée et provenant de la stratification des couches CD1 et CD2. Les feuilles de cuivre FC1 et FC2 constituent des faces 25 opposées haute et basse de l'ébauche EB1. [0028] A l'étape de la Fig.6, des opérations de retrait de matière par usinage, par exemple au laser, sont effectuées sur les faces haute et basse de l'ébauche EB1 et des cavités CA1 à CA5 sont réalisées des deux côtés de l'ébauche pour dégager des faces de contact des puces MT et MD. 3060846 7 [0029] A l'étape de la Fig.7, il est réalisé une couche métallique CF conforme sur les faces haute et basse usinées de l'ébauche EB1. La couche CF est typiquement une couche de cuivre réalisée par dépôt électrolytique. [0030] A l'étape de la Fig.8, un dépôt électrolytique de remplissage est effectué 5 pour remplir complètement de cuivre les cavités CA1 à CA5 et la totalité des faces opposées haute et basse de l'ébauche EB1. Les faces haute et basse de l'ébauche EB1 sont alors complètement planes et recouvertes de cuivre. [0031] Les étapes des Figs.9 et 10 concernent la définition précise des motifs de connexion électrique des puces MT et MD. 10 [0032] A l'étape de la Fig.9, une résine photorésist PS a été enduite sur les faces haute et basse de l'ébauche EB1 et les parties de surface à attaquer en gravure humide ont ensuite été définies et dégagées de manière classique en faisant appel à un masque de sérigraphie et une exposition à un rayonnement ultraviolet. La Fig.9 montre l'ébauche EB1 prête pour la gravure humide du cuivre et des portions 15 de cuivre CP1 à CP8 à retirer. [0033] A l'étape de la Fig.10, les portions de cuivre CP1 à CP8 ont été retirées par gravure humide et le motif de connexion est alors défini avec précision. Le retrait des portions de cuivre CP1 à CP8 des cavités PD1 à PD8 qui laissent apparaître des portions de la couche diélectrique CD sous-jacente. 20 [0034] Les Figs.11 à 13 montrent l'interconnexion de bus barres haut BBH et bas BBL sur les faces opposées haute et basse de l'ébauche EB1. Outre leurs fonctions électriques habituelles d'alimentation électrique ou autres, les bus barres haut BBH et bas BBL sont ici destinés à former des dissipateurs thermiques implantés sur les faces opposées haute et basse de l'ébauche EB1. Les bus 25 barres BBH, BBL sont typiquement en cuivre. [0035] Comme montré à la Fig.11, les bus barres BBH et bas BBL sont formés chacun de plusieurs tronçons de bus BB1 H, BB2H, BB3H et BB1 L, BB2L, BB3L qui ont été préalablement découpés, par exemple, par usinage mécanique, ou éventuellement obtenus par moulage. 3060846 8 [0036] Des portions diélectriques de préimprégné PP1H, PP2H, PP3H sont reportées sur des faces correspondantes des tronçons de bus BB1 H, BB2H, BB3H destinées à être plaquées sur la face haute de l'ébauche EB1. Des portions diélectriques de préimprégné PP1L, PP2L, PP3L sont reportées sur des faces 5 correspondantes des tronçons de bus BB1 L, BB2L, BB3L destinées à être plaquées sur la face basse de l'ébauche EB1. Les portions diélectriques de préimprégné PP1 H, PP2H, PP3H et PP1L, PP2L, PP3L sont prévues pour venir remplir les cavités hautes et basses de l'ébauche EB1 et adhérer avec les portions apparentes PD1 à PD4 et PD5 à PD8 de la couche diélectrique CD sous-jacente. 10 [0037] L'ébauche EB1 est ainsi prise en sandwich entre les tronçons de bus BB1 H, BB2H, BB3H et BB1L, BB2L, BB3L. Les tronçons de bus BB1 H, BB2H, BB3H et BB1L, BB2L, BB3L sont pressés, avec les portions diélectriques de préimprégné PP1 H, PP2H, PP3H et PP1 L, PP2L, PP3L, contre les faces haute et basse de l'ébauche EB1. 15 [0038] La stratification de l'ensemble est obtenue par passage au four de stratification sous vide. La Fig.12 montre l'état de l'ébauche EB1 avec les tronçons de bus assemblés, lorsque celle-ci est sortie du four de stratification sous vide. A ce stade, les tronçons de bus ont été fixés mécaniquement au circuit par la polymérisation complète des portions diélectriques. Les motifs diélectriques 20 d'isolation du circuit sont finalisés à ce stade. [0039] L'étape de la Fig.13 est une étape de métallisation et soudure qui permet de finaliser l'interconnexion des éléments conducteurs du circuit et des bus barres formant dissipateurs thermiques de l'ébauche EB1. [0040] Comme montré à la Fig.13, des couches de cuivre MEH et MES sont 25 déposées par électrolyse sur les parties haute et basse de l'ébauche EB1. [0041] La couche de cuivre MEH est déposée sur la partie haute de l'ébauche EB1 est interconnecte les tronçons de bus BB1 H, BB2H et BB3H du bus barre BBH et des faces hautes des puces de transistor MT et de diode MD correspondant, par exemple, à des électrodes de drain et de cathode. La couche de cuivre MELL est 30 déposée sur la partie basse de l'ébauche EB1 et interconnecte les tronçons de bus 3060846 9 BB1L, BB2L et BB3L du bus barre BBL et des faces basses des puces de transistor MT et de diode MD correspondant à des électrodes de source et d'anode. [0042] Le procédé selon l'invention, tel que décrit plus haut en référence aux Figs.1 à 13, autorise la fabrication de briques élémentaires de circuit qui peuvent 5 être assemblées pour constituer des dispositifs électroniques de puissance de complexité plus ou moins grande, avec une architecture en sandwich. L'assemblage des briques élémentaires est typiquement réalisé sous presse et passage au four. Les liaisons mécaniques et électriques entre les deux briques sont faites par soudure. On notera qu'une parallélisation de la fabrication est 10 possible en produisant les briques élémentaires de circuit sur plusieurs lignes de fabrication. [0043] L'architecture des briques élémentaires de circuit selon l'invention permet un contact en cuivre direct entre les dissipateurs thermiques, formés des bus barres, et les électrodes des puces électroniques. Les dissipateurs thermiques 15 constitués de masses de cuivre situées de part et d'autre des puces électroniques et en contact direct avec celles-ci autorise une extraction efficace des calories. De plus, les longueurs des conducteurs de connexion sont minimisées, ce qui favorise la réduction des inductances parasites et davantage de compacité. [0044] La Fig.14 montre une première forme de réalisation EM1 d'un dispositif 20 électronique de puissance qui est construit par empilement de deux briques élémentaires de circuit BCHS et BCHS. Le dispositif EM1 est ici une branche de pont de transistors composée de deux transistors MOSFET et deux diodes de roue libre. [0045] La liaison mécanique et électrique des deux briques élémentaires empilées 25 BCHS et BCHS est réalisée au niveau d'un plan de jonction IP par assemblage des bus barres. L'assemblage pourra être fait, par exemple, par une soudure à phase liquide transitoire dite TLP ou d'autres techniques de soudure. [0046] Le dispositif EM1 est ici une forme de réalisation à refroidissement mixte, par liquide de refroidissement et par air. 3060846 10 [0047] Comme montré à la Fig.14, l'assemblage des briques élémentaires BBHs et BBLs crée en partie centrale du dispositif des espaces centraux de circulation de liquide de refroidissement, ici CC1 et CC2. Ces espaces de circulation de liquide de refroidissement CC1 et CC2, situés au plus près des puces électroniques, sont 5 prévus pour la circulation sous pression d'un liquide de refroidissement caloporteur. Dans les parties haute et basse du dispositif EM1, des profils en créneau des bus barres BBH et BBL, formant dissipateurs thermiques, augmentent les surfaces d'échange thermique avec l'air environnant et favorisent le refroidissement du dispositif. 10 [0048] La Fig.15 montre une deuxième forme de réalisation EM2 d'un dispositif électronique de puissance. Le dispositif EM2 est prévu avec un refroidissement liquide complet et est adapté pour des applications de plus forte puissance que celles du dispositif EM1. [0049] Le dispositif EM2 se distingue du dispositif EM1 en ce qu'il est équipé de 15 circuits de commande CTRLHS et CTRLLs qui sont intégrés en parties haute et basse du dispositif EM2, respectivement. Les circuits de commande CTRLHS et CTRLLs sont fixés mécaniquement et isolés électriquement des parties haute et basse des briques élémentaires BCHS et BCLs par des couches diélectriques DLHs et DLLs, respectivement. Les circuits CTRLHS et CTRLLs comportent chacun 20 plusieurs couches stratifiées, réalisées selon des techniques connues. Des composants actifs et passifs pourront si nécessaire être enfouis entre les couches internes des circuits CTRLHS et CTRLLs, ou bien implantés en surface sur le circuit de manière classique par brasure ou colle conductrice. [0050] Comme cela apparaît à la Fig.15, l'intégration en partie haute et basse du 25 dispositif EM2 des circuits de commande CTRLHS et CTRLLs avec les couches diélectriques isolantes DLHS et DLLs permet la formation d'espaces haut et bas de circulation de liquide de refroidissement supplémentaires CH1, CH2 et CL1, CL2. Ces espaces supplémentaires CH1, CH2 et CL1, CL2 situés de part et d'autre des espaces centraux CC1 et CC2 autorisent un refroidissement accru du dispositif 30 EM2. Les puces électroniques sont ainsi refroidies de manière plus efficace par la circulation d'un liquide caloporteur à proximité de leurs faces haute et basse. 3060846 11 [0051] D'autres formes de réalisation de dispositifs électroniques de puissance selon l'invention sont bien entendu possibles. Ainsi, par exemple, la partie haute et/ou la partie basse du dispositif pourra être fermée avec simplement une couche diélectrique, sans pour autant implanter un circuit de commande à cet 5 emplacement. [0052] L'invention ne se limite pas aux formes de réalisation particulières qui ont été décrites ici à titre d'exemple. L'homme du métier, selon les applications de l'invention, pourra apporter différentes modifications et variantes qui entrent dans la portée des revendications ci-annexées. REVENDICATIONS1) Procédé d'intégration de puces électroniques de puissance et de bus barres formant dissipateurs thermiques pour la réalisation d'un circuit électronique de puissance, caractérisé en ce qu'il comprend : - une réalisation d'une ébauche (EB1) intégrant au moins une puce électronique (MT, MD) comprise entre des couches internes stratifiées isolantes et/ou conductrices ; - une fixation mécanique, par l'intermédiaire de portions diélectriques de préimprégné de résine (PP1, PP2, PP3), de tronçons de bus barre en métal (BB1, BB2, BB3) à des emplacements espacés prédéterminés sur des faces opposées haute et basse de ladite ébauche (EB1) ; et - pour chacune desdites faces opposées haute et basse, une interconnexion par dépôt électrolytique de couche de métal (ME) desdits tronçons de bus barre (BB1, BB2, BB3) fixés sur la face considérée et d'une électrode de ladite puce électronique (MT, MD), formant ainsi ledit circuit électronique de puissance comportant des bus barres (BBH, BBL) formant dissipateurs thermiques. 2) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite réalisation de l'ébauche (EB1) comporte une étape de stratification de deux stratifiés (LA1, LA2) ayant des couches diélectriques de préimprégné de résine (CD1, CD2) comprenant entre elles ladite puce électronique (MT, MD), des faces extérieures desdits stratifiés (LA1, LA2) étant formées d'une feuille en métal (FC1, FC2). 3) Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que ladite réalisation de l'ébauche (EB1) comporte une étape de retrait de matière par usinage pour réaliser au moins une cavité (CA1 à CA5) dans ladite ébauche (EB1) et dégager au moins une face de contact de ladite puce électronique (MT, MD). 3060846 13 4) Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ladite réalisation de l'ébauche (EB1) comporte une étape de dépôt électrolytique d'une couche conforme de métal (CF). 5) Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce 5 que ladite réalisation de l'ébauche (EB1) comporte une étape de dépôt électrolytique de remplissage de métal. 6) Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que ladite réalisation de l'ébauche (EB1) comporte une étape de définition précise de motifs de connexion par photolithographie et gravure humide. 10 7) Circuit électronique de puissance, caractérisé en ce qu'il est obtenu par la mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, le métal utilisé pour les différentes étapes de fabrication du procédé étant le cuivre. 8) Dispositif électronique de puissance, caractérisé en ce qu'il comprend au 15 moins deux circuits selon la revendication 7, un premier circuit dit haut (BCHS) étant empilé sur un deuxième circuit dit bas (BCLs), lesdits circuits haut et bas (BCHS, BCLs) étant liés mécaniquement et électriquement par leurs bus barres respectifs (BBH, BBL), et en ce qu'il comprend au moins un espace central de circulation de liquide de refroidissement (CC1, CC2) qui est situé entre lesdits 20 circuits haut et bas (BCHS, BCLs), ledit espace central de circulation de liquide de refroidissement (CC1, CC2) étant formé entre des tronçons (BB1H, BB2H, BB3H; BB1 L, BB2L, BB3L) desdits bus barres (BBH, BBL). 9) Dispositif électronique de puissance selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comprend également au moins un espace haut de circulation de liquide 25 de refroidissement (CH1, CH2) qui est situé dans une partie haute du dispositif (EM2), ledit espace haut de circulation de liquide de refroidissement (CH1, CH2) étant formé entre des tronçons (BB1 H, BB2H, BB3H) d'un bus barre haut (BBH) dudit circuit haut (BCHS) et une couche diélectrique haute (DLHS). 10) Dispositif électronique de puissance selon la revendication 8 ou 9, caractérisé en ce qu'il comprend également au moins un espace bas de 3060846 14 circulation de liquide de refroidissement (CL1, CL2) qui est situé dans une partie basse du dispositif (EM2), ledit espace bas de circulation de liquide de refroidissement (CL1, CL2) étant formé entre des tronçons (BB1L, BB2L, BB3L) d'un bus barre bas (BBL) dudit circuit bas (BCLs) et une couche diélectrique 5 basse (DLLs).