Brevet FR3059465A1 — publié le 20180601

DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne en général les systèmes microélectroniques. Elle s'adresse en particulier à des systèmes comprenant des dispositifs de communication sans fil. Par dispositif ou système microélectronique, on entend tout type de dispositif réalisé avec des moyens de la microélectronique, ce terme étant entendu comme incluant les dispositifs à l'échelle nanométrique. Ces dispositifs englobent notamment en plus des dispositifs à finalité purement électronique, des dispositifs micromécaniques ou électromécaniques (MEMS, NEMS...) ainsi que des dispositifs optiques ou optoélectroniques (MOEMS/NOEMS...). Une application privilégiée de l'invention est le domaine des dispositifs de communication sans fil mettant en oeuvre des techniques d'émission et/ou de réception par ondes radiofréquences (ci-après dénommés RF). ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE L'intégration et le coût des dispositifs microélectroniques sont des enjeux importants pour la miniaturisation des appareils les incorporant et pour l'élargissement des applications. Dans le domaine des dispositifs dits RF, par exemple pour la téléphonie mobile, on a développé récemment des techniques de fabrication de ces parties sur des substrats de type silicium sur isolant (généralement appelés SOI, acronyme de Silicon on Insulator) ; ce type de substrat de départ offre des performances accrues. Pour améliorer encore les performances de ces dispositifs RF à partir de SOI, il a été proposé de transférer ces derniers sur un substrat receveur, par exemple en verre ou encore en feuille métallique, pour des applications flexibles. La publication « Application-oriented performance of RF CMOS technologies on flexible substrates » de Justine PHILIPPE et al, IEEE IEDM 2015 illustre une technique de transfert sur substrat flexible d'un dispositif RF fabriqué à partir d'un substrat initial de type SOI. Ce transfert inclut un report sur un support temporaire, ou poignée, puis une élimination du support initial fait de silicium jusqu'à exposer une couche d'oxyde enterrée (BOX ou Buried Oxide layer en anglais). Enfin, cet ensemble est assemblé à un substrat final par fixation de la couche BOX sur ce substrat, via une couche de collage, et le 3059465 2 support temporaire est éliminé. Cette technique est appelée Dual Layer Transfer ou DLT (c'est-à-dire à double couche de transfert, deux transferts étant nécessaires pour parvenir au résultat final sur le substrat définitif). On peut obtenir des systèmes finaux très fins et éventuellement flexibles. 5 Mais des difficultés de dissipation de chaleur sont alors rencontrées. En effet, la capacité d'absorption thermique est faible dans ce type de structure, qui est fine et à base de matériaux à faible conductivité thermique, et les dispositifs RF peuvent engendrer des échauffements catastrophiques qui limitent les utilisations de cette technique. Par exemple, une température de plus de 125°C 10 dégrade les performances d'un transistor CMOS. Une préconisation de la publication précitée est d'employer un substrat final bon conducteur thermique, par exemple une feuille de métal, ainsi qu'une couche de collage à base d'indium, également bon conducteur de chaleur. Cependant, les performances de cette évacuation de chaleur s'avèrent toujours 15 réduites. C'est donc un objet de l'invention que de pallier au moins en partie les inconvénients des techniques actuelles, en offrant un système microélectronique amélioré quant à l'efficacité de la dissipation de la chaleur produite par au moins un de ses composants. C'est en particulier mais non 20 limitativement le cas pour des composants RF. RESUME DE L'INVENTION Un aspect non limitatif de l'invention est relatif à un système microélectronique comprenant un support et un dispositif microélectronique 25 comprenant au moins un composant générateur de chaleur, une première face du dispositif étant disposée sur le support. Avantageusement, le dispositif comporte une couche thermiquement conductrice disposée en regard d'au moins une partie du composant et des moyens de conduction thermique configurés pour recevoir de la chaleur de la 30 couche thermiquement conductrice et pour la conduire jusqu'à une deuxième face du dispositif, opposée à la première face. Ainsi, les calories sont évacuées par la face avant du dispositif qui peut par exemple comprendre un ou des plots thermiques. Le support n'est pas mis 3059465 3 en jeu dans cette voie de dissipation de chaleur (ce qui n'exclut pas une dissipation parallèle par le support). Il peut donc être choisi plus librement selon l'application souhaitée, et non selon des contraintes de dissipation thermique. Les moyens de conduction thermique peuvent facilement être conçus et 5 dimensionnés selon la puissance thermique à dissiper. Un autre aspect séparable de la présente invention concerne un procédé de fabrication d'un système microélectronique dans lequel on forme une couche thermiquement conductrice et des moyens de conduction thermique depuis cette couche jusqu'à la deuxième face du dispositif. La couche thermiquement 10 conductrice peut notamment être réalisée avant une phase de report du dispositif sur le support final et être mise au contact de l'interface de collage lors du report. Alternativement, la couche conductrice peut être réalisée après report de ce dernier sur le support final. 15 BREVE INTRODUCTION DES FIGURES D'autres caractéristiques, buts et avantages de la présente invention apparaitront à la lecture de la description détaillée qui suit, en regard des dessins annexés, donnés à titre d'exemples, non limitatifs, et sur lesquels : - les figures I a et 1 b présentent des étapes préliminaires de fabrication 20 d'un système de l'invention selon un premier mode de réalisation de transfert ; - les figures 2a à 2c montrent des étapes ultérieures ; - la figure 3 présente un résultat de la fabrication des figures précédentes ; - la figure 4 est une vue de dessus correspondant au mode de réalisation 25 de la figure 3 ; - les figures 5a à 5c présentent un autre mode de réalisation du système de l'invention, avec une technique de transfert DLT ; - la figure 6 illustre le résultat de la fabrication des figures 5a à 5c ; - la figure 7 est une vue de dessus correspondant au mode de réalisation 30 de la figure précédente. Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l'invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe 3059465 4 destinées à faciliter la compréhension de l'invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. DESCRIPTION DETAILLEE 5 Avant d'entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l'invention, sont énoncées ci-après des caractéristiques optionnelles qui peuvent éventuellement être utilisées suivant toute association ou alternativement : - une couche électriquement isolante est intercalée entre le composant 9 10 et la couche thermiquement conductrice 10 ; - la première face (15) du dispositif est disposée sur le support par l'intermédiaire d'une interface de collage (12) - la couche électriquement isolante est une couche électriquement isolante enterrée 19 ; 15 - la couche thermiquement conductrice 10 s'étend latéralement au-delà du composant 9 ; - au moins une partie des moyens de conduction thermique sont déportés latéralement relativement au composant 9 ; - les moyens de conduction thermique comprennent au moins un plot 5 ; 20 7 thermiquement conducteur en saillie sur la deuxième face 16 du dispositif ; - le au moins un plot 5 ; 7 est au contact de la couche thermiquement conductrice 10 ; - le au moins un plot 5 ; 7 est en contact avec une surface de la couche 25 thermiquement conductrice 10 déportée latéralement du composant 9 ; - la couche thermiquement conductrice 10 est exposée au niveau de la deuxième face 16 et le composant 9 est situé en-dessous de la couche thermiquement conductrice 10 relativement à la deuxième face 16 ; - le dispositif comporte au moins un niveau d'interconnexion, les moyens 30 de conduction thermique s'étendant suivant l'épaisseur du au moins un niveau d'interconnexion ; - chaque niveau d'interconnexion comprend au moins un élément d'interconnexion électrique 2, les moyens de conduction thermique 3059465 5 comportant dans chaque niveau au moins un élément d'interconnexion électrique 2, lesdits éléments d'interconnexion électrique 2 compris dans les moyens de conduction étant en continuité de conduction thermique entre eux et avec la couche thermiquement conductrice 10 ; 5 - lesdits éléments d'interconnexion électrique 2 compris dans les moyens de conduction sont en continuité thermique avec le au moins un plot 7 ; - lesdits éléments d'interconnexion électrique 2 compris dans les moyens de conduction sont déportés latéralement du composant 9 ; - la couche thermiquement conductrice 10 est au contact de l'interface de 10 collage 12 ; - le composant 9 comprend au moins une puce électronique d'émission et/ou de réception d'ondes radiofréquences - le composant 9 comprend au moins un transistor CMOS ; - la couche thermiquement conductrice 10 est électriquement isolante ; 15 - la couche thermiquement conductrice 10 est passive aux ondes radiofréquences, et/ou présente un angle de pertes tel que tg8M 0-1 ; - la couche thermiquement conductrice (10) comprend au moins un des matériaux suivants : nitrure d'aluminium, diamant nanocristallin, silicium poreux. 20 Le système selon l'invention peut comprendre un boitier contenant au moins ledit support (8) et ledit dispositif microélectronique, ledit boîtier étant en continuité thermique avec les moyens de conduction thermique. Il est précisé que, dans le cadre de la présente invention, le terme « sur » 25 ou « au-dessus » ne signifie pas obligatoirement « au contact de ». Ainsi, par exemple, le dépôt d'une couche sur une autre couche, ne signifie pas obligatoirement que les deux couches sont directement au contact l'une de l'autre mais cela signifie que l'une des couches recouvre au moins partiellement l'autre en étant soit directement à son contact, soit en étant séparée d'elle par 30 un film, encore une autre couche ou un autre élément. Une couche peut par ailleurs être composée de plusieurs sous-couches d'un même matériau ou de matériaux différents. 3059465 6 Il est précisé que dans le cadre de la présente invention, l'épaisseur d'une couche ou d'un substrat se mesure selon une direction perpendiculaire à la surface selon laquelle cette couche ou ce substrat présente son extension maximale. 5 L'emploi du singulier pour certains éléments de l'invention ne signifie pas obligatoirement qu'un élément donné est présent de manière unique dans l'invention. Le mot « un » ou « une » ne signifie donc pas exclusivement respectivement « un seul » ou « une seule » à moins qu'il en soit disposé autrement. 10 Certaines parties du dispositif de l'invention peuvent avoir une fonction électrique. Certaines sont employées pour des propriétés de conduction électrique et on entend par électriquement conducteurs ou équivalents, des éléments formés d'au moins un matériau ayant une conductivité suffisante, dans l'application, pour réaliser la fonction souhaitée. D'autres parties, au 15 contraire, sont employées pour des propriétés d'isolation électrique et tout matériau ayant une résistivité suffisante pour réaliser cette isolation sont concernées et sont notamment appelées diélectriques. L'expression continuité thermique s'entend de la capacité d'organes en contact les uns avec les autres de conduire de la chaleur de manière efficace 20 dans l'application souhaitée, en particulier pour limiter un échauffement du dispositif microélectronique en deçà d'une valeur acceptable pour son bon fonctionnement. Un niveau de conductibilité thermique supérieur à 10W/m/K et de préférence supérieur à 50W/m/K est acceptable pour le ou les matériaux mis en jeu dans cette continuité thermique et en général pour le niveau de 25 conductivité thermique des matériaux choisis pour les parties thermiquement conductrices de l'invention. La couche thermiquement conductrice est de préférence diélectrique et/ou à faibles pertes RF. Notamment, sa résistivité électrique peut être supérieure à 103 û.m et/ou ses pertes RF avec un angle de pertes tel que tgêM 0-1 et de 30 préférence 0-2. La couche thermiquement conductrice peut être en plusieurs sous- couches de mêmes matériaux ou de matériaux différents. Le terme couche ne signifie pas qu'une telle partie est « pleine plaque ». En effet, particulièrement 3059465 7 pour la couche thermiquement conductrice, celle-ci ne s'étend avantageusement pas sur tout le plan du système, mais uniquement sur une partie de celui-ci, en particulier en regard du ou des composants dont l'échauffement est à maitriser. 5 Un premier mode de réalisation de l'invention est illustré aux figures 1a, 1 b, 2a à 2c, 3 et 4. Il s'inscrit dans une première possibilité de transfert du dispositif microélectronique à partir d'un support initial 14. Les autres figures s'inscrivent dans une autre possibilité de transfert. Suivant le premier mode de réalisation, un dispositif microélectronique est 10 initialement solidaire d'un support initial 14 comme dans le cas de la figure 1 a. On peut, dans le cadre de la présente invention, mettre en oeuvre des techniques relatives à des substrats semi-conducteurs, et notamment des substrats dits SOI (pour Silicon On Insulator) comprenant une sous-couche de matériau semi-conducteur, typiquement du silicium, une couche intermédiaire 15 d'isolant électrique, typiquement de dioxyde de silicium, et une couche de silicium monocristallin à partir de laquelle des portions du dispositif microélectronique peuvent être formées. On peut utiliser cette technologie pour réaliser le support 14. Dans le cadre de la fabrication du dispositif microélectronique, on laisse par ailleurs avantageusement subsister la couche 20 électriquement isolante, représentée dans l'exemple par une couche isolante enterrée 19, qui pourra par exemple être en dioxyde de silicium. Dans le cas de ce dernier matériau, la couche 19 est généralement appelée BOX pour Buried Oxide layer s'agissant d'une couche d'oxyde enterrée. Au-dessus des couches 14, 19, le dispositif microélectronique est formé. 25 L'invention peut s'appliquer à différents types de dispositifs, comme indiqué précédemment. Dans l'exemple représenté, une application est la réalisation d'un dispositif transmetteur à radiofréquence utilisant, au-dessus de la couche isolante enterrée 19, un empilement fonctionnel formant une partie active 1. Suivant une possibilité de l'invention, cet empilement comporte une 30 partie située à proximité du support 14 et de la couche enterrée 19, réalisant un début de ligne (en anglais Front End Of Line, FEOL) au niveau duquel sont formés un ou plusieurs composants 9. À titre d'exemple préféré, au moins l'un 3059465 8 de ses composants utilise la technologie CMOS et implémente par exemple un ou des transistors, tels des MOSFET, et notamment des LDMOS. La partie active 1 comporte ensuite un ou plusieurs niveaux d'interconnexion électrique permettant de réaliser les réseaux de raccordement 5 électrique appropriés en conjonction avec la couche de début de ligne, par exemple pour connecter électriquement les zones de source, drain et de grille de transistor. D'une manière générale, cette partie de raccordement est appelée en anglais Back End Of Line, BEOL, parce qu'elle forme une partie arrière de ligne. Un niveau d'interconnexion comprend pour le moins un 10 élément d'interconnexion électrique 2, sous forme d'une piste s'étendant latéralement dans l'épaisseur du niveau d'interconnexion et un raccordement électrique 3 parcourant l'épaisseur d'une couche isolante de sorte à raccorder l'élément d'interconnexion électrique 2 à un autre élément situé en superposition avec le premier. Typiquement, le cuivre est un matériau 15 usuellement employé pour réaliser les éléments 2 et les raccordements 3. De manière à isoler électriquement cet ensemble empilé, la technologie CMOS emploie en outre généralement une couche isolante 20 recouvrant ledit ensemble. La couche 20 peut être faite d'au moins une couche de nitrure ou d'oxyde de matériau semi-conducteur, par exemple du dioxyde de silicium. Bien 20 entendu, l'invention peut être mise en oeuvre en sortant de cet exemple, notamment avec des techniques ne recourant pas à l'utilisation de la couche 19 et/ou de la couche 20. En outre, les exemples donnés de matériaux, notamment pour la couche 19, ne sont pas limitatifs. En particulier, contrairement aux techniques classiques CMOS sur SOI, on peut employer 25 pour la couche 19 un matériau à la fois bon isolant électrique et bon conducteur thermique. On explique plus loin dans la description qu'une couche thermiquement conductrice 10 de l'invention peut être réalisée à partir de diamant nanocristallin. Il peut aussi s'agir d'une alternative au dioxyde de silicium pour la 30 couche 19 et on fait référence à la description pour la couche 10 en ce qui concerne un exemple de fabrication de cette partie. On peut aussi de ce fait éventuellement regrouper la fonction de conduction thermique de la couche 10 3059465 9 et la fonction d'isolation électrique de la couche 19 en une seule couche disposant de ces deux fonctions, la couche 10 remplaçant alors la couche 19. D'une manière générale, on entend par première face 15 du dispositif la face de ce dernier, au-dessus des niveaux BEOL, et dans l'exemple représenté, 5 la surface supérieure de la couche isolante 20. Par ailleurs, d'une manière générale, on entend par deuxième face 16 du dispositif la face de ce dernier située en-dessous du ou des niveaux FEOL, et dans l'exemple représenté, la surface inférieure de la couche isolante enterrée 19. Comme également représentée en figure 1 a, un élément de reprise de 10 contact 4 peut être raccordé électriquement aux éléments d'interconnexion électrique de la partie active 1 au travers de la couche isolante 20. Suivant le mode de transfert illustré à partir de la figure 1 a, un deuxième support, support 8, est solidaire de l'ensemble précédemment décrit par la première face 15 du dispositif, et avantageusement par l'intermédiaire d'une 15 interface de collage 12 bien que le recours à une telle interface ne soit pas absolument nécessaire dans l'invention. On peut par exemple utiliser un film polymère laminé au-dessus de la surface 15 pour réaliser l'interface 12. C'est le support 8 qui est destiné à porter le dispositif microélectronique de manière définitive. Son épaisseur et son matériau seront fonctions de l'application 20 souhaitée. On comprend qu'il suffit de rapporter le support 8 définitif à l'opposé du support 14 initial de sorte à opérer le transfert du dispositif. Il s'agit donc d'une technique de transfert à une seule couche connue sous le vocable SLT, acronyme de Single Layer Transfer. Suivant cette technique, le support 14 est éliminé en utilisant la couche 25 isolante enterrée 19 comme couche d'arrêt pour l'enlèvement. Ce dernier peut être réalisé par l'intermédiaire d'un amincissement, par exemple avec une technique de polissage mécanique ou mécanochimique. Notamment, on détecte une discontinuité du couple de polissage lors du début de l'attaque due la couche 19 et on stoppe l'amincissement à ce stade ou après un temps 30 prédéfinie à compter de ce début d'attaque de la couche 19. Le résultat de cette opération est illustré à la figure 1 b, l'ensemble ayant été retourné par la même occasion. Par exemple l'épaisseur de la couche 19 est au final inférieure à 200 nm, voire à 100 nm et possiblement à 50 nm. 3059465 10 Plutôt que de réaliser à ce stade les reprises de contact nécessaires pour accéder à la partie active du dispositif, ce mode de réalisation de la présente invention forme auparavant une couche thermiquement conductrice 10, au-dessus de la deuxième face 16. Cette formation peut être faite par un dépôt, de 5 préférence pleine plaque, au-dessus de la couche 19. On peut notamment utiliser une technique de dépôt physique en phase vapeur dite PVD, par exemple pour déposer une couche 10 faite d'AIN. Ce dernier matériau est en effet un bon conducteur thermique tout en présentant des propriétés d'isolation électrique et de passivité aux ondes radiofréquences intéressantes dans 10 certaines applications de la présente invention. Le choix de ces matériaux n'est cependant pas limitatif. Suivant une autre possibilité, en effet, on met en oeuvre une structure de diamant synthétique, avantageusement en film, et de préférence du diamant nanocristallin (dit NCD). La formation d'une telle couche peut être réalisée par 15 un dépôt chimique en phase vapeur CVD. Par exemple, on peut utiliser un réacteur utilisant une déposition chimique en phase vapeur optimisée par plasma de micro-ondes, portant l'acronyme de dépôt MPCVD. Suivant une autre possibilité, la couche 10 peut être en matériau semi-conducteur poreux, notamment du silicium poreux. Cette couche peut alors être obtenue 20 directement à partir du substrat initial en préservant une épaisseur suffisante de ce dernier lors de la phase d'amincissement, de sorte à préserver une couche de silicium au-dessus de la couche enterrée 19. De façon générale, à titre d'exemple, l'épaisseur de la couche 10 peut être inférieure à 2 pm et/ou supérieur à 200 nm. La couche 10 est configurée pour 25 capter une partie au moins de la chaleur dégagée par au moins un composant. Un exemple du résultat obtenu est fourni en figure 2a. On notera que la couche 10 se situe dans ce cas immédiatement au-dessus de la couche 19, sans couche intermédiaire. La couche 19 est elle-même avantageusement directement au-dessus du ou des composants 9. 30 Il est ensuite possible de réaliser un accès au niveau supérieur de la partie active 1, de sorte à raccorder le dispositif à l'extérieur, sur le premier niveau de métallisation de la BEOL suivant ce mode de réalisation par l'intermédiaire d'un plot de raccordement électrique 6. Pour ce faire, à la figure 3059465 11 2b, une gravure a été opérée après masquage des parties à préserver, de sorte à ouvrir les couches 10 et 19 pour exposer au moins un élément d'interconnexion électrique 2 du premier niveau de la partie active 1. Typiquement, les épaisseurs à graver sont faibles et peuvent utiliser une seule 5 étape de lithographie. La gravure en elle-même peut être du type « multisteps » en ce qu'elle comprend une pluralité de sous étapes de gravure chacune adaptée au matériau d'une des couches à ouvrir. L'ouverture 11 ainsi constituée permet une reprise de contact, par exemple avec un élément de reprise de contact 5, notamment de nature 10 métallique. De préférence simultanément, pour former un plot 7 de raccordement thermique, une reprise de contact thermique 13 est aussi réalisée. Par exemple, ces deux parties 5, 13 sont issues d'un dépôt, de préférence PVD, avec une couche d'un matériau barrière, par exemple en titane ou en nitrure de 15 titane, et par exemple d'une épaisseur comprise entre 25 et 50 nm, et une couche conductrice supérieure, par exemple de 1,2 pm, et par exemple en alliage Al Cu. Le dépôt de ces parties peut être opéré pleine plaque et suivi d'une gravure de sorte à délimiter les éléments 5 et 13. Le résultat de cette étape est illustré la figure 2c. Bien qu'il soit avantageux de réaliser 20 simultanément un raccordement thermique de la couche 10 avec des moyens de conduction (comprenant les différentes parties ayant permis de réaliser le plot 7) et le raccordement électrique de la partie active avec un plot 6 à fonction électrique, la réalisation du raccordement thermique peut suffire dans le cadre de la présente invention. 25 Il est ensuite possible de réaliser des corps de plots 6, 7 surmontant les reprises de contact 5, 13. Par exemple, les plots sont réalisés sur la base d'une fine couche d'accroche, pouvant être déposée par PVD, une étape de lithographie puis le dépôt de deux couches respectivement en cuivre Cu et en alliage Sn Ag. L'ensemble est finalisé par la suppression de la couche 30 d'accroche aux endroits où elle est encore exposée. L'ensemble associant corps de plot 6,7 et couche d'accroche et/ou couche de reprise de contact 5 forme le plot thermique. Bien entendu, dans certains modes de réalisation la couche d'accroche et/ou de reprise de contact n'est pas nécessaire. Ces 3059465 12 différents éléments potentiels de construction du plot en font partie intégrante. Le terme plot s'entend d'un organe accessible par l'extérieur du système de l'invention, notamment pour être raccordé avec un dissipateur thermique ou un élément de raccordement électrique, sans limitation de forme. 5 Finalement, un exemple de structure pouvant être obtenu est illustré à la figure 3. On notera la continuité thermique entre le plot 7 et la couche 10 de sorte que des moyens (ou systèmes) de conduction sont formés par le plot 7 y compris toute couche sous-jacente au corps de plot ayant permis sa réalisation. 10 On notera que dans ce mode de réalisation, hormis au niveau de l'ouverture 11 ayant permis l'accès électrique à la partie active 1, l'ensemble de la couche 10 a été préservée à la surface du dispositif. Ce cas n'est pas limitatif de l'invention. Néanmoins, pour assurer une transmission efficace de la chaleur depuis le composant 9 vers l'extérieur, au moins une partie de la surface du 15 composant 9 est située en regard d'au moins une partie de la couche 10. On entend par une situation en regard que la projection de ces couches, suivant la direction de l'épaisseur du substrat, se superpose au moins partiellement. Ainsi, au moins une partie de la couche 10 est située au droit d'au moins une partie de la surface du composant 9 qu'elle surmonte. Avantageusement, l'ensemble 20 de la surface du composant 9 est surmontée par la couche 10. On notera en outre que, dans le cas de la figure 3, la couche 10 s'étend latéralement relativement au composant 9 (autrement dit s'étend au-delà du composant) de sorte à permettre le déport du plot 7 avec lequel la couche 10 en continuité thermique. Ainsi, dans le cas de la figure 3, le plot 7 (ou tout autre 25 moyen de conduction thermique au contact de la couche 10) est maintenu à l'écart du composant 9 et n'est pas situé en regard de celui-ci. C'est aussi le cas pour le plot de raccordement électrique 6. En effet, on évite ainsi que le composant 9 soit surmonté par des éléments perturbateurs, par exemple susceptibles d'être non passifs aux radiofréquences ; cette situation est 30 particulièrement avantageuse dans le cas où le composant 9 est ou comprend un transmetteur radiofréquences. De cette façon, non seulement la couche 10 sert-elle d'organe de récupération d'énergie thermique issue du composant 9, mais aussi assure-t-elle le décalage latéral entre le composant 9 et les moyens 3059465 13 de conduction thermique qui vont permettre d'évacuer la chaleur ainsi récupérée vers l'extérieur. La figure 4 montre une vue de dessus du résultat ainsi obtenu avec une illustration simplifiée dans laquelle un seul plot 7 a été réalisé. Il est entendu 5 qu'une pluralité de plots de conduction thermique peut être formée dans la continuité thermique de la couche 10. Il en est de même pour les plots 6 destinés au raccordement électrique. Un autre mode de réalisation de l'invention peut mettre en oeuvre une technique de transfert du dispositif microélectronique par l'intermédiaire de 10 deux couches de transfert. Cette technique, souvent dénommée par son acronyme DLT (pour Dual Transfer Layer) est mise en oeuvre dans le cas des figures 5a à 5c, 6 et 7. Comme précédemment, un dispositif microélectronique est formé au-dessus d'un substrat 14 initial, le dispositif comprenant une première face 15 ici 15 réalisée par la face supérieure d'une couche isolante 20 et une deuxième face 16 ici réalisée par la face inférieure d'une couche électriquement isolante enterrée 19. Néanmoins, cet ensemble est de façon préliminaire raccordée à une poignée 18, par exemple en matériau semi-conducteur par l'intermédiaire d'une interface de collage 17 qui peut être du même type que l'interface de 20 collage 12 exposée en référence au mode de réalisation précédent. En figure 5b, on a procédé à l'enlèvement du substrat 14, par exemple en mettant en oeuvre une technique telle qu'exposée pour le mode de réalisation précédent. En outre, une couche thermiquement conductrice 10 a été formée. De même, on peut se référer aux exemples donnés pour le premier mode de 25 réalisation en ce qui concerne la formation de cette couche. On rapporte ensuite, par la deuxième face 16 du dispositif, le support 8 définitif, par l'intermédiaire d'une interface de collage 12. La poignée 18 et l'interface de collage 17 sont alors éliminées de sorte à ne laisser subsister que le support 8 comme substrat et à rendre apparente la 30 première face 15 du dispositif, comme le montre la figure 5c. Dans ce cas de figure, la reprise de contact électrique s'opère par l'intermédiaire de l'élément 4 précédemment décrit en référence à la technologie CMOS habituelle. En particulier, on peut former un corps de plot 6 3059465 14 au-dessus de la reprise de contact 4, cette dernière étant reliée au niveau d'interconnexion de la BEOL de la partie active 1 du dispositif microélectronique. Pour la dissipation thermique, on s'arrange pour que la couche 10 soit à 5 proximité d'un ou plusieurs éléments d'interconnexion électrique 2 de sorte à établir un circuit de dissipation thermique au travers de ces éléments depuis la couche 10. Ainsi, dans le cas de la figure 6, un élément 2 de premier niveau d'interconnexion est en regard d'une partie de la couche 10. En outre, cet élément 2 est lui-même raccordé thermiquement à des éléments 2 des autres 10 niveaux d'interconnexion de sorte à établir une conduction thermique au travers de l'ensemble des niveaux d'interconnexion jusqu'à l'extrémité distale de ces niveaux, qui est dans le cas des figures, au contact de la face inférieure de la couche isolante 20. La continuité thermique entre les éléments 2 de différents niveaux s'opèrent par des raccordements électriques 3 qui les relient. 15 L'ensemble forme des moyens de conduction qui permettront un chemin de la chaleur vers l'extérieur du système formé. Entre l'étape de la figure 5c et de la figure 6, on a opéré une ouverture de la couche 20 de sorte à accéder à ce chemin de continuité thermique. Cette ouverture peut être opérée par une gravure après masquage des zones à 20 préserver. On peut alors fabriquer une reprise de contact 13, par exemple avec une technique similaire à celle développée pour le premier mode de réalisation. De même, un corps de plot 7 surmonte ensuite la reprise de contact 13 qui peut être fabriquée comme dans le premier exemple. Comme indiqué précédemment pour le premier mode de réalisation, il est 25 avantageux de déporter les moyens de conduction thermique, et généralement l'ensemble des moyens susceptibles de perturber le fonctionnement du composant 9, de sorte que ce dernier ne soit pas situé en regard de l'un ou l'autre de ces moyens. Ce principe est de préférence appliqué au deuxième mode de réalisation comme l'illustrent aussi bien la figure 6 que la figure 7 en 30 vue de dessus. Ainsi, les éléments 2 et les raccordements 3 servant à la conduction thermique au travers de la partie active 1 sont déportés latéralement relativement au composant 2 et/ou le ou les plots 6, 7 sont eux-mêmes 3059465 15 également situés en décalage latéral du composant 9 de sorte à ne pas être en regard de ce dernier. On notera que dans le ce mode de réalisation, le plot 7 peut aussi bien avoir une fonction de raccordement électrique qu'une fonction de dissipation 5 thermique. Les moyens de conduction raccordant thermiquement la couche thermiquement conductrice 10 vers l'extérieur peuvent être mis au contact d'autres dispositifs de dissipation de chaleur. Par exemple, des parties d'un boîtier compact de ces plots peuvent servir de dissipateurs. Les plots eux- 10 mêmes peuvent servir de radiateurs thermiques. REVENDICATIONS1. Système microélectronique comprenant un support (8) et un dispositif microélectronique comprenant au moins un composant (9) générateur de chaleur, une première face (15) du dispositif étant disposée sur le support caractérisé en ce que le dispositif comporte une couche thermiquement conductrice (10) disposée en regard d'au moins une partie du composant (9) et des moyens de conduction thermique configurés pour recevoir de la chaleur de la couche thermiquement conductrice (10) et pour la conduire jusqu'à une deuxième face (16) du dispositif, opposée à la première face (15). 2. Système selon la revendication précédente, dans lequel la première face (15) du dispositif est disposée sur le support par l'intermédiaire d'une interface de collage (12). 3. Système selon l'une des revendications précédentes, comprenant une couche électriquement isolante intercalée entre le composant (9) et la couche thermiquement conductrice (10). 4. Système selon la revendication précédente, dans lequel la couche électriquement isolante est une couche électriquement isolante enterrée (19). 5. Système selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la couche thermiquement conductrice (10) s'étend latéralement au-delà du composant (9). 6. Système selon la revendication précédente, dans lequel au moins une partie des moyens de conduction thermique est déportée latéralement relativement au composant (9). 7. Système selon l'une des revendications précédentes, dans lequel les moyens de conduction thermique comprennent au moins un plot (7) thermiquement conducteur en saillie sur la deuxième face (16) du dispositif. 8. Système selon la revendication précédente, dans lequel le au moins un plot (7) est au contact de la couche thermiquement conductrice (10). 9. Système selon la revendication précédente, dans lequel le au moins un plot (7) est en contact avec une surface de la couche thermiquement conductrice (10) déportée latéralement du composant (9). 3059465 17 10. Système selon l'une des deux revendications précédentes, dans lequel la couche thermiquement conductrice (10) est exposée au niveau de la deuxième face (16) et le composant (9) est situé en-dessous de la couche thermiquement conductrice (10) relativement à la deuxième face (16). 5 11. Système selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel le dispositif comporte au moins un niveau d'interconnexion, les moyens de conduction thermique s'étendant suivant l'épaisseur du au moins un niveau d'interconnexion. 12. Système selon la revendication précédente, dans lequel chaque 10 niveau d'interconnexion comprend au moins un élément d'interconnexion électrique (2), les moyens de conduction thermique comportant dans chaque niveau au moins un élément d'interconnexion électrique (2), lesdits éléments d'interconnexion électrique (2) compris dans les moyens de conduction étant en continuité de conduction thermique entre eux et avec la couche thermiquement 15 conductrice (10). 13. Système selon la revendication 7 et la revendication précédente en combinaison, dans lequel lesdits éléments d'interconnexion électrique (2) compris dans les moyens de conduction sont en continuité thermique avec le au moins un plot (7). 20 14. Système selon l'une des deux revendications précédentes, dans lequel lesdits éléments d'interconnexion électrique (2) compris dans les moyens de conduction sont déportés latéralement du composant (9). 15. Système selon l'une des revendications 11 à 14 en combinaison avec la revendication 2, dans lequel la couche thermiquement conductrice (10) 25 est au contact de l'interface de collage (12). 16. Système selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le composant (9) comprend au moins une puce électronique d'émission et/ou de réception d'ondes radiofréquences. 17. Système selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le 30 composant (9) comprend au moins un transistor CMOS. 18. Système selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la couche thermiquement conductrice (10) est électriquement isolante. 3059465 18 19. Système selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la couche thermiquement conductrice (10) présente un angle de pertes tel que tgi5M 0-1. 20. Système selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la 5 couche thermiquement conductrice (10) comprend au moins un des matériaux suivants : nitrure d'aluminium, diamant nanocristallin, silicium poreux. 21. Système selon l'une des revendications précédentes, comprenant un boitier contenant au moins ledit support (8) et ledit dispositif microélectronique, ledit boîtier étant en continuité thermique avec les moyens de conduction 10 thermique.