Brevet FR3058526A1 — publié le 20180511

DISPOSITIF DE CARACTERISATION D'UNE DIODE DE PUISSANCE L'invention concerne la caractérisation de composants électroniques de puissance, et en particulier les dispositifs de mesure destinés à analyser le 5 comportement d'une diode de puissance après une commutation entre son état bloqué et son état passant. Une diode de puissance doit être caractérisée pour pouvoir anticiper son comportement durant différentes phases de fonctionnement. Cette caractérisation permet d'anticiper le comportement de circuits tels que des 10 redresseurs ou des convertisseurs, dans lesquels une ou plusieurs diodes de puissance peuvent être intégrées. La caractérisation doit couvrir notamment les phases de commutation pour connaître l'énergie de commutation à la fermeture, l'énergie de commutation à l'ouverture, les résistances de passage dynamiques correspondantes, le temps de recouvrement inverse, ou les charges de 15 recouvrement inverses. Pour les circuits de puissance, les diodes à hétérojonction connaissent des développements importants. En effet, de telles diodes présentent des tensions de claquage élevées, des résistances réduites à l'état passant et des temps de commutation réduits. De telles diodes sont par exemple réalisées sur des 20 substrats en GaN. A la différence de diodes réalisées sur substrat silicium, les diodes à hétérojonction sont confrontées à des chutes de courant à l'état passant. Ces phénomènes de chute de courant sont encore mal connus et mal anticipés. Pour de telles diodes à hétérojonction, la caractérisation à l'état passant à la fois aux temps courts et aux temps longs peut ainsi s'avérer primordiale, dans un 25 cadre de recherche comme dans un cadre industriel. En vue de caractériser une diode de puissance, la société Keysight Technologies commercialise un module de connexion d'une diode sous la référence N1267A et un module de caractérisation de puissance sous la référence B1505, dont la combinaison peut former un dispositif de caractérisation 30 que l'on désignera comme dispositif de caractérisation de référence. Le module de caractérisation de puissance comprend une source haute tension, une source de courant et un circuit de pilotage. La diode de puissance à tester est connectée au module de connexion. Le module de connexion comprend un transistor de commutation piloté par le circuit de pilotage du module de caractérisation de 35 puissance. Le module de caractérisation de puissance procède à la caractérisation de la diode de puissance par le courant la traversant, en mesurant la différence entre le courant débité par la source haute tension et le courant débité par la source de courant. Un tel dispositif de caractérisation de référence présente un niveau d'erreur 40 et un niveau de sensibilité au bruit relativement élevés. Par ailleurs, un tel circuit ICG011118 FR Depot Texte.docx 3058526 2 présente un temps de commutation pour la diode de puissance de plus de 100 ps, ce qui ne permet pas de caractériser cette diode de puissance aux temps courts postérieurs à la commutation. Ainsi, aucune solution connue ne permet de caractériser une diode de 5 puissance pour une période postérieure à la commutation allant d'environ 50 ns à plusieurs dizaines de secondes. Aucune solution connue ne permet non plus de caractériser une diode de puissance avec suffisamment de précision. Il existe donc un besoin pour un dispositif de caractérisation d'une diode de puissance présentant une grande précision et permettant de caractériser la diode de 10 puissance à la fois aux temps courts et aux temps longs. Il existe en outre un besoin pour un tel dispositif de caractérisation devant présenter un coût raisonnable. L'invention vise à résoudre un ou plusieurs de ces inconvénients. L'invention porte ainsi sur un dispositif de caractérisation d'une diode de 15 puissance, comprenant : -des premier et deuxième noeuds d'alimentation, destinés à être connectés respectivement à une anode et à une cathode de la diode de puissance à caractériser ; -une alimentation comprenant : 20 -une première source de tension générant un premier potentiel d'alimentation et connectée au premier noeud d'alimentation ; -une deuxième source de tension générant un deuxième potentiel d'alimentation, le deuxième potentiel étant supérieur au premier potentiel; -une première résistance connectée en série entre la deuxième source de 25 tension et ledit deuxième noeud d'alimentation ; -un interrupteur commandé susceptible de connecter sélectivement le deuxième noeud d'alimentation à un potentiel inférieur au premier potentiel ; -un circuit d'écrêtage de tension comprenant : 30 -une troisième source de tension ; -une deuxième résistance et une première diode connectées en série entre la troisième source de tension et ledit deuxième noeud d'alimentation, la première diode étant connectée de façon à être traversée par un courant direct allant de la troisième source de tension vers ledit deuxième noeud 35 d'alimentation ; -une borne de mesure, connectée à un noeud intermédiaire entre la deuxième résistance et la première diode. L'invention porte également sur les variantes suivantes. L'homme du métier comprendra que chacune des caractéristiques des variantes suivantes ICG011118 FR Depot Texte.docx 305 852 6 3 peut être combinée indépendamment aux caractéristiques ci-dessus, sans pour autant constituer une généralisation intermédiaire. Selon une variante, ledit circuit d'écrêtage de tension comprend : -une troisième résistance et une deuxième diode connectée en série entre 5 la troisième source de tension et ledit deuxième noeud d'alimentation; -une borne de mesure additionnelle, connectée à un noeud intermédiaire entre la troisième résistance et la deuxième diode. Selon encore une variante, ledit circuit d'écrêtage de tension comprend des troisième et quatrième diodes, lesdites troisième et quatrième diodes et ladite 10 deuxième résistance étant connectées en parallèle, l'anode de la troisième diode étant connectée à la cathode de la quatrième diode. Selon une autre variante, ladite première diode présente un temps de recouvrement direct au plus égal à 1 us et une tension de claquage au moins égale à 100V. 15 Selon encore une autre variante, le dispositif comprend un condensateur connecté en parallèle de ladite première source de tension. Selon une variante, le dispositif de caractérisation comprend un condensateur de découplage connecté en parallèle de ladite deuxième source de tension. 20 Selon encore une variante, ledit interrupteur commandé présente une tension de claquage au moins égale à 100 V. Selon une autre variante, la première source de tension est configurée pour délivrer un courant au moins égal à 1 A. Selon encore une autre variante, la première source de tension est 25 configurée pour générer un premier potentiel d'alimentation au plus égal à 20 V. Selon une variante, la deuxième source de tension est configurée pour générer un potentiel d'alimentation au moins égal à 100 V. Selon une autre variante, le dispositif de caractérisation comprend en outre un troisième noeud d'alimentation destiné à être connecté à un substrat de la 30 diode de puissance à caractériser, et dans lequel le circuit d'alimentation est configuré pour appliquer un potentiel sur ledit troisième noeud d'alimentation. Selon encore une variante, le dispositif de caractérisation comprend en outre un circuit de commande configuré pour appliquer séquentiellement un signal d'ouverture et un signal de fermeture sur une électrode de commande de 35 l'interrupteur commandé. Selon une autre variante, le dispositif de caractérisation comprend en outre une sonde de mesure du courant entre les premier et deuxième noeuds d'alimentation. L'invention porte également sur un système, comprenant : 40 -un dispositif de caractérisation tel que défini ci-dessus ; ICG011118 FR Depot Texte.docx 3058526 4 -une diode de puissance présentant une anode connectée au premier noeud d'alimentation et une cathode connectée au deuxième noeud d'alimentation. Selon une variante, le système comprend en outre un dispositif 5 d'acquisition connecté à ladite borne de mesure. Avantageusement, une ou plusieurs desdites sources de tension sont des sources de tension continue. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront 10 clairement de la description qui en est faite ci-après, à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux dessins annexés, dans lesquels : -la figure 1 est une représentation schématique d'un exemple de dispositif de caractérisation de diode de puissance selon un exemple de mode de réalisation de l'invention ; 15 -la figure 2 est une représentation schématique d'une première variante d'alimentation du dispositif de caractérisation ; -la figure 3 est une représentation schématique d'une première variante de circuit d'écrêtage selon l'invention ; -la figure 4 est un diagramme illustrant l'évolution de différents paramètres 20 mesurés dans le temps lors d'une fermeture de la diode ; -la figure 5 illustre l'évolution dans le temps à l'état passant de la résistance de conduction d'une diode suite à sa fermeture ; -la figure 6 est une représentation schématique d'une deuxième variante de circuit d'écrêtage selon l'invention ; 25 -la figure 7 est une représentation schématique d'une troisième variante de circuit d'écrêtage selon l'invention ; -la figure 8 est une représentation schématique d'une deuxième variante d'alimentation du dispositif de caractérisation ; -la figure 9 est une représentation schématique d'une troisième variante 30 d'alimentation du dispositif de caractérisation. L'invention propose un dispositif de caractérisation d'une diode de puissance. Ce dispositif comprend notamment une alimentation comportant une source de tension destinée à fournir une haute tension sur la cathode de la diode 35 à caractériser pour l'état bloqué de cette diode, et une autre source de tension destinée à fournir un courant élevé dès la fermeture de la diode. Le dispositif de caractérisation comprend par ailleurs un circuit d'écrêtage de tension utilisant une source de tension continue additionnelle, avec une borne de mesure connectée à un noeud intermédiaire entre une résistance et une diode, la résistance et la ICG011118 FR Depot Texte.docx 3058526 diode étant connectées en série sur une sortie de cette source de tension continue additionnelle. La figure 1 illustre de façon schématique une diode de puissance 2 formant 5 un composant à tester, connectée à un dispositif de caractérisation 1. La diode de puissance 2 est par exemple une diode à hétérojonction. Le dispositif de caractérisation 1 comporte des noeuds d'alimentation 11 et 12. La diode 2 comporte une anode connectée au noeud d'alimentation 11, et une cathode connectée au noeud d'alimentation 12. Le dispositif de caractérisation 1 comporte en outre une alimentation électrique 3. L'alimentation 3 comporte un circuit d'alimentation 31 et un circuit d'alimentation 32. Le circuit d'alimentation 31 applique une tension de sortie sur le noeud d'alimentation 11. Le circuit d'alimentation 32 applique une tension de sortie sur le noeud d'alimentation 12. Le dispositif de caractérisation 1 comprend également un circuit d'écrêtage de tension 4 dont une entrée est connectée au noeud d'alimentation 12 et dont une sortie est ici connectée à un dispositif d'acquisition 5. Le dispositif de caractérisation 1 comporte en outre un interrupteur commandé 6. L'interrupteur commandé 6 comporte une première électrode de conduction 61, ici connectée à un potentiel de masse, une deuxième électrode de conduction 62 connectée au noeud d'alimentation 12, et une électrode de commande 63. Un circuit de commande 64 est configuré pour appliquer sélectivement un signal d'ouverture et un signal de fermeture sur l'électrode de commande 63 de l'interrupteur commandé 6. Le circuit de commande 64 peut par exemple commander séquentiellement des ouvertures et des fermetures de l'interrupteur commandé 6. L'interrupteur commandé 6 est dimensionné pour présenter une tension de claquage supérieure à la tension appliquée sur le noeud d'alimentation 12. L'interrupteur commandé 6 est par exemple constitué d'un transistor à effet de champ, par exemple un transistor à effet de champ à haute mobilité électronique (présentant une tension de claquage élevée et un temps de commutation très réduit) ou un transistor SiC MOSFET. Les électrodes 61, 62 et 63 sont alors respectivement la source, le drain et la grille de commande de ce transistor. Lorsqu'un tel transistor est fermé pour former un appel de courant à travers la diode 2 à caractériser, il est utilisé dans son premier quadrant, sa vitesse de commutation étant alors optimale. Le dispositif de caractérisation 1 comporte ici en outre une sonde de courant 13 mesurant le courant entre les noeuds d'alimentation 11 et 12 (correspondant au courant traversant la diode 2), et un voltmètre (ou une sonde de tension) 14 mesurant la tension sur le noeud d'alimentation 11. ICG011118 FR Depot Texte.docx 3058526 6 La figure 2 illustre une première variante d'une alimentation 3 pour la mise en oeuvre de l'invention. L'alimentation 3 comporte le circuit d'alimentation 31, destiné à appliquer un fort courant à travers la diode de puissance 2 dans son état fermé, par l'intermédiaire du noeud d'alimentation 11, lorsqu'un courant est 5 appelé par l'interrupteur commandé 6. Le circuit d'alimentation 31 est également destiné à rendre la diode 2 passante dans des conditions où la différence de potentiel entre le noeud d'alimentation 11 et le noeud d'alimentation 12 est supérieure à la tension de seuil de la diode 2. L'alimentation 3 comporte également le circuit d'alimentation 32, destiné à appliquer une haute tension sur 10 le noeud d'alimentation 12, le niveau de cette haute tension servant à maintenir la diode 2 dans son état ouvert, en l'absence de courant appelé par l'interrupteur commandé 6. Le circuit d'alimentation 31 comporte une source de tension continue 311 générant un premier potentiel d'alimentation par rapport à un potentiel de masse. 15 Le premier potentiel d'alimentation est au moins supérieur au potentiel appliqué sur l'électrode 61 de l'interrupteur commandé 6. La source de tension continue 311 est configurée pour pouvoir débiter un fort courant, typiquement au moins égal à 1 A, de préférence au moins égal à 5 A, et avantageusement au moins égal à 10 A. La source de tension continue 311 est configurée pour générer un 20 potentiel d'alimentation maximal inférieur au potentiel d'alimentation maximal de la source de tension continue323 (détaillée par la suite), typiquement d'au plus 20V. La diode 2 est connectée entre les noeuds d'alimentation 11 et 12 de façon à être traversée par un courant direct allant de la source de tension 311 vers le noeud d'alimentation 12 lorsqu'elle est rendue passante. 25 Une résistance 312 est ici avantageusement connectée en série avec la diode 2 entre la source de tension 311 et le noeud d'alimentation 12. Le circuit d'alimentation 31 comporte ici avantageusement un condensateur 314 connecté en parallèle de la source de tension continue 311. Afin d'aider la source 311 à débiter un courant élevé aux temps courts, il est ainsi préférable de rajouter une 30 capacité d'alimentation entre la source de tension 311 et la résistance 312, ici soula forme du condensateur 314. Les valeurs de ces capacités seront avantageusement choisies pour couvrir les faibles valeurs de temps, typiquement inférieures à 10ms. Au-delà, la source de tension 311 débitera le courant voulu sur des temps longs. Les différents condensateurs de découplage détaillés par la 35 suite visent à stabiliser les alimentations dans une large gamme de fréquences et ainsi limiter au maximum les oscillations des circuits, afin de gagner en rapidité. Grâce aux différents condensateurs de découplage détaillés dans les différentes variantes, la stabilité des tensions du circuit correspondant sont parfaitement maîtrisées. ICG011118 FR Depot Texte.docx 3058526 7 Le circuit d'alimentation 32 comporte une source de tension continue 323 générant un deuxième potentiel d'alimentation par rapport au potentiel de masse. Le deuxième potentiel d'alimentation est supérieur au premier potentiel d'alimentation. Le deuxième potentiel d'alimentation présente une amplitude pour 5 laquelle la diode 2 doit être caractérisée à l'état bloqué. Le deuxième potentiel d'alimentation est par exemple au moins égal à 100 V, de préférence au moins égal à 500 V, et avantageusement au moins égal à 1000 V, en fonction de la diode 1 devant être caractérisée. Le circuit 32 comporte une résistance 322 connectée en série entre la 10 source de tension continue 323 et le noeud d'alimentation 12. La résistance 322 permet de protéger la source de tension 323 du courant débité par la source de tension 311. La résistance 322 permet également de créer une chute de tension entre la source de tension 323 et le noeud d'alimentation 12 lorsque la diode 2 est passante, et permet de stabiliser la source de tension 323. Le circuit 32 comporte 15 ici avantageusement un condensateur de découplage 321 connecté en parallèle de la source de tension continue 323. Contrairement à un transistor, une diode ne présente pas de grille de commande et doit être commutée directement par la différence de potentiel entre 20 son anode et sa cathode. Les potentiels sur l'anode et la cathode doivent être pilotés rapidement afin de pouvoir étudier des phénomènes aux temps courts. L'anode et la cathode doivent pouvoir gérer alternativement forte tension et fort courant. Les inventeurs ont identifié plusieurs problèmes du dispositif de 25 caractérisation de référence, résolus par un dispositif de caractérisation selon l'invention. Ainsi, dans le dispositif de caractérisation de référence, la caractérisation de la diode de puissance est basée sur une déduction du courant la traversant. Cette déduction est réalisée par la mesure différentielle entre le courant débité par la source de tension et le courant débité par la source de 30 courant. Cette mesure différentielle induit une source d'erreur considérable. Par ailleurs, le transistor du module de connexion du dispositif de caractérisation de référence est utilisé dans son troisième cadran, ce qui augmente considérablement son temps de commutation (du fait de phénomènes de recouvrement inverse de la diode intrinsèque de ce transistor à effet de champ 35 sur substrat silicium). Par ailleurs, la source de courant et la source de tension pour le module de caractérisation du dispositif de caractérisation de référence sont de type SMU (pour Source Measure Unit en langue anglaise) et fonctionnent ainsi à la fois en source et en dispositif de mesure. De telles sources de type SMU incluent des boucles de régulation dont le temps de réponse est élevé et dépendant de la résistance de passage de la diode de puissance, ce qui ICG011118 FR Depot Texte.docx 3058526 8 augmente également le temps de commutation du transistor du module de connexion. Par ailleurs, de telles sources de type SMU utilisent un même calibre de mesure dimensionné pour un fort courant, ce qui affecte fortement la précision de la mesure pour des faibles courants. 5 La figure 3 est une représentation schématique d'une première variante de circuit d'écrêtage 4 selon l'invention. Ce circuit d'écrêtage 4 va être détaillé avant d'étudier le fonctionnement du dispositif de caractérisation 1, sur la base d'exemple de mesures réalisées par l'intermédiaire de ce circuit d'écrêtage 4. 10 Le circuit d'écrêtage 4 comporte une source de tension continue 41 générant un troisième potentiel d'alimentation par rapport à un potentiel de masse. Le troisième potentiel présente typiquement un potentiel inférieur ou égal à 10 V. Le circuit d'écrêtage 4 comprend en outre une résistance 42 et une diode 43 connectées en série entre la source de tension 41 et une borne d'entrée 44. 15 La borne d'entrée 44 est en pratique connectée au noeud d'alimentation 12. La diode 43 est connectée de façon à être traversée par un courant direct allant de la source de tension 41 vers la borne d'entrée 44. Une borne de mesure 45 est connectée à un noeud intermédiaire entre la résistance 42 et la diode 43. La borne de mesure 45 est ainsi connectée à l'anode de la diode 43. 20 Le circuit d'écrêtage 4 permet de s'affranchir d'un éventuel problème de saturation d'un oscilloscope ou d'un dispositif d'acquisition 5 connecté à la borne de mesure 45, ce qui permet d'augmenter sensiblement la résolution de mesure tout en restant compatible avec le niveau de tension appliqué sur le noeud d'alimentation 12 lorsque l'interrupteur commandé 6 est ouvert. La mesure de la 25 tension du noeud d'alimentation 12 est effectuée derrière la diode 43. Lorsque la tension sur le noeud d'alimentation 12 est supérieure au troisième potentiel d'alimentation, la diode 43 est polarisée en inverse et le courant la traversant est extrêmement faible. La tension sur la borne de mesure 45 ne peut pas dépasser le troisième potentiel d'alimentation. 30 Lorsque la tension sur le noeud d'alimentation 12 (additionnée à la tension de seuil de la diode 43) devient inférieure au troisième potentiel d'alimentation, la diode 43 est polarisée en direct et se comporte sensiblement comme un interrupteur fermé. La tension appliquée sur la borne de mesure 45 correspond à la tension de seuil moins la chute de tension provoquée par la diode 43. La plage 35 de tension sur le noeud d'alimentation 12 lorsque l'interrupteur commandé 6 est fermé peut être ajustable avec la tension de polarisation de la diode 43. A partir de la tension appliquée sur la borne de sortie 45, le dispositif d'acquisition 5 peut réaliser une conversion de cette tension en la valeur de 40 tension présente sur le noeud d'alimentation 12. Cette conversion peut être ICG011118 FR Depot Texte.docx 3058526 9 réalisée au moyen d'un circuit de conversion du dispositif d'acquisition 5. Le dispositif de conversion peut être étalonné sur la base de mesures préalables. Par exemple, l'étalonnage peut être réalisé de la façon suivante. On maintient l'interrupteur commandé 6 à l'état fermé et on mesure la tension sur la 5 borne de mesure 45 dans cette configuration, afin de définir une valeur de décalage. Ensuite, on maintient l'interrupteur commandé 6 à l'état ouvert, en appliquant un autre potentiel d'alimentation d'un niveau prédéterminé. Une loi de conversion affine peut alors être déterminée en fonction de ces mesures de tension. On peut alors programmer le circuit de conversion pour utiliser cette loi 10 de conversion affine, fournissant la tension sur le noeud d'alimentation 12 en fonction de la tension sur la borne de sortie 45. La figure 4 comporte le diagramme illustrant l'évolution de différents paramètres en fonction du temps postérieurement à la fermeture de la diode 2, 15 ces paramètres étant mesurés par l'intermédiaire du dispositif d'acquisition 5. Le diagramme illustre de haut en bas le courant Id traversant la diode 2, le potentiel sur le noeud d'alimentation 12, le potentiel sur le noeud d'alimentation 11, et le potentiel sur la bonne de sortie 45. Avant l'instant t=0, l'interrupteur commandé 6 est maintenu ouvert. Le 20 courant traversant la résistance 322 étant sensiblement nul, le circuit d'alimentation 32 maintient un potentiel sur le noeud 12 supérieur au potentiel maintenu par le circuit d'alimentation 31 sur le noeud 11. La diode 2 est ainsi maintenue bloquée et est traversée par un courant inverse sensiblement nul. Le courant débité par la source d'alimentation 311 est nul. 25 À l'instant t=0, le circuit de commande 64 commande la fermeture de l'interrupteur commandé 6. L'électrode 62 est ramenée sensiblement au potentiel de masse. L'interrupteur commandé 6 réalise alors un appel de courant. Le circuit d'alimentation 32 débite un courant à travers la résistance 322, faisant ainsi chuter le potentiel sur le noeud d'alimentation 12, jusqu'à un niveau inférieur au potentiel 30 sur le noeud d'alimentation 11. La diode 2 commute ainsi à l'état passant. La source de tension 311 débite alors un courant à travers la diode 2, et les potentiels sur les noeuds d'alimentation 11 et 12 chutent, le potentiel sur le noeud d'alimentation 11 restant supérieur au potentiel sur le noeud d'alimentation 12. Avantageusement, les circuits d'alimentation 31 et 32 sont dépourvus de 35 circuits de mesure et de boucles de régulation correspondantes, et présentent ainsi une dynamique particulièrement élevée. La figure 5 illustre l'évolution dans le temps à l'état passant de la résistance de conduction de la diode 2, mesurée avec un dispositif de caractérisation 1 selon l'invention. On constate ainsi que la dynamique très élevée des circuits d'alimentation 31 et 32 permet d'obtenir une 40 caractérisation à des temps très courts. Par ailleurs, on constate que la très ICG011118 FR Depot Texte.docx 3058526 10 grande précision du dispositif de caractérisation permet de détecter des phénomènes tels que des chutes de résistance à l'état passant (cf rebonds du diagramme entre t 10-5 et t =10-4 environ), par exemple imputés à des effets de dépiégeage dans le substrat. Par ailleurs, une source de tension 311 n'est pas 5 basée sur une décharge capacitive et peut donc permettre de continuer à caractériser la diode 2 fermée aux temps longs. L'utilisation d'une sonde de courant 13 en série avec la diode 2 à caractériser permet d'obtenir une mesure directe du courant traversant la diode 2, améliorant la précision de mesure. Une sonde de courant 13 telle que 10 commercialisée sous la référence TCP0030 peut par exemple être utilisée. Un shunt coaxial ou une résistance de shunt peuvent aussi être utilisés pour mesurer le courant traversant la diode 2. Le dispositif de mesure de courant a avantageusement une bande passante suffisamment large pour couvrir les temps courts ( REVENDICATIONS1. Dispositif de caractérisation (1) d'une diode de puissance (2), caractérisé en ce qu'il comprend : -des premier et deuxième noeuds d'alimentation (11, 12), destinés à être connectés respectivement à une anode et à une cathode de la diode de puissance (2) à caractériser ; -une alimentation (3) comprenant : -une première source de tension (311) générant un premier potentiel d'alimentation et connectée au premier noeud d'alimentation (11) ; -une deuxième source de tension (323) générant un deuxième potentiel d'alimentation, le deuxième potentiel étant supérieur au premier potentiel; -une première résistance (322) connectée en série entre la deuxième source de tension et ledit deuxième noeud d'alimentation (12) ; -un interrupteur commandé (6) susceptible de connecter sélectivement le deuxième noeud d'alimentation (12) à un potentiel inférieur au premier potentiel ; -un circuit d'écrêtage de tension (4) comprenant : -une troisième source de tension (41) ; -une deuxième résistance (42) et une première diode (43) connectées en série entre la troisième source de tension et ledit deuxième noeud d'alimentation, la première diode étant connectée de façon à être traversée par un courant direct allant de la troisième source de tension vers ledit deuxième noeud d'alimentation ; -une borne de mesure (45), connectée à un noeud intermédiaire entre la deuxième résistance et la première diode. 2. Dispositif de caractérisation (1) selon la revendication 1, dans lequel ledit circuit d'écrêtage de tension (4) comprend : -une troisième résistance (421) et une deuxième diode (431) connectée en série entre la troisième source de tension (41) et ledit deuxième noeud d'alimentation (12) ; -une borne de mesure additionnelle (451), connectée à un noeud intermédiaire entre la troisième résistance et la deuxième diode. 35 3. Dispositif de caractérisation (1) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel ledit circuit d'écrêtage (4) de tension comprend des troisième et quatrième diodes (47,48), lesdites troisième et quatrième diodes et ladite deuxième résistance (42) étant connectées en parallèle, l'anode de la troisième diode étant 40 connectée à la cathode de la quatrième diode. ICG011118 FR Depot Texte.docx 3058526 15 4. Dispositif de caractérisation (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite première diode présente un temps de recouvrement direct au plus égal à 1 ps et une tension de claquage au moins égale à 100V. 5 5. Dispositif de caractérisation (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant un condensateur (314) connecté en parallèle de ladite première source de tension (311). 10 6. Dispositif de caractérisation (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant un condensateur de découplage (321) connecté en parallèle de ladite deuxième source de tension (323). 7. Dispositif de caractérisation (1) selon l'une quelconque des revendications 15 précédentes, dans lequel ledit interrupteur commandé (6) présente une tension de claquage au moins égale à 100 V. 8. Dispositif de caractérisation (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la première source de tension (311) est configurée 20 pour délivrer un courant au moins égal à 1 A. 9. Dispositif de caractérisation (1) selon la revendication 8, dans lequel la première source de tension (311) est configurée pour générer un premier potentiel d'alimentation au plus égal à 20 V. 25 10. Dispositif de caractérisation (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la deuxième source de tension (323) est configurée pour générer un potentiel d'alimentation au moins égal à 100 V. 30 11. Dispositif de caractérisation (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, comportant en outre un troisième noeud d'alimentation destiné à être connecté à un substrat de la diode de puissance à caractériser, et dans lequel le circuit d'alimentation (3) est configuré pour appliquer un potentiel sur ledit troisième noeud d'alimentation. 12. Dispositif de caractérisation (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre un circuit de commande (64) configuré pour appliquer séquentiellement un signal d'ouverture et un signal de fermeture sur une électrode de commande (63) de l'interrupteur commandé (6). ICG011118 FR Depot Texte.docx 3058526 16 13.Dispositif de caractérisation (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre une sonde de mesure du courant entre les premier et deuxième noeuds d'alimentation (11,12). 5 14. Système, caractérisé en ce qu'il comprend : -un dispositif de caractérisation (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes ; -une diode de puissance (2) présentant une anode connectée au premier noeud d'alimentation (11) et une cathode connectée au deuxième noeud 10 d'alimentation (12). 15.Système selon la revendication 14, comprenant en outre un dispositif d'acquisition (5) connecté à ladite borne de mesure. ICG011118 FR Depot Texte.docx