Brevet FR3061706A1 — publié le 20180713

DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne un procédé de réalisation d'un accès à un organe d'un dispositif microélectronique. Par dispositif microélectronique, on entend tout type de dispositif réalisé avec des moyens de la microélectronique. Ces dispositifs englobent notamment en plus des dispositifs à finalité purement électronique, des dispositifs micromécaniques ou électromécaniques (MEMS, NEMS...) ainsi que des dispositifs optiques ou optoélectroniques (MOEMS, NOEMS...). Plus particulièrement, l'invention concerne notamment la réalisation d'accès à des zones d'intérêt (par exemple des plots de test) pour un système encapsulé. ETAT DE LA TECHNIQUE Les dispositifs microélectroniques sont des structures réalisées collectivement par les techniques connues de la micro-électronique (photolithographie, gravure, dépôt ). Plus particulièrement, les MEMS, de dimensions micrométriques ou nanométriques, comportent des parties mobiles pour former par exemple des interrupteurs, des capteurs inertiels, des valves, des pistons. Les MEMS nécessitent une protection à l'atmosphère ambiante : protection mécanique vis-à-vis de particules ou poussières, protection à l'humidité, fonctionnement sous un vide intégré par exemple. Pour cela, le MEMS est encapsulé avec un capot. Le procédé d'encapsulation le plus couramment utilisé est un procédé d'encapsulation collectif, appelé WLP (Wafer Level Packaging). Une plaque MEMS, ou substrat de base, comportant les structures mobiles est mise en regard puis scellée avec une plaque capot ou substrat de fermeture. Ce scellement peut se faire selon différentes techniques : scellement moléculaire, scellement polymère, scellement eutectique, par exemple. Selon les applications requises, le scellement peut être hermétique et sous une atmosphère (gaz) particulière. Avant la découpe de cet assemblage en puces MEMS, il est souvent souhaitable de vérifier la fonctionnalité des structures MEMS par un test électrique : les plots de test doivent donc être accessibles. De plus, après découpe en puces, celles-ci sont souvent mises dans un boitier et nécessitent donc des plots d'accès. Les plots de test doivent donc être situés à l'extérieur de la zone d'encapsulation et ils doivent être dégagés pour devenir accessibles avant la découpe finale des composants MEMS. On connait de la publication US2014/0264909 Al un assemblage entre un substrat de base et un substrat de fermeture ou capot. Ce dernier porte un plot décalé latéralement d'une zone d'encapsulation dans laquelle est formé le MEMS. Ce principe 3061706 2 est reproduit plusieurs fois sur les substrats de sorte à opérer une fabrication collective de plusieurs MEMS. Le plot est relié électriquement au MEMS et porté par la face interne du capot. De ce fait, lors de la fabrication et plus précisément à l'assemblage du capot sur le substrat de base, le plot se retrouve en regard du substrat de base et 5 n'est pas accessible depuis l'extérieur. Pour y remédier, cette publication propose de scier le substrat de base depuis sa face arrière, de sorte à exposer à l'extérieur la zone du capot portant le plot, en découpant le substrat de base, depuis sa face arrière, jusqu'à sa face interne. On comprend que cette opération est délicate en termes de précision ou de tolérances d'usinage, au risque de détériorer le plot si le sciage n'est 10 pas stoppé à temps. Il existe donc un besoin de proposer un procédé permettant d'améliorer les techniques connues jusqu'à présent. RESUME DE L'INVENTION 15 Suivant un premier aspect, l'invention concerne un procédé de réalisation d'une ouverture d'accès à au moins un organe d'un dispositif microélectronique comprenant un substrat de base et un substrat de fermeture, une première face du substrat de fermeture portant l'organe, l'ouverture traversant le substrat de base. De manière préférentielle, ce procédé est tel qu'il comprend: 20 - une formation d'au moins une tranchée dans le substrat de base, depuis une première face du substrat de base et suivant une dimension en épaisseur du substrat de base, l'au moins une tranchée ayant une profondeur dans le substrat de base configurée pour ne pas exposer l'au moins une tranchée au niveau d'une deuxième face, opposée à la première 25 face, du substrat de base ; puis, - un assemblage de la première face du substrat de base et de la première face du substrat de fermeture ; puis, - une formation d'au moins une tranchée complémentaire dans le substrat de base, depuis la deuxième face du substrat de base ; suivant la dimension 30 en épaisseur, l'au moins une tranchée complémentaire étant configurée pour rejoindre l'au moins une tranchée. La formation d'au moins une tranchée et la formation d'au moins une tranchée complémentaire sont configurées pour détourer une zone à retirer du substrat de base, de sorte à former l'ouverture. 35 Ainsi, l'ouverture est opérée avec deux étapes, dont l'une, préparatoire, est exécutée avant assemblage des deux substrats. La moins une tranchée faite à cette 3061706 3 étape limite la profondeur de réalisation de la tranchée complémentaire, réduisant ou supprimant de ce fait les problèmes de tolérance de fabrication de cette tranchée et les risques d'atteindre involontairement l'organe lui-même lors de la fabrication de l'ouverture. Eventuellement, on peut aussi réduire la quantité de matière enlevée lors 5 de l'usinage de la tranchée complémentaire, cette dernière étant moins profonde que si l'ouverture était réalisée intégralement depuis la face arrière du substrat de base. Cette disposition peut par exemple réduire les risques de contamination du dispositif microélectronique par des résidus d'usinage, ou les contraintes d'évacuation de tels résidus. 10 Suivant un autre aspect de mode de réalisation préférée de l'invention, est présenté un dispositif pouvant être obtenu par le procédé. INTRODUCTION DES DESSINS D'autres caractéristiques, buts et avantages de la présente invention apparaîtront 15 à la lecture de la description détaillée qui suit, en regard des dessins annexés, donnés à titre d'exemple, non limitatif, et sur lesquels : - les figures 1 à 7 présentent un mode de réalisation de l'invention ; - les figures 8 et 9 en montrent une variante ; - les figures 10 à 17 illustrent un autre mode de réalisation de l'invention ; 20 - la figure 18 est une vue de dessus de l'assemblage proposé ; - les figures 19 et 20 sont des coupes suivant les lignes A-A de la figure 18, respectivement avant l'exécution de la tranchée complémentaire et après cette opération ; - les figures 21 et 22 sont des coupes suivant les lignes B-B de la figure 18, 25 respectivement avant l'exécution de la tranchée complémentaire et après cette opération ; - les figures 23 et 24 sont des coupes suivant les lignes C-C de la figure 18, respectivement avant l'exécution de la tranchée complémentaire et après cette opération. 30 Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l'invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l'invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques, notamment quant à l'épaisseur des différentes couches 35 illustrées. 3061706 4 DESCRIPTION DETAILLEE Avant d'entrer dans le détail de différents modes de réalisation de l'invention, notamment en référence aux figures précédemment introduites, sont énoncées ci-après différentes caractéristiques purement optionnelles et non limitatives que 5 l'invention peut présenter individuellement ou suivant toutes combinaisons entre elles : - la formation d'au moins une tranchée 106 comprend la formation de deux tranchées 106 s'étendant dans des plans parallèles suivant l'épaisseur du substrat de base 100 ; - la formation d'au moins une tranchée complémentaire 112 comprend la 10 formation de deux tranchées complémentaires 112 configurées pour rejoindre, chacune, une différente des deux tranchées 106 ou comprend la formation d'une tranchée complémentaire 112 configurée pour rejoindre chacune des deux tranchées 106 ; - la formation d'au moins un motif 300 de dispositif microélectronique durant la 15 formation de l'au moins une tranchée 106 ; - la dimension en largeur, dans un plan perpendiculaire à la dimension en épaisseur du substrat de base 100, du au moins un motif 300, est inférieure la dimension en largeur de l'au moins une tranchée106, et la formation de l'au moins une tranchée 106 et la formation du au moins un motif 300 20 comprennent une gravure simultanée ; - on utilise un substrat de base 100 comprenant une couche de base 101, une couche supérieure 103 dont une face exposée forme la première face 107 du substrat de base 100, et une couche électriquement isolante enterrée située entre la couche de base 101 et la couche supérieure 103. 25 - Avant la formation d'au moins une tranchée 106, le procédé comprend : - la formation d'au moins une prétranchée105 depuis la première face 107 du substrat de base 100 au travers de la couche supérieure 103 et de la couche électriquement isolante 102 enterrée de sorte à exposer la couche de base 101 au niveau de la première face 107 du substrat de base 100 ; 30 - la formation de l'au moins une tranchée 106 est configurée pour traverser uniquement partiellement l'épaisseur de la couche de base 101 au niveau de la au moins une prétranchée 105. - Eventuellement, dans le cas précédent, on opère la formation d'une couche superficielle 104 au-dessus de la première face 107 et dans le au moins 35 une prétranchée 105 ; et la formation de l'au moins une tranchée 106 est 3061706 5 configurée pour traverser la couche superficielle 104 au niveau de la au moins une prétranchée 105 ; - la formation de l'au moins une tranchée 106 comprend une gravure depuis la première face 107 du substrat de base 100, et simultanément à ladite 5 gravure, on opère une gravure complémentaire depuis la première face 107 du substrat de base 100 et en dehors de la au moins un prétranchée 105, de sorte à former au moins un motif 300 de dispositif microélectronique, la couche électriquement isolante enterrée 102 servant de couche d'arrêt à la gravure complémentaire ; 10 - on choisit un matériau pour la couche superficielle 104 de même nature que le matériau de la couche de base 101 ; - la formation de l'au moins une tranchée 106 comprend, pour chacune des au moins une tranchée 106 : - la formation d'une première portion de tranchée 109 s'étendant depuis la 15 première face 107 du substrat de base 100 et configurée pour exposer la couche électriquement isolante enterrée 102 au niveau de la première face 107 du substrat de base 100 ; - la formation d'une deuxième portion de tranchée 110 dans la continuité de la première portion de tranchée 109 et configurée pour exposer la couche 20 de base 101 au niveau de la première face 107 du substrat de base 100 ; - la formation d'une troisième portion de tranchée 115, dans la continuité de la première portion de tranchée 109 et de la deuxième portion de tranchée 110, et configurée pour traverser uniquement partiellement l'épaisseur de la couche de base 101. 25 - la formation de la première portion de tranchée 109 comprend une gravure depuis la première face 107 du substrat de base 100 et simultanément à ladite gravure, on opère une gravure complémentaire depuis la première face 107 du substrat de base 100 de sorte à former au moins une première portion d'un motif 300 de dispositif microélectronique uniquement au 30 travers de la couche supérieure 104, la formation de la troisième portion de tranchée 115 comprend une gravure au travers de la couche de base 101 et on opère une gravure additionnelle dans la continuité de la première portion de motif de sorte à former une deuxième portion de motif 300 de dispositif microélectronique, la couche électriquement isolante enterrée 102 35 servant de couche d'arrêt à la gravure additionnelle. 3061706 6 - la formation de l'au moins une tranchée complémentaire 112 est configurée pour former une ouverture allant en s'évasant vers la deuxième face 108 du substrat de base 100 ; - l'assemblage est configuré pour définir une région d'encapsulation 205 entre 5 la première face 107 du substrat de base 100 et la première face 202 du substrat de fermeture 200, le au moins un motif 300 étant situé dans la région d'encapsulation 205, l'organe étant situé hors de la région d'encapsulation 205 - l'organe 201 est relié électriquement à au moins une zone de la région 10 d'encapsulation 205 ; - la région d'encapsulation 205 est de contour carré ou rectangulaire dans un plan perpendiculaire à l'épaisseur du substrat de base 100, et l'au moins une tranchée 106 est parallèle à un côté du contour de la région d'encapsulation 205 ; 15 - on forme plusieurs régions d'encapsulation 205 comprenant chacune au moins un dispositif microélectronique ; - une singulation des régions d'encapsulation 205 après accès à l'au moins un organe 201 ; - la formation d'au moins une tranchée 106 comprend la formation d'au moins 20 deux tranchées 106 perpendiculaires entre elles ; - la formation d'au moins une tranchée 106 et la formation d'au moins une tranchée complémentaire 112 sont configurées pour que l'ouverture 113 ne parcoure, dans un plan perpendiculaire à son épaisseur, qu'une partie d'un substrat de base 100 ; 25 - avant l'assemblage, on forme, sur la première face 202 du substrat de fermeture 200, une cavité 206 dans laquelle se situe l'organe 201. Suivant d'autre options possibles, le procédé est tel que : - la formation de la moins une tranchée 106 comprend la formation successive 30 d'au moins deux portions de tranchées, avantageusement par gravure ; la dernière portion des au moins deux portions (exécutée en dernier) forme de préférence intégralement la partie de tranchée située dans la couche de base du substrat de base ; la ou les autres portions servent de préférence à franchir les couches situées au-dessus de la couche de base ; 35 - les tranchées présentent la même profondeur dans le substrat de base ; 3061706 7 - la moins une tranchée présente une dimension longue (sa longueur) dirigée suivant un plan perpendiculaire à l'épaisseur du substrat de base ; l'autre dimension de la moins une tranchée suivant ledit plan (sa largeur) est inférieure à la longueur, et notamment au moins 10 fois moindre ; la moins 5 une tranchée est donc de préférence une rainure dirigée suivant l'épaisseur du substrat de base ; - la moins une tranchée 106 et la au moins une tranchée complémentaire 112 sont configurées pour détourer une zone du substrat de base depuis sa première face 107 jusqu'à sa deuxième face 108, la zone détourée pouvant 10 être extraite du substrat de base 100. Il est précisé que, dans le cadre de la présente invention, le terme « sur » ou « au-dessus » ne signifie pas obligatoirement « au contact de ». Ainsi, par exemple, le dépôt d'une couche sur une autre couche, ne signifie pas obligatoirement que les deux 15 couches sont directement au contact l'une de l'autre mais cela signifie que l'une des couches recouvre au moins partiellement l'autre en étant soit directement à son contact, soit en étant séparée d'elle par un film, encore une autre couche ou un autre élément. Une couche peut par ailleurs être composée de plusieurs sous-couches d'un même matériau ou de matériaux différents. 20 Il est précisé que, dans le cadre de la présente invention, l'épaisseur d'une couche ou d'un substrat se mesure selon une direction perpendiculaire à la surface selon laquelle cette couche ou ce substrat présente son extension maximale. L'emploi du singulier pour certains éléments de l'invention ne signifie pas obligatoirement qu'un élément donné est présent de manière unique dans l'invention. 25 Le mot « un » ou « une » ne signifie donc pas exclusivement respectivement « un seul » ou « une seule » à moins qu'il en soit disposé autrement. Certaines parties du dispositif de l'invention peuvent avoir une fonction électrique. Certaines sont employées pour des propriétés de conduction électrique et on entend par électrode ou équivalent, des éléments formés d'au moins un matériau 30 ayant une conductivité suffisante, dans l'application, pour réaliser la fonction souhaitée. D'une manière générale, l'invention s'adresse à des dispositifs microélectroniques qui sont avantageusement fabriqués collectivement à partir d'une même plaque (ou « wafer » en anglais) et qui sont ensuite individualisés. L'invention s'adresse à tous types de dispositifs et en particulier à ceux qui nécessitent d'être 35 testés en cours de fabrication, et à tout le moins avant l'individualisation des composants. Dans ce cadre, l'invention permet d'accéder à au moins un organe (mais 3061706 8 plus souvent à plusieurs organes dans le contexte d'une fabrication collective) participant à une fonction de test du dispositif. L'organe qui ensuite décrit au vue des dessins est par exemple un plot de reprise de contact pour alimenter électriquement une partie du dispositif microélectronique et vérifier qu'il est fonctionnel. Un organe 5 peut servir à tester une seule partie d'un dispositif, ou plusieurs parties, ou servir à tester des parties de dispositifs différents fabriqués collectivement. Il est donc ici considéré que l'organe fait partie d'au moins un dispositif microélectronique. L'expression « faire partie » ne signifie pas que l'organe en question est destiné systématiquement à rester dans le dispositif ; il peut être éliminé après le 10 test par exemple. Cela ne signifie pas non plus que l'organe est à proximité du composant d'un dispositif microélectronique qu'il doit alimenter, il peut être éloigné et raccordé au composant par un circuit électrique ou par une couche conductrice. La fonction d'alimentation électrique donnée ci-dessus n'est qu'un exemple et l'organe auquel il convient d'accéder est en général tout élément (zone de substrat, plot, partie 15 de circuit...) pour lequel un accès à travers un substrat de base est souhaitable. Autrement dit, il est possible que l'organe fasse momentanément partie d'un dispositif microélectronique dont une autre partie forme un dispositif définitif, par exemple une puce ou système micro-électronique, par exemple du type MEMS. Le dispositif définitif peut être réalisé dans une région isolée du substrat de formations collective d'une 20 pluralité de dispositifs définitifs. Un premier exemple de réalisation est donné avec les figures 1 à 7. Suivant cet exemple, on utilise comme substrat de base 100 un premier substrat de type SOI (pour « Silicon On lnsulator » que l'on peut traduire en français par Silicium sur isolant) comprenant un empilement de couches. Une première couche est 25 une couche de base 101 qui peut faire office de poignée et qui est notamment en un matériau semi-conducteur brut, par exemple du silicium. La couche de base 101 forme une partie inférieure de l'empilement du SOI, avec une face arrière, ici appelée deuxième face 108. Au-dessus de la couche 101, l'empilement comprend une couche faite d'un matériau diélectrique (par exemple de l'oxyde de matériaux semi- 30 conducteurs tels du dioxyde de silicium) et formant une couche électriquement isolante enterrée 102. Cette couche est en effet prise en sandwich entre la couche de base 101 et une couche supérieure 103. La couche 103 et typiquement faite d'un matériau semiconducteur (par exemple du silicium). La couche 103 définit une première face 107 du substrat de base 100, opposée à la deuxième face 108. L'épaisseur des couches 102, 35 103 peut être comprise entre quelques dizaines de nanomètres à quelques centaines 3061706 9 de micromètres. L'épaisseur de la couche 101 est généralement supérieure à celles des deux autres couches. Selon l'invention, une ou plusieurs tranchées 106 vont être formées dans l'épaisseur du substrat de base 100 ce qui, dans l'exemple d'un substrat de base 100 5 du type SOI, implique de traverser la couche supérieure 103, la couche enterrée 102 et, partiellement, la couche de base 101. D'une manière générale, l'au moins une tranchée 106 a pour objectif de détourer la zone du substrat de base 100 de manière partielle, c'est-à-dire suivant une partie seulement de l'épaisseur du substrat de base 100. On peut ainsi former une tranchée 10 106 formant un contour fermé autour de la zone en question du substrat 100. On peut aussi former des tranchées 106 s'étendant entre deux bords, sensiblement opposés, du substrat de base 100 de sorte que les tranchées 106 sont ouvertes au niveau de la tranche du substrat de base 100 à chacune de leurs extrémités. La zone située entre les tranchées 106, d'une partie de la tranche du substrat 100 à une autre, est donc 15 également détourée partiellement dans cette situation. Dans ce cas de figure, il est avantageux de former deux tranchées 106 parallèles. Il est aussi possible de former une tranchée d'une forme différente tant qu'elle permet de détourer une partie de l'épaisseur du substrat de base 100. Par exemple, la tranchée 106 peut s'étendre successivement suivant des directions différentes dans le plan du substrat de base 100 20 de sorte à ce que les extrémités de cette tranchée 106 rejoignent la tranche du substrat de base à deux endroits différents. Pour parvenir à créer la ou les tranchées 106, une étape préparatoire est illustrée à la figure 2 au niveau de laquelle les couches 103 et 102 sont retirées dans chaque zone une tranchée est à réaliser, de préférence par des étapes successives de 25 photolithographie, puis de gravure de la couche 103 sélectivement à la couche 102, puis de gravure de la couche 102 sélectivement à la couche de base 101. On forme de cette façon une prétranchée 105 au travers des couches 102, 103 permettant d'exposer le matériau de la couche de base 101 au niveau de la première face 107. On s'arrange pour former un motif correspondant à une prétranchée 105 présentant des 30 dimensions dans le plan du substrat de base 100 au moins égales aux dimensions de la tranchée 106 qui est destinée à être créée à cet endroit. Un dépôt d'une couche superficielle 104, de préférence électriquement conductrice, est ensuite avantageusement effectué à la surface de la première face 107. On peut éventuellement se passer de la couche superficielle 104 et réaliser les 35 tranchées directement dans les motifs gravés en creux dans les couches 102 et 103, et former les motifs de MEMS uniquement dans la couche 103. L'épaisseur de cette 3061706 10 couche 104 peut être comprise entre quelques dizaines de nanomètres et quelques centaines de micromètres. Cela peut être un dépôt de poly-silicium, obtenu par dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (connu sous l'acronyme LPCVD), dopé ou non, ou bien par une épitaxie du matériau semi-conducteur, par exemple de silicium, 5 dopé ou non. Le résultat obtenu est illustré en figure 3, la couche superficielle 104 recouvrant avantageusement l'ensemble de la première face 107 et s'insérant complétement dans la ou les prétranchées 105 et qui ont été formés à l'étape précédente. Idéalement, la couche 101 et/ou la couche 103 et la couche 104 sont de même nature chimique, et/ou sont potentiellement attaquées par les mêmes chimies 10 de gravure. On comprend que le ou les motifs de prétranchées 105 ont l'intérêt de permettre de franchir la discontinuité de matériaux généralement formés par la couche enterrée 102. Ainsi, sur la base de la configuration obtenue à la figure 3, il est possible de réaliser une tranchée 106 au moins par une prétranchée 105 précédemment formé. 15 Des tranchées 106 sont gravées à l'aplomb des zones de prétranchée 105, comme le montre la figure 4, mais il n'y a pas de couche d'arrêt pour cette gravure qui continue dans la couche de base 101, permettant ainsi d'obtenir des tranchées 106 de profondeur supérieure à la somme des épaisseurs des couches 102, 103 et 104 mais inférieure à l'épaisseur globale de l'empilement alors présent au niveau du substrat de 20 base 100 de sorte que les tranchées 106 ne sont pas débouchantes au niveau de la deuxième face 108 du substrat de base 100. On peut définir des dimensions en largeur et en longueur de la ou les tranchées 106 comme étant les dimensions de ces dernières dans un plan perpendiculaire à la dimension en épaisseur du substrat de base. Avantageusement, la dimension en longueur est plus importante que la 25 dimension en largeur. Ainsi, comme on le verra en référence à la figure 18, la dimension en longueur des tranchées peut s'étendre sur une grande partie, voire la totalité, du substrat de base 100. De préférence en même temps que la formation des tranchées 106, des motifs de dispositifs microélectroniques 300, par exemple de types MEMS (notamment tous 30 éléments mobiles tel que peignes interdigités, bras de suspension, poutres etc...) sont de préférence définis dans la couche 104 et avantageusement aussi dans la couche 103, par exemple par des étapes successives de photolithographie et gravure sèche. La structure schématique présentée pour les motifs 300 à la figure 4 est uniquement destinée à des fins de compréhension de l'invention et ne limite pas les formes 35 géométriques que l'on peut réaliser à cette phase. La gravure DRIE (gravure ionique réactive profonde) peut être utilisée. Elle est sélective par rapport à la couche 3061706 11 électriquement isolante enterrée 102 ce qui implique que la gravure des motifs 300 s'arrête donc sur la couche 102. De plus, la largeur des tranchées est avantageusement plus grande que la largeur des motifs de dispositifs microélectroniques 300 à graver de manière à profiter 5 d'une vitesse de gravure plus grande dans les tranchées 106 et obtenir des gravures plus profondes dans ces zones. C'est ce qui est illustré à la figure 4 où des tranchées gravées pour former les motifs 300 sont moins larges (cette dimension s'étendant ici dans le plan de la feuille de figure) que les tranchées 106 ce qui implique une cinétique de gravure plus importante pour ces dernières. On notera néanmoins que la couche 10 électriquement isolante enterrée 102 agit comme couche d'arrêt pour la gravure des motifs 300 si bien que la gravure peut continuer pour la formation des tranchées 106 dans une même phase de fabrication sans impacter la profondeur des motifs 300. À l'issue de cette étape, le substrat de base 100 a été préparé avec une fabrication, avantageusement simultanée et une mutualisation de moyens, de 15 tranchées 106 et de motifs de dispositifs microélectroniques 300. Ce substrat de base 100 est destiné à être assemblé à un autre substrat, dit substrat de fermeture 200. Préalablement, une autre couche d'un matériau conducteur peut être déposée et structurée à la surface du substrat sous forme de cordons de scellement 204 pour permettre l'encapsulation. Les matériaux utilisables pour les cordons 204 sont par 20 exemple du Ge pour un scellement de type Al-Ge ou de l'Au pour un scellement Au- Sn. De préférence, pour un dispositif micro-électronique donné formé sur le substrat de base 100, un cordon de scellement 204 produit un contour fermé à la surface de la première face 107, de préférence en entourant de manière continue les motifs 300 qui ont été formés et de préférence l'ensemble des autres composants du dispositif micro- 25 électronique hormis l'organe 201 décrit dans la suite de la description. Un autre substrat, substrat de fermeture 200 qui fait office de capot est ensuite reporté, possiblement suivant des techniques d'empilements 3D de substrats, sur le substrat de base 100 comme montré en figure 5. L'invention n'est pas limitée quant à la nature et le matériau du substrat de fermeture 200. Ce dernier peut être formé 30 notamment par une plaque, notamment de plus de cent micromètres d'épaisseur, par exemple de matériaux semi-conducteurs ou encore par un empilement d'une ou plusieurs couches, empilement par exemple de moins de 50 micromètres. Le substrat de fermeture 200 peut être à base de matériaux semi-conducteurs, par exemple du silicium. Cet assemblage permet de préférence d'obtenir un scellement de type 35 conducteur de sorte à produire une continuité électrique au travers de l'interface entre le substrat de fermeture 200 et le substrat de base 100. Ce peut-être par exemple un 3061706 12 scellement eutectique (ex : Au-Si, Al-Ge, Au-Sn etc...) ou un scellement moléculaire (ex : Si-Si ; Si-Ge, Cu-Cu etc...). Ce substrat de fermeture 200 peut être actif ou passif (exemples : substrat CMOS, couche de type MEMS ou couche de protection etc...). A la surface de ce substrat de fermeture 200, des cordons de scellement peuvent être 5 présents en alternative ou en complément à des cordons de scellement 204 précédemment réalisés au niveau de la première face 107 du substrat de base 100. La présence de cordon de scellement n'est d'une façon générale pas essentielle à l'invention, le scellement pouvant aussi se faire par collage moléculaire de type Si/Si, ou Cu/Cu par exemple. 10 En outre, une première face 202 du substrat de fermeture 200, destinée à être mise en regard avec la première face 107 du substrat de base 100, comprend un organe 201. L'organe 201 peut être choisi parmi des plots de test ou des zones métalliques situées à l'extérieur de la zone de scellement du MEMS, ou tout autre zone d'intérêt à laquelle on souhaite accéder depuis la deuxième face 108 du substrat de 15 base 100 au cours du procédé de fabrication et avant individualisation de composants. Un ou plusieurs organes 201 peuvent être localisés sur la première face 202, comme dans le cas de l'exemple de la figure 5, être situé au niveau d'une cavité 206 formant une portion en creux au niveau de la première face 202. A ce stade, l'organe 201 est situé en regard de la première face 107 du substrat 20 de base 100. Avantageusement, on configure l'ouverture 113 à former pour que l'organe soit centré suivant la largeur de cette ouverture 113. Ainsi, dans le cas illustré où l'on forme deux tranchées 106 espacées suivant une dimension en largeur, il est préféré que ces tranchées soient disposées symétriquement autour d'un axe dirigé selon l'épaisseur de l'assemblage et passant par le milieu de la largeur de l'organe 25 201. La figure 5 montre aussi que la cavité 206 peut avoir la même largeur que l'écartement entre les bords les plus éloignés des deux tranchées 106. Si seule tranchée est formée, elle est avantageusement elle aussi centrée suivant sa largeur relativement à l'organe 201. D'une manière générale, il est avantageux que la largeur de la tranchée 106 30 lorsqu'elle est unique ou l'écartement en largeur entre deux tranchées extrêmes soit supérieure à la largeur de l'organe 201 de sorte que l'ouverture 113 forme un accès à l'intégralité de la face supérieure de l'organe 201 exposé au niveau de la première face 202 du substrat de fermeture 200. Dans la configuration de la figure 5, les motifs de dispositifs microélectroniques 35 ont été encapsulés dans une région se trouvant isolée relativement à l'organe 201 qui est destinée à être accessible depuis l'extérieur. C'est avantageusement dans la région 3061706 13 isolée 205 que sont présentes les parties du dispositif microélectronique destinées à être préservées à l'issue de l'individualisation. Après l'assemblage des substrats 100, 200, l'invention permet de réaliser aisément l'accès à un organe 201 par la face arrière du substrat de base 100 grâce à 5 la phase préparatoire qui a précédemment été effectuée, par réalisation des tranchées 106. L'accès est finalisée sur cette base par l'exécution d'au moins une tranchée complémentaire rejoignant la ou les tranchées 106 suivant l'épaisseur du substrat de base 100 de sorte à détourer totalement (c'est-à-dire suivant la totalité de l'épaisseur du substrat de base 100) la zone du substrat de base 100 nécessaire à la libération 10 d'un accès à l'organe 201. La zone en question ne se trouve alors plus tenue par d'autres parties de l'assemblage et peut être éliminée. Pour réaliser l'accès à l'organe 201, une fois les deux substrats assemblés, l'ouverture du substrat de base 100 peut se faire selon différentes techniques de dégagement. La plus couramment utilisée est un dégagement par découpe avec par 15 exemple une scie diamantée qui viendra réaliser des tranchées 112 à l'aplomb des tranchées 106 comme montré en pointillés à la figure 6 avec le résultat fourni en figure 7. On notera que le bord d'ouverture 111 de cette partie découpée comprend ici une portion orientée suivant l'épaisseur du substrat et un décrochement parallèle au plan du substrat avant de rejoindre une zone en regard de l'organe 201. On peut également 20 envisager un amincissement par gravure plasma du substrat de base 100 par la face 108 jusqu'à déboucher dans les tranchées 106. La découpe peut aussi se faire avec une lame ayant un profil en biseau pour réduire la distance entre le bord de découpe et les plots (gain de place) et faciliter la cohésion (découpe qui épouse la forme du capillaire également en biseau) comme en figures 8 et 9 au niveau desquelles 25 l'ouverture 113 permettant l'accès à l'organe 201 a une forme allant en s'évasant vers la deuxième face 108 du premier substrat 100, configuration qui peut permettre par ailleurs de faciliter l'accès à l'organe 201, notamment si cet accès se fait par une pointe destinée à raccorder électriquement un système d'alimentation électrique extérieure aux dispositifs micro-électroniques via l'organe 201 par exemple sous forme de plot. 30 Un second exemple de réalisation est donné avec les figures 10 à 15. Bien que cela ne soit pas limitatif de l'invention, l'exemple illustré reprend comme point de départ un substrat de base 100 du type SOI, qui peut être similaire à celui décrit pour le mode de réalisation précédent. En l'espèce, la représentation de la figure 17 identique à celle de la figure 1. 35 En figure 11, des motifs 300, qui peuvent être du même type que ceux décrits pour le mode de réalisation précédent, sont définis dans la couche supérieure 103, de 3061706 14 préférence par des étapes successives de photolithographie et gravure sèche. En même temps, des premières portions de tranchée 109 de largeur avantageusement plus importante sont gravées. La gravure DRIE indiqué précédemment peut être utilisée à nouveau dans cet exemple. Elle est sélective par rapport à la couche de 5 diélectrique 102 et la vitesse de gravure des motifs dépend fortement de la largeur des motifs. Ainsi, si la largueur des premières portions de tranchée 109 est avantageusement supérieure à la largeur des motifs 300 du MEMS en tant que tel ; elles déboucheront sur la couche diélectrique 102 avant les motifs 300. La figure 11 en donne une illustration. Dans ce cas de figure, on utilise la couche 102 comme couche 10 d'arrêt pour la gravure des premières portions 109 de tranchée. On notera que selon ce mode de réalisation, il n'est pas fait recours à une couche superficielle 104. La couche électriquement isolante enterrée 102 est ensuite gravée, par exemple par gravure sèche (ex : RIE), humide (ex : HF) ou vapeur (HF vapeur) au fond des premières portions de tranchées 109. Cette gravure supplémentaire permet donc de 15 poursuivre la formation de la tranchée complète en ajoutant, dans la continuité de la première portion 109, une deuxième portion de tranchée 110. On obtient le résultat illustré à la figure 12. On comprend qu'à ce stade, on a réalisé l'ouverture des couches du dessus de l'empilement du substrat de base SOI 100 de sorte qu'une portion du matériau de la couche de base 101 est accessible depuis la première face 107 du 20 substrat de base 100. En ce qui concerne les possibles variations autour du nombre, de la forme et de la localisation des tranchées, il est fait référence à la description fournie pour les modes de réalisation illustrée aux figures 1 à 9. De même, la formation simultanée de motifs de dispositifs micro-électroniques 300 est facultative. D'une manière générale, 25 on peut se référer au mode de réalisation précédent pour tous les points non discutés dans la description du présent mode de réalisation. Une seconde étape de gravure profonde, par exemple toujours du type DRIE, est ensuite réalisée comme le montre la figure 13 pour finir la gravure des motifs du dispositif micro-électronique 300, avec un arrêt sur la couche électriquement isolante 30 enterrée 102. La gravure des tranchées 106, elle, continue dans la couche 101 avec une troisième portion de tranchées 115 permettant d'obtenir des tranchées de profondeur supérieure à l'épaisseur de l'empilement formé par la couche supérieure 103 et la couches enterrées 102. On peut poursuivre cette gravure jusqu'à la profondeur souhaitée dans la couche de base 101 sans pour autant faire déboucher 35 les tranchées 106 au niveau de la deuxième face 108 du substrat 100. 3061706 15 La représentation de la figure 14 est assez semblable à celle de la figure 5 est un autre substrat, de fermeture 200, est reporté comme dans le mode de réalisation précédents. On peut se référer à la description fournie pour le premier mode de réalisation en ce qui concerne la formation de l'assemblage entre les substrats 100 et 5 200, notamment quant à la formation du scellement entre ces deux parties. Une fois les 2 substrats 100, 200 scellés, l'ouverture 113 des zones d'intérêt où se situent les organes 201 peut se faire selon différentes techniques de dégagement. La plus couramment utilisée est un dégagement par découpe avec par exemple une scie diamantée qui viendra réaliser des tranchées 112 à l'aplomb des tranchées 106 10 comme le montre la figure 15. La zone du substrat 100 dont le contour est ainsi libéré par la combinaison des tranchées 106 et des tranchées complémentaires 112 peut être retirée. Un exemple de résultat obtenu est présenté à la figure 17. La figure 16 présente une variante de réalisation de la tranchée complémentaire 15 112, cette tranchée étant ici unique et réalisée de sorte à rejoindre parallèlement les deux tranchées 106. Elle peut se faire en un seul trait de découpe avec une lame de largeur supérieure à la distance entre les tranchées. Le résultat obtenu est similaire à celui de la figure 17. On a représenté en figure 18 une vue depuis le dessus du substrat de fermeture 20 200. Des portions de quatre puces sont représentées. Des cordons de scellement 204 illustrés partiellement permettent de définir des contours, par exemple de section rectangulaire, autour d'une région isolée 205 de chaque puce. Les régions isolées 205 peuvent comprendre des parties de dispositifs micro-électroniques, notamment des motifs 300 de dispositifs MEMS. Des organes 201 sont également représentés. Un 25 organe 201 est située dans une cavité 206 est raccordé électriquement à deux puces supérieures. Un autre organe 201 située vers le bas de la figure est raccordé électriquement aux deux puces inférieures. Les organes 201 sont situés dans une portion de l'assemblage entre le premier substrat 100 et le substrat de fermeture 200 externes aux régions isolées 205. Typiquement, les puces peuvent être réparties 30 suivants un quadrillage défini dans l'assemblage entre les deux substrats 100, 200. Dans le cas illustré, les organes 201 sont alignés suivant une ligne de quadrillage. Une direction perpendiculaire de quadrillage est par ailleurs représentée, suivant la ligne B-B de la figure 18. À l'intersection de ces deux lignes perpendiculaires de quadrillage, une portion 114, centrale, est présente. 35 La figure 18 montre une première paire de tranchées 106 produite suivant la direction verticale de la figure et encadrant les organes 201. Ces tranchées 106 sont 3061706 16 parallèles. Une autre paire de tranchée 106 est également présente, suivant la deuxième direction du quadrillage, orientée suivant la ligne BB. Bien que cela ne soit pas représenté, il peut y avoir des zones d'intérêt à ouvrir à ce niveau, par exemple pour accéder à d'autres organes 201, par exemple pour des phases de test. 5 On comprend que les tranchées 106 ainsi représentées traverse une partie du substrat de base 100 autour des organes 201 de sorte à préparer le retrait de la zone du substrat de base 100 partiellement détourée par les tranchées 106. La figure 19 montre suivant la ligne AA de la figure 18 ce détourage partiel au travers du substrat de base 100. La formation des tranchées 106 correspond ici au 10 mode de réalisation illustrée en référence aux figures 10 à 17. La figure 20 illustre une même coupe de la figure 18 en considérant cette fois que la zone du substrat de base 100 encadrée par les tranchées 106 est cette fois totalement libérée, grâce à la tranchée complémentaire réalisée depuis la deuxième face du premier substrat 5. Les figures 21 et 22 montrent une autre coupe suivant la ligne BB. La situation 15 de la figure 21 est similaire à celle de la figure 19 avant la formation de tranchées complémentaires 112. Cependant, la coupe BB se trouvant au niveau de la partie centrale 114, celle-ci n'est pas totalement libérée et continue avantageusement à présenter un caractère solidaire avec le substrat de fermeture 200, par exemple par un élément de scellement 207. Ainsi, il est possible de s'arranger pour préserver, suivant 20 la direction des tranchées, des parties qui ne sont pas destinées à être retirées, dans le substrat de base 100. C'est le cas en l'espèce la figure 22. Notamment, cette configuration peut servir à maintenir plus de cohérence entre les différentes puces et avec le substrat de fermeture 200 après le retrait des zones permettant de libérer les ouvertures 113 aux organes 201. 25 Les figures 23 et 24 sont similaires aux figures 19 et 20, les tranchées 106 ayant permis, en coopération avec les tranchées complémentaires 112, de former une ouverture 113 au travers du premier substrat 100. 3061706 17 REFERENCES 100. Substrat de base 101. Couche de base 5 102. Couche électriquement isolante enterrée 103. Couche supérieure 104. Couche superficielle 105. Prétranchée 106. Tranchée 10 107. Première face 108. Deuxième face 109. Première portion de tranchée 110. Deuxième portion de tranchée 111. Bord d'ouverture 15 112. Tranchée complémentaire 113. Ouverture 114. Portion centrale 115. Troisième portion de tranchée 200. Substrat de fermeture 20 201. Organe électrique 202. Première face 203. Deuxième face 204. Cordon de scellement 205. Région d'encapsulation 25 206. Cavité 207. Elément de scellement 300. Motif de dispositif microélectronique 301. Première portion de motif 302. Deuxième portion de motif 30 REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'une ouverture (113) d'accès à au moins un organe (201) d'un dispositif microélectronique comprenant un substrat de base (100) et un substrat de fermeture (200), une première face (202) du substrat de fermeture (200) portant l'organe (201), l'ouverture (113) traversant le substrat de base (100), ledit procédé comprenant : - une formation d'au moins une tranchée (106) dans le substrat de base (100), depuis une première face (107) du substrat de base (100) et suivant une dimension en épaisseur du substrat de base (100), l'au moins une tranchée (106) ayant une profondeur dans le substrat de base (100) configurée pour ne pas exposer l'au moins une tranchée (106) au niveau d'une deuxième face (108), opposée à la première face (107), du substrat de base (100) ; puis, - un assemblage de la première face (107) du substrat de base (100) et de la première face (202) du substrat de fermeture (200) ; puis, - une formation d'au moins une tranchée complémentaire (112) dans le substrat de base (100), depuis la deuxième face (108) du substrat de base (100) ; suivant la dimension en épaisseur, l'au moins une tranchée complémentaire (112) étant configurée pour rejoindre l'au moins une tranchée (106) ; la formation d'au moins une tranchée (106) et la formation d'au moins une tranchée complémentaire (112) étant configurées pour détourer une zone à retirer du substrat de base (100), de sorte à former l'ouverture (113). 2. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la formation d'au moins une tranchée (106) comprend la formation de deux tranchées (106) s'étendant dans des plans parallèles suivant l'épaisseur du substrat de base (100). 3. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la formation d'au moins une tranchée complémentaire (112) comprend la formation de deux tranchées complémentaires (112) configurées pour rejoindre, chacune, une différente des deux tranchées (106) ou comprend la formation d'une tranchée complémentaire (112) configurée pour rejoindre chacune des deux tranchées (106). 3061706 19 4. Procédé selon l'une des revendications précédentes, comprenant la formation d'au moins un motif (300) de dispositif microélectronique durant la formation de l'au moins une tranchée (106). 5 5. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la dimension en largeur, dans un plan perpendiculaire à la dimension en épaisseur du substrat de base (100), du au moins un motif (300), est inférieure la dimension en largeur de l'au moins une tranchée (106), et dans lequel la formation de l'au moins une tranchée (106) et la formation du au moins un motif (300) comprennent une gravure simultanée. 10 6. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel on utilise un substrat de base (100) comprenant une couche de base (101), une couche supérieure (103) dont une face exposée forme la première face (107) du substrat de base (100), et une couche électriquement isolante enterrée située entre la couche de 15 base (101) et la couche supérieure (103). 7. Procédé selon la revendication précédente, comprenant avant la formation d'au moins une tranchée (106) : la formation d'au moins une prétranchée (105) depuis la première 20 face (107) du substrat de base (100) au travers de la couche supérieure (103) et de la couche électriquement isolante (102) enterrée de sorte à exposer la couche de base (101) au niveau de la première face (107) du substrat de base (100) ; procédé dans lequel la formation de l'au moins une tranchée (106) est 25 configurée pour traverser uniquement partiellement l'épaisseur de la couche de base (101) au niveau de la au moins une prétranchée (105). 8. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la formation de l'au moins une tranchée (106) comprend une gravure depuis la première face (107) du 30 substrat de base (100), et dans lequel, simultanément à ladite gravure, on opère une gravure complémentaire depuis la première face (107) du substrat de base (100) et en dehors de la au moins une prétranchée (105), de sorte à former au moins un motif (300) de dispositif microélectronique, la couche électriquement isolante enterrée (102) servant de couche d'arrêt à la gravure complémentaire. 35 9. Procédé selon l'une des deux revendications précédentes, comprenant, avant la formation de l'au moins une tranchée (106), la formation d'une couche superficielle (104) au-dessus de la première face (107) et dans la au moins une 3061706 20 prétranchée (105), et dans lequel la formation de l'au moins une tranchée (106) est configurée pour traverser la couche superficielle (104) au niveau de la au moins une prétranchée (105). 10. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel on choisit un 5 matériau pour la couche superficielle (104) de même nature que le matériau de la couche de base (101). 11. Procédé selon la revendication 6, dans lequel la formation de l'au moins une tranchée (106) comprend, pour chacune des au moins une tranchée (106) : 10 - la formation d'une première portion de tranchée (109) s'étendant depuis la première face (107) du substrat de base (100) et configurée pour exposer la couche électriquement isolante enterrée (102) au niveau de la première face (107) du substrat de base (100) ; 15 - la formation d'une deuxième portion de tranchée (110) dans la continuité de la première portion de tranchée (109) et configurée pour exposer la couche de base (101) au niveau de la première face (107) du substrat de base (100) ; - la formation d'une troisième portion de tranchée (115), dans la 20 continuité de la première portion de tranchée (109) et de la deuxième portion de tranchée (110), et configurée pour traverser uniquement partiellement l'épaisseur de la couche de base (101). 12. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la formation de 25 la première portion de tranchée (109) comprend une gravure depuis la première face (107) du substrat de base (100) et dans lequel, simultanément à ladite gravure, on opère une gravure complémentaire depuis la première face (107) du substrat de base (100) de sorte à former au moins une première portion d'un motif (300) de dispositif microélectronique uniquement au travers de la couche supérieure (103), dans lequel la 30 formation de la troisième portion de tranchée (115) comprend une gravure au travers de la couche de base (101) et dans lequel on opère une gravure additionnelle dans la continuité de la première portion de motif de sorte à former une deuxième portion de motif (300) de dispositif microélectronique, la couche électriquement isolante enterrée (102) servant de couche d'arrêt à la gravure additionnelle. 35 13. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la formation de l'au moins une tranchée complémentaire (112) est configurée pour former 3061706 21 une ouverture allant en s'évasant vers la deuxième face (108) du substrat de base(100). 14. Procédé selon l'une des revendications précédentes en combinaison 5 avec l'une des revendications 4 ou 5, dans lequel l'assemblage est configuré pour définir une région d'encapsulation (205) entre la première face (107) du substrat de base (100) et la première face (202) du substrat de fermeture (200), le au moins un motif (300) étant situé dans la région d'encapsulation (205), l'organe étant situé hors de la région d'encapsulation (205). 10 15. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel l'organe (201) est relié électriquement à au moins une zone de la région d'encapsulation (205). 16. Procédé selon l'une des deux revendications précédentes, dans lequel 15 la région d'encapsulation (205) est de contour carré ou rectangulaire dans un plan perpendiculaire à l'épaisseur du substrat de base (100), et dans lequel l'au moins une tranchée (106) est parallèle à un côté du contour de la région d'encapsulation (205). 17. Procédé selon l'une des trois revendications précédentes, dans lequel 20 on forme plusieurs régions d'encapsulation (205) comprenant chacune au moins un motif de dispositif microélectronique. 18. Procédé selon la revendication précédente, comprenant une singulation des régions d'encapsulation (205) après accès à l'au moins un organe (201). 25 19. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la formation d'au moins une tranchée (106) comprend la formation d'au moins deux tranchées (106) perpendiculaires entre elles. 30 20. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la formation d'au moins une tranchée (106) et la formation d'au moins une tranchée complémentaire (112) sont configurées pour que l'ouverture (113) ne parcoure, dans un plan perpendiculaire à son épaisseur, qu'une partie d'un substrat de base (100). 35 21. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel, avant l'assemblage, on forme, sur la première face (202) du substrat de fermeture (200), une cavité (206) dans laquelle se situe l'organe (201).