Brevet FR3059332A1 — publié le 20180601

PROCEDE DE FABRICATION D'UN FILTRE INTERFERENTIEL SUR DES MICROPARTICULES DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne un procédé de formation d'un filtre interférentiel sur des microparticules. Plus particulièrement, la présente invention concerne un procédé permettant la formation d'un filtre interférentiel sur des microparticules et présentant une saturation en couleur améliorée par rapport à l'état de la technique. ART ANTÉRIEUR Les filtres interférentiels formés sur des poudres ou des microparticules sont particulièrement intéressants pour l'industrie de la cosmétique qui cherche à créer des couleurs saturées. Ces filtres interférentiels comprennent généralement une alternance d'un moins un premier film, fait d'un premier matériau, et d'au moins un second film, fait d'un second matériau différent du premier matériau. Aussi, afin de limiter le nombre de premiers films et de seconds films, il est généralement imposé au premier matériau de présenter un indice de réfraction suffisamment éloigné de celui du second matériau. Par exemple, le premier matériau et le second matériau peuvent comprendre, respectivement, du dioxyde de titane et du dioxyde de silicium. Par ailleurs, les propriétés optiques, par exemple la pureté de leur couleur (leur saturation), des filtres interférentiels sont très dépendantes de leur épaisseur, et plus particulièrement de leur variation d'épaisseur. En effet, la pureté de la couleur d'un filtre interférentiel est généralement garantie par le contrôle de la variation de l'épaisseur du premier et du second films. Ainsi, la formation de films par dépôt chimique en phase vapeur (« CVD » ou « Chemical Vapor Deposition » selon la terminologie Anglo-Saxonne), connue de 3059332 2 l'homme du métier, semble être une technique particulièrement adaptée pour la formation de films avec un contrôle précis de leur épaisseur. Cependant, l'état de surface des microparticules présente généralement des irrégularités susceptibles de dégrader les propriétés optiques des filtres interférentiels. 5 Ces irrégularités, qui peuvent comprendre des contaminants, ou de la rugosité, affectent directement la ou les interfaces entre les différents films du filtre interférentiel, et peuvent ainsi faire apparaître des phénomènes d'irisation (figure 1). Aussi, la suppression des irrégularités de surface sur des microparticules peut requérir plusieurs types de traitement comme des étapes de nettoyage et de gravure 10 qui rendent le procédé de fabrication complexe. Un but de la présente invention est alors de proposer un procédé de fabrication d'un filtre interférentiel sur des microparticules présentant une saturation améliorée par rapport à l'état de la technique. Un autre but de la présente invention est également de proposer un 15 procédé de fabrication d'un filtre interférentiel sur des microparticules simplifié par rapport à l'état de la technique. EXPOSÉ DE L'INVENTION Le but de l'invention est au moins en partie atteint par un procédé de fabrication d'un filtre interférentiel sur des microparticules par une technique de dépôt 2 0 chimique en phase vapeur dans une enceinte de dépôt, la formation du filtre interférentiel comprenant la formation d'au moins un premier film, fait d'un premier matériau, et d'au moins un second film, fait d'un second matériau différent du premier matériau par dépôt chimique en phase vapeur de sorte que le filtre interférentiel comprenne une alternance de l'au moins un premier film, et de l'au 25 moins un second film, le procédé comprenant en outre la formation d'un film de passivation directement sur la surface des microparticules, avant la formation du filtre interférentiel, le film de passivation étant formé, par la technique de dépôt chimique en phase vapeur, par évaporation de tétraacétoxysilane sur la surface des microparticules. 3059332 3 Selon un mode de mise en oeuvre, les microparticules disposées sur une face principale d'un support poreux traversé sur toute son épaisseur E par un gaz inerte de sorte que les microparticules forment un lit fluidisé. Selon un mode de mise en oeuvre, le support est maintenu à une 5 température inférieure à 200°C, avantageusement inférieure à 150°C, par exemple 110°C. Selon un mode de mise en oeuvre, le tétraacétoxysilane est dilué dans un solvant organique, le solvant organique comprenant avantageusement au moins un des solvants choisi parmi : isopropanol, cyclohexane, un solvant aromatique (xylène, toluène). Selon un mode de mise en oeuvre, le tétraacétoxysilane présente une 10 concentration dans le solvant organique comprise entre 0,01 mol/L, et 0,03 mol/L. Selon un mode de mise en oeuvre, le tétraacétoxysilane est maintenu à une température comprise entre 80°C et 150°C avant d'être pulvérisé sur la surface des microparticules. Selon un mode de mise en oeuvre, les microparticules ont une taille 15 comprise entre 100 nm et 500 um, les microparticules étant avantageusement des billes. Selon un mode de mise en oeuvre, les microparticules comprennent de la silice. Selon un mode de mise en oeuvre, l'évaporation du tétraacétoxysilane est exécutée selon de cycles d'évaporation, et en alternance avec des cycles d'injection de 20 dioxygène dans l'enceinte de dépôt. Selon un mode de mise en oeuvre, une purge de l'enceinte de dépôt est exécutée avant chaque cycle d'évaporationet chaque cycle d'injection, de sorte que la pression dans ladite enceinte est inférieure à 30 mBar à l'issue de la purge. Selon un mode de mise en oeuvre, à l'issue de chaque cycle d'évaporation 25 et de chaque cycle d'injection, la pression dans l'enceinte de dépôt est supérieure à 100 mBar et 60 mBar, respectivement. Selon un mode de mise en oeuvre, chaque cycle d'évaporation dure de 5 secondes à 20 secondes et/ou entre 20 et 100 cycles d'évaporation et d'injection sont exécutés. 3059332 4 Selon un mode de mise en oeuvre, le premier matériau comprend du dioxyde de titane, avantageusement formé par la technique de dépôt en phase vapeur. Selon un mode de mise en oeuvre, le second matériau comprend du dioxyde de silicium, avantageusement formé par la technique de dépôt chimique en phase 5 vapeur. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres caractéristiques et avantages apparaîtront dans la description qui va suivre du procédé de formation d'un filtre interférentiel sur des microparticules selon l'invention, donnés à titre d'exemples non limitatifs, en référence aux dessins 10 annexés dans lesquels : - la figure 1 est une image par microscopie à balayage électronique en coupe (selon l'épaisseur) d'un film de dioxyde de titane formé sur une microparticule de silice, - la figure 2 est une représentation schématique d'un dispositif de 15 formation de films par CVD adapté pour la mise en oeuvre du procédé selon l'invention, EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Pour les différents modes de mise en oeuvre, les mêmes références seront utilisées pour des éléments identiques ou assurant la même fonction, par souci de simplification de la description. 20 L'invention décrite de manière détaillée ci-dessous met en oeuvre un procédé de formation d'un filtre interférentiel sur des microparticules par une technique de dépôt chimique en phase vapeur. Plus particulièrement, le procédé selon l'invention met en oeuvre la formation d'un film de passivation de la surface des microparticules avant la formation du filtre interférentiel. Ce film de passivation permet d'encapsuler les 25 contaminants susceptibles d'être présents sur la surface des microparticules, et également de lisser la rugosité de ladite surface. Ainsi, après la formation du film de passivation, la surface des microparticules présente un aspect « lisse », permettant ainsi un meilleur contrôle des interfaces entre les différents films constituant le filtre interférentiel. 3059332 5 A la figure 2, on peut voir un dispositif de dépôt chimique en phase vapeur 10 adapté pour la mise en oeuvre de l'invention. La présente invention comprend la formation d'un film de passivation sur des microparticules 40 plus particulièrement directement sur la surface des microparticules 5 40. Les microparticules 40 peuvent comprendre de la silice. Les microparticules 40 peuvent avoir une taille comprise entre 100 nm et 500 um. Les microparticules 40 peuvent avantageusement être des billes. 10 Par taille des microparticules 40, on entend la plus grande des dimensions desdites microparticules 40. Par ailleurs, au sens de l'invention, toutes les microparticules 40 d'un même lot ne présentent pas nécessairement la même taille. Aussi, dès lors que l'on considère un lot de microparticules 40 présentant une taille donnée, il est clair que ladite taille est une taille moyenne. 15 Avantageusement, lors de la formation du film de passivation, les microparticules 40 peuvent former un lit fluidisé. Par lit fluidisé, on entend un ensemble de microparticules 40 mises en suspension par un courant gazeux ascendant. A cet égard l'homme du métier peut consulter le document [1] cité à la fin de la description. 2 0 Afin de mettre en oeuvre le procédé de formation d'un filtre interférentiel sur des microparticules 40, lesdites microparticules 40 sont disposées dans une enceinte de dépôt 20, s'étendant selon un axe XX', du dispositif de dépôt chimique en phase vapeur 10. L'enceinte de dépôt 20 comprend dans sa partie basse B un support 30 25 sur lequel reposent les microparticules 40. Le support 30 comprend deux faces principales 31 et 32 parallèles entre elles (et perpendiculaires à l'axe XX'). Le support 30 est avantageusement poreux de sorte qu'un gaz puisse le traverser sur toute son épaisseur E. L'épaisseur E du support 30 est la distance la plus 3059332 6 courte entre les faces principales 31 et 32. Le support 30 peut comprendre au moins un des matériaux choisi parmi : aluminium, acier type inox. Ainsi, dès lors que des microparticules 40 sont disposées sur le support 30, et que ce dernier est traversé par un gaz sur toute son épaisseur E, lesdites 5 microparticules 40 sont mises en mouvement et un lit fluidisé est créé. Par exemple, le gaz permettant la mise en oeuvre du lit fluidisé entre dans l'enceinte de dépôt 20 par une première entrée 51. Cette configuration est donc particulièrement avantageuse, dès lors que l'on veut former un film sur toute la surface de chacune des microparticules 40. En effet, aussitôt que les microparticules 40 forment un lit fluidisé, toute leur surface est 10 exposée à un gaz réactif susceptible d'être présent dans l'enceinte de dépôt 20. Plus particulièrement, statistiquement, chaque portion de surface de chacune des microparticules 40 formant le lit fluidisé est exposée au gaz réactif de manière équivalente (en termes de durée et de quantité de gaz réactif), de sorte que la formation du film est homogène sur chacune des microparticules 40 et entre les microparticules 40. 15 Par gaz réactif, nous entendons un gaz adapté pour réagir chimiquement avec la surface des microparticules 40 est ainsi former un film, la nature du gaz réactif sera discutée plus tard dans la description. Par ailleurs, nous notons que le gaz réactif traverse d'abord le support 30, sur toute son épaisseur E, avant d'atteindre le lit fluidisé formé par les microparticules 40. 20 Avantageusement, le dispositif de dépôt chimique en phase vapeur 10 comprend deux systèmes de régulation thermique (pour le chauffage et/ou le refroidissement) 60 et 61, disposés respectivement dans la partie basse B et la partie haute H de l'enceinte de dépôt 20. Cette disposition permet de chauffer de manière différentiée les parties basse B et haute H de l'enceinte de dépôt 20. Plus particulièrement, le lit fluidisé 25 de microparticules 40 en suspension dans le volume de l'enceinte de dépôt 20 peut être chauffé à une température plus élevée que le support 30. Plus particulièrement, le support 30 peut être maintenu, par le système de régulation thermique 60, à une température inférieure à la température de réaction ou de décomposition des gaz réactifs qui sont susceptibles de le traverser, évitant ainsi tout colmatage dudit support 30. 3059332 7 Par exemple, la température du lit fluidisé formé par les microparticules 40, à proximité ou dans la partie haute H de l'enceinte de dépôt, peut être comprise entre 200°C et 350°C, avantageusement entre 250°C et 350°C. La température du support 30 peut être comprise entre 100°C et 150°C 5 La formation du film de passivation sur la surface des microparticules 40 comprend l'évaporation d'un précurseur organométallique dans l'enceinte de dépôt 20. Par évaporation dans l'enceinte de dépôt 20, on entend que le précurseur organométallique est introduit dans l'enceinte de dépôt 20 sous forme d'une solution finement divisée. Par ailleurs, l'évaporation du précurseur organométallique se fait sur la 10 surface des microparticules 40. Il est entendu que le précurseur organométallique est un gaz réactif. Par ailleurs, le précurseur organométallique est introduit dans l'enceinte de dépôt par une seconde entrée 52. Selon l'invention, le précurseur organométallique est du 15 tetraacetoxysilane. Ce composé chimique est particulièrement avantageux puisqu'il se décompose à partir de 175°C, et permet donc de former des films de dioxyde de silicium sur la surface des microparticules 40, les microparticules 40 étant avantageusement mises sous forme d'un lit fluidisé. Il est entendu, sans qu'il soit nécessaire de le préciser, que le 20 tetraacetoxysilane réagit avec une espèce chimique oxydante pour former un film de dioxyde de silicium par CVD. L'espèce oxydante peut par exemple être du dioxygène, ou de l'ozone. La surface des microparticules 40 formant le lit fluidisé est alors avantageusement maintenue à une température comprise entre 200°C et 350°C, 25 préférentiellement entre 250°C et 350°C. De manière avantageuse, le tetraacetoxysilane, avant d'être injecté dans l'enceinte de dépôt, peut être dilué dans un solvant organique. Le solvant organique peut avantageusement comprendre au moins un des solvants choisi parmi : isopropanol, cyclohexane, un solvant aromatique (par exemple du toluène, ou du xylène). 3059332 8 Les inventeurs ont par ailleurs démontré que le pouvoir solvatant de l'isopropanol permet d'obtenir une excellente accroche du tetraacetoxysilane sur la surface des microparticules 40, favorisant ainsi la réactivité dudit précurseur avec la surface des microparticules 40. 5 Après dilution, la concentration du tetraacetoxysilane peut être comprise entre 0,01 mol/L, et 0,03 mol/L. Toujours de manière avantageuse, avant d'être injecté dans l'enceinte de dépôt, le tetraacetoxysilane peut être maintenu à une température comprise entre 80°C et 150°C, par exemple 100°C. 10 La formation du film de passivation selon l'invention peut comprendre en outre l'injection de dioxygène dans l'enceinte de dépôt 20. Le dioxygène peut être injecté dans l'enceinte à température ambiante. Autrement dit, la température de l'oxygène, dès qu'il est dans l'enceinte, est imposée par la température à l'intérieur de ladite enceinte. 15 Le dioxygène est destiné à réagir avec le tetraacetoxysilane pour former un film de dioxyde de silicium sur la surface des microparticules 40. Le film de passivation ainsi formé est un film de dioxyde de silicium (Si02). Par ailleurs, dès lors que les microparticules sont en silice, le film de passivation et les microparticules 40 sont de même nature chimique, de sorte que leurs 20 indices de réfraction respectifs sont voisins, voire identiques. Une telle configuration évite la formation d'une interface optique entre le film de passivation et la microparticule 40, ainsi que la création ou l'amplification de défauts susceptibles d'être présents sur la surface des microparticules 40. Le dépôt du film de passivation permet en outre d'exécuter un nettoyage 25 in situ de la surface des microparticules 40 formant le lit fluidisé, et avant que la croissance du film de passivation ne débute. La contamination de la surface des microparticules peut ainsi être réduite. La réduction de la contamination de la surface des microparticules permet de limiter le transfert de défauts au niveau de couches additionnelles susceptibles 30 d'être formées sur le film de passivation. 3059332 9 Par transfert de défaut, on entend la reproduction de défaut topologique présent sur a surface de la microparticule. Enfin, la présence du film de passivation permet de contrôler la vitesse de dépôt d'un film de TiO2 susceptible d'être déposée sur ledit film de passivation dans le 5 cadre de la formation d'un filtre interférentiel. De manière avantageuse, l'injection (l'évaporation) du tetraacetoxysilane peut être exécutée selon de cycles d'évaporation, et en alternance avec des cycles d'injection de dioxygène dans l'enceinte de dépôt 20. Autrement dit, l'injection du tetraacetoxysilane et l'injection du dioxygène sont exécutées sur des plages temporelles 10 différentes, et sans recouvrement (autrement dit distinctes). Nous parlons alors de CVD pulsée. La CVD pulsée permet de mieux contrôler la décomposition des espèces, donc de mieux maîtriser les cinétiques de dépôt, donc les vitesses de dépôt. Ceci est d'autant plus important lorsque les épaisseurs déposées sont très faibles. 15 Nous parlons de cycles d'évaporation dès lors qu'il s'agit de l'injection du tetraacetoxysilane, et cycles d'injection dès qu'il s'agit de l'injection de dioxygène. Le dioxygène injecté lors des cycles d'injection peut être mélangé avec un gaz inerte, par exemple de l'azote. Dans ce cas de figure, la proportion d'azote par rapport au dioxygène peut être comprise entre 30% et 60 %, par exemple 50%. 20 Toujours de manière avantageuse, une purge de l'enceinte de dépôt 20 est exécutée avant chaque cycle d'évaporation et chaque cycle d'injection, de sorte que la pression dans ladite enceinte est inférieure à 30 mBar à l'issue de la purge. La purge peut être exécutée par un système de pompage connecté à l'enceinte de dépôt 20. A l'issue de chaque cycle d'évaporation, la pression dans l'enceinte de 25 dépôt 20 peut être supérieure à 100 mBar. A l'issue de chaque cycle d'injection, la pression dans l'enceinte de dépôt 20 peut être supérieure à 60 mBar. Les cycles d'évaporation peuvent durer de 5 secondes à 20 secondes. De manière avantageuse, 20 à 100 cycles d'évaporation et d'injection 30 peuvent être exécutés. 3059332 10 Ainsi, bien que formé à des températures relativement basses (inférieure à 350°C), le film de passivation présentent une densité ainsi que des propriétés optiques comparables à celles du même film formé à plus haute température avec un précurseur organométallique standard. 5 Par ailleurs, afin d'encapsuler des contaminants susceptibles d'être présents sur la surface des microparticules 40, et de lisser ladite surface, un film de passivation d'épaisseur inférieure à 10 nm peut suffire. Ainsi, le procédé de formation du film de passivation sur les microparticules 40 peut comprendre les étapes suivantes : 10 - l'introduction des microparticules 40 dans l'enceinte de dépôt, plus particulièrement sur le support 30, - la formation du lit fluidisé par passage d'un courant gazeux ascendant au travers du support 30, - le chauffage de la zone de l'enceinte occupée par le lit fluidisé à une 15 température comprise entre 200°C et 350°C, et le chauffage du support 30 à une température inférieure à 200°C, avantageusement inférieure à 110°C, - évaporation de tetraacetoxysilane, - injection de dioxygène. La formation du film de passivation est alors suivie de la formation du 20 filtre interférentiel. Le filtre interférentiel peut avantageusement être formé dans la même enceinte de dépôt. Ainsi, le procédé selon l'invention ne nécessite pas de manipulations inutiles des microparticules 40. Le filtre interférentiel comprenant une alternance d'au moins un premier 25 film, fait d'un premier matériau, et d'au moins un second film, fait d'un second matériau différent du premier matériau. Le premier film et le second film sont formés par la technique de dépôt chimique en phase vapeur. De manière particulièrement avantageuse, le premier matériau 30 comprend du dioxyde de titane. 3059332 11 Un premier film fait de dioxyde de titane peut avantageusement être formé par CVD avec du TTIP (Tetraisopropoxyde de titane) comme précurseur, par exemple dilué dans du toluène à une concertation de 0,03 Mol/L. Le second film peut comprendre du dioxyde de silicium, et être formé par 5 CVD avec comme précurseur du tétraacétoxysilane. La formation du second film reprend avantageusement les conditions de formation du film de passivation, permettant ainsi de simplifier le procédé de formation du filtre interférentiel. Préalablement à la formation du filtre interférentiel, les propriétés 10 optiques des premier et second films peuvent être caractérisées. Par exemple, il est possible de déterminer avec précision leurs indices de réfraction. La détermination de l'indice de réfraction d'un film fait partie des connaissances générales de l'homme du métier et n'est donc pas détaillée dans la présente invention. La connaissance des propriétés optiques du premier film et du second 15 film permet de dimensionner précisément le filtre interférentiel (par dimensionnement, on entend le nombre de premier et second films ainsi que leurs épaisseurs pour l'obtention d'une couleur donnée). Le dimensionnement peut être exécuté par des calculs interférométriques faisant partie des connaissances générales de l'homme du métier, par exemple avec un logiciel de dimensionnement optique du type « OPTILAYERTM » 20 A titre d'exemple, le tableau suivant donne les épaisseurs des films de TiO2 et de Si02 composant deux filtres interférentiels. Chacun des deux filtre interférentiel présente une couleur référencée selon des coordonnée colorimétriques x et y selon le nuancier CIE parue en 1931. 25 3059332 12 Epaisseurs (nm) Epaisseur Coordonnées totale (nm) colorimétriques CIE (1931) TiO2 Si02 TiO2 Si02 TiO2 Si02 x y Y(%) Filtre interférentiel 1 85 132 97 30 92 60 496 0,614 0,316 7,9 Filtre interférentiel 2 99 129 106 50 116 500 0,614 0,317 7,3 Dans les deux cas présentés dans le tableau précédent, le filtre interférentiel est de couleur pourpre. Le procédé selon l'invention ne se limite pas à la formation d'un filtre 5 interférentiel comprenant une alternance de film de TiO2 et de Si02. En effet, d'autres films peuvent être considérés, par exemple : A1203, Ce02, YSZ, ZnO V205, BaO. La maîtrise des conditions opératoires et de la morphologie des interfaces selon l'invention permet de fabriquer des filtres interférentiels sur des microparticules présentant une meilleure saturation. 10 REFERENCES [1] C. Vahlas et al., « Fluidization, Spouting, and Metal-Organic CVD of Platinum Group Metals on Powders", Chem. Vap. Deposition, Volume 8, Issue 4, July, 2002, pages 127-144. 15 REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un filtre interférentiel sur des microparticules (40) par une technique de dépôt chimique en phase vapeur dans une enceinte de dépôt (20), la formation du filtre interférentiel comprenant la formation d'au moins un premier film, fait d'un premier matériau, et d'au moins un second film, fait d'un second matériau différent du premier matériau par dépôt chimique en phase vapeur de sorte que le filtre interférentiel comprenne une alternance de l'au moins un premier film, et de l'au moins un second film, le procédé comprenant en outre la formation d'un film de passivation directement sur la surface des microparticules (40), avant la formation du filtre interférentiel, le film de passivation étant formé, par la technique de dépôt chimique en phase vapeur, par évaporation de tétraacétoxysilane sur la surface des microparticules (40). 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les microparticules (40) disposées sur une face principale d'un support poreux traversé sur toute son épaisseur E par un gaz inerte de sorte que les microparticules (40) forment un lit fluidisé. 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel le support est maintenu à une température inférieure à 200°C, avantageusement inférieure à 150°C, par exemple 110°C. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel le tétraacétoxysilane est dilué dans un solvant organique, le solvant organique comprenant avantageusement au moins un des solvants choisi parmi : isopropanol, un solvant aromatique. 3059332 14 5. Procédé selon la revendication 4, dans lequel le tétraacétoxysilane présente une concentration dans le solvant organique comprise entre 0,01 mol/L, et 0,03 mol/L. 5 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel le tétraacétoxysilane est maintenu à une température comprise entre 80°C et 150°C avant d'être pulvérisé sur la surface des microparticules (40). 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel les 10 microparticules (40) ont une taille comprise entre 100 nm et 500 um, les microparticules (40) étant avantageusement des billes. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel les microparticules (40) comprennent de la silice. 15 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel l'évaporation du tétraacétoxysilane est exécutée selon de cycles d'évaporation, et en alternance avec des cycles d'injection de dioxygène dans l'enceinte de dépôt (20). 20 10. Procédé selon la revendication 8, dans lequel une purge de l'enceinte de dépôt (20) est exécutée avant chaque cycle d'évaporation et chaque cycle d'injection, de sorte que la pression dans ladite enceinte est inférieure à 30 mBar à l'issue de la purge. 25 11. Procédé selon la revendication 10, dans lequel à l'issue de chaque cycle d'évaporation et de chaque cycle d'injection, la pression dans l'enceinte de dépôt (20) est supérieure à 100 mBar et 60 mBar, respectivement. 3059332 15 12. Procédé selon l'une des revendications 8 à 11, dans lequel chaque cycle d'évaporation dure de 5 secondes à 20 secondes et/ou entre 20 et 100 cycles d'évaporation et d'injection sont exécutés. 5 13. Procédé selon l'une des revendications 1 à 12, dans lequel le premier matériau comprend du dioxyde de titane, avantageusement formé par la technique de dépôt en phase vapeur. 14. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 1 à 13, dans 10 lequel le second matériau comprend du dioxyde de silicium, avantageusement formé par la technique de dépôt chimique en phase vapeur.