Brevet FR3053126A1 — publié le 20171229

Arrière-plan de l'invention L'invention se rapporte à la fabrication de substrats revêtus sur au moins une face d'un empilement de couches minces, notamment des substrats transparents en verre ou en matériau organique polymérique. Il est classique de munir des substrats, notamment en verre ou en matériau organique polymérique, de revêtements qui leur confèrent des propriétés particulières, notamment des propriétés optiques, par exemple de réflexion ou d'absorption de rayonnements d'un domaine de longueurs d'onde données, des propriétés de conduction électrique, ou encore des propriétés liées à la facilité de nettoyage ou à la possibilité pour le substrat de s'auto-nettoyer. Ces revêtements sont généralement des empilements de couches minces à base de composés inorganiques, notamment de métaux, d'oxydes, de nitrures ou de carbures. Au sens de l'invention, on appelle couche mince une couche dont l'épaisseur est inférieure à un micromètre et varie généralement de quelques nanomètres à quelques centaines de nanomètres, d'où le qualificatif de "mince". Un empilement de couches minces est fabriqué généralement via une succession de dépôts de couches minces effectués dans une pluralité de compartiments d'une ligne de dépôt (typiquement 20 à 30 compartiments), ces dépôts étant réalisés dans les différents compartiments en utilisant une ou plusieurs méthodes de dépôt telles que, notamment, la pulvérisation cathodique assistée par champ magnétique (aussi appelée pulvérisation cathodique magnétron), le dépôt assisté par canon à ion (ou IBAD pour Ion Beam Assisted Deposition), l'évaporation, le dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour Chemical Vapor Deposition), le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD pour Plasma-Enhanced CVD), le dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD pour Low-Pressure CVD). Malheureusement, les compartiments de la ligne de dépôt sont souvent sales, et des poussières ou des débris présents dans certains compartiments peuvent être amenés à tomber de manière erratique sur le substrat lorsque celui-ci passe dans ces compartiments. Même si un mécanisme de soufflerie d'air est prévu pour éliminer ces débris, il arrive que certains débris subsistent à la surface du substrat (plus précisément à la surface de la couche mince déposée dans le compartiment en question) et agissent alors comme des masques pour les dépôts de couches minces subséquents. Ces débris sont à l'origine de défauts affectant la qualité de l'empilement de couches minces déposé sur le substrat et qui peuvent s'avérer rédhibitoires en fonction de l'application visée pour le substrat revêtu ainsi fabriqué. Pour contrôler la qualité du substrat revêtu fabriqué, il existe dans l'état actuel de la technique des systèmes de contrôle optique destinés à être placés en sortie de la ligne de dépôt, et qui sont configurés pour fournir différentes images de l'empilement de couches minces déposé à la surface du substrat. Ces systèmes de contrôle optique sont généralement équipés d'un banc comprenant une pluralité de capteurs optiques (caméras) et de plusieurs sources de rayonnement à des longueurs d'ondes différentes, permettant l'acquisition d'images dans différentes configurations (ex. images en réflexion, en transmission, etc.). L'analyse de ces images permet de 3053126 2 détecter d'éventuels défauts affectant l'empilement de couches minces réalisé dans la ligne de dépôt. Si les systèmes de contrôle proposés aujourd'hui permettent la détection de défauts, ils ne livrent toutefois aucune information sur l'origine de ces défauts. Or la connaissance de cette 5 origine peut s'avérer précieuse pour envisager des opérations de maintenance ciblées et rapides sur la ligne de dépôt. Objet et résumé de l'invention L'invention permet notamment de pallier les inconvénients de l'état de la technique en 10 proposant un procédé de localisation, dans une ligne de dépôt comprenant une succession de compartiments, d'une origine d'un défaut affectant un empilement de couches minces déposées sur un substrat dans les compartiments, ce procédé comprenant : une étape d'obtention d'au moins une image représentant ledit défaut acquise par au moins un système de contrôle optique placé en sortie de la ligne de dépôt ; 15 une étape de détermination, à partir de ladite au moins une image, d'une signature du défaut, cette signature comprenant au moins une caractéristique représentative du défaut ; une étape d'identification d'au moins un compartiment de la ligne de dépôt susceptible d'être à l'origine du défaut à partir de la signature du défaut et en utilisant des signatures de référence associées aux compartiments de la ligne de dépôt. 20 Corrélativement, l'invention vise aussi un dispositif de localisation d'une origine d'un défaut affectant un empilement de couches minces déposées sur un substrat dans une pluralité de compartiments se succédant dans une ligne de dépôt, ce dispositif comprenant : un module d'obtention d'au moins une image représentant le défaut acquise par au moins un système de contrôle optique placé en sortie de la ligne de dépôt ; 25 un module de détermination, à partir de ladite au moins une image, d'une signature du défaut, cette signature comprenant au moins une caractéristique représentative du défaut ; un module d'identification d'au moins un compartiment de la ligne de dépôt susceptible d'être à l'origine du défaut à partir de la signature du défaut et en utilisant des signatures de référence associées aux compartiments de la ligne de dépôt. 30 L'invention propose ainsi une solution simple et efficace pour localiser l'origine dans une ligne de dépôt d'un défaut affectant un empilement de couches minces déposé sur un substrat. Le substrat est de préférence une feuille en verre minéral ou en un matériau organique polymérique. Il est de préférence transparent, incolore ou coloré. Le verre est de préférence de 35 type silico-sodo-calcique, mais il peut également être, par exemple, un verre de type borosilicate ou alumino-borosilicate. Les matériaux organiques polymériques préférés sont le polycarbonate, le polyméthacrylate de méthyle, le polyéthylène téréphtalate (PET), le polyéthylène naphtalate (PEN), 3053126 3 ou encore les polymères fluorés tels que l'éthylène tétrafluoroéthylène (ETFE). Le substrat peut être rigide ou flexible. Le substrat peut être plan ou bombé. La solution selon l'invention s'appuie sur l'exploitation d'images numériques issues d'un contrôle optique classiquement réalisé en sortie de la ligne de dépôt. Conformément à l'invention, 5 ces images sont analysées en vue d'extraire une signature du défaut comprenant une ou plusieurs caractéristiques prédéterminées, représentatives du défaut, et dont l'observation permet d'identifier des compartiments de la ligne de dépôt susceptibles d'être l'origine du défaut. A cet effet, la signature du défaut est rapprochée directement ou indirectement (par le biais par exemple d'un ou de plusieurs arbres décisionnels) de différentes signatures de référence, générées pour 10 chacun des compartiments de la ligne de dépôt et contenant les mêmes caractéristiques que la signature du défaut. Une signature de référence associée à un compartiment représente les valeurs de caractéristiques prédéterminées d'un défaut originaire de ce compartiment. Elle peut être obtenue par exemple expérimentalement à partir d'un tapage réalisé sur les parois du compartiment, par simulation ou par calcul. On note que plusieurs signatures de référence peuvent 15 être associées à chacun des compartiments de la ligne de dépôt. De même, chaque signature de référence ne correspond pas nécessairement à un unique point mais peut correspondre à un intervalle de valeurs, une portion de courbe, une portion de surface, etc. suivant le nombre de composantes comprises dans la signature de référence. L'analyse de la signature du défaut en tenant compte des signatures de référence 20 associées aux différents compartiments de la ligne de dépôt permet d'identifier un nombre réduit de compartiments de la ligne de dépôt, voire un unique compartiment, susceptibles d'être à l'origine du défaut. Ainsi, par exemple, dans un mode particulier de réalisation, l'étape d'identification comprend une étape de comparaison de la signature du défaut avec une pluralité de signatures de 25 référence associées à chaque compartiment de la ligne de dépôt, ledit au moins un compartiment identifié comme étant susceptible d'être à l'origine du défaut étant associé à une signature de référence correspondant à la signature du défaut. Autrement dit, le ou les compartiments identifiés comme étant susceptibles d'être à l'origine du défaut sont dans ce cas les compartiments dont les signatures de référence se rapprochent le plus de la signature du défaut, au sens par exemple 30 d'une distance prédéfinie ou de manière équivalente, d'une erreur de prédiction prédéfinie. L'invention s'applique avantageusement à différents empilements de couches minces susceptibles d'être déposés sur un substrat, en particulier un substrat transparent, et notamment à un empilement de couches minces formant un système interférentiel. Le choix de la ou des caractéristiques de la signature du défaut utilisée dans le cadre de l'invention est adapté en 35 fonction des propriétés optiques de l'empilement de couches minces considéré, en particulier de ses propriétés de réflexion ou de transmission de rayonnements, ainsi que du type d'images fournies par le système de contrôle optique (images en réflexion, en transmission, obtenues avec 3053126 4 des sources de rayonnement pouvant émettre dans différents domaines de longueurs d'onde, etc.). A titre d'exemples d'empilements de couches minces susceptibles d'être déposés sur un substrat et analysés conformément à l'invention, on peut citer, sans caractère limitatif : 5 - les empilements de couches minces qui modifient les propriétés de réflexion du substrat dans le domaine de longueurs d'onde du visible, tels que les couches métalliques réfléchissantes, notamment à base d'argent métallique, qui sont utilisées pour former les miroirs, ou encore les revêtements antireflets, qui visent à réduire la réflexion de rayonnement à l'interface entre l'air et le substrat. Un revêtement antireflet peut être formé, notamment, par un empilement de 10 couches minces ayant des indices de réfraction alternativement plus faibles et plus forts jouant le rôle d'un filtre interférentiel à l'interface entre l'air et le substrat, ou encore par un empilement de couches minces présentant un gradient, continu ou échelonné, d'indices de réfraction entre l'indice de réfraction de l'air et celui du substrat ; - les empilements de couches minces qui confèrent au substrat des propriétés de réflexion des 15 rayonnements infrarouges, tels que les empilements transparents comprenant au moins une couche mince métallique ou à base d'oxyde transparent électro-conducteur (TCO), dite couche fonctionnelle, notamment à base d'argent, de niobium, de chrome, d'alliage nickel-chrome (NiCr), d'oxyde mixte d'indium et d'étain (ITO), et des revêtements situés de part et d'autre de chaque couche fonctionnelle pour former un système interférentiel. Ces empilements 20 transparents à propriétés de réflexion des rayonnements infrarouges sont utilisés pour former des vitrages à contrôle solaire, en particulier anti-solaires, visant à diminuer la quantité d'énergie solaire entrante, ou à faible émissivité, visant à diminuer la quantité d'énergie dissipée vers l'extérieur d'un bâtiment ou d'un véhicule ; - les empilements de couches minces qui confèrent au substrat des propriétés de conduction 25 électrique, tels que les empilements transparents comprenant au moins une couche mince métallique, notamment à base d'argent, ou une couche mince à base d'oxydes transparents électro-conducteurs (TCO), par exemple à base d'oxyde mixte d'étain et d'indium (ITO), à base d'oxyde mixte d'indium et de zinc (IZO), à base d'oxyde de zinc dopé au gallium ou à l'aluminium, à base d'oxyde de titane dopé au niobium, à base de stannate de cadmium ou de 30 zinc, à base d'oxyde d'étain dopé au fluor et/ou à l'antimoine. Ces revêtements à propriétés de conduction électrique sont utilisés, notamment, dans des vitrages chauffants, où l'on fait circuler un courant électrique au sein du revêtement de manière à générer de la chaleur par effet Joule, ou encore en tant qu'électrode dans des dispositifs électroniques à couches, en particulier en tant qu'électrode transparente située en face avant de dispositifs à diode 35 électroluminescente organique (OLED), de dispositifs photovoltaïques, de dispositifs électrochromes ; - les empilements de couches minces qui confèrent au substrat des propriétés auto-nettoyantes, tels que les empilements transparents à base d'oxyde de titane, qui facilitent la dégradation 3053126 5 des composés organiques sous l'action de rayonnements ultraviolets et l'élimination des salissures minérales sous l'action d'un ruissellement d'eau ; les empilements de couches minces qui confèrent au substrat des propriétés d'anticondensation, des propriétés hydrophobes, etc. 5 La ou les caractéristique(s) choisies pour former la signature du défaut ont préférentiellement une valeur qui évolue en fonction des compartiments participant au dépôt de l'empilement de couches minces, de sorte à permettre aisément l'identification d'un compartiment à l'origine d'un défaut dans cet empilement. Par exemple, on peut choisir une caractéristique dont la valeur est une fonction strictement monotone (i.e. croissante ou décroissante) de l'épaisseur de 10 dépôt sur le substrat, de sorte que la valeur de cette caractéristique dans la signature du défaut permette d'identifier une épaisseur de dépôt à laquelle celui-ci est apparu. A partir de la connaissance de cette épaisseur et du compartiment en charge du dépôt d'une couche mince correspondant à cette épaisseur, on peut en déduire facilement le compartiment à l'origine du défaut. Ce choix d'une caractéristique strictement monotone en fonction de l'épaisseur de dépôt 15 sur le substrat est particulièrement avantageux car il permet à partir d'une signature comprenant une unique caractéristique bien choisie d'identifier un unique compartiment à l'origine du défaut. Une relation univoque entre la valeur de chaque caractéristique de la signature et un compartiment de la ligne de dépôt n'est toutefois pas une condition essentielle de l'invention, autrement dit, il n'est pas nécessaire que chaque compartiment corresponde à une valeur distincte 20 de chaque caractéristique. Une ambiguïté, ou dégénérescence, entre deux compartiments ou plus peut en effet subsister lorsque l'on considère une caractéristique donnée. Notamment, une même valeur d'une caractéristique peut correspondre à deux compartiments distincts de la ligne de dépôt. En effet, on note tout d'abord que, y compris dans le cas où il reste une 25 ambiguïté, l'invention permet de réduire drastiquement le nombre de compartiments soupçonnés d'être à l'origine du défaut. Comme mentionné précédemment, une ligne de dépôt dans le cas d'un dépôt d'un empilement de couches minces sur un substrat peut facilement comprendre 20 voire 30 compartiments. L'invention permet de se limiter à quelques compartiments pour lesquels une ambiguïté subsiste, c'est-à-dire en choisissant bien les caractéristiques, à au plus deux ou trois 30 compartiments. Il est par ailleurs possible de réduire encore ce nombre en considérant plusieurs caractéristiques dans la signature du défaut, la multiplicité des caractéristiques permettant de lever les ambiguïtés résiduelles. On note que les caractéristiques considérées pour former la signature d'un défaut peuvent dépendre de la nature des images obtenues et fournies par les systèmes optiques (ex. 35 images en réflexion ou en transmission, types de sources de rayonnement utilisées pour générer les images, etc.). L'utilisation d'images de natures différentes peut permettre avantageusement de lever les ambiguïtés précitées en extrayant de chaque type d'images différentes caractéristiques complémentaires pour former la signature du défaut. 3053126 6 Ladite au moins une image représentant le défaut peut être, notamment, une image codée en niveaux de gris, une image codée en RVB, une image hyperspectrale. Ainsi, à titre illustratif, dans un mode particulier de réalisation, ladite au moins une image peut comprendre une image en réflexion codée en niveaux de gris et une image en 5 transmission codée en niveaux de gris. Ce mode de réalisation peut avoir une application privilégiée mais non limitative lorsque l'empilement de couches minces comprend plusieurs couches ayant une faible émissivité. L'utilisation d'informations extraites d'une image en transmission en plus des informations extraites de l'image en réflexion permet d'avoir une signature comprenant davantage de caractéristiques, et 10 de pouvoir localiser plus précisément l'origine du défaut affectant l'empilement de couches minces. Dans un autre mode de réalisation, ladite au moins une image peut comprendre deux images (en réflexion et/ou transmission) codées en niveaux de gris acquises par ledit au moins un système optique en utilisant deux sources de rayonnement émettant dans deux domaines de longueurs d'onde au moins partiellement distincts, notamment une source de rayonnement 15 émettant dans le domaine de longueurs d'onde du visible et une source de rayonnement émettant dans le domaine de longueurs d'onde de l'infrarouge. La combinaison d'images obtenues à l'aide de deux sources de rayonnement émettant à des longueurs d'onde différentes, qui sont choisies astucieusement, peut permettre de lever une ambiguïté. Certains empilements peuvent en effet présenter des caractéristiques strictement 20 monotones en fonction de l'épaisseur de dépôt dans le domaine de l'infrarouge que ce mode de réalisation permet avantageusement d'exploiter. L'invention permet donc d'opérer une maintenance ciblée sur la ligne de dépôt, en concentrant les opérations de maintenance (et notamment de nettoyage) ou plus généralement les actions correctives sur les quelques compartiments identifiés, voire un unique compartiment. De 25 telles actions correctives peuvent consister typiquement à taper sur les parois de chaque compartiment identifié afin de débarrasser celles-ci des débris et poussières éventuels qui les recouvrent et qui sont susceptibles de se déposer sur le substrat lors du dépôt de la couche mince réalisé dans ce compartiment. Ces opérations de maintenance peuvent avoir lieu indifféremment en cours de production, ou à la fin de la production. 30 L'invention permet ainsi d'intervenir plus promptement et plus efficacement sur la ligne de dépôt, tout en limitant les coûts associés. L'identification du ou des compartiments à l'origine de défauts est en outre très rapide grâce à l'invention. Il en résulte un gain de temps important dans la résolution de crise lorsque l'on détecte l'apparition de défauts sur les substrats revêtus issus de la ligne de dépôt. 35 Dans un mode particulier de réalisation : - ladite au moins une image comprend une image en réflexion codée en niveaux de gris, et la signature du défaut comprend une caractéristique définie à partir d'un coefficient de réflexion du défaut déterminé à partir de l'image en réflexion ; et/ou 3053126 7 - ladite au moins une image comprend une image en transmission codée en niveaux de gris, et la signature du défaut comprend une caractéristique définie à partir d'un coefficient de transmission du défaut déterminé à partir de l'image en transmission. Ces coefficients de réflexion et/ou de transmission peuvent être déterminés par 5 exemple en utilisant une méthode d'érosion successive appliquée sur le défaut représenté sur l'image codée en niveaux de gris, et au cours de laquelle, à chaque étape, une valeur du coefficient de réflexion et/ou de transmission est déterminée. D'autres méthodes peuvent bien entendu être envisagées en variante. Les inventeurs ont judicieusement découvert en effet qu'il est possible, à partir de 10 l'image en réflexion ou de l'image en transmission codée en niveaux de gris du défaut et plus particulièrement d'un niveau de contraste en réflexion ou en transmission du défaut déterminé à partir de cette image, d'identifier de quel(s) compartiment(s) pouvait être issu ce défaut. Plus particulièrement, les inventeurs ont établi une corrélation entre le niveau de contraste en réflexion ou en transmission du défaut et l'épaisseur à laquelle l'empilement a été arrêté suite à la chute 15 d'une poussière ou d'un débris, autrement dit l'épaisseur à laquelle est apparu le défaut. Cette épaisseur peut être aisément associée à un compartiment de la ligne de dépôt participant au dépôt de l'empilement de couches minces. On note que lorsque l'image n'est pas hyperspectrale, l'invention repose sur l'hypothèse que la valeur de contraste considérée extraite des images fournies par le système de contrôle optique traduit la « vraie » valeur intégrée de contraste (en 20 réflexion ou en transmission) qui serait calculée à partir du spectre (de réflexion ou de transmission). Par « traduit », on entend que la valeur de contraste considérée est représentative de cette vraie valeur, soit de manière absolue, soit en relatif (i.e. elle peut être proportionnelle à cette vraie valeur ou être une fonction monotone de celle-ci). A titre illustratif, dans le cas d'un empilement transparent de couches minces à 25 propriétés de réflexion des rayonnements infrarouges tel que décrit précédemment, comprenant une couche mince d'argent encadrée par deux revêtements comprenant chacun une ou plusieurs couches minces pour former un système interférentiel, on peut observer une évolution du coefficient de réflexion lumineuse moyen observé sur l'image en réflexion (éventuellement normalisé) en fonction de l'épaisseur de l'empilement ayant la forme d'un V inversé (A) et 30 présentant un maximum au niveau de la couche mince d'argent. Ce maximum au niveau de la couche d'argent s'explique du fait de la faible émissivité de la couche d'argent, qui se traduit par une réflexion lumineuse maximale. En d'autres mots, l'évolution du coefficient de réflexion lumineuse en fonction de l'épaisseur est une fonction croissante avant la couche d'argent puis décroissante après celle-ci. Il est donc aisé de discriminer, à partir de cette représentation et de la 35 connaissance de coefficients de réflexion lumineuse dits de référence caractérisant chacun des compartiments de la ligne de dépôt, un compartiment susceptible d'être à l'origine du défaut parmi les compartiments d'une première série de compartiments participant au dépôt du premier revêtement déposé avant la couche d'argent, ou un compartiment susceptible d'être à l'origine du 3053126 8 défaut parmi les compartiments d'une seconde série de compartiments participant au dépôt du second revêtement déposé après la couche d'argent. Ainsi, dans l'exemple illustré ci-avant, si la signature du défaut comprend une unique caractéristique définie à partir du coefficient de réflexion lumineuse moyen du défaut, on obtient à 5 l'issue du procédé selon l'invention, deux compartiments susceptibles d'être à l'origine du défaut constaté sur l'empilement de couches minces. Pour déterminer si le compartiment à l'origine du défaut observé appartient à la première ou à la seconde série de compartiments, les inventeurs proposent avantageusement d'exploiter une seconde caractéristique du défaut, à savoir dans l'exemple précité, la présence ou 10 non d'un anneau clair (i.e. correspondant à une réflexion maximale) entourant le défaut sur l'image en réflexion. Dans un mode particulier de réalisation de l'invention, le procédé de localisation comprend donc en outre une étape de détection d'une présence d'un anneau clair sur le pourtour du défaut représenté sur ladite au moins une image, la signature du défaut comprenant une 15 caractéristique traduisant cette présence. Les inventeurs ont en effet relié la présence d'un tel anneau clair avec l'introduction d'un défaut avant le dépôt de la couche d'argent, i.e. dans un compartiment de la première série de compartiments participant au dépôt du premier revêtement déposé avant la couche d'argent, l'absence d'un tel anneau clair traduisant au contraire l'introduction d'un défaut après le dépôt de 20 la couche d'argent, i.e. dans un compartiment de la seconde série de compartiments participant au dépôt du second revêtement déposé après la couche d'argent. On note que la présence d'un tel anneau clair peut aisément être détectée grâce à l'utilisation de la méthode d'érosion mentionnée précédemment, en observant les valeurs du coefficient de réflexion lumineuse obtenues aux différentes itérations de la méthode d'érosion, et notamment lors des premières itérations. 25 Ceci s'applique également lorsque le système optique fournit une image en transmission du défaut et qu'une caractéristique de la signature du défaut est déterminée à partir d'un coefficient de transmission lumineuse du défaut. Dans un mode particulier de réalisation de l'invention, le procédé comprend en outre : une étape de détermination d'un gradient de variation du coefficient (de réflexion ou de 30 transmission) ; et une étape de détection d'une forme du défaut à partir du gradient de variation déterminé. Ce mode de réalisation permet d'obtenir des informations complémentaires sur le défaut, notamment s'il s'agit d'un défaut plat ou d'un défaut en trois dimensions. Une telle information peut être utile pour identifier, au sein même d'un compartiment, quels éléments du 35 compartiment sont à l'origine des poussières et/ou des débris qui se sont déposés sur le substrat. L'invention s'applique, comme mentionné ci-avant, à des images codées en niveau de gris (ex. images en réflexion et/ou en transmission, acquises au moyen d'une source de rayonnement émettant dans le domaine de longueurs d'onde du visible et/ou dans le domaine de 3053126 9 longueurs d'onde de l'infrarouge, etc.). Toutefois cette hypothèse n'est pas limitative et l'invention peut être également mise en oeuvre à partir d'autres types d'images. Les signatures considérées sont alors adaptées aux informations pouvant être extraites de ces images. Ainsi, dans un mode particulier de réalisation, ladite au moins une image comprend 5 une image en réflexion ou en transmission codée en rouge, vert et bleu (RVB), et le procédé comprend en outre une étape de conversion de l'image RVB dans un espace colorimétrique L*a*b*, la signature du défaut comprenant des composantes en a* et b* d'une surface de fond du défaut déterminées à partir de l'image convertie. La signature du défaut peut également comprendre en outre une composante en L* du défaut déterminée à partir de l'image convertie. 10 Dans un autre mode de réalisation, ladite au moins une image comprend une image hyperspectrale et la signature du défaut comprend un spectre représentant des valeurs d'un coefficient de réflexion ou de transmission d'une surface de fond du défaut en fonction d'une longueur d'onde. Par ailleurs, chaque signature de référence associée à un compartiment de la ligne de dépôt peut comprendre, dans ce mode de réalisation, une pluralité de spectres 15 correspondant à différentes épaisseurs de la couche déposée dans le compartiment. Ces différents types d'images, codées en RVB ou hyperspectrales, apportent davantage d'informations sur le défaut que des images codées en niveaux de gris. Elles nécessitent toutefois d'avoir recours à des systèmes de contrôle optique plus complexes et souvent plus coûteux. L'invention permet de s'adapter à différents systèmes de contrôle optique placés en sortie 20 de la ligne de dépôt. Dans les modes de réalisation précités, un nombre réduit de caractéristiques représentatives du défaut a été extrait des images de ce défaut et exploité. Ce nombre réduit de caractéristiques limite la complexité de l'étape d'identification, puisque seulement quelques caractéristiques sont à rapprocher des signatures de référence des compartiments lors de cette 25 étape. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, l'étape d'identification comprend une application d'une méthode d'apprentissage automatique sur la signature du défaut, ladite méthode d'apprentissage s'appuyant sur un modèle entraîné à partir des signatures de référence associées aux compartiments de la ligne de dépôt. 30 L'entraînement du modèle est réalisé préférentiellement sur un grand nombre d'images représentant des défauts dont on est capable d'identifier l'origine ou dont on connaît l'origine, ces images ayant été obtenues sur plusieurs jours de production. Un tel modèle est par exemple constitué d'un ou de plusieurs arbres décisionnels entraînés à partir de signatures de références des compartiments extraites du grand nombre d'images. La méthode d'apprentissage automatique 35 dès lors utilisée lors de l'étape d'identification peut être par exemple un algorithme dit de forêts d'arbres décisionnels aussi plus connu sous l'appellation de « random decision forest » en anglais apte à utiliser de tels arbres décisionnels. Toutefois, tout autre algorithme permettant de classer des éléments entre eux et s'appuyant sur un modèle entraîné à partir de valeurs de référence peut 3053126 10 être utilisé en variante (ex. algorithme des plus proches voisins, machines à vecteurs de support ou Support Vector Machine (SVM) en anglais, réseaux de neurones, etc.). Dans ce mode de réalisation, des caractéristiques remarquables du défaut autres que celles citées précédemment peuvent être aisément extraites des images numériques et exploitées 5 pour identifier le compartiment à l'origine du défaut. Préférentiellement, la signature du défaut déterminée à partir de ladite au moins une image comprend au moins une caractéristique d'intensité lumineuse du défaut et/ou une caractéristique relative à une forme du défaut. A titre d'exemple, ladite au moins une caractéristique d'intensité lumineuse du défaut peut comprendre : 10 des caractéristiques représentatives d'un profil radial d'intensité lumineuse du défaut ; et/ou - des caractéristiques représentatives d'une pente d'un profil radial d'intensité lumineuse du défaut ; et/ou - une caractéristique représentative d'une intensité lumineuse moyenne du défaut ; et/ou une caractéristique représentative d'une intensité lumineuse au centre du défaut. 15 De façon similaire, ladite au moins une caractéristique relative à une forme du défaut peut comprendre : - une caractéristique représentative d'une aire du défaut ; et/ou une caractéristique représentative d'un ratio d'un périmètre du défaut sur une aire du défaut ; et/ou 20 une caractéristique représentative d'un facteur de forme du défaut. Les caractéristiques précitées ont été identifiées par les inventeurs comme permettant, lorsqu'elles sont utilisées en tout ou partie, d'identifier de manière très fiable le compartiment à l'origine du défaut. Il convient de noter que le recours à une méthode d'apprentissage automatique permet de prendre en compte aisément un nombre plus important de caractéristiques du défaut. 25 Il convient de noter que dans tous les modes de réalisation précédemment décrits de l'invention, les correspondances entre les signatures de référence et les compartiments sont susceptibles d'évoluer, et dépendent notamment du paramétrage de la ligne de dépôt, lors du dépôt des couches minces sur le substrat. En effet la contribution de chaque cathode à l'épaisseur de l'empilement peut être amenée à être modifiée, notamment du fait de modifications de la 30 puissance appliquée sur la cathode, de la vitesse de défilement du substrat en regard de la cathode, de la pression du gaz utilisé dans le compartiment de la cathode et sa composition, etc. Cette dépendance vis-à-vis des paramètres du dépôt peut être prise en compte aisément de façon empirique ou de façon analytique, en particulier à l'aide d'un modèle de calcul reliant les paramètres du dépôt à l'épaisseur de l'empilement correspondant à chaque compartiment. 35 Dans un mode particulier de réalisation, les différentes étapes du procédé de localisation sont déterminées par des instructions de programmes d'ordinateurs. En conséquence, l'invention vise aussi un programme d'ordinateur sur un support d'enregistrement ou support d'informations, ce programme étant susceptible d'être mis en oeuvre 3053126 11 dans un dispositif de localisation ou plus généralement dans un ordinateur, ce programme comportant des instructions adaptées à la mise en oeuvre des étapes d'un procédé de localisation tel que décrit ci-dessus. Ce programme peut utiliser n'importe quel langage de programmation, et être sous la 5 forme de code source, code objet, ou de code intermédiaire entre code source et code objet, tel que dans une forme partiellement compilée, ou dans n'importe quelle autre forme souhaitable. L'invention vise aussi un support d'informations ou d'enregistrement lisible par un ordinateur, et comportant des instructions d'un programme d'ordinateur tel que mentionné ci-dessus. 10 Le support d'informations ou d'enregistrement peut être n'importe quelle entité ou dispositif capable de stocker le programme. Par exemple, le support peut comporter un moyen de stockage, tel qu'une ROM, par exemple un CD ROM ou une ROM de circuit microélectronique, ou encore un moyen d'enregistrement magnétique, par exemple une disquette (floppy disc) ou un disque dur. 15 D'autre part, le support d'informations ou d'enregistrement peut être un support transmissible tel qu'un signal électrique ou optique, qui peut être acheminé via un câble électrique ou optique, par radio ou par d'autres moyens. Le programme selon l'invention peut être en particulier téléchargé sur un réseau de type Internet. Alternativement, le support d'informations ou d'enregistrement peut être un circuit 20 intégré dans lequel le programme est incorporé, le circuit étant adapté pour exécuter ou pour être utilisé dans l'exécution du procédé en question. L'invention vise aussi un système comprenant : une ligne de dépôt comprenant une succession de compartiments aptes à déposer un empilement de couches minces sur un substrat ; 25 au moins un système de contrôle optique placé en sortie de la ligne de dépôt configuré pour fournir au moins une image représentant un défaut affectant l'empilement de couches minces déposées sur le substrat ; et un dispositif de localisation selon l'invention, apte à identifier parmi la succession de compartiments de la ligne de dépôt au moins un compartiment susceptible d'être à l'origine du 30 défaut. On peut également envisager, dans d'autres modes de réalisation, que le procédé de localisation, le dispositif de localisation et le système selon l'invention présentent en combinaison tout ou partie des caractéristiques précitées. 35 Brève description des dessins D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description faite ci-dessous, en référence aux dessins annexés qui en illustrent un exemple de réalisation dépourvu de tout caractère limitatif. Sur les figures : 3053126 12 la figure 1 représente, de façon schématique, un système conforme à l'invention, dans un mode particulier de réalisation ; - la figure 2 représente une ligne de dépôt d'un empilement de couches minces comprise dans le système de la figure 1 ; 5 la figure 3 représente un système de contrôle optique placé en sortie de la ligne de dépôt dans le système de la figure 1 ; - la figure 4 représente de façon schématique l'architecture matérielle d'un dispositif de localisation selon l'invention inclus dans le système de la figure 1, dans un mode particulier de réalisation ; 10 les figures 5, 11, 14 et 16 représentent sous forme d'ordinogrammes quatre modes de réalisation du procédé de localisation selon l'invention ; la figure 6 représente une méthode d'érosion successive pouvant être appliquée sur une image d'un défaut affectant un empilement de couches minces pour déterminer la signature de ce défaut dans un mode particulier de réalisation ; 15 - les figures 7, 9A-9C, 10, 12, 13, et 15 présentent différents exemples de signatures de référence pouvant être utilisées pour identifier le compartiment à l'origine d'un défaut affectant un empilement de couches minces conformément à l'invention ; et - la figure 8 illustre un compartiment comprenant une cathode, ainsi que les différents éléments protégeant cette cathode. 20 Description détaillée de l'invention La figure 1 représente, dans son environnement, un système 1 conforme à l'invention, dans un mode particulier de réalisation. Le système 1 comporte : 25 une ligne de dépôt 2 permettant le dépôt d'un empilement de couches minces sur un substrat transparent 3 ; un système de contrôle optique 4 placé en sortie de la ligne de dépôt 2, et apte à acquérir diverses images numériques du substrat transparent revêtu de l'empilement de couches minces (référencé par 5), et à détecter à partir de ces images la présence de défauts affectant 30 le substrat revêtu 5 ; et un dispositif de localisation 6 conforme à l'invention, apte à analyser les images numériques IM des défauts détectés par le système de contrôle optique 4 en vue de localiser leur origine dans la ligne de dépôt 2. Dans les exemples envisagés ci-après, l'empilement de couches minces est déposé sur 35 un substrat en verre 3 et forme un système interférentiel. Dans ces exemples, l'empilement de couches minces comprend une ou plusieurs couches fonctionnelles à propriétés de réflexion dans l'infrarouge (à savoir une ou deux couches d'argent dans les exemples 1 et 2, une couche d'oxyde mixte d'indium et d'étain (ITO) dans l'exemple 3), et des revêtements formés d'une ou plusieurs 3053126 13 couches minces situés de part et d'autre de chaque couche fonctionnelle pour former le système interférentiel. Dans la suite, on désigne par le terme "module" (M1, M2, M3) chacun des revêtements qui encadrent la ou les couches fonctionnelles d'argent ou d'ITO, étant entendu qu'un module peut être constitué d'une unique couche mince ou d'une pluralité de couches minces. 5 Bien entendu, les exemples exposés ci-après ne sont pas limitatifs en soi et d'autres empilements de couches minces ainsi que d'autres substrats, notamment transparents (ex. substrats en matériau organique polymérique, flexibles ou rigides), peuvent être envisagés. Dans les exemples ci-après, les revêtements ou "modules", qui encadrent la ou les couches fonctionnelles, sont constitués de couches minces à base de matériaux diélectriques (ex. 10 couches minces d'oxyde, de nitrure, d'oxynitrure). En variante, notamment dans le cas de couches minces métalliques en tant que couches fonctionnelles, chaque module qui est disposé au-dessus, dans le sens de dépôt de l'empilement, d'une couche mince métallique peut comprendre, en tant que couche sus-jacente à la couche mince métallique, une fine couche métallique de sur-bloqueur, oxydée ou non, destinée à protéger la couche mince métallique pendant le dépôt d'une couche 15 ultérieure, par exemple si cette dernière est déposée sous atmosphère oxydante ou nitrurante, et pendant un éventuel traitement thermique ultérieur. Chaque couche mince métallique peut également être déposée sur et en contact avec une fine couche métallique de sous-bloqueur. L'empilement de couches minces peut donc comprendre une couche de sur-bloqueur et/ou une couche de sous-bloqueur encadrant la ou chaque couche mince métallique. Ces couches de 20 bloqueur, qui sont des couches très fines, normalement d'une épaisseur inférieure à 1 nm pour ne pas affecter la transmission lumineuse de l'empilement, jouent le rôle de couches sacrificielles, en particulier susceptibles de capter l'oxygène. Dans le mode de réalisation illustré à la figure 1, le dépôt de couches minces est réalisé par la ligne de dépôt 2 sur le substrat en verre 3 au moyen d'une technique de pulvérisation 25 cathodique assistée par champ magnétique aussi appelée pulvérisation cathodique magnétron. De façon connue, une technique de pulvérisation cathodique s'appuie sur la condensation au sein d'une atmosphère raréfiée d'une vapeur d'un matériau cible issue d'une source de pulvérisation sur un substrat. Plus précisément, les atomes de la source (aussi désignée par cible) sont éjectés dans un gaz ionisé, tel que par exemple l'argon, dans une enceinte sous 30 vide maintenue à une certaine pression. Un champ électrique est créé conduisant à l'ionisation du gaz formant ainsi un plasma. La cible est portée à un potentiel négatif (cathode) de sorte que les ions présents dans le plasma sont attirés par la cible et éjectent des atomes de celle-ci. Les particules ainsi pulvérisées sont diffusées dans l'enceinte et certaines d'entre elles sont recueillies notamment sur le substrat sur lequel elles forment une couche mince. Dans le cas d'une cathode 35 magnétron, un champ magnétique orienté perpendiculaire au champ électrique est créé en outre par des aimants placés à proximité de la cathode de sorte à confiner les électrons au voisinage de la cathode. Ceci permet d'accroître le taux d'ionisation du gaz, et ainsi d'améliorer de manière importante le rendement de dépôt comparativement à une technique de pulvérisation cathodique 3053126 14 conventionnelle. Les techniques de pulvérisation cathodique étant connues de l'homme de l'art, elles ne sont pas décrites plus en détail ici. La figure 2 représente schématiquement la ligne de dépôt 2 utilisée pour réaliser le dépôt de couches minces par pulvérisation cathodique sur le substrat en verre 3. Elle comprend ici 5 une chambre d'entrée 7, une première chambre tampon 8, une chambre de pulvérisation cathodique magnétron 10 comprenant une première section de transfert 9 et une seconde section de transfert 11, une seconde chambre tampon 12 et une chambre de sortie 13. La chambre de pulvérisation cathodique 10 comprend, outre les deux sections de transfert 9 et 11, une succession d'éléments Ei, i=1,...,N où N désigne un nombre entier. Chaque 10 élément Ei comprend un compartiment ou chambre de dépôt 15-i contenant une cathode utilisée comme cible lors de la pulvérisation cathodique magnétron, et un ou deux compartiment(s) ou chambre(s) de pompage équipé(e)(s) d'une pompe, et localisé(e)(s) le cas échéant de part et d'autre de la chambre de dépôt pour créer le vide dans celle-ci. Le substrat en verre 3 circule dans les différents compartiments successifs de la chambre de pulvérisation cathodique 10, entraîné par 15 un convoyeur ou un tapis roulant 16. La succession des différents éléments Ei, i=1,...,N permet le dépôt d'un empilement de couches minces sur le substrat en verre 3. Il convient de noter que plusieurs compartiments 15-i successifs peuvent participer au dépôt d'une couche mince d'un même matériau, dans des proportions prédéfinies. Le paramétrage des différents compartiments 15-i dans lesquels ont lieu 20 les dépôts de couches minces consiste à ajuster différents paramètres de la pulvérisation cathodique magnétron, et notamment, la pression du gaz et sa composition, la puissance appliquée sur la cathode, l'angle d'incidence des particules de bombardement, l'épaisseur du dépôt, etc. Le système de contrôle optique 4 est placé en sortie de la ligne de dépôt 2. Comme 25 illustré schématiquement à la figure 3, il est équipé d'une ou de plusieurs caméras 17 et de plusieurs sources de rayonnement 18 permettant d'acquérir et de générer différents types d'images numériques du substrat revêtu 5 issu de la ligne de dépôt 2. Dans l'exemple envisagé à la figure 3, le système de contrôle optique 4 comprend trois sources de rayonnement 18, à savoir, une source lumineuse 18-1 de type RDF (pour Reflection Dark Field ou réflexion en champ foncé), 30 une source lumineuse 18-2 de type RBF (pour Reflection Bright Field ou réflexion en champ clair) et une source lumineuse 18-3 de type TBF (pour Transmission Bright Field ou transmission en champ clair). Ces sources lumineuses sont allumées puis éteintes alternativement afin d'acquérir différentes configurations d'images numériques en réflexion (correspondant à la réflexion de la source lumineuse sur le substrat revêtu) et/ou en transmission (correspondant à la lumière issue 35 de la source lumineuse et transmise à travers le substrat revêtu) représentant les défauts potentiels affectant le substrat revêtu 5 comportant l'empilement de couches minces. Aucune limitation n'est attachée à la nature des caméras 17, des images numériques en résultant, et de la configuration des sources de rayonnement. Ainsi, suivant leur nature et leurs 3053126 15 capacités, les caméras 17 peuvent fournir par exemple des images numériques codées en niveaux de gris, des images trichromes codées en RVB (Rouge Vert Bleu), ou il peut s'agir encore de caméras hyperspectrales aptes à fournir des images hyperspectrales, etc. Par ailleurs, des sources de rayonnement opérant dans le domaine du visible ou dans d'autres domaines de longueurs 5 d'onde, comme par exemple dans le domaine de l'infrarouge, peuvent être utilisées par le système de contrôle optique 4. Ces sources de rayonnement peuvent être orientées suivant différents angles en fonction des images que l'on souhaite acquérir et utiliser pour localiser le ou les compartiments à l'origine du défaut. La figure 6 montre dans sa partie inférieure, à titre illustratif, une image numérique en 10 réflexion, codée en niveaux de gris, acquise à partir d'une source lumineuse RBF opérant dans le domaine du visible. La tâche apparaissant sur cette image reflète un défaut détecté par le système de contrôle optique 4. Sur cette image, le contraste mesuré par la caméra du système de contrôle optique 4 est proportionnel à la réflexion lumineuse du défaut. On note que lorsque l'image n'est pas hyperspectrale comme c'est le cas ici, l'invention repose sur l'hypothèse que la valeur de 15 contraste considérée extraite des images fournies par le système de contrôle optique traduit la vraie valeur de la quantité intégrée (RL ou TL) qui serait extraite d'une réponse spectrale (de façon relative ou absolue). Un tel système de contrôle optique est connu en soi et classiquement utilisé pour détecter des défauts affectant les dépôts réalisé dans une ligne de dépôt telle que la ligne de 20 dépôt 2. Il n'est donc pas décrit plus en détail ici. On note que l'invention ne se limite pas à l'utilisation d'un unique système de contrôle optique et on peut envisager que les images traitées par le dispositif de localisation selon l'invention proviennent d'une pluralité de systèmes de contrôle optiques placés en sortie de la ligne de dépôt. Comme mentionné précédemment, les défauts affectant le substrat revêtu peuvent 25 être notamment dus à des poussières ou à des débris présents dans certains compartiments 15-i de la chambre de pulvérisation cathodique 10 et qui sont tombés de manière erratique sur le substrat lorsque celui-ci a circulé dans ces compartiments. De manière très avantageuse, en exploitant les images des défauts détectés sur les substrats revêtus 5 issus de la ligne de dépôt 2, le dispositif de localisation 6 selon l'invention est capable de localiser le compartiment 15-i de la 30 ligne de dépôt 2 à l'origine de ce défaut. Dans le mode de réalisation décrit ici, le dispositif de localisation 6 est un ordinateur dont l'architecture matérielle est représentée schématiquement à la figure 4. Il comprend un processeur 19, une mémoire vive 20, une mémoire morte 21, une mémoire non volatile 22, un module de communication 23, et divers modules d'entrée/sortie 24. 35 Le module de communication 23 permet au dispositif de localisation 6 d'obtenir les images de défauts acquises par le système de contrôle optique 4. Il peut comprendre notamment un bus de données numériques, et/ou des moyens de communication sur un réseau (local ou 3053126 16 distant) tels que par exemple une carte réseau, etc., selon la façon dont le système de contrôle optique 4 et le dispositif de localisation 6 sont reliés entre eux. Les modules d'entrée/sortie 24 du dispositif de localisation 6 comprennent notamment un clavier, une souris, un écran, et/ou tout autre moyen (e.g. une interface graphique) permettant 5 de configurer le dispositif de localisation 6 et d'accéder aux résultats de l'analyse qu'il conduit sur les images de défauts qui lui sont fournies. La mémoire morte 21 du dispositif de localisation 6 constitue un support d'enregistrement conforme à l'invention, lisible par le processeur 19 et sur lequel est enregistré un programme d'ordinateur PROG conforme à l'invention, comportant des instructions pour l'exécution 10 des étapes d'un procédé de localisation selon l'invention. Ce programme d'ordinateur PROG définit de façon équivalente des modules fonctionnels et logiciels ici configurés pour mettre en oeuvre les étapes du procédé de localisation selon l'invention. Ces modules fonctionnels s'appuient ou commandent les éléments matériels 19 à 24 cités précédemment. Ils comprennent notamment ici : 15 un module d'obtention 6A d'au moins une image représentant un défaut, acquise par le système de contrôle optique 4, ce module 6A étant apte à communiquer et à commander le module de communication 23 ; un module de détermination 6B, à partir de ladite au moins une image, d'une signature du défaut comprenant au moins une caractéristique représentative du défaut ; et 20 un module d'identification 6C d'au moins un compartiment susceptible d'être à l'origine du défaut configuré pour utiliser la signature du défaut et une pluralité de signatures de référence associées aux compartiments de la ligne de dépôt. Les fonctions de ces modules sont décrites plus en détail ultérieurement en référence aux figures 5 à 16, dans quatre modes de réalisation distincts de l'invention. Les trois premiers 25 modes de réalisation se distinguent par la nature des images numériques qui sont fournies par le système de contrôle optique 4 et analysées par le dispositif de localisation 6 pour localiser l'origine d'un défaut. Ainsi, dans le premier mode de réalisation, les images utilisées par le dispositif de localisation 6 sont des images numériques codées en niveau de gris ; dans le deuxième mode de réalisation, il s'agit d'images numériques trichromes (ou RVB pour Rouge Vert Bleu), et dans le 30 troisième mode de réalisation, les images fournies par le système de contrôle optique sont des images hyperspectrales. Dans le quatrième mode de réalisation, le dispositif de localisation 6 met en oeuvre un traitement alternatif par rapport aux trois premiers modes pour localiser le défaut dans la ligne de dépôt 2. Ces quatre modes de réalisation de l'invention s'appuient toutefois sur les mêmes étapes principales pour localiser le défaut, à savoir : 35 une étape d'obtention d'une ou de plusieurs images représentant ledit défaut et acquises par le système de contrôle optique 4 ; une étape de détermination, à partir de ces images, d'une signature du défaut comprenant au moins une caractéristique représentative du défaut ; et 3053126 17 une étape d'identification d'au moins un compartiment parmi les compartiments 15-i, i=1,...,N, de la ligne de dépôt susceptible d'être à l'origine du défaut à partir de la signature du défaut et en utilisant les signatures de référence associées aux compartiments 15-i, i=1,...,N. Nous allons maintenant décrire plus en détail ces étapes dans chacun des modes de 5 réalisation. Pour illustrer ces différents modes, on considère alternativement les trois exemples suivants d'empilements de couches minces. Exemple 1: l'empilement est déposé sur un substrat en verre silico-sodo-calcique et comprend, dans le sens de dépôt de l'empilement sur le substrat : o un premier revêtement ou module M1 formé par une pluralité de couches minces à 10 base de matériaux diélectriques (ex. couches d'oxyde, de nitrure, d'oxynitrure) ; o une couche mince d'argent ; et o un second revêtement ou module M2 formé par une pluralité de couches minces à base de matériaux diélectriques (ex. couches d'oxyde, de nitrure, d'oxynitrure) ; chaque couche de l'empilement pouvant être déposée par plusieurs cathodes distinctes afin 15 d'obtenir l'épaisseur requise, et les épaisseurs géométriques des couches minces de l'empilement étant adaptées de telle sorte que l'ensemble de l'empilement forme un système interférentiel. Exemple 2 : l'empilement est déposé sur un substrat en verre silico-sodo-calcique et comprend deux couches minces d'argent encadrées par des couches minces de Si3N4, avec les épaisseurs 20 suivantes : Matériau Epaisseur (nm) Si3N4 (M3) 30 Ag (L2) 20 Si3N4 (M2) 75 Ag (11) 7 Si3N4 (M1) 41 Les épaisseurs géométriques des couches minces de l'empilement sont adaptées de telle sorte que l'ensemble de l'empilement forme un système interférentiel. Dans cet exemple 2, 25 différentes couches minces d'un même matériau (Si3N4 ou Ag) sont déposées sur le substrat à différentes épaisseurs. On désigne alors entre parenthèses la couche à laquelle on se réfère, par exemple Ag (L1) désigne la première couche d'argent déposée et Ag (L2) la seconde couche d'argent. On appelle également, pour l'exemple 2, "module Ml" la couche mince de Si3N4 déposée sur le substrat avant la première couche d'argent Ag (L1), "module M2" la 30 couche mince de Si3N4 déposée entre la première couche d'argent Ag (L1) et la seconde 3053126 18 couche d'argent Ag (L2), et "module M3" la couche mince de Si3N4 déposée après la seconde couche d'argent Ag (L2). Exemple 3 : l'empilement est déposé sur un substrat en verre silico-sodo-calcique et comprend une couche mince d'oxyde mixte d'indium et d'étain (ITO) encadrée par des revêtements ou 5 modules M1, M2 à base de matériaux diélectriques, avec les épaisseurs suivantes : Matériau Epaisseur (mm) TiO2 12 Si02 (L2) 40 ITO 100 Si02 (L1) 11 SiN 16.5 Les épaisseurs géométriques des couches minces de l'empilement sont adaptées de telle sorte que l'ensemble de l'empilement forme un système interférentiel. Dans cet exemple 3, 10 différentes couches minces d'un même matériau sont déposées sur le substrat à différentes épaisseurs. On désigne entre parenthèses la couche à laquelle on se réfère. On appelle, pour l'exemple 3, "module M1" le revêtement formé par les couches minces de SiN et de Si02 (L1) déposées sur le substrat avant la couche de ITO, et "module M2" le revêtement formé par les couches minces de Si02 (L2) et de TiO2 déposées sur le substrat après la couche de ITO. 15 Bien entendu ces exemples ne sont donnés qu'à titre illustratif et ne sont en aucun cas limitatifs de l'invention. Comme mentionné précédemment, l'invention s'applique à divers empilements de couches minces susceptibles d'être déposés sur un substrat, et notamment aux empilements formant un système interférentiel. On suppose dans les modes de réalisation décrits ci-après qu'un défaut a été détecté 20 grâce aux images acquises par le système de contrôle optique 4. La façon dont est détecté ce défaut est connue en soi et n'est pas décrite ici. La figure 5 représente les principales étapes du procédé de localisation selon l'invention tel qu'il est mis en oeuvre par le dispositif de localisation 6 dans le premier mode de réalisation. 25 Dans ce premier mode de réalisation de l'invention, le système de contrôle optique 4 est équipé de caméras numériques aptes à fournir des images numériques IM codées en niveaux de gris du défaut détecté, acquises en activant tout ou partie des différentes sources de rayonnement du système de contrôle optique 4. De telles images sont constituées d'une pluralité de pixels, chaque pixel étant associé à un niveau de gris traduisant sa luminosité. 30 On s'intéresse ici à des images numériques en réflexion du défaut désignées par IMR, acquises en activant la source lumineuse 18-2 de type RBF et traduisant le coefficient de réflexion 3053126 19 du défaut, ainsi qu'à des images numériques en transmission du défaut désignées par IMT acquises en activant la source lumineuse 18-3 de type TBF et représentant un coefficient de transmission du défaut. Par souci de simplification, on se limite dans la suite de la description à une image en réflexion IMR, et le cas échéant à une image en transmission IMT. 5 On note que comme détaillé davantage ci-après, suivant les configurations d'empilement de couches minces considérées, il n'est pas nécessaire au dispositif de localisation 6 de disposer systématiquement des deux types d'images. Dans le cas d'un empilement similaire à l'exemple 1 comprenant une seule couche d'argent (ou d'un autre matériau à faible émissivité), une seule image en réflexion IMR peut suffire 10 en effet pour une localisation précise de l'origine du défaut. Dans l'exemple 2 comprenant plusieurs couches d'argent, l'utilisation d'une unique image en réflexion IMR peut permettre d'isoler un nombre réduit de compartiments susceptibles d'être à l'origine d'un défaut mais n'est pas toujours suffisante pour permettre d'identifier un unique compartiment parmi ce nombre réduit de compartiments. Pour lever cette ambiguïté 15 résiduelle, une autre image qu'une image en réflexion peut être utilisée, comme par exemple une image en transmission acquise au moyen d'une source de rayonnement opérant dans le domaine de longueurs d'onde de l'infrarouge, ou on peut utiliser plusieurs images du défaut comme par exemple une image en réflexion IMR et d'une image en transmission IMT acquises toutes deux au moyen de sources de rayonnement opérant dans le domaine de longueurs d'onde du visible. 20 La prise en compte d'une image en réflexion et/ou d'une image en transmission, acquise au moyen d'une source de rayonnement dans le domaine de longueurs d'onde du visible et/ou avec d'autres longueurs d'onde telles que des longueurs d'onde dans le domaine de l'infrarouge dépend notamment des propriétés d'absorption et de réflexion de l'empilement de couches minces considéré, et des caractéristiques représentatives du défaut que l'on considère 25 pour mettre en oeuvre l'invention. Ceci est illustré davantage ultérieurement en référence aux exemples donnés. On suppose que le dispositif de localisation 6 obtient du système de contrôle optique 4 au moins une image IM codée en niveaux de gris du défaut détecté sur l'empilement de couches minces déposé sur le substrat en verre 3 (étape E10). Cette ou ces images IM sont reçues par le 30 dispositif de localisation 6 par l'intermédiaire de son module de communication 23 et de son module d'obtention 6A. Le dispositif de localisation 6, par l'intermédiaire de son module de détermination 6B, détermine alors à partir de la ou des images IM, une signature SIG(DEF) du défaut (étape E20). Par signature du défaut, on entend au sens de l'invention une ou plusieurs caractéristiques 35 représentatives du défaut et qui vont permettre de localiser son origine dans la ligne de dépôt 2 en la rapprochant de signatures de référence associées à chacun des compartiments 15 de la ligne de dépôt. Ces caractéristiques peuvent dépendre notamment de la nature des images IM exploitées par le dispositif de localisation 6 et des informations sur le défaut contenues dans ces images, des 3053126 20 propriétés de réflexion et d'absorption de l'empilement de couches minces déposé sur le substrat, de la forme du défaut, etc. Pour mieux illustrer cette étape, on considère dans un premier temps l'empilement de couches minces de l'exemple 1 décrit précédemment et comprenant une couche mince d'argent 5 encadrée de deux modules Ml, M2 formés chacun par une pluralité de couches minces à base de matériaux diélectriques (ex. couches d'oxyde, de nitrure, d'oxynitrure). On suppose par ailleurs que le système de contrôle optique 4 fournit une unique image en réflexion IM=IMR codée en niveaux de gris, acquise au moyen de la source lumineuse 18-2 opérant dans le domaine de longueurs d'onde du visible. 10 Dans le mode de réalisation décrit ici, le module de détermination 6B extrait de cette image en réflexion IMR différentes caractéristiques relatives au coefficient de réflexion lumineuse du défaut. A cet effet, il applique ici, sur l'image en réflexion IMR, une méthode d'érosion successive lui permettant d'extraire au cours de plusieurs itérations différentes valeurs du coefficient de réflexion du défaut. 15 La figure 6 illustre schématiquement l'application de cette méthode sur un défaut DEF représenté par une image en réflexion IMR. Cette méthode consiste, à partir de l'image en réflexion IMR du défaut, à « éroder » ou à « élimer » successivement le défaut sur son contour (i.e. à chaque itération iter on élimine une petite épaisseur du contour du défaut, cette épaisseur n'étant pas nécessairement uniforme d'une itération à l'autre) et à calculer la moyenne des niveaux 20 de gris des pixels sur la surface du défaut éliminée, le niveau de gris d'un pixel traduisant le coefficient de réflexion lumineuse du défaut à l'endroit représenté par le pixel. La surface restante après chaque érosion est représentée à titre illustratif sur la figure 6 dans les cadres associés à chaque itération (iter=1, iter=2,..., iter=7). Le nombre d'itérations et le pas d'érosion appliqué à chaque itération (par exemple 1 pixel) utilisés pour mettre en oeuvre cette méthode d'érosion 25 successive sont choisis en cohérence avec la forme du défaut afin de permettre l'extraction des informations pertinentes sur ce défaut. Dans l'exemple illustré à la figure 6, le défaut est représenté par une tâche entourée d'un anneau clair. A la première itération (iter=1), la surface érodée et considérée pour calculer la moyenne des niveaux de gris des pixels inclut volontairement uniquement une partie « noire » du 30 fond de l'image située à l'extérieur du défaut et entourant celui-ci. Il en résulte une moyenne des niveaux de gris relativement faible (car intégrant uniquement des niveaux de gris très faibles représentatifs de la surface noire entourant le défaut). A la deuxième itération (iter=2), la partie érodée du défaut correspond à l'anneau clair entourant le défaut. Cet anneau clair correspondant à des niveaux de gris élevés, il en résulte un 35 coefficient de réflexion lumineuse maximum. Puis l'érosion est poursuivie et la moyenne des coefficients de réflexion lumineuse diminue pour se stabiliser dans l'exemple représenté à partir de la quatrième itération (iter=4). La valeur « stabilisée » de la moyenne sur les dernières itérations donne la valeur du coefficient de 3053126 21 réflexion lumineuse du défaut, notée RL(DEF). La présence d'un maximum, à la deuxième itération ici, noté RLmax(DEF) et l'allure en pic de la moyenne des niveaux de gris illustre la présence d'un anneau clair autour du défaut. La méthode d'érosion ainsi décrite permet donc d'identifier facilement la présence d'un anneau clair sur le pourtour du défaut. On note qu'en l'absence 5 d'anneau clair, les valeurs RLmax(DEF) et RL(DEF) sont sensiblement les mêmes. Dans le premier mode de réalisation décrit ici, la valeur du coefficient de réflexion lumineuse RL(DEF) est une caractéristique du défaut utilisée par le module de détermination 6B pour déterminer sa signature. Le coefficient de réflexion lumineuse RL(DEF) considéré dans la signature est préférentiellement normalisé, par exemple par rapport à la réflexion lumineuse du 10 substrat revêtu 5 issu de la ligne de dépôt 2 (produit final) ou par rapport à la réflexion lumineuse du verre nu (contraste moyen). Une telle normalisation permet avantageusement de s'affranchir des fluctuations de réglage des différentes caméras du système de contrôle optique. Elle est toutefois optionnelle. Dans la suite de la description, on pourra ainsi considérer indifféremment des coefficients de réflexion et/ou de transmission normalisés ou non normalisés, l'invention 15 s'appliquant indifféremment dans ces deux cas. Le module de détermination 6B ajoute également à la signature du défaut un indicateur de la présence ou non d'un anneau clair autour du défaut détecté comme indiqué précédemment à partir de la valeur RLmax(DEF). En variante, d'autres techniques qu'une méthode d'érosion successive peuvent être 20 utilisées par le module de détermination 6B pour déterminer la signature du défaut et détecter la présence ou non d'un anneau clair autour de celui-ci. Par exemple, le module de détermination 6B peut déterminer un profil d'intensité lumineuse du défaut en évaluant le coefficient de réflexion lumineuse en différents points d'une diagonale du défaut (ex. la plus grande diagonale ou au contraire la plus petite diagonale). L'analyse des différentes valeurs ainsi obtenues du profil 25 d'intensité lumineuse du défaut permet au module de détermination 6B de détecter l'éventuelle présence d'un anneau clair autour du défaut et d'évaluer la valeur moyenne du coefficient de réflexion lumineuse du défaut. Selon une autre variante encore, des profils d'intensité peuvent être déterminés par le module de détermination 6B sur une pluralité de rayons du défaut, puis moyennés pour en extraire 30 la signature du défaut. Puis la signature du défaut ainsi obtenue est comparée par le module d'identification 6C du dispositif de localisation 6 à plusieurs signatures de référence (étape E30) pour identifier le ou les compartiments susceptibles d'être à l'origine du défaut. Dans le mode de réalisation décrit ici, le module d'identification 6C utilise une 35 signature de référence SIGref(i) pour chaque compartiment 15-i, i=1,...,N distinct de la ligne de dépôt 2. Cette signature de référence comprend les mêmes caractéristiques (i.e. les mêmes types de caractéristiques) que la signature du défaut. La signature de référence peut comprendre une unique valeur (i.e. unique point) pour chaque caractéristique ou au contraire comprendre un 3053126 22 intervalle de valeurs pour chaque caractéristique, ou seulement les bornes ou quelques valeurs significatives d'un tel intervalle de valeurs. En variante, plusieurs signatures de référence peuvent être associées à un même compartiment. 5 Dans le premier mode de réalisation décrit ici, les signatures de référence sont générées préalablement (étape E00) et stockées par exemple dans la mémoire non volatile 22 du dispositif de localisation 6. En variante, elles peuvent être stockées sur un espace de stockage distant et être obtenues sur requête par exemple via le module 23 de communication du dispositif de localisation 6. 10 Les signatures de référence sont générées par exemple expérimentalement, à partir d'un tapage réalisé sur chacun des compartiments 15-i, i=1,...,N de la ligne de dépôt 2. Cette procédure consiste à taper les parois et les éléments de chacun des compartiments et à récupérer les débris résultant de ce tapage. L'observation à l'aide du système de contrôle optique 4 des débris ainsi obtenus pour un compartiment et l'analyse des images résultant de cette observation 15 permet d'estimer une signature de référence moyenne associée au compartiment reprenant les mêmes caractéristiques que celles extraites pour le défaut (coefficient de réflexion lumineuse, présence ou non d'un anneau clair dans l'exemple envisagé ici). Autrement dit, à l'issue de l'étape EDO, le dispositif de localisation 6 dispose en mémoire de signatures de référence pour chacun des compartiments 15-i de la ligne de dépôt, ces signatures de référence donnant pour chaque 20 compartiment 15-i un coefficient de réflexion lumineuse moyen dit de référence (le cas échéant, normalisé), moyenné sur plusieurs débris issus du tapage réalisé sur le compartiment 15-i, et un indicateur reflétant en moyenne, la présence ou non d'un anneau clair sur les pourtours des défauts originaires de ce compartiment. En variante, l'indicateur de présence ou non d'un anneau clair inclus dans la signature 25 de référence de chaque compartiment 15-i peut être déterminé en fonction de la position du compartiment 15-i par rapport aux compartiments impliqués dans le dépôt de la couche d'argent. En effet, les inventeurs ont judicieusement établi un rapprochement entre cette position et la présence ou non d'un anneau clair autour du défaut : en raison de la forte émissivité de la couche d'argent, la présence d'un anneau clair autour du défaut sur une image en réflexion d'un défaut 30 affectant un empilement de couches minces comprenant une unique couche d'argent traduit l'apparition probable de ce défaut avant le dépôt de la couche d'argent (i.e. dans un compartiment participant au dépôt du module M1). Inversement, l'absence d'un tel anneau traduit l'apparition probable de ce défaut après le dépôt de la couche d'argent (i.e. dans un compartiment participant au dépôt du module M2). Lors de la détermination des signatures de référence, on peut ainsi 35 affecter directement aux compartiments participant au dépôt des couches formant le module M1 un indicateur reflétant la présence d'un anneau clair, et aux compartiments participant au dépôt des couches formant le module M2 un indicateur reflétant l'absence d'anneau clair. 3053126 23 On note que les signatures de référence ainsi générées dépendent du paramétrage de la ligne de dépôt 2 et notamment des processus de pulvérisation cathodique mis en oeuvre par les cathodes des différents compartiments 15-i. Ainsi, elles dépendent notamment de la puissance appliquée sur chaque cathode, de l'épaisseur de dépôt devant être déposée par chaque cathode, 5 du mélange de gaz dans le compartiment, etc. Les signatures de référence peuvent être déterminées expérimentalement pour chaque condition (chaque paramétrage) de dépôt, en conduisant des expériences de tapage dans ces différentes conditions. En variante, on peut envisager l'utilisation d'un modèle de calcul permettant le passage d'un paramétrage à l'autre. 10 Un tel modèle de calcul est par exemple le suivant, lorsque les signatures de référence correspondent à des intervalles de valeurs. Son application à une valeur unique est immédiate pour l'homme du métier et n'est pas décrite ici. On désigne par e(k,x,y) la contribution d'une cathode k déposant un matériau x sur le substrat dans un module y. Cette contribution est supposée ici proportionnelle à la puissance 15 électrique injectée dans cette cathode, notée P(k,x,y). On note par ailleurs E(x,y) l'épaisseur totale de la couche de matériau x dans le module y. Pour calculer la plage de signatures correspondant à la cathode k, on peut calculer les épaisseurs cumulées limites encadrant la contribution de la cathode k (i.e. correspondant aux bornes de la signature de référence de la cathode k), soit : 20 - pour la borne inférieure : P (i, x, y) e(k - 1, x, y) = E (x, y) P (i, x, y) i.1 -FIE (xi, y) - pour la borne supérieure : P(i, x, y) e(k,x,y) = E (x, y) N -I- 1E (xi, y) EiP (i , x, y) i=1 où Er_ 1 E (xi, y) représente la somme des épaisseurs des couches déposées avant la couche de matériau x. 25 Si F désigne la fonction qui permet à partir de l'épaisseur cumulée de déduire la signature de référence d'un compartiment (F est par exemple une fonction vectorielle fournissant les limites des portions de courbe définissant les signatures de référence, ou une fonction calculant des moyennes sur les portions de courbe), alors les signatures de référence correspondant au nouveau paramétrage sont obtenues en appliquant la fonction F sur les bornes inférieure e(k- 30 1,x,y) et supérieure e(k,x,y) données ci-dessus. Dans une variante de réalisation, les signatures de référence sont générées par simulation ou par calcul. 3053126 24 La figure 7 illustre un exemple de coefficients de réflexion de référence Rref mesurés du côté de l'empilement et obtenus par tapage, et correspondant au dépôt d'un empilement de couches minces selon l'exemple 1 auquel participent une pluralité de cathodes identifiées en abscisse (cathodes K1, K3, K4, etc.), ces cathodes étant comprises dans autant de compartiments 5 (i.e. on a donc une relation univoque entre la cathode indiquée en abscisse et un compartiment de la ligne de dépôt). Sur cet exemple, les coefficients de réflexion de référence Rref ont été générés à partir d'images acquises par quatre caméras distinctes du système de contrôle optique 4 placées de sorte à surveiller différentes zones du substrat revêtu. Au cours de la génération des coefficients de 10 réflexion de référence Rref, on peut soit estimer un coefficient de référence par caméra ou zone du substrat revêtu, soit estimer un coefficient de référence hybride à partir des coefficients de référence obtenues par caméra, par exemple résultant de la moyenne des coefficients de référence obtenues par caméra. Dans l'exemple illustré à la figure 7 on détermine une unique valeur de coefficient de 15 réflexion de référence Rref pour chaque cathode. En variante, on peut déterminer pour chaque cathode non pas une unique valeur de coefficient de réflexion de référence mais un intervalle comprenant plusieurs valeurs possibles du coefficient de réflexion de référence, ou dans une autre variante encore les bornes d'un intervalle de valeurs possibles du coefficient de réflexion de référence. 20 On note que sur la figure 7, les cathodes K9, K9B et K10A correspondent aux cathodes impliquées dans le dépôt de la couche d'argent. Ces cathodes sont connues pour ne pas générer (ou peu générer) de débris. Autrement dit, il est peu probable qu'un défaut affectant l'empilement de couches minces soit originaire d'un compartiment comprenant l'une de ces cathodes. On note par ailleurs dans l'exemple illustré à la figure 7 que certaines cathodes (ou de manière équivalente 25 certains compartiments) sont associées à une même valeur de coefficient de réflexion (par exemple les cathodes K4 et K23). Les coefficients de réflexion de référence Rref peuvent être en variante représentés non pas en fonction des compartiments auxquels ils sont associés mais d'une épaisseur de dépôt dans l'empilement. Dans ce cas, une correspondance entre l'épaisseur du dépôt et le compartiment 30 participant au dépôt correspondant à cette épaisseur est établie et stockée au niveau du dispositif de localisation 6 par exemple dans sa mémoire non volatile 22. Un même compartiment peut être dès lors associé à une ou plusieurs épaisseurs de dépôt, autrement dit, à une ou plusieurs signatures de référence. Dans le premier mode de réalisation décrit ici, la comparaison de la signature du 35 défaut avec les signatures de référence associées aux différents compartiments de la ligne de dépôt 2 est réalisée en deux temps par le module d'identification 6C. Plus précisément, dans un premier temps, le module de d'identification 6C détermine à partir de la signature SIG(DEF) du défaut si celui-ci présente un anneau clair sur son pourtour. 3053126 25 Pour les raisons évoquées précédemment, on suppose ici que les signatures de référence associées aux compartiments de la ligne de dépôt 2 se trouvant avant les compartiments contenant les cathodes de dépôt de la couche d'argent (i.e. compartiments de dépôt des couches minces formant le module M1 contenant les cathodes K1, K3, K4, K5, K5B, K6, K7 et K8 dans 5 l'exemple illustré à la figure 7) comprennent parmi leurs caractéristiques un indicateur reflétant la présencé d'un anneau clair sur le pourtour d'un défaut originaire de ces compartiments. Si le module d'identification 6C détecte à partir de la signature SIG(DEF) du défaut la présence d'un anneau clair sur le pourtour du défaut, le module d'identification 6C associe donc le défaut à l'un des compartiments participant à la formation du module M1 (et correspondant à l'une 10 des cathodes K1, K3, K4, K5, K5B, K6, K7 et K8 dans l'exemple illustré à la figure 7). Si, au contraire, la signature du défaut SIG(DEF) indique l'absence d'anneau clair sur le pourtour du défaut, le module d'identification 6C associe le défaut à l'un des compartiments de la ligne de dépôt se trouvant après les compartiments contenant les cathodes participant au dépôt de la couche d'argent, c'est-à-dire à l'un des compartiments participant au dépôt du module M2 et 15 contenant une cathode parmi les cathodes K11, K12, K13, K19, K21, K27B, K28, K30. Puis dans un second temps, le module d'identification 6C compare le coefficient de réflexion du défaut DEF contenu dans sa signature SIG(DEF) avec les coefficients de réflexion de référence Rref reportés dans les signatures de référence des compartiments précédemment sélectionnés (ou les intervalles de valeurs ou encore les bornes des intervalles définissant les 20 coefficients de réflexion de référence). Il sélectionne alors le compartiment dont le coefficient de réflexion de référence Rref correspond au coefficient de réflexion (ou à l'intervalle ou aux bornes) reporté dans la signature du défaut, c'est-à-dire celui dont la signature de référence correspond à la signature du défaut. Par « correspond à », on entend ici le compartiment dont la signature de référence se rapproche le plus de la signature du défaut, par exemple au sens d'une distance 25 prédéfinie. A cet effet, dans l'exemple illustré à la figure 7 d'une unique valeur du coefficient de réflexion de référence compris dans chaque signature de référence, le module d'identification 6C sélectionne le compartiment parmi tous les compartiments 15-i, i=1,..,N de la ligne de dépôt 2 minimisant une distance prédéfinie, telle qu'une distance euclidienne (aussi appelée « distance de 30 type L2 ») ou une distance en valeur absolue (aussi appelée « distance de type L1 »). Cette distance est calculée entre le coefficient de réflexion contenu dans la signature du défaut SIG(DEF) et le coefficient de réflexion de référence Rref contenu dans la signature du référence SIGref associée au compartiment considéré. On note que lorsque la signature de référence comprend non pas une unique valeurs 35 mais un intervalle de valeurs ou des bornes d'un tel intervalle, le module d'identification 6C peut évaluer de manière équivalente une distance de la signature du défaut à cet intervalle ou à ces bornes et sélectionner le compartiment qui minimise cette distance. 3053126 26 Le compartiment ainsi sélectionné est identifié par le module d'identification 6C comme étant le compartiment à l'origine du défaut DEF affectant le substrat revêtu 5 (étape E40). Suite à cette identification, une opération de maintenance peut être entreprise sur le compartiment identifié. Cette opération peut consister notamment à nettoyer ce compartiment, par 5 exemple en tapant sur ces parois pour en détacher les débris qui y sont déposés. On note que l'analyse des images numériques du défaut fournies par le système de contrôle optique 4 au dispositif de localisation 6 peut permettre d'identifier d'autres informations utiles sur le défaut. Par exemple, lors de l'étape E20 de détermination de la signature du défaut, le module 10 de détermination 6B peut déterminer un gradient de variation du coefficient de réflexion du défaut. Ce gradient peut être aisément déterminé à partir de la courbe d'érosion obtenue en mettant en oeuvre la méthode d'érosion successive ou des valeurs de coefficients de réflexion obtenues le cas échéant sur une diagonale ou sur des rayons du défaut. A partir de la connaissance de ce gradient et de ses variations, le module de 15 détermination 6B peut déduire des informations sur la forme du défaut. Il peut notamment identifier si le défaut est plat (ou relativement plat) lorsque le gradient présente un maximum sur un nombre faible de pixels (typiquement sur un pixel), ou s'il présente une excroissance en trois dimensions lorsque le gradient se maintient à une valeur quasi-constante sur un nombre plus important de pixels. 20 La connaissance de cette information sur la forme du défaut facilite l'identification au sein même d'un compartiment de l'élément à l'origine du débris ayant créé le défaut, et permet d'optimiser l'opération de maintenance effectuée sur le compartiment. Il existe en effet dans chaque compartiment différents boucliers protecteurs disposés autour de la cathode, comme illustré sur la figure 8 au moyen de la référence 25. Selon si les débris proviennent de zones 25 rugueuses de ces boucliers ou de zones planes, ils n'ont pas la même forme et engendrent sur le substrat des formes de défaut différentes. A titre illustratif, un débris provenant d'un bouclier sans grille placé au niveau du plafond du compartiment engendrera un défaut de forme plane. Au contraire, un débris provenant d'un bouclier horizontal sur lequel se trouve une grille métallique comportant des excroissances et situé dans le bas du compartiment engendrera un défaut en trois 30 dimensions. On note que bien que décrit à partir d'une image en réflexion codée en niveaux de gris, acquise à partir d'une source de rayonnement émettant un rayonnement dans le domaine de longueurs d'onde du visible, le premier mode de réalisation qui vient d'être présenté peut également être mis en oeuvre en utilisant une image en réflexion codée en niveaux de gris acquise 35 à partir d'une source de rayonnement opérant dans un autre domaine de longueurs d'onde (ex. infrarouge) ou d'une image en transmission codée en niveaux de gris, obtenue à partir d'une source de rayonnement émettant un rayonnement dans un domaine de longueurs d'onde adapté aux propriétés de réflexion et d'absorption de l'empilement de couches minces considéré. 3053126 27 Dans l'exemple illustré à la figure 7, pour un empilement de couches minces selon l'exemple 1, il suffit au dispositif de localisation 6 d'analyser l'image en réflexion IMR du défaut pour identifier quel est le compartiment à l'origine de ce défaut, l'incertitude sur la localisation du compartiment entre la série de compartiments participant à la formation du module M1 et la série 5 de compartiments participant à la formation du module M2 pouvant être levée aisément comme décrit précédemment grâce à la détection de la présence ou non d'un anneau clair sur le pourtour du défaut. Bien que décrit en référence à un empilement selon l'exemple 1, ce premier mode de réalisation s'applique à d'autres empilements de couches minces formant un système interférentiel, 10 et notamment à l'empilement de l'exemple 3 ainsi qu'à d'autres empilements comprenant une unique couche fonctionnelle. Il peut également s'appliquer lorsque l'empilement de couches minces comprend plusieurs couches fonctionnelles, par exemple deux couches minces d'argent comme dans l'exemple 2 introduit précédemment. 15 Toutefois, pour un tel empilement, il peut s'avérer nécessaire de prendre en compte plusieurs images du défaut (ex. une image en réflexion et une image en transmission) si l'on souhaite identifier de manière plus précise le compartiment à l'origine du défaut affectant l'empilement de couches minces. La figure 9A illustre un exemple de coefficients de réflexion de référence Rref de 20 compartiments participant au dépôt d'un empilement de couches minces conforme à l'exemple 2. Les coefficients de réflexion de référence Rref sont mesurés du côté de l'empilement et sont normalisés par rapport au coefficient de réflexion du substrat de verre revêtu 5 obtenu en sortie de la ligne de dépôt 2. Ils sont représentés en fonction de l'épaisseur de dépôt sur le substrat en verre 3, exprimée en nanomètres (nm). Comme mentionné précédemment, une correspondance 25 entre l'épaisseur du dépôt et le compartiment participant au dépôt d'une couche mince associé à cette épaisseur peut être préétablie et stockée dans la mémoire non volatile 22 du dispositif de localisation 6 pour lui permettre d'identifier le compartiment à l'origine du défaut. Les coefficients de réflexion de référence Rref des compartiments participant au dépôt des couches d'argent, peu générateurs de débris, sont identifiés sur la figure 9A par les références 30 Ag1 (première couche d'argent correspondant à une épaisseur de dépôt sur le substrat variant entre 41 nm et 48 nm) et Ag2 (seconde couche d'argent correspondant à une épaisseur de dépôt sur le substrat variant entre 123 nm et 143 nm) respectivement. Comme il apparaît sur cette figure, une valeur de coefficient de réflexion égale à 0.1 peut correspondre à différentes (i.e. trois) épaisseurs de dépôt différentes et donc à différents 35 compartiments de la ligne de dépôt 2. Il en résulte que si la mise en oeuvre de l'invention pour un empilement selon l'exemple 2 se limite à considérer une signature du défaut constituée d'une unique caractéristique correspondant au coefficient de réflexion du défaut, l'étape d'identification E40 peut mener, en fonction de la valeur de ce coefficient de réflexion, à l'identification d'une 3053126 28 pluralité de compartiments. Dans l'exemple illustré à la figure 9A, l'identification mène à trois compartiments. On note que ce nombre, bien que n'étant pas unitaire, correspond à un nombre relativement réduit de compartiments par rapport à l'ensemble des compartiments appartenant à la ligne de dépôt, ce qui permet de simplifier la maintenance mise en oeuvre sur la ligne de dépôt 5 2. La prise en compte de la présence d'un anneau clair autour du défaut comme décrit précédemment dans la signature du défaut peut permettre de distinguer un défaut originaire d'un compartiment ayant participé au dépôt des couches minces du module M1 d'un compartiment ayant participé au dépôt des couches minces du module M2. Toutefois, cette prise en compte peut 10 s'avérer insuffisante pour distinguer deux compartiments ayant participé au dépôt des couches minces au sein d'un même module (en l'occurrence M2 dans l'exemple illustré à la figure 9A). Pour pallier cette insuffisance, il est possible de considérer pour l'exemple 2, en plus de l'image en réflexion IMR, une image en transmission IMT acquise au moyen d'une source de rayonnement émettant dans le domaine de longueurs d'onde de l'infrarouge (par exemple à une 15 longueur d'onde de 850 nm). Cette source de rayonnement peut être placée dans le système de contrôle optique 4 en remplacement par exemple de la source lumineuse 18-3, ou appartenir à un autre système de contrôle optique placé en sortie de la ligne de dépôt 2. Elle peut être indifféremment une source large bande couvrant au moins une partie du domaine de longueurs d'onde de l'infrarouge, le système de contrôle optique étant alors préférentiellement muni d'une 20 caméra résolue spectralement permettant d'acquérir une image dans l'infrarouge, ou une source de rayonnement résolue spectralement, le système de contrôle optique pouvant dès lors être muni d'une caméra large bande ou d'une caméra résolue spectralement dans le domaine de l'infrarouge. Le module de détermination 6B peut dès lors extraire, à partir de cette image en transmission IMT dans le domaine de l'infrarouge, un coefficient de transmission T(DEF) du défaut, 25 de façon similaire ou identique à ce qui a été décrit précédemment pour extraire le coefficient de réflexion du défaut à partir de l'image en réflexion IMR. Ce coefficient de transmission, éventuellement normalisé, est utilisé comme une caractéristique de la signature du défaut en complément du coefficient de réflexion normalisé extrait à partir de l'image IMR. La signature du défaut SIG(DEF) est donc constituée d'une part, du coefficient de réflexion du défaut déterminé à 30 partir de l'image IMR et, d'autre part, du coefficient de transmission du défaut déterminé à partir de l'image IMT. On n'envisage pas ici dans la signature du défaut d'indicateur de présence d'un anneau clair. La figure 9B illustre les coefficients de transmission de référence Tref des compartiments de la figure 9A participant au dépôt de l'empilement de couches minces conforme à 35 l'exemple 2. Ces coefficients de transmission de référence Tref peuvent être obtenus comme décrit précédemment pour les coefficients de réflexion de référence Rref par tapage sur chacun des compartiments de la ligne de dépôt 2. Dans l'exemple illustré à la figure 9B, les coefficients de transmission de référence Tref sont normalisés par rapport au coefficient de transmission du 3053126 29 substrat de verre revêtu 5 obtenu en sortie de la ligne de dépôt 2. Ils sont représentés en fonction de l'épaisseur de dépôt sur le substrat en verre 3, exprimée en nanomètres (nm). Les coefficients de transmission de référence Tref des compartiments participant au dépôt des couches d'argent sont identifiés sur la figure 9B par les références Ag1 (première couche d'argent correspondant à 5 une épaisseur de dépôt sur le substrat variant entre 41 nm et 48 nm) et Ag2 (seconde couche d'argent correspondant à une épaisseur de dépôt sur le substrat variant entre 123 nm et 143 nm) respectivement. Comme il apparait sur cette figure, un coefficient de transmission de référence Tref égal à 0.71 mène à deux épaisseurs de dépôt possibles. Autrement dit, la prise en compte 10 uniquement d'un coefficient de transmission dans la signature du défaut pourrait mener, en fonction de la valeur de ce coefficient, à identifier deux compartiments potentiellement à l'origine du défaut. Pour avoir une estimation plus précise de la localisation du compartiment à l'origine du défaut, le module d'identification 6C prend en compte dans la signature du défaut à la fois le 15 coefficient de réflexion du défaut et le coefficient de transmission du défaut déterminé par le module de détermination 6B. Chaque signature de référence est alors, de façon similaire, constituée d'une valeur de coefficient de réflexion de référence Rref et d'une valeur de coefficient de transmission de référence Tref. La figure 9C illustre, pour différentes épaisseurs de dépôt (les mêmes que celles 20 considérées aux figures 9A et 9B), le coefficient de réflexion de référence Rref (en abscisse) en fonction du coefficient de transmission de référence Tref appartenant à la même signature de référence. Il apparaît sur cette figure 9C que toutes les signatures de référence correspondant aux différentes épaisseurs de dépôt envisagées sont distinctes. Autrement dit, la comparaison de la signature du défaut SIG(DEF), constituée du 25 coefficient de réflexion du défaut et du coefficient de transmission du défaut, avec les signatures de référence associées aux compartiments permet au module d'identification 6C d'identifier un unique compartiment à l'origine du défaut. Ce compartiment est associé à la signature de référence la plus proche de la signature du défaut, c'est-à-dire minimisant une distance prédéfinie, telle que par exemple la distance euclidienne entre les deux vecteurs correspondant aux signatures 30 comparées, chaque vecteur ayant pour composantes un coefficient de réflexion et un coefficient de transmission. La prise en compte de plusieurs caractéristiques dans la signature du défaut et dans les signatures de référence n'est toutefois pas obligatoire dans le cas d'empilement tel que l'empilement de l'exemple 2. En effet, les inventeurs ont constaté qu'en utilisant une image en 35 transmission acquise à une longueur d'onde judicieusement choisie dans le domaine de l'infrarouge par rapport aux propriétés d'absorption et de réflexion de l'empilement, il est possible à partir d'une signature comprenant une unique caractéristique définie à partir d'un coefficient de 3053126 30 transmission du défaut extrait de cette image, d'identifier de manière précise le compartiment à l'origine du défaut. La figure 10 illustre un exemple de coefficients de transmission de référence Tref normalisés de compartiments participant au dépôt d'un empilement de couches minces conforme à 5 l'exemple 2 et extraits à partir d'images en transmission de défauts résultant d'un tapage sur les compartiments. Dans l'exemple de la figure 10, les images en transmission considérées ont été acquises au moyen d'une source de rayonnement fonctionnant à une longueur d'onde de 1050 nm appartenant donc au domaine de l'infrarouge. Il apparaît sur cette figure que ces coefficients de transmission de référence Tref sont 10 tous distincts en fonction de l'épaisseur du dépôt. Autrement dit, la comparaison d'une signature du défaut constituée d'un unique coefficient de transmission extrait d'une image en transmission acquise à la même longueur d'onde de 1050 nm permet d'identifier de manière unique le compartiment à l'origine du défaut. Dans le premier mode de réalisation qui vient d'être décrit, le système de contrôle 15 optique 4 fournit au dispositif de localisation 6 des images numériques codées en niveaux de gris, et le dispositif de localisation 6 exploite diverses informations contenues dans ces images pour déterminer l'origine d'un défaut affectant l'empilement de couches minces réalisé par la ligne de dépôt 2. L'invention s'applique toutefois à d'autres types d'images, comme décrit maintenant dans le deuxième et le troisième mode de réalisation. 20 La figure 11 représente les principales étapes du procédé de localisation selon l'invention tel qu'il est mis en oeuvre par le dispositif de localisation 6 dans le deuxième mode de réalisation. Dans ce deuxième mode de réalisation de l'invention, le système de contrôle optique 4 est équipé de caméras couleur et fournit des images numériques trichromes codées en rouge vert 25 et bleu (RVB ou RGB pour Red Green Blue en anglais). Par images RVB, on entend préférentiellement ici des images codées selon le standard sRGB. De façon connue en soi, selon le codage RVB, chaque point ou pixel de l'image est codé au moyen de trois grandeurs indiquant respectivement l'intensité de chacune des couleurs primaires rouge, vert et bleu pour ce point. On s'intéresse dans le deuxième mode de réalisation à des images du défaut codées 30 en RVB acquises par le système de contrôle 4 en activant la source lumineuse 18-2 de type RBF ; ces images traduisent un coefficient de réflexion du défaut détecté sur le substrat revêtu 5, pris du côté de l'empilement. Par souci de simplification, on se limite dans la suite de la description à une unique image en réflexion IMR du défaut. Toutefois une démarche similaire peut être appliquée à partir d'une image en transmission. 35 Le dispositif de localisation 6 obtient du système de contrôle optique 4 l'image en réflexion IMR codée en RVB du défaut détecté sur l'empilement de couches minces déposé sur le substrat en verre 3 (étape F10). Cette image IMR est reçue par le dispositif de localisation 6 par l'intermédiaire de son module de communication 23 et de son module d'obtention 6A. 3053126 31 Dans le deuxième mode de réalisation décrit ici, avant d'extraire la signature de référence du défaut DEF de l'image IMR reçue, le dispositif de localisation 6 procède à une conversion de cette image dans un autre espace colorimétrique que l'espace RVB (étape F20). Plus précisément, il réalise une conversion de l'image IMR dans l'espace colorimétrique a*b*L* connu 5 de l'homme du métier. Dans cet espace colorimétrique, L* représente la clarté, et les composantes a* et b* caractérisent l'écart de la couleur du point considéré par rapport à celle d'une surface grise de même clarté. On note que dans cet espace colorimétrique, L* correspond plus ou moins au niveau de réflexion lumineuse du défaut. La conversion d'image est réalisée ici en deux temps par le dispositif de localisation 6 : 10 dans un premier temps il procède à la conversion de l'image IMR codée en RVB dans un espace colorimétrique en X,Y,Z, par exemple comme décrit en détail sur le site web http://www.brucelindbloom.com/index.html?Equations.html. Puis il procède à une conversion de l'image obtenue de l'espace colorimétrique (X,Y,Z) vers l'espace colorimétrique (L*a*b*), comme indiqué en détail sur le site web précité ou sur le site 15 https://fr.wikipedia.org/wiki/CIE L*a*b*Conversions CIE XYZ vers CIE L.2Aa.2Ab.2A. Suite à cette conversion, le dispositif de localisation 6, par l'intermédiaire de son module de détermination 6B, détermine à partir de l'image convertie (notée IMR') la signature SIG(DEF) du défaut (étape F30). A cet effet, il extrait de l'image convertie IMR' les coordonnées selon les composantes a* et b* d'une surface de fond du défaut. Il peut utiliser à cet effet une 20 méthode d'érosion successive comme décrite précédemment. On note aDEF* et bDEF* ces coordonnées. Puis la signature du défaut ainsi obtenue comprenant les composantes aDEF* et bDEF* est comparée par le module d'identification 6C du dispositif de localisation 6 à plusieurs signatures de référence (étape F40), chaque signature de référence SIGref(i) étant basée sur les 25 mêmes caractéristiques que la signature du défaut et étant associée à un compartiment 15-i, i=1,...,N de la ligne de dépôt 2, ou à une épaisseur de dépôt elle-même reliée à un compartiment. Les signatures de référence peuvent être générées préalablement et stockées par exemple dans la mémoire non volatile 22 du dispositif de localisation 6. En variante, elles peuvent être stockées sur un espace de stockage distant et être obtenues sur requête par exemple via le 30 module 23 de communication du dispositif de localisation 6. Comme dans le premier mode de réalisation, les signatures de référence peuvent être générées à partir d'une expérience de tapage, réalisée préalablement sur les compartiments de la ligne de dépôt 2 (étape F00). L'observation à l'aide du système de contrôle optique 4 des débris générés dans chaque compartiment et notamment des images en réflexion codée en RVB de ces 35 débris, permet d'obtenir en moyenne des coordonnées aref*(i) et bref*(i) de référence pour chaque compartiment 15-i, i=1,...,N, ou pour différentes épaisseurs de dépôt associées aux différents compartiments. On note, comme mentionné précédemment pour le premier mode de réalisation, que les correspondances entre les signatures de référence et les différents 3053126 32 compartiments dépendent du paramétrage de la ligne de dépôt 2 et notamment des paramètres de pulvérisation cathodique dans les différents compartiments 15-i. La figure 12 illustre un exemple de coordonnées de référence (aref*,bref*) obtenus pour différentes épaisseurs de couches minces déposées dans les différents compartiments 15-i, 5 i=1,...,N de la ligne de dépôt 2 et conduisant à un empilement de couches minces selon l'exemple 3 décrit précédemment. Sur cette figure, l'axe des abscisses représente la composante aref* et l'axe des ordonnées la composante bref*. Chaque épaisseur correspondant au dépôt réalisé par une cathode de l'un des compartiments est illustrée par un symbole, la forme du symbole dépendant du matériau déposé par cette cathode (ex. losange pour les épaisseurs correspondant 10 au dépôt de la couche de Ti02, carré pour les épaisseurs correspondant au dépôt de la couche de Si02 (L2), etc.). Par souci de lisibilité, les épaisseurs de dépôt correspondant à chaque point reporté sur la figure ont été omises. En outre, par souci de simplification, on suppose ici que chaque signature de référence associée à une épaisseur est composée d'une unique valeur des composantes aref* et bref*. 15 Toutefois, comme mentionné précédemment, on peut envisager en variante que chaque épaisseur soit associée à un intervalle de valeurs aref* et à un intervalle de valeurs bref*, ou aux bornes définissant de tels intervalles. La comparaison de la signature du défaut SIG(DEF) avec les signatures de référence SIGref(i), i=1,...,N est réalisée très simplement au cours de l'étape F40 en cherchant l'épaisseur 20 d'empilement dont la signature de référence est la plus proche de la signature du défaut. Cette épaisseur est ensuite reliée comme indiqué précédemment au compartiment ou à la cathode correspondant à un dépôt à cette épaisseur. Autrement dit, le module d'identification 6C cherche sur la courbe de référence illustrée à la figure 12 le point (aref*,bref*) le plus proche du point (aDEF*,bDEF*) (illustré par une croix sur la figure 12), et en déduit l'épaisseur de dépôt puis le 25 compartiment associé. En variante, lorsque les signatures de référence comprennent un intervalle de valeurs pour aref* et bref* ou les bornes de tels intervalles, le module d'identification 6C cherche la signature de référence la plus proche au sens d'une distance prédéfinie du point (aDEF*,bDEF*) et en déduit l'épaisseur de dépôt puis le compartiment associé. Aucune limitation n'est attachée à la 30 distance considérée : il peut s'agir notamment de la distance de la normale à la courbe définie par les intervalles de référence considérés pour aref* et bref* passant par le point (aDEF*,bDEF*). Le compartiment ainsi déterminé est identifié par le module d'identification 6C du dispositif de localisation 6 comme le compartiment susceptible d'être à l'origine du défaut DEF affectant le substrat revêtu 5 (étape F50). 35 Suite à cette identification, une opération de maintenance peut être entreprise sur le compartiment ainsi identifié. 3053126 33 On note que ce deuxième mode de réalisation peut également être appliqué dans d'autres configurations d'empilement comme par exemple dans une configuration similaire à l'exemple 2 et qui comprend deux couches d'argent. Dans une telle configuration, en cas d'ambiguïté existant sur la localisation précise du 5 compartiment, le module de détermination 6B de la signature du défaut peut ajouter à la signature du défaut la composante LDEF* de la surface de fond du défaut, et générer la composante équivalente Lref* dans les signatures de référence des compartiments. On obtient alors une courbe en trois dimensions illustrant les signatures de référence des compartiments 15-i, i=1,...,N (ou des épaisseurs de dépôt correspondant à ces compartiments), tel qu'illustrée sur la figure 13 pour un 10 autre exemple d'empilement de couches minces à deux couches d'argent. Lors de l'étape de comparaison F40, le module d'identification 6C cherche la signature de référence (point (Lref*,aref*,bref*)) sur cette courbe le plus proche de la signature du défaut (LDEF*,aDEF*,bDEF*) (représenté par une croix sur la figure 13). Le module d'identification 6C identifie alors le compartiment correspondant à la signature de référence ainsi déterminée comme 15 le compartiment à l'origine du défaut DEF. La figure 14 représente les principales étapes du procédé de localisation selon l'invention tel qu'il est mis en oeuvre par le dispositif de localisation 6 dans un troisième mode de réalisation. Dans ce troisième mode de réalisation de l'invention, le système de contrôle optique 4 20 est équipé de caméras hyperspectrales et fournit des images numériques hyperspectrales du défaut détecté sur le substrat revêtu 5. Ces images hyperspectrales sont remarquables en ce qu'elles associent à chaque pixel de l'image un spectre sur une gamme de longueurs d'onde donnée (spectre en réflexion ou en transmission selon la configuration des sources de rayonnement considérée). Chaque spectre est défini comme un vecteur de K composantes Sp(Xk), 25 k=1,...,K où K désigne un entier supérieur à 1, chaque composante Sp(Xk) désignant la valeur de la réflexion (ou réflectance) ou de la transmission du défaut à la longueur d'onde Xk. Le dispositif de localisation 6 obtient donc du système de contrôle optique 4 une image hyperspectrale en réflexion IMR du défaut détecté sur l'empilement de couches minces déposé sur le substrat en verre 3 (étape G10). Cette image IMR est reçue par le dispositif de localisation 6 par 30 l'intermédiaire de son module de communication 23 et de son module d'obtention 6A. Le dispositif de localisation 6, par l'intermédiaire de son module de détermination 6B, détermine alors à partir de l'image hyperspectrale IMR la signature SIG(DEF) du défaut (étape G20). A cet effet, il extrait de l'image IMR le spectre en réflexion de la surface de fond du défaut, par exemple à l'aide d'une méthode d'érosion successive telle que présentée précédemment dans 35 le premier mode de réalisation de l'invention et appliquée sur le spectre en réflexion de chaque pixel (une valeur de coefficient de réflexion est extraite pour chaque longueur d'onde du spectre en réflexion associé à chaque pixel au lieu d'une unique valeur de coefficient de réflexion par pixel comme dans le premier mode de réalisation). 3053126 34 La signature SIG(DEF) déterminée par le module de détermination 6B est donc constituée des K composantes spectrales SpDEF(kk), k=1,...,K ainsi extraites. Puis la signature du défaut SIG(DEF) ainsi obtenue est comparée par le module d'identification 6C du dispositif de localisation 6 à plusieurs signatures de référence (étape G30), 5 chaque signature de référence SIGref(i) étant basée sur les mêmes caractéristiques que la signature du défaut et étant associée à un compartiment 15-i, i=1,...,N de la ligne de dépôt 2. Comme dans les deux premiers modes de réalisation, les signatures de référence peuvent être générées préalablement et stockées par exemple dans la mémoire non volatile 22 du dispositif de localisation 6. En variante, elles peuvent être stockées sur un espace de stockage 10 distant et être obtenues sur requête par exemple via le module 23 de communication du dispositif de localisation 6. Comme dans le premier et le deuxième mode de réalisation décrit, les signatures de référence peuvent être générées à partir d'une expérience de tapage, réalisée préalablement sur les compartiments de la ligne de dépôt 2 (étape G00). L'observation à l'aide du système de 15 contrôle optique 4 des débris générés par chaque compartiment et notamment des images hyperspectrales en réflexion de ces débris, permet d'obtenir des spectres de référence Spref pour chaque compartiment 15-i, i=1,...,N, ou pour différentes épaisseurs de dépôt elles-mêmes associées aux compartiments 15-i, i=1,...,N. On note par ailleurs, comme mentionné précédemment pour le premier et le deuxième 20 mode de réalisation, que les correspondances entre les signatures de référence et les différents compartiments dépendent du paramétrage de la ligne de dépôt 2 et notamment des processus de pulvérisation cathodique dans les différents compartiments 15-i. La figure 15 illustre un exemple de spectres de référence obtenus pour différentes épaisseurs de couches minces déposées par les compartiments 15-i, i=1,...,N de la ligne de dépôt 25 2, pour un empilement de couches minces selon l'exemple 3 décrit précédemment. Sur cette figure, les différents spectres sont donnés en fonction de l'épaisseur du dépôt sur le substrat. Autrement dit, à un même compartiment 15-i, correspond un ensemble de spectres de référence Spref(j), j=31(i),...32(i), où J1(i) et J2(i) désignent deux entiers dépendant de l'indice i, cet ensemble de spectres pouvant être aisément identifié à partir de l'épaisseur du dépôt dont est en 30 charge ce compartiment 15-i. Chaque signature de référence SIGref(i) associée à un compartiment 15-i comprend donc une pluralité de spectres (Spref(J1(i))...Spref(J2(i))), le nombre de spectres 32(i)-J1(i)+1 pouvant varier d'un compartiment à l'autre en fonction de l'épaisseur de la couche mince déposée par le compartiment) et du pas de discrétisation envisagé, et chaque spectre Spref(j), 35 j=31(i),...,32(i) étant défini par un vecteur de K composantes. La comparaison de la signature du défaut SIG(DEF) avec les signatures de référence SIGref(i), i=1,...,N est réalisée au cours de l'étape G30 par le module d'identification 6C en calculant une distance (par exemple définie selon une norme de type L2) entre la signature du 3053126 35 défaut SIG(DEF) et chaque signature de référence SIGref(i). Cette distance est définie, dans le troisième mode de réalisation décrit ici, par : L2(SpDEF - Spref (j)) = 1(SpDEF (k) - Spref (j, k))2 k=1 où j=1,...,J1(1),J1(2),...,J2(N). En variante, chaque signature de référence associée à un compartiment 15-i peut 5 comprendre uniquement deux spectres limites encadrant de part et d'autre la portion de surface définissant les spectres associés à ce compartiment. Dans ce cas, le module d'identification 6C peut procéder en deux temps en identifiant d'abord un premier spectre limite parmi les signatures de référence correspondant au spectre le plus proche de la signature du défaut. Deux compartiments voisins partageant un même spectre limite, il suffit ensuite au module d'identification 6C d'identifier 10 parmi ces deux compartiments voisins lequel correspond à la signature du défaut. En variante, d'autres distances peuvent être utilisées pour comparer la signature du défaut aux signatures de référence, par exemple une distance s'appuyant sur une norme L2 comme celle indiquée ci-dessus mais qui inclut l'application d'un facteur de pondération différent pour les longueurs d'onde (indexées par k) appartenant au domaine de l'ultraviolet. 15 Le module d'identification 6C identifie le compartiment associé à l'indice j minimisant cette distance (étape G40) comme étant le compartiment de la ligne de dépôt 2 à l'origine du défaut affectant le substrat revêtu 5. Suite à cette identification, une opération de maintenance peut être entreprise sur le compartiment ainsi identifié. 20 On note que ce troisième mode de réalisation peut être appliqué de façon identique dans d'autres configurations d'empilement comme par exemple dans une configuration similaire à l'exemple 2 et qui comprend deux couches d'argent. Dans les trois premiers modes de réalisation précédemment décrits, le dispositif de localisation 6 détermine une signature du défaut à partir d'une ou de plusieurs caractéristiques 25 représentatives de propriétés de réflexion et/ou d'absorption du défaut, à savoir notamment un coefficient de réflexion extrait d'une image en réflexion, un coefficient de transmission extrait d'une image en transmission, et compare cette signature de défaut à des signatures de référence associées à chaque compartiment de la ligne de dépôt 2, obtenues par exemple via une expérience de tapage. En fonction des propriétés d'absorption et/ou de réflexion du substrat revêtu 5 et du 30 type d'images fournies par le système de contrôle optique (images en réflexion, en transmission, acquises au moyen de sources de rayonnement émettant dans le domaine de longueurs d'onde du visible ou de l'infrarouge, etc.), une unique caractéristique peut suffire dans la signature pour identifier un unique compartiment susceptible d'être à l'origine du défaut ou au contraire plusieurs caractéristiques peuvent être nécessaires pour identifier cet unique compartiment. On rappelle 35 toutefois que dans un tel contexte, la prise en compte d'une unique caractéristique bien choisie du 3053126 36 défaut permet déjà de réduire drastiquement le nombre de compartiments susceptibles d'être à l'origine du défaut, par rapport au nombre total de compartiments compris dans la ligne de dépôt. Ces trois modes de réalisation s'apparentent en quelque sorte à considérer un arbre décisionnel permettant d'identifier un ou plusieurs compartiments susceptibles d'être à l'origine du 5 défaut. Nous allons maintenant décrire un quatrième mode de réalisation dans lequel l'identification du compartiment à l'origine du défaut est mise à en oeuvre à l'aide d'une méthode d'apprentissage. Dans le quatrième mode de réalisation décrit ici, cette méthode d'apprentissage permet de prendre en compte aisément une pluralité d'arbres décisionnels. 10 La figure 16 représente les principales étapes du procédé de localisation mises en oeuvre par le dispositif de localisation 6, dans ce quatrième mode de réalisation. On suppose ici, comme dans le premier mode de réalisation, que le système de contrôle optique 4 génère, pour chaque défaut détecté en sortie de la ligne de dépôt 2, des images numériques en réflexion et/ou en transmission codées en niveaux de gris. Par souci de 15 simplification, on se limite dans la suite de la description à une image en réflexion IMR codée en niveaux de gris fournie par le système de contrôle optique 4 pour chaque défaut détecté. On note que ce quatrième mode de réalisation s'applique également dans le cas où le système de contrôle optique 4 génère et fournit des images numériques codées en RVB ou des images hyperspectrales. Le dispositif de localisation 6 obtient donc du système de contrôle optique 4 une image 20 IMR codée en niveaux de gris du défaut détecté sur l'empilement de couches minces déposé sur le substrat en verre 3 (étape H10). Cette image IMR est reçue par le dispositif de localisation 6 par l'intermédiaire de son module de communication 23 et de son module d'obtention 6A. Le dispositif de localisation 6, par l'intermédiaire de son module de détermination 6B, détermine ensuite à partir de l'image IMR une signature SIG(DEF) du défaut (étape H20). 25 Préférentiellement la signature du défaut SIG(DEF) comprend une ou plusieurs caractéristiques d'intensité lumineuse du défaut et/ou une ou plusieurs caractéristiques relative à une forme du défaut. Plus précisément, dans le quatrième mode de réalisation décrit ici, la signature du défaut SIG(DEF) comprend : 30 des caractéristiques représentatives d'un profil radial d'intensité lumineuse en réflexion (ou en transmission si l'image reçue est une image en transmission) du défaut. Un tel profil peut comprendre une pluralité de valeurs d'intensité prises sur la plus grande diagonale du défaut (par exemple 8 valeurs, autrement dit 8 caractéristiques) ; des caractéristiques représentatives d'un gradient (pente) d'un profil radial 35 d'intensité lumineuse en réflexion (ou en transmission si l'image reçue est une image en transmission) du défaut. De telles caractéristiques sont à rapprocher de la détection de la présence d'un anneau clair décrit dans le premier mode de réalisation de l'invention ; une caractéristique représentative d'une aire du défaut ; 3053126 37 - une caractéristique représentative d'un ratio d'un périmètre du défaut sur une aire du défaut ; - une caractéristique représentative d'un facteur de forme du défaut ; - une caractéristique représentative d'une intensité lumineuse moyenne en réflexion (ou en transmission si l'image reçue est une image en transmission) du défaut ; et 5 - une caractéristique représentative d'une intensité lumineuse en réflexion (ou en transmission si l'image reçue est une image en transmission) au centre du défaut. L'extraction de ces caractéristiques ne pose pas de difficulté en soi à l'homme du métier et n'est pas décrite en détail ici. Bien entendu, cette liste n'est pas exhaustive et d'autres caractéristiques peuvent être 10 aisément extraites de l'image IMR pour représenter le défaut DEF. Puis la signature du défaut SIG(DEF) ainsi obtenue est comparée par le module d'identification 6C du dispositif de localisation 6 à des signatures de référence (étape H30), chaque signature de référence SIGref(i) étant basée sur les mêmes caractéristiques que la signature du défaut et étant associée à un compartiment 15-i, i=1,...,N distinct de la ligne de dépôt 2. 15 Dans le quatrième mode de réalisation décrit ici, les signatures de référence ont été générées préalablement à partir d'un ensemble dit d'apprentissage constitué d'une pluralité d'images de défauts détectés en sortie de la ligne de dépôt 2 acquises par le système de contrôle optique 4 sur plusieurs jours de production. Pour chacune de ces images, la signature du défaut est déterminée sur la base des mêmes caractéristiques choisies à l'étape H20, et on associe à cette 20 signature (dite de référence) le compartiment à l'origine du défaut ou l'épaisseur de dépôt correspondante. Ce compartiment ou cette épaisseur de dépôt est déterminé(e) expérimentalement, par exemple en réalisant un tapage sur les compartiments de la ligne de dépôt 2 pour chaque défaut détecté, ou en utilisant un procédé de localisation selon l'invention conforme au premier mode de réalisation décrit précédemment. 25 Ces signatures de référence sont ensuite utilisées, dans le quatrième mode de réalisation décrit ici, pour générer des arbres de décision ou arbres décisionnels (étape H00). De façon connue, de tels arbres peuvent être utilisés comme modèle prédictif permettant d'évaluer la valeur d'une caractéristique d'un système depuis l'observation d'autres caractéristiques de ce même système. Autrement dit, dans le cas envisagé ici, il s'agit d'utiliser ces arbres décisionnels 30 entraînés à l'aide des signatures de référence des compartiments de la ligne de dépôt 2 pour prédire le compartiment d'origine du défaut à partir de sa signature. Les arbres décisionnels sont donc créés ici à partir des signatures de référence extraites des images de l'ensemble d'apprentissage et des informations de compartiments associées à ces signatures. Ces arbres décisionnels modélisent donc en soi les signatures de référence de chacun des compartiments 15-i. 35 En utilisant ces arbres décisionnels et un algorithme d'apprentissage basé sur de tels arbres comme par exemple un algorithme dit de forêts d'arbres décisionnels aussi appelé « random decision forest » en anglais, le module d'identification 6C peut « classer » automatiquement la signature du défaut SIG(DEF), c'est-à-dire lui associer une signature de référence voire 3053126 38 directement un compartiment de la ligne de dépôt 2 dont la signature de référence correspond à la signature du défaut. Un tel algorithme d'apprentissage est connu en soi et n'est pas décrit plus en détail ici. Il est par exemple décrit dans le document de T. Hastie et al. Intitulé « The elements of statistical learning - Data Mining, Inference and Prediction », 2ème édition, Springer. 5 En variante, d'autres algorithmes permettant de classer des éléments entre eux (les éléments étant ici des signatures associées à des compartiments) peuvent être considérés, comme par exemple des algorithmes de plus proches voisins, SVM (Support Vector Machine) ou des algorithmes s'appuyant sur des réseaux de neurones. Le module d'identification 6C identifie le compartiment ainsi déterminé par l'algorithme 10 d'apprentissage et correspondant à la signature du défaut comme étant le compartiment à l'origine du défaut (étape H40). Suite à cette identification, une opération de maintenance peut être entreprise sur le compartiment ainsi identifié. Les quatre modes de réalisation précédemment décrits permettent une identification 15 rapide et efficace d'un compartiment d'une ligne de dépôt à l'origine d'un défaut affectant un empilement de couches minces réalisés par la ligne de dépôt. Il convient de noter que ces modes de réalisation ont été décrits en référence à une ligne de dépôt mettant en oeuvre un dépôt par pulvérisation cathodique magnétron. Toutefois, l'invention s'applique à d'autres méthodes de dépôt, susceptibles d'être affectés de problèmes similaires (quel que soit le type de débris et de 20 défauts générés), comme par exemple d'autres méthodes de pulvérisation telles que la pulvérisation par faisceau d'ions (ou IBS pour Ion Beam Sputtering) ou le dépôt assisté par canon à ion (ou IBAD pour Ion Beam Assisted Deposition), ou encore des méthodes de dépôt par évaporation, dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour Chemical Vapor Deposition), dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD pour Plasma-Enhanced CVD), dépôt 25 chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD pour Low-Pressure CVD), etc. REVENDICATIONS1. Procédé de localisation, dans une ligne de dépôt (2) comprenant une succession de compartiments (15-i), d'une origine d'un défaut affectant un empilement de couches minces déposées sur un substrat (3) dans lesdits compartiments, ce procédé comprenant : une étape d'obtention (E10, F10, G10, H10) d'au moins une image représentant ledit défaut acquise par au moins un système de contrôle optique placé en sortie de la ligne de dépôt ; une étape de détermination (E20, F30, G20, H20), à partir de ladite au moins une image, d'une signature du défaut, cette signature comprenant au moins une caractéristique représentative du défaut ; une étape d'identification (E40, F50, G40, H40) d'au moins un compartiment de la ligne de dépôt susceptible d'être à l'origine du défaut à partir de la signature du défaut et en utilisant des signatures de référence associées aux compartiments de la ligne de dépôt. 2. Procédé selon la revendication 1 dans lequel l'étape d'identification comprend une étape de comparaison de la signature du défaut avec une pluralité de signatures de référence associées chacune aux compartiments de la ligne de dépôt, ledit au moins un compartiment identifié comme étant susceptible d'être à l'origine du défaut étant associé à une signature correspondant à la signature du défaut. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2 dans lequel : ladite au moins une image comprend une image en réflexion (IMR) codée en niveaux de gris, et la signature du défaut comprend une caractéristique définie à partir d'un coefficient de réflexion du défaut déterminé à partir de l'image en réflexion ; et/ou ladite au moins une image comprend une image en transmission (IMT) codée en niveaux de gris, et la signature du défaut comprend une caractéristique définie à partir d'un coefficient de transmission du défaut déterminé à partir de l'image en transmission. 4. Procédé selon la revendication 3 dans lequel ledit coefficient est déterminé en utilisant une méthode d'érosion successive appliquée sur le défaut représenté sur l'image codée en niveaux de gris. 5. Procédé selon 3 ou 4 comprenant en outre : - une étape de détermination d'un gradient de variation du coefficient ; et - une étape de détection d'une forme du défaut à partir du gradient de variation déterminé. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 à 5 comprenant une étape de détection d'une présence d'un anneau clair sur le pourtour du défaut représenté sur ladite au 3053126 moins une image, la signature du défaut comprenant une caractéristique traduisant cette présence. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6 dans lequel ladite au moins 5 une image comprend deux images codées en niveaux de gris acquises par ledit au moins un système optique en utilisant deux sources de rayonnement émettant dans deux domaines de longueurs d'onde au moins partiellement distincts. 8. Procédé selon la revendication 1 dans lequel : 10 - ladite au moins une image comprend une image en réflexion ou en transmission codée en rouge, vert et bleu (RVB), le procédé comprend en outre une étape de conversion (F10) de l'image RVB dans un espace colorimétrique L*a*b* ; et la signature du défaut comprend des composantes en a* et b* d'une surface de fond du 15 défaut déterminées à partir de l'image convertie. 9. Procédé selon la revendication 8 dans lequel la signature du défaut comprend en outre une composante en L* du défaut déterminée à partir de l'image convertie. 20 10. Procédé selon la revendication 1 dans lequel ladite au moins une image comprend une image hyperspectrale et la signature du défaut comprend un spectre représentant des valeurs d'un coefficient de réflexion ou d'un coefficient de transmission d'une surface de fond du défaut en fonction d'une longueur d'onde. 25 11. Procédé selon la revendication 10 dans lequel chaque signature de référence associée à un compartiment de la ligne de dépôt comprend une pluralité de spectres correspondant à différentes épaisseurs de la couche déposée dans ledit compartiment. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11 dans lequel les 30 signatures de référence associées aux compartiments de la ligne de dépôt sont déterminées expérimentalement (E00,F00,G00) à partir d'un tapage réalisé sur chacun des compartiments. 13. Procédé selon la revendication 1 dans lequel l'étape d'identification (H40) comprend une application (H30) d'une méthode d'apprentissage automatique sur la signature du 35 défaut, ladite méthode d'apprentissage s'appuyant sur un modèle entraîné (H00) à partir des signatures de référence associées aux compartiments de la ligne de dépôt. 3053126 41 14. Procédé selon la revendication 1 ou 13 dans lequel la signature du défaut déterminée à partir de ladite au moins une image comprend au moins une caractéristique d'intensité lumineuse du défaut et/ou une caractéristique relative à une forme du défaut. 5 15. Procédé selon la revendication 14 dans lequel ladite au moins une caractéristique d'intensité lumineuse du défaut comprend : des caractéristiques représentatives d'un profil radial d'intensité lumineuse du défaut ; et/ou des caractéristiques représentatives d'une pente d'un profil radial d'intensité lumineuse du défaut ; et/ou 10 une caractéristique représentative d'une intensité lumineuse moyenne du défaut ; et/ou une caractéristique représentative d'une intensité lumineuse au centre du défaut. 16. Procédé selon la revendication 14 ou 15 dans lequel ladite au moins une caractéristique relative à une forme du défaut comprend : 15 une caractéristique représentative d'une aire du défaut ; et/ou une caractéristique représentative d'un ratio d'un périmètre du défaut sur une aire du défaut ; et/ou - une caractéristique représentative d'un facteur de forme du défaut. 20 17. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 16 dans lequel l'empilement de couches minces forme un système interférentiel. 18. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 17 dans lequel les signatures de référence associées aux compartiments de la ligne de dépôt dépendent d'un 25 paramétrage de la ligne de dépôt lors du dépôt des couches minces sur le substrat. 19. Programme d'ordinateur comportant des instructions pour l'exécution des étapes du procédé de localisation selon l'une quelconque des revendications 1 à 18 lorsque ledit programme est exécuté par un ordinateur. 30 20. Support d'enregistrement lisible par un ordinateur sur lequel est enregistré un programme d'ordinateur selon la revendication 19 comprenant des instructions pour l'exécution des étapes du procédé de localisation selon l'une quelconque des revendications 1 à 18. 35 21. Dispositif de localisation (6) d'une origine d'un défaut affectant un empilement de couches minces déposées sur un substrat dans une pluralité de compartiments se succédant dans une ligne de dépôt, ce dispositif comprenant : 3053126 42 un module d'obtention (6A) d'au moins une image représentant le défaut acquise par au moins un système de contrôle optique placé en sortie de la ligne de dépôt ; un module de détermination (6B), à partir de ladite au moins une image, d'une signature du défaut, cette signature comprenant au moins une caractéristique représentative du défaut ; 5 un module d'identification (6C) d'au moins un compartiment de la ligne de dépôt susceptible d'être à l'origine du défaut à partir de la signature du défaut et en utilisant des signatures de référence associées aux compartiments de la ligne de dépôt. 22. Système (1) comprenant 10 une ligne de dépôt (2) comprenant une succession de compartiments aptes à déposer un empilement de couches minces sur un substrat ; au moins un système de contrôle optique (4) placé en sortie de la ligne de dépôt configuré pour fournir au moins une image représentant un défaut affectant l'empilement de couches minces déposées sur le substrat ; et 15 un dispositif de localisation (6) selon la revendication 21, apte à identifier parmi la succession de compartiments de la ligne de dépôt au moins un compartiment susceptible d'être à l'origine du défaut.