Brevet FR3049761A1 — publié le 20171006

PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE POUR FORMER UN CIRCUIT INTEGRE MONOLITHIQUE TRIDIMENSIONNEL DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure pour former un circuit intégré monolithique, ainsi qu'une telle structure et un substrat destiné à être utilisé pour la mise en oeuvre dudit procédé. ARRIERE PLAN DE L'INVENTION Les circuits intégrés monolithiques tridimensionnels (3D) sont particulièrement prometteurs en vue d'augmenter la densité et de diminuer la taille des composants électroniques, car ils évitent notamment les problèmes de désalignement desdits composants. La fabrication de tels circuits impliquent de transférer une couche semi-conductrice sur un substrat comprenant déjà au moins un composant électronique, par exemple un transistor. Toutefois, un tel transfert est problématique lorsque ledit composant est susceptible d'être endommagé s'il est soumis à une température supérieure à 400°C. En effet, il n'existe pas à ce jour de procédé permettant de transférer une couche semi-conductrice de bonne qualité cristalline et n'impliquant que des étapes pouvant être mises en oeuvre à une température inférieure à 400°C. Ainsi, une première option serait de former la couche semi-conductrice en la déposant directement sur le substrat comprenant au moins un composant électronique. Toutefois, un tel dépôt réalisé à une température inférieure à 400°C conduit à l'obtention d'une couche polycristalline ou amorphe, ne présentant pas la qualité cristalline requise pour la formation ultérieure d'autres composants électroniques. Une autre option serait d'utiliser le procédé Smart CutTM qui est bien connu pour transférer une couche semi-conductrice d'un substrat donneur vers un substrat receveur. Ce procédé implique la formation d'une zone de fragilisation dans le substrat donneur par 30 implantation d'espèces atomiques, telles que de l'hydrogène et/ou de l'hélium. Cependant, cette implantation génère des défauts dans la couche transférée, qui ne peuvent être guéris à ce jour que par un recuit à une température supérieure à 500°C. Les techniques dites BSOI (acronyme du terme anglo-saxon « Bonded Silicon-Onlnsulator ») et BESOI (acronyme du terme anglo-saxon « Bonded and Etched-Back 35 Silicon-On-Insulator ») pourraient être envisagées pour transférer une couche de silicium à partir d'un substrat massif collé sur un substrat comprenant au moins un composant électronique. Toutefois, ces techniques ne permettent pas de former des couches très 3049761 2 minces ni d'obtenir une énergie de collage satisfaisante si les températures utilisées n'excèdent pas 400°C. BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION 5 Un but de l'invention est donc de concevoir un procédé de fabrication d'une structure comprenant un premier substrat comprenant au moins un composant électronique susceptible d'être endommagé par une température supérieure à 400°C et une couche semi-conductrice s'étendant sur ledit premier substrat, qui permette d'obtenir une couche semi-conductrice présentant les propriétés requises pour l'application visée et 10 qui procure une bonne adhérence entre la couche semi-conductrice et le premier substrat, sans utiliser de température supérieure à 400°C. Conformément à l'invention, il est proposé un procédé de fabrication d'une structure comprenant un premier substrat comprenant au moins un composant électronique susceptible d'être endommagé par une température supérieure à 400°C et une couche 15 semi-conductrice s'étendant sur ledit premier substrat, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : (a) la fourniture d'une première couche métallique de collage sur le premier substrat, dit substrat receveur, (b) la fourniture d'un second substrat, dit substrat donneur, comprenant 20 successivement : - un substrat de base semi-conducteur, - un empilement d'une pluralité de couches épitaxiales semi-conductrices, une couche de SixGei_x, avec 0 x 1 étant située à la surface dudit empilement opposée au substrat de base, 25 - une seconde couche métallique de collage, (c) le collage du premier substrat et du second substrat par l'intermédiaire des première et seconde couches métalliques de collage, (d) l'enlèvement d'une partie du second substrat de sorte à transférer la couche de SixGei_x sur le premier substrat, ledit enlèvement comprenant au moins une gravure sélective d'une couche du second substrat. Ainsi, la couche de SixGei_x présente à la fois une excellente qualité cristalline et une mobilité des porteurs de charges supérieure à celle d'une couche de silicium monocristallin relaxé. Par conséquent, la structure formée est optimale pour la fabrication de circuits intégrés monolithiques tridimensionnels pour des applications de haute performance et/ou de faible puissance. Par ailleurs, le collage métal-métal procure une forte énergie de collage même à une température ne dépassant pas 400°C, cette énergie étant sensiblement supérieure à celle procurée par un collage diélectrique-diélectrique réalisé à une telle température. En outre, 3049761 3 l'interface métal-métal présente l'avantage, contrairement à une interface diélectrique-diélectrique, de ne pas être attaquée par une solution d'acide fluorhydrique éventuellement employée pour la gravure sélective d'au moins une couche du second substrat. 5 Dans le présent texte, une expression du type « couche A sur la couche B » ou « couche B sous-jacente à la couche B » n'implique pas nécessairement que les couches A et B aient une interface commune ; elles peuvent en effet être séparées par une ou plusieurs couches intermédiaires. En revanche, l'expression « couche A directement sur la couche B » signifie que les couches A et B sont en contact l'une avec l'autre. 10 Selon un mode de réalisation, le second substrat comprend une couche diélectrique entre la couche de SixGei_x et la seconde couche métallique de collage. L'épaisseur de ladite couche diélectrique est avantageusement comprise entre 10 et 20 nm. Selon un mode de réalisation, le substrat de base est un substrat de silicium. 15 Selon une forme d'exécution préférée, l'empilement comprend successivement, à partir du substrat de base : - une couche de silicium-germanium présentant une composition variant graduellement sur son épaisseur, - une couche de silicium-germanium présentant une composition constante sur son 20 épaisseur, - une couche de SiyGei_y, avec 0 y 1 et y différent de x, ladite couche de SiyGei_y présentant une composition différente de celle de la couche (212) de silicium-germanium présentant une composition constante sur son épaisseur de sorte à constituer une couche d'arrêt de gravure vis-à-vis de la couche de SixGei-x, 25 - la couche de SixGei-x. De manière particulièrement avantageuse : - la composition de la couche de silicium-germanium présentant une composition variant graduellement sur son épaisseur est Si0,8Ge0,2 à la surface de ladite couche opposée au substrat de base, 30 - la composition de la couche de silicium-germanium présentant une composition constante sur son épaisseur est Si0,8Ge0,2, l'épaisseur de ladite couche étant comprise entre 0,5 pm et 2 pm, - la composition de la couche d'arrêt de gravure est choisie parmi Si et SioeGeo,4, l'épaisseur de ladite couche étant comprise entre 10 nm et 50nm, 35 - la composition de la couche de SixGei_x est choisie parmi Si0,8Ge0,2, Si et Ge, l'épaisseur de ladite couche étant comprise entre 5 et 50 nm. Les première et seconde couches métalliques de collage peuvent comprendre du titane, du nickel, du cuivre et/ou du tungstène. 3049761 4 Selon un mode de réalisation, l'étape (b) comprend les étapes successives suivantes : - la croissance épitaxiale d'une couche de silicium-germanium de composition graduelle sur son épaisseur, 5 - la croissance épitaxiale d'une couche de silicium-germanium de composition constante sur son épaisseur, - le polissage de la couche de silicium-germanium de composition constante, - la croissance épitaxiale d'une couche de SiyGei_y avec 0 y 1 et y différent de x sur la couche de silicium-germanium polie, ladite couche de SiyGei_y présentant une 10 composition différente de celle de la couche de silicium-germanium présentant une composition constante sur son épaisseur, - la croissance épitaxiale de la couche de SixGei_x sur la couche de SiyGei_y, - le dépôt de la seconde couche métallique de collage. Selon une forme d'exécution, l'étape (b) comprend, entre l'étape de croissance 15 épitaxiale de la couche de SixGei_x et l'étape de dépôt de la seconde couche métallique de collage, une étape de dépôt d'une couche diélectrique. L'étape (b) peut comprendre, après l'étape de dépôt de la couche diélectrique, un recuit de densification de ladite couche. De manière particulièrement avantageuse, l'étape (b) comprend en outre la 20 formation, entre la couche diélectrique et la seconde couche métallique de collage, une couche d'un alliage métallique binaire ou ternaire. Selon un mode de réalisation, l'étape (d) comprend l'élimination d'une partie de l'épaisseur du substrat de base par polissage, suivi d'une gravure sélective du reste dudit substrat de base. 25 De manière particulièrement avantageuse, la gravure du substrat de base est réalisée avec une solution de TMAH, KOH, et/ou HF : HNO3. Par ailleurs, l'enlèvement du substrat de base peut être suivi d'une gravure sélective des couches de silicium-germanium de composition constante et de composition graduelle au moyen d'une solution SC1 et/ou une solution de HF : H202 : CH3COOH. 30 Un autre objet concerne un procédé de fabrication d'un circuit intégré monolithique tridimensionnel, comprenant la mise en oeuvre du procédé décrit plus haut. Plus précisément, ce procédé de fabrication d'un circuit intégré monolithique tridimensionnel, comprend : - la fabrication d'une structure comprenant un premier substrat comprenant au 35 moins un composant électronique susceptible d'être endommagé par une température supérieure à 400°C et une couche de SixGei_x s'étendant sur ledit premier substrat au moyen du procédé décrit plus haut, 3049761 5 - la fabrication d'au moins un autre composant électronique dans ou sur la couche de Si,Gei-x. Ledit procédé est remarquable en ce que l'ensemble des étapes mises en oeuvre sur ladite structure sont réalisées à une température inférieure ou égale à 400°C. 5 Un autre objet concerne une structure susceptible d'être obtenue par le procédé décrit plus haut. Ladite structure comprend un premier substrat comprenant au moins un composant électronique susceptible d'être endommagé par une température supérieure à 400°C et une couche semi-conductrice s'étendant sur ledit premier substrat, et est caractérisée en 10 ce que ladite couche semi-conductrice est une couche de SixGei_x, avec 0 x 1 et en ce que ladite structure comprend, entre ledit premier substrat et ladite couche semiconductrice, une couche métallique. Selon un mode de réalisation, ladite structure comprend en outre une couche diélectrique entre la couche métallique et la couche semi-conductrice. 15 De manière avantageuse, la structure comprend, entre la couche métallique et la couche diélectrique, une couche d'un alliage métallique binaire ou ternaire. Ledit au moins un composant électronique peut comprendre un transistor, une mémoire, un photodétecteur, une diode, un laser, un commutateur, un amplificateur et/ou un filtre. 20 Un autre objet concerne un substrat donneur destiné à être utilisé dans le procédé décrit plus haut. Ce substrat donneur comprend successivement : - un substrat de base semi-conducteur, - un empilement d'une pluralité de couches épitaxiales semi-conductrices, une 25 couche de SixGei_x, avec 0 x 1, étant située à la surface dudit empilement opposée au substrat de base, - une couche métallique de collage. Selon un mode de réalisation, le substrat donneur comprend en outre une couche diélectrique entre la couche de SixGei_x et la couche métallique. 30 Ladite couche diélectrique peut présenter une épaisseur comprise entre 10 et 20 nm. Selon un mode de réalisation, le substrat de base est un substrat de silicium. Selon une forme d'exécution préférée, l'empilement comprend successivement, à partir du substrat de base : 35 - une couche de silicium-germanium présentant une composition variant graduellement sur son épaisseur, - une couche de silicium-germanium présentant une composition constante sur son épaisseur, 3049761 6 - une couche de SiyGei_y, avec 0 y 1 et y différent de x, ladite couche de SiyGei_y présentant une composition différente de celle de la couche de silicium-germanium présentant une composition constante sur son épaisseur de sorte à constituer une couche d'arrêt de gravure vis-à-vis de la couche de SixGei-x, 5 - la couche (210) de SixGei-x. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description détaillée qui va suivre, en référence aux dessins annexés sur lesquels : 10 - les figures 1A à 1C sont des vues en coupe d'un substrat donneur selon différents modes de réalisation de l'invention, - la figure 2 est une vue en coupe d'un substrat receveur comprenant au moins un composant électronique, - les figures 3 et 4 illustrent des étapes successives du procédé de fabrication de 15 la structure selon un mode de réalisation de l'invention. Il est précisé que pour des raisons de lisibilité des figures, les différents éléments illustrés ne sont pas nécessairement représentés à l'échelle. Des signes de référence identiques d'une figure à l'autre désignent des éléments identiques ou remplissant la même fonction. 20 DESCRIPTION DETAILLEE DE MODES DE REALISATION DE L'INVENTION Les figures 1A à 1C illustrent différentes variantes du substrat donneur. D'une manière générale, le substrat donneur comprend successivement : - un substrat de base 20, 25 - un empilement 21 d'une pluralité de couches épitaxiales semi-conductrices, parmi lesquelles une couche 210 de SixGei_x, avec 0 x 1, qui est située à la surface dudit empilement opposée au substrat de base 20, ladite couche étant destinée à être transférée sur un autre substrat pour former la structure finale, - une couche métallique de collage 22. 30 Le substrat de base 20 est en un matériau semi-conducteur, ou un empilement de différents matériaux semi-conducteurs. Selon un mode de réalisation particulier, le substrat de base est en silicium monocristallin massif. Sur les figures 1A à 1C, l'empilement 21 est représenté sous la forme de quatre couches 213, 212, 211 et 210. Toutefois, l'homme du métier pourrait faire varier le 35 nombre de couches et leur composition sans pour autant sortir du cadre de l'invention, dès lors qu'une couche sous-jacente à la couche 210 constitue une couche d'arrêt de gravure. En d'autres termes, il est possible de mettre en oeuvre une gravure sélective de l'une au moins des couches de l'empilement vis-à-vis de la couche 210. 3049761 7 De manière avantageuse, les couches de l'empilement sont des couches de silicium, germanium et/ou silicium-germanium. Le GaP peut éventuellement être utilisé car ce matériau présente un paramètre de maille proche de celui du silicium. L'homme du métier est en mesure de choisir la composition de chaque couche (qui peut être, selon les 5 cas, constante ou graduelle sur l'épaisseur) en fonction des propriétés souhaitées pour la couche 210. Selon un mode de réalisation préféré, la couche 213 qui est formée par épitaxie sur le substrat de base 20 est une couche de SiGe présentant une composition variant graduellement sur son épaisseur, de sorte que la composition finale de ladite couche (i.e. 10 à la surface opposée au substrat de base 20) soit par exemple Si0,8Ge0,2. Une couche 212 de silicium-germanium de composition identique à la composition finale de la couche 213 (soit, dans cet exemple, Si0,8Ge0,2) est formée par épitaxie sur ladite couche 213. La composition de la couche 212 est constante sur son épaisseur. La couche 212 est épaisse, c'est-à-dire présentant typiquement une épaisseur comprise 15 entre 0,5 pm et 2 pm. De manière particulièrement avantageuse, on procède à un polissage de la surface de la couche 212 avant de poursuivre l'épitaxie. Une couche 211 en un matériau différent de celui de la couche 212 (par exemple en silicium ou en SicoGe0,4 si la couche 212 est en Si0,8Ge0,2) est formée par épitaxie sur la couche 212. L'épaisseur de la couche 211 est de l'ordre de 10 à 50nm. La couche 211 est 20 une couche d'arrêt de gravure vis-à-vis des couches 212, 213 sous-jacentes. L'homme du métier est à même de choisir la composition de la couche 211 pour procurer une sélectivité de gravure suffisante pour qu'une gravure du substrat de base et/ou des couches 212, 213 n'attaque pas la couche 210 sus-jacente. La couche 210 est formée par épitaxie sur la couche 211. La couche 210 est 25 destinée à être transférée sur un autre substrat pour former la structure finale, comme cela sera expliqué plus bas. La couche 210 est en un matériau différent de celui constituant la couche d'arrêt de gravure 211. Par exemple, la couche 210 est de composition SixGei_x, avec 0 x 1, le matériau de ladite couche étant éventuellement contraint en fonction de la différence de paramètre de maille vis-à-vis de la couche 211 30 sous-jacente. Par exemple, la couche 210 peut être en Si08Ge0,2, en silicium ou en germanium. L'épaisseur de la couche 210 est typiquement comprise entre 5 et 50 nm. La couche métallique 22 peut être formée de l'un des matériaux suivants : nickel, cuivre, tungstène, titane. Ladite couche est généralement déposée par l'une des techniques suivantes : dépôt physique en phase vapeur (PVD), électro-déposition, dépôt 35 chimique en phase vapeur (CVD). L'épaisseur de la couche métallique 22 est typiquement comprise entre 10 et 1000 nm. Dans le mode de réalisation de la figure 1A, la couche métallique 22 est déposée directement sur la couche 210. 3049761 8 Dans le mode de réalisation de la figure 1B, une couche diélectrique 23 est déposée sur la couche 210 avant le dépôt de la couche métallique 22. Une telle couche diélectrique est particulièrement intéressante pour une application de type back-gate pour laquelle on a besoin d'un oxyde enterré. Ladite couche diélectrique présente 5 avantageusement une épaisseur très faible (typiquement comprise entre 10 et 20 nm). Une couche aussi mince n'est ainsi pas affectée par une éventuelle gravure HF car la surface d'attaque au bord est faible pour cette gamme d'épaisseur. La couche diélectrique 23 est généralement déposée par l'une des techniques suivantes : dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD), dépôt par couche atomique (ALD), dépôt 10 chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD), PVD. Le dépôt de ladite couche diélectrique peut être suivi d'un recuit de densification. Dans le mode de réalisation de la figure 1C, une couche 24 d'un alliage métallique binaire ou ternaire est déposée sur la couche diélectrique 23 avant le dépôt de la couche métallique 22. La couche 24 présente l'avantage de favoriser l'adhésion de la couche 15 métallique 22 sur la couche diélectrique 23. Le substrat donneur ainsi formé peut être collé à un autre substrat, dit substrat receveur qui comprend au moins un composant électronique susceptible d'être endommagé par une température supérieure à 400°C. Un tel composant électronique peut être par exemple un transistor, une mémoire, un 20 photodétecteur, une diode, un laser, un commutateur, un amplificateur, un filtre ou une combinaison de ces composants. La figure 2 illustre un mode de réalisation d'un substrat receveur 1. Ledit substrat 1 comprend un substrat de base 12, par exemple en silicium massif, qui supporte une couche diélectrique 13 contenant une pluralité de transistors 10. Lesdits 25 transistors sont de type FinFET (acronyme du terme anglo-saxon « Fin Field Effect Transistor »), qui présentent une structure non planaire. Pour coller le substrat receveur sur le substrat donneur, on forme avantageusement une couche métallique de collage 11 sur la surface du substrat receveur 1 destinée à former l'interface de collage. Ladite couche métallique de collage 11 peut être réalisée en 30 l'un des matériaux suivants : nickel, titane, tungstène, cuivre. Ensuite, comme illustré sur la figure 3, le substrat donneur et le substrat receveur sont collés par l'intermédiaire des couches de collage 22 et 11. Sur cette illustration, le substrat donneur est celui de la figure 1A mais il pourrait naturellement s'agir de celui de la figure 1B ou de celui de la figure 1C. 35 Un tel collage métal-métal peut être réalisé à basse température, c'est-à-dire à une température inférieure à 400°C, tout en procurant une énergie de collage élevée. Ainsi, l'étape de collage n'endommage pas les composants électroniques 10. 3049761 9 Par ailleurs, si une fonction de grille arrière (back gate) est nécessaire dans la structure finale, la couche métallique 11, 22 peut remplir cette fonction. En référence à la figure 4, on transfère la couche 210 du substrat donneur sur le substrat receveur en mettant en oeuvre au moins une étape de gravure de sorte à 5 détacher la couche 210 des couches sous-jacentes du substrat 2. Ladite gravure doit être sélective vis-à-vis de la couche 210 afin de ne pas l'endommager. Dans un premier temps, on peut mettre en oeuvre un polissage mécanique (« grinding » selon la terminologie anglo-saxonne) du substrat de base 20. Ce polissage peut inclure une première étape de polissage grossier (« coarse » selon la terminologie 10 anglo-saxonne ») suivie d'une étape de polissage fin (« fine » selon la terminologie anglo- saxonne). On peut ainsi éliminer la majeure partie du substrat de base 20 jusqu'à laisser subsister quelques micromètres d'épaisseur. Dans un deuxième temps, on peut retirer le reste du substrat de base 20 par un polissage à sec ou par une gravure chimique. Dans le cas d'un substrat de silicium, la 15 composition de gravure est avantageusement TMAH, KOH, ou HF:HNO3. Dans un troisième temps, on peut retirer les couches 213 et 212 par un polissage à sec ou par une gravure chimique. Dans le cas de couches de silicium-germanium, la composition de gravure peut être une composition SC1 (NH4OH:H202:H20) ou HF: H202:CH3COOH. 20 Eventuellement, si la sélectivité de la gravure le permet, on peut également retirer la couche 211 par gravure. Sinon, ladite couche 211 peut être retirée par un polissage à sec. Le cas échéant, les différentes étapes de gravure mentionnées ci-dessus peuvent être mises en oeuvre en combinant différentes compositions de gravure. L'homme du 25 métier est à même de définir la composition adaptée en fonction du matériau à graver. A partir de la structure représentée sur la figure 4, on peut fabriquer au moins un autre composant électronique (non illustré) dans ou sur la couche 210 de SixGei_x. Enfin, il va de soi que les exemples que l'on vient de donner ne sont que des illustrations particulières en aucun cas limitatives quant aux domaines d'application de 30 l'invention. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une structure comprenant un premier substrat (1) comprenant au moins un composant électronique (10) susceptible d'être endommagé par une température supérieure à 400°C et une couche semi-conductrice s'étendant sur ledit premier substrat, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : (a) la fourniture d'une première couche métallique (11) de collage sur le premier substrat (1), (b) la fourniture d'un second substrat (2) comprenant successivement : - un substrat de base (20) semi-conducteur, - un empilement (21) d'une pluralité de couches épitaxiales semi-conductrices, une couche (210) de SixGei_x, avec 0 x 1 étant située à la surface dudit empilement (21) opposée au substrat de base (20), - une seconde couche métallique (22) de collage, (c) le collage du premier substrat et du second substrat par l'intermédiaire des première et seconde couches métalliques (11, 22) de collage, (d) l'enlèvement d'une partie du second substrat de sorte à transférer la couche (210) de SixGei_x sur le premier substrat (1), ledit enlèvement comprenant au moins une gravure sélective d'une couche du second substrat (2). 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le second substrat (2) comprend une couche diélectrique (23) entre la couche (210) de SixGei_x et la seconde couche métallique (22) de collage. 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel l'épaisseur de la couche diélectrique (23) est comprise entre 10 et 20 nm. 4. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le substrat de base (20) est un substrat de silicium. 30 5. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel l'empilement (21) comprend successivement, à partir du substrat de base (20) : - une couche (213) de silicium-germanium présentant une composition variant graduellement sur son épaisseur, 35 - une couche (212) de silicium-germanium présentant une composition constante sur son épaisseur, - une couche (211) de SiyGei_y, avec 0 y 1 et y différent de x, ladite couche de SiyGei_y présentant une composition différente de celle de la couche (212) de silicium- 3049761 11 germanium présentant une composition constante sur son épaisseur de sorte à constituer une couche d'arrêt de gravure vis-à-vis de la couche (210) de SixGe1_X, - la couche (210) de SixGei-x. 5 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel : - la composition de la couche (213) de silicium-germanium présentant une composition variant graduellement sur son épaisseur est Si0,8Ge0,2 à la surface de ladite couche (213) opposée au substrat de base (20), - la composition de la couche (212) de silicium-germanium présentant une 10 composition constante sur son épaisseur est Si08Ge0,2, l'épaisseur de ladite couche (212) étant comprise entre 0,5 pm et 2 pm, - la composition de la couche (211) d'arrêt de gravure est choisie parmi Si et SicoGe0,4, l'épaisseur de ladite couche (211) étant comprise entre 10 nm et 50nm, - la composition de la couche (210) de SixGei_x est choisie parmi Si0,8Ge0,2, Si et Ge, 15 l'épaisseur de ladite couche (210) étant comprise entre 5 et 50 nm. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel les première et seconde couches métalliques de collage comprennent du titane, du nickel, du cuivre et/ou du tungstène. 20 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel l'étape (b) comprend les étapes successives suivantes : - la croissance épitaxiale d'une couche (213) de silicium-germanium de composition graduelle, 25 - la croissance épitaxiale d'une couche (212) de silicium-germanium de composition constante, - le polissage de la couche (212) de silicium-germanium de composition constante, - la croissance épitaxiale d'une couche (211) de SiyGei_y avec 0 y 1 et y différent de x sur la couche (212) de silicium-germanium polie, ladite couche (211) de SiyGei_y présentant une composition différente de celle de la couche (212) de silicium-germanium présentant une composition constante sur son épaisseur, - la croissance épitaxiale de la couche (210) de SixGei_x sur la couche (211) de - le dépôt de la seconde couche métallique de collage (22). 9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel l'étape (b) comprend, entre l'étape de croissance épitaxiale de la couche (210) de SiXGei_x et l'étape de dépôt de la 3049761 12 seconde couche métallique (22) de collage, une étape de dépôt d'une couche diélectrique (23). 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel l'étape (b) comprend, après 5 l'étape de dépôt de la couche diélectrique (23), un recuit de densification de ladite couche. 11. Procédé selon l'une des revendications 9 ou 10, dans lequel l'étape (b) comprend en outre la formation, entre la couche diélectrique (23) et la seconde couche 10 métallique (22) de collage, une couche (24) d'un alliage métallique binaire ou ternaire. 12. Procédé selon l'une des revendications 1 à 11, dans lequel l'étape (d) comprend l'élimination d'une partie de l'épaisseur du substrat de base (20) par polissage, suivi d'une gravure sélective du reste dudit substrat de base (20). 15 13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel la gravure du substrat de base (20) est réalisée avec une solution de TMAH, KOH, et/ou HF : HNO3. 14. Procédé selon l'une des revendications 12 ou 13, dans lequel l'enlèvement du 20 substrat de base (20) est suivi d'une gravure sélective des couches (213, 212) de silicium- germanium de composition constante et de composition graduelle au moyen d'une solution SC1 et/ou une solution de HF : H202 : CH3COOH. 15. Procédé de fabrication d'un circuit intégré monolithique tridimensionnel, 25 caractérisé en ce qu'il comprend : - la fabrication d'une structure comprenant un premier substrat (1) comprenant au moins un composant électronique (10) susceptible d'être endommagé par une température supérieure à 400°C et une couche (210) de s'étendant sur ledit premier substrat au moyen d'un procédé selon l'une des revendications 1 à 14, 30 - la fabrication d'au moins un autre composant électronique dans ou sur la couche (210) de Si,Gei-x, ledit procédé étant en outre caractérisé en ce que l'ensemble des étapes mises en oeuvre sur ladite structure sont réalisées à une température inférieure ou égale à 400°C. 35 16. Structure comprenant un premier substrat (1) comprenant au moins un composant électronique (10) susceptible d'être endommagé par une température supérieure à 400°C et une couche semi-conductrice (210) s'étendant sur ledit premier substrat, caractérisée en ce que ladite couche semi-conductrice (210) est une couche de 3049761 13 SixGei,, avec 0 x 5 1 et en ce que ladite structure comprend, entre ledit premier substat (1) et ladite couche semi-conductrice (210), une couche métallique (11, 22). 17. Structure selon la revendication 16, comprenant en outre une couche 5 diélectrique (23) entre la couche métallique (11, 22) et la couche semi-conductrice (210). 18. Structure selon la revendication 17, comprenant, entre la couche métallique (11, 22) et la couche diélectrique (23), une couche (24) d'un alliage métallique binaire ou ternaire. 10 19. Structure selon l'une des revendications 16 à 18, dans laquelle ledit au moins un composant électronique (10) comprend un transistor, une mémoire, un photodétecteur, une diode, un laser, un commutateur, un amplificateur et/ou un filtre. 15 20. Substrat (2) pour la mise en oeuvre du procédé selon l'une des revendications 1 à 14, caractérisé en ce qu'il comprend successivement : - un substrat de base (20) semi-conducteur, - un empilement (21) d'une pluralité de couches épitaxiales semi-conductrices (210213), une couche (210) de SixGei,, avec 0 5 x 1, étant située à la surface dudit 20 empilement (21) opposée au substrat de base (20), - une couche métallique (22) de collage. 21. Substrat selon la revendication 20, comprenant en outre une couche diélectrique (23) entre la couche (210) de Si'Gei_x et la couche métallique (22). 25 22. Substrat selon la revendication 21, dans lequel ladite couche diélectrique (23) présente une épaisseur comprise entre 10 et 20 nm. 23. Substrat selon l'une des revendications 20 à 22, dans lequel le substrat de 30 base (20) est un substrat de silicium. 24. Substrat selon l'une des revendications 20 à 23, dans lequel l'empilement (21) comprend successivement, à partir du substrat de base (20) : - une couche (213) de silicium-germanium présentant une composition variant 35 graduellement sur son épaisseur, - une couche (212) de silicium-germanium présentant une composition constante sur son épaisseur, 3049761 14 - une couche (211) de SiyGei_y, avec 0 y 1 et y différent de x, ladite couche de SiyGei_y présentant une composition différente de celle de la couche (212) de silicium-germanium présentant une composition constante sur son épaisseur de sorte à constituer une couche d'arrêt de gravure vis-à-vis de la couche (210) de SixGei-x, 5 - la couche (210) de SixGei-x.