Brevet FR3046300A1 — publié le 20170630

DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE ORGANIQUE, MATRICE DE TELS DISPOSITIFS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TELLES MATRICES L'invention concerne un dispositif optoélectronique organique et une matrice de tels dispositifs, de type matrice de photodétecteurs (imageur pixélisé) ou matrice d' affichage. L' invention s' applique notamment, mais pas exclusivement, à la réalisation d'imageurs à rayons X matriciels de grande surface pour la radiologie médicale, le contrôle non destructif ou la sécurité, basés sur un principe de détection indirecte et utilisant, de préférence, des semi-conducteurs organiques. Dans le domaine de l'imagerie par rayons X, deux modes de détection sont couramment employés. Un premier mode, dit mode de détection directe, consiste à utiliser une matrice de photodétecteurs, chaque photodétecteur étant apte à convertir les rayons X qu'il absorbe en charge électrique. Un second mode, dit indirect, consiste à convertir dans un premier temps les rayons X en photons visibles, via un scintillateur, et dans un second temps à utiliser une matrice de photodétecteurs pour convertir les photons visibles produits en charge électrique. L'invention concerne une matrice de pixels pour la détection indirect des rayons X, chaque pixel étant composé d'au moins un transistor (de type TFT pour thin film transistor) couplé à un photodétecteur organique. Dans chacun des pixels, un transistor est couramment relié à une première électrode d'un photodétecteur organique. Une couche adaptée à la photo-conversion de la lumière est couramment déposée sur la première électrode. Cette couche peut par exemple être organique et comporter un mélange nanostructuré de semi-conducteurs de type p et de type n (Li, G., Shrotriya, V., Huang, J., Yao, Y., Moriarty, T., Emery, K., & Yang, Y., 2005, High-efficiency solution processable polymer photovoltaic cells by selforganization of polymer blends, Nature materials, 4(11), 864-868). Une électrode supérieure est ensuite déposée sur la couche de photo-conversion. La figure 1 illustre schématiquement la structure d'une photodiode organique, selon l'art antérieur. L'empilement comporte par exemple un substrat transparent (en verre, polyéthylène naphtalate (PEN) ou en polyéthylène téréphtalate (PET)). Ce substrat est recouvert d'une électrode transparente 3046300 2 métallique (par exemple en oxyde d'indium dopé à l'étain (ITO, acronyme anglais de Indium Tin Oxide), puis d'une couche de collection des trous (HCL, pour Hole Collecting Layer), apte à collecter les trous lors d'une illumination, par exemple réalisée en poly(3,4-éthylènedioxythiophène) et poly(styrène sulfonate) de sodium 5 (PEDOT:PSS). Ces couches sont recouvertes d'une couche adaptée à la photo- conversion, dite couche active, réalisée tel que décrit précédemment. Enfin, la couche active est recouverte d'une couche de collection des électrons (ECL, pour Electron Collecting Layer), par exemple réalisée en aluminium. Dans l'exemple illustré par la figure 1, l'éclairage de la photodiode est réalisé par le substrat 10 transparent : ce mode d'éclairage, ainsi que la structure de la photodiode, sont dit direct. Des couches de transport des porteurs de charges sont reliées électriquement aux couches de collection des porteurs de charges (HCL et ECL). Dans la structure directe illustrée en figure 1, le transport des trous est réalisé par un couche d'ITO et le transport des électrons est réalisé par une couche 15 d' aluminium. La figure 2 illustre schématiquement une photodiode organique de structure dite inverse selon l'art antérieur. La photodiode illustrée comporte un substrat transparent, recouvert d'une couche de transport des électrons (ETL) transparente, elle-même recouverte d'une couche de collections des électrons 20 (ECL) transparente. Ces couches sont recouvertes d'une couche active et d'une couche de collection des trous (HCL). L'HCL est par exemple recouverte d'une couche d'argent, dont la fonction est à la fois de permettre le transport des trous (HTL) et de réfléchir la lumière incidente, provenant du substrat. L'ECL est par exemple réalisée en oxyde de zinc (ZnO) ou en oxyde de titane (TiOx) et la HCL 25 est par exemple réalisée en PEDOT:PSS ou en oxyde métallique tel que l'oxyde de molybdène, l'oxyde de tungstène ou l'oxyde de vanadium. Une structure de ce type est divulguée par Jeong, J. et al., Inverted Organic Photodetectors With ZnO Electron-Collecting Buffer Layers and Polymer Bulk Heterojunction Active Layers, Selected Topics in Quantum Electronics, IEEE Journal of, 20(6), 130-136. 30 Dans les deux structures de photodiode, directe ou inverse, la lumière peut être absorbée par les différentes couches, en particulier par l'électrode supérieure et/ou l'électrode inférieure. La fabrication d'une matrice de photodiodes organiques inverses telle que décrite précédemment est désirable pour des applications en imagerie 3046300 3 médicale. Ce type d'imagerie nécessite des seuils de détection très faibles. Une des manières d'atteindre un seuil de détection faible est de limiter voir de supprimer le courant d'obscurité d'une photodiode, c'est-à-dire le courant résiduel de la photodiode en l'absence d'éclairement lumineux, lorsque la photodiode est 5 polarisée. Un travail de sortie trop élevé du matériau de la couche de collection des électrons favorise une injection parasite de trous de cette couche vers le donneur de la couche active. Une des solutions de l'art antérieur est de réaliser une électrode inférieure (en contact avec le substrat) dans un matériau métallique dont le travail de sortie est inférieur aux matériaux couramment utilisés 10 (généralement l'ITO). Par exemple, l'aluminium et le chrome possèdent un travail de sortie inférieur à l'ITO. Ces matériaux présentent l'inconvénient d'être instables en présence d'air car facilement oxydables. Ce problème technique peut être partiellement résolu, comme décrit par Jeong, J. et al. en utilisant une couche de collection des électrons interstitielle 15 entre l'électrode inférieure et la couche active, dont le rôle est de diminuer le travail de sortie du matériau au contact de la couche active : l'oxyde de zinc (ZnO) peut être utilisé à cet escient. Le ZnO employé est semi-conducteur : son utilisation lors d'un dépôt en plein champ (sans étape de lithographie délimitant des motifs) présente un problème technique, car des courants de fuite peuvent être 20 générés entre les différents pixels d'une matrice de photodiode. Un pixel défectueux, par exemple dans le cas d'un travail de sortie qui n'est accidentellement pas adapté à la couche active, peut induire des courants de fuite à l'ensemble des pixels voisins et rendre la zone de pixels qui l'entoure inadaptée à l'imagerie. Une étape de lithographie permettant de graver la couche de 25 collections des électrons afin de séparer les différents pixels électriquement pourrait être une solution technique. Cette étape n'est pas souhaitable dans un procédé de fabrication dans lequel une succession trop importante des étapes de lithographie nécessaires compromet la réalisation du dispositif et/ou son rendement de production. 30 L'invention vise à remédier aux inconvénients précités de l'art antérieur, et plus particulièrement à réaliser un dispositif optoélectronique organique matriciel dont les courants de fuite sont minimisés tout en permettant une limitation des étapes de photolithographie lors de la fabrication d'un tel dispositif. 3046300 4 Un objet de l'invention permettant d'atteindre ce but, partiellement ou totalement, est un dispositif optoélectronique lcomprenant un empilement de couches minces planaires agencées sur un substrat électriquement isolant, dont au moins : 5 une cathode réalisée dans un matériau de travail de sortie aec ; une couche de collection des électrons agencée au dessus de ladite cathode, réalisée dans un matériau de travail de sortie Di et de résistance par carré R; une couche active comprenant au moins un matériau semi- 10 conducteur organique de type p, de niveau énergétique de la plus haute orbitale moléculaire occupée HOl et un matériau semi-conducteur de type n, adaptée pour émettre ou détecter un rayonnement lumineux, agencée au dessus de ladite couche de collection des électrons ; une couche de collection des trous, agencée au dessus de ladite 15 couche active ; une anode, agencée au dessus de ladite couche de collection des trous ; caractérisé en ce que : ledit travail de sortie (Di de ladite couche de collection des 20 électrons et ledit niveau énergétique HOl de ladite couche active forment une barrière de potentiel apte à bloquer l'injection de trous depuis ladite cathode vers ladite couche active ; ladite résistance par carré R de ladite couche de collection des électrons est supérieure ou égale à 108 12. 25 Avantageusement, ledit travail de sortie aei de ladite couche de collection des électrons du dispositif est strictement inférieur audit travail de sortie aec de ladite cathode. Avantageusement, ledit matériau de ladite couche de collection des électrons du dispositif est choisi parmi l'oxyde de zinc et l'oxyde de titane. 30 3046300 5 Un autre objet de l'invention est un dispositif optoélectronique matriciel comportant une pluralité de dispositifs optoélectroniques et une couche de collection des électrons commune à au moins une partie desdits dispositifs optoélectroniques et matériellement continue entre chacun desdits dispositifs 5 optoélectroniques. Avantageusement, la résistance par carré R de ladite couche de collection commune du dispositif optoélectronique matriciel est apte à bloquer les courants de porteurs de charges entre lesdits dispositifs optoélectroniques de ladite ou desdites parties, dans ledit matériau de ladite couche de collection commune. 10 Avantageusement, la résistivité dudit matériau de ladite couche de collection des électrons commune dudit dispositif optoélectronique matriciel est moins élevée dans la direction de l'épaisseur de ladite couche de collection des électrons que dans une direction du plan principal de ladite couche de collection des électrons. 15 Avantageusement, une dite couche de collection des électrons commune dudit dispositif optoélectronique matriciel comporte des cristallites agencées en colonnes dans la direction de l'épaisseur de ladite couche de collection des électrons. Avantageusement, le dispositif optoélectronique matriciel comporte au 20 moins une couche de stabilisation agencée entre ladite couche de collection des électrons commune et au moins une couche active, dans lequel ladite couche de stabilisation est apte à réduire la dépendance de la résistivité du matériau d'une dite couche de collection des électrons commune en fonction de la luminosité. Avantageusement, le matériau de ladite couche de stabilisation dudit 25 dispositif optoélectronique matriciel est un oxyde opaque de préférence choisi parmi de l'oxyde d'étain, l'oxyde de palladium. Avantageusement, le matériau de ladite couche de collection des électrons commune dudit dispositif optoélectronique matriciel comporte des éléments dopants de type p. 30 3046300 6 Avantageusement, lesdits éléments dopants de type p sont choisis parmi le palladium, le cobalt, le cuivre et le molybdène. Avantageusement, au moins une dite couche de collection des électrons dudit dispositif optoélectronique matriciel comporte des nanoparticules d'oxyde 5 métallique et des polymères polaires, lesdits polymères polaires étant greffés sur lesdites nanoparticules d'oxyde métallique. Avantageusement, au moins un élément choisi parmi un substrat, une cathode , une couche de collection des électrons , une couche active , une couche de collection des trous et une anode dudit dispositif optoélectronique matriciel 10 est transparent. Avantageusement, ledit dispositif optoélectronique matriciel comportant une couche de matériau scintillateur, ladite couche étant agencée au dessus de chaque dite anode. Un autre objet de l'invention est un procédé de fabrication d'un dispositif 15 optoélectronique comprenant un empilement de couches minces planaires agencées sur un substrat électriquement isolant, dont au moins : une cathode réalisée dans un matériau de travail de sortie d)c ; une couche de collection des électrons, agencée au dessus de ladite cathode, réalisée dans un matériau de travail de sortie d)i et de résistance par carré 20 R ; une couche active comprenant au moins un matériau semiconducteur organique de type p, de niveau énergétique de la plus haute orbitale moléculaire occupée H01 et un matériau semi-conducteur de type n, adaptée pour émettre ou détecter un rayonnement lumineux, agencée au dessus de ladite couche 25 de collection des électrons ; une couche de collection des trous, agencée au dessus de ladite couche active ; une anode, agencée au dessus de ladite couche de collection des trous ; 3046300 7 comportant au moins une étape consistant à déposer le matériau d'une dite couche de collection des électrons par pulvérisation cathodique à une température comprise entre 0°C et 100°C dans une atmosphère comportant au moins 1% et préférentiellement au moins 2% massique de dioxygène. 5 Un autre objet de l'invention est un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comprenant un empilement de couches minces planaires agencées sur un substrat électriquement isolant, dont au moins : une cathode réalisée dans un matériau de travail de sortie aec ; une couche de collection des électrons agencée au dessus de ladite 10 cathode, réalisée dans un matériau de travail de sortie Di et de résistance par carré R; une couche active comprenant au moins un matériau semiconducteur organique de type p, de niveau énergétique de la plus haute orbitale moléculaire occupée H01 et un matériau semi-conducteur de type n, adaptée pour 15 émettre ou détecter un rayonnement lumineux, agencée au dessus de ladite couche de collection des électrons ; une couche de collection des trous, agencée au dessus de ladite couche active; une anode, agencée au dessus de ladite couche de collection des 20 trous ; ledit procédé comportant au moins une étape consistant à former une dite couche de collection des électrons par un procédé sol-gel, ledit procédé sol-gel comportant une étape de dépôt d'une solution comportant des polymères précurseurs, lesdits polymères précurseurs étant choisis parmi des acétates 25 métalliques, des nitrates métalliques et des chlorures métalliques. Avantageusement, ladite solution comporte des éléments dopants de type p. Un autre objet de l'invention est un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique matriciel comportant une pluralité de dispositifs 30 optoélectroniques agencés selon un motif, comprenant un empilement de couches minces planaires agencées sur un substrat électriquement isolant, dont au moins : 3046300 8 une cathode réalisée dans un matériau de travail de sortie d)c ; une couche de collection des électrons commune, comportant une première sous-couche et une pluralité de secondes sous-couches, agencée au 5 dessus de chaque dite cathode, réalisée dans un matériau de travail de sortie d)i et de résistance par carré R ; une couche active comprenant au moins un matériau semiconducteur organique de type p, de niveau énergétique de la plus haute orbitale moléculaire occupée H01 et un matériau semi-conducteur de type n, adaptée pour 10 émettre ou détecter un rayonnement lumineux, agencée au dessus de ladite couche de collection des électrons; une couche de collection des trous, agencée au dessus de ladite couche active ; une anode, agencée au dessus de ladite couche de collection des 15 trous ; ledit procédé comportant au moins deux sous-étapes de dépôt de ladite couche de collection des électrons consistant à : déposer une première sous-couche de collection des électrons commune ; 20 déposer une pluralité de secondes sous-couches selon un motif correspondant audit motif desdits dispositifs optoélectroniques. L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages, détails et caractéristiques de celle-ci apparaîtront au cours de la description explicative qui 25 suit, faite à titre d'exemple en référence aux dessins annexés dans lesquels : la figure 3 illustre schématiquement la structure d'un dispositif optoélectronique en structure inverse, selon un mode de réalisation de l'invention; la figure 4 illustre un diagramme de bande correspondant à une structure d'un dispositif optoélectronique selon l'art antérieur ; 3046300 9 la figure 5 illustre un diagramme de bande correspondant à une structure d'un mode de réalisation de l'invention ; la figure 6 illustre schématiquement un dispositif optoélectronique matriciel selon un mode de réalisation de l'invention ; 5 la figure 7 illustre schématiquement un dispositif optoélectronique matriciel, en vue de dessus, selon un mode de réalisation de l'invention ; la figure 8 illustre schématiquement la coupe d'une partie d'un dispositif optoélectronique, comportant une couche de collection des électrons comportant des cristallites ; 10 la figure 9 illustre schématiquement des couches minces agencées sur le substrat d'un dispositif optoélectronique matriciel selon un mode de réalisation de l'invention; la figure 10 illustre dans un diagramme la variation de la concentration de précurseurs d'une réaction sol-gel normalisée ; 15 la figure 11 illustre schématiquement l'influence de la taille de polymères précurseurs sur la distance entre des particules de ZnO ; la figure 12 illustre schématiquement la diminution de la conductivité électrique lors de la présence de résidus organiques dans une couche de collection des électrons ; 20 la figure 13 illustre schématiquement un dispositif optoélectronique matriciel dans lequel la résistance d'une couche de collection des électrons est augmentée par une étape de gravure de ladite couche ; la figure 14 illustre un mode de réalisation de l'invention dans lequel un dispositif optoélectronique matriciel comporte une couche de matériau 25 scintillateur. La figure 1 illustre schématiquement la structure d'un dispositif optoélectronique de l'art antérieur. Le dispositif illustré est une photodiode de structure directe, telle que décrite précédemment. La figure 2 illustre schématiquement une photodiode organique de 30 structure dite inverse selon l'art antérieur. 3046300 10 La figure 3 illustre schématiquement la structure d'un dispositif optoélectronique 1 en structure inverse, selon un mode de réalisation de l'invention. Le dispositif optoélectronique 1 comporte un substrat 2 transparent au dessous duquel le dispositif optoélectronique 1 peut être éclairé. Par transparent, 5 on entend apte à partiellement ou totalement transmettre les ondes électromagnétiques dont les longueurs d'ondes sont comprises dans la plage du visible et/ou des proches ultraviolets et/ou des proches infrarouges. L'éclairage est représenté par les flèches noires dirigées vers le haut dans la figure 3. Le substrat 2 peut être réalisé en verre, en PEN, en PET. Un empilement de couches 10 minces planaires formant partiellement le dispositif optoélectronique 1 est agencé sur le substrat 2. Une cathode 3 est agencée au dessus du substrat 2. La cathode 3 est réalisée dans un matériau dont le travail de sortie est noté aec. Dans des réalisations de l'invention, une cathode 3 peut être réalisée en ITO. La cathode 3 15 peut être aussi qualifiée dans cette structure de couche de transport des électrons, ou ETL (pour Electron Transport Layer). Une couche de collection des électrons 4, est agencée au dessus de la cathode 3. Le travail de sortie du matériau de la couche de collection des électrons 4 est noté aei et la résistance par carré (mesurée en 12/ o et/ou en 12) de la couche 20 de collection des électrons 4 est notée R. Dans des réalisations de l'invention, R est strictement supérieur à 108 12 , préférentiellement strictement supérieur à 101012 et préférentiellement strictement supérieur à 1011 12. La couche de collection des électrons 4 peut être réalisée en oxyde de titane (TiOx) ou en oxyde de zinc (ZnO). Une couche active 5 est agencée au dessus de la couche de collection des 25 électrons 4. Une couche active 5 comporte au moins un matériau semi-conducteur organique de type p, de niveau énergétique de la plus haute orbitale moléculaire occupée noté H01 et un matériau semi-conducteur de type n, et est adaptée pour émettre ou détecter un rayonnement lumineux. La couche active 5 est agencée au dessus de ladite couche de collection des électrons 4. La couche active 5 comporte 30 par exemple un mélange de polymères et de fullerènes. La couche active 5 est par exemple déposée par enduction, dans un solvant de type mésytilène, avec une épaisseur sèche de 200 nm après recuit thermique. Cette couche est un mélange nanostructuré entre un matériau donneur d'électron (poly(3-hexylthiophene)régiorégulier, connu comme P3HT RR) et un matériau accepteur d'électron 3046300 11 (Dil1,4lmethanonaphthaleno [1,2:2',3';56,60:2",31[5,6]fullerene-C60-Ih, connu comme ICBA) avec un rapport massique de 1:2. La couche active 5 peut recouvrir toute la matrice. Elle peut aussi être déposée par pulvérisation (« spray coating ») dans un solvant de type chlorobenzène, avec une épaisseur sèche de 800 nm après 5 recuit thermique. Cette couche peut aussi être un mélange nanostructuré entre un matériau donneur d'électron (Polyl(4,8-bis-(2-ethylhexyloxy)-benzo(1,2-b:4,5- b 1)dithiophene)-2,6-diyl-alt-(4-(2-thylhexanoy1)-thieno [3,4-b] thiophene-)-2-6- diyel, connu comme PBDTTT-C) et un matériau accepteur d'électron ([6,6]Phenyl-C71-butyric acid methyl ester , connu comme rOWCBM) avec un rapport 10 massique de 1:2. Une couche de collection des trous 6 (HCL, pour Holes Collection Layer) est agencée au dessus de la couche active 5. Dans des réalisations de l'invention, la couche de collection des trous 6 est réalisée dans un matériau choisi parmi le PEDOT:PSS, l'oxyde de molybdène (Mo03), l'oxyde de Tungstène (W03) et 15 l'oxyde de Vanadium (V205). Une anode 7 est agencée au dessus de la couche de collection des trous 6. Dans une réalisation de l'invention, l'anode est un réflecteur métallique, par exemple en argent, qui présente l'avantage d'accroitre le rendement énergétique du dispositif optoélectronique 1. L'anode peut aussi être qualifiée de couche de 20 transport des trous ou HTL (pour Holes Transport Layer). Dans des modes de réalisation de l'invention, le travail de sortie Di de la couche de collection des électrons 4 et le niveau énergétique de la plus haute orbitale moléculaire occupée, notée H01, du matériau de type p de la couche active 5 forment une barrière de potentiel apte à bloquer l'injection de trous 25 depuis la cathode 3 vers la couche active 5. Cette barrière est strictement supérieure à 0,3 eV, préférentiellement strictement supérieure à 0,4 eV et préférentiellement strictement supérieure à 0,5 eV. Le détail des niveaux énergétiques des différentes couches du dispositif est décrit dans la figure 5. Dans un mode de réalisation de l'invention, le dispositif optoélectronique 30 est adapté à être éclairé par le dessus. L'anode 7 peut être dans ce cas transparente. Ce mode de réalisation permet d'éviter la diffusion des rayons lumineux incidents au travers du substrat, et d'obtenir une meilleure résolution 3046300 12 dans le cas d'un arrangement matriciel de plusieurs dispositifs optoélectroniques 1. La figure 4 illustre un diagramme de bande correspondant à une structure d'un dispositif optoélectronique selon l'art antérieur. Le travail de sortie de 5 l'anode 7 (noté (DA) et de la cathode 3 (noté (tic) sont définis comme la différence d'énergie entre le niveau de Fermi du matériau de chacune des couches et le niveau d'énergie du vide E0. L'affinité électronique de la couche active 5 est définie par la différence d'énergie entre la plus basse orbitale moléculaire vacante (dite BV ou LUMO) de la couche active 5 et le niveau énergétique du vide E0, et 10 peut être respectivement noté zp, et LA pour le matériau donneur 11 de la couche active 5 et le matériau accepteur 12 de la couche active 5. L'énergie d'ionisation de la couche active 5 est définie par la différence d'énergie entre la plus haute orbitale moléculaire occupée (dite HO ou HOMO) de la couche active 5 et le niveau énergétique du vide E0, et peut être respectivement noté EID et EIA pour le 15 matériau donneur 11 de la couche active 5 et le matériau accepteur 12 de la couche active 5. La HO du donneur 11 de la couche active 5est notée H01. La figure 5 illustre un diagramme de bande correspondant à une structure selon un mode de réalisation de l'invention. La cathode 3 est caractérisée par un 20 travail de sortie noté (tic. Lors de la réalisation de la cathode 3 en ITO, (tic = 4,7 eV. La couche de collection des électrons 4 est caractérisée par une affinité électronique x't et par une énergie d'ionisation EI4. Lors de la réalisation de la couche de collection des électrons 4 en ZnO, x't = 4,2 eV, (Di = 4,2 eV et EI4 = 7,5 eV. La couche active 5 est caractérisée par une affinité électronique zD du donneur 25 11, par une énergie d'ionisation EID du donneur 11, par une affinité électronique x,A de l'accepteur 12 et par une énergie d'ionisation EIA de l'accepteur. Dans le cas d'un mode de réalisation décrit en figure 3, ces niveaux énergétique peuvent correspondre à zD = 3,7 eV, EID = 5,15 eV, LA = 3,9 eV et EIA = 6,0 eV. La couche de collection des trous 6 est caractérisée par un travail de sortie (1:16, qui 30 peut être compris entre 4,9 eV et 5,5 eV lors d'une réalisation de la couche en PEDOT:PSS. Les contacts du dispositif optoélectronique 1 doivent avoir un travail de sortie adapté pour optimiser l'injection et surtout, dans le cadre de l'application 3046300 13 décrite, la collection des charges photo-générées. De manière idéale, le travail de sortie de l'anode 7 est aligné sur la HO du donneur 11 H01 de la couche active 5 et le travail de sortie de la cathode 3 est aligné sur la LUMO de l'accepteur 12 de la couche active 5. 5 Dans des modes de réalisations de l'invention, une cathode 3 en ITO a un travail de sortie (par exemple mesuré par une sonde Kelvin) compris dans une gamme allant de 4,6 eV à 5 eV. Par ailleurs, la plupart des matériaux donneurs 11 de l'art antérieur ont un potentiel d'ionisation compris dans une gamme allant de 4,6 eV à 5.4 eV. Une solution technique, pour éviter l'injection parasite de trous 10 d'une cathode 3 en ITO vers le matériau donneur 11 de la couche active 5 est de diminuer le travail de sortie du matériau en contact avec la couche active 5, par exemple en déposant une couche entre la cathode 3 et la couche active 5, correspondant à la couche de collection des électrons 4. Dans ce mode de réalisation du dispositif optoélectronique 1, on évite 15 l'injection de trous parasites de la cathode 3 vers la couche active 5 et par conséquent on peut minimiser ou supprimer le courant d'obscurité du dispositif optoélectronique 1. Ainsi, dans des modes de réalisation de l'invention, le travail de sortie (Di de la couche de collection des électrons 4 est strictement inférieur au travail de sortie aec de la cathode 3 : les injections de trous parasites peuvent ainsi 20 être minimisées. De manière générale, dans un mode de réalisation de l'invention, une couche de collection des électrons 4 permet à une structure de photodiode inverse de former une ou plusieurs barrières de potentiel aptes à bloquer l'injection de trous depuis ladite cathode 3 vers ladite couche active 5. Cette barrière de potentiel peut être à l'interface entre la couche active 5 et la couche de 25 collection des électrons 4 et/ou à l'interface entre la couche de collection des électrons 4 et la cathode 3. On peut aussi utiliser de la polyéthylènimine ethoxylée (PEIE pour ethoxylated polyethylenimine en anglais) pour réaliser la couche de collection des électrons 4. Dans des modes de réalisation de l'invention, on peut utiliser une 30 couche d'argent évaporé comme anode 7 et un matériau choisi parmi du PEDOT:PSS ou des oxydes métalliques, comme du NiO,xy Cux0y ou Mox0y pour réaliser la couche de collection des trous 6. 3046300 14 La figure 6 illustre schématiquement un dispositif optoélectronique matriciel 8 selon un mode de réalisation de l'invention. Un dispositif optoélectronique matriciel 8 selon l'invention comporte une pluralité de dispositifs optoélectroniques 1. Par exemple, quatre dispositifs optoélectroniques 5 1 sont représentés dans la figure 6. Un dispositif optoélectronique matriciel 8 comporte, selon un mode de réalisation de l'invention, une couche de collection des électrons 4 commune à au moins une partie des dispositifs optoélectroniques 1 et matériellement continue entre chacun des dispositifs optoélectroniques 1 de la partie. Dans des modes de réalisations de l'invention, la couche de collection des 10 électrons 4 communes a une résistance par carré strictement supérieure à 108 12, préférentiellement strictement supérieure à 1010 12 et préférentiellement strictement supérieure à 101112, et peut être apte à bloquer les courants de porteurs de charges entre lesdits dispositifs optoélectroniques 1 de ladite ou desdites parties, dans ledit matériau de ladite couche de collection des électrons 4 15 commune. De cette manière, on peut empêcher les courants de fuite entre différents dispositifs optoélectroniques 1 d'une même matrice, tout en déposant la couche de collection des électrons 4 commune sans étape de lithographie supplémentaire. Dans des modes de réalisation privilégiés de l'invention, la couche de 20 collection des électrons 4 commune est en ZnO. L'épaisseur de la couche de collection des électrons 4 commune peut être supérieure à 1 nm, de préférence comprise entre 5 et 500 nm et préférentiellement comprise entre 10 et 40 nm. La couche de collection des électrons 4 commune est, par exemple, déposée par pulvérisation cathodique. 25 La figure 7 illustre schématiquement un dispositif optoélectronique matriciel 8, en vue de dessus, selon un mode de réalisation de l'invention. Des lignes 13 et des colonnes 14, réalisées en matériau électriquement conducteur, sont reliées à une matrice de TFT 20, permettant de multiplexer les connexions électriques entre chacun des dispositifs optoélectroniques 1 et l'extérieur du 30 dispositif optoélectronique matriciel 8, en vue d'une polarisation et/ou d'une récupération des charges générées par illumination. Les zones grises carrées illustrées dans la figure 7 correspondent aux limites des dispositifs optoélectroniques 1, agencés dans la partie grise. Chaque TFT 20 est relié électriquement à une électrode inférieure du dispositif 3046300 15 optoélectronique matriciel 8, par exemple une cathode 3 dont la géométrie est aussi définie par un carré gris. Le carré en pointillés noirs correspond à un exemple de zone de dépôt de la couche de collection des électrons 4 commune. Cette illustration est schématique pour la compréhension du système : une couche 5 de collection des électrons 4 commune peut recouvrir plusieurs millions de cathodes 3. La figure 8 illustre schématiquement une coupe dans la direction de l'épaisseur des couches d'une partie d'un dispositif optoélectronique 1, comportant une couche de collection des électrons 4 comportant des cristallites 10 16. Les cristallites 16 sont agencées en colonnes dans le sens de l'épaisseur de la couche de collection des électrons 4. Dans un mode de réalisation de l'invention, la couche de collection des électrons 4 commune comporte une pluralité de cristallites 16. Avantageusement, le matériau de la couche de collection des électrons 4 est déposé de manière à croître en colonne à partir de la cathode 3. De 15 cette manière, la conductivité latérale de la couche de collection des électrons 4 (c'est-à-dire dans une direction du plan principal de la couche de collection des électrons 4) est limitée grâce à la présence de défauts de type joints de grains 17. Dans le mode de réalisation illustré en figure 8, la conductivité de la couche de collection des électrons 4 est sensiblement inchangée dans la direction de 20 l'épaisseur de la couche par rapport à une organisation isotrope du matériau de la couche de collection des électrons 4. En revanche, la résistance dans une direction du plan principal de la couche est dépendante de la densité de joints de grains 17 et/ou de cristallites 16. La température de dépôt du matériau de la couche de collection des électrons 4 est aussi une variable de cette résistance latérale. La 25 température de dépôt influence la taille des cristallites de la couche de collection des électrons 4. Particulièrement, lorsque la taille des cristallites 16 augmente (lors d'une augmentation de la température de dépôt par exemple), la densité des joints 17 entre les cristallites 16 diminue est la résistance latérale diminue. A contrario, si la taille des cristallites 16 diminue, la diffusion par les joints 17 de 30 cristallites 16 devient prépondérante et la résistance latérale augmente. De manière plus générale, dans des modes de réalisation de l'invention, la résistivité du matériau de la couche de collection des électrons 4 commune est moins élevée dans la direction de l'épaisseur de ladite couche de collection des électrons 4 que dans une direction du plan principal de ladite couche de collection des électrons 4. 3046300 16 Encore plus généralement, la résistivité du matériau de la couche de collection des électrons 4 est anisotrope dans des modes de réalisation de l'invention. Dans des modes de réalisation de l'invention, le travail de sortie du matériau de la couche de collection des électrons 4, comme celui de ZnO, est 5 préférentiellement compris entre 4 eV et 4,7 eV pour aec = 4,7 eV, xD, = 3,7 eV, EID = 5,15 eV. Un travail de sortie de ce matériau inférieur à 4,7 eV permet de garantir le fonctionnement du dispositif optoélectronique 1 ou du dispositif optoélectronique matriciel 8, et un travail de sortie supérieur à 4 eV permet de minimiser ou supprimer l'injection de porteurs de charges parasites dans le 10 dispositif optoélectronique ou le dispositif optoélectronique matriciel 8. De manière générale, l'oxyde de zinc non dopé est considéré comme un semi-conducteur de type n. Le procédé par lequel la couche de collection des électrons 4 est déposée, en particulier quand le matériau est ZnO, permet de changer ses propriétés de conduction électrique. Pour une température de dépôt 15 ambiante, et une atmosphère comportant plus de 1% en masse de dioxygène, préférentiellement plus de 2% en masse de dioxygène, la résistance d'une couche de collection des électrons 4 en ZnO est comprise entre 109 et 1012 12/^. Pour une température de dépôt comprise entre 100 °C et 400 °C, et en présence de dioxygène, la résistance au carré est sensiblement constante et égale à 1 12/o. 20 D'une manière plus générale, un mode de réalisation de l'invention est un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique 1 et/ou d'un dispositif optoélectronique matriciel 8 comportant au moins une étape consistant à déposer le matériau d'une couche de collection des électrons 4 par une méthode de dépôt de couche mince physique, par exemple par pulvérisation cathodique, à une 25 température comprise entre 0°C et 100°C inclus, dans une atmosphère comportant au moins 1% massique de dioxygène, et préférentiellement 2% massiques de dioxygène. La résistance de la couche de dépôt est réduite par un recuit (traitement thermique) après un dépôt réalisé à une température comprise entre 0°C et 100°C. 30 Par exemple, pour une couche de collection des électrons 4 en ZnO, un traitement thermique à une température supérieure à 200°C entraîne une résistance par carré comprise entre 10 12/^ et 10912/^. Cette diminution de la résistance par traitement thermique peut être attribuée à l'oxydation du ZnO en présence d'air. On peut 3046300 17 ajuster la résistance d'une couche de collection des électrons 4 selon le procédé de dépôt et de recuit de ladite couche. La figure 9 illustre schématiquement les couches minces agencées sur un substrat d'un dispositif optoélectronique matriciel 8 selon un mode de réalisation 5 de l'invention. Les différentes couches sont espacées pour la compréhension du schéma bien qu'elles soient en contact direct dans un mode de réalisation de l'invention. En fonction des paramètres technologiques utilisés lors de la réalisation d'un dispositif optoélectronique matriciel 8, la résistivité du ZnO d'une couche de collection des électrons 4 ne suit pas une évolution simple avec la 10 température de dépôt ou de recuit postérieur au dépôt. La résistivité du matériau de la couche de collection des électrons 4 peut aussi dépendre de son environnement. Par exemple, en présence d'oxygène, un processus d'adsorption et de désorption s'effectue en surface de la couche de collection des électrons 4. Des molécules oxydantes à l'état gazeux, tel que le dioxygène, peuvent être adsorbées 15 à la surface du ZnO et être transformées en ions négatifs 02. Ce processus crée une zone appauvrie en porteurs de charge libres et diminue la conductivité de la surface de la couche de collection des électrons 4 selon l'équation 1: 2(gaz) ± e _). 02- (adsorbé) (1) En présence d'un éclairement, les trous photo-générés peuvent se 20 déplacer vers la surface de la couche de collection des électrons 4 et neutraliser les ions négatifs d'oxygène. Cela conduit à une augmentation de la conductivité à la surface de la couche de collection des électrons 4 selon l'équation 2: 02 + h+ -* 02(gaz) (2) La résistivité et le travail de sortie du matériau de la couche de collection 25 des électrons 4 sont sensibles à la lumière, comme expliqué précédemment. Afin de stabiliser la couche de collection des électrons 4, on peut déposer au dessus de la couche de collection des électrons 4 une couche de stabilisation 10, qui présente une plus grande stabilité à la lumière. Cette couche de stabilisation 10 peut par exemple être réalisée en oxyde d'étain (SnOx) ou d'oxyde de palladium 30 (Pd0x) dont les résistances sont élevées, par exemple strictement supérieures à 108 12/o et préférentiellement strictement supérieures à 1010 12/o. Une couche de stabilisation 10 peut être plus généralement réalisée en matériau de type oxyde opaque. L'épaisseur d'une couche de stabilisation 10 est par exemple comprise 3046300 18 entre 1 et 500 nm et préférentiellement comprise entre 10 et 50 nm. De manière générale, dans un mode de réalisation de l'invention, un dispositif optoélectronique matriciel 8 comporte une couche de stabilisation 10 agencée entre une couche de collection des électrons 4 commune et au moins un couche 5 active 5, la couche de stabilisation 10 étant apte à réduire la dépendance de la résistivité du matériau de la couche de collection des électrons 4 commune en fonction de la luminosité. Dans la figure 9, chaque carré gris correspond à une couche déposée pour la réalisation d'un dispositif optoélectronique matriciel 8 : une couche de stabilisation 10 est déposée entre la couche de collection des 10 électrons 4 commune et une ou plusieurs couches actives 5. Dans des modes de réalisation de l'invention, la couche de collection des électrons 4, la couche de stabilisation 10, la couche active 5, et/ou la couche de collection des trous 6 peuvent être communes à une partie ou à l'ensemble des dispositifs optoélectroniques 1 du dispositif optoélectronique matriciel 8. 15 Une couche de collection des électrons 4 peut être dopée par des éléments, ou impuretés de type p. Ces éléments sont par exemple du cuivre, du nickel, du cobalt, du palladium, du molybdène, du manganèse et/ou du fer. Une impureté de type p présente dans une couche de collection des électrons 4, par exemple en ZnO, permet de limiter la conductivité électrique associée à des 20 porteurs de charges positifs (trous) qui bloquent le courant électrique et augmentent la résistance du matériau de la couche de collection des électrons 4. De manière générale, une couche de collection des électrons 4 commune peut comporter des éléments de type p, et avantageusement du palladium, du cobalt et/ou du cuivre pour former des oxydes isolants ou semi-conducteurs de type p 25 tels que PdO, CoO ou CuO par exemple. Dans des modes de réalisation de l'invention, on utilise une méthode sol-gel pour la réalisation d'une couche de collection des électrons 4. La méthode de dépôt par voie sol-gel présente l'avantage d'être simple à mettre en oeuvre et peu couteuse. La mise en oeuvre d'un procédé sol-gel est décrite ultérieurement. Dans 30 un mode de réalisation de l'invention, un procédé pour la fabrication d'un dispositif optoélectronique 1 et/ou d'un dispositif optoélectronique matriciel 8 comporte au moins une étape consistant à former une dite couche de collection des électrons 4 par un procédé sol-gel, le procédé sol-gel comportant une étape de dépôt d'une solution comportant des polymères précurseurs 15. Les dits 3046300 19 polymères précurseurs 15 peuvent être obtenus à partir d'acétates métalliques, de nitrates métalliques et/ou de chlorures métalliques. Un procédé sol-gel ne nécessite pas d'équipement lourd et spécifique, contrairement à une méthode de pulvérisation dans un vide partiel. Ce procédé 5 consiste à étaler avec une tournette ou avec des équipements d'impression (jet d'encre, sérigraphie) sur un substrat une solution comportant un solvant et des polymères précurseurs 15 du matériau de la couche de collection des électrons 4, par exemple de ZnO. Le solvant est ensuite évaporé et un traitement thermique peut permettre ensuite de cristalliser la couche formée. Généralement, une couche 10 déposée est peu dense et très résistive si la température de traitement thermique post-dépôt est inférieure à 400°C. Dans le cas de la formation de ZnO, la couche de collection des électrons 4 comporte du ZnO et des résidus organiques provenant de la synthèse (par exemple des polymères précurseurs 15, additifs et/ou solvant). Ces résidus de synthèse influencent la conductivité électrique 15 d'une couche de collection des électrons 4. La figure 10 illustre dans un diagramme la variation de la concentration normalisée de polymères précurseurs 15 d'une réaction sol-gel, par analyse gravimétrique, après un traitement thermique ultérieur au dépôt. Plus précisément, le rapport illustré correspond à 1 - (mf - mi)/mi , mf étant la masse finale en 20 polymères précurseurs 15 pour une espèce donnée et m, la masse initiale en polymères précurseurs 15 pour une espèce donnée. La courbe (a), en petits pointillés, illustre ce rapport en fonction de la température du traitement thermique lors de l'utilisation de polymères précurseurs 15 de type nitrate. La courbe (b), en gros pointillés, illustre ce rapport en fonction 25 de la température du traitement thermique lors de l'utilisation de polymères précurseurs 15 de type acétates. La courbe (c), en trait continu, illustre ce rapport en fonction de la température du traitement thermique lors de l'utilisation de polymères précurseurs 15 de type chlorure. La figure 11 illustre schématiquement l'influence de la taille des 30 polymères précurseurs 15 sur la distance entre des particules de ZnO. La nature chimique des polymères précurseurs 15 utilisés est une variable de la distance entre les différentes particules, ou agrégats 18 de ZnO formés lors du procédé sol-gel. De manière générale, la résistance électrique d'une couche de collection des 3046300 20 électrons 4 varie proportionnellement avec la distance d entre les agrégats 18 plus proches voisins de ZnO. Dans des modes de réalisation de l'invention, la température du traitement thermique ultérieur au dépôt et la distance d peuvent être ajustés de manière à ce que la résistance par carré minimal du matériau d'une 5 couche de collection des électrons 4 soit supérieure à 108 n/^. La figure 12 illustre schématiquement la diminution de la conductivité électrique lors de la présence de résidus organiques 19 dans une couche de collection des électrons 4. Les traits en pointillés illustrent des lignes de courants dans des agrégats 18 de ZnO : les résidus 19 sont concentrés aux joints entre les 10 agrégats 18. Les constrictions formées entre les agrégats 18 et la présence de résidusl9 dans ces constrictions sont aptes à rendre le matériau plus résistif électriquement. Dans un mode de réalisation de l'invention, on peut utiliser un procédé de dépôt sol-gel qualifié de procédé par « voie de polymérisation complexe ». Ce 15 procédé comprend les étapes consistant à : ajouter des acétates métalliques et/ou nitrates métalliques et/ou chlorures métalliques dans un solvant de 2-méthoxyéthanol agité, à 50°C, jusqu'à obtenir la dissolution leur dissolution dans le solvant : 20 former un complexe métallique par un ajout d'acide acétique éthanolamine dans le solvant, à 70°C. Les ions formés sont des ions acétates et métalliques ; - attendre pendant une réaction de polymérisation jusqu'à obtention de 25 polymères précurseurs 15, en agitant le solvant, à 70°C ; - déposer la solution de polymères précurseurs 15 sur une cathode 3. Ce procédé présente les avantages d'être adapté à la synthèse de 30 matériaux d'oxydes mixtes ou complexes à partir de sels métalliques communs, tels que les chlorures, les acétates et/ou les nitrates. Avantageusement, on choisit d'utiliser des acétates lors de la mise en oeuvre du procédé décrit au paragraphe précédent : ils sont insensibles à la présence d'eau en solution et donc plus 3046300 21 stables. On évite alors de devoir mettre en oeuvre le procédé sous atmosphère inerte en utilisant des acétates. Avantageusement, les acétates forment après décomposition partielle des oxydes électriquement stables. Leur utilisation permet de réaliser des couches de collection des électrons 4 de manière reproductible. 5 L'emploi d'acide acétique permet d'éviter la précipitation des ions métalliques lors de la seconde étape du procédé sol-gel décrite précédemment, et d'augmenter la durée de vie de la solution préparée pour la mise en ouvre du procédé sol-gel. L'éthanolamine est un complexant et permet de stabiliser et favoriser l'étape de polymérisation du procédé. 10 Dans un mode de réalisation, on peut ajouter des éléments dopants de type p (Pd, Cu, Ni, Co) au cours du procédé sol-gel de manière à diminuer la conductivité de la couche de collection des électrons 4 après traitement thermique. Dans un mode de réalisation de l'invention, on forme une couche de collection des électrons 4 en déposant des nanoparticules de ZnO, greffées de 15 PEIE (polyéthylènimine ethoxylée). Par nanoparticule, on entend une particule dont la taille caractéristique, tel que le diamètre pour une sphère, est comprise entre 0,1 nm et 100 nm. Le PEIE étant un polymère isolant, les couches de collection des électrons 4 réalisées avec des nanoparticules de ZnO greffées par du PEIE ont une résistance par carré très élevée, par exemple supérieure à 1010 20 12/^. Le PEIE peut être greffé aux particules de ZnO par des groupements amines ou hydroxyles. De manière plus générale, un dispositif optoélectronique 1 et/ou un dispositif optoélectronique matriciel 8 peut comporter des nanoparticules d'oxyde métallique et des polymères polaires greffés sur les nanoparticules d'oxyde métallique. 25 La figure 13 illustre schématiquement un dispositif optoélectronique matriciel 8 dans lequel la résistance d'une couche de collection des électrons 4 est augmentée par une réalisation de ladite couche en deux étapes de dépôt, formant deux types de sous-couches. Les deux sous-couches sont séparées par des traits en pointillés sur la figure 13. Un premier dépôt peut être réalisé, formant première 30 une sous-couche 21 d'une épaisseur comprise par exemple entre 10 nm et 15 nm. Cette première sous-couche 21 est commune, et déposée entre les dispositifs optoélectronique 1 (c'est-à-dire entre les différents pixels). Un second dépôt peut être réalisé formant une pluralité de secondes sous-couches 22 plus épaisses. Le dépôt des sous-couches 22 est réalisé selon un motif correspondant au motif de 3046300 22 l'agencement des dispositifs optoélectroniques 1. Le dépôt des secondes sous-couches 22 peut être réalisé au travers d'un masque métallique gravé aux endroits correspondant aux dispositifs optoélectroniques 1. Dans un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique matriciel 5 8, on peut réduire l'épaisseur d'une couche de collection des électrons 4 entre des dispositifs optoélectroniques 1 de manière à augmenter localement la résistance par carré de la couche de collection des électrons 4. Dans un mode de réalisation de l'invention, au moins un élément choisi parmi un substrat 2, une cathode 3, une couche de collection des électrons 4, une 10 couche active 5, une couche de collection des trous 6 et une anode 7 est transparent. La figure 14 illustre un mode de réalisation de l'invention dans lequel un dispositif optoélectronique matriciel 8 comporte une couche de matériau scintillateur 23. Dans des modes de réalisation de l'invention, une couche de 15 matériau scintillateur 23 peut être agencée sur chacune des anodes 7 du dispositif optoélectronique matriciel 8. Par matériau scintillateur, on entend un matériau apte à emmètre de la lumière, par exemple dans le spectre du visible, suite à l'absorption d'un rayonnement ionisant, par exemple suite à l'absorption de rayons X. Avantageusement, une couche de collection des trous 6 et une anode 7 20 sont transparente dans ce mode de réalisation. Ainsi le dispositif 8 peut être apte à imager les rayons X. Dans des modes de réalisation de l'invention, la détection de rayons X peut être directement réalisée dans la couche active. Dans ce cas, il n'est pas nécessaire que le substrat 2, la cathode 3, la couche de collection des électrons 4, 25 la couche de collection des trous 6 et/ou l'anode 7 soient transparents. REVENDICATIONS1. Dispositif optoélectronique (1) comprenant un empilement de couches minces planaires agencées sur un substrat (2) électriquement isolant, dont au moins : une cathode (3) réalisée dans un matériau de travail de sortie aec ; une couche de collection des électrons (4) agencée au dessus de ladite cathode (3), réalisée dans un matériau de travail de sortie Di et de résistance par carré R ; une couche active (5) comprenant au moins un matériau semiconducteur organique de type p, de niveau énergétique de la plus haute orbitale moléculaire occupée HOl et un matériau semi-conducteur de type n, adaptée pour émettre ou détecter un rayonnement lumineux, agencée au dessus de ladite couche de collection des électrons (4) ; une couche de collection des trous (6), agencée au dessus de ladite couche active (5) ; une anode (7), agencée au dessus de ladite couche de collection des trous (6) ; caractérisé en ce que : ledit travail de sortie (Di de ladite couche de collection des électrons (4) et ledit niveau énergétique HOl de ladite couche active (5) forment une barrière de potentiel apte à bloquer l'injection de trous depuis ladite cathode (3) vers ladite couche active (5) ; ladite résistance par carré R de ladite couche de collection des électrons (4) est supérieure ou égale à 108 12. 2. Dispositif optoélectronique (1) selon la revendication précédente dans lequel ledit travail de sortie (Di de ladite couche de collection des électrons (4) est strictement inférieur audit travail de sortie aec de ladite cathode (3). 3046300 24 3. Dispositif optoélectronique (1) selon l'une des revendications précédente dans lequel ledit matériau de ladite couche de collection des électrons (4) est choisi parmi l'oxyde de zinc et l'oxyde de titane. 5 4. Dispositif optoélectronique matriciel (8) comportant une pluralité de dispositifs optoélectroniques (1) selon l'une des revendications 1 à 3 et une couche de collection des électrons (4) commune à au moins une partie desdits dispositifs optoélectroniques (1) et matériellement continue entre chacun desdits dispositifs optoélectroniques (1). 10 5. Dispositif optoélectronique matriciel (8) selon la revendication 4 dans lequel ladite résistance par carré R de ladite couche de collection (4) commune est apte à bloquer les courants de porteurs de charges entre lesdits dispositifs optoélectroniques (1) de ladite ou desdites parties, dans 15 ledit matériau de ladite couche de collection (4) commune. 6. Dispositif optoélectronique matriciel (8) selon l'une des revendications 4 à 5 dans lequel la résistivité dudit matériau de ladite couche de collection des électrons (4) commune est moins élevée dans la direction de 20 l'épaisseur de ladite couche de collection des électrons (4) que dans une direction du plan principal de ladite couche de collection des électrons (4). 7. Dispositif optoélectronique matriciel (8) selon la revendication précédente dans lequel une dite couche de collection des électrons (4) commune 25 comporte des cristallites (16) agencées en colonnes dans la direction de l'épaisseur de ladite couche de collection des électrons (4). 8. Dispositif optoélectronique matriciel (8) selon l'une des revendications 4 à 7 comportant au moins une couche de stabilisation (10) agencée entre 30 ladite couche de collection des électrons (4) commune et au moins une couche active (5), dans lequel ladite couche de stabilisation (10) est apte à réduire la dépendance de la résistivité du matériau d'une dite couche de collection des électrons (4) commune en fonction de la luminosité. 3046300 25 9. Dispositif optoélectronique matriciel (8) selon la revendication 8 dans lequel le matériau de ladite couche de stabilisation (10) est un oxyde opaque de préférence choisi parmi de l'oxyde d'étain, l'oxyde de palladium. 5 10. Dispositif optoélectronique matriciel (8) selon l'une des revendications 4 à 9 dans lequel le matériau de ladite couche de collection des électrons (4) commune comporte des éléments dopants de type p. 10 11. Dispositif optoélectronique matriciel (8) selon la revendication précédente dans lequel lesdits éléments dopants de type p sont choisis parmi le palladium, le cobalt, le cuivre et le molybdène. 12. Dispositif optoélectronique matriciel (8) selon l'une des revendications 15 précédentes dans lequel au moins une dite couche de collection des électrons comporte des nanoparticules d'oxyde métallique et des polymères polaires, lesdits polymères polaires étant greffés sur lesdites nanoparticules d'oxyde métallique. 20 13. Dispositif optoélectronique matriciel (8) selon l'une des revendications 4 à 12 dans lequel au moins un élément choisi parmi un substrat (2), une cathode (3), une couche de collection des électrons (4), une couche active (5), une couche de collection des trous (6) et une anode (7) est transparent. 25 14. Dispositif optoélectronique matriciel (8) selon la revendication précedente comportant une couche de matériau scintillateur (23), ladite couche étant agencée au dessus de chaque dite anode (7). 15. Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (1,8) selon l'une 30 des revendications 1 à 14 comprenant un empilement de couches minces planaires agencées sur un substrat (2) électriquement isolant, dont au moins : une cathode (3) réalisée dans un matériau de travail de sortie aec ; 3046300 26 une couche de collection des électrons (4), agencée au dessus de ladite cathode (3), réalisée dans un matériau de travail de sortie Di et de résistance par carré R ; une couche active (5) comprenant au moins un matériau semi- 5 conducteur organique de type p, de niveau énergétique de la plus haute orbitale moléculaire occupée HOl et un matériau semi-conducteur de type n, adaptée pour émettre ou détecter un rayonnement lumineux, agencée au dessus de ladite couche de collection des électrons (4) ; une couche de collection des trous (6), agencée au dessus de ladite 10 couche active (5) ; une anode (7), agencée au dessus de ladite couche de collection des trous (6) ; comportant au moins une étape consistant à déposer le matériau d'une dite couche de collection des électrons (4) par pulvérisation cathodique à une 15 température comprise entre 0°C et 100°C dans une atmosphère comportant au moins 1% massique de dioxygène. 16. Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (1,8) selon l'une des revendications 1 à 14 comprenant un empilement de couches minces 20 planaires agencées sur un substrat (2) électriquement isolant, dont au moins : une cathode (3) réalisée dans un matériau de travail de sortie aec ; une couche de collection des électrons (4) agencée au dessus de ladite cathode (3), réalisée dans un matériau de travail de sortie Di et de 25 résistance par carré R ; une couche active (5) comprenant au moins un matériau semiconducteur organique de type p, de niveau énergétique de la plus haute orbitale moléculaire occupée HOl et un matériau semi-conducteur de type n, adaptée pour émettre ou détecter un rayonnement lumineux, 30 agencée au dessus de ladite couche de collection des électrons (4) ; une couche de collection des trous (6), agencée au dessus de ladite couche active (5) ; une anode (7), agencée au dessus de ladite couche de collection des trous (6) ; 3046300 27 ledit procédé comportant au moins une étape consistant à former une dite couche de collection des électrons (4) par un procédé sol-gel, ledit procédé sol-gel comportant une étape de dépôt d'une solution comportant des polymères précurseurs (15), lesdits polymères précurseurs (15) étant 5 choisis parmi des acétates métalliques, des nitrates métalliques et des chlorures métalliques. 17. Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (1,8) selon la revendication précédente dans lequel ladite solution comporte des 10 éléments dopants de type p. 18. Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique matriciel (8) selon l'une des revendications 4 à 14 comportant une pluralité de dispositifs optoélectroniques (1) selon l'une des revendications 1 à 3 agencés selon un 15 motif, comprenant un empilement de couches minces planaires agencées sur un substrat (2) électriquement isolant, dont au moins : une cathode (3) réalisée dans un matériau de travail de sortie aec ; une couche de collection des électrons (4) commune, comportant une 20 première sous-couche 21 et une pluralité de secondes sous-couches 22, agencée au dessus de chaque dite cathode (3), réalisée dans un matériau de travail de sortie Di et de résistance par carré R ; une couche active (5) comprenant au moins un matériau semiconducteur organique de type p, de niveau énergétique de la plus haute 25 orbitale moléculaire occupée H01 et un matériau semi-conducteur de type n, adaptée pour émettre ou détecter un rayonnement lumineux, agencée au dessus de ladite couche de collection des électrons (4) ; une couche de collection des trous (6), agencée au dessus de ladite couche active (5) ; 30 une anode (7), agencée au dessus de ladite couche de collection des trous (6) ; ledit procédé comportant au moins deux sous-étapes de dépôt de ladite couche de collection des électrons (4) consistant à : 3046300 28 déposer une première sous-couche (21) de collection des électrons 4 commune ; déposer une pluralité de secondes sous-couches (22) selon un motif correspondant audit motif desdits dispositifs optoélectroniques (1). 5