Brevet FR3047355A1 — publié le 20170804

STRUCTURE HYBRIDE POUR DISPOSITIF A ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne le domaine des dispositifs à ondes acoustiques de surface. Elle concerne en particulier une structure hybride adaptée pour la fabrication 10 de dispositifs à ondes acoustiques de surface. ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L'INVENTION 15 Les structures de résonateurs acoustiques tels que les dispositifs à ondes acoustiques de surface (« SAW » pour « Surface Acoustic Wave » selon la terminologie anglo-saxonne) utilisent un ou plusieurs transducteurs interdigités élaborés sur un substrat piézoélectrique pour convertir des signaux 20 électriques en ondes acoustiques et vice versa. De tels dispositifs ou résonateurs SAW sont souvent utilisés dans les applications de filtrage. La technologie SAW à radiofréquences (RF) fournit d'excellentes performances telles qu'une haute isolation et de faibles pertes d'insertion. Pour cette raison, 25 elle est utilisée pour les duplexeurs RF dans les applications de communication sans fil. Néanmoins, pour être plus concurrentielle par rapport aux duplexeurs RF basés sur la technologie des ondes acoustiques de volume (« BAW » pour « Bulk Acoustic Wave »), la performance des dispositifs SAW RF 30 doit être améliorée et l'on exige en particulier que la réponse en fréquence soit stable vis-à-vis de la température. La dépendance de la fréquence de fonctionnement des dispositifs SAW vis-à-vis de la température, ou le coefficient de fréquence thermique (« TCF » pour « Temperature Coefficient 3047355 2 of Frequency »), dépend d'une part des variations de l'espacement entre les électrodes interdigitées des transducteurs, qui sont généralement dues aux coefficients de dilatation thermique (« CTE » pour « Coefficient of Thermal 5 Expansion ») relativement élevés des substrats piézoélectriques utilisés ; d'autre part, le TCF dépend du coefficient de vitesse thermique car la dilatation ou la contraction du substrat piézoélectrique s'accompagne d'une augmentation ou d'une diminution de la vitesse de l'onde acoustique de surface. Pour minimiser le coefficient de fréquence thermique (TCF), un objectif est donc de minimiser la dilatation/contraction du substrat piézoélectrique, notamment dans la zone de surface dans laquelle les ondes acoustiques vont se propager. L'article de K.Hashimoto, M.Kadota et al, « Recent development of temperature compensated SAW devices », IEEE Ultrason. Symp. 2011, pages 79 à 86, 2011, donne une vue d'ensemble des approches couramment utilisées pour surmonter le problème de dépendance vis-à-vis de la température de la réponse en fréquence des dispositifs SAW. La première approche consiste à recouvrir la surface du substrat piézoélectrique comportant la structure métallique des transducteurs, d'une couche d'oxyde de silicium (Si02). Le CTE très faible du SiO2 limite la dilatation/contraction du substrat piézoélectrique en température. Bien qu'améliorant les performances en température, cette approche présente des limitations : d'une part les contraintes de température pour le dépôt de cette couche d'oxyde (compte tenu de la présence de métaux) ne donnent accès qu'à des matériaux de relativement mauvaise qualité, ayant des performances acoustiques réduites ; d'autre part, avec cette approche, l'épaisseur finale du substrat piézoélectrique doit être supérieure à 200 microns pour garantir la tenue mécanique de la structure, ce qui limite les possibilités de packaging final du dispositif. 3047355 3 La seconde approche consiste à utiliser un substrat hybride, par exemple composé d'une couche de matériau piézoélectrique disposée sur un substrat de silicium. Là encore, le CTE faible du silicium permet de limiter la 5 dilatation/contraction de la couche piézoélectrique en température. Dans le cas d'une couche piézoélectrique de Tantalate de Lithium (LiTaO3), l'article précédemment cité indique qu'un ratio de 10 entre l'épaisseur de LiTaO3 et l'épaisseur du substrat de silicium permet d'améliorer 10 convenablement le coefficient de fréquence thermique (TCF). L'un des inconvénients de cette approche vient de la présence d'ondes acoustiques parasites (appelées « spurious acoustic modes » dans l'article « Characterization of bonded wafer for RF filters with reduced TCF », B.P.Abbott et al, Proc 2005 15 IEEE International Ultrasonics Symposium, Sept 19-21, 2005, pp.926-929) qui impactent négativement les caractéristiques en fréquence du résonateur élaboré sur le substrat hybride. Ces résonances parasites sont notamment liées à des réflexions parasites de l'onde acoustique principale (se propageant 20 principalement dans une zone superficielle de la couche de LiTaO3) sur les interfaces sous-jacentes, dont notamment l'interface entre le LiTaO3 et le silicium. Une solution pour diminuer ces résonances parasites est d'augmenter l'épaisseur de la couche de LiTaO3 ; cela supposant d'augmenter également 25 l'épaisseur du substrat de Si pour conserver les améliorations du TCF, l'épaisseur totale du substrat hybride n'est plus compatible avec les besoins de réduction d'épaisseur des composants finaux, notamment pour adresser le marché des téléphones cellulaires. Une autre solution, proposée par 30 K.Hashimoto et al. (Article précédemment cité) est de rugosifier la surface inférieure de la couche de LiTaO3 (à l'interface de collage avec le substrat) de façon à limiter les réflexions de l'onde acoustique sur celle-ci. 3047355 4 OBJET DE L'INVENTION Un objet de la présente invention est de proposer une solution alternative aux solutions de l'état de l'art. Un 5 objet de l'invention est notamment de proposer une structure hybride permettant la réduction et/ou l'élimination desdites ondes acoustiques parasites. 10 BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION La présente invention concerne une structure hybride pour dispositif à ondes acoustiques de surface comprenant une couche utile de matériau piézoélectrique assemblée à un 15 substrat support présentant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui de la couche utile ; la structure hybride est remarquable en ce qu'elle comprend une couche intermédiaire située entre la couche utile et le substrat support, la couche intermédiaire étant une couche structurée 20 formée d'au moins deux matériaux différents et présentant une pluralité de motifs périodiques. Les dimensions latérales, la périodicité des motifs et l'épaisseur de la couche intermédiaire sont définies en 25 fonction de la fréquence de l'onde acoustique caractéristique du dispositif SAW afin de transmettre ou diffuser les ondes acoustiques habituellement réfléchies sur les interfaces de la structure hybride. La présence de la couche intermédiaire dans la structure hybride permet donc de diminuer drastiquement les 30 réflexions parasites de l'onde acoustique qui impactent négativement les caractéristiques en fréquence du dispositif SAW. 3047355 5 Selon des caractéristiques avantageuses de l'invention, prises seules ou en combinaison : - la périodicité des motifs est choisie en fonction de la fréquence des ondes acoustiques de surface du 5 dispositif ; - le substrat support comprend un matériau choisi parmi le silicium, le verre, la silice, le saphir, l'alumine, le nitrure d'aluminium ; - la couche utile comprend un matériau piézoélectrique 10 choisi parmi le tantalate de lithium (LiTaO3), le niobate de lithium (LiNbO3), le quartz, l'oxyde de zinc (ZnO) ; - l'impédance acoustique moyenne de la couche intermédiaire est sensiblement égale à la racine carrée du produit des impédances acoustiques de la couche utile et du substrat 15 support ; - l'épaisseur de la couche intermédiaire est supérieure à la longueur d'onde des ondes acoustiques de surface du dispositif ; - au moins une dimension latérale des motifs est inférieure 20 à la longueur d'onde des ondes acoustiques de surface du dispositif ; - les motifs périodiques comprennent une alternance d'un premier motif composé du matériau de la couche utile et d'un deuxième motif composé d'un matériau de même nature 25 que celui du substrat support ; - le deuxième motif est composé de silicium poly-cristallin et dans lequel le substrat support est en silicium ; - l'épaisseur de la couche intermédiaire est égale ou sensiblement inférieure à la longueur d'onde des ondes 30 acoustiques de surface du dispositif ; - au moins une dimension latérale des motifs est inférieure ou égale à la longueur d'onde des ondes acoustiques de surface du dispositif ; 3047355 6 - les motifs périodiques comprennent une alternance d'un premier motif composé du matériau de la couche utile ou du matériau du substrat support et d'un deuxième motif composé d'un autre matériau ; 5 - le deuxième motif est composé de dioxyde de silicium, de nitrure de silicium ; L'invention concerne également un procédé de 10 fabrication d'une structure hybride pour un dispositif à ondes acoustiques de surface remarquable en ce qu'il comprend les étapes suivantes : i) La fourniture d'une couche utile de matériau piézoélectrique et d'un substrat support présentant un 15 coefficient de dilatation thermique inférieur à celui de la couche utile ; ii) La gravure locale selon des motifs périodiques d'une face avant de la couche utile ou du substrat support, formant un ensemble de motifs gravés et de motifs non 20 gravés d'un premier matériau ; iii) Le dépôt sur les motifs gravés, d'une couche supplémentaire d'un deuxième matériau différent du premier matériau ; les motifs périodiques non gravés et la couche supplémentaire formant une couche intermédiaire ; 25 iv) L'assemblage de la couche utile et du substrat support, de sorte que la couche intermédiaire soit disposée entre la couche utile et le substrat support. Selon des caractéristiques avantageuses de l'invention, 30 prises seules ou en combinaison : - la couche utile fournie à l'étape i) est un substrat donneur de matériau piézoélectrique ; - le procédé comprend une étape v) d'amincissement du substrat donneur jusqu'à l'épaisseur souhaitée de la 3047355 7 couche utile pour la fabrication du dispositif à ondes acoustiques. 5 BREVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description détaillée qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquelles : 10 la figure 1 présente une structure hybride conforme à l'invention ; la figure 2 présente une structure hybride conforme à l'invention comportant un dispositif SAW ; 15 les figures 3a et 3b présentent une structure hybride selon un mode de réalisation conforme à l'invention ; les figures 4a à 4d présentent des exemples de motifs périodiques de la couche intermédiaire d'une structure hybride selon l'invention ; 20 les figures 5a à 5c présentent des exemples de motifs vus en coupe de la couche intermédiaire d'une structure hybride selon l'invention. 25 DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION Dans la partie descriptive, les mêmes références sur les figures pourront être utilisées pour des éléments de même nature. Les figures sont des représentations schématiques qui, 30 dans un objectif de lisibilité, ne sont pas à l'échelle. En particulier, les épaisseurs des couches selon l'axe z ne sont pas à l'échelle par rapport aux dimensions latérales selon les axes x et y. 3047355 8 L'invention concerne une structure hybride 10 adaptée pour la fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de surface (SAW), comprenant une couche utile 1 de matériau piézoélectrique, présentant une première face 2 et une seconde 5 face 3, comme illustré sur la figure 1. La structure hybride 10 inclut également une couche intermédiaire 4 disposée sous la couche utile (selon l'axe z représenté sur la figure 1), en contact avec la seconde face 2. La couche intermédiaire 4 est une couche structurée d'épaisseur e, formée par au moins deux 10 matériaux différents. Par couche structurée, on entend une couche composée de motifs périodiques dans le plan de la couche (c'est-à-dire dans le plan (x,y) de la figure 1). Ces motifs correspondent à des blocs de dimensions latérales (ie les dimensions dans le plan (x,y)) définies et d'épaisseur (ie 15 selon l'axe z) inférieure ou égale à e : ils sont constitués d'au moins deux matériaux différents. Selon l'exemple présenté sur la figure 1, la couche intermédiaire 4 est composée de premiers motifs 6 formés par un premier matériau et de deuxièmes motifs 7 (complémentaires des premiers motifs) 20 formés par un deuxième matériau. Dans le plan (x,y), les premiers et deuxièmes motifs 6 et 7 présentent une forme (carré, rectangle, circulaire, ...) et des dimensions latérales définies. Enfin, la structure hybride 10 comprend un substrat 25 support 5 présentant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui de la couche utile 1, disposé sous la couche intermédiaire 4 (selon l'axe z représenté sur la figure 1). La couche utile 1 de la structure hybride 10 pourra être composée d'un matériau choisi dans le groupe : tantalate de lithium 30 (LiTaO3), niobate de lithium (LiNbO3), nitrure d'aluminium (A1N), oxyde de zinc (Zn0). Le substrat support 5 pourra être composé d'un matériau choisi dans le groupe : silicium, semiconducteurs III-V, carbure de silicium, verre, saphir. 3047355 9 Comme illustré sur la figure 2, la structure hybride 10 est adaptée à la fabrication de dispositifs à ondes acoustiques de surface (SAW), comportant notamment des électrodes métalliques 20 sur la couche utile 1, entre 5 lesquelles se propagent le signal acoustique. Le sens de propagation du signal acoustique est illustré par la flèche, dans la direction de l'axe y, dans l'exemple de la figure 2. Selon un premier mode de réalisation de la structure 10 hybride 10 de l'invention, la couche intermédiaire 4 est composée de deux matériaux : le premier matériau (composant les premiers motifs 6) est celui de la couche utile (matériau piézoélectrique) ; le deuxième matériau (composant les deuxièmes motifs 7) est de même nature que le substrat support 15 de la structure hybride 10. L'épaisseur e de la couche intermédiaire 4 est supérieure à la longueur d'onde À du signal acoustique utilisé par le dispositif SAW, typiquement e pourra être comprise entre 2À et 50À ; cette caractéristique assure que l'onde acoustique qui se propagera dans la couche de 20 matériau piézoélectrique voit la couche intermédiaire 4 et puisse subir son influence. Par ailleurs, au moins une dimension latérale (la dimension selon l'axe de propagation de l'onde acoustique dans le dispositif) des premiers et deuxièmes motifs périodiques, est inférieure à ladite longueur 25 d'onde ; typiquement elle pourra être comprise entre Â/2 et À/50' A l'échelle de l'onde acoustique, la couche intermédiaire / apparaît ainsi comme un matériau composite, comprenant les premier et deuxième matériaux. Les dimensions latérales des motifs périodiques sont choisies de sorte que l'impédance 30 acoustique moyenne de la couche intermédiaire 4 est sensiblement égale à la racine carrée du produit des impédances acoustiques de la couche utile 1 et du substrat 3047355 10 support 5. Rappelons que l'impédance acoustique Z d'un matériau s'exprime comme : E. p Z = v. P = 3(1 - 2v) P P 3(1 - 2v) où y est la vitesse de l'onde acoustique dans le matériau, p est la densité du matériau, E et y sont 5 respectivement le module d'Young et le coefficient de Poisson du matériau. Dans le cas de la couche intermédiaire 4, on considère les fractions volumiques V1 et V2 de chacun des matériaux la composant, on peut ainsi exprimer son impédance acoustique 10 comme : Z couche intermédiaire jr(E1. V1 E2. V2 3(1 2v1)) 3(1 - 2v2))1 x [(pi. Vi) + (102.V2)1 où pi et p2 sont respectivement la densité du premier et du deuxième matériau, E1 et E2 sont respectivement le module d'Young du premier et du deuxième matériau et 1/1 et 1/2 le coefficient de Poisson du premier et du deuxième matériau. 15 Les fractions volumiques V1 et V2 sont définies par l'épaisseur e de la couche intermédiaire 4 et les dimensions latérales des premiers et deuxièmes motifs 6,7. Les caractéristiques de la couche intermédiaire 4 (premier et deuxième matériau, dimensions latérales des motifs 20 périodiques) sont ainsi définies de sorte que son impédance acoustique moyenne soit le plus proche possible de la racine carrée du produit des impédances acoustiques de la couche utile 1 et du substrat support 5 : Z couche intermédiaire = Z couche utile XZ substrat 25 Cette configuration permet de privilégier la transmission (par adaptation d'impédance acoustique) de la couche utile 1 vers le substrat 5, de la portion d'ondes acoustiques se réfléchissant habituellement aux interfaces 3047355 11 d'une structure hybride : elle permet donc de diminuer drastiquement les réflexions parasites impactant négativement les caractéristiques en fréquence du dispositif SAW élaboré sur la structure hybride 10. 5 Selon un deuxième mode de réalisation de la structure hybride 10 conforme à l'invention, la couche intermédiaire 4 est également composée de deux matériaux (figure 3a) mais 10 présente des caractéristiques physiques différentes du premier mode de réalisation. D'une part, l'épaisseur e de la couche intermédiaire est égale ou sensiblement inférieure à la longueur d'onde À du signal acoustique utilisé pour le dispositif SAW, par exemple comprise entre À et 11/8. D'autre 15 part, au moins une dimension latérale (celle selon l'axe de propagation de l'onde acoustique dans le dispositif) des motifs périodiques est inférieure ou égale à la longueur d'onde À de l'onde acoustique ; typiquement elle pourra être comprise entre Àlm et À. Cette configuration favorise 20 l'interaction entre l'onde acoustique et la couche intermédiaire 4. En particulier, la portion d'onde acoustique se réfléchissant habituellement aux interfaces de la structure hybride sera avantageusement diffusée par la couche intermédiaire 4 : cela aura pour résultat de limiter fortement 25 la composante réfléchie de l'onde acoustique à l'origine des effets parasites. Selon une variante du deuxième mode de réalisation de l'invention, la couche intermédiaire peut être composée d'air ou de gaz (au niveau des premiers motifs 6 formant des 30 cavités) et d'un deuxième matériau (au niveau des deuxièmes motifs 7) (figure 3b) ; par exemple, les deuxième motifs 7 pourront être formés du même matériau que le substrat support 5. Avantageusement, les matériaux constituant respectivement 3047355 12 les premiers et deuxièmes motifs seront choisis de manière à générer un contraste acoustique entre les premiers motifs et les deuxièmes motifs. 5 Les dimensions latérales des premier et deuxièmes motifs (et donc la périodicité desdits motifs) sont définies en fonction de la fréquence de l'onde acoustique caractéristique du dispositif SAW, ainsi que l'épaisseur de la couche intermédiaire 4, et ce afin de transmettre ou diffuser 10 les ondes acoustiques habituellement réfléchies sur les interfaces de la structure hybride. Les figures 4a à 4d présentent des variantes de disposition des motifs périodiques 6,7 de la couche 15 intermédiaire 4. Dans l'exemple de la figure 4a, montrant la couche intermédiaire 4 en vue de dessus, dans le plan (x,y) les premiers motifs 6 et les deuxièmes motifs 7 ont une forme de bande. Rappelons que dans ce cas, le dispositif SAW doit être élaboré de sorte que la propagation des ondes acoustiques 20 se fasse parallèlement à l'axe y, soit perpendiculairement auxdites bandes. Les dimensions latérales selon l'axe y (largeur des bandes) des premiers et deuxièmes motifs seront choisies selon les modes de réalisation (inférieure ou sensiblement égale à la longueur d'onde de l'onde 25 acoustique). Selon une variante en figure 4b, la dimension de plusieurs premiers motifs 6 consécutifs est différente : par exemple on observe une alternance de premiers motifs 6 avec des bandes 61, 62, 63 de largeurs différentes selon l'axe y. Une alternance similaire peut également être faite sur les 30 deuxièmes motifs 7 avec des bandes 71, 72, 73 de largeurs différentes. Cette alternance est périodiquement répétée sur toute la surface de la couche intermédiaire 4. Une telle configuration est particulièrement favorable dans le deuxième 3047355 13 mode de réalisation de l'invention pour diffuser les ondes acoustiques sur une gamme de fréquences plus étendue. Selon une autre variante illustrée en figure 4c, les premiers motifs sont des pavés, par exemple de forme carrée, 5 dont les dimensions selon l'axe x et l'axe y sont définies selon les critères des premier ou deuxième modes de réalisation de l'invention. Les deuxièmes motifs sont les motifs complémentaires des premiers motifs dans le plan (x,y). Une telle disposition de motifs rend la structure hybride 10 10 indépendante de l'orientation des dispositifs et de la direction de propagation des ondes acoustiques. Selon une autre variante en figure 4d, les premiers motifs sont des carrés de dimensions différentes, répétés périodiquement. Une telle configuration est intéressante dans le deuxième mode de 15 réalisation de l'invention pour diffuser les ondes acoustiques sur une gamme de fréquences plus étendue. Les figures 5a à 5c présente des vues en coupe de structures hybrides selon l'invention. Les motifs périodiques 20 6,7 de la couche intermédiaire 4 peuvent avoir différentes formes selon l'axe z. Selon une variante, ils forment des créneaux (figure 5a et 5b) ; les premiers motifs 6 ont une dimensions selon z inférieure ou égale à l'épaisseur de la couche intermédiaire 4. Selon une autre variante (figure 5c), 25 ils forment des motifs en V, pouvant permettre d'optimiser la diffusion des ondes parasites par orientation des plans de réflexion entre les motifs dans la couche intermédiaire 4. Les exemples cités ne sont bien entendu pas exhaustifs et les motifs pourront avoir des formes diverses, dans le plan 30 (x,y) ou dans un plan perpendiculaire sans sortir du cadre de l'invention. Selon une variante applicable au premier ou au deuxième mode de réalisation de la structure hybride 10, la couche 3047355 14 intermédiaire peut être formée de trois ou plus matériaux différents. 5 L'invention concerne également un procédé de fabrication d'une structure hybride 10 pour un dispositif à ondes acoustiques de surface. Le procédé comprend une première étape de fourniture d'une couche utile 1 de matériau piézoélectrique. Selon un mode de mise en oeuvre avantageux, la 10 couche utile se présente sous la forme d'un substrat de matériau piézoélectrique, d'épaisseur et de diamètre standard pour l'industrie micro-électronique (par exemple 150mm de diamètre et 675 microns d'épaisseur). La première étape comporte également la fourniture 15 d'un substrat support 5 présentant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du substrat donneur (soit également celui de la couche utile 1). Le procédé de fabrication selon l'invention comprend une deuxième étape consistant en une gravure locale selon des 20 motifs périodiques d'une face avant du substrat donneur, formant ainsi un ensemble de motifs gravés et de motifs non gravés. En référence à la structure hybride décrite précédemment, les motifs gravés pourront être indifféremment les premiers ou les deuxièmes motifs (la même remarque 25 s'applique aux motifs non gravés). Cette étape de gravure pourra par exemple être réalisée par attaque chimique sèche ou humide, par gravure laser ou autre technique adaptée à la gravure locale de motifs micrométriques. Préalablement à l'étape de gravure, une étape de photolithographie pourra être 30 réalisée pour définir les zones à graver. De manière alternative, la deuxième étape de gravure peut être réalisée non pas sur le substrat donneur mais sur une face avant du substrat support. 3047355 15 Le procédé de fabrication comprend une troisième étape de dépôt, sur les motifs gravés, d'une couche supplémentaire d'un deuxième matériau différent du premier matériau constituant les motifs non gravés. Cette couche supplémentaire 5 pourra être formée par exemple par dépôt chimique en phase vapeur, en phase liquide, ou par épitaxie, etc. Les motifs périodiques non gravés et la couche supplémentaire forment la couche intermédiaire 4 de la structure hybride 10 selon l'invention. Avantageusement, la 10 profondeur de gravure (définissant la hauteur, selon l'axe z, des motifs non gravés) définit l'épaisseur e de la couche intermédiaire 4. La couche supplémentaire pourra avantageusement subir un traitement de planarisation ou de lissage de surface préalablement à l'étape suivante 15 d'assemblage. Le procédé comprend une quatrième étape d'assemblage du substrat donneur et du substrat support 5, de sorte que la couche intermédiaire 4 soit disposée entre ces deux substrats. Avantageusement, cette étape d'assemblage est réalisée par 20 collage direct, par adhésion moléculaire des deux surfaces mises en contact (c'est-à-dire la surface de la couche intermédiaire 4 et la surface du substrat ne comportant pas la couche intermédiaire). Le principe de l'adhésion moléculaire, bien connu dans l'état de l'art ne sera pas décrit plus en 25 détail. De manière alternative, l'assemblage pourra être réalisé par ajout d'une couche de matière adhésive, ou par toute autre technique de collage adaptée à l'application visée. Le procédé de fabrication selon l'invention peut 30 comprendre en outre une cinquième étape d'amincissement du substrat donneur jusqu'à l'épaisseur souhaitée de la couche utile 1 pour la fabrication du dispositif à ondes acoustiques. Cette étape pourra par exemple consister en un rodage mécanique (« grinding ») suivi d'un polissage à sec ou mécano- 3047355 16 chimique, permettant d'assurer un bon état de surface à la couche utile 1. Bien sur, différentes séquences de nettoyage pourront être appliquées pendant ou après l'étape d'amincissement pour garantir la qualité et la propreté de la 5 structure hybride finale 10. Exemple 1 : Dans un exemple de mise en oeuvre de l'invention, un 10 substrat donneur en niobate de lithium (LiNbO3) et un substrat support en silicium 5, tout deux d'un diamètre de 150mm et d'une épaisseur de 675 microns sont fournis. La résistivité du substrat support sera par exemple choisie > 1000 ohms.cm. Le substrat donneur LiNb03 est soumis à une étape de 15 photolithographie pour définir des motifs : les premiers motifs 6 sont définis comme les zones qui ne seront pas gravées ; les deuxièmes motifs 7 sont définis comme les zones qui seront gravées. Les premiers motifs correspondent à des pavés carrés de 0,3 micron de côté, espacés entre eux de 0,2 20 microns. Les deuxièmes motifs correspondent à un quadrillage entre les pavés, dont la largeur des bandes est de 0,2 microns, soit la zone complémentaire auxdits pavés à la surface du substrat donneur. L'étape de gravure de la surface du substrat donneur est effectuée par gravure sèche, sur une 25 profondeur de 5 microns. Après retrait du masque de photolithographie à la surface du substrat donneur et nettoyage de celui-ci (par exemple par une séquence RCA, classiquement utilisée dans l'industrie micro-électronique), une couche supplémentaire de silicium poly-cristallin est 30 déposée par exemple par CVD (« Chemical vapor deposition »). Afin de remplir les zones gravées (deuxièmes motifs), on pourra déposer une épaisseur comprise entre 6 et 12 microns, avantageusement 8 microns. On opère ensuite une étape de planarisation par polissage mécano-chimique, pour résorber les 3047355 17 éventuelles topologie et rugosité résiduelles après le dépôt de p-Si. La couche intermédiaire 4 est constituée des premiers motifs 6 en matériau piézoélectrique et de la couche 5 supplémentaire (p-Si) remplissant les deuxièmes motifs 7. Selon une première variante, l'épaisseur de la couche intermédiaire 4 correspond à la profondeur de gravure, soit 5 microns dans cet exemple ; dans ce cas, l'étape de planarisation aura permis de retirer le silicium poly- 10 cristallin de la surface du substrat donneur jusqu'à affleurer les premiers motifs (configuration illustrée sur la figure 5b). Selon une deuxième variante, l'épaisseur e de la couche intermédiaire 4 est supérieure à la profondeur de gravure car il reste une épaisseur de la couche supplémentaire sur les 15 premiers motifs (configuration illustrée sur la figure 5a, la couche supplémentaire se trouve entre et sous les premiers motifs 6 dans la structure hybride finale 10 représentée sur ladite figure). A titre d'exemple, la couche supplémentaire au dessus des premiers motifs pourra être de 1 micron : la couche 20 intermédiaire aura ainsi une épaisseur de 6 microns. Une fois la surface du substrat donneur préparée, l'étape d'assemblage avec le substrat support 5 est effectuée. Une séquence de nettoyage des deux substrats pourra être opérée préalablement à l'assemblage, en particulier dans le 25 cas d'un collage direct par adhésion moléculaire, qui est particulièrement sensible à la présence de contaminations ou de particules sur les surfaces à assembler. Pour augmenter les forces d'adhésion entre les substrats, leurs surfaces pourront être traitées par plasma oxygène ou azote préalablement à la 30 mise en contact. Après collage, un recuit de consolidation à basse température est effectué, habituellement dans la gamme de 80120°C, compte tenu de la différence importante de dilatation thermique entre les matériaux des substrats assemblés. 3047355 18 Une étape d'amincissement mécanique suivie d'une étape de polissage mécano-chimique de la face arrière du substrat donneur est opérée pour obtenir la couche utile de la structure hybride, d'une épaisseur de 20 microns. 5 La structure hybride obtenue est ainsi composée d'une couche utile de LiNbO3 de 20 microns, d'une couche intermédiaire d'une épaisseur comprise entre 5 et 6 microns (selon les variantes précédemment citées) et composée de deux matériaux : des premiers motifs en LiNbO3 et des deuxièmes 10 motifs en poly-silicium. La taille des premiers motifs dans le plan (x,y) est de 0,3 micron et leur espacement est de 0,2 micron. L'impédance acoustique moyenne de cette couche est donc d'environ 1.5e6 g/cm2/sec, soit une valeur très proche de la racine carrée du produit des impédances du LiNbO3 et du 15 silicium. Cette structure hybride est destinée à la fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de surface dont la longueur d'onde À est de l'ordre de 2 microns. Compte tenu de la faible épaisseur de la couche utile, une partie des ondes 20 acoustiques pénètre dans la couche et se propage jusqu'à la couche intermédiaire. Habituellement, ces ondes sont réfléchies sur les interfaces (LiNbO3/Si par exemple) et génèrent des ondes parasites dégradant la performance du dispositif. 25 La configuration de la couche intermédiaire 4 de la structure hybride 10 selon l'invention permet de favoriser la transmission vers le substrat support 5 de silicium des ondes acoustiques pénétrant dans la profondeur de la couche utile 1. L'impédance acoustique moyenne de la couche intermédiaire 4 30 est correctement adaptée aux matériaux environnants (LiNbO3 et Si). L'épaisseur e de la couche intermédiaire 4 est supérieure à la longueur d'onde de l'onde acoustique du dispositif ; la taille et l'espacement des premiers motifs sont inférieurs à la longueur d'onde. 3047355 19 Par ailleurs, la structure hybride 10 décrite ici présente un avantage significatif concernant les performances RF du dispositif. En effet, la couche supplémentaire de polysilicium constitue une couche de piégeage pour les charges 5 générées dans le substrat support 5 de silicium lorsqu'il est soumis à des signaux haute fréquence. Ces charges sont connues pour faire chuter la résistivité du substrat support 5, ce qui impacte négativement les performances de linéarité et de perte d'insertion du dispositif RF. La couche supplémentaire de p-Si 10 joue ainsi un rôle additionnel de couche de piégeage et neutralise les charges générées dans le substrat support 5. Exemple 2 : 15 Dans un autre exemple de mise en oeuvre de l'invention, un substrat donneur en tantalate de lithium (LiTaO3) et un substrat support en silicium, tout deux d'un diamètre de 150mm et d'une épaisseur de 675 microns sont fournis. La résistivité du substrat support sera par exemple choisie > 1000 ohms.cm. 20 Le substrat donneur LiTa03 est soumis à une étape de photolithographie pour définir des motifs (dans le plan (x,y) : les premiers motifs 6 sont définis comme les zones qui ne seront pas gravées ; les deuxièmes motifs 7 sont définis comme les zones qui seront gravées. Les premiers motifs 6 25 correspondent à des bandes de 1,25 microns de largeur, espacés entre elles de 1,25 microns. Les deuxièmes motifs 7 correspondent à des bandes complémentaires des bandes des premiers motifs 6, à la surface du substrat donneur. L'étape de gravure de la surface du substrat donneur est effectuée par 30 gravure sèche, sur une profondeur d'environ 1,5 micron. Après retrait du masque de photolithographie à la surface du substrat donneur et nettoyage de celui-ci une couche supplémentaire d'oxyde silicium est déposée par exemple par CVD (« Chemical vapor deposition »). Afin de remplir les zones 3047355 20 gravées (deuxièmes motifs), on déposera une épaisseur comprise entre 2 et 6 microns, avantageusement 4 microns. On opère ensuite une étape de planarisation par polissage mécano-chimique de la couche supplémentaire, pour résorber les 5 éventuelles topologie et rugosité résiduelles après le dépôt d'oxyde. La couche intermédiaire 4 est constituée des premiers motifs 6 en matériau piézoélectrique (LiTaO3) et de la couche supplémentaire (SiO2) remplissant les deuxièmes motifs 7. 10 Selon une première variante, l'épaisseur de la couche intermédiaire 4 correspond à la profondeur de gravure, soit 1,5 micron dans cet exemple ; dans ce cas, l'étape de planarisation aura permis de retirer l'oxyde de silicium de la surface du substrat donneur jusqu'à affleurer les premiers 15 motifs 6. Selon une deuxième variante, l'épaisseur de la couche intermédiaire 4 est supérieure à la profondeur de gravure car il reste une épaisseur de la couche supplémentaire sur les premiers motifs 6. Par exemple, la couche supplémentaire au dessus des premiers motifs 6 pourra être de 20 0,5 micron : la couche intermédiaire 4 aura ainsi une épaisseur de 2 microns. Une fois la surface du substrat donneur préparée, l'étape d'assemblage avec le substrat support est effectuée. Une séquence de nettoyage des deux substrats pourra être 25 opérée préalablement à l'assemblage, en particulier dans le cas d'un collage direct par adhésion moléculaire, qui est particulièrement sensible à la présence de contaminations ou de particules sur les surfaces à assembler. Pour augmenter les forces d'adhésion entre les substrats, leurs surfaces pourront 30 être traitées par plasma oxygène ou azote préalablement à la mise en contact. Après collage, un recuit de consolidation à basse température est effectué, habituellement dans la gamme de 80- 3047355 21 120°C, compte tenu de la différence importante de dilatation thermique entre les matériaux des substrats assemblés. Une étape d'amincissement mécanique suivie d'une étape de polissage mécano-chimique de la face arrière du substrat 5 donneur est opérée pour obtenir la couche utile de la structure hybride, d'une épaisseur de 30 microns. La structure hybride obtenue est ainsi composée d'une couche utile de LiTaO3 de 30 microns, d'une couche intermédiaire d'une épaisseur comprise entre 1,5 et 2 microns 10 (selon les variantes précédemment citées) et composée de deux matériaux : des premiers motifs en LiTaO3 et des deuxièmes motifs en oxyde de silicium. La taille des premiers motifs selon l'axe y est de 1,25 micron et leur espacement est de 1,25 micron. 15 Cette structure hybride 10 est destinée à la fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de surface dont la fréquence est dans la gamme 700-900 MHz, soit une longueur d'onde de l'ordre de 5 microns. La propagation des ondes acoustiques se fera selon l'axe y. Compte tenu de la 20 faible épaisseur de la couche utile, une partie des ondes acoustiques pénètre dans la couche utile 1 et se propage jusqu'à la couche intermédiaire 4. Habituellement, ces ondes sont réfléchies sur les interfaces (LiTaO3/Si par exemple) et génèrent des ondes parasites dégradant la performance du 25 dispositif. La configuration de la couche intermédiaire 4 de la structure hybride 10 selon l'invention permet de favoriser la diffusion sur la couche intermédiaire 4 des ondes acoustiques pénétrant dans la couche utile 1, et donc de limiter leur 30 réflexion. L'épaisseur e de la couche intermédiaire 4 est sensiblement inférieure à la longueur d'onde de l'onde acoustique du dispositif ; la taille et l'espacement des premiers motifs sont inférieurs à la longueur d'onde. 3047355 22 Exemple 3 : Dans un autre exemple de mise en oeuvre de l'invention, un substrat donneur en tantalate de lithium (LiTaO3) et un substrat support en silicium, tout deux d'un diamètre de 150mm 5 et d'une épaisseur de 625 microns sont fournis. La résistivité du substrat support sera par exemple choisie > 1000 ohms.cm. Le substrat support est soumis à une étape de photolithographie pour définir des motifs : les premiers motifs 6 sont définis comme les zones qui ne seront pas 10 gravées ; les deuxièmes motifs 7 sont définis comme les zones qui seront gravées. Les premiers motifs 6 correspondent à des bandes de 1,25 micron de largeur, espacés entre elles de 1,25 micron. Les deuxièmes motifs correspondent à des bandes complémentaires des bandes des premiers motifs, à la surface 15 du substrat support. L'étape de gravure de la surface du substrat support est effectuée par gravure sèche, sur une profondeur de 1 micron. Après retrait du masque de photolithographie à la surface, le substrat support est nettoyé en vue de l'étape d'assemblage avec le substrat 20 donneur. Dans ce troisième exemple, il n'y a pas de couche supplémentaire déposée. Le premier matériau (constituant les premiers motifs) est du silicium et le deuxième matériau est de l'air ou un gaz selon l'atmosphère introduite pendant l'étape d'assemblage dans la chambre de collage. 25 Après collage, un recuit de consolidation à basse température est effectué, habituellement dans la gamme de 80120°C, compte tenu de la différence importante de dilatation thermique entre les matériaux des substrats assemblés. Une étape d'amincissement mécanique suivie d'une étape 30 de polissage mécano-chimique de la face arrière du substrat donneur est opérée pour obtenir la couche utile de la structure hybride, d'une épaisseur de 20 microns. La structure hybride obtenue est ainsi composée d'une couche utile de LiTaO3 de 20 microns, d'une couche 3047355 23 intermédiaire d'une épaisseur 1 micron et composée de deux matériaux : des premiers motifs en silicium et des deuxièmes motifs rempli d'air ou de gaz. La taille des premiers motifs selon l'axe y est de 1,25 micron et leur espacement est de 5 1,25 micron. Cette structure hybride est destinée à la fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de surface dont la fréquence est de 700-900 MHz, soit une longueur d'onde de l'ordre de 5 microns. Compte tenu de la faible épaisseur de la 10 couche utile, une partie des ondes acoustiques pénètre dans la couche et se propage jusqu'à la couche intermédiaire 4. Habituellement, ces ondes sont réfléchies sur les interfaces (LiTaO3/Si par exemple) et génèrent des ondes parasites dégradant la performance du dispositif. 15 La configuration de la couche intermédiaire 4 de la structure hybride 10 selon l'invention permet de favoriser la diffusion sur la couche intermédiaire 4 des ondes acoustiques pénétrant dans la couche utile 1, et donc de limiter leur réflexion. L'épaisseur e de la couche intermédiaire 4 est 20 sensiblement inférieure à la longueur d'onde de l'onde acoustique du dispositif ; la taille et l'espacement des premiers motifs sont inférieurs à la longueur d'onde. 25 Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux modes de mise en oeuvre et exemples décrits, et on peut y apporter des variantes de réalisation sans sortir du cadre de l'invention tel que défini par les revendications. La structure hybride 10 selon l'invention peut 30 notamment être adaptée à la fabrication de dispositifs à ondes acoustiques de surface dont la fréquence est comprise dans la gamme de 700 MHz - 3 GHz. REVENDICATIONS1. Structure hybride (10) pour dispositif à ondes acoustiques de surface comprenant une couche utile (1) de matériau piézoélectrique assemblée à un substrat support (5) présentant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui de la couche utile (1), caractérisée en ce qu'elle comprend une couche intermédiaire (4) située entre la couche utile (1) et le substrat support (5), la couche intermédiaire (4) étant une couche structurée formée d'au moins deux matériaux différents et présentant une pluralité de motifs périodiques (6,7). 2. Structure hybride (10) pour dispositif à ondes acoustiques de surface selon la revendication précédente, dans laquelle la périodicité des motifs (6,7) est choisie en fonction de la fréquence des ondes acoustiques de surface du dispositif. 3. Structure hybride (10) pour dispositif à ondes acoustiques de surface selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle le substrat support (5) comprend un matériau choisi parmi le silicium, le verre, la silice, le saphir, l'alumine, le nitrure d'aluminium. 4. Structure hybride (10) pour dispositif à ondes acoustiques de surface selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle la couche utile (1) comprend un matériau piézoélectrique choisi parmi le tantalate de lithium (LiTaO3), le niobate de lithium (LiNbO3), le quartz, l'oxyde de zinc (Zn0). 5. Structure hybride (10) pour dispositif à ondes acoustiques de surface selon l'une des revendications précédentes, dans 3047355 25 laquelle l'impédance acoustique moyenne de la couche intermédiaire (4) est égale à la racine carrée du produit des impédances acoustiques de la couche utile (1) et du substrat support (5). 5 6. Structure hybride (10) pour dispositif à ondes acoustiques de surface selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle l'épaisseur de la couche intermédiaire (4) est supérieure à la longueur d'onde des ondes acoustiques de 10 surface du dispositif. 7. Structure hybride (10) pour dispositif à ondes acoustiques de surface selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle au moins une dimension latérale des motifs (6,7) 15 est inférieure à la longueur d'onde des ondes acoustiques de surface du dispositif. 8. Structure hybride (10) pour dispositif à ondes acoustiques de surface selon l'une des revendications précédentes, dans 20 laquelle les motifs périodiques (6,7) comprennent une alternance d'un premier motif (6) composé du matériau de la couche utile (1) et d'un deuxième motif (7) composé d'un matériau de même nature que celui du substrat support (5). 25 9. Structure hybride (10) pour dispositif à ondes acoustiques de surface selon la revendication précédente, dans laquelle le deuxième motif (7) est composé de silicium polycristallin et dans lequel le substrat support (5) est en silicium. 30 10. Structure hybride (10) pour dispositif à ondes acoustiques de surface selon l'une des revendications 1 à 4, dans laquelle l'épaisseur de la couche intermédiaire (4) est 3047355 26 égale ou inférieure à la longueur d'onde des ondes acoustiques de surface du dispositif. 11. Structure hybride (10) pour dispositif à ondes acoustiques 5 de surface selon la revendication précédente, dans laquelle au moins une dimension latérale des motifs (6,7) est inférieure ou égale à la longueur d'onde des ondes acoustiques de surface du dispositif. 10 12. Structure hybride (10) pour dispositif à ondes acoustiques de surface selon l'une des deux revendications précédentes, dans laquelle les motifs périodiques (6,7) comprennent une alternance d'un premier motif (6) composé du matériau de la couche. utile (1) ou du matériau du substrat support et d'un 15 deuxième motif (7) composé d'un autre matériau. 13. Structure hybride (10) pour dispositif à ondes acoustiques de surface selon la revendication précédente, dans laquelle le deuxième motif (7) est composé de dioxyde de silicium ou 20 de nitrure de silicium. 14. Procédé de fabrication d'une structure hybride (10) pour un dispositif à ondes acoustiques de surface caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : 25 i) La fourniture d'une couche utile (1) de matériau piézoélectrique et d'un substrat support (5) présentant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui de la couche utile (1) ; ii) La gravure locale selon des motifs périodiques d'une 30 face avant de la couche utile (1) ou du substrat support (5), formant un ensemble de motifs gravés et de motifs non gravés d'un premier matériau ; iii) Le dépôt sur les motifs gravés, d'une couche supplémentaire d'un deuxième matériau différent du 3047355 27 premier matériau ; les motifs périodiques non gravés et la couche supplémentaire formant une couche intermédiaire (4) ; iv) L'assemblage de la couche utile (1) et du substrat 5 support (5), de sorte que la couche intermédiaire (4) soit disposée entre la couche utile (1) et le substrat support (5). 15. Procédé de fabrication d'une structure hybride (10) 10 pour un dispositif à ondes acoustiques de surface selon la revendication précédente, dans lequel la couche utile (1) fournie à l'étape i) est un substrat donneur de matériau piézoélectrique. 15 16. Procédé de fabrication d'une structure hybride (10) pour un dispositif à ondes acoustiques de surface selon la revendication précédente, comprenant une étape v) d'amincissement du substrat donneur jusqu'à l'épaisseur souhaitée de la couche utile (1) pour la fabrication du 20 dispositif à ondes acoustiques. 25