Brevet FR3046800A1 — publié le 20170721

PROCEDE ET DISPOSITIF DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE GAZEUSE A FLUX ALTERNES DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne le domaine du dépôt chimique en phase gazeuse à flux alternés basé sur une séparation spatiale des réactifs. Elle concerne en particulier un dispositif de dépôt permettant l'élaboration de couches déposées selon des motifs à deux ou trois dimensions contrôlables. Elle concerne également un procédé de fabrication desdites couches. ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L'INVENTION Le dépôt chimique par voie gazeuse (CVD pour « Chemical Vapor Deposition » selon la terminologie anglo-saxonne) est une technique industrielle largement utilisée pour le dépôt de couches minces. Le dépôt chimique en phase gazeuse à flux alternés ou dépôt de couches atomiques (ALD pour « Atomic Layer Deposition ») est une technique dérivée, alternative à la CVD, et qui présente de meilleures performances d'uniformité des couches déposées. En effet, dans un dépôt ALD, le substrat est exposé aux réactifs de telle manière qu'aucune réaction en phase gazeuse ne se produit ; les réactions ont toujours lieu entre une ou plusieurs espèces chimiques liées à la surface du substrat et un ou plusieurs réactifs en phase gazeuse. Lors d'un dépôt ALD, un matériau est généralement déposé en cycles de quatre étapes. La surface du substrat est exposée à un premier réactif gazeux conduisant à la chimisorption du réactif en surface jusqu'à saturation des sites réactionnels. L'atmosphère est ensuite purgée via 3046800 2 l'utilisation d'un gaz inerte (azote, argon, hélium). La surface du substrat est exposée à un second réactif gazeux conduisant à la chimisorption du réactif en surface jusqu'à saturation des sites réactionnels. L'atmosphère est à nouveau 5 purgée via l'utilisation d'un gaz inerte. Ce cycle est répété jusqu'à ce que l'épaisseur requise soit obtenue. Les étapes de croissance en condition de saturation sont limitées par la surface et assurent donc un très bon contrôle de l'épaisseur et une excellente uniformité de la couche déposée. 10 La méthode couramment utilisée pour déposer un matériau par ALD est une méthode dite temporelle où le substrat est immobile tandis que l'enceinte de dépôt est remplie alternativement avec chacun des réactifs et est purgée entre chaque remplissage. Dans cette configuration, la vitesse de 15 croissance, i.e. le temps nécessaire pour le déroulement d'un cycle, est limitée par la cinétique des réactions et par le temps nécessaire pour remplir et purger l'enceinte de dépôt. Une autre méthode dite spatiale (notée s-ALD) consiste à séparer non plus temporellement mais spatialement les gaz 20 réactifs : on applique un mouvement à un substrat par rapport à des espaces confinés où différentes atmosphères sont maintenues. Ainsi, un cycle de croissance est réalisé lorsque le substrat rencontre successivement des atmosphères contenant chacun des réactifs, alternant avec des atmosphères inertes. 25 Le mouvement peut être effectué par le substrat tandis que les espaces confinés sont immobiles, ou par les espaces confinés tandis que le substrat est immobile, ou encore par le substrat et les espaces confinés simultanément. Dans une telle configuration, le temps nécessaire au changement d'atmosphère 30 correspond au temps nécessaire au substrat pour passer d'un espace confiné à un autre. La pression partielle des réactifs dans les espaces confinés peut être augmentée sans ralentir le temps de transition d'une étape du cycle à l'autre. L'article de Paul Poodt et al (« Spatial atomic layer deposition : a 3046800 3 route towards further industrialization of atomic layer deposition », J. Vac. Sci. Technol. A 30(1), Jan/Feb 2012) présente une revue des développements et des applications potentielles de la technologie s-ALD. 5 Les documents US8398770 et US2011/0097494 décrivent un système de dépôt s-ALD permettant de déposer en continu un film mince de matériau homogène sur toute la surface d'un substrat. 10 Dans les domaines de l'optique et de l'électronique, la fabrication de couches minces selon des motifs périodiques ou apériodiques à deux (épaisseur et largeur) ou trois dimensions (épaisseur, largeur et longueur) contrôlables est souvent nécessaire. Elle est par exemple utile pour la réalisation de 15 cellules photovoltaïques en couches minces connectées monolithiquement, de transistors en couches minces, de diodes électroluminescentes, de microsystèmes électromécaniques, etc. Les motifs à deux ou trois dimensions contrôlables dans des couches minces sont réalisés généralement par des procédés 20 de gravure. Un motif peut être réalisé par gravure directe via l'utilisation d'un procédé résolu spatialement tel que la gravure par laser ou par gaz réactif, assistée par faisceau d'électrons ; il peut également être réalisé par une étape de gravure postérieure à une étape de lithographie telle que la 25 photolithographie par exemple. L'utilisation d'étapes de gravure pour l'élaboration de motifs à deux ou trois dimensions contrôlables dans des couches minces présente plusieurs inconvénients : d'une part, ce sont des étapes additionnelles engendrant des coûts 30 additionnels de fabrication ; d'autre part, les procédés de gravure amènent souvent de la contamination particulaire à la surface des substrats traités, ce qui peut impacter le rendement des composants fabriqués. Enfin, la sélectivité de 3046800 4 la gravure n'est pas toujours suffisante pour l'élaboration d'empilement de couches très minces, de différentes natures. OBJET DE L'INVENTION 5 Un objet de l'invention est donc de proposer un dispositif obviant les inconvénients de l'art antérieur. Un objet de l'invention est notamment un dispositif de dépôt et un procédé de dépôt permettant l'élaboration de couches 10 déposées selon des motifs présentant deux ou trois dimensions contrôlables. BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION 15 L'invention concerne un dispositif de dépôt chimique en phase gazeuse à flux alternés et à séparation spatiale des gaz réactifs, destiné à former une couche sur un substrat selon un motif à deux ou trois dimensions contrôlables, comprenant : 20 - Au moins une première barrette configurée pour injecter dans un premier espace confiné en direction du substrat un premier gaz réactif, - Au moins une deuxième barrette configurée pour injecter dans un deuxième espace confiné en direction du substrat 25 un deuxième gaz réactif, différent du premier gaz réactif ; les première et deuxième barrettes étant disposées côte à côte suivant une direction principale et distantes l'une de l'autre d'une première distance de séparation ; Le dispositif est remarquable en ce qu'il comprend : 30 - Des premiers organes de déplacement configurés pour imposer un mouvement de va-et-vient relatif des barrettes vis-à-vis du substrat selon la direction principale, et contrôlé dont l'amplitude est comprise dans une fourchette de recouvrement. 3046800 5 Le dispositif de dépôt chimique permet ainsi de réaliser directement des dépôts de couches sur un substrat selon un motif à deux ou trois dimensions contrôlables, les organes de 5 déplacement autorisant un mouvement contrôlé relatif entre les barrettes et le substrat, dont l'amplitude est comprise dans ladite fourchette de recouvrement, c'est-à-dire permettant un recouvrement partiel et contrôlé des zones du substrat exposées aux gaz de chacun des deux espaces confinés. Un 10 recouvrement des zones exposées respectivement au premier gaz réactif et au deuxième gaz réactif donne lieu à la formation d'une épaisseur élémentaire de ladite couche, au niveau de la zone de recouvrement ; le mouvement de va-et-vient permet une pluralité de recouvrement des zones exposées à chacun des deux 15 espaces confinés et ainsi la croissance d'une épaisseur souhaitée de ladite couche au niveau de la zone de recouvrement, selon un motif à deux ou trois dimensions contrôlables. 20 Selon des caractéristiques avantageuses de l'invention, prises seules ou en combinaison : - les premier et deuxième espaces confinés sont distants l'un de l'autre d'une deuxième distance de séparation comprise entre une deuxième distance minimale de 25 séparation et une deuxième distance maximale de séparation ; - la fourchette de recouvrement définit une amplitude du mouvement contrôlé comprise entre la deuxième distance minimale de séparation et la somme de la première distance 30 de séparation et de la deuxième distance maximale de séparation ; - chaque barrette comporte une buse d'injection d'un gaz réactif entourée par une buse d'aspiration, elle-même entourée par une buse d'injection d'un gaz inerte, pour 3046800 6 injecter le gaz réactif et définir l'espace confiné, lequel projette une empreinte sur le substrat ; - le motif présente trois dimensions contrôlables et les empreintes du premier espace confiné et du deuxième espace 5 confiné ont des côtés contigus non parallèles selon la direction principale ; - un masque percé d'une pluralité de trous est disposé entre les barrettes et le substrat, et en vis-à-vis des buses d'injection de gaz réactif, d'aspiration et d'injection de 10 gaz inerte de chaque barrette, les trous en vis-à-vis de la buse d'aspiration définissant une forme prédéterminée de l'empreinte projetée par chaque espace confiné sur le substrat ; - le dispositif de dépôt comprend une pluralité de têtes de 15 dépôt, chaque tête de dépôt incluant les barrettes et le masque ; - chaque tête de dépôt comporte des moyens de chauffage pour chauffer les gaz réactifs avant qu'ils atteignent le substrat ; 20 - chaque gaz réactif comprend une espèce chimique réactive ou un mélange d'espèces chimiques réactives ; - le dispositif de dépôt comprend une pluralité de premières et deuxièmes barrettes disposées côte à côte en alternance suivant la direction principale ; 25 - le dispositif de dépôt comprend au moins une troisième barrette configurée pour injecter dans un troisième espace confiné en direction du substrat un troisième gaz réactif, différent du premier et du deuxième gaz réactif, et disposée en alternance avec les première et deuxième 30 barrettes suivant la direction principale ; - la tête de dépôt présente une face incurvée en vis-à-vis du substrat ; 3046800 7 - la forme prédéterminée de l'empreinte projetée par chaque espace confiné sur le substrat est identique pour chaque barrette ; - la forme prédéterminée de l'empreinte projetée par chaque 5 espace confiné sur le substrat est différente entre deux barrettes contiguës ; - la première distance de séparation entre deux barrettes contiguës de la pluralité de barrettes est identique ; - la première distance de séparation entre deux barrettes 10 contiguës de la pluralité de barrettes est différente ; - le dispositif de dépôt comprend un système convoyeur apte à convoyer le substrat ; - le système convoyeur supportant le substrat et la tête de dépôt sont configurés de manière à ce que l'espacement 15 entre la tête de dépôt et le substrat soit inférieur à 500 microns ; - le système convoyeur est muni de moyens de chauffage permettant d'appliquer une gamme de température au substrat ; 20 - les premiers organes de déplacement autorisent un mouvement contrôlé de va-et-vient relatif des barrettes vis-à-vis du substrat selon la direction principale, d'une précision meilleure que 200 microns ; - le dispositif de dépôt comprend des deuxièmes organes de 25 déplacement configurés pour positionner les barrettes vis- à-vis du substrat à un emplacement choisi, et dont la précision de déplacement est meilleure que 200 microns. 30 L'invention concerne également un procédé de dépôt chimique en phase gazeuse à flux alternés et à séparation spatiale des gaz réactifs, pour former une couche sur une face supérieure d'un 3046800 8 substrat selon un motif à deux ou trois dimensions contrôlables, comprenant: ^ l'exposition d'une première zone de la face supérieure dudit substrat à un premier gaz réactif injecté par une 5 première barrette dans un premier espace confiné; ^ l'exposition d'une deuxième zone de la face supérieure dudit substrat à un deuxième gaz réactif injecté par une deuxième barrette dans un deuxième espace confiné; Le procédé étant remarquable en ce qu'il comprend une étape a) 10 de déplacement correspondant à un mouvement relatif des barrettes vis-à-vis du substrat et contrôlé, dont l'amplitude est comprise dans une fourchette de recouvrement, de sorte que la première zone et la deuxième zone se recouvrent au moins partiellement au niveau d'une zone de recouvrement qui définit 15 ledit motif. Selon des caractéristiques avantageuses de l'invention, prises seules ou en combinaison : - les première et deuxième barrettes sont disposées côte à 20 côte suivant une direction principale et distantes d'une première distance de séparation, les premier et deuxième espaces confinés sont distants l'un de l'autre d'une deuxième distance de séparation comprise entre une deuxième distance minimale de séparation et une deuxième 25 distance maximale de séparation ; - la fourchette de recouvrement définit une amplitude du mouvement contrôlé selon la direction principale comprise entre la deuxième distance minimale de séparation et la somme de la première distance de séparation et de la 30 deuxième distance maximale de séparation ; - le mouvement contrôlé présente une précision meilleure que 200 microns ; - l'étape a) est répétée de manière itérative, et le mouvement contrôlé est un mouvement de va-et-vient des 3046800 9 barrettes relativement au substrat, jusqu'à l'obtention d'une épaisseur souhaitée de couche ; - le procédé de dépôt comprend une étape a') de déplacement relatif des barrettes vis-à-vis du substrat, soit grâce à 5 un système convoyeur du substrat, soit grâce à un système de déplacement des barrettes, pour choisir un emplacement de la première zone et de la deuxième zone sur la face supérieure du substrat ; - les étapes a') et a) sont répétées, pour obtenir le dépôt 10 de la couche selon ledit motif aux emplacements choisis sur la face supérieure du substrat ; - l'espacement entre les barrettes et la face supérieure du substrat est inférieur à 500 microns ; - le motif comporte une pluralité d'ilots en forme de 15 parallélépipède, de losange, d'ellipse, de triangle ou toute autre forme géométrique ; - le motif présente des dimensions contrôlables en épaisseur comprise entre 1 angstrôm et 10 microns, en largeur comprise entre 1 micron et plusieurs dizaines de 20 centimètres, en longueur comprise entre 1 micron et plusieurs mètres. 25 BREVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description détaillée de l'invention qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquelles : 30 la figure 1 présente une vue de dessous d'une barrette d'un dispositif de dépôt conforme à l'invention ; 3046800 10 la figure 2 présente une vue de dessous de deux barrettes selon un mode de réalisation du dispositif de dépôt conforme à l'invention ; la figure 3 présente une vue de dessous d'une pluralité 5 de barrettes selon un autre mode de réalisation du dispositif de dépôt conforme à l'invention ; la figure 4 présente une vue en perspective d'une tête de dépôt d'un dispositif de dépôt conforme à l'invention; 10 les figures 5a et 5b présentent des vues de dessous de deux variantes de masque d'un dispositif de dépôt conforme à l'invention ; la figure 6 présente une vue de dessous de trois barrettes, selon un autre mode de réalisation 15 particulier du dispositif de dépôt conforme à l'invention ; la figure 7 présente une vue en coupe d'une pluralité de barrettes injectant des gaz réactifs sur un substrat, selon un dispositif de dépôt conforme à l'invention ; 20 les figures 8a et 8b présentent différentes configurations de déplacement relatif des barrettes vis-à-vis du substrat, selon un procédé de dépôt conforme à l'invention ; les figures 9a, 9b et 9c présentent des exemples de mise 25 en oeuvre du dispositif de dépôt selon l'invention ; la figure 10 présente des étapes du procédé de dépôt conforme à l'invention ; les figures 11 (11a à 11e) et 12 (12a à 12e) présentent des modes de mise en oeuvre du procédé de dépôt conforme 30 à l'invention ; les figures 13 (13a à 13d) présentent un exemple d'application du procédé de dépôt conforme à l'invention ; 3046800 11 les figures 14a, 14b et 14c présentent un autre exemple d'application utilisant un dispositif et un procédé de dépôt conforme à l'invention. 5 DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION Dans la partie descriptive, les mêmes références sur les figures pourront être utilisées pour des éléments de même 10 nature. Les figures sont des représentations schématiques qui, dans un objectif de lisibilité, ne sont pas nécessairement à l'échelle. En particulier, les épaisseurs des couches selon l'axe z ne sont pas à l'échelle par rapport aux dimensions latérales selon les axes x et y. 15 L'invention concerne un dispositif de dépôt chimique en phase gazeuse à flux alternés basé sur une séparation spatiale des gaz réactifs (s-ALD). Chaque gaz réactif est injecté sur le substrat par une barrette. Par gaz réactif, on entend une 20 espèce chimique réactive ou un mélange d'espèces chimiques réactives. La figure 1 représente une barrette 1 en vue de dessous. Elle comporte une buse d'injection 4 du gaz réactif, qui se présente préférentiellement sous la forme d'une rainure 25 allongée, par laquelle le gaz réactif va être injecté en direction du substrat. La barrette 1 comporte également une buse d'aspiration 5 qui entoure la buse d'injection 4 : la buse d'aspiration 5 se présente préférentiellement sous forme d'une rainure en périphérie de la buse d'injection 4. Enfin, 30 la barrette 1 comporte une buse d'injection 6 d'un gaz inerte, entourant la buse d'aspiration 5 et se présentant préférentiellement elle aussi sous forme de rainure. La configuration des trois buses 4, 5, 6 permet de définir sous la barrette 1, un espace confiné contenant le gaz réactif ; en 3046800 12 particulier, cet espace confiné est défini par le contour de la buse d'aspiration 5. En fonctionnement, les barrettes étant en vis-à-vis du substrat, l'espace confiné de gaz réactif projette une empreinte sur le substrat : la forme de 5 l'empreinte dépend de la configuration et des contours des buses 4, 5,6. Un dépôt s-ALD se faisant généralement à partir de deux gaz réactifs mis successivement en contact avec le substrat, le dispositif de dépôt selon l'invention comporte au moins 10 deux barrettes 1,2 configurées pour injecter un premier et un deuxième (différent du premier) gaz réactif dans un premier et un deuxième espace confiné, en direction du substrat. Selon un premier mode de réalisation, la tête de dépôt 10 présentée sur la figure 2, comporte deux barrettes 1 et 2. 15 Chacune comprend une buse d'injection 4 et une buse d'aspiration 5 ; avantageusement, la buse d'injection 6 de gaz inerte est commune aux deux barrettes 1,2 et est configurée pour les entourer toutes les deux. Alternativement, chaque barrette 1,2 pourra être munie de sa propre buse d'injection 6 20 de gaz inerte. Les deux barrettes sont disposées cote à cote selon une direction dite principale (orientée selon l'axe y illustré sur la figure 2). La distance entre les axes médians des deux barrettes 1,2 contiguës (correspondant également aux axes médians des buses d'injection des gaz réactifs) est 25 appelée première distance de séparation et est notée D sur la figure 2. Selon un deuxième mode de réalisation avantageux illustré sur la figure 3, la tête de dépôt 10 peut comporter une pluralité de barrettes 1,2 disposées cote à cote en 30 alternance suivant la direction principale : dans cet exemple, la tête de dépôt 10 comprend 4 paires de première et deuxième barrettes 1,2. Une tête de dépôt 10 peut à titre d'exemple être constituée d'un empilement d'éléments permettant l'entrée et 3046800 13 la sortie des gaz utilisés (figure 4). L'élément 11 constitue le capot supérieur de la tête de dépôt 10. L'élément 12 permet l'introduction et l'évacuation des gaz respectivement injectés et aspirés et comporte 5 orifices d'entrée et de sortie de 5 gaz : un orifice d'entrée 121 du premier gaz réactif, un orifice de sortie 122 du premier gaz réactif, un orifice d'entrée 123 du deuxième gaz réactif, un orifice de sortie 124 du deuxième gaz réactif et un orifice d'entrée 125 du gaz inerte. Une plaque de distribution 13 permet de mettre en 10 communication l'élément 12 et l'élément 14 lequel comporte les rainures constituant les différentes buses 4,5,6 (d'injection et d'aspiration) des barrettes 1,2. Les éléments 11, 12, 13,14 de la tête de dépôt 10 pourront être constitués, à titre d'exemple, en acier inoxydable. 15 Sans que cela soit pris de façon limitative, la tête de dépôt 10 pourra être réalisée soit à partir de plusieurs éléments assemblés entre eux (par exemple par soudage, brasage ou collage) comme décrit précédemment, soit à partir d'un monobloc d'acier usiné, regroupant par exemple les éléments 20 12, 13,14, pour permettre notamment une meilleure étanchéité. Avantageusement, la tête de dépôt 10 du dispositif selon l'invention comprend en outre un masque 15 disposé en partie inférieure de la tête (figure 4), situé, en mode de 25 fonctionnement, entre les barrettes 1,2 et le substrat 20. Le masque 15 est avantageusement constitué d'une plaque percée d'une pluralité de trous dont le diamètre est inférieur à 100 microns, voire inférieur à 30 microns. Comme cela est représenté sur la figure 5a et en 30 référence à la figure 3, en face de chaque barrette 1,2, une série de trous 151 du masque 15 se trouve en vis-à-vis de la buse d'injection 4 du gaz réactif, une autre série de trous 152 se trouve en vis-à-vis de la buse d'aspiration 5 et enfin, 3046800 14 une autre série de trous 153 se trouve en vis-à-vis de la buse d'injection 6 du gaz inerte. Le masque permet de définir une forme prédéterminée de 5 l'empreinte, projetée par chaque espace confiné de gaz à la surface du substrat. De plus, le masque peut être utile pour limiter le débit des gaz en sortie des buses afin d'uniformiser leur distribution, et jouer ainsi un rôle de plaque de diffusion. 10 Le contour des empreintes formées sur le substrat est délimité par la distribution des trous du masque 15. Un plus grand nombre de perçages (trous) permet de définir un contour avec plus de précision. De plus, cela permet d'uniformiser les flux de gaz entre les trous d'injection de gaz 151 et les 15 trous d'extraction (aspiration) de gaz 152 au dessus du substrat et donc d'améliorer l'uniformité du dépôt. En particulier, la distance entre deux trous d'injection de gaz 151 ou d'extraction de gaz 152 doit être, de préférence, plus faible que l'espacement entre les deux séries de trous 151 et 20 152. Par exemple, pour un espacement de 1,5 mm entre les deux séries de trous d'injection 151 et d'aspiration 152, la distance entre deux perçages d'une série sera avantageusement plus faible que 1 mm. Alternativement, le contour des empreintes est délimité 25 par une rainure fine et continue. Pour obtenir une distribution uniforme des gaz, le masque 15 doit opposer suffisamment de résistance au passage des gaz. Pour cela, les ouvertures dans le masque 15 doivent présenter une section réduite et correspondre soit à des trous 30 de faible diamètre ou à des rainures de faible largeur. Plus le pourcentage d'ouverture dans le masque est faible, mieux le masque s'oppose au passage des gaz et plus le débit est uniforme. 3046800 15 La figure 5a présente un exemple de masque 15 avec une certaine configuration de trous 151, 152,153 : l'espace confiné de gaz correspondant à chaque barrette 1,2 fera dans 5 ce cas une empreinte de forme rectangulaire sur le substrat 20, la forme prédéterminée rectangulaire étant définie par la série de trous 152 en vis-à-vis de la buse d'aspiration 5 de chaque barrette 1,2. La figure 5b présente un autre exemple de masque 15 10 avec une configuration de trous 151',152',153' différente : l'espace confiné de gaz correspondant à chaque barrette 1,2 fera dans ce cas là une empreinte formant une succession de losanges intersectés, sa forme prédéterminée de polygone étant définie par la série de trous 152' en vis-à-vis de la buse 15 d'aspiration 5 de chaque barrette 1,2. Le masque 15 permet ainsi, par une configuration de trous adaptée, de définir une forme prédéterminée de l'empreinte de l'espace confiné de gaz sur le substrat, ladite forme prédéterminée pouvant correspondre à n'importe quelle forme géométrique. 20 Comme illustré sur les figures 5a et 5b, la première distance de séparation D correspond à la distance entre deux séries de trous 151 (ou 151') consécutives, lesdites séries de trous étant en vis-à-vis avec les axes médians des buses 25 d'injection 4 de gaz réactifs. Les premier et deuxième espaces confinés formés respectivement par les première et deuxième barrettes sont distants l'un de l'autre d'une deuxième distance de séparation d comprise entre une deuxième distance minimale et une 30 deuxième distance maximale. La distance dl, définie comme la deuxième distance minimale de séparation, correspond à la distance minimale entre les bords voisins de deux empreintes contiguës d'espaces confinés : elle se traduit par la distance minimale entre les bords voisins de deux contours contigus 3046800 16 dessinés par les séries de trous 152 (ou 152'). La distance d2, définie comme la deuxième distance maximale de séparation, correspond à la distance maximale entre les bords voisins de deux empreintes contiguës d'espaces confinés : elle se traduit 5 par la distance maximale entre les bords voisins de deux contours contigus dessinés par les séries de trous 152 (ou 152'). Sur la figure 5a, les deuxièmes distances minimale d1 et maximale d2 de séparation sont identiques du fait que les bords voisins de deux contours contigus dessinés par les trous 152 10 sont parallèles. Sur la figure 5b, les deuxièmes distances minimale d1 et maximale d2 de séparation sont différentes du fait que les bords voisins de deux contours contigus dessinés par les trous 152 sont non parallèles. 15 Dans une tête de dépôt 10 selon le deuxième mode de réalisation, c'est-à-dire comportant une pluralité de barrettes 1,2 alternées, la première distance de séparation D entre deux barrettes contiguës pourra être identique ou différente. A titre d'exemple, on pourra avoir la distance DAB 20 entre la première barrette 1 (gaz réactif A) et la deuxième barrette 2 (gaz réactif B) différente de la distance DEA entre la deuxième barrette 2 (gaz réactif B) et la première barrette suivante 1 (gaz réactif A). Les deuxièmes distances minimale et maximale de séparation d1 et d2 entre deux espaces confinés 25 contigus pourront elles aussi être identiques ou différentes. Par ailleurs, la forme prédéterminée de l'empreinte projetée par chaque espace confiné sur le substrat peut être identique ou différente entre deux barrettes contiguës. 30 Ces configurations de barrettes 1,2 et de masque 15 (première distance de séparation D, deuxièmes distances de séparation d1 et d2, forme prédéterminée) sont mises à profit dans le dispositif de dépôt selon l'invention pour le dépôt de 3046800 17 couches selon des motifs périodiques ou apériodiques, de forme et de dimensions diverses. Selon un troisième mode de réalisation du dispositif 5 selon l'invention, la tête de dépôt 10 peut comprendre trois barrettes 1,2,3, chacune configurée pour injecter un gaz réactif différent dans un espace confiné en direction du substrat, comme illustré sur la figure 6. Selon une variante, la tête de dépôt 10 peut comporter une pluralité de groupes de 10 trois barrettes en alternance. En général, le dispositif selon l'invention pourra comporter un groupe de deux, de trois ou d'une pluralité de barrettes, chacune configurée pour injecter un gaz réactif dans un espace confiné en direction du substrat, selon les 15 besoins de dépôt de couches. Le dispositif pourra en outre comporter une pluralité desdits groupes de barrettes. Le dispositif de dépôt selon l'un ou l'autre des trois 20 modes de réalisation non limitatifs décrits précédemment, comporte en outre des premiers organes de déplacement configurés pour imposer un mouvement contrôlé Y de va-et-vient relatif des barrettes (soit également de la tête de dépôt) vis-à-vis du substrat selon la direction principale. 25 La figure 7 présente une vue en coupe des buses 4, 5,6 de barrettes 1,2 injectant respectivement un gaz réactif A (barrette 1) et un gaz réactif B (barrette 2) dans des espaces confinés, au moyen des buses d'injection 4 et des buses d'aspiration 5 et séparés les uns des autres par les 30 injections de gaz inerte N (buses 6). Le substrat 20 supporté et/ou convoyé par un système convoyeur est exposé aux gaz réactifs en vis-à-vis de chaque espace confiné, selon une empreinte de forme prédéterminée. Avantageusement, la tête de dépôt 10 et le système convoyeur sont configurés pour que 3046800 18 l'espacement entre la tête de dépôt 10 et le substrat 20 soit inférieur à 500 microns. Rappelons que pour former une couche élémentaire c'est-à-dire une première couche du matériau à déposer, la surface du substrat doit être exposée à l'un puis 5 à l'autre des réactifs A et B. Avec n expositions successives à l'un et à l'autre des réactifs A et B, la couche déposée atteint une épaisseur théoriquement égale à n couches élémentaires. Comme illustré sur la figure 8a, les premiers organes 10 de déplacement pourront être configurés pour imposer le mouvement contrôlé selon la direction principale (suivant l'axe y) soit au substrat 20 (par exemple via un système convoyeur supportant ledit substrat 20), soit à la tête de dépôt 10, soit éventuellement aux deux simultanément (non 15 représenté). Les premiers organes de déplacement permettent un mouvement contrôlé selon la direction principale, d'une amplitude Y comprise dans une fourchette dite de recouvrement, c'est-à-dire permettant un recouvrement partiel et contrôlé 20 des zones du substrat exposées aux gaz de chacun des deux espaces confinés. Les bornes inférieure et supérieure de cette fourchette sont respectivement la deuxième distance minimale de séparation d1 et la somme de la première distance de séparation D et de la deuxième distance maximale d2 de 25 séparation. Un tel mouvement contrôlé en amplitude dans ladite fourchette de recouvrement autorise le dépôt de couche selon un motif à deux ou trois dimensions contrôlables. En deçà de la borne inférieure de la fourchette de recouvrement, il n'y a pas de dépôt car les zones du substrat exposées aux gaz 30 réactifs de chacun des deux espaces confinés ne se recouvrent pas. Au-delà de la borne supérieure de la fourchette de recouvrement, on retrouve une configuration standard de dépôt s-ALD sur pleine plaque, c'est-à-dire sur toute la surface du substrat et non selon des motifs à deux ou trois dimensions 3046800 19 contrôlables. Les premiers organes de déplacement du dispositif selon l'invention sont donc configurés pour contrôler le mouvement relatif de la tête de dépôt vis-à-vis du substrat dans cette fourchette de recouvrement. 5 Dans la présente description, le dépôt de couche selon un motif signifie le dépôt d'une ou plusieurs couches sur le substrat 20, qui ne couvre(nt) pas toute la surface du substrat 20, mais uniquement certaines zones, espacées de façon régulière ou non (formant ainsi des motifs périodiques 10 ou apériodiques). Par deux dimensions contrôlables, on entend l'épaisseur et la dimension latérale selon la direction principale (soit sur la figure 7, la dimension latérale selon l'axe y) : en effet, le déplacement relatif contrôlé (d'amplitude Y, avec d1 REVENDICATIONS1. Dispositif de dépôt chimique en phase gazeuse à flux alternés et à séparation spatiale des gaz réactifs, destiné à former une couche sur un substrat (20) selon un motif à deux ou trois dimensions contrôlables, comprenant : - Au moins une première barrette (1) configurée pour injecter dans un premier espace confiné en direction du substrat (20) un premier gaz réactif (A), - Au moins une deuxième barrette (2) configurée pour injecter dans un deuxième espace confiné en direction du substrat (20) un deuxième gaz réactif (B), différent du premier gaz réactif (A) ; les première (1) et deuxième (2) barrettes étant disposées côte à côte suivant une direction principale et distantes l'une de l'autre d'une première distance de séparation (D) ; Le dispositif étant caractérisé en ce qu'il comprend : - Des premiers organes de déplacement (40) configurés pour imposer un mouvement de va-et-vient relatif des barrettes (1,2) vis-à-vis du substrat (20) selon la direction principale, et contrôlé dont l'amplitude est comprise dans une fourchette de recouvrement. 2. Dispositif de dépôt chimique selon la revendication précédente, dans lequel les premier et deuxième espaces confinés sont distants l'un de l'autre d'une deuxième distance de séparation (d) comprise entre une deuxième distance minimale de séparation (di) et une deuxième distance maximale de séparation (d2) et dans lequel la fourchette de recouvrement définit une amplitude du mouvement contrôlé comprise entre la deuxième distance minimale de séparation (di) et la somme de la première 3046800 37 distance de séparation (D) et de la deuxième distance maximale de séparation (d2). 3. Dispositif de dépôt chimique selon l'une des revendications 5 précédentes, dans lequel chaque barrette (1,2) comporte une buse d'injection (4) d'un gaz réactif entourée par une buse d'aspiration (5), elle-même entourée par une buse d'injection (6) d'un gaz inerte, pour injecter le gaz réactif (A, B) et définir l'espace confiné, lequel projette 10 une empreinte (17,18) sur le substrat (20). 4. Dispositif de dépôt chimique selon la revendication précédente, dans lequel le motif présente trois dimensions contrôlables et les empreintes (17,18) du premier espace 15 confiné et du deuxième espace confiné ont des côtés contigus non parallèles selon la direction principale. 5. Dispositif de dépôt chimique selon l'une des deux revendications précédentes, dans lequel un masque (15) percé 20 d'une pluralité de trous (151,151',152,152',153,153') est disposé entre les barrettes (1,2) et le substrat (20), et en vis-à-vis des buses d'injection (4) de gaz réactif, d'aspiration (5) et d'injection (6) de gaz inerte de chaque barrette (1,2), les trous (152,152') en vis-à-vis de la buse 25 d'aspiration (5) définissant une forme prédéterminée de l'empreinte (17,18) projetée par chaque espace confiné sur le substrat (20). 6. Dispositif de dépôt chimique selon la revendication 30 précédente, comprenant une pluralité de têtes de dépôt (10), chaque tête de dépôt (10) incluant les barrettes (1,2) et le masque (15). 3046800 38 7. Dispositif de dépôt chimique selon l'une des revendications précédentes, comprenant une pluralité de premières (1) et deuxièmes (2) barrettes disposées côte à côte en alternance suivant la direction principale. 5 8. Dispositif de dépôt chimique selon l'une des revendications précédentes, comprenant au moins une troisième barrette (3) configurée pour injecter dans un troisième espace confiné en direction du substrat un troisième gaz réactif, différent du 10 premier (A) et du deuxième (B) gaz réactif, et disposée en alternance avec les première (1) et deuxième (2) barrettes suivant la direction principale. 9. Dispositif de dépôt chimique selon la revendication 5, dans 15 lequel la forme prédéterminée de l'empreinte (17,18) projetée par chaque espace confiné sur le substrat (20) est identique pour chaque barrette (1,2). 10. Dispositif de dépôt chimique selon la revendication 5, 20 dans lequel la forme prédéterminée de l'empreinte (17,18) projetée par chaque espace confiné sur le substrat est différente entre deux barrettes contiguës (1,2). 11. Dispositif de dépôt chimique selon la revendication 7, 25 dans lequel la première distance de séparation (D) entre deux barrettes (1,2) contiguës de la pluralité de barrettes est identique. 12. Dispositif de dépôt chimique selon la revendication 7, 30 dans lequel la première distance de séparation (D) entre deux barrettes (1,2) contiguës de la pluralité de barrettes est différente. 3046800 39 13. Dispositif de dépôt chimique selon l'une des revendications précédentes, comprenant un système convoyeur (30) apte à convoyer le substrat (20). 5 14. Dispositif de dépôt chimique selon l'une des revendications précédentes, dans lequel les premiers organes (40) de déplacement autorisent un mouvement contrôlé de va-et-vient relatif des barrettes (1,2) vis-à-vis du substrat (20) selon la direction principale, d'une précision 10 meilleure que 200 microns. 15. Dispositif de dépôt chimique selon l'une des revendications précédentes, comprenant des deuxièmes organes de déplacement configurés pour positionner les barrettes 15 (1,2) vis-à-vis du substrat (20) à un emplacement choisi, et dont la précision de déplacement est meilleure que 200 microns. 16. Procédé de dépôt chimique en phase gazeuse à flux alternés 20 et à séparation spatiale des gaz réactifs, pour former une couche sur une face supérieure d'un substrat (20) selon un motif à deux ou trois dimensions contrôlables, comprenant: - L'exposition d'une première zone (21) de la face supérieure dudit substrat (20) à un premier gaz 25 réactif (A) injecté par une première barrette (1) dans un premier espace confiné; - L'exposition d'une deuxième zone (22) de la face supérieure dudit substrat (20) à un deuxième gaz réactif (B) injecté par une deuxième barrette (2) 30 dans un deuxième espace confiné; Le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend une étape a) de déplacement correspondant à un mouvement relatif des barrettes (1,2) vis-à-vis du substrat (20) et contrôlé, dont l'amplitude est comprise dans une fourchette de 3046800 40 recouvrement, de sorte que la première zone (21) et la deuxième zone (22) se recouvrent au moins partiellement au niveau d'une zone de recouvrement (23) qui définit ledit motif. 5 17. Procédé de dépôt chimique selon la revendication précédente, dans lequel les première (1) et deuxième (2) barrettes sont disposées côte à côte suivant une direction principale et distantes d'une première distance de 10 séparation (D), les premier et deuxième espaces confinés sont distants l'un de l'autre d'une deuxième distance de séparation (d) comprise entre une deuxième distance minimale de séparation (di) et une deuxième distance maximale de séparation (d2), et la fourchette de recouvrement définit 15 une amplitude du mouvement contrôlé selon la direction principale comprise entre la deuxième distance minimale de séparation (di) et la somme de la première distance de séparation (D) et de la deuxième distance maximale de séparation (d2). 20 18. Procédé de dépôt chimique selon l'une des deux revendications précédentes, dans lequel le mouvement contrôlé présente une précision meilleure que 200 microns. 25 19. Procédé de dépôt chimique selon l'une des trois revendications précédentes, dans lequel l'étape a) est répétée de manière itérative, et le mouvement contrôlé est un mouvement de va-et-vient des barrettes (1,2) relativement au substrat (20), jusqu'à l'obtention d'une épaisseur 30 souhaitée de couche. 20. Procédé de dépôt chimique selon l'une des quatre revendications précédentes, comprenant une étape a') de déplacement relatif des barrettes (1,2) vis-à-vis du 3046800 41 substrat (20), soit grâce à un système convoyeur (30) du substrat (20), soit grâce à un système de déplacement des barrettes (1,2), pour choisir un emplacement de la première zone (21) et de la deuxième zone (22) sur la face supérieure 5 du substrat (20). 21. Procédé de dépôt chimique selon la revendication précédente, dans lequel les étapes a') et a) sont répétées, pour obtenir le dépôt de la couche selon ledit motif aux 10 emplacements choisis sur la face supérieure du substrat (20). 22. Procédé de dépôt chimique selon l'une des six revendications précédentes, dans lequel l'espacement entre 15 les barrettes (1,2) et la face supérieure du substrat (20) est inférieur à 500 microns. 23. Procédé de dépôt chimique selon l'une des sept revendications précédentes, dans lequel le motif comporte 20 une pluralité d'ilots en forme de parallélépipède, de losange, d'ellipse, de triangle ou toute autre forme géométrique. 25