Brevet FR3045148A1 — publié le 20170616

DISPOSITIF DE DETECTION A MEMBRANES BOLOMETRIQUES SUSPENDUES A FORT RENDEMENT D'ABSORPTION ET RAPPORT SIGNAL SUR BRUIT DOMAINE DE L'INVENTION L'invention a trait au domaine des détecteurs de rayonnement électromagnétique, en particulier de détecteurs à micro bolomètres destinés à la détection de rayonnements, typiquement dans le domaine « thermique », autrement dit infrarouge. ETAT DE LA TECHNIQUE Les détecteurs de rayonnement infra-rouge (« IR ») sont typiquement fabriqués sous la forme de juxtaposition bidimensionnelle (e.g. matricielle) d'un ensemble de micro-détecteurs élémentaires disposés en surface d'un substrat support, chaque micro-détecteur étant destiné à former un point d'image. Chaque micro-détecteur comprend une membrane suspendue au-dessus du substrat et connectée électriquement à ce dernier au moyen de longues poutres étroites (ou « bras ») encastrées sur des piliers électriquement conducteurs. L'ensemble est placé dans une enceinte hermétique, par exemple un boitier sous pression très réduite, de manière à supprimer la conductance thermique du gaz environnant. Chaque membrane s'échauffe en absorbant le rayonnement incident en provenance de la scène thermique observée, transmis et focalisé par une optique adéquate au niveau du plan focal sur lequel sont disposées les membranes. Cette membrane comporte notamment une couche d'un matériau « transducteur » dont une propriété électrique, la résistivité dans le cas des micro bolomètres, évolue fortement lorsque la température change, générant par exemple une variation de courant sous polarisation en tension constante, c'est-à-dire un signal électrique, proportionnelle au flux de rayonnement incident. Les procédés de fabrication classiques de détecteurs de ce type comprennent des étapes réalisées directement à la surface d'un substrat comportant une pluralité de circuits électroniques ou « circuits de lecture » ou « ROIC » en terminologie anglo-saxonne (acronyme de « Read Out Integrated Circuit »), de manière dite « monolithique ». Ce terme désigne une séquence continue d'opérations sur le même substrat, à la suite du processus de fabrication du circuit intégré, habituellement en silicium. Les étapes de fabrication des micro-détecteurs bolométriques sont en général analogues aux techniques usuelles de fabrication collective de l'industrie microélectronique, concernant 3045148 2 habituellement quelques dizaines à quelques centaines de détecteurs matriciels disposés sur un même substrat. Au cours de ces étapes de fabrication, les organes mettant en oeuvre les fonctions 5 bolométriques d'absorption optique, de transduction optique-thermique et de résistance thermique, sont formés à la surface d'une couche dite « sacrificielle », en ce sens que cette couche, simplement destinée à former une base de construction, est éliminée en fin de processus par un procédé adéquat qui n'agresse pas les autres constituants du détecteur, et notamment les organes formés sur celle-ci. Typiquement, il est mis en oeuvre 10 une couche de polyimide, couche qui est en final éliminée par combustion dans un plasma d'oxygène. Alternativement, la couche sacrificielle est une couche d'oxyde de silicium (génériquement désignée par « SiO ») éliminée en final par attaque fluorhydrique en phase vapeur (HFv). Suite à l'élimination de la couche sacrificielle, les membranes bolométriques restent suspendues au-dessus du substrat, sans autre contact ou attache que 15 leurs bras de maintien encastrés dans les piliers. La méthode de fabrication la plus répandue pour réaliser les membranes suspendues est dite « above IC » ou « MEMS-on-top ». Selon cette méthode, les micro-détecteurs sont construits directement à la surface du substrat comprenant les circuits de lecture, grâce à 20 des procédés spécifiques. Notamment, la couche sacrificielle est de nature organique - en général du polyimide - et le matériau transducteur le plus souvent un oxyde à caractère semi-conducteur (VOx, NiOx) ou du silicium amorphe (a-Si). Traditionnellement, pour la détection habituelle en infrarouge « lointain » (LWIR), il est également formé une lame quart-d'onde entre la membrane absorbante et un réflecteur disposé en surface du 25 substrat, de manière à former un maximum d'absorption du détecteur au voisinage de 10 micromètres. Ainsi, afin de connecter et maintenir la membrane à distance adaptée du réflecteur, pour former ladite lame quart-d'onde dans le vide, des piliers électriques à haut rapport d'aspect, habituellement plutôt complexes et d'encombrement non négligeable doivent être réalisés au travers d'une épaisse couche temporaire (sacrificielle) 30 de polyimide de l'ordre de 2 à 2,5 micromètres. Les couches diélectriques ou résistives qui constituent le « squelette » de la membrane, sont quant à elles réalisées classiquement en oxyde de silicium (SiO) ou nitrure de silicium (noté génériquement SiN), ou encore directement en silicium amorphe semi- 35 conducteur selon par exemple la demande de brevet américain US 5 912 464. Ces matériaux peuvent être déposés à relativement basse température et sont inertes vis-à-vis du procédé d'élimination de la couche sacrificielle organique sous plasma oxygéné. Ce processus de fabrication « above IC » est constitué typiquement d'une dizaine de 3045148 3 « niveaux » photo-lithographiques, c'est-à-dire selon un processus relativement complexe et couteux. Plus récemment, il a été proposé un nouveau type de fabrication des membranes qui 5 consiste à intégrer les micro-bolomètres dans les couches dite « back-end » (ou « BEOL » acronyme anglo-saxon pour « Back End Of Line »), à la manière des organes réalisant les fonctions MEMS en général. Cet acronyme désigne les étapes de fabrication de l'ensemble des interconnexions métalliques à relativement basse température, caractéristiques de la fin de processus de fabrication microélectroniques standards. Le but 10 de cette approche dite « MEMS-in-CMOS » est d'exploiter certaines dispositions du BEOL, matures sur le plan industriel, pour intégrer une partie des organes du micro bolomètre. En particulier, les vias métallisés d'interconnexion verticale entre niveaux de métal successifs BEOL, obtenus par exemple selon le procédé « damascene » constituent avantageusement les piliers des micro-détecteurs. Par ailleurs, les « IMD » (acronyme de 15 « Inter-Metal-Dielectrics »), en particulier en SiO, matériau standard en microélectronique, peuvent être avantageusement mis en oeuvre comme couches sacrificielles de construction des structures membranaires. Dans ce type d'intégration, les derniers niveaux photo-lithographiques pour la fabrication du circuit de lecture sont également utilisés pour réaliser directement les piliers soutenant les membranes. Il est 20 donc économisé quelques niveaux lithographiques parmi la série des niveaux nécessaires à la fabrication des micro bolomètres, d'où une économie significative sur les couts de fabrication. Toutefois, l'élimination de la couche sacrificielle en SiO de la fabrication « MEMS-in-CMOS » n'est dans ce cas faisable qu'au moyen d'acide fluorhydrique en phase vapeur (HFv). En conséquence, tous les matériaux constituant les micro bolomètres 25 doivent impérativement être inertes vis-à-vis de ce procédé chimiquement très agressif. Une telle approche « MEMS-in-CMOS », appliquée au cas des micro bolomètres, a été décrite dans le document US 2014/319350 qui détaille l'intégration dans l'empilement CMOS d'une couche sacrificielle SiO et d'une couche barrière permettant de contenir la 30 gravure HFv, ainsi que la réalisation des « piliers » des micro bolomètres en exploitant la dernière structure de connexion inter-niveaux métalliques (vias métallisés) standards de l'assemblage CMOS. Ce document décrit plus particulièrement une construction de micro bolomètres à base de silicium amorphe qui exploite l'enseignement du document US 5 912 464 pour ce qui concerne l'architecture de la membrane. Il est ainsi obtenu une 35 structure compatible avec la gravure HFv et réalisée au moyen de cinq niveaux photo- lithographiques seulement, ce qui apporte un gain très significatif par rapport au processus nettement plus complexe de l'état de l'art. 3045148 4 Si la technique « MEMS-in-CMOS » permet de simplifier la fabrication, elle souffre cependant de plusieurs limitations qui pénalisent la performance des micro bolomètres ainsi construits. 5 En particulier, l'architecture proposée selon cette technique impose un partage de l'espace disponible entre des zones métallisées destinées en particulier à absorber le rayonnement incident, et des zones uniquement occupées par le matériau transducteur (silicium amorphe). La fraction de la surface occupée par le métal conditionne la fonction de transduction optique - thermique (le rendement d'absorption optique E de la 10 membrane), tandis que la fraction de surface restante est consacrée à la fonction de transduction thermique - électrique dans le matériau transducteur. Cette limitation du volume de matériau impliqué dans la conduction électrique (par rapport au volume total de silicium amorphe présent dans la structure) engendre une réduction du nombre de porteurs de charges N mis en jeu dans la conduction. Il en résulte nécessairement une 15 hausse substantielle du bruit basse fréquence (« Bl/f ») conformément à la relation de Hooge, qui pénalise le ratio Signal/Bruit (« SNR ») du détecteur. Pour mieux comprendre cette problématique, il est fait référence aux figures 1 à 3, illustrant un micro-détecteur bolométrique résistif élémentaire 10 (ou « micro 20 bolomètre ») de l'état de la technique pour la détection infrarouge. Le bolomètre 10 comporte une fine membrane 12 absorbant le rayonnement incident, suspendue au-dessus d'un substrat - support 14 par l'intermédiaire de deux piliers d'ancrage conducteurs 16 auxquels elle est fixée par deux bras de maintien et d'isolation thermique 18. Dans l'exemple illustré, la membrane 12 comprend deux éléments métalliques 20, 22 ayant une 25 fonction d' absorbeur de rayonnement IR et d'électrodes de polarisation, et une couche de silicium amorphe 24 recouvrant chacune des deux électrodes 12, 14 et emplissant l'espace 18 séparant celles-ci. La couche 24 a une fonction de transduction de l'échauffement provoqué par l'absorption du rayonnement par les électrodes 20, 22 en une variation de résistance électrique. Dans cette structure, le matériau transducteur est 30 donc constitué uniquement de silicium amorphe, qui a l'avantage d'être inerte au processus de libération de la couche sacrificielle à base d'acide fluorhydrique en phase vapeur. La réponse 3Z (V/K) d'un micro bolomètre de résistance électrique Rb polarisé sous 35 tension constante Vpol exprime la variation de signal en sortie aS en relation avec une variation de température de scène a61' selon la relation générale : = -as -VpolA* £ * TCR * Rth* ae(esc) (1) an aesc Rb - -sc 3045148 5 où : - A est l'aire totale du point élémentaire sensible (pixel détecteur), - E est l'efficacité globale d'absorption optique du bolomètre, - TCR est le coefficient de variation de la résistance du bolomètre en fonction de la 5 température de la membrane, - Rth est la résistance thermique entre la membrane et le substrat (c'est-à-dire des bras de maintien), et - (61) est le flux radiatif émis par la scène à la température 8'. 10 Comme évoqué auparavant, l'efficacité d'absorption optique s est liée à la fraction de la surface de chaque membrane, occupée par le métal déposé à cette fin. La résistance électrique d'un micro-détecteur Rb s'exprime quant à elle en fonction de la résistivité p du matériau transducteur par exemple selon la relation : 15 Rb = p * 14÷, (2) où L, W et e sont respectivement la longueur, la largeur et l'épaisseur du volume de matériau transducteur (supposé, ou ramené à une forme parallélépipédique) parcouru par 20 le courant électrique. Dans l'exemple de membrane de la figure 1, ces dimensions sont sensiblement celles de la zone séparant les électrodes 20, 22, correspondant par exemple en une interruption physique (ou rainure) pratiquée dans une couche initialement continue de métal pour 25 réaliser les électrodes (qui sont dans cet exemple typique qualifiées de « coplanaires » car disposées au même niveau). La combinaison des relations (1) et (2) permet donc de préciser la réponse d'un micro-détecteur en fonction des paramètres dimensionnels de la résistance Rb mise en jeu. La puissance de bruit en courant d'une résistance polarisée sous une tension Vpol s'exprime par la somme quadratique du bruit basse fréquence dit « en 1/f» (/h/f) et d'une composante indépendante de la fréquence dite « bruit blanc » (Ibb). Le bruit ultime lié aux fluctuations thermiques peut être négligé devant ces contributeurs de premier ordre. La puissance de bruit /h//i2 varie pour sa part selon l'inverse du nombre N de porteurs de charge contenus dans le volume concerné par les lignes de courant, selon la relation de Hooge : 30 35 3045148 6 2 (3) 2 «H (17po Ib11 f - N * fbl* ln(BPCL) où aH est le « paramètre de Hooge » et « BPCL » est la bande passante en fréquence du circuit de lecture. Chaque matériau est caractérisé par un ratio de référence aH, dans n 5 lequel n est la densité volumique de porteurs de charge ; ce ratio dépend par ailleurs de la température. Ainsi, pour une résistance Rb de dimensions connues, le ratio °IN réel de l'élément considéré est calculé simplement à partir des paramètres dimensionnels W, L, e selon la relation : 10 aH aH W*L*e N n ( 1 ) (4) La puissance de bruit blanc /hh2 ne dépend que de la température et de la résistance de l'élément considéré selon la relation : 15 Ibb2 = 4*k*T (5) * (BPCL) Rb où k désigne la constante de Boltzmann et T la température. Un micro-détecteur doté d'une portion de matériau transducteur caractérisée par son ratio 20 - et sa résistance Rb, défini à partir des dimensions connues W, L et e, présente ainsi un bruit total lb qui s'exprime selon la relation : oo/ 2 lb = [4* Rb N Rk*T * (BPCL) - cH * (Vpb ) * ln(BPCL)1 (6) 25 Le ratio signal / bruit du micro-détecteur (SNR) se calcule par le ratio de la réponse (1) sur le bruit (6) en prenant en compte les éléments définis par le circuit de lecture (Vpol, BPCL) et les paramètres dimensionnels de la résistance de chaque micro-détecteur (W, L, e) qui permettent d'exprimer la résistance bolométrique Rb et le nombre de porteur de charges N. Le ratio SNR s'exprime ainsi selon la relation : 30 SNR oc (31) (7) Afin d'exemplifier de manière simplifiée, mais représentative, un pixel de très petites dimensions tel qu'il est aujourd'hui utile, voire nécessaire de proposer industriellement, 35 considérons le cas d'un détecteur bolométrique élémentaire dont la surface est de 12 x 121.1m2. 3045148 7 Pour définir le partage de cette surface disponible entre une fraction métallisée 20, 22 nécessaire à l'absorption du rayonnement thermique, et une fraction 26 électriquement active destinée à la transduction thermique - électrique, il est pratique de définir une rainure de longueur (électrique) L gravée dans une couche métal sur toute la largeur 5 (électrique) W = 121.1m de cet élément. Le ratio de surface occupé par le métal est alors égal à (12-L)/12, tandis que les longueurs et largeur de la résistance sont respectivement L et W = 12p.m. Les équations (2), (4) et (7) conduisent à la résistance bolométrique (Rb), au ratioN puis finalement au SNR en fonction de la grandeur de design L. 10 Ainsi, en négligeant pour simplifier les espaces consommés pour former les séparations inter-membranes adjacentes et les sous-structures telles que piliers, bras de maintien, et autres espaces nécessaires divers, il est considéré dans ce qui suit comme schématisé en figure 1, une aire de 12*12 psn2 comportant deux parties rectangulaires métallisées séparées par une rainure de longueur L, qui est aussi la longueur d'un volume de 15 transducteur en silicium amorphe de largeur W = 12p.m, de résistivité indicative 100acm, d'épaisseur typique e = 200 nm, et de ratio aH= 6.7E-28 m3, la résistance Rb et le SNR présentent une évolution en fonction de la distance L illustrée sur la figure 4. Afin de produire un rendement s d'absorption optique optimal, il est nécessaire de fixer la 20 longueur des zones non métallisées à des valeurs au maximum de l'ordre de 2-3µm. Cet espacement (longueur L) est par ailleurs nécessaire pour maintenir la résistance Rb du bolomètre élémentaire dans une gamme de valeurs compatible avec une mise en oeuvre adéquate du circuit de lecture dans le contexte de l'invention, en termes de polarisation Vpol, de temps d'intégration en lecture, et de dynamique utile (sans saturation) de 25 l'amplificateur de sortie. Cette condition est satisfaite typiquement lorsque la résistance bolométrique Rb est de l'ordre de, ou inférieure, à 1 MOhm environ. Pour plus d'éclaircissement en relation avec ces éléments, on verra par exemple « Uncooled amorphous silicon technology enhancement for 25,um pixel pitch achievement » ; E. Mottin et al, Infrared Technology and Application XXVIII, SPIE, vol. 4820E. 30 Ainsi, avec une longueur L fixée à 21.1m pour garantir un rendement d'absorption à l'état de l'art et une résistance acceptable, le SNR de ce micro-détecteur à base de silicium amorphe sera limité à 60% environ de sa valeur maximale correspondant aux grandes longueurs L (hors pertes d'absorption). Cette limitation est liée à l'augmentation du bruit 35 basse fréquence aux faibles valeurs de L. 3045148 8 L'obtention d'un compromis acceptable entre le rendement d'absorption et le SNR est donc délicate, voire impossible, pour les pixels sensibles de petites dimensions réalisés selon cet assemblage simplifié, particulièrement pour des pas inférieurs à 20pm. L'utilisation de matériaux transducteurs peu bruyants à basse fréquence, tels que les 5 oxydes métalliques semi-conducteurs (VOx, TiOx, NiOx, par exemple - la dénomination générique « MOx » sera employée par la suite), permettrait en principe de repousser cette limitation. Cependant, la mise en oeuvre de ces matériaux dans l'empilement de l'état de la technique n'est pas possible car ces matériaux seraient rapidement éliminés ou au moins fortement dégradés sous l'effet de la chimie de libération très agressive HFv. 10 Il existe donc un besoin, au moins dans le cadre d'assemblages micro bolométriques en partie intégrés à une filière CMOS, c'est-à-dire dont la matière sacrificielle est constituée de SiO ou tout matériau apparenté classique en microélectronique, de disposer de dispositifs de haute performance et de leurs méthodes de fabrication compatibles avec le 15 design de rétines de très petit pas, typiquement en dessous de 201.1m. EXPOSE DE L'INVENTION L'invention a ainsi pour but de proposer un détecteur à membranes bolométriques 20 suspendues, membranes dont l'architecture permet une haute performance en termes de rendement d'absorption et de SNR, et dont l'architecture peut être, au besoin, fabriquée selon une technologie nécessitant l'emploi d'une chimie de libération de couche sacrificielle très agressive. 25 A cet effet, l'invention a pour objet un dispositif de détection bolométrique comprenant : un substrat comprenant un circuit de lecture ; une matrice de détecteurs élémentaires comprenant chacun une membrane suspendue au-dessus du substrat et raccordée au circuit de lecture par au moins deux conducteurs électriques, ladite membrane comprenant deux électrodes 30 électriquement conductrices respectivement raccordées aux deux conducteurs électriques, et un volume de matériau transducteur raccordant électriquement les deux électrodes, dans lequel le circuit de lecture est configuré pour appliquer un stimulus électrique entre les deux électrodes de la membrane et pour former un signal électrique en réponse à ladite application, 35 3045148 9 Selon l'invention, ledit volume comporte : un volume d'un premier matériau transducteur raccordant électriquement les deux électrodes de la membrane et formant des parois d'une enceinte fermée dans laquelle chacune des électrodes est logée au moins partiellement ; et 5 un volume d'un second matériau transducteur, raccordant électriquement les deux électrodes et logé dans l'enceinte, la résistivité électrique du second matériau étant inférieure à la résistivité électrique du premier matériau. Par « transducteur », il est entendu un matériau dont la résistivité est comprise entre 0,1 et 10 104 Ohm.cm et présentant un coefficient thermique de résistance TCR négatif. L'invention a également pour objet un procédé de fabrication d'un dispositif de détection bolométrique, comprenant : la fabrication d'un substrat comprenant un circuit de lecture ; 15 le dépôt sur le substrat d'une couche sacrificielle ; la fabrication, sur la couche sacrificielle, d'une matrice de membranes, chacune raccordée au circuit de lecture par au moins deux conducteurs électriques, ladite membrane comprenant deux électrodes électriquement conductrices respectivement raccordées aux deux conducteurs électriques, et un volume de matériau transducteur 20 raccordant électriquement les deux électrodes ; une fois les membranes fabriquées, le retrait de la couche sacrificielle. Selon l'invention, la fabrication du volume transducteur comporte : le dépôt d'une couche inférieure d'un premier matériau transducteur sur la couche 25 sacrificielle ; la formation, sur la dite couche du premier matériau, des deux électrodes de la membrane ; le dépôt sur, et entre les électrodes, d'une couche de second matériau transducteur ; et 30 l'encapsulation de la couche de second matériau transducteur par une couche supérieure du premier matériau de manière à également couvrir partiellement les deux électrodes. En outre: 35 la résistivité électrique du second matériau est inférieure à la résistivité électrique du premier matériau ; le premier matériau est inerte au retrait de la couche sacrificielle. 3045148 10 En d'autres termes, le matériau transducteur est réalisé d'une « coque » et d'un « coeur » électriquement en parallèle vis-à-vis des électrodes formant organe d'absorption du rayonnement, avec le coeur constitué d'un matériau de plus faible résistivité que la coque, particulièrement au moins 5 fois plus faible, et typiquement 10 à 20 fois plus faible. 5 Particulièrement encore, la coque est constituée d'un matériau de résistivité supérieure à 10 Ohm.cm. Ce type d'architecture permet une composante de bruit basse fréquence réduite (/h/f), 10 essentiellement mise en oeuvre par le coeur en raison de la résistivité du coeur, tout en permettant grâce à la coque un choix de matériau approprié en fonction de la technologie de fabrication, par exemple une coque inerte à l'attaque chimique de libération de la couche sacrificielle dans le cadre d'une technologie MEMS-in-CMOS. 15 Selon un mode de réalisation, les deux électrodes sont coplanaires et séparées uniquement par une rainure. En variante, les deux électrodes appartiennent à une série d'au moins trois zones électriquement conductrices, coplanaires, et séparées les unes des autres par des rainures parallèles disposées entre les deux électrodes. 20 Selon un mode de réalisation, la membrane comporte une couche continue d'isolant électrique s'étendant entre les électrodes et recouvrant partiellement chacune d'entre elles. Selon un mode de réalisation, la résistivité électrique du second matériau est au moins 25 cinq fois plus faible que la résistivité électrique du premier matériau, et de préférence dix fois à vingt fois plus faible. Selon un mode de réalisation, le premier matériau a une résistivité électrique supérieure à 10 Ohm.cm, et de préférence une résistivité inférieure à 104 Ohm.cm. 30 Selon un mode de réalisation, le premier matériau est du silicium amorphe, un alliage amorphe de silicium et de germanium de formule Si'Ge(l'), ou un alliage amorphe de silicium et carbone de formule a-Si'C(l,), et le second matériau est un oxyde métallique. 35 Selon un mode de réalisation, la couche sacrificielle est retirée par une attaque d'acide fluorhydrique HFv, et en ce que le premier matériau est du silicium amorphe, un alliage amorphe de silicium et de germanium de formule a- Si,,Ge(l'), ou un alliage amorphe de silicium et carbone de formule a-S1,,C(1,). 3045148 11 Selon un mode de réalisation, les deux électrodes sont formés en déposant une couche de matériau électriquement conducteur et en réalisant uniquement une rainure dans ladite couche jusqu'à la couche inférieure de premier matériau. 5 Selon un mode de réalisation, les deux électrodes sont formés en déposant une couche de matériau électriquement conducteur et en réalisant au moins deux rainures parallèles dans ladite couche jusqu'à la couche inférieure de premier matériau. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, avant dépôt du second matériau 10 transducteur, le dépôt d'une couche électriquement isolante s'étendant entre les électrodes et recouvrant partiellement chacune d'entre elles. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES 15 L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple, et réalisée avec les dessins annexés, dans lesquels des références identiques désignent des éléments identiques ou équivalents, et dans lesquels : - la figure 1 est une vue schématique en perspective d'une membrane bolométrique de l'état de la technique suspendue au-dessus d'un circuit de lecture ; 20 - les figures 2 et 3 sont des vues schématiques de dessus et en coupe de la membrane de la figure 1 ; - la figure 4 est un tracé des rapports signal-sur-bruit en fonction de la longueur de l'espace inter-électrodes d'une membrane de la figure 1 ; - les figures 5 et 6 sont des vues schématiques de dessus et en coupe d'une membrane 25 bolométrique selon un premier mode de réalisation de l'invention ; - la figure 7 est un tracé des rapports signal-sur-bruit en fonction de la longueur de l'espace inter-électrodes d'une membrane de la figure 1 et d'une membrane selon le premier mode de réalisation de l'invention ; - la figure 8 est un tracé de rapports signal-sur-bruit en fonction de l'épaisseur de 30 silicium amorphe dans une membrane selon l'invention ; - les figures 9 et 10 sont des vues schématiques de dessus et en coupe d'une membrane bolométrique selon un second mode de réalisation de l'invention ; - la figure 11 est un tracé des rapports signal-sur-bruit en fonction de la longueur de l'espace inter-électrodes d'une membrane de la figure 1 et d'une membrane selon les 35 premier et second modes de réalisation de l'invention ; - les figures 12 et 13 sont des vues schématiques de dessus et en coupe d'une membrane bolométrique selon un troisième mode de réalisation de l'invention ; 3045148 12 - les figures 14 et 15 sont des vues schématiques de dessus et en coupe d'une membrane bolométrique selon un troisième mode de réalisation de l'invention ; et - les figures 16 et 17 sont des vues schématiques en coupe illustrant un procédé de fabrication d'une membrane selon l'invention. 5 DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION PREMIER MODE DE REALISATION 10 En se référant aux figures 5 et 6, une membrane 30 de micro-détecteur bolométrique selon l'invention comporte : - une coque d'encapsulation 32, avantageusement en silicium amorphe, comportant une couche inférieure ou « basale » 34, et un capot supérieur 36 formé d'une couche supérieure 38 et de parois latérales 40, définissant ensemble un volume interne 42 de 15 largeur W, de longueur M et de hauteur e ; - deux électrodes conductrices 20, 22, par exemple métalliques, reposant sur la couche inférieure 34 et recouvrant la totalité de cette dernière, sauf en ce qui concerne une interruption (ou rainure) de longueur (électrique) L les séparant physiquement. Le capot supérieur 36 repose par ailleurs sur chacune des électrodes 20, 22, définissant 20 donc un premier canal de conduction entre celles-ci ainsi qu'une cavité hermétique aux procédés chimiques agressifs pour le volume interne 42 ; - un coeur 44 remplissant entièrement le volume interne 42, et reposant en conséquence sur chacune des électrodes 20, 22, et définissant donc un deuxième canal de conduction entre ces dernières, de largeur W et d'épaisseur e, en parallèle du premier 25 canal de conduction. Le coeur 44 est constitué d'un matériau de résistivité plus faible que le matériau de la coque, au moins 5 fois plus faible, et typiquement 10 à 20 fois plus faible. Notamment, le coeur 44 est constitué d'un oxyde métallique à coefficient TCR négatif, par exemple du VOx et/ou du TiOx et/ou du NiOx, définissant un second canal de conduction doté d'un faible coefficient de bruit basse fréquence. 30 Dans cette configuration, le courant circule entre les deux pôles métalliques 20, 22, dans l'oxyde métallique sur la largeur W et dans le silicium amorphe sur sensiblement toute la largeur du pixel (e.g. 121.1m). Selon l'exemple considéré ici, les deux couches inférieure 34 et supérieure 38 de silicium amorphe, sont d'épaisseur égale, soit 20 nanomètres. La 35 largeur W et l'épaisseur e du MOx sont des variables d'ajustement de la résistance Rb du pixel. Elles ont été fixées ici à 6 .im et 40 nm, respectivement, afin d'obtenir une résistance Rb proche de 800 KS2 pour L = 2 1.1.m. 3045148 13 Les deux contributions de courant, circulant dans les deux matériaux transducteurs, s'ajoutent pour le calcul de la réponse R, et se somment de manière quadratique pour l'estimation du bruit. Il est ainsi obtenu pour ce dernier : lb = ,\Ilb(a-S2 0 lb(MOx) 5 Le ratio SNR peut ainsi être calculé pour le cas du pixel schématisé en figures 5 et 6, en fonction de la longueur L du canal de conduction, par exemple de manière simplifiée en admettant que le coefficient TCR est comparable pour les deux matériaux transducteurs. 10 Le graphique de la figure 7 montre que l'insertion d'une couche de transducteur oxyde métallique dix fois moins résistif que le silicium amorphe et générant peu de bruit basse fréquence pour une même résistance Rb, permet de compenser en grande partie la dégradation du SNR occasionnée par la réduction de L autour de 2 1.1.m. Il a été admis pour la construction de tous les graphiques un rapport OEH/N = 2.6 E-29 m3 pour le second 15 matériau transducteur, valeur considérée représentative de la technique connue. Ainsi, le SNR obtenu pour L=21.1m dans la configuration de l'invention (2 unités arbitraires, ou « u.a. », environ) est équivalent à la valeur accessible pour L=61.1m constitué uniquement d'un transducteur a-Si de 200nm d'épaisseur selon les assemblages 20 décrit dans le document US 5 912 464. Le courant circulant dans le silicium amorphe, qui représente 17% du courant total dans cet exemple, contribue à la réponse R grâce à son TCR équivalent à celui du MOx (relation 1), et ne pèse que marginalement sur le bruit global (relation 6). L'exploitation 25 élargie des relations indiquées montre que la proportion du courant passant par le chemin silicium amorphe peut varier - en relation avec l'épaisseur du silicium amorphe - dans une très large gamme sans que cela n'ait d'impact significatif sur le SNR, comme le montre la figure 8. 30 SECOND MODE DE REALISATION Si dans le mode de réalisation venant d'être décrit, l'introduction de l'oxyde transducteur MOx a permis un gain important sur le SNR, le bruit basse fréquence /h/freste malgré tout dominant à L=21.1m, et continue donc de limiter le SNR du micro-détecteur. 2 (8) 35 3045148 14 Afin de réduire davantage ce bruit dominant lié au faible volume de matériau traversé par le courant à travers le paramètre N, selon un second mode de réalisation, il est défini au moins deux interruptions ou rainures parallèles et identiques, par exemple chacune de longueur L. La longueur effective du canal de conduction devient ainsi P*L, où P est le 5 nombre de rainures. Ainsi, le volume de matériau actif dans la conduction se trouve doublé pour P = 2, tandis que la fraction de surface métallisée correspondant aux électrodes, optiquement absorbante mais qui définit des surfaces équipotentielles inactives en termes de transduction passe de 83% à 67%. La perte engendrée sur l'absorption £ peut être évaluée de l'ordre de à 10 à 15%, soit plus faible que la perte de 10 surface, grâce à l'étroitesse des rainures en regard de la longueur d'onde du rayonnement, soit 101.1m typiquement pour la détection en LWIR. En reprenant les relations exposées pour la membrane à une rainure (fig.5 et 6), le calcul du SNR peut être réalisé pour une membrane sensible comportant deux rainures, 15 définissant ainsi deux électrodes 20, 22 intercalant une zone métallique 50 (fig.9 et 10), en considérant que la longueur effective de la résistance est égale ici à 2*L. La grandeur L physique (e.g de chaque rainure) dans ce cas ne peut être balayée que jusqu'à 6 ùm, au-delà de laquelle l'intégralité du pixel serait dé-métallisée (avec disparition des contacts et donc de la résistance bolométrique). 20 L'empilement de couches reste celui de l'exemple précédent, soit deux couches a-Si à 100 ami (couche basale et d'encapsulation) de 20 nm chacune, une couche d'oxyde MOx à 10 acm et d'épaisseur 40 nm. Seule la largeur W du canal MOx a été élargie dans ce cas à 12 jam afin de conserver (avec deux rainures) une résistance Rb proche de celle 25 du pixel ne comportant qu'une rainure avec W= 6 ùm. Le graphique de la figure 11 montre qu'avec deux rainures de largeur L = 2 ùm, le SNR se trouve quasiment doublé par rapport au cas comportant une seule rainure (3,8 vs 2,0 u.a.). Ce gain peut être associé à la réduction du bruit basse fréquence découlant du 30 doublement du volume de matériau actif, et donc du nombre de porteurs N impliqués. La dégradation de l'absorption £ liée à l'ajout d'une deuxième rainure, estimée à 10% environ, est donc très largement surcompensée par l'augmentation du SNR. 35 3045148 15 TROISIEME MODE DE REALISATION Le troisième mode de réalisation de l'invention, illustré aux figures 12 à 15, diffère des modes de réalisation décrits ci-dessus par l'insertion d'une couche d'isolant électrique, 5 par exemple de diélectrique. Notamment, cette couche 52 est insérée entre les éléments métalliques 20, 22 (figures 12 et 13 correspondant au premier mode de réalisation complété) ou 20, 22, 50 (figures 14 et 15 correspondant au second mode de réalisation) et le transducteur MOx 44, sur toute leur emprise commune, sauf selon deux bandes 54, 56 parallèles à la ou aux rainures de longueur L et situées le long et à proximité de deux 10 arêtes opposées de la membrane. Ainsi, la longueur effective L', c'est-à-dire la longueur électrique totale du cheminement des lignes de courant entre les deux terminaux électriques du canal de conduction dans le second transducteur MOx 44 peut être augmentée de telle façon que L' » L, indépendamment de l'absorption optique E. L'augmentation consécutive du volume de MOx - et donc du nombre de porteurs de 15 charge N- a pour effet une baisse du bruit 1/f généré dans cette couche. Par exemple, en considérant une membrane telle qu'illustrée aux figures 12 et 13 à rainure unique, en fixant L' = 8 iam et comportant une rainure de longueur L = 2 iam dans la couche métallique, afin de respecter le critère imposé dans les modes de réalisation 20 précédents sur la résistance Rb, l'épaisseur de la couche MOx peut être doublée dans ce cas afin de compenser l'augmentation de la longueur L' du canal de conduction dans ce matériau. La couche d'oxyde transducteur à (par exemple) 10 acm sera donc ici d'une épaisseur de 80 nm et définie sur une largeur W= 12 pm, ce qui conduit à une résistance Rb proche de 800 K.S2 comparable aux modes précédents. 25 Dans le troisième mode de réalisation, une première partie du courant parcourt le silicium de la couche basale 34 sur une longueur L si le pixel ne comporte qu'une seule rainure (cas a/ des figures 12 et 13), ou 2*L si l'on a positionné deux rainures (cas b/) des figures 14 et 15). Une autre partie du courant parcourt la couche supérieure 36 d'encapsulation 30 sur une longueur L' plus élevée, cette autre partie du courant est ainsi proportionnellement plus faible. En appliquant les équations (1) à (8) sur les différentes contributions de courant prenant place dans ce mode de réalisation, et en utilisant les paramètres listés ci-dessus (MOx 44 avec W= e = 80 nm à 10 acm et aH/n = 2,6E-29 m3, inséré entre deux couches a- 35 Si de 20 nm d'épaisseur chacune à 100 acm), il en résulte une estimation de SNR du tableau ci-dessous pour les configurations a/ et b/ avec une et deux rainures, respectivement. 3045148 16 Membrane avec couche Rb (KS2) SNR (u.a.) d'isolant électrique 1 rainure (L= 21.1m) -741 3,84 2 rainures (L= 21.1m) -775 5,81 L'insertion de la couche 52 d'isolant électrique, isolant partiellement les électrodes 20, 22 du transducteur MOx 44, permet d'atteindre, avec une seule rainure L = 21.1m, la même valeur de SNR, soit 3,8 u.a., que dans le second mode de réalisation (figures 9 et 10), sans 5 la couche d'isolant 52, mais avec deux rainures de longueur L = 2 i.tm, comme cela est visible sur les courbes de la figure 11. Si l'on introduit une deuxième rainure de longueur 2 i.tm dans ce type de membrane (figures 14 et 15), le SNR atteint 5,8 u.a. Ce gain est lié à la réduction du bruit basse 10 fréquence généré par la couche basale a-Si 34, dominant dans le cas d'une simple rainure. Cet ultime niveau de SNR est obtenu en contrepartie, acceptable dans la plupart des cas, de l'ajout d'une couche diélectrique supplémentaire dans l'assemblage, et d'un niveau photo-lithographique supplémentaire. 15 Il convient de préciser que cette construction particulière nécessite de disposer les limites de la couche diélectrique en périphérie de pixel, en tout point inscrites à l'intérieur des limites des couches basale et d'encapsulation, de manière à ne pas offrir, le cas échéant, de point d'entrée au procédé HFv d'élimination de la couche sacrificielle. 20 On notera aussi que la limitation introduite précédemment à une, ou au plus deux rainures correspond au contexte très particulier et exemplatif de la fabrication de très petits pixels (détecteurs élémentaires) de 12 x 121.1m2 d'emprise. Si la technologie le permet ou pour des pixels plus étendus, la mise en oeuvre tout aussi avantageuse de l'invention peut appeler la définition de trois rainures ou plus, selon le pas du pixel. En effet, il convient 25 de maintenir approximativement constant le ratio W/L pour ne pas modifier excessivement la résistance Rb, et de maintenir des espaces (rainures) de largeur limitée pour ne pas détériorer excessivement l'absorption optique. De même, il est précisé la mise en oeuvre de silicium amorphe pour la formation de la 30 coque hermétique vis-à-vis du second matériau transducteur. Il convient de préciser que le même résultat sera obtenu au moyen d'alliages de silicium et de germanium de type aSi'Ge(l_x), ou des alliages amorphes de silicium et carbone de type a-Si'C (1-x) 3045148 17 La gamme de résistivité à considérer comme typique de l'invention tout en procurant substantiellement les avantages attachés s'étend ainsi entre 10 Ohm.cm et 104 Ohm.cm. PROCEDE DE FABRICATION 5 Il va à présent être décrit un procédé de fabrication selon un mode de réalisation de l'invention, débutant sur les étapes de fabrication de l'empilement du substrat CMOS du circuit de lecture selon les enseignements du document US 2014/319350. Le procédé selon l'invention permet la fabrication d'un détecteur bolométrique à l'aide d'un nombre 10 limité de niveaux photo-lithographiques mais compatible avec la mise en oeuvre de tout type de matériau transducteur, avantageusement essentiellement du MOx. Plus particulièrement, le procédé de fabrication selon l'invention est une technique d'assemblage des membranes compatible avec une libération d'une couche sacrificielle 15 de type HFv, combinant la mise en oeuvre d'un second matériau transducteur à faible résistivité électrique de type oxyde métallique, en conjonction d'un premier matériau transducteur tel du silicium amorphe ou alliage apparenté, destinée à protéger entièrement l'oxyde métallique lors de l'opération finale d'attaque de matériau diélectrique sacrificiel. Il est ainsi obtenu une construction capable de surclasser en termes de performances 20 (rapport Réponse / Bruit) l'état de l'art, de manière économique et compatible d'une intégration dans le flot de fabrication CMOS du ROIC support. En se référant aux figures 16 et 17, le procédé selon l'invention débute par exemple de manière classique par la construction d'un circuit électronique de lecture en technologie 25 CMOS 60 comportant un ou plusieurs niveaux 62 d'interconnexion 64 (partie « Back End » du circuit CMOS 60) reliant notamment des blocks fonctionnels du circuit de lecture 60 entre eux, et destinés à former des liaisons d'entrées/sorties du circuit de lecture 60. La continuité métallique entre la couche back-end du circuit 60 et chaque membrane bolométrique est par ailleurs réalisée au moyen d'un via métallisé 66 à travers 30 une couche barrière 68, la couche sacrificielle minérale (SiO) 70 et la couche basale 34 depuis le dernier métal du CMOS jusqu'à la couche métallique 74 à partir de laquelle seront formées les électrodes 20, 22 de la membrane (figure 16). L'enchainement des opérations est pour l'essentiel décrit par exemple dans le document US 2014/319350. 35 Le procédé se poursuit par la construction de la membrane compatible avec le procédé de libération HFv avec intégration d'un second matériau transducteur de plus faible résistivité, sans étapes additionnelles. En se référant à la figure 16, la fabrication de la membrane comporte : 3045148 18 - la gravure de la couche métallique 74 afin de définir une ou plusieurs rainures 76 de longueur L sur toute la largeur de la membrane et donc également deux électrodes métalliques 20, 22; - le dépôt du second matériau transducteur 44 à faible résistivité, par exemple et 5 typiquement un oxyde de vanadium (de formule générique VOx) ou de nickel (de formule générique NiOx) ou de Titane (de formule générique TiOx) directement sur le métal des électrodes 20, 22, de manière à former la résistance électrique Rb dans le plan des couches semi-conductrices, délimitée par les espaces non métallisés. - la définition au moyen d'une gravure sèche ou humide de l'extension selon le plan de 10 la couche 44 du second matériau transducteur, selon typiquement un simple rectangle, de dimensions plus réduites que le contour final de la membrane, c'est-à-dire en tout point de son périmètre inscrit à l'intérieur de ce (futur) contour, dudit matériau transducteur 44, de manière sélective sur le métal et le silicium amorphe sous-jacents. 15 - le dépôt d'une seconde couche de silicium amorphe d'encapsulation 36 préférentiellement, mais pas nécessairement, identique en résistivité et épaisseur à la couche basale 34 ; - la définition du contour de la membrane et des bras d'isolation thermique et gravure de l'ensemble des couches en place, c'est-à-dire les deux couches a-Si 34, 36, et le 20 métal des électrodes 20, 22. Le périmètre de ce masque ne recoupe préférentiellement en aucun endroit le motif du second matériau transducteur 44, de manière à ne pas produire d'exposition locale de celui-ci sur la tranche (c'est-à-dire en au moins certains points du périmètre de la membrane) de la structure. Accessoirement, cette disposition facilite la définition du procédé de gravure. 25 Selon cette construction, comparable au niveau des structures de soutien à la technique de référence, les bras sont uniquement formés des deux couches a-Si qui prennent en sandwich la couche métallique 74. Les couches a-Si 34 et 36 sont ainsi d'épaisseurs comparables et préférentiellement identiques, de manière à éviter les déformations 30 éventuelles liées à des contraintes internes différentielles. L'empilement intégrant une couche d'isolant électrique, par exemple diélectrique, du troisième mode de réalisation est représenté sur la figure 17. Il peut être obtenu, à partir de la fabrication illustrée sur la figure en coupe 16 une fois la ou les rainures dans la 35 couche métallique 74 réalisées, par l'application des étapes suivantes : - le dépôt de la couche diélectrique 52 (e.g. du SiO, du SiOxNy ou équivalent), en utilisant préférentiellement les matériaux et les techniques standard BEOL de la filière CMOS ; 3045148 19 - la définition des ouvertures 54, 56 dans la couche diélectrique 52 pour réalisation de contacts électriques débouchant sur le métal 74. Ces contacts sont typiquement réalisés le long de deux arêtes opposées de la membrane, et définissent les deux extrémités du parallélépipède de matériau transducteur principal 44, déposé ensuite ; 5 - le dépôt du second matériau transducteur 44 à plus faible résistivité, par exemple et typiquement un oxyde de vanadium (de formule générique VOx) ou de nickel (de formule générique NiOx) ou de Titane (de formule générique TiOx). Le transducteur principal 44 est alors isolé en dehors des ouvertures 54, 56 du métal des électrodes, de manière à former la partie en parallèle la moins résistive de la résistance Rb dans 10 le plan des couches de transducteurs, délimitée par les contacts réalisés auparavant ; - la définition du contour du second matériau transducteur, selon par exemple un simple rectangle, ou de manière plus générale selon un polygone simple de dimensions plus réduites que l'emprise finale de la membrane, et gravure sèche ou humide dudit transducteur, par exemple sélective sur la couche diélectrique 52. Cette 15 gravure peut ne pas être particulièrement sélective sur la couche diélectrique 52, auquel cas elle doit l'être par rapport à la couche métallique 74, ce qui offre une large latitude de définition à l'homme de métier ; - la gravure du diélectrique 52 (s'il reste à ce stade selon le procédé mis en oeuvre à l'étape précédente), par exemple et préférentiellement (de manière à utiliser 20 avantageusement le même masque que le précédent) suivant le même contour que le second matériau transducteur, au moyen d'une chimie humide, ou de préférence sèche, sélective par rapport au métal sous-jacent 74. Cette disposition préférentielle est destinée à supprimer le diélectrique 52 de la surface des bras de la membrane, de manière à ce qu'il n'y subsiste que les deux couches a-Si et le matériau métallique. Il 25 est ainsi obtenu une résistance thermique (e.g. une réponse) maximale de la membrane suspendue ; - le dépôt d'une seconde couche 36 de silicium amorphe d'encapsulation préférentiellement (mais pas nécessairement) équivalente en résistivité et épaisseur à la couche basale 34 ; 30 - la définition du contour de la membrane et des bras d'isolation thermique et gravure de l'ensemble des couches en place, c'est-à-dire les deux couches a-Si 34, 36, et le métal des électrodes 20, 22. Le périmètre de ce masque ne recoupe préférentiellement en aucun endroit le motif (l'extension) du second matériau transducteur 44 ni le diélectrique intermédiaire 52, de manière à ne pas laisser l'une 35 ou l'autre couche exposée localement sur la tranche de la structure. Accessoirement, cette disposition facilite la définition du procédé de gravure. 3045148 20 Il a été décrit des modes de réalisation particuliers dans lesquels la fonction de polarisation de la résistance Rb est mise en oeuvre par deux électrodes mettant également en oeuvre la fonction d'absorption. 5 Dans une variante, le métal utilisé pour les électrodes et le métal utilisé pour l'absorption peuvent être formés à partir de deux couches distinctes, notamment non coplanaires. Dans une variante, le métal utilisé pour les électrodes et la couches d'absorption peut être mis en oeuvre après la définition du second matériau transducteur, la polarisation de celui- 10 ci (la continuité électrique) étant obtenue par l'interface supérieure. La présente invention est développée dans le cas particulier spécifiquement pertinent de mise en oeuvre comme premier matériau, pour la formation de la couche basale et de la couche d'encapsulation, en d'autres termes de la coque hermétique, de silicium amorphe 15 de résistivité de l'ordre de 102 Ohm.cm. Cependant, la mise en oeuvre de matériaux amorphes alliés avec du germanium de type a-SixGe(l,), ou avec du carbone de type aSix-Cq,), procure aisément selon dopage et composition x particulière des matériaux couvrant la gamme entre typiquement 10 Ohm.cm et 104 Ohm.om (au-delà de laquelle on peut considérer dans ce contexte particulier ledit matériau comme quasiment 20 « diélectrique »), sans sortir du cadre de l'invention. En effet, tous ces matériaux sont inertes vis-à-vis des procédés de gravure des couches sacrificielles SiO sous forme HFv. REVENDICATIONS1. Dispositif de détection bolométrique comprenant : - un substrat (14) comprenant un circuit de lecture ; - une matrice de détecteurs élémentaires comprenant chacun une membrane (12) suspendue au-dessus du substrat (14) et raccordée au circuit de lecture par au moins deux conducteurs électriques (16, 18), ladite membrane comprenant deux électrodes électriquement conductrices (20, 22) respectivement raccordées aux deux conducteurs électriques, et un volume de matériau transducteur (24) raccordant électriquement les deux électrodes, dans lequel le circuit de lecture est configuré pour appliquer un stimulus électrique entre les deux électrodes (20, 22) de la membrane (12) et pour former un signal électrique en réponse à ladite application, caractérisé : - en ce que ledit volume comporte : ^ un volume (34, 38, 40) d'un premier matériau transducteur raccordant électriquement les deux électrodes (20, 22) de la membrane (12) et formant des parois d'une enceinte fermée (42) dans laquelle chacune des électrodes (20, 22) est logée au moins partiellement ; et - un volume (44) d'un second matériau transducteur raccordant électriquement les deux électrodes (20, 22) et logé dans l'enceinte (42), la résistivité électrique du second matériau étant inférieure à la résistivité électrique du premier matériau ; - et en ce que les deux matériaux transducteurs présentant un coefficient thermique de résistivité TCR négatif 2. Dispositif de détection bolométrique selon la revendication 1, caractérisé en ce que les deux électrodes (20, 22) sont coplanaires et séparées uniquement par une rainure. 3. Dispositif de détection bolométrique selon la revendication 1, caractérisé en ce que les deux électrodes (20, 22) appartiennent à une série d'au moins trois zones électriquement conductrices, coplanaires, et séparées les unes des autres par des rainures parallèles disposées entre les deux électrodes. 4. Dispositif de détection bolométrique selon la revendication 1, 2 ou 3, caractérisé en ce que la membrane comporte une couche continue d'isolant électrique (52) s'étendant entre les électrodes et recouvrant partiellement chacune d'entre elles. 35 3045148 22 5. Dispositif de détection bolométrique selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la résistivité électrique du second matériau est au moins cinq fois plus faible que la résistivité électrique du premier matériau, et de préférence dix fois à vingt fois plus faible. 5 6. Dispositif de détection bolométrique selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le premier matériau a une résistivité électrique supérieure à 10 Ohm. cm, et de préférence une résistivité inférieure à 104 Ohm.cm. 10 7. Dispositif de détection bolométrique selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le premier matériau est du silicium amorphe, un alliage amorphe de silicium et de germanium de formule SixGe(l,), ou un alliage amorphe de silicium et carbone de formule a-Si'C(l,), et le second matériau est un oxyde métallique. 15 8. Procédé de fabrication d'un dispositif de détection bolométrique, comprenant : - la fabrication d'un substrat (60) comprenant un circuit de lecture ; - le dépôt sur le substrat d'une couche sacrificielle (70); - la fabrication, sur la couche sacrificielle (70), d'une matrice de membranes 20 (12), chacune raccordée au circuit de lecture par au moins deux conducteurs électriques (66), ladite membrane comprenant deux électrodes électriquement conductrices (20, 22) respectivement raccordées aux deux conducteurs électriques, et un volume de matériau transducteur raccordant électriquement les deux électrodes ; 25 - une fois les membranes fabriquées, le retrait de la couche sacrificielle (70), caractérisé : - en ce que la fabrication du volume transducteur comporte : - le dépôt d'une couche inférieure d'un premier matériau transducteur (34) sur la couche sacrificielle (70) ; 30 - la formation, sur la dite couche du premier matériau, des deux électrodes de la membrane (20, 22); - le dépôt sur, et entre les électrodes, d'une couche de second transducteur (44); et - l'encapsulation de la couche de second matériau transducteur (44) par une couche supérieure du premier matériau (36) de manière à également couvrir partiellement les deux électrodes, 3045148 23 - et en ce que : - les deux matériaux transducteurs présentent un coefficient thermique de résistivité TCR négatif, et la résistivité électrique du second matériau est inférieure à la résistivité électrique du premier matériau ; 5 - le premier matériau est inerte au retrait de la couche sacrificielle. 9. Procédé de fabrication d'un dispositif de détection bolométrique selon la revendication 8, caractérisé en ce que la couche sacrificielle est retirée par une attaque d'acide fluorhydrique HFv, et en ce que le premier matériau est du silicium 10 amorphe, un alliage amorphe de silicium et de germanium de formule a- Si,,Ge(l-,), ou un alliage amorphe de silicium et carbone de formule a-S1,,C(1,). 10. Procédé de fabrication d'un dispositif de détection bolométrique selon la revendication 8 ou 9, caractérisé en ce que les deux électrodes sont formés en 15 déposant une couche de matériau électriquement conducteur et en réalisant uniquement une rainure dans ladite couche jusqu'à la couche inférieure de premier matériau. 11. Procédé de fabrication d'un dispositif de détection bolométrique selon la 20 revendication 8 à 10, caractérisé en ce que les deux électrodes sont formés en déposant une couche de matériau électriquement conducteur et en réalisant au moins deux rainures parallèles dans ladite couche jusqu'à la couche inférieure de premier matériau. 25 12. Procédé de fabrication d'un dispositif de détection bolométrique selon l'une des revendications 8 à 11, caractérisé en ce que la résistivité électrique du second matériau est au moins cinq fois plus faible que la résistivité électrique du premier matériau, et de préférence dix fois à vingt fois plus faible. 30 13. Procédé de fabrication d'un dispositif de détection bolométrique selon l'une des revendications 8 à 12, caractérisé en ce que le premier matériau a une résistivité électrique supérieure à 10 Omh.com, et de préférence une résistivité inférieure à 104 Ohm. cm. 35 14. Procédé de fabrication d'un dispositif de détection bolométrique selon l'une des revendications 8 à 13, caractérisé en ce qu'il comprend, avant dépôt du second matériau transducteur, le dépôt d'une couche électriquement isolante s'étendant entre les électrodes et recouvrant partiellement chacune d'entre elles.