Brevet FR3039921A1 — publié le 20170210

Procédé et système de contrôle d'une opération d'écriture d'une donnée dans une cellule-mémoire du type EEPROM Des modes de mises en oeuvre et de réalisation de l'invention concernent les mémoires mortes électriquement programmables et effaçables dites mémoires EEPROM, et plus particulièrement le contrôle du bon ou mauvais déroulement de l'opération d'écriture. L'invention s'applique avantageusement mais non limitativement au contrôle du niveau de charge d'un moyen d'alimentation, par exemple une batterie ou des piles, alimentant un appareil incorporant une ou plusieurs de ces mémoires. C'est le cas par exemple des prothèses auditives qui s'avèrent être particulièrement « gourmands » en piles. Aussi avoir un indicateur du niveau de charge de ces piles permettrait de ne les changer que lorsque cela est nécessaire en particulier lorsque le niveau de charge ne permet plus par exemple un bon déroulement d'une opération d'écriture dans la mémoire EEPROM. Selon un mode de mise en oeuvre et de réalisation, il est proposé une nouvelle solution, simple à mettre en oeuvre, pour détecter le bon ou le mauvais déroulement d'une opération d'écriture dans une cellule-mémoire du type EEPROM et fournir ainsi une indication d'un niveau de charge, faible ou bon, du moyen d'alimentation alimentant la cellule-mémoire et sa circuiterie associée. Une cellule-mémoire du type EEPROM comprend généralement un transistor ayant une grille flottante permettant la mémorisation de la donnée, une grille de commande, une région de source et une région de drain. Une telle cellule-mémoire utilise le principe du stockage non volatil de charges sur la grille flottante du transistor. Classiquement, l'opération ou cycle d'écriture d'une donnée comporte une étape d'effacement suivi d'une étape de programmation. La programmation se fait par effet Fowler-Nordheim en utilisant une impulsion de tension comportant une rampe suivie d'un 3039921 2 plateau de tension ayant une valeur élevée, typiquement de l'ordre de 13 à 15 volts, et comporte l'injection par effet tunnel d'électrons de la grille flottante vers le drain tandis que l'effacement, qui s'effectue également par effet Fowler-Nordheim, comporte une injection par effet 5 tunnel d'électrons du drain vers la grille flottante et s'effectue également en utilisant une impulsion d'effacement de forme similaire à celle de l'impulsion de programmation. Selon un aspect il est proposé un procédé de contrôle d'une opération d'écriture d'au moins une donnée dans au moins une cellule- 10 mémoire du type mémoire morte électriquement programmable et effaçable, comprenant au moins une étape d'effacement ou de programmation de ladite cellule par une impulsion correspondante d'effacement ou de programmation. En effet dans certains cas en fonction de la valeur logique de la 15 donnée ou du mot à écrire, l'opération d'écriture peut comporter uniquement une étape d'effacement ou uniquement une étape de programmation. Ainsi, si par exemple le mot à écrire ne contient que des « 0 », alors seule une étape d'effacement est nécessaire. 20 De même, lorsque le mot OF (en notation hexadécimale) doit être remplacé par le mot 1F, l'étape d'effacement est inutile. Le procédé selon cet aspect comprend également une analyse de la forme de ladite impulsion d'effacement ou de programmation au cours de l'étape correspondante d'effacement ou de programmation, le 25 résultat de cette analyse étant représentatif d'un déroulement correct ou non de l'opération d'écriture. Ainsi alors que dans l'art antérieur, une cellule EEPROM est écrite en « aveugle », c'est-à-dire que l'opération d'écriture est non algorithmique et exempte de contrôle durant l'opération d'écriture 30 proprement dite, le procédé selon cet aspect prévoit d'effectuer un contrôle au cours de l'opération d'écriture (étape d'effacement ou étape de programmation) en analysant la forme de l'impulsion correspondante d'effacement ou de programmation. 3039921 3 Et une telle analyse est plus simple à mettre en oeuvre qu'un contrôle classique d'une écriture correcte ou non prévoyant, après l'écriture, une relecture de la donnée écrite avec des paramètres de lecture modifiés. 5 Lorsque l'opération d'écriture comprend l'étape d'effacement suivie de l'étape de programmation de ladite cellule, le procédé comprend en outre une analyse de la forme de chacune desdites impulsions au cours de l'étape correspondante, le résultat de cette analyse étant représentatif d'un déroulement correct ou non de 10 l'opération d' écriture. Une impulsion nominale d'effacement et/ou une impulsion nominale de programmation comprend une rampe suivie d'un plateau ayant une tension nominale, et ladite analyse de forme comprend alors avantageusement une détermination de la durée dudit plateau, un 15 plateau ayant une durée inférieure à une durée limite étant représentatif d'un déroulement incorrect de l'opération d'écriture. Selon un mode de mise en oeuvre, la détermination de la durée dudit plateau comprend une détermination de l'instant d'occurrence dudit plateau et une comparaison de cet instant d'occurrence avec un 20 instant de référence correspondant à un pourcentage de la durée de l'impulsion nominale correspondante, un instant d'occurrence inférieur ou égal à l'instant de référence étant représentatif d'un déroulement correct de l'opération d'écriture et un instant d'occurrence supérieur à l'instant de référence étant représentatif d'un déroulement incorrect de 25 l'opération d' écriture. L'instant de référence correspond par exemple à 80% de la durée de l'impulsion nominale. Selon un autre aspect il est proposé une application du procédé tel que défini ci-avant, au contrôle du niveau de charge d'un moyen 30 d'alimentation alimentant un dispositif de mémoire contenant au moins une cellule-mémoire du type EEPROM. Selon un autre aspect il est proposé un dispositif de mémoire, comprenant un plan mémoire contenant au moins une cellule-mémoire du type mémoire morte électriquement programmable et effaçable et 3039921 4 des moyens de contrôle configurés pour contrôler le déroulement d'une opération d'écriture d'au moins une donnée dans ladite au moins une cellule-mémoire comportant au moins une étape d'effacement ou de programmation de ladite cellule par une impulsion correspondante 5 d'effacement ou de programmation, lesdits moyens de contrôle comprenant des moyens d'analyse configurés pour effectuer une analyse de la forme de ladite impulsion d'effacement ou de programmation au cours de l'étape correspondante d'effacement ou de programmation et délivrer une indication représentative d'un 10 déroulement correct ou non de l'opération d'écriture en fonction du résultat de cette analyse. Selon un mode de réalisation dans lequel l'opération d'écriture comprend l'étape d'effacement suivie de l'étape de programmation de ladite cellule, les moyens d'analyse sont configurés pour effectuer une 15 analyse de la forme de chacune desdites impulsions au cours de l'étape correspondante, et délivrer ladite indication représentative du déroulement correct ou non de l'opération d'écriture en fonction du résultat de cette analyse. Selon un mode de réalisation dans lequel une impulsion 20 nominale d'effacement et/ou une impulsion nominale de programmation comprend une rampe suivie d'un plateau ayant une tension nominale, les moyens d'analyse comprennent des moyens de détermination configurés pour déterminer la durée dudit plateau, un plateau ayant une durée inférieure à une durée limite étant 25 représentatif d'un déroulement incorrect de l'opération d'écriture. Selon un mode de réalisation, les moyens de détermination comprennent un module de détection configuré pour détecter l'instant d'occurrence dudit plateau et des moyens de comparaison configurés pour comparer cet instant d'occurrence avec un instant de référence 30 correspondant à un pourcentage de la durée de l'impulsion nominale correspondante, un instant d'occurrence inférieur ou égal à l'instant de référence étant représentatif d'un déroulement correct de l'opération d'écriture et un instant d'occurrence supérieur à l'instant de référence 3039921 5 étant représentatif d'un déroulement incorrect de l'opération d' écriture. Selon un autre aspect il est proposé un appareil, comprenant un dispositif de mémoire tel que défini ci-avant, un moyen d'alimentation 5 configuré pour alimenter le dispositif de mémoire, et des moyens d'indication du niveau de charge du moyen d'alimentation, ces moyens d'indication incorporant lesdits moyens de contrôle. D' autres avantages et caractéristiques de l' invention apparaîtront à l'examen de la description détaillée de modes de mise 10 en oeuvre et de réalisation, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels : -les figures 1 à 6 illustrent schématiquement différents modes de mise en oeuvre et de réalisation de l'invention. Sur la figure 1, la référence APP désigne un appareil, par 15 exemple une prothèse auditive, comportant un moyen d'alimentation ALM, par exemple une batterie ou des piles, alimentant notamment un dispositif DIS de mémoire non volatile du type EEPROM. Le dispositif de mémoire DIS comporte également des moyens de contrôle MCTRL configurés, comme on le verra plus en détail ci- 20 après, pour contrôler le déroulement d'une opération d'écriture d'une donnée dans au moins une cellule-mémoire du plan mémoire PM du dispositif de mémoire, et fournir une indication IND représentative du niveau de charge du moyen d'alimentation ALM. L'appareil APP incorpore également des moyens d'indication 25 MDNCH, incorporant les moyens de contrôle MCTRL ainsi que par exemple un microcontrôleur, et destinés à fournir en présence de ladite indication IND, une alerte sonore par exemple, en particulier un ou plusieurs « bips » réguliers au moyen d'un mini haut-parleur HP. En pratique, et à titre d'exemple non limitatif, tant que le mini 30 haut-parleur est silencieux, les piles peuvent ne pas être changées. Par contre, lorsque le ou les « bips » sont émis, les piles ALM sont à changer. En pratique le microcontrôleur et le mini-haut parleur sont déjà généralement présents dans une prothèse auditive et peuvent être 3039921 6 également associés à un processeur de traitement du signal. Dans ce cas il est aisé d'incruster un son « système » dans le contenu auditif délivré dans l'oreille et ladite alerte sonore peut être non seulement un ou plusieurs « bips » mais également par exemple une phrase 5 spécifique du type « veuillez changer les piles ». Le plan mémoire PM de structure classique et connue en soi, comporte des cellules-mémoire CEL de type EEPROM. Un décodeur colonne XDCD et un décodeur ligne YDCD permettent d'adresser le plan mémoire PM. 10 Ces décodeurs sont eux-mêmes adressés par un registre à décalage d'adresses ADRG. Le dispositif de mémoire DIS comporte également un registre à décalage de données DRG connecté au plan mémoire par le décodeur colonne XDCD. 15 Les adresses et données peuvent être entrées par les registres d'adresses ADRG et de données DRG respectivement et les données peuvent être extraites par l'intermédiaire du registre de données DRG. Le dispositif de mémoire DIS comporte également un registre de statut SRG relié au registre de données DRG. 20 L'ensemble de ces moyens est commandé par une logique de commande LG. Enfin, des moyens de génération de haute tension MGHV comportant notamment une pompe de charge et sa régulation associée, permettent de générer la haute tension, typiquement de l'ordre de 15 25 volts, pour permettre l'opération d'écriture des données dans la mémoire, comportant typiquement une étape d'effacement suivie d'une étape de programmation. On rappelle ici qu'une cellule-mémoire du type EEPROM comporte un transistor possédant de façon classique une grille de 30 commande, une grille flottante, une région de drain et une région de source. Une telle cellule est effaçable et programmable par effet Fowler-Nordheim. 3039921 7 Comme indiqué ci-avant, l'écriture d'une donnée dans une telle cellule de type EEPROM comporte généralement une étape d'effacement précédant une étape de programmation. Dans l'étape d'effacement, on couple le drain et la source du 5 transistor à la masse et on applique sur la grille de commande une tension de commande ayant une valeur d'effacement, typiquement de l'ordre de 15 volts. Quant à la programmation de la cellule, elle s'effectue classiquement en reliant la grille de commande à la masse et en 10 appliquant une tension de programmation sur le drain, typiquement également de l'ordre de 15 volts. En ce qui concerne la source, on peut soit laisser la source flottante soit la précharger à une tension de précharge non nulle. Bien qu'une cellule-mémoire de type EEPROM possède deux 15 modes de fonctionnement principaux, à savoir un mode de lecture et un mode d'écriture, l'opération d'écriture est la première à être défectueuse quand la tension d'alimentation Vdd décroît jusqu'à atteindre un niveau très bas. En effet, l'étape d'effacement ou l'étape de programmation requièrent la génération interne de la haute tension, 20 typiquement 15 volts, à travers plusieurs étages de pompe de charge. Ainsi, alors que l'opération de lecture peut être fonctionnellement correcte jusqu'à 1,3 volts, l'opération d'écriture est généralement considérée comme correcte jusqu'à 1,6 volts et peut être ensuite dégradée de 1,6 volts à 1,4 volts pour être immédiatement 25 considérée comme défectueuse en dessous de 1,4 volts. Par ailleurs, une cellule écrite dans un mode de fonctionnement dégradé peut être lue de façon correcte à l'instant t=0 et être ensuite défectueuse juste après. La figure 2 illustre une opération d'écriture mise en oeuvre par 30 l'utilisation d'une impulsion d'effacement IMP1 suivie par une impulsion de programmation IMP2. La valeur maximale de la durée de l'opération d'écriture, sensiblement égale à la somme des durées des impulsions IMP1 et IMP2, figure dans les spécifications de la mémoire. 3039921 8 Chaque impulsion tension/temps présente une rampe qui contrôle le courant tunnel de la cellule, suivie d'un plateau PLT, typiquement à un niveau nominal de 15 volts. La figure 3 est un zoom de l'une des impulsions IMP1 ou IMP2 5 et cette impulsion IMPN représente ici une impulsion nominale de forme trapézoïdale ayant un plateau de caractéristiques nominales PLTN. Dans le cas nominal, la durée de l'impulsion IMPN est fixe, égale par exemple à 1,5 ms et la durée du plateau PLTN est par exemple égale à 1 ms. 10 Comme indiqué ci-avant, alors que l'opération d'écriture comprend généralement une étape d'effacement suivie d'une étape de programmation, il est possible, dans certains cas, qu'une seule étape d'effacement ou de programmation soit nécessaire pour écrire un mot dans la mémoire. 15 Ainsi, si le mot à écrire ne contient que des « 0 », alors seule une étape d'effacement est nécessaire. De même, lorsque le mot OF (en notation hexadécimale) doit être remplacé par le mot 1F, l'étape d'effacement est inutile. Comme indiqué ci-avant, les moyens de génération de la haute 20 tension permettant la génération des impulsions IMP1 et/ou IMP2 comportent un ou plusieurs étages de pompes de charge associés à une régulation de pompes de charge comportant par exemple un oscillateur. La régulation permet de contrôler la tension de sortie de la pompe de charge. L'oscillateur est stoppé lorsque la sortie de la pompe 25 de charge dépasse une référence haute. La tension de sortie de la pompe de charge commence alors à décroître en raison de la charge. Dès que la tension de sortie de la pompe de charge est inférieure à une référence basse, l'oscillateur redémarre. L'écart de tension entre les références basse et haute (hystérésis) assure la stabilité. Cette 30 différence de tension est par exemple de l'ordre de 100 millivolts. Le niveau de régulation de la pompe de charge est par exemple le niveau de tension du plateau PLT, par exemple 15 volts. La rampe de charge est par exemple générée par un intégrateur analogique qui reçoit en entrée la tension de plateau. 3039921 9 La durée de l'impulsion (rampe + plateau) est commandée par un chronomètre (« timer »), analogique ou numérique. A titre indicatif, un chronomètre numérique peut comporter un oscillateur de fréquence fixe connecté à un compteur. Le compteur 5 démarre lorsque la pompe de charge démarre et la fin du comptage marque la fin de l'impulsion. Comme il est classique l'impulsion de programmation ou d'effacement, générée par le ou les étages de pompes de charge et la régulation associée, est appliquée à un circuit présentant une charge 10 capacitive ainsi que des courants de fuites. Lorsque la tension d'alimentation baisse, la sortance de la pompe de charge baisse fortement. Et lorsque la sortance de la pompe de charge est faible, son courant peut être par exemple inférieur au courant nécessaire à la 15 charge capacitive, auquel cas la rampe prend une allure du type de celle illustrée sur la figure 4, se ralentissant et prenant une forme courbée, le plateau étant naturellement raccourci. Lorsque la sortance de la pompe de charge est faible, son courant peut être aussi inférieur auxdits courants de fuite et la tension 20 nominale du plateau n'est alors pas atteinte. Ces deux alternatives peuvent également se cumuler. Selon un aspect de l'invention, on va contrôler le déroulement correct ou non de l'opération d'écriture d'une donnée dans une cellule-mémoire ou plus généralement le déroulement correct ou de l'écriture 25 d'au moins un mot dans le plan mémoire PM, en analysant, au cours de l'opération d'écriture, la forme de l'impulsion d'effacement et/ou de l'impulsion de programmation au cours de l'étape correspondante d'effacement et/ou de programmation. A cet égard, cette analyse de forme peut être avantageusement 30 mise en oeuvre par une détermination de la durée du plateau de l'impulsion correspondante. Ainsi, un plateau ayant une durée inférieure à une durée limite est représentatif d'un déroulement incorrect de l'opération d'écriture. 3039921 10 Pour déterminer cette durée du plateau, on peut par exemple déterminer l'instant d'occurrence du plateau, c'est-à-dire l'instant où la rampe se termine, c'est-à-dire l'instant où le niveau de tension de l'impulsion atteint le niveau du plateau. 5 Et ceci est possible notamment parce que la circuiterie de génération de l'impulsion d'effacement ou de programmation permet la détection de l'instant où le plateau est atteint, c'est-à-dire le moment où l'amplitude instantanée de l'impulsion au cours de la rampe atteint la consigne fixée d'amplitude maximale de l'impulsion (qui est celle 10 du plateau). On peut alors comparer cet instant d'occurrence avec un instant de référence qui correspond à un pourcentage de la durée de l'impulsion correspondante, par exemple 80% de la durée d'une impulsion nominale. 15 Et, si cet instant d'occurrence est inférieur ou égal à l'instant de référence, alors le déroulement de l'opération d'écriture est considéré comme étant correct tandis que si cet instant d'occurrence est supérieur à l'instant de référence, alors le déroulement de l'opération d'écriture est considéré comme incorrect. 20 Ceci va être illustré plus en détail en se référant plus particulièrement aux figures 4 et 5. Sur ces figures, on considère que l'on est en présence d'une situation à faible tension d'alimentation entraînant une limitation de la pompe de charge. 25 Comme expliqué ci-avant, la rampe est alors plus lente que la rampe rectiligne du cas nominal et a la forme d'une courbe de charge d'un circuit résistif capacitif RC. Sur ces deux figures, treg désigne l'instant d'occurrence du plateau et tref désigne l'instant de référence égal à un pourcentage de 30 la durée nominale d'une impulsion, par exemple 80% de 1,5 ms. Sur la figure 4, on voit que l'instant d'occurrence treg du plateau PLTB de l'impulsion IMPB se situe avant l'instant tref. Dans ce cas, la durée du plateau PLTB est considérée comme étant suffisante pour assurer une écriture correcte du mot dans la mémoire. 3039921 11 Dans cette situation, le déroulement de l'opération d'écriture est donc considéré comme étant correct. Par contre, sur la figure 5, l'instant d'occurrence treg du plateau PTM de l'impulsion IMPM se situe après l'instant de référence 5 tref. Par conséquent, la durée du plateau PLTM est insuffisante pour assurer une écriture correcte du mot dans la mémoire et donc l'opération d'écriture est considérée comme ayant un déroulement incorrect. 10 L'instant de référence tref est par exemple déterminé en usine lors de la phase de caractérisation de la mémoire. En pratique, comme illustré sur la figure 6, les moyens d'analyse MAL configurés pour analyser la forme de l'impulsion d'effacement et/ou de programmation comportent un module de 15 détection MCM configuré pour détecter l'instant treg à partir de la tension de sortie de l'ensemble PCH (pompe de charge+régulation). A cet instant, la valeur du compteur CPT est lue et stockée par exemple dans une bascule. Un comparateur CMP compare alors cette valeur du compteur à 20 l'instant de référence tref et délivre alors l'indication IND représentative d'un déroulement correct ou non de l'opération d' écriture. Cette indication IND peut être par exemple un bit prenant la valeur « 1 » pour un déroulement incorrect et la valeur « 0 » pour un 25 déroulement correct de l'opération d'écriture. Ainsi, si par exemple la durée nominale d'une impulsion d'effacement et/ou d'écriture se traduit par un compteur ayant une valeur égale à 1024, l'instant tref peut être considéré comme étant équivalente à une valeur de compteur égale à 800. 30 La valeur du bit IND peut être accessible par un bus du type STI en utilisant par exemple un des bits non utilisés d'un mot de statut présent dans le registre de statut SRG. Ce bit IND peut être un bit volatil remis à « 0 » à chaque arrêt du fonctionnement de l'appareil APP. 3039921 12 Comme indiqué ci-avant, lorsque le microcontrôleur associé à la mémoire EEPROM détecte la présence d'un bit IND égal à « 1 », il peut alors prendre la décision d'émettre un ou plusieurs « bips » et/ou une phrase spécifique via le haut-parleur HP indiquant à l'utilisateur 5 qu'il est urgent de changer la batterie. Le microcontrôleur peut également prendre la décision d'interdire toute nouvelle commande d'écriture dans la mémoire EEPROM afin d'éviter tout dysfonctionnement. REVENDICATIONS1. Procédé de contrôle d'une opération d'écriture d'au moins une donnée dans au moins une cellule-mémoire du type mémoire morte électriquement programmable et effaçable, comprenant au moins une étape d'effacement ou de programmation de ladite cellule par une impulsion correspondante d'effacement (IMP1) ou de programmation (IMP2) et une analyse de la forme de ladite impulsion d'effacement ou de programmation au cours de l'étape correspondante d'effacement ou de programmation, le résultat de cette analyse étant représentatif d'un déroulement correct ou non de l'opération d'écriture. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'opération d'écriture comprend l'étape d'effacement suivie de l'étape de programmation de ladite cellule, le procédé comprenant en outre une analyse de la forme de chacune desdites impulsions (IMP1, IMP2) au cours de l'étape correspondante, le résultat de cette analyse étant représentatif d'un déroulement correct ou non de l'opération d' écriture. 3. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel une impulsion nominale d'effacement (IMPN) et/ou une impulsion nominale de programmation (IMPN) comprend une rampe suivie d'un plateau (PLTN) ayant une tension nominale, et ladite analyse de forme comprend une détermination de la durée dudit plateau, un plateau (PLTM) ayant une durée inférieure à une durée limite étant représentatif d'un déroulement incorrect de l'opération d' écriture. 4. Procédé selon la revendication 3, dans lequel la détermination de la durée dudit plateau comprend une détermination de l'instant d'occurrence (treg) dudit plateau et une comparaison de cet instant d'occurrence avec un instant de référence (tref) correspondant à un pourcentage de la durée de l'impulsion nominale correspondante (IMPN), un instant d'occurrence inférieur ou égal à l'instant de référence étant représentatif d'un déroulement correct de l'opération 3039921 14 d'écriture et un instant d'occurrence supérieur à l'instant de référence étant représentatif d'un déroulement incorrect de l'opération d' écriture. 5. Procédé selon la revendication 4, dans lequel l'instant de 5 référence correspond à 80% de la durée de l'impulsion nominale (IMPN). 6. Application du procédé selon l'une des revendications précédentes, au contrôle du niveau de charge d'un moyen d'alimentation (ALM) alimentant un dispositif de mémoire (DIS) 10 contenant au moins une cellule-mémoire du type EEPROM. 7. Dispositif de mémoire, comprenant un plan mémoire (PM) contenant au moins une cellule-mémoire du type mémoire morte électriquement programmable et effaçable et des moyens de contrôle (MCTRL) configurés pour contrôler le déroulement d'une opération 15 d'écriture d'au moins une donnée dans ladite au moins une cellule- mémoire comportant au moins une étape d'effacement ou de programmation de ladite cellule par une impulsion correspondante d'effacement (IMP1) ou de programmation (IMP2), lesdits moyens de contrôle comprenant des moyens d'analyse (MAL) configurés pour 20 effectuer une analyse de la forme de ladite impulsion d'effacement ou de programmation au cours de l'étape correspondante d'effacement ou de programmation et délivrer une indication représentative d'un déroulement correct ou non de l'opération d'écriture en fonction du résultat de cette analyse. 25 8. Dispositif selon la revendication 7, dans lequel l'opération d'écriture comprend l'étape d'effacement suivie de l'étape de programmation de ladite cellule, et les moyens d'analyse (MAL) sont configurés pour effectuer une analyse de la forme de chacune desdites impulsions au cours de l'étape correspondante, et délivrer ladite 30 indication représentative du déroulement correct ou non de l'opération d'écriture en fonction du résultat de cette analyse. 9. Dispositif selon l'une des revendications 7 ou 8, dans lequel une impulsion nominale d'effacement et/ou une impulsion nominale de programmation comprend une rampe suivie d'un plateau (PLTN) ayant 3039921 15 une tension nominale, et les moyens d'analyse (MAL) comprennent des moyens de détermination configurés pour déterminer la durée dudit plateau, un plateau ayant une durée inférieure à une durée limite étant représentatif d'un déroulement incorrect de l'opération d'écriture. 5 10. Dispositif selon la revendication 9, dans lequel les moyens de détermination comprennent un module de détection (MCM) configuré pour détecter l'instant d'occurrence (treg) dudit plateau et des moyens de comparaison (CMP) configurés pour comparer cet instant d'occurrence (treg) avec un instant de référence (tref) 10 correspondant à un pourcentage de la durée de l'impulsion nominale correspondante, un instant d'occurrence inférieur ou égal à l'instant de référence étant représentatif d'un déroulement correct de l'opération d'écriture et un instant d'occurrence supérieur à l'instant de référence étant représentatif d'un déroulement incorrect de l'opération 15 d' écriture. 11. Dispositif selon la revendication 10, dans lequel l'instant de référence correspond à 80% de la durée de l'impulsion nominale (IMPN). 12. Appareil, comprenant un dispositif de mémoire (DIS) selon 20 l'une des revendications 7 à 11, un moyen d'alimentation (ALM) configuré pour alimenter le dispositif de mémoire (DIS), et des moyens d'indication (MDNCH) du niveau de charge du moyen d'alimentation, ces moyens d'indication (MDNCH) incorporant lesdits moyens de contrôle (MCTRL).