Brevet FR3038449A1 — publié le 20170106

COMMUTATEUR DE CHANGEMENT DE PHASE PLAQUÉ PAR ÉLECTROLYSE CONTEXTE DE L'INVENTION Domaine de l'invention [0001] Les modes de réalisation de la présente invention se rapportent généralement à un dispositif électronique et, plus spécifiquement, à une matrice tridimensionnelle de commutateurs de changement de phase ou de commutateurs à seuil (OTS) plaqués par électrolyse. 10 Description de l'état de la technique proche de l'invention [0002] La mémoire à changement de phase (PCM) est un type de technologie de mémoire non volatile. PCM est une technologie nouvelle et utile pour les applications de classe mémoire (SCM) et un concurrent sérieux pour déloger la mémoire flash NOR et NAND dans les applications de stockage à semi-conducteurs et, dans le cas de la mémoire flash 15 NAND, les disques statiques à semi-conducteurs (SSD). PCM fonctionne en se basant sur la commutation d'une cellule de mémoire, généralement basée sur des chalcogénures telles que Ge2Sb2Te5, entre deux états stables, un état cristallin et un état amorphe, en chauffant la cellule de mémoire. Pour chauffer la cellule de mémoire, un courant électrique s'écoule à travers la cellule PCM. 20 [0003] Une matrice de cellules PCM agencées en une matrice, et chaque cellule PCM, peuvent être couplées avec un commutateur sélecteur tel qu'un commutateur à seuil (OTS). Des canaux mots (WL) et des canaux bits (BL) sont agencés de façon à ce que chaque cellule de mémoire puisse être programmée ou interrogée. Une rangée de cellules 25 PCM est activée par un seul canal mot WL et chacune des cellules PCM dans cette rangée affectera le canal bit BL auquel elle est électriquement connectée selon l'état des cellules PCM, c'est-à-dire selon que les cellules PCM sont dans leur état de résistance haute (amorphe) ou basse (cristallin). 3038449 2 RÉSUMÉ DE L'INVENTION [0004] Certains modes de réalisation de la présente invention se rapportent généralement à un procédé pour fabriquer un composant électrique plaqué par électrolyse, comprenant : le dépôt d'un couche d'arrêt de gravure au-dessus d'un substrat ; le dépôt de couches alternées de matériaux conducteurs et isolants au-dessus de ladite couche d'arrêt de gravure pour créer une pile verticale ; la gravure d'un espace à travers cette pile verticale pour exposer la couche d'arrêt de gravure ; la formation d'un réseau électrique pour connecter électriquement à une partie desdites couches conductrices ; le placage par électrolyse sur lesdites couches conductrices dans ledit espace en utilisant un matériau de placage basé sur un comportement électrique désiré du composant électrique ; la formation d'une connexion électrique sur le matériau de placage dans ledit espace pour permettre une connexion électrique à travers ledit espace jusqu'audit matériau de placage ; et l'enlèvement de la connexion dudit réseau électrique aux couches conductrices. [0005] Certains modes de réalisation de la présente invention ont généralement trait à une structure pour un composant électrique vertical plaqué par électrolyse, comprenant : une couche d'arrêt de gravure disposée au-dessus d'un substrat ; une pile verticale comprenant des couches alternées de matériaux conducteurs et isolants au-dessus de cette couche d'arrêt de gravure ; dans lequel la pile verticale a au moins un espace formé à travers elle, les couches conductrices sont plaquées par électrolyse en utilisant un matériau de placage basé sur un comportement électrique désiré du composant électrique pour former une paroi latérale dudit espace, une forme dudit matériau de placage est hémisphérique, une épaisseur dudit matériau de placage est plus petite qu'une largeur dudit espace, une épaisseur dudit matériau de placage est plus petite qu'une épaisseur des couches isolantes adjacentes dans ledit espace ; et une couche métallique de contact supérieure formée sur la paroi latérale dudit espace, ledit matériau de placage étant entre ladite couche conductrice et ladite couche de contact supérieure et ladite couche de contact supérieure étant connectée à d'autres structures plaquées par électrolyse adjacentes dans ledit espace. 3038449 3 [0006] Certains modes de réalisation de la présente invention ont généralement trait à un système électrique, comprenant : un dispositif de stockage comprenant au moins une matrice verticale, chaque matrice verticale comprenant une pluralité de cellules de mémoire ; et un dispositif sélecteur pour accéder électriquement à la pluralité de cellules 5 de mémoire dans ledit dispositif de stockage ; un premier matériau métallique pour connecter verticalement ladite matrice verticale de cellules de mémoire ; et un deuxième matériau métallique à connecter à un matériau conducteur dans le plan qui est orthogonal à ladite matrice verticale de cellules de mémoire, et dans lequel la matrice verticale de cellules de mémoire comprend : une couche d'arrêt de gravure au-dessus d'un substrat ; 10 une pile verticale comprenant des couches alternées de matériau isolant dans le plan et dudit matériau conducteur dans le plan au-dessus de la couche d'arrêt de gravure, dans lequel les couches conductrices et isolantes dans le plan sont parallèles avec une surface du substrat, la pile verticale comprenant au moins un espace formé à travers elle, et les couches conductrices sont plaquées par électrolyse en utilisant le matériau de placage, ce 15 matériau de placage étant basé sur un comportement électrique désiré d'un composant électrique pour former la paroi latérale dudit espace. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS [0007] Afin de permettre la compréhension en détail des caractéristiques susmentionnées 20 de la présente invention, on trouvera ci-après une description plus précise de l'invention, résumée brièvement ci-dessus, laquelle description fait référence à des modes de réalisation, dont certains sont illustrés dans les dessins annexés. Cependant, il convient de noter que les dessins annexés n'illustrent que des modes de réalisation typiques de cette invention et qu'ils ne doivent dont pas être considérés comme limitant sa portée, car 25 l'invention peut couvrir d'autres modes de réalisation tout aussi efficaces. [0008] La figure 1 est un schéma fonctionnel d'un système de traitement donné en exemple. [0009] La figure 2A illustre une pile verticale, donnée en exemple, de couches alternées 30 de matériaux conducteurs et isolants, selon certains modes de réalisation de la présente invention. 3038449 4 [0010] La figure 2B illustre deux piles verticales, données en exemple, de couches alternées de matériaux conducteurs et isolants, selon certains modes de réalisation de la présente invention. 5 [0011] La figure 2C illustre les piles verticales données en exemple de la figure 2B avec des couches renfoncées de matériau conducteur, selon certains modes de réalisation de la présente invention. 10 [0012] La figure 2D illustre une vue perspective des piles verticales données en exemple de la figure 2C, selon certains modes de réalisation de la présente invention. [0013] La figure 2E illustre la pile verticale donnée en exemple de la figure 2C avec un matériau de placage couplé à chacune des couches conductrices, selon certains modes de 15 réalisation de la présente invention. [0014] La figure 2F illustre une vue perspective de la pile verticale donnée en exemple de la figure 2E, selon certains modes de réalisation de la présente invention. 20 [0015] La figure 2G illustre la pile verticale donnée en exemple de la figure 2E avec une couche de contact connectant chacun des matériaux de placage, selon certains modes de réalisation de la présente invention. [0016] La figure 2H illustre une vue perspective de la pile verticale donnée en exemple 25 de la figure 2G, selon certains modes de réalisation de la présente invention. [0017] La figure 21 illustre la pile verticale donnée en exemple de la figure 2E, dans laquelle les couches conductrices ne sont pas renfoncées, selon certains modes de réalisation de la présente invention. 30 [0018] La figure 2J illustre la pile verticale donnée en exemple de la figure 2G, dans laquelle les couches conductrices ne sont pas renfoncées, selon certains modes de réalisation de la présente invention. 3038449 5 [0019] La figure 3 illustre un composant de mémoire donné en exemple utilisant des couches alternées de matériaux conducteurs et isolants, selon certains modes de réalisation de la présente invention. 5 [0020] Pour faciliter la compréhension, on a utilisé des numéros de référence identiques, dans la mesure du possible, pour désigner des éléments identiques qui sont communs aux figures. On envisage que des éléments divulgués dans un mode de réalisation puissent être utilisés avantageusement sur d'autres modes de réalisation sans que cela soit spécifiquement mentionné. 10 DESCRIPTION DÉTAILLÉE [0021] Dans la description ci-après, il est fait référence à des modes de réalisation de l'invention. Cependant, il faut comprendre que l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits spécifiques. Au lieu de cela, on envisage n'importe quelle 15 combinaison des caractéristiques et des éléments suivants, qu'ils soient liés ou pas à différents modes de réalisation, pour mettre en oeuvre et appliquer l'invention. De plus, bien que les modes de réalisation de l'invention puissent présenter des avantages sur d'autres solutions possibles et/ou sur les antériorités, qu'un avantage particulier soit présenté ou pas par un mode de réalisation donné ne limite pas la portée de l'invention. 20 Ainsi, les aspects, caractéristiques, modes de réalisation et avantages décrits ci-après sont donnés uniquement à titre d'illustration et ne sont pas considérés comme des éléments ou des limitations des revendications annexées à moins que cela ne soit spécifié explicitement dans une ou des revendications. De même, toute référence à « l'invention » ne sera pas interprétée comme une généralisation de n'importe quelle 25 matière inventive divulguée ici et ne sera pas interprétée comme étant un élément ou une limitation des revendications annexées sauf si cela est spécifié explicitement dans une ou des revendications. [0022] La figure 1 est un bloc fonctionnel d'un système de traitement 100 ayant un 30 dispositif de traitement 102 et un dispositif de mémoire 104. Ce dispositif de mémoire 104 comprend des cellules de mémoire qui sont disposées dans une formation matricielle de rangées et de colonnes. Le processeur 102 est interfacé avec la matrice de cellules de 3038449 6 mémoire via un décodeur de rangée 106 et un décodeur de colonne 108. Les cellules de mémoire individuelles sont commandées par des canaux mots qui peuvent s'étendre le long des rangées de la matrice et par des canaux bits qui peuvent s'étendre le long des colonnes de la matrice. Une cellule de mémoire peut exister à une jonction entre les 5 canaux mots et bits. Pendant un cycle de lecture/écriture, un décodeur de rangée choisit une page de rangées de cellules de mémoire à lire ou sur laquelle écrire. De même, le décodeur de colonne choisit une adresse de colonne de cellules de mémoire pour le cycle de lecture/écriture. Dans certains modes de réalisation de la présente invention, chaque cellule de mémoire (par exemple à une jonction entre les canaux mots et bits) peut 10 comprendre au moins soit une cellule de mémoire de changement de phase (PCM) (par exemple utilisant un matériau de changement de phase), soit un commutateur à seuil (OTS). [0023] Les figures 2A à 2J illustrent une structure et un procédé pour fabriquer un 15 composant électrique (par exemple un dispositif de mémoire), selon certains modes de réalisation de la présente invention. [0024] Par exemple, ce procédé peut comprendre le dépôt d'une couche d'arrêt de gravure 202 au-dessus d'un substrat, sur lequel une pile verticale de couches conductrices et 20 isolantes peut être déposée, comme cela est illustré sur la figure 2A. Dans certains modes de réalisation, la couche d'arrêt de gravure 202 peut être faite de n'importe quel matériau qui n'est pas gravé dans un plasma contenant du fluor, tel que du chrome, un métal magnétique ou un oxyde qui n'est pas gravé dans le fluor comme l'oxyde d'aluminium. Au-dessus de la couche d'arrêt de gravure, on peut déposer des couches 25 alternées de matériaux isolants 204 et de matériaux conducteurs 206 pour former une pile verticale. Cette pile verticale peut comporter n'importe quel nombre de couches isolantes et conductrices, d'une manière alternée comme cela est illustré. Dans certains modes de réalisation, le matériau isolant peut être du dioxyde de silicium (Si02) et le matériau conducteur peut être du silicium dopé, du molybdène (Mo) ou du tungstène (W). Dans 30 certains modes de réalisation, l'épaisseur des couches conductrices et isolantes peut être la même. Dans certains modes de réalisation, l'épaisseur 222 de la couche conductrice peut être plus petite que l'épaisseur 224 des couches isolantes. 3038449 7 [0025] Dans certains modes de réalisation, une couche de masque dur 208 est déposée au-dessus de la pile verticale et est utilisée comme un masque de gravure. Ce masque dur peut être fait en chrome, ou dans n'importe quel matériau qui n'est pas gravé dans un plasma contenant du fluor, par exemple. 5 [0026] À ce stade, on peut former un ou plusieurs espaces à l'intérieur de la pile verticale, comme l'illustre la figure 2B. Par exemple, une couche de masquage peut être déposée au-dessus du masque dur 208 selon un motif, laissant des parties exposées de la couche du masque dur là où le ou les espaces doivent être formés. En utilisant une 10 chimie de gravure qui gravera le matériau exposé du masque dur, on peut enlever la partie exposée du masque dur. À ce stade, seules les parties de la pile verticale où un espace doit être formé sont exposées, et les autres parties sont couvertes par le matériau du masque dur. Ainsi, en utilisant une chimie de gravure qui gravera les matériaux de la pile verticale, au moins un espace 210A et 210B peut être formé dans la pile verticale 15 jusqu'à la couche d'arrêt de gravure, exposant celle-ci. Dans certains modes de réalisation, on peut utiliser un procédé de gravure par ions réactifs (RIE) pour former les espaces 210A et 210B. Facultativement, on peut enlever le masque dur 208 après avoir formé les espaces. 20 [0027] Dans certains modes de réalisation, les couches conductrices, maintenant exposées aux parois latérales de chaque espace 210A et 210B, peuvent être renfoncées par rapport aux couches isolantes, comme l'illustre la figure 2C. C'est-à-dire qu'une longueur horizontale 226 de chacune des couches de matériaux conducteurs 206 peut être plus courte qu'une longueur horizontale 228 de chacune des couches de matériaux isolants 25 204. Par exemple, les parois latérales de chaque espace 210A et 210B peuvent être exposées à un processus de gravure par plasma qui grave sélectivement les couches conductrices plus vite que les couches isolantes. Ainsi, des poches renfoncées 212 peuvent être formées là où les couches conductrices sont renfoncées par rapport aux parois des espaces d'une distance plus grande que les couches isolantes. Ces poches 30 renfoncées permettent à un matériau de placage d'être formé sur chaque couche conductrice (comme discuté plus en détail en référence à la figure 2E), de manière à ce que le matériau de placage pour chaque couche conductrice n'entre pas en contact avec le 3038449 matériau de placage formé sur une couche conductrice adjacente. Dans certains modes de réalisation, on peut utiliser une gravure humide lente pour former les poches renfoncées 212. 5 [0029] La figure 2D illustre une vue perspective de la pile verticale de couches conductrices 206 et de couches isolantes 204 comportant les espaces 210A, 210B, 210C et 210D (210 collectivement). Dans certains modes de réalisation, chaque espace 210 peut être de forme conique s'étendant à travers la pile verticale de matériaux conducteurs et isolants et exposant la couche d'arrêt de gravure. Dans certains modes de réalisation, 10 chaque espace expose une partie à surface plate de la couche d'arrêt de gravure, par opposition à celui-ci se terminant en une pointe aiguë au fond de chaque espace. [0029] Comme l'illustre la figure 2E, les couches conductrices peuvent être plaquées en utilisant un processus de placage par électrolyse. Le placage par électrolyse est un 15 processus qui utilise un courant électrique pour réduire les cations métalliques dissous de manière à ce qu'ils forment un revêtement métallique cohérent sur une électrode. Pour plaquer par électrolyse les couches conductrices, on peut coupler les couches conductrices de la pile verticale à un réseau électrique utilisé pour appliquer un potentiel sur les couches conductrices, agissant comme la cathode pendant l'électrodéposition. Ce réseau 20 électrique peut être formé temporairement pour connecter électriquement toutes les couches conductrices qui doivent contenir un matériau de placage. Chacun des matériaux de placage formés sur les couches conductrices peut être un dispositif plaqué par électrolyse (par exemple un dispositif de changement de phase plaqué par électrolyse). Après que les matériaux de placage ont été formés, on peut enlever le réseau 25 électrique pour permettre des dispositifs plaqués adressables par électrolyse. De plus, la résistance électrique venant de l'emplacement sur le substrat où le matériau de placage est formé et l'alimentation électrique externe peuvent être similaires pour tous les dispositifs. La résistance électrique aux bornes de ce réseau électrique (temporaire) est importante avant le placage par électrolyse pour obtenir un volume et une composition 30 similaires de toutes les structures plaquées par électrolyse. [0030] Selon les paramètres de placage par électrolyse, le matériau de placage peut avoir 3038449 9 une coupe transversale hémisphérique. Par conséquent, la partie la plus épaisse de la structure plaquée par électrolyse peut être considérée comme l'épaisseur de la structure plaquée par électrolyse pour des besoins de simplicité. 5 [0031] L'épaisseur du matériau de placage peut être plus petite que la largeur de l'espace pour empêcher à du matériau de placage adjacent de se joindre à lui. De plus, l'épaisseur des couches isolantes entre les couches conductrices est importante pour empêcher des dispositifs plaqués par électrolyse adjacents de se joindre dans la direction verticale. Par conséquent, les matériaux de placage (par exemple les dispositifs plaqués par électrolyse) 10 peuvent avoir une épaisseur qui est plus petite que l'épaisseur des couches isolantes adjacentes. Dans le cas où les couches isolantes ne sont pas égales, la couche isolante plus mince peut définir la limite pour l'épaisseur du dispositif plaqué par électrolyse. [0032] Dans certains modes de réalisation, on peut utiliser un processus de placage par 15 électrolyse avec bain aqueux pour former le matériau de placage. Dans d'autres modes de réalisation, on peut utiliser une solution ionique pendant le processus de placage par électrolyse. Le matériau utilisé pour plaquer les couches conductrices (par exemple le matériau dans le bain pendant l'électrodéposition) peut être basé sur un comportement électrique désiré (par exemple un matériau de changement de phase ou un commutateur à 20 seuil (OTS)) comme cela est discuté plus en détail ci-après. Il convient de noter que la couche du masque dur peut être enlevée ou déconnectée de toute alimentation électrique de manière à ce qu'aucun matériau de placage ne soit formé au-dessus de la pile verticale. Dans certains modes de réalisation, chaque fiche peut être formée de façon à avoir une taille, une épaisseur et une composition similaires. Après que le matériau de placage a été 25 formé, les couches conductrices peuvent être isolées électriquement en les déconnectant du réseau électrique. [0033] La figure 2F illustre une vue perspective de la pile verticale de la figure 2E, selon certains aspects de la présente invention. Comme illustré, chacune des fiches 220 est 30 formée autour d'une circonférence des espaces 210 et le long d'un bord des couches conductrices 206. [0034] Comme l'illustre la figure 2G, chacune des fiches 220 peut être connectée à une 3038449 10 bande de contact supérieure 214, représentant une barrière de diffusion ét une connexion ohmique à un trou d'interconnexion qui peut être formé dans l'espace (par exemple pendant une étape de traitement ultérieure). La bande de contact 214 peut être faite en un matériau conducteur tel qu'un métal (par exemple du tungstène, du platine ou du cuivre). 5 Dans certains modes de réalisation, l'espace peut être rempli d'un matériau conducteur après que la bande de contact 214 a été formée. La figure 2H est une vue perspective de la pile verticale représentée sur la figure 2G. Comme illustré, la bande de contact 214 peut être formée via une couche conductrice formée au-dessus de chacun des matériaux de placage 220 et au-dessus de la pile verticale. 10 [0035] Dans certains modes de réalisation, les couches conductrices 206 peuvent ne pas être renfoncées par rapport aux couches isolantes 204. Par exemple, comme cela est illustré sur la figure 21, une longueur horizontale des couches conductrices 206 est la même qu'une longueur horizontale des couches isolantes 204. Les matériaux de placage 15 220 sont formés sur les couches conductrices de manière à ce qu'elles n'entrent pas en contact avec le matériau de placage formé sur une couche conductrice adjacente. La figure 2J illustre la pile verticale de la figure 21, avec une bande de contact 214 formée au-dessus de chacune des fiches 220. 20 [0036] La figure 3 illustre une pluralité de cellules de mémoire dans un dispositif de mémoire, selon certains modes de réalisation de la présente invention. Comme illustré, les couches conductrices d'espaces adjacents peuvent être connectées pour former une ou plusieurs bandes 218 de matériau conducteur. La jonction 216 entre la bande conductrice 218 et la bande de contact 214 comprend le matériau de placage formé pendant le 25 processus de placage par électrolyse, comme décrit en référence à la figure 2E. [0037] Comme cela a été présenté plus haut, selon le matériau utilisé pour plaquer les couches conductrices, la jonction 216 entre la couche conductrice et la bande de contact 214 peut avoir des propriétés électriques différentes. Par exemple, dans certains modes 30 de réalisation, on peut utiliser un matériau qui fait que la jonction 216 a une propriété électrique d'un matériau de changement de phase, tel que GeSbTe, SeTe, SiTe, SbSe, SnSe, SnTe, SnSb, GeSb, GeTe, SiSb et des alliés de ceux-ci. Un comportement 3038449 11 électrique d'un matériau de changement de phase est caractérisé par un passage d'un état de blocage (par exemple en fait un circuit ouvert ou un état très résistif) à un état résistif, selon qu'une tension appliquée sur le matériau de changement de phase atteint ou pas un certain seuil. 5 [0038] Dans d'autres modes de réalisation, on peut utiliser un matériau de placage qui fait que la jonction 218 a une propriété électrique d'un commutateur à seuil (OTS), tel que GeSeBi. Un OTS est un dispositif à deux bornes qui passe d'un état de blocage (par exeniple un état très résistif) à un état conducteur selon qu'une tension appliquée sur cet 10 OTS atteint ou pas un certain seuil. [0039] Chaque bande 218 peut être connectée à un ou à plusieurs dispositifs sélecteurs (par exemple des commutateurs), configurée de façon à accéder aux jonctions 216 entre chacune de la pluralité de couches conductrices et la bande de contact 214. Dans certains 15 modes de réalisation, les bords des couches conductrices exposés aux parois latérales de chaque espace peuvent être plaqués par électrolyse en utilisant un matériau de changement de phase ou un matériau OTS pour créer une ou plusieurs cellules de mémoire. Chaque cellule de mémoire peut être commandée par des composants couplés avec la bande 218 et la bande de contact 214, qui fournissent l'accès à chacune des 20 jonctions 216. C'est-à-dire que le matériau de placage aux jonctions 216 forme des cellules de mémoire d'une matrice verticale, chaque cellule de mémoire étant sélectionnée par l'intermédiaire des bandes 218 en utilisant les dispositifs sélecteurs. Comme illustré, les couches conductrices sont orthogonales à la matrice verticale des cellules de mémoire. 25 [0040] Les dispositifs PCM et OTS divulgués ici sont des agencements tridimensionnels extensibles. Il faut comprendre que cette description n'est pas limitée aux dispositifs PCM et OTS, mais plutôt qu'elle est applicable à tout matériau avec un comportement électrique désiré. Les modes de réalisation divulgués ici peuvent être mis à l'échelle, tout 30 en ayant un faible encombrement à cause de leur architecture tridimensionnelle. [0041] Bien que la description ci-dessus porte sur des modes de réalisation de la présente invention, d'autres modes de réalisation de l'invention peuvent être conçus sans 3038449 12 s'éloigner de la portée de base de celle-ci, et la portée de base de celle-ci est déterminée par les revendications qui suivent. REVENDICATIONS1. Procédé pour fabriquer un composant électrique plaqué par électrolyse, comprenant : le dépôt d'une couche d'arrêt de gravure au-dessus d'un substrat ; le dépôt de couches alternées de matériaux conducteurs et isolants au-dessus de ladite couche d'arrêt de gravure pour créer une pile verticale ; la gravure d'un espace à travers la pile verticale pour exposer la couche d'arrêt de gravure ; la formation d'un réseau électrique pour connecter électriquement à une partie desdites couches conductrices ; le placage par électrolyse sur lesdites couches conductrices dans ledit espace en utilisant un matériau de placage basé sur un comportement électrique désiré du composant électrique ; la formation d'une connexion électrique sur le matériau de placage dans ledit espace pour permettre une connexion électrique à travers ledit espace jusqu'audit matériau de placage ; et l'enlèvement de ladite connexion du réseau électrique aux couches conductrices. 2. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre la gravure des couches conductrices de manière à ce que les couches conductrices soient renfoncées par rapport à une paroi latérale de l'espace avant le placage par électrolyse. 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel les couches conductrices sont renfoncées par rapport à la paroi latérale de l'espace d'une distance à peu près égale à une épaisseur de la couche conductrice. 4. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le comportement électrique comprend un cb.angement de phase et/ou un commutateur à seuil (OTS). 3038449 14 5. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la gravure de l'espace à travers la pile verticale comprend : le dépôt d'une couche de masque dur au-dessus de la pile verticale ; l'enlèvement d'une partie de la couche du masque dur pour exposer une partie 5 d'une surface supérieure de la pile verticale ; et la gravure des parties exposées de la pile verticale pour créer l'espace. 6. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la couche d'arrêt de gravure consiste 10 en du chrome. 7. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le matériau conducteur consiste en du silicium dopé, du molybdène (Mo) ou du tungstène (W) ou des alliages de ceux-ci. 15 8. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le placage par électrolyse comprend une connexion électrique entre lesdites couches conductrices et une source d'alimentation externe par l'intermédiaire d'un bain aqueux. 9. Structure pour un composant électrique vertical plaqué par électrolyse, 20 comprenant : une couche d'arrêt de gravure disposée au-dessus d'un substrat ; une pile verticale comprenant des couches alternées de matériaux conducteurs et isolants au-dessus de cette couche d'arrêt de gravure ; la pile verticale ayant au moins un espace formé à travers elle, 25 les couches conductrices étant plaquées par électrolyse en utilisant un matériau de placage basé sur un comportement électrique désiré du composant électrique à former sur une paroi latérale dudit espace ; une forme dudit matériau de placage étant hémisphérique, une épaisseur dudit matériau de placage étant plus petite qu'une largeur 30 dudit espace, une épaisseur dudit matériau de placage étant plus petite qu'une épaisseur des couches isolantes adjacentes dans ledit espace, et 3038449 15 une coùche métallique de contact supérieure étant formée sur la paroi latérale dudit espace, ledit matériau de placage étant entre ladite couche conductrice et ladite couche de contact supérieure et ladite couche de contact supérieure étant connectée à d'autres structures adjacentes plaquées par électrolyse dans ledit espace. 5 10. Structure selon la revendication 9, dans laquelle les couches conductrices sont renfoncées par rapport à la paroi latérale dudit espace. 11. Structure selon la revendication 10, dans laquelle les couches conductrices sont 10 renfoncées par rapport à la paroi latérale de l'espace d'une distance à peu près égale à une épaisseur de la couche conductrice. 12. Structure selon la revendication 9, dans laquelle le comportement électrique comprend un changement de phase et/ou un commutateur à seuil (OTS). 15 13. Structure selon la revendication 9, dans laquelle le matériau conducteur consiste en du silicium dopé, du molybdène (Mo) ou du tungstène (W). 14. Structure selon la revendication 9, dans laquelle ledit espace consiste en un trou 20 rond essentiellement vertical. 15. Système électrique, comprenant : un dispositif de stockage comprenant au moins une matrice verticale, chaque matrice verticale comprenant une pluralité de cellules de mémoire ; 25 un dispositif sélecteur pour accéder électriquement à la pluralité de cellules de mémoire dans ledit dispositif de stockage ; un premier matériau métallique pour connecter verticalement ladite matrice verticale de cellules de mémoire ; et un deuxième matériau métallique connecté à un matériau conducteur dans le plan 30 qui est orthogonal à ladite matrice verticale de cellules de mémoire, et dans lequel la matrice verticale de cellules de mémoire comprend : 3038449 16 une couche d'arrêt de gravure au-dessus d'un substrat ; une pile verticale comprenant des couches alternées de matériau isolant dans le plan et dudit matériau conducteur dans le plan au-dessus de la couche d'arrêt de gravure, 5 les couches conductrices et isolantes dans le plan étant parallèles avec une surface du substrat, la pile verticale comprenant au moins un espace formé à travers elle, et les couches conductrices étant plaquées par électrolyse en utilisant 10 le matériau de placage, le matériau de placage étant basé sur un comportement électrique désiré d'un composant électrique à former sur une paroi latérale dudit espace. 16. Système selon la revendication 15, dans lequel une épaisseur des couches 15 conductrices est plus petite qu'une épaisseur des couches isolantes. 17. Système selon la revendication 16, dans lequel une longueur horizontale de chacune des couches de matériaux conducteurs est plus courte qu'une longueur horizontale de chacune des couches de matériaux isolants. 20 18. Système selon la revendication 15, dans lequel le comportement électrique comprend un changement de phase et/ou un commutateur à seuil (OTS). 19. Système selon la revendication 15, dans lequel le matériau conducteur consiste en 25 du silicium dopé, du molybdène (Mo) ou du tungstène (W). 20. Système selon la revendication 15, dans lequel les couches conductrices dans le plan sont renfoncées par rapport à la paroi latérale dudit espace.