Brevet FR3044465A1 — publié le 20170602

DISPOSITIF DE PHOTO-DÉTECTION À RÉSEAU INTER-DIODES SUR-DOPÉ PAR DIFFUSION DE MÉTAL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE Le domaine de l'invention est celui des photo-détecteurs comprenant un réseau de diodes, tel qu'un réseau matriciel, fabriquées sur un substrat semi- conducteur. L'invention a trait plus précisément aux diodes de type p/n ou n/p qui peuvent être utilisées pour des imageurs dans le visible ou dans l'infrarouge. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Dans de nombreuses applications de photo-détection, des diodes sont agencées en matrices de diodes sur un substrat. Dans une matrice, les diodes sont agencées en lignes et en colonnes. Une matrice de diode peut être utilisée pour permettre une détection d'un rayonnement électromagnétique. Il peut en effet se former des paires électrons-trous par interaction entre le rayonnement électromagnétique et le substrat. Cela permet l'apparition d'un courant proportionnel à une intensité du rayonnement incident. Chaque diode forme alors un pixel d'un photo-détecteur. En venant coupler la matrice de diodes avec un circuit électronique de lecture, il est ainsi possible de capter la variation spatio-temporelle de l'intensité de lumière sur le photo-détecteur. La sensibilité d'un tel photo-détecteur est donnée par sa capacité à traduire des faibles variations spatiales ou temporelles de l'intensité de lumière en un signal comparé utilisable malgré des variations aléatoires (bruit) résultant de phénomènes thermiques et électriques dans les diodes et dans le circuit de lecture. Une telle matrice de diodes est illustrée sur les figures la et lb qui représentent respectivement une vue de dessus et une vue en coupe le long d'une ligne de la matrice. Une diode est formée dans un substrat présentant une couche d'absorption 1 en un matériau semi-conducteur avec une largeur de gap interdit et 3044465 2 caractérisé par un type de conductivité. La diode comprend une région de collection 2 de type de conductivité opposé, formant ainsi une jonction p-n. Comme illustré sur la figure lb, chaque région de collection est en contact avec un plot métallique 3 formant un contact diode. Une région métallique 4, 5 formée en périphérie de la matrice, est en contact avec le substrat, et forme un contact substrat. Les deux régions de type de conductivité opposé 1, 2 sont protégées d'une dégradation de leurs propriétés chimiques, mécaniques et électroniques au moyen d'une couche de passivation 5 recouvrant la surface du substrat à l'exception des zones de contact diode et de contact substrat. 10 Dans la région à proximité de l'interface des deux régions de type de conductivité opposé 1, 2 se forme une zone dite de charge espace (ZCE). Cette zone est caractérisée par la présence d'une barrière d'énergie pour les porteurs majoritaires de chaque côté de la jonction. Les photons arrivant dans la couche d'absorption 1 du substrat semi-conducteur peuvent céder leur énergie à un électron. Si l'électron transite 15 entre la bande de valence et la bande de conduction et se déplace jusqu'à la zone de charge d'espace, la charge va être collectée par la région de collection 2. Les charges ainsi collectées peuvent être transférées à un circuit électronique, appelé circuit de lecture, connecté à chaque diode pour disposer d'un signal utilisable. L'extraction de charge est compensée par un appel de charge par le contact substrat qui est, dans le cas 20 généralement utilisé dans l'état de l'art, commun pour l'ensemble des diodes. Lors de la détection d'un grand flux de photons, chaque diode débite un grand flux de charge, i.e. courant électrique, proportionnel au flux de photon arrivant à proximité de la diode. Les courants de toutes les diodes sont additionnés à travers le substrat jusqu'au contact substrat. En présence d'une résistance électrique dans le 25 substrat, le courant dans celui-ci peut fortement influencer le fonctionnement des diodes. Cette résistance électrique peut ainsi induire une variation de la polarisation qui altère le fonctionnement des diodes. Dans le cas extrême, elle peut entrainer une annulation du transfert des charges entre les diodes et le circuit de lecture par la suppression de la barrière de potentiel dans les jonctions. Ce phénomène est 3044465 3 autant plus important que le nombre de diodes et le flux de photons sur la matrice sont importants. Cette résistance électrique peut par ailleurs fortement ralentir le transfert des charges dans le circuit de lecture, même en présence d'un flux faible, du fait 5 d'un effet RC collectif. Par ailleurs, le contrôle de l'état de l'interface entre la couche de passivation 5 et les régions semi-conductrices 1, 2 est crucial pour obtenir une sensibilité maximale. Ceci est dû aux défauts qui peuvent être présents à l'interface, mais aussi à des états dans la passivation qui agissent comme des pièges pour les charges. Les défauts à 10 l'interface peuvent ainsi agir comme des centres de génération/recombinaison des porteurs qui diminuent le signal photonique et augmentent la contribution du courant d'origine thermique ou électrique généré dans le substrat et/ou dans la jonction. Les états pièges dans la passivation sont quant à eux susceptibles de faire varier temporellement la densité de charge locale à proximité de chaque piège. Ces fluctuations 15 peuvent à leur tour générer des fluctuations sur le courant photonique et sur les différents courants d'obscurité. On cherche donc d'une manière générale à réduire l'effet de résistance série collectif et à stabiliser la performance des diodes afin d'augmenter la sensibilité du photo-détecteur. 20 On connaît ainsi de la demande de brevet EP 2 806 457 A2 une solution consistant à réaliser un réseau de sur-dopage entre les diodes afin de stabiliser l'interface entre le substrat et la couche de passivation. Cette solution est représentée sur la figure 2. Elle consiste à former des lignes conductrices enterrées 6 qui s'étendent entre les colonnes et entre les lignes de diodes dans la matrice. Ces lignes enterrées 6 sont plus 25 précisément des lignes dopées par implantation ionique avec le même type de dopage que la couche d'absorption 1, et une densité de dopage plus importante. EXPOSÉ DE L'INVENTION L'invention a pour objectif d'améliorer la sensibilité des photo- détecteurs à réseau de diodes. Pour ce faire, elle propose un dispositif de photo- 3044465 4 détection comportant un substrat et un réseau de diodes, le substrat comprenant une couche d'absorption présentant un premier type de dopage et chaque diode comportant dans la couche d'absorption une région de collection qui présente un deuxième type de dopage opposé au premier type. Le dispositif comporte, sous une surface du substrat, un 5 maillage de conduction comprenant au moins un canal de conduction intercalé entre les régions de collection de deux diodes adjacentes, l'au moins un canal de conduction présentant le premier type de dopage et une plus grande densité de dopage que la couche d'absorption. Le maillage de conduction est recouvert d'un maillage métallique présent sur la surface du substrat et la densité de dopage de l'au moins un canal de 10 conduction est issue d'une diffusion de métal dans la couche d'absorption depuis le maillage métallique. Certains aspects préférés mais non limitatifs de ce dispositif sont les suivants : il comprend un contact substrat périphérique agencé sur au moins un côté du 15 réseau de diodes ; le maillage métallique est en contact électrique avec le contact substrat périphérique ; le maillage de conduction présente une pluralité de canaux de conduction agencés de manière à ce qu'on retrouve un canal de conduction intercalé entre les régions 20 de collection de chacune des diodes adjacentes du réseau de diodes ; une couche de passivation recouvre le substrat à l'exception de régions de contact d'un plot électriquement conducteur avec une région de collection d'une diode ; la couche d'absorption est une couche de CdHgTe ; la couche d'absorption présente un dopage intrinsèque par des lacunes de mercure 25 ou un dopage extrinsèque par incorporation d'arsenic ; la couche d'absorption présente une augmentation de gap graduelle depuis la surface du substrat dans l'épaisseur de la couche d'absorption ; la couche d'absorption présente une diminution de gap soudaine qui intervient à une profondeur donnée dans l'épaisseur de la couche d'absorption depuis la surface du substrat, et qui délimite une région de plus fort gap à proximité de la 3044465 5 surface dans laquelle on retrouve le maillage de conduction, et une région de plus faible gap à distance de la surface du substrat. L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'un tel dispositif de photodétection. Ce procédé comprend notamment la formation d'un 5 maillage métallique en surface du substrat et en ce que la formation du maillage de conduction par diffusion de métal depuis le maillage métallique. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres aspects, buts, avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée suivante de formes de 10 réalisation préférées de celle-ci, donnée à titre d'exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés sur lesquels, outre les figures la, lb et 2 déjà commentées : - les figures 3a et 3b sont respectivement une vue de dessus et une vue en coupe le long d'une ligne de diodes d'une matrice de diodes conforme à l'invention ; 15 - les figures 4a et 4b illustrent des variantes de réalisation de l'invention avec variation de gap dans l'épaisseur de la couche d'absorption ; - les figures 5a-5f illustrent une réalisation possible d'un procédé de fabrication d'un dispositif de photo-détection conforme à l'invention. 20 EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS En référence aux figures 3a et 3b, l'invention porte sur un dispositif de photodétection comportant un substrat et un réseau de diodes. Le substrat comprend une couche d'absorption 1 présentant un premier type de dopage et chaque diode comporte dans la couche d'absorption 1 une région de collection 2 qui présente un 25 deuxième type de dopage opposé au premier type. La couche d'absorption est par exemple une couche de CdHgTe. Une telle couche peut notamment être formée par épitaxie sur un substrat de CdZnTe. Sa 3044465 6 composition en cadmium peut être comprise entre 20 et 40%. Son épaisseur est par exemple de 8 um. Le dopage de la couche d'absorption 1 peut être de type p. Il peut s'agir d'un dopage intrinsèque par des lacunes de mercure ou d'un dopage extrinsèque, par 5 exemple par incorporation d'arsenic. La densité de dopage de la couche d'absorption est typiquement comprise entre 1015 et 1017 at/cm3. Le dopage de la région de collection 2 est alors de type n. Ce dopage peut être obtenu par implantation ionique, par exemple une implantation de bore. Bien entendu, l'invention s'étend au cas d'un dopage de la couche 10 d'absorption 1 de type n, par exemple par incorporation d'indium, et d'un dopage de la région de collection 2 de type p, obtenu par exemple par implantation d'arsenic. Le dispositif selon l'invention comprend en outre, sous la surface du substrat au niveau de laquelle sont réalisées les régions de collection (face du substrat opposée à celle recevant le rayonnement électromagnétique), un maillage de conduction 15 comprenant au moins un canal de conduction 7 intercalé entre les régions de collection de deux diodes adjacentes. L'au moins un canal de conduction 7 présente le premier type de dopage et une plus grande densité de dopage que la couche d'absorption. La densité de dopage de l'au moins un canal de conduction est typiquement comprise entre 1016 et 1018 at/cm3. 20 Le maillage de collection est enterré dans le substrat et affleure à la surface du substrat. Différentes topologies de maillage de conduction peuvent être mises en oeuvre dans le cadre de l'invention. De préférence, ce maillage de conduction présente au moins un canal de conduction qui s'étend entre deux rangées adjacentes de diodes. En d'autres termes, ce canal s'étend entre deux lignes adjacentes ou deux colonnes 25 adjacentes de diodes. Le maillage de conduction présente de préférence une pluralité de canaux de conduction qui s'étendent chacun entre deux rangées (lignes ou colonnes) adjacentes de diodes. En particulier, on peut prévoir une pluralité de canaux de conduction agencés de manière à ce qu'on retrouve un canal de conduction intercalé 30 entre les régions de collection de chacune des diodes adjacentes du réseau de diodes. En 3044465 7 d'autres termes, et comme représenté sur la figure 3a dans le cas d'un réseau matriciel de diodes, chaque diode est séparée de ses diodes adjacentes par quatre canaux de conduction qui viennent s'entrecroiser. Dans le cadre de l'invention, la densité de dopage de l'au moins un canal 5 de conduction 7 est issue d'une diffusion de métal dans la couche d'absorption. Le métal est par exemple de l'or ou du cuivre lorsqu'il s'agit de réaliser un dopage de type p du maillage de conduction 7. Le métal est par exemple de l'indium lorsqu'il s'agit de réaliser un dopage de type n du maillage de conduction 7. Le métal diffusé vient se placer sur un site de substitution dans le réseau 10 cristallin du semi-conducteur en créant des états donneurs ou accepteurs conduisant au sur-dopage. La diffusion de métal est de préférence réalisée par un traitement thermique. En plus de stabiliser l'interface entre le semi-conducteur et la couche de passivation de la même façon que dans la demande de brevet EP 2 806 457 A2, la formation du maillage de conduction fortement dopé par diffusion de métal permet de 15 réduire la formation de défauts par rapport à une réalisation de la région fortement dopée par implantation ionique telle que proposée dans la demande EP 2 806 457 A2. Cette réduction de la formation de défauts conduit à une amélioration de la performance des diodes avec une réduction du courant d'obscurité et du nombre de diodes en défaut de bruit. 20 La diffusion de métal s'effectue depuis un maillage métallique 8 présent directement sur la surface du substrat, par exemple un maillage d'or, de cuivre ou d'indium. Ce maillage métallique 8 recouvre donc directement et intégralement le maillage de conduction 7. Il est ainsi distribué sur la surface du substrat selon le même motif que le maillage de conduction sur-dopé. 25 Le maillage métallique 8 forme un contact ohmique avec le substrat dans lequel le courant est directement conduit. Ainsi la présence de ce maillage métallique apporte avantageusement une forte réduction de la résistance d'accès série, et donc des effets de dépolarisation et de RC collectifs. Le dispositif selon l'invention comporte par ailleurs un contact substrat 30 périphérique agencé sur au moins un côté du réseau de diodes. Ce contact n'est pas 3044465 8 représenté sur les figures 3a et 3b mais est similaire à celui discuté précédemment en liaison avec les figures la et lb. Un tel contact substrat périphérique permet de réaliser une connexion électrique entre le substrat et le circuit de lecture sur la périphérie du réseau de diodes libérant ainsi de la place entre les diodes, et permettant 5 avantageusement de réaliser un réseau de diodes avec un faible pas entre les diodes. Le maillage de conduction 7 est de préférence en contact électrique avec le contact substrat périphérique, notamment par l'intermédiaire du maillage métallique 8. Le dispositif selon l'invention comporte par ailleurs une couche de 10 passivation 5 qui recouvre le substrat à l'exception de régions de contact d'un plot électriquement conducteur 3 avec une région de collection 2 d'une diode, et le cas échéant d'une région de contact périphérique d'un plot électriquement conducteur avec le substrat. Dans des variantes de réalisation représentées sur les figures 4a et 4b, la 15 couche d'absorption présente une variation de gap Eg (énergie de bande interdite) depuis la surface du substrat dans l'épaisseur de la couche d'absorption. Avec une couche d'absorption en CdHgTe par exemple, cette variation de gap peut être obtenue en faisant varier la teneur en cadmium. Sur la figure 4a, la couche d'absorption 1 présente une augmentation de 20 gap graduelle depuis la surface du substrat dans l'épaisseur de la couche d'absorption. Cette variante permet de limiter la diffusion des porteurs minoritaires entre les diodes du fait d'une augmentation de la probabilité de collectionner les charges dans le pixel où ils ont été photo-générés. Elle permet ainsi de diminuer l'étalement de la réponse sur les pixels voisins. Cette variante est avantageusement utilisée dans le cas d'un réseau de 25 détection à faible pas. Sur la figure 4b, la couche d'absorption présente une diminution de gap soudaine qui intervient à une profondeur donnée dans l'épaisseur de la couche d'absorption depuis la surface du substrat. La couche d'absorption est alors constituée de deux régions la, lb avec une valeur de gap d'énergie différente, à savoir une région la de 30 grand gap immédiatement sous la surface de la passivation et une région lb de faible gap. 3044465 9 L'étendue de la région la de grand gap est telle qu'on retrouve dans cette région la le maillage de conduction 7. Les régions de collection 2 dépassent quant à elles de préférence de la région la, ou s'étendent à tout le moins dans la région la jusqu'à être adjacentes avec l'interface de changement de gap entre les régions la et lb. La présence 5 de la région la de grand gap permet de limiter les effets éventuellement néfastes liés aux défauts induits par la formation de cette région immédiatement sous la surface du substrat. L'invention n'est pas limitée au dispositif de photo-détection précédemment décrit, mais s'étend également à un procédé de fabrication d'un dispositif 10 de photodétection comportant un substrat et un réseau de diodes, le substrat comprenant une couche d'absorption 1 présentant un premier type de dopage et chaque diode comportant dans la couche d'absorption 1 une région de collection 2 qui présente un deuxième type de dopage opposé au premier type. Le procédé comprend une étape de formation, sous la surface du substrat, d'un maillage de conduction 7 comprenant au 15 moins un canal de conduction intercalé entre les régions de collection de deux diodes adjacentes, l'au moins un canal de conduction présentant le premier type de dopage et une plus grande densité de dopage que dans la couche d'absorption. Dans le cadre de l'invention, on procède à la formation d'un maillage métallique et ladite étape de formation du maillage de conduction est réalisée par diffusion de métal depuis le maillage 20 métallique en surface du substrat. Les figures 5a-5f illustrent un exemple de réalisation d'un tel procédé qui débute par une étape de fourniture d'un substrat portant la couche d'absorption 1. Suite à une préparation de surface du substrat, on procède comme représenté sur la figure 5a au dépôt du maillage métallique 8 sur la surface du substrat. Le maillage 25 métallique comprend par exemple plusieurs lignes présentant une largeur de 1 um et une épaisseur de 500 nm. La figure 5b illustre le dépôt d'une couche de passivation 5 sur le substrat et le maillage métallique. On procède ensuite à un recuit de stabilisation de l'interface entre le substrat et la couche de passivation. Ce recuit permet la diffusion de métal du maillage métallique en direction du substrat, résultant comme représenté sur la 30 figure 5c, en la formation du maillage de conduction 7 dans le substrat directement en 3044465 10 dessous du maillage métallique 8 en surface du substrat. Lorsque la couche de passivation est déposée avant la diffusion du métal, un simple recuit sous vide peut être utilisé. La couche de passivation peut être cependant déposée après, un recuit sous pression de vapeur saturante de Hg pouvant alors être mis en oeuvre. 5 En référence à la figure 5d, on procède ensuite à la formation des régions de collection 2 au moyen d'une implantation ionique au travers un masque approprié. Le diamètre de chaque région de collection est par exemple compris entre 5 et 20 um, et ces régions sont espacées d'un pas de pixel par exemple compris entre 5 et 30 um. 10 On procède ensuite comme représenté à la figure 5e à l'ouverture de la couche de passivation 5 au niveau de chaque pixel, ainsi qu'en périphérie du réseau pour la formation ultérieure du contact substrat. On procède ensuite comme représenté en figure 5f au dépôt d'une couche de métal et sa gravure au niveau de chaque pixel et à la périphérie pour former 15 les contacts diode 3 et le contact substrat. L'épaisseur de ces contacts est typiquement inférieure à 1 um. L'invention trouve avantageusement application pour l'imagerie infra- rouge, et en particulier pour l'imagerie grand format où elle permet de réduire l'effet de dépolarisation en cas de fort flux, pour l'imagerie active où elle permet de réduire l'effet 20 de la dépolarisation et le ralentissement causé par l'effet RC collectif, ainsi que pour l'imagerie à très faible pas où elle permet de stabiliser l'interface entre les diodes et d'augmenter la fonction de transfert de modulation du photo-détecteur. 25 REVENDICATIONS1. Dispositif de photo-détection comportant un substrat et un réseau de diodes, le substrat comprenant une couche d'absorption (1) présentant un premier type de dopage et chaque diode comportant dans la couche d'absorption une région de collection (2) qui présente un deuxième type de dopage opposé au premier type, le dispositif comportant, sous une surface du substrat, un maillage de conduction (7) comprenant au moins un canal de conduction intercalé entre les régions de collection (2) de deux diodes adjacentes, l'au moins un canal de conduction (7) présentant le premier type de dopage et une plus grande densité de dopage que la couche d'absorption, caractérisé en ce que le maillage de conduction (7) est recouvert d'un maillage métallique (8) présent sur la surface du substrat et en ce que la densité de dopage de l'au moins un canal de conduction (7) est issue d'une diffusion de métal dans la couche d'absorption depuis le maillage métallique (8). 2. Dispositif selon la revendication 1, comprenant un contact substrat (4) périphérique agencé sur au moins un côté du réseau de diodes. 3. Dispositif selon la revendication 2, dans lequel le maillage métallique (8) est en contact électrique avec le contact substrat périphérique. 4. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel le maillage de conduction (7) présente au moins un canal de conduction s'étendant entre deux rangées adjacentes de diodes. 5. Dispositif selon la revendication 4, dans lequel le maillage de conduction (7) présente une pluralité de canaux de conduction agencés de manière à ce qu'on retrouve un canal de conduction intercalé entre les régions de collection de chacune des diodes adjacentes du réseau de diodes. 3044465 12 6. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel une couche de passivation (3) recouvre le substrat à l'exception de régions de contact d'un plot électriquement conducteur (3) avec une région de collection (2) d'une diode. 5 7. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel la couche d'absorption (1) est une couche de CdHgTe. 8. Dispositif selon la revendication 7, dans lequel la couche d'absorption (1) présente un dopage intrinsèque par des lacunes de mercure ou un dopage extrinsèque 10 par incorporation d'arsenic. 9. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel la couche d'absorption (1) présente une augmentation de gap graduelle depuis la surface du substrat dans l'épaisseur de la couche d'absorption. 15 10. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel la couche d'absorption (1) présente une diminution de gap soudaine qui intervient à une profondeur donnée dans l'épaisseur de la couche d'absorption depuis la surface du substrat, et qui délimite une région (1a) de plus fort gap à proximité de la surface dans 20 laquelle on retrouve le maillage de conduction (7), et une région (lb) de plus faible gap à distance de la surface du substrat. 11. Procédé de fabrication d'un dispositif de photodétection comportant un substrat et un réseau de diodes, le substrat comprenant une couche d'absorption (1) 25 présentant un premier type de dopage et chaque diode comportant dans la couche d'absorption (1) une région de collection (2) qui présente un deuxième type de dopage opposé au premier type, le procédé comprenant une étape de formation, sous une surface du substrat, d'un maillage de conduction (7) comprenant au moins un canal de conduction intercalé 30 entre les régions de collection de deux diodes adjacentes, l'au moins un canal de conduction présentant le premier type de dopage et une plus grande densité de dopage que dans la couche d'absorption, 3044465 13 le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend la formation d'un maillage métallique (8) comprenant au moins une ligne métallique en surface du substrat et en ce que ladite étape de formation du maillage de conduction (7) est réalisée par diffusion de métal depuis le maillage métallique (8). 5