Brevet FR3048819A1 — publié le 20170915

COMPENSATION DE DOPAGE PAR IRRADIATION LASER POUR LA FABRICATION DE CELLULES SOLAIRES A HETEROJONCTION DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTÉRIEUR La présente invention a trait au domaine des dispositifs à semi- conducteurs dotés de régions semi-conductrices dopées ayant des types respectifs de conductivité différent formées sur un même support et s'applique à la mise en oeuvre de cellules solaires, en particulier des cellules solaires à hétérojonction contactées en face arrière. De telles cellules sont dotées de régions dopées ayant des types de conductivité opposés sur une même face, appelée « face arrière », sur laquelle des contacts sont prévus tandis que la face opposée, appelée « face avant » n'est de préférence pas dotée de contact afin d'augmenter les performances de la cellule. Pour réaliser une première région dopée N et une deuxième région dopée P sur une même face d'un substrat semi-conducteur, une méthode consiste à effectuer un dopage de la première région, par exemple par implantation ionique tout en protégeant la deuxième région au moyen d'un premier masquage puis de réaliser un dopage de la deuxième région par implantation ionique tout en protégeant la deuxième région par un deuxième masquage. Un tel procédé nécessite généralement la réalisation de nombreuses étapes et des coûts fabrications importants. Il se pose le problème de trouver un nouveau procédé amélioré vis-à-vis des inconvénients précités. EXPOSÉ DE L'INVENTION Un mode de réalisation de la présente invention concerne un procédé de réalisation d'une structure pour cellule solaire, dans lequel on prévoit sur une première face d'un substrat semi-conducteur cristallin un bloc formé d'un empilement comprenant 3048819 2 une première couche semi-conductrice dopée ayant un premier type de conductivité (N ou P) et sur la première couche semi-conductrice dopée, une deuxième couche semiconductrice dopée ayant un deuxième type de conductivité (P ou N) opposé au premier type de conductivité, la première couche semi-conductrice dopée et la deuxième couche 5 semi-conductrice dopée formant une jonction (PN ou NP), puis on effectue un traitement thermique à l'aide d'un laser sur le bloc de sorte à réorganiser des espèces dopantes de la jonction et conférer au bloc le premier type de conductivité (N ou P). On distingue deux types de conductivité, un type de conductivité lorsque les électrons sont des porteurs majoritaires et les trous des porteurs minoritaires (en 10 particulier pour une zone ayant un dopage global résultant de type N) et un type de conductivité opposé, lorsque les trous sont des porteurs majoritaires et les électrons sont des porteurs minoritaires (en particulier pour une zone ayant un dopage global résultant de type P). Grâce à l'irradiation laser, on obtient à partir de la première couche semi- 15 conductrice dopée et de la deuxième couche semi-conductrice dopée une couche « résultante » où les dopages de type contraire se compensent pour obtenir un dopage effectif final de type N ou P. On peut ainsi transformer une jonction ou une diode en un contact ohmique, ce sans pour cela devoir effectuer une étape d'implantation ionique supplémentaire. 20 En utilisant un laser on effectue une telle transformation de manière localisée et ce sans nécessairement faire appel à un masquage. Ledit bloc peut être formé sur une première région de la première face du substrat tandis que sur une deuxième région de la première face un autre bloc est disposé, cet autre bloc comprenant une couche semi-conductrice dopée ayant un 25 deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité et formant avantageusement une jonction avec le substrat. Le traitement laser peut être réalisé de sorte à irradier avec le laser ledit bloc sans irradier ledit autre bloc. Cela permet de transformer la jonction dudit bloc en une région dopée de conductivité unique, et ce sans modifier la jonction formée entre l'autre 3048819 3 bloc et le substrat. On peut ainsi réaliser sur la première face du substrat des contacts de polarités différentes tout en limitant le nombre d'étapes de procédé nécessaires pour cela. En particulier, on peut mettre en oeuvre ces contacts de polarités différentes sans devoir effectuer plusieurs étapes d'implantations successives. 5 Selon une mise en oeuvre particulière du procédé, la couche semi- conductrice dopée et du deuxième type de conductivité opposé peut être la deuxième couche semi-conductrice dopée formée à l'étape a) par dépôt en regard de ladite première région et de ladite deuxième région de la première face. Selon une possibilité de mise en oeuvre du procédé, celui-ci peut 10 comprendre en outre après l'étape b), la formation d'un contact sur ladite zone de premier type de conductivité dudit bloc et d'un autre contact sur ladite couche semi-conductrice dopée et du deuxième type de conductivité dudit autre bloc. la première couche semi-conductrice dopée et la deuxième couche semiconductrice dopée sont avantageusement à base de silicium amorphe hydrogéné a-Si:H. 15 Le procédé peut comprendre en outre une étape de formation sur une deuxième face du substrat opposée à la première face : une couche en un matériau semiconducteur dopé et ayant un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité. Selon une possibilité de mise en oeuvre du procédé, une première couche 20 semi-conductrice d'interface en matériau semi-conducteur intrinsèque est disposée entre le substrat semi-conducteur cristallin et la première couche semi-conductrice dopée. Selon une possibilité de mise en oeuvre du procédé, une deuxième couche d'interface à base de matériau semi-conducteur intrinsèque est disposée entre la première couche semi-conductrice dopée et la deuxième couche semi-conductrice dopée. 25 La cellule solaire peut être une cellule à hétérojonction, en particulier une cellule à hétérojonction contactée uniquement par la face arrière. 3048819 4 BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront plus clairement à la lecture de la description suivante et en référence aux dessins annexés, donnés à titre uniquement illustratif et nullement limitatif. 5 Les figures 1A-1C illustrent des étapes d'un procédé permettant de transformer, au moyen d'une irradiation par laser, une jonction en une région dopée ayant un unique type de conductivité ; Les figures 2A-2C illustrent différentes structures de test permettant de comparer les caractéristiques électriques d'une structure semi-conductrice mise en oeuvre 10 à l'aide d'un procédé suivant l'invention avec une cellule solaire standard ; La figure 3 illustre différentes caractéristiques courant tension obtenues par le biais de mesures effectuées sur les structures des figures 2A-2C ; Les figures 4A-4C illustrent une mise en oeuvre d'une structure semi- conductrice pour cellule solaire lors de laquelle on effectue une étape de compensation de 15 dopage par laser ; Les figures 5A-5D illustrent des résultats de mesures caractéristiques d'une cellule solaire effectués sur une structure telle que mise en oeuvre par le procédé des figures 4A-4C en comparaison avec une cellule solaire de référence ; Les figures 6A-6D illustrent un exemple de procédé suivant l'invention de 20 réalisation d'une cellule solaire à hétérojonction et contactée en face arrière ; Les figures 7A-7C illustrent un exemple de mise en oeuvre d'une étape du procédé des figures 6A-6D ; Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à 25 l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. 3048819 5 EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Un procédé nommé de « compensation de dopage» dans lequel on transforme une jonction, c'est-à-dire une région comportant des zones dopées ayant des types respectifs de conductivité opposés en une région dopée et ayant un unique type de 5 conductivité, va à présent être décrit en liaison avec les figures 1A-1C. Le procédé de compensation de dopage est dans cet exemple appliqué à une structure semi-conductrice telle que mise en oeuvre pour fabriquer une cellule solaire. La structure semi-conductrice comporte un substrat 1 à base de matériau semi-conducteur cristallin tel que du silicium cristallin, qui est dopé et peut avoir un 10 premier type de conductivité. Par exemple, le matériau semi-conducteur cristallin est dopé N. Sur une première face AR du substrat 1 encore appelée face arrière repose un empilement dans lequel une première couche semi-conductrice 5 dopée et une deuxième couche semi-conductrices 9 dopée sont formées. Les couches semi-conductrices 15 5, 9 dopées ont des types respectifs de conductivité opposés et réalisent ainsi une jonction. Dans cet exemple, la première couche semi-conductrice 5 est dopée N et comporte ainsi le premier type de conductivité. La première couche semi-conductrice 5 est typiquement à base de matériau semi-conducteur amorphe tel que du Si amorphe hydrogéné (a-Si:H(n)) et peut avoir une épaisseur comprise par exemple entre 10 et 60 nm, 20 typiquement entre 10 nm et 35nm, l'épaisseur étant choisie dans la partie supérieure de cette gamme lorsque cette couche semi-conductrice 5 est située en face arrière du substrat, i.e. la face opposée à celle par laquelle la lumière est destinée à pénétrer. La première couche semi-conductrice 5 peut être dopée au Phosphore et avoir une concentration de dopants comprise entre 1019 atomes*cm-3 et 1022 atomes*cm-3, en 25 particulier de l'ordre de 1021 atomes*cm-3. La deuxième couche semi-conductrice 9 est dopée Pet comporte ainsi un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité. La deuxième couche semi-conductrice 9 est typiquement à base de matériau semi-conducteur amorphe tel que du Si amorphe hydrogéné dopé (a-Si:H(p)). 3048819 6 La deuxième couche semi-conductrice 9 peut avoir une épaisseur comprise par exemple entre 3 nm et 20 nm, typiquement entre 5 nm et 15 nm, en particulier entre 8 nm et 10 nm. La deuxième couche semi-conductrice 9 peut être dopée au Bore et avoir une concentration de dopants comprise entre 1019 atomes*cm-3 et 1022 5 atomes*cm-3, en particulier de l'ordre de 1021 atomes*cm-3. Une couche semi-conductrice 3 d'interface à base d'un matériau semiconducteur amorphe peut être intercalée entre le substrat 1 et la première couche semiconductrice dopée. Cette couche semi-conductrice 3 d'interface est typiquement à base de matériau semi-conducteur amorphe intrinsèque tel que du Si amorphe hydrogéné 10 intrinsèque (a-Si:H(i)) et peut avoir une épaisseur comprise par exemple entre 2 nm et 15 nm, en particulier entre 2 et 5 nm. La couche semi-conductrice 3 d'interface peut être également une couche de matériau micro-dopé, c'est-à-dire peu dopée. Par « micro-dopé » on entend un dopage typiquement dans une gamme entre 1E17 et 1E20 atomes*cm-3. 15 De même, entre la première couche semi-conductrice dopée 5 et la deuxième couche semi-conductrice dopée 9 on peut prévoir une autre couche semiconductrice 7 d'interface à base de matériau semi-conducteur amorphe. Cette autre couche semi-conductrice 7 d'interface peut être en un matériau intrinsèque tel que du Si amorphe hydrogéné intrinsèque (a-Si:H (i)) ou micro-dopé. Typiquement, la couche semi- 20 conductrice 7 d'interface a une épaisseur comprise par exemple entre 2 et 15 nm, typiquement entre 5 et 10 nm, en particulier entre 6 nm et 8 nm. Les couches semiconductrices 5, 7, 9 forment dans cet exemple une jonction de type N-I-P. Les couches semi-conductrices amorphes 3, 5, 7 et 9 peuvent être réalisées par exemple par une technique de dépôt chimique en phase vapeur assistée par 25 plasma (PECVD) sur le substrat semi-conducteur 1. Le substrat semi-conducteur 1 recouvert des couches semi-conductrices amorphes 3, 5, 7 et 9 peut constituer la structure de départ du procédé de compensation de dopage (figure 1A). Le procédé de compensation de dopage prévoit une modification du type de conductivité d'au moins une région déterminée de l'empilement de couches semi- 3048819 7 conductrices 5, 7, 9, et en particulier d'au moins une région de la deuxième couche 9 dopée incluant une portion superficielle de la deuxième couche 9 dopée. Cette modification est mise en oeuvre à l'aide d'un traitement thermique localisé au moyen d'un laser L (figure 1B). 5 On choisit une puissance du laser suffisamment élevée pour permettre un réarrangement des espèces dopantes dans la région déterminée. La puissance laser est dans le même temps prévue suffisamment limitée pour permettre de ne pas modifier la structure de la couche semi-conductrice 3 amorphe intrinsèque. La puissance du laser est de préférence adaptée de sorte à préserver la 10 première couche semi-conductrice dopée 5. Autrement dit on fait pénétrer le laser le moins possible dans cette couche 5 et on préserve donc la couche semi-conductrice 3 amorphe intrinsèque mais également l'interface entre le substrat 1 et la couche semi-conductrice 3 amorphe. Le laser utilisé émet typiquement dans le domaine de l'ultra-violet selon une puissance comprise entre 10 mW et 1.5W préférentiellement dans une gamme 17 mW- 15 25mW. La puissance du laser est adaptée en fonction de l'épaisseur des couches semi- conductrices 5, 7, 9 de l'empilement. L'irradiation par laser permet de mettre en oeuvre une réorganisation ou réarrangement des impuretés dopantes de la jonction N-I-P et de transformer l'empilement de couches 5, 7, 9 en une couche résultante 10 dopée dans laquelle les 2 0 dopages de types opposés se compensent pour obtenir un dopage effectif final du premier type, dans cet exemple de type N. On transforme ainsi une diode ou jonction N-I-P en une région ayant un dopage effectif global unique, ici de type N, autrement dit en une région ayant un seul type de conductivité (figure 1C). Sur les figures, la couche 10 résultante à l'issue du réarrangement à un dopage effectif final de type N qui est notée N* sur les 25 figures. Une mesure de type QSSPC (pour « Quasi-steady-state photoconductance method ») effectuée sur une structure du type de celle illustrée sur la figure 1C mais comportant en outre une couche de passivation sur la face avant du substrat 1 a été réalisée. La couche de passivation est par exemple une couche épaisse de silicium 3048819 8 amorphe hydrogéné (a-Si:H). Un tel test montre une durée de vie des porteurs qui peut être supérieure à 3 ms. Pour comparer le comportement électrique entre la structure de départ du procédé telle qu'illustrée sur la figure 1A et une autre structure obtenue après l'étape 5 de compensation de dopage par laser, on réalise des échantillons de test à partir de ces deux types de structures (figures 2A, 2B, 2C). Les échantillons de test sont dotés de contacts 11a, 11b, 11c situés en face arrière AR. Ces contacts 11a, 11b, 11c peuvent être formés d'une couche d'oxyde conducteur transparent 13 tel que de l'ITO sur laquelle repose une couche métallique 14, 10 par exemple à base d'Ag. On prévoit typiquement une première paire de contacts 11a, 11b, espacés entre eux d'une première distance d1 et une deuxième paire de contacts 11b, 11c, séparés entre eux d'une deuxième distance d2, ici telle que d2 > d1. Un premier échantillon de test formé à partir de la structure de la figure 1A est représenté sur la figure 2A, tandis que sur la figure 2B, un deuxième échantillon de 15 test formé à partir de la structure obtenue après la méthode de compensation de dopage par laser est illustré. On prévoit également un troisième échantillon de référence formé du substrat 1 et des couches semi-conductrices 3, 5. Un tel échantillon, illustré sur la figure 2C, permet de connaitre la résistance intrinsèque de contact d'une superposition de couches (n)c-Si/(i)a-Si:H/(n)a-Si:H. 20 Dans une cellule solaire, en particulier à hétérojonction, une telle superposition de couches joue typiquement le rôle de structure BSF (pour « back-surface field » ou champ à surface arrière). A partir de ces échantillons, on peut déterminer des caractéristiques courant tension selon une configuration de test de type mesure de la ligne de transmission 25 ou de transfert de mesure de longueur connue également sous l'acronyme TLM (pour « Transfer Length Method »). Lors d'un tel test, des électrodes sont appliquées aux paires de contacts 11a-11b et 11b-11c, et la résistance entre les électrodes 11a-11b et 11a-11c est mesurée en appliquant une tension aux contacts 11a-11b et 11a-11c en mesurant le courant résultant. 3048819 9 La figure 3 donne des courbes C100, C200, C300 de résultats de mesure de courant en fonction de la tension I(V) sur les trois type d'échantillons précités et illustrés respectivement sur les figures 2A, 2B, 2C, pour une distance inter-contacts donnée. La courbe Cloo caractéristique du premier échantillon confirme un comportement de diode de 5 la structure de départ tandis que la courbe C200 caractéristique de la structure obtenue après irradiation laser montre un comportement semblable à celui d'un contact ohmique (courbe C300). Le test de mesure TLM montre également que la résistance de contact mesurée sur la structure obtenue à l'issue du procédé de compensation de dopage par irradiation laser localisée peut être plus faible que celle d'une structure de contact ohmique 10 classique. Pour que la couche dopée 10 résultante de la transformation de la jonction après irradiation laser puisse servir à former une structure BSF dans une cellule solaire hétérojonction, on vérifie de préférence que celle-ci ne génère pas de défaut résiduel ou qu'il n'y ait pas de tels défauts aux interfaces avec d'autres couches. 15 Pour vérifier expérimentalement cette hypothèse, on réalise un échantillon de test comme cela est illustré sur les figures 4A-4C. On se réfère à présent à la figure 4A donnant un empilement semi- conducteur formé à partir de la structure décrite précédemment en liaison avec la figure 1A. 20 Sur une deuxième face du substrat 1 encore appelée face avant AV, on forme une couche semi-conductrice 19 dopée selon un type de conductivité opposé à celui du substrat. Dans cet exemple, la couche semi-conductrice 19 est dopée P et typiquement à base de matériau semi-conducteur amorphe tel que du Si amorphe hydrogéné (a-Si:H (p)). 25 Une couche semi-conductrice 17 à base d'un matériau semi-conducteur est typiquement intercalée entre le substrat 1 et la première couche semi-conductrice dopée. Cette couche semi-conductrice 17 peut être à base de matériau semi-conducteur amorphe tel que du Si amorphe hydrogéné intrinsèque (a-Si:H (i)) ou du Si micro-dopé. Les couches semi-conductrices amorphes 17 et 19 sont également typiquement formées par 30 PECVD. 3048819 10 On effectue ensuite le traitement laser L en face arrière de sorte à modifier le dopage global de l'empilement de couches semi-conductrices 5, 7, 9 et transformer la jonction N-I-P en une couche 10 globalement dopée N (figure 4B). Puis, en face avant AV et en face arrière AR, on forme des couches 21, 23 5 d'oxyde transparent conducteur, par exemple à base d'ITO puis des contacts 25a, 25b, 25c, par exemple en argent respectivement sur les couches 21, 23 d'oxyde transparent (figure 4C). Les couches d'oxyde transparent 21, 23 peuvent être déposées par PVD (« Physical Va por Deposition »). Les contacts 25a, 25b, 25c peuvent être formés par sérigraphie ou par dépôt PVD puis gravure. 10 Le contact 25c réalisé en face arrière peut être sous forme d'une couche continue tel que présentée sur la figure 4C ou bien sous forme de plots distincts similaires aux contacts 25a, 25b réalisés en face avant. Les figures 5A, 5B, 5C, 5D illustrent différents résultats de mesures de caractéristiques effectuées sur des cellules solaires dont la structure est telle que celle 15 illustrée sur la figure 4C. A titre de comparaison, des mesures semblables ont été effectuées sur des cellules de référence dont la structure est semblable à celle de la figure 4A avant irradiation laser et ne comporte ni la couche semi-conductrice intrinsèque 7 ni la couche semi-conductrice 9 dopée P. La figure 5A est représentative de résultats de mesures de courant en 20 circuit ouvert Jsc (à tension nulle) effectuées sur quatre cellules C_1, C_2, C_3, C_4 de structures semblables à celle de la figure 4C et qui ont été obtenues après exposition à un faisceau laser selon des puissances respectivement de 17 mW, 19 mW, 21 mW, 23 mW. Des mesures complémentaires ont été en parallèle effectuées sur cinq cellules de référence Cref1, Cref2, Cref3, Cref4, CrefS. 25 La figure 5B donne quant à elle des résultats de mesures de tension en circuit ouvert Voc (à tension nulle) pour ces mêmes cellules C_1, C_2, C_3, C_4, Cref1, Cref2, Cref3, Cref4, CrefS. Sur la figure 5C, se sont des résultats de mesures de facteur de forme (rapport entre la puissance maximale fournie par la cellule sur le produit Jsc*Voc) de 30 cellules C_1, C_2, C_3, C_4, Cref1, Cref2, Cref3, Cref4, CrefS, qui sont donnés tandis que la 3048819 11 figure 5D est quant à elle représentative de mesures d'efficacité énergétique effectuées sur ces mêmes cellules. Les résultats de mesure présentées aux figures 5A-5C montrent que les cellules C_1, C_2, C_3, C_4 ayant subi le procédé de compensation de dopage par laser tel 5 que décrit précédemment ont des performances comparables aux cellules de référence Cref1, Cref2, Cref3, Cref4, Cref5. En particulier, le facteur de forme FF des cellules ayant subies le procédé de compensation de dopage peut être amélioré. Les résultats de mesure montrent que des défauts intrinsèques n'ont pas été ajoutés à la couche 10 de type de conductivité unique et résultant de la réorganisation de dopants. La tension Voc en circuit 10 ouvert des cellules C_1, C_2, C_3, C_4 est comparable à celles des cellules de référence, ce qui indique que l'interface entre le substrat 1 en silicium cristallin et les couches amorphes actives n'est pas dégradée. Le procédé de compensation de dopage décrit précédemment en liaison avec les figures 1A-1C peut, de par l'utilisation d'un faisceau laser, être appliqué localement 15 sur une structure afin de transformer au moins une région formant une jonction en une région dopée au type de conductivité unique, tout en conservant au moins une autre région non-transformée de cette jonction c'est à dire avec des zones de conductivité de types opposés N et P ou P et N. Ce procédé s'applique tout particulièrement à la mise en oeuvre de régions de types de conductivités opposées pour des cellules solaires à hétérojonction 20 et contactées par la face arrière. Une cellule solaire à hétérojonction HIT (pour « Heterojunction with Intrinsic Thin Layer ») de type contactée en face arrière (RCC pour « Rear Contact Cell ») ou IBC (pour « Interdigitated Back Contact ») met en oeuvre une collecte de porteurs minoritaires et de porteurs majoritaires au niveau de leur face arrière. La mise en oeuvre 25 d'une telle cellule requiert de former des contacts de types différents sur une même face d'un substrat. Un exemple de procédé de fabrication d'une telle cellule solaire va à présent être donné en liaison avec les figures 6A-6D. On part ici d'un substrat 1 à base de matériau semi-conducteur cristallin, 30 par exemple du silicium cristallin, qui peut être dopé N, et qui est de préférence nettoyé et 3048819 12 texturé. Une texturation du substrat 1 (non représentée sur les figures 6A-6D) au moins au niveau de sa face avant est typiquement réalisée afin de diminuer la réflectivité de la surface de la cellule et d'augmenter le chemin optique de la lumière dans le dispositif. Cette opération permet de former en surface un relief, par exemple sous forme de motifs 5 pyramidaux micrométriques. La texturation peut être réalisée par action mécanique ou par attaque chimique, par exemple à l'aide d'un bain d'une solution alcaline par exemple à base de KOH. La face arrière peut être conservée plane. Cela permet notamment de faciliter la réalisation des motifs émetteur et BSF. Afin de protéger une face du substrat 10 non texturée pendant l'opération de texturation, par exemple la face arrière AR, on peut prévoir de former au moins une couche de protection encore appelée couche barrière sur cette face. La couche barrière est par exemple en Si02 lorsque la texturation est effectuée par gravure à base de KOH. En variante, on effectue également une texturation de la face arrière de 15 la même façon que pour la face avant réceptrice de lumière. Sur la face avant AV du substrat 1, on forme ensuite par dépôt pleine plaque de type PECVD une couche semi-conductrice 17 amorphe i par exemple du Si amorphe hydrogéné intrinsèque (a-Si:H(i)) ou micro-dopé, puis une couche 19 de nitrure hydrogéné (-SiN(H)-) déposé également par PECVD. L'empilement pleine plaque de 20 couches 17, 19 permet à la fois de passiver la surface du substrat 1 en silicium cristallin et de jouer le rôle de revêtement antireflet. En face arrière AR du substrat 1, on forme des empilements semi- conducteurs 21a, 21b (figure 6A) comprenant une couche semi-conductrice 3 à base de matériau amorphe tel que du Si amorphe hydrogéné intrinsèque (a-Si:H(i)), puis une 25 couche semi-conductrice 5 dopée selon un dopage de type N, la couche semi-conductrice 5 ayant le même type de conductivité que le substrat 1. La couche semi-conductrice 5 est typiquement à base de matériau semi-conducteur amorphe tel que du Si amorphe hydrogéné (a-Si:H (n)). Les empilements 21a, 21b sont disjoints et peuvent être formés par dépôt 30 PECVD localisé, en utilisant par exemple un masque durant le dépôt. 3048819 13 En variante, les empilements 21a, 21b, sont formés par dépôt pleine plaque sur la face arrière puis par gravure localisée de motifs par exemple à l'aide de la photolithographie d'une pate masquante ou gravante déposée par sérigraphie ou encore par ablation à l'aide d'un laser. 5 On forme ensuite une couche semi-conductrice 7 à base de matériau semi-conducteur amorphe intrinsèque tel que du Si amorphe hydrogéné intrinsèque (aSi:H (i)) et une couche semi-conductrice 9 dopée ayant un type de conductivité opposé à celui de la couche semi-conductrice 5. Dans cet exemple, la couche semi-conductrice 9 est dopée P. La couche semi-conductrice 9 est typiquement à base de matériau semi- 1 0 conducteur amorphe tel que du Si amorphe hydrogéné dopé (a-Si:H(p)). Les couches semi-conductrices 7, 9 sont déposées pleine plaque de sorte à recouvrir certaines portions de la face arrière du substrat 1 et de manière à recouvrir les empilements 21a, 21b. Les empilements 21a, 21b recouverts de l'empilement de couches 7, 9 forment des blocs 23a, 23b dotés d'une jonction, dans cet exemple de type NP. 15 On effectue ensuite (figure 6B) un traitement laser L localisé des blocs 23a, 23b, afin de transformer les jonctions en des zones dopées 30a, 30b ayant un unique type de conductivité. Le laser est typiquement un laser UV de longueur d'onde par exemple de l'ordre de 355 nm, avec une puissance dans la gamme de 10 à 50 mW, typiquement de 17mW-25mW. Une vitesse d'écriture laser comprise entre 1000 à 4000 mm/s, 2 0 typiquement de l'ordre de 2000 mm/s peut être employée. La fréquence peut, quant à elle, être comprise par exemple entre 100 et 400kHz, typiquement de l'ordre de 200 kHz. Pour exposer au laser des blocs 23a, 23b de largeur de plusieurs dizaines de micromètres, on utilise par exemple un faisceau de diamètre par exemple de l'ordre de 20 um susceptible d'être déplacé par pas de plusieurs micromètres, par exemple entre 1 et 10 um, 25 typiquement de l'ordre de 3 um. Le traitement laser permet de réarranger les espèces dopantes des jonctions NP de manière à les transformer en des régions dopées avec un dopage global résultant unique, dans cet exemple de type N. On transforme des régions semiconductrices de conductivité opposés des blocs 23a, 23b en une région ayant un unique 30 type de conductivité (figure 6C). Le fait d'avoir conservé une face arrière plane permet de 3048819 14 réaliser l'étape de traitement laser avec une puissance faible tout en conservant une profondeur pénétration contrôlée. De préférence, hormis les blocs 23a, 23b on n'expose pas à un rayonnement laser les régions restantes de la face arrière du substrat 1. 5 On conserve ainsi un ou plusieurs autres blocs 32 non-exposés formés de l'empilement de couches semi-conductrices 7, 9 avec leur dopage initial. L'irradiation laser permet de simplifier la réalisation de régions dopées ayant des types de dopages différents en face arrière de la cellule. On obtient, grâce à cette étape, des blocs 23a, 23b, ayant un dopage 10 global (dans cet exemple de type N) différent de celui (dans cet exemple de type P) d'autres blocs 32 réalisés sur une même face du substrat et ce sans avoir dû mettre en oeuvre des étapes de localisation complexes ou couteuses successives. On peut ensuite former une couche anti-reflet, par exemple en SiN au niveau de la face avant AV du substrat 1, si celui-ci n'a pas déjà été déposé auparavant au 15 cours du procédé de fabrication. Puis, on forme des contacts 41 métalliques, respectivement sur les zones 30 ayant subi le traitement laser et sur les zones 32 non-exposées, afin de former des contacts 40 de BSF et des contacts 42 d'émetteur. Les contacts 41, 42 peuvent être formés d'une couche d'oxyde conducteur transparent 13 tel que de l'ITO sur laquelle repose une 20 couche métallique 14, par exemple à base d'Ag. Les contacts 40, 42, peuvent être agencés de sorte qu'au moins un contact 42 d'émetteur et au moins un contact 40 de BSF sont sous forme de peignes interdigités. Dans l'exemple de procédé qui vient d'être donné en liaison avec les 25 figures 6A-6D, on a formé des contacts de types différents en face arrière d'un substrat. Un procédé semblable avec compensation de dopage par irradiation laser peut être utilisé pour créer ce type de contacts sur la face avant ou sur les deux faces d'un même substrat. Un exemple particulier de procédé de réalisation des empilements 21a, 21b décrits précédemment en liaison avec la figure 6A, va à présent être décrit (figure 7A- 3 0 7C). 3048819 15 Dans cet exemple, la face avant AV, et en particulier la couche 19 de nitrure hydrogéné (-SiN(H)-) est texturée. On dépose la couche semi-conductrice 3 à base de matériau amorphe tel que du Si amorphe hydrogéné intrinsèque (a-Si:H(i)), puis la couche semi-conductrice 5 5 dopée selon un dopage de type N. Puis, on vient ensuite revêtir cet empilement d'une couche de protection 54 d'oxyde de silicium (5i02) par exemple par PECVD (« Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ») 54 d'épaisseur qui peut être comprise par exemple entre 50 et 500 nm, typiquement 200 nm. On vient ensuite localement exposer à un laser une ou plusieurs 10 zones de l'empilement de couches 3, 5, 54 que l'on souhaite retirer (figure 7A). A titre d'exemple, on peut prévoir les conditions de gravure laser suivantes : - vitesse de balayage par exemple de l'ordre de 2000 mm/s, - fréquence par exemple de l'ordre de 200 kHz, - puissance inférieure à 1W, 15 - espacement de 3 um entre chaque tir laser successif. Il est préférable que l'ablation de la couche semi-conductrice 5 soit partielle pour préserver à certains endroits une interface entre la couche semi-conductrice 3 à base de matériau amorphe et le substrat 1. Dans le cas d'une ablation partielle de la couche semi-conductrice 5, une étape de gravure chimique est alors ensuite effectuée pour 20 finaliser la gravure de la couche 5 et de la couche semi-conductrice 3 et obtenir ainsi au moins un empilement 21a. Une gravure chimique à l'aide de KOH est typiquement mise en oeuvre (figure 7B). La couche d'oxyde 54 est ensuite retirée par exemple à l'aide de HF. Puis, on effectue le dépôt des couches semi-conductrices 7, 9 de sorte à recouvrir une portion dévoilée de la face arrière du substrat 1 et de manière à recouvrir 25 l'empilement 21a (figure 7C). Un procédé tel que décrit précédemment n'est pas limité à une mise en oeuvre d'une structure à partir d'un substrat cristallin de départ dopé N et peut être appliqué en partant d'un substrat en matériau semi-conducteur cristallin dopé P. Dans l'un ou l'autre des exemples de procédé qui viennent d'être donnés, 30 le substrat cristallin 1 et les couches amorphes formées sur ce substrat 1 sont à base de 3048819 16 silicium. Un procédé de compensation de dopage par laser tel que décrit précédemment peut être appliqué à d'autres matériaux semi-conducteurs, par exemple à des empilements comprenant un ou plusieurs matériaux semi-conducteurs de type III-V. Par ailleurs, un procédé de compensation de dopage laser n'est pas limité 5 à la transformation d'une jonction NIP ou NP en une région ayant un unique type de conductivité et qui a un dopage effectif de type N. Le procédé de compensation de dopage laser s'applique également à la transformation d'une jonction PIN ou PN en une région ayant un unique type de conductivité et qui a un dopage effectif de type P. REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'une structure de cellule solaire à hétérojonction, comprenant des étapes consistant à : a) prévoir, sur une première face d'un substrat semi-conducteur cristallin (1) : un bloc formé d'un empilement comprenant une première couche semi-conductrice (5) dopée ayant un premier type de conductivité N ou P et sur la première couche semiconductrice (5) dopée, une deuxième couche semi-conductrice (9) dopée ayant un deuxième type de conductivité, P ou N, opposé au premier type de conductivité, la première couche semi-conductrice (5) dopée et la deuxième couche semi-conductrice (9) dopée formant une jonction, b) effectuer un traitement thermique à l'aide d'un rayonnement laser sur le bloc (23a, 23b) de sorte à modifier le type de conductivité d'au moins une zone de ladite deuxième couche semi-conductrice (5) dopée et conférer au bloc le premier type de conductivité. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le bloc (23a, 23b) est formé sur une première région de la première face (AR) et dans lequel sur une deuxième région de la première face (AR) un autre bloc (32) est disposé, ledit autre bloc comprenant une couche semi-conductrice (9) dopée ayant un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité, le traitement laser étant réalisé de sorte à irradier avec le laser ledit bloc sans irradier ledit autre bloc. 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la couche semi- conductrice (9) dopée et du deuxième type de conductivité opposé est ladite deuxième couche semi-conductrice (9) dopée formée à l'étape a) par dépôt en regard de ladite première région et sur ladite deuxième région de la première face (AR). 4. Procédé selon l'une des revendications 2 ou 3, comprenant en outre après l'étape b), la formation d'un contact (40) sur ladite zone de premier type de 3048819 18 conductivité dudit bloc et d'un autre contact (42) sur ladite la couche semi-conductrice (9) dopée et du deuxième type de conductivité dudit autre bloc. 5. Procédé selon l'une des revendications 2 à 4, dans lequel la 5 première couche semi-conductrice (5) dopée et la deuxième couche semi-conductrice (9) dopée sont à base de silicium amorphe hydrogéné a-Si:H. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, le procédé comprenant en outre une étape de formation sur une deuxième face (AV) du substrat (1) 10 opposée à la première face (AR) : une couche en un matériau semi-conducteur (19) dopé et ayant un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel une première couche semi-conductrice d'interface (3) en matériau semi-conducteur 15 intrinsèque est disposée entre le substrat semi-conducteur cristallin (1) et la première couche semi-conductrice (5) dopée. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel une deuxième couche d'interface (7) à base de matériau semi-conducteur intrinsèque est 20 disposée entre la première couche semi-conductrice (5) dopée et la deuxième couche semi- conductrice (9) dopée. 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel la cellule solaire est une cellule à hétérojonction. 25