Brevet FR3044492A1 — publié le 20170602

BLOC CONVERTISSEUR CONTINU-CONTINU A MULTIPLES TENSIONS D'ALIMENTATION, CONVERTISSEUR CONTINU-CONTINU A MULTIPLES TENSIONS D'ALIMENTATION LE COMPRENANT ET SYSTEME DE SUIVI D'ENVELOPPE ASSOCIE La présente invention concerne le domaine des convertisseurs continu-continu, et porte en particulier sur un bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation, un convertisseur continu-continu multiples tensions d'alimentation le comprenant et un système de suivi d'enveloppe associé. L'augmentation constante des débits de communication sans fil nécessite l'utilisation de modulations complexes à efficacité spectrale élevée telles que l'OFDM (multiplexage par répartition orthogonale de la fréquence), ces modulations présentant des facteurs de crête importants (rapport entre la puissance crête et la puissance moyenne du signal). Les amplificateurs de puissance RF qui sont 20 alimentés par une tension d'alimentation continue fournissent un rendement maximal uniquement lorsqu'ils travaillent à la compression, c'est-à-dire à la puissance crête du signal à émettre. Cependant, la plupart du temps, l'amplificateur fournit une puissance bien inférieure à sa 25 puissance maximale, proche de la puissance moyenne du signal à émettre, le rendement de l'amplificateur étant dans ces conditions bien inférieur à son rendement maximal. La technique de suivi d'enveloppe (en anglais, « Envelope Tracking ») est une technique d'alimentation 30 pour améliorer le rendement des amplificateurs de puissance RF, celle-ci remplaçant l'alimentation constante continue de l'amplificateur par une alimentation dynamique continue qui suit l'amplitude du signal RF à émettre. La technique 3044492 2 de suivi d'enveloppe permet d'ajuster dynamiquement la tension d'alimentation de l'amplificateur de puissance RF afin que celui-ci fonctionne toujours en compression et donc à son rendement maximal, quel que soit le niveau de 5 puissance de l'enveloppe du signal RF, cette technique permettant pour les formats de modulation modernes d'améliorer significativement le rendement des amplificateurs de puissance RF tout en répondant aux exigences des normes en termes de linéarité.Dans le cas 10 d'un amplificateur de puissance RF à suivi d'enveloppe, la tension d'alimentation est par définition constamment réajustée afin de s'assurer que l'amplificateur fonctionne toujours à la compression et donc à son rendement maximal, quel que soit le niveau de puissance souhaité à l'émission. 15 La tension d'alimentation d'un amplificateur de puissance RF à suivi d'enveloppe est générée par un convertisseur continu-continu (également appelé modulateur de polarisation) permettant de générer un signal de commande continu large bande, le modulateur de polarisation étant généralement réalisé à partir d'un convertisseur continu-continu dit hybride qui est un compromis entre rendement et linéarité. Le convertisseur continu-continu hybride comprend une partie convertisseur continu-continu à fort rendement en commutation pure fonctionnant à basses fréquences et une partie amplification linéaire permettant de suivre les variations rapides du signal d'enveloppe. La conversion continu-continu à fort rendement s'appuie sur des convertisseurs en commutation pure de type abaisseur de tension (en anglais, « Buck »), amplificateur de tension (en anglais « Boost »), Buck ou Boost multi-phases, ou Buck à multiples entrées d'alimentation (par commutation de tensions d'alimentation). L'amplification linéaire est quant à elle réalisée à partir d'un amplificateur ultra- 3044492 3 linéaire fonctionnant en classe « A » ou « AB » principalement. Cependant, la partie amplification linéaire qui présente un faible rendement dégrade fortement le rendement global du convertisseur continu-continu hybride. 5 En outre, plus la bande passante couverte par la partie amplification linéaire est importante, plus le rendement global est impacté par le faible rendement de la partie amplification linéaire. Une autre technique connue communément utilisée 10 pour générer un signal de commande continu de suivi d'enveloppe s'appuie uniquement sur l'utilisation seule d'un convertisseur continu-continu en commutation pure. Cette technique présente l'avantage d'obtenir des rendements plus élevés mais souvent au détriment de la 15 linéarité et de la bande passante. Ce type de convertisseurs s'appuie sur des architectures de type Buck, Boost, Buck ou Boost multi-phases, ou Buck à multiples entrées d'alimentation. Dans cette configuration, l'utilisation de convertisseurs à multiples entrées 20 d'alimentation de type abaisseur de tension présente l'avantage de diminuer l'ondulation résiduelle en sortie, d'augmenter la bande passante et également de diminuer les pertes par commutation dans les transistors de puissance. Une technique alternative à la technique de suivi 25 d'enveloppe classique et aux modulateurs de polarisation décrits précédemment consiste à s'appuyer sur la génération d'un signal de suivi d'enveloppe de type multi-niveaux (ou à niveaux discrets). Cette technique a pour but d'appliquer une tension d'alimentation à l'amplificateur RF parmi 30 plusieurs niveaux de tension possibles, ces niveaux de tension étant soit directement appliqués à l'amplificateur RF soit par l'intermédiaire d'un filtre passe-bas ayant pour fonction de maîtriser les temps de montée et de 3044492 4 descente entre chaque tension à appliquer à l'amplificateur RF. Ce type de technique est obligatoirement couplé à une technique de pré-distorsion afin de préserver la linéarité globale du système, le nombre de niveaux de tension pouvant 5 par exemple varier de 2 à 16 selon les capacités du convertisseur et le besoin de l'application. Les convertisseurs pour cette technique de suivi d'enveloppe sont de type Buck, Buck multi-niveaux, Boost, Buck ou Boost multi-phases, ou Buck à multiples entrées d'alimentation 10 (par commutation de tensions d'alimentation), les convertisseurs à multiples entrées d'alimentation étant particulièrement adaptés cette technique de suivi d'enveloppe car leur fonctionnement même consiste à sélectionner une tension d'alimentation parmi les tensions 15 d'alimentation disponibles en entrée du convertisseur et étant donc beaucoup plus rapides pour changer de tension. Les modulateurs de polarisation pour la technique de suivi d'enveloppe permettant de générer un signal de commande continu large bande ou à niveaux discrets reposent 20 sur des convertisseurs découpage, c'est-à-dire par commutation de tension, quel que soit le type de modulateur : hybride, à commutation seule ou à sélection de tension d'alimentation. Les convertisseurs à multiples entrées 25 d'alimentation utilisent des technologies identiques celles utilisées dans les alimentations à découpage, ces alimentations utilisant des transistors de type MOSFET (transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur) en technologie au silicium qui présentent l'avantage d'être 30 largement éprouvés et d'être disponibles en technologies complémentaires (à canal N ou P), les grilles des transistors MOSFET étant généralement pilotées par des 3044492 5 circuits intégrés sur silicium mettant en oeuvre la technique de « Bootstrap » (d'amorçage). Cependant, les transistors MOSFET en technologie au silicium s'avèrent très limités en fréquence de 5 commutation pour des applications de forte puissance. La réponse à cette problématique passe nécessairement par l'utilisation de nouveaux matériaux tels que le nitrure de gallium (GaN). Pour un tel matériau, des transistors effet de champ de type HEMT (transistor à haute mobilité 10 d'électrons) à enrichissement (normalement ouverts) ou à effet de champ de type HEMT à déplétion (normalement fermés) existent à partir de processus de fabrication différents. Ils permettent d'atteindre des fréquences de fonctionnement plus importantes mais utilisent des 15 dispositifs de pilotage de grille de type « Bootstrap » toujours en technologie au silicium et sont dépendants des performances de ceux-ci. Par ailleurs, l'utilisation de transistors HEMT à déplétion (normalement fermés) conjointement à un dispositif de pilotage de grille de type 20 « Bootstrap » pose un problème évident lors de la phase de démarrage du circuit, le dispositif de pilotage de grille de type « Bootstrap » imposant, dans son principe de fonctionnement, de continuellement commuter les transistors. 25 Quelle que soit la technique de suivi d'enveloppe et l'architecture du modulateur de polarisation utilisées, l'augmentation croissante des bandes passantes de modulation nécessite de disposer d'alimentations découpage capables de fonctionner à des fréquences de 30 commutation très élevées, ces fréquences étant bien supérieures à ce que les technologies disponibles de convertisseurs continu-continu peuvent permettre, notamment dans le cas d'applications de forte puissance. 3044492 6 Les fabricants d'alimentations à découpage se tournent donc vers des transistors à effet de champ de type HEMT à enrichissement en technologie GaN pilotés par des dispositifs de pilotage de type « Bootstrap » au silicium, 5 ce type de transistor étant développé spécialement pour les applications de conversion de tension d'alimentation et permettant d'améliorer significativement les performances vis-à-vis des transistors MOSFET au silicium sans pour autant atteindre des bandes passantes suffisantes pour les 10 applications de forte puissance liées à la technique de suivi d'enveloppe, les convertisseurs continu-continu utilisant ce type de transistors étant principalement limités en fréquence de commutation dans un premier temps par leur dispositif de pilotage de type « Bootstrap » et 15 dans un second temps par les performances des transistors HEMT à enrichissement eux-mêmes développés pour des applications de conversion de tension d'alimentation ne nécessitant pas de larges bandes passantes. Les transistors à effet de champ de type HEMT 20 déplétion (normalement fermés) en technologie GaN, généralement utilisés pour des applications d'amplification en radiofréquences et hyperfréquences, permettent d'atteindre des fréquences de fonctionnement très élevées même pour de fortes puissances. Cependant, ni les 25 dispositifs de pilotage de grille de type « Bootstrap » au silicium, ni les topologies existantes des convertisseurs continu-continu ne permettent d'utiliser réellement ce type de composant pour des applications de commutation d'alimentations de forte puissance et très hautes 30 fréquences pour la technique de suivi d'enveloppe. La présente invention vise à résoudre les inconvénients de l'état antérieur de la technique, en proposant un bloc convertisseur continu-continu à multiples 3044492 7 tensions d'alimentation forte puissance et hautes fréquences pour la technique de suivi d'enveloppe pour des applications d'amplification radiofréquence et/ou hyperfréquence de forte puissance afin de permettre une 5 rupture technologique concernant la limitation rendement-bande passante imposée par les convertisseurs continu-continu existants qui rendait jusqu'à maintenant la technique de suivi d'enveloppe difficilement applicable pour les applications de forte puissance avec des débits 10 élevés, ledit bloc convertisseur continu-continu multiples tensions d'alimentation selon la présente invention comprenant un circuit de puissance avec au moins trois transistors HEMT à déplétion et un circuit de pilotage avec des transistors HEMT à déplétion, le circuit 15 de puissance étant alimenté par au moins trois tensions d'alimentation positives et non nulles. La présente invention propose également un convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation pour la technique de suivi d'enveloppe 20 comprenant le bloc convertisseur continu-continu multiples tensions d'alimentation, et un système pour la technique de suivi d'enveloppe comprenant un convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation pour la technique de suivi d'enveloppe selon la présente invention 25 et un amplificateur radiofréquence (RF) de puissance. La présente invention a donc pour objet un bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation forte puissance et hautes fréquences comprenant un circuit de puissance dont la sortie constitue 30 la sortie du bloc convertisseur continu-continu, le circuit de puissance comprenant N transistors HEMT (à haute mobilité d'électrons) à déplétion, N étant un nombre entier naturel supérieur ou égal à 3, le bloc convertisseur 3044492 8 continu-continu comprenant en outre un circuit de pilotage de grille des N transistors HEMT à déplétion du circuit de puissance, caractérisé par le fait que le circuit de pilotage comprend des transistors HEMT à déplétion 5 configurés pour piloter les grilles des N transistors HEMT à déplétion du circuit de puissance, et par le fait que le circuit de puissance est alimenté par N tensions d'alimentation positives et non nulles, à savoir une tension d'alimentation inférieure, une tension 10 d'alimentation supérieure et (N-2) tension(s) d'alimentation intermédiaire(s), la tension d'alimentation supérieure étant supérieure à la tension d'alimentation inférieure, chaque tension d'alimentation intermédiaire étant différente des tensions d'alimentation inférieure et 15 supérieure et les (N-2) tensions d'alimentation intermédiaires étant différentes deux à deux et comprises entre les tensions d'alimentation inférieure et supérieure. Par forte puissance, on entend des puissances supérieures à 1W. 20 Par hautes fréquences, on entend des fréquences de commutation supérieures à 10MHz. Ainsi, le bloc convertisseur continu-continu multiples tensions d'alimentation est spécialement approprié pour la technique de suivi d'enveloppe, les 25 transistors hyperfréquences de type HEMT à déplétion (dits normalement fermés) étant spécifiquement appropriés pour des applications de forte puissance avec des fréquences de commutation élevées. Différentes technologies de semi-conducteurs 30 peuvent être utilisés pour la réalisation des transistors HEMT à déplétion, ces matériaux étant principalement le nitrure de gallium (GaN) et l'arséniure de gallium (GaAs) mais aussi tout autre matériau semi-conducteur à base de 3044492 9 matériaux du groupe III-V tels que AlGaN, AIN, InAlN, InAlGaN, etc. L'utilisation de transistors RF et hyperfréquence de type HEMT à déplétion offre un fort potentiel en termes 5 de fréquence de fonctionnement de par leurs très faibles capacités parasites, ce type de transistors permettant traditionnellement d'adresser des fonctions d'amplification de puissance jusqu'à plusieurs dizaines de gigahertz, ce type de transistor offrant en outre les avantages d'être 10 disponible suivant différents développements de grille et d'être très facilement intégrable dans des circuits monolithiques MMIC (circuits intégrés monolithiques hyperfréquences). De plus, les très faibles capacités parasites de 15 ces transistors HEMT à déplétion associées à des tensions de claquage élevées rendent ce type de composants particulièrement adapté aux applications de commutation rapide de forte puissance (> 1W). Les transistors HEMT à déplétion présentent en 20 outre l'avantage d'être utilisables en conduction directe et inverse. Ils ne nécessitent donc pas nécessairement de diodes Schottky placées en parallèle pour la gestion des courants inverses, ce qui permet de rendre minimales les capacités parasites et donc d'atteindre des fréquences de 25 commutation plus importantes. Le circuit de pilotage de grille est intégré au bloc convertisseur continu-continu dans la même technologie, c'est-à-dire comprenant des transistors HEMT déplétion, ce qui permet d'obtenir un circuit de pilotage 30 de grille ultra rapide et à faible consommation. Le bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation permet en outre, par l'intermédiaire du circuit de pilotage piloté par des 3044492 10 signaux numériques, la sélection d'une tension d'alimentation unique parmi les N tensions d'alimentation. Les tensions intermédiaires peuvent être réparties uniformément ou non entre les tensions supérieure 5 et inférieure. Selon une caractéristique particulière de l'invention, le circuit de puissance comprend un transistor de puissance inférieur HEMT à déplétion et (N-1) transistors de puissance supérieurs HEMT à déplétion, la 10 borne de sortie de conduction du transistor de puissance inférieur étant connectée à la tension d'alimentation inférieure, la borne d'entrée de conduction de l'un des transistors de puissance supérieurs étant connectée à la tension d'alimentation supérieure, les bornes d'entrée de 15 conduction des (N-2) autres transistors de puissance supérieurs étant respectivement connectées aux (N-2) tensions d'alimentation intermédiaires, la sortie du circuit de puissance étant connectée à la borne d'entrée de conduction du transistor de puissance inférieur et aux 20 bornes de sortie de conduction des (N-1) transistors de puissance supérieurs, et les grilles des transistors de puissance inférieur et supérieurs étant connectées au circuit de pilotage du bloc convertisseur continu-continu, de telle sorte que la tension de sortie du circuit de 25 puissance du bloc convertisseur continu-continu est bornée par les tensions d'alimentation inférieure et supérieure. Les transistors de puissance HEMT peuvent fonctionner en conduction directe (quadrant (Vds, Ids) > 0) ou inverse (quadrant (Vds, Ids) 0 ou (VDS, Iu) REVENDICATIONS1 Bloc convertisseur continu-continu multiples tensions d'alimentation forte puissance et hautes fréquences comprenant un circuit de puissance dont la sortie constitue la sortie du bloc convertisseur continu-continu, le circuit de puissance comprenant N transistors HEMT (à haute mobilité d'électrons) à déplétion (T3 1, T3 2, T3 N), N étant un nombre entier naturel supérieur ou égal à 3, le bloc convertisseur continu-continu comprenant en outre un circuit de pilotage de grille des N transistors HEMT à déplétion (T3 1, T3 2, T3_N) du circuit de puissance, caractérisé par le fait que le circuit de pilotage comprend des transistors HEMT à déplétion (T1 1, T2 1, T1 2, T2 2, T1 N, T2 N) configurés pour piloter les grilles des N transistors HEMT à déplétion (T3 1, T3 2, T3_N) du circuit de puissance, et par le fait que le circuit de puissance est alimenté par N tensions d'alimentation positives et non nulles, à savoir une tension d'alimentation inférieure (VDD 1), une tension d'alimentation supérieure (VDD_N) et (N-2) tension(s) d'alimentation intermédiaire(s) (VDD 2), la tension d'alimentation supérieure (VDD_N) étant supérieure à la tension d'alimentation inférieure (VDD 1), chaque tension d'alimentation intermédiaire (VDD_2) étant différente des tensions d'alimentation inférieure (VDD_1) et supérieure (VDD_N) et les (N-2) tensions d'alimentation intermédiaires (VDD_2) étant différentes deux à deux et comprises entre les tensions d'alimentation inférieure (VDD_1) et supérieure (VDD N). 2 - Bloc convertisseur continu-continu multiples tensions d'alimentation selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le circuit de puissance 3044492 34 comprend un transistor de puissance inférieur HEMT déplétion (T3 1) et (N-1) transistors de puissance supérieurs HEMT à déplétion (T3 2, T3 N), la borne de sortie de conduction du transistor de puissance inférieur 5 (T3 1) étant connectée à la tension d'alimentation inférieure (VDD 1), la borne d'entrée de conduction de l'un (T3 N) des transistors de puissance supérieurs (T3 2, T3 N) étant connectée à la tension d'alimentation supérieure (VDD N), les bornes d'entrée de conduction des (N-2) autres 10 transistors de puissance supérieurs (T3 2) étant respectivement connectées aux (N-2) tensions d'alimentation intermédiaires (VDD 2), la sortie (VouT) du circuit de puissance étant connectée à la borne d'entrée de conduction du transistor de puissance inférieur (T3 1) et aux bornes 15 de sortie de conduction des (N-1) transistors de puissance supérieurs (T3 2, T3 N), et les grilles des transistors de puissance inférieur (T3 1) et supérieurs (T3 2, T3 N) étant connectées au circuit de pilotage du bloc convertisseur continu-continu, de telle sorte que la tension de sortie 20 (VouT) du circuit de puissance du bloc convertisseur continu-continu est bornée par les tensions d'alimentation inférieure (VDD 1) et supérieure (VDD_N) 3 Bloc convertisseur continu-continu multiples tensions d'alimentation selon la revendication 1 25 ou la revendication 2, caractérisé par le fait qu'il comprend en outre des condensateurs de découplage d'alimentation (C1 1, Cl 2, Cl N) respectivement disposés en parallèle des N tensions d'alimentation (VDD 1, VDD 2, VDD N). 30 4 Bloc convertisseur continu-continu multiples tensions d'alimentation selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé par le fait que le circuit de pilotage comprend, pour chaque grille de 3044492 transistor HEMT à déplétion (T3_1 ; T3_2 ; T3 N) du circuit de puissance à piloter, un premier transistor de pilotage HEMT à déplétion (T1_1 ; T1_2 ; T1 N), un second transistor de pilotage HEMT à déplétion (T2_1 ; T2_2 ; T2 N), des 5 première, seconde et troisième résistances (R1 1, R2 1, R3_1 ; R1 2, R2 2, R3_2 ; R1 N, R2 N, R3 N), une diode Schottky (D1_1 ; D1_2 ; D1 N) et une tension d'alimentation auxiliaire (VAUX), la source du premier transistor de pilotage (T1_1 ; T1_2 ; T1 N) étant connectée à la masse, 10 le drain du premier transistor de pilotage (T1_1 ; T1_2 ; T1 N) étant connecté à l'une des bornes de la première résistance (R1_1 ; R1_2 ; R1 N) et à l'une des bornes de la seconde résistance (R2_1 ; R2_2 ; R2 N), la grille du premier transistor de pilotage (T1_1 ; T1_2 ; T1 N) étant 15 connectée à une entrée (VIN ; VIN 2 ; VIN N) correspondante du circuit de pilotage, la grille du second transistor de pilotage (T2_1 ; T2_2 ; T2 N) étant connectée à l'autre des bornes de la première résistance (R1_1 ; R1_2 ; R1 N), la source du second transistor de pilotage (T2_1 ; T2_2 ; 20 T2 N) étant connectée à l'autre des bornes de la seconde résistance (R2_1 ; R2_2 ; R2 N), à la cathode de la diode Schottky (D1_1 ; D1_2 ; D1 N) et à l'une des bornes de la troisième résistance (R3_1 ; R3_2 ; R3 N), l'anode de la diode Schottky (D1_1 ; D1_2 ; D1 N) étant connectée à la 25 tension d'alimentation auxiliaire (VAUX), l'autre des bornes de la troisième résistance (R3_1 ; R3_2 ; R3_N) étant connectée à la grille du transistor HEMT à déplétion (T3_1 ; T3_2 ; T3 N) correspondant du circuit de puissance à piloter, le drain du second transistor de pilotage 30 (T2_1 ; T2_2 ; T2 N) étant connecté à la tension d'alimentation inférieure (VDD 1) si celle-ci est connectée à la borne de sortie de conduction du transistor HEMT à déplétion (T3 1) correspondant du circuit de puissance à 3044492 36 piloter ou étant connecté à la tension d'alimentation intermédiaire ou supérieure (VDD 2 ; VDD N) correspondante si celle-ci est connectée à la borne d'entrée de conduction du transistor HEMT à déplétion (T3_2 ; T3 N) correspondant 5 du circuit de puissance à piloter, la tension d'alimentation auxiliaire (VAUX) étant supérieure à la tension de pincement du second transistor de pilotage (T2_1 ; T2_2 ; T2 N), et la tension d'alimentation inférieure (VDD 1) étant supérieure à la tension 10 d'alimentation auxiliaire ( VAUX ) plus la tension de pincement du transistor HEMT à déplétion (T3_1 ; T3_2 ; T3 N) correspondant du circuit de puissance à piloter. 5 - Bloc convertisseur continu-continu multiples tensions d'alimentation selon la revendication 4, 15 caractérisé par le fait que chaque tension d'entrée (V1N1 ; VIN 2 ; VIN N) au niveau d'une entrée correspondante du circuit de pilotage est négative et comprise entre 0 V et Vp, Vp étant la tension de pincement du transistor de pilotage (T1_1 ; T1_2 ; T1 N) dont la grille est connectée 20 à ladite entrée correspondante du circuit de pilotage, ladite tension d'entrée (VIN 1 ; VIN2 ; VIN N) étant délivrée par un circuit d'interface relié à un circuit numérique de commande. 6 Bloc convertisseur continu-continu 25 multiples tensions d'alimentation selon la revendication 4 ou la revendication 5, caractérisé par le fait qu'une seule tension d'entrée à la fois parmi les tensions d'entrée (VIN 1 ; VIN 2 ; VIN N) du circuit de pilotage est à l'état activé. 30 7 Bloc convertisseur continu-continu multiples tensions d'alimentation selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé par le fait que les tailles de grille des transistors HEMT à déplétion (T1 1, 3044492 37 T1 2, T1 N, T2 1, T2 2, T2 N) du circuit de pilotage sont inférieures à celles des transistors HEMT à déplétion (T3 1, T3 2, T3 N) du circuit de puissance. 8 Bloc convertisseur continu-continu 5 multiples tensions d'alimentation selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé par le fait que tous les composants du bloc convertisseur continu-continu multiples tensions d'alimentation sont des composants discrets montés sur une carte à circuits imprimés ou liés à 10 celle-ci par des fils de liaison. 9 - Bloc convertisseur continu-continu multiples tensions d'alimentation selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé par le fait que tous les composants du bloc convertisseur continu-continu 15 multiples tensions d'alimentation sont intégrés de manière monolithique dans un circuit intégré. 10 - Bloc convertisseur continu-continu multiples tensions d'alimentation selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé par le fait que les 20 transistors HEMT (T3 1, T3 2, T3 N) du circuit de puissance et les transistors HEMT (T1 1, T1 2, T1 N, T2 1, T2 2, T2 N) du circuit de pilotage sont en l'un quelconque parmi le nitrure de gallium (GaN), l'arséniure de gallium (GaAs) ou en tout autre matériau semi-conducteur à base de 25 matériaux de type III-V. 11 - Bloc convertisseur continu-continu multiples tensions d'alimentation selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé par le fait que les diodes (D1 1, D1 2, D1 N) sont de type Schottky en 30 technologie Si, SiC, GaAs, GaN ou en tout autre matériau semi-conducteur à base de matériaux de type III-V. 12 - Convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation forte puissance et hautes 3044492 38 fréquences pour la technique de suivi d'enveloppe, caractérisé par le fait qu'il comprend un bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation selon l'une des revendications 1 à 11 et un 5 filtre de sortie connecté à la sortie du circuit de puissance du bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation, le filtre étant de préférence à base de condensateurs et d'inductances, la sortie du filtre de sortie constituant la sortie du convertisseur continu-10 continu à multiples tensions d'alimentation forte puissance et hautes fréquences. 13 - Convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation forte puissance et hautes fréquences pour la technique de suivi d'enveloppe, 15 caractérisé par le fait qu'il comprend un bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation selon l'une des revendications 1 à 11, la sortie du circuit de puissance du bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation 20 constituant la sortie du convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation forte puissance et hautes fréquences. 14 Système pour la technique de suivi d'enveloppe comprenant un convertisseur continu-continu à 25 multiples tensions d'alimentation pour la technique de suivi d'enveloppe selon la revendication 12 ou la revendication 13, un amplificateur radiofréquence (RF) de puissance et un circuit numérique de traitement de suivi d'enveloppe, le circuit numérique de traitement de suivi 30 d'enveloppe commandant le convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation et l'amplificateur RF de puissance, et la sortie du convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation étant reliée à l'entrée 3044492 39 de tension d'alimentation de l'amplificateur RF de puissance.