Brevet FR3037835A1 — publié le 20161230

ARRIERE-PLAN [0001] La présente invention concerne un tampon de polissage mécano-chimique. Plus particulièrement, la présente invention concerne un tampon de polissage mécano-chimique contenant une couche de polissage ayant une surface de polissage; où la couche de polissage comprend une première phase polymérique non fugitive continue et une seconde phase polymérique non fugitive; où la première phase polymérique non fugitive continue a une pluralité d'évidements périodiques; où la pluralité d'évidements périodiques sont occupés par la seconde phase polymérique non fugitive; où la première phase polymérique non fugitive continue a une porosité d'alvéoles ouverts 6 vol%; où la seconde phase polymérique non fugitive contient une porosité d'alvéoles ouverts ? 10 vol%; et où la surface de polissage est adaptée pour polir un substrat. [0002] Dans la fabrication des circuits intégrés et d'autres dispositifs électroniques, de multiples couches de matériaux conducteurs, semiconducteurs et diélectriques sont déposées sur et retirées d'une surface d'une galette (« wafer » en anglais) semi-conductrice. Des couches minces de matériaux conducteurs, semi-conducteurs et diélectriques peuvent être déposées par un certain nombre de techniques de dépôt. Les techniques de dépôt courantes dans le traitement moderne des galettes incluent le dépôt physique en phase vapeur (PVD), connu aussi comme étant la pulvérisation cathodique, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) et le plaquage électrochimique (ECP), parmi d'autres. Les techniques de retrait courantes incluent la gravure isotrope et anisotrope humide et sèche, parmi d'autres. [0003] Quand des couches de matériaux sont successivement déposées et retirées, la surface supérieure de la galette devient non plane. Du fait que le traitement subséquent des semi-conducteurs (par 303 7 8 3 5 2 exemple la métallisation) exige que la galette ait une surface plane, la galette doit être planarisée. La planarisation est utile pour retirer une topographie de surface indésirable et les défauts de surface, comme les surfaces rugueuses, les matériaux agglomérés, les détériorations du 5 réseau cristallin, les éraflures et les couches contaminées ou les matériaux contaminés. [0004] La planarisation mécano-chimique, ou polissage mécano- chimique (CMP), est une technique courante utilisée pour planariser ou polir des pièces de travail, comme des galettes semi-conductrices. Dans 10 la CMP conventionnelle, un support de galette, ou tête de polissage, est monté sur un ensemble formant support. La tête de polissage maintient la galette et positionne la galette en contact avec une couche de polissage d'un tampon de polissage qui est monté sur une table ou plateau dans un appareil de CMP. L'ensemble formant support applique 15 une pression réglable entre la galette et le tampon de polissage. En même temps, un milieu de polissage (par exemple une "suspension" ou "slurry") est distribué sur le tampon de polissage et est attiré dans l'intervalle entre la galette et la couche de polissage. Pour réaliser le polissage, le tampon de polissage et la galette typiquement tournent l'un 20 par rapport à l'autre. Quand le tampon de polissage tourne sous la galette, la galette décrit typiquement une trajectoire de polissage annulaire, ou région de polissage, dans laquelle la surface de la galette se trouve directement en face de la couche de polissage. La surface de la galette est polie et rendue plane par l'action chimique et mécanique de la 25 couche de polissage et du milieu de polissage sur la surface. [0005] James et al. décrivent l'importance du rainurage dans la surface de polissage des tampons de polissage mécano-chimique dans le brevet U.S. No. 6,736,709. Spécifiquement, James et al. enseignent que le "quotient de rigidité des rainures" ("Groove Stiffness Quotient" 30 ("GSQ")) permet d'estimer les effets du rainurage sur la rigidité des 3037835 3 tampons et que le "quotient d'écoulement des rainures" ("Groove Flow Quotient" ("GFQ")) permet d'estimer les effets du rainurage sur l'écoulement des fluides (interface avec le tampon), et qu'il existe un équilibre délicat entre GSQ et GFQ dans le choix d'une surface de 5 polissage idéale pour un procédé de polissage donné. [0006] Néanmoins, tandis que les dimensions des galettes continuent de diminuer, les demandes concernant les procédés de polissage associés deviennent de plus en plus pressantes. [0007] Ainsi, il existe un besoin continu de configurations de 10 couches de polissage qui élargissent la plage des performances opératoires des tampons de polissage mécano-chimique. EXPOSE DE L'INVENTION [0008] La présente invention fournit un tampon de polissage 15 mécano-chimique comprenant: une couche de polissage ayant une surface de polissage, une surface de base et une épaisseur moyenne, Tp_moy, mesurée perpendiculairement à la surface de polissage depuis la surface de base jusqu'à la surface de polissage; où la couche de polissage comprend une première phase polymérique non fugitive 20 continue et une seconde phase polymérique non fugitive; où la première phase polymérique non fugitive continue a une pluralité d'évidements périodiques ayant une profondeur d'évidement moyenne, Dmoy, depuis la surface de polissage mesurée perpendiculairement à la surface de polissage depuis la surface de polissage en direction de la surface de 25 base; où la profondeur d'évidement moyenne, Dmoy, est inférieure à l'épaisseur moyenne, Tp-moy; où la pluralité d'évidements périodiques sont occupés par la seconde phase polymérique non fugitive; où la première phase polymérique non fugitive continue est un produit de la réaction d'un prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate de 30 première phase continue ayant 8 à 12 % en poids de groupes NCO 3 0 3 7 83 5 4 n'ayant pas réagi et d'un agent de durcissement de première phase continue; où la seconde phase polymérique non fugitive est choisie parmi une seconde phase polymérique non fugitive continue et une seconde phase polymérique non fugitive discontinue; où la seconde phase 5 polymérique non fugitive est formée en combinant un composant liquide de côté poly (P) et un composant liquide de côté iso (I); où le composant liquide de côté poly (P) comprend au moins une substance parmi un polyol de côté (P), une polyamine de côté (P) et une alcool amine de côté (P); où le composant liquide de côté iso (I) comprend au moins un 10 isocyanate polyfonctionnel de côté (I); où la première phase polymérique non fugitive continue a une porosité d'alvéoles ouverts 6 vol%; où la seconde phase polymérique non fugitive contient une porosité d'alvéoles ouverts ?.. 10 vol%; et où la surface de polissage est adaptée pour polir un substrat. 15 Selon une caractéristique particulière de la présente invention, la seconde phase polymérique non fugitive qui occupe la pluralité d'évidements périodiques a une hauteur moyenne, Hmoy, mesurée perpendiculairement à la surface de polissage depuis la surface de base de la couche de polissage en direction de la surface de polissage; et la 20 valeur absolue de la différence, AS, entre l'épaisseur moyenne, Tp_moy, et la hauteur moyenne, Hmoy, est 0,5 dam. Selon une autre caractéristique particulière de la présente invention, la première phase polymérique non fugitive continue contient une pluralité de matériaux polymériques à noyau creux; où la pluralité de matériaux 25 polymériques à noyau creux est incorporée dans la première phase polymérique non fugitive continue à raison de 1 à 58 vol%. Selon une autre caractéristique particulière de la présente invention, la pluralité d'évidements périodiques est un groupe d'au moins deux évidements concentriques et la profondeur d'évidement moyenne, Dmoy, 303 7 8 3 5 5 est k 0,38 mm (15 mils), la largeur est k 0,13 mm (5 mils) et le pas est ? 0,25 mm (10 mils). Selon une autre caractéristique particulière de la présente invention, la pluralité d'évidements périodiques est un groupe d'au moins deux 5 évidements croisés. Selon une autre caractéristique particulière de la présente invention, le tampon de polissage mécano-chimique de la présente invention comprend en outre: au moins une rainure formée dans la couche de polissage au niveau de 10 la surface de polissage; où la au moins une rainure a une profondeur de rainure, Gprof, depuis la surface de polissage mesurée dans une direction perpendiculaire à la surface de polissage depuis la surface de polissage en direction de la surface de base. Selon une autre caractéristique particulière de la présente invention, la 15 au moins une rainure est un groupe d'au moins deux rainures concentriques. Selon une autre caractéristique particulière de la présente invention, la au moins une rainure est au moins une rainure en spirale. Selon une autre caractéristique particulière de la présente invention, la 20 au moins une rainure est formée dans un motif croisé. [0009] La présente invention fournit un procédé de polissage d'un substrat comprenant: la fourniture d'un substrat choisi parmi au moins un substrat parmi un substrat magnétique, un substrat optique et un 25 substrat semi-conducteur; la fourniture d'un tampon de polissage mécano-chimique selon la présente invention; la création d'un contact dynamique entre la surface de polissage de la couche de polissage et le substrat pour polir une surface du substrat; et le conditionnement de la surface de polissage avec un conditionneur abrasif. 30 303 7 8 3 5 6 DESCRIPTION DES DESSINS [0010] La figure 1 représente une vue en perspective d'une couche de polissage de la présente invention. [0011] La figure 2 représente une vue de dessus d'un tampon de 5 polissage mécano-chimique de la présente invention. [0012] La figure 3 représente une vue en coupe transversale d'un tampon de polissage mécano-chimique de la présente invention suivant la ligne A-A de la figure 2. [0013] La figure 4 représente une vue de dessus d'un tampon de 10 polissage mécano-chimique de la présente invention. [0014] La figure 5 représente une vue de dessus d'un tampon de polissage mécano-chimique de la présente invention. [0015] La figure 6 représente une vue de dessus d'un tampon de polissage mécano-chimique de la présente invention. 15 [0016] La figure 7 représente une vue en coupe transversale d'un tampon de polissage mécano-chimique de la présente invention suivant la ligne B-B de la figure 6. [0017] La figure 8 représente une vue de dessus d'un tampon de polissage mécano-chimique de la présente invention. 20 [0018] La figure 9 représente une vue de dessus d'un tampon de polissage mécano-chimique de la présente invention. [0019] La figure 10 représente une vue de dessus d'une couche de polissage de la présente invention. [0020] La figure 11 représente une vue en coupe transversale d'une 25 couche de polissage de la présente invention suivant la ligne C-C de la figure 10. [0021] La figure 12 représente une vue en perspective d'une couche de polissage de la présente invention comportant une fenêtre. [0022] La figure 13 représente une vue de dessus d'un tampon de 30 polissage mécano-chimique de la présente invention. 3037835 7 [0023] La figure 14 représente une vue de dessus d'une couche de polissage de la présente invention. [0024] La figure 15 représente une vue en coupe transversale d'une couche de polissage de la présente invention suivant la ligne AA-AA de 5 la figure 14. DESCRIPTION DETAILLEE [0025] Historiquement, les valeurs GSQ et GFQ pour une surface de polissage d'une couche de polissage donnée procuraient une plage exploitable pour concevoir des couches de polissage efficaces. De 10 manière surprenante, la présente invention fournit un moyen pour briser le carcan des paramètres GSQ et GFQ établis auparavant pour polir les couches en découplant les performances de rigidité des couches de polissage et de distribution de suspension des configurations de couches de polissage, et en élargissant ainsi la plage de configurations des 15 couches de polissage pour atteindre des équilibres, concernant les propriétés des performances de polissage, qui étaient inaccessibles jusqu'à maintenant. [0026] Le terme "non-fugitive" tel qu'il est utilisé ici et dans les revendications en référence à une phase polymérique signifie que la 20 phase polymérique (par exemple la seconde phase polymérique non fugitive continue) ne fond pas, ne se dissout pas, ne se désagrège pas et ne s'appauvrit pas d'une autre manière, sélectivement par rapport à une autre phase polymérique (par exemple la première phase polymérique non fugitive continue) présente dans la couche de polissage. 25 [0027] Le terme "épaisseur totale moyenne, TT_moy" tel qu'il est utilisé ici et dans les revendications en référence à un tampon de polissage mécano-chimique (10) ayant une surface de polissage (14) signifie l'épaisseur moyenne, TT, du tampon de polissage mécano-chimique mesurée perpendiculairement à la surface de polissage (14) 3 0 3 7 8 3 5 8 depuis la surface de polissage (14) jusqu'à la surface inférieure (27) du sous-tampon (25). (Voir les figures 3 et 7). [0028] Le terme "section droite sensiblement circulaire" tel qu'il est utilisé ici et dans les revendications en référence à une couche 5 de polissage (20) signifie que le plus grand rayon, r, de la section droite depuis l'axe central (12) jusqu'au périmètre externe (15) de la surface de polissage (14) de la couche de polissage (20) est 5 20% plus long que le plus petit rayon, r, de la section droite depuis l'axe central (12) jusqu'au périmètre externe (15) de la surface de polissage (14). (Voir la 10 figure 1). [0029] Le tampon de polissage mécano-chimique (10) de la présente invention est de préférence adapté pour la rotation autour d'un axe central (12). (Voir la figure 1). De préférence, la surface de polissage (14) de la couche de polissage (20) est dans un plan (28) 15 perpendiculaire à l'axe central (12). Le tampon de polissage mécano- chimique (10) est éventuellement adapté pour la rotation dans un plan (28) qui fait un angle, y, de 85 à 950 avec l'axe central (12), de préférence, de 90° avec l'axe central (12). De préférence, la couche de polissage (20) a une surface de polissage (14) qui a une section droite 20 sensiblement circulaire perpendiculaire à l'axe central (12). De préférence, le rayon, r, de la section droite de la surface de polissage (14) perpendiculaire à l'axe central (12) varie de 5 20% pour la section droite, de préférence encore de 5 10% pour la section droite. [0030] Le terme "milieu de polissage" tel qu'il est utilisé ici et 25 dans les revendications englobe les solutions de polissage contenant des particules et les solutions de polissage ne contenant pas de particules, comme les solutions de polissage sans abrasif et liquides réactives. [0031] Le terme "liaison chimique" tel qu'il est utilisé ici et dans les revendications désigne les forces d'attraction entre atomes et englobe 3037835 9 les liaisons covalentes, les liaisons ioniques, les liaisons métalliques, les liaisons hydrogène et les forces de Van der Waals. [0032] Le terme "poly(uréthane)" tel qu'il est utilisé ici et dans les revendications englobe (a) les polyuréthanes formés par la réaction de 5 (i) des isocyanates et (ii) des polyols (y compris des diols); et (b) les poly(uréthanes) formés par la réaction de (i) des isocyanates avec (ii) des polyols (y compris des diols) et (iii) de l'eau, des amines (y compris des diamines et des polyamines) ou une combinaison d'eau et d'amines (y compris des diamines et des polyamines). 10 [0033] De préférence, le tampon de polissage mécano-chimique (10) de la présente invention est conçu spécifiquement pour faciliter le polissage d'un substrat choisi parmi au moins un substrat parmi un substrat magnétique, un substrat optique et un substrat semiconducteur. De préférence encore, le tampon de polissage mécano- 15 chimique (10) de la présente invention est conçu spécifiquement pour faciliter le polissage d'un substrat semi-conducteur. De manière particulièrement préférable, le tampon de polissage mécano-chimique (10) de la présente invention est conçu spécifiquement pour faciliter le polissage d'un substrat semi-conducteur, où le substrat semi-conducteur 20 est une galette semi-conductrice. [0034] De préférence, le tampon de polissage mécano-chimique (10) de la présente invention comprend: une couche de polissage (20) ayant une surface de polissage (14), une surface de base (17) et une épaisseur moyenne, Tp-moy, mesurée perpendiculairement à la surface de 25 polissage (14) depuis la surface de base (17) jusqu'à la surface de polissage (14); où la couche de polissage (20) comprend une première phase polymérique non fugitive continue (30) et une seconde phase polymérique non fugitive (50); où la première phase polymérique non fugitive continue (30) a une pluralité d'évidements périodiques (40) 30 ayant une profondeur d'évidement moyenne, Dmoy, depuis la surface de 3 0 3 7 8 3 5 10 polissage (14) mesurée perpendiculairement à la surface de polissage (14) depuis la surface de polissage (14) en direction de la surface de base (17); où la profondeur d'évidement moyenne, Dmoy, est inférieure à l'épaisseur moyenne, Tp-moy (de préférence, où Dmoy 5 0,5*Tp_moy; de 5 préférence encore, où Dmoy 0,4*Tp-moy; de manière particulièrement préférable, où Dmoy 5_ 0,375*TP-moy); où la pluralité d'évidements périodiques (40) sont occupés par la seconde phase polymérique non fugitive (50); où la première phase polymérique non fugitive continue (30) est le produit de la réaction d'un prépolymère d'uréthane à 10 terminaison isocyanate de première phase continue ayant 8 à 12 % en poids de groupes NCO n'ayant pas réagi et d'un agent de durcissement de première phase continue; où la seconde phase polymérique non fugitive (50) est choisie parmi une seconde phase polymérique non fugitive continue et une seconde phase polymérique non fugitive 15 discontinue; où la seconde phase polymérique non fugitive (50) est formée en combinant un composant liquide de côté poly (P) et un composant liquide de côté iso (I); où le composant liquide de côté poly (P) comprend au moins une substance parmi un polyol de côté (P), une polyamine de côté (P) et une alcool amine de côté (P); où le composant 20 liquide de côté iso (I) comprend au moins un isocyanate polyfonctionnel de côté (I); éventuellement, où la première phase polymérique non fugitive continue (30) contient une pluralité de matériaux polymériques à noyau creux; où la pluralité de matériaux polymériques à noyau creux est incorporée dans la première phase polymérique non fugitive continue 25 (30) à raison de 0 à 58 vol%; où la première phase polymérique non fugitive continue (30) a une porosité d'alvéoles ouverts 5. 6 vol% (de préférence, 5. 5 vol%; de préférence encore, 5 4 vol%; de manière particulièrement préférable, 5 3 vol%); où la seconde phase polymérique non fugitive (50) contient une porosité d'alvéoles ouverts k 10 vol% (de 30 préférence, de 25 à 75 vol%; de préférence encore, de 30 à 60 vol%; de 3037835 11 manière particulièrement préférable, de 45 à 55 vol%); et où la surface de polissage est adaptée pour polir un substrat. (Voir les figures 1-15). [0035] De préférence, la première phase polymérique non fugitive continue (30) dans la couche de polissage (20) du tampon de polissage 5 mécano-chimique (10) de la présente invention comprend le produit de la réaction d'un prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate de première phase continue ayant 8 à 12 % en poids de groupes NCO n'ayant pas réagi et d'un agent de durcissement de première phase continue. De préférence encore, la première phase polymérique non 10 fugitive continue (30) dans la couche de polissage (20) du tampon de polissage mécano-chimique (10) de la présente invention comprend un produit de la réaction d'un prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate de première phase continue ayant 8,75 à 12 % en poids de groupes NCO n'ayant pas réagi et d'un agent de durcissement de 15 première phase continue. De préférence encore, la première phase polymérique non fugitive continue (30) dans la couche de polissage (20) du tampon de polissage mécano-chimique (10) de la présente invention comprend un produit de la réaction d'un prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate de première phase continue ayant 9,0 à 9,25 % 20 en poids de groupes NCO n'ayant pas réagi et d'un agent de durcissement de première phase continue. [0036] De préférence, la première phase polymérique non fugitive continue (30) dans la couche de polissage (20) du tampon de polissage mécano-chimique (10) de la présente invention est le produit de la 25 réaction d'un prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate de première phase continue ayant 8 à 12 % en poids de groupes NCO n'ayant pas réagi et d'un agent de durcissement de première phase continue; où le prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate de première phase continue est obtenu par l'interaction d'un polyisocyanate 30 de première phase continue (de préférence, un diisocyanate) avec un 3037835 12 polyol de première phase continue; où le polyol de première phase continue est choisi dans le groupe consistant en les diols, les polyols, les polyol diols, leurs copolymères et leurs mélanges. De préférence, le polyol de première phase continue est choisi dans le groupe consistant 5 en le polytétraméthylène éther glycol (PTMEG); un mélange de PTMEG avec le polypropylèneglycol (PPG); et leurs mélanges avec des diols de faible masse moléculaire (par exemple 1,2-butanediol; 1,3-butanediol; 1,4-butanediol). [0037] De préférence, la première phase polymérique non fugitive 10 continue (30) dans la couche de polissage (20) du tampon de polissage mécano-chimique (10) de la présente invention est le produit de la réaction d'un prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate de première phase continue ayant 8 à 12 % en poids de groupes NCO n'ayant pas réagi et d'un agent de durcissement de première phase 15 continue; où l'agent de durcissement de première phase continue est une polyamine de première phase continue. De préférence, la polyamine de première phase continue est une polyamine aromatique. De préférence encore, la polyamine de première phase continue est une polyamine aromatique choisie dans le groupe consistant en la 20 4,4'-méthylène-bis-o-chloroaniline (MbOCA), la 4,4'-méthylène-bis(3-chloro-2,6-diéthylaniline) (MCDEA); la diméthylthiotoluènediamine; le di-p-aminobenzoate de triméthylèneglycol; le polytétraméthylèneoxyde di-p-aminobenzoate; le polytétraméthylèneoxyde mono-p-aminobenzoate; le polypropylèneoxyde di-p-aminobenzoate; le polypropylène- 25 oxyde mono-p-aminobenzoate; le 1,2-bis(2-aminophénylthio)éthane; la 4,4'-méthylène-bis-aniline; la diéthyltoluènediamine; la 5-tert-buty1-2,4- toluènediamine; la 3-tert-butyl-2,6-toluènediamine; la 5-tert-amy1-2,4- toluènediamine; la 3-tert-amyl-2,6-toluènediamine; la 5-tert-amy1-2,4- chlorotoluènediamine; et la 3-tert-amy1-2,6-chlorotoluènediamine. De 303 7 8 3 5 13 manière particulièrement préférable, la polyamine de première phase continue est la 4,4'-méthylène-bis-o-chloroaniline (MbOCA). [0038] Les exemples de prépolymères d'uréthane à terminaison isocyanate à base de PTMEG disponibles dans le commerce incluent les 5 prépolymères Imuthane® (disponibles auprès de COIM USA, Inc., comme PET-80A, PET-85A, PET-90A, PET-93A, PET-95A, PET-60D, PET-70D, PET-75D); les prépolymères Adiprene® (disponibles auprès de Chemtura, comme LF 800A, LF 900A, LF 910A, LF 930A, LF 931A, LF 939A, LF 950A, LF 952A, LF 600D, LF 601D, LF 650D, LF 667, LF 700D, 10 LF750D, LF751D, LF752D, LF753D et L325); les prépolymères Andur® (disponibles auprès de Anderson Development Company, comme 70APLF, 80APLF, 85APLF, 90APLF, 95APLF, 60DPLF, 70APLF, 75APLF). [0039] De préférence, le prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate de première phase continue utilisé dans le procédé de la 15 présente invention est un prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate à faible teneur en monomère libre ayant moins de 0,1 % en poids de teneur en monomère toluène diisocyanate (TDI) libre. [0040] De préférence, la première phase polymérique non fugitive continue (30) dans la couche de polissage (20) du tampon de polissage 20 mécano-chimique (10) de la présente invention peut être fournie dans des configurations poreuses et non poreuses (c'est-à-dire non chargées). De préférence, la première phase polymérique non fugitive continue (30) dans la couche de polissage (20) du tampon de polissage mécano-chimique (10) de la présente invention a une densité k 0,5 telle qu'elle 25 est mesurée selon ASTM D1622. De préférence encore, la première phase polymérique non fugitive continue (30) dans la couche de polissage (20) du tampon de polissage mécano-chimique (10) de la présente invention a une densité de 0,5 à 1,2 (de préférence encore, de 0,55 à 1,1; de manière particulièrement préférable de 0,6 à 0,95) telle 30 qu'elle est mesurée selon ASTM D1622. 303 7 8 3 5 14 [0041] De préférence, la première phase polymérique non fugitive continue (30) dans la couche de polissage (20) du tampon de polissage mécano-chimique (10) de la présente invention a une dureté Shore D de 40 à 90 telle qu'elle est mesurée selon ASTM D2240. De préférence 5 encore, la première phase polymérique non fugitive continue (30) dans la couche de polissage (20) du tampon de polissage mécano-chimique (10) de la présente invention a une dureté Shore D de 50 à 75 telle qu'elle est mesurée selon ASTM D2240. De manière particulièrement préférable, la première phase polymérique non fugitive continue (30) 10 dans la couche de polissage (20) du tampon de polissage mécano- chimique (10) a une dureté Shore D de 55 à 70 telle qu'elle est mesurée selon ASTM D2240. [0042] De préférence, la première phase polymérique non fugitive continue (30) dans la couche de polissage (20) du tampon de polissage 15 mécano-chimique (10) est poreuse. De préférence, la première phase polymérique non fugitive continue comprend une pluralité de microéléments. De préférence, la pluralité de microéléments sont uniformément dispersés dans toute la première phase polymérique non fugitive continue (30) dans la couche de polissage (20) du tampon de 20 polissage mécano-chimique (10). De préférence, la pluralité de microéléments est choisie parmi les bulles de gaz piégées, les matériaux polymériques à noyau creux, les matériaux polymériques à noyau creux rempli de liquide, les matériaux solubles dans l'eau et une substance en phase insoluble (par exemple une huile minérale). De préférence 25 encore, la pluralité de microéléments est choisie parmi les bulles de gaz piégées et les matériaux polymériques à noyau creux uniformément distribués dans la première phase polymérique non fugitive continue (30). De préférence, la pluralité de microéléments a un diamètre moyen en poids de moins de 150 pm (de préférence encore de moins de 50 30 pm; de manière particulièrement préférable de 10 à 50 pm). De 3 0 3 7 8 3 5 15 préférence, la pluralité de microéléments comprend des microballons polymériques ayant des parois d'enveloppe en polyacrylonitrile ou en un copolymère de polyacrylonitrile (par exemple Expancel® de Akzo Nobel). De préférence, la pluralité de microéléments sont incorporés dans la 5 première phase polymérique non fugitive continue (30) dans la couche de polissage (20) du tampon de polissage mécano-chimique (10) à une porosité de 0 à 58 vol% (de préférence encore, de 1 à 58 vol%; de manière particulièrement préférable, de 10 à 35 vol%). De préférence, la première phase polymérique non fugitive continue (30) dans la couche 10 de polissage (20) du tampon de polissage mécano-chimique (10) a une porosité d'alvéoles ouverts 5. 6 vol% (de préférence encore, 5 5 vol%; de préférence encore, 5 4 vol%; de manière particulièrement préférable, 5_ 3 vol%). [0043] De préférence, la seconde phase polymérique non fugitive 15 (50) dans la couche de polissage (20) du tampon de polissage mécano- chimique (10) de la présente invention est choisie parmi une seconde phase polymérique non fugitive continue (52) (voir par exemple les figures 7 et 11) et une seconde phase polymérique non fugitive discontinue (58) (voir par exemple les figures 3 et 15). 20 [0044] De préférence, la seconde phase polymérique non fugitive (50) dans la couche de polissage (20) du tampon de polissage mécano-chimique (10) de la présente invention est formée par une combinaison d'un composant liquide de côté poly (P) et d'un composant liquide de côté iso (I). 25 [0045] De préférence, le composant liquide de côté poly (P) comprend au moins une substance parmi un polyol de côté (P), une polyamine de côté (P) et une alcool amine de côté (P). [0046] De préférence, le polyol de côté (P) est choisi dans le groupe consistant en les diols, les polyols, les polyol diols, leurs copolymères et 30 leurs mélanges. De préférence encore, le polyol de côté (P) est choisi 303 7 8 3 5 16 dans le groupe consistant en les polyéther polyols (par exemple poly(oxytétraméthylène)glycol, poly(oxypropylène)glycol et leurs mélanges); les polycarbonate polyols; les polyester polyols; les polycaprolactone polyols; leurs mélanges; et leurs mélanges avec un ou 5 plusieurs polyols de faible masse moléculaire choisis dans le groupe consistant en l'éthylèneglycol; le 1,2-propylèneglycol; le 1,3-propylèneglycol; le 1,2-butanediol; le 1,3-butanediol; le 2-méthyl-1,3-propanediol; le 1,4-butanediol; le néopentylglycol; le 1,5-pentanediol; le 3-méthyl-1,5-pentanediol; le 1,6-hexanediol; le diéthylèneglycol; le 10 dipropylèneglycol; et le tripropylèneglycol. De préférence encore, le polyol de côté (P) est choisi dans le groupe consistant en le polytétraméthylène éther glycol (PTMEG); les polyols à base d'ester (comme les éthylène adipates, les butylène adipates); les polypropylène éther glycols (PPG); les polycaprolactone polyols; leurs copolymères; et 15 leurs mélanges. [0047] De préférence, le composant liquide de côté poly (P) utilisé contient un polyol de côté (P); où le polyol de côté (P) inclut un polyol de haute masse moléculaire ayant une masse moléculaire moyenne en nombre, MN, de 2500 à 100000. De préférence encore, le polyol de 20 haute masse moléculaire utilisé a une masse moléculaire moyenne en nombre, MN, de 5000 à 50000 (de préférence encore de 7500 à 25000; de manière particulièrement préférable de 10000 à 12000). [0048] De préférence, le composant liquide de côté poly (P) utilisé contient un polyol de côté (P); où le polyol de côté (P) inclut un polyol de 25 haute masse moléculaire ayant une moyenne de trois à dix groupes hydroxyle par molécule. De préférence encore, le polyol de haute masse moléculaire utilisé a une moyenne de quatre à huit (de préférence encore de cinq à sept; de manière particulièrement préférable six) groupes hydroxyle par molécule. 3037835 17 [0049] Les exemples de polyols de haute masse moléculaire disponibles dans le commerce incluent les polyols Specflex®, les polyols Voranol® et les polyols Voralux® (disponibles auprès de The Dow Chemical Company); les polyols de spécialité Multranol® et les polyols 5 flexibles Ultracel® (disponibles auprès de Bayer MaterialScience LLC); et les polyols Pluracol® (disponibles auprès de BASF). Un certain nombre de polyols de haute masse moléculaire préférés sont présentés dans le tableau 1. 303 7 8 3 5 18 TABLEAU 1 Polyol de haute masse Nombre MN Indice moléculaire de d'hydroxyle groupes (mg de OH par KOH/g) molécule Polyol Multranol® 3901 3,0 6000 28 Polyol Pluracol® 1385 3,0 3200 50 Polyol Pluracol® 380 3,0 6500 25 Polyol Pluracol® 1123 3,0 7000 24 Polyol ULTRACEL® 3000 4,0 7500 30 Polyol SPECFLEX® NC630 4,2 7602 31 Polyol SPECFLEX® NC632 4,7 8225 32 Polyol VORALUX® HF 505 6,0 11400 30 Polyol MULTRANOL® 9185 6,0 3366 100 Polyol VORANOL® 4053 6,9 12420 31 [0050] De préférence, la polyamine de côté (P) est choisie dans le groupe consistant en les diamines et autres amines multifonctionnelles. 5 De préférence encore, la polyamine de côté (P) est choisie dans le groupe consistant en les diamines aromatiques et autres amines aromatiques multifonctionnelles; comme, par exemple, la 4,4'-méthylène-bis-o-chloroaniline (MbOCA); la 4,4'-méthylène-bis(3-chloro-2,6-diéthylaniline) (MCDEA); la diméthylthiotoluènediamine; le 10 tri méthylèneglycol di-p-aminobenzoate; le polytétraméthylèneoxyde di-p-aminobenzoate; le polytétraméthylèneoxyde mono-p-aminobenzoate; le polypropylèneoxyde di-p-aminobenzoate; le polypropylène-oxyde mono-p-aminobenzoate; le 1,2-bis(2-aminophénylthio)éthane; la 4,4'-méthylène-bis-aniline; la diéthyltoluènediamine; la 5-tert-butyl- 303 7 8 3 5 19 2,4-toluènediamine; la 3-tert-butyl-2,6-toluènediamine; la 5-tert-amyl-2,4-toluènediamine; la 3-tert-amyl-2,6-toluènediamine et la ch lorotol uèned lamine. [0051] De préférence, l'alcool amine de côté (P) est choisie dans le 5 groupe consistant en les polyols à initiateur amine. De préférence encore, l'alcool amine de côté (P) est choisie dans le groupe consistant en les polyols à initiateur amine contenant un à quatre (de préférence encore, deux à quatre; de manière particulièrement préférable, deux) atomes d'azote par molécule. De préférence, l'alcool amine de côté (P) 10 est choisie dans le groupe consistant en les polyols à initiateur amine qui ont une moyenne d'au moins trois groupes hydroxyle par molécule. De préférence encore, l'alcool amine de côté (P) est choisie dans le groupe consistant en les polyols à initiateur amine qui ont une moyenne de trois à six (de préférence encore, trois à cinq; de manière particulièrement 15 préférable, quatre) groupes hydroxyle par molécule. Sont particulièrement préférés les polyols à initiateur amine qui ont une masse moléculaire moyenne en nombre, MN, 700 (de préférence, de 150 à 650; de préférence encore, de 200 à 500; de manière particulièrement préférable de 250 à 300) et un indice d'hydroxyle (tel qu'il est déterminé 20 par ASTM Test Method D4274-11) de 350 à 1200 mg de KOH/g. De préférence encore, le polyol à initiateur amine utilisé a un indice d'hydroxyle de 400 à 1000 mg de KOH/g (de manière particulièrement préférable de 600 à 850 mg de KOH/g). Les exemples de polyols à initiateur amine disponibles dans le commerce incluent la famille 25 Voranol® de polyols à initiateur amine (disponibles auprès de The Dow Chemical Company); les polyols de spécialité Quadrol® (N,N,N',N'-tétrakis(2-hydroxypropyléthylènediamine)) (disponibles auprès de BASF); les polyols à base d'amine Pluracol® (disponibles auprès de BASF); les polyols à base d'amine Multranol® (disponibles auprès de 30 Bayer MaterialScience LLC); la triisopropanolamine (TIPA) (disponible 303 7 8 3 5 20 auprès de The Dow Chemical Company); et la triéthanolamine (TEA) (disponible auprès de Mallinckrodt Baker Inc.). Un certain nombre de polyols à initiateur amine préférés sont présentés dans le tableau 2. 5 TABLEAU 2 Polyol à initiateur amine Nombre de MN Indice groupes d'hydroxyle OH par (mg de molécule KOH/g) Triéthanolamine 3 149 1130 Triisopropanolamine 3 192 877 Polyol MULTRANOL® 9138 3 240 700 Polyol MULTRANOL® 9170 3 481 350 Polyol VORANOL® 391 4 568 391 Polyol VORANOL® 640 4 352 638 Polyol VORANOL® 800 4 280 801 Polyol QUADROL® 4 292 770 Polyol MULTRANOL® 4050 4 356 630 Polyol MULTRANOL® 4063 4 488 460 Polyol MULTRANOL® 8114 4 568 395 Polyol MULTRANOL® 8120 4 623 360 Polyol MULTRANOL® 9181 4 291 770 Polyol VORANOL® 202 5 590 475 [0052] De préférence, le composant liquide de côté iso (I) comprend au moins un isocyanate polyfonctionnel de côté (I). De préférence, le au moins un isocyanate polyfonctionnel de côté (I) 10 contient deux groupes isocyanate réactifs (c'est à dire NCO). 303 7 8 3 5 21 [0053] De préférence, le au moins un isocyanate polyfonctionnel de côté (I) est choisi dans le groupe consistant en un isocyanate polyfonctionnel aliphatique côté (I), un isocyanate polyfonctionnel aromatique côté (I) et un mélange de ceux-ci. De préférence encore, 5 l'isocyanate polyfonctionnel de côté (I) est un diisocyanate de côté (I) choisi dans le groupe consistant en le 2,4-toluène diisocyanate; le 2,6-toluène diisocyanate; le 4,4'-diphénylméthane diisocyanate; le naphtalène-1,5-diisocyanate; le tolidine diisocyanate; le para-phénylène diisocyanate; le xylylène diisocyanate; l'isophorone diisocyanate; 10 I'hexaméthylène diisocyanate; le 4,4'-dicyclohexylméthane diisocyanate; le cyclohexanediisocyanate; et leurs mélanges. De préférence encore, le au moins un isocyanate polyfonctionnel de côté (I) est un prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate de côté (I) formé par la réaction d'un diisocyanate de côté (I) avec un polyol prépolymère de côté (I). 15 [0054] De préférence, le au moins un isocyanate polyfonctionnel de côté (I) est un prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate de côté (I); où le prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate de côté (I) a 2 à 12 % en poids de groupes isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi. De préférence encore, le prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate 20 de côté (I) utilisé dans le procédé de la présente invention a 2 à 10 % en poids (de préférence encore 4 à 8 % en poids; de manière particulièrement préférable 5 à 7 % en poids) de groupes isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi. [0055] De préférence, le prépolymère d'uréthane à terminaison 25 isocyanate de côté (I) utilisé est produit à partir d'un diisocyanate de côté (I) et d'un polyol prépolymère de côté (I); où le polyol prépolymère de côté (I) est choisi dans le groupe consistant en les diols, les polyols, les polyol diols, leurs copolymères et leurs mélanges. De préférence encore, le polyol prépolymère de côté (I) est choisi dans le groupe 30 consistant en les polyéther polyols (par exemple poly(oxytétra- 303 7 8 3 5 22 méthylène)glycol, poly(oxypropylène)glycol et leurs mélanges); les polycarbonate polyols; les polyester polyols; les polycaprolactone polyols; leurs mélanges; et leurs mélanges avec un ou plusieurs polyols de faible masse moléculaire choisis dans le groupe consistant en l'éthylèneglycol; 5 tripropylèneglycol. De préférence encore, le polyol prépolymère de côté 10 (I) est choisi dans le groupe consistant en le polytétraméthylène éther glycol (PTMEG); les polyols à base d'ester (comme les éthylène adipates, les butylène adipates); les polypropylène éther glycols (PPG); les polycaprolactone polyols; leurs copolymères; et leurs mélanges. De manière particulièrement préférable, le polyol prépolymère de côté (I) 15 est choisi dans le groupe consistant en le PTMEG et les PPG. [0056] De préférence, quand le polyol prépolymère de côté (I) est le PTMEG, le prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate de côté (I) a une concentration en isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi de 2 à 10 % en poids (de préférence encore de 4 à 8 % en poids; de manière 20 particulièrement préférable de 6 à 7 % en poids). Les exemples de prépolymères d'uréthane à terminaison isocyanate à base de PTMEG disponibles dans le commerce incluent les prépolymères Imuthane® (disponibles auprès de COIM USA, Inc., comme PET-80A, PET-85A, PET-90A, PET-93A, PET-95A, PET-60D, PET-70D, PET-75D); les 25 prépolymères Adiprene® (disponibles auprès de Chemtura, comme LF 800A, LF 900A, LF 910A, LF 930A, LF 931A, LF 939A, LF 950A, LF 952A, LF 600D, LF 601D, LF 650D, LF 667, LF 700D, LF750D, LF751D, LF752D, LF753D et L325); et les prépolymères Andur® (disponibles auprès de Anderson Development Company, comme 70APLF, 80APLF, 85APLF, 30 90APLF, 95APLF, 60DPLF, 70APLF, 75APLF). le 1,2-propylèneglycol; le 1,3-propylèneglycol; le 1,2-butanediol; le 1,3-butanediol; le 2-méthyl-1,3-propanediol; le 1,4-butanediol; le néopentylglycol; le 1,5-pentanediol; le 3-méthyl-1,5-pentanediol; le 1,6-hexanediol; le diéthylèneglycol; le dipropylèneglycol; et le 303 7 8 3 5 23 [0057] De préférence, quand le polyol prépolymère de côté (I) est un PPG, le prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate de côté (I) a une concentration en isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi de 3 à 9 % en poids (de préférence encore de 4 à 8 % en poids, de manière 5 particulièrement préférable de 5 à 6 % en poids). Les exemples de prépolymères d'uréthane à terminaison isocyanate à base de PPG disponibles dans le commerce incluent les prépolymères Imuthane® (disponibles auprès de COIM USA, Inc., comme PPT-80A, PPT-90A, PPT-95A, PPT-65D, PPT-75D); les prépolymères Adiprene® (disponibles 10 auprès de Chemtura, comme LFG 963A, LFG 964A, LFG 740D); et les prépolymères Andur® (disponibles auprès de Anderson Development Company, comme 8000APLF, 9500APLF, 6500DPLF, 7501DPLF). [0058] De préférence, le prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate de côté (I) utilisé dans le procédé de la présente invention est 15 un prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate à faible teneur en monomère libre ayant moins de 0,1 % en poids de teneur en monomère toluène diisocyanate (TDI) libre. [0059] De préférence, au moins un composant parmi le composant liquide de côté poly (P) et le composant liquide de côté iso (I) peut 20 éventuellement contenir des substances liquides supplémentaires. Par exemple, au moins un composant parmi le composant liquide de côté poly (P) et le composant liquide de côté iso (I) peut contenir des substances liquides choisies dans le groupe consistant en les agents moussants (par exemple agents moussants de type carbamate comme le 25 produit d'addition CO2/amine aliphatique SpecflexTM NR 556 disponible auprès de The Dow Chemical Company); un catalyseur (par exemple catalyseurs de type amine tertiaire comme le catalyseur Dabco® 33LV disponible auprès de Air Products, Inc.; et un catalyseur à base d'étain comme le catalyseur à base d'étain Fornrez® de Momentive); et des 30 tensioactifs (par exemple le tensioactif à base de silicone Tegostab® de 303 7 8 3 5 24 Evonik). De préférence, le composant liquide de côté poly (P) contient une substance liquide supplémentaire. De préférence encore, le composant liquide de côté poly (P) contient une substance liquide supplémentaire; où la substance liquide supplémentaire est au moins une 5 substance parmi un catalyseur et un tensioactif. De manière particulièrement préférable, le composant liquide de côté poly (P) contient un catalyseur et un tensioactif. [0060] De préférence, la seconde phase polymérique non fugitive (50) dans la couche de polissage (20) du tampon de polissage mécano- 10 chimique (10) a une dureté Shore D de 10 à 70 telle qu'elle est mesurée selon ASTM D2240. De préférence encore, la seconde phase polymérique non fugitive (50) dans la couche de polissage (20) du tampon de polissage mécano-chimique (10) a une dureté Shore D de 20 à 60 (de préférence encore de 25 à 55; de manière particulièrement 15 préférable de 40 à 50) telle qu'elle est mesurée selon ASTM D2240. [0061] De préférence, la seconde phase polymérique non fugitive (50) dans la couche de polissage (20) du tampon de polissage mécano-chimique (10) de la présente invention a une porosité d'alvéoles ouverts 10 vol%. De préférence encore, la seconde phase polymérique non 20 fugitive (50) dans la couche de polissage (20) du tampon de polissage mécano-chimique (10) de la présente invention a une porosité d'alvéoles ouverts de 25 à 75 vol°/0 (de préférence encore, de 30 à 60 vol%; de manière particulièrement préférable, de 45 à 55 vol%). [0062] De préférence, la première phase polymérique non fugitive 25 continue (30) dans le tampon de polissage mécano-chimique (10) de la présente invention a une pluralité d'évidements périodiques (40) ayant une profondeur, D, mesurée perpendiculairement à la surface de polissage (14) depuis la surface de polissage (14) en direction de la surface de base. De préférence, la pluralité d'évidements périodiques 30 (40) ont une profondeur moyenne, Dmoy; où Dmoy la profondeur moyenne de la pluralité d'évidements périodiques, Dmoy. De 15 préférence, la au moins une rainure (62) forme un motif de rainures qui comprend au moins deux rainures (62) ayant une combinaison d'une profondeur de rainure, Gprof, choisie parmi 0,25 mm (10 mils), ? 0,38 mm (15 mils) et 0,38 à 3,81 mm (15 à 150 mils); d'une largeur choisie parmi k 0,25 mm (10 mils) et 0,25 à 2,50 mm (10 à 100 mils); et d'un 20 pas choisi parmi 0,76 mm (30 mils), ? 1,27 mm (50 mils), 1,27 à 5,10 mm (50 à 200 mils), 1,78 à 5,10 mm (70 à 200 mils), et 2,29 à 5,10 mm (90 à 200 mils). De préférence, la au moins une rainure (62) est choisie parmi (a) au moins deux rainures concentriques; (b) au moins une rainure en spirale; (c) un motif de rainures croisées; et (d) une 25 combinaison de ceux-ci. (Voir les figures 4, 5, 10, 11, 14 et 15). [0075] De préférence, la couche de polissage (20) du tampon de polissage mécano-chimique (10) de la présente invention a 10 vol%. Exemples comparatifs PC1-PC2 et exemples P1-P3 20 Expériences sur la vitesse de retrait du polissage mécano-chimique [0087] Des tests de polissage sur la vitesse de retrait du dioxyde de silicium ont été réalisés au moyen des tampons de polissage mécano-chimique préparés selon chacun des exemples 1-3 et les résultats ont été comparés avec ceux obtenus dans les exemples comparatifs PC1-PC2 au 25 moyen d'un tampon de polissage en polyuréthane IC1000TM et d'un tampon de polissage en polyuréthane VP5000TM (l'un et l'autre disponibles dans le commerce auprès de Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.) et ayant chacun le même motif de rainures X-Y noté dans les exemples. Spécifiquement, la vitesse de retrait du dioxyde de 30 silicium pour chacun des tampons de polissage est indiquée dans le 303 7 8 3 5 37 tableau 3. Les expériences sur la vitesse de retrait au cours du polissage ont été accomplies sur des galettes en feuille de TEOS S15KTEN de couverture de 200 mm de Novellus Systems, Inc. Un appareil de polissage Applied Materials 200 mm Mirra® a été utilisé. Toutes les 5 expériences de polissage ont été réalisées avec une force d'appui de 8,3 kPa (1,2 psi), un débit de suspension de 200 ml/min (suspension ACuPIaneTM 5105 disponible auprès de Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.), une vitesse de rotation de la table de 93 tr/min et une vitesse de rotation du support de 87 tr/min. Un conditionneur de 10 tampon diamanté Saesol 8031C (disponible dans le commerce auprès de Saesol Diamond Ind. Co., Ltd.) a été utilisé pour conditionner les tampons de polissage. Les tampons de polissage ont été rodés chacun avec le conditionneur avec une force d'appui de 31,1 N pendant 10 minutes. Les tampons de polissage ont été conditionnés encore à 50% 15 in situ pendant le polissage à raison de 10 balayages/min de 1,7 à 9,2 depuis le centre du tampon de polissage avec une force d'appui de 31,1 N. Les vitesses de retrait ont été déterminées en mesurant l'épaisseur de film avant et après le polissage au moyen d'un outil de métrologie KLA-Tencor FX200 en utilisant un balayage en spirale à 49 points avec 20 une exclusion du bord de 3 mm. Chacune des expériences sur la vitesse de retrait a été accomplie trois fois. La vitesse de retrait moyenne pour les expériences sur la vitesse de retrait en triple pour chacun des tampons de polissage est indiquée dans le tableau 3. 303 7 8 3 5 38 TABLEAU 3 Exemple Tampon de polissage mécano-chimique Vitesse de retrait de TEOS (1040 m (A)/min) n°. PC1 Tampon IC1000TM 321 PC2 Tampon VP5000TM 199 P1 Exemple 1 (1521A) 426 P2 Exemple 2 (1521B) 355 P3 Exemple 3 (1521C) 304 REVENDICATIONS1. Tampon de polissage mécano-chimique, caractérisé en ce qu'il comprend: une couche de polissage (20) ayant une surface de polissage (14), une surface de base (17) et une épaisseur moyenne, Tp_moy, mesurée perpendiculairement à la surface de polissage depuis la surface de base jusqu'à la surface de polissage; où la couche de polissage comprend une première phase polymérique non fugitive continue (30) et une seconde phase polymérique non fugitive (50); où la première phase polymérique non fugitive continue a une pluralité d'évidements périodiques (40) ayant une profondeur d'évidement moyenne, Dmoy, depuis la surface de polissage mesurée perpendiculairement à la surface de polissage depuis la surface de polissage en direction de la surface de base; où la profondeur d'évidement moyenne, Dmoy, est inférieure à l'épaisseur moyenne, Tp..moy; où la pluralité d'évidements périodiques sont occupés par la 20 seconde phase polymérique non fugitive; où la première phase polymérique non fugitive continue est un produit de la réaction d'un prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate de première phase continue ayant 8 à 12 % en poids de groupes NCO n'ayant pas réagi et d'un agent de durcissement de première 25 phase continue; où la seconde phase polymérique non fugitive est choisie parmi une seconde phase polymérique non fugitive continue et une seconde phase polymérique non fugitive discontinue; 303 7 8 3 5 40 où la seconde phase polymérique non fugitive est formée en combinant un composant liquide de côté poly (P) et un composant liquide de côté iso (I); où le composant liquide de côté poly (P) comprend au moins une 5 substance parmi un polyol de côté (P), une polyamine de côté (P) et une alcool amine de côté (P); où le composant liquide de côté iso (I) comprend au moins un isocyanate polyfonctionnel de côté (I); où la première phase polymérique non fugitive continue a une 10 porosité d'alvéoles ouverts 5. 6 vol%; où la seconde phase polymérique non fugitive contient une porosité d'alvéoles ouverts _?. 10 vol%; et où la surface de polissage (14) est adaptée pour polir un substrat. 2. Tampon de polissage mécano-chimique selon la 15 revendication 1, caractérisé en ce que la seconde phase polymérique non fugitive (50) qui occupe la pluralité d'évidements périodiques (40) a une hauteur moyenne, Hmoy, mesurée perpendiculairement à la surface de polissage (14) depuis la surface de base (17) de la couche de polissage (20) en direction de la surface de polissage; et la valeur absolue de la différence, AS, entre l'épaisseur moyenne, Tp_moy, et la hauteur moyenne, Hmoy, est 5 0,5 pm. 3. Tampon de polissage mécano-chimique selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la première phase polymérique non fugitive continue contient une pluralité de matériaux polymériques à noyau creux; où la pluralité de matériaux polymériques à noyau creux est incorporée dans la première phase polymérique non fugitive continue à raison de 1 à 58 vol%. 4. Tampon de polissage mécano-chimique selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la 30 pluralité d'évidements périodiques est un groupe d'au moins deux 303 7 8 3 5 41 évidements concentriques et la profondeur d'évidement moyenne, Dmoy, est ..k 0,38 mm (15 mils), la largeur est 0,13 mm (5 mils) et le pas est ?_ 0,25 mm (10 mils). 5. Tampon de polissage mécano-chimique selon l'une 5 quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la pluralité d'évidements périodiques est un groupe d'au moins deux évidements croisés (61). 6. Tampon de polissage mécano-chimique selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il 10 comprend en outre: au moins une rainure (62) formée dans la couche de polissage (20) au niveau de la surface de polissage (14); où la au moins une rainure a une profondeur de rainure, Gprof, depuis la surface de polissage mesurée dans une direction perpendiculaire à la surface de polissage depuis la 15 surface de polissage en direction de la surface de base (17). 7. Tampon de polissage mécano-chimique selon la revendication 6, caractérisé en ce que la au moins une rainure est un groupe d'au moins deux rainures concentriques. 8. Tampon de polissage mécano-chimique selon la 20 revendication 6, caractérisé en ce que la au moins une rainure est au moins une rainure en spirale. 9. Tampon de polissage mécano-chimique selon la revendication 6, caractérisé en ce que la au moins une rainure est formée dans un motif croisé. 25 10. Procédé de polissage d'un substrat, caractérisé en ce qu'il comprend: la fourniture d'un substrat choisi parmi au moins un substrat parmi un substrat magnétique, un substrat optique et un substrat semiconducteur; 3037835 42 la fourniture d'un tampon de polissage mécano-chimique (10) selon l'une quelconque des revendications précédentes; la création d'un contact dynamique entre la surface de polissage (14) de la couche de polissage (20) et le substrat pour polir une surface 5 du substrat; et le conditionnement de la surface de polissage avec un conditionneur abrasif.