Brevet FR3044307A1 — publié le 20170602

Domaine de l'invention La présente invention se rapporte à un procédé de fabri- cation de nanostructures dans des composants micromécaniques ainsi que les composants micromécaniques obtenus par ce procédé. Etat de la technique Les nanostructures semi-conductrices sont notamment des nano-fils ayan un diamètre compris entre plusieurs 100 nanomètres jusqu'à des diamètres inférieurs à 100 ou 10 nanomètres. Les nanostructures semi-conductrices, notamment dans des matières semi- conductrices, telles que par exemple celles des groupes II-VI ou les ma- tières semi-conductrices des groupes III-V ou le silicium ont des propriétés particulières de sorte que ces matières conviennent pour de nombreuses applications dans le domaine des nanomètres. A titre d'exemple, à partir de nanostructures semi- conductrices on peut réaliser des nano-fils en combinaison avec un do- page approprié ou un procédé de dopage approprié le long des nano-fils ou du substrat environnant, on peut réaliser des composants électriques tels que des diodes et des transistors. Par exemple, dans le cas d'un transistor, avec un diamètre très réduit on aura un canal très étroit et notamment simple à brancher. Cela est intéressant en particu- lier pour les applications de capteurs pour certaines fonctions assurées par des portes de transistor, par interaction avec une espèce clinique à détecter ; il s'agit par exemple d'un certain gaz, du pH d'un liquide ou de la présence d'une biomolécule / DNA dans des concentrations très faibles qui produisent une variation significative du courant source- drain. Pour les applications comme détecteur, il est avantageux d'avoir un grand rapport entre la surface et le volume des nano-fils pour la sensibilité. Cela est vrai, notamment si de nombreux nano-fils sont lus en parallèle. A côté de cette sensibilité ou de l'augmentation de la sensibilité des nano-fils dans l'application à des composants micromécaniques correspondant, on peut également réaliser une réaction plus rapide du composant micromécanique en miniaturisant les zones fonctionnalisées. 3044307 2 Comme en particulier le diamètre des nano-fils est du même ordre de grandeur que les longueurs d'onde, par exemple celle de la lumière visible, on peut régler les propriétés optiques telles que la diffraction ou l'absorption par des phénomènes de résonance optique. De 5 tels nano-fils conviennent pour des applications à des photodiodes, des capteurs optiques ou s'appuyant sur l'optique ou encore pour des éléments photovoltaïques. Les nano-fils peuvent être réalisés pour être horizontaux sur un substrat ou être préparés ou être orientés verticalement sur un 10 substrat. La réalisation de nano-fils horizontaux permet notamment de contacter électriquement les deux extrémités du nano-fil par le substrat. Toutefois, la réalisation de nano-fils horizontaux est généralement plus complexe, en particulier la disposition et l'orientation des nano-fils par rapport aux contacts électriques, c'est-à-dire que les contacts avec 15 les nano-fils sur le substrat sont compliqués à réaliser. En outre, on ne peut intégrer que de façon limitée, un grand nombre de nano-fils dans un petit espace, par exemple, pour augmenter la sensibilité d'un capteur dans le cas de nano-fils horizontaux à cause de l'orientation parallèle des nano-fils. 20 Pour réaliser des nano-fils semi-conducteurs verticaux on utilise des procédés qui se répartissent en deux catégories. Dans le cas du procédé en orientation normale (Top- Down) on réalise en général les nano-fils dans un substrat cristallin par gravure en enlevant ensuite la matière entourant les nano-fils. Pour ce 25 procédé de gravure de structures avec un rapport d'aspect important, on utilise la gravure chimique du métal (procédé MACE). Dans le cas du procédé renversé (Bottop-up) on déve- loppe les nano-fils par un procédé de dépôt approprié généralement en utilisant un catalyseur appliqué ponctuellement sur le substrat. 30 Le document DE 10 2008 015 333 A 1 décrit un procédé de fabrication d'éléments de structure de nano-fils. Exposé et avantages de l'invention La présente invention a pour objet un procédé de fabrica- tion de nanostructures dans des composants micromécaniques consis- tant à utiliser un substrat semi-conducteur ayant un côté avant et un 3044307 3 côté arrière, déposer et structurer une matière catalytique sur le côté avant du substrat semi-conducteur, appliquer et structurer la matière sacrificielle sur la matière catalytique, déposer et structurer la matière de contact sur le côté avant du substrat semi-conducteur et sur la ma- 5 tière sacrificielle, enlever la matière sacrificielle en formant des accès de gravure entre la matière de contact et la matière catalytique et développer des tranchées de gravure avec la matière catalytique dans les zones entre et sous la matière de contact, en développant des nanostructures semi-conductrices qui peuvent être contactées électriquement des deux 10 côtés, dans la direction verticale. L'invention a également pour objet un composant micromécanique ayant un ensemble de nanostructures semi-conductrices qui peuvent être contactées électriquement des deux côtés dans la direction verticale ayant au moins par zones, une matière de contact qui est au 15 moins par zones, en contact avec le côté avant des nanostructures se- mi-conductrices et la matière de contact enjambe au moins partiellement d'autres zones des nanostructures semi-conductrices. L'idée de base de la présente invention consiste à déve- lopper un procédé de fabrication de nanostructures semi-conductrices, 20 qui peuvent être contactées des deux côtés dans la direction verticale. La direction verticale selon l'invention correspond à une extension ou une orientation des nano-fils, transversalement, notamment perpendiculairement à l'extension latérale du substrat semi-conducteur. L'extrémité inférieure des nanostructures semi-conductrices, c'est-à- 25 dire en direction du côté arrière du substrat se fait à travers le substrat semi-conducteur, une structure appliquée sur le substrat semiconducteur par exemple la matière catalytique résiduelle ou par la combinaison de ces deux solution, par exemple une zone dopée du substrat semi-conducteur qui est en contact avec la matière catalytique. 30 L'extrémité supérieure, c'est-à-dire le côté avant des nanostructures semi-conductrices est contacté par la matière de contact. Le substrat semi-conducteur tel que décrit a, notamment, un dopage provenant des nanostructures semi-conductrices réalisées selon le procédé décrit ici. Le substrat semi-conducteur peut notamment être dopé 35 en fonction de l'application ultérieure des nanostructures. Le dopage 3044307 4 peut s'étendre du côté avant au côté arrière du substrat. En particulier, on peut également avoir un dopage traversant pour une certaine conductivité des nanostructures semi-conductrices. En option, on peut appliquer une couche protectrice, par exemple en nitrure de silicium sur 5 le côté avant du substrat semi-conducteur et structurer cette couche qui protège le substrat aux endroits où ensuite il n'y aura pas de gravure chimique du métal. La matière catalytique déposée et structurée sur le côté avant du substrat semi-conducteur peut s'enlever, par exemple par une 10 étape de lithographie suivie d'une gravure aux endroits où il y aura ul- térieurement les nanostructures semi-conductrices, notamment les nano-fils. En d'autres termes, les zones du côté avant du substrat semiconducteur qui seront ultérieurement gravées ne comportent pas de matière catalytique. Cela signifie qu'en particulier, la mise en structure 15 de la matière catalytique déterminera la forme ultérieure des nanostruc- tures semi-conductrices qui pourront être mises en contact électrique des deux côtés, dans la direction verticale. Ainsi, pour les nanostructures semi-conductrices ayant une section ronde, notamment un motif de trous pour la mise en structure de la matière catalytique convient, 20 les trous eux-mêmes ne comportant pas de matière catalytique. D'autres structures pour augmenter la surface des nanostructures semi-conductrices, par exemple une section en forme d'étoile peuvent également s'envisager. Pour réduire en particulier la surface à graver ultérieurement, on peut structurer notamment la matière catalytique 25 pour avoir la forme d'un étroit anneau. Cela signifie que l'on met en structure uniquement un étroit anneau sur le substrat semiconducteur pour réaliser les nanostructures semi-conductrices avec la matière catalytique ; cette matière détermine alors la forme ou la section des nanostructures semi-conductrices. Le substrat semi-conducteur ou 30 le cas échéant d'autres structures fonctionnelles subsistent entre les nanostructures semi-conductrices. On applique une couche sacrificielle sur la matière cata- lytique qui permettra, au cours de l'étape ultérieure du procédé, de réa- liser une cavité ou une tranchée de gravure avec le milieu de gravure, 35 pour la matière catalytique. La mise en structure de la couche sacrifi- 3044307 5 cielle se fait aux endroits où il y aura ultérieurement les contacts électriques des futures nanostructures semi-conductrices. En d'autres termes, le côté avant du substrat semi-conducteur n'aura pas de matière sacrificielle là où on déposera et on mettra en structure la matière 5 de contact. En particulier, la matière sacrificielle, sous la forme d'une couche sacrificielle, couvre ou entoure au moins par zones, la matière catalytique. En particulier, la matière sacrificielle peut être appliquée suivant une grande surface sur le côté avant du substrat semiconducteur pour réaliser une bonne distribution du milieu de gravure 10 et ainsi avoir une attaque régulière par gravure, notamment après enlè- vement de la couche sacrificielle. Selon l'étape suivante du procédé, on dépose la matière électro-conductrice des contacts dans les zones qui réaliseront les futures nanostructures semi-conductrices. En structurant la matière de 15 contact, on peut, notamment séparer électriquement les différentes zones des nanostructures semi-conductrices en particulier, faciliter l'accès du milieu de gravure à la matière catalytique. D'autre part, en dehors des nanostructures semi-conductrices on relie la matière de contact avec d'autres plans de câblage, patins de contact ou un circuit 20 sur le substrat. On peut notamment appliquer une pile de couches avec plusieurs plans de contact et d'isolation qui permettent le croisement de lignes et d'autres liaisons complexes de routage. Le dépôt et la mise en structure de la matière de contact sur le côté avant du substrat semi- 25 conducteur et sur la matière sacrificielle consiste ainsi à développer les accès pour la gravure après l'enlèvement de la matière sacrificielle. Les accès de gravure permettent de réaliser les tranchées de gravure avec la matière catalytique. En particulier, avec la matière catalytique on effectue une gravure chimique régulière, induite dans le métal. 30 En d'autres termes, les accès de gravure se développent notamment sous la matière de contact de façon que le milieu ou agent de gravure puisse venir en contact avec la matière catalytique. La matière catalytique forme les tranchées de gravure, notamment dans les zones entre et sous la matière de contact pour réaliser les nanostruc- 35 tures semi-conductrices qui peuvent être contactées électriquement des 3044307 6 deux côtés dans la direction verticale. La longueur des nanostructures semi-conductrices ou des nano-fils semi-conducteurs peut se régler, par exemple, par la durée de gravure. En variante à un emplacement approprié du substrat semi-conducteur, on peut développer une couche 5 d'arrêt de gravure. Selon un développement préférentiel, en réalisant les tranchées de gravure on applique une gravure chimique induite dans le métal avec la matière catalytique. La matière catalytique permet de développer des tranchées de gravure dans des zones prédéterminées et qui 10 peuvent avoir en particulier un rapport d'aspect important. De plus, la gravure chimique induite dans le métal dépend exclusivement de la matière catalytique structurée de sorte qu'en particulier, le substrat semiconducteur ou les nanostructures semi-conductrices ainsi développées à base du substrat semi-conducteur ne sont pas concernées par la gra- 15 vure chimique induite dans le métal. Selon un autre développement préférentiel, on entoure la matière catalytique avec la matière sacrificielle et on laisse libre au moins par zones le côté avant du substrat semi-conducteur de matière sacrificielle. Ceux-là permettent de développer, de façon simple, les ac- 20 cès de gravure décrits ici, entre la matière de contact et la matière cata- lytique qui permettront ensuite de mettre en contact simplement les nanostructures semi-conductrices avec la matière de contact. Selon un autre développement préférentiel, on structure la matière de contact pour qu'elle fonctionne comme couche de câblage, 25 ce qui permet de réaliser le branchement électrique des nanostructures semi-conductrices d'une manière particulièrement économique et rapide. Selon un autre développement préférentiel, on enlève la matière catalytique des tranchées de gravure, ce qui permet, de façon 30 simple d'éviter le développement de capacités parasites, de courants de fuite et de courts-circuits involontaires pendant le fonctionnement du composant micromécanique. Selon un autre développement préférentiel, pour le subs- trat semi-conducteur on utilise des semi-conducteurs de liaison des 35 classes II-VI ou des conducteurs de liaison des classes III-V ou encore 3044307 7 une matière semi-conductrice. A base des matières évoquées ci-dessus on obtient d'une manière particulièrement efficace, un dopage selon l'utilisation des nanostructures semi-conductrices réalisées. En particulier, les nanostructures semi-conductrices ainsi décrites ont une jonc- 5 tion pn ou un dopage continu pour une certaine conductivité. En d'autres termes, le substrat semi-conducteur dans lequel on réalise selon le procédé, les nanostructures semi-conductrices, sera choisi selon les conditions imposées aux futures nanostructures ou nanoconducteurs. Une condition est que le substrat semi-conducteur puisse 10 être structuré par gravure chimique induite dans le métal. Des exemples de matières appropriées sont le silicium, le nitrure de gallium et le carbure de silicium, l'arséniure de gallium et le silicium germanium (conducteur de liaison des classes IV-IV. Ces matières sont dopées, notamment avant ou après l'application du procédé décrit pour 15 donner les propriétés électriques nécessaires ou souhaitées. Selon un autre développement préférentiel, la matière catalytique est de l'argent, de l'or, du platine, du palladium ou de l'iridium. Ces matières conviennent tout particulièrement pour la gravure chimique induite dans le métal. 20 Selon un autre développement préférentiel, pour la gra- vure chimique induite dans le métal on utilise un mélange d'acide fluoridrique et de peroxyde d'hydrogène à l'état liquide ou à l'état de vapeur sous forme gazeuse. Le milieu ou agent de gravure ainsi décrit permet d'obtenir des rapports d'aspect particulièrement importants. 25 Selon un autre développement préférentiel, on utilise du dioxyde de silicium ou un polymère comme matière sacrificielle. Par exemple, comme polymère on utilise un photorésist ou un polymère qui peut être décomposé par voie thermique. Ces matières s'enlèvent simplement par élévation de la température ou chauffage. 30 Selon un autre développement préférentiel, on utilise comme matière de contact de l'aluminium, du cuivre ou un polysilicium dopé. Comme matière de contact on utilise notamment des matières électro-conductrices compatibles avec les procédés décrits ci-dessus et ne générant pas de gravure de type MACE dans le substrat semi- 35 conducteur. Comme matière particulièrement adaptée on a 3044307 8 l'aluminium, le cuivre et en particulier le poly-silicium dopé. On peut envisager en particulier de réaliser le contact des nanostructures semiconductrices obtenues selon le procédé décrit, avec une pile de matières comportant les matières de contact évoquées ci-dessus pour combiner 5 ainsi une forte conductivité et une solidité mécanique. Selon un développement, le composant micromécanique comporte un ensemble de nanostructures semi-conductrices permettant un contact électrique des deux côtés dans la direction verticale, les nanostructures semi-conductrices ayant au moins par zones, de la ma- 10 tière de contact qui est au moins par zones, en contact avec le côté avant des nanostructures semi-conductrices, cette matière de contact enjambant au moins en partie d'autres zones des nanostructures semiconductrices. En d'autres termes, le procédé décrit ci-dessus permet de réaliser un composant micromécanique qui chevauche des zones entre 15 une nanostructure semi-conductrice avec la matière de contact. Selon un développement préférentiel du composant micromécanique, la matière de contact est au moins à une certaine distance par rapport au côté avant des nanostructures semi-conductrices, ce qui permet de réaliser un plan de câblage particulièrement complexe 20 par la matière de contact. Le procédé de fabrication de nanostructures dans des composants micromécaniques décrits ci-dessus présentent des caractéristiques qui s'appliquent également aux composants micromécaniques et réciproquement. En particulier, le composant micromécanique tel 25 que décrit peut s'utiliser comme détecteur ou capteur pour détecter dif- férents milieux. Les nanostructures semi-conductrices décrites ci-dessus sont, par exemple, des nano-fils semi-conducteurs. Dessins 30 La présente invention sera décrite ci-après, de manière plus détaillée à l'aide d'exemples de procédé de fabrication de nanostructures représentées dans les dessins annexés dans lesquels : les figures la-7a sont des vues en coupe schématique selon la ligne A-A pour décrire un procédé de fabrication de nanostruc- 35 tures dans des composants micromécaniques ainsi que les com- 3044307 9 posants micromécaniques obtenus selon un premier mode de réalisation de l'invention, les figures lb-7b sont des vues de dessus schématiques correspondant aux vues en coupe des figures la-7a selon la ligne en 5 traits interrompus A-A, les figures 8a, 8b représentent respectivement une vue en coupe schématique et une vue de dessus correspondante pour la description d'un second mode de réalisation de nanostructures dans des composants micromécaniques et le composant microméca- 10 nique obtenu, la coupe étant faite selon la ligne interrompue A-A, la figure 9 montre un ordinogramme pour décrire le procédé selon le premier et le second modes de réalisation de l'invention. Description de modes de réalisation de l'invention Les figures la-7a sont des vues en coupe schématiques 15 faites le long de la ligne en traits interrompus A-A pour décrire un pre- mier mode de réalisation d'un procédé de fabrication de nanostructures de composants micromécaniques ; ces figures décrivent également les composants micromécaniques selon le premier mode de réalisation de l'invention. 20 Les figures lb-7b sont des vues de dessus schématiques correspondant aux vues en coupe schématique des figures la-7a le long de la ligne en traits interrompus A-A. A la figure la, la référence 10 désigne un substrat semi- conducteur ayant un côté avant 11 et un côté arrière 12. Le substrat 25 semi-conducteur 10 a une jonction pn. En variante, le substrat semi- conducteur 10 peut également avoir un dopage continu pour une certaine conductivité ou une autre combinaison de plusieurs types de dopages et de concentrations de dopage. La figure 2a montre une matière catalytique 20 déposée 30 et structurée sur le côté avant 11 du substrat semi-conducteur 10. Comme le montre la figure 2b, la matière catalytique 20, déposée est structurée pour former un motif de trous dans la matière catalytique 20. Les trous L1 n'ont pas de matière catalytique 20. La figure 3a montre une matière sacrificielle 30 appliquée 35 sur la matière catalytique 20 et structurée. La matière catalytique 20 3044307 10 est entourée par la matière sacrificielle 30 et le côté avant 11 du substrat 10 est au moins dégagé par zones (voir figure 3b) de la matière sacrificielle 30, c'est-à-dire dans la région des trous L1. La figure 4a montre une matière de contact 40 déposée et 5 structurée sur le côté avant 11 du substrat semi-conducteur 10 et sur la matière sacrificielle 30. La matière de contact 40 est structurée pour que la matière de contact 40 fonctionne notamment comme couche de câblage (voir figure 4b). A la figure 5a on enlève la matière sacrificielle 30 pour 10 réaliser des accès de gravure 5 entre la matière de contact 40 et la ma- tière catalytique 20. Cela signifie que l'on laisse dégagé, sans matière sacrificielle, le côté avant 11 du substrat semi-conducteur 10 à l'exception des zones avec la matière catalytique 20 et la matière de contact 40. 15 A la figure 6a on réalise les tranchées de gravure 7 dans les zones B1 entre et sous la matière de contact 40 avec la matière catalytique 20 ; on réalise ainsi des nanostructures semi-conductrices N1 verticales, des deux côtés pour les contacts électriques. La longueur des nano structures semi-conductrices N1 qui peuvent être en contact des 20 deux côtés dépend de la durée de gravure. En variante, on peut réaliser à un endroit approprié du substrat semi-conducteur 10 une couche d'arrêt de gravure AS1. En d'autres termes, on réalise un second contact des nanostructures semi-conductrices Ni à partir du côté arrière 12 du substrat semi-conducteur 10. 25 La figure 7a correspond à la figure 6a à la différence que l'on enlève la matière de contact 40 des tranchées de gravures 7. Les figures 8a et 8b sont respectivement une vue en coupe schématique et une vue de dessus pour décrire un second mode de réalisation d'un procédé de fabrication de nanostructures dans des 30 composants micromécaniques et un composant micromécanique ainsi obtenu selon la présente invention, la coupe étant faite selon la ligne en traits interrompus A-A. Les figures 8a et 8b sont fondées sur le procédé décrit à l'aide des figures la-7a à la différence que l'on a structuré une surface à 35 graver pour réduire la matière catalytique 20 de façon à réaliser une 3044307 11 forme d'anneau étroit R 1. Cela signifie que l'on a structuré au moins un anneau étroit R1 sur le substrat semi-conducteur 10 pour réaliser les nanostructures semi-conductrices N1 dans la matière catalytique 20 pour déterminer ainsi la forme ou la section des nanostructures semi- 5 conductrice N1 (voir figure 8b). Les figures 6a, 7a, 8a montrent un composant micromécanique 100 ayant de nombreuses nanostructures semi-conductrices Ni qui peuvent être contactées électriquement verticalement à partir des deux côtés. Les figures 6b, 7b, 8b montrent des vues de dessus 10 schématiques correspondantes. Comme le montrent les figures 6a, 7a, 8a, les nanostructures semi-conductrices N1 ont de la matière de contact 40 au moins, dans des zones ; cette matière de contact 40 est au moins par zones en contact avec le côté avant 11 des nanostructures semi-conductrices Ni ; la matière de contact 40 chevauche au moins 15 partiellement les autres zones B1 des nano fils semi-conducteurs N 1. En d'autres termes, le procédé tel que décrit réalise un composant micromécanique 100 qui engendre les zones B1 entre les nanostructures semi-conductrices Ni avec la matière de contact 40. La référence A 1 représente une distance. Comme le montre la figure 6a, la matière de 20 contact 40 est au moins par zones à une distance A 1 par rapport au côté avant 11 des nanostructures semi-conductrices Nl. La figure 9 est un ordinogramme servant à décrire le premier et le second modes de réalisation du procédé selon l'invention. Comme le montre la figure 9, on exécute le procédé selon les étapes A-F 25 pour réaliser les nanostructures semi-conductrices N1 qui peuvent être contactées électriquement des deux côtés dans la direction verticale. Bien que l'invention soit décrite à l'aide d'exemples de réalisation préférentiels, elle n'est pas limitée à ceux-ci et en particulier les matières et topologies ne sont pas limitées aux exemples décrits ci- 30 dessus. 35 3044307 12 NOMENCLATURE DES ELEMENTS PRINCIPAUX 5 Accès de gravure de tranchée 7 Tranchée de gravure 5 10 Substrat semi-conducteur 11 Côté avant 12 Côté arrière 20 Matière catalytique 30 Matière sacrificielle 10 40 Matière de contact 100 Composant micromécanique A-F Etapes du procédé de fabrication AS1 Couche d'arrêt de gravure B1 Zone de chevauchement des nanostructures semi-conductrices 15 Ll Trou N1 Nanostructure semi-conductrice R1 Anneau étroit 20 REVENDICATIONS1°) Procédé de fabrication de nanostructures dans des composants micromécaniques consistant à : A) utiliser un substrat semi-conducteur (10) ayant un côté avant (11) et un côté arrière (12), B) déposer et structurer une matière catalytique (20) sur le côté avant (11) du substrat semi-conducteur (10), C) appliquer et structurer la matière sacrificielle (30) sur la matière catalytique (20), D) déposer et structurer la matière de contact (40) sur le côté avant (11) du substrat semi-conducteur (10) et sur la matière sacrificielle (30), E) enlever la matière sacrificielle (30) en formant des accès de gravure (5) entre la matière de contact (40) et la matière catalytique (20), et F) développer des tranchées de gravure (7) avec la matière catalytique (20) dans les zones (B1) entre et sous la matière de contact (40), en dé- veloppant des nanostructures semi-conductrices (N1) qui peuvent être contactées électriquement des deux côtés dans la direction verticale. 2°) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu' on utilise une gravure chimique du métal pour développer les tranchées de gravure (7) à l'aide de la matière catalytique (20). 3°) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la matière catalytique (20) est entourée par la matière sacrificielle (30) et le côté avant (11) du substrat semi-conducteur (10) est libre de matière sacrificielle (30) au moins par zones. 4°) Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu' on structure la matière de contact (40) pour qu'elle fonctionne comme une couche de câblage. 3044307 14 5°) Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu' on enlève la matière catalytique (20) des tranchées de gravure (7). 5 6°) Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu' on utilise un semi-conducteur de liaison pour le substrat semiconducteur (10). 10 7°) Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que comme matière catalytique (20) on utilise de l'argent, de l'or, du platine, du palladium ou de l'iridium. 15 8°) Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que pour la gravure chimique du métal on utilise un mélange d'acide fluoridrique et de peroxyde d'hydrogène à l'état liquide ou à l'état de vapeur sous forme gazeuse. 20 9°) Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu' on utilise du dioxyde de silicium ou un polymère pour la matière sacrificielle (30). 25 10°) Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que la matière de contact (40) est de l'aluminium, du cuivre ou du polysilicium dopé. 30 11°) Composant micromécanique (100) ayant un ensemble de nanostructures semi-conductrices (N1) qui peuvent être contactées électriquement des deux côtés dans la direction verticale, les nanostructures semi-conductrices (N1) ayant au moins par zones une 35 matière de contact (40), et 3044307 15 la matière de contact (40) est au moins par zones en contact avec le côté avant (11) des nanostructures semi-conductrices (N1) et la matière de contact (40) enjambe au moins partiellement d'autres zones (B1) des nanostructures semi-conductrices (N1). 12°) Composant micromécanique (100) selon la revendication 11, caractérisé en ce que la matière de contact (40), est au moins par zones à une distance (A1) du côté avant (11) des nanostructures semi-conductrices (N1). 5 10